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　特願２０００−５３８３７７「ＳＯＳ構造上の制御回路機構とモノリシック集積した強誘電性液晶アレイディスプレイの製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月３０日国際公開、ＷＯ９９／４９５０３、平成１４年　３月１９日国内公表、特表２００２−５０８５８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９９年３月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　１９９８年３月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１５年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２８日に手続補正がなされ、その後当審において、平成１７年４月２１日付けで審尋がなされ、その後同年１１月１０日に回答書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　１．平成１５年１０月２８日付け補正（以下、「本件補正」という。）の適法性
（１）本件補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項１ないし４４を補正後の請求項１ないし４４と補正し、明細書の０００４段落ないし０００６段落、０００８段落及び図面の簡単な説明を補正すると共に、発明の名称を補正するものであって、補正後の請求項１１ないし１３、２２、３３、４３、４４及び発明の名称を以下のとおり補正するものである。　
「【請求項１１】請求項２の方法において、
1014cm-2の用量、185keVのエネルギー順位、及び-20℃の温度で前記シリコンイオンのインプランテーションを行い；
前記ＳＯＳ構造を550℃の温度の窒素雰囲気に30分間浸漬し；
前記ＳＯＳ構造が浸漬された窒素雰囲気の温度を１時間で550℃から900℃ヘ上昇させ；
前記ＳＯＳ構造を前記窒素雰囲気中で900℃において約１時間焼きなまし；
前記エピタキシャルシリコン層を温度1000℃の酸素雰囲気中で酸化する
諸過程を含めてなるＳＯＳ構造上の制御回路機構とモノリシック集積した強誘電性液晶アレイディスプレイの製作方法。
【請求項１２】ａ）サファイア基板上にエピタキシャルシリコン層を形成してＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造を創出し；
ｂ）前記エピタキシャルシリコン層にシリコンイオン・インプランテーションを1014cm-2の用量、185keVのエネルギー順位、及び-20℃の温度で加え；
ｃ）前記ＳＯＳ構造を550℃の温度の窒素雰囲気に30分間浸漬し；
ｄ）前記ＳＯＳ構造が浸漬された窒素雰囲気の温度を１時間で550℃から900℃ヘ上昇させ；
ｅ）前記ＳＯＳ構造を前記窒素雰囲気中で900℃において１時間焼なまし；
ｆ）前記エピタキシャルシリコン層を温度1000℃の酸素雰囲気中で酸化してエピタキシャルシリコン薄化層を残しながら前記エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成し；
ｇ）前記二酸化シリコン層を除去して前記エピタキシャルシリコン薄化層を露出し；
ｈ）前記エピタキシャルシリコン薄化層から各々が液晶コンデンサーを含む画素のアレイを作り；そして
ｉ）前記エピタキシャルシリコン薄化層から集積回路機構を作り該回路機構の作動的結合により前記画素を変調する
諸過程からなるＳＯＳ構造上の制御回路機構とモノリシック集積した液晶アレイディスプレイの製作方法。
【請求項１３】請求項１２の方法において、前記エピタキシャルシリコン薄化層を、100nm以下の全般的に一様な厚さにしてなるＳＯＳ構造上の制御回路機構とモノリシック集積した液晶アレイディスプレイの製作方法。」
「【請求項２２】100nm以下の厚さのエピタキシャルシリコン層を含むＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造；
前記ＳＯＳ構造上に形成された液晶コンデンサのアレイ；及び
前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され且つ作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」
「【請求項３３】請求項３２の液晶ディスプレイにおいて、前記エピタキシャルシリコン層を100nm以下の厚さにしてなる液晶ディスプレイ。」
「【請求項４３】請求項３６の液晶ディスプレイにおいて、前記エピタキシャルシリコン層を、
ａ）前記エピタキシャルシリコン層にシリコンイオン・インプランテーションを1014cm-2の用量、185keVのエネルギー順位、及び-20℃の温度で加え、
ｂ）前記ＳＯＳ構造を550℃の温度の窒素雰囲気に30分間浸漬し、
ｃ）前記ＳＯＳ構造が浸漬された窒素雰囲気の温度を１時間で550℃から900℃ヘ上昇させ、
ｄ）前記ＳＯＳ構造を前記窒素雰囲気中で900℃において約１時間焼なまし、
ｅ）前記エピタキシャルシリコン層を1000℃の温度の酸素雰囲気中で酸化してエピタキシャルシリコン薄化層を残しながら前記エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成し、
ｆ）前記二酸化シリコン層を除去して前記エピタキシャルシリコン薄化層を露出する
諸過程により形成してなる液晶ディスプレイ。
【請求項４４】請求項４３の液晶ディスプレイにおいて、前記エピタキシャルシリコン層を100nm以下の厚さにしてなる液晶ディスプレイ。」
「【発明の名称】ＳＯＳ構造上の制御回路機構とモノリシック集積した強誘電性液晶アレイディスプレイの製作方法」
　（２）補正事項の整理
　補正事項１
　補正前の請求項１１ないし１３，２２，３３，４３及び４４に記載された、「イオン注入量」、「イオン加速電圧」、「温度」、「時間」、「層」の「厚さ」を表す「数字」の前に記載される「約」を、補正後の請求項１１ないし１３，２２，３３，４３及び４４において、削除する補正をすること。
　補正事項２
　補正前の明細書の０００４段落ないし０００６段落、０００８段落及び図面の簡単な説明を、補正後の明細書の０００４段落ないし０００６段落、０００８段落及び図面の簡単な説明の記載のとおり補正すること。
　補正事項３
　補正前の発明の名称を、補正後の発明の名称「ＳＯＳ構造上の制御回路機構とモノリシック集積した強誘電性液晶アレイディスプレイの製作方法」に補正すること。
　（３）補正の内容の検討
　補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１１ないし１３，２２，３３，４３及び４４に記載された「イオン注入量」、「イオン加速電圧」、「温度」、「時間」、「層」の「厚さ」を表す「数字」の前に記載される「約」を削除するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第４号に規定する目的に該当する。　
　また、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であることも明らかであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　補正事項２について
　補正事項２についての補正は、補正前の明細書の０００４段落ないし０００６段落、０００８段落及び図面の簡単な説明の記載の一部を補正するものであり、誤記の訂正または明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第３号または第４号に規定する目的に該当する。
　また、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であることも明らかであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　補正事項３について
　補正事項３についての補正は、請求項１に係る発明との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第４号に規定する目的に該当する。
　
　したがって、補正事項１ないし３についての補正からなる本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
　２．本願発明について
