【事件の表示】
　平成１１年特許願第１７２８４０号「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１２日出願公開、特開２００１−　　７４４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１１年６月１８日の出願であって、平成１６年１０月１８日に手続補正がなされ、平成１７年２月９日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年３月１７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月１８日に手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１７年４月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年４月１８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由]
　
（１）本件補正
　
　本件補正により、特許請求の範囲は、平成１６年１０月１８日付けの手続補正により補正された明細書の
　
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮからなる井戸層とＩｎＧａＮからなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層、及びｐ型窒化物半導体層を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層が、井戸層の全積層数が２以下である量子井戸構造であり、障壁層から始まり、障壁層で終わるように井戸層と障壁層が交互に積層され、前記井戸層が膜厚４０オングストローム以下、前記障壁層が膜厚１００オングストローム以上であり、更に、発振波長が４２０ｎｍ以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項２】　前記障壁層が、ｎ型不純物濃度を１×１０１９／ｃｍ２以下含んでなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項３】　前記障壁層が、ｎ型不純物を５×１０１８／ｃｍ２以下含んでなることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項４】　前記井戸層が、ｎ型不純物を１×１０１８／ｃｍ２以下含んでなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
　　【請求項５】　前記井戸層が、膜厚３０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項６】　前記障壁層が、１００〜２００オングストロームの膜厚であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項７】　前記窒化物半導体レーザ素子が、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板又は窒化物半導体基板上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して成長させてなる窒化物半導体上に成長されてなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項８】　前記活性層のすぐ上にｐ型AlGaN層を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項９】　前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層にガイド層及びクラッド層を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。」から
　
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮからなる井戸層とＩｎＧａＮからなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層、及びｐ型窒化物半導体層を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層が、井戸層の全積層数が２である量子井戸構造であり、障壁層から始まり、障壁層で終わり、障壁層が井戸層を挟むように交互に積層され、前記井戸層が膜厚４０オングストローム以下、前記障壁層が膜厚１００オングストローム以上であり、更に、発振波長が４２０ｎｍ以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項２】　基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮからなる井戸層とＩｎＧａＮからなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層、及びｐ型窒化物半導体層を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、
前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層にガイド層及びクラッド層を備え、
