(57)【要約】  本発明の課題は、パターニングに用いるマスクの変形を抑制することができる被パターン形成体の製造方法を提供することである。  本発明の被パターン形成体の製造方法は、マスクを使用してパターンが形成される被パターン形成体の製造方法であって、気体を吹き付けてマスクを冷却した状態で、マスクを隣接させた被パターン形成体にマスクと対向する位置から被パターン形成体に間欠的に光照射する工程を備え、被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からの被パターン形成体の表面に対して垂直方向のマスクの反り変形量ΔＺが、式（Ｉ）を満たすように、気体をマスクに吹き付ける速度（Ｖ）と光照射の１周期（Ｔ）の照射時間（ｔ）及びデューティ比（Ｄ）を調整した条件下でパターニングすることを特徴とする。  式（Ｉ）：ΔＺ≦７０［μｍ］
2017158937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを使用してパターンが形成される被パターン形成体の製造方法であって、
気体を吹き付けて前記マスクを冷却した状態で、前記マスクを隣接させた被パターン形成体に当該マスクと対向する位置から当該被パターン形成体に間欠的に光照射する工程を備え、
前記被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からの前記被パターン形成体の表面に対して垂直方向の前記マスクの反り変形量ΔＺが、下記式（Ｉ）を満たすように、前記気体を前記マスクに吹き付ける速度（Ｖ）と前記光照射の１周期（Ｔ）の照射時間（ｔ）及びデューティ比（Ｄ）を調整した条件下でパターニングすることを特徴とする被パターン形成体の製造方法。
式（Ｉ）：ΔＺ≦７０［μｍ］
【請求項２】
光照射しない状態で前記マスクに前記気体を吹き付けた際に発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ１と、前記光照射のみによって発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ２の合計値（ΔＨ１＋ΔＨ２）が、下記式（II）を満たす場合の気体流速度（Ｖ０）と照射時間（ｔ０）を各々の初期値として調整し、調整した条件下で前記被パターン形成体にパターン形成することを特徴とする請求項１に記載の被パターン形成体の製造方法。
式（II）：（ΔＨ１＋ΔＨ２）≦α×７０［μｍ］
（式中、αは、下記式（III）を満たす係数を表す。）
式（III）：α＝（２．４４×１０−１１×ｂ４＋０．７０×１０−４×ｂ２）／（２．４４×１０−１１×ａ４＋０．７０×１０−４×ａ２）
（式中、ａは、被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からマスクの中心までの距離を表す。ｂは、マスクの端部からマスクの中心までの距離を表す。）
【請求項３】
前記ΔＨ２が、前記ΔＨ１よりも大きいことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の被パターン形成体の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の被パターン形成体が、前記マスクのパターンに対応する発光パターンが形成された有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする被パターン形成体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクを使用してパターンが形成される被パターン形成体の製造方法に関する。特に、本発明は、パターニングに用いるマスクの変形を抑制することができる被パターン形成体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被パターン形成体に遮光部を備えるマスクを隣接させて、光を照射することでパターンを形成することが知られている。
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）に紫外線を照射すると照射された領域の発光効率が低下し、パターニングをすることができる（例えば、特許文献１参照。）。この現象には、国際公開第２０１４／１７５１３５号に記載のとおり相反則不軌特性があり、同じ積算光量でも照射パワー密度（放射照度）が高い方が、反応が高速になることが知られている。【０００３】
従って、有機ＥＬ素子にパターニングを行う場合、できるだけ高放射照度にした方がタクトタイムを短縮でき、生産性を向上できる。さらに、有機ＥＬ素子が複数形成されたシート（以下、有機ＥＬシートともいう。）に光照射すれば単位時間当たりの処理能力が向上できるが、光照射面積を大型にする必要がある。
高放射照度かつ大面積で光照射する場合、マスクの遮光部での紫外線吸収による温度上昇で発生するマスクの熱変形量が大きくなってしまう。特に大型マスクでは熱膨張による面内変形量よりもマスク平面に対して垂直方向の反り変形量が桁違いで大きくなり、光照射ボケが発生し正確なパターニングができないという問題がある。
マスクの熱変形を抑制する方法として、間欠光照射により発熱を抑制する手法があるが、これだけでは不十分で、マスクに気体（例えば、空気）を吹き付けて冷却することが必要となる。大型のマスクには多量の空気を吹き付ける必要があるが、光照射をせずに空気を吹き付けただけでもマスクに反り変形が発生することが実験により分かった。すなわち、光照射と空気吹き付けの双方によるマスクの変形を抑制する必要がある。【０００４】
例えば、特許文献２には、半導体素子や液晶表示素子の投影光照射におけるレチクルの熱変形を抑制する製造方法が開示されている。その手法は、パルス光を含めた照射光の各種条件に対してレチクルへの気体送風の風速に対するレチクル温度を実験で求め最適な送風量を決めるというものであり、温度で条件出しを行っているが、実際の変形量から条件出しをしておらず、気体吹き付け自体によるマスク変形について考慮されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２５９９３８号公報
【特許文献２】特開２０００−６８１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題・状況に鑑みなされたものであり、その解決課題は、パターニングに用いるマスクの変形を抑制することができる被パターン形成体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、マスクの反り変形量が所定の値以下になるように、間欠的に光照射する１周期の照射時間及びデューティ比だけでなく、マスクに気体を吹き付ける速度も最適値を設定することで、本発明の上記課題を解決することができることを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段により解決される。【０００８】
