【事件の表示】
　特願２００１−３９０５６３「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１３日出願公開、特開２００２−２６１３８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成１３年１２月２１日
（パリ条約による優先権主張　２００１年１０月２３日　米国、
　国内優先権主張　　　　　　平成１２年１２月２７日）
　拒絶理由通知書送付　　　平成１８年　４月２５日
　意見書・手続補正書提出　平成１８年　６月２６日
　拒絶査定送付　　　　　　平成１８年　８月２２日
　審判請求　　　　　　　　平成１８年　９月２１日　
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成１８年６月２６日提出の手続補正書により補正された明細書の請求項１ないし２３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「半導体基板上に多層膜構造のリッジ部を形成した半導体装置において、
　少なくとも、前記リッジ部の上面と前記リッジ部の長手方向側面の一方とを被覆する導電体層と、
　少なくとも、前記リッジ部の側面と前記導電体層との間に設けられ、当該絶縁層の上端位置が前記リッジ部の上面位置以下である絶縁層と、
　を備え、前記導電体層の前記リッジ部の長手方向側面における膜厚は１５０ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物
（１）刊行物１
　これに対し、原審において引用された特開平１−１８７８９１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「半導体レーザの基本的構成が第４図に示される。
　第４図の半導体レーザの構成をその製造工程に従って説明する。
　本レーザは、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、液相成長法（ＬＥＰ法），ＭＯＣＶＤ法、または、ＭＢＥ法等を用いてレーザ構造が形成される。ここでは、ＭＢＥ法で作成する場合について述べる。このｎ−ＧａＡｓ基板１にＳｉがド−プされたｎ−ＧａＡｓからなるバッファ層２を、約０．５μｍ形成する。更に、同じくＳｉをドープしたｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなるクラッド層３を約１．５μｍ形成する。この層上に、ＧａＡｓのノンドープ層からなる活性層４を、代表的には、０．１μｍ程度成長し、さらにクラッド層（光閉込め層）となる、Ｂｅ（ベリリウム）がドープされたＰ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層５を１．５μｍ形成する。このＰ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層５とｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層３は、活性層であるＧａＡｓノンドープ層４にキャリアと光を閉じ込める効果を有する。電極用コンタクト層６は、ＢｅがドープされたＰ−ＧａＡｓからなリ、膜厚は０．５μｍである。絶縁層７はＳｉ３Ｎ４膜であり、膜厚は２０００Åである。Ｐ型電極８はＡｕ／Ｃｒの積層構造を有し、ｎ型電極１０は、Ａｕ／Ｎｉからなっている。
　このような半導体レーザを使用する際、最も重要なことは、発光部１１の安定であり、通常これを“横モード”と呼び、横モードが単一であることが重要である。電流１２は、電極用開口部９より注入され、発光部１１に到達する。この発光部１１が単一になるか複数になるかは、電極用開口部９の大きさと、電流１２の横方向への拡がりに依存する。この問題点を解決する目的で作成された改良型レーザの一例としてリッジ型半導体レーザがある。
　第５図はリッジ型半導体レーザの一例の構造を示す断面図である。
　ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層としてｎ−ＧａＡｓ層２が形成され、その上にｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなるクラッド層３が形成されている。ノンドープＧａＡｓからなる活性層４の厚さは０．１μｍである。このリッジ型レーザの構造が第４図と異なる点は、Ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなるクラッド層１３の厚さが部分的に異なりリッジ構造が形成されていることであり、リッジ部１４の厚さは、従来と同じ１．５μｍであり、凹部１５の厚さは約０．２μｍである。参照番号６は、電極用コンタクト層（Ｐ−ＧａＡｓからなる）である。リッジの形成方法は電極用コンタクト層６までを一様に作成した後、Ｃｌ２によるドライエツチング（例えばＡｒガスによるものなど）によりエツチングするか、ウェットエツチング（Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：１０）によるエッチング等により形成される。このような構成にすると、電流１２の広がりを制限することができ、発光部１１も小さくなり、横モードを単一で動作させることが可能となる。このリッジ構造は、形成も容易で特性も良く、すぐれた構造である。」（第１頁右下欄第１行〜第２頁右上欄第１６行）　
　
