【事件の表示】
　特許第２６４５３４５号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２６４５３４５号は、米国において１９８７年２月１９日になされた出願を基礎出願として、パリ条約による優先権を主張し、昭和６３年２月１７日に特許出願され、平成９年５月９日にその請求項１ないし５５に係る発明について特許権の設定登録がなされ、その後、平成１０年２月２４日付けで特許異議の申し立てがなされ、平成１１年３月１２日付けで、請求項１、３、４、７、１０、１５、１９、３５、４９に係る特許を取り消す決定がなされ、同決定が確定した。
　そして、平成１５年１２月１７日付けで、本件請求項４０及び４３に係る特許について無効審判（無効２００３−３５５１８号）の請求がなされ、請求項３６、４０および４６に係る発明についての訂正が認められるとともに、請求項４０および４３に記載された発明についての特許を無効にするとの審決が平成１７年６月２４日付けでなされた。その後、平成１７年１１月２日に同審決を取り消すことを求める訴が提起された。
　その後、平成１８年１月３０日に本件特許第２６４５３４５号の請求項５、８、１２、２２、２４、３６、３８、４０および４６について訂正明細書に記載のとおりに訂正することを求める本件訂正審判の請求がなされた。
　
　なお、平成１７年６月１３日付けで、本件特許第２６４５３４５号の請求項８及び３６に係る特許について無効審判（無効２００５−８０１８２号）の請求がなされ、同年８月３１日に請求項８について訂正請求がなされ、平成１８年１月４日付けで答弁書が提出され、その後、同年１月１０日付けで手続が中止されている。　　
　
２．訂正事項について
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の「【請求項５】　前記バリヤ層は、本質的に窒化チタンからなる、請求項４記載のコンタクト。」を
　「【請求項５】　前記バリヤ層は、本質的に窒化チタンからなる浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記コンタクトプラグは、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項４記載のコンタクト。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の「【請求項８】　前記タングステン導電材料は、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、請求項７記載のコンタクト。」を、
「【請求項８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、請求項７記載のコンタクト。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の「【請求項１２】　前記バリヤ層は、本質的に、窒化チタンからなる、請求項１０記載のコンタクト。」を、
　「【請求項１２】　前記バリヤ層は、本質的に、窒化チタンからなる浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記粘着および接触層は、前記バリヤ層が下にあるドープされた領域に良好に電気的に接触することを保証し、前記コンタクトプラグは、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項１０記載のコンタクト。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の「【請求項２２】　前記バリヤ層は、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって析出される、請求項１９記載の方法。」を、
　「【請求項２２】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって析出され、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項１９記載の方法。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の「【請求項２４】　前記バリヤ層は、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む、請求項２３記載の方法。」を、
　「【請求項２４】　前記バリヤ層は、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項２３記載の方法。」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の「【請求項３６】　前記チタン粘着および接触層は、約１００ないし８００Åの厚さに析出される、請求項３５記載の方法。」を、
　「【請求項３６】　前記チタン粘着および接触層は、約１００ないし８００Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項３５記載の方法。」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の「【請求項３８】　前記バリヤ層は、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって形成される、請求項３５記載の方法。」を、
　「【請求項３８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項３５記載の方法。」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の「【請求項４０】　前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される、請求項３５記載の方法。」を、
　「【請求項４０】　前記粘着および接触層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、請求項３５記載の方法。」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　特許請求の範囲の「【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＬ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項４５記載の方法。」を、
　「【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項４５記載の方法。」と訂正する。
　
３．訂正拒絶理由通知の概要
　当審において平成１８年３月２４日付けでなされた訂正拒絶理由通知に係る拒絶の理由の概要は以下のとおりである。
（１）訂正の目的の適否について
　上記訂正拒絶理由通知書の第３〜１８頁の「２．訂正の目的の適否について」において検討したとおり、
（ａ）訂正事項ａないしｈについての訂正、言い換えると、請求項５，請求項８，請求項１２，請求項２２，請求項２４，請求項３６，請求項３８及び請求項４０についての訂正は、いずれも特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的とするものではなく、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてする訂正でもなく、且つ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものであり、
（ｂ）訂正事項ｉについての訂正、言い換えると、請求項４６についての訂正は、誤記の訂正を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
　仮に、請求項５，請求項８，請求項１２，請求項２２，請求項２４，請求項３６，請求項３８及び請求項４０についての訂正が、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないものとして、訂正後の特許請求の範囲の請求項５，請求項８，請求項１２，請求項２２，請求項２４，請求項３６，請求項３８、請求項４０及び請求項４６に係る発明について、独立特許要件の検討を行う。
　
（２）独立特許要件について
（ａ）訂正後の各請求項に係る発明について
　訂正明細書の請求項５に係る発明は、請求項４を引用し、請求項４に係る発明は請求項３を引用し、請求項３に係る発明は請求項１を引用しており、訂正明細書の請求項８に係る発明は、請求項７を引用し、請求項７に係る発明は請求項１を引用しており、訂正明細書の請求項１２に係る発明は、請求項１０を引用しており、訂正明細書の請求項２２に係る発明は、請求項１９を引用しており、訂正明細書の請求項２４に係る発明は、請求項２３を引用し、請求項２３に係る発明は請求項１９を引用しており、訂正明細書の請求項３６、請求項３８及び請求項４０に係る発明は、請求項３５を引用しており、訂正明細書の請求項４６に係る発明は、請求項４５を引用し、請求項４５に係る発明は請求項４４を引用し、請求項４４に係る発明は請求項３５を引用しているから、訂正明細書の請求項５，請求項８，請求項１２，請求項２２，請求項２４，請求項３６，請求項３８，請求項４０及び請求項４６に係る発明は、以下のとおりであると認める。
「【請求項５】　半導体表面上に、前記半導体表面のドープされた領域の部分まで形成される少なくとも１つの絶縁層を介して、コンタクトホールに形成される安定な低抵抗コンタクトであって、（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層と、（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成されるバリヤ層、および（ｃ）前記バリヤ層上を覆って形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する導電材料を含み、（ｄ）前記導電材料からなるコンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成されるとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料からなり、
　前記バリヤ層は、タングステン、モリブデン、チタンタングステン、窒化チタン、窒化チタンタングステン、窒化タングステン、窒化モリブデン、クロム、クロム−酸化クロムおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含み、
　前記バリヤ層は、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含み、
　前記バリヤ層は、本質的に窒化チタンからなる浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記コンタクトプラグは、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、コンタクト。」（以下、「訂正発明５」という。）　　
「【請求項８】　半導体表面上に、前記半導体表面のドープされた領域の部分まで形成される少なくとも１つの絶縁層を介して、コンタクトホールに形成される安定な低抵抗コンタクトであって、（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層と、（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成されるバリヤ層、および（ｃ）前記バリヤ層上を覆って形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する導電材料を含み、（ｄ）前記導電材料からなるコンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成されるとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料からなり、
　前記導電材料は、タングステン、モリブデンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択され、　　
　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、コンタクト。」（以下、「訂正発明８」という。）　　
