【事件の表示】
　特願２００２−　２２３０４「光アナログ信号送信装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月　８日出願公開、特開２００３−２２４５２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１４年１月３０日の出願であって、平成１７年１１月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。　
　
　
２．本願発明　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年７月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものであると認める。　
　
「【請求項１】　
　活性層体積が１００μｍ3以下である半導体レーザを３．０〜６．０ＧＨｚ帯の無線信号で直接駆動する電気−光変換手段を備え、この電気−光変換手段から出力された光信号を光ファイバに伝送させる光アナログ信号送信装置であって、　
　前記半導体レーザがファブリーペロー型レーザであり、この半導体レーザのバイアス電流値Ｉｂが、この半導体レーザの発振しきい電流値Ｉｔｈに対して、　
４２［ｍＡ］≦Ｉｂ−Ｉｔｈ≦８４［ｍＡ］　
　となるようにバイアス電流を流し、　
　前記ファブリーペロー型レーザから出力される光信号の中心波長が、前記光ファイバの
ゼロ分散波長の±４０ｎｍに含まれることを特徴とする光アナログ信号送信装置。」　
　
　
３．特許法第２９条第２項について　
　
（１）当審の平成２０年５月２０日付け拒絶理由通知に引用された刊行物の記載事項および刊行物記載の発明　
　
（ア）刊行物１（特開２００１−１６０７８７号公報）の記載事項および刊行物１記載の発明　
　
（ａ）刊行物１の段落番号【０００１】に「本発明は、マイクロ波またはミリ波を用いた移動体通信、無線ＬＡＮシステム、放送網などで好適に用いられる光サブキャリア伝送方式に基づく無線アクセスシステムの光無線アクセスポイントに関する。」と記載されている。　 
　
（ｂ）刊行物１の段落番号【０００３】に「すなわち、無線端末２３へ向けて送信すべき高周波信号は送信機２４で生成される。これは、光源２５を駆動できるように出力レベルが適当に増幅または減衰されていれば、従来の無線送信機がそのまま使える。光源２５は高周波信号を光に重畳し、サブキャリア多重光（ＳＣＭ光）を生成する。生成法は、主に２種類が知られていて、レーザダイオード（ＬＤ）直接変調法と外部変調法である。ＬＤ直接変調法では、ＬＤに、しきい値を超える電流と高周波信号を同時に印加して、高周波信号に比例した強度変調光を得る。」と記載されている。　 
　
（ｃ）刊行物１の段落番号【０００４】に「ＳＣＭ光は、光ファイバ２０により、光無線アクセスポイント２２へと伝送される。」と記載されている。
　
（ｄ）刊行物１の段落番号【０００８】に「周波数は２ＧＨｚ程度のマイクロ波帯からミリ波帯まで従来の構成で実現できる。」と記載されている。　　
　したがって、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という）が、記載されていると認められる。
　
　「２ＧＨｚ程度のマイクロ波帯からミリ波帯までの高周波信号としきい値を超える電流とを同時にレーザダイオード（ＬＤ）に印加して、高周波信号に比例した強度変調光を得るＬＤ直接変調法により、サブキャリア多重光（ＳＣＭ光）を得て、ＳＣＭ光を光ファイバ２０により光無線アクセスポイント２２に伝送する光源２５。」　
　
（イ）刊行物２（特開平６−３３４６３１号公報）の記載事項
　刊行物２の段落番号【００２３】に「このとき、半導体レーザ１０に入力する信号のキャリア周波数には上限がある。すなわち、緩和振動周波数の影響で、キャリア周波数が高くなると半導体レーザ１０で発生する歪が増加する。そこで、半導体レーザ１０に入力される信号のキャリア周波数を緩和振動周波数より小さく設定し、半導体レーザ１０で生じる歪が問題にならないようにしなければならない。」と記載されている。
　
（ウ）刊行物３（特開平９−３１８８５１号公報）の記載事項
