【事件の表示】
　特願２００６−２０２６６６「窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　２日出願公開、特開２００６−３０３５３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２３日に出願された特願２００５−４６５７７号（優先権主張：平成１６年４月２日、平成１６年７月３０日）の一部を平成１８年７月２６日に新たな特許出願としたものであって、同年１１月１５日付で拒絶査定がなされたところ、同年１２月２０日に拒絶査定不服審判の請求がなされた。これに対し、当審は、平成１９年４月１７日付で拒絶理由を通知したところ、同年６月２５日に手続補正がなされたものである。
　　　
２．平成１９年４月１７日付の拒絶理由通知について
　平成１９年４月１７日付の拒絶理由通知のうち、特許法３６条６項１号に関する拒絶理由は次のとおりである。
　
「２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない。
　よって、請求項１〜１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　オフ角ａ（θａ）の数値範囲に関し、発明の詳細な説明に記載された実施例１〜１６にはθａが０．２°〜０．３°の範囲のものしか開示がなく、請求項１に記載された０．１°≦｜θａ｜≦０．７°の範囲を技術的に裏付けていない。これについて、請求人は平成１９年２月１９日付で実験成績証明書（２００６年１０月１２日の日付がある）を提出し、新たに｜θａ｜が０．４２°〜０．５９°の範囲の実験データを追加して、請求項１に記載された上記範囲が格別の作用効果を奏する範囲である旨主張しているが、これにより本願発明の出願時点において、当該範囲に臨界的な意義があったことを十分証明したことにはならない。さらに、実施例及び追加のデータを合わせても０．２°未満及び０．６°以上の範囲については、いまだ埋まっていない。
　したがって、請求項１〜１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。」
　
　ちなみに、上記拒絶理由の対象となった請求項１は、平成１８年１０月２５日の手続補正において補正された特許請求の範囲の請求項１であって、その記載事項は以下のとおりである。なお、請求項２〜１３は何れも請求項１を引用するものである。
「【請求項１】　窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、Ｉｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、　前記窒化物半導体基板の主面には、
Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θａ）と、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（θｂ）を有しており、　｜θａ｜＞｜θｂ｜＞０及び０．１°≦｜θａ｜≦０．７°を満たす
　
３．当審の判断
（１）特許法３６条６項１号の規定について
　特許請求の範囲の記載は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものであってはならない。発明の詳細な説明に記載していない発明について特許請求の範囲に記載することになれば、公開していない発明について権利を請求することになるからである。特許法３６条６項１号の規定（以下、「明細書のサポート要件」という。）は、これを防止するためのものである。
　特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かについては、請求項に係る発明が、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであるか否かを調べることにより判断すべきものであり、明細書のサポート要件の存在は特許出願人（本件特許拒絶査定不服審判請求人）が、証明責任を負うと解するのが相当である。
　例えば、出願時の技術常識に照らしても、請求項に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないような場合には、請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に発明として記載したものと実質的に対応しているとはいえず、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであるから、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反する。
　　
　以下、上記の観点に立って、本件について検討することとする。
　　
（２）本件特許請求の範囲の記載について
　上記拒絶理由に対して応答した平成１９年６月２５日の手続補正によって、その特許請求の範囲は、請求項１〜１５に補正されたところ、請求項１の記載は以下のとおりである。なお、請求項２〜１５は何れも請求項１を引用するものである。
　　
