【事件の表示】
　平成　７年特許願第　４６８４１号「シリカ微粉末、その製造方法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　９月２４日出願公開、特開平　８−２４５２１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 　
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年３月７日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１６年８月９日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】シリカ質物質が炭素の存在下で加熱されることによって発生した蒸気の酸化物粉末の水洗処理物であって、非晶質シリカを主成分とし、一次粒子径の平均が０．１〜１μｍ、抽出水電気伝導度が４３μＳ／ｃｍ以下であることを特徴とするシリカ微粉末。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平２−２３３５１５号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
　(１−ａ)「従来のシリカヒュームの製造方法では、フェロシリコンやシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になったものを集塵機で捕集している。この方法においては、還元剤としてカーボンを使用するため、回収シリカヒューム中に未燃カーボンが含まれる。」（第１頁左欄第１６行−同頁右欄第１行）
　
（１−ｂ）「従来方法で生成したシリカフュームの性状と比較して第１表に示す。　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　　　　　　　　　　　（第２頁左下欄第１０−１１行、第１表）
　
（１−ｃ）「本発明は、コンクリート、セメントの混和材、吸着剤等の素材として適用されるシリカヒュームの製造方法に関する。」（第１頁左欄第１２−１４行）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１３７１１９号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
（２−ａ）「充填剤や可とう化剤やこれらの各添加剤は樹脂成分と同様にイオン性不純物を多量に含むと製品の各種信頼性を著しく低下させる。そのため、これらの各添加剤についても１０倍量の１２０℃熱水で１００時間以上の抽出を行った場合、抽出液の電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下、ｐＨが３〜７，ハロゲンイオン抽出量が２０ｐｐｍ以下であることが必要である。」（第６頁右上欄第５−１２行）
（２−ｂ）「本発明は、成形性、接着性、電気特性、耐熱性、高温の機械強度および難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物、および該樹脂組成物で封止した樹脂封止型半導体装置に関する。」（第２頁左上欄第１２−１５行）
　
３．対比
　引用文献１には、記載事項(１−ａ)によれば、「従来のシリカヒュームの製造方法では、フェロシリコンやシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になったものを集塵機で捕集している」こと及び該方法では「還元剤としてカーボンを使用」していることが記載されている。
　記載事項（１−ｂ）の「従来方」は記載事項（１−ａ）の「従来のシリカフュームの製造方法」を指すものといえるから、記載事項（１−ａ）の「従来のシリカヒュームの製造方法」により得られるシリカフュームは記載事項（１−ｂ）によれば、５０％平均粒径０．１５μｍ、１部結晶質であるといえる。
　引用文献１の記載事項（１−ｂ）によれば従来法によるシリカフュームは１部結晶質であることが記載されている。また例えば特開平７−４８１６１号公報の【００１１】に「金属シリコン等の製造時に副生する非晶質ＳｉＯ2を主成分とする超微粉であり」と記載されているように、シリカヒュームが非晶質シリカであることは、技術常識であるから、引用文献１の１部結晶質であるシリカヒュームは非晶質の部分を多く含むものといえる。
 　
　これら記載を本願発明１の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「フェロシリコンやシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になった粉末であって、非晶質の部分を多く含み、平均粒径が０．１５μｍであるシリカヒューム」の発明（以下、「引用発明１」という）が記載されているといえる。
