【事件の表示】
　特願２００２−２２１３２９「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開、特開２００３−１７９１１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成７年７月２８日に出願した特願平７−２１２４４３号の一部を平成１４年７月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年１月１６日付けで拒絶の理由が通知され、同年３月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年４月１８日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同年５月２５日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年６月２２日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［理由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１−１　補正前の請求項１
「　【請求項１】　基板を洗浄する基板処理方法であって、
（ａ）前記基板を収納するカセットを載置する架台を備えたインデクサ部から前記基板を取り出す工程と、
（ｂ）前記インデクサ部から取り出された基板を、前記洗浄の前処理を行なう前処理室に搬送する工程と、
（ｃ）前記前処理室で前記基板に対する前処理を行なう工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）による処理済みの前記基板を、前記前処理室から前記洗浄を行なう液相処理室に直接受け渡す工程と、
（ｅ）前記液相処理室で前記基板に対する洗浄を行なう工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）による処理済みの前記基板を前記インデクサ部に受け渡す工程と
　を備えたことを特徴とする基板処理方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１−２　補正後の請求項１
「　【請求項１】　基板を洗浄する基板処理方法であって、
（ａ）前記基板を収納するカセットを載置する架台を備えたインデクサ部から前記基板を取り出す工程と、
（ｂ）前記インデクサ部から取り出された基板を、前記洗浄の前処理を行なう
プラズマアッシング
（ｃ）前記
プラズマアッシング
プラズマアッシング
（ｄ）前記工程（ｃ）による処理済みの前記基板を、前記
プラズマアッシング
（ｅ）前記液相処理室で前記基板
を硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液を用いて洗浄する
（ｆ）前記工程（ｅ）による処理済みの前記基板を前記インデクサ部に
渡す
　を備えたことを特徴とする基板処理方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．補正の適否
　上記請求項１についての補正は、洗浄の前処理を行なう前処理室について「洗浄の前処理を行なうプラズマアッシング室」と限定し、また、基板に対する洗浄を行なう工程について「基板を硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液を用いて洗浄する工程」と限定するものであり、また、インデクサ部に受け渡す工程について「インデクサ部に渡す工程」と明りょうにするものであり、平成１８年法律第５５号による改正前特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号及び第３号の特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−１　本願補正発明
　本願補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記１−２に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平５−２１７９６６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）特許請求の範囲の請求項１及び請求項６
「【請求項１】  試料を処理する工程と、該処理済み試料を減圧下でプラズマを利用して後処理する工程と、該後処理済み試料を湿式処理する工程と、該湿式処理済み試料を乾燥処理する工程とを有し、前記後処理済み試料を湿式処理する工程を複数の湿式処理手段で行うことを特徴とする試料処理方法。
【請求項６】・・・被エッチング面にレジストを有する試料を前記エッチング室内で保持する試料台とを備えたプラズマエッチング装置と、後処理室と該後処理室内を減圧排気する手段と前記後処理室内に酸素を含むアッシングガスを導入する手段と前記後処理室内で前記酸素を含むアッシングガスをプラズマ化する手段と前記ガスプラズマを利用してアッシング処理される前記エッチング処理済み試料を前記後処理室内で保持する試料台とを備えたプラズマ後処理装置と、湿式処理室と該湿式処理室内で湿式処理される前記アッシング処理済み試料を前記湿式処理室内で保持する複数の試料台と、前記アッシング処理済み試料の表面に残留する腐食成分を除去する処理液を該試料台に保持された前記アッシング処理済み試料の表面に供給する手段とを備えた湿式処理装置と、・・・前記前段側の装置と後段側の装置との前記試料台間で前記各試料を搬送する試料搬送装置とを具備したことを特徴とする請求項５記載の試料処理装置。」
（２）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、試料処理技術に関し、特に、半導体基板などの試料を処理するのに好適な試料処理方法および装置に関する。」
（３）段落【００１１】
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特開平２−２２４２３３号公報に記載された試料の処理装置は、プラズマ後処理手段での処理済み試料を湿式処理する手段が一台しかないためスループットの制限があり、・・・スループットが低下するという問題がある。」
（４）段落【００１７】
「【作用】上記した手段によれば、試料を処理する工程、該処理済み試料を減圧下でプラズマ後処理する工程、該後処理済み試料を湿式処理する工程、該湿式処理済み試料を乾燥処理する工程からなる一連の工程の内、処理のスループットの低下を引き起こす湿式処理工程に複数の湿式処理する手段を設けたことにより、処理のスループットの低下を引き起こすことなく、試料の種類によらずエッチング処理後の試料の腐食を充分に防止することが可能となる。」
（５）段落【００２２】〜【００２３】
