【事件の表示】
　平成　７年特許願第２０９７３６号「走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　７月２３日出願公開、特開平　８−１９０２０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年８月１７日（パリ条約による優先権主張、平成６年８月１７日、アメリカ合衆国）の出願（特願平０７−２０９７３６号）であって、平成１８年６月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１８年９月２０日付で拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
 ２．本願発明  
　本願の請求項１〜２３に係る発明は、平成１８年５月１７日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりである。
本願発明１；
「走査形写真平版ツールで用いるアライメント装置において、
　当該アライメント装置は、回路パターンのイメージをウェファ上に投影する投射光学装置から独立し、当該投射光学装置とは別個の光学チャネルおよび別個のコンポーネントセットを使用しており、
　当該アライメント装置は、
　１つの照射源と、
　１つのレチクルと、
　光線を方向付けするための第１のレンズ装置と、
　１つの開口絞りと、
　１つのビームスプリッタと、
　上部にプラスおよびマイナスアライメントマークを有するウェファに光線を向け、当該ウェファから反射および散乱された光線を集める第２のレンズ装置と、
　ウェファから反射された光線を検出する、前記ビームスプリッタと関連する第１の検出装置と、
　ウェファ上のプラスアライメントマークから散乱された光線を検出する第２の検出装置と、
　ウェファ上のマイナスアライメントマークから散乱された光線を検出する第３の検出装置と、を有する
ことを特徴とする走査形写真平版ツールで用いるアライメント装置。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−１８８９５３号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。
　
ア．「本発明は位置検出装置、特に半導体焼付け装置においてマスク又はレチクルの半導体集積回路パターンをウェハ上に焼付ける前の工程としてマスクとウェハを正確に位置合わせするために、マスクとウェハ上にそれぞれ予め形成された位置合わせ用マーク（以下、それぞれマスクアライメントマーク、ウェハアライメントマークという。）の位置を高精度で検出する位置検出装置に関する。」（第１ページ左下欄第19行〜同ページ右下欄第６行）
　
イ．「以下、図面に従って、本発明の実施例を説明する。第１図(A)は、マスクパターンを縮小投影光学系を介してウェハー上び焼付ける装置、いわゆるステッパーの主要構成を示す図である。
　図中、１は集積回路パターン及びアライメント・マークを具えたマスクであり、マスク・ステージ24に保持されている。３は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェハーでアライメントマークを具えるものとする。５はウェハー・ステージであり、ウェハー４を保持するものである。マスク・ステージ24及びウェハー・ステージ５は、Ｘ方向、Ｙ方向並びに回転方向（θ方向）に移動可能なものである。
　そして例えば、ウェハー・ステージ５をＸＹ方向に送ってステップ・アンド・リピート運動を行い、マスク・ステージ24をＸ・Ｙ・θ方向に移動してマスク１を装置に対して初期セットし、更にマスク・ステージ24をＸ・Ｙ方向に移動すると共にウェハー・ステージ５をθ方向に移動してマスク１とウェハー４のアライメントを行う。但し、Ｘ・Ｙ・θともマスク・ステージをを動かしてアライメントしても良いし、逆にウェハー・ステージのみを動かしてアライメントしても良い。
　また、20と20'はマスク１のアライメントマーク、21と21'はウェハー４のアライメントマークである。図ではウェハー４のアライメントマークを便宜上、１組描いているが、実際には露光されるショット数と同じ数の組が配されているものとする。」（第２ページ左上欄第12行〜同ページ右上欄第20行）
　
ウ．「レーザ光源22から射出したレーザ光線は、レンズ23により回転多面鏡28上の面の一点31へ収束する」（第２ページ左下欄第10〜12行）
