【事件の表示】
　平成１１年特許願第２９３１４３号「半導体中の再結合中心の分布観測法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２７日出願公開、特開２００１−１１６７０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年１０月１５日の出願であって、平成１８年１月１８日付けで拒絶理由が通知され（発送日：同年１月３１日）、その指定期間内である同年３月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年６月１６日付けで拒絶査定され（発送日：同年６月２１日）、これに対し、同年７月２０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年８月８日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
　　
第２　平成１８年８月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．平成１８年８月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲（平成１８年３月３０日付けで補正、以下同じ。）の請求項１の記載：
「【請求項１】　磁界を空間的に制御しながら半導体の電気的検出磁気共鳴計測を行い、該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心の分布を観測する方法。」
を
「【請求項１】　
磁場勾配を空間的に印加することによって
と補正することを含むものである。
　　
　上記本件補正は、「磁場勾配を空間的に印加することによって」という構成を追加するものであって、これは、磁界の空間的な制御をどのようにして行うかについて、「磁場勾配を空間的に印加することによって」行うと限定するものであり、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
２．本件補正発明の認定
　本件補正発明は、平成１８年８月８日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであって、請求項１に係る発明は次のとおりである。
　　
「磁場勾配を空間的に印加することによって磁界を空間的に制御しながら半導体の電気的検出磁気共鳴計測を行い、該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心の分布を観測する方法。」
　　
３．引用刊行物記載の事項
(３-１)原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願日前に頒布された刊行物である、佐藤敏幸 他２名、高感度電気的検出ＥＳＲ（ＥＤＭＲ）装置の開発、山形県工業技術センター報告、Ｎｏ．３０（１９９８）、ｐ．３１−３３（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
1a）「１　緒言
　
ＥＤＭＲ（Electrically Detected Magnetic Resonance）法は，試料のインピーダンスなどの電気的な変化を検出することでＥＳＲ（電子スピン共鳴）を観測する手法である。
1b）「２　計測装置
　
図１に本研究のために試作した計測システムのブロック図を示した。ＥＳＲを得るための電磁石，マイクロ波ブリッジ，およびマイクロ波共振器は既存のＸバンドＥＳＲ装置（日本電子ＴＥ２００）を用いた。試料をマイクロ波共振器の中心にセットし，ＥＳＲによる試料のインピーダンスの変化を検出する。信号は通常のＥＳＲ法と同様，静磁場を小さな磁場変調を重畳させながら掃引して，試料のインピーダンス変化をロックイン検出することで吸収スペクトルの微分波形を得る。
1c）「３　結果と考察
　図３（ａ）に１００ｋＨｚの磁場変調周波数で観測したシリコンダイオード１Ｎ４００７の通常のＥＳＲスペクトル，（ｂ）変調周波数８０Ｈｚで観測したＥＳＲ法によるスペクトル，（ｃ）に本計測システムを用いて得られた磁場変調周波数８０ＨｚでのＥＤＭＲスペクトルを示した。（ａ），（ｂ），（ｃ）とも同一のダイオードを中心磁場３３７ｍＴ，掃引幅±１０ｍＴ，マイクロ波パワー２００ｍＷの同一条件で計測したものである。（ｃ）に示すＥＤＭＲ信号を通常のＥＳＲ法で得られた波形と比較してみると形状が大幅に異なっていることが分かる。（ａ），（ｂ）では，ダイオードを構成する半導体，モールド樹脂，リード線など全てのダイオードの材料のＥＳＲ信号の総和であるのに対し，ＥＤＭＲ法により得られた信号は，試料の電気的特性に関連する部位のみの情報が得られている。（ａ），（ｂ）でダイオードの信号の両側に現れている信号は，マーカーとしてダイオードの隣に挿入したマンガンのＥＳＲ信号である。ＥＤＭＲ計測時もマンガンのマーカは挿入されているにもかかわらず，その信号は全く現れていない。このことからも，