　そして、第５図を参照すれば、Ｐ型電極８は、クラッド層１３及び電極コンタクト層６により形成されるリッジの上面と側面を被覆しており、また、絶縁膜７がリッジとＰ型電極８との間に設けられており、その上端位置は電極コンタクト層６の上面位置、すなわち、リッジの上面位置より下に位置していることがみてとれる。
　また、上記リッジが第５図において紙面に垂直な方向を長手方向とするものであることは、当該リッジが半導体レーザの横モードを単一にするものである旨の上記記載から、当業者に明らかである。
　
　以上のことから、刊行物１には、「ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、クラッド層３、活性層４、クラッド層１３、電極用コンタクト層６が形成され、前記クラッド層１３及び電極用コンタクト層６はリッジを形成しており、Ｐ型電極８が前記リッジの上面と前記リッジの長手方向側面を被覆しており、絶縁膜７が前記リッジの側面と前記Ｐ型電極８との間に設けられており、その上端位置はリッジの上面位置より下に位置しているリッジ型半導体レーザ。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　同じく、原審において引用された本願の優先権主張日前の平成１２年４月１１日に頒布された特開２０００−１０６４７３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図とともに次の記載がある。　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）もしくはＩｎＮ（窒化インジウム）またはこれらの混晶等のIII −Ｖ族窒化物系半導体（以下、窒化物系半導体と呼ぶ）からなる化合物半導体層を有する半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、青色または紫色の光を発する発光ダイオード、半導体レーザ素子等の半導体発光素子として、ＧａＮ系半導体発光素子の実用化が進んできている。」
「【００８７】最後に、図６に示すように、ｎ−ＧａＮ層５上の中央部の領域を除いてＧａＮ系半導体層１８の上面および側面ならびにオーミック電極１５ａの表面に、短絡防止用のＳｉＯ2膜１６を形成した後、ｎ−ＧａＮ層５上およびＳｉＯ2膜１６上に
厚さ１００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌからなるｎ電極１７
　
　したがって、刊行物２には、半導体レーザ素子等の半導体発光素子に用いられる電極膜に厚さ２０００Å、すなわち、２００ｎｍ（Ｔｉの厚さも加えれば２１０ｎｍ）の膜厚のものが用いられる旨記載されているものと認められる。
 
（３）刊行物３
　同じく、原審において引用された特開昭５９−１６５４１８号公報（以下、「刊行物３」という。）には、第１図とともに次の記載がある。
「本発明は半導体発光ダイオード及び半導体レーザダイオード等の半導体発光素子の製造方法の改良に関する。」（第１頁左下欄第１６〜１８行）
「本実施例の製造工程は、絶縁膜６とそれに続く電流注入開口６ａのエッチング加工までは通常よく知られた半導体発光素子の製造方法にもとづいている。即ち、半導体基板１上へのエピタキシャル成長工程後、ＣＶＤ法により厚さ約０．３μｍの絶縁膜６をエピタキシャル成長された半導体ウエハー表面へ堆積する工程、フォトリソグラフィにより直径３０μｍの電流注入部開口６ａ部分の絶縁膜６を除去する工程を経て、真空蒸着法により
厚さ０．１μｍのオーム接触用金属膜７及び厚さ０．２μｍの電極反応阻止用金属膜８
　
　したがって、刊行物３には、半導体レーザダイオード等の半導体発光素子に用いられる電極膜に厚さ０．２μｍ、すなわち、２００ｎｍ（金属膜７の厚さも加えれば３００ｎｍ）の膜厚のものが用いられる旨記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と刊行物１発明を比較するに、刊行物１発明の「リッジ型半導体レーザ」が本願発明と同様「半導体基板上に多層膜構造のリッジ部を形成した半導体装置」の発明であることは明らかである。
　そして、刊行物１発明の「Ｐ型電極８」及び「絶縁膜７」がそれぞれ本願発明の「導電体層」及び「絶縁層」に相当するところである。
　したがって、本願発明と刊行物１発明はともに
「半導体基板上に多層膜構造のリッジ部を形成した半導体装置において、
　少なくとも、前記リッジ部の上面と前記リッジ部の長手方向側面の一方とを被覆する導電体層と、
　少なくとも、前記リッジ部の側面と前記導電体層との間に設けられ、当該絶縁層の上端位置が前記リッジ部の上面位置以下である絶縁層と、
　を備える半導体装置。」の発明である点で一致する。
　
　一方、本願発明は、前記導電体層の前記リッジ部の長手方向側面における膜厚が１５０ｎｍ以上であるとされているのに対し、前記導電体層に相当する刊行物１発明のＰ型電極８の膜厚について刊行物１には記載がない点で相違する。
　
　上記相違点について検討するに、半導体レーザ等の半導体発光素子における電極膜として、上記刊行物２や３に記載されているように１５０ｎｍ以上の膜厚のものが使用されているから、刊行物１発明におけるＰ型電極８としてこのような膜厚の導電体層を採用して、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に成し得たものと認められる。
　また、本願発明が奏するとする効果についても当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。