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　特願２００２−２２９９９５「容量式半導体センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　６９５４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年８月７日の出願であって、平成１８年２月８日付（発送日：平成１８年２月１４日）で拒絶査定がされ、これに対し、平成１８年３月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年４月１４日付で明細書又は図面についての手続補正（以下、「本件補正」という）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　本件補正を却下する。
　［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を補正前の
「半導体基板（１０）にその表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、
　互いに対向する前記可動部及び前記固定部には、それぞれ前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔（１８）が形成されており、前記可動部に形成された貫通孔と前記固定部に形成された貫通孔とが一直線上に位置していることを特徴とする容量式半導体センサ。」
から、補正後の
「半導体基板（１０）にその表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、
　互いに対向する前記可動部及び前記固定部には、それぞれ前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔（１８）が形成されており、前記可動部に形成された貫通孔と前記固定部に形成された貫通孔とが、前記間隔（１７）の変化する方向に一直線上に位置していることを特徴とする容量式半導体センサ。」
に補正する事項を含むものである。
　
２．本件補正についての判断
　上記請求項１の本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「一直線上に位置して」を「前記間隔（１７）の変化する方向に一直線上に位置して」と限定するものであって、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
  そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２０６４５８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項１〜１５が図面とともに記載されている。
　
・記載事項１
「【発明の属する技術分野】
　本発明は、例えば物体に作用する加速度、角速度等の外力（慣性力）を計測するのに用いて好適な外力計測装置およびその製造方法に関する。」（第２頁【０００１】）
・記載事項２
「【従来の技術】
　一般に、外力計測装置は、車両の加速度や角速度の検出、カメラの手振れ等を検出する加速度計測装置や角速度計測装置等に用いられている。」（第２頁【０００２】）
・記載事項３
「ここで、図１８ないし図２７により、従来技術による外力計測装置として、加速度計測装置を例に挙げて説明する。」（第２頁【０００３】）
・記載事項４
「図中、１はマイクロマシニング技術により作成された加速度計測装置、２は該加速度計測装置１の本体をなすように例えば高抵抗な単結晶のシリコン板からなる基板をそれぞれ示し、該基板２上には後述する検出部３および該検出部３を覆う蓋体１２が形成されている。」（第２頁【０００４】）
・記載事項５
「３は基板２上に形成された検出部を示し、該検出部３は例えば低抵抗なシリコン膜にエッチング処理を施すことにより形成されている。そして、該検出部３は、基板２上の左，右に位置した固定部４，４と、該固定部４，４間に配設された後述する可動部６とから大略構成されている。」（第２頁【０００５】）
・記載事項６
「ここで、前記各固定部４は、基板２上の左，右に離間して設けられ、互いに対向する内側面には５枚の薄板状の電極板５Ａを有する固定側くし状電極５，５が突出形成されている。」（第２頁【０００６】）
・記載事項７
「６は可動部を示し、該可動部６は、基板２上の前，後に離間して配設された支持部７，７と、該各支持部７に梁８を介して支持され、前記各固定部４間に配設された質量部９と、該質量部９から左，右方向に突出形成された５枚の薄板状の電極板１０Ａを有する可動側くし状電極１０，１０とを一体的に形成することによって構成されている。」（第２頁【０００７】）
・記載事項８
「さらに、前記可動部６は、犠牲層エッチングによって形成することにより、支持部７，７は基板２上に固着され、梁８と質量部９は基板２から高さ方向に離間して配設されている。」（第２頁【０００８】）
・記載事項９
「１１は検出部３と同様に低抵抗シリコン（例えばポリシリコン）からなる枠部で、該枠部１１は前記検出部３を取囲むように基板２上に設けられている。」（第２頁【０００９】）
・記載事項１０
「次に、図２０ないし図２７に基づいて加速度計測装置１の製造方法について述べる。」（第３頁【００１３】）
・記載事項１１
「まず、図２０中の符号２１は高抵抗な単結晶シリコンからなるシリコンウエハで、該シリコンウエハ２１は例えば直径７．５〜１５．５ｃｍ，厚さ５００μｍ程度の円板状に形成されている。また、該シリコンウエハ２１の周囲には、図２２のようなオリエンテーションフラット２１Ａが形成されている。」（第３頁【００１４】）
・記載事項１２
「図２１に示す検出部形成工程では、シリコンウエハ２１上に、低抵抗なシリコン膜を形成した後に、シリコンのエッチング処理によって複数個の検出部３を形成したもので、該各検出部３は、図２２に示すように、シリコンウエハ２１上に例えば５２個が所定間隔を離間して形成される。また、この際、同時に各検出部３を取囲むように枠部１１がシリコンウエハ２１上に形成される。」（第３頁【００１５】）
・記載事項１３
「このように構成される従来技術の加速度計測装置１は、図１８に示すように外部から矢示Ａ方向に加速度が加わると、梁８が変形して質量部９が矢示Ａ方向に変位する。このとき、質量部８の可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａは、固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａに対して接近または離間するので、対向する電極板１０Ａと５Ａとの離間寸法の変位を、静電容量の変化として外部の図示しない信号処理回路に出力する。そして、該信号処理回路では、この静電容量の変化に基づき加速度に応じた信号を出力する。」（第３頁【００２１】）
・記載事項１４
「また、この加速度計測装置１では、可動側くし状電極１０の各電極板１０Ａと固定側くし状電極５の各電極板５Ａとの間の静電容量により加速度を検出し、しかも各電極板１０Ａと各電極板５Ａはそれぞれ電気的に並列接続されているから、対向した電極板１０Ａと５Ａ間の静電容量は加算した値となり、検出感度を高めることができる。」（第３頁【００２２】）
・記載事項１５
「さらに、加速度計測装置１では、構造が微細であるために大気中ではダンピングの影響が大きくなり、質量部９を加速度に対して応答性が良くない。このため、加速度計測装置１では、検出部３が収容される密閉空間１４内を減圧することにより、質量部９に対する空気抵抗を低減し、加速度に対する応答性を良くして検出精度を高めている。」（第３頁【００２３】）
 
