【事件の表示】
　特願２００６−　８９５８４「センサ装置」拒絶査定不服審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年３月２８日の出願であって、平成１９年２月２８日付け（発送日同年３月６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年４月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年５月７日付けで手続補正がなされ、平成１９年６月２１日付けで当審で拒絶の理由が通知され、平成１９年８月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし２に係る発明は、平成１９年５月７日付けの手続補正書、及び、平成１９年８月２７日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】
　半導体基板で形成され少なくとも厚み方向への変位が許容された可動部を有するセンシング部を備えたセンサチップと、センサチップを収納するパッケージとを備え、パッケージの内側面であってセンサチップの可動部と対向する一面にはセンサチップのフリップチップ実装に用いられるバンプが形成され、バンプの突出寸法は、パッケージの前記一面と可動部との距離が可動部に許容された変位量を規定するように設定され、センサチップの電極とバンプとは常温バンプ接合で接合され、前記パッケージは、半導体基板からなり厚み方向に貫通する貫通孔配線が形成されるとともに貫通孔配線の一端に外部回路を接続する電極を有し他端に前記バンプが電気的に接続された電極形成基板と、活性化された接合面同士を常温接合することにより電極形成基板に接合される半導体基板からなり電極形成基板との間にセンサチップを収納する収納空間を形成するカバー基板とからなることを特徴とするセンサ装置。」
　
３．刊行物記載の発明・事項
　これに対して、当審における平成１９年６月２１日付けで通知した拒絶の理由に引用され、本願出願の日前に国内で頒布された各刊行物には、以下の発明・事項が記載されている。
　
（１）　刊行物１：実願昭６３−８９５８４号（実開平２−１２６６３号）のマイクロフィルム
ア　「本考案は、半導体基板から形成した撓み部の撓み量をピエゾ抵抗により検出して加速度等の力学量を計測する半導体力学量センサに関する。」（明細書第１頁第１９行〜第２頁第１行）
イ　「第２図（ａ），（ｂ）に示すように、半導体加速度センサのセンサ部ＳＥは、半導体基板を化学エッチングして形成される、周囲基部１と、この周囲基部１に囲まれ該周囲基部１に片持状に突設された撓み部２と、この撓み部２の自由端に連設された重り部３とを有すると共に、撓み部２の表面層にセンサ部ＳＥに作用する加速度を検出するピエゾ抵抗４を設けて成る。また、周囲基部１の表面にはピエゾ抵抗４の抵抗値変化を電気信号に変換する信号処理回路（不図示）が形成されている。」（明細書第５頁第１０〜２０行）
ウ　「このようなセンサ部ＳＥを、その周囲基部１の下面の４隅を半田バンプ１１を介してプリント基板１２上に接合し、また、同じく周囲基部１の上面の４隅を半田バンプ１１を介して半田により接合可能な板、例えばフラットな鉄板１３に接合し、これにより半導体加速度センサが構成される。
　プリント基板１２と周囲基部１の下面との間隙、および鉄板１３と周囲基部１の上面との間隙は、測定範囲内の加速度により撓み部２が十分に歪み、かつ過大荷重入力時に重り部３がプリント基板１２または鉄板１３に当接して撓み部２の歪量が規制されるように、半田バンプ１１の高さを調節して決定される。通常、その間隙は３０〜６０μｍに設定される。」（明細書第６頁第１〜１４行）
エ　図面の第１図、第２図（ａ），（ｂ）には、フラットな鉄板１３及びプリント基板１２とセンサ部ＳＥの上面、下面との間には半田バンプ１１が設けられている構成が示されている。
　
　これら摘記事項および図面第１図、第２図（ａ），（ｂ）に示される構成からみて、撓み部２及び重り部３はセンサ部ＳＥの厚み方向への変位が許容されていることは明らかである。また、センサ部ＳＥは撓み部２及び重り部３の周囲に周囲基部１を有しており、撓み部２及び重り部３が加えられる加速度に対してのセンシング部として機能することは明らかである。してみれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
＜刊行物１記載の発明＞
