【事件の表示】
　特願２００２−５４７１６２「磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　６日国際公開、ＷＯ０２／４５０７９、平成１６年　５月２０日国内公表、特表２００４−５１５０２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０００年１１月２９日を国際出願日とする出願であって、平成１７年２月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成１７年４月２５日付けで手続補正がなされ、その後平成１７年５月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年６月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年８月１日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年８月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年８月１日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
　（ａ）「【請求項１】　所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
　該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、
　該テキスチャ面上に設けられ、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるように優先成長しているＣｒ系下地層と、
　該下地層上に設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長しているＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。」を、
　（ｂ）「【請求項１】　所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
　該テキスチャ面は、２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し、
　該テキスチャ面上に設けられ、前記所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるように
Ｃｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って
　該下地層上に設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長して
なり、配向比が２以上の
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「優先成長しているＣｒ系下地層」について「
Ｃｒ＜１１０＞が該所定方向に沿って
配向比が２以上の
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．補正後の発明の記載要件違反について
（１）　補正後の発明の「
配向比が２以上の
配向比が２以上の
配向比が２以上の
（２）　補正後の発明の上記特定事項については、本願明細書の段落２６に、「・・・配向比は、約１．２より大きく、かつ約１．９より小さい。しかし、本発明者らは、下地層４のＣｒ〈１１０〉の配向の調整、テキスチャ面のテキスチャリング及び下地層４の成長条件に応じて、下地層４上に設けられた磁性層５の配向比を２以上にすることができることを確認した。」との記載があるのみで、Ｃｒ〈１１０〉の配向の調整、テキスチャ面のテキスチャリング及び下地層４の成長条件をどのようにすれば、配向比が２以上のＣｏ系磁性層が得ることができるのか具体的に記載されていない。そして、出願時の技術常識を考慮しても、「配向比が２以上のＣｏ系磁性層」を得るにはどうすればよいか不明であるから、発明の詳細な説明は、当業者が補正後の発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
（３）　発明の詳細な説明の欄には、「配向比が２以上のＣｏ系磁性層」の「配向比が２以上」について、何ら具体的な記載が根拠を持って示されていないので、補正後の発明は、発明の詳細な説明において十分に裏付けされていないものであり、その技術上の意義が不明確である。
　
　なお、請求人は、請求の理由において、「テキスチャ面の距離λや角度φが上記形状であってもなくても、超高密度磁気記録媒体として必要な磁性層の配向比２以上が得られない。」と主張し、「下地層のＣｒの〈１１０〉の配向の調整、下地層の成膜条件によって、磁性層の配向比２以上を得られることを新規に見い出したものである。（略）この配向調整は、明細書の段落００１５に記載されているように下地層の材料の選択により下地層の格子を拡張させたり、明細書の段落００１６に記載されているように下地層の膜厚を約４０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下にすることにより、配向比の減少を防止したり、明細書段落３８に記載されているように下地層を形成する際のスパッタリング条件等を適切に選択したりすることにより実現できるものである。」と主張している。
