(57)【要約】  従来の半導体装置と比べて、電子部品が回路基板上に高密度に実装されている、または小型化されている半導体装置および電力変換装置を提供する。半導体素子（１）と、平面視において半導体素子（１）と重なるように配置されている回路基板（１２０）と、半導体素子（１）と回路基板（１２０）とを接続している端子部（４）とを備える。回路基板１２０）は半導体素子（１）側に向いた面上に形成された電極部（１２１）を含む。端子部（４）は、接合部材（１２２）により電極部（１２１）と接合されている。
2018180580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体素子と、
平面視において前記半導体素子と重なるように配置されている少なくとも１つの回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板とを接続している少なくとも１つの端子部とを備え、
前記回路基板は前記半導体素子側に向いた面上に形成された少なくとも１つの電極部を含み、
前記端子部は、接合部材により前記電極部と接合されている、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子が固定されている基台と、
前記基台と前記回路基板との間に配置されており、かつ前記基台に対して前記端子部を固定している少なくとも１つの固定部とをさらに備え、
前記固定部は、前記端子部において前記接合部材により前記電極部と接合されている部分以外の他の部分の少なくとも一部と接続されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記端子部は、前記半導体素子から前記回路基板に向かう第１方向に沿って延びる部分を含み、
前記固定部は、前記第１方向に沿って延びる部分を含み、
前記端子部の前記第１方向に沿って延びる部分の一部は、前記接合部材により前記電極部と接合されており、
前記端子部の前記第１方向に沿って延びる部分の他の一部は、前記固定部の前記第１方向に沿って延びる部分に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
少なくとも前記半導体素子を封止する封止体をさらに備え、
前記固定部は、平面視において前記半導体素子を囲むように配置されており、
前記封止体は、前記固定部により囲まれた前記半導体素子を含む領域内に形成されており、
前記端子部において前記接合部材により前記電極部と接合されている部分は、前記封止体の外側に配置されている、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端子部は、前記固定部に固定されていない部分に屈曲部を含み、
前記屈曲部は、前記封止体の外部に配置されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記端子部は、前記固定部から前記半導体素子上に部分的に突出して、前記半導体素子と接合されている部分を有している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
複数の前記半導体素子と、複数の前記固定部と、複数の前記電極部と、前記電極部よりも少ない数の前記回路基板とを備え、
前記基台に対して前記回路基板を固定しており、かつ前記電極部よりも少ない数の固定部材をさらに備える、請求項２〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
平面視において、前記電極部の幅は、前記端子部の前記回路基板側に位置する端部の幅以上、前記固定部の前記回路基板側に位置する端部の幅以下である、請求項２〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置を備え、
入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路とを含み、
前記半導体素子は前記主変換回路の少なくとも一部を構成しており、
前記回路基板および前記端子部は前記制御回路の少なくとも一部を構成している、電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および電力変換装置に関し、特に半導体素子と接続されている素子、例えば半導体素子の動作を制御する制御素子、が実装された回路基板を備える半導体装置および電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的な半導体装置では、半導体素子の動作を制御する制御素子が半導体素子の上方に配置されている回路基板（制御基板）上に実装されている。回路基板にはスルーホールが形成されており、半導体素子の制御端子が該スルーホールに挿入されて接合されることにより、半導体素子と回路基板とが電気的に接続されている。【０００３】
特開２０１３−４２３９号公報（特許文献１）には、回路基板のスルーホールに挿入される弾性部を有するブレスフィット端子が開示されている。【０００４】
特開２００１−２３７３６８号公報（特許文献２）には、パワー素子に接続された中継端子の一端が制御回路基板の底面に配置されたコネクタに差し込まれているパワーモジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−４２３９号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来の半導体装置では、電子部品が回路基板上に高密度に実装され得ないという問題があった。【０００７】
具体的には、特開２０１３−４２３９号公報に記載の半導体装置では、プリント基板に形成されたスルーホールにプレスフィット端子が挿入されているため、プリント基板の両面において該スルーホールを塞ぐように電子部品を実装することができない。そのため、このような半導体装置では、電子部品が回路基板上に高密度に実装され得ないという問題があった。【０００８】
また、特開２００１−２３７３６８号公報に記載のパワーモジュールでは、回路基板がパワーモジュールのケース内に配置されているため、複数のパワーモジュールが組み合わされて使用される場合においても、複数の回路基板が必要となる。複数のパワーモジュールの各回路基板を１つにまとめようとすると、個々のパワーモジュールにおいて配線設計および配線領域の確保等が必要となり、このようにした場合に１つの回路基板に電子部品を高密度に実装し得ないという問題があった。【０００９】
