(57)【要約】  第１主面及び第２主面を有する基板と、基板の第１主面上に設けられた素子と、素子に電気的に接続された第１コンタクト電極と、第１主面の平面視において第１コンタクト電極と重なる位置に第１開口が設けられた絶縁膜と、第１開口の周囲の少なくとも一部を含む領域において、絶縁膜を覆うように設けられた保護膜と、第１コンタクト電極から保護膜に亘って設けられた第１外部電極とを備えた電子部品。
2018088265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有する基板と、
前記基板の前記第１主面上に設けられた素子と、
前記素子に電気的に接続された第１コンタクト電極と、
前記第１主面の平面視において前記第１コンタクト電極と重なる位置に第１開口が設けられた絶縁膜と、
前記第１開口の周囲の少なくとも一部を含む領域において、前記絶縁膜を覆うように設けられた保護膜と、
前記第１コンタクト電極から前記保護膜に亘って設けられた第１外部電極と
を備えた電子部品。
【請求項２】
前記第１開口は、前記第１主面の平面視において、４辺を含む矩形形状を有しており、
前記保護膜は、前記第１開口の前記４辺のうちの３辺の周囲において、絶縁膜を覆うように設けられている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記素子に電気的に接続された第２コンタクト電極をさらに備え、
前記絶縁膜において、前記第２コンタクト電極と重なる位置に第２開口が設けられており、
前記保護膜は、前記第１開口と前記第２開口との間の領域から、前記第１開口の周囲の少なくとも一部を含む領域及び第２開口の周囲の少なくとも一部を含む領域に亘って、前記絶縁膜を覆うように設けられており、
前記電子部品は、前記第２コンタクト電極から前記保護膜に亘って設けられた第２外部電極をさらに備えた、請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記保護膜は、前記絶縁膜と接触する接触面と、前記接触面に対向する対向面とを有し、
前記第１外部電極は、前記第１コンタクト電極から前記対向面に亘って設けられる、請求項１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のコンデンサ部品として、特開平５−４７５８６号公報（特許文献１）に記載されたものがある。上記従来のコンデンサ部品は、絶縁層とその上に設けられた２つの電極端子とを備え、はんだを用いて回路ボードに実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−４７５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来のコンデンサ部品では、例えば、基板曲げ評価等によって応力が加わると、絶縁層や電極端子にクラックが生じるという問題が生じていた。【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、クラックの発生が少ない電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る電子部品は、第１主面及び第２主面を有する基板と、基板の第１主面上に設けられた素子と、素子に電気的に接続された第１コンタクト電極と、第１主面の平面視において第１コンタクト電極と重なる位置に第１開口が設けられた絶縁膜と、第１開口の周囲の少なくとも一部を含む領域において、絶縁膜を覆うように設けられた保護膜と、第１コンタクト電極から保護膜に亘って設けられた第１外部電極とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、クラックの発生が少ない電子部品を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】キャパシタ１００の第１実施形態を示す図である。
【図２】キャパシタ１００の第１実施形態を示す図である。
【図３】キャパシタ１００を回路基板２００に実装した状態を示す図である。
【図４Ａ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４Ｂ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４Ｃ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４Ｄ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４Ｅ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４Ｆ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図４Ｇ】キャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。
