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　特願２００３−１０１１８９「電極」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月　４日出願公開、特開２００４−３１１１４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年４月４日の出願であって、平成１８年６月８日に拒絶査定がなされ、同年７月１２日にこれに対する審判請求がなされ、平成２０年４月７日付けで当審における拒絶理由が通知され、同年６月９日付けで手続補正がされたものであり、その発明は、上記の手続補正（以下、「当審補正」という。）により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は以下に示すとおりのものと認められる。
「銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ）およびクロム（Ｃｒ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成された集電体と、
　この集電体に設けられたケイ素（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種により構成された活物質層と、
　この活物質層の表面の一部に設けられ、ニッケルからなり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚みを有する薄膜層と
　を備えたことを特徴とする電極。」
（以下、この請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　 
２．当審拒絶理由の概要  
　当審における拒絶理由の概要は、本願の当審補正前の請求項１〜１１に係る発明はその出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物１，２に基いてその出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　　　　　　　　　　　　　　　 
３．刊行物の記載事項
　当審拒絶理由に刊行物１として引用した特開２００２−２８９１７８号公報には、以下の記載がされている。
［１−ａ］「Ｌｉと合金化しない金属からなる集電体層の上に、Ｌｉと合金化する金属からなる活物質層が設けられたリチウム二次電池用電極において、前記活物質層の前記集電体層と反対側の面の上に、Ｌｉと合金化しない金属からなる表面被覆層またはＬｉと合金化しない金属とＬｉと合金化する金属との合金からなる表面被覆層が設けられていることを特徴とするリチウム二次電池用電極。」（特許請求の範囲の請求項１）
［１−ｂ］「本発明においては、Ｌｉと合金化しない金属を含む表面被覆層が活物質層の上に設けられているので、活物質層の表面と電解液との反応をこの表面被覆層により抑制することができる。この結果、活物質層表面の劣化を抑制することができ、充放電サイクル特性を向上させることができる。」（【０００８】）
［１−ｃ］「本発明において、Ｌｉと合金化する金属としては、Ｌｉと固溶体または金属間化合物を形成する金属が挙げられる。このような金属としては、Ｓｎ（錫）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｚｎ（亜鉛）などが挙げられる。Ｌｉと合金化する金属は、２種以上が含まれていてもよい。従って、活物質層中には、Ｌｉと合金化する金属の２種以上が含まれていてもよく、Ｌｉと合金化する２種以上の金属の合金から形成されていてもよい。」（【０００９】）　
［１−ｄ］「本発明において、Ｌｉと合金化しない金属としては、Ｌｉと固溶体または金属間化合物を形成しない金属が挙げられる。具体的には、Ｌｉとの二元状態図で合金状態が存在しない金属が挙げられる。Ｌｉと合金化しない金属としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）などが挙げられる。Ｌｉと合金化しない金属は、２種以上含まれていてもよい。」（【００１０】）
［１−ｅ］「本発明において、表面被覆層の厚みは０．２μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．１μｍ以下である。表面被覆層の厚みが厚くなり過ぎると、活物質層と電解液中のＬｉとの反応が阻害され、充放電容量が低下する場合がある。また、表面被覆層の厚みは、０．０１μｍ以上であることが好ましい。従って、表面被覆層の厚みは、０．０１〜０．２μｍ程度であることが好ましい。表面被覆層の厚みが薄くなり過ぎると、活物質層と電解液との反応を抑制するという効果が十分に得られない場合がある。」（【００１６】）
［１−ｆ］「・・・電解銅箔の上に錫薄膜を形成した後、錫薄膜の上に厚み０．０２μｍのＳｎ−Ｃｕ合金層を電解めっき法により形成した。・・・上記の・・・Ｓｎ−Ｃｕ合金層は、その厚みが非常に薄いので、錫薄膜の上を均一に被覆しているのではなく、島状に分布して被覆していると考えられる。・・・
　以上のようにして活物質層である錫薄膜の上に、表面被覆層であるＳｎ−Ｃｕ合金層を形成した。このようにして得られた電極を、本発明電極ａ２とした。・・・」（【００２５】〜【００２７】）
　
４．当審の判断      
（１）刊行物１に記載された発明 
　刊行物１には、［１−ａ］によると、「Ｌｉと合金化しない金属からなる集電体層の上に、Ｌｉと合金化する金属からなる活物質層が設けられたリチウム二次電池用電極において、前記活物質層の前記集電体層と反対側の面の上に、Ｌｉと合金化しない金属からなる表面被覆層・・・が設けられていることを特徴とするリチウム二次電池用電極」について記載されている。
　そして、集電体及び表面被覆層をなす「Ｌｉと合金化しない金属」とは、［１−ｄ］によると、Ｃｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）などの１種又は２種であり、活物質層をなす「Ｌｉと合金化する金属」とは、［１−ｃ］によると、Ｇｅ（ゲルマニウム）などである。また、表面被覆層は、［１−ｆ］によると、活物質層の上を島状に分布して被覆しているといえ、［１−ｅ］によると、その好ましい厚みは「０．０１〜０．２μｍ程度」である。
　以上によると、刊行物１には、「銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成された集電体と、この集電体に設けられたゲルマニウム（Ｇｅ）により構成された活物質層と、この活物質層の表面を島状に分布して設けられ、銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ）からなる群のうちの少なくとも１種からなり、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みを有する表面被覆層とを備えたリチウム二次電池用電極」の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「刊行物１発明」という。）。
