【事件の表示】
　平成１０年特許願第１８１７９１号「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月２１日出願公開、特開２０００−　２２２６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年６月２９日の出願であって、平成１７年１２月１９日に手続補正がなされ、平成１８年４月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月２６日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年６月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年６月２６日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）平成１８年６月２６日付けの手続補正の内容
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に「前記活性層と前記絶縁膜との間の距離が１．２７〜１．８５μｍ」であるとの記載（以下、「本件補正事項１」という。）を追加するとともに、発明の詳細な説明の【０００７】に、「さらに第１の発明では、活性層と絶縁膜との間の距離を１．２７〜１．８５μｍとする。このため、レーザ光が活性層と絶縁膜との間の領域にも広がり、ニアフィールドパターン（ＮＦＰ）を円い形状にすることができる。」との記載（以下、「本件補正事項２」という。）を追加することを含むものである。
　
（２）本件補正事項１の追加が特許法第１７条の２第３項に適合するか否かについての当審の判断
（２−１）本件補正事項１に関連する本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「当初明細書等」という。）の記載は以下のとおりである。
　
「【００１２】以下には、図２および図３に従って、半導体レーザ装置１０の具体的な製造方法を説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、有機金属気相成長（以下、「ＭＯＣＶＤ」という。）装置内に基板１２を装着し、その上に下部クラッド層１６を１２０００〜１８０００Å、活性層１８を８００〜１２００Å、第１上部クラッド層２０を２５００〜３５００Å、エッチングストップ層２２を１００〜５００Å、第２上部クラッド層３０を１００００〜１４０００Å、第１コンタクト層３２を１００〜５００Åの厚さにそれぞれ順に積層する。そして、ＭＯＣＶＤ装置から基板１２を取り出してこれをスパッタ装置内に装着し、図２（Ｂ）に示すように、第１コンタクト層３２の上に絶縁膜３４をスパッタ法により形成する。」
　
（２−２）当初明細書等には、上記記載事項を含め、本件補正事項１は明示的に記載されていない。
　
（２−３）そして、当初明細書等には、活性層と絶縁膜との間の距離という観点に着目することが記載されていないし、また、そのことが自明であるとの根拠も見いだせないから、上記記載事項から、活性層と絶縁層との間の距離が１．２７〜１．８５μｍであるとの本件補正事項１を導き出すことは、自明であるとはいえない。
　
（２−４）さらに、本件補正に係る特許請求の範囲の請求項１には、第１上部クラッド層、エッチングストップ層、第２上部クラッド層、第１コンタクト層について何ら特定されていないところ、上記記載事項は、これらの各層の存在を前提とした記載であるから、これらの各層の存在を前提としない本件補正事項１を、当初明細書等から自明であるとすることはできない。
　
（２−５）したがって、本件補正事項１の追加は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。よって、本件補正事項１の追加は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）本件補正事項２の追加が特許法第１７条の２第３項に適合するか否かについての当審の判断
（３−１）本件補正事項２は、本件補正事項１の内容を実質的に含有するところ、当該含有部分についての判断は上記（２−５）のとおりであるが、それ以外の部分については、当初明細書等に関連する記載が一切存在せず、レーザ光のニアフィールドパターン（ＮＦＰ）を円い形状にするとの技術的事項を導き出すための手がかりとなる記載事項を当初明細書等に見いだすことができない。よって、本件補正事項２は当初明細書等に記載されておらず、また、自明であるともいえない。
　
（３−２）また、レーザ光が活性層と絶縁膜との間の領域にも広がり、レーザ光のニアフィールドパターン（ＮＦＰ）を円い形状にすることができるか否かは、活性層と絶縁膜との間の距離のみによって決するものとはいえないから、この点からも、本件補正事項２は、当初明細書等の記載から自明であるともいえない。
　
