【事件の表示】
　平成１１年特許願第　５３０２０号「磁気センサ、その製造方法及び磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月１４日出願公開、特開２０００−２５１２２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１１年３月１日の出願であって、平成１８月８月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年９月２７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、願書に添付した特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】支持基板上に第１の磁性層を形成する工程と、
　純度９９．９９９％以上のアルミニウムターゲットをスパッタリングして、前記第１の磁性層の上に、酸化アルミニウムからなるトンネル絶縁層を形成する工程と、
　前記トンネル絶縁層の上に、第２の磁性層を形成する工程と
を有する磁気センサの製造方法。」
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由で引用された特開平１１−５４８１４号公報（平成１１年２月２６日出願公開。以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「【請求項１】
第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合素子の製造方法において
導電層を成膜した後
該導電層表面を
酸化してトンネルバリア層を形成する工程を含む
強磁性トンネル接合素子の製造方法
【請求項２】第１の強磁性層、トンネルバリア層、第２の強磁性層を真空中で連続形成することを特徴とする請求項１記載の強磁性トンネル接合素子の製造方法。
【請求項５】
前記導電層は、Ａｌであること
　（イ）「【０００２】
【従来の技術】強磁性トンネル接合素子は、二つの強磁性層の間に数ｎｍ厚の薄い絶縁体からなるトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ。この素子では、強磁性層間に一定の電流を流した状態で強磁性層面内に外部磁界を印加すると、両磁性層の磁化の相対角度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果現象が現れる。この磁化の向きが平行である場合には抵抗値は最小となり、反平行である場合には抵抗値が最大となる。したがって、両磁性層に保磁力差を付与することによって、磁界の強さに応じて磁化の平行及び反平行状態を実現できるため、
抵抗値の変化による磁界検出
【０００３】近年、トンネルバリア層にＡｌの表面酸化膜を用いることによって、２０％近い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子が得られるようになったことから、磁気ヘッドや磁気メモリへの応用の可能性が高まってきた。（略）」
　（ウ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】強磁性トンネル接合素子を磁気ヘッドや磁気メモリ等のデバイスに適用するには、熱雑音の影響を低減する為に実用素子寸法である程度低い抵抗値が必要であるが、従来のトンネルバリア形成法ではその実現が困難であった。また、高密度化に対応した磁気ヘッドへの応用では、信号出力電圧の大きさが鍵を握るが、従来技術では素子特性を損なうことなく十分な電流密度が得られないという課題もあった。さらに、従来技術ではウェハ内やロット間の素子特性のばらつきが大きく、実用に供するだけの十分な製造歩留まりを得ることは難しかった。
【０００７】これらの課題は、主に従来の
トンネルバリア層の形成方法に起因する
不純物ガスによってトンネルバリア層が汚染され接合品質が劣化するという問題
大気中の粉塵でトンネルバリア層にピンホールを生じたり、水分、炭素酸化物、窒素酸化物等の汚染を受けること
【０００８】本発明の目的は、このような従来技術の課題を解決し、実用に必要な抵抗値及び信号出力電圧特性を備え、製造歩留まりを改善した強磁性トンネル接合素子の製造方法を提供することにある。」
　（エ）「【００１１】本発明においては、真空中に酸素を導入し、導電層表面を自然酸化してトンネルバリア層を形成するので、
不純物ガスの影響を受けない清浄な雰囲気で熱平衡状態を保ったまま酸化層の成長が可能であり、高品質のトンネルバリア層を制御性良く形成する
　（オ）「【００１４】強磁性層１１、１４に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ又はそれら元素を含む合金を用いた場合には、導電層１２として強磁性層よりも小さな表面自由エネルギーの値を持つ
Ａｌ
トンネルバリア層となるＡｌ
２
Ｏ
３
　（カ）「【００２０】まず、図３（ａ）に示すように、表面を熱酸化したＳｉ
基板３１上に
第１の強磁性層
Ａｌ層からなる導電層３４を連続してスパッタ蒸着した
この成膜には、
ターゲット４基を備えた高周波マグネトロンスパッタ装置を用いた
Ａｌ導電層３４表面を酸化してトンネルバリア層３５を形成した
第２の強磁性層３６をスパッタ蒸着し
