【事件の表示】
　平成　６年特許願第３２５７１７号「静電容量型加速度センサ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　８月１１日出願公開、特開平　７−２０９３３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成６年１２月２７日の出願（優先権主張　１９９４年１月５日　ドイツ連邦共和国）であって、平成１７年１０月６日付け（発送日：同月１４日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年２月７日付けの手続補正について
　１．平成１８年２月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、以下の（１）に示される本件補正前の特許請求の範囲を、以下の（２）に示される本件補正後の特許請求の範囲に補正するものである。
　（１）本件補正前の特許請求の範囲
　「【請求項１】　基板（１２）上に配置された単結晶層からエッチングにより形成された構造を有し、該構造が、懸吊ウエブ（１１）を介してのみ基板（１２）と連結され、加速度が発生すると長手方向に運動する震動質量体（１０）と、該震動質量体（１０）からその長手方向に対して直角方向に延びる平行の板状の第１のフィンガ（１３）と、該第１のフィンガに対して平行な、基板（１２）に固定された板状の第２のフィンガ（１４）とからなり、前記第１のフィンガと第２のフィンガがコンデンサ装置を形成する静電容量型加速度センサにおいて、震動質量体（１０）から離れた末端部分（１１ａ）で基板（１２）に固定された懸吊ウエブ（１１）と第２のフィンガ（１４）が分離ストリップ（１７）により単結晶材料からなるその他のエッチングにより形成された構造に属さない残りの層（１６）から電気的に分離されており、かつ不動態層（２２）が分離ストリップ（１７）を越えて少なくとも部分的に前記の残りの層（１６）上に拡がっており、かつ不動態層（２２）上に配置され、コンデンサ装置のためのリード線として働く導体路（１８）が分離ストリップ（１７）を越えてコンデンサ装置の端子まで延びておりかつそこで接触していることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
　　【請求項２】　分離ストリップ（１７）がｎ形シリコンからなる層内でのｐ形拡散により形成されている、請求項１記載のセンサ。
　　【請求項３】　分離ストリップ（１７）が充填体（２０）で充填された、等方性又は異方性エッチングにより形成される溝により形成されている、請求項１記載のセンサ。
　　【請求項４】　溝が充填体（２０）の下に絶縁層（１９）を有する、請求項３記載のセンサ。
　　【請求項５】　充填体（２０）が多結晶材料からなる、請求項３又は４記載のセンサ。
　　【請求項６】　基板（１２）に固定された、第２のフィンガ（１４）の末端部分が少なくとも１つの横ウエブ（１５）により互いに連結され、該横ウエブ（１５）がコンデンサ装置の接続部として形成されている、請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項記載のセンサ。
　　【請求項７】　基板（１２）上に配置された単結晶層からエッチングにより形成された構造を有し、該構造が、懸吊ウエブ（１１）を介してのみ基板（１２）と連結され、加速度が発生すると長手方向に運動する震動質量体（１０）と、該震動質量体（１０）からその長手方向に対して直角方向に延びる平行の板状の第１のフィンガ（１３）と、該第１のフィンガに対して平行な、基板（１２）に固定された板状の第２のフィンガ（１４）とからなり、前記第１のフィンガと第２のフィンガがコンデンサ装置を形成する静電容量型加速度センサにおいて、基板（１２）がその中央部分（１２ａ）において背面側がエッチング除去されており、その際懸吊ウエブ（１１）の末端部分（１１ａ）及び第２のフィンガ（１４）を保持する、基板（１２）の残留する枠領域が設けられていることを特徴とする、静電容量型加速度センサ。
　　【請求項８】　基板（１２）がｐ形シリコンからなり、かつ残りの層（１６）及びエッチングにより形成されたセンサ構造がｎ形シリコンからなる、請求項１から７までのいずれか１項記載のセンサ。