「【請求項１】　窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、多重又は単一量子井戸構造をしており、少なくとも井戸層にＩｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記窒化物半導体基板の主面には、
Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θａ）と、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（θｂ）を有しており、｜θａ｜＞｜θｂ｜＞０及び０．１°≦｜θａ｜≦０．７°を満たす
　
（３）本件明細書の発明の詳細な発明の記載について
　本件明細書の発明の詳細な発明には以下の点が記載されている。
　（ア）「【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、Ｉｎを含有する活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子及びレーザダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、受光素子、高周波トランジスタ、高耐圧トランジスタ等の窒化物半導体素子に関する。特に、特定のオフ角を有する窒化物半導体基板を用いることで素子特性が改善された窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子に関する。」
　
　（イ）「【背景技術】
　【０００２】
　ＧａＮ等の窒化物半導体からなるレーザ素子は、発振波長を、３７０ｎｍ以下の紫外域から５００ｎｍ以上の波長域までの広範囲で利用可能である。このようなレーザ素子を形成する基板は、ＥＬＯＧ（Epitaxially Lateral Overgrowth）法と呼ばれるラテラル成長を利用して形成しているものがある。
　【０００３】
　この技術は、周期的なストライプ状の開口部をもつＳｉＯ２マスクパターンを形成した下地基板の上に、ＧａＮをラテラル成長させて、ＧａＮ層を形成する。次に、下地基板を除去することで、ＧａＮ層のみからなる基板を製造する。ラテラル成長した領域のＧａＮは、転位が低い領域となる。低転位化したＧａＮの結晶性は良好であるため、このＧａＮを基板として使用すれば、窒化物半導体レーザ素子の寿命特性を向上させることができる。
　【０００４】
　また、窒化物半導体レーザ素子は、素子特性の向上も要求されている。そのため、基板は、基板自体の低転位化のみならず、良好な結晶性を有する窒化物半導体層をその上に成長させることができるものである必要がある。さらに、窒化物半導体素子を実用化するには、基板自体の大口径化も必要となる。
　そのため、六方晶系の窒化物系半導体からなる基板において、（０００１）面から所定の方向に１°以上２０°以下でオフ角を形成する基板が提案されている（参考文献１）。
【特許文献１】特開２００２−１６０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
　【０００５】
　しかし、この窒化物半導体基板は、オフ角の傾斜範囲とオフ角の傾斜方向とが広範囲であるため、レーザ素子内でのＩｎ、Ａｌ等の組成、不純物等の分布がばらつく。特に、Ｉｎを含有する活性層を備えているレーザ素子の場合には、発振波長によっては、閾値電流の上昇を招く。窒化物半導体レーザ素子は、理論上、広範囲の波長帯でレーザ発振が可能となるが、実際には組成分布、例えば、活性層内でのＩｎ分布を均一にしなければ、これを実現することができない等の課題がある。
　また、１インチ以上に大口径化した基板を製造する場合、この基板の主面上に、ピット及び溝が残るため、基板上に形成する窒化物半導体層によってその表面を平坦化することが必要になるという課題もある。
　【０００６】
　本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目的とする。」
　
　（ウ）「【発明の効果】
　【００１３】
　本発明の素子によれば、窒化物半導体基板の主面が、所定の方向にオフ角を有しているために、窒化物半導体層の組成分布や膜厚分布、例えば、活性層の結晶性やＩｎ含有量を均一にすることができる。原子面の段差を起点とした平坦な結晶成長を行うことができるからである。これによって、基板の主面上に成長する半導体層の界面は、高低差を有する凹凸段差が抑制され、発振波長が３６５ｎｍ以下の紫外領域から、５００ｎｍ以上の長波長領域に至る範囲を実現し得る活性層において、組成分布を均一化することができる。しかも、このような広範囲の波長帯において、寿命特性及び素子特性に優れた素子を得ることができる。」
　
　（エ）「【００１７】
　以下に、本発明の窒化物半導体レーザ素子を、その製造方法とともに説明する。
　この素子は、図１（ｂ）及び図２（ａ）に示したように、窒化物半導体基板１０１上に、第１導電型窒化物半導体層、活性層、第２導電型窒化物半導体がこの順に形成されており、第２導電型窒化物半導体層の表面にはストライプ状のリッジ部が形成されている。
　基板１０１の主面は、図１（ａ）、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、リッジ部と略平行方向Ａ、例えば、［０００１］方向及び［１−１００］方向からオフ角ａ（θａ°）傾いている。つまり、基板の主面とは、基板の所定の基準結晶面（オフ角の傾斜のない面、例えば、Ｃ面）に対して、オフ角ａを有する面を指す。
