(57)【要約】  実施形態によれば、磁気素子は、第１磁性層と、第１非磁性層と、を含む。前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たす。前記第１非磁性層の面積抵抗は、１０Ωμｍ２以上である。
2018198713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１磁性層と、
第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、
前記第１非磁性層の面積抵抗が１０Ωμｍ２以上であることを特徴とする、磁気素子。
【請求項２】
第１磁性層と、
第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、
前記第１非磁性層を介して前記第１磁性層に単極性の電圧を印加することにより双方向の情報書き込みを行うことを特徴とする、磁気素子。
【請求項３】
第１磁性層と、
第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、
前記第１非磁性層の面積抵抗が１０Ωμｍ２以上であり、
前記第１非磁性層を介して前記第１磁性層に単極性の電圧を印加することにより双方向の情報書き込みを行うことを特徴とする、磁気素子。
【請求項４】
前記第１方向に対して交差する面内の前記第１磁性層の異方性磁界Ｈｋが、Ｈｋ≠０を満たすことを特徴とする、請求項１記載の磁気素子。
【請求項５】
前記第１非磁性層がトンネル絶縁層であることを特徴とする、請求項１記載の磁気素子。
【請求項６】
前記第１非磁性層が、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｓｒ、及びＢａからなる群から選択された少なくとも１つを含む酸化物または窒化物またはフッ化物を含むことを特徴とする、請求項１記載の磁気素子。
【請求項７】
前記第１非磁性層を介して前記第１磁性層と反対側に設けられた第２磁性層をさらに備えたことを特徴とする、請求項１記載の磁気素子。
【請求項８】
前記第１磁性層がコーン磁化状態を持つことを特徴とする、請求項１記載の磁気素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
記憶される情報に応じて磁性層の磁化方向を変化させる磁気素子が知られている。磁気素子において、安定した動作が得られることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００９／１３３６５０号
【特許文献２】特開２０１４−６７９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、動作安定性を向上できる磁気素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、磁気素子は、第１磁性層と、第１非磁性層と、を含む。前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たす。前記第１非磁性層の面積抵抗は、１０Ωμｍ２以上である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、動作安定性を向上できる磁気素子が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る磁気素子を例示する模式的斜視図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施形態に係る磁気素子の特性を例示する模式的斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係る磁気素子を例示する模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１磁性層の特性を例示する模式図である。
【図５】図５は、第１磁性層の特性を例示する模式図である。
【図６】図６は、第１磁性層に関するシミュレーション結果を表す図である。
【図７】図７は、第１磁性層に関するシミュレーション結果を表す図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１磁性層に関するシミュレーション結果を表す図である。
【図９】図９は、第１磁性層に関する別のシミュレーション結果を表す図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１磁性層に関する別のシミュレーション結果を表す図である。
【図１１】図１１は、スイッチング様式を表す相図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、実施形態に係る磁気記憶装置の動作を例示する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
図１は、実施形態に係る磁気素子を例示する模式的斜視図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気素子の特性を例示する模式図である。
図３は、実施形態に係る磁気素子を例示する模式的断面図である。
【００１０】
実施形態に係る第１磁気素子１１０は、第１磁性層１１、第１非磁性層２１、及び第２磁性層１２を含む。
【００１１】
第１非磁性層２１から第１磁性層１１に向かう第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｚ軸からはかった角度を極角θとし、Ｘ軸からはかったＸＹ平面上での角度を方位角φとする。
【００１２】
第２磁性層１２は、第１非磁性層２１を介して第１磁性層１１と反対側に設けられる。第１非磁性層２１は、Ｚ軸方向において、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に位置する。第１磁性層１１、第１非磁性層２１、及び第２磁性層１２は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に平行に広がる。