前記活性層が、前記障壁層、前記井戸層、前記障壁層を順に積層した単一量子井戸構造であり、井戸層が膜厚４０オングストローム以下、障壁層が膜厚１００オングストローム以上であることを特徴とする発振波長４２０ｎｍ以上である窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項３】　前記障壁層が、ｎ型不純物濃度を１×１０１９／ｃｍ２以下含んでなることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項４】　前記障壁層が、ｎ型不純物を５×１０１８／ｃｍ２以下含んでなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項５】　前記井戸層が、ｎ型不純物を１×１０１８／ｃｍ２以下含んでなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
　　【請求項６】　前記井戸層が、膜厚３０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項７】　前記障壁層が、１００〜２００オングストロームの膜厚であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項８】　前記窒化物半導体レーザ素子が、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板又は窒化物半導体基板上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して成長させてなる窒化物半導体上に成長されてなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項９】　前記活性層のすぐ上にｐ型AlGaN層を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　　【請求項１０】　前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層にガイド層及びクラッド層を備えることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。」へと補正された。　
　
（２）当審の判断
　
　本件補正が、平成１４年改正前特許法１７条の２第４項１号ないし４号に規定された事項を目的とするものであるかについて検討する。
　
　ア．上記（１）の特許請求の範囲の補正は、次の（ａ）〜（ｆ）の補正事項からなるものである。ここで、補正前のものであることを「旧」、補正後のものであることを「新」を用いて表記する。
　（ａ）旧請求項２の「１×１０１９／ｃｍ２」を「１×１０１９／ｃｍ２」に、旧請求項３の「５×１０１８／ｃｍ２」を「５×１０１８／ｃｍ２」に、旧請求項４の「１×１０１８／ｃｍ２」を「１×１０１８／ｃｍ２」に変更する。
　（ｂ）旧請求項１の「障壁層から始まり、障壁層で終わるように井戸層と障壁層が交互に積層され」から「障壁層から始まり、障壁層で終わり、障壁層が井戸層を挟むように交互に積層され」に変更する。
　（ｃ）旧請求項１の井戸層の全積層数を「２以下」から「２」に変更する。
　（ｄ）旧請求項９の引用請求項を「請求項１〜８のいずれか１項」から「請求項１」に変更するとともに新請求項１０とする。
　（ｅ）「基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮからなる井戸層とＩｎＧａＮからなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層、及びｐ型窒化物半導体層を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、
前記ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層にガイド層及びクラッド層を備え、
前記活性層が、前記障壁層、前記井戸層、前記障壁層を順に積層した単一量子井戸構造であり、井戸層が膜厚４０オングストローム以下、障壁層が膜厚１００オングストローム以上であることを特徴とする発振波長４２０ｎｍ以上である窒化物半導体レーザ素子。」と記載した新請求項２を追加する。
　（ｆ）旧請求項２〜８の引用する請求項に上記（ｅ）の新請求項２を追加するとともに、旧請求項２〜８の項番を繰り下げて新請求項３〜９とする。
　
　イ．上記補正事項（ａ）は誤記の訂正を目的としていることが明らかであるから、平成１４年改正前特許法１７条の２第４項（以下単に「４項」という。）３号「誤記の訂正」に該当する。
　
　ウ．上記補正事項（ｂ）は、補正の前後でその意味する技術内容は同じであるから４項２号の特許請求の範囲の減縮に該当せず、補正前の記載は誤記でもなく明りょうであるから４項３号の誤記の訂正にも４項４号の明りょうでない記載の釈明にも該当せず、４項１号の請求項の削除に該当しないことは明らかである。
　
　エ．上記補正事項（ｃ）は、補正前の発明特定事項である井戸数の全積層数の範囲をその範囲中において狭めるものであるから、４項２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　オ．上記補正事項（ｄ）は、一つの請求項中で択一的に引用する請求項の数を減らすものであるから、４項２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　カ．上記補正事項（ｅ）は、請求項を追加する補正であり、特許請求の範囲を拡張するものであるから、４項２号の特許請求の範囲の減縮に該当せず（後記コ．参照。）、また、追加した新請求項２と一対一に対応する旧請求項がないことから、４項３号の誤記の訂正、４項４号の明りょうでない記載の釈明及び４項１号の請求項の削除のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
