【事件の表示】
　特願２００１−５２４１０９「マイクロファブリケーション・デバイスの運動の磁気センシング」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月２２日国際公開、ＷＯ０１／２０６１６、平成１５年　３月１１日国内公表、特表２００３−５０９７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明
　本願は、２０００年９月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年９月１０日、欧州共同体）を国際出願日とする出願であって、平成１６年３月９日付け（発送日同月１６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年５月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１６年１月１４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、次のとおりのものである。
「マイクロデバイスの可動部分（１０）と固定部分（１２）の間の変位を測定するための磁気センシング・ユニットであって、
磁場を有する磁気要素（１）と、
磁気センサ（２）
を備え、
前記磁気要素（１）が前記可動部分（１０）上に、前記磁気センサ（２）が前記固定部分（１２）上に位置し、または前記磁気センサ（２）が前記可動部分（１０）上に、前記磁気要素（１）が前記固定部分（１２）上に位置し、
前記磁気センサ（２）または前記磁気要素（１）、あるいはその両方が前記マイクロデバイスの一体部分であり、
前記可動部分（１０）が変位したときに前記磁気センサ（２）のところの磁場の変化を前記磁気センサ（２）を使用して検出できるよう、前記磁気要素（１）と前記磁気センサ（２）が互いに関連して配置され
前記磁気要素（１）および前記磁気センサ（２）が前記マイクロデバイスの内部で、前記磁気センシング・ユニットの感度が機械的増幅によって増大するように配置された
磁気センシング・ユニット。」
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成５年８月２４日に頒布された特開平５−２１５５４４号公報（以下「引用例」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
a　「【００１２】本発明による原子間力顕微鏡用プローブは、針状チップ１を支持する可撓性プレート２に、導電性材料をループ状に配置したコイル部４を有している。可撓性プレート２は、一端に先端の鋭利な針状チップが設けられ、他端を固定された片持ちバネとなっている。固定される他端には、固定用の部材として本体３ａ、３ｂを有することも可能である。
【００１３】針状チップ１は、先端部が測定すべき試料に接近すると、試料表面と先端部との距離に依存した引力または斥力の原子間力を受ける。可撓性プレート２は、針状チップ１が受けた原子間力に応じて、撓みを生じる。周知のように、これらの針状チップ１と可撓性プレート２は、薄膜製造技術を用いて容易に任意の形状に製作することが可能である。
【００１４】コイル４は、導電性材料をプレート２上に任意のループ形状に、任意の巻き数で形成することにより設けられる。コイル４を磁界中に配置した場合、可撓性プレート２の撓み量が変化すると、コイル４を貫く磁束数が変化するので、コイル４と磁界の間に電磁誘導が生じる。この電磁誘導を検出することにより、可撓性プレート２の撓み量を検出でき、これにより原子間力を検出できる。電磁誘導の検出量としては、コイルに流れる電流の強度、周波数、位相、波形や、磁界の強度の変化等を用いることができる。
【００１５】磁界としては、一様磁界または交番磁界を用いることができる。一様磁界の発生手段としては、永久磁石を、また、交番磁界の発生手段としては、電磁石を用いることができる。磁界の方向は、磁束がコイル４を貫く方向であれば良いが、特に、磁束が可撓性プレート２と平行な場合に、プレート２が撓んだ時にコイル４を貫く磁束数の変化率が多く、検出感度を高くすることができる。一様磁界を用いる場合には、ピエゾ素子等の発振体により、プローブを該可撓プレート２の共振周波数近傍で振動させる。」（段落【００１２】〜【００１５】）
   
