【事件の表示】
　平成　８年特許願第２４５１０５号「窒化けい素回路基板の製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　４月１０日出願公開、特開平１０−　９３２１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成８年９月１７日の出願であって、平成１７年６月３０日付で拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である同年９月５日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月２７日付で拒絶査定がなされ、これを不服として同年１１月４日付で審判請求がなされるとともに、同年１１月３０日付で手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１７年１１月３０日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１１月３０日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲についての補正事項を含んでおり、補正前後の特許請求の範囲は、次のとおりである。
　
＜補正前の特許請求の範囲＞
　「【請求項１】　希土類元素を酸化物に換算して８〜１７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で１．０重量％以下（検出限界としての０重量％を含む）含有し、熱伝導率が６０W／m・K以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の外周端部に薄部が形成されていることを特徴とする窒化けい素回路基板。
　　【請求項２】　高熱伝導性窒化けい素基板は、不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下（検出限界としての０重量を含む）含有することを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
　　【請求項３】　希土類元素を酸化物に換算して８〜１７．５重量％含有し、窒化けい素結晶相および粒界相から構成されるとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の外周端部に薄部が形成されていることを特徴とする窒化けい素回路基板。
　　【請求項４】　高熱伝導性窒化けい素基板は、窒化けい素結晶相および粒界相から構成されるとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が５０％以上であることを特徴とする請求項３記載の窒化けい素回路基板。
　　【請求項５】　前記金属板は、前記高熱伝導性窒化けい素基板に直接接合法により接合されていることを特徴とする請求項１または３記載の窒化けい素回路基板。
　　【請求項６】　前記金属板は、前記高熱伝導性窒化けい素基板に活性金属法により接合されていることを特徴とする請求項１または３記載の窒化けい素回路基板。
　　【請求項７】　前記薄部は、金属板の外周端部から１．０mm以内に形成されていることを特徴とする請求項１または３記載の窒化けい素回路基板。
　　【請求項８】　前記薄部は傾斜部であることを特徴とする請求項１または３記載の窒化けい素回路基板。
　　【請求項９】　前記薄部は、段部であることを特徴とする請求項１または３記載の窒化けい素回路基板。」　
　
＜補正後の特許請求の範囲＞
　「【請求項１】　α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物換算で８〜１７．５重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調整する工程と、
　得られた成形体を脱脂後、温度１８００〜２１００℃で焼結する工程と、
　上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結時に形成された液相が凝固するまでに至る焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷する工程とにより粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上であり熱伝導率が６０W／m・K以上である高熱伝導性窒化けい素基板を製造した後に、
　上記高熱伝導性窒化けい素基板の両面に、外周端部に傾斜部または段部から成る薄部が連続的に形成された金属板を活性金属法により接合する工程と、
