【事件の表示】
　平成１０年特許願第１０７６８９号「プロセスモニタ方法、プロセス装置、及び研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　５日出願公開、特開平１１−３０７６０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１０年４月１７日の出願であって、原審において平成１６年１１月１８日付で拒絶理由がなされ、これに対し、平成１７年１月２４日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１７年８月５日付で最後の拒絶理由通知がなされ、これに対し、平成１７年１０月１１日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１８年７月２０日付で平成１７年１０月１１日付手続補正書でした補正の却下がなされるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年８月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１８年９月２９日付で手続補正書が提出されたものである。
　
II．平成１８年９月２９日付の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年９月２９日付の手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜１１のうち、請求項１１は次のように補正された。
「【請求項１１】　溝を有する絶縁膜上に形成されたメタルの表面である被処理基体の研磨面を、ＣＭＰ装置を用いて所望の形状に研磨し、前記溝の外のメタル残りの存在を確認するために、前記被処理基体を前記ＣＭＰ装置に格納した状態で、前記研磨面の形状を、その２次元画像を、前記溝を有する絶縁膜及び前記メタルを含んで取得することにより測定し、
　前記測定の結果、前記メタル残りが存在すれば、前記ＣＭＰ装置を用いて前記研磨面を再研磨し、前記メタル残りが存在しなければ、前記被処理基体の研磨を終了することを特徴とする研磨方法。」
　
　そこで、上記補正を検討すると、補正後の請求項１１は、補正前の請求項１１の、取得される「前記研磨面の形状を、その２次元画像を取得することにより測定」する構成について、「その２次元画像」を「前記溝を有する絶縁膜及び前記メタルを含んで」取得する事項で限定し、更に、補正前の請求項１１の「測定の結果」の後の処理について、「前記メタル残りが存在しなければ、前記被処理基体の研磨を終了する」という事項で限定するものであるから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１１に係る発明（以下、「本願補正発明１１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平９−２９８１７５号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平９−２９２２０７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
  
（１）刊行物１（特開平９−２９８１７５号公報）
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面から該膜層の膜厚よりも十分長い位置に基準面を設定し、光源手段から可干渉性距離の異なる第１，第２光束を該膜層と該基準面に照射し、該第１光束に基づく各面からの反射光束と該第２光束に基づく各面からの反射光束とを検出手段で個別に検出して該膜層の表面情報を求め該検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又は停止を制御していることを特徴とする研磨方法。
【請求項２】  前記膜層の表面情報は該膜層の表面形状と膜厚分布であることを特徴とする請求項１の研磨方法。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの製造工程等において、誘電体層等を積層したウエハ等基板の表面を化学的機械的に研磨して平坦化する際の研磨方法及びそれを用いた研磨装置に関し、例えばシリコン基板上に塗布した絶縁膜層（膜層）の研磨工程の研磨終了点を精度良く検出して、絶縁膜層の膜厚を所定範囲にするとともに絶縁膜層の表面形状の平坦化加工を効率的に行なうことによって高集積度の半導体デバイスを得るリソグラフィー工程において好適なものである。」