１．マスクを使用してパターンが形成される被パターン形成体の製造方法であって、
気体を吹き付けて前記マスクを冷却した状態で、前記マスクを隣接させた被パターン形成体に当該マスクと対向する位置から当該被パターン形成体に間欠的に光照射する工程を備え、
前記被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からの前記被パターン形成体の表面に対して垂直方向の前記マスクの反り変形量ΔＺが、下記式（Ｉ）を満たすように、前記気体を前記マスクに吹き付ける速度（Ｖ）と前記光照射の１周期（Ｔ）の照射時間（ｔ）及びデューティ比（Ｄ）を調整した条件下でパターニングすることを特徴とする被パターン形成体の製造方法。
式（Ｉ）：ΔＺ≦７０［μｍ］【０００９】
２．光照射しない状態で前記マスクに前記気体を吹き付けた際に発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ１と、前記光照射のみによって発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ２の合計値（ΔＨ１＋ΔＨ２）が、下記式（II）を満たす場合の気体流速度（Ｖ０）と照射時間（ｔ０）を各々の初期値として調整し、調整した条件下で前記被パターン形成体にパターン形成することを特徴とする第１項に記載の被パターン形成体の製造方法。
式（II）：（ΔＨ１＋ΔＨ２）≦α×７０［μｍ］
（式中、αは、下記式（III）を満たす係数を表す。）
式（III）：α＝（２．４４×１０−１１×ｂ４＋０．７０×１０−４×ｂ２）／（２．４４×１０−１１×ａ４＋０．７０×１０−４×ａ２）
（式中、ａは、被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からマスクの中心までの距離を表す。ｂは、マスクの端部からマスクの中心までの距離を表す。）【００１０】
３．前記ΔＨ２が、前記ΔＨ１よりも大きいことを特徴とする第１項又は第２項に記載の被パターン形成体の製造方法。【００１１】
４．第１項から第３項までのいずれか一項に記載の被パターン形成体が、前記マスクのパターンに対応する発光パターンが形成された有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする被パターン形成体の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の手段によれば、パターニングに用いるマスクの変形を抑制することができる被パターン形成体の製造方法を提供することができる。【００１３】
本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
大面積マスクを気体、例えば空気で冷却するためには多大な空気流量が必要となるが、実験により空気を吹き付けただけでもマスクに反りが発生することがわかった。
特に、面積が約１ｍ２程度の大型のマスクの場合には、マスクの端部での反り量が大きくなるため、被パターン形成体とマスクの間に浮きが発生してしまい、パターンがぼけてしまう。【００１４】
例えば、厚さ５ｍｍ、８１３ｍｍ×１３７９ｍｍの大きさの石英基板にクロム遮光部を全面に付けたマスクをモデルとして、照度４Ｗ／ｃｍ２の紫外線を連続照射し熱平衡状態になった時の定常解析シミュレーションを行った結果、マスクの端部の面内方向の膨張量０．０１８ｍｍに対して、垂直方向の反り量は１．３ｍｍと反り量の方が圧倒的に大きく、反りを抑制することが必要であることがわかった。マスクを冷却して反りを抑制すれば、必然的に面内方向の膨張も抑制されると考えられる。
そこで、空気を吹き付けた場合のみでのマスクの反りも含めて、光照射条件として空気風速（又は流量）と間欠光照射の１周期の照射時間とデューティ比（照射時間／（照射時間＋消灯時間））を最適化することで、マスクの変形を抑制することができたものと考えている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明で用いられる光照射装置の一例を示す概略構成図
【図２】マスクの反り変形量と反り量の関係を示す模式図
【図３】マスクの浮き量とパターンズレの関係を示す概略断面図
【図４】照射光と光照射範囲の関係を示す模式図
【図５】マスクの浮き量に対するパターンの細り量を示すグラフの一例
【図６】気体流の風速に対するマスク反り量を示すグラフの一例
【図７】光照射条件を決定する処理の一例を示すフローチャート
【図８】気体流の風速に対するマスクの温度を示すグラフの一例
【図９】光照射時間に対するマスクの反り量を示すグラフの一例
【図１０】一定の風速で気体を吹き付ける場合の光照射時間に対するマスクの反り量を示すグラフの一例
【図１１】一定の風速で気体を吹き付ける場合の光照射時間に対するマスクの反り量を示すグラフの一例
【図１２】スリット状の先端を有する気体流吹き付け部の一例の側面図
【図１３】有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の被パターン形成体の製造方法は、マスクを使用してパターンが形成される被パターン形成体の製造方法であって、気体を吹き付けて前記マスクを冷却した状態で、前記マスクを隣接させた被パターン形成体に当該マスクと対向する位置から当該被パターン形成体に間欠的に光照射する工程を備え、前記被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からの前記被パターン形成体の表面に対して垂直方向の前記マスクの反り変形量ΔＺが、前記式（Ｉ）を満たすように、前記気体を前記マスクに吹き付ける速度（Ｖ）と前記光照射の１周期（Ｔ）の照射時間（ｔ）及びデューティ比（Ｄ）を調整した条件下でパターニングすることを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。
【００１７】