b　「【００２０】
【実施例】
（実施例１）以下、本発明の一実施例の原子間力顕微鏡およびプローブについて図１、図３を用いて具体的に説明する。
【００２１】本実施例のプローブは、図１に示すように、可撓性プレート２と、プレート２の一端の下面に設けられた針状チップ１と、プレート２の上面に形成されたコイル４と、プレート２の他端の上面に固定されたシリコン本体上部３ａおよび下面側に固定されたシリコン本体下部３ｂを備えて構成される。
【００２２】プローブの製造方法を説明する。まず、プローブ本体下部３ｂとなる、１００面方位シリコン単結晶上に、可撓プレート２および針状チップ１として窒化珪素膜を化学気相成長法により形成した。つぎに、窒化珪素膜をリソグラフィ法により、図１の可撓性のプレート２の形状にパターニングした。可撓性のプレート２上に、アルミニウム膜を積層し、１ループの三角形のコイル状にパターニングして、コイル４を形成した。さらに、可撓性のプレート２の針状チップ１と反対側の端部に、ガラス製のプローブ本体上部３ａを陽極接合した。シリコン単結晶をアルカリエッチング溶液に浸漬し、プローブ本体下部３ｂの形状にエッチングして、プローブを完成させた。本実施例では、可撓性プレート２の長さが１００から３００μｍの範囲の数種のプローブを形成した。
【００２３】つぎに、上述のプローブを用いて観察を行う原子間力顕微鏡を、図３を用いて説明する。原子間力顕微鏡は、プローブの本体３ａ、３ｂを保持するプローブホルダ５２と、プローブのプレート２の面方向に約１万ガウスの磁束密度の磁界を発生する磁界発生手段である永久磁石４５を備えている。プローブホルダ５２には、プローブがセットされると、プローブのコイル４と配線５３とを接続する電気接点５９が設けられている。顕微鏡の支柱５１には、ＸＹ方向にプローブを駆動するピエゾ素子４７が取り付けられている。ＸＹ方向に駆動用ピエゾ素子４７には、さらにＺ方向にプローブを駆動するピエゾ素子４６が取り付けられている。ピエゾ素子４６および４７は、プローブをＸＹＺ方向に、駆動する駆動部を構成している。ピエゾ素子４６および４７は、プローブホルダ５２に連結している。
【００２４】また、支柱５１には、プローブのコイル４に流れる交流電流を配線５３を介して受け取り、その振幅を検出し、増幅する増幅器４８と、増幅器４８の増幅した振幅を用いて、その振幅が一定になるように、ピエゾ素子４６をフィードバック制御する制御回路４９が固定されている。また、支柱５１には、試料５８を載置するための試料台５６と、試料台５６を粗移動するステージ５７が設けられている。
【００２５】つぎに、本実施例の原子間力顕微鏡およびプローブを用いた試料５８の表面の凹凸の測定手順および原子間力顕微鏡の動作を説明する。まず、プローブのプレート２の面方向と、永久磁石４５の磁界の方向が一致するように、プローブをプローブホルダ５２にセットする。このセットにより同時に、プローブのコイル４は、電気接点５９および信号配線５３により電気的に増幅器４８と接続される。つぎにプローブをピエゾ素子４６により、振動数１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、振幅量（ピエゾ素子）１〜１０オングストロームで、Ｚ方向に強制励振させる。これにより、磁界中でコイル４が振動し、コイル４を貫く磁束数が変化するので、増幅器４８では、コイル４から交流の誘導電流の振幅が得られる。
【００２６】この状態で、ピエゾ素子４７によりプローブをＺ方向に駆動し、針状チップ１を試料に近づけると、針状チップ１の先端と試料５８との距離に応じた原子間力により、可撓プレート２の振動数、振動振幅および振動位相が変化し、増幅器４８により得られる誘導電流の振幅も変化する。制御回路４９は、この振幅が一定になるように、ピエゾ素子４６をフィードバック制御し、針状チップ１と試料５８との距離を一定に保つ。さらに、ピエゾ素子４７により、プローブを試料５８の表面（Ｘ−Ｙ面）で走査しながら、ピエゾ素子４６のＺ方向の移動量を出力すると、試料５８表面の２次元凹凸イメージを得ることができる。」（段落【００２０】〜【００２６】）
　
