【手続補正書】
【提出日】令和1年9月9日(2019.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレーサガス検出装置であって、
放電体積空間（３０）を画定するセル壁（１４）および該放電体積空間（３０）内へのトレーサガス入口（１６）を有する、ガス放電セル（１２）と、
前記放電セルの第１の側にあって、該放電セル内に光を放出する照射光源（２６）、および前記放電セルの前記第１の側とは反対の第２の側にあって、前記照射光源（２６）によって前記放電体積空間（３０）を通過するように放出された照射光を検出する照射光検出器（２８）を含む、光学式分光計の配置系と、
前記放電セルの両側の側部にあって、前記放電セル内にプラズマを発生させる電極（３２）とを備え、
該電極（３２）は、非曝露型プラズマ電極である、
トレーサガス検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載のトレーサガス検出装置において、電気絶縁材料が、各電極と前記ガス放電体積空間（３０）との間に設けられている、トレーサガス検出装置。
【請求項３】
請求項２に記載のトレーサガス検出装置において、それぞれの電極が、前記電気絶縁材料によって覆われている、トレーサガス検出装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載のトレーサガス検出装置において、前記電気絶縁材料が、前記セル壁の一部である、トレーサガス検出装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）が、誘電体バリア放電セルである、トレーサガス検出装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記電極（３２）が、交流電源によって給電される、トレーサガス検出装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記放電体積空間（３０）が、バッファガスを含む、トレーサガス検出装置。
【請求項８】
請求項７に記載のトレーサガス検出装置において、前記バッファガスが、アルゴンを含む、トレーサガス検出装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）が、バッファガス入口（３８）及びバッファガス出口（４２）を有している、トレーサガス検出装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記照射光源（２６）から前記照射光検出器（２８）への照射光の進行方向を横断する面における、前記ガス放電体積空間（３０）の断面の幅が１０ｍｍ未満である、トレーサガス検出装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記トレーサガス入口（１６）が、ガス選択膜（１９）を含む、トレーサガス検出装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のトレーサガス検出装置において、前記膜（１９）が、熱的に緻密化されたスピンオンガラス（ＳＯＧ）誘電体の層を有する、トレーサガス検出装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のトレーサガス検出装置において、前記スピンオンガラスの層が、化学蒸着（ＣＶＤ）されたホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）が熱的に再流動化された層によって平坦化および／またはキャップされている、トレーサガス検出装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）の壁の少なくとも一部の内側表面が、誘電体材料を有する、トレーサガス検出装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）の電子が高周波源によって励起される、トレーサガス検出装置。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、少なくともさらなる照射光源（２６）が、プラズマパラメータに対するバックグラウンドガス成分の影響を定量化するために用いられる、トレーサガス検出装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置において、少なくとも１つの磁石が、各電極の前記ガス放電体積空間（３０）とは反対側の背後に、前記セル壁（１４）上でのプラズマ電子の損失を最小化又は抑制するために配置される、トレーサガス検出装置。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項に記載のトレーサガス検出装置を使用した、トレーサガスの光学的検出方法であって、前記電極の電力の周波数および／または前記照射光源（２６）からの照射光の周波数の信号変調が用いられる、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、前記トレーサガスが前記放電セル内で励起されて励起状態で検出される、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法において、前記トレーサガスが、前記放電セル内の前記バッファガスの消光状態を検出することによって検出される、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法において、前記トレーサガスが、前記放電セル内の前記バッファガス又はプラズマ電子の励起状態との相互作用によって該トレーサガスの励起状態を達成する、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法において、トレーサガスが経時的に監視され、かつ／あるいは、トレーサガスリークが検知され、かつ／あるいは、トレーサガスがスニッファープローブで嗅気される、方法。
【請求項２３】
請求項１８から２２のいずれか一項に記載の方法において、前記ガスが、ヘリウム、水素、酸素、ネオン、窒素もしくはこれらの組合せからなるものであるか、またはヘリウム、水素、酸素、ネオン、窒素もしくはこれらの組合せを含むものである、方法。
【請求項２４】
請求項１８から２３のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガスが、非準安定であるが励起した活性化状態で検出される、方法。
【請求項２５】
スピンオンガラス（ＳＯＧ）ウェハを、ガス成分を単離するガス選択膜として使用することにより、ガスからガス成分を単離する方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法において、前記ＳＯＧウェハが、シリカ酸化物半導体である、方法。
【請求項２７】
