【事件の表示】
　特願２００２−　４５９８６「窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２２日出願公開、特開２００２−３３５０４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明 
　
　本願は、平成１４年２月２２日（優先権主張平成１３年３月６日）に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１８年２月９日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２０に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項５，８に係る発明は次のものである。 
　
「【請求項５】
　（Ａ）基板上に形成された第１コンタクト層、
　（Ｂ）第１コンタクト層上に形成された第１電極、
　（Ｃ）第１コンタクト層上に形成された第１クラッド層、
　（Ｄ）第１クラッド層上に形成された活性層、
　（Ｅ）活性層上に形成された第２クラッド層、
　（Ｆ）第２クラッド層上に形成された第２コンタクト層、及び、
　（Ｇ）第２コンタクト層上に形成された第２電極、
から成り、
　第２クラッド層は、下層及び上層から構成され、
　第１コンタクト層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、及び、第２コンタクト層は、窒化物系化合物半導体層から成り、
　第１クラッド層、活性層、及び、第２クラッド層の下層は、メサ構造を有し、
　第２クラッド層の上層、及び、第２コンタクト層は、メサ構造の幅よりも狭い幅のリッジ構造を有し、
　第２コンタクト層と第２電極の界面において、第２電極は、第２コンタクト層と実質的に同じ幅を有し、
　メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上には、第２クラッド層の上層の両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆し、且つ、第２電極の頂面を露出させた状態の絶縁層が形成されており、
　更に、絶縁層の頂面から第２電極の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有し、メサ構造をエッチング法にて形成するためのエッチング用マスクとしての金属層が形成されており、
　メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上に形成された絶縁層の部分の厚さは、５×１０−８ｍ乃至３×１０−７ｍであることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。」（以下、「本願発明５」という。） 
　
「【請求項８】
　（Ａ）基板上に形成された第１コンタクト層、
　（Ｂ）第１コンタクト層上に形成された第１電極、
　（Ｃ）第１コンタクト層上に形成された第１クラッド層、
　（Ｄ）第１クラッド層上に形成された活性層、
　（Ｅ）活性層上に形成された第２クラッド層、
　（Ｆ）第２クラッド層上に形成された第２コンタクト層、及び、
　（Ｇ）第２コンタクト層上に形成された第２電極、
から成り、
　第２クラッド層は、下層及び上層から構成され、
　第１コンタクト層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、及び、第２コンタクト層は、窒化物系化合物半導体層から成り、
　第１クラッド層、活性層、及び、第２クラッド層の下層は、メサ構造を有し、
　第２クラッド層の上層、及び、第２コンタクト層は、メサ構造の幅よりも狭い幅のリッジ構造を有し、
　第２コンタクト層と第２電極の界面において、第２電極は、第２コンタクト層と実質的に同じ幅を有し、
　メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上には、第２クラッド層の上層の両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆し、且つ、第２電極の頂面を露出させた状態の絶縁層が形成されており、
　更に、絶縁層の頂面から第２電極の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有し、メサ構造をエッチング法にて形成するためのエッチング用マスクとしての金属層が形成されており、
　第２クラッド層の総厚をＴＴＯＴＡＬ、第２クラッド層の上層の厚さをＴＵＰＰＥＲとしたとき、０．４ＴＴＯＴＡＬ≦ＴＵＰＰＥＲ≦０．９ＴＴＯＴＡＬを満足することを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。」（以下、「本願発明８」という。）
 　 
２．刊行物の記載事項
　
２−１．原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２９９５２８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  活性層と、リッジ部を有し前記活性層の上部に設けられた半導体層とを有し、前記リッジ部に第一の電極層が形成され、前記第一の電極層および前記半導体層の上に、前記第一の電極層に達する接続孔の設けられた絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に、前記接続孔を通じて前記第一の電極層と接続する第二の電極層が形成されたことを特徴とする半導体レーザ。
・・・・
【請求項５】  前記第一の電極層の最下層は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔまたはこれらを含む合金からなることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の半導体レーザ。
・・・・
