【事件の表示】
　特願２００３−　４６８７８「ＭＥＭＳの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１６日出願公開、特開２００４−２５５４８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年２月２５日の出願であって、平成１８年３月３日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同年４月２８日に意見書の提出とともに明細書について補正がなされたが、同年７月２４日付けで拒絶の査定がなされ、これに対して同年８月３０日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年９月２７日付けで明細書について補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年９月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年９月２７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正するものであって、補正前後の記載を、補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前（平成１８年４月２８日付け）の特許請求の範囲
「【請求項１】ウエハの表面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記ウエハの上に複数のＭＥＭＳ素子を形成するＭＥＭＳ素子形成工程と、前記ウエハの前記凹部以外の領域に前記ＭＥＭＳ素子に接続する外部接続端子を形成する端子形成工程と、樹脂膜が形成された基材を用意し、この基材に形成された前記樹脂膜
を前
【請求項２】請求項１記載のＭＥＭＳの製造方法において、前記樹脂膜は、真空排気された容器内で荷重を加えかつ加熱して前記ウエハの表面に貼り付けることを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【請求項
３
又は２
【請求項
４
又は２
【請求項
５
４
【請求項
６
５
【請求項
７
４
【請求項
８
７
【請求項
９
７
８
【請求項
１０
９
　
（２）補正後（平成１８年９月２７日付け）の特許請求の範囲
「【請求項１】ウエハの表面に複数の凹部を形成する凹部形成工程と、前記ウエハの上に複数のＭＥＭＳ素子を形成するＭＥＭＳ素子形成工程と、前記ウエハの前記凹部以外の領域に前記ＭＥＭＳ素子に接続する外部接続端子を形成する端子形成工程と、樹脂膜が形成された基材を用意し、この基材に形成された前記樹脂膜
を真空排気された容器内で加重を加えかつ加熱して前
【請求項
２
１
【請求項
３
１
【請求項
４
３
【請求項
５
４
【請求項
６
３
【請求項
７
６
【請求項
８
６
７
【請求項
９
８
　
２　補正の適否
　請求項１における補正は、樹脂膜をウエハ表面に貼り付けることについて、「真空排気された容器内で加重を加えかつ加熱して」と限定するものであるから、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１の（２）の補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
（２）引用刊行物記載の発明、並びに、公知文献記載の発明
　原査定の拒絶の理由として引用された本願出願前に日本国内で頒布された特開２０００−１８３２０５号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平１０−１６３６４７号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開２００２−１５１５２８号公報（以下、「刊行物３」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　
（２−１）刊行物１
（２−１−ａ）特許請求の範囲（請求項１、４〜５、１０、１５、３１〜３２、３４）
「請求項１
　カバーキャップを持つ半導体デバイス形成方法であって、
　少なくともフォトエッチング可能であるカバーウェハと透過性を持つカバーウェハとのいずれかをパターン成型してカバー構造を形成するカバーウェハパターン成型工程と、
　上記カバー構造を、少なくともひとつのデバイスを有するデバイス基板に取り付けアセンブリを形成するカバー構造取り付け工程とを備えたことを特徴とする半導体デバイス形成方法。
　
請求項４
　上記カバーウェハパターン成型工程は、上記少なくともひとつのデバイスの各デバイスに対応する少なくともひとつのカバーキャップをカバーウェハに定義しカバー構造を形成するカバーキャップ定義工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス形成方法。
　
請求項５
　上記カバーウェハは、フォトエッチング可能であり、
上記カバーキャップ定義工程はカバーウェハの領域を選択的に感光する選択的感光工程を備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス形成方法。
　
請求項１０
　上記カバーキャップ定義工程は、更に、上記選択的感光域に基づいて上記カバーウェハを選択的にパターン成型するためにエッチング剤により上記カバーウェハをエッチングするエッチング工程を備えたことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス形成方法。
　
請求項１５
　上記半導体デバイス形成方法は、更に、上記エッチング工程と上記カバー構造取り付け工程の後に、アセンブリをプラズマエッチングすることで余分なフォトレジストを除去する工程を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体デバイス形成方法。
　
請求項３１
