【事件の表示】
　特願２００２−２２６４１０「光源装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　７１７１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成１４年　８月　２日
　拒絶理由通知書送付　　　平成１６年１１月３０日
　意見書・手続補正書提出　平成１７年　１月２４日
　拒絶査定送付　　　　　　平成１８年　６月２７日
　審判請求　　　　　　　　平成１８年　７月２５日
　手続補正書提出　　　　　平成１８年　７月２５日
　
II．平成１８年７月２５日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１８年７月２５付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正・本願補正発明
　平成１８年７月２５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願特許請求の範囲の請求項２を
「【請求項２】ＩｎＧａＡｌやＩｎＧａＡｌＮやＩｎＧａＮおよびＧａＮ系の半導体発光素子および波長変換材料を用いた光源装置を製造する光源装置の製造方法において、
　以下のステップで製造することを特徴とする光源装置の製造方法。
　ステップ１：薄板リードフレームに
陽極および陰極の電極
の
　ステップ２：前記
電極
開口部や互いに向かい合う前記陽極と前記陰極との間に前記半導体発光素子を載置できる隔離部を設けて
　ステップ３：波長変換材と透明接着剤との混合比率を重量比率として１：１から５：１の範囲で混合し調合した波長変換材と透明接着剤との混入ペーストを、前記半導体発光素子を載置する
前記隔離部の前記樹脂の表面
　ステップ４：前記混入ペーストを転写した上部位置に透明性を有した半導体発光素子を載置する。
　ステップ５：恒温槽に搬入し前記
混入
トを
　ステップ６：前記半導体発光素子の
陽極および陰極の
陽極および前記陰極の電極パターンと
　ステップ７：前記透明樹脂を硬化させるための前記透明樹脂の基材と硬化剤とを攪拌し、前記基材と前記硬化剤とを完全に混合させるとともに混合攪拌気時に発生する気泡を脱泡して液状化することにより混合、脱泡した透明樹脂を
、前
前記開口部
　ステップ８：恒温槽に搬入し前記透明樹脂を硬化させる。
　ステップ９：前記リードフレームに形成された
電極端子等
　
２．刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２２３３８８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、本発明は、セラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基板のいずれかの基板または金属薄板からなるリードフレーム上、または前記基板またはリードフレームのパターン上または／および電気配線パターン上に、波長変換材料を混入した透明樹脂により透明性を有する半導体発光素子を接着固定し、波長変換材料を混入した樹脂が半導体発光素子を基板またはリードフレームに固定するためのダイボンド部材と兼用して構成材料を削減することにより作業性および経済性に優れ、長期間にわたって高輝度な発光が得られる光源装置を提供するものである。
【００２９】図１は、本発明に係る光源装置の第１実施の形態を示す全体図である。図１に示すように、第１実施の形態の光源装置１（１Ａ）は、インジェクションないしトランスファーモルドタイプのものであり、パターン２、透明樹脂３、半導体発光素子４、ボンディングワイヤ５、リード端子６およびモールドケース７から概略構成される。なお、本例におけるパターン２は電気配線パターンも含むものである。
【００３０】パターン２（２ａ，２ｂ）は、インサート成形によって樹脂にパターン形状を形成した燐青銅材等からなるリードフレームを挿入してリードフレーム上に形成されている。
【００３１】透明樹脂３は、無色透明なエポキシ樹脂等に無機系の蛍光顔料や有機系の蛍光染料等からなる波長変換材料を混入させたものである。例えばエポキシ樹脂に蛍光材（ＹＡＧ）を混入する場合、エポキシ樹脂と蛍光材との重量比率は、１：３〜１：４程度である。この透明樹脂３は、パターン２上に塗布したり、蛍光材混入インク等の印刷により印刷パターンとしてパターン２上に形成することができる。
