【事件の表示】
　特願２００１−１９０４９３「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１９日出願公開、特開２００２−１１８１０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成６年６月２７日に出願した特願平６−１６７４５１号の一部を平成１３年６月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成１７年９月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年１０月１２日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１０月１２日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜１６のうち請求項１、２、３、１５は、次のとおりに補正された。
「【請求項１】気密な処理容器内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
　前記処理容器の外に設けられたアンテナ部材と、
　前記アンテナ部材に接続された高周波電源と、
　前記被処理体を保持する載置台と、
　複数のガス供給ノズルを備え、前記ガス供給ノズルの先端に設けられた処理ガス噴出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
　前記処理容器内を排気するための排気口と、を備え、
　前記ガス供給ノズルは、前記処理容器の側壁から前記処理容器内の中心側へ所定の長さで形成すると共に、前記被処理体面より上側に配置され、前記ガス供給ノズルの前記処理ガス噴出孔の位置が、前記処理容器の周方向に位置し、略均等に配置されて、前記処理容器内の中心部に向かって処理ガスを放出するようになされると共に、前記ガス噴出孔と前記被処理体との間の垂直方向の距離が７５ｍｍ以上に設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
 【請求項２】気密な処理容器内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
　前記処理容器の外に設けられたアンテナ部材と、
　前記アンテナ部材に接続された高周波電源と、
　前記被処理体を保持し、加熱可能な載置台と、
　複数のガス供給ノズルを備え、前記ガス供給ノズルの先端に設けられた処理ガス噴出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
　前記処理容器内を排気するための排気口と、を備え、
　前記ガス供給ノズルは、前記処理容器の側壁から前記処理容器内の中心側へ所定の長さで形成すると共に、前記被処理体面より上側に配置され、前記ガス供給ノズルの前記処理ガス噴出孔の位置が、前記処理容器の周方向に位置し、略均等に配置されて、前記処理容器内の中心部に向かって処理ガスを放出するようになされると共に、前記ガス噴出孔と前記被処理体との間の垂直方向の距離が７５ｍｍ以上に設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
 【請求項３】前記ガス噴出孔の先端と前記被処理体のエッジとの間の水平方向の距離は、０〜７０ｍｍの範囲内に設定されることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
 【請求項１５】真空引き可能になされた処理容器内に被処理体を収容し、前記処理容器の側壁から前記処理容器内へ突出された複数のガス供給ノズルを有し、前記ガス供給ノズルの先端に形成するガス噴出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給すると共に、前記処理容器の外に設けたアンテナ部材から前記処理容器内に高周波電力を投入してプラズマを立て、前記被処理体に所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、
　前記ガス噴出孔は、前記処理容器の側壁から前記処理容器内の中心側に所定の長さで配置され、前記被処理体面の上側であって前記処理容器の周方向に沿って略均等に配置されると共に、前記ガス噴出孔と前記被処理体との間の垂直方向の距離が７５ｍｍ以上に設定された位置から前記処理容器内の中心方向に向かって処理ガスを噴射するように構成したことを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
　上記補正のうち請求項３は、補正前の請求項３における「ガス噴射孔の先端と前記被処理体のエッジとの間の水平方向の距離は、膜厚の面内均一性を５％以下にするために０〜７０ｍｍの範囲内に設定される」を、「ガス噴出孔の先端と前記被処理体のエッジとの間の水平方向の距離は、０〜７０ｍｍの範囲内に設定される」に補正したものである。
　この点について検討すると、補正により、補正前の「膜厚の面内均一性を５％以下にするために」との記載が削除され、その結果、本願明細書段落【００２７】に記載された「尚、容器側壁とウエハエッジとの間は１００ｍｍに設定されており」の場合、図６の記載によると、ノズルの長さＬが１１０ｍｍならば、ガス噴出孔の先端と被処理体のエッジとの間の水平方向の距離は、１１０ｍｍ−１００ｍｍ＝１０ｍｍとなり、該水平方向の距離は０〜７０ｍｍの範囲内に設定されることになるが、対応する膜厚の面内均一性（±％）は約８％となっている。そうすると、膜厚の面内均一性は５％以下にはなっておらず、補正前には含まれなかった範囲が含まれることになるから、上記補正は、特許請求の範囲を拡張するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当していない。さらに、明らかに請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当していない。
