【事件の表示】
　特願２００２−２４１７３０「プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　７９４６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成１４年８月２２日の出願であって、平成１９年４月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１９年５月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１８年６月３０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「プラズマが形成されるプラズマ生成室と、
　前記プラズマ生成室の端面に近接して設けられ、高周波磁界を形成する平面状のコイルと、
　前記プラズマ生成室内のプラズマ生成領域に配設されて、プラズマ分布密度を調整する誘電体ブロックと、
　前記誘電体ブロックの配設位置を、少なくとも前記コイルの軸に直交する方向に移動する位置変更手段とを設けたことを特徴とするプラズマ生成装置。」
　
３　引用刊行物に記載された発明
　原査定の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特表平８−５０８８５２号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、「スパッタエッチング制御用のプラズマ成形プラグ」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
＜記載事項１＞
「
発明の分野
＜記載事項２＞
「
発明の概要
＜記載事項３＞
「この発明の一実施態様では、一般に内向きプラグは代表的な処理室の円筒形に従って円筒形であり、プラズマ雲の中心に対称的に延びて、中心付近のプラズマ雲を全方向に均等に置き換える。処理室の形が円筒形などの対称形の場合、および室内のプラズマ雲が一般に対称形の場合は、対称形のプラグを用いる。」（第７ページ第４〜７行）
＜記載事項４＞
「この発明の別の実施態様では、内向きプラグは非対称形であって、中心以外の場所のプラズマ雲の中に延びる。この発明の内向きプラグを用いる場合、プラグの直径、長さ、および／または形を変えることにより、またはプラグをプラズマ雲の中に挿入する場所を雲の形やエッチングするウエーハの場所に対して変えることにより、プラズマ雲の形を正確に変えることができる。（中略）この発明の内向きプラグ構造は、別個の、位置が変えられる部材を用いて、いろいろの挿入深さで処理室の内部に設けることができる。」（第７ページ第７〜１７行）
＜記載事項５＞
「第１図は、イオン化ガスプラズマ雲１２を用いて基板すなわち半導体ウエーハ１０をスパッタエッチングする、従来のプラズマ・スパッタエッチング処理室５を示す。処理室５はベース１４を備え、ベース１４はエッチング中に室５内にウエーハ１０を保持するウエーハ支持物１６を持つ。ウエーハ１０を支持物１６の上に置き、誘電体カバー１８で室５内に囲う。誘電体カバー１８とベース１４とを真空シールし、ウエーハ１０をプラズマエッチングするのに適した処理空問２２を処理室５内に作る。アルゴンなどのエッチングガスをガス入り口２０を通して室５内に導入し、ウエーハ１０を室５内の支持物１６の上に置き、ガス入り口２０を経て処理空間２２に導入したエッチングガスをウエーハ１０の表面２９の上に集める。
　誘電室カバー１８は代表的に石英製で、電気エネルギーは、処理室５のカバー１８を囲む誘導コイル２４を通して処理空間２２内のガスと誘導的に結合する。コイル２４には、代表的に４５０ＫＨｚ程度の周波数で動作する中間周波数電源２６から電力を供給する。コイル２４からの電気エネルギーはエッチングガスと誘導的に結合してガスをイオン化し、イオン化粒子１５と自由電子１５から成るイオン化ガスプラズマ雲１２を作る。プラズマ雲１２はウエーハ支持物１６とウエーハ１０の上に制限される。」（第８ページ第１５行〜第９ページ第３行）
＜記載事項６＞
「第２Ａ図はこの発明の内向きプラグを示すもので、処理室３０はベース３２とカバー３４を備える。カバー３４は、ウエーハ４０をスパッタエッチングする真空処理空間３６を形成する。支持物３８をベース３２に取り付けて、スパッタエッチングするウエーハ４０の下に置く。イオン化してプラズマ４８を作るエッチングガスを、ガス入り口４２から導入する。電源４４は、カバー３４の周りに巻いた誘導コイル４６に電力を供給する。コイル４６はガスにエネルギーを誘導的に供給してガスをイオン化し、スパッタエッチングするウエーハ４０の近くに、一般にその上に、プラズマ雲４８を作る。高周波電源５０はウエーハ支持物３８をバイアスしてウエーハ４０を帯電させ、プラズマ雲４８のイオン化粒子をウエーハ４０の表面５１に衝突させてウエーハ表面をスパッタエッチングする。」（第１０ページ第１０〜１９行）
＜記載事項７＞
