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　特願２００２−２１７７１３「シリコンウエーハの熱処理用治具」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月２６日出願公開、特開２００４−　６３６１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年７月２６日の出願であって、平成１７年５月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、同年１０月５日に回答書が提出されている。
　　
２．平成１７年７月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年７月１９日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を補正するとともに、明細書の段落【００１０】を補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】
　シリコンからなる熱処理用治具であり、少なくともシリコンウェーハと接触する表面が、アルカリエッチングによる０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さを有するとともに、
　前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、
　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうもので、前記アルカリエッチングのエッチング液がＫＯＨ溶液とされ、このＫＯＨ濃度が２０％以上とされ、処理温度が６０℃以上とされることを特徴とするシリコンウエーハの熱処理用治具。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正について整理すると、本件の補正事項は、補正前の請求項１の「前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうこと」を、補正後の請求項１の「前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうもので、前記アルカリエッチングのエッチング液がＫＯＨ溶液とされ、このＫＯＨ濃度が２０％以上とされ、処理温度が６０℃以上とされること」と補正するものである。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否について
　上記補正事項について検討すると、これは実質的に、補正前の請求項１について、「前記アルカリエッチングのエッチング液がＫＯＨ溶液とされ、このＫＯＨ濃度が２０％以上とされ、処理温度が６０℃以上とされること」を付加するものであるが、補正前の請求項１には、「アルカリエッチング」自体の記載はあるものの、アルカリエッチングのエッチング液については何ら特定されておらず、その溶液濃度や処理温度は、発明を特定するために必要な事項としては何ら記載されていない。
　よって、本件補正事項は、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないから、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、本件補正事項が、請求項の削除、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものではないから、本件補正は、同法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）独立特許要件の検討
　上記（３−１）で検討したとおり、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に、請求項１についての補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しているとして、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについても、更に検討する。
　
（３−２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、上記「２．（１）本件補正の内容」に記載したとおりのものである。
　
（３−２−２）刊行物に記載された発明
　刊行物１．特開平１０−３２１５４３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−３２１５４３号公報（以下、「刊行物１」という。）は、「ウェハ支持体及び縦型ボート」（発明の名称）に関するものであって、図１とともに以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウェハの熱処理時に用いる縦型ボートを構成するウェハ支持体であって、少なくとも石英ガラス、炭化珪素、シリコン、及び炭化珪素とシリコンの複合体の１種類からなり、表面粗さがＲａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下であることを特徴とするウェハ支持体。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大径のウェハの熱処理時にもウェハとウェハ支持体との接着が起こらないウェハ支持体及び縦型ボートに関するものである。」
