【事件の表示】
　平成１１年特許願第２７８５２０号「パターン検査装置およびパターン検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月１３日出願公開、特開２００１−　９９６２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年９月３０日の出願であって、平成１７年６月３日付け（発送日：同年６月７日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１７年３月１１日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。（以下、「本願発明」という。） 
「画像処理によってパターンの欠陥検査を行うパターン検査装置であって、パターンを含む被検査画像と参照画像とを比較して被検査画像における欠陥候補領域を特定する欠陥候補画像を生成する欠陥候補画像生成手段と、
前記欠陥候補画像を用いて前記欠陥候補領域以外を前記被検査画像においてマスクする第１マスク手段と、
前記マスクされた被検査画像において特徴抽出を行う第１特徴抽出手段と、
前記第１特徴抽出手段により抽出された第１特徴量に基づいて前記被検査画像のパターン欠陥の判定を行う判定手段と、
前記参照画像において、前記欠陥候補画像を用いて前記欠陥候補領域以外をマスクする第２マスク手段と、
前記マスクされた参照画像において特徴抽出を行う第２特徴抽出手段と、を備え、
前記判定手段は、前記第２特徴抽出手段により抽出された第２特徴量にも基づいて、前記被検査画像のパターン欠陥の判定を行うことを特徴とするパターン検査装置。」
　
２．引用例記載の発明・事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平７−１９０７３９号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ａ）「この発明は半導体チップの外観検査方法および装置に関する。より詳しくは、検査対象のチップを良品チップと比較することにより、チップの外観検査を自動的に行うチップ外観検査方法および装置に関する。」（段落【０００１】）
（ｂ）「比較基準用チップと検査対象チップとを所定の照明レベルで撮像して、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像とを比較して欠陥を求める半導体チップの外観検査方法において、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像との差画像を作成し、上記差画像のうち欠陥候補が存在する箇所に、上記欠陥候補を囲むウインドウを設定し、上記各ウインドウでの上記比較基準用チップの画像の濃淡値と上記検査対象チップの画像の濃淡値との差、上記比較基準用チップの画像が示す平均濃淡レベルと上記検査対象チップの画像が示す平均濃淡レベルとの比、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像との相関係数、若しくは上記差画像が持つ分散値、またはこれらの組合せに基づいて、上記欠陥候補から虚報を削除することを特徴とする半導体チップの外観検査方法。」（特許請求の範囲の請求項４）
（ｃ）「次に、図７のステップＳ１０で、良品基準画像と検査画像とを比較して欠陥候補を検出する。例えば、図９中に示すように、良品基準画像から得た参照画像とオフセット補正後の検査画像とを比較して差画像を作成する。この差画像（欠陥候補画像）内で、参照画像の濃淡レベルよりも検査画像の濃淡レベルの方が低くなっている画素を欠陥候補として検出する（Ｓ３３）。そして、差画像から２値画像を作成する。検出した欠陥候補にはラベリング（番号付け）を行う。」（段落【００６１】〜【００６２】）
（ｄ）「次に、図７のステップＳ１１で、上記ラベリングされた各欠陥候補から、形状データに基づいて虚報を削除するとともに、濃淡データに基づいて虚報を削除する。これにより、欠陥を抽出する精度を高めて、正確な欠陥判定を行うことができる。
