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　平成　７年特許願第２６７３６７号「スパッタ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　４月２８日出願公開、特開平　９−１１１４４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１０月１６日の出願であって、平成１７年２月３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年３月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同年４月１１日付けで手続補正がなされたものであり、当審より平成１９年８月２３日付けの補正の却下の決定により前記手続補正が却下されるとともに、同日付けの拒絶理由通知書で拒絶理由が通知されたところ、平成１９年１０月２６日付けで意見書と手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年１０月２６日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】真空の成膜室内のカソードに設けたターゲットと対向した静止若しくは移動する基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲットと基板との間に、アノード電極を設置し、該アノード電極は、前記基板の長手方向又は前記基板の移動方向に所定の間隔を存して棒状の導電体を平行に設けることにより構成し、該アノード電極の格子の開口率を前記カソードへの投入電力に応じて８０〜９７％の範囲で設定するようにし、前記カソード電極は、その背面に永久磁石或いは電磁石を備えて直流電源又は交流電源に接続したマグネトロンスパッタカソードであることを特徴とするスパッタ装置。」
　
３．引用文献及びその記載事項
（１）拒絶理由通知書で引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５５−３８９１９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　（１ａ）「真空容器内に所望の薄膜の金属材料よりなる陰極と、この陰極に対向して配置された被スパッタ部品保持台と、これら陰極と部品保持台の間にあり、かつ前記部品保持台の前面に設置された網目状金属格子よりなる陽極とを有することを特徴とするスパッタ装置。」（特許請求の範囲）
　（１ｂ）「従来の二極ＤＣスパッタリング法による金属薄膜形成法」（第１頁左下欄第１４〜１５行）
　（１ｃ）「第２図は本発明に係るスパッタ装置の一実施例を示すもので、被スパッタ部品保持台２の前面に網目状金属格子３を設置し、これを陽極とし、部品保持台を陰極４とは電気的に絶縁して、陰極と網目状金属格子間で平等電界が得られるようにしている。その結果、陰極電子のプラズマ密度は均一なものとなり、また被スパッタ部品が絶縁物であるにも係わらず、一様な膜厚分布をもつスパッタ膜が得られる。また、電子は網目状金属格子に流入し、被スパッタ部品を衝撃することはないので温度上昇を避けることも可能となる。」（第２頁左上欄第２〜１２行）
　（１ｄ）「格子間隔は陰極材料、スパッタリング時の真空度、温度によって定められる陰極原子の平均自由行程により決定されるものである。」（第２頁左上欄第１６〜１９行）
　（１ｅ）「第２図」には、「本発明によるスパッタ装置の概略断面図」が示され、「陰極４」に「電源５」が接続していることが窺える。
　
（２）拒絶理由通知書で引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５５−９７４７１号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
　（２ａ）「直流二極スパッタリング装置において、ターゲットと基板ホルダーとの間に一端をチェンバに接続したグリッドを設けてなるスパッタリング装置。」（特許請求の範囲第２項）
　（２ｂ）「グリッド（７）は両電極（１）と（３）との間に設けられ、少なくともその一端はチェンバ（２）に接続される。」（第２頁左下欄第６〜７行）
　（２ｃ）「第５図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）にグリッド（７）の両電極（１）、（３）間に位置する部分の形状を示す。何れもステンレス製のメッシュを用いた場合で、直径は２９０ｍｍφで、グリッド（７１）の網目の孔の大きさは８ｍｍ×８ｍｍ、グリッド（７２）は４ｍｍ×４ｍｍ、グリッド（７３）は２ｍｍ×２ｍｍの例である。グリッド（７）の形状は、これに限定されることなく、この他に例えば丸孔状のもの、多角形孔のものなど種々の形状のものが考えられる。」（第２頁左下欄第１４行〜右下欄第１行）