【図５】キャパシタ１００の第２実施形態を示す図である。
【図６】キャパシタ１００の第２実施形態を示す図である。
【図７】キャパシタ１００の第３実施形態を示す図である。
【図８】キャパシタ１００の第３実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本発明の第１実施形態に係るキャパシタ１００の構造を概略的に示す平面図である。また、図２は、図１のＡＡ´断面を示す図である。なお、図１及び図２においては、キャパシタ１００の構造における特徴の少なくとも一部を説明するのに必要な構成を抽出して記載しているが、キャパシタ１００が不図示の構成を備えることを妨げるものではない。
【００１０】
キャパシタ１００（電子部品の一例である。）は、基板１０と、絶縁膜１２と、下部電極２０と、誘電膜３０と、上部電極４０とを備えて構成される。本実施形態において、下部電極２０、誘電膜３０及び上部電極４０が、容量素子（素子の一例である。）を構成する。また、キャパシタ１００は、下部電極２０に電気的に接続されたビア電極４２（コンタクト電極の一例である。）と、ビア電極４２に電気的に接続された端子電極７０と、上部電極４０に電気的に接続された端子電極６０と、保護膜８０とを備える。なお、本実施形態において、容量素子を構成する上部電極４０も、コンタクト電極の一例となり得る。なお、本発明の素子はキャパシタに限らず、抵抗、コイルまたはダイオードであってもよい。
【００１１】
基板１０は、下部電極２０が設けられた側の面である表面（第１主面の一例である。）と、基板１０における当該表面と反対側の裏面（第２主面の一例である。）とを有する。基板１０は、基板１０の表面の平面視（すなわち、下部電極２０から基板１０に向かう方向に基板１０を見た平面視（図１）。以下、単に「平面視」ともいう。）において、矩形形状を有する。基板１０は、例えばシリコンなどの半導体基板である。基板１０の長辺の長さは、例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下、短辺の長さは１００μｍ以上３００μｍ以下である。
【００１２】
絶縁膜１２は、例えば酸化シリコンなどにより形成される。また、絶縁膜１２は、絶縁膜１２の下に形成される基板１０及び絶縁膜１２の上に形成される下部電極２０と密着する材料により形成される。絶縁膜１２は、異なる材料から形成された複数の層からなる膜であってもよい。絶縁膜１２は、基板１０と下部電極２０を電気的に絶縁できればよく、その膜厚は、例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下程度である。また、基板１０は、例えばアルミナなどの絶縁材料により形成されてもよい。この場合、絶縁膜１２は、基板１０上に形成されなくともよい。
【００１３】
下部電極２０は、基板１０の上層において、平面視で基板１０の周縁の内側の領域に形成される。下部電極２０の平面視における形状については後述する。下部電極２０の膜厚は、下部電極２０の膜厚は、０．３μｍ以上１０μｍ以下でよく、また、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。このように、下部電極２０が比較的厚い膜厚を有することにより、直列抵抗を下げることができる。
【００１４】
下部電極２０は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン等からなる金属又はこれらの金属を含む導電体である。また、下部電極２０は、異なる材料から形成された複数の層を有するように形成されてもよい。
【００１５】
誘電膜３０は、下部電極２０の表面を覆うように形成される。具体的には、誘電膜３０は、下部電極２０の上面（すなわち、上部電極４０と対向する面）及び端面を覆うように形成されるとともに、ビア電極４２が形成される位置において、下部電極２０が露出した開口を有する。誘電膜３０は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム等の酸化物、窒化物などの誘電性ないし絶縁性を有する材料により形成される。また、誘電膜３０は、異なる誘電体材料からなる複数層の膜であってもよい。誘電膜３０の膜厚は、例えば、０．０２μｍ以上２μｍ以下である。
【００１６】
上部電極４０は、誘電膜３０上において、平面視で下部電極２０の内側に位置する。すなわち、上部電極４０は、基板１０の表面の平面視において、その全てが下部電極２０の少なくとも一部と重なるように、誘電膜３０上に位置する。下部電極２０の平面視における形状については後述する。上部電極４０の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１０μｍ以下でよく、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。このように、上部電極４０が比較的厚い膜厚を有することにより、直列抵抗を下げることができる。
