【手続補正書】
【提出日】平成31年1月11日(2019.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シェル（４）を形成するためのツーリング（２００Ａ）において、
前記ツーリング（２００Ａ）は、
上側加圧スリーブ（２１８）を含む上側ツールアセンブリ（２０２）であって、前記上側加圧スリーブ（２１８）は、圧力集中成形面（６００）を規定する下側端部（２２７）を含んでいる、上側ツールアセンブリ（２０２）と、
前記上側ツールアセンブリ（２０２）と協働する下側ツールアセンブリ（２０４）であって、それらの間に配置された材料を、センターパネル（６）と、周方向チャック壁（１２）と、前記センターパネル（６）と前記周方向チャック壁（１２）の間にある環状カウンターシンク（１０）と、前記周方向チャック壁（１２）から径方向外側に延びるカール（１６）とを含むように成形する下側ツールアセンブリ（２０４）と、
を備えており、
前記上側ツールアセンブリ（２０２）が前記下側ツールアセンブリ（２０４）から離間している分離された第１の配置と、前記シェル（４）の少なくとも１つの所定の部分の材料を前記シェル（４）の少なくとも１つの他の部分に対して選択的に引き伸ばして、対応する薄肉部をもたらすために、前記上側ツールアセンブリ（２０２）が前記下側ツールアセンブリ（２０４）に直接隣接する成形配置との間で、前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が移動する、ツーリング。
【請求項２】
前記圧力集中成形面（６００）は、減少したクランプ領域を含む、請求項１に記載のツーリング。
【請求項３】
前記圧力集中成形面（６００）は、縮小したクランプ領域を含む、請求項２に記載のツーリング。
【請求項４】
前記圧力集中成形面（６００）は、複数のランディング部（６１０）を含む、請求項２に記載のツーリング。
【請求項５】
前記圧力集中成形面の複数のランディング部（６１０）は、２つ乃至５つの実質的に同心状のランディング部（６１０Ａ−６１０Ｅ）を含む、請求項４に記載のツーリング。
【請求項６】
前記下側ツールアセンブリ（２０４）は、ダイコアリング（２５０）を含んでおり、
前記ダイコアリング（２５０）は上側端部（２５２）を含んでおり、前記ダイコアリングの上側端部（２５２）は、前記上側加圧スリーブの下側端部（２２７）に対向して配置されており、
前記ダイコアリングの上側端部（２５２）は、内側のテーパー状の面（２５４）と、丸みのある内側表面（２５６）と、略水平な面（２５７）と、丸みのある外側表面（２５８）とを含んでおり、
前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が前記成形配置にある場合、前記圧力集中成形面（６００）は、前記ダイコアリングの略水平な面（２５７）のみに対向して配置される、請求項２に記載のツーリング。
【請求項７】
前記上側ツールアセンブリ（２０２）は、上側ダイシュー（２０６）、ライザ本体（２１４）、及びハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）を含んでおり、
前記ライザ本体（２１４）は、前記上側ダイシュー（２０６）に結合して、圧力チャンバ（５１６）を規定しており、
前記上側加圧スリーブ（２１８）は、前記ライザ本体の圧力チャンバ（５１６）内に移動可能に配置されており、
前記上側加圧スリーブの下側端部（２２７）が前記上側ダイシュー（２０６）からより離間している、伸長した第１の位置と、前記上側加圧スリーブの下側端部（２２７）が、前記上側ダイシュー（２０６）により近づいている、格納された第２の位置との間で、前記上側加圧スリーブ（２１８）は移動可能であり、
前記ハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）は、前記上側加圧スリーブ（２１８）に動作可能に結合しており、
前記ハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）は、前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が前記第１の配置と前記成形配置の間で移動する際に、前記上側加圧スリーブ（２１８）の動きを制御する、請求項１に記載のツーリング。
【請求項８】
前記ハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）は、圧力生成アセンブリ（５１０）と、機械的バイアスアセンブリ（５５０）と、幾つかのハイブリッド構成要素（５７０）とを含む、請求項７に記載のツーリング。
