【事件の表示】
　特願２００２−３３９４３７「相変化光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１７日出願公開、特開２００４−１７１７２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１１月２２日の出願であって、拒絶理由通知に対し平成１７年５月３０日付けで手続補正がされたが、同年６月１６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年７月２０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年８月１８日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１７年８月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年８月１８日付けの手続補正を却下する。
　
［理　　由］
　
(1)補正後の本願発明
　平成１７年８月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こし
、構成元素の一部がBiおよび／またはSnで置換されており、下記一般式
（Ge
w
Sn
(1-w)
）
x
（Sb
v
Bi
(1-v)
）
y
Te
z
（ここで、x+y+z=100、0≦w0.5、0≦v0.7）
で表される組成を有する
、下記一般式
HfO
x
（ここで、1.8≦x≦2.2）
で表される組成を有する
　上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「相変化光記録膜」の組成について一般式による限定を付加し、同じく「ハフニウム酸化物」について一般式による限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
(2) 明細書及び特許請求の範囲の記載要件について
　本願補正発明において、相変化光記録膜の組成は、
　「構成元素の一部がBiおよび／またはSnで置換されており、下記一般式
（GewSn(1-w)）x（SbvBi(1-v)）yTez 
（ここで、x＋y＋z＝100、0≦w＜0.5、0≦v＜0.7）
で表される組成を有する」と特定されている。
　
　ところで、本願明細書には、構成元素の一部をBi及び／又はSnで置換した例として、実施例Ｅ１、Ｅ２、Ｊ、Ｋが記載されている。
　実施例Ｅ１、Ｊ、Ｋは、いずれもGe40Sb4Bi4Te52の組成であるから、一般式においてｘ＝40、ｙ＝8、ｚ＝52、w＝1、v＝0.5に相当するものであるが、ｗの値が請求項１に記載された数値の範囲外である。
　また、実施例Ｅ２は、Ge23Sn8Sb15Te54であるから、一般式においてｘ＝31、y＝15、ｚ＝54、ｗ≒0.74、v＝1に相当するものであるが、Ｅ２ではv、wとも請求項１に記載された数値の範囲外である。
　このように、実施例Ｅ１、Ｅ２、Ｊ、Ｋはいずれも本願補正発明の実施例には該当せず、また、上記実施例以外に、本願補正発明に相当する発明は、発明の詳細な説明には何ら記載されていない。
　さらに、w＝0でv＝0である場合、相変化光記録膜の組成は、SnxBiyTezとなるが、このような組成の材料を相変化光記録膜として使用する点についても、本願明細書の発明の詳細な説明には記載されていない。
　
　そうすると、本願補正発明は発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえないから、本件出願は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
　また、本願補正発明が解決すべき課題と解決のための手段との関係が明確でなく、発明の技術的意義も明らかでないから、本件出願は特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件も満たしていない。
　したがって、本願補正発明は、出願の際に独立して特許を受けることができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項の規定により準用する同法第１２６条第５項の規定に適合せず、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項により却下すべきものである。
　
(3) 進歩性について
　上記のとおり、本件補正は却下すべきものであるが、本願補正発明における一般式は明確ではないが、該一般式は相変化光記録膜の材料を構成する元素の一部をSn及び／又はBiで置換されたものを意味するものと仮定して、本願補正発明が、その出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができるものであるかどうか、さらに検討する。
　
(3.1)引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された各刊行物にはそれぞれ以下の事項が記載されている。（
下線
　
　ア．特開平３−１２５３４３号公報（引用文献５。以下、「引用例１」という。）
　(ア-1)「(1)透明基板上に光学記録層を設け、該
光学記録層にエネルギービームを照射することによりその光学定数を変化させ情報を記録および消去する光学情報記録媒体
　(ア-2)「
光学記録層が、結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消去を行ういわゆる相変化型光ディスク
記録材料としては
Ge−Te−Sb合金等のカルコゲン合金が主として用いられている
　(ア-3)「第１図に本発明に係る層構成の１例を示す。透明基板の上に下層保護層２、下層密着層３、光学記録層４、上層密着層５、上層保護層６及びＵＶ硬化樹脂層７が順次積層されている。つまり保護層と光学記録層の間に光学記録層と密着力の高い層（密着層）を設けた構造になっている。