　
エ．「42は光電検出系(43,44,45,46)を形成するハーフミラー、43はミラー、44はレンズ、45は空間フィルタであり、47は光検出器である。48〜51は全反射ミラー、52はプリズム、53はf-θ対物レンズである。」（第２ページ左下欄第19行〜同ページ右下欄第４行）
　
オ．「尚、図からわかる様に、信号検出系は全く対称な左右の系から成っており、オペレータ側を紙面の手前側とすると、ダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の信号検出系と呼ぶことにし、同じ部材には同一番号にダッシュを付けている。
　中継レンズ32,33,34は回転多面鏡28からの振れ原点を対物レンズ53の絞り位置55の中の瞳56に形成する。」（第２ページ右下欄第11〜１９行）
　
カ．「第３図(A)は、光検知器47(47')の平面図であり、光検出器47(47')は、互に独立した受光要素47A,47B,47C,47Dから形成されている。受光要素はチャンネルストッパー47Sにより、互に電気的に分離されており、各々独立に光電流を検出することができる。受光要素47A,47B,47C,47Dは同一チップ上に形成されており、透光部を有する金属パッケージ（不図示）に封入されている。
　第２図のフィルタ45と第３図(A)の光検知器の47の相対的な位置関係は、光検知器47のチャンネル・ストッパー47Sがフィルタの透光部45A,45B,45C,45Dに対して、45度の角度をなす様に配置される。即ち、透光部45Aを通過した光は47Aに、45Bは47Bに、45Cは47Cに、45Dは47Dに入射する様になっている。
　第３図(B)は本発明の他の実施例に係る光検知器46であり、その受光部をフィルターの透光部のパターント同一の形にしたものである。これにより受光要素46A,46B,46C,46D以外の光は検知されないから、光検知器がフィルターの役目もすることになる。この場合フィルタ45は不用になり、第１図においてレンズ44のあとに第３図(B)の光検知器46を配置すればよい。
　第４図(A)はウェハー・アライメントマークとウェハー面上に縮小投影レンズを介して投影されたマスク・アライメントマークの平面図であり、図ではウェハー面上で右側のアライメントマーク（左検出系）、即ちウェハーアライメントマーク21およびマスク・アライメントマーク20のみを示してある。マスク・アライメントマーク20は、直交するバー75と76からなる。一方ウェハー・アライメントマーク21は、直行関係の平行バー71,72及び73,74から成っている。このアライメントマークに対してレーザ光は矢印60で示した方向に光走査を行う。レーザ光がウェハー・アライメントマークを光走査すると、段差71,72,73,74での回折光は段差の線に対して垂直方向、即ち矢印で示す71Aと71C，72Aと72C，73Bと73D，74Bと74Dの方向へ進む。しかしウェハー・アライメントパターンがウェハー表面から突出している（以降ノコシ・パターンという）か、あるいは窪んでいるか（ヌキ・パターンという）によってレジスト表面の傾きが異なるから、段差近傍で反射され、あるいはレジスト層で屈折された透過反射光の方向は異なる。」（第３ページ左上欄第７行〜同ページ左下欄第12行）
　
キ．「従って第４図(B)のヌキ・パターンの場合
　　　71C,72A,73B,74D（当審注；引用例１における「73B」の記載は誤記と認める）の光を、
　　第４図(B)のノコシ・パターンの場合
　　　71A,72C,73D,74Bの光を検出すればよい。
　これらの方向の光は、フィルタ面の第２図で示す各透光部にそれぞれ次の様に対応している。これを第１表に示す。」（第４ページ左上欄第８〜14行）
　（そして、第１表には、遮光部45A,45B,45C,45Dが、それぞれ、ヌキ・パターン72A,71C,73B,74D及びノコシ・パターン71A,72C,74B,73Dに対応していることが記載されている。）
　
