(57)【要約】  マイクロ波加熱調理器（１）は、誘電加熱装置の一例である。マイクロ波加熱調理器（１）は、加熱庫を開閉する扉と、高周波電源（１０）とを備えている。高周波電源（１０）は、高周波発振回路（６）と、高周波発振回路（６）からの高周波信号を増幅するための少なくとも１つの半導体アンプ（３・４）と、扉の開閉を検知するための扉スイッチ（９）（開閉検知部）と、扉が開かれたときに高周波発振回路（６）を停止させる制御部（２０）と、を備えている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱庫を開閉する扉と、
高周波発振回路と、
前記高周波発振回路からの高周波を増幅するための少なくとも１つの半導体アンプと、
前記扉が開かれたときに前記高周波発振回路を停止させる制御部またはスイッチと、
を備えている誘電加熱装置。
【請求項２】
加熱庫を開閉する扉と、
高周波発振回路と、
前記高周波発振回路からの高周波を増幅する半導体アンプであって、少なくとも第１段目の半導体アンプと第２段目の半導体アンプとを含む複数個の半導体アンプと、
前記第１段目の半導体アンプへの電源供給をＯＮ／ＯＦＦするための第１のスイッチと、
前記第２段目の半導体アンプへの電源供給をＯＮ／ＯＦＦするための第２のスイッチと、を備え、
前記第１のスイッチは、前記扉が閉じられるとＯＮされ、
前記第１のスイッチは、前記扉が開けられるとＯＦＦされる、誘電加熱装置。
【請求項３】
前記第１のスイッチがＯＦＦされた後に、前記第２のスイッチがＯＦＦされる、請求項２に記載の誘電加熱装置。
【請求項４】
開口部を有する加熱庫と、
前記加熱庫を開閉する扉と、
高周波発振回路と、
前記高周波発振回路から発生した高周波を、前記開口部から前記加熱庫へ照射する高周波照射部と、を備え、
前記開口部は、開閉機構を有し、
前記扉が開くと、前記開口部の前記開閉機構は閉じられる、誘電加熱装置。
【請求項５】
前記開閉機構には、前記高周波照射部と面する側に、電磁波吸収部が設けられている、請求項４に記載の誘電加熱装置。
【請求項６】
前記高周波の周波数は、０．３ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下であり、
被加熱物に対して前記高周波を放射するアンテナをさらに備えている、請求項１から５のいずれか１項に記載の誘電加熱装置。
【請求項７】
前記高周波の周波数は、３ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下であり、
被加熱物を間に載置する少なくとも２つの電極をさらに備え、
前記高周波は、前記少なくとも２つの電極の間に高周波電界を形成する、請求項１から３のいずれか１項に記載の誘電加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、食品などを誘電加熱して、加熱処理、解凍処理などを行う誘電加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波加熱調理器などの誘電加熱装置は、半導体素子を用いた高周波誘電加熱を利用して、誘電体である被加熱物を加熱する。この誘電加熱装置では、高周波発振器の出力を複数段の高周波電力増幅回路で電力増幅し、アンテナから加熱庫内へ高周波（例えば、マイクロ波）を出力する構成がとられている。【０００３】
このような高周波を加熱庫内へ放射する誘電加熱装置では、使用者への安全上の配慮および電波漏えいの抑制などの観点から、加熱庫の扉が開いたら高周波出力の発生を停止することが求められている。マグネトロンレンジなどの従来の誘電加熱装置では、扉の開閉と連動した機械スイッチを用いて、扉が開いたときにＡＣ電源ラインを切るという構成がとられている。【０００４】
また、特許文献１には、ノーマリーＯＮ型のトランジスタ（ＦＥＴ）を有するマイクロ波処理装置において、トランジスタの破壊を抑えることを目的として、ドアと連動した機械的接点を有するドアスイッチが提案されている。このマイクロ波処理装置では、ドアが開いたときにドアスイッチの接点が開き、電源部からパワーユニットへの直流電圧の供給を瞬時に遮断する構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１４６１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、高周波を出力する誘電加熱装置の高周波電源には、半導体増幅器が力率改善後の直流電圧で動作するように大容量のコンデンサを備えているものがある。このような構成では、扉が開いたときにＡＣ電源ラインを切っても、コンデンサに残存するエネルギーが半導体増幅器に供給される。そのため、扉が開いてから瞬時に高周波出力を停止することは不可能である。【０００７】
また、扉が開いてから瞬時に高周波出力を停止するための別の構成として、扉スイッチを開けたときに機械スイッチで直流ラインを切るという構成も考えられる。しかし、高周波出力中の半導体増幅器には、直流ラインから大電流が流れているため、直流ラインを切る際に、機械スイッチの接点間にアークが発生する可能性がある。機械スイッチの接点間にアークが発生すると、スイッチの遮断が不完全になるとともに、機械スイッチの寿命を縮める要因となる。【０００８】
そこで、本発明の一局面では、扉を開けたときに、スイッチに発生するアークの影響を抑えつつ、加熱庫内への高周波出力を停止させることができる誘電加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第一局面にかかる誘電加熱装置は、加熱庫を開閉する扉と、高周波発振回路と、前記高周波発振回路からの高周波を増幅するための少なくとも１つの半導体アンプと、前記扉が開かれたときに前記高周波発振回路を停止させる制御部またはスイッチと、を備えている。【００１０】
本発明の第二局面にかかる誘電加熱装置は、加熱庫を開閉する扉と、高周波発振回路と、前記高周波発振回路からの高周波を増幅する半導体アンプであって、少なくとも第１段目の半導体アンプと第２段目の半導体アンプとを含む複数個の半導体アンプと、前記第１段目の半導体アンプへの電源供給をＯＮ／ＯＦＦするための第１のスイッチと、前記第２段目の半導体アンプへの電源供給をＯＮ／ＯＦＦするための第２のスイッチと、を備えている。この誘電加熱装置において、前記第１のスイッチは、前記扉が閉じられるとＯＮされ、前記第１のスイッチは、前記扉が開けられるとＯＦＦされる。【００１１】
上記の本発明の第二局面にかかる誘電加熱装置において、前記第１のスイッチがＯＦＦされた後に、前記第２のスイッチがＯＦＦされてもよい。【００１２】