　
（１ｃ）「【００２２】
【発明の実施の形態】図１，図２は各々本発明の実施形態１の要部概略図である。図１，図２において１は化学的機械的な研磨装置である。図１では被加工物１０１の表面を研磨した後に研磨装置１の載置部分１０１ａをＸ方向に移動させて点線で示すモニターユニットアレイ１０２の位置に設定する様子を示している。
【００２３】図２は被加工物１０１の表面情報（表面形状と膜厚分布）を固定のモニターユニットアレイ（検出手段）１０２で検出し、該モニターユニットアレイ１０２での検出結果に基づいて制御手段１０３で被加工物１０１の研磨工程の終了点又は続行するか否かを制御する場合を示している。
・・・
【００２９】次いでモニターユニットアレイ１０２によりシリコン基板６上の絶縁膜層５の複数位置での膜厚と表面形状を被加工物１０１を回転させながら同時に測定している。
【００３０】これによって絶縁膜層５の広い面積にわたっての膜厚情報を効率的に検出している。又被加工物１０１の回転とともに被加工物１０１をＹ方向にシフトさせている。このときのシフト量は各センサー間の非測定領域が新たに測定できる程度の量となるようにしている。これによってセンサーによる非測定領域が少なくなるようにしている。
【００３１】モニターユニットアレイ１０２からの出力信号に基づいて制御手段１０３により絶縁膜層５全体の表面形状及び膜厚分布等の表面状態を求めている。このとき制御手段１０３は絶縁膜層５の表面上の凹凸や段差等の表面形状と膜厚分布の双方が予め設定した範囲内にあるか否かを判定部で判断している。そして双方が予め設定した範囲内にあるときは研磨の終了点であると判断して研磨工程を停止する。又そうでないときは載置部分１０１ａを元の位置に戻して再度研磨工程を続行するように制御している。」
　
（１ｄ）「【００３４】図３（Ａ），（Ｂ）は各々本実施形態のモニターユニットアレイ１０２の要部斜視図であり、図３（Ｂ）は同図（Ａ）を底面側から見たときの様子を示している。モニターユニットアレイ１０２は複数のセンサー１０２ａ１，１０２ａ２，‥‥１０２ａｎを一次元方向に配列した構成より成っている。
【００３５】このうち１つのセンサーユニットは図４に示すようにシリコン基板６上の絶縁膜層５の膜厚を測定する膜厚測定手段８と絶縁膜層５の表面形状を求める為に基準面から研磨加工面（絶縁膜層５）までの距離を測定する距離測定手段９とを有している。」
　
（１ｅ）「【００６０】尚、本実施形態において基板保持具７側の載置部分１０１ａを固定とし、センサーユニットアレイ１０２をｘ方向に可動としても良い。そして所定の研磨時間経過後に部分研磨工具４をｚ軸方向に移動させて部分研磨工具４が移動したことによって形成された空間内の被加工物１０１面上にセンサーユニットアレイ１０２を移動させて、これによって被加工物１０１の複数位置で表面状態を求めても、実施形態１と同様の効果が得られる。」
　
（１ｆ）「【００６９】以上は絶縁膜について説明しましたが、半導体プロセスでの化学的機械的研磨の応用としてコンタクトやビアホールでのタングステン成膜後、或は配線成膜後等の研磨においても金属膜の薄層での膜厚分布，表面形状，更には金属膜が除去され、絶縁膜での膜厚分布、表面形状測定による研磨方法及び研磨装置にも適用可能である。」
　
（２）刊行物２（特開平９−２９２２０７号公報）
（２ａ）「【０００３】しかして、従来の膜厚検査装置では、分光測光を応用した光学式のものが主流であり、光学顕微鏡に分光器を取り付け、標本面からの反射光の分光特性を測定することで、レジストの膜厚を測定するようにしている。
・・・
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような膜厚検査装置によると、標本４上での膜厚測定は、一回に一つのポイントの測定しかできないため、広い面積を有する標本４面について測定を行い膜厚分布を得ようとすると多大の時間がかかり実用的でなくなるという問題点があった。