（３−３）したがって、本件補正事項２の追加は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。よって、本件補正事項２は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年６月２６日付けの手続補正は上記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年１２月１９日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「基板の上に下部クラッド層、光導波路を有する活性層、上部クラッド層および電極を積層し、前記電極から前記上部クラッド層を通して前記活性層へ電流を付与するようにした、半導体レーザ装置において、
　前記電極と前記上部クラッド層との間における前記活性層の端部に対応する位置から少なくとも前記活性層の幅の４〜８％の幅で前記電流の流れを阻止するための絶縁膜を前記上部クラッド層と電極との間に形成したことを特徴とする、半導体レーザ装置。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−６５２８６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「２．特許請求の範囲
　半導体基板上に半導体下部クラッド層、半導体活性層、半導体上部クラッド層が順次積層されたダブルヘテロ構造を有し、該活性層の共振器端面近傍には該活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有するウインド領域をもち、前記ウインド領域のIII−Ｖ族化合物半導体薄膜の混晶組成比が該活性層の混晶組成比と異なるウインド型半導体レーザにおいて、前記ウインド領域の上部に誘電体層を有することを特徴とする半導体レーザ。」（第１頁左下欄第４行〜第１４行）
　
（イ）「・・・ウインド領域のバンドギャップは発光領域のバンドギャップよりも十分大きくなり、レーザ発振光が端面近傍で吸収されず、端面の破壊が防止され半導体レーザの最大出力を大きく、寿命を延ばすことができる。」（第２頁左上欄第６行〜第１０行）
　
（ウ）「［実　施　例］
　第１図は本発明の実施例におけるウインド型半導体レーザの主要断面図である。（１０２）のｎ型ＧａＡｓ基板上に（１０３）ｎ型ＧａＡｓバッファ層、（１０４）ｎ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層、（１０９）のＡ１０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ活性層、（１０５）Ｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層、（１０６）Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を順次、ＭＯＣＶＤ法で積層形成する。活性層を形成する時には、劈開面近傍に紫外光を照射する。光照射部ではＭＯＣＶＤ法のIII族原料であるＴＭＧ、ＴＭＡ等の有機金属原料の分解効率が、非照射部と異なるため、劈開面近傍のみにアルミニウム含有量の多い（１１０）Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓウインド領域が形成できる。しかるのち（１０７）ＳｉＯ２層を熱ＣＶＤ法で形成し、（１１０）ウインド領域上部を残してストライプ状に（１０７）のＳｉＯ２層をエッチングし、さらにその上部に（１０８）Ｐ型オーミック電極（１０２）ｎ型ＧａＡｓ基板側に（１０１）ｎ型オーミック電極を形成する。そして、前記の光照射部近傍で劈開して共振器を形成し利得導波型のウインド型半導体レーザが得られる。・・・（中略）・・・
　第１図のウインド型半導体レーザの注入電流に対する光出力を第３図（３０２）に示す。（３０３）はウインド領域上部に誘電体層をもたない従来のウインド型半導体レーザの注入電流に対する光出力を示している。本発明のウインド型レーザはウインド領域に流れる無効電流がなくなるため、従来のウインド型レーザに比べ発振しきい値電流が大幅に小さくなっている。」（第２頁右上欄第１２行〜右下欄第１５行）
　
（エ）「［発明の効果］
　以上述べたように本発明によれば、ウインド領域上部に高抵抗半導体層を有する構造にすることにより、ウインド領域に流れる無効電流をなくし発振しきい値電流を大きく減少させる効果を有する。」（第３頁右上欄第１５行〜第２０行）
　
（オ）上記記載事項（ウ）から、引用例の半導体レーザには、Ｐ型オーミック電極が積層されており、また、誘電体層（ＳｉＯ２）層は、Ｐ型オーミック電極と半導体上部クラッド層（（１０５）Ｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層）との間に形成されていることになる。
　
（カ）上記記載事項（ア）、（ウ）に照らせば、第１図（ａ）（ｃ）から、誘電体層（１０７）は、Ｐ型オーミック電極（１０８）とＰ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層（１０５）との間における共振器の端部に対応する位置から形成されていることが見て取れる。
