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　特願２００２−２０９９８８「オームコンタクトを具えた半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１８日出願公開、特開２００３−１１５６０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年７月１８日（パリ条約の例による優先権主張２００１年７月２３日、台湾）の出願であって、平成１７年７月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されたものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「オームコンタクトを具えた半導体装置において、
　基板と、
　該基板の上のｐ型ＧａＮ層と、
　ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層とされ、該ｐ型ＧａＮ層の上に形成され、そのうち０＜ｘ＜１である、上記ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層と、
　該ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層の上の金属層と、
　を少なくとも具えたことを特徴とする、オームコンタクトを具えた半導体装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−３４０５０９号公報（以下、「引用例」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
（ア）
「【請求項１】  ｐ型コンタクト層を含む１又は多層のｐ型窒化物半導体層と１又は多層のｎ型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、
上記ｐ型コンタクト層は、互いに組成の異なる第１と第２の窒化物半導体層とを含む層が順次積層された超格子構造を有し、上記２つの窒化物半導体層のうち少なくとも第１の窒化物半導体層はＩｎを含んでいることを特徴とする窒化物半導体素子。」
　
（イ）
「【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態について説明する。
実施の形態１．本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、図１に示すように、例えばサファイアからなる基板１上に、バッファ層２を介して、第１ｎ側窒化物半導体層３、第２ｎ側窒化物半導体層４、第３ｎ側窒化物半導体層５、活性層６、ｐ側クラッド層７及びｐ側コンタクト層８が順次形成されて構成される。尚、本実施の形態１において、ｐ側コンタクト層８の上面のほぼ全面（審決注：用語の意味及び引用例の【００３９】の記載からみて、「前面」は「全面」の誤記であると認める。）には、透光性のｐ電極９が形成され、ｐ電極上の一部にボンディング用のｐパット電極１０が形成される。また、発光素子の片側において、第２ｎ側窒化物半導体層４の表面が露出され、その露出部分には、ｎ電極１１が形成されている。
【００１６】ここで、特に本実施の形態１では、ｐ側コンタクト層８が、互いに組成の異なる第１の窒化物半導体層８ａと第２の窒化物半導体層８ｂが交互に積層された超格子構造を有し、上記２つの窒化物半導体層のうち少なくとも第１の窒化物半導体層８ａはＩｎを含んでいることを特徴とする。このように、ｐ側コンタクト層８を構成する上記２つの窒化物半導体層のうち少なくとも一方の第１の窒化物半導体層８ａがＩｎを含んでいて、かつ第１と第２の窒化物半導体層８ａ，８ｂとが交互に積層された超格子構造とすることにより、極めて欠陥の少ない結晶性の良好なｐ型コンタクト層８を形成することができる。これによって、超格子構造でない単層のＩｎＧａＮからなる従来例に比較して、それ自身の抵抗値が低くかつｐ電極９と良好なオーミック接触させることができるｐ側コンタクト層８を形成することができる。
【００１７】さらに，詳細に説明すると、本実施の形態１において、ｐ型コンタクト層８は例えば、以下の表１に示す第１の窒化物半導体層８ａと第２の窒化物半導体層８ｂとを組み合わせることにより構成することができる。
【００１８】
【表１】
【００１９】ここで、本実施の形態１において、結晶欠陥の少ない第１の窒化物半導体層８ａを形成するために、表１のＩｎxＧａ1-xＮは、好ましくはｘ＜０．５に設定され、より好ましくはｘ＜０．４、さらに好ましくはｘ＜０．３に設定される。また、本発明において、ｐ型コンタクト層の膜厚は、厚さが厚いほど厚さ方向の抵抗値が高くなるので、好ましくは０．１μｍ以下、より好ましくは５００Å以下、さらに好ましくは２００Å以下に設定する。また、ｐ型コンタクト層を構成する第１と第２の窒化物半導体層の膜厚はそれぞれ、好ましくは１００Å以下、より好ましくは７０Å以下、さらに好ましくは５０Å以下に設定する。尚、最も好ましくは、１０〜４０Åの範囲に設定する。