　刊行物３の段落番号【０００７】に、「図１７は一般的なサブキャリア多重光通信システムに用いられる光結合モジュールにおけるファイバ光出力及び緩和振動周波数のレーザへの注入電流依存性を示したものである。ここで、発振閾値電流（Ｉth）は１０ｍＡ、効率（η）は０．２ｍＷ／ｍＡ、規格化緩和振動周波数（Δfi）は１．５ＧＨｚ／ｍＡ1/2 としている。ここで、ΔfiはΔｆr （当審注：この「Δｆr」は「ｆr」の誤記と認められる。「Δｆr」を「ｆr」の誤記と認める理由については、下記「「Δｆr」を「ｆr」の誤記と認める理由」参照。）／（Ｉb −Ｉth）1/2 と定義され、ｆr は緩和振動周波数、Ｉb はバイアス電流、Ｉthは発振閾値電流である。緩和振動周波数（ｆr ）として１０ＧＨｚを得るためには、図１７より注入電流として５５ｍＡが必要であり、注入電流が５５ｍＡのときのファイバ光出力は１１．１ｄＢｍである。」と記載されている。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　
［「Δｆr」を「ｆr」の誤記と認める理由］
　刊行物３の段落番号【０００７】には、問題の箇所以外に「Δｆr」という量が記載されておらず、「Δｆr」という量がどういう意味を表す量であるのか不明である。この意味が不明な量を未知数ｙで表すことにする。
　すると、　
　Δfi  ＝ｙ／（Ｉb −Ｉth）1/2   　　　　　　　　　　　　　　　（１）
である。
　当業者は種々の関数のグラフを見慣れているから、逆にグラフの形を見れば、関数の形が推測できることがある。図１７のｆr の形から、「ｆr が、
Ｉb −Ｉth  の平方根に比例していること」は、当業者であれば、すぐに分かる。したがって、比例定数をｋとおいて、
　ｆr ＝ｋ・（Ｉb −Ｉth）1/2 　　　　　　　　　　　　 　　　（２）
である。
　ここで比例定数ｋを求めるために、図１７において、Ｉth ＝１０［ｍＡ］であり、Ｉb ＝５５［ｍＡ］のときにｆr ＝１０［ＧＨｚ］であることを、式（２）に代入すれば、
　ｋ＝ｆr ／（Ｉb −Ｉth）1/2 　＝１０／（５５−１０）1/2 
　　＝１．４９［ＧＨｚ／ｍＡ1/2］
を得る。
　図１７において、Ｉb ＝５５［ｍＡ］のときに、ｆr ＝１０［ＧＨｚ］であるということは、図１７から読み取った値であるから、ある程度の誤差を含んでいる。したがって、ｋ＝１．４９［ＧＨｚ／ｍＡ1/2］は、誤差の範囲内で、刊行物３の段落番号【０００７】のΔfi＝１．５ＧＨｚ／ｍＡ1/2 と一致している。
　したがって、
　ｆr ＝Δfi・（Ｉb −Ｉth）1/2 　　　　　　　　　　　　　 　（３）
である。
　式（１）と式（３）から、
　ｙ＝ｆr 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　（４）
を得る。　 
　したがって、当初に未知数ｙと置いた「Δｆr」が実は、「ｆr」であることが証明された。
　以上、［「Δｆr」を「ｆr」の誤記と認める理由］終わり。
　　
（エ）刊行物４（特開２０００−１６３７８０号公報）の記載事項
　刊行物４の段落番号【０００９】に、「一般的に、緩和振動周波数ｆRは、以下のように表される。　 
 　ｆR＝[（ａξηsepｐout／ｅＶη1）／２π]1/2…（１）　 
　ここで、ａは、微分利得、ξは、光閉じ込め率、ηsepは、前面スロープ効率 、ｐoutは、前面出力、ｅは電気素量、Ｖは、活性領域体積、η1は、内部微分量子効率である。なお、活性領域体積Ｖは、半導体レーザ素子の活性層の内、レーザ発光する断面積と共振器長との積である。」と記載されている。　
　
（オ）刊行物５（笹田道秀　他７名、１０Ｇbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール、電子情報通信学会技術研究報告　SSE2000-214、日本、2001.01.26発行、第１００巻、第６１０号、２５−３０頁）の記載事項
　刊行物５の第２６頁の「２．ＬＤモジュール」の３行目に「１．３μｍ帯のＦａｂｒｉ−Ｐｅｒｏｔ（ＦＰ）型ＬＤ」と記載され、同第２６頁の「３．光出力波形評価結果」の３−４行目に「図３に変調時の光スペクトラムを示す。」と記載され、同第２７頁の５行目に「使用した光ファイバは、零分散波長１３２０．３ｎｍ」と記載され、同図３の光スペクトラムの中心部に「波長が１３１９．２ｎｍ」であることが記載されている。　
