【事件の表示】
　特願２００４−２７９９８０「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月１４日出願公開、特開２００５−１９１５３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２７日（優先権主張平成１５年１２月３日）の出願であって、平成１７年３月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年６月３日に手続補正がなされ、同年１１月９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１２月２１日に手続補正がなされ、平成１８年２月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月２４日に手続補正がなされ、当審において、当該平成１８年４月２４日付け手続補正は平成２０年４月３日付けの補正却下の決定によって却下されるとともに、同日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２０年６月４日に手続補正がなされたものである。
　そして、平成２０年４月３日付けで通知した拒絶の理由は、平成１７年１２月２１日付けでした手続補正は、請求項１，１３におけるＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みについて「１００μｍ〜２００μｍ」とする点及び段落００２６及び００３４のＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板に関する「酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲」かつ、「ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍ」の組合せが、「とくに有効に作用する」とする点で、平成１７年６月３日付けでした手続補正は、請求項２、４〜１４（補正後の請求項１〜１２）に係るＧａＮ基板を備えた発光装置に関する発明において、「ＧａＮ基板」を「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」に変更する点及び請求項１９〜２３（補正後の１３〜１７）に係るＧａＮ基板を備えた発光装置に関する発明において、「ＧａＮ基板」を「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」に変更する点で、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないというものである。
　
２．平成２０年６月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２０年６月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
（１）本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、
　
＜＜本件補正前＞＞
「　　【請求項１】
　転位密度が１０８／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層のｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板から見て前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層より遠くに位置するｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層及びｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の間に位置する発光層とを備え、
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に接してｎ電極を、また前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層に接してｐ電極を有し、
　前記ｎ電極及びｐ電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が１つで構成され、
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍである、発光装置。
　　【請求項２】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板はトップ側に実装され、酸素ドープによりｎ型化されており、
その酸素濃度が、酸素原子２Ｅ１８個／ｃｍ３〜５Ｅ１８個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜３００μｍの範囲にあり、前記第２の主表面の光を放出する面の矩形状の面の両方の辺が０．５ｍｍ以下の範囲にある、請求項１に記載の発光装置。
　　【請求項３】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板はトップ側に実装され、酸素ドープによりｎ型化されており、
その酸素濃度が、酸素原子３Ｅ１８個／ｃｍ３〜５Ｅ１８個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが２００μｍ〜３００μｍの範囲にあり、前記第２の主表面の光を放出する矩形状の面の両方の辺が２ｍｍ以下の範囲にある、請求項１に記載の発光装置。
　　【請求項４】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の大部分の領域の結晶性を高めるために、その形成時に不可避的に生成する転位を離散的にひも状に集中化して基板厚み方向に沿って分布させてできた転位束が、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の第１の主表面に平均４Ｅ６個／ｃｍ２以下の密度で分布している、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項５】
　前記転位束が前記第１の主表面に平均４Ｅ２個／ｃｍ２以下の密度で分布し、前記第２の主表面の光を放出する面の短辺が２００μｍ〜４００μｍの範囲にある、請求項４に記載の発光装置。
　　【請求項６】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板と前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）との間において、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板に接してｎ型ＡｌＧａＮバッファ層が、またそのｎ型ＡｌＧａＮバッファ層に接してｎ型ＧａＮバッファ層が位置し、そのｎ型ＧａＮバッファ層に接して前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）が位置している、請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項７】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、オフ角が０.１０°以下の領域と１.０°以上の領域とを有する、請求項６に記載の発光装置。
　　【請求項８】
　前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）に接してダウン側に位置するｐ型ＧａＮバッファ層と、そのｐ型ＧａＮバッファ層に接して位置するｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層とを備える、請求項１〜７のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項９】
　前記ｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層のＭｇ濃度が、Ｍｇ原子１Ｅ１８個／ｃｍ３〜１Ｅ２１個／ｃｍ３の範囲にある、請求項８に記載の発光装置。
　　【請求項１０】
　前記ｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層に接してＡｇ、Ａｌ、またはＲｈ層から構成されるｐ電極層を有する、請求項８または９に記載の発光装置。
　　【請求項１１】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、その厚み方向とそのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、請求項１〜１０のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１２】
　前記板状結晶反転領域をＫＯＨ水溶液で除去した、請求項１１に記載の発光装置。
　　【請求項１３】
　転位密度が１０８／ｃｍ２以下のＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板から見て前記ｎ型窒化物半導体層より遠くに位置するｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備え、
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板をダウン側に実装し、前記ｐ型窒化物半導体層を光を放出するトップ側に有し、
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍである、発光装置。
　　【請求項１４】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の大部分の領域の結晶性を高めるために、その形成時に不可避的に生成する転位を離散的にひも状に集中化して基板厚み方向に沿って分布させてできた転位束が、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の第１の主表面に平均４Ｅ６個／ｃｍ２以下の密度で分布している、請求項１３に記載の発光装置。
　　【請求項１５】
　前記転位束が前記第１の主表面に平均４Ｅ２個／ｃｍ２以下の密度で分布し、前記第２の主表面の光を放出する面の短辺が２００μｍ〜４００μｍの範囲にある、請求項１４に記載の発光装置。
　　【請求項１６】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板と前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）との間において、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板に接してｎ型ＡｌＧａＮバッファ層が、またそのｎ型ＡｌＧａＮバッファ層に接してｎ型ＧａＮバッファ層が位置し、そのｎ型ＧａＮバッファ層に接して前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）が位置している、請求項１３〜１５のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１７】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、オフ角が０．１０°以下の領域と１．０°以上の領域とを有する、請求項１６に記載の発光装置。
　　【請求項１８】
　前記発光装置は樹脂により密封され、前記発光装置のいずれかの部分及び前記樹脂のいずれかの部分に蛍光体を含み、前記蛍光体は前記光を受けて蛍光を発し、前記樹脂から外部に放出される光が白色光とされる、請求項１〜１７のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１９】
　前記トップ側に位置する１つの電極が、前記各層を平面的に見て前記発光装置の中央部に位置する、請求項１〜１８のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２０】
　前記発光装置が、その発光装置を組み込んで形成したサイドビュー型ＬＥＤランプの厚みが０．５ｍｍ以下となるように構成されている、請求項１〜１９のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２１】
　前記発光装置が、その発光装置を組み込んで形成したサイドビュー型ＬＥＤランプの厚みが０．４ｍｍ以下となるように構成されている、請求項１〜２０のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２２】
　前記発光装置の静電耐圧が３０００Ｖ以上ある、請求項１〜２１のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２３】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板と、前記ｐ型窒化物半導体層の側との間に加わる過渡電圧または静電放電から前記発光装置を保護するための保護回路をとくに備えない、請求項１〜２２のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２４】
　前記過渡電圧または静電放電に対処するための、ツェナーダイオードを含む電力分路回路を備えない、請求項２３に記載の発光装置。
　　【請求項２５】
　前記発光装置は４Ｖ以下の電圧を印加することにより発光する、請求項１〜２４のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２６】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが５０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１〜２５
のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２７】
　前記トップ側における電極は占有率５０％未満であり、その開口率または透明部分が５０％以上ある、請求項１〜２６のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２８】
　前記トップ側の面の少なくとも一辺が３５０μｍ以下である、請求項１〜２７のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２９】
