【事件の表示】
　特願２００１−２４１５５５「半導体発光装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２８日出願公開、特開２００３−　６０２７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年８月９日の出願であって、平成１８年１１月１日に手続補正がなされ、同年１２月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年２月７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年２月１６日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年２月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１９年２月１６日付けの手続補正を却下する。
　
[理由]
（１）補正の内容  
 　上記平成１９年２月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、次のように補正することを含むものである。
「【請求項１】
　基板上に半導体レーザチップと半導体レーザチップからの光出力をモニターする受光素子とを有し、半導体レーザチップと受光素子とを積載した半導体発光装置において、
　前記半導体レーザチップは、窒化物系半導体基板と窒化物系半導体の積層体を有し、
　前記半導体レーザチップの全表面積（Ａ）と、半導体レーザチップの受光素子と向き合う面のレーザ光放射端面面積（Ｂ）の比をΓとしたとき、Γ（Ｂ／Ａ）≦０．１５とし、　
　前記半導体レーザチップの光出力と前記受光素子のモニター電流が比例関係を示すように構成したことを特徴とする半導体発光装置。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「半導体レーザチップ」及び「受光素子」の位置関係について、「前記半導体レーザチップの光出力と前記受光素子のモニター電流が比例関係を示すように構成した」との限定を付加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。
　
（２）記載不備
　本願補正発明は「半導体レーザチップの光出力と前記受光素子のモニター電流が比例関係を示すように構成したこと」を発明特定事項として包含しているが、以下に示すとおり、本願明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）の記載並びに本願出願時の技術常識を参酌しても、当該「比例関係を示すよう」な具体的な構成を当業者が想起することができないから、本願補正発明は明確でない。
　
　ア．本願明細書等の記載
　「比例関係を示すよう」な構成がどのようなものであるかについて、本願明細書等の記載を検討するに、半導体レーザチップの光出力と受光素子のモニター電流が比例関係からずれる原因、及びその解決手段に関して、本願明細書等には、図面とともに以下の記載がある。（合議体注：以下では、文字入力の便宜上マルの中に１（又は２）を記載した記号を、「マル１（又は２）」と表記している。下線は当審で付した。）
　
　（ア）「【０００８】レーザチップは、レーザ光と自然放出光を出射するため、ＰＤはレーザ光のみならず自然放出光も受光することになる。・・・このレーザチップが実際に出している光出力と、ＰＤのモニター電流がＧａＡｓ系半導体レーザのようにリニアな関係にあれば、光出力の制御が最も容易であり理想的である。
しかし、ＧａＮ基板を用いたＧａＮ系半導体レーザは、図６に示すように直線は２つの傾きを持つことになり、レーザチップの光出力（レーザ光＋自然放出光）とＰＤのモニター電流とが比例しなくなり、正確にレーザチップが出すレーザ光の出力をモニターできなくなるという問題が生じた。」
　
　（イ）「【００２２】実際に動作させたところ、
ＧａＮ基板を用いた窒化物系レーザ素子は、従来からある、ＧａＮ系のレーザ素子、またサファイア基板を用いたＧａＮ系レーザ素子に比べてもＰＤで受光する自然放出光の量が多いことがわかった。
