【事件の表示】
　特願２００３−３７８２２２「ＭＥＭＳの基板レベルの真空実装方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１０日出願公開、特開２００４−１６０６４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１５年１１月７日（パリ条約による優先権主張２００２年１１月８日、大韓民国）の特許出願であって、同１７年９月２６日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１７年１２月２６日に意見書の提出とともに明細書について手続補正がされたが、同１８年３月１６日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１８年６月２０日に本件審判の請求がされるとともに明細書について再度手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするとともにそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前の請求項１
「蓋体に形成されたキャビティにゲッターを付着するステップと、
　真空室の内部に半導体基板と前記蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップと、
　設定された真空度に応じて不活性ガスを前記真空室の内部に注入するステップと、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップとを含み、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップは、前記不活性ガスが注入されてから、所定の時間が経過した後に行われることを特徴とするマイクロ電子機械システムの基板レベルの真空実装方法。」
　
（２）補正後の請求項１
「蓋体に形成されたキャビティにゲッターを付着するステップと、
　真空室の内部
で、前記半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ保持する保持手段と、前記半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ搬送するための搬送手段と、を用いて、
　設定された真空度に応じて不活性ガスを前記真空室の内部に注入するステップと、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップとを含み、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップは、前記不活性ガスが注入されてから、
前記真空室の真空度が安定するのに要する
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、半導体基板と蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップについて「半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ保持する保持手段と、前記半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ搬送するための搬送手段と、を用いて」という限定を付加するとともに、蓋体と半導体基板とを接合するステップにおける所定の時間について「真空室の真空度が安定するのに要する」という限定を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、以下のとおりのものであると認められる。
「蓋体に形成されたキャビティにゲッターを付着するステップと、
　真空室の内部で、半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ保持する保持手段と、前記半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ搬送するための搬送手段と、を用いて、前記半導体基板と前記蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップと、
　設定された真空度に応じて不活性ガスを前記真空室の内部に注入するステップと、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップとを含み、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップは、前記不活性ガスが注入されてから、前記真空室の真空度が安定するのに要する所定の時間が経過した後に行われることを特徴とするマイクロ電子機械システムの基板レベルの真空実装方法。」
　なお、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１の第２行には「真空室の内部で、前記半導体基板・・・」と、また、第３行から第４行にかけては「・・・を用いて、半導体基板・・・」と記載されているが、第２行以前には「半導体基板」は記載されておらず、「前記」は誤記と認められるから、第２行目の「半導体基板」については「前記」を削除し、第３行から第４行の「半導体基板」については「前記」を付加して上記のように認定した。
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張日前の平成１４年（２００２年）１０月３０日に特許出願された外国語書面出願であって本件出願後に出願公開がされた特願２００２−３１５６１７号（特開２００３−２１１３９９号公報参照。以下「先願」という。）の外国語書面の記載内容を参照公報を援用して示すと以下のとおりである。   
