【事件の表示】
　特願２００３−　２８８９９「半導体処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月２６日出願公開、特開２００４−２４１５９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１５年２月５日の出願であって、平成１８年１月４日付け最後の拒絶理由通知に対して、平成１８年３月１３日付けで手続補正がされたが、平成１８年４月１０日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１８年５月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年６月１６日付けで手続補正がされたものである。
　
　
２．本願の請求項１に係る発明
　
　平成１８年６月１６日付け手続補正のうち特許請求の範囲についてした補正は、補正前の請求項１を削除し、同じく補正前の請求項２を補正後の請求項１に繰り上げたものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的とするものであり、平成１８年６月１６日付け手続補正は、適法になされたものである。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年６月１６日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】容器の内側に載置された試料台上に載置された半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体処理装置であって、
　前記試料台は内部に高周波電力を印加する内部電極と冷媒の通路とヒータを有するとともに前記載置される半導体ウエハとの間にガスが供給され、
　使用者が前記半導体処理装置の運転条件のうち運転中の前記半導体ウエハの温度およびその他の少なくとも１つの運転の条件を設定できる設定手段と、
　この設定手段によって設定された前記半導体ウエハの温度を実現するため、前記試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱の量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力、または、前記試料台に印加される高周波電力の大きさのうち少なくとも１つの条件を検出した値となるように調節する制御装置とを備え、
　前記制御装置が、前記半導体処理装置の運転条件を変更する指令を受けた際に前記半導体ウエハの温度条件を維持してこれを実現するように前記試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力または、前記試料台に印加される高周波電力のうち少なくとも一つの条件を検出した値となるように調節する半導体処理装置。」
　
　
３．原査定の理由
　
　一方、原査定の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　
（１）平成１８年１月４日付け拒絶理由通知書
　
「２．この出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
【理由２】
Ａ．請求項１，２には、「この設定手段によって設定された前記半導体ウエハの温度を実現するように演算された指令」と記載されているが、発明の詳細な説明には、具体的な演算方法が何ら記載されていない（例えば、半導体ウエハの温度及び処理室の圧力を設定した際にどのように演算を行うのか、半導体ウエハの温度、半導体ウエハと試料台の間に導入されるガスの圧力及び試料台に印加される高周波電力を設定した際にどのように演算を行うかなど）から、当業者が容易に実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。」
　
（２）平成１８年４月１０日付け拒絶査定
　
「この出願については、平成１８年　１月　４日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶をすべきものである。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討したが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせない。
　
備考
　請求項１には、「この設定手段によって設定された前記半導体ウエハの温度を実現するため、前記試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱の量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力、または、前記試料台に印加される高周波電力の大きさのうち少なくとも１つの条件を検出」と記載されている。