本発明の第三局面にかかる誘電加熱装置は、開口部を有する加熱庫と、前記加熱庫を開閉する扉と、高周波発振回路と、前記高周波発振回路から発生した高周波を、前記開口部から前記加熱庫へ照射する高周波照射部と、を備えている。この誘電加熱装置において、前記開口部は、開閉機構を有し、前記扉が開くと、前記開口部の前記開閉機構は閉じられる。【００１３】
上記の本発明の第三局面にかかる誘電加熱装置において、前記開閉機構には、前記高周波照射部と面する側に、電磁波吸収部が設けられていてもよい。【００１４】
上記の本発明の第一から第三局面の何れかにかかる誘電加熱装置において、前記高周波の周波数は、０．３ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下であり、被加熱物に対して前記高周波を放射するアンテナをさらに備えていてもよい。【００１５】
上記の本発明の第一または第二局面にかかる誘電加熱装置において、前記高周波の周波数は、３ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下であり、被加熱物を間に載置する少なくとも２つの電極をさらに備えており、前記高周波は、前記少なくとも２つの電極の間に高周波電界を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一局面にかかる誘電加熱装置は、扉を開けたときに、スイッチに発生するアークの影響を抑えつつ、加熱庫内への高周波出力を停止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る加熱調理器の外観を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る加熱調理器において、扉が開いた状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる加熱調理器の内部構成を示す模式図である。
【図４】図３に示す加熱調理器に備えられた高周波電源の構成を示す回路図である。
【図５】図４に示す高周波電源の一部分の構成を示す回路図である。
【図６】図３に示す加熱調理器に備えられた高周波電源の動作の一例を示す回路図である。
【図７】第１の実施形態の変形例にかかる高周波電源の構成を示す回路図である。
【図８】本発明の第２の実施形態にかかる加熱調理器の内部構成を示す模式図である。
【図９】図８に示す加熱調理器に備えられた高周波電源の構成を示す回路図である。
【図１０】図８に示す加熱調理器に備えられた高周波電源の動作の一例を示す回路図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態にかかる解凍機の内部構成を示す模式図である。
【図１２】図１１に示す解凍機に備えられた高周波電源の構成を示す回路図である。
【図１３】図１１に示す解凍機に備えられた高周波電源の動作の一例を示す回路図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態にかかる解凍機の内部構成を示す模式図である。
【図１５】図１４に示す解凍機に備えられた高周波電源の構成を示す回路図である。
【図１６】図１４に示す解凍機に備えられた高周波電源の動作の一例を示す回路図である。
【図１７】本発明の第５の実施形態にかかる加熱調理器の構成を示す斜視図である。この図では、加熱室の扉が開いた状態を示す。
【図１８】図１７に示す加熱調理器の加熱室内に取り付けられた開閉機構を示す側面模式図である。
【図１９】図１７に示す加熱調理器において、扉が閉じた状態の内部構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
本実施形態では、本発明の一局面にかかる誘電加熱装置の一例であるマイクロ波加熱調理器（以下、単に加熱調理器という）を例に挙げて説明する。加熱調理器は、ＵＨＦ帯域周波数である２．４ＧＨｚ以上２．５ＧＨｚ以下の周波数の電磁波を用いて、食品などの被加熱物の誘電加熱を行う。但し、本発明の誘電加熱装置で用いる電磁波の周波数は、これに限定されない。
【００２０】
（加熱調理器の全体構成）
先ず、第１の実施形態に係る加熱調理器１の全体構成を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る加熱調理器の外観を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る加熱調理器において断熱扉を開けた状態を示す斜視図である。
【００２１】
図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態に係る加熱調理器１は、開口部を正面に有する箱状体３１を有する。箱状体３１には、開口部を通じて内部に被加熱物を収納する加熱室（加熱庫）２が設けられている。箱状体３１の正面の開口部は、加熱室２の正面側の端部に位置している。
【００２２】
加熱室２は、天面、底面および左右の側面に囲まれている。加熱室２には、トレイ３８が配置される。具体的には、トレイ３８は、加熱室２の底面上に配置される。被加熱物は、トレイ３８上に載置される。
【００２３】
箱状体３１の側方（側面）には、加熱室２内の被調理物を加熱する高周波を供給するアンテナ５（図３参照）が配置されている。
【００２４】
箱状体３１の正面側に、開口部を開閉自在に閉塞する断熱扉（以下、単に「扉」という）３２が設けられている。すなわち、加熱室２は、扉３２で開閉される。本実施形態においては、図２に示すように、扉３２は、開口部に対して縦開きとなるように、箱状体の正面側の下部に連結されている。ただし、本発明の一態様では、扉の開閉機構は、縦開きには限定されず、横開きの開閉機構であってもよい。
【００２５】
このように、本実施形態の加熱調理器１には、扉３２を箱状体３１に対して開閉可能に支持する開閉機構が設けられている。開閉機構は、左右両側に配置されたドアアーム３７ａ・３７ｂなどを有している。
【００２６】
なお、図１および図２には図示していないが、扉３２および箱状体３１には、扉の開閉を検知する扉スイッチ９（図３参照）が設けられている。扉スイッチ９（開閉検知部）は、扉３２側と箱状体３１側にそれぞれ配置されたスイッチ部を有している。各スイッチ部同士が、接触しているか否かによって、扉スイッチ９のＯＮ／ＯＦＦが切り換わる。なお、扉スイッチ９は、接触センサなどで構成することもできる。この場合には、扉３２側と箱状体３１側にセンサ部がそれぞれ配置される。そして、各センサ部同士が、所定の距離以上離れているか否かによって、扉スイッチ９のＯＮ／ＯＦＦが切り換わる。
【００２７】
