【事件の表示】
　特願２００２−　４０３７３「ウエハ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２９日出願公開、特開２００３−２４３４９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年２月１８日の出願であって、平成１５年２月１９日付けで特許請求の範囲について補正がなされ、平成１７年１２月２２日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の平成１８年３月１０日付けで意見書の提出とともに明細書について補正がなされたが、同年４月１３日付けで拒絶の査定がなされ、これに対して平成１８年５月１７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月１２日付けで明細書について補正がなされたものである。
　そして、特許法第１６２条の規定による審査において、平成１８年９月１４日付けで拒絶の理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答がなかったものである。
　
　そして、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１８年６月１２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体ウエハの載置面に形成した凸状部と、温調用の熱媒体を内部に循環させる通路と、前記半導体ウエハの載置面に冷却ガスを導入する機構とを備えたウエハステージを用い、当該ウエハステージの前記凸状部に前記半導体ウエハを静電吸着して真空チャンバ内でプラズマ処理する方式のウエハ処理装置において、
　前記凸状部の形状と寸法の少なくとも一方を異にし、夫々がウエハステージ固定用の構造体から分割可能に作られた複数のウエハステージを備え、
　処理対象となった半導体ウエハに応じて前記複数のウエハステージの中から選択したウエハステージを前記構造体に取付けて前記処理が施されるように構成したことを特徴とするウエハ処理装置。」
　
２．刊行物記載の発明
　これに対して、平成１８年９月１４日付けの拒絶の理由として引用された本願出願前に日本国内で頒布された特開平５−２２６２８９号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）特許請求の範囲　請求項１ないし３
「【請求項１】　温調機能を有する第１の載置台と、
この第１の載置台上に設けられた被処理体の載置面を有する第２の載置台と、
上記第１，第２の載置台の当接面間に気体を導入する気体導入部とを有することを特徴とする被処理体用載置装置。
【請求項２】　請求項１において、
第１の載置台を温調する熱媒体の導入経路とは別に、第１，第２の載置台の当接面間に上記気体を導入する経路を有することを特徴とする被処理体用載置装置。
【請求項３】　所定の真空度に保持される真空室と、
この真空室内に配置された請求項１又は２に記載の被処理体用載置装置と、
前記被処理体に対して適宜の処理を施すための処理手段と、を有することを特徴とする処理装置。」
　
（イ）段落０００３〜０００５
「ところで、近年、ウエハの大口径化が進み、品種等によってウエハの径の種類も増えており、各種サイズのウエハに合わせたサセプタを使用する必要がある。このような各種ウエハに合せたサセプタを使用可能な装置が特開昭５９−１１５５２１号公報に開示されている。
　また、例えばプラズマエッチングに使用されるようなウエハの支持テーブルは、その表面側がダメージを受けるために消耗品として交換する必要があり、さらに例えば静電チャックシートを有する場合には、静電チャックの交換作業も必要である。
　上記のような理由により、支持テーブルを固定部と分離部とに２分割し、ウエハのサイズに応じて、又は表面がダメージを受けた場合に分離部を取り外すのみで交換作業を行えることが望まれている。すなわち、支持テーブルを２分割した場合には、温度調節機能を有する固定部は常設しておくことができ、分離部のみウエハサイズに対応した種類分用意することで各種サイズに対応でき、また、支持テーブル表面又は静電チャックの交換時にも分離部のみ取り外せばよいので、簡易に交換作業を行うことができる。」
　
（ウ）段落００１３〜００１５
