【事件の表示】
　平成１０年特許願第　９４４８０号「回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月２９日出願公開、特開平１１−２９７８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年４月７日の出願であって、平成１８年５月２２日付で拒絶査定がなされ、平成１８年６月２９日付で審判請求がなされたものである。その請求項１〜３に係る発明は、平成１８年４月２８日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項２】　基板に形成される配線材料の露出部分を覆う銅めっき部と、
　少なくとも前記銅めっき部の表面を覆うように配置される吸湿率１％以下の樹脂からなる配線材料保護部とを備え、
　前記配線材料保護部を構成する前記樹脂は、前記めっきが露出している部位を覆うように配置されていることを特徴とする回路基板。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内に頒布された下記の刊行物１、及び、２には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１０−６５２９４号公報（平成１８年３月９日付拒絶理　　　　　　由通知の引用文献１）
　刊行物２：特開平８−１６９９３５号公報（同引用文献３）
　　
（１）刊行物１の摘記事項
ａ．「【０００２】
　　【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化、高速化、大消費電力化、大型チップ化等に伴って、セラミックス基板の需要は年々増加している。特に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板は、・・・アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板に代る回路基板や半導体パッケージ用基体等として期待されている。
　　【０００３】また、・・・窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）基板も、回路基板や半導体パッケージ用基体等への応用が進められている。・・・
　　【０００４】上述した窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板を電子部品搭載用の回路基板やパッケージ用基体等として利用する場合、Ｗ、Ｍｏ、・・・等からなるメタライズ層が電極や配線層等として形成される。・・・このようにして形成されるメタライズ層上には、通常、半田との接合性やワイヤボンディング性等を付与するために、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはこれらの組合せ等からなる金属メッキ層が形成される。」
　
ｂ．「【０００９】本発明は、・・・窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板等の非酸化物系セラミックス基板上に形成したメタライズ層に対して、膜厚が十分かつ均一な金属メッキ層を良好な付着強度の下で形成することを可能にしたセラミックス配線基板およびその製造方法を提供することを目的としている。」
　
ｃ．「【００１６】上述した非酸化物系セラミックス基板１の表面１ａ上には、メタライズ層２が形成されており、このメタライズ層２は電極、入出力端子、表面配線層、素子搭載部等として機能するものである。・・・
　・・・
　　【００１８】メタライズ層２上には、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはこれらの組合せ等からなる金属メッキ層３が形成される・・・。」
　
ｄ．「【００２６】上記実施形態のセラミックス配線基板６の具体的な使用例としては、回路基板やパッケージ用基体等が挙げられる。例えば、セラミックス配線基板６をパッケージ用基体として用いる場合には、内部導体層を有する多層構造の非酸化物系セラミックス基板１を用い、この内部導体層と電気的に接続されたメタライズ層２と金属メッキ層３との積層部は、半導体素子との接続電極や外部入出力端子用の導体、具体的には入出力端子の半田接合部等として機能する。入出力端子の半田接合の具体例としては、ＢＧＡパッケージにおける半田バンプやＰＧＡパッケージにおける入出力ピン等の半田接合等が挙げられる。また、半導体素子をフリップチップ接合する場合も同様である。
　　【００２７】特に、入出力パターンの微細化や高密度化を達成する上で電極や端子用導体、すなわちメタライズ層２の面積を微小化したパッケージ用基体等に対して、本発明のセラミックス配線基板は有効である。」
　
ｅ．「【００３７】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
【００３８】実施例１
まず、同時焼成によりＷメタライズ層を形成したＡｌＮ基板を作製し、このＡｌＮ基板に対して以下に示す条件でプラズマエッチング処理を施した。
・・・
【００４２】次に、上述したＷメタライズ層上に、厚さ 2μm を目標として、Ｎｉメッキ層を無電解メッキにより堆積させた。なお、Ｎｉ無電解メッキの前にＰｄＣｌ２溶液による前処理を実施した。得られたＮｉメッキ層の膜厚を膜面内10点で測定し、その平均値と最大値および最小値の比から膜厚分布を求めたところ、膜厚の平均値は 2.1μm であり、また膜厚分布は±100nm であった。
【００４３】このように、Ｗメタライズ層にプラズマエッチングを施すことによって、ＡｌＮ基板やＷメタライズ層自体の劣化等を招くことなく、Ｗメタライズ層上に十分な膜厚でかつ均一なＮｉメッキ層を形成することができる。」
　
（２）刊行物２の摘記事項
ａ．「【産業上の利用分野】本発明は、表面実装用パッケージの吸湿半田時の耐クラック性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物、及び該組成物で封止した半導体装置に関する。
　　【０００２】
　　【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流となっており、この封止樹脂としてエポキシ樹脂は一般に他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で上記半導体装置を封止することが多く行われている。
　・・・