　上記半導体デバイス形成方法は、更に、各デバイスが上記カバー構造の一部分を上記カバーキャップとして備えるように、上記アセンブリを切断して少なくともひとつの切断デバイスを形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１５に記載の半導体デバイス形成方法。
　
請求項３２
　上記半導体デバイス形成方法は、更に、上記少なくともひとつの切断デバイスを包装するパッケージング工程を備えたことを特徴とする請求項３１に記載の半導体デバイス形成方法。
　
請求項３４
上記パッケージング工程は、上記少なくともひとつの切断デバイスに少なくともひとつのワイヤを取り付ける工程と、上記少なくともひとつのワイヤをグロブトップカプセル封入したボールグリッドアレイ上に上記少なくともひとつの切断デバイスをアセンブリする工程とを備えたことを特徴とする請求項３２に記載の半導体デバイス形成方法。」
　
（２−１−ｂ）段落０００１
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスに関し、特にひとつ以上のデバイスが半導体基板（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）に形成（ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｆｒｏｍ）されるか、半導体基板の上に搭載（ｒｅｓｉｄｅ　ｏｎ）される場合に、半導体ウェハ基板のための、パターン成型可能な保護カバーに関するものである。」
　
（２−１−ｃ）段落０００３〜０００８
「半導体ウェハはしばしばこうしたデバイスの基板として用いられる。これらのデバイスは、様々な公知のプロセス、たとえば、基板の表面に様々な材料の層を形成すること、イオン注入、拡散、酸化、フォトリソグラフィー、エッチング、その他のプロセスによって、基板ウェハ自身の半導体材料から形成（ｆａｂｒｉｃａｔｅ）される。形成（ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）の過程では、各デバイスの各部分が基板ウェハの「内部に」、すなわち、基板の表面の下に形成されることが一般的であるが、基板表面上に特別の位置的または構造的な特徴を持つ部分をデバイスの一部として追加形成することもある。
・・・
　本発明では、上述した基板のいずれかを「デバイス」基板と称する、すなわち、半導体デバイスを搭載（ｒｅｓｉｄｅ　ｏｎ）する基板、かつ／または、半導体デバイスを形成（ｆａｂｒｉｃａｔｅ）する基板を「デバイス」基板と称する。デバイス基板は１個または多数のデバイスを備えている。
　多くの公知の半導体デバイスは、大変壊れやすく、かつ／または、周囲からの障害（ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ　ｈａｚａｒｄ）に対して敏感である。このような障害の例としては、デバイス表面の「活性」領域（ａｃｔｉｖｅ　ａｒｅａ）のある部分への、埃その他粒子による汚染、湿気、不注意によるスクラッチ傷、その他の損傷がある。デバイスの活性領域とは一般的に電気的接続領域、半導体結合領域、光学的感知領域、またはマイクロメカニカルストラクチャ（ｍｉｃｒｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）といった機能的領域のことである。
　機能的欠陥は、上述したように、一つまたはそれ以上の周囲からの障害により生ずるものであり、デバイスの歩留まりの低下及びその他の誤動作の主な原因となり得る。かかる多数の障害によるデバイスの損傷は例えば、「切断（ｄｉｃｉｎｇ）」（デバイス基板を個別のデバイスに分ける）のプロセス、デバイスのパッケージプロセスで起こる。切断工程とパッケージング工程とを経た後に残る、機能するデバイスの数は、周囲からの障害による欠陥により著しく減少する。
　こうした障害から基板上の半導体デバイスを保護するさまざまな技術が知られている。あるものは、基板を個別のデバイスに分ける前にデバイス基板に保護用半導体キャップウェハを接着する。この技術は特に、マイクロエレクトリカルメカニカルシステム（ｍｉｃｒｏ−ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｓｙｓｔｅｍｓ：ＭＥＭＳ）のような、基板の表面上に形成したマイクロマシンパート（ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｅｄ　ｐａｒｔｓ）またはマイクロスコピックメカニズム（ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｉｃ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）を持つ半導体デバイスのウェハ基板に用いられている。」
　
（２−１−ｄ）段落００１２
「半導体イメージセンサには、別の公知技術によるパッケージ保護が行われている。これは上記したマイクロマシンデバイスに用いる保護キャップ技術とは異なる。マイクロマシンデバイス保護の方法では、デバイス基板からデバイスを切断する前にマイクロマシンデバイスのデバイス基板全体をキャップで保護する。・・・」
　
（２−１−ｅ）段落００２５〜００２８
「【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態によるアセンブリ（ａｓｓｅｍｂｌｙ）２４を上から見た図である。図中で、カバー構造（ｃｏｖｅｒ　ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）３５は、図示していないカバーウェハ（ｃｏｖｅｒ　ｗａｆｅｒ）からパターン成型されデバイス基板（ｄｅｖｉｃｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１０に取り付けられている。カバー構造３５は、図１で複数のカバーキャップ（ｃｏｖｅｒｃａｐ）３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ等として示されている。デバイス基板１０は、それぞれカバーキャップ３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ等の下に図示されていない活性領域（ａｃｔｉｖｅ　ａｒｅａ）を持つ多数の個々のデバイス（ｄｅｖｉｃｅ）１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ等を有している。図１で、更に個々のデバイス１２には電気的接続が必要なところにワイヤボンドパッド（ｗｉｒｅ−ｂｏｎｄ　ｐａｄ）１４がある。