　【００１８】
　また、基板の主面は、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、所定の基準結晶面に対して、リッジ部と略平行方向Ａにオフ角ａ傾くのに加えて、さらに、オリフラ（ＯＦ）面に対して略垂直方向、例えば、［１１−２０］方向に、オフ角ｂ（θｂ°）傾いていてもよい。
　ここで、基準結晶面とは、例えば、Ｃ面、Ｍ面、Ａ面、Ｒ面等の結晶面を示す。なかでも、Ｃ面（０００１）、Ｍ面（１−１００）、Ａ面（１１−２０）面等が好ましい。
　【００１９】
　「オフ角」とは、基板表面に形成された、所定の基準結晶面に対する傾斜角である。オフ角は、少なくともストライプ状のリッジ部と略平行方向に形成される（オフ角ａ）ことが好ましく、さらに、オフ角ａが形成される方向に対して直交する方向に形成される（オフ角ｂ）ことが好ましい。「略平行方向に形成される」とは、例えば、共振面の光出射面方向に下降するように形成される、共振面の光反射面方向に下降するように形成されている、あるいは、Ｍ面（１−１００）に対して略垂直方向に形成されることを含む。これによって、リッジ部の直下に位置する活性層の表面モフォロジー及び組成（例えば、Ｉｎ混晶比）を均一にすることができる。
　【００２０】
　オフ角ａは、絶対値｜θａ｜が０．０２°〜５°程度、０．１°〜０．７°程度、さらに０．１５°〜０．６°程度、０．１°〜０．５°程度、０．１５°〜０．４°程度、０．２°〜０．３°程度であることが好ましい。オフ角ｂは、絶対値｜θｂ｜が、０°より大、０°〜０．７°程度、０°〜０．５°程度、０°〜０．５°未満、０°〜０．３°程度であることが好ましい。
基板がオフ角ａ及びｂを有する場合には、｜θａ｜＞｜θｂ｜であることが好ましい。これにより、基板の主面上に成長する半導体層の表面モフォロジーが面内で平坦化される
　【００２１】
　つまり、上述したようなオフ角が形成されていれば、波長が３６５ｎｍ以下の紫外領域から５００ｎｍ以上の長波長領域に至る範囲で素子特性を向上させることができる。マイクロＰＬでリッジ又はチップ内を観察したときに、オフ角を有さない基板上に成長させた半導体層内の活性層のＩｎの組成ゆらぎは大きい（図５）のに対して、上述のオフ角を有する基板を用いた場合には、活性層のＩｎ組成のゆらぎを抑制することができる（図６）。」
　
　（オ）「【００８８】
　実施例３
　この実施例で用いたＧａＮ基板は、主面をＣ面（０００１）とし、Ｍ面（１−１００）に対して垂直方向にオフ角ａが０．２３°、平行方向にオフ角ｂが０．０６°傾斜している。
　また、このＧａＮ基板の第１及び第２の主面には、Ｃ面（０００１）からなる第１の領域（１ｓｔ）と、（０００−１）面からなる第２の領域（２ｎｄ）が、それぞれ４００μｍと、２０μｍの間隔で形成されていた。さらに、この実施例のレーザ素子は、以下の表に示す構成を有している。その他は、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【００８９】
　　【表２】
　
　【００９０】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長４００〜４２０ｎｍ、閾値電流密度２．９ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、共振面には劈開傷がなく、光出力がＣＷ８０ｍＷ、動作温度が７０℃の状態で寿命が１万時間と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【００９１】
　さらに、このレーザ素子の活性領域の混晶揺らぎをマイクロ・フォトルミネッセンス（μ−ＰＬ）により測定した。
　その結果、図１０（ａ）に示すように、第１の領域内において波長が均一となっている。
　また、窒化物半導体層の表面状態を観察した。
　その結果、
図１０（ｂ）に示すように、第１の領域内において半導体層の表面段差は０．１μｍ以下に平坦化されている
　【００９２】
実施例４〜８
　オフ角ａ（θa）及びオフ角ｂ（θb）を以下の表に示された値にする以外、実施例３と
実質的に同様の素子を作製する。実施例
　【００９３】
　　【表３】
　
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させると、いずれも、実施例３と同様に、長寿命で、優れた表面平坦性が得られる。
　【００９４】
実施例９
　ＧａＮ基板は、オフ角ａが０．３°、オフ角ｂが０．０５°であり、その上に、以下の表に示す構成を有している以外、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【００９５】
　　【表４】
　
　【００９６】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長４０３〜４０７ｎｍ、閾値電流密度１．８〜２．０ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、光出力がＣＷ２００ｍＷ、動作温度が２５℃の状態で寿命が１００００時間以上と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【００９７】
実施例１０
