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　平成１１年特許願第２３３１０５号「積層セラミック電子部品の外部電極形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月　６日出願公開、特開２００１−　６０５３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 第１　手続の経緯 
　本願は、平成１１年８月１９日の出願であって、平成１７年６月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年８月１９日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、これに対し、同年１０月１９日に回答書が提出されたものである。
 
第２　平成１７年８月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年８月１９日付けの手続補正を却下する。 
 　 
　［理由］ 
　１　補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】　内部電極と接続させて積層セラミック素体の両端に被着するＡｇまたはＣｕの下地電極層と、該下地電極層に被着する中間のＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層に被着する最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｚｎのうちいずれか一種のメッキ層とから外部電極を形成する積層セラミック電子部品の外部電極形成方法において、
　スルホン酸アミドを含有し、その添加量が２０〜４０ｍｌ／ＬのＮｉメッキ液により中間のＮｉメッキ層を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品の外部電極形成方法。」と補正された。 
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物」を「スルホン酸アミド」と概念的に下位のものに限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
 　 
２　独立特許要件について 
　（１）刊行物に記載された発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１９６３５１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「積層セラミックコンデンサの製造方法」（発明の名称）に関するもので、図１、２、３とともに以下の事項が記載されている。 
「【請求項１】内部電極層、誘電体層が交互に積層され、焼結された積層体の端部に、端子電極としてＡｇ系導体材料を塗布・焼き付けを行い、さらに、Ａｇ系導体膜上にＮｉメッキ液でメッキ処理してＮｉ中間層を形成し、さらに、Ｎｉメッキ層上に外部メッキ層を形成した積層セラミックコンデンサの製造方法において、
前記Ｎｉメッキ液に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加して、Ｎｉメッキ層を形成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。」
　
「【０００４】端子電極の具体的な製造方法としては、焼結された積層体の端面に、Ａｇ系導体ペーストをディップ法で、塗布し、乾燥・焼きつけして、下地膜を形成した後、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硼酸、水を含むＮｉメッキ液中で、メッキ処理して、Ａｇ系導体膜の下地膜上に、Ｎｉメッキ中間層を被覆していた。さらにその後、Ｎｉメッキ中間層上に、外部メッキ層、例えば、Ｓｎメッキ液中でメッキ処理してＳｎメッキ層を形成していた。」
　
「【０００６】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、Ｎｉメッキ中間層の厚みを所定厚み以上に、且つのバラツキを少なくして、Ａｇ系導体膜の下地膜の半田くわれを有効に防止できる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部電極層、誘電体層が交互に積層され、焼結された積層体の端部に、Ａｇ系導体材料を塗布・焼き付けを行い、さらに、Ａｇ系導体膜上に、Ｎｉメッキ液でメッキ処理してＮｉメッキ中間層を形成し、さらに、Ｎｉメッキ中間層上に外部メッキ層を形成した積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記Ｎｉメッキ液中に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加して、Ｎｉメッキ中間層を形成した積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【０００８】
【作用】本発明によれば、Ｎｉメッキ中間層の形成にあたり、Ｎｉメッキ液（硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硼酸、水）に、さらに、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有するサッカリン、１・５ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどの有機化合物の少なくとも１種類を添加したため、Ｎｉメッキ中間層の厚みが１．３〜２．７μｍ、特に好ましい範囲である１．５〜２．５μｍとなり、バラツキが少ないメッキ層を形成することができる。