を具備することを特徴とする窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項２】　前記薄部は金属板の外周端部から１．０mm以内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項３】　前記薄部は段部であり、段部の厚さは半導体素子実装部の厚さＴの１／２以下であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項４】　前記薄部は傾斜部であり、金属板の平面方向と傾斜部のなす角θが３０〜６０°であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項５】　前記活性金属法により接合する工程において、活性金属含有ろう材として、ＡｇおよびＣｕにＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選ばれた少なくとも１種を１〜１０重量％含有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項６】　前記粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が５０％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項７】　前記薄部はプレス加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の窒化けい素回路基板の製造方法。
　 【請求項８】　前記請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の窒化けい素回路基板の製造方法により得られた窒化けい素回路基板に半導体素子を搭載した後、締め付けを伴うアッセンブリ工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
［２］補正の適否について
　上記補正事項について検討するに、補正前の請求項１〜９は、「窒化けい素回路基板」という「物」の発明であったところ、補正後の請求項１〜８は、請求項１〜７の「窒化けい素回路基板の製造方法」、請求項８の「半導体装置の製造方法」という「方法」の発明に変更され、それに伴い「・・・成形体を調整する工程」、「・・・成形体を脱脂後、温度１８００〜２１００℃で焼結する工程」等の「方法」としての発明特定事項も追加されている。そして、このような発明のカテゴリーを変更する補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の限定的減縮、誤記の訂正、明りょうな記載の釈明のいずれを目的とするものともいえない。
　したがって、このような補正事項を含む本件手続補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
＜付記＞
　本件手続補正は、上述のとおり却下されたので、補正後の発明について進歩性の検討は不要であるが、前置報告書において、「補正後の各請求項に係る発明は、各引用文献記載の発明に対して進歩性は肯定されると考える。」と記載されているので、念のため、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）の進歩性について、以下に当審の見解を示す。
　
１．引用刊行物及びその摘記事項
　平成１７年６月３０日付の拒絶理由通知に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−１３５７７１号公報（以下、「刊行物１」という。）、特公平５−２５３９７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開平６−１３５７７１号公報
（１ａ）「【０００１】
　　【産業上の利用分野】本発明は高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法に係り、特に窒化けい素本来の高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れており、半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法に関する。
　・・・
　　【０００８】本発明は・・・窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、特に熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体およびその製造方法を提供することを目的とする。」
　
（１ｂ）「【００１３】・・・本発明に係る高熱伝導性窒化けい素焼結体は、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを０．３重量％以下含有し、熱伝導率が６０W／m・K以上であることを特徴とする。
　・・・
　　【００２２】また窒化けい素原料粉末に焼結助剤として添加する希土類元素・・・の酸化物もしくは焼結操作により、これらの酸化物となる物質が単独で、または２種以上の酸化物を組み合せたものを含んでもよい・・・。これらの焼結助剤は、窒化けい素原料粉末と反応して液相を生成し、焼結促進剤として機能する。
