【事件の表示】
　平成　９年特許願第１９０６０５号「導電体を銅導体の接続表面に接続する方法、集積回路、および、ビアを通って延びる電気的接続」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２９日出願公開、特開平１１−　２６４６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成９年６月３０日の出願であって、平成１６年１１月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年２月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月２３日付けで手続補正がなされたものである。 
　そして、その後当審において、平成１８年６月２日付けで審尋がなされ、同年９月５日に回答書が提出されている。 
　
第２．平成１７年３月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年３月２３日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．本件補正の内容 　 
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであって、補正後の請求項１及び請求項７ないし１０に係る発明は以下のとおりである。 
「【請求項１】　集積回路において、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法であって、該方法は、
　ａ）該銅導体の該接続表面上に多層誘電体材料を堆積する工程であって、該多層誘電体は、選択的にエッチング可能な第１の誘電体層および第２の誘電体層を含み、該第１の層は窒化物薄膜を含み、かつ、該接続表面に接して配置され、該第２の層は該第１の層を覆って延びる、工程と、
　ｂ）該第２の層の上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程と、次いで、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２の層をエッチングによって一部を除去することにより、該第１の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを形成する工程と、該工程の結果として形成される余分な残査を、該残査に対する選択的なエッチャントであるプラズマアッシュまたはオゾンアッシュによって前記エッチングレジストパターンとともに除去する工程とを包含する、導電体のためのビアを形成する工程と、
　ｃ）その後に、該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を、前記窒化物薄膜に対して選択的なエッチャントおよび溶剤ストリップを用いて除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程と、
を包含する、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法。」
「【請求項７】　集積回路において、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法であって、該方法は、
　ａ）該接続表面に接して、１００〜３００Åの範囲の厚さを有する窒化シリコン膜を堆積する工程と、
　ｂ）該工程ａ）において堆積された該窒化膜の上に第２の誘電体層を堆積する工程と、
　ｃ）該第２の誘電体層の上に、開口部を含むパターニングを有するフォトレジスト膜を堆積する工程と、
　ｄ）該第２の膜に対して選択的なエッチャントを用いて、該工程ｃ）で形成された該パターンの該開口部を介して該第２の誘電体層をエッチングし、該窒化シリコン膜に達するが貫通しないビアの一部を形成する工程と、
　ｅ）該窒化膜を覆う該ビアにおいて該工程ｄ）の結果として堆積されたすべてのポリマー残査を、前記フォトレジスト膜とともに取り除く工程と、
　ｆ）該工程ｄ）において形成された該ビア中の該窒化シリコン膜を窒化物に選択的なエッチャントを用いてエッチングして、該窒化シリコン膜を介して該接続表面に延びるように該ビアを延ばし、それにより該ビアを介して導電体に接続するために該接続表面が露出される工程と、
　ｇ）該工程ｆ）に続いて、該工程ｆ）の結果として生じる前記ビア中のあらゆるポリマー残査を溶剤ストリップで取り除く工程と、
を包含する方法。
　　【請求項８】　前記第２の誘電体層が、ＴＥＯＳ酸化物、酸化シラン、ＢＮ、二酸化シリコンからなるグループから選択される、請求項７に記載の方法。
　　【請求項９】　前記工程ｆ）で用いられる、窒化物に選択的な該エッチャントはＣＨＦ3を含んでいる、請求項７に記載の方法。
　　【請求項１０】　前記工程ａ）で堆積される前記窒化膜は窒化ホウ素膜である、請求項７に記載の方法。」
　
２．本件補正についての検討
（１）補正の目的の適否について
（１−１）補正後の請求項１について
