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　特願２００１−　９００２８「ＬＥＤアレイおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　４日出願公開、特開２００２−２８９９２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年３月２７日の出願であって、平成１７年９月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１１月２４日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年１１月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１７年１１月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
[理由]
（１）補正の内容 
 　本件補正は、補正前の請求項１を削除し、補正前の請求項２を以下のように補正することを含むものである。
「【請求項１】シリコン単結晶基板上にヘテロ成長にて、ガリウム砒素のバッファ層とガリウム砒素の第１のオーミックコンタクト層とアルミニウムガリウム砒素の電子注入層とで構成される大面積の一導電型半導体層と、アルミニウムガリウム砒素の発光層とアルミニウムガリウム砒素のクラッド層とガリウム砒素の第２のオーミックコンタクト層とで構成される小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、前記一導電型半導体層の、前記バッファ層及び前記第１のオーミックコンタクト層を引き延ばした延在部を配し、前記延在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を設け、さらに前記逆導電型半導体層上に一方電極を、前記延在部上に他方電極を形成して、第２の延在部上を通して前記一方電極を引出して成る発光素子を複数個配列して発光素子群と成したＬＥＤアレイであって、前記延在部及び前記第２の延在部の表面粗さをＲａ１００Å以下にしたことを特徴とするＬＥＤアレイ。」
　
　上記補正は、補正前の請求項２に記載された発明特定事項である「単結晶基板」、「大面積の一導電型半導体」、「小面積の逆導電型半導体層」及び「延在部」のそれぞれに、
（ア）「シリコン」である点、
（イ）「ガリウム砒素のバッファ層とガリウム砒素の第１のオーミックコンタクト層とアルミニウムガリウム砒素の電子注入層とで構成される」点、
（ウ）「アルミニウムガリウム砒素の発光層とアルミニウムガリウム砒素のクラッド層とガリウム砒素の第２のオーミックコンタクト層とで構成される」点、及び
（エ）「一導電型半導体層の、前記バッファ層及び前記第１のオーミックコンタクト層を引き延ばした」ものである点、
を付加し、新たに請求項１とするものであって、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　そこで、上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすか）について検討する。
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成１２年９月１４日に頒布された刊行物である特開２０００−２５２５１８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層形成して複数の島状にパターニングした後、電極を接続して形成する半導体発光装置の製造方法において、前記一導電型半導体層と逆導電型半導体層を島状にパターニングした後、この島状部のうちの順メサ構造となる両端部側が露出するようにレジストを被着して前記逆導電型半導体層の一部をエッチングすることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置の製造方法に関し、特に基板上に半導体層を形成して所定形状にパターニングする工程を有する発光ダイオードアレイなどの半導体発光装置の製造方法に関する。」
　
ｂ．「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体発光装置の製造方法によって形成される半導体発光装置を示す断面図、図２は平面図である。
【００１０】図１および図２において、１は基板、２は一導電型半導体層、３は逆導電型半導体層、４は個別電極、５（５ａ、５ｂ）は共通電極、６は絶縁膜である。
【００１１】基板１はシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板やサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板から成る。単結晶半導体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板などが好適に用いられる。サファイアの場合、Ｃ面基板が好適に用いられる。
【００１２】まず、単結晶基板１上に、一導電型半導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順次積層して形成する。
【００１３】これらの半導体層２、３を形成する場合、まず基板温度を４００〜５００℃に設定して２００〜２０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚みの半導体層２、３を形成する。
【００１４】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ）などが用いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用いられる。