　ＧａＮ基板は、オフ角ａが０．３°、オフ角ｂが０．０５°であり、その上に、以下の表に示す構成を有している以外、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【００９８】
　　【表５】
　
　【００９９】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長３７３〜３７６ｎｍ、閾値電流密度３．４〜３．５ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、光出力がＣＷ３０ｍＷ、動作温度が２５℃の状態で寿命が８０００時間と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【０１００】
実施例１１
　ＧａＮ基板は、オフ角ａが０．３°、オフ角ｂが０．０５°であり、その上に、以下の表に示す構成を有している以外、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【０１０１】
　　【表６】
　
　【０１０２】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長３７３〜３７６ｎｍ、閾値電流密度２．２〜２．３ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、光出力がＣＷ１００ｍＷ、動作温度が２５℃の状態で寿命が１０００時間以上と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【０１０３】
実施例１２
　ＧａＮ基板は、オフ角ａが０．３°、オフ角ｂが０．０５°であり、その上に、以下の表に示す構成を有している以外、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【０１０４】
　　【表７】
　
　【０１０５】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長４４２〜４４９ｎｍ、閾値電流密度２．５ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、光出力がＣＷ３０ｍＷ、動作温度が５０℃の状態で寿命が１００００時間と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【０１０６】
実施例１３
　ＧａＮ基板は、オフ角ａが０．３°、オフ角ｂが０．０５°であり、その上に、以下の表に示す構成を有している以外、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【０１０７】
　　【表８】
　
　【０１０８】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長４４２〜４４９ｎｍ、閾値電流密度１．７〜１．８ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、光出力がＣＷ１５０ｍＷ、動作温度が２５℃の状態で寿命が１００００時間と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【０１０９】
実施例１４
　ＧａＮ基板は、オフ角ａが０．３°、オフ角ｂが０．０５°であり、その上に、以下の表に示す構成を有している以外、実質的に実施例１と同様のレーザ素子である。
　【０１１０】
　　【表９】
　
　【０１１１】
　得られた素子について、実施例１と同様にレーザ発振させた。
　発振波長４６７〜４７５ｎｍ、閾値電流密度２．９ｋＡ／ｃｍ２において、室温で良好な連続発振を示す。また、光出力がＣＷ２０ｍＷ、動作温度が５０℃の状態で寿命が５０００時間と、特に寿命特性の良いレーザ素子を再現性良く製造することができる。
　【０１１２】
比較例１〜３
　以下の表に示すオフ角とする以外、実施例３と実質的に同様の素子を作製する。
　【０１１３】
　　【表１０】
　
　これらの素子の活性領域の混晶揺らぎ及び窒化物半導体層の表面状態を、実施例３と同様に測定した。その結果、いずれの比較例においても、第１の領域内において波長が不均一となった。また、第１の領域内において半導体層に段差があり、平坦化されていない。」
　
　（カ）【図１３】（ｂ）からは、比較例３の素子の活性領域はほぼ平坦であることが見て取れる。
　
（４）本件発明と本件明細書の発明の詳細な発明の記載との対比・判断
　（ａ）
本件発明から把握することが出来るオフ角の範囲
　本件発明の基板の主面に形成されるオフ角は請求項１に記載された次のとおりのものである。
「Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θａ）と、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（θｂ）を有しており、
｜θａ｜＞｜θｂ｜＞０（数式１）及び０．１°≦｜θａ｜≦０．７°（数式２）を満たす」
　
　（ｂ）
本件明細書の発明の詳細な発明の記載（上記（ア）〜（カ））から把握できる事項
　本件明細書の発明の詳細な発明の記載からは以下の事項が把握できる。
　　　ｉ）発明の課題について
　窒化物半導体基板の主面に、所定の方向にオフ角を形成することにとって活性層の結晶性や
