【事件の表示】
　平成　９年特許願第１０７３０６号「半導体加速度センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１１月１３日出願公開、特開平１０−３００７７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成９年４月２４日の出願であって、平成１８年２月２２日付（発送日：平成１８年２月２８日）で拒絶査定がされ、これに対し、平成１８年３月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年４月２４日付で明細書又は図面についての手続補正（以下、「本件補正」という）がなされたものである。 
　 
第２　本件補正についての補正却下の決定 
　［補正却下の決定の結論］ 
　　本件補正を却下する。 
　［理由］ 
１．本件補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を補正前の 
「【請求項１】　ビーム部（１２）により支持される重り部（１３）を有し、前記ビーム部（１３）にピエゾ抵抗（３）が形成された半導体センサチップ（１０）と、
　この半導体センサチップ（１０）を固定する台座（２０）とを備え、
　前記台座（２０）と前記重り部（１３）の間にエアギャップが設けられて前記重り部（１３）がエアダンピングを行うように構成されており、
　前記ピエゾ抵抗（３）の抵抗値に基づいて加速度を検知するようにした半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサチップ（１０）は、第１導電型の半導体基板（１）と、この半導体基板（１）上に形成された第２導電型の半導体層（２）により、フレーム部（１１）と、このフレーム部（１１）から前記ビーム部（１２）を介して支持される前記重り部（１３）とが構成されており、
　前記フレーム部（１１）の前記半導体層（２）に、前記重り部（１３）の電位を固定するための第１導電型の拡散層（４）が形成されて、前記重り部（１３）と前記台座（２０）の対向する部分が同電位にされていることを特徴とする半導体加速度センサ。」
　
から、補正後の 
　
「【請求項１】　ビーム部（１２）により支持される重り部（１３）を有し、前記ビーム部（１３）にピエゾ抵抗（３）が形成された半導体センサチップ（１０）と、
　この半導体センサチップ（１０）を固定する台座（２０）とを備え、
　前記台座（２０）と前記重り部（１３）の間にエアギャップが設けられて前記重り部（１３）がエアダンピングを行うように構成されており、
　前記ピエゾ抵抗（３）の抵抗値に基づいて加速度を検知するようにした半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサチップ（１０）は、第１導電型の半導体基板（１）と、この半導体基板（１）上に形成された第２導電型の半導体層（２）により、フレーム部（１１）と、このフレーム部（１１）から前記ビーム部（１２）を介して支持される前記重り部（１３）とが構成されており、
　前記フレーム部（１１）の前記半導体層（２）に、前記重り部（１３）の電位を固定するための第１導電型の拡散層（４）が
前記半導体層（２）を貫通して
、さらに前記半導体センサチップが導電性フィラーが混入された接着剤を介して前記台座上に固定されることで、
　
に補正する事項を含むものである。 
　 
２．本件補正についての判断 
　上記請求項１の本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１導電型の拡散層（４）が形成され」を「第１導電型の拡散層（４）が
前記半導体層（２）を貫通して
さらに前記半導体センサチップが導電性フィラーが混入された接着剤を介して前記台座上に固定されることで、
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
（１）引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２６３７１２号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項１〜５が図面とともに記載されている。 
　 
・記載事項１
