【事件の表示】
　特願２００１−１１３１７６「集積半導体回路およびその作動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２６日出願公開、特開２００１−３５７６９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　
　本願は、平成１３年４月１１日（パリ条約による優先権主張２０００年４月１１日、ドイツ国）の特許出願であって、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年６月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものと認める。
　
【請求項１】　種々異なった作動モードにおいて作動可能であり、かつ集積された半導体メモリ装置のウェハ面上においても切断可能である少なくとも１つのヒューズユニットを備えた、作動モード間を切り換えるための切換装置を有している半導体チップの上に集積された半導体メモリ装置において、
　前記半導体チップの上の半導体メモリ装置はモード信号によって制御されるモードパッドを有せず、
　前記ヒューズユニットは前記切換装置による「ヒューズ・ソフト・セット」を用いてプログラミング可能なヒューズユニットであり、該ヒューズユニットの切断された状態はユーザも使用するような「通常の」作動モードに相応し、該ヒューズユニットはプログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって橋絡可能であり、
　前記切換装置は前記ヒューズユニットの「ヒューズ・ソフト・セット」によって、前記ウェハ面上の前記集積された半導体メモリ装置を、製造直後に給電電圧の始動時に自動的に、ユーザも使用するような「通常の」作動モードとは異なる別の作動モードに移行することを特徴とする、半導体チップの上に集積された半導体メモリ装置。
　
２．刊行物の記載
　これに対して、本願の優先権主張の日前に頒布され、平成１８年１２月１４日付けの当審の拒絶理由通知書に引用された国際公開９８／１２７０６号パンフレット（以下、「刊行物」という。特表２００１−５００６５９号公報参照）には、集積回路モジュールにおける集積回路ダイを検査するための装置及び方法に関して、図面と共に、以下の記載がある。
　
（ａ）パンフレット第１頁第９行〜同頁第２５行（公報第６頁第７行〜同頁第２４行参照）
　
背景技術
　集積回路（ＩＣ）ダイは、代表的には、何等かの欠陥回路を有しているか否かを決定するために、パッケージされる前に検査される。概して、ダイを検査する際の最初のステップの１つは、ダイ上の選択されたボンドパッドに制御信号を与えることによって、ダイにおける検査モードを開始することである。なお、選択されたボンドパッドを検査ボンドパッドと称する。例として、本発明の譲受人、Ｉｄａｈｏ州、ＢｏｉｓｅのＭｉｃｒｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃによって製造されたほとんどのダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）は、出力可能（０Ｅ）ボンドパッドに論理“０”信号を与えることによって、部分的に、開始された検査モードで検査される。
　図１に示されるように、多数のダイ１０がＩＣモジュール１２において一緒にパッケージされるとき、検査パッド１４（例えば、０Ｅボンドパッド）は、しばしば、モジュール端子１８を通して基準電圧Ｖｓｓにつながる基準電圧ボンドパッド１６と相互接続され、検査モードが事故的にエンドユーザのシステムで開始されることができないのを確実にする。これは、現場でのＩＣモジュールのダイにおいて検査モードの事故的な開始を避けるよう良く働くが、それは、不幸にも、ＩＣモジュールにパッケージされた後、ＩＣ製造者によるダイの意図的な検査をも阻止してしまう。
　
（ｂ）パンフレット第２頁第５行〜同頁第２３行（公報第７頁第８行〜同頁第２４行参照）
　
発明の開示
　マルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）のような本発明の集積回路（ＩＣ）モジュールは、電源電圧Ｖｃｃのような検査モード開始信号を受信する端子と、ボンドパッド及び機能回路を有するＩＣダイとを含む。ヒューズのようなスイッチング装置は、端子と機能回路との間でボンドパッドと接続され、機能回路に検査モード開始信号を伝え、機能回路と基準電圧Ｖｓｓのような使用モード信号との間に接続された、抵抗のようなインピーダンス装置は、機能回路における検査モード開始信号と使用モード信号との間の電圧差を維持する。機能回路は、ダイにおける検査モードを開始することによって検査モード開始信号に応答する。スイッチング回路はまた、機能回路をダイから選択的に隔離し、インピーダンス装置は、次に、使用モード信号を機能回路に伝える。機能回路は、使用モードに入ることにより使用モード信号に応答する。このように、検査モードは、端子に検査モード開始信号を提供することによって、ダイがＩＣモジュール内にパッケージされた後にダイ内で開始され得、検査モードは次に、不能化され得、ダイは、スイッチング装置でもって機能回路を端子から選択的に隔離することによって使用モードに固定され、それにより、検査モードが現場におけるエンドユーザにより事故的に開始されないのを確実にする。