　
（２）本願発明と刊行物１発明との対比 
　本願発明（前者）と刊行物１発明（後者）とを対比すると、後者の「活物質層の表面を島状に分布して設けられ、銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ）からなる群のうちの少なくとも１種からな・・・る表面被覆層」は、ニッケルからなる表面被覆層である場合、前者の「活物質層の表面の一部に設けられ、ニッケルからな・・・る薄膜層」に相当するから、両者は、「銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成された集電体と、この集電体に設けられたゲルマニウム（Ｇｅ）により構成された活物質層と、この活物質層の表面の一部に設けられ、ニッケルからなる薄膜層とを備えた電極」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：前者は、薄膜層が「３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚みを有する」のに対して、後者は、薄膜層が「１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みを有する」点
　
（３）判断
　刊行物１には、薄膜層（表面被覆層）に関して、［１−ｂ］に、「活物質層の表面と電解液との反応をこの表面被覆層により抑制することができる。この結果、活物質層表面の劣化を抑制することができ、充放電サイクル特性を向上させることができる」と記載され、［１−ｅ］に、「表面被覆層の厚みは０．２μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．１μｍ以下である。表面被覆層の厚みが厚くなり過ぎると、活物質層と電解液中のＬｉとの反応が阻害され、充放電容量が低下する場合がある。・・・表面被覆層の厚みが薄くなり過ぎると、活物質層と電解液との反応を抑制するという効果が十分に得られない場合がある。」と記載されているから、刊行物１発明において薄膜層の厚みを「２００ｎｍ以下」とするのは、活物質層と電解液中のＬｉとの反応が阻害されず、充放電容量特性が低下しない程度の厚みとするためであり、一方、活物質と電解液との反応を抑制し、充放電サイクル特性を向上させるためには、「１０ｎｍ以上」とする、すなわち薄膜層を厚くする方が有利であることが記載されているといえる。
　ところで、電池は様々な用途に供されるものであって、用途によって求められる特性が異なり、例えば、充放電サイクル特性が充放電容量特性に優先して要請される場合があることも、当業者が熟知するところと認められる。
　そうすると、刊行物１発明における電池を、充放電サイクル特性が充放電容量特性に優先して要請される用途に供する場合に、充放電容量特性をある程度犠牲にして、充放電サイクル特性の向上を優先するために、薄膜層の厚みを充放電サイクル特性の向上に有利である厚さとして２００ｎｍより厚い３００ｎｍ程度以上に設定するとともに、厚すぎることによる充放電容量特性の低下を考慮して、６００ｎｍ程度以下に設定することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計的事項であると認められる。
　また、本願明細書の発明の詳細な説明の【００７８】表３の記載によれば、上記の厚みに設定された薄膜層は、電子ビーム蒸着により形成したＧｅよりなる活物質層上に形成される場合には、容量維持率（充放電サイクル特性）の向上に関する作用効果が認められるものの、本願発明の全範囲において、臨界的意義のある作用効果を奏するものとも認められない。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）補足
　なお、上記相違点に係る本願発明の特定事項である「３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚みを有する薄膜層」は、当審補正により請求項１に追加された事項であり、この特定事項の追加により、本願には、以下の（ｉ）、（ii）に示す新たな拒絶理由が生じている。
　しかしながら、本願発明が当審における拒絶理由を依然として解消していないことは、上記「４．（３）」に示すとおりであるから、新たな拒絶理由を通知することなく、審理を終結することとした。
　
（ｉ）特許法第３６条第６項第１号違反
　発明の詳細な説明の【００７６】〜【００７９】には、電子ビーム蒸着により形成したＧｅよりなる活物質層の上に、厚みが３００ｎｍや、６００ｎｍである薄膜層を形成することは記載されている。
　しかし、【００３４】には、活物質層を気相法により形成した場合、薄膜層は活物質層の全面に形成される場合が多い旨が記載されているから、【００７６】〜【００７９】に記載された気相法により形成した厚みが３００ｎｍ、６００ｎｍである薄膜層が、「活物質層の表面の一部に設けられ」たものかどうかは、発明の詳細な説明から窺い知ることができない。
　また、発明の詳細な説明には、活物質層がＳｉである場合に、薄膜層の厚みを３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下と特定することは、記載も示唆もされていない。
　したがって、上記特定事項を有する本願発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。
　
（ii）特許法第１７条の２第３項違反
　願書に最初に添付した明細書又は図面には、活物質層がＧｅの場合に「３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚みを有する薄膜層」については記載されているが、活物質層がＧｅ、Ｓｉのいずれの場合であっても、「活物質層の表面の一部に設けられ、・・・３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚みを有する薄膜層」については、記載されていないし、すべての記載を総合しても、上記のような薄膜層の技術的事項を当業者によって導くことはできないと認められる。
　したがって、当審補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
５．むすび 
　以上のとおり、当審における拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。