　図２Ａ〜Ｅは、図１の線Ｉ−Ｉに沿った断面図であり、本発明の実施の形態によるカバーキャップを持つ半導体ウェハデバイスを形成（ｆａｂｒｉｃａｔｅ）する方法を時間順に示している。図２Ａ〜Ｅの半導体デバイス１２は、図を簡略にするため、半導体ウェハ基板１０から形成されるひとつのイメージセンサを示している。ここで言うデバイスとはひとつイメージセンサに限らず、半導体ウェハから形成（ｆａｂｒｉｃａｔｅ）される不特定多数のデバイスかつ／または半導体ウェハ基板や他のデバイス基板上に搭載（ｒｅｓｉｄｅ　ｏｎ）される不特定多数のデバイスに対して、本発明によるカバーキャップを付けることが可能であることは通常の技術者は容易に理解するところであろう。
　図２Ａ〜Ｅはひとつのイメージセンサ１２が形成されるデバイス基板１０の一部である。イメージセンサ（ｉｍａｇｅ　ｓｅｎｓｏｒ）１２には、イメージセンサと電気接続するためのワイヤボンドパッド１４、デバイス基板１０の上表面（ｔｏｐ　ｓｕｒｆａｃｅ）１９に露出しているカラーフィルタ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ）１６、更にカラーフィルタ１６の下側に光検出器（ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ）１８がある。多くの半導体デバイスがそうであるように、イメージセンサ１２の表面１９は壊れやすく損傷を受けやすい。・・・
　図２Ａは、デバイス基板１０上のデバイスを保護するために、カバーウェハ（ｃｏｖｅｒ　ｗａｆｅｒ）２０を、イメージセンサ１２のカラーフィルタ１６が露出している表面１９の上に、アセンブリ（ａｓｓｅｍｂｌｙ）２４を形成するようデバイス基板１０に取り付けたところを示す。通常、カバーウェハ２０の直径はデバイス基板１０の直径（ｄｉａｍｅｔｅｒ）１１と同じである（図１参照）。更に、カバーウェハ２０は以下に示すように様々なパターンのカバー構造を形成できるように「パターン成型可能」である。本発明の目的に沿ったカバーウェハは、更にカバーウェハのパターン成型後、又は、エッチング後も、機械的に強固であるという特徴を持つ。特にイメージセンサ機器では、カバーウェハ２０は光を透過する性質を持つべきであり、研磨可能な表面、光学的に平坦で堅い表面と、スクラッチ傷抵抗のある表面との少なくともいずれかの表面を持つことが望ましい。」
　
（２−１−ｆ）段落００３０〜００３１
「図２Ａ〜Ｅに示すように、カバーウェハ２０はカバーキャップ３４を定義したカバー構造を形成するようにパターン成型される。カバーキャップ３４はデバイス基板１０上のデバイス１２をそれぞれカバーし保護する。図２Ａ〜Ｅは、カバーウェハ２０をデバイス基板１０に取り付けてアセンブリ２４を形成した後に、カバーキャップ３４を持つカバー構造を形成するよう、カバーウェハ２０をパターン成型しエッチングする様子を示している。しかしながら、図２Ａ〜Ｅの方法は、デバイス基板１０に取り付ける前のカバーウェハ２０に対してカバー構造を形成する場合にも適用できる。どちらの場合でも、すなわち、パターン成型してあってもなくても、カバーウェハ２０はデバイス基板を個々のデバイスに分割切断（ｄｉｃｅ）する前にデバイス基板１０に取り付けられる。
　図２Ａは接着剤（ａｄｈｅｓｉｖｅ）２２を用いて、パターン成型の前または後に、カバーウェハ２０をデバイス基板１０に取り付ける場合を示している。ここで、接着剤はデバイス１２の表面１９に適合性のある（ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ）ものを選択する。・・・」
　
（２−１−ｇ）段落００３８〜００４１
「図１と図３、及び図２Ａ〜Ｅに示した本発明の実施の形態の方法では、パターン成型していないカバーウェハまたはカバー構造としてパターン成型されたカバーウェハを、デバイス基板に接着剤を用いて取り付けアセンブリを形成するとき、カバーウェハまたはデバイス基板のいずれかは接着剤でコーティングされる。好適な接着が得られるように、カバーウェハまたはデバイス基板の表面全体を接着剤で覆うようにしても良い。
　別の接着方法として、図１のデバイス１２Ｃ中の黒化した部分（ｄａｒｋｅｎｅｄ　ｐｏｒｔｉｏｎ）に示すように、接着剤を、カバーウェハまたはデバイス基板の輪郭パターン（ｃｏｎｔｏｕｒ　ｐａｔｔｅｒｎ）３８の部分に塗布するようにしてもよい。輪郭パターン３８の形は個々のデバイス１２の表面上の「活性領域」の外側の周囲に対応している。輪郭パターン３８の部分に接着剤を塗布すれば、デバイス１２の表面の活性領域は実質的に接着されない。更に、接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作る「スタンドオフの高さ（ｓｔａｎｄ−ｏｆｆｈｅｉｇｈｔ）」によって、カバーキャップと個々のデバイスの活性領域の間に輪郭パターンの厚みを持った空隙（ｇａｐ）ができる。公知技術のスクリーン印刷処理により、カバーウェハまたはデバイス基板のどちらかに接着剤を輪郭パターン３８の部分に塗布しても良い。