　　【００２３】上記焼結助剤の添加量は、酸化物換算で原料粉末に対して２．０〜７．５重量％の範囲に設定される。この添加量が２．０重量％未満と過少の場合は、焼結体が緻密化されず低強度で低熱伝導率の焼結体が形成される。一方、添加量が７．５重量％を超える過量となると、過量の粒界相が生成し、熱伝導率の低下や強度が低下し始めるので上記範囲に設定される。特に好ましくは３〜６重量％に設定することが望ましい。
　・・・
　　【００２９】また、窒化けい素結晶組織に形成される粒界相は焼結体の熱伝導率に大きく影響するため、本発明に係る焼結体においては粒界相の２０％以上が結晶相で占めるように設定される。結晶相が２０％未満では熱伝導率が６０W／m・K以上となるような放熱特性に優れ、かつ高温強度に優れた焼結体が得られないからである。」
　
（１ｃ）「【００３２】上記焼結操作完了直後における焼結体の冷却速度は粒界相を結晶化させるために重要な制御因子であり、冷却速度が毎時１００℃を超えるような急速冷却を実施した場合には、焼結体組織の粒界相が非結晶質（ガラス相）となり、焼結体に生成した液相が結晶相として粒界相に占める面積割合が２０％未満となり、強度および熱伝導性が共に低下してしまう。
　　【００３３】上記冷却速度を厳密に調整すべき温度範囲は、所定の焼結温度（１８００〜２０００℃）から、前記の焼結助剤の反応によって生成する液相が凝固するまでの温度範囲で充分である。ちなみに前記のような焼結助剤を使用した場合の液相凝固点は概略１６００〜１５００℃程度である。そして少なくとも焼結温度から上記液相凝固温度に至るまでの焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下、好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは２５℃以下に制御することにより、粒界相の大部分が結晶相になり、熱伝導率および機械的強度が共に優れた焼結体が得られる。」
　
（１ｄ）「【００３７】実施例１〜３
・・・不純物陽イオン元素を０．１５重量％含有し、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．５５μｍの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤として・・・Ｙ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末５重量％、平均粒径０．５μｍのＡｌ２Ｏ３（アルミナ）粉末１．５重量％を添加し、・・・・原料粉末混合体を調整した。次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定量添加して均一に混合した後に、・・・プレス成形し、・・・成形体を多数製作した。次に得られた成形体を・・・脱脂した後に、この脱脂体を・・・１９００℃で６時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、・・・焼結炉内温度が１５００℃まで降下するまでの間における焼結体の冷却速度がそれぞれ１００℃／ｈｒ（実施例１）、５０℃／ｈｒ（実施例２）、２５℃／ｈｒ（実施例３）となるように調整して焼結体を冷却し、それぞれ実施例１〜３に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製した。」
　
（１ｅ）「【００４８】一方比較例４〜７として表２に示すようにＹ２Ｏ３を過量に添加したもの（比較例４）、・・・Ｙ２Ｏ３を過量に添加したもの（比較例７）の原料混合体をそれぞれ調製し、実施例１と同一条件で原料混合から焼結操作を実施してそれぞれ比較例４〜７に係る焼結体を製造した。
　・・・
　　【００５１】表２に示す結果から明らかなように、・・・実施例４〜１２に係る焼結体は、いずれも高熱伝導率で高強度値を有している。一方、比較例４〜７に示すように、Ｙ２Ｏ３・・・の成分が過少量、あるいは過量添加された場合は、緻密化が不充分であったり、粒界相が過量あるいは粒界相に占める結晶相の割合が低過ぎるために、曲げ強度が低下、または熱伝導率が劣ることが確認された。」
　
（１ｆ）表１には、実施例１〜３として、焼結後の１５００℃までの冷却速度のみが異なる条件で調製した窒化けい素セラミックス焼結体について記載され、冷却速度が１００℃／ｈｒの実施例１では、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）：３０％、熱伝導率：７０W／m・K、三点曲げ強度が１０２ｋｇ／mm２であり、冷却速度が５０℃／ｈｒの実施例２では、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）：５０％、熱伝導率：９２W／m・K、三点曲げ強度が１０１ｋｇ／mm２であり、冷却速度が２５℃／ｈｒの実施例３では、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）：８０％、熱伝導率：１１５W／m・K、三点曲げ強度が９８ｋｇ／mm２であることが記載されている。