図３に示すように、ＧａＮ基板側に伝播した自然放出光は、基板裏面で反射してレーザチップ３０２上部から外部に放出されるもの（光路マル１）と基板裏面で反射してレーザチップ３０２の端面（側面）から外部に放出されるもの（光路マル２）がある。光路マル２で外部に放出される光のうちＰＤ３０１と対向するレーザ端面から放出された光はＰＤに直接入射して受光されてしまう。この光路による自然放出光がＰＤ３０１に直接入射してしまうために、レーザチップの光出力（レーザ光＋自然放出光）とＰＤのモニター電流のずれが非常に大きくなってしまうことがわかった。
【００２３】上記の課題を解決するために、光路マル２の光出力を減らすことが重要になる。
本実施の形態では、光路の光出力を低減するために、レーザチップの全表面積：Ａと前記レーザチップの前記受光素子と向き合うレーザ光放射端面面積：Ｂの比Γ（Γ＝Ｂ／Ａ）が、０．１５以下とする事で、レーザチップのＰＤ対向端面の面積を減らし、これまで端面からＰＤに向け射出されていた光（光路マル２）をレーザ素子上部から（光路マル１）取り出すことが可能であることを見出した。
【００２４】実施の結果を図４に示す。図４はレーザ発振直前のレーザ素子端面から出る自然放出光の光出力をレーザチップの全表面積：Ａと、前記レーザチップの前記受光素子と向きあうレーザ光放射端面面積：7Ｂの比Γ（Γ＝Ｂ／Ａ）を変化させてプロットしたものである。ＰＤの受光面と対向する側の端面間の距離は５００μｍの場合である。図４に示すようにレーザ素子端面から出る自然放出光の光出力は≦０．１５の時減少し、Γ＞０．１５では、自然放出光の光出力は飽和することがわかった。これは、レーザ素子端面の面積が減少したために、光路で出てきた光が光路に移りレーザ素子上部から外部に放出されたためである。
【００２５】
本実施の形態で示した方法で作製されたレーザ素子では、図８に示すように、レーザチップの光出力（レーザ光＋自然放出光）とＰＤのモニター電流のずれは、ほとんど見られなくな良好な比例関係を示した。
【００２６】本実施の形態ではＰＤの受光面とレーザ素子のＰＤ受光面と対向する側の端面間の距離は５００μｍとした。しかし、図９に示すようにＰＤとＬＤの距離の違いにより、ＰＤが受光する自然放出光の量が変化する。また、ＰＤの受光面積にも依存して自然放出光の量が変化するが、通常ＰＤの受光面積は２００μｍから１ｍｍ角程度であり、この範囲であれば以下のに述べるＰＤとＬＤの距離と自然放出光の量の関係はほぼ変化しないことを確認している。ＰＤのチップ形状、受光部の形状は正方形、もしくは長方形であってもなんら問題はない。図９では、レーザチップの基板厚は１００μｍである。
図９からわかるようにＰＤとＬＤとの距離が５００μｍより近くなるとＰＤが受光する自然放出光の量が増大する。このため、ＰＤとＬＤの距離は５００μｍ以上離す必要がある
ＰＤとＬＤの距離が２０００μｍを超えると、レーザチップからでるレーザ光（誘導放出光）自体が広がってしまい、ＰＤのＳＮを下げてしまうため好ましくない。この時、レーザチップのＰＤ側の端面から出射されるレーザ光出力の３０％以上が入射されていれば問題ない。
このため、ＰＤに入射するレーザ光出力がＰＤ側のレーザチップ端面から出射されたレーザ光出力の３０％以下になると、指向性の強い誘導放出光が大幅に減少して、自然放出光の割合が増加してしまい、ＰＤがレーザチップから出射される光出力を正確にモニターできなくなってしまい問題となる。
　
　イ．本願明細書等から把握される事項
　上記アの（ア）ないし（イ）（特に下線部参照。）によれば、次のことが把握できる。
　（ア）レーザチップの出力の正確な制御を困難にするレーザチップの光出力（レーザ光＋自然放出光）とＰＤのモニター電流の比例関係からのずれの原因は、レーザ素子から外部に放出される光のうちＰＤと対向するレーザ端面から放出された光のうちの自然放出光が前記受光素子に直接入射してしまうことであるから、上記比例関係からのずれを小さくするためには、図３の光路マル２の光出力を減らすことが重要であること。　
　
　（イ）光路マル２の光出力を減らす手段として以下のものが開示されている。
　　ａ．レーザチップの全表面積：Ａと前記レーザチップのＰＤと向き合うレーザ光放射端面面積：Ｂの比Γ（Γ＝Ｂ／Ａ）を０．１５以下とすること。
　　ｂ．ＰＤの受光面とレーザ素子のＰＤ受光面と対向する側の端面間の距離を５００μｍ以上離すこと。
