(57)【要約】  電極組立体の製造方法は、積層された本体を有する電極本体、及び、積層されたタブを有し電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分がカバー外に配置されるようにカバーを設ける工程と、タブ積層体に溶接部を形成する工程と、を含み、カバーには、カバー内にガスを流入させるための流入口が設けられており、タブ積層体に溶接部を形成する工程では、カバー内の圧力がカバー外の圧力よりも高くなるように、流入口にガスを供給する。
2017195496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と前記本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、
積層された前記本体を有する電極本体、及び、積層された前記タブを有し前記電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、
前記電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、前記電極本体が前記カバー内に配置される一方で前記タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分が前記カバー外に配置されるように前記カバーを設ける工程と、
前記タブ積層体に前記溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記カバーには、前記カバー内にガスを流入させるための流入口が設けられており、
前記タブ積層体に前記溶接部を形成する工程では、前記カバー内の圧力が前記カバー外の圧力よりも高くなるように、前記流入口に前記ガスを供給する、
電極組立体の製造方法。
【請求項２】
前記カバーには、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かって前記カバー内から前記ガスを排出するための少なくとも一つの排出口が設けられている、
請求項１に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項３】
前記少なくとも一つの排出口は、複数の排出口である、
請求項２に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項４】
前記溶接部を形成する工程では、前記少なくとも一つの排出口から排出された前記ガスを吸引する、
請求項２又は３に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項５】
前記溶接部を形成する工程では、前記流入口に前記ガスをパルス状に供給する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項６】
本体と前記本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、
積層された前記本体を有する電極本体、及び、積層された前記タブを有し前記電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、
前記電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、前記電極本体が前記カバー内に配置される一方で前記タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分が前記カバー外に配置されるように前記カバーを設ける工程と、
前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分にガスを吹き付けるとともに前記タブ積層体に前記溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記カバーには、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かって前記ガスを吹き出す吹出口、及び、前記吹出口に前記ガスを供給するガス供給管が設けられている、
電極組立体の製造方法。
【請求項７】
前記ガス供給管の前記吹出口側の部分は、前記カバー内に設けられている、請求項６に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項８】
前記カバーは前記電極本体の前記側面を覆う部分を有し、
前記吹出口は、前記カバーの前記電極本体の前記側面を覆う前記部分に設けられている、請求項６又は７に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項９】
前記ガス供給管の前記吹出口側の前記部分において、前記ガス供給管の側壁の一部が前記カバーの一部で構成されている、
請求項６〜８のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項１０】
前記ガス供給管と前記カバーとが一体形成されている、
請求項６〜９のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項１１】
前記カバーには、前記カバー内にガスを流入させるための流入口がさらに設けられており、
前記タブ積層体に前記溶接部を形成する工程では、前記カバー内の圧力が前記カバー外の圧力よりも高くなるように、前記流入口に前記ガスを供給する、
請求項６〜１０のいずれか１項に記載の電極組立体の製造方法。
【請求項１２】
本体と前記本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、
積層された前記本体を有する電極本体、及び、積層された前記タブを有し前記電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、
前記電極本体の前記側面と、前記タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分とを仕切る仕切部を設ける工程と、
前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分にガスを吹き付けるとともに前記タブ積層体に前記溶接部を形成する工程と、
を含み、
前記仕切部には、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かって前記ガスを吹き出す吹出口、及び、前記吹出口に前記ガスを供給するガス供給管が設けられている、
電極組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極組立体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リチウムイオン電池等の蓄電装置は、複数の電極が積層された電極組立体を備える。各電極は、本体と、本体の一端から突出したタブとを有している。電極組立体は、積層された本体を有する電極本体と、積層されたタブを有するタブ積層体とを備える。電極組立体を製造する際には、タブ積層体が溶接される（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２０４３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
溶接時には、例えばスパッタ粒子等の異物が発生し得る。発生した異物が飛散して電極本体に付着すると、電極組立体の性能が変化してしまう可能性がある。例えば積層された電極間に異物が侵入すると、電極同士が短絡するおそれがある。【０００５】
本発明の一側面は、電極本体への異物の付着を抑制することが可能な電極組立体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、本体と本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、積層された本体を有する電極本体、及び、積層されたタブを有し電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分がカバー外に配置されるようにカバーを設ける工程と、タブ積層体に溶接部を形成する工程とを含み、カバーには、カバー内にガスを流入させるための流入口が設けられており、タブ積層体に溶接部を形成する工程では、カバー内の圧力がカバー外の圧力よりも高くなるように、流入口にガスを供給する。【０００７】
上記の電極組立体の製造方法では、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分（溶接箇所）がカバー外に配置されるようにカバーが設けられる。カバーには、カバー内にガスを流入させるための流入口が設けられている。タブ積層体に溶接部を形成する工程では、カバー内の圧力がカバー外の圧力よりも高く（つまり陽圧と）なるように、流入口にガスが供給される。カバー内の圧力が陽圧となっているので、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物は、カバーの隙間を通ってカバー内に侵入しにくくなる。よって、電極本体への異物の付着を抑制することができる。【０００８】
カバーには、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かってカバー内からガスを排出するための少なくとも一つの排出口が設けられていてもよい。この場合、溶接時には、タブ積層体の溶接箇所に向かってカバー内からガスが吹き付けられるので、溶接箇所において発生した異物がカバー内（つまり電極本体）に向かって飛散することを抑制できる。【０００９】
少なくとも一つの排出口は、複数の排出口であってもよい。このように溶接箇所に対して複数の排出口を設けることによって、異物が電極本体に向かって飛散することをさらに抑制することができる。【００１０】