　前記トップ側の面の少なくとも一辺が２５０μｍ以下である、請求項１〜２８のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３０】
　前記トップ側の面を縁どり、相対向する辺がともに４００μｍ以上の長さを有する、請求項２８または２９に記載の発光装置。
　　【請求項３１】
　前記トップ側の面を縁どり、相対向する辺が１．６ｍｍ以下の長さを有する、請求項２８〜３０のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３２】
　熱抵抗が３０℃／Ｗ以下となるように構成されている、請求項１〜３１のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３３】
　連続発光状態で最も温度が上昇する部分の温度が、１５０℃以下である、請求項１〜３２のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３４】
　前記ｎ型窒化物半導体層の厚みが３μｍ以下である、請求項１〜３３のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３５】
　前記ｐ型窒化物半導体層がダウン実装されており、光放出面である、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の第２の主表面において、前記電極が被覆していない部分に非鏡面処理が施されている、請求項１〜３４のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３６】
　前記非鏡面処理が施された表面が、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、アンモニア（ＮＨ３）水溶液またはその他のアルカリ水溶液を用いて非鏡面化された表面である、請求項３５に記載の発光装置。
　　【請求項３７】
　前記非鏡面処理が施された表面が、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）水溶液、塩酸（ＨＣｌ）水溶液、リン酸（Ｈ２ＰＯ４）水溶液、フッ酸（ＨＦ）水溶液及びその他の酸水溶液の少なくとも１つを用いて非鏡面化された表面である、請求項３５に記載の発光装置。
　　【請求項３８】
　前記非鏡面処理が施された表面が、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching:RIE)を用いて非鏡面化された表面である、請求項３５に記載の発光装置。
　　【請求項３９】
　前記実装側に配置される電極は反射率０．５以上の反射率の材質で形成されている、請求項１〜３８のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項４０】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面を覆うように蛍光体が配置されている、請求項１〜３９のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項４１】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に対面するように蛍光板が配置されている、請求項１〜４０のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項４２】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に面する表面が凹凸化処理されている、請求項１〜４１のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項４３】
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板が蛍光を発する不純物及び欠陥の少なくとも一方を含んでいる、請求項１〜４２のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項４４】
　前記請求項１〜４３のいずれかに記載の発光装置を２つ以上含み、それらの発光装置が直列接続または並列接続された、発光装置。
　　【請求項４５】
　前記請求項１〜４３のいずれかに記載の発光装置と、それらの発光装置を発光させるための電源回路とを含み、前記電源回路において、前記発光装置が２つ以上並列に接続された２以上の並列部が直列に接続されている、発光装置。」
　とあったものを、
　
＜＜本件補正後＞＞
「　　【請求項１】
　転位密度が１０８／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板ＧａＮ基板と、前記ＧａＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層のｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ＧａＮ基板から見て前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層より遠くに位置するｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層及びｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の間に位置する発光層とを備え、
　前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に接してｎ電極を、また前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層に接してｐ電極を有し、
　前記ｎ電極及びｐ電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が１つで構成され、
　前記ＧａＮ基板は、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍであり、
　前記ＧａＮ基板は、その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＧａＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、発光装置。
　　【請求項２】
　前記ＧａＮ基板はトップ側に実装され、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子２Ｅ１８個／ｃｍ３〜５Ｅ１８個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜３００μｍの範囲にあり、前記第２の主表面の光を放出する面の矩形状の面の両方の辺が０．５ｍｍ以下の範囲にある、請求項１に記載の発光装置。
　　【請求項３】
　前記ＧａＮ基板はトップ側に実装され、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子３Ｅ１８個／ｃｍ３〜５Ｅ１８個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＧａＮ基板の厚みが２００μｍ〜３００μｍの範囲にあり、前記第２の主表面の光を放出する矩形状の面の両方の辺が２ｍｍ以下の範囲にある、請求項１に記載の発光装置。
　　【請求項４】
　前記ＧａＮ基板の大部分の領域の結晶性を高めるために、その形成時に不可避的に生成する転位を離散的にひも状に集中化して基板厚み方向に沿って分布させてできた転位束が、前記ＧａＮ基板の第１の主表面に平均４Ｅ６個／ｃｍ２以下の密度で分布している、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項５】
　前記転位束が前記第１の主表面に平均４Ｅ２個／ｃｍ２以下の密度で分布し、前記第２の主表面の光を放出する面の短辺が２００μｍ〜４００μｍの範囲にある、請求項４に記載の発光装置。
　　【請求項６】
　前記ＧａＮ基板と前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）との間において、前記ＧａＮ基板に接してｎ型ＡｌＧａＮバッファ層が、またそのｎ型ＡｌＧａＮバッファ層に接してｎ型ＧａＮバッファ層が位置し、そのｎ型ＧａＮバッファ層に接して前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）が位置している、請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項７】
　前記ＧａＮ基板は、オフ角が０.１０°以下の領域と１.０°以上の領域とを有する、請求項６に記載の発光装置。
　　【請求項８】
　前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）に接してダウン側に位置するｐ型ＧａＮバッファ層と、そのｐ型ＧａＮバッファ層に接して位置するｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層とを備える、請求項１〜７のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項９】
　前記ｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層のＭｇ濃度が、Ｍｇ原子１Ｅ１８個／ｃｍ３〜１Ｅ２１個／ｃｍ３の範囲にある、請求項８に記載の発光装置。
　　【請求項１０】
　前記ｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層に接してＡｇ、Ａｌ、またはＲｈ層から構成されるｐ電極層を有する、請求項８または９に記載の発光装置。
　　【請求項１１】
　前記板状結晶反転領域をＫＯＨ水溶液で除去した、請求項１〜１０のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１２】
　前記発光装置は樹脂により密封され、前記発光装置のいずれかの部分及び前記樹脂のいずれかの部分に蛍光体を含み、前記蛍光体は前記光を受けて蛍光を発し、前記樹脂から外部に放出される光が白色光とされる、請求項１〜１１のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１３】
　前記トップ側に位置する１つの電極が、前記各層を平面的に見て前記発光装置の中央部に位置する、請求項１〜１２のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１４】
　前記発光装置が、その発光装置を組み込んで形成したサイドビュー型ＬＥＤランプの厚みが０．５ｍｍ以下となるように構成されている、請求項１〜１３のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１５】
　前記発光装置が、その発光装置を組み込んで形成したサイドビュー型ＬＥＤランプの厚みが０．４ｍｍ以下となるように構成されている、請求項１〜１４のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１６】
　前記発光装置の静電耐圧が３０００Ｖ以上ある、請求項１〜１５のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１７】
　前記ＧａＮ基板と、前記ｐ型窒化物半導体層の側との間に加わる過渡電圧または静電放電から前記発光装置を保護するための保護回路をとくに備えない、請求項１〜１６のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項１８】
　前記過渡電圧または静電放電に対処するための、ツェナーダイオードを含む電力分路回路を備えない、請求項１７に記載の発光装置。
　　【請求項１９】
　前記発光装置は４Ｖ以下の電圧を印加することにより発光する、請求項１〜１８のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２０】
　前記ＧａＮ基板の厚みが５０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１〜１９のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２１】
　前記トップ側における電極は占有率５０％未満であり、その開口率または透明部分が５０％以上ある、請求項１〜２０のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２２】
　前記トップ側の面の少なくとも一辺が３５０μｍ以下である、請求項１〜２１のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２３】
　前記トップ側の面の少なくとも一辺が２５０μｍ以下である、請求項１〜２２のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２４】
　前記トップ側の面を縁どり、相対向する辺がともに４００μｍ以上の長さを有する、請求項２２または２３に記載の発光装置。
　　【請求項２５】
　前記トップ側の面を縁どり、相対向する辺が１．６ｍｍ以下の長さを有する、請求項２２〜２４のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２６】
　熱抵抗が３０℃／Ｗ以下となるように構成されている、請求項１〜２５のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２７】
　連続発光状態で最も温度が上昇する部分の温度が、１５０℃以下である、請求項１〜２６のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２８】
　前記ｎ型窒化物半導体層の厚みが３μｍ以下である、請求項１〜２７のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項２９】
　前記ｐ型窒化物半導体層がダウン実装されており、光放出面である、前記ＧａＮ基板の第２の主表面において、前記電極が被覆していない部分に非鏡面処理が施されている、請求項１〜２８のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３０】
　前記非鏡面処理が施された表面が、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、アンモニア（ＮＨ３）水溶液またはその他のアルカリ水溶液を用いて非鏡面化された表面である、請求項２９に記載の発光装置。
　　【請求項３１】
