【事件の表示】
　平成　９年特許願第２１６３７９号「磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月　９日出願公開、特開平１１−　６６５３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年８月１１日の出願であって、平成１６年２月２３日付けで手続補正がなされ、平成１７年４月２５日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成１７年７月１１日付けで手続補正がなされたが、その後平成１７年８月４日付けで上記平成１７年７月１１日付けの手続補正が補正却下されるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年９月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年１０月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年１０月１７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１０月１７日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項について、補正前の、
　（ａ）　「【請求項２】　非磁性基板上に少なくとも下地層、Ｃｏ系磁性層、およびこのＣｏ系磁性層上に設けられた炭素を含有する層を有する磁気記録媒体の製造方法において、
　前記炭素を含有する層から炭素原子をＣｏ系磁性層に拡散させ、Ｃｏ系磁性層の厚み方向全域にわたって０．５原子％以上の炭素を含有させ、炭素を含有する層に近いほど多く含有させ、そのＣｏ系磁性層の最下部において３原子％以下の炭素を含有させる、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。」（平成１６年２月２３日付け手続補正書）を、
　（ｂ）　「【請求項１】　非磁性基板上に少なくとも下地層、Ｃｏ系磁性層およびこのＣｏ系磁性層上に設けられた炭素を含有する層を有する磁気記録媒体の製造方法において、
　
上記下地層、Ｃｏ系磁性層の各層の形成を、真空排気した容器内で２００℃以上３００℃以下の温度で行ったのち、その真空雰囲気を保ったままで炭素を含有する層を成膜し、その
、炭素を含有する層側で４５原子％程度の
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項２に記載された発明の「炭素を含有する層から炭素原子をＣｏ系磁性層に拡散させ」を「
上記下地層、Ｃｏ系磁性層の各層の形成を、真空排気した容器内で２００℃以上３００℃以下の温度で行ったのち、その真空雰囲気を保ったままで炭素を含有する層を成膜し、その
、炭素を含有する層側で４５原子％程度の
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２２５９３９号公報（以下「引用例１」という。）には、「垂直磁気記録媒体及びその製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【請求項２】
ＣｏＣｒ系垂直磁気異方性膜上に炭素質または炭化物よりなる保護膜を形成して垂直磁気記録媒体を製造する方法において、
スパタリング法により炭素質または炭化物の保護膜を形成する
垂直磁気記録媒体の製造方法
　（イ）「【０００３】磁気記録媒体の記録再生特性は、磁性膜の保磁力が大きいほど良好であり、ＣｏＣｒ系垂直磁気異方性膜を有する垂直磁気記録媒体においても同様である。磁性膜であるＣｏＣｒ系垂直磁気異方性膜はスパッタリングにより形成されるが、その垂直方向保磁力はスパッタリング時の基板の温度の影響を受ける。高い垂直方向保磁力を有するＣｏＣｒ系垂直磁気異方性膜を形成するためには、基板の温度を２００℃より高い温度に維持してスパッタリングする必要がある。
【０００４】このようにして形成された
磁性膜の上に、同様にスパッタリングにより、炭素または炭化物等の保護膜が形成されるが、工業的には磁性膜の形成に引き続き連続的に行われているのが一般的である
炭素の保護膜をスパタリングで形成する場合、磁性膜が形成された基板を引き続き
スパタリングして炭素膜を形成し、保護膜としている
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようにして得られた垂直磁気記録媒体の保磁力は、上記の方法で保護膜を形成する前の磁性膜の保磁力に比べてかなり低くなり、必要とされる十分高い保磁力を得ることができないという問題があった。本発明は保護膜を形成した後でも十分高い保磁力を有し、かつ耐久性の高い垂直磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とするものである。」