　　ｃ．ＰＤの受光面とレーザ素子のＰＤ受光面と対向する側の端面間の距離を２０００μｍを超えないようにして、レーザ光出力の３０％以上がＰＤに入射するようにすること。　
　
　ウ．判断
　上記イ（ア）によれば、図８に示されるような理想的な比例関係を実現するためには、結局、レーザチップからの自然放出光がＰＤに入射しないことが必要であると解される。しかるに、上記イ（イ）のａ．〜ｃ．の光路マル２の光出力を減らす手段を採用することにより、自然放出光がＰＤへ入射しないようにできることが当業者に理解し得るような合理的な説明は本願明細書等に存在せず、また、上記比例関係を実現した具体的な数値を伴った実施例についても開示がないから、本願補正発明の「半導体レーザチップの光出力と前記受光素子のモニター電流が比例関係を示すよう」な「構成」が具体的にどのようなものであるのかが、本願明細書等の記載及び本願出願時の技術常識を参酌しても明確でない。
　
　よって、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　エ．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１１月１日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のものである。
「【請求項１】
　基板上に半導体レーザチップと半導体レーザチップからの光出力をモニターする受光素子とを有し、半導体レーザチップと受光素子とを積載した半導体発光装置において、
　前記半導体レーザチップは、窒化物系半導体基板と窒化物系半導体の積層体を有し、
　前記半導体レーザチップの全表面積（Ａ）と、半導体レーザチップの受光素子と向き合う面のレーザ光放射端面面積（Ｂ）の比をΓとしたとき、Γ（Ｂ／Ａ）≦０．１５であることを特徴とする半導体発光装置。」
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、平成１３年６月２９日に頒布された刊行物である特開２００１−１７６８２３号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア．「【０１８２】（実施の形態１５）本実施の形態では、窒化物半導体レ−ザ素子を用いて、該素子の端面形成とチップ分割について説明する。まず、ｎ型ＧａＮ基板６００の製造方法について説明する。
【０１８３】図８は、種基板１０、ｎ型ＧａＮ基板６００から構成されていて、ｎ型ＧａＮ基板６００は、低温バッファ層１５、ｎ型ＧａＮ膜２０、誘電体膜３０、塩素ド−ピングされたｎ型ＧａＮ厚膜４０から構成されている。
・・・中略・・・
【０１８７】上記製造方法によってｎ型ＧａＮ厚膜４０を形成後、ウエハーをＨＶＰＥ装置から取り出し、研磨機で前記種基板１０を剥ぎ取り、ｎ型ＧａＮ基板６００を作製した。ｎ型ＧａＮ基板６００は、低温バッファ層１５を含んでいても良いし、含んでいなくとも良い。同様に、ｎ型ＧａＮ基板６００は、誘電体膜３０を含んでいても良いし、含んでいなくとも良い。また、窒化物半導体レ−ザ素子構造を作製後に、該種基板を削除してもよい。
・・・中略・・・
【０１９１】次に、上記ｎ型ＧａＮ基板６００を用いて、窒化物半導体レ−ザ素子の製造方法について説明する。
【０１９２】図９は、窒化物半導体レ−ザ構造を示しており、ｎ型ＧａＮ基板６００、ｎ型ＧａＮバッファ層６０１、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３、活性層６０４、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎキャリアブロック層６０５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８から構成されている。
【０１９３】次に、ＭＯＣＶＤ装置に、前記ｎ型ＧａＮ基板６００をセットし、１０５０℃の成長温度でｎ型ＧａＮバッファ層６０１を１μｍ形成した。このｎ型ＧａＮバッファ層６０１は、種基板１０からｎ型ＧａＮ基板６００を剥ぎ取るときに生じた、ｎ型ＧａＮ基板６００の表面歪みの緩和、表面モフォロジ−や表面凹凸の改善（平坦化）を目的に設けた層であり、無くても構わない。しかしながら、ｎ型ＧａＮ厚膜４０に塩素をド−ピングしている場合は、表面モフォロジ−が悪化する傾向にあるため、本実施の形態のようにｎ型ＧａＮバッファ層６０１を設けた方が好ましい。また、ｎ型ＧａＮバッファ層６０１は、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＮバッファ層（０＜ｘ≦０．３）であっても良い。