　前記非鏡面処理が施された表面が、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）水溶液、塩酸（ＨＣｌ）水溶液、リン酸（Ｈ２ＰＯ４）水溶液、フッ酸（ＨＦ）水溶液及びその他の酸水溶液の少なくとも１つを用いて非鏡面化された表面である、請求項２９に記載の発光装置。
　　【請求項３２】
　前記非鏡面処理が施された表面が、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching:RIE)を用いて非鏡面化された表面である、請求項２９に記載の発光装置。
　　【請求項３３】
　前記実装側に配置される電極は反射率０．５以上の反射率の材質で形成されている、請求項１〜３２のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３４】
　前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面を覆うように蛍光体が配置されている、請求項１〜３３のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３５】
　前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に対面するように蛍光板が配置されている、請求項１〜３３のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３６】
　前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に面する表面が凹凸化処理されている、請求項１〜３５のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３７】
　前記ＧａＮ基板が蛍光を発する不純物及び欠陥の少なくとも一方を含んでいる、請求項１〜３６のいずれかに記載の発光装置。
　　【請求項３８】
　前記請求項１〜３７のいずれかに記載の発光装置を２つ以上含み、それらの発光装置が直列接続または並列接続された、発光装置。
　　【請求項３９】
　前記請求項１〜３８のいずれかに記載の発光装置と、それらの発光装置を発光させるための電源回路とを含み、前記電源回路において、前記発光装置が２つ以上並列に接続された２以上の並列部が直列に接続されている、発光装置。」
（審決注：本件補正後の請求項１の「前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板から見て」との記載における「前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板」は、この記載の前に存在していた「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板」がすべて「ＧａＮ基板」に補正されたことから、「前記ＧａＮ基板」の誤記であることが明らかであるので、誤記を訂正して記載した。）
　と補正しようとするものである。
　
（２）補正の内容
　
　上記（１）の特許請求の範囲についての補正は、次の補正事項を含んでいる。ここで、本件補正前後の特許請求の範囲に記載されている請求項を、それぞれ、「旧請求項」及び「新請求項」という。
　
ア．本件補正前の特許請求の範囲に記載されていた「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」及び「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板」を、すべて、「ＧａＮ基板」にする。
　
イ．旧請求項１１の「前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、その厚み方向とそのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、」との記載を、上記補正事項アにより「前記ＧａＮ基板は、その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＧａＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、」と補正した上で、当該記載事項を、旧請求項１の「・・・２００μｍである、」と「発光装置。」との間に加入し新請求項１とする。
　
ウ．上記ア及びイの補正に加え、
（ア）旧請求項１１を削除し、
（イ）旧請求項１２を１繰り上げて新請求項１１とし、
（ウ）旧請求項１３ないし１７を削除し、
（エ）旧請求項１８ないし４５を６ずつ繰り上げて新請求項１２ないし３９とし、
（オ）上記（ア）ないし（エ）にともなって、
　　（ａ）旧請求項１２において旧請求項１１を介して間接に択一的に引用していた旧請求項１〜１０を、新請求項１１において直接に択一的に引用する新請求項１〜１０とし、
　　（ｂ）旧請求項１８において択一的に引用していた旧請求項１〜１７を、新請求項１２において択一的に引用する新請求項１〜１０とし、
　　（ｃ）同様に、旧請求項１９ないし２３、２５ないし３５、３９ないし４５において、それぞれ択一的に引用していた旧請求項を、新請求項１３ないし１７、１９ないし２９、３３ないし３９において、それぞれ対応する新請求項として択一的に引用する。
　　（ｄ）同様に、旧請求項２４において引用していた旧請求項２３を、新請求項１８において引用する新請求項１７とする。
　　（ｅ）旧請求項３６ないし３８においてそれぞれ引用していた旧請求項３５を、新請求項３０ないし３２においてそれぞれ引用する新請求項２９とする。
　
（３）本件補正についての補正の要件の判断
　
ア．本件補正後の請求項１に係る発明
　
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（２）のア及びイの補正により、上記（１）で＜＜本件補正後＞＞として示した特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
イ．願書に最初に添付した特許請求の範囲、明細書及び図面（以下「当初明細書」という。）の記載
　
　当初明細書には次の記載がある。
　
（ア）「【請求項２】
  転位密度が１０８／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板ＧａＮ基板と、前記ＧａＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層のｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ＧａＮ基板から見て前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層より遠くに位置するｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層及びｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の間に位置する発光層とを備え、
  前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に接してｎ電極を、また前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層に接してｐ電極を有し、
  前記ｎ電極及びｐ電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が１つで構成される、発光装置。
【請求項３】
  前記ＧａＮ基板はトップ側に実装され、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜６００μｍである、請求項２に記載の発光装置。
・・・・・・（中略）・・・・・
【請求項１３】
  前記ＧａＮ基板は、その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＧａＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、請求項２〜１２のいずれかに記載の発光装置。」
　
（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
  次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００３６】
  実施例１では、ＧａＮ基板にｐ側トップ（ｎ側ダウン）実装し、ＧａＮ基板の裏面にｎ電極を設けた本発明例の発光装置と、従来の発光装置とを用いてサイドビュー型ＬＥＤを作製し、サイズ及び光出力、輝度について比較を行なった。
【００３７】
  （本発明例Ａ）
  図１は本発明例Ａの発光素子の積層構造を示す図である。ＧａＮ基板１の表面（第１主面）に下から順にエピタキシャル成膜され、ｎ型ＧａＮ層２／ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層３／（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ／ＡｌＸＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ）ｍの多重量子井戸層（活性層）４／ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層５／ｐ型ＧａＮ層６、の積層構造が形成されている。多重量子井戸層は（ＧａＸＮ／ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）ｍで構成される場合もある。重ねる組数ｍは通常３にするが、より多くてもよい。光放出面はｐ型ＧａＮ層６の表面であり、この表面６ａに後述するｐ電極が設けられる。また、ＧａＮ基板の裏面１ａにｎ電極が設けられる。
【００３８】
  次に上記本発明例Ａの発光装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３９】
  （１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板を使用した。比抵抗は０．０１Ω・ｃｍであり、転位密度は１Ｅ７／ｃｍ２、基板厚みは４００μｍである。ただし、上記のＧａＮ基板は次に述べるｎ電極を形成する前に、厚み２００μｍに減厚した。
【００４０】
  （２）  ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法によりＧａＮ基板のＧａ面上に、ＧａＮバッファ層（図１では省略）／Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２／Ｓｉドープｎ型クラッドＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層３／ＧａＮとＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎから構成される３組のＭＱＷ(Multi-Quantum Well)層４／Ｍｇドープｐ型クラッドＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層５／Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６を順にエピタキシャル成長させた（図１）。
【００４１】
  （３）  発光波長は４５０ｎｍ、低温４．２ＫでのＰＬ(Photo Luminescence)強度と室温２９８ＫでのＰＬ強度とを比較することにより便宜的に算出した内部量子効率は５０％であった。
【００４２】
  （４）  このウェハを活性化処理して、Ｍｇドープｐ型層５の低抵抗化を行なった。ホール測定によるキャリア濃度は、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層５が５Ｅ１７／ｃｍ３、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６が１Ｅ１８／ｃｍ３であった。
【００４３】
  （５）  ｐ電極はまず、フォトリソグラフィ技術と蒸着とにより、ｐ型ＧａＮ層６に厚み４ｎｍのＮｉと、厚み４ｎｍのＡｕの順に２層構造を形成し、間隔Ｌ2を３５０μｍおきとして、３００μｍ□の透明電極１２をつけた（図２及び図３参照）。これを不活性雰囲気中で加熱処理することにより接触抵抗を５Ｅ-４Ω・ｃｍ２とした。さらにフォトリソグラフィ技術と蒸着とにより３５０μｍおきに透明電極１２の中心に直径１００μｍのパッド電極（図示せず）をつけた。
【００４４】
  （６）  図２を参照して、ＧａＮ基板１のＮ面１ａの全面にｎ電極１１をつけた。ｎ電極は、ＧａＮ基板に接して、Ｔｉ２０ｎｍ／Ａｌ１００ｎｍ／Ｔｉ２０ｎｍ／Ａｕ２００ｎｍの順に積層構造に形成した。ｎ電極は直径Ｄを有し、素子の中心に間隔Ｌ2のピッチで位置する。これを不活性雰囲気中で加熱処理することにより、接触抵抗を１Ｅ-５Ω・ｃｍ２以下とした。
【００４５】
  （７）  このウェハをさらに、フォトリソグラフィ技術とＲＩＥとにより、Ｍｇドープｐ型層側からＳｉドープｎ型層までＣｌ系ガスで、図２及び図３に示すようにエッチングすることにより、所定の形状になるように幅Ｌ3の素子分離溝２５を設けた。
【００４６】
  （８）  その後に所定の形状になるように、スクライブを行なって劈開面５０に沿って分離し、チップ化したものを発光素子とした。これによって得た発光素子は３２５μｍ□である。ＭＱＷ発光部の面積が０．０９ｍｍ２に対し、ｐ側パッド電極が直径１００μｍであるので、光取出面のｐパッド電極に覆われていない部分の割合（開口率）は、９１％である。
【００４７】
  （サイドビュー型ＬＥＤ）
  図４及び図５は、実施例１における本発明例Ａの発光装置であるサイドビュー型ＬＥＤ３０を示す図である。図４は斜視図であり、また図５は正面図である。このサイドビュー型ＬＥＤには上記の作製方法で作製された発光素子（チップ）１０が搭載されている。発光素子１０は矩形の辺が水平になるように配置され、その矩形の中心に位置するｐ側パッド電極２２にＡｕ線３１が電気的に接続されている。このＡｕ線３１の他端は、リードフレーム３２の光放出面側に突き出したリード部３２ｂの電極（図示せず）に電気的に接続されている。ＧａＮ基板の裏面に設けられたｎ電極は、リードフレームのチップ配置部３２ａに接触して電気的に接続されている。リードフレーム３２にはチップから後方に出射された光を前方へと反射する凹面状反射鏡が設けられ、チップ１０はその凹状曲面の焦点に位置するのがよい。
【００４８】
  このようなサイドビュー型ＬＥＤを携帯情報端末の表示画面の照明用光源に用いる場合、その厚みまたは高さＳが重視される。
【００４９】
