【事件の表示】
　特願２００２−２０２１４７「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月　９日出願公開、特開２００３−１３３５５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年７月１１日（優先権主張平成１３年７月１８日）の出願であって、平成１７年７月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１５日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成１８年８月２２日付けで審尋がなされ、同年１０月１７日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１７年９月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年９月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１ないし５を削除したこと。
補正事項ｂ
　補正前の請求項６の「【請求項６】
　半導体基板を第１の領域及び第２の領域に区画する第１の工程と、
　前記第１の領域上及び前記第２の領域上に、熱酸化膜からなる第１のゲート絶縁用膜を形成する第２の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜における前記第２の領域に含まれる部分を除去する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記半導体基板における前記第２の領域上に、膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁用膜を形成する第４の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜及び前記第２のゲート絶縁用膜を窒素プラズマに暴露して、前記第１のゲート絶縁用膜及び前記第２のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入することにより、前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成すると共に、前記第２のゲート絶縁用膜から第２のゲート絶縁膜を形成する第５の工程とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１に繰り上げ、
「【請求項１】
　半導体基板を第１の領域及び第２の領域に区画する第１の工程と、
　前記第１の領域上及び前記第２の領域上に、熱酸化膜からなる第１のゲート絶縁用膜を形成する第２の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜における前記第２の領域に含まれる部分を除去する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記半導体基板における前記第２の領域上に、膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁用膜を形成する第４の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜及び前記第２のゲート絶縁用膜を窒素プラズマに暴露して、前記第１のゲート絶縁用膜及び前記第２のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入することにより、前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成すると共に、前記第２のゲート絶縁用膜から第２のゲート絶縁膜を形成する第５の工程とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で且つ窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｃ
　補正前の請求項７の「【請求項７】
　請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程では、前記半導体基板に対して酸化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、前記半導体基板上に酸化膜からなる前記第２のゲート絶縁用膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項２に繰り上げ、
「【請求項２】
　請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程では、前記半導体基板に対して酸化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、前記半導体基板上に酸化膜からなる前記第２のゲート絶縁用膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｄ
　補正前の請求項８の「【請求項８】
　請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程では、前記半導体基板に対して水素を含まない酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、前記半導体基板上に酸窒化膜からなる前記第２のゲート絶縁用膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項３に繰り上げ、
「【請求項３】
　請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程では、前記半導体基板に対して水素を含まない酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、前記半導体基板上に酸窒化膜からなる前記第２のゲート絶縁用膜を成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｅ
　補正前の請求項９の「【請求項９】
　請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記酸窒化性雰囲気は、一酸化窒素と酸素とを含む雰囲気、又は一酸化二窒素からなる雰囲気であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項４に繰り上げ、
「【請求項４】
　請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記酸窒化性雰囲気は、一酸化窒素と酸素とを含む雰囲気、又は一酸化二窒素からなる
雰囲気であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｆ
　補正前の請求項１０の「【請求項１０】
　請求項７〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程の前に、前記半導体基板に増速酸化効果を生じさせる不純物イオンを注入する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項５に繰り上げ、
「【請求項５】
　請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程の前に、前記半導体基板に増速酸化効果を生じさせる不純物イオンを注入する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｇ
　補正前の請求項１１の「【請求項１１】
　請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程では、前記半導体基板に対して一酸化二窒素から生成された窒素プラズマ及び酸素プラズマを含む酸窒化性雰囲気で処理を行なうことにより、前記半導体基板上に酸窒化膜からなる前記第２のゲート絶縁用膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項６に繰り上げ、
「【請求項６】
　請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第４の工程では、前記半導体基板に対して一酸化二窒素から生成された窒素プラズマ及び酸素プラズマを含む酸窒化性雰囲気で処理を行なうことにより、前記半導体基板上に酸窒化膜からなる前記第２のゲート絶縁用膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｈ
　補正前の請求項１２の「【請求項１２】
　請求項６〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は３．５ｎｍ以上で且つ９ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面部分及び前記半導体基板との界面部分にそれぞれピークを持ち、
　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項７に繰り上げ、
「【請求項７】
　請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は３．５ｎｍ以上で且つ９ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面側及び前記半導体基板との界面側にそれぞれピークを持ち、
　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は膜厚方向の中央にピークを持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｉ
　補正前の請求項１３の「【請求項１３】
　半導体基板を第１の領域、第２の領域及び第３の領域に区画する第１の工程と、