　　【請求項９】　請求項１から８までのいずれか１項記載の静電容量型加速度センサを製造する方法において、まず後から形成されるセンサ構造の領域を包囲する分離ストリップ（１７）を基板（１２）を被覆する層に形成し、分離ストリップ（１７）及び少なくとも１つの該分離ストリップによって包囲されない層の領域に不動態層（２２）を施し、かつ任意の順序で導体路（１８）を不動態層（２２）に施しかつそのコンデンサ装置の端子に通じる末端部分を接触させ、基板（１２）をセンサ構造の中央領域の下で背面側でエッチング除去し、かつ質量体（１０）、懸吊ウエブ（１１）及びフィンガ（１３，１４）からなるセンサ構造を異方性エッチングにより形成することを特徴とする、静電容量型加速度センサの製造方法。
　　【請求項１０】　分離ストリップ（１７）を形成するために相応して局在化したｐ形拡散を実施する、請求項９記載の製造方法。
　　【請求項１１】　分離ストリップ（１７）を形成するためにまず溝を等方性又は異方性エッチングし、かつ溝に絶縁層（１９）を施し、次いで少なくとも接続部分（２１）に充填体（２０）を充填する、請求項９記載の製造方法。
　　【請求項１２】　溝にポリシリコンの析出により充填する、請求項１１記載の製造方法。
　　【請求項１３】　背面側エッチングをｐｎ形エッチングストッパを用いて行う、請求項９から１２までのいずれか１項記載の製造方法。
　　【請求項１４】　導体路を金属の蒸着により形成する、請求項９から１３までのいずれか１項記載の製造方法。」
　
　（２）本件補正後の特許請求の範囲
　「【請求項１】　基板（１２）上に配置され、単結晶シリコンからエッチングにより形成された構造を有し、該構造は、懸吊ウエブ（１１）の末端部分（１１ａ）を介して基板（１２）と連結され、加速度が発生すると基板（１２）の長手方向に運動する帯状の震動質量体（１０）を有し、
その両端部から懸吊ウエブ（１１）がそれぞれ長手方向に対して垂直方向に両側に向かって延びており
基板（１２）上に単結晶シリコンからなる枠状に前記センサ構造を包囲する層（１６）を設け、前記層（１６）から基板（１２）まで達する溝としてエッチングにより前記センサを枠状に分離するための狭い分離ストリップ（１７）を形成して、第２のフィンガ（１４）を前記層（１６）と電気的に分離させ
　　【請求項２】　分離ストリップ（１７）がｎ形シリコンからなる層内でのｐ形拡散により形成されている、請求項１記載のセンサ。
　　【請求項３】　分離ストリップ（１７）が充填体（２０）で充填された、等方性又は異方性エッチングにより形成される溝により形成されている、請求項１記載のセンサ。
　　【請求項４】　溝が充填体（２０）の下に絶縁層（１９）を有する、請求項３記載のセンサ。
　　【請求項５】　充填体（２０）が多結晶材料からなる、請求項３又は４記載のセンサ。
　　【請求項６】　基板（１２）に固定された、第２のフィンガ（１４）の末端部分が少なくとも１つの横ウエブ（１５）により互いに連結され、該横ウエブ（１５）がコンデンサ装置の接続部として形成されている、請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項記載のセンサ。
　　【請求項７】　基板（１２）上に配置され、単結晶
シリコン
の末端部分（１１ａ）
該震動質量体（１０）の両端部から懸吊ウエブ（１１）がそれぞれ長手方向に対して垂直方向に両側に向かって延びており
ること
　　【請求項８】　基板（１２）がｐ形シリコンからなり、かつ残りの層（１６）及びエッチングにより形成されたセンサ構造がｎ形シリコンからなる、請求項１から７までのいずれか１項記載のセンサ。
　　【請求項９】　請求項１から８までのいずれか１項記載の静電容量型加速度センサを製造する方法において、まず後から形成されるセンサ構造の領域を包囲する分離ストリップ（１７）を基板（１２）を被覆する層に形成し、分離ストリップ（１７）及び少なくとも１つの該分離ストリップによって包囲されない層の領域に不動態層（２２）を施し、かつ任意の順序で導体路（１８）を不動態層（２２）に施しかつそのコンデンサ装置の端子に通じる末端部分を接触させ、基板（１２）をセンサ構造の中央領域の下で背面側でエッチング除去し、かつ質量体（１０）、懸吊ウエブ（１１）及びフィンガ（１３，１４）からなるセンサ構造を異方性エッチングにより形成することを特徴とする、静電容量型加速度センサの製造方法。
　　【請求項１０】　分離ストリップ（１７）を形成するために相応して局在化したｐ形拡散を実施する、請求項９記載の製造方法。
　　【請求項１１】　分離ストリップ（１７）を形成するためにまず溝を等方性又は異方性エッチングし、かつ溝に絶縁層（１９）を施し、次いで少なくとも接続部分（２１）に充填体（２０）を充填する、請求項９記載の製造方法。