　ここで、発明の詳細な説明には、「作業者が設定したウエハ温度を実現するための、Ｈｅ裏面圧、冷媒温度、ステージ初期温度などは制御用演算器２６で演算されて検出される。この演算は、予め記録または記憶された１つ以上の情報を用いて、この情報から選択してよく、あるいはこれらの情報に含まれるデータを用いて演算して算出しても良い。ここで、設定したウエハ温度を実現するための上記パラメータの組み合わせは１つではない場合があり、これらのうちから所望の組合せを選択しなければならない。」（第４６段落）と記載されているものの、例えば、半導体ウエハの温度及び処理室の圧力を設定した際に、具体的にどのような情報を用い、どうやって冷媒温度の検出をするのか、また、半導体ウエハの温度、半導体ウエハと試料台の間に導入されるガスの圧力及び試料台に印加される高周波電力を設定した際に、具体的にどのようなデータを用い、どのような演算を行ってＨｅ裏面圧及びステージ初期温度の検出を行うのかなど、具体的な検出方法が何ら記載されていない。
　よって、発明の詳細な説明には、請求項１に係る発明について、当業者が容易に実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　また、請求項１を引用する請求項２に係る発明についても同様である。
　以上のとおりであるから、この出願は、明細書及び図面の記載が、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。」
　
　
４．当審の判断
　
（１）実施可能要件（特許法第３６条第４項）の意義について
　
　我が国の特許制度は、産業政策上の見地から、自己の発明を公開して社会における産業の発達に寄与した者に対し、その公開の代償として、当該発明を一定期間独占的、排他的に実施する権利（特許権）を付与してこれを保護することにしている。
　そして、明細書及び図面は、特許発明の技術的内容を公開するとともに、その技術的範囲を明示する役割を担うものであるところ、特許法３６条４項は、明細書の発明の詳細な説明の記載について、「経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載し」なければならないとしている。
　ここでいう「その実施」とは、請求項に係る発明の実施のことであると解されるところ、該請求項に係る発明が「物の発明」の場合、上記「その実施」とは、その物を製造、使用等することであるから、当業者がその物を製造、使用することができる程度に明確かつ十分に記載しなければならないことはいうまでもなく、そのためには、明細書、図面全体の記載及び技術常識に基づき特許出願時の当業者がその物を製造、使用できるような場合を除き、具体的な製造方法及び使用方法を記載しなければならないと解すべきである。［平成１７年（行ケ）第１０２８０号、知財高判平成１７年６月３０日参照］
　
（２）本願明細書及び図面の記載事項
　
　本願明細書及び図面には、以下の事項が記載されている。
　
ア　発明の属する技術分野
（ａ）「本発明は、半導体の製造装置に係り、半導体ウエハの温度を調節して処理する半導体処理装置に関する。」（【０００１】）
　
イ　発明が解決しようとする課題
（ｂ）「上記従来の技術では、ウエハで所望の温度分布を実現するためには、第一、第二の熱伝導ガスの供給量、排気量は装置の制御部に設定登録されている必要があり、登録されていない場合は別に表面温度を測定し、希望の温度分布を実現する条件を探さなければならず、処理条件の決定に時間を要する問題がある。」（【０００９】）
（ｃ）「本発明の第一の目的は、装置の動作効率が向上する半導体処理装置を提供することにある。」（【００１５】）
（ｄ）「また、本発明の第二の目的は、半導体ウエハをより精密に処理できる半導体処理装置を提供することにある。」（【００１６】）
　
ウ　課題を解決するための手段
（ｅ）「上記の目的は、容器の内側に載置された試料台上に載置された半導体ウエハをこの容器内に発生させたプラズマを用いてエッチング処理する半導体処理装置であって、前記試料台は内部に高周波電力を印加する内部電極と冷媒の通路とヒータを有するとともに前記載置される半導体ウエハとの間にガスが供給され、使用者が前記半導体処理装置の運転条件のうち運転中の前記半導体ウエハの温度およびその他の少なくとも１つの運転の条件を設定できる設定手段と、この設定手段によって設定された前記半導体ウエハの温度を実現するため、前記試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱の量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力、または、前記試料台に印加される高周波電力の大きさのうち少なくとも１つの条件を検出した値となるように調節する制御装置とを備え、前記制御装置が、前記半導体処理装置の運転条件を変更する指令を受けた際に前記半導体ウエハの温度の設定条件を維持してこれを実現するように前記試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力または、前記試料台に印加される高周波電力のうち少なくとも一つの条件を検出した値となるように調節することにより達成できる。」（【００１７】）