　平成１５年１０月２８日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし４４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項２２及び３２に係る発明は、その請求項２２及び３２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項２２】100nm以下の厚さのエピタキシャルシリコン層を含むＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造；
前記ＳＯＳ構造上に形成された液晶コンデンサのアレイ；及び
前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され且つ作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」
「【請求項３２】エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成してエピタキシャルシリコン薄化層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造；　　
前記薄化ＳＯＳ構造上に形成された液晶コンデンサのアレイ；及び
前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され且つ作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」
　
第３　刊行物発明
　１．特開昭５１−１１２１８８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された特開昭５１−１１２１８８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。
「(1)二次元像を電圧感応性光学媒体に印加するためのトランジスター・アレイにおいて、前記アレイは、単結晶酸化アルファ−アルミニウム・・・絶縁性で透明なサブストレートと、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長され、各々がソース、ゲートおよびドレイン領域を含む、単結晶シリコンで作られた複数の垂直トランジスター・アレイと、前記垂直アレイの各々に１つづゝ割当てられる複数の垂直ドレインバスとを有し、前記ドレインバスの各々はそれと関連のある前記垂直トランジスター・アレイの特定のものにおけるトランジスターのすべてのドレイン領域とオーミック接触しており、更に、前記ゲート領域のほゞ全面に渡つて蒸着される絶縁層と、前記トランジスターの各々に１つづゝ割当てられ、各々が前記ゲート領域に蒸着されている絶縁層上に形成される複数のゲート電極と、そして各々が前記垂直アレイの特定なものにおけるトランジスターと関連せるすべてのゲート電極と電気的接触をしている複数の水平ゲートバスとから成っていることを特徴とするアレイ。」（特許請求の範囲第１項）
「(2)　液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイを製造する方法において、１つの面に形成された単結晶シリコンの薄い層を有する絶縁性サブストレートを与える工程と、各々が複数のトランジスター領域と一体な垂直ドレインバスを含む、物理的にも電気的にも隔絶された複数の垂直アレイを与えるべく前記シリコン層の選ばれた部分を腐食する工程と、前記トランジスター領域内にゲート領域を形成する工程と、単結晶シリコンのほゞ全面に渡って絶縁層を成長させる工程と、前記トランジスターの各々の各ドレイン領域に露出された領域を与える工程と、複数の水平ゲートバスとそれと一体のゲート電極を含み、それらゲート電極の各々は前記トランジスター領域の１つならびに複数の板により規定された関連せるトランジスターのゲート領域に位置されておりしかも前記板の１つは前記トランジスターの各１つと関連しそしてその露出された領域に接触している構造の前記アレイに導電性層を与える工程とから成ることを特徴とする方法。」（特許請求の範囲第２項）
「本発明は一般的には液晶テスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイと共に使用するための集積ドライバー回路にかゝわる。」（第２頁左上欄第１５ないし１７行）
「ＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）およびその関連技術・・・」（第２頁右上欄第１４及び１５行）
「本発明はＳＯＳ技術およびその関連技術を利用して従来技術における回路と組合せることによつて得られる、液晶扁平パネルマトリクスデスプレイと共に使用するための改良された集積駆動トランジスターアレイにある。本発明の１つの好ましき実施例によると、電界効果トランジスターの複数の垂直アレイはサフアイア・・・上に形成され」（第２頁左下欄第１１ないし１９行）
「本発明の好ましき実施例によると、コンデンサーの底板はトランジスターおよびドレインバスに対するシリコンの垂直アレイを形成する同一作業において形成されるので余分な処理ステップを必要とせず、アレイでの各トランジスターに対して１つづつ蓄積コンデンサーを与えることが可能である。コンデンサーの板間での絶縁物は電界効果トランジスターに対する酸化ゲートを形成する同一作業において形成され、そして蓄積コンデンサーの上板は扁平パネルデスプレイの個々の電極となるか或はそこに電気的に接続された分離要素となる。」（第２頁右下欄第１２行ないし第３頁左上欄第３行）
「好ましき実施例の回路が例示されている第１図を参照するに、そこには外部端子２ａ，２ｂおよび２ｃがそれぞれ付与されている複数のゲート路線１ａ，１ｂ，１ｃなどが見られる。更に、ドレイン・バス端子４ａおよび４ｂにおいてそれぞれ終端している複数の垂直ドレイン・バス３ａおよび３ｂなどが与えられている。特別な組合せにあるゲートおよびドレイン・バス・・・と関連しているのは制御トランジスター５ａａおよびコンデンサー６ａａであつて、そのゲート・バスはゲート電極７ａａに、そしてドレイン・バスはトランジスター５ａａのドレイン領域８ａａにそれそれ接続されている。コンデンサー６ａａの目的は、ビデオ又は他の信号情報を蓄積することにあり、それにより、制御トランジスター５ａａが非導通状態にある期間、適当な電圧が液晶ＬＣの隣接領域を横切つて供給される。コンデンサー６ａａの１つの板はトランジスター５ａａのソース領域９ａａに接続され、他方、他の板は接地接続部１１ａにおいて終端している接地バス１０ａに接続されている。接地バス１０ａはまた他のコンデンサー（６ｂａ，６ｃａ等）の各々の対応せる板に接続されており、それらのコンデンサーはドレイン路線４ａに接続されているトランジスターと関連を有している。更に、各々のドレイン・バスに対しては１つづつ附加的な接地バス１０ｂ等が与えられている。従って、一連のビデオ或は他の信号情報がドレイン・バス（４ａ，４ｂ等）に印加される間における、扁平パネルデスプレイに含まれた液晶についての線走査は適当なタイミング信号を連続的に各種ゲート・バス（２ａ，２ｂ，２ｃ等）に与えることにより可能となり、その情報は適当な制御トランジスターを通過せられそしてその路線が再び走査されるまで対応のコンデンサーに蓄積される。
　第１図の回路において使用されている液晶扁平パネルデスプレイは従来技術において知られているものゝうち如何なるものでも良い。かゝる型式の中には反射性要素がそのデスプレイに組込まれている反対モード動的散乱型デスプレイがあり、各々は液晶の特定領域を経て通過する電流を与えるのに必要な電極の１つとして機能する。この電流は液晶内に攪乱を生じさせ、その液晶を通して観察者に与える散乱視光を助成する。この散乱光は反応器によつてその観察者から離れた方向に反射される。
　動作についての他の起り得るモードは、伝達性モードの動作を供なう動的散乱であつて、そこでの光源は扁平パネルの１つの側にあり、そして観察者は他の側にあるものとする。この動作モードは透明な部材で構成されるパネルを必要とする。液晶に与えられる信号情報を観察者にとつて見えるようにさせるのに、両方共に適当な偏光子の使用を必要とする、捩り磁界効果或は２重屈折効果のような別な液晶電気光学的現象を利用したデスプレイもまた可能である。
　更に別な扁平パネルデスプレイの動作モードとしては、コレステリック／ネマチック混合物にて得られるような蓄積効果の利用がある。かゝる混合物の使用は電気信号が除かれた後でさえ可視像の観察を可能にする。かゝる場合、蓄積コンデンサー６ａａ等は早い走査率を考慮しない限り必要としない。」（第３頁左上欄第７行ないし同頁右下欄第１０行）