　以上、記載事項１〜１５及び特に図１８〜図２２によれば、引用文献１には次の発明が開示されていると認めることができる。
「高抵抗な単結晶シリコンからなるシリコンウエハ２１上に、低抵抗なシリコン膜を形成した後に、シリコンのエッチング処理によって、固定側くし状電極５，５を有する固定部４，４と可動側くし状電極１０，１０を有する可動部６とから構成される検出部３が形成され、可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａとの離間寸法の変位を、静電容量の変化として出力するようにした加速度計測装置１」（以下、「引用発明１」という。）
 
　次に、本願の出願前の平成１２年６月３０日に頒布された特開２０００−１８０１７６号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項１〜６が図面とともに記載されている。
 
・記載事項１
「図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ'線断面図で、１９は質量部１１、駆動部１７、１８、検出部２４、２５及び固定部１３を被うケースである。基板１０、ケース１９には質量部１１がＺ軸方向に変位する際に検出する検出電極２０、２１が設けられている。」（第２頁【０００５】）
・記載事項２
「ここで、小さな質量を持つ可動する質量部を備えた角速度センサでは、質量部にかかる重力などの体積力よりも、空気の粘性抵抗などの表面力がその動作に大きく影響を与えている。よって静電容量で検出する場合、検出可能な静電容量を確保するため、静電駆動する場合は駆動力を大きくするために質量部１１と基板１０（またはケース１９）との電極間ギャップを狭くする必要があるので、ギャップに存在する気体のスクイズ膜によるダンピングを考慮した設計が必要となってくる。」（第４頁【００２４】）
・記載事項３
「また、小型化、高感度化として空間利用効率向上、変位する質量部１１の空気抵抗の低減を図る構成が必要である。」（第４頁【００２５】）
・記載事項４
「図３（Ａ）、（Ｂ）は本発明に係る振動型角速度センサ第３の実施形態を示し、ケースを取り外してセンサを上から見た概略平面図、及び図３（Ａ）のＡ−Ａ'線断面図である。同図において、上記第１、及び第２の従来例、第１の実施形態及び第２の実施形態と対応する部分は同一符号を付してある。」（第４頁【００２９】）
・記載事項５
「振動型センサ５の角速度の検出は、X軸方向に対向する外側の櫛型電極（１１ｂ、１５ａ）、（１１ｃ、１６ａ）それぞれに駆動電圧を印加し、Ｙ軸回りに角速度（Ωｚ）が加わると、Ｚ軸方向のコリオリ力により共振が起き、図３（Ｂ）に示す如く、質量部１１を矢印Ｄ方向へ変位させるものである。」（第４頁【００３０】）
・記載事項６
「本実施形態においては、質量部１１の空気逃げ用の開口穴１１ａに対応してケース１９に同程度の穴３０を形成した構成である。この穴３０により、空気の粘性抵抗対策用の気体の逃げをつくり検出感度を向上させている。」（第４頁【００３１】）
 
