【手続補正書】
【提出日】平成31年1月9日(2019.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気音響部品（ＥＡＢ）であって、
圧電軸（ＰＡ）を有する圧電材料を用いたキャリアチップ（ＣＨ）と、
前記キャリアチップ（ＣＨ）上に配置されるフィンガ電極を（ＥＦ）有する電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）と、
を備え、
ここにおいて、前記フィンガ電極（ＥＦ）は、前記圧電軸（ＰＡ）に対して垂直に配置され、
ここにおいて、前記圧電軸（ＰＡ）は、前記キャリアチップ（ＣＨ）のどのサイドエッジ（ＳＫ）とも直角に交差せず、
ここにおいて、前記キャリアチップ（ＣＨ）は長方形状の断面を有する、
電気音響部品。
【請求項２】
前記圧電軸（ＰＡ）とサイドエッジ（ＳＫ）は、［８０°，．．．，８７°］の間の角度α２を形成する、請求項１に記載の電気音響部品。
【請求項３】
前記圧電材料は単結晶である、請求項１又は２に記載の電気音響部品。
【請求項４】
前記圧電材料は、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３である、請求項１〜３の何れか１項に記載の電気音響部品。
【請求項５】
前記電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、前記フィンガ電極（ＥＦ）に対して垂直に配置される２つのバスバー（ＢＢ）を有する、請求項１〜４の何れか１項に記載の電気音響部品。
【請求項６】
前記電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、ＤＭＳ構造体を含む、請求項１〜５の何れか１項に記載の電気音響部品。
【請求項７】
前記電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、ラダー型構造体を含む、請求項１〜６の何れか１項に記載の電気音響部品。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の電気音響部品を備える高周波フィルタ。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の複数の電気音響部品（ＥＡＢ）の製造方法であって、
圧電軸（ＰＡ）を有する圧電材料を用いたウエハ（Ｗ）を設けるステップと、
前記部品（ＥＡＢ）の電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）を前記ウエハ（Ｗ）上に形成するステップと、ここにおいて、前記電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、前記圧電軸（ＰＡ）に対して垂直に配置されるフィンガ電極（ＥＦ）を備え、
前記ウエハ（Ｗ）をそれぞれのサイドエッジ（ＳＫ）を有する個々のチップ（ＣＨ）へと切り出すことによって、前記部品（ＥＡＢ）を切り出すステップと、
を備え、
ここにおいて、前記形成するステップは、前記電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）が、前記圧電材料の前記圧電軸（ＰＡ）が前記チップ（ＣＨ）のどの前記後のサイドエッジ（ＳＫ）とも直角に交差しないように、前記チップ（ＣＨ）の前記後のサイドエッジ（ＳＫ）の前記垂直の配置に対して回転されるように行われ、
ここにおいて、前記切り出すステップは、前記切り出されたチップ（ＣＨ）が長方形状の断面を有するように行われる、
方法。
【請求項１０】
前記ウエハ（Ｗ）は切り出し中に切断される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気音響トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）が、前記チップ（ＣＨ）の前記後のサイドエッジ（ＳＫ）の前記垂直の配置に対して［３°，．．．，１０°］の間の角度α１だけ回転される、請求項９又は１０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
参照符号リスト
ＢＢ：      バスバー
ＣＨ：      チップ
ＥＡＢ：    電気音響部品
ＥＡＷＳ：  電気音響トランスデューサ構造体