【０１９４】次に、１μmの厚さのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０２を成長する。さらに、厚さ０．１μmのｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３を成長する。ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３成長後、基板の温度を７００℃〜８００℃程度に下げ、複数の、厚さ４ｎｍのＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層と厚さ１０ｎｍのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁層より構成される活性層６０４（多重量子井戸構造。本実施の形態の活性層は、３周期の障壁層と井戸層を形成し、その後、障壁層を成長している。）を成長する。その際、Ｓｉをド−ピングしてもよいし、ド−ピングしなくてもよい。次に、基板温度を再び１０５０℃まで昇温して、２０ｎｍの厚みのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるキャリアブロック層６０５を成長する。この際、Ｍｇをド−ピングしても良いし、ド−ピングしなくても良い。また、該キャリアブロック層がなくても特に大きな支障は生じない。
【０１９５】その後、Ｍｇをド−ピングしながら０．１μmの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６を成長する。更に、Ｍｇをド−ピングしながら０．５μmの厚さのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラッド層６０７を成長する。最後に、Ｍｇをド−ピングしながら０．１μmの厚みのｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層６０８を成長した。」
　
　イ．「【０２０１】以下に、上記窒化物半導体レ−ザ素子を形成したウエハーのチップ分割について図１０〜図１２を説明する。ここで、結晶成長側とは、基板側に対する反対側を指すものとする。
【０２０２】まず、
上記ウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して、塩素ド−ピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし
【０２０３】次に、前記ウエハーの結晶成長面をリソグラフィ−技術でマスク処理し、反応性イオンエッチング装置にセットする。ドライエッチングによって、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７をｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６の手前まで掘り下げて、リッジストライプ構造を形成して（リッジ部６２０）、屈折率導波型レ−ザダイオ−ドを作製する。このとき、第Ａ１の割り溝６１２が＜１−１００＞方向に沿って同時に形成される。リッジのストライプ方向は、窒化物半導体の＜１−１００＞方向に形成した（図１２(ａ)）。
【０２０４】次に、ＳｉＯ2絶縁膜６０９を蒸着し、リッジ部６２０のｐ型ＧａＮコンタクト層６０８の最表面を露出させ、該露出部分（２μｍ幅）を被覆するように、Ｐｄ（１０ｎｍ）／Ｍｏ（１０ｎｍ）／Ａｕ（１５０ｎｍ）を順に蒸着させてｐ型電極６１０をリソグラフィ−技術でパタ−ン形成する。前記ｐ型電極６１０を形成した後、微量の酸素を導入しながら、４５０℃のＮ2雰囲気中でアニ−ルを行った。このことにより、ｐ型電極形成によるコンタクト抵抗の低抵抗化が得られた。