　
２．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について　
１．本願発明　
　平成１７年１０月１２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成１６年７月２６日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されたとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】気密な処理容器内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
　前記処理容器の外に設けられたアンテナ部材と、
　前記アンテナ部材に接続された高周波電源と、
　前記被処理体を保持する載置台と、
　複数の処理ガス供給通路を備え、前記処理ガス供給通路と連通する処理ガス噴出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
　前記処理容器内を排気するための排気口と、を備え、
　前記ガス供給部は、前記被処理体面より上側に配置され、前記処理ガス供給通路と連通する前記処理ガス噴出孔の位置が、前記処理容器の周方向に位置し、略均等に配置されて、前記処理容器内の中心部に向かって処理ガスを放出するようになされると共に、前記ガス噴射孔と前記被処理体との間の垂直方向の距離が６５ｍｍ以上に設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−７９０２５号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（１ａ）「（１）一の絶縁シールドによって少なくとも一部分を仕切られた一の内部を有する一の囲い部と、該囲い部の内部に処理用のガスを導入する手段と、
　前記絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された電気的に導伝性である実質的に平面状の一のコイルと、
　該コイルに一の無線周波電源を結合する手段とを備え、
　前記結合する手段は、前記コイルに前記無線周波電源のインピーダンスを整合させる手段と、共振に備えるため共振回路を同調させる手段とを含むことを特徴とする磁気結合された平面状のプラズマを生成するための装置。」（特許請求の範囲（１））
（１ｂ）「平面状のコイルは、半導体処理装置の操作において一般に用いられる型の無線周波（ＲＦ）発生器によって作動される。ＲＦ発生器は約１３．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの範囲内にある周波数、典型的には１３．５６ＭＨｚの周波数で通常操作される。」（５頁左下欄３〜７行）
（１ｃ)「以下に、第１図及び第２図を参照して個々の半導体ウェハをエッチングするため適するプラズマ処理システムが説明される。
　プラズマ処理システム１０は、上壁１６内に形成されるアクセス部１４を有する囲い部１２を含む。絶縁シールド１８が上壁１６下方に配置され、アクセス部１４を横切って延びる。絶縁シールド１８は、囲い部１２の真空に耐える内部１９を定めるため上壁１６に強く密着される。
　平面状コイル２０が絶縁シールド１８に隣接したアクセス部１４内に配置される。平面状コイル２０は渦巻状に形成され、中央タップ２２及び外側タップ２４を有する。平面状コイル２０の平面は、絶縁シールド１８及び半導体ウェハＷを載置する支持載置面１３の両方に対し平行に向けられている。この様にして、平面状コイル２０は半導体ウェハＷに平行である囲い部１２の内部１９内で平面状のプラズマを生み出すことができ、以下に更に詳細に説明される。平面状コイル２０と支持載置面１３との距離は一般には３ｃｍ乃至１５ｃｍの範囲内であるが、特有の適用に依存して通常５ｃｍ乃至１０ｃｍの範囲内の正確な距離である。
　第１図乃至第３図を参照するに、平面状コイル２０は上述された型のＲＦ発生器３０によって作動される。ＲＦ発生器３０の出力は同軸ケーブル３２によって整合回路３４に供給される。整合回路３４は、回路の効果的な結合を調整し、動作時の周波数での回路への負荷を考慮に入れて、相互に位置付けられる主要コイル３６及び第２ループ３８を含む。」（５頁左下欄１７行〜６頁左上欄７行）
（１ｄ）「第２図乃至第４図を参照するに、処理用ガスは囲い部１２の側壁を貫通して形成される入口部５０を介して囲い部１２の内部１９内に導入される。入口部５０の位置は重要なことではなく、内部１９を貫通して均一に分配して与えられるいかなる地点からガスが導入されても良い。
　ガス分配の均一さを更に高めるために、分配リング５２が与えられても良い。分配リング５２は、便宜上支持載置面１３上方に配置され、アクセス部１４の周囲を囲む。分配リング５２は環状の高圧部５４、及び該高圧部５４から分配リング５２の開口した中央部５８へ延びる一連のノズル５６群を含む。この様にして、入ってくる処理用ガスは平面状コイル２０によって誘導される磁場の最大強度の領域の回りに等しく分配される。好ましくは、ノズル５６は、入ってくる処理用ガスに渦巻状の流れパターンを分は与えるため、分配リング５２の半径方向から外れた方向へ向けられても良い。」（６頁右上欄３行〜左下欄１行）
（１ｅ）第２図には、囲い部１２の左下部に貫通孔とともに、矢印の先に「真空ポンプへ」と記載され、処理ガスを排気するための排気口を有すること、上壁１６のアクセス部１４には、平面状コイル２０が示され、該コイルの下方には絶縁シールド１８、ノズル５６が示され、平面状コイル２０の下面からノズル５６までの距離は、平面状コイル２０の下面から支持載置面１３までの距離の約０．２５倍になっていること、又第４図には、分配リング５２に開口した中央部へ延びる一連の複数のノズル５６が略均等に配置されていること、が示されている。