【００１３】
Ｚ軸方向に対して交差する面内の第１磁性層１１の異方性磁界Ｈｋは、Ｈｋ≠０を満たす。例えば、図１に表したように、Ｘ軸方向における第１磁性層１１の長さＬ１は、Ｙ軸方向における第１磁性層１１の長さＬ２と異なる。これにより、第１磁性層１１に形状磁気異方性磁界が生じ、Ｈｋ≠０となる。
【００１４】
第１磁性層１１に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、Ｚ軸方向と、第１磁性層１１の磁化方向ｍと、の間の角度θ０は、図２（ａ）に表したように、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、Ｚ軸方向から傾斜している。Ｘ軸方向と磁化方向ｍとの間の角度φは、Ｈｋ≠０の場合ではＨｋと同じ方位角である。
【００１５】
第１磁性層１１は、強磁性材料を含む。第１磁性層１１に含まれる強磁性材料のｃ軸は、例えばＺ軸方向に沿う。例えば微細加工前でＨｋ＝０の状態では、第１磁性層１１の磁化方向ｍは、図２（ｂ）に表したように、ｃ軸（Ｚ軸方向）に対して角度θ０傾斜した円錐面上のいずれかの位置にある。このような、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たす磁化状態は、コーン磁化状態と呼ばれる。
【００１６】
第１非磁性層２１は、例えばトンネル絶縁層である。第１非磁性層２１の面積抵抗（ＲＡ：Resistance area product）は、１０Ωμｍ２以上であることが好ましい。これにより、例えば、電圧書き込み動作において、低い消費電力が得られる。第１非磁性層２１の面積抵抗に関する情報は、例えば、素子の抵抗の測定結果と、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）またはＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）などによる素子のサイズの測定結果、などから得られる。
【００１７】
第１非磁性層２１の面積抵抗は、例えば、２０Ωμｍ２よりも大きくてもよい。これにより、例えば、電流書き込み動作の場合の１／２の、低い消費電力が得られる。第１非磁性層２１の面積抵抗は、例えば、１００Ωμｍ２以上でもよい。これにより、例えば、電流書き込み動作の場合の１／１０の、さらに低い消費電力が得られる。第１非磁性層２１の面積抵抗は、例えば、５００Ωμｍ２以上でもよい。これにより、例えば、電流書き込み動作の場合の１／５０の、さらに低い消費電力が得られる。第１非磁性層２１の面積抵抗が２０Ωμｍ２以下になると、書き込みに要するエネルギーが急激に増大する。第１非磁性層２１の面積抵抗が１０Ωμｍ２未満になると、書き込みに要するエネルギーの増大は、さらに加速する。
【００１８】
一方、電圧読み出し動作においては、第１非磁性層２１の面積抵抗が大きいほど、読み出しに要する時間は長くなる。例えば、第１非磁性層２１の面積抵抗が２０Ωμｍ２、１００Ωμｍ２、５００Ωμｍ２である場合、読み出しに要する時間はそれぞれ２倍、１０倍、５０倍と長くなる。このため、高速読み出しの観点からは、第１非磁性層２１の面積抵抗は、前記の値よりも低い方が好ましい。実際の磁気記憶装置においては、個々の応用で要求される消費電力と読み出し速度を両立するために最適な第１非磁性層２１の面積抵抗を用いればよい。
【００１９】
図３に表した例では、第１磁気素子１１０は、磁気記憶装置２１０に含まれる。磁気記憶装置２１０は、例えば、第２磁気素子１２０、第１導電層３１、第２導電層３２、第３導電層３３、第４導電層３４、絶縁部４０、制御部７０、第１配線７１、及び第２配線７２をさらに含む。第２磁気素子１２０は、第３磁性層１３、第４磁性層１４、及び第２非磁性層２２を含む。
【００２０】
第３磁性層１３は、Ｘ軸方向において、第１磁性層１１から離間している。第３磁性層１３は、例えば、第１磁性層１１と同様の構造を有する。すなわち、Ｚ軸方向に対して交差する面内の第３磁性層１３の異方性磁界は、０よりも大きい。第３磁性層１３に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、Ｚ軸方向と第３磁性層１３の磁化方向との間の角度は、０°よりも大きく９０°よりも小さいか、もしくは９０°よりも大きく１８０°よりも小さい。
【００２１】
第４磁性層１４は、Ｘ軸方向において第２磁性層１２から離間している。第２非磁性層２２は、Ｚ軸方向において、第３磁性層１３と第４磁性層１４との間に設けられる。
【００２２】
第１磁性層１１は、Ｚ軸方向において、第１導電層３１と第１非磁性層２１との間に設けられる。第１導電層３１は、例えば、第１磁性層１１と接する。第２磁性層１２は、Ｚ軸方向において、第２導電層３２と第１非磁性層２１との間に設けられる。
【００２３】
第３磁性層１３は、Ｚ軸方向において、第３導電層３３と第２非磁性層２２との間に設けられる。第３導電層３３は、例えば、第３磁性層１３と接する。第４磁性層１４は、Ｚ軸方向において、第４導電層３４と第２非磁性層２２との間に設けられる。
【００２４】
磁気記憶装置２１０には、第１磁性層１１及び第３磁性層１３の磁化方向に実質的な影響を与えない範囲で、地磁気などの微弱な磁界が印加されていても良い。ここでは、地磁気などの微弱な磁界が印加された状態も、実質的に磁界が印加されていない状態に含む。
【００２５】
絶縁部４０は、Ｘ軸方向において、第１磁気素子１１０と第２磁気素子１２０との間に設けられる。  
【００２６】