　本件補正は、補正後の請求項１についての主な補正事項として、補正前の請求項１の「該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程」を、補正後の請求項１の「その後に、該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を、前記窒化物薄膜に対して選択的なエッチャントおよび溶剤ストリップを用いて除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程」と補正することを包含するものであって、この補正事項は、該ビア中に残存する材料を、「前記窒化物薄膜に対して選択的なエッチャントおよび溶剤ストリップを用いて」除去すること（以下、「補正事項１」という。）を追加することを含むものである。
　そこで、補正事項１についての補正を検討する。
　本願明細書の「工程７２では、工程６８で形成されたビア中の窒化膜を、窒化物に選択的なエッチャントを用いてエッチングし、ビアに窒化膜を貫通させ接続表面まで延ばす。これによって、接続表面は、ビアを通って導電体に接続され得るように露出される。工程７４では、導電体への接続のために接続表面を露出させるビアを有するＩＣ製品が完成する。」（【００６３】）との記載から、窒化膜を選択的なエッチャントを用いてエッチングする工程は、「該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする」ためのものであるから、補正前の請求項１の「該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程」は、窒化膜を選択的なエッチャントを用いてエッチングする工程に対応することは明らかである。また、本願明細書の「好ましい実施の形態は、工程７２に続いて、工程７２の結果として生じるビア内のポリマー残査をすべて溶剤ストリップで除去する工程をさらに含む。溶剤ストリップは、ＩＣ製造プロセスにおける除去に用いられる様々な化学薬品を含む。あるいは、工程７２において用いられる窒化物に選択的なエッチャントは、ＣＨＦ3を含有していてもよい。窒化シリコンの他に、工程６２で堆積される膜は、好適には、窒化ホウ素膜である。」（【００６４】）との記載も併せて考慮すると、選択的なエッチャントを用いてエッチングすることは、接続表面が、ビアを通って導電体に接続され得るように露出させるために、窒化膜を除去することを目的とするものであり、一方で、溶剤ストリップで除去することは、好ましい実施の形態として、窒化膜を除去する工程の後に、窒化膜を除去することで生じたポリマー残査を除去することを目的とするものであるから、窒化膜を選択的なエッチャントを用いてエッチングすることと、溶剤ストリップでポリマー残査を除去することは、その目的及び作用効果を異にするものであって、全く別の工程であると認められる。
　したがって、補正事項１についての補正は、実質的には新たな工程を追加する補正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく、また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもないことは明らかであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
（１−２）補正後の請求項７ないし１０について
　本件補正のうち、補正後の請求項７ないし１０についての補正は、補正後の請求項７に対応する補正前の請求項が請求項９の場合と請求項１０の場合の２通りが考えられるので、以下に、それぞれの場合について検討する。
　なお、請求人は、審判請求書の請求の理由において、補正後の請求項７は補正前の請求項９に対応し、補正前の請求項１０は削除し、補正後の請求項８ないし１０は補正前の請求項１１ないし１３に対応する旨を明記しているが、念のために両者の場合について検討することとする。
（ａ）補正前の請求項９を補正して補正後の請求項７とした場合
　本件補正は、補正後の請求項７についての主な補正事項として、補正前の請求項９に補正後の請求項７の「ｇ）該工程ｆ）に続いて、該工程ｆ）の結果として生じる前記ビア中のあらゆるポリマー残査を溶剤ストリップで取り除く工程」を追加すること（以下、「補正事項２」という。）を包含している。
　そして、この補正事項２についての補正は、「（１−１）補正後の請求項１について」において検討したことと同様に、ポリマー残査を溶剤ストリップで取り除くという、該ビア中の該窒化シリコン膜を窒化物に選択的なエッチャントを用いてエッチングすることとは目的・作用効果の異なる新たな工程を追加するものであって、補正前の請求項９に記載された発明を特定するための事項を限定するものではないから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく、また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもないことは明らかであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