「ウエーハ４０の表面５１全体のエッチング速度をより均一にするため、処理室３０は、ウエーハ４０の表面５１に向かって処理空間３６を下向きに延びる内向きプラグ５２を用いる。プラグ５２は第２Ａ図に示すようにカバー３４に対して固定した内向きプラグ構造でもよいし、第２Ｂ図に示すプラグ構造のように位置が変えられるプラグ５４でもよい。位置が変えられるプラグ５４は室カバー５５の頂部にあって上下に滑り、処理室５５の処理空間５６の中に入るプラグ５４の深さを増減する。」（第１０ページ第２０〜２６行）
＜記載事項８＞
「第２Ａ図では、内向きプラグ５２は室カバー３４の頂部と一体に成形されており、室カバー３４と同じ材料、例えば石英で作る。」（第１１ページ第４〜５行）
＜記載事項９＞
「プラグ５２を処理空間３６の中に挿入するとプラズマ雲４８はプラグ表面５３の外形に従うので、ウエーハ表面５１の中心領域５７の上のイオン化プラズマ粒子の濃度は減少し、ウエーハ４０の外周縁５８の付近の表面領域の上のイオン化プラズマ粒子の濃度は増加する。」（第１１ページ第２１〜２４行）
＜記載事項１０＞
「内向きプラグ５２の形とプラズマ雲４８の中に挿入する深さによって、プラグ５２が室３０内のプラズマを置き換え、またウエーハ４０全体のエッチング速度をより均一にする効果が決定する。従って、プラグ５２の直径や長さや形を変えたり、ウエーハ４０に対するプラグ５２の位置を変えたりして調整することにより、所望のプラズマイオン濃度、プラズマ雲の厚さや形、ウエーハ４０の表面５１全体のエッチング速度の均一度を得ることができる。」（第１２ページ第２〜７行）
＜記載事項１１＞
「この発明を幾つかの望ましい実施態様により示し、これらの望ましい実施態様を詳細に説明したが、特許請求の範囲をこれらに限定し制限するつもりはない。当業者には、別の利点や修正が可能なことは容易に明らかである。例えば、この発明では処理室の周りの導体コイルにより、誘導的に結合したエネルギーを用いてガスをイオン化するよう説明したが、この発明の範囲から逸れない他のイオン化法や、他の型のエッチングガスや各種のガスの入り口構造を用いることができる。」（第１４ページ第１０〜１６行）
　　
　そして、プラズマエッチング装置の従来例が図示されたＦＩＧ．１とＦＩＧ．２Ｂとを対比してみると、ＦＩＧ．２Ｂに示されたプラズマエッチング装置は、プラグ５４以外の構成がＦＩＧ．１に示された上記プラズマエッチング装置と共通することは、明らかである。
　また、引用刊行物１には、「プラグ５２は第２Ａ図に示すようにカバー３４に対して固定した内向きプラグ構造でもよいし、第２Ｂ図に示すプラグ構造のように位置が変えられるプラグ５４でもよい。」（記載事項７）と記載されており、記載事項７の上記プラグ５２、即ち内向きプラグ５２について、「第２Ａ図では、内向きプラグ５２は室カバー３４の頂部と一体に成形されており、室カバー３４と同じ材料、例えば石英で作る。」（記載事項８）、と記載されている。
　この記載からみて、第２Ｂ図に示される位置が変えられる（内向き）プラグ５４は、プラグ５２と同様に、石英で作られていることを読み取ることができる。
　
　したがって、上記記載事項１〜１１、及び図面に基づけば、引用刊行物１には、
「イオン化ガスプラズマ雲１２が作られるプラズマ・スパッタエッチング処理室５と、
　前記プラズマ・スパッタエッチング処理室５のカバー１８を囲んで、４５０ＫＨｚ程度の周波数で動作する中間周波数電源から電力が供給される誘導コイル２４と、
　プラズマ・スパッタエッチング処理室５の処理空間５６の中に挿入されて、ウエーハ表面５１の中心領域５７の上のイオン化プラズマ粒子の濃度は減少させ、ウエーハ４０の外周縁５８の付近の表面領域の上のイオン化プラズマ粒子の濃度を増加させる石英で作られた内向きプラグ５４と、
　前記石英で作られた内向きプラグ５４をいろいろの挿入深さで、前記誘導コイル２４がその回りに設けられるプラズマ・スパッタエッチング処理室５の内部での位置を変える部材とを設けたプラズマ・スパッタエッチング処理室５。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　　　
　同じく、原査定の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特表平４−５０４０２５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「イオン銃」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
＜記載事項１２＞
「本発明は、イオンビーム処理装置において用いられるイオン銃、及び同様のイオン銃が組み込まれているイオンビーム処理装置、及びイオンビーム中和器に関する。
　従来、幅広ビームイオン源を用いてスパッタ蒸着、スパッタエツチング、又はスパッタミリングのいずれかにより物体の表面加工を行う為、様々な提案が行われてきた。そのような幅広ビームイオン源は、多孔イオン光学゛を利用しており、その典型的な直径の範囲は、約２５から約５００ｎｍまでである。