本発明の目的は、従来の半導体装置と比べて、電子部品が回路基板上に高密度に実装されている、または小型化されている半導体装置および電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、平面視において半導体素子と重なるように配置されている回路基板と、半導体素子と回路基板とを接続している端子部とを備える。端子部は、回路基板において半導体素子側に向いた面上に形成された電極部と、と接合部材により接合されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、従来の半導体装置と比べて、電子部品が回路基板上に高密度に実装されている、または小型化されている半導体装置および電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置の固定部を説明するための平面図である。
【図３】実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。
【図４】実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。
【図５】実施の形態４に係る半導体装置を示す断面図である。
【図６】実施の形態５に係る電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１および図２に示されるように、実施の形態１に係る半導体装置１００は、半導体モジュール１１０と、回路基板１２０とを主に備える。半導体モジュール１１０は、半導体素子１、第１端子部４、配線部材５、固定部６、第２端子部８、第３端子部１１および封止体１６を主に含む。説明の便宜上、半導体モジュール１１０と回路基板１２０とが積層している方向を第１方向Ａとよぶ。また、当該第１方向Ａにおいて、半導体モジュール１１０（半導体素子１）から回路基板１２０へ向いた方向を上方とよび、その反対を下方とよぶ。図２は、図１に示される半導体装置１００の固定部６を説明するための平面図である。なお、図２において、固定部材１９および回路基板１２０の図示は省略している。
【００１４】
半導体素子１は、例えばパワー半導体素子であり、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）、フリーホイールダイオード（ＦＷＤ：Free  Wheel  Diode）、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）などである。半導体素子１を構成する材料は、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。
【００１５】
図１に示されるように、半導体素子１は、例えば制御信号パッド２および主電極パッド３を含む。制御信号パッド２および主電極パッド３は、例えば半導体素子１において回路基板１２０と対向する面（上面）上に配置されている。制御信号パッド２を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、より好ましくは電気的特性および機械的特性の両立を図る観点から、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、および金（Ａｕ）からなる群から選択される少なくとも１つを含む。すなわち、制御信号パッド２を構成する材料は、上記群から選択される少なくとも１つの合金であってもよい。主電極パッド３を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、より好ましくは電気的特性および機械的特性の両立を図る観点から、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、およびＡｕからなる群から選択される少なくとも１つを含む。主電極パッド３を構成する材料は、制御信号パッド２を構成する材料と同一であってもよい。なお、半導体素子１の上記上面には、制御信号パッド２のみが配置されていてもよい。
【００１６】
図１に示されるように、半導体装置１００は、例えば複数の半導体素子１を備えている。複数の半導体素子１は、後述する回路パターン１３に固定されており、かつ後述する封止体１６の内部に配置されている。
【００１７】
図１に示されるように、第１端子部４は、半導体素子１の制御信号パッド２と、回路基板１２０の電極部１２１との間を接続している。第１端子部４を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、例えばＣｕおよびＡｌの少なくともいずれかを含む。
【００１８】
図１に示されるように、第１端子部４は、第１方向Ａに沿って延びる第１部分と、該第１部分と接続されており、かつ上記交差する方向に沿って延びる第２部分とを有している。第１端子部４において、第１部分は、第２部分よりも上方に配置されている。例えば、第１端子部４において、第１部分は、第２部分よりも半導体素子１から離れた位置に配置されている。例えば第１方向Ａに沿った断面における第１端子部４の断面形状は、例えばＬ字状である。
【００１９】
第１端子部４において第１方向Ａに沿って延びる第１部分は、後述する回路基板１２０の電極部１２１と第１接合部材１２２により接合されている部分を有している。例えば、第１端子部４の第１部分の上端部は電極部１２１と接合されている。第１端子部４において上記交差する方向に延びる第２部分は、半導体素子１の制御信号パッド２と配線部材５を介して接続されている。配線部材５を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、例えばＣｕおよびＡｌの少なくともいずれかを含む。
【００２０】
図１に示されるように、第１端子部４は、固定部６に固定されている。第１端子部４の上記第１部分において下方に位置する一部分は、固定部６に接続されている。例えば、第１端子部４の第１部分において下方に位置する一部分は、固定部６によって周囲を覆われている。
【００２１】
第１端子部４の第１部分において固定部６に接続されている部分は、封止体１６により封止されている部分と、封止体１６の外側に配置されている部分とを有している。第１端子部４の第１部分において固定部６に接続されている部分の上端部（第１端子部４の第１部分において固定部６に接続されている部分の下端部）は、封止体１６の外側に配置されている。言い換えると、固定部６の上端部は、封止体１６の上端部よりも上方に配置されている。第１端子部４の第１部分において、固定部６に接続されている部分よりも上方に位置する他の一部分は、封止体１６から露出しており、かつ回路基板１２０の電極部１２１と接合されている。固定部６の上端部は、当該上端部と電極部１２１との間に第１接合部材１２２を形成し得るとともに、第１端子部４の上端部の位置のバラつきを十分に抑制し得る限りにおいて、回路基板１２０から任意の距離離れた位置に配置され得る。
