【事件の表示】
　特願２００３−　２８９５９「半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月２６日出願公開、特開２００４−２４１５９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．本願発明
　本願は、平成１５年２月６日の出願であって、その請求項１，２に係る発明は、平成１８年５月２９日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１の記載は以下のとおりである。
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上であり、前記高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離が、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長く、且つ前記ウェハ保持体のウェハ搭載面の面粗さが，Ｒａで５μｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」（以下、請求項１に記載の発明を「本願発明」という。）
　
第２．引用例
　これに対して、原審の拒絶査定において引用された引用文献１，２には、以下のとおり記載されている。
１　引用文献１：特開平８−７８１９３号公報
「プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置」に関して、図面とともに以下の記載がある。
「緻密質セラミックスからなる基体と、この基体中に埋設された電極とを備えているプラズマ発生電極装置であって、この電極と前記基体のプラズマ発生側の表面との間に存在する電磁波透過層の厚さの最小値が０．１ｍｍ以上であることを特徴とする、プラズマ発生電極装置。」（特許請求の範囲【請求項１】）
「【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等の中でプラズマを発生させるための装置に関するものである。」（段落【０００１】）
「本発明の課題は、発生したプラズマに対して十分な耐蝕性を備えたプラズマ発生電極装置を提供することである。また、本発明の課題は、プラズマシースを安定に生成させ、これによってプラズマ放電を安定させ、エッチング、ＣＶＤ、ＰＶＤ等の各処理を、サセプターの全面にわたって安定に実施できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ発生電極装置は、緻密質セラミックスからなる基体と、この基体中に埋設された電極とを備えており、この電極と基体のプラズマ発生側の表面との間に存在する電磁波透過層の厚さの最小値が０．１ｍｍ以上であることを特徴とする。
　また、本発明は、このプラズマ発生電極装置に加えて、このプラズマ発生電極装置の電極と対向する位置に設けられた対向電極、およびプラズマ発生電極装置の電極と対向電極とに対して電力を供給するための高周波電源を備えていることを特徴とする、プラズマ発生装置に係るものである。
　更に、前記のプラズマ発生電極装置は、誘導結合型のプラズマ発生装置用の電極装置として使用することができる。」（段落【０００８】〜【００１１】）
「本発明のプラズマ発生電極装置における電極の平面的寸法は、半導体ウエハー等の被処理物の寸法と同じか、それ以上とすることが好ましい。これによって、被処理物の表面上におけるプラズマを均一にすることができる。」（段落【００５６】）
「本実施例のプラズマ発生電極装置１０を製造するには、まず図４（ａ）に示すようなプレス成形機を準備する。プレス成形機の下型２０に、型枠１７が嵌め合わされている。セラミックス粉末１８を型枠１７の内部空間１６に充填し、下型２０及び図示しない上型によって一軸プレス成形し、予備成形体１９Ａを製造する。予備成形体１９Ａの上に網状電極３を設置する。網状電極３は、図３に示すように、全体として円形をなしており、線体３ａを編組したものである。図３において、３ｂは編み目である。」（段落【００５８】）
　以上によれば、引用文献１には、「半導体ウエハー等の被処理物を載せる緻密質セラミックスからなる基体と、この基体中に埋設された電極の形状が円形であり、電極の平面的寸法は、半導体ウエハー等の被処理物の寸法と同じである半導体製造装置用のプラズマ発生電極装置。」との発明（以下、「引用例発明１」という。）が開示されていると認められる。
　
２　引用文献２：特開２００２−３６８０６９号公報
「静電吸着装置」に関して、図面とともに、以下の記載がある。
「本発明の課題は、プラズマ等の腐食性物質に対する耐蝕性があり、電極パターンの間隙における絶縁性を高く維持することが可能であり、これによって電極パターンの微細化に対応可能な構造の静電吸着装置を提供することである。」（段落【０００５】）
「図１の静電吸着装置１Ａについて説明する。平板形状のセラミック誘電体層２は、２つの主面を有している。一方の主面は、物品を吸着するための吸着面２ａであり、他方の主面は平坦な背面２ｂである。誘電体層２の背面２ｂには、正極４Ａと負極４Ｂとが形成されている。本例では、正極４Ａ、負極４Ｂは共に細長い電極パターンをなしている。そして、図１において、正極４Ａと負極４Ｂとは交互に形成されており、正極４Ａと負極４Ｂとの間に間隙１０が設けられている。」（段落【０００９】）