【請求項９】  基板上に、活性層と該活性層の上部に設けられた半導体層とを含む半導体多層膜を形成する工程と、前記半導体層の上に直接またはコンタクト層を介して第一の電極層を形成する工程と、第一の電極層上の所定箇所にマスクを形成した後、前記マスクの形成されていない領域に対し前記半導体層の一部を残すようにエッチング処理を行い、前記半導体層にリッジ部を形成する工程と、前記マスクを除去した後、第一の電極層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に、前記第一の電極層に達する接続孔を設ける工程と、前記絶縁膜上に、前記接続孔を埋め込むように第二の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
・・・・
【請求項１１】  前記絶縁膜に、第一の電極層に達する接続孔を設ける工程を、下記工程（ａ）〜（ｃ）により行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体レーザの製造方法。
（ａ）前記絶縁膜上の全面にマスク層を形成する工程
（ｂ）前記マスク層をエッチバックすることにより前記第一の電極層上に位置する前記絶縁膜を露出させる工程
（ｃ）前記絶縁膜の露出部分を除去し、前記第一の電極層に達する接続孔を設ける工程」
　
（２）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリッジ導波路型半導体レーザにおける電極の構造および形成方法に関し、詳しくは、クラッド層等にリッジ部（凸部）を形成することで電流狭窄と光の閉じ込めを図る半導体レーザの電極形成技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザにおける水平横モードの制御方法として、屈折率導波路構造を採用することが有効である。屈折率導波路構造は大別して、リブ導波路型、リッジ導波路型、および埋め込み導波路型に分けられる。このうちリッジ導波路型半導体レーザは、電流狭窄と光の閉じ込めを同時に実現できるため、安定な水平横モードが得られ、低い発振しきい値等、優れた素子特性を実現することができる。リッジ導波路構造は、製造プロセスにおいて活性層を空気中にさらさなくて済むため、空気との接触により発光効率が顕著に低下する材料を活性層に用いる場合、特に有効な手段となる。
【０００３】
　ところが、リッジ導波路構造を特定の半導体材料を用いた半導体レーザに適用しようとすると、素子特性上あるいは製造プロセス上の理由により、リッジ部に設ける電極の構造や形成方法に種々の制約が加わる場合がある。たとえば、窒化ガリウム系半導体レーザにリッジ導波路構造を適用した場合、ｐ電極の構造や形成方法に種々の制約が加わる。すなわち、ｐ電極を所望の位置に精度良く形成しつつ、電極コンタクトの良好なオーミック性を実現し、かつ電極と半導体層の密着性も良好にすることが必要となる。以下、窒化ガリウム系レーザにリッジ導波路構造を適用した従来技術について説明する。
【０００４】
　図１０は代表的な窒化ガリウム系半導体レーザの断面構造を示す図である（Proceedings of The Second International Conference on Nitride Semiconductors, S-3）。この窒化物系半導体レーザでは、ｎ型ＳｉＣ基板６０１上に、ｎ型Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層６０２、ｎ型ＧａＮ層６０３、ｎ型Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎクラッド層６０４、ｎ型ＧａＮ光閉込層６０５、多重量子井戸構造活性層６０６、ｐ型Ａｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎ層６０７、ｐ型ＧａＮ光閉込層６０８、ｐ型Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎクラッド層６０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層６１０が形成されている。ストライプ状の接続孔が設けられた酸化珪素膜６１１の上にｐ電極６１２が形成され、ｎ型ＳｉＣ基板６０１の裏面にｎ電極６１３が形成されている。ｐ電極６１２の第１層はＮｉ、第２層はＴｉ、第３層はＡｕである。ｎ電極６１３の第１層はＮｉ、第２層はＴｉ、第３層はＡｕである。
【０００５】
　この半導体レーザは、ｐ型Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎクラッド層６０９にリッジ部６２０が設けられているため、リッジ部６２０直下の領域では、他の領域に比べてクラッド層が厚くなっている。このためリッジ部直下の領域では他の領域に比べて実効屈折率実数部が大きくなり、水平方向の実効屈折率分布により光の閉じこめが実現される。また電流についても、リッジ部６２０を経由する経路にのみ電流が流れるため、水平方向への拡がりが抑えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来技術は、以下のような課題を有していた。
【０００７】
　第一の課題は、電極形成の際の位置合わせが困難なことである。リッジ導波路型を採用した場合、ｐ電極をリッジ部に精度良く形成する必要がある。・・・・
　
【０００９】
　第二の課題は、電極形成位置の位置ずれが生じた場合、電流狭窄が良好に行われなくなり、レーザ効率が低下することである。たとえば図１０の従来の半導体レーザでは、絶縁膜６１１の接続孔をｐ型ＧａＮコンタクト層６１０の上部にのみ設け、リッジ部６２０以外の領域でｐ電極６１２が直接ｐ型クラッド層６０９と接触することを防いでいる。これにより電流の流れる領域をリッジ部にのみ制限し、良好な電流狭窄を実現している。ところがシリコン酸化膜６１１の接続孔の位置ずれが生じると図１１のようになる。この場合、電流が図中矢印の経路を通ってｐ電極６１２からｐ型クラッド層６０９に流れ、水平方向に電流が拡がることとなる。ここで、ｐ電極６１２の最下層は、通常、窒化ガリウム半導体層との接触抵抗の低いＮｉ等の材料で構成されるため、上記経路を経由する電流は一定程度の大きさとなる。したがって電流狭窄が不良となり、しきい値電流が増大する等、素子特性が低下することとなる。
