【事件の表示】
　特願２００２−３５２７４５「半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月　２日出願公開、特開２００４−１８６４９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月４日の出願であって、平成１７年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１８年２月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月１０日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、その後同年３月２４日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年３月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月１０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５と補正すると共に、補正前の明細書の段落【００１３】ないし段落【００１６】を、補正後の明細書の段落【００１３】ないし段落【００１６】と補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５は以下のとおりである。
「　【請求項１】
　被処理基板の少なくとも一方の主面に対向して配置され、前記被処理基板の表面に向けて熱光線を発する熱光源と、
　前記熱光線が透過可能な材料により形成されて前記熱光源と前記被処理基板との間に配置されるとともに、前記熱光線を屈折させて前記被処理基板の表面に対する前記熱光線の入射角を０°±３°に設定することにより前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が複数箇所に設けられている少なくとも１つの光強度調整部材と、　を具備し、前記各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部はその屈折率および屈折角の少なくとも一方が他の前記各入射角調整部と異なっているとともに、前記被処理基板の表面に到達する前記熱光線の中に前記各入射角調整部により複数回屈折させた熱光線を含ませることを特徴とする半導体装置の製造装置。
　　【請求項２】
　前記入射角調整部は、前記光強度調整部材の前記熱光源と対向する側の主面および前記被処理基板と対向する側の主面の少なくとも一方の主面から突出して設けられた少なくとも１つの凸レンズ部、および少なくとも一方の前記主面から凹まされて設けられた少なくとも１つの凹レンズ部から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
　　【請求項３】
　前記入射角調整部は、その表面が多角形からなる平面が複数個集合して構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造装置。
　　【請求項４】
　前記熱光源と前記被処理基板との間に前記光強度調整部材が複数個設けられていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
　　【請求項５】
　被処理基板と、この被処理基板の少なくとも一方の主面に対向して配置されて前記被処理基板の表面に向けて熱光線を発する熱光源との間に、前記熱光線が透過可能な材料により形成されているとともに、前記熱光線を屈折させて前記被処理基板の表面に対する前記熱光線の入射角を０°±３°に設定することにより前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が複数箇所に設けられている光強度調整部材を少なくとも１つ配置するとともに、前記被処理基板の表面に向けて前記熱光線を発する半導体装置の製造方法であって、
　前記各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部はその屈折率および屈折角の少なくとも一方が他の前記各入射角調整部と異なっているとともに、前記被処理基板の表面に到達する前記熱光線の中に前記各入射角調整部により複数回屈折させた熱光線を含ませることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　〔補正事項１〕
　・補正事項１−１
　補正前の請求項１の「前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が少なくとも１つ設けられている少なくとも１つの光強度調整部材」を、
　補正後の請求項１の「前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が複数箇所に設けられている少なくとも１つの光強度調整部材」と補正すること。
　・補正事項１−２
　補正前の請求項１の「具備する」を、
　補正後の請求項１の「具備し、前記各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部はその屈折率および屈折角の少なくとも一方が他の前記各入射角調整部と異なっているとともに、前記被処理基板の表面に到達する前記熱光線の中に前記各入射角調整部により複数回屈折させた熱光線を含ませる」と補正すること。
