【事件の表示】
　特願２０００−２６２２７１「シリコンウエーハの検査方法及び製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリコンウエーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月１５日出願公開、特開２００２−　７６０８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年８月３１日の出願であって、平成１７年１１月２４日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、同年１２月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１７年１１月１日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。 
　
　「【請求項１】
シリコンウエーハを検査するにあたり、コンフォーカル光学系によるレーザー顕微鏡又は暗視野顕微鏡により、微小欠陥がコロニー状に集合しかつ全体の欠陥サイズが０．５μｍ以上である欠陥を検査することを特徴とするシリコンウエーハの検査方法。」
　
３．引用刊行物とその記載事項
　平成１７年９月１日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した、本願出願前に国内に頒布された下記の刊行物１には次の事項が記載されている。
　
刊行物１：特開平１０−９０１９２号公報）
〔１ａ〕「【特許請求の範囲】
【請求項１】  サンプル上の第１パターンに存在する欠陥を同じサンプル上の同一デザインで作られた第２パターンの既知の暗明、両視野に於ける反射像を参照して探索する方法であって、
ａ）前記第１パターンの同一点を明視野光源と暗視野光源にてそれぞれ照明するステップと、
ｂ）前記第１パターンから反射して得られる暗視野反射像を検出するステップと、
ｃ）前記第１パターンから反射して得られる明視野反射像を検出するステップと、
ｄ）前記ステップ  ｂ）で得た暗視野反射像を前記第２パターンの同一点に於てその暗視野反射像と比較して両画像の差分信号を生成するステップと、
ｅ）前記ステップ  ｃ）で得た明視野反射像を前記第２パターンの明視野反射像と比較して両画像の差分信号を形成するステップと、
ｆ）前記ステップ  ｄ）と  ｅ）で得られた暗明の両視野に於ける反射像の差分信号をデータ処理して一元的に第１パターンの１つの欠陥リストを決定するステップとを具備することを特徴とする自動的欠陥検査方法。」
　
〔１ｂ〕「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はサンプル（例として半導体ウェーハがある）の自動光学検査に関するものである。特に、サンプルの上、或るいはサンプル内部の欠陥の存在を決定する為に、検査に当っては１回の探索を行いそれに依って少なくとも２つの独立な検査応答（例えば、明視野と暗視野に於けるサンプルからの反射）を発生させる。この検査応答について、まとめて統一的にデータ処理を施し、欠陥の存在を決定する事が出来る。」
　
〔１ｃ〕「【００１６】
　　【課題を解決するための手段】この発明は、サンプル上の第１パターンの検査点に存在する欠陥を探索する為に、同じデザインの第２パターンの少なくとも１つの既知の検査応答を参照する事を特徴とした欠陥検査方法とその装置の詳細を述べている。検査に当っては、少なくとも１回の探索を行いそれに依って少なくとも２つの検査応答を発生させる。サンプル上の第１及び第２パターン上では互いに同等の観察点を用いる事が重要である。その２つの応答（暗視野と明視野からの応答信号が代表的である）は、光電的手法で別々に検出し、別々に比較して、個別に差分信号（第１と第２パターン間の）を形成する。
　　【００１７】・・・この第１及び第２の差分信号をまとめてにデータ処理を施し、一元的な第１パターンの欠陥リストを決定する事が出来る。