【００１０】
　第三の課題は、電極の剥離が生じやすいことである。特定の半導体材料を用いたレーザでは、半導体層と電極層との接触抵抗を低減するため、電極層の最下層の構成材料を適切に選択する必要がある。しかしながらこのような観点から選択された電極材料は、半導体層との密着性に劣る場合があり、電極の剥離が生じやすくなることがあった。・・・・
　
【００１２】
　上述した課題のうち、第一および第二の課題はリッジ導波路構造を採用した場合に特有の課題であり、非リッジ導波路構造の場合にはあまり問題とならない。たとえば図１２（ａ）、（ｂ）は非リッジ導波路構造の窒化ガリウム半導体レーザの代表例であるが、このような構造では電極形成の際の位置ずれはあまり問題とならず、また、絶縁膜３０２の接続孔の位置が多少ずれても問題とならない。但しこの構造を採用した場合、電流狭窄が充分に行われず、現在望まれているような高水準のレーザ特性を実現することは困難である。
【００１３】
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、リッジ導波路構造を採用して良好な電流狭窄および光閉じ込めを実現した場合において、電極を精度良く所定の位置に形成することができ、電極形成位置にずれが生じた場合であっても良好な電流狭窄が実現することができ、さらに半導体層や絶縁膜との密着性が良好な、半導体レーザを提供することを目的とする。」
　
（３）「【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決する本発明によれば、活性層と、リッジ部を有し前記活性層の上部に設けられた半導体層とを有し、前記リッジ部に第一の電極層が形成され、前記第一の電極層および前記半導体層の上に、前記第一の電極層に達する接続孔の設けられた絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に、前記接続孔を通じて前記第一の電極層と接続する第二の電極層が形成されたことを特徴とする半導体レーザが提供される。
【００１５】
　また本発明によれば、基板上に、活性層と該活性層の上部に設けられた半導体層とを含む半導体多層膜を形成する工程と、前記半導体層の上に直接またはコンタクト層を介して第一の電極層を形成する工程と、第一の電極層上の所定箇所にマスクを形成した後、前記マスクの形成されていない領域に対し前記半導体層の一部を残すようにエッチング処理を行い、前記半導体層にリッジ部を形成する工程と、前記マスクを除去した後、第一の電極層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に、前記第一の電極層に達する接続孔を設ける工程と、前記絶縁膜上に、前記接続孔を埋め込むように第二の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザが提供される。
・・・・
【００１７】
　本発明の半導体レーザは、活性層の上にリッジ部を有する半導体層が形成されたリッジ導波路構造を有しており、安定な水平横モードが得られ、良好な電流狭窄および光閉じ込めが実現される。しかも、電極構造を上記のような構造としているため、次のような種々の効果が得られる。
【００１８】
　第一に、電極を精度良く所定の位置に形成することのできる製造安定性に優れた半導体レーザが得られる。前述したように従来技術においては、電極抵抗低減の観点から絶縁膜中の接続孔の幅を一定程度大きくしなければならず、このため接続孔形成の際において、半導体層に形成されたパターンと露光用マスクとの目合わせが困難となっていた。これに対し本発明では、絶縁膜の接続孔の幅を狭くしてもコンタクト抵抗の上昇を招くことがなく、上記問題を解決することができる。この点について図１を参照して説明する。図１は本発明の半導体レーザの一例である窒化ガリウム系半導体レーザの概略構造を示す図である。図のように、第一の電極層１１３が、リッジ部に設けられたｐ型コンタクト層１０１の上に形成されている。そして酸化珪素膜１０２に設けられた接続孔１２１を介して第二の電極層１１４と第一の電極層１１３とが接続している。電極の抵抗は特にＧａＮ系半導体層と金属電極層とのコンタクト抵抗、すなわちこれらの層の接触面積の大小に支配されることとなるが、上記電極構造では第一の電極層１１３とｐ型コンタクト層１０１の接触面はリッジ幅全面にわたっており、充分に低いコンタクト抵抗を得ることができる。一方、接続孔１２１は金属層同士の接続箇所であるので、この部分の幅を狭くしても電極抵抗の上昇幅は小さい。したがって本発明に係る半導体レーザでは、電極抵抗の上昇を防止しつつ接続孔１２１の幅を狭くして目合わせを容易にすることができるのである。さらに本発明においては、電極部が特有の構造を有しているため、エッチバック法を用いることによって接続孔１２１をセルフアラインに形成することもできる。このような方法を採用した場合、より一層、電極を精度良く所定の位置に形成することが可能となる。この点については、実施例の項にて後述する（実施例２）。
【００１９】
　第二に、電極形成位置の位置ずれが生じた場合においても良好な電流狭窄を維持することのできる製造安定性に優れた半導体レーザが得られる。前述したように図１０に示す従来技術の半導体レーザでは、シリコン酸化膜６１１の接続孔の位置ずれが生じると図１１のようになり、電流狭窄が不良となってしきい値電流が増大する等、素子特性が低下するという問題があった。これに対し本発明では、接続孔の位置ずれが生じたとしても良好な電流狭窄が実現される。図９（ａ）に示す本発明の半導体レーザでは、実線矢印の経路を電流が流れる。この半導体レーザにおいて酸化珪素膜１０２に設けられる接続孔の位置がずれた場合、図９（ｂ）のような構造となる。ここで、この半導体レーザにおいては、第一の電極層１０２の最下層は窒化ガリウム半導体層との接触抵抗の低いＮｉ等の材料で構成する必要があるものの、第二の電極層１１４の最下層については、そのような制約は無い。したがって、第二の電極層１１４の最下層の材料として、接触抵抗の高いものを適宜に選択することにより、図９（ｂ）中の点線矢印の経路を経由する電流を低減できる。このような観点で選択し得る材料は数多くあり、上記Ｎｉ等の特定の材料以外の材料を用いれば、一定の電流低減効果が得られる。ただし後述する電極層の密着性改善を意図する場合は、かかる観点も考慮して材料を選択することが望ましい。