　前記第１の領域上、前記第２の領域上及び前記第３の領域上に、熱酸化膜からなる第１のゲート絶縁用膜を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程の後に、前記半導体基板の前記第２の領域に増速酸化効果を生じさせる不純物イオンを注入する第３の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜における前記第２の領域及び前記第３の領域に含まれる部分を除去する第４の工程と、
　前記第４の工程の後に、前記半導体基板における前記第２の領域上に、膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁用膜を形成し、且つ、前記第３の領域上に膜厚が前記第２のゲート絶縁用膜よりも小さい第３のゲート絶縁用膜を形成する第５の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜、前記第２のゲート絶縁用膜及び前記第３のゲート絶縁用膜を窒素プラズマに暴露して、前記第１のゲート絶縁用膜、前記第２のゲート絶縁用膜及び前記第３のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入することにより、前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成し、前記第２のゲート絶縁用膜から第２のゲート絶縁膜を形成し、前記第３のゲート絶縁用膜から第３のゲート絶縁膜を形成する第６の工程とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項８に繰り上げ、
「【請求項８】
　半導体基板を第１の領域、第２の領域及び第３の領域に区画する第１の工程と、
　前記第１の領域上、前記第２の領域上及び前記第３の領域上に、熱酸化膜からなる第１のゲート絶縁用膜を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程の後に、前記半導体基板の前記第２の領域に増速酸化効果を生じさせる不純物イオンを注入する第３の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜における前記第２の領域及び前記第３の領域に含まれる部分を除去する第４の工程と、
　前記第４の工程の後に、前記半導体基板における前記第２の領域上に、膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁用膜を形成し、且つ、前記第３の領域上に膜厚が前記第２のゲート絶縁用膜よりも小さい第３のゲート絶縁用膜を形成する第５の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜、前記第２のゲート絶縁用膜及び前記第３のゲート絶縁用膜を窒素プラズマに暴露して、前記第１のゲート絶縁用膜、前記第２のゲート絶縁用膜及び前記第３のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入することにより、前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成し、前記第２のゲート絶縁用膜から第２のゲート絶縁膜を形成し、前記第３のゲート絶縁用膜から第３のゲート絶縁膜を形成する第６の工程とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で且つ窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｊ
　補正前の請求項１４の「【請求項１４】
　請求項１０又は１３に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記不純物イオンはフッ素又はシリコンであり、前記フッ素又はシリコンを前記半導体基板の表面近傍に１×１０14ｃｍ-2以上で且つ５×１０15ｃｍ-2以下のドーズ量で注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項９に繰り上げ、
「【請求項９】
　請求項５又は８に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記不純物イオンはフッ素又はシリコンであり、前記フッ素又はシリコンを前記半導体基板の表面近傍に１×１０14ｃｍ-2以上で且つ５×１０15ｃｍ-2以下のドーズ量で注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｋ
　補正前の請求項１５の「【請求項１５】
　請求項６〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記窒素プラズマは、温度が室温から５００℃までの高密度プラズマであることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１０に繰り上げ、
「【請求項１０】
　請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記窒素プラズマは、温度が室温から５００℃までの高密度プラズマであることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｌ
　補正前の請求項１６の「【請求項１６】
　請求項６〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１のゲート絶縁膜における窒素濃度のピーク値は、１０ａｔｍ％以上で且つ４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１１に繰り上げ、
「【請求項１１】
　請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１のゲート絶縁膜における窒素濃度のピーク値は、１０ａｔｍ％以上で且つ４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｍ
　補正前の請求項１７の「【請求項１７】
　請求項６〜１６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記窒素プラズマに酸素プラズマを加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１２に繰り上げ、
「【請求項１２】
　請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記窒素プラズマに酸素プラズマを加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｎ
　補正前の請求項１８の「【請求項１８】
　半導体基板を第１の領域及び第２の領域に区画する第１の工程と、
　前記第１の領域上及び前記第２の領域上に、熱酸化膜からなる第１のゲート絶縁用膜を形成する第２の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜における前記第２の領域に含まれる部分を除去する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記第１のゲート絶縁用膜を含む前記半導体基板の全面を窒素プラズマ及び酸素プラズマに暴露することにより、前記第２の領域上に膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁膜を形成すると共に、前記第１のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入して前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
　前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜上にゲート電極を選択的に形成する第５の工程とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１３に繰り上げ、
「【請求項１３】
　半導体基板を第１の領域及び第２の領域に区画する第１の工程と、
　前記第１の領域上及び前記第２の領域上に、熱酸化膜からなる第１のゲート絶縁用膜を形成する第２の工程と、
　前記第１のゲート絶縁用膜における前記第２の領域に含まれる部分を除去する第３の工程と、
　前記第３の工程の後に、前記第１のゲート絶縁用膜を含む前記半導体基板の全面を窒素プラズマ及び酸素プラズマに暴露することにより、前記第２の領域上に膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁膜を形成すると共に、前記第１のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入して前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
　前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜上にゲート電極を選択的に形成する第５の工程とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で且つ窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｏ
　補正前の請求項１９の「【請求項１９】
　請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は３．５ｎｍ以上で且つ９ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面部分にピークを持ち、
　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１４に繰り上げ、
「【請求項１４】
　請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は３．５ｎｍ以上で且つ９ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面側及び前記半導体基板との界面側にピークを持ち、