ＥＤＭＲではダイオードの電気的特性に関与している部分のみのＥＳＲ信号を選択的に観測していることが分かる。
1d）「４　結言
　本装置の開発により，半導体の接合部のＥＳＲ信号が再現性良く観測できるようになった。本手法で得られたＥＤＭＲ信号のｇ値や吸収線幅から，接合部の再結合中心の種類や状態が常温・非破壊で推定できるため，半導体メーカーの開発現場では非常に有効な計測装置となる。」（第３３頁第３３〜３６行）
　　
　これらの記載によると、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　
「半導体のＥＤＭＲ（Electrically Detected Magnetic Resonance）計測を行い、該計測により得られたＥＤＭＲ信号から半導体の再結合中心の種類や状態を推定する方法。」
　　
(３-２)原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願日前に頒布された刊行物である、山本昌裕 他２名、ＥＳＲによる生体試料とＣＶＤ薄膜の画像化、IONICS(アイオニクス)、平成６年２月２５日、第２０巻第２号、ｐ．１５−１８（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
2a）「１．ＥＳＲ顕微鏡
　核磁気共鳴（ＮＭＲ）を用いた磁気共鳴画像計測（ＭＲＩ）は、臨床医学の診断機器として広く普及してきた。原子核スピンによる電磁波（ラジオ波）の吸収を利用したＭＲＩ（ＮＭＲ−ＣＴ）は、磁場勾配コイルによって空間的に異なる強度の磁場を発生させ、共鳴周波数の変化から空間分解能を実現している。またＭＲＩでは、スピンの緩和時間の違いも利用して画像化している。
　物質中の不対電子のスピンを検出する電子スピン共鳴（ＥＳＲ）は、広い分野で利用されている1),2)。磁場勾配（傾斜磁場）を加えるＥＳＲ−ＣＴが主としてマイクロ波の１〜２ＧＨｚ帯域（Ｌ−バンド）の周波数を用いて生体計測用に開発されており3)、小動物（ラット）頭部内の注入ラジカルの濃度分布が画像化されるようになってきた。」（第１５頁左欄第１〜１８行）
2b）「２．ＥＳＲ−ＣＴ
２．１　原理
　ＥＳＲ−ＣＴは、空間的に異なる強度の磁場を加えて、位置の違いを共鳴周波数の違いではなく共鳴磁場の違いとしてみる（磁場勾配法）ＭＲＩである。
　一度の測定で一方向からの一次元投影図が得られ、複数方向からの投影図を集めて計算処理をする事により画像ができ、試料内部の常磁性スピンの濃度分布を知る。」（第１５頁右欄第１〜１０行）
2c）「２．２　装置の概要
１）装置の構成：市販のＥＳＲ分光器（JEOL-RE1X）のキャビティに磁場勾配コイルを挿入して使用し、画像の再構築のためにはパソコンを使用する。
２）磁場勾配コイル：装置の分解能は基本的には磁場勾配の大きさで決まるため、できるだけ直線性のよい大きな磁場勾配を作り出すことが重要な問題となる。ＥＳＲの場合、外部磁場マグネットの磁極間隔が狭いため磁場勾配コイルをキャビティ外部に配置するにはかなりの制約がある。また、大電流を流す必要がある。この問題を解決するために１６本直線導線による二次元磁場勾配コイル1,11)を使用した。
　このコイルは第１図に見られるようにキャビティ内部に挿入して使用され、４つの独立ループをなす１６本の導線に流れる電流をコントロールすることによって任意の方向の直線性の良い二次元磁場勾配を作り出し最大５Ａの電流を流して１００Ｇ／ｃｍの磁場勾配を作る。また、冷却装置を取り付けて最大２０Ａの電流を流して４００Ｇ／ｃｍにする事も可能である。なお、この装置によって得られる画像は二次元の投影図である。」（第１５頁右欄第１１行〜第１６頁左欄第１５行）
　　　
４．対比・判断
　本件補正発明と、引用発明とを対比する。
　引用発明の(a)「ＥＤＭＲ（Electrically Detected Magnetic Resonance）計測」が、本件補正発明の(a')「電気的検出磁気共鳴計測」に相当することは明らかである。
　引用発明において「該計測により得られたＥＤＭＲ信号から半導体の再結合中心の種類や状態を推定する」ことは、半導体の再結合中心を観測することでもある。そして、本件補正発明は、「該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心の分布を観測」しているが、再結合中心の分布を観測するのであるから、再結合中心自体を観測していることは明らかである。そうすると、引用発明と本件補正発明とは、「該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心を観測する」点で共通する。
　よって、本件補正発明と引用発明とは、
（一致点）
「半導体の電気的検出磁気共鳴計測を行い、該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心を観測する方法。」