【０００７】このことは、近年、ＩＣウェハは、８インチから１２インチへと移行し、また、液晶パネルに用いられるガラス基板についても３２０×４００ｍｍから５５０×６５０ｍｍに移行する傾向とともに、ますます広い面積の膜厚分布の情報も簡単に得られる膜厚検査装置の出現が望まれている。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、広い面積の膜厚分布の情報を簡単に得られる膜厚検査装置を提供することを目的とする。」
　
（２ｂ）「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に従い説明する。
（第１の実施の形態）図１は、第１の実施の形態の膜厚検査装置の概略構成を示している。図において、２１は白色光源で、この白色光源２１には、干渉光源としてハロゲンランプなどを用いている。
【００１２】そして、この白色光源２１の前面に、フィルタ回転ユニット２２を配置している。・・・そして、回転円板２２１の回転操作により所望の干渉フィルター２２３を光源２１の光路上に選択的に位置させることで、各干渉フィルター２２３に応じた複数の単色光を取り出し可能にしている。
・・・
【００１５】そして、このフロスト２４からの拡散光をハーフミラー２５で反射してコリメートレンズ２６に導き、ここで、平行光に変換して、被検査対象であるレジストなどを塗布した基板２７面を均一な光として一括照射するようにしている。
【００１６】この場合、基板２７上に照射された光は、基板表面に塗布された薄膜の上面と下面で反射し、膜厚に依存した干渉像を形成する。この干渉像は、コリメートレンズ２６、ハーフミラー２５を通し、さらにズームレンズ２８を通してＣＣＤカメラ２９に結像するようにしている。このＣＣＤカメラ２９には、解像度の優れたモノクロカメラが用いられている。
【００１７】ＣＣＤカメラ２９には、カメラコントローラ３０を接続し、さらに、カメラコントローラ３０に画像処理装置３１を接続している。画像処理装置３１は、干渉フィルタ２２３ごとにＣＣＤカメラ２９に結像される各干渉画像を蓄積するとともに、膜厚の分光特性を求め、さらに、この分光特性から膜厚に応じたＲＧＢのカラー信号生成して出力するようにしている。
【００１８】そして、この画像処理装置３１からのカラー信号を表示部３２に与え、基板２７面の膜厚に応じた疑似カラー映像を表示するようにしている。なお、３３は、パソコン３３で、画像処理装置３１からの画像信号を取り込むとともに、所定の処理を行うもので、この処理結果をモニタ３４に表示するようにもしている。」
　
３．対比・判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１ｆ）の「・・・コンタクトやビアホールでのタングステン成膜後、或は配線成膜後等の研磨においても金属膜の薄層での膜厚分布，表面形状，更には金属膜が除去され、絶縁膜での膜厚分布、表面形状測定による研磨方法・・・にも適用可能である。」という記載から、絶縁膜上に金属膜が形成された構造を被処理基体とし、該金属膜からの表面を研磨面として研磨する方法にも適用できることがわかるし、その際の金属膜及び絶縁膜の表面形状を測定しているといえるし、その金属膜が、タングステン成膜、或いは配線成膜によるもので、コンタクトやビヤホールを埋めるものであって、該金属膜が形成される前に、該コンタクトや該ビアホールが存在するものであるから、該絶縁膜がコンタクトやビアホールを有していると理解できる。
　また、上記摘記事項（１ｄ）の段落【００３４】の「モニターユニットアレイ１０２は複数のセンサー１０２ａ１，１０２ａ２，‥‥１０２ａｎを一次元方向に配列した構成より成っている。」という記載から、モニターユニットアレイは情報を一次元方向に検出しており、上記摘記事項（１ｃ）の段落【００２９】の「・・・モニターユニットアレイ１０２によりシリコン基板６上の絶縁膜層５の複数位置での膜厚と表面形状を被加工物１０１を回転させながら同時に測定している。」という記載、及び段落【００３０】の「これによって絶縁膜層５の広い面積にわたっての膜厚情報を効率的に検出している。」という記載から、モニターユニットアレイ１０２は、基板上の膜層の表面形状を、その表面情報を一次元方向に検出することにより測定していることが理解できる。
　それから、上記摘記事項（１ｅ）の「尚、本実施形態において基板保持具７側の載置部分１０１ａを固定とし、センサーユニットアレイ１０２をｘ方向に可動としても良い。」という記載から、上記摘記事項（１ｃ）段落【００２２】の「研磨装置１の載置部分１０１ａ」を固定した状態で、つまり、載置部分１０に載置された被処理基体を研磨装置に格納した状態で、表面形状を測定できることが理解できる。
