【事件の表示】
　特願２００１−３５０６２０「横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月　８日出願公開、特開２００２−３２３７０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明 
　
（１）手続の経緯
　本願は、平成１３年１１月１５日（優先権主張平成１３年２月２３日）の出願であって、平成１８年１０月２６日に手続補正がなされ、同年１２月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年１月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月８日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
（２）本件補正の内容・目的
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載の範囲内でなされたものと認められるから、平成１８年改正前特許法１７条の２第３号の規定に適合するものである。
　本件補正のうち、特許請求の範囲についての補正内容は、本件補正前の（平成１８年１０月２６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の）請求項１、２、２６を削除するとともに、これらの削除した請求項を引用している本件補正前の請求項において、引用している請求項からこれらの削除した請求項を除いたうえで、本件補正前の請求項１、２、２６以外のすべての請求項の番号について繰り上げを行うものであるから、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項１号の「請求項の削除」を目的とするものである。
　したがって、本件補正は同法１７条の２第４項に適合するものである。
　
（３）本願発明
　上記（２）のとおり、本件補正は適法な補正であるから、本願の請求項に係る発明は、本件補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６６に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
　
「能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
　前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
　前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
　前記画素電極と前記共通電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、
　前記画素電極と前記共通電極の間において、前記能動素子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、
　第１の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記共通電極は透明電極から成り、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、
　前記走査線近傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電極によって完全に覆われており、
　前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前記対向基板上、もしくは前記能動素子基板の前記データ線より前記液晶層側に、前記データ線に対向するようにブラックマトリクス層、又は複数の色層を重ねた遮光層を配し、前記ブラックマトリクス層又は前記遮光層の幅は、前記データ線を覆うように形成された前記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形成されており、
　前記データ線は前記画素電極に沿って、ジグザグ状に屈曲しているものであることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。） 
　
２．刊行物の記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第９８／４７０４４号（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１）「〔技術分野〕
　本発明は、液晶表示装置に関し、特に薄膜トランジスタ素子を有する高画質なアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
〔背景技術〕
　いわゆる横電界方式と称されるカラー液晶表示装置は、液晶層を介して互いに対向して配置される透明基板のうち、その一方または両方の液晶側の単位画素に相当する領域面に。表示用電極と基準電極とが備えられ、この表示用電極と基準電極との間に透明基板面と平行に発生させる電界によって前記液晶層を透過する光を変調させるようにしたものである。このようなカラー液晶表示装置は、その表示面に対して大きな角度視野から観察しても鮮明な映像を認識でき、いわゆる広角度視野に優れたものとして知られるに至った。
　なお、このような構成からなる液晶表示装置としては、例えば特許出願公表平５−５０５２４７公報、特公昭６３−２１９０７公報および特開平６−１６０８７８公報に詳述されている。