Ｉｎ含有量を均一にする
半導体層の表面を平坦にする
　
　　ｉｉ）オフ角について
　オフ角ａは、絶対値｜θa｜が０．０２°〜５°程度、０．１°〜０．７°程度、さらに０．１５°〜０．６°程度、０．１°〜０．５°程度、０．１５°〜０．４°程度、０．２°〜０．３°程度であることが好ましい。オフ角ｂは、絶対値｜θb｜が、０°より大、０°〜０．７°程度、０°〜０．５°程度、０°〜０．５°未満、０°〜０．３°程度であることが好ましい。
　基板がオフ角ａ及びｂを有する場合には、｜θa｜＞｜θb｜であることが好ましい。これにより、基板の主面上に成長する半導体層の表面モフォロジーが面内で平坦化される。
　
　ｉｉｉ）実施例等によるオフ角の開示とその効果
　実施例、比較例によるオフ角の開示及びそれらによる効果については以下のとおりである。なお、効果（均一性、平坦性）に関する判定は、概ね上記（ア）〜（オ）の記載によるが、平坦性については段差が０．１μｍ以下であれば平坦であると規定している（上記（オ）の段落【００９１】を参照、その他段落【００５０】にもその旨の記載がある。）ことからみて、比較例３の平坦性については、上記（オ）の段落【０１１３】に「平坦化されていない」との記載があるものの、上記（カ）のように認定して「ほぼ平坦」と判定した。
　
　　　　　　　　　　　θa　　　　　θb     　Ｉｎ均一性　平坦性
　実施例３，６　　　０．２３　　０．０６　　均一　　　平坦
　実施例４，７　　　０．２０　　０．１４　　均一　　　平坦
　実施例５，８　　　０．３０　　０．１０　　均一　　　平坦
　実施例９〜１４　　０．３０　　０．０５　　均一　　　不明
　比較例１　　　　−０．０４　　０．０３　　不均一　　段差有
　比較例２　　　　　０．０２　　０．２６　　不均一　　段差有
　比較例３　　　　−０．１３　　０．２０　　不均一　　ほぼ平坦
　
　上記実施例及び比較例のオフ角を、数式１及び２を満たすオフ角範囲（塗りつぶした範囲）とともに、グラフ上にプロットすると以下のとおりである。
　
　【グラフ１】
　
（５）判断
　上記（４）によれば、本件発明の課題は、窒化物半導体基板の主面に、所定の方向にオフ角を形成することにとって活性層の結晶性や
Ｉｎ含有量を均一にする
半導体層の表面を平坦にする
　そして、上記実施例などから把握されるオフ角の範囲は、本件発明から把握することが出来るオフ角の範囲である数式１及び数式２で規定される範囲（上記【グラフ１】の塗りつぶした領域、以下「本件発明の範囲」という。）のうちのごく一部分の領域（上記【グラフ１】の左下の領域）を占めるにすぎない。さらには、出願時の技術常識に照らしても、本件発明のすべての範囲にまで、発明の詳細な説明に開示された内容（すなわち、Ｉｎ含有量を均一にするとともに表面を平坦にするオフ角の範囲）を拡張ないし一般化できるともいえないから、本件発明の範囲が上記課題が解決できることを当業者が認識できるように記載されたオフ角の範囲であるということはできない。
　
　また、発明の詳細な説明の段落【００２０】には、所定のオフ角について「オフ角ａは、絶対値｜θa｜が０．０２°〜５°程度、０．１°〜０．７°程度、さらに０．１５°〜０．６°程度、０．１°〜０．５°程度、０．１５°〜０．４°程度、０．２°〜０．３°程度であることが好ましい。オフ角ｂは、絶対値｜θb｜が、０°より大、０°〜０．７°程度、０°〜０．５°程度、０°〜０．５°未満、０°〜０．３°程度であることが好ましい。基板がオフ角ａ及びｂを有する場合には、｜θa｜＞｜θb｜であることが好ましい。」と記載されている。
　これによれば、所定のオフ角には、数式２で規定されるオフ角ａの絶対値｜θa｜の範囲（０．１°〜０．７°）が含まれるが、それよりはるかに広い範囲、あるいは狭い範囲を所定のオフ角として同時に列挙していることからみて、上記記載により、本件発明の範囲が、他の範囲に比べて格別のものであって本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載されたオフ角の範囲であると理解することはできない。
　
　また、平坦性に関しては、「基板がオフ角ａ及びｂを有する場合には、｜θa｜＞｜θb｜であることが好ましい。これにより、基板の主面上に成長する半導体層の表面モフォロジーが面内で平坦化される。」（段落【００２０】）とし、その根拠として実施例３、比較例１〜３について【図１０】（ｂ）〜【図１３】（ｂ）を挙げている。
　しかし、比較例１，２は｜θa｜が非常に小さく数式２の範囲を逸脱しており、数式２の影響を排除して数式１の妥当性を判断するには不適当な例である。一方で、比較例３は、数式２を満足し数式１は満足しないものであり、数式１の妥当性を判断するのに好適な例であるといえるが、上記ｉｉｉ）で判断したようにその平坦性は「ほぼ平坦」であって、平坦性に関する上記記載とは矛盾する結果となっている。
　そうすると、数式１は、実施例、比較例のデータから確定し得ないデータ上の根拠に乏しいパラメータであるとしかいえず、上記課題を解決しうるオフ角の範囲を画する境界線を与えるものであるということはできない。
　
　したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に発明として記載したものと実質的に対応しているとはいえず、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであるから、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反する。