第１導電層３１及び第３導電層３３は、第１配線７１と電気的に接続される。第２導電層３２及び第４導電層３４は、第２配線７２と電気的に接続される。第２導電層３２と第２配線７２との間には、例えば第１スイッチ７２ａが設けられる。第４導電層３４と第２配線７２との間には、例えば第２スイッチ７２ｂが設けられる。第１スイッチ７２ａと第２スイッチ７２ｂは、例えば選択トランジスタである。このように、電流経路上にスイッチなどが設けられている状態も、電気的に接続される状態に含まれる。第１スイッチ７２ａ及び第２スイッチ７２ｂは、それぞれ、第１導電層３１と第１配線７１との間および第３導電層３３と第１配線７１との間に設けられていても良い。
【００２７】
制御部７０は、第１配線７１と第２配線７２との間に電圧を印加し、第１スイッチ７２ａまたは第２スイッチ７２ｂをオンさせることで、第１磁気素子１１０または第２磁気素子１２０に選択的に電圧を印加する。第１磁気素子１１０に適切な極性の電圧が印加されると、第１磁性層１１の磁化方向がＸ軸方向を中心に歳差運動し、磁化方向のＺ軸方向成分は正負の反転を繰り返す。第１磁気素子１１０への電圧の印加時間を適切に制御することで、第１磁性層１１の磁化方向を所望の方向に制御することができる。すなわち、磁気記憶装置２１０では、第１非磁性層２１を介して第１磁性層１１に単極性の電圧を印加することにより、双方向の情報書き込みを行うことが可能である。
【００２８】
本実施形態によれば、Ｚ軸方向と第１磁性層１１の磁化方向ｍとの間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たす。第１磁性層１１に電圧が印加された際に、例えば第１磁性層１１の異方性磁界Ｈｋにより、第１磁性層１１の磁化方向を変化させるトルクが与えられる。この結果、電圧印加時に外部磁界が実質的に無い状態で、第１磁性層１１の磁化方向が変化する。
【００２９】
従って、実施形態に係る磁気記憶装置２１０は、第１磁性層１１に面内方向の磁界を印加するための磁性層等を含んでいる必要は無い。例えば、磁気記憶装置２１０は、面内方向に磁化容易軸を有する磁性層を含んでいない。第１磁性層１１に磁界を印加するための構成を含んでいないことで、磁気記憶装置２１０の製造が容易となる。さらに、外部磁界の強度のばらつきに基づく、第１磁性層１１の磁化方向の変化のばらつきを抑制できるため、磁気記憶装置２１０の動作安定性を向上させることができる。
【００３０】
以上で説明した磁気記憶装置２１０に含まれる各磁性層の磁化方向は、例えば、スピン偏極ＳＥＭを用いて観察することができる。
【００３１】
以下で、各構成要素の具体的な例について説明する。
第１磁性層１１、第２磁性層１２、第３磁性層１３、及び第４磁性層１４は、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｓｍ、及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁性層１１、第２磁性層１２、第３磁性層１３、及び第４磁性層１４のそれぞれの厚さは、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００３２】
または、第１磁性層１１及び第３磁性層１３は、第１領域と第２領域を含んでいても良い。第１領域はＣｏを含み、第２領域はＰｔ及びＰｄからなる群より選択された少なくとも１つを含む。この場合、第１領域は、第１非磁性層２１と第２領域との間に設けられる。
または、第１磁性層１１及び第３磁性層１３は、Ｚ軸方向において交互に設けられた複数の第１領域および複数の第２領域を含んでいても良い。この場合、第１領域は、六方最密充填構造（ｈｃｐ）構造または面心立方格子（ｆｃｃ）（１１１）構造を有することが望ましい。第２領域は、ｆｃｃ（１１１）構造を有することが好ましい。または、第１領域はｆｃｃ（００１）構造を有し、第２領域はｆｃｃ（００１）構造を有していても良い。Ｐｔを含む第２領域の上に積層される第１領域の１層の厚さ（Ｚ軸方向における長さ）は、Ｃｏ原子の大きさの１０〜１５個分に相当することが好ましい。Ｐｄを含む第２領域の上に積層される第１領域の１層の厚さは、Ｃｏ原子の大きさの４．５〜６個分に相当することが好ましい。
【００３３】
第１領域はＣｏを含み、第２領域はＰｔを含んでいても良い。例えば、この場合、第１領域の厚さは０．９ｎｍ以上１．１ｎｍ以下であり、第２領域の厚さは２ｎｍである。一例として、第１領域と第２領域は、Ｚ軸方向において交互に８つずつ設けられる。または、第１領域は、１または２原子層のＣｏであり、第２領域は、１または２原子層のＰｔであっても良い。この場合、第１領域と第２領域は、例えば、Ｚ軸方向において交互に数層から数十層ずつ設けられても良い。
または、第１磁性層１１及び第３磁性層１３は、ｈｃｐ構造のＣｏを含んでいても良い。
【００３４】
または、第１磁性層１１及び第３磁性層１３は、Ｚ軸方向に磁化容易軸を有する第１磁性膜と、面内方向に磁化容易軸を有する第２磁性膜と、を積み重ねることで構成されていても良い。この場合、第１磁性層１１及び第３磁性層１３の磁化方向が全体としてＺ軸方向から傾くように、第１磁性膜及び第２磁性膜は比較的薄いことが好ましい。
【００３５】
第２磁性層１２及び第４磁性層１４の磁化方向は、変化し難い。第１磁性層１１及び第３磁性層１３の磁化方向は、第２磁性層１２及び第４磁性層１４の磁化方向に比べて、変化し易い。
【００３６】
第１非磁性層２１及び第２非磁性層２２は、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｓｒ、及びＢａからなる群から選択された少なくとも１つを含む酸化物または窒化物またはフッ化物を含む。第１非磁性層２１及び第２非磁性層２２のそれぞれの厚さは、例えば、０．５ｎｍ以上４ｎｍ以下である。
【００３７】
第１導電層３１、第２導電層３２、第３導電層３３、及び第４導電層３４は、非磁性である。第１導電層３１、第２導電層３２、第３導電層３３、及び第４導電層３４は、例えば、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１導電層３１、第２導電層３２、第３導電層３３、及び第４導電層３４のそれぞれの厚さは、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。より好ましくは、これらの導電層の厚さは、第１磁性層１１の長さＬ１または長さＬ２より長く、２００ｎｍ以下である。これにより、良好な平坦性と、低い抵抗値と、が得られる。