　
　よって、上記摘記事項（１ｆ）、（１ｅ）を中心として、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）を総合すると、刊行物には、
「コンタクトやビヤホールを有する絶縁膜上に形成された金属膜の表面である被処理基体の研磨面を、研磨装置を用いて化学的機械的研磨し、該被処理基体を研磨装置に格納した状態で、該研磨面の表面形状を、その情報を、該絶縁膜及び該金属膜を含んで、一次元方向に検出することにより測定し、
　該検出結果に基づいて、予め設定した範囲内にあるときは研磨の終了点であると判断して研磨工程を停止し、そうでないときは再度研磨工程を続行する、研磨方法。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願補正発明１１と刊行物１発明とを対比する。
(i)刊行物１発明の「コンタクトやビヤホール」、「金属膜」、「該研磨面の表面形状」は、本願補正発明１１の「溝」、「メタル」、「前記研磨面の形状」にそれぞれ相当する。
(ii)刊行物１発明の「研磨装置」は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を行うものであるから、本願補正発明１１の「ＣＭＰ装置」に相当するし、刊行物１発明における「（研磨装置を用いて）化学的機械的研磨」することは、上記摘記事項（１ｆ）から所望のコンタクト形状や配線形状を形成するためのものであるから、本願補正発明１１の「（ＣＭＰ装置を用いて）所望の形状に研磨する」ことに相当するといえる。
(iii)２次元画像が表面形状を示す表面情報のひとつといえるから、刊行物１発明の「（該研磨面の表面形状を）、その情報を・・・一次元方向に検出することにより測定」することと、本願補正発明１１の「（前記研磨面の形状を）、その２次元画像を・・・取得することにより測定」することは、研磨面の形状を、その表面情報を取得することにより測定するしているという点で共通しているといえる。
　また、刊行物１発明１の「前記検出結果」は、本願補正発明１１の「前記測定の結果」に相当する。
(iv)刊行物１発明の「研磨工程を停止」すること、及び「再度研磨工程を続行する」は、本願補正発明１１の「前記被処理基体の研磨を終了」すること、及び「前記ＣＭＰ装置を用いて前記研磨面を再研磨」することに、それぞれ相当する。
　よって、両者は、
「溝を有する絶縁膜上に形成されたメタルの表面である被処理基体の研磨面を、ＣＭＰ装置を用いて所望の形状に研磨し、前記被処理基体を前記ＣＭＰ装置に格納した状態で、前記研磨面の形状を、その表面情報を、前記溝を有する絶縁膜及び前記メタルを含んで取得することにより測定し、
　前記測定の結果、ある条件を満たせば、前記ＣＭＰ装置を用いて前記研磨面を再研磨し、そうでなければ、前記被処理基体の研磨を終了する、研磨方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：研磨面の形状を測定するために取得する表面情報が、本願補正発明１１では、２次元画像であるのに対し、刊行物１発明では、一次元方向に検出した情報である点。
　
　相違点２：測定の結果、再研磨するか、研磨を終了するかの条件が、本願補正発明１１では、溝の外のメタル残りの存在を確認して、前記メタル残りの存在により、再研磨するか、終了するか、であるのに対し、刊行物１発明では、このことについての記載がない点。
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
［相違点１について］
　刊行物２には、上記摘記事項（２ａ）段落【０００７】の「・・・広い面積の膜厚分布の情報を簡単に得られる・・・」という記載、上記摘記事項（２ｂ）段落【００１７】の「ＣＣＤカメラ２９には、カメラコントローラ３０を接続し、さらに、カメラコントローラ３０に画像処理装置３１を接続している。」という記載、及び段落【００１８】の「この画像処理装置３１からのカラー信号を表示部３２に与え、基板２７面の膜厚に応じた疑似カラー映像を表示するようにしている。」という記載から、広い面積の膜厚分布の情報を得るために、２次元ＣＣＤであるＣＣＤカメラにより、画像や映像、すなわち、２次元画像を取得することが示されている。