　
（２）対比　
　刊行物１記載の発明の「高周波信号」が、本願発明の「無線信号」に相当する。　
  刊行物１記載の発明では、高周波信号の周波数は２ＧＨｚ程度のマイクロ波帯からミリ波帯までとされているから、高周波信号の周波数を３．０〜６．０ＧＨｚとすることは、想定されている。　
  刊行物１記載の発明の「レーザダイオード（ＬＤ）」が、本願発明の「半導体レーザ」に相当する。　
　刊行物１記載の発明の「光源２５」が、本願発明の「電気−光変換手段」および「光信号送信装置」に相当する。　
　したがって、本願発明と刊行物１記載の発明の一致点・相違点は以下のとおりである。　
　
（一致点）　
　「半導体レーザを３．０〜６．０ＧＨｚ帯の無線信号で直接駆動する電気−光変換手段を備え、この電気−光変換手段から出力された光信号を光ファイバに伝送させる光信号送信装置。」である点。
　
（相違点）
（ａ）本願発明では、半導体レーザがファブリ−ペロー型レーザであるのに対して、刊行物１記載の発明では、半導体レーザがどういう型であるのか特定されていない点。　
　
（ｂ）本願発明では、光アナログ信号送信装置であるのに対して、刊行物１記載の発明では、光信号送信装置である点。
　
（ｃ）本願発明では、半導体レーザのバイアス電流値Ｉｂ、この半導体レーザの発振しきい電流値Ｉｔｈに対して、
４２［ｍＡ］≦Ｉｂ−Ｉｔｈ≦８４［ｍＡ］
となるようにバイアス電流を流すのに対して、刊行物１記載の発明では、バイアス電流値について規定されていない点。
　
（ｄ）本願発明では、活性層体積が１００μｍ3以下である半導体レーザと規定されているのに対して、刊行物１記載の発明では、半導体レーザの活性層体積の値について規定されていない点。
　　
（ｅ）本願発明では、ファブリーペロー型レーザから出力される光信号の中心波長が、光ファイバのゼロ分散波長の±４０ｎｍに含まれると規定されているのに対して、刊行物１記載の発明では、半導体レーザから出力される光信号の中心波長と、光ファイバのゼロ分散波長の関係について規定されていない点。　
　
（３）当審の判断　
（ａ）について　
　ファブリ−ペロー型レーザは半導体レーザとして周知のものである（必要ならば，特開平４−２８０４９３号公報の段落番号【００２６】の「図１１に半導体レ−ザの構造を示す。これは良く知られた最も単純なファブリ−ペロ−型のもので両端の劈開面が鏡面になっていてこれが共振器を構成する。」という記載参照。）から、刊行物１記載の発明の半導体レ−ザとしてファブリ−ペロー型レーザを用いることは、設計的事項である。
　
（ｂ）について　
　無線信号をアナログ信号で変調で変調した信号とするか、それともデジタル信号で変調した信号とするかは、設計的事項である。
　
（ｃ）および（ｄ）について　
　刊行物２の段落番号【００２３】に「このとき、半導体レーザ１０に入力する信号のキャリア周波数には上限がある。すなわち、緩和振動周波数の影響で、キャリア周波数が高くなると半導体レーザ１０で発生する歪が増加する。そこで、半導体レーザ１０に入力される信号のキャリア周波数を緩和振動周波数より小さく設定し、半導体レーザ１０で生じる歪が問題にならないようにしなければならない。」と記載されているように、「半導体レーザに入力される信号のキャリア周波数を緩和振動周波数より小さく設定し、半導体レーザで生じる歪が問題にならないようにすること」は、周知の事項である。したがって、刊行物１記載の発明において、無線信号の周波数が３．０ＧＨｚ〜６．０ＧＨｚならば、半導体レーザの緩和振動周波数を６．０ＧＨｚより大きく設定することは、当業者にとって自明である。　 
　刊行物３の段落番号【０００７】に、「図１７は一般的なサブキャリア多重光通信システムに用いられる光結合モジュールにおけるファイバ光出力及び緩和振動周波数のレーザへの注入電流依存性を示したものである。ここで、発振閾値電流（Ｉth）は１０ｍＡ、効率（η）は０．２ｍＷ／ｍＡ、規格化緩和振動周波数（Δfi）は１．５ＧＨｚ／ｍＡ1/2 としている。ここで、ΔfiはΔｆr （当審注：この「Δｆr」は「ｆr」の誤記と認められる。）／（Ｉb −Ｉth）1/2 と定義され、ｆr は緩和振動周波数、Ｉb はバイアス電流、Ｉthは発振閾値電流である。」と記載されている。　 