　
エ　発明の実施の形態
（ｆ）「図１から図３に本発明の第一の実施例を示す。図１は本発明のウエハ処理装置の本体、図２は制御機構、図３はモニタの詳細図である。・・・図１に示すように、真空チャンバ９内にエッチングガス１１を導入し、ターボ分子ポンプ１３の上流に設置したバルブ１２の開度調節によりチャンバ内を適切な圧力に保つ。３４はロータリーポンプである。真空チャンバの上部にはアルミナ製のベルジャ１０が積載してあり、このベルジャの周囲にはコイル７が設置してある。コイル７を高周波電源８に接続し、コイルの両端に高周波電圧、例えば１３．５６ＭＨｚを印加することにより誘導結合方式のプラズマ６を発生させる。ベルジャの周囲にはファン２７が複数個取りつけてあり、ベルジャの温度を一定に保っている。このプラズマにウエハ１を曝すことによりエッチング処理を実施する。処理中、ウエハはウエハステージ２上に積載され、温度が検知手段により検知されている。・・・また、ウエハ１にバイアス電圧を印加するために、ウエハステージ２には高周波電源５を接続している。また高周波電圧の給電ライン１９にはウエハステージ２に静電チャック機能を付与するために直流電源２２が接続してある。・・・ウエハステージ２の概略の構造は、冷却用の冷却ジャケット１４と、この上に配置されたヒータ機能と静電チャック機能を有するセラミックス板１５とを有し、これらの間に配置された熱伝導用シート（部材）２３が挟まれた状態でボルト３６がこれらを通して締結する構成となっている。冷却ジャケット１４の内部には冷媒を流すための流路４６が設けてあり、外部に設置したサーキュレータ５６から流れてくる冷媒で冷却する。・・・冷媒の流量は流量計５４で測定し、サーキュレータから流れ出る温度と戻り側の温度を熱電対５２，５３で測定し、図示していないが制御用コンピュータでモニタする。・・・セラミックス板１５の材質は、本実施例では窒化アルミであり、内部に円状のヒータ１６、リング状のヒータ５７とがほぼ同心円状に埋設してあり、それぞれ独立に電力を供給することができる電源が接続されている。したがって、ヒータ１６、５７に電力を投入することによりセラミックス板の温度分布を変化させることができる。・・・セラミックス板１５内部のヒータ上にはウエハステージに静電チャック機能とＲＦバイアスを与える内部電極１７が埋設してある。この内部電極１７に直流電圧を印加すれば、内部電極１７とウエハ１（ウエハ１はプラズマに曝されておりほぼアース電位）間に電位差が発生し、内部電極１７とウエハ１の裏面との間に電荷が蓄えられクーロン力によりウエハはセラミックス板１５に固定される。また、内部電極１７には直流電圧のほかにウエハ１にバイアス電力を投入するための高周波電圧が印加されている。静電チャック用の直流電圧はコイル２１を介して給電ライン１９に接続する。この内部電極１７に高周波電圧を印加すればウエハ１にバイアス電圧を印加することができるのでプラズマ中のイオンを効果的に引き込むことができ、エッチングレートを増加させたり、エッチング形状が改善されるなどの効果を期待することができる。・・・５５はウエハの温度測定用の蛍光温度計である。・・・また、処理中にウエハへ入射した熱を効果的にウエハステージに伝え、ウエハ温度の制御性を向上させるために、ウエハ裏面とセラミックス板間にヘリウムガスなどの伝熱ガスが導入される。・・・ヘリウムガスの圧力と流量は、それぞれ圧力計２４と流量計２５でモニタしている。・・・こうして圧力計２４、流量計２５等で検知されたデータに基づいて得られた情報は、後述するように、装置と接続されたモニタ等の表示装置上に表示可能となっている。表示装置は装置に予め取り付けられたものでも、装置から取り外し可能に構成されたものでも良い。」（【００２４】〜【００３２】）
　
（ｇ）「本発明では図３に示すように、作業者が設定する項目に冷媒温度だけではなくウエハ温度が設定可能となっている。したがって、作業者は例えば先の例の場合、バイアス電力を６００Ｗから８００Ｗに変更する場合に入力画面で同様にウエハ温度７９．８℃を設定され、装置はこのウエハ温度となるような運転条件（処理条件）に設定され、これを実現するように運転される。このため装置による処理の効率が向上し、また処理の精度も向上される。」（【００４２】）
　