【００１７】
ビア電極４２は、下部電極２０に対して電気的に接続された電極である。ビア電極４２は、平面視において、下部電極２０の上面における、上部電極４０が形成される一部の領域以外の領域に位置する。また、ビア電極４２は、誘電膜３０に形成された開口を充填するように形成される。すなわち、ビア電極４２は、当該開口の内部において、下部電極２０と接触するように形成される。また、ビア電極４２は、当該開口の内部から当該開口の周囲における誘電膜３０上に亘って形成されてもよい。
【００１８】
本実施形態において、上部電極４０及びビア電極４２は、同一の材料で形成される。上部電極４０及びビア電極４２は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン等からなる金属又はこれらの金属を含む導電体である。
【００１９】
絶縁膜５０は、上部電極４０及びビア電極４２を覆うように形成される。また、絶縁膜５０は、端子電極６０及び７０が形成される位置において、それぞれ、上部電極４０及びビア電極４２が露出した開口を有する。また、絶縁膜５０は、平面視において、下部電極２０の外側の領域において、誘電膜３０及び絶縁膜１２を覆うように形成され、かつ、基板１０の周縁の内側の領域に形成されている。絶縁膜５０は、例えば、ポリイミド樹脂や酸化シリコンなどの絶縁材料により形成される。また、絶縁膜５０の膜厚は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下である。
【００２０】
端子電極６０は、上部電極４０及び絶縁膜５０上に形成され、上部電極４０と外部とを電気的に接続する端子である。本実施形態において、端子電極６０は、上部電極４０と直接接続されるように形成されているが、端子電極６０と上部電極との間に、他の導電膜が形成されてもよい。
【００２１】
端子電極７０は、絶縁膜５０及びビア電極４２上に形成され、下部電極２０と外部とを電気的に接続する端子である。端子電極６０及び端子電極７０は、下部電極２０及び上部電極４０の材料よりも、例えば、はんだぬれ性が良い等、はんだ接合に適した材料であってよく、例えば、銅、ニッケル、銀等からなる金属である。これにより抵抗を下げることが可能となる。また、端子電極７０は、その表面にさらに、金、パラジウム、スズ、はんだなどの金属膜を有してもよい。端子電極６０及び端子電極７０は、その表面が防錆処理されていてもよい。また、端子電極６０及び端子電極７０の膜厚は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００２２】
保護膜８０は、平面視において、絶縁膜５０の一部を覆うように設けられる。本実施形態において、絶縁膜５０には、矩形形状を有する開口５２及び５４（第１開口、第２開口の一例である。）が設けられており、保護膜８０は、絶縁膜５０のうち、開口５２と開口５４との間の領域を覆うように設けられる。すなわち、保護膜８０は、開口５２の周囲において、開口５２を構成する４辺のうち、少なくとも、開口５４と対向する辺の近傍の領域を覆うように設けられている。同様に、保護膜８０は、開口５４の周囲において、開口５４を構成する４辺のうち、少なくとも、開口５２と対向する辺の近傍の領域を覆うように設けられている。
【００２３】
保護膜８０は、図１におけるＡＡ´断面において、絶縁膜５０から厚さ方向に突出して形成される。そして、端子電極６０は、上部電極４０から保護膜８０に亘って形成されており、また、端子電極７０は、ビア電極４２から保護膜８０に亘って形成されている。また、保護膜８０は、端子電極６０及び７０が形成される領域の少なくとも一部において、その断面が円弧状となるように形成される。また、保護膜８０は絶縁膜５０と接する面に対向する対向面を有しており、端子電極６０および７０の一方側端部は対向面を含む位置にわたって形成されていることが好ましい。当該対向面は、例えば、保護膜８０は絶縁膜５０と接する面と略平行な面である。これにより、例えば端子電極６０及び７０が、上部電極４０及びビア電極４２との接点を中心に回転するような応力が発生した場合、端子電極６０および７０の一方側端部が回転しようとする応力が保護膜８０によって吸収されるため、対応力性を高くすることができる。なお、保護膜８０の断面は円弧状に限らず矩形状や三角形状であってもよい。
【００２４】
保護膜８０は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、有機パッシベーション材料等の樹脂材料により形成される。また、保護膜８０は、絶縁膜５０よりも厚さが厚く形成される。保護膜８０の厚さは、例えば、２０μｍ以上である。また、保護膜８０は、絶縁膜５０よりも弾性率ないしヤング率が低い材料により形成される。弾性率は、例えば、１０ギガパスカル未満である。
【００２５】