　図４は、デバイス基板１０から形成されたイメージセンサであって、上記したように輪郭パターン３８に塗られた接着剤によってデバイス基板に取り付けたカバーキャップ３４を有するイメージセンサ１２の例を示している。図４は、図１に示したデバイス１２の線ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。図１では、接着剤の塗られる輪郭パターン３８はカバーキャップ３４Ｃ内の黒化した部分として示されている。輪郭パターン３８は図４でも黒化着色して示されているが、図４に示すように、輪郭パターン３８は実際はカバーキャップ３４の下に隠れている。図４はイメージセンサという特定のデバイスの例を示しているが、輪郭パターン３８はイメージセンサ以外のデバイスに使用することもできる。
　図４において、接着剤による輪郭パターン３８は、カバーキャップ３４を空隙（ａｉｒ　ｇａｐ）４０の上に支える２個の独立した接着剤の「スタンドオフ」（“ｓｔａｎｄ−ｏｆｆ”　ｏｆ　ａｄｈｅｓｉｖｅ）３９と４１として示されている。図４の構造は、例えば、光学的に透過でない接着剤や連結材によってカバーウェハまたはカバー構造をデバイス基板に取り付けたイメージセンサ機器に於いては有用である。こうした場合には、光学的透過性のある接着剤である必要はなく、又前述したように反射を最小とするようにカバーウェハの屈折率と接着剤の屈折率を「合致（ｍａｔｃｈ）させる」必要もない。加えて、接着剤は、イメージセンサ１２のカラーフィルタ１６のようなデバイスの表面１９に適合する（ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ）接着剤である必要はそれほどなくて良い。更に、全面に接着剤を塗布した場合に、全面に塗られた連続する接着剤の層によって動き動作が不可能となるマイクロマシンデバイスや極微少な移動機構を持つＭＥＭＳに対して、図４にスタンドオフ３９と４１として示した輪郭パターン３８を用いれば、本発明のカバーキャップの装着を可能にする。」
　
（２−１−ｈ）段落００５１
「カバーウェハをパターン成型してカバー構造にし、デバイス基板に取り付けてアセンブリ２４を形成後、アセンブリを個々のデバイスに分割切断（ｄｉｃｅ）する。こうして個々のデバイスはカバー構造の一部分をカバーキャップとしてそれぞれ持つことになる。デバイス基板から分割された個々の切断デバイスはパッケージングされる。・・・」
　
（２−１−ｉ）図１を参照すると、半導体ウェハ上に複数のカバーキャップが設けられてることが、また、図４を参照すると、スタンドオフの高さによって囲まれた空隙が存在し、前記カバーキャップによって複数の輪郭パターンの厚みを持った前記空隙の内部を封止することが、それぞれ看取できる。
　
　上記記載事項（２−１−ａ）〜（２−１−ｈ）、並びに、上記認定事項（２−１−ｉ）を、技術常識を勘案しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェハからなるデバイス基板の上に複数のＭＥＭＳを形成するＭＥＭＳ形成工程と、
　前記半導体ウェハからなるデバイス基板上に、接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作るスタンドオフの高さによって囲まれた空隙を少なくとも一つ形成する空隙形成工程と、
　前記半導体ウェハからなるデバイス基板の輪郭パターン以外の領域にＭＥＭＳに接続するワイヤボンドパッドを形成するワイヤボンドパッド形成工程と、
　カバーウェハを用意し、このカバーウェハをパターン成型してカバーキャップを形成して、輪郭パターンの部分の接着剤によって、半導体ウェハからなるデバイス基板上に貼り付けて、前記カバーキャップによって複数の輪郭パターンの厚みを持った前記空隙の内部を封止するカバーキャップ形成工程と、
　半導体ウェハからなるデバイス基板を個々のデバイスに分割切断する分割切断工程と、
を少なくとも備え、
　分割された前記カバーキャップからなる封止部材で封止された前記輪郭パターンの厚みを持った空隙の内部に前記ＭＥＭＳが配置されかつ前記ワイヤボンドパッドを備えた複数のチップを形成する
　ＭＥＭＳの製造方法。」
　
（２−２）刊行物２
（２−２−ａ）段落０００１
「【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂ケースを用いて素子を気密封止した電子部品の封止構造に係り、とくに弾性表面波素子等の圧電素子を樹脂ケース内に収納するのに適した電子部品の封止構造に関する。」
　
（２−２−ｂ）段落０００５
「また、前述した樹脂積層板、枠板及び蓋板の三者からなる樹脂パッケージを用いた構造であると、銅張り樹脂積層板、枠板及び蓋板の三者を一体化するための接着剤を加熱硬化させる際に、樹脂パッケージ内部の膨張空気が接着箇所に入って気孔を生じ、気密性が損なわれる問題があった。とくに、同時に多数個取りで製造する場合には、集合基板の中央部分の膨張空気が外部に逃げにくく、枠板と蓋板との接着部分に気泡として残り、個別部品に切り離したときに気孔となって気密性不良となり、その問題が一層顕著に現れる。」
　
（２−２−ｃ）段落００１９
「まず、図１及び図２で電子部品の封止構造の全体構成を簡潔に説明する。この電子部品の封止構造は、セラミックよりも安価な樹脂ケースを用いており、この樹脂ケース１は、熱硬化性樹脂基板２と樹脂枠３とをプリプレグ（接着樹脂シート）４を介し貼り合わせて構成されている。そして、樹脂ケース１の凹部５内に弾性表面波素子等の圧電素子を構成するフリップチップ１０が装着され、前記凹部内に空洞が残るように接着剤シート６で前記凹部５の上部開口を気密封止することで樹脂パッケージを構成している。ここで、気密封止の樹脂パッケージを構成する際に、樹脂等の蓋板を用いないで接着剤シート６で封止するのは、後述する製造工程の説明で詳細に述べるが、接着剤を加熱硬化させる際の膨張空気の逃げ対策が不要となるからである。前記樹脂基板２の上面には、導電パターン７が形成され、また前記フリップチップ１０に金属バンプとしてのＡｕバンプ１１が形成されており、前記導電パターン７に前記フリップチップ１０がＡｕバンプ１１を介して接続固定されている。・・・」
　
（２−２−ｄ）段落００２１