本発明の実施態様としては、光照射しない状態で前記マスクに前記気体を吹き付けた際に発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ１と、前記光照射のみによって発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ２の合計値（ΔＨ１＋ΔＨ２）が、前記式（II）を満たす場合の気体流速度（Ｖ０）と照射時間（ｔ０）を各々の初期値として調整し、調整した条件下で前記被パターン形成体にパターン形成することが、最適解に近い条件から条件探索を始めることができ、パラメーターを変更する回数を最小限にして光照射条件を最適化できる点で好ましい。
【００１８】
本発明の実施態様としては、ΔＨ２が、前記ΔＨ１よりも大きいことが好ましい。これは、反応の高速化のために高放射照度とすることが好ましく、放射照度を上げることにより反り変形量も増加することから、前記ΔＨ２を前記ΔＨ１よりも多く配分することにより光照射による反り量の許容範囲を広げ、放射照度を高めることが好ましいためである。
【００１９】
本発明の実施態様としては、本発明に係る被パターン形成体が、前記マスクのパターンに対応する発光パターンが形成された有機エレクトロルミネッセンス素子であることが、本発明の効果発現の観点から好ましい。
【００２０】
《被パターン形成体の製造方法の概要》
本発明の被パターン形成体の製造方法は、マスクを使用してパターンが形成される被パターン形成体の製造方法であって、気体を吹き付けて前記マスクを冷却した状態で、前記マスクを隣接させた被パターン形成体に当該マスクと対向する位置から当該被パターン形成体に間欠的に光照射する工程を備え、前記被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置からの前記被パターン形成体の表面に対して垂直方向の前記マスクの反り変形量ΔＺが、下記式（Ｉ）を満たすように、前記気体を前記マスクに吹き付ける速度（Ｖ）と前記光照射の１周期（Ｔ）の照射時間（ｔ）及びデューティ比（Ｄ）を調整した条件下でパターニングすることを特徴とする。
式（Ｉ）：ΔＺ≦７０［μｍ］
【００２１】
また、本発明の被パターン形成体の製造方法は、あらかじめ光照射しない状態で、マスクを冷却する気体（空気）の風速Ｖ（又は流量）に対するマスクの端部における反り量ΔＨ１と、連続照射時間ｔに対するマスクの端部における反り量ΔＨ２を測定しておき、両者を加算した反り量（ΔＨ１＋ΔＨ２）がマスクの端部における反り量の許容値以下となる風速Ｖと照射時間ｔを選定する。マスクの端部における反り量の許容値は、被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲のうち最も端部に近い位置におけるマスク反り変形量の許容値から予め算出しておく。
そして、選定した風速で空気をマスクに吹き付けた状態で、照射時間ｔで所定デューティ比の光照射を間欠的に所定サイクル数で行った時のマスクの端部の反り量を測定する。サイクル中の最大反り量が許容値以下であれば、この条件を採用する。許容値を超える場合は光照射時間ｔ、デューティ比Ｄ、風速Ｖを変えて最大反り量が許容値以下となるように調整し、最適な光照射条件を決定する。調整した最適な光照射条件下でパターニングを行う。
【００２２】
《光照射装置の概略構成》
図１に示す光照射装置１は、主には、光照射部２と、被パターン形成体載置台１５等により構成されている。
光照射部２は、光源部６と、レンズアレイ７、カバー９等を備えることが好ましい。
光源部６は、光源基板４上に、例えば紫外線を出射する光源（ＬＥＤ）５として、発光波長が３６５ｎｍや３８５ｎｍのＵＶ−ＬＥＤを平面状に並列配置し、光源５から出射した光を、レンズアレイ７で所定の広がり角の光束に整形し、反射導光するカバー９を通じて、その下部に位置するマスク１４を介して、被パターン形成体１２である有機ＥＬシートに照射する。有機ＥＬシートは、被パターン形成体載置台１５に保持されている。レンズアレイ７はレンズアレイ支持体８により光源部に固定される。
【００２３】
レンズアレイ７から出射した照射光Ｌは、内面が反射面となっているカバー内部に閉じ込められ、光量の低下を防ぎ、かつ均一な光量でマスク１４に光照射される。
また、光照射エリア周辺部の光量を確保するためには、カバー下端とマスクの間隔（ＷＤ）はできるだけ狭い方が良く、５ｍｍ程度が望ましい。この間隔であれば、マスクに層状の気体を一様に吹き付けることができる。
【００２４】
光源５は、コントローラ（不図示）により点灯、消灯や点灯時の照射出力、照射時間が制御され間欠光照射を行う。図１の説明においては、広がり角の整形にレンズアレイ７を用いたが、複合放物面集光器のような集光ミラーを用いてもよい。
また、光源基板４の上部には、光源５の発光により生じた熱を、外部に放出するための放熱板３を具備していることが好ましい。このような放熱板３を設置することにより、光源部６の温度上昇を抑制することができる。
照射光Ｌを照射されたマスク１４は、高温になり、熱変形するとともに、カバー９及びカバー９内部の温度が上昇して、寸法精度の高いパターニングが困難になってしまう。そこで、マスク１４の上面の対向する位置に、マスク１４と前記カバー９との間隙を通して、空気等の気体流１１がマスク１４と平行に、かつ前記マスク１４の中央方向に吹き付けられるよう配置された一対の気体流発生部１０が備えられている。
【００２５】
このような配置とすることにより、中央方向に、マスク１４と平行に吹き付けられた気体流１１は、マスク面の冷却をむらなく行うとともに、中央部で合流し、合流した空気流がカバー９上部に上昇して、光源側に到達し、さらにはカバー９側面に沿って下降し対流する。このように、カバー９内部の空気循環（対流）を促進して、カバー９内部の温度上昇した空気を冷却するとともに、カバー９をも効率的に冷却することができるものと考えられる。吹き付けられた空気は、熱を吸収してカバー９内部を循環して、気体流発生部１０が備えられている面の隣り合った側面から排気される。
【００２６】
また、マスク１４の下には被パターン形成体１２、例えば有機ＥＬシートが配置され、その下部には被パターン形成体載置台１５が配置される。マスク１４の端部に変位センサー１３を付けて、マスクが光源部から照射された光や吹き付けられる気体によって被パターン形成体の垂直方向に変形する反り量を計測する。
【００２７】
《マスクの反り量と反り変形量》
本発明におけるマスクの反り変形量ΔＺとは、被パターン形成体の光照射されたパターンが形成される範囲の内もっとも端部に近い位置と、被パターン形成体の表面に対して垂直方向に変形したマスクの位置から算出することができる距離（量）をいう。
