【事件の表示】
　平成１１年特許願第　３９１１７号「摺動部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月２９日出願公開、特開２０００−２３４６２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年２月１７日の出願であって、平成１８年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年３月２９日に審判請求がなされ、その後、当審において平成１９年１０月９日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
２．本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１、２に係る発明は、平成１９年１２月７日付け手続補正により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。なお、平成１８年４月２０日付け手続補正は、平成１９年１０月９日付けで当審において決定をもって却下されている。
「【請求項１】　イオンプレーティング法により窒化クロムを主成分とする皮膜が摺動面に形成された摺動部材であって、前記皮膜はホウ素を０．０５〜２０重量％含有し、主配向はＣｒＮ｛１１０｝面であり、前記イオンプレーティング法はターゲットにクロムホウ素合金を使用して窒素雰囲気下でなされることを特徴とする摺動部材。」
（２）引用例
（２−１）引用例１
　特開平１０−３０６３８６号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。
（あ）「【従来の技術】近年、エンジンの高出力化や排ガス規制対応に伴って、ピストンリングの使用環境がますます苛酷になっているため、摺動面の表面処理として従来使用されているＣｒめっきや窒化処理等では耐久性能を満足できないエンジンが多くなってきた。この状況に対処するため、ＰＶＤ法を利用したＣｒＮ皮膜や、ＣｒＮの結晶構造中に〔Ｏ〕を固溶した硬質皮膜（特開平６−２６５０２３号）あるいはＣｒＮの結晶構造中に〔Ｃ〕を固溶した硬質皮膜（特開平６−３００１３０号）が提案されている。」（段落【０００２】参照）
（い）「本発明の目的は、硬質被覆材としてのＣｒＮ皮膜の摺動特性、特に耐摩耗性を
向上させることにある。
【課題を解決するための手段】本発明の硬質被覆材は、ＣｒＮの結晶構造中に〔Ｏ〕が３〜２０重量％および〔Ｃ〕が０．５〜８重量％の割合で固溶されており、ビッカース硬さが１５００〜２２００の範囲にあり、結晶粒径が１μｍ未満であることを特徴とする。
　本発明の摺動部材は、上記硬質被覆材からなる硬質皮膜が少なくとも摺動面に被覆されているものであり、例えば上記硬質被覆材からなる硬質皮膜が被覆されたピストンリングは苛酷な条件下においても充分な耐焼付性および耐摩耗性を有する。硬質被覆材の被覆はイオンプレーティングにより行うことができる。」（段落【０００４】〜【０００６】）
（う）「ピストンリング１の外周面にはアークイオンプレーティングによって硬質皮膜２が被覆されている。硬質皮膜２はＣｒＮの結晶構造中に〔Ｏ〕を３〜２０重量％および〔Ｃ〕を０．５〜８重量％の割合で固溶しており、結晶粒径が１μｍ未満である。ＣｒＮの結晶は（２００）面に配向している。硬質皮膜２の硬さはビッカース硬さで１５００〜２２００の範囲にあり、膜厚は１〜６０μｍが好適である。
　アークイオンプレーティング法はイオンプレーティングの一つで、真空アーク放電を利用して、陰極の皮膜材料を蒸気化、イオン化して、被コーティング物の表面に皮膜を形成するものである。このアークイオンプレーティング法は蒸気のイオン化率が高く、緻密で密着性に優れた皮膜が得られる特長がある。」（段落【００１２】〜【００１３】参照）
　以上の記載事項及び図面からみて、引用例１には、下記の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＣｒＮの結晶構造中に〔Ｏ〕が３〜２０重量％および〔Ｃ〕が０．５〜８重量％の割合で固溶された硬質皮膜２がイオンプレーティングにより摺動面に形成されたピストンリング１。」
（２−２）引用例２
　特開平０６−１７３０７０号公報（以下、「引用例２」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。