　　【請求項１２】　溝にポリシリコンの析出により充填する、請求項１１記載の製造方法。
　　【請求項１３】　背面側エッチングをｐｎ形エッチングストッパを用いて行う、請求項９から１２までのいずれか１項記載の製造方法。
　　【請求項１４】　導体路を金属の蒸着により形成する、請求項９から１３までのいずれか１項記載の製造方法。」
　なお、アンダーラインは、補正箇所を示すために請求人が付したものである。
　
　２．補正の目的の適合性
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、請求項１の記載において、「単結晶層」が「単結晶シリコン」であること、「長手方向」が「基板（１２）の長手方向」であること、「震動質量体（１０）」が「帯状」であり、「その両端部から懸吊ウエブ（１１）がそれぞれ長手方向に対して垂直方向に両側に向かって延びて」いること、「層（１６）」、「分離ストリップ（１７）」の形状、また、これらとその他の各要素との配置関係が「基板（１２）上に単結晶シリコンからなる枠状に前記センサ構造を包囲する層（１６）を設け、前記層（１６）から基板（１２）まで達する溝としてエッチングにより前記センサを枠状に分離するための狭い分離ストリップ（１７）を形成して、第２のフィンガ（１４）を前記層（１６）と電気的に分離させ」たものであることをそれぞれ明確化するためのものであり、また、請求項７の記載においても同様の趣旨の明確化を図るものであり、実質的に拒絶の理由に示す事項についてするものと認められる。
　したがって、上記補正は、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するから、本件補正は適法になされたものと認める。
　
第３　本願発明について
　平成１８年２月７日付けの手続補正書による手続補正は、上記のとおり適法になされたものと認められるので、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成１６年１１月４日付けの手続補正書及び平成１８年２月７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２」の「１．」の「（２）」の本件補正後の特許請求の範囲の請求項７に記載されたとおりのものである。
　
第４　引用刊行物
　１．原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平４−３１３０３１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　　振動測定センサが、単結晶材料から成る支持体（１０）から製作され、支持体（１０）から少なくとも１つの振動することができる舌状部（１２）がエッチングにより形成され、少なくとも１つの舌状部（１２）の変位の評価手段を具備する、特に加速度測定等の振動測定センサにおいて、前記舌状部（１２）を支持体表面（１６）に対して垂直に配置し、前記舌状部（１２）を電極（１３）に対向して配置し、前記舌状部（１２）と前記電極（１３）とを互いに電気的に絶縁し、前記舌状部（１２）と前記電極（１３）との間の容量変化を測定することができることを特徴とする振動測定センサ。
【請求項２】　　支持体（１０）が下層（２１）と上層（２０）とを有し、下層（２１）と上層（２０）とがそれらの負又は正のドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎｐ接合部を形成し、上層（２０）の中に形成されている舌状部（１２）と、電極（１３）との絶縁を、上層（２０）を完全に貫通しているエッチング溝（１１）により形成することを特徴とする請求項１に記載の振動測定センサ。」
　（１ｂ）「【０００７】
【実施例】図１には、１０により単結晶材料から成る支持体が示され、この支持体のためには例えばシリコンウェーハが用いられる。・・・・・図２に示されているように支持体は下層２１及び上層２０から成る。通常は下層２１はｐ形ドーピングされた基板であり、上層２０は、このｐ形ドーピング基板の上に設けられているｎ形ドーピングエピタキシャル層である。・・・・・垂直な溝を形成する異方性エッチング又はその他適当なエッチング方法により支持体表面にエッチングされたエッチング溝１１は上層２０を完全に貫通し、２つの互いに電気的に絶縁されている領域を形成している。一方の領域は、支持体平面の中で振動可能な舌状部１２を有する舌状部の基部１４を有し、他方の領域は、不動の電極１３を有する電極基部１５を有する。