扉３２の正面の上部には、取っ手３３が設けられている。また、扉３２の正面には、加熱室２内の温度および調理条件などを表示する表示部３５が設けられている。また、扉３２の正面には、加熱調理器１の使用者が調理条件を入力するための操作部３６が設けられている。表示部３５および操作部３６は、箱状体３１の内部に配置された制御手段である制御部２０（図３参照）と接続されている。
【００２８】
さらに、扉３２には、加熱室２内を加熱調理器１の外側から視認可能とする窓部３４が設けられている。窓部３４は、断熱性を有する透明な材料から形成されている。また、窓部３４の裏面側（庫内側）には、電磁波が戸外に漏れることを抑えるための遮蔽部材が取り付けられている。
【００２９】
以上で説明した加熱調理器の構成は、本発明の一例である。したがって、本発明の加熱調理器は上記の構成に限定はされない。
【００３０】
（加熱調理器の内部構成）
続いて、本実施の形態にかかる加熱調理器１の内部構成について、図３を用いて説明する。加熱調理器１は、食品などの被加熱物Ａに高周波電力の電磁波を放射して、被加熱物の加熱処理、解凍処理などを行う。図３に示すように、加熱調理器１は、主な構成部材として、加熱室２、第１の半導体アンプ（増幅回路）３、第２の半導体アンプ（増幅回路）４、アンテナ５、高周波発振回路６、温度センサ８、扉スイッチ９、および制御部２０などを備えている。
【００３１】
加熱室２は、金属製の筐体で形成されている。加熱室２の内部には、食品などの被加熱物Ａが載置される。後述する高周波電源１０のアンテナ５から高周波数の電磁波が放射され、加熱室２内の被加熱物Ａが加熱される。
【００３２】
第１の半導体アンプ３、第２の半導体アンプ４、アンテナ５、および高周波発振回路６は、高周波電源１０を構成する。具体的には、高周波発振回路６では、高周波信号の発振周波数を、２．４ＧＨｚ以上２．５ＧＨｚ以下の範囲内において、被加熱物Ａのサイズや物性に適した周波数に調節する。第１の半導体アンプ３、および第２の半導体アンプ４では、高周波発振回路６から送られた高周波信号を増幅する。アンテナ５は、各増幅回路で増幅された高周波信号によって得られる高周波電力を加熱室２内へ放射する。
【００３３】
本実施形態では、２個の半導体アンプを備え、各半導体アンプで段階的に高周波信号を増幅している。しかし、本発明の一態様では、半導体アンプの個数は、２個に限定はされない。本発明の他の態様では、１個または３個以上の半導体アンプを備えている構成も可能である。
【００３４】
温度センサ８は、例えば、加熱室２の上面に配置されている。温度センサ８は、被加熱物Ａの温度をモニタリングする。制御部２０（図３参照）は、加熱調理器１内の各構成部品と接続され、これらの制御を行う。例えば、制御部２０は、温度センサ８がモニタリングした温度情報に基づいて、高周波発振回路６から供給される高周波電力の調整や、加熱の終了などの制御を行う。
【００３５】
扉スイッチ９は、上述したように、扉３２側と箱状体３１側とにそれぞれ配置されたスイッチ部を有しており、扉３２が開状態であるか、閉状態であるかを検知する。扉スイッチ９は、制御部２０と接続されている。制御部２０には、扉３２の開閉状態に関する扉スイッチ９からの検知結果が送信される。そして、制御部２０では、扉スイッチ９から送信された扉３２の開閉状態に関する情報に基づいて、高周波発振回路６などの制御を行う。例えば、本実施形態では、扉３２が開かれたときに、制御部２０は、高周波発振回路６を停止させる。
【００３６】
（高周波電源の構成）
続いて、加熱調理器１の高周波電源１０の内部構成について、図４および図５を参照しながら説明する。図４には、高周波電源１０の回路構成を示す。図５には、高周波電源１０の一部分（具体的には、全波整流回路１１およびスイッチングコンバータ１２）の回路構成を示す。
【００３７】
高周波電源１０は、主な構成部材として、第１の半導体アンプ３、第２の半導体アンプ４、アンテナ５、高周波発振回路６、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、および電力計２５などを備えている。また、高周波電源１０を構成する回路内には、扉スイッチ９およびＤＣリレー２６なども組み込まれている。また、制御部２０も、高周波電源１０を構成する回路に接続されている。
【００３８】
商用電源７は、交流電力を供給する。全波整流回路１１は、商用電源７からの単相交流電圧を整流してスイッチングコンバータ１２に電力を供給する。
【００３９】
スイッチングコンバータ１２は、フライバック方式であり、商用電源７の電圧に追従するように制御する。これにより、商用電源７の入力力率の改善を図っている。なお、スイッチングコンバータ１２としては、上述のフライバック方式のものの他に、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータを用いることもできる。
【００４０】
図５に示すように、スイッチングコンバータ１２は、１次側平滑コンデンサ１３、電源コントローラ１４、トランス（変圧器）１５、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）１６、およびスナバコンデンサ１７などで構成されている。さらに、スイッチングコンバータ１２は、トランス（変圧器）１５の２次側に、ダイオード１８、および２次側電解コンデンサ１９などを備えている。
【００４１】
１次側平滑コンデンサ１３および２次側電解コンデンサ１９は、スイッチング周波数成分を吸収する。２次側電解コンデンサ１９としては、例えば、大容量の電解コンデンサが使用される。これにより、入力電圧の力率改善をしながら、商用電源７から供給される交流を直流電圧に変換して、半導体アンプ３・４の電源に直流電圧を供給することができる。
【００４２】
スイッチングコンバータ１２は、電源コントローラ１４によってＦＥＴ１６のＯＮ／ＯＦＦを制御することによって、商用電源７の電圧に、商用電源７の電流を追従させている。これにより、商用電源７の入力力率の改善を図ることができる。
【００４３】
スイッチングコンバータ１２の後段には、高周波発振回路６、第１の半導体アンプ３、第２の半導体アンプ４、電力計２５、およびアンテナ５などが接続される。
【００４４】
電力計２５は、第２の半導体アンプ４とアンテナ５との間に配置されている。電力計２５は、アンテナ５へ供給される高周波電力の電力値を測定する。電力計２５で測定された電力値の情報は、制御部２０へ送信される。
【００４５】
ＤＣリレー２６は、スイッチングコンバータ１２において直流に変換された電圧を、各半導体アンプ３・４の電源に供給するための配線内に配置されている。ＤＣリレー２６は、制御部２０によってＯＮ／ＯＦＦ制御される。ＤＣリレー２６がＯＮのときには、各半導体アンプ３・４に電源が供給される。また、ＤＣリレー２６がＯＦＦのときには、各半導体アンプ３・４への電源供給は停止する。