　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は膜厚方向の中央にピークを持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｐ
　補正前の請求項２０の「【請求項２０】
　請求項１８又は１９に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記窒素プラズマ及び酸素プラズマは、プラズマガスに窒素と酸素の混合ガス、又は一酸化窒素ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、請求項１５に繰り上げ、
「【請求項１５】
　請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記窒素プラズマ及び酸素プラズマは、プラズマガスに窒素と酸素の混合ガス、又は一酸化窒素ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ｂないしｐを整理すると、以下のとおりである。
２−１−１　補正事項ｂ
　補正事項ｂについての補正は、本件補正前の請求項６を請求項１に繰り上げ、本件補正前の請求項６の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で」を、
「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で」と補正したものである。
２−１−２　補正事項ｃ
　補正事項ｃについての補正は、本件補正前の請求項７を請求項２に繰り上げ、本件補正前の請求項７の「請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−３　補正事項ｄ
　補正事項ｄについての補正は、本件補正前の請求項８を請求項３に繰り上げ、本件補正前の請求項８の「請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−４　補正事項ｅ
　補正事項ｅについての補正は、本件補正前の請求項９を請求項４に繰り上げ、本件補正前の請求項９の「請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−５　補正事項ｆ
　補正事項ｆについての補正は、本件補正前の請求項１０を請求項５に繰り上げ、本件補正前の請求項１０の「請求項７〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−６　補正事項ｇ
　補正事項ｇについての補正は、本件補正前の請求項１１を請求項６に繰り上げ、本件補正前の請求項１１の「請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−７　補正事項ｈ
　補正事項ｈについての補正は、本件補正前の請求項１２を請求項７に繰り上げ、本件補正前の請求項１２の「請求項６〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正（以下、「補正事項ｈ−１」という。）し、
「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面部分及び前記半導体基板との界面部分にそれぞれピークを持ち、」を、
「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面側及び前記半導体基板との界面側にそれぞれピークを持ち、」と補正（以下、「補正事項ｈ−２」という。）し、
「前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つ」を、
「前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は膜厚方向の中央にピークを持つ」と補正（以下、「補正事項ｈ−３」という。）したものである。
２−１−８　補正事項ｉ
　補正事項ｉについての補正は、本件補正前の請求項１３を請求項８に繰り上げ、本件補正前の請求項１３の「前記第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で」を、
「前記第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で」と補正したものである。
２−１−９　補正事項ｊ
　補正事項ｊについての補正は、本件補正前の請求項１４を請求項９に繰り上げ、本件補正前の請求項１４の「請求項１０又は１３に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項５又は８に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−１０　補正事項ｋ
　補正事項ｋについての補正は、本件補正前の請求項１５を請求項１０に繰り上げ、本件補正前の請求項１５の「請求項６〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−１１　補正事項ｌ
　補正事項ｌについての補正は、本件補正前の請求項１６を請求項１１に繰り上げ、本件補正前の請求項１６の「請求項６〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−１２　補正事項ｍ
　補正事項ｍについての補正は、本件補正前の請求項１７を請求項１２に繰り上げ、本件補正前の請求項１７の「請求項６〜１６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
２−１−１３　補正事項ｎ
　補正事項ｎについての補正は、本件補正前の請求項１８を請求項１３に繰り上げ、本件補正前の請求項１８の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で」を、
「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で」と補正したものである。
２−１−１４　補正事項ｏ
　補正事項ｏについての補正は、本件補正前の請求項１９を請求項１４に繰り上げ、本件補正前の請求項１９の「請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
」と補正（以下、「補正事項ｏ−１」という。）し、
「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面部分にピークを持ち、」を、
「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面側及び前記半導体基板との界面側にピークを持ち、」と補正（以下、「補正事項ｏ−２」という。）し、
「前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つ」を、
「前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は膜厚方向の中央にピークを持つ」と補正（以下、「補正事項ｏ−３」という。）したものである。
２−１−１５　補正事項ｐ
　補正事項ｐについての補正は、本件補正前の請求項２０を請求項１５に繰り上げ、本件補正前の請求項２０の「請求項１８又は１９に記載の半導体装置の製造方法において、」を、
「請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものである。
　
２−２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　以下、補正事項ａないしｐについて検討する。
２−２−１　補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１ないし５を削除したものであり、請求項の削除を目的とするものに該当するので、補正事項ａについての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の規定に適合する。
２−２−２　補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、本件補正前の請求項６の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で」の途中に、「、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的に」を加えて限定する補正であり、補正事項ｂについての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正事項ｂについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の規定に適合する。
　そして、補正後の請求項１の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で」については、本願の願書に最初に添付した明細書の【００６５】段落に、「ここで、第２のゲート絶縁膜１５Ｃはその膜厚が約１．８ｎｍと、第１のゲート絶縁膜１３Ｃの膜厚の約３分の１であるため、窒素分布は膜中で相対的にブロードな分布を持つ。」と記載されている。
　してみると、補正事項ｂについての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるので、補正事項ｂについての補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
２−２−３　補正事項ｃ〜ｅ、ｇ、ｊ〜ｍ、ｐについて
　補正事項ｃについての補正は、本件補正前の請求項７を請求項２に繰り上げたことにより、請求項の引用について、本件補正前の「請求項６に記載の」を「請求項１に記載の」と補正したものである。
　したがって、補正事項ｃについての補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するので、補正事項ｃについての補正は、特許法第１７条の２第４項第４号の規定に適合する。
　また、補正事項ｄ、ｅ、ｇ、ｊ〜ｍ、ｐについての補正は、上記補正事項ｃについての補正と同様に、請求項の引用について、補正したものである。