　〔補正事項２〕
　補正前の請求項４の「前記入射角調整部は、その屈折率が前記光強度調整部材の他の部分の屈折率と異なる大きさからなる材料により形成されている」を、
　補正後の請求項４の「前記熱光源と前記被処理基板との間に前記光強度調整部材が複数個設けられている」と補正すること。
　〔補正事項３〕
　・補正事項３−１
　補正前の請求項５の「前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が少なくとも１つ設けられている光強度調整部材を少なくとも１つ配置した後」を、
　補正後の請求項５の「前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が複数箇所に設けられている光強度調整部材を少なくとも１つ配置するとともに」と補正すること。
　・補正事項３−２
　補正前の請求項５の「前記被処理基板の表面に向けて前記熱光線を発する」を、
　補正後の請求項５の「前記被処理基板の表面に向けて前記熱光線を発する半導体装置の製造方法であって、前記各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部はその屈折率および屈折角の少なくとも一方が他の前記各入射角調整部と異なっているとともに、前記被処理基板の表面に到達する前記熱光線の中に前記各入射角調整部により複数回屈折させた熱光線を含ませる」と補正すること。
　〔補正事項４〕
　補正前の明細書の段落【００１３】ないし段落【００１６】を、補正後の明細書の段落【００１３】ないし段落【００１６】と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
　〔補正事項１〕及び〔補正事項３〕について
　・補正事項１−１及び補正事項３−１について
　補正前の請求項１及び５の「前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部」について「少なくとも１つ設けられている」ことを、「複数箇所に設けられている」と補正することは、「１つ設け」る場合を除外するものであるから、補正事項１−１および補正事項３−１についての補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　・補正事項１−２および補正事項３−２について
　補正前の請求項１及び５の「入射角調整部」について、「各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部はその屈折率および屈折角の少なくとも一方が他の前記各入射角調整部と異なっているとともに、前記被処理基板の表面に到達する前記熱光線の中に前記各入射角調整部により複数回屈折させた熱光線を含ませる」と限定するものであるから、補正事項１−２および３−２についての補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　ところで、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の記載から、少なくとも１つの入射角調整部の屈折率を他の入射角調整部の屈折率と異ならせることは、特に、当初明細書等の「【００６６】　例えば、図１１（ａ）に示す光強度調整部材１１１では、その図示しない光源ユニットと対向する側の主面に、それぞれ所定の屈折率を有する材料からなる入射角調整部１１２が複数箇所に設けられている。これら各入射角調整部１１２のうちのいくつかは、屈折率が同じ大きさであってもよい。」、および「【００７１】　・・・また、図１２（ｂ）に示す光強度調整部材１２３では、その一方の主面に、それぞれ所定の屈折率を有する材料からなる入射角調整部としての凹レンズ部１２４が複数箇所に設けられている。これら各凹レンズ部１２４のうちのいくつかは、屈折率が同じ大きさであってもよい。」の記載から一応読み取ることはできる。しかしながら、少なくとも１つの入射角調整部の「屈折角」を他の入射角調整部の屈折角と異ならせることについては、当初明細書等には記載されていない。
　なお、当初明細書等には「屈折角」という用語自体が記載されていないところ、「屈折角」が通常の学術用語としての意味を有するものとして、当初明細書等全体の記載を見ても、補正後の請求項１における、「各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部」の「屈折角」が「他の前記各入射角調整部と異なっている」ものは把握できない。すなわち、当初明細書等における「【０００８】　・・・。この原因は、次に述べる通りである。ランプ直下では、ランプから放射された光がウェーハの表面に略垂直に入射する。これに対して、ランプからの距離が大きくなるにつれて、ウェーハの表面に入射する光の入射角が大きくなる。・・・。」なる記載から見て、「各入射角調整部」のそれぞれには、様々な入射角でランプからの光が入射し、その結果、「各入射角調整部」のそれぞれにおいては、様々な「屈折角」を有する光が透過するものと認められる。そして、様々な「屈折角」を有する光が透過する「各入射角調整部」を互いに比較して、「屈折角」が「異なっている」とは、どのような状態を指すのか不明であり、当然、そのようなものは当初明細書等の記載から把握することができない。