マスクにガラス基板を使用する場合、マスクに光、例えば紫外線を照射すると遮光部が紫外線を吸収して発熱し、マスクのガラス基板が熱膨張して熱変形を生じる。具体的には、遮光部近辺のガラス基板面の方がより高温となり膨張が大きくなるため、図２のように反りが発生する。そこで、本発明では、図２に示すように、例えば有機ＥＬ素子の場合、有機ＥＬシートと、有機ＥＬシートの表面に対して垂直方向の変形したマスクの端部との距離を「マスクの反り量ΔＨ」とする。また、「マスクの反り変形量ΔＺ」は、有機ＥＬ素子の光照射されたパターンが形成される発光層が存在する範囲Ｗの内のもっとも端部に近い位置と、被パターン形成体の表面に対して垂直方向の変形したマスクの位置との距離とする。
【００２８】
《マスク反り変形量許容値の算出方法》
マスク反り変形量の許容値の算出方法の一例としては、図３に示すような小型光照射装置（照射エリア１０ｃｍ×１０ｃｍ、放射照度４Ｗ／ｃｍ２、コリメーション半角４５°）にて、マスクと有機ＥＬ素子の間隔（マスク浮き量ｄ）を変えて、有機ＥＬ素子に光を照射しパターニングを行い、有機ＥＬ素子の発光パターンのズレ量を実験評価し、発光パターンのズレ量からマスク浮き量の許容範囲を決めることができる。このマスク浮き量の許容値がマスク反り変形量の許容値に相当する。
【００２９】
例えば、６ｃｍ×６ｃｍの大きさで、中央にハーフピッチ０．３ｍｍ（３００μｍ）、長さ２ｍｍのライン＆スペースのパターンの遮光部を備えるマスクを使用する。紫外線照射によるマスクの熱変形を発生させないために紫外線を吸収して発熱する遮光部はライン＆スペースのパターンだけとし、それ以外は透明とする。
マスクと被パターン形成体載置台の間にスペーサー１７を挿入し、マスクを有機ＥＬ素子から浮かせて光照射する。このマスクを介して５ｃｍ×３ｃｍの有機ＥＬ素子の基材側（発光側に相当）から紫外線を光照射し、３本の発光パターンを形成する。スペーサーの厚さを変えることで、マスク浮き量ｄを変更する。光照射条件は、放射照度４Ｗ／ｃｍ２で積算照射時間は４分とする。なお、スペーサーに紫外線が当たらないように、マスクのスペーサーと隣接する範囲を覆うようにマスク上部にアルミ箔を被せる。
【００３０】
照射する光が平行光でない場合、有機ＥＬ素子の基材の内部で斜光線が遮光部の下に潜り込むので、マスクを基材に密着させても（マスク浮き量ｄ＝０）発光パターンのライン幅は、３００μｍよりもδ細くなり、さらにマスクと基材との距離が離れることでより細くなる（図４参照。）。
そこで、光照射後の発光パターンの３００μｍ方向の線幅を測定し、ｄ＝０での線幅を基準にしてマスク浮き量に対する線幅細り量を計測する。コリメーション半角をθとしたとき、線幅細り量は（マスク浮き量ｄ）×ｔａｎθとなる。コリメーション半角が４５°の場合は、マスク浮き量と線幅細り量のグラフの傾きはほぼｔａｎ４５°（傾き１）となっている（図５参照。）。目視でのパターン差が感じにくい範囲が、ハーフピッチの１０％以下であるため、３０μｍをパターンズレ許容値とすると、コリメーション半角が４５°の場合は、マスクの浮き量の許容値を３０μｍとすることができる。
【００３１】
光照射装置のコリメーション半角が４５°、放射照度４Ｗ／ｃｍ２の場合、コリメーション半角を小さくすれば、パターンボケが低減されマスクの反り変形量の許容値を拡大することができる。しかし、コリメーション半角を小さくすると放射照度が落ちてしまう。
有機ＥＬ素子の照度不軌特性を利用して光照射時間を短縮するには１Ｗ／ｃｍ２以上の放射照度が好ましい。この照度でコリメーション半角をできるだけ小さくなるように設計した結果、コリメーション半角は２３°となる。
前述のマスクの浮き量の許容値から、コリメーション半角２３°において許容できるマスクの反り変形量を、下記式（１）を用いて算出すると、７０μｍとなる。
式（１）：マスクの反り変形量［μｍ］＝３０［μｍ］×ｔａｎ４５°／ｔａｎ２３°
従って、この場合のマスクの反り変形量は７０μｍ以下に抑えることが必要となる。高放射照度にするためにコリメーション半角θが増えた場合は、マスク反り変形量を３０μｍ×ｔａｎ４５°／ｔａｎθ以下とすることが望ましい。
【００３２】
《マスク反り量許容値の算出方法》
光照射条件を決定する際には、図１に示すように、有機ＥＬシートが被パターン形成体載置台とマスクに挟まれた状態で、被パターン形成体載置台平面の内側に配置されているため、マスクの反り変形量を計測することが難しい。そこで、測定可能な有機ＥＬシートの表面に対して垂直方向の、変形したマスクの端部との距離である、マスク反り量を計測し、マスク反り量が許容値の範囲内にあるかどうかを判定する。マスク反り量の許容値は、マスク変形量の許容値からシミュレーションに基づき算出され、マスク反り量が許容値の範囲内におさまっていれば、マスク変形量も許容値の範囲内にあることになる。
【００３３】
具体的な算出方法を以下に説明する。前記マスクモデルの熱変形シミュレーションにより、有機ＥＬ素子の発光層が存在する範囲Ｗの内のもっとも端部におけるマスク変形量が３０μｍとなった時のマスクの変形状態を算出し、マスク中心からマスクの端部にかけての反りの状態を下式（II′）で示した関数として導出した。
式（II′）：ΔＺｆ＝２．４４×１０−１１×ｆ４＋０．７０×１０−４×ｆ２
ここで、ｆはマスクの中心からの距離[ｍｍ]、ΔＺｆ[μｍ]は距離ｆの点において変形がない状態でのマスク面を基準とした時のマスク面に垂直な方向のマスク変形量である。
図２においてマスクの中心から有機ＥＬシートの発光層が存在する範囲のうち最も端部に近い位置までの距離ｆａは６１５ｍｍであり、この時のマスク変形量ΔＺｆａは式（II′）よりΔＺｆａ＝３０μｍとなる。一方、マスク反り量を測定する点はｆｂ＝７３５ｍｍであり、この時ΔＺｆｂ＝４５μｍとなる。従って、マスク反り量の許容値は４５μｍとなる。
また、マスクの材質や遮光部の材質を変更してシミュレーションを行い、ｆ＝６１５ｍｍにおいてΔＺ＝３０μｍとなるマスク反り状態の関数を導出した結果、上式（II′）と同じ関数が得られた。
【００３４】
そこで、コリメーション半角θのときのマスク変形量の許容値が３０μｍ×ｔａｎ４５°／ｔａｎθである場合のマスクの端部におけるマスク反り量の許容値は、α×３０μｍ×ｔａｎ４５°／ｔａｎθとして算出できる。ここで、αは有機ＥＬシートの発光層のもっとも端部におけるΔＺｆａに対するマスクの端部におけるΔＺｆｂの比（ΔＺｆｂ／ΔＺｆａ）である。有機ＥＬシートの発光層が存在する領域やマスクサイズが変わった場合でも、ΔＺｆの比をマスク変形量の許容値に乗じることにより、マスク反り量の許容値を算出することができる。コリメーション半角θ＝２３°、ｆａ＝６１５ｍｍ、ｆｂ＝７３５ｍｍの場合、α＝４５μｍ/３０μｍ＝１．５、マスク反り変形量許容値＝７０μｍとなるので、マスク反り量の許容値は１．５×７０μｍ＝１０５μｍとなる。すなわち、光照射しない状態で前記マスクに前記気体を吹き付けた際に発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ１と、光照射のみによって発生する前記マスクの端部におけるマスク反り量ΔＨ２の合計値（ΔＨ１＋ΔＨ２）が、下記式（II）を満たす場合の気体流速度（Ｖ０）と照射時間（ｔ０）を各々の初期値として調整し、調整した条件下で前記被パターン形成体にパターン形成することができる。
