【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８９２７７号「配線回路基板とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年４月２０日出願公開、特開２００１−１１１１８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１１年１０月１２日の出願であって、平成１７年４月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年５月２０日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月７日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年７月７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年７月７日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項２、４が補正され、請求項１〜５は、次のとおりのものとなった。
　「【請求項１】導体回路となる金属層上に、該金属層とは別の金属から成るエッチングバリア層を介して金属から成る突起が、選択的に形成され、
　上記導体回路の上記突起が形成された側の面に、層間絶縁層が、該突起によって貫通されその上部が該層間絶縁層の表面から突出するように形成され、
　上記突起が他の金属層と加熱、加圧による積層によって接続されて、上記層間絶縁層を貫通して上記導体回路となる金属層と上記他の金属層との層間接続手段を成している
　ことを特徴とする配線回路基板。
 【請求項２】前記導体回路となる金属層と、前記突起が銅からなり、
　前記エッチングバリア層がニッケルからなる
　ことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
 【請求項３】突起形成用の金属層上にそれとは別の金属から成るエッチングバリア層を形成し、該エッチングバリア層上に導体回路となる金属層を形成したものを用意する工程と、
　上記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を侵さないエッチング液により選択的にエッチングすることにより突起を形成する工程と、
　上記エッチングバリア層のみを上記突起をマスクとして上記導体回路となる金属層を侵さないエッチング液で除去する工程と、
　上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に、層間絶縁層を上記突起により貫通されて該突起の上部が上記層間絶縁層の表面から突出するように形成する工程と、
　上記層間絶縁層の表面に上記導体回路とは別の導体回路となる金属層を加圧、加熱により積層して上記突起を該別の金属層に接続させて層間接続手段とする工程と、
　を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
 【請求項４】前記導体回路となる金属層と、前記突起と、前記別の導体回路となる金属層を銅により形成し、
　前記エッチングバリア層をニッケルにより形成する
　ことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板の製造方法。
 【請求項５】上記突起形成用の金属層を選択的にエッチングして上記突起を形成する際に、エッチングマスクとして金属層を用い、
　上記突起の形成後においても上記エッチングマスクとして用いた金属層を残存させてその金属層で突起表面を全面的に覆う状態にする
　ことを特徴とする請求項３又は４記載の配線回路基板の製造方法。」
　なお、請求項１に記載の「該層間絶縁膜」は、「該層間絶縁層」の誤記と認められるので、上記のとおりに認定した。
　
＜補正後の請求項２、４について＞
　上記請求項２の補正は、当該補正前の平成１６年９月２１日付の手続補正書の請求項２が引用する請求項１に記載の「エッチングバリア層」を、「エッチングバリア層がニッケルからなる」に限定したものであり、又上記請求項４の補正は、同じく補正前の請求項４が引用する請求項３に記載の「エッチングバリア層」を、「エッチングバリア層をニッケルにより形成する」に限定したものであって、両補正は、エッチングバリア層の材料を限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　次に、補正後の請求項１〜５のうち請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開平１１−１６３２０７号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平１１−８７９３２号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１（特開平１１−１６３２０７号公報）
