【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造体の製造方法であって、該方法は、
（ａ）シリコン基板の表面に、ゲルマニウムを含む第１層を堆積することと、
ここで、シリコン基板は、一方がシリコン基板の表面であり、他方がシリコン基板の裏面である２つの主要な略平行な面と、シリコン基板の表面と裏面とを結合する周縁部と、シリコン基板の表面と裏面との間で表面および裏面に対して平行な中央面と、中央面に対して垂直な中心軸と、シリコン基板の表面と裏面との間のバルク領域と、を含み、
さらに、ゲルマニウムを含む第１層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５マイクロメートルと約１００マイクロメートルとの間の厚さを有する、
（ｂ）シリコンを含む第２層を、ゲルマニウムを含む第１層に堆積することと、
ここで、シリコンを含む第２層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５ナノメートルと約５ナノメートルとの間の厚さを有する、
（ｃ）ゲルマニウムを含みシリコンを随意によって含む第３層を、シリコンを含む第２層に堆積することと、
ここで、シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有し、化学式中、ｘはモル比で約０と約０．８との間であり、さらに、シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、少なくとも約１ナノメートルの厚さを有する、
ステップ（ｂ）及びステップ（ｃ）を繰り返して、シリコン基板と、シリコン基板の表面と界面接触しているゲルマニウムを有する第１層と、ゲルマニウムおよび随意にシリコンを有する第３層並びにシリコンを含む２対の第２層とを含む多層構造を製造することと、
を備えた、方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）およびステップ（ｃ）が少なくとも３回繰り返され、シリコン基板と、シリコン基板の表面と界面接触しているゲルマニウムを有する第１層と、ゲルマニウムおよび随意にシリコンを有する第３層並びにシリコンを含む４対の第２層とを含む多層構造を製造する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｂ）およびステップ（ｃ）が少なくとも２回繰り返され、シリコン基板と、シリコン基板の表面と界面接触しているゲルマニウムを有する第１層と、ゲルマニウムおよび随意にシリコンを有する第３層並びにシリコンを含む３対の第２層とを含む多層構造を製造する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ゲルマニウムを含む第１層が、中心軸に沿って測定した場合に約０．５マイクロメートルと約５０マイクロメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ゲルマニウムを含む第１層が、中心軸に沿って測定した場合に約１マイクロメートルと約１０マイクロメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
貫通転位の量の低減、ゲルマニウムを含む第１層の歪緩和、および表面粗さの低減のため、約５００℃と約９３０℃との間の温度および１秒と約６０分との間の時間で、シリコンを含む第２層を堆積する前に、ゲルマニウムを含む第１層を含むシリコン基板をアニールすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
貫通転位密度は、約１ｘ１０７貫通転位／ｃｍ２以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
貫通転位密度が、約１ｘ１０６貫通転位／ｃｍ２以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
シリコンを含む第２層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５ナノメートルと約２０ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第３層は、ゲルマニウムとシリコンとを含み、化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有し、化学式中、ｘがモル比で約０．１と約０．４との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ゲルマニウムと随意によりシリコンとを含む第３層は、約１ナノメートルと約１０００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ゲルマニウムと随意によりシリコンとを含む第３層は、約５ナノメートルと約３００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
それぞれの層は、エピタキシャル堆積によって堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
半導体・オン・インシュレータ構造体の製造方法であって、該方法は、
多層構造体に劈開面を形成することと、
ここで多層構造体は、（ｉ）シリコン基板であって、一方がシリコン基板の表面であり、他方がシリコン基板の裏面である２つの主要な略平行な面と、シリコン基板の表面と裏面とを結合する周縁部と、シリコン基板の表面と裏面との間で表面および裏面に対して平行な中央面と、中央面に対して垂直な中心軸と、シリコン基板の表面と裏面との間のバルク領域とを含む、シリコン基板と、（ｉｉ）シリコン基板の表面と界面接触しているゲルマニウム層と、（ｉｉｉ）ゲルマニウム層と界面接触している少なくとも２対の層であって、各層対が、化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有し、化学式中ｘがモル比で約０と約０．８との間である、シリコン層と、ゲルマニウムを含みシリコンを随意により含む層とを含む、少なくとも２対の層と、（ｉｖ）少なくとも一対の層と接触しているシリコンパッシベーション層であって、劈開面が、シリコン層とシリコンゲルマニウム層とを含む少なくとも一対の層内に形成される、シリコンパッシベーション層とを含む、
半導体ハンドル基板の表面と界面接触している誘電体層に多層構造体を結合することと、
ここで半導体ハンドル基板は、一方が半導体ハンドルウエハの表面であり、他方が半導体ハンドル基板の裏面である２つの主要な略平行な面と、半導体ハンドル基板の表面と裏面とを結合する周縁部と、半導体ハンドル基板の表面と裏面との間のバルク領域とを含む、
を備えた、方法。
【請求項１５】
