【事件の表示】
　平成　８年特許願第２１１０８９号「半導体加速度センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２４日出願公開、特開平１０−　５４８４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年８月９日の出願であって、平成１７年６月２日付け（発送日同年６月７日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年８月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年８月２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲の請求項１の記載を、補正前の、
　「【請求項１】加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）としたものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサ素子を搭載する基板とその半導体センサ素子との間に介在され該半導体センサ素子の熱膨張係数と同じ熱膨張係数を有する台座を設け、
　前記半導体センサ素子を、ベース材料に可撓性樹脂を用いると共にこれに所定粒径の樹脂粒子を０．１ｗｔ％（重量パーセント）以下となるように配合した接着剤を用いて前記台座に固定したことを特徴とする半導体加速度センサ。」
から、補正後の、
　「【請求項１】加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）としたものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサ素子を搭載する基板とその半導体センサ素子との間に介在され該半導体センサ素子の熱膨張係数と同じ熱膨張係数を有
し、厚さ寸法が１ｍｍ以上である
　前記半導体センサ素子を、ベース材料に可撓性樹脂を用いると共にこれに
粒径が８〜１５μｍの範囲
が０．０３〜
の範囲で
され、厚さ寸法が８〜１５μｍの範囲である
に補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「台座」について「厚さ寸法が１ｍｍ以上である」との限定を付加し、同じく発明を特定するために必要な事項である「所定粒径」を、具体的に「粒径が８〜１５μｍの範囲」と限定し、同じく発明を特定するために必要な事項である「０．１ｗｔ％（重量パーセント）以下」について、「０．０３〜０．１ｗｔ％（重量パーセント）の範囲で」と数値範囲を減縮し、同じく発明を特定するために必要な事項である「接着剤」について、「厚さ寸法が８〜１５μｍの範囲である」との限定を付加するものであるから、上記補正事項は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、上記補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「補正後第１発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）補正後第１発明
　「【請求項１】加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）としたものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサ素子を搭載する基板とその半導体センサ素子との間に介在され該半導体センサ素子の熱膨張係数と同じ熱膨張係数を有
し、厚さ寸法が１ｍｍ以上である
　前記半導体センサ素子を、ベース材料に可撓性樹脂を用いると共にこれに
粒径が８〜１５μｍの範囲
が０．０３〜
の範囲で
され、厚さ寸法が８〜１５μｍの範囲である
　
（２）引用例
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２８０８３２号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　（ア）「【請求項１】加速度を受けて変位する加速度感知部を有する基板と、該加速度感知部の変位に対してダンピング作用をなすダンピング部を有し、前記加速度感知部の変位により加速度を検出するようにした加速度検出装置において、前記ダンピング部を、前記加速度感知部に対してエアギャップを形成するギャップ形成部材にて構成し、該ギャップ形成部材を、ギャップ調整用接合剤を介して前記基板に接合し、該ギャップ調整用接合剤にて前記エアギャップの大きさを調整するようにしたことを特徴とする加速度検出装置。
【請求項２】 前記ギャップ調整用接合剤は、ビーズを含む接着剤であって、このビーズの径により前記エアギャップの大きさが調整されることを特徴とする請求項１に記載の加速度検出装置。」（【特許請求の範囲】）
　　（イ）「【産業上の利用分野】本発明は、加速度を検出する加速度検出装置に関し、例えばシリコン基板に形成されたカンチレバーが加速度を受けて変位することにより加速度を検出する半導体式加速度検出装置に適用することができる。」（段落【０００１】）
