【事件の表示】
　特願２００１−２２５７５３「ウェーハの研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月　７日出願公開、特開２００３−　３７０８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、平成１３年７月２６日の出願であって、平成１９年１月１５日付けで手続補正がなされたが、同年２月１９日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同年３月２６日に本件審判の請求がなされ、同年４月２３日に明細書を対象とする手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　本審決において、意匠法等の一部を改正する法律（平成１８年法律第５５号）附則第３条第１項に規定される各条については、同項の規定により、なお従前の例による。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について、補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
「ウェーハの仕上げ研磨工程において、仕上げ研磨用のスエード調の仕上げ研磨布からなる表層と、独立発泡を有し前記表層よりも低硬度な弾性シートからなる下層とを有する積層研磨布を用いて複数の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、研磨始段側より最終段側の研磨圧力が低くなるように設定し、最終段側の研磨圧力を１５ｋＰａ以下で且つ５ｋＰａ以上に設定することを特徴とするウェーハの研磨方法。」
　
（２）補正後
「
回転可能な定盤の上に仕上げ研磨布を貼り付け、その上にアルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウェーハを擦り付けて、へイズといわれるレべルの凹凸を除去した鏡面を得ると共に、粗研磨で発生したスクラッチを除去する
　仕上げ研磨用のスエード調の仕上げ研磨布からなる表層と、独立発泡を有し前記表層よりも低硬度な弾性シートからなる下層とを有する積層
した仕上げ
研磨圧力は、研磨初期の研磨圧力Ｐｓと最終段階の研磨圧力Ｐｆの比（Ｐｆ／Ｐｓ）が３３〜５０％程度変化させるべく、研磨初期の研磨圧力Ｐｓを２０〜３０ｋＰａの範囲に且つ
階
Ｐｆ
１０
　
２．補正の適否　　　
　本件補正の特許請求の範囲の請求項１についての補正は、仕上げ研磨工程について「回転可能な定盤の上に仕上げ研磨布を貼り付け、その上にアルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウェーハを擦り付けて、へイズといわれるレべルの凹凸を除去した鏡面を得ると共に、粗研磨で発生したスクラッチを除去する」なる事項を付加し、「積層研磨布」を「積層した仕上げ研磨布」と特定し、研磨圧力について、「最終段側の研磨圧力を１５ｋＰａ以下で且つ５ｋＰａ以上に設定する」を「研磨初期の研磨圧力Ｐｓと最終段階の研磨圧力Ｐｆの比（Ｐｆ／Ｐｓ）が３３〜５０％程度変化させるべく、研磨初期の研磨圧力Ｐｓを２０〜３０ｋＰａの範囲に且つ最終段階の研磨圧力Ｐｆを１５ｋＰａ以下で且つ１０ｋＰａ以上に設定する」と特定するものであり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、上記１．（２）のとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
　これに対し、原査定で引用された、本件出願前に頒布された刊行物である特開２０００−６１８１５号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア．段落０００１
「【発明が属する技術分野】本発明は、例えばシリコンウェーハ等、極めて高い平坦度や平行度が要求される板状の被加工体の表面に鏡面仕上げを施すためのポリッシング加工方法に関わるものである。」
　
イ．段落００１１〜００１６
「【課題を解決するための手段】上述の目的は、表面にポリッシングパッドを貼り付けてなる回転可能なポリッシング定盤を具備したポリッシング加工機において、該ポリッシング加工機に被加工体をセットし、加圧機構により設定負荷荷重にまで加圧し、加工液を供給しつつポリッシング定盤を回転させて所定時間第１段階の主ポリッシング加工を行なった後、負荷荷重を設定負荷荷重より下げて第２段階の加工を継続し、更に負荷荷重を第２段階より軽減した上で洗浄液を流しつつ第３段階のリンシングを行なうことを特徴とするポリッシング加工方法にて達成される。通常のプレポリッシングあるいはポリッシング工程においては、前述の第１段階における設定負荷荷重は１０ないし１００ｋＰａであり、第２段階の加工における負荷荷重は設定負荷荷重の３０％以下であり、かつ第３段階の負荷荷重は設定負荷加重の１５％以下である。・・・。ここでいうリンシングとはいわゆるすすぎ洗いのことを指し、本発明においては水あるいはある種の洗浄剤をいれた洗浄液を流し、ポリッシング段階で使用されていた砥粒を含む加工液を被加工体のおよびポリッシングパッドの加工面から除去する作業をいう。