「トランジスター化されたマトリクスの好ましき実施例が平面でもつて例示されている第２図を参照するに、そこには、合成サフアイア・・・から成る絶縁性サブストレート２０がその一面に単結晶シリコンで形成されている多数の垂直アレイを持つているのが見られる。各々のかゝるアレイには多くのトランジスター領域２２を含み、こうした領域の各々はゲート領域２３、ソース領域２４およびドレイン領域２５を含んでいる。特定のアレイのドレイン領域を共に接続しているのはそのアレイのトランジスター領域と一体にあるドレイン・バス２６である。更に、サブストレート２０上には底板部分２８と各種の底板を一緒に短絡するための手段２９とから成る複数の垂直コンデンサー底板アレイ２７が与えられており、この実施例における手段２９は単結晶シリコンで形られていてそしてその底板と一体にある。」（第４頁左上欄第１ないし１９行）
「第１図は液晶扁平パネルデスプレイの規定された領域を抽出している本発明の好ましき実施例の電気的概略図、第２図は選び出された部分での最上部層が明瞭化のために除去されている、本発明による集積トランジスター・アレイの好ましき実施例の部分的平面図」（第６頁右上欄第１１ないし１６行）
　第１及び２図から、液晶扁平パネルマトリクスデスプレイの集積駆動トランジスターアレイの構成要素の各々が、ソース領域２４，ドレイン領域２５を備えた電界効果トランジスタと、コンデンサー底板アレイ２７と頂部コンデンサー板３３からなるコンデンサを備えていることは明らかであり、また、第１図には、トランジスター・アレイを構成する個々のトランジスター５のソース領域９と接地接続部１１との間にコンデンサ６と液晶ＬＣが並列に接続されていることが記載されている。
　また、刊行物１の摘示事項より、絶縁性サブストレートであるサファイア基板上に単結晶シリコンの薄い膜を形成してＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）を形成することも記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　
　「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上に単結晶シリコンの薄い膜を形成したＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）と、
　前記サファイア基板上に形成された、液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイとを備え、
　前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、
　各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されていることを特徴とする　
　液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ。」
　
　２．特表平８−５１２４３２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された特表平８−５１２４３２号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
「４３．サファイア基板上に真性シリコン層を有するシリコン・オン・サファイアウェハを製造する方法であって、
　サファイア基板の表面上にシリコン層をエピタキシャルに堆積するステップと、
　注入されたイオンが、前記シリコン層内に、実質的に前記サファイア基板の前記表面から前記シリコン層の中へ延びる埋込非晶質領域を形成するような条件下で、所与のイオン種を前記シリコン層に注入し、したがって、前記埋込非晶質領域を覆う単結晶シリコンの表面層を残すステップと、
　前記イオン注入ステップの間、前記シリコン層全体にわたって実質的に一定である予め定められた温度以下で前記シリコン層を保持するステップと、
　ウェハをアニールし、単結晶シリコンの前記表面層を結晶化種として用いて、前記埋込
非品質
非品質
非晶質
「４５．非酸化環境内で約９５０℃以下で高温アニールシーケンスを行ない、それにより、バンドギャップまたは界面状態を導入せずに前記シリコン層内の残りの欠陥を除去するステップをさらに含む、請求項４３に記載の方法。」（請求項４５）
「４７．前記シリコン層の部分を酸化し、それにより、前記サファイア基板と前記酸化された層との間にはさまれる真性シリコンの薄い層を残すステップと、
　前記酸化された層をエッチング除去するステップとをさらに含む、請求項４３に記載の方法。
４８．前記サファイア基板上の前記シリコン層を約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄くするように、前記酸化およびエッチングステップを制御するステップをさらに含む、請求項４７に記載の方法。」（請求項４７及び４８）
「５１．ウェハをアニールし、前記埋込非晶質領域の固相エピタキシャル再成長を誘起する前記ステップは、前記アニールステップの温度を約５００℃から約６００℃までの範囲内であるように選択するステップをさらに含む、請求項４３に記載の方法。」（請求項５１）
「この発明は、シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）のようなセミコンダクタ・オン・インシュレータ複合基板の作製に一般的に関連し、より特定的には、 シリコン・オン・サファイア材料における集積回路においてトランジスタを設けるためのデバイス、構造およびプロセスに関する。」（第１４頁第１１ないし１４行）
「シリコン・オン・サファイア複合基板のシリコンエピタキシャル層の結晶度・・・この再成長の間、シリコン層の残りの結晶質の表面部は結晶核成長の種晶として効果的に働くので、シリコンエピタキシャル層の再成長した部分は、共通の結晶方位を有し、実質的に結晶性欠陥がない。」（第１７頁第２１行ないし第１８頁第１０行）
「この発明は、サファイア基板上にエピタキシャルに堆積されたシリコン膜から開始する。サファイア基板からシリコン膜へアルミニウム外方拡散を引き起こさないで結晶欠陥および電気的に活性の状態を除去するために、イオン注入、固相再成長、およびアニールが行われる。」（第３８頁第７ないし１０行）
「この発明はまた、第１の表面を有するサファイア基板と、サファイア基板の第１の表面上に堆積された、実質的に結晶欠陥および電荷状態かないシリコン層とを含むデバイスとして具体化される。」（第４２頁第７ないし９行）
　３．特開昭６２−２９６５６３号公報　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された特開昭６２−２９６５６３号公報（以下、「刊行物３」という。）には、第２図とともに以下の事項が記載されている。　
「近年、ＳＯＩ構造のＭＯＳトランジスタは、ソース、ドレインがＳｉ基板から絶縁分離されているため、α線や光に強いなどの多くの特長があり非常に注目を集めるようになってきた。」（第１頁右下欄第５ないし８行）
「上記問題点を解決するために、本発明の絶縁ゲート型トランジスタは、再結晶化したＳｉ薄膜の・・・構造になっている。その製造方法は、・・・ｐｏｌｙ−Ｓｉを再結晶化した後、熱酸化によりＳｉ表面を酸化して、さらにそのＳｉＯ２を除去することから構成されている。・・・
　この構造によれば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル部の膜厚が薄いため、α線や光によってチャネル部で発生する電荷は低減され、トランジスタのリーク電流を減少させることができる。」（第２頁左上欄第９ないし１９行）
「本発明の絶縁ゲート型トランジスタの製造方法では、絶縁膜２の上にPoly　Siを５０００Å程度成長し、第２図ａに示すようにそのSi薄膜を結晶化する。次に、第２図ｂに示すようにSi薄膜を、酸化により、１０００Å程度Siが残るように表面を熱酸化する。さらに、第２図ｃに示すようにその熱酸化をエッチングで除去して、絶縁膜２の上に薄い再結晶Si薄膜１３を形成する。
　その後は、第２図ｄに示すように従来のＭＯＳプロセスで薄膜トランジスタを形成する。」（第２頁左下欄第７ないし１７行）
　
第４　当審の判断
　１．本願の請求項２２に係る発明について
　（１）対比
　本願の請求項２２に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（ａ）本願発明１の「エピタキシャルシリコン層」が、単結晶シリコン層であることは明らかであるから、刊行物発明の「単結晶シリコンの薄い膜」は、本願発明の「エピタキシャルシリコン層」に相当し、刊行物発明の「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上に単結晶シリコンの薄い膜を形成したＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）」は、本願発明の「エピタキシャルシリコン層を含むＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」に相当する。