  （９）  上述したように、上記発光素子は反射鏡を有するリードフレームの中心部にｐ層側から光を取出すように搭載されている。ｐ型パッド電極２２は素子の中心にあり、また同じトップ側にｎ電極を設ける必要がないので、ワイヤボンディングするためのスペースを考慮しても、実装後のＬＥＤランプの厚みＳを０．５ｍｍとすることができた。
【００５０】
  （１０）  また搭載にあたっては、発光素子からの放熱性を良くするために、発光素子のＧａＮ基板が接着剤を介在させて全面マウント部と接するように搭載した。また接着剤は熱伝導の良いＡｇ系のものを、またリードフレームも熱伝導の良いＣｕＷ系のものを選択した。これらの方策により、得られた熱抵抗は８℃／Ｗである。
【００５１】
  （１１）  さらにこのｎ電極側に蛍光剤を搭載した後に、エポキシ樹脂３３によりチップ及びＡｕ線３１を樹脂封止し、白色に発光するランプを作製した。たとえばチップから出る青色光を受けて、蛍光剤が黄色の蛍光を発して、全体で白色光を発光するように設計される。蛍光剤には４５０ｎｍの光出力１Ｗ当たり１８０ｌｍが得られる蛍光剤を使用した。筐体３７のサイド面に開けられたサイドウィンドウ３４に面する樹脂３３は、レンズ作用を発現するように楕円曲面状となっており、チップから出た光がサイドウィンドウの長径方向により大きく拡大し、短径方向にはあまり拡大しない曲面とされている。
【００５２】
  （比較例Ｂ）
  図６は比較例Ｂの発光装置の積層構造を示す図である。上述の特許文献１のサイドビュー型ＬＥＤにはこの比較例Ｂの発光装置が用いられている。比較例Ｂの発光装置の積層構造は、サファイア基板１０１の上に、上記本発明例Ａと同じ、ｎ型ＧａＮ層２／ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層３／（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ／ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ）ｍの多重量子井戸層（活性層）４／ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層５／ｐ型ＧａＮ層６、なる積層構造が形成されている。多重量子井戸層は（ＧａＸＮ／ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）ｍで構成される場合もある。光放出面は、本発明例Ａと同じｐ型ＧａＮ層６の表面６ａであり、ｐ電極はその表面６ａに設けられる。しかし、サファイア基板１０１は絶縁体であるためｎ電極をサファイア基板に設けることはできない。このため、積層構造を縁部を表面６ａからｎ型ＧａＮ層２の層内まで削って、ｎ型ＧａＮ層２を露出させ、その露出させたｎ型ＧａＮ層２の面にｎ電極を設ける。
【００５３】
  次に上記比較例Ｂの発光装置の製造方法について詳細に説明する。
【００５４】
  （１）  Ｃ面から０．２°ずらしたサファイアの絶縁オフ基板１０１を使用した。基板厚みは４００μｍとした。ただし、本発明例Ａと同様に、電極の形成前に厚み２００μｍに減厚した。
【００５５】
  （２）-（４）  上記本発明例Ａの（２）-（４）と同じとした。
【００５６】
  （５）  比較例Ｂの場合、基板が絶縁体であるためｎ電極はｐ電極と同じ成長膜側に設ける必要がある。そこで、図６の積層構造を有するウェハをさらに、フォトリソグラフィ技術とＲＩＥ(Reactive Ion Etching)とにより、Ｍｇドープｐ型層６からＳｉドープｎ型層２までＣｌ系ガスでエッチングすることにより、ｎ電極を設けるためにｎ型ＧａＮ層２を露出させ、発明例Ａと同様の素子分離を行なうための溝１２５を設けた（図７及び図８参照）。素子のサイズは３２５μｍ□で、ｐ型ＧａＮ層６の上にはｐ電極１１２が形成される。露出した部分のｎ型ＧａＮ２は、平面的に見て１つの素子当たり１５０μｍ□の形状を有する。露出したｎ型ＧａＮ層の上には、フォトリソグラフィ技術と蒸着とにより直径１００μｍのｎ電極１１１を形成した。厚み、熱処理、接触抵抗は本発明例Ａと同じであった。
【００５７】
  （６）及び（７）  ｐ電極は次のように形成した。まず、素子３２５μｍ□のうち、平面的に見て、素子分離に必要な分離代を除いた３００μｍ□から、さらにｎ型ＧａＮ層２の露出部１５０μｍ□を除いた「く」の字形、またはＬ字形の部分に相当する、ｐ型ＧａＮ層６の上に透明電極層１１２をつけた。厚み、熱処理、接触抵抗は発明例Ａと同じである。ｐ側パッド電極は、透明電極層の中央付近に直径１００μｍの電極層を形成した。
【００５８】
  （８）  その後に所定の形状になるよう、スクライブを行ない、チップ化したものを発光素子とした。得た発光素子は３２５μｍ□である。ＭＱＷ発光部の面積が０．０６７５ｍｍ２に対し、ｐパッド電極が直径１００μｍであるので、光取出面のｐパッド電極に覆われていない部分の割合（開口率）は、８８％である。
【００５９】
  （サイドビュー型ＬＥＤ）
  図９及び図１０は、実施例１の比較例Ｂにおける発光装置であるサイドビュー型ＬＥＤを示す図である。図９は斜視図であり、また図１０は正面図である。このサイドビュー型ＬＥＤ１３０には上記の作製方法で作製された発光素子（チップ）１１０が搭載されている。発光素子１１０は矩形の対角線が水平になるように配置され、その矩形の中心に位置するｐ側パッド電極２２にＡｕ線３１ａが、またｎ電極１１１にＡｕ線３１ｂが電気的に接続されている。Ａｕ線３１ａの他端は、リードフレーム３２の光放出面側に突き出したリード部３２ｂの電極（図示せず）に電気的に接続され、Ａｕ線３１ｂの他端は、リードフレームのチップ配置部３２ａの電極に電気的に接続されている。リードフレーム３２にはチップから後方に出射された光を前方へと反射する凹面状反射鏡が設けられ、チップ１１０はその凹状曲面の焦点に位置するのがよい。
【００６０】
  （９）  上述したように、発光素子（チップ）を反射鏡を有するリードフレームの中心部にｐ層側から光を取出すように搭載した。この場合、トップ側にｎ電極とｐ電極とが両方とも配置されるので、各々をワイヤボンディングするスペースを設けるためにチップをＬＥＤランプの長手方向に対して４５°傾けて設置した。このため発明例Ａと同様の実装を行なっても、ランプの厚みは４５°傾けた分およそ０．１４ｍｍ厚くなり、厚みＳは０．６４ｍｍとなった。
【００６１】
  （１０）  また搭載にあたっては、発明例Ａと同様に発光素子からの放熱性を良くするために、発光素子のサファイア基板が全面マウント部と接するように搭載した。ただし、接着剤、リードフレーム材質は発明例Ａと同じである。基板の違いによる熱抵抗は１０．４℃／Ｗと発明例Ａの１．３倍と悪くなった。
【００６２】
  （１１）  発明例Ａと同じようにして白色発光ランプを作製した。
【００６３】
  （実験内容及びその結果）
  まず青色光の出力の比較をするために、蛍光剤を設置しない状態（樹脂封止は実施）の発明例Ａと比較例Ｂとを、積分球内に搭載した後に所定の電流を印加し、発光させた。その発光を集光したディテクタから出力される光出力値を図１１及び図１２に示す。電流がリークすることなくＭＱＷ層に注入され、ＭＱＷ層での非発光性再結合が比較的少なく、また発熱による素子の温度上昇が小さいような比較的理想的な状態では、光出力値は印加した電流の増加に比例して増加する。たとえば電流２０ｍＡの注入では発明例Ａ及び比較例Ｂともに８ｍＷの出力が得られた。さらに５倍の電流１００ｍＡを印加した場合、発明例Ａでは５倍の４０ｍＷの出力が得られたが、比較例Ｂでは出力２４ｍＷしか得られなかった（図１１）。
【００６４】
  この理由として次の理由が考えられる。すなわち、本発明例Ａでは発熱面積が比較例Ｂに比べて広く、同じ電流注入量でも単位面積当たりの発熱量が小さいこと（注入電流１００ｍＡのときのＭＱＷ発光部での電流密度は、本発明例Ａでは１１１Ａ／ｃｍ２、比較例Ｂでは１４８Ａ／ｃｍ２）、比較例Ｂのサファイア基板に比して比較的熱伝導の良いＧａＮ基板を用いたこと、またｎ電極をＧａＮ基板のＮ面側に設けたために電流密度が極端に大きくなる部位がない構造であることを挙げることができる。
【００６５】
  一方、本発明例Ａの上記特徴を逆から見ることになるが、比較例Ｂでは、放熱面積が発明例Ａよりも小さい上に、ｎ電極をｎ型ＧａＮ層を露出させた上に設けたためにｎ型ＧａＮ層中を層に沿って流れる電流の密度が極端に大きくなり過ぎて発熱がさらに増加したこと、などを挙げることができる。
【００６６】
  さらに、メカニズムは必ずしも明らかではないが、基板に比較的低い転位密度のＧａＮ基板を用いることにより、ＭＱＷなどのエピタキシャル成長膜の結晶性がよく、高電流注入時の発光効率の低下が起こらないことも理由に挙げることができる。
【００６７】
  そこで、熱の影響を分離するために、同じく蛍光剤を設置しないで樹脂封止した状態で、同様にパルス電流による試験を行なった。このとき、印加時間１μｓとした。印加電流１００ｍＡでduty比を１００％から徐々に下げてゆき出力を測定したところ、本発明例Ａ及び比較例Ｂともにduty比を下げるにつれ出力が上昇した。しかし、duty比５％から１％の間ではともに出力が一定となり飽和したので熱の影響がなくなったと判断した。
【００６８】
  この結果を基に、同様にduty比１％でパルス印加電流値を変えてゆき、出力から外部量子効率を算出した結果を図１３に示す。図１３によれば、比較例Ｂでは電流の増加とともに外部量子効率が減少してゆく。これに比べて、本発明例Ａでは１００ｍＡまでほぼ一定であった。
【００６９】
  上記のように、仮にチップサイズを大きくして放熱面積を同じにし、ｐダウン実装して基板を介した放熱差が出ないようにしたとしても、比較例Ｂでは、本発明例Ａに特有の低い転位密度の基板に形成されたエピタキシャル成長膜の結晶性に由来する高電流域での高出力、を得ることができない。
【００７０】
  また本発明例Ａは、比較例Ｂと異なりｎ電極とｐ電極とが対向する位置にあるため電気的短絡のおそれがない。一方、比較例Ｂではｎ電極とｐ電極とが同じ側に位置するので、たとえば短絡を防止するためにｐ電極とｎ電極との間に電気的絶縁するための膜を設ける必要性を生じる場合がある。本発明例では、その必要性がないので、余計な製造コストの増加を防ぐことができる。
【００７１】
  上記の光出力の結果は、発光波長４５０ｎｍでの一例を示したにすぎず、発光波長や層構造を変えた場合でも、本発明例Ａでは比較例に比して同様の効果を得ることができる。また、発光装置の基板としての特性が同等であれば、ＧａＮ基板の代わりにＡｌxＧａ1-xＮ基板を用いても同様の効果があることは言うまでもない。
【００７２】
  次に、蛍光剤を設けた、本発明例Ａと比較例Ｂとについて光出力と等価な輝度を求めた結果を図１４及び図１５に示す。図１４に示すように、電流１００ｍＡを印加した場合、本発明例Ａでは７．２ｌｍの輝度が得られたが、比較例Ｂでは４.３ｌｍしか得られなかった。
【００７３】
  このように比較例Ｂに対して、本発明例は同じチップサイズでもサイドビュー形ＬＥＤランプの厚みを薄く、小型化できるとともに高出力を得ることができる。比較例Ｂでランプの厚みを薄くすることを目的にチップサイズを小さくしようとしても、ｎ電極を設けるためのエッチングスペースやｐパッド電極部の一定面積が必要となる結果、開口率が極端に小さくなり十分な光出力または輝度を得ることができない。
【００７４】
  また、比較例Ｂでは、チップの辺をサイドビュー型ＬＥＤランプの長手方向と平行に配置しようとした場合でも、チップの対向する２つのコーナの一方にｎ電極が、また他方にｐ電極があるので、ワイヤボンディングを行なうためのスペースが余分に必要となり、サイドビュー形ＬＥＤランプの厚みを発明例Ａと同等にまで薄くことはできない。
【００７５】
  次に、上記の本発明例Ａ及び比較例Ｂについて静電耐圧の試験を行なった。静電耐圧試験は、発光素子と、静電気がチャージされたコンデンサとを対向させて両者間に放電を生じさせ、放電が生じたときの両者間の電圧を測定する。
【００７６】
  結果は、比較例Ｂではおよそ１００Ｖの静電圧で破壊が発生した。一方、本発明例Ａではおよそ８０００Ｖまで破壊することはなかった。したがって、本発明例Ａでは比較例Ｂの約８０倍の静電耐圧を有することがわかった。」
　
（ウ）「【実施例２】
【００７７】
  本発明の実施例２では、本発明例Ｃ、本発明例Ｄ及び比較例Ｅについてｐダウン実装して、ｎ型層またはｎ型半導体基板裏面を光放出面とした点に特徴がある。本発明例Ｄは転位密度が１Ｅ９／ｃｍ２であり、とくに窒化物半導体基板の転位密度を低くするタイプの本発明の発光装置に対して転位密度が範囲外になるが、その他のタイプの本発明の発光装置に属する。本実施例では、比較例Ｅはサファイア基板を用いて、サファイア基板の積層構造側にｎ電極及びｐ電極を設け、それら２つの電極をダウン実装することを試みたが、ｎ電極に本発明例Ｃ、Ｄと同様のサイズのものを形成できなかったので、作製を途中まで進めただけで終わった。比較はもっぱら本発明例Ｃと本発明例Ｄとの間で行ない、したがって転位密度の影響を検証することになった。
【００７８】
  （本発明例Ｃ）
  本発明例Ｃの断面図を図１６に、また平面図を図１７に示す。
【００７９】
  （１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板を使用した。比抵抗０．０１Ω・ｃｍ、転位密度１Ｅ６／ｃｍ２、基板厚み４００μｍのものを使用した。ただし、本発明例Ａと同様に、電極形成前に厚み２００μｍに減厚した。
【００８０】
  （２）-（４）  本発明例Ａと同じ処理を加えた。
【００８１】
  （５）  ＧａＮ基板のＮ面には、全面にフォトリソグラフィ技術と蒸着とにより２５０μｍおきに素子の中心に直径１００μｍのｎ電極をつけた。ｎ電極は、ＧａＮ基板に接して、Ｔｉ２０ｎｍ／Ａｌ１００ｎｍ／Ｔｉ２０ｎｍ／Ａｕ２００ｎｍの順に成膜し積層構造とした。これを不活性ガス雰囲気中で加熱処理することにより、接触抵抗を１Ｅ-５Ω・ｃｍ２以下とした。
【００８２】
  （６）  ｐ電極はｐ型ＧａＮ層全面に厚み４ｎｍのＮｉと、厚み４ｎｍのＡｕとを順に成膜して２層構造とした。これを不活性雰囲気中で加熱処理することにより、接触抵抗を５Ｅ-４Ω・ｃｍ２とした。
【００８３】
  （７）  このウェハをさらにフォトリソグラフィ技術とＲＩＥとにより、Ｍｇドープｐ型層側からＳｉドープｎ型層までＣｌ系ガスでエッチングすることにより、所定の形状の素子分離溝を設けた。
【００８４】
  （８）  その後に所定の形状になるよう、スクライブを行ない、チップ化したものを発光素子とした。得た発光素子は２２５μｍ□である。ＭＱＷ発光部の面積が０.０４ｍｍ２に対し、ｎパッド電極が直径１００μｍであるので、光取出面のｎパッド電極に覆われていない部分の割合（開口率）は、８０％である（図１６及び図１７参照）。