　キ．上記補正事項（ｆ）は、一つの請求項中で択一的に引用する請求項の数を増加するものであるから、４項２号の特許請求の範囲の減縮に該当しない（後記セ．参照。）。また、上記補正事項（ｆ）が、４項３号の誤記の訂正、４項４号の明りょうでない記載の釈明及び４項１号の請求項の削除のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
　ク．上記（１）の補正は、上記補正事項（ｂ）、（ｅ）及び（ｆ）を含んでいるから、４項２号の特許請求の範囲の減縮、４項３号の誤記の訂正、４項４号の明りょうでない記載の釈明及び４項１号の請求項の削除のいずれにも該当しないものであって、４項の規定に適合しないものである。
　
　ケ．なお、新請求項２〜１０は、４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的として旧請求項９を次のように補正した結果請求項の数が増加したものか否かについて念のため以下検討する。
　・旧請求項９の旧請求項１を引用するものを独立形式に展開し、「井戸層の全積層数が２以下である量子井戸構造であり」を「単一量子井戸構造であり」に変更し、「障壁層から始まり、障壁層で終わるように井戸層と障壁層が交互に積層され」を「前記障壁層、前記井戸層、前記障壁層を順に積層した」に変更し、「更に、発光波長が４２０ｎｍ以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子」を「発光波長４２０ｎｍ以上である窒化物半導体レーザ素子」に変更して新請求項２となすとともに、旧請求項９の旧請求項２〜８を引用するそれぞれのものを新請求項２を引用する形式とすることにより上記と同じ変更を行うと同時に旧請求項２〜８と択一的に合体させて択一的に引用する請求項の数を増やして新請求項３〜９となし、さらに、旧請求項９の旧請求項１を引用するものを新請求項１を引用するものとして新請求項２とは別に新請求項１０となす補正
　
　コ．請求項の数を増加させる補正は、原則として、４項で補正の目的とし得る事項として規定された「請求項の削除」（１号）、「特許請求の範囲の減縮」（２号）、「誤記の訂正」（３号）、「明りょうでない記載の釈明」（４号）のいずれにも該当しないことは、規定の文言上明らかである（東京高裁平成１６年４月１４日判決、平成１５年（行ケ）第２３０号（９頁下から８行〜下から４行。ここで、記載箇所の特定は裁判所ホームページ中の判例検索システムにおいて表示される内容による。以下同じ。）参照。）。
　
　サ．４項２号は、「特許請求の範囲の減縮」について、括弧書きで「第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。」と規定しているから、同号にいう「特許請求の範囲の減縮」は、
補正前の請求項と補正後の請求項との対応関係が明白であって、かつ、補正後の請求項が補正前の請求項を限定した関係になっていることが明確であること
補正前の請求項と補正後の請求項とは、一対一又はこれに準ずるような対応関係に立つもの
　
　シ．そうであれば、請求項の数を増加させる補正は、補正後の各請求項の記載により特定される各発明が、全体として、補正前の請求項により特定される発明よりも限定されたものとなっているとしても、
上述したような（上記サ．参照。）一対一又はこれに準ずるような対応関係がない
　
　ス．４項２号の規定は、
請求項の発明特定事項を限定して、これを減縮補正することによって、当該請求項がそのままその補正後の請求項として維持されるという態様による補正
一つの請求項に係る発明を複数の請求項に分割して新たな請求項を追加するといった態様による補正
　
　セ．また、
一つの請求項中で択一的に引用する請求項の数を増やす態様による補正
　
　ソ．上記コ．〜セ．によれば、次の（i）、（ii）、（iii）又は（iv）に該当する補正は、上記コ．の原則のとおりに、４項２号にいう「特許請求の範囲の減縮」に該当するものではないとして扱われるべきものである。
　（i）一つの請求項に係る発明を複数の請求項に分割して新たな請求項を追加するといった態様による補正である（上記ス．）。
　（ii）補正後の請求項が補正前の請求項を限定した一対一又はこれに準ずるような対応関係であることが明確でない（上記サ．、シ．）。
　（iii）請求項の発明特定事項を限定して、これを減縮補正することによって、当該請求項がそのままその補正後の請求項として維持されるという態様による補正ではない（上記ス．）。
　（iv）一つの請求項中で択一的に引用する請求項の数を増やす態様による補正である（上記セ．）。
　
　タ．上記ケ．で述べた新請求項２〜１０に係る補正は、旧請求項９の旧請求項１を引用するものを新請求項２及び新請求項１０に分割しているから上記ソ．（i）及び(ii)に該当し、新請求項２は、どの旧請求項を変更したものか明確でないから上記ソ．（ii）に該当し、新請求項３〜９は一つの請求項中で択一的に引用する請求項の数を増やしてなしたものであるから上記ソ．(iii)及び（iv）に該当する。
　よって上記ケ．の補正は、上記コ．の原則のとおりに扱われるべきものであるから、４項２号にいう「特許請求の範囲の減縮」に該当するものではない。
　
　チ．さらに、新請求項１〜９に係る補正を、「旧請求項１を井戸層の全積層数が２の場合と１の場合とに分割し、前者は限定せず（上記ウ．参照。）新請求項１と、後者は限定して新請求項２となし、併せて旧請求項１を引用していた旧請求項２〜８について、その引用していた旧請求項１も同様に分割して新請求項１又は２を引用するものとして択一的に引用する請求項の数を増やして新請求項３〜９となし、更に、旧請求項９を、その引用していた旧請求項１を上記のとおり分割した後の新請求項１のみを引用するように変更して新請求項１０となしたことを含む補正」とみて、４項２号の特許請求の範囲に該当するか否かも念のため以下に検討しておく。