（か）「【産業上の利用分野】本発明は、摺動部材、特に、金属製母材と、その母材表面に対するメッキ処理により形成されて相手部材との摺動面を有する表面層とを備えた摺動部材に関する。
【従来の技術】従来、この種摺動部材としては、例えばＡｌ合金製母材のランド部およびスカート部外周面に、耐摩耗性の向上を狙ってＦｅメッキ層（表面層）を設けた内燃機関用ピストンが知られている。」（段落【０００１】〜【０００２】参照）
（き）「【課題を解決するための手段】第１発明は、金属製母材と、その母材表面に対するメッキ処理により形成されて相手部材との摺動面を有する表面層とを備えた摺動部材において、前記表面層は前記母材に密着する下層およびその下層に密着する上層よりなり、前記下層は体心立方構造を持つ金属結晶の集合体より構成され、その集合体は、ミラー指数で（ｈｈ０）面を摺動面側に向けた（ｈｈ０）配向性金属結晶を含み、その（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率ＳはＳ≧３０％であることを特徴とする。」（段落【０００６】参照）
（く）「【作用】第１発明の下層において、体心立方構造を持つ金属結晶の（ｈｈ０）面は結晶最密面であり、したがって最も原子密度が高く密着応力の強い（ｈｈ０）面が母材表面と接することになる。そこで、（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率Ｓを前記のように設定すると、母材に対する下層の密着応力を向上させることができる。ただし、（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率ＳがＳ＜３０％では、その結晶の存在量の減少に伴い下層の密着応力が低下する。」（段落【０００８】参照）
（け）「【実施例】図１、図２において、摺動部材としての内燃機関用ピストン１は、Ａｌ合金製母材２と、その母材２のランド部３1 およびスカート部３2 外周面に対するメッキ処理により形成されて相手部材であるシリンダボア内壁５との摺動面４ａを有する表面層４とを備えている。表面層４は、母材２に密着する下層４1 およびその下層４1 に密着する上層４2 よりなる。
　図３に示すように、下層４1 は体心立方構造（ｂｃｃ構造）を持つ金属結晶の集合体より構成される。その集合体はミラー指数で（ｈｈ０）面を摺動面４ａ側に向けた（ｈｈ０）配向性金属結晶を含み、その（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率ＳはＳ≧３０％に設定されている。
　下層４1 において、体心立方構造を持つ金属結晶の（ｈｈ０）面は結晶最密面であり、したがって最も原子密度が高く密着応力の強い（ｈｈ０）面が母材２表面に接することになる。そこで、（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率Ｓを前記のように設定すると、母材２に対する下層４1 の密着応力を向上させることができる。」（段落【００１１】〜【００１３】参照）
（こ）「メッキ処理としては、電気メッキ処理の外に、真空メッキ処理、例えば気相メッキ法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング等を挙げることができる。スパッタ法によりＷ、Ｍｏメッキを行う場合の条件は、例えばＡｒ圧力　０．８Ｐａ、Ａｒ加速電力　直流１ｋＷ、母材温度　１００℃である。ＣＶＤ法によりＷメッキを行う場合の条件は、例えば原材料　ＷＦ6 、ガス流量　１０cc／min 、チャンバ内圧力　１００Ｐａ、母材温度　５００℃である。」（段落【００２４】参照）
（かか）「図９は、下層４1 の例１ａにおける表面の結晶構造を示す顕微鏡写真（５０００倍、撮影は上層４2 無しの状態で行われた。）である。図９において多数の板状をなす（ｈｈ０）配向性Ｆｅ結晶が観察される。この（ｈｈ０）配向性Ｆｅ結晶は（ｈｈ０）面、したがって｛１１０｝面を摺動面４ａ側に向けた｛１１０｝配向性Ｆｅ結晶であり、その存在率Ｓは、表８、図８に示すようにＳ＝７０％である。」（段落【００３４】参照）
　以上の記載事項及び図面からみて、引用例２には、下記の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「金属製母材表面に対するメッキ処理により形成されて相手部材との摺動面を有する表面層を備えた摺動部材において、表面層は母材に密着する下層およびその下層に密着する上層よりなり、下層は体心立方構造を持つ金属結晶の集合体より構成され、その集合体は（ｈｈ０）面を摺動面側に向けた（ｈｈ０）配向性金属結晶を含み、その（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率ＳはＳ≧３０％である摺動部材。」。
