Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月8日(2019.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を精錬するための電解容器であって、
電解液を保持する形状をしたコアであって、長方形のコアベースおよび前記コアベースの周辺端部から上方に延びる４つの壁を備えるコアと、
前記コアに埋め込まれた少なくとも２つの細長い補強筋と、
前記コアを囲む多層ガラス繊維ベースのエンベロープであって、前記エンベロープが、
少なくとも前記コアの内面を連続的に層状にする内側の耐食性外殻と、
前記コアの外面を連続的に層状にする、多層連続ガラス繊維ベースの層を備える、外側の補強外殻と、
を備える、多層ガラス繊維ベースと、
を備え、
前記外側の補強外殻が、前記内側の耐食性外殻とは異なる成分を有する、容器。
【請求項２】
前記補強筋が平坦であり、それらの横方向の断面が、それらの縦方向の断面よりも劣る、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記補強筋が、任意選択で引き抜き成形されたガラス繊維で製作される、請求項１または２のいずれか一項に記載の容器。
【請求項４】
少なくとも１つの補強筋が、任意選択で交差した構造の別の補強筋と接触する、請求項１から３のいずれか一項に記載の容器。
【請求項５】
少なくとも２つの前記補強筋が、当該容器の各壁に埋め込まれた少なくとも２つの補強筋として配列される、請求項１から４のいずれか一項に記載の容器。
【請求項６】
前記コアが、コンクリートまたはポリマー材料またはそれらの混合物を備えた母型を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の容器。
【請求項７】
少なくとも２つの細長い補強筋が、前記母型に埋め込まれている、請求項６に記載の容器。
【請求項８】
前記少なくとも２つの細長い補強筋が、多層ガラス繊維のエンベロープ内に埋め込まれている、請求項１から７のいずれか一項に記載の容器。
【請求項９】
内側の耐食性外殻が、樹脂層、ガラス繊維ベース層、及び、合成ガラス繊維ベース層を備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の容器。
【請求項１０】
前記外側の補強外殻が、ガラス繊維マット、ニットガラス繊維、ステッチ、ステッチマット、ニットマットおよびロービング織物のガラス繊維のうちの少なくとも１つの多層を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の容器。
【請求項１１】
前記外側の補強外殻が、一方の容器壁から、対向する容器壁に延びる２つの一体化されたガラス繊維のロービング織物の重ね合わせで製作される、請求項１０に記載の容器。
【請求項１２】
前記外側の補強外殻が、約８ｍｍから約１２ｍｍの最大厚さを有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の容器。
【請求項１３】
前記外側の補強外殻が、約１０ｍｍの最大厚さを有する、請求項１２に記載の容器。
【請求項１４】
非鉄金属を精錬するための強化された電解容器であって、
電解液を保持する形状をしたコアであって、長方形のコアベースおよび前記コアベースの周辺端部から上方に延びる４つの壁を備え、かつ、前記コアが、コンクリートおよび／またはポリマー材料を備えた母型を備えるコアと、
前記コアを囲む多層ガラス繊維ベースのエンベロープであって、連続したガラス繊維ベースの層を備えるエンベロープと、
前記コアの前記母型に、前記多層ガラス繊維ベースのエンベロープに、またはそれらの組合せに埋め込まれた少なくとも２つの細長い引き抜き成形されたガラス繊維製補強筋であって、前記細長い引き抜き成形されたガラス繊維製補強筋が、前記コアの前記母型と共有結合性の化学的接着をもたらすように化学的に処理される、細長い引き抜き成形されたガラス繊維製補強筋と、
を含む、容器。
【請求項１５】
金属を精錬するための電解容器を強化する方法であって、
内側の外殻と外側の外殻とを形成するステップであって、前記内側の外殻と前記外側の外殻との間に空間を残して中空部を画定するエンベロップを形成し、前記内側の外殻の成分が前記外側の外殻の成分と異なる、ステップと、
前記内側の外殻と前記外側の外殻との間の前記中空部を埋める母型を設けるステップであって、これにより、電解液を保持する形状をしたコアを形成し、前記コアが、長方形のコアベースおよび前記コアベースの周辺端部から上方に延びる４つの壁を備える、ステップと、
前記母型の亀裂を低減するために前記母型内に埋め込まれた複数の細長い引き抜き成形された補強筋を分配するステップと、
を含む、方法。
【請求項１６】
前記補強筋が、各壁における少なくとも２つの補強筋、平らな細長い補強筋、ガラス繊維製補強筋、離間された対、交差した補強筋、またはそれらの混合物で配列された補強筋として提供される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記補強筋を前記母型に埋め込む前に固定するステップを備える、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記補強筋を前記母型に埋め込む前に前記補強筋の表面を科学的に処理するステップを備える、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
耐食性を有する前記内側の外殻を生成するように、少なくとも１つのゲルコートの層、少なくとも１つの合成繊維、及び、少なくとも１つのガラス繊維層を層状にするステップを備える、請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
補強性を有する前記外側の外殻を生成するように、連続的な多層ガラス繊維ベース層を層状にするステップを備える、請求項１５から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記内側の外殻及び前記外側の外殻を加熱または硬化するステップを備える、請求項１５から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記母型は、ポリマーコンクリートであり、４０℃から１２５℃で前記母型を加熱するステップを備える、請求項１５から２１のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的な金属ばねと、前記周期的な金属ばねに囲まれた開放空間とを含む金属マトリクスと、
炭素コンポジット、ポリマー、金属、黒鉛、綿、アスベスト、またはガラス繊維の１種または複数種を含む充填材と
を含み、
前記充填材が、機械的連結、化学結合、固溶体、または前記周期的な金属ばねと前記充填材との間に配置された活性層の１つまたは複数を介して前記金属マトリクスに結合されており、
前記充填材が、前記周期的な金属ばねに囲まれた開放空間の約１０％〜約９０％を占める金属コンポジット。
【請求項２】
前記充填材が、前記周期的な金属ばねに囲まれた開放空間の約２０％〜約８０％を占める、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項３】
前記周期的な金属ばねが、平均ばねピッチが約０．８〜約７．５ｍｍであり、平均ばね径が約０．８〜約７．５ｍｍであるコイルばねを含む、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項４】