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車等の車両の加速度や圧力をピエゾ抵抗の変化により検出する半導体センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】かかる半導体センサを加速度センサとして利用した従来の技術として、例えばIEEE TRANS. Vol. ED-26 DEC. 1979. A Batch-Fabricated Silicon Accelerometerに開示され、図５〜７に示すものがある。図５は要部断面図で、１は固定部２を有するＰ型シリコン基板であり、シリコン基板１は選択的なエッチングにより溝３の部分が取り除かれ、固定部２の所定位置には薄肉の片持梁４が固定され、その自由端部には略正方形の重り部５が設けられている。また、片持梁４の上面には複数のピエゾ抵抗６がブリッジ回路を構成するように形成されていて、重り部５に加わる加速度により片持梁４が撓んだ時、その応力によってピエゾ抵抗６の抵抗値が変化するようになっている。また、シリコン基板１の上，下側には絶縁材料からなる上，下ガラス７，８が固定され、この上，下ガラス７，８の内側の重り部５に対向する凹部が上下方向への変位を規制する上，下ストッパとなっており、過大な加速度に対する片持梁４の応力破壊を防止するものである。そして、前記ブリッジ回路にはリード線９が接続され、ピエゾ抵抗６の抵抗値の変化を外部へ出力するようになっている。
【０００３】図６は、図５の片持梁４付近のピエゾ抵抗６の配置例を示す平面図で、１０は端部にリード線９接続用の電極端子１０ａを有する配線電極、１１は配線電極１０とピエゾ抵抗６とを接続するリード、１２は配線電極１０とリード１１とを接続するためのコンタクトホールであり、ピエゾ抵抗６とリード１１とは直に接続されている。そして、配線電極１０及び電極端子１０ａを除いて他の上面には、外部からの影響を阻止するための後述する各種絶縁層（図示しない）が設けられている（このような配置例として、例えば特開平4- 13975号公報参照）。
【０００４】このような加速度センサの製造方法の一例を図７を用いて説明すると、Ｐ型（１００）シリコン基板１の表面にＮ型エピタキシャル層１ａを成長形成し、この層１ａの表面の一部から重り部５を囲むようにＰ型素子分離拡散領域１ｂをシリコン基板１へ達するように形成する（図７（ａ））。
【０００５】次に、エピタキシャル層１ａの所定個所に、リンの拡散等によりウエハコンタクト１ｃ、ボロンの拡散等によりリード１１、ボロンのイオン注入等によりピエゾ抵抗６を夫々＜１１０＞方向に設け、その上面にＳｉＯ２ からなる安定化膜（絶縁層）１３及びＳｉ３Ｎ４からなる保護膜（絶縁層）１４を形成する（図７（ｂ））。
【０００６】次に、ウエハコンタクト１ｃ及びリード１１の所定個所に対応する安定化膜１３及び保護膜１４にコンタクトホール１２を形成し、保護膜１４の上面にアルミの印刷等によりコンタクトホール１２に合わせて配線電極１０及び電極端子１０ａを形成する。また、シリコン基板１の下面には、Ｓｉ３Ｎ４からなる耐エッチング膜１５をパターン形成する（図７（ｃ））。
【０００７】そして、Ｎ型エピタキシャル層１ａを正電位にバイアスしながらシリコン基板１をＫＯＨ等のアルカリエッチング液により異方性エッチングする。これにより、Ｐ型シリコン基板１は、（１１１）面を残すようにエッチングが進行し、同時にＰ型素子分離拡散領域１ｂまでエッチングが行われ、片持梁４はＮ型エピタキシャル層１ａが残り、耐エッチング膜１５を除去すると、片持梁４や重り部５を有するウエハ構造が得られる（図７（ｄ））。
【０００８】このようなシリコンウエハは、パイレックスガラスからなる上，下ガラス７，８を陽極接合等により固定した後、個々のチップにダイシングされ、電極端子１０ａにリード線９をワイヤボンディング等により接続することにより、図４で示した加速度センサが完成する。」（第２頁第１欄第３５行乃至第３頁第３欄第５行）
　
・記載事項２ 
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
　前述した加速度センサをシリコン基板１と上，下ガラス７，８とを陽極接合により固定する際、シリコン基板１の重り部５が静電引力により上，下ガラス７，８の何れかの方向へ引き付けられて固着してしまう現象（マススタック現象）を生じるという問題があった。