溶接部を形成する工程では、少なくとも一つの排出口から排出されたガスを吸引してもよい。これにより、溶接時に発生した異物をガスとともに吸引して取り除くことができる。【００１１】
溶接部を形成する工程では、流入口にガスをパルス状に供給してもよい。これにより、ガスの供給量を低減することができる。【００１２】
本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、本体と本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、積層された本体を有する電極本体、及び、積層されたタブを有し電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、電極本体を覆うカバーを設ける工程であり、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分がカバー外に配置されるようにカバーを設ける工程と、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分にガスを吹き付けるとともにタブ積層体に溶接部を形成する工程と、を含み、カバーには、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かってガスを吹き出す吹出口、及び、吹出口にガスを供給するガス供給管が設けられている。【００１３】
上記の電極組立体の製造方法では、電極本体がカバー内に配置される一方でタブ積層体のうちの溶接部が形成される部分（溶接箇所）がカバー外に配置されるようにカバーが設けられ、溶接箇所にガスを吹き付けるとともにタブ積層体に溶接部が形成される。電極本体をカバーで覆うことにより、アシストガス等のガスを溶接箇所に供給しつつ、溶接時に発生した異物が飛散して電極本体に付着することを抑制することができる。また、カバーには、溶接箇所に向かってガスを吹き出す吹出口、及び、吹出口にガスを供給するガス供給管が設けられている。これにより、電極本体をカバーで覆うだけで、タブ積層体の溶接箇所よりも電極本体側に吹出口が配置されるようにガス供給管を設けることができる。よって、電極本体への異物の付着を抑制しつつ、タブ積層体の溶接箇所にガスを効果的に供給することができる。ガス供給管の吹出口側の部分は、カバー内に設けられていてもよい。【００１４】
カバーは電極本体の側面を覆う部分を有し、吹出口は、カバーの電極本体の側面を覆う部分に設けられていてもよい。これにより、吹出口をタブ積層体の溶接箇所の近くに設けることができる。【００１５】
ガス供給管の吹出口側の部分において、ガス供給管の側壁の一部がカバーの一部で構成されていてもよい。これにより、カバー内に占めるガス供給管のスペースを低減することができるので、ガス供給管をカバー内に設け易くなる。【００１６】
ガス供給管とカバーとが一体形成されていてもよい。ガス供給管とカバーとが分離していると、それらを別々に配置することによる位置ずれが生じる可能性があるが、ガス供給管とカバーとが一体形成されていることにより、そのような位置ずれの問題が生じず、取扱いも容易となる。【００１７】
上記の電極組立体の製造方法においても、カバーには、カバー内にガスを流入させるための流入口がさらに設けられており、タブ積層体に溶接部を形成する工程では、カバー内の圧力がカバー外の圧力よりも高くなるように、流入口にガスを供給してもよい。この場合、先に説明したように、カバー内の圧力が陽圧となっているので、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物は、カバーの隙間を通ってカバー内に侵入しにくくなる。よって、電極本体への異物の付着をさらに抑制することができる。上述のガス供給管によって吹き出し口に供給されるガスの種類と、流入口に供給されるガスの種類とは同じであってもよいし異なっていてもよい。【００１８】
本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、本体と本体の少なくとも一端から突出するタブとを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、積層された本体を有する電極本体、及び、積層されたタブを有し電極本体の側面から突出するタブ積層体を準備する工程と、電極本体の側面と、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分とを仕切る仕切部を設ける工程と、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分にガスを吹き付けるとともにタブ積層体に溶接部を形成する工程と、を含み、仕切部には、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かってガスを吹き出す吹出口、及び、吹出口にガスを供給するガス供給管が設けられている。【００１９】
上記の電極組立体の製造方法では、電極本体の側面と、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分とを仕切る仕切部が設けられ、溶接箇所にガスを吹き付けるとともにタブ積層体に溶接部が形成される。このような仕切部を設けることによっても、アシストガス等のガスを溶接箇所に供給しつつ、溶接時に発生した異物が飛散して電極本体に付着することを抑制することができる。また、仕切部には、溶接箇所に向かってガスを吹き出す吹出口、及び、吹出口にガスを供給するガス供給管が設けられている。これにより、仕切部を設けるだけで、タブ積層体の溶接箇所よりも電極本体側に吹出口が配置されるようにガス供給管を設けることができる。よって、電極本体への異物の付着を抑制しつつ、タブ積層体の溶接箇所にガスを効果的に供給することができる。ガス供給管の吹出口側の部分は、仕切部の電極本体側に設けられていてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一側面によると、電極本体への異物の付着を抑制することが可能な電極組立体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。
【図２】図１のＩＩ―ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。
【図３】実施形態に係る電極組立体の斜視図である。
【図４】Ｘ軸方向から見た図３の電極組立体の一部を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図６】各実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図９】第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１０】第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１１】変形例に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１２】変形例に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１３】変形例に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１４】第３実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【図１５】第３実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｚ軸方向は例えば鉛直方向、Ｘ軸方向及びＹ方向は例えば水平方向である。
【００２３】
（電極組立体の構成）
図１は、実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。図１及び図２に示される蓄電装置１は、例えばリチウムイオン二次電池といった非水電解質二次電池又は電気二重層キャパシタである。
【００２４】
図１及び図２に示されるように、蓄電装置１は、例えば略直方体形状をなす中空のケース２と、ケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されている。ケース２は、一方側において開口した本体部２ａと、本体部２ａの開口を塞ぐ蓋部２ｂとを有している。ケース２の内壁面上には、絶縁フィルム（図示せず）が設けられる。ケース２の内部には、例えば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。電極組立体３では、後述する正極１１の正極活物質層１５、負極１２の負極活物質層１８、及びセパレータ１３が多孔質をなしており、その空孔内に、電解液が含浸されている。ケース２の蓋部２ｂには、正極端子５と負極端子６とが互いに離間して配置されている。正極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定され、負極端子６は、絶縁リング８を介してケース２に固定されている。
【００２５】
電極組立体３は、積層型の電極組立体である。電極組立体３は、複数の正極１１（電極）と、複数の負極１２（電極）と、正極１１と負極１２との間に配置された袋状のセパレータ１３とによって構成されている。セパレータ１３内には、例えば正極１１が収容されている。セパレータ１３内に正極１１が収容された状態で、複数の正極１１と複数の負極１２とがセパレータ１３を介して交互に積層されている。
【００２６】