　しかしながら、このように構成された液晶表示素子は、映像信号線から発生される不要な電界が、表示電極と基準電極との間の電界を変動させ、表示面において、映像信号線に沿った方向に帯状に筋を引く画質不良いわゆる縦スミア（クロストーク）が発生するという問題が残存されていた。この問題を解決する手段が、特開平６−２０２１２７公報に詳述されている。しかしながら、このように構成された液晶表示素子は、シールド電極を設け、それに外部から電位を供給するため、シールド電極と信号電極との間の容量への電流の充放電が大きく、駆動回路に対して負荷が大きくなりすぎ、消費電力が大きい、または駆動回路が大きくなりすぎる、さらには、シールド電極に電位を印加するための接続手段が必要であり、工程の増加および接続不良が発生するという問題が残存されていた。
　本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、いわゆる縦スミアの抑制でき、かつ、生産性が良好で、低消費電力を図った液晶表示素子を提供することにある。
〔発明の開示〕
　前記目的を達成するために、本発明では、第１の構成として、複数の映像信号線と複数の走査電極で構成された複数の画素を有し、画素内に、基板面に平行な電界を印加でき得る画素電極と対向電極を有し、画素電極に映像信号線と走査信号線に接続された薄膜トランジスタから映像信号が供給され得るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、対向電極および画素電極は平面的に重ならないように線状に形成され、映像信号線上に比誘電率が４以下の絶縁膜が形成され、絶縁膜上に前記映像信号線を被覆するように前記対向電極が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　第１の構成を含む第２の構成として、画素電極が前記絶縁膜上に形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　第１の構成を含む第３の構成として、絶縁膜と少なくとも薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁膜または保護膜のどちらかが、同一パターンで形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　第１の構成を含む第４の構成として、遮光膜が水平方向に延在したストライプ状に形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　第１から３の構成を含む第５の構成として、絶縁膜の膜厚が１μｍ以上３μｍ以下であるアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　第１から３の構成を含む第６の構成として、前記絶縁膜はレジスト材であることを特徴とする請求項１から３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　第１から３の構成を含む第７の構成として、前記薄膜トランジスタ素子を保護する無機絶縁膜の膜厚が０．０５μｍ以上０．３μｍ以下であるアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。
　このように構成した液晶表示装置は、以下の３つの作用から発生する。
　＜作用１＞
　一方の透明基板側に形成されている映像信号線に対して、平面的に見て完全に重畳させた状態で基準電極が有機絶縁膜上に形成されていることにより、映像信号線から発生する不要な電気力線のほとんど全てが、基準電極に終端する。したがって、横電界を用いる本発明の表示方式のような表示方式において特有の漏洩電界によるクロストークが解消される。これにより、従来、クロストークを低減するために、映像信号線の両脇、または対向基板上に配置していたシールド電極より、漏洩電界を完全にシールドできるため、画素の水平方向を表示用電極と基準電極および開口部で占有できる。また、映像信号線と基準電極間の隙間を隠す必要もなくなるため、垂直方向の遮光膜（ブラックマトリクス）もなくなる。これにより、横電界を用いる表示方式の最大の欠点である低開口率を抜本的に改善することができ、５０％を越える開口率を実現できる。すなわち、本発明では高開口率と低スミアの両立が可能となる。
　＜作用２＞
　有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して、その比誘電率が約半分（比誘電率εｒが３程度）である。また、有機膜は無機膜と比較して厚みを厚くすることが容易であるので、映像信号線と基準電極間の距離が広がる。これ映像信号線に基準電極を完全に覆い被せても、映像信号線と基準電極間に形成される容量はかなり小さくできる。したがって、映像信号線から見たときの負荷が軽くなるため、映像信号の配線伝搬遅延が小さくなり、信号電圧が十分に表示電極に充電でき、かつ、映像信号線を駆動するための駆動回路の縮小ができるようになる。」（１頁３行〜３頁２０行）
　
（２）「（実施例１）
　《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
　以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装置に本発明を適用した実施例を説明する。なお、以下説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
　《マトリクス部（画素部）の平面構成》
　図１は本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
　図１に示すように、各画素は走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃstg、画素電極ＰＸ（本実施例中では、画素電極と称し、すなわち表示用電極の事である）および対向電極ＣＴ（本実施例中では、対向電極と称し、すなわち基準電極の事である）を含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸはソース電極SD1を介して薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続され、対向電極ＣＴも対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続されている。