【００４６】
制御部２０は、高周波電源１０内の各構成要素と接続されており、各構成要素の動作を制御する。制御部２０には、扉スイッチ９も接続されている。これにより、扉スイッチ９のＯＮ／ＯＦＦ信号は、制御部２０へ送信される。
【００４７】
（扉開閉時の高周波電源の制御方法）
続いて、扉３２を開閉する際の高周波電源１０の制御方法について、図４および図６を参照しながら以下に説明する。
【００４８】
使用者が加熱室２の扉３２を開くと、扉スイッチ９は、扉３２が開状態になったことを検知する。この情報は、制御部２０へ送信される。扉３２が開いたという情報を受信すると、制御部２０は、高周波発振回路６を停止する（図４参照）。すなわち、高周波発振回路６からの高周波信号の発信を停止する。本実施形態では、制御部２０は、高周波発振回路６内の発振ＯＮ／ＯＦＦ端子を制御して、高周波信号の発信を停止する。
【００４９】
このように、高周波信号が停止した時点で、半導体アンプ３・４からの高周波出力は停止する。そのため、半導体アンプ３・４の消費電流は低減している。したがって、ＤＣリレー２６などのスイッチでアークの発生を抑えつつ、加熱室２内への高周波の放射を容易に遮断することができる。
【００５０】
その後、制御部２０は、電力計２５の値が十分に低下したことを確認した後、ＤＣリレー２６を開にする（図６参照）。これにより、ＤＣリレー２６にかかる負担を小さくすることができる。
【００５１】
続いて、使用者が扉３２を閉めると、扉スイッチ９は、扉３２が閉状態になったことを検知する。この情報は、制御部２０へ送信される。扉３２が閉じたという情報を受信すると、制御部２０は、周囲の安全を確認した後、ＤＣリレー２６を閉にする。その後、高周波発振回路６は、即座に高周波信号の発信を開始してもよいし、制御部２０からのさらなる指令を受けた後に、高周波発振回路６は高周波信号の発信を開始させてもよい。
【００５２】
以上のように、本実施形態にかかる加熱調理器１は、扉３２の開閉を検出し、扉３２が開状態の間は、高周波発振回路６からの高周波信号を停止する。これにより、扉の開動作に連動して、安全に高周波出力を遮断することができる。特に、本実施形態のように、直流で動作する半導体アンプ３・４を有する高周波加熱装置においては、扉３２を開けたときに、ＤＣリレー２６においてアークの影響を受けることなく、即座に高周波出力を止めることが可能となる。そのため、上記の構成を採用することが好ましい。
【００５３】
また、上記の構成によれば、箱状体３１内では扉開閉機構の信号線を扉３２まで引き回すだけで済み、大電流を要する半導体アンプ３・４のＤＣリレー２６は、高周波電源１０の回路近傍に配置することができる。したがって、大電流のＤＣ配線を箱状体３１内で引き回す必要性が低くなるため、箱状体設計の自由度を高めることができる。
【００５４】
なお、上述した第１の実施形態では、ＵＨＦ帯域周波数である２．４ＧＨｚ以上２．５ＧＨｚ以下の周波数の電磁波を発生させる加熱調理器を例に挙げて説明した。しかし、本発明の他の態様では、加熱調理器から発生するＵＨＦ帯域の電磁波の周波数は、０．３ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の範囲内とすることができる。
【００５５】
（第１の実施形態の変形例）
以下には、第１の実施形態の高周波電源１０の変形例について説明する。図７には、変形例にかかる高周波電源１０’の回路構成を示す。図７に示すように、変形例にかかる高周波電源１０’においては、扉スイッチ９’（スイッチ）の配置位置が第１の実施形態とは異なっている。それ以外の構成については、第１の実施形態と同様の構成を適用することができる。
【００５６】
高周波電源１０’では、扉スイッチ９’は、スイッチングコンバータ１２において直流に変換された電圧を、高周波発振回路６の電源に供給するための配線内に配置されている。したがって、扉スイッチ９’がＯＦＦになったとき（すなわち、扉３２が開いたとき）には、高周波発振回路６への電源の供給が停止される。また、扉スイッチ９’がＯＮになったとき（すなわち、扉３２が閉じたとき）には、高周波発振回路６への電源の供給が開始される。
【００５７】
この構成によれば、制御部２０を介することなく、高周波発振回路６の動作の停止および開始を、扉スイッチ９’のＯＮ／ＯＦＦ（閉／開）と連動させることができる。すなわち、本変形例においては、扉３２の開閉を検知するための扉スイッチ９’（開閉検知部）を、扉３２が開かれたときに高周波発振回路６を停止させるスイッチとして機能させることができる。
【００５８】
＜第２の実施形態＞
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。上述した第１の実施形態では、加熱室の扉を開けたときに、高周波発振回路の動作を停止させるという構成について説明した。これに対して、第２の実施形態では、加熱室の扉を開けたときに、第１の半導体アンプへの電源供給を停止させるという構成について説明する。
【００５９】
図８には、第２の実施形態にかかるマイクロ波加熱調理器（以下、単に加熱調理器という）１００を示す。加熱調理器１００は、本発明の一局面にかかる誘電加熱装置の一例である。加熱調理器１００の基本的な構成は、第１の実施形態にかかる加熱調理器１（図１参照）と同じである。そこで、加熱調理器１００において、加熱調理器１と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００６０】
図８に示すように、加熱調理器１００は、主な構成部材として、加熱室２、第１の半導体アンプ（第１段目の半導体アンプ）１０３、第２の半導体アンプ（第２段目の半導体アンプ）１０４、アンテナ５、高周波発振回路１０６、温度センサ８、扉スイッチ１０９、および制御部２０などを備えている。第１の半導体アンプ１０３、第２の半導体アンプ１０４、アンテナ５、および高周波発振回路１０６は、高周波電源１１０を構成する。
【００６１】
図９には、高周波電源１１０の回路構成を示す。高周波電源１１０は、主な構成部材として、第１の半導体アンプ１０３、第２の半導体アンプ１０４、アンテナ５、高周波発振回路１０６、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、および電力計２５などを備えている。また、高周波電源１１０を構成する回路内には、扉スイッチ１０９（第１のスイッチ）およびＤＣリレー１２６（第２のスイッチ）なども組み込まれている。また、制御部１２０も、高周波電源１１０を構成する回路に接続されている。
【００６２】