【００３２】図１における透明樹脂３は、モールドケース７の凹状部７ａ内の底面に露出するパターン３と半導体発光素子４の下面（電極を持たない面）との間に介在して設けられ、半導体発光素子４をパターン３に固着する接着剤としての機能も兼ねている。」
　
「【００３８】半導体発光素子４は、ｎ型層上に活性層を中心にダブルヘテロ構造からなるＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＮ系のいずれかの化合物の半導体チップからなる発光素子であり、有機金属気相成長法等で製作される。また、半導体発光素子４自身の基板はＡｌ2 Ｏ3 やＩｎＰサファイア等の透明基板からなり、この基板上に活性層を配し、活性層上に透明電極が形成されている。半導体発光素子４に取り付ける電極は、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ等からなる導電性透明電極等をスパッタリング、真空蒸着、化学蒸着等により生成させて製作する。
【００３９】そして、半導体発光素子４は、一方の面（図１の上面）にアノード電極およびカソード電極を有しており、電極を持たない他方の面（図１の下面）側が透明樹脂３上に載置されて固着されている。半導体発光素子４のアノード電極およびカソード電極は、ボンディングワイヤ５でパターン２ａ，２ｂにワイヤーボンディングされている。
【００４０】ボンディングワイヤ５は金線等の導通線からなり、半導体発光素子４のアノード電極とパターン２ａとの間、カソード電極とパターン２ｂとの間をそれぞれボンダによって電気的に接続している。
【００４１】リード端子６（６ａ，６ｂ）は、導通性および弾性力のある燐青銅等の銅合金材等からなるリードフレームをモールドケース７から直接取り出して形成されている。リード端子６ａは、パターン２ａと電気的に接続されて半導体発光素子４のアノード電極側と等しく、本発明の光源装置１（１Ａ）としての陽極（＋）として使用されるように構成される。
【００４２】また、リード端子６ｂは、パターン２ｂと電気的に接続されて半導体発光素子４のカソード電極側と等しく、本発明の光源装置１（１Ａ）としての陰極（−）として使用されるように構成される。
【００４３】モールドケース７は、変成ポリアミド、ポリブチレンテレフタレートや芳香族系ポリエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材料に、チタン酸バリウム等の白色粉体を混入させて凹状にモールド形成されており、凹状部７ａ内の底面にパターン２が露出している。
【００４４】また、モールドケース７は、光の反射性と遮光性の良いチタン酸バリウム等の白色粉体によって半導体発光素子４の側面側から出光する光を効率良く反射し、図示しないテーパ状の凹面により上方に出射するとともに、本発明の光源装置１（１Ａ）の発光した光を外部に漏れない様に遮光する。
【００４５】さらに、図示しないが、モールドケース７内には、パターン２、半導体発光素子４、ボンディングワイヤ５等の保護のために無色透明なエポキシ樹脂等が充填されている。」
　
「【００７０】ところで、図１および図２に示す構成では、半導体発光素子４が一方のパターン２ａ上に透明樹脂３により固着されたものであるが、図３（ａ）〜（ｃ）に示すような構成としてもよい。
【００７１】図３（ａ）に示す構成では、パターン２ａ，２ｂが形成されていない部分、具体的には、モールドケース７の凹状部７ａ内の底面に表出するパターン２ａとパターン２ｂの間の部分（絶縁パターンを含む）、又は基板１１上のパターン２ａ，２ｂ間の部分（絶縁パターンを含む）に透明樹脂３を介して半導体発光素子４が固着されており、半導体発光素子４のアノード電極およびカソード電極がそれぞれパターン２ａ，２ｂにボンディングワイヤ５によりワイヤーボンディングされている。」
　
　上記段落【００７１】に記載される図３（ａ）の構成を参照すれば、刊行物１には、モールドケース７の凹状部７ａ内の底面に表出するパターン２ａとパターン２ｂの間の部分に、透明樹脂３を介して半導体発光素子４が固着されており、半導体発光素子４のアノード電極およびカソード電極がそれぞれパターン２ａ，２ｂに金線等からなるボンディングワイヤ５によりワイヤーボンディングされている光源装置が記載されているものと認められる。
　ここで、「モールドケース７」は樹脂であり、パターン２ａ，２ｂは、モールドケース７の樹脂にインサート成形されたものであることが理解される。（【００３０】）
