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　特願２００１−１１２５７１「光半導体モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月２５日出願公開、特開２００２−３１４１８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年４月１１日に出願した特許出願であって、平成１７年６月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年７月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年８月２６日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年８月２６日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１７年８月２６日の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を以下のように補正することを含むものである。
「【請求項１】
　基板と、
　該基板上に配置された半導体レーザ素子と、
　前記基板と前記半導体レーザ素子との間に、少なくとも前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間が空隙とされた電極とを具備し、
　
前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間には金属が存在しない
　
（２）補正に対する当審の判断
　上記補正における「
前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間には金属が存在しない
　
　　ア．上記補正事項が、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載された事項であるかについて検討する。
　当初明細書等には、上記補正事項どおりの記載はないので、当該事項に関連する記載事項を摘記すると以下のとおりである。
　「【００２８】＜第１の実施例＞
【００２９】図１は本発明の第１の実施例における光半導体モジュールの構成の要部を表わしたものである。光半導体モジュール１０１は、分布帰還型の半導体レーザ素子１０２の活性層１０３の存在する側をシリコン基板１０４上に形成されたＳｉＯ２膜１０５側に向けた形で配置されており、ＳｉＯ２膜１０５の上に形成された電極パターン１０６の上にＡｕＳｎ（金  錫）からなるハンダ層１０７で固定している。活性層１０３の両側は切り欠かれており、メサ部１０８となっている。ハンダ層１０７、１０７はメサ部１０８を含んだ活性層１０３の直下の部分を避ける形で充填されている。したがって、ハンダ層１０７、１０７の間には、空隙部１０９が存在している。」
　「【００３４】＜第２の実施例＞
【００３５】図３は本発明の第２の実施例における光半導体モジュールの構成の要部を表わしたものであり、図４は半導体レーザ素子をハンダ層側から見たものである。これらの図で図１に示した第１の実施例と同一部分には同一の符号を付しており、これらの説明を適宜省略する。本実施例の光半導体モジュール１２１でも分布帰還型の半導体レーザ素子１０２を使用しており、これについては第１の実施例と相違する点がない。シリコン基板１０４の上にはＳｉＯ２膜１０５を介してハンダ固定用金属パターン１２２と電極パターン１２３が配置されており、ハンダ固定用金属パターン１２２の上にはＡｕＳｎからなる固定用ハンダ層１２４１〜１２４３が、また電極パターン１２３の上には電極接続用ハンダ層１２５が形成されている。半導体レーザ素子の活性層１０３とこれに対向するシリコン基板１０４の間には、第１の実施例と同様に空隙部１２８が存在している。」
　上記記載事項によれば、「半導体レーザ素子の活性層と基板の対向する部分との間」のうち基板の対向する部分はＳｉＯ２膜１０５からなるので、当該部分には「金属が存在しない」といえるが、半導体レーザ素子については、活性層と最外層との間がいかなる層構成からなるのか明示の記載がない。したがって、半導体レーザ素子の活性層と基板の対向する部分との間には明らかに金属が存在しないとはいえず、上記補正事項が当初明細書等に記載されているとはいえない。
　ちなみに、請求項１に係る発明の趣旨は、半導体レーザ素子と基板との実装構造に関し、半導体レーザ素子の層構成に関するものではないから、本件半導体レーザ素子の層構成は、当初明細書等に開示されている従来例と変りがないものと解されるところ、従来例の層構成については以下のような開示がある。
「【０００６】図６は、このような光半導体モジュールの他の例についてその要部の構造を示したものである。
　・・・・中略・・・・