（ｂ）補正前の請求項１０を補正して補正後の請求項７とした場合
　補正前の請求項９を引用する補正前の請求項１０に係る発明は、以下のとおりである。「【請求項１０】集積回路において、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法であって、
該方法は、
　ａ）該接続表面に隣接して、約１００〜３００Åの範囲の厚さを有する窒化シリコン膜を堆積する工程と、
　ｂ）該工程ａ）において堆積された該窒化膜の上に第２の誘電体層を堆積する工程と、
　ｃ）該第２の誘電体層の上に、開口部を含むパターニングを有するフォトレジスト膜を堆積する工程と、
　ｄ）該第２の膜に対して選択的なエッチャントを用いて、該工程ｃ）で形成された該パターンの該開口部を介して該第２の誘電体層をエッチングし、該窒化膜に達するが貫通しないビアの一部を形成する工程と、
　ｅ）該窒化膜を覆う該ビアにおいて該工程ｄ）の結果として堆積されたすべてのポリマー残査を取り除く工程と、
　ｆ）該工程ｄ）において形成された該ビア中の該窒化膜を窒化物に選択的なエッチャントを用いてエッチングして、該窒化膜を介して該接続表面に延びるように該ビアを延ばし、それにより該ビアを介して導電体に接続するために該接続表面が露出される工程と、を包含し、
　前記工程ｆ）に続いて、該工程ｆ）の結果として生じる前記ビア中のあらゆるポリマー残査を溶剤ストリップで取り除く工程をさらに含む、方法。」
　
　そして、補正後の請求項７が、補正前の請求項１０に対応するものである場合、補正前の請求項１１ないし１３は補正前の請求項９を引用しており、補正前の請求項１０を引用する請求項は存在しないから、補正後の請求項７を引用する補正後の請求項８ないし１０は、新たに追加した請求項となる。
　したがって、補正前の請求項１０を補正して補正後の請求項７とした場合には、補正後の請求項８ないし１０を新たに追加することになるから、補正後の請求項８ないし１０を追加する補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもなく、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
（ｃ）小むすび
　よって、補正前の請求項９ないし１３についての補正は、補正後の請求項７に対応する補正前の請求項が請求項９又は１０のいずれの場合であっても、特許法第１７条の２第４項の規定を満たさないものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３．本願発明 
　平成１７年３月２３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１５年９月１０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　集積回路において、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法であって、
該方法は、
　ａ）該銅導体の該接続表面上に多層誘電体材料を堆積する工程であって、該多層誘電体は、選択的にエッチング可能な第１の誘電体層および第２の誘電体層を含み、該第１の層は窒化物を含み、かつ、該接続表面に隣接して配置され、該第２の層は該第１の層を覆って延びる、工程と、
　ｂ）該第２の層の上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程と、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２の層をエッチングによって一部を除去することによって、該第１の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを形成する工程と、該工程の結果として形成される余分な残査を、該残査に対する選択的なエッチャントで除去する工程とを包含する、導電体のためのビアを形成する工程と、
　ｃ）該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程と、
を包含する、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法。」
　
第４．刊行物に記載された発明 
　刊行物１．特開平９−１５３５４６号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願日前に日本国内で頒布された特開平９−１５３５４６号公報には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１１及び１２とともに以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来技術】ＬＳＩの大規模化に伴い、素子の微細化が追求されている。より微細な寸法のゲート、配線、コンタクトホールを有する半導体集積回路を実現するために、従来より、フォトリソグラフィーにおける露光波長を短波長化して解像力を向上することが行われている。」