　
（ｃ）パンフレット第５頁２３行〜同頁第２８行（公報第１１頁第１行〜同頁第６行参照）
　
本発明を実施するための態様
　図２に示すように、本発明の集積回路（ＩＣ）モジュール２０は、入力バッファ２４のような機能回路を有するＩＣダイ２２を含み、入力バッファ２４は、モジュール端子２６、スイッチング回路２８、及び検査モード可能化ボンドパッド３０（例えば、出力可能化（０Ｅ）ボンドパッド）を通して、電源Ｖｃｃのような検査モード開始信号を選択的に受ける。
　
（ｄ）パンフレット第６頁１８行〜第７頁第３２行（公報第１２頁第３行〜第１３頁第１８行参照）
　検査モード開始信号の受信に応答して、入力バッファ２４は、ダイ２２における検査モードを開始する。このモードにおいて、種々の検査信号が、ダイ２２上の回路を検査するために良く知られた態様でダイ２２に与えられ、そしてダイ２２は、次に、何等かの故障回路の存在を示す種々の応答信号を出力する。電源電圧Ｖｃｃのような検査モード開始信号が、検査モード可能化ボンドパッド３０及び入力バッファ２４に与えられている間、例えば抵抗、抵抗接続されたＭＯＳトランジスタ、または反ヒューズのようなインピーダンス回路が、検査モード可能化ボンドパッド３０における検査モード開始信号と、例えばＭＣＭピン（例えばＳＩＭＭ、ＤＩＭＭ、ＲＡＭカード、ＲＡＭモジュール、ＲＯＭカード、またはＲＯＭモジュール・ピン）のような基準端子３４における、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード可能化信号との間の電圧差を支持する。インピーダンス回路３２は、基準端子３４に結合される単一の回路であるものとして図２に示されているが、代わりに複数個の回路を含み、その各々が基準端子３４及びダイ２２の１つに結合されて良いことは理解されよう。
　ダイ２２の検査が完了すると、スイッチング回路２８は、入力バッファ２４をモジュール端子２６から孤立させて検査モードを不可能化し、そしてインピーダンス回路３４が、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード信号を入力バッファ２４に伝える。それに応答して、入力バッファ２４はダイ２２における使用モードを開始し、ダイ２２は、意図された通常の機能に従って動作する。このように、例えば、もしダイ２２がＤＲＡＭであるならば、それらダイは、それらの使用モードにおいて、通常のメモリ動作を行うであろう。
　このように、ＩＣモジュール２０におけるダイ２２は、パッケージされた後でさえ充分に検査可能であり、さらに、検査モードは必要に応じて不能化され得、それ故、ＩＣモジュール２０は現場のエンドユーザにより用いられ得る。
　図６及び図９を参照して以下に一層詳細に説明するように、スイッチング回路２８及びインピーダンス回路３２の一方もしくは双方は、図２に示されるＩＣモジュール２０の基板３６上に設けられる代わりに、ダイ２２に組み込まれ得る。また、図９を参照して以下に一層詳細に説明するように、検査モード開始信号及び使用モード信号の一方または両方は、外部回路により与えられるよりもむしろダイ２２上で発生され得る。
　図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、図２のスイッチング回路２８は、例えば、検査が完了すると飛ぶヒューズ３８、もしくは検査が完了すると消勢されるＮＭＯＳトランジスタ４０またはＰＭＯＳトランジスタ４２であって良い。また、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃに示されるように、図２のインピーダンス回路３２は、例えば、検査が完了すると飛ぶ抵抗４４、非ヒューズ４６、または検査が完了すると附勢されるＮＭＯＳトランジスタ４８で合って良い。さらに、図５に示されるように、例えば、図３ＢのＮＭＯＳトランジスタ４０及び図４ＣのＮＭＯＳトランジスタ４８は、検査モード中に高電圧を出力し次に検査が完了すると低電圧を出力するようプログラミングされる非ヒューズ隔離論理回路５０によって制御され得る。検査モード中の高電圧は、ＮＭＯＳトランジスタ４０を附勢し、インバータ５２を介してＮＭＯＳトランジスタ４８を消勢し、プログラミング後の低電圧は、ＮＭＯＳトランジスタ４０を消勢し、インバータ５２を介してＮＭＯＳトランジスタ４８を附勢する。もちろん、広範囲の他の結合も、本発明の範囲内で良好である。
