【事件の表示】
　平成１１年特許願第２４２４８１号「発光ダイオ−ド素子とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月１６日出願公開、特開２００１−　６８７３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年８月３０日の出願であって、平成１８年７月１９日に手続補正がなされ、同年９月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成１８年７月１９日付け手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されたものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のものである。
　
「【請求項１】ｎ型半導体とｐ型半導体を接合して発光素子部を形成し、前記発光素子部の表面および裏面に表面電極と裏面電極を形成する発光ダイオード素子において、前記裏面電極を、前記発光素子部の裏面の面積の２０〜５０％に選定するとともに、前記表面電極と平面視同じ位置に同じ大きさで形成することを特徴とする発光ダイオード素子。」
　
２．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−８３４９号公報（以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐ型半導体とｎ型半導体を接合し、表面及び裏面に部分的にオーミック電極を有する発光ダイオード素子において、四角形に基板から切り出された素子の四辺の長さの平均値をＬとしたときに、素子の厚さＤがＤ≧Ｌ／３の条件を満たし、且つ表面電極を垂直に裏面上に投影したとき表面電極の５０％以上が裏面電極と重なるように表面電極と裏面電極を配置してなる発光ダイオード素子。
【請求項２】  裏面電極の面積は素子裏面の面積の１５〜６０％の範囲にあり、且つ表面電極の面積と同等もしくはそれ以上の面積としてなる請求項１記載の発光ダイオード素子。
【請求項３】  表面電極の７０％以上が裏面電極と重なるようにしてなる請求項１又は２記載の発光ダイオード素子。」
　
（イ）「【０００８】電極形成後ウェーハはダイシングソーにより各チップに分離されるので、各チップは通常四角形をなしている。本発明においては表裏の電極間の距離は所定値以上大きいことが必要であり、この値は素子の四辺の長さの平均値をＬとしたとき、素子の厚さＤ（表裏電極間の最短距離）がＤ≧Ｌ／３で表わされる。そして表面電極と裏面電極はできるだけ重なり合うよう、即ち表面電極を垂直に裏面上に投影したとき表面電極の５０％以上、好ましくは７０％以上が裏面電極と重なるように配置される。また本発明は裏面の電極を形成しない部分からも光の取り出しができるようにするところから、裏面電極は素子裏面に部分的に設ける必要がある。この場合、好ましくは裏面電極の面積は素子の裏面の面積の１５〜６０％の範囲で、且つ表面電極の面積と同等もしくはそれ以上の面積とするものである。
【０００９】
【作用】素子の厚みが極端に薄い場合には、特公昭５３−２６７９６の発明において示されたように発光が電流の拡散により影響を受け、本発明に示されたのとは逆に、できるだけ表裏の電極が一致しないように配置することが有効であることが知られている。しかしながら、本発明のように素子の厚みを十分に厚くとり、且つ素子の発光波長に対する吸収が影響されない程度の材質を選定した場合には、特公昭５３−２６７９６で示された現象とは逆に発光した光が形成した電極によって吸収されてしまう影響の方が大きいことが、本発明者等の研究により明らかにされた。また、それらの知見により電極の構造を鋭意研究した結果、本発明において示されているように、表面電極と裏面電極の重ならない面積を最小にするよう合わせると、電極部で吸収され光の取り出しを阻害する面積を減少させることができ、素子内部から外部に取り出される光の量が増加し発光出力が大幅に改善されることとなった。」
　
（ウ）「【００１０】
【実施例】・・・（中略）・・・
【００１１】・・・（中略）・・・ｎ側の円形の電極１は表面の中心部の直径１３０μｍφの領域をフォトリソグラフィーによるレジスト材などで保護し、上記領域以外の領域をエッチング法で除去することで形成した。この直径１３０μｍφの電極を縦、横３５０μｍの間隔（中心間距離）でウェーハ全面に形成した。裏面となるｐ側の電極は、裏面の中心部に直径２５０μｍφの円形の電極２をフォトリソグラフィー法により上記と同様にして形成した。これは素子裏面の面積に対し略５０％の面積に相当する。この構成により裏面電極の位置は、表面電極の直下となり、両電極の中心は垂直方向で一致している。ダイシングソーにて２５μｍ厚のブレードを用いてウェーハを切断し、ＬＥＤチップを形成した。最終的な素子の大きさはダイシングに使用したブレードによる切り代が約３０μｍであったため素子裏面の形状は一辺が３２０μｍの正方形となった。・・・（中略）・・・
【００１４】・・・（中略）・・・本発明品は裏面電極を表面電極にほぼ一致させているため裏面電極の光吸収の影響が小さく発光特性が従来より改善されていることが判明した。本実施例では裏面電極に対する表面電極の重なり合いは１００％となるが、重なり合う面積は５０％以上あれば、ほぼ満足する発光強度が得られるが、好ましくは７０％以上である。単純に、裏面電極のサイズを大きくするとその重なり合いは容易に達成できるが、裏面電極が素子の裏面面積に対し６０％を越えると光の吸収の影響が大きくなる。また、１５％を切る電極サイズにおいては順方向電圧が高くなる傾向が見られる。これらのことから、裏面電極の面積は素子裏面の面積の１５〜６０％が好ましい。」