　　【００１８】第１パターン欠陥リストにはその後データ処理を実行する。そして、既知で無害なサンプル表面に見られる虚偽欠陥を抽出してそれを排除する。一方、その様な既知の無害な虚偽欠陥は参考としてユーザーに提供する。」
　
〔１ｄ〕「【００３１】そこで以下に、この発明の内容に関して図５でもって詳述する。これはこの発明のブロック図である。センサ１６と１６′が設けられ、ウェーハ１４の像の明暗、各視野データが各々別々に捕獲される事を除けば、図５のダイアグラムでその左側については公知である図４の対応する左側の部分と同一である。・・・
　　【００３２】・・・先に送られる明暗、両視野の両信号を、より詳細な図６の２２で示した単一の欠陥検出器が受信する。・・・この欠陥検出器２２は、包括的に明暗、両視野を組み合わせた一貫性の高い欠陥リストを出力する。このデータを後処理プロセッサ４２が受信して、捕獲した欠陥がパターン欠陥４４かゴミ粒子４６かを決定する。
　　【００３３】・・・半導体ウェーハはその表面の模様がそのコントラスト的に見て場所に依って変化を示す場合がある。グレインと呼ばれる穀粒的な性質の模様を有する場合もある。又、グレインが塊って生成する場合がある。その上に、製造プロセスが変動することも頻繁に起こる。化学的な原因に依る不規則形状の紋様（マーク）も付着する。これ等は殆ど、歩留まりや信頼性の問題にならないので、ここでは欠陥として認知する必要が無いものとする。各々前記の表面の変動と関連する模様は、検査時に観察すると明視野及び暗視野に於ける画像が典型的な範囲の信号値を発する。その他に、雑音に関しても考察する必要がある。信号値が小さいと雑音が信号、特に明暗、各視野で、その段階差数の値に妨害を与えて悪い影響となる。かくして、典型的な例について明暗、各視野に於けるその段階差数とシステム雑音との関係をプロットした。これが図７である。
　　【００３４】図７では、システム雑音５４、表面コントラスト変動５６、且つグレイン５８は、全て原点に近く、明視野、暗視野ともその値は小さい。一方、プロセス変動では、明視野で７５％にもおよび、暗視野では中点の５０％位である。又、グレインが塊って生成する場合は、明暗、両視野とも大きい値になっている。理想を言えば、最良のシステムとは、これ等の予測が可能で無害な変動を欠陥として認知せずに排除する事が出来て、図７の４８で示した信号のみを欠陥として認知する様なものを言う。
　　【００３５】図６は、図５で示した回路の部分的なブロックダイアグラムである。ここでは、欠陥検出器２２を詳細に示している。・・・一方、この後処理プロセッサ４２に直接入力する信号成分には、図７におけるデータの座標値が与えられる。・・・そして、既知であって頻発する無害なウェーハの表面や他の変動に依る信号（これ等は先に述べたシステム雑音、グレイン、コントラスト変動、プロセス変動、グレインの塊等々を既知であって頻発するが問題にならない、従って欠陥ではないものを指す。以下これ等をまとめて「虚偽欠陥」と称する）との境界を形成する。
　　【００３６】公知例の先行技術の方法で得られる予知できて無害な虚偽欠陥を真の欠陥と混同しないようにするべきである。その為には、どうすれば良いかを図８は示している。即ち図８に於て、先に述べた様に３４とか４０で示した直線で決めるしきい値は、現実の欠陥に当てはまらないにもかかわらず、公知例では他に方法が無い為にこれを採用せざるを得ない。以上で良く分かる様に領域３８は、明暗の両視野のデータを総合的にまとめた欠陥領域としての提案であるが、相当小さい上に的外れなものになっている。これでは現実の使用に適さない。再び図７を参照する。この発明では独立にしかも同時に明暗、両視野のデータを採取し且つ処理する故に、欠陥検出器２２は種々のプログラムが可能である。依って、複雑な非線形のしきい値関数を、明暗、両視野の両方のデータのその段階差数に適用する事が出来て虚偽欠陥を排除し、図７の白い領域を除いた黒い部分のみを欠陥の信号として分離する事が出来る。」
　