　
（１ｇ）表２には、実施例９、１０として、Ｙ２Ｏ３を５重量％、Ａｌ２Ｏ３を１重量％添加した窒化けい素セラミックス焼結体であって、焼結後の１５００℃までの冷却速度のみが異なる条件で調製した窒化けい素セラミックス焼結体について記載され、冷却速度が１００℃／ｈｒの実施例９では、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）：４２％、熱伝導率：８０W／m・K、三点曲げ強度が１００ｋｇ／mm２であり、冷却速度が２５℃／ｈｒの実施例１０では、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）：９０％、熱伝導率：１２０W／m・K、三点曲げ強度が９７ｋｇ／mm２であることが記載されている。
　
（１ｈ）表２には、比較例７の窒化けい素焼結体は、原料組成がＳｉ３Ｎ４：８９重量％、Ｙ２Ｏ３：１０重量％、Ａｌ２Ｏ３：１重量％、焼結条件が１９００℃×６ｈｒ、焼結後の１５００℃までの冷却速度が１００℃／ｈｒ、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）が３８％、熱伝導率が５０W／m・K、三点曲げ強度が８５ｋｇ／mm２であることが記載されている。
　
（１ｉ）表５には、実施例２０の三点曲げ強度が８４ｋｇ／mm２であることが記載されている。
　
（２）刊行物２：特公平５−２５３９７号公報
（２ａ）「１  セラミツクス基板上に所定の形状の銅板を接触配置し加熱接合させてなるセラミツクス回路基板において、
  前記銅板が、各端部に薄肉部を有することを特徴とするセラミツクス回路基板。
　・・・
　　 ３  薄肉部は、銅板の各端部を段付形状にすることにより形成されている特許請求の範囲第１項または第２項記載のセラミツクス回路基板。
　　 ４  薄肉部は、銅板の各端部をテーパ形状にすることにより形成されている特許請求の範囲第１項または第２項記載のセラミツクス回路基板。
　・・・
　　 ６  セラミツクス基板の両面に銅板が接合されており、一方の銅板の厚さが他方の実装部となる銅板の厚さの30〜90％の範囲である特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項記載のセラミツクス回路基板。」（特許請求の範囲）
　
（２ｂ）「（問題点を解決するための手段）
  本発明のセラミツクス回路基板は、セラミツクス基板上に所定の形状の銅板を接触配置し加熱接合させてなるセラミツクス回路基板において、前記銅板が各端部に薄肉部を有することを特徴としている。」（２頁右欄１２〜１７行）
　
（２ｃ）「（作用）
　　本発明のセラミツクス回路基板において、加熱接合後の冷却過程や冷熱サイクルの付加により生じる熱応力の主応力部となる銅板の端部を薄肉部としているので、この熱応力を薄肉部の塑性変形により吸収し、残留応力を低減することができ、熱履歴に対する信頼性が向上する。また、薄肉部により残留応力が低減できるので、実装面となる部分を従来より肉厚とすることが可能となり、電流値を向上することができる。」（３頁右欄１３〜２２行）
　
（２ｄ）「本発明に使用するセラミツクス基板としては、・・・窒化ケイ素等の非酸化物系のセラミツクス焼結体等からなるセラミツクス基板が挙げられ、特に平均結晶粒径が０．５〜１０μｍ範囲のものが好ましい。これは結晶粒径が小さく、緻密質な焼結体ほど熱衝撃に強いためである。」（３頁左欄２８〜３５行）
　
２．当審の判断
２−１．刊行物１記載の発明
（ア）刊行物１の摘記（１ｅ）には、比較例７として、Ｙ２Ｏ３を過量に添加した原料混合体を実施例１と同一条件で原料混合から焼結操作を実施して窒化けい素焼結体を製造した旨が記載され、また、表２には、該比較例７の窒化けい素焼結体は、摘記（１ｈ）のとおり、原料組成がＳｉ３Ｎ４：８９重量％、Ｙ２Ｏ３：１０重量％、Ａｌ２Ｏ３：１重量％、焼結条件が１９００℃×６ｈｒ、焼結後の１５００℃までの冷却速度が１００℃／ｈｒ、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）が３８％、熱伝導率が５０W／m・K、三点曲げ強度が８５ｋｇ／mm２であることが記載されている。
（イ）摘記（１ｄ）には、実施例１として、α相型窒化けい素９７％を含む平均粒径０．５５μｍの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤としてＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末とＡｌ２Ｏ３（アルミナ）粉末を添加して原料粉末混合体を調整した後に、プレス成形して成形体を製作し、得られた成形体を脱脂した後に、この脱脂体を１９００℃で６時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結体の冷却速度が１００℃／ｈｒとなるように調整して焼結体を冷却し、窒化けい素セラミックス焼結体を調製したことが記載されている。