c　「【００３８】また、実施例１、実施例２では、永久磁石４５または電磁石の磁界発生手段を原子間力顕微鏡のプローブホルダ５２側に設置したが、プローブの上部本体３ａ、２４の位置に配置し、磁界発生手段付きプローブとしても良い。また、コイル４、２３は、絶縁層を間に挟み複数のループを有するコイルにしても良い。コイル形状は、円形、楕円、多角形状でもよい。」（段落【００３８】）
　
　したがって、上記a〜cの記載事項によると、引用例には、次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認める。
「原子間力顕微鏡用プローブの、長さが１００から３００μｍの可撓性プレート２とシリコン本体３ａの間の変位を測定するための永久磁石４５とコイル４であって、
磁界発生手段としての永久磁石４５と、
コイル４
を備え、
前記永久磁石４５が前記シリコン本体３ａ上に、前記コイル４が前記可撓性プレート２上に位置し、
前記コイル４が可撓性プレートの上にパターニングにより形成されており、
前記可撓性プレート２の撓み量が変化すると、前記コイル４を貫く磁束数が変化するので、前記コイル４と磁界の間に電磁誘導が生じ、この電磁誘導を検出できるように、前記コイル４を磁界中に配置した
永久磁石４５とコイル４。」
　
３　対比
　本願第１発明と引用例発明とを対比する。
a　引用例発明の「可撓性プレート２」、「シリコン本体３ａ」、「磁界発生手段としての永久磁石４５」、「コイル４」は、それぞれ本願第１発明の「可動部分（１０）」、「固定部分（１２）」、「磁場を有する磁気要素（１）」、「磁気センサ（２）」に相当する。
b　引用例発明の「原子間力顕微鏡用プローブ」は、可撓性プレート２の長さが１００から３００μｍであることからみて、本願第１発明の「マイクロデバイス」に相当する。
c　引用例発明の「前記コイル４が可撓性プレートの上にパターニングにより形成されており」は、構造からみて、本願第１発明の「磁気センサ（２）がマイクロデバイスの一体部分であり」に相当する。
d　引用例発明の「前記可撓性プレート２の撓み量が変化すると、前記コイル４を貫く磁束数が変化するので、前記コイル４と磁界の間に電磁誘導が生じ、この電磁誘導を検出できるように、前記コイル４を磁界中に配置した」は、その測定原理から、本願第１発明の「前記磁気要素（１）が前記可動部分（１０）上に、前記磁気センサ（２）が前記固定部分（１２）上に位置し、または前記磁気センサ（２）が前記可動部分（１０）上に、前記磁気要素（１）が前記固定部分（１２）上に位置し」に相当する。
e　引用例発明の「永久磁石４５とコイル４」は、機能からみて、本願第１発明の「磁気センシング・ユニット」に相当する。
　
　したがって、両者は、
【一致点】
「マイクロデバイスの可動部分（１０）と固定部分（１２）の間の変位を測定するための磁気センシング・ユニットであって、
磁場を有する磁気要素（１）と、
磁気センサ（２）
を備え、
前記磁気要素（１）が前記可動部分（１０）上に、前記磁気センサ（２）が前記固定部分（１２）上に位置し、または前記磁気センサ（２）が前記可動部分（１０）上に、前記磁気要素（１）が前記固定部分（１２）上に位置し、
前記磁気センサ（２）または前記磁気要素（１）、あるいはその両方が前記マイクロデバイスの一体部分であり、
前記可動部分（１０）が変位したときに前記磁気センサ（２）のところの磁場の変化を前記磁気センサ（２）を使用して検出できるよう、前記磁気要素（１）と前記磁気センサ（２）が互いに関連して配置された
磁気センシング・ユニット。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　　
【相違点】
　本願第１発明では、前記磁気要素（１）および前記磁気センサ（２）が前記マイクロデバイスの内部で、前記磁気センシング・ユニットの感度が機械的増幅によって増大するように配置されているのに対し、引用例発明は、そのようなものではない点。
　　
４　当審の判断
　上記【相違点】について検討する。
　原査定の拒絶の理由で指摘したように、いわゆるてこの原理を利用し、測定した変位量を機械的に拡大・増幅する技術は、例えば、