「【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、シリコンウェハ（以下、ウェハという）に対して拡散、酸化、ＣＶＤ等の熱処理が行われる。このような熱処理時に使用されるボートとしては、例えば垂直配置した支柱に形成した溝にウェハを水平に載置する縦型ボートがある。ところが、近年においては、ウェハが８インチ径や１２インチ径へと大径化する傾向にあり、これに伴って上記縦型ボートは、支持部にウェハの荷重が集中したり、自重によってウェハが反ったりして、スリップが生じ易いといった問題が生じている。」
「【０００９】そして、従来の支柱に形成した溝で水平載置する場合には応力集中を軽減するとの観点よりできるだけ小さい方がよいと言われていたウェハとの接触面の表面粗さは、拡散接合を抑制するためには大きい方がよいとの仮説をたて、さらに検討を重ねた結果、本発明に至った。
【００１０】本発明は、ウェハの熱処理時に用いる縦型ボートを構成するウェハ支持体の表面粗さを、Ｒａで０．０５μｍ以上、Ｒｍａｘで５０μｍ以下とした。これにより、熱処理工程においてウェハとウェハ支持体とに形成されるSiO2層とが各々面接触することがなく、ウェハとウェハ支持体とが接着しない。」
「【００１９】（実施例Ｂ）上記実施例Ａと同様の素材及び形状で、その表面をサンドブラスト加工し、平面度が０．１ｍｍ以下で、表面粗さがＲａ１．４１μｍ、Ｒｍａｘ１６．６８μｍのウェハ支持体を作成した。そして、このウェハ支持体に１２インチウェハを載置し、上記と同様の処理を施したところ、ウェハとウェハ支持体の表面には接着が見られず容易に取り出すことができ、また、スリップも発生しなかった。」
「【００２３】・・・本発明は、上記した炭化珪素、Si+SiCの他、ウェハ支持体３の材質として、石英ガラス、シリコンなどで作成してもよく、外形の寸法及び形状についても、その趣旨を逸脱しない条件での変形は可能であり、そのように変形した場合においても上記と同様の作用効果を得ることができる。」
　ここで、刊行物１に記載のものは、ウェハの熱処理時に用いる縦型ボートを構成するウェハ支持体であって、その材質は、「シリコン」で作成してもよいことが記載されているから、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「シリコンウェハの熱処理時に用いる縦型ボートを構成するウェハ支持体であって、シリコンからなり、表面粗さがＲａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下であることを特徴とするウェハ支持体。」
　
　刊行物２．松永正久・井田一郎・小川智哉・高須新一郎編，エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術，株式会社サイエンスフォーラム，１９８５年１月３０日，ｐｐ．４４０−４４３
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」（以下、「刊行物２」という。）は、図−５、図−１０乃至図−１２とともに以下の事項が記載されている。
「通常、ウエーハのエッチングは選択エッチ性がなく、表面あらさが小さく、かつエッチング能率の高いフッ・硝酸系の混合液が使われている。」（第４４０頁左欄第１８行〜第２０行）
「次にＷＡ＃１，２００でラップした（１００）ウエーハのエッチング深さと表面あらさの関係を図−５に示す。加工変質層とみられる２０〜３０μｍの除去で表面あらさが急激に向上し、４０μｍのエッチングでほぼ一定の値に落着くことがわかる。」（第４４１頁右欄第８行〜第１２行）
「ＫＯＨ，ＮａＯＨ等アルカリ性液によるエッチング形態は反応律速形であり、（１００）面は（１１１）面に対して６０〜１００倍エッチング速度が速い。この選択エッチ性のため、（１００）面をエッチングすると全体的に表面あらさが大きく、部分的には深さが１２μｍに及ぶ正方形の逆ピラミッド型エッチピットが現れ、後の仕上げポリシングに長時間要することになる。」（第４４２頁右欄第１３行〜第１９行）
　また、図−１１には、溶液濃度と表面あらさの関係が示されており、ＫＯＨとＮａＯＨについて、溶液温度８５〜９０℃で、溶液濃度を約５％〜３０ｗｔ％としたとき、表面あらさＲｍａｘが２μｍ程度となる結果が示されている。
　
　刊行物３．ＵＣＳ半導体基盤技術研究会編，シリコンの科学，株式会社リアライズ社，１９９６年６月２８日，ｐｐ．２８６−２８９
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である「シリコンの科学」（以下、「刊行物３」という。）は、図５とともに以下の事項が記載されている。