図３は、本実施形態のキャパシタ１００を、回路基板２００に実装した状態における、図１のＡＡ´断面を示す。図３において、キャパシタ１００は、はんだ２４０及び２５０によって、回路基板２００に実装されている。具体的には、端子電極６０及び７０が、それぞれ、回路基板２００の配線２２０及び２４０に、はんだ２４０及び２５０によって接合され、これにより、キャパシタ１００が回路基板２００に実装される。
【００２６】
本実施形態では、キャパシタ１００が保護膜８０を有するので、キャパシタ１００に厚さ方向に加わる応力を分散させることができる。これにより、容量素子や基板１０に加わる応力を低減させることができる。また、保護膜８０が十分な厚さを有するので、仮にキャパシタ１００に比較的大きな応力が加わったとしても、キャパシタ１００に発生するクラックを保護膜８０に止め、容量素子や基板１０に到達することを抑制することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、キャパシタ１００が保護膜８０を有するので、端子電極６０及び７０の表面積を大きくすることができる。これにより、キャパシタ１００の回路基板２００に対する固着強度を上げることができる。なお、保護膜８０を形成しない場合における固着強度が０．８ニュートンであったのに対して、本実施形態における固着強度は１．０ニュートンであった。当該固着強度は、キャパシタ１００を回路基板２００に実装して基板曲げ試験を行い、キャパシタ１００が故障したときにキャパシタ１００ないし回路基板２００に加わっていた応力である。
【００２８】
また、本実施形態では、キャパシタ１００が保護膜８０を有するので、端子電極６０及び７０に凹凸（段差）が形成される。これにより、端子電極６０及び７０のうち、保護膜８０上に形成された部分以外の部分において、はんだ留まることができる。ひいては、キャパシタ１００の実装時に、回路基板２００に対するキャパシタ１００の実装傾きを低減させることができる。なお、保護膜８０を形成しない場合における実装傾きが約１３度であったのに対して、本実施形態における実装傾きは約３度であった。
【００２９】
図４Ａ〜Ｇは、本実施形態に係るキャパシタ１００の製造方法の一例を示す模式図である。以下、図４Ａ〜Ｇを用いて、キャパシタ１００の製造方法について説明する。なお、図４Ａ〜Ｇでは、１つのキャパシタ１００について説明するが、同一の基板１０に複数のキャパシタ１００を同時に形成することができる。
【００３０】
図４Ａに示すように、まず、基板１０を用意し、基板１０上に絶縁膜１２を形成する。例えば、基板１０はシリコン基板であり、絶縁膜１２はシリコン基板の表面を酸化した酸化シリコン膜である。基板１０の厚さは、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。基板１０の厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下とすると、基板１０の機械的強度を保ちつつ、キャパシタ１００を実装時にハンドリングし易い形状に保つことができる。なお、基板１０は、ガリウムヒ素等の他の半導体基板や、ガラスやアルミナ等の絶縁性基板であってもよい。また、絶縁膜１２の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下程度である。もっとも、絶縁膜１２は、基板１０と下部電極２０との間の絶縁が保てる厚さであればよい。絶縁膜１２は、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の絶縁材料により形成されてもよい。
【００３１】
次に、図４Ｂに示すように、絶縁膜１２上に、下部電極２０を構成する金属材料からなる金属膜を形成し、当該金属膜をフォトレジストでパターニングし、当該フォトレジストをマスクとして当該金属膜をエッチングすることにより、下部電極２０を形成する。金属材料は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム等である。また、下部電極２０の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、また、２μｍ以上６μｍ以下であってもよい。下部電極２０の膜厚を０．５μｍ以上１０μｍ以下とすると、下部電極２０の抵抗値を、キャパシタ１００の高周波特性に影響を与えない程度の値にすることができ、また、下部電極２０により発生する応力をキャパシタ１００が歪まない程度に抑えることができる。
【００３２】