前記周期的な金属ばねの平均ワイヤ径が、約０．０８〜約０．５ｍｍである、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項５】
前記周期的な金属ばねの密度が、約０．２〜約４ｇ／ｃｍ３である、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項６】
前記周期的な金属ばねが、鉄合金、ニッケル−クロム系合金、ニッケル合金、銅、または形状記憶合金の１種または複数種を含む、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項７】
前記充填材の前記炭素コンポジットが、炭素と、ＳｉＯ２、Ｓｉ、Ｂ、Ｂ２Ｏ３、金属、または前記金属の合金の１種または複数種を含有するバインダとを含み、前記金属が、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、タングステン、クロム、鉄、マンガン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、モリブデン、スズ、ビスマス、アンチモン、鉛、カドミウム、またはセレンの１種または複数種である、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項８】
前記炭素コンポジット中の前記炭素が、膨張化黒鉛、膨張性黒鉛、天然黒鉛、または合成黒鉛の１種または複数種を含む、請求項７に記載の金属コンポジット。
【請求項９】
前記充填材の前記金属が、アルミニウム、銅、スズ、または共晶合金の１種または複数種を含む、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項１０】
前記充填材の前記ポリマーが、アクリロニトリル／ブタジエンゴム、水素化ニトリル／ブタジエン、アクリロニトリル／ブタジエン／カルボキシモノマー、エチレン／プロピレン／ジエンモノマー、フッ素ゴム、パープロオロカーボンゴム、テトラフルオロエチレン／プロピレンゴム、脂肪族ポリアミド、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィドもしくは架橋ポリフェニレンスルフィド、またはポリカーボネートの１種または複数種を含む、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項１１】
前記充填材が、強化剤を更に含む、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項１２】
前記充填材が、前記マトリクスを少なくとも部分的にカプセル化する被覆を形成する、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項１３】
前記マトリクスが、前記充填材から形成される２つの層の間に配置される、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項１４】
前記充填材に対する前記マトリクスの容積比が約２．５％：９７．５％〜約８０％：２０％である、請求項１に記載の金属コンポジット。
【請求項１５】
請求項１に記載の金属コンポジットの製造方法であって、
周期的な金属ばねを含むマトリクスを充填材と混ぜ合わせることと、
粉体浸透及び焼結、圧縮成形、射出成形、押出成形、真空浸透、蒸着、電気化学的析出、熱間静水圧圧縮成形、鋳造、またはろう付けの１つまたは複数によって前記金属コンポジットを形成することと
を含む、製造方法。
【請求項１６】
前記マトリクスを、微細加工、三次元印刷、製織、不織、フォトリソグラフィ、投影マイクロステレオリソグラフィ、エッチング、またはマイクロ生産プロセスの１つまたは複数を含む方法によって形成することを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属コンポジットを大気圧下で熱処理して、残留応力を解放することを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記充填材から２つの層を形成することと、
前記２つの層の間に前記マトリクスを配置することと、
焼結、圧縮成形、またはろう付けの１つまたは複数によって前記コンポジットを形成することと
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記充填材からカプセル化層を形成することと、
前記カプセル化層を前記マトリクスの周囲に配置することと、
焼結、圧縮成形、またはろう付けの１つまたは複数によって前記コンポジットを形成することと
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の金属コンポジットを含む物品。
【請求項２１】
シール材、高圧ビードフラックスクリーン・プラグ、スクリーン・ベースパイプ・プラグ、ボール及びシート用被覆、圧縮パッキンエレメント、エクスパンダブルパッキンエレメント、Ｏリング、ボンドシール材、弾丸シール材、地下安全弁シール材、地下安全弁フラッパーシール材、動的シール材、Ｖリング、バックアップリング、ドリルビットシール材、ライナーポート・プラグ、大気ディスク、大気チャンバ・ディスク、デブリ・バリア、掘削刺激ライナープラグ、整流装置プラグ、フラッパー、シート、ボールシート、直接接続ディスク、掘削リニアディスク、ガスリフト弁プラグ、脱水量制御フラッパー、電動水中ポンプシール材、シェアアウト・プラグ、フラッパー弁、ガスリフト弁、またはスリーブを含むダウンホール・エレメントである、請求項２０に記載の物品。
【請求項２２】
周期的な金属ばねを含む金属マトリクスと、
炭素コンポジット、ポリマー、金属、黒鉛、綿、アスベスト、またはガラス繊維の１種または複数種を含む充填材と
を含み、
前記充填材が、化学結合、固溶体、または前記周期的な金属ばねと前記充填材との間に配置された活性層の１つまたは複数を介して前記金属マトリクスに結合されている金属コンポジット。
【請求項２３】
前記充填材が、炭素コンポジット、または金属を含み、
前記充填材が、化学結合、固溶体、または前記のものの少なくとも１つを含む組み合わせを介して前記金属マトリクスに結合されている、請求項２２に記載の金属コンポジット。
【請求項２４】
前記充填材が、炭素コンポジットを含み、前記周期的な金属ばね中の金属と前記炭素コンポジット中の金属との間に形成される、固溶体または金属間化合物の少なくとも１つを介して前記金属マトリクスに結合されている、請求項２２に記載の金属コンポジット。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月27日(2019.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層を備えるコーティングでコーティングされる基板表面を備える構成要素であって、
前記基板表面と前記少なくとも１つのＭｏＮ層との間に、
i）基板表面の硬化層が備えられ、前記基板表面の硬化層は硬化された窒素を含む基板表面層であり、前記基板表面層は前記基板表面で実施される窒化処理の結果であり、１０μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下の厚さを有し、
および／または