である点で一致し、次の相違点で相違する。
　　
（相違点）
　本件補正発明は、磁場勾配を空間的に印加することによって磁界を空間的に制御しながら半導体の電気的検出磁気共鳴計測を行い、該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心の分布を観測するのに対し、引用発明は、磁場勾配を空間的に印加することによって磁界を空間的に制御することはせず、半導体中の再結合中心の観測を行うが、再結合中心の分布の観測を行わない点。
　
　上記相違点について検討する。  
　引用刊行物２には、ＥＳＲ（電子スピン共鳴）法において、磁場勾配コイルに流れる電流をコントロールすることによって、任意方向の二次元磁場勾配を作り出し、空間的に異なる強度の磁場を加えて、位置の違いを共鳴磁場の違いとしてみて、試料内部の不対電子のスピンの濃度
分布
　そして、引用刊行物１には、「ＥＤＭＲ（Electrically Detected Magnetic Resonance）法は、試料のインピーダンスなどの電気的な変化を検出することでＥＳＲ（電子スピン共鳴）を観測する手法である。」（前記摘記1a）の下線部参照。）、「図１に本研究のために試作した計測システムのブロック図を示した。ＥＳＲを得るための電磁石，マイクロ波ブリッジ，およびマイクロ波共振器は既存のＸバンドＥＳＲ装置（日本電子ＴＥ２００）を用いた。試料をマイクロ波共振器の中心にセットし，ＥＳＲによる試料のインピーダンスの変化を検出する。信号は通常のＥＳＲ法と同様，静磁場を小さな磁場変調を重畳させながら掃引して，試料のインピーダンス変化をロックイン検出することで吸収スペクトルの微分波形を得る。」（前記摘記1b）の下線部参照。）、「ＥＤＭＲではダイオードの電気的特性に関与している部分のみのＥＳＲ信号を選択的に観測していることが分かる。」（前記摘記1c）の下線部参照。）と記載されており、ＥＤＭＲ法は、試料のインピーダンスなどの電気的な変化を検出する点でＥＳＲ法と異なるものの、ＥＳＲ（電子スピン共鳴）、即ち、不対電子のスピン共鳴を観測する点でＥＳＲ法と本質的な差違はない。
　そうすると、引用発明のＥＤＭＲ法においても、試料中の再結合中心の分布を観測するために、引用刊行物２に記載された、磁場勾配コイルに流れる電流をコントロールすることによって、任意方向の二次元勾配を作り出し、空間的に異なる強度の磁場を加えて、位置の違いを共鳴磁場の違いとしてみて、試料内部の不対電子のスピンの濃度分布を観測する周知の技術を採用して、「磁場勾配を空間的に印加することによって磁界を空間的に制御しながら半導体の電気的検出磁気共鳴計測を行い、該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心の分布を観測する」ように構成することは、当業者であれば格別の困難なく想到し得たことである。
　そして、本件補正発明の作用効果も、引用発明及び上記周知技術から、当業者であれば予測できる範囲のものである。
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　 
５．むすび  
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 　
　　
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成１８年８月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、本件補正前の、平成１８年３月３０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「磁界を空間的に制御しながら半導体の電気的検出磁気共鳴計測を行い、該計測により得られた信号を解析することによって半導体中の再結合中心の分布を観測する方法。」
　　
２．引用刊行物記載の事項
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物及びその記載事項は、上記「第２　３．引用刊行物記載の事項」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、本件補正発明から、「磁場勾配を空間的に印加することによって」という、磁界の空間的な制御をどのようにして行うかの限定を外したものである。そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に限定を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２　４．」に記載したとおり、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、請求項２〜７について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。