【００１０】上記問題を解決する手段として、実開平4- 21872号に開示され、図８，９に示すものがある。即ち、前記従来技術と同一個所に同一符号を付して説明すると、シリコン基板１は選択的なエッチングにより溝３が取り除かれ、所定位置には薄肉の両持梁１６が形成され、シリコン基板１のほぼ中央には略正方形の重り部５が構成されている。そして、両持梁１６の上面にはピエゾ抵抗６がブリッジ回路を構成するように形成されており、重り部５に加わる加速度により両持梁１６が撓んだ時、その応力によってピエゾ抵抗６の抵抗値が変化するようになっている。また、シリコン基板１の上，下側にはシリコン基板１と対向する少なくとも一部、例えば重り部５と対向する部分を一次エッチングにより凹部を形成し、重り部５に対応する部分的個所を二次エッチングすることにより複数個の上，下ストッパ１７，１８を形成した絶縁材料からなる上，下ガラス７，８が陽極接合にて固定されている。従って、シリコン基板１の上，下側に固定される上，下ガラス７，８の内面で重り部５と対向する部分的個所に上下ストッパ１７，１８を形成することにより、重り部５と対向する表面積を小さくして静電引力の発生を減少させることで重り部５のマススタック現象を抑えていた。
【００１１】しかしながら、重り部５と対向する表面積を小さくしてマススタック現象を抑える手段は、重り部５と対向する表面積が小さくとも存在する以上、マススタック現象を全く生じないようにすることはできなかった。」（第３頁第３欄第６行乃至第３９行）
　
・記載事項３
「【００１６】
【作用】上，下ガラスの内面でシリコン基板側の重り部に対向した位置に導電部材からなる導電性膜を形成し、前記上，下ガラスに形成される前記導電性膜の少なくとも一部を外方に引出して前記シリコン基板の表裏面に接続し、前記シリコン基板と前記上下ガラスとの電位を略同電位とすることで、陽極接合の際に生じる静電引力によるマススタック現象の改善を図れる。
【００１７】また、下ガラスの導電性膜と当接するシリコン基板の下部に前記導電性膜とのショットキーバリア層の障壁の高さを低くする接合促進層を形成することにより、前記下ガラスの前記導電性膜は、前記接合促進層を介して前記シリコン基板に接触されるため、二つの異なる物質の電位が略同電位となり、電子の蓄積が一層減少して、静電引力の発生を抑えマススタック現象を一層確実に抑えられる。
【００１８】また、シリコン基板に形成する重り部に対向した上，下ガラスに導電部材からなる導電性膜を形成し、前記導電性膜上に上，下ストッパ層を所定位置に部分的に積層形成して上，下ストッパを形成することで、前記シリコン基板の前記重り部が静電引力により生じる上，下ガラスとのマススタック現象の改善を図れると共に、煩雑である上，下ガラスのエッチング処理工程の簡素化を可能とする。
【００１９】また、前記導電性膜を透光性を有する導電部材で形成することにより、完成検査時のパターンの断線チェック及び異物混入の発見等が容易，確実にできる。」（第３頁第４欄第２３行乃至第５０行）
　
・記載事項４
「【００２０】
【実施例】以下、図１から図４に記載の実施例に基づき本発明を説明するが、前記従来例における同一もしくは相当個所には同一符号を付してその詳細な説明を省く。
【００２１】本発明の第１実施例を図１に示す要部断面図及び図２に示す分解斜視図を用いて説明すると、上，下ストッパ１７，１８を形成する絶縁材料からなる上，下ガラス７，８は、シリコン基板１と対向する少なくとも一部、例えば重り部５と対向する部分（上，下ストッパ１７，１８を含む部分）に陽極接合の際の静電引力よるマススタック現象を抑えるため、アルミ等の導電部材で0.2 〜0.3 μｍの膜厚に導電性膜１９が蒸着あるいはスパッタリング法等によりが形成されている。そして、上，下ガラス７，８に形成される導電性膜１９の一部を外方に引出し、シリコン基板１と接合する接合端子１９ａとし、シリコン基板１と上，下ガラス７，８との陽極接合を行う。また、上ガラス７に形成した導電性膜１９の接合端子１９ａとシリコン基板１との接合は、図７に示すシリコン基板１のＳｉＯ２からなる安定化膜（絶縁層）１３及びＳｉ３Ｎ４からなる保護膜（絶縁層）１４をエッチングにより除去しエピタキシャル層１ａと接合する。
【００２２】導電性膜１９は、予め上，下ガラス７，８の内面全体に蒸着あるいはスパッタリング法等により形成し、導電性膜１９の必要な部分をマスキングしてエッチングすることにより所望個所に導電性膜１９が形成される。
【００２３】前述した第１実施例によると、陽極接合を行う際に発生するシリコン基板１と上，下ガラス７，８との間の電位差は、シリコン基板１と上，下ガラス７，８とを導電性膜１９を介して接触させることで略同電位となり、静電引力によるシリコン基板１の重り部５のマススタック現象を抑えることができる。」（第４頁第５欄第１行乃至第３３行）
　
 ・記載事項５