【００３８】
絶縁部４０は、例えば、非磁性の絶縁性化合物を含む。この絶縁性化合物は、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、及びＴａからなる群より選択された少なくともいずれかの元素の、酸化物、窒化物、または弗化物である。
【００３９】
以下で、第１磁性層１１について具体的に説明する。
図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図５は、第１磁性層の特性を例示する模式図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図５は、第１磁気素子１１０に電圧が実質的に印加されていない状態における第１磁性層１１の特性を表す。
【００４０】
図４（ａ）及び図４（ｂ）において、横軸は、第１磁性層１１の磁化方向とＺ軸方向との間の角度θを表し、縦軸は、異方性エネルギーεｕを表している。図４（ａ）において、実線は、異方性エネルギーの１次の項ε１を表し、破線は、異方性エネルギーの２次の項ε２を表している。１次の項のＫ１，ｅｆｆは、実効的な１次の異方性定数である。Ｋ１，ｅｆｆでは一軸性の１次の異方性定数Ｋｕ１から反磁界エネルギーの寄与が差し引かれている。２次の項のＫｕ２は一軸性の２次の異方性定数である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に表した、異方性エネルギーの１次の項ε１及び２次の項ε２の和を表す。
【００４１】
図４（ｂ）に表したように、第１磁性層１１において、異方性エネルギーεｕが極小となる角度θが複数存在する。具体的には、０°＜θ＜９０°及び９０°＜θ＜１８０°において、異方性エネルギーεｕが極小となる角度θが存在する。εｕが極小となる角度θをθ０と表す。すなわち、第１磁性層１１の磁化方向は、これらの磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態において、Ｚ軸方向から傾いている。
【００４２】
図５は、第１磁性層１１の磁化方向とＺ軸方向との間の角度θ０のＫ１，ｅｆｆとＫｕ２に対する依存性を等高線図として示している。図５において、下側の横軸は、実効的な１次の異方性定数Ｋ１，ｅｆｆを表し、縦軸は、一軸性の２次の異方性定数Ｋｕ２を表す。右側のカラーバーは、θ０の大きさを表している。θ０は９０°＜θ０≦１８０°にもなりえるが、図５では０°≦θ０≦９０°の範囲に着目して表示している。また、θ０と３６０°−θ０は等価であるので、１８０°＜θ０≦３６０°の場合については説明を割愛する。
【００４３】
図５は、１次の異方性定数がＫ１，ｅｆｆ＜０を満たし、２次の異方性定数がＫｕ２＞−（１／２）Ｋ１，ｅｆｆを満たすときに、０°＜θ０＜９０°を満たすことを表している。すなわち、これらの条件を満たすことで、第１磁性層１１のコーン磁化状態が得られる。
【００４４】
θ０が９０°に近いほど、後述するようにプリセッショナルスイッチングがより安定して起こりやすく、安定した書き込みが可能になる。たとえば５°≦θ０＜９０°あるいは９０°＜θ０≦１７５°の場合、比較的安定した書き込みが可能となる。１５°≦θ０＜９０°あるいは９０°＜θ０≦１６５°の場合、より安定した書き込みが可能となる。３０°≦θ０＜９０°あるいは９０°＜θ０≦１５０°の場合、さらに安定した書き込みが可能となる。４５°≦θ０＜９０°あるいは９０°＜θ０≦１３５°の場合、さらに一層安定した書き込みが可能となる。
【００４５】
一方、読み出し時の出力信号の大きさはｃｏｓθ０の絶対値に比例する。このため、θ０が０°あるいは１８０°に近いほど読み出し出力信号が大きくなり、より高速な読み出しが可能となる。このため、高速読み出しの観点では、たとえば０°＜θ０≦６０°あるいは１２０°≦θ０＜１８０°の場合、比較的高速な読み出しが可能となる。０°＜θ０≦４５°あるいは１３５°≦θ０＜１８０°の場合、より高速な読み出しが可能となる。０°＜θ０≦３０°あるいは１５０°≦θ０＜１８０°の場合、さらに高速な読み出しが可能となる。０°＜θ０≦１５°あるいは１６５°≦θ０＜１８０°の場合、さらに一層高速な読み出しが可能となる。
【００４６】
磁気記憶装置２１０においては、各応用で要求される書き込みの安定性と読み出し速度を上手くバランスできるθ０を実現するために、各構成要素の材料および構造を調整すればよい。
【００４７】
（実施例）
図６から図１１は、第１磁性層に関するシミュレーション結果を表す図である。
ここでは、磁気記憶装置２１０に電圧が実質的に印加されていない状態における、第１磁性層１１の磁気エネルギー密度ε（０）を、以下の「式１」で表した。ここで、μ０は透磁率、Ｍｓは飽和磁化、である。（Ｎｘ，Ｎｙ，Ｎｚ）は反磁界係数、（ｍｘ，ｍｙ，ｍｚ）は単位磁化ベクトルであり、添え字のｘ、ｙ、ｚは、Ｘ軸方向成分、Ｙ軸方向成分、Ｚ軸方向成分をそれぞれ表す。（ｍｘ，ｍｙ，ｍｚ）と（θ, φ）とは、（ｍｘ，ｍｙ，ｍｚ）＝（ｓｉｎθｃｏｓφ，ｓｉｎθｓｉｎφ，ｃｏｓθ）の関係にある。Ｋｕ１（０）及びＫｕ２（０）は、それぞれ、電圧が実質的に印加されていない状態における１次と２次の異方性定数である。有限の電圧を印加した状態における第１磁性層１１の磁気エネルギー密度εを、以下の「式２」で表した。「式２」におけるＫｕ１及びＫｕ２は、それぞれ、電界効果を考慮した１次と２次の異方性定数である。Ｋｕ１及びＫｕ２が電界Ｅに対して線形に変化する場合は、Ｋｕ１及びＫｕ２は、それぞれ、「式３」及び「式４」で表される。Ｅは電界を表す。η１とη２は、それぞれ、Ｋｕ１とＫｕ２に対する電界効果を表す。ｔ１１は第１磁性層１１の厚さを表す。
(式１) 