　以上、記載事項１〜６及び特に図３（Ａ）、図３（Ｂ）によれば、引用文献２には次の発明が開示されていると認めることができる。
「質量部１１には空気逃げ用の開口穴１１ａが、ケース１９と基板１０には開口穴１１ａと同程度の空気逃げ用の穴３０がそれぞれ検出面からこれとは反対側の面まで貫通するように形成されており、前記質量部に形成された開口穴１１ａと前記ケース１９と前記基板１０に形成された穴３０とが、電極間ギャップの変化するＺ軸方向に一直線上に位置している振動型角速度センサ」（以下、「引用発明２」という。）
 
（２）対比
　本願補正発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「高抵抗な単結晶シリコンからなるシリコンウエハ２１上に、低抵抗なシリコン膜を形成」は、本願補正発明の「半導体基板（１０）」に相当し、同様に、「シリコンのエッチング処理によって、固定側くし状電極５，５を有する固定部４，４と可動側くし状電極１０，１０を有する可動部６とから構成される検出部３が形成され」は「その表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし」に、「可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａとの離間寸法の変位を、静電容量の変化として出力」は、「前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出」に、「加速度計測装置１」は「容量式半導体センサ」に、それぞれ相当する。
　以上により、本願補正発明と引用発明１は、
「半導体基板（１０）にその表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサ」である点で一致し、以下の点で相違する。
 
＜相違点＞
　本願補正発明では、「互いに対向する前記可動部及び前記固定部には、それぞれ前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔（１８）が形成されており、前記可動部に形成された貫通孔と前記固定部に形成された貫通孔とが、前記間隔（１７）の変化する方向に一直線上に位置している」のに対し、引用発明１では、該構成を具備しない点。　
 
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　可動部と固定部を有する容量式半導体センサの分野において、可動部と固定部の間に生ずるエアーダンピングを軽減するために、互いに対向する可動部及び固定部に、それぞれ検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔を形成し、前記可動部に形成された貫通孔と前記固定部に形成された貫通孔とを、可動部と固定部の検出面の間隔の変化する方向に一直線上に位置させることは、上記引用発明２にて公知である。
　いっぽう、引用文献１の上記「記載事項１５」に「さらに、加速度計測装置１では、構造が微細であるために大気中ではダンピングの影響が大きくなり、質量部９を加速度に対して応答性が良くない。このため、加速度計測装置１では、検出部３が収容される密閉空間１４内を減圧することにより、質量部９に対する空気抵抗を低減し、加速度に対する応答性を良くして検出精度を高めている。」とあるように、引用発明１の課題も、検出部３、すなわち、可動部である可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定部である固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａにおいて、これらの間に生ずるエアーダンピングを軽減するというものである。
　してみると、引用発明１における可動部である可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定部である固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａの間に生ずるエアーダンピングを軽減するために、引用発明２を適用して、互いに対向する可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａに、それぞれ検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔を形成し、前記可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａに形成された貫通孔と前記固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａに形成された貫通孔とを、これら検出面の間隔の変化する方向に一直線上に位置させること、つまり、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、引用発明１と引用発明２の課題に共通性があるから、当業者が容易に想到し得るというべきである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明１及び引用発明２から当業者が予測できる範囲のものである。　
　したがって、本願補正発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 
３．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法１５９条第１項において読み替えて準用する同法５３条第１項の規定によって却下されるべきものである。　
 
