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【手続補正書】
【提出日】平成31年3月27日(2019.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
リガンドを含むホウ素含有前駆体を処理チャンバの内部処理容積の中に流すことと、
前記リガンドを含む窒素含有前駆体を前記内部処理容積の中に流すことと、
前記内部処理容積の中で前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体を熱分解し、前記基板上の誘電体層の表面において及びその下方で形成された高アスペクト比フィーチャデフィニションの少なくとも１つ以上の側壁及び底面の上に窒化ホウ素層を堆積することと
を含む方法。
【請求項２】
前記ホウ素含有前駆体が、
2018513273.tif 000001
、
2018513273.tif 000002
、
2018513273.tif 000003
、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、Ｒは、Ｈ及び炭素数１から５の低級アルキル基の群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リガンドを含む前記窒素含有前駆体が、ＮＨ３、Ｈ２ＮＲ、ＨＮＲ２、ＮＲ３、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、Ｒは、炭素数１から５の低級アルキル基である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ホウ素含有前駆体が、ボラジン、ジメチルアミノボラン、トリメチルアミノボラン、トリエチルアミノボラン、アルキルボラジン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、前記アルキルが、炭素数１から５の低級アルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体を熱分解することが、前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体を摂氏約３００度から摂氏約５５０度の温度で加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記高アスペクト比フィーチャデフィニションが、ビア、トレンチ、ライン、コンタクトホール、貫通孔、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記高アスペクト比フィーチャデフィニションが、少なくとも約５：１以上の高さ対幅の比を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板を処理する方法であって、
リガンドを含む有機金属含有前駆体ガスを処理チャンバの内部処理容積の中に流すことと、
前記リガンドを含む前駆体ガスを前記内部処理容積の中に流すことと、
前記内部処理容積の中で前記リガンドを含む前記有機金属含有前駆体ガス及び前記リガンドを含む前記前駆体ガスを熱分解し、前記基板上の誘電体層の表面における及びその下方のフィーチャデフィニションの少なくとも１つ以上の側壁及び底面の上に金属含有層を堆積することと
を含む方法。
【請求項９】
前記有機金属含有前駆体ガスが、ヘキサカルボニルタングステン（Ｗ（ＣＯ）６）であり、前記リガンドを含む前記前駆体ガスが、一酸化炭素（ＣＯ）である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記有機金属含有前駆体ガスが、ヘキサカルボニルタングステン（Ｗ（ＣＯ）６）、タングステンペンタカルボニル化合物（ＲＷ（ＣＯ）５）、及びタングステンテトラカルボニル化合物（Ｒ２Ｗ（ＣＯ）４）からなる群から選択されたタングステンカルボニル化合物であり、Ｒは、１つ以上のカルボニル基を置換する１つ以上のリガンドである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
Ｒが、アルキルイソニトリル基（Ｒ１−Ｎ＝Ｃ＝）であり、各Ｒ１が、ｎ−ブチル、１−エチルプロピル、１，２ジメチルプロピル、イソペンチル、２−メチルブチル、１−メチルブチル、ｎ−ペンチル、１，３−ジメチルブチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、及びこれらの組み合わせといった、４から８の炭素原子を有するアルキル基である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記リガンドを含む前記前駆体ガスが、一酸化炭素（ＣＯ）である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記有機金属含有前駆体ガスが、ビス（シクロペンタジエニル）コバルト（ＩＩ）（Ｃｏ（Ｃ５Ｈ５）２）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）コバルト（ＩＩ）（Ｃ１４Ｈ１８Ｃｏ）、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）コバルト（ＩＩ）（Ｃ２０Ｈ３０Ｃｏ）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されたコバルト含有化合物である、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記リガンドを含む前記前駆体ガスが、シクロペンタジエンを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記有機金属含有前駆体及び前記前駆体ガスを熱分解することが、前記有機金属含有前駆体及び前記前駆体ガスを摂氏約３００度から摂氏約５５０度の温度で加熱することを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効量のクレアチン塩酸塩を含む、ハンチンチン遺伝子の突然変異を有するヒトにおける神経変性を予防または軽減するための組成物であって、該有効量が約２グラム〜約１２グラムのクレアチン塩酸塩の１日量を含む、組成物。
【請求項２】
クレアチン塩酸塩が前記組成物の少なくとも約５０重量％の量で前記組成物中に存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
クレアチニンをさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
丸薬、錠剤、カプセル、またはゲルカプセルの形態で投与されるように用いられる、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
ホメオパシー化合物、コ−メディケーション（co-medication）、栄養補助食品、植物抽出物、植物性生薬、医薬、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、少なくとも１つの他の化合物と組み合わせて投与されるように用いられる、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