【発明の実施の形態】本発明方法において使用するポリッシング加工機とは、シリコンウェーハ等の被加工体の鏡面仕上げ加工を行なうものであって、例えばスェード調の合成皮革等よりなるポリッシングパッドを貼付した定盤を配して、その上に被加工体を載置しつつ前記定盤を回転し加工液を供給してポリッシングを行なうものであり、前述の通りシリコンウェーハのポリッシング加工用加工液としては例えばアルカリ性の液中にコロイド状の酸化珪素微細粒子を均質に分散させたスラリー状の所謂コロイダルシリカが使用される。図１は本発明方法で使用する片面ポリッシング加工機の要部断面説明図である。金属製の定盤１の上にはポリッシングパッド２が貼付されてなり、被加工物であるシリコンウェーハ３は貼付けブロック４の下面に例えばワックス等を用いて接着されている。貼付けブロック４はプレッシャープレート５によって把持され、またプレッシャープレート５は例えばエアシリンダー等の手段によって加圧、減圧が自在である。また、回転軸６を中心にプレッシャープレート５および貼付けブロック４は定盤１の回転に伴う従動的な回転が可能であるし、強制的な駆動回転も可能である。
　本発明になるポリッシング加工の具体的な実施例を図２の加工ダイアグラムによって説明する。このダイアグラムは一連のポリッシング工程の条件変化の例を時系列で示したものである。図面において、Ｘ軸は加工時間（分）を示し、Ｙ軸は加工圧（負荷荷重：ｋＰａ）を示す。ａ、ｂ、ｃ・・・で示すゾーンは以下の通り説明される。
ａ：貼付ブロックをポリッシング定盤上に載置し、プレッシャープレートを降下させ嵌合させる。
ｂ：加工液を流し、ウェーハを加工液とポリッシングパッドになじませる。ここでの荷重は最低荷重であり、３ｋＰａである。
ｃ：メイン加工工程。荷重を設定負荷荷重（２５ｋＰａ）まで上げ、加工液を定量的に供給しつつポリッシング定盤を回転し約２０分の加工を行なう。
ｄ：スパークアウト工程。減圧し荷重を６ｋＰａにまで下げ、約１分間の低負荷荷重での加工を行なう。
ｅ：リンシング工程。更に減圧し最低荷重（３ｋＰａ）まで下げ、同時に加工液の供給を停止し、洗浄液を供給して表面のリンシングを行なう。
ｆ：定盤の回転を停止し、プレッシャープレートを上昇させる。
　・・・
　特に、このｄのスパークアウト工程を設ける理由は次の通り説明される。即ち、通常のプレポリッシングあるいはポリッシング工程においては、まずｃの主ポリッシング工程において高い負荷荷重にて被加工体たるシリコンウェーハの加工を行なうことにより、加工液中のアルカリ成分によってウェーハ表面に浸蝕（エッチング）層が形成される。この層は、加工液中に含まれる酸化珪素微粒子砥粒の機械的作用によって強制的に除去され面更新が行なわれ、さらに更新された面上に新たな浸蝕（エッチング）層を形成して加工が進んで行くのである。このｄで示すスパークアウト工程においては、荷重を軽くすることにより、温度依存性の強い化学的な浸蝕（エッチング）作用が極度に微小になり、もともと軟質粒子である酸化珪素粒子の機械的作用による除去もほとんどなくなることで、表面の微小な凹凸を均らす作用、すなわち、最終的な表面改質が行なわれるのである。ここにおいて、その負荷荷重が初期設定負荷荷重に対して３０％以上であるとその効果は十分でなく、またその時間を１０分以上に伸ばすことはその目的から見て意味がなく、かえって予期せざることが起こる機会を与えて好ましくない。
　また、ｅのリンシングの工程は、前述の通り、加工完了後の加工液を加工面から除去しそのウェーハ面への影響を出来るだけ早くなくすことを目的とするものであるから、ウェーハ面のポリッシングパッド層への沈み込みを解消し、洗浄水の入り込み易い状況を形成した上で大量の洗浄液を流すことが必要である。・・・」
　
　これらの記載事項を、図面を参照しつつ、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
「回転可能な定盤１の上にポリッシングパッド２を貼り付け、その上にアルカリ性の液中にコロイド状の酸化珪素微細粒子を均質に分散させたスラリー状の加工液を供給しながら、ウェーハを擦り付けて、極めて高い平坦度や平行度が要求される鏡面を得ると共に、表面の微小な凹凸を均らす作用をなすウェーハの仕上げ研磨工程において、