（２−３）
　特開平０４−２０３６７６号公報（以下、「引用例３」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。
（さ）「本発明のピストンリングは、その外周摺動面に物理的気相蒸着法により形成された金属窒化物、金属炭化物および金属酸化物のいずれかよりなる皮膜を有する。物理的気相蒸着法により形成されるこの皮膜を有する本発明のピストンリングは、第７図に示すように、摩耗量が少なく、また相手材であるシリンダーに対する攻撃性も低い。ところで、この皮膜をピストンリング母材面に直接形成すると、皮膜が摩耗して母材面の一部が露出した場合に耐スカッフィング性（耐焼付け性）が充分ではなくなる。そこで、本発明のピストンリングにおいては、ピストンリング母材面上に設けた複合分散めっき層上に上記の皮膜が設けられている。この複合分散めっき層は、ホウ素を０．１〜１０重量％の割合で含有するニッケル合金中に粒径０．１〜１０μｍの硬質粒子を容積比で５〜３０％の割合で分散してなり、耐摩耗性に優れているとともに耐スカッフィング性が著しく向上している。したがって、本発明のピストンリングにおいては、仮に前記の皮膜が摩耗して複合分散めっき層の一部が露出したとしても優れた耐摩耗性および耐スカッフィング性が補償されている。しかも、ピストンリング母材面の全周面あるいは燃焼室側周面、クランクケース側周面およびピストン装着面の三面に窒化処理層を設け、この窒化処理層上に前記の複合分散めっき層および皮膜をこの順に設ければ、耐摩耗性、耐食性がさらに向上する。」（第３頁左上欄第２行〜右上欄第９行参照）
　以上の記載事項及び図面からみて、引用例３には、下記の発明（以下、「引用例３発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ピストンリング母材面上に設けられた複合分散めっき層の上に物理的蒸着法により形成された皮膜が設けられているピストンリングであって、複合分散めっき層がホウ素を０．１〜１０重量％含有するピストンリング。」
（２−４）
　特開平７−２９２４５７号公報（以下、「引用例４」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。
（た）「【産業上の利用分野】本発明は、切削工具、金型、光学素子成形用型、磁気ヘッド或いは各種の摺動部品といった耐摩耗性能、潤滑性能、適度の摺動性、離型性及び化学的安定性等の１又２以上が要求される基体上に、これらの性能を向上させることができるとともに該基体への密着性良好な膜が被覆された基体及びその製造方法に関する。
【従来の技術】従来、基体の耐摩耗性能や摺動性を向上させるために、該基体上に高硬度の膜、代表的には窒化クロム（ＣｒX Ｎy 、ｘ，ｙは変数。）膜等の高硬度膜が被覆されてきた。この窒化クロム膜の有する高い硬度を保持しつつ、潤滑性や基体に対する密着性を向上させるために種々の試みが行われている。
　例えば特開平１−２９０７８５号公報によると、窒化クロムのうちＣｒ2 ＮはＣｒＮより硬度が高いが潤滑性が劣り、ＣｒＮは硬度が若干低いが潤滑性に優れるため、Ｃｒ2 Ｎを主体とし、これに加えてＣｒＮ、又はＣｒＮ及びクロム（Ｃｒ）原子を含む膜は硬度及び潤滑性が共に優れることが開示されている。また前記公報によると、前記窒化クロム膜は、イオンプレーティング法により形成される。
　また、例えば特開平１−２３４５５９号公報によると、鉄鋼部材上に形成されたＣｒＮ膜は、該鉄鋼部材と該ＣｒＮ膜との線膨張係数が著しく異なるために、該ＣｒＮ膜に大きな内部応力が生じ、該膜の基体に対する密着性が悪いが、該膜と該基体との間に中間膜として該両者の中間の線膨張係数を有するＣｒ膜を形成しておくことにより、ＣｒＮ膜の密着性が向上することが開示されている。また前記公報によると、前記ＣｒＮ膜は、アーク放電によりＣｒ原子を蒸発させると共に該容器内に窒素ガス（Ｎ2 ）を導入した後、基体にバイアス電圧を印加することで形成される。」（段落【０００１】〜【０００４】参照）
（ち）「以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の膜被覆基体の１例の一部の拡大断面図であり、図２は本発明の第２の膜被覆基体の１例の一部の拡大断面図である。図３は図１及び図２に示す基体の製造に用いる成膜装置の概略構成を示したものである。