【０２０５】次に、実施の形態２と同様に、結晶成長側の面に、反応性イオンエッチング法を用いて、割り溝の底部が窒化物半導体膜とＧａＮ基板の界面位置よりも下方にくるように、深さ８μｍ、線幅１０μｍ、ピッチ５１０μｍの第Ａ２の割り溝６１４を形成した（図１２(ａ)）。前記第Ａ２の割り溝は、リッジストライプ方向と垂直方向の＜１１−２０＞方向に沿って形成する。
【０２０６】続いて、ウエハーを裏返しにして、ＧａＮ基板側に、Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）によるｎ型電極６１１を、リソグラフィ−技術でパタ−ン形成する。パタ−ン形成するのは、ＧａＮ基板側から第Ａ１の割り溝６１２と、第Ａ２の割り溝６１４の形成位置を確認するためである。
【０２０７】次に、結晶成長側の面に粘着シ−トを貼付し、スクライバ−のテ−ブル上にＧａＮ基板側を上にして張り付け、真空チャックで固定する。固定後、スクライバ−のダイヤモンド針で第Ａ１の割り溝６１２の線幅のほぼ中央が一致するように、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ３００μｍの条件で、＜１−１００＞方向に一回スクライブし、第Ｂ１の割り溝６１３を形成する（図１２(ｂ)）。続いて、第Ｂ１の割り溝６１３と垂直方向（＜１１−２０＞方向）に、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ５１０μｍの条件で、一回スクライブし、第Ｂ２の割り溝６１５を形成する（図１２(ｂ)）。
【０２０８】スクライブ後、真空チャックを解放し、ウエハーをテ−ブルから外し取り、ブレ−キング装置で軽くＧａＮ基板側から第Ｂ２の割り溝６１５に沿ってチップ分割し、エッチングによるレ−ザ素子のミラ−端面を得る（図１０）。続いて、第Ｂ１の割り溝６１３の方向に沿って上記同様に、チップ分割を行う（図１１）。
【０２０９】このようにして、２インチφのウエハーからレ−ザ素子チップを多数得た。チップのミラ−端面や切断面にクラック、チッピング等が発生しておらず、外形不良の無い物を取り出した所、歩留まりは９５％以上であった。」
　
　以上アないしイによれば、引用例には、
「ｎ型ＧａＮ基板６００（１００μｍ）から順に、
ｎ型ＧａＮバッファ層６０１（１μｍ）、
ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０２（１μｍ）、
ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３（０．１μｍ）、
３周期の障壁層（０．０１μｍ）と井戸層（０．００４μｍ）を形成し、その後障壁層を成長してなる活性層６０４（０．０５２μｍ）、
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎキャリアブロック層６０５（０．０２μｍ）、
ｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６（０．１μｍ）、
ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７（０．５μｍ）、及び、
ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８（０．１μｍ）
が積層された窒化物半導体チップにおいて、
　該窒化物半導体チップは、窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーを以下のようにチップ分割することによって製造される窒化物半導体チップ。
　
　まず、前記ウエハーの結晶成長面をリソグラフィ−技術でマスク処理し、ドライエッチングによって、前記ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７を前記ｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６の手前まで掘り下げて、リッジストライプ構造を形成し、第Ａ１の割り溝６１２が＜１−１００＞方向に沿って同時に形成され、リッジのストライプ方向は、窒化物半導体の＜１−１００＞方向となる。