　　【０００４】しかしながら、半導体装置を表面実装する場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的であるが、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、表面実装時の熱衝撃以前に半導体装置の封止樹脂層が吸湿していると更に顕著なものとなるが、実際の作業工程においては、封止樹脂層の吸湿は避けられず、このため実装後のエポキシ樹脂で封止した半導体装置の信頼性が大きく損なわれる場合がある。
　　【０００５】このため、従来の・・・エポキシ樹脂よりも低吸水の・・・エポキシ樹脂、・・・等を配合したより高性能の組成物がこれまでに得られている。」
　
ｂ．「【００４０】
　　【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、特定のブロック共重合体を使用したことにより、表面実装用パッケージの吸湿半田時の耐クラック性と熱衝撃時の耐クラック性を向上させることができ、この組成物の硬化物で封止された半導体装置は高い信頼性を有する。」
　
ｃ．「【００５１】〔実施例、比較例〕表１に示す・・・エポキシ樹脂組成物を製造した。
　　【００５２】これらのエポキシ樹脂組成物について以下の（イ）〜（ヘ）の諸特性を測定した。
　・・・
　　【００５６】（ニ）吸水率
　・・・ポストキュアーしたものを８５℃／８５％ＲＨ雰囲気中に７２時間放置し、吸水率を測定した。
　　【００５７】（ホ）吸湿後の耐クラック性
　・・・シリコンチップを６４ＰＩＮ−ＱＦＰフレーム・・・に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を・・・成形し、・・・ポストキュアーした。このパッケージを８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中７２時間放置して吸湿処理を行った後、・・・パッケージのクラック発生数を調べた（ｎ＝２０）。
　　【００５８】（ヘ）熱衝撃時の耐クラック性
　・・・シリコーンチップを・・・ＳＯＪフレーム・・・に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を・・・成形し、・・・ポストキュアーした。このパッケージを・・・冷熱サイクルにかけ、・・・パッケージのクラック発生数を調べた（ｎ＝２０）。」
　
ｄ．表１には、吸水量ｗｔ％が、実施例１では０．２３、実施例２では０．２４、実施例３では０．２６、実施例４では０．２３であることが記載されている。
　
３．当審の判断
（１）刊行物１記載の発明
　上記摘記事項ａには、窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板を電子部品搭載用の回路基板やパッケージ用基体等として利用する場合、Ｗ、Ｍｏからなるメタライズ層が電極や配線層等として形成される。このようにして形成されるメタライズ層上には、通常、半田との接合性やワイヤボンディング性等を付与するために、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはこれらの組合せ等からなる金属メッキ層が形成されることが記載されている。
　
　そこで、上記摘記事項ａ〜ｅをまとめると、刊行物１には、「パッケージ用基体として用いるセラミックス基板において、窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板に、Ｗ、Ｍｏからなるメタライズ層が電極や配線層等として形成され、メタライズ層上に、Ｃｕからなる金属メッキ層が形成された電子部品搭載用の回路基板。」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。 
　
（２）対比・判断
　そこで、本願発明２と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１の摘記事項ａによれば、メタライズ層上にＣｕからなる金属メッキ層を形成することから、金属メッキ層は、セラミックス基板上に露出するメタライズ層を覆っているものと認められる。
　また、刊行物１発明の「金属メッキ層」、「メタライズ層」が、それぞれ本願発明２の「銅めっき部」、「配線材料」に相当する。
　両者は、「基板に形成される配線材料の露出部分を覆う銅めっき部を備える回路基板」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明２は、少なくとも銅めっき部の表面を覆うように配置される吸湿率１％以下の樹脂からなる配線材料保護部を備え、配線材料保護部を構成する樹脂は、めっきが露出している部位を覆うように配置されているのに対し、刊行物１発明は、そのような配線材料保護部については不明である点。
　
　次に、上記相違点について、検討する。
　
　一般に、水分や湿気から回路を保護するために、回路基板を樹脂で覆うことは周知であり、封止樹脂としてエポキシ樹脂を用いることも通常行われていることにすぎない。例えば、基板に載置したチップを含めて基板を封止樹脂により封止する半導体パッケージは、特開昭６１−２０８８５７号公報（第１〜３図）、特開平４−２９１７４８号公報（第２図）、特開平８−１３９２１８号公報、特開平４−１８８６５６号公報（第１図　第２図）に記載されているように周知であり、チップを含めて基板を封止樹脂により封止する場合には、封止樹脂は、基板の電極及び配線を覆って封止しているので、封止樹脂は、Ｃｕからなる金属メッキ層が露出している部位を覆うように配置されているものと認められる。
　次に、吸湿率１％以下の樹脂である点について、ここで、刊行物２の摘記事項ｃ、ｄでは、「吸水率」及び「吸水量ｗｔ％」を測定するとしているものの、エポキシ樹脂組成物を８５％ＲＨ雰囲気中に放置し、吸水率を測定していることから、「吸水率」は、「吸湿率」に相当すると認められる。
　そして、刊行物２には、表１に、エポキシ樹脂組成物を８５％ＲＨ雰囲気中に放置して、吸水率を測定した実施例１〜４には、吸水量ｗｔ％が、０．２３、０．２４、０．２６の値のものが記載されている。
　そうすると、刊行物１発明において、セラミックス基板を半導体パッケージ用基体として用い、チップを含めてセラミックス基板上に、封止樹脂により封止するために、刊行物２に記載の低吸湿性のエポキシ組成物からなり、表１の実施例１〜４にある吸湿率１ｗｔ％以下の、０．２３、０．２４、０．２６ｗｔ％の吸湿率のものを採用するようなことは容易に想到することができるものである。
　
　そして、本願発明２の吸湿率１％以下の樹脂からなる配線材料保護部を備えた点に、臨界的意義は認められない。
　
　したがって、本願発明２は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項１、３に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。