　詳しくは、図９中に示すように、ラベリングされた欠陥候補に対して形状判定を実施する（Ｓ３４）。すなわち、微細な孤立点は、局所的に反射率の差異として削除する。
　また、上記欠陥候補を囲む最小の矩形を設定し、上記矩形の辺の長さ、座標、若しくは上記欠陥候補の上記矩形内における面積占有率、またはこれらの組合せに基づいて、上記欠陥候補から虚報を削除する。また、上記形状判定で削除できなかった各欠陥候補に対して、濃淡判定を実施する。すなわち、上記欠陥候補を囲むウインドウＷを設定し、各ウインドウＷでの良品基準画像の濃淡値と検査画像の濃淡値との差、良品基準画像の平均濃淡レベルと検査画像の平均濃淡レベルとの比、良品基準画像のパターンと検査画像のパターンとの相関係数η、若しくは上記差画像が持つ分散値δ２、またはこれらの組合せに基づいて、上記欠陥候補から虚報を削除する。詳しくは、良品画像のパターンが一様な反射率を示している場合、背景のハレーションの影響が比較的少ない。この場合、欠陥候補のうち濃淡レベルの低いものが欠陥であると考えられる。そこで、ウインドウＷに対応する良品基準画像の濃淡値と検査画像の濃淡値との差を算出して、この差が小さいならば虚報と判定する。パターンの輝度が一様であるかの判断は、次式（２）に示す濃淡レベルの分散値δ２の大小に基づいて行う。
      δ２＝{Σ(Ｒｉｊ−(ΣＲｉｊ／Ｎ))２}／Ｎ              …（２）
ただし、Ｒｉｊは良品基準画像の画素（ｉ，ｊで指定される）の濃淡レベル値、Ｎは画素数をそれぞれ示している。各ΣはウインドウＷ内の全ての画素について和をとることを意味している。
　ウインドウに対応する良品画像のパターンの平均濃淡レベルが高い場合、背景のハレーションよる影響が大きいと判断される。この場合、虚報情報は、ハレーションによって反転しているため、濃淡値の差ではなく、ウインドウＷに対応する良品基準画像の平均濃淡レベルと検査画像の平均濃淡レベルとの比に基づいて判定する。つまり、良品基準画像の平均濃淡レベルと検査画像の平均濃淡レベルとの比が基準値以上であるものを虚報と判定する。」（段落【００６４】〜【００６８】）
・上記記載（ａ）から、
（１）「半導体チップの欠陥検査を行う半導体チップ外観検査装置」が読み取れる。
・上記記載（ｂ）、（ｃ）及び図７、図９から、
（２）「検査対象チップの画像と比較基準用チップの画像とを比較して、検査対象チップの画像において欠陥候補領域を特定する欠陥候補画像を作成するようにした外観検査装置」が読み取れる。
・上記記載（ｂ）、（ｄ）及び図７、図９から、
（３）「欠陥候補画像を用いて欠陥候補領域を含む最小の矩形領域を検査対象チップの画像において設定するウインドウ（以下、「第１のウインドウ」という。）を設け、第１のウインドウ内で検査対象チップの画像において濃淡値や平均濃淡レベルを求め、また、欠陥候補画像を用いて欠陥候補領域を含む最小の矩形領域を比較基準用チップの画像において設定するウインドウ（以下、「第２のウインドウ」という。）を設け、第２のウインドウ内で比較基準用チップの画像において濃淡値や平均濃淡レベルを求め、第１のウインドウ内で求められた濃淡値や平均濃度レベルと第２のウインドウ内で求められた濃淡値や平均濃度レベルとを相互に比較して検査対象チップの欠陥の判定を行うようにした画像処理による外観検査装置」が読み取れる。
　以上（１）ないし（３）を勘案すると、引用例には次の発明が記載されていると認められる。
（引用例に記載された発明）
「画像処理によって半導体チップの欠陥検査を行う半導体チップ外観検査装置であって、
　検査対象チップの画像と比較基準用チップの画像とを比較して検査対象チップの画像における欠陥候補領域を特定する欠陥候補画像を作成する手段と、
　欠陥候補画像を用いて欠陥候補領域を含む最小の矩形領域を設定し、当該矩形領域以外を検査対象チップの画像においてマスクする第１のウインドウと、
　第１のウインドウ内で検査対象チップの画像において濃淡値や平均濃淡レベルを求める手段と、
　欠陥候補画像を用いて欠陥候補領域を含む最小の矩形領域を設定し、当該矩形領域以外を比較基準用チップの画像においてマスクする第２のウインドウと、
　第２のウインドウ内で比較基準用チップの画像において濃淡値や平均濃淡レベルを求める手段と、