　画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間で発生させられる基板面に略平行な電界により液晶組成物ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、それぞれ、図の上下方向に長細い電極となっている。
　画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅はそれぞれ６μｍとする。これは、液晶層の厚み方向に対して、液晶層全体に十分な電界を印加するために、後述の液晶組成物層の厚み３．９μｍよりも十分大きく設定する。望ましくは、液晶組成物層の１．５倍以上に設定する。また、開口率を大きくするためにできるだけ細くする。また、映像信号線ＤＬも６μｍとする。映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若干広くしても良い。
　走査信号線ＧＬは末端側の画素（後述の走査電極端子ＧＴＭの反対側）のゲート電極ＧＴに十分に走査電圧が伝搬されるだけの抵抗値を満足するように電極幅を設定する。また、対向電圧信号線ＣＬも末端側の画素（後述の共通バスラインＣＢ１およびＣＢ２から最も遠い画素すなわちＣＢ１とＣＢ２の中間の画素）の対向電極ＣＴに十分に対向電圧が印加できるだけの抵抗値を満足するように電極幅を設定する。
　一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異なるため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるようにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間隔は、約１５μｍとなる。
　《マトリクス部（画素部）の断面構成》
　図２は図１の６−６切断線における断面を示す図、図３は図１の７−７切断線における薄膜トランジスタＴＦＴの断面図、図４は図１の８−８切断線における蓄積容量Ｃstgの断面を示す図である。図５〜図７に示すように、液晶組成物層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Cstgおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭが形成されている。
　また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期配向を制御する配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が設けられており、透明ガラス基板ＳＵＢ２、ＳＵＢ２のそれぞれの外側の表面には、偏光板が設けられている。
　《ＴＦＴ基板》
　まず、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。
　《薄膜トランジスタＴＦＴ》
　薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。
　薄膜トランジスタＴＦＴは、図３に示すように、ゲート電極ＧＴ、絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。なお、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の
回路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現する。
　《ゲート電極ＧＴ》
　ゲート電極ＧＴは走査信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬの一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されている。ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動領域を超える部分である。本例では、ゲート電極ＧＴは、単層の導電膜ｇ３で形成されている。導電膜ｇ３としては例えばスパッタで形成されたクロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜が用いられるがそれに限ったものではない。
・・・・（略）・・・・
　《映像信号線ＤＬ》
　映像信号線ＤＬはソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の導電膜ｄ３で構成されている。また、映像信号線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。本例では、導電膜ｄ３はスパッタで形成したクロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜を用い、５００〜３０００Åの厚さに（本実施例では、２５００Å程度）で形成される。Ｃｒ−Ｍｏ膜は低応力であるので、比較的膜厚を厚く形成することができ配線の低抵抗化に寄与する。また、Ｃｒ−Ｍｏ膜はＮ(＋)型半導体層ｄ０との接着性も良好である。導電膜ｄ３として、Ｃｒ−Ｍｏ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2、ＷＳｉ2）膜を用いてもよく、また、断線を防ぐために、アルミニウム等との積層構造にしてもよい。
・・・・（略）・・・・
　《保護膜ＰＳＶ１》
　薄膜トランジスタＴＦＴ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。
・・・・（略）・・・・