【００２０】ｐ型コンタクト層を構成する第１と第２の窒化物半導体層８ａ，８ｂの膜厚を１００Å以下に設定するのは、第１と第２の窒化物半導体層８ａ，８ｂの膜厚が、１００Åより厚いと各窒化物半導体層が弾性歪限界以上の膜厚となり、膜中に微小のクラック、あるいは結晶欠陥が入りやすくなり、超格子構造とする効果が効果的に発揮できないからである。また、本発明において、第１と第２の窒化物半導体層８ａ，８ｂは、少なくとも１原子層以上であればよいが、好ましくは上述のように１０Å以上に設定する。
【００２１】また、本発明では、第１の窒化物半導体層８ａと第２の窒化物半導体層８ｂの少なくともいずれか一方にＭｇ等のｐ型不純物が添加され、ｐ型コンタクト層全体としてｐ型導電性を示すようにすればよい。また、第１の窒化物半導体層８ａ及び第２の窒化物半導体層８ｂの双方にｐ型不純物をドープする場合、一方の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度を他方の窒化物半導体層の不純物濃度に比較して高くする（以下、変調ドープという。）ことが好ましい。
【００２２】このように、第１と第２の窒化物半導体層８ａ，８ｂのうち、一方の不純物濃度を他方に比較して高く設定することにより、不純物濃度が高い一方の窒化物半導体層においてキャリア多く発生させることができ、不純物濃度の低い他方の窒化物半導体層における移動度を一方の窒化物半導体層に比較して高くできる。これによって、第１と第２の窒化物半導体層８ａ，８ｂとが積層された超格子層全体としてのキャリア濃度と移動度とをともに高くできるので、ｐ型コンタクト層８の抵抗値を低くできる。従って、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、ｐ型コンタクト層８においてさらに、上述のような変調ドープをすることにより、所定の電流値における順方向電圧を低くできる。
【００２３】また、上述のように変調ドープする場合、一方の窒化物半導体層には１×１０19／ｃｍ3〜５×１０21／ｃｍ3の範囲のｐ型不純物をドープし、他方の窒化物半導体層は５×１０18／ｃｍ3〜５×１０19／ｃｍ3の範囲であってかつ一方の窒化物半導体層より少ない量のｐ型不純物がドープされていることが好ましい。窒化物半導体層に対して５×１０21／ｃｍ3より多い量のｐ型不純物を添加すると、結晶性が悪化して抵抗値が高くなりかつ良好なオーミック接触を得ることが難しくなるからであり、５×１０18／ｃｍ3より少ないと十分なキャリア濃度が得られず出力が低下するからである。
【００２４】また、本発明において、ｐ型コンタクト層８において、第１の窒化物半導体層８ａ又は第２の窒化物半導体層８ｂのいずれの層を最上層にしてもよく、いずれの層でｐ側クラッド層７と接するようにしても良い。しかしながら、本発明では、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層８ａを最上層にし、その第１の窒化物半導体層８ａの上にｐ電極を形成するように構成することが好ましい。このようにすることで、ｐ型コンタクト層８とｐ電極とのオーミック接触抵抗を小さくできる。すなわち、第１の窒化物半導体層８ａは、Ｉｎを含んでいる分又はＩｎを多く含んでいる分、第２の窒化物半導体層８ｂに比較してバンドギャップを小さくすることができ、ｐ電極を構成する金属の伝導帯の下端のエネルギー準位と、第１の窒化物半導体層８ａの価電子帯の上端のエネルギー準位との差を小さくできるので、オーミック接触抵抗を小さくできる。
【００２５】また、実施の形態１の窒化物半導体発光素子においては、上記ｐ型クラッド層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）からなる層とＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ＜１）からなる層とが交互に積層された超格子構造を有することが好ましい。このｐ型クラッド層を構成する各層の膜厚は、好ましくは弾性歪限界の１００Å以下に設定し、より好ましくは７０Å以下、さらに好ましくは５０Å以下に設定する。尚、最も好ましくは、１０〜４０Åの範囲に設定する。このようにｐ型クラッド層を超格子構造とすることにより、ｐ型クラッド層の抵抗値を低くすることができる。尚、ｐ型クラッド層７の全体としての膜厚は、好ましくは１００Å以上で２μｍ以下、さらに好ましくは５００Å以上で１μｍ以下に設定される。このような膜厚に設定することにより、良好なキャリア閉じ込め層として動作させ、かつｐ型クラッド層７の全体としての抵抗値を比較的低くできる。」
　
（ウ）
