【事件の表示】
　特願２０００−３２５２０５「多結晶構造膜およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月１０日出願公開、特開２００２−１３３６４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１２年１０月２５日の出願であって、平成１７年９月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１１月２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年１１月２日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　第１濃度で非磁性原子を含む下地結晶層と、粒界に沿って拡散する非磁性原子を含む磁性結晶層と、下地結晶層および磁性結晶層の間に形成されて、第１濃度よりも低い第２濃度で非磁性原子を含有する非磁性結晶層とを備え、非磁性結晶層では、下地結晶層との境界から磁性結晶層との境界に向かって減少する非磁性原子の濃度勾配が確立されることを特徴とする多結晶構造膜。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平１０−３３４４４４号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高密度磁気記録が可能な面内磁気記録媒体としては、（１）磁性膜の保磁力（Ｈｃ）が大きいこと、（２）磁性膜の飽和磁化（Ｍｓ）に対する残留磁化の比率（Ｍｒ／Ｍｓ）がある程度大きいこと、（３）磁気異方性の分散が小さいこと、（４）
磁性膜を構成する結晶粒子が磁気的に互いに分離されていること
　（イ）「【０００６】
【課題を解決するための手段】（略）まず、
非磁性基板上に磁性膜を形成する際に、両者の間に少なくとも２層の下地膜を導入する。磁性膜に接する第１の下地膜は、磁性膜と同じｈｃｐ構造の膜とし、磁性膜との格子整合性を持たせる。基板と接する第２の下地膜は、ｂｃｃ構造もしくはＮａＣｌ構造を持ち
　（ウ）「【０００８】（略）数Ｇｂ／ｉｎ２以上の記録密度を達成するための記録媒体としては、上記の積層膜間の結晶方位関係に加えて、以下の条件を全て備えなければならないことが、実験の結果明かとなった。
【０００９】まず第１に、
多結晶からなる磁性膜
【００１０】第２の条件として、
磁性膜を構成する結晶粒間の磁気的な分離が十分であること
磁性結晶粒子の間に少なくとも２５ａｔ％望ましくは２８ａｔ％以上の非磁性元素を含む層の存在が必要である
【００１１】また、Ｃｏに添加される非磁性元素の比率が２５ａｔ％未満の場合は、その材料は磁性を帯びるため磁性結晶粒子の間の磁気的な分離が不十分になり、この結果、記録再生時の媒体ノイズの増大を招くため十分なＳ／Ｎが得難くなる。（略）磁性結晶粒子の間にこのような層を形成するためには、磁性膜の構成元素としてＣｏに溶解しがたい非磁性元素を加えておき、かつ膜を形成する際に基板温度を高めに設定する等によって熱エネルギーを与え、結晶粒界に偏析させる方法、あるいは
製膜後に熱処理を施して磁性膜もしくは下地からの非磁性元素の磁性結晶粒界への拡散を促進する方法を用いること
　（エ）「【００１４】高密度磁気記録媒体としては、磁性膜を構成する結晶粒の磁化容易軸が基板と平行である必要がある。このためには先に述べたように２層の下地膜を形成し、その上に磁性膜を形成すれば良い。このと
き、２層の下地膜は非磁性である方が望ましいが、弱い磁性を保有していても構わない。ただ、これら下地膜が保有する磁化の大きさとしては、媒体の記録再生において実質的に悪影響を与えない１００ｅｍｕ／ｃｃ以下
　（オ）「【００１６】磁性膜材料としては、Ｃｏをベースにした合金一般、例えばＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐｄ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ等の２元合金、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ等の３元合金、あるいはこれらの合金に２種類以上の元素を添加した多元合金を用いることができ、各合金に着目した場合、Ｃｏの比率が最も大きく、かつ、Ｃｏと同じｈｃｐ構造をとる合金が用いられる。（略）
【００１７】第１の下地層は、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を持つ材料の層であれば異種の材料層の積層膜でもよい。ｈｃｐ構造を持つ材料としては、Ｃｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｓｃ，Ｒｅ、及びこれらの材料に合金元素を添加した材料を用いることができる。（略）第２の下地層には、体心立方（ｂｃｃ）構造を持つ材料又はＮａＣｌ構造を持つ材料が用いられるが、両者の材料の積層膜でもよい。
ｂｃｃ構造材料としては、Ｃｒ
などの材料及びこれらの材料に合金元素を添加した材料を用いることができ
　（カ）「【００２０】（略）〔実施例１〕（略）第２下地用にＣｒターゲット、第１下地用にＣｏ−３６ａｔ％Ｃｒターゲット、磁性膜用にＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔターゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパッターパワーを１０Ｗ／ｃｍ２、基板温度を３２０℃とした条件で、Ｃｒ膜を２０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ膜を１０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を１７ｎｍの厚さそれぞれ形成した。（略）