「好適な実施形態においては、静電吸着装置がプラズマに曝露される装置であり、冷却部材の表面のうちプラズマに曝露される領域に絶縁処理が施されている。
　また、好適な実施形態においては、電極に対して、誘電体層の吸着面側にプラズマを生成させるための高周波電力を供給する。これによって、本静電吸着装置を、プラズマ発生用電極装置としても機能させる。
　本発明の装置の用途は限定されないが、半導体素子、液晶パネル、シリコン単結晶ウエハーの半導体製造、処理に好適に使用できる。」（段落【００２５】〜【００２７】）
「電極の厚さ（図３の寸法ｆ）は、１μｍ以上であることが好ましい。静電吸着装置の外周面（側周面）から電極までの距離（図１、図２における寸法（ｈ）は、絶縁性接着剤（特に有機接着剤）の腐食ガスによる腐食を考慮すると、耐久性の観点から１ｍｍ以上であることが好ましく、２ｍｍ以上であることが更に好ましい。」（段落【００３８】）
「【実施例】基本的に図３を参照しつつ説明した手順に基づいて、図２に示すような静電吸着装置１Ｂを製造した。具体的には、窒化アルミニウム粉末を成形して円板を得、これを窒素雰囲気中で焼結することにより、円板状誘電体層２を得た（厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ）。誘電体層２の背面２ｂ上に、銅膜８を無電解メッキ法によって形成した。銅膜８の上に樹脂マスク１０を形成し、矢印Ｃのようにブラスト法によってエッチングし、電極パターン４Ａ、４Ｂを形成した。電極の幅は１０ｍｍとし、厚さは５μｍとした。電極の間隙６の幅は０．５ｍｍとし、凹部６の深さは約１０μｍとした。各電極４Ａ、４Ｂに対して、外部端子をインジウムによって接合した。」（段落【００４２】）
　以上の記載によれば、引用文献２には、「電極に高周波電力を供給することによって、プラズマ発生用電極装置としても機能させることのできる静電吸着装置であって、静電吸着装置の外周面から電極までの距離（ｈ）が２ｍｍ以上であり、シリコン単結晶ウエハーを吸着するための吸着面２ａを有する円板状誘電体層２の厚さは１ｍｍである半導体製造装置用静電吸着装置。」（以下、「引用例発明２」という。）が記載されている。
　
第３．対比・判断
　本願発明と引用例発明１とを比較すると、半導体製造装置に用いるウェハ保持装置である点で、両者は共通しており、さらに、後者の「プラズマ発生電極装置」の電極は、前者の「高周波発生用電極回路」に相当し、両者の電極は形状が円形である点で共通しており、さらに、後者の、「電極の平面的寸法は、半導体ウエハー等の被処理物の寸法と同じである」点は、その直径が搭載するウェハの直径の１００％であるということであるから、前者の「電極の直径が搭載するウェハの直径の９０％以上である」点に相当する。
　
　してみれば、両者の一致点は以下のとおりである。
［一致点］
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上である半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
　そして、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明は、「高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離が、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長い」のに対して、引用例発明１は、これらの距離の大小関係が明らかではない点。
［相違点２］
　本願発明は、「ウェハ保持体のウェハ搭載面の面粗さが，Ｒａで５μｍ以下である」のに対して、引用例発明１では、ウェハ搭載面の面粗さについては何も示されていない点。
　
　相違点１について検討する。
　引用例発明２において、プラズマ発生用電極装置としても機能させることのできる静電吸着装置の外周面から電極までの距離（ｈ）が、本願発明の「高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離」に相当すること、また、シリコン単結晶ウエハーを吸着するための吸着面２ａを有する円板状誘電体層２の厚さが、本願発明の「電極回路とウェハ搭載面との距離」に相当することが明らかである。そして、これらの大小関係についてみると、静電吸着装置の外周面から電極までの距離（ｈ）が２ｍｍ以上、円板状誘電体層２の厚さは１ｍｍであるというのであるから、相違点１に係る本願発明の構成は引用例発明２に示されているということができ、両者は、半導体製造装置に用いるウェハ保持装置である点において共通しているから、組み合わせるにあたっての困難性があるとすることもできない。
　してみれば、相違点１に係る構成の違いは、引用例発明１に引用例発明２を組み合わせたにすぎないものであり、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　相違点２について検討する。
　原審において、周知例として示された各文献の記載内容は以下のとおりである。
　周知例１：特開平１０−２３６８７１号公報