（ｈ）「本実施例の、調節する条件が変更された場合にウエハ温度をするための構成を図２にもとづき説明する。処理装置本体３８は制御用演算器２６と通信ケーブル２８で連結し、信号のやりとりを行う。処理装置本体３８には、上記した高周波電源やヒータ、静電チャック電源、ファン、サーキュレータ、Ｈｅガスの流量制御機等のほか、各種センサ、バルブといった動作を行う部分およびその機能も含んでいる。・・・装置の動作を調節するための制御装置であって、演算器を含んだ制御用コンピュータ２６は、装置本体３８を含む装置の各部の状態を表示して作業者がこれらを確認できる画面を有する表示装置であるモニタ３０と通信ケーブル３１で接続されている。また、このモニタ３０は、作業者が操作して指令を入力し、装置本体３８の運転条件、処理の設定項目を表示、あるいは入力可能な入力機構３３を備えている。このことにより、作業者はバイアス電力やＨｅ裏面圧などの情報をモニタ３０の画面に表示された図３の表をみながら入力できる。また、上記入力機構３３を用いて、このモニタ３０上に表示された各情報について所望の値を入力するとともに、各部の動作状態を表示させてこれを入力して指令することで装置本体の動作を設定できる。・・・上記入力機構３３は、操作のためのボタンやスイッチを備えたパネルやキーボードでもよく、また、モニタ３０上に表示された画面に作業者が触れて行うタッチパネルでもよい。あるいは視力、音声等を用いてもよく、こうした場合、上記入力機構３３は表示手段であるモニタ３０と一体、あるいは装置本体に取り付けられても良い。・・・作業者が設定したウエハ温度を実現するための、Ｈｅ裏面圧、冷媒温度、ステージ初期温度などは制御用演算器２６で演算されて検出される。この演算は、予め記録または記憶された１つ以上の情報を用いて、この情報から選択してよく、あるいはこれらの情報に含まれるデータを用いて演算して算出しても良い。ここで、設定したウエハ温度を実現するための上記パラメータの組み合わせは１つではない場合があり、これらのうちから所望の組合せを選択しなければならない。・・・そこで本実施の例では、Ｈｅ裏面圧を当初の１ｋＰａとし、初期ステージ温度を２５℃に設定した。残る項目は冷媒温度であるが、これは制御用コンピュータ２６で計算したところ８℃であった。こうしたＨｅ裏面圧や冷媒温度等の値は、演算して表示されるのみでなく、これらの１つ以上を作業者が入力機構３３等を用いて入力可能に構成することで、作業者がより精密に処理の条件を設定できるとともに、こうして入力された値に対応するウエハ温度を含む他の設定項目や動作／処理の条件を演算して表示可能にすることで、装置の動作や処理がどのように変化するかを容易に判断させることができる。・・・このような演算にはウエハへの入熱量の情報あるいはデータが必要である。入熱量は、主にバイアス電源の投入電力により決まると考えられるが、プラズマを生成するためのソース電源の投入電力の影響も受ける。そこで、入熱量は過去の実験データに基づきバイアス電源の投入電力の何％と仮定したものを使用する方法が考えられる。しかし、より正確なウエハ温度計算を行うためには冷媒の流量と温度上昇から計算する方法が有効である。・・・本実施例では、冷却ジャケットの入り口直前の冷媒の温度と、出口直後の冷媒温度を熱電対で測定している。冷媒流量は配管に組み込まれた流量計５４で測定している。コンピュータには使用している冷媒の物性値と熱量計算のための計算式が記憶されており、冷媒が持ち去る熱量をリアルタイムで計算している。必要ならばモニタ画面に表示することも可能である。そこで、実際の処理を行う前にダミーウエハを処理して入熱量を求めておけばよい。図３の例では、入熱は４５６Ｗと表示されている。・・・計算結果はモニタ画面に表示され、作業者が問題ないかどうかチェックする。このとき、あらかじめ各パラメータの適正範囲を制御用コンピュータに記憶させておき、自動的に判断させることも可能である。本例では、使用している冷媒の使用範囲内であるため問題ないので処理に移行する。もし、範囲を超えている場合は再度条件を入力し計算を行う。このとき、モニタ画面にエラー表示すればわかりやすい。この場合の例をとると、冷媒の使用範囲が１０℃以上である場合、Ｈｅ裏面圧を１．２ｋＰａに設定すれば冷媒の温度はより高く設定できるので使用範囲に収めることができるであろう。」（【００４３】〜【００５０】）
　
（ｉ）「図７に本実施例のフローチャートを示す。作業者が条件を入力する（１００）。次に入力された温度を実現する条件を制御用コンピュータで計算する（１０１）。計算結果をモニタ画面に表示する（１０２）。作業者が計算結果の処理条件で問題がないか確認する。なお、この確認はあらかじめ基準を設定しておき、この基準とコンピュータにより自動判定するなどしてもよい（１０３）。合格なら処理を行う（１０４）。不合格なら合格となるまで条件を入力しなおす。処理が終了する（１０５）。なお、決定した条件で連続処理することも可能である。・・・図８に本実施例の結果得られた条件で実際に処理したときのウエハ温度変化の測定結果を示す。その結果、平均温度は７９．３℃と６００Ｗの時とわずか０．５℃の差で一致させることができた。