　また、その「パターン２ａ，２ｂ」は、それぞれ、陽極（＋）及び陰極（−）として使用されるものである。（【００４１】、【００４２】）
　また、その「半導体発光素子４」は、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＮ系の半導体素子であり（【００３８】）、透明性を有する半導体発光素子（【００２８】）であるとされている。
　また、その「透明樹脂３」は、例えば、無色透明なエポキシ樹脂に蛍光染料等からなる波長変換材料を重量比率１：３〜１：４程度で混入させたものであり（【００３１】）、半導体発光素子４を固着する接着剤としての機能も兼ねている（【００３２】）とされている。
　また、その「モールドケース７」内には、パターン２、半導体発光素子４、ボンディングワイヤ５等の保護のために無色透明なエポキシ樹脂が充填されると記載されている。（【００４５】）
　
　以上のことから、刊行物１には、
「ＩｎＧａＡｌＰやＩｎＧａＡｌＮやＩｎＧａＮおよびＧａＮ系の透明性を有した半導体素子４と波長変換材料を用いた光源装置であって、
　樹脂のモールドケース７の凹状部７ａ内の底面に表出するインサート成形された陽極パターン２ａと陰極パターン２ｂの間に、エポキシ樹脂に波長変換材料を重量比率１：３〜１：４で混入させた透明樹脂３により、前記半導体素子４を接着固定し、前記半導体素子４のアノード電極およびカソード電極と前記陽極パターン２ａおよび前記陰極パターン２ｂとを金線等からなるボンディングワイヤ５によりワイヤーボンディングし、前記モールドケース７内に保護用の無色透明なエポキシ樹脂を充填してなる光源装置。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００１−７４０５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、発光ダイオードについて次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長変換型の発光ダイオードに係り、特に青色発光を白色に変換するタイプの発光ダイオードに関するものである。」
「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明に係る発光ダイオードの実施の形態を詳細に説明する。図１乃至図３は、表面実装型の発光ダイオードに適用した場合の実施例を示したものである。この実施例に係る表面実装型発光ダイオード１１は、基材となる矩形状のガラスエポキシ基板（以下、ガラエポ基板という）１２に一対の電極（カソード電極１３とアノード電極１４）をパターン形成し、この電極１３，１４の下面側をマザーボード１５上のプリント配線１６，１７に半田１８で固定することによって表面実装を実現するものである。
【００２３】前記ガラエポ基板１２の上面中央部には発光ダイオード素子２０が搭載され、その裏面側に塗布された蛍光材含有層２１によってガラエポ基板１２に固定されている。」
「【００２４】一方、発光ダイオード素子２０の裏面側に設けられた蛍光材含有層２１は、図３に示したように、接着剤２９をベースとした中に適当量の蛍光材３０を均一に分散させたものである。これをガラエポ基板１２の上面に所定の厚さになるように塗布し、その上に発光ダイオード素子２０を載せ置く。接着剤２９が加熱固化することで、発光ダイオード素子２０の裏面がガラエポ基板１２の上面に固定される。接着剤２９とガラエポ基板１２との間では強い接着力が得られるので、蛍光材含有層２１が剥離するようなことはない。」
　
　したがって、刊行物２には、「接着剤に適当量の蛍光材を均一に分散させたものを基板上面に塗布し、その上に発光ダイオード素子を載置して、発光ダイオード素子を基板の上面に固定するものにおいて、加熱固化することによりこれらを接着すること」が記載されているものと認められる。
　
（３）刊行物３
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００１−３６１５０号公報（以下、「刊行物３」という。）には、発光ダイオードについて次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長変換型の発光ダイオードに係り、特に青色発光を白色に変換するタイプの発光ダイオードに関するものである。」