　したがって、補正後の請求項１及び５に記載される、「各入射角調整部のうち少なくとも１つの入射角調整部はその屈折率および屈折角の少なくとも一方が他の前記各入射角調整部と異なっているとともに、前記被処理基板の表面に到達する前記熱光線の中に前記各入射角調整部により複数回屈折させた熱光線を含ませる」ことは、当初明細書等に記載も示唆もされていない。
　よって、補正事項１−２および３−２をそれぞれ含む補正事項１および３についての補正は、いずれも願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　〔補正事項２〕について
　補正前請求項４の「前記入射角調整部は、その屈折率が前記光強度調整部材の他の部分の屈折率と異なる大きさからなる材料により形成されている」ことと、補正後の請求項４の「前記熱光源と前記被処理基板との間に前記光強度調整部材が複数個設けられている」ことは、前者が「入射角調整部」を形成する材料の屈折率についての発明特定事項であるのに対し、後者は、「光強度調整部材」を設ける個数についての発明特定事項であるから、後者が、前者の発明特定事項を限定したものでないことは明らかである。
　したがって、補正事項２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しないことが明らかであり、特許法第１７条の２第４項に掲げる他のいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　
（４）本件補正についてのまとめ
　したがって、補正事項１及び３についての補正を含む本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、補正事項２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に掲げるいずれの目的にも該当しないものであるから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（５）むすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項および同法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１８年３月１０日付けの手続補正は上記の通り却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年５月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　被処理基板の少なくとも一方の主面に対向して配置され、前記被処理基板の表面に向けて熱光線を発する熱光源と、
　前記熱光線が透過可能な材料により形成されて前記熱光源と前記被処理基板との間に配置されるとともに、前記熱光線を屈折させて前記被処理基板の表面に対する前記熱光線の入射角を０°±３°に設定することにより前記被処理基板の表面における前記熱光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が少なくとも１つ設けられている少なくとも１つの光強度調整部材と、
　を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。」(以下、「本願発明１」という。)
　
４．刊行物に記載された発明
（ａ）特開平３−２７６６２５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平３−２７６６２５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「（従来の技術）
　近年、半導体集積回路の進展に伴い、デバイスの微細化、高集積化が要求されている。その実現のための一つの方法として、低温かつイオンダメージのない半導体プロセスである光励起プロセスが注目されている。」(第２頁左上欄第１１ないし１６行)
「一方、近年、半導体プロセスに用いる基板の大口径化あるいは大面積デバイスの開発が進んでおり、これらの上に薄膜を堆積させたりこれらを加工する場合、その加工速度の基板表面内均一性の向上が必要となってきている。前述した光ＣＶＤ法等の光励起プロセスの場合このプロセスの加工速度の基板表面内均一性向上を達成するには、基板表面に照射される光の強度の面内均一性の向上を図らなければならない。」(第２頁右上欄第７ないし１５行)
「上述した光強度の基板表面内での不均一性の問題は光ＣＶＤのみならず光励起プロセス全般に対して存在し、基板への照射光の強度が前記基板表面内で不均一であることによりプロセスの加工速度が該面内で不均一となってしまう問題があった。」(第２頁右下欄第１１ないし１５行)
「（発明が解決しようとする課題）