（ｂ）刊行物発明において、「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソース、ゲートおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであ」り、また、「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」おり、さらに、「トランジスター・アレイ」がマトリクス状に配置されていることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「トランジスター・アレイ」は、「液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」の表示要素に対応しており、「コンデンサ６」と「液晶ＬＣ」も前記表示要素と対応している。
　一方、本願の図２及び明細書の００１３段落の「図２は、単一の画素即ちピクセル20の図式的電気回路を示す。この発明において画素は、この場合ＭＯＳＦＥＴである単一の非線形回路素子22、及び単一のネマチック液晶コンデンサ24を含む。」との記載より、液晶ディスプレイのアレイとなる、マトリクス状に配置された画素は、ＭＯＳＦＥＴと液晶コンデンサとを含んでいる。
　よって、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された」「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いることは、本願発明１の「前記ＳＯＳ構造上に形成された」「コンデンサのアレイ」に相当する。
（ｃ）本願発明１の「前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構」において、本願発明１の「集積回路機構」がどのようなものであるか必ずしも明確ではないが、本願明細書の００１６段落には、「幅２ミクロンの金属データ線260がＭＯＳＦＥＴソース222へ電気的に接続され、ＭＯＳＦＥＴドレイン224がネマチック液晶コンデンサ構造240へ電気的に接続される。・・・ネマチック液晶コンデンサ構造240は、ネマチック液晶材料・・・を含有し、該構造の層間に結果的に形成されるコンデンサ構造への電圧印加に応じて可変のスイッチングを行う。」と記載されているから、本願発明１の「集積回路機構」は実質的には、ＭＯＳＦＥＴを含んで構成されるスイッチング回路であって、本願発明１の「作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する」ことも、ＭＯＳＦＥＴによる、画素の制御動作そのものを機能的に表現したものにすぎない。
　一方、刊行物発明において、刊行物発明の「トランジスター・アレイ」は、「液晶材料を駆動するため」のものであり、「液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」の表示要素に対応するとともに、刊行物発明の「トランジスター・アレイ」のそれぞれに対して、コンデンサ６及び液晶ＬＣが対応していることは明らかであって、刊行物１には、「好ましき実施例の回路が例示されている第１図を参照するに、そこには外部端子２ａ，２ｂおよび２ｃがそれぞれ付与されている複数のゲート路線１ａ，１ｂ，１ｃなどが見られる。更に、ドレイン・バス端子４ａおよび４ｂにおいてそれぞれ終端している複数の垂直ドレイン・バス３ａおよび３ｂなどが与えられている。特別な組合せにあるゲートおよびドレイン・バス・・・と関連しているのは制御トランジスター５ａａおよびコンデンサー６ａａであつて、そのゲート・バスはゲート電極７ａａに、そしてドレイン・バスはトランジスター５ａａのドレイン領域８ａａにそれそれ接続されている。コンデンサー６ａａの目的は、ビデオ又は他の信号情報を蓄積することにあり、それにより、制御トランジスター５ａａが非導通状態にある期間、適当な電圧が液晶ＬＣの隣接領域を横切つて供給される。コンデンサー６ａａの１つの板はトランジスター５ａａのソース領域９ａａに接続され、他方、他の板は接地接続部１１ａにおいて終端している接地バス１０ａに接続されている。接地バス１０ａはまた他のコンデンサー（６ｂａ，６ｃａ等）の各々の対応せる板に接続されており、それらのコンデンサーはドレイン路線４ａに接続されているトランジスターと関連を有している。更に、各々のドレイン・バスに対して１つづつ附加的な接地バス１０ｂ等が与えられている。従って、一連のビデオ或は他の信号情報がドレイン・バス（４ａ，４ｂ等）に印加される間における、扁平パネルデスプレイに含まれた液晶についての線走査は適当なタイミング信号を連続的に各種ゲート・バス（２ａ，２ｂ，２ｃ等）に与えることにより可能となり、その情報は適当な制御トランジスターを通過せられそしてその路線が再び走査されるまで対応のコンデンサーに蓄積される。」（第３頁左上欄第７行ないし同頁左下欄第２行）と記載されているから、刊行物発明の「トランジスター」が「トランジスター・アレイ」の位置に形成される「マトリクスデスプレイ」の表示要素を制御するトランジスタであることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイとを備え」るとともに、「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されていること」は、本願発明１の「作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備える」ことに相当する。
（ｄ）刊行物発明の「液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」は、本願発明１の「液晶ディスプレイ」に相当する。
　
　したがって、本願発明１と刊行物発明とは、
 「エピタキシャルシリコン層を含むＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造；
前記ＳＯＳ構造上に形成されたコンデンサのアレイ；及び
前記エピタキシャルシリコン層から形成され且つ作動的結合により前記コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明１が、「100nm以下の厚さのエピタキシャルシリコン層を含むＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」を備えるのに対して、
　刊行物発明が、「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上に単結晶シリコンの薄い膜を形成したＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）」を備えている点。
　相違点２
　本願発明１が、「前記ＳＯＳ構造上に形成された液晶コンデンサのアレイ」を備えるのに対して、
　刊行物発明が、「前記サファイア基板上に形成された」「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いるとの構成を備えている点。　
　相違点３
　本願発明１が、「前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され且つ作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」であるのに対して、
　刊行物発明が、「前記サファイア基板上に形成された、液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイとを備え、
　前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、
　各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されていることを特徴とする　
　液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」であるが、刊行物発明の「前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された」「前記トランジスター・アレイ」が「エピタキシャルシリコン薄化層から形成」されたものであるか否か明らかでない点。　