「【００１８】また、前記発光ダイオード素子２１は、その裏面側に設けられた蛍光材含有接着層３０を介してガラエポ基板１２の上面中央に接着されている。この蛍光材含有接着層３０は、図３に示したように、透明性のある接着剤３１をベースとしてその中に適当量の蛍光材３２を均一に分散させたものである。これをガラエポ基板１２の上面に所定の厚さになるように塗布し、その上に発光ダイオード素子２１を載せ置き、接着剤３１を加熱固化することで、発光ダイオード素子２１の裏面がガラエポ基板１２の上面に固着される。接着剤３１とガラエポ基板１２との間では強い接着力が得られるので、蛍光材含有接着層３０が剥離するようなことはない。」
　
　したがって、刊行物３には、「接着剤に適当量の蛍光材を均一に分散させたものを基板上面に塗布し、その上に発光ダイオード素子を載置して、発光ダイオード素子を基板の上面に固定するものにおいて、加熱固化することによりこれらを接着すること」が記載されているものと認められる。
　
（４）刊行物４
　　原査定の拒絶理由に引用された特開平８−４５９７２号公報（以下、「刊行物４」という。）には、発光表示デバイスの樹脂封止について次の記載がある。
「【０００４】多数のキャビティが設けられた多連キャビティ回路基板は、まず、全てのキャビティ内に発光素子（ＬＥＤ）がダイボンディングおよびワイヤーボンディングされた後に、全てのキャビティ内に液状または溶融状態の封止用樹脂が充填される。その後、各キャビティ内に充填された液状または溶融状態の樹脂が硬化される。各キャビティ内に封止用樹脂を充填する方法としては、一般的に、キャスティングモールド法、インジェクションモールド法、トランスファーモールド法が採用されている。
【０００５】従来のキャスティングモールド法による封止用樹脂の充填方法について、図２５に基づいて説明する。この封止用樹脂の充填方法は、図２５（ａ）に示すように、まず、主剤９１ａと硬化剤９１ｂとを混合して液体状態の封止用樹脂９１を製造する。封止用樹脂９１としては、通常、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が使用される。得られた封止用樹脂９１は、図２５（ｂ）に示すように、よく撹拌して、図２５（ｃ）に示すように、脱泡槽９２によって脱泡された後に、図２５（ｄ）に示すように、注型機９３に投入される。
【０００６】このような状態で、図２５（ｅ）に示すように、多数のキャビティ９４ａがマトリクス状に形成された多連キャビティ回路基板９４が注型機９３にセットされて、注型機９３の空気圧送式、チュービング式、マイクロギアポンプ式等のディスペンサー９３ａによって各キャビティ９４ａ内に液体状態の封止用樹脂９１が充填される。多連キャビティ回路基板９４の各キャビティ９４ａ内には、予め発光素子がダイボンディングおよびワイヤーボンディングされており、全てのキャビティ９４ａ内に封止用樹脂９１が充填されると、多連キャビティ回路基板９４は、加熱炉９５によって加熱されて、各キャビティ９４ａ内の溶融状態の熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が硬化される。
【０００７】その後、多連キャビティ回路基板９４は、各キャビティ９４ａ毎に分割されることにより、回路基板のキャビティ内に設けられた発光素子が封止用樹脂９１によって封止されている超小型反射板付の発光デバイスが製造される。」
　
　上記記載によれば、刊行物４には、「発光素子がダイボンディングおよびワイヤーボンディングされたキャビティ内への封止用樹脂の充填において、主剤と硬化剤とを混合した液体状態の封止用樹脂をよく撹拌し脱泡したものをキャビティ内へ充填し、加熱炉によって加熱して硬化させること」が記載されているものと認められる。
　
（５）刊行物５　
　　原査定の拒絶理由に引用された特開平５−２０６５２４号公報（以下、「刊行物５」という。）には、光半導体用モールド樹脂について次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードなどの発光素子に樹脂材を用いてケース部を兼ねる発光レンズ部を設けるとき、該発光レンズ部が前記発光素子からの発光を拡散して外部に放射したいときに、前記樹脂材に混合される光拡散材に係るものである。」　
「【０００８】図２以降に示すものは本発明の光拡散材１を用いて拡散型の発光ダイオードなどを形成する工程を順次に示すもので、図２は前工程として光半導体用モールド樹脂３を予めに調合しておく工程を示し、透明なエポキシ樹脂２と前記光拡散材１とを高い混合率となるように混合し充分に攪拌した後に真空脱泡などの処理を行い光半導体用モールド樹脂３として次工程まで保存するものであるが、本発明により前記光拡散材１が鱗片状の形状とされたため、その重量に対する表面積が格段に増加したことと、形状的に整然と整列しにくいことにより、従来例で生じた比重差による沈澱が極度に減少するものとなる。」