2018198713.tif 000003
(式２)
2018198713.tif 000004
(式３)
2018198713.tif 000005
(式４)
2018198713.tif 000006
【００４８】
図６から図１１の計算では、第１磁性層１１の条件は以下の通りに設定した。
第１磁性層１１の厚さｔ１１＝１［ｎｍ］、第１磁性層１１の長さＬ１＝６０［ｎｍ］、第１磁性層１１の長さＬ２＝４６［ｎｍ］、Ｎｘ＝０．０２４２、Ｎｙ＝０．０３５１、Ｎｚ＝０．９４０７、面内の形状磁気異方性磁界Ｈｋ＝Ｍｓ（Ｎｙ−Ｎｘ）＝１５．２［ｋＡ／ｍ］（１９２［Ｏｅ］）、第１磁性層１１の第１非磁性層２１と接する面の面積Ａ＝π（ｄ１／２）（ｄ２／２）［ｎｍ２］、第１磁性層１１の飽和磁化Ｍｓ＝１４００［ｋＡ／ｍ］（＝１４００［ｅｍｕ／ｃｍ３］）、第１磁気素子１１０への印加電圧Ｖ＝０における第１磁性層１１の界面及び結晶の磁気異方性定数について、１次の異方性定数Ｋｕ１（０）＝１１０９［ｋＪ／ｍ３］、２次の異方性定数Ｋｕ２（０）＝１３５［ｋＪ／ｍ３］、温度３００［Ｋ］では熱耐性Δ０＝６０．６、第１非磁性層２１の厚さｔ２１ｎ＝１［ｎｍ］、電界の大きさＥ＝Ｖ／ｔ２１ｎ［Ｖ／ｍ］、外部磁界Ｈｅｘｔ＝０［ｋＡ／ｍ］。磁化方向（ｍｘ，ｍｙ，ｍｚ）の時間発展の計算には、ＬＬＧ方程式を用いた。
【００４９】
図６は、上記条件における印加電圧Ｖ＝０のときの、磁気エネルギー密度ε（０）の等高線を表すシミュレーション結果である。ｍｚ＝０付近で最もエネルギー密度が高く、ｍｚが−１または１付近に近づくと、エネルギー密度が低下しているように見える。より正しくは、（ｍｘ，ｍｙ，ｍｚ）＝（ｍｘ（０），ｍｙ（０），ｍｚ（０））＝（ｓｉｎθ０ｃｏｓφ０，ｓｉｎθ０ｓｉｎφ０，ｃｏｓθ０）でエネルギー密度は最低値を取っており、ｍｚ（０）＝ｃｏｓθ０は０．９６または−０．９６である。φ０は０°か１８０°である。シミュレーション結果から、第１磁性層１１の磁化方向θ０は、Ｚ軸方向からＸ軸方向に１５．８°か１６４．２°傾くことがわかる。すなわち、コーン磁化状態が実現されていることが分かる。図６において、初期磁化状態で磁化は、例えば、位置Ｐ０を向く。図７から図１０では、初期磁化方向をＰ０とした。図６、図７（ａ）、図８、図９、図１０（ａ）ではＰ０を白丸で表している。
【００５０】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、図６に表した状態の第１磁気素子１１０に電圧を印加したときのシミュレーション結果を表す。図７（ａ）は、磁化方向の変化の軌跡を表す。０ｎｓから５０ｎｓまでの時間範囲の軌跡を示している。図７（ｂ）において、横軸は時間を表し、縦軸は磁化方向のＸ軸方向成分ｍｘ及びＺ軸方向成分ｍｚを表す。実線は、Ｚ軸方向成分ｍｚを表し、破線は、Ｘ軸方向成分ｍｘを表す。このシミュレーションにおいて、条件を以下の通りに設定した。
Ｋｕ１に対する電界効果はη１＝−２０ｆＪ／（Ｖ・ｍ）、Ｋｕ２に対する電界効果はη２＝１５０ｆＪ／（Ｖ・ｍ）、第１磁性層１１のギルバートダンピング定数はα＝０．００５。
【００５１】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に表したように、電圧が印加されると、第１磁性層１１の磁化方向がＸ軸方向を中心に歳差運動する。図７（ｂ）に表したように、電圧が印加されると、Ｚ軸方向成分ｍｚは、正と負の間で周期的に反転していることが分かる。すなわち、このシミュレーション結果から、外部磁界Ｈｅｘｔ＝０［ｋＡ／ｍ］において電圧を印加することで、第１磁性層１１の磁化方向が、Ｚ軸方向において反転していることが分かる。
【００５２】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、印加電圧を変化させたときの、エネルギー等高線の変化を表すシミュレーション結果である。ここでエネルギーは「式２」で表した磁気エネルギー密度εである。図７と同様に、Ｋｕ１に対する電界効果はη１＝−２０ｆＪ／（Ｖ・ｍ）、Ｋｕ２に対する電界効果はη２＝１５０ｆＪ／（Ｖ・ｍ）と設定した。
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、それぞれ、印加電圧Ｖ＝０．８８Ｖ、０．８９Ｖ、及び０．９０Ｖのときのエネルギー等高線を表している。各図において、太い実線は、初期磁化方向でのεと等しいエネルギー等高線を表している。
【００５３】
図８（ａ）では、初期磁化方向を通るエネルギー等高線が、ｍｚ＜０の領域を通っておらず、磁化方向が反転しない。図８（ｂ）及び図８（ｃ）では、初期磁化方向を通るエネルギー等高線が、ｍｚ＜０の領域を通り、磁化方向が反転しうる。この結果から、磁化方向の反転が生じる閾電圧はＶｃ＝０．８９Ｖであることが分かる。閾電圧Ｖｃは、初期磁化方向を通るエネルギー等高線が、（ｍｘ，ｍｙ，ｍｚ）＝（１，０，０）を通る電圧として求めることができる。
【００５４】
閾電圧Ｖｃは、閾電界Ｅｃに第１非磁性層２１の厚さｔ２１ｎを掛けた値で表すこともできる。すなわち、Ｖｃ＝Ｅｃ・ｔ２１ｎよりも大きな電圧を第１磁気素子１１０に印加することで、第１磁性層１１の磁化方向を反転させることができる。閾電界Ｅｃは、以下の「式５」及び「式６」を用いて表すことができる。
(式５)
2018198713.tif 000007
(式６)
2018198713.tif 000008
【００５５】
図９、図１０（ａ）、及び図１０（ｂ）は、第１磁性層に関する別のシミュレーション結果を表す図である。印加電圧はＶ＝０．７８Ｖである。図１０（ａ）は０ｎｓから５０ｎｓまでの時間範囲の軌跡を示している。
ここでは、Ｋｕ１に対する電界効果η１＝１０ｆＪ／（Ｖ・ｍ）、Ｋｕ２に対する電界効果η２＝１５０ｆＪ／（Ｖ・ｍ）に設定した。このとき「式５」を用いて見積もられる閾電圧は０．７３Ｖであり、印加電圧は閾電圧より大きい。さらに図１０では、第１磁性層１１のギルバートダンピング定数をα＝０．００５に設定した。その他の条件は、図６及び図７に表したシミュレーション結果と同じである。したがって、印加電圧Ｖ＝０のときの磁気エネルギー密度ε（０）の等高線図は、図６と同じである。