エチル（α−グアニド−メチル）エタノアートをさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項７】
クレアチン塩酸塩が前記組成物の少なくとも約７５重量％の量で前記組成物中に存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項８】
クレアチン塩酸塩が前記組成物の少なくとも約９０重量％の量で前記組成物中に存在する、請求項７記載の組成物。
【請求項９】
有効量のクレアチン塩酸塩を含む、ヒトにおけるハンチントン病を治療するための組成物であって、該有効量が約２グラム〜約１２グラムのクレアチン塩酸塩の１日量を含む、組成物。
【請求項１０】
クレアチニンと組み合わせて投与されるように用いられる、請求項９記載の組成物。
【請求項１１】
液体、ゲルまたは粉末の形態で投与されるように用いられる、請求項９記載の組成物。
【請求項１２】
リンパ芽球細胞におけるミトコンドリアの予備呼吸能が少なくとも約６０％増加する、請求項９記載の組成物。
【請求項１３】
リンパ芽球細胞におけるミトコンドリアの総ＡＴＰ代謝回転が少なくとも約７５％増加する、請求項９記載の組成物。
【請求項１４】
１日量のクレアチン塩酸塩を含む、ヒトにおけるハンチントン病またはパーキンソン病を治療するための組成物であって、該１日量が約２グラム〜約１２グラムのクレアチン塩酸塩を含む、組成物。
【請求項１５】
リンパ芽球細胞におけるジアシルグリセロールアシルトランスフェラーゼ２活性のレベルが少なくとも約１０％増加する、請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】
クレアチン塩酸塩が前記組成物の少なくとも約７５重量％の量で前記組成物中に存在する、請求項１４記載の組成物。
【請求項１７】
クレアチン塩酸塩が前記組成物の少なくとも約９０重量％の量で前記組成物中に存在する、請求項１６記載の組成物。
【請求項１８】
栄養補助食品もしくは健康補助食品として、または機能性食品として投与されるように用いられる、請求項１４記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月9日(2019.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、前記第１の領域を取り囲む第２の領域と、を有する粒子であって、前記第２の領域の体積は、前記粒子の体積の少なくとも７５パーセントであり、前記第２の領域は、前記第２の領域の厚さの全厚にわたって存在するコポリマーを含み、前記粒子の有する組成及び屈折率のそれぞれは、前記第２の領域の厚さ方向に変化する、粒子。
【請求項２】
前記第２の領域における最大屈折率と前記第２の領域における最小屈折率との差は、少なくとも０．０５である、請求項１に記載の粒子。
【請求項３】
前記組成及び前記屈折率のそれぞれは、前記第２の領域の前記厚さ方向に連続的に変化する、請求項１に記載の粒子。
【請求項４】
前記屈折率の動径座標による微分係数の絶対値は、動径座標が増加するとともに、前記第２の領域の前記厚さの少なくとも８０パーセントにわたって単調に増加する、請求項３に記載の粒子。
【請求項５】
前記第２の領域は複数の相互に同心の層を含み、各層は実質的に一定の屈折率を有し、隣接する層同士は異なる屈折率を有する、請求項１に記載の粒子。
【請求項６】
第１の屈折率を有する実質的に透明なマトリックスと、
前記マトリックス中に分散した、請求項１〜５のいずれか一項に記載の複数の粒子と、を含む組成物であって、
前記粒子のそれぞれは、前記粒子の外面において第２の屈折率を有し、前記第１の屈折率と第２の屈折率の間の差の絶対値は０．０５未満である、組成物。
【請求項７】
請求項６に記載の組成物を含む散乱制御層であって、コリメートされたビームが前記散乱制御層を通過するとき、光出力分布は、中心突出領域、環状領域及び前記中心突出領域と前記環状領域とを隔てる低強度領域を含む、散乱制御層。
【請求項８】
粒子の製造方法であって、
種を準備する工程と、
モノマーを準備する工程と、
前記種の表面に隣接する前記モノマーを反応させる工程と、
成長している前記粒子の表面に隣接する前記モノマーを反応させることによって、前記種の直径の少なくとも２倍の外径を前記粒子が有するまで、前記粒子を成長させる工程と、を含み、
前記モノマーは、前記成長している粒子に連続的に供給され、前記成長している粒子に供給される前記モノマーの組成は、時間とともに変化する、方法。
【請求項９】
１層以上の規則的な粒子層を備える物品であって、前記粒子の少なくとも一部は、前記粒子の直径の少なくとも５０パーセントにわたって変化する屈折率を有し、コリメートされたビームが前記物品を通過するとき、光出力分布は、中心突出領域、環状領域及び前記中心突出領域と前記環状領域とを隔てる低強度領域を含む、物品。
【請求項１０】
第１の領域と、前記第１の領域を取り囲む第２の領域と、を有する粒子であって、前記第２の領域の体積は、前記粒子の体積の少なくとも７５パーセントであり、前記粒子の有する組成及び屈折率のそれぞれは、前記第２の領域の厚さ方向に連続的に変化する、粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月16日(2019.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和炭素−炭素結合を有する炭化水素を含有する炭化水素流の精製、輸送、または、貯蔵の間の重合を阻害する方法であって、炭化水素生成物を、有効量の式１のヒドロキノン化合物と接触させることを含み、
【化１】
2018513258.tif 000001
（１）
式中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は独立して、アルキル、アリール、ヘテロシクロであるか、または、Ｒ1及びＲ2は、それらが結合した炭素と共に５員もしくは６員の縮合シクロ、アリール、ヘテロシクロ、もしくはヘテロアリール環を形成し、
前記炭化水素は、エチレン、プロピレン、アセチレン、スチレン、ブタジエン、またはそれらの組合せを含有する不飽和炭素−炭素結合を有する、方法。
【請求項２】
Ｒ1及びＲ2が、それらが結合した炭素と共に５員または６員の縮合環を形成するとき、前記化合物が、式２または式３の構造を有し、
【化２】
2018513258.tif 000002
【化３】
2018513258.tif 000003
式中、
Ｘ1、Ｘ2、及びＸ3は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ4）−、または−Ｃ（Ｈ）（Ｒ4）−であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ4）−、または−Ｃ（Ｈ）（Ｒ4）−であり、
Ｒ3は、アルキル、アリール、またはヘテロシクロであり、
Ｒ4は独立して、水素、アルキル、アリール、または、ヘテロシクロである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒ3が、アルキルである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