　第１のウインドウ内で求められた濃淡値や平均濃度レベルと第２のウインドウ内で求められた濃淡値や平均濃度レベルとを相互に比較して検査対象チップの欠陥の判定を行う判定手段と、
を備えた半導体チップ外観検査装置。」（以下、「引用例記載の発明」という。）
　
３．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
　引用例記載の発明における、
「半導体チップ」、「検査対象チップの画像」、「比較基準用チップの画像」、「欠陥候補画像を作成する手段」、「濃淡値や平均濃淡レベル」、「濃淡値や平均濃淡レベルを求める手段」は、　
　本願発明における、
「パターン」、「被検査画像」、「参照画像」、「欠陥候補画像生成手段」、「特徴量」、「特徴抽出手段」にそれぞれ相当する。
　また、引用例記載の発明における「ウインドウ」は欠陥候補領域を囲む最小の矩形状のものに設定されており、データを取り込む窓として機能するものであるところ、ウインドウ以外の領域についてみればデータを取り込まないマスクとして機能するものであるから、本願発明における「マスク手段」に相当する。
　そして、引用例記載の発明における「ウインドウ」も本願発明の「マスク手段」も、共に、欠陥の判定に用いる特徴量を求めるために欠陥候補領域に関して設けたものである点で共通している。
　また、本願発明における「判定手段」は、「第１特徴量に基づいて・・欠陥の判定を行う・・（とともに、）第２特徴量にも基づいて・・欠陥の判定を行う、・・」ものとしているが、当該請求項１の従属項である請求項３には「・・前記判定手段は、前記第１特徴量と前記第２特徴量とを相互に比較して欠陥の判定を行う」と記載されているから、本願発明の判定手段は第１特徴量と第２特徴量とを相互に比較して欠陥の判定を行うものも包含するものである。
　してみると、両者は
（一致点）
「画像処理によってパターンの欠陥検査を行うパターン検査装置であって、パターンを含む被検査画像と参照画像とを比較して被検査画像における欠陥候補領域を特定する欠陥候補画像を生成する欠陥候補画像生成手段と、
　前記欠陥候補画像を用いて前記被検査画像において欠陥候補領域に係る領域以外をマスクする第１マスク手段と、
　前記マスクされた被検査画像において特徴抽出を行う第１特徴抽出手段と、
　前記第１特徴抽出手段により抽出された第１特徴量に基づいて前記被検査画像のパターン欠陥の判定を行う判定手段と、
　前記参照画像において、前記欠陥候補画像を用いて前記欠陥候補領域に係る領域以外をマスクする第２マスク手段と、
　前記マスクされた参照画像において特徴抽出を行う第２特徴抽出手段と、
を備え、
　前記判定手段は、前記第２特徴抽出手段により抽出された第２特徴量にも基づいて、前記被検査画像のパターン欠陥の判定を行うことを特徴とするパターン検査装置。」
で一致し、以下の点で相違している。
（相違点）
　欠陥の判定に用いる特徴量を求める領域に関して、
　本願発明では当該領域を欠陥候補領域それ自体としているのに対し、引用例記載の発明では、欠陥候補領域を囲む最小の矩形領域としている点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
この種の画像処理によるパターン欠陥検査装置において、欠陥の判定に用いる特徴量を不定形な欠陥候補領域それ自体において求めることは周知な技術事項である（例えば、特開平１１−８７４４６号公報：特に、欠陥（の）特徴量及び特徴量計算回路１１についての記載を参照のこと、または、特開平３−２０４０８９号公報：特に、領域抽出部１１１及び特徴抽出部１１２についての記載を参照のこと）。
　したがって、欠陥の判定に用いる特徴量を求める領域を、本願発明のように欠陥候補領域それ自体とすることは、当業者ならば容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明の作用効果は、引用例記載の発明から当業者が予測可能なものであって、格別なものではない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。