ii）２以上のＭｏＮ層および２以上のＣｒＮ層からなる層系が備えられ、前記層系を形成する前記ＭｏＮ層および前記ＣｒＮ層は、互いに交互に堆積されて多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜を形成する個別の層であることを特徴とする、構成要素。
【請求項２】
多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜が前記基板表面と前記少なくとも１つのＭｏＮ層との間に備えられず、前記少なくとも１つのＭｏＮ層は５００ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の構成要素。
【請求項３】
硬化された窒素を含む基板表面が前記基板表面と前記少なくとも１つのＭｏＮ層との間に備えられず、前記多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜は４６０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の構成要素。
【請求項４】
少なくとも、１つの個別のＭｏＮ層と１つの個別のＣｒＮ層との間に、Ｍｏ、ＣｒおよびＮを含む個別の中間層が備えられる、請求項３に記載の構成要素。
【請求項５】
前記個別の中間層は、１０ｎｍ以上、かつ、前記個別の中間層の隣にある前記個別のＣｒＮ層の厚さまたは前記個別のＭｏＮ層の厚さ以下の厚さを有する、請求項４に記載の構成要素。
【請求項６】
前記個別のＭｏＮ層の少なくとも大部分は、４０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下の個別の層の厚さを有する、請求項５に記載の構成要素。
【請求項７】
前記個別のＣｒＮ層の少なくとも大部分は、２０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下の個別の層の厚さを有する、請求項５または６に記載の構成要素。
【請求項８】
４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層の表面上に、第２の多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング層が堆積され、好ましくは多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜および前記少なくとも１つのＭｏＮ層の両方の厚さの合計が、１μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上１０μｍ以下である、先行する請求項３〜７の少なくとも１つに記載の構成要素。
【請求項９】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２に記載の構成要素。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層は、少なくとも大部分で六方晶相δ−ＭｏＮを含む、または六方晶相δ−ＭｏＮのみを含む窒化モリブデンからなる、請求項２または９に記載の構成要素。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層は、相の混合物を含む窒化モリブデンからなり、前記混合物は、
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ
を含む、先行する請求項１〜１０の少なくとも１つに記載の構成要素。
【請求項１２】
前記個別のＭｏＮ層は、相の混合物を含む窒化モリブデンからなり、前記混合物は、
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ
を含む、先行する請求項３〜８の少なくとも１つに記載の構成要素。
【請求項１３】
前記構成要素は自転車構成要素または精密構成要素であり、前記構成要素の前記基板表面は好ましくは６５ＨＲＣ以下の硬度を有する、先行する請求項１〜１２の少なくとも１つに記載の構成要素。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層または前記個別のＭｏＮ層の少なくとも１つは、反応性ＰＶＤプロセスによって堆積される、先行する請求項１〜１３の少なくとも１つに記載の構成要素を製造する方法。
【請求項１５】
前記反応性ＰＶＤプロセスは、反応性アークＰＶＤプロセスであり、前記ＭｏＮ層または前記ＭｏＮの個別の層の堆積の間に、Ｍｏの少なくとも１つのターゲットがカソードとして作動され、この方法では反応性ガスとして窒素を含む雰囲気でアークＰＶＤ技術を用いることによって蒸着されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属含有ポリマー材料であって、
ａ）
ｉ）１５〜６５重量％の、式（Ｉ）若しくは式（ＩＩ）で表されるか、又はそれらの混合物である第１のモノマー単位、
【化１】
2018517024.tif 000001
【化２】
2018517024.tif 000002
ｉｉ）３０〜８５重量％の、式（ＩＩＩ）で表される第２のモノマー単位、及び
【化３】
2018517024.tif 000003
ｉｉｉ）０〜４０重量％（又は５〜４０重量％）の、式（ＩＶ）で表される第３のモノマー単位
【化４】
2018517024.tif 000004
（式中、Ｒ１は、水素又はアルキルである）
を含む多孔質ポリマー材料と、
ｂ）前記ポリマー材料１ｇ当たり少なくとも１．５ｍｍｏｌに相当する量で前記ポリマー材料中に組み込まれた二価金属と、
を含む、金属含有ポリマー材料。
【請求項２】
金属錯体含有ポリマー材料であって、
ａ）
ｉ）１５〜６５重量％の、式（Ｉ）若しくは式（ＩＩ）で表されるか、又はそれらの混合物である第１のモノマー単位、
【化５】
2018517024.tif 000005
【化６】
2018517024.tif 000006
ｉｉ）３０〜８５重量％の、式（ＩＩＩ）で表される第２のモノマー単位、及び
【化７】
2018517024.tif 000007
ｉｉｉ）０〜４０重量％（又は５〜４０重量％）の、式（ＩＶ）で表される第３のモノマー単位
【化８】
2018517024.tif 000008
（式中、Ｒ１は、水素又はアルキルである）
を含む多孔質ポリマー材料と、
ｂ）前記ポリマー材料中に組み込まれた金属錯体であって、前記金属錯体が、
ｉ）二価金属と
ｉｉ）少なくとも１種の塩基性窒素含有化合物
の反応生成物を含む金属錯体と
を含む、金属錯体含有ポリマー材料。
【請求項３】
請求項１に記載の金属含有ポリマー材料を提供する工程と、
前記金属含有ポリマー材料を、式Ｑの塩基性窒素含有化合物に曝露させて、金属錯体含有ポリマー材料を形成する工程と、
を含む、塩基性窒素含有化合物の捕捉方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月5日(2019.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記を含んでなる、粘弾性網状ポリウレタンフォームを製造するためのポリオール組成物：
ｂ１）第１のポリエーテルポリオール、ここで該第１のポリエーテルポリオールはプロピレンオキシドに基づき、２．６〜３．２の官能価および１２０〜４００ｍｇＫＯＨ／ｇのヒドロキシル価を有し、かつ前記ポリオール組成物の総重量に対して１０〜７０重量％の含有量を有し、