　次に、結晶成長側の面に、反応性イオンエッチング法を用いて、割り溝の底部が窒化物半導体膜と前記ＧａＮ基板６００の界面位置よりも下方にくるように、深さ８μｍ、線幅１０μｍ、ピッチ５１０μｍの第Ａ２の割り溝６１４を形成する。このとき、前記第Ａ２の割り溝６１４は、リッジストライプ方向と垂直方向の＜１１−２０＞方向に沿って形成する。
　次に、スクライバ−のテ−ブル上に前記ＧａＮ基板６００側を上にして貼り付け、固定後、スクライバ−のダイヤモンド針で第Ａ１の割り溝６１２の線幅のほぼ中央が一致するように、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ３００μｍの条件で、＜１−１００＞方向に一回スクライブし、第Ｂ１の割り溝６１３を形成する。
　続いて、第Ｂ１の割り溝６１３と垂直方向（＜１１−２０＞方向）に、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ５１０μｍの条件で、一回スクライブし、第Ｂ２の割り溝６１５を形成し、そのスクライブ後、真空チャックを解放し、ウエハーをテ−ブルから外し取り、ブレ−キング装置で軽く前記ＧａＮ基板６００側から第Ｂ２の割り溝６１５に沿ってチップ分割し、エッチングによるレ−ザ素子のミラ−端面を得る。
　続いて、第Ｂ１の割り溝６１３の方向に沿ってチップ分割を行う。」の発明（以下「引用発明」という。但し、上記窒化物半導体チップの積層構造における各層の括弧内の数字は各層の厚さを示す。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。  
　
　ア．引用発明の「窒化物半導体チップ」は「窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーをチップ分割することによって製造される」ものであるから、本願発明の「半導体レーザチップ」に相当する。
　
　イ．引用発明の「ｎ型ＧａＮ基板６００」及び「『ｎ型ＧａＮ基板６００（１００μｍ）、ｎ型ＧａＮバッファ層６０１（１μｍ）、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０２（１μｍ）、ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３（０．１μｍ）、３周期の障壁層（０．０１μｍ）と井戸層（０．００４μｍ）を形成し、その後障壁層を成長してなる活性層６０４（０．０５２μｍ）、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎキャリアブロック層６０５（０．０２μｍ）、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６（０．１μｍ）、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７（０．５μｍ）、ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８（０．１μｍ）』が積層された構造」が、それぞれ本願発明の「窒化物系半導体基板」及び「窒化物系半導体の積層体」に相当する。
　
　ウ．次に、両発明の半導体レーザチップの寸法を対比する。
　（ア）引用発明の窒化物半導体チップは引用例の図１０〜図１２に記載のものであるから、その光放射端面、及びリッジストライプ方向に平行な端面の形状は、それぞれ以下の【図１】及び【図２】に示すとおりである。
　
【図１】
　
【図２】
　なお、上記【図１】及び【図２】は、それぞれ引用例の図１０及び図１１に寸法表示のための引き出し線及びμｍ単位の寸法を当審で付記したものであり、各寸法の算出根拠は以下のとおりである。
　
　　ａ．窒化物半導体チップのリッジストライプ方向の寸法Ｌ（【図２】参照。）は、割り溝６１４のピッチ５１０μｍから割り溝６１４の線幅１０μｍを差し引いた値であるから、Ｌ＝５００μｍとなる。
　
　　ｂ．窒化物半導体チップのリッジストライプに垂直な方向の寸法Ｗ（【図１】参照。）は、割り溝６１２のピッチであるから、Ｗ＝３００μｍとなる。
　
　　ｃ．窒化物半導体チップのＧａＮ基板６００下面からｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６上面までの距離Ｄ１、及びＧａＮ基板６００下面からｐ型ＧａＮコンタクト層６０８上面までの距離Ｄ２は、各面間に位置する各層の厚さの総和で与えられるから、それぞれＤ１＝１０２．２７２μｍ、及びＤ２＝１０２．８７２μｍとなる。