　仕上げ研磨用のスエード調の合成皮革等よりなるポリッシングパッド２を用いて、メイン加工工程、スパークアウト工程、リンシング工程の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、メイン加工工程の荷重を１０ないし１００ｋＰａ、例えば２５ｋＰａ、スパークアウト工程の荷重をメイン加工工程の３０％以下、例えば６ｋＰａに設定するウェーハの研磨方法。」
　
　同じく原査定で引用された刊行物である特開平１１−２７７４０８号公報（以下「刊行物２」という。）の段落０００１〜０００４には、以下の事項が記載されている。
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布およびこれを用いた鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置に関する。
【従来の技術】従来、半導体デバイス工程において、半導体ウエーハ上に素子を形成するために、酸化膜、金属膜あるいはポリシリコン等の薄膜を層状に形成することが行われている。・・・。ＣＭＰ技術では、膜厚分布を一定に保ち、膜表面の微小な凹凸を除去するために、下層は半導体ウエーハ自体の反りや大きなうねりによる研磨代の不均一性を解消するためにゴム弾性体層とし、表層は半導体デバイス工程で生じた表面の凹凸を除去して平坦化するために硬質クロスとした二層構造の研磨布を提案している（渡邊純二他、表面基準ポリシングにおけるパッド構成、精密工学会春季学術講演会論文集183(1997) ）。
　また、半導体デバイス用鏡面研磨ウエーハを製造する場合も、所望の平坦度や面粗さを得る目的で鏡面研磨が行われている。従来の研磨では、所望の平坦度を得る目的で半導体ウエーハの片面を硬質な単層研磨布を用いた粗研磨ならびに所定の面粗さを得る目的で軟質な単層研磨布を用いた仕上げ研磨が行われていた。
　通常、鏡面研磨は１段または多段で行われているが、最終の仕上げ研磨ではポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させたシート等を用いた基材にポリウレタンを積層し、ポリウレタン内に発泡層を成長させ、表面部位を除去して発泡層に毛羽状の開口部を設けた研磨布（以下、スエードタイプの研磨布ということがある）が用いられており、このスエードタイプ研磨布を用いて、半導体ウエーハ表面を数〜数百ｎｍ程度除去すれば、数〜数十ｎｍの周期を有する面粗さ（以後、ヘイズとよぶことがある）を充分に改善することができる。」
　
　この記載事項から、技術常識を踏まえ、刊行物２には以下の事項（以下「刊行物２事項」という。）が記載されていると認める。
「半導体デバイス用鏡面研磨ウエーハの仕上げ研磨用の研磨布であって、ポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させたスエード調の仕上げ研磨布からなる表層と、発泡層を有し前記表層よりも低硬度な弾性体層からなる下層とを有する二層構造の研磨布。」
　
（３）対比・検討
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「アルカリ性の液中にコロイド状の酸化珪素微細粒子を均質に分散させたスラリー状の加工液」、「極めて高い平坦度や平行度が要求される鏡面」、「表面の微小な凹凸を均らす作用をなす」は、補正発明の「アルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤」、「へイズといわれるレべルの凹凸を除去した鏡面」、「粗研磨で発生したスクラッチを除去する」に、それぞれ相当する。
　刊行物１発明の「ポリッシングパッド２」と、補正発明の「積層した仕上げ研磨布」とは、「研磨パッド」である限りにおいて一致する。
　刊行物１発明の「メイン加工工程、スパークアウト工程、リンシング工程の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、メイン加工工程の荷重を１０ないし１００ｋＰａ、例えば２５ｋＰａ、スパークアウト工程の荷重をメイン加工工程の３０％以下、例えば６ｋＰａに設定する」と、補正発明の「複数の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、研磨始段側より最終段側の研磨圧力が低くなるように設定し、研磨圧力は、研磨初期の研磨圧力Ｐｓと最終段階の研磨圧力Ｐｆの比（Ｐｆ／Ｐｓ）が３３〜５０％程度変化させるべく、研磨初期の研磨圧力Ｐｓを２０〜３０ｋＰａの範囲に且つ最終段階の研磨圧力Ｐｆを１５ｋＰａ以下で且つ１０ｋＰａ以上に設定する」とは、「複数の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、研磨始段側より最終段側の研磨圧力が低くなるように設定し、研磨初期の研磨圧力Ｐｓを２０〜３０ｋＰａの範囲に設定する」である限りにおいて一致する。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致している。