〔１ｅ〕「【００１２】・・・暗視野型空間フィルタ式ダイツーダイ欠陥検査装置には２つの大きな欠点がある。第１は、この装置はゴミ粒子のみを検出し、パターン欠陥は一切検出できないことである。第２は、空間フィルタを経由した画像は通常の場合、回路パターン無しの状態では、画面が暗いので、正確なダイツーダイの為の位置の合せこみが出来ないことである。・・・この問題を高価な高精度ステージ機構を導入して解決を試みた。・・・この方法では、小さいゴミ粒子の検出は覚束ない状況でそのサイズは約０．５ミクロンを下まわる事は出来ていない。検査時に正確なダイツーダイの為の位置の合せこみが出来ない為に、このような限界が生じている。」
　
〔１ｆ〕「【００１４】明視野及び暗視野の両方の観察を可能としている検査装置の中で、市場に出ている全ての機種は明暗、両視野に共通の単一の光源を使用している。その上、明暗、両視野からの検査応答信号を統合して欠陥を決定する技術的手法は全く見られない。市場で見る明視野照明と暗視野照明の両方を持つ顕微鏡には、両方の照明を同時に供給する単一光源があるだけなので、明視野と暗視野の観察結果の信号をそれぞれ分離する事は不可能である。市販されているツアイス社の顕微鏡の中では、唯一少なくとも明視野と暗視野光源を同時に分離する事が出来るが、しかしながら、単一の検出器しかなく、明視野と暗視野の照明を分離する方法も発想もない。全天を照らす事が出来るドーム型照明が一つあるだけである。」
　
４．当審の判断
４−１．刊行物１記載の発明
（１）刊行物１の摘示〔１ａ〕には、サンプル上の第１パターンに存在する欠陥を同じサンプル上の同一デザインで作られた第２パターンの既知の暗明、両視野に於ける反射像を参照して探索する方法であって、前記第１パターンの同一点を明視野光源と暗視野光源にてそれぞれ照明し、前記第１パターンから反射して得られる暗視野反射像と明視野反射像を検出し、前記暗視野反射像を前記第２パターンの同一点に於てその暗視野反射像と比較して両画像の差分信号を生成し、前記明視野反射像を前記第２パターンの明視野反射像と比較して両画像の差分信号を形成し、暗明の両視野に於ける反射像の差分信号をデータ処理して一元的に第１パターンの１つの欠陥リストを決定する自動的欠陥検査方法が記載されている。
（２）摘示〔１ｂ〕の「この発明はサンプル（例として半導体ウェーハがある）の自動光学検査に関するものである」との記載からみて、検査対象のサンプルは、半導体ウエーハといえる。（以下、「ウェーハ」も「ウエーハ」と表記する。）
（３）摘示〔１ｆ〕の「明視野照明と暗視野照明の両方を持つ顕微鏡には、両方の照明を同時に供給する単一光源がある」、「市販されているツアイス社の顕微鏡の中では、・・・単一の検出器しかなく、明視野と暗視野の照明を分離する方法も発想もない」との記載からみて、上述の暗視野反射像の検出は、暗視野照明を持つ顕微鏡、すなわち暗視野顕微鏡でなされるものといえる。
（４）摘示〔１ｄ〕の「半導体ウエーハはその表面の模様がそのコントラスト的に見て場所に依って変化を示す場合がある。グレインと呼ばれる穀粒的な性質の模様を有する場合もある。又、グレインが塊って生成する場合がある。その上に、製造プロセスが変動することも頻繁に起こる。化学的な原因に依る不規則形状の紋様（マーク）も付着する。これ等は殆ど、歩留まりや信頼性の問題にならないので、ここでは欠陥として認知する必要が無いものとする。各々前記の表面の変動と関連する模様は、検査時に観察すると明視野及び暗視野に於ける画像が典型的な範囲の信号値を発する。」の記載からみて、上記「暗視野反射像」は、「グレイン」、「グレインが塊って生成したもの」などに関するものも含み得るといえる。
　