　
　上記記載によれば、刊行物５には、「発光ダイオードのケース部を形成する樹脂について、エポキシ樹脂を攪拌した後に脱泡処理を行うこと」が記載されているものと認められる。
　
（６）刊行物６
　本願出願前に頒布された実願昭６２−５１５６４号（実開昭６３−１５９８５９号）のマイクロフィルムには、ＬＥＤランプの製造方法について次の記載がある。
「次いで製造工程の一例を第７図の（ａ）〜（ｇ）を用いて説明することにより、その構成をさらに詳述する。なお、以下の説明において（ａ）〜（ｇ）の各項目記号は第７図の（ａ）〜（ｇ）にそれぞれ対応する。
　（ａ）リードフレーム２１がプレス加工により準備される。リードフレーム２１には、第１〜第３のリード１、２、３、各ワイヤボンディング部１２ａ〜１２ｅおよび各チップマウント部１３ａ〜１３ｄ、１４等の電極パターンが３個連接されて量産性が高められている。
　（ｂ）リードフレーム２１にプラスチック製の反射皿４が射出成形により一体的に形成されてパッケージ５が構成される。この射出成形時にパッケージ５内に各テーパ状反射面８、１１および山形凸条９ａ〜９ｃが形成される。
　（ｃ）チップマウント部１３ａ〜１３ｄ、１４にＬＥＤチップ６ａ〜６ｄ、７がそれぞれダイマウントされ、次いで各ＬＥＤチップ６ａ〜６ｄ、７とワイヤボンディング部１２ａ〜１２ｅとの間にワイヤ１５がボンディングされる。
　（ｄ）桁照明部５ａおよびヘッド照明部５ｂにそれぞれ拡散剤１６ａの混入されたエポキシ樹脂１６が充填されてパッケージ５内の光拡散手段が構成される。
　（ｅ）リードフレーム２１のパターン連結部であるタイバーがカットされてエポキシ樹脂１６の充填されたパッケージ５が分割される。」（第８頁第１行〜第９頁８行）
　
　したがって、刊行物６には、ＬＥＤランプの製造工程について、「リードフレームのプレス加工−パッケージの成型−ＬＥＤチップのマウント−ワイヤボンディング−樹脂の充填−カットして個々のＬＥＤランプに分割」の順で行うことが記載されているものと認められる。
　
（６）刊行物７
　本願出願前に頒布された特開平１１−３４５９１２号公報（以下、「刊行物７」という。）には、ＬＥＤチップを用いた光源装置を面実装型半導体装置として構成すること（段落【０００４】）に関し、次の記載がある。
「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２１】図１は、本願発明が適用された面実装型半導体装置の一例を示す斜視図である。図２は、図１のII−II断面図である。図３ないし図５は、図１に示す面実装型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【００２２】図１および図２において、この面実装型半導体装置Ａは、面実装型光源装置として構成されている。この面実装型半導体装置Ａは、光半導体チップとしてのＬＥＤチップ１、このＬＥＤチップ１を埋設した樹脂パッケージ２、上記ＬＥＤチップ１と導通した第１のリード３ａ、第２のリード３ｂ、および補助部４を具備して構成されている。上記２本のリード３ａ，３ｂは、本願発明でいう導体に相当する。
【００２３】上記樹脂パッケージ２は、全体の形状が略直方体状であり、たとえばフィラを含有しない透明なエポキシ樹脂製である。この樹脂パッケージ２の上面２ａには、その一定領域を上方に膨出させた凸レンズとしてのレンズ部２９が一体的に形成されている。
【００２４】上記第１のリード３ａと第２のリード３ｂとのそれぞれは、たとえば銅板などの薄肉金属板を加工して構成されたものであり、上記樹脂パッケージ２内に埋没した内部リード３１ａ，３１ｂと、上記樹脂パッケージ２の外部に延出した外部リード３２ａ，３２ｂとを有している。上記外部リード３２ａ，３２ｂのそれぞれの先端部は、面実装用の端子部５ａ，５ｂとされており、これらの端子部５ａ，５ｂは樹脂パッケージ２の底面２ｂと略同一高さに位置し、かつその底面２ｂと略平行である。
【００２５】上記補助部４は、上記第１のリード３ａの内部リード３１ａに一体的に設けられており、上記樹脂パッケージ２内に埋設されている。この補助部４は、上向き開口状の凹部４０を形成するようにその全体形状が略カップ状または略受け皿状に形成されており、平面視略円形状の底部４１の全周囲に起立状の周壁部４２が連設された構造を有している。