第１の半導体アンプ１０３（第１の半導体アンプ３に相当）、第２の半導体アンプ１０４（第２の半導体アンプ４に相当）、アンテナ５、高周波発振回路１０６（高周波発振回路６に相当）、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、および電力計２５は、第１の実施形態とほぼ同様の構成が適用できる。
【００６３】
扉スイッチ１０９（第１のスイッチ）は、扉３２側と箱状体３１側とにそれぞれ配置されたスイッチ部を有しており、扉３２が開状態であるか、閉状態であるかを検知する。扉スイッチ１０９は、制御部１２０と接続されている。なお、本実施形態では、扉スイッチ１０９は、スイッチングコンバータ１２において直流に変換された電圧を、第１段目の半導体アンプ１０３の電源に供給するための配線内に配置されている。これにより、扉スイッチ１０９が開になると、半導体アンプ１０３への電源供給は停止する。また、扉スイッチ１０９が閉になると、半導体アンプ１０３への電源供給が開始される。つまり、扉３２の開閉と、半導体アンプ１０３への電源供給とが連動するような構成となっている。
【００６４】
ＤＣリレー１２６（第２のスイッチ）は、スイッチングコンバータ１２において直流に変換された電圧を、第２段目の半導体アンプ１０４の電源に供給するための配線内に配置されている。ＤＣリレー１２６は、制御部１２０によってＯＮ／ＯＦＦ制御される。ＤＣリレー１２６がＯＮのときには、半導体アンプ１０４に電源が供給される。また、ＤＣリレー１２６がＯＦＦのときには、各半導体アンプ１０４への電源供給は停止する。
【００６５】
（扉開閉時の高周波電源の制御方法）
続いて、扉３２を開閉する際の高周波電源１１０の制御方法について、図９および図１０を参照しながら以下に説明する。
【００６６】
使用者が加熱室２の扉３２を開くと、それに連動して扉スイッチ１０９が開（ＯＦＦ）となる。上述したように、扉スイッチ１０９は、第１段目の半導体アンプ１０３への電源供給をＯＮ／ＯＦＦするものであるため、扉スイッチ１０９が開になると、半導体アンプ１０３への直流電圧の供給が停止する（図８の（１）および図９参照）。第１段目の半導体アンプ１０３は、消費電流が比較的小さい（例えば、０．１Ａ程度）ため、容易に電源供給を遮断することができる。
【００６７】
また、扉スイッチ１０９によって検知された扉３２が開いたという情報は、制御部１２０へ送信される（図８の（２）参照）。扉３２が開いたという情報を受信すると、制御部１２０は、ＤＣリレー１２６を開（ＯＦＦ）にする。上述したように、ＤＣリレー１２６は、第２段目の半導体アンプ１０４への電源供給をＯＮ／ＯＦＦするものであるため、ＤＣリレー１２６が開になると、半導体アンプ１０４への直流電圧の供給が停止する（図８の（２）および図１０参照）。
【００６８】
第１段目の半導体アンプ１０３への直流電圧供給が停止した時点で、第１段目の半導体アンプ１０３から第２段目の半導体アンプ１０４への高周波出力が停止している。そのため、第２段目の半導体アンプ１０４からも高周波出力は出ておらず、第２段目の半導体アンプ１０４の消費電流は低減している。したがって、ＤＣリレー１２６でアークの発生を抑えつつ、加熱室２内への高周波の放射を容易に遮断することができる。
【００６９】
続いて、使用者が扉３２を閉めると、これに連動して扉スイッチ１０９も閉（ＯＮ）となるため、第１段目の半導体アンプ１０３への電源供給が可能となる。このとき、扉３２が閉状態になったという情報は、制御部１２０へ送信される。扉３２が閉じたという情報を受信した後、制御部１２０は、ＤＣリレー１２６を閉にする前に、周囲の安全を確認することが好ましい。そして、制御部１２０は、周囲が安全であることを確認した後に、ＤＣリレー１２６を閉（ＯＮ）にして、第２段目の半導体アンプ１０４への電源供給を開始することが好ましい。
【００７０】
以上のように、本実施形態にかかる加熱調理器１００は、消費電流が比較的少ない第１段目の半導体アンプ１０３の直流電圧供給配線のみを、扉３２と連動した扉スイッチ１０９（機械スイッチ）で開閉する。これにより、扉３２の開動作に連動して、安全に即座に加熱室２内への高周波出力の放射を停止することができる。
【００７１】
特に、本実施形態のように、直流で動作する半導体アンプ１０３・１０４を有する高周波加熱装置においては、扉３２を開けたときに、ＤＣリレー１２６においてアークの影響を受けることなく、即座に高周波出力を止めることが可能となる。そのため、上記の構成を採用することが好ましい。
【００７２】
また、上記の構成によれば、より大電流を要する第２段目の半導体アンプ１０４のＤＣリレー２６は、高周波電源１１０の回路近傍に配置することができる。したがって、より大電流のＤＣ配線を箱状体３１内で引き回す必要性が低くなるため、箱状体設計の自由度を高めることができる。
【００７３】
＜第３の実施形態＞
続いて、本発明の第３の実施形態について説明する。上述した第１及び第２の実施形態では、本発明の一局面にかかる誘電加熱装置の一例であるマイクロ波加熱調理器を例に挙げて説明した。第３の実施形態では、本発明の一局面にかかる誘電加熱装置の他の例として、誘電加熱解凍機を例に挙げて説明する。
【００７４】
本実施形態にかかる誘電加熱解凍機２００（以下、単に解凍機という）は、ＶＨＦ帯域周波数である３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数（具体的には、４０．６８ＭＨｚの周波数）の電磁波を用いて、食品などの被加熱物の加熱または解凍を行う。但し、本実施形態の解凍機で用いる電磁波の周波数は、これに限定されない。本実施形態の解凍機では、例えば、ＨＦ帯域周波数３ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の電磁波を用いることもできる。
【００７５】
（誘電加熱解凍機の概略構成）
先ず、本実施の形態にかかる解凍機２００の概略構成について、図１１を用いて説明する。解凍機２００は、食品などの被加熱物（被解凍物）Ａに高周波電界を照射して、被加熱物の加熱処理、解凍処理などを行う。図１１に示すように、解凍機２００は、主な構成部材として、筐体（箱状体）２０１、加熱室（加熱庫）２０２、扉スイッチ（開閉検知部）２０９、制御部２２０、および高周波電源２１０などを備えている。
【００７６】
高周波電源２１０は、第１の半導体アンプ（増幅回路）２０３、第２の半導体アンプ（増幅回路）２０４、高周波発振回路２０６、上側電極（電極）２５１、下側電極（電極）２５２、および整合回路２５４などを備えている。
【００７７】
筐体２０１は、解凍機２００の外形を形成する。加熱室２０２は、金属製の筐体で形成されている。加熱室２０２の内部には、食品などの被加熱物Ａが載置される。また、加熱室２０２内には、上側電極２５１、下側電極２５２、およびセラミックプレート２５３などが配置される。下側電極２５２は、セラミックプレート２５３の下に配置される。また、下側電極２５２は、接地され、０電位となっている。