【請求項９】
前記ハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）は、アクティブハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５０２）である、請求項７に記載のツーリング。
【請求項１０】
前記圧力生成アセンブリ（５１０）は、前記圧力チャンバ（５１６）を加圧するように構成されており、
前記機械的バイアスアセンブリ（５５０）は、幾つかのばね（５５２）を含んでいる、請求項８に記載のツーリング。
【請求項１１】
前記幾つかのばね（５５２）は、前記圧力チャンバ（５１６）内に配置される、請求項１０に記載のツーリング。
【請求項１２】
前記圧力生成アセンブリ（５１０）は、前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が前記分離された第１の配置と前記成形配置の間で移動する際に、前記圧力チャンバ（５１６）をほぼ一定の圧力で加圧するように構成されている、請求項１０に記載のツーリング。
【請求項１３】
前記ハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）は、前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が前記分離された第１の配置と前記成形配置の間で移動する際に総バイアス力を生成し、
前記圧力生成アセンブリ（５１０）は、前記総バイアス力の約２０％乃至３０％を生成し、
前記機械的バイアスアセンブリ（５５０）は、前記総バイアス力の約７０％乃至８０％を生成する、請求項１０に記載のツーリング。
【請求項１４】
前記圧力生成アセンブリ（５１０）は、前記総バイアス力の約２５％を生成し、前記機械的バイアスアセンブリ（５５０）は、前記総バイアス力の約７５％を生成する、請求項１３に記載のツーリング。
【請求項１５】
前記ハイブリッドバイアス生成アセンブリ（５００）は、前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が、前記分離された第１の配置と前記成形配置との間で移動する際に総バイアス力を生成し、
前記総バイアス力は、前記上側加圧スリーブ（２１８）を介して前記圧力集中成形面（６００）に伝達され、
前記圧力集中成形面（６００）は、ワークピースにクランプ力を加えるように構成されており、
前記クランプ力に対する前記総バイアス力の比は、約２０：１乃至４０：１の間である、請求項１０に記載のツーリング。
【請求項１６】
前記クランプ力に対する前記総バイアス力の比は、約３０：１である、請求項１５に記載のツーリング。
【請求項１７】
前記上側ツールアセンブリ（２０２）は、前記上側ツールアセンブリ（２０２）及び前記下側ツールアセンブリ（２０４）が前記第１の配置と前記成形配置の間を移動する際に総バイアス力を生成し、
前記総バイアス力は、前記上側加圧スリーブ（２１８）を介して前記圧力集中成形面（６００）に伝達され、
前記圧力集中成形面（６００）は、ワークピースにクランプ力を加えるように構成されており、
前記クランプ力に対する前記総バイアス力の比は、約２０：１乃至４０：１である、請求項１に記載のツーリング。
【請求項１８】
前記クランプ力に対する前記総バイアス力の比は、約３０：１である、請求項１７に記載のツーリング。
【請求項１９】
シェル（４）を形成する方法であって、
ツーリング（２００Ａ）の間に材料を導入する工程（１０００）と、
前記ツーリング（２００Ａ）内で総バイアス力を生成する工程（１００２）と、
上側ツールアセンブリ（２０２）と下側ツールアセンブリ（２０４）の間で前記材料をクランプする工程であって、クランプ力に対する前記総バイアス力の比が約２０：１乃至４０：１である、工程（１００４）と、
センターパネル（６）と、周方向チャック壁（１２）と、前記センターパネル（６）と前記周方向チャック壁（１２）の間のカウンターシンク（１０）と、前記周方向チャック壁（１２）から径方向外向きに延びるカール（１６）とを含むように前記材料を成形する工程（１００６）と、
前記シェル（４）の少なくとも１つの所定の部分を前記シェル（４）の少なくとも１つの他の部分に対して選択的に引き伸ばして、前記シェル（４）の対応する薄肉部をもたらす工程（１００８）と、
を含む方法。
【請求項２０】
前記上側ツールアセンブリ（２０２）と前記下側ツールアセンブリ（２０４）の間で前記材料をクランプする工程では、前記クランプ力に対する前記総バイアス力の比が約３０：１である、請求項１９に記載の方法。