　旧請求項１を井戸層の全積層数が２の場合と１の場合とに分割し、前者は限定せず新請求項１と、後者は限定して新請求項２となす点は、新請求項２に係る補正が、上記ア．（ｅ）の補正とも、上記ケ．の補正ともみなし得てその対応関係が明確でないから、上記ソ．（ii）に該当し、新請求項１は限定していないから上記ソ．（ii）及び（iii）に該当し、旧請求項１は一つの請求項に係る発明であるから上記ソ．（i）に該当し、さらに、新請求項３〜９に係る補正は択一的に引用する請求項の数を増やしたものであるから上記ソ．（iv）に該当する。
　よってこの補正は、上記コ．の原則のとおりに扱われるべきものであるから、４項２号にいう「特許請求の範囲の減縮」に該当するものではない。
　
　ツ．したがって、本件補正は、４項１号ないし４号に規定されたいずれの事項をも目的とするものではない。
　
　テ．以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年改正前特許法１７条の２第４項の規定に適合しないので、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
 （１）本願発明 
　平成１７年４月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は，平成１６年１０月１８日付けの手続補正により補正された明細書における特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮからなる井戸層とＩｎＧａＮからなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層、及びｐ型窒化物半導体層を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層が、井戸層の全積層数が２以下である量子井戸構造であり、障壁層から始まり、障壁層で終わるように井戸層と障壁層が交互に積層され、前記井戸層が膜厚４０オングストローム以下、前記障壁層が膜厚１００オングストローム以上であり、更に、発振波長が４２０ｎｍ以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
 （２）刊行物記載の発明
　
ア．引用例
　原査定の拒絶理由に引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−３６４３０号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子に係り、特には、基板上に積層される半導体層構造が窒化物半導体により構成される窒化物半導体発光素子に発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外から赤色領域までの波長領域に発光するＬＥＤ、ＬＤ等の半導体発光素子の材料としてＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ等の窒化物半導体が有望視されている。
・・・・・
【０００６】他方、窒化物半導体ＬＤ素子は、前記特開平６−２１５１１号公報に記載されているように、ノンドープのＩｎＧａＮで形成された活性層を有するダブルへテロ構造により、理論的には、実現可能であるが、実際にはそのＬＤ素子は発振するには至っていない。特にこの公報に記載されているように、活性層を量子井戸構造とすることにより、発光出力が大幅に向上するはずであるが、前述のように、実際はレーザー発振するに至っていない。
【０００７】従って、本発明は、ＬＥＤ素子に適用した場合には、発光出力が高く、発光スペクトルの半値幅が狭いＬＥＤ素子を実現でき、またＬＤ素子に適用した場合には、現実のレーザー発振を行えるＬＤ素子を実現できる新規な構造の窒化物半導体発光素子を提供することを課題とする。
・・・・
【００２１】図１は、本発明の第１の側面による窒化物半導体発光素子の一形態の構造を示す概略断面図である。
【００２２】図１に示す窒化物半導体発光素子１０は、活性層１５、並びに活性層１５を両側で挟んでいる第１のｎ型クラッド層１４およびｐ型クラッド層１６からなる半導体積層構造を有する。この半導体積層構造は、バッファ層１２およびｎ型コンタクト層１３を介して、基板１１上に設けられている。
【００２３】活性層１５は、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体を包含する。インジウムとガリウムを含む窒化物半導体は、Ｉｎｍ Ａｌｎ Ｇａ１−ｍ−ｎ Ｎ（ここで、０＜ｍ＜１、０≦ｎ＜１、ｍ＋ｎ＝１）で示すことができる。最も好ましくは、活性層１５は、式Ｉｎｍ Ｇａ１−ｍ Ｎ（ここで、０＜ｍ＜１）で示される窒化物半導体を包含する。インジウムの比率、すなわち各式におけるｍの値を変えることにより、紫外から赤色までの領域の発光光を得るようにバンドギャップを変えることができる。なお、以下の記載において、式Ｉｎｍ Ｇａ１−ｍ Ｎ（ここで、０＜ｍ＜１）または同等の式をもって表される窒化物半導体を単にＩｎＧａＮと表示することがある。
【００２４】活性層１５は、量子井戸構造のものである。活性層１５を量子井戸構造にすることにより、ＬＥＤ素子であれ、ＬＤ素子であれ、歪量子井戸効果、エキシトン発光効果等により、高出力の発光素子が実現できる。
【００２５】本発明において、量子井戸構造とは、活性層を構成する窒化物半導体（ＩｎＧａＮ）の量子準位間発光を生じさせる構造をいい、単一量子井戸構造および多重量子井戸構造の双方を含む概念である。
