【事件の表示】
　特願２００１−３３８０６５「ストレージノードのコンタクトの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月１６日出願公開、特開２００３−１４２６０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯等 
　本願は、平成１３年１１月２日の出願であって、平成１６年９月１７日付けで拒絶査定がなされ、同年１２月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年１月２６日付けで手続補正がなされ、その後、当審において同年１２月２１日付けで審尋がなされ、その後平成１８年１月２６日に回答書が提出され、さらに、平成１９年２月１３日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である同年６月４日に意見書と手続補正書が提出されたものであって、「ストレージノードのコンタクトの形成方法」に関するものである。 
 　 
２．当審の拒絶理由 
　当審において平成１９年２月１３日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願明細書の記載が不備であるから特許法第３６条第４項及び第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない、というものであり、具体的内容は、以下のとおりである。 
 　 
　「本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。  
 　 
 　 　　　　　　　　　　　　　　　記　 
 　 
 理由１．［特許法第３６条第６項第１号及び第２号について］ 
 　特許請求の範囲について 
　（１）請求項１について 
　（ａ）「ビットライン」がどのような構成であるか不明りょうである。　
　図４及び００１９段落及び００２０段落の記載によれば、「ビットラインＡ」は、ゲート絶縁膜２１０、導電層２１３、ハードマスク２１７及びそれらの積層体の側壁に形成されたスペーサー２２０から構成されており、以下の（ａ１）ないし（ａ３）より、「ビットライン」が、ゲート絶縁膜２１０、導電層２１３、ハードマスク２１７及びそれらの積層体の側壁に形成されたスペーサー２２０からなることを、明細書に記載される課題を解決するための発明特定事項として、請求項１へ記載することが必要である。 
 　明細書には記載されていないが、スペーサー２２０は絶縁層でなければ半導体素子は動作しない。（明細書に記載されない技術的事項を追加することは新規事項の追加となる恐れが強いことに注意されたい。） 
　（ａ１）「所定の下部構造を有する半導体基板」の表面（基板表面）に直接導電層２１３が形成されれば、導電層２１３はビットラインとして正常には機能しないので、導電層２１３と「所定の下部構造を有する半導体基板」との間に「ゲート絶縁膜２１０」を形成することは必要である。 
　（ａ２）ゲート絶縁膜２１０、導電層２１３及びハードマスク２１７をパターン形成した側壁に、（絶縁するための）スペーサー２２０を形成しなければ、「前記エッチング工程で残存する前記無機ＳＯＧ酸化膜のうち、前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」において、導電層２１３がウェットエッチング中にエッチングされるか、導電層２１３が劣化するために、導電層２１３を含むビットラインＡが正常に機能しない可能性が高い。 
　（ａ３）ゲート絶縁膜２１０、導電層２１３及びハードマスク２１７を積層するときに、仮に、「ハードマスク２１７」を形成せず、ゲート絶縁膜２１０及び導電層２１３の２層のみをパターン形成し（このような実施の態様は明細書に記載されていないが）、前記２層の側壁に、（絶縁するための）スペーサーを形成すると、「前記エッチング工程で残存する前記無機ＳＯＧ酸化膜のうち、前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」において、スペーサー２２０の上端とＳＯＧ酸化膜２２３との接触部分の隙間からエッチング液が導電層２１３に接触するために、導電層２１３がウェットエッチング中にエッチングされるか、導電層２１３が劣化するために、「コンタクト」が正常に機能しない可能性が高い。 
　（ａ４）なお、ゲート酸化膜２１０が半導体基板２０１上に層間絶縁膜２０３を介して形成される場合には、導電層２１３が電界効果トランジスタのゲート電極として動作することは、極めて困難であり、なぜ、「ゲート酸化膜２１０」を「ゲート酸化膜」と呼ぶのか不明りょうである。通常、「ゲート酸化膜」とは電界効果トランジスタのゲート電極と電界効果トランジスタのチャネルを形成する半導体基板等の半導体層との間に介在させるものを意味する。　 
　（ｂ）「プラグポーリ」の形成工程が記載されておらず、「プラグポーリ」をどこに形成するかが明りょうでない。また、「プラグポーリ」は、「所定の下部構造を有する半導体基板」に含まれる構成であり、「半導体基板上にビットラインを形成する段階」より前に、形成されることが必要である。さらに、「所定の下部構造を有する半導体基板」に「プラグポーリ２０７」は含まれていることが必要である。「プラグポーリ２０７」が形成されなければ、コンタクト２６０が形成された時に、コンタクトと半導体基板２０１との導電接続ができず、コンタクトは構造として不完全であり、コンタクトとは呼べないものとなる。　 