一般に、光学記録層と保護層との間の密着力が弱いと光学記録層が溶融状態になった時、光学記録層が温度勾配にしたがって容易に物質移動を起こしてしまう。しかし、光学記録層と保護層との間の密着力が強いと光学記録層の物質移動が起こらず繰り返し特性が向上する。
　密着層材料としては、周期律表第IVa族および第VIa族の元素およびそれらの化合物、例えば、Ti，Zr，Hf，Cr，Mo，W，TiO2，ZrO2，
HfO
2
　(ア-4)「上記光学情報記録媒体における保護層として、高融点で適当な熱伝導率をもち耐水性に優れているものであればよい。例えば、SiO2、Al2O3，ZrO2，Ta2O5，Si3N4，AIN、ZnS、SiCなどの材料及びそれらの混合物を用いることができるが、密着層との密着力が強いことから特にZnSが好ましい。」（2頁左下欄下8〜下3行）
　(ア-5)「さらに
光学記録層としては、Sb−Te−Ge
　
　上記摘示事項によれば、引用例１には以下の発明が記載されている。
　「エネルギービームを照射することにより、結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消去を行い、Sb−Te−Ge、In−Sb−Te、In−Se−Tl等の合金からなる光学記録層と、Ti，Zr，Hf，Cr，Mo，W，TiO2，ZrO2，HfO2，CrO2，MoO2，WO3，TiC，ZrC，HfC，Cr3C2，WC，TiB2，ZrB2，MoB2，CrB2，TiN，ZrN，HfN，TiS，ZrS，HfS等の材料からなる密着層とを有する光学情報記録媒体」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　イ．特開２００１−２３２９４１号公報（引用文献９。以下、「引用例２」という。）
　(イ-1)「【請求項１】光照射により結晶状態と非晶質状態との間を可逆的に変化する相変化記録層を備えた光記録媒体であって、前記相変化記録層がGe，Sb，Teを主成分とし、さらにBi，In，Sn，Pbから選択された少なくとも一種の元素を含み、前記相変化記録層中の［Ge］／［Sb］原子組成比をｘ、前記相変化記録層に結晶状態が形成された後の結晶粒径をＲ（ｎｍ）とおく時、Ｒ≧（55x+45）を満たす粒子の面積の合計が前記結晶部全体の面積の20％未満であることを特徴とする相変化光記録媒体。」
　(イ-2)「【0004】記録層としては、カルコゲン系の金属化合物、例えばＧｅＳｂＴｅ，ＡｇＩｎＳｂＴｅまたはＩｎＳｂＴｅを主成分とする薄膜材料が用いられる。＜以下、略＞」
　(イ-3)「【0037】次に添加元素の組成範囲を説明する。この組成範囲を（GexSbyTez）1-w（BiaInbSncPbd）wとあらわしたとき、3E-4＜ｗ＜0.03が好ましい。下限の3E-4は、それ以下では添加の効果がなく、実質的に記録膜の基本構成元素のみから構成される場合と同一である。すなわち結晶化速度τｘ短縮の効果がみられない。また、上限の0.03以上の組成比ではτｘ短縮効果があるものの、Ea・Txも同時に低下し、保存寿命や読み出し劣化の点で問題が生じる。添加元素の組成範囲として、さらに好ましいのは0.5％以上、2.5％以下であり、この範囲であれば実質的にEa・Tx低下の可能性は非常に小さく、結晶粒径微細化の効果が十分に得られる。」
　(イ-4)「【0040】［実施例１］図１は本発明に係る相変化光ディスクの断面図である。図１において、基板１上に、第１干渉層２、相変化記録層３、第２干渉層４、および反射層５が順次積層される。基板は0.4μm幅のグルーブが設けられたポリカーボネート製光ディスク基板である。
　．．．＜中略＞．．．
　【0043】
相変化記録層３
ターゲット組成はGe
0.225
Sb
0.225
Te
0.532
 Bi
0.015
 とし
　(イ-5)「【0046】第１干渉層および第２干渉層としてはZnS：SiO2（膜厚はそれぞれ60nm、20nm）、反射層としてはAl合金（膜厚100nm）を用いた。いずれもスパッタガスとしてArガスを用い、ガス圧を0.5Paに設定して成膜した。」
　
　(3.2)対比
　引用例１発明の「光学記録層」はエネルギービームの照射により結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消去を行うから、本願補正発明の光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化を起こす「相変化記録膜」に相当する。
　また、引用例１発明の「光学情報記録媒体」は本願補正発明の「相変化光記録媒体」に相当し、引用例１発明の「密着層」は、光学記録層の両側もしくは一方に光学記録層に接して設けられるから、本願補正発明の「相変化光記録膜の少なくとも一方の面に接して形成される膜」に相当する。
　
　本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、
「光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす相変化光記録膜と、前記相変化光記録膜の少なくとも一方の面に接して形成される膜とを有する相変化光記録媒体。」である点で、両者は一致する一方、以下の点で相違する。
　
　ア．本願補正発明の「相変化光記録膜の少なくとも一方の面に接して形成される膜」は「下記一般式HfOx（ここで、1.8≦x≦2.2）で表される組成を有するハフニウム酸化物」を含有するのに対し、引用例１発明の密着層は「Ti，Zr，Hf，Cr，Mo，W，TiO2，ZrO2，HfO2，CrO2，MoO2，WO3，TiC，ZrC，HfC，Cr3C2，WC，TiB2，ZrB2，MoB2，CrB2，TiN，ZrN，HfN，TiS，ZrS，HfS等の材料」からなる点。（相違点１）
　イ．本願補正発明の相変化記録膜は「構成元素の一部がBiおよび／またはSnで置換されており、下記一般式（GewSn(1-w)）x（SbvBi(1-v)）yTez　（ここで、x+y+z=100、0≦w0.5、0≦v0.7）で表される組成である」のに対し、引用例１発明の相変化記録膜は「Sb−Te−Ge、In−Sb−Te、In−Se−Tl等からなる」点。（相違点２）