【００７８】
上側電極２５１と下側電極２５２との間には、後述するように、高周波電源２１０から高周波電界が与えられる。被加熱物Ａは、上側電極２５１と下側電極２５２との間に載置される。この状態で、２つの電極２５１・２５２間に高周波高電圧が印加され、その間に誘電体である被加熱物Ａを挟んで誘電加熱が行われる。被加熱物Ａは、誘電損失によって、加熱または解凍される。
【００７９】
制御部２２０は、解凍機２００内の各構成部品と接続され、これらの制御を行う。制御部２２０では、高周波電力の調整や加熱終了などの制御が行われる。
【００８０】
扉スイッチ２０９は、加熱室２０２に取り付けられた扉（図示せず）と加熱室２０２とにそれぞれ配置されたスイッチ部を有しており、扉が開状態であるか、閉状態であるかを検知する。扉スイッチ２０９は、制御部２２０と接続されている。制御部２２０には、扉の開閉状態に関する扉スイッチ２０９からの検知結果が送信される。そして、制御部２２０では、扉スイッチ２０９から送信された扉の開閉状態に関する情報に基づいて、高周波発振回路２０６などの制御を行う。例えば、本実施形態では、扉が開かれたときに、制御部２２０は、高周波発振回路２０６を停止させる。
【００８１】
（高周波電源の構成）
続いて、解凍機２００の高周波電源２１０の内部構成について、図１２を参照しながら説明する。図１２には、高周波電源２１０の回路構成を示す。高周波電源２１０は、主な構成部材として、第１の半導体アンプ２０３、第２の半導体アンプ２０４、高周波発振回路２０６、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、整合回路２５４、および電力計２５などを備えている。
【００８２】
高周波電源２１０では、高周波発振回路２０６にて、例えば４０．６８ＭＨｚの高周波信号を生成する。この高周波信号は、第１の半導体アンプ２０３および第２の半導体アンプ２０４で増幅された後、整合回路２５４でインピーダンスマッチングが施される。そして、この高周波信号によって得られる高周波電力は、上側電極２５１および下側電極２５２で構成される等価コンデンサ２６１、並びに被加熱物Ａで構成される等価抵抗２６２へ印加される。これにより、上側電極２５１と下側電極２５２との間には、高周波電界が形成され、上側電極２５１と下側電極２５２との間に位置する被加熱物Ａには、高周波電力が与えられる。
【００８３】
高周波電源２１０において、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、および電力計２５の構成は、第１の実施形態と同様の構成が適用できる。なお、第１の実施形態とは使用する周波数帯域が異なるため、高周波発振回路２０６、第１の半導体アンプ２０３、および第２の半導体アンプ２０４の内部構成は、第１の実施形態とは異なっている。本実施形態において、高周波発振回路２０６、第１の半導体アンプ２０３、および第２の半導体アンプ２０４は、ＶＨＦ帯域の周波数に適した構成となっている。
【００８４】
また、高周波電源２１０を構成する回路内には、扉スイッチ２０９およびＤＣリレー２２６なども組み込まれている。また、制御部２２０も、高周波電源２１０を構成する回路に接続されている。
【００８５】
（扉開閉時の高周波電源の制御方法）
続いて、加熱室２０２の扉を開閉する際の高周波電源２１０の制御方法について、図１２および図１３を参照しながら以下に説明する。
【００８６】
使用者が加熱室２０２の扉を開くと、扉スイッチ２０９は、扉が開状態になったことを検知する。この情報は、制御部２２０へ送信される。加熱室２０２の扉が開いたという情報を受信すると、第１の実施形態と同様に、制御部２２０は、高周波発振回路２０６を停止する（図１２参照）。
【００８７】
このように、高周波信号が停止した時点で、半導体アンプ２０３・２０４からの高周波出力は停止する。そのため、半導体アンプ２０３・２０４の消費電流は低減している。したがって、ＤＣリレー２２６でアークの発生を抑えつつ、加熱室２０２内への高周波の放射を容易に遮断することができる。
【００８８】
その後、制御部２２０は、電力計２５の値が十分に低下したことを確認した後、ＤＣリレー２２６を開にする（図１３参照）。これにより、ＤＣリレー２２６にかかる負担を小さくすることができる。
【００８９】
続いて、使用者が加熱室２０２の扉を閉めると、扉スイッチ２０９は、扉が閉状態になったことを検知する。この情報は、制御部２２０へ送信される。扉が閉じたという情報を受信すると、第１の実施形態と同様に、制御部２２０は、周囲の安全を確認した後、ＤＣリレー２２６を閉にする。その後、高周波発振回路２０６は、即座に高周波信号の発信を開始してもよいし、制御部２２０からのさらなる指令を受けた後に、高周波発振回路２０６は高周波信号の発信を開始させてもよい。
【００９０】
以上のように、本実施形態にかかる解凍機２００は、加熱室２０２の扉の開閉を検出し、扉が開状態の間は、高周波発振回路２０６からの高周波信号を停止する。これにより、扉の開動作に連動して、安全に高周波出力を遮断することができる。
【００９１】
＜第４の実施形態＞
続いて、本発明の第４の実施形態について説明する。上述した第３の実施形態では、加熱室の扉を開けたときに、高周波発振回路の動作を停止させるという構成について説明した。これに対して、第４の実施形態では、加熱室の扉を開けたときに、第１の半導体アンプへの電源供給を停止させるという構成について説明する。
【００９２】
図１４には、第４の実施形態にかかる誘電加熱解凍機３００（以下、単に解凍機という）を示す。解凍機３００は、本発明の一局面にかかる誘電加熱装置の一例である。解凍機３００の基本的な構成は、第３の実施形態にかかる解凍機２００と同じである。そこで、解凍機３００において、解凍機２００と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００９３】
図１４に示すように、解凍機３００は、主な構成部材として、筐体（箱状体）２０１、加熱室（加熱庫）２０２、扉スイッチ（開閉検知部）３０９、制御部３２０、および高周波電源３１０などを備えている。
【００９４】
高周波電源３１０は、第１の半導体アンプ（第１段目の半導体アンプ）２０３、第２の半導体アンプ（第２段目の半導体アンプ）２０４、高周波発振回路２０６、上側電極（電極）２５１、下側電極（電極）２５２、および整合回路２５４などを備えている。
【００９５】