【００２１】この試料を分析した結果、磁性膜の平均結晶粒径は１３ｎｍ、結晶粒界には非磁性のＣｒを２９ａｔ％以上含んだ平均厚さ１．５ｎｍの層が存在すること、結晶粒のＫｕ＝２．８×１０６ｅｒｇ／ｃｃであることが分かった。（略）」
　（キ）「【００３８】〔実施例４〕直径１．８インチのガラスディスク基板を用いて、スパッタ法によって、図４に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板４０１上に２層構造からなる第２下地層４０２、４０３、第１下地層４０４、磁性膜４０５、保護膜４０６をこの順序で形成した。
第２下地用に
Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉターゲット
第１下地用にＣｏ−４５ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａターゲット
磁性膜用にＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１３ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ−１ａｔ％Ｂターゲット
Ｃｒ−Ｔｉ膜
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｂ膜
【００３９】ここで第１下地材料のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａの飽和磁化は１２ｅｍｕ／ｃｃであり、（略）であった。
この試料を真空中で３５０Ｃ、５分の熱処理を行った
この熱処理は、第１下地のＣｏ−Ｃｒ−ＴａからＣｒが磁性膜の結晶粒界へ拡散し、Ｃｒに豊んだ非磁性の層を形成するのを促進するため
【００４０】作製した試料を分析した結果、磁性膜４０５の平均結晶粒径は１１ｎｍ、
結晶粒界には非磁性のＣｒを３０ａｔ％以上含んだ平均厚さ１．５ｎｍの層が存在すること
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（イ）（ウ）（エ）（キ）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「非磁性基板上と磁性膜の間に少なくとも２層の下地膜を設け、磁性膜に接する第１下地膜は、磁性膜と同じ結晶構造の膜であり、基板と接する第２下地膜は、所定の結晶構造の膜であって、
　磁性膜は、多結晶からなる磁性膜であり、磁性膜を構成する結晶粒間の磁気的な分離が十分であるように、磁性結晶粒子の間に２８ａｔ％以上の非磁性元素を含む層が存在し、
　２層の下地膜は、非磁性である方が望ましいが、弱い磁性を保有していても構わないものであって、
　第２下地膜用にＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉターゲット、第１下地膜用にＣｏ−４５ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａターゲット、磁性膜用にＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１３ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ−１ａｔ％Ｂターゲットを用いて、スパッタリングにより、Ｃｒ−Ｔｉ第２下地膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ第１下地膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｂ磁性膜の順序で形成し、真空中で熱処理を行い、この熱処理により、第１下地膜のＣｏ−Ｃｒ−ＴａからＣｒが磁性膜の結晶粒界へ拡散し、磁性膜の結晶粒界には非磁性のＣｒを３０ａｔ％以上含んだ層が存在する構造を含むもの。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「第２下地膜」は、「基板と接する」膜であり、「所定の結晶構造の膜」であるから、本願発明の「下地結晶層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁性膜」は、「多結晶からなる」から、本願発明の「磁性結晶層」に相当している。
　引用例１に記載された発明において、「非磁性基板上と磁性膜の間に少なくとも２層の下地膜を設け、磁性膜に接する第１下地膜は、磁性膜と同じ結晶構造の膜であり、基板と接する第２下地膜は、所定の結晶構造の膜」であるから、引用例１に記載された発明の「第１下地膜」は、「結晶層」といえ、引用例１に記載された発明は、「第２下地膜」「第１下地膜」「磁性膜」からなる「多結晶構造膜」に関する発明であるといえる。
　引用例１に記載された発明の「非磁性元素、Ｃｒ」は、本願発明の「非磁性原子」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁性膜」は、「磁性膜を構成する結晶粒間の磁気的な分離が十分であるように、磁性結晶粒子の間に２８ａｔ％以上の非磁性元素を含む層が存在し」ているので、本願発明の「粒界に沿って拡散する非磁性原子を含む磁性結晶層」の構成を備えている。