　
　（２）判断
　以下、相違点について検討する。
　［相違点１について］
　（ａ）本願の明細書の００２８段落及び００２９段落には、「出発材料は、図５（Ａ）に示すように、単結晶の装置品質シリコン薄膜40で覆われたウェーハ形状サファイア・・・基板30である。・・・シリコンを、550℃の窒素雰囲気に半時間浸漬した後、１時間かけて550℃から900℃へ温度変化させ、窒素雰囲気中で900℃において１時間焼きなましする。次いで、そのシリコンを1000℃で酸化し、エピタキシャルシリコン層の一部分を一様に消費する。その酸化物にエッチングを施し、全般的に一様に厚さが薄くされたシリコン層を残す。酸化とエッチング処理を反復することにより、厚さ100ｎｍ未満・・・のシリコン、即ちサファイア基板上の装置品質単結晶シリコンの超薄膜を得る。・・・次に、薄膜シリコン層の各画素内に、単一非線形回路素子たるＭＯＳＦＥＴを作る。」と記載されており、本願発明１においては、ＭＯＳＦＥＴが形成されるのは、「100nm以下の厚さのエピタキシャルシリコン層」、言い換えると、「エピタキシャルシリコン層」から形成した「薄くされたシリコン層」、即ち、「エピタキシャルシリコン薄化層」であることは明らかである。
　したがって、「前記エピタキシャルシリコン薄化層」の「前記」「シリコン層」は、「100ｎｍ以下の厚さのエピタキシャルシリコン層」を意味することは明らかである。
　（ｂ）刊行物２の請求項４３、４５、４７及び４８に記載された事項より、刊行物２には実質的に、
　「サファイア基板上に真性シリコン層を有するシリコン・オン・サファイアウェハを製造する方法であって、
　サファイア基板の表面上にシリコン層をエピタキシャルに堆積するステップと、　
　所与のイオン種を前記シリコン層に注入し、その後非酸化環境内で約９５０℃以下でアニールするステップと、
　前記シリコン層の部分を酸化し、それにより、前記サファイア基板と前記酸化された層との間にはさまれる真性シリコンの薄い層を残すステップと、
　前記酸化された層をエッチング除去するステップと、
　前記シリコン層を約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄くするように、前記酸化およびエッチングステップを制御するステップをさらに含む、方法。」が記載されている。
　（ｃ）また、刊行物２には、上記（ｂ）で検討したとおりの工程を備えた「サファイア基板上に真性シリコン層を有するシリコン・オン・サファイアウェハを製造する方法」が、「シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）のようなセミコンダクタ・オン・インシュレータ複合基板の作製に一般的に関連し、より特定的には、 シリコン・オン・サファイア材料における集積回路においてトランジスタを設けるためのデバイス、構造およびプロセスに関する。」（第１４頁第１１ないし１４行）ものであること及び、シリコン・オン・サファイア複合基板に形成されたシリコンエピタキシャル層は実質的に結晶欠陥がないこと（第３８頁第７ないし１０行及び第４２頁第７ないし９行）が記載されている。
　（ｄ）また、刊行物３には、「絶縁膜２の上にPoly　Siを５０００Å程度成長し、第２図ａに示すようにそのSi薄膜を結晶化する。次に、第２図ｂに示すようにSi薄膜を、酸化により、１０００Å程度Siが残るように表面を熱酸化する。さらに、第２図ｃに示すようにその熱酸化をエッチングで除去して、絶縁膜２の上に薄い再結晶Si薄膜１３を形成する。その後は、第２図ｄに示すように従来のＭＯＳプロセスで薄膜トランジスタを形成する。」（第２頁左下欄第７ないし１７行）と記載されるように、ＳＯＩ構造の絶縁ゲート型トランジスタを「１０００Å程度」の「薄い再結晶Si薄膜」に形成することが記載されている。
　（ｅ）したがって、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された、液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイ」を形成する、「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上」に形成した「単結晶シリコンの薄い膜」として、刊行物２に記載された如き、「約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄く」した「シリコン層」、又は刊行物３に記載された如き、「１０００Å程度」の「薄い再結晶Si薄膜」を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　［相違点２について］
　（ａ）上記「１．（１）対比（ｂ）」で検討したとおり、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された」「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであ」って、「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いることは、本願発明１の「前記ＳＯＳ構造上に形成された」「コンデンサのアレイ」に相当する。
　（ｂ）刊行物１の第１図に記載される、上下が逆となるように２つの▲の頂部が接するように記載した「記号」について検討する。
刊行物１の第１図では、上記「記号」が「液晶ＬＣ」を意味すると記載されている（第３頁右上欄第３行、及び第１図「ＬＣ」）。
　（ｃ）上記「記号」に関して、
　特開平８−４３７９５号公報（周知文献１）には、「液晶表示装置」に関する発明について、「図６に、液晶表示装置の画素部の等価回路を示す。図６において、１はゲート線、２はソース線、３は画素電極、４は薄膜電界効果型トランジスタ、５は液晶からなるコンデンサ、６は蓄積コンデンサ、７は対向電極である。」（０００３段落）と記載されると共に、図６には、上記「記号」（この場合には△）が「５」（「液晶からなるコンデンサ」）と記載されている。
　特開昭５−２２４６２５号公報（周知文献２）には、「液晶表示装置の駆動方法」に関する発明について、「図４に１画素分の平面図を示す。実際の液晶表示装置ではマトリクス状に配置されている。図５は１画素分の等価回路である。図４および図５において、１はゲート線、２はソース線、３は画素電極、４は薄膜電界効果型トランジスタである。・・・図５において、５は液晶からなるコンデンサで、一方の基板に形成された画素電極と他方の基板に形成された対向電極と液晶とで構成される。・・・ＣＯＭは対向電極を示す。ＣＬＣは液晶コンデンサ５を示す。６は図４の平面図のソース線２と画素電極３とのパターン配置によって発生する寄生コンデンサで、ソース線Ｓｍと画素電極３との間のコンデンサをＣＳＰ１ 、ソース線Ｓｍ＋１と画素電極３との間のコンデンサをＣＳＰ２とする。」（０００３段落）と記載されると共に、図５には、上記「記号」（この場合には△）が「ＣＬＣ　５」（「液晶コンデンサ」）と記載されている。
　特開平３−２７１７９５号公報（周知文献３）には、「駆動回路に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶表示装置（ＴＦＴ・ＬＣＤ）は、第１６図に示すように構成されている。・・・画素１３はそれぞれ液晶セル１４と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５および電荷保持用のキャパシタ１６を有する。・・・第１７図は第１６図の一画素分の等価回路であり」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第１７行）と記載され、第１６図には、上記「記号」（この場合には△）が「１４」（液晶セル）と記載されている。
　特開昭６２−１１６９２４号公報（周知文献４）には、液晶からなる画素をマトリクス状に配列した液晶表示装置において、画素に対応する箇所に「Ｔ」（ＴＦＴ）及び「Ｌ」（液晶表示素子）をマトリクス状に配列した構成が記載されており、第１図には、上記「記号」（この場合には△）が「Ｌ」（液晶表示素子）と記載されている。
　したがって、マトリクス状に画素が配列された液晶表示装置において、上記「記号」は液晶コンデンサを意味することは、技術常識である。
　（ｄ）上記（ｂ）及び（ｃ）より、刊行物１に記載される上記「記号」が「液晶ＬＣ」と記載されているとしても、上記「記号」が、液晶コンデンサを意味することは当業者にとって明らかである。