「【００６８】コンタクトプラグ１１０が層間絶縁膜１０４表面に露出した下地基板上には、エッチングストッパ膜１１２及び絶縁膜１１４よりなる層間絶縁膜１１６が形成されている。層間絶縁膜１１６には、配線を埋め込むための配線溝１１８が形成されており、溝の底部にはコンタクトプラグ１１０が露出している。配線溝１１８内壁及び層間絶縁膜１０４上にはバリアメタルとなる導電性膜１２０が形成されており、導電性膜１２０が形成された配線溝１１８内には配線１２２が埋め込まれている。」
「【００７０】まず、半導体基板１００上に、コンタクトプラグ１１０が埋め込まれた層間絶縁膜１０４を形成する。コンタクトプラグ１１０は、半導体基板１００に形成されたトランジスタの電極等（図示せず）に接続されている。層間絶縁膜１０４は、例えばシリコン酸化膜により形成する。ここで、コンタクトプラグ１１０は如何なる構造であってもよい。
【００７１】また、半導体基板１００と層間絶縁膜１０４との間には１又は２以上の配線層が形成されていてもよい。すなわち、配線１２２は、２層目の金属配線であってもよく、更に上層の金属配線であってもよい。本明細書では、このような下地構造を一括して下地基板と呼ぶこととする。すなわち、本明細書にいう下地基板には、半導体基板自体のみならず、トランジスタなどの素子が形成された半導体基板や、さらにこの上層に１層又は２層以上の配線層が形成された構造をも含むものとする。
【００７２】次いで、このような下地基板上に、エッチングストッパ膜１１２となる絶縁膜を堆積する。エッチングストッパ膜１１２としては、例えばＳｉＮ膜を用いることができる。例えば、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を４００℃、パワーを３００Ｗ、ＳｉＨ4流量を１００ｃｃ、ＮＨ3流量を５０ｃｃとして堆積する。続いて、エッチングストッパ膜１１２上に絶縁膜１１４を堆積し、エッチングストッパ膜１１２及び絶縁膜１１４よりなる層間絶縁膜１１６を形成する（図１１（ａ））。絶縁膜１１４としては、例えばＳｉＯ2膜を用いることができる。例えば、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を４００℃、パワーを３００Ｗ、ＳｉＨ4流量を５０ｃｃ、Ｎ2Ｏ流量を５００ｃｃとして堆積する。
【００７３】この後、通常のリソグラフィー技術及び異方性エッチング技術を用い、絶縁膜１１４を貫通してエッチングストッパ膜１１２に達する配線溝１１８を開口する（図１１（ｂ））。このとき、エッチング条件をＳｉＯ2よりなる絶縁膜１１４に対してＳｉＮ膜よりなるエッチングストッパ膜１１２のエッチング速度が十分に小さくなるように設定することにより、配線溝１１８のエッチングが層間絶縁膜１０４やコンタクトプラグ１１０に達することはない。
【００７４】次いで、配線溝１１８内のエッチングストッパ膜１１２を等方性エッチングにより除去する（図１１（ｃ））。これにより、配線溝１１８の底部が層間絶縁膜１０４又はコンタクトプラグ１１０に達すると同時に、配線溝１１８近傍の絶縁膜１１４下のエッチングストッパ膜１１２がエッチングされて空孔１２４が形成される。ここで、等方性エッチングは、例えば、温度１００℃、濃度９０％の燐酸水溶液を用いたウェットエッチングにより行う。
【００７５】続いて、空孔１２４の開口部を覆うように導電性膜１２０を形成する（図１２（ａ））。ここで、導電性膜１１８は後工程の配線材料埋め込みの際、配線材料が空孔１２４内に入り込まないようにするバリア層となるものであり、層間絶縁膜１０４、１１６と配線溝１１８とを空間的に隔離する効果をもつものである。導電性膜１２０は、空孔１２４の少なくとも開口部を覆う程度に形成する必要があるため、形成する導電性膜１２０の膜厚は、少なくとも空孔１２４の開口部と同程度の高さが必要である。従って、導電性膜１２０の堆積にはコリメートスパッタ法を用いることが望ましい（第１実施形態参照）。
【００７６】この後、スパッタ法によりＣｕ膜を堆積してリフローを行い、配線溝１１８内にＣｕを埋め込む。例えば、圧力１．５ｍＴｏｒｒ、パワー５ｋＷ、Ａｒ流量２５ｓｃｃｍとしてＣｕのスパッタを行い、温度３５０℃、Ａｒ流量１０００ｓｃｃｍ、圧力８０ＴｏｒｒとしてＣｕのリフローを行う。次いで、層間絶縁膜１１６上のＣｕ及び導電性膜１２０をＣＭＰ法により除去し、配線溝１１８内にのみＣｕ及び導電性膜１２０を残存させる。例えば、アルミナ系研磨剤を用い、回転数１００ｒｐｍ、研磨圧力６ｐｓｉとしてＣＭＰを行う。こうして、配線溝１１８に埋め込まれた配線１２２を形成する（図１２（ｂ））。」
「【００７９】なお、本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では埋め込み配線を形成する場合について説明したが、多層配線の層間接続に用いるビアホールの充填に適用してもよい。この場合、配線溝１１８をビアホールに置き換えることで容易に達成することができる。・・・
【００８０】・・・配線溝１１８底部に露出するプラグ１１０がＡｌやＣｕの場合は、ドライエッチングによる等方性エッチングを使用すれば、プラグ１１０になんら影響を与えることなく、エッチングストッパ膜１１２のエッチングを行うことができる。」