・・・・・舌状部１２の長手方向側面は電極１３の長手方向側面に例えば２μｍ間隔をおいて対向しており、この間隔は舌状部１２の振動の際に変化する。舌状部基部１４及び電極基部１５は、舌状部１２及び電極１３により形成されているコンデンサの電気端子として用いられる。図２は、舌状部１２がアンダーエッチング２２により露出されていることを示す。舌状部１２のアンダーエッチングは例えば裏面エッチング又は前面からの側方アンダーエッチングにより行われる。基部を有する多数の舌状部及び多数の電極を支持体表面１６からエッチングし、例えば図３の上半部が示すように、容量動作形センサの並列接続に統合することも可能である。この場合、舌状部の基部１４１から、支持体平面の中で振動することができる２つの舌状部１２１が垂直に出ており、電極基部１５から出ていて対向して位置する２つの不動の電極１３１と共働して２つの並列に接続されているコンデンサを形成している。」
　（１ｃ）「【０００８】図３に示されているセンサも２つの層の支持体１０から成り、支持体１０の上層２０は、エッチング溝１１により電気的に互いに絶縁されている多数の櫛状領域を有する。・・・・・舌状部を変位させる加速度により、互いに対向して位置するコンデンサのそれぞれコンデンサの舌状部と電極の間隔は互いに逆方向に変化する。」
　（１ｄ）図面の図１及び図２から、下層２１が舌状部１２の下側部分においてアンダーエッチング２２により除去されていること、下層２１の残留する周辺領域において、電極基部１５が下層２１に結合されていること、舌状部１２が基部１４から長手方向に対して直角に伸びていること、舌状部１２に対して平行な板状の電極１３の電極基部１５が下層２１に結合されていることが見て取れる。
　
　上記（１ａ）〜（１ｄ）の記載から、以下のことが読み取れる。
・上記（１ａ）の「単結晶材料から成る支持体（１０）から製作され、支持体（１０）から少なくとも１つの振動することができる舌状部（１２）がエッチングにより形成され、少なくとも１つの舌状部（１２）の変位の評価手段を具備する、特に加速度測定等の振動測定センサ」から、単結晶材料から成る支持体（１０）から舌状部（１２）がエッチングにより形成された加速度測定の振動測定センサ。
・上記（１ｂ）の「支持体（１０）が下層（２１）と上層（２０）とを有し、下層（２１）と上層（２０）とがそれらの負又は正のドーピングに基づいてｐｎ接合部又はｎｐ接合部を形成し、上層（２０）の中に形成されている舌状部（１２）と、電極（１３）との絶縁を、上層（２０）を完全に貫通しているエッチング溝（１１）により形成する」から、支持体（１０）の上層（２０）に舌状部（１２）と電極（１３）を形成すること。
・（１ｂ）の「垂直な溝を形成する異方性エッチング又はその他適当なエッチング方法により支持体表面にエッチングされたエッチング溝１１は上層２０を完全に貫通し、２つの互いに電気的に絶縁されている領域を形成している。一方の領域は、支持体平面の中で振動可能な舌状部１２を有する舌状部の基部１４を有し、他方の領域は、不動の電極１３を有する電極基部１５を有する。」から、舌状部１２を有する舌状部の基部１４と、電極１３を有する電極基部１５をエッチングにより形成すること。
・（１ｂ）の「１０により単結晶材料から成る支持体が示され、この支持体のためには例えばシリコンウェーハが用いられる。」から、支持体が単結晶シリコンから成ること。
　
　以上のことから、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「単結晶シリコンから成りｎ形ドーピングエピタキシャル層である上層２０とｐ形ドーピングされた基板である下層２１から成る支持体１０の上層２０をエッチングして舌状部１２を有する基部１４と電極１３を有する電極基部１５を形成し、舌状部１２は基部１４から長手方向に対して直角に伸びており、電極１３は舌状部１２に対して平行な板状の電極であり、その電極基部１５において下層２１に結合されており、舌状部１２及び電極１３によりコンデンサを形成する加速度測定の振動測定センサにおいて、下層２１が舌状部１２の下側部分において裏面エッチングにより行ったアンダーエッチング２２により除去されており、下層２１の残留する周辺領域において、電極基部１５が下層２１に結合されていることを特徴とする加速度測定の振動測定センサ。」
　
　２．原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表平４−５０４００３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　（２ａ）「請求の範囲