　（ｅ）一方、本願の図２及び明細書の００１３段落の「図２は、単一の画素即ちピクセル20の図式的電気回路を示す。この発明において画素は、この場合ＭＯＳＦＥＴである単一の非線形回路素子22、及び単一のネマチック液晶コンデンサ24を含む。」との記載より、液晶ディスプレイのアレイとなる、マトリクス状に配置された画素は、ＭＯＳＦＥＴと液晶コンデンサとを含んでいる。
　（ｆ）上記（ｄ）で検討したとおり、刊行物発明の「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いるとの構成の「液晶ＬＣ」が、実質的に液晶コンデンサを意味することは明らかであるから、刊行物発明も、本願発明１と同様に、「液晶コンデンサのアレイ」を実質的に備えていると言える。
　（ｇ）さらに、刊行物発明は、実質的に「液晶コンデンサ」である「液晶ＬＣ」を備えると共に、「コンデンサ６」をも備えているものの、液晶デスプレイの動作において、「液晶ＬＣ」のコンデンサの容量が十分である場合には、さらに、電荷蓄積のための「コンデンサ」を備える必要がないことは、当業者にとって明らかであるから、マトリクスを構成する画素に補助的なコンデンサが不要な場合には、刊行物発明が備える「コンデンサ６」を形成しないことは、当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、相違点２は、実質的なものではない。　
　仮に、相違点であるとしても、当業者が容易になし得た程度のものである。
　
　［相違点３について］
　［相違点１について］において検討したとおり、刊行物発明の「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上」に形成した「単結晶シリコンの薄い膜」として、刊行物２に記載された如き、「約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄く」した「シリコン層」、又は刊行物３に記載された如き、「１０００Å程度」の「薄い再結晶Si薄膜」を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　その場合、刊行物発明において、「前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された」「前記トランジスター・アレイ」は、実質的に、「約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄く」した「シリコン層」を用いた「単結晶シリコンの薄い膜」となることは、当業者にとって明らかである。
　
　よって、本願発明１は、刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　２．本願の請求項３２に係る発明について
　（１）対比
　本願の請求項３２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）との対比に先立って、本願発明２について検討し、その後、両者の比較検討を行う。
　（ａ）本願発明２は、「エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成してエピタキシャルシリコン薄化層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」との構成を備えるが、単に、
  「エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成」するとの工程のみでは「エピタキシャルシリコン薄化層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」を形成することはできない。
　ここで、本願明細書の００２８段落及び００２９段落には、「出発材料は、図５（Ａ）に示すように、単結晶の装置品質シリコン薄膜40で覆われたウェーハ形状サファイア・・・基板30である。・・・シリコンを、550℃の窒素雰囲気に半時間浸漬した後、１時間かけて550℃から900℃へ温度変化させ、窒素雰囲気中で900℃において１時間焼きなましする。次いで、そのシリコンを1000℃で酸化し、エピタキシャルシリコン層の一部分を一様に消費する。その酸化物にエッチングを施し、全般的に一様に厚さが薄くされたシリコン層を残す。酸化とエッチング処理を反復することにより、厚さ100ｎｍ未満・・・のシリコン、即ちサファイア基板上の装置品質単結晶シリコンの超薄膜を得る。・・・次に、薄膜シリコン層の各画素内に、単一非線形回路素子たるＭＯＳＦＥＴを作る。」と記載されており、「厚さ100ｎｍ未満・・・のシリコン、即ちサファイア基板上の装置品質単結晶シリコンの超薄膜を得る」ためには、「エピタキシャルシリコン層」の一部分を酸化（二酸化シリコン層の形成）し、その後、前記酸化した層（二酸化シリコン層）、即ち酸化物をエッチングにより除去する工程が必要であることは、当業者にとって明らかである。
　したがって、本願発明２の「エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成してエピタキシャルシリコン薄化層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」は、「エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成して、
その後前記二酸化シリコン層を除去して、
　（ｂ）本願発明２の「エピタキシャルシリコン層」が、単結晶シリコン層であることは明らかであるから、刊行物発明の「単結晶シリコンの薄い膜」は、本願発明２の「エピタキシャルシリコン」「層」に相当し、刊行物発明の「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上に単結晶シリコンの薄い膜を形成したＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）」は、本願発明２の「エピタキシャルシリコン」「層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」に相当する。
　（ｃ）刊行物発明において、「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソース、ゲートおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであ」り、また、「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」おり、さらに、「トランジスター・アレイ」がマトリクス状に配置されていることは明らかである。
　したがって、刊行物の「トランジスター・アレイ」は、「液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」の表示要素に対応しており、「コンデンサ６」と「液晶ＬＣ」も前記表示要素と対応している。
　一方、本願の図２及び明細書の００１３段落の「図２は、単一の画素即ちピクセル20の図式的電気回路を示す。この発明において画素は、この場合ＭＯＳＦＥＴである単一の非線形回路素子22、及び単一のネマチック液晶コンデンサ24を含む。」との記載より、液晶ディスプレイのアレイとなる、マトリクス状に配置された画素は、ＭＯＳＦＥＴと液晶コンデンサとを含んでいる。
　よって、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された」「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いることは、本願発明２の「前記ＳＯＳ構造上に形成された」「コンデンサのアレイ」に相当する。
　（ｄ）本願発明２の「前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構」において、本願発明２の「集積回路機構」がどのようなものであるか必ずしも明確ではないが、本願明細書の００１６段落には、「幅２ミクロンの金属データ線260がＭＯＳＦＥＴソース222へ電気的に接続され、ＭＯＳＦＥＴドレイン224がネマチック液晶コンデンサ構造240へ電気的に接続される。・・・ネマチック液晶コンデンサ構造240は、ネマチック液晶材料・・・を含有し、該構造の層間に結果的に形成されるコンデンサ構造への電圧印加に応じて可変のスイッチングを行う。」と記載されているから、本願発明２の「集積回路機構」は実質的には、ＭＯＳＦＥＴを含んで構成されるスイッチング回路であって、本願発明２の「作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する」ことも、ＭＯＳＦＥＴによる、画素の制御動作そのものを機能的に表現したものにすぎない。