次に、図４Ｃに示すように、誘電膜３０を形成する。まず、誘電膜３０を形成する誘電体材料を、下部電極２０の上面及び端面、並びに、絶縁膜１２上に堆積させる。誘電体材料は、例えば、シリコン窒化膜で、その膜厚は、例えば、０．１μｍ以上１．５μｍ以下である。そして、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、下部電極２０の上面の一部が露出するように、誘電体材料の一部を除去して、開口３２を形成し、誘電膜３０を形成する。誘電膜３０は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム等の他の酸化物や窒化物からなる誘電体材料により形成されてもよい。また、誘電膜３０は、異なる誘電体材料からなる複数層の膜であってもよい。
【００３３】
次に、図４Ｄに示すように、上部電極４０及びビア電極４２を形成する。まず、上部電極４０及びビア電極４２を形成する金属材料を、誘電膜３０、絶縁膜１２、及び、誘電膜３０の開口３２（図４Ｃ参照）内に堆積させる。上部電極４０及びビア電極４２の厚さは、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、また、２μｍ以上６μｍ以下であってもよい。このように、上部電極４０が比較的厚い膜厚を有することにより、直列抵抗を下げることができる。また、金属材料は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム等である。そして、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、堆積された金属材料をエッチングして、下部電極２０の一部の領域に上部電極４０を形成するとともに、誘電膜３０の開口３２にビア電極４２を形成する。
【００３４】
なお、本実施形態において、下部電極２０は、上部電極４０よりも、膜厚が厚く形成される。これにより、平面視において上部電極４０が下部電極２０よりも内側に形成されたとしても、等価直列抵抗を低く抑えることができる。
【００３５】
次に、図４Ｅに示すように、絶縁膜５０を形成する。まず、絶縁膜５０を形成する絶縁材料を、上部電極４０、ビア電極４２、誘電膜３０、及び絶縁膜１２上に堆積させる。絶縁膜５０は、ポリイミド樹脂や酸化シリコンなどの絶縁材料により形成される。絶縁膜５０の膜厚は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下である。これにより、絶縁膜５０を挟んで下部電極２０と端子電極６０との間に形成される容量を、誘電膜３０を挟んで下部電極２０と上部電極４０との間に形成される容量よりも大きくすることができる。また、絶縁膜５０を形成する材料として、高粘度の材料を必ずしも用いる必要がないため、絶縁膜５０の厚さを比較的容易に制御することができる。ひいては、キャパシタ１００の容量のばらつきを低減させることができる。
【００３６】
そして、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、当該絶縁材料をエッチングして、それぞれ、上部電極４０の一部及びビア電極４２の一部が露出するように、開口５２及び５４を形成する。なお、本実施形態において、絶縁膜５０は、下部電極２０の側壁部分（側面）を覆うように形成される。これにより、仮に誘電膜３０が下部電極２０の側壁部分に十分に形成されなかったとしても、下部電極２０が露出することを防ぐことができる。ひいては、キャパシタ１００の実装時に、下部電極２０の側壁部分においてはんだと下部電極２０が短絡することを防ぐことができる。
【００３７】
次に、図４Ｆに示すように、保護膜８０を形成する。まず、保護膜８０を形成する樹脂材料（ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、有機パッシベーション材料等）を、絶縁膜５０、上部電極４０及びビア電極４２上に塗布し、平面視において所定のパターンとなるように露光及び現像する。そして、当該樹脂材料をキュアして硬化させることにより、保護膜８０を形成する。
【００３８】
次に、図４Ｇに示すように、端子電極６０及び７０を形成する。まず、金属材料を、上部電極４０、ビア電極４２、絶縁膜５０及び保護膜８０上に堆積させて、シード層を形成する。シード層は、例えば、銅とチタンの積層である。そして、シード層上にレジストを塗布し、端子電極６０及び７０を形成する領域においてシード層が露出するようにレジストをパターニングする。そして、シード層を電極として、シード層のうち露出した部分に、電解めっきにより金属材料を堆積させる。本実施形態では、金属材料として、銅が４μｍ、ニッケルが４μｍ、金が０．２μｍ堆積される。そして、レジストを除去するとともに、シード層をエッチングして、端子電極６０及び７０が形成される。以上の工程により、本実施形態に係るキャパシタ１００を得ることができる。
【００３９】
図５は、本発明の第２実施形態に係るキャパシタ１００の構造を概略的に示す平面図である。また、図６は、図５のＡＡ´断面を示す図である。なお、図５及び図６においては、キャパシタ１００の構造における特徴の少なくとも一部を説明するのに必要な構成を抽出して記載しているが、キャパシタ１００が不図示の構成を備えることを妨げるものではない。また、第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００４０】