【０００９】これにより、プリント配線基板への半田接合時における耐熱信頼性が向上し、また、端子電極の半田食われを有効に防止できることになる。」
　
「【００１０】
【実施例】以下、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法を詳説する。
【００１１】積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、誘電体層１と内部電極層２ａ、２ｂとを交互に積層した積層体１０の両端に端子電極３ａ、３ｂが形成されている。
【００１２】具体的には、誘電体層１となる誘電体セラミックのグリーンシート上に、内部電極層２ａまたは２ｂとなる内部電極パターンをパラジウムまたはパラジウム合金の導体ペーストで印刷塗布し、その後、各グリーンシートを内部電極層２ａと２ｂとが互いに対向し、且つ積層体１０の対向する両端から各々露出するように積層・熱圧着し、積層セラミックコンデンサの形状に応じて裁断した後、所定焼成条件で焼結して、焼結された積層体１０を得ていた。
【００１３】次に、積層体１０の両端に露出した内部電極層２ａ、２ｂに端子電極３ａ、３ｂを形成する。まず、積層体１０の対向する両端面に、Ａｇ系導体ペーストをディッピング法で塗布し、その後所定条件で焼きつけを行い、８０〜１００μｍの膜厚のＡｇ系導体膜から成る下地膜３１を形成する。続いて、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硼酸、水からなるＮｉメッキ液に、さらに、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する例えばサッカリンを添加した液に、電解メッキを行い、２．０μｍ程度のＮｉメッキ中間層３２を形成する。続いて、５〜６μｍ程度のＳｎメッキ層３３を形成する。その後、中和処理、水洗処理、アルコールによる置換、乾燥を行い、積層セラミックコンデンサが製造される。
【００１４】ここで、端子電極３ａ、３ｂのＡｇ系導体膜の下地膜３１は、内部電極層２ａ、２ｂとの接続を確実におこなうために作用し、Ｎｉメッキ中間層３２は、主にＡｇ系導体膜の下地膜３１の半田食われを防止するとともに、耐熱性を向上させるものである。例えば、Ａｇ系導体膜の下地膜３１が露出する場合には、２７０℃、１０秒程度の熱でＡｇ系導体膜の下地膜３１が劣化してしまうが、Ｎｉメッキ中間層３２を形成することにより、２７０℃、６０秒程度にまで、耐熱性を向上させることができる。Ｓｎメッキ層３３は、主に半田接合させる際の半田濡れ性を向上させるために作用する。
【００１５】本発明は、上述したように、Ｎｉメッキ中間層３２を形成するにあたり、Ｎｉメッキ液に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加したことである。＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物としては、上述のサッカリンの他に、１．５ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどが挙げられ、その１種類、または２種類以上が添加される。また、その添加量は、Ｎｉメッキ液１ｌ（リットル）に対して、５〜１５ｍｌ（ミリリットル）を添加する。」
　
「【００１７】（実験例）本発明者は、３．２ｍｍ×１．６ｍｍの積層セラミックコンデンサの端子電極３ａ、３ｂとして、Ａｇ系導体膜の下地層３１を形成した後、Ｎｉメッキ液１リットルに対して、０〜１５ミリリットルの＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物であるサッカリンを添加し、２０Ａ・２０分の条件で、下地層３１上にＮｉメッキ中間層３２を形成して、そのサッカリンの添加量の変化によるＮｉメッキ中間層３２の膜厚のバラツキを調べた。その結果を図２に示し、そのバラツキ度合を図３に示した。
【００１８】図２において、サッカリンを添加しない通常のＮｉメッキ液では、Ｎｉメッキ中間層３２が、膜厚約１．０〜３．０μｍと大きなバラツキが発生したの対して、５ｍｌ／ｌ添加した場合には、約１．３〜２．７μｍであり、さらに１０ｍｌ／ｌ添加した場合には、約１．５〜２．５μｍであり、それ以上添加しても、略同一の膜厚であった。
【００１９】尚、サッカリン以外の＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物であっても、同様の結果が得られた。
【００２０】以上のように、Ｎｉメッキ中間層３２を形成するにあたり、Ｎｉメッキ液に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加することにより、Ｎｉメッキ中間層３２の膜厚のバラツキが改善される。従って、このバラツキ、特に膜厚の薄い膜で発生していたＡｇ系導体膜の下地膜３１の半田食われが大幅に抑えることができ、歩留りが大幅に向上する。
【００２１】また、その添加量としては、少なくとも５ｍｌ／ｌ以上添加することが好ましく、上限としては、１５ｍｌ／ｌである。５ｍｌ／ｌ以上添加しなくては、バラツキの減少を行う効果を充分に得ることはできず、また、１５ｍｌ／ｌ以上添加すると、メッキが脆くなったり、割れが発生するという不具合が生じる。