　　
（６）請求人の主張について
　請求人は、平成１９年６月２５日付の意見書において次のように主張しているので、念のため検討しておく。
「加えて、出願当初から明確に記載されていた活性層の構成、『｜θa｜＞｜θb｜＞０』及び『０．１°≦｜θa｜≦０．７°』の組み合わせについて、補足的に裏付ける実験データを、平成１９年２月１９日に提出した実験成績証明書において、以下のような範囲で示しています。
　
　
　さらに、今回添付した実験成績証明書２で、本発明の技術効果を補足的に裏付けるための実験データを提出します。
　この実験成績証明書２では、以下の範囲を示しています。
　
　
　これら図（ａ）〜図（ｇ）のデータは、顕微鏡により、活性層の表面を２００倍率で観察した高倍率写真ですが、図（ａ）、（ｂ）及び（ｇ）と、本願請求項１の要件の全てを満たすものは、その表面において平坦性が認められ、Ｉｎの偏析をもたらし得るうろこ状、２面性などの結晶性の乱れ、筋などが観察されません。一方、図（ｂ）〜（ｆ）に示すように、『｜θa｜＞｜θb｜＞０』もしくは『０．１°≦｜θa｜≦０．７°』のいずれか又は双方を満たさない場合には、その表面においてうろこ状、２面性などの結晶性の乱れ、筋、傷などを顕著に現します。これらは表面の平坦性自体が認められないものであったり、あるいは、たとえ表面の平坦性が認められたとしても、Ｉｎの偏析をもたらすことが示されています。
　従いまして、本願の出願当初の発明の詳細な説明の記載、つまり、請求項１に限定された特定のオフ角の関係及びその数値範囲、これらの要件に基づいて課題解決が可能であるという技術思想、それらの関係及び範囲の内外についての複数の具体例、出願後に出願当初の記載を技術的に支持する実験データの提出、つまり、出願当初から記載されていた『０．１°≦｜θa｜≦０．７°』を補足的に指示する０．１４°〜０．６７°にわたる複数の実験データの全てを考慮すると、やはり、本願請求項１に記載の発明は、発明の詳細な説明に記載されており、請求項と発明の詳細な説明との用語が統一し、その対応関係が明確であり、発明の詳細の記載に基づいて請求項の記載にまで発明を拡張ないし一般化できるとはいえないものではないとともに、発明の課題を解決するための手段が明確に反映されているものであって、特許法第３６条第６項第１号における要件を満たすものであると思料いたします。」
　
　請求人の上記主張は、要するに、１）明細書の詳細な説明の記載、２）実施例、比較例で示した範囲内外の具体例、３）特許出願後に提出した実験データ（実験成績証明書及び実験成績証明書II）のすべてを総合すると、本願発明は実質的に発明の詳細な説明に記載されているから、特許法３６条６項１号の要件を満たすものであるとの趣旨である。
　しかしながら、上記１），２）については、すでに上記（４），（５）で述べたとおり、それらの記載からは明細書のサポート要件に適合しているとはいえない。
　そこで、上記３）について検討するに、発明の詳細な説明に、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる程度に具体例を開示せず、本件出願時の当業者の技術常識を参酌しても特許請求の範囲に記載された発明の範囲まで発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないのに、特許出願後に実験データを提出して発明の詳細な説明の記載内容を記載外で補足することによって、その内容を特許請求の範囲に記載された発明の範囲まで拡張ないし一般化し、明細書のサポート要件に適合させることは、発明の公開を前提に特許を付与するという特許制度の趣旨に反し、許されないというべきである。
　本件ついていえば、実験成績証明書及び実験成績証明書IIの記載をそのまま信用するとしても、それらの実験データは、本件明細書の発明の詳細な説明に具体的に開示されていない、特定のオフ角｜θa｜と｜θb｜の数値を有する窒化物半導体基板の主面上に形成された窒化物半導体層から得られた活性領域の特性の測定結果と、その測定結果に基づき判断されるオフ角｜θa｜と｜θb｜の数値と活性領域の特性との関係を、本件出願後になって開示するものにほかならず、これを上記発明の詳細な説明の記載内容を記載外で補足するものとして参酌することは、許されないというべきである。
　加えて、上記【グラフ１】に、特許出願後に提出した実験成績証明書及び実験成績証明書IIの実験データを追加して作成した下記の【グラフ２】を検討すれば分かるように、数式１の妥当性を判断するのに好適なデータ、すなわち、数式２を満足しつつ数式１の範囲を満足しないデータは追加の実験データ中には１件も存在しないから、依然として数式１については、その範囲を上記１）〜３）の記載及びデータから確定し得ない、根拠に乏しいパラメータであり、上記課題を解決しうるオフ角の範囲を画する境界線を与えるものであるということはできないものである。
　したがって、請求人の上記主張は、採用することができない。
　
　【グラフ２】
　
４．むすび
　以上のとおり、本願は、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。