【００８５】
  （サイドビュー型ＬＥＤ）
  （９）  この発光素子を、図１８に示すように反射鏡を有するリードフレームマウント部３２ａの中心部にｎ層側から光を取出すようｐダウン実装し、サイドビュー型ＬＥＤを作製した（図１９参照）。リードフレームへの搭載には導電性接着剤１４を用いた。ｎパッド電極１１は素子の中心に位置する。比較例Ｂのようにトップ側にｐ電極及びｎ電極をともに設ける必要がないので、ワイヤボンディングするためのスペースを考慮しても、実装後のサイドビュー型ＬＥＤランプの厚みを薄くすることができ、上記厚みＳを０．４ｍｍとすることができた。
【００８６】
  （１０）  また搭載にあたっては、発光素子からの放熱性を良くするために、上述のように、発光素子のＧａＮ基板が全面マウント部と接するように搭載した。また導電性接着剤１４は熱伝導の良いＡｇ系のものを、またリードフレームも熱伝導の良いＣｕＷ系のものを用いた。この結果、得られた熱抵抗は９℃／Ｗであった。
【００８７】
  （１１）  さらにこのｎ電極側に蛍光剤を搭載した後にエポキシ系樹脂により樹脂封止を行なって、白色に発光するランプを作製した。これには４５０ｎｍの光出力１Ｗ当たり１８０ｌｍが得られる蛍光剤を使用した。
【００８８】
  （本発明例Ｄ）
  （１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板を使用した。比抵抗０．０１Ω・ｃｍ、転位密度１Ｅ９／ｃｍ２、基板厚み４００μｍのものを使用した。ただし、本発明例Ａ、Ｃと同様に、厚み２００μｍに減厚した。
【００８９】
  （２）-（１１）  本発明例Ｃと同じ処理を加えた。
【００９０】
  （比較例Ｅ）
  （１）  Ｃ面から０．２°ずらしたサファイア基板の絶縁オフ基板を使用した。転位密度１Ｅ７／ｃｍ２、基板厚み４００μｍのものを使用した。ただし、本発明例Ａ，Ｃ，Ｄと同様に厚み２００μｍに減厚した。
【００９１】
  （２）-（４）  本発明例Ａと同じとした。
【００９２】
  （５）  比較例Ｅでは、サファイア基板が絶縁体であるためｎ電極はｐ電極と同じ積層構造側に設ける必要がある。そこで、上記の処理を施したウェハをさらに、フォトリソグラフィ技術とＲＩＥとにより、Ｍｇドープｐ型層側からＳｉドープｎ型層までＣｌ系ガスでエッチングすることにより、ｎ電極を設けるためのｎ型ＧａＮ層露出と比較例Ｂと同様の素子分離溝を設けた。素子のサイズは２２５μｍ□で、その中で露出させた部分のｎ型ＧａＮ層の広さは１つの素子当たり１５０μｍ□である。露出させたｎ型ＧａＮ層上には、フォトリソグラフィ技術と蒸着とにより直径１００μｍのｎ電極を設けた。厚み、熱処理、接触抵抗は比較例Ｂと同じとした。
【００９３】
  （６）  電極は、まず、素子２２５μｍ□のうち、素子分離に必要な分離代を除いた２００μｍ□から、さらにｎ型ＧａＮ層の露出部１５０μｍ□を除いた「く」の字形またはＬ字形の部分に相当する、ｐ型ＧａＮ層の部分に透明電極を形成した。厚み、熱処理、接触抵抗は比較例Ｂと同じとした。パッド電極は「く」の字形またはＬ字形の透明電極の頂点部の中央付近に直径１００μｍのものを設けようとしたが、５０μｍ□のスペースしかなく、比較例Ｂと同様の電極パターンのチップは作製することができなかった。
【００９４】
  （実験内容及びその結果）
  実施例１と同じように蛍光剤を搭載しない樹脂封止のみを行なった状態で、光出力を測定した結果、本発明例Ｃ及び本発明例Ｄでは、印加電流２０ｍＡでともに７ｍＷの出力を、また印加電流５０ｍＡでは各々１７.５ｍＷ及び１０.５ｍＷの出力を得た。本発明例Ｃは、本発明例Ｄに比して転位密度が３桁程度低く、この低転位密度に起因して、本発明例Ｄより高い発光出力を得ることができる。本発明例Ｃと本発明例Ｄとでは、発熱や放熱は同じであるため、この差が熱の影響でないことを確認するため、duty比１％、印加時間１μｓの１００μｓサイクルのパルス電流を印加して比較したが、同様に印加電流５０ｍＡでは各々１７.５ｍＷ及び１０.５ｍＷの出力を得た。したがって、メカニズムは必ずしも明らかではないが、熱の影響ではなく上記転位密度の差によって、高電流での発光出力の差が得られたものと考えられる。
【００９５】
  また発光波長や層構造を変えた場合、及び蛍光剤を設けて白色とした場合、本発明例Ｃでは印加電流２０ｍＡで１.２６ｌｍ、また印加電流５０ｍＡで３.１５ｌｍを、そして本発明例Ｄでは印加電流２０ｍＡで１.２６ｍｌ、また印加電流５０ｍＡで１.８９ｌｍという結果を得た。すなわち、上記と同様に、低転位密度の効果が得られることを実験により確認した結果が得られた。
【００９６】
  また、比較例Ｅの場合、上述のようにスペースがないために、本発明例Ａ、Ｃや比較例Ｂと同じ直径１００μｍの電極をつけることができなかった。仮にｎ型ＧａＮ層の露出部のサイズやｎ電極、ｐパッド電極のサイズを小さくして、本発明例Ｃ、Ｄと同じサイズのｎ電極などを形成できたとしても、大きさにもよるが、電極部での発熱や、ＭＱＷでの過大電流密度による発熱、ｐ電極の開口率の確保難といった問題が生じ、本発明例Ｃほどの、さらには本発明例Ｄほどの光出力を得ることはできないと考えられる。」
　
（エ）「【実施例５】
【０１１１】
  本発明の実施例５では、窒化物半導体基板を種々変化させ、厚みを薄くしたＧａＮ基板及びＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板を用いて窒化物半導体基板の影響を検証した。また、厚みが薄く、横に細長いサイドビュー型ＬＥＤランプにおける特性を調査するため、厚みを薄くしたＧａＮ基板の光放出面の形状の影響を検討した。
【０１１２】
  （本発明例Ｊ）
  本発明例ＪではＧａＮ基板の厚みを薄くした点に特徴がある。また、この後に説明するように、光放出面の形状を正方形に加えて細長くしたものも含めて調査した。
【０１１３】
  （１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板を使用した。比抵抗０．０１Ω・ｃｍ、転位密度１Ｅ７／ｃｍ２、基板厚み１００μｍとした。
【０１１４】
  （２）  ＭＯＣＶＤ法でＧａＮ基板のＧａ面上に、ＧａＮバッファ層、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層、Ｓｉドープｎ型クラッドＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、ＧａＮとＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎから構成される３組のＭＱＷ層、Ｍｇドープｐ型クラッドＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を順に成長させた。
【０１１５】
  （３）  発光波長３８０ｎｍ、低温４．２ＫでのＰＬ強度と室温２９８ＫでのＰＬ強度とを比較することにより便宜的に算出した内部量子効率は５０％であった。
【０１１６】
  （４）-（７）  発明例Ｃと同じ処理を行なった。
【０１１７】
  （８）  所定の形状になるよう、スクライブを行ない、チップ化したものを発光素子とした。発光素子は、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示すように、光放出面、すなわち基板１の裏面１ａが２５０μｍ□のものと２５０μｍ×１ｍｍとを作製した。ＭＱＷ発光部の面積は、上記基板から素子分離溝を除いたものと同じであり、それぞれ０．０５１ｍｍ２（２２５μｍ□）及び０．２２ｍｍ２（２２５μｍ×９７５μｍ）となる。ｎ電極が直径１００μｍであるので、光取出面（光放出面）のｎ電極に覆われていない部分の割合（開口率）は、それぞれ８５％及び９６％である。
【０１１８】
  （サイドビュー型ＬＥＤ）
  （９）  この発光素子を反射鏡を有するリードフレームの中心部にｎ層側から光を取り出すようｐダウン実装した（図２５及び図２６参照）。ｎ電極は発光素子の中心にあり、また同じトップ側にｐ電極を設ける必要がないので、ワイヤボンディングするためのスペースを考慮しても、実装後のサイドビュー型ＬＥＤランプの厚みを薄くでき、厚みＳを０.４２５ｍｍとすることができた。図２６は、２５０μｍ×１ｍｍと細長い面の基板上に形成された発光素子を搭載したサイドビュー型ＬＥＤランプを示す図である。
【０１１９】
  （１０）  また搭載にあたっては、発光素子からの放熱性を良くするために、発光素子のＧａＮ基板が全面マウント部と接するように高熱伝導性接着剤を用いて搭載した。接着剤は熱伝導の良いＡｇ系のものを、またリードフレームも熱伝導の良いＣｕＷ系のものを選択した。これにより、得られた熱抵抗は９℃／Ｗである。
【０１２０】
  （１１）  さらにこのｎ電極側に蛍光剤を搭載した後にエポキシ系樹脂により樹脂封止を行なって、白色に発光するランプを作製した。これには３８０ｎｍの光出力１Ｗ当たり１８０ｌｍが得られる蛍光剤を使用した。
【０１２１】
  （本発明例Ｋ）
  本発明例Ｋでは、窒化物半導体基板にＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板を用いた点に特徴がある。
【０１２２】
  （１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＡｌＸＧａ１−ＸＮのオフ基板を使用した。比抵抗０．０１Ω・ｃｍ、転位密度１Ｅ７／ｃｍ２、基板厚み１００μｍのものを使用した。基板のＡｌ組成はｘ＝０．２、０．５、１と３種類のものを作製した。
【０１２３】
  （２）-（１１）  発明例Ｊと同様の処理を行なった。
【０１２４】
  （比較例Ｌ）
  （１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板を使用した。比抵抗０．０１Ω・ｃｍ、転位密度１Ｅ７／ｃｍ２、基板厚み１ｍｍ（１０００μｍ）のものを使用した。
【０１２５】
  （２）-（１１）  発明例Ｊと同様の処理を行なった。なお、本比較例Ｌでは、本発明例Ｊのようにスクライブした後にブレークしてチップ化するのが困難なため、切断によりチップ化した。
【０１２６】
  （実験内容及びその結果）
  まず、基板厚みが上記実施例１-３のものより薄い、本発明例Ｊ（ＧａＮ基板１００μｍ厚）及び本発明例Ｋ（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；ｘ＝０．２，０．５，１．０）と、非常に厚い比較例Ｌ(ＧａＮ基板１０００μｍ厚）の各々の基板を用意し、図２７（ａ）及び図２７（ｂ）に示すようにして波長３８０ｎｍの入射光に対する透過率を測定した。本発明例Ｊ及びＫについては、光放出面が２５０μｍ□と２５０μｍ×１ｍｍとの２種類について測定した。その結果、図２８に示すように、それぞれ本発明例Ｊが７０％（光放出面の形状２種類ともに同じ）、本発明例Ｋが９０％（光放出面の形状２種類ともに同じ、かつｘ＝０．２，０．５，１．０の３種類すべて同じ）及び比較例Ｌが１０％であった。
【０１２７】
  そこで蛍光剤を搭載せず、樹脂封止のみを行なったものと、蛍光剤を搭載して白色化した本発明例Ｊと、本発明例Ｋと、比較例Ｌとを、積分球内に搭載した後に所定の電流を印加して集光されディテクタから出力される光出力値の比較及び輝度の比較を行なった。
【０１２８】
  電流２０ｍＡを印加したところ、本発明例Ｊ、本発明例Ｋ、及び比較例Ｌの順に、４．２ｍＷ（輝度０．７６ｌｍ：発光素子のサイズ２種類ともに同じ）、５．４ｍＷ（輝度０．９７ｌｍ：発光素子の形状２種類ともに同じ、かつｘの３種類すべて同じ）及び０．６ｍＷ（輝度０．１１ｌｍ）の出力が得られた。また電流２４０ｍＡを印加したところ、本発明例Ｊ及びＫについて発光素子のサイズが２５０μｍ□のものは（電流密度４７４Ａ／ｃｍ２）、熱の影響で時間の経過とともに光出力が小さくなってゆき、電流相応の光出力が得られなかった。しかし、２５０μｍ□×１ｍｍのものは本発明例Ｊでは２０ｍＡ印加時の１２倍の５０ｍＷ（９.１ｌｍ）が、また本発明例Ｋではやはり２０ｍＡ印加時の１２倍の６４ｍＷ（１１.６ｌｍ）が得られた。
【０１２９】
  上記の結果において、２０ｍＡ印加時の光出力の差は基板の透過率の差によるものである。ＧａＮ基板の場合、波長４００ｎｍより短波長域で光の透過率が極端に小さくなるため、波長域が４００ｎｍより短波長の場合、本発明例Ｋのように基板をＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板とすることにより、一層高い光の取り出しを得ることができる。また、ＧａＮ基板を薄くすることによっても、高い光の取り出しを得ることができる。しかし、ｎ型層で電流を均一に広げる観点から、厚みは薄すぎても均一な発光が得られず十分な出力が得られなかったり、光が局所的に集まり樹脂を局所的に劣化させる場合がある。一方、厚すぎると前述のように取出し効率が悪くなるため、発光波長にもよるが、厚みは５０μｍ〜５００μｍが望ましい。たとえば２５０μｍ□×１ｍｍチップのように１ｍｍ近く均一に電流を広げようとする場合、厚み５０〜１００μｍとすることがより望ましいことがこれまでの実験により判明している。
【０１３０】
  また本発明例のようにＧａＮ基板の厚みが薄いものを使用することにより、ＧａＮ基板の製造コストを低くすることができ、より低コストの発光素子を製造することが可能となる。この結果、発光波長によらず低コスト化できることは言うまでもない。さらにたとえば本発明例の２５０μｍ□×１ｍｍのようにチップの光放出面を長方形とすることにより、サイドビュー型ＬＥＤランプの厚みＳを０．４２５ｍｍと薄くしたままで面積を大きくすることができ、面積に応じた高出力を得ることができる。長手側の寸法は前述のように、ｎ型層で均一に電流が広がるように基板の厚みを厚くすればするほど寸法を長くすることが可能であることは言うまでもない。」
　
（オ）「【実施例６】
【０１３１】
  本発明の実施例６の発光素子は、ＧａＮ基板の酸素濃度と比抵抗および光の透過率との関係を把握したことに基づいている。その関係に基づいてｐダウン実装、すなわちＧａＮ基板を光放出面とする発光素子において、所定の光放出面積の場合に最適なＧａＮ基板厚みと酸素濃度との関係を樹立した点に特徴がある。上述のようにｐダウン実装では光放出面がＧａＮ基板となるので、つぎに示すように、比抵抗と光透過率とに大きな影響を有する酸素濃度はとくに重要である。
【０１３２】
  図２９は、ＧａＮ基板の比抵抗に及ぼす酸素濃度の影響を示す図である。図２９より、比抵抗０.５Ωｃｍ以下は、酸素濃度１Ｅ１７個／ｃｍ３以上とすることにより実現できる。また、図３０は、ＧａＮ基板４００μｍのときの波長４５０ｎｍの光の透過率に及ぼす酸素濃度の影響を示す図である。同図より酸素濃度が２Ｅ１９個／ｃｍ３を超えると波長４５０ｎｍの光の透過率が急激に低下することが分かる。図２９と図３０とから、酸素濃度の増大は、ＧａＮ基板の比抵抗を減少させ、発光面を拡大するのに有効であるが光の透過率を低下させることが分かる。したがって、ｐダウン実装される発光素子に用いられるＧａＮ基板としては酸素濃度、ＧａＮ基板の厚さ、発光の平面サイズをどのように設定するかが非常に重要となる。