【００２０】
　以上のように本発明では第二の電極層の最下層の材料の制約が除かれるため、接続孔の位置ずれがあった場合にも良好な電流狭窄を維持することのできる半導体レーザを得ることができる。
【００２１】
　第三に、半導体層に対する電極層の密着性を向上させることができる。図１に示す本発明の半導体レーザでは、第一の電極層１１３とｐ型コンタクト層１０１との間については、従来技術と同様、かならずしも充分な密着性は得られない。第一の電極層１１３の最下層は、窒化ガリウム系半導体との接触抵抗の低い材料で構成する必要があるためである。ところが本発明における第二の電極層１１４の最下層については、そのような制約は無い。このため第二の電極層１１４の最下層の材料を適宜に選択することにより、第二の電極層１１４と、酸化珪素膜１０２との間の密着性を充分に高くすることができる。第一の電極層は、酸化珪素膜１０２および第二の電極層１１４によって覆われた構造となっており、このため第一の電極層１１３とｐ型コンタクト層１０１との密着性が良好でなくとも電極全体としては充分に高い密着性が実現されることとなる。また、酸化珪素膜１０２と第二の電極層１１４が接する面積は図のように充分に広くすることができ、狭いストライプ幅のリッジ構造を採用した場合においても充分な電極密着性が得られるのである。
【００２２】
　本発明においては、窒化ガリウム系半導体層と接し低いコンタクト抵抗を実現するための第一の電極層と、電極層を半導体レーザ本体に密着性良く配設するための第二の電極層とを備えている。このように、本発明では異なる機能を有する２つの電極層を設けることにより、低い電極抵抗と良好な電極密着性とを両立させることができる。
【００２３】
　以上述べた利点を有する半導体レーザは、上述した本発明の半導体レーザの製造方法によって好適に製造することができる。本発明の製造方法によれば、比較的簡便な工程で電極を精度良く所定の位置に形成することができる。また、この製造方法によって製造された半導体レーザは、電極形成位置にずれが生じた場合であっても良好な電流狭窄が実現することができ、さらに半導体層や絶縁膜との密着性が良好である。」
　
（４）「【００３９】
【実施例】（実施例１）
　本実施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザの構造を図１に示す。図中、電極部以外については主要な層のみを示している。この半導体レーザは、サファイア基板１５０上にｎ型クラッド層１５１、活性層１５２、ｐ型クラッド層１１２がこの順で積層された構造を有している。これらの層はいずれもＧａＮ系半導体材料により構成されている。ｐ型クラッド層１１２はリッジ部１２０を有しており、これにより水平方向の光閉じ込めおよび電流狭窄が図られる。リッジ部１２０の上には、ＧａＮ系半導体材料からなるｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３が積層されている。第一の電極層１１３は、第１層目がＮｉ、第２層目がＰｔからなる２層構造となっている。第一の電極層１１３およびｐ型クラッド層１１２の上には酸化珪素膜１０２および第二の電極層１１４が積層されている。第二の電極層１１４は、第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造である。酸化珪素膜１０２には第一の電極層１１３に達する接続孔が設けられており、この接続孔を介して第二の電極層１１４と第一の電極層１１３とが接続している。なお、ｎ型クラッド層１５１上にはｎ電極１６０が設けられている。
【００４０】
　この半導体レーザでは、酸化珪素膜１０２の表面が酸化珪素膜１０２との密着が良いＴｉ膜とのみ接しており、また、広い接触面積が確保されている。このため電極の密着性に優れた構造となっている。また、接続孔は酸化珪素膜１０２に形成されているため、エッチング等により容易に接続孔を設けることができる。このため所望の大きさの接続孔を制御性良く形成できる。
【００４１】
　一方、第二の電極層１１４の電極面積を広くとることが出来るため、ワイヤーをボンディングしたり電流プローブを接触させたりする際の位置合わせの困難さが低減される。また、リッジ上部以外の領域でワイヤーボンディング等を行うことができることとなり、活性層に損傷を与える危険性も低減される。
【００４２】
　また、第二の電極層１１４はｐ型コンタクト層１０１に接していない。これらが接触する場合、ｐ電極アロイの工程等において、第二の電極層１１４とｐ型コンタクト層のアロイが進行して素子のｐコンタクト抵抗が悪化することがあるが、本実施例の半導体レーザではこのような問題が解消されている。
【００４３】
　以下、図１の半導体レーザの製造方法について、図２〜３を参照して説明する。ここで図２〜３は活性層１５２を形成した後につづく工程を示すものであり、活性層１５２より上の部分についてのみ示している。
【００４４】
　まず図２（ａ）のように、窒化物系半導体からなる活性層１５２上に、ｐ型クラッド層１１２、ｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３をこの順で形成し、その上にレジスト１０３を塗布した。次に、露光および現像等によりレジスト１０３をストライプ状にパターニングした（図２（ｂ））。次に、ストライプ状のレジスト１０３をマスクとして、塩素ガスを用いた反応性イオンビームエッチング法により、ｐ型クラッド層１１２の一部を残すようにエッチングを行った（図２（ｃ））。
【００４５】
　有機洗浄によりレジスト１０３を除去した後、熱化学気相堆積法を用いて全面に酸化珪素膜１０２を形成し、さらにその表面にレジスト１０３を塗布した（図３（ａ））。次に、露光および現像等によりレジスト１０３に開口部を形成した（図３（ｂ））。つづいて開口部が形成されたレジスト１０３をマスクとして、バッファード弗酸を用いたウエットエッチングにより、酸化珪素膜１０２に開口部を形成した（図３（ｃ））。有機洗浄によりレジスト１０３を除去した後、蒸着により全面に第二の第一の電極層１１４を形成した。
