【事件の表示】
　平成　９年特許願第１８３６６２号「バーイン試験方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２９日出願公開、特開平１１−　２３６５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月９日の出願であって、平成１８年３月１日付けで拒絶査定（同年３月７日発送）がなされ、これに対し、同年４月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
２．本願発明の認定
　本願の請求項１乃至４に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されたとおりのものであるところ、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項２に記載される事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項２】電子部品の現在の周囲温度（Ｔａ）と、前記電子部品の電源端
子に供給される電圧と、該電源端子の電源電流と、予め指定された前記電子部品の発熱部と周囲間の熱抵抗とから前記発熱部の現在温度（Ｔｎ）を求め、
　次に、前記求めた現在温度（Ｔｎ）とバーイン試験時の前記発熱部の温度を比較し、該比較結果が等しくなるまで前記周囲温度（Ｔａ）の変化と前記現在温度（Ｔｎ）の求めを繰り返し、
　該比較結果が等しくなる周囲温度（Ｔａ）をバーイン試験温度とすることを特徴としたバーイン試験方法。」
　
　
３．引用例記載の事項及び引用発明の認定
　原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願前の平成元年１１月３０日に頒布された刊行物である特開平１−２９７５７１号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体の信頼性評価装置」（発明の名称）に関し、次の事項が記載されている（下線は、引用箇所を明示するために当審で付した。）。
　
（ア）「本発明は半導体の発熱による温度上昇を考慮して、恒温槽温度と半導体の温度を自動的に精度よく設定できる信頼性評価装置に関する。」（１頁左下欄１９行〜右下欄１行）
　
（イ）「半導体の信頼性は温度によって大きな影響を受ける。したがって半導体の信頼性評価試験は十分な温度管理下で行うことが必要である。本発明はこのための評価装置に関するものである。（１頁右下欄３〜６行）
　
（ウ）「４は試験対象の半導体（以下、試料と略記する）である。」（１頁右下欄９〜１０行）
　
（エ）「他のデバイスとの比較や従来データとの比較のために、試験時の試料温度は常に一定にしておく必要があり、試料の発熱による温度上昇があるときには予め恒温槽の温度は下げておき、試料温度が設定値となるようにしておく必要がある。」（１頁右下欄１６行〜２頁左上欄１行）
　
（オ）「これを動作するには、まず適当な温度の恒温槽内に設置された試料に電源系から所定の電力を加え、測定系により試料の特性を測る。この測定値と、制御装置に格納されている試料の温度特性情報（この情報は、試料の温度特性を微小電流を用いて予め測定しておくものである。）を比較して、試料の温度を見積もる。このようにして得られた試料温度と設定温度との差を求める。この差をもとに制御装置にある所定のプログラムに基づき恒温槽温度を上げる（もしくは下げる）。この状態で再び試料温度を測り、再度恒温槽の温度を調整する。この手順を何回か繰返せば試料温度は設定温度と所定の誤差範囲内に収まる。
　例えば試料に電流が流れている状態での抵抗値が１００Ωと測定され、温度特性情報の中で８５℃で１００Ωになることが示されている場合、試料温度は８５℃と知れる。例えば電流が流れている状態で設定温度を１５０℃にしたいときは、試料温度と設定温度との差は６５℃である。この差をもとに、例えばプログラムとして温度差の８割だけ恒温槽の温度を上昇させるようになっていれば、恒温槽の温度は制御装置により５２℃だけ上昇させられる。その状態で再び試料温度を測り、電流による温度上昇を含め試料温度と設定温度との差が５℃だったならば、再び恒温槽温度を４℃上昇させる。そして試料温度が例えば１４９．６℃になり、所定の許容誤差が０．５℃ならばそこで恒温槽温度の調整を終了する。」（２頁左下欄１８行〜３頁左上欄５行）
　
　
　したがって、引用例には、
　
『半導体に電流が流れている状態で測定された抵抗値と微小電流を用いて予め測定しておいた半導体の温度特性情報を比較して半導体の発熱による温度を求め、半導体の発熱による温度と半導体の信頼性評価試験時の半導体の発熱による温度との差をもとに、恒温槽の温度を上昇させ、その状態で再び半導体の発熱による温度を測り、半導体の発熱による温度と半導体の信頼性評価試験時の半導体の発熱による温度との差をもとに、再び恒温槽温度を上昇させ、そして半導体の発熱による温度が所定の許容誤差以内ならばそこで半導体の信頼性評価試験時の恒温槽温度の調整を終了する、十分な温度管理下で行われる半導体の信頼性評価試験方法。』
（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
４．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　まず、引用発明の「半導体」、「半導体の発熱による温度」、「差をもとに」、「所定の許容誤差以内」、「恒温槽温度」、「再び」は、それぞれ本願発明の「電子部品」、「発熱部の現在温度（Ｔｎ）」、「比較」、「比較結果が等しくなるまで」、「周囲温度（Ｔａ）」、「繰り返し」に相当する。
　また、一般にバーイン試験とは、半導体等の電子部品を十分な温度管理下において信頼性等の評価試験をすることを指すことから、引用発明の「十分な温度管理下で行われる半導体の信頼性評価試験方法」、「半導体の信頼性評価試験時の半導体の発熱による温度」は、それぞれ本願発明の「バーイン試験方法」、「バーイン試験時の前記発熱部の温度」に相当する。
　また、引用発明の「半導体の発熱による温度が所定の許容誤差以内ならばそこで半導体の信頼性評価試験時の恒温槽温度の調整を終了する」に関して、調整終了時の半導体の信頼性評価試験時の恒温槽温度は、本願発明の「バーイン試験温度」に相当する。
　
　したがって、両者は、
《一致点》
「電子部品の発熱部の現在温度（Ｔｎ）を求め、
　次に、前記求めた現在温度（Ｔｎ）とバーイン試験時の前記発熱部の温度を比較し、該比較結果が等しくなるまで前記周囲温度（Ｔａ）の変化と前記現在温度（Ｔｎ）の求めを繰り返し、
　該比較結果が等しくなる周囲温度（Ｔａ）をバーイン試験温度とすることを特徴としたバーイン試験方法。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
《相違点》
　電子部品の発熱部の現在温度（Ｔｎ）を求めるための方法が、
　本願発明では、電子部品の現在の周囲温度（Ｔａ）と、電子部品の電源端子に供給される電圧と、該電源端子の電源電流と、予め指定された前記電子部品の発熱部と周囲間の熱抵抗とから求めるものであるのに対して、
　引用発明では、半導体に電流が流れている状態で測定された抵抗値と微小電流を用いて予め測定しておいた半導体の温度特性情報を比較して半導体の発熱による温度を求めるものである点。
　
　
５．判断
　以下、上記相違点について検討する。
　『電子部品の発熱部の現在温度（Ｔｎ）を求めるための方法として、電子部品の現在の周囲温度（Ｔａ）と、電子部品の電源端子に供給される電圧と、該電源端子の電源電流と、予め指定された前記電子部品の発熱部と周囲間の熱抵抗とから求める』点は、例えば原査定の拒絶理由において引用された特開昭６３−１１５０７４号公報（２頁右上欄５〜１７行参照）に記載されているように、バーイン試験の技術分野において周知技術であり、しかも、引用発明と該周知技術は、発熱部に温度センサを配置することなく、発熱部の現在温度を求めるという技術的課題が共通する。
　よって、引用発明に上記周知技術を適用して、本願発明のごとく構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　
　そして、本願発明の奏する効果も引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測し得る範囲内のものにすぎない。
　
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明については論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。