　　（ウ）「【実施例】図２に半導体式加速度検出装置の全体構成を示す。Ｇセンサ１と処理回路１１を基板１２にダイボンド剤を介して接着する。その後、導通用端子１３をハーメチックシール部材１４にてシールした金属の台座１５に、基板１２を接着剤にて接合する。Ｇセンサ１、処理回路１１、基板１２、導通用端子１３をＡｌまたはＡｕ等の配線１６を用いてワイヤボンドし、電気的な接続をとる。その後、台座１５と金属のカバー１７を接合してパッケージとしている。」（段落【００１０】）
　　（エ）「Ｇセンサ１の構成を図１に示す。シリコン基板２（特許請求の範囲でいう、基板）には、加速度感知部をなすカンチレバー３が設けられており、このカンチレバー３が加速度を受けた時の変位状態を、図示しない検出部で検出し、この検出部からの検出信号に基づき図２の処理回路１１にて加速度を検出する。ここで、図１に示す構成では、エアギャップ４ａ、４ｂを高精度に制御するため、ビーズ、特に微細なマイクロビーズ（直径が５〜３５μｍ程度もの）を含んだ接着剤７ａ、７ｂによりシリコン基板２とリードフレーム等を用いて形成されるギャップ調整用部材６ａ、６ｂを接合している。すなわち、エアギャップ調整用に微細で高精度なマイクロビーズを接着剤の中に混入させ、エアギャップをマイクロビーズの１つの高さで調整するようにしている。」（段落【００１１】）
　　（オ）「上記した接着剤としては低温度で接合できる点で、樹脂が最も望ましい。・・・マイクロビーズとしては、樹脂あるいはガラスのものを用いることができ、」（段落【００１２】）
　　（カ）「なお、ギャップ調整用部材６ａ、６ｂは、例えばパイレックスガラス、シリコン等のシリコン基板２の熱膨張係数に近い材料のものを用いるのが望ましい。」（段落【００１４】）
　　（キ）「【図１】本発明の一実施例におけるＧセンサの構成を示す断面図である。【図２】本発明の一実施例の全体構成を示す断面図である。」（【図面の簡単な説明】）
　　（ク）図面の図１には、カンチレバー３は先端側厚肉部と根元側薄肉部とから成ることが見て取れ、図２には、Ｇセンサ１は基板１２に搭載されていることが見て取れる。
　
　そうすると、上記（オ）から、接着剤が樹脂であり、マイクロビーズが樹脂であるものが読み取れ、上記（カ）から、ギャップ調整用部材６ｂはシリコン基板２の熱膨張係数に近い材料のものであることが読み取れる。
　したがって、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　「加速度の検出をするものであって、シリコン基板２に設けたカンチレバー３の根元側薄肉部を介して先端側厚肉部が支持される構成で、加速度を受けて先端側厚肉部が変位するとその変位状態を検出部で電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにしたシリコン基板２を有する半導体式加速度検出装置において、前記シリコン基板２を搭載する基板１２とそのシリコン基板２との間に介在され該シリコン基板２の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するギャップ調整用部材６ｂを設け、前記シリコン基板２を、材料に樹脂を用いると共にこれに直径が５〜３５μｍの範囲の樹脂製マイクロビーズが配合され、ギャップをマイクロビーズの１つの高さで調整する接着剤７ｂを用いて前記ギャップ調整用部材６ｂに固定した半導体式加速度検出装置。」
　
　　イ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−３３３０５１号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　（ア）「【産業上の利用分野】本発明は、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した３次元等の多次元加速度センサに適用するのに好適な、半導体加速度センサに関する。」（段落【０００１】）
　　（イ）「図４は、従来の半導体加速度センサを示す（特開平３−２５３５号公報等）。図４において、１は単結晶シリコンからなるシリコンペレット、２はシリコンペレット１をエッチングして形成した可撓部（ダイヤフラム）、３は可撓部２上に形成されたピエゾ抵抗、４はシリコンペレット１に固着される重錘体、５はシリコンペレット１を支持する台座、６は台座５を介してシリコンペレット１が設置される制御基板、７は台座５をステム６に接着する接着剤」（段落【０００３】）
　　（ウ）「【０００９】【作用】発明者は、台座を介してシリコンペレット等の基体ペレットがステム上に設置される半導体加速度センサの温度ドリフト特性を小さなものに改善するべく、種々の検討を行った。この際、温度ドリフト特性が台座の厚みにどのように依存するか実験などにより調査した。【００１０】図２は、その調査結果であり、台座の厚みを種々に変えた際の温度ドリフトによる誤差の分布（フルスケール％）を示す温度ドリフト特性である。図２から、半導体加速度センサは、台座の厚みが１ｍｍ以上であれば、温度ドリフト特性が小さなものになることが分かる。これは、台座の厚みが１ｍｍ以上であれば、ピエゾ抵抗への熱応力が緩和されたものである。」（段落【０００９】〜【００１０】）