「図１はこの発明の一態様に係る支持テーブルを適用したプラズマエッチング装置の概略構成図である。この装置は、真空チャンバ１０と、チャンバ１０内に設けられウエハ１を支持するための第１の電極となる支持テーブル２０と、チャンバ１０の上方に設けられた第２の電極及び真空チャンバ１０の外側に設けられたマグネットセクション３０と、ＲＦ電源４０とを備えている。
　真空チャンバ１０は、上部チャンバ１１と下部チャンバ１２とを有している。上部チャンバ１１の側壁下部には排気口１３が設けられており、この排気口１３に接続された排気ポンプ（図示せず）により真空チャンバ１０内が排気される。・・・
　支持テーブル２０には、電気絶縁性のセラミック部材１５を介して下部チャンバ１２上に設置されており、下部チャンバ１２と支持テーブル２０とは電気的に絶縁されている。この支持テーブル２０はウエハの支持部を有する上部材２１と、ウエハの温度調節を行うための冷媒流路例えば液体通流路２３を備えた下部材２２とを有している。なお、この支持テーブル２０の詳細な構造は後述する。」
　
（エ）段落００１９〜００２０
「次に、被処理体としてのウエハの支持テーブル２０について詳細に説明する。図２は、支持テーブル２０を詳細に示す断面図である。この支持テーブル２０は、上述したように上部材２１と下部材２２とを有しており、さらに上部材２１の上面にはウエハを静電気力（クーロン力）で吸着するための静電チャック２４が設けられている。このチャック２４は例えばプラズマが発生した時にプラズマを介して導通し静電吸着力が発生する機構になっている。そして、下部材２２は常設され、他方上部材２１及び静電チャック２４は交換できるようになっている。
　上部材２１は外周部に段部を有した円板状をなしており、下部材２２は単純な円板状をなしている。そして、上部材２１の外周近傍には、外周縁に沿って等間隔でボルト挿入孔２８が形成されており、下部材２２にはボルト挿入孔２８に対応する位置にねじ穴２８ａが形成されており、挿入孔２８にボルト２９が挿入され、ボルト２９によって上部材２１と下部材２２とが締結される。そして、ボルト２９を外すことにより、上部材２１を下部材２２から取り外すことができる。」
　
（オ）段落００２２
「下部材２２には、上述したように、環状の液体通流路２３が設けられており、この液体通流路２３には液体導入路２３ａと液体導出路２３ｂとが接続されており、液体通流路２３に所定温度の液体を適宜の流量で供給することにより、ウエハ１の温度が調節される。この場合に、処理するウエハの種類に応じて、適宜液体の温度が設定される。すなわち、エッチング動作の際に、例えばプラズマの熱によりエッチング化学反応以外の不必要反応を起して所定のエッチングが困難である場合には、液体通流路２３に冷却媒体例えば−２５℃程度の不凍液を循環させてウエハ温度を−１５℃付近に冷却保持する。また、エッチング処理によっては、例えばウエハ１の温度が７０〜８０℃程度であることが適当な場合があるが、その場合には液体通流路２３に加熱媒体例えば温熱水を循環させてウエハ１の温度をコントロールできる。」
　
（カ）段落００３１
「さらに、ウエハ１と静電チャック２４との間にも、ガス導入路２７から熱伝達用のガスが供給されるようになっており、これによりウエハ１の温度コントロール精度がいっそう高められる。このガスとしては特に制限はないが、上述の熱伝達用ガスと同様Ｈｅ，Ｏ2，Ａｒ，Ｎ2等が好適である。」
　
（キ）段落００３６
「さらに、支持テーブル２０を、固定側の下部材２２と分離可能な上部材２１との分割タテイプにすることによって、ウエハ１のインチサイズが変更される場合には上部材２１のみを交換するだけで対処することができ、また、消耗品である静電チャック３４の交換時にあっても、新たな静電チャックを備えた上部材２１を交換するだけでよいという利点を確保することができる。」
　
　摘記事項（エ）の「上部材２１は外周部に段部を有した円板状をなしており」という記載、及び、図１、２から、ウエハを支持する支持テーブルの上部材は、凸状部になっていることが看取できる。また、ウエハを支持する支持テーブルの上部材の上面は、載置面ということができるものである。
　
　そうすると、摘記事項（ア）〜（キ）、及び図１、２の記載からみて、刊行物には、次の発明が記載されていると認める。（以下、「引用発明」という。）
「ウエハの載置面に形成した凸状部と、前記ウエハの載置面に熱伝達用のガスを導入する機構とを備えた上部材を用い、当該上部材の前記凸状部に前記ウエハを静電吸着して真空チャンバ内でプラズマエッチングする方式のプラズマエッチング装置において、
