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　特願２００１−３８０３５５「電界放射型電子源およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　４日出願公開、特開２００３−１８７６８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１３年１２月１３日の出願であって、平成１７年１０月２６日付け（発送日同年１１月１日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１２月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１７年１２月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
平成１７年１２月１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の
　
「【請求項１】　下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し下部電極と表面電極との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、表面電極が、電子通過層に積層された導電性炭化物層と、導電性炭化物層に積層された貴金属層とからなり、導電性炭化物層が炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウムから選択される導電性炭化物により形成され且つ貴金属層が白金により形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。」
を、
　
「【請求項１】下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し下部電極と表面電極との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、表面電極が、電子通過層に積層された導電性炭化物層と、導電性炭化物層に積層された貴金属層とからなり、導電性炭化物層が炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウムから選択される導電性炭化物により形成され且つ貴金属層が白金により形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。」
　
と補正することを含むものである。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明特定事項に「電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、」を追加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前である平成１２年４月７日に頒布された特開２０００−１００３１６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１−１）「【００１４】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図２に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面上に急速熱酸化されたポリシリコン層５が形成され、該ポリシリコン層５上に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６が形成され、該多孔質ポリシリコン層６上に金属薄膜たる金薄膜７が形成されている。また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。」
　
（１−２）「【００２３】上述の電界放射型電子源１０を真空チャンバ（図示せず）内に導入して、図４に示すように金薄膜７と対向する位置にコレクタ電極２１（放射電子収集電極）を配置し、真空チャンバ内の真空度を５×１０−５Ｐａとして、金薄膜７とオーミック電極２との間に直流電圧Ｖpsを印加するとともに、コレクタ電極２１と金薄膜７との間に直流電圧Ｖcを印加することによって、金薄膜７とオーミック電極２との間に流れるダイオード電流Ｉpsと、電界放射型電子源１０から金薄膜７を通して放射される電子ｅ−（なお、図４中の一点鎖線は放射電子流を示す）によりコレクタ電極２１と金薄膜７との間に流れる放出電子電流Ｉeとを測定した結果を図５に示す。ここに、金薄膜７はオーミック電極２（つまり、ｎ形シリコン基板１）に対して正極として直流電圧Ｖpsを印加し、コレクタ電極２１は金薄膜７に対して正極として直流電圧Ｖcを印加している。」
　
（１−３）「【００３１】上述のＴＥＭ観察の結果から、図３（ｄ）に示す急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６（ＲＴＯ−ＰＰＳ層６）は、つまり、強電界ドリフト層は、図１に示すように、少なくとも、柱状の半導体結晶であるポリシリコン６１と、ポリシリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜６２と、柱状のポリシリコン６１間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成されると考えられる。