正極１１は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５と、を有している。正極１１の金属箔１４は、矩形状の本体１４ａと、本体１４ａの一端から突出する矩形状のタブ１４ｂと、を含む。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。正極活物質層１５は、本体１４ａの両面において、少なくとも本体１４ａの中央部分に正極活物質が担持されて形成されている。
【００２７】
正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウム、硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも１つと、リチウムとが含まれる。ここでは、一例として、タブ１４ｂには、正極活物質が担持されていない。ただし、タブ１４ｂにおける本体１４ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００２８】
タブ１４ｂは、本体１４ａの上縁部から上方に延び、集電板１６を介して正極端子５に接続されている。集電板１６はタブ１４ｂと正極端子５との間に配置されている。集電板１６は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１４ｂは、集電板１６と、集電板１６よりも薄い保護板２３との間に配置される（図３参照）。
【００２９】
負極１２は、例えば銅箔からなる金属箔１７と、金属箔１７の両面に形成された負極活物質層１８と、を有している。負極１２の金属箔１７は、正極１１の金属箔１４と同様に、矩形状の本体１７ａと、本体１７ａの一端部から突出する矩形状のタブ１７ｂと、を含む。負極活物質層１８は、本体１７ａの両面において、少なくとも本体１７ａの中央部分に負極活物質が担持されて形成されている。負極活物質層１８は、負極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。
【００３０】
負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物、ホウ素添加炭素等が挙げられる。ここでは、一例として、タブ１７ｂには、負極活物質が担持されていない。ただし、タブ１７ｂにおける本体１７ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。
【００３１】
タブ１７ｂは、本体１７ａの上縁部から上方に延び、集電板１９を介して負極端子６に接続されている。集電板１９はタブ１７ｂと負極端子６との間に配置されている。集電板１９は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１７ｂは、集電板１９と、集電板１９よりも薄い保護板２７との間に配置される（図３参照）。
【００３２】
セパレータ１３は、正極１１を収容している。セパレータ１３は、正極１１及び負極１２の積層方向からみて矩形状である。セパレータ１３は、例えば、一対の長尺シート状のセパレータ部材を互いに溶着して袋状に形成される。セパレータ１３の材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロース等からなる織布又は不織布等が例示される。
【００３３】
図３は、実施形態に係る電極組立体の斜視図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った電極組立体の断面図である。図３に示される電極組立体３は、セパレータ１３を介して互いに積層された複数の正極１１及び複数の負極１２を含む。複数の正極１１のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１４ａと、本体１４ａの少なくとも一端からＸ軸方向に突出するタブ１４ｂとを含む。タブ１４ｂはＸ軸正方向に突出している。複数の負極１２のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１７ａと、本体１７ａの少なくとも一端から突出するタブ１７ｂとを含む。本実施形態では、タブ１７ｂは、タブ１４ｂと同様にＸ軸正方向に突出している。本体１４ａ，１７ａは、互いに積層され、全体として電極本体２０を構成する。電極本体２０は側面Ｓを有する。本実施形態ではタブ１４ｂ及びタブ１７ｂは本体１４ａ及び本体１７ａの一端からそれぞれ同じ方向（Ｘ軸正方向）に突出しているので、側面Ｓは、積層された本体１４ａ及びタブ１４ｂの一端によって構成される。つまり、積層方向（Ｚ軸方向）から見たときに、本体１４ａにおけるタブ１４ｂが突出している一端と、本体１７ａにおけるタブ１７ｂが突出している一端とは、いずれも電極本体２０の側面Ｓに位置している。タブ１４ｂ，１７ｂは、互いに積層されてタブ積層体２１，２５をそれぞれ構成する。すなわち、電極組立体３は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１４ｂを有するタブ積層体２１と、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有するタブ積層体２５とを備える。タブ積層体２１，２５は、Ｙ軸方向において、互いに離間して配列される。
【００３４】
タブ積層体２１は、タブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃを備える。端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟む面であり、端面２１ｃは端面２１ａ，２１ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２１ａ，２１ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２１ｃは、タブ積層体２１の先端に向かうに連れてタブ積層体２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００３５】
タブ積層体２１は、複数のタブ１４ｂ同士を接続する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、例えばタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂにそれぞれ位置する。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂから内側に設けられる。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂのうち一方にのみ位置してもよい。溶接部Ｗは、端面２１ａ，２１ｂに隣接する集電板１６及び保護板２３の内部まで延びている。端面２１ａ，２１ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２３のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２１のタブ１４ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（例えば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２３のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２３の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３６】
タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、集電板１６と保護板２３との間に配置される。すなわち、集電板１６、タブ積層体２１及び保護板２３は、Ｚ軸方向において配列される。集電板１６及び保護板２３は例えば金属板である。保護板２３は、集電板１６と接触しておらず、保護板２３と集電板１６とは、タブ積層体２１を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２１は保護板２３よりも厚く、集電板１６はタブ積層体２１よりも厚い。
【００３７】
同様に、タブ積層体２５は、タブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟む面であり、端面２５ｃは端面２５ａ，２５ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２５ａ，２５ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に向かうに連れてタブ積層体２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。
【００３８】
タブ積層体２５は、複数のタブ１７ｂ同士を接続する溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、例えばタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂにそれぞれ位置する。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂから内側に設けられる。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂのうち一方にのみ位置してもよい。溶接部Ｗは、端面２５ａ，２５ｂに隣接する集電板１９及び保護板２７の内部まで延びている。端面２５ａ，２５ｂにおいて、溶接部ＷのＸ軸方向における長さは、保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しいか、又は保護板２７のＸ軸方向における長さよりも短いことが好ましい。これにより、タブ積層体２５のタブ１７ｂがＸ軸方向において位置ずれした場合（例えば公差による位置ずれがある場合）であっても安定して溶接部Ｗを形成することができる。なお、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さと略等しい場合、位置ずれにより溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す可能性がある。また、溶接部ＷのＸ軸方向における長さが保護板２７のＸ軸方向における長さよりも長い場合、溶接部ＷがＸ軸方向において保護板２７の外側にはみ出す。それらの場合であっても、溶接部Ｗを形成することは可能である。