「また、前記樹脂ケース１の凹部５の開口を密封するための接着剤シート６は、ガラス繊維、樹脂繊維の少なくとも一方を用いた不織布を基材とし、該基材に熱硬化性の接着性樹脂が塗布、含浸されたものであり、通常接着力の強力な面は不織布が接着性樹脂で十分に覆われた片面となっている（例えば、日東電工Ｆペレット等）。接着剤シート６の他面は不織布が露出した面で接着力は弱い。従って、凹部５を気密封止する際には、接着剤シート６の不織布面を上にし、接着性樹脂面を下面として樹脂枠３の上端面に貼り付ける。前記接着剤シート６は接着性樹脂を加熱硬化させる際に、前記不織布の基材が接着性樹脂の流動を抑制する制御基材として機能する。従って、凹部５の開口を接着剤シート６で封止した際に、凹部５の内側に空洞が確実に残り、接着剤シート６に含まれる接着性樹脂が流れて凹部５内に載置されたフリップチップ１０に直接触れることはない。また、基材により接着剤シート６は硬化後もある程度平滑な面を保つことができる。」
　
（２−２−ｅ）段落００３０〜００３４
「それから、接着剤シートを受入れ、接着剤シートセット工程＃３を実行する。すなわち、枠付き集合基板３０の全面に対応した１枚の広い面積の接着剤シート３６を図７のようにフリップチップ装着済みの枠付き集合基板３０上に重ねて配置し、各樹脂ケース部分３１の凹部５開口を閉じる。
　ここで使用する接着剤シート３６は、ガラス繊維、樹脂繊維の少なくとも一方を用いた不織布を基材（例えば厚さ１１０μｍのガラス繊維不織布）とし、該基材に熱硬化性の接着性樹脂が塗布、含浸されたものであり、通常接着力の強力な面は不織布が接着性樹脂で十分に覆われた片面となっている（例えば日東電工Ｆペレットを用いる）。接着剤シート３６の他面は不織布が露出した面で接着力は弱い。従って、枠付き集合基板３０上に配置する際には、接着剤シート３６の不織布面を上にし、接着性樹脂面を下面として集合樹脂枠３３の上端面に対接させる。・・・
　接着剤シート３６の硬化は２段階に分けて行うことで応力の緩和を図っており、第１段階でまず１２０℃程度で１時間加熱し、次いで第１段階よりも高い温度で第２段階の加熱硬化処理、例えば１５０℃で２.５〜３時間の加熱硬化処理を実行して硬化工程＃４を完了する。このとき、接着剤シート３６の肉厚と第１段階の加熱硬化処理が接着性樹脂の凹部５内部への垂れ具合にとくに影響するが、０.４mm以下の肉厚の接着剤シート３６を用い、１２０℃〜１５０℃の範囲で第１段階の加熱硬化処理を実行することが樹脂垂れが少なくて好ましい（このときは枠付き集合基板３０と接着剤シート３６との接着も良好である。）。
　前記接着剤シート３６は不織布の基材（例えば厚み１１０μｍ程度）を有しているため、基材に含浸、塗布されている接着性樹脂の加熱硬化処理中での樹脂垂れを防止している。また、加熱硬化処理中に、凹部５内部の熱により膨張した空気が凹部５の外部に出ようとするが、接着性樹脂が流動状態のときに外に逃げることができ、集合基板３０を用いた場合であっても気密性不良は発生しない。従来のような樹脂板等の蓋体を用いた場合は集合基板のとくに中央部分の空気が外に逃げ出しにくく、集合基板と蓋体間に気泡となって残留し、個別部品に分離したときに気密不良となる問題があったが、この問題が解決される。」
　
（２−２−ｆ）図１から、樹脂枠内に凹部が存在することが、図２から、樹脂枠上端面に基材を貼り付けていることが、それぞれ看取できる。
　
　上記記載事項（２−２−ａ）〜（２−２−ｅ）、並びに、上記認定事項（２−２−ｆ）から、刊行物２には、次の事項が記載されていると認められる。
「熱硬化性の接着性樹脂が塗布された不織布からなる基材を用意し、この基材に塗布された熱硬化性の接着性樹脂の面を下面として、フリップチップを有する凹部周辺の樹脂枠上端面に貼り付ける凹部の封止方法。」（以下、「刊行物２の記載事項」という。）
　
（２−３）刊行物３
（２−３−ａ）請求項８
「剥離シートと感熱性接着剤層を有する基材とを備えたダイボンディングシートを、ウェハの裏面に前記ダイボンディングシートを貼着する前に、前記ウェハの外形状に前記ダイボンディングシートの前記感熱性接着剤層を有する基材のみを切断する前記ダイボンディングシート切断工程と、
　前記ダイボンディングシート切断工程で前記ウェハの外形状に切断された前記ダイボンディングシートを、加熱することにより、前記ウェハの裏面に貼着するダイボンディングシート貼着工程と、
　前記ダイボンディングシート貼着工程で前記ダイボンディングシートが貼付された前記ウェハから、前記ダイボンディングシートの前記剥離シートを剥離するシート剥離工程とを含むことを特徴とするたダイボンディングシートの貼着方法。」
　
（２−３−ｂ）段落０００１〜０００２
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ等の小型電子部品の製造工程において、ダイシングされた後、リードフレームに半導体チップをダイボンディングする際に、ダイボンディングの粘着材としても機能するダイボンディングシートを、ウェハの裏面に貼着するためのダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法に関する。
　【従来の技術】従来より、例えば、シリコンなどの半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と言う。）を製造するには、大径の円盤状に製造して、その表面に回路パターンを形成し、その表面を保護テープで保護し、その裏面を研削した後、そのウェハの裏面を、粘着シートを介してリングフレームに貼着した後、表面の保護テープを剥離し、その後、ダイシングカッターにて賽の目状に多数のチップに切断分離（ダイシング）し、この状態で次の工程である洗浄、乾燥、ダイボンディングなどの各工程に移されている。」
　
（２−３−ｃ）段落００２３〜００２４