　図３において、Ｓは基体、３は基体Ｓを支持するホルダ、４はＣｒ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源、５はＢ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源、６は少なくともＮ元素を含むイオンを照射させるためのイオン源、７は基体Ｓ上に蒸着されるＣｒ原子の個数を計測するための膜厚モニタ、８は基体Ｓ上に蒸着されるＢ原子の個数を計測するための膜厚モニタ、９は基体Ｓに照射されるイオンの個数を計測するためのイオン電流測定器である。これらは真空容器１内に収容されている。容器１内は排気装置２にて所望の真空度とされ得る。
　本発明による第１の基体を作成するに当たっては、まず基体Ｓをホルダ３に支持させた後、真空容器１内を所定の真空度にする。その後、基体Ｓに蒸発源４を用いて、Ｃｒ元素含有物質４ａを電子ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段で真空蒸着させると共に蒸発源５を用いて同様にしてＢ元素含有物質５ａを真空蒸着させる。なお、真空蒸着に代えて、Ｃｒ元素含有物質４ａ及びＢ元素含有物質５ａをイオンビーム、マグネトロン、高周波等の手段でスパッタすることで基体Ｓ上に膜形成してもよい。
　このＣｒ元素含有物質４ａ及びＢ元素含有物質５ａの真空蒸着（或いはスパッタ蒸着）と同時、交互、又は蒸着（或いはスパッタ蒸着）後に、イオン源６より少なくともＮ元素を含むイオン６ａを当該蒸着面に照射する。以上に述べた成膜操作により、図１に示すように、基体Ｓ表面に窒化クロム及びホウ化クロムが混在した膜Ｓ１が形成される。このようにして本発明の第１の基体が得られる。」（段落【００２６】〜【００２９】参照）
（つ）「次に図３に示す装置による本発明の基体の製造方法の具体例と、それによって得られる膜被覆基体について説明する。
実験例１
図３に示す装置を用いて、高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）よりなる基体Ｓ（２５ｍｍ×２５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）を基体ホルダ３に設置し、真空容器１内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度とした。その後、純度約９９％のＣｒペレット４ａを電子ビーム蒸発源４を用いて蒸気化すると共に純度約９９％のＢペレット５ａを電子ビーム蒸発源５を用いて蒸気化し、基体Ｓ上に成膜した。それと同時にイオン源６に純度５ＮのＮ2 ガスを真空容器１内が１×１０-5Ｔｏｒｒになるまで導入し、イオン化させ、該窒素イオン６ａを０．５ｋｅＶの加速エネルギで、基体Ｓに立てた法線に対して０°の角度で基体Ｓに照射し、基体Ｓ上に膜厚約５００ｎｍの窒化クロム及びホウ化クロムが混在した膜Ｓ１を形成した。なお、イオン源にはバケット型イオン源を用いた。
　また、前記成膜操作においては、Ｃｒ／Ｎ組成比が２になるよう、窒素イオンによるＣｒ原子のスパッタ効率等を考慮して、単位面積当たりのＣｒ原子の蒸着量及びイオン電流密度を設定することで、Ｃｒ／Ｎ輸送比を調整し、Ｃｒ／Ｂ組成比が０．５になるよう単位面積当たりのＣｒ原子及びＢ原子の蒸着量並びにイオン電流密度を設定することでＣｒ／Ｂ輸送比を調整した。
　なお、形成された膜Ｓ１の組成比をＸ線光電子分光法で分析したところ、Ｃｒ／Ｎ組成比は２、Ｃｒ／Ｂ組成比は０．５であった。また、膜中のＢは全てＣｒと結合し、Ｎは全てＣｒと結合しており、膜Ｓ１はＣｒＮx 、ＣｒＢx （ｘは何れも変数）が混在した膜であった。」（段落【００３３】〜【００３５】参照）
　以上の記載事項及び図面からみて、引用例４には、下記の発明（以下、「引用例４発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「Ｃｒ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源４と、Ｂ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源５を備え、真空蒸着法により窒素雰囲気下で基体Ｓ上にＣｒ／Ｎ組成比が２、Ｃｒ／Ｂ組成比が０．５の膜Ｓ１を形成する方法。」
（３）対比