「【請求項１２】　半導体表面上に、前記半導体表面のドープされた領域の部分まで形成される少なくとも１つの絶縁層を介して、コンタクトホールに形成される安定な低抵抗コンタクトであって、（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層、（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成される窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステン、窒化硼素からなる群からなる選択される材料を含むバリヤ層、および（ｃ）前記バリヤ層上に形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する、その場的にドープされたポリシリコンならびにCVDまたはバイアススパッタリングされたタングステンおよびモリブデンからなる群から選択される導電材料を含み、
　前記バリヤ層は、本質的に、窒化チタンからなる浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記粘着および接触層は、前記バリヤ層が下にあるドープされた領域に良好に電気的に接触することを保証し、前記コンタクトプラグは、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、コンタクト。」（以下、「訂正発明１２」という。）　　
「【請求項２２】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）半導体基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って少なくとも１つの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に前記少なくとも１つの絶縁層を介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記ホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域と接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層を形成し、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）バリヤ層を前記粘着および接触層と接触して形成し、前記バリヤ層は前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成することを含み、（ｇ）前記コンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成するとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料によって形成し、
　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって析出され、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、方法。」（以下、「訂正発明２２」という。）　　
「【請求項２４】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）半導体基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って少なくとも１つの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に前記少なくとも１つの絶縁層を介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記ホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域と接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層を形成し、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）バリヤ層を前記粘着および接触層と接触して形成し、前記バリヤ層は前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成することを含み、（ｇ）前記コンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成するとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料によって形成し、
　前記バリヤ層は、タングステン、モリブデン、チタンタングステン、窒化チタン、窒化チタンタングステン、窒化タングステン、窒化５モリブデン、クロム、クロム−酸化クロム、および窒化硼素からなる群から選択される材料を含み、
　前記バリヤ層は、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、方法。」（以下、「訂正発明２４」という。）　　
「【請求項３６】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、 
　前記チタン粘着および接触層は、約 100 ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、方法。」（以下、「訂正発明３６」という。）　　
「【請求項３８】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、
　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、方法。」（以下、「訂正発明３８」という。）　　
「【請求項４０】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、
　前記粘着および接触層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、方法。」（以下、「訂正発明４０」という。）　　
「【請求項４６】　　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、
　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出され、（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にCVD析出され、 
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、方法。」（以下、「訂正発明４６」という。）」　
　
（ｂ）引用刊行物
刊行物１．特開昭６１−３５５１７号公報（請求人が提出した甲第２号証）
刊行物２．G.Higenlin、C.Wieczorek、V.Grewal、”A CONTACT FILLING PROCESS WITH CVD-TUNGSTEN FOR MULTILEVEL METALLIZATION SYSTEMS”１９８６年、PROCEEDINGS THIRD INTERNATIONAL IEEE VLSI MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE,  pp．443-449 （請求人が提出した甲第１２号証）
刊行物３．K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”,Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,１９８６年８月２０日,pp.503-506（請求人が提出した甲第６号証）
刊行物４．Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta,“TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,1986,pp.161-171（請求人が提出した甲第３号証）
刊行物５．特開昭６１−５１９１７号公報（請求人が提出した甲第５号証）
刊行物６．特開昭６１−２４８４４２号公報（請求人が提出した甲第４号証）　　
刊行物７．David W. Woodruff et al.,“ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,Materials Research Society発行,1986,pp.173-183（請求人が提出した甲第７号証）
刊行物８．D.C. PAINE et al.,“MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF LPCVD TUNGSTEN INTERFACES”,1985 Materials Research Society,pp.117-123（請求人が提出した甲第１１号証）
刊行物９．S. Ogawa et al.,“THERMALLY STABLE W/SILICIDE/Si CONTACT”,International Electron Devices Meeting, 1986  iedm technical digest,１９８６年１２月７日,pp.62-65（請求人が提出した甲第８号証）
　
（ｃ）対比・判断
　上記訂正拒絶理由通知書の第３２〜６９頁の「（２）独立特許要件について（ｂ）刊行物について及び（ｃ）対比・判断」において検討したとおり、
　訂正発明５，８，１２，２２，２４，３６，３８及び４０については、上記刊行物１ないし７、及び９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができず、
　訂正発明８は、発明の構成が明りょうでなく、訂正された請求項８は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものではないから、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではなく、
　訂正発明４６は、刊行物１ないし刊行物９に記載された発明をどのように組み合わせても、当業者が容易に想到し得るものではないから、訂正発明４６は、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとはいえず、また、その他に、訂正発明４６について、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由もない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、請求項５，８，１２，２２，２４，３６，３８及び４０についての訂正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的とするものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものであり、また、仮に、請求項５，８，１２，２２，２４，３６，３８及び４０についての訂正が、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものであって、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないものとしても、訂正発明５，８，１２，２２，２４，３６，３８及び４０は特許出願の際独立して特許を受けうることができるものではないから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないから、当該訂正は認められない。　
　
４．手続補正の適否
　これに対して、平成１８年５月１８日付けの手続補正書（審判請求書）による手続補正（以下、「本件補正」という。）により、平成１８年１月３０日付けの審判請求書に添付した訂正明細書の請求項５、８、１２、２２、２４及び３６についての訂正事項ａないしｆを削除し、訂正明細書の請求項３８，４０及び４６についての訂正事項ｇないしｉを訂正事項ａないしｃに繰り上げた。
　本件補正は、訂正事項ａないしｆを削除し、訂正事項ｇないしｉを訂正事項ａないしｃに繰り上げるものであるから、審判請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１３１条第２項の規定に適合するので、当該補正を認める。　
　
５．本件補正により補正された平成１８年１月３０日付け審判請求書（以下、「本件審判請求書」という。）において、請求人が求める訂正の内容について
５−１．訂正の内容
　上記４．で検討したとおり、本件補正は認められるので、本件審判請求書に添付した訂正明細書における訂正の内容は、以下のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の「【請求項３８】　前記バリヤ層は、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって形成される、請求項３５記載の方法。」を、