【００３９】
タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、集電板１９と保護板２７との間に配置される。すなわち、集電板１９、タブ積層体２５及び保護板２７は、Ｚ軸方向において配列される。集電板１９及び保護板２７は例えば金属板である。保護板２７は、集電板１９と接触しておらず、保護板２７と集電板１９とは、タブ積層体２５を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２５は保護板２７よりも厚く、集電板１９はタブ積層体２５よりも厚い。
【００４０】
上述のとおり、タブ積層体２１，２５はそれぞれ溶接部Ｗを有する。そのため、電極組立体３の製造工程には、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する工程が含まれる。溶接部Ｗを形成する時（溶接時）には、スパッタ粒子等の異物が発生し得る。スパッタ粒子は例えば金属粒子である。発生した異物が飛散して電極本体２０に付着すると、電極組立体３の性能が変化してしまう可能性がある。例えば積層された本体１４ａと本体１７ａとの間に異物が侵入すると、本体１４ａ及び本体１７ａが（つまり正極１１及び負極１２が）短絡するおそれがある。そこで、各実施形態では、後述の手法により、電極本体２０への異物の付着の抑制を可能とする。
【００４１】
（第１実施形態）
図５〜図７は、第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。この実施形態では、図３に示される電極組立体３は、例えば以下の方法により製造される。
【００４２】
（タブ積層体を準備する工程）
まず、図５に示されるように、積層された本体１４ａ，１７ａを有する電極本体２０、及び、積層されたタブ１４ｂ，１７ｂを有し電極本体２０の側面Ｓから突出する複数のタブ積層体２１，２５を準備する。例えば、まず、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂを積層することによりタブ積層体２１，２５を形成する。その後、タブ積層体２１，２５上にそれぞれ保護板２３，２７を載置する。
【００４３】
（カバーを設ける工程）
次に、電極本体２０及びタブ積層体２１，２５を、載置台５０上に配置する。載置台５０において電極本体２０及びタブ積層体２１，２５が載置される面が、載置面５０ａとして図示される。説明の便宜上、電極本体２０において本体１４ａ，１７ａの積層方向に直交する２つの面のうち、載置面５０ａに対向する面とは電極本体２０を挟んで反対側に位置する面を主面２０ａと称し図示する。続いて、電極本体２０を覆うように、カバー６０を設ける。カバー６０は、電極本体２０がカバー６０内に配置される一方で、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗ（図３）が形成される部分（溶接箇所）がカバー６０外に配置されるように設けられる。カバー６０は、側壁部６１〜６４と、それら４つの側壁部６１〜６４を繋ぐ天井部６５とを有する。側壁部６１は、電極本体２０の側面Ｓを覆う部分である。側壁部６２は、電極本体２０の側面Ｓとは反対側の側面を覆う部分である。カバー６０が設けられた状態で、側壁部６１，６２は、電極本体２０の側面Ｓの面方向（ＹＺ平面）に沿って延在する。側壁部６３は、電極本体２０において側面Ｓに直交する方向に延在するとともに本体１４ａ，１７ａの積層方向に延在する２つの側面のうちの一方の側面を覆う部分である。側壁部６４は、それら２つの側面のうちの他方の側面を覆う部分である。カバー６０が設けられた状態で、側壁部６３，６４は、ＸＺ平面に沿って延在する。天井部６５は、電極本体２０の主面２０ａを覆う部分である。カバー６０が設けられた状態で、天井部６５は、電極本体２０の主面２０ａの面方向（ＸＹ平面）に沿って延在する。カバー６０は、天井部６５とは側壁部６１〜６４を挟んで反対側の位置に開口部を有する。カバー６０は、カバー６０の開口部が載置面５０ａに対向するように、載置台５０上に載置される。
【００４４】
側壁部６１は、電極本体２０の側面Ｓから突出するタブ積層体２１，２５をそれぞれ通すための開口部６１ａ，６１ｂを有する。このような開口部６１ａ，６１ｂをカバー６０の側壁部６１が有することによって、タブ積層体２１，２５の溶接箇所がカバー６０外に配置されるように、カバー６０を設けることができる。
【００４５】
カバー６０には、カバー６０内にガスを流入させるための流入口７１が設けられている。本実施形態では、流入口７１は、カバー６０のうちの天井部６５に設けられている。この流入口７１に供給するガスの詳細については、後に図７を参照してあらためて説明する。カバー６０には、タブ積層体２１，２５の溶接箇所に向かってカバー６０内からガスを排出するための排出口７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが設けられている。
【００４６】
具体的に、排出口７２ａ，７２ｂは、タブ積層体２５の端面２５ａの溶接箇所に向かって、カバー６０内からガスを排出する。排出口７３ａ，７３ｂはタブ積層体２５の端面２５ｂの溶接箇所向かって、排出口７４ａ，７４ｂはタブ積層体２１の端面２１ｂの溶接箇所に向かって、排出口７５ａ，７５ｂはタブ積層体２１の端面２１ａの溶接箇所に向かって、それぞれカバー６０内からガスを排出する。排出口７２ａ，７２ｂは、Ｚ軸正方向に間隔をあけて並んで配置されている。排出口７２ａ，７２ｂは、後述の図７に示されるように、ガスの排出方向に向かって長さを有するパイプ形状を有している。この長さがあることで、ガスを溶接箇所の近くまで導き、溶接箇所に向けてより確実にガスを排出することができる。このような排出口７２ａ，７２ｂは、例えばノズルを用いて構成してもよい。なお、２つの排出口７２ａ，７２ｂのうち一方の排出口のみが設けられていてもよい。排出口７３ａ，７３ｂ、排出口７４ａ，７４ｂ、排出口７５ａ，７５ｂについても、排出口７２ａ，７２ｂと同様の配置及び構成とすることができる。
【００４７】
（溶接部の形成工程）
次に、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する。溶接部Ｗを形成するための溶接の手法はとくに限定されないが、ここでは、エネルギービームを用いた溶接の手法を例に挙げて説明する。図６に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射する。図６（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図６（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。タブ積層体２１は、例えば治具４２により保護板２３を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。同様に、タブ積層体２５は、例えば治具４４により保護板２７を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。
【００４８】
エネルギービームＢは、照射装置３０からタブ積層体２５の端面２５ａに向けて照射される。照射装置３０は、例えばレンズ及びガルバノミラーを含むスキャナヘッドである。スキャナヘッドにはファイバを介してビーム発生装置が接続される。照射装置３０は、例えばプリズム等の屈折式の光学系から構成されてもよい。エネルギービームＢは、溶接を行うことができる高エネルギービームである。エネルギービームＢは、例えばレーザービーム又は電子ビームである。エネルギービームＢの照射は、不活性ガスの雰囲気中で行われる。不活性ガスは、例えば先に説明した排出口７２ａ，７２ｂ（図５）から供給することができる。
【００４９】
エネルギービームＢは、例えば治具４４により集電板１９及び保護板２７を介してタブ積層体２５をＺ軸方向に押圧した状態でタブ積層体２５の端面２５ａに照射される。
【００５０】
エネルギービームＢは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｚ軸方向に交差する方向（Ｘ軸方向）に沿って走査される。エネルギービームＢをＺ軸方向に変位させながらＸ軸方向に沿って走査してもよい。例えば、エネルギービームＢをＺ軸方向に往復変位（ウォブリング）させながらＸ軸方向に沿って走査する。エネルギービームＢの照射スポットのＺ軸方向における変位量は、タブ積層体２５の厚みよりも大きい。エネルギービームＢの照射スポットは、タブ積層体２５の端面２５ａにおいて、Ｘ軸方向に沿った軸線Ｈ１上の位置Ｐ１から位置Ｐ２まで移動する。例えば、位置Ｐ１，Ｐ２は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５の端面２５ａの中心に位置する。エネルギービームＢは、例えば、タブ積層体２５の端面２５ａにおいてＸ軸方向に沿って中心点を移動させ、当該中心点を中心にＸＺ平面においてエネルギービームＢの照射スポットを回転させながら走査される。回転の直径がタブ積層体２５の厚みよりも大きいと、タブ積層体２５の端面２５ａ、集電板１９及び保護板２７を全体的に溶接できるため好ましい。
【００５１】
上述のようにエネルギービームＢを照射することによって、先に説明した図４に示されるように、タブ積層体２５の端面２５ａに溶接部Ｗが形成される。