　本願発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「ＣｒＮの結晶構造中に〔Ｏ〕が３〜２０重量％および〔Ｃ〕が０．５〜８重量％の割合で固溶された硬質皮膜２」は本願発明の「窒化クロムを主成分とする皮膜」に、以下、同様に、「イオンプレーティング」は「イオンプレーティング法」に、「ピストンリング１」は「摺動部材」にそれぞれ相当する。
　したがって、本願発明の用語に倣ってまとめると、両者は、
「イオンプレーティング法により窒化クロムを主成分とする皮膜が摺動面に形成された摺動部材。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明は、「皮膜」が「窒化クロムを主成分とする皮膜」であって、「前記皮膜はホウ素を０．０５〜２０重量％含有」するのに対し、引用例１発明は、硬質皮膜が窒化クロムを主成分とする皮膜であるものの、ホウ素を含有していない点。
［相違点２］
　本願発明は、皮膜の「主配向はＣｒＮ｛１１０｝面」であるのに対し、引用例１発明の硬質皮膜はその事項を備えていない点。
［相違点３］
　本願発明は、「前記イオンプレーティング法はターゲットにクロムホウ素合金を使用して窒素雰囲気下でなされる」のに対し、引用例１発明は、硬質皮膜がイオンプレーティングにより形成されているものの、ターゲットにクロムホウ素合金を使用して窒素雰囲気下でなされるという事項を備えていない点。
（４）判断
［相違点１］について
　引用例３発明におけるピストンリング母材面上に設けられた複合分散めっき層はホウ素を含有している。ここで、ホウ素の含有量はその量による作用効果の程度や他の成分との関係などを考慮して、適宜設計する事項にすぎない。そして、引用例３発明のホウ素の含有量は０．１〜１０重量％であり、本願発明のホウ素の含有量と重なるから、引用例１発明に引用例３発明を採用して、その硬質皮膜にホウ素を含有し、その含有量を０．０５〜２０重量％の範囲内の量とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
［相違点２］について
　まず、皮膜の主配向は、それによる性質などを考慮して、適宜設計する事項にすぎない。ここで、引用例２発明の表面層は（ｈｈ０）配向性金属結晶の存在率を３０％以上とした層を具備しており、存在率が３０％以上であること、上記に摘記したとおり存在率が７０％の例が記載されていることから、実質的に主配向が（１１０）である層を備えている。引用例１発明に引用例２発明を採用して、硬質皮膜の主配向をＣｒＮ｛１１０｝面とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
［相違点３］について
　引用例１発明に引用例３発明を採用して、窒化クロムを主成分とする皮膜であって、ホウ素を０．０５〜２０重量％含有する皮膜を摺動面に形成することは当業者が容易に想到し得たものと認められることは、上記「［相違点１］について」に述べたとおりである。このような窒化クロムを主成分とする皮膜であってホウ素を含有する皮膜を形成するにあたって、どのような手段を採用するかは適宜設計する事項であり、引用例４発明を採用することは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　引用例４発明の膜Ｓ１はＣｒ／Ｎ組成比が２、Ｃｒ／Ｂ組成比が０．５であるから、窒化クロムを主成分とし、ホウ素を含有する膜であるということができる。ただ、引用例４発明はＣｒ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源４と、Ｂ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源５を備えるものであるが、一般に蒸発源として合金を用いることは、例えば、特開昭５３−８９０００号公報（特に第２頁左下欄第１５行〜右下欄第４行の「…この装置において、蒸発源（陽極を兼用）１には、…合金を被蒸発物質２として置いた。」参照）、特開昭５６−１５６７６７号公報（特に第４頁左上欄第９行〜第４頁右上欄第１５行の「水冷鋼るつぼ１２内の…合金１３に電子銃電源１０を作動させ電子銃９から発生した電子ビーム１１を照射して金属１３を融解、蒸発させる。…」参照）、特開平５−３２０８８５号公報（特に請求項５、段落【０００６】参照）に示されているように周知である。したがって、引用例１発明において、窒化クロムを主成分としホウ素を含有する皮膜を形成するために引用例４発明を採用するに際して、Ｃｒ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源４とＢ元素を含有する物質を蒸発させる蒸発源５を備えることに代えて、両元素の合金を含有する物質を蒸発源とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。このようにしたものは実質的に、「ターゲットにクロムホウ素合金を使用」したものに相当する。
