【事件の表示】
　特願２００１−１６０１５０「高周波トランジスタおよびその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月３１日出願公開、特開２００２−　３３３９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１３年５月２９日（パリ条約による優先権主張２０００年５月３０日、米国）の出願であって、平成１７年２月９日に拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、その後当審において、平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、同年１１月７日に回答書が提出されている。
　
２．平成１７年５月１６日付けの手続補正
　平成１７年５月１６日付けの手続補正は、補正前の特許請求の範囲のうち、請求項３，５，７，９，１０，及び１６ないし１８を削除するものであるから、この補正は請求項の削除を目的とするものであるとともに、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内で補正するものである。
　よって、上記手続補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たしている。
　
３．本願特許請求の範囲の記載
　平成１７年５月１６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１には、以下のとおり記載されている。
「高周波トランジスタを形成する方法であって、
　第１の基板上の１つまたは複数の層中に前記トランジスタの活性領域を形成する段階と、
　前記活性領域上に絶縁層を設ける段階と、
　前記絶縁層を貫通し前記第１の基板に達する支持バイア構造及び前記活性領域のうちの選択した領域へのコンタクトを形成する段階と、
　前記コンタクトおよび前記支持バイア構造上に第２の基板を適用する段階と、
　前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、前記トランジスタの寄生容量及び抵抗を低減または排除するのに十分な程度、除去する段階と、
　前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階と
　を含む方法。」
　
４．原査定
　本願の審査手続における、平成１６年６月２３日付け拒絶理由通知書には、本願特許請求の範囲の記載について、以下のとおり拒絶の理由が記載されている。
「この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ．下記の理由により、この出願の特許請求の範囲の請求項１の記載からは、最終的に如何なる構成を有する高周波トランジスタが製造されるのかが不明であり、この出願の特許請求の範囲の請求項１及びその従属項には、当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されているということはできない。
　
A1．「支持バイア構造」なる記載の意味が不明であり、また、「支持バイア構造を含む、前記活性領域のうちの選択した領域へのコンタクトを形成する段階」なる記載では、「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成箇所、並びに「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成方法が不明である。
　
A2．「前記コンタクトおよび前記支持バイア構造上に第２の基板を適用する段階」なる記載、及び「前記第１の基板の一部分を除去する段階」では、「第１の基板」と「第２の基板」との位置関係が不明である。
　
A3．「前記トランジスタ」の指し示す内容が不明であり、また、「前記トランジスタを完成させる段階」なる記載では「前記トランジスタ」を完成させるための方法が不明である。
　
A4．「前記１つまたは複数の層をパターニングする段階」なる記載では、「前記１つまたは複数の層」が如何なる態様でパターニングされ、その結果、「前記１つまたは複数の層」が如何なる形状、構成を有するのかが不明である。
　
A5．請求項１の記載からは各「段階」の順序関係が不明である。
　
（項目Ｂ．以下については、省略。）」
　
　上記拒絶理由通知に応じて提出された平成１６年１２月２８日付けの意見書及び手続補正書に対して、原査定では、平成１７年２月９日付けで以下のとおり拒絶査定を行った。
　
「この出願については、平成１６年　６月２３日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものである。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討したが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせない。
　
備考
　下記Ａ及びＢの理由により、前記拒絶理由通知書に記載した、この出願に係る発明に対する拒絶理由は、依然として解消されない。
　