　（ｃ）「前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜を塗布して６００℃以上の温度で熱処理工程を実施する段階」がどのようなものであるか、以下の（ｃ１）ないし（ｃ３）示す点について明りょうでない。 
　（ｃ１）本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の００２１段落ないし００２３段落に記載される、「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３を塗布して熱処理を実施する。」（００２１段落）と「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３の蒸着工程は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する。」（００２２段落）との工程において、００２１段落には、「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３」を「塗布」により形成した後熱処理することが記載され、一方、００２２段落においては、「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３」を「蒸着工程」により「３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上」に形成した後に「熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下」で熱処理を実施することが記載されている。 
　（ｃ２）しかしながら、００２１段落の記載（「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３」、「塗布」）と００２２段落の記載（「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３」、「蒸着」）とがどのような関係にあるのか明りょうでなく、明細書に記載される実施の形態において、どのようにして「ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成するか明りょうでなく、「蒸着」により「無機ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成する場合においては、「熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する。」と熱処理条件が記載されているが、「塗布」により「ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成する場合においては、熱処理条件は、当初明細書等に何ら記載されていない。 
　（ｃ３）また、「この時、ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ膜はビットライン上に積まれる無機ＳＯＧ膜に比べて密度が低下する効果がある。」（００２３段落）との効果は、「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３」及び「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３」のいずれにおいても、同様に奏せられる効果であるか明りょうでなく、上記効果が、単に「６００℃以上の温度で熱処理工程」により得られる効果であるか、「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３の蒸着工程は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する」（００２２段落）ことにより奏せられる効果であるか明りょうでないから、請求項１に係る発明の構成は明りょうでない。 
　（ｃ４）さらに、ＨＳＱの耐熱温度（熱的安定性）が４００℃程度である（必要であれば、Thin Solid Films 332(1998),pp351-355を参照）にもかかわらず、「６００℃〜６５０℃以上」の温度で熱処理が可能であることの根拠も不明りょうである。 
　（ｄ）「前記無機ＳＯＧ酸化膜上に感光膜を塗布して、ストレージノードのコンタクトが形成される部分を遮断して、他の部分は開放させて感光パターンを形成した後、無機ＳＯＧ酸化膜をエッチングする段階」において、「ストレージノードのコンタクトが形成される部分を遮断して、他の部分は開放させて感光パターンを形成した」とあるが、「遮断」することおよび「解放」することが技術的にどのようなことを意味するか明りょうでなく、明細書の００２４段落には同様な記載はあるが、上記構成について、当初明細書等には、関連する記載がされていないから、前記「段階」の構成が不明りょうである。 
　さらに、「前記無機ＳＯＧ酸化膜上に感光膜を塗布して、ストレージノードのコンタクトが形成される部分を遮断して、他の部分は開放させて感光パターンを形成した後、無機ＳＯＧ酸化膜をエッチングする段階」の「無機ＳＯＧ酸化膜をエッチングする段階」において、「無機ＳＯＧ酸化膜」のどの部分をどのようにエッチングするか明りょうでなく、当初明細書等にも具体的には何ら記載されていない。 
