【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２６３３１号「半導体発光素子の製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７３２２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１２月６日の出願であって、平成１７年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月２６日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年９月２６日付きの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年９月２６日付きの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
（１）本願補正発明
　本件補正により、特許請求の範囲は、
「【請求項１】　（ａ）基板上に単結晶成長がなされない低温で半導体層を成膜して第１の低温バッファ層を形成し、
（ｂ）該第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を０.３μｍより厚く１μｍ以下の厚さに成膜して高温バッファ層を形成し、
（ｃ）該高温バッファ層上に前記第１の低温バッファ層と同じ条件でさらに半導体層を成膜して、前記高温バッファ層の表面の凸凹を平坦化する第２の低温バッファ層を形成し、
（ｄ）前記第２の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を順次積層して発光層を形成する
の各工程を同一装置内で連続して行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。
　【請求項２】　前記基板がサファイア基板で、前記第１の低温バッファ層、高温バッファ層、第２の低温バッファ層、および該第２の低温バッファ層上に結晶成長する半導体層のいずれの層もチッ化ガリウム系化合物半導体層である請求項１記載の半導体発光素子の製法。」へ補正された。
　
（２）新規事項追加について
　上記補正中、第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で成膜される半導体層を「０．３μｍより厚く１μｍ以下の厚さ」とする補正（以下、「補正事項」という。）について検討するに、本願の出願当初の明細書の【００１１】には、「ついで、反応ガスのＴＭＩｎを止めて６００〜１２００℃程度の高温で、たとえばＧａＮからなる高温バッファ層３ａを０.３〜１μｍ程度の厚さだけエピタキシャル成長する。」との記載がある。
　しかしながら、本願の出願当初の明細書又は図面には、上記補正事項について明示的に記載されておらず、また、当該明細書又は図面からみて、上記補正事項が自明であるとすることもできない。
　したがって、上記補正事項は、本願の出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。 
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
（３）独立特許要件について
　上記（２）において述べたとおり、本件補正は却下されるべきものであるが、仮に、上記補正事項である「０．３μｍより厚く１μｍ以下の厚さ」との記載が、本願の出願当初の明細書の【００１１】に記載された「０.３〜１μｍ程度の厚さ」であることを意味しているとすると、上記補正事項は、本願の出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものといえることになる。そうすると、上記補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で成膜される「半導体層」を「０．３μｍより厚く１μｍ以下の厚さ」に限定するとともに、「第２の低温バッファ層」を「前記高温バッファ層の表面の凹凸を平坦化する」ものに限定するものであって、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当することになる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（３−１）引用例
　本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平８−２５８５２号（特開平９−１９９７５９号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ア）
「【請求項１】  異種物質の基板上に３族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を成長させる方法において、
前記基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に３層以上積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む) から成る層を形成したことを特徴とする３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】  前記バッファ層の厚さは１００〜１０００Åであり、前記単結晶層の厚さは５００〜３０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】  前記バッファ層の成長温度は３５０〜８００℃であることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】  前記バッファ層はAlN であり、前記単結晶層はGaN であることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】  前記基板は、サファイア又はSiC であることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】  異種物質の基板上に形成した３族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を素子層とした半導体素子において、
前記基板と前記素子層との間に、