　（ウ）「【０００９】本発明は、保護膜を構成している物質であるカーボンの磁性膜中への拡散幅が１４５Å以下である。この拡散幅が１４５Åより大きいと垂直方向保磁力が低下し、必要とする十分な記録再生特性を得ることができない。
スパッタリングにより保護膜を形成する際に、基板の温度が２００℃より高いとカーボンの磁性膜中への拡散幅が大きくなり
　（エ）「【００１０】
【作用】前記
磁性膜上に、例えばスパッタリング法で前記保護膜を形成すると、前記磁性膜と前記保護膜の界面は、一般にはそれぞれの膜を構成する物質が相互に拡散した状態となっている
カーボン原子が拡散し
　（オ）「【００１２】
【実施例１】（略）直径９５ｍｍ×厚さ１．２７ｍｍのアルミニウム合金からなる
非磁性基板１上に
この基板をアルゴン雰囲気（１ｍＴｏｒｒ）中で２５０℃の温度とし
スパッタリングして軟磁性膜２の上に
磁性膜を形成した
ついで、アルゴン雰囲気（１０ｍＴｏｒｒ）中で
スパッタリングして磁性膜３の上に炭素保護膜４を形成した。この時の基板の温度は２００℃
　（カ）「【００１９】（カーボン拡散幅の測定法）磁気記録媒体の磁性膜中へのカーボンの拡散幅は、日本電子株式会社製オージェ電子分光装置「Ｊａｍｐー３０」を用いて測定した。（略）この図を用いてカーボンの拡散幅を次のとおり定義する。カーボンの含有量を示す測定曲線上で、保護膜中のカーボンの含有量がほぼ一定して最大を示す強度を１００％とし、これに対し８０％の強度を示す点をａとする。点ａにおける接線と強度１００％の水平線Ｃとの交点をＡとし、縦軸に平行な直線ＡーＡ’をひく。次に２０％の強度を示す点をｂとし、カーボンの含有量０を示す線との交点をＢとし、縦軸に平行な直線ＢーＢ’をひく。直線ＡーＡ’を保護膜と磁性膜の界面とみなし、直線ＢーＢ’をカーボンが磁性膜中へ拡散した位置とみなし、平行な直線ＡーＡ’直線ＢーＢ’の距離ｄをカーボンの拡散幅とする。」
　（キ）実施例１で得られた垂直磁気記録媒体の保護膜及び磁性膜中のカーボン、コバルト、クロムの含有量を示すオージェ電子分光測定図である図２には、カーボンが、ＣｏＣｒ系磁性膜の厚み方向に拡散し、保護膜に近いほど多いこと、またカーボンの含有量を示す強度が８０％のａ点と２０％のｂ点との間で、Ｃｏの曲線とＣの曲線とが交わっていることが、示されている。
　
（２）同じく引用された特開平５−１２６４６号公報（以下「引用例２」という。）には、「垂直磁気記録媒体」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（サ）「【０００３】ところで、この垂直磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体の磁性層は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜が主で、スパッタ法や真空蒸着法等によって成膜される。ここで、スパッタ法あるいは真空蒸着法の何れの方法でＣｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する場合にも、ある程度の抗磁力Ｈｃ（例えば７００エルステッド＝５６ｋＡ／ｍ以上）を確保するためには、成膜時の基板温度を約２００℃以上の高温にする必要がある。
【０００４】しかしながら、基板を前述のように高温に加熱すると、いわゆるカッピングやしわの発生の問題の他、成膜装置に熱変形等によりくるいが生ずる等の問題があり、連続膜形成装置での製造を考えた場合、できるだけ室温に近い温度で膜形成できることが好ましい。」
　（シ）「【０００９】すなわち、本発明の垂直磁気記録媒体は、図１に示すように、
非磁性支持体１０１上にＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜１０２を磁性層として形成するとともに、カーボンからなる保護膜１０３を形成してなるもの
【００１０】さらに、本発明においては、
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボン（Ｃ）を添加してＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜１０２となし、成膜する際の基板温度が低くとも十分な磁気特性，特に保磁力を確保できるようにする
カーボンの添加量としては、０．０５〜２．０重量％とすることが好ましく、０．０５〜０．５重量％とすることがより好ましい
【００１１】一方、
上記Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜１０２上に形成される保護膜１０３は、カーボンからなるもの
　（ス）「【００１３】
【作用】
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボン（Ｃ）を添加すると、成膜時の基板温度が低くとも磁気特性，特に保磁力Ｈｃが高められる
