【事件の表示】
　特願２００３−　７０４９２「半導体発光デバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月　７日出願公開、特開２００４−２８１６８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年３月１４日に出願された特許出願であって、原審において、平成１７年１０月２４日付で拒絶理由が通知され、同年１２月２６日に手続補正がなされたところ、平成１８年１月３１日付で拒絶査定がなされた。これに対し、同年３月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年４月４日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１８年４月４日の手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１８年４月４日の手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　半導体発光デバイスの製造方法であって、
　第１及び第２の端面を有する半導体発光デバイスチップをウェハから形成した後、前記半導体発光デバイスチップの前記第１の端面に、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物及びアルミナのいずれかである第１の層をイオンアシスト蒸着法により形成し、
　酸化チタン及び酸化タンタルのいずれかであり前記第１の層より高い屈折率を有する第２の層を前記第１の層上にイオンアシスト蒸着法により形成し、
　
前記半導体デバイスの発光波長はλであり、前記第１および第２の層の各々における厚さはλ／４より薄く、かつ、第１の層の膜厚は、第２の層の膜厚より常に厚く
と補正された（下線は当審が引いた。以下同じ。）。
　　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「
第１および第２の層
前記半導体デバイスの発光波長はλであり、前記第１および第２の層の各々における厚さはλ／４より薄く、かつ、第１の層の膜厚は、第２の層の膜厚より常に厚く
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例の記載事項
　原査定において引用された特開平４−２９９５９１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
半導体レーザ、受光素子、半導体光増幅器などの半導体素子
　
　ｂ．「【００１１】従って、本発明の目的は、上記課題に鑑み、耐久性、再現性の良い半導体増幅器などの半導体素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発明による半導体素子では、半導体素子の光入ないし出力面に誘電体薄膜層が施され、その
誘電体薄膜層が、半導体素子の光入ないし出力面側に形成され安定した組成を示す緻密な膜質層を含む
　
　ｃ．「【００１６】
【実施例１】以下に本発明の第１実施例である光増幅器を説明する。図１は第１実施例の特徴をよく表わす断面図であり、同図において、１は半導体基板、・・・・本実施例において、基板１はｎ型ＧａＡｓ結晶基板であり、６〜９はＭＢＥ或はＭＯＣＶＤで形成したエピ層である。ここで、６はｐ＋ＧａＡｓキャップ層、７はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、８は導波路となるＧａＡｓ活性層、９はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、４、５はＡｕ電極である。」
　
　ｄ．「【００２４】
【実施例２】第２実施例は第１実施例と同様な半導体基板１を用いている。この半導体基板１の端面（内側）の
第１層目２として、スパッタ法により、Ｙ
２
Ｏ
３
膜をＲＦパワー２００Ｗにより６０ｎｍの厚さまで形成する
第２層目３の膜は、ＡｌＮを材料とし、ＥＢ蒸着により、全体としてλ／４の膜厚となる様にモニターを行ないつつ堆積し、ＡＲコーティングを形成した
【００２５】図５は、１層目２に屈折率Ｎ１＝１．７０のＹ２Ｏ３膜を形成した後に２層目３として屈折率Ｎ２＝２．００のＡｌＮ膜を形成した時の、反射率Ｒ（％）と第１及び第２層目２、３の厚みｄ１、ｄ２との関係を示す。このグラフより、Ｙ２Ｏ３のｄ１が５０ｎｍ〜７０ｎｍである範囲があれば反射率０．１％以下を達成することができ、膜厚ｄ１、ｄ２の許容範囲は水晶振動子等により容易に制御できる膜厚範囲であることが分かる。
【００２６】この実施例で、
１層目２はＹ
２
Ｏ
３
を使用したが、これに限ることはなく、基板の屈折率をＮｓとすると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たす屈折率Ｎ１の材料であればよく、例えば
Ａｌ
２
Ｏ
３
、Ｓｉ０
２
２層目３は√Ｎｓ＜Ｎ２であればよく、例えば
ＴｉＯ
２
　
　ｅ．「【００２８】以上述べた実施例では、緻密な誘電体薄膜層を形成する方法としてスパッタ法について述べたが、これに限ることなく、プラズマＣＶＤ等による方法でもよく、
更に緻密な誘電体薄膜層が形成されるならば他方法でもよい
　
　ｆ．「【００３０】図６のシステム概念図において、１１は送信部、１２は受信部、１３、１４は夫々合波、分波器である。こうした構成により、
波長８３０ｎｍ
　
　上記ａ〜ｆの記載事項によれば、引用例１には、
「半導体レーザの端面にＡＲコーティング（誘電体薄膜層）を形成するについて、１層目に屈折率Ｎ１＝１．７０のＹ２Ｏ３膜を６０ｎｍの厚さまでスパッタ法で形成した後に２層目として屈折率Ｎ２＝２．００のＡｌＮ膜をＥＢ蒸着で形成し、全体としてＡＲコーティングがλ／４（λ＝８３０ｎｍ）の膜厚となるように形成する。
　この場合、１層目２はＹ２Ｏ３を使用したが、これに限ることはなく、基板の屈折率をＮｓとすると√Ｎｓ＞Ｎ１の関係を満たす屈折率Ｎ１の材料であればよく、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ０２でもよく、また、２層目は√Ｎｓ＜Ｎ２の関係を満たす屈折率Ｎ２の材料であればよく、例えばＴｉＯ２でもよい。
　誘電体薄膜層を形成する方法としては、スパッタ法及びＥＢ蒸着を用いたが、１層目の成膜法に関し緻密な誘電体薄膜層が形成されるならばスパッタ法に代えて他方法でもよい。