　半導体レーザ素子３６は、Ａｕ系の電極３８を裏面に形成した半導体レーザ素子の母材となるＧａＡｓ基板３９の表面にレーザ発光機能を有する活性層４０を多層エピタキシャル成長させたものである。活性層４０中にはレーザ光を発光する発光領域４１が存在している。
活性層４０の表面には同様にエピタキシャル成長されたキャップ層４２が配置されており、図でその下側にはオーミック電極層４３、非合金化電極層４４およびハンダ層３７の材料と合金化して、これと強固に接着する合金化電極層４５が形成されている。
　これによれば、活性層４０の表面に、金属からなると推察されるオーミック電極層４３、非合金化電極層４４、合金化電極層４５などが積層形成されており、半導体レーザ素子の活性層と基板の対向する部分との間には金属が存在することを示唆しているから、当初明細書等の記載は上記補正事項と矛盾する。
　　
　　イ．次に、上記補正事項が、補正前の請求項１の発明特定事項を限定するものであるかについて検討する。補正前の請求項１に係る発明は、上記補正事項を削除したものに相当するところ、上記補正事項と表現が類似する「
前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間
前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間
　そうすると、上記補正事項は、特許請求の範囲の限定的減縮に該当するとはいえず、さらに、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
　以上のとおり、上記補正事項は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではなく、しかも、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないから、本件補正は、特許法１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであり、しかも、特許法第１７条の２第４項の規定にも違反してなされたものであるから、何れにしても、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年８月２６日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年５月３０日の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は、次のものである。
「【請求項１】
　基板と、
　該基板上に配置された半導体レーザ素子と、
　前記基板と前記半導体レーザ素子との間に、少なくとも前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間が空隙とされた電極
とを具備することを特徴とする光半導体モジュール。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原審における拒絶理由に引用した刊行物１：特開平９−５１１０８号公報には、以下の事項が記載されている。
　　ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受発光素子モジュールに関し、更に詳細には、光受発光素子を実装基板上に実装した際に、光受発光素子が実装基板に対して高精度に位置決めされている光受発光素子モジュールに関するものであり、また光受発光素子を実装基板に対して高精度に位置決めできる光受発光素子モジュールの製作方法に関するものである。」
　
　　ｂ．「【００２０】本実施例の光受発光素子モジュール１０（以下、光モジュール１０と略称する）は、図１に示すように、レーザチップ１２と、実装面１４を備え、その上にレーザチップを実装した長方形の実装基板１６とから構成されている。レーザチップ１２は、図２に示すように、半導体基板１８上にＭＱＷ活性層２０を有する埋込型レーザチップである。レーザチップ１２は、ｎ＋型半導体基板１８上に形成されたｎ型クラッド層２２上の中央で長手方向に延びる長さ３００μm のリッジ部２４と、その両側にリッジ部２４に平行に設けられた第１電極部２６と、第２電極部２８と、リッジ部２４と第１電極部２６との間に設けられた第１溝３０と、リッジ部２４と第２電極部２８との間に設けられた第２溝３２とを備えている。
　・・・・中略・・・・