　（セ）「【００１９】以上の手法に従い、カーボンの添加量を変えて種々のＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を成膜した後、保護膜を形成し、さらにその表面に潤滑剤を塗布して各種サンプルを作製した。作製したサンプルにおけるＣｏ−Ｃｒ合金膜の組成、保護膜の種類、膜厚を表１に示す。」
　（ソ）「【００２１】次いで、これらサンプルについて、保磁力Ｈｃ１０００（Ｏｅ）とするのに必要な基板温度、垂直磁気異方性Ｈｋｅｆｆ、波長０．５μｍの信号を記録再生したときの相対出力、並びに摺動耐久性を調べた。（略）結果を表２に示す。」
　（タ）「【００２３】この表２を見ると明らかなように、
カーボンをＣｏ−Ｃｒ合金に添加すること
カーボン添加量が多くなりすぎると、垂直磁気異方性が劣化している
　（チ）表１には、実施例１として、Ｃｏ７９Ｃｒ２０．５Ｃ０．５、実施例２として、Ｃｏ７８．５Ｃｒ２０．５Ｃ１．０、実施例３として、Ｃｏ７９Ｃｒ２０．５Ｃ０．５、比較例３として、Ｃｏ７７．５Ｃｒ１９．５Ｃ３　が記載され、炭素の含有量は、それぞれ実施例１が
０．５原子％
１．０原子％
０．５原子％
３原子％
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（エ）（オ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「ＣｏＣｒ系垂直磁気異方性磁性膜上にスパッタリング法により炭素質よりなる保護膜を形成して垂直磁気記録媒体を製造する方法において、
　磁性膜上に、スパッタリング法で保護膜を形成すると、磁性膜と保護膜の界面は、それぞれの膜を構成する物質が相互に拡散した状態となり、保護膜の構成原子であるカーボンが磁性膜中に拡散した状態になるものであって、
　非磁性基板上に軟磁性膜を形成した基板をアルゴン雰囲気中で２５０℃の温度とし、スパッタリングにより磁性膜を形成し、ついで、アルゴン雰囲気中で基板の温度を２００℃としてスパッタリングにより磁性膜の上に炭素保護膜を形成することを含む、方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「ＣｏＣｒ系垂直磁気異方性磁性膜」「炭素質よりなる保護膜、炭素保護膜」「カーボン」「垂直磁気記録媒体」は、それぞれ補正後の発明の「Ｃｏ系磁性層」「炭素を含有する層」「炭素」「磁気記録媒体」に相当している。
　引用例１に記載された発明の製造方法において、「非磁性基板上に軟磁性膜を形成した基板をアルゴン雰囲気中で２５０℃の温度とし、スパッタリングにより磁性膜を形成し、ついで、アルゴン雰囲気中で基板の温度を２００℃としてスパッタリングにより磁性膜の上に炭素保護膜を形成 」しており、磁性膜の形成に引き続き連続的に炭素保護膜の形成が行われるのが一般的である（上記（イ）参照）から、引用例１に記載された発明は、「Ｃｏ系磁性層の形成を、真空排気した容器内で２５０℃の温度で行ったのち、その真空雰囲気を保ったままで炭素を含有する層を成膜し」ているといえ、「２５０℃」は、補正後の発明の「２００℃以上３００℃以下の温度」の範囲に含まれるから、引用例１に記載された発明と補正後の発明は、Ｃｏ系磁性層の形成とその後の炭素を含有する層の成膜に関して、「Ｃｏ系磁性層の形成を、真空排気した容器内で２５０℃の温度で行ったのち、その真空雰囲気を保ったままで炭素を含有する層を成膜し」ている点で共通している。
　引用例１に記載された発明は、「保護膜の構成原子であるカーボンが磁性膜中に拡散した状態」になり、カーボンが、ＣｏＣｒ系磁性膜の厚み方向に拡散し、保護膜に近いほど多い（上記（エ）（カ）図２参照）ので、補正後の発明の、「Ｃｏ系磁性層の厚み方向に」「炭素を含有」し「炭素を含有する層に近いほど多く」「炭素を含有」する構成に相当する構成を備えている。
　そうすると、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　
　（一致点）　「非磁性基板上に少なくともＣｏ系磁性層およびこのＣｏ系磁性層上に設けられた炭素を含有する層を有する磁気記録媒体の製造方法において、
　Ｃｏ系磁性層の形成を、真空排気した容器内で２５０℃の温度で行ったのち、その真空雰囲気を保ったままで炭素を含有する層を成膜し、その炭素を含有する層から炭素原子をＣｏ系磁性層に拡散させ、Ｃｏ系磁性層の厚み方向に炭素を含有させ、炭素を含有する層に近いほど多く炭素を含有させる、磁気記録媒体の製造方法。」
　（相違点１）　補正後の発明は、「下地層」を有し、「下地層、Ｃｏ系磁性層の各層の形成を、真空排気した容器内で２００℃以上３００℃以下の温度で行った」ことを特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　（相違点２）　Ｃｏ系磁性層に拡散する炭素の含有量について、補正後の発明は、Ｃｏ系磁性層の厚み方向「全域にわたって０．５原子％以上」の炭素を含有させ、「炭素を含有する層側で４５原子％程度の」炭素を含有させ、「Ｃｏ系磁性層の最下部において３原子％以下の炭素を含有させる」ことを特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　