　また、研磨面の形状を測定するために、２次元ＣＣＤであるＣＣＤカメラにより２次元画像を取得することは、例えば、次の特許文献に記載されているように、常套的に行われていることであり、刊行物１発明において、研磨面の形状を測定するために取得する表面情報を、より広い面積の情報を得ることができる、刊行物２に記載の２次元画像にすることは、当業者ならば容易に想到しうることである。
　
周知例１：特開平７−３１１０１９号公報
（特に、段落【００１６】、【００１９】、【００２０】、図２、図３、図８参照。）
　
周知例２：特開平６−２５２１１３号公報
（特に、段落【００１５】、【００４０】、図１〜３参照。）
　
［相違点２について］
　ＣＭＰ装置を用いて、基板上の絶縁膜に形成した溝内部にメタルを埋め込んで配線・電極を形成する、いわゆる埋込配線技術において、溝の外のメタル残りの存在を確認し、該メタル残りが発生しないところまで研磨することは、例えば、次の特許文献に記載されているように、本願出願前に周知である。
　
周知例３：特開平８−３３９９８２号公報
（周３ａ）「【００１７】図４に示すように、この実施例では、スチール盤の９箇所に赤外線センサ５０を取り付ける。配線溝４外に配線用金属膜７が残っているのにポリッシング終点機構がポリッシング終点を検出したり、オーバーポリッシングになってポリッシング終点を検出することがないように赤外線センサ５０の設置位置及び設置数を適正に決めなければならない。・・・また、赤外線センサ５０は、配線溝４に対向しないようにランダムに配置し、半導体ウェーハに形成される電極パッド、キャパシタ、電源ラインなどの金属膜が形成されないフィールド領域に対向する様に配置するのがポリッシング終点を正確に検出するために必要である。・・・ポリッシング終点機構は、赤外線の反射強度をモニターしており、赤外線反射強度が変化した時点（Ｐ点）をポリッシング終点と判定する。」
　
　周知例３には、上記摘記事項（周３ａ）の「・・・配線溝４外に配線用金属膜７が残っているのにポリッシング終点機構がポリッシング終点を検出したり、・・・ことがないように赤外線センサ５０の設置位置及び設置数を適正に決めなければならない。・・・」という記載、及び「・・・赤外線センサ５０は、配線溝４に対向しないようにランダムに配置し、半導体ウェーハに形成される電極パッド、キャパシタ、電源ラインなどの金属膜が形成されないフィールド領域に対向する様に配置するのがポリッシング終点を正確に検出するために必要である。・・・」という記載から、配線溝４外に配線用金属膜７が残ることを防ぐために、赤外線センサで金属膜が形成されない領域を検出していることがわかり、配線溝４外に配線用金属膜７が残ることが「メタル残り」に、赤外線センサで検出することが「確認」にそれぞれ相当することから、溝の外のメタル残りの存在を確認し、該メタル残りが発生しないところまで研磨することが示されているといえる。
　
周知例４：特開平８−１３９０６０号公報
（周４ａ）「【請求項１】  半導体基板ウエハ上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜の所定の位置に接続孔を形成した後、その絶縁膜上から金属膜を形成し、前記ウエハの裏面側をキャリアヘッドにより保持し、前記ウエハの表面側を研磨パッドに押しつけながら回転させ、以下の工程（Ａ）から（Ｃ）を含む一連の化学的機械研磨により前記金属膜を接続孔に埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（Ａ）ウエハ表面と研磨パッドの間に、研磨材を含み金属に対する研磨速度を高めるように調製された金属膜用研磨液を供給して、絶縁膜が露出し、接続孔以外の部分には金属膜が残らないようになるまで金属膜を研磨する工程、（Ｂ）その後、ウエハ表面と研磨パッドの間に供給するのを金属膜用研磨液から水に切り換えて研磨面をリンスする工程、（Ｃ）その後、ウエハ表面と研磨パッドの間に供給するのを、水から、研磨材を含み絶縁物に対する研磨速度を高めるように調製された絶縁膜用研磨液に切り換え、接続孔に埋め込まれた金属膜をストッパとして絶縁膜を研磨し、絶縁膜表面を平坦化する工程。」