１．第１及び第２コンデンサであり、各々が１対の電極を有し、各々のコンデンサの電極の一方が他方のコンデンサの電極の一方に電気的に接続されており、これにより差動コンデンサ構成を形成している第１及び第２コンデンサを含むキャパシタンス型加速度検知器であって、上記コンデンサの各々において、上記電極の一方が静止的であり、上記電極の他方が適用された加速度に応答して移動可能であり、これらの電極は全てシリコン基板上に懸下されたポリシリコン部材から形成されていることを特徴とするキャパシタンス型加速度検知器。」（請求の範囲）
　（２ｂ）「ここで第３図について説明すると、本発明に係る差動コンデンサ加速度計１０の高レベルブロック図が図示されている。加速度計１０は信号源１２、第１及び第２差動コンデンサ１４及び１６を有する検知器１３、及び信号分解器１８を含んでいる。差動コンデンサ１４及び１６は、力が適用された時に各々の一方の電極が移動して一方のキャパシタンスが増大し他方のキャパシタンスが減少するように構成されている。信号源１２は等しい周波数、位相及び振幅を有しているが反対の極性の正弦波信号でもってコンデンサ１４、１６を駆動する。その結果、差動コンデンサの接合点１つにおける信号の振幅及び位相は、キャパシタンスの差の関数となり、これは加速度によるコンデンサ電極の力誘起変位（force-induced displacement）に直接関係する。信号分解器は、この信号を処理して、この信号からアセンブリの基板及びパッケージに対して相対的なコンデンサ板の加速度に比例する信号を発生する。
　本発明に係る差動コンデンサ検知器の電極の各々は各コンデンサが複数の並列に接続されたより小さなキャパシタンスの「セル」から構成されるように構成されている複数のセグメントから形成されている。第４図は、本発明に係る例示作動コンデンサ検知器２０の平面図を示しているが、発明の概念の不必要な不明瞭を避けるために唯１つのキャパシタンスセルが図示されているだけである。シリコン基板２２の上には、懸下されたポリシリコン「ビーム」２４が形成されている。・・・・・ビーム２４は図面において「Ｘ」の記号によって示される４本のポスト即ちアンカ２６Ａ−２６Ｄの上の基板の表面の上に載置されている。ビーム２４は全体的にＨ形であり、２本の延びた細い足２８及び３２、並びにそれらの間に懸下されている横断中心部材３４を有している。中心部材３４は足２８及び３２よりも一般的にかなり硬く且つより質量を有している。中心部材３４から一対のビームフィンガ３６及び３８が並列配向に、ビームの軸４０を横断するように垂れ下がっている。フィンガ３６は静止部材４２をその対向電極、即ち板として有している並列板コンデンサの一方の電極を形成している。同様に、フィンガ３８は静止部材４４をその対向板として有している第２並列板コンデンサの一方の電極を形成している。」（第３頁左上欄第１９行〜右上欄第１８行）
　（２ｃ）「ここに与えられた寸法を用いている第４図及び第５図の例において、各コンデンサは約０．００２ｐＦの公称キャパシタンスを有している。５６個のセルが並列になっているため、静止している全キャパシタンスは約０．１ｐＦのみである。・・・・・
　第４図の検知器アーキテクチュアの多重セルへの拡大が４セルの場合として第５図に示されており、これら４つのセルは６２Ａ−６２Ｄとして示されている。」（第３頁左下欄第２行〜第９行）
　（２ｄ）「力が基板２２にＸ方向に適用されると、基板及び板はこの方向に移動し、一方ビーム３４はその前の状態に届まる傾向を示す。ビームの基板に対する相対的な運動は、足２８及び３２が絶対的に剛性ではなく僅かに撓むという事実によって許容される。力が正のＸ方向の時、フィンガ３６と板４２との間の分離が増大し、それらが形成しているコンデンサのキャパシタンスを減少せしめ、逆に、フィンガ３８と板４４との間の分離が減少して、それらが形成しているコンデンサのキャパシタンスを増大せしめる。」（第３頁左下欄第２４行〜右下欄第２行）
　
第５　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明（前者）と引用発明（後者）とを対比する。
　後者の「下層２１」、「舌状部１２」、「電極１３」、「コンデンサ」、「加速度測定の振動測定センサ」は、それぞれ、前者の「基板（１２）」、「第１のフィンガ（１３）」、「第２のフィンガ（１４）」、「コンデンサ装置」、「静電容量型加速度センサ」に相当する。