【００２６】単一量子井戸構造とは、井戸層が単一組成の窒化物半導体の一層からなる構造を指す。すなわち、単一量子井戸構造の活性層は、単一の井戸層だけで構成され、この活性層（すなわち、例えば、単一組成のＩｎＧａＮからなる）を両側で挟持する２つのクラッド層が障壁層を構成することとなる。
【００２７】また、多重量子井戸構造とは、井戸層と障壁層とを順次積層した多層膜構造を指す。多重量子井戸構造の最少積層構造は、１つの障壁層とこの障壁層の両側に設けられた（２つの）井戸層とからなる３層構造または１つの井戸層とその両側に設けられた（２つの）障壁層とからなる３層構造であり得る。多重量子井戸構造において、両側の２つ最外層は、それぞれ井戸層または障壁層により構成される。活性層の２つ最外層がそれぞれ井戸層によって構成される多重量子井戸構造の場合には、当該活性層を両側で挟持する２つのクラッド層が障壁層を構成する。この多重量子井戸構造の活性層において、井戸層および障壁層は、両者をインジウムとガリウムを含む窒化物半導体（好ましくはＩｎＧａＮ）で形成することができる（ただし、両者の組成は異なる）が、井戸層をインジウムとガリウムを含む窒化物半導体（好ましくは、ＩｎＧａＮ）で形成し、障壁層を他の窒化物半導体で、例えばＩｎＮやＧａＮで形成することもできる。すなわち、この多重量子井戸構造の活性層も、インジウムとガリウムを含む窒化物半導体を包含する。活性層１５は、単一量子井戸構造の場合では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに形成し、多重量子井戸構造の場合では各井戸層を１００オングストローム以下の厚さにかつ各障壁層を１５０オングストローム以下の厚さに形成することが好ましい。いずれの場合でも、井戸層は７０オングストローム以下の厚さを有することがさらに好ましく、５０オングストローム以下の厚さを有することが最も好ましい。活性層中の障壁層は、１００オングストローム以下の厚さに形成することがさらに好ましい。多重量子井戸構造の活性層は、２００オングストローム以上の厚さを有することが特に好ましく、通常、０．５μｍまでの厚さを有し得る。
・・・・・
【００７６】図９は、本発明の第４の側面による窒化物半導体発光素子の一形態の構造を示す概略断面図であって、ＬＤ素子としての構造を示す。
【００７７】図９に示す窒化物半導体発光素子９０は、活性層９５、並びに活性層９５を両側で挟んでいるｎ型窒化物半導体層９４およびｐ型窒化物半導体層９６からなる半導体積層構造を有する。この半導体積層構造は、バッファ層９２およびｎ型コンタクト層９３を介して、基板９１上に設けられている。
・・・・・
【０１５１】実施例１
まず、原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３ とを用い、反応容器にセットしたサファイア基板のＣ面に５００℃でＧａＮよりなるバッファ層を５００オングストロームの厚さに成長させた。
【０１５２】次に温度を１０５０℃まで上げ、ＴＭＧとＮＨ３からなる上記原料ガスにシランガスを加え、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を４μｍの厚さに成長させた。このｎ型コンタクト層の電子キャリア濃度は、２×１０１９／ｃｍ３であった。
【０１５３】続いて、上記原料ガスにさらにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のｎ型クラッド層を０．１μｍの厚さに成長させた。この第２のｎ型クラッド層の電子キャリア濃度は１×１０１９／ｃｍ３であった。
【０１５４】次に、温度を８００℃に下げ、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＮＨ３およびシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層を５００オングストロームの厚さに成長させた。この第１のｎ型クラッド層の電子キャリア濃度は、５×１０１８／ｃｍ３であった。
【０１５５】続いて、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩおよびＮＨ３を用い、８００℃でノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを３０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成した。
【０１５６】次に、温度を１０５０℃に上げ、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層を０．１μｍの厚さに成長させた。この第２のｐ型クラッド層のホールキャリア濃度は１×１０１８／ｃｍ３であった。
【０１５７】続いて、原料ガスとしてＴＭＧ、ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇを用い、１０５０℃でＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの厚さに成長させた。このｐ型コンタクト層のホールキャリア濃度は５×１０１９／ｃｍ３であった。
【０１５８】しかる後、温度を室温まで下げ、ウエーハを反応容器から取り出し、７００℃でウエーハのアニーリングを行って各ｐ型層をさらに低抵抗化させた。次に、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。ｎ型コンタクト層の露出表面にＴｉとＡｌよりなる負電極を形成し、ｐ型コンタクト層の表面にＮｉとＡｕよりなる正電極を形成した。
【０１５９】電極形成後、ウエーハを３５０μｍ角のチップに分離した後、常法に従い半値角１５度の指向特性を持つＬＥＤ素子とした。このＬＥＤ素子はＩｆ（順方向電流）２０ｍＡにおいて、Ｖｆ（順方向電圧）３．５Ｖ、発光ピーク波長４１５ｎｍの青色発光を示し、発光出力は６ｍＷであった。また、その発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであり、非常に色純度の良い発光を示した。