ｂ２）第２のポリエーテルポリオール、ここで該第２のポリエーテルポリオールは第２のポリエーテルポリオールの総重量に対して０〜２０重量％のエチレンオキシド単位を有し、かつ該第２のポリエーテルポリオールは１．８〜３．２の官能価および４５〜１１５ｍｇＫＯＨ／ｇのヒドロキシル価を有し、
ｂ３）第３のポリエーテルポリオール、ここで該第３のポリエーテルポリオールは第３のポリエーテルポリオールの総重量に対して５０〜１００重量％のエチレンオキシド単位を有し、かつ該第３のポリエーテルポリオールは２〜８の官能価および２０〜２４０ｍｇＫＯＨ／ｇのヒドロキシル価を有し、ならびに
ｂ６）界面活性剤、ここで該界面活性剤はポリオール組成物の総重量に対して０．０１〜０．５０重量％の含有量を有する。
【請求項２】
前記ポリオール組成物が下記さらに含んでなる、請求項１に記載の粘弾性網状ポリウレタンフォームを製造するためのポリオール組成物：
ｂ５）第５のポリエーテルポリオール、ここで該第５のポリエーテルポリオールは第５のポリエーテルポリオールの総重量に対して０〜３０重量％のエチレンオキシド単位を有し、かつ２〜８の官能価および１０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇのヒドロキシル価を有する。
【請求項３】
下記を含んでなる組成物から製造される、粘弾性網状ポリウレタンフォーム：
Ａ）イソシアネート成分、ここで該イソシアネート成分はジフェニルメタンジイソシアネートまたはポリ（ジフェニルメタンジイソシアネート）を含んでなり、
Ｂ）イソシアネート反応性成分、ここで該イソシアネート反応性成分は請求項１または２に記載の粘弾性網状ポリウレタンフォームを製造するためのポリオール組成物を含んでなる。
【請求項４】
前記イソシアネート成分Ａ）がトルエンジイソシアネートをさらに含んでなる、請求項３に記載の粘弾性網状ポリウレタンフォーム。
【請求項５】
下記を含んでなる成分を反応させる工程を含んでなる、粘弾性網状ポリウレタンフォームの製造方法：
Ａ）イソシアネート成分、ここで該イソシアネート成分はジフェニルメタンジイソシアネートまたはポリ（ジフェニルメタンジイソシアネート）を含んでなり、
Ｂ）イソシアネート反応性成分、ここで該イソシアネート反応性成分は請求項１または２に記載の粘弾性網状ポリウレタンフォームを製造するためのポリオール組成物を含んでなる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月5日(2018.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリウレタンコールドボックス及び／又はノーベーク法に用いるフェノール樹脂組成物であって、下記
−前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて、総量で４０〜６０質量％の、エーテル化及び／又はフリーのメチロール基を有するオルト縮合型フェノールレゾール、
−前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて、０.１質量％未満の量の遊離ホルムアルデヒド、
−ホルムアルデヒドと１種以上のC-H酸性反応体化合物との１種以上の反応生成物、
−前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて、総量で少なくとも３８質量％の他の構成物を含み、
前記フェノール樹脂組成物中の水の量が、前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて１.０質量％以下である、
前記フェノール樹脂組成物。
【請求項２】
ホルムアルデヒドと１種以上のC-H酸性反応体化合物との反応生成物の総量が０.１質量％より多い、請求項１に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項３】
前記他の構成物が下記
−１種以上のC-H酸性化合物
及び／又は
−脂肪酸アルキルエステル、ケイ酸アルキル、ケイ酸アルキルオリゴマー及びその混合物から成る群より選択される溶媒
を含む、請求項１〜２のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項４】
前記C-H酸性化合物又は少なくとも１種の前記C-H酸性化合物が、前記反応生成物又は１種の前記反応生成物の前記C-H酸性反応体化合物と同一である、請求項３に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項５】
前記C-H酸性反応体化合物又は少なくとも１種の前記C-H酸性反応体化合物が、エノラート形成能力があるカルボニル化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項６】
エノラート形成能力があるカルボニル化合物が、β-ジカルボニル化合物である、請求項５に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項７】
前記C-H酸性反応体化合物又は少なくとも１種の前記C-H酸性反応体化合物が、マロン酸ジアルキルである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項８】
マロン酸ジアルキルが、マロン酸ジエチル及びマロン酸ジメチルから成る群より選択される、請求項７に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項９】
下記
−前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて、総量で４０〜６０質量％の、エーテル化及び／又はフリーのメチロール基を有するオルト縮合型フェノールレゾール、
−前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて、０.１質量％未満の量の遊離ホルムアルデヒド、
−ホルムアルデヒドと１種以上のC-H酸性反応体化合物との１種以上の反応生成物、
−前記フェノール樹脂組成物の総質量に基づいて、総量で少なくとも３８質量％の他の構成物を含み、
前記他の構成物が下記
−脂肪酸アルキルエステル、ケイ酸アルキル、ケイ酸アルキルオリゴマー及びその混合物から成る群より選択される溶媒
を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項１０】
前記オルト縮合型フェノールレゾールが、０.２:１〜２:１の範囲内の、エーテル化及び／又はフリーのメチロール基の総量対芳香環の比を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物。
【請求項１１】
前記ポリウレタンコールドボックス及び／又はノーベーク法に用いる二成分結合剤系であって、下記
−フェノール樹脂成分としての請求項１〜１０のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物
及び
−１分子当たり少なくとも２つのイソシアナート基を有するポリイソシアナートを含むポリイソシアナート成分
から成る、前記二成分結合剤系。
【請求項１２】
前記ポリウレタンコールドボックス及び／又はノーベーク法に用いるフェノール樹脂組成物を製造するための、ホルムアルデヒド捕捉剤としてのC-H酸性化合物の使用。
【請求項１３】
下記
(i)ホルムアルデヒド捕捉剤として
かつ同時に
(ii)ポリウレタンコールドボックス又はノーベーク樹脂の分解を加速させる手段としての、