「図１において、プラズマ後処理装置２０としては、処理装置１０での処理済み試料を減圧下でプラズマを利用して後処理、例えばアッシング処理する装置が用いられる。なお、アッシング処理装置としては、プラズマアッシング装置、無磁場型のマイクロ波プラズマアッシング装置、有磁場型のマイクロ波プラズマアッシング装置、ＥＣＲ型のマイクロ波プラズマアッシング装置、光励起プラズマアッシング装置などが採用される。
　図１において、湿式処理装置３０としては、プラズマ後処理装置２０での処理済み試料を湿式処理する装置、例えばスピニング湿式処理装置が用いられる。なお、スピニング湿式処理装置では、プラズマ後処理済み試料は、水により、例えばスピニング洗浄処理されたり、薬液、水により順次、例えばスピニング洗浄処理される。」
（６）段落【００２８】〜【００２９】
「試料搬送手段５０は、処理装置１０およびプラズマ後処理装置２０の各ステーションとの間で試料を受渡し可能である。試料搬送手段６０は、プラズマ後処理装置２０および湿式処理装置３０の各ステーションとの間で試料を受渡し可能である。試料搬送手段７０は、湿式処理装置３０および乾燥処理装置４０の各ステーションとの間で試料を受渡し可能である。
　試料搬送手段５０，６０，７０としては、公知の搬送手段、例えば機械的、電気的または磁気的に回動もしくは往復動させられるアームに試料をその裏面からすくい保持する試料すくい具や、試料をその外周縁でつかみ保持する試料つかみ具や、試料を吸着、例えば電磁吸着、真空吸着する試料吸着具が設けられたアーム搬送装置や、駆動ローラと従動ローラとに無端ベルトが巻き掛けられたベルト搬送装置や、気体の吹き出し力により試料を搬送する装置などが採用される。」
（７）段落【００３８】
「湿式処理装置３０は、試料台が複数個設置され、各々並列処理または直列処理が可能となっている。・・・」
（８）【０１１０】
「・・・一連のエッチング処理〜アッシング処理が１〜２分で処理されるのに対し、４分は著しく長いため、スループットがこの湿式処理で律速され、スループットの低下を招く。そこで、図２に示すように、湿式処理を並列に複数配置し、スループットの低下を防ぐようにした。場合によっては、直列に順次薬液処理と水洗処理とができるようにした。」
（９）段落【０１２４】
「また、上記実施例において、プラズマ後処理済み試料を湿式処理完了するまでの時間は、例えば図４のような試料の場合、図６に示すように、約１時間で腐食が発生するようになるため、長くとも該時間内に限定される。ただし、できる限り短時間内で湿式処理を完了することが望ましい。つまり、プラズマ後処理が完了した試料をプラズマ後処理装置から湿式処理装置へ直ちに搬送して湿式処理することが望ましい。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　これらの記載事項を、技術常識を考慮しながら本願補正発明に照らして整理すると、刊行物１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「試料を洗浄する試料処理方法であって、
（ｃ）プラズマ後処理室で前記試料に対するプラズマアッシング処理を行なう工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）による処理済みの前記試料を、前記プラズマ後処理室から前記洗浄を行なう湿式処理室に受け渡す工程と、
（ｅ）前記湿式処理室で前記試料を薬液を用いて洗浄する工程と
　を備えた試料処理方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−３　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「試料」は前者の「基板」に、以下同様に、「プラズマ後処理室」は「プラズマアッシング室」に、「湿式処理室」は「液相処理室」に、「試料処理方法」は「基板処理方法」に、それぞれ、相当することは明らかである。
　また、後者における「薬液」は、前者における「硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液」と、「薬液」である限りにおいて共通している
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「基板を洗浄する基板処理方法であって、
（ｃ）プラズマアッシング室で前記基板に対するプラズマアッシング処理を行なう工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）による処理済みの前記基板を、前記プラズマアッシング室から前記洗浄を行なう液相処理室に受け渡す工程と、
（ｅ）前記液相処理室で前記基板を薬液を用いて洗浄する工程と
　を備えた基板処理方法。」である点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点１］
　本願補正発明では、（ａ）基板を収納するカセットを載置する架台を備えたインデクサ部から前記基板を取り出す工程と、
（ｂ）前記インデクサ部から取り出された基板を、前記洗浄の前処理を行なうプラズマアッシング室に搬送する工程と、
（ｆ）処理済みの前記基板を前記インデクサ部に渡す工程とを備えているのに対して、
　引用発明では、そのような工程を備えていない点。
［相違点２］
　プラズマアッシング室から洗浄を行なう液相処理室に受け渡す工程が、
　本願補正発明では、直接受け渡す工程であるのに対して、
　引用発明では、直接受け渡す工程でない点。
［相違点３］
　プラズマアッシング処理が行なわれた後の基板を洗浄する薬液が、
本願補正発明では、硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液であるのに対して、
　引用発明では、そのようなものでない点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　基板処理方法において、基板を収納するカセットを載置する架台を備えたインデクサ部から前記基板を取り出す工程と、前記インデクサ部から取り出された基板を、処理を行なう処理室に搬送する工程と、処理済みの前記基板を前記インデクサ部に渡す工程とを備えることは、本願の原出願日前周知の事項である。（必要であれば、特開平７−１７１４７８号公報の段落段落【０００５】，【０００６】，【００２９】及び図２（ａ）、特開平７−１７６５９０号公報の段落【０００５】〜【０００８】，【００４６】，【００４９】及び図６参照。）
　してみると、引用発明に上記周知の事項を採用することにより、相違点１に係る本願補正発明の特定事項とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
（２）相違点２について