　「【請求項３８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項３５記載の方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の「【請求項４０】　前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される、請求項３５記載の方法。」を、
　「【請求項４０】　前記粘着および接触層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、請求項３５記載の方法。」と訂正する。　　　　
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の「【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＬ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項４５記載の方法。」を、
　「【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項４５記載の方法。」と訂正する。　
　
５−２．訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、「前記バリヤ層」の後に「窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、」を追加すること（訂正事項ａ−１）と、「スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって形成される」を「スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」と訂正すること（訂正事項ａ−２）と、「コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」の後に「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む」を追加すること（訂正事項ａ−３）に区分できる。
　　
（訂正事項ａ−１について）
　訂正事項ａ−１は、「前記バリヤ層」の後に、「窒化チタンを含む」「バリヤ層であり、」を追加すること（訂正事項ａ−１−１）と、「前記バリヤ層」の後に、「浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、」を追加すること（訂正事項ａ−１−２）とに更に区分して検討する。
（１−ａ）（訂正事項ａ−１−１について）
　訂正明細書の請求項３８に係る発明は、請求項３５を引用しており、請求項３５には、「バリヤ層」について、「（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され」ると記載され、また、訂正事項ａ−１−１についての訂正により、請求項３５に記載される「バリヤ層」の材料について、「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料」の中から「窒化チタン」を選択して、「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む」「バリヤ層であ」ると限定したものであるから、訂正事項ａ−１−１についての訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項ａ−１−１についての訂正は、本件特許明細書の「バリヤ材料は、その優れたバリヤ特性のため、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンまたは窒化硼素を含む。」（特許公報第７頁右欄第２２〜２５行）の記載から明らなように、訂正前の請求項３８に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
（１−ｂ）（訂正事項ａ−１−２について）
　訂正明細書の請求項３８に係る発明は、請求項３５を引用しているが、「前記バリヤ層」が「浸食およびウォームホールのバリヤ層であ」る点については請求項３５には記載されておらず、本件特許明細書には、「浸食およびウォームホール」について以下のとおり記載されている。
（１−ｂ１）「酸化物／シリコン境界面での浸食および下にあるシリコンへのウォームホール損傷がある。」（特許公報第５頁右欄第４２〜４４行）
（１−ｂ２）「フラッシュタングステンの析出方法は、選択タングステンの析出方法に非常に類似している。このフラッシュタングステンは、それに関する、選択タングステン法と同じ問題、すなわち、浸食およびウォームホール損傷を有する。」（特許公報第６頁左欄第４〜８行）
（１−ｂ３）「この発明のコンタクトは、選択性に欠けること、酸化物−シリコン境界面での浸食および他のコンタクト機構に関連するウォームホールを避ける。」（特許公報第６頁右欄第４５〜４７）
（１−ｂ４）「この発明の利点は、析出中に、ＣＶＤタングステンプラグ法の場合、浸食およびウォームホール発生の原因となる気体ＣＶＤタングステン種は、層18および層20があるため下にあるシリコンと決して接触せず、それによってそのようないかなる損傷も防ぐ。これはこの発明の重要な技術上の利点である。」（特許公報第８頁左欄第２０〜２５行）
（１−ｂ５）「従来の選択タングステン法を越えるこの方法の利点は、タングステン析出反応は、下にあるシリコン10がバリヤ層20によって遮蔽されているので、シリコン10と直接接触して生じないということである。したがって、浸食およびウォームホールのような共通の問題は、接合部10がバリヤ層20によって保護されているので生じない。」（特許公報第８頁右欄第１７〜２２行）
　これらの記載より、本件発明において、「浸食およびウォームホール」を防止するためには、層１８（粘着および接触層）及び層２０（バリヤ層）の両層がコンタクトホールに形成されていること（前提条件１）が必要であると共に、「浸食およびウォームホール」が発生するためには、タングステンＣＶＤの原料ガスが使用されること、言い換えると、タングステンプラグとして形成されるタングステンがＣＶＤで形成されること（前提条件２）が、前提条件となっていることが明らかである。
　ここで、各前提条件について検討する。
　（前提条件１について）
　訂正明細書の請求項３８に係る発明は、請求項３５を引用しており、請求項３５には、
「（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、」と記載されており、「粘着および接着層」及び「バリヤ層」がコンタクトホールに順次形成されることが明らかである。
　（前提条件２について）
　訂正明細書の請求項３８に係る発明は、請求項３５を引用しており、請求項３５には、
「（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成される」と記載されると共に、訂正明細書の請求項３８には、コンタクトプラグについて、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む」と記載されているから、コンタクトプラグとして形成されるタングステンがＣＶＤで形成されることは明らかである。
　したがって、「浸食およびウォームホール」を防止するための上記前提条件１及び２を満たしている訂正明細書の請求項３８に係る発明において、「前記バリヤ層」の後に、「浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、」を追加することは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項ａ−１−２についての訂正は、上記（１−ｂ１）ないし（１−ｂ５）の本件特許明細書の記載から明らかなように、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ訂正前の請求項３８に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（訂正事項ａ−２について）
　訂正事項ａ−２についての訂正は、バリヤ層を形成する部分について、「コンタクトホールの底部だけでなく側壁に」形成することを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、訂正事項ａ−２についての訂正は、本件特許明細書の「・・・Ｔｉ／ＴｉＮ膜は、バイアの底部だけでなく側壁にも形成される。」（特許公報第９頁左欄第１３及び１４行）の記載から明らかなように、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ訂正前の請求項３８に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（訂正事項ａ−３について）
　訂正明細書の請求項３８に係る発明は、請求項３５を引用しており、請求項３５には、「コンタクトプラグ」について、「（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成される」と記載されており、また、訂正事項ａ−３についての訂正により、請求項３５に記載される「コンタクトプラグ」の材料について、「タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料」の中から「タングステン」を選択して、「前記タングステンプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む」と限定したものであるから、訂正事項ａ−３についての訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項ａ−３についての訂正は、本件特許明細書の「層22は、等角析出可能な導電材料を含む。そのような材料の好ましい例は、ＣＶＤまたはバイアススパッタリングされたタングステンまたはモリブデンあるいはその場的にドープされたＣＶＤポリシリコンを含む。」（特許公報第７頁右欄第４８行〜第８頁左欄第１行）の記載から明らかなように、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ訂正前の請求項３８に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
　　
　よって、訂正事項ａについての訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ、訂正前の請求項３８に係る発明の技術的範囲を変更又は拡張するものでもない。
　　
（２）訂正事項ｂについて　
　訂正事項ｂは、「前記粘着層」を「前記粘着および接触層」と訂正すること（訂正事項ｂ−１）と、「前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される」を「前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、」と訂正すること（訂正事項ｂ−２）と、「前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、」の後に「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」を追加すること（訂正事項ｂ−３）と、「コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」の後に「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む」を追加すること（訂正事項ｂ−４）に区分できる。
　　
（訂正事項ｂ−１について）
　訂正事項ｂ−１についての訂正は、「前記粘着層」を「前記粘着および接触層」と訂正することであって、訂正前の請求項４０が引用する請求項３５には、「粘着および接触層」又は「前記粘着および接触層」と統一的に記載されており、また、訂正前の請求項４０に記載される「前記粘着層」に対応する「粘着層」は、引用する請求項３５には記載がなく、「前記粘着層」が「前記粘着および接触層」の誤記であることは、明らかであるから、訂正事項ｂ−１についての訂正は、誤記の訂正を目的とするものである。
（訂正事項ｂ−２について）
　訂正事項ｂ−２についての訂正は、「前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される」の後に「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」を追加するために、「析出される」を「析出され、」と訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（訂正事項ｂ−３について）
　訂正事項ｂ−３は、「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、」を追加すること（訂正事項ｂ−３−１）及び「前記バリヤ層は」、「コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」を追加すること（訂正事項ｂ−３−２）とに更に区分する。