　
　刊行物１の【００７９】の記載から、配線溝１１８を多層配線の層間接続に用いるビアホールに置き換えることが可能であることが示唆されているから、配線溝１１８をビアホールとし、コンタクトプラグ１１０を配線とした場合をも開示していることは明らかであるし、刊行物１の【００７６】及び【００８０】の記載から、コンタクトプラグ１１０及び配線の材料として、Ｃｕを用いることが可能であることも明らかである。また、ビアホールは多層配線の層間接続に用いられるのであるから、ビアホールを充填する材料は導電体であることは自明である。さらに、刊行物１の【００６８】の記載及び図１１から、コンタクトプラグ１１０が露出した表面にエッチングストッパ膜１１２及び絶縁膜１１４よりなる層間絶縁膜１１６が形成されることは明らかであり、コンタクトプラグ１１０を配線とした場合をも開示していることを勘案すると、刊行物１には、配線の表面上にエッチングストッパ膜１１２及び絶縁膜１１４よりなる層間絶縁膜１１６が形成されることが実質的に開示されている。
　
　よって、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「半導体装置において、ビアホール内に充填された導電体をＣｕからなる配線の表面に接続する方法であって、
　Ｃｕからなる配線の表面上に絶縁膜１１６を堆積する工程であって、絶縁膜１１６は、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２およびＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４を含み、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２はＣｕからなる配線の表面上に堆積され、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４は、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２上に堆積される、工程と、
　通常のリソグラフィー技術及び異方性エッチング技術を用いて、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４を貫通してＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２に達する、多層配線の層間接続に用いるビアホールを開口する工程と、
　ビアホール内のＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２を等方性エッチングにより除去する工程と、を包含するビアホール内に充填された導電体をＣｕからなる配線の表面に接続する方法」
　
第５．対比　 
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。 
（１）刊行物１の「【従来技術】ＬＳＩの大規模化に伴い、素子の微細化が追求されている。より微細な寸法のゲート、配線、コンタクトホールを有する半導体集積回路を実現するために、従来より、フォトリソグラフィーにおける露光波長を短波長化して解像力を向上することが行われている。」（【０００２】）、「また、半導体基板１００と層間絶縁膜１０４との間には１又は２以上の配線層が形成されていてもよい。すなわち、配線１２２は、２層目の金属配線であってもよく、更に上層の金属配線であってもよい。本明細書では、このような下地構造を一括して下地基板と呼ぶこととする。すなわち、本明細書にいう下地基板には、半導体基板自体のみならず、トランジスタなどの素子が形成された半導体基板や、さらにこの上層に１層又は２層以上の配線層が形成された構造をも含むものとする。」（【００７１】）との記載から、刊行物発明の「半導体装置」は、「半導体集積回路」であることは明らかであるから、刊行物発明の「半導体装置」は、本願発明の「集積回路」に相当する。
（２）刊行物発明の「絶縁層１１６」は、「ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２」および「ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４」を含んでおり、図１１から積層構造となっていることも明らかである。そして、刊行物１には、「この後、通常のリソグラフィー技術及び異方性エッチング技術を用い、絶縁膜１１４を貫通してエッチングストッパ膜１１２に達する配線溝１１８を開口する（図１１（ｂ））。このとき、エッチング条件をＳｉＯ2よりなる絶縁膜１１４に対してＳｉＮ膜よりなるエッチングストッパ膜１１２のエッチング速度が十分に小さくなるように設定することにより、配線溝１１８のエッチングが層間絶縁膜１０４やコンタクトプラグ１１０に達することはない。」（【００７３】）との記載があることから、「ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２」と「ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４」とは選択的にエッチング可能な膜であることが明らかである。