　しかしながら、請求人の示した段落１５、１６、３８に示された条件から適切な条件を選択して配向比２以上のものを得るには、過度の試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要があるから、本願の発明の詳細な説明の項には、当業者が実施することができる程度に記載されていないというべきであり、請求人の主張は採用できない。
　
　したがって、特許を受けようとする発明が明確でなく、発明の詳細な説明に記載したものでなく、また、発明の詳細な説明には当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
３．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、特許法第３６条第４項及び第６項第１号、第２号に規定する要件を満たしていないので、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１７年８月１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１７年４月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−６７２３号公報（以下「引用例１」という。）には、「磁気記録媒体」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【請求項１】Ｘ線回折法により求めたロッキングカーブ半価幅により表面粗さの指標を得ることを特徴とする表面粗さ評価法。
【請求項２】請求項１において、
非磁性の基体上に非磁性の金属下地層、Ｃｏを主成分とする強磁性合金からなる薄膜磁性層、および保護層とが順次積層された磁気記録媒体
　（イ）「【０００２】
【従来の技術】固定磁気ディスク装置に用いられている一般的な磁気記録媒体の構成を図６に示す。この図において、磁気記録媒体は、次に述べるような工程で製造されている。まず、
ディスク状の非磁性の基体１
この基体１の上に
ＣｒまたはＣｒ合金からなる非磁性の金属下地層２と
【０００３】ここで、ディスク状の非磁性の基体１としては、例えばＡｌ−Ｍｇ合金基体に無電解メッキによりＮｉ−Ｐメッキ層を形成したものや、アルマイト基体、ガラス基体、セラミック基体などが用いられる。そして、
この基体を研磨し、表面にテクスチャーと呼ばれる凹凸面が形成される
　（ウ）「【０００８】（略）ここでは２θＰが一定のため、
ロッキングカーブによって得られた回折ピークは、基板面に対する下地層または磁性層の結晶面の傾きの分布を表わしている。この回折ピークの半価幅がロッキングカーブの半価幅である
【０００９】テクスチャー基板を用いた磁気記録媒体を上記の方法で測定すると、測定方向によってロッキングカーブ半価幅に大きな違いがみられる。その様子を模式的に図７に示す。この図では、
テクスチャーが磁気ディスクの円周方向
結晶面の傾きのうねりが大きい半径方向のθｒａｄは平坦な円周方向のθｃｉｒに比べてロッキングカーブ半価幅が大きく、この半価幅の違いは正に試料の表面粗さの違いを表わしている
このロッキングカーブ半価幅は、テクスチャーによる磁気記録媒体の表面粗さを特徴づける新らしい指標
　（エ）「【００１０】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施例として、
磁気記録媒体の試料の製造方法
ディスク状の基体１は
基体表面を超精密平面研磨によりすべて同一の条件で円周方向にテクスチャーを付け
ＣｒまたはＣｒ合金からな
非磁性金属下地層
【００１１】（略）
テクスチャーが円周方向に付けられている
【００１２】上記の工程で製造した
磁気記録媒体を
基板表面に対して磁性層のＣｏ合金（１１０）結晶面、下地層のＣｒ（２００）結晶面が平行となる強い配向性を示すこと
基板表面に対して平行な磁性層Ｃｏ合金の（１１０）面で測定したロッキングカーブ半価幅
磁気記録媒体の重要な磁気特性の一つである保磁力との関係
【００１３】この図から、丸印で示す円周方向の測定点と三角印で示す半径方向の測定点とは、明確に二群に分かれていることがわかる。その中で、Ａ測定点の円周方向（黒丸印）と半径方向（黒三角印）とのロッキングカーブを、図３に示す。ロッキングカーブ半価幅は、この図で示される回折ピークの半価幅で、円周方向の半価幅は３．８°、半径方向のものは１２．２°であり、その差は８．４°と大きい。（略）このように、
ロッキングカーブ半価幅はテクスチャーによる表面粗さを表わす指標となる
【００１４】また、図１中のＡ測定点で示されるように、
Ｃｏ合金（１１０）のロッキングカーブ半価幅の小さいＡ測定点の円周方向（黒丸印）では、Ａ点の半径方向（黒三角印）より保磁力が大きい
磁化方向でもある円周方向において、ロッキングカーブ半価幅つまり表面粗さが小さい方が高保磁力化にとっては好ましい
【００１５】実施例２として、実施例１と同様の試料を用い、
下地層Ｃｒの（２００）面のロッキングカーブ半価幅と、保磁力との関係を図２
【００１６】このようにしてＣｏ合金（１１０）やＣｒ（２００）のロッキングカーブ半価幅を測定することにより、テクスチャーによる表面粗さがある磁気記録媒体の円周方向と半径方向の表面粗さの違いを容易に調べることが可能となる。そして、このロッキングカーブ半価幅を基板の粗さを特徴づける新たな指標とすることができる。また、
テクスチャー方向であり磁化方向でもある円周方向のロッキングカーブ半価幅つまり表面粗さが小さい方が高保磁力化にとって好ましく