（訂正事項ｂ−３−１について）
　訂正事項ｂ−３−１については、前記（訂正事項ａ−１について）において検討したとおり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ訂正前の請求項４０の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
　（訂正事項ｂ−３−２について）
　訂正事項ｂ−３−２についての訂正は、バリヤ層を形成する部分について、「コンタクトホールの底部だけでなく側壁に」形成することを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。　
　そして、訂正事項ｂ−３−２についての訂正は、本件特許明細書の「・・・Ｔｉ／ＴｉＮ膜は、バイアの底部だけでなく側壁にも形成される。」（特許公報第９頁左欄第１３及び１４行）の記載から明らかなように、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ訂正前の請求項４０に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
（訂正事項ｂ−４について）
　訂正事項ｂ−４についての訂正は、前記（訂正事項ａ−３について）において検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ訂正前の請求項４０に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　したがって、訂正事項ｂについての訂正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ、訂正前の請求項４０に係る発明の技術的範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
（３）訂正事項ｃについて　
　訂正事項ｃについての訂正は、「前記タングステンプラグは、ＷＬ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」を「前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」と訂正するもの、即ち、「ＷＬ６」を「ＷＦ６」と訂正するものであり、この訂正は、本件特許明細書の「・・・タングステンの選択プラグ形の析出物３２は、ホールでのＷＦ６＋Ｈ２のＣＶＤ反応によって形成される。」（本件特許公報第８頁右欄第８〜１０行）との記載から、誤記の訂正を目的とすることは明らかである。
　したがって、訂正事項ｃについての訂正は、誤記の訂正を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（４）訂正の目的の適否のまとめ　
　請求項３８、請求項４０及び請求項４６についての訂正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、且つ実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
５−３．独立特許要件について
＜特許法第２９条第２項について＞
（１）訂正明細書の特許請求の範囲
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項３５、請求項３８，請求項４０、請求項４４，請求項４５及び請求項４６は次のとおりである。
「　　【請求項３５】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成される、方法。」 
「　【請求項３８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」
「　【請求項４０】　前記粘着および接触層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」 
「　【請求項４４】　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出され、（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去する、請求項35記載の方法。 
　　【請求項４５】　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にCVD析出される、請求項44記載の方法。 
　　【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項45記載の方法。」 
　
　（２）訂正後の各請求項に係る発明
　訂正明細書の請求項３８及び請求項４０に係る発明は、請求項３５を引用しており、訂正明細書の請求項４６に係る発明は、請求項４５を引用し、請求項４５に係る発明は請求項４４を引用し、請求項４４に係る発明は請求項３５を引用しているから、訂正明細書の請求項３８，請求項４０及び請求項４６に係る発明は、以下のとおりであると認める。
「【請求項３８】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、
　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、方法。」（以下、「訂正発明３８」という。）
　　
「【請求項４０】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、
　前記粘着および接触層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、方法。」（以下、「訂正発明４０」という。）
　　
「【請求項４６】　　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、
　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出され、（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にCVD析出され、 
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、方法。」（以下、「訂正発明４６」という。）」
　
（３）刊行物に記載された発明
（ａ）特開昭６１−３５５１７号公報（請求人が提出した甲第２号証）（以下、「刊行物１」という。）
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１には、第５図〜第８図とともに、以下の事項が記載されている。
「本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体基板上に形成された半導体領域と配線層との間に高い信頼性をもつ微細面積のコンタクトを形成する方法に関する。」（第１頁右下欄第１６〜１９行）
「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤーメタル）を形成する方法が注目されている。
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）
「本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体層に対しても接合特性を劣化させることなく、配線層と拡散層との間のオーミックコンタクトを低抵抗とすると共に、信頼性を高めることを目的とする。」（第２頁右下欄第３〜７行）
「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。
　すなわち、本発明は、拡散層の形成された基板表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコンタクト用の窓明けを行い、この窓内にコンタクト用電極を形成するにあたり、まず、金属膜を形成し、続いて窒化金属膜を形成し、該窒化金属膜の上層にコンタクト用の電極を形成することを特徴とするものである。
　このように、拡散層と障壁金属としての窒化金属膜との間に金属膜を介在させた場合にも、該窒化金属膜の障壁金属としての特性は変化せず、金属膜の存在によって窒化金属膜の内部応力を緩和できるため密着性が高められると共に、後続する熱処理工程において、該金属膜が、拡散層上に生成される自然酸化膜と反応することにより、拡散層とコンタクト用の電極との電気的接触を良好に保つことが可能となる。
〔発明の効果〕
　従って、本発明によれば、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体領域に対しても、障壁金属の存在によって、電極と半導体領域との界面反応が抑制され、また電極形成後の熱処理による接合破壊を確実に防止することができると同時に、低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを形成することが可能となる。」（第３頁左上欄第４行〜同頁右上欄第１２行）
「まず、第６図に示す如く、Ｐ型シリコン基板３１上に、砒素をイオン注入することによって形成されたＰＮ接合深さＸ＝０．１μｍのＮ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。
　次いで、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行い、前記Ｐ型シリコン基板表面全体に第７図に示す如く、チタン（Ｔｉ）膜３４を形成する。このとき、基板温度は２０〜３００℃、アルゴンの圧力は３×１０−３Ｔｏｒｒとし、膜厚１００Åのチタン膜３４を得た後、一担、スパッタリングを停止する。
　続いて、真空を破ることなく、該スパッタリング装置内に窒素ガスを導入し、アルゴンの分圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、窒素の分圧３×１０−４〜６×１０−４Ｔｏｒｒとし、基板温度２０〜３００℃の条件下で、再びスパッタリングを行い、第８図に示す如く膜厚１０００Åの窒化チタン膜３５を形成する。
　更に、基板表面全体にアルミニウム膜３６を蒸着法によって形成する。そして、このようにして得られたチタン膜３４、窒化チタン膜３５、アルミニウム膜３６からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングする。この後、フォーミングガス雰囲気中で２０分間にわたり、４５０℃の熱処理を行うことにより、第５図に示したようなコンタクト用電極および電極配線層が完成される。」（第４頁左上欄第６行〜同頁右上欄第１３行）
「前記熱処理によってチタン膜が、Ｎ＋型シリコン拡散層と反応し、ケイ化チタンＴｉＳｉ２が形成される」（第４頁右下欄第４〜６行）
　　
　そして、刊行物１に記載された発明の「チタン膜」及び「窒化チタン膜」は、第７図、第８図及びこれらの図面に関する記載から、コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されていることは明らかである。
　
　よって、刊行物１には、　　　
「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されるとともに、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）続いて、窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成し、
　前記チタン膜は、スパッタリングにより形成され、前記窒化チタン膜は、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」
（以下、「刊行物発明１」という。」）及び、
　　
「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されるとともに、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）続いて、窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成する、方法。」（以下、「刊行物発明２」という。）が記載されている。
　　
（ｂ）G.Higenlin、C.Wieczorek、V.Grewal、”A CONTACT FILLING PROCESS WITH CVD-TUNGSTEN FOR MULTILEVEL METALLIZATION SYSTEMS”１９８６年、PROCEEDINGS THIRD INTERNATIONAL IEEE VLSI MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE,  pp．443-449 （請求人が提出した甲第１２号証）（以下、「刊行物２」という。）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物２には、図１ａ、図１ｂ及び図２とともに以下の事項が記載されている。　