　一方、刊行物発明において、刊行物発明の「垂直トランジスター・アレイ」は、「液晶材料を駆動するため」のものであり、「液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」の表示要素に対応するとともに、刊行物発明の「垂直トランジスター・アレイ」のそれぞれに対して、コンデンサ６及び液晶ＬＣが対応していることは明らかであって、刊行物１には、「好ましき実施例の回路が例示されている第１図を参照するに、そこには外部端子２ａ，２ｂおよび２ｃがそれぞれ付与されている複数のゲート路線１ａ，１ｂ，１ｃなどが見られる。更に、ドレイン・バス端子４ａおよび４ｂにおいてそれぞれ終端している複数の垂直ドレイン・バス３ａおよび３ｂなどが与えられている。特別な組合せにあるゲートおよびドレイン・バス・・・と関連しているのは制御トランジスター５ａａおよびコンデンサー６ａａであつて、そのゲート・バスはゲート電極７ａａに、そしてドレイン・バスはトランジスター５ａａのドレイン領域８ａａにそれそれ接続されている。コンデンサー６ａａの目的は、ビデオ又は他の信号情報を蓄積することにあり、それにより、制御トランジスター５ａａが非導通状態にある期間、適当な電圧が液晶ＬＣの隣接領域を横切つて供給される。コンデンサー６ａａの１つの板はトランジスター５ａａのソース領域９ａａに接続され、他方、他の板は接地接続部１１ａにおいて終端している接地バス１０ａに接続されている。接地バス１０ａはまた他のコンデンサー（６ｂａ，６ｃａ等）の各々の対応せる板に接続されており、それらのコンデンサーはドレイン路線４ａに接続されているトランジスターと関連を有している。更に、各々のドレイン・バスに対して１つづつ附加的な接地バス１０ｂ等が与えられている。従って、一連のビデオ或は他の信号情報がドレイン・バス（４ａ，４ｂ等）に印加される間における、扁平パネルデスプレイに含まれた液晶についての線走査は適当なタイミング信号を連続的に各種ゲート・バス（２ａ，２ｂ，２ｃ等）に与えることにより可能となり、その情報は適当な制御トランジスターを通過せられそしてその路線が再び走査されるまで対応のコンデンサーに蓄積される。」（第３頁左上欄第７行ないし同頁左下欄第２行）と記載されているから、刊行物発明の「トランジスター」が「垂直トランジスター・アレイ」の位置に形成される「マトリクスデスプレイ」の表示要素を制御するトランジスタであることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイとを備え」るとともに、「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されていること」は、本願発明２の「作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備える」ことに相当する。
　（ｅ）刊行物発明の「液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」は、本願発明２の「液晶ディスプレイ」に相当する。
　
　したがって、本願発明２と刊行物発明とは、
 「エピタキシャルシリコン層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造；
前記ＳＯＳ構造上に形成されたコンデンサのアレイ；及び
前記エピタキシャルシリコン層から形成され且つ作動的結合により前記コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明２が、「エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成して、その後前記二酸化シリコン層を除去して、エピタキシャルシリコン薄化層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」を備えるのに対して、
　刊行物発明が、「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上に単結晶シリコンの薄い膜を形成を形成したＳＯＳ（Silicon　on　sapphire）」を備えている点。
　相違点２
　本願発明２が、「前記ＳＯＳ構造上に形成された液晶コンデンサのアレイ」を備えるのに対して、
　刊行物発明が、「前記サファイア基板上に形成された」「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いるとの構成を備えている点。　
　相違点３
　本願発明２が、「前記エピタキシャルシリコン薄化層から形成され且つ作動的結合により前記液晶コンデンサを変調する集積回路機構を備えてなる液晶ディスプレイ。」であるのに対して、
　刊行物発明が、「前記サファイア基板上に形成された、液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイとを備え、
　前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、
　各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されていることを特徴とする　
　液晶デスプレイ、特に扁平パネルマトリクスデスプレイ」であるが、刊行物発明の「前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された」「前記トランジスター・アレイ」が「エピタキシャルシリコン薄化層から形成」されたものであるか否か明らかでない点。　
　
　（２）判断
　以下、相違点について検討する。
　［相違点１について］
　（ａ）本願の明細書の００２８段落及び００２９段落には、「出発材料は、図５（Ａ）に示すように、単結晶の装置品質シリコン薄膜40で覆われたウェーハ形状サファイア・・・基板30である。・・・シリコンを、550℃の窒素雰囲気に半時間浸漬した後、１時間かけて550℃から900℃へ温度変化させ、窒素雰囲気中で900℃において１時間焼きなましする。次いで、そのシリコンを1000℃で酸化し、エピタキシャルシリコン層の一部分を一様に消費する。その酸化物にエッチングを施し、全般的に一様に厚さが薄くされたシリコン層を残す。酸化とエッチング処理を反復することにより、厚さ100ｎｍ未満・・・のシリコン、即ちサファイア基板上の装置品質単結晶シリコンの超薄膜を得る。・・・次に、薄膜シリコン層の各画素内に、単一非線形回路素子たるＭＯＳＦＥＴを作る。」と記載されており、本願発明２の、「エピタキシャルシリコン層を含み且つ該エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成して、その後前記二酸化シリコン層を除去して、エピタキシャルシリコン薄化層を残したＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」は、「エピタキシャルシリコン層の酸化により該エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成して」、「その後前記二酸化シリコン層を除去して」えられた「エピタキシャルシリコン薄化層」を備えた「ＳＯＳ（Silicon-On-Sapphire）構造」であることは明らかである。
　（ｂ）刊行物２の請求項４３、４５、４７及び４８に記載された事項より、刊行物２には実質的に、
　「サファイア基板上に真性シリコン層を有するシリコン・オン・サファイアウェハを製造する方法であって、
　サファイア基板の表面上にシリコン層をエピタキシャルに堆積するステップと、　
　所与のイオン種を前記シリコン層に注入し、その後非酸化環境内で約９５０℃以下でアニールするステップと、
　前記シリコン層の部分を酸化し、それにより、前記サファイア基板と前記酸化された層との間にはさまれる真性シリコンの薄い層を残すステップと、
　前記酸化された層をエッチング除去するステップと、
　前記シリコン層を約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄くするように、前記酸化およびエッチングステップを制御するステップをさらに含む、方法。」が記載されている。
　（ｃ）また、刊行物２には、上記（ｂ）で検討したとおりの工程を備えた「サファイア基板上に真性シリコン層を有するシリコン・オン・サファイアウェハを製造する方法」が、「シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）のようなセミコンダクタ・オン・インシュレータ複合基板の作製に一般的に関連し、より特定的には、 シリコン・オン・サファイア材料における集積回路においてトランジスタを設けるためのデバイス、構造およびプロセスに関する。」（第１４頁第１１ないし１４行）ものであること及び、シリコン・オン・サファイア複合基板に形成されたシリコンエピタキシャル層は実質的に結晶欠陥がないこと（第３８頁第７ないし１０行及び第４２頁第７ないし９行）が記載されている。