【００１５】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃで構成される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ層２ａとオーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素などで形成され、電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウム砒素などで形成される。オーミックコンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、電子の注入層２ｃはシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。また、このとき電子注入層２ｃのＡｌの組成はｘ＝０．２４〜０．５程度形成する。バッファ層２ａは基板１と半導体層との格子定数の不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設けるものであり、半導体不純物を含有させる必要はない。
【００１６】逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚みに形成される。第２のオーミックコンタクト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
【００１７】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは、電子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、第２のオーミックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を１×１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。
【００１８】基板１上の全面もしくは一部に、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３を積層して形成した後に、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３を島状にエッチングする。このエッチングは、ＣＣｌ2 Ｆ2 ガスなどを用いたドライエッチングなどの、サイドエッチングが少ない異方性エッチングで行われる。
【００１９】次に、図３に示すように発光領域部分およびその側壁をレジスト７にて被着した後、露出している電極取出し部をエッチングして一導電型半導体層２が露出するようにする。このエッチングは、電極取出し部の断面形状が順テーパー化する硫酸過酸化水素系のエッチング液などを用いたウエットエッチングやドライエッチングなどのエッチングが用いられる。このエッチングの時、発光領域の側壁部分もレジストを被着しているためサイドエッチングはなく、このためサイドエッチングによる発光領域の寸法減少はなく、島状にパターニングするときの寸法が保持できる。
【００２０】次に、プラズマＣＶＤ法で、シランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用いて窒化シリコンから成る絶縁膜６を厚み３０００〜５０００Å程度に形成し、パターニングする。次に、クロムや金を蒸着法やスパッタリング法で成膜、パターニングし個別電極４と共通電極５を形成することにより完成する。」
　
ｃ．図１から、次の点が見て取れる。
（ｃ−１）バッファ層２ａ及びオーミックコンタクト層２ｂが、引き延ばされた第１の部分、及び当該引き延ばされた方向と反対側に引き延ばされた第２の部分とを有し、逆導電型半導体層３上に個別電極４が、前記第１の部分の上に共通電極５が形成され、前記第２の部分を通して前記個別電極４が引き出されている点。
　
（ｃ−２）大面積の一導電型半導体層２の上に、小面積の逆導電型半導体層３が形成されている点。
　
ｄ．図２から、発光ダイオードアレイにおいて、共通電極（５ａ、５ｂ）が、隣接する島状にパターニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３ごとに異なる群に属するように二群に分けて接続して設けられ、当該島状にパターンニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３が複数個配列されている点が見て取れる。
　
　よって、上記ａ．〜ｄ．によれば、引用例１には、
「共通電極５ａ、５ｂが、隣接する島状にパターニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３ごとに異なる群に属するように二群に分けて接続して設けられ、当該島状にパターンニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３が複数個配列されてなる発光ダイオードアレイにおいて、
　
　前記発光ダイオードアレイは、
　シリコン単結晶半導体基板上に、大面積の一導電型半導体層２、小面積の逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法で順次積層して形成し、
　
　前記一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ及び電子の注入層２ｃで構成されるとともに、前記バッファ層２ａと前記オーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素で形成され、前記電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウム砒素で形成されるとともに、
　前記逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２のクラッド層３ｂ及び第２のオーミックコンタクト層３ｃで構成されるとともに、前記発光層３ａと前記第２のクラッド層３ｂは、アルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶比を異ならしめたものであり、前記第２のオーミックコンタクト層３ｃはガリウム砒素で形成したものであり、
　
　前記バッファ層２ａ及び前記オーミックコンタクト層２ｂが、引き延ばされた第１の部分、及び当該引き延ばされた方向と反対側に引き延ばされた第２の部分とを有し、
　前記第１の部分及び第２の部分は、エッチングして一導電型半導体層２が露出するようにして形成されたものであり、
　