【０１３３】
  図３１は、既述の本発明例ＣのＧａＮ基板の厚みおよび酸素濃度を変化させ、（ＧａＮ基板＋エピタキシャル積層構造）を形成し、それをｐダウン実装して作製したランプにおける光出力および電流が均一に流れる平面サイズを測定した結果を示す図である。ランプの光出力についていえば、厚みが厚いほど、また酸素濃度が高いほど光出力は低下する傾向にある。また電流が均一に流れる最大の平面サイズについていえば、厚みが厚いほど、また酸素濃度が高いほど大きくなる傾向にある。
【０１３４】
  図３１から、たとえば電流が均一に流れる平面サイズが一辺０．５ｍｍ（一辺１ｍｍ）の正方形とする場合、光出力として発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に７ｍＷ相当以上を得たいとき、厚み５０μｍのＧａＮ基板では酸素濃度を３Ｅ１８個／ｃｍ３以上（一辺１ｍｍ正方形では７Ｅ１８個／ｃｍ３以上）とすれば、本発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に光出力７ｍＷ以上を確保した上で、均一な発光を得ることができる。つまり本発明例Ｃの発光層の大きさ一辺２００μｍの正方形における２０ｍＡ印加と電流密度を合わせた場合、一辺０．５ｍｍ（一辺１ｍｍ）の正方形では１２５ｍＡ（５００ｍＡ）印加に相当し、１２５ｍＡ（５００ｍＡ）印加時に印加電流に比例して光出力４４ｍＷ（１７５ｍＷ）以上確保した上で、均一な発光を得ることができる。
【０１３５】
  また、厚み２００μｍのＧａＮ基板では、上記厚み５０μｍの場合と同じ目標性能としたとき、一辺０．５ｍｍ正方形では１Ｅ１８個／ｃｍ３以上（一辺１ｍｍ正方形の場合、酸素濃度２Ｅ１８個／ｃｍ３以上）とすればよい。ただし、厚み２００μｍでは酸素濃度を１Ｅ１９個／ｃｍ３以下にしないと本発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に７ｍＷ相当以上の光出力を得ることができない。
【０１３６】
  さらに、厚み４００μｍのＧａＮ基板では、一辺０．５ｍｍ正方形の領域を電流が均一に流れる酸素濃度５Ｅ１７個／ｃｍ３以上に比して、いかなる酸素濃度でも本発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に７ｍＷ相当以上には至らない。ただし酸素濃度１Ｅ１９個／ｃｍ３以下であれば、本発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に６ｍＷ相当以上は確保でき極端に光出力が小さくなることなく、均一な発光を得ることができる。
【０１３７】
  また、図３１によれば、ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜３００μｍの場合、一辺０．５ｍｍの正方形に均一に電流を流し、本発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に７ｍＷ相当以上の出力を得ることを可能にする酸素濃度範囲は実用上十分広いことが分かる。厚み１００μｍでは酸素濃度が２Ｅ１８個／ｃｍ３より高く２Ｅ１９個／ｃｍ３より低い酸素濃度で可能であることが分かる。また厚み３００μｍでは６Ｅ１７個／ｃｍ３より高く５Ｅ１８個／ｃｍ３より低い酸素濃度で可能である。
【０１３８】
  同様に、図３１によれば、ＧａＮ基板の厚みが２００μｍ〜３００μｍの場合、一辺２ｍｍの正方形に均一に電流を流し、本発明例Ｃの大きさで２０ｍＡ印加時に７ｍＷ相当以上の出力を得ることを可能にする酸素濃度範囲についても実用上十分広いことが分かる。
【０１３９】
  次に具体的な実施例について説明する。実施例では次の試験体を用いた。
【０１４０】
  （本発明例Ｓ１）：１Ｅ１９個／ｃｍ３の酸素濃度によりｎ型化されている厚み２００μｍのＧａＮ基板を用いた。このＧａＮ基板の比抵抗は０.００７Ωｃｍであり、波長４５０ｎｍの光に対する透過率は８５％である。上記ＧａＮ基板を用いて発光素子に組み上げるに際し、上記以外の部分は既述の本発明例Ｃと同じ条件とした。すなわち、ＧａＮ基板の平面サイズは、光放出面が１辺の長さ０.２ｍｍの正方形となるようにとり正方形となるようにとり（実施例２の（１）参照）、（ａ２）ＭＯＣＶＤでＧａＮ基板の第１の主面であるＧａ面上に次の積層構造を形成した。（Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層／クラッド層のＳｉドープｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層／ＧａＮ層とＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層との２層構造が３層重ねられたＭＱＷ／クラッド層のＭｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層／Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層）の積層構造を有する。
【０１４１】
  （比較例Ｔ１）：厚み４００μｍであり、酸素濃度５Ｅ１９個／ｃｍ３によりｎ型化されているＧａＮ基板を用いた。このＧａＮ基板の比抵抗は０.００２Ωｃｍであり、波長４５０ｎｍの光に対する透過率は３５％である。上記以外の条件は本発明例Ｓ１と同じである。
【０１４２】
  （比較例Ｔ２）：厚み４００μｍであり、酸素濃度２Ｅ１６個／ｃｍ３によりｎ型化されているＧａＮ基板を用いた。このＧａＮ基板の比抵抗は１.０Ωｃｍであり、波長４５０ｎｍの光に対する透過率は９０％である。上記以外の条件は本発明例Ｓ１と同じである。
【０１４３】
  （試験およびその結果）：上記試験体のｐダウン実装の発光素子を組み上げて２０ｍＡの電流を印加したところ、本発明例Ｓ１では７ｍＷの光出力を得ることができた。これに比して比較例Ｔ１では２．９ｍＷ、また比較例Ｔ２では５ｍＷの光出力しか得ることができなかった。比較例Ｔ１の２．９ｍＷという光出力は、そのＧａＮ基板の透過率に応じた出力ということができる。比較例Ｔ２について出光面であるＧａＮ基板の第２主面側から発光の状態を観察したところ、面内に発光の強弱が認められた。すなわちｎ電極の周囲において発光強度が極端に強く、ｎ電極から遠ざかるにつれて急激に発光強度は弱くなる。これは、ＧａＮ基板の比抵抗が大きいためにｎ電極を経由する電流が発光素子の面内に十分に広がらなかったからである。このため、発光は電流が集中するｐ電極周囲でのみ生じた。この結果、比較例Ｔ２の発光素子全体の発光出力は、本発明例Ｓ１より劣るものとなった。」
　
（カ）「【実施例１１】
【０１８１】
  本発明の実施例１１は、ＧａＮ基板からエピタキシャル層に伝播した並行した複数の板状結晶反転領域を除去し、その板状結晶反転領域の間隙領域ごとにダウン側に配置されるｐ電極を配置した点に特徴がある。ＧａＮ基板には、ＧａＮ基板の厚み方向に並行に分布してストライプ状にＧａＮ基板の主面に現れ、その結晶反転領域がエピタキシャル層２，３，４，５，６に伝播する。図４３、図４４に示す板状結晶反転領域は主面上で格子状に配置されている。
【０１８２】
  本実施例では、上記エピタキシャル層中の結晶反転領域を完全除去し、またＧａＮ基板の結晶反転領域を第１主面側の所定深さに至るまで除去し、各エピタキシャル層を隔て、隔てられたエピタキシャル層ごとにｐ電極を設けた点に特徴がある（図４５参照）。板状結晶反転領域は、図４３に示すように板状結晶反転領域が主面上で交差する格子状結晶反転領域から形成されていてもよいし、あとで説明するように主面上で一定方向に揃って分布する並行配置でもよい。板状結晶反転領域は、転位が高密度に密集する領域である。図３２に示す転位束またはコア６１と類似しているが、転位束はひも状または太さのある線状であるのに対して、板状結晶反転領域５１は、厚みを有して面状に配置する。
【０１８３】
  （本発明例Ｓ６）：図４３、図４４に示すＧａＮ基板では、エピタキシャル層側の第１の主表面は面方位が（０００１）面つまりｃ面である。この第１の主表面と面対称の関係にある結晶反転領域は、（０００-１）面つまり-ｃ面であり、ｃ軸が反転して成長している。ｃ面では表面はＧａ原子が配列されたＧａ面であり、結晶反転領域ではその表面はＮ原子が配列されたＮ面である。本発明例Ｓ６では、第１の主表面において１００μｍおきに幅３０μｍの結晶反転領域が格子状に配列されたＧａＮ基板を用いた。結晶反転領域は、ＧａＮ基板上に形成されたエピタキシャル膜に伝播する。
【０１８４】
  上記ＧａＮ基板を用いて、本発明例Ｃにおける積層構造と同じ製造方法で本発明例Ｓ６の積層構造を形成した。ｐ電極を形成する工程では、ｐ型ＧａＮ層に図４４のように伝播した結晶反転領域のみを被覆するマスクパターンを用いて、マスク間隙のｃ面の領域のみにｐ電極層を形成したのち、マスクパターンを取り除いた。
【０１８５】
  次いで、上記ＧａＮ基板の第２の主面（裏面）全面にマスクを被覆した半導体基板を、８Ｎ（規定）８０℃のＫＯＨ中に保持して、第１の主面側の結晶反転領域をｐ型ＧａＮ層などのエピタキシャル層を経てＧａＮ基板の中にまでエッチングして除去して溝５２を設けた。板状結晶反転領域５１は転位密度が高い転位密集部なのでＫＯＨによるエッチングが容易である。ＧａＮ基板内のエッチング深さは、エピタキシャル層とＧａＮ基板との界面からＧａＮ基板側に１５０μｍ入った位置までである。このあとマスクを取り除き、溝５２を埋め込むように絶縁膜を堆積した（図４５）。
【０１８６】
  （試験および試験結果）：上記の本発明例Ｓ６を発光素子に組み上げ、２０ｍＡの電流を印加したところ、８．４ｍＷの光出力を得ることができた。これは本発明例Ｃの発光素子の光出力７ｍＷの１.２倍である。
【０１８７】
  上述したように、本発明例Ｓ６では板状結晶反転領域が格子状に配列されていたが、板状結晶反転領域は格子状である必要はなく、図４６および図４７に示すように、ＧａＮ基板の主面に一定方向に沿って並列的にのみ配置された板状結晶反転領域であってもよい。また点状（実際は面または小円状）の結晶反転領域が規則的に存在する基板を使用した場合でも、エッチング孔の大きさや深さに応じて発明例Ｓ６同様に本発明例Ｃよりも大きい光出力を得ることができる。」
　
（キ）「【０１９４】
  次に、上記の実施例と重複するものもあるが本発明の実施例を羅列的に挙げて説明する。
【０１９５】
  上記のＧａＮ基板は酸素ドープによりｎ型化されており、酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜６００μｍであるようにできる。
【０１９６】
  上述のように酸素濃度１Ｅ１７個／ｃｍ３以上とすることにより、ＧａＮ基板の比抵抗を向上することができ、ｐ電極から導入された電流をＧａＮ基板に十分広げることができ、活性層の広さを十分使って発光を生じさせることができる。また酸素濃度２Ｅ１９個／ｃｍ３以下とすることにより、波長４５０ｎｍの光に対して６０％以上の透過率を確保することができ、放射面となるＧａＮ基板における透過率を高め、光出力を確保することができる。上記の酸素濃度範囲は、ｐダウン搭載した構造においてＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜６００μｍの場合、とくに有効に作用する。」
　
（ク）図４５の記載から、ＧａＮ基板１の厚さが４００μｍであること、ＧａＮ基板１に形成された溝の深さが１５０μｍであること、ＧａＮ基板１の第１の主面の溝で隔てられた各エピタキシャル層２，３，４，５，６上にはｐ電極１２が設けられていること、及びＧａＮ基板１の第２の主面にはｎ電極１１が１つ設けられていることが見てとれる。
　
ウ．当審の判断
　
（ア）当初明細書の請求項に記載された発明
　
　上記イの（ア）の記載から、請求項３を引用する請求項１３の発明として、当初明細書には次の発明が記載されていたものと認められる。
　
「転位密度が１０８／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板ＧａＮ基板と、前記ＧａＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層のｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ＧａＮ基板から見て前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層より遠くに位置するｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層及びｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の間に位置する発光層とを備え、
  前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に接してｎ電極を、また前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層に接してｐ電極を有し、
  前記ｎ電極及びｐ電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が１つで構成され、
　前記ＧａＮ基板はトップ側に実装され、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜６００μｍであり、
　前記ＧａＮ基板は、その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＧａＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、発光装置。」（以下「当初発明」という。）
　
　しかし、本願補正発明と当初発明とは、当初発明では「ＧａＮ基板はトップ側に実装され」との特定がなされているのに対して本願補正発明ではそのような特定がなされてない点、及び、ＧａＮ基板の厚みの上限が、当初発明では６００μｍであるのに対して本願補正発明では２００μｍである点で相違している。
　
　上記相違点のうち、本願補正発明では「ＧａＮ基板はトップ側に実装され」との特定がなされていない点についてはともかく、「ＧａＮ基板の厚みの上限が２００μｍである」という発明を特定する事項については、本願補正発明と当初発明とは明らかに相違している。
　
　したがって、上記イの（ア）の記載から、本願補正発明が当初明細書に記載されていたとはいえない。