　
ア　先願の外国語書面に記載された事項
　先願の外国語書面には、「マイクロメカニカルデバイスおよびその製造方法」に関連して以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【請求項１】　マイクロメカニカル構成要素をその中に有する内部キャビティを備えた多層のマイクロメカニカルデバイスを製造するための方法であって、
第１の材料の層からマイクロメカニカル構成要素を形成するステップと、
前記第１の材料の少なくとも一方の表面上にシール層を設けて、キャビティを形成するステップと、
前記キャビティ内にゲッタ材料を設けるステップと、
前記キャビティ内部の圧力を調整するために不活性ガスを供給しながら、陽極接合によって前記第１の材料を前記シール層にシールするステップとを含む方法。」
　
（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振加速度計や超精密加工されたジャイロスコープなどの、多層のマイクロメカニカルデバイスの分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】潜在的な問題を避けるために、このようなデバイスの物理的特性を調整できることが望ましい。たとえば、このようなデバイスが高い品質（Ｑ）因子を有することがしばしば必要とされる。しかし、極めて高いＱ因子を有する共振器は、望ましくないモードを共振させることがある、外的な振動および衝撃を受ける場合がある。デバイスのキャビティを形成しているパッケージングの内部の圧力を制御することによって、調整を行うことができる。この圧力を減少させるために、デバイスは、真空中でまたは低圧で、個別にパッケージされ、シールされる。しかし、個々のセンサの真空パッケージングは、コストのかかるプロセスであり、そのため、大量で低コストな生産には適していない。」
　
（ウ）「【００１１】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、その中で本発明の方法が実施されるところの接合チャンバは、排出口２に取り付けられたポンプ（図示せず）および圧力ゲージ３の使用によって、制御された低圧力または真空に保持されている。チャンバ１の内部に、製造されるべきデバイスの構成要素が配置される。この例では、デバイスは共振タイプの加速度計またはジャイロスコープである。
【００１２】接合チャンバ１の内部の構成要素は、第１および第２の包囲層４を備える。これらの層は、ガラス、シリコン、またはガラスでスパッタされたシリコンから形成されていてもよい。包囲層４の一方の表面上には、プロセスの最終製品のための検出回路を提供する金属層５が形成される。もう一方の包囲層４上には、チタニウムまたはその他の適切なゲッタ材料から形成された、１つまたは複数のゲッタ構成要素６が形成される。２つの包囲層４の間には、その上にデバイス構成要素８を作成するために機械加工された、シリコン層７が配置される。
【００１３】公知の陽極接合技術によって、包囲層４をシリコンデバイス層７にシールすることにより、完全なデバイス９（図２）を形成することができる。これらの技術は、構成要素を３５０〜４５０℃の範囲の温度にまで加熱すること、および適切な電荷を加えてシールを行うことを含む。このプロセス中、高温のために包囲層４から酸素が解放され、電荷が加えられる。従来技術の方法では、この酸素は、キャビティ１１内へ解放されることになり、シール中、制御された圧力に影響を与える。しかし、本発明では、このようにして生成された酸素を吸収するゲッタ構成要素６が設けられている。いったん構成要素４、７のシールが完成されたあと、形成されたキャビティ１１内部の圧力の正確な制御を提供するために、本発明の方法はまた、アルゴンなどの不活性ガスを取入口１０を介して接合チャンバ１内に供給することが可能である。この最終結果は（図２に示すように）、調整された圧力で不活性ガスがその中にシールされた、最終デバイス９内のキャビティ１１である。デバイス８を作成するために、この圧力を認識し、そして、シリコン層７の機械加工を注意深く制御することによって、精密で、しかも、製造方法によって信頼性をもって繰り返し可能な予め決定されたＱ因子を有するデバイスが得られる。」
　
（エ）「【００１６】図４は、ベース全体が単体のシリコン層またはＳＯＩ層７から形成され、その後、上側のガラスのシール層４に陽極接合されて、前の実施例のものと同様の圧力パラメータを有するキャビティ１１を設ける、他の例のデバイスの側面図を示している。」
　
（オ）【図４】の記載によれば、シール層、すなわち、包囲層４に形成されたキャビティにゲッタ構成要素６が付着していることが看取できる。また、【図１】の記載によれば、接合チャンバ１の内部で、シリコン層７と包囲層４とが互いに向かい合うように整列していることが看取できる。
　
イ　先願の外国語書面に記載された発明
　そこで、先願の外国語書面に記載された事項を技術常識を考慮しながら本願補正発明に照らして整理すると、先願の外国語書面には、下記の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。    
「包囲層４に形成されたキャビティにゲッタ構成要素６を付着するステップと、
　接合チャンバ１の内部で、シリコン層７と包囲層４とを互いに向かい合うように整列するステップと、
　キャビティ内部の圧力を調整するために不活性ガスを前記接合チャンバ１の内部に注入するステップと、
　前記包囲層４と前記シリコン層７とを接合するステップとを含むマイクロメカニカルデバイスの製造方法。」
　
（３）対比
　本願補正発明と先願発明とを対比すると以下のとおりである。
　先願発明の「包囲層４」は本願補正発明の「蓋体」に相当し、以下同様に、「ゲッタ構成要素６」は「ゲッター」に、「接合チャンバ１」は「真空室」に、「シリコン層７」は「半導体基板」に、それぞれ相当することが明らかである。