（１ａ）「【請求項１】Ａ．第一の金属層と第二の金属層を備える第一の回路形成材料を準備する工程、
Ｂ．第一の金属層をエッチングして層間接続用の柱状パターンを形成する工程、
Ｃ．前記柱状パターンの形成された面と、第三の金属層を備える第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧し、前記柱状パターンと前記第三の金属層を電気的に接続させる工程、
Ｄ．前記第二、第三の金属層をエッチングし所定の配線パターンを形成する工程を備える半導体チップ搭載用基板の製造法。」
　
（１ｂ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、エッチングによる層間接続用の柱状パターンを有する半導体チップ搭載用基板の製造法およびその半導体チップ搭載用基板を使用した半導体装置に関する。」
　
（１ｃ）「【０００６】また本発明の半導体チップ搭載用基板の製造法は、
２ａ．第二の金属層と第一の金属層の間に、第一の金属層に対し選択エッチング可能な第一の中間金属層を備える第一の回路形成材料を準備する工程、
２ｂ．第一の金属層をエッチングして層間接続用の柱状パターンを形成する工程、
２ｃ．第三の金属層を備える第二の回路形成材料を準備する工程、
２ｄ．前記柱状パターンの形成された面と前記第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧し、前記柱状パターンと前記第三の金属層を接触（電気的に接続）させる工程、
２ｅ．前記第二の金属層と前記第一の中間層をエッチングし所定の配線パターンを形成する工程、
２ｆ．前記第三の金属層をエッチングして所定の配線パターン（例えば半導体接続用端子）を形成する工程
を備えるものであることができる。」
　
（１ｄ）「【０００９】本発明の半導体チップ搭載用基板の製造法では、柱状パターンの形成された面と第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧し前記柱状パターンと金属層を接触させる工程の後に、前記柱状パターンと前記金属層間の低電気抵抗化処理を施こすことができる。このような低電気抵抗化処理としては、電圧を印加せしめ接触する金属間に金属イオンの移動によるイオンマイグレ−ション、超音波を印加して接触させる金属間の樹脂残さを減少させ接触確率を上昇させる等の手法が使用できる。また、接触させる金属の少なくとも一方を酸化による粗面化処理し、その酸化粗面を還元する酸化・還元処理を予め行うことにより小さい接続抵抗値を付与することができる。」
　
（１ｅ）「【００１２】図１に、三層箔の第１金属に突起電極群を形成するための工程断面を示す。図１（ａ）に示す三層箔において図中２で示す第１の中間金属層は第１金属層１と選択エッチング可能であり、また第１金属層１よりイオン化傾向が低い。・・・この三層箔両面に・・・感光性レジスト・・・をラミネートし、第１金属層１に、後述の突起電極イメージのエッチングレジスト４を図１（ｂ）に示すように像形成する。このときの電極形状は角状より円状が望ましい。この後、図１（ｃ）に示すように第１金属層を選択エッチングする。次に、エッチングレジスト４を剥離し図１（ｄ）に示す様に高さが均一な突起電極群を有する部材を得る。このように均一な高さの狭ピッチの突起電極が得られる。また、本部材の第１中間金属層はイオン化傾向が低く、最外層の第２金属のマイグレーションを抑制できる。
　【００１３】図２は、図１の部材と三層箔を加圧接触させる工程を示す。図２（ａ）は図１（ｄ）の部材である。図２（ｂ）はこの部材の突起電極群先端と別途準備した三層箔の第３金属側を対向するように、熱硬化性樹脂を介して配置する構成断面を示す。この構成で、真空熱プレスにより、該突起電極群を熱硬化性樹脂に埋設させるとともに、該第３金属層３’と機械的、及び熱的に接触せしめる。これにより、図２（ｃ）に示す部材が得られる。この際、突起電極と３’の面に所定の温度、湿度、気圧の条件下で、電圧を印加せしめ、充分小さい接続抵抗値を付与する。配線層と、はんだ接続用電極を層分離接続でき、配線層の領域を大幅に増加できる。
　【００１４】図３は、図２の部材を用いて、最外層の第２金属３および第１中間金属層２を順次エッチングし、所定のはんだボール接続用電極およびガイドマークパターンを形成する工程および最外層の第１’、２’、３’金属層を該ガイドマークを第１’金属層側から透視可能になるよう後述の突起電極とこれに接続しはんだボール接続用電極への配線領域を残して、エッチングする工程を示す。図３（ａ）は図２の部材である。図３（ｂ）はこの部材の両面にレジスト４をラミネートし、３で示す第２金属層側に後述のはんだボール接続用電極・・・を露光現像で像形成する次に図３（ｃ）で示す様に３および２で示す第２金属層及び第１中間金属層をエッチング後レジストを剥離する。図３（ｄ）で示す様にエッチングレジストを形成し、第３金属層１’、第２中間金属層２’および第４金属層３’をエッチング後レジストを剥離する。このように、配線層とはんだ接続用電極の層分離接続を確実、安定にできる。」
