【事件の表示】
　特願２００１−　３０３１６「半導体レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月１６日出願公開、特開２００２−２３２０６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年２月７日に出願したものであって、平成１７年１２月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１月５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年２月６日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年２月６日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１８年２月６日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、請求項１を以下のように補正することを含むものである。
「【請求項１】　少なくとも光通信及び光情報処理に用いられる半導体レーザと、＋極用と−極用との２つのサーミスタ電極パターンが設けられたサーミスタとを基板上に搭載してなるモジュールパッケージを、電子冷却器にて前記基板を介して冷却する半導体レーザモジュールであって、
　前記２つのサーミスタ電極パターンに電気的に接続される＋極用と−極用との２つの基板パターンを前記基板上に設け、
　前記モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記電子冷却器にて前記半導体レーザと同じ温度に調整される前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続する
に際して、　前記パッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続し、　前記電子冷却器にて前記２つの基板パターンを前記半導体レーザと同じ温度に調整するとともに、前記半導体レーザを所要の温度に調整した時の当該半導体レーザから前記基板及び前記電子冷却器を介して前記モジュールパッケージの底面に伝わった熱を前記パッケージパターンからボンディングワイヤを介して前記電子冷却器上の前記基板パターンへと伝達する
　
　上記補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項１（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物１：特開平１０−７９５５１号公報には、光ファイバ通信や光計測に用いられる半導体レーザ装置に関し、下記の事項が記載されている。
「【００２８】
　図１は、本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す図である。まず、第１の電子冷却器７の周辺について説明する。半導体レーザ素子１はヒートシンク２に半田（図示せず）固定されている。ヒートシンク２はキャリア５２に半田（図示せず）固定されている。第１のサーミスタ９は半導体レーザ素子１の近傍の第１のキャリア１０の上に半田（図示せず）固定されている。レンズ８は半導体レーザ素子１から２方向に出射される光のうちの後方出射光１３を平行光に変換するように調整されており、レンズホルダ４２に固定され、さらにレンズホルダ４２は第１のキャリア１０に固定される。
【００２９】
　また、図２に示すように、第１の電子冷却器７は第１の下側基板７０の下側をパッケージ４４のベース５７に半田（図示せず）で固定されている。第１の電子冷却器７の第１の上側基板７１の上側には半導体レーザ素子１や第１のサーミスタ９等を搭載した第１のキャリア１０が半田（図示せず）で固定されている。
【００３０】
　また、図１に示すように、半導体レーザ素子１の上面電極とバイアスラインパタン４はボンディングワイヤ３で電気的に接続されている。バイアスラインパタン４とパッケージ４４側の配線パタン３８はボンディングワイヤ５で電気的に接続され、パッケージ外部のリード６に接続されている。・・・第１のサーミスタ９とパッケージ４４側の配線パタン６２はボンディングワイヤ１１で電気的に接続され、パッケージ外部のリード６１に接続されている。第１の電子冷却器のリード１４とパッケージ４４側の配線パタン６４は電気的に接続され、パッケージ外部のリード６３に接続されている。」
　
　また、図１及び図２の記載から、「半導体レーザ素子１と、２つのサーミスタ電極が設けられた第１のサーミスタ９とを第１のキャリア１０上に搭載してなるパッケージ４４において、前記第１のキャリア１０は、前記パッケージ４４のベース５７上に設けた第１の電子冷却器７の上に半田固定され、前記パッケージ４４の内部側壁に設けた配線パタン６２を前記２つのサーミスタ電極にそれぞれボンディングワイヤ１１で接続してなる半導体レーザ装置。」がみてとれる。
