【手続補正書】
【提出日】令和1年5月31日(2019.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明について、好ましい実施形態を参照して説明してきたが、当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく形態及び細部において変更がなされてもよいことを認めることになろう。本発明は、例示として、以下の実施形態を含みうる。
［１］
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルと、
フリーラジカル生成開始剤とを含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、周波数１Ｈｚで約２ＭＰａを超えない剪断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａの剪断応力を与えて５秒で測定される少なくとも約６×１０−６１／Ｐａの剪断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点の負荷剪断応力において前記負荷剪断応力を取り除いてから約１分以内での少なくとも約５０％の歪み回復とを有する、可撓性デバイス用のアセンブリ層。
［２］
光学的に透明である、［１］に記載のアセンブリ層。
［３］
前記可撓性デバイスが、可撓性電子ディスプレイである、［１］に記載のアセンブリ層。
［４］
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルを約６０〜約９５重量％含む、［１］に記載のアセンブリ層。
［５］
約１０℃以下のガラス転移温度を有する、［１］に記載のアセンブリ層。
［６］
極性共重合性モノマーを更に含む、［１］に記載のアセンブリ層。
［７］
粘着付与剤、分子量制御剤、可塑剤、安定剤、架橋剤、及びカップリング剤のうちの少なくとも１つを更に含む、［１］に記載のアセンブリ層。
［８］
第１の可撓性基材と、
第２の可撓性基材と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間に配置され、前記第１の可撓性基材及び前記第２の可撓性基材と接触しているアセンブリ層とを含む積層体であって、前記アセンブリ層が、
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルと、
フリーラジカル生成開始剤とを含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、周波数１Ｈｚで約２ＭＰａを超えない剪断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａの剪断応力を与えて５秒で測定される少なくとも約６×１０−６１／Ｐａの剪断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点の負荷剪断応力において前記負荷剪断応力を取り除いてから約１分以内での少なくとも約５０％の歪み回復とを有する、積層体。
［９］
前記アセンブリ層が光学的に透明である、［８］に記載の積層体。
［１０］
前記第１の基材及び前記第２の基材のうちの少なくとも１つが光学的に透明である、［８］に記載の積層体。
［１１］
前記アセンブリ層が、アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルを約６０〜約９５重量％含む、［８］に記載の積層体。
［１２］
前記アセンブリ層が、極性共重合性モノマーを更に含む、［８］に記載の積層体。
［１３］
前記アセンブリ層が、約１０℃以下のガラス転移温度を有する、［８］に記載の積層体。
［１４］
室温で２４時間にわたって約１５ｍｍ未満の曲率半径を強制するチャネル内に置かれたとき、破壊を示さない、［８］に記載の積層体。
［１５］
室温で２４時間経た後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角に戻る、［１４］に記載の積層体。
［１６］
曲率半径が約１５ｍｍ未満の約１０，０００サイクルの折り畳みの動的折り畳み試験を室温で受けたとき、破壊を示さない、［８］に記載の積層体。
［１７］
第１の基材及び第２の基材を接着する方法であって、前記第１及び第２の基材が両方とも可撓性であり、前記方法が、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間にアセンブリ層を配置して積層体を形成することであって、前記アセンブリ層が、
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルと、
フリーラジカル生成開始剤とを含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、周波数１Ｈｚで約２ＭＰａを超えない剪断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａの剪断応力を与えて５秒で測定される少なくとも約６×１０−６１／Ｐａの剪断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点の負荷剪断応力において前記負荷剪断応力を取り除いてから約１分以内での少なくとも約５０％の歪み回復とを有する、形成することと、
圧力及び熱のうちの少なくとも１つを加えて積層体を形成することとを含む、方法。
［１８］
前記アセンブリ層が光学的に透明である、［１７］に記載の方法。
［１９］
前記積層体が、室温で２４時間にわたって約１５ｍｍ未満の曲率半径を強制するチャネル内に置かれたとき、破壊を示さない、［１７］に記載の方法。
［２０］
前記積層体が、室温で２４時間経た後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角に戻る、［１９］に記載の方法。
［２１］
前記積層体が、曲率半径が約１５ｍｍ未満の約１０，０００超のサイクルの折り畳みの動的折り畳み試験を室温で受けたとき、破壊を示さない、［１７］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルと、
フリーラジカル生成開始剤とを含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、周波数１Ｈｚで約２ＭＰａを超えない剪断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａの剪断応力を与えて５秒で測定される少なくとも約６×１０−６１／Ｐａの剪断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点の負荷剪断応力において前記負荷剪断応力を取り除いてから約１分以内での少なくとも約５０％の歪み回復とを有する、可撓性デバイス用のアセンブリ層。
【請求項２】
光学的に透明である、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項３】
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルを約６０〜約９５重量％含む、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項４】
第１の可撓性基材と、
第２の可撓性基材と、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間に配置され、前記第１の可撓性基材及び前記第２の可撓性基材と接触しているアセンブリ層とを含む積層体であって、前記アセンブリ層が、
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルと、
フリーラジカル生成開始剤とを含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、周波数１Ｈｚで約２ＭＰａを超えない剪断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａの剪断応力を与えて５秒で測定される少なくとも約６×１０−６１／Ｐａの剪断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点の負荷剪断応力において前記負荷剪断応力を取り除いてから約１分以内での少なくとも約５０％の歪み回復とを有する、積層体。
【請求項５】
室温で２４時間にわたって約１５ｍｍ未満の曲率半径を強制するチャネル内に置かれたとき、破壊を示さない、請求項４に記載の積層体。
【請求項６】
室温で２４時間経た後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角に戻る、請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
曲率半径が約１５ｍｍ未満の約１０，０００サイクルの折り畳みの動的折り畳み試験を室温で受けたとき、破壊を示さない、請求項４に記載の積層体。
【請求項８】
第１の基材及び第２の基材を接着する方法であって、前記第１及び第２の基材が両方とも可撓性であり、前記方法が、
前記第１の可撓性基材と前記第２の可撓性基材との間にアセンブリ層を配置して積層体を形成することであって、前記アセンブリ層が、
アルキル基中に１〜２４個の炭素原子を有するアルキル（メタ）アクリレートエステルと、
フリーラジカル生成開始剤とを含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、周波数１Ｈｚで約２ＭＰａを超えない剪断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａの剪断応力を与えて５秒で測定される少なくとも約６×１０−６１／Ｐａの剪断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点の負荷剪断応力において前記負荷剪断応力を取り除いてから約１分以内での少なくとも約５０％の歪み回復とを有する、形成することと、
圧力及び熱のうちの少なくとも１つを加えて積層体を形成することとを含む、方法。
【請求項９】
前記積層体が、室温で２４時間にわたって約１５ｍｍ未満の曲率半径を強制するチャネル内に置かれたとき、破壊を示さない、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記積層体が、曲率半径が約１５ｍｍ未満の約１０，０００超のサイクルの折り畳みの動的折り畳み試験を室温で受けたとき、破壊を示さない、請求項８に記載の方法。