　
（１ｆ）「【００１７】【発明の効果】本発明の半導体チップ搭載用基板の製造法により、均一な高さの狭ピッチの突起電極が得られる、また配線層とはんだ接続用電極を層分離接続でき、配線層の領域を大幅に増加でき、配線層とはんだ接続用電極の層分離接続を確実、安定に行うことができる。本発明の半導体装置は、チップ搭載用基板が高密度な突起電極を有すものであり、小型であり信頼性に優れるものである。」
　
（２）刊行物２（特開平１１−８７９３２号公報）
（２ａ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は多層配線板の製造方法に関する。」とし、次の従来技術の説明がある。「【０００５】一方、多層配線板の簡便な製造手段として、たとえばビア接続形成部に導電性バンプを配置しておき、この導電性バンプ配置面に、絶縁性樹脂シートを介して被積層用素体を積み重ね、この積層体を加熱・加圧一体化する製造方法が開発されている。すなわち、前記積層体を加熱・加圧して一体化する過程で、絶縁性樹脂シートに対して導電性バンプの先端側を貫挿させ、その貫挿させた導電性バンプの先端部を、対向する回路パターンなどに対接・一体化させ、回路パターン層間の接続を行う方式が知られている。」
　
（２ｂ）「【０００８】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、簡便な多層配線板の製造法において・・・、たとえば導電性ペーストの印刷・乾燥硬化によって導電性バンプを形成する。
　【０００９】また、被積層用素体を重ね、前記積層用ガイド孔を位置決め用のピンに挿入し、積層体の位置決めを行った後、加圧・加熱して一体化した後、パターニングすることによって多層配線板を製造する。なお、導電性バンプの代りに、たとえばメッキ法によって、所定位置に金属突起を選択的に形成する手段を採ることもできる。
　【００１０】図４（ａ），（ｂ）は、前記多層化する工程の実施態様を模式的に示す断面図であり、まず、図４（ａ）に図示するごとく、予め、積層用ガイド孔１ａ，２ａ，３ａを穿設した被積層用素体１，２，３を積層・配置する。ここで、被積層用素体１は、両面に所定の回路パターン１ｂを有するコア基板であり、また、２，３は、銅箔２ｂ，３ｂ、この銅箔２ｂ，３ｂの一主面に形設された導電性バンプ２ｃ，３ｃ、および銅箔２ｂ，３ｂの一主面に形設され、かつ導電性バンプ２ｃ，３ｃの先端部が貫挿した絶縁性樹脂層２ｄ，３ｄを有する被積層用素体である。」
　
（２ｃ）「【００２６】実施例１
図１（ａ）〜（ｅ）は、第１の多層配線板の製造方法の実施態様を模式的に示す断面図である。先ず、・・・電解銅箔４の一主面に、・・・図１（ａ）に示すごとく、層間接続用の導電性バンプ５ａ、位置合わせガイド用の導電性バンプ５ｂ、および位置決め用の導電性バンプ５ｃをそれぞれ形設する。・・・・・
　【００２８】次いで、前記電解銅箔４の一主面側に、すなわち各種の導電性バンプ５ａ，５ｂ，５ｃを形設した面に、・・・合成樹脂シート６を積層配置し、この積層体を加圧して、図１（ｂ）に示すごとく、導電性バンプ５ａ，５ｂの先端部が、合成樹脂シート６を貫挿・露出した導電性バンプ５ａ，５ｂ，５ｃ埋め込み型の第１の被積層用素体７を製造する。ここで、導電性バンプ５ｃが型崩れを起こさないのに対して、導電性バンプ５ｂの先端部は潰されているため、前記導電性バンプ５ｃとの検出の誤り起こす恐れが大幅に解消される。
　【００２９】次に、・・・図１（ｃ）に示すごとく、この位置決め用の導電性バンプ５ｃ位置に、・・・ピン挿入用の孔７ａを穿設する。
　【００３０】一方、・・・ピン挿入用の孔８ａを穿設した両面配線型のコア基板８を用意し、このコア基板８の両主面側に、図１（ｄ）に示すごとく、前記ピン挿入用の孔７ａを穿設した被積層用素体７，７を積層配置する。この積層配置の状態で、・・・積層用金型に植立したピンに挿通させ、位置決めした状態で、鏡板を介して積層用金型板で挟み加熱・圧着（加圧）することにより、図１（ｅ）に示すごとく、高精度に位置合せされた両面銅箔張り配線素板９を製造する。
　【００３１】次いで、前記配線素板９の両面銅箔４，４について、通常のエッチングレジストインク・・・を用い、スクリーン印刷で所定の回路パターンとなるように銅箔４，４面をマスクし、・・・エッチングする。その後、・・・両面配線され、かつビア接続部9aを有する多層配線板化し、さらに、ピン挿入用の孔７ａ，８ａを穿設した領域の内側を外形加工線として外形加工することにより多層配線板を製造した。
　【００３２】この多層配線板につき、常套的な電気チェックを行ったところ、全ての接続部に問題（異常）なく、信頼性の高い多層配線板であることが確認された。」
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１に記載の発明
〔Ａ１〕摘記（１ａ）によれば、
Ａ．第一の金属層と第二の金属層を備える第一の回路形成材料を準備する工程、