「図１において、１は全体で本発明の半導体ウェハのダイボンディングシート貼着装置（以下、単に「貼着装置１」と言う。）を示している。貼着装置１は、図１に示すように、複数枚のウェハＷを収容するウェハ供給部１０と、ウェハ供給部１０に収容したウェハＷを搬送するウェハ搬送部２０と、ウェハ搬送部２０によりウェハ供給部１０から取り出したウェハＷの位置決めを行うアライメント部３０と、アライメント部３０で位置決めされたウェハＷの裏面Ｗ３（すなわち回路パターンが形成されていない面）に、図４に示したように、両面に感熱性接着剤層を有する基材（以下「感熱接着基材７」という）の両面に剥離シートを貼着して構成したシート（以下「ダイボンディングシート２」という）を貼着するシート貼着部４０と、シート貼着部４０にてダイボンディングシート２が貼着されたウェハＷから、ダイボンディングシート２の剥離シート４（４Ａ）を剥離するシート剥離部５０とを備えている。
　なお、このようなダイボンディングシート２としては、例えば、基材６が、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂で、感熱性接着剤層５が、ポリイミド樹脂で作製することができるが、本発明では、何らこれに限定されるものではなく、感熱性接着剤層を有する基材であればよい。・・・」
　
（２−３−ｄ）段落００３０〜００３２
「シート貼着部４０は、図１、図２および図５に示すように、可動アーム２２で搬送されるアライメントされたウェハＷを受け取るウェハ加熱貼着部４５と、ダイボンディングシート２を繰り出すシート送給部４４と、ダイボンディングシート２を切断するシート切断部４６と、ウェハＷの裏面にダイボンディングシート２を貼着する貼着押圧部４８とから構成されている。
・・・
　シート送給部４４は、ダイボンディングシート２が、図２および図５に示すように、繰り出しローラ６２に巻装されており、繰り出しローラ６２から繰り出されたダイボンディングシート２が、ガイドローラ６４、剥離ローラ６６、およびテンションローラ６８を経て、切断・貼着位置７０へ至るようになっている。なお、この際、ダイボンディングシート２の剥離シート４Ｂは、剥離ローラ６６で急激に折り返されてダイボンディングシート２から剥離され、ガイドローラ７２を経て、剥離材巻き取り部７５に巻き取られるようになっている。」
　
（２−３−ｅ）段落００４０
「すなわち、図２、図５および図８に示すように、貼着押圧部４８は、固定ローラ１０２と、その下流側に配設した押圧移動ローラ１０４とから構成されており、固定ローラ１０２が、ダイボンディングシート２のウェハＷの上流側を保持するとともに、押圧移動ローラ１０４が、上方よりダイボンディングシート２を下方に押圧しつつ、図８の矢印Ｄ方向に下流側に移動することによって、ウェハＷの裏面Ｗ３にダイボンディングシート２の感熱性接着基材７を貼着するようになっている（図８）。」
　
（２−３−ｆ）段落００４３〜００４７
「一方、ウェハＷの裏面Ｗ３にプリカットされたダイボンディングシート２の感熱性接着基材７が貼着された状態で、ダイボンディングシート２は、ウェハＷが貼着されたまま、下流側のシート剥離部５０へと搬送される。シート剥離部５０では、シート貼着部４０にてダイボンディングシート２の感熱性接着基材７がプリカットされた部分が貼着されたウェハＷから、ダイボンディングシート２の剥離シート４Ａが剥離される。
・・・
　従って、シート剥離部５０では、図１０に示すように、ウェハＷの裏面Ｗ３にダイボンディングシート２の感熱性接着基材７が貼着された状態で、下流側のシート剥離部５０へと搬送されたダイボンディングシート２に対して、マウントテーブル１１６が、図１０の矢印Ｆ方向に上昇して、マウントテーブル１１６の吸着部１２２で、ウェハＷの外周部Ｗ１を吸着する。そして、図示しないエアー供給源に接続されたエアー供給管１２４を介して、圧縮空気Ｐが一定の圧力で供給され、ウェハＷの表面Ｗ２を一定の圧力で上方に全体に支持する。
　この状態で、図１０の矢印Ｅで示すように、シート剥離手段として一対の剥離移動ローラ１０８、１１０を上流側に移動することによって、一対の剥離移動ローラ１０８、１１０で挟持されたダイボンディングシート２は、図１０の点線で示すように、切り込み（プリカット）８８によって、ウェハＷの裏面Ｗ３に感熱性接着基材７が貼着された状態で、剥離シート４Ａがプリカットされた感熱性接着基材７の切断カスと一緒に剥離される。そして、剥離された剥離シート４Ａは、固定ローラ１１２に案内されて、巻き取りローラ１１４に巻き取られるようになっている。」
　
　上記記載（２−３−ａ）〜（２−３−ｆ）の記載事項から、刊行物３には、次の事項が記載されていると認められる。
「両面に感熱性接着剤層を有する基材の両面に剥離シートを貼着して構成したダイボンディングシートを、ウエハＷの裏面に貼る際に、一方の剥離シートを剥離した後、ウェハＷの裏面Ｗ３にダイボンディングシート２の基材を貼着し、その後、切り込み（プリカット）８８によって、ウェハＷの裏面Ｗ３に基材が貼着された状態で、他方の剥離シートがプリカットされた基材の切断カスと一緒に剥離される方法。」（以下、「刊行物３の記載事項」という。）
　
　また、本願出願前に日本国内で頒布された特開平１１−２６４５５号公報（以下、「刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（２−４）刊行物４
（２−４−ａ）段落０００１〜０００２
「【発明の属する技術分野】この発明は、高密度なＬＳＩにおける薄膜形成方法および薄膜形成装置に関する。
　【従来の技術】電子部品に関わる成膜形成法は、主に、スパッタリング法，化学気相成長法，蒸着法，塗布法，めっき法などに大別される。薄膜形成を行いたい基板の面積が小さい場合は、これらの方法の内どれかを選択すれば、およそ実現したい電子部品について対応可能であった。しかし、ＬＳＩの製造に用いるウエハや液晶パネルの大型化に伴い、大きな面積に適合した薄膜形成法が必要となってきた。また、大面積への適用だけでなく、薄膜形成における表面平坦技術などの要求も高まってきている。特に、ＬＳＩの多層配線技術の分野を例に取ると、この多層配線を実現するためには、例えば配線層間に形成される絶縁膜の表面を完全に平坦化する必要がある。」
　
（２−４−ｂ）段落００１１〜００１５
「【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。
実施の形態１