　「半導体基板で形成され、厚み方向への変位が許容された撓み部２及び重り部３を有するセンシング部を具えたセンサ部ＳＥと、センサ部ＳＥの上面、下面に接合されたフラットな鉄板１３及びプリント基板１２を備え、フラットな鉄板１３及びプリント基板１２とセンサ部ＳＥの上面、下面との間には半田バンプ１１が設けられ、半田バンプ１１の高さは、過大荷重入力時に重り部３がプリント基板１２または鉄板１３に当接して撓み部２の歪量が規制されるように調節して決定され、センサ部ＳＥの上面、下面とフラットな鉄板１３及びプリント基板１２とは半田バンプ１１を介して接合されているセンサ。」
　
（２）　刊行物２：特開２００５−１２７７５０号公報
ア　「【００２１】
  （実施形態１）
  本実施形態では半導体センサの一例として、図１および図２に示す構成の半導体加速度センサＡを例示する。本実施形態の半導体加速度センサＡは、シリコン基板をマイクロマシンニング技術により３次元加工することにより形成され力学的物理量（本実施形態では、加速度）を検出する半導体センサチップ１と、半導体センサチップ１の出力信号を信号処理する信号処理用ＩＣチップ２と、絶縁性を有するアルカリ系ガラス基板からなるパッケージ用のパッケージチップ３とを備えている。」（段落【００２１】）
イ　「【００２６】
  ところで、本実施形態では、信号処理用ＩＣチップ２のチップサイズをパッケージチップ３における凹所３ａの開口面よりも大きく設定してある。また、本実施形態では、信号処理用ＩＣチップ２がパッド２１の形成された主表面（図２（ａ）における下面）をパッケージチップ３の上記一面に対向させた形でパッケージチップ３に実装されており（フリップチップ実装されており）、信号処理用ＩＣチップ２のパッド２１とパッケージチップ３の上記一面のパッド３１とが電気的に接続されている。ここにおいて、信号処理用ＩＣチップ２とパッケージチップ３とは、陽極接合により気密的に接合されており、半導体センサチップ１が外気に曝されないようになっている。また、本実施形態では、半導体センサチップ１がパッド１５の形成された主表面（図２（ａ）における上面）を信号処理用ＩＣチップ２の主表面に対向させた形で信号処理用ＩＣチップ２に実装されており（フリップチップ実装されており）、半導体センサチップ１のパッド１５と信号処理用ＩＣチップ２のパッド２１とが電気的に接続されている。なお、パッケージチップ３の凹所３ａの深さ寸法は、重り部１２の裏面と凹所３ａの内底面との間にパッケージチップ３の厚み方向への重り部１２の変位を可能とする隙間が形成されるように設定されている。」（段落【００２６】）
ウ　「【００３６】
  （実施形態２）
  本実施形態では、半導体センサとして図５および図６に示す構成の半導体加速度センサＡを例示する。本実施形態の半導体加速度センサＡの基本構成は実施形態１と略同じであり、パッケージチップ３にパッド３１，３２や配線３３を設ける代わりに、図５および図６に示すように、信号処理用ＩＣチップ２の裏面（図６（ａ）の下面）側に外部接続用電極としてのパッド２２を形成するとともに、主表面側に形成されたパッド２１と裏面側に形成されたパッド２２とを電気的に接続する導電性材料（例えば、金属材料など）からなる配線（貫通配線）２３を厚み方向に貫設している点などが相違する。また、パッド２２上（図６（ａ）の下側）には金属材料からなるバンプ２５が形成されている。ここにおいて、信号処理用ＩＣチップ２は、厚み方向の両面および貫通孔の内周面に絶縁膜（例えば、シリコン酸化膜など）２４を形成して、配線２３間およびパッド２２間を電気的に絶縁してある。また、パッケージチップ３と信号処理用ＩＣチップ２とは、陽極接合法により接合されているが、陽極接合法に限らず、例えば、接着剤を用いて接合してもよいし、表面活性化接合法により接合するようにしてもよい。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３７】
  しかして、本実施形態の半導体加速度センサＡにおいても、実施形態１と同様、信号処理用ＩＣチップ２のチップサイズがパッケージチップ３の凹所３ａの開口面よりも大きく、・・・従来に比べてセンサ全体の小型化を図ることができる。・・・パッケージチップ３を電気信号伝達の媒体として利用しないので、パッケージチップ３の材料の制約が少なくなって・・・」（段落【００３６】〜【００３７】）
　
（３）　刊行物３：松下電工技報Ｖｏｌ．５３　Ｎｏ．２（２００５年５月発行）ｐ．１２〜１７「表面活性化常温接合を用いたＭＥＭＳ低応力実装法」