a 特開平１―２６２４０３号公報（「第３図にはもう一つのプローブの形状を示す。本構造の場合は、回転軸６を支点として、構造全体や回転する機構を有している。このため、針状チツプ５が原子間力をうけた時にプレート１は、たわむことなく回転軸６を中心として回転する構造となる。また、ＳＴＭの針部３はプレート後部１′の変位に追従して一定の距離を保つことによってサンプルの形状を精度良くトレースすることができる。トンネリングチツプ３とプレート１′の距離を一定に保つ方法としては、トンネル電流を検出して、その値を一定に保つように、ピエゾ素子等でトンネリングチツプ３を変位させる方法が考えられる。なお、第３図に示す構造のプローブであれば、プレート部１と１′の長さ比を変化させることによつて微細な形状を拡大としてトレースすることも可能である。
　なおプローブの動きを測定する方法として、上述のトンネリングチツプを用いる手段の他に、該プレート１′に対向して平板電極を設け、その間の静電容量の変化を検出する方法や、該プレート１′にレーザ光を斜入射させて、その反射光の角度変化をみる方法が考えられる。」（第３頁左上欄第１４行〜右上欄第１５行））、
b　特開平８−６８８００号公報（「【００１８】カンチレバー３７の上記動作において、図４に示すように、プローブ１１側の先端部が例えばｄ１の距離だけ上方に移動すると、後端側の可動電極３９における対向領域の中心部は下方に距離ｄ２だけ移動する。この場合に、カンチレバー３７における捩じれ変形部３８の位置は、前述の通りカンチレバー３７の中央部から先部側に設定されているために、図４に示すように距離Ｌ１，Ｌ２（Ｌ１＜Ｌ２）すると、距離ｄ２はｄ１・（Ｌ２／Ｌ１）として拡大した移動距離となり、プローブ１１の変位が拡大される。従って、距離Ｌ１，Ｌ２を上記のように選択することにより、プローブ１１の位置変化による距離は拡大され、可動電極と固定電極の間に生じる静電容量の変化が大きくなるので、カンチレバー３７の変位の検出が容易になり、かつ検出感度が高くなる。静電容量の変化を大きくすることができるので、検出出力を大きくすることができ、安定した検出動作を行うことができる。なお倍率（Ｌ２／Ｌ１）としては、例えば２倍程度である。」（段落【００１８】）、
c　特開昭６１−６５１０９号公報（「次に、第１図の非接触型変位計の動作を第２図を参照しながら説明する。この非接触型変位計においては、変位測定プローブ５に一定圧力のエアーを供給し、測定圧印加機構１０からの測定圧と釣合せる。これにより、変位測定プローブ５と被測定物４との距離が常時一定値に保たれる。ここで、被測定物の位置が４から４ａに変化したものとすると、変位測定プローブ５は、被測定物４との空気間隔を同じに保ったまま被測定物４の位置が変化した分だけ押し上げられる。この押し上げられた量は、テコの原理によって自由支点７からの距離の比率分を掛けた量として可動電極８を移動させる。したがって、固定電極９と可動電極８の間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を公知の手法で電気的に測定することにより、被測定物４の位置変化を計測することができる。
　なお、ここで、変位測定プローブ５の被測定物４との接触点からレバー６の静圧空気軸受け７による支持点までの長さと、この支持点から可動電極８までの長さとの比は、自由に設定することができるが、この比を１以上に設定すれば、被測定物４の変位を拡大することができる。」（第２頁左下欄第５行〜右下欄第６行））に記載されているごとく各種変位計における周知の技術である。
　したがって、引用例発明の可撓性プレート２とコイル４とに、上記周知の機械的増幅技術を適用して、上記【相違点】に係る本願第１発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　　
　そして、本願第１発明の奏する作用効果も、引用例の記載事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願第１発明は、引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜１３に係る発明について検討するまでなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。