　基板処理方法において、複数の処理室間で基板を搬送する際に、基板を直接受け渡すことは本願の原出願日前周知の事項である。（必要であれば、特開平７−１７１４７８号公報の段落【００２９】及び図２（ａ）、特開平７−１７６５９０号公報の段落【００４６】，【００４９】及び図６参照。）また、処理済みの基板をプラズマアッシング室から洗浄を行なう液相処理室に直接受け渡すことも周知の事項である。（必要であれば、特開平２−２０１９２４号公報の第１頁左下欄第５行から同頁右下欄第１６行、第７頁左上欄第１５行〜同頁右下欄第１２行及び第３図、実願昭６２−４９２８６号（実開昭６３−１５５６２９号）のマイクロフィルムの第４頁第４〜１７行、第５頁第３〜８行及び第１図参照。）。
　そして、刊行物１には、プラズマ後処理が完了した試料をプラズマ後処理装置から湿式処理装置へ直ちに搬送して湿式処理することが望ましいことが記載されている。（上記摘記事項（９）参照。）
　してみると、引用発明に上記各周知の事項を適用することにより、プラズマアッシング室から洗浄を行なう液相処理室に受け渡す工程を、直接受け渡す工程とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
（３）相違点３について
　基板を洗浄する薬液として、硫酸と過酸化水素と純水との調合液や、アンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液を用いることは、本願の原出願日前周知の事項である（必要であれば、特開平７−７５７２７号公報、特開昭６３−６２３２９号公報及び特開平７−５８１８０号公報参照。）。
　してみると、引用発明に上記周知の事項を採用することにより、プラズマアッシング処理が行なわれた後の基板を硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液で洗浄することは当業者であれば容易になし得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果も、引用発明及び上記各周知の事項から当業者であれば十分予測できるものであって格別なものとはいえない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、審判請求人は審尋に対する平成１９年１１月２２日付け回答書において、
「プラズマアッシング室から液相処理室に基板を直接受け渡し、液相処理室でアッシング処理後の基板を硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液を用いて洗浄する構成が引用文献や周知技術にない以上、相違点１についての本願発明の構成は格別のものであります。・・・
　アッシング室についての記載があるのは引用文献１だけであり、その他の引用文献２，３および周知技術には、プラズマアッシング室について直接記載するものではないことから、それらの組み合わせに困難性があります。・・・
　基板搬送を直接受け渡す構成とすることで、プラズマアッシング残渣の付着を低減することができることから、エッチング能力の比較的弱い硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液を採用することが可能となっています。近年、基板パターンの微細化のもと基板上の酸化膜膜厚が薄くなってきており、本願発明によれば、パターンが微細化された基板処理に対応することができます。」旨主張しているが、
　基板を基板搬送手段によりアッシング室から液相処理室に直接受け渡すようにすることと、アッシングが行なわれた後の前記基板を硫酸またはアンモニア化合物と過酸化水素と純水との調合液で洗浄することとの直接の関連性はなく、請求人の上記主張する効果は、上記周知の事項を用いて直接受け渡すようにすることにより当然生じる効果にすぎない。また、引用発明と上記周知技術とは課題・技術分野が共通している（特開平７−１７１４７８号公報の段落【０００５】，【０００６】、特開平７−１７６５９０号公報の段落【０００５】〜【０００８】，特に【００４９】の「・・・処理装置として・・・これに限定するものではなく、アッシング処理等でも同様な効果が得られる。」の記載参照。）以上、組み合わせが困難であるとすることはできない。
　したがって、請求人の上記主張は採用することができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、改正前特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する改正前特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明は、平成年３月２４日に補正された明細書及び図面の記載からみてその特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は上記第２の１−１に示したとおりのものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用刊行物
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用した刊行物及びその記載内容は、前記第２の２−２に示したとおりのものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、前記第２の２−３に記載したものと同様の対応関係があるから、両者の一致点相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「基板を洗浄する基板処理方法であって、
（ｃ）前処理室で前記基板に対する前処理を行なう工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）による処理済みの前記基板を、前記前処理室から前記洗浄を行なう液相処理室に受け渡す工程と、
（ｅ）前記液相処理室で前記基板に対する洗浄を行なう工程と、
　を備えた基板処理方法。」である点。
［相違点４］
　本願発明では、（ａ）基板を収納するカセットを載置する架台を備えたインデクサ部から前記基板を取り出す工程と、
（ｂ）前記インデクサ部から取り出された基板を、前記洗浄の前処理を行なう前処理室に搬送する工程と、
（ｆ）工程（ｅ）による処理済みの前記基板を前記インデクサ部に受け渡す工程とを備えているのに対して、
　引用発明では、そのような工程を備えていない点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点４について］
　相違点４については、上記相違点１と実質上同じであるから、相違点４についての判断は、上記第２の２−４の（１）において検討したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願は拒絶するべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。