　以上からなる半導体レーザの製造方法。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例１発明」という。）。
　
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
　
　ア．一般に、半導体レーザが、半導体ウェハから形成される半導体発光デバイスチップであることは当技術分野の常識であるから、引用例１発明の「半導体レーザの製造方法」が、本願発明の「半導体発光デバイスチップをウェハから形成」する工程を有することは自明である。
　
　イ．引用例１発明の、半導体レーザの「端面」、「１層目」及び「２層目」は、本願補正発明の、半導体発光デバイスチップの「第１及び第２の端面」、「第１の層」及び「第２の層」にそれぞれ相当する。
　
　ウ．引用例１発明の「スパッタ法及びＥＢ蒸着」は蒸着法である点で本願補正発明の「イオンアシスト蒸着法」と一致し、また、引用例１発明の１層目、２層目は、それぞれ「Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２」、「ＴｉＯ２」でもよいのであるから、それゆえ、引用例１発明は、本願補正発明とは、「半導体発光デバイスチップの前記第１の端面に、シリコン酸化物、及びアルミナのいずれかである第１の層を蒸着法により形成し、酸化チタンであり前記第１の層より高い屈折率を有する第２の層を前記第１の層上に蒸着法により形成」する点で一致している、といえる。
　
　エ．また、引用例１発明の１層目、２層目の膜厚（光路長）の総和はλ／４であるから、１層目、２層目の各々の膜厚がλ／４よりも薄いことは明らかである。なお、この場合のλが、引用例１発明のように半導体レーザであれば、発光波長を指すことは当技術分野の常識である。
　
　オ．さらに、上掲のとおり引用例１発明の１層目、２層目の膜厚（光路長）の総和はλ／４（＝０．２５λ）であるところ、引用例１発明の１層目の膜厚は、屈折率Ｎ１＝１．７０のＹ２Ｏ３を使用した場合に６０ｎｍであって、これは、光路長に換算するとおよそ０．１２３λ（但し、λ＝８３０ｎｍ）に相当する。そうすると２層目の光路長は、１層目、２層目の膜厚（光路長）の総和０．２５λから１層目の光路長を引いた値であるから、およそ０．１２７λに相当する。これを実際の膜厚（屈折率Ｎ２＝２．００のＡｌＮ膜）に直すとおよそ５３ｎｍであって、１層目の膜厚６０ｎｍよりも薄いことになる。
　上記の計算例は、１層目がＹ２Ｏ３（屈折率Ｎ１＝１．７０）で、２層目がＡｌＮ（屈折率Ｎ２＝２．００）の場合であったが、１層目をＡｌ２Ｏ３、２層目をＴｉＯ２とすると、前者の屈折率はＹ２Ｏ３よりも小さく、また、後者の屈折率はＡｌＮよりも大きいから、この組合せによる１層目、２層目の実際の膜厚の差はさらに拡大するものと容易に推認することが出来る。
　したがって、引用例１発明は、本願補正発明の「前記第１および第２の層の各々における厚さはλ／４より薄く、かつ、第１の層の膜厚は、第２の層の膜厚より常に厚く形成する」なる事項を有する、といえる。
　
　それゆえ両者は、
「半導体発光デバイスの製造方法であって、
　第１及び第２の端面を有する半導体発光デバイスチップをウェハから形成した後、前記半導体発光デバイスチップの前記第１の端面に、アルミナである第１の層を蒸着法により形成し、
　酸化チタンであり前記第１の層より高い屈折率を有する第２の層を前記第１の層上に蒸着法により形成し、
　前記半導体デバイスの発光波長はλであり、前記第１および第２の層の各々における厚さはλ／４より薄く、かつ、第１の層の膜厚は、第２の層の膜厚より常に厚く形成する、方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］成膜方法が、本願補正発明は「イオンアシスト蒸着法」であるのに対し、引用例１発明は蒸着法ではあるものの、イオンアシスト蒸着法ではない点。
　
（４）判断
　半導体発光デバイスの端面にイオンアシスト蒸着法によりシリコン窒化物、シリコン酸化物、アルミナ、酸化チタン及び酸化タンタルなどの薄膜を形成すること、及びイオンアシスト蒸着法により形成した薄膜の膜質が優れていることは従来周知である。
　必要であれば、特開２０００−３６６３４号公報（段落【００５３】〜【００５５】）、特開２０００−２３２２５３号公報（段落【００５３】〜【００５５】）、特開２０００−２４４００９号公報（段落【００１６】）などを参照されたい。
　さらに、イオンアシスト蒸着法によれば緻密な膜を形成することができることも従来周知である。
　例えば、特開平７−２２５３１５号公報（段落【００１３】）、特表２００２−５２６７８６号公報（段落【００４０】，【００４１】）を参照のこと。
　
　然るに、引用例１発明の成膜方法としては、「緻密な誘電体薄膜層が形成されるならば・・・他方法でもよい。」のであるから、形成した薄膜の膜質が緻密で優れている周知のイオンアシスト蒸着法を引用例１発明に採用すべき動因ないし契機は十分にあるというべきである。
　
　よって、本願補正発明は、引用例１にされた発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年４月４日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１２月２６日の手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、これを「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】
　半導体発光デバイスの製造方法であって、
　第１及び第２の端面を有する半導体発光デバイスチップをウェハから形成した後、前記半導体発光デバイスチップの前記第１の端面に、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物及びアルミナのいずれかである第１の層をイオンアシスト蒸着法により形成し、
　酸化チタン及び酸化タンタルのいずれかであり前記第１の層より高い屈折率を有する第２の層を前記第１の層上にイオンアシスト蒸着法により形成する、方法。」
　　
（２）引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「
前記半導体デバイスの発光波長はλであり、前記第１および第２の層の各々における厚さはλ／４より薄く、かつ、第１の層の膜厚は、第２の層の膜厚より常に厚く形成する
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。