ＥＦ：      フィンガ電極
ＩＬ１：    従来の部品の挿入損失
ＩＬ２：    長方形状のチップが圧電軸に対してねじれている部品の挿入損失
ＰＡ：      圧電軸
ＰＦ：      ウエハのマーキング
ＲＥＦ：    リフレクタ素子
ＳＫ：      チップのサイドエッジ
α１：      基板エッジが従来の部品に対して回転される角度又はフィンガ電極とサイドエッジとの間の角度
α２：      基板エッジＳＫと圧電軸ＰＡとの間の角度
α３：      ウエハのマーキングと圧電軸との間の角度
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］  電気音響部品（ＥＡＢ）は、以下を備える：
圧電軸（ＰＡ）を有する圧電材料を含むキャリアチップ（ＣＨ）と、
前記キャリアチップ（ＣＨ）上に配置されるフィンガ電極を（ＥＦ）有する弾性波トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）、
以下を特徴とする、
前記フィンガ電極（ＥＦ）は、前記圧電軸（ＰＡ）に対して垂直に配置され、前記圧電軸（ＰＡ）は、どの基板エッジ（ＳＫ）とも直角に交差しない。
［Ｃ２］  前記キャリアチップ（ＣＨ）は長方形状の断面を有する、Ｃ１に記載の電気音響部品。
［Ｃ３］  前記圧電軸（ＰＡ）と基板エッジ（ＳＫ）は、〔８０°，．．．，８７°〕の間の角度α２を形成する、Ｃ１又は２に記載の電気音響部品。
［Ｃ４］  前記圧電材料は単結晶である、Ｃ１〜３の何れか１項に記載の電気音響部品。
［Ｃ５］  前記圧電材料は、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３である、Ｃ１〜４の何れか１項に記載の電気音響部品。
［Ｃ６］  前記トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、前記フィンガ電極（ＥＦ）に対して垂直に配置される２つのバスバー（ＢＢ）を有する、Ｃ１〜５の何れか１項に記載の電気音響部品。
［Ｃ７］  前記トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、ＤＭＳ構造体を含む、Ｃ１〜６の何れか１項に記載の電気音響部品。
［Ｃ８］  前記トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）は、ラダー型構造体を含む、Ｃ１〜７の何れか１項に記載の電気音響部品。
［Ｃ９］  Ｃ１〜８の何れか１項に記載の電気音響部品を備える高周波フィルタ。
［Ｃ１０］  ウエハ（Ｗ）は、以下を備える：
圧電軸（ＰＡ）を有する圧電材料と、
前記ウエハ（Ｗ）の配置を示すために設けられた第１マーキング（ＰＦ）、
以下を特徴とする、
前記第１マーキング（ＰＦ）は、直線的に延在するエッジ部を含み、
前記圧電軸（ＰＡ）は、前記エッジ部と、直角から狂う角度α３で交差する。
［Ｃ１１］  公差｜α３−９０｜が〔３°，．．．，１０°〕の間である、Ｃ１０に記載のウエハ。
［Ｃ１２］  Ｃ１〜９の何れか１項に記載の多数の電気音響部品（ＥＡＢ）の製造方法は以下のステップを備える：
Ｃ１１に記載のウエハ（Ｗ）を設けるステップと、
前記部品（ＥＡＢ）の前記トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）を前記ウエハ（Ｗ）上に形成するステップと、
前記エッジ（ＳＫ）が前記ウエハ（Ｗ）の前記マーキング（ＰＦ）に対して平行又は垂直に配置されているチップ（ＣＨ）の前記ウエハ（Ｗ）をダイシングして前記部品（ＥＡＢ）をダイシングするステップ。
［Ｃ１３］  Ｃ１〜９の何れか１項に記載の多数の電気音響部品（ＥＡＢ）の製造方法は以下のステップを備える：
ウエハ（Ｗ）を設けるステップと、
前記部品（ＥＡＢ）の前記トランスデューサ構造体（ＥＡＷＳ）を前記ウエハ（Ｗ）上に形成するステップと、
チップ（ＣＨ）の前記ウエハ（Ｗ）をダイシングして前記部品（ＥＡＢ）をダイシングするステップ。
［Ｃ１４］  前記ウエハ（Ｗ）はダイシングにより切断される、Ｃ１３に記載の方法。
［Ｃ１５］  前記トランスデューサ構造体（ＥＡＢ）を、後の前記チップエッジ（ＳＫ）に対する垂直の配置から〔３°，．．．，１０°〕の間の角度α１だけ回転させる、Ｃ１３又は１４に記載の方法。