【００２２】
図１に示されるように、第１端子部４の上記交差する方向に沿って延びる第２部分の一部は、固定部６に接続されている。例えば、第１端子部４の第２部分の一部の下面は固定部６に接続されている。第１端子部４の第２部分の一部の上面および側面は、固定部６から露出しており、かつ封止体１６により覆われている。
【００２３】
好ましくは、第１端子部４の第１方向Ａに沿って延びる第１部分と上記交差する方向に沿って延びる第２部分との接続部（角部）は、周囲を固定部６に覆われている。
【００２４】
図２に示されるように、固定部６は、第１方向Ａから視て半導体素子１を囲むように環状に配置されている。図１に示されるように、固定部６の少なくとも一部は、第１端子部４と接続されている。固定部６の第１方向Ａにおける長さは、封止体１６の第１方向Ａにおける厚み以上であり、好ましくは該厚み超えである。固定部６は、回路パターン１３と回路基板１２０との間に配置されている。
【００２５】
固定部６の少なくとも該一部は、第１方向Ａに沿って延びる第３部分と、該第３部分と接続されており、かつ上記交差する方向に沿って延びる第４部分とを有している。固定部６において、第３部分は、第４部分よりも上方に配置されている。例えば、第３部分は、第４部分よりも半導体素子１から離れた位置に配置されている。固定部６の第３部分および第４部分は、例えば第１方向Ａに沿った断面においてＬ字形状を成している。第１端子部４の第１部分の少なくとも一部は、固定部６の第１方向Ａに延びる第３部分に接続されている。
【００２６】
固定部６の第３部分には、第１端子部４の第１部分および第２部分の各一部を挿入可能な孔部６Ｈが形成されている。該孔部６Ｈは、孔軸が第１方向に沿って延びている部分と、該部分と連結されており、かつ孔軸が上記交差する方向に沿って延びている部分とを有している。固定部６は、後述する回路パターン１３とともに、半導体モジュール１１０の筐体を構成する。
【００２７】
固定部６を構成する材料は、電気的絶縁性を有する材料であり、好ましくは射出成型可能で耐熱性の高い材料である。例えば、固定部６を構成する材料は、ポリフェニレンサルファイド（Polyphenylene  Sulfide）、ポリブチレンテレフタレート（Polybutylene  Terephthaete）、液晶樹脂、およびフッ素系樹脂からなる群から選択される少なくとも１つを含む。
【００２８】
固定部６は、第２接合部材７を介して後述する回路パターン１３に固定されている。第２接合部材７を構成する材料は、例えば鉛（Ｐｂ）および錫（Ｓｎ）の少なくともいずれかを含むはんだ材料、Ａｇを主成分とするＡｇナノ粒子ペースト、またはＡｇ粒子およびエポキシ樹脂を含む導電性接着材を含む。
【００２９】
第２端子部８は、第３接合部材９を介して半導体素子１の主電極パッド３に接続されている。第２端子部８は、例えば複数の半導体素子１の主電極パッド３間を接続している。第２端子部８を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、例えばＣｕおよびＡｌの少なくともいずれかを含む。第２端子部８は、例えばシート状部材、またはワイヤ状部材である。第２端子部８は、例えばこれらの部材が屈曲された構造を有している。第２端子部８は例えば封止体１６から露出した部分を有している。
【００３０】
半導体素子１の下面には、例えば図示しない裏面電極が配置されている。半導体素子１の該裏面電極は、第４接合部材１０を介して後述する回路パターン１３と接続されている。第４接合部材１０を構成する材料は、例えば鉛（Ｐｂ）および錫（Ｓｎ）の少なくともいずれかを含むはんだ材料、Ａｇを主成分とするＡｇナノ粒子ペースト、またはＡｇ粒子およびエポキシ樹脂を含む導電性接着材を含む。
【００３１】
第３端子部１１は、第５接合部材１２を介して回路パターン１３に接続されている。第３端子部１１を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、例えばＣｕおよびＡｌの少なくともいずれかを含む。第３端子部１１は、例えばシート状部材、またはワイヤ状部材である。第３端子部１１は、例えばこれらの部材が屈曲された構造を有している。第３端子部１１は例えば封止体１６から露出した部分を有している。第５接合部材１２を構成する材料は、例えば鉛（Ｐｂ）および錫（Ｓｎ）の少なくともいずれかを含むはんだ材料、Ａｇを主成分とするＡｇナノ粒子ペースト、またはＡｇ粒子およびエポキシ樹脂を含む導電性接着材を含む。
【００３２】
回路パターン１３は、半導体素子１が固定されている基台として構成されている。回路パターン１３は、絶縁部材１４および金属層１５と接合されている。回路パターン１３の上面の少なくとも一部は、封止体１６により覆われている。回路パターン１３の下面は、絶縁部材１４の上面と接合されている。金属層１５の上面は、絶縁部材１４の下面と接合されている。金属層１５の下面は、第６接合部材１７を介して冷却器１８と接合されている。
【００３３】
絶縁部材１４は、例えばセラミックス基板である。絶縁部材１４を構成する材料は、任意のセラミックス材料であればよいが、例えばアルミナ（Ａ１2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）の少なくともいずれかを含む。回路パターン１３および金属層１５を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは直接接合法または活性金属接合法により絶縁部材１４と接合され得る材料であり、より好ましくは高い電気伝導性を有する材料である。ここで、直接接合法とは、回路パターン１３と絶縁部材１４とを、または金属層１５と絶縁部材１４とを、直接反応により接合する方法である。活性金属接合法はとは、回路パターン１３と絶縁部材１４とを、または金属層１５と絶縁部材１４とを、チタン（Ｔｉ）またはジルコニウム（Ｚｒ）などの活性金属を添加したロウ材により接合する方法である。
【００３４】
封止体１６は、固定部６よりも内周に位置し、かつ回路パターン１３よりも上方に位置する領域に形成されている。言い換えると、封止体１６は、固定部６および回路パターン１３により構成されている半導体モジュール１１０の筐体の内部を充填するように配置されている。封止体１６は、半導体素子１、配線部材５、第１端子部４の一部、第２端子部８の一部、第３端子部１１の一部、および回路パターン１３の一部を覆っている。封止体１６を構成する材料は、シリコン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、およびゴム材からなる群から選択される少なくとも１つを含む。封止体１６は、例えば積層体として構成されていてもよい。例えば、封止体１６は、ゲル状のシリコン樹脂層と、該シリコン樹脂層上に重ねられたエポキシ樹脂層との積層体であってもよい。