【００２３】第１電極部２６及び第２電極部２８の電極層４６は、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層の積層構造で形成されたｐ側オーミック電極を構成し、更に、最上層のＡｕ層の表面上のパターニングされた所定領域内に順次厚み０．５μｍのＳｎ半田薄膜及び厚み数百ｎｍのＡｕ半田薄膜からなる半田層４８が積層されている。尚、半田層４８では、電極層４６のＡｕ層、Ｓｎ半田薄膜及びその外側のＡｕ半田薄膜が、Ｓｎが溶融した時、共晶を生ずるように重量比が設定されている。尚、第１電極部２６及び第２電極部２８の電極層４６は、適当な手段（図示せず）によりリッジ部２４の電極層２８と電気的に接続されている。半田層４８のの厚みが１μｍ以下に設定されているので、半田の厚みにバラツキがあっても、高さ方向の位置決め誤差は、１μｍ以下になる。一方、ｎ＋半導体基板１８の裏面には、Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ層とその上のＡｕ層とからなるｎ側電極層５８が形成されている。」
　
　　ｃ．「【００２４】一方、実装基板１６は、高絶縁性のＳｉ基板で形成されていて、上面に高平坦度の実装面１４を有し、一方の端面に実装面１４に直交する端面６０（図１では、前端面）を備えている。尚、導電性Ｓｉ基板を実装基板として用いる場合には、約０．１μｍの厚みのＳｉＯ２膜のような絶縁膜を予めＳｉ基板主面全面に、例えばスパッタリング等で成膜する。１００μｍ幅で長さ５００μm 〜１０００μm の長溝６２が実装面１２上に端面６０に直交し、かつ端面６０に開口端を有するように形成されている。長溝６２は、レーザチップ１２の中央リッジ部２４を収容するために、リッジ部２４の長さより長く、かつ約１０μｍの深さを有する。長溝６２は、高い寸法精度を備えるように、例えばＫＯＨによる方向性エッチング法により実装基板１２をエッチングして形成されている。
【００２５】長溝６２の両側には、端面６０から奥に向かって第１電極部２４及び第２電極部２６の電極層４６とそれぞれほぼ同じ形状、大きさの第１電極パッド６４及び第２電極パッド６６が設けられている。以上の構成により、第１電極パッド６４の上面及び第２電極パッド６６の上面と長溝６２の溝壁とによりそれぞれ形成された第１及び第２溝エッジ６８、７０は、レーザチップ１２を実装した際に、それぞれ第１及び第２位置合わせエッジ５０、５２に一致する。また、第１及び第２溝エッジ６８、７０と端面６０との交点７２、７４は、実装の際の第１及び第２基準点となり、それぞれ第１及び第２位置合わせ点５４、５６に一致する。」
　
　　ｄ．「【００２７】実装に際しては、先ず、図３及び図４に示すように、レーザチップ１２を実装基板１６上に位置決めし、次いで半田層４８の加熱、融着により、レーザチップ１２と実装基板１６とを電気的及び機械的に接合する。」
　
　　ｅ．また、図２、図３の記載からは、「ＭＱＷ活性層２０を有する中央リッジ部２４と実装基板１６の長溝６２の底面との間には空隙があり、空隙部には電極層４６、半田層４８、第１、第２電極パッド６４，６６などの電極が形成されていない。」点がみてとれる。
　
　したがって、上記ａ〜ｅによれば、刊行物１には以下の発明が記載されているものと認められる。
　「実装基板と、該実装基板の第１、第２電極パッド上に半田層を介して実装されたレーザチップと、前記実装基板と前記レーザチップとの間に、前記レーザチップのＭＱＷ活性層と前記実装基板の対向する長溝の底面部分との間が空隙とされ、該空隙部には前記第１、第２電極パッド、半田層などの電極が形成されていない光発光素子モジュール。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
（３）対比・判断
　本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　（ア）刊行物１発明の「実装基板」、「レーザチップ」、「ＭＱＷ活性層」、「光発光素子モジュール」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「半導体レーザ素子」、「活性層」、「光半導体モジュール」に相当する。
　（イ）刊行物１発明の「第１、第２電極パッド、半田層などの電極」は、基板と半導体レーザ素子との間に形成された電極であるから、本願発明の「電極」に相当する。
　（ウ）刊行物１発明の「前記実装基板と前記レーザチップとの間に、前記レーザチップのＭＱＷ活性層と前記実装基板の対向する長溝の底面部分との間が空隙とされ、該空隙部には前記第１、第２電極パッド、半田層などの電極が形成されていない」は、半導体レーザ素子の活性層と基板の対向する部分との間が空隙となっており、当該空隙部分には電極が形成されていないのであるから、本願発明の「少なくとも前記半導体レーザ素子の活性層と前記基板の対向する部分との間が空隙とされた電極」に相当することは明らかである。
　
　以上のとおりであるから、刊行物１発明は、本願発明の発明特定事項のすべてを具備している。
　　
　なお、請求人は、意見書、審判請求書等において、上記刊行物１（拒絶理由に引用した引用文献２と同じ。）の記載事項を検討し、それと本願発明の相違点について言及しており、その中で特許法２９条１項３号の同一性を含めて検討していることは明らかである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。