【手続補正書】
【提出日】令和1年6月17日(2019.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物であって、前記ペースト組成物が、
（ａ）６０〜９５重量％の電気導電性金属粉末と、
（ｂ）２〜６重量％のポリイミドポリマーと、
（ｃ）０．１０〜０．３５重量％の有機ケイ素化合物と、
（ｄ）有機溶媒と、
を含み、
前記重量％は前記ペースト組成物の総重量に基づいており、前記電気導電性金属粉末と前記有機ケイ素化合物が前記有機溶媒に分散され、且つ、前記ポリイミドポリマーが前記有機溶媒に溶解され、且つ、前記電気導電性金属粉末の重量の前記ポリイミドポリマーの重量に対する比が１３〜４０である、ポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。
【請求項２】
はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するプロセスであって、
（ｉ）基材を提供する工程と、
（ｉｉ）ペースト組成物を調製する工程であって、
（ａ）６０〜９５重量％の電気導電性金属粉末と、
（ｂ）４〜６重量％のポリイミドポリマーと、
（ｃ）０．１０〜０．３５重量％の有機ケイ素化合物と、
（ｄ）有機溶媒と
を含み、
前記重量％は前記ペースト組成物の総重量に基づいており、前記電気導電性金属粉末と前記有機ケイ素化合物が前記有機溶媒に分散され、且つ、前記ポリイミドポリマーが前記有機溶媒に溶解され、且つ、前記電気導電性金属粉末の重量の前記ポリイミドポリマーの重量に対する比が１３〜４０である、工程と、
（ｉｉｉ）前記ペースト組成物を所望のパターンで前記基材に塗布する工程と、
（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）で塗布された前記ペースト組成物を、３２０〜３８０℃の温度で少なくとも３０分間加熱することにより硬化させて、前記はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成する工程と
を含む、プロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また、いくつかの印刷された試料は、１３０℃で１０分間硬化し、次いで更に３６０℃で５時間硬化して４．６ｍΩ／□／ミルの平均抵抗率を得た。試料は１００％のはんだ濡れを示し、試料において接着不良は観察されなかった。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
［１］はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物であって、前記ペースト組成物が、
（ａ）６０〜９５重量％の電気導電性金属粉末と、
（ｂ）２〜６重量％のポリイミドポリマーと、
（ｃ）０．１０〜０．３５重量％の有機ケイ素化合物と、
（ｄ）有機溶媒と、
を含み、
前記重量％は前記ペースト組成物の総重量に基づいており、前記電気導電性金属粉末と前記有機ケイ素化合物が前記有機溶媒に分散され、且つ、前記ポリイミドポリマーが前記有機溶媒に溶解され、且つ、前記電気導電性金属粉末の重量の前記ポリイミドポリマーの重量に対する比が１３〜４０である、ポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。
［２］前記ペースト組成物が、７５〜９０重量％の電気導電性金属粉末を含む、［１］に記載のポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。
［３］前記電気導電性金属が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ；Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉの合金；Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉのうちの１つで被覆されたＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉの１つ、及びこれらの混合物、例えば、Ａｇ被覆されたＣｕ、Ａｇ被覆されたＮｉなどの金属の別のもので被覆される前記金属からなる群から選択される、［１］に記載のポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。実施形態は、前記のいずれかの混合物を含むことができる。
［４］前記電気導電性金属が、Ａｇ、Ａｇ被覆されたＣｕ、Ａｇ被覆されたＮｉ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、［１］に記載のポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。
［５］前記ポリイミドポリマーが、式Ｉ：
【化１】
2018529802.tif 000001
（式中、Ｘは、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｏ、Ｓ（Ｏ）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ、Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−、又はＣ（ＣＨ3）2、Ｏ、Ｓ（Ｏ）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ、Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−の２つ以上の混合物であり、
Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル（ＴＦＭＢ）、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（２−アミノフェノール）（６Ｆ−ＡＰ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）；２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＡＭ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシフェニル）］プロパン（ＢＡＰＰ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシフェニル））］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３３）、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ビス−Ａ−ＡＦ）、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチル−エチリデン）］、及びビスアニリン（ビスアニリン−Ｍ）からなる群から選択されるジアミン成分、又はジアミン成分の混合物であり、但し、
ｉ．ＸがＯである場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）、及び３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、ＢＡＰＰ、ＡＰＢ−１３３、又はビスアニリン−Ｍでなく、
ｉｉ．ＸがＳ（Ｏ）2である場合、Ｙは、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）でなく、
ｉｉｉ．ＸがＣ（ＣＦ3）2である場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）、又は３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）でなく、且つ、
ｉｖ．ＸがＯ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ又はＯ−Ｐｈ−Ｏ−である場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ＦＤＡ、３，４’−ＯＤＡ、ＤＡＭ、ＢＡＰＰ、ＡＰＢ−１３３、又はビスアニリン−Ｍでない）
によって表される、請求項１に記載のポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。
［６］前記有機ケイ素化合物が、ポリジメチルシロキサン、シルセスキオキサン、及びアルコキシシランからなる群から選択される、［１］に記載のポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物。
［７］［１］に記載のポリイミド系ポリマー厚膜ペースト組成物から形成されたはんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を含む電気デバイス。
［８］はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するプロセスであって、
（ｉ）基材を提供する工程と、
（ｉｉ）ペースト組成物を調製する工程であって、
（ａ）６０〜９５重量％の電気導電性金属粉末と、
（ｂ）４〜６重量％のポリイミドポリマーと、
（ｃ）０．１０〜０．３５重量％の有機ケイ素化合物と、
（ｄ）有機溶媒と
を含み、
前記重量％は前記ペースト組成物の総重量に基づいており、前記電気導電性金属粉末と前記有機ケイ素化合物が前記有機溶媒に分散され、且つ、前記ポリイミドポリマーが前記有機溶媒に溶解され、且つ、前記電気導電性金属粉末の重量の前記ポリイミドポリマーの重量に対する比が１３〜４０である、工程と、
（ｉｉｉ）前記ペースト組成物を所望のパターンで前記基材に塗布する工程と、
（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）で塗布された前記ペースト組成物を、３２０〜３８０℃の温度で少なくとも３０分間加熱することにより硬化させて、前記はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成する工程と
を含む、プロセス。
［９］工程（ｉｉｉ）の後であるが工程（ｉｖ）の前に、工程（ｉｉｉ）において塗布された前記ペースト組成物が、前記有機溶媒を除去するのに十分な温度で加熱することによって乾燥される、［９］に記載のプロセス。
［１０］［８］に記載のプロセスを用いて形成されたはんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を含む電気デバイス。