【００５６】
図９は、上記条件における印加電圧Ｖ＝０．７８Ｖのときの、エネルギー等高線を表すシミュレーション結果である。ここでエネルギーは、「式２」で表した磁気エネルギー密度εである。ｍｙ＝１または−１、かつｍｚ＝０で最もエネルギー密度が高い。太い実線は、初期磁化方向でのεと等しいエネルギー等高線を表している。
【００５７】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に表したように、このシミュレーション結果では、第１磁性層１１の磁化方向が、まずＺ軸方向を中心に回転した後、Ｚ軸方向において反転していることが分かる。この場合、図１０（ｂ）に表したように、磁化反転が生じるまでの時間が、図７（ｂ）に表したシミュレーション結果よりも遅い。すなわち、図７に表したシミュレーション結果は、反転速度の観点から、図１０に表したシミュレーション結果よりも好ましい。図７に表したスイッチングは、プリセッショナルスイッチング（precessional switching）と呼ばれる。
【００５８】
図１１は、スイッチング様式を表す相図である。
図１１において、横軸は、Ｋｕ１に対する電界効果η１を表し、縦軸は、Ｋｕ２に対する電界効果η２を表す。図１１において、灰色の領域は、プリセッショナルスイッチングが起こる領域を表し、白い領域は、プリセッショナルスイッチングが起こらない領域を表す。図１１において、破線は、Ｄ＝０となる（η１，η２）を表す。Ｄは、以下の「式７」及び「式８」を用いて表すことができる。「式７」及び「式８」では、Ｋｕ１およびＫｕ２は、「式５」で求められる閾電界Ｅｃにおける異方性定数である。また、図１１において、実線は、以下の「式９」を表す。
(式７)
2018198713.tif 000009
(式８)
2018198713.tif 000010
(式９)
2018198713.tif 000011
【００５９】
これらの「式７」〜「式９」及び図１１から、閾電圧において、初期磁化状態を通るエネルギーεｉの等高線がｍｘ＝０に到達しなければ、プリセッショナルスイッチングが起こることが分かる。この条件を満たすためには、例えば、Ｄ＜０であれば良い。上述した通り、プリセッショナルスイッチングは、別のスイッチングに比べて反転速度が速く、さらに一定のパルス幅の電圧印加に対して安定してスイッチングに成功するため、図１１に表した灰色の領域に含まれるように、η１及びη２を設定することが好ましい。
【００６０】
η１及びη２の設定だけでなく、θ０の設定によっても書き込みの安定性を向上させることができる。「式９」から、Ｋｕ２（０）が小さいほど図１１の実線の傾きの絶対値が小さくなり、灰色の領域が広がることがわかる。Ｋｕ２（０）が小さくなることは、θ０が９０°に近づくことに対応することは図５からわかる。「式７」及び「式８」を用いた計算からも、θ０が９０°に近い状態ほど図１１の破線の傾きの絶対値が小さくなり、灰色の領域が広がる結果が得られる。また、電界Ｅに対してＫｕ１及びＫｕ２が線形に変化しない場合であっても、θ０が９０°に近いほどより広い（Ｋｕ１, Ｋｕ２）の範囲でプリセッショナルスイッチングが起こる。したがって、θ０が９０°に近いほど、プリセッショナルスイッチングが起こりやすく、安定した書き込みが可能になる。
【００６１】
以上では、第１磁性層１１の具体例について説明したが、第３磁性層１３が同様の特性を有していても良い。
【００６２】
（動作例）
実施形態に係る磁気記憶装置の動作例について説明する。
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、実施形態に係る磁気記憶装置の動作を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、時間を表す。これらの図の縦軸は、第１配線７１と第２配線７２との間に加わる信号Ｓ１の電位を表す。信号Ｓ１は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間または第３磁性層１３と第４磁性層１４との間に加わる信号に実質的に対応する。
【００６３】
図１２（ａ）に表したように、制御部７０は、第１配線７１と第２配線７２との間に、第１パルスＰ１（例えば書き変えパルス）を印加する第１動作ＯＰ１を実施する。第１動作ＯＰ１において、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に、第１パルスＰ１が供給される。例えば、第１パルスＰ１により、記憶された情報が書き換えられる。これにより、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の電気抵抗が変化する。
【００６４】
例えば、第１動作ＯＰ１の後における第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第２電気抵抗は、第１動作ＯＰ１の前における第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第１電気抵抗とは、異なる。
【００６５】
この電気抵抗の変化は、例えば、第１パルスＰ１（書き変えパルス）による第１磁性層１１の磁化方向の変化に基づく。第１磁性層１１と第２磁性層１２との間において、磁化方向の相対関係が、第１パルスＰ１（書き変えパルス）により変化する。電気抵抗が異なる複数の状態は、それぞれ、記憶される情報に対応する。
【００６６】