　前記逆導電型半導体層３上に個別電極４が、前記第１の部分の上に共通電極５が形成され、前記第２の部分を通して前記個別電極４が引き出されてなる発光ダイオードアレイ。」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の昭和５０年３月２０日に頒布された刊行物である特開昭５０−２７４７７号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ｅ．「本発明は，ＧａＡｓ，Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓなどの半導体をエッチングするさい，エッチング面が平坦かつ鏡面であることを保持し，再現性の良いエッチング量が得られるエッチング法に関するものである。
　良好な特性を持つ半導体素子を歩留まり良く作製することは，言うまでもなく半導体工業において最も重要なことである。半導体結晶のエッチング工程，たとえばメサエッチングやホールエッチング工程では，そのエッチング深さやエッチング面の平坦性などをいかに精度良く，また，再現性良く制御するかという事に等しい。
・・・中略・・・
第１図（ｂ）に示すようなメサエッチングが行われる。この場合，メサエッチング底面６の平坦性が悪いと（ｃ）に示すように第２層目２の切れ部７が生じたり，たとえ切れ部が生じないとしても，第２層２の残留部の厚さが各メサ型部で異なったりするので例えばメサ型ダイオードの直列抵抗などに差異を生じ，半導体素子の歩留まりを低下させる。
・・・中略・・・
　上記については，メサエッチングを例にして述べたが，各種のホールエッチングや，ステップエッチングなどについても同様であることが知られている。
　したがって，メサエッチングやホールエッチング，ステップエッチング等の工程では，エッチング底面の平坦性とともに，エッチング量（深さ）の制御を精度良く行なうことが必要である。」
（第１頁左下欄第１１行〜第２頁左上欄第８行）
　
ｆ．「この様なことから、比較的エッチング速度が小さく、エッチング面が鏡面を保持し、その底面が平坦性良く、さらにエッチング液の化学的安定性の良い液は知られていなかった。
　本発明は、上記したごとく、従来からあるエッチング液の欠点を無くする方法を提供するものである。」
（第２頁右上欄第１８行〜同頁左下欄第４行）
　
ｇ．「実施例１
　ＧａＡｓ｛１００｝面、およびＧａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ（混晶比０．６以下）の｛１００｝面に対してのエッチング液組成とエッチング速度（μｍ／ｍｉｎ）、約３μｍエッチングした時のエッチング面内の凹凸の程度（μｍ）およびエッチング面の特徴を第１表に示した。」
（第２頁右下欄第１０行〜同頁右下欄第１６行）
　
ｈ．上記ｇ．と第１表（特に、Ｎｏ．１１）から、ＧａＡｓおよびＧａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓのエッチング液として、Ｈ２ＳＯ４：５％、Ｈ２Ｏ２：３０％、Ｈ２Ｏ：４０％、エチレングリコール：２５％（％は体積比）という液組成を有するものを用いた場合には、少なくとも、ピットの発生がなく、平坦性が良いエッチング面が得られる点が読み取れる。
　
　よって、以上、ｅ．〜ｈ．によれば、引用例２には、
「半導体工業において最も重要なことは半導体素子を歩留まり良く作製することであり、これは、半導体結晶のエッチング工程，たとえばメサエッチングやホールエッチング工程では，そのエッチング深さやエッチング面の平坦性などをいかに精度良く制御するかという事に等しいから、メサエッチングやホールエッチング，ステップエッチング等の工程では，エッチング底面の平坦性とともに，エッチング量（深さ）の制御を精度良く行なうことが必要であるところ、
　比較的エッチング速度が小さく、エッチング面が平坦かつ鏡面であることを保持し、化学的安定性の良いエッチング液を提供することを目的とした、ＧａＡｓ及びＧａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓの半導体をエッチングするための、以下の液組成を有するエッチング液。
【液組成】
　Ｈ２ＳＯ４：５％、Ｈ２Ｏ２：３０％、Ｈ２Ｏ：４０％、エチレングリコール：２５％
（％は体積比）」の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例１発明とを以下に対比する。  
（ａ）引用例１発明の「共通電極５ａ、５ｂ」、「発光ダイオードアレイ」、「シリコン単結晶半導体基板」、「大面積の一導電型半導体層２」、「小面積の逆導電型半導体層３」、「引き延ばされた第１の部分」、「引き延ばされた第２の部分」及び「個別電極４」は、それぞれ本願補正発明の「他方の電極」、「ＬＥＤアレイ」、「シリコン単結晶基板」、「大面積の一導電型半導体層」、「小面積の逆導電型半導体層」、「延在部」、「第２の延在部」及び「一方電極」に相当する。
　
（ｂ）引用例１発明の「ガリウム砒素で形成され」た「バッファ層２ａ」及び「オーミックコンタクト層２ｂ」は、それぞれ本願補正発明の「ガリウム砒素のバッファ層」及び「ガリウム砒素の第１のオーミックコンタクト層」に相当し、引用例１発明の「アルミニウムガリウム砒素で形成され」た「電子の注入層２ｃ」は、本願補正発明の「アルミニウムガリウム砒素の電子注入層」に相当する。
　
（ｃ）引用例１発明の「発光層３ａ」及び「第２のクラッド層３ｂ」は、「アルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶比を異ならしめたものであ」るから、それぞれ本願補正発明の「アルミニウムガリウム砒素の発光層」及び「アルミニウムガリウム砒素のクラッド層」に相当し、引用例１発明の「ガリウム砒素で形成され」た「第２のオーミックコンタクト層３ｃ」は、本願補正発明の「ガリウム砒素の第２のオーミックコンタクト層」に相当する。
　