以下、この発明の第１の実施の形態として薄膜形成方法について説明する。まず、図１に示すように、シートフィルム（基材）１０１表面に、焼成することで絶縁膜となる塗布膜（薄膜）１０２を形成したものを用意する。ここで、シートフィルム１０１としては、熱可塑性樹脂フィルムを用いる。また、以下の化１で表されるＳＯＧ材料のポリシラザンの１種または２種以上を含むシリカ系絶縁膜形成用塗布液を用い、シートフィルム１０１上に塗布することにより約膜厚１μｍに塗布膜１０２を形成した。
　【化１】　　　　　
　ここで、化１において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立した水素原子または炭素原子数１〜８のアルキル基、アリール基およびアルコキシル基である。
　次に、図２（ａ）に示すように、半導体基板１０３上にアルミニウム膜をスパッタ法で膜厚５００ｎｍに形成した後、公知のフォトリソグラフィ工程とドライエッチングにより加工を行い、配線層１０４を形成する。そして、図２（ｂ）に示すように、塗布膜１０２形成面と配線層１０４形成面が向かい合うように、シートフィルム１０１と半導体基板１０３とを対向配置する。このとき、雰囲気は、真空度として１０Ｔｏｒｒ以下に設定した状態とした。このように、減圧下とすることで、シートフィルム１０１上に塗布形成した塗布膜１０２からの脱ガスが効率よく行える。
　次いで、塗布膜１０２形成面と配線層１０４形成面とを当接させ、加熱機構を有する転写板１０５を用いてシートフィルム１０１裏面より５ｋｇを加重し、シートフィルム１０１上の塗布膜１０２を半導体基板１０３の配線層１０４形成面に押しつけた。このとき、同時に、１３０℃に加熱し、また、その加熱は１０分間行った。この結果、塗布膜１０２は半導体基板１０３表面に転写される。次いで、半導体基板１０３表面に塗布膜１０２を介してシートフィルム１０１が貼り付けられた状態で、雰囲気を大気とし、図２（ｃ）に示すように、シートフィルム１０１を塗布膜１０２より剥離し、その後、焼成を行うために熱処理を施した。この結果、図２（ｄ）に示すように、半導体基板１０３上に、配線層１０４を覆うように、膜厚１．０μｍの絶縁膜１０２ａが平坦に形成された状態が得られる。」
　
　上記記載（２−４−ａ）〜（２−４−ｂ）の記載事項から、刊行物４には、次の事項が記載されていると認められる。
「表面に塗布膜が形成されたシートフィルムを用意し、このシートフィルムに形成された塗布膜を１０Ｔｏｒｒ以下の減圧下で加重を加えかつ加熱して半導体基板の表面に押し付け、前記シートフィルムを塗布膜より剥離することで、前記塗布膜が前記半導体基板の表面に形成された状態とする塗布膜形成工程。」（以下、「刊行物４の記載事項」という。）
　
（３）対比
　補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「半導体ウェハからなるデバイス基板」、「ＭＥＭＳ」、「デバイス」、「分割切断」は、前者の「ウエハ」、「ＭＥＭＳ素子」、「チップ」、「分割」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「ワイヤボンドパッド」は、個々のデバイスとの電気接続を行うものであるから、補正発明の「外部接続端子」、または「接続端子」ということができる。
　引用発明の「半導体ウェハからなるデバイス基板上」は、補正発明の「ウエハの表面」ということができるものである。
　引用発明の「接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作るスタンドオフの高さによって囲まれた空隙」と、補正発明の「凹部」とは、「囲繞部分」という限りで一致する。
　囲繞部分形成工程とＭＥＭＳ素子形成工程とは、引用発明と補正発明とにおいて、各工程が存在する限りで一致する。
　引用発明の「カバーキャップ」と、補正発明の「樹脂膜」とは、「囲繞部分の蓋」という限りで一致する。
　
　そうすると、両者は、
「ウエハの表面に複数の囲繞部分を形成する囲繞部分形成工程と、前記ウエハの上の複数のＭＥＭＳ素子を形成するＭＥＭＳ素子形成工程とが存在し、
　前記ウエハの前記囲繞部分以外の領域に前記ＭＥＭＳ素子に接続する外部接続端子を形成する端子形成工程と、
　蓋を形成する工程と、
　前記ウェハを個々のチップに分割する分割工程と、
を少なくとも備え、
　分割された囲繞部分の蓋からなる封止部材で封止された前記囲繞部分の内部に前記ＭＥＭＳ素子が配置されかつ前記外部接続端子を備えた複数のチップを形成するＭＥＭＳの製造方法。」
で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　補正発明が、「囲繞部分形成工程の後に、ＭＥＭＳ素子形成工程」を有しているのに対し、引用発明が、「ＭＥＭＳ素子形成工程の後に、囲繞部分形成工程」を有する点。
［相違点２］
　囲繞部分が、補正発明では、「凹部」であるのに対し、引用発明では、「接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作るスタンドオフの高さによって囲まれた空隙」である点。
［相違点３］
　補正発明では、「囲繞部分の蓋」が「樹脂膜」であり、その形成工程が、「樹脂膜が形成された基材を用意し、この基材に形成された前記樹脂膜を前記ウエハの表面に貼り付け、前記基材を前記樹脂膜より剥離することで、前記樹脂膜が前記ウエハの表面に形成された状態とし、前記樹脂膜により複数の前記凹部の内部を封止する樹脂膜形成工程」であるのに対し、引用発明では、「蓋」が「カバーキャップ」であり、その形成工程が、カバーウェハをパターン成型するものである点。
［相違点４］
　補正発明では、樹脂膜を「真空排気された容器内で加重を加えかつ加熱して」いるのに対し、引用発明では、そのように特定されていない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　囲繞部分形成工程、ＭＥＭＳ素子形成工程のいずれを先にするかは、作成しようとするＭＥＭＳ素子の種類、製造のしやすさ、コスト等を考慮して、当業者が必要に応じて適宜選択する事項である。