本実施形態におけるキャパシタ１００は、平面視において、保護膜８０が、開口５２及び５４のうちの３辺の周囲において、絶縁膜５０を覆うように設けられている。すなわち、開口５２及び５４は４辺を有する矩形形状を有しており、保護膜８０は、開口５２及び５４の周囲のうち、それぞれ、開口５４又は５２と対向する辺及び当該辺に隣接する２辺の周囲において、絶縁膜５０を覆うように設けられている。
【００４１】
本実施形態では、端子電極６０及び７０において凹凸（段差）が形成される領域がさらに増えるため、キャパシタ１００に加わる応力をさらに分散させることができる。また、はんだ２４０及び２５０により接合される面積がさらに増えるため、固着強度をさらに向上させることができる。なお、第１実施形態における固着強度が１．０ニュートンであったのに対して、本実施形態における固着強度は１．５ニュートンであった。
【００４２】
図７は、本発明の第２実施形態に係るキャパシタ１００の構造を概略的に示す平面図である。また、図８は、図５のＡＡ´断面を示す図である。なお、図７及び図８においては、キャパシタ１００の構造における特徴の少なくとも一部を説明するのに必要な構成を抽出して記載しているが、キャパシタ１００が不図示の構成を備えることを妨げるものではない。
【００４３】
本実施形態におけるキャパシタ１００は、端子電極６０及び７０が２層構造を有する。具体的には、端子電極６０は、上部電極４０から絶縁膜５０の一部に亘って形成された第１層６０−１と、第１層６０−１から保護膜８０に亘って形成された第２層６０−２とを有する。同様に、端子電極７０は、ビア電極４２から絶縁膜５０の一部に亘って形成された第１層７０−１と、第１層７０−１から保護膜８０に亘って形成された第２層７０−２とを有する。なお、保護膜８０は、第１層６０−１及び７０−１が形成された後に、絶縁膜５０及び第１層６０−１及び７０−１上に形成される。
【００４４】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。
【００４５】
本発明の一実施形態に係るキャパシタ１００は、表面及び裏面を有する基板１０と、基板１０の表面上に設けられた素子と、素子に電気的に接続された上部電極４０及び／又はビア電極４２と、基板１０の表面の平面視において上部電極４０及び／又はビア電極４２と重なる位置に開口５２及び／又は５４が設けられた絶縁膜５０と、開口５２及び／又は５４の周囲の少なくとも一部を含む領域において、絶縁膜５０を覆うように設けられた保護膜８０と、上部電極４０及び／又はビア電極４２から保護膜８０に亘って設けられた端子電極６０及び／又は７０とを備える。
【００４６】
これにより、キャパシタ１００に厚さ方向に加わる応力を、保護膜８０において分散させることができるので、容量素子や基板１０に加わる応力を低減させることができる。また、保護膜８０が十分な厚さを有するので、仮にキャパシタ１００に比較的大きな応力が加わったとしても、キャパシタ１００に発生するクラックを保護膜８０に止め、容量素子や基板１０に到達することを抑制することができる。また、キャパシタ１００が保護膜８０を有するので、端子電極６０及び７０の表面積を大きくすることができる。これにより、キャパシタ１００の回路基板２００に対する固着強度を上げることができる。さらに、キャパシタ１００が保護膜８０を有するので、端子電極６０及び７０に凹凸（段差）が形成される。これにより、端子電極６０及び７０のうち、保護膜８０上に形成された部分以外の部分において、はんだ留まることができる。ひいては、キャパシタ１００の実装時に、回路基板２００に対するキャパシタ１００の実装傾きを低減させることができる。
【００４７】
また、開口５２及び／又は５４は、平面視において、４辺を含む矩形形状を有しており、保護膜８０は、開口５２及び／又は５４の４辺のうちの３辺の周囲において、絶縁膜５０を覆うように設けられてもよい。これにより、端子電極６０及び７０において凹凸（段差）が形成される領域がさらに増えるため、キャパシタ１００に加わる応力をさらに分散させることができる。また、はんだ２４０及び２５０により接合される面積がさらに増えるため、固着強度をさらに向上させることができる。
【００４８】
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４９】
１０…基板、１２…絶縁膜、２０…下部電極、３０…誘電膜、４０…上部電極、４２…ビア電極、５０…絶縁膜、５２…開口、５４…開口、６０…端子電極、７０…端子電極、８０…保護膜、１００…キャパシタ、２００…回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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