　Δfi＝ｆr／（Ｉb −Ｉth）1/2 であるから、緩和振動周波数ｆrが、（Ｉb −Ｉth）1/2に比例することが、周知である。　 
　また、刊行物４の段落番号【０００９】に、「一般的に、緩和振動周波数ｆRは、以下のように表される。　 
 　ｆR＝[（ａξηsepｐout／ｅＶη1）／２π]1/2…（１）　 
　ここで、ａは、微分利得、ξは、光閉じ込め率、ηsepは、前面スロープ効率、ｐoutは、前面出力、ｅは電気素量、Ｖは、活性領域体積、η1は、内部微分量子効率である。なお、活性領域体積Ｖは、半導体レーザ素子の活性層の内、レーザ発光する断面積と共振器長との積である。」と記載されているように、緩和振動周波数ｆRが、活性領域体積Ｖの平方根に反比例することが周知である。活性領域体積Ｖは、半導体レーザ素子の活性層の内、レーザ発光する断面積と共振器長との積であるから、刊行物４の活性領域体積Ｖは、本願発明の「活性層体積」と同じ意味である。　 
　刊行物３と刊行物４から、緩和振動周波数ｆrが、｛（Ｉb −Ｉth）／Ｖ｝1/2に比例することが、周知である。　 
　したがって、刊行物１記載の発明の無線信号の周波数が３．０ＧＨｚ〜６．０ＧＨｚならば、緩和振動周波数ｆrが６ＧＨｚ以上となるように、（Ｉb −Ｉth）とＶを設定することは、容易に想到できたことである。　 
　この場合、緩和振動周波数ｆrが６ＧＨｚ以上となる（Ｉb −Ｉth）とＶは、ある２次元の領域となるから、その領域内のどのような小領域の（Ｉb −Ｉth）とＶを選択するかは、周知の「バイアス電流が大きいと経年劣化が早くなる（バイアス電流が大きいと経年劣化が早くなることの周知性については、必要ならば、特開平６−２０４５９３号公報の段落番号【００１４】の「これは各波長のレーザのバイアス電流は１３３ｍＡ程度の低バイアス電流で動作しているからである。このことにより従来の高バイアス電流による素子の寿命低下がなくなり高い信頼性の半導体レーザおよび光増幅器を得ることができる。」という記載参照。）」等の事項を考慮して、適用するシステムの仕様に合わせて当業者が適宜決定すべき事項であり、また本願発明において、（Ｉb −Ｉth）を４２［ｍＡ］から８４［ｍＡ］までの範囲としたこと及び活性層体積Ｖを１００μｍ3以下としたことの臨界的意義も認められないから、どのような小領域の（Ｉb −Ｉth）とＶを選択するかは、設計的事項に過ぎない。　　 
　　
（ｅ）について
　刊行物５の第２６頁の「２．ＬＤモジュール」の３行目に「１．３μｍ帯のＦａｂｒｉ−Ｐｅｒｏｔ（ＦＰ）型ＬＤ」と記載され、同第２６頁の「３．光出力波形評価結果」の３−４行目に「図３に変調時の光スペクトラムを示す。」と記載され、同第２７頁の５行目に「使用した光ファイバは、零分散波長１３２０．３ｎｍ」と記載され、同図３の光スペクトラムの中心部に「波長が１３１９．２ｎｍ」であることが記載されているから、光信号の中心波長（１３１９．２ｎｍ）が光ファイバの零分散波長（１３２０．３ｎｍ）の±１．１ｎｍに含まれている。　　 
　このように、光信号の中心波長の光ファイバの零分散波長からのずれが小さい方が好ましいことは周知であるから、半導体レーザから出力される光信号の中心周波数を、光ファイバのゼロ分散波長の近傍、例えば±４０ｎｍに含まれるようにすることは、当業者にとって容易な事項である。　 
　　
（４）特許法第２９条第２項についての結び
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された上記刊行物１〜５に記載の発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反する。
　
　
４．特許法第３６条第４項について
　
（１）平成２０年５月２０日付けの当審の特許法第３６条第４項の拒絶理由は、以下のとおりである。　
　
　本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。　 
 　
（ア）（省略）（特許法第３６条第６項の拒絶理由）
　
（イ）（省略）
　