　典型的なイオンビーム源（又はイオン銃）においては、加熱されたカソードとアノードとを備えた低圧放電チャンバへガス又は蒸気を入れることによりプラズマが生成される。」
（第２ページ左下欄第３〜１３行）
＜記載事項１３＞
「異なる形態のイオン源として、プラズマが生成されるべきチャンバを取り囲むソレノイドコイルを用いたものが、英国特許公開第２１８０６８６号に説明されている。」（第３ページ左下欄第１３〜１５行）
＜記載事項１４＞
「好ましくは、誘電性部材と組み合わされた高周波放射手段は、誘電性部材に隣接して置かれた。又は誘電性部材に埋め込まれた、コイルを含むものである。よって、このコイルは好ましくは平坦であり、又、出来る限り平坦に近いものが実際的である。このようなコイルは、例えば、銅等の導電性材料からなるチューブ形状を有し、その中に水等の冷却剤を通すことが出来る。これは、好ましくは渦巻コイルよりなるものである。」（第５ページ左上欄第１７〜２３行）
＜記載事項１５＞
「プラズマ生成器４は、プラズマチャンバ５の上部の開放端部を閉鎖する誘電性部材よりなるものである。また、矢印１１で示されるように、幾つかのガス注入ノズルが設けられており、それらを通って、アルゴン等のプラズマ生成ガス、又はプラズマ生成ガスと酸素等の反応性ガスとの混合気がプラズマチャンバ５へ注入可能である。高周波コイル１２は、誘電性部材１０の上部に配設されると共に、例えば、１３．５６ＭＨｚ等の周波数で動作する適当な高周波電源に接続されている。」（第６ページ左下欄下から２行目〜同ページ右下欄第５行）
　
　これらの記載からみて、引用刊行物２には、プラズマ生成装置において、高周波放射手段として、プラズマチャンバ５の上部の開放端部を閉鎖する誘電性部材に隣接した平坦状のコイルを用いる点が記載されている。
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
（１）引用発明の「イオン化ガスプラズマ雲１２」、「作られる」、「プラズマ・スパッタエッチング処理室」は、本願発明の「プラズマ」、「形成される」、「プラズマ生成室」に相当する。
　
（２）
ア　引用発明の「前記プラズマ・スパッタエッチング処理室５のカバー１８を囲んで」と本願発明の「前記プラズマ生成室の端面に近接して設けられ」とは、前記プラズマ生成室に近接して設けられる点で一致する。
イ　引用発明の「４５０ＫＨｚ程度の周波数で動作する中間周波数電源から電力が供給される誘導コイル２４」は、高周波磁界を形成する機能を有することは明らかであるから、引用発明の「４５０ＫＨｚ程度の周波数で動作する中間周波数電源から電力が供給される誘導コイル２４」と本願発明の「高周波磁界を形成する平面状のコイル」とは、高周波磁界を形成するコイルの点で一致する。
ウ　したがって、引用発明の「前記プラズマ・スパッタエッチング処理室５のカバー１８を囲んで、４５０ＫＨｚ程度の周波数で動作する中間周波数電源から電力が供給される誘導コイル２４」と本願発明の「前記プラズマ生成室の端面に近接して設けられ、高周波磁界を形成する平面状のコイル」とは、前記プラズマ生成室に近接して設けられ、高周波磁界を形成するコイルの点で一致する。
　
（３）
ア　引用発明の内向きプラグ５４が挿入される「処理空間５６」の領域は、イオン化ガスプラズマ雲１２が作られている領域であるから、本願発明の「プラズマ生成領域」に相当する。
イ　引用発明の「挿入されて」は、本願発明の「配設されて」に相当する。
ウ　引用発明の「ウエーハ表面５１の中心領域５７の上のイオン化プラズマ粒子の濃度は減少させ、ウエーハ４０の外周縁５８の付近の表面領域の上のイオン化プラズマ粒子の濃度を増加させる」は、本願発明の「プラズマ分布密度を調整する」に相当する。
エ　引用発明の「石英で作られた内向きプラグ５４」は、石英で作られているから、誘電体であり、またその形状はＦＩＧ．２Ｂの記載からみてブロック形状といえるから、引用発明の「石英で作られた内向きプラグ５４」は、本願発明の「誘電体ブロック」に相当する。
オ　したがって、引用発明の「前記プラズマ・スパッタエッチング処理室５の処理空間５６の中に挿入されて、ウエーハ表面５１の中心領域５７の上のイオン化プラズマ粒子の濃度は減少させ、ウエーハ４０の外周縁５８の付近の表面領域の上のイオン化プラズマ粒子の濃度を増加させる石英で作られた内向きプラグ５４」は、本願発明の「前記プラズマ生成室内のプラズマ生成領域に配設されて、プラズマ分布密度を調整する誘電体ブロック」に相当する。
　
（４）引用発明の「いろいろの挿入深さ」、「位置を変える部材」は、本願発明の「配設位置」、「配設位置を移動する位置変更手段」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記石英で作られたプラグ５４をいろいろの挿入深さで、前記誘導コイル２４がその回りに設けられるプラズマ・スパッタエッチング処理室５の内部での位置を変える部材」と本願発明の「前記誘電体ブロックの配設位置を、少なくとも前記コイルの軸に直交する方向に移動する位置変更手段」とは、前記誘電体ブロックの配設位置を移動する位置変更手段の点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明の両者は、