　（ｅ）「前記エッチング工程で残存する前記無機ＳＯＧ酸化膜のうち、前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」がどのようなもの（どの部分をどのようにエッチングするのか）であるか、図５、図６、００２４段落及び００２５段落の記載を参照しても構成が不明りょうであり、また、「前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去」する工程においての「エッチング条件」が何ら示されておらず、また、明細書の００２３段落ないし００２６段落にも、「エッチング条件」が全く記載されておらず、前記「段階」の構成が明りょうでない。 
　（ｆ）「前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜のボイドが埋め立てられないように、ストレージノードの隔離のためにＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」における、「ＨＤＰ酸化膜」を「蒸着する」ための条件が当初明細書等に何ら記載されておらず、どのようにしてどこに（「前記無機ＳＯＧ酸化膜上に感光膜を塗布して、ストレージノードのコンタクトが形成される部分を遮断して、他の部分は開放させて感光パターンを形成した後、無機ＳＯＧ酸化膜をエッチングする段階と、前記エッチング工程で残存する前記無機ＳＯＧ酸化膜のうち、前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」で形成された構造のどの部分に）形成するか明りょうでなく、前記「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」がどのような構成であるか不明りょうである。 
　特に、「前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」で形成された「ボイド」は「無機ＳＯＧ酸化膜」のエッチング除去された部分において、「無機ＳＯＧ酸化膜」に覆われておらず、「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」において、「ボイド」を含めた「無機ＳＯＧ酸化膜」の表面（側面等を含む）に「ＨＤＰ酸化膜」をどのように「蒸着」されるか（どのように形成されるか）不明りょうであり、この点に関して、当初明細書等には具体的に何らの記載もない。　 
　（ｇ）「前記結果物をＣＭＰ工程で平坦化を実施した後」とあるが、「ＨＤＰ酸化膜」は、「ボイド」を含めた「無機ＳＯＧ酸化膜」の表面（側面等を含む）に形成されており、少なくとも「ボイド」が形成された部分を含む、「無機ＳＯＧ酸化膜」がエッチング除去された領域においては、「無機ＳＯＧ酸化膜２２３」の上部表面（図７の「無機ＳＯＧ酸化膜２２３」と「ＨＤＰ酸化膜２４０」の界面）より遙かに低くなっており、通常のＣＭＰ工程により、「ボイド」を埋め込むことなく、簡単に平坦化できるものとは認められない。 
　したがって、「前記結果物をＣＭＰ工程で平坦化を実施」する段階（工程）がどのようなものであるか不明りょうである。 
　（ｈ）「選択的に感光膜を蒸着してストレージノードのコンタクトを形成するためにマスキングエッチングを進行して、前記半導体基板上のプラグが形成されるべき部分であってポリシリコンで埋め立てられた部分であるプラグポーリと連結するストレージノードのコンタクトを形成する段階」において、どのようにして「感光膜を蒸着」するのか、「ストレージノードのコンタクト」をどのようにして（どの構成要素をエッチングして）どこに形成するか、これまでの構成で形成されていない「プラグポーリ」と「連結する」とはどのような構成であるか、「前記半導体基板上のプラグが形成されるべき部分」とはどこであるか不明りょうであるから、前記「段階」がどのようのものであるか不明りょうである。 
　特に、半導体分野において、「感光膜」を「蒸着」により形成することは、一般的な技術ではなく、「感光膜を蒸着」するとはどのような技術であるか、根拠となる刊行物を示して意見書において説明されたい。 
　さらに、前記「段階」においては、時系列的に形成すべき構成要素（例えば、「プラグポーリ」を形成する段階は少なくとも「コンタクトを形成する段階」より前となる）が時系列的に形成されていないから、前記「段階」がどのようなものであるか不明りょうである。 
　なお、前記「段階」については、当初明細書等には、「次に、図８に示すように、コンタクト形成部２５０を除いた前記結果物の上にストレージノードのコンタクトがエッチングできるように露光工程を実施する。　最後に、図９に示すように、前記結果物をドライエッチングしてストレージノードのコンタクト２６０を形成する。」（００２８段落及び００２９段落）と、「プラグポーリ」（２０７）を形成後に「ストレージノードのコンタクト２６０」を形成することが記載されているのみである。 
 　 
（２）請求項２について　 