Ｘ1、Ｘ2、及びＸ3が独立して、−Ｏ−、または、−Ｃ（Ｈ）（Ｒ4）−であり、かつ、Ｘ1、Ｘ2、及びＸ3のうちの少なくとも１つが、−Ｃ（Ｈ）（Ｒ4）−であり、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4が独立して、−Ｏ−、または、−Ｃ（Ｈ）（Ｒ4）−であり、かつ、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4のうちの少なくとも２つが、−Ｃ（Ｈ）（Ｒ4）−である、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3が独立して、アルキルであり、または、独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、もしくはオクチルであり、または、独立して、メチル、エチル、プロピル、または、ブチルである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3が、メチルである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記炭化水素流が、エチレン、プロピレン、アセチレン、ブタジエン、またはそれらの組合せを含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、製造、精製、もしくは貯蔵プロセスの間の不飽和化合物の重合を安定化及び阻害する、または、前記方法が、一次分画プロセス、軽留分分画、プロセスガス圧縮、ブタジエン抽出、プロパン脱水素化、ディーゼル及び石油燃料安定化、オレフィンメタセシス、スチレン精製において、不飽和化合物の重合を安定化及び阻害するか、もしくは、エチレン性不飽和種を含む樹脂及び組成物の重合を遅延させる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記プロセスが、ブタジエン抽出、または、スチレン精製である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭化水素流を、式１のヒドロキノンと組合せたニトロキシド化合物と接触させることをさらに含み、
前記ニトロキシド化合物が、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−メトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ブトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、もしくはそれらの組合せであるか、または、前記ニトロキシド化合物が、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ブトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、もしくはそれらの組合せであるか、または、前記ニトロキシド化合物が、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシドを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
式１の化合物と溶媒とを含む重合阻害組成物であって、前記重合阻害組成物が、有効量の式１のヒドロキノン化合物を含み、
【化４】
2018513258.tif 000004
（１）
式中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は独立して、アルキル、アリール、ヘテロシクロであるか、または、Ｒ1及びＲ2は、それらが結合した炭素と共に５員もしくは６員の縮合シクロ、アリール、ヘテロシクロ、もしくはヘテロアリール環を形成する、重合阻害組成物。
【請求項１２】
前記重合阻害組成物が、フェノール、アルキル化フェノール、ニトロフェノール、ニトロソフェノール、キノン、キノンエーテル、キノンメチド、アミン、ヒドロキシルアミン、またはフェノチアジンから選択される付加的重合阻害剤をさらに含む、請求項１１に記載の重合阻害組成物。
【請求項１３】
ニトロキシド化合物をさらに含み、
前記ニトロキシド化合物が、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−メトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ブトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、もしくはそれらの組合せであるか、または、前記ニトロキシド化合物が、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、４−ブトキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシド、もしくはそれらの組合せであるか、または、前記ニトロキシド化合物が、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシドを含む、請求項１１または１２に記載の重合阻害組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーマトリックスＭとしての熱可塑性成形用コンパウンドＡ、および強化用繊維Ｂを含む、熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法であって、以下の工程：
ｉ）シランサイズで処理した強化用繊維Ｂで構成されるシート状構造物Ｆを用意する工程、
ｉｉ）成分Ａに対して、少なくとも０．３ｍｏｌ％の化学的に反応性の官能基を有する熱可塑性成形用コンパウンドＡ中に、シート状構造物Ｆを導入する工程、
ｉｉｉ）ポリマーマトリックスＭ中の熱可塑性成形用コンパウンドＡ中の化学的に反応性の基を、処理した強化用繊維Ｂの表面における極性基と反応させる工程、
ｉｖ）繊維複合材料を団結させる工程、および
ｖ）冷却する工程、
を含む、前記方法。
【請求項２】
繊維複合材料は、
ａ）３０重量％から９５重量％のポリマーマトリックスとしての熱可塑性成形用コンパウンドＡ、
ｂ）５重量％から７０重量％の強化用繊維Ｂで構成されるシート状構造物Ｆ、および
ｃ）０重量％から４０重量％、多くは０．１重量％から２５重量％の添加剤Ｃ
から生成される、請求項１に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項３】
ポリマーマトリックスＭとして使用される熱可塑性成形用コンパウンドＡは非晶質であり：スチレン−アクリロニトリルコポリマー、アルファ−メチルスチレン−アクリロニトリルコポリマー、耐衝撃性改良アクリロニトリル−スチレンコポリマー、および、挙げられたコポリマーとポリカーボネートまたはポリアミドのブレンドをベースとする、化学的に反応性の官能基により改質されたコポリマーの群から選択される、請求項１または２に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項４】
熱可塑性成形用コンパウンドＡは、化学的に反応性の官能基により改質されたスチレン−アクリロニトリルコポリマーおよびアルファ−メチルスチレンアクリロニトリルコポリ
マーからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項５】
熱可塑性成形用コンパウンドＡの化学的に反応性の官能基は、無水マレイン酸、Ｎ−フェニルマレイミドおよびグリシジル（メタ）アクリレートからなる群から選択される成分をベースとする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項６】
強化用繊維Ｂの表面は、ヒドロキシル、エステルおよびアミノ基の群からの１つまたはそれ以上の官能基を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項７】
成形用コンパウンドＡは、化学的に反応性の官能基を有する成分Ａに対して０．５重量％から５重量％のモノマーＡ−Ｉを使用して生成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項８】
成分Ａは、６５重量％から８０重量％の（α−メチル）スチレン、１９．７重量％から３２重量％のアクリロニトリルおよび０．３重量％から３重量％の無水マレイン酸から製造され、シート状構造物Ｆは、スクリム、織物、マット、不織物または編物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項９】
強化用繊維Ｂは、化学的に反応性の官能基として表面にシラノール基を含むガラス繊維からなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１０】
繊維複合材料は、リブ構造またはサンドイッチ構造を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１１】
繊維複合材料は、層状構造を有し、２つ超の層を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１２】
繊維複合材料の生成における温度は、少なくとも２００℃である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１３】
少なくとも２００℃の温度での繊維複合材料の生成における滞留時間は、１０分間以下である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１４】
成分Ａは、
６５重量％から８０重量％の（α−メチル）スチレン、
１９．９重量％から３２重量％のアクリロニトリル、および
０．１重量％から３重量％の無水マレイン酸
から生成され、
シート状構造物Ｆは、スクリム、織物、マット、不織物または編物であり、
少なくとも２００℃の温度にて繊維複合材料を生成するための滞留時間は、１０分間以下である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の生成された繊維複合材料。
【請求項１６】
成形物、フィルムおよびコーティングを生成するための、請求項１５に記載の繊維複合材料の使用方法。
【請求項１７】
ポリマーマトリックスＭとして用いられる熱可塑性成形用コンパウンドＡは、非晶質であり、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンコポリマーおよびアクリロニトリル−スチレン−アクリル酸エステルコポリマーから選択される耐衝撃性改良アクリロニトリル−スチレンコポリマーに対して、化学的に反応性の官能基により改質されたコポリマーの群から選択される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１８】
熱可塑性成形用コンパウンドＡは、化学的に反応性の官能基の無水マレイン酸（ＭＡ）により改質されたスチレン−アクリロニトリルコポリマーおよびアルファ−メチルスチレンアクリロニトリルコポリマーからなる群から選択されるコポリマーからなる、請求項１〜１４または１７のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【請求項１９】
熱可塑性繊維複合材料は、少なくとも１種の添加剤Ｃをさらに含み、工程ｉｖ）は、少なくとも１種の添加剤Ｃを組み入れることをさらに含む、請求項１〜１４、１７または１８のいずれか１項に記載の熱可塑性繊維複合材料を生成するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月28日(2019.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドーム状の内部構成を有する入口および出口を有するハウジング、
前記入口と前記出口との間に配置され、前記入口に対するシールを形成するドーム状の弾性弁要素、
を備え、
前記ドーム状の弾性弁要素は、流体を流すことが可能な複数の切欠きを有する、これにより、前記ドーム状の弾性弁要素がクラックして開かれたときに逆止弁を通って流れる流体の流量を増大させ、
前記ドーム状の弾性弁要素は、更に、その外周の周りに延びる一体形成された環状スカートを有し、
前記複数の切欠きは、前記環状スカートに合流するように、ほぼ半径方向外側に、且つ下方向に延びる等間隔の複数の脚部を画定し、
前記等間隔の複数の脚部の幅は、前記複数の切欠きの幅によって画定されることによって、前記等間隔の複数の脚部の強度がクラッキング圧力を実現し、
前記ドーム状の弾性弁要素の下面は、前記下面の周りを環状に延在する凹状部分を含み、前記凹状部分は、前記ドーム状の弾性弁要素の下に空気が閉じ込められないように、逆さまの三次元双曲面形状を有する外向きに延びる点を画定し、
前記ドーム状の弾性弁要素は、更に、中央ステムを有し、
前記出口は、ドーム状内部構成を有し、
前記入口の前記ドーム状内部構成は、環状弁座を有し、前記環状弁座は、前記ドーム状の弾性弁要素が前記ハウジング内の静止位置にあるときに前記ドーム状の弾性弁要素の上面とシールを形成し、
前記出口の前記ドーム状内部構成は、環状シートを有し、前記環状シートには、前記ドーム状の弾性弁要素が静止位置にあるときに前記環状スカートの内側に延びるリムが着座し、
前記出口の前記ドーム状内部構成は、複数のキャスタレーションを有し、前記複数のキャスタレーションは、前記凹状部分によって画定される前記三次元双曲面の外径よりも小さい内径を有し、前記ドーム状の弾性弁要素がクラックして開かれると前記ドーム状の弾性弁要素の内部への移動を制限する、逆止弁。
【請求項２】
前記凹状部分の周縁部は、前記複数の切欠き内に入り込むことによって、前記周縁部と前記等間隔の複数の脚部との間のアンダーカットを画定し、クラッキング中に前記ドーム状の弾性弁要素を内向きに移動させることを可能とするリビングヒンジとして機能する、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項３】
前記中央ステムは、円錐台形状であり、前記入口内に延びている、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項４】
前記中央ステムは、周囲に流体を流すことができるように、等間隔に設けられた複数の放射状突起を有する星形構成を含む、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項５】
前記複数の切欠きは、等間隔で設けられている、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項６】