（周４ｂ）「【００２４】キャリアヘッド２５の回転トルクを回転トルク測定系２７でモニタしながら予め行なった予備実験において、図２（Ｂ）に示されるような回転トルクの変化曲線が得られた。矢印で示されるように回転トルクＳ1が参照信号レベルＬ1まで増大する時点は、研磨面に現れた層間絶縁膜の面積が一定になった時点であり、その点を金属膜研磨の終点とし、その時点からさらに３分間研磨を継続し、ここまでを金属膜の研磨工程とした。やはり、同条件での予備実験の結果、この時点でのサンプル表面の顕微鏡観察により、層間絶縁膜の落ち込み領域にはタングステン膜が残っていないことを確認した。」
　
　周知例４には、上記摘記事項（周４ａ）の「・・・（Ａ）ウエハ表面と研磨パッドの間に、研磨材を含み金属に対する研磨速度を高めるように調製された金属膜用研磨液を供給して、絶縁膜が露出し、接続孔以外の部分には金属膜が残らないようになるまで金属膜を研磨する工程・・・」という記載、及び上記摘記事項（周４ｂ）の「・・・この時点でのサンプル表面の顕微鏡観察により、層間絶縁膜の落ち込み領域にはタングステン膜が残っていないことを確認した。」という記載から、接続孔以外の部分には金属膜が残らないようになるまで研磨し、層間絶縁膜の落ち込み領域には（金属膜である）タングステン膜が残っていないことを確認することが記載されており、接続項以外の部分に残る金属膜、或いは、層間絶縁膜の落ち込み領域に残るタングステン膜は、「溝の外のメタル残り」に外ならないから、結局、溝の外のメタル残りの存在を確認し、該メタル残りが発生しないところまで研磨していることが示されていることになる。
　
　よって、刊行物１発明の、再研磨するか、研磨を終了するかの条件として、溝の外のメタル残りの存在を確認し、メタル残りの存在により判断することを採用することに、当業者にとって格別に困難性があることとはいえない。
　
　そして、本願補正発明１１による効果も、刊行物１、２の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１１は、刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
III．本願発明について 
１．本願発明
　平成１８年９月２９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１７年１月２４日付手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１１に係る発明（以下、「本願発明１１」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１１】　溝を有する絶縁膜上に形成されたメタルの表面である被処理基体の研磨面を、ＣＭＰ装置を用いて所望の形状に研磨し、
　前記溝の外のメタル残りの存在を確認するために、前記被処理基体を前記ＣＭＰ装置に格納した状態で、前記研磨面の形状をその２次元画像を取得することにより測定し、
　前記測定の結果、前記メタル残りが存在すれば、前記ＣＭＰ装置を用いて前記研磨面を再研磨することを特徴とする研磨方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物１、２及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。 
　
３．対比・判断
　本願発明１１は、前記「II．平成１８年９月２９日付の手続補正についての補正却下の決定」で検討した本願補正発明１１の「前記研磨面の形状を、その２次元画像を、前記溝を有する絶縁膜及び前記メタルを含んで取得することにより測定」するという構成において、「前記溝を有する絶縁膜及び前記メタルを含んで」という事項で限定する構成を省き、更に、本願補正発明１１の「測定の結果」の後の処理について、「前記メタル残りが存在しなければ、前記被処理基体の研磨を終了する」という事項で限定する構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明１１の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明１１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１１も、同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１１は、刊行物１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。