　
３．当審の判断
３−１．刊行物記載の発明
　上記摘記（１ｄ）によれば、処理用ガスは囲い部１２の側壁を貫通して形成される入口部５０を介して囲い部１２の内部１９内に導入されること、分配リング５２は、支持載置面１３上方に配置され、分配リング５２は環状の高圧部５４、及び該高圧部５４から分配リング５２の開口した中央部５８へ延びる一連のノズル５６群を含むことが記載され、摘記（１ｅ）によれば、
分配リング５２に開口した中央部に延びる一連のノズル５６が略均等に配置されていることが示され、また、囲い部には処理ガスを排気するための排気口を有することも示されている。
　そうすると、上記摘記（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、上記刊行物には、「絶縁シールドによって少なくとも一部分を仕切られた一の内部を有する囲い部と、該囲い部の内部に処理用のガスを導入する手段と、前記絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された電気的に導伝性である実質的に平面状のコイルと、該コイルに無線周波電源を結合する手段と、ウェハを保持する支持載置面とを備え、囲い部内に配置されたウェハに対してプラズマ処理を施す磁気結合された平面状のプラズマを生成するための装置において、
　前記ガスを導入する手段が複数のノズル、ノズルの先端から囲い部内に処理用ガスを供給するための分配リングを備え、囲い部内の処理ガスを排気するための排気口と、前記分配リングは、ウェハ面より上側に配置され、ノズルの先端が、囲い部の周方向に位置し、略均等に配置されて、囲い部内の中心部に向かって処理用ガスを放出するようになされている磁気結合された平面状のプラズマを生成するための装置。」（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と刊行物記載発明とを対比する。
　刊行物記載発明の「囲い部」は、プラズマを生成するための装置として、当然に気密であるから、本願発明１の「処理容器」に相当し、刊行物記載発明の「ノズルの先端」は、囲い部内に処理用ガスを噴出する孔を有することも自明である。また、刊行物記載発明の「平面状のコイル」、「無線周波電源」、「ウェハ」、「支持載置面」、「ノズル」、「分配リング」は、それぞれ本願発明１の「アンテナ部材」、「高周波電源」、「被処理体」「載置台」、「処理ガス供給通路」、「ガス供給部」に相当する。
　そうすると、両者は、「気密な処理容器内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器の外に設けられたアンテナ部材と、前記アンテナ部材に接続された高周波電源と、前記被処理体を保持する載置台と、複数の処理ガス供給通路を備え、前記処理ガス供給通路と連通する処理ガス噴出孔から前記処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給部と、前記処理容器内を排気するための排気口と、を備え、前記ガス供給部は、前記被処理体面より上側に配置され、前記処理ガス供給通路と連通する前記処理ガス噴出孔の位置が、前記処理容器の周方向に位置し、略均等に配置されて、前記処理容器内の中心部に向かって処理ガスを放出するようになされるプラズマ処理装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明１は、ガス噴射孔と被処理体との間の垂直方向の距離が６５ｍｍ以上に設定されているのに対し、刊行物記載発明は、処理用ガス噴射口と被処理体との間の距離については不明である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物記載発明の該距離について精査すると、摘記（１ｃ）には、「平面状コイル２０と支持載置面１３との距離は一般には３ｃｍ乃至１５ｃｍの範囲内である」と記載されており、この距離は、平面状コイルの下面から支持載置面までの距離ともいえ、該距離は１５０ｍｍの場合も当然に取り得る。そうすると、この場合ノズルと支持載置面との間の垂直方向の距離は、約１１２．５ｍｍ（摘記（１ｅ）の約０．２５倍から、１５０ｍｍ−１５０ｍｍ×０．２５＝１１２．５ｍｍ）となっている。
　
　また、プラズマ薄膜形成装置において、原料ガス供給ノズルとウエハ間の距離を６５ｍｍ以上とすることは、例えば、次に示すとおり周知の技術である。
　周知例１：特開平１−２７８７１６号公報、第６図、７０ｍｍ、９０ｍｍとすること参照   
　周知例２：特開昭６３−５４９３４号公報、「第１図において、基体５とノズル１の間隔を数１０ｍｍ〜数１００ｍｍ程度離せば」（４頁左上欄８〜９行参照）
　
　そうすると、刊行物記載発明において、ガス噴射孔と被処理体との間の垂直の距離を６５ｍｍ以上とすることは、プラズマ処理の条件などに応じて当業者が適宜決め得る設計的事項にすぎない。
　また、この距離を、平面状コイルの上面から支持載置面までの距離、または平面状コイルの幅方向の中間から支持載置面までの距離としても、格別の差は認められない。
　
　そして、本願発明１における作用効果も刊行物の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとも認められない。
　
４．むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜１６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。