　（ｉ）請求項２に記載される「前記無機ＳＯＧ酸化膜の塗布は、３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理の温度は、６００℃〜７００℃以上に窒素雰囲気下で実施すること」がどのようなものであるか不明りょうであり、また、「前記無機ＳＯＧ酸化膜の塗布は、３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理の温度は、６００℃〜７００℃以上に窒素雰囲気下で実施すること」は、当初明細書等の００２１及び００２２段落を含むどこにも記載されていない。　 
　特に、「蒸着」により「無機ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成する場合においては、「熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する。」と熱処理条件が記載されているが、「塗布」により「ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成する場合の熱処理条件は、当初明細書等に何ら記載されていない。
　よって、請求項２に係る発明は、当初明細書等に記載されたものではない。  　 
　（３）請求項３について 
　（ｊ）請求項３に記載される「前記無機ＳＯＧ酸化膜のボイド形成のためのウェットエッチング時のウェット溶液」（エッチング溶液）「は、ＨＦまたはＢＯＥ を使用すること」は、当初明細書等に記載されているが、「ウェットエッチング」をどのような条件で行うかは当初明細書等に何ら記載されておらず、請求項３に係る発明の構成は明りょうでなく、実質的に、当初明細書等に記載されたものでもない。 
 　 
理由２．「特許法第３６条４項について］　 
　明細書及び図面について　 　
　（ｋ）ないし（ｐ）［省略］　
　（ｑ）当初明細書等の００２１段落ないし００２３段落に記載される「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３を塗布して熱処理を実施する。」（００２１段落）及び「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３の蒸着工程は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する。」（００２２段落）との工程において、００２１段落には、「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３」を「塗布」により形成した後熱処理することが記載され、一方、００２２段落においては、「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３」を「蒸着工程」により「３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上」に形成した後に「熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下」で熱処理を実施することが記載されいる。 
　しかしながら、００２１段落の記載（「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３」、「塗布」）と００２２段落の記載（「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３」、「蒸着」）とがどのような関係にあるのか明りょうでなく、明細書に記載される実施の形態において、どのようにして「ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成するか明りょうでない。 
　また、「この時、ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ膜はビットライン上に積まれる無機ＳＯＧ膜に比べて密度が低下する効果がある。」（００２３段落）との効果は、「ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３」及び「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３」のいずれにおいても、同様に奏せられる効果であるか明りょうでなく、上記効果が、単に「６００℃以上の温度で熱処理工程」により得られる効果であるか、「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３の蒸着工程は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する」（００２２段落）ことにより奏せられる効果であるか明りょうでない。 
　なお、「塗布」により「ＳＯＧ酸化膜２２３」を形成する場合においては、熱処理条件は、当初明細書等に何ら記載されていない。 
　（ｒ）［省略］　
　（ｓ）当初明細書等の図１０，図１１及び００３１段落及び００３２段落がどのような技術的事項を説明しているか不明りょうである。図１０と図１１がどのように異なるか不明りょうである（図面の説明では、図１０と図１１は同じである）。また、図１１について、「図１１に示すように狭い埋立て領域では十分に酸化できない短所があるので、層間絶縁膜で直接利用できない。反面に、Ｂ部分は上部無機ＳＯＧ膜のＡ部分に比べてウェットエッチングの選択比が非常に大きい特徴を持っている。」（００３２段落）と記載されているが、図１１のＢ部分がエッチングにより「無機ＳＯＧ膜」が除去された部分であるとすると、エッチング除去前、言い換えると、無機ＳＯＧ膜を「蒸着」により形成後、熱処理した後の状態はどのようであるか何ら記載されておらず、明細書に記載される作用効果が奏せられるか不明りょうである。 　