【００３２】しかして、本実施形態の電界放射型電子源１０では、次のようなモデルで電子放出が起こると考えられる。すなわち、金薄膜７をｎ形シリコン基板１に対して正極として印加する直流電圧Ｖpsが所定値（臨界値）に達すると、ｎ形シリコン基板１側からＲＴＯ−ＰＰＳ層６に熱的励起により電子ｅ−が注入される。一方、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６に印加された電界はほとんどシリコン酸化膜６４にかかるから、注入された電子は酸化膜６４にかかっている強電界により加速されＲＴＯ−ＰＰＳ層６におけるポリシリコン６１の間の空間を表面に向かって図１中の矢印Ａの向きへ（図１中の上方向へ向かって）ドリフトする。ここに、ＲＴＯ−ＰＰＳ層中の電子のドリフト長は後述のように微結晶シリコン層６３の粒径に比べて非常に大きいので、ほとんど衝突を起こすことなくＲＴＯ−ＰＰＳ層６の表面に到達する。ＲＴＯ−ＰＰＳ層６の表面に到達した電子ｅ−はホットエレクトロンであって、ホットエレクトロンは熱平衡状態よりも数ｋＴ以上のエネルギを有するので、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６の最表面の酸化層を介して金薄膜７を容易にトンネルし真空中に放出される。」
　
（１−４）「【００４５】また、上記実施形態においては、金属薄膜として金薄膜７を用いているが、金属薄膜の材料は金に限定されるものではなく、仕事関数の小さな金属であればよく、例えば、アルミニウム、クロム、タングステン、ニッケル、白金などを用いてもよい。ここに、金の仕事関数は５．１０ｅＶ、アルミニウムの仕事関数は４．２８ｅＶ、クロムの仕事関数は４．５０ｅＶ、タングステンの仕事関数は４．５５ｅＶ、ニッケルの仕事関数は５．１５ｅＶ、白金の仕事関数は５．６５ｅＶである。」
が記載されている。
　
　したがって、これらの記載事項によると、引用例１には、次のとおりの発明、
「オーミック電極２と、金、白金薄膜７と、オーミック電極２と金、白金薄膜７との間に介在しオーミック電極２と金、白金薄膜７との間に直流電圧Ｖｐｓを印加したときに作用する強電界により電子がドリフトする多孔質ポリシリコン層６とを備え、多孔質ポリシリコン層６をドリフトした電子が金、白金薄膜７をトンネルし放出される電界放射型電子源１０であって、多孔質ポリシリコン層６が、ナノメータオーダの多数の微結晶シリコン層６３と、各微結晶シリコン層６３それぞれの表面に形成され微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜６４とを有してなることを特徴とする電界放射型電子源１０。」（以下、これを「引用例１に記載された発明」という。）
　　
が記載されているものと認める。
　
（２）対比・判断
　本件補正発明１と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載された発明における「オーミック電極２」、「金、白金薄膜７」、「直流電圧Ｖｐｓ」、「印加」、「強電界」、「電子」、「ドリフト」、「多孔質ポリシリコン層６」、「トンネルし放出される」、「電界放射型電子源１０」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「下部電極」、「表面電極」、「電圧」、「印加」、「電界」、「電子」、「通過」、「電子通過層」、「通して放出される」、「電界放射型電子源」に相当する。
　さらに、引用例１に記載された発明における「ナノメータオーダの多数の微結晶シリコン層６３」、「各微結晶シリコン層６３」、「表面」、「形成」、「微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚」、「シリコン酸化膜６４」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶」、「各シリコン微結晶」、「表面」、「形成」、「シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚」、「絶縁膜」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　
【一致点】
「下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し下部電極と表面電極との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有してなることを特徴とする電界放射型電子源。」
で一致し、
　
【相違点】
　「本件補正発明１では、表面電極が、電子通過層に積層された導電性炭化物層と、導電性炭化物層に積層された貴金属層とからなり、導電性炭化物層が炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウムから選択される導電性炭化物により形成され且つ貴金属層が白金により形成されているのに対して、
　引用例１に記載された発明では、金、白金薄膜７（表面電極に相当。）が、導電性炭化物層を有しない点」
で相違する。
　　
　そこで、上記【相違点】について検討する。
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前である平成１３年５月１１日に頒布された特開２００１−１２６６１０号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、
　
（２−１）「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
（電子放出素子）・・・多孔質半導体層１３はシリコン半導体層１２形成後の陽極酸化により多孔質化されて形成される。多孔質半導体層１３は全体は１〜５０μmの膜厚を有する。炭素領域４０の材料として無定形炭素，グラファイト，フラーレン（Ｃ２ｎ），ダイヤモンドライクカーボン，ダイヤモンド，などの形態の炭素、或いは、ＺｒＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，ＭｏＣなどの炭素化合物が有効である。」
　
（２−２）「【００１５】さらに、図３に示すように、炭素領域４０は金属薄膜電極１５下に積層された薄膜として形成してもよい。この場合、炭素領域を設ける工程は、多孔質半導体層１３の形成工程の後に、炭素領域４０を多孔質半導体層１３上に成膜して、その後、炭素領域４０上に金属薄膜電極１５を成膜する。このように、炭素領域を設ける工程は金属薄膜電極形成工程の直前に実行される。このようにして図３に示す炭素領域４０を金属薄膜電極１５及び多孔質半導体層１３間に成膜した構造が得られる。