前記等間隔の複数の脚部のそれぞれは、第１角度で前記入口から外側に傾斜する外側側壁と、前記第１角度より大きい第２角度で前記出口から外側に傾斜する内側側壁と、を備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項７】
前記一体形成された環状スカートは、前記等間隔の複数の脚部を安定させ、且つ前記等間隔の複数の脚部を互いに対して略放射状の構成に保持する構成を含む、請求項６に記載の逆止弁。
【請求項８】
前記一体形成された環状スカートの最下部の環状縁部は、安定性を向上させるために、厚さを増大させて内側に延びるリムを含む、請求項７に記載の逆止弁。
【請求項９】
前記等間隔の複数の脚部の数は、前記複数のキャスタレーションの数と異なる、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１０】
静止位置で、前記逆止弁を通る双方向への流体の流れは、前記等間隔の複数の脚部と前記環状スカートの弾性力によるシールによってブロックされる、ここで前記シールは、前記環状弁座と前記ドーム状の弾性弁要素の前記上面との間に形成される、請求項９に記載の逆止弁。
【請求項１１】
前記ドーム状の弾性弁要素は、前記等間隔の複数の脚部と前記環状スカートとの弾性力に対して前記中央ステムに力を加える前記入口に挿入された物理的物体によってクラックされて開き、その際に前記入口からの流体の流れが前記中央ステムの周りを流れ、前記ドーム状の弾性弁要素の外面を半径方向に横切って、前記切欠きを通り、前記等間隔の複数の脚部と前記キャスタレーションを通って流れ、次いで前記出口を介して流出する、請求項１０に記載の逆止弁。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の三次元位置を決定する装置であって、前記装置は、
信号を放出するようになった少なくとも１つの送信機を有し、
少なくとも３つの受信機を有し、前記少なくとも３つの受信機および前記少なくとも１つの送信機は、第１の平面内に配置され、第１の受信機および第２の受信機が、第１の直線に沿って配置され、第３の受信機は、前記第１の直線から距離を置いたところに配置され、
少なくとも３つの伝搬時間を算定するよう構成されたプロセッサを有し、前記プロセッサは、更に、前記算定された伝搬時間ならびに前記送信機および前記受信機の前記配置状態に基づいて前記物体の前記三次元位置を算定するよう構成されている、装置。
【請求項２】
前記送信機は、前記第１の直線上に配置され、または、前記送信機の位置は、前記少なくとも３つの受信機のうちの１つの位置と本質的に同一であり、前記３つの受信機のうちの１つは、送信機としても働く、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記送信機が前記第１の直線上に配置されるとき、前記送信機は、前記第１の受信機と前記第２の受信機との間に配置される、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記送信機は、前記信号をあらゆる空間方向に等方的に放出するようになっておりまたは前記送信機は、半円形送信機である、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記信号が前記送信機から前記物体を経由して前記第１の受信機までに要する第１の伝搬時間に基づいて第２の平面内で第１の楕円軌道または第１の半楕円軌道を算定するとともに、前記信号が前記送信機から前記物体を経由して前記第２の受信機までに要する第２の伝搬時間に基づいて前記第２の平面内で第２の楕円軌道または第２の半楕円軌道を算定するよう構成され、三次元空間内における前記物体の前記位置は、前記第２の平面内における前記２つの楕円軌道または半楕円軌道の交点の位置を用いて計算され、前記第１の楕円軌道の第１の焦点が前記第１の楕円軌道の第２の焦点と一致し、前記第２の楕円軌道の第１の焦点が前記第２の楕円軌道の第２の焦点と一致する、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項６】
前記プロセッサは更に、前記信号が前記送信機から前記物体を経由して前記第３の受信機までに要する第３の伝搬時間に基づいて前記第１の平面と前記第２の平面のなす角度を算定するよう構成されている、請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記プロセッサは更に、前記少なくとも３つの受信機のうちの１つまたは２つ以上によって受信された１つまたは２つ以上の信号の形状および／または伝搬時間に基づいて、前記物体の表面の広がりおよび／またはサイズおよび／または状態を算定するよう構成されている、請求項１〜６のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項８】
物体の三次元位置を決定する方法であって、
送信位置から物体によって少なくとも部分的に反射された信号を放出するステップを含み、
３つまたは４つ以上の受信位置のところで前記少なくとも部分的に反射された信号を受信するステップを含み、少なくとも３つの受信位置は、前記送信位置を含む第１の平面内に配置され、第１の受信位置および第２の受信位置が第１の直線に沿って配置され、第３の受信位置が、前記第１の直線から距離を置いたところに配置され、
少なくとも３つの伝搬時間を算定するステップを含み、
前記算定された伝搬時間ならびに前記送信位置および前記受信位置の配置状態を利用して前記物体の前記三次元位置を検出するステップを含む、方法。
【請求項９】
前記送信位置は、前記第１の直線に沿って配置されまたは前記少なくとも３つの受信位置のうちの１つに本質的に一致している、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記送信位置が前記第１の直線に沿って配置されるとき、前記送信位置は、前記第１の受信位置と前記第２の受信位置との間に配置される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記物体の前記三次元位置の第１の座標の前記決定は、前記信号が前記送信位置から前記物体を経て前記第１および前記第２の受信位置に至るまでに要する第１および第２の伝搬時間および前記送信位置までの前記第１および前記第２の受信位置の距離に基づいて実施され、前記第１の座標は、前記第１の直線に沿う前記物体の前記位置を定める、請求項８〜１０のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１２】
前記三次元空間内における前記物体の前記位置の前記決定は、第２の平面内における第１と第２の楕円軌道または第１と第２の半楕円軌道の交点を用いて実施され、前記信号が前記送信位置から前記物体を経て前記第１の受信位置に至るまでに要する第１の伝搬時間が前記第２の平面内における前記第１の楕円軌道または前記第１の半楕円軌道を定め、前記信号が前記送信位置から前記物体を経て前記第２の受信位置に至るまでに要する第２の伝搬時間が前記第２の平面内における前記第２の楕円軌道または前記第２の半楕円軌道を定め、前記第１の楕円軌道の第１の焦点が前記第１の楕円軌道の第２の焦点と一致し、前記第２の楕円軌道の第１の焦点が前記第２の楕円軌道の第２の焦点と一致している、請求項８〜１１のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１３】