　
　そこで本願発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「シリカヒューム」は、本願発明１の「シリカ微粉末」に相当する。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「非晶質シリカを主成分とし、一次粒子径の平均が０．１５μｍであるシリカ微粉末」の点で一致し、以下（１）（２）（３）の点で相違する。
　
（１）本願発明１は「シリカ質物質が炭素の存在下で加熱されることによって発生した蒸気の酸化物粉末」であるのに対し、引用発明１の「シリカフューム」には「シリカ質物質が炭素の存在下で加熱されることによって発生した蒸気の酸化物粉末」であることが記載されていない点
（２）本願発明１は「水洗処理物」であるのに対し、引用発明１ではかかる限定が付されていない点
（３）本願発明１は「抽出水電気伝導度が４３μＳ／ｃｍ以下」であるのに対し、引用発明１ではかかる限定が付されていない点
　
４．当審の判断 
（１）上記相違点（１）（２）（３）を検討するに当たって、下記に掲げる従来技術を検討する。
　（従来技術１：特開昭６２−７７２３号公報）
　上記従来技術１には、次の（ａ）−（ｅ）の事項が記載されている。
 （ なお従来技術１記載の単位「mho」は「Ω-1」と表記した）
（ａ）「１２．無機充填材として、
（ｉ）９０重量％以上が粒径２０μｍ以下のものであり、８５重量％以上が粒径１μｍ以上のものである粉末状もしくは球形シリカ粉末がエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量１００重量部当り１５０〜５００重量部と、（ｉｉ）平均粒径が１０μｍ以下の三酸化アンチモンがエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量１００重量部当り１〜５０重量部とからなり、かつ前記シリカ粉末及び三酸化アンチモンの抽出水の電気伝導度がいずれも３０μΩ-1／ｃｍ以下であるものを使用した特許請求の範囲第１項乃至第１１項のいずれか１項に記載の組成物。」（上記従来技術１第２頁左下欄第８−２０行）
（ｂ）「本発明は特に半導体装置封止用あるいはプリント配線板製造用として好適に用いられるエポキシ樹脂組成物に関するものである。」（上記従来技術１第２頁右下欄第５−７行）
（ｃ）「前記シリカ粉末及び三酸化アンチモンの抽出水の電気伝導度がいずれも３０μΩ-1／ｃｍ以下であるものを使用することが好ましく、これによりチップ上のパッシベーションクラックの発生をより確実に防止し、耐湿性をより向上させたエポキシ樹脂組成物を得ることができる。」（上記従来技術１第７頁右上欄第１２−１７行）
（ｄ）「成分Ｄ：平均粒子径１０μの溶融シリカ粉末（抽出水電気伝導度１８μΩ-1／ｃｍ）」（上記従来技術１第９頁左上欄第１０−１１行）
（ｅ）「成分Ｄ（Ｄ１,Ｄ２）粒径２０μｍ以下のものが９９％、粒径１μｍ以上のものが８８％、平均粒径が３．０μｍである溶融シリカ粉末
Ｄ１：抽出水電気伝導度　　４０μΩ-1／ｃｍ
Ｄ２：　　　″　　　　　　１７μΩ-1／ｃｍ」（上記従来技術１第１１頁右上欄第２−７行）
　ここで従来技術１について検討すると、従来技術１の記載事項（ａ）−（ｅ）より、上記従来技術１には半導体装置封止用に用いられるエポキシ樹脂組成物の充填剤に用いられる溶融シリカ粉末として、抽出水電気伝導度３０μΩ-1／ｃｍ以下のものが記載されている。また従来技術１の記載事項（ａ）−（ｅ）より、上記従来技術１には溶融シリカ粉末として、抽出水電気伝導度３０μΩ-1／ｃｍ以下のものを用いることによりチップ上のパッシベーションクラックの発生をより確実に防止し、耐湿性をより向上できることも記載されている。
　
（従来技術２：特開昭４７−１３６８号公報）
　上記従来技術２には（ａ）−（ｃ）の事項が記載されている。
（ａ）「(a)低い孔体積をもつ非晶性シリカを希薄フッ化水素酸溶液と接触させ、
　　　　(b)このシリカをフッ化水素酸溶液から濾過し、
　　　　(c)濾過したシリカを洗浄し、そして
　　　　(d)洗浄したシリカを乾燥する
ことからなる高い孔体積をもつ非晶性シリカの製造法。」（上記従来技術２第１頁左欄第５−１０行）
（ｂ）「中止されたシリカはそれから１回以上水洗し、いかなる微量のアンモニウム又はフッ素イオンを除き、その後乾燥した有機溶媒洗浄液を用いて脱水する。」（上記従来技術２第３頁右下欄第９−１２行）
（ｃ）「実施例４