　そして、本願発明の作用効果は、引用例１発明〜引用例４発明に基づいて当業者が予測できる範囲のものである。
　
　なお、平成１９年１２月７日付け意見書において、「本発明１、２と引用例７記載発明とを対比すると、本発明１、２は、ターゲットにクロムホウ素合金を使用するのに対し、引用例７記載発明は、ターゲットにＣｒペレットとＢペレットを使用する点において、両者は構成が相違する。この構成の相違により、本発明１は、皮膜が、主成分の２元合金Ｃｒ−Ｎに適量の３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎが付加された組成となり、本発明２は、皮膜が主成分の２元合金Ｃｒ−Ｎに適量の３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎ及び４元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｏ−ＮとＣｒ−Ｂ−Ｃ−Ｎのいずれか一方又は双方が付加された組成となる。これに対し、引用例７記載発明は、皮膜が主成分の２元合金Ｃｒ−Ｎに適量の２元合金Ｃｒ−Ｂが付加された組成となり、皮膜中に３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎは存在しない。このように、上記構成の相違は、皮膜組成が３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎを含むか否かの点において、有意な差を生じさせるから、当然、技術的に有意である。また、本発明１、２のターゲットにクロムホウ素合金を使用して３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎを皮膜組成に付加する特徴は、引用例１−９のいずれにも開示されず示唆もされていない。そうであるとすれば、本発明１、２は、引用例１−９記載発明に基づいて当業者が容易に発明し得なかったものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当するものではない、とすることが至当である。」（なお、ここでの「引用例７発明」は本審決の「引用例４発明」に相当する。）と主張する。
　しかし、本願明細書の段落【０００８】には「１４種類の皮膜を試料として形成した。」、「試料の皮膜は…」と記載され、段落【０００９】の表１において各「試料」の「窒化クロム以外の成分含有率（重量％）」の欄には「３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎ」、「４元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｏ−Ｎ」がない。また、「適量の３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎ」等における「適量の」という事項はあいまいであるとともにその示唆もない。したがって、「皮膜が、主成分の２元合金Ｃｒ−Ｎに適量の３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎが付加された組成」となるという主張は本願明細書の記載と整合しておらず、それに基づく主張でない。仮に、「ターゲットにクロムホウ素合金を使用」したときに皮膜が「３元合金Ｃｒ−Ｂ−Ｎが付加された組成」となるとしても、このような組成を含む硬質膜は例えば特開平８−２０９３３７号公報（特に請求項１、９、段落【０００７】〜【０００９】参照）に実質的に示されているように周知であって、そのような事項は当業者の予測を超えるものではない。
　
（５）むすび
　したがって、本願発明は、引用例１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明が特許を受けることができないものである以上、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。