【００４６】
　その後、公知の方法を用いてｎ電極１６０等を形成し、図１に示す半導体レーザを完成した。得られた半導体レーザは、電極が所定の位置に精度良く形成され、電極の密着性も良好であった。
【００４７】（実施例２）
　本実施例の半導体レーザの製造方法について図面を参照して説明する。まず図２（ａ）〜（ｃ）と同様の工程を行った後、マスク１０３を除去した。つづいて図４（ａ）のように、全面にレジスト１０３を塗布した。次に酸素ガスを用いた反応性イオンビームエッチング法により、第一のｐ電極１１３上の酸化珪素膜１０２が露出するまでレジスト１０３のエッチングを行った（図４（ｂ））。残ったレジスト１０３をマスクとして、バッファード弗酸を用いたウエットエッチングにより、酸化珪素膜１０２に開口部を形成した（図４（ｃ））。有機洗浄によりレジスト１０３を除去した後（図４（ｄ））、蒸着により全面に第二の電極層１１４を形成した。ここで第二の電極層１１４は、第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造とした。
【００４８】
　その後、公知の方法を用いてｎ電極等を形成し、半導体レーザを完成した。得られた半導体レーザは、電極位置が所定の位置に精度良く形成され、電極の密着性も良好であった。
【００４９】
　本実施例の製造方法においては、第一のｐ電極１１３上の酸化珪素膜１０２を露出させる際に、いわゆるエッチバック法を用いているため、半導体層に形成されたパターンと露光用マスクとの目合わせを行なう必要がなく、セルフアラインに接続孔を形成できる。このため一層、精度良く電極形成を行うことができた。・・・・」
　
（５）図１〜図４の記載から、次の（ａ）〜（ｆ）の事項が見てとれる。
　（ａ）ｐ型クラッド層１１２は、その下層は幅が広いのに対して、その上層は幅が狭くなっていて、このｐ型クラッド層の上層と、その上に積層されているｐ型コンタクト層１０１とは同じ幅になっていてリッジ構造を有していること
　（ｂ）ｎ型クラッド層１５１は、その下層の幅が広いのに対して、その上層は幅が狭くなっていて、その幅の広い下層の上にｎ電極１６０が形成されていること
　（ｃ）このｎ型クラッド層１５１の上層、活性層１５２、及び上記ｐ型クラッド層の下層は、メサ構造を有していること
　（ｄ）ｐ型コンタクト層１０１と第一の電極層１１３との界面において、第一の電極層１１３は、ｐ型コンタクト層１０１と実質的に同じ幅を有していること
　（ｅ）酸化珪素膜１０２は、上記メサ構造の頂面に相当するｐ型クラッド層の下層の部分の上において、上記ｐ型クラッド層の上層の両側面を被覆し、且つ、第一の電極層１１３の頂面を露出させた状態に形成されていること
　（ｆ）第二の電極層１１４は、酸化珪素膜１０２の頂面から第一の電極層１１３の頂面に亙り、上記メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有していること
　
（６）上記（１）〜（５）からみて、引用例１には、
「サファイア基板１５０上に、ｎ型クラッド層１５１、活性層１５２、ｐ型クラッド層１１２がこの順に積層された構造を有し、
　これらの層はいずれもＧａＮ系半導体材料により構成されており、
　ｐ型クラッド層１１２の下層は幅が広いのに対して、その上層は幅が狭いリッジ部１２０となっており、
　このｐ型クラッド層１１２の上層と、その上に積層されているＧａＮ系半導体材料からなるｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３とは、同じ幅になっていて、リッジ構造を有しており、
　前記ｎ型クラッド層１５１は、基板上の幅が広い下層と、下層の上に形成されている幅が狭い上層はからなっていて、その幅の広い下層の上にｎ電極１６０が形成されており、
　前記ｎ型クラッド層１５１の上層、活性層１５２、及び前記ｐ型クラッド層１１２の下層は、メサ構造を有しており、
　前記メサ構造の頂面に相当するｐ型クラッド層１１２の下層の部分の上には、前記ｐ型クラッド層１１２の上層の両側面を被覆し、且つ、第一の電極層１１３の頂面を露出させた状態の酸化珪素膜１０２が形成されており、
　更に、前記酸化珪素膜１０２の頂面から前記第一の電極層１１３の頂面に亙り、前記メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有し、第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造の第二の電極層１１４が形成されている窒化ガリウム系半導体レーザ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
２−２．原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２２３７８９号公報（以下、「引用例２」という。）には、窒化ガリウム系半導体レーザ素子に関して、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（１）「【００６８】
　続いて、リッジ構造部Ｒの側面およびｐ型クラッド層１９の上に、電流阻止層として、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２絶縁膜２１を形成する。さらに、このＳｉＯ２絶縁膜２１およびｐ型コンタクト層２０の表面に、ニッケルと金とからなるｐ側電極６を形成する。そして、エッチングにより露出したｎ型コンタクト層１３の表面に、チタンとアルミニウムとからなるｎ側電極７を形成して、半導体レーザ素子１０１のウェハーが完成される。」
　
（２）図１の記載からみて、絶縁膜２１が、上部のクラッド層１９の上層であるリッジ構造部の側面に、かつ、上部のクラッド層１９の下層の部分の上に形成されていることが見てとれる。
　
（３）上記（１）及び（２）から、引用例２には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、上部クラッド層のリッジ構造部の側面、および、メサ構造の頂面に相当する上部クラッド層の下層の部分の上に、厚さ２００ｎｍの絶縁層を形成して電流阻止層とすること」
　