【００３５】
以上のように、図１に示される半導体モジュール１１０は、半導体素子１、第１端子部４、配線部材５、固定部６、第２端子部８、回路パターン１３、絶縁部材１４、金属層１５、第３端子部１１、および第２接合部材７〜第５接合部材１２を備える。上述のように、半導体モジュール１１０の金属層１５は、第６接合部材１７を介して冷却器１８と接合されている。図１に示される半導体装置１００は、１つの半導体モジュール１１０を備えているが、これに限られるものでは無く、複数の半導体モジュール１１０を備えることができる。この場合、複数の半導体モジュール１１０は、半導体モジュール１１０よりも少ない数（例えば１つ）の冷却器１８に接合されていればよく、半導体モジュール１１０よりも少ない数（例えば１つ）の回路基板１２０に接続されていればよい。
【００３６】
第６接合部材１７を構成する材料は、例えば鉛（Ｐｂ）および錫（Ｓｎ）の少なくともいずれかを含むはんだ材料、Ａｇを主成分とするＡｇナノ粒子ペースト、またはＡｇ粒子およびエポキシ樹脂を含む導電性接着材を含む。
【００３７】
冷却器１８は、半導体装置１００の動作中において半導体素子１に生じた熱を半導体装置１００の外部に放熱するためのものである。冷却器１８を構成する材料は、封止体１６を構成する材料と比べて高い熱伝導率を有する任意の材料であればよいが、例えばＡｌまたはＣｕを含む。冷却器１８を構成する材料は、ＡｌまたはＣｕを主成分とする合金、またはＳｉＣとＡｌとの複合材（Ａｌ−ＳｉＣ）であってもよい。第１方向Ａから視て、冷却器１８は、半導体モジュール１１０よりも外周側に位置する外周部分を含む。冷却器１８には、例えば冷却器１８と熱交換可能な冷媒が流通するための流路が配置されていてもよい。冷却器１８において、半導体モジュール１１０と接合されている領域よりも外周側には、例えばネジ孔が形成されており、該ネジ孔に固定部材１９がねじ込まれて固定されている。
【００３８】
冷却器１８の上記外周部分には、固定部材１９が固定されている。固定部材１９の下端は、冷却器１８の該外周部分に接続され固定されている。固定部材１９の上端は、回路基板１２０に固定されている。固定部材１９は、回路基板１２０を、半導体モジュール１１０よりも上方に位置決めしている。固定部材１９は、冷却器１８に対して回路基板１２０を固定可能な限りにおいて任意の構造を有していればよいが、例えばボルト、リベット等の拘束部材である。固定部材１９は、固定部６とは別体として設けられている。半導体装置１００が複数の半導体モジュール１１０を備える場合、各半導体モジュール１１０が少なくとも１つの固定部６を含むため、該半導体装置１００は複数の固定部６を備えている。一方、該半導体装置１００は、例えば半導体モジュール１１０よりも少ない数の回路基板１２０、冷却器１８および固定部材１９を備えていればよい。
【００３９】
図１に示されるように、回路基板１２０は、第１方向Ａから視て半導体素子１と重なるように配置されている。回路基板１２０は、半導体素子１の上方に配置されている。回路基板１２０には、任意の回路パターンが形成されている。回路基板１２０には、例えば半導体素子１の動作を制御するための制御素子が実装されており、制御素子を含む制御回路が形成されている。回路基板１２０は、半導体素子１と対向する下面上に形成されている電極部１２１を含む。電極部１２１を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、より好ましくは電気的特性および機械的特性の両立を図る観点から、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕからなる群から選択される少なくとも１つを含む。すなわち、電極部１２１を構成する材料は、上記群から選択される少なくとも１つの合金であってもよい。回路基板１２０は、封止体１６の外部に配置されている。回路基板１２０において回路パターンが配置されている領域よりも外周側には、例えば貫通孔が形成されており、該貫通孔に固定部材１９が挿通されている。
【００４０】
第１方向Ａから視たときに、電極部１２１の面積は、例えば第１端子部４において回路基板１２０側に位置する端部（上端部）の面積以上、該上端部の面積の１．５倍以下である。第１方向Ａから視たときに、第１接合部材１２２の面積は、電極部１２１の面積以下である。上記交差する方向において、第１接合部材１２２の最大幅は、第１端子部４の最大幅以上、固定部６の最大幅以下である。
【００４１】
第１端子部４は、第１接合部材１２２を介して電極部１２１と接合されている。第１接合部材１２２を構成する材料は、導電性を有する任意の材料であればよいが、好ましくは高い電気伝導性を有する材料であり、例えば錫（Ｓｎ）を主成分とするはんだ、Ａｇを主成分とするＡｇナノ粒子ペースト、またはＡｇ粒子およびエポキシ樹脂を含む導電性接着材を含む。
【００４２】
図１に示されるように、回路基板１２０において、電極部１２１が形成されている下面上の領域と第１方向Ａに重なる上面上の領域には、例えば回路基板１２０に形成されている回路パターンを構成する部品１２３が配置されている。該部品１２３は、例えば半導体素子１の動作を制御する制御素子である。この場合、回路基板１２０は、いわゆる制御基板である。
【００４３】
＜作用効果＞
上述のようにプレスフィット端子を有する従来の半導体装置では、回路基板にプレスフィット端子が挿通されるための貫通孔が形成されている。そのため、このような従来の半導体装置では、回路基板の上面上においても回路パターンを高密度に配置できないという問題があった。
【００４４】
これに対し、実施の形態１に係る半導体装置１００は、半導体素子１と、第１方向Ａから視て半導体素子１と重なるように配置されている回路基板１２０と、半導体素子１と回路基板１２０とを接続している第１端子部４とを備える。回路基板１２０は半導体素子１側に向いた下面上に形成された電極部１２１を含む。第１端子部４は、第１接合部材１２２により電極部１２１と接合されている。
【００４５】
電極部１２１は、回路基板１２０において半導体素子１側に向いた下面上にのみ形成されている。該下面における電極部１２１の配置は、従来の上記半導体装置におけるプレスフィット端子を挿通するための貫通孔のように、回路基板１２０の上面における回路パターンの配置に大きな影響を及ぼさない。そのため、上記半導体装置１００では、電極部１２１の配置によらず、回路基板１２０の上面に回路パターンを高密度に配置することができる。その結果、従来の半導体装置と比べて、回路基板１２０は小型化され得るため、半導体装置１００は小型化され得る。
【００４６】