ク．「第５図は、上に述べた光選択を行い位置計測をする本発明の実施例に係る信号処理回路のブロック図である。47,47',58,58',は、それぞれ第１図において同一番号で示した左検出系の光検知器、右検出系の光検知器、及び左検出系の同期信号検知器、右検出系の同期信号検知器である。光検知器47,47'は、第３図(A)で示した様に、47A,47B,47C,47D及び47A',47B',47C',47D'の４つの受光要素から成り立っている。これらの受光要素からの光電流出力は、それぞれアンプ101A,101B,101C,101D及び101A',101B',101C',101D'に接続され、アンプにて電流電圧変換及び増巾される。これらのアンプの出力信号S101A,S101B,S101C,S101D,S101A',S101B',S101C',S101D'及び同期信号検知器58,58'の出力信号S58,S58'は、左検出系のアライメントマーク71,75,72,73,76,74及び右検出系のアライメントマーク71',75',72',73',76',74'を光走査した時に得られる信号であり、その信号波形図を第６図に示す。」（第４ページ左下欄第６行〜同ページ右下欄第５行）
　
　したがって、上記記載事項ア．〜ク．から、引用例１には、
「半導体焼付け装置においてマスクとウェハーを正確に位置合わせするための位置検出装置において、
　当該位置検出装置は、
　１つのレーザ光源22と、
　１つのマスク１と、
　光線を方向付けするための第１のレンズ23と、
　１対の瞳56,56'と
　１対のハーフミラー42,42'と、
　上部に直交関係の平行バー（71,72と73,74）からなるアライメントマークを有するウェハー・ステージに光線を向け、当該ウェファから反射された光を集める１対の対物レンズ53,53'と、
　ウェハー上の、上記直交関係の平行バーからなるアライメントマークのうちの一方の傾きのアライメントマーク(71,72)の段差部からの回折光を検出する光検知器の一部の受光要素(47A,47C)と、
　ウェハー上の、上記直交関係の平行バーからなるアライメントマークのうちの反対の傾きのアライメントマーク(73,74)の段差部からの回折光を検出する光検知器の一部の受光要素(47B,47D)と、
と、を有する位置検出装置」の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
　また、原査定の拒絶理由に引用された特開昭６０−２２０３４８号公報（以下、「引用例２」という）には、次の事項が記載されている。
　
ケ．「第２図は、本発明の一実施例を適用したマスク及びウエハの位置合わせ装置の概略構成図である。ここでは、第１図の光電検出器１６の代わりに、本実施例に係る光電検出器１９を取付けてある。すなわち、マスク１及びウエハ２上の整合用マークからの反射光を検出するための光路Ｐ中に、光電検出器１９を配設したものである。
　光電検出器１９は、第７図に示すように、中央部に２つの受光面２９，３０を有し、その周辺部に円状の受光面２８を有している。」（第２ページ左下欄第１８行〜右下欄第７行）
　
コ．「ここで、ミラー５の位置決めを行なうための信号検出系について説明する。第８図に示したように、ストッパー２０の中央部には開口２０aが形成されている。従って、ミラー５が正規の位置にある場合には、ウエハ２で直接反射した光ｈは開口２０ａを通過し、第９図に示すように光電検出器１９の中央の２つの受光面２９，３０に均等に入射する。この状態では、光電検出器１９の電極３２，３３には、等しい光電流が発生している。従ってプリアンプ１８の出力３７，３８（第７図の受光面２９，３０に対応）も等しい値となる。この場合には、演算回路３９はドライバー４０に対して何の指示も与えないため、ミラー５は適正な位置を維持する。」（第３ページ左上欄第４〜１７行）
　
サ．「次に、上記ミラー５の位置決めが終了後、マスク１とウエハ２との位置合わせを行うための信号検出系について説明する。第２図の装置において、ウエハ２上には第３図(i）に示す様なハの字形のパターン２１，２２，２３，２４より成る整合用マークＭが形成されている。また、マスク２上には第３図(ii)のようなハの字形のパターン２５，２６より成る整合用マークＭ’が形成されている。レーザビームでこれらのマーク(Ｍ，Ｍ’)の上を、スキャン軸Ｃにそってスキャンし、上記マークＭ，Ｍ’が第３図(iii)のような位置関係となるように移動ステージ１２を動かし、マスク１とウエハ２の整合をとるわけである。ここで、マスク１又はウエハ２上の各々のマークＭ，Ｍ’に当ったレーザビームは、第４図に示すように散乱され、散乱光ｄ〜ｇとなる。この散乱光ｄ〜ｇは、ストッパー２０の周辺部の開口２０ｂを通過して、第９図に示すように、光電検出器１９の受光面２８で暗視野検出される。（暗視野検出に関しては、第１図の従来の装置においても同様に行われ、散乱光ｄ〜ｇはストッパー１７を介して、第６図に示すように光電検出器１６の受光面１６ａで暗視野検出される。）検出された散乱光ｄ〜ｇはプリアンプ１８で増幅され、電気信号３６として演算回路３９に導かれる。演算回路３９は、電気信号３６から、マスク１とウエハ２とのずれ量を求める。ドライバー１３が該ずれ量に基づき移動ステージ１２を動かし、マスク１とウエハ２を整合させる。」（第３ページ右上欄第12行〜同ページ左下欄第１９行）