　
　上記によれば刊行物１には、
「光ファイバ通信などに用いられる半導体レーザ素子１と、２つのサーミスタ電極が設けられた第１のサーミスタ９とを第１のキャリア１０上に搭載してなる半導体レーザ装置において、前記第１のキャリア１０は、パッケージ４４のベース５７上に設けた第１の電子冷却器７の上に固定され、前記パッケージ４４の内部側壁に設けた配線パタン６２を前記２つのサーミスタ電極にそれぞれボンディングワイヤ１１で接続してなる半導体レーザ装置。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
　同じく、刊行物２：特開平４−７５３９４号公報には、下記の事項が記載されている。
「１．半導体レーザチップ（２）と共にキャリア（４）上に固定されたサーミスタ（６）の抵抗値を検出して、該抵抗値が一定になるように、上記キャリア（４）に接触しているペルチェ素子（８）の駆動電流を制御するようにした半導体レーザモジュールにおいて、上記サーミスタ（６）と該サーミスタ（６）の外部回路への接続用の端子（１０）との間に中継ブロック（１２）を設け、該中継ブロック（１２）を経由して上記サーミスタ（６）と上記端子（１０）とをワイヤボンディングしたことを特徴とする半導体レーザモジュール。」（特許請求の範囲請求項１）
　
「上記構成によると、サーミスタと端子との間に中継ブロックを設け、この中継ブロックを経由してサーミスタと端子とをワイヤボンディングしているので、モジュールの内部温度と外部温度とが異なる場合に、ボンディングワイヤ及び端子を介してのサーミスタへの熱の流入及びサーミスタからの熱の流出が生じにくい。従って、サーミスタの温度は常に半導体レーザチップ及びキャリアの温度とほぼ等しくなるので、半導体レーザチップについての高精度な温度制御の実現が可能になる。」（３頁右下欄１６行〜４頁左上欄５行）
　
「本発明の第２実施例においては、第１図に示すように、中継ブロック１２をキャリア４上に直接固定している。そして、中継ブロック１２を構成するブロック８２の材質としては、前実施例とは異なり、断熱材に代えて熱伝導性が良好な絶縁体を採用している。・・・ベリリアは加工性が良好であり、しかもブロック上への金属膜の形成も容易である。第１図に示すように、サーミスタ６と中継ブロック１２はボンディングワイヤ７８により接続され、中継ブロック１２と端子１０はボンディングワイヤ８０により接続されている。・・・このように中継ブロック１２がキャリア４上に直接固定されている場合に中継ブロックを熱伝導性が良好な材質から形成しているのは、端子１０及びボンディングワイヤ８０を介して中継ブロック１２に流入した熱（外部温度が相対的に高い場合）をペルチェ素子８に吸収させて、中継ブロック１２に流入した熱がボンディングワイヤ７８を介してサーミスタ６に流入することを防止するためである。」（４頁右下欄１８行〜５頁右上欄１行）
　
　また、本発明の原理及び第２実施例を示す第１図から、「ステム３０上に固定されたペルチェ素子８の上にキャリア４が固定され、さらにその上に半導体レーザチップ２、サーミスタ６及び中継ブロック１２が固定され、前記サーミスタ６の電極と前記中継ブロック１２及び該中継ブロック１２と前記ステムを貫通する外部接続端子１０をそれぞれボンディングワイヤ７８，８０で接続し、これらをキャップ４２で封止した半導体レーザモジュール。」が見てとれる。
　
　上記によれば、刊行物２には、
「ペルチェ素子の上にキャリアが固定され、該キャリア上に半導体レーザチップ及びサーミスタを固定し、該サーミスタの電極を外部接続端子と接続してなる半導体レーザモジュールにおいて、前記モジュールの内部温度と外部温度とが異なる場合に、前記サーミスタの温度が常に半導体レーザチップ及びキャリアの温度とほぼ等しくなるように、前記サーミスタの電極と前記外部接続端子との間に熱伝導性が良好な材質から形成した中継ブロックを前記キャリア上に直接固定し、この中継ブロックを経由して前記サーミスタの電極と前記外部接続端子とをボンディングワイヤで接続した半導体レーザモジュール。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　本願補正発明と上記引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「半導体レーザ素子１」、「２つのサーミスタ電極」、「第１のサーミスタ９」、「第１のキャリア１０」、「パッケージ４４」、「第１の電子冷却器７」、「パッケージ４４の内部側壁に設けた配線パタン６２」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体レーザ」、「＋極用と−極用との２つのサーミスタ電極パターン」、「サーミスタ」、「基板」、「モジュールパッケージ」、「電子冷却器」、「モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターン」及び「半導体レーザモジュール」に相当する。