　したがって、刊行物発明の「Ｃｕからなる配線の表面上に絶縁膜１１６を堆積する工程であって、絶縁膜１１６は、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２およびＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４を含み、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２はＣｕからなる配線の表面上に堆積され、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４は、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２上に堆積される、工程」は、本願発明の「該銅導体の該接続表面上に多層誘電体材料を堆積する工程であって、該多層誘電体は、選択的にエッチング可能な第１の誘電体層および第２の誘電体層を含み、該第１の層は窒化物を含み、かつ、該接続表面に隣接して配置され、該第２の層は該第１の層を覆って延びる、工程」に相当する。
（３）刊行物発明の「通常のリソグラフィー技術及び異方性エッチング技術」は、いわゆるフォトレジスト膜を用いたエッチングマスクパターンを形成する技術を包含することは技術常識であるから、刊行物発明においても、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程を備えているものであることは明らかである。したがって、刊行物発明の「通常のリソグラフィー技術及び異方性エッチング技術を用いて、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４を貫通してＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２に達する、多層配線の層間接続に用いるビアホールを開口する工程」は、本願発明の「該第２の層の上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程と、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２の層をエッチングによって一部を除去することによって、該第１の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを形成する工程」「を包含する、導電体のためのビアを形成する工程」に相当する。
（４）刊行物発明の「ビアホール内のＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２を等方性エッチングにより除去する工程」は、ＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２を除去することで、下にあるＣｕからなる配線を露出するビアホールを形成して、ビアホール内に充填された導電体を接続可能にすることは明らかである。したがって、刊行物発明の「ビアホール内のＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２を等方性エッチングにより除去する工程」は、本願発明の「該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明は、
「集積回路において、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法であって、
該方法は、
　ａ）該銅導体の該接続表面上に多層誘電体材料を堆積する工程であって、該多層誘電体は、選択的にエッチング可能な第１の誘電体層および第２の誘電体層を含み、該第１の層は窒化物を含み、かつ、該接続表面に隣接して配置され、該第２の層は該第１の層を覆って延びる、工程と、
　ｂ）該第２の層の上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程と、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２の層をエッチングによって一部を除去することによって、該第１の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを形成する工程を包含する、導電体のためのビアを形成する工程と、
　ｃ）該第１の層を含む、該ビア中に残存する材料を除去し、それによって該接続表面まで達する、該第１の層および該第２の層に共通のビアを形成し、それによって該接続表面を露出させて該ビアを介する導電体への接続を可能にする工程と、
を包含する、導電体を銅導体の接続表面に接続する方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