（ウ）段落番号【００３７】に「従って、3次歪として安定した特性が得られるバイアス電流１０１の範囲は、図６より、DFBレーザ７において35 [mA] ≦ Ib - Ith ≦ 96 [mA]、FPレーザ６において42 [mA] ≦ Ib - Ith ≦ 84 [mA]となる。」と記載されている。　　 
　どういう理由で、3次歪として安定した特性が得られるバイアス電流１０１の範囲が、図６より、DFBレーザ７の場合35 [mA] ≦ Ib - Ith ≦ 96 [mA]であり、FPレーザ６の場合42 [mA] ≦ Ib - Ith ≦ 84 [mA]であると言えるのか不明である。　　 
　たとえば、FPレーザ６の42 [mA] ≦ Ib - Ith ≦ 84 [mA]の範囲におけるIMD3の相対利得は、図６から０．４ｄＢ〜５．２ｄＢである。したがって、通信システムとしては、０．４ｄＢ以上のIMD3の相対利得があれば満足できるものと判断される。しかし、DFBレーザ７の場合15 [mA] ≦ Ib - Ith ≦ 35 [mA]の範囲において０．４ｄＢ以上のIMD3の相対利得を示していながら、その範囲は採用された範囲から除外されている。したがって、どういうアルゴリズムに基づき、Ib - Ithの採用された範囲を決めたのか不明確である。　　 
　また、Ib - Ithの上限についても、DFBレーザ７の場合の96 [mA]、FPレーザ６の場合の84 [mA] は、図６の極大値と一致しているが、大きなバイアス電流による経年変化を考慮するのであれば、極大値に対応する電流値よりやや少ない電流値を上限とすること（たとえば、DFBレーザ７の場合に84 [mA]、FPレーザ６の場合に72 [mA]を上限とすること）も考えられるわけであり、図６の極大値を上限とした理由も不明確である。　 
　
（エ）段落番号【００４９】に「従って、±40 nmでは、最悪のファイバ分散値として、0.085 × 40 = 3.4 ps/nm/kmであり、モード分配雑音の影響が現れることを充分抑えられる分散量である。」と記載されている。　 
　何を根拠として、「最悪のファイバ分散値が3.4 ps/nm/kmであるならば、モード分配雑音の影響が現れることを充分抑えられる」と述べているのか不明である。　 
　なお、ファイバ分散値が3.4 ps/nm/kmである時に、ＡＣＬＲ≦−２５ｄＢという仕様が満たされるか否かは、図１０からは不明である。 
　　
（２）平成２０年７月２２日付け意見書の反論
　
（１）の（ウ）に対して
　「旧請求項１を削除いたしました。
　また、ファブリーペロー型レーザにおけるＩｂ−Ｉｔｈの上限につきまして、出願当初の明細書の図６の極大値と一致しておりますが、Ｉｂ−Ｉｔｈが極大値を超えるとホールバーニングが発生しレーザーチップの経年劣化が早まることを考慮すれば、Ｉｂ−Ｉｔｈの上限を極大値を一致させることに、なんら不明確な点はございません。」　
　
（１）の（エ）に対して　
　「出願当初の明細書の段落［００４９］に記載される「従って、±４０ｎｍでは、最悪のファイバ分散値として、０．０８５×４０＝３．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍであり、モード分配雑音の影響が現れることを充分抑えられる分散量である。」において、
　審査官殿は「ファイバ分散値が３．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍである時に、ＡＣＬＲ≦−２５ｄＢという仕様が満たされるか否かは、図１０からは不明である。」と指摘されておりますが、
　図１０において、ｃａｓｅＡ（Ｄ≒０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）、ｃａｓｅＢ（Ｄ≒−１７ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）、ｃａｓｅＣ（Ｄ≒−３４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）、および破線を考慮すれ
ば、ファイバ分散値が３．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍである時に、ＡＣＬＲ≦−２５ｄＢという仕様を満足することは、図１０から明らかであります。」
　
（３）当審の判断　　
　　