「【００３９】エッチング後、最上層にあるｐ側コンタクト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極９と、そのｐ電極９の上にポンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１０を０．５μｍの膜厚で形成する。一方エッチングにより露出させた第２ｎ側窒化物半導体層４の表面にはＷとＡＩを含むｎ電極１１を形成する。最後にｐ電極９の表面を保護するためにＳｉＯ2よりなる絶縁膜１２を図１に示すように形成した後、ウェーハをスクライブにより分離して３５０μｍ角のＬＥＤ素子とする。」
　
　上記各記載事項からみて、引用例には、
「ｐ型コンタクト層を含む１又は多層のｐ型窒化物半導体層と１又は多層のｎ型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、
　サファイアからなる基板上に、バッファ層を介して、第１ｎ側窒化物半導体層、第２ｎ側窒化物半導体層、第３ｎ側窒化物半導体層、活性層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が順次形成されて構成され、ｐ側コンタクト層の上面のほぼ全面には、透光性のｐ電極が形成され、
　ｐ型コンタクト層（ｐ側コンタクト層）は、ＩｎXＧａ１−XＮからなる第１の窒化物半導体層とＧａＮからなる第２の窒化物半導体層が順次積層された超格子構造を有し、前記第１の窒化物半導体層及び前記第２の窒化物半導体層の双方にｐ型不純物がドープされており、X＜０．５であって、第１の窒化物半導体層はＩｎを含んでおり、前記ｐ型コンタクト層において、前記第１の窒化物半導体層を最上層にし、その第１の窒化物半導体層の上にｐ電極を形成するように構成し、ｐ電極を構成する金属の伝導帯の下端のエネルギー準位と、第１の窒化物半導体層の価電子帯の上端のエネルギー準位を小さくすることができるので、オーミック接触抵抗を小さくできた窒化物半導体素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　
（ア）引用発明の「窒化物半導体素子」及び「基板」は、それぞれ、本願発明の「半導体装置」及び「基板」に相当する。
　
（イ）引用発明の窒化物半導体素子はオーミック接触抵抗を小さくできているから、引用発明は、本願発明の「オームコンタクトを具えた半導体装置」を有している。
　
（ウ）引用発明の超格子構造はＩｎXＧａ１−XＮからなる第１の窒化物半導体層とＧａＮからなる第２の窒化物半導体層とが順次積層された構造となっており、前記第１の窒化物半導体層を最上層にしているものである。さらに、第１の窒化物半導体層及び第２の窒化物半導体層の双方にｐ型不純物がドープされ、X＜０．５であって、第１の窒化物半導体層はＩｎを含んでいるものである。
　したがって、最上層に存在する第１の窒化物半導体層の直下に存在する層は、ＧａＮからなる第２の窒化物半導体層であって、これは、本願発明の「ｐ型ＧａＮ層」に相当する。また、最上層に存在するＩｎXＧａ１−XＮからなる第１の窒化物半導体層は、本願発明の「ｐ型ＩｎｘＧａ１−XＮ層」に相当し、０＜ｘ＜１を満足する。
　そして、引用発明では、基板上にバッファ層を介して、第１ｎ側窒化物半導体層、第２ｎ側窒化物半導体層、第３ｎ側窒化物半導体層、活性層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が順次形成されて構成されており、前記最上層に存在する第１の窒化物半導体層の直下に存在する層は、ｐ側コンタクト層の一部であるから、引用発明は、本願発明の「該基板の上のｐ型ＧａＮ層」を有している。
　また、引用発明の、最上層に存在する第１の窒化物半導体層は、前記最上層に存在する窒化物半導体層の直下に存在する層の上に形成されていることが明らかであるから、引用発明は、本願発明の「ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層とされ、該ｐ型ＧａＮ層の上に形成され、そのうち０＜ｘ＜１である、上記ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層」を有している。
　
（エ）引用発明の「ｐ電極」は金属から構成されており、最上層に存在する第１の窒化物半導体層の上にｐ電極が形成されているから、引用発明は、「該ｐ型ＩｎXＧａ１−XＮ層の上の金属層」を有していることが明らかである。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、
「オームコンタクトを具えた半導体装置において、
　基板と、
　該基板の上のｐ型ＧａＮ層と、
　ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層とされ、該ｐ型ＧａＮ層の上に形成され、そのうち０＜ｘ＜１である、上記ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層と、
　該ｐ型ＩｎX Ｇａ1-X Ｎ層の上の金属層と、
　を具えた、オームコンタクトを具えた半導体装置」である点で一致するから、本願発明と引用発明とは同一である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。