（ウ）摘記（１ａ）には、窒化けい素焼結体を半導体用基板に用いる旨が記載されている。
　
　以上の（ア）〜（ウ）の事項を考慮し、摘記（１ａ）、（１ｄ）、（１ｅ）、（１ｈ）等の記載を整理すると、刊行物１には、「α相型窒化けい素を９７重量％含む平均粒径０．５５μｍの窒化けい素原料粉末８９重量％に対して、焼結助剤としてＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末１０重量％とＡｌ２Ｏ３（アルミナ）粉末１重量％を添加して原料粉末混合体を調整した後に、プレス成形して成形体を製作し、得られた成形体を脱脂した後に、この脱脂体を１９００℃で６時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結後の１５００℃までの冷却速度が１００℃／ｈｒとなるように調整して焼結体を冷却し、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）が３８％であり、熱伝導率が５０W／m・K、三点曲げ強度が８５ｋｇ／mm２である窒化けい素セラミックス焼結体を調製すること等からなる窒化けい素焼結体を用いた半導体用基板の製造方法」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
２−２．対比・判断
　本願補正発明１と刊行物１発明を対比すると、
（カ）刊行物１発明における「窒化けい素焼結体を用いた半導体用基板」は、本願補正発明１における「窒化けい素回路基板」に相当するといえる。
（キ）本願明細書の実施例に関する「【００５８】・・・緻密化焼結を実施した後に、・・・焼結炉内温度が１５００℃まで降下するまでの間における焼結体の冷却速度がそれぞれ表１〜３に示す値となるように調整して焼結体を冷却し、それぞれ試料１〜５１に係る窒化けい素焼結体を調製した。」との記載や、刊行物１の摘記（１ｃ）の「上記冷却速度を厳密に調整すべき温度範囲は、所定の焼結温度（・・・）から、前記の焼結助剤の反応によって生成する液相が凝固するまでの温度範囲で充分である。ちなみに前記のような焼結助剤を使用した場合の液相凝固点は概略１６００〜１５００℃程度である。」等の記載からみて、刊行物１発明における「焼結後の１５００℃までの冷却速度」は、本願発明１における「焼結時に形成された液相が凝固するまでに至る焼結体の冷却速度」に相当するといえる。
（ク）刊行物１発明における「粒界相において結晶相が占める割合（面積比）」は、刊行物１の【請求項５】等に記載された「粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する面積比」に対応するものであるから、本願補正発明１における「粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合」に相当するといえる。
（ケ）本願補正発明１と刊行物１発明とは、α相型窒化けい素の含有量が９７重量％である点、窒化けい素粉末の平均粒径が０．５５μｍである点、希土類元素の酸化物換算での添加量が１０重量％である点、焼結の温度が１９００℃である点、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が３８％である点、希土類元素がＹ（イットリウム）である点で一致している。本願補正発明１は、これらの一致点の態様以外の選択肢を具備しているが、そのような選択肢は、実質的な相違とはいえない。
　
　以上の（カ）〜（ケ）の事項を勘案すると、両者は、「α相型窒化けい素を９７重量％含有し、平均粒径０．５５μｍの窒化けい素粉末に、希土類元素Ｙ（イットリウム）を酸化物換算で１０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調整する工程と、得られた成形体を脱脂後、温度１９００℃で焼結する工程と、上記焼結温度から、上記希土類元素Ｙ（イットリウム）により焼結時に形成された液相が凝固するまでに至る焼結体の冷却速度を毎時１００℃にして徐冷する工程とにより粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が３８％である窒化けい素回路基板を製造する窒化けい素回路基板の製造方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：製造される窒化けい素基板の熱伝導性について、本願補正発明１では、「熱伝導率が６０W／m・K以上である高熱伝導性」と規定されているのに対し、刊行物１発明では、「熱伝導率が５０W／m・K」であるものの、「高熱伝導性」と規定されていない点
　