　
　以上の記載から、刊行物には、次の発明（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　代表的には、何等かの欠陥回路を有しているか否かを決定するために、パッケージされる前に検査され、入力バッファ２４のような機能回路を有するＩＣダイ２２において、
　モジュール端子２６、スイッチング回路２８、及び検査モード可能化ボンドパッド３０（例えば、出力可能化（０Ｅ）ボンドパッド）を通した電源電圧Ｖｃｃのような検査モード開始信号の受信に応答して、入力バッファ２４は、ＩＣダイ２２における検査モードを開始し、検査モード開始信号が検査モード可能化ボンドパッド３０及び入力バッファ２４に与えられている間、インピーダンス回路３２が、検査モード可能化ボンドパッド３０における検査モード開始信号と、例えばＭＣＭピン（例えばＳＩＭＭ、ＤＩＭＭ、ＲＡＭカード、ＲＡＭモジュール、ＲＯＭカード、またはＲＯＭモジュール・ピン）のような基準端子３４における、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード可能化信号との間の電圧差を支持し、
　ＩＣダイ２２の検査が完了すると、スイッチング回路２８は、入力バッファ２４をモジュール端子２６から孤立させて検査モードを不可能化し、そしてインピーダンス回路３２が、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード信号に応答して、入力バッファ２４はＩＣダイ２２における使用モードを開始し、ＩＣダイ２２がＤＲＡＭであるならば、それらダイは、それらの使用モードにおいて、通常のメモリ動作を行い、
　パッケージされた後でさえ充分に検査可能であり、さらに、検査モードは必要に応じて不能化され得、
　スイッチング回路２８及びインピーダンス回路３２はＩＣダイ２２に組み込まれ、検査モード開始信号及び使用モード信号の一方または両方は、外部回路により与えられるよりもむしろＩＣダイ２２上で発生され、スイッチング回路２８は、例えば、検査が完了すると飛ぶヒューズ３８、もしくは検査が完了すると消勢されるＮＭＯＳトランジスタ４０またはＰＭＯＳトランジスタ４２であって良く、インピーダンス回路３２は、例えば、検査が完了すると飛ぶ抵抗４４、非ヒューズ４６、または検査が完了すると附勢されるＮＭＯＳトランジスタ４８で合って良く、例えば、ＮＭＯＳトランジスタ４０及びＮＭＯＳトランジスタ４８は、検査モード中に高電圧を出力し次に検査が完了すると低電圧を出力するようプログラミングされる非ヒューズ隔離論理回路５０によって制御され得るＩＣダイ２２。
　
３．本願発明と刊行物記載発明との比較
　
　刊行物記載発明の「使用モード」、「検査モード」、「検査が完了すると飛ぶヒューズ３８」、「「ヒューズ３８」の飛んだ状態」は、それぞれ、本願発明の「ユーザも使用するような「通常の」作動モード」、「ユーザも使用するような「通常の」作動モードとは異なる別の作動モード」、「切断可能である少なくとも１つのヒューズユニット」、「該ヒューズユニットの切断された状態」に相当する。
　また、刊行物記載発明において、電源電圧Ｖｃｃのような検査モード開始信号の受信に応答して、入力バッファ２４は、ＩＣダイ２２における検査モードを開始し、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード信号に応答して、入力バッファ２４はＩＣダイ２２における使用モードを開始し、ＩＣダイ２２がＤＲＡＭであるならば、それらダイは、それらの使用モードにおいて、通常のメモリ動作を行うから、刊行物記載発明の「ＩＣダイ２２」は、本願発明の「種々異なった作動モードにおいて作動可能であり、半導体チップの上に集積された半導体メモリ装置」に相当する。
　また、刊行物記載発明において、代表的には、何等かの欠陥回路を有しているか否かを決定するために、パッケージされる前に検査され、電源電圧Ｖｃｃのような検査モード開始信号の受信に応答して、入力バッファ２４は、ダイ２２における検査モードを開始し、ダイ２２の検査が完了すると、スイッチング回路２８は、入力バッファ２４をモジュール端子２６から孤立させて検査モードを不可能化し、そしてインピーダンス回路３２が、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード信号を入力バッファ２４に伝え、それに応答して、入力バッファ２４はダイ２２における使用モードを開始し、スイッチング回路２８は、例えば、検査が完了すると飛ぶヒューズ３８で、スイッチング回路２８及びインピーダンス回路３２はＩＣダイ２２に組み込まれても良いから、刊行物記載発明の「スイッチング回路２８及びインピーダンス回路３２と、入力バッファ２４」と本願発明の「集積された半導体メモリ装置のウェハ面上においても切断可能である少なくとも１つのヒューズユニットを備えた、作動モード間を切り換えるための切換装置」とは、「切断可能である少なくとも１つのヒューズユニットを備えた、作動モード間を切り換えるための切換装置」である点で一致し、「前記集積された半導体メモリ装置を、製造直後に給電電圧の始動時に自動的に、ユーザも使用するような「通常の」作動モードとは異なる別の作動モードに移行する」ものである点で一致する。