　また、引用発明１においては、パッケージ４４のベース５７上に、第１の電子冷却器７、第１のキャリア１０が順に固定され、その上に第１のサーミスタ９及び半導体レーザ素子１が搭載されているのであるから、引用発明１の第１の電子冷却器７が第１のキャリア１０を介して第１のサーミスタ９や半導体レーザ素子１を冷却し、第１の電子冷却器７の温度がパッケージに伝わることは明らかである。
　
　よって、両者は、
「少なくとも光通信及び光情報処理に用いられる半導体レーザと、＋極用と−極用との２つのサーミスタ電極パターンが設けられたサーミスタとを基板上に搭載してなるモジュールパッケージを、電子冷却器にて前記基板を介して冷却する半導体レーザモジュールであって、
　前記モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンを介してボンディング接続する半導体レーザモジュール。」
　で一致し、下記の点で相違する。
　
[相違点]
　本願補正発明では、前記２つのサーミスタ電極パターンに電気的に接続される＋極用と−極用との２つの基板パターンを前記基板上に設け、前記モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記電子冷却器にて前記半導体レーザと同じ温度に調整される前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続するに際して、前記パッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続し、前記電子冷却器にて前記２つの基板パターンを前記半導体レーザと同じ温度に調整するとともに、前記半導体レーザを所要の温度に調整した時の当該半導体レーザから前記基板及び前記電子冷却器を介して前記モジュールパッケージの底面に伝わった熱を前記パッケージパターンからボンディングワイヤを介して前記電子冷却器上の前記基板パターンへと伝達するのに対して、引用発明１では、モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターンに対して２つのサーミスタ電極パターンが直接ボンディングされている点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　本願補正発明の上記相違点と上記引用発明２とを対比する。
　（あ）引用発明２の「サーミスタの電極」、「キャリア」、「ペルチェ素子」、「半導体レーザチップ」及び「半導体レーザモジュール」は、それぞれ、本願補正発明の「サーミスタ電極パターン」、「基板」、「電子冷却器」、「半導体レーザ」及び「半導体レーザモジュール」に相当する。
　
　（い）次いで、本願補正発明の「基板パターン」について検討する。
　本願明細書の【００２１】、【００２２】及び【００２５】には、「基板パターンは、金属板からなる基板１４の上面に設けられ、サーミスタ電極パターン１７から電子冷却器１３上にある前記基板パターン１９を介してパッケージパターン２０へと間接ボンディング接続されている」旨、記載されている。しかし、基板パターン自体の具体的な構造や形成方法についてはなんら記載がない。そして、本願補正発明の基板が金属板からなることを考慮すれば、「基板パターン」は、当該金属板からなる基板上に直接、電極をパターニング形成されたものでないことは明らかであるから、『サーミスタ電極パターン１７とパッケージパターン２０の間を間接的に接続するための、基板上に設けられた中継電極』という程度の意味と解される。
　してみると、引用発明２の「熱伝導性が良好な材質から形成した中継ブロック」は、本願補正発明の「基板パターン」とその機能において格別差異はない。
　
　（う）引用発明２において、前記サーミスタの温度が常に半導体レーザチップ及びキャリアの温度とほぼ等しくなるように、前記サーミスタと外部接続端子との間に熱伝導性が良好な材質から形成した中継ブロックをキャリア上に直接固定しているのであるから、サーミスタの電極、半導体レーザチップ及びキャリア上に直接固定された中継ブロックはほぼ同じ温度に調整されているということができる。　
　
　よって、引用発明２には、本願補正発明の上記相違点のうち「前記２つのサーミスタ電極パターンに電気的に接続される＋極用と−極用との２つの基板パターンを前記基板上に設け、前記モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記電子冷却器にて前記半導体レーザと同じ温度に調整される前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続するに際して、前記パッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続し、」なる点が実質的に備わっている。
　