上記半導体装置１００は、半導体素子１が固定されている基台としての回路パターン１３と、回路パターン１３と回路基板１２０との間に配置されており、回路パターン１３に対して第１端子部４を固定している固定部６とをさらに備える。固定部６は、第１端子部４において第１接合部材１２２により電極部１２１と接合されている部分以外の他の部分の少なくとも一部と接続されている。
【００４７】
第１端子部が固定部により位置決めされていない従来の半導体装置では、封止体を形成する工程において、封止体となるべき流動性材料の流動、および該流動性材料が封止体に硬化される際の変形等により、半導体モジュールにおける第１端子部の位置にバラつきが生じる。そのため、回路基板に形成される電極部は、第１端子部の位置のバラつきを考慮して、第１端子部よりも大きく形成されている。そのため、従来の半導体装置では、回路基板に回路パターンを高密度に配置することができないという問題があった。また、このような従来の半導体装置では、半導体モジュールに対する回路基板の相対的な位置が振動等によって変化するような場合に、第１端子部が回路基板の貫通孔から抜け出て接続不良が発生するという問題があった。
【００４８】
これに対し、実施の形態１に係る半導体装置１００によれば、半導体モジュール１１０における第１端子部４の回路基板１２０側に位置する端部（上端部）の位置のバラつきは、固定部６によって抑制されている。そのため、半導体装置１００によれば、固定部６を備えない従来の上記半導体装置と比べて、電極部１２１を狭小化することができ、その分、回路基板１２０に回路パターンを高密度に配置することができる。さらに、半導体装置１００では、半導体モジュール１１０に対する回路基板１２０の相対的な位置が振動等によって変化するような場合にも、第１端子部４と電極部１２１との接続不良の発生が抑制されている。
【００４９】
上記半導体装置１００において、第１端子部４は、第１方向Ａに延びる第１部分を含む。第１端子部４の第１方向Ａに延びる第１部分の一部は、第１接合部材１２２により電極部１２１と接合されている。第１端子部４の第１方向Ａに延びる第１部分の他の一部は、固定部６に接続されている。
【００５０】
このようにすれば、第１端子部４の第１部分の一部の第１方向Ａに交差する方向への位置のバラつきは、固定部６により抑制されている。言い換えると、第１端子部４において、回路基板１２０側に位置する端部（上端部）の第１方向Ａに交差する方向への位置のバラつきは、固定部６によって抑制されている。そのため、半導体装置１００によれば、固定部６を備えない従来の上記半導体装置と比べて、電極部１２１を狭小化することができ、その分、回路基板１２０に回路パターンを高密度に配置することができる。
【００５１】
上記半導体装置１００において、固定部６は、平面視において半導体素子１を囲むように配置されている。封止体１６は、固定部６により囲まれた半導体素子１を含む領域内に形成されている。第１端子部４において第１接合部材１２２により電極部１２１と接合されている部分は、封止体１６の外側に配置されている。
【００５２】
このようにすれば、封止体１６が形成される際に、封止体１６となるべき流動性材料の流動および変形に起因した第１端子部４の上端部の位置のバラつきが抑制されている。そのため、半導体装置１００によれば、固定部６を備えず、かつ第１端子部が封止体により直接覆われている従来の上記半導体装置と比べて、電極部１２１を狭小化することができ、その分、回路基板１２０に回路パターンを高密度に配置することができる。また、固定部６は、半導体素子１が封止体１６により封止されて成る半導体モジュール１１０の筐体として、構成されている。固定部６を構成する材料が電気的絶縁性を有する材料であることにより、第１端子部４は、固定部６によって外部から電気的に絶縁され得る。
【００５３】
上記半導体装置１００は、複数の半導体モジュール１１０と、半導体モジュール１１０よりも少ない数（例えば１つ）の冷却器１８および回路基板１２０とを備えていてもよい。このような半導体装置１００では、それぞれ１つの半導体モジュール１１０、冷却器１８および回路基板１２０を備える半導体装置１００と比べて、全体に占める冷却器１８および回路基板１２０を相対的に位置決めするために必要な領域の割合が小さいため、省スペース化が実現されている。
【００５４】
上記半導体装置１００は、複数の半導体素子１と、複数の固定部６と、複数の電極部１２１と、電極部１２１よりも少ない数の回路基板１２０とを備えていてもよい。言い換えると、上記半導体装置１００は、基台としての回路パターン１３に固定された複数の半導体モジュール１１０を備えていてもよい。上記半導体装置１００は、回路パターン１３に対して回路基板１２０を固定しており、かつ電極部１２１よりも少ない数の固定部材１９をさらに備える。
【００５５】
このようにすれば、複数のパワーモジュール１１０の各々が、回路基板１２０を固定するための固定部材を備えている必要がない。そのため、上記半導体装置１００によれば、複数の半導体モジュール１１０を備えている場合にも、１つのパワーモジュールのケース内に１つの回路基板が配置されている従来の半導体装置と比べて、回路基板１２０において固定部材１９と接続されている領域を小さくすることができるため、１つの回路基板１２０に電子部品を高密度に実装し得る。
【００５６】
上記半導体装置１００では、平面視において、電極部１２１の幅が第１端子部４の回路基板１２０側に位置する端部（上端部）の幅以上、固定部６の回路基板１２０側に位置する端部（上端部）の幅以下である。上述のように、半導体装置１００では、第１端子部４の上端部の位置のバラつきが固定部６によって抑制されているため、第１端子部４と回路基板１２０の電極部１２１との接合面積が、平面視における第１端子部４の上端部の端面積と略同等とされ得る。異なる観点から言えば、電極部１２１の幅が、第１端子部４の回路基板１２０側に位置する端部（上端部）の幅と略同等とされ得る。そのため、上記半導体装置１００の回路基板１２０は、固定部６を備えず、かつ第１端子部が封止体により直接覆われている従来の上記半導体装置の回路基板と比べて、電極部１２１が十分に狭小化され得るため、小型化され得る。なお、半導体装置１００の電極部１２１の上記幅は、最大でも固定部６の回路基板１２０側に位置する上端部の幅以下とされ得る。
【００５７】
実施の形態２．
図３を参照して、実施の形態２に係る半導体装置１０１は、基本的に実施の形態１に係る半導体装置１００と同様の構成を備えるが、第１端子部４において固定部６に固定されていない部分が屈曲部２１を含む点で異なる。
【００５８】