「酸エッチされたウェハと比較して、表面粗さはアルカリ中において増大し、エッチング除去とともにほぼ一定値になる。（図５ｂ）」（第２８９頁第３行〜第４行）
　
　刊行物４．特開平６−３４９７９５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３４９７９５号公報（以下、「刊行物４」という。）は、「半導体ウエーハの製造方法」（発明の名称）に関するものであって、図１乃至図７とともに以下の事項が記載されている。
「【０００３】ところで、前記エッチング工程でのエッチング処理には、混酸等の酸エッチング液を用いる酸エッチングと、ＮａＯＨ等のアルカリエッチング液を用いるアルカリエッチングとがある。そして、酸エッチングでは、高いエッチング速度が得られ、ウエーハ表面には図４に示すように周期１０μｍ以下、Ｐ−Ｖ（Peak toValley）値０．６μｍ以下の細かな粗さの凹凸が観察されるのに対し、アルカリエッチングでは、エッチング速度は遅く、ウエーハ表面には図５に示すように周期１０〜２０μｍの大きな粗さの凹凸（Ｐ−Ｖ値が１．５μｍを超えるものもある）が観察される。」
「【００２０】ここで、本実施例に係る半導体ウエーハの製造方法を図１に基づいてその工程順に説明する。
【００２１】先ず、スライス工程Ａでは、不図示の単結晶引上装置によって引き上げられた単結晶インゴットが棒軸方向に対して直角或いは或る角度をもってスライスされて複数の薄円板状のウエーハが得られる。
【００２２】上記スライス工程Ａによって得られたウエーハは、割れや欠けを防ぐために、その外周エッジ部が次の面取り工程Ｂで面取りされ、この面取りされたウエーハは、ラッピング工程Ｃで不図示のラップ盤を用いてラッピングされて平面化される。
【００２３】次に、平面化された上記ウエーハは、次のエッチング工程Ｄで例えばＮａＯＨの４５％水溶液をアルカリエッチング液として用いたアルカリエッチングを受け、これに蓄積された加工歪が除去されるが、このとき、ウエーハの両面には、図５に示したような周期１０〜２０μｍの大きな粗さの凹凸（Ｐ−Ｖ値が１．５μｍを超えるものもある）が発生する。但し、ウエーハの表面には酸エッチング特有のＯＲＰ凹凸は発生せず、図６に示すように、該ウエーハの平坦度は或る程度（許容範囲内で）良好に保たれている。」
　
　刊行物５．特開平１−１７００１９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１−１７００１９号公報（以下、「刊行物５」という。）は、「不純物拡散方法」（発明の名称）に関するものであって、第５図、第６図とともに以下の事項が記載されている。
「この発明は、このような背景の下になされたもので、ウェーハ２表面に不純物元素化合物を供給する場合に、ウェーハと石英ボートとが癒着する現象を防止して、製品歩留まり率を低下させることがない不純物拡散方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
　上記問題点を解決するためにこの発明は、石英ボートの溝部表面に、その頂点がウェーハ表面と点接触する凸部を多数形成し、この状態でウェーハを溝部に挿入して、石英ボート上に立設させた。」（第３頁右上欄第１０行〜第２０行）
「なお、本実施例においては、溝部６ｆの凸部６ｇを形成する方法として石英粉末７を吹き付けるサンドブラスト法を用いたが、本発明はこれに限るものではなく、・・・さらに、サンドブラスト法に限らず、支持部材６ｃを化学的にエツチングして溝部６ｆ表面を凹凸状に形成しても全く同様の効果が得られるものである。」（第４頁右下欄第８行〜第１８行）
　
（３−２−３）対比・判断
　ここで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「シリコンウェハ」は補正発明の「シリコンウェーハ」に相当する。そして、「縦型ボートを構成するウェハ支持体」は、ウェハの処理に用いる治具の一種であるから、刊行物発明の「熱処理時に用いる縦型ボートを構成するウェハ支持体」は、補正発明の「熱処理用治具」に相当する。
（ｂ）刊行物発明は、ウェハとの接触面の表面粗さを改良したものであるから、刊行物発明の「表面」は、補正発明の「少なくともシリコンウェーハと接触する表面」に相当することは明らかであり、刊行物発明の「表面粗さ」は、補正発明の「表面荒さ」に相当する。（なお、本審決においては、以下、「粗さ」を「荒さ」に統一して表記する。）
　よって、補正発明と刊行物発明とは、
　「シリコンからなる熱処理用治具であり、少なくともシリコンウェーハと接触する表面が、所定の表面荒さを有することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理用治具。」
であることで一致しており、ただ、以下の２点で相違している。
（相違点１）