「【００２４】図３は、本発明の第２実施例の要部断面図であり、上、下ガラス７，８は、シリコン基板１と対向する少なくも一部、例えば重り部５と対向する部分に、陽極接合の際の静電引力によるマススタック現象を抑えるための導電性膜１９を形成しており、下ガラス８の導電性膜１９と当接するシリコン基板１の下部に導電性膜１９とのショットキーバリア層の障壁の高さを低くする接合促進層２０を形成している。即ち、第１実施例ではシリコン基板１に導電性膜１９を接触させていたのに対し、本実施例では、下ガラス８の導電性膜１９は、例えばリンの気相拡散やイオン注入等の適宜な手段により形成される高濃度ｎ層等からなる接合促進層２０を介してシリコン基板１に接触され、シリコン基板１と下ガラス８の二つの異なる物質の電位が導電性膜１９を介して略同電位となり、しかもシリコン基板１と導電性膜１９との接続が接合促進層２０により良好に行われ、前記従来例よりも電子の蓄積が一層減少して、静電引力の発生を抑え、マススタック現象を一層確実に抑えられる。
【００２５】また、シリコン基板１の上部、即ち、図７で示すＳｉＯ２ からなる安定化膜（絶縁層）１３及びＳｉ３Ｎ４からなる保護膜（絶縁層）１４をエッチングにより除去し、エピタキシャル層１ａ中に導電性膜１９とのショットキーバリア層の障壁の高さを低くする接合促進層２０をシリコン基板１の下部と同様に形成することで、下ガラス８の場合と同様にマススタック現象を改善することができる。」（第４頁第５欄第３４行乃至第６欄第９行）
　
・図面の記載事項
　従来例の第８図には、「下ガラス８」と「重り部５」の間にギャップが設けられていることが図示されており、上記記載事項４に「【００２０】【実施例】以下、図１から図４に記載の実施例に基づき本発明を説明するが、前記従来例における同一もしくは相当個所には同一符号を付してその詳細な説明を省く。」とあるように、本発明第２実施例の第３図は、従来例の第８図を踏まえたものであるから、本発明第２実施例の第３図においても、「下ガラス８」と「重り部５」の間にギャップが設けられていることが読み取れる。
　
　以上記載事項１〜５及び図面の記載事項によれば、引用文献１には次の発明が開示されていると認めることができる。 
　
「両持梁１６により支持される重り部５を有し、前記両持梁１６にピエゾ抵抗６が形成されたシリコンウエハと、このシリコンウエハを固定する下ガラス８とを備え、前記下ガラス８と前記重り部５の間にギャップが設けられており、前記ピエゾ抵抗６の抵抗値に基づいて加速度を検知するようにした半導体加速度センサにおいて、前記シリコンウエハは、Ｐ型シリコン基板１と、このＰ型シリコン基板１上に形成されたＮ型エピタキシャル層１ａにより、固定部２と、この固定部２から前記両持梁１６を介して支持される前記重り部５とが構成されており、前記固定部２の前記Ｎ型エピタキシャル層１ａに、導電性膜１９とのショットキーバリア層の障壁の高さを低くする、例えばリンの気相拡散やイオン注入等の適宜な手段により形成される高濃度ｎ層等からなる接合促進層２０が形成され、さらに前記シリコンウエハが陽極接合で台座上に固定されることで、前記重り部５と前記下ガラス８の対向する部分が導電性膜１９を介して同電位にされている半導体加速度センサ。」（以下、「引用発明１」という。）　 
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１２８３６５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。 
　 
・記載事項 
「【００２１】図１１は本発明の第７実施例図である。この実施例では、加速度センサ基板が、重錘部底面との間に空隙を形成して重錘部を変位可能にするための溝部を設けたガラス製台座に固定されており、上記溝部に重錘部底面と所定長隔てて形成された導電性物質層が、この導電性物質層の溝部領域内に溝部と反対側の台座底面に達するように穿設されたスルーホールの内壁に形成された導電性物質層により、台座底面部に電気的に接続されている。センサチップ２１は上記各実施例と全く同様で、ｐ型の半導体基板上に、薄い厚さを正確に制御されたｎ型のエピタキシャル層が形成されている。１は支持部、２は梁部、３は半導体加速度センサの重錘部、６は梁部の上面に形成されたピエゾ抵抗で、支持部、梁部、重錘部は、それぞれ例えばエレクトロケミカルエッチング（ＥＣＥ）法を用いた異方性エッチングで形成する。１４はセンサチップの外表面保護用のＳｉＯ２膜である。電極１３の下にはｎ型エピタキシャル層内に形成されたｐ型拡散層があり、上記センサ表面部に形成された電極１３を通して重錘部３を電気的に接地している。」（第８頁第１３欄第２３行乃至第４１行）
　
・図面の記載事項
　図１１には、ｐ型拡散層がｎ型エピタキシャル層内を貫通し、電極１３がアースされ重錘部３を電気的に接地していることが図示されている。
　
  以上記載事項及び図面（特に図１１）によれば、引用文献２には次の発明が開示されていると認めることができる。 