　《有機保護膜ＰＳＶ２》
　保護膜ＰＳＶ１には、有機膜ＰＳＶ２が設けられている。有機膜ＰＳＶ２は以下の目的で形成されており、透明性が高く、比誘電率が３程度の低いものを使用する。有機膜ＰＳＶ２はたとえば塗布装置で形成したレジスト膜で形成されており、１〜３μｍ程度の膜厚で形成する。これにより、映像信号線とそれに覆い被せた対向電極との間の容量を大幅に軽減できる。これにより、映像信号線の負荷が大幅に軽減され、映像信号を駆動するための駆動ＬＳＩの回路規模を大幅に縮小できる。また、作用にも述べたように、有機保護膜ＰＳＶ２は、薄膜トランジスタ基板の平坦度を向上させるのにも役立つ。これは、有機膜は、無機膜に比べて、平坦性が良く形成できることによる。」（５頁２０行〜１１頁１８行）
　
（３）「《画素電極ＰＸ》
　画素電極ＰＸは、透明導電層ｉ１で有機膜ＰＳＶ２上に形成されている。この透明導電膜ｉ１はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１００〜２０００Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）形成される。また、画素電極ＰＸはスルーホールＴＨ１を介して、ソース電極ＳＤ２に接続されている。
　画素電極が本実施例のように透明になることにより、その部分の透過光により、白表示を行う時の最大透過率が向上するため、画素電極が不透明な場合よりも、より明るい表示を行うことができる。この時、後述するように、電圧無印加時には、液晶分子は初期の配向状態を保ち、この状態で黒表示をするように偏光板の配置を構成する（ノーマリブラックモードにする）にしているので、画素電極を透明にしても、その部分の光を透過することがなく、良質な黒を表示することができる。これにより、最大透過率が向上させ、かつ十分なコントラスト比を達成することができる。
　《対向電極ＣＴ》
　対向電極ＣＴは透明導電層ｉ１で有機膜ＰＳＶ２上に形成されている。この透明導電膜ｉ１はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin-Oxide  ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１００〜２０００Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）形成される。また、対向電極ＣＴはスルーホールＴＨ２を介して、対向電圧信号線ＣＬに接続されている。画素電極ＰＸと同様、対向電極を透明にすることにより、白表示を行う時の最大透過率が向上する。また、対向電極ＣＴで映像信号線ＤＬ上を完全に覆い隠すように構成し、映像信号線ＤＬからの電気力線のほとんどを対向電極ＣＴに終端させる。これにより、横電界方式特有の映像信号線からの漏洩電界が完全になくなるのでクロストークが完全に解消される。これは、横電界方式を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置に特有の効果である。
　また、対向電極ＣＴには対向電圧Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖｄmaxとの中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔＶｓ分だけ低い電位に設定される。
　《カラーフィルタ基板》
　次に、図１、図２に戻り、上側透明ガラス基板ＳＵＢ２側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。
　《遮光膜ＢＭ》
　上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（いわゆるブラックマトリクス）を形成している。遮光膜ＢＭは、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層ＡＳに入射しないようにする役割も果たしている。すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
　図１に遮光膜ＢＭのパターンの１例を示す。
　本実施例では、画素の表示部に孔をあけたマトリクス状のパターンにする。本実施例では、遮光膜ＢＭは、クロム薄膜を用いる。また、クロム薄膜のガラス面側には、酸化クロム、窒化クロムを形成する。これは、ガラス面側の反射率を低減するためであり、液晶表示装置の表示面を低反射にするためである。
　また、この遮光膜ＢＭで各行各列の有効表示領域が仕切られる。従って、各行の画素の輪郭が遮光膜ＢＭによってはっきりとする。
　更に、遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成され、そのパターンは図１に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは、シール部ＳＬの外側に延長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り込むのを防ぐと共に、バックライト等の光が表示エリア外に漏れるのも防いでいる。他方、この遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、基板ＵＳＢ２の切断領域を避けて形成されている。
　本実施例では、薄膜でも遮光性の高い金属膜を用いたが、十分な遮光性が得られれば絶縁性の遮光膜を用いてもよい。
　《カラーフィルタＦＩＬ》
　カラーフィルタＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。」（１１頁下から２行目〜１４頁４行）
　
（４）「（実施例４）
　本実施例は、以下を除き、実施例１と同様である。
　《マトリクス部（画素部）の平面構成》
　図２３は本実施例のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