　　（エ）「【００１２】【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。図１は、本発明の半導体加速度センサのセンサチップの実施例の構成図である。図１のように、この半導体加速度センサチップは、前記図４に示した従来のセンサと同様のシリコンペレット１、可撓部２、ピエゾ抵抗３、重錘体４、及び、接着剤７を有し、更に、シリコンペレットを支持する台座１０、該台座が設置されるステム１１を備えたものである。【００１３】前記台座１０は、例えばガラスからなり、厚み（シリコンペレット１及びステム１１間の台座１０高さ）が１ｍｍ以上（実施例では２ｍｍ）である。」（段落【００１２】〜【００１３】）
　　（オ）「なお、前記実施例においては、図１に示す構成の半導体加速度センサチップを示したが、本発明の実施範囲は台座の厚みが２ｍｍに限定されるものではなく、台座の厚みが１ｍｍ以上であれば、他の構成のチップで本発明を実施できる。」（段落【００１５】）
　
　したがって、引用例２には次の発明（以下、「引用例２記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　「可撓部２にピエゾ抵抗３が形成されたシリコンペレット１を搭載するステム１１と前記シリコンペレット１との間に介在され、厚みが１ｍｍ以上である台座１０を備えた半導体加速度センサ」
　
　　ウ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−１１０３５１号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　（ア）「【産業上の利用分野】本発明は、加速度又は圧力等を検出する半導体力学センサ装置に関する。」（段落【０００１】）
　　（イ）「【００１３】【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明する。図１（ａ）は、加速度センサモジュール（加速度検出装置）の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。この図１において、セラミック基板１の上に、制御用ＩＣ２と駆動用ＩＣ３が接着剤５ａによってダイマウントされており、さらにこの制御用ＩＣ２のＡｌパッド部分を除いたチップ中央付近（加速度センサ４を搭載できる空き領域）に、加速度センサ４が接着剤５ｂによってダイマウントされている。【００１４】ここで、接着剤５ｂとしては、加速度センサ４に働く熱的、機械的な応力を吸収するため、低ヤング率の樹脂に、エアギャップ（例えば、２０μｍ）を形成するためのガラスビーズを混入した接着剤を用いている。」（段落【００１３】〜【００１４】）
　
　したがって、引用例３には次の発明（以下、「引用例３記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　「加速度センサ４を制御用ＩＣ２に固定するガラスビーズを混入した接着剤５ｂを有し、前記接着剤５ｂとして低ヤング率の樹脂を用いた半導体力学センサ装置」
　
（３）対比
　補正後第１発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「カンチレバー３の根元側薄肉部」、「先端側厚肉部」、「シリコン基板２」、「半導体式加速度検出装置」、「基板１２」、「ギャップ調整用部材６ｂ」は、それぞれ、補正後第１発明の「梁部」、「重り部」、「半導体センサ素子」、「半導体加速度センサ」、「基板」、「台座」に相当する。
　　イ　引用発明の「加速度を検出するもの」と、補正後第１発明の「加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）としたもの」とは、共に、「加速度を検出するもの」である点で共通し、また、引用発明の「その変位状態を検出部で電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出する」ことと、補正後第１発明の「梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出する」こととは、共に、「その変位状態を検出部で電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出する」ことで共通する。
　　ウ　引用発明の「樹脂製マイクロビーズ」、「直径」は、それぞれ、補正後第１発明の「樹脂粒子」、「粒径」に相当する。
　　エ　引用発明の「接着剤７ｂ」は、補正後第１発明の「接着剤」に相当する。そして、引用発明の「材料に樹脂を用いる」ことと、補正後第１発明の「ベース材料に可撓性樹脂を用いる」こととは、共に、「ベース材料に樹脂を用いる」ことで共通する。
　以上ア〜エの考察から、両者は、次の一致点で一致し、相違点１〜４で相違する。
　【一致点】
　「加速度を検出するものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位するとその変位状態を検出部で電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、前記半導体センサ素子を搭載する基板とその半導体センサ素子との間に介在される台座を設け、前記半導体センサ素子を、ベース材料に樹脂を用いると共にこれに粒径が所定の範囲の樹脂粒子が配合される接着剤を用いて前記台座に固定した半導体加速度センサ。」