（ｄ）引用例１発明の「一導電型半導体層２」及び「逆導電型半導体層３」は、それぞれ「バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ及び電子の注入層２ｃ」及び「発光層３ａ、第２のクラッド層３ｂ及び第２のオーミックコンタクト層３ｃ」で構成され、両者はシリコン単結晶基板上に「ＭＯＣＶＤ法で順次積層して形成し」たものであるから、上記（ａ）〜（ｃ）と併せみれば、引用例１発明が、本願補正発明の「シリコン単結晶基板上にヘテロ成長にて、ガリウム砒素のバッファ層とガリウム砒素の第１のオーミックコンタクト層とアルミニウムガリウム砒素の電子注入層とで構成される大面積の一導電型半導体層と、アルミニウムガリウム砒素の発光層とアルミニウムガリウム砒素のクラッド層とガリウム砒素の第２のオーミックコンタクト層とで構成される小面積の逆導電型半導体層とを順次積層し」との事項をを備えていることは明らかである。
　
（ｅ）引用例１発明の「島状にパターニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３」が１個の発光ダイオードに応じて設けられていることは当業者に自明である。
　したがって、引用例１発明の「共通電極５ａ、５ｂが、隣接する島状にパターニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３ごとに異なる群に属するように二群に分けて接続して設けられ、当該島状にパターンニングされた一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３が複数個配列されてなる発光ダイオードアレイ」が、本願補正発明の「発光素子を複数個配列して発光素子群と成したＬＥＤアレイ」に相当することは明らかである。
　
　よって、以上（ａ）〜（ｅ）によれば、本願補正発明と引用例１発明とは、
「シリコン単結晶基板上にヘテロ成長にて、ガリウム砒素のバッファ層とガリウム砒素の第１のオーミックコンタクト層とアルミニウムガリウム砒素の電子注入層とで構成される大面積の一導電型半導体層と、アルミニウムガリウム砒素の発光層とアルミニウムガリウム砒素のクラッド層とガリウム砒素の第２のオーミックコンタクト層とで構成される小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、前記一導電型半導体層の、前記バッファ層及び前記第１のオーミックコンタクト層を引き延ばした延在部を配し、前記延在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を設け、さらに前記逆導電型半導体層上に一方電極を、前記延在部上に他方電極を形成して、第２の延在部上を通して前記一方電極を引出して成る発光素子を複数個配列して発光素子群と成したＬＥＤアレイ。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点]
　延在部及び前記第２の延在部の表面粗さが、本願補正発明ではＲａ１００Å以下であるのに対し、引用例１発明では不明である点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
（ａ）引用例２発明によれば、ステップエッチング工程を有する半導体素子の製造において、エッチング面が平坦かつ鏡面であることを保持することは、製造歩留まりの観点から必要なことである。
　
（ｂ）また、引用例１発明の「エッチングして一導電型半導体層２が露出するように」する工程が、引用例２発明の「ステップエッチング」工程に相当することは明らかであるから、引用例１発明においても、上記（ａ）と同様、引用例１発明の「一導電型半導体層２が露出する」面、すなわち、延在部の表面が、平坦かつ鏡面であることは必要とされている事項である。
　
（ｃ）したがって、引用例１発明における「エッチングして一導電型半導体層２が露出するように」する工程において、被エッチング物がＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ半導体である点で共通する引用例２発明の「Ｈ２ＳＯ４：５％、Ｈ２Ｏ２：３０％、Ｈ２Ｏ：４０％、エチレングリコール：２５％（％は体積比）」という特定の液組成を有するエッチング液を採用し、延在部の表面粗さをＲａ１００Å以下となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用例１発明及び引用例２発明から予測し得るものにすぎない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年１１月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、本願の願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲１〜４記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は以下のもの（以下、「本願発明」という。）である。
　
　「【請求項１】単結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一導電型半導体層と小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、この一導電型半導体層を引き延ばした延在部を配し、さらに逆導電型半導体層上に一方電極を、延在部上に他方電極を形成して成る発光素子を複数個配列して発光素子群と成したＬＥＤアレイであって、前記延在部の表面粗さをＲａ１００Å以下にしたことを特徴とするＬＥＤアレイ。」
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記「２．（４）」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「単結晶基板」、「大面積の一導電型半導体」、「小面積の逆導電型半導体層」及び「延在部」のそれぞれに付加されていた、上記限定（ア）〜（エ）（上記「２．（１）」参照）を削除し、さらに、本願補正発明の「前記延在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を設け」との限定を削除したものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに上記限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。