　
　また、原査定の拒絶理由に引用された特開昭５９−１０１８２７号公報（以下、「引用例３」という）には、次の事項が記載されている。
　
シ．「これに対してマスク又はレチクルとウエハをそれぞれ単独に観察、検知する光学系としても、本発明の光学系は好適である。その最も典型的な例としてはステッパーと言われる、ステップアンドリピート方式の焼付装置に使われているオフアクシス方式のアライメント法である。オフアクシス方式は投影光学系で焼き付けが行われる位置から所定の距離だけ離れた所に基準位置が設定される。その基準位置は顕微鏡の観察位置であり、ここにウエハを精度良く合わせた後、後はステージの精度を頼りに投影光学系で焼き付けを行う位置までウエハを搬送する方式である。本発明の光学系はこの基準位置を設定する顕微鏡として好適である。投影光学系の制約を受けないので、高分解能の対物レンズを用いることも可能であり、又白色光を用いることも可能である。第１０図にオフアクシス方式アライメント法の配置を示す。」（第４ページ右上欄第７行〜同ページ左下欄第５行）
　
４．対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、引用発明の「半導体焼付け装置においてマスクとウェハを正確に位置合わせするための位置検出装置」が本願発明１の「走査形写真平版ツールで用いるアライメント装置」に相当する。
　また、引用発明の位置検出装置における「１つのレーザ光源22」、「１つのマスク１」、「光線を方向付けするためのレンズ23」が、それぞれ、本願発明１の「１つの照射源」「１つのレチクル」「光線を方向付けするための第１のレンズ装置」に相当する。
　また、引用発明の位置検出装置における「１対の瞳56,56'」及び「１対のハーフミラー42,42'」は、それぞれ、本願発明１の「１つの開口絞り」「１つのビームスプリッタ」に相当する。ここで、引用発明において「瞳」「ハーフミラー」を、それぞれ、１対備えたものとする理由は、引用発明においては、検出系を左検出系と右検出系に分けて構成し、それぞれの検出系に「瞳」「ハーフミラー」を配設したことによるものである。そして、上記オ．にも記載されているように、両方の検出系は全く対称で同じ機能を有するものであるから、どちらか１つの検出系のみに着目して対比することも可能であり、その場合、引用発明の位置検出装置における「１対の瞳56,56'」及び「１対のハーフミラー42,42'」は、それぞれ、「１つの瞳」「１つのハーフミラー」となるから、「１つ」備えているか、「一対」備えているかかの相違は、単に、引用発明、本願発明の装置の特性に起因して生じたものに過ぎず、実質的な相違ということはできない。
　また、引用発明の「上部に直交関係の平行バー（71,72と73,74）からなるアライメントマークを有するウェハー・ステージに光線を向け、当該ウェハーから反射された光線を集める１対の対物レンズ53」は、本願発明の「上部にプラスおよびマイナスアライメントマークを有するウェファに光線を向け、当該ウェファから反射および散乱された光線を集める第２のレンズ装置」に相当する。
　また、引用発明における「ウェハー上の、上記直交関係の平行バーからなるアライメントマークのうちの一方の傾きのアライメントマーク(71,72)の段差部からの回折光を検出する光検知器の一部の受光要素(47A,47C)」及び「ウェハー上の、上記直交関係の平行バーからなるアライメントマークのうちの反対の傾きのアライメントマーク(73,74)の段差部からの回折光を検出する光検知器の一部の受光要素(47B,47D)」は、それぞれ、本願発明１の「ウェファ上のプラスアライメントマークから散乱された光線を検出する第２の検出装置」及び「ウェファ上のマイナスアライメントマークから散乱された光線を検出する第３の検出装置」に相当するといえる。
　よって、両者は、
「走査形写真平版ツールで用いるアライメント装置において、
　当該アライメント装置は、
　１つの照射源と、
　１つのレチクルと、
　光線を方向付けするための第１のレンズ装置と、
　１つの開口絞りと、