　８９．２ｇの非晶性シリカ粉末（１．７ｃｃ／ｇを、水３０６ｃ．ｃ．当り１．０ｇのＳｉＯ2（６．４％ＴＶ）の濃度で、水道水によって１１８Ｆでスラリーにする。・・・水酸化アンモニウム添加後、混合物を１０分間放置し、真空濾過する。シリカ濾過ケーキはフィルター上で２回、各回２ｌの水で洗浄する。・・・平均粒径および孔直径範囲は、本質的に元と同一のままである。」（上記従来技術２第５頁左上欄第５行−同頁右上欄第４行）
　ここで上記従来技術２について検討すると、上記従来技術２の記載事項（ａ）−（ｃ）より、上記従来技術２には非晶性シリカ粉末を水洗することにより、アンモニウム又はフッ素イオン等の水溶性不純物を除去できることが記載されているといえる。
　
（従来技術３：特開平１−２６３１３１号公報）
　上記従来技術３には（ａ）−（ｄ）の事項が記載されている。
（ａ）「平均粒径Ｄが７〜３０μｍの範囲の破砕若しくは球状の粗粒シリカに、平均粒径ｄが０．１〜３μｍの範囲の単分散球状微粒シリカを全体の５〜４０重量％混合してなることを特徴とする封止樹脂充填用シリカ。」（上記従来技術３第１頁左欄第５−９行）
（ｂ）「このような平均粒径Ｄ（７〜３０μｍ）の粗粒シリカに配合される単分散球状微粒シリカは、その平均粒径ｄが０．１〜３μｍ、好ましくは０．２〜１μｍの範囲であることが必要であり、また、その配合割合が全体の５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％である。」（上記従来技術３第２頁左下欄第４−９行）
（ｃ）「この発明は、ＩＣ封止樹脂充填用シリカに係り、特に熱硬化性樹脂に対して優れた充填性及び流動性を有するＩＣ封止材フィラー用シリカに関する。」（上記従来技術３第１頁左欄第１６−１８行）
（ｄ）「エポキシ当量２００のオルソクレゾールノホラックエポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）８０重量部、・・・平均粒径１６μｍの破砕シリカ（シリカＡ）、平均粒径７μｍの破砕シリカ（シリカＢ）、平均粒径１．０μｍの単分散球状シリカ（シリカＣ）及び平均粒径０．２μｍの単分散球状シリカ（シリカＤ）とを第１表に示す割合で配合し、加熱ロールで混練し、冷却した後粉砕し、各実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を得た。」（上記従来技術３第３頁右上欄第１０行−同頁左下欄第６行）
　ここで上記従来技術３について検討する。上記従来技術３の記載事項（ｃ）の「ＩＣ」は、化学事典（普及版）（１９９３年１０月３０日普及版第９刷発行）の「ＩＣ」の項より「集積回路」を意味するものと認められる。してみると上記従来技術３の記載事項（ａ）−（ｄ）より、上記従来技術３には半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に用いる充填剤として、平均粒径０．１〜３μｍの微粒シリカが記載されている。また上記従来技術３の記載事項（ａ）−（ｄ）より上記従来技術３には０．１〜３μｍの微粒シリカを含有する流動性の大きい半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。
　
（２）上記相違点（１）について検討する。
　引用文献１の記載事項(１−ａ)には、「従来のシリカヒュームの製造方法では、フェロシリコンやシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になったものを集塵機で捕集している」こと及び該方法では「還元剤としてカーボンを使用」していることが記載されている。またケイ砂を電気炉中で炭素で還元するシリコンの製造方法は周知の方法であることから（必要であれば化学大事典（１９６３年９月１５日縮刷版）「ケイ素」の項参照）、引用発明１の「シリコンメタルの製造」はケイ砂を電気炉中で炭素で還元するシリコンメタルの製造方法を含むものといえる。してみれば引用発明１の「フェロシリコンやシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になった粉末」は「ケイ砂を電気炉中で炭素で還元するシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になった粉末」といえる。
　ここで引用発明１の「ケイ砂を電気炉中で炭素で還元するシリコンメタルの製造時発生する廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になった粉末」と本願発明１の発明特定事項である「シリカ質物質が炭素の存在下で加熱されることによって発生した蒸気の酸化物粉末」とを対比すると引用発明１の「ケイ砂」「廃ガス中のＳｉＯが、空気中で酸化されてＳｉＯ2になった粉末」は、本願発明１の「シリカ質物質」「発生した蒸気の酸化物粉末」にそれぞれ相当し、相違点（１）の点で本願発明１と引用発明１とが実質的に相違するものとはいえない。