　【相違点】
　相違点１：加速度を検出する点及び変位状態を検出部で電気的に検出する点に関して、補正後第１発明では、「検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）」とし、かつ、「梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出して」いるのに対し、引用発明では、検出範囲が不明であり、梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するものであるのか不明である点。
　相違点２：台座に関して、補正後第１発明では、台座は「厚さ寸法が１ｍｍ以上である」のに対し、引用発明では、ギャップ調整用部材６ｂの厚さ寸法は不明である点。
　相違点３：ベース材料に樹脂を用いると共にこれに樹脂粒子が配合されている点に関して、補正後第１発明では、ベース材料に「可撓性」樹脂を用い、かつ、樹脂粒子が「０．０３〜０．１ｗｔ％（重量パーセント）の範囲」で配合されているのに対し、引用発明では、接着剤７ｂの樹脂が可撓性のものであるか不明であり、マイクロビーズの配合率が不明である点。
　相違点４：粒径が所定の範囲であること及び接着剤に関して、補正後第１発明では、粒径が「８〜１５μｍ」の範囲であり、かつ、「厚さ寸法が８〜１５μｍの範囲である」接着剤であるのに対し、引用発明では、直径が「５〜３５μｍ」の範囲であり、「ギャップをマイクロビーズの１つの高さで調整する」接着剤７ｂである点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　相違点１については、例えば、特開平４−３１８４６８号公報（「例えば、検出加速度の範囲は、自動車の車体の動きなどから自ずと決まるものであり、１Ｇ（Ｇ＝９．８ｍ／ｓ２）〜２Ｇが一般的である。」（段落【０００２】参照））、特開平４−３５６９７１号公報（「ＡＢＳ用加速度センサでは、自動車の加減速時に変化する小さな加速度（０〜１．５Ｇ）を差分ではなく直接（ある時刻での加速度を）感知する必要があり」（段落【０００２参照】））に記載されているように、半導体加速度センサにおいて、検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）の範囲としたものは従来周知であると認められるから、当該周知技術を引用発明に適用して、補正後第１発明のごとく構成することは当業者が容易になし得たものである。さらに、前掲特開平４−３１８４６８号公報（「半導体微細加工を応用した加速度センサには例えば・・・がある。シリコンウェハに、ＫＯＨなどを用いたケミカルエッチング加工により片持梁を形成し、梁の付け根付近にＢ＋の打込みなどにより歪抵抗ゲージを形成する。片持梁先端の重錘が外力を受けて動作した時の歪抵抗値の変化をもとに出力電圧を得る方式である。」（段落【０００２】参照））、前掲特開平４−３５６９７１号公報（「第２支持部９と重り部１０とは前述したように可動部１４，・・・，１７にて連結されている。この可動部１４，・・・，１７の厚さは５μｍ程度となっており、２つずつのピエゾ抵抗層１８ａ，・・・，２１ｂが形成されている。・・・そして、図７に示すように各ピエゾ抵抗層１８ａ，・・・，２１ｂにてホイーストーンブリッジ回路が形成されるように電気接続されている。・・・端子３７及び３８は加速度に応じた電位差を取り出すための出力端子である。」（段落【００１０】〜【００１２】参照））に記載されているように、加速度を受けていわゆる重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出することも従来周知の技術であると認められるから、当該周知技術を引用発明の電気的に検出する手段として採用して、補正後第１発明のごとく構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　
　次に、相違点２について検討する。
　引用例２には、引用例２記載の発明として、「可撓部２にピエゾ抵抗３が形成されたシリコンペレット１を搭載するステム１１と前記シリコンペレット１との間に介在され、厚みが１ｍｍ以上である台座１０を備えた半導体加速度センサ」が記載されている。そして、引用発明のギャップ調整用部材６ｂと引用例２記載の発明の台座１０とは、共に、半導体式加速度検出装置において、シリコンセンサ素子を搭載する基板とシリコンセンサ素子との間に介在する部材であるという点で共通するから、引用発明のギャップ調整用部材６ｂに引用例２記載の発明の台座１０の厚み寸法を適用することに困難性はない。したがって、引用発明のギャップ調整用部材６ｂに引用例２記載の発明の厚み寸法を適用して補正後第１発明のごとく構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　
　次に、相違点３について検討する。