前記三次元空間内における前記物体の前記位置の前記計算は、前記第１の平面と前記第２の平面のなす角度を用いて実施され、前記信号が前記送信位置から前記物体を経て前記第３の受信位置に至るまでに要する第３の伝搬時間が前記角度を定める、請求項１１または１２記載の方法。
【請求項１４】
前記方法は、前記送信位置までの前記受信位置の距離を計算するステップを含み、前記距離の前記計算は、所定の伝搬速度を用いて前記送信位置からそれぞれの前記受信位置まで直接伝送される信号の伝搬時間に基づいている、請求項８〜１３のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法は、前記放出信号の前記伝搬速度を計算するステップを含み、前記伝搬速度の前記計算は、前記送信位置と前記少なくとも３つの受信位置のうちの１つとの間の所定の距離を用いて、前記送信位置から前記少なくとも３つの受信位置のうちの前記１つに直接伝送される前記信号に基づいている、請求項８〜１３のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１６】
前記方法は、前記３つの受信位置のうちの１つまたは２つ以上によって受信された１つまたは２つ以上の信号の形状および／または伝搬時間を用いて、前記物体の表面の広がりおよび／またはサイズおよび／または状態を計算するステップを含む、請求項８〜１５のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１７】
前記方法は、繰り返し実施され、前記送信位置および／または前記送信位置の数は、変えられる、請求項８〜１６のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１８】
前記方法は、繰り返し実施され、前記送信位置は２つまたは３つ以上の受信位置相互間で変えられる、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月3日(2019.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
例えば被験体からの唾液試料などの唾液試料中の分析物を定量的に検出する側方流動試験装置であって、前記装置は、
自身の上に第１の試験位置を含む第１の多孔質マトリックスを含み、前記第１の試験位置は、前記分析物に特異的に結合する標識Ｆａｂ断片に結合するために前記試料中の分析物と競合する第１の試験試薬を含み、液体試料は、前記試験装置に沿って側方に流動し、前記第１の試験位置を通過して第１の検出可能な信号を形成し、
１）前記装置は、自身の上に第２の試験位置を含む第２の多孔質マトリックスをさらに含み、前記第２の試験位置は、前記唾液試料中の正常化物質に結合するか、または前記正常化物質に結合する他の結合試薬に結合するか、あるいは、前記正常化物質の結合試薬に結合するために前記唾液試料中の正常化物質と競合する正常化物質または正常化物質類似体である第２の試験試薬を含み、液体試料は、前記試験装置に沿って側方に流動し、前記第２の試験位置を通過して第２の検出可能な信号を形成し、前記第１の検出可能な信号および前記第２の検出可能な信号は、前記唾液試料中の前記分析物の量を評価するために比較されるように構成され、および、
２）前記唾液試料中の前記分析物が、コルチゾール、デヒドロエピアンドロステロン（ＤＨＥＡ）、デヒドロエピアンドロステロンサルフェート（ＤＨＥＡ−Ｓ）、エストリオール、エストラジオール、エストロン、プロゲステロン、テストステロン、チロキシン、トリヨードチロニン、甲状腺刺激ホルモン、アンドロステンジオン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、試験装置。
【請求項２】
前記第１の試験位置が、１７−βエストラジオール（（８Ｒ、９Ｓ、１３Ｓ、１４Ｓ、１７Ｓ）−１３−メチル−６，７，８，９，１１，１２，１４，１５，１６，１７−デカヒドロシクロペンタ［ａ］フェナントレン−３，１７−ジオール、Ｅ２とも呼ばれる）およびプロゲステロン（プレグナ−４−エン−３，２０−ジオン、Ｐ４とも呼ばれる）を定量的に検出するための第１の試験試薬を含む、請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記第２の試験位置が、トランスフェリン、アルブミン、クレアチニンまたはそれらの組み合わせを正常化物質として定量的に検出するための第２の試験試薬を含む、請求項１または請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
約１ｐｇ／ｍｌ〜約３０ｐｇ／ｍｌの範囲の被験体からの唾液試料中のエストラジオールを定量的に検出するように構成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の試験装置。
【請求項５】
約５０ｐｇ／ｍｌ〜約２ｎｇ／ｍｌの範囲の被験体からの唾液試料中のプロゲステロンを定量的に検出するように構成される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の試験装置。
【請求項６】
１種以上のホルモン、排卵、妊娠、妊孕性の評価のために構成され、例えば、ホルモン、排卵、妊娠、妊孕性の状態、時間窓、傾向、または治療の監視または指導のために構成された前記試験装置であって、前記試験装置は、排卵を予測する、妊娠を確認する、または、全体的な妊孕性および／または妊娠可能性を評価するように選択的に構成される、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の試験装置。
【請求項７】
唾液試料中の分析物を定量的に検出する方法であって、この方法は、
ａ）前記唾液試料が１つ以上の試験位置の上流の前記試験装置の部位に塗布され、前記部位が例えば高分子材料および／またはセルロース系材料などの吸収材料を任意に含む、唾液試料を請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の前記試験装置と接触させることと、
ｂ）前記唾液試料中に存在する場合、前記分析物と、前記分析物に特異的に結合する標識Ｆａｂ断片とを前記１つ以上の試験位置に輸送することと、
ｃ）前記１つ以上の試験位置で前記１つ以上の第１の検出可能な信号を評価することとを含み、
１）前記１つ以上の第２の検出可能な信号が評価され、前記１つ以上の第１の検出可能な信号と比較されて、前記唾液試料中の前記分析物の量を評価する、方法。
【請求項８】
唾液試料中の複数の分析物のレベルが決定され、単一の試験結果に統合される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
排卵を予測するために使用され、または妊娠を確認するために使用され、または、家族計画のために、および／または受胎調節のために、全体的な妊孕性および／または妊娠可能性を評価するために使用される、請求項７または請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