Ａ．下記の理由により、この出願の特許請求の範囲の請求項１の記載からは、最終的に如何なる構成を有する高周波トランジスタが製造されるのかが不明であり、この出願の特許請求の範囲の請求項１及びその従属項には、当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されているということはできない。
　
A1．「前記活性領域上に絶縁層を設ける段階と、前記絶縁層を貫通し前記第１の基板に達する支持バイア構造及び前記活性領域のうちの選択した領域へのコンタクトを形成する段階」なる記載では、「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成箇所、並びに「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成方法が不明であり、また、「支持バイア構造」が如何なる構成を有するものであるのかも不明である。
　
A2．「前記コンタクトおよび前記支持バイア構造上に第２の基板を適用する段階と、前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、前記トランジスタの寄生容量及び抵抗を低減または排除するのに十分な程度、除去する段階」なる記載では、「第１の基板」と「第２の基板」との位置関係が不明であり、また、「第１の基板」のどの部分がどの程度除去されるのかも不明である。
　
A3．「前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階」なる記載では、「前記１つまたは複数の層」が如何なる態様でパターニングされ、その結果、「前記１つまたは複数の層」が如何なる形状、構成を有するのかが不明であり、「前記トランジスタ」を完成させるための方法も不明である。
　
A4．請求項１の記載からは各「段階」の順序関係が不明である。
　
（項目Ｂ．以下については、省略。）」
　
５．当審における判断
　拒絶査定における各指摘事項A1．ないしA4．及び理由Ａ．について以下で検討する。
（指摘事項A1．について）
　請求項１には、「前記活性領域上に絶縁層を設ける段階と、前記絶縁層を貫通し前記第１の基板に達する支持バイア構造及び前記活性領域のうちの選択した領域へのコンタクトを形成する段階」と記載されている。
　上記記載によれば、「支持バイア構造」は、「前記絶縁層を貫通し前記第１の基板に達する」ものであるから、絶縁膜を表面から第１の基板に達するまで貫通する穴又は構造物を形成していると推測できるものの、その穴又は構造物をどのように形成するのか、構造物であるとするならば、どのような材質を選んでどのような形状に形成するのか、明確ではない。
　また、請求項１には、上記記載の前に、「第１の基板上の１つまたは複数の層中に前記トランジスタの活性領域を形成する段階」なる記載があるから、「前記絶縁層を貫通し前記第１の基板に達する支持バイア構造」は、「前記トランジスタの活性領域」との関係において形成箇所が明確でない。即ち、請求項１の記載からは、活性領域の設けられていない箇所において「前記絶縁層を貫通し」、直ちに「前記第１の基板に達する」ものと、任意の活性領域（例えば、ベース領域やエミッタ領域）に対応する箇所において「前記絶縁層を貫通し」、更に活性領域を貫通して、「前記第１の基板に達する」もの等が考えられ、本願請求項１の「支持バイア構造」は、どちらを意味しているのか、その両者を含むのか、更に、その両者において所定の動作を行う高周波トランジスタが形成され、所望の作用・効果を奏するのか不明であって、結果としてその形成箇所が明確ではない。
　そもそも、「支持バイア構造」が何を「支持」し、如何なる構成を有し、どのような作用をするものであるのかも、請求項１には特定されていないから、求められる強度も、機能（例えば、絶縁領域として用いられるのか、電流の導通路として用いられるのか等）も不明であって、その材質（絶縁体か、導電体か）、構造、配置等が明らかではなく、その具体的な形成箇所及び形成方法が明確ではない。
　また、「前記活性領域のうちの選択した領域へのコンタクト」を形成することについても、活性領域のうちの「選択した領域」とは、何の目的でどのように選択した領域か不明であるから、その形成箇所が不明りょうであり、「コンタクト」が電気的な接続を意味するものであるとしても、その「コンタクト」をどこから（「絶縁層」の表面からか、「第１の基板」の下からか、或いは更に他の場所からか）、どのように形成するか、請求項１の記載からは不明りょうであって、その具体的な形成箇所及び形成方法が明確ではない。
　
　上記「支持バイア構造」について、本願明細書を参照しても、発明の詳細な説明には、「支持バイア構造」の用語は記載されていない。段落【００２２】に「比較的に厚い（例えば１〜４ミクロン）、例えば酸化物またはポリイミドのインターメタル誘電層２０を図１の構造の上にスピン・オンするか、または他の方法で図１の構造に適用し、その中に、コンタクト２４が必要なコンタクト・ケイ化物１１まで達するバイアおよびコレクタ層１２を貫通して基板１０まで達する
バイア
支持２２
バイア
次いで
　
　なお、審判請求人は請求の理由において、「「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成場所ですが、「コンタクト」については「活性領域のうちの選択した領域」に形成されればよいことが請求項１に記載されており、「支持バイア構造」については特に記載されておらず、これは特定の場所に形成しなければならないというものではなく、任意の場所に形成されればよいものと理解されます。」と主張しているが、前述のとおり、「支持バイア構造」が、任意の場所に形成されても、所定の動作を行う高周波トランジスタが形成され、本願発明の所望の作用・効果を奏することは、本願明細書の発明の詳細な説明には明確かつ十分に記載されていない。