　このように、従来の光励起を用いた半導体装置の製造装置では、基板への照射光の強度が光源の位置と相関して、この基板表面内で不均一となり従って光励起を用いたプロセスの加工速度も該面内で、不均一となってしまう問題があった。本発明は上記実情を鑑みてなされたもので、前述した問題を解決した半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。」(第２頁右下欄第１６行ないし第３頁左上欄第４行)
「（作用）
　本発明の半導体装置の製造装置であれば、光源からの不均一な光が、光均一化手段により補正され反応室内の試料台に載置された基板の表面に、均一に照射されるのでこの基板の表面で行う光励起プロセスの加工速度は、該面内で均一となる。」(第３頁左上欄第１５ないし２０行)
「前記光導入窓１６は第９図（ｂ）に示したような低圧水銀ランプの線状光源１３−１〜１３−ｎ直下のそれぞれの位置に対応して、それらと同じ数の棒状凸レンズ１６−１〜１６−ｎが一体的に成型されたものとなっている。前記凸レンズの凸側は光源と対向して配置され、その裏側は平面である。すなわち、前記光源１３−１〜１３−ｎは対応する前記凸レンズ１６−１〜１６−ｎの光軸上にあり、更に物体焦点に位置している。」(第３頁右上欄第１１ないし１９行)
「ランプ１３−ａより前方（基板２方向）に放射された光２５−１〜２５−ｎは、このランプ１３−ａが光導入窓の凸レンズ１６−ａの物体焦点にあるので、この凸レンズ１６−ａ通過後は屈折して平行光線２６−１〜２６−ｎとなって基板２表面に照射される。」(第３頁左下欄第１７行ないし同頁右下欄第２行)
「従って、これらの凸レンズを第１図に示すように配置すれば、基板２に対して均一な光が照射される。この場合、凹面鏡はなくてもよい。」(第３頁右下欄第９ないし１１行)
「この実施例装置は光励起エッチング装置であり、その構成は前述した実施例における光ＣＶＤ装置の構成とほぼ同様なので、第１図を用いてこの実施例を詳細に説明する。」(第６頁右下欄第１ないし４行)
「次に、消費電力が２００ＷのＨｇ−Ｘｅランプ１３（光源）を点灯し、前記基板２の表面に照射することにより、該表面に形成されたポリシリコン膜のエッチングを行う。この時、第１の実施例で述べたように前記基板２表面内の光強度分布は第９図に示される従来型の光ＣＶＤ装置と同様の構成のエッチング装置に比べて大幅に均一化され、これにより該表面内のエッチング速度を均一化することができる。」(第６頁右下欄第１４行ないし第７頁左上欄第１行)
「さらに、以上述べた第１乃至第７の実施例において、光導入窓に用いられる材料は光源からの光を透過させる材料であれば何でもよいが光源に低圧水銀ランプを用いる場合、合成石英や溶融石英、ＣａＦ２、等の材料が特に良い。」(第７頁右上欄第１６ないし２０行)
　
　また、刊行物１の第２図を見ると、基板２に対向して配置されたランプから発せられた光２５−１〜２５−ｎが、棒状凸レンズ１６−ａにより平行光線２６−１〜２６−ｎとされ、該平行光線２６−１〜２６−ｎが基板２表面にほぼ垂直に照射されるものと認められる。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「エッチングされる基板(２)の表面に対向して配置され、前記基板(２)の表面に向けて光を発する光源(１３)であるＨｇ−Ｘｅランプと、光源(１３)からの光を透過させる材料からなり前記光源(１３)直下の位置に対応する凸レンズ(１６−１〜１６−ｎ)が一体的に成型された光導入窓(１６)が、前記光源(１３)と前記基板(２)との間にあり、かつ、前記光源(１３)であるＨｇ−Ｘｅランプから前記基板(２)表面に向けて放射された光(２５−１〜２５−ｎ)が前記凸レンズ(１６−１〜１６−ｎ)のそれぞれにおいて屈折され、平行光線(２６−１〜２６−ｎ)となって前記基板(２)表面にほぼ垂直に照射されるように配置することにより、前記基板(２)表面に対して均一な光が照射される光励起エッチング装置。」
(以下、「刊行物発明」という。)
　
５．対比・判断
　
５-１-１．本願発明１と刊行物発明とを対比する。
(ａ)刊行物発明の「エッチングされる基板(２)」は、本願発明１の「被処理基板」に相当する。
(ｂ)刊行物発明の「エッチングされる基板(２)の表面」は、本願発明１の「被処理基板の少なくとも一方の主面」に相当する。
(ｃ)刊行物発明における「光源(１３)であるＨｇ−Ｘｅランプ」と、本願発明の「熱光線を発する熱光源」とを比較すると、「光源(１３)であるＨｇ−Ｘｅランプ」が光線を発する光源であることは明らかであるから、両者は「光線を発する光源」である点で共通する。
(ｄ)刊行物発明の「凸レンズ(１６−１〜１６−ｎ)」は、各凸レンズ(１６−１〜１６−ｎ)において光(２５−１〜２５−ｎ)を屈折させて前記エッチングされる前記基板(２)の表面にほぼ垂直に照射させることにより、前記基板(２)表面に対して均一な光が照射されるようにしているから、本願発明１の「入射角調整部」に相当する。
(ｅ)刊行物発明の「光導入窓(１６)」は、前記凸レンズ(１６−１〜１６−ｎ)が一体的に成型され、その材料が光源からの光を透過させるものであるとともに、前記光源(１３)と前記基板(２)との間にあるから、本願発明１の「光が透過可能な材料により形成されて」「光源と前記被処理基板との間に配置されるとともに」、「入射角調整部が少なくとも１つ設けられている」「光強度調整部材」に相当する。