　また、刊行物記載発明において、ＩＣダイ２２の検査が完了すると、インピーダンス回路３２が、基準電圧Ｖｓｓのような使用モード信号に応答して、入力バッファ２４はＩＣダイ２２における使用モードを開始するから、刊行物記載発明において、検査が完了すると飛ぶ「「ヒューズ３８」の飛んだ状態」は、「使用モード」つまり「ユーザも使用するような「通常の」作動モード」に相応することは明らかである。
　したがって、刊行物記載発明と本願発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
　
［一致点］
　「種々異なった作動モードにおいて作動可能であり、かつ切断可能である少なくとも１つのヒューズユニットを備えた、作動モード間を切り換えるための切換装置を有している半導体チップの上に集積された半導体メモリ装置において、
　該ヒューズユニットの切断された状態はユーザも使用するような「通常の」作動モードに相応し、
　前記切換装置は、前記集積された半導体メモリ装置を、製造直後に給電電圧の始動時に自動的に、ユーザも使用するような「通常の」作動モードとは異なる別の作動モードに移行する半導体チップの上に集積された半導体メモリ装置。」である点。
　
［相違点１］
　半導体メモリ装置が、本願発明では、モード信号によって制御されるモードパッドを有しないのに対し、刊行物記載発明では、検査モード可能化ボンドパッド３０（例えば、出力可能化（０Ｅ）ボンドパッド）を有している点。
　
［相違点２］
　「ヒューズユニット」が、本願発明では、前記切換装置による「ヒューズ・ソフト・セット」を用いてプログラミング可能なヒューズユニットであり、プログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって橋絡可能であるのに対し、刊行物記載発明では、プログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって橋絡可能であることが明らかでない点。
　
［相違点３］
　「切換装置」が、本願発明では、集積された半導体メモリ装置のウェハ面上においても切断可能であるヒューズユニットを備え、前記ヒューズユニットの「ヒューズ・ソフト・セット」によって、前記ウェハ面上の前記集積された半導体メモリ装置を、製造直後に給電電圧の始動時に自動的に、ユーザも使用するような「通常の」作動モードとは異なる別の作動モードに移行するのに対し、刊行物記載発明では、「ウェハ面上」について明らかでない点。
　
４．相違点の検討
　
［相違点１］について
　本願発明の「モード信号によって制御されるモードパッド」の技術内容が明確でないので、本件明細書の段落【００２０】の「本発明により提案されるプログラミング可能な作動モードヒューズユニットの使用によって、従来技術において周知の不都合な、種々異なった作動モード間の切換のための付加的なパッドを省略することができる」の記載を参酌すると、「種々異なった作動モード間の切換のための付加的なパッド」のことである。
　一方、刊行物記載発明の「検査モード可能化ボンドパッド３０」は、例えば、「出力可能化（０Ｅ）ボンドパッド」を用いているが、「出力可能化（０Ｅ）ボンドパッド」は通常の半導体メモリ装置において必須であって「付加的なパッド」に該当しない。
　したがって、刊行物記載発明も本願発明と同様、モード信号によって制御されるモードパッドを有しないといえるから、［相違点１］は、実質的なものではない。
　
［相違点２］について
　本願発明の「プログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」」の技術内容が明確でないので、本件明細書の段落【００１９】の「反対にヒューズユニットの切断（シュート）後、通常のモードからヒューズユニットのプログラミングされた制御（ヒューズ・ソフト・セット）によって再び変更された作動モードに切り換えることもできる。」の記載を参酌すると、ヒューズユニットを切断して「検査モード」から「通常のモード」に切り換えた後、再び「通常のモード」から「検査モード」に切り換えるための「ヒューズユニットのプログラミングされた制御」の意味と解釈できる。