　したがって、補正事項ｄ、ｅ、ｇ、ｊ〜ｍ、ｐについての補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するので、補正事項ｄ、ｅ、ｇ、ｊ〜ｍ、ｐについての補正は、特許法第１７条の２第４項第４号の規定に適合する。
２−２−４　補正事項ｆについて
　補正事項ｆについての補正は、本件補正前の請求項１０を請求項５に繰り上げたことにより、請求項の引用について、本件補正前の「請求項７〜９のうちのいずれか１項に記載の」を「請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の」と補正したものであり、請求項の引用を「請求項１・・・に記載の」とした部分については、請求項の数が増加されている。
　したがって、補正事項ｆについての補正は、引用する請求項の数を増加させるものであって、択一的記載の要素の付加に該当するから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものではない。また、「請求項の削除」、「誤記の訂正」、「明りょうでない記載の釈明」のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ｆについての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号から第４号の規定に適合しない。
２−２−５　補正事項ｈについて
　補正事項ｈについての補正は、補正事項ｈ−１、補正事項ｈ−２、補正事項ｈ−３とからなるので、それぞれ検討する。
・補正事項ｈ−１について
　補正事項ｈ−１についての補正は、本件補正前の請求項１２を請求項７に繰り上げたことにより、請求項の引用について、本件補正前の「請求項６〜１１のうちのいずれか１項に記載の」を「請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の」と補正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
・補正事項ｈ−２について
　補正事項ｈ−２についての補正は、「表面部分」を「表面側」と、「界面部分」を「界面側」と補正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
・補正事項ｈ−３について
　補正事項ｈ−３についての補正は、「前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つ」のうちの「その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つ」部分を「その窒素濃度は膜厚方向の中央にピークを持つ」と補正したものであり、この補正により、「前記第２のゲート絶縁膜における」という記載が削除されており、また、「中央部分」を「中央」としているが、「その窒素濃度は」の「その」が、「前記第２のゲート絶縁膜」を指し示しているので、「前記第２のゲート絶縁膜における」という記載が削除されても、記載が不明りょうになるものではない。また、「中央部分」を「中央」と補正したことも、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項ｈ−３についての補正は、全体として、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　以上のように、補正事項ｈ−１、補正事項ｈ−２、補正事項ｈ−３からなる補正事項ｈについての補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するので、補正事項ｈについての補正は、特許法第１７条の２第４項第４号の規定に適合する。
２−２−６　補正事項ｉについて
　補正事項ｉについての補正は、本件補正前の請求項１３の「前記第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で」の途中に、「、該第２のゲート絶縁膜及び前記第３のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的に」を加えて限定する補正であり、補正事項ｉについての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正事項ｉについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の規定に適合する。
　そして、補正後の請求項１の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で」については、本願の願書に最初に添付した明細書の【０１０５】段落に、「このように、第３の実施形態によると、膜厚が約５．５ｎｍの第１のゲート絶縁膜３３Ｃ、膜厚が約２．２ｎｍの第２のゲート絶縁膜３５Ｃ及び膜厚が約１．８ｎｍの第３のゲート絶縁膜３６Ｃと、それぞれ膜厚が異なる３種類のゲート絶縁膜を１つの半導体基板３１上に同時に形成できる。その上、相対的に膜厚が小さいシリコン酸窒化膜からなる第２及び第３のゲート絶縁膜３５Ｃ、３６Ｃは、その窒素の濃度プロファイルがブロードとなり、窒素濃度のピークが膜厚方向のほぼ中央付近に位置し且つそのピーク値が約１５ａｔｍ％と高濃度とすることができる。」と記載されている。
　してみると、補正事項ｉについての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるので、補正事項ｉについての補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
２−２−７　補正事項ｎについて
　補正事項ｎについての補正は、本件補正前の請求項１８の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で」の途中に、「、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的に」を加えて限定する補正であり、補正事項ｎについての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正事項ｎについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の規定に適合する。
　そして、補正後の請求項１の「前記第２のゲート絶縁膜の窒素濃度は、該第２のゲート絶縁膜の膜厚が前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいことにより、膜中で相対的にブロードな窒素分布で」については、本願の願書に最初に添付した明細書の【００８７】段落に、「この酸素プラズマ及び窒素プラズマによって、半導体基板２１には酸化と窒化とが同時に起こり、第２の素子形成領域５２に膜厚が約１．６ｎｍのプラズマ酸窒化膜である第２のゲート絶縁膜２５Ｃが形成される。このとき、第１のゲート絶縁膜２３Ａは窒素プラズマ及び酸素プラズマによる酸窒化により改質されて、第１のゲート絶縁膜２３Ｃとなり、その膜厚は７．５ｎｍとなる。」と記載され、また、【００９２】段落に、「図９（ａ）に示すように、第１のゲート絶縁膜２３Ｃにおける窒素分布は、膜の表面付近に約１５ａｔｍ％の濃度ピークを持つ。一方、図９（ｂ）に示す第２のゲート絶縁膜２５Ｃの窒素分布は膜中でブロードな分布を持ち、その濃度ピークは膜厚方向のほぼ中央付近に約１５ａｔｍ％の濃度を持つ。」と記載されている。
　してみると、補正事項ｎについての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるので、補正事項ｎについての補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
２−２−８　補正事項ｏについて
　補正事項ｏについての補正は、補正事項ｏ−１、補正事項ｏ−２、補正事項ｏ−３とからなるので、それぞれ検討する。
・補正事項ｏ−１について
　補正事項ｏ−１についての補正は、本件補正前の請求項１９を請求項１４に繰り上げたことにより、請求項の引用について、本件補正前の「請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、」を「請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、」と補正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
・補正事項ｏ−２について
　補正事項ｏ−２についての補正は、「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面部分にピークを持ち、」を「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面側及び前記半導体基板との界面側にピークを持ち、」と補正したものであり、「表面部」を「表面側」とする補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　しかしながら、「及び前記半導体基板との界面側」を追加する補正については、補正事項ｏに関する本件補正後の請求項１４が、本件補正後の請求項１３を引用する発明であり、本件補正後の請求項１３には、「前記第３の工程の後に、前記第１のゲート絶縁用膜を含む前記半導体基板の全面を窒素プラズマ及び酸素プラズマに暴露することにより、前記第２の領域上に膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁膜を形成すると共に、前記第１のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入して前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成する第４の工程」が記載されており、この記載の根拠は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００８７】段落に「次に、図８（ｃ）に示すように、第２の素子形成領域５２を露出した半導体基板２１を、誘導結合プラズマによる窒素プラズマ及び酸素プラズマに暴露する。ここでは、プラズマガスに窒素が約９５％で酸素が約５％の混合ガスを用いると共に、周波数は約１３．５６ＭＨｚ、高周波電力は約５００Ｗ、チャンバの圧力は約１．３３Ｐａ、基板温度は約３０℃としている。この酸素プラズマ及び窒素プラズマによって、半導体基板２１には酸化と窒化とが同時に起こり、第２の素子形成領域５２に膜厚が約１．６ｎｍのプラズマ酸窒化膜である第２のゲート絶縁膜２５Ｃが形成される。このとき、第１のゲート絶縁膜２３Ａは窒素プラズマ及び酸素プラズマによる酸窒化により改質されて、第１のゲート絶縁膜２３Ｃとなり、その膜厚は７．５ｎｍとなる。」と記載されていることからわかるように、本件補正後の請求項１４は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００８３】段落〜【００９４】段落、及び、図８、図９に記載されている第２の実施形態に対応する請求項である。そして、本願の第２の実施形態では、図９（ａ）の記載を参照すると、「第１のゲート絶縁膜」の「窒素濃度」は、「第１のゲート絶縁膜の表面側」に「ピークを持」っているが、「第１のゲート絶縁膜」の「窒素濃度」は、「前記半導体基板との界面側」に「ピークを持」っていない。
