【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法であって、
複数のインタバルの各ローンチ−キャプチャ・インタバルのパス遅延値を測定するステップと、
ランダムに選択した２つのパス遅延値間の差分値を計算するステップと、
前記差分値が正であるときに前記差分値を「０」ビットとして定め、前記差分値が負であるときに「１」ビットとして定めるステップと、
前記差分値がマージン閾値よりも大きいときに「０」ビットまたは「１」ビットを指定するステップと、
前記定めるステップに基づいて、一群のビットストリングを生成するステップであって、各ビットストリングが２つ以上の供給電圧レギュレータにおいて生成される、ステップと、
前記２つ以上の供給電圧レギュレータにおいて生成された各ビットストリングの１つ以上のビット位置において不一致を確認することによって、前記一群のビットストリングにおけるビットを排除するステップと、
応答ビットストリングを生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法において、前記指定するステップが、更に、
温度−電圧条件に基づいて前記マージン閾値を導出するステップと、
前記差分値が前記マージン閾値よりも小さいときに前記差分値を「無効」と分類し、前記差分値が前記マージン閾値よりも大きいときに「有効」と分類するステップと、
を含む、方法。
【請求項３】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法であって、更に、
ジャンプ・マージン・パラメータを定めるステップと、
前記パス遅延値または前記差分値のいずれかが前記ジャンプ・マージン・パラメータよりも小さいときに、前記パス遅延値および前記差分値を無視するステップと、
を含む、方法。
【請求項４】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法において、各供給電圧レギュレータが、０．９５Ｖ、１．００Ｖ、１．０５Ｖの電圧で動作する、方法。
【請求項５】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法であって、更に、温度および電圧の変動を補償するために、一組の差分値から平均および範囲を計算するステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法であって、更に、前記パス長バイアスを除去するために、モジュラスを前記差分値に適用するステップを含む、方法。
【請求項７】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法であって、更に、ビット反転を混入させる確率が最も高い前記差分値を特定するステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項７記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法において、ビット反転を混入させる最も高い確率が、「０」ビットと「１」ビットとの間の境界において発生する、方法。
【請求項９】
集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、
（ａ）物理的クローン不能関数について複数のローンチ−キャプチャ・インタバル・パス・タイミング値を測定するステップと、
（ｂ）前記物理的クローン不能関数の２つのパス・タイミング値をランダムに選択するステップと、
（ｃ）前記２つのパス・タイミング値間の差分値を計算するステップと、
（ｄ）前記差分値が正であるときに「０」ビットを指定し、前記差分値が負であるときに「１」ビットを指定するステップであって、更に、
温度−電圧条件に基づいてマージン閾値を定めるステップと、
前記差分値がマージン閾値よりも大きいときに「０」ビットまたは「１」ビットを指定するステップと、を含む、ステップと、
（ｅ）２つ以上のビットストリングを得るために、２つ以上の供給電圧レギュレータにおいて前記ステップ（ａ）〜（ｄ）を実行するステップと、
（ｆ）前記２つ以上のビットストリング間のビットにおいて不一致を確認するステップと、
（ｇ）ビット反転の数を減らして応答ビットストリングを生成するために、前記不一致のビットストリングを除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法において、前記定めるステップが、更に、
前記差分値が前記マージン閾値よりも小さいときに前記差分値を「無効」と分類し、前記差分値が前記マージン閾値よりも大きいときに「有効」と分類するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、更に、
ジャンプ・マージン・パラメータを定めるステップと、
前記パス・タイミング値または前記差分値が前記ジャンプ・マージン・パラメータよりも小さいとき、あらゆるパス・タイミング値および差分値を無視するステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法において、各供給電圧レギュレータが、０．９５Ｖ、１．００Ｖ、１．０５Ｖの電圧で動作する、方法。
【請求項１３】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、更に、チップ間ハミング距離を計算するステップを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法において、前記計算するステップが、更に、２つの集積回路によって生成されたビットストリングにおいて異なるビットの数を数えるステップを含む、方法。
【請求項１５】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、更に、チップ内ハミング距離を計算するステップを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法において、前記計算するステップが、更に、２つのＴＶコーナーにおいて生成された前記ビットストリングにおいて異なるビットの数を数えるステップを含み、各ＴＶコーナーが異なる集積回路からのものである、方法。
【請求項１７】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、更に、温度および電圧の変動を補償するために、一組の差分値から平均および範囲を計算するステップを含む、方法。
【請求項１８】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、更に、前記パス長バイアスを除去するために前記差分値にモジュラスを適用するステップを含む、方法。
【請求項１９】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法であって、更に、ビット反転を混入させる確率が最も高い前記差分値を特定するステップを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する登録方法において、ビット反転を混入させる最も高い確率が、「０」ビットと「１」ビットとの間の境界において発生する、方法。
【請求項２１】
請求項１記載の物理的クローン不可関数ビットストリング生成中にビット反転の数を低減する信頼性向上方法において、当該方法が、機能ユニットのグリッチのない実装を使用する、方法。
【請求項２２】
請求項９記載の集積回路によるビットストリング生成のための登録方法において、当該方法が、機能ユニットのグリッチのない実装を使用する、方法。