Ｂ．第一の金属層をエッチングして層間接続用の柱状パターンを形成する工程、
Ｃ．前記柱状パターンの形成された面と、第三の金属層を備える第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧し、前記柱状パターンと前記第三の金属層を電気的に接続させる工程、
Ｄ．前記第二、第三の金属層をエッチングし所定の配線パターンを形成する工程を備える半導体チップ搭載用基板の製造法が記載されている。
〔Ａ２〕摘記（１ｃ）には、第二の金属層と第一の金属層の間に、第一の金属層に対し選択エッチング可能な第一の中間金属層を備える第一の回路形成材料が記載され、摘記（１ｅ）の段落【００１２】には、第１の中間金属層は第１金属層１と選択エッチング可能であり、また第１金属層１よりイオン化傾向が低いと記載されているから、第一の中間金属層（第１の中間金属層）は、第一の金属層（第１金属層１）とは別の金属から成ることは明らかである。
〔Ａ３〕摘記（１ｅ）の段落【００１３】には、「図２（ｂ）はこの部材の突起電極群先端と別途準備した三層箔の第３金属側を対向するように、熱硬化性樹脂を介して配置する構成断面を示す。この構成で、真空熱プレスにより、該突起電極群を熱硬化性樹脂に埋設させるとともに、該第３金属層３’と機械的、及び熱的に接触せしめる。」と記載されているから、上記〔Ａ１〕における「Ｃ．工程」の「第三の金属層を備える第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧し、前記柱状パターンと前記第三の金属層を電気的に接続させる」とは、柱状パターンと第三の金属層を加熱、加圧による積層によって接続されていることも明らかである。
　　
　そこで、上記〔Ａ１〕〜〔Ａ３〕の整理を踏まえ、摘記（１ａ）〜（１ｆ）の記載を半導体チップ搭載用基板としてまとめると、刊行物１には、
「配線パターンを形成する第二の金属層上に、第一の金属層に対して選択エッチングが可能な別の金属から成る第一の中間金属層を介して第一の金属層を形成し、第一の金属層を選択エッチングして層間接続用の柱状パターンを形成した後、第一の金属層に対向させて熱硬化性樹脂と第三の金属層をこの順に配置し、真空熱プレスにより、柱状パターンを熱硬化性樹脂に埋設するとともに、この柱状パターンを第三の金属層と加熱、加圧による積層によって接続され、前記第二、第三の金属層をエッチングし所定の配線パターンを形成した半導体チップ搭載用基板」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願補正発明１と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「第一の中間金属層」は、第一の金属層に対して選択エッチングが可能な別の金属から成っており、第一の金属層を選択エッチングして層間接続用の柱状パターンを形成しているから、第一の金属層のエッチングバリアとして機能していることは明らかであり、本願補正発明１の「エッチングバリア層」に相当している。
　又刊行物１発明の「配線パターンを形成する第二の金属層」、「柱状パターン」、「熱硬化性樹脂」、「第三の金属層」は、それぞれ順に本願補正発明１の「導体回路となる金属層」、「突起」、「層間絶縁層」、「他の金属層」に相当している。
　更に、本願補正発明１の「配線回路基板」は、本願明細書の段落【０００１】には、発明の属する技術分野として、「本発明は、例えばＩＣ、ＬＳＩ等の電子デバイス接続用の配線回路基板・・」とし、同段落【００５６】には、「上記配線回路基板４７の両面にＬＳＩチップ４８、４８、・・・を搭載する。」と記載されているから、「半導体チップ搭載用基板」をその態様に含んでいるといえる。
　そうすると、両者は、「導体回路となる金属層上に、該金属層とは別の金属から成るエッチングバリア層を介して金属から成る突起が、選択的に形成され、上記導体回路の上記突起が形成された側の面に、層間絶縁層が、該突起によって貫通され、上記突起が他の金属層と加熱、加圧による積層によって接続されて、上記層間絶縁層を貫通して上記導体回路となる金属層と上記他の金属層との層間接続手段を成している配線回路基板」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：本願補正発明１の金属から成る突起は、「その上部が層間絶縁層の表面から突出するように形成され」ているのに対し、刊行物１発明の柱状パターンはこの点が明確でない点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　