　したがって、「及び前記半導体基板との界面側」を追加する補正事項ｏ−２についての補正は、本件補正後の請求項１３の「前記第３の工程の後に、前記第１のゲート絶縁用膜を含む前記半導体基板の全面を窒素プラズマ及び酸素プラズマに暴露することにより、前記第２の領域上に膜厚が前記第１のゲート絶縁用膜よりも小さい第２のゲート絶縁膜を形成すると共に、前記第１のゲート絶縁用膜に窒素原子を導入して前記第１のゲート絶縁用膜から第１のゲート絶縁膜を形成する第４の工程」を有する半導体装置の製造方法において、「その窒素濃度は前記第１のゲート絶縁膜の表面側及び前記半導体基板との界面側にピークを持」つ補正であるので、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されているものとは認められず、また、自明な事項でもない。
・補正事項ｏ−３について
　補正事項ｏ−３についての補正は、「前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は１．０ｎｍ以上で且つ３．０ｎｍ以下であり、その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つ」のうちの「その窒素濃度は前記第２のゲート絶縁膜における膜厚方向の中央部分にピークを持つ」部分を「その窒素濃度は膜厚方向の中央にピークを持つ」と補正したものであり、この補正により、「前記第２のゲート絶縁膜における」という記載が削除されており、また、「中央部分」を「中央」としているが、「その窒素濃度は」の「その」が、「前記第２のゲート絶縁膜」を指し示しているので、「前記第２のゲート絶縁膜における」という記載が削除されても、記載が不明りょうになるものではない。また、「中央部分」を「中央」と補正したことも、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項ｏ−３についての補正は、全体として、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　以上のように、補正事項ｏ−２を含む補正事項ｏについての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではないので、補正事項ｏについての補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合しない。
　
３　むすび
　以上のとおり、前記補正事項ｆとｏについての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合せず、また、同法第１７条の２第４項第１号から第４号の規定にも適合しない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下されるべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
　平成１７年９月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成１７年４月２６日付けの手続補正書に記載された事項により特定されるものであるところ、本願の請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体基板の主面を少なくとも第１の領域及び第２の領域に区画する素子分離領域と、
　前記第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜と、
　前記第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜と、
　前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜の上にそれぞれ形成されたゲート電極とを備え、
　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さく、
　前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜は窒素が導入され、該第１のゲート絶縁膜の窒素濃度は膜厚方向の表面部分に第１のピークを持ち、該第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ膜厚方向の中央部分にピークを持ち、窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下であることを特徴とする半導体装置。」
　
１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平１０−１７３１８７号公報
　
　本願の優先権主張日前日本国内において頒布された刊行物１（特開平１０−１７３１８７号公報）には、図１〜図８とともに、
「薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】  誘電体層を形成するための方法であって、該方法が：半導体基板を用意し、該基板は１つの表面を有し；前記半導体基板の上に酸素含有層を形成し；そして前記酸素含有層を窒素を含むプラズマに曝して、前記窒素が前記酸素含有層の中に混入されるかまたは前記基板の前記表面部に窒化物層を形成させる、以上のステップを含む前記方法。」（特許請求の範囲）
「【０００２】
【従来の技術】現在、半導体デバイスを小型化する要望が強く存在しており、それによってより高速で電力消費の少ない半導体チップの上に高い密度のデバイスを提供しようとしている。デバイスの横方向の寸法が大きくなると、十分なデバイス性能を確保するために同様に垂直方向の大きさも必要となる。このように垂直方向の寸法が大きくなると、要求されるデバイス性能を実現するためにゲート誘電体の厚さを薄くする必要が生じる。しかしながらゲート誘電体を薄くすると、多結晶シリコンゲート構造からのドーパント拡散または金属ゲート構造からの金属拡散に対する障壁が小さくなり、結果としてデバイスの電気的性能および信頼性を減じかねない。
【０００３】これらの問題を解消する１つの手段は、窒化珪素をゲート誘電体層として使用するとである。窒化珪素は典型的な熱成長酸化珪素膜よりも高誘電率を有し、また不純物拡散に対してより高い抵抗を具備している。しかしながら標準的に蒸着された窒化珪素の電気的特性は熱酸化物よりも遥かに劣っている。従ってゲート絶縁体として有効な従来式窒化珪素膜を製造するためには、窒化物層と基板との間に酸化物層を形成しなければならない。」
「【０００７】したがって本発明の１つの目的は、窒化物膜の障壁特性の利点を生かしつつ、また酸化物膜の電気的特性の利点をも有する膜を提供することである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の１つの実施例は誘電体層を形成するための方法であって、この方法は次のステップを含む：半導体基板を用意する、この基板は１つの表面を有する；この半導体基板上に酸素含有層を形成する；そしてこの酸素含有層を窒素を含むプラズマに曝し、この窒素が酸素含有層に混入されるかまたは基板の上に窒化物層を形成するようにする。本発明のこの実施例を使用することにより、誘電体層がほとんど水素を含まないように出来る。好適にこの酸素含有層はＳｉＯ2 層であるかまたは酸素および窒素で構成される（好適に酸化窒化物層）。プラズマは好適に高密度プラズマである。好適に窒素源がプラズマの中に導入されて、窒素を含むプラズマを形成する。窒素源は好適に下記を含む物質で構成される：Ｎ2，ＮＨ3 ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏまたはこれらの混合物。
【０００９】本発明の別の実施例はゲート誘電体層の上に蒸着された導電性ゲート構造を有するトランジスタを形成するための方法であり、この方法は下記のステップを含む：半導体基板を用意する、この基板は１つの表面を有する；この半導体基板上に誘電体層を用意する、この誘電体層は酸素を含む；この誘電体層を窒素を含むプラズマに曝し、窒素がゲート絶縁層に混入されるかまたは窒化物層を基板の表面上に形成するようにする；そして此処において、ゲート誘電体は窒素を混入された誘電体層で構成されるかまたは基板の表面上に形成された窒化物層である。好適に導電性ゲート構造はドーピングされた多結晶シリコンまたは金属で構成される。本発明のこの実施例を使用することで、ゲート誘電体層はほぼ水素を含まないように出来る。好適にこの誘電体層はＳｉＯ2 層であるかまたは酸化窒化物層である。」