　
（エ）「【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば素子を所定以上の厚みとし、且つ裏面電極を表面電極に対し直下の位置に配置し、裏面電極と表面電極の重ね合わせられない面積をできるだけ小さくすることで、素子内部から外部に取り出される光の量が増加し発光出力が改善される。」
　
　上記各記載事項からみて、引用例には、
「ｐ型半導体とｎ型半導体を接合し、表面及び裏面に部分的にオーミック電極を有する発光ダイオード素子において、四角形に基板から切り出された素子の四辺の長さの平均値をＬとしたときに、素子の厚さＤがＤ≧Ｌ／３の条件を満たし、且つ表面電極を垂直に裏面上に投影したとき表面電極の７０％以上が裏面電極と重なるように表面電極と裏面電極を配置してなる発光ダイオード素子であって、
　裏面電極の面積は素子裏面の面積の１５〜６０％の範囲にあり、且つ表面電極の面積と同等の面積としてなり、
　裏面電極を表面電極に対し直下の位置に配置しており、
　表面電極と裏面電極の重ならない面積を最小にするよう合わせると、電極部で吸収され光の取り出しを阻害する面積を減少させることができ、素子内部から外部に取り出される光の量が増加し発光出力が大幅に改善されることとなった、
　発光ダイオード素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　
（ア）引用発明の「ｎ型半導体」、「ｐ型半導体」、「接合」、「表面」、「裏面」、「表面電極」、「裏面電極」及び「発光ダイオード素子」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型半導体」、「ｐ型半導体」、「接合」、「表面」、「裏面」、「表面電極」、「裏面電極」及び「発光ダイオード素子」に相当する。
　
（イ）引用発明は「ｐ型半導体とｎ型半導体を接合し、表面及び裏面に部分的にオーミック電極を有する発光ダイオード素子」であって、当該「オーミック電極」が「表面電極」及び「裏面電極」であるから、引用発明は、本願発明の「ｎ型半導体とｐ型半導体を接合して発光素子部を形成し、前記発光素子部の表面および裏面に表面電極と裏面電極を形成する発光ダイオード素子」との事項を備えていることが明らかである。
　
（ウ）引用発明では「裏面電極の面積は素子裏面の面積の１５〜６０％の範囲にあ」るから、本願発明と引用発明とは、前記裏面電極を、前記発光素子部の裏面の面積の所定の割合に選定している点で一致する。
　
（エ）引用発明では「裏面電極の面積は」「表面電極の面積と同等の面積としてなり」、「表面電極を垂直に裏面上に投影したとき表面電極の７０％以上が裏面電極と重なるように表面電極と裏面電極を配置してな」り、「裏面電極を表面電極に対し直下の位置に配置して」いるから、本願発明と引用発明とは、前記裏面電極を、前記表面電極と平面視で重なる位置に同等の大きさで形成している点で一致する。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、
「ｎ型半導体とｐ型半導体を接合して発光素子部を形成し、前記発光素子部の表面および裏面に表面電極と裏面電極を形成する発光ダイオード素子において、前記裏面電極を、前記発光素子部の裏面の面積の所定の割合に選定するとともに、前記表面電極と平面視で重なる位置に同等の大きさで形成する発光ダイオード素子。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
[相違点１]
　上記所定の割合が、本願発明においては、２０〜５０％であるのに対し、引用発明においては１５〜６０％である点。
　
[相違点２]
　本願発明においては、前記裏面電極を、前記表面電極と平面視同じ位置に同じ大きさで形成しているのに対し、引用発明においてはそのようになっているか明らかではない点。
　
４．判断
（ア）上記[相違点１]について
　引用発明における上記所定の割合が１５〜６０％とされている理由は、「裏面電極が素子の裏面面積に対し６０％を越えると光の吸収の影響が大きくな」り、「１５％を切る電極サイズにおいては順方向電圧が高くなる傾向が見られる」ことにあるところ（上記２．（ウ）の【００１４】参照。）、これらの影響をどの程度まで許容するかは、製品の仕様等に応じて当業者が適宜設計すべき事項にすぎないものであるから、結局、上記[相違点１]のようにすることは当業者が適宜設計し得たことにすぎない。
　
（イ）上記[相違点２]について
　引用発明においては「表面電極を垂直に裏面上に投影したとき表面電極の７０％以上が裏面電極と重なるように表面電極と裏面電極を配置してなる」とともに、「表面電極と裏面電極の重ならない面積を最小にするよう合わせると、電極部で吸収され光の取り出しを阻害する面積を減少させることができ、素子内部から外部に取り出される光の量が増加し発光出力が大幅に改善されることとなった」とされている。また、引用例には、表面電極及び裏面電極をともに１つの円形の電極とした例が記載されている（上記２．（ウ）の【００１１】参照。）。
　以上に照らせば、引用発明において、表面電極と裏面電極の重ならない面積を最小にするために、上記[相違点２]のようにすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（ウ）そして、本願発明の効果は、引用発明から予測できる範囲のものである。
　
（エ）してみれば、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。