多層構造体は、シリコン層と、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを含む層と、を含む少なくとも３対の層を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
劈開面は、
多層構造体にイオンを注入することと、
ここでイオンは、シリコンパッシベーション層を介して、シリコン層と、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを含む層とを含む少なくとも２対の層内における注入イオン濃度が最大となる深さまで注入される、
注入イオン濃度が最大となる深さまたはその付近で劈開面を形成するのに十分な温度および時間で、多層構造体をアニールすることと、
によって形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
注入イオンは、水素、ヘリウム、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ゲルマニウム層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５マイクロメートルと約１００マイクロメートルとの間の厚さを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
シリコン層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５ナノメートルと約５ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
ゲルマニウムと随意によりシリコンとを含む層は、化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有し、化学式中、ｘがモル比で約０．１と約０．４との間である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
ゲルマニウムと随意によりシリコンとを含む層は、約１ナノメートルと約１０００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
シリコン層と、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを含む層とを含む少なくとも２対の層内における劈開面で多層構造体を劈開することをさらに備え、それによって半導体ハンドル基板と、誘電体層と、シリコンパッシベーション層と、シリコン層、並びに、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを含む層の少なくとも２対の少なくとも一部とを有する半導体・オン・インシュレータ構造体を製造する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
シリコン層と、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを含む層とを含む２対の層の劈開部分をエッチングしかつ平滑化することをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
多層構造体であって、
（ｉ）シリコン基板と、
該シリコン基板は、一方がシリコン基板の表面であり、他方がシリコン基板の裏面である２つの主要な略平行な面と、シリコン基板の表面と裏面とを結合する周縁部と、シリコン基板の表面と裏面との間で表面および裏面に対して平行な中央面と、中央面に対して垂直な中心軸と、シリコン基板の表面と裏面との間のバルク領域と、を含む、
（ｉｉ）中心軸に沿って測定した場合に約０．５マイクロメートルと約１００マイクロメートルとの間の厚さを有し、シリコン基板の表面と界面接触しているゲルマニウム層と、
（ｉｉｉ）ゲルマニウム層と界面接触している少なくとも２対の層と、
各層対は、シリコン層と、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを有する層とを含み、化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有し、化学式中ｘがモル比で約０と約０．８との間である、
（ｉｖ）少なくとも２対の層と接触しているシリコンパッシベーション層と、
を備えた、多層構造体。
【請求項２５】
シリコン層と、ゲルマニウムおよび随意によりシリコンを含む層とを含む少なくとも３対の層を備えた、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項２６】
ゲルマニウム層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５マイクロメートルと約５０マイクロメートルとの間の厚さを有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項２７】
ゲルマニウム層は、中心軸に沿って測定した場合に約１マイクロメートルと約１０マイクロメートルとの間の厚さを有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項２８】
ゲルマニウム層は、約１ｘ１０７貫通転位／ｃｍ２以下の貫通転位密度を有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項２９】
ゲルマニウム層は、約１ｘ１０６貫通転位／ｃｍ２以下の貫通転位密度を有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項３０】
少なくとも一対の層のシリコン層は、中心軸に沿って測定した場合に約０．５ナノメートルと約５ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項３１】
ゲルマニウムおよびシリコンを含む層は、化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有し、化学式中、ｘがモル比で約０．１と約０．４との間である、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項３２】
ゲルマニウムと随意によりシリコンとを含む層は、約１ナノメートルと約１０００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【請求項３３】
ゲルマニウムと随意によりシリコンとを含む層は、約５ナノメートルと約３００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項２４に記載の多層構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層構造体及びその製造方法