　
　上記相違点（２）について検討する。
　引用文献１の記載事項（１−ｃ）によればシリカフュームは種々の用途に用い得る材料であり、また従来技術３に見られるように半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物の分野においては平均粒径０．１〜３μｍの微粒シリカを充填剤として用いることは周知の技術的事項であることから、粒径の点で重複する引用発明１を半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物の充填剤として用いることは当業者であれば当然試みることである。
　また半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物の分野においては引用文献２記載事項（２−ａ）（２−ｂ）に見られるように溶融シリカ等の「充填剤」はイオン性不純物含有量が小さいことが好ましく、抽出液の電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下とすることは周知の技術的事項であり、さらにイオン性不純物を除去する方法としてシリカ微粒子を水洗することは従来技術２に見られるように周知慣用手段である。
　してみれば平均粒径の点で重複する引用発明１を半導体装置封止用樹脂組成物の充填剤として用いること自体は容易であり、その際必要に応じてイオン性不純物を除去する方法として従来から行われている水洗手段を用いることは当業者が適宜選択可能なことといわざるを得ない。また相違点（２）による効果も格別顕著なものともいえない。
　
　上記相違点（３）について検討する。
　引用文献２の記載事項（２−ａ）（２−ｂ）から半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に用いられる充填剤は、樹脂成分と同様にイオン性不純物を多量に含むと製品の各種信頼性を著しく低下させるため、抽出液の電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下にイオン性不純物を減少させることが必要であるといえる。また従来技術１に見られるように半導体装置を封止するエポキシ樹脂組成物の分野では充填剤として用いる溶融シリカ粉末の抽出水電気伝導度は３０μＳ／ｃｍ以下とすることは周知の技術的事項であり、引用発明１を半導体封止樹脂組成物の充填剤として用いる際に、周知慣用手段を用いて充填剤の抽出液電気伝導度を従来用いられる程度である３０μＳ／ｃｍ以下とすることは当業者が容易に想到し得ることである。また「４３μＳ／ｃｍ以下」とすることに格別な困難性は認められない。
　
　また出願人は平成１６年８月９日付け意見書「（５−３）効果」で本願発明１の効果について「スパイラルフローが大きく（流動性がよく）、バリが短く、しかもクラック発生率と信頼性不良率がいずれも「０」である」と主張している。
　該主張について検討する。
　半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物の分野においては、上記従来例３に見られるように０．１〜１μｍのシリカ微粉末を充填剤として添加した半導体封止用エポキシ樹脂組成物は流動性が大きいものが得られること、上記従来例１に見られるように３０μＳ／ｃｍ以下のシリカ微粒子を充填剤として用いることによりパッシベーションクラックの発生を防止し、耐湿性を向上できることは周知技術が有する周知の効果であり、本願発明１が格別顕著な効果を奏するものとも認められない。
　また出願人の主張するバリが短いとの効果は、平成１６年８月９日付けの手続補正書によって補正された明細書【００４４】−【００４８】、表４、表６の比較例の記載より、０．１〜１μｍのシリカ微粉末を充填剤として添加したエポキシ樹脂組成物で得られる効果と認められることから、０．１〜１μｍのシリカ微粉末を充填剤として添加したエポキシ樹脂組成物である従来例３において得られているものといえる。してみれば出願人の主張するバリが短いとの効果は引用発明１を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の充填剤として用いる際にも、当然予想できる程度のものである。
　
 ５．むすび 
 　したがって、本願発明は、引用文献１、２に記載された発明並びに周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　よって、結論のとおり審決する。