したがって、ウエハ温度の影響を考えることがなくバイアス電力の効果だけを検討することができる。このとき、作業者は温度を設定するだけでよいので、別実験でウエハ温度を測定する必要がなく、新しいプロセス開発の時間短縮に大きく貢献する。・・・本実施例では、ウエハ温度に影響する項目としてバイアス電力、Ｈｅ裏面圧、冷媒温度、ヒータ電力を挙げたが、必ずしもこれだけに限らない。ウエハ温度に影響するその他のパラメータとしては冷媒流量、ウエハ裏面にＨｅガスを導入する位置が複数ある場合にはそれぞれの圧力、ウエハステージ温度が４００℃などの高温の場合には対向面の温度などが挙げられる。したがって、設定したウエハ温度を実現するための組み合わせは無限に存在するといえるが、実際にはそれぞれの項目で適用する値の範囲はおのずから限られてくるので、通常は冷媒温度、Ｈｅ裏面圧、ヒータ電力のいずれかが計算で決定される項目となる場合が多い。」（【００５１】〜【００５３】）
　
オ　発明の効果
（ｊ）「本発明によれば、装置の動作効率が向上する半導体処理装置を提供できる。また、半導体ウエハをより精密に処理できる半導体処理装置を提供できる。」（【００６５】）
　
カ　図面
（ｋ）図１〜図３には、本発明の第一の実施例のウエハ処理装置の本体、制御機構及びモニタの詳細図が記載され、また、図７〜図９には、本発明の第一の実施例のフローチャート、処理中のウエハの温度変化の例が記載されている。
　
（３）判断
　
　以上を前提として、本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項に規定される「経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載し」なければならないとの要件を充足するものであるか否かについて、以下検討する。
　
　ここで、「その実施」とは、４．（１）で述べたように、請求項に係る発明の実施のことと解されるところ、本願の請求項に係る発明は、請求項１記載の「半導体処理装置」に係る、物の発明であると認められる。
　
　したがって、同じく４．（１）で述べたように、本願明細書の発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項に規定される要件を充足しているといえるためには、当該記載が、当業者が請求項１に係る「半導体処理装置」を製造、使用することができる程度に明確かつ十分に記載したものといえること、即ち、
　
（Ｉ）本願明細書の発明の詳細な説明に、本願請求項１に係る「半導体処理装置」の具体的な製造方法及び使用方法が記載されていること、又は、
　
（II）具体的な製造方法及び使用方法が記載されていない場合に、明細書、図面全体の記載及び技術常識に基づき特許出願時の当業者が本願請求項１に係る「半導体処理装置」を製造、使用できること、
　
のいずれかを満たすことが、必要となる。
　
　そこで、まず、上記（Ｉ）の点について検討する。
　
　本願の請求項１に係る「半導体処理装置」は、２．で認定したとおり、「設定手段によって設定された半導体ウエハの温度を実現するため、試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱の量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力、または、前記試料台に印加される高周波電力の大きさのうち少なくとも１つの条件を検出した値となるように調節」し、且つ「半導体処理装置の運転条件を変更する指令を受けた際に前記半導体ウエハの温度条件を維持してこれを実現するように前記試料台の内部を流れる冷媒の温度、前記試料台の内部に備えられたヒータの加熱量、前記半導体ウエハと前記試料台との間に導入されるガスの圧力または、前記試料台に印加される高周波電力のうち少なくとも一つの条件を検出した値となるように調節する」制御装置を備えるものと認められる。
　しかしながら、上記制御装置に関して本願明細書には、「本実施例の、調節する条件が変更された場合にウエハ温度をするための構成を図２にもとづき説明する。処理装置本体３８は制御用演算器２６と通信ケーブル２８で連結し、信号のやりとりを行う。処理装置本体３８には、上記した高周波電源やヒータ、静電チャック電源、ファン、サーキュレータ、Ｈｅガスの流量制御機等のほか、各種センサ、バルブといった動作を行う部分およびその機能も含んでいる。・・・装置の動作を調節するための制御装置であって、演算器を含んだ制御用コンピュータ２６は、装置本体３８を含む装置の各部の状態を表示して作業者がこれらを確認できる画面を有する表示装置であるモニタ３０と通信ケーブル３１で接続されている。また、このモニタ３０は、作業者が操作して指令を入力し、装置本体３８の運転条件、処理の設定項目を表示、あるいは入力可能な入力機構３３を備えている。