ア　「図１に表面活性化によるフリップチップ実装プロセスを示す。金バンプを形成したチップと回路表層に金コーティングした基板に高周波アルゴンプラズマを照射した後，大気中に取り出し，チップ上バンプと基板回路をアライメントした後，チップを加圧することによって金／金の常温接合を行う。プラズマ照射により接合表面の不純物が除去され，清浄面同士が接触することによって常温接合が行われる。」（刊行物３の第１３頁左欄２．）
イ　「金めっきバンプを形成したチップと回路表層に金コーティングしたシリコン基板を用いた。」（同頁同欄３．１．１）
ウ　「応力測定用チップには日立超ＬＳＩシステムズ社製のピエゾ抵抗を内蔵したチップを用いた。」（同頁同欄３．２．１）
　
（４）　刊行物４：特開２００３−３２９７０４号公報
ア　「【００２５】・・・図１は、この発明の実施の形態１に係る慣性力センサを示す側方断面図である。図において、１はデバイス基板、２は絶縁層、５はデバイス層、６は接合層、７はシリコンキャップウエハ、９は固定電極、１０は可動構造体（可動子）、１１は可動接続電極、１２は固定接続電極、１３は信号処理回路層、１４はＰ＋半導体層（穴形成ストッパ、ウエハ内導電体）、１５は絶縁層、１６はエッチング穴、１７は入出力電極、１８はコンタクトホール、１９は支持壁、３０は内部空間を示す。
【００２６】好ましくは、平板状のデバイス基板１の材料は単結晶シリコンである。・・・」（段落【００２５】〜【００２６】）
イ　「【００３０】デバイス層５の外壁５Ａの上には、接合層６によって平板状のシリコンキャップウエハ７が接合されている。接合層６は低融点ガラス、シリコン−金属共晶合金、その他の適切な材料からなり、固定電極９、可動構造体１０などが配置された外壁５Ａの内部空間３０を、シリコンキャップウエハ７と共同でハーメチック封止する。」（段落【００３０】）
　
４．対比
　本願発明１と刊行物１記載の発明とを対比する。
　後者の「撓み部２及び重り部３」、「センサ部ＳＥ」、「半田バンプ１１」、「半田バンプ１１の高さ」、「センサ」は、それぞれ、前者の「可動部」、「センサチップ」、「バンプ」、「バンプの突出寸法」、「センサ装置」に相当し、後者の「半田バンプ１１の高さは、過大荷重入力時に重り部３がプリント基板１２または鉄板１３に当接して撓み部２の歪量が規制されるように調節して決定され」ることは、前者の「バンプの突出寸法は、パッケージの前記一面と可動部との距離が可動部に許容された変位量を規定するように設定され」ることに相当する。
　また、後者の「センサ部ＳＥの上面、下面に接合されたフラットな鉄板１３及びプリント基板１２」と、前者の「センサチップを収納するパッケージ」とは、「センサチップを挟んでその両側に設けられた部材」である限りで一致しており、
　後者の「フラットな鉄板１３及びプリント基板１２とセンサ部ＳＥの上面、下面との間には半田バンプ１１が設けられ」ることと、前者の「パッケージの内側面であってセンサチップの可動部と対向する一面にはセンサチップのフリップチップ実装に用いられるバンプが形成され」ることとは、「センサチップと対向して設けられた部材の、センサチップの可動部と対向する一面にバンプが設けられ」る限りで一致している。
　してみれば、両者は次の一致点及び相違点を有する。
　
＜一致点＞
　「半導体基板で形成され、厚み方向への変位が許容された可動部を有するセンシング部を具えたセンサチップと、センサチップを挟んでその両側に設けられた部材を備え、センサチップと対向して設けられた部材の、センサチップの可動部と対向する一面にバンプが設けられ、バンプの突出寸法は、パッケージの前記一面と可動部との距離が可動部に許容された変位量を規定するように設定されたセンサ装置。」
　
＜相違点１＞
　前者においては「センサチップを挟んでその両側に設けられた部材」が、「センサチップを収納するパッケージ」であり、その「パッケージ」が「半導体基板からなり厚み方向に貫通する貫通孔配線が形成されるとともに貫通孔配線の一端に外部回路を接続する電極を有し他端に前記バンプが電気的に接続された電極形成基板と、活性化された接合面同士を常温接合することにより電極形成基板に接合される半導体基板からなり電極形成基板との間にセンサチップを収納する収納空間を形成するカバー基板とからなる」のに対し、後者においては「センサチップを挟んでその両側に設けられた部材」が、「センサ部ＳＥの上面、下面に接合されたフラットな鉄板１３及びプリント基板１２」であり、センサチップを収納する機能の有無が不明であり、これらフラットな鉄板１３及びプリント基板１２の電気的な接続手段に係る構成、及び、鉄板１３とプリント基板１２との接合に係る構成について不明である点。
　
＜相違点２＞