　（ｔ）［図６について］ 
　図６は、平成１６年９月１日に補正されたが、補正後の図６では、「プラグポーリ２０７」上方の「バルク無機ＳＯＧ酸化膜２２３」は除去されているが、その後の工程を示す、当初明細書等の図７及び図８では、「プラグポーリ２０７」上方の「バルク無機ＳＯＧ酸化膜２２３」は除去されておらず、どのようにして（どの工程において）「プラグポーリ２０７」上方の「バルク無機ＳＯＧ酸化膜２２３」を再度形成したか不明りょうであるから、明細書及び図面の記載が不明りょうである。 　
　（ｕ）請求項１に記載される「前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜のボイドが埋め立てられないように、ストレージノードの隔離のためにＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」に対応する当初明細書等の００２６及び００２７段落の記載において、「ＨＤＰ酸化膜」を「蒸着する」ための条件が何ら記載されておらず、どのようにしてどこに（「前記無機ＳＯＧ酸化膜上に感光膜を塗布して、ストレージノードのコンタクトが形成される部分を遮断して、他の部分は開放させて感光パターンを形成した後、無機ＳＯＧ酸化膜をエッチングする段階と、前記エッチング工程で残存する前記無機ＳＯＧ酸化膜のうち、前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」で形成された構造のどの部分に）形成するか明りょうでなく、前記「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」をどのような条件でどのように実施するか不明りょうである。 
　さらに、請求項１に記載される「前記ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ酸化膜をさらにウェットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階」で形成された「ボイド」は「無機ＳＯＧ酸化膜」のエッチング除去された部分において、「無機ＳＯＧ酸化膜」に覆われておらず、「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」において、「ボイド」を含めた「無機ＳＯＧ酸化膜」の表面（側面等を含む）に「ＨＤＰ酸化膜」をどのように「蒸着」されるか（どのように形成されるか）について、当初明細書等には何ら具体的記載がなく、どのようなものであるか不明りょうである。 
　したがって、当業者が容易に実施できる程度に明細書に記載されているとは認められない。 
 　 
　よって、前記（ｋ）ないし前記（ｕ）に記載した理由により、本願の明細書は当業者が容易に実施できる程度に記載されているものとは認められない。」
　　
３．明細書記載事項と請求人の主張 
　請求人は、平成１９年６月４日付けの手続補正書で特許請求の範囲及び明細書の００１５段落、００１９段落ないし００２１段落及び００２４段落を補正しており、補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３は以下のとおりである。 　
 「【請求項１】プラグポーリを有する半導体基板上にビットライン絶縁膜、導電層、ハードマスク及びこれら積層物の側壁に形成された絶縁性スペーサからなるビットラインを形成する段階と、　
　前記ビットラインを埋め立てる無機ＳＯＧ膜を蒸着し、６００℃〜６５０℃の温度で熱処理工程を実施する段階と、　
　前記無機ＳＯＧ酸化膜上にストレージノードのコンタクトが形成される部分は遮断しつつ、前記ストレージノードコンタクトが形成される部分を除いた他の領域の無機ＳＯＧ膜を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、
　前記感光膜パターンをマスクとして、前記露出された領域の無機ＳＯＧ膜をエッチングする段階と、　
　前記ビットラインとの間の無機ＳＯＧ膜をウエットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階と、　
　前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜のボイドが埋め立てられないように、ストレージノードの隔離のためにＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階と、　
　前記ＨＤＰ酸化膜を選択的にエッチングして前記プラグポーリを露出させるストレージノードのコンタクトを形成する段階と、　
　を含むことを特徴とするストレージノードのコンタクトの形成方法。
　【請求項２】前記無機ＳＯＧ酸化膜の塗布は、３００ｎｍ〜３５０ｎｍに実施することを特徴とする請求項１に記載のストレージノードのコンタクトの形成方法。
　【請求項３】前記無機ＳＯＧ酸化膜のボイド形成のためのウェットエッチング時のウェット溶液は、ＨＦまたはＢＯＥを使用することを特徴とする請求項１に記載のストレージノードのコンタクトの形成方法。」
　
　また、請求人は手続補正書と同日に提出した意見書において、以下のとおり主張している。