「従来のＡｌスパッタ技術は、ステップカバレッジ（段差被覆性）が劣っていたので、サブミクロンサイズの信頼できるコンタクト電極形成には十分ではないであろう。・・・
　Ｈ２によるＷＦ６の還元によって形成されるＣＶＤタングステン膜は、低い堆積温度、コンフォーマルなステップカバレッジ（均一な段差被覆性）、低いコンタクト抵抗および高いエレクトロマイグレーションの安定性という非常に適した特性を有し、最も期待されているプロセスである。非選択的なＷ（タングステン）堆積およびエッチバックによるＷ（タングステン）プラグをコンタクトホールに充填することができる。この非選択方法は、タングステンを選択的に堆積させる場合のような浸食効果やウォームホールに関連する問題が何もないことが示された。」（第４４３頁第１３〜２５行の訳文）
「優れた流動性を有し、ステップアングルが４５°以上の非常に高い平坦化を提供するＢＰＳＧ（４％Ｂ、４％Ｐ）によって素子分離酸化物が形成された。側壁の角度が約８５°の異方性のコンタクトが開口された。レジスト剥離後、ポリマーを除去するためにＮＦ３処理が行われた。タングステンの堆積前のＨＦ浸漬は、タングステン層のコンタクト抵抗および接着性を向上させる。ＷＳｉｘ（Ｘ≧２．２）およびＷの二重層が、４５０℃のコールドウォールＬＰＣＶＤリアクタ中で次の化学反応で堆積された。
　　　　ＷＦ６＋２．５ＳｉＨ４→　ＷＳｉ２．５＋６ＨＦ＋２Ｈ２（１）
　およびＷＦ６＋　　３Ｈ２　　→　Ｗ　　　　 ＋６ＨＦ　　 　　（２）
　ＷＳｉｘの厚さは１０００Åであり、Ｗは８０００Åであった。
　・・・Ｗ／ＷＳｉｘのエッチバックは、マグネトロンシステムにおけるＳＦ６／Ｏ２プラズマ方法によって行われた。・・・
　エッチバックした後のタングステンプラグの形状は図１ｂに示されている。ＡｌＳｉがスパッタされる前にＷ表面から酸化膜を洗浄する様々な工程が行われた。」（第４４３頁第２９行〜第４４４頁第１７行の訳文）
「ＷＳｉｘ／Ｗ堆積とエッチバックによるコンタクト充填工程は、平坦化構造のために非常に適切なものである。ＷＳｉｘは、インターフェース構造として非常に優れたものであり、ＳｉとＷの低い接続抵抗は、Ａｌスパイクを防ぐための拡散バリヤとして作用する。」（第４４５頁第２２〜２６行の訳文）
「図２：Ｗプラグで充填されたコンタクトホール上のＡｌＳｉ配線」（第４４７頁　図２の説明の訳文）
　
（ｃ）K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”,Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,１９８６年８月２０日,pp.503-506（請求人が提出した甲第６号証）（以下、「刊行物３」という。）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物３には、図７とともに以下の事項が記載されている。
「加熱したサセプタのあるＬＰＣＶＤ［低圧ＣＶＤ］コールドウォールリアクタ中で、選択的及び非選択的にタングステンまたはタングステンシリサイドを堆積した。サンプルは装置に配置する前の最後に１％のＨＦ溶液に浸した。下記のような４種類の反応を行なった。
　
　　　2WF６ + 3Si　 →　2W + 3SiF４　　　　    (1)
　　　2WF６ + 3H２　→　2W + 6HF　　　 　 　  (2)
　　　WF６ + 3/2SiH４ → W + 3/2SiF４ + H２　  (3)
　　　WF６ + 2SiH４　→ WSi２ +6HF + H２　  　(4)
　堆積はすべて３６０〜５００℃の基板温度で行った。充填のプロセスは図１に示してある。最初にＬＰＣＶＤでポリシリコンを堆積し、RIEでエッチバックを行うことにより深いホールの内部に３００〜１０００Åのポリシリコンの側壁を形成した。二番目に、反応（１）により５００Åのタングステンを選択的に堆積した。三番目に、密着性を上げるために反応（４）により７００〜８００ÅのＷ−Ｓｉ合金を堆積した。最後に反応（２）又は（３）により約１μｍのブランケットタングステンを成膜した。・・・
　高温でのアニールができるように、タングステンとシリコンの間に反応障壁層としてＴｉＮ／ＴｉＳｉ２を形成した。」（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第２２行の訳文）
「タングステンは６５０℃以上ではシリコンと反応してタングステンシリサイドを生成することが知られている。タングステンシリサイドの生成を抑えるために、タングステンとシリコンの間にＴｉＮ／ＴｉＳｉ２障壁層を入れた。窒化による自由エネルギーの減少はタングステンよりもチタンの方が大きいので、Ｗ／ＴｉＮ界面は安定となる。」（第５０４頁左欄第２７〜３２行の訳文）
「図７はＷ／Ｓｉ系とＷ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２／Ｓｉ系における反応速度を示している。シリサイド生成速度は、タングステンの反応速度として表示している。活性化エネルギー値はそれぞれ２．９ｅＶと２．２９ｅＶであった。
　この違いは後者の反応制限過程がＷ／Ｓｉの反応ではないことを意味している。制限過程はＴｉＮ／ＴｉＳｉ２層を通してシリコンの供給過程にあると考えられる。シリコンの供給はＴｉＮ層中の局所的欠損部を通してなされる。障壁層を通しての反応速度はＷ／Ｓｉ系の速度よりも２〜２．５桁低い。・・・タングステン層にはシリコン原子は見られなく、タングステンのシリサイド生成が起こっていないことを意味している。ボロンの外への拡散も又ＴｉＮ層によって抑制されている。」（第５０５頁左欄第１２〜３１行の訳文）
　　
（ｄ）Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta,“TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,1986,pp.161-171（請求人が提出した甲第３号証）（以下、「刊行物４」という。）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物４には、図２とともに以下の事項が記載されている。
「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。ブランケットの抵抗率は、８〜１２μΩｃｍの範囲（使用されるスキーム［成膜条件］による）であり、それはアルミニウムの抵抗率の３〜４倍である。ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。サンプル・シミュレーションによれば、これらのコンタクト形状においては、スパッタされたＡｌＳｉのステップ・カバレッジが非常に劣っており、一方ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文）
「他の方法は、コールドウォールリアクタを用いてブランケットタングステンを堆積する。１２００〜１８００ÅのＷＳｉｘの接着性薄膜がタングステンの酸化物に対する接着性を高めるために使用される。・・・これらの堆積は全てコールドウォールGenus8402型ＣＶＤシステムによって行われた。」（第１６５頁第１８〜２３行の訳文）　
　　
（ｅ）特開昭６１−５１９１７号公報（請求人が提出した甲第５号証）（以下、「刊行物５」という。）
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物５には、第２図（ａ）〜（ｆ）とともに以下の事項が記載されている。
「本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシリコン基板面のコンタクトホールに形成する接続配線に関する。」（第１頁左下欄第１１〜１３行）
「近年、半導体集積回路のパターンの緻密化に伴い、コンタクトホールの形状が微小になり、このコンタクトホールの底部にある導電性基板からの接続配線として、通常アルミニウムの配線がなされているが、このアルミニウムがコンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあり、これに関する改善が要望されている。」（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行）
「第２図（ａ）はシリコン基板１０の表面に形成されたｎの拡散層１１と、このｎの拡散層１１とＰ−Ｎ接続されるｐ＋の拡散層１２があり、又同一基板上に、ｎ＋の拡散層１３があり、フィールド酸化物１４があって、絶縁物である燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）１５がそれぞれの領域を絶縁しており、ゲート酸化膜１６の上にはポリシリコンゲート１７が形成され、コンタクトホール１８があるものとする。
　第２図（ｂ）は、このシリコン基板面に白金又はパラジウムの金属膜１９を形成したものであり、第２図（ｃ）はこの白金又はパラジュームの膜を形成したシリコン基板を熱処理してコンタクトホール１８の底部に白金シリサイド又はパラジウムシリサイド等のシリサイド膜２０を形成する。
　ＰＳＧ１５の表面の白金又はパラジュームの膜はシリコンが無いのでシリサイドは形成されない。
　第２図（ｄ）はＰＳＧ１５の表面の白金又はパラジュームの膜をエッチングによって除去した状態であり、第２図（ｅ）はこのコンタクトホールの部分のみにタングステン２１を選択的にＣＶＤ方法により、コンタクトホールの深さが埋まる程度の厚みで埋め込み行ったものである。」（第２頁左下欄第３行〜同頁右下欄第４行）　
　「第２図（ｆ）はアルミニウムの配線２２を行ったものである。」（第２頁右下欄第１０〜１１行）　
　　
（ｆ）特開昭６１−２４８４４２号公報（請求人が提出した甲第４号証）（以下、「刊行物６」という。）　　
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物６には、第１図、第２図及び第３図とともに以下の事項が記載されている。
「本発明は半導体素子用の電極配線に係り、特に微小接続孔を有する半導体素子に好適な電極配線に関する。」（第１頁左下欄第１３〜１５行）
「第２図に示すようにＳｉ基板１の表面に酸化膜６，拡散層２を形成した後、絶縁膜層３を形成し、パターンニングしたフオトレジスト層４をマスクとして、絶縁膜層３に接続孔７をエツチングにより開孔させた。フオトレジストパターン４を残したまま、基板上にＴｉ膜を電子ビーム加熱蒸着法により３０ｎｍ厚被着させ、リフトオフ法により、レジスト上のＴｉ膜を除去して、接続孔７の内部にのみＴｉ膜５′を残した。この基板にＷをCVD法により選択的に被着させ接続孔７の内部にのみＷ層８を形成した後、Ａｌ層９を設けた（第１図）。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第８行）
「第４図は電極部にＴｉＳｉ層１１を設けたものであるが、上記と全く同様にして、Ｗ層８を形成することができた。」（第２頁右上欄第７〜９行）
「１・・・Ｓｉ基板、２・・・高濃度拡散層、・・・、５，５’・・・Ｔｉ蒸着層、・・・、８・・・ＣＶＤＷ膜、９・・・Ａｌ配線層、・・・、１１・・・ＴｉＳｉ２」（図面の簡単な説明）
　なお、ＴｉＳｉ２層１１を形成した本発明の実施例を記載した図面は、第３図のみであるから、上記「第４図」は「第３図」の明らかな誤記であって、第３図には、Ｓｉ基板１に高濃度拡散層２を形成し、高濃度拡散層２の上面に接してＴｉＳｉ２層１１を形成し、ＴｉＳｉ２層１１上に形成された絶縁膜３の接続孔のＴｉＳｉ２層１１に接する面と接続孔の内部に形成されたＴｉ蒸着膜５’と、Ｔｉ蒸着膜５’に接して接続孔に埋め込まれたＣＶＤＷ膜８とＣＶＤＷ膜８に接続されたＡｌ配線層９が記載されている。
　　
（ｇ）David W. Woodruff et al.,“ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,Materials Research Society発行,1986,pp.173-183（請求人が提出した甲第７号証）（以下、「刊行物７」という。）　
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物７には、以下の事項が記載されている。
「非選択又はブランケットタングステンは、化学気相成長法（ＣＶＤ）によって、二酸化シリコン及び窒化シリコンを含むウェハーの全表面上に成膜されたタングステン薄膜である。」（第１７３頁第１６〜１９行の訳文）