　本願発明は、「該第２の層の上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程と、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２の層をエッチングによって一部を除去することによって、該第１の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを形成する工程と、該工程の結果として形成される余分な残査を、該残査に対する選択的なエッチャントで除去する工程と」を備えているのに対して、刊行物発明は、「通常のリソグラフィー技術及び異方性エッチング技術を用いて、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４を貫通してＳｉＮ膜からなるエッチングストッパ膜１１２に達する、多層配線の層間接続に用いるビアホールを開口する工程」を備えているものの、ＳｉＯ２膜からなる絶縁膜１１４をエッチングする際に生じる余分な残査を、該残査に対する選択的なエッチャントで除去する工程を備えることが明らかでない点。
　
第６．当審の判断 
　以下、相違点について検討する。 
　ビア形成工程の結果、ビア内に有機物等からなる残査が生じることは技術常識であり、このような残査はその後の工程に悪影響を与えるから、更なるエッチング工程の前に除去することは、例えば、特開平９−３６３２９号公報には、図３、４とともに、「【００１８】次に、図３に示す様に、ＳｉＯ2 エッチング装置を用い且つフォトレジスト４３をマスクにして、ＳｉＯ2 膜４２及びＢＰＳＧ膜４１に対してＲＩＥを行って、ビット線用のコンタクト孔４４を途中まで開孔する。なお、この時のＲＩＥによっても、コンタクト孔４４の内側面に薄い有機系反応物が付着する。その後、図４に示す様に、灰化及び洗浄によってフォトレジスト４３を除去するが、この時、有機系反応物も同時に除去される。」との記載があり、特開平８−３０６７７６号公報には、図１とともに、「【００１５】・・・反応性イオンエッチングによって、コンタクトホール５を形成する（図１−ｂ）。・・・この反応性イオンエッチングの際、有機系のポリマー６がコンタクトホール５の側壁に堆積する。　【００１６】次に、Ｏ2ダウンフロープラズマによるアッシングでレジストマスク４および有機系のポリマー６を除去する（図１−ｃ）。・・・　【００１７】・・・レジストマスク４除去のためのダウンフローアッシングで、有機系のポリマー６を完全に除去できる。」との記載があり、また、特開平６−２７５５６８号公報には、図１とともに、「【００３６】なお、このエッチング過程では、図示されない炭素系ポリマーの堆積が若干みられる。この炭素系ポリマーは、ＳｉＯ2層間絶縁膜４のエッチング領域ではここからスパッタ・アウトされるＯ原子の燃焼作用により除去されるが、レジスト・マスク５の表面保護、コンタクト・ホール７の側壁面の保護、Ｓｉ3Ｎ4下地膜３の露出面の保護等に寄与した。。・・・　【００３８】次に、ウェハをプラズマ・アッシング装置に移設して通常の条件でＯ2プラズマ・アッシングを行い、図１（ｃ）に示されるようにレジスト・マスク５を除去した。このとき、表面保護や側壁保護に寄与していた図示されない炭素系ポリマーも同時に除去された。」との記載があり、さらに、特開平９−５０９８６号公報には、図１とともに、「【００４０】実施例２　本実施例では、実施例１と同様のＳＡＣプロセスに関するものであるが、ＦＣ系保護膜１１の除去のための酸素プラズマ処理の時間を実施例１よりも延長し、レジスト・パターン９も一緒に除去した。　【００４１】本実施例でサンプルとして用いたウェハＷは、実施例１と同様、図１に示す構造のものである。ここでは、まずＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチングをＥＣＲ型酸化膜エッチャーを用いて実施例１と同様の条件で行った後、ウェハＷをたとえば市販の枚葉式アッシャーに移送し、・・・アッシングを行った。この結果、図６に示されるように、ＦＣ系保護膜１１とレジスト・パターン９とが同時に除去され、コンタクト底にＳｉＮエッチング停止膜７が露出した状態となった。」との記載があるように、従来周知の技術にすぎないから、刊行物発明において、当該従来周知の技術を採用することにより、本願発明の如く、「該第２の層の上に、開口部を有するエッチングレジストパターンを形成する工程と、該第２の誘電体層に選択的なエッチャントを用いて該開口部を介して該第２の層をエッチングによって一部を除去することによって、該第１の層まで達するが貫通はしない、導電体のためのビアを形成する工程と、該工程の結果として形成される余分な残査を、該残査に対する選択的なエッチャントで除去する工程とを包含する、導電体のためのビアを形成する工程」を備えることは当業者が容易になし得たものである。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第７．むすび　 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１３に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。