図１２（ａ）に示すように、制御部７０は、第２動作ＯＰ２をさらに実施しても良い。第２動作ＯＰ２において、制御部７０は、第１動作ＯＰ１の前に第１磁性層１１と第２磁性層１２との間（第１配線７１と第２配線７２との間）に、第２パルスＰ２（読み出しパルス）を印加する。読み出しパルスにより得られた第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第３電気抵抗は、第１動作の後の第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第２電気抵抗は、とは異なる。第３電気抵抗は、書き換え前の電気抵抗である。第２電気抵抗は、書き換え後の電気抵抗である。第３電気抵抗は、例えば、第１電気抵抗と同じである。
【００６７】
例えば、第２パルスＰ２（読み出しパルス）の極性は、第１パルスＰ１（書き変えパルス）の極性に対して逆である。このような逆極性の第２パルスＰ２（読み出しパルス）を用いる場合、第２パルスＰ２の第２パルス高さＨ２の絶対値は、第１パルスＰ１（書き変えパルス）の第１パルス高さＨ１の絶対値よりも小さくても良く、同じでも良く、大きくても良い。磁性層の磁気異方性が電圧により制御される場合は、逆極性の読み出しパルスを用いることで、読み出し時に磁性層の磁化方向が変化することを抑制できる。
【００６８】
磁気記憶装置２１０が上記特性を有する場合には、以下のようになる。
制御部７０は、第１動作ＯＰ１において、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に、第１パルスＰ１を印加する。第１動作ＯＰ１の後における第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第２電気抵抗は、第１動作ＯＰ１の前における第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第１電気抵抗とは、異なる。第１パルスＰ１は、第１極性と、第１パルス幅Ｔ１と、第１パルス高さＨ１と、を有する。
【００６９】
このとき、第１極性とは逆の第２極性と、第１パルス幅Ｔ１と、第１パルス高さＨ１と同じ絶対値のパルス高さと、を有する別のパルスを印加した場合に、以下となる。
この別のパルスを第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に印加した後の第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第３電気抵抗と、この別のパルスを第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に印加する前の第４電気抵抗と、の差の絶対値は、第２電気抵抗と第１電気抵抗との差の絶対値よりも小さい。すなわち、第１パルスＰ１の印加により情報の書き換えが実行され、別のパルスの印加によっては情報の書き換えが生じない。
【００７０】
第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の電気抵抗は、第１磁性層１１と電気的に接続されている第１配線７１と、第２磁性層１２と電気的に接続されている第２配線７２と、の間の電気抵抗に対応する。
【００７１】
記憶されている情報を書き換えないときには、図１２（ｂ）に示すように、制御部７０は、第２動作ＯＰ２の後に第３動作ＯＰ３を実施する。第３動作ＯＰ３においては、上記の第１パルスＰ１が印加されない。このときには、書き換えが生じない。
【００７２】
適切な第１パルスＰ１が印加されたときに、情報の書き換えが可能になる。適切な第１パルスＰ１が印加されると、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の電気抵抗は、高抵抗状態から低抵抗状態に、又は、低抵抗状態から高抵抗状態に、変化する。一方、適切ではないパルスが印加された場合は、高抵抗状態は、所望の低抵抗状態にならない。適切ではないパルスが印加された場合は、低抵抗状態は、所望の高抵抗状態にならない。
【００７３】
適切ではないパルスのパルス幅は、例えば、適切な第１パルス幅Ｔ１の約２倍である。適切ではないパルスが第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に印加された場合には、抵抗の変化が生じる確率が低い。
【００７４】
例えば、制御部７０は、第１動作ＯＰ１において、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に上記の第１パルスＰ１を印加する。第１パルスＰ１は、第１パルス幅Ｔ１と、第１パルス高さＨ１と、を有する。この第１パルスＰ１により、書き換えが適切に行われる。すなわち、第１動作ＯＰ１の後における第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第２電気抵抗は、第１動作ＯＰ１の前における第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第１電気抵抗とは、異なる。このとき、図１２（ｃ）に示すような別のパルスＰ１ｘが印加される場合には、電気抵抗の変化が実質的に生じない。別のパルスＰ１ｘは、第１パルス幅Ｔ１の２倍のパルス幅と、第１パルス高さＨ１と、を有する。
【００７５】
このような別のパルスＰ１ｘを第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に印加した後の第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の第３電気抵抗と、別のパルスＰ１ｘを第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に印加する前の第４電気抵抗と、の差の絶対値は、第２電気抵抗と第１電気抵抗との差の絶対値よりも小さい。すなわち、別のパルスＰ１ｘを印加したときには、電気抵抗は実質的に変化しない。または、別のパルスＰ１ｘを印加したときの電気抵抗の変化は、第１パルスＰ１を印加したときの電気抵抗の変化よりも小さい。
【００７６】