加熱室２０２の内部には、食品などの被加熱物Ａが載置される。また、加熱室２０２内には、上側電極２５１、下側電極２５２、およびセラミックプレート２５３などが配置される。下側電極２５２は、セラミックプレート２５３の下に配置される。また、下側電極２５２は、接地され、０電位となっている。
【００９６】
図１５には、高周波電源３１０の回路構成を示す。高周波電源３１０は、主な構成部材として、第１の半導体アンプ２０３、第２の半導体アンプ２０４、高周波発振回路２０６、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、整合回路２５４、および電力計２５などを備えている。また、高周波電源３１０を構成する回路内には、扉スイッチ３０９（第１のスイッチ）およびＤＣリレー３２６（第２のスイッチ）なども組み込まれている。また、制御部３２０も、高周波電源３１０を構成する回路に接続されている。
【００９７】
高周波電源３１０では、高周波発振回路２０６にて、例えば４０．６８ＭＨｚの高周波信号を生成する。この高周波信号は、第１の半導体アンプ２０３および第２の半導体アンプ２０４で増幅された後、整合回路２５４でインピーダンスマッチングが施される。そして、この高周波信号によって得られる高周波電力は、上側電極２５１および下側電極２５２で構成される等価コンデンサ２６１、並びに被加熱物Ａで構成される等価抵抗２６２へ印加される。これにより、上側電極２５１と下側電極２５２との間には、高周波電界が形成され、上側電極２５１と下側電極２５２との間に位置する被加熱物Ａには、高周波電力が与えられる。
【００９８】
第１の半導体アンプ２０３、第２の半導体アンプ２０４、高周波発振回路２０６、商用電源（交流電源）７、全波整流回路１１、スイッチングコンバータ１２、電力計２５、整合回路２５４、および等価コンデンサ２６１（上側電極２５１および下側電極２５２）は、第３の実施形態とほぼ同様の構成が適用できる。
【００９９】
また、扉スイッチ３０９は、スイッチングコンバータ１２において直流に変換された電圧を第１段目の半導体アンプ２０３の電源に供給するための配線内に配置されている。また、ＤＣリレー３２６は、スイッチングコンバータ１２において直流に変換された電圧を第２段目の半導体アンプ２０４の電源に供給するための配線内に配置されている。扉スイッチ３０９（第１のスイッチ）およびＤＣリレー３２６（第２のスイッチ）は、第２の実施形態の扉スイッチ１０９およびＤＣリレー１２６とほぼ同様の構成が適用できる。
【０１００】
（扉開閉時の高周波電源の制御方法）
続いて、加熱室２０２の扉を開閉する際の高周波電源３１０の制御方法について、図１５および図１６を参照しながら以下に説明する。
【０１０１】
使用者が加熱室２０２の扉を開くと、それに連動して扉スイッチ３０９が開（ＯＦＦ）となる。上述したように、扉スイッチ３０９は、第１段目の半導体アンプ２０３への電源供給をＯＮ／ＯＦＦするものであるため、扉スイッチ３０９が開になると、半導体アンプ２０３への直流電圧の供給が停止する（図１４の（１）および図１５参照）。
【０１０２】
また、扉スイッチ３０９によって検知された加熱室２０２の扉が開いたという情報は、制御部３２０へ送信される（図１４の（２）参照）。扉が開いたという情報を受信すると、制御部３２０は、ＤＣリレー３２６を開（ＯＦＦ）にする。上述したように、ＤＣリレー３２６は、第２段目の半導体アンプ２０４への電源供給をＯＮ／ＯＦＦするものであるため、ＤＣリレー３２６が開になると、半導体アンプ２０４への直流電圧の供給が停止する（図１４の（２）および図１６参照）。
【０１０３】
第１段目の半導体アンプ２０３への直流電圧供給が停止した時点で、第１段目の半導体アンプ２０３から第２段目の半導体アンプ２０４への高周波出力が停止している。そのため、第２段目の半導体アンプ２０４からも高周波出力は出ておらず、第２段目の半導体アンプ２０４の消費電流は低減している。したがって、ＤＣリレー３２６でアークの発生を抑えつつ、加熱室２０２内への高周波の放射を容易に遮断することができる。
【０１０４】
続いて、使用者が加熱室２０２の扉を閉めると、これに連動して扉スイッチ３０９も閉（ＯＮ）となるため、第１段目の半導体アンプ２０３への電源供給が可能となる。このとき、扉が閉状態になったという情報は、制御部３２０へ送信される。扉が閉じたという情報を受信した後、制御部３２０は、ＤＣリレー３２６を閉にする前に、周囲の安全を確認することが好ましい。そして、制御部３２０は、周囲が安全であることを確認した後に、ＤＣリレー３２６を閉（ＯＮ）にして、第２段目の半導体アンプ２０４への電源供給を開始することが好ましい。
【０１０５】
以上のように、本実施形態にかかる解凍機３００は、消費電流が比較的少ない第１段目の半導体アンプ２０３の直流電圧供給配線のみを、加熱室２０２の扉と連動した扉スイッチ３０９（機械スイッチ）で開閉する。これにより、加熱室２０２の扉の開動作に連動して、安全に即座に加熱室２０２内への高周波出力の放射を停止することができる。
【０１０６】
＜第５の実施形態＞
続いて、本発明の第５の実施形態について説明する。上述した第１の実施形態では、加熱室の扉を開けたときに、高周波発振回路の動作を停止させるという構成について説明した。これに対して、第５の実施形態では、加熱室に形成された開口部を通して高周波信号が加熱室内に放射されるという構成のマイクロ波加熱調理器において、加熱室の扉を開けたときに開口部を物理的に遮蔽するという構成例について説明する。
【０１０７】
図１７には、第５の実施形態にかかるマイクロ波加熱調理器（以下、単に加熱調理器という）４００の加熱室２内の概略構成を示す。加熱調理器４００は、本発明の一局面にかかる誘電加熱装置の一例である。
【０１０８】
図１７に示すように、本実施形態にかかる加熱調理器４００は、開口部を正面に有する箱状体４３１を有する。箱状体４３１には、開口部を通じて内部に被加熱物を収納する加熱室（加熱庫）２が設けられている。箱状体４３１の正面の開口部は、加熱室２の正面側の端部に位置している。
【０１０９】
箱状体４３１の正面側に、開口部を開閉自在に閉塞する断熱扉（以下、単に「扉」という）４３２が設けられている。すなわち、加熱室２は、扉４３２で開閉される。また、扉４３２には、加熱室２内を加熱調理器４００の外側から視認可能とする窓部４３４が設けられている。
【０１１０】
また、本実施形態にかかる加熱調理器４００において、加熱室２の左側側方には、加熱室２内の被調理物を加熱する高周波を供給するアンテナ５（高周波照射部）が配置されている（図１８参照）。アンテナ５は、加熱室２の左側面に形成された開口部４４１から加熱室２内へ高周波信号を照射する。
【０１１１】