第１端子部４の屈曲部２１は、封止体１６の外部に配置されている。第１端子部４において回路基板１２０の電極部１２１と接合されている部分は、屈曲部２１よりも上方に配置されている。屈曲部２１は、上記第１方向Ａ、および上記第１方向Ａに交差する方向への力を受けたときに、変形可能に設けられている。屈曲部２１の屈曲数は、１以上の任意の数であればよい。図３に示されるように、屈曲部２１の屈曲数は例えば３であってもよい。
【００５９】
上記のような実施の形態２に係る半導体装置１０１によれば、第１端子部４が屈曲部２１を含むため、半導体モジュール１１０に対する回路基板１２０の相対的な位置が振動等によって変化するような場合にも、屈曲部２１が当該変化に応じて変形し得る。そのため、該半導体装置１０１では、上記半導体装置１００と比べて、第１端子部４と電極部１２１との接合部の信頼性が高められている。
【００６０】
実施の形態３．
図４を参照して、実施の形態３に係る半導体装置１０２は、基本的に実施の形態１に係る半導体装置１００と同様の構成を備えるが、固定部６が基台としての冷却器１８に固定されている点で異なる。固定部６は、第２接合部材７を介して冷却器１８に接続されている。
【００６１】
このようにしても、実施の形態３に係る半導体装置１０２は、実施の形態１に係る半導体装置１００と同様の構成を備えているため、該半導体装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００６２】
実施の形態４．
図５を参照して、実施の形態４に係る半導体装置１０３は、基本的に実施の形態１に係る半導体装置１００と同様の構成を備えるが、第１端子部４が固定部６から部分的に突出し、第７接合部材５１を介して制御信号パッド２と接合されている点で異なる。
【００６３】
第１端子部４において上記交差する方向に延びる第２部分は、半導体素子１の制御信号パッド２の上方にも延在するように設けられている。第１端子部４の上記第２部分において制御信号パッド２の上方に位置する部分が、第７接合部材５１を介して制御信号パッド２と接続されている。
【００６４】
第７接合部材５１は、上方に位置して第１端子部４の下方に位置する面に接合されている上面と、制御信号パッド２の上方に位置する面と接合されている下面とを有している。平面視において、第７接合部材５１の上記上面は、第７接合部材５１の上記下面と重なるように配置されている。第７接合部材５１の上記上面の面積は、例えば第７接合部材５１の上記下面の面積以下である。
【００６５】
第７接合部材５１を構成する材料は、例えば鉛（Ｐｂ）および錫（Ｓｎ）の少なくともいずれかを含むはんだ材料、Ａｇを主成分とするＡｇナノ粒子ペースト、またはＡｇ粒子およびエポキシ樹脂を含む導電性接着材を含む。
【００６６】
第１端子部４と制御信号パッド２との接続に配線部材５が用いられる半導体装置１００では、例えば大きな振動または熱サイクルが制御信号パッド２と第１端子部４との間に加えられたときに配線部材５が疲労によって断線するおそれがある。また、半導体装置１００では、配線部材５が配置されるスペースを確保する必要があり、半導体装置１００の小型化が困難な場合がある。
【００６７】
これに対し、実施の形態４に係る半導体装置１０３では、図１に示される配線部材５に替えて第７接合部材５１により制御信号パッド２と第１端子部４とが接続されている。第７接合部材５１は、その形状および構成材料から、配線部材５と比べて疲労による破壊が起こりにくい。そのため、半導体装置１０３では、半導体装置１００と比べて、例えば大きな振動または熱サイクルが制御信号パッド２と第１端子部４との間に加えられたときにも、両者の間での接続不良が生じにくい。
【００６８】
さらに、半導体装置１０３では、配線部材５を接続するためのスペースを節約することができるために、半導体装置の大型化を抑制することができる。
【００６９】
なお、実施の形態４に係る半導体装置１０３のその他の構成は、実施の形態１に係る半導体装置１００と同等であるため、該半導体装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００７０】
また、図５に示した実施の形態４に係る半導体装置１０３は、基本的に実施の形態１に係る半導体装置１００と同様の構成であるが、実施の形態２および３に係る半導体装置１０１および１０２と同様の構成を備えても良い（図示せず）。
【００７１】
なお、実施の形態１〜４に係る半導体装置１００，１０１，１０２，１０３では、絶縁部材１４を構成する材料は、セラミックスフィラーを含む有機材料であってもよい。上記セラミックスフィラーとしては、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、および窒化ホウ素のうちの少なくとも１つである。上記有機材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアネート系樹脂のうちの少なくとも１つである。このような半導体装置１００，１０１，１０２，１０３は、金属層１５および第６接合部材１７を備えていなくてもよく、回路パターン１３が絶縁部材１４を介して冷却器１８と接合されていてもよい。
【００７２】
また、実施の形態１〜４に係る半導体装置１００，１０１，１０２，１０３では、封止体１６が半導体モジュール１１０の筐体として構成されている固定部６内に形成されているが、これに限られるものではない。半導体装置１００，１０１，１０２，１０３は、固定部６とは別体であって、平面視において半導体素子１を囲むように配置されており、かつ基台としての回路パターン１３または冷却器１８上に配置されているケース部材をさらに備えていてもよい。そして、封止体１６はケース部材内に形成されていてもよい。例えば、封止体１６は、半導体素子１に対し固定部６よりも外側に形成されていてもよい。
【００７３】
実施の形態５．
本実施の形態は、上述した実施の形態５にかかる半導体装置を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態５として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
【００７４】
図６は、本実施の形態にかかる電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【００７５】
図６に示す電力変換システムは、電源１３０、電力変換装置２００、負荷３００から構成される。電源１３０は、直流電源であり、電力変換装置２００に直流電力を供給する。電源１３０は種々のもので構成することが可能であり、例えば、直流系統、太陽電池、蓄電池で構成することができるし、交流系統に接続された整流回路やＡＣ／ＤＣコンバータで構成することとしてもよい。また、電源１３０を、直流系統から出力される直流電力を所定の電力に変換するＤＣ／ＤＣコンバータによって構成することとしてもよい。
【００７６】