前記ポリウレタンコールドボックス及び／又はノーベーク法に用いるフェノール樹脂組成物を製造するための、請求項１２に記載のC-H酸性化合物の使用。
【請求項１４】
フェノール樹脂組成物の製造方法であって、下記工程：
−基礎混合物であって、
エーテル化及び／又はフリーのメチロール基を有するオルト縮合型フェノールレゾール
及び
該基礎混合物の総質量に基づいて０.２５質量％超の量の遊離ホルムアルデヒド
を含み、２質量％以下の水を含有する前記基礎混合物
を製造又は準備する工程、
−前記基礎混合物を１種以上のC-H酸性化合物と混合して反応混合物を与え、前記遊離ホルムアルデヒドを１種以上のC-H酸性化合物と反応させて１種以上の反応生成物を与える工程（ここで、前記C-H酸性化合物は全部で、前記混合物中の遊離ホルムアルデヒドの総量に基づいてモル過剰で存在し、
前記反応混合物は、２質量％以下の水を含有する）、
及び引き続き他の構成物を添加する工程
を含む、前記方法。
【請求項１５】
前記基礎混合物の製造が、下記工程：
−１種以上のフェノールモノマーをホルムアルデヒドと反応させる工程
（ここで、ホルムアルデヒドの総量対フェノールモノマーのモル比は１.３:１〜２:１の範囲内である）
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
１種以上の反応生成物を形成するための前記遊離ホルムアルデヒドと前記１種以上のC-H酸性化合物との反応が、８０〜１２６℃の範囲の温度で達成される、請求項１４〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記反応混合物中のC-H酸性化合物の総量対ホルムアルデヒドの総量のモル比が、２:１より大きい、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
１種以上の反応生成物を形成するための前記遊離ホルムアルデヒドと前記１種以上のC-H酸性化合物との反応が、少なくとも
前記基礎混合物中に存在する前記遊離ホルムアルデヒドの５０モル％が反応するまで
及び／又は
前記反応混合物において、該反応混合物の総質量に基づいて、遊離ホルムアルデヒドの比率が０.２質量％未満になるまで
行なわれる、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
二成分結合剤系の製造方法であって、下記工程：
−フェノール樹脂成分として、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のフェノール樹脂組成物を準備するか又は請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の方法によってフェノール樹脂組成物を製造し、
前記準備又は製造されたフェノール樹脂成分を、
−１分子当たり少なくとも２つのイソシアナート基を有するポリイソシアナートを含むポリイソシアナート成分
と混ぜ合わせ、その結果、前記二成分結合剤系が生じる工程
を含む、前記方法。
【請求項２０】
フィーダー、鋳造用型又は鋳造用中子を成形材料混合物から製造する方法であって、前記成形材料混合物を、請求項１１に記載の二成分結合剤系を用いて結合する、前記方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法によって製造できるフィーダー、鋳造用型又は鋳造用中子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月28日(2019.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１に記載されたイズロン酸−２−スルファターゼ（ＩＤＳ）タンパク質をコードする単離されたヌクレオチド配列であって、配列番号５および配列番号８から選択される、単離されたヌクレオチド配列。
【請求項２】
請求項１に記載のヌクレオチド配列を含む、プラスミド。
【請求項３】
配列番号６に記載されたｐＡＡＶ−ＣＡＧ−ｏｈＩＤＳ−ｖｅｒｓｉｏｎ１（アクセッション番号：ＤＳＭ２９８６７）である、請求項２に記載のプラスミド。
【請求項４】
配列番号９に記載されたｐＡＡＶ−ＣＡＧ−ｏｈＩＤＳ−ｖｅｒｓｉｏｎ２（アクセッション番号：ＤＳＭ２９８６８）である、請求項２に記載のプラスミド。
【請求項５】
請求項１に記載のヌクレオチド配列を含み、血清型９、ＡＡＶ９のアデノ随伴ウイルスベクターである、組み換えベクター。
【請求項６】
配列番号１４のＣＡＧプロモーターに連結しているヌクレオチド配列（配列番号５）を含むＡＡＶ９−ＣＡＧ−ｏｈＩＤＳ−ｖｅｒｓｉｏｎ１である、請求項５に記載の組み換えベクター。
【請求項７】
配列番号１４のＣＡＧプロモーターに連結しているヌクレオチド配列（配列番号８）を含むＡＡＶ９−ＣＡＧ−ｏｈＩＤＳ−ｖｅｒｓｉｏｎ２である、請求項５に記載の組み換えベクター。
【請求項８】
請求項１に記載のヌクレオチド配列、または請求項２から４のいずれかに記載のプラスミド、または請求項５から７のいずれかに記載の組み換えベクターを、治療上効果的な量含む、薬学的組成物。
【請求項９】
静脈内投与用または大槽内投与用である、請求項８に記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
ムコ多糖症ＩＩ型の治療に用いられる薬剤の製造のための、請求項１に記載のヌクレオチド配列、請求項２から４のいずれかに記載のプラスミド、または請求項５から７のいずれかに記載の組み換えベクターの使用。
【請求項１１】
イズロン酸−２−スルファターゼ活性の上昇に用いられる薬剤の製造のための、請求項１に記載のヌクレオチド配列、請求項２から４のいずれかに記載のプラスミド、または請求項５から７のいずれかに記載の組み換えベクターの使用。
【請求項１２】
請求項５から７のいずれかに記載のベクターを製造する方法であって、
ｉ）第１のベクターと、第２のベクターと、第３のベクターとを提供する工程であって、上記第１のベクターは、第１のＡＡＶ末端反復と第２のＡＡＶ末端反復との間に挟まれた、イズロン酸−２−スルファターゼをコードする配列に作動可能に連結されているＣＡＧプロモーターを含み、上記第２のベクターは、血清型９に由来するＡＡＶ  ｒｅｐ遺伝子とＡＡＶ  ｃａｐ遺伝子とを含み、上記第３のベクターは、アデノウイルスヘルパー機能遺伝子を含む、工程と、
ｉｉ）工程ｉ）のベクターでコンピテント細胞を同時トランスフェクトする工程と、
ｉｉｉ）工程ｉｉ）のトランスフェクトされた細胞を培養する工程と、
ｉｖ）工程ｉｉｉ）の培養液から表現ベクターを精製する工程と、を含む、方法。
【請求項１３】
請求項２から４のいずれかに記載のプラスミドを調製する方法であって、
ｉ）イズロン酸−２−スルファターゼタンパク質をコードする配列を、出発プラスミドから、消化によって、特にＭｌｕＩ／ＥｃｏＲＩを用いて、切り取る工程と、
ｉｉ）イズロン酸−２−スルファターゼタンパク質をコードする配列を、ＡＡＶ骨格プラスミドｐＡＡＶ‐ＣＡＧの２つの制限部位の間にクローニングし、それによって、イズロン酸−２−スルファターゼタンパク質をコードする配列を含む対応するプラスミドを得る工程と、を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載のヌクレオチド配列を含む、単離された細胞。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌の治療に用いるための、VEGF受容体タンパク質をコードする発現カセットを含むDNA分子の少なくとも1つのコピーを含むサルモネラ菌の弱毒化株であり、ここで、前記治療が、