なお、図示はしていないが、箱状体４３１の左側の側壁内には、高周波信号を発生させる高周波電源が配置されている。高周波電源などの加熱調理器１００の内部構成は、基本的には、第１の実施形態にかかる加熱調理器１と同じである。そこで、加熱調理器４００において、加熱調理器１と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１１２】
また、開口部４４１には、開閉機構４４０が取り付けられている。開閉機構４４０が設けられていることによって、開口部４４１を開放状態にしたり、遮蔽状態にしたりすることができる。本実施形態では、扉４３２が開いたときに、開閉機構４４０は閉じられる構成となっている。なお、開口部４４１については電磁波を透過する材料（例えばセラミックプレートなど）で覆われていてもよい。開口部４４１が、このような電磁波を透過する材料で覆われている場合には、開口部４４１が電磁波を透過する材料のみで覆われている状態を開放状態と呼び、開口部４４１が電磁波を透過する材料と開閉機構４４０（具体的には、蓋部４４２）とで覆われている状態を遮蔽状態と呼ぶ。つまり、開放状態とは、開口部４４１から電磁波が透過される状態を意味する。
【０１１３】
開閉機構４４０は、蓋部４４２、第１支持軸４４３、および第２支持軸４４４などで構成されている。
【０１１４】
蓋部４４２は、開口部４４１の全領域を覆うことができる程度の大きさ（すなわち、開口部４４１の開口面積よりもやや大きな面積）を有している。蓋部４４２は、例えば、金属製の板で形成することができる。また、蓋部４４２は、マイクロ波を透過させないための加工（例えば、メッシュ加工、パンチングメタル加工など）を施した金属製の板で形成することもできる。
【０１１５】
また、蓋部４４２の裏面側（アンテナ５と面する側）には、電磁波吸収部が設けられていることが好ましい。これにより、アンテナ５と蓋部４４２とが対向している状態において、アンテナ５から照射された高周波信号を電磁波吸収部が吸収することができる。そのため、アンテナ５から照射された高周波信号が蓋部４４２の裏面で反射されて、アンテナ５へ戻ることを抑えることができる。電磁波吸収部の素材には、例えば、従来公知のカーボン微粒子材、フェライト系材料、カーボンナノコイル複合材などを用いることができる。
【０１１６】
第１支持軸４４３は、その一端が加熱室２の天面に接続され、他端が蓋部４４２の上方部分に接続されている。第１支持軸４４３は、加熱室２の天面との接続部４４３ａを起点として、前後方向（図１８の矢印Ｂ）に移動可能となっている。
【０１１７】
第２支持軸４４４は、その一端が扉４３２の裏面に接続され、他端が蓋部４４２の前方部分に接続されている。第２支持軸４４４は、扉４３２の開閉動作（図１８の矢印Ａ）に連動して移動する。
【０１１８】
上記の構成により、扉４３２を開けると、開閉機構４４０の蓋部４４２は、前方側へ移動する。図１８では、扉４３２が閉まっているときの開閉機構４４０の第１支持軸４４３および第２支持軸４４４の位置を実線で示し、扉４３２が開いているときの開閉機構４４０の第１支持軸４４３および第２支持軸４４４の位置を破線で示す。また、図１７には、扉４３２が開いているときの開閉機構４４０の状態を示す。また、図１９には、扉４３２が閉まっているときの開閉機構４４０の状態を示す。
【０１１９】
図１８および図１９に示すように、扉４３２が閉まっているときには、開口部４４１は開いた状態（開口部４４１を蓋部４４２が覆っていない状態）となっている。これにより、アンテナ５から発信された高周波信号を、加熱室２内の被加熱物へ照射することができる。
【０１２０】
また、扉４３２を開けると、開閉機構４４０の蓋部４４２は前方側へ移動し、扉４３２が完全に開いた状態では、蓋部４４２が開口部４４１の全体を覆うこととなる（図１７参照）。このように、本実施形態の加熱調理器４００では、扉４３２の開動作に連動して、蓋部４４２が移動して開口部４４１を覆うことで、加熱室２への高周波出力を即座に遮断することができる。
【０１２１】
なお、本実施形態の加熱調理器４００は、アンテナ５から照射される高周波の強度を検出する強度検出部をさらに備えていてもよい。そして、強度検出部によって検出された高周波の強度が所定値以上となった場合には、扉４３２の開閉状態に関わらず、開閉機構４４０を閉じるという制御を行ってもよい。
【０１２２】
また、本実施形態の構成は、上述した第１の実施形態または第２の実施形態の構成と併用することもできる。すなわち、高周波電源の回路内において、高周波発信回路を停止させたり半導体アンプへの電源供給を停止させたりしつつ、開閉機構を用いて加熱室内への高周波出力を物理的に遮断する構成とすることもできる。これにより、より安全性の高い加熱調理器を提供することができる。
【０１２３】
また、第５の実施形態の変形例として、開口部の開閉機構を制御部による制御によって開閉する構成も可能である。この場合には、第１の実施形態で説明した扉スイッチ９による検知結果に基づいて、制御部が開口部の開閉機構を動作させればよい。
【０１２４】
また、半導体マグネトロン照射のように指向性の高いマイクロ波は、庫外へ放出されたときの危険性が高い。そこで、従来のマグネトロンレンジなどのように、扉が開いたときにＡＣ電源ラインを切るという構成に対して、本実施形態の構成を適用することで、安全面を担保することが可能となる。
【０１２５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した異なる実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【０１２６】
１    ：マイクロ波加熱調理器（誘電加熱装置）
２    ：加熱室（加熱庫）
３    ：第１の半導体アンプ
４    ：第２の半導体アンプ
５    ：アンテナ（高周波照射部）
６    ：高周波発振回路
９    ：扉スイッチ（開閉検知部）
９’  ：扉スイッチ（開閉検知部）
１０  ：高周波電源
１０’：高周波電源
２０  ：制御部
２６  ：ＤＣリレー
３２  ：扉
１００：マイクロ波加熱調理器（誘電加熱装置）
１０３：第１の半導体アンプ（第１段目の半導体アンプ）
１０４：第２の半導体アンプ（第２段目の半導体アンプ）
１０６：高周波発振回路
１０９：扉スイッチ（第１のスイッチ）
１１０：高周波電源
１２６：ＤＣリレー（第２のスイッチ）
２００：誘電加熱解凍機（誘電加熱装置）
２１０：高周波電源
２５１：上側電極（電極）
２５２：下側電極（電極）
３００：誘電加熱解凍機（誘電加熱装置）
３１０：高周波電源
４００：マイクロ波加熱調理器（誘電加熱装置）
４３２：扉
４４０：開閉機構
４４１：開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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