　前記凸部材の直径が異なり、ウエハのインチサイズが変更される場合には、下部材から取り外して交換可能に作られた上部材を備え、
　下部材は、ウエハの温度調整を行うための液体通流路を有し、
　処理対象となったウエハに応じて前記複数の上部材の中から選択した上部材を前記下部材にボルトによって締結して前記処理が施されるように構成したプラズマエッチング装置。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「ウエハ」、「プラズマエッチング」、「下部材」、「上部材」は、それぞれ、前者の「半導体ウエハ」、「プラズマ処理」、「ウエハステージ固定用の構造体」、「ウエハステージ」に相当する。
　そして、引用発明の「熱伝達用のガス」と本願発明の「冷却ガス」とは、「ガス」である限りにおいて共通する。
　また、引用発明の「プラズマエッチング装置」は、ウエハに対して処理を行っていることから、「ウエハ処理装置」ということができるものである。
　さらに、引用発明の「ボルトによって締結」することは、本願発明の「取り付け」るということができるものである。
　
　さらに、引用発明の「凸部材の直径が異なり、ウエハのインチサイズが変更される場合には、下部材から取り外して交換可能に作られた上部材」は、ウエハのインチサイズに対応して、直径が異なる複数の凸部材を予め用意しておき、ウエハのインチサイズが変更される際に、上部材を下部材から取り外して交換しているから、「凸状部の寸法を異にし、夫々がウエハステージ固定用の構造体から分割可能に作られた複数のウエハステージ」といえるものである。
　
　そうすると、両者は、
「半導体ウエハの載置面に形成した凸状部と、前記半導体ウエハの載置面にガスを導入する機構とを備えたウエハステージを用い、当該ウエハステージの前記凸状部に前記半導体ウエハを静電吸着して真空チャンバ内でプラズマ処理する方式のウエハ処理装置において、
　前記凸状部の寸法を異にし、夫々がウエハステージ固定用の構造体から分割可能に作られた複数のウエハステージを備え、
　処理対象となった半導体ウエハに応じて前記複数のウエハステージの中から選択したウエハステージを前記構造体に取付けて前記処理が施されるように構成したウエハ処理装置。」
で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明では、温調用の熱媒体を内部に循環させる通路をウエハステージに設けているのに対し、引用発明では、そのようになっていない点。
［相違点２］
　半導体ウエハの載置面に導入するガスが、本願発明では、冷却ガスであるのに対し、引用発明では、熱伝達用のガスである点。
　
４．判断
　相違点について検討する。
［相違点１について］
　半導体ウエハを載置して処理する台に、温調用の熱媒体を内部に循環させる通路を設けることは、例えば特開２０００−２１６１４０号公報の請求項１・３、段落００２０、図１、特開平７−３７８６２号公報の請求項２、段落００２１〜００２４、図４、特開平３−１０８７３７号公報の請求項１・２、第２ページ右下欄第９行〜第３ページ左上欄第６行、実願昭６３−８３９１号（実開平１−１１３３４１号）のマイクロフィルムの実用新案登録請求の範囲、第８ページ第１０行〜第９ページ第７行、第１図に示すように、周知の事項である。
　この温調用の熱媒体を内部に循環させる通路を、ウエハステージに相当する引用発明の上部材に設けることは、その適用を阻害する要因が格別見当たらない。
　よって、引用発明に上記周知の事項を採用して、相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
［相違点２について］
　半導体ウエハの載置面に冷却ガスを導入することは、例えば、特開平５−２３４９４４号公報の特許請求の範囲、特開平７−２０１９５６号公報の特許請求の範囲、特開２００１−１１８９１６号公報の請求項３、段落０００４等に示すように、周知の事項である。
　よって、引用発明に上記周知の事項を採用して、相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　以上のとおりであるので、本願発明は、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物記載の発明、周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。