複数回の動作における平均値を用いることで、上記の電気抵抗の変化を、より確実に比較できる。例えば、上記の第１パルスＰ１を印加し、その前後の電気抵抗の変化を検出するプロセスを複数回実施する。このときの電気抵抗の変化の絶対値の平均値を求める。一方、上記の別のパルスＰ１ｘを印加し、その前後の電気抵抗の変化を検出するプロセスを複数回実施する。このときの電気抵抗の変化の絶対値の平均値を求める。上記の２つの平均値を比較することで、別のパルスＰ１ｘを印加したときの電気抵抗の変化が第１パルスＰ１を印加したときの電気抵抗の変化よりも小さいことが、より確実に分かる。
【００７７】
実施形態に係る磁気記憶装置２１０においては、例えば、上記の別のパルスＰ１ｘを印加したときの電気抵抗の変化が、上記の第１パルスＰ１を印加したときの電気抵抗の変化よりも小さい。
【００７８】
以上で説明した各実施形態によれば、動作安定性が向上した磁気記憶装置を提供することができる。
【００７９】
実施形態は、以下の構成（案）を含んでも良い。  
（構成１）
第１磁性層と、
第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、
前記第１非磁性層の面積抵抗が１０Ωμｍ２以上であることを特徴とする、磁気素子。
（構成２）
第１磁性層と、
第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、
前記第１非磁性層を介して前記第１磁性層に単極性の電圧を印加することにより双方向の情報書き込みを行うことを特徴とする、磁気素子。
（構成３）
第１磁性層と、
第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性層に電圧および磁界が実質的に印加されていない状態で、前記第１非磁性層から前記第１磁性層に向かう第１方向と、前記第１磁性層の磁化方向と、の間の角度θ０は、０°＜θ０＜９０°または９０°＜θ０＜１８０°を満たし、
前記第１非磁性層の面積抵抗が１０Ωμｍ２以上であり、
前記第１非磁性層を介して前記第１磁性層に単極性の電圧を印加することにより双方向の情報書き込みを行うことを特徴とする、磁気素子。
（構成４）
前記第１方向に対して交差する面内の前記第１磁性層の異方性磁界Ｈｋが、Ｈｋ≠０を満たすことを特徴とする、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気素子。
（構成５）
前記第１非磁性層がトンネル絶縁層であることを特徴とする、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気素子。
（構成６）
前記第１非磁性層が、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｓｒ、及びＢａからなる群から選択された少なくとも１つを含む酸化物または窒化物またはフッ化物を含むことを特徴とする、構成１〜５のいずれか１つに記載の磁気素子。
（構成７）
前記第１非磁性層を介して前記第１磁性層と反対側に設けられた第２磁性層をさらに備えたことを特徴とする、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気素子。
（構成８）
前記第１磁性層がコーン磁化状態を持つことを特徴とする、構成１〜７のいずれか１つに記載の磁気素子。
【００８０】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【００８１】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気記憶装置に含まれる第１磁性層、第１非磁性層、第２磁性層、第３磁性層、第２非磁性層、第４磁性層、第１導電層、第２導電層、第３導電層、第４導電層、絶縁部、制御部、第１配線、第２配線、第１スイッチ、第２スイッチなどの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００８２】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００８３】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記憶装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記憶装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００８４】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８５】
１１ 第１磁性層、  １２ 第２磁性層、  １３ 第３磁性層、  １４ 第４磁性層、  ２１ 第１非磁性層、  ２２ 第２非磁性層、  ３１ 第１導電層、  ３２ 第２導電層、  ３３ 第３導電層、  ３４ 第４導電層、  ４０ 絶縁部、  ７０ 制御部、  ７１ 第１配線、  ７２ 第２配線、  ７２ａ 第１スイッチ、  ７２ｂ 第２スイッチ、  １１０ 第１磁気素子、  １２０ 第２磁気素子、  ２１０ 磁気記憶装置、  ｍ 磁化方向
【図１】
2018198713.tif 000012
【図２】
2018198713.tif 000013
【図３】
2018198713.tif 000014
【図４】
2018198713.tif 000015
【図５】
2018198713.tif 000016
【図６】
2018198713.tif 000017
【図７】
2018198713.tif 000018
【図８】
2018198713.tif 000019
【図９】
2018198713.tif 000020
【図１０】
2018198713.tif 000021
【図１１】
2018198713.tif 000022
【図１２】
2018198713.tif 000023
【国際調査報告】
2018198713.tif 000024
2018198713.tif 000025
2018198713.tif 000026
2018198713.tif 000027