　（キ）「【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、不純物ガスの影響を受けない清浄な雰囲気で熱平衡状態を保ったまま酸化層の成長が可能なので、高品質のトンネルバリア層を制御性良く形成することができる。また、酸素圧力や基板温度の制御等によって磁気ヘッドや磁気メモリなどのデバイス応用に必要な低抵抗値及び高電流密度の素子を容易に得ることができる。さらに、ウエハ内の素子特性の均一性やロット間の再現性に優れた素子を製造できる。」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（ア）（カ）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合素子の製造方法において、導電層を成膜した後、該導電層表面を酸化してトンネルバリア層を形成する工程を含む、強磁性トンネル接合素子の製造方法であって、
　基板上に第１の強磁性層、Ａｌ層からなる導電層を、スパッタ蒸着し、この成膜には、ターゲットを備えた高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、
　Ａｌ導電層表面を酸化してトンネルバリア層を形成した後、第２の強磁性層を形成する、方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「強磁性トンネル接合素子」は、「抵抗値の変化による磁界検出」（上記（イ）参照）を行うので、本願発明の「磁気センサ」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第１の強磁性磁性層」「第２の強磁性磁性層」「トンネルバリア層」は、それぞれ本願発明の「第１の磁性層」「第２の磁性層」「トンネル絶縁層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「基板」「スパッタ蒸着」は、それぞれ本願発明の「支持基板」「スパッタリング」に相当している。
　引用例１に記載された発明は、「基板上に第１の強磁性層、Ａｌ層からなる導電層をスパッタ蒸着」するので、本願発明の「支持基板上に第１の磁性層を形成する工程」に相当する工程を備えている。
　引用例１に記載された発明の「導電層を成膜した後、該導電層表面を酸化してトンネルバリア層を形成する工程」は、「Ａｌ層からなる導電層を、スパッタ蒸着し、この成膜には、ターゲットを備えた高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｌ導電層表面を酸化してトンネルバリア層を形成」する工程であり、トンネルバリア層は「Ａｌ２Ｏ３」（上記（オ）参照）であるので、本願発明の「アルミニウムターゲットをスパッタリングして、前記第１の磁性層の上に、酸化アルミニウムからなるトンネル絶縁層を形成する工程」に相当している。
　
　そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「支持基板上に第１の磁性層を形成する工程と、
　アルミニウムターゲットをスパッタリングして、前記第１の磁性層の上に、酸化アルミニウムからなるトンネル絶縁層を形成する工程と、
　前記トンネル絶縁層の上に、第２の磁性層を形成する工程と
を有する磁気センサの製造方法。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
（相違点）　「アルミニウムターゲット」について、本願発明では、「純度９９．９９９％以上」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
　引用例１には、強磁性トンネル接合素子を磁気ヘッドなどのデバイスに適用するにあたっては、信号出力電圧や素子特性のばらつきの課題があり、これらの課題は主にトンネルバリア層の形成方法に起因すると記載されている（上記（ウ）参照）。そして、トンネルバリア層の形成方法において、不純物ガスによりトンネルバリア層が汚染され接合品質が劣化する問題や、大気中の粉塵でトンネルバリア層にピンホールが生じたり、水分、炭素酸化物、窒素酸化物等の汚染を受けることによる問題が記載されている（上記（ウ）参照）。また、引用例１には、不純物ガスの影響を受けない清浄な雰囲気で熱平衡状態を保ったまま酸化層の成長が可能であり、高品質のトンネルバリア層を制御性良く形成することができると記載されている（上記（エ）参照）。これらの記載によれば、引用例１には、トンネルバリア層である酸化アルミニウムが、酸素以外の不純物ガスにより汚染される問題が明記されているとともに、酸化アルミニウムとして高品質であることが望ましいことが示されている。よって、引用例１の記載に接した当業者であれば、酸化アルミニウムとしてアルミニウム以外の金属等の不純物を極力排除すべきであることが理解できるから、アルミニウムの層の原材料となるアルミニウムターゲットとして、不純物のより少ない純度の高いものを用いることは、当業者であれば適宜なし得ることである。
　ところで、純度９９．９９９％以上のアルミニウムターゲットは周知であり、例えば、特開平４−９９２６９号公報（公報２頁右上欄１７行〜１９行「本発明のスパッタリングターゲットは、純度９９．９９重量％以上、好ましくは、９９．９９９重量％以上の高純度アルミニウムより成る。」）、特開平６−１２８７３４号公報（段落１１「ターゲット材として・・・高純度アルミニウム（＞９９．９９９％）」）、特開平１０−４６３２７号公報（段落１０「通常、ターゲット材としてのアルミニウムは９９．９９％以上、より好ましくは９９．９９９％以上の純度を有するものが使用される。」）にも記載されているとおりである。
　そうすると、引用例１に記載された発明において、アルミニウムターゲットを「純度９９．９９９％以上」と特定することは当業者が適宜なし得ることであって、また、不純物を排除したことに基づく効果以上の効果を奏するものでもない。
　
　よって、上記相違点を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。