　（２ｄ）「グリッド（７３）を使用した場合においては放電安定領域は最も低電流側まで広がるが、得られたスパッタ膜にはグリット模様がマスクされた形で写し出されてくるので膜の再現性という点では好ましいとはいえない。したがって、膜の再現性という点を加味するとグリッド（７１）または（７２）が好ましい。」（第２頁右下欄第１２〜１８行）
　（２ｅ）「第４図」には、記載事項（２ａ）に関した「スパッタリング装置」が示され、「チェンバ（２）」が接地されていることが窺える。
　
（３）拒絶理由通知書で引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−２６３２３７号公報（以下、「引用文献３」という。）には、次の事項が記載されている。
　（３ａ）「スパッタリング装置３１の成膜室３２には、成膜室の器壁とは電気的に絶縁されたターゲット保持具３３に取り付けた板状のＩＴＯターゲット３４が設けられており、マグネトロンスパッタリング装置においてはＩＴＯターゲットに接して磁石３５が配置されている。・・・成膜室内には透明電極を成膜するカラーフィルター基板３７が設置されている。・・・
　真空排気装置３９によって成膜室内を高真空とした後に、放電気体供給装置４０から所定の分圧のアルゴン、酸素等を供給しターゲットと成膜室と器壁との間に直流電力を印加するとスパッタリングが行われる。」（【０００５】〜【０００７】、第２頁左欄第４４行〜右欄第９行）
　（３ｂ）「成膜装置内のターゲットと透明電極を形成すべき基板との間にスパッタリング用の開口部を有するアノードを配置することによって、スパッタリング中の放電の発生が防止可能であることを見いだしたものである。
　すなわち、平板で中央に開口部を有するアノードを設けることによって、２次電子をアノードで捕捉して基板上のマスクに帯電して異常放電する現象を防止するものである。」（【００１３】〜【００１４】、第２頁右欄第４９行〜第３頁左欄第７行）
　（３ｃ）「スパッタリング装置１の成膜室２は、排気装置３および放電気体供給装置４に結合されており、成膜室内には器壁と電気的に分離したターゲット保持具５にＩＴＯターゲット６が設けられており、成膜室の外部にはＩＴＯターゲットに接して磁石７が配置されている。
　成膜室内のＩＴＯの近傍にはアースシールド８が取り付けられており、ＩＴＯ膜を成膜すべき基板９はマスク１０とともに絶縁碍子１１によって器壁とは電気的に分離した基板保持具１２に取り付けられている。ターゲットと基板の間にはアノード１３が設けられており、アノードには、ＩＴＯがターゲットから基板へ成膜されるように開口部１４が形成されている。」（【００１６】〜【００１７】、第３頁左欄第２１〜３３行）
　（３ｅ）「アノードの開口部は小さいほど、また非開口部は大きいほど２次電子を捕捉する効果が大きくなり、基板表面の異常放電は発生しにくくなるが、成膜効率は低下するので、開口部は異常放電が発生しない状態で最大の面積になるように設定する必要がある。アノードは成膜室の器壁と同一の電位であっても良いが、器壁よりも高い電位とする方が２次電子を捕捉する効果が大きく、１０〜５０Ｖ高くすることが好ましい。」（【００１８】、第３頁左欄第３９〜４７行）
　（３ｄ）「また、本発明の方法は、・・・図５（Ｂ）に示すインライン型のスパッタリング装置に適用しても良い。」（【００１９】、第３頁左欄第４８行〜右欄第１行）
　
（４）拒絶理由通知書で引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５０−１０９１８５号公報（以下、「引用文献４」という。）には、次の事項が記載されている。
　（４ａ）「スパッタリングすべき材料より成るスパッタリング表面と、このスパッタリング表面の上の放電領域上にアーチを形成するように被スパッタリング表面から出てこれに戻る曲線形にのびる磁束線をもつ磁界を生じる磁石装置と、該放電領域の近くに加速磁界を生ずるように位置してこれから材料の放出を生ずる事を特徴とする陽極とを備えたスパッタリング装置」（特許請求の範囲第１項）
　（４ｂ）「磁石装置１８は永久磁石より成るものでもよいが、図示の実施例においては、コイル５５をもつ。第１図において電流がコイル内を反時計方向に流されると、磁石の最も内側の部分は１つの極性を有し（図ではＮ極）、外側は反対の極性（図ではＳ極）をもつ。」（第３頁右上欄第６〜１１行）
　（４ｃ）「６７で示す陰極のＤＣ電源の代りに、交流電源を使用することも可能である。」（第３頁右下欄第１７〜１８行）
　
４．対比
　引用文献１には、記載事項（１ａ）のとおり、「真空容器内に所望の薄膜の金属材料よりなる陰極と、この陰極に対向して配置された被スパッタ部品保持台と、これら陰極と部品保持台の間にあり、かつ前記部品保持台の前面に設置された網目状金属格子よりなる陽極とを有することを特徴とするスパッタ装置」が記載され、この「スパッタ装置」は、記載事項（１ｃ）によれば、「部品保持台に配置された被スパッタ部品にスパッタ膜を形成するスパッタ装置」であるといえる。さらに、この「陰極」には、記載事項（１ｂ）及び（１ｅ）によれば、ＤＣ電源が接続しているといえる。