「４５０℃、全圧１．５ｔｏｒｒでＷＦ６とＨ２からコールドウォール反応室中においてＣＶＤタングステン膜が成膜された。」（第１７８頁第２３〜２５行の訳文）　
　　
（ｈ）D.C. PAINE et al.,“MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF LPCVD TUNGSTEN INTERFACES”,1985 Materials Research Society,pp.117-123（請求人が提出した甲第１１号証）（以下、「刊行物８」という。）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物８には、以下の事項が記載されている。
「パターン化されたウエハに加えて、無処理のシリコンウエハ上にタングステンをブランケット析出したものを作製した。タングステンの堆積はすべて、３インチのホットウォールＬＰＣＶＤ反応器内で行った。反応器内の全圧は、０．２５ｔｏｒｒに維持された。堆積温度は、３００℃で、ガス流量は、ＷＦ６が１０ｃｃ／ｍｉｎでＨ２が７５ｃｃ／ｍｉｎであった。」（第１１８頁第２６〜２９行の訳文）
　　
（ｉ）S. Ogawa et al.,“THERMALLY STABLE W/SILICIDE/Si CONTACT”,International Electron Devices Meeting, 1986  iedm technical digest,１９８６年１２月７日,pp.62-65（請求人が提出した甲第８号証）（以下、「刊行物９」という。）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物９には、以下の事項が記載されている。
「Ｗ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２／Ｓｉコンタクト構造によって、最高温度９００℃まで熱安定性を有する低抵抗性のＷ／シリサイド／Ｓｉコンタクト構造が実現できた。ＴｉＳｉ２層の急速熱窒化によりＴｉＮが形成された。」（第６２頁左欄第１５〜２０行の訳文）
「多層間の配線に応用できるＢＰＳＧ・・・処理については、ＢＰＳＧを流動化させるために７５０℃の処置が必要となり、多層ＣＭＯＳデバイスについても、デバイス製造過程におけるビーム再結晶化およびゲート酸化には９００℃までの処理に耐えなければならず、Ａｌはその融点が低いため配線の材料としては使えない。」（第６２頁左欄第３１〜４０行の訳文）
「タングステンは、高融点金属の中では最も抵抗が低く、しかも化学的に安定性を有するため、配線材としては魅力的である。しかし、Ｗ／Ｓｉの直接接触を伴う系では６５０℃以上ではタングステンのシリサイド化反応が起こるため熱安定性がない。」（第６２頁左欄第４５〜４９行の訳文）
「タングステン配線が熱アニーリング中にさらにシリサイド化するのを防ぐため、タングステン配線とＴｉＳｉ２層の間にＴｉＮ拡散障壁層を使った。ＴｉＮ層はＴｉＳｉ２層の窒化によって形成された。」（第６３頁左欄第１１〜１６行の訳文）
　　
（４）対比・判断
（ａ）訂正発明３８について
　訂正発明３８と刊行物発明１とを対比する。
（ア）刊行物発明１の「Ｐ型シリコン基板」、「酸化シリコンの絶縁膜」は、それぞれ訂正発明３８の「シリコン基板」、「二酸化シリコンの絶縁層」に相当する。
（イ）刊行物１には、「ところで集積回路の高速化と高集積化は素子の微細化によって実現される。」（第２頁左上欄第７〜８行）と記載されているから、刊行物発明１の「半導体装置」が、「集積回路」に用いられることは明らかである。　
　よって、刊行物発明１の「半導体装置」は、訂正発明３８の「集積半導体回路」に相当する。
（ウ）刊行物１には、「本発明は・・・微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体層に対しても接合特性を劣化させることなく、配線層と拡散層との間のオーミックコンタクトを低抵抗とすると共に、信頼性を高めることを目的とする。」（第２頁右下欄第３〜７行）及び「本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第４〜８行）と記載されており、信頼性の高い低抵抗のオーミックコンタクトが、「安定な低抵抗コンタクト」であることは、当業者に明らかである。
　したがって、刊行物発明１の「低抵抗であってかつ高信頼性のオーミックコンタクト」は、訂正発明３８の「安定な低抵抗コンタクト」に相当する。
（エ）刊行物発明１の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによって」形成された「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、シリコン基板に砒素をドープすることにより設けられた領域であることは明らかであるから、刊行物発明１の「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、訂正発明３８の「ドープされた領域」に相当し、また、刊行物発明１の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成」することは、訂正発明３８の「シリコン基板にドープされた領域を設け」ることに相当する。
（オ）刊行物発明１の「酸化シリコンの絶縁膜」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の周囲の基板も覆っていることは明らかである。　
　よって、刊行物発明１の「前記Ｎ＋型シリコン拡散層の全体表面を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し」は、訂正発明３８の「周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し」に相当する。
（カ）本件特許明細書の「コンタクトホール16（すなわちバイア）は、パターン化されかつドープされた領域およびポリシリコンゲートまで下方にエッチングされる。」（特許公報第７頁左欄第３５〜３７行）及び第１Ａ図の記載から、「コンタクトホール」は、「二酸化シリコンの絶縁層」に形成されているから、訂正発明３８の「前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することは、「前記二酸化シリコンの絶縁層に実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することを意味するものである。
　そして、刊行物発明１の「コンタクト用の窓」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の選択された領域の部分を露出し、かつ、「絶縁膜」の壁によって規定されることは明らかである。
　また、刊行物１の「Ｎ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。」（第４頁左上欄第８〜１１行）及び第６図の記載から、刊行物発明１の「コンタクト用の窓」は、実質的に均一な大きさになっていると認められる。
　よって、刊行物発明１の「コンタクト用の窓」は、訂正発明３８の「コンタクトホール」に相当し、また、刊行物発明１の「前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し」は、訂正発明３８の「前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは絶縁層の壁によって規定され」に相当する。
（キ）刊行物発明１の「チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。
　また、刊行物１には、「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第４〜８行）と記載されている。
　一方、本件特許明細書には、「この発明に従って、チタンの薄い層18は、コンタクトホール16に形成され、次の層が、下にあるドープされた領域および／またはポリシリコンに良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証する。次にバリヤ材料からなる幾分厚い層20は、粘着及び接触層18上を被って形成される。」（特許公報第７頁左欄第４７行〜同頁右欄第２行）、「適当なバリヤ材料の例は、・・・窒化チタン・・・を含む。」（特許公報第７頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、両者は同様の層構造となっているから、刊行物発明１の「チタン膜」は、次の層である「窒化チタン膜」が、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証することは明らかである。
　よって、刊行物発明１の「チタン膜」は、訂正発明３８の「チタンの粘着および接触層」に相当し、また、刊行物発明１の「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されるとともに、」は、訂正発明３８の「下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし」に相当する。
（ク）刊行物１には、「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤ−メタル）を形成する方法が注目されている。　
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）と記載されているから、刊行物発明１の「窒化チタン膜」が、バリヤ層として機能することは明らかである。
　また、刊行物発明１の「窒化チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。
　よって、刊行物発明１の「窒化チタン膜」は、訂正発明３８の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」に相当し、また、刊行物発明１の「続いて、窒化チタン膜を形成し」は、訂正発明３８の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し」に相当する。
（ケ）刊行物発明１において、「バリヤ層」として作用する「窒化チタン膜」は、「チタン膜」の形成に続いて、「前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」るから、「窒化チタン膜」が「コンタクト用の窓」の底部だけでなく側壁に形成された「チタン膜」上に形成されることは明らかであり、また、「窒化チタン膜をスパッタリングにより形成」するので、刊行物発明１の「続いて、窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」るとともに、「前記窒化チタン膜は、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成される」ことは、訂正発明３８の「前記バリヤ層」は、「スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され」ることに相当する。
（コ）刊行物１の第５図には、刊行物発明１の「アルミニウム膜」が、コンタクト用の窓を実質的に充填することが示唆されており、また、同第５図の記載から、刊行物発明１の「アルミニウム膜」は、窒化チタン膜に接触していることは明らかであるから、刊行物発明１の「アルミニウム膜」は、訂正発明３８の「コンタクトホールを実質的に充填しかつバリヤ層と接触する導電材料」に相当し、また、刊行物発明１の「更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜」を「形成」することは、訂正発明３８の「前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料」を「形成」することに相当する。
（サ）刊行物発明１の「チタン膜」は、「スパッタリングにより形成され」ること、及び、刊行物１の第７図の記載から、全面に析出されること、すなわち、ブランケット析出されることは明らかであるから、刊行物発明１の「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されるとともに、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」る工程は、訂正発明３８の「下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され」る工程に相当する。
