【事件の表示】
　特願２００３−３８５２６６「光電装置の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１５０３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年１１月１４日の出願であって、原審において平成１８年４月７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年８月３日に手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ．平成１８年８月３日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月３日付の手続補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容  
　平成１８年８月３日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１〜５を以下のように補正するとともに、補正前の段落【００１８】に以下の記載を追加することを含むものである。  
「【請求項１】
　底材を提供する工程、
　該底材の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層を包含する光電層を形成する工程、
　三層構造の第１電極をｎ型半導体層の上に形成し、そのうち、第１層はＮｉ或いはＰｄ、第２層はＧｅ或いはＳｉ或いはＳｅ、第３層はＡｕ或いはＡｇ或いはＰｔ或いはその任意の組合せとする工程、
　三層構造の第２電極をｐ型半導体層の上に形成し、そのうち、第１層はＮｉ或いはＰｄ、第２層はＺｎ或いはＢｅ或いはＭｇ或いはＣｄ、第３層はＡｕ或いはＡｇ或いはＰｔ或いはその任意の組合せとする工程、
　温度が摂氏２５０度より低い環境下で第１電極と第２電極を処理することによりオームコンタクトを形成する工程、
　以上の工程を具えたことを特徴とする、光電装置の形成方法。
　【請求項２】
　請求項１記載の光電装置の形成方法において、オームコンタクトを形成する工程を摂氏２００度より低い温度で実行することを特徴とする、光電装置の形成方法。
　【請求項３】
　請求項１記載の光電装置の形成方法において、オームコンタクトを形成する工程を摂氏１７５度より低い温度で実行することを特徴とする、光電装置の形成方法。
　【請求項４】
　請求項１記載の光電装置の形成方法において、オームコンタクトを形成する工程を摂氏１５０度より低い温度で実行することを特徴とする、光電装置の形成方法。
　【請求項５】
　請求項１記載の光電装置の形成方法において、前記半導体層をＧａＡｓ或いはＧａＰとすることを特徴とする、光電装置の形成方法。
　【請求項６】
　請求項１記載の光電装置の形成方法において、前記第１層の膜厚範囲は５００Å−５μｍ、前記第２層の膜厚範囲は１００Å−５０００Å、前記第３層の膜厚範囲は１０Å−２０００Åとすることを特徴とする、光電装置の形成方法。」
「【００１８】
　・・・（略）・・・。
　以下に数個の実施例を挙げて本発明が達成しうる効果について説明する。
　実施例１：　半導体層はｎ型ＧａＡｓ、Ｄ層はＡｕ、厚さは１２００Å、Ｂ層はＧｅ、厚さは１１００Å、Ａ層はＰｄ、厚さは５００Å、続いて摂氏１７５度で少なくとも５時間処理した後、そのｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙは５×１０−７（Ω−ｃｍ２）であった。
　実施例２：　半導体層はｎ型ＧａＡｓ、Ｄ層はＡｕ、厚さは１２００Å、Ｂ層はＧｅ、厚さは５００Å、Ａ層はＰｄ、厚さは１００Å、続いて摂氏１７５度で少なくと１時間処理した後、そのｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙは１×１０−６（Ω−ｃｍ２）であった。
　実施例３：　半導体層はｎ型ＧａＡｓ、Ｄ層はＡｇ、厚さは１０００Å、Ｂ層はＧｅ、厚さは５００Å、Ａ層はＰｄ、厚さは１００Å、続いて摂氏１７５度で少なくと５時間処理した後、そのｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙは５×１０−６（Ω−ｃｍ２）であった。
　実施例４：　半導体層はｎ型ＧａＡｓ、Ｄ層はＡｕ、厚さは５００Å、Ｂ層はＧｅ、厚さは５００Å、Ａ層はＰｄ、厚さは５０Å、続いて摂氏１５０度で少なくと５時間処理した後、そのｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙは５×１０−６（Ω−ｃｍ２）であった。或いは、摂氏１５０度で少なくとも９時間処理した後、そのｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙは１×１０−６（Ω−ｃｍ２）であった。本発明の実施例に基づき、Ａ層の膜厚範囲は約５００Å−５μｍ、Ｂ層或いはＣ層の膜厚範囲は約１００Å−５０００Å、Ｄ層の膜厚範囲は約１０−２０００Åとされる。」
 　 
２．新規事項
　上記補正は、請求項６を新たに追加するとともに、段落【００１８】に請求項６に関する事項を追加することを含むものである。
　この点について検討する。
　願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面には、第１電極及び第２電極の第１層、第２層及び第３層の膜厚をいくらにするかについては記載がされておらず、また、上記補正事項が願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から自明な事項であるともいえない。
　よって、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
ＩＩＩ．本願について
１．原査定の理由
　一方、原査定の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項１−５に係る発明は、あらゆる光電子層の材料を包含しているが、あらゆる材料に対して２５０℃以下（又は２００℃以下）の温度環境下でオーミックコンタクトを形成することが可能とは通常考えられず、尚かつ、あらゆる材料について実施の方法が発明の詳細な説明に記載がない。
　よって、請求項に係る発明の範囲にまで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとは認められない。」
　
　なお、平成１８年８月３日付の手続補正は上記ＩＩ．のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年３月１７日付手続補正によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたものであるところ、その請求項１は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項１】
　底材を提供する工程、
　該底材の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層を包含する光電層を形成する工程、
　三層構造の第１導電素子をｎ型半導体層の上に形成し、そのうち、第１層はＮｉ或いはＰｄ、第２層はＧｅ或いはＳｉ或いはＳｅ、第３層はＡｕ或いはＡｇ或いはＰｔ或いはその任意の組合せとする工程、
　三層構造の第２導電素子をｐ型半導体層の上に形成し、そのうち、第１層はＮｉ或いはＰｄ、第２層はＺｎ或いはＢｅ或いはＭｇ或いはＣｄ、第３層はＡｕ或いはＡｇ或いはＰｔ或いはその任意の組合せとする工程、
　温度が摂氏２５０度より低い環境下で第１導電素子と第２導電素子を処理することによりオームコンタクトを形成する工程、
　以上の工程を具えたことを特徴とする、光電装置の形成方法。」
　
２．当審の判断
　本願請求項１には、温度が摂氏２５０度より低い環境下で第１導電素子と第２導電素子を処理するに際し、ｎ型半導体層とｐ型半導体層として具体的にどのような材料を用いるかについて特定されていないところ、これらがどのような材料であっても第１導電素子及び第２導電素子との間でオーミックコンタクトを形成できることを裏付けるだけの具体的かつ十分な実施例又は理論的根拠が明細書中に示されてはおらず、請求項１に係る発明の範囲まで発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できる、ということはできない。
　なお、平成１８年３月１７日付手続補正によって補正された明細書の請求項５、段落【００１８】等には、半導体層としてＧａＡｓ或いはＧａＰを用いることが記載されているが、当該事項は、本願出願当初の明細書又は図面に記載されていたものではなく、また、それらの記載からみて自明な事項であるともいえないから、いわゆる新規事項に該当する。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり審決する。