前記基板上に単結晶が成長しない温度で形成されたAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)から成るバッファ層と、単結晶が成長する温度で形成されたAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) から成る単結晶層とを交互に３層以上積層させた中間層が介在されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項７】  前記バッファ層の厚さは１００〜１０００Åであり、前記単結晶層の厚さは５００〜３０００Åであることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】  前記バッファ層の成長温度は３５０〜８００℃であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項９】  前記バッファ層はAlN であり、前記単結晶層はGaN であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項１０】  前記基板は、サファイア又はSiC であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項１１】  前記素子層は光素子の基底層であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。」
　
（イ）
「【０００５】この構成により、基板面から縦に延びる格子欠陥がバッファ層と単結晶層との繰り返しにより途中で遮断され、目的とする単結晶の層には至らない。特に基板面からの転位がバッファ層の単結晶の50〜1000Åに閉じ込められ、上の層に伝搬されることを防ぐ。よって、素子を形成するための半導体層における格子欠陥密度は低くなり、異種物質の基板上にも良質なAlx3GaY3In1-X3-Y3Nから成る単結晶半導体が得られる。又、その単結晶の半導体を基底層として素子を形成した場合には、素子を形成する層の結晶性が高くなり、素子の特性を向上させることができる。特に、発光素子を形成した場合には、発光効率、素子寿命、発光輝度を改善することができる。」
　
（ウ）
「【０００７】バッファ層と単結晶層は、一般式AlxGaYIn1-X-YNの４元、３元、２元の窒化物半導体とすることができる。特に、請求項４のように、バッファ層をAlN 、単結晶層をGaN とすることで、目的とするGaN の層の格子欠陥密度を大きく低下させることができる。又、基板には、サファイア又はSiC 等を用いることができる。尚、バッファ層と単結晶層との繰り返し数は任意である。また、最後のバッファ層成層後そのまま昇温し、単結晶層を成長させることが、単結晶の結晶性からも、工程の簡易性からも好ましい。」
　
（エ）
「【００１４】上記実施例では、バッファ層にはAlN を用いたが他の２元系のGaN 、InN や３元系のAlGaN 、InGaN 、４元系のAlGaInN 等を用いることができる。この場合にバッファ層は単結晶が成長しない低い温度で形成され、その厚さは100 〜1000Åが望ましい。又、バッファ層上に形成される単結晶層の物質は、バッファ層と物質及び組成比が同一でも、異種物質又は同種物質でも組成比が異なるものでも良い。この単結晶層には、GaN の他、任意組成比の３元系のAlGaN 、InGaN 、任意組成比の４元系のAlGaInN を用いることができる。この単結晶層の成長温度は単結晶が成長できる温度である。一般的に、厚さは500 〜3000Åの範囲が望ましい。又、バッファ層と単結晶層との繰り返し回数は任意である。」
　
（オ）
「【００１６】次に、本製造方法を用いてレーザダイオード１０を製造した。図１において、レーザダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に中間層２が形成されている。中間層２は、図１に示す構造と同一である。即ち、中間層２は、厚さ500 ÅのAlN から成るバッファ層２１、厚さ0.3 μm から成る単結晶層３１、500 ÅのAlN から成るバッファ層２２、厚さ0.3 μm から成る単結晶層３２、500 ÅのAlN から成るバッファ層２３の多層構造で構成されている。
【００１７】そして、その中間層２の上には、順に、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのAlGaN から成るｎ伝導型のクラッド層４、膜厚約0.05μｍのInGaN から成る活性層５、ホール濃度１×1018/cm3、濃度２×1020/cm3にマグネシウムがドープされたAlGaN から成るｐ伝導型のクラッド層６１、ホール濃度１×1018/cm3、マグネシウム濃度 2×1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層６２が形成されている。そして、コンタクト層６２上にはSiO2層９が形成され、SiO2層９の窓部を介してコンタクト層６２に接合するNiから成る電極７が形成されている。さらに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の上にその層３に接合するNiから成る電極８が形成されている。
【００１８】次に、この構造のレーザダイオード１０の製造方法について説明する。上記レーザダイオード１０は、上述したM0VPE による気相成長により製造された。用いられたガスは、NH3 とキャリアガスH2又はN2とTMG とTMA とトリメチルインジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す) と、シラン(SiH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下「CP2Mg 」と記す）である。
【００１９】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した厚さ100 〜400 μｍの単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でH2を流速2 liter/分で反応室に流しながら温度1100℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
【００２０】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5モル／分で供給してAlN のバッファ層２１を約 500Åの厚さに形成した。次に、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7×10-4ル／分で、４分間供給して、膜厚約0.3 μｍのGaN から成る単結晶層３１を形成した。
【００２１】次に、サファイア基板１の温度を、再度、 400℃まで低下させて、バッファ層２１の形成と同一条件で、 500Åの厚さのAlN から成るバッファ層２２を形成した。次に、サファイア基板１の温度を、再度、1150℃に上げて、単結晶層３１の形成と同一条件で、厚さ0.3 μｍのGaN から成る単結晶層３２を形成した。さらに、サファイア基板１の温度を、再度、 400℃まで低下させて、その単結晶層３２の上に、同様に、バッファ層２３を形成した。