　相違点２：本願補正発明１は、窒化けい素基板を製造した後に、「窒化けい素基板の両面に、外周端部に傾斜部または段部から成る薄部が連続的に形成された金属板を活性金属法により接合する工程」を具備するのに対し、刊行物１発明は、そのような工程を具備していない点
　
　次に、上記相違点１、２について検討する。
　
（ａ）相違点１について
　摘記（１ｃ）の記載によれば、冷却速度を低くすることにより粒界層の結晶相の割合が増加し、熱伝導性を向上できることが示されており、また、実施例１〜３についての摘記（１ｆ）の記載によれば、冷却速度（℃／ｈｒ）を１００から５０にすることにより、粒界層の結晶相の割合が３０％から５０％へと増大し、熱伝導率（W／m・K）が７０から９２と約３１％向上すること、及び、冷却速度（℃／ｈｒ）を１００から２５にすることにより、粒界層の結晶相の割合が３０％から８０％へと増大し、熱伝導率（W／m・K）が７０から１１５へと約６４％向上することが示され、さらに、実施例９，１０についての摘記（１ｇ）の記載によれば、冷却速度（℃／ｈｒ）を１００から２５にすることにより、粒界層の結晶相の割合が４２％から９０％へと増大し、熱伝導率（W／m・K）が８０から１２０へと５０％向上することが示されている。
　このような記載からみて、刊行物１には、冷却速度を１００℃／ｈｒから５０℃／ｈｒや２５℃／ｈｒのような低い値とすることにより、粒界層の結晶相の割合を増大させ、熱伝導率（W／m・K）を約３１〜６４％程度向上できることが教示されているといえる。
　してみれば、刊行物１発明において、熱伝導率の向上を課題として、冷却速度を１００℃／ｈｒから５０℃／ｈｒや２５℃／ｈｒのような低い値とすることにより、粒界層の結晶相の割合を増大させるとともに、熱伝導率を５０W／m・Kから２０％以上向上させ６０W／m・K以上とすることは、上記教示に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　なお、摘記（１ｂ）によれば、焼結助剤の添加量が７．５重量％を超える過量となると、過量の粒界層が生成し、熱伝導率の低下や強度が低下し始めるという理由で、焼結助剤の上限を７．５重量％とする旨が記載されている（【００２３】参照）。しかしながら、刊行物１発明の三点曲げ強度は、８５ｋｇ／mm２であって、実施例２０の８４ｋｇ／mm２〔摘記（１ｉ）参照〕より高い値であるし、実施例１〜３において、冷却速度（℃／ｈｒ）を１００から５０、２５にした際の強度低下は、摘記（１ｆ）の記載から明らかなように、それぞれ、１％弱、２％弱に過ぎないことを考慮すると、上記摘記（１ｂ）の記載は、焼結助剤の含有量が１０重量％である刊行物１発明において、強度を多少犠牲にし、前述の如く冷却速度を低くして熱伝導率を向上させることを阻害するものとはいえない。
　
（ｂ）相違点２について
　セラミックス回路基板の片面や両面に金属板を接合することは、本願出願前において周知の技術である。
　また、刊行物２の摘記（２ａ）〜（２ｃ）には、窒化ケイ素系のセラミクス焼結体からなるセラミクス基板に銅板を加熱接合したセラミクス回路基板において、銅板の端部を段付形状やテーパ形状の薄肉部とすることにより、加熱接合後の冷熱サイクルの付加などにより生じる熱応力を薄肉部で吸収し、残留応力を低減すること、及び、そのような銅板をセラミックス基板の両面に設けることが記載されている。
　
　さらに、セラミックス基板に金属板を接合する方法として、直接接合法とともに活性金属法は、次の周知例１、２の記載にみられるように周知の技術であって、当業者が適宜採用し得るものといえる。
　
周知例１：特開昭６１−２１７４１９号公報
　「（Ｄ）〔問題点を解決するための手段〕
　第２図に示すように、セラミックス板２の両面にそれぞれ、そのセラミックスの熱膨張係数に近い値の熱膨張係数を有する薄金属板４をメタライズ接合した、複合セラミックス板７の片方の薄金属板４面を、クリーナ金属基板５のクリーナ部６にろう付け接合した構造のものである。
　例えば、耐摩耗性の良いＡｌ２Ｏ３等のセラミックス板２の両面に、・・・活性金属法等によりセラミックス板２の熱膨張係数に近い熱膨張係数の・・・薄金属板４をメタライズ接合３により接合して、複合セラミックス板７とし・・・たものである。」（１頁右欄最終行〜２頁左上欄１５行）
　
周知例２：特開昭６１−８２６６７号公報
　「〔発明の概要〕
　本発明の絶縁構造体は、導電部である第１の金属部材と、第２の金属部材と、これら第１および第２の金属部材の間に設けられて両金属部材を電気的に絶縁するセラミックス部材とを具備し、セラミックス部材と第１および第２の金属部材とは活性金属法により封着接合することを特徴とするものである。」（２頁右上欄１４行〜左下欄１行）
　