例えば被験体からの唾液試料などの唾液試料中の１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンを定量的に検出するように構成された試験装置であって、前記試験装置は、
自身の上に試験位置を含む多孔質マトリックスを含み、前記試験位置は、１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンに特異的に結合する標識Ｆａｂ断片に結合するために前記試料中の１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンと競合する試験試薬を含み、液体試料は、前記試験装置に沿って側方に流動し、前記試験位置を通過して、前記試料中の１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンの量吐逆の関係にある、検出可能な信号を形成する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の試験装置。
【請求項１１】
前記多孔質マトリックス上の２つの試験位置を含み、前記２つの試験位置のうちの一方は、１７−βエストラジオールに特異的に結合する標識Ｆａｂ断片に結合するために前記試料中の１７−βエストラジオールと競合する試験試薬を含み、前記２つの試験位置のうちの他方は、プロゲステロンに特異的に結合する標識Ｆａｂ断片に結合するために前記試料中のプロゲステロンと競合する試験試薬を含む、請求項１０に記載の試験装置。
【請求項１２】
唾液試料中の１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンを定量的に検出するための方法であって、
ａ）前記唾液試料が１つ以上の試験位置の上流の前記試験装置の部位に塗布され、前記部位がたとえば高分子材料および／またはセルロース系材料などの吸収材料を任意に含む唾液試料を請求項１１または請求項１２の試験装置と接触させることと、
ｂ）前記唾液試料中に存在する場合、前記１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンと、前記１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンに特異的に結合する標識Ｆａｂ断片とを前記１つ以上の試験位置に輸送することと、
ｃ）前記唾液試料中における１７−βエストラジオールおよび／またはプロゲステロンの定量化のために、前記１つ以上の試験位置で１つ以上の検出可能な信号を評価することとを含む、方法。
【請求項１３】
前記唾液試料中のエストラジオールおよびプロゲステロンのレベルが決定され、単一の試験結果に統合される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記唾液試料は、被験体からのものである、請求項７から請求項９、請求項１２および請求項１３のうちのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノ材料を製造するためのシステムであって、
炭酸塩を受け入れる炉室であって、これを加熱することにより溶融炭酸塩を生成させる炉室；
溶融炭酸塩に電気分解を行うためのアノード及びカソードを有する電気分解装置；並びに
カーボンナノ材料を蓄積させるためにカソード上に遷移金属核形成剤を形成するための分散機
を含むシステム。
【請求項２】
カーボンナノ材料を製造する方法であって、
炭酸塩を加熱することにより溶融炭酸塩を生成させ；
溶融炭酸塩にアノード及びカソードを挿入し；
遷移金属核形成剤を溶融炭酸塩中に提供し；そして
アノードとカソードとの間で電気分解を起こすことにより、核形成部位からカソードにカーボンナノ材料を形成させる
ことを含む方法。
【請求項３】
カソードが、鋼、鉄、ニッケル、金属合金又は炭素の１つである、請求項２記載の方法。
【請求項４】
アノードが、酸化及び低過電圧での持続する酸素発生に耐性の、ニッケル、コバルト、銅、マンガン、炭素、イリジウム、金属、金属炭素、又は合金の１つである、請求項２記載の方法。
【請求項５】
電気分解が、最初の所定時間は低電流密度で、そして次に更に高い電流密度で行われる、請求項２記載の方法。
【請求項６】
カーボンナノ材料が、カーボンナノファイバーである、請求項５記載の方法。
【請求項７】
カーボンナノ材料が、カーボンナノチューブである、請求項５記載の方法。
【請求項８】
添加される遷移金属核形成剤が、ニッケル、鉄、コバルト、銅、チタン、クロム、マンガン、ジルコニウム、モリブデン、銀、カドミウム、スズ、ルテニウム又はこれらの混合物のグループの１つである、請求項２記載の方法。
【請求項９】
添加される遷移金属核形成剤が、溶解した遷移金属塩として溶融炭酸塩に添加されてカソード上に移動する、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
添加される遷移金属核形成剤が、直接カソード上に添加される、請求項２記載の方法。
【請求項１１】
添加される遷移金属核形成剤が、アノードからの遷移金属塩の溶解により添加されて溶融炭酸塩を通ってカソード上に移動する、請求項２記載の方法。
【請求項１２】
カソード上に添加された遷移金属塩の溶解により亜鉛を添加することを更に含む、請求項２記載の方法。
【請求項１３】
炭酸塩が、アルカリ及びアルカリ土類炭酸塩のグループの１つ又はそれらの混合物である、請求項２記載の方法。
【請求項１４】
ＣＯ２をＣＯ２源から溶融炭酸塩に注入することを更に含む、請求項２記載の方法。
【請求項１５】
ＣＯ２源が、空気、加圧ＣＯ２、又は濃縮ＣＯ２、発電産業プロセス、鉄生成産業プロセス、鋼生成産業プロセス、セメント形成プロセス、アンモニア形成産業プロセス、アルミニウム形成産業プロセス、製造プロセス、炉、煙突、又は内燃機関の１つである、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
溶融炭酸塩が、酸化物や遷移金属塩以外の無機塩を、蓄積されたカーボンナノ材料に非炭素添加剤を提供するため、又は炭素を除去することにより蓄積されたカーボンナノ材料に炭素間隔を提供するために含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
蓄積されたカーボンナノ材料を処理することであって、この処理が、洗浄、コーティング、及び化学的又は電気化学的な酸化又は還元の少なくとも１つである、処理することを更に含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
添加された酸化物での溶融炭酸塩の浸漬を更に含む、請求項２記載の方法。
【請求項１９】
酸化物が、絡み合ったカーボンナノ材料の形成を促進するための酸化リチウムである、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
酸化物が、酸化ニッケルの溶解を抑制することにより核形成部位の数を制御するための酸化バリウムである、請求項１８記載の方法。
法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年11月5日(2019.11.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