【００２２】尚、上述の実施例において、Ｎｉメッキ中間層３２上には、Ｓｎメッキ層３３を被着した例を示したが、Ｓｎ／Ｐｂメッキでなどの半田濡れ性の良好な材料であればよく、また、単層または２種類以上のメッキ層を積層して形成しても構わない。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、積層セラミックコンデンサの端子電極のＮｉメッキ中間層を形成するにあたり、Ｎｉメッキ液中に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加したため、Ｎｉメッキ中間層の厚みのバラツキを大きく改善でき、特に膜厚が薄いことによるＡｇ系導体膜の下地膜の半田食われを有効に防止でき、耐熱性にすぐれた端子電極を形成することができる。」
　
　以上から、刊行物１には、「内部電極層２ａ、２ｂと接続させて積層体１０の両端面に形成するＡｇ系導体膜の下地膜３１と、該下地膜３１に形成するＮｉメッキ中間層３２と、該Ｎｉメッキ中間層３２に形成するＳｎメッキ層３３またはＳｎ／Ｐｂメッキとから端子電極３ａ、３ｂを形成する積層セラミックコンデンサの端子電極３ａ、３ｂの製造方法において、
　＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加したＮｉメッキ液によりＮｉメッキ中間層３２を形成した積層セラミックコンデンサの端子電極３ａ、３ｂの製造方法。」（以下、引用発明という。）が記載されている。
　　
（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断 　
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「内部電極層２ａ、２ｂ」、「積層体１０」、「両端面」、「形成」、「Ａｇ系導体膜の下地膜３１」、「Ｎｉメッキ中間層３２」、「Ｓｎメッキ層３３またはＳｎ／Ｐｂメッキ」、「端子電極３ａ、３ｂ」、「積層セラミックコンデンサ」、「製造方法」、「添加」は、それぞれ本願補正発明の「内部電極」、「積層セラミック素体」、「両端」、「被着」、「ＡｇまたはＣｕの下地電極層」、「中間のＮｉメッキ層」、「最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｚｎのうちいずれか一種のメッキ層」、「外部電極」、「積層セラミック電子部品」、「形成方法」、「含有」に相当する。
　そして、引用発明の「＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物」と本願補正発明の「スルホン酸アミド」は、Ｎｉメッキ液に添加する添加物であるから、両者は、 
「内部電極と接続させて積層セラミック素体の両端に被着するＡｇまたはＣｕの下地電極層と、該下地電極層に被着する中間のＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層に被着する最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｚｎのうちいずれか一種のメッキ層とから外部電極を形成する積層セラミック電子部品の外部電極形成方法において、
　添加物を含有するＮｉメッキ液により中間のＮｉメッキ層を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品の外部電極形成方法。」で一致し、 
　相違点１：Ｎｉメッキ液の添加物として、本願補正発明では、「スルホン酸アミド」を用いているのに対して、引用発明では、「＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物」を用いている点、 
　相違点２：本願補正発明では、添加物の添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」としているのに対して、引用発明では、このような添加量の数値範囲が記載されていない点で、相違する。 
　
　そこで、上記相違点１、２について、検討する。 
［相違点１］　
　刊行物１には、実施例の説明の中に、「【００１５】本発明は、上述したように、Ｎｉメッキ中間層３２を形成するにあたり、Ｎｉメッキ液に、＝Ｃ−ＳＯ2  −構造を有する有機化合物を添加したことである。＝Ｃ−ＳＯ2  −構造を有する有機化合物としては、上述のサッカリンの他に、１．５ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどが挙げられ、その１種類、または２種類以上が添加される。・・・」の記載、及び「【００１９】尚、サッカリン以外の＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物であっても、同様の結果が得られた。」の記載がある。この記載から、引用発明において、「サッカリン」と同様に、「スルホン酸アミド」の一種である「パラトルエンスルホンアミド」を、Ｎｉメッキ液の添加物として用いることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２］
　（ア）本願明細書の実施例（【００１２】〜【００２２】に記載。）には、 Ｎｉメッキ液に添加する添加物として、スルホン酸の水酸基をアミノ基で置換した化合物群である「スルホン酸アミド」が記載されており、「スルホン酸アミド」には、数多くの種類があり、この中の特定（個別）の物質を使用した実施例が記載されているわけではない。このことから、「スルホン酸アミド」に含まれる種々の物質において、その添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」とすれば、必ず、本願明細書に記載の効果（耐ヒートサイクル性及び半田付性の向上）が得られるとは言い難く、この点から、本願補正発明の「スルホン酸アミド」の添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」にした点に臨界的意義があるとは認められない。　