　
　（イ）まず、引用発明の窒化物半導体チップの全表面積をＡ１、光放射端面の面積をＢ１とし、Ｂ１／Ａ１をΓ１としたとき、これらがそれぞれ本願発明の「半導体レーザチップの全表面積（Ａ）」、「半導体レーザチップの・・・レーザ光放射端面面積（Ｂ）」及び「Γ（Ｂ／Ａ）」に相当することは明らかである。
　次に、引用発明の「Γ１」が、本願発明の「Γ（Ｂ／Ａ）≦０．１５」との事項を備えているか否かを検討するに当たり、まず、本願発明の「半導体レーザチップの全表面積（Ａ）」及び「半導体レーザチップの・・・レーザ光放射端面面積（Ｂ）」が、半導体レーザチップのどの部分の面積を意味したものであるのかを明らかにする必要があるところ、本願明細書の【００１２】及び【００１７】の記載を参酌すれば、本願発明の前記「面積」は、半導体レーザチップのｎ型及びｐ型電極を除外した、窒化物半導体系基板及び窒化物系半導体の積層体を対象にしたものであることが理解できる。
　
　そうすると、引用発明の「Ａ１」及び「Ｂ１」の大きさに関して次のことがいえる。
　
　　ａ．Ｂ１について
　【図１】から、Ｂ１は、Ｄ２×Ｗで計算される面積（以下「Ｂ２」という。）より小さいこと、すなわち、
Ｂ１＜Ｂ２＝Ｄ２×Ｗ
　
　　ｂ．Ａ１について
　Ａ１は、光放射端面の面積Ｂ１×２、リッジストライプ方向に平行な端面の面積（以下「Ｃ」という。）×２、リッジストライプ構造の表面積を含む上面の面積（以下「Ｅ」という。）×１、及び底面の面積（以下「Ｆ」という。）×１の総和で与えられるところ、Ｂ１＞Ｗ×Ｄ１（【図１】参照。）、Ｃ＞Ｌ×Ｄ１（【図２】参照。）、Ｅ＞Ｌ×Ｗ及びＦ＞Ｌ×Ｗであることは当業者に自明であるから、Ａ１は少なくとも２×（Ｗ×Ｄ１＋Ｌ×Ｄ１＋Ｌ×Ｗ）で計算される面積（以下「Ａ２」という。）より大きいこと、すなわち、
Ａ１＝２×（Ｂ１＋Ｃ）＋Ｅ＋Ｆ＞Ａ２＝２×（Ｗ×Ｄ１＋Ｌ×Ｄ１＋Ｌ×Ｗ）
　
　　ｃ．以上ａないしｂによれば、
Γ１＝Ｂ１／Ａ１＜Ｂ２／Ａ２
 　
　（ウ）上記（イ）のａないしｂの下線部の式を用いて、（イ）のｃの下線部の式に、上記（ア）のＷ、Ｌ、Ｄ１及びＤ２の値を代入して計算すると、Γ１＜Ｂ２／Ａ２＝３０８６１．６／４６３６３５．２＝０．０６６５６４＜０．１５となるから、引用発明は、本願発明の「Γ（Ｂ／Ａ）≦０．１５」との事項を備えているといえる。
　
　以上ア〜ウによれば、本願発明と引用発明とは、半導体レーザチップにつき、
「窒化物系半導体基板と窒化物系半導体の積層体を有し、
　半導体レーザチップの全表面積（Ａ）と、半導体レーザチップのレーザ光放射端面面積（Ｂ）の比をΓとしたとき、Γ（Ｂ／Ａ）≦０．１５である」点で一致し、次の点で相違する。　
　
［相違点］
　本願発明が、「基板上に半導体レーザチップと半導体レーザチップからの光出力をモニターする受光素子とを有し、前記半導体レーザチップのレーザ光放射端面が前記受光素子と向き合う面である、半導体レーザチップと受光素子とを積載した半導体発光装置」であるのに対して、引用発明は、このような構成を備えた半導体発光装置ではない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　「基板上に半導体レーザチップと半導体レーザチップからの光出力をモニターする受光素子とを有し、前記半導体レーザチップの光出射端面が前記受光素子と向き合う面である、半導体レーザチップと受光素子とを積載した半導体発光装置」は、本願出願前に周知（例えば、特開平８−１８１５１号公報（【００５９】及び図７参照。）、特開昭６３−２００５９０号公報（２頁左上欄８行〜１１行及び第２図参照。）及び特開２００１−２０３４１９号公報（【０００２】及び図１、【００１８】及び図５等参照。））であるから、引用発明に上記周知技術を採用して、相違点に係る構成を備えた半導体発光装置となすことは当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明の効果は、引用発明及び上記周知技術から予測し得るものにすぎない。
　
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。