　
　(3.3) 相違点についての判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　
　ア．相違点１について
　引用例１には、上層及び下層の密着層の材料として、Ti，Zr，Hf，Cr，Mo，W，TiO2，ZrO2，HfO2，CrO2，MoO2，WO3，TiC，ZrC，HfC，Cr3C2，WC，TiB2，ZrB2，MoB2，CrB2，TiN，ZrN，HfN，TiS，ZrS，HfS等の材料が好ましいことが記載されている。（上記ア-3）
　引用例１発明を実施する際、上記の材料を用いて記録媒体を作成し、より好ましいものを選択することは当業者が通常行うことであるから、引用例１に列挙された材料の中からHfO2（本願補正発明の組成式においてｘ＝２に相当する。）を選ぶことは容易である。
　また、ｘの値として２の前後である1.8〜2.2の範囲とすることも、当業者が容易に想到しうる事項にすぎない。
　
　イ．相違点２について
　引用例２には、相変化記録層がGe，Sb，Teを主成分とし、さらにBi，In，Sn，Pbから選択された少なくとも一種の元素を含む相変化光記録媒体が記載されており(上記イ-2、イ-3）、実施例１として、組成がGe0.225Sb0.225Te0.532 Bi0.015 である相変化記録層を有する媒体の例が記載されている。(上記イ-4)
　実施例１の組成は、Ge22.5Sb22.5Bi1.5Te53.2に相当し、本願補正発明の一般式（GewSn(1-w)）x（SbvBi(1-v)）yTezにおいて、x＝22.5、y＝24、z＝53.2、x＋y＋z＝99.7≒100、w＝1、v≒0.94であるものに相当する。
　引用例２の実施例１の相変化記録膜の組成は、本願補正発明における一般式の範囲外であるが、相変化光記録膜の材料を構成する元素の一部がBiで置換されたものである。
　
　一方、引用例１発明は、Sb−Te−Ge系合金等からなる光学記録層と保護層との間に「密着層」を設けることにより、光学記録層が溶融状態になった時、光学記録層が温度勾配にしたがって容易に物質移動を起こしてしまうことを防止するものであって、密着層の材料としてHfO2等を用いるものである（上記ア-3）。
　相変化光記録膜の材料として、Sb−Te−Ge系合金、すなわち、Ge，Sb,
Teを主成分とする記録材料は周知であるから、相変化光記録膜の材料として引用例１発明におけるSb−Te−Ge系合金に代えて引用例２記載のGe，Sb，Teを主成分とする相変化記録材料の構成元素の一部をBiやSn等で置換したものを用いた場合にも、「密着層」による効果が得られることは当業者が容易に推考しうるものである。
　
　また、本願明細書の記載からみて、相変化光記録膜がGe、Sb、Teから構成された実施例Ａ等に比べて、構成する元素の一部がSn及び／又はBiで置換された実施例Ｅ１、Ｅ２の効果が優れているとはいえず、「実施例Ｅ１の媒体は、比較例Ａ１の媒体よりもＣＮＲが若干劣るが実用上問題ない値であり、比較例Ａ１の媒体よりも消去率が優れており実用上問題なかった。」（段落[0095]）と記載されていることからみても、相変化光記録膜を構成する元素の一部をSn及び／又はBiで置換されたものが顕著な効果を奏するということはできない。
　
　さらに、上記各相違点について総合的に検討しても、これらの相違点によって奏される効果は当業者が予測しうる程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明において、上記一般式が相変化光記録膜を構成する元素の一部をSn及び／又はBiで置換されたものを意味するとしても、本願補正発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　以上のとおり、本願補正発明は、出願の際に独立して特許を受けることができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項の規定により準用する同法第１２６条第５項の規定に適合せず、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年８月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１７年５月３０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす相変化光記録膜と、前記相変化光記録膜の少なくとも一方の面に接して形成されたハフニウム酸化物を含有する膜とを有することを特徴とする相変化光記録媒体。」
　
(1)引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．(3.1)」に記載したとおりである。
　
(2)対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「相変化光記録膜」の材料について一般式による限定を省き、ハフニウム酸化物の組成式による限定を省いたものであって、本願発明と引用例１発明との相違点は、本願発明が「ハフニウム酸化物を含有する膜」を有するのに対し、引用例１発明では「Ti，Zr，Hf，Cr，Mo，W，TiO2，ZrO2，HfO2，CrO2，MoO2，WO3，TiC，ZrC，HfC，Cr3C2，WC，TiB2，ZrB2，MoB2，CrB2，TiN，ZrN，HfN，TiS，ZrS，HfS等を含む膜」を有する点である。
　引用例発明１の膜の材料の中からハフニウム酸化物であるHfO2を選ぶことが容易であることは、上記２．(3.3)で相違点１として検討したとおりであるから、同様の理由により、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
(3)むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。