　これら記載事項を、本願発明に則して整理すると、引用文献１には、「真空容器内に所望の薄膜の金属材料よりなる陰極と、この陰極に対向して配置された被スパッタ部品保持台に配置された被スパッタ部品にスパッタ膜を形成するスパッタ装置であって、これら陰極と部品保持台の間にあり、かつ前記部品保持台の前面に設置された網目状金属格子よりなる陽極とを有し、陰極はＤＣ電源に接続した陰極であることを特徴とするスパッタ装置」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　そこで、本願発明と引用発明１とを対比すると、後者の「真空容器」、「所望の薄膜の金属材料」、「陰極」、「被スパッタ部品」、「ＤＣ電源」は、前者の「真空の成膜室」、「ターゲット」、「カソード」、「基板」、「直流電源」にそれぞれ相当する。また、後者の「陰極と部品保持台の間」とは、部品保持台に被スパッタ部品が配置されていることから、前者の「ターゲットと基板の間」に相当する。また、後者の「被スパッタ部品」は、陰極に対向して配置された被スパッタ部品保持台にあることから、静止状態で配置されているといえる。さらに、後者の「陽極」は、前者の「アノード電極」に相当する。
　したがって、両者は、「真空の成膜室内のカソードに設けたターゲットと対向した静止する基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲットと基板との間にアノード電極を設置し、前記カソード電極は直流電源に接続したカソードであることを特徴とするスパッタ装置。」で一致し、以下の点で相違している。
　相違点１：本願発明のアノード電極は、「基板の長手方向又は基板の移動方向に所定の間隔を在して棒状の導電体を所定の間隔で平行に設けることにより構成し、該アノード電極の格子の開口率をカソードへの投入電力に応じて８０〜９７％の範囲で設定するように」しているのに対して、引用発明１のアノード電極は、「網目状金属格子」であり、その開口率について具体的に示されていない点。
　相違点２：本願発明のカソード電極は、「その背面に永久磁石或いは電磁石を備えたマグネトロンスパッタカソード」であるのに対して、引用発明１では、その点について示されていない点。
　
５．当審の判断
　上記相違点のうち、相違点１について検討する。
　引用発明１の「網目状金属格子よりなる陽極」についてみてみると、「網目状金属格子よりなる陽極」が、記載事項（１ｃ）によれば、「陰極」と「被スパッタ部品」との間に設置されることによって、「陰極と網目状金属格子間で平等電界を形成し、陰極電子のプラズマ密度を均一なものする」、及び「電子を網目状金属格子に流入させ、電子が被スパッタ部品に衝撃させない」との効果が達せられるものといえる。そして、「網目状金属格子」の「格子間隔」は、記載事項（１ｄ）によれば、「陰極原子の平均自由工程により決定されるもの」といえる。
　この点に関して、引用文献２には、記載事項（２ａ）によれば、「直流二極スパッタリング装置において、ターゲットと基板ホルダーとの間に一端をチェンバに接続したグリッドを設けてなるスパッタリング装置」が記載され、この「グリッド」は、記載事項（２ｂ）及び（２ｅ）によれば、接地されていることから、本願発明の「アノード電極」に相当するものといえ、このことから、この「スパッタリング装置」は、本願発明や引用発明１の「スパッタ装置」と同一の技術分野に属する「スパッタ装置」であるといえる。そして、引用文献２に記載された「スパッタリング装置」の「グリッド」は、記載事項（２ｄ）によれば、「放電安定化領域を拡げる」とともに、「膜の再現性を達成する」ものといえる。さらに、「グリッドの形状」は、記載事項（２ｃ）に「グリッド（７）の形状は、これに限定されることなく、この他に例えば丸孔状のもの、多角形孔のものなど種々の形状のものが考えられる。」と記載されているように、種々の形状に変更できるものといえ、また、その「グリッドの網目の孔の大きさ」は、記載事項（２ｃ）及び（２ｄ）によれば、「膜の再現性」を加味して決まるものといえる。
　また、引用文献３には、記載事項（３ｂ）及び（３ｃ）によれば、「成膜室内にＩＴＯターゲットと基板が設けられ、ターゲットと基板の間にスパッタリング用の開口部を有するアノードが設けられたスパッタリング装置」が記載されているといえ、ターゲットと基板の間に、「アノード」を有する構造のスパッタリング装置であるから、本願発明や引用発明１の「スパッタ装置」と同一の技術分野に属する「スパッタ装置」であるといえる。そして、引用文献３に記載された「スパッタリング装置」の「アノード」は、記載事項（３ｂ）によれば、「２次電子を捕捉して異常放電を防止する」ものといえる。さらに、「アノードの開口部」は、記載事項（３ｅ）によれば、「開口部が小さいほど電子の捕捉効果が大きくなるが成膜効率が低下するので、異常放電が発生しない状態で最大の面積となるように設定」されるものといえる。