電力変換装置２００は、電源１３０と負荷３００の間に接続された三相のインバータであり、電源１３０から供給された直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に交流電力を供給する。電力変換装置２００は、図６に示すように、直流電力を交流電力に変換して出力する主変換回路２０１と、主変換回路２０１を制御する制御信号を主変換回路２０１に出力する制御回路２０３とを備えている。
【００７７】
負荷３００は、電力変換装置２００から供給された交流電力によって駆動される三相の電動機である。なお、負荷３００は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機であり、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車、鉄道車両、エレベーター、もしくは、空調機器向けの電動機として用いられる。
【００７８】
以下、電力変換装置２００の詳細を説明する。主変換回路２０１は、スイッチング素子と還流ダイオードを備えており（図示せず）、スイッチング素子がスイッチングすることによって、電源１３０から供給される直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に供給する。主変換回路２０１の具体的な回路構成は種々のものがあるが、本実施の形態にかかる主変換回路２０１は２レベルの三相フルブリッジ回路であり、６つのスイッチング素子とそれぞれのスイッチング素子に逆並列された６つの還流ダイオードから構成することができる。主変換回路２０１の各スイッチング素子や各還流ダイオードは、上述した実施の形態１〜４のいずれかの半導体装置１００，１０１，１０２，１０３に相当する半導体装置２０２によって構成する。６つのスイッチング素子は２つのスイッチング素子ごとに直列接続され上下アームを構成し、各上下アームはフルブリッジ回路の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）を構成する。そして、各上下アームの出力端子、すなわち主変換回路２０１の３つの出力端子は、負荷３００に接続される。
【００７９】
また、主変換回路２０１は、各スイッチング素子を駆動する駆動回路（図示なし）を備えているが、駆動回路は半導体装置２０２に内蔵されていてもよいし、半導体装置２０２とは別に駆動回路を備える構成であってもよい。駆動回路は、主変換回路２０１のスイッチング素子を駆動する駆動信号を生成し、主変換回路２０１のスイッチング素子の制御電極に供給する。具体的には、後述する制御回路２０３からの制御信号に従い、スイッチング素子をオン状態にする駆動信号とスイッチング素子をオフ状態にする駆動信号とを各スイッチング素子の制御電極に出力する。スイッチング素子をオン状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以上の電圧信号（オン信号）であり、スイッチング素子をオフ状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以下の電圧信号（オフ信号）となる。
【００８０】
制御回路２０３は、負荷３００に所望の電力が供給されるよう主変換回路２０１のスイッチング素子を制御する。具体的には、負荷３００に供給すべき電力に基づいて主変換回路２０１の各スイッチング素子がオン状態となるべき時間（オン時間）を算出する。例えば、出力すべき電圧に応じてスイッチング素子のオン時間を変調するＰＷＭ制御によって主変換回路２０１を制御することができる。そして、各時点においてオン状態となるべきスイッチング素子にはオン信号を、オフ状態となるべきスイッチング素子にはオフ信号が出力されるよう、主変換回路２０１が備える駆動回路に制御指令（制御信号）を出力する。駆動回路は、この制御信号に従い、各スイッチング素子の制御電極にオン信号又はオフ信号を駆動信号として出力する。
【００８１】
本実施の形態に係る電力変換装置では、主変換回路２０１のスイッチング素子と還流ダイオードとして実施の形態１〜４にかかる半導体装置を適用するため、従来の半導体装置を備える従来の電力変換装置と比べて、小型化され得る。
【００８２】
本実施の形態では、２レベルの三相インバータに本発明を適用する例を説明したが、本発明は、これに限られるものではなく、種々の電力変換装置に適用することができる。本実施の形態では、２レベルの電力変換装置としたが３レベルやマルチレベルの電力変換装置であっても構わないし、単相負荷に電力を供給する場合には単相のインバータに本発明を適用しても構わない。また、直流負荷等に電力を供給する場合にはＤＣ／ＤＣコンバータやＡＣ／ＤＣコンバータに本発明を適用することも可能である。
【００８３】
また、本発明を適用した電力変換装置は、上述した負荷が電動機の場合に限定されるものではなく、例えば、放電加工機やレーザー加工機、又は誘導加熱調理器や非接触器給電システムの電源装置として用いることもでき、さらには太陽光発電システムや蓄電システム等のパワーコンディショナーとして用いることも可能である。
【００８４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８５】
１  半導体素子、２  制御信号パッド、３  主電極パッド、４  第１端子部、５  配線部材、６  固定部、６Ｈ  孔部、７  第２接合部材、８  第２端子部、９  第３接合部材、１０  第４接合部材、１１  第３端子部、１２  第５接合部材、１３  回路パターン、１４  絶縁部材、１５  金属層、１６  封止体、１７  第６接合部材、１８  冷却器、１９  固定部材、２１  屈曲部、５１  第７接合部材、１００，１０１，１０２，１０３，２０２  半導体装置、１１０  半導体モジュール、１２０  回路基板、１２１  電極部、１２２  第１接合部材、１２３  部品、１３０  電源、２００  電力変換装置、２０１  主変換回路、２０３  制御回路、３００  負荷。
【図１】
2018180580.tif 000003
【図２】
2018180580.tif 000004
【図３】
2018180580.tif 000005
【図４】
2018180580.tif 000006
【図５】
2018180580.tif 000007
【図６】
2018180580.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体素子と、
前記半導体素子が固定されている基台と、
平面視において前記半導体素子と重なるように配置されている少なくとも１つの回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板とを接続している少なくとも１つの端子部と、