(ｆ)刊行物発明の「光励起エッチング装置」は、本願発明１の「半導体装置の製造装置」に相当する。
　
　したがって、刊行物発明と本願発明１とは、
「被処理基板の少なくとも一方の主面に対向して配置され、前記被処理基板の表面に向けて光線を発する光源と、
　前記光線が透過可能な材料により形成されて前記光源と前記被処理基板との間に配置されるとともに、前記光線を屈折させて前記被処理基板の表面に入射させることにより前記被処理基板の表面における前記光線の強度を略均一の大きさに調整する入射角調整部が少なくとも１つ設けられている少なくとも１つの光強度調整部材と、
　を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　・相違点１
　本願発明１が、光源として「熱光線を発する熱光源」を用いているのに対し、刊行物発明においては「Ｈｇ−Ｘｅランプ」を用いている点。
　・相違点２
　本願発明１が「前記熱光線の入射角を０°±３°に設定」しているのに対し、刊行物発明においては、「Ｈｇ−Ｘｅランプから前記基板(２)表面に向けて放射された光(２５−１〜２５−ｎ)」が屈折され、「平行光線(２６−１〜２６−ｎ)となって」、「前記基板(２)表面にほぼ垂直に照射され」てはいるものの、具体的な入射角度範囲が設定されていない点。
　
５-２．当審の判断
　以下、前記各相違点について検討する。
　
　・相違点１について
　例えば、本願の出願前に頒布された特開平１１−２０１９５９号公報の図３(ランプの波長に対する放射特性を示すグラフ)にも記載されているとおり、Ｈｇ−Ｘｅランプから発せられる光は、２００ｎｍから１０００ｎｍの波長の光を含むものであって、通常熱光線とされる赤外波長域の光を含み、しかも、該赤外波長域を含む波長６００ｎｍないし１０００ｎｍの範囲において、本願明細書に記載された本願発明の実施例(特に段落【００２８】末尾文)においても用いられているＸｅランプから発せられる光と類似のスペクトル分布を有していることは周知の事項であるから、刊行物発明における「Ｈｇ−Ｘｅランプ」は、「熱光線を発する熱光源」ということができる。したがって、相違点１は実質的なものでない。
　仮に、相違点１が実質的なものであるとしても、刊行物発明において、光源である「Ｈｇ−Ｘｅランプ」を「熱光線を発する熱光源」に置換することは、次に示す理由により、当業者が容易になし得たことである。
　刊行物１には、「光励起プロセス」の「基板表面内均一性を達成するために」、「基板表面に照射される光の強度の面内均一性を図る」ことが記載されており、前記「光励起プロセス装置」としては、刊行物発明に係る光励起エッチング装置の他、光ＣＶＤ装置が記載されているところ、例えば、本願の出願前に頒布された特開平４-３０５２４４号公報(「【０００２】【従来の技術】・・・光励起プロセス装置は、現在、クリーニング装置やアニーリング装置へ応用されはじめ、さらに成膜装置やエッチング装置などへの応用が検討されている。近年では、超ＬＳＩ製造プロセスの大面積化にともなって、光励起プロセス装置の照明装置にも高照度および均一性を保った上での大面積化が要求されている。」)にも記載されているように、光励起プロセス装置としては、前記光励起エッチング装置及び光ＣＶＤ装置のみならず、アニーリング装置、すなわちアニール装置も周知であり、該アニール装置においても、基板表面に照射される光の強度の面内均一性が求められることは明らかである。そして、例えば、本願の出願前に頒布された特開２００２-６４０６９号公報(「【０００２】【従来の技術】半導体製造装置の一つとして、半導体ウエハ（以下ウエハという）を熱輻射ランプにより加熱して、アニールやＣＶＤ等を行う枚葉式熱処理装置がある。このような熱処理装置の一例を図１１に示すと、処理容器１１と、ウエハＷを載置する、鉛直軸まわりに回転自在に設けられるリング状の載置台１２と、この載置台１２と例えば石英よりなる平板状の光透過窓１３を介して対向する熱輻射ランプ１４とを備え、載置台１２にてウエハＷの周縁部を下方側から支持し、処理容器１１の一方側の側壁から所定の処理ガスを供給しながら他方の側壁側から排気して、ウエハＷを所定の温度で加熱し、熱処理例えばアニールを行う構成が知られている。」)にも記載されているように、アニール装置においては、光源として熱輻射ランプ、すなわち「熱光線を発する熱光源」を用いることは当然の事項である。したがって、刊行物発明の構成を用いてアニール装置とすべく、光源である「Ｈｇ−Ｘｅランプ」を「熱光線を発する熱光源」に置換することは、当業者が容易になし得たことである。
　
・相違点２について
　刊行物発明においては、「平行光線(２６−１〜２６−ｎ)」が、「前記基板(２)表面にほぼ垂直」、すなわち、入射角がほぼ０°で照射されるように、「光源(１３)」および「光導入窓(１６)」が配置されている。そして、その際、具体的な入射角度範囲をどのように設定するかは、当業者が費用対効果等を考慮して適宜決定し得る設計的事項といえるものであるから、刊行物発明において、入射角度を本願発明の如く「０°±３°に設定」することは、当業者が容易になし得た事項である。
　
　よって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。