　
（イ）当初明細書の発明の詳細な説明の記載から把握される事項
　
　そこで、本願補正発明の発明を特定する事項のうち、基板が「酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲」にあり、「その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去されたＧａＮ基板」であり、かつ、その厚みが「１００μｍ〜２００μｍ」であるとの事項に関して、当初明細書に記載されているか否かを検討するに、当初明細書の特許請求の範囲には上記（ア）で検討した以上のことは記載されていないから、当初明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載について以下検討する。
　
　「その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去されたＧａＮ基板」を用いた発光素子に関しては、本発明例Ｓ６について実施例１１として記載されている（上記イの（カ）及び（ク）参照。）。
　
　ここで、実施例１１におけるＧａＮ基板は、上記イの（カ）の記載からみて、エピタキシャル層側の第１の主表面は面方位が（０００１）面つまりｃ面（Ｇａ面）であり、この第１の主表面と面対称の関係にある結晶反転領域が１００μｍおきに幅３０μｍで（０００-１）面つまり-ｃ面（Ｎ面で）でｃ軸が反転して成長しているＧａＮ基板であって、このＧａＮ基板に積層構造を形成するとエピタキシャル層中に結晶反転領域が伝搬するから、結晶反転領域のみをマスクパターンを用いて被覆しｃ面の領域のみにｐ電極層を形成した後、上記エピタキシャル層中の結晶反転領域を完全除去し、またＧａＮ基板の結晶反転領域を第１主面側のエピタキシャル層とＧａＮ基板との界面からＧａＮ基板側に１５０μｍ入った位置まで除去して溝を設け、マスクを取り除き溝を埋め込むように絶縁膜を堆積したものを発光素子に組み上げ、２０ｍＡの電流を印加したところ、８．４ｍＷの光出力を得ることができたものであり、板状結晶反転領域の形状は、格子状でも、一定方向に沿って並列的にのみ配置されたものでも、点状（実際は面または小円状）に規則的に存在するものでも、エッチング孔の大きさや深さに応じて大きい光出力を得ることができるものである。
　
　そして、実施例１１に関する「上記ＧａＮ基板を用いて、本発明例Ｃにおける積層構造と同じ製造方法で本発明例Ｓ６の積層構造を形成した。」との記載（上記イの（カ）の段落０１８４参照。）、
　本発明例Ｃにおける積層構造の製造方法についての
「（１）  Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板を使用した。比抵抗０．０１Ω・ｃｍ、転位密度１Ｅ６／ｃｍ２、基板厚み４００μｍのものを使用した。ただし、本発明例Ａと同様に、電極形成前に厚み２００μｍに減厚した。
　（２）-（４）  本発明例Ａと同じ処理を加えた。
　（５）  ＧａＮ基板のＮ面には、全面にフォトリソグラフィ技術と蒸着とにより２５０μｍおきに素子の中心に直径１００μｍのｎ電極をつけた。ｎ電極は、ＧａＮ基板に接して、Ｔｉ２０ｎｍ／Ａｌ１００ｎｍ／Ｔｉ２０ｎｍ／Ａｕ２００ｎｍの順に成膜し積層構造とした。これを不活性ガス雰囲気中で加熱処理することにより、接触抵抗を１Ｅ-５Ω・ｃｍ２以下とした。
」との記載（上記イの（ウ）の段落００７９〜００８１参照。）、
　本発明Ａの処理（２）〜（４）についての、
「（２）  ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法によりＧａＮ基板のＧａ面上に、ＧａＮバッファ層（図１では省略）／Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２／Ｓｉドープｎ型クラッドＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層３／ＧａＮとＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎから構成される３組のＭＱＷ(Multi-Quantum Well)層４／Ｍｇドープｐ型クラッドＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層５／Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６を順にエピタキシャル成長させた（図１）。
　（３）  発光波長は４５０ｎｍ、低温４．２ＫでのＰＬ(Photo Luminescence)強度と室温２９８ＫでのＰＬ強度とを比較することにより便宜的に算出した内部量子効率は５０％であった。
　（４）  このウェハを活性化処理して、Ｍｇドープｐ型層５の低抵抗化を行なった。ホール測定によるキャリア濃度は、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層５が５Ｅ１７／ｃｍ３、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６が１Ｅ１８／ｃｍ３であった。」との記載（上記イの（イ）の段落００４０〜００４２参照。）、
　当初明細書の請求項１及び請求項１３の記載（上記イの（ア）参照。）、
　及び、図４５の記載（上記イの（ク）参照。）を参酌することにより、
　実施例１１に関する事項として、当初明細書の記載から、本願補正発明を特定する事項のうち次の点を把握することができる。
　
「ＧａＮ基板と、前記ＧａＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層のｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ＧａＮ基板から見て前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層より遠くに位置するｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層及びｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の間に位置する発光層とを備え、前記ＧａＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に接してｎ電極を、また前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層に接してｐ電極を有し、前記ｎ電極及びｐ電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が１つで構成され、前記ＧａＮ基板は、酸素ドープによりｎ型化されており、前記ＧａＮ基板は、その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域と、前記ＧａＮ基板上に形成された前記ｎ型およびｐ型窒化物半導体層に伝播した板状結晶反転領域とが、前記ｐ型窒化物半導体層側から前記ｎ型窒化物半導体層を経て前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去され、その除去されたあとに残ったｐ型窒化物半導体層に接して、各ｐ型窒化物半導体層ごとにｐ電極が設けられている、発光装置。」
　
　さらに、当初明細書には、実施例１１の発光装置のＧａＮ基板の厚みに関して、４００μｍであること（上記イの（ク）参照。）と、１５０μｍの深さの溝が設けられること（上記イの（ク）及び（カ）の段落０１８５参照。）とが記載されている。
　
　しかし、上記イの（イ）ないし（ク）で摘記した記載には、上記実施例１１の発光装置のＧａＮ基板の厚みが「１００μｍ〜２００μｍ」であることを示唆するところはない。
　
　また、上記イの（カ）及び（ク）に記載されている上記実施例１１のＧａＮ基板は、上記イの（イ）ないし（オ）に記載の「Ｃ面から０．５°ずらしたＧａＮのオフ基板」（上記イにおける（イ）段落００３９、（ウ）段落００７９及び００８８、（エ）段落０１１３及び０１２４、（オ）段落０１３３参照。）とは異なり、１００μｍおきに３０μｍ以上の幅で１５０μｍの深さの溝を備え板状結晶反転領域を有するＧａＮ基板である（上記イ（カ）段落０１８４及び０１８５参照。）から、この実施例１１のＧａＮ基板を用いて、上記イの（イ）ないし（オ）に示された、ＧａＮ基板の厚みに関する知見が直ちに適用し得るものとは認められない。
　
　加えて、前記のとおり上記イの（イ）ないし（ク）で摘記した当初明細書の記載においては、上記実施例１１の発光装置のＧａＮ基板の厚みの上限を２００μｍとすることを示唆するところがないのであるから、上記イの（イ）ないし（ク）で摘記した記載事項を総合しても、「その厚み方向とそのＧａＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＧａＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＧａＮ基板内にいたる位置まで除去されたＧａＮ基板」を用いた発光素子において、そのＧａＮ基板の厚みが「１００μｍ〜２００μｍ」であるとした本願補正発明が、当業者にとって自明に理解できるものということはできない。
　
（ウ）また、当初明細書の他の記載をみても、本願補正発明は当初明細書に記載されておらず、当初明細書の記載事項から自明であるとも認められない。
　
　よって、本件補正後の請求項１に係る補正は、当初明細書に記載した事項の範囲内でなされたものではない。
　
エ．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年６月３日付け手続補正書及び平成１７年１２月２１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜４５に記載された事項により特定される、上記２．〔理由〕（１）で＜＜本件補正前＞＞として示したとおりのものである。
　
４．平成１７年６月３日付けでした手続補正及び平成１７年１２月２１日付けでした手続補正について
　
（１）平成１７年６月３日付け手続補正書による補正について
　
ア．補正の内容
　
　平成１７年６月３日付け手続補正書による補正（以下「第１補正」という。）は、請求項１、３、１５〜１８を削除するとともに次の補正事項を含むものである。
　
（ア）請求項２、４〜１４（補正後の請求項１〜１２）に係るＧａＮ基板を備えた発光装置に関する発明において、「ＧａＮ基板」を「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」に変更する補正事項。
（イ）請求項１９〜２３（補正後の１３〜１７）に係るＧａＮ基板を備えた発光装置に関する発明において、「ＧａＮ基板」を「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」に変更する補正事項。
　
イ．第１補正後の請求項１に係る発明
　
　第１補正後の請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「転位密度が１０８／ｃｍ２以下の窒化物半導体基板ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層のｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板から見て前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層より遠くに位置するｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層（０≦ｘ≦１）と、前記ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層及びｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の間に位置する発光層とを備え、
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面に接してｎ電極を、また前記ｐ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層に接してｐ電極を有し、
　前記ｎ電極及びｐ電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が１つで構成され、
　前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板は、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜６００μｍである、発光装置。」
　
　すなわち、上記第１補正後の請求項１に係る発明は、発光装置に関する発明であって、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にある、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）を備えるものである。
　
　そこで、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にある、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）を備える発光装置が、当初明細書に記載されているか否か以下検討する。
　
ウ．当初明細書の記載
　
（ア）当初明細書において、基板にドープした酸素の濃度が「酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲」であることについては、請求項３（上記２．〔理由〕（３）イの（ア）参照。）、段落０１３２（上記２．〔理由〕（３）イの（オ）参照。）及び段落０１９５〜０１９６（上記２．〔理由〕（３）イの（キ）参照。）に記載されている。また、基板にドープした酸素の濃度に関しては、当初明細書の発明の詳細な説明において、段落０１３１〜０１４３（上記２．〔理由〕（３）イの（オ）参照。）及び図２９〜３１に実施例６として、記載されている。
　
（イ）しかし、当初明細書の請求項３に記載されている「酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲」にある基板は、「ＧａＮ基板」であって、「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」ではない。したがって、混晶比を示すｘが、０＜ｘ＜１の範囲におけるＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板について、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあるものについては記載されていない。また、当初明細書の段落０１３１〜０１４３及び図２９〜３１における実施例６として記載、段落０１９５〜０１９６の記載においても同様である。