（イ）仮に、「スルホン酸アミド」の添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」にしたことにより、本願明細書記載の効果（耐ヒートサイクル性及び半田付性の向上）があるとしても、本願当初明細書には、「【００１４】・・・添加量１〜４０ｍｌ／Ｌのスルホン酸系化合物を含有するＮｉメッキ液により形成するとよい。・・・」、「【００１８】耐ヒートサイクル性及び半田付性については、表２で示す如くメッキ液に対するＳＯ３Ｈ基を有するＲＳＯ２ＮＨ２（スルホン酸アミド）の添加量が１．０〜４０．０ｍｌ／ＬのＮｉメッキ液で中間層のＮｉメッキ層を形成した外部電極により良好な結果が得られた。」と記載され、さらに、【００１７】に記載の【表２】には、 ＲＳＯ２ＮＨ２（スルホン酸アミド）の添加量が１〜２０．０ｍｌ／Ｌの場合でも、添加量が２０〜４０．０ｍｌ／Ｌの場合と同様の、耐ヒートサイクル性及び半田付性（の不良率）が０％である効果が得られることが明示されている。このことから、添加量の数値範囲を「２０〜４０．０ｍｌ／Ｌ」と限定しても、当初明細書に記載の数値範囲である「１〜４０．０ｍｌ／Ｌ」にした場合と比べて、技術的意味があるとは認められない。
　これに対し、刊行物１には、「【００１５】本発明は、上述したように、Ｎｉメッキ中間層３２を形成するにあたり、Ｎｉメッキ液に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加したことである。＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物としては、上述のサッカリンの他に、１．５ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどが挙げられ、その１種類、または２種類以上が添加される。また、その添加量は、Ｎｉメッキ液１ｌ（リットル）に対して、５〜１５ｍｌ（ミリリットル）を添加する。」、「【００２１】また、その添加量としては、少なくとも５ｍｌ／ｌ以上添加することが好ましく、上限としては、１５ｍｌ／ｌである。・・・」と記載されている。このことから、引用発明においても、Ｎｉメッキ液の添加物として、パラトルエンスルホンアミド（スルホン酸アミドの一種）を用いた場合に、その添加量が５〜１５ｍｌでは、本願補正発明と同様の効果（耐ヒートサイクル性及び半田付性の向上）を有するものであり、その効果において、本願補正発明と格別な差異は認められない。
　（ウ）さらに、刊行物１の請求項１では、添加物の添加量は特に限定されていない。
　（エ）以上のことから、引用発明において、スルホン酸アミドの添加量の数値範囲を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」とした点に格別な困難性は認められず、それによる効果についても格別なものとは認められない。
　
　ゆえに、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
　（３）独立特許要件についてのむすび 
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、その特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　３　むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　 
第３　本願発明について 
　１　本願発明 
 　平成１７年８月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年５月９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 
 「【請求項１】　内部電極と接続させて積層セラミック素体の両端に被着するＡｇまたはＣｕの下地電極層と、該下地電極層に被着する中間のＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層に被着する最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｚｎのうちいずれか一種のメッキ層とから外部電極を形成する積層セラミック電子部品の外部電極形成方法において、
　少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物を含有し、その添加量が２０〜４０ｍｌ／ＬのＮｉメッキ液により中間のＮｉメッキ層を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品の外部電極形成方法。」 
 　 
　２　刊行物に記載された発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１、及びその記載事項は、前記「第２　２（１）」に記載したとおりである。　 
 　 
　３　本願発明と引用発明との対比・判断 
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「内部電極層２ａ、２ｂ」、「積層体１０」、「両端面」、「形成」、「Ａｇ系導体膜の下地膜３１」、「Ｎｉメッキ中間層３２」、「Ｓｎメッキ層３３またはＳｎ／Ｐｂメッキ」、「端子電極３ａ、３ｂ」、「積層セラミックコンデンサ」、「製造方法」、「添加」は、それぞれ本願発明の「内部電極」、「積層セラミック素体」、「両端」、「被着」、「ＡｇまたはＣｕの下地電極層」、「中間のＮｉメッキ層」、「最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｚｎのうちいずれか一種のメッキ層」、「外部電極」、「積層セラミック電子部品」、「形成方法」、「含有」に相当する。