　また、先願発明において、不活性ガスはキャビティ内部の圧力を調整するために供給されるから、設定された真空度に応じて不活性ガスを前記真空室の内部に注入するということができる。
　さらに、先願発明は、「マイクロメカニカルデバイスの製造方法」として表現されているが、本願補正発明と同様「マイクロ電子機械システムの基板レベルの真空実装方法」としても表現できるものである。
　したがって、本願補正発明と先願発明とは、以下の点で一致しているということができる。
「蓋体に形成されたキャビティにゲッターを付着するステップと、
　真空室の内部で、半導体基板と前記蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップと、
　設定された真空度に応じて不活性ガスを前記真空室の内部に注入するステップと、
　前記蓋体と前記半導体基板とを接合するステップとを含むマイクロ電子機械システムの基板レベルの真空実装方法。」である点。
　そして、本願補正発明と先願発明とは、以下の２点で一応相違している。
［相違点１］
　真空室の内部で、半導体基板と蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップにおいて、本願補正発明では、半導体基板及び蓋体をそれぞれ保持する保持手段と、半導体基板及び蓋体をそれぞれ搬送するための搬送手段と、を用いているのに対して、先願発明では、そのような手段を用いているのかどうか明らかでない点。
［相違点２］
　蓋体と半導体基板とを接合するステップが、本願補正発明では、不活性ガスが注入されてから、真空室の真空度が安定するのに要する所定の時間が経過した後に行われるのに対して、先願発明では、そのようにしているのかどうか明らかでない点。
　
（４）相違点についての検討
ア　相違点１について
　先願の外国語書面には、半導体基板と蓋体との具体的な整列方法については記載されていないものの、所定の作業を機械化することはごく一般的な事項であり、真空室の内部で、半導体基板と蓋体とを互いに向かい合うように整列するためには、半導体基板及び蓋体をそれぞれ保持し、搬送する必要があることは自明の事項である。
　そうしてみると、先願発明においても真空室の内部で、半導体基板と蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップを実施するに当たって、保持手段及び搬送手段を用いているとみるのが相当であり、相違点１については、本願補正発明と先願発明との間に実質的な差異はない。
　
イ　相違点２について
　上記（２）アで摘記したように、先願の外国語書面には、ポンプや圧力ゲージの使用によって装置内を制御された低圧力または真空に保持することが記載されており（段落【００１１】、【００１３】等参照。）、また、先願発明において信頼性をもって繰り返し可能な予め決定されたＱ因子、すなわち、高い品質を有するデバイスを得るためには、真空室内の圧力を一定にし真空度を安定させて接合を行うことが当然必要となる。
　そして、真空室内に不活性ガスを注入し始めた直後においては、真空室内の真空度が変動することは明らかであり、当該真空度が安定した状態となるためには、注入された不活性ガスが真空室内に拡散する時間やポンプや圧力ゲージの使用によって真空室内の圧力を調整する時間等所定の時間が必要なことは自明の事項である。
　そうしてみると、先願発明においても蓋体と半導体基板とを接合するステップは、不活性ガスが注入されてから、真空室の真空度が安定するのに要する所定の時間が経過した後に行われるとみるのが相当であり、相違点２についても本願補正発明と先願発明との間に実質的な差異はない。
　
　したがって、本願補正発明は、先願発明と同一であり、しかも、先願発明をした者が本願補正発明の発明者と同一の者ではなく、また、本件出願の時にその出願人と先願の出願人とが同一の者でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。         　
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１７年１２月２６日付手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「マイクロ電子機械システムの基板レベルの真空実装方法」である。
　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された先願の外国語書面の記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本願発明は、上記第２の２で検討した本願補正発明から、半導体基板と蓋体とを互いに向かい合うように整列するステップについて「半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ保持する保持手段と、前記半導体基板及び前記蓋体をそれぞれ搬送するための搬送手段と、を用いて」という限定を、また、蓋体と半導体基板とを接合するステップにおける所定の時間について「真空室の真空度が安定するのに要する」という限定をそれぞれ削除したものである。
　そうすると、本願発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の限定を付加したものに相当する本願補正発明が上記第２の２（４）で示したとおり、先願発明と同一であるから、本願発明も当然先願発明に包含されることになる。
　そして、先願発明をした者が本願発明の発明者と同一の者ではなく、また、本件出願の時にその出願人と先願の出願人とが同一の者でもない。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。