【００２６】上記ＬＥＤチップ１は、上記補助部４の凹部４０内に配置され、上記底部４１の上面の略中央部に導電接着剤などを用いてボンディングされている。これにより、上記凹部４０の内壁面４３は、上記ＬＥＤチップ１の底面部分と周側面の全周とのそれぞれに対向しており、上記ＬＥＤチップ１から発せられた光を上方に向けて反射可能な凹面状の光反射面とされている。なお、上記内壁面４３の光の反射率を高めることを目的として、この内壁面４３に白色塗装を施したり、あるいは補助部４の外表面よりも光沢のある金属膜を形成するといった手段を採用してもかまわない。
【００２７】上記ＬＥＤチップ１は、その上面の電極がワイヤＷを介して第２のリード３ｂの内部リード３１ｂと導通接続されている。上記補助部４の凹部４０には、透明な被覆材６が充填されており、この被覆材６によってＬＥＤチップ１の全体およびこのＬＥＤチップ１とワイヤＷとのファーストボンディング部分とが被覆されている。上記被覆材６は、たとえばシリコーン樹脂であり、流動性を有する状態で上記凹部４０内に充填された後に加熱などによってゴム状にされたものであり、その弾性率は上記樹脂パッケージ２よりも小さい。
【００２８】上記面実装型半導体装置Ａは、図３に示すような製造用フレーム７を用いることにより、以下のような工程を経て製造される。
【００２９】上記製造用フレーム７は、銅板などの薄肉金属板を打ち抜きプレスして形成されたものであり、一定方向に延びる一対のサイドフレーム７１，７１、これら一対のサイドフレーム７１，７１からそれらの内方に延出して対をなすリード部７２ａ，７２ｂ、および上記サイドフレーム７１，７１どうしを繋ぐクロスフレーム７２を具備している。上記製造用フレーム７は、図３の符号Ｌで示す区間の構成をその長手方向に連続して繰り返し有するものである。上記リード部７２ａは、その先端部に上記補助部４を一体形成したものである。この補助部４は、上記製造用フレーム７を成形するときのプレス加工によって形成することが可能である。
【００３０】図４に示すように、上記製造用フレーム７の補助部４にはＬＥＤチップ１をボンディングした後に、このＬＥＤチップ１とリード部７２ｂとをワイヤＷを用いて結線するワイヤボンディング作業を行う。その後は、図５に示すように、上記ＬＥＤチップ１の上方から流動性をもたせた被覆材６を滴下し、この被覆材６によってＬＥＤチップ１の被覆作業を行う。その際、上記被覆材６は、補助部４の凹部４０内に充填することができる。したがって、この被覆材６がリード部７２ａの下方に不用意に垂れ落ちないようにすることができる。また、被覆材６を上記凹部４０内に充填させれば、ＬＥＤチップ１の全体または略全体をその被覆材６中に浸漬させた状態にすることができ、さほど多量の被覆材６を用いなくてもＬＥＤチップ１の被覆処理が効率良く行える。
【００３１】次いで、上記被覆材６を硬化させた後には、図５の符号Ｎで示す仮想線の部分を透明樹脂でモールドする。このモールド工程は、いわゆるトランスファモールド法によって好適に行うことができるが、この工程によってレンズ部２９を有する樹脂パッケージ２が成形される。その後は、一般の半導体装置製造工程と同様に、製造用フレーム７にいわゆるリードカット作業を施すとともに、そのリードを略Ｌ字状に屈曲させるリードフォーミング加工を施す。これにより、上記図１および図２に示した面実装型光源装置としての面実装型半導体装置Ａを得ることができる。」
　
　上記記載、特に段落【００２８】〜【００３１】の記載によれば、刊行物７には、ＬＥＤチップを用いた光源装置の製造工程について、「プレス加工によるフレームの形成−ＬＥＤチップをフレーム部にボンディング−ワイヤボンデング−樹脂の充填及びモールド−リードカットにより個々の光源装置に分離」の順で行うことが記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と刊行物１発明を比較するに、刊行物１発明の「半導体素子４」、「波長変換材料」、「陽極パターン２ａ及び陰極パターン２ｂ」、「樹脂のモールドケース７の凹状部７ａ」、「陽極パターン２ａと陰極パターン２ｂの間」、「透明樹脂３」、「半導体素子４のアノード電極及びカソード電極」、「金線等からなるボンディングワイヤ５」、「ワイヤーボンディング」及び「保護用の無色透明なエポキシ樹脂」がそれぞれ、本願補正発明の「半導体発光素子」、「波長変換材」、「陽極および陰極の電極パターン」、「開口部」、「隔離部」、「混入ペースト」、「半導体発光素子の陽極および陰極」、「金ワイヤ等」、「ワイヤーボンディング」及び「透明樹脂」にそれぞれ相当する。