（シ）訂正発明３８には、工程（ｆ）に「前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」と記載されているが、「コンタクトプラグ」については、訂正発明３８において、さらに、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む」とも記載されているから、「コンタクトプラグ」が、「ドープされたポリシリコンからなる」「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成は、訂正発明３８には含まれない。
　　　
　したがって、両者は、
　「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を形成し、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１ 
　訂正発明３８が、「（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され」るとともに、「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であ」るのに対して、
刊行物発明１が、「窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」る点。
　
　相違点２
　訂正発明３８が、窒化チタンからなる材料を含む「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む」のに対して、刊行物発明１は、「窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」、その後「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」している点。
　　　
　以下、各相違点について検討する。
　相違点１について
（１）本件特許明細書には、「導電材料のプラグが、コンタクトを充填するために用いられてもよい。これがなされ得る方法の１つは、ＣＶＤによってコンタクト領域にタングステンを選択的に成長させることである。この方法に関連するいくつかの問題・・・酸化物／シリコン境界面での浸食および下にあるシリコンへのウォームホール損傷がある。」（本件特許公報第５頁右欄第３３〜４４行）、「この発明の利点は、析出中に、ＣＶＤタングステンプラグ法の場合、浸食およびウォームホール発生の原因となる気体ＣＶＤタングステン種は、層１８および２０があるため下にあるシリコンと決して接触せず、それによってそのようないかなる損傷も防ぐ。これはこの発明の重要な技術上の利点である。」（本件特許公報第８頁左欄第２０〜２５行）、「従来の選択タングステン法を越えるこの方法の利点は、タングステン析出反応は、下にあるシリコン１０がバリヤ層２０によって遮蔽されているので、シリコン１０と直接接触して生じないということである。したがって、浸食およびウォームホールのような共通の問題は、接合部１０がバリヤ層２０によって保護されているので生じない。」（本件特許公報第８頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、訂正発明３８において、窒化チタンからなるバリヤ層のみが「浸食およびウォームホール」のバリヤ層となるのではなく、「バリヤ層と接触する導電材料」として「ＣＶＤにより形成された」タングステンを析出する工程において、気体ＣＶＤタングステン種がシリコン基板と接触しない条件において、タングステンを析出することにより、浸食およびウォームホールの発生が防止できるのである。
　言い換えると、訂正発明３８においては、「（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され」るという、「粘着および接着層」及び「バリヤ層」をコンタクトホールに順次形成する工程の後に、「前記コンタクトホールを実質的に充填し」かつ「バリヤ層と接触する導電材料」としてＣＶＤによりタングステンを析出して、タングステンプラグを形成する工程において、「粘着及び接着層」と「バリヤ層」により気体ＣＶＤタングステン種がシリコン基板と接触しないから、「バリヤ層」が浸食およびウォームホールのバリヤ層として機能するのである。　
（２）刊行物２には、「従来のＡｌスパッタ技術は、ステップカバレッジ（段差被覆性）が劣っていたので、サブミクロンサイズの信頼できるコンタクト電極形成には十分ではないであろう。・・・Ｈ２によるＷＦ６の還元によって形成されるＣＶＤタングステン膜は、低い堆積温度、コンフォーマルなステップカバレッジ（均一な段差被覆性）、低いコンタクト抵抗および高いエレクトロマイグレーションの安定性という非常に適した特性を有し、最も期待されているプロセスである。非選択的なＷ（タングステン）堆積およびエッチバックによるＷ（タングステン）プラグをコンタクトホールに充填することができる。この非選択方法は、タングステンを選択的に堆積させる場合のような浸食効果やウォームホールに関連する問題が何もないことが示された。」（第４４３頁第１３〜２５行の訳文）と記載されており、「タングステンを選択的に堆積させる場合」には「浸食効果やウォームホールに関連する問題」のあることが知られていた。
　また、刊行物３及び刊行物９には、Ｓｉ／ＴｉＳｉ２／ＴｉＮ／Ｗ構造において、バリヤ層として作用する窒化チタン上に更にタングステンを形成することが記載されているから、半導体集積回路の導電配線として知られていたタングステン（薄膜）を、刊行物発明１のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ構造のアルミニウム膜に代えて、上記両構造において同様な効果を持つバリヤ層の窒化チタン膜上に形成することは当業者にとって何ら困難性なくなし得たものであり、また、結果として、刊行物発明１のＰ型シリコン基板上に、チタン膜及び窒化チタン膜を介してタングステン（薄膜）が形成されたこととなるので、窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）上にタングステンを形成する際に、タングステンのＣＶＤ原料ガスがＰ型シリコン基板に接触しないことは明らかであるから、窒化チタン膜が「バリヤ層」として機能し、さらに、既知の「浸食効果やウォームホール」が発生しないことは、当業者が容易に予測し得るものである。　
（３）さらに、本件特許明細書には、「バリヤ層20は、導電性材料を含み、その導電性材料は、一般的にシリコンをドープする際に使用される典型的なドーパント種（硼素およびリン）に対する拡散バリヤである。バリヤ層20はまた、シリコン拡散に対するバリヤである。適当なバリヤ材料の例は・・・。好ましくは、バリヤ材料は、その優れたバリヤ特性のため、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンまたは窒化硼素を含む。ＴｉＮは、ドーパント種ならびにシリコン拡散に対する証明された拡散バリヤであるので、この発明の実施においても最も好ましい材料である。」（特許公報第７頁右欄第１２〜２７行）と記載されており、訂正発明３８の「バリヤ層」が、ドーパント種及びシリコン拡散に対する拡散バリヤであることも明らかであり、一方、刊行物１においても、「コンタクト用電極の形成後の熱処理工程において、Ａｌ中へのＳｉの固溶度が大きいため、拡散層ＳｉがＡｌ中へ溶け出し、Ｓｉ原子が放出された路にＡｌがくさび状に侵入するため、接合破壊を生じることがあったが、本発明実施例の方法によって形成コンタクト電極では、チタン膜と窒化チタン膜とが介在しているため、接合破壊を生じることはない。」と記載されており、刊行物発明１において、拡散層ＳｉとＡｌ層が接触する界面に生ずるＳｉとＡｌの相互拡散は、拡散層Ｓｉ上に形成されたチタン膜と窒化チタン膜により防止されることは明らかであるから、シリコン基板上に形成されたチタン膜と窒化チタン膜により、Ｓｉ原子を含む原子の相互拡散が防止できる点においても、訂正発明３８と刊行物発明１は、同等であることが明らかである。
　
　相違点２について
（１）「コンタクトプラグ」について
　訂正発明３８には、コンタクトプラグについて、「（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をCVDによって析出することによって形成され、」及び「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む」と記載され、また、本件特許公報には、「この発明の目的は、コンタクト領域にコンタクトプラグを設けることであり・・・。この発明の他の目的は、配線の一体部分としてプラグ材料を用いることができるということである。」（特許公報第６頁右欄第１４〜１９行）、「この導電層22は、コンタクトホール16のまわりの、フィールド領域と呼ばれるパターン化されていない領域からエッチバックされ・・・コンタクトが充填され、第1B図に示されるようなプラグ24を形成する。」（特許公報第８頁左欄第３〜７行）、「コンタクトプラグを形成する他の方法は、選択ＣＶＤ法を用いてバリヤ層上のコンタクトホールにタングステン層を選択的に成長させることである。」（特許公報第８頁左欄第４４〜４６行）及び第１Ｂ図の２４の記載より、訂正発明３８において、「コンタクトプラグ」とは、シリコン基板上に形成された二酸化シリコン絶縁層に形成したコンタクトホールに充填された導電材料（導電膜）であると解することができる。
　一方、刊行物１には、「拡散層を有する半導体基板の表面に形成された絶縁膜に対し、前記拡散層へのコンタクト用の窓明けを行う穿孔工程と、形成された窓内に障壁金属を形成する障壁金属形成工程と、障壁金属に接触する電極配線層を形成する電極形成工程とを含む半導体装置の製造方法」（特許請求の範囲第１項）、「基板表面全体にアルミニウム膜３６を蒸着法によって形成する。そして、このようにして得られたチタン膜３４、窒化チタン膜３５、アルミニウム膜３６からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングする。・・・第５図に示したようなコンタクト用電極および電極配線層が完成される。」（第４頁右上欄第５〜１３行）及び第５図の記載より、アルミニウム膜36は、半導体基板上に形成した絶縁膜に形成した「孔」にほぼ充填された導電膜であって、刊行物発明１の「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」する工程では、アルミニウム膜は「コンタクト用の窓」をほぼ充填する導電膜であると解することができる。
　ここで、訂正発明３８において、「コンタクトプラグ」が「コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する」ことは記載されているが、コンタクトホールに充填された導電材料と「一体」又は「別体」で電極配線が形成されているかについては記載されていない。
　したがって、半導体基板上に形成した絶縁膜に形成した「コンタクト用の窓」にほぼ充填された導電膜（導電材料）であるアルミニウム膜は、「半導体基板上に形成した絶縁膜に形成したコンタクトホール（コンタクト用の窓）に充填された導電材料（導電膜）」である点において、訂正発明３８の「コンタクトプラグ」に相当するといえる。　
（２）窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）上のアルミニウム膜をＣＶＤタングステン（薄膜）で置き換える点について
（ａ）刊行物５（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行参照）には、コンタクトホールの形状が微小になると、アルミニウムの配線は、コンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあることが記載されており、また、刊行物４（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文参照）には、ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウム又はアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線であり、また、ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有することが記載されている。
（ｂ）また、刊行物３（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第６行の訳文参照）及び刊行物７（第１７３頁第１６〜１９行の訳文及び第１７８頁第２３〜２５行の訳文参照）に記載されるとおり、半導体装置の製造工程において、導電層を形成するために、タングステンをＣＶＤ反応によるブランケット析出により形成できることは、本件の優先権主張日前より周知の技術である。