　以上の（１）〜（４）の事項を考慮し、摘示〔１ａ〕〜〔１ｆ〕の記載を整理すると、上記刊行物１には、次の自動的欠陥検査方法についての発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　　　刊行物１発明：「半導体ウエーハ上の第１パターンに存在する欠陥を同じ半導体ウエーハ上の同一デザインで作られた第２パターンの既知の暗明、両視野に於ける反射像を参照して探索する方法であって、前記第１パターンの同一点を明視野光源と暗視野光源にてそれぞれ照明し、前記第１パターンから反射して得られる暗視野反射像であって、「グレイン」、「グレインが塊って生成したもの」に関するものも含み得る暗視野反射像を暗視野顕微鏡で検出するとともに、前記第１パターンから反射して得られる明視野反射像を検出し、前記暗視野反射像を前記第２パターンの同一点に於てその暗視野反射像と比較して両画像の差分信号を生成し、前記明視野反射像を前記第２パターンの明視野反射像と比較して両画像の差分信号を形成し、暗明の両視野に於ける反射像の差分信号をデータ処理して一元的に第１パターンの１つの欠陥リストを決定する自動的欠陥検査方法。」
　
４−２．本願発明１と刊行物１発明との対比
　刊行物１発明では、欠陥検査のための欠陥リストを決定するために、『前記第１パターンから反射して得られる暗視野反射像であって、「グレイン」、「グレインが塊って生成したもの」に関するものも含み得る暗視野反射像を暗視野顕微鏡で検出』しているから、刊行物１発明における「グレイン」、「グレインが塊って生成したもの」に関するものも含み得る暗視野反射像の検出は、本願発明１における「欠陥を検査」することに相当するといえる。
　そうすると、両者は、
「ウエーハを検査するにあたり、暗視野顕微鏡により欠陥を検査する、ウエーハの検査方法。」である点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：検査されるウエーハが、本願発明１では、「シリコンウエーハ」であるのに対し、刊行物１発明では、「半導体ウエーハ」である点
　
　相違点２：本願発明１では、暗視野顕微鏡により検査する欠陥が「微小欠陥がコロニー状に集合しかつ全体の欠陥サイズが０．５μｍ以上である」ものであるのに対し、刊行物１発明では、『「グレイン」、「グレインが塊って生成したもの」に関するものも含み得る暗視野反射像』を検出しているものの、「微小欠陥がコロニー状に集合しかつ全体の欠陥サイズが０．５μｍ以上である」ものを検査しているか否か不明である点
　
４−３．相違点の判断
（１）相違点１について
　半導体ウエーハとしてシリコンウエーハは、通常のものであるから、この相違点１は、実質的な相違でないか、仮に相違であるとしても、当業者が容易に想到し得るものというべきである。
　
（２）相違点２について
　まず、暗視野顕微鏡により検査する欠陥のサイズについて検討するに、摘示〔１ｅ〕の「暗視野型空間フィルタ式ダイツーダイ欠陥検査装置には２つの大きな欠点がある。・・・この方法では、小さいゴミ粒子の検出は覚束ない状況でそのサイズは約０．５ミクロンを下まわる事は出来ていない。」との記載からみて、刊行物１には、欠陥がゴミ粒子についてではあるが、暗視野顕微鏡により０．５μｍ以上の欠陥については検出可能である旨が示されているといえる。そして、一般に、ウエーハにおける欠陥のサイズが大きい方が製品歩留まり等に好影響を与えるとはいえず、むしろ、悪影響を与えることが通常であることを考慮すると、刊行物１発明において、暗視野顕微鏡により欠陥を検査する際に、製品歩留まり等に悪影響を与える欠陥サイズを０．５μｍ以上とすることは、前示の記載等に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　次に、暗視野顕微鏡により検査する欠陥の態様乃至種類について検討するに、刊行物１発明における暗視野顕微鏡により検出する「グレインが塊って生成したもの」は、グレイン（すなわち、穀粒的な性質の模様）が群となったものといえるから、本願発明１における「微小欠陥がコロニー状に集合したもの」と格別に相違するとはいえない。なお、刊行物１の摘示〔１ｄ〕等には、「システム雑音、グレイン、コントラスト変動、プロセス変動、グレインの塊等々を既知であって頻発するが問題にならない、従って欠陥ではないものを指す。以下これ等をまとめて「虚偽欠陥」と称する」などの記載が存在するが、「虚偽欠陥」と称する欠陥も、広義の意味での「欠陥」であることには変わりはないといえる。