i) 腫瘍抗原又は腫瘍間質抗原をコードするさらなる発現カセットを含む少なくとも1コピーのさらなるDNA分子を含む少なくとも1つのさらなるサルモネラ菌の弱毒化株から特に選択される、腫瘍抗原又は腫瘍間質抗原をコードする少なくとも1つのDNAワクチン、又は
ii) 特に、PD-1、PD-L1及びCTLA4に対する抗体から選択される、少なくとも1つチェックポイント阻害剤、又は
iii) その細胞表面に少なくとも1つの腫瘍抗原結合タンパク質及び/又は少なくとも1つの腫瘍間質抗原結合タンパク質を含む、少なくとも1つの設計T細胞、又は
iv) 1つのT細胞表面タンパク質及び腫瘍抗原又は腫瘍間質抗原に特異的結合性を示す、少なくとも1つの二重特異性抗体、又は
v) 又はそれらの任意の組み合わせ
の投与をさらに含む、サルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項２】
サルモネラ菌の弱毒化株及び少なくとも1つのさらなるサルモネラ菌の弱毒化株が、サルモネラ・エンテリカ種であり、特に、前記サルモネラ菌の弱毒化株及び前記少なくとも1つのさらなるサルモネラ菌の弱毒化株が、サルモネラ・チフィTy21aである、請求項1に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項３】
前記発現カセット及び前記さらなる発現カセットが、真核生物の発現カセットであり、特に、前記発現カセット及び前記さらなる発現カセットが、CMVプロモーターを含む、請求項1又は2に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項４】
前記VEGF受容体タンパク質が、配列番号1に示されるアミノ酸配列を有するヒトVEGFR-2及びその80%の配列同一性を有するタンパク質からなる群から選択され、特に、ヒトVEGFR-2が、配列番号1に示されるアミノ酸配列を有する、請求項1〜3の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項５】
前記DNA分子及び前記さらなるDNA分子が、カナマイシン抗生物質耐性遺伝子、pMB1 ori及びCMVプロモーターを含み、特に、前記DNA分子及び前記さらなるDNA分子が、配列番号2に示されるDNA配列を含む、請求項1〜4の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項６】
前記さらなるサルモネラ菌の弱毒化株によってコードされる前記腫瘍抗原が、配列番号3に示されるアミノ酸配列を有するヒトウィルムス腫瘍タンパク質（WT1）及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、配列番号4に示されるアミノ酸配列を有するヒトメソテリン（MSLN）及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、配列番号5に示されるアミノ酸配列を有するヒトCEA及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、配列番号6に示されるアミノ酸配列を有するCMV pp65及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、配列番号7に示されるアミノ酸配列を有するCMV pp65及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、配列番号8に示されるアミノ酸配列を有するCMV pp65及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、からなる群から選択され、特に、ヒトウィルムス腫瘍タンパク質（WT1）は、配列番号3に示されるアミノ酸配列を有し、ヒトメソテリン（MSLN）は、配列番号4に示されるアミノ酸配列を有し、ヒトCEAは、配列番号5に示されるアミノ酸配列を有し、及びCMV pp65は、配列番号6、配列番号7又は配列番号8に示されるアミノ酸配列を有し、及び前記さらなるサルモネラ菌の弱毒化株によってコードされる前記腫瘍間質抗原が、ヒト線維芽細胞活性化タンパク質（FAP）からなる群より選択される、請求項1〜5の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項７】
前記サルモネラ菌の弱毒化株が、少なくとも1つの前記腫瘍抗原又は腫瘍間質抗原をコードするDNAワクチン、少なくとも1つの前記チェックポイント阻害剤、少なくとも1つの前記設計T細胞及び/又は少なくとも1つの前記二重特異性抗体と同時又はその前に投与される、請求項1〜6の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項８】
前記治療が、化学療法、放射線療法又は生物学的癌療法を伴い、特に、化学療法又は放射線療法の治療サイクル又は生物学的癌療法の前又は間に、又は化学療法又は放射線療法の治療サイクル又は生物学的癌療法の前及び間に、前記サルモネラ菌の弱毒化株が投与される、請求項1〜7の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項９】
前記サルモネラ菌の弱毒化株及び少なくとも1つの前記さらなるサルモネラ菌の弱毒化株が、経口投与される、請求項1〜8の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項１０】
前記癌が、大腸癌、膵臓癌、肺癌、卵巣癌、中皮腫、急性骨髄性白血病、慢性骨髄性白血病、グリア芽細胞腫、胃癌、肝細胞癌、腎細胞癌、前立腺癌、及び子宮頸癌から選択される、請求項1〜9の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項１１】
前記サルモネラ菌の弱毒化株及び前記少なくとも1つのさらなるサルモネラ菌の弱毒化株の単一用量が、約105〜約1011、詳しくは約106〜約1010、より詳しくは約106〜約109、より詳しくは約106〜約108、最も詳しくは約106〜約107のコロニー形成率(CFU)を含む、請求項1〜10の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項１２】
前記治療が、患者における前記腫瘍抗原に対する発現パターン及び/又は前記免疫応答の前兆を評価する工程を含む、個別化された癌免疫療法である、請求項1〜11の何れか1項に記載の使用のためのサルモネラ菌の弱毒化株。
【請求項１３】
VEGF受容体タンパク質をコードする発現カセットを含むDNA分子の少なくとも1コピーを含む、サルモネラ菌の弱毒化株を含む医薬組成物であって、ここで、前記医薬組成物は、腫瘍抗原又は腫瘍間質抗原をコードするさらなる発現カセットを含む少なくとも1つのさらなるDNA分子を含む少なくとも1つのさらなるサルモネラ菌の弱毒化株を含む。
【請求項１４】
前記サルモネラ菌の弱毒化株及び少なくとも1つのさらなるサルモネラ菌の弱毒化株は、サルモネラ・チフィTy21aであり、ここで、前記発現カセット及び前記さらなる発現カセットは、特にCMVプロモーターを含む真核生物発現カセットであり、前記VEGF受容体タンパク質は、配列番号1に示されるアミノ酸配列を有するヒトVEGFR-2及びその80%の配列同一性を有するタンパク質、特にヒトVEGFR-2は、配列番号1に示されるアミノ酸配列を有する、請求項13に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