　また、刊行物１発明におけるエポキシ樹脂と波長変換材料との重量比率１：３〜１：４は、本願補正発明の波長変換材と透明接着剤の重量比率である１：１から５：１の範囲内である。
　
　したがって、本願補正発明と刊行物１発明はともに、
「ＩｎＧａＡｌＰやＩｎＧａＡｌＮやＩｎＧａＮおよびＧａＮ系の透明性を有した半導体素子と波長変換材料を用いた光源装置であって、
　陽極および陰極の電極パターンがインサート成形された樹脂の底面部の互いに向かい合う前記陽極と前記陰極との間の隔離部に、波長変換材と透明接着剤との混入比率を重量比率として１：１から５：１の範囲で混合し調合した波長変換材と透明接着剤との混入ペーストにより、前記半導体素子を接着固定し、前記半導体素子の陽極及び陰極の電極と前記陽極および前記陰極の電極パターンとを金ワイヤ等でワイヤーボンディングし、前記樹脂の開口部に透明樹脂を充填してなる光源装置。」の発明に関するものである点で一致する。
　
　一方、本願補正発明と刊行物１発明は、本願補正発明が製造方法の発明であるのに対し、刊行物１発明は物の発明であって、次の点で相違する。
　
ａ．本願補正発明は、上記光源装置の製造に当たり、
・薄型リードフレームに陽極及び陰極の電極パターンをプレス
・前記薄板を樹脂にインサート成形
・混入ペーストにより半導体素子を樹脂の底部に接着固定
・ワイヤーボンディング
・開口部に透明樹脂を充填
・リードフレームに形成された電極端子等をカッティングして、個々の光源装置に分離
という順により製造されるものされているのに対し、刊行物１には、最初に陽極及び陰極の電極パターンをプレスする点、最後にリードフレームに形成された電極端子等をカッティングして個々の光源装置に分離する点及び上記製造の順についての明記がない点。
　
ｂ．混入ペーストにより半導体素子を樹脂の底部に接着する工程について、本願補正発明は、混入ペーストをスタンパにより転写し、前記混入ペーストを転写した上部位置に透明性を有した半導体発光素子を載置し、恒温槽に搬入し前記混入ペーストを硬化させる工程によるとされているのに対し、刊行物１にはこのような記載がない点。
　
ｃ．開口部に透明樹脂を充填する工程について、本願補正発明は、透明樹脂として「透明樹脂の基材と硬化剤とを攪拌し、前記基材と前記硬化剤とを完全に混合させるとともに混合攪拌気時に発生する気泡を脱泡して液状化することにより混合、脱泡した透明樹脂」を用いるとともに「恒温槽に搬入し前記透明樹脂を硬化させる」とされているのに対し、刊行物１にはこのような記載がない点。
　なお、この開口部に透明樹脂を充填する工程について、本件補正後の請求項２は、「前記透明樹脂を硬化させるための前記透明樹脂の基材と硬化剤とを攪拌し、…」と記載しているが、これより前に「透明樹脂」の記載はないことから、この部分は、「透明樹脂の基材と硬化剤とを攪拌し、…」との意味であると認められるので、相違点ｃについて上記のとおり認定した。
　
４．相違点についての検討
　相違点ａについて検討する。
　刊行物１には、電極パターン２ａ及び２ｂは、金属薄板からなるリードフレーム（【００２８】）にそのパターン形状が形成されたものである旨記載されており（【００３０】）、また、刊行物６及び７に記載されているように、最初に電極パターンをリードフレームにプレス加工し、最後にカットにより個々の光源装置に分離すること、また、上記の順により光源装置を製造することは周知の技術事項であるから、刊行物１発明を上記相違点ａに係る製造工程により製造することは、当業者が容易に成し得たものと認められる。
　
　相違点ｂについて検討するに、刊行物１には、「【００３１】…この透明樹脂３は、パターン２上に塗布したり、蛍光材混入インク等の印刷により印刷パターンとしてパターン２上に形成することができる。【００３２】図１における透明樹脂３は、モールドケース７の凹状部７ａ内の底面に露出するパターン３と半導体発光素子４の下面（電極を持たない面）との間に介在して設けられ、半導体発光素子４をパターン３に固着する接着剤としての機能も兼ねている。」と記載され、透明樹脂３を印刷により形成することが記載されているところであり、スタンパによる転写は、凸版印刷に類するものとして従来周知の技術といえるから、刊行物１発明において、半導体発光素子を載置する面への透明樹脂の形成方法としてスタンパによる転写を採用することに困難性は認められない。