・・・・・
【０１６３】実施例３
実施例１と同様にして、サファイア基板の上に、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層まで成長させた後、その第１のｎ型クラッド層の上に、ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを４０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成した。
【０１６４】続いて、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇを用い、８００℃で、Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層を５００オングストロームの厚さに成長させた。この第１のｐ型クラッド層のアニール後のホールキャリア濃度は、２×１０１７／ｃｍ３であった。
【０１６５】次に、実施例１と同様にして、第１のｐ型クラッド層上にＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層を成長させ、そしてその上にＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を成長させた。その後、実施例１と同様にして、所望のＬＥＤ素子を得た。このＬＥＤ素子は、Ｉｆ２０ｍＡでＶｆ３．５Ｖ、発光ピーク波長４１０ｎｍ、発光スペクトルの半値幅２０ｎｍであり、発光出力は６ｍＷであった。
・・・・・
【０１７２】実施例９
実施例１と同様にして、サファイア基板の上に、ｎ型コンタクト層までの各半導体層を成長させた後、温度を８００℃に下げ、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ３およびシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる薄膜を３８０オングストロームの厚さに成長させた。次に、温度を１０５０℃に上げ、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3 およびシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる薄膜を３９０オングストロームの厚さに成長させた。これらの操作を２０回繰り返し、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層とＳｉドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を交互に１０層づつ積層したｎ型多層膜（第１の多層反射膜）を形成した。
【０１７３】次に、ｎ型多層膜上に、実施例３と同様にして、第２のｎ型クラッド層、第１のｎ型クラッド層、活性層、第１のｐ型クラッド層、および第２のｐ型クラッド層を順次成長させた。
【０１７４】次に、温度を８００℃に設定して、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ３ およびＣｐ２Ｍｇを用い、第２のｐ型クラッド層上にＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を３８０オングストロームの厚さに成長させた後、温度を１０５０℃に上げ、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇガスを用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を３９０オングストロームの厚さに成長させた。これらの操作を繰り返し、Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層とＭｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層とを交互に１０層づつ積層したｐ型多層膜（第２の多層反射膜）を形成した。
【０１７５】ついで、ｐ型多層膜上に、実施例１と同様にして、ｐ型コンタクト層を成長させた。
【０１７６】こうして得られたウエーハについて、実施例１と同様にして窒化物半導体層をエッチングした後、最上層であるｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層上に５０μｍの幅で負電極を、ｐ型コンタクト層上に１０μｍの幅で正電極をそれぞれ形成した。このようにｎ型コンタクト層上にｎ型多層膜を形成すると、負電極を形成する水平面がｎ型多層膜よりも下、すなわち基板側となる。
【０１７７】次に、窒化物半導体層を形成していない方のサファイア基板面を研磨して基板の厚さを９０μｍにし、サファイア基板表面のＭ面（六方晶系において六角柱の側面に相当する面）をスクライブした。スクライブ後、ウエーハを７００μｍ角のチップに分割し、ストライプ型のＬＤ素子を作製した。このＬＤ素子は、ストライプ状の正電極と直交する窒化物半導体層面を光共振面としている。また、このＬＤ素子の表面は、各電極表面を除き表面をＳｉＯ２よりなる絶縁膜（図示せず）で被覆されている。次に、このチップをヒートシンクに設置し、各電極をワイヤーボンドした後、常温でレーザ発振を試みたところ、しきい値電流密度１．５ｋＡ／ｃｍ２で発振波長３９０ｎｍのレーザ発振が確認された。
【０１７８】実施例１０
・・・・・