　《遮光膜ＢＭ》
　本実施例では、画素パターンの水平方向のみにストライプ状の遮光膜ＢＭを形成する。これにより、カラーフィルタ基板とＴＦＴ基板の合わせズレによる開口率の低下が解消される。画素パターンの垂直方向の遮光膜のパターンが水平方向にずれた場合、大幅に開口率を低下させる。本実施例では、垂直方向の遮光膜のパターンをなくすことにより、このたとえこの合わせズレが起きた場合でも、開口率はほとんど変わらなくした。これは、対向電極ＣＴを完全に映像信号線ＤＬに覆い被せることにより、液晶層から見たとき、画素の水平方向には、画素電極と対向電極の繰り返しのパターン以外はなにも存在しないために、可能になる。
　よって、本実施例では、水平方向のみにストライプ状の遮光膜ＢＭにより、ＴＦＴ上の遮光と、対向電極と走査信号線の間の光漏れ部だけ遮光するだけでよい。したがって、本実施例では、実施例１の効果に加え、さらに、大幅に開口率を向上し、輝度向上することができる。」（２８頁１２行〜２９頁１行）
　
（５）「請　　求　　の　　範　　囲
　１．一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶組成物層を有し、前記一対の基板の一方には、複数の映像信号線と複数の走査電極と、前記映像信号線と前記走査信号線に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタ素子に接続された複数の画素電極を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記対向電極は、前記一対の基板の一方に形成され、
　前記映像信号線上には、比誘電率が５以下の絶縁膜が形成され、
　前記絶縁膜上に前記映像信号線の少なくとも一部を被覆するように前記対向電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
　２．一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶組成物層を有し、前記一対の基板の一方には、複数の映像信号線と複数の走査電極と、前記映像信号線と前記走査信号線に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタ素子に接続された複数の画素電極を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記画素電極と前記対向電極は前記一対の基板面に略平行な電界を発生するように形成され、
　前記映像信号線上には、比誘電率が５以下の絶縁膜が形成され、
　前記絶縁膜上に前記映像信号線の少なくとも一部を被覆するように前記対向電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
　３．一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶組成物層を有し、前記一対の基板の一方には、複数の映像信号線と複数の走査電極と、前記映像信号線と前記走査信号線に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタ素子に接続された複数の画素電極を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記対向電極は、前記一対の基板の一方に形成され、
　前記映像信号線上には、有機絶縁膜が形成され、
　前記絶縁膜上に前記映像信号線の少なくとも一部を被覆するように前記対向電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
　４．一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶組成物層を有し、前記一対の基板の一方には、複数の映像信号線と複数の走査電極と、前記映像信号線と前記走査信号線に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタ素子に接続された複数の画素電極を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記画素電極と前記対向電極は前記一対の基板面に略平行な電界を発生するように形成され、
　前記映像信号線上には、有機絶縁膜が形成され、
　前記絶縁膜上に前記映像信号線の少なくとも一部を被覆するように前記対向電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
　５．前記画素電極が前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１、２、３あるいは４記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
（６）図１及び図２の記載から、
　遮光膜ＢＭは、画素の表示部に孔（開口部）をあけ、走査信号線ＧＬおよびゲート電極ＧＴを覆うとともに走査信号線ＧＬの延長方向に連続している水平ストライプ状部分と、隣接する前記水平ストライプ状部分を垂直に連結し対向電極ＣＴに重なっている垂直連結部分とからなっており、
　対向電極ＣＴ（ＣＴ−ｉ１）は、前記遮光膜ＢＭに重なっている第１対向電極と遮光膜ＢＭの孔に位置する第２対向電極とがあり、
　映像信号線ＤＬが形成されたＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、その液晶組成物ＬＣの層に近い側に保護膜ＰＳＶ１が形成され、その上に有機膜ＰＳＶ２が形成され、さらにその上に前記対向電極ＣＴ（ＣＴ−ｉ１）形成されており、
　前記映像信号線ＤＬは、前記走査信号線ＧＬの近傍は前記遮光膜の水平ストライプ状部分に重なり、前記水平ストライプ状部分に重ならない部分は前記保護膜ＰＳＶ１及び前記有機膜ＰＳＶ２を挟んで前記第１対向電極によって完全に覆われ、かつ、前記遮光膜の垂直連結部分に重なっていることがみて取れる。
