【事件の表示】
　特願２００４−２９４１４２「プラズマ処理反応器内の導電性の面を保護するための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月１４日出願公開、特開２００５−１９１５３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成６年１月２８日（優先権主張１９９３年１月２８日、米国）に出願した特願平６−８６９０号の一部を平成１４年１２月１８日に新たな特許出願、特願２００２−３６７１３５号としたものを、さらに、平成１６年１０月６日に新たな特許出願、特願２００４−２９４１４２号としたものであって、平成１８年４月２１日付で拒絶査定がなされ、平成１８年７月２４日に審判請求がなされ、当審にて平成１９年６月２６日付で拒絶理由が通知され、平成１９年１１月５日付で手続補正がなされたものである。　
　
２．平成１９年１１月５日付の手続補正について　
　結論
　平成１９年１１月５日付の手続補正を却下する。
　
　理由
（１）補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「　一対の電極により処理プラズマを導電性のプロセスチャンバ壁の付近に生成するプロセスチャンバにおいて、前記一対の電極の一つは基板を保持するプラテン電極を構成し、
　前記プラテン電極にできるだけ近く隣接した前記プロセスチャンバ壁には絶縁性ライナが取り付けられ、前記絶縁性ライナが、前記プラテン電極と前記プロセスチャンバ壁とのアークを防止し、前記処理プラズマを前記一対の電極及び前記ライナで囲まれる処理領域内に実質的に閉じ込め、前記プラテン電極は部分的に電気的にフロートしている、前記プロセスチャンバ。」
　
　上記補正は、「プラテン電極に近い」を「プラテン電極にできるだけ近く隣接した」と補正するものであり、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（２）拒絶理由について　
　当審にて平成１９年６月２６日付で通知した拒絶理由において指摘した、明細書及び特許請求の範囲の記載不備について検討する。
　
（２−１）
　本願補正発明の構成の「プラテン電極は部分的に電気的にフロートしている」について
　上記構成に関して、発明の詳細な説明において
「【００３７】
  絶縁性の上部セラミックライナー２２１及び２２２並びにセラミック環状体２２３は、プラズマをはね返し、こうして処理プラズマを基板２１５により近くに隣接した処理領域に閉じ込め、これによりチャンバハウジング２１２の壁上の堆積物を減少させ、また処理効率を高める。下部セラミックライナー２２０は、
部分的に電気的にフロート（ｆｌｏａｔｉｎｇ）しているサセプタ２１６
と記載されているが、「部分的に電気的にフロートしている」とはどのような構成なのか、部分とはどこか、部分的にフロートするとはどのような状態か、周知の構成とどのように相違するのか、その具体的な内容が依然として不明確である。また、どのようにしてこの構成を実現するのか、装置の構造、各部の寸法、材料の厚さ、材料の抵抗率、等々、この構成を実現するための具体的な条件が不明であり、当業者が容易に実施しうる程度に発明の構成が記載されていない。よって、特許法第３６条第４項及び第５項の規定により特許を受けることができない。
　
（２−２）本願補正発明の構成の「プラテン電極にできるだけ近く隣接した」について
　上記構成における「できるだけ近く」との記載は、どの程度近づけばよいのか、その程度が不明確で、不明瞭な記載である。しかも明細書には、前記記載の定義などが全く存在せず、明細書の記載を参酌しても前記記載の意味は明確でない。よって、特許法第３６条第５項の規定により特許を受けることができない。　
　
（２−３）本願補正発明の構成の「実質的に閉じ込め」の「実質的に」の記載についても、何をもって実質的というのか、どの程度ならば実質的というのかわからず、不明確な記載である。よって、特許法第３６条第５項の規定により特許を受けることができない。　
　
　なお、プロセスチャンバ壁に絶縁膜を形成することは、上記拒絶理由で、引用した引用例１（特開昭６３−１３８７３７号公報）、引用例３（特開平３−１７２８４号公報）に記載されており、また、絶縁壁を設けて放電を防止することも、特開平３−１７０６６６号公報、特開平２−１４５１７号公報に記載されているように周知である。
　また、処理基板の大型化に伴い、プラズマ処理装置は大型化するが、装置の設計に当たって、無駄な装置の巨大化を避けるように装置各部の寸法を設定し、プロセスチャンバ壁をプラテン電極にできるだけ近く隣接させるようにすることは、当業者が適宜なし得る設計事項であり、その際、放電防止のために、内壁に絶縁部材を設けることも、当業者が容易に想到しうることである。そして、「部分的に電気的にフロートしている」ことが、単に、プラテン電極の導体上に高周波電流が流れている状態であるならば、上記引用例等に示されている周知のプラズマ処理装置においても程度の差はあれ、同様のことが起こっているはずであり、周知のプラズマ処理装置との装置の構造上の相違が、本願明細書にも特許請求の範囲にも明確にされていないから、これらの構成おける新規性、進歩性は認められない。
　
（２−４）むすび
　したがって、本件補正発明は、発明の詳細な説明の記載、及び、特許請求の範囲の請求項の記載が、依然として不明確であり、当業者が容易に実施できる程度に記載されていないので、特許法第３６条第４項及び第５項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について　
　平成１９年１１月５日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年３月１３日付の手続補正書の特許請求の範囲１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「一対の電極により処理プラズマを導電性のプロセスチャンバ壁の付近に生成するプロセスチャンバにおいて、前記一対の電極の一つは基板を保持するプラテン電極を構成し、
　前記プラテン電極に近い前記プロセスチャンバ壁には絶縁性ライナが取り付けられ、前記絶縁性ライナが、前記プラテン電極と前記プロセスチャンバ壁とのアークを防止し、前記処理プラズマを前記一対の電極及び前記ライナで囲まれる処理領域内に実質的に閉じ込め、前記プラテン電極は部分的に電気的にフロートしている、前記プロセスチャンバ。」
　
（３−１）検討　
　本願発明は、２．で検討した本願補正発明の、「プラテン電極にできるだけ近く隣接した」との構成を省き、「プラテン電極に近い」としたものである。また、発明の詳細な説明の記載は、２．で検討したものと内容に変更はない。
　「プラテン電極に近い」との構成は、どの程度の距離であれば近いと言えるのか不明確であり、当業者が容易に実施できる程度に記載されておらず、かつ、発明の構成に欠くことのできない事項を記載していない。また、他の構成要件についても、上記２．で検討したように特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が不明確若しくは不明である。
　
４．むすび　
　以上のとおり、特許請求の範囲の記載は、本願発明の構成に関して不明確であり、また、発明の詳細な説明には当業者が容易に実施をすることができる程度に本願発明の目的、構成、効果が記載されていないので、本件は、平成６年改正前特許法第３６条第４項、及び、第５項の規定に違反するものである。
　よって、結論のとおり、審決する。