（２）相違点についての判断
（相違点１）
　下地層について、引用例１には軟磁性膜の例示があるのみであるが、Ｃｏ系磁性膜の下地に関して、下地層を真空中で磁性膜と同程度の温度で成膜することは、周知の技術であって、引用例１に記載された発明において当業者が適宜なし得ることである。例えば、原審で通知した特開平５−３２５１８３号公報（段落１３参照）や特開平９−８１９２６号公報（段落１３、１５参照）の実施例や比較例にも記載されている。
　
（相違点２）
　引用例１に記載された発明では、磁性膜の最下部において炭素を含有することは記載されておらず、炭素の拡散深さを所定値以下としているが、磁性膜全体にわたって炭素を所定量含有させると保磁力の向上がはかられることが引用例２に示されており（上記（ス）参照）、引用例１に記載された発明においても炭素を全域にわたって含有させることは当業者が適宜なし得ることである。そして、炭素の含有量が０．５〜１．０原子％程度であると磁気特性の点からよいことが引用例２（上記（シ）（チ）表１参照）に記載され、多くなりすぎる（上記（タ）（チ）の比較例の３原子％参照）と、磁気特性の劣化が生じることが示されているのであるから、引用例１に記載された発明において、Ｃｏ系磁性層の厚み方向全域にわたって０．５％原子以上の炭素を含有させ、磁性層の最下部において３原子％以下の炭素を含有させるようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、補正後の発明で、「炭素を含有する側で４５原子％程度の炭素を含有させる」と特定している点について以下検討する。
　補正後の発明において、「４５原子％程度」と特定する根拠は、本願の図１のＣの曲線とＣｏの曲線の交点に対応する原子％が４５と読めることに基づくと請求の理由で説明されている。しかしながら、１実施例の図から読みとった値に格別の意義があるとはいえず、また比較例の図２も同様の値であることからも、「４５原子％」という値に格別の意義があるものではない。
　ところで、引用例１には、炭素を含有する層側での炭素の含有量の数値は明記されていないものの、引用例１の図２を見れば、炭素保護膜側の界面近くの磁性膜において、炭素が磁性膜のＣｏ成分と同程度含有されていることが明らかであり、およそ５０原子％を幾分下回る程度含有されているといえるから、「４５原子％程度」は、引用例１に記載された発明に基づき当業者が適宜選択し得る程度の値にすぎない。
　
　そして、上記相違点１乃至２を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１及び２に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点に格別の困難性を要したものではない。
　なお、補正後の発明は、炭素を含有する層を成膜することにより、炭素を磁性層に拡散させて含有させるもので、具体的には炭素を含有する層を成膜する際の基板温度を２００℃以上として磁性層厚さ方向全域にわたって炭素を含有させている（実施例１）。そして明細書では基板温度を１００℃とした比較例１と対比してその作用効果を説明している。一方、引用例１に記載された発明も炭素保護膜を成膜する際の基板温度を２００℃（上記段落１２参照）として炭素が磁性膜に拡散されているので、引用例１に記載された発明は、補正後の発明と、成膜と拡散の具体的方法においても格別相違していないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１７年１０月１７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至４に係る発明は、平成１６年２月２３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項２に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項２】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の３」で検討した補正後の発明から、「炭素を含有する層から炭素原子をＣｏ系磁性層に拡散させ」の構成についての限定事項である「
上記下地層、Ｃｏ系磁性層の各層の形成を、真空排気した容器内で２００℃以上３００℃以下の温度で行ったのち、その真空雰囲気を保ったままで炭素を含有する層を成膜し
炭素を含有する層側で４５原子％程度の
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。