　補正発明は、シリコンウェーハと接触する表面が、「０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さ」を有するのに対して、刊行物発明は、その表面荒さがＲａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下である点。
（相違点２）
　補正発明は、表面が「アルカリエッチング」による表面荒さを有するとともに、「前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうもので、前記アルカリエッチングのエッチング液がＫＯＨ溶液とされ、このＫＯＨ濃度が２０％以上とされ、処理温度が６０℃以上とされる」のに対して、刊行物発明はこのような製造工程を採用していない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
（相違点１について）
　刊行物発明においては、表面の荒さを「Ｒａ」（所謂、「中心線平均荒さ」：平均値に対する偏差の絶対値についての平均）の単位で表しており、一方、補正発明においては、「ＲＭＳ」（所謂、「二乗平均荒さ」：平均値に対する偏差の二乗値の平均に対する平方根）の単位で表しているため、両者は同じ表面の荒さであっても、その凹凸形状等により数値が異なる場合があるが、その差は格別大きいものではなく、ほぼ、近い数値が得られることは当業者にとって自明のことにすぎない。そして、刊行物発明の「Ｒａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下」である表面荒さの実施例として、刊行物１には「表面粗さがＲａ１．４１μｍ、Ｒｍａｘ１６．６８μｍ」のウェハ支持体が記載されており（実施例Ｂ参照）、この実施例の表面荒さは、補正発明の「０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さ」に含まれるものと認められる。
　したがって、補正発明において、シリコンウェーハと接触する表面が、「０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さ」を有することは、刊行物発明との実質的な相違点ではなく、仮に相違点であるとしても、刊行物発明に基づいて、シリコンウェーハと接触する表面として、補正発明の表面荒さの範囲に含まれる表面荒さを選択することは、当業者が容易になし得ることである。
（相違点２について）
　まず、補正発明が、熱処理用治具の表面を所定の表面荒さとするために、「アルカリエッチング」を用いていることについて検討すると、刊行物１には、ウェハ支持体の表面を所定の表面荒さとするために、その表面をサンドブラスト加工したことが開示されている（段落【００１９】）。
　しかしながら、表面を所定の荒さとするために、サンドブラスト加工以外にも様々な手段が存在することは当業者にとって周知の技術的事項であり、刊行物５に、ウェーハ支持部材の表面を凹凸状に形成する際に、「サンドブラスト法に限らず、支持部材６ｃを化学的にエツチングして溝部６ｆ表面を凹凸状に形成しても全く同様の効果が得られるものである。」（第４頁右下欄第１５行〜第１８行）と記載されているように、表面を所定の荒さとするために、サンドブラスト加工に代えて化学的な「エッチング」を用いることは、従来から通常に採用されている方法にすぎない。
　そして、アルカリエッチング後のシリコン表面が、酸エッチングと比較して粗い表面となることは、刊行物２の図−１１（エッチング後の表面あらさＲｍａｘが２μｍ程度）、刊行物３（「酸エッチされたウェハと比較して、表面粗さはアルカリ中において増大」すること。［第２８９頁第３行］）、及び刊行物４（「酸エッチングでは、高いエッチング速度が得られ、ウエーハ表面には図４に示すように周期１０μｍ以下、Ｐ−Ｖ（Peak toValley）値０．６μｍ以下の細かな粗さの凹凸が観察されるのに対し、アルカリエッチングでは、エッチング速度は遅く、ウエーハ表面には図５に示すように周期１０〜２０μｍの大きな粗さの凹凸（Ｐ−Ｖ値が１．５μｍを超えるものもある）が観察される。」［段落【０００３】］）の記載から明らかなように、半導体分野における技術常識にすぎないから、刊行物発明や補正発明に特定される程度のシリコンの表面荒さを得るために、アルカリエッチングを使用し、治具の表面をアルカリエッチングにより処理された表面荒さを有するものとすることは、当業者が何の困難もなくなし得ることである。
　次に、補正発明の「前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうもので、前記アルカリエッチングのエッチング液がＫＯＨ溶液とされ、このＫＯＨ濃度が２０％以上とされ、処理温度が６０℃以上とされる」ことについてみると、そもそも、補正発明は、「熱処理用治具」という「物」の発明であるから、その新規性・進歩性は「物」の構造として判断されるべきであるのに対して、補正発明の上記の特定事項は実質的に製造工程を特定するものであって、刊行物発明と比較してどのような構造的差異を生じるかが明確ではないが、一応、上記の特定事項に関する容易想到性についても検討する。