【００２２】次に、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7×10-4ル／分、H2ガスにより0.86ppm に希釈されたシランを200ml/分で供給して、膜厚約2.2 μｍ、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
【００２３】次に、サファイア基板１の温度を1100℃に保持し、N2又はH2を10 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.12×10-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、及び、H2ガスにより0.86ppm に希釈されたシランを10×10-9mol/分で供給して、濃度２×1018/cm3のシリコンドープのAlGaN から成るｎ伝導型のクラッド層４を形成した。
【００２４】続いて、温度を850 ℃に保持し、N2又はH2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.53×10-4モル／分、及び、TMI を0.02×10-4モル／分で供給して、0.05μｍのInGaN から成る活性層５を形成した。」
　
（カ）
　上記（オ）から、サファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置に装着した後、活性層５を形成するまでの各工程が前記装置内で連続して行われていることが明らかである。
　
　上記各記載事項からみて、先願明細書には、
「発光素子の製造方法であって、
　サファイア基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に３層積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む) から成る層を形成し、前記目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3Nから成る層は光素子の基底層であって、
　サファイア基板をＭＯＶＰＥ装置に装着した後、活性層を形成するまでの各工程が前記装置内で連続して行われており、
　前記バッファ層の厚さは１００〜１０００Åであり、前記単結晶層の厚さは５００〜３０００Åであり、前記バッファ層の形成は同一条件で行われる、
　発光素子の製造方法。」の発明（以下、「先願明細書記載発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３−２）対比・判断
　本願補正発明と先願明細書記載発明とを以下に対比する。
　
（ア）先願明細書記載発明の「発光素子」、「サファイア基板」及び「活性層」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体発光素子」、「基板」及び「発光層」に相当する。
　
（イ）先願明細書記載発明では、単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に３層積層させており、前記バッファ層の形成は同一条件で行われている。
　したがって、先願明細書記載発明には、バッファ層、単結晶層、バッファ層という積層構造が存在することになるから、これらは、それぞれ、本願補正発明の「第１の低温バッファ層」、「高温バッファ層」、「第２の低温バッファ層」に相当する。
　そして、先願明細書記載発明における高温バッファ層の厚さは５００〜３０００Åであるから、本願補正発明の発明特定事項である「０．３μｍより厚く１μｍ以下の厚さ」の意味であるところの０．３〜１μｍ程度の厚さとは、少なくとも、０．３μｍの厚さの場合で一致する。
　また、先願明細書記載発明は、単結晶成長がなされない低温で半導体層を成膜して第１の低温バッファ層を形成し、該第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を成膜して高温バッファ層を形成し、該高温バッファ層上に前記第１の低温バッファ層と同じ条件でさらに半導体層を成膜して、第２の低温バッファ層を形成していることになる。
　
（ウ）先願明細書記載発明の第２の低温バッファ層が高温バッファ層の表面の凹凸を平坦化しているかどうかを検討するに、本願の明細書には以下の記載がある。
　
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する場合に、まずＧａＮからなる低温バッファ層を堆積してから高温による半導体結晶層を積層しているが、低温バッファ層上に高温でＧａＮの結晶を堆積する場合、その結晶化が均一になされず、その境界面に大きい場合は高さで１μｍ程度の凸凹が生じる場合がある。その結果、その上に積層されるチッ化ガリウム系化合物半導体層も凸凹面状に形成されるため、０.１μｍ程度の薄い活性層などは段切れが生じて活性層を挟むｎ形層とｐ形層との間でリーク電流が生じることがある。また、段切れが生じないまでも積層された半導体層に凸凹が生じていると、半導体層にクラックが入りやすいと共に、電流が不均一となり、発光も不均一で発光効率が低下するという問題がある。」、
「【００１１】まず、たとえばサファイアからなる絶縁基板１上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、キャリアガスのＨ2 と共にトリメチリガリウム（以下、ＴＭＧという）、トリメチルインジウム（以下、ＴＭＩｎという）、およびアンモニア（以下、ＮＨ3 という）などの反応ガスを供給して、４００〜６００℃程度の単結晶化しない低温で、ｎ形のＩｎy Ｇａ1-y Ｎ（０≦ｙ≦０.５）からなる第１の低温バッファ層２ａを０.０２〜０.１５μｍ程度成膜する。ついで、反応ガスのＴＭＩｎを止めて６００〜１２００℃程度の高温で、たとえばＧａＮからなる高温バッファ層３ａを０.３〜１μｍ程度の厚さだけエピタキシャル成長する。この際、第１の低温バッファ層２ａも結晶化されるが、高温バッファ層３ａの成長初期には完全な結晶化には至っていないため、最初の結晶化が面内で均一には行われず、凸凹が生じることがある。その後、反応温度を再度４００〜６００℃程度の低温に下げて第１の低温バッファ層と同じ条件で第２の低温バッファ層２ｂを０.０２〜０.１５μｍ程度成膜する。この第２の低温バッファ層２ｂは結晶成長ではないため、充分に結晶成長していない高温バッファ層３ａの凹部にも成膜されて高温バッファ層３ａの成長初期に生じた凸凹の表面が平坦化される。この低温バッファ層２ｂの表面粗さは、高温バッファ層３ａの粗さより１／１０程度細かくなる。」、