　また、刊行物１の透明樹脂３は、上記のとおり接着剤としての機能を兼ねるものであるところ、例えば刊行物２や３にみられるように、接着剤を加熱により硬化させることは通常行われていることであり、その際に加熱を恒温層で行うことも適宜採用できる事項に過ぎないから、刊行物１発明において、透明樹脂３による半導体発光素子４のモールドケース７底部への接着固定について、上記相違点ｂに係るものとすることは、当業者が容易に成し得たものと認められる。
　
　相違点ｃについて検討するに、エポキシ樹脂を攪拌後に脱泡することは刊行物４及び５に記載されているように周知であり、刊行物４には主剤と硬化剤とを混合した液体状態の封止用樹脂をよく撹拌し脱泡したものをキャビティ内へ充填し、加熱炉によって加熱して硬化させることが記載されているところであり、この加熱工程を恒温槽で行うことも適宜採用しうる事項に過ぎないから、刊行物１発明における透明樹脂充填工程を上記相違点ｃに係るものとすることも当業者が容易に成し得ることであると認められる。
　
　以上のとおりであって、結局のところ、本願補正発明は、刊行物１発明を当該技術分野における通常の技術でもって製造したというにすぎず、それが奏するとする効果についても、上記刊行物１ないし７に記載された事項から当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、上記刊行物１発明に上記刊行物２〜７に記載される周知技術を適用することにより、当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たしていないので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１８年７月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１月２４日付け手続補正書の請求項１ないし４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項２】　ＩｎＧａＡｌやＩｎＧａＡｌＮやＩｎＧａＮおよびＧａＮ系の半導体発光素子および波長変換材料を用いた光源装置を製造する光源装置の製造方法において、
　以下のステップで製造することを特徴とする光源装置の製造方法。
　ステップ１：薄板リードフレームにパターンプレスを行う。
　ステップ２：前記パターンプレスを行った前記薄板を樹脂によりインサート成形を行う。
　ステップ３：波長変換材と透明接着剤との混合比率を重量比率として１：１から５：１の範囲で混合し調合した波長変換材と透明接着剤との混入ペーストを、前記半導体発光素子を載置する位置にスタンパにより転写する。
　ステップ４：前記混入ペーストを転写した上部位置に透明性を有した半導体発光素子を載置する。
　ステップ５：恒温槽に搬入し前記ペーストおよび前記透明接着剤を硬化させる。
　ステップ６：前記半導体発光素子の電極と前記薄板との間を電気的に接続する金ワイヤ等でワイヤーボンディングを行う。
　ステップ７：前記透明樹脂を硬化させるための前記透明樹脂の基材と硬化剤とを攪拌し、前記基材と前記硬化剤とを完全に混合させるとともに混合攪拌気時に発生する気泡を脱泡して液状化することにより混合、脱泡した透明樹脂を、前記半導体発光素子や前記金ワイヤ等を設けた前記インサート成形により形成された凹部の全体に充填する。
　ステップ８：恒温槽に搬入し前記透明樹脂を硬化させる。
　ステップ９：前記リードフレームに形成された複数の前記光源装置をカッティングして、個々の前記光源装置に分離する。」
　
２．判断
　本願発明は、上記本願補正発明から、その「パターン」が「陽極および陰極の電極パターン」である点、その「インサート成形」が「開口部や互いに向かい合う前記陽極と前記陰極との間に前記半導体発光素子を載置できる隔離部」を形成するものである点及びその「半導体発光素子」が「前記隔離部の前記樹脂の表面」に載置される点を欠くものであるから、上記II．［II］２．ないし４．での本願補正発明の独立特許要件についての検討内容からして、本願発明が上記刊行物１発明に上記刊行物２ないし７に記載される周知の技術を適用することにより、当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、上記刊行物１ないし７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。