【事件の表示】
平成９年特許願第４７６９６号「ワイヤボンディング端子とその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年９月１１日出願公開、特開平１０−２４２２０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成９年３月３日の出願であって、平成１６年１１月１６日付けで拒絶理由が通知されたところ、その指定期間内の平成１７年１月１１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１７年２月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年３月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　　　
【２】この出願の発明
　この出願の請求項１〜４に係る発明は、平成１７年１月１１日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
「【請求項１】タングステン又はモリブデンからなる端子上に、無電解ニッケルめっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜又は無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜がその順に形成されたことを特徴とするワイヤボンディング端子。」である。
　　　
【３】原審の拒絶理由
　一方、原審における拒絶理由の概要は、
 「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　［請求項１−４］
　・引用文献１−４
　・備考
　引用文献１に記載された発明のパラジウムからなる皮膜の役割は、引用文献２の【００１７】−【００１８】に記載されているような役割と同等であって、引用文献１記載の端子形状の銅を、引用文献３に記載されているようなタングステンまたは引用文献４に記載されているようなモリブデンに置換することは、パラジウムの役割とは無関係かつ設計的事項の範囲内と考えられる。
　　　　　引用文献等一覧
　１．特開平０９−００８４３８号公報(以下、「引用例１」という)
　２．特開平０７−２９７５２４号公報
　３．特開平０５−３１５７３１号公報(以下、「引用例２」という)
　４．特開昭６１−２６５８５３号公報(以下、「引用例３」という) 」というものである。
　　　
【４】引用例１〜３の記載事項
［１］引用例１(特開平０９−００８４３８号公報)の記載事項
　段落【0001】に、
(引1a)「本発明は、ワイヤボンディング用端子とその製造方法に関する」と記載され、
　段落【0004】〜【0006】に、
(引1b)「・・・めっきを行なった後の加熱処理によって、ワイヤボンディングの成功率が著しく低下するという課題がある・・・本発明は、加熱処理を行なってもワイヤボンディングの成功を妨げない、ワイヤボンディング用端子とその製造方法・・・本発明のワイヤボンディング用端子は、端子形状の銅の表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜を、この順序に形成したことを特徴とする」と記載され、
　段落【0008】，【0009】に、
(引1c)「置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜の厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する・・・置換金めっき皮膜と無電解金めっき皮膜の厚さの和は、０．０４μｍ以上であることが好ましく、０．０４μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する」と記載され、
　段落【0011】に、
(引1d)「このようなワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板としては、・・・どのような基板に用いることもでき、絶縁基材としては、セラミクス等無機質基板や、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機質基板等、どのような材料でも用いることができる」と記載され、
　段落【0018】に、
(引1e)「以上のようにして作成した配線板を、そのままの状態のものと、１８０℃で２時間熱処理したものの両方に、ワイヤボンディングを行なった。このときに、１つの配線板に行なうワイヤボンディングの数を１００本とし、ワイヤボンディングに成功したものの数を付着率で表す。熱処理をしないものは、実施例１、２、比較例１では、付着率は100％であり、密着強度は９〜１３ｇであったが、比較例２、３、４では付着しないものが発生し、密着強度も０〜１０ｇとばらついた。熱処理を行なったものは、実施例１、２では100％であり密着強度も９〜１３ｇであったが、比較例ではいずれも付着しないものが多く、密着強度も０〜１０ｇとばらついた」と記載され、
　段落【0019】に、
(引1f)「以上に説明したように、本発明によって、加熱処理によってもワイヤボンディングの成功を妨げないワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法を提供することができる」と記載されている。