　
（ウ）また、当初明細書の段落００７１（上記２．〔理由〕（３）イの（イ）参照。）には「発光装置の基板としての特性が同等であれば、ＧａＮ基板の代わりにＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板を用いても同様の効果があることは言うまでもない。」との記載があるが、この記載は当初明細書の段落００３６〜００７６（上記２．〔理由〕（３）イの（イ）参照。）に記載されている実施例１に関する記載であり、この実施例１においては、ＧａＮ基板を酸素ドープによりｎ型化し、その酸素濃度を如何なる範囲にするかについて示唆するところはない。
　よって、上記のとおり当初明細書の実施例１に関する記載においては、ＧａＮ基板を酸素ドープによりｎ型化し、その酸素濃度を如何なる範囲にするかについて示唆するところはないのであるから、上記（ア）（イ）で述べたＧａＮ基板についての記載及び実施例１についての段落００７１の記載を総合しても、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０＜ｘ＜１）について、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあるものについて、当初明細書の記載から自明に把握であるとは認められない。
　
（エ）さらに、当初明細書の段落０１１１〜０１３０（上記２．〔理由〕（３）イの（エ）参照。）には、実施例５としてＧａＮ基板を用いた発明例Ｊ、比較例Ｌのみでなく、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（Ｘ＝０．２、０．５、１．０）を用いた発明例Ｋも記載されているが、基板を酸素ドープによりｎ型化し、その酸素濃度を如何なる範囲にするかについて示唆するところはない。
　
（オ）当初明細書の他の記載からも、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０＜ｘ＜１）について、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にある事項が自明であるとは認められない。
　
（カ）したがって、第１補正前の請求項２に係るＧａＮ基板を備えた発光装置に関する発明において、「ＧａＮ基板」を「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」にして第１補正後の請求項１となす内容を含む第１補正は、当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
（２）平成１７年１２月２１日付け手続補正書による補正について
　
ア．補正の内容
　
　平成１７年１２月２１日付け手続補正書による補正（以下「第２補正」という。）は、請求項１、請求項１３、段落００２４及び００３３における、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みについての数値範囲を「１００μｍ〜６００μｍ」から「１００μｍ〜２００μｍ」に変更するとともに、段落００２６及び００３４における、ＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みについての数値範囲を「１００μｍ〜６００μｍ」から「１００μｍ〜２００μｍ」に変更するものである。なお、第２補正により補正された請求項１，１３を引用する請求項も実質的に補正されていることは明らかである。
　
イ．第２補正後の請求項１，１１に係る発明
　第２補正後の請求項１，１１に係る発明は上記２．〔理由〕（１）＜＜本件補正前＞＞で本件補正前の請求項１、１１として示したとおりのものである。
　
　また、第２補正後の段落００２６及び００３４の記載はそれぞれ次のとおりである。
「　　【００２６】
　また、ＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０＜ｘ＜１）は電気抵抗を低減することは容易なので、上述の発光装置における作用効果に加えて、ＧａＮ基板の転位密度が、１０８／ｃｍ２以下であるので結晶性が高いこと、及びｐ側ダウン実装した場合、高い開口率により第２の主表面からの光出力を高めることができる。また、側面からも光を放出する。酸素濃度１Ｅ１７個／ｃｍ３以上とすることにより、ＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の比抵抗を向上することができ、ｐ電極から導入された電流をＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板に十分広げることができ、活性層の広さを十分使って発光を生じさせることができる。また酸素濃度２Ｅ１９個／ｃｍ３以下とすることにより、たとえば波長４５０ｎｍの光に対して６０％以上の透過率を確保することができ、放射面となるＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板における透過率を高め、光出力を確保することができる。上記の酸素濃度範囲は、ｐダウン搭載した構造においてＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍの場合、とくに有効に作用する。」
「　　【００３４】
　上記の構成によれば、低転位密度特有の高電流域で高い発光効率を得ることができる。また、上記ｐトップ実装の発光装置と同様に、耐圧性能の向上、発熱抑制、サージ電圧に対する保護回路の不要性、製造コストの低減などの利点を得ることができる。また、屈折率の連続を確保することができ、上記全反射の問題も生じない。本発光装置は、とくに断らないかぎり発光素子を組み込んだ発光素子の実装構造ととる。また酸素濃度１Ｅ１７個／ｃｍ３以上とすることにより、ＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の比抵抗を向上することができ、ｐ電極から導入された電流をＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板に十分広げることができ、活性層の広さを十分使って発光を生じさせることができる。また酸素濃度２Ｅ１９個／ｃｍ３以下とすることにより、たとえば波長４５０ｎｍの光に対して６０％以上の透過率を確保することができ、放射面となるＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板における透過率を高め、光出力を確保することができる。上記の酸素濃度範囲は、ｐダウン搭載した構造においてＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍの場合、とくに有効に作用する。」
　
　すなわち、上記第２補正後の請求項１に係る発明は、発光装置に関する発明であって、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、その厚みが１００μｍ〜２００μｍである、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）を備えるものである。
　また、上記第２補正後の請求項１を引用する請求項１１に係る発明は、発光装置に関する発明であって、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、その厚みが１００μｍ〜２００μｍであり、その厚み方向とそのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内にいたる位置まで除去されたＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）を備えるものである。
　
　そこで、まず、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、その厚みが１００μｍ〜２００μｍである、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）を備える発光装置が、当初明細書に記載されているか否か以下検討する。
　
ウ．当初明細書の記載
　
（ア）ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０＜ｘ＜１）について、酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にある事項は、当初明細書に記載されておらず、当初明細書の記載から自明でないことは、上記（１）ウ．（ア）ないし（オ）で述べたとおりである。
　
（イ）第２補正により、第２補正後の請求項１、１１に係る発明は、さらに、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）の厚みの上限が２００μｍと特定されているものであるが、少なくとも第２補正後の請求項１１に係る発明が備える基板は、その厚み方向とそのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内にいたる位置まで除去されたＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）であるから、上記２．〔理由〕（３）ウ．（ア）ないし（ウ）で述べた理由と同様の理由で、基板が「酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲にあり、その厚み方向とそのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内にいたる位置まで除去されたＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」であり、かつ、その厚みが「１００μｍ〜２００μｍ」であるとの事項は、当初明細書に記載されておらず、当初明細書の記載から自明ではない。
　
（ウ）また、当初明細書の段落０１９６（上記２．〔理由〕（３）イの（キ）参照。）には「上述のように酸素濃度１Ｅ１７個／ｃｍ３以上とすることにより、ＧａＮ基板の比抵抗を向上することができ、ｐ電極から導入された電流をＧａＮ基板に十分広げることができ、活性層の広さを十分使って発光を生じさせることができる。また酸素濃度２Ｅ１９個／ｃｍ３以下とすることにより、波長４５０ｎｍの光に対して６０％以上の透過率を確保することができ、放射面となるＧａＮ基板における透過率を高め、光出力を確保することができる。上記の酸素濃度範囲は、ｐダウン搭載した構造においてＧａＮ基板の厚みが１００μｍ〜６００μｍの場合、とくに有効に作用する。」と記載されている。
　しかし、この記載において「酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲」との組合せで「とくに有効に作用する」としている基板の厚みの上限は６００μｍであって「２００μｍ」ではない。
　そのうえ、基板材料は「ＧａＮ基板」であって、混晶比を示すｘが０＜ｘ＜１の範囲の「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板」の場合についてのとくに有効に作用する組合せについては何ら示唆されていない。
　よって、当初明細書の段落０１９６の記載には、第２補正後の段落００２６及び００３４（上記イ参照。）に記載されている「酸素濃度１Ｅ１７個／ｃｍ３以上とすることにより、ＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の比抵抗を向上することができ、ｐ電極から導入された電流をＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板に十分広げることができ、活性層の広さを十分使って発光を生じさせることができる。また酸素濃度２Ｅ１９個／ｃｍ３以下とすることにより、たとえば波長４５０ｎｍの光に対して６０％以上の透過率を確保することができ、放射面となるＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板における透過率を高め、光出力を確保することができる。」ことを示唆するところも、「上記の酸素濃度範囲は、ｐダウン搭載した構造においてのＧａＮ基板またはＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板の厚みが１００μｍ〜２００μｍの場合、とくに有効に作用する。」ことを示唆するところもない。
　
（エ）当初明細書の他の記載からも、「酸素ドープによりｎ型化されており、その酸素濃度が、酸素原子１Ｅ１７個／ｃｍ３〜２Ｅ１９個／ｃｍ３の範囲」にあり、「その厚みが１００μｍ〜２００μｍ」である「とくに有効に作用する」組合せの、「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）」を備える第２補正後の請求項１に係る発明、および、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板（０≦ｘ＜１）が、さらに「その厚み方向とそのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板面内の１方向とに沿って連続して平面状に延びる板状結晶反転領域を有し、そのＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内の板状結晶反転領域が、前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ基板内にいたる位置まで除去された」ものである第２補正後の請求項１１に係る発明は、自明ではない。
　
（オ）したがって、上記アの補正内容を含む平成１７年１２月２１日付け手続補正書による補正は、当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
（３）まとめ
　
　よって、平成１７年６月３日付けでした手続補正及び平成１７年１２月２１日付けでした手続補正書による補正は、当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
５．むすび
　以上のとおり、平成１７年６月３日付けでした手続補正及び平成１７年１２月２１日付けでした手続補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり審決する。