　また、審判請求人は、「「支持バイア構造」の構成ですが、・・・その構造は、絶縁層（コレクタ層１２）を貫通して第１の基板（基板１０）に達する金属（銅など）の柱であることは、容易に理解されるものと思料されます。また、「支持バイア構造」は、請求項１に記載されているとおり、「絶縁層を貫通し第１の基板に達する」ように形成されており、その上に「第２の基板を（が）適用」されるもので、かかる記載より、第１の基板と第２の基板との間を支持しているものであることが理解されます。」と主張しているが、前述のとおり、発明の詳細な説明を参酌しても、「支持バイア構造」の構成を特定することができない。仮に、審判請求人の主張するように、「その構造は、絶縁層（コレクタ層１２）を貫通して第１の基板（基板１０）に達する金属（銅など）の柱」であるとしても、高周波トランジスタを構成するコレクタ層１２を金属の柱が貫通した場合に、高周波トランジスタが何らの影響なく動作し得るのか、動作するために更なる工程が必要となるのか、請求項１の記載からは不明であって、やはり請求項１の記載は全体として明確ではない。
　また、「支持バイア構造」が「第１の基板と第２の基板との間を支持しているものである」との主張も、第１の基板はその大部分の面積を活性領域の層及び絶縁層と接しており、「支持バイア構造」が基板の主たる支持構造とは認められず、また、その後に第１の基板を除去することからみても、上記主張を採用することはできない。
　したがって、請求項１は、「支持バイア構造」の具体的構成、「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成箇所、並びに「支持バイア構造」及び「コンタクト」の形成方法が明確ではなく、特許請求の範囲（請求項１）の記載は、特許を受けようとする発明が明確ではない。
　
（指摘事項A2．について）
　請求項１には、「前記コンタクトおよび前記支持バイア構造上に第２の基板を
適用する
　しかしながら、上記「適用する」とは、どのような技術的意味を有する用語か明確ではなく、上記記載では、「前記コンタクトおよび前記支持バイア構造上」に対して、「第２の基板」をどのように処理するのか不明りょうであり、更に、「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面」との記載もあることから、「第１の基板」に対しても「第２の基板」が「適用され」るものであり、「第１の基板」と「第２の基板」との位置関係が明確ではない。
　この点に関して、発明の詳細な説明を参照すると、段落【００２３】には、「次に図３を参照する。金属、サファイアなどの熱伝達材料膜を
適用する
　なお、審判請求人は請求の理由において、「ここで形成される構造は、次の構造であることは上記記載から明らかです。
第１の基板／トランジスタの活性領域／絶縁層、並びに絶縁層中の支持バイア構造及びコンタクト／第２の基板
従って、第１の基板と第２の基板は、それらの間にトランジスタの活性領域、並びに絶縁層及び絶縁層中の支持バイア構造及びコンタクトを挟んで相対していることが、請求項１の記載から理解できるものと思料致します。」と主張している。
　しかしながら、請求項１に記載のものが、仮に審判請求人の主張する構造であるとしても、発明の詳細な説明に記載された「金属層２６」、「絶縁体３４」、「非絶縁エミッタ３２'」等が、請求項１に記載される「第１の基板」、「支持バイア構造」、「コンタクト」、「第２の基板」とどのように対応するのか、或いは関係付けられるのか不明であり、また、「第１の基板」と「第２の基板」との間に「金属層２６」等が存在しなくとも、本願発明の所望の作用・効果を奏するのか不明であって、「第１の基板」と「第２の基板」との位置関係は、依然として明確ではない。
　
　次に、請求項１の「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、前記トランジスタの寄生容量及び抵抗を低減または排除するのに十分な程度、除去する段階」については、上述のとおり、「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面」が明確ではないから、「反対の面の少なくとも一部分」も明確ではなく、また、第１の基板を「全部」ではなく「一部分」除去することの技術的意義も不明りょうである。
　この点について、審判請求人は請求の理由において、「「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面」は、第１の基板の、トランジスタの活性領域が形成されていない側、つまり、第１の基板を下として、その上にトランジスタの活性領域、絶縁層、第２の基板の順で積まれているとすると、最も下の面を指すことは、容易に理解されます。　またどの程度除去されるかについては、「前記トランジスタの寄生容量及び抵抗を低減または排除するのに十分な程度」除去されることが記載されており、明細書の記載によれば、第２９段落３〜４行目に「これらとの間に寄生容量を形成しうる構造を残さずに本来の基板をエッチングによって除去することができる」こと、及び、同段落８〜９行目に「所望の厚さに本来の基板を研磨」してもよいことが記載されており、当業者ならば、第１の基板を全部、または、必要に応じて所望の厚さを残すよう一部を除去することができることは、容易に理解できるものと理解されます。」と主張している。