上記刊行物２の摘記（２ａ）には、従来技術として、多層配線板の簡便な製造手段として、ビア接続形成部に導電性バンプを配置しておき、この導電性バンプ配置面に、絶縁性樹脂シートを介して被積層用素体を積み重ね、この積層体を加熱・加圧一体化する製造方法が開発され、前記積層体を加熱・加圧して一体化する過程で、絶縁性樹脂シートに対して導電性バンプの先端側を貫挿させ、その貫挿させた導電性バンプの先端部を、対向する回路パターンなどに対接・一体化させ、回路パターン層間の接続を行う方式が記載され、摘記（２ｃ）によれば、電解銅箔４の一主面側に、導電性バンプ５ａ，５ｂ，５ｃを形設した面に、合成樹脂シート６を積層配置し、この積層体を加圧して、導電性バンプ５ａ，５ｂの先端部が、合成樹脂シート６を貫挿・露出した導電性バンプ５ａ，５ｂ，５ｃ埋め込み型の第１の被積層用素体７を製造すること、又導電性バンプ５ｂの先端部は潰されており、両面配線型のコア基板８を用意し、このコア基板８の両主面側に、被積層用素体７，７を積層配置し、積層用金型板で挟み加熱・圧着（加圧）することにより、高精度に位置合せされた両面銅箔張り配線素板９を製造すること、更に、摘記（２ｃ）段落【００３２】には、この多層配線板につき、常套的な電気チェックを行ったところ、全ての接続部に問題（異常）なく、信頼性の高い多層配線板であることが記載されている。
　また、摘記（２ｂ）段落【０００９】によれば、導電性バンプの代りに、たとえばメッキ法によって、所定位置に金属突起を選択的に形成する手段を採ることもできることが記載されている。
　ここで、上記摘記によれば、絶縁性樹脂シートに対して金属突起（導電性バンプ）の先端側を貫挿させ、その貫挿させた金属突起（導電性バンプ）の先端部を、対向する回路パターンなどに対接・一体化させ、回路パターン層間の接続を、全ての接続部に問題（異常）なく行うのであるから、該金属突起は、その上部が層間絶縁層の表面から突出するように形成されていることは明らかである。
　
　一方、刊行物１発明の半導体チップ搭載用基板においては、上記摘記（１ｄ）によれば、半導体チップ搭載用基板の製造法では、柱状パターンの形成された面と第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧し前記柱状パターンと金属層を接触させる工程の後に、前記柱状パターンと前記金属層間の低電気抵抗化処理を施こすことができること、また、接触させる金属の少なくとも一方を酸化による粗面化処理し、その酸化粗面を還元する酸化・還元処理を予め行うことにより小さい接続抵抗値を付与することができることが記載されている。
　ここで、接触させる金属の少なくとも一方を酸化による粗面化処理し、その酸化粗面を還元する酸化・還元処理を予め行うことにより小さい接続抵抗値を付与することができるとしているから、柱状パターンの金属層が接触する面を粗面化処理し、小さい接続抵抗値を付与することが記載され、柱状パターンと金属層の接続は確実なものとすることが示唆されているといえる。
　
　そうすると、刊行物１発明の半導体チップ搭載用基板は、上記のとおり、柱状パターンと金属層の接続は確実なものとすることが示唆されているのであるから、該柱状パターンを、刊行物２に記載されている、金属突起がその上部が層間絶縁層の表面から突出するように形成することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明１において奏する効果は、刊行物１、２の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものであるとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。     
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１７年７月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜請求項５に係る発明は、平成１６年９月２１日付の手続補正書の請求項１〜請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】導体回路となる金属層上に、該金属層とは別の金属から成るエッチングバリア層を介して金属から成る突起が、選択的に形成され、
　上記導体回路の上記突起が形成された側の面に、層間絶縁層が、該突起によって貫通されその上部が該層間絶縁膜の表面から突出するように形成され、
　上記突起が他の金属層と加熱、加圧による積層によって接続されて、上記層間絶縁層を貫通して上記導体回路となる金属層と上記他の金属層との層間接続手段を成している
　ことを特徴とする配線回路基板。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　平成１６年７月１５日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物１、２とその摘記事項は、上記「II．２．引用刊行物とその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１については、上記本願補正発明１と同一であって、本願補正発明１が、前記「II．３．３−２．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。