また、本発明のまた他の実施例においては、厚さを有するベース金属板；前記ベース金属板は前記厚さ方向に対して直交し、互いに対向する第１面および第２面を具備し、前記ベース金属板の任意の地点に３０ｍｍ＊１８０ｍｍ（横＊縦）で採取したサンプル基板の、両側末端から内側に１０ｍｍを残してその内部に対して前記厚さの２／３〜１／２厚さにエッチングしたエッチング領域を具現し、前記サンプル基板を水平対象面に据え置きする場合、前記サンプル基板のねじれ指数（Ｈｒ）が次の関係を充足する金属基板を提供できるようにする。
｛数１｝
ＨＲ＝｛（Ｈ１−Ｈａ）２＋（Ｈ２−Ｈａ）２＋（Ｈ３−Ｈａ）２＋（Ｈ４−Ｈａ）２｝１／２
｛数２｝
Ｈａ＝（Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈ３＋Ｈ４）／４
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
この場合、算術平均粗度（Ｒａ）は図１２に図示されたように、中心線表面粗さ（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ  Ａｖｅｒａｇｅ、Ｒａ）、ＣＬＡ（Ｃｅｎｔｅｒ  Ｌｉｎｅ  Ａｖｅｒａｇｅ）、ＡＡ（Ａｒｉｔｈ  Ｍｅｔｉｃ  Ａｖｅｒａｇｅ）とも表現し、ある基準の長さ内の表面の山と谷の高さと深さを基準線を中心に平均して得られる値と定義する。すなわち、図１２のグラフのように、粗さを測定する表面の基準となる基準線（中心線）を基準として粗さの程度を表示し、これを算術平均で具現したものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
この場合、前記ベース金属板は前記厚さ方向に対して直交し、互いに対向する第１面および第２面を具備する。このようなベース金属板に対して、前記ベース金属板の任意の地点に３０ｍｍ＊１８０ｍｍ（横＊縦）で採取したサンプル基板（２００）の、両側末端で内側に１０ｍｍを残して（２２０部分）その内部に対して前記厚さの２／３〜１／２厚さにエッチングしたエッチング領域（２１０）を具現し、以後、前記サンプル基板を水平対象面に据置する場合、エッチングが行われたサンプル基板のねじれ指数（Ｈｒ）が次の関係を充足する。
｛数１｝
ＨＲ＝｛（Ｈ１−Ｈａ）２＋（Ｈ２−Ｈａ）２＋（Ｈ３−Ｈａ）２＋（Ｈ４−Ｈａ）２｝１／２
｛数２｝
Ｈａ＝（Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈ３＋Ｈ４）／４
（Ｈａはエッチングされたサンプル基板の４個の隅が水平対象面から離隔される距離（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４）の平均隔離距離と定義する。）
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さを有するベース金属板；
前記ベース金属板は前記厚さ方向に対して直交し、互いに対向する第１面および第２面を具備し、
前記ベース金属板の任意の地点に３０ｍｍ＊１８０ｍｍ（横＊縦）で採取したサンプル基板の、両側末端で内側に１０ｍｍを残してその内部に対して前記厚さの２／３〜１／２厚さにエッチングしたエッチング領域を具現し、
エッチングを遂行した前記サンプル基板を水平対象面に据置した場合、
前記サンプル基板のねじれ指数（Ｈｒ）が次の関係を充足し、ねじれ指数（Ｈｒ）が０．２ um ないし７ um である金属基板。
［数１］
ＨＲ＝｛（Ｈ１−Ｈａ）２＋（Ｈ２−Ｈａ）２＋（Ｈ３−Ｈａ）２＋（Ｈ４−Ｈａ）２｝１／２
［数２］
Ｈａ＝（Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈ３＋Ｈ４）／４
（Ｈａは前記サンプル基板４個の隅が水平対象面から離隔される距離（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４）の平均隔離距離と定義され、
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４の少なくとも一つは異なる値を有する。）
【請求項２】
前記ベース金属板の任意の地点に対して３０ｍｍ＊１８０ｍｍ（横＊縦）で採取してエッチングを加えなかった単位基板を水平対象面に据置し、
前記単位基板（Ｔ１）の４個の隅地点に対して得られる前記［数１］および［数２］によるねじれ指数（Ｈｒ（Ｔ１））が、前記ベース金属板のエッチングを遂行したサンプル基板（Ｔ２）のねじれ指数（Ｈｒ（Ｔ２））以下である、請求項１に記載の金属基板。
［数３］
Ｈｒ（Ｔ１）≦Ｈｒ（Ｔ２）
【請求項３】
厚さを有して前記厚さ方向に対して直交し、互いに対向する第１面および第２面を具備する金属基板と、前記第１面および第２面を貫通し、相互間に連通する第１面穴（１１０）および第２面穴（１３０）を有する複数の単位ホールを含み、
前記金属基板の任意の地点に３０ｍｍ＊１８０ｍｍ（横＊縦）で採取したサンプル基板の、両側末端で内側に１０ｍｍを残してその内部に対して前記厚さの２／３〜１／２厚さにエッチングしたエッチング領域を具現し、
エッチングを遂行した前記サンプル基板を水平対象面に据置した場合、
前記サンプル基板のねじれ指数（Ｈｒ）が次の関係を充足し、ねじれ指数（Ｈｒ）が０．２ um ないし７ um である蒸着用マスク。
［数１］
Ｈｒ＝｛（Ｈ１−Ｈａ）２＋（Ｈ２−Ｈａ）２＋（Ｈ３−Ｈａ）２＋（Ｈ４−Ｈａ）２｝１／２
［数２］
Ｈａ＝（Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈ３＋Ｈ４）／４
（Ｈａは前記サンプル基板４個の隅が水平対象面から離隔する距離（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４）の平均隔離距離と定義され、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４の少なくとも一つは異なる値を有する。）
【請求項４】
前記第１面穴および第２面穴の内部面算術平均粗度が０．０８ um ないし０．５ um である、請求項３に記載の蒸着用マスク。
【請求項５】
前記単位ホール間には大きさ偏差を有し、
前記単位ホール間の大きさ偏差は２ないし１０％の範囲を有する、請求項３に記載の蒸着用マスク。
【請求項６】
前記第１面穴の中心を過ぎて前記厚さ方向に水平な第１面穴中心軸と
前記第２面穴の中心を過ぎて前記厚さ方向に水平な第２面穴中心軸は互いに一致しないように隔離距離を有する、請求項３に記載の蒸着用マスク。
【請求項７】
前記第１面穴中心軸と前記第２面穴中心軸の離隔距離は、
前記第２面穴の直径の長さの０．２ないし５％の範囲を有する、請求項６に記載の蒸着用マスク。
【請求項８】
それぞれの前記単位ホールは４個の隅を含み、
それぞれの前記隅のラウンディングされた部分の曲率を延長して形成される仮想の円の直径が５μｍないし２０μｍである、請求項３に記載の蒸着用マスク。
【請求項９】
前記第２面穴の直径は前記第２面穴の開口部の長軸と短軸のうち少なくとも一つであり、
前記第２面穴の直径は前記第２面穴の中心を過ぎる水平方向直径、垂直方向直径および対角方向直径のうちいずれか一つである、請求項３に記載の蒸着用マスク。
【請求項１０】
請求項３ないし９のうちいずれか一項の蒸着用マスクを用いて蒸着材料が成膜される基板を適用するディスプレー製造方法。