「【００１２】図１、２、および３ａ並びに図４ａの発明を参照すると、絶縁層１４が半導体構造１２（これは好適にシリコン基板またはシリコン基板上に形成されたエピタキシャルシリコン層）の上に形成される。好適に絶縁層１４は１０から１５０厚さの酸素含有層［好適に酸化物層、酸化窒化層のいずれか、またはその他の絶縁層］（更に好適には、１０から８０厚さの酸化物層−−もっと好適には１０から４５厚さの酸化物層）であり、これは熱成長、蒸着、またはそれらの組み合わせのいずれかである。このステップは図４ａのブロック５０２に対応する。図２および図４ａのステップ５０４を参照すると、絶縁層１４がプラズマに曝されており、これには窒素含有物質が混入されている。好適に窒素含有物質は、Ｎ2 ，ＮＨ3 ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏまたはこれらの混合物であり、プラズマは好適に高密度プラズマである。ウェファにバイアスをかけないようにすることも可能であり、その場合イオン化された物質はプラズマ電位（これは典型的には２０ボルト程度）で加速されて絶縁表面の中に打ち込まれる。バイアス電圧をウェファに引加してプラズマからのイオンを更に加速して、これらを絶縁表面の中により深く打ち込むことも可能である。ＤＣまたはＲＦバイアス電圧のいずれもウェファにバイアスをかけるために使用できる。最も好適には、ステップ５０４は以下の処理条件で実行される：開始酸化物厚さは１０から１５０厚さである；プラズマ密度はおよそ１ｘ１０10から１ｘ１０12ｃｍ-3である；窒素は１から１００ｓｃｃｍ程度である；処理圧力は好適に１から５０ｍＴｏｒｒ程度である；温度は好適に７０から９００Ｋの範囲である；基板（ウェファ）バイアスは０から５０ボルト程度である；また露出の期間は１から６０秒の間である。
【００１３】図３ａはステップ５０４の結果を図示する。ウェファのバイアスおよびプラズマ密度に応じて、窒素は絶縁層１４の中に組み込まれる。この結果が層１４のＳｉ／Ｎ／Ｏ部２０および層１４のＳｉ／Ｏ／Ｎ部１８である。好適に部分２０の中では窒素量が酸素量を上回る。実際、部分２０の中では酸素（おそらく非常に少ないか無酸素）より多くの窒素が存在することが好適である。部分１８は部分２０とほぼ同じであっても構わないし、またはこれら２つの部分が異なる量の珪素、窒素、および酸素を含むようにしても構わない。実際、部分１８は比較的純粋なＳｉＯ2 膜を残していても構わないし、またほとんど珪素と窒素とで構成されていても構わないし、またはこれら両極端の間の珪素、窒素および酸素がある割合で構成されていても構わない。添加される窒素の量は処理工程条件に依存するので、これらの処理工程条件はどんなトランジスタの設計にも最適となるように操作される。
【００１４】更に、部分１８と２０の間の遷移ははっきりしておらず、窒素濃度に関して傾斜がついている。・・・」
「【００１７】本実施例は下記のいずれかを形成するために使用される：均質珪素酸化窒化物層、均質珪素窒化物層、ゲート絶縁層の最上表面部の酸化窒化珪素または窒化珪素インタフェース層、ゲート絶縁層の最上表面部そして／または最下表面部の酸化窒化珪素または窒化珪素インタフェース層。好適に本発明の実施例を使用して形成されたゲート絶縁体は０．１から５７の原子百分率の窒素成分を有する。
【００１８】図５から図８は本発明の方法を使用して形成されたゲート誘電体膜内の酸素および窒素のレベルを図示するグラフである。図５は以下の条件で窒化された６０酸化膜の二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである：プラズマ電力は２０００Ｗ（高密度ヘリコン方式プラズマ）；基板バイアスは０ワット；ガス流量は１００ｓｃｃｍの窒素；周辺圧力は４ｍＴｏｒｒ；そしてプラズマ露出時間は１１秒。図５は最上表面／インタフェース部の窒素混入を示す。図６は以下の条件で窒化された６０酸化膜の飛行時間型二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである：プラズマ電力は２０００Ｗ（高密度ヘリコン方式プラズマ）；基板バイアスは０ワット；ガス流量は１００ｓｃｃｍの窒素；周辺圧力は４ｍＴｏｒｒ；そしてプラズマ露出時間は３０秒。図６は最上部および底部インタフェース部の窒素混入を示す。図７は以下の条件で窒化された３５酸化膜の二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである：プラズマ電力は２０００Ｗ（高密度ヘリコン方式プラズマ）；基板バイアスは１００ワット（１３．５６ＭＨｚ）；ガス流量は１００ｓｃｃｍの窒素；周辺圧力は４ｍＴｏｒｒ；そしてプラズマ露出時間は６０秒。図７は膜の後方に微少量の酸素を残した窒化珪素がほぼ完全に形成されていることを示す。図８は以下の条件で窒化された７酸化膜の飛行時間型二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである：プラズマ電力は２０００Ｗ（高密度ヘリコン方式プラズマ）；基板バイアスは４５０ワット；ガス流量は１００ｓｃｃｍの窒素；周辺圧力は４ｍＴｏｒｒ；そしてプラズマ露出時間は１０秒。」
「【００３５】（１６）本発明の１つの実施例は誘電体層を形成するための方法であり、この方法は以下のステップを含む：半導体基板（基板１２）を用意する、この基板は１つの表面を有する；酸素含有層（層１４）を半導体基板上に形成する；そして酸素含有層を窒素を含むプラズマ（プラズマ１６）に曝し、窒素が酸素含有層に混入されるか（領域１８、１９、および２０参照）または窒化物層を基板の表面部（領域２２）に形成する。本発明のこの実施例を使用して誘電体はほとんど水素を含まないように出来る。好適に酸素含有層はＳｉＯ2 層であるか、または酸素および窒素を含む（好適に酸化窒化物層）。プラズマは好適に高密度プラズマである。好適に窒素源がプラズマに導入されて窒素を含むプラズマが形成される。窒素源は好適に、Ｎ2 ，ＮＨ3 ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏまたはこれらの混合物から成る物質を含む。」
「【図面の簡単な説明】
【図１】図１は製造された半導体デバイスの断面図。
【図２】図２は製造された半導体デバイスの断面図。
【図３】図３は本発明の１つの実施例の方法を図示し、ａは本発明の１つの実施例の方法、ｂは本発明の別の実施例、そしてｃは本発明の別の実施例。
【図４】図４は本発明の２つの実施例の方法を図示する流れ図であり、ａは１つの実施例の流れ図、そしてｂは別の実施例の流れ図。
【図５】図５は本発明の方法を用いて形成されたゲート誘電体層内の酸素と窒素の量を図示するグラフ。
【図６】図６は本発明の方法を用いて形成されたゲート誘電体層内の酸素と窒素の量を図示するグラフ。
【図７】図７は本発明の方法を用いて形成されたゲート誘電体層内の酸素と窒素の量を図示するグラフ。
【図８】図８は本発明の方法を用いて形成されたゲート誘電体層内の酸素と窒素の量を図示するグラフ。」
が、記載されている。
　ここで、「図５は以下の条件で窒化された６０酸化膜の二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである」（【００１８】段落）と図５の横軸「深さ（オングストローム）」の記載、及び「図６は以下の条件で窒化された６０酸化膜の飛行時間型二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである」（【００１８】段落）と図６の横軸「深さ（オングストローム）」の記載とから、「６０酸化膜」の「６０」とは、６０オングストローム、すなわち、６ｎｍのことであると理解でき、また、「図７は以下の条件で窒化された３５酸化膜の二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）分析で得られたデータを図示したものである」（【００１８】段落）と図７の横軸「深さ（オングストローム）」の記載から、「３５酸化膜」の「３５」とは、３５オングストローム、すなわち、３．５ｎｍのことであると理解できるので、「好適に絶縁層１４は１０から１５０厚さの酸素含有層［好適に酸化物層、酸化窒化層のいずれか、またはその他の絶縁層］（更に好適には、１０から８０厚さの酸化物層−−もっと好適には１０から４５厚さの酸化物層）」（【００１２】段落）の「１０から１５０厚さの酸素含有層」、「１０から８０厚さの酸化物層」、「１０から４５厚さの酸化物層」の各数値は、その単位が、オングストロームであることが、理解できる。
　すると、「１０から１５０厚さの酸素含有層」は、１から１５ｎｍ厚さの酸素含有層に相当しており、この酸素含有層の膜厚は、本願の願書に最初に添付した明細書の、例えば、第１の実施形態の「第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃは同時に形成され、その膜厚はそれぞれ約５．５ｎｍと約１．８ｎｍとなる。」（明細書【００５６】段落）という記載における、第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃの膜厚を包含する膜厚であることが理解できる。
　また、刊行物１に記載された発明は、ゲート誘電体の形成方法に関する発明であるが、「【図２】図２は製造された半導体デバイスの断面図。」（図面の簡単な説明）という記載もあることから、刊行物１には、製造された半導体デバイスの発明についても、示唆されている。
　また、「図５は最上表面／インタフェース部の窒素混入を示す。」（【００１８】段落）グラフであり、「窒化された６０酸化膜」（膜厚６ｎｍ）の窒素が、６０酸化膜表面から深さ方向約５オングストローム（約０．５ｎｍ）あたりの位置に、約１７原子百分率（原文（図５の縦軸部分を参照）では、「atomic percent」であり、本願の願書に最初に添付した明細書の「ａｔｍ％」に相当する。）のピークを有することが、示されている。