【０１８１】続いて、８００℃で、第１のｎ型クラッド層上にノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを２０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成した。
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【０１８６】次に、窒化物半導体層を形成していない方のサファイア基板面を研磨して基板の厚さを９０μｍとし、サファイア基板のＭ面をスクライブして強制的に劈開し、レーザチップを得た。その劈開面に誘電体多層膜を設けた後、チップをヒートシンクに設置し、常温でレーザ発振を試みたところ、しきい値電流密度２．０ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４５０ｎｍのレーザ発振が確認された。
【０１８７】実施例１１
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【０１８９】次にノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを２０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成し、その上にＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層を０．５μｍの厚さに、ついでＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を１μｍの厚さに形成した。
【０１９０】これ以降は実施例１０と同様にして、得られたＬＤ素子のレーザ発振を試みたところ、しきい値電流密度２．０ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４５０ｎｍのレーザ発振が確認された。
【０１９１】実施例１２
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【０１９３】ついで、ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを２０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成し、
・・・・・
【０１９４】これ以降は実施例１０と同様にして、得られたＬＤ素子のレーザ発振を試みたところ、実施例１０および１１のＬＤ素子のしきい値電流密度よりも低いしきい値電流密度１．０ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４５０ｎｍのレーザ発振が確認された。」
　
（イ）上記（ア）の記載事項によれば、引用例には、実施例９として、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「サファイア基板にＧａＮバッファ層を成長させ、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を成長させ、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層とＳｉドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を交互に１０層づつ積層したｎ型多層膜（第１の多層反射膜）を形成し、Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のｎ型クラッド層を成長させ、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を構成する第１のｎ型クラッド層を５００オングストロームの厚さに成長させた後、その第１のｎ型クラッド層の上に、ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを４０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成し、続いて、Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を構成する第１のｐ型クラッド層を５００オングストロームの厚さに成長させ、次に第１のｐ型クラッド層上にＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層を成長させ、第２のｐ型クラッド層上に、Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層とＭｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層とを交互に１０層づつ積層したｐ型多層膜（第２の多層反射膜）を形成し、続いて、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの厚さに成長させ、こうして得られたウエーハについて、次に、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングし、ｎ型コンタクト層上に負電極を、ｐ型コンタクト層上に正電極をそれぞれ形成し、次に、窒化物半導体層を形成していない方のサファイア基板面を研磨して基板の厚さを９０μｍにし、サファイア基板表面をスクライブした後、ウエーハをチップに分割し、このチップをヒートシンクに設置し、各電極をワイヤーボンドし発振波長３９０ｎｍでレーザ発振するＬＤ素子。」（以下、「引用発明１」という。）
　