　また、仮に、「グレインが塊って生成したもの」と「微小欠陥がコロニー状に集合したもの」とが相違するとしても、刊行物１発明は、「グレイン」、「グレインが塊って生成したもの」に関するものだけでなく、各種の欠陥を検査しようとするものであるから、『既知であって頻発するが問題にならない「虚偽欠陥」』以外の欠陥として、「微小欠陥がコロニー状に集合したもの」も検査の対象となり得るといえる。しかも、次の周知例１、２の記載に見られるように、ウエーハの検査において、微小欠陥、密集して分布する欠陥、欠陥群等を検査することは、本願出願前において周知の事項といえる。してみれば、刊行物１発明において、暗視野顕微鏡により検査する欠陥を「微小欠陥がコロニー状に集合したもの」とすることは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
周知例１：特開２０００−１９５４５８号公報
（周１ａ）「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】・・・半導体装置の製造過程で、光学式の欠陥検査装置では検出不可能な微小欠陥を検査する場合、もしくは半導体装置の基板上のある位置のみを検査する必要があるような場合には、予め欠陥の発生箇所を特定することができず、人間が検査したい特定領域に電子顕微鏡の観察視野を移動させ、目視で欠陥を検出、観察している。・・・」
（周１ｂ）「【００２０】・・・電子顕微鏡の観察倍率は、最小検出可能欠陥サイズが電子顕微鏡の観察倍率に依存することから、オペレータが希望する最小欠陥サイズが検出可能な観察倍率を自動設定する。また、検査点が異常部検査装置より得られた座標であれば、検査装置の座標誤差、電子顕微鏡の座標誤差と、検査装置と電子顕微鏡の間の座標誤差を許容する最大倍率に設定するが、例えば、サイズの大きい欠陥の場合、画像内に欠陥が納まるように最大倍率を変更する。あるいは、傷、はがれ、異物など欠陥の種類を示すカテゴリが、傷などのように密集して分布するカテゴリの場合、任意に設定可能な周辺領域に同じカテゴリが存在すれば、その欠陥存在領域を含めた倍率に変更することが可能である。」
　
 周知例２：特開２０００−２１４０９９号公報
（周２ａ）「【０００４】従来の計測技術としては、第１の公知例として、シリコン基板をへき開し、その断面方向（試料の表面法線方向と垂直な方向）からSi結晶を透過する赤外線を照射し、Si結晶中の微小欠陥からの散乱光像をカメラで撮影する方法がある。・・・」
（周２ｂ）「【００２２】・・・ウェハ内部に存在するGrown-in欠陥や水素アニール、イオン打ち込みなど、デバイスプロセスに起因して誘起される欠陥群やウェハ表面の研磨きず、付着異物のウェハ内の面内位置、深さ、欠陥サイズなどの評価が可能になってきた。しかし、この方法では、・・・例えば表面の研磨きずや異物の影響を除いて内部の欠陥のみの深さや欠陥サイズの評価を行うことはできない。同様に平面内分布において特定の領域にのみ存在する散乱体群の深さや欠陥サイズの評価を行うこともできない。
　　　　【００２３】また欠陥の深さや欠陥のサイズにおいて新たに特徴的な分布、すなわちあらたな素性の結晶欠陥群が見出された場合に、それらがいかなる平面内分布をもつのかを評価することができない。
　　　　【００２４】本発明は、上記の問題を克服するためになされたものであって、欠陥の位置又は種類単位での分離表示が容易で、したがって欠陥評価が容易な結晶欠陥計測方法および装置を提供することを目的とするものである。」
　
　したがって、上記相違点２は、刊行物１の前示の記載や周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（３）相違点判断のまとめ
　そして、本願発明１は、上記相違点１、２により格別顕著な作用効果を奏するものとは認められない。
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許を受けることができないから、他の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。