　したがって、引用発明の相違点１に係る点は、当業者が容易になし得た事項である。
　
［相違点２について］
　補正発明の「凹部」の「凹」について検討すると、「凹」の意味は「物の表面が部分的にくぼんでいること。」であることが、広辞苑（新村出　編，第２版増訂版，株式会社岩波書店，昭和５１年１２月１日，p.263）に記載されている。したがって、「凹部」の意味は、「物の表面が部分的にくぼんでいる部分」ということができる。
　一方、引用発明の「接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作るスタンドオフの高さによって囲まれた空隙」は、「半導体ウェハからなるデバイス基板上」に設けられたものであり、「接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作るスタンドオフの高さによって囲まれた空隙」は、「凹部」ということができるものである。
　そうすると、囲繞部分である補正発明の「凹部」と、引用発明の「接着剤の輪郭パターン部分の厚みが作るスタンドオフの高さによって囲まれた空隙」とは、表現上の差違にすぎないものである。
　
［相違点３について］
　刊行物２の記載事項は、「熱硬化性の接着性樹脂（補正発明の「樹脂膜」に相当。以下、同様）が塗布された不織布からなる基材を用意し、この基材に塗布された熱硬化性の接着性樹脂（樹脂膜）の面を下面として、フリップチップを有する凹部周辺の樹脂枠上端面に貼り付ける凹部の封止方法。」であり、刊行物２には、電子素子等を有する凹部を封止する封止部材として樹脂膜を用いることが記載されている。
　そして、樹脂膜等をウエハ表面に貼り付ける際に、樹脂膜が形成された基材（剥離シート）のみを剥離により貼り付けを行うことは、刊行物３の記載事項のほか、例えば、特開２０００−６８２９３号公報の請求項１、段落００６１、００６６〜００６８、等に示すように周知の事項にすぎない。
　そうすると、相違点３に係る点は、引用発明に、刊行物２〜３の記載事項、及び、周知の事項を適用して、当業者が容易になし得たものである。
　
［相違点４について］
　刊行物４の記載事項の「１０Ｔｏｒｒ以下の減圧下」は、真空排気された容器内で行っているといえるから、刊行物４の記載事項は、「表面に塗布膜（補正発明の「樹脂膜」に相当。以下、同様）が形成されたシートフィルム（基材）を用意し、このシートフィルム（基材）に形成された塗布膜（樹脂膜）を１０Ｔｏｒｒ以下の減圧下（真空排気された容器内）で加重を加えかつ加熱して半導体基板（ウエハ）の表面に押し付け、前記シートフィルム（基材）を塗布膜（樹脂膜）より剥離することで、前記塗布膜（樹脂膜）が前記半導体基板（ウエハ））の表面に形成された状態とする塗布膜形成工程（樹脂膜形成工程）。」であり、これにより、シートフィルム上に塗布形成した塗布膜から脱ガスを効率よく行うようにしたものである。
　そうすると、相違点４に係る点は、引用発明に、刊行物４の記載事項を適用して、当業者が容易になし得たものである。
　
　そして、補正発明の効果も、引用発明、刊行物２〜４の記載事項、及び、周知の事項から予測しうる程度のものであって、格別なものではない。
　
　以上のとおりであるので、補正発明は、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物１〜４記載の発明、及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は、平成１９年１２月１０日付け回答書において、補正案を提示しているので、一応、検討する。
　補正案に提示された特許請求の範囲の請求項１は、補正発明に、次のａ〜ｄである点を限定したものである。
ａ．複数の凹部について、「固定壁を形成してこの固定壁に囲まれた」と限定した点。
ｂ．外部接続端子について、「ウエハの上」、「ウエハの表面に露出した」と限定した点。
ｃ．樹脂膜の形成箇所について、「固定壁の上」であることを限定した点。
ｄ．ウエハについて、「前記樹脂膜を前記凹部ごとに分割して隣り合う前記凹部の間を露出させた」と限定した点。
　しかし、引用発明の「輪郭パターン部分」も、厚みを持った空隙を形成するものであり、「固定壁」ということができるものであるから、補正案に係る発明も、刊行物１〜４及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、特許法（平成１８年法律第５５号による改正前）第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、改正前特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成平成１８年４月２８日付け手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載から見て、請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。その特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記第２の１の（１）に記載したとおりである。
　
２　引用刊行物記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１〜３の記載事項は、前記第２の２（２）の（２−１）〜（２−３）に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、前記第２の２（３）で示した一致点で一致し、相違点１〜３で相違する。そして、相違点１〜３についての判断は、前記第２の２（４）で検討したとおりである。
　したがって、本願発明は、刊行物１〜３記載の発明、及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１〜３記載の発明、及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。