このことにより、作業者はバイアス電力やＨｅ裏面圧などの情報をモニタ３０の画面に表示された図３の表をみながら入力できる。また、上記入力機構３３を用いて、このモニタ３０上に表示された各情報について所望の値を入力するとともに、各部の動作状態を表示させてこれを入力して指令することで装置本体の動作を設定できる。」、「作業者が設定したウエハ温度を実現するための、Ｈｅ裏面圧、冷媒温度、ステージ初期温度などは制御用演算器２６で演算されて検出される。この演算は、予め記録または記憶された１つ以上の情報を用いて、この情報から選択してよく、あるいはこれらの情報に含まれるデータを用いて演算して算出しても良い。ここで、設定したウエハ温度を実現するための上記パラメータの組み合わせは１つではない場合があり、これらのうちから所望の組合せを選択しなければならない。」、「図７に本実施例のフローチャートを示す。作業者が条件を入力する（１００）。次に入力された温度を実現する条件を制御用コンピュータで計算する（１０１）。計算結果をモニタ画面に表示する（１０２）。作業者が計算結果の処理条件で問題がないか確認する。なお、この確認はあらかじめ基準を設定しておき、この基準とコンピュータにより自動判定するなどしてもよい（１０３）。合格なら処理を行う（１０４）。不合格なら合格となるまで条件を入力しなおす。処理が終了する（１０５）。なお、決定した条件で連続処理することも可能である。」、「本実施例では、ウエハ温度に影響する項目としてバイアス電力、Ｈｅ裏面圧、冷媒温度、ヒータ電力を挙げたが、必ずしもこれだけに限らない。ウエハ温度に影響するその他のパラメータとしては冷媒流量、ウエハ裏面にＨｅガスを導入する位置が複数ある場合にはそれぞれの圧力、ウエハステージ温度が４００℃などの高温の場合には対向面の温度などが挙げられる。したがって、設定したウエハ温度を実現するための組み合わせは無限に存在するといえるが、実際にはそれぞれの項目で適用する値の範囲はおのずから限られてくるので、通常は冷媒温度、Ｈｅ裏面圧、ヒータ電力のいずれかが計算で決定される項目となる場合が多い。」等［摘記事項（ｈ）、（ｉ）参照］の記載があるのみである。
　そうすると、運転条件を変更する際に設定された半導体ウエハの温度を実現するための、「試料台の内部を流れる冷媒の温度」、「試料台の内部に備えられたヒータの加熱の量」、「半導体ウエハと試料台の間に導入されるガスの圧力」又は「試料台に印加される高周波電力の大きさ」等の具体的な運転条件がどのようなアルゴリズムに基づいて導出されるのか、また、そのようなアルゴリズムによって演算を実施するための演算器がどのような構成を備えていなければならないか等、上記制御装置の製造及び使用にとって不可欠な事項が具体的に記載されているとは認められない。
　よって、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願請求項１に係る「半導体処理装置」を構成する「制御装置」の具体的製造方法及び使用方法が記載されているとは認められない。
　
　このように、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願請求項１に係る「半導体処理装置」の具体的製造方法及び使用方法が記載されているとは認められないことから、次に、上記（II）の点について検討する。
　
　まず、「技術常識」とは、当業者に一般的に知られている技術であって、技術上の理論や、経験則を含むものであり、これには、当業者に一般に知られているものである限り、実験、分析、製造の方法等が含まれると解されるところ、本願出願時の当業者が本願請求項１に係る「半導体処理装置」を製造、使用できたとするに足る「技術常識」が本願出願当時に存在していたか否かが問題となる。
　
　以下、この点について検討するに、半導体処理装置の運転中にその内部に載置された半導体ウエハの温度に影響を与える変数としては、「試料台の内部を流れる冷媒の温度」、「試料台の内部に備えられたヒータの加熱の量」、「半導体ウエハと試料台の間に導入されるガスの圧力」及び「試料台に印加される高周波電力の大きさ」以外にも、上記冷媒の流量、半導体処理装置内に発生させたプラズマからの入熱量、半導体ウエハと試料台の間に導入されるガスの流量や温度等（摘記事項（ｈ）、（ｉ）参照）、様々なものが考えられることから、半導体処理装置の具体的な構成やその運転条件についての何らかの仮定をおかずして、設定した半導体ウエハの温度から上記の各種変数を一義的に確定することは、極めて困難なことといわざるをえない。
　
　そこで、上記仮定について、一般的に知られた技術常識が本願出願当時既に存在していたか否かがさらに問題となるが、このような技術常識の存在を推認させるような事実は何ら見あたらない。
　