（ｃ）刊行物３には、「タングステンは６５０℃以上ではシリコンと反応してタングステンシリサイドを生成することが知られている。タングステンシリサイドの生成を抑えるために、タングステンとシリコンの間にＴｉＮ／ＴｉＳｉ２障壁層を入れた。窒化による自由エネルギーの減少はタングステンよりもチタンの方が大きいので、Ｗ／ＴｉＮ界面は安定となる。」（第５０４頁左欄第２７〜３２行の訳文）、「図７はＷ／Ｓｉ系とＷ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２／Ｓｉ系における反応速度を示している。シリサイド生成速度は、タングステンの反応速度として表示している。活性化エネルギー値はそれぞれ２．９ｅＶと２．２９ｅＶであった。この違いは後者の反応制限過程がＷ／Ｓｉの反応ではないことを意味している。制限過程はＴｉＮ／ＴｉＳｉ２層を通してシリコンの供給過程にあると考えられる。シリコンの供給はＴｉＮ層中の局所的欠損部を通してなされる。障壁層を通しての反応速度はＷ／Ｓｉ系の速度よりも２〜２．５桁低い。・・・タングステン層にはシリコン原子は見られなく、タングステンのシリサイド生成が起こっていないことを意味している。ボロンの外への拡散も又ＴｉＮ層によって抑制されている。」（第５０５頁左欄第１２〜３１行の訳文）と記載され、刊行物９には、「Ｗ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２／Ｓｉコンタクト構造によって、最高温度９００℃まで熱安定性を有する低抵抗性のＷ／シリサイド／Ｓｉコンタクト構造が実現できた。ＴｉＳｉ２層の急速熱窒化によりＴｉＮが形成された。」（第６２頁左欄第１５〜２０行の訳文）、「多層間の配線に応用できるＢＰＳＧ・・・処理については、ＢＰＳＧを流動化させるために７５０℃の処置が必要となり、多層ＣＭＯＳデバイスについても、デバイス製造過程におけるビーム再結晶化およびゲート酸化には９００℃までの処理に耐えなければならず、Ａｌはその融点が低いため配線の材料としては使えない。」（第６２頁左欄第３１〜４０行の訳文）、「タングステンは、高融点金属の中では最も抵抗が低く、しかも化学的に安定性を有するため、配線材としては魅力的である。しかし、Ｗ／Ｓｉの直接接触を伴う系では６５０℃以上ではタングステンのシリサイド化反応が起こるため熱安定性がない。」（第６２頁左欄第４５〜４９行の訳文）、「タングステン配線が熱アニーリング中にさらにシリサイド化するのを防ぐため、タングステン配線とＴｉＳｉ２層の間にＴｉＮ拡散障壁層を使った。ＴｉＮ層はＴｉＳｉ２層の窒化によって形成された。」（第６３頁左欄第１１〜１６行の訳文）と記載されている。
（ｄ）したがって、刊行物３及び９には、Ｓｉ／ＴｉＳｉ２／ＴｉＮ／Ｗの多層構造が記載されるとともに、刊行物３の「タングステン層にはシリコン原子は見られなく、タングステンのシリサイド生成が起こっていないことを意味している。ボロンの外への拡散も又ＴｉＮ層によって抑制されている。」（第５０５頁左欄第２７〜３１行の訳文）との記載及び刊行物９の「タングステン配線が熱アニーリング中にさらにシリサイド化するのを防ぐため、タングステン配線とＴｉＳｉ２層の間にＴｉＮ拡散障壁層を使った。」（第６３頁左欄第１１〜１４行の訳文）との記載から、ＴｉＮがＳｉに対するバリヤ層として作用することは明らかであるから、刊行物発明１のＳｉ基板／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ積層構造の、バリヤ層のＴｉＮ上に形成されたＡｌ膜に代えて、バリヤ層のＴｉＮ上に形成されたＷ膜を用いることは当業者が容易になし得るものであって、その際、タングステン（Ｗ膜）を、例えば刊行物３に記載される如く、従来周知のＣＶＤ技術を用いて形成することは当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。
　さらに、刊行物発明１において、窒化チタン膜上に蒸着法によって形成するアルミニウム膜に代えて、窒化チタン膜上にＣＶＤ反応によってブランケット析出したタングステンを採用した際に、窒化チタン膜が、タングステンとシリコンとの拡散を防止するバリヤ層として作用することは明らかであり、また、タングステンをシリコン基板に形成したシリコン酸化膜のコンタクトホールにＣＶＤにより薄膜を形成すると、浸食およびウォームホールが発生することは知られており（刊行物２）、刊行物発明１のアルミニウム膜（Ａｌ）に代えて、刊行物３及び９に記載されるＳｉ／ＴｉＳｉ２／ＴｉＮ／Ｗ多層構造のタングステンを用いた場合においても、タングステンの下には、順次ＴｉＮ、Ｔｉが形成されているので、タングステンをＣＶＤで形成する際に、タングステンの原料ガスは、シリコン基板に直接接触することはなく、ＴｉＮが浸食およびウォームホールのバリヤ層となることは、「相違点１において」において検討したとおり、当業者であれば容易に予測し得る程度のものに過ぎない。
　
　よって、訂正発明３８は、上記刊行物１ないし５、７および９記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　　
（ｂ）訂正発明４０について  
　訂正発明４０と刊行物発明１とを対比すると、両者は、上記「（ａ）訂正発明３８について」における、訂正発明３８と刊行物発明１との対比の（ア）ないし（ク）、（コ）ないし（シ）と同様のことがいえる（ただし、「訂正発明３６」を「訂正発明４０」と読み替える。）。
　
（ス）刊行物１には、「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤ−メタル）を形成する方法が注目されている。　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）と記載されているから、刊行物発明１の「窒化チタン膜」が、バリヤ層として機能することは明らかである。
　そして、訂正発明４０には、「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」と記載されているが、「バリヤ層」については、訂正発明４０において、「前記バリヤ層は、窒化チタンを含み」とも記載されているから、「バリヤ層」が、「チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む」構成は、訂正発明４０には含まれない。
　よって、刊行物発明１の「窒化チタン膜」は、訂正発明４０の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」に相当し、この「バリヤ層」が、「窒化チタンを含」むことは明らかであり、また、刊行物発明１の「続いて、窒化チタン膜を形成し」は、訂正発明４０の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し」に相当する。　　
（セ）刊行物発明１の「チタン膜」は、「スパッタリング」によって形成されること、「窒化チタン膜」は、「蒸着法」によって形成されること、「アルミニウム膜」は、「蒸着法」によって形成されること、及び、刊行物１の第５図の記載から、刊行物発明１の「チタン膜」、「窒化チタン膜」及び「アルミニウム膜」は、「コンタクト用の窓」内を含む「酸化シリコンの絶縁膜」上の全面に析出されること、すなわち、ブランケット析出されることは明らかである。
　
　したがって、両者は、
　「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を形成し、
　前記粘着および接着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　訂正発明４０が、「（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され」るとともに、「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であ」るのに対して、
　刊行物発明１が、「窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」る点。
　相違点２
　訂正発明４０が、窒化チタンからなる材料を含む「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む」のに対して、刊行物発明１は、「窒化チタン膜をスパッタリングにより形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され」、その後「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」している点。
　以下、上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　「（ａ）訂正発明３８について」の「相違点１について」において検討したとおりである（ただし、「訂正発明３８」は、「訂正発明４０」と読み替える。）。
（相違点２について）
  「（ａ）訂正発明３８について」の「相違点２について」において検討したように、相違点２については、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである（ただし、「訂正発明３８」は、「訂正発明４０」と読み替える。）。
　　
　よって、訂正発明４０は、刊行物１ないし５、７および９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。　　　
    　　
（ｃ）訂正発明４６について  
　訂正発明４６と刊行物発明２とを対比すると、両者は、上記「（ａ）訂正発明３８について」における、訂正発明３８と刊行物発明１との対比の（ア）〜（ク）、（コ）と同様のことがいえる（ただし、「訂正発明３８」を「訂正発明４６」と読み替え、また、「刊行物発明１」を「刊行物発明２」と読み替える。）。
（ソ）刊行物発明２の「チタン膜」ならびに「窒化チタン膜」は、刊行物１の第８図の記載から、「絶縁膜」上にかつ「コンタクト用の窓」内に析出されることは明らかである。
（タ）訂正発明４６には、「前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」と記載されているが、「コンタクトプラグ」については、訂正発明４６において、さらに、「前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」とも記載されているから、「コンタクトプラグ」が、「ドープされたポリシリコンからなる」「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成は、訂正発明４６には含まれない。
　
　したがって、両者は、
　「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、
　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出される、方法」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点　
　訂正発明４６が、「前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出され、
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」工程を有しているのに対して、　
　刊行物発明２は、これらの工程を有していない点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２ないし刊行物９には、訂正発明４６の構成要素である、「前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出され、
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」工程が、記載も示唆もされていないから、訂正発明４６は、刊行物発明２に刊行物２ないし刊行物９に記載された発明を組み合わせても、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。
　また、刊行物１ないし刊行物９に係る発明をどのように組み合わせても、訂正発明４６は導き出せない。
　
　よって、訂正発明４６は、刊行物１ないし刊行物９に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとはいえない。また、その他に、訂正発明４６について、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由もない。
   　
６．むすび
　以上のとおり、請求項３８、４０及び４６についての訂正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものであって、且つ、特許請求の範囲を拡張又は変更するものでないものであるが、訂正発明３８及び４０は特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合せず、当該訂正は認められない。