　しかしながら、請求項１には、上記「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、・・・除去する段階」の次の段階として、「前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階」が記載されている。そして、この「前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階」は、請求項１の全体の記載及び発明の詳細な説明の記載から判断して、第１の基板の側（少なくとも一部分が除去された側）から「１つまたは複数の層をパターニング」するものと解されるから、パターニングする段階において、「１つまたは複数の層」が露出することが必要であり、そのためには、第１の基板は、全て除去されていることが必要と認められる。然るに、請求項１においては、「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、・・・除去する段階」を発明を特定する事項としているから、「一部分」を除去して第１の基板の所望の厚さ部分が残されたとき、次の「１つまたは複数の層をパターニング」する段階をどのように行うのか技術的に不明であり、また、後の「１つまたは複数の層をパターニング」する段階を支障なく行うことができるように、「一部分」を除去する方法が明確ではない。
　したがって、請求項１は、「第１の基板」と「第２の基板」との位置関係、及び「前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、前記トランジスタの寄生容量及び抵抗を低減または排除するのに十分な程度、除去する段階」において、「第１の基板」のどの部分がどの程度除去されるのかが明確ではなく、特許請求の範囲（請求項１）の記載は、特許を受けようとする発明が明確ではない。
　
（指摘事項A3．について）
　請求項１には、「前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階」と記載されている。
　上記段階の前に、請求項１には「第１の基板上の１つまたは複数の層中に前記トランジスタの活性領域を形成する段階」が記載されているから、パターニングの段階において、「前記１つまたは複数の層」に「トランジスタの活性領域」が含まれていることは明らかであるが、上記「前記１つまたは複数の層をパターニング」することと、「トランジスタの活性領域」との関係が不明りょうであり、「前記１つまたは複数の層」のどの部分をどのようにパターニングするか不明りょうである。そして、パターニングの結果、「前記１つまたは複数の層」をどのような形状、構成を有するのものとするのかも、請求項１の記載からは明らかではない。
　また、「トランジスタを完成させる」とは、どのような状態をもってトランジスタの「完成」とするのか定義が明確ではなく、「前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階」が、具体的にどのような工程を含むのか、或いは「パターニング」がどのような工程を意味するのか不明りょうであり、どのような形成方法を含む段階を特定するものであるか明確ではない。
　この点に関して、発明の詳細な説明を参照すると、段落【００２４】に、「コレクタ層１２にレジストを塗布し、これを、活性領域を覆うようにパターニングし、コレクタ層１２の非活性領域の全てのシリコンをエッチングによって除去するか、あるいは、酸素またはその他のイオンを１０〜１００ｋｅＶ、濃度１０14／ｃｃ〜１０16／ｃｃで注入して、活性コレクタ領域間に半絶縁領域を形成する。」と記載されており、この「コレクタ層１２の非活性領域の全てのシリコンをエッチングによって除去する」ことが、請求項１の「１つ」「の層をパターニング」することに相当するとしても、一般に、コレクタ層１２の「活性領域」と「非活性領域」とは、コレクタ層に形成されるコンタクトの形状等で変わり得るし、両者を厳密に分離することは困難であるから、エッチングの段階において「非活性領域」をどのように特定して除去するのか不明りょうである。また、発明の詳細な説明に記載の「活性コレクタ領域間に半絶縁領域を形成する」ことが、請求項１の「パターニング」することに相当するのか明らかではなく、更に、請求項１の「複数の層をパターニング」することは、発明の詳細な説明のどの工程に対応するのか、どの層をどのようにパターニングすることを意味するのか不明りょうである。
　なお、審判請求人は請求の理由において、「「前記トランジスタ」を完成させるための方法は、パターニングして得られたトランジスタ構造を、必要に応じてパシベーション、チップへのダイシング、およびパッケージング（明細書第２６段落５行目）して完成させることができることは、当業者には周知の方法です。特許請求の範囲に記載されていなくても、容易に想到されるのであって、不明と言うべきものではありません。」と主張しているが、請求項１に記載の上記「段階」が、パシベーション、チップへのダイシング、およびパッケージング等の工程を含む「段階」を意味するとは、「パターニング」の記載から直ちに導くことはできず、審判請求人の主張を採用することはできない。