「ｎ型エピタキシャル層に、重錘部３の電位を０に固定するためのｐ型拡散層が前記ｎ型エピタキシャル層を貫通して形成された半導体加速度センサ」（以下、「引用発明２」という。）
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「両持梁１６」は本願補正発明の「ビーム部（１２）」に相当し、同様に、「重り部５」は「重り部（１３）」に、「ピエゾ抵抗６」は「ピエゾ抵抗（３）」に、「シリコンウエハ」は「半導体センサチップ（１０）」に、「Ｐ型シリコン基板１」は「第１導電型の半導体基板（１）」に、「Ｎ型エピタキシャル層１ａ」は「第２導電型の半導体層（２）」に、「固定部２」は「フレーム部（１１）」に、それぞれ相当する。 
　また、引用発明１の「下ガラス８」は、「上ガラス７」とともに「シリコンウエハ」を支持し固定する台座の機能を有しているから、本願補正発明の「台座（２０）」に相当するということができる。
　そして、引用発明１の「接合促進層２０」は、引用文献１の上記記載事項５に「シリコン基板１と下ガラス８の二つの異なる物質の電位が導電性膜１９を介して略同電位となり、しかもシリコン基板１と導電性膜１９との接続が接合促進層２０により良好に行われ」とあるように、「重り部５」を含む「シリコン基板１」の電位を下ガラス８と同じ電位に固定するものであるといえるから、引用発明１の「接合促進層２０」と本願補正発明の「第１導電型の拡散層」とは、「フレーム部（１１）の第２導電型の半導体層（２）に、重り部（１３）の電位を固定するために形成された層」であることにおいては共通する。
　
　以上により、本願補正発明と引用発明１は、 
「ビーム部（１２）により支持される重り部（１３）を有し、前記ビーム部（１３）にピエゾ抵抗（３）が形成された半導体センサチップ（１０）と、
　この半導体センサチップ（１０）を固定する台座（２０）とを備え、
　前記台座（２０）と前記重り部（１３）の間にギャップが設けられており、
　前記ピエゾ抵抗（３）の抵抗値に基づいて加速度を検知するようにした半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサチップ（１０）は、第１導電型の半導体基板（１）と、この半導体基板（１）上に形成された第２導電型の半導体層（２）により、フレーム部（１１）と、このフレーム部（１１）から前記ビーム部（１２）を介して支持される前記重り部（１３）とが構成されており、
　前記フレーム部（１１）の前記半導体層（２）に、前記重り部（１３）の電位を固定するための層が形成され、さらに、前記重り部（１３）と前記台座（２０）の対向する部分が同電位にされている半導体加速度センサ。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
＜相違点１＞ 
「台座（２０）と重り部（１３）の間に設けられたギャップが、本願補正発明では、「エアギャップ」であり、「重り部（１３）がエアダンピングを行うように構成されて」いるのに対し、引用発明１では、「エアギャップ」であるか否か特定されず、「重り部（１３）がエアダンピングを行うように構成されて」いるか否かも明らかでない点。
　
＜相違点２＞
「重り部（１３）と台座（２０）の対向する部分が同電位にされ」るために、フレーム部（１１）の第２導電型の半導体層（２）に、重り部（１３）の電位を固定するための層が、本願補正発明では、「第２導電型の半導体層（２）を貫通して形成され第１導電型の拡散層（４）」であるのに対して、引用発明１では、「導電性膜１９とのショットキーバリア層の障壁の高さを低くする、例えばリンの気相拡散やイオン注入等の適宜な手段により形成される高濃度ｎ層等からなる接合促進層２０」である点。
　
＜相違点３＞
「重り部（１３）と台座（２０）の対向する部分が同電位にされ」るために、半導体センサチップの前記台座上への固定が、本願補正発明では「導電性フィラーが混入された接着剤を介して」なされるのに対して、引用発明１では、該構成を具備せず、導電性膜１９を介して導通させて陽極接合している点。　
　
（３）判断 
　まず上記相違点１について検討する。
　半導体加速度センサの分野において、エアギャップにより重り部がエアダンピングを行うように構成することは、例えば、原査定で引用した特開平７−２８０８３２号公報にみられるように周知技術にすぎず、引用発明１のギャップをエアギャップとし、エアギャップにより重り部がエアダンピングを行うように構成することは当業者が容易になし得ることである。
　
  つぎに上記相違点２について検討する。