請求項２５または２６に記載の方法において、前記ウェハが、熱的に緻密化されたスピンオンガラス誘電体の層を有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１０には、１００パスセルが示されている。ガス放電セル１２は筒状の電極３２により取り囲まれたキューブ体として形成されており、該筒状の電極３２がセル１２の全体を取り囲んでいる。ガス放電体積空間３０の断面は、リング状である。
なお、本発明は、実施の態様として以下の内容を含む。
〔態様１〕
トレーサガス検出装置であって、
放電体積空間（３０）を画定するセル壁（１４）および該放電体積空間（３０）内へのトレーサガス入口（１６）を有する、ガス放電セル（１２）と、
前記放電セルの第１の側にあって、該放電セル内に光を放出する照射光源（２６）、および前記放電セルの前記第１の側とは反対の第２の側にあって、前記照射光源（２６）によって前記放電体積空間（３０）を通過するように放出された照射光を検出する照射光検出器（２８）を含む、光学式分光計の配置系と、
前記放電セルの両側の側部にあって、前記放電セル内にプラズマを発生させる電極（３２）とを備え、
該電極（３２）は、非曝露型プラズマ電極である、
トレーサガス検出装置。
〔態様２〕
態様１に記載のトレーサガス検出装置において、電気絶縁材料が、各電極と前記ガス放電体積空間（３０）との間に設けられている、トレーサガス検出装置。
〔態様３〕
態様２に記載のトレーサガス検出装置において、それぞれの電極が、前記電気絶縁材料によって覆われている、トレーサガス検出装置。
〔態様４〕
態様２または３に記載のトレーサガス検出装置において、前記電気絶縁材料が、前記セル壁の一部である、トレーサガス検出装置。
〔態様５〕
態様１から４のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）が、誘電体バリア放電セルである、トレーサガス検出装置。
〔態様６〕
態様１から５のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記電極（３２）が、交流電源によって給電される、トレーサガス検出装置。
〔態様７〕
態様１から６のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記放電体積空間（３０）が、バッファガスを含む、トレーサガス検出装置。
〔態様８〕
態様７に記載のトレーサガス検出装置において、前記バッファガスが、アルゴンを含む、トレーサガス検出装置。
〔態様９〕
態様１から８のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）が、バッファガス入口（３８）及びバッファガス出口（４２）を有している、トレーサガス検出装置。
〔態様１０〕
態様１から９のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記照射光源（２６）から前記照射光検出器（２８）への照射光の進行方向を横断する面における、前記ガス放電体積空間（３０）の断面の幅が１０ｍｍ未満である、トレーサガス検出装置。
〔態様１１〕
態様１から１０のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記トレーサガス入口（１６）が、ガス選択膜（１９）を含む、トレーサガス検出装置。
〔態様１２〕
態様１１に記載のトレーサガス検出装置において、前記膜（１９）が、熱的に緻密化されたスピンオンガラス（ＳＯＧ）誘電体の層を有する、トレーサガス検出装置。
〔態様１３〕
態様１２に記載のトレーサガス検出装置において、前記スピンオンガラスの層が、化学蒸着（ＣＶＤ）されたホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）が熱的に再流動化された層によって平坦化および／またはキャップされている、トレーサガス検出装置。
〔態様１４〕
態様１から１３のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）の壁の少なくとも一部の内側表面が、誘電体材料を有する、トレーサガス検出装置。
〔態様１５〕
態様１から１４のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、前記ガス放電セル（１２）の電子が（誘導源、高周波源などの）高周波源によって励起される、トレーサガス検出装置。
〔態様１６〕
態様１から１５のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、少なくともさらなる照射光源（２６）が、プラズマパラメータに対するバックグラウンドガス成分の影響を定量化するために用いられる、トレーサガス検出装置。
〔態様１７〕
態様１から１６のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置において、少なくとも１つの磁石が、各電極の前記ガス放電体積空間（３０）とは反対側の背後に、前記セル壁（１４）上でのプラズマ電子の損失を最小化又は抑制するために配置される、トレーサガス検出装置。
〔態様１８〕
態様１から１７のいずれか一態様に記載のトレーサガス検出装置を使用した、トレーサガスの光学的検出方法であって、前記電極の電力の周波数および／または前記照射光源（２６）からの照射光の周波数の信号変調が用いられる、方法。
〔態様１９〕
態様１８に記載の方法において、前記トレーサガスが前記放電セル内で励起されて励起状態で検出される、方法。
〔態様２０〕
態様１９に記載の方法において、前記トレーサガスが、前記放電セル内の前記バッファガスの消光状態を検出することによって検出される、方法。
〔態様２１〕
態様２０に記載の方法において、前記トレーサガスが、前記放電セル内の前記バッファガス又はプラズマ電子の励起状態との相互作用によって該トレーサガスの励起状態を達成する、方法。
〔態様２２〕
態様２１に記載の方法において、トレーサガスが経時的に監視され、かつ／あるいは、トレーサガスリークが検知され、かつ／あるいは、トレーサガスがスニッファープローブで嗅気される、方法。
〔態様２３〕
態様１８から２２のいずれか一態様に記載の方法において、前記ガスが、ヘリウム、水素、酸素、ネオン、窒素もしくはこれらの組合せからなるものであるか、またはヘリウム、水素、酸素、ネオン、窒素もしくはこれらの組合せを含むものである、方法。
〔態様２４〕
態様１８から２３のいずれか一態様に記載の方法において、前記トレーサガスが、非準安定であるが励起した活性化状態で検出される、方法。
〔態様２５〕
スピンオンガラス（ＳＯＧ）ウェハを、ガス成分を単離するガス選択膜として使用することにより、ガスからガス成分を単離する方法。
〔態様２６〕
態様２５に記載の方法において、前記ＳＯＧウェハが、シリカ酸化物半導体である、方法。
〔態様２７〕
態様２５または２６に記載の方法において、前記ウェハが、熱的に緻密化されたスピンオンガラス誘電体の層を有する、方法。