特に前記癌の治療に用いるための医薬としての使用に用いる、請求項13又は14に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テストインターフェロンのｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物に対する相対効力を確定又は比較する、またはテストインターフェロンとｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物との間の実質的同等性を構築する方法において、
（１）前記テストインターフェロンとｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物を提供することと、及び
（２）同じ特定な条件で、前記テストインターフェロンとｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物に対して、それぞれ以下の（ａ）〜（ｋ）から選ばれるいずれか１種又は多種の活性を測定することとを含み、
前記テストインターフェロンが、統計学的に有意であるように、（ｊ）及び／又は（ｋ）の所定の活性を、単独で、又は、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）のうち所定のいずれか１種、又は２種、又は３種、又は４種、又は５種、又は６種の活性と組み合わせて有し、及び／又は前記テストインターフェロンが、（ｇ）、（ｈ）及び（ｉ）のうち所定のいずれか１種又は多種の活性を有するのは、前記テストインターフェロンがｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物と実質的に同じ効力を有することか、又は前記テストインターフェロンがｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物と実質的同等であることを示す、方法：
（ａ）いずれか１種又は多種の担癌動物モデル体内の癌細胞生長に対する阻害；
（ｂ）癌細胞生存率の減少；
（ｃ）癌細胞転移に対する阻害；
（ｄ）癌細胞におけるβ−カテニン／ＴＣＦの転写活性に対する阻害；
（ｅ）癌細胞におけるＬＲＰ６及び／又はＦＺＤ６の発現に対するダウンレギュレーション；
（ｆ）癌細胞におけるＡｘｉｎ２、ＣＤ２４、サバイビン及びＩＤ２のうちいずれか１種又は多種の発現に対する阻害；
（ｇ）癌細胞における偽足形成に対する阻害；
（ｈ）癌細胞におけるβ−カテニン発現に対する阻害；
（ｉ）癌細胞におけるＤＫＫ−３、ＫＬＦ−４及びＢＡＴＦ２のうちいずれか１種又は多種の発現に対するアップレギュレーション；
（ｊ）ＩＦＮα−２ｂよりも高いＩＦＮＡＲ１への結合親和性、及び／又はＩＦＮα−２ｂよりも低いＩＦＮＡＲ２への結合親和性；及び
（ｋ）癌細胞ｐ−ＳＴＡＴ発現に対するアップレギュレーションにおける、ＩＦＮα−２ｂよりも低いＢ１８Ｒ阻害に対する感受性。
【請求項２】
前記１種又は多種の活性を測定するために用いられる癌細胞は、肺癌細胞、結腸癌細胞、子宮頚癌細胞、肝臓癌細胞、乳癌細胞及び前立腺癌細胞のうちいずれか１種又は多種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１種又は多種の活性を測定するために用いられる癌細胞は、Ａ５４９細胞、Ｈｅｌａ細胞、ＣＬ−１細胞、Ｈｕｈ−７細胞、ＳＷ４８０細胞、ＭＤＡ−ＭＢ−２３１細胞、Ｃａｌｕ−１細胞、ＳＭＭＣ−７７２１細胞、ＰＡＮＣ−１細胞、ＳＷ６２０細胞、ＳＰＣ−Ａ４細胞、Ｈ１２９９細胞、Ｈ４６０細胞及びＨＴ−２９細胞のうちいずれか１種又は多種を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
活性（ｊ）の測定において、ＩＦＮα−２ｂに比べて、テストインターフェロンが少なくとも約２倍、好ましくは、少なくとも約３倍、より好ましくは、少なくとも約４倍、さらに好ましくは、少なくとも約４．５倍とより高いＩＦＮＡＲ１への結合親和性を有する場合、前記テストインターフェロン及び／又はｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物は実質的に同じ効力を有する又は実質的同等であるとみなされる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
活性（ｊ）の測定において、ＩＦＮα−２ｂに比べて、テストインターフェロンが少なくとも約５倍、好ましくは、少なくとも約７倍、より好ましくは、少なくとも約９倍、さらに好ましくは、少なくとも約１１倍とより低いＩＦＮＡＲ２への結合親和性を有する場合、前記テストインターフェロン及び／又はｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物は実質的に同じ効力を有する又は実質的同等であるとみなされる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
活性（ｊ）の測定において、解離定数（ＫＤ）を測定することで、ＩＦＮα−２ｂ、テストインターフェロン及び／又はｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物のＩＦＮＡＲ１及び／又はＩＦＮＡＲ２への結合親和性を確定する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
活性（ｋ）を測定するために用いられる癌細胞は、Ａ５４９細胞及びＨｅｌａ細胞のうちいずれか１種又は多種を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
活性（ｋ）の測定において、癌細胞に接触する前に、ＩＦＮα−２ｂ、テストインターフェロン及び／又はｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物を約５ｎｇ／ｍｌ〜約２０ｎｇ／ｍｌ、好ましくは約１０ｎｇ／ｍｌのＢ１８Ｒとともにインキュベートする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
活性（ｋ）の測定において、ＩＦＮα−２ｂに比べて、癌細胞ｐ−ＳＴＡＴ発現に対するアップレギュレーションにおけるテストインターフェロンが、より低いＢ１８Ｒ阻害に対する感受性を有する場合、前記テストインターフェロン及び／又はｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物は実質的に同じ効力を有する又は実質的同等であるとみなされる、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
活性（ｋ）の測定において、ウエスタンブロットを利用してｐ−ＳＴＡＴ発現に対するアップレギュレーションを測定する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