　後者は、単結晶シリコンから成りｎ形ドーピングエピタキシャル層である上層２０をエッチングして舌状部１２を有する基部１４と電極１３を有する電極基部１５を形成するものであるから、前者と同様に「単結晶シリコンからエッチングにより形成された構造」を有するものである。
　後者の「基部１４」と前者の「震動質量体（１０）」は、ともに、舌状部又は第１のフィンガを有する基部である点で共通する。
　後者の「周辺領域」と前者の「枠領域」は、ともに、周辺部である点で共通する。
　
　したがって、前者と後者とは、
　「基板上に配置され、単結晶シリコンからエッチングにより形成された構造を有し、該構造は、基部から長手方向に対して直角に伸びる第１のフィンガを有し、該第１のフィンガに対して平行な、基板に固定された板状の第２のフィンガを有し、前記第１のフィンガと第２のフィンガがコンデンサ装置を形成する静電容量型加速度センサにおいて、基板が背面側がエッチング除去されており、その際第２のフィンガを保持する、基板の残留する周辺部が設けられていることを特徴とする、静電容量型加速度センサ。」
である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
　［相違点］　前者では、構造が、懸吊ウエブ（１１）の末端部分（１１ａ）を介して基板（１２）と連結され、加速度が発生すると基板（１２）の長手方向に運動する帯状の震動質量体（１０）を有し、該震動質量体（１０）の両端部から懸吊ウエブ（１１）がそれぞれ長手方向に対して垂直方向に両側に向かって延びており、前記震動質量体（１０）から長手方向に対して直角に伸びる平行の第１のフィンガ（１３）を有しており、また、基板（１２）がその中央部分（１２ａ）においてエッチング除去され、懸吊ウエブ（１１）の末端部分（１１ａ）を保持する、基板（１２）の残留する枠領域が設けられているのに対し、後者では、このような構造を備えておらず、下層２１のエッチング除去される領域が中央部分であるか否か、また、残留する周辺領域が枠領域であるか否か明らかではなく、周辺領域が懸吊ウエブ（１１）の末端部分（１１ａ）を保持するものでもない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、モノリシックなキャパシタンス型加速度検知器において、全体的にＨ形のビーム２４を有し、該ビーム２４が、２本の延びた細い足２８及び３２の末端部分を介してシリコン基板２２と連結され、加速度が発生すると基板に対して相対変位する帯状の中心部材３４を有し、該中心部材３４の両端部から足２８及び３２がそれぞれ長手方向に対して垂直方向に両側に向かって延びており、中心部材３４から長手方向に対して直角に伸びる平行のビームフィンガ３６及び３８を有するものが示されている。
　この刊行物２に記載のキャパシタンス型加速度検知器は、刊行物１に記載されたものと同様、コンデンサの電極の変位により加速度を検出するタイプのセンサーであり、しかも、単一のシリコン基板上に全体の構造が形成されるものである点でも両者は共通しているので、刊行物２の記載事項を刊行物１に記載された発明に適用することに困難性はなく、その際に、ビーム２４を刊行物１に記載された発明と同様に単結晶シリコンから成る上層をエッチングすることにより形成することができることは明らかである。
　そして、その場合には、加速度を受けて変位するものは、基板に連結された足２８及び３２の末端部分を除くビーム２４全体となるから、足２８及び３２の末端部分を除くビーム２４全体の下側部分、すなわち、下層の中央部分をアンダーエッチングし、下層の残留する枠領域に足２８及び３２の末端部分を保持させるようにすればよく、また、刊行物２に記載されたキャパシタンス型加速度検知器は、キャパシタンスのセルを多数並列に形成するものであるから、これらのキャパシタンスを下層の長手方向に運動する中心部材３４の長手方向に沿って形成してもよいことは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　したがって、刊行物１に記載された発明に刊行物２の記載事項を適用して上記相違点に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願発明の奏する効果は、刊行物１及び刊行物２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものであり、格別のものではない。
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。