　１つのビームスプリッタと、
　上部にプラスおよびマイナスアライメントマークを有するウェファに光線を向け、当該ウェファから反射および散乱された光線を集める第２のレンズ装置と、
　ウェファ上のプラスアライメントマークから散乱された光線を検出する第２の検出装置と、
　ウェファ上のマイナスアライメントマークから散乱された光線を検出する第３の検出装置と、を有する
ことを特徴とする走査形写真平版ツールで用いるアライメント装置。」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
相違点１．
　本願発明１のアライメント検出装置は、「ウェファ上のプラスアライメントマークから散乱された光線を検出する第２の検出装置と、ウェファ上のマイナスアライメントマークから散乱された光線を検出する第３の検出装置」に加えて「ウェファから反射された光線を検出する、前記ビームスプリッタと関連する第１の検出装置」を有しているのに対し、引用発明におけるアライメント検出装置は「ウェハー上のプラスアライメントマークから散乱された光線を検出する第２の検出装置と、ウェハー上のマイナスアライメントマークから散乱された光線を検出する第３の検出装置」のみからなり、「ウェファから反射された光線を検出する、前記ビームスプリッタと関連する第１の検出装置」を有していない点。
　
相違点２．
　本願発明１では、アライメント装置が「回路パターンのイメージをウェファ上に投影する投射光学装置から独立し、当該投射光学装置とは別個の光学チャネルおよび別個のコンポーネントセットを使用している」のに対し、引用発明においては、そのような限定はなされていない点。
　
５．当審の判断
　以下、上記２つの相違点について検討する。
(1)相違点１について；
　上記引用例２の上記ケ．〜サ．及び第２図の記載から、引用例２における「光電検出器１９の中央の２つの受光面２９，３０」が本願発明の「第１の検出装置」に相当するといえる。また、引用例２における「上記中央部の２つの受光面の周辺部の円状の受光面２８」が、散乱光を受光する面であるから、本願発明の「第２の検出装置」と「第３の検出装置」を併せた部分に相当する。よって、引用例２におけるアライメント検出装置は「ウェハー上のプラスアライメントマークから散乱された光線を検出する第２の検出装置と、ウェハー上のマイナスアライメントマークから散乱された光線を検出する第３の検出装置」からなる検出装置に加えて「ウェファから反射された光線を検出する、前記ビームスプリッタと関連する第１の検出装置」を有しているものであるといえる。
　そして、引用発明においても、同じ技術分野に属する引用例２に記載のアライメント検出装置を採用して「ウェファから反射された光線を検出する、前記ビームスプリッタと関連する第１の検出装置」を有する検出装置とし、相違点１に係る発明特定事項を得ることは当業者にとって容易である。
　
(2)相違点２について；
　引用例３における上記シ．及び第10図の記載から、引用例３におけるアライメント装置は、一部において「回路パターンのイメージをウェファ上に投影する投射光学装置から独立し、当該投射光学装置とは別個の光学チャネルおよび別個のコンポーネントセットを使用している」ものであるといえる。
　加えて、アライメント装置が「回路パターンのイメージをウェファ上に投影する投射光学装置から独立し、当該投射光学装置とは別個の光学チャネルおよび別個のコンポーネントセットを使用している」ものは、例えば、
・特開平４−３２４９２３号公報（【0002】〜【0006】及び【図１】）
・特開平４−１４７６１０号公報（第５ページ左上欄第６行〜同ページ右上欄第１行及び第１図）
・特開平３−１５５１１４号公報（第３ページ右上欄第14行〜同ページ右下欄第１４行及び第１図）
・特解昭６２−２６２４２３号公報（第４ページ左下欄第２〜１５行及び第１図）
にも記載されているように従来周知の技術事項である。
　したがって、引用発明に、引用例３に記載された発明、及び上記の従来周知の技術事項を適用し、相違点２に係る発明特定事項を得ることは、当業者にとって容易であるといえる。。
　
　そして、本願発明１によってもたらされる効果は、上記引用発明、引用例２，３に記載された発明、及び従来周知の技術事項から、当業者が予測し得る程度のものである。
　
６．むすび
　以上より、本願発明１は、引用例１〜３に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。