　また、「図３ａはステップ５０４の結果を図示する。ウェファのバイアスおよびプラズマ密度に応じて、窒素は絶縁層１４の中に組み込まれる。この結果が層１４のＳｉ／Ｎ／Ｏ部２０および層１４のＳｉ／Ｏ／Ｎ部１８である。好適に部分２０の中では窒素量が酸素量を上回る。実際、部分２０の中では酸素（おそらく非常に少ないか無酸素）より多くの窒素が存在することが好適である。部分１８は部分２０とほぼ同じであっても構わないし、またはこれら２つの部分が異なる量の珪素、窒素、および酸素を含むようにしても構わない。実際、部分１８は比較的純粋なＳｉＯ2 膜を残していても構わないし、またほとんど珪素と窒素とで構成されていても構わないし、またはこれら両極端の間の珪素、窒素および酸素がある割合で構成されていても構わない。添加される窒素の量は処理工程条件に依存するので、これらの処理工程条件はどんなトランジスタの設計にも最適となるように操作される。」（【００１３】段落）と記載されているように、図３ａに示される、絶縁層１４の中に組み込まれる窒素は、図３ａに示される絶縁層１４のＳｉ／Ｎ／Ｏ部２０および層１４のＳｉ／Ｏ／Ｎ部１８からなり、「好適に部分２０の中では窒素量が酸素量を上回る。実際、部分２０の中では酸素（おそらく非常に少ないか無酸素）より多くの窒素が存在することが好適である」としてもよく、「部分１８は部分２０とほぼ同じであっても構わない」のであるから、この「部分１８は部分２０とほぼ同じ」場合には、絶縁層１４の中に組み込まれる窒素は、深さ方向にほぼ均一であり、「均質珪素酸化窒化物層」（【００１７】段落）という記載もある。
　また、「添加される窒素の量は処理工程条件に依存するので、これらの処理工程条件はどんなトランジスタの設計にも最適となるように操作される。」という記載から、刊行物１に記載された発明は、どんなトランジスタの設計にも適用可能であると認められる。
　
　以上の記載から、刊行物１には、「ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に蒸着された導電性ゲート構造とを備え、ゲート絶縁層には、窒素が混入されており、そのゲート絶縁層は、ゲート絶縁層の最上表面部の酸化窒化珪素インタフェース層として窒素のピークを有しており、０．１から５７の原子百分率の窒素成分を有し、窒素のピークは約１７原子百分率である半導体デバイス。」が、示されている。
　
２　対比・判断
２−１　本願の請求項１に係る発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比すると、刊行物発明の「ゲート絶縁層」は、本願発明の「ゲート絶縁膜」に相当するが、本願発明が、「第１のゲート絶縁膜」と「第２のゲート絶縁膜」を備えているのに対して、刊行物発明の「ゲート絶縁層」は、１つのみであるので、ここでは、刊行物発明の「ゲート絶縁層」は、本願発明の「第１のゲート絶縁膜」に相当するものとする。
　また、刊行物発明の「ゲート絶縁層の上に蒸着された導電性ゲート構造」は、本願発明の「前記第１のゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極」に相当し、刊行物発明の「ゲート絶縁層には、窒素が混入されて」いることは、本願発明の「前記第１のゲート絶縁膜は窒素が導入され」ることに相当し、刊行物発明の「そのゲート絶縁層は、ゲート絶縁層の最上表面部の酸化窒化珪素インタフェース層として窒素のピークを有して」いることは、本願発明の「該第１のゲート絶縁膜の窒素濃度は膜厚方向の表面部分に第１のピークを持」つことに相当する。
　刊行物発明の「窒素のピークは約１７原子百分率である」ことは、刊行物１の図５に記載されているが、刊行物発明の「窒素のピーク」は、本願発明の「窒素のピーク濃度」に相当し、「原子百分率」は、「ａｔｍ％」のことであるので、刊行物発明の「窒素のピークは約１７原子百分率である」ことは、本願発明の「窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下である」ことのうちの、約１７ａｔｍ％の場合に相当する。
　刊行物発明の「半導体デバイス。」は、本願発明の「半導体装置。」に相当している。
　してみると、本願発明と刊行物発明とは、
「第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備え、
前記第１のゲート絶縁膜は窒素が導入され、該第１のゲート絶縁膜の窒素濃度は膜厚方向の表面部分に第１のピークを持ち、
窒素のピーク濃度が約１７ａｔｍ％であることを特徴とする半導体装置。」の点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１
　本願発明は、「半導体基板の主面を少なくとも第１の領域及び第２の領域に区画する素子分離領域と、　前記第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜と、　前記第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜と、　前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜の上にそれぞれ形成されたゲート電極とを備え、　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さく、　前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜は窒素が導入され」ているとの構成を備えているのに対して、刊行物発明は、本願発明の「第１のゲート絶縁膜」に相当する「ゲート絶縁膜」を１つのみ備えるものであり、刊行物発明は、「ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に蒸着されたゲート電極とを備え、ゲート絶縁膜には窒素が混入されて」いるとの構成を備えているが、本願発明の「第２のゲート絶縁膜」と、「前記第２のゲート絶縁膜の上に」「形成されたゲート電極とを備え、　前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さく」、「前記第２のゲート絶縁膜は窒素が導入され」ていることに関する記載がない点（以下、「相違点１」という。）。
相違点２
　本願発明は、「該第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ膜厚方向の中央部分にピークを持」つのに対して、刊行物発明は、本願発明の「第１のゲート絶縁膜」に相当する「ゲート絶縁膜」を１つのみ備えるものの、本願発明の「第２のゲート絶縁膜」に相当する「ゲート絶縁膜」を備えていないので、刊行物発明は、本願発明の「該第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ膜厚方向の中央部分にピークを持」つとの構成を備えていない点（以下、「相違点２」という。）。
相違点３
　本願発明は、「窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下である」「第２のゲート絶縁膜」を備えているのに対して、刊行物発明は、本願発明の「第１のゲート絶縁膜」に相当する「ゲート絶縁膜」における、「窒素のピーク」濃度が「約１７原子百分率である」との構成を備えているが、本願発明の「第２のゲート絶縁膜」を備えているか否か明らかではなく、その窒素のピーク濃度も不明である点（以下、「相違点３」という。）。
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
［相違点１について］
（ａ）例えば、以下の周知文献１ないし４に記載されるように、半導体装置において、素子分離部が形成してあり、この素子分離部で分離された２種類のトランジスタ形成領域に、それぞれ膜厚が異なる２種類のゲート絶縁膜を有する２種類の絶縁ゲート型トランジスタを備えることは、従来周知である。
（ａ−１）周知文献１．特開平１１−３１７４５８号公報（原審の引用刊行物４）（図３〜図７、及び、【０００６】、【００５８】、【００６０】、【００６２】、【００６５】段落参照）には、「【０００６】・・・半導体基板上に、素子分離膜・・・を・・・形成し、・・・第１のゲート絶縁膜を形成する。続いて、・・・マスクに被覆されていない領域のゲート絶縁膜を除去する。その後、・・・第２のゲート酸化を行う。その際、上記マスクに被覆されていた領域においては第１のゲート酸化による絶縁膜が残存したまま更にゲート酸化が行われるので、マスクに被覆されていなかった領域よりも厚いゲート絶縁膜が形成される。その後は、・・・工程を経て半導体装置を完成する。・・・ゲート絶縁膜の厚さを２種類作り分ける一連の工程を２種ゲート絶縁膜プロセスと称することにする。」こと、「【００５８】続いて、この素子形成基板１に浅溝型の分離部１４を形成する。・・・
【００６０】次いで、・・・図４に示すように、エピタキシャル層１ｅ上にゲート絶縁膜１６ｉを形成する。・・・
【００６２】続いて、図５に示すように、・・・フォトレジストパターン２４ａから露出する領域ではゲート絶縁膜１６ｉを除去し、フォトレジストパターン２４ａで覆われた領域ではゲート絶縁膜１６ｉを残す。
【００６５】次いで、素子形成基板１に対して、第２回目の酸化処理を施すことにより、図６に示すように、エピタキシャル層１ｅ上に厚さの異なるゲート絶縁膜１６ｉ1,１６ｉ2 を形成する。・・・この段階におけるゲート絶縁膜１６ｉ1,１６ｉ2 の厚さは互いに異なり、相対的に厚いゲート絶縁膜１６ｉ1 の厚さは、例えば８ｎｍ程度、相対的に薄いゲート絶縁膜１６ｉ2 の厚さは、例えば４. ５ｎｍ程度である。」ことが、記載されている。
（ａ−２）周知文献２．特開平８−１９５４４１号公報（図３、図４、及び、【０００３】段落参照）には、「【０００３】従来の２種類の厚さのゲート酸化膜を有するＭＯＳＦＥＴを含むＩＣの製造工程の一例を図３ (ａ) 、 (ｂ) および図４ (ａ) 、 (ｂ) 、 (ｃ) に示す。先ず、Ｐ基板１上に厚さ８６０ｎｍの選択酸化膜２１を形成する〔図３ (ａ) 〕。そのあと、厚さ１００ｎｍのゲート絶縁膜２３を形成し、薄いゲート酸化膜を形成すべき領域全面の酸化膜をエッチングにより除去したのち、厚さ2.５ｎｍのゲート絶縁膜２２を形成する〔図３ (ｂ) 〕。次いで、ＣＶＤ法により多結晶Ｓｉを４００ｎｍの厚さに堆積し、パターニング・エッチングにより多結晶Ｓｉゲート３を形成・・・する〔図４ (ａ) 〕。・・・」ことが、記載されている。
（ａ−３）周知文献３．特開平２０００−２１６２５７号公報（原審の引用刊行物５）（図６、及び、【０００２】、【０００３】段落参照）には、「【０００２】
【従来の技術】・・・このように高圧系トランジスタおよび低圧系トランジスタを有する半導体装置では、同一半導体基板上に、膜厚の異なる２種類のゲート絶縁膜を形成する必要がある。