　そして、刊行物１の摘記（１ａ）に記載されたような熱伝導率が高く放熱性に優れた半導体用基板を冷熱サイクルが付加される態様で使用することは、本願出願前において周知の事項であって、刊行物１発明における半導体用基板において、前記周知技術に基づき、窒化けい素回路基板（窒化けい素焼結体を用いた半導体用基板）の両面に金属板を活性金属法により接合する際に、接合後の冷熱サイクルの付加などにより生じる熱応力を吸収し、残留応力を低減する必要があることは自明のことであるから、刊行物２の上記記載に基づき、接合後の冷熱サイクルの付加などにより生じる熱応力を吸収し、残留応力を低減することを課題として、金属板の端部にテーパ形状又は段付形状からなる薄肉部を連続的に形成し、本願補正発明１の前記相違点２で示される特定事項を構成することは、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願補正発明１は、上記相違点１、２によって格別顕著な作用効果を奏するとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、上記刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
［１］本願発明
　平成１７年１１月３０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１７年９月５日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項３に係る発明（以下、「本願発明３」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項３】　希土類元素を酸化物に換算して８〜１７．５重量％含有し、窒化けい素結晶相および粒界相から構成されるとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の外周端部に薄部が形成されていることを特徴とする窒化けい素回路基板。」
　
［２］引用刊行物とその摘記事項
　平成１７年６月３０日付の拒絶理由通知に引用された本願出願前に頒布された刊行物１、２とその摘記事項は、上記＜付記＞「１．引用刊行物及びその摘記事項」のとおりである。
　
［３］対比・判断
　刊行物１の摘記（１ａ）、（１ｄ）、（１ｅ）、（１ｈ）等の記載を半導体基板の観点で整理すると、刊行物１には、「α相型窒化けい素を９７重量％含む平均粒径０．５５μｍの窒化けい素原料粉末８９重量％に対して、焼結助剤としてＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）粉末１０重量％とＡｌ２Ｏ３（アルミナ）粉末１重量％を添加して原料粉末混合体を調整した後に、プレス成形して成形体を製作し、得られた成形体を脱脂した後に、この脱脂体を１９００℃で６時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結後の１５００℃までの冷却速度が１００℃／ｈｒとなるように調整して焼結体を冷却し、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）が３８％であり、熱伝導率が５０W／m・K、三点曲げ強度が８５ｋｇ／mm２である窒化けい素セラミックス焼結体を調製すること等により製造された窒化けい素焼結体を用いた半導体用基板」に関する発明（以下、「刊行物１α発明」という。）が記載されているといえる。
　
　本願発明３と刊行物１α発明を対比するに、上記＜付記＞の「２−２．対比・判断」に記載した上記（カ）〜（ケ）の事項を勘案すると、両者は、「希土類元素Ｙ（イットリウム）を酸化物に換算して１０重量％含有し、窒化けい素結晶相および粒界相から構成されるとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が３８％である窒化けい素基板を具備する窒化けい素回路基板」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１’：窒化けい素回路基板の熱伝導性について、本願発明３では、「高熱伝導性」と規定されているのに対し、刊行物１α発明では、「熱伝導率が５０W／m・K」であるものの、「高熱伝導性」と規定されていない点
　
　相違点２’：本願発明３は、「窒化けい素基板に接合された金属板」を具備し、この金属板の「外周端部には薄部が形成されている」のに対し、刊行物１α発明は、そのような金属板を具備していない点。
　
　これらの相違点１’、２’について検討するに、これらの相違点１’、２’は、上記＜付記＞の「２−２．対比・判断」で検討した相違点１、２と同様のものであるから、相違点１、２について述べたと同様の理由で当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　そして、本願発明３は、上記相違点１’、２’により格別顕著な作用効果を奏するとは認められない。
　
　したがって、本願発明３は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明３は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　よって、結論のとおり審決する。