【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的インピーダンス分光法に基づく分光材料分析に適した誘導性感知システムであって、
導電性被試験ターゲット材料と、
前記ターゲット材料内で渦電流を誘導するように、時間的に変化する磁場を前記ターゲット材料の表面上の感知エリアに投射するように構成される誘導性感知回路であって、
インダクタコイルを含むセンサであって、センサ励起周波数（ω）の関数であるセンサインピーダンスＺ（ω）と、結果として生じる前記ターゲット材料内で誘導される渦電流とによって特徴付けられる、前記センサと、
センサ電子機器であって、
前記ターゲット材料に投射される対応する時間的に変化する磁場を生成する、センサ励起周波数（ω）での励起電流で前記センサインダクタコイルを駆動し、
複数のセンサ励起周波数（ω）に対して、前記誘導された渦電流に基づいて前記ターゲット材料の電磁特性を表す対応する複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値を決定する、
ように構成される、前記センサ電子機器と、
を含む、前記誘導性感知回路と、
を含み、
各センサインピーダンスＺｓ（ω）が、前記誘導された渦電流と、関連するターゲット貫通深さ：
2018506038.tif 000001
との関数であり、これは、センサ励起周波数（ω）と、導電率εと透磁率μと電気抵抗率ρ（又はその逆誘電率σ）との少なくとも１つである前記ターゲット材料の電磁特性との関数である、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記電磁特性が、誘電率εと透磁率μと抵抗率ρ（又はその逆誘電率σ）との少なくとも１つである、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記複数のセンサ励起周波数（ω）と対応する複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値とが、ターゲット貫通深さに対して選択され、前記ターゲット貫通深さにおける前記ターゲット材料の電磁特性を表す、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、
前記誘導性感知回路が共振誘導性感知回路であって、前記共振誘導性感知回路が、
コイルインダクタを含むセンサ共振器であって、センサ共振器インピーダンスＲｐ＝Ｌ／（Ｃ×Ｒｓ）によって特徴付けられる、前記センサ共振器と、
インダクタンス・デジタル変換（ＩＤＣ）ユニットであって、
センサ励起周波数（ω）でのセンサ励起電流で前記センサ共振器を駆動し、
生成される負のインピーダンスが前記ターゲット材料において誘導される前記渦電流（これらは、センサ共振器インピーダンスＲｐにおいて反映される）の関数であるように、前記センサ共振器インピーダンスＲｐを相殺する前記負のインピーダンスを生成し、
前記生成される負のインピーダンスを前記センサ共振器インピーダンスＺｓ（ω）測定値に対応するセンサ応答データに変換する、
ように構成される、前記ＩＤＣユニットと、
を含む、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記ターゲット材料が組織である、システム。
【請求項６】
電気的インピーダンス分光法に基づく分光材料分析に適した共振誘導性感知システムであって、
被試験導電性ターゲット材料と、
前記ターゲット材料内の渦電流を誘導するように、時間的に変化する磁場を前記ターゲット材料の表面上の感知エリアに投射するように構成される共振誘導性感知回路であって、
コイルインダクタを含むセンサ共振器であって、センサ励起周波数（ω）の関数であるセンサ共振器インピーダンスＲｐ＝Ｌ／（Ｃ×Ｒｓ）と、前記ターゲット材料内で誘導される結果として生じる渦電流とによって特徴付けられる、前記センサ共振器と、
インダクタンス・デジタル変換（ＩＤＣ）ユニットであって、
前記ターゲット材料に投射される前記対応する時間的に変化する磁場を生成する、前記センサ励起周波数（ω）での励起電流で前記センサ共振器を駆動し、
複数のセンサ励起周波数（ω）に対して、生成される負のインピーダンスが前記ターゲット材料において誘導される前記渦電流（これらは、センサ共振器インピーダンスＲｐにおいて反映される）の関数であるように、センサ共振器インピーダンスＲｐを相殺する前記負のインピーダンスを生成し、
前記複数のセンサ励起周波数（ω）に対して、前記対応する生成される負のインピーダンスを前記誘導された渦電流に基づいて前記ターゲット材料の電磁特性を表す複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値に変換する、
ように構成される、前記ＩＤＣユニットと、
を含む、前記共振誘導性感知回路と、
を含み、
各センサインピーダンス測定Ｚｓ（ω）が、前記誘導された渦電流と関連するターゲット貫通深さ：
2018506038.tif 000002
との関数であり、これは、センサ励起周波数（ω）と、導電率εと透磁率μと電気抵抗率ρ（又はその逆誘電率σ）との少なくとも１つである前記ターゲット材料の電磁特性との関数である、システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムであって、
前記電磁特性が、誘電率εと透磁率μと抵抗率ρ（又はその逆誘電率σ）との少なくとも１つである、システム。
【請求項８】
請求項６に記載のシステムであって、
前記複数のセンサ励起周波数（ω）と対応する複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値とが、ターゲット貫通深さに対して選択され、前記ターゲット貫通深さにおける前記ターゲット材料の電磁特性を表す、システム。
【請求項９】
請求項６に記載のシステムであって、
前記ターゲット材料が組織である、システム。
【請求項１０】
電気的インピーダンス分光法に基づいてターゲット材料の分光材料分析を実施する方法であって、コイルインダクタを備える誘導性センサを含む誘導性感知システムに用いるために適している、前記方法が、
センサ励起周波数（ω）での励起電流で前記誘導性センサを駆動することと、それにより、
前記ターゲット材料内で渦電流を誘導するように時間的に変化する磁場を前記ターゲット材料の表面上の感知エリアに投射することであって、前記誘導性センサが、前記センサ励起周波数（ω）の関数であるセンサインピーダンスＺ（ω）と、前記ターゲット材料内で誘導された結果として生じる渦電流とによって特徴付けられる、前記投射することと、
複数のセンサ励起周波数（ω）に対して、前記誘導された渦電流に基づいて前記ターゲット材料の電磁特性を表す対応する複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値を決定することと、
を含み、
各センサインピーダンスＺｓ（ω）測定値が、前記誘導された渦電流と関連するターゲット貫通深さ：
2018506038.tif 000003
との関数であり、これは、センサ励起周波数（ω）と、導電率εと透磁率μと電気抵抗率ρ（又はその逆誘電率σ）との少なくとも１つである前記ターゲット材料の電磁特性との関数である、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記電磁特性が、誘電率εと透磁率μと抵抗率ρ（又はその逆誘電率σ）との少なくとも１つである、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
前記複数のセンサ励起周波数（ω）と対応する複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値とが、ターゲット貫通深さに対して選択され、前記ターゲット貫通深さでの前記ターゲット材料の電磁特性を表す、方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、
前記方法が、コイルインダクタを含む共振器センサを含む共振誘導性感知システムにおいて用いられ得、センサインピーダンスＲｐ＝Ｌ／（Ｃ×Ｒｓ）によって特徴付けられ、
複数のセンサ励起周波数（ω）に対して、対応する複数のセンサインピーダンスＺｓ（ω）測定値を決定することが、
生成される負のインピーダンスが前記ターゲット材料において誘導される前記渦電流（これらはセンサインピーダンスＲｐにおいて反映される）の関数であるように、センサインピーダンスＲｐを相殺する前記負のインピーダンスを生成し、
前記生成される負のインピーダンスを前記センサ共振器インピーダンスＺｓ（ω）測定値に対応するセンサ応答データに変換する、
ことによって達成される、方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法であって、
前記ターゲット材料が組織である、方法。