　一方、刊行物記載発明においては、スイッチング回路２８は、例えば、検査が完了すると飛ぶヒューズ３８、もしくは検査が完了すると消勢されるＮＭＯＳトランジスタ４０またはＰＭＯＳトランジスタ４２であって良く、検査モード中に高電圧を出力し次に検査が完了すると低電圧を出力するようプログラミングされる非ヒューズ隔離論理回路５０によって制御されるから、例えば、検査が完了するとヒューズ３８を飛ばすことに相当する「ＮＭＯＳトランジスタ４０」を消勢する非ヒューズ隔離論理回路５０による制御は、半導体メモリ装置をヒューズユニットの切断された状態に相応する通常の作動モードとは異なる作動モードに切り換え可能であるようにすることを示唆している。
　また、プログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって橋絡可能である切断可能なヒューズユニットは周知である（特開平１１−８６５８７号公報の「【０１０１】また、各ヒューズ素子８０には、並列に、信号ＴＭＳにより制御されるパストランジスタ８２が設けられている。」、特開昭６３−２９２５００号公報の第５図の「スイッチアレイ１１ａ、ヒューズアレイ１１ｂ」、第４頁左下欄第１１行〜同欄第１８行の「ＡＮＤプレーン１１の各行は、アドレス信号のビット数（ｉ）の２倍のスイッチＭＯＳＦＥＴＱ０１、Ｑ０２、Ｑ１１、Ｑ１２・・・・Ｑｉ１、Ｑｉ２が互いに直列に接続されてなるスイッチアレイ１１ａと、これらのスイッチの各接続ノード間にスイッチと並列になるように接続された複数のヒューズＦ０１、Ｆ０２〜Ｆｉ１、Ｆｉ２からなるヒューズアレイ１１ｂとによって構成されている。」参照）。
　そうすると、刊行物記載発明において、非ヒューズ隔離論理回路５０による制御が示唆しているように、半導体メモリ装置をヒューズユニットの切断された状態に相応する通常の作動モードとは異なる作動モードに切り換え可能であるようにするために、「検査が完了すると飛ぶヒューズ３８」（本願発明の「切断可能なヒューズユニット」に相当）として、上記周知のプログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって橋絡可能である切断可能なヒューズユニットを用いることは、当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。
　
［相違点３］について
　ウェハ面上においても切断可能であるヒューズユニットや、ウェハ面上で検査モードに移行する技術は周知である（特開平１０−２８４５５４号公報の「【００１３】本発明の半導体集積回路ウェハは、チップ内にあってプローブに接触されるパッドとプローブに接触されないパッドとの間が、フューズなどのような切断可能な手段により、短絡されている。…（中略）…チップ内の各パッドは、上記のフューズをリーク電流試験終了後に切断することで、電気的に独立したパッドとなる。」、特開平１１−３３０１７６号公報の「【０００８】さらに、ウェハ状態においてはバーン・イン試験等において不良になった半導体集積回路チップを冗長機能によって救済することが可能である」、「【０００９】例えば、一般に冗長機能による救済を行う場合、レーザ光を用いてトリミング用フューズを切断している」参照）。
　そうすると、刊行物記載発明において、上記「［相違点２］について」の項で検討したように、「検査が完了すると飛ぶヒューズ３８」（本願発明の「切断可能なヒューズユニット」に相当）として、上記周知の「ヒューズユニット」を用いる際に、ウェハ面上においても切断可能としたり、ウェハ面上でも検査モードに移行することは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、上記「［相違点２］について」の項で検討したように、刊行物記載発明の半導体メモリ装置をヒューズユニットの切断された状態に相応する通常の作動モードとは異なる作動モードに切り換え可能であるようにするために、「検査が完了すると飛ぶヒューズ３８」として、周知のプログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって橋絡可能である切断可能なヒューズユニットを用いれば、ヒューズユニットをプログラミングされた「ヒューズ・ソフト・セット」によって「通常の」作動モードとは異なる別の作動モードに移行するのは当然のことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物記載発明において、上記各周知技術を寄せ集めたものにすぎず、［相違点１］〜［相違点３］によって格別な効果が生じるとも認められない。
　
５．むすび
　
　本願発明は、刊行物記載発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。