式（II）：（ΔＨ１＋ΔＨ２）≦α×７０［μｍ］
式中、αは、下記式（III）を満たす係数を表す。
式（III）：α＝（２．４４×１０−１１×ｂ４＋０．７０×１０−４×ｂ２）／（２．４４×１０−１１×ａ４＋０．７０×１０−４×ａ２）
式中、ａは、有機ＥＬシートの発光層が存在する範囲のうち最も端部に近い位置からマスクの中心までの距離を表す。ｂは、マスクの端部からマスクの中心までの距離を表す。
【００３５】
また、実験評価の過程で、紫外線を照射せずに空気をマスクに吹き付けただけでもマスクに反りが発生することが分かった。これは、層状空気を吹き付ける側の雰囲気圧力の変化による揚力が発生して反るものと推測される。
また、図６に示すようにマスクに吹き付ける空気の風速を上げるとマスクの反り量も増加する。従って、反り量を許容値以下に抑制するためには吹き付ける気体の風速Ｖも光照射条件として最適化する必要がある。図６の測定において、マスク反り量の計測は、キーエンス製レーザ変位計ＬＫ−Ｈ１５０を用いて行い、風速計測は日本カノマックス社製の風速変換器６３３２Ｄとプローブ０９６２−００を用いた。
風速計測は、カバーの外側にはみ出ている気体流発生部の吹き出し口の前に風速計のプローブ（図示略）を設置して行った。風速計の代わりに気体流発生部に空気を送り込む配管に流量計を設置し、流量をパラメーターとしてもよい。風速計が大きな風量により万一外れてしまっても、マスクを損傷してしまうことを回避できる。
【００３６】
《光照射条件の決定》
本発明で用いられる光照射条件を決定する方法（光照射条件決定処理）の一例を、図７のフローチャートを用いて説明する。
なお、被パターン形成体の材質や光照射装置の照度、生産コスト、仕様上等の理由から、必要積算照射時間ｔｔｏｔａｌ、光照射時間ｔの最小値ｔｍｉｎ、デューティ比Ｄの最小値Ｄｍｉｎ、マスクに気体を吹き付ける風速Ｖの最小値Ｖｍｉｎが設定されており、タクトタイムの上限も、あらかじめ設定されている。
【００３７】
図１に示すように、被パターン形成体載置台に有機ＥＬシートを配置し、その上にマスクを載せる。まずは光照射を行わずに、マスクに気体を吹き付けるのみで光照射を行わない場合のマスクの反り量を計測する。この時の風速Ｖは、最小値Ｖｍｉｎ以上の値で変化させてそれぞれの風速での反り量ΔＨ１を求める（ステップＳ１）。
風速Ｖとマスクの反り量ΔＨ１［μｍ］との関係を図６のグラフに示す。反り抑制には気体を吹き付ける風速を下げることが好ましいが、マスク冷却効果が低減してしまう。
【００３８】
例えば、図８に放射照度４Ｗ／ｃｍ２の紫外線を照射した時の気体（空気）を吹き付ける風速に対するマスク表裏面の最大温度のシミュレーション結果を示す。風速が大きい程、マスク温度を低減できるが、マスク裏面は遮光部側で有機ＥＬシートと密着しており直接空気が当たらないため、空気が当たるマスク表面よりも温度が高くなる。マスク裏面は有機ＥＬシートと密着しており、有機ＥＬシートの基材として樹脂を用いた場合には基材の熱変形が生じないようにする必要がある。
有機ＥＬシートはＰＥＴ基材を用いており、ＰＥＴのガラス転移温度が７０℃なので、マスク裏面温度は７０℃以下に冷却されることが望ましい。従って、この場合の気体吹き付けの風速下限値としては１ｍ／ｓ以上が好ましく、２ｍ／ｓ以上がより好ましい。
【００３９】
次に、マスクに気体を吹き付けずに、光照射のみを行った場合のマスクの反り量を計測する。この時の照射時間ｔは、最小値ｔｍｉｎ以上の値で変化させてそれぞれの照射時間での反り量ΔＨ２を求める（ステップＳ２）。光照射時間ｔの最小値ｔｍｉｎ、は、例えば光照射装置の照射時間設定分解能によって決定される。
照射時間ｔとマスク反り量ΔＨ２［μｍ］との関係を図９のグラフに示す。
図９は、照度４Ｗ／ｃｍ２の紫外線を連続照射した際の照射時間に対するマスク反り量を測定した結果である。マスクへの気体吹き付けは止めて測定を行った。
【００４０】
次に、下記式（Ａ）〜（Ｃ）を満たすΔＨ１及びΔＨ２を選定する（ステップＳ３）。ΔＨｍａｘはマスク反り量許容値であり、前述のα×３０×ｔａｎ４５°／ｔａｎθ[μｍ]にて算出される。ΔＨ１ｍｉｎ及びＨ２ｍｉｎはそれぞれ、風速の最小値Ｖｍｉｎから求められるΔＨ１の最小値及び光照射時間の最小値ｔｍｉｎから求められるΔＨ２の最小値である。
式（Ａ）：ΔＨ１＋ΔＨ２≦ΔＨｍａｘ
式（Ｂ）：ΔＨ１≧ΔＨ１ｍｉｎ
式（Ｃ）：ΔＨ２≧ΔＨ２ｍｉｎ
【００４１】
気体吹き付けによるマスク反り量ΔＨ１と紫外線照射による反り量ΔＨ２の配分を決める。相反則照度不軌を利用した反応高速化のため高放射照度にすることが好ましく、この場合放射照度アップにより反り量も増加する。従って、配分はΔＨ２＞ΔＨ１とすることが望ましく、このように配分することにより放射照度による反り変形量の許容範囲を広げ、放射照度を高めることができる。
【００４２】
次に、ΔＨ１に対応する風速Ｖ０及びΔＨ２に対応する光照射時間ｔ０をそれぞれの初期値に設定するとともに、デューティ比のＤ０も初期値に設定する（ステップＳ４）。
例えば、コリメーション半角を４５°とした場合のマスク反り量許容値ΔＨｍａｘ＝４５μｍに対して、間欠光照射時の熱蓄積による反り増加も考慮し、ΔＨ１＋ΔＨ２＝４０μｍとしてΔＨｍａｘよりも小さくし、ΔＨ１＝１０μｍ、ΔＨ２＝３０μｍを選定する。
従って、風速の初期値Ｖ０は、図６より５ｍ／ｓ、光照射時間の初期値ｔ０は、図９より３０秒となる。Ｄ０＝５０％としたので１周期の消灯時間も３０秒となる。なお、間欠光照射の照射サイクル数ｎはｎ＝ｔｔｏｔａｌ／ｔ０にて算出され、デューティ比Ｄの最小値Ｄｍｉｎはｎ×ｔ０／（タクトタイム上限）×１００[％]にて算出される。
【００４３】
デューティ比Ｄは、１周期の消灯時間が光照射時間よりも長いと熱蓄積抑制には効果があるが、消灯時間が長くなった分だけタクトタイムが長くなってしまう。逆に消灯時間を照射時間よりも短くすると熱蓄積が増加し、徐々に変形が増大してしまう可能性がある。
よって、デューティ比の初期値としては照射時間と消灯時間を同じにしたＤ＝５０％が好ましい。
【００４４】
決定した風速、光照射時間及びデューティ比で間欠的に光照射を行い、マスク反り量ΔＨを計測する（ステップＳ５）。