（１）の（ウ）について
　図６では、ファブリーペロー型レーザの場合、Ｉb−Ｉth＝４２mAにおいて、ＩＤＭ３の相対利得が０．４ｄＢとなっている。しかし、なぜ、ＩＭＤ３の相対利得が０．４ｄＢとなる点を、Ｉb−Ｉthの適正な範囲の下限とするのかは不明である。したがって、ファブリーペロー型レーザにおけるＩb−Ｉthの適正な範囲の下限の決め方が依然として不明である。
　また、意見書では、「Ｉb−Ｉthが極大値を超えるとホールバーニングが発生しレーザーチップの経年劣化が早まる」と説明しているが、明細書の段落番号【０００７】に「しかしながら、バイアス電流値Ibを大きくしていくと、半導体レーザの屈折率導波型ストライプの構造において、空間的なホールバーニングやストライプ端での余剰注入キャリア密度が増加し、また、その影響として、水平横方向のモード変化が生じてくる。」と記載されているように、ホールバーニングの発生について、バイアス電流値Ibを大きくしていくと、ホールバーニングの発生が多くなるという定性的な特性があるということであるから、Ｉb−Ｉthの極大値の前後で顕著な差があるわけではなく、Ｉｂ−Ｉthの適正な範囲の上限を、Ｉb−Ｉthに対するＩＭＤ３の相対利得の極大点とすることに、臨界的意義があるとは判断できない。したがって、ファブリーペロー型レーザにおけるＩb−Ｉthの適正な範囲の上限の決め方も依然として不明である。　
　
（１）の（エ）について
　意見書では、「ｃａｓｅＡ（Ｄ≒０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）、ｃａｓｅＢ（Ｄ≒−１７ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）、ｃａｓｅＣ（Ｄ≒−３４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）、」と説明しているが、明細書の段落番号【００４５】には、「case A（SMF 3km, D ≒ 0.0 ps/nm）、case B（SMF 2 km + DSF 1km, D ≒ −17.0 ps/nm）、case C（SMF 1 km + DSF 2 km, D ≒ −34.0 ps/nm）」と記載されており、意見書の各ケースのＤの単位「ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ」は、明細書の段落番号【００４５】の各ケースのＤの単位「ｐｓ／ｎｍ」と相違している。
　図１０の横軸の単位は、「ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ」ではなく、「ｐｓ／ｎｍ」であるから、意見書では「および破線を考慮すれば、ファイバ分散値が３．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍである時に、ＡＣＬＲ≦−２５ｄＢという仕様を満足することは、図１０から明らかであります。」と説明しているが、３．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍの単位「ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ」から単位「ｐｓ／ｎｍ」への換算をどのようにして行ったのか不明であり、またファイバ分散値が３．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍである時に、図１０をどのように用いて、ＡＣＬＲ≦−２５ｄＢという仕様を満足することを確認したのか、不明である。
　
（４）特許法第３６条第４項についての結び
　本件出願は、、明細書および図面の記載が、上記（ウ）、（エ）の点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　
５．結び　　
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反しており、さらに、本件出願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができず、本願は拒絶されるべきである。　
　　
よって、結論のとおり審決する。