「【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガス雰囲気下で、優れた耐プラズマ性を有する耐プラズマ部材に関するものであり、特に、半導体製造装置の内壁材、監視窓、マイクロ波導入窓、マイクロ波結合用アンテナ、あるいは静電チャックやサセプタ等に好適に使用できるものである。」（段落【０００１】）
「そして、このＣＶＤ装置により半導体ウエハ５０に薄膜を形成するには、上記静電チャック７０の支持面７２に半導体ウエハ５０を載置し、該ウエハ５０と吸着用電極７３との間に電圧を印加することで静電吸着力を発現させ、ウエハ５０を支持面７２に吸着保持させるとともに、ガス排気孔６６より真空吸引して処理室６２内を真空としたあと、ガス供給孔６５から成膜ガス及び雰囲気ガスを処理室６２内に供給する。そして、マイクロ波発生室６１からマイクロ波導入窓６３を介してマイクロ波を処理室６２内に導くとともに、コイル６４に通電して磁界を発生させることにより高密度のプラズマを発生させ、このプラズマエネルギーによって成膜ガスを原子状態にまで分解し、半導体ウエハ５０上に堆積させることで薄膜を形成するようになっていた。」（段落【０００５】）
「そして、このＹＡＧ焼結体のうち、ハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を研磨加工によって中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下とすることにより製作することができる。」（段落【００２８】）
「この静電チャック１は、板状体２を気孔率３％以下のＹＡＧ焼結体で形成するとともに、板状体２の表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ以下としてあることから、塩素系やフッ素系のハロゲン系腐食性雰囲気下でプラズマに曝したとしても腐食が少なく、ウエハ５０へのパーティクル汚染を低減することができる。」（段落【００３１】）
「【発明の効果】以上のように、本発明によれば、フッ素系や塩素系などの腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を、気孔率が３％以下のイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体により形成するとともに、その表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下として耐プラズマ部材を構成したことにより、ハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝されたとしても殆ど腐食することがない。その為、本発明の耐プラズマ部材を用いれば、半導体製造装置の監視窓、マイクロ波導入窓、マイクロ波結合用アンテナ、半導体ウエハを保持する静電チャックやサセプタ、クランプ部材、処理室の内壁材として好適に使用することができるとともに、パーティクル汚染を低減することができるため、高品質の半導体を製造することができる。」（段落【００６９】）
　
　周知例２：特開平１１−２７９７６１号公報
「【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素系や塩素系などの腐食性ガス、あるいはフッ素系や塩素系ブラズマに対し優れた耐食性をもつ耐食性部材に関するものであり、このような耐食性部材は、たとえば半導体製造用装置のスペーサリング、内壁部材または被処理物を支持する支持体、さらに他の各種半導体製造用治具に使用される。」（段落【０００１】）
「【問題点を解決するための手段】本発明の耐食性部材は、基体の表面に密度を２．４０ｇ／ｃｍ３ 以上、表面粗さＲａ ０．６μｍ以下の炭化硼素膜を被覆したことを特徴とする。」（段落【００１３】）
「さらにまた、炭化硼素膜の表面粗さＲａを０．５μｍ以下、好適には０．２μｍ以下にすると、パーティクルの発生が低減され、優れた耐食性が得られるという点でよい。０．５μｍ以下の表面粗さＲａは、上記基体の表面粗さＲａ を０．５μｍ以下にすることで得られる。」（段落【００２１】）
「【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、基体の表面に密度２．４０ｇ／ｃｍ３ 以上、表面粗さＲａ０．６μｍ以下の炭化硼素膜を被覆したことで、パーティクルが発生せず、優れた耐食性を達成した長期信頼性の耐食性部材が提供できた。」（段落【００３８】）
　
　周知例３：特開２０００−１１４３５４号公報
「【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリング、ＰＶＤ等の成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチングなどのエッチング装置に用いられるウエハ支持加熱用ヒータに関するものであり、特に半導体製造用のウエハ支持加熱用ヒータとして好適なものである。」（段落【０００１】）