前記基台と前記回路基板との間に配置されており、かつ前記基台に対して前記端子部を固定している少なくとも１つの固定部とを備え、
前記回路基板は前記半導体素子側に向いた面上に形成された少なくとも１つの電極部を含み、
前記端子部は、接合部材により前記電極部と接合されており、
平面視において、前記電極部の幅は、前記端子部の前記回路基板側に位置する端部の幅以上、前記固定部の前記回路基板側に位置する端部の幅以下である、半導体装置。
【請求項２】
前記固定部は、前記端子部において前記接合部材により前記電極部と接合されている部分以外の他の部分の少なくとも一部と接続されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記端子部は、前記半導体素子から前記回路基板に向かう第１方向に沿って延びる部分を含み、
前記固定部は、前記第１方向に沿って延びる部分を含み、
前記端子部の前記第１方向に沿って延びる部分の一部は、前記接合部材により前記電極部と接合されており、
前記端子部の前記第１方向に沿って延びる部分の他の一部は、前記固定部の前記第１方向に沿って延びる部分に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
少なくとも前記半導体素子を封止する封止体をさらに備え、
前記固定部は、平面視において前記半導体素子を囲むように配置されており、
前記封止体は、前記固定部により囲まれた前記半導体素子を含む領域内に形成されており、
前記端子部において前記接合部材により前記電極部と接合されている部分は、前記封止体の外側に配置されている、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端子部は、前記固定部に固定されていない部分に屈曲部を含み、
前記屈曲部は、前記封止体の外部に配置されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記端子部は、前記固定部から前記半導体素子上に部分的に突出して、前記半導体素子と接合されている部分を有している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
複数の前記半導体素子と、複数の前記固定部と、複数の前記電極部と、前記電極部よりも少ない数の前記回路基板とを備え、
前記基台に対して前記回路基板を固定しており、かつ前記電極部よりも少ない数の固定部材をさらに備える、請求項２〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置を備え、
入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路とを含み、
前記半導体素子は前記主変換回路の少なくとも一部を構成しており、
前記回路基板および前記端子部は前記制御回路の少なくとも一部を構成している、電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体素子と、
前記半導体素子が固定されている基台と、
平面視において前記半導体素子と重なるように配置されている少なくとも１つの回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板とを接続している少なくとも１つの端子部と、
前記基台と前記回路基板との間に配置されており、かつ前記基台に対して前記端子部を固定している少なくとも１つの固定部と、
少なくとも前記半導体素子を封止する封止体と、
前記基台と絶縁部材を介して接続されている金属層とを備え、
前記回路基板は前記半導体素子側に向いた面上に形成された少なくとも１つの電極部を含み、
前記端子部は、接合部材により前記電極部と接合されており、
平面視において、前記電極部の幅は、前記端子部の前記回路基板側に位置する端部の幅以上、前記固定部の前記回路基板側に位置する端部の幅以下であり、
平面視において、前記固定部の外周端部は前記基台の外周端部よりも内側に配置されており、前記基台の外周端部は前記封止体から露出している、半導体装置。
【請求項２】
前記固定部は、前記端子部において前記接合部材により前記電極部と接合されている部分以外の他の部分の少なくとも一部と接続されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記端子部は、前記半導体素子から前記回路基板に向かう第１方向に沿って延びる部分を含み、
前記固定部は、前記第１方向に沿って延びる部分を含み、
前記端子部の前記第１方向に沿って延びる部分の端部は、前記接合部材により前記電極部と接合されており、
前記端子部の前記第１方向に沿って延びる部分の他の一部は、前記固定部の前記第１方向に沿って延びる部分に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記固定部は、平面視において前記半導体素子を囲むように配置されており、
前記封止体は、前記固定部により囲まれた前記半導体素子を含む領域内に形成されており、
前記端子部において前記接合部材により前記電極部と接合されている部分は、前記封止体の外側に配置されている、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端子部は、前記固定部に固定されていない部分に屈曲部を含み、
前記屈曲部は、前記封止体の外部に配置されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記端子部は、前記固定部から前記半導体素子上に部分的に突出して、前記半導体素子と接合されている部分を有している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
複数の前記半導体素子と、複数の前記固定部と、複数の前記電極部と、前記電極部よりも少ない数の前記回路基板とを備え、
前記基台に対して前記回路基板を固定しており、かつ前記電極部よりも少ない数の固定部材をさらに備える、請求項２〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置を備え、
入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路とを含み、
前記半導体素子は前記主変換回路の少なくとも一部を構成しており、
前記回路基板および前記端子部は前記制御回路の少なくとも一部を構成している、電力変換装置。
【国際調査報告】
2018180580.tif 000009
2018180580.tif 000010
2018180580.tif 000011
2018180580.tif 000012