　「（１）審判官殿は、本願は特許法第３６条の要件を満たしていないと認定している。これに対し、本願出願人は同時に提出する手続補正書にて本願明細書を補正したので上記拒絶理由は解消したものと思料する。
　以下、これらについて説明する。
　
（２）本願発明の説明
　本願発明では、プラグポーリを有する半導体基板上に絶縁膜、導電層、ハードマスクを積層し、これら積層物の側壁に絶縁性スペーサを形成してビットラインを形成する。例えば、本願明細書の００１９段落及び００２０段落に記載されているように、半導体基板２０１の上に層間絶縁膜２０３、導電層２１０、２１３、ハードマスク２１７を積層し、層間絶縁膜２０３までエッチングしてマスクパターンの側壁に絶縁スペーサ２２０を蒸着してビットラインＡを形成する。プラグポーリの形成工程は、例えば特開２００１−３６０４４号公報に開示されているとおり公知である。上記公報の００３１段落には、「図１に示すように、半導体基板（１１）の上部に素子分離絶縁膜（１３）、モス電界効果トランジスタ（図示せず）等の下部構造物を形成し、全体表面上部にビットラインコンタクト及び貯蔵電極コンタクトに予定される部分と接続するコンタクトプラグ（１７）が備えられた第１層間絶縁膜（１５）を形成する。」と記載されている。コンタクトプラグ（１７）はビットラインコンタクト及び貯蔵電極コンタクトに予定される部分と接続する位置で特定され、このようなコンタクトプラグ（１７）は本願発明におけるプラグポーリと対応し、プラグポーリは形成方法及び位置において公知技術であると思料する。
　次に、ビットラインを埋め立てる無機ＳＯＧ膜を蒸着し、６００℃〜６５０℃の温度で熱処理工程を実施する。例えば、本願明細書の００２１、００２２、００２３段落にはＳＯＧ酸化膜２２３を形成して熱処理を実行すること、熱処理温度は６００℃〜６５０℃で実施することが記載されている。ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ膜は、熱処理工程により密度が減少する効果が得られる。本願発明では、高温で熱処理することで無機ＳＯＧ膜の密度を緻密化することができるが、高温熱処理の際に、ビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ膜はその幅が狭いためビットライン上に積まれる無機ＳＯＧ膜と物理化学的に大きな差異を示す。有機ＳＯＧは、含有したカーボンが燃えるか壊れるため、高温熱処理することが困難であるが、無機ＳＯＧの中でもＨＳＱ系列の無機ＳＯＧ膜は、高温熱処理が可能である。
　なお、今回の手続補正では、ＳＯＧ酸化膜２２３の「塗布」をＳＯＧ酸化膜２２３の「蒸着」と補正した。００２２段落にはＳＯＧ酸化膜２２３を蒸着することが記載されており、この記載と整合させたものである。
　次に、無機ＳＯＧ酸化膜上にストレージノードのコンタクトが形成される部分は遮断しつつ、ストレージノードコンタクトが形成される部分を除いた他の領域の無機ＳＯＧ膜を露出させる感光膜パターンを形成し、感光膜パターンをマスクとして、前記露出された領域の無機ＳＯＧ膜をエッチングし、ビットラインとの間の無機ＳＯＧ膜をウエットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する。例えば、本願明細書の００２４、００２５段落に、素ストレージノードが形成される部分を遮断して無機ＳＯＧ酸化膜２２３をエッチングすること、無機ＳＯＧ酸化膜２７０をウエットエッチングして除去すること、ウエットエッチングはＨＦまたはＢＯＥ溶液を使用することが好ましいことが記載されている。なお、エッチングする対象であるビットラインとの間に埋め立てられた無機ＳＯＧ膜と、ビットライン上に積まれる無機ＳＯＧ膜は、上記のように高温熱処理の過程による物理化学的相違によるエッチングの選択比が確保されるので、特別なエッチング条件は要求されない。
　そして、人為的なボイドを形成した後に、その結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜のボイドが埋め立てられないように、ストレージノードの隔離のためにＨＤＰ酸化膜を蒸着する。ＨＤＰ酸化膜は、高密度プラズマ酸化膜、つまりプラズマを利用して形成する酸化膜であり、ＨＤＰ酸化膜を蒸着する条件は広く知られている。したがって、当業者であればＨＤＰ酸化膜を容易に蒸着し得ると思料する。
（３）むすび
　以上説明したように、本願は特許法第３６条の要件を満たしたものと思料するので、再度ご審理の上、原査定を取り消す、本願発明はこれを特許すべきものとする、との審決を賜りたくお願いする次第である。」
　
４．当審の判断 
　平成１９年２月１３日付けの拒絶理由通知の、理由１及び理由２について、請求人の主張を参酌しつつ検討する。 
（１）請求項１について
（ａ）補正後の請求項１には、「プラグポーリを有する半導体基板上にビットライン絶縁膜、導電層、ハードマスク及びこれら積層物の側壁に形成された絶縁性スペーサからなるビットラインを形成する段階」と記載されているが、「ビットライン絶縁膜」なる技術用語に関して発明の詳細な説明には、００１５段落に請求項１を転記した記載があるのみであり、「ビットライン絶縁膜」が如何なる構造かは記載されておらず、発明の詳細な説明には「ビットライン絶縁膜」について技術的に意味のある記載はされていない。したがって、「ビットライン絶縁膜」を含む上記「段階」を含む補正後の請求項１に係る発明は、本願の願書に添付された明細書又は図面（以下「本願明細書等」という。）に記載されたものではない。