　前者においては、「バンプ」がパッケージの内側面に設けられ、センサチップのフリップチップ実装に用いられるものであるのに対し、後者においては、半田バンプ１１の設けられている部材が不明であり、フリップチップ実装に用いられるか否かについて不明である点。
　
＜相違点３＞
　前者においては、「センサチップの電極とバンプとは常温バンプ接合で接合され」るのに対し、後者においては当該構成を備えていない点。
　
５．判断
　これら相違点について検討する。
＜相違点１について＞
　パッケージを２つの部材から構成し、その内部に形成された収納空間にセンサチップを収納したセンサ装置は、上記刊行物２あるいは刊行物４に示されるように周知であるところ（上記摘記事項「３．（２）イ」、「３．（４）イ」を参照）、刊行物２には、半導体センサチップ１をパッケージする２つの部材のうち、一方の部材である信号処理用ＩＣチップ２には、同チップ２の表裏に導通する貫通配線２３を設け、他方の部材であるパッケージチップ３には、半導体センサチップ１を収納する凹所３ａを設け、パッケージチップ３と信号処理用ＩＣチップ２とは表面活性化接合法により接合する技術が記載されている（上記摘記事項「３．（２）ウ」を参照）。そして、文献３における上記摘記事項「３．（３）ア」の記載内容からみて、刊行物２に記載の「表面活性化接合法」とは「常温接合」であることは明らかである。また、刊行物４には、可動構造体（可動子）１０を封止する部材であるデバイス基板１及びシリコンキャップウエハ７の材料を共にシリコン（半導体）とする技術が記載されている（上記摘記事項「３．（４）ア」を参照）。してみれば、刊行物１記載の発明に対して、半導体で形成されるセンサ装置である点で共通の技術分野に属するものである刊行物２及び４に記載の上記の技術を適用し、相違点１に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものといえる。
　
＜相違点２について＞
　上記摘記事項「３．（２）イ」からみて、刊行物２には、半導体センサチップとパッケージを構成する部材との間に介在する部材（パッド１５、２１）により電気的接続を行ない、そのうちの一方の部材であるパッド２１をパッケージを構成する部材の一方の側である信号処理用ＩＣチップ２に設ける構成が記載されている。そして、刊行物１記載の発明における半田バンプ１１と上記刊行物２に記載のパッド２１とは共に半導体センサチップとの接続を行うための部材であることからすれば、刊行物１記載の発明における半田バンプ１１をパッケージを構成する部材の側に設けることに格別困難な点は見いだせない。そして、刊行物３には、センサチップを基板回路に実装する際に、バンプをフリップチップ実装に用いる技術が記載されている（上記摘記事項「３．（３）ア」を参照）。してみれば、刊行物１記載の発明に対して、半導体で形成されるセンサ装置である点で共通の技術分野に属するものである刊行物２ないし３に記載の技術を適用して、相違点２に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものといえる。
　
＜相違点３について＞
　上記摘記事項「３．（１）イ、ウ」によれば、センサ部ＳＥはピエゾ抵抗４及び信号処理回路を有しており、半田バンプ１１はセンサ部ＳＥとプリント基板１２との間に設けられている。センサ部の信号を外部に取り出す必要性からみれば、当該半田バンプ１１は、センサ部ＳＥとプリント基板１２との間を電気的に接続する機能を有しているとみるのが相当である。そして、上記摘記事項「３．（３）ア」からみて、刊行物３には、チップ上バンプと基板回路を常温接合する技術が記載されている。してみれば、刊行物１記載の発明に対して、半導体で形成されるセンサ装置である点で共通の技術分野に属するものである刊行物３に記載の技術を適用し、相違点３に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものといえる。
　
＜本願発明１の作用効果について＞
　そして、本願発明１の作用効果は、刊行物１ないし４に記載の発明・事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本願発明１は刊行物１に記載の発明及び刊行物１ないし４に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．まとめ
　以上のとおり、請求項１に係る発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。