「回転可能な定盤の上に、表層がスエード調の研磨パッドを貼り付け、その上にアルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウェーハを擦り付けて、へイズといわれるレべルの凹凸を除去した鏡面を得ると共に、粗研磨で発生したスクラッチを除去するウェーハの仕上げ研磨工程において、
　仕上げ研磨用の研磨パッドを用いて複数の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、研磨始段側より最終段側の研磨圧力が低くなるように設定し、研磨初期の研磨圧力Ｐｓを２０〜３０ｋＰａの範囲に設定するウェーハの研磨方法。」
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。
　相違点１：表層がスエード調の研磨パッドについて、補正発明は、「仕上げ研磨用のスエード調の仕上げ研磨布からなる表層と、独立発泡を有し前記表層よりも低硬度な弾性シートからなる下層とを有する積層した仕上げ研磨布」という２層構造であるが、刊行物１発明は、「仕上げ研磨用のスエード調の合成皮革等よりなるポリッシングパッド２」という１層構造である点。
　相違点２：複数の連続した研磨ステップ、研磨圧力について、補正発明は、「複数の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、研磨始段側より最終段側の研磨圧力が低くなるように設定し、研磨圧力は、研磨初期の研磨圧力Ｐｓと最終段階の研磨圧力Ｐｆの比（Ｐｆ／Ｐｓ）が３３〜５０％程度変化させるべく、研磨初期の研磨圧力Ｐｓを２０〜３０ｋＰａの範囲に且つ最終段階の研磨圧力Ｐｆを１５ｋＰａ以下で且つ１０ｋＰａ以上に設定する」であるが、刊行物１発明は、「メイン加工工程、スパークアウト工程、リンシング工程の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施されると共に、メイン加工工程の荷重を１０ないし１００ｋＰａ、例えば２５ｋＰａ、スパークアウト工程の荷重をメイン加工工程の３０％以下、例えば６ｋＰａに設定する」であって、「リンシング工程」を有し、研磨圧力の数値が異なる点。
　
　相違点１について検討する。
　刊行物２事項は、上記のとおり、研磨パッドに関するものであり、これを補正発明に照らし、書き改めると、以下のとおりである。
「仕上げ研磨用のスエード調の仕上げ研磨布からなる表層と、独立発泡を有し前記表層よりも低硬度な弾性シートからなる下層とを有する積層した仕上げ研磨布。」
　そして、刊行物２事項は、刊行物１発明と同様に、半導体デバイス用鏡面研磨ウエーハの仕上げ研磨に用いられるものである。
　仕上げ研磨の結果は、研磨パッドによっても異なるものであるから、刊行物１発明において、刊行物２事項の２層構造の研磨パッドを試みることに、格別の困難性は認められない。
　
　請求人は、平成２０年７月１４日の回答書において、「引用文献２（特開平１１−２７７４０８号公報）に「仕上げ研磨用のスエード調の仕上げ研磨布からなる表層と、独立発泡を有し前記表層よりも低硬度な弾性シートからなる下層とを有する積層研磨布」が開示されている事は認めるが、引用文献２には複数の連続した研磨ステップで仕上げ研磨が実施される研磨布に前記積層研磨布を用いる旨の開示も示唆もない。従って本発明とは無関係な技術であり、引用文献１と組み合わせる動機付けにもならない。」と主張する。
　しかし、「複数の連続した研磨ステップ」であるとしても、「仕上げ研磨」の一形態であるから、仕上げ研磨用の研磨パッドである刊行物２事項を適用する動機付けは存在するというべきである。
　よって、請求人の主張は採用できない。　
　
　相違点２について検討する。
　まず、刊行物１発明が、「リンシング工程」を有する点について、検討する。
　前記（２）イの摘記事項中に、以下の記載がある。
「ここでいうリンシングとはいわゆるすすぎ洗いのことを指し、本発明においては水あるいはある種の洗浄剤をいれた洗浄液を流し、ポリッシング段階で使用されていた砥粒を含む加工液を被加工体のおよびポリッシングパッドの加工面から除去する作業をいう。」
「ｅのリンシングの工程は、前述の通り、加工完了後の加工液を加工面から除去しそのウェーハ面への影響を出来るだけ早くなくすことを目的とするものである」