（ｂ−１）補正後の請求項１の「前記ビットラインを埋め立てる無機ＳＯＧ膜を蒸着し、６００℃〜６５０℃の温度で熱処理工程を実施する段階」における、「無機ＳＯＧ膜を蒸着し、６００℃〜６５０℃の温度で熱処理工程を実施する」ことは、補正前の請求項１の「無機ＳＯＧ膜を
塗布
（ｂ−２）しかしながら、本願明細書等には、「前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜を塗布して熱工程を実施する段階」（請求項１）、「前記無機ＳＯＧ膜の塗布は、３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施」（する）（請求項２）、「無機ＳＯＧ膜を塗布して熱工程を実施」（００１４段落）、「前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜を塗布して熱工程を実施する段階」（００１５段落）、「続いて、図５に示すように、前記ビットラインＡを形成した後、下部のプラグポーリ２０７が開放した状態でＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３を塗布して熱処理を実施する。」（００２１段落）及び「本発明に係るストレージノードの接合部位の形成方法では、ストレージノードの接合部位が埋立て特性が非常に優秀な無機ＳＯＧ膜で塗布されて、熱処理によってＳＯＧ膜の特性上、平坦化も行われて後続の露光工程が容易である。」（００３３段落）と統一的に「無機ＳＯＧ膜」の（を）「塗布」と記載されており、００２２段落に、例外的に「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３の蒸着工程」と記載されているのみである。
（ｂ−３）したがって、例外的な００２２段落の記載のみを根拠として、請求項１の「無機ＳＯＧ膜」を形成する工程が、蒸着工程によるものであると補正することは、本願明細書等の記載、言い換えると、全体的に見た明細書の記載と整合せず、上記「段階」を含む補正後の請求項１に係る発明は、依然として明確でなく、また、明細書に記載されたものであるとも認められない。
（ｃ）補正後の請求項１の「前記無機ＳＯＧ酸化膜上にストレージノードのコンタクトが形成される部分は遮断しつつ、前記ストレージノードコンタクトが形成される部分を除いた他の領域の無機ＳＯＧ膜を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、　前記感光膜パターンをマスクとして、前記露出された領域の無機ＳＯＧ膜をエッチングする段階」なる記載において、「前記無機ＳＯＧ酸化膜上にストレージノードのコンタクトが形成される部分は遮断しつつ」を、「前記無機ＳＯＧ酸化膜上にストレージノードのコンタクトが形成される部分」に感光性パターンを形成すると解するとしても、図６に記載される「ビットライン」が形成された部分に感光性パターンを形成するか否か記載されていないから、上記両段階により、図６に記載された構成が形成できるとは認められず、上記両段階を含む補正後の請求項１に係る発明は、依然として明確でなく、また、明細書に記載されたものでもない。
（ｄ）補正後の請求項１の「前記感光膜パターンをマスクとして、前記露出された領域の無機ＳＯＧ膜をエッチングする段階と、　前記ビットラインとの間の無機ＳＯＧ膜をウエットエッチングで除去して人為的なボイドを形成する段階と」において、「無機ＳＯＧ膜」の状態及び「ウエットエッチング」の条件について何ら特定されておらず任意であり、「前記感光膜パターンをマスクとして、前記露出された領域の無機ＳＯＧ膜をエッチングする段階」において、少なくとも「無機ＳＯＧ膜」の状態及び「ウエットエッチング」の条件が任意である場合に、図６に記載される構造が形成されるとは認められず、また、「人為的なボイドを形成する段階」の終了した段階で形成される構造がどのようなものであるか明確でなく、上記両段階を含む補正後の請求項１に係る発明は、依然として明確でなく、また、明細書に記載されたものでもない。
（ｅ−１）補正後の請求項１の「前記結果物上に無機ＳＯＧ酸化膜のボイドが埋め立てられないように、ストレージノードの隔離のためにＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階と、　前記ＨＤＰ酸化膜を選択的にエッチングして前記プラグポーリを露出させるストレージノードのコンタクトを形成する段階と」において、「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」の前においては、「無機ＳＯＧ膜」の表面は平坦でなく、したがって、単に「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」の直後においても、同様に表面は平坦でないことは当業者にとって明らかである。
（ｅ−２）本願の図７、図８及びそれらに関する明細書の記載においては、「ＨＤＰ酸化膜を蒸着」した後に、ＣＭＰ工程により表面を平坦化した後に、感光膜２３０を形成し、コンタクト形成部２５０を形成し、その後、コンタクト形成部２５０以外の感光膜２３０をマスクとして露光工程を実施することが記載されている。