　そして、引用発明の「＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物」は、本願発明の「少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物」に相当するから、両者は、 
「内部電極と接続させて積層セラミック素体の両端に被着するＡｇまたはＣｕの下地電極層と、該下地電極層に被着する中間のＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層に被着する最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｚｎのうちいずれか一種のメッキ層とから外部電極を形成する積層セラミック電子部品の外部電極形成方法において、
　少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物を含有するＮｉメッキ液により中間のＮｉメッキ層を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品の外部電極形成方法。」で一致し、 
　本願発明では、「少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物」の添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」としているのに対して、引用発明では、このような添加量の数値範囲が記載されていない点（以下、相違点という。）において相違する。 　
　　
　そこで、上記相違点について、検討する。 
　（ア）本願明細書の実施例（【００１２】〜【００２２】に記載。）には、 Ｎｉメッキ液に添加する添加物として、スルホン酸の水酸基をアミノ基で置換した化合物群である「スルホン酸アミド」が記載されており、「スルホン酸アミド」には、数多くの種類があり、この中の特定（個別）の物質を使用した実施例が記載されているわけではない。このことから、スルホン酸アミド（スルホン酸系化合物の一種）に含まれる種々の物質において、その添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」とすれば、必ず、本願明細書に記載の効果（耐ヒートサイクル性及び半田付性の向上）が得られるとは言い難く、この点から、本願発明の「スルホン酸系化合物」の添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」にした点に臨界的意義があるとは認められない。　
（イ）仮に、「スルホン酸系化合物」の添加量を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」にしたことにより、本願明細書記載の効果（耐ヒートサイクル性及び半田付性の向上）があるとしても、本願当初明細書には、「【００１４】・・・添加量１〜４０ｍｌ／Ｌのスルホン酸系化合物を含有するＮｉメッキ液により形成するとよい。・・・」、「【００１８】耐ヒートサイクル性及び半田付性については、表２で示す如くメッキ液に対するＳＯ３Ｈ基を有するＲＳＯ２ＮＨ２（スルホン酸アミド）の添加量が１．０〜４０．０ｍｌ／ＬのＮｉメッキ液で中間層のＮｉメッキ層を形成した外部電極により良好な結果が得られた。」と記載され、さらに、【００１７】に記載の【表２】には、 ＲＳＯ２ＮＨ２（スルホン酸アミド）の添加量が１〜２０．０ｍｌ／Ｌの場合でも、添加量が２０〜４０．０ｍｌ／Ｌの場合と同様の、耐ヒートサイクル性及び半田付性（の不良率）が０％である効果が得られることが明示されている。このことから、添加量の数値範囲を「２０〜４０．０ｍｌ／Ｌ」と限定しても、当初明細書に記載の数値範囲である「１〜４０．０ｍｌ／Ｌ」にした場合と比べて、技術的意味があるとは認められない。
　これに対し、刊行物１には、「【００１５】本発明は、上述したように、Ｎｉメッキ中間層３２を形成するにあたり、Ｎｉメッキ液に、＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物を添加したことである。＝Ｃ−ＳＯ2 −構造を有する有機化合物としては、上述のサッカリンの他に、１．５ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどが挙げられ、その１種類、または２種類以上が添加される。また、その添加量は、Ｎｉメッキ液１ｌ（リットル）に対して、５〜１５ｍｌ（ミリリットル）を添加する。」、「【００２１】また、その添加量としては、少なくとも５ｍｌ／ｌ以上添加することが好ましく、上限としては、１５ｍｌ／ｌである。・・・」と記載されている。このことから、引用発明においても、サッカリン、パラトルエンスルホンアミド等のスルホン酸系化合物の添加量が５〜１５ｍｌでは、本願発明と同様の効果（耐ヒートサイクル性及び半田付性の向上）を有するものであり、その効果において、本願発明と格別な差異は認められない。
　（ウ）さらに、刊行物１の請求項１では、添加物の添加量は特に限定されていない。
　（エ）以上のことから、引用発明において、「スルホン酸系化合物」の添加量の数値範囲を「２０〜４０ｍｌ／Ｌ」とした点に格別な困難性は認められず、それによる効果についても格別なものとは認められない。
　
　ゆえに、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　　　
　
　４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。