２−３．原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２７９４０号公報（以下、「引用例３」という。）には、ＧａＮ系半導体レーザ装置に関して、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（１）「【００２０】
　基板３０２としては第１の実施の形態と同様に（０００１）面から［１１−２０］方向に３．５度傾斜したｐ型ＳｉＣ基板を用い、ｐ型バッファー層３０３から活性層３０５までは第１の実施の形態と同様である。活性層上のｎ型クラッド層３０６の厚さは１μｍであるが、幅５μｍのリッジ３１０の部分以外は厚さ０．２μｍになっており、リッジの両側には絶縁性ＺｎＯ半導体層３０７があり、電流がリッジの部分にのみ流れるようにしている。リッジ３１０及び絶縁性半導体層３０７の上にはｎ型ＧａＮコンタクト層３０８があり、電極３０１、３０９がある。
【００２１】
　絶縁層３０７にはＡｌＮを用いることも出来る。ＺｎＯ、ＡｌＮ共に屈折率がｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層よりも小さいので、活性層のリッジ方向の屈折率がリッジ直下で高くなり、屈折率差により光をリッジの部分に閉じ込めることが出来る。」
　
（２）図３の記載から、上部のクラッド層３０６は両側に薄い下層のみの部分と上層を備えた厚いリッジ３１０の部分とからなり、絶縁性ＺｎＯ層３０７が上部のクラッド層のリッジ３１０の両側かつ上部のクラッド層３０６の下層の部分の上に形成されていることが見てとれる。
　
（３）上記（１）及び（２）から、引用例３には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「ＧａＮ系半導体レーザ装置において、上部クラッド層の厚さ１μｍのリッジ構造部の側面、および、上部クラッド層の厚さ０．２μｍの下層の部分の上に、厚さ約０．８μｍの絶縁層を形成し、活性層のリッジ方向の屈折率がリッジ直下で高くなり、屈折率差により光をリッジの部分に閉じ込めること」
　
３．本願発明５と引用発明との対比・判断
　
（１）対比
　本願発明５と引用発明との対比する。
　
ア．引用発明の「サファイア基板１５０」、「ｎ型クラッド層１５１の上層」、「活性層１５２」、「ｐ型クラッド層１１２」、「ＧａＮ系半導体材料」、「ｐ型コンタクト層１０１」、「リッジ構造」、「ｎ電極１６０」、「第一の電極１１３」、「メサ構造」、「酸化珪素膜１０２」、「第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造の第二の電極層１１４」及び「窒化ガリウム系半導体レーザ」は、それぞれ、本願発明５の「基板」、「第１クラッド層」、「活性層」、「第２クラッド層」、「窒化物系化合物半導体」、「第２コンタクト層」、「リッジ構造」、「第１電極」、「第２電極」、「メサ構造」、「絶縁層」、「金属層」及び「窒化物系半導体レーザ素子」に相当する。
　
イ．引用発明の「ｎ型クラッド層の下層」と、本願発明５の「第１コンタクト層」とは、どちらも、基板上に形成された層（以下、「第一の層」という。）であって、その上に「第１クラッド層（ｎ型クラッド層の上層）」及び「第１電極（ｎ電極１６０）」が形成されている点で共通している。
　
ウ．引用発明は、「サファイア基板１５０上に、ｎ型クラッド層１５１、活性層１５２、ｐ型クラッド層１１２がこの順に積層された構造を有し、これらの層はいずれもＧａＮ系半導体材料により構成されており、ｐ型クラッド層１１２の下層は幅が広いのに対して、その上層は幅が狭いリッジ部１２０となっており、このｐ型クラッド層１１２の上層と、その上に積層されているＧａＮ系半導体材料からなるｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３とは、同じ幅になって」いるから、引用発明は、本願発明５の「第１電極、第１クラッド層、第１クラッド層上に形成された活性層、活性層上に形成された第２クラッド層、第２クラッド層上に形成された第２コンタクト層、及び、第２コンタクト層上に形成された第２電極」を備える点、「第２クラッド層は、下層及び上層から構成され」る点、および「第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、及び、第２コンタクト層は、窒化物系化合物半導体層から成」る点を備えている。
　
エ．引用発明は、「ｎ型クラッド層１５１の上層、活性層１５２、及びｐ型クラッド層１１２の下層は、メサ構造を有しており」、かつ、「ｐ型クラッド層１１２の上層と、その上に積層されているＧａＮ系半導体材料からなるｐ型コンタクト層１０１・・・とは、同じ幅になっていて、リッジ構造を有しており」、さらに、「ｐ型クラッド層１１２の下層の幅は広いのに対して、その上層は幅が狭い」から、引用発明は、本願発明５の「第１クラッド層、活性層、及び、第２クラッド層の下層は、メサ構造を有し、第２クラッド層の上層、及び、第２コンタクト層は、メサ構造の幅よりも狭い幅のリッジ構造を有し、」の点を備えている。
　
オ．引用発明は「ｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３・・・は、同じ幅になってい」るから、引用発明は、本願発明５の「第２コンタクト層と第２電極の界面において、第２電極は、第２コンタクト層と実質的に同じ幅を有し」の点を備えていることが明らかである。
　
カ．引用発明の「前記メサ構造の頂面に相当するｐ型クラッド層１１２の下層の部分の上には、前記ｐ型クラッド層１１２の上層の両側面を被覆し、且つ、第一の電極層１１３の頂面を露出させた状態の酸化珪素膜１０２が形成されており、」は、本願発明５の「メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上には、第２クラッド層の上層の両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆し、且つ、第２電極の頂面を露出させた状態の絶縁層が形成されており、」に相当する。
　