　
２．対比判断
（１）対比
本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記１（ア）（イ）（エ）に摘示した記載事項によれば、
　「非磁性の基体上に非磁性の金属下地層、Ｃｏを主成分とする強磁性合金からなる薄膜磁性層、および保護層とが順次積層された磁気記録媒体において、
　ディスク状の非磁性の基体は、研磨され、表面にテクスチャーと呼ばれる凹凸面が形成され、テクスチャーが円周方向に付けられ、
　非磁性の金属下地層は、ＣｒまたはＣｒ合金からなり、
　基体表面に対して磁性層のＣｏ合金（１１０）結晶面、下地層のＣｒ（２００）結晶面が平行となる強い配向性を示し、
　基体表面に対して平行な磁性層のＣｏ合金の（１１０）面及び下地層Ｃｒの（２００）面でそれぞれ測定したロッキングカーブ半価幅と、磁気記録媒体の保磁力との関係は、ロッキングカーブ半価幅の小さい円周方向では、半径方向より保磁力が大きい、磁気記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「非磁性の金属下地層」は、「ＣｒまたはＣｒ合金」からなるので、本願発明の「Ｃｒ系下地層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「Ｃｏを主成分とする強磁性合金からなる薄膜磁性層」は、本願発明の「Ｃｏ系磁性層」に相当している。
　引用例１に記載された発明では、「ディスク状の非磁性の基体は、研磨され、表面にテクスチャーと呼ばれる凹凸面が形成され、テクスチャーが円周方向に付けられ」ていて、「テクスチャが付けられ」たことが「テキスチャリングを施された」ことに相当するから、引用例１に記載された発明の「非磁性の基体の表面」「円周方向」は、それぞれ本願発明の「テキスチャ面」「所定方向」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「Ｃｏ合金（１１０）結晶面」は、本願発明の「Ｃｏ（１１２０）面」に相当している。また、引用例１に記載された発明では、磁性層は、テクスチャー方向である円周方向の保磁力が、半径方向より大きいので、引用例１に記載された発明の「磁性層」は、本願発明の「Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長しているＣｏ系磁性層」に相当する構成を備えている。
　
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「所定方向にテキスチャリングを施されたテキスチャ面と、
　テキスチャ面上に設けられたＣｒ系下地層と、
　下地層上に設けられ、Ｃｏ（１１２０）面が該所定方向に沿って優先成長しているＣｏ系磁性層とを備えた、磁気記録媒体。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
　（相違点）本願発明では、「テキスチャ面」について、「２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し」と特定され、「Ｃｒ系下地層」について、「所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるように優先成長している」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
（ア）テキスチャ面について
　引用例１には、「超精密平面研磨によりすべて同一の条件で円周方向にテクスチャーを付け」（段落１０）と記載され、テキスチャ間隔が極めて狭いことが示唆されているものの、テキスチャ面の具体的な距離や傾きについて、明示がない。しかしながら、テキスチャ面の凹凸の上に成膜されたＣｒ下地層及びＣｏ系磁性層について、模式的に磁気記録媒体の半径方向を示す断面図（図７）では、結晶面の傾きのうねりが示され、ロッキングカーブ半価幅がテキスチャによる磁気記録媒体の表面粗さを特徴づける指標として示されている（上記（ウ）参照）。そして、引用例１では、上記うねりを示す指標と、テキスチャ方向である円周方向の保磁力の関係が示されているのであるから、引用例１に記載された発明において、テキスチャ面の形状、即ち上記うねりの形状（距離や傾き等）を、円周方向の保磁力を向上させるよう最適化することは、当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　本願発明においてテキスチャ面を特定している距離λ及び角度φの数値限定の意義について、以下に検討する。
　本願の発明の詳細な説明の項の記載をみると、本実施例として、テキスチャ面の形状が記載され（段落２６、３７、図５）、テキスチャリングされていない表面を用いた比較例（図８）ではＣｒ下地層の優先成長がないこと（段落３２〜３４）が記載されている。しかし、相違点で特定されている距離λ「５＜λ＜３０ｎｍ」及び角度φ「０．５＜φ＜７度」の臨界的意義について、本願の発明の詳細な説明の項には、それ以上の記載がない。
　ところで、引用例１に記載された発明においても、テキスチャ面上に形成することにより磁性層が円周方向に優先成長し配向比が向上しているのであるから、本願発明の上記数値限定の範囲内のものが格別の作用効果を奏しているとはいえない。そうすると、相違点の数値範囲の距離λ及び角度φは、引用例１に記載された発明に基いて当業者が適宜採用しうる程度の値にすぎない。
　