（ｅ−３）したがって、平坦でない、「ＨＤＰ酸化膜を蒸着」した直後に感光膜２３０を形成し、露光用マスクを形成したとしても、感光膜は平坦でないので、感光膜の下のＨＤＰ酸化膜を露光工程により正確にパターニングできるとは認められず、上記「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」と「ストレージノードのコンタクトを形成する段階」を備えた、補正後の請求項１に係る発明は、依然として明確でなく、また、明細書に記載されたものでもない。
（ｆ−１）本願の図８、図９及びそれらに関する明細書の記載においては、コンタクト形成部を除去した感光膜２３０をマスクとしてドライエッチングすることにより、順次、ＨＤＰ酸化膜及び無機ＳＯＧ酸化膜２２３を除去し、プラグポリ２０７を露出するように、ストレージノードのコンタクト２６０を形成することが記載されている。
（ｆ−２）しかしながら、上記「前記ＨＤＰ酸化膜を選択的にエッチングして前記プラグポーリを露出させるストレージノードのコンタクトを形成する段階」においては、無機ＳＯＧ酸化膜２２３を除去することなく、ＨＤＰ酸化膜のみを選択的にエッチング除去しており、上記「ＨＤＰ酸化膜を蒸着する段階」と「ストレージノードのコンタクトを形成する段階」を備えた補正後の請求項１に記載される「ストレージノードのコンタクトの形成方法」によっては、本願の明細書及び図面に記載された構造を形成することはできず、補正後の請求項１に係る発明は、依然として明確でなく、また、明細書に記載されたものでもない。　
（ｇ）上記（ａ）ないし（ｆ）に記載したとおり、補正後の請求項１に係る発明は、依然として明確でなく、また、明細書に記載されたものでもない。
　したがって、補正後の請求項１に係る発明は、依然として、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。　
　
（２）請求項２について
（ａ）補正後の請求項２の「前記無機ＳＯＧ酸化膜の
塗布
　したがって、補正後の請求項２に係る発明は、依然として、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（ｂ）補正後の請求項２には、「前記無機ＳＯＧ酸化膜の
塗布
蒸着
　したがって、補正後の請求項２が引用する補正後の請求項１には、「無機ＳＯＧ酸化膜の
塗布
　よって、補正後の請求項２に係る発明は、依然として、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。　
　
（３）明細書及び図面について
（ａ）上記「２．当審の拒絶理由」において指摘した、（ｑ）については、依然として、００２１段落の「図５に示すように、前記ビットラインＡを形成した後、下部のプラグポーリ２０７が開放した状態でＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜２２３を塗布して熱処理を実施する。」と、００２２段落の「前記無機ＳＯＧ酸化膜２２３の蒸着工程は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ以上に実施し、熱処理温度は６００℃〜６５０℃以上で窒素雰囲気下で実施する。」との記載において、「
ＨＳＱ　ＳＯＧ酸化膜
塗布
無機ＳＯＧ酸化膜
蒸着
（ｂ）上記「２．当審の拒絶理由」において指摘した、（ｓ）については、本願明細書等の図１０，図１１及び００３１段落及び００３２段落がどのような技術的事項を説明しているか不明りょうであり、また、図１０と図１１がどのように異なるか不明りょうである（図面の説明では、図１０と図１１は同じである）。
　したがって、本願の明細書に記載される発明の作用効果は、上記図面及び上記段落を参照しても依然として不明確であり、当業者が実施できる程度に明細書が記載されているものとは認められない。
（ｃ）上記「２．当審の拒絶理由」において指摘した、（ｔ）については、指摘したとおり、補正後の図６では、「プラグポーリ２０７」上方の「バルク無機ＳＯＧ酸化膜２２３」は除去されているが、その後の工程を示す、本願明細書等の図７及び図８では、「プラグポーリ２０７」上方の「バルク無機ＳＯＧ酸化膜２２３」は除去されておらず、どのようにして（どの工程において）「プラグポーリ２０７」上方の「バルク無機ＳＯＧ酸化膜２２３」を再度形成したか不明りょうであるから、明細書及び図面の記載が不明りょうであって、当業者が実施できる程度に明細書が記載されているものとは認められない。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）に記載した理由により、本願の明細書及び図面は、当業者が実施できる程度に記載されているものとは認められず、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）小むすび
　したがって、本願は、特許法第３６条第４項、同条第６項第１号及び第２号のいずれの要件も、依然として満たしていない。 
 　 
　よって、請求人の主張は採用できず、先に通知した拒絶の理由の、少なくとも上記の点については依然として解消されていない。 
 　 
 ５．むすび　 
　したがって、本願は、前記手続補正書によっても、特許法第３６条第４項、第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。