計測したマスクの反り量ΔＨが、許容値（ΔＨｍａｘ）以下であるか否かを判定する（ステップＳ６）。
計測したマスクの反り量ΔＨが、許容値（ΔＨｍａｘ）以下である場合（ステップＳ６；Ｙｅｓ）は、風速Ｖ０、光照射時間ｔ０、デューティ比Ｄ０で光照射条件を決定し、処理を終了する。
【００４５】
算出したマスクの反り量ΔＨが、許容値（ΔＨｍａｘ）以下ではない場合（ステップＳ６；Ｎｏ）は、光照射時間の初期値ｔ０が、最小値ｔｍｉｎであるか否かを判定する（ステップＳ７）。
光照射時間の初期値ｔ０が、最小値ｔｍｉｎと異なる場合（ステップＳ７；Ｎｏ）は、初期値ｔ０よりも小さく、最小値ｔｍｉｎ以上の光照射時間ｔ１に変更する（ステップＳ８）。
【００４６】
光照射時間の初期値ｔ０が、最小値ｔｍｉｎである場合（ステップＳ７；Ｙｅｓ）は、デューティ比の初期値Ｄ０が、最小値Ｄｍｉｎであるか否かを判定する（ステップＳ９）。
デューティ比の初期値Ｄ０が、最小値Ｄｍｉｎと異なる場合（ステップＳ９；Ｎｏ）は、初期値Ｄ０よりも小さく、最小値Ｄｍｉｎ以上のデューティ比Ｄ１に変更する（ステップＳ１０）。
【００４７】
デューティ比の初期値Ｄ０が、最小値Ｄｍｉｎである場合（（ステップＳ９；Ｙｅｓ）は、風速の初期値Ｖ０が、最小値Ｖｍｉｎであるか否かを判定する（ステップＳ１１）。
風速の初期値Ｖ０が、最小値Ｖｍｉｎである場合（ステップＳ１１；Ｙｅｓ）は、光照射装置の照度Ｐを下げる（ステップＳ１３）。照度を下げたため、再度マスクに気体を吹き付けずに、光照射のみを行った場合のマスクの反り量を計測するステップＳ２に戻り、ΔＨ２を求める。
風速の初期値Ｖ０が、最小値Ｖｍｉｎと異なる場合（ステップＳ１１；Ｎｏ）は、初期値Ｖ０よりも小さく、最小値Ｖｍｉｎ以上の風速Ｖ１に変更する（ステップＳ１２）。
【００４８】
光照射時間をｔ１に変更（ステップＳ８）、デューティ比をＤ１に変更（ステップＳ１０）又は風速をＶ１に変更（ステップＳ１２）した場合は、決定した光照射時間、デューティ比又は風速で再度マスク反り量ΔＨを測定し（ステップＳ５）、マスク反り量の最大値ΔＨｍａｘ以下であれば（ステップＳ６；Ｙｅｓ）、光照射条件決定処理を終了する。
マスク反り量の最大値ΔＨｍａｘ以下ではない場合（ステップＳ６；Ｎｏ）は、再度ステップＳ７の処理に戻る。
以上の処理により、最適な気体をマスクに吹き付ける風速、光照射時間及びデューティ比を決定することができ、パターンズレを抑制した有機ＥＬ素子の発光パターンを得ることができる。
【００４９】
前述の風速の初期値Ｖ０を、５ｍ／ｓ、光照射時間の初期値ｔ０を、３０秒、Ｄ０＝５０％とした場合についても同様に図７のフローに従って最適な光照射条件を決定することができる。
風速５ｍ／ｓで気体をマスクに吹き付けながら、照度４Ｗ／ｃｍ２、照射３０秒、消灯３０秒の間欠光照射を１０サイクル照射した。
事前の評価で有機ＥＬシートのパターニング後の発光部と非発光部のコントラスト（輝度比）目標値に必要な積算照射時間が５分であったので、１パルス３０秒を１０回照射することとした。この時の光照射中のマスク反り量の過渡応答を測定した結果を図１０に示す。
【００５０】
光照射せずに気体だけ１５秒間吹き付けた後に、間欠光照射を開始したので、最初の反りは気体吹き付けだけによるものである。間欠光照射が開始されると反りが加算され、熱蓄積により反り量が徐々に増大しているが、被パターン形成体載置台の冷却が効き始めた３パルス目から次第に反りが低減し、熱平衡状態となり反りもほぼ一定となっている。
最大反り量が４８．５μｍと許容値ΔＨｍａｘの４５μｍを超えたため、照射時間ｔを１５秒に短縮した。照射１５秒、消灯時間１５秒の間欠光照射を２０サイクル行った結果を図１１に示す。最大反り量は３９．８μｍと許容値ΔＨｍａｘ以内に抑制できたので、この条件を採用することとした。
【００５１】
間欠光照射サイクル中の最大反り量が許容値を超えた場合、反り量を減らす方向でパラメーター値を変更する。照射時間ｔを短くすることで、１パルス当たりの照射エネルギーを小さくすることができる。また、デューティ比Ｄを小さくすることで、消灯時間を延ばし冷却効果を高めることができる。風速Ｖは、マスク裏面温度が所定温度以下となる範囲で小さくすることで、気体吹き付けによる反り変形量を小さくすることができる。
本発明は、パラメーターの初期値として気体吹き付け単独の反り量と光照射単独の反り量を合わせた反り量が許容値以下となる風速と照射時間を選択することにより、最適解に近い条件から条件探索を始めることができ、パラメーターを変更する回数を最小限にして光照射条件を最適化できる点が好ましい。
次に、本発明の被パターン形成体の製造方法で用いられるものについて詳細に説明する。
【００５２】
《マスク》
本発明に係るマスクは、基材上に遮光部を備える構成であって、被パターン形成体に対して光照射側に配置することで、パターニングを行うことができる。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機機能層をパターニングする場合は、マスクを通して光照射し、発光部の発光パターンを形成することができる。
【００５３】
ここでいう「パターン」とは、例えば、有機ＥＬ素子のパネルにより表示される図案（図の柄や模様）、文字、画像等をいう。「パターニング」とは、これらのパターン表示機能を持たせることをいう。
【００５４】
また、「発光パターン」とは、有機ＥＬパネルが発光する際、所定の図案（図の柄や模様）、文字、画像等に基づいて、発光面の位置により発光強度（輝度）を変えて光を発光させるためにあらかじめ当該有機ＥＬ素子に形成（付与）される所定の図案（図の柄や模様）、文字、画像等を表示させる機能を有する発生源をいう。
【００５５】
マスクは、素材として特に限定されることはなく、例えば、光学用や基板用に用いられる公知のガラス素材を用いることができる。具体的には、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、結晶化ガラス等のガラスセラミック、リン酸系ガラス又はランタン系ガラス等を挙げることができる。
これらの中では、熱膨張率の低いものが好ましい。石英ガラス、ガラスセラミック及びボロシリケートガラス（例えば、ショット社製テンパックス  フロート（登録商標））等の耐熱ガラスを、好ましく用いることができる。厚さは特に制限はないが、３〜１０ｍｍのものを用いることができる。
【００５６】
《光照射装置》
前述のとおり、図１は本発明で用いられる光照射装置の概略構成図であり、各構成要素について詳細に説明する。
【００５７】
〈光源〉