　引用例１に記載された発明の「第２下地膜」「第１下地膜」「磁性膜」は、それぞれ具体的には、「第２下地膜用にＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉターゲット」「第１下地膜用にＣｏ−４５ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａターゲット」「磁性膜用にＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１３ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ−１ａｔ％Ｂターゲット」を用いて、スパッタリングにより、「Ｃｒ−Ｔｉ第２下地膜」「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ第１下地膜」「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｂ磁性膜」の順序で形成されるものであり、ここで、「第２下地膜用」のターゲットにおける非磁性元素Ｃｒの割合が８５ａｔ％、「第１下地膜用」のターゲットにおける非磁性元素Ｃｒの割合が４５ａｔ％であることから、引用例１に記載された発明の「第２下地膜」は、本願発明の「第１濃度で非磁性原子を含む下地結晶層」に相当する構成を備え、引用例１に記載された発明の「第１下地膜」は、本願発明の「下地結晶層および磁性結晶層の間に形成されて、第１濃度よりも低い第２濃度で非磁性原子を含有する」「結晶層」に相当する構成を備えている。
　そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「第１濃度で非磁性原子を含む下地結晶層と、粒界に沿って拡散する非磁性原子を含む磁性結晶層と、下地結晶層および磁性結晶層の間に形成されて、第１濃度よりも低い第２濃度で非磁性原子を含有する結晶層とを備える、多結晶構造膜。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　（相違点）　「結晶層」について、本願発明では、「非磁性」で「非磁性結晶層では、下地結晶層との境界から磁性結晶層との境界に向かって減少する非磁性原子の濃度勾配が確立されること」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
　「結晶層」について、引用例１に記載された発明では、「非磁性である方が望ましいが、弱い磁性を保有していても構わない」とされ、媒体の記録再生において実質的に悪影響を与えないこと（上記（エ）参照）と記載されている。引用例１に記載された発明における具体例である「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ第１下地膜」について、「第１下地材料のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａの飽和磁化は１２ｅｍｕ／ｃｃ」（上記（キ）参照）と記載され、飽和磁化を若干有するものの、その磁性は媒体の記録再生において実質的に悪影響を与えない（上記（エ）参照）程度の弱い磁性であり、接する磁性膜に対して実質的に非磁性に近いものといえる。そして、「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ第１下地膜」は、第１下地膜用にＣｏ−４５ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａターゲットを用いてスパッタリングされたものであるので、ターゲット組成（Ｃｏが５２ａｔ％、Ｃｒが４５ａｔ％）に近い組成の膜が得られていると考えられるところ、一方本願の明細書では、「非磁性結晶層」について「例えば、合金中に少なくとも３５％の濃度でＣｒ原子が含まれると、完全な非磁性化は達成されることができる。」（段落３１）、「Ｃｏ６５Ｃｒ３５層３２には、（略）第２濃度（＝３５％）で非磁性原子すなわちＣｒ原子は含有される。こうした第２濃度によれば、Ｃｏ合金層は完全に非磁性化される。」（段落３７）と記載されていることを勘案すれば、引用例１に記載された発明の第１下地膜は、本願発明でいうところの非磁性化に必要な第２濃度（＝３５％）を越えるＣｒを含有し、本願発明のＣｏ濃度（６５％）より少ないＣｏを含有する合金層であるから、本願発明でいうところの「非磁性」と何ら相違しないものであり、相違するとしても当業者が適宜非磁性にし得るものである。
　引用例１に記載された発明のように、第１濃度で非磁性原子Ｃｒを含む第２下地膜と、第１濃度よりも低い第２濃度で非磁性原子Ｃｒを含む第１下地膜と、非磁性原子Ｃｒの濃度がさらに低い磁性膜とを順に成膜した後、真空中で熱処理されてＣｒが拡散しているとき、Ｃｒの濃度勾配は、第２下地膜と第１下地膜の境界付近で、第１濃度からより低い第２濃度に徐々に変化し、第２下地膜と磁性膜の境界付近で、第２濃度からさらに低い濃度に徐々に変化しているものと、当業者には普通に理解できる。例えば、原審で示された特開昭６４−７９９１８号公報の第１図に、Ｃｏ合金層にＣｒが拡散しているときの濃度勾配が例示されている。
  ところで、本願発明では「確立される」と特定しているが、「非磁性結晶層では、下地結晶層との境界から磁性結晶層との境界に向かって減少する非磁性原子の濃度勾配が確立されること」という特定事項の根拠は、明細書の段落８及び４０並びに図５に基づくと説明されている（平成１７年６月６日付け補正書及び意見書参照）ことから、当該特定事項は、「非磁性結晶層では、下地結晶層との境界から磁性結晶層との境界に向かって減少する非磁性原子の濃度勾配が」存在していることを表現している程度と理解でき、それ以上の技術的意味は特にないものである。
　そうすると、引用例１に記載された発明において、「結晶層」（引用例１に記載された発明の「第１下地膜」）が、非磁性で、下地結晶層との境界から磁性結晶層との境界に向かって減少する非磁性原子の濃度勾配が確立されると特定することは、当業者が適宜なし得ることであり、上記相違点に基づく効果は、格別のものではない。
　なお、請求人は、請求の理由の「本願発明と引用発明との対比」の項において、「こういった濃度勾配は、請求項１〜５に記載されるように、非磁性結晶層が下地結晶層及び磁性結晶層の間に挟み込まれて初めて実現されると考えられる。」と主張しているが、先に述べたように、引用例１には、下地結晶層及び磁性結晶層の間に、実質的に非磁性結晶層といえる結晶層が挟み込まれて本願と同様に高温で熱処理されたものが記載されているのであるから、請求人の主張は採用できない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。