　したがって、請求項１は、「前記１つまたは複数の層」が如何なる態様でパターニングされ、その結果、「前記１つまたは複数の層」が如何なる形状、構成を有するのかが不明であり、「前記トランジスタ」を完成させるための方法も不明であるから、特許請求の範囲（請求項１）の記載は、特許を受けようとする発明が明確ではない。
　
（指摘事項A4．について）
　請求項１には、「高周波トランジスタを形成する方法」の段階として、
（ａ）第１の基板上の１つまたは複数の層中に前記トランジスタの活性領域を形成する段階、
（ｂ）前記活性領域上に絶縁層を設ける段階、
（ｃ）前記絶縁層を貫通し前記第１の基板に達する支持バイア構造及び前記活性領域のうちの選択した領域へのコンタクトを形成する段階、
（ｄ）前記コンタクトおよび前記支持バイア構造上に第２の基板を適用する段階、
（ｅ）前記第１の基板の前記第２の基板が適用された面とは反対の面の少なくとも一部分を、前記トランジスタの寄生容量及び抵抗を低減または排除するのに十分な程度、除去する段階、
（ｆ）前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階
の６つの段階が記載されている。
　このうち、上記（ｂ）ないし（ｅ）の各段階に記載の「前記活性領域」、「前記絶縁層」、「前記コンタクト」、「前記第２の基板」は、それぞれ直前の段階で形成されるものであるから、上記（ａ）ないし（ｅ）の段階は、この順に行われるものと認められる。
　しかしながら、上記（ｆ）の段階は、請求項１においてはその順序が特定されておらず、また、審判請求人も請求の理由において、「この１つまたは複数の層をパターニングする段階の順序を特定することは、本願発明を不当に減縮するものと言わざるを得ません。・・・当業者ならば、トランジスタを完成させるために、必要な段階で必要な層をパターニングすることは、容易に理解されるものです。従って、請求項１において、「前記１つまたは複数の層をパターニングして、前記トランジスタを完成させる段階」をいずれの段階の後に行うかを特定する必要はなく、特定しなくても当業者には容易に理解できるものと思料致します。」と主張している。
　これについて検討すると、上記（ｂ）の段階を経た後は、「１つまたは複数の層」は第１の基板と絶縁層に挟まれており、「１つまたは複数の層」が露出しない状態でパターニングを行うことは技術的に困難であると認められ、発明の詳細な説明の段落【００２２】ないし【００２６】を参照しても、上記（ｆ）の段階を上記（ｂ）（ｃ）（ｄ）の各段階の直後に行うことは開示されていないから、このような実施困難な各段階の順序を含む請求項１の記載は、全体として発明が明確ではない。
　また、上記（ａ）段階の直後に上記（ｆ）の段階を行うことは、最初の段階でトランジスタを完成させることを意味し、このような段階の順序からなる発明は、上記（ｅ）段階の後に上記（ｆ）の段階を行うものとは、作用・効果が大きく異なるものと認められる。そして、異なる作用・効果を奏する複数の発明を内在する請求項１の記載は、全体として発明が明確ではない。
　したがって、請求項１は、各「段階」の順序関係が不明であるから、特許請求の範囲（請求項１）の記載は、特許を受けようとする発明が明確ではない。
　
（理由Ａ．について）
　請求項１に記載のものは、各段階における発明を特定するための事項がそれぞれ明確でないとともに、各段階の技術的関連が明確ではない。
　即ち、請求項１に記載の方法により、「１つまたは複数の層」から最終的にどのような構造の高周波トランジスタが形成されるのか、該高周波トランジスタと、「支持バイア構造」及び「コンタクト」とがどのように機能的に結合するのかが不明であり、結果として、本願請求項１に記載のものが、明細書に記載の「発明が解決しようとする課題」をどのように解決するのか不明りょうである。
　そして、上記（ｃ）の段階で形成する「活性領域のうちの選択した領域へのコンタクト」は、審判請求人が主張するように絶縁層表面から「コンタクト２４が必要なコンタクト・ケイ化物１１まで達するバイア」「を銅などの付着金属で埋め」るものであるとしても、請求項１の全体の記載に基づくと、その後、前記コンタクト上には「第２の基板」が適用されるから、コンタクトが露出する絶縁層の表面は第２の基板に覆われ、請求項１に記載された事項からは、外部にどのようにコンタクトが取り出されるか明らかではない。したがって、高周波トランジスタにどのように電流・電圧を供給し、該高周波トランジスタがどのように動作するかも不明である。よって、最終的に得られる高周波トランジスタの構成・動作が不明りょうであることは、その高周波トランジスタの製造方法が明確に記載されていないことを意味するから、結局、請求項１の高周波トランジスタを形成する方法は明確ではない。
　
　したがって、請求項１の記載は、少なくとも、上記A1．ないしA4．及び理由Ａ．の点で明確ではなく、特許を受けようとする発明が明確ではないから、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１０に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。