キ．引用発明の「前記酸化珪素膜１０２の頂面から前記第一の電極層１１３の頂面に亙り、前記メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有し、第１層目がＴｉ、第２層目がＰｔ、第３層目がＡｕからなる３層構造の第二の電極層１１４が形成されている」は、本願発明５の「絶縁層の頂面から第２電極の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有し（た）金属層が形成されており、」に相当する。
　
ク．よって、本願発明５と引用発明とは、
「　基板上に形成された第一の層、
　　第一の層上に形成された第１電極、
　　第一の層上に形成された第１クラッド層、
　　第１クラッド層上に形成された活性層、
　　活性層上に形成された第２クラッド層、
　　第２クラッド層上に形成された第２コンタクト層、及び、
　　第２コンタクト層上に形成された第２電極、
から成り、
　第２クラッド層は、下層及び上層から構成され、
　第一の層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、及び、第２コンタクト層は、窒化物系化合物半導体層から成り、
　第１クラッド層、活性層、及び、第２クラッド層の下層は、メサ構造を有し、
　第２クラッド層の上層、及び、第２コンタクト層は、メサ構造の幅よりも狭い幅のリッジ構造を有し、
　第２コンタクト層と第２電極の界面において、第２電極は、第２コンタクト層と実質的に同じ幅を有し、
　メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上には、第２クラッド層の上層の両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆し、且つ、第２電極の頂面を露出させた状態の絶縁層が形成されており、
　更に、絶縁層の頂面から第２電極の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有した金属層が形成されている窒化物系半導体レーザ素子。」の点で一致し、次の点で相違する。 
　
（相違点１）前記「第一の層」が、本願発明５においては「第１コンタクト層」であるのに対して、引用発明においては「ｎ型クラッド層の下層」であってクラッド層とは別にコンタクト層を設けていない点。
（相違点２）前記「金属層」が、本願発明５においては、「メサ構造をエッチング法にて形成するためのエッチング用マスクとしての」ものであるのに対して、引用発明においては、「エッチング用マスクとしての」ものであるのか明らかでないばかりか、メサ構造をエッチング法にて形成するのか否かも明らかでない点。
（相違点３）本願発明５においては、「メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上に形成された絶縁層の部分の厚さは、５×１０−８ｍ乃至３×１０−７ｍである」のに対して、引用発明においては、その厚さが明らかでない点。
　
（２）判断
　
　ア．上記（相違点１）について検討する。
　（ア）第一の層（基板上に形成された層）としてｎ型コンタクト層を設け、その上にｎ型クラッド層及びｎ側電極を形成することは、本願優先日前に周知である（例．特開平１０−２４２５８７号公報（段落００２３〜００２５、００３９及び図１に記載の「ｎ型コンタクト層１２、ｎ型電極２３」参照。）、特開２００１−５７４６１号公報（段落００４９〜００５１、００６６及び図１に記載の「ｎ側コンタクト層４、ｎ電極２１」参照。）、特開２０００−１９６２０１号公報（段落００１２〜００１４、００２５及び図１に記載の「ｎ側コンタクト層３、ｎ電極２２」参照。）、特開２０００−３０７１８４号公報（段落００１８、００２８、図８及び図１６に記載の「ｎ側コンタクト層１３、ｎ側電極２２」参照。））。
　（イ）引用発明は、基板上のｎ型クラッド層の幅が広い下層の上にｎ電極を形成しているが、上記（ア）の周知技術を採用し、基板上にｎ型コンタクト層（第１コンタクト層）を形成し、その上にｎ型クラッド層（第１クラッド層）及びｎ側電極（第１電極）を形成するようにすることは、単なる周知技術の付加にすぎない。
　
　イ．上記（相違点２）について検討する。
　（ア）半導体レーザの製造の技術分野において、「金属層をエッチング用マスクとして、エッチング法にてメサ構造を形成する」ことは、本願優先日前に周知である（例．特開平６−１７７４８６号公報（段落００１７及び図３Ｃ参照。）、特開昭６３−２０７１８７号公報（３頁右上欄最下行〜同頁左下欄３行及び第２図（その１）参照。）、特開平７−２０２３５２号公報（段落００２４〜００２６及び図１参照。）、特開昭６２−５８６９２号公報（２頁右下欄１〜８行、第１図及び第２図参照。））。
　（イ）引用発明において「金属層（第二の電極層１１４）」は、メサ構造の最上部に相当する「絶縁層（酸化珪素膜１０２）」及びリッジ構造の最上部に相当する「第２電極（第一の電極１１３）」の頂面に亙り形成され、結局、メサ構造の最も上部に配置されていることが明らかであるから、引用発明に上記（ア）の周知技術を採用し、引用発明の「金属層」をエッチング用マスクとして、エッチング法にて「金属層」の下にメサ構造を形成することは、当業者が容易に想到できたことである。よって、上記（相違点２）は、引用発明及び上記（ア）の周知技術に基づいて、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ．上記（相違点３）について検討する。
　（ア）「メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上に形成された絶縁層の部分の厚さ」が、「５×１０−８ｍ乃至３×１０−７ｍ」の範囲内のものは引用例２にみられるように本願優先日前に公知である（上記２−１．参照。）。
　（イ）引用発明の「メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上に形成された絶縁層の部分の厚さ」は明らかではないが、その厚さを決めて引用発明を実施する際に、引用例２に記載の事項を参考にして２００ｎｍ程度の厚さにすること、即ち上記（相違点３）は、当業者が容易になし得た設計上の事項である。
　