　半導体ウエハ処理に用いる治具を形成するにあたり、機械加工を利用して治具を構成する部材を所定の形状に加工し、その後、化学的エッチングを行って、機械加工時に生じたダメージ層の除去或いは最終的形状への加工を行うことは、以下の周知刊行物１〜３に記載されるように周知・慣用の技術である。また、一般に、エッチング後に洗浄を行うことも、周知刊行物３〜５に記載されるように周知の技術的事項である。
　周知刊行物１：特開２００２−７６１００号公報
　「【００１７】上記シリコンボート１を製造するには、まずシリコンボート１を構成する上記の各部材を、ダイヤモンド砥粒のブレードによりシリコン材料を切削加工（機械加工）して成形する。次に、切削時に生じた上記各部材の表面のダメージ層を、部材の組み立て前又は組み立て後にフッ硝酸（例えば、ＨＦ／ＨＮＯ3＝１／１０）又はアルカリ系エッチャント（例えば、ＫＯＨ等）による化学的エッチングで除去又は薄くする。」
　周知刊行物２：特開平９−２１３６４５号公報
　「【０００６】次に、前記構成に基づく従来の各ウェーハ支持装置の形成・組立て動作を図８に基づいて説明する。まず、横型の組立式ウェーハ支持装置にあっては一対の支持本体部材１、２、一対の側枠部材３、４及び４個の保持片５１、〜、５４を多結晶又は単結晶シリコンのインゴットから概略の所定形状に切出す（ステップ１１）。なお、縦型の組立式ウェーハ支持装置では一対の支持本体部材６、７、基板８及び天板９を多結晶又は単結晶シリコンのインゴットから概略の所定形状に切出す（ステップ１１）。この切出された各部材を予め設計された所定の加工精度で研削加工を行なう（ステップ１２）。この研削加工された各部材の結晶に残留する加工歪層及び汚れを除去するためにＨＦ、ＨＮＯ3の混酸を用いて化学エッチング処理を行なう（ステップ１３）。
【０００７】前記化学エッチング処理された各部材を各々組立てる（ステップ１４）。」
　周知刊行物３：特開２０００−２６９１５０号公報
　「【００４６】
【実施例】「実施例１」シリコン単結晶インゴットから切り出した後、グラインダーによる研磨加工及びエッチング加工により、周縁が円形、中央部に最深部を有する凹球曲面形状のウエハ載置面（上面）を備え、下面が平面の図３に示すような凹面・平面型形状のプレート状治具を作製し、このプレート状治具をアンモニア水と過酸化水素から成る洗浄水を用いて洗浄した。」
　周知刊行物４：特開平１１−１３８４２２号公報
　「【０００５】上述の加工ダメージ層の深さはラッピング加工条件によっても異なるが、一般的には数ミクロンから十数ミクロンに及ぶ。このダメージ層の除去には、混酸あるいはアルカリ液でのエッチング手法が使われる。酸またはアルカリの化学的作用によりウェーハの表面が侵食され除去されるのであり、液の種類、温度、浸漬時間等の諸条件を調節し、除去に必要な厚さを調整する。・・・エッチング後のウェーハは洗浄、乾燥され、検査による選別を経て、最終的な鏡面を得るために次のポリッシング工程に移る。」
　周知刊行物５：特開平１０−７４７７１号公報
　「【００７０】実施例５
ＣＺ法により育成された酸素濃度１２．５〜１５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3［ｏｌｄ  ＡＳＴＭ］のシリコンインゴットを丸目加工し、その後スライス加工を施し、さらに沸酸・硝酸混合水溶液またはＫＯＨ水溶液にて表面をエッチングし、その後ＳＣ−１及びＳＣ−２洗浄を行ったシリコン単結晶ウェーハを対象に、前述した図１の熱処理ボートを用いて、１０枚のシリコン単結晶ウェーハを一群として３０群を順次縦方向に段積みすることにより搭載枚数を３００枚とした。」
　
　したがって、機械加工の後に化学的エッチングを行って治具を作製することが周知・慣用の技術であり、また、化学的エッチングの１つの目的がダメージ層（周知刊行物４によれば十数ミクロン）の除去であって厚い層のエッチングを想定していないことを考慮すれば、化学的エッチングを行う前の段階（即ち、機械加工終了段階）で、最終的に目的とする表面荒さになるべく近づくように機械加工を行うことは当然のことであり、刊行物発明の目的とする表面荒さが「Ｒｍａｘで５０μｍ以下」（なお、補正発明では０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ））であることからも、アルカリエッチング前の表面状態を、表面荒さが３００μｍ以下の機械加工仕上げ面とすることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　そして、シリコンに対するアルカリエッチングのエッチング液として、ＫＯＨ溶液を用い、そのＫＯＨ濃度を「２０％以上」とし、処理温度を「６０℃以上」とすることは、刊行物２の図−１１に例示されるように、当業者が必要に応じて適宜選択し得る程度の条件にすぎない。
　また、エッチング後にＳＣ洗浄等の洗浄を行うことも、周知刊行物３〜５に記載されるように周知の技術的事項であり、この洗浄は補正発明の洗浄と異なるところはないから、エッチング時の汚染を除去する作用を有することは当然のことである。