「プラズマが形成されるプラズマ生成室と、
　前記プラズマ生成室に近接して設けられ、高周波磁界を形成するコイルと、
　前記プラズマ生成室内のプラズマ生成領域に配設されて、プラズマ分布密度を調整する誘電体ブロックと、
　前記誘電体ブロックの配設位置を移動する位置変更手段とを設けたプラズマ生成装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　高周波磁界を形成するコイルが、本願発明は、「プラズマ生成室の端面に近接して設けられ」た「平面状のコイル」であるのに対して、引用発明は、「プラズマ・スパッタエッチング処理室５のカバー１８を囲」む「誘導コイル２４コイル」である点。
[相違点２]
　誘電体ブロックの配設位置を移動させる位置変更手段における移動方向が、本願発明は、「少なくとも前記コイルの軸に直交する方向」であるのに対して、引用発明は、そのように限定されていない点。
　
５　当審の判断
（１）相違点１
　上述したように、引用刊行物２には、プラズマ生成装置において、高周波放射手段として、プラズマチャンバ５の上部の開放端部を閉鎖する誘電性部材に隣接した平坦状のコイルを用いるものがある点が記載され、また、その点は特開平９―２８９１９３号公報（図１４等）、特開平９−３２１０２９号公報（図４等）、特開平８−８８１９０号公報（図１等）にも示されており、従来周知の技術といえる。
　してみると、相違点１に係る本願発明の発明特定事項は、引用刊行物２に記載された発明又は従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
（２）相違点２
　引用刊行物１には、「この発明の別の実施態様では、内向きプラグは非対称形であって、中心以外の場所のプラズマ雲の中に延びる。この発明の内向きプラグを用いる場合、プラグの直径、長さ、および／または形を変えることにより、またはプラグをプラズマ雲の中に挿入する場所を雲の形やエッチングするウエーハの場所に対して変えることにより、プラズマ雲の形を正確に変えることができる。」（記載事項４）と記載されている。
　引用発明の「内向きプラグ」は、ＦＩＧ．２Ｂから対称形をしているが、上記記載事項４の、「内向きプラグ」についての「非対称形」とは、引用刊行物１のＦＩＧ．１やＦＩＧ．２Ｂのプラズマ雲１２，被処理物である（半導体）ウエーハ１０の左右方向に対して、非対称であることを意味することは文脈上明らかであり、また、「プラグをプラズマ雲の中に挿入する場所を雲の形やエッチングするウエーハの場所に対して変える」とは、本願発明と同様にプラズマ雲１２の左右方向に対してプラグの挿入位置を変えることを意味することも文脈上明らかである。
　
　そして、上記「（１）相違点１」の項で述べたように、相違点１に係る本願発明の発明特定事項、すなわち、前記プラズマ生成室の端面に近接して設けられ、高周波磁界を形成する平面状のコイルを設けることは、引用刊行物２に記載された発明又は従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　また、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、引用刊行物１の記載事項４に記載された、内向きプラグの配設位置を移動させる位置変更手段における移動方向をプラズマ雲１２（プラズマ）の左右方向と規定する際、引用刊行物２に記載された発明や従来周知の技術である、プラズマ生成室の端面に近接して設けられた平面状のコイルとの関係において、「少なくとも前記コイルの軸に直交する方向」であると規定したものである。
　してみると、相違点１に係る本願発明の発明特定事項が、引用刊行物２に記載された発明又は従来周知の技術に基づいて基づいて当業者が容易に想到し得る事項である以上、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、引用刊行物１の記載された発明、及び引用刊行物２に記載された発明又は従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　そして、本願発明の効果は、引用刊行物１の記載、引用刊行物２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　よって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、及び引用刊行物２に記載された発明又は従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、及び引用刊行物２に記載された発明又は従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。