【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にあるグラフェン層上に単結晶膜を形成すること；及び
前記単結晶膜及び前記基板を分離すること
を含む方法。
【請求項２】
グラフェン層を基板上に形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
グラフェン層を基板上に形成することが、前記グラフェン層を前記基板上で成長させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板が、第１の基板であり、かつグラフェン層を前記第１の基板上に形成することが、前記グラフェン層を第２の基板から前記第１の基板に転写することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
グラフェン層が、複数のグラフェン層の１つであり、かつ単結晶膜を形成することが、前記単結晶膜を前記複数のグラフェン層上に形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
グラフェン層が、単結晶膜と基板の間の唯一のグラフェン層である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
グラフェン層が、単結晶グラフェン層である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
グラフェン層が、多結晶グラフェン層である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
グラフェン層上に単結晶膜を形成することが、基板を前記単結晶膜の種晶として使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
分離中、グラフェン層が剥離層として使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
グラフェン層上に単結晶膜を形成することが、前記グラフェン層を前記単結晶膜の種晶として使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
グラフェン層上に単結晶膜を形成することが、基板と前記グラフェン層の組み合わせを前記単結晶膜の種晶として使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
単結晶膜を形成することが、基板の材料をグラフェン層上に堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
単結晶膜を形成することが、材料をグラフェン層内の複数の空孔内に堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
単結晶膜をグラフェン層上に形成する前に、前記グラフェン層内に複数の空孔を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
単結晶膜を形成することが、材料をグラフェン層内の複数の空孔内に堆積させることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
単結晶膜と基板を分離することが、前記単結晶膜を剥脱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
単結晶膜と基板を分離することが、
金属ストレッサを前記単結晶膜上に形成すること；
可撓性テープを前記金属ストレッサ上に配置すること；
前記可撓性テープを用いて前記単結晶膜及び前記金属ストレッサを前記グラフェン層から引き離すこと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
単結晶膜が、第１の単結晶膜であり、かつ前記第１の単結晶膜と基板が分離された後に、第２の単結晶膜を前記基板上に形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
単結晶膜が、半導体材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
基板が、半導体基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
グラフェン層が、基板上に直接ある、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
単結晶膜が、ＳｉＣを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
第１の基板上にグラフェン層を形成すること；
前記グラフェン層を前記第１の基板から第２の基板に転写すること；及び
前記グラフェン層上に単結晶膜を形成すること
を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２５】
前記第１の基板が炭化ケイ素を含み、前記グラフェン層が単結晶グラフェン層を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の基板が銅箔を含み、前記グラフェン層が多結晶グラフェン層を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１の基板がシリコン基板を含み、前記グラフェン層を形成することが、
前記シリコン基板上にゲルマニウム層を形成すること；及び
前記ゲルマニウム層上に前記グラフェン層を形成すること
を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記グラフェン層がグラフェンの単層からなり、前記グラフェン層上に前記単結晶膜を形成することが、前記第２の基板を前記単結晶膜の種晶として使用すること、及び前記グラフェン層を剥離層として使用することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
前記グラフェン層が多結晶グラフェンを含み、前記第１の基板が銅箔を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記グラフェン層が２層以上のグラフェンを含み、前記グラフェン層上に前記単結晶膜を形成することが、前記グラフェン層を前記単結晶膜の種晶として使用することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３１】
前記グラフェン層が単結晶グラフェンを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記グラフェン層上に前記単結晶膜を形成することが、前記第２の基板と前記グラフェン層との組み合わせを前記単結晶膜の種晶として使用することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３３】
前記単結晶膜を形成することが、前記グラフェン層上に前記第２の基板の材料を堆積させることを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３４】
複数の空孔を前記グラフェン層内に形成することをさらに含み、
前記単結晶膜を形成することが、前記複数の空孔内及び前記グラフェン層上に材料を堆積させることを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３５】
前記単結晶膜を前記グラフェン膜から取り出すことをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３６】
前記単結晶膜を前記グラフェン膜から取り出すことが、前記単結晶膜を剥脱することを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記単結晶膜を前記グラフェン膜から取り出すことが、
金属ストレッサを前記単結晶膜上に形成すること；
可撓性テープを前記金属ストレッサ上に配置すること；及び
前記可撓性テープを用いて前記単結晶膜及び前記金属ストレッサを前記グラフェン層から引き離すこと
を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記単結晶膜を第３の基板上に堆積させることをさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
別の単結晶膜を前記グラフェン層上に形成することをさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４０】
前記単結晶膜上に材料を堆積させることをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項４１】
前記単結晶膜及び前記グラフェン層を前記第２の基板から取り出すことをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項４２】
請求項２４に記載の方法によって形成された、半導体デバイス。
【請求項４３】
グラフェン単層を炭化ケイ素基板上に形成すること；
前記グラフェン単層を前記炭化ケイ素基板から半導体基板に転写すること；
複数の空孔を前記グラフェン単層内に形成すること；
半導体材料の第１の単結晶層を前記グラフェン単層上に形成することであって、前記半導体基板が前記半導体材料の第１の単結晶層の種晶としての役割を果たす、前記形成をすること；
前記半導体材料の第１の単結晶層を前記グラフェン単層から取り出すこと；
半導体材料の第２の単結晶層を前記グラフェン単層上に形成することであって、前記半導体基板が前記半導体材料の第２の単結晶層の種晶としての役目を果たす、前記形成をすること；及び
前記半導体材料の第２の単結晶層を前記グラフェン単層から取り出すこと
を含む、半導体を加工する方法。
【請求項４４】
前記半導体材料の第１の単結晶層を前記グラフェン単層から取り出すことが、前記半導体材料の第１の単結晶層を剥脱することを含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
複数の空孔を前記グラフェン単層内に形成することをさらに含み、
前記半導体材料の第１の単結晶層を形成することが、前記複数の空孔内に材料を堆積させることを含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
請求項４３に記載の方法によって形成される、デバイス。
【請求項４７】
グラフェン層を第１の基板上に形成すること；
前記グラフェン層を前記第１の基板から第２の基板に転写すること；
半導体層を前記グラフェン層上に堆積させること；
ストレッサ層を前記半導体層上に堆積させることであって、前記ストレッサ層が、前記半導体層と前記グラフェン層の間に亀裂の伝播を引き起こす、前記堆積させること；及び
可撓性テープを前記ストレッサ層上に配置すること；ならびに
前記半導体層及び前記ストレッサ層を前記グラフェン層から前記可撓性テープで引き離すこと
を含む、半導体を加工する方法。