【００５２】
本実施形態では、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射して溶接部Ｗを形成する際、カバー６０の流入口７１にガスが供給される。このように流入口７１に供給されるガスの役割について、図７を参照して説明する。図７は、Ｙ軸方向から見たカバー６０内及びカバー６０外でのガス（ガスＧとして図示）の流れを概念的に示す図である。図７には、カバー６０の側壁部６１に設けられた排出口７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂのうち、排出口７２ａ，７２ｂの部分が示される。ガスＧは、流入口７１を介してカバー６０に流入する。ガスＧは、ガス供給源７６から供給される。ガスＧの種類はとくに限定されないが、エネルギービームＢを照射して溶接を行う場合には、窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスを用いるとよい。ガス供給源７６によるガスＧの供給の量及び供給のタイミング等は、制御装置７７によって制御される。例えば、ガスＧを流入口７１に連続供給することもできるし、パルス状に供給（間欠供給）することもできる。パルス状にガスＧを供給することによって、連続供給する場合よりも、ガスＧの供給量を減らすことができる。
【００５３】
ガス供給源７６から流入口７１に供給されたガスＧは、流入口７１からカバー６０内に流入する。ガスＧがカバー６０内に流入した分だけカバー６０内の圧力がカバー６０外の圧力よりも高くなる（つまり陽圧となる）。カバー６０外の圧力は略大気圧であってもよく、その場合には、カバー６０内の圧力を大気圧よりも大きくすることで、カバー６０内の圧力を陽圧とすることができる。
【００５４】
カバー６０内の圧力が陽圧となるので、カバー６０内に供給されたガスＧ（或いはもともとカバー６０内にあった気体）は、排出口７２ａ，７２ｂを介して、タブ積層体２５の端面２５ａの溶接箇所に向かって排出される。ここでの溶接箇所は、上述のエネルギービームＢが照射される部分である。排出口７２ａ，７２ｂのうち、下側（Ｚ軸負方向側）に位置している排出口７２ｂからは、横方向（Ｚ軸方向の高さが変わらないように進む方向）にガスＧが排出される。排出口７２ａ，７２ｂのうち、上側（Ｚ軸正方向側）に位置している排出口７２ａからは、斜め下方向に向かってガスＧが排出される。
【００５５】
排出口７２ａ，７２ｂを介してカバー６０外に排出されたガスＧは、溶接箇所に吹き付けられる。この時、溶接箇所でスパッタ粒子等の異物が発生していれば、発生した異物は、溶接箇所に吹き付けられたガスＧによって、電極本体２０から遠ざかるように運ばれる。ガスＧによって運ばれた異物は、ガスＧとともに吸引されて取り除かれる。図７に示す例では、ガスＧは、カバー６０とはタブ積層体２５を挟んで反対側に配置されたガイド９０に到達する。ガイド９０は、ガスＧを収集して上方（Ｚ軸正方向）に案内するように、例えば、タブ積層体２５側に開口しＺ軸方向に延在する半パイプ形状を有する。ガイド９０によって上方に案内されたガスＧは、吸引管９２の吸引口９１に到達し、吸引される。
【００５６】
このように、本実施形態では、カバー６０の流入口７１にガスＧを供給しつつ、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射して溶接部Ｗを形成する。
【００５７】
再び図６に戻り、次に、タブ積層体２５の端面２５ａと同様に、タブ積層体２１の端面２１ｂにもエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ｂに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときにも、カバー６０内が陽圧となるように、流入口７１にガスＧを供給する。カバー６０内のガスは、排出口７４ａ，７４ｂを介して、タブ積層体２１の端面２１ｂに向かって排出される。次に、タブ積層体２５の端面２５ｂにも同様にエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２５の端面２５ｂに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときにも、カバー６０内が陽圧となるように、流入口７１にガスＧを供給する。カバー６０内のガスＧは、排出口７３ａ，７３ｂを介して、タブ積層体２５の端面２５ｂの溶接箇所に向かって排出される。次に、タブ積層体２１の端面２１ａにも同様にエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ａに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときにも、カバー６０内が陽圧となるように、流入口７１にガスＧを供給する。カバー６０内のガスＧは、排出口７５ａ，７５ｂを介して、タブ積層体２１の端面２１ａの溶接箇所に向かって排出される。
【００５８】
上記工程を経ることによって、電極組立体３が製造される。その後、タブ積層体２１，２５を折り曲げた電極組立体３をケース２内に収容し、蓄電装置１を製造することができる。
【００５９】
以上説明したように、上記の電極組立体３の製造方法では、電極本体２０がカバー６０内に配置される一方でタブ積層体２１，２５の溶接箇所がカバー６０外に配置されるようにカバー６０が設けられる。このように電極本体２０を覆うカバー６０を設けることによって、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物の電極本体２０への付着を抑制することができる。
【００６０】
ここで、溶接箇所で発生した異物が、カバー６０の隙間を通ってカバー６０内に侵入してしまう可能性もある。例えば、先に説明した図５の例では、カバー６０と載置台５０との間に隙間が生じる可能性がある。また、カバー６０の側壁部６１における開口部６１ａ，６１ｂにおいて、タブ積層体２１，２５とカバー６０の側壁部６１との間に隙間が生じる可能性がある。
【００６１】
そこで、上記の電極組立体３の製造方法では、カバー６０には、カバー６０内にガスＧを流入させるための流入口７１が設けられている。タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する工程では、カバー６０内の圧力がカバー６０外の圧力よりも高く（つまり陽圧と）なるように、流入口７１にガスＧが供給される。カバー６０内の圧力が陽圧となっているので、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物は、カバー６０の隙間を通ってカバー６０内に侵入しにくくなる。よって、カバー６０に隙間が生じていたとしても、電極本体２０への異物の付着を抑制することができる。
【００６２】
カバー６０には、タブ積層体２１，２５の溶接箇所に向かってカバー６０内からガスＧを排出するための排出口７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが設けられている。この場合、溶接時には、タブ積層体２１，２５の溶接箇所に向かってカバー６０内からガスＧが吹き付けられるので、溶接箇所において発生した異物がカバー６０内（つまり電極本体２０）に向かって飛散することを抑制できる。この効果は、一つの溶接箇所に対して少なくとも一つの排出口が設けられていることにより得ることができる。例えばタブ積層体２５の端面２５ａの溶接箇所に対しては、排出口７２ａ及び排出口７２ｂの少なくとも一方が設けられていればよい。両方の排出口７２ａ，７２ｂが設けられていれば、それら複数の排出口からガスを吹き付けることによって、異物が電極本体２０に向かって飛散することをさらに抑制することができる。
【００６３】
溶接部Ｗを形成する工程では、排出口７２ａ，７２ｂ、７３ａ、７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂから排出されたガスＧを吸引してもよい。これにより、溶接時に発生した異物をガスＧとともに吸引して取り除くことができる。
【００６４】
溶接部Ｗを形成する工程では、流入口７１にガスＧをパルス状に供給してもよい。これにより、ガスＧを連続供給する場合よりも、ガスＧの供給量を減らすことができる。
【００６５】
排出口７２ａ，７２ｂ、７３ａ、７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂを介して溶接箇所に吹き付けられるガスＧとして、窒素ガス及びアルゴンガス等の不活性ガスを用いることにより、溶接時の酸化等を防止することもできる。つまり、ガスＧをシールドガス（アシストガス等とも称される）として用いることができる。
【００６６】
カバー６０の材質として樹脂を採用すれば、溶接時にカバー６０の表面から金属性の異物が発生することを防ぐこともできる。
【００６７】
以上、本発明の第１実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００６８】
上記実施形態では、エネルギービームを照射することでタブ積層体に溶接部を形成する例について説明したが、例えば抵抗溶接、超音波溶接等によってタブ積層体に溶接部を形成してもよい。
【００６９】
また、上記実施形態では、一つの流入口がカバーに設けられている例について説明したが、複数の流入口がカバーに設けられていてもよい。また、流入口を設ける位置は、カバー内にガスを流入させることができる位置であればよく、とくに限定されるものではない。
【００７０】
また、上記実施形態では、積層型の電極組立体においてタブ積層体に溶接部を形成する例について説明したが、例えば巻回型の電極組立体において巻回されたタブのうち積層状態となっている部分に溶接部を形成する場合でも、同様の手法により溶接時に電極本体への異物の付着を抑制できる。
