【事件の表示】
　平成１０年特許願第２００２５９号「光学的情報記録用媒体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１月２８日出願公開、特開２０００−３０２９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年７月１５日の出願であって、平成１６年３月１日付けの拒絶理由通知に対し、同年５月７日付けで手続補正がされたが、平成１７年５月２７日付けで拒絶査定されたため、同年６月２９日付けで拒絶査定不服の審判を請求するとともに、平成１７年７月２７日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１７年７月２７日付け手続補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年７月２７日付けの手続補正を却下する。
　
　［理　由］
(1) 補正の内容
　平成１７年７月２７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。)のうち、請求項１についての補正は、Ｚｎ／Ｃｅのモル比について、補正前の「０．０１以上、１．５以下であり、」を
「
０．３
（但し、Ｚｎ／Ｃｅ＝１．５となる場合を除く。）
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
(2) 本願補正発明
　本願補正発明は、本件補正後の請求項１に記載された以下の事項により特定されるものである。
「基板上に誘電体保護層と相変化記録層とを有する光学的情報記録用媒体において、該誘電体保護層が、亜鉛とセリウムと硫黄と酸素とを含み、そのＺｎ／Ｃｅのモル比が０．３以上、１．５以下であり（但し、Ｚｎ／Ｃｅ＝１．５となる場合を除く。）、
　該誘電体保護層がスパッタリングにより成膜された薄膜であり、該スパッタリングのためのターゲットとして、Ｚｎ及びＣｅを含有する複合誘電体ターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録用媒体。」
　
(3) 引用例
　本願の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平３−１２５３４４号公報（以下、「引用例」という。）には、光学情報記録媒体に関して、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。）
　
　ア．「
透明基板上に光学記録層を設け、該光学記録層にエネルギービームを照射することによりその光学定数を変化させ情報を記録および消去する光学情報記録媒体
光学記録層の両側もしくは一方に光学記録層に接して保護層を設け、該保護層が硫化亜鉛と希土類酸化物の混合物から成る
　イ．「
光学記録層が、結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消去を行ういわゆる相変化型光ディスク
通常該光学記録層の両側もしくは一方に金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒化物及びこれらの混合物から成る保護層を設ける
　ウ．「従って保護層材料は、上述の温度に耐えられるものでなければならず、融点は少なくとも１０００℃以上であることが望ましい。ところが、１０００℃近くの温度になると、ＺｎＳは結晶粒が粗大化しはじめ安定に存在し得なくなる。そこで、
ＺｎＳに融点が１０００℃以上の希土類酸化物を混合させると、ＺｎＳのカルコゲン材料との密着力を損なうことなく熱的安定性を高めることができる
希土類金属自身カルコゲン材料と付着力が高い、
　エ．「
ＺｎＳへの希土類酸化物の混合量は、ＺｎＳの光学記録層に対する付着力を損なわない程度にする必要があり、かつ繰り返し特性を向上させる目的から鑑み、適する混合量は５〜４０ｍｏｌ％が良く、特に１０〜３０ｍｏｌ％の範囲が好ましい
　オ．「また、
保護層の形成方法としては、混合ターゲットを用いたスパッタリング法や複数のターゲットを用いた多元同時スパッタ法
　カ．「実施例１
　厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に以下に示す手順で光学記録層及び保護層を形成した。使用したスパッタ装置の概略を第２図に示す。まず
ＺｎＳ及びＣｅＯ
２
を別々のターゲットから同時にスパッタさせ、１００ｎｍの混合層を形成した。ＺｎＳとＣｅＯ
２
の混合比は、それぞれのターゲットに印加するスパッタパワーを制御することで決定した。
　
　上記摘示事項を参照すると、引用例には、以下の発明が記載されている。
　「透明基板上に、保護層と光学記録層とを有する光学情報記録媒体において、該保護層が硫化亜鉛と希土類酸化物の混合物から成り、希土類元素の酸化物としてＣｅＯ２を用い、ＺｎＳに対するＣｅＯ２の混合量が５〜４０ｍｏｌ％であって、保護層がスパッタリングにより成膜された薄膜であり、ＺｎＳ及びＣｅＯ２を含有する別々のターゲットを使用する光学情報記録媒体。」（以下、「引用例発明」という。）
　
(4) 対比
　引用例発明の「光学記録層」は、結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化することを利用するものであるから、本願補正発明の「相変化記録層」に相当し、引用例発明の「保護層」は硫化亜鉛（ＺｎＳ）と希土類酸化物であるＣｅＯ２の混合物からなり、光学記録層を保護するものであるから（上記イ）、引用例発明の「誘電体保護層」に相当する。
　また、引用例発明の「透明基板」、「光学情報記録媒体」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「光学的情報記録用媒体」に相当する。