（イ）Ｃｒ系下地層について
　本願発明の「所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるように優先成長している」との特定事項は、平成１７年４月２５日付け手続補正により、段落２９及び図７Ａに基づき補正されたものである。即ち、「他の角度と比較すると、角度が０度及び９０度の近傍では、Ｃｒ＜１１０＞配向のＣｒ粒子が、より多く見られた。このように、約５０％以上のＣｒ＜１１０＞の優先成長がテキスチャリング方向θに沿っていることが確認された。」（段落２９）と、図７Ａを根拠に特定しているのであることを勘案すれば、特に「所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるように」の特定事項の「４５度近傍でのＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数」及び「２倍以上」は、１例である本実施例において確認されたＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の分布を表しているにすぎず、４５度近傍や２倍以上という数値に臨界的意義がある訳ではない。
　本願発明では、本願明細書において、「２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足し」たテキスチャ面上に成膜した場合に、「所定方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、前記所定方向に対する角度が４５度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数の２倍以上となるように」優先成長しているＣｒ系下地層を確認しているのに対し、テキスチャリングされていない表面上に形成したＣｒ系下地層の比較例（段落３２〜３４、図８）ではＣｒ＜１１０＞配向のＣｒ粒子は不規則に分布していることを確認し優先配向が見られなかったとしていることからも、４５度近傍や２倍以上という数値に臨界的意義がある訳ではない。
　引用例１には、テキスチャ面に成膜された下地層及び磁性層について、基体表面に対して磁性層のＣｏ合金（１１０）結晶面、下地層のＣｒ（２００）結晶面が平行となる強い配向性を示し、テキスチャ方向である円周方向では、半径方向より保磁力が大きいと記載されているので、磁性層のＣｏ合金のｃ軸が円周方向に優先成長し、配向比が向上した磁気記録媒体が実質的に示されている。ここでＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数については、記載されていないが、磁気記録媒体として、Ｃｒ下地層の上に形成された磁性層のＣｏ合金のｃ軸が円周方向に優先成長し、配向比が向上しているのであるから、引用例１に記載された発明においても、テキスチャ方向に対する角度が０度又は９０度近傍でＣｒの＜１１０＞を有する粒子の数が、その他の角度に比べ多い蓋然性が高いともいえ、そうでなくとも、引用例１に記載された発明は、本願発明の磁性層の構成と比較して格別差異があるとはいえない。なお、テキスチャリング構造に沿ってＣｒ層の結晶が特定の方向に配向することによって、その上に形成されるＣｏ合金磁性層の結晶構造を支配して結果的に磁性層の磁化容易軸の方向をテキスチャ方向に向けることは、周知の事項であり、例えば、原審で引用された特開平１１−２１９５１１号公報（従来の技術の項、段落３）等に記載されている。
　そうすると、上記相違点に基づく作用効果は、引用例１に記載された発明から、当業者であれば予測することができる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　
　なお、請求人は、Ｃｒ＜１１０＞の優先配向により本願発明の効果を得るためには、テキスチャ面が、「２つの互いに隣接するテキスチャ線間の距離λが５＜λ＜３０ｎｍなる関係を満足すると共に、該テキスチャ面と斜めのテキスチャ面とで形成する角度φが０．５＜φ＜７度なる関係を満足」することが重要である旨（意見書（６）、請求の理由（２）等）主張している。
　しかしながら、本願の明細書には、上記主張の裏付けとなる記載がなく、単にテキスチャリングしない面に成膜する比較例のみが示されているのであるから、引用例１に記載されたものと比較して本願発明のテキスチャ面の特定事項及びＣｒ＜１１０＞の優先配向の特定事項が格別の技術上の意義を有し格別の効果を奏しているかが確認されないものであり、主張は根拠のないものである。また、請求人は、出願後の他人の学術文献（意見書において提出した参考文献１）を引用して、距離λが上記数値範囲をはずれればＣｒ＜１１０＞の優先配向がないと主張しているが、本願の明細書に記載されている事項でもないので、当該主張は採用できない。また、請求人は、テキスチャ面の距離λや角度φが特定事項の形状であってもなくても磁性層の配向比２以上が得られない旨主張し、更に、Ｃｒ＜１１０＞を所定方向に優先配向させて下地層の配向調整を行う旨主張している（請求の理由（３））が、当該主張は、テキスチャ面の形状がＣｒ＜１１０＞の優先配向にとって重要であるという主張とは矛盾し、請求人の主張は採用できない。また、テキスチャ面の形状を相違点のように特定することにより磁気記録媒体の配向比が向上するという作用効果は認めることができない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。