  本願補正発明と引用発明２を対比すると、引用発明２の「重錘部３」は本願補正発明の「重り部（１３）」に相当し、同様に、「ｐ型拡散層」は「第１導電型の拡散層（４）」に、「ｎ型エピタキシャル層１」は「第２導電型の半導体層（２）」に、それぞれ相当する。
　すなわち、引用発明２は、「第２導電型の半導体層（２）に、重り部（１３）の電位を固定するための第１導電型の拡散層（４）が前記半導体層（２）を貫通して形成され」という上記相違点に係る本願補正発明の構成を具備する。　
　してみると、引用発明１と引用発明２を組み合わせて、引用発明１における「フレーム部（１１）」（固定部２）の「第２導電型の半導体層（２）」（Ｎ型エピタキシャル層１ａ）に形成される高濃度ｎ層等からなる「接合促進層２０」に代えて、引用発明２の「第１導電型の拡散層（４）」（ｐ型拡散層）を採用することは、導通するという作用が共通するから当業者が容易になし得ることというべきである。
　
　最後に上記相違点３について検討する。
  半導体加速度センサの分野において、電気的導通を必要とする接合固定部に「導電性フィラーが混入された接着剤」を用いることは、例えば、特開平７−３０６２２２号公報（段落【００５３】の「導電性接着剤３０」を参照）にみられるように周知技術にすぎず、引用発明１の半導体センサチップ（シリコンウエハ）の台座上への固定に、「導電性フィラーが混入された接着剤」を用いることは、導通するという作用が共通するから当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明１、引用発明２及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　 
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法１５９条第１項において読み替えて準用する同法５３条第１項の規定によって却下されるべきものである。
　
　
第３　本願発明について 
１．本願発明の認定 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２に係る発明は、平成１７年１２月２日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 
「【請求項１】　ビーム部（１２）により支持される重り部（１３）を有し、前記ビーム部（１３）にピエゾ抵抗（３）が形成された半導体センサチップ（１０）と、
　この半導体センサチップ（１０）を固定する台座（２０）とを備え、
　前記台座（２０）と前記重り部（１３）の間にエアギャップが設けられて前記重り部（１３）がエアダンピングを行うように構成されており、
　前記ピエゾ抵抗（３）の抵抗値に基づいて加速度を検知するようにした半導体加速度センサにおいて、
　前記半導体センサチップ（１０）は、第１導電型の半導体基板（１）と、この半導体基板（１）上に形成された第２導電型の半導体層（２）により、フレーム部（１１）と、このフレーム部（１１）から前記ビーム部（１２）を介して支持される前記重り部（１３）とが構成されており、
　前記フレーム部（１１）の前記半導体層（２）に、前記重り部（１３）の電位を固定するための第１導電型の拡散層（４）が形成されて、前記重り部（１３）と前記台座（２０）の対向する部分が同電位にされていることを特徴とする半導体加速度センサ。」　 
　
２．本願発明の進歩性の判断 
　
（１）引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１、２の記載事項、及び引用発明１、引用発明２は、上記第２の２．（１）に記載したとおりである。　 
　
（２）対比・判断 
　本願発明は、上記第２の２．で検討した本願補正発明から「第１導電型の拡散層（４）が形成され」の限定事項である「前記半導体層（２）を貫通して」との構成を省き、「半導体センサチップ（１０）を固定する台座（２０）」に付加された限定事項である「さらに前記半導体センサチップが導電性フィラーが混入された接着剤を介して前記台座上に固定されることで、」との構成を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記第２の２．（３）に記載したとおり、引用発明１、引用発明２及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により、引用発明１、引用発明２及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　 
　
第４　むすび 
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。