　しかも、刊行物２には、前掲のとおり、「モジュールの内部温度と外部温度とが異なる場合に、ボンディングワイヤ及び端子を介してのサーミスタへの熱の流入及びサーミスタからの熱の流出が生じにくい。従って、サーミスタの温度は常に半導体レーザチップ及びキャリアの温度とほぼ等しくなるので、半導体レーザチップについての高精度な温度制御の実現が可能になる。」こと、及び「端子１０及びボンディングワイヤ８０を介して中継ブロック１２に流入した熱（外部温度が相対的に高い場合）をペルチェ素子８に吸収させて、中継ブロック１２に流入した熱がボンディングワイヤ７８を介してサーミスタ６に流入することを防止する」ことが記載されている。そして、この点は、本願発明の「周囲温度変化に応じて生じた半導体レーザとサーミスタとの温度差によって生じる問題点を解消する」という、本願発明の課題（【０００７】〜【０００９】参照。）と共通している。
　
　そうしてみると、引用発明１において、外部の温度がボンディングワイヤを介して直接、サーミスタに伝わることがないように、配線パタン６２（本願補正発明の「パッケージパターン」）とサーミスタの電極（本願補正発明の「サーミスタ電極パターン」）をボンディングワイヤで直接接続する代わりに、引用発明２の中継ブロックを適用し、これを介して両者をボンディングワイヤで間接的に接続することは当業者が容易に想到し得たものである。
　
　また、本願補正発明の上記相違点のうちの「前記半導体レーザを所要の温度に調整した時の当該半導体レーザから前記基板及び前記電子冷却器を介して前記モジュールパッケージの底面に伝わった熱を前記パッケージパターンからボンディングワイヤを介して前記電子冷却器上の前記基板パターンへと伝達する」点は、本願補正発明の半導体レーザモジュールの機能（正常状態における熱の伝達経路）を表したものである。
　しかるに、引用発明１に引用発明２の中継ブロックを適用し、配線パタン６２（本願補正発明の「パッケージパターン」）とサーミスタの電極（本願補正発明の「サーミスタ電極パターン」）を間接的にボンディング接続した場合には、上記相違点と同様の熱の伝達経路を生じることは明らかである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、刊行物１及び刊行物２に記載されたものから予測し得る程度のものであって、格別とはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用するの同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年２月６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１０月３日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「【請求項１】少なくとも光通信及び光情報処理に用いられる半導体レーザと、＋極用と−極用との２つのサーミスタ電極パターンが設けられたサーミスタとを基板上に搭載してなるモジュールパッケージを、電子冷却器にて前記基板を介して冷却する半導体レーザモジュールであって、
　前記２つのサーミスタ電極パターンに電気的に接続される＋極用と−極用との２つの基板パターンを前記基板上に設け、
　前記モジュールパッケージの内部側壁に設けたパッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記電子冷却器にて前記半導体レーザと同じ温度に調整される前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続することを特徴とする半導体レーザモジュール。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の事項
　原審における拒絶理由に引用した刊行物１：特開平１０−７９５５１号公報、刊行物２：特開平４−７５３９４号公報には、上記２．（２）に摘記した事項が各々記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記本願補正発明に比べて、
「
前記パッケージパターンに対して前記サーミスタを前記２つのサーミスタ電極パターンと前記２つの基板パターンとを介して間接的にボンディング接続し、　前記電子冷却器にて前記２つの基板パターンを前記半導体レーザと同じ温度に調整するとともに、前記半導体レーザを所要の温度に調整した時の当該半導体レーザから前記基板及び前記電子冷却器を介して前記モジュールパッケージの底面に伝わった熱を前記パッケージパターンからボンディングワイヤを介して前記電子冷却器上の前記基板パターンへと伝達する
　なる発明特定事項を欠くものである。
　
　してみると、本願発明は、上記２．（３）対比、（４）判断における、上記発明特定事項に関する記載を除き、ほぼ同様の理由で、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。