統計学的に有意であるとは、コントロールに比べて、ｐ値≦０．０５、又は≦０．０１、又は≦０．００５、又は≦０．００１、又は≦０．０００５、又は≦０．０００１である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記コントロールは、テストインターフェロン又はｒＳＩＦＮ−ｃｏ若しくはｒＳＩＦＮ−ｃｏ代用物で処理されず、又は生理食塩水若しくはＰＢＳで処理され、又はＩＦＮα−２ｂで処理され、又は未処理のコントロール（Ｍｏｃｋ）である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記テストインターフェロンとｒＳＩＦＮ−ｃｏは同じアミノ酸配列（配列番号１）を有し、且つ同じヌクレオチド配列（配列番号２）にコードされている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記テストインターフェロンとｒＳＩＦＮ−ｃｏは実質的に同じ比活性を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月29日(2019.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波刺激療法装置であって、超音波刺激療法装置は、
制御システム、および、
制御システムに結合され、且つ、１つ以上の超音波ビームの周波数波形が処置ゾーンで１−１０００Ｗ／ｃｍ２の空間ピーク時間平均音響出力強度（Ｉｓｐｔａ）を持つように１つ以上の超音波ビームを生成するように構成された１つ以上のトランスデューサーを含み、１つ以上の超音波ビームは０．５〜５秒間適用され、および、１つ以上のトランスデューサーは０．０１〜１０ＭＨｚの範囲の１つ以上の超音波周波数を生成する、超音波刺激療法装置。
【請求項２】
１つ以上のトランスデューサーは、０．０５〜５または０．５〜１．５ＭＨｚの範囲の１つ以上の超音波周波数；及び２０〜１０００Ｗ／ｃｍ２のＩｓｐｔａを生成するように構成される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項３】
トランスデューサーは、単一のトランスデューサー素子または複数のトランスデューサー素子を随意に含む、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項４】
２つ以上のトランスデューサーまたはトランスデューサー素子は、２つ以上の周波数を生成するように構成される、請求項３に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項５】
１つ以上のトランスデューサーまたはトランスデューサー素子は、３００ｋＨｚ〜３MＨｚの範囲内の超音波周波数を生成するように構成され、１つ以上の追加のトランスデューサーまたはトランスデューサー素子は、３０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの範囲内の超音波周波数を生成する、請求項４に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項６】
２つ以上の超音波トランスデューサーは、処置ゾーンを通過する超音波ビームを生成し、各ビームは、１０〜５００Ｗ／ｃｍ２の範囲で処置ゾーンにおいてＩｓｐｔａを有している、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項７】
２つ以上のトランスデューサーは、−３ｄＢのビームプロファイルウエストが５ｍｍ以上となるように、カラム状の超音波を生成するように構成される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項８】
超音波刺激療法装置は、腫瘍の少なくとも１立方センチメートル当たり５秒未満の処置時間にわたり構成される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項９】
２つのトランスデューサーまたは３つのトランスデューサーは、実質的に同位相であり且つ処置ゾーン内で交差する超音波ビームを生成し；各ビームは７０〜１００Ｗ／ｃｍ２の範囲で、交差ゾーンにおいてＩｓｐｔａを有し；超音波は連続して処置ゾーン当たり１〜５秒間適用される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項１０】
２つ以上のトランスデューサーを含み、ここで、第１の大きなトランスデューサーは処置ゾーンよりも大きく；第２の小さなトランスデューサーは処置ゾーンよりも小さい、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項１１】
超音波は、１時間未満の時間にわたり２以上の体積の腫瘍に適用される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項１２】
各トランスデューサーから処置ゾーンに加えられる音圧は０．１〜１０ＭＰａであり、および随意に、１つ以上のトランスデューサーは、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、または１００％のデューティーサイクルで構成される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項１３】
１つ以上のトランスデューサーは、単周波音あるいは多周波数チャープの超音波を生成するように構成され、または、１つ以上のトランスデューサーは超音波の周波数が適用中に一掃されるように構成される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項１４】
１つ以上のトランスデューサーは、処置ゾーンで到達した最高温度が４５°Ｃ未満であるように超音波を生成するように構成され；超音波は約２秒以下のあいだ処置ゾーンに適用され；および随意に、１つ以上のトランスデューサーは腫瘍において非切除型ストレスを誘発するように構成される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【請求項１５】
超音波刺激療法装置は、ＨＳＰ９０阻害剤を含む化学療法薬と組み合わせて使用される、請求項１に記載の超音波刺激療法装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．０１ｍｍから６ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍから３ｍｍの低水力直径を有する反応器１中で不活化される製品流の連続的なウイルス不活化方法であって、以下のステップ：
ａ．不活化される前記製品流の供給、
ｂ．ウイルス不活性化条件を設定すること、
ｃ．前記製品流と混合しない分離剤を前記製品流に導入して、前記分離剤を分割すること、
ｄ．前記反応器１により成形された滞留セグメント中においてウイルス不活化条件下でステップｃにより分割された前記製品流の供給および通過、
ｅ．前記滞留セグメントからの流出、
を含む方法。
【請求項２】
ステップｂにおいて、不活化される物質のｐＨがまだ４以下になっていない場合には、前記製品流のｐＨが４以下の値に設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
不活化される溶液が、高分子の溶液、好ましくはたんぱく質またはペプチド溶液、特に好ましくは抗体溶液であることを特徴とする、請求項１および２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
ステップｆにおいて、前記分離剤が連続的に分離される、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。