　
（７）上記（１）〜（６）からみて、引用例には、
「ＴＦＴ基板と、カラーフィルタ基板と、前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板とに挟持された液晶組成物層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
　前記ＴＦＴ基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示用電極の事である幅６μｍの画素電極と、基準電極の事である対向電極と、幅６μｍ又はそれよりも若干広い映像信号線と、走査信号線と、対向電圧信号線とを備え、
　前記カラーフィルタ基板は、画素の表示部に孔をあけ、走査信号線およびゲート電極を覆うとともに走査信号線の延長方向に連続している水平ストライプ状部分と、隣接する前記水平ストライプ状部分を垂直に連結し対向電極に重なっている垂直連結部分とからなる遮光膜と、画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成されたカラーフィルタとを備え、
　前記対向電極は、前記遮光膜に重なっている第１対向電極と前記遮光膜の孔に位置する幅６μｍの第２対向電極とがあり、
　前記ゲート電極は前記走査信号線と連続して形成され、前記映像信号線は前記ドレイン電極と一体に形成され、前記画素電極は前記ソース電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、前記第１及び第２対向電極は前記対向電圧信号線と電気的に接続されている横電界方式を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記映像信号線が形成された前記ＴＦＴ基板には、その前記液晶組成物の層に近い側に保護膜が形成され、その上に有機膜が形成され、さらにその上に前記第１及び第２対向電極が透明導電層で形成されており、
　前記映像信号線は、前記走査信号線の近傍は前記遮光膜の水平ストライプ状部分に重なり、該水平ストライプ状部分に重ならない部分は前記保護膜及び前記有機膜を挟んで前記第１対向電極によって完全に覆われ、かつ、前記遮光膜の垂直連結部分が重なっていて、
　前記遮光膜は水平ストライプ状部分に加え垂直連結部分も備えているから、前記遮光膜で各行各列の有効表示領域が仕切られて、画素の輪郭が前記遮光膜によってはっきりとする、
　横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明１」という。）と、
　
「ＴＦＴ基板と、カラーフィルタ基板と、前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板とに挟持された液晶組成物層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
　前記ＴＦＴ基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示用電極の事である画素電極と、基準電極の事である対向電極と、映像信号線と、走査信号線と、対向電圧信号線とを備え、
　前記カラーフィルタ基板は、走査信号線およびゲート電極を覆うとともに走査信号線の延長方向に連続している水平ストライプ状部分のみからなる遮光膜と、画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成されたカラーフィルタとを備え、
　前記ゲート電極は前記走査信号線と連続して形成され、前記映像信号線は前記ドレイン電極と一体に形成され、前記画素電極は前記ソース電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、前記対向電極は前記対向電圧信号線と電気的に接続されている横電界方式を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記映像信号線が形成された前記ＴＦＴ基板には、その前記液晶組成物の層に近い側に保護膜が形成され、その上に有機膜が形成され、さらにその上に前記対向電極が透明導電層で形成されており、
　前記映像信号線は、前記走査信号線の近傍は前記遮光膜に重なり、該遮光膜に重ならない部分は前記保護膜及び前記有機膜を挟んで前記対向電極によって完全に覆われていて、
　前記遮光膜は垂直連結部分を備えていないから、大幅に開口率を向上することができた、
　横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明２」という。）とが記載されていると認められる。
　
３．対比
　
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　
ア．引用発明１の「ＴＦＴ基板」、「カラーフィルタ基板」、「前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板とに挟持された液晶組成物層」、「液晶表示装置」、「ゲート電極」、「ドレイン電極」、「ソース電極」、「薄膜トランジスタ」、「表示用電極の事である幅６μｍの画素電極」、「『基準電極の事である対向電極』、『第１対向電極』及び『第２対向電極』」、「幅６μｍ又はそれよりも若干広い映像信号線」、「走査信号線」、「対向電圧信号線」、「前記ゲート電極は前記走査信号線と連続して形成され」、「前記映像信号線は前記ドレイン電極と一体に形成され」、「前記画素電極は前記ソース電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され」、「前記第１及び第２対向電極は前記対向電圧信号線と電気的に接続され」、「横電界方式を