　
　上記各記載事項によれば、引用例には、
「半導体基板上に半導体下部クラッド層、半導体活性層、半導体上部クラッド層が順次積層されたダブルヘテロ構造を有し、該活性層の共振器端面近傍には該活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有するウインド領域をもつウインド型半導体レーザにおいて、
　前記ウインド領域の上部に誘電体層を有する半導体レーザであって、
　Ｐ型オーミック電極が積層されており、
　誘電体層は、Ｐ型オーミック電極と半導体上部クラッド層との間に形成されており、
　誘電体層は、Ｐ型オーミック電極と半導体上部クラッド層との間における共振器の端部に対応する位置から形成されており、
　ウインド領域上部に誘電体層を有する構造にすることにより、ウインド領域に流れる無効電流をなくした、
　半導体レーザ。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　
（ア）引用発明の「半導体基板上」、「半導体下部クラッド層」、「半導体上部クラッド層」、「Ｐ型オーミック電極」、「積層」、「半導体レーザ」及び「誘電体層」は、それぞれ、本願発明の「基板の上」、「下部クラッド層」、「上部クラッド層」、「電極」、「積層」、「半導体レーザ装置」及び「絶縁膜」に相当する。
　
（イ）引用発明の「半導体活性層」及び「ウインド領域」が、ともに、本願発明の「活性層」に相当することは明らかである。
　そうすると、引用発明の「Ｐ型オーミック電極と半導体上部クラッド層との間における共振器の端部に対応する位置」は、本願発明の「前記電極と前記上部クラッド層との間における前記活性層の端部に対応する位置」に相当することになる。
　また、引用発明において、活性層が「光導波路を有する」ことは明らかである。
　
（ウ）引用発明の半導体レーザ（本願発明の「半導体レーザ装置」に相当。）が、Ｐ型オーミック電極（本願発明の「電極」に相当。）から半導体上部クラッド層（本願発明の「上部クラッド層」に相当。）を通して活性層へ電流を付与するようにしたことは明らかである。
　
（エ）引用発明においては、「前記ウインド領域の上部に誘電体層を有」しており、「誘電体層は、Ｐ型オーミック電極と半導体上部クラッド層との間における共振器の端部に対応する位置から形成されて」いるとともに、「ウインド領域上部に誘電体層を有する構造にすることにより、ウインド領域に流れる無効電流をなくし」ているから、本願発明と引用発明とは、前記電極と前記上部クラッド層との間における前記活性層の端部に対応する位置から所定の幅で前記電流の流れを阻止するための絶縁膜を前記上部クラッド層と電極との間に形成した点で一致する。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、
「基板の上に下部クラッド層、光導波路を有する活性層、上部クラッド層および電極を積層し、前記電極から前記上部クラッド層を通して前記活性層へ電流を付与するようにした、半導体レーザ装置において、
　前記電極と前記上部クラッド層との間における前記活性層の端部に対応する位置から所定の幅で前記電流の流れを阻止するための絶縁膜を前記上部クラッド層と電極との間に形成した、半導体レーザ装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
[相違点]
　上記所定の幅について、本願発明においては、少なくとも前記活性層の幅の４〜８％の幅であるのに対し、引用発明においては、そうなっているのか明らかではない点。
　
（４）判断
　上記[相違点]について検討する。
　
　引用発明における絶縁膜は、ウインド領域上部に設けられているから、当該絶縁膜の幅は、当該ウインド領域の幅と実質的に一致する。そして、当該ウインド領域は、その「バンドギャップは発光領域のバンドギャップよりも十分大きくなり、レーザ発振光が端面近傍で吸収されず、端面の破壊が防止され半導体レーザの最大出力を大きく、寿命を延ばすことができる」（上記（２）の記載事項（イ）参照。）との観点から当業者が適宜設定し得たものであるといえる。一方、本願明細書の記載からみて、当該絶縁膜の幅を少なくとも前記活性層の幅の４〜８％の幅であるとすることに臨界的意義があるともいえないから、結局、上記[相違点]については当業者が適宜設定し得たものと解するのが相当であり、格別とはいえない（なお、バンドギャップを大きくした領域の幅を、少なくとも活性層の幅の４〜８％とした半導体レーザ装置の例として、特開昭６４−１４９８６号公報の第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第６行、第３頁右上欄第１２行〜第１４行を参照。）。
　
　そして、上記[相違点]に係る本願発明の効果は引用発明から当業者が予測し得たものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。