【００７１】
また、上記実施形態では、２つのタブ１４ｂ及びタブ１７ｂがそれぞれの本体１４ａ及び本体１７ａの一端から同じ方向に突出している例について説明したが、２つのタブ１４ｂ，１７ｂが異なる方向に突出していてもよい。例えば、積層方向から見たときに、一方の本体１４ａにおけるタブ１４ｂが突出している一端と、他方の本体１７ａにおけるタブ１７ｂが突出している一端とが、電極本体２０の側面Ｓ及び側面Ｓに対向する側面の２つの側面にそれぞれ位置していてもよい。この場合、一方のタブ積層体２１は電極本体２０の一方の側面Ｓから突出し、他方のタブ積層体２５は電極本体２０の他方の（側面Ｓとは反対側の）側面から、一方のタブ積層体２５の突出方向とは反対の方向に突出する。このような構成においては、さらに、各タブ１４ｂ，１７ｂの幅（図３に示される例ではＹ軸方向の長さ）が、本体１４ａ，１７ａの幅と同じであってもよい。この場合、例えば矩形状の金属箔の一部に正極活物質層を形成することによって、金属箔のうちの正極活物質層を形成した部分を本体１４ａとし、正極活物質層が形成されていない残りの部分をタブ１４ｂとすることができる。同様に、矩形状の金属箔の一部に負極活物質層を形成することによって、金属箔のうちの負極活物質層を形成した部分を本体１７ａとし、負極活物質層が形成されていない残りの部分をタブ１７ｂとすることができる。
【００７２】
（第２実施形態）
図８及び図９は、第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。この実施形態では、図３に示される電極組立体３は、例えば以下の方法により製造される。
【００７３】
（タブ積層体を準備する工程）
まず、図８に示されるように、タブ積層体２１，２５を準備する。タブ積層体２１，２５の準備については、先に図５を参照して説明した例と同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。
【００７４】
（カバーを設ける工程）
次に、電極本体２０及びタブ積層体２１，２５を、載置台５０上に配置する。タブ積層体２１，２５の載置台５０上への配置については、先に図５を参照して説明した例と同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。続いて、電極本体２０を覆うように、カバー６０Ａを設ける。カバー６０Ａは、カバー６０（図５）と同様に、側壁部６１〜６４と、天井部６５とを有しており、電極本体２０を覆うように設けられる。カバー６０Ａは、カバー６０と比較して、排出口７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが設けられていない一方で、ノズル８１〜８４及び供給管８６〜８９が設けられている点で相違する。
【００７５】
ノズル８１〜８４は、基端が側壁部６１の内壁面に接し、先端がカバー６０Ａ外に配置されるように、側壁部６１に設けられる。ノズル８１〜８４は、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分（溶接箇所）に向かってガスを吹き出す吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａをそれぞれ先端に有する。供給管８６〜８９は、対応するノズル８１〜８４の基端にガスを供給するガス供給管である。図８に示される例では、各供給管８６〜８９は、側壁部６１に沿う方向（Ｚ軸方向）を長手方向とする。各供給管８６〜８９の長手方向に直交する断面形状は、例えば略矩形状である。
【００７６】
具体的に、ノズル８１は、供給管８６から供給されるガスを、吹出口８１ａからタブ積層体２５の端面２５ａの溶接箇所に吹き付ける。同様に、ノズル８２は供給管８７から供給されるガスを吹出口８２ａからタブ積層体２５の端面２５ｂの溶接箇所に、ノズル８３は供給管８８から供給されるガスを吹出口８３ａからタブ積層体２１の端面２１ｂの溶接箇所に、ノズル８４は供給管８９から供給されるガスを吹出口８４ａからタブ積層体２１の端面２１ａの溶接箇所に、それぞれ吹き付ける。各ノズル８１〜８４は、後述の図９に示されるように、ガスの排出方向に向かって長さを有するパイプ形状を有している。この長さがあることで各ノズル８１〜８４の吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａが溶接箇所に近づくので、ガスを溶接箇所の近くまで導き、溶接箇所に向けてより確実にガスを吹き付けることができる。供給管８６〜８９の詳細については、後に図９を参照して改めて説明する。
【００７７】
（溶接部の形成工程）
次に、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する。エネルギービームの照射による溶接部Ｗの形成については、先に図６を参照して説明した例と同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。なお、不活性ガスは、先に説明した供給管８６及びノズル８１（図８）を介して供給することができる。
【００７８】
本実施形態では、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射して溶接部Ｗを形成する際、供給管８６を介してノズル８１にガスが供給される。このように供給管８６に供給されるガスの役割について、図９を参照して説明する。図９は、Ｙ軸方向から見たガス（ガスＧとして図示）の流れを概念的に示す図である。図９には、カバー６０Ａに設けられたノズル８１〜８４及び供給管８６〜８９のうち、ノズル８１及び供給管８６の部分が示される。ガスＧは、供給管８６からノズル８１に供給される。ガスＧには、窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスを用いるとよい。
【００７９】
供給管８６は、第１の部分８６１と第２の部分８６２とを含む。第１の部分８６１は、供給管８６のうちの吹出口８１ａ側に位置する部分である。第１の部分８６１は、カバー６０Ａ内に位置している。第１の部分８６１は、カバー６０Ａの側壁部６１に沿って上方から下方に向かって（Ｚ軸負方向に）延在している。第１の部分８６１において、供給管８６の一部がカバー６０Ａの一部で構成されてもよい。本実施形態では、第１の部分８６１は、その一部として側壁部８６１ａを有している。この側壁部８６１ａは、カバー６０Ａの側壁部６１の一部を用いて構成されている。第１の部分８６１は、ノズル８１の基端に接続される開口部８６１ｂを有している。この開口部８６１ｂを介して、第１の部分８６１からノズル８１にガスＧが供給される。
【００８０】
第２の部分８６２は、第１の部分８６１を挟んでノズル８１とは反対側に位置する部分である。第２の部分８６２は、カバー６０Ａ外に位置している。第２の部分８６２には、第１の部分８６１とは反対側から、ガスＧが供給される。ガスＧは、例えばガス供給源（図示せず）から供給される。
【００８１】
ノズル８１は、カバー６０Ａの側壁部６１に設けられている。より具体的には、ノズル８１は、側壁部６１のうちの、電極本体２０の側面Ｓ（図７参照）と対向する部分に設けられている。この位置にノズル８１が設けられることによって、ノズル８１から横方向（Ｚ軸方向の高さが変わらないように進む方向）にガスＧが吹き付けられる。
【００８２】
ノズル８２〜８４、供給管８７〜８９（図８参照）についても、ノズル８１、供給管８６と同様の配置及び構成とすることができる。
【００８３】
供給管８６からノズル８１に供給されたガスは、ノズル８１を介して溶接箇所に吹き付けられる。上述のような不活性ガスであるガスＧが溶接箇所に吹き付けられることによって、溶接時の酸化等を防止することができる。つまり、ガスＧをシールドガス（アシストガス等とも称される）として用いることができる。また、溶接時に、溶接箇所でスパッタ粒子等の異物が発生していれば、発生した異物は、溶接箇所に吹き付けられたガスＧによって、電極本体２０から遠ざかるように運ばれる。ガスＧによって運ばれた異物は、ガスＧとともに吸引されて取り除かれる。図９に示す例では、ガスＧは、カバー６０とはタブ積層体２５を挟んで反対側に配置されたガイド９０に到達する。ガイド９０は、ガスＧを収集して上方（Ｚ軸正方向）に案内するように、例えば、タブ積層体２５側に開口しＺ軸方向に延在する半パイプ形状を有する。ガイド９０によって上方に案内されたガスＧは、吸引管９２の吸引口９１に到達し、吸引される。
【００８４】
このように、本実施形態では、カバー６０に設けられた供給管８６及びノズル８１を介して溶接箇所にガスＧを吹き付けるとともに、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームＢを照射して溶接部Ｗを形成する。
【００８５】
以上説明した供給管８６とカバー６０Ａとは一体形成されていてもよい。その場合、供給管８６及びカバー６０Ａの材質は同じものとすることができる。材質の例は樹脂である。供給管８６及びカバー６０Ａの材質として樹脂を採用することにより、溶接時に供給管８６及びカバー６０Ａの表面から金属粒子等の異物が発生することを防ぐこともできる。供給管８６及びカバー６０の材質として樹脂を採用することにより、供給管８６及びカバー６０Ａを一体成形することもできる。
【００８６】
