【手続補正書】
【提出日】平成30年11月30日(2018.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体サンプルを検査する方法であって、
検査ツール上で、１個又は複数個の半導体サンプルに備わる様々な注目層向けの複数個の様々な波長域を、それら様々な注目層が当該様々な注目層の内部又は付近に存するアブソーバ型素材を含んでいるか否かに基づき選択するステップと、
検査ツール上で、上記様々な波長域に存する少なくとも１本の入射ビームを上記様々な注目層へと差し向け、それに応じ上記様々な注目層それぞれに係る複数の出力信号又は画像を取得するステップと、
上記様々な注目層それぞれからの上記出力信号又は画像を解析することでそれら様々な注目層における欠陥を検出するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、上記アブソーバ型素材がＳｉＮである方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、上記様々な波長域を選択するステップが、
ＳｉＮの吸収エッジ波長より下側にある短波長域を、上記様々な注目層のうち第１のもの、即ちその内部又は付近に存するＳｉＮを有していないかそれより下方に存するＳｉＮを有している第１注目層に関し、選択するステップと、
上記吸収エッジ波長より上側にある長波長域を上記様々な注目層のうち第２のもの、即ちそれより上方に存するＳｉＮを有している第２注目層に関し、選択するステップと、
を有する方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、上記様々な波長域を選択するステップが、更に、
上記様々な注目層のうち第３のもの、即ちその内部に存するＳｉＮを有している第３注目層につき狭隘短波長域を選択するステップを、有する方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、
上記短波長域が２２０ｎｍ以下にあり、
上記長波長域が２３０ｎｍ以上にあり、
上記狭隘短波長域が約２３０ｎｍ・２５０ｎｍ間にある方法。
【請求項６】
請求項４記載の方法であって、上記様々な波長域を選択するステップが、それを以て上記サンプルが製造されたデザインデータベースにて指定されたところに従い、上記様々な注目層それぞれの内部又は付近に存するＳｉＮがあるか否かを判別するステップを、有する方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法であって、上記様々な波長域を選択するステップが、それを以て上記サンプルが製造されたデザインデータベースを利用せず、層のリスト及び素材タイプを以て指定されたところに従い、上記様々な注目層それぞれの内部又は付近に存するＳｉＮがあるか否かを判別するステップを、有する方法。
【請求項８】
請求項４記載の方法であって、更に、上記少なくとも１本の入射ビームに水平又は垂直偏光を適用するステップを有する方法。
【請求項９】
請求項４記載の方法であって、更に、上記少なくとも１本の入射ビーム向けに様々なアパーチャセッティングを選択することで上記様々な注目層のうち少なくとも幾つかについて特定の入射角を実現するステップを、有する方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法であって、上記様々な波長域のうち、垂直スタック構造を有する特定の注目層向けのそれの少なくとも幾つかが、上記垂直スタック構造の表面上にある欠陥及び内奥にある欠陥の双方を検出するための長波長域と、上記垂直スタック構造の表面上にある欠陥を検出するための短波長域と、を含む方法。
【請求項１１】
半導体サンプルを検査する検査システムであって、
それら様々な注目層が、当該様々な注目層にてある注目層の内部又は付近に存するアブソーバ型素材を含んでいるか否かに基づき、様々な注目層向けの複数個の様々な波長域にて、入射ビームを生成し１個又は複数個の半導体サンプルへと差し向ける照明光学系モジュールと、
上記入射ビームに応じ上記様々な注目層から反射又は散乱されてくる出射ビームを集める集光光学系モジュールと、
コントローラと、
を備え、上記コントローラが、
１個又は複数個の半導体サンプルに備わる様々な注目層向けの複数個の様々な波長域を、それら様々な注目層が当該様々な注目層の内部又は付近に存するアブソーバ型素材を含んでいるか否かに基づき選択する動作と、
上記様々な波長域に存する少なくとも１本の入射ビームを上記様々な注目層へと差し向け、それに応じ上記様々な注目層それぞれに係る複数の出力信号又は画像を取得する動作と、
上記様々な注目層それぞれからの上記出力信号又は画像を解析することでそれら様々な注目層における欠陥を検出する動作と、
を実行するよう構成されているシステム。
【請求項１２】
請求項１１記載のシステムであって、上記アブソーバ型素材がＳｉＮであるシステム。
【請求項１３】
請求項１２記載のシステムであって、上記様々な波長域を選択する動作が、
ＳｉＮの吸収エッジ波長より下側にある短波長域を、上記様々な注目層のうち第１のもの、即ちその内部又は付近に存するＳｉＮを有していないかそれより下方に存するＳｉＮを有している第１注目層に関し、選択する動作と、
上記吸収エッジ波長より上側にある長波長域を上記様々な注目層のうち第２のもの、即ちそれより上方に存するＳｉＮを有している第２注目層に関し、選択する動作と、
を含むシステム。
【請求項１４】
請求項１３記載のシステムであって、上記様々な波長域を選択する動作が、更に、
上記様々な注目層のうち第３の集合を構成する個々の層、即ちその内部に存するＳｉＮを有している第３注目層それぞれにつき狭隘短波長域を選択する動作を、含むシステム。
【請求項１５】
請求項１４記載のシステムであって、
上記短波長域が２２０ｎｍ以下にあり、
上記長波長域が２３０ｎｍ以上にあり、
上記狭隘短波長域が約２３０ｎｍ・２５０ｎｍ間にあるシステム。
【請求項１６】
請求項１４記載のシステムであって、上記様々な波長域を選択する動作が、それを以て上記サンプルが製造されたデザインデータベースにて指定されたところに従い、上記様々な注目層それぞれの内部又は付近に存するＳｉＮがあるか否かを判別する動作を、含むシステム。
【請求項１７】
請求項１４記載のシステムであって、上記様々な波長域を選択する動作が、それを以て上記サンプルが製造されたデザインデータベースを利用せず、層のリスト及び素材タイプを以て指定されたところに従い、上記様々な注目層それぞれの内部又は付近に存するＳｉＮがあるか否かを判別する動作を、含むシステム。
【請求項１８】
請求項１４記載のシステムであって、上記コントローラが、更に、上記少なくとも１本の入射ビームに水平又は垂直偏光を適用するよう構成されているシステム。
【請求項１９】
請求項１４記載のシステムであって、上記コントローラが、更に、上記少なくとも１本の入射ビーム向けに様々なアパーチャセッティングを選択することで上記様々な注目層のうち少なくとも幾つかについて特定の入射角を実現するよう構成されているシステム。
【請求項２０】
請求項１１記載のシステムであって、上記様々な波長域のうち、垂直スタック構造を有する特定の注目層向けのそれの少なくとも幾つかが、上記垂直スタック構造の表面上にある欠陥及び内奥にある欠陥の双方を検出するための長波長域と、上記垂直スタック構造の表面上にある欠陥を検出するための短波長域と、を含むシステム。
【請求項２１】
請求項１記載の方法であって、上記アブソーバ型素材がＳｉＯ２である方法。
【請求項２２】
請求項１１記載のシステムであって、上記アブソーバ型素材がＳｉＯ２であるシステム。