　かかる記載から、技術常識を踏まえると、刊行物１発明の「リンシング工程」は、「メイン加工工程」、「スパークアウト工程」とは異なる性格のものであり、「研磨加工」にはほとんど寄与しないものであって、「メイン加工工程」、「スパークアウト工程」により、刊行物１発明の「研磨加工」は、実質的に終了していると言える。
　したがって、「研磨加工」として、「リンシング工程」の有無は問題とはならず、刊行物１発明の「メイン加工工程」は補正発明の「研磨初期」の研磨ステップに、刊行物１発明の「スパークアウト工程」は補正発明の「最終段階」の研磨ステップに相当するものとなる。
　
　請求人は、かかる「リンシング工程」の有無につき、平成２０年７月１４日の回答書において、以下のとおり主張する。
「引用文献１は段落〔００１１〕に示すように、「第１段階〜第２段階の加工」までは加工液を用いるが、第３段階のリンシングでは洗浄液を流して行うもので、最終段階まで加工液を用いていない。 
　本発明は最終段階まで「アルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウェーハを擦り付けて、へイズといわれるレべルの凹凸を除去した鏡面を得ると共に、粗研磨で発生したスクラッチを除去するウェーハの仕上げ研磨工程」に関するもので基本的な前提条件が異なる。 
　従って引用文献１では、最終段階で加工液から洗浄液に変更するものであるために、本発明のように生産性を落とすことなく良好な仕上げ面を形成することができない事は明らかである。」
　しかし、上記のとおり、第３段階のリンシングは、「加工」とは異なる性格のものであるから、請求人の主張は採用できない。
　
　次に、研磨圧力について検討する。
　研磨初期の研磨圧力Ｐｓは、上記のとおり、２０〜３０ｋＰａの範囲において一致している。
　最終段階の研磨圧力Ｐｆ、研磨圧力の比（Ｐｆ／Ｐｓ）については、その技術的意義についてみると、審判請求理由の（２−２）〜（２−３）からも明らかなとおり、明細書記載の実施例のデータをもとに、その範囲を特定したものであって、格別な臨界的意義が存するとは認められない。
　さらに、相違点１で検討したとおり、刊行物１発明において、刊行物２事項の２層構造の研磨パッドを適用した場合は、研磨圧力についても、最適数値範囲が変わる可能性があることは明らかである。
　したがって、最適な範囲を確認すべく、実験を行い、相違点２に係る研磨圧力とすることは、設計的事項にすぎない。
　
　請求人は、研磨圧力について、平成２０年７月１４日の回答書において、以下のとおり主張する。
「スパークアウト工程を本発明の「最終段階の研磨圧力」に対応するもの」としても、「本発明は「最終段階の研磨圧力Ｐｆを１５ｋＰａ以下で且つ１０ｋＰａ以上」であり、一方引用文献１の「ｄのスパークアウト工程における負荷荷重を６ｋＰａ」とは異なるのみならず、引用文献１は「ｃのメイン工程における負荷荷重は２５ｋＰａ…、ｄのスパークアウト工程における負荷荷重を６ｋＰａ、」との記載のあるとおり研磨初期の研磨圧力Ｐｓと最終段階の研磨圧力Ｐｆの比（Ｐｆ／Ｐｓ）は（６ｋＰａ／２５ｋＰａ＝２４％）であり、本発明の比（Ｐｆ／Ｐｓ）の下限値である３３％より大幅に低い。」
　しかし、上記のとおり、格別な臨界的意義が存するとは認められないことから、この点は、設計的事項にすぎない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　また、これら相違点を総合勘案しても、格別の技術的意義が生じるとは認められない。
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１９年１月１５日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す請求項１に記載されたとおりである。
　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の際にあげられた刊行物及びその記載内容は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本願発明は、上記第２．２．で検討した補正発明から、上記限定事項が削除されたものである。
　したがって、本願発明の発明特定事項のすべてを含む補正発明が、上記第２．２．（３）又は（４）のとおり、刊行物１発明、刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明についても、同様の理由により、刊行物１発明、刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。