　　　
［２］引用例２(特開平０５−３１５７３１号公報)の記載事項
　段落【0006】に、
(引2a)「接続パッドの最上層の欠陥を無くし、半田による接続、あるいはワイヤボンディングによる接続を信頼性良く確実に行なうことのできる接続パッドを形成する方法を提供することにある」と記載され、
　段落【0011】，【0012】に、
(引2b)「以下、本発明によるセラミック配線基板の接続パッド製造方法の実施例を図面により詳細に説明する。
　（実施例１）本発明により形成される接続パッドは、図１のように、セラミック基板１上に、タングステン（Ｗ）膜２と、ニッケル（Ｎｉ）膜３と、第１の金（Ａｕ）膜５、第２の金（Ａｕ）膜６とを有している。Ｗ膜２は、セラミック基板１上に配線パターンを構成する」と記載され、
　段落【0015】に、
(引2c)「つぎに、ジメチルアミンボランを還元剤とした無電解めっきにより、Ｎｉ膜３を厚さ２〜３μｍ形成する」と記載されている。
　　　
［３］引用例３(特開昭６１−２６５８５３号公報)の記載事項
　第２頁左下欄第１０〜１８行に、
(引3a)「セラミック基板１は、例えばモリブデンからなる層２によつて金属化され、この層は、半導体チツプ・パツケージ技術においてよく知られているように、リソグラフイ技術を用いて所望の電気接点領域のパターンに形づくられまたは個別化（Ｐｅｒｓｏｎａｌｉｚｅ）される。ニツケル層３は、典型的には、ワイヤ５を熱圧着するために必要な厚い金を付着するためにモリブデン接点領域上に付着される」と記載され、
　第３頁右上欄の「表Ｉ」中、工程（１）に、
(引3b)「Ｎｉ基層無電解メツキ」と記載されている。
　　　
【５】当審の判断
［１］引用発明
　上記(引1a)〜(引1f)の摘記内容から、そこに開示された発明の目的及び構成並びに効果を総合的に勘案すると、
　特に、上記(引1a)及び(引1b)から、引用例１には、
「端子形状の銅の表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜を、この順序に形成したことを特徴とするワイヤボンディング用端子」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［２］本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「端子形状の銅の表面に」というのは、本願発明の「タングステン又はモリブデンからなる端子上に」ということと、「金属からなる端子上に」ということで共通している。
　また、引用発明の「置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜」は、本願発明の「置換パラジウムめっき皮膜又は無電解パラジウムめっき皮膜」に相当する。
　そして、引用発明の「無電解金めっき皮膜を、この順序に形成した」と、本願発明の「無電解金めっき皮膜がその順に形成された」とは、単なる表現上の差異でしかない。
　さらに、引用発明の「ワイヤボンディング用端子」は、本願発明の「ワイヤボンディング端子」に相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「金属からなる端子上に、無電解ニッケルめっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜又は無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜がその順に形成されたことを特徴とするワイヤボンディング端子」であることで一致する。
　　　
　一方、本願発明の端子金属は「タングステン又はモリブデン」であるのに対して、引用発明のそれは「銅」である点(相違点)で、両者は相違する。
　　　
［３］相違点の検討
　相違点について考察するに、まず、
　上記(引2a)〜(引2c)の記載から、引用例２には、
「セラミック基板上のタングステン膜に無電解ニッケルめっき膜を形成したワイヤボンディング用接続パッド」すなわち、ワイヤボンディング端子が開示されていると認められる。
　また、上記(引3a)，(引3b)の記載から、引用例３には、
「セラミック基板上のモリブデン層に無電解ニッケルめっき層を形成したワイヤを熱圧着するための接点領域」すなわち、ワイヤボンディング端子が開示されていると認められる。
　そして、引用発明のワイヤボンディング端子も、引用例２，３に開示のワイヤボンディング端子も、ともにその最下層の端子金属上に無電解ニッケルめっき膜を形成したものであり、この点に関し本願発明とも共通する下地構造のワイヤボンディング端子である。
　したがって、ワイヤボンディング端子の最下層の端子金属として、引用発明の「銅」を、引用例２，３のタングステン又はモリブデンに変更・置換することは当業者が適宜に発想できたものといえる。
　よって、この相違点は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
【６】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項１に係る発明)は、上記の引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。