図６を参照し、タブ積層体２５の端面２５ａと同様に、タブ積層体２１の端面２１ｂにもエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ｂに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときには、供給管８８から供給されるガスを、ノズル８３がタブ積層体２１の端面２１ｂに吹き付ける。次に、タブ積層体２５の端面２５ｂにも同様にエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２５の端面２５ｂに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときには、供給管８７から供給されるガスを、ノズル８２がタブ積層体２５の端面２５ｂの溶接箇所に吹き付ける。次に、タブ積層体２１の端面２１ａにも同様にエネルギービームＢを照射することにより、タブ積層体２１の端面２１ａに溶接部Ｗを形成する（図４参照）。このときには、供給管８９から供給されるガスを、ノズル８４がタブ積層体２１の端面２１ａの溶接箇所に吹き付ける。
【００８７】
上記工程を経ることによって、電極組立体３が製造される。その後、タブ積層体２１，２５を折り曲げた電極組立体３をケース２内に収容し、蓄電装置１を製造することができる。
【００８８】
以上説明したように、上記の電極組立体３の製造方法では、電極本体２０がカバー６０Ａ内に配置される一方でタブ積層体２１，２５の溶接箇所がカバー６０Ａ外に配置されるようにカバー６０Ａが設けられる。このように電極本体２０を覆うカバー６０Ａを設けることによって、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物の電極本体２０への付着を抑制することができる。
【００８９】
ここで、電極本体２０を覆うカバー６０Ａを設けると、電極本体２０とタブ積層体２１，２５の溶接箇所との間のスペース（クリアランス）が狭くなる。このスペースが狭くなると、タブ積層体２１，２５の溶接箇所よりも電極本体２０側にノズルの吹出口が配置されるように供給管を設けることが困難になり、上述の酸化等の防止効果及び異物を電極本体２０から遠ざける効果が得られなくなるおそれがある。
【００９０】
そこで、上記の電極組立体３の製造方法では、カバー６０Ａに、吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａを有するノズル８１〜８４、及び供給管８６〜８９が設けられている。供給管８６〜８９の吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａ側の部分（例えば供給管８６の第１の部分８６１）は、カバー６０Ａ内に設けられていてもよい。これにより、電極本体２０をカバー６０Ａで覆うだけで、タブ積層体２１，２５の溶接箇所よりも電極本体２０側にノズル８１〜８４の吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａが配置されるように供給管８６〜８９を設けることができる。よって、電極本体２０への異物の付着を抑制しつつ、タブ積層体２１，２５の溶接箇所にガスを効果的に（例えば、アシストガスとしての機能を発揮し、発生した異物を電極本体２０から遠ざけるように）供給することができる。また、ノズル８１〜８４を設けるスペースが確保されているので、例えばノズルの向きを調整することも容易となる。
【００９１】
カバー６０Ａは、電極本体２０の側面Ｓを覆う側壁部６１を有し、ノズル８１〜８４の吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａは、側壁部６１に設けられている。これにより、ノズル８１〜８４をタブ積層体２１，２５の溶接箇所の近くに設けることができる。側壁部６１のうち溶接箇所と同じ高さに位置する部分にノズル８１〜８４を設ければ、吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａをさらに溶接箇所に近づけやすくなる。
【００９２】
供給管８６の第１の部分８６１において、供給管８６の側壁部８６１ａがカバー６０Ａの側壁部６１で構成されていてもよい。これにより、カバー６０Ａ内に占める供給管８６のスペースを低減することができるので、供給管８６をカバー６０Ａ内に設け易くなる。供給管８７〜８９についても同様である。
【００９３】
供給管８６〜８９とカバー６０Ａとが一体形成されていてもよい。供給管８６〜８９とカバー６０Ａとが分離していると、それらを別々に配置することによる位置ずれが生じる可能性があるが、供給管８６〜８９とカバー６０Ａとが一体形成されていることにより、そのような位置ずれの問題が生じず、取扱いも容易となる。また、供給管８６〜８９及びカバー６０Ａの製作に掛かる手間又はコストを低減することができる。
【００９４】
ノズル８１〜８４、及び供給管８６〜８９が設けられているカバーにも、先に説明したカバー６０（図５等参照）と同様に、ガスが供給される流入口７１が設けられてよい。図１０に示される例では、カバー６０Ｂには、ノズル８１〜８４、供給管８６〜８９が設けられているだけでなく、流入口７１も設けられている。流入口７１に供給されるガスの役割については前述のとおりであるのでここでは説明を繰り返さない。供給管８６〜８９によってノズル８１〜８４に供給されるガスの種類と、流入口７１に供給されるガスの種類とは同じであってもよいし異なっていてもよい。
【００９５】
以上、本発明の第２実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００９６】
上記実施形態では、供給管の吹出口側の部分（例えば供給管８６の第１の部分８６１）が、カバー内に設けられている例について説明した。ただし、供給管全体が、カバー外に設けられていてもよい。図１１に示される例では、供給管８６に代えて、供給管８６Ａがカバー６０Ｃ外に設けられている。供給管８６Ａは、供給管８６と同様の機能を有する。図１１には示されないが、供給管８６Ａ以外にも、供給管８７〜８９と同様の機能を有する他の供給管がカバー６０Ｃ外に設けられている。カバー６０Ｃにおいて供給管８６Ａが設けられる部分には、供給管８６Ａの一部が埋め込まれるように、凹部が形成されていてよい。これにより、供給管８６Ａのカバー６０Ｃへの取り付けを容易にできる。また、カバー６０Ｃ外において供給管８６Ａの占めるスペースを削減することができる。なお、供給管８６Ａの一部が、カバー６０Ｃの側壁部６１で構成されていてもよい。これによっても、カバー６０Ｃ外における供給管８６Ａの占めるスペースを低減することができるので、供給管８６Ａをカバー６０Ｃに設け易くなる。他の供給管についても同様である。カバー６０Ｃにも、カバー６０Ｂと同様に、流入口７１が設けられてもよい。
【００９７】
また、上記実施形態では、ノズルの数と同じ数の供給管が設けられ、各ノズルに、対応する供給管からガスが供給される例について説明したが、ノズルの数と供給管の数は同じでなくてもよい。供給管の数は、ノズルの数よりも少なくてもよい。その場合には、例えば、２つ以上のノズルが一つの供給管から供給されるガスを共用する構成を採用することもできる。また、上記実施形態では、一つの溶接箇所に対して一つのノズルが設けられている例について説明したが、一つの溶接箇所に対して複数のノズルが設けられてもよい。
【００９８】
また、上記実施形態では、ノズルの吹出口から溶接箇所にガスを吹き付ける例について説明したが、ノズルを用いることなく溶接箇所にガスを吹き付けてもよい。例えば、カバーの側壁部に吹出口を直接設けることによって、当該吹出口から溶接箇所にガスを吹き付けることもできる。
【００９９】
また、上記実施形態では、積層型の電極組立体においてタブ積層体に溶接部を形成する例について説明したが、例えば巻回型の電極組立体において巻回されたタブのうち積層状態となっている部分に溶接部を形成する場合でも、同様の手法により溶接時にガスを供給することができる。
【０１００】
また、上記実施形態では、２つのタブ１４ｂ及びタブ１７ｂがそれぞれの本体１４ａ及び本体１７ａの一端から同じ方向に突出している例について説明したが、２つのタブ１４ｂ，１７ｂが異なる方向に突出していてもよい。例えば、積層方向から見たときに、一方の本体１４ａにおけるタブ１４ｂが突出している一端と、他方の本体１７ａにおけるタブ１７ｂが突出している一端とが、電極本体２０の側面Ｓ及び側面Ｓに対向する側面の２つの側面にそれぞれ位置していてもよい。この場合、一方のタブ積層体２１は電極本体２０の一方の側面Ｓから突出し、他方のタブ積層体２５は電極本体２０の他方の（側面Ｓとは反対側の）側面から、一方のタブ積層体２５の突出方向とは反対の方向に突出する。このような構成においては、さらに、各タブ１４ｂ，１７ｂの幅（図３に示される例ではＹ軸方向の長さ）が、本体１４ａ，１７ａの幅と同じであってもよい。この場合、例えば矩形状の金属箔の一部に正極活物質層を形成することによって、金属箔のうちの正極活物質層を形成した部分を本体１４ａとし、正極活物質層が形成されていない残りの部分をタブ１４ｂとすることができる。同様に、矩形状の金属箔の一部に負極活物質層を形成することによって、金属箔のうちの負極活物質層を形成した部分を本体１７ａとし、負極活物質層が形成されていない残りの部分をタブ１７ｂとすることができる。
【０１０１】
また、上記実施形態では、電極本体２０をカバー６０Ａで覆う手法について説明したが、これに代えて、電極本体２０の側面Ｓと、タブ積層体２１，２５の溶接箇所とを仕切る仕切部を設ける手法が用いられてもよい。図１２は、そのような手法を実現するための変形例に係る電極組立体の製造方法の一工程（仕切部を設ける工程）を示す図である。この仕切部を設ける工程は、先に説明したカバーを設ける工程（図９）と比較して、カバー６０Ａを設ける代わりに、仕切部１００を、電極本体２０とタブ積層体２１，２５の溶接箇所とが仕切部１００を挟んで反対側に位置するように設ける点において相違する。
【０１０２】