【００１６】多孔質半導体電子放出素子は、表面の薄膜電極を正電位Ｖpsにし裏面オーミック電極を接地電位としたダイオードである。オーミック電極１１と薄膜電極１５との間に電圧Ｖpsを印加し半導体層１２に電子を注入すると、ダイオード電流Ｉpsが流れ、多孔質半導体層１３は高抵抗であるので、印加電界の大部分は多孔質半導体層にかかる。電子は、金属薄膜電極１５側に向けて多孔質半導体層１３内を移動する。金属薄膜電極付近に達した電子は、そこで強電界により一部は金属薄膜電極１５及び炭素領域４０を通過し、外部が真空４であれば真空中に放出される。」
　
（２−３）「【００２５】多孔質Ｓｉ層は多数の微細孔と残留Ｓｉとからなる。微細孔径が１〜数百ｎｍ内径で残留Ｓｉが原子数十〜数百の大きさにした多孔質Ｓｉ層により、量子サイズ効果による放出現象が得られる。」
　
（２−４）「【００２７】次に、電子放出側の金属薄膜電極材料１５としてはＰｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒなどの金属が有効であるが、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕも用いられ、更に、それらの合金であっても良い。薄膜電極１５の材質は、電子放出の原理から仕事関数φが小さい材料で、薄い程良いが、薄膜電極１５の材質は極薄化の面では、導電性が高く化学的に安定な金属が良く、たとえばＡｕ、Ｐｔ、Ｌｕ、Ａｇ、Ｃｕの単体又はこれらの合金等が望ましい。また、これらの金属に、上記仕事関数の小さい金属をコート、あるいはドープしても有効である。ＡｕまたはＰｔ薄膜電極膜厚が１〜５０ｎｍで実用化可能な効率が得られる。素子としての安定性を考えるとＡｕまたはＰｔ薄膜電極膜厚は２〜２０ｎｍが最も適当である。」
　
（２−５）「【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、金属薄膜電極の上部若しくは下部又は内部に炭素又は炭素化合物からなる炭素領域が設けられているので、駆動中にダイオード電流Ｉpsが流れすぎずに、電子放出効率η（η＝放出電流ＩＥＭ／ダイオード電流Ｉps）の高い素子が得られる。また、製造中における多孔質化したシリコン層表面はかなり荒れており、後工程で設ける表面の金属薄膜電極との接触が悪くなり、電子放出が不安定になる問題も解消できる。」
　
　これらの記載事項によると、引用例２には、
　
「多孔質半導体層１３（電子通過層に相当。）に積層された炭素領域４０（導電性炭化物層に相当。）と、炭素領域４０（導電性炭化物層に相当。）に積層された金属薄膜電極１５（貴金属層に相当。）とからなり、炭素領域４０（導電性炭化物層に相当。）がＺｒＣ（炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウムから選択される導電性炭化物に相当。）により形成され且つ金属薄膜電極１５（貴金属層に相当。）がＰｔ（白金に相当。）により形成された、表面電極。」
　
が記載されていると認める。
　
　そして、引用例２に記載された表面電極は、引用例１に記載された多孔質ポリシリコン層６（電子通過層に相当。）と同質の多孔質半導体層１３（電子通過層に相当。）に積層されるものであるから、
　引用例１に記載された発明において、その金、白金薄膜７（表面電極に相当。）を、
引用例２に記載された、「炭素領域４０（導電性炭化物層に相当。）と、炭素領域４０（導電性炭化物層に相当。）に積層された金属薄膜電極１５（貴金属層に相当。）とからなり、炭素領域４０（導電性炭化物層に相当。）がＺｒＣ（炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウムから選択される導電性炭化物に相当。）により形成され且つ金属薄膜電極１５（貴金属層に相当。）がＰｔ（白金に相当。）により形成された、表面電極」で置換することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本件補正発明１の奏する効果は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が予測可能な範囲内のものである
　
　したがって、本件補正発明１は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１７年１２月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１６年５月１０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し下部電極と表面電極との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、表面電極が、電子通過層に積層された導電性炭化物層と、導電性炭化物層に積層された貴金属層とからなり、導電性炭化物層が炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウムから選択される導電性炭化物により形成され且つ貴金属層が白金により形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。」
　
（１）引用例に記載の発明
　引用例１に記載の発明は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明１は、前記「２．」で検討した本件補正発明１の発明特定事項から「電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、」を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに「電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、」を付加したものに相当する本件補正発明１が、前記「２．（２）」に記載したとおり引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本件補正発明１についての判断で示したのと同様の理由により、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。