　エ．本願発明５の効果は、引用発明の効果、引用例２に記載の事項の効果及び上記周知技術の効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
　オ．以上のことから、本願発明５は、引用発明、引用例２に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本願発明８と引用発明との対比・判断
　
（１）対比
　
ア．本願発明８は、本願発明５の発明特定事項のうち、上記３．（１）ク．で述べた（相違点３）の事項である「メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上に形成された絶縁層の部分の厚さは、５×１０−８ｍ乃至３×１０−７ｍである」を、「第２クラッド層の総厚をＴＴＯＴＡＬ、第２クラッド層の上層の厚さをＴＵＰＰＥＲとしたとき、０．４ＴＴＯＴＡＬ≦ＴＵＰＰＥＲ≦０．９ＴＴＯＴＡＬを満足する」という事項に置換したものに相当する構成を発明特定事項としたものである。
　
イ．そして、上記置換に関する本願発明８の発明特定事項の「第２クラッド層の総厚をＴＴＯＴＡＬ、第２クラッド層の上層の厚さをＴＵＰＰＥＲとしたとき、０．４ＴＴＯＴＡＬ≦ＴＵＰＰＥＲ≦０．９ＴＴＯＴＡＬを満足する」点は、引用例１には記載されていない。
　
ウ．上記ア．及びイ．から、本願発明８と引用発明とは、
「　基板上に形成された第一の層、
　　第一の層上に形成された第１電極、
　　第一の層上に形成された第１クラッド層、
　　第１クラッド層上に形成された活性層、
　　活性層上に形成された第２クラッド層、
　　第２クラッド層上に形成された第２コンタクト層、及び、
　　第２コンタクト層上に形成された第２電極、
から成り、
　第２クラッド層は、下層及び上層から構成され、
　第一の層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、及び、第２コンタクト層は、窒化物系化合物半導体層から成り、
　第１クラッド層、活性層、及び、第２クラッド層の下層は、メサ構造を有し、
　第２クラッド層の上層、及び、第２コンタクト層は、メサ構造の幅よりも狭い幅のリッジ構造を有し、
　第２コンタクト層と第２電極の界面において、第２電極は、第２コンタクト層と実質的に同じ幅を有し、
　メサ構造の頂面に相当する第２クラッド層の下層の部分の上には、第２クラッド層の上層の両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆し、且つ、第２電極の頂面を露出させた状態の絶縁層が形成されており、
　更に、絶縁層の頂面から第２電極の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有した金属層が形成されている窒化物系半導体レーザ素子。」の点で一致し、次の点で相違する。 
　
（相違点１）前記「第一の層」が、本願発明８においては「第１コンタクト層」であるのに対して、引用発明においては「ｎ型クラッド層の下層」であってクラッド層とは別にコンタクト層を設けていない点。
（相違点２）前記「金属層」が、本願発明８においては、「メサ構造をエッチング法にて形成するためのエッチング用マスクとしての」ものであるのに対して、引用発明においては、「エッチング用マスクとしての」ものであるのか明らかでないばかりか、メサ構造をエッチング法にて形成するのか否かも明らかでない点。
（相違点４）本願発明８においては、「第２クラッド層の総厚をＴＴＯＴＡＬ、第２クラッド層の上層の厚さをＴＵＰＰＥＲとしたとき、０．４ＴＴＯＴＡＬ≦ＴＵＰＰＥＲ≦０．９ＴＴＯＴＡＬを満足する」のに対して、引用発明おいては、そのような関係を満足するか否か明らかでない点。
　
（２）判断
　
　ア．上記（相違点１）は、上記３．（２）ア．で検討したとおり、単なる周知技術の付加にすぎない。
　また、上記（相違点２）は、上記３．（２）イ．で検討したとおり、当業者が容易になし得たことである。
　
　イ．上記（相違点４）について検討する。
　（ア）引用例３には「ＧａＮ系半導体レーザ装置において、上部クラッド層の厚さ１μｍのリッジ構造部の側面、および、上部クラッド層の厚さ０．２μｍの下層の部分の上に、厚さ０．８μｍの絶縁層を形成し、活性層のリッジ方向の屈折率がリッジ直下で高くなり、屈折率差により光をリッジの部分に閉じ込めること」が記載されている。
　（イ）引用例３に記載の上記（ア）の事項のうち、「上部クラッド層のリッジ構造部の厚さ１μｍ」及び「そのリッジ構造部の厚さ１μｍから上部クラッド層の下層部分の厚さ０．２μｍを減算した値」が、それぞれ、本願発明８の「第２クラッド層の総厚ＴＴＯＴＡＬ」及び「第２クラッド層の上層の厚さＴＵＰＰＥＲ」に相当することは明らかである。そうすると、引用例３に記載の事項において、「ＴＴＯＴＡＬ」は１μｍであり、「ＴＵＰＰＥＲ」は０．８μｍであるから、「ＴＵＰＰＥＲ＝０．８ＴＴＯＴＡＬ」である。つまり、０．４ＴＴＯＴＡＬ≦ＴＵＰＰＥＲ≦０．９ＴＴＯＴＡＬを満足する。
　（ウ）よって、上記（相違点４）は引用例３に記載されている事項であるから、引用発明の「第２クラッド層の総厚ＴＴＯＴＡＬ、第２クラッド層の上層の厚さＴＵＰＰＥＲ」は明らかではないが、それらの厚さを決めて引用発明を実施する際に、引用例３に記載の事項を参考にして「ＴＴＯＴＡＬ」を１μｍ程度、「ＴＵＰＰＥＲ」を０．８μｍ程度として、０．４ＴＴＯＴＡＬ≦ＴＵＰＰＥＲ≦０．９ＴＴＯＴＡＬを満足するものとなすこと、即ち上記（相違点４）は、当業者が容易になし得た設計上の事項である。
　
　ウ．本願発明８の効果は、引用発明の効果、引用例３に記載の事項の効果及び上記周知技術の効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
　エ．以上のことから、本願発明８は、引用発明、引用例３に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび 
　
　したがって、本願発明５、８は、いずれも、引用例１に記載された発明、引用例２、３に記載された事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　
 　よって、結論のとおり審決する。