上述のように設けられた仕切部１００は、電極本体２０と、タブ積層体２１，２５の溶接箇所とを仕切る板であってもよい。仕切部１００の材質は、上述のカバー６０Ａの材質と同様であってよい。仕切部１００の構成は、先に図８及び図９を参照して説明したカバー６０Ａの側壁部６１と同様であってよい。すなわち、仕切部１００は、電極本体２０の側面Ｓを覆う部分であり、側面Ｓの面方向（ＹＺ平面）に沿って延在する。図１２には図示されないが、仕切部１００は、側壁部６１（図８）と同様に、電極本体２０の側面Ｓから突出するタブ積層体２１，２５をそれぞれ通すための開口部６１ａ，６１ｂを有する。また、仕切部１００には、側壁部６１と同様にノズル８１〜８４及び供給管８６〜８９が設けられている。なお、図１２には、仕切部１００に設けられたノズル８１〜８４及び供給管８６〜８９のうち、ノズル８１及び供給管８６の部分が示される。仕切部１００に設けられるノズル８１〜８４の位置は、カバー６０Ａの側壁部６１に設けられるノズル８１〜８４の位置と同様であってよい。供給管８６〜８９のノズル８１〜８４側の部分は、仕切部１００の電極本体２０側の部分に沿って設けられ、Ｚ軸方向を長手方向とする。具体的に、供給管８６の場合、供給管８６の第１の部分８６１の有する側壁部８６１ａが、仕切部１００の一部を用いて構成されている。供給管８７〜８９についても同様であってよい。供給管８６からノズル８１に供給されたガスＧは、ノズル８１を介して溶接箇所に吹き付けられ、その後、吸引口９１によって吸引される。
【０１０３】
上記の変形例に係る電極組立体３の製造方法では、電極本体２０の側面Ｓと、タブ積層体２１，２５の溶接箇所とを仕切る仕切部１００が設けられる。これにより、溶接時に発生したスパッタ粒子等の異物の電極本体２０への付着を抑制することができる。そして、仕切部１００には、先に説明したカバー６０Ａの側壁部６１と同様に、吹出口８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａを有するノズル８１〜８４、及び供給管８６〜８９が設けられている。よって、仕切部１００を設けることによっても、カバー６０Ａを設ける場合と同様に、電極本体２０への異物の付着を抑制しつつ、タブ積層体２１，２５の溶接箇所にガスを効果的に供給することができる。なお、各供給管のノズル側の部分は、仕切部１００の溶接箇所側に設けられてもよい。この場合、供給管のノズル側の部分は、仕切部１００の溶接箇所側の部分に沿って設けられ、Ｚ軸方向を長手方向とする。仕切部１００において供給管が設けられる部分には、供給管の一部が埋め込まれるように、凹部が形成されていてもよい。
【０１０４】
上記各実施形態では、タブ積層体の端面にエネルギービームを照射して溶接箇所を形成する例について説明した。ただし、エネルギービームの照射位置は、タブ積層体の端面に限定されない。図１３に示される例では、タブ積層体２１を押圧する保護板２３Ａが、例えばその中央部分に孔２３ａを有している。エネルギービームは、保護板２３Ａの孔２３ａを通り、上方から下方（Ｚ軸正方向側からＺ軸負方向側）に向けて、タブ積層体２１の上面に照射される。これにより、タブ積層体２１の上面から下面に向かって、保護板２３Ａの孔２３ａに対応する部分に溶接部が形成される。溶接部は、Ｚ軸方向から見たときに、溶接部の縁がタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃから離間するように形成される。従って、端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃには溶接部が形成されない。同様に、タブ積層体２５を押圧する保護板２７Ａが、例えばその中央部分に孔２７ａを有している。エネルギービームは、保護板２７Ａの有する孔２７ａを通り、上方から下方に向けて、タブ積層体２５の上面に照射される。タブ積層体２５の上面から下面に向かって、保護板２７Ａの孔２７ａに対応する部分に溶接部が形成される。溶接部は、Ｚ軸方向から見たときに、溶接部の縁がタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃから離間するように形成される。従って、端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃには溶接部が形成されない。以上のようにタブ積層体２１，２５に溶接部を形成する場合には、例えばカバー６０に代えて、カバー６０Ｄが用いられる。カバー６０Ｄは、カバー６０と比較して、排出口７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂに代えて排出口７２ｃ，７３ｃ，７４ｃ，７５ｃが設けられている点で相違する。排出口７２ｃ，７３ｃは、カバー６０Ｄの側壁部６１におけるタブ積層体２５の上面または保護板２７Ａの上面よりも高い位置に設けられており、その位置からタブ積層体２５の溶接箇所に向かってガスを排出する。排出口７２ｃ，７３ｃは、Ｙ軸方向に間隔をあけて並んで配置されている。排出口７４ｃ，７５ｃは、カバー６０Ｄの側壁部６１におけるタブ積層体２１の上面または保護板２３Ａの上面よりも高い位置に設けられており、その位置からタブ積層体２１の溶接箇所に向かってガスを排出する。排出口７４ｃ，７５ｃは、Ｙ軸方向に間隔をあけて並んで配置されている。なお、各タブ積層体２１，２５に対して設けられる排出口の数は、図１３に示される例に限定されない。
【０１０５】
また、上記各実施形態では、タブ積層体を抑える保護板にも溶接部が形成される例について説明した。ただし、保護板に溶接部を形成せず、溶接完了後に、保護板をタブ積層体から取り外すようにしてもよい。保護板は、例えば先に図６を参照して説明した治具４２，４４と同様に、治具として用いられてもよい。
【０１０６】
（第３実施形態）
電極本体への異物の付着を抑制する手法として、溶接時に、溶接箇所において電極本体とは反対側に向かう気流を生じさせるという手法を用いてもよい。図１４に示される例では、電極本体２０から、タブ積層体２１，２５の溶接箇所に向かって気流が生じている。溶接時には、少なくとも電極本体２０の後方から前方に向かう気流が生じている。溶接箇所（タブ積層体２１，２５）における気流の向きは、上方から下方に向かうように、水平方向に対して傾斜した向きであってよい。気流は、ガスを吹き出すノズルをさまざまな場所に設けることによって生じさせることができる。
【０１０７】
図１５は、ノズルの配置の例を示す図である。図１５に示される例では、ガスＧを吹き出す複数のノズル１１０が配置されている。各ノズル１１０を区別し得るよう、各ノズルには、ノズル１１１〜１１４の別の符号も付している。以下、電極本体２０から見てタブ積層体２１，２５側を前方と称し、反対側を後方と称して説明する。
【０１０８】
３つのノズル１１１は、電極本体２０の後方に配置され、前方に向かってガスＧを吹き出す。ノズル１１１は、例えば電極本体の斜め上に配置される。これにより、電極本体２０の上面に沿って後方から前方に向かう気流が生じる。
【０１０９】
２つのノズル１１２は、電極本体の斜め後方にそれぞれ配置され、前方に向かってガスＧを吹き出す。これにより、電極本体２０の側面に沿って後方から前方に向かう気流が生じる。
【０１１０】
２つのノズル１１３は、電極本体の斜め前方にそれぞれ配置され、タブ積層体２１，２５に向かってガスＧを吹き出す。これにより、電極本体２０の側面Ｓに沿ってタブ積層体２１の端面２１ａ及びタブ積層体２５の端面２５ａに向かう気流が生じる。
【０１１１】
さらに、タブ積層体２５の端面２５ａにエネルギービームを照射して溶接部を形成する際には、３つのノズル１１４が用いられてもよい。３つのノズル１１４は、タブ積層体２５の付近において、電極本体２０の上方に円弧状に並んで配置される。ノズル１１４と同様のノズルが、他の端面に対して設けられていてもよいし、ノズル１１４が移動可能となっており、エネルギービームが照射される端面にノズル１１４からのガスＧが吹きつけられるように、ノズル１１４を移動させてもよい。
【０１１２】
溶接箇所において発生し得るスパッタ粒子等の異物は、ガスＧによって運ばれ、吸引管９２によって吸引される。
【０１１３】
なお、図１５に示すように複数のノズル１１０を設けるのではなく、大きな風口を有する単一の送風機を、電極本体２０の後方に設けてもよい。
【０１１４】
なお、先に説明したようにカバーを設けるか仕切部を設けるとともに、上述のように気流を生じさせてもよい。これにより、異物が電極本体に向かって飛散することをさらに抑制することができる。
【符号の説明】
【０１１５】
３…電極組立体、１４ａ，１７ａ…本体、１４ｂ，１７ｂ…タブ、２０…電極本体、２１，２５…タブ積層体、６０，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ，６０Ｄ…カバー、７１…流入口、７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂ…排出口、８１〜８４…ノズル、８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａ…吹出口、８６〜８９…供給管（ガス供給管）、１００…仕切部、Ｓ…側面、Ｗ…溶接部。
【図１】
2017195496.tif 000003
【図２】
2017195496.tif 000004
【図３】
2017195496.tif 000005
【図４】
2017195496.tif 000006
【図５】
2017195496.tif 000007
【図６】
2017195496.tif 000008
【図７】
2017195496.tif 000009
【図８】
2017195496.tif 000010
【図９】
2017195496.tif 000011
【図１０】
2017195496.tif 000012
【図１１】
2017195496.tif 000013
【図１２】
2017195496.tif 000014
【図１３】
2017195496.tif 000015
【図１４】
2017195496.tif 000016
【図１５】
2017195496.tif 000017
【国際調査報告】
2017195496.tif 000018
2017195496.tif 000019