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置」、「前記第１及び第２対向電極が透明導電層で形成されており」、「『前記映像信号線が形成された前記ＴＦＴ基板』の『前記液晶組成物の層に近い側に』形成された『保護膜』の上に形成された『有機膜』」、「前記走査信号線の近傍」、「『保護膜』及び『有機膜』」及び「前記第１対向電極によって完全に覆われ」は、それぞれ、本願発明の「能動素子基板」、「対向基板」、「前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層」、「液晶表示装置」、「ゲート電極」、「ドレイン電極」、「ソース電極」、「薄膜トランジスタ」、「表示すべき画素に対応した画素電極」、「基準電位が与えられる共通電極」、「データ線」、「走査線」、「共通電極配線」、「『前記ゲート電極は前記走査線に』『電気的に接続され』」、「『前記ドレイン電極は前記データ線に』『電気的に接続され』」、「『前記ソース電極は前記画素電極に』『電気的に接続され』」、「『前記共通電極は前記共通電極配線に』『電気的に接続され』」、「横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置」、「前記共通電極は透明電極から成り」、「前記データ線より前記液晶層に近い層」、「前記走査線近傍」、「絶縁膜」及び「前記共通電極によって完全に覆われており」に相当する。
　
イ．引用発明１の「前記映像信号線は、前記走査信号線の近傍は前記遮光膜の水平ストライプ状部分に重なり、該水平ストライプ状部分に重ならない部分は前記保護膜及び前記有機膜を挟んで前記第１対向電極によって完全に覆われ、かつ、前記遮光膜の垂直連結部分に重なってい」るとの事項と、本願発明の「前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前記対向基板上、もしくは前記能動素子基板の前記データ線より前記液晶層側に、前記データ線に対向するようにブラックマトリクス層、又は複数の色層を重ねた遮光層を配し」との事項とは、「前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前記対向基板上に、前記データ線に対向するようにブラックマトリクス層を配し」との点で一致する。
　
ウ．よって、本願発明と引用発明１とは、
「能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、
　前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
　前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されている横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記共通電極は透明電極から成り、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、
　前記走査線近傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電極によって完全に覆われており、
　前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前記対向基板上に、前記データ線に対向するようにブラックマトリクス層を配している横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」の点で一致し、次の点で相違する。 
　
（相違点１）
　上記一致点の「前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前記対向基板上に、前記データ線に対向するようにブラックマトリクス層を配している」ところの「前記ブラックマトリクス層の幅」が、本願発明においては「前記データ線を覆うように形成された前記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形成され」ているのに対して、引用発明１においてはそのようになっていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は「前記画素電極と前記共通電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、前記画素電極と前記共通電極の間において、前記能動素子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、第１の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域を有し、前記データ線は前記画素電極に沿って、ジグザグ状に屈曲しているものである」のに対して、引用発明１はそのようになっていない点。
　
４．判断
　
（１）上記（相違点１）について検討する。
　
ア．引用発明１は、遮光膜に水平ストライプ状部分のみでなく垂直連結部分も備えることにより、前記遮光膜で各行各列の有効表示領域を仕切って、画素の輪郭が前記遮光膜によってはっきりとするようにしているが、引用例には、遮光膜の垂直連結部分を無くすことにより大幅に開口率を向上させた引用発明２も記載されているから、引用発明１には、遮光膜に垂直連結部分が存在することにより、相対的に開口率を大きくできないという課題があることが理解できる。
　