「【００１４】本発明によれば、高温バッファ層３ａが堆積された後に、再度第２の低温バッファ層２ｂを形成している。そのため、第１の低温バッファ層２ａ上にチッ化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長する場合に、成膜初期の結晶化の不均一に伴う凸凹が生じても、低温で成膜される第２のバッファ層は単結晶成長ではないため、凹部に埋って成膜され、表面の凸凹が平坦化される。この第２の低温バッファ層２ｂは、高温バッファ層３ａの結晶層の上に成膜されており、つぎのｎ形層３をエピタキシャル成長するために高温にするときに結晶化される。そのため、その上にエピタキシャル成長されるチッ化ガリウム系化合物半導体層（ｎ形層３）は、その結晶化した半導体層上に形成するため、結晶化の不均一性は生じ難く、第２のバッファ層２ｂで平坦化された面の状態を維持しながら積層される。そのため、ｎ形層３の成膜が平坦化され、その上に積層される活性層４、ｐ形層５も平坦化され、均一な半導体層が成膜されて発光特性が向上する。」
　
　以上の記載からみて、本願補正発明において、高温バッファ層の表面に凹凸が形成される理由は、サファイアからなる絶縁基板上に第１の低温バッファ層を成膜した後、高温バッファ層をエピタキシャル成長させる際に、第１の低温バッファ層の結晶化が均一になされないことにあるものと認められる。さらに、本願補正発明において、第２の低温バッファ層が高温バッファ層の表面の凹凸を平坦化できる理由は、第２の低温バッファ層が結晶成長ではないため、高温バッファ層の凹部にも成膜されることにあるものと認められる。
　
　そして、先願明細書記載発明においては、サファイア基板を用いており、第１の低温バッファ層を成膜させた後、高温バッファ層をエピタキシャル成長させているとともに、第２の低温バッファ層が結晶成長ではないことが明らかであり、さらに、第２の低温バッファ層の厚さについて、上記本願明細書の記載の場合（０．０２〜０．１５μｍ）と先願明細書記載発明の場合（１００〜１０００Å、すなわち、０．０１〜０．１μｍである）とで特段の相違がないことに照らせば、先願明細書記載発明は、本願補正発明と同様に、高温バッファ層の表面に凹凸が形成され、第２の低温バッファ層がその凹凸を平坦化するものと認められる。
　
（エ）先願明細書記載発明において、第２の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を順次積層して発光層を形成していることは明らかである。
　
（オ）先願明細書記載発明においては、サファイア基板をＭＯＶＰＥ装置に装着した後、活性層を形成するまでの各工程が前記装置内で連続して行われているから、第１の低温バッファ層の形成、高温バッファ層の形成、第２の低温バッファ層の形成、発光層の形成の各工程が同一装置内で連続して行われていることになる。
　
　してみれば、本願補正発明と先願明細書記載発明とは、
「（ａ）基板上に単結晶成長がなされない低温で半導体層を成膜して第１の低温バッファ層を形成し、
（ｂ）該第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を０．３μｍの厚さに成膜して高温バッファ層を形成し、
（ｃ）該高温バッファ層上に前記第１の低温バッファ層と同じ条件でさらに半導体層を成膜して、前記高温バッファ層の表面の凸凹を平坦化する第２の低温バッファ層を形成し、
（ｄ）前記第２の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を順次積層して発光層を形成する
の各工程を同一装置内で連続して行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。」である点で一致するから、両者は同一である。
　
　したがって、本願補正発明は、先願明細書記載発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、上記補正事項である「０．３μｍより厚く１μｍ以下の厚さ」の意味を０．３μｍを含まないものであると解釈したとしても、先願明細書記載発明における高温バッファ層の厚さの最大値である３０００Åとの差は無限小であり、また、本願補正発明が、０．３μｍの厚さを境界として特段の効果を奏するともいえない。したがって、上記解釈を前提としても、本願補正発明は、先願明細書記載発明と実質的に同一である。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　仮にそうでないとしても、本件補正は、同法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年９月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年５月３０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　（ａ）基板上に単結晶成長がなされない低温で半導体層を成膜して第１の低温バッファ層を形成し、
（ｂ）該第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を成膜して高温バッファ層を形成し、
（ｃ）該高温バッファ層上に前記第１の低温バッファ層と同じ条件でさらに半導体層を成膜して第２の低温バッファ層を形成し、
（ｄ）前記第２の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で半導体層を順次積層して発光層を形成する
の各工程を同一装置内で連続して行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、上記「２．（３−１）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明において、第１の低温バッファ層上に結晶成長が可能な温度で成膜される「半導体層」に関する発明特定事項から「０．３μｍより厚く１μｍ以下の厚さ」の点を削除するとともに、「第２の低温バッファ層」に関する発明特定事項から「前記高温バッファ層の表面に凹凸を平坦化する」点を削除したものに相当する。そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記２．（３−２）に記載したとおり、先願明細書記載発明と同一であるから、本願発明も、同様の理由により、先願明細書記載発明と同一である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書記載発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。