第３　本件審判請求についての判断
 
１．本願発明の認定
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１７年１２月２６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「半導体基板（１０）にその表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、
　互いに対向する前記可動部及び前記固定部には、それぞれ前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔（１８）が形成されており、前記可動部に形成された貫通孔と前記固定部に形成された貫通孔とが一直線上に位置していることを特徴とする容量式半導体センサ。」
 
２．本願発明の進歩性の判断
 
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１の記載事項及び引用発明１は、上記第２の２．（１）に記載したとおりである。　
 
（２）対比
　本願発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「高抵抗な単結晶シリコンからなるシリコンウエハ２１上に、低抵抗なシリコン膜を形成」は、本願発明の「半導体基板（１０）」に相当し、同様に、「シリコンのエッチング処理によって、固定側くし状電極５，５を有する固定部４，４と可動側くし状電極１０，１０を有する可動部６とから構成される検出部３が形成され」は「その表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし」に、「可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａとの離間寸法の変位を、静電容量の変化として出力」は、「前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出」に、「加速度計測装置１」は「容量式半導体センサ」に、それぞれ相当する。
　以上により、本願発明と引用発明１は、
「半導体基板（１０）にその表面から厚さ方向に溝（１４）を形成することで互いの検出面（１５ａ、１６ａ）にて対向する可動部（１５）及び固定部（１６）を区画形成して可動部（１５）及び固定部（１６）を櫛歯状の梁構造体とし、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔（１７）の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサ」である点で一致し、以下の点で相違する。
 
＜相違点＞
　本願発明では、「互いに対向する前記可動部及び前記固定部には、それぞれ前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔（１８）が形成されており、前記可動部に形成された貫通孔と前記固定部に形成された貫通孔とが一直線上に位置している」のに対し、引用発明１では、該構成を具備しない点。　
 
（３）判断
  上記相違点について検討する。
　可動部と固定部を有する容量式半導体センサの分野において、可動部と固定部の間に生ずるエアーダンピングを軽減するために、空気の排出・流入のための貫通孔を可動部に形成すること（例えば、原査定に引用した特開平６−３４６５４号公報（「可動電極３０」に形成された「貫通穴３２」を参照）も、該貫通孔を固定部に形成すること（例えば、原査定に引用した特開平１０−９６６３３号公報（「基板２２の薄肉部２９」に設けられた「連通孔３０」を参照）もそれぞれ周知技術にすぎない。
　いっぽう、引用文献１の上記「記載事項１５」に「さらに、加速度計測装置１では、構造が微細であるために大気中ではダンピングの影響が大きくなり、質量部９を加速度に対して応答性が良くない。このため、加速度計測装置１では、検出部３が収容される密閉空間１４内を減圧することにより、質量部９に対する空気抵抗を低減し、加速度に対する応答性を良くして検出精度を高めている。」とあるように、引用発明１の課題も、検出部３、すなわち、可動部である可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定部である固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａにおいて、これらの間に生ずるエアーダンピングを軽減するというものである。
　してみると、引用発明１における可動部である可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定部である固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａの間に生ずるエアーダンピングを軽減するために、上記周知技術を適用して、互いに対向する可動側くし状電極１０，１０の各電極板１０Ａと固定側くし状電極５，５の各電極板５Ａに、それぞれ検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔を形成することは、引用発明１と上記周知技術の課題に共通性があるから、当業者が容易に想到し得るというべきである。このとき、可動部側電極板１０Ａの貫通孔と固定側電極板５Ａの貫通孔とを一直線上に位置させること、つまり、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは、これら貫通孔が移動空気の排出・流入のためのものであってみれば、複数の貫通孔を抜ける空気の移動効率を考慮して、ごく常識的に設計し得た事項というべきである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　
 
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。