光照射装置の光源としては、所望の光量を発光する光源であれば、特に制限はない。例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶ−ＬＥＤ等から発せられる１００〜４００ｎｍの範囲内、好ましくは２００〜４００ｎｍの範囲内の波長領域の紫外光を用いることができる。特に光源寿命が長く、高出力でＯＮ／ＯＦＦ制御を高速に行えるＵＶ−ＬＥＤが好ましい。
有機ＥＬ素子に光照射を行う場合、パネルのサイズにもよるが、２００〜５０００Ｊ／ｃｍ２の積算照射光量で照射することが好ましい。また、間欠光照射１周期における光照射時間は、１〜１５０秒の範囲内であることが好ましい。
【００５８】
〈気体流発生部〉
気体流発生部１０は、マスク１４の上面の対向する位置に、マスク１４とカバー９との間隙を通して、気体（空気）がマスク１４と平行に、かつマスク１４の中央方向に吹き付けられるよう配置されている。
【００５９】
図１のように気体流発生部１０は、マスク１４の上面に配置し、マスク１４と平行に吹き付けることにより、吹き付けられる気体流１１は、むらなくマスク１４上を進みマスク１４中央部で合流する。平行に吹き付けるとは、マスク１４の平面に対し±２度以内の角度で吹き付けることをいう。マスク平面に対し２度を超えて上向きに吹き付けた場合は、マスクの冷却が不十分となる。また、マスク平面に対し２度を超えて下向きに吹き付けた場合は、マスクに吹き付けられた空気に乱れが生じ、マスクの冷却にむらが生じたり、中央部で合流した空気が、カバー９内部で乱流を発生させてしまい、前述した対流が起こらず、冷却が効率的にならないため好ましくない。
【００６０】
マスクに吹き付けられた空気は、マスク１４の中央部で合流する。中央で合流することで、マスク１４及びカバー９をむらなく冷却することができる。このため気体流発生部１０は、マスク１４上面の対向する位置に平行に配置される。また、カバーの吹き付けられる側の側面とも平行であることが好ましい。
【００６１】
カバー９と気体流発生部１０との間隙は、空気が効率よくカバーに吹き付けられれば特に制約はないが１０〜２００ｍｍの範囲内であることが好ましい。より好ましくは５０〜１００ｍｍの範囲内である。また、気体流発生部の長さは、吹き付ける側のカバーの幅と同じか、それより大きいほうが好ましい。
【００６２】
気体流発生部１０から吹き付けられた空気は、マスク１４とカバー９との間隙を通してカバー９内に吹き付けられる。この間隙は、カバー内部への空気の出し入れ口の機能を有するが、吹き付けられた空気が、効率よくカバー９内を循環することに対しても影響する。２〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましい。好ましくは３〜１０ｍｍの範囲内である。間隙が２０ｍｍ以内であれば、カバー９内での空気の循環が効率的に行われ、２ｍｍ以上あれば、冷却するための風量を十分に得ることができる。
【００６３】
また、一対の気体流発生部１０は、カバー９、及びマスク１４の中央部に対して対称の位置に配置されることが好ましい。気体流発生部から吹き付けられた空気による冷却に加えて、マスクの下部に水路１６を有するチラー（図示略）を備えていることが好ましい。
【００６４】
〈吹き付け部〉
前述したようなカバー９内部の空気循環を行い、効率よくマスクやカバーを冷却するためには、気体流発生部が、スリット状又はノズル状の吹き付け部を備えたものであることが好ましい。スリット状の吹き付け部を備えたものであることが、より好ましい。
【００６５】
図１２はスリット状の吹き付け部を備えた気体流発生部の一例の側面図である。スリット状の吹き付け部Ｓを備えた気体流発生部は、層状の気体流１１を吹き付けることができる。例えば、間隙が５０〜１００μｍ程度の薄いスリットから、高速で噴出された空気は、周辺の空気を大量に巻き込み層状の空気を吹き付けることができる。このような層状の空気を吹き付けることで、マスクとカバーとを効率的に冷却することができる。
【００６６】
スリット状の吹き付け部の代わりに、ノズル状の吹き付け部を備えたものも使用できるが、その場合ノズルの数は多いほうが良く、ノズルの数は５〜２０ｍｍの間隔で１個あることが好ましい。ノズル径の大きさは、適宜調整することができる。なお、図６の気体吹き付け速度に対するマスク反り量の測定はスリット状の吹き付け部を用いた結果である。
【００６７】
吹き付け部に用いるスリット状の吹き付け部は市販品のものを使用することができる。例えば、サンワエンタープライズ社製の、層状空気流発生装置７５０型やスプレーイングシステムジャパン社製のブロアナイフエアーノズルなどを用いることができる。
【００６８】
一対の吹き付け部から吹き付けられる風量は同じであることが好ましい。風量としては１０００〜４０００Ｌ／ｍｉｎであることができる。気体流発生部は、エアーコンプレッサーに接続されていることが好ましい。紫外線の照射光量に応じて、適宜所望の風量、風速に調節することができる。エアーコンプレッサーは公知のものを使用できる。
また、吹き付けられる空気が、温度調整されたものであることが好ましい。必要に応じて、例えば、５〜１５度程度に温度調節した空気を用いることで冷却効率を上げることができる。
【００６９】
〈カバー〉
カバー（リフレクター）は、発光部から照射された光の光量の低下を防ぎ、かつ均一な光量でマスクに照射させる機能を有している。そのために、内面が反射材料で覆われていることが好ましい。反射材料は、熱に対して耐性があり、耐久性もあることから、金属材料を用いることができる。例えば、軽量でもあることから、アルミニウムを好ましく使用できる。
【００７０】
カバーは、その上部に光源が取り付けられ、その下端にマスクとの間隙を有していれば、その高さや、底面積は、特に制限がなく、照射するパネルの大きさに応じて設定することができる。底面は、作製するパターン形成エリアより大きいことが好ましい。
【００７１】
カバーの高さは、紫外線の光量、照射光量のむらなどから、適宜調整できる。例えば、０．５〜５ｍ程度にすることができる。
【００７２】
〈被パターン形成体載置台〉
被パターン形成体載置台は、被パターン形成体を載置して固定化する機能と共に、気体流発生部から吹き付けられた空気による冷却に加えて、水冷方式により被パターン形成体を冷却する機能を備えていることが好ましい。被パターン形成体として有機ＥＬシートを載置した場合、シート厚さが０．１〜０．５ｍｍと薄いため、光照射によりマスクの遮光部で発生した熱も有機ＥＬシートを介して冷却される。