　そして、引用文献１に記載された「陰極原子の平均自由工程により決定される」ことや、引用文献２に記載された「膜の再現性」を加味すること、引用文献３に記載された「成膜効率」を考慮することは、陰極粒子が被スパッタ物品へ効率的に到達できるように、「アノード」に陰極粒子の通過する領域が確保されていることを示しているといえる。
　以上のことを考慮すると、引用発明１の「網目状金属格子よりなる陽極」は、「陰極」と「被スパッタ物品」との間に設け、陰極粒子が被スパッタ物品へ効率的に到達できるように陰極粒子の通過する領域を確保し、平等電界を形成してプラズマを均一とすることができ、さらに、電子を捕捉できるような条件を満たす形状とすべきものといえる。そして、引用文献２の記載事項（２ｃ）に、グリッドは種々の形状に変更できることが記載されているように、その形状は、これら条件を満足すれば、当業者が任意に変更可能なものといえる。
　一方、スパッタ装置において、矩形基板を被スパッタ部品として用いることは周知であり、基板形状に合わせて、「網目状金属格子」の形状を決めることは、当業者が適宜なし得る単なる設計的事項にすぎない。
　したがって、引用発明１の「網目状格子の陽極」を「基板の長手方向に所定の間隔を存して棒状の導電体を平行に設けることにより構成」することは、周知の「矩形基板」の形状に合わせて、平等電界を達成しつつ電子を捕捉できるように、当業者が適宜なし得るものである。
　また、このときの開口率も、陰極粒子が被スパッタ物品へ効率的に到達できるように陰極粒子の通過する領域を確保し、平等電界を形成してプラズマを均一とすることができ、さらに、電子が捕捉できるとの作用効果が得られるように、スパッタ条件に応じて、当業者が適宜決定するものであるから、「アノード電極の格子の開口率を前記カソードへの投入電力に応じて８０〜９７％の範囲で設定する」ことは、臨界的意義を有するものでなく、単なる設定的事項にすぎない。
　次に相違点２について検討する。
　引用文献３には、記載事項（３ａ）及び（３ｃ）によれば、ターゲットに接して磁石を配置し、ターゲットと成膜室と器壁との間に直流電力を印加したマグネトロンスパッタ装置が記載されている。また、「カソードの背面に永久磁石或いは電磁石を備えて直流電源又は交流電源に接続したマグネトロンスパッタカソード」は、マグネトロンスパッタ装置において普通に用いられているものである（必要であれば、引用文献４の記載事項（４ａ）〜（４ｃ）参照）。したがって、引用発明１のスパッタ装置の「所望の薄膜の金属材料よりなる陰極」を「その背面に永久磁石或いは電磁石を備えたマグネトロンスパッタカソード」とすることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、本願発明の効果について検討すると、引用文献１には、記載事項（１ｃ）のとおり、「陰極と網目状金属格子間で平等電界が得られるようにしている。その結果、陰極電子のプラズマ密度は均一なものとなり、また被スパッタ部品が絶縁物であるにも係わらず、一様な膜厚分布をもつスパッタ膜が得られる。また、電子は網目状金属格子に流入し、被スパッタ部品を衝撃することはないので温度上昇を避けることも可能となる。」と記載されている。また、引用文献３の記載事項（１ｂ）に「２次電子をアノードで捕捉して基板上のマスクに帯電して異常放電する現象を防止するものである。」と記載されているように、アノードで電子を捕捉することで異常放電防止できるといえる。してみると、引用文献１には、「陰極電子のプラズマ密度は均一」にし、また、電子は網目状金属格子に流入させて「異常放電を防止する」との作用効果が記載されているといえ、本願発明の効果は、これら記載事項から当業者が容易に予測できるものである。
　なお、請求人は、平成１９年１０月２６日付けの意見書で、「本願請求項１に係る発明では、マグネトロンスパッタ時にプラズマ密度を薄くすることなく、均一にして、静止或いは移動する大型の基板に対して、大型の開放形のターゲットにより膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成膜できるものです。」、及び「ｃ）本願請求項１に係る発明は、カソード電極をその背面に永久磁石或いは電磁石を備えて直流電源又は交流電源に接続したマグネトロンスパッタカソードを使用しているために、一方向への膜厚が厚くなるものです。」と主張しているが、これらの点については、本願明細書の記載に基づくものとはいえないから、当該主張は採用できない。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用文献１〜引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。