　そして、引用例発明の保護層は、ＺｎＳ及びＣｅＯ２を含むから亜鉛とセリウムと硫黄と酸素とを含むものであり、ＺｎＳに対するＣｅＯ２の混合量の５〜４０ｍｏｌ％は、Ｚｎ／Ｃｅ比の１９〜１．５に相当する。
　
　本願補正発明と、引用例発明とを比較すると、両者は、「基板上に誘電体保護層と相変化記録層とを有する光学的情報記録用媒体において、該誘電体保護層が、亜鉛とセリウムと硫黄と酸素とを含み、該誘電体保護層がスパッタリングにより成膜された薄膜であり、該スパッタリングのためのターゲットとして、Ｚｎ及びＣｅを含有するターゲットを使用する光学的情報記録用媒体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　［相違点１］スパッタリングのためのターゲットとして、本願補正発明は、Ｚｎ及びＣｅを含有する複合誘電体ターゲットを使用するのに対し、引用例発明は、ＺｎＳ及びＣｅＯ２を含有する別々のターゲットを使用する点。
　［相違点２］Ｚｎ／Ｃｅのモル比が、本願補正発明では、０．３〜１．５（ただし、１．５を除く）であるのに対し、引用例発明では１．５〜１９である点。
　
(5) 相違点についての判断
　［相違点１］について
　保護層をスパッタリングによって形成する場合、混合ターゲットを用いたスパッタリング法や複数のターゲットを用いた多元同時スパッタ法が知られているのであるから（上記オ）、混合（複合）ターゲットを採用することは当業者が適宜選択しうる事項にすぎない。
　
　［相違点２］について
　引用例には、「ＺｎＳへの希土類酸化物の混合量は、ＺｎＳの光学記録層に対する付着力を損なわない程度にする必要があり、かつ繰り返し特性を向上させる目的から鑑み、適する混合量は５〜４０ｍｏｌ％が良く」と記載されており（上記エ）、Ｚｎ／Ｃｅのモル比は1９〜１．５が好ましいことが示されている。
　Ｚｎ／Ｃｅ比が１．５よりも小さいものについては明記されていないが、、引用例には「希土類元素の酸化物はＺｎＳのカルコゲン材料との密着力を損なうことなく熱的安定性を高めることができ、希土類金属自身カルコゲン材料と付着力が高い」旨記載されており（上記ウ）、ＣｅＯ２の混合量が４０ｍｏｌ％（Ｚｎ／Ｃｅ比１．５）のものが３０ｍｏｌ％（Ｚｎ／Ｃｅ比約２．３）のものに比べて効果が劣るとすべき事項は記載されていないから、希土類元素の酸化物である酸化セリウム（ＣｅＯ２）の混合量４０ｍｏｌ％（Ｚｎ／Ｃｅ比の１．５）までの範囲に限られるものではなく、付着力を損なわない程度の範囲で混合量を範囲を適宜調整しうるものであることは、当業者にとって明らかである。
　一方、本願明細書には、「Ｚｎ／Ｃｅ比の上限値は１．５である」と記載されているが（段落[0014]）、Ｚｎ／Ｃｅのモル比が２．１の例（比較例１。Ｃ／Ｎの低下は７％である。）、Ｚｎ／Ｃｅのモル比が０．７７の実施例１（Ｃ／Ｎの低下は２％である。）、Ｚｎ／Ｃｅのモル比が０．５５の実施例２（Ｃ／Ｎの低下は３％である。）及びＺｎＳを含まない例（比較例２。剥離劣化が発生する。）が記載されているにすぎず、本願補正発明においてＺｎ／Ｃｅのモル比の上限を１．５（ただし、１．５を除く）とする点に臨界的意義があると認めることはできない。
　そうすると、本願補正発明は、引用例に記載されたＺｎＳとＣｅＯ２を含む保護層におけるＺｎとＣｅの比率について最適な範囲を探索した程度のものにすぎず、当業者にとって特段の困難があるということはできない。
　
　また、上記相違点１、２について総合的にみても、本願補正発明が当業者の予測を超える格別顕著な効果を奏するものとは認めることができない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、出願の際に独立して特許を受けることができない。
　
(6) 結び
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
　上記のとおり、平成１７年７月２７日付け手続補正は却下の決定がされているから、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年５月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「基板上に誘電体保護層と相変化記録層とを有する光学的情報記録用媒体において、該誘電体保護層が、亜鉛とセリウムと硫黄と酸素とを含み、そのＺｎ／Ｃｅのモル比が０．０１以上、１．５以下であり、
　該誘電体保護層がスパッタリングにより成膜された薄膜であり、該スパッタリングのためのターゲットとして、Ｚｎ及びＣｅを含有する複合誘電体ターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録用媒体。」
　
　(1) 引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記２．の(3)に記載したとおりである。
　
　(2) 対比、相違点についての判断
　前記２．で検討した本願補正発明は、本願発明におけるＺｎ／Ｃｅのモル比についてさらに限定したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに構成要件についての限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．(5)」に記載したとおり、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　(3) むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。