【事件の表示】
　平成　９年特許願第２９０５５８号「ＣＺ法シリコン単結晶引上炉及びそのヒータ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月２７日出願公開、特開平１１−１１６３９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月８日の出願であって、平成１６年１１月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において、平成１９年１２月２０日付けの拒絶理由通知がなされ、平成２０年３月６日に意見書及び補正書が提出されたものである。
　
２．明細書の記載要件について
（１）本願発明
　本願の請求項１及び請求項２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は、平成２０年３月６日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　炭素製のヒータの頂辺（２６）から底辺方向に切り込んだスリット（２４）と、ヒータの底辺（２７）から頂辺方向に切り込んだスリット（２５）を備えたＣＺ法シリコン単結晶引上炉用ヒータにおいて、前記２種類のスリット（２４、２５）が等間隔になるように前記２種類のスリット（２４、２５）間のヒータ（１５）の幅が設定されており、かつ、前記２種類のスリット（２４、２５）のオーバーラップ長さをｈとし、ヒータの内径をｄとした場合に、ｈとｄの比（ｈ／ｄ）が０．５５≦（ｈ／ｄ）≦０．６５となり、さらに、結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定されていることを特徴とするＣＺ法シリコン単結晶引上炉用ヒータ。
【請求項２】　ケーシング（１１）と、ケーシング（１１）内に回転可能に配置されるルツボ（１２、１３）と、ルツボ（１２、１３）の外側に配置される炭素製のヒータ（１５）と、ルツボ（１２、１３）の上方に配置される単結晶引上機構を備えたＣＺ法シリコン単結晶引上炉において、ヒータの頂辺（２６）から底辺方向にスリット（２４）が形成され、ヒータの底辺（２７）から頂辺方向にスリット（２５）が形成されており、前記２種類のスリット（２４、２５）が等間隔になるように前記２種類のスリット（２４、２５）間のヒータ（１５）の幅が設定されており、かつ、前記２種類のスリット（２４、２５）のオーバーラップ長さをｈとし、ヒータの内径をｄとした場合に、ｈとｄの比（ｈ／ｄ）が０．５５≦（ｈ／ｄ）≦０．６５となり、さらに、結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定されていることを特徴とするＣＺ法シリコン単結晶引上炉。」
　
（２）特許法第３６条第６項第１号に規定する要件について
　本願発明１及び本願発明２は、いずれも「２種類のスリット（２４、２５）のオーバーラップ長さをｈとし、ヒータの内径をｄとした場合に、ｈとｄの比（ｈ／ｄ）が０．５５≦（ｈ／ｄ）≦０．６５となり、さらに、結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定されている」という事項により特定される発明である。
　そして、発明の詳細な説明には、（ｈ／ｄ）について、「（ｈ／ｄ）の値が０．５５未満の場合には、ストリエーションパターンの発生は抑えられるが、単結晶化率が低下し、生産性が落ちる。」（段落【００１２】）及び「（ｈ／ｄ）の値が０．７０を超えると、シリコン融液表面の温度変動が大きくなり、酸素析出物に起因する積層欠陥のストリエーションパターンが発生する。」（段落【００１３】）と記載され、発明の課題として、「ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保つことができるＣＺ法シリコン単結晶引上炉及びそのヒータを提供すること」（段落【０００７】）が記載されている。また、発明の詳細な説明には、「実施例１」として、「図１に示すＣＺ法シリコン単結晶炉を用いて、ヒータにおける（ｈ／ｄ）の値を０．４、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．９の９水準に設定し、シリコン単結晶を引上げた」（段落【００２６】）ことが記載されており、この記載中の各（ｈ／ｄ）値における、結晶固化率と温度変動幅相対比との関係を示すグラフが図４に記載され、この図４のグラフによれば、（ｈ／ｄ）が０．４〜０．６５の実施例で、結晶固化率が５％のときに温度変動幅相対比が０．４以下で、結晶固化率が８５％のときに温度変動幅相対比が０．７以下となっていることが窺える。
　しかしながら、発明の詳細な説明には、ヒータ及びルツボの具体的な寸法や両者の位置関係等の条件が何ら記載されておらず、温度変動幅相対比についても、具体的な数値は何ら記載されていないばかりか、本願発明１及び本願発明２の「結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定されている」という事項における、「０．４」及び「０．７」という値も記載されていないことから、発明の詳細な説明の記載からは、ヒータ及びルツボの具体的な寸法や両者の位置関係等の条件をどのように設定しているのかは不明であり、「結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定」するための条件も不明である。