　（ｄ）したがって、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された、液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイ」を形成する、「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上」に形成した「単結晶シリコンの薄い膜」として、刊行物２に記載された如き、「サファイア基板の表面上にシリコン層をエピタキシャルに堆積するステップ」と、「前記シリコン層の部分を酸化し、それにより、前記サファイア基板と前記酸化された層との間にはさまれる真性シリコンの薄い層を残すステップと、　前記酸化された層をエッチング除去するステップと、　前記シリコン層を約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄くするように、前記酸化およびエッチングステップを制御するステップ」により得られた、「薄く」した「エピタキシャル」「シリコン層」を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　［相違点２について］
　（ａ）上記「２．（１）対比（ｃ）」で検討したとおり、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された」「前記トランジスター・アレイは、前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された、各々がソースおよびドレイン領域を含む、複数の垂直トランジスター・アレイであって、各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いることは、本願発明１の「前記ＳＯＳ構造上に形成された」「コンデンサのアレイ」に相当する。
　（ｂ）刊行物１の第１図に記載される、上下が逆となるように２つの▲の頂部が接するように記載した「記号」について検討する。
刊行物１の第１図では、上記「記号」が「液晶ＬＣ」を意味すると記載されている（第３頁右上欄第３行、及び第１図「ＬＣ」）。
　（ｃ）上記「記号」に関して、
　特開平８−４３７９５号公報（周知文献１）には、「液晶表示装置」に関する発明について、「図６に、液晶表示装置の画素部の等価回路を示す。図６において、１はゲート線、２はソース線、３は画素電極、４は薄膜電界効果型トランジスタ、５は液晶からなるコンデンサ、６は蓄積コンデンサ、７は対向電極である。」（０００３段落）と記載されると共に、図６には、上記「記号」（この場合には△）が「５」（「液晶からなるコンデンサ」）と記載されている。
　特開昭５−２２４６２５号公報（周知文献２）には、「液晶表示装置の駆動方法」に関する発明について、「図４に１画素分の平面図を示す。実際の液晶表示装置ではマトリクス状に配置されている。図５は１画素分の等価回路である。図４および図５において、１はゲート線、２はソース線、３は画素電極、４は薄膜電界効果型トランジスタである。・・・図５において、５は液晶からなるコンデンサで、一方の基板に形成された画素電極と他方の基板に形成された対向電極と液晶とで構成される。・・・ＣＯＭは対向電極を示す。ＣＬＣは液晶コンデンサ５を示す。６は図４の平面図のソース線２と画素電極３とのパターン配置によって発生する寄生コンデンサで、ソース線Ｓｍと画素電極３との間のコンデンサをＣＳＰ１ 、ソース線Ｓｍ＋１と画素電極３との間のコンデンサをＣＳＰ２とする。」（０００３段落）と記載されると共に、図５には、上記「記号」（この場合には△）が「ＣＬＣ　５」（「液晶コンデンサ」）と記載されている。
　特開平３−２７１７９５号公報（周知文献３）には、「駆動回路に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶表示装置（ＴＦＴ・ＬＣＤ）は、第１６図に示すように構成されている。・・・画素１３はそれぞれ液晶セル１４と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５および電荷保持用のキャパシタ１６を有する。・・・第１７図は第１６図の一画素分の等価回路であり」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第１７行）と記載され、第１６図には、上記「記号」（この場合には△）が「１４」（液晶セル）と記載されている。
　特開昭６２−１１６９２４号公報（周知文献４）には、液晶からなる画素をマトリクス状に配列した液晶表示装置において、画素に対応する箇所に「Ｔ」（ＴＦＴ）及び「Ｌ」（液晶表示素子）をマトリクス状に配列した構成が記載されており、第１図には、上記「記号」（この場合には△）が「Ｌ」（液晶表示素子）と記載されている。
　したがって、マトリクス状に画素が配列された液晶表示装置において、上記「記号」は液晶コンデンサを意味することは、技術常識である。
　（ｄ）上記（ｂ）及び（ｃ）より、刊行物１に記載される上記「記号」が「液晶ＬＣ」と記載されているとしても、上記「記号」が、液晶コンデンサを意味することは当業者にとって明らかである。
　（ｅ）一方、本願の図２及び明細書の００１３段落の「図２は、単一の画素即ちピクセル20の図式的電気回路を示す。この発明において画素は、この場合ＭＯＳＦＥＴである単一の非線形回路素子22、及び単一のネマチック液晶コンデンサ24を含む。」との記載より、液晶ディスプレイのアレイとなる、マトリクス状に配置された画素は、ＭＯＳＦＥＴと液晶コンデンサとを含んでいる。
　（ｆ）上記（ｄ）で検討したとおり、刊行物発明の「各々の前記トランジスター・アレイは、コンデンサ６と、液晶ＬＣに接続されて」いるとの構成の「液晶ＬＣ」が、実質的に液晶コンデンサを意味することは明らかであるから、刊行物発明も、本願発明２と同様に、「液晶コンデンサのアレイ」を実質的に備えていると言える。
　（ｇ）さらに、刊行物発明は、実質的に「液晶コンデンサ」である「液晶ＬＣ」を備えると共に、「コンデンサ６」をも備えているものの、液晶デスプレイの動作において、「液晶ＬＣ」のコンデンサの容量が十分である場合には、さらに、電荷蓄積のための「コンデンサ」を備える必要がないことは、当業者にとって明らかであるから、マトリクスを構成する画素に補助的なコンデンサが不要な場合には、刊行物発明が備える「コンデンサ６」を形成しないことは、当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、相違点２は、実質的なものではない。　
　仮に、相違点であるとしても、当業者が容易になし得た程度のものである。
　
　［相違点３について］
　［相違点１について］において検討したとおり、刊行物発明の「前記サファイア基板上に形成された、液晶材料を駆動するためのトランジスター・アレイ」を形成する、「絶縁性サブストレートであるサファイア基板上」に形成した「単結晶シリコンの薄い膜」として、刊行物２に記載された如き、「サファイア基板の表面上にシリコン層をエピタキシャルに堆積するステップ」と、「前記シリコン層の部分を酸化し、それにより、前記サファイア基板と前記酸化された層との間にはさまれる真性シリコンの薄い層を残すステップと、　前記酸化された層をエッチング除去するステップと、　前記シリコン層を約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄くするように、前記酸化およびエッチングステップを制御するステップ」により得られた、「薄く」した「エピタキシャル」「シリコン層」を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　その場合、刊行物発明において、「前記サブストレート上にエピタキシヤル状に成長された前記単結晶シリコンの薄い膜から形成された」「前記トランジスター・アレイ」は、実質的に、「約５０ｎｍから約１１０ｎｍの範囲内の厚さで薄く」した「シリコン層」を用いた「単結晶シリコンの薄い膜」となることは、当業者にとって明らかである。
　
　よって、本願発明２は、刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１ないし２１、請求項２３ないし３１、及び請求項３３ないし４４に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。