　したがって、刊行物発明において、上記周知・慣用の技術的事項を適用し、補正発明のごとく、表面が「アルカリエッチング」による表面荒さを有するとともに、「前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうもので、前記アルカリエッチングのエッチング液がＫＯＨ溶液とされ、このＫＯＨ濃度が２０％以上とされ、処理温度が６０℃以上とされる」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　よって、補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１〜５及び周知刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（３−４）むすび
　したがって、請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項に掲げる事項のいずれをも目的とするものではなく、また、仮に、請求項１についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１〜５及び周知刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、その特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　したがって、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、又、仮に満たしているとしても、同法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年７月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１７年１月１７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
「【請求項１】
　シリコンからなる熱処理用治具であり、少なくともシリコンウェーハと接触する表面が、アルカリエッチングによる０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さを有するとともに、
　前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、
　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなうことを特徴とするシリコンウエーハの熱処理用治具。」
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１〜５に記載される事項は、「２．（３−２−２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりであり、刊行物１には、前記の「刊行物発明」が記載されている。
　　
５．対比・判断
　ここで、本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「シリコンウェハ」は本願発明の「シリコンウェーハ」に相当する。そして、「縦型ボートを構成するウェハ支持体」は、ウェハの処理に用いる治具の一種であるから、刊行物発明の「熱処理時に用いる縦型ボートを構成するウェハ支持体」は、本願発明の「熱処理用治具」に相当する。
（ｂ）刊行物発明は、ウェハとの接触面の表面荒さを改良したものであるから、刊行物発明の「表面」は、本願発明の「少なくともシリコンウェーハと接触する表面」に相当することは明らかであり、刊行物発明の「表面粗さ」は、本願発明の「表面荒さ」に相当する。
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
　「シリコンからなる熱処理用治具であり、少なくともシリコンウェーハと接触する表面が、所定の表面荒さを有することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理用治具。」
であることで一致しており、ただ、以下の２点で相違している。
（相違点１）
　本願発明は、シリコンウェーハと接触する表面が、「０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さ」を有するのに対して、刊行物発明は、その表面荒さがＲａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下である点。
（相違点２）
　本願発明は、表面が「アルカリエッチング」による表面荒さを有するとともに、「前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなう」のに対して、刊行物発明はこのような製造工程を採用していない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
（相違点１について）