　そうすると、発明の詳細な説明には、「２種類のスリット（２４、２５）のオーバーラップ長さをｈとし、ヒータの内径をｄとした場合に、ｈとｄの比（ｈ／ｄ）が０．５５≦（ｈ／ｄ）≦０．６５となり、さらに、結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定されている」という事項により特定される発明として、「実施例１」において、ヒータ及びルツボの寸法や両者の位置関係等の条件が具体的に示されていないが、ある特定の条件で実施したものが記載されている。
　そして、本願発明１及び本願発明２は、ヒータ及びルツボの寸法や両者の位置関係等の条件について特定されたものではなく、これらの条件については、どのような条件のものも含むといえるが、ストリエーションパターンの発生及び単結晶化率の低下は、ヒータによるシリコン融液の加熱状態に影響されるものであり、シリコン融液の加熱状態は、ヒータの形状だけでなくシリコン融液の立体形状やヒータと融液との位置関係、すなわち、ヒータ及びルツボの寸法や両者の位置関係等の条件によっても異なるものであるから、これらの条件がどのようなものであっても、「ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保つ」ことができるとはいえない。
　また、平成２０年３月６日付け意見書を見ても、ヒータ及びルツボの寸法や両者の位置関係等の条件は、技術常識の範囲内で当業者が適宜に設定し得るとしても、当業者が必要に応じて周知技術を考慮して設計するものであるから、（ｈ／ｄ）が決まれば必ず１つの条件が定まるものではなく、これらの条件を技術常識の範囲内で「実施例１」とは異なる条件に設定した場合においても、「ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保つ」ことができる（ｈ／ｄ）の範囲が、必ず「０．５５≦（ｈ／ｄ）≦０．６５」になるという根拠は見当たらない。
　したがって、本願発明１及び本願発明２は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであり、本願出願時の技術常識に照らしても、発明の詳細な説明に記載された内容を本願発明１及び本願発明２の範囲まで拡張ないし一般化できるとはいえない。
　
（３）特許法第３６条第４項に規定する要件について
　本願発明１及び本願発明２は、「ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保つことができる」（段落【００３２】）という明細書に記載の効果を奏するものであるが、上述したとおり、ストリエーションパターンの発生及び単結晶化率の低下は、ヒータによるシリコン融液の加熱状態に影響されるものであり、このシリコン融液の加熱状態は、ヒータ及びルツボの寸法や両者の位置関係等の条件によっても異なるものである。
　しかしながら、発明の詳細な説明には、ヒータ及びルツボの具体的な寸法や両者の位置関係等の条件が何ら記載されておらず、温度変動幅相対比についても、具体的な数値は何ら記載がなく、どのようにして「結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定」するのかも不明である。
　また、平成２０年３月６日付け意見書には、表１にヒータ及びルツボの具体的な寸法の範囲が記載されているが、本願発明１及び本願発明２を実施する際に当業者が適宜に設定し得る条件が、この表１に記載された範囲内に必ず入るという根拠はなく、当業者が適宜に設定し得る条件であれば、どのような条件で本願発明１及び本願発明２を実施しても、「結晶固化率が５％のとき、温度変動幅相対比が０．４以下となり、結晶固化率が８５％のとき、温度変動幅相対比が０．７以下となるように設定」され、「ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保つ」ことができるかは、この意見書を参酌しても明らかではない。
　そうすると、発明の詳細な説明の記載からは、ヒータ及びルツボの具体的な寸法や両者の位置関係等の条件をどのように設定すれば、「ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保つ」ことができるのか不明である。
　したがって、発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１及び本願発明２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、本願の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないから、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。