　なお、仮に、実験によって上記半導体ウエハの温度と上記の各種変数との間の関係について一定の経験則、即ち適当な近似法、束縛条件、変数同士の関係式等を導出することが可能であったとしても、そのような経験則は、当該実験に係る半導体処理装置の具体的な構成、即ち、装置各部の寸法、配置、冷媒の選択、ガスの選択等に多分に依存するものであって、このような経験則をもって、「当業者に一般的に知られている」技術常識とまで直ちにいえないことは、明らかである。
　
　よって、本願出願時に、当業者が本願請求項１に係る「半導体処理装置」を製造、使用できたとするに足る技術常識が存在していたとは認められないので、明細書、図面全体の記載及び技術常識に基づき特許出願時の当業者が本願請求項１に係る「半導体処理装置」を製造、使用できたとは到底いえない。
　
　以上のとおりであるから、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項に規定される「経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載し」なければならないとの要件を満たしていない。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由において、
　
「拒絶の査定の理由となった、制御装置が冷媒の温度を検出する手法および具体的にどのようなデータを用い、どのような演算を行ってＨｅ裏面圧及びステージ初期温度の検出を行うのかなどについては、それ自体は既に知られていることです。すなわち、添付資料１として提出する下記の文献には、ウエハ温度（ｓｔａｒｔｉｎｇ　ｗａｆｅｒ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）Ｔｗが、チャック温度（ｃｈｕｃｋ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）Ｔｃすなわち試料台を流れる冷媒の温度、ウエハ初期温度（ｗａｆｅｒ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）Ｔｕ０、熱伝達係数（ｈｅａｔ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）ｈすなわち半導体ウエハと試料台との間に導入されるガスの圧力、ウエハの単位領域当たりのプラズマ加熱率（ｔｈｅ　ｒａｔｅ　ａｔ　ｗｈｉｃｈ　ｔｈｅ　ｐｌａｓｍａ　ｈｅａｔ　ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ　ｐｅｒ　ｕｎｉｔ　ａｒｅａ）ｑ´´すなわち、試料台に印加される高周波電力によって得られることが、式（１）、（２）、（３）に示されています。すなわち、ウエハ温度が設定されれば、上記式により、冷媒温度、ヒータの加熱量、ガスの圧力、高周波電力のうちの少なくとも一つを演算して検出することは当然に考え得ることです。したがって、明細書にこれらの検出手法が記載されていなくても、上記周知の式から当然に導き出せる範囲であり、このことによって、明細書の記載が不明瞭であることとはいえません。
［資料１］“Ｌｏｗ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｅｔｃｈ　ｃｈｕｃｋ：Ｍｏｄｅｌｉｎｇ　ａｎｄ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｆ　ｈｅａｔ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ａｎｄ　ｗａｆｅｒ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ”Ｊｏｕｒｎａｌ．Ｖａｃｕｕｍ．ｓｃｉｅｔｙ．Ｔｅｃｈｎｏｌｇｙ．Ａ　１０（４），Ｊｕｌ／Ａｕｇ　１９９２　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　１０６５−１０７０」
　
と主張しているが、このような一論文の記載をもって技術常識とはいえないし、仮にそうでないとしても、上記資料に本願発明そのものが記載されているわけではなく、当該資料に記載された技術思想をどのように本願発明に適用するのかも依然として不明であることからすると、上記資料の記載のみをもって、「制御装置が冷媒の温度を検出する手法および具体的にどのようなデータを用い、どのような演算を行ってＨｅ裏面圧及びステージ初期温度の検出を行うのかなど」の事項が技術常識であったとするには無理があるといわざるをえない。
　また、上記主張において、上記資料に記載された「熱伝達係数ｈ」や、「ウエハの単位領域当たりのプラズマ加熱率ｑ´´」が、それぞれ「半導体ウエハと試料台との間に導入されるガスの圧力」、「試料台に印加される高周波電力」に相当すると解釈している点についても、何ら根拠のないものである。
　よって、上記の主張は採用することができない。
　
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。