【０００３】以下、図６を参照しながら従来の半導体装置の製造方法について説明する。図６は従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図６において、６０１はシリコン基板、６０２はＬＯＣＯＳ酸化膜、６０３は酸化種、６０４はシリコン酸化膜、６０５はレジスト、６０６はシリコン酸化膜で形成された薄膜ゲート絶縁膜、６０７は積層されたシリコン酸化膜で形成された厚膜ゲート絶縁膜、６０８はゲート電極用のポリシリコン膜であり、Ａは厚膜ゲート絶縁膜を有する高圧系トランジスタ形成領域、Ｂは薄膜ゲート絶縁膜を有する低圧系トランジスタ形成領域を示す。」ことが、記載されている。
（ａ−４）周知文献４．特開平２０００−３５３７５３号公報（図１〜図６、及び、【００１６】、【００１７】、【００１９】、【００２０】、【００２２】段落参照）には、「【００１６】図１はその製造工程中における半導体基板・・・１の要部断面図を示している。・・・その主面には、例えば溝型の分離部２が形成されている。・・・
【００１７】・・・この半導体基板１において分離部２で囲まれた活性領域の主面（半導体基板１の主面）上には、例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜５が形成されている。・・・
【００１９】続いて、フォトレジスト膜６ａをエッチングマスクとして、低電源電圧で駆動する素子の領域Ｌにおける絶縁膜５を除去することにより、図３に示すように、素子の領域Ｌにおける半導体基板１の主面を露出させる。なお、高電源電圧で駆動する素子の領域Ｈには絶縁膜５が残されている。
【００２０】その後、フォトレジスト膜６ａを除去した後、図４に示すように、半導体基板１に対してゲート酸化処理を施すことにより、半導体基板１の主面上（活性領域上）に厚さが異なるゲート絶縁膜７ａ、７ｂを形成する。・・・特に限定されないが、薄い方のゲート絶縁膜７ａの厚さは、例えば３．５ｎｍ程度、厚い方のゲート絶縁膜７ｂの厚さは、例えば８．０ｎｍ程度である。・・・
【００２２】次いで、図５に示すように、半導体基板１の主面上に、例えば低抵抗ポリシリコン膜８をＣＶＤ法等によって堆積した後、・・・図６に示すように、ゲート電極９を形成する。・・・」ことが、記載されている。
（ｂ）上記の周知文献１ないし４に記載の「素子分離部」（周知文献１の「素子分離膜」と「浅溝型の分離部１４」、周知文献２の「選択酸化膜２１」、周知文献３の「ＬＯＣＯＳ酸化膜６０２」、周知文献４の「溝型の分離部２」に注意のこと。）は、本願発明の「素子分離領域」に相当し、周知文献１ないし４に記載の「素子分離部」は、「２種類のトランジスタ形成領域」に分離するものであるので、周知文献１ないし４に記載の「素子分離部」は、本願発明の「半導体基板の主面を少なくとも第１の領域及び第２の領域に区画する素子分離領域」に相当する。
　また、周知文献１ないし４に記載の「素子分離部で分離された２種類のトランジスタ形成領域に、それぞれ膜厚が異なる２種類のゲート絶縁膜を有する２種類の絶縁ゲート型トランジスタを備えること」は、「２種類の絶縁ゲート型トランジスタ」のうち、ゲート絶縁膜の膜厚が大きい絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜が、本願発明の「第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜」に相当し、ゲート絶縁膜の膜厚が小さい絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜が、本願発明の「第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜」に相当し、周知文献１ないし４に記載の「２種類の絶縁ゲート型トランジスタ」は、それぞれゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極を備えているので、周知文献１ないし４に記載の「素子分離部で分離された２種類のトランジスタ形成領域に、それぞれ膜厚が異なる２種類のゲート絶縁膜を有する２種類の絶縁ゲート型トランジスタを備えること」は、本願発明の「前記第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜の上にそれぞれ形成されたゲート電極とを備え、前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さ」いことに相当する。
　したがって、上記の周知文献１ないし４の記載から、本願発明の「半導体基板の主面を少なくとも第１の領域及び第２の領域に区画する素子分離領域と、前記第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜の上にそれぞれ形成されたゲート電極とを備え、前記第２のゲート絶縁膜の膜厚は前記第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さ」いことは、周知である。
（ｃ）また、刊行物発明の「半導体デバイス」の窒素の混入において、「添加される窒素の量は処理工程条件に依存するので、これらの処理工程条件はどんなトランジスタの設計にも最適となるように操作される。」（【００１３】段落）ものであり、「好適に絶縁層１４は１０から１５０」（オングストローム）「厚さの酸素含有層」（【００１２】段落）、すなわち、１から１５ｎｍの厚さの酸素含有層であるので、刊行物発明は、１から１５ｎｍの範囲で、任意の膜厚の酸素含有層（絶縁層１４）に適用できるものである。また、ちなみに、上記の周知文献１には、「ゲート絶縁膜１６ｉ1,１６ｉ2 の厚さは互いに異なり、相対的に厚いゲート絶縁膜１６ｉ1 の厚さは、例えば８ｎｍ程度、相対的に薄いゲート絶縁膜１６ｉ2 の厚さは、例えば４. ５ｎｍ程度である。」（【００６５】段落）と、上記の周知文献４には、「特に限定されないが、薄い方のゲート絶縁膜７ａの厚さは、例えば３．５ｎｍ程度、厚い方のゲート絶縁膜７ｂの厚さは、例えば８．０ｎｍ程度である。」（【００２０】段落）と、刊行物発明と同様の酸素含有層（絶縁層）の膜厚が、記載されている。その上、本願の明細書及び図面の第１〜第３の実施形態には、１から１５ｎｍの厚さの範囲を超える第１及び第２のゲート絶縁膜については、記載されていない。
（ｄ）したがって、刊行物発明の窒素が混入されているゲート絶縁層は、上記周知の「前記第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜」と「前記第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜」のいずれにも適用することができることは明らかであって、刊行物発明に上記（ｂ）で検討した周知技術を用いることにより、本願発明のごとく、「第１のゲート絶縁膜」のみならず、「第２のゲート絶縁膜」にも窒素が導入されるようにすることは、当業者が半導体装置の設計上適宜なし得た程度のことと認められる。
［相違点２について］
　刊行物１の図５を参照すると、この図は、ゲート絶縁層の最上表面部の酸化窒化珪素インタフェース層として窒素のピークを有している例であり、窒素のピーク位置は、ゲート絶縁層の表面にあるのではなく、ゲート絶縁層の表面から深さ約５オングストローム（約０．５ｎｍ）あたりの位置にあるので、「６０酸化膜」（膜厚が６ｎｍの酸化膜）の膜厚を、少しでも小さくすると、相対的に、窒素のピーク位置は、ゲート絶縁層の深さ方向の中央方向に移動することになって、窒素が膜厚方向のより中央部分にピークを有するようになり、また、窒素の分布は、膜厚が小さくなった分だけ、よりブロードになるものと認められる。
　そして、上記「［相違点１について］」に記載したとおり、ゲート電極からのドーパントの拡散の防止等を目的として、上記周知の、膜厚が異なる「第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜」と「第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜」のそれぞれに、刊行物発明である図５の窒素の分布を適用することは容易であり、その際、膜厚がより小さい「第２のゲート絶縁膜」が、よりブロードな窒素の分布になり、窒素の分布のピーク位置は、膜厚方向のより中央部分になることは、明らかである。
　したがって、本願発明の「第２のゲート絶縁膜の窒素濃度はブロードな窒素分布で且つ膜厚方向の中央部分にピークを持」つようにすることは、刊行物発明と周知技術から、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
［相違点３について］
　刊行物発明は、本願発明の「第１のゲート絶縁膜」に相当する「ゲート絶縁層」については、「窒素のピーク」濃度が「約１７原子百分率であ」り、「窒素のピーク濃度が約１７ａｔｍ％である」限りにおいて、本願発明の、「窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下である」ものと一致している。
　また、刊行物発明は、「ゲート絶縁層は」「０．１から５７の原子百分率の窒素成分を有」するものであり、刊行物１の図５には、「窒素のピーク」が「約１７原子百分率である」ゲート絶縁層も記載されており、さらに、本願発明の「第２のゲート絶縁膜」は、膜厚が第１のゲート絶縁膜の膜厚よりも小さいが、その膜厚の小ささの程度についての特定がないことから、第１のゲート絶縁膜よりわずかに小さい膜厚のものも含まれるために、上記「［相違点１について］」で検討したように、上記周知の「前記第１の領域に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第２の領域に形成された第２のゲート絶縁膜」のうちの、膜厚が「第１のゲート絶縁膜」の膜厚よりも小さい「第２のゲート絶縁膜」においても、窒素のピーク濃度を、本願発明の、「窒素のピーク濃度が１０ａｔｍ％を越えて４０ａｔｍ％以下である」範囲内の、刊行物発明の「約１７原子百分率」程度とすることは、当業者が必要により適宜設定できた程度のことと認められる。
　
　したがって、本願発明は、その優先権主張日前に国内において頒布された刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。