（ウ）また、上記（ア）の記載事項によれば、引用例には、実施例１０、１１及び１２として「ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを２０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成し、発振波長４５０ｎｍでレーザ発振するＬＤ素子。」の発明（以下、「引用発明２」という。）も記載されているものと認められる。
　
 （３）対比 
　
 　本願発明と引用発明１とを対比する。 
　
　ア．引用発明１の「サファイア基板」、「『ＧａＮバッファ層』、『Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層』、『Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層とＳｉドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を交互に１０層づつ積層したｎ型多層膜（第１の多層反射膜）』及び『Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のｎ型クラッド層』」、「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを４０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸」、「『Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を構成する第１のｎ型クラッド層』及び『Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を構成する第１のｐ型クラッド層』」、「量子井戸構造」、「『Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層』、『Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層とＭｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層とを交互に１０層づつ積層したｐ型多層膜（第２の多層反射膜）』及び『Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層』」及び「ＬＤ素子」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「ｎ型窒化物半導体層」、「ＩｎＧａＮからなる井戸層」、「ＩｎＧａＮからなる障壁層」、「量子井戸構造」、「ｐ型窒化物半導体層」及び「窒化物半導体レーザ素子」に相当する。
　
　イ．引用発明１の「単一量子井戸構造」は、本願発明の「井戸層の全積層数が２以下である量子井戸構造」と、「井戸層の全積層数が１である量子井戸構造」の点で一致するから、引用発明１は、本願発明の「井戸層の全積層数が２以下である量子井戸構造」との発明特定事項を備えている。
　
　ウ．引用発明１の「単一量子井戸構造」は、障壁層を構成する第１のｎ型クラッド層、量子井戸、障壁層を構成する第１のｐ型クラッド層の順に積層されているから、本願発明の「障壁層から始まり、障壁層で終わるように井戸層と障壁層が交互に積層され」との発明特定事項を備えている。
　
　エ．引用発明１において、量子井戸の厚さは「４０オングストローム」であり、障壁層を構成する第１のｎ型クラッド層及び第１のｐ型クラッド層の厚さは「５０００オングストローム」であるから、引用発明１は、本願発明の「前記井戸層が膜厚４０オングストローム以下、前記障壁層が膜厚１００オングストローム以上であり、」との発明特定事項を備えている。
　
　オ．上記ア．〜エ．から、両発明は、「基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮからなる井戸層とＩｎＧａＮからなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層、及びｐ型窒化物半導体層を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層が、井戸層の全積層数が２以下である量子井戸構造であり、障壁層から始まり、障壁層で終わるように井戸層と障壁層が交互に積層され、前記井戸層が膜厚４０オングストローム以下、前記障壁層が膜厚１００オングストローム以上である窒化物半導体レーザ素子」である点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
 相違点：
　本願発明は、「発振波長が４２０ｎｍ以上である」のに対して、引用発明１は「発振波長３９０ｎｍ」である点。
　
（４）判断
　
 　上記相違点について検討すると、引用例には、「ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを２０オングストロームの厚さに成長させて単一量子井戸構造の活性層を形成し、発振波長４５０ｎｍでレーザ発振するＬＤ素子」である引用発明２も記載されており、引用発明１のノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎの単一量子井戸のインジウムの比率を引用発明２と同じ程度として、発振波長４５０ｎｍ（４２０ｎｍ以上である）でレーザ発振するＬＤ素子となすことは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　しかも、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び引用発明２の奏する効果から当業者が予測し得る程度のものにすぎない。 
　
 （５）むすび 
 　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。