　引用例３には、引用例３記載の発明として「加速度センサ４を制御用ＩＣ２に固定するガラスビーズを混入した接着剤５ｂを有し、前記接着剤５ｂとして低ヤング率の樹脂を用いた半導体力学センサ装置」が記載されており、引用例３記載の発明の「低ヤング率の樹脂」が、補正後第１発明の「可撓性樹脂」に相当する。したがって、引用発明の接着剤７ｂの樹脂として引用例３記載の発明の低ヤング率の樹脂を採用して補正後第１発明のごとく構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　また、マイクロビーズの混入された接着剤７ｂを使用する場合に、該マイクロビーズの配合率が多すぎると接着強度が低下することは技術常識であり、他方、マイクロビーズの１つの高さでギャップを調整するためにマイクロビーズを混入することを考慮すれば、該マイクロビーズの配合率が少なすぎるとギャップを規定するために必要な最低限の量を確保できないことも技術常識である。そうすると、接着強度とギャップを規定するために必要な量が確保できるかどうかを勘案して最適の粒子の配合率を選定することは当業者にとって通常の創作能力の発揮であるというべきであるから、引用発明のマイクロビーズの接着剤７ｂの樹脂に対する配合率を、補正後第１発明のごとく、０．０３〜０．１ｗｔ％（重量パーセント）の範囲で配合させることは、当業者が容易になし得る設計的事項にすぎない。
　
　次に、相違点４について検討する。
　粒径について、引用発明の「５〜３５μｍ」の範囲は、補正後第１発明の「８〜１５μｍ」の範囲を包含している。一方、本願明細書の記載によれば、前記下限値８μｍ及び上限値１５μｍの前後で特段の効果の差異が生じるような臨界的意義を認めることができない。したがって、引用発明の「５〜３５μｍ」の範囲を、補正後第１発明のごとく「８〜１５μｍ」の範囲とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　また、接着剤の厚さ寸法については、引用発明では、ギャップをマイクロビーズの１つの高さで調整する接着剤７ｂを用いるのであるから、接着剤７ｂの厚さ寸法はマイクロビーズの１つの高さ、すなわち、マイクロビーズの直径と等しい寸法であると解され、５〜３５μｍの厚さ寸法を有することとなる。そうすると、上記粒径について検討したのと同様の理由により、引用発明の接着剤７ｂの厚さ寸法を、補正後第１発明のごとく、８〜１５μｍの範囲とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　
　そして、補正後第１発明の奏する作用効果についても、引用例１ないし３に記載された事項及び上記周知技術に基づいて当業者が予測できる範囲内のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、補正後第１発明は、引用発明、引用例２、３記載の発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１７年８月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年２月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１Ｇは重力の加速度）としたものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサ素子を搭載する基板とその半導体センサ素子との間に介在され該半導体センサ素子の熱膨張係数と同じ熱膨張係数を有する台座を設け、
　前記半導体センサ素子を、ベース材料に可撓性樹脂を用いると共にこれに所定粒径の樹脂粒子を０．１ｗｔ％（重量パーセント）以下となるように配合した接着剤を用いて前記台座に固定したことを特徴とする半導体加速度センサ。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１ないし３、及び、その記載事項は、上記「第２」の「２（２）引用例」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願第１発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討した補正後第１発明の発明特定事項から、「厚さ寸法が１ｍｍ以上である台座」に関して「厚さ寸法が１ｍｍ以上である」との事項を省き、同じく、「厚さ寸法が８〜１５μｍの範囲である接着剤」に関して「厚さ寸法が８〜１５μｍの範囲である」との事項を省き、さらに、「粒径が８〜１５μｍの範囲」に関して「所定粒径」と数値範囲を拡大し、同様に、「樹脂粒子が０．０３〜０．１ｗｔ％（重量パーセント）の範囲」に関して「０．１ｗｔ％（重量パーセント）以下」と数値範囲を拡大したものである。
　そうすると、本願第１発明の発明特定事項に他の限定事項を付加し、さらに、数値範囲を減縮したものに相当する補正後第１発明が、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で記載したとおり引用発明、引用例２、３記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、数値範囲の拡大により特段の作用効果が生じるものでもないから、本願第１発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２、３記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願第１発明は、引用発明、引用例２、３記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。