イ．しかるところ、液晶表示装置に用いる遮光膜に水平ストライプ状部分のみでなく垂直連結部分も備えたブラックマトリクスにおいて、遮光膜の垂直連結部分の幅を１μｍ〜６μｍ程度の狭いものとして開口率を向上させたものは本願優先日前に周知であり（例．特開平９−２３０１２４号公報（段落０００１、０００８、図１、図３及び図９参照。約４μｍ）、特開平９−２３０３７９号公報（段落００３９〜００４０及び図７参照。１〜３μｍ）、特開平１０−２８２４８４号公報（段落００５０参照。５μｍ）、特開平１１−２１２０７６号公報（段落００１４、図１及び図２参照。約６μｍ）、特開２０００−９９２０号公報（段落０００４、００３０、００３３、図１及び図２参照。）、特開２０００−２９２６１５号公報（請求項１、段落０００６、００６１、００６２、００６４、００６６参照。５μｍ及び６μｍ））、引用発明２のように遮光膜の垂直連結部分を無くさなくとも上記周知技術のように遮光膜の垂直連結部分の幅を十分狭くすることによっても開口率を向上できることが当業者に自明である。
　
ウ．そうすると、幅６μｍ又はそれよりも若干広い映像信号線を備え、前記映像信号線の遮光膜の水平ストライプ状部分に重ならない部分は保護膜及び有機膜を挟んで第１対向電極によって完全に覆われ、かつ、前記遮光膜の垂直連結部分が重なっている引用発明１に、開口率を向上させる目的で上記周知技術を採用し、前記遮光膜の垂直連結部分の幅を１μｍ〜６μｍ程度の狭い、即ち、幅６μｍ又はそれよりも若干広い映像信号線を完全に覆う第１対向電極の幅よりも小さいものとして、上記（相違点１）に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得た程度のことである。
　
（２）上記（相違点２）について検討する。
　
ア．「画素電極と共通電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、前記画素電極と前記共通電極の間において、能動素子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、第１の方向の電界が印加され、液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域を有し、データ線は前記画素電極に沿って、ジグザグ状に屈曲している横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置」は、本願優先日前に周知である（例．特開２００１−３３８２４号公報（段落００９０、０１５１、０１５２、０１５４〜０１５６、図１４（Ａ）（Ｂ）及び図１５（Ａ）（Ｂ）参照。）、特開２００１−３３８１５号公報（段落００１６、００２０、００２３、００２４、図１、図２及び図６参照。）、特開２００１−３３８１４号公報（段落００４１及び図１１参照。）、特開２００１−３３７９９号公報（段落００３７〜００４２、図１２及び図１３参照。）、特開平１０−１４８８２６号公報（段落００３１及び図３参照。）特開平１０−３０９２号公報（段落００２９及び図２０参照。）、特開平９−３１１３３４号公報（段落００１５〔実施例１〕、図３及び図７参照。）、特開平９−２５８２６９号公報（段落０００５、０００７、００１１、図１、図２、図５）、特開平１１−１２５８３５号公報（段落００４０、図３１、図３２及び図７参照。））。
　
イ．引用発明１は横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置であるから、上記横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する周知技術を引用発明１に採用して上記（相違点２）に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得た程度のことである。
　
（３）効果
　
ア．そして、本願発明の奏する効果は、引用発明１の効果及び上記各周知技術の効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
イ．なお、本願明細書には次の記載がある。
「【０４０１】図５７に示すように、平面図において、ブラックマトリクス層１１７の左側端部とデータ線１２４の右側端部との間の距離、及びブラックマトリクス層１１７の右側端部とデータ線１２４の左側端部との間の距離が常に４μｍ以上であることが望ましい。
【０４０２】これは、以下の考察に基づく。ブラックマトリクス層１１７の液晶層側表面からデータ線１２４の液晶層側表面までの距離は、通常３〜４μｍである。図５７において、ブラックマトリクス層１１７の左側端部とデータ線１２４の右側端部とを結ぶ直線と基板面が成す角度をαとすると、ブラックマトリクス層側からの入射光が全反射する角度αは略４５度である。従って、ブラックマトリクス層１１７の液晶層側表面からデータ線１２４の液晶層側表面までの距離を通常の最大値４μｍとすると、ブラックマトリクス層１１７の左側端部とデータ線１２４の右側端部との間の距離は４μｍ以上であれば、データ線２４の一方から斜めに入射した光がブラックマトリクス層１７の反対側に抜け、混色による色度の低下という問題がなくなる。」
　
ウ．上記イの記載から、ブラックマトリクス層側からの入射光が全反射する角度αが略４５度で、ブラックマトリクス層の液晶層側表面からデータ線の液晶層側表面までの距離がｔμｍであるとすると、平面図において、ブラックマトリクス層の左側端部とデータ線の右側端部との間の距離、及びブラックマトリクス層の右側端部とデータ線の左側端部との間の距離が常にｔμｍ以上となるようにすると混色による色度の低下という問題がなくなるとの事項を把握することができる。
　
エ．しかし、本願発明は上記ウの関係を満足する構成が特定された発明ではないから、混色による色度の低下という問題がなくなるとの効果は本願発明の奏する効果とはいえない。
　
（４）まとめ
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明１及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび 
　
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　
 　よって、結論のとおり審決する。