　刊行物発明においては、表面の荒さを「Ｒａ」（所謂、「中心線平均荒さ」：平均値に対する偏差の絶対値についての平均）の単位で表しており、一方、本願発明においては、「ＲＭＳ」（所謂、「二乗平均荒さ」：平均値に対する偏差の二乗値の平均に対する平方根）の単位で表しているため、両者は同じ表面の荒さであっても、その凹凸形状等により数値が異なる場合があるが、その差は格別大きいものではなく、ほぼ、近い数値が得られることは当業者にとって自明のことにすぎない。そして、刊行物発明の「Ｒａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下」である表面荒さの実施例として、刊行物１には「表面粗さがＲａ１．４１μｍ、Ｒｍａｘ１６．６８μｍ」のウェハ支持体が記載されており（実施例Ｂ参照）、この実施例の表面荒さは、本願発明の「０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さ」に含まれるものと認められる。
　したがって、本願発明において、シリコンウェーハと接触する表面が、「０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さ」を有することは、刊行物発明との実質的な相違点ではなく、仮に相違点であるとしても、刊行物発明に基づいて、シリコンウェーハと接触する表面として、本願発明の表面荒さの範囲に含まれる表面荒さを選択することは、当業者が容易になし得ることである。
（相違点２について）
　まず、本願発明が、熱処理用治具の表面を所定の表面荒さとするために、「アルカリエッチング」を用いていることについて検討すると、刊行物１には、ウェハ支持体の表面を所定の表面荒さとするために、その表面をサンドブラスト加工したことが開示されている（段落【００１９】）。
　しかしながら、表面を所定の荒さとするために、サンドブラスト加工以外にも様々な手段が存在することは当業者にとって周知の技術的事項であり、刊行物５に、ウェーハ支持部材の表面を凹凸状に形成する際に、「サンドブラスト法に限らず、支持部材６ｃを化学的にエツチングして溝部６ｆ表面を凹凸状に形成しても全く同様の効果が得られるものである。」（第４頁右下欄第１５行〜第１８行）と記載されているように、表面を所定の荒さとするために、サンドブラスト加工に代えて化学的な「エッチング」を用いることは、従来から通常に採用されている方法にすぎない。
　そして、アルカリエッチング後のシリコン表面が、酸エッチングと比較して粗い表面となることは、前記刊行物２〜４の記載から明らかなように、半導体分野における技術常識にすぎないから、刊行物発明や本願発明に特定される程度のシリコンの表面荒さを得るために、アルカリエッチングを使用し、治具の表面をアルカリエッチングにより処理された表面荒さを有するものとすることは、当業者が何の困難もなくなし得ることである。
　次に、本願発明の「前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなう」ことについてみると、半導体ウエハ処理に用いる治具を形成するにあたり、機械加工を利用して治具を構成する部材を所定の形状に加工し、その後、化学的エッチングを行って、機械加工時に生じたダメージ層の除去或いは最終的形状への加工を行うことは、前記周知刊行物１〜３に記載されるように周知・慣用の技術であり、また、化学的エッチングの１つの目的がダメージ層（前記周知刊行物４によれば十数ミクロン）の除去であって厚い層のエッチングを想定していないことを考慮すれば、化学的エッチングを行う前の段階（即ち、機械加工終了段階）で、最終的に目的とする表面荒さになるべく近づくように機械加工を行うことは当然のことであり、刊行物発明の目的とする表面荒さが「Ｒｍａｘで５０μｍ以下」（なお、本願発明では０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ））であることからも、アルカリエッチング前の表面状態を、表面荒さが３００μｍ以下の機械加工仕上げ面とすることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　そして、一般に、エッチング後にＳＣ洗浄等の洗浄を行うことも、前記周知刊行物３〜５に記載されるように周知の技術的事項であり、この洗浄は本願発明の洗浄と異なるところはないから、エッチング時の汚染を除去する作用を有することは当然のことである。
　したがって、刊行物発明において、上記周知・慣用の技術的事項を適用し、本願発明のごとく、表面が「アルカリエッチング」による表面荒さを有するとともに、「前記アルカリエッチング前の前記表面状態が、機械加工仕上げ面または酸エッチング仕上げ面であり、かつ表面荒さが３００μｍ以下であり、　前記アルカリエッチング後に該アルカリエッチング時の汚染を除去するため酸洗浄又はＳＣ洗浄をおこなう」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　よって、本願発明は、刊行物１〜５及び周知刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。