冷却方法としては、公知の方法が挙げられるが、簡便で効果的であることから、水冷方式が好ましい。被パターン形成体載置台内部には冷却管が備えられており、冷却管内を冷却水が流れ、光照射によりマスクや有機ＥＬシートで発生した熱を吸収する。被パターン形成体載置台で熱を吸収した冷却水は外部に設置されたチラーユニットに送られ、チラーユニット内部にて熱交換され、水温を下げた冷却水が被パターン形成体載置台に供給される。冷却水はチラーユニットと被パターン形成体載置台を循環する。
被パターン形成体載置台の材質は熱伝導率の高いものが好ましい。例えば、アルミニウムなどを用いることができる。
【００７３】
《有機エレクトロルミネッセンス素子》
本発明に係る被パターン形成体は、前記マスクパターンに対応する発光パターンが形成された有機ＥＬ素子であることが好ましい。本発明に係る有機ＥＬ素子は、少なくとも一対の電極間に一つ又は複数の有機機能層を備えていることが好ましい。本発明における有機機能層とは、有機化合物を含有する層をいう。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層（青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含む）、電子輸送層、電子注入層を挙げることができる。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、種々の構成を採り得るが、一例を図１３に示す。なお図１３は説明のため縦横比は正確ではない。
【００７４】
図１３に示すとおり、本発明に係る有機ＥＬ素子１００は、基板１１３上に設けられており、基板１１３側から順に、第一電極（透明電極）１１１、有機材料等を用いて構成された有機機能層１０３、及び第二電極（対向電極）１０５ａをこの順に積層して構成されている。第一電極１１１（下地層１１１ａと電極層１１１ｂからなる。）の端部には、取り出し電極１１６が設けられている。第一電極１１１と外部電源（図示略）とは、取り出し電極１１６を介して、電気的に接続される。有機ＥＬ素子１００は、発生させた光（発光光ｈ）を、少なくとも基板１１３側から取り出すように構成されている。
【００７５】
また、有機ＥＬ素子１００の層構造は限定されることはなく、一般的な層構造であっても良い。ここでは、第一電極１１１がアノード（すなわち陽極）として機能し、第二電極１０５ａがカソード（すなわち陰極）として機能することとする。この場合、例えば、有機機能層１０３は、アノードである第一電極１１１側から順に正孔注入層１０３ａ／正孔輸送層１０３ｂ／発光層１０３ｃ／電子輸送層１０３ｄ／電子注入層１０３ｅを積層した構成が例示されるが、このうち、少なくとも有機材料を用いて構成された発光層１０３ｃを有することが必須である。正孔注入層１０３ａ及び正孔輸送層１０３ｂは、正孔輸送注入層として設けられても良い。電子輸送層１０３ｄ及び電子注入層１０３ｅは、電子輸送注入層として設けられても良い。
【００７６】
また、有機機能層１０３は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が、必要に応じて必要箇所に積層されていても良い。さらに、発光層１０３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させた構造としても良い。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。さらに、カソードである第二電極１０５ａも、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、第一電極１１１と第二電極１０５ａとで有機機能層１０３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子１００における発光領域となる。
また、以上のような層構成においては、第一電極１１１の低抵抗化を図ることを目的として、第一電極１１１の電極層１１１ｂに接して補助電極１１５が設けられていても良い。
【００７７】
以上のような構成の有機ＥＬ素子１００は、有機材料等を用いて構成された有機機能層１０３の劣化を防止することを目的として、基板１１３上において封止材１１７で封止されている。この封止材１１７は、接着剤１１９を介して基板１１３側に固定されている。ただし、第一電極１１１（取り出し電極１１６）及び第二電極１０５ａの端子部分は、基板１１３上において有機機能層１０３によって互いに絶縁性を保った状態で封止材１１７から露出させた状態で設けられている。
なお、有機ＥＬ素子を構成する各層に用いられている材料は、公知のものを用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明の被パターン形成体の製造方法により、パターニングに用いるマスクの変形を抑制することができ、有機ＥＬ素子等の発光体のパターニング等に好適に利用できる。
【符号の説明】
【００７９】
１  光照射装置
２  光照射部
３  放熱板
４  光源基板
５  光源
６  光源部
７  レンズアレイ
８  レンズアレイ支持体
９  カバー
１０  気体流発生部
１１  気体流
１２  被パターン形成体
１３  変位センサー
１４  マスク
１５  被パターン形成体載置台
１６  水路
１７  スペーサー
Ｌ  照射光
ΔＺ  マスクの反り変形量
ΔＨ  マスクの反り量
ｄ  マスクの浮き量
Ｗ  有機ＥＬ素子の発光層が存在する範囲
１１１  第一電極
１１１ａ  下地層
１１１ｂ  電極層
１０３  有機機能層
１００  有機ＥＬ素子
１１３  基板
１１５  補助電極
１１６  取り出し電極
１１７  封止材
１１９  接着剤
ｈ  発光光
【図１】
2017158937.tif 000003
【図２】
2017158937.tif 000004
【図３】
2017158937.tif 000005
【図４】
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【図５】
2017158937.tif 000007
【図６】
2017158937.tif 000008
【図７】
2017158937.tif 000009
【図８】
2017158937.tif 000010
【図９】
2017158937.tif 000011
【図１０】
2017158937.tif 000012
【図１１】
2017158937.tif 000013
【図１２】
2017158937.tif 000014
【図１３】
2017158937.tif 000015
【国際調査報告】
2017158937.tif 000016
2017158937.tif 000017
2017158937.tif 000018
2017158937.tif 000019