「また、板状セラミック体２の一方の主面２ａとテーパ面６との継ぎ目及びテーパ面６と載置面４との継ぎ目はいずれも滑らかな曲面状に形成するとともに、上記板状セラミック体２の主面２ａ、テーパ面６、載置面４及びこれらの継ぎ目は中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．８μｍ以下の滑らかな平滑面としてある。その為、半導体ウエハＷと接触する恐れのある凹部５の壁面における欠陥を少なくすることができるため、ハロゲンガスによる腐食摩耗やプラズマエネルギーによる摩耗を抑えることができるとともに、凹部５内への収容時や凹部５外への取り出し時に、半導体ウエハＷが接触しても半導体ウエハＷを傷付けることがなく、また、凹部５の摩耗を抑えてパーティクルの発生を低減することができる。」（段落【００２２】）
「一方、このような板状セラミック体２を形成する材質としては、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素を主成分とするセラミックスを用いることができ、これらの中でも窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは、耐プラズマ性やハロゲンガスに対する耐蝕性に優れるとともに、高い熱伝導率を有することからウエハ支持加熱用ヒータ１を形成する材質として好適である。」（段落【００２４】）
　
　以上の各文献によれば、半導体製造装置に用いるウェハ保持装置において、パーティクルの発生を低減するために、ウェハ搭載面の面粗さを，Ｒａで５μｍ以下にすることは周知事項であることが示されている。
　そして、引用例発明１に上記周知事項を適用し、相違点２とするにあたっての阻害要因も見いだせない。
　してみれば、相違点２に係る構成の違いは、引用例発明１に周知事項を組み合わせたにすぎないものであり、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　なお、審判請求人は、平成１９年１月１１日提出の手続補正書にて、審判請求の理由として、「しかし、本願で発生を抑制するパーティクルは、本願明細書の段落００１２に記載したように、ウェハ保持部より外側のウェハ保持面に成膜された膜であり、このウェハ保持部の外側に形成される膜を極力少なくすることによってパーティクルの発生を抑制することが本願発明であります。
　これに対して、審査官殿が周知技術として挙げられた各引用文献でのパーティクルは、ウェハ保持体を構成する結晶粒子が脱落したものであり、各引用文献には、本願発明のように、ウェハ保持部以外に形成される膜をできるだけ少なくすることによってパーティクルの発生を抑制することに関しての記載や示唆はありません。
　引用例１（特開平８−７８１９３号公報）のウェハ搭載面の面粗さについて、周知技術を組み合せても本願発明に相当することはできないものと思料いたします。」（第２頁第１５〜２４行）と述べている。
　そこで、本願明細書の段落【００１２】を参照すると、その記載は以下のとおりである。
「しかし、高周波用電極回路の直径が、大きくなりすぎると、ウェハ保持体のウェハ搭載部より外側のウェハ保持面にも成膜されてしまう。ウェハ保持面上に形成された膜は、ウェハのハンドリングや、真空引き、およびリーク時等にウェハ保持体からはがれ落ち、これがパーティクルとなって、チャンバー内に飛散し、ウェハ上に付着したりするので、ウェハ歩留りが低下する。」
　上記記載によれば、ウェハ保持面上に形成された膜がはがれ落ちてパーティクルとなることが示されている。
　しかし、続く段落【００１３】の記載をみると、
「そこで、前記高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離を、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長くすることにより、上記のようなパーティクルの発生を抑制することができることを見出した。このようにすれば、搭載したウェハ上で発生するプラズマ密度と比較して、ウェハの外側のウェハ保持面上で発生するプラズマ密度を相対的に小さくできるので、ウェハの外側のウェハ保持面上に成膜される膜厚が大幅に薄くできるので、前記のようなパーティクルの発生を抑制することができる。」
とあるから、ここで言及している、ウェハ保持面上に形成された膜がはがれ落ちて生じるパーティクルは、上記相違点１によって低減できるものと解さざるを得ず、相違点２に係る構成との関係は不明である。
　また、表面粗さに関する段落【００４８】の記載は以下のとおりである。
「また、ウェハ搭載面の面粗さは、Ｒａで５μｍ以下が好ましい。Ｒａで５μｍを超えると、ウェハ保持体とウェハとの摩擦によって、ＡｌＮの脱粒が多くなることがある。この時、脱粒した粒子はパーティクルとなり、ウェハ上への成膜やエッチングなどの処理に対して悪影響を与えることになる。さらに、表面粗さは、Ｒａで１μｍ以下であれば、好適である。」
　ここでいうところの「ＡｌＮの脱粒」は、「ウェハ保持体」の脱粒であるから、表面粗さに起因するパーティクルの発生は、ウェハ保持体を構成する結晶粒子が脱落することによるものとせざるを得ない。
　してみれば、審判請求人の上記主張は採用することができない。
　
第４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例発明１、引用例発明２及び周知事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、結論のとおり決定する。