(57)【要約】  第４級アンモニウム塩と、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液により使用日数が経過して炭酸が溶解しても性能が低下しにくいレジストの剥離液を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第４級アンモニウム塩と、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液。
【請求項２】
アルカノールアミンがモノエタノールアミンであり、脂肪族アミンがエチレンジアミンである請求項１記載のレジストの剥離液。
【請求項３】
更に、有機溶媒を含有するものである請求項１または２記載のレジストの剥離液。
【請求項４】
有機溶媒として、少なくともスルホキシド類を用いるものである請求項３記載のレジストの剥離液。
【請求項５】
アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含む第１液と、第４級アンモニウム塩を含む第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キット。
【請求項６】
レジストが施された基材を、請求項１〜４の何れかに記載のレジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法。
【請求項７】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法において、レジストの除去を請求項１〜４の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含む半導体基板の製造方法において、レジストの除去を請求項１〜４の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項９】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むフラットパネルディスプレイの製造方法において、レジストの除去を請求項１〜４の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１０】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むリードフレームの製造方法において、レジストの除去を請求項１〜４の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストが施された基材からレジストを剥離することができるレジストの剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造、主にセミアディティブ法で用いられるレジスト（ドライフィルム）の剥離液には微細配線化に伴いアミン系の剥離液が用いられている。【０００３】
しかしながら、従来のアミン系のレジストの剥離液は空気中の炭酸ガスの溶解に伴い、炭酸塩類が蓄積することで剥離性能が低下することが知られている。【０００４】
そのため、この剥離性能の低下の問題を解決するため、剥離液を電解再生する、剥離処理チャンバーへ二酸化炭素を除去した空気を送り込み、剥離液の性能低下を抑える等の技術が報告されている（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−７９８３０号公報
【特許文献２】特開２０１３−１８３０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これらの技術ではレジストの剥離液中への炭酸の溶解は防止できないため、炭酸が溶解しても性能が低下しにくい剥離液を提供することを本発明の課題とした。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、これまでレジストの剥離液に用いられていたアミンとして、構造の異なる２種類のものを用いることにより、炭酸が溶解しても性能が従来の剥離液ほど低下しないことを見出し、本発明を完成させた。【０００８】
すなわち、本発明は、第４級アンモニウム塩と、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液である。【０００９】
また、本発明は、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含む第１液と、第４級アンモニウム塩を含む第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キットである。【００１０】
更に、本発明は、レジストが施された基材を、上記レジストの剥離液で処理することを特徴とするめっきレジストの除去方法である。【００１１】
また更に、本発明は、レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法において、レジストの除去を上記レジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のレジストの剥離液は、使用日数が経過して、液中に炭酸が溶解しても性能が従来の剥離液ほど低下しにくい。【００１３】
また、本発明のレジストの剥離液は、使用日数が経過した後も、消費成分（例えば、第４級アンモニウム塩）を補給するだけで性能が回復する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のレジストの剥離液（以下、単に「本発明剥離液」という）に用いられる第４級アンモニウム塩は、特に限定されないが、例えば、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。これら第４級アンモニウム塩は１種または２種以上を用いることができる。本発明剥離液における、第４級アンモニウム塩の含有量は、特に限定されないが、例えば、１〜２５ｇ／Ｌ、好ましくは５〜２０ｇ／Ｌである。
【００１５】
本発明剥離液に用いられるアルカノールアミンは、特に限定されないが、例えば、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（ジメチルアミノ）エタノール等が挙げられる。これらアルカノールアミンは１種または２種以上を用いることができる。本発明剥離液における、アルカノールアミンの含有量は、特に限定されないが、例えば、１０〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは４０〜１００ｇ／Ｌである。
【００１６】
本発明剥離液に用いられる脂肪族アミンは、特に限定されないが、例えば、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。これら脂肪族アミンは１種または２種以上を用いることができる。本発明剥離液における、脂肪族アミンの含有量は、特に限定されないが、例えば、０.５〜４０ｇ／Ｌ、好ましくは８〜２５ｇ／Ｌである。
【００１７】
本発明剥離液においては、上記アルカノールアミンと脂肪族アミンの組み合わせは特に限定されないが、例えば、上記アルカノールアミンがモノエタノールアミンであり、脂肪族アミンがトリエチルアミンまたはエチレンジアミンであることが好ましく、エチレンジアミンであることがより好ましい。
【００１８】
本発明剥離液には、更に、有機溶媒を含有させてもよい。本発明剥離液に用いられる有機溶媒は、特に限定されないが、例えば、スルホキシド類、グリコール類、ラクタム類等が挙げられる。
【００１９】
上記スルホキシド類としては、例えば、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。本発明剥離液における、スルホキシド類の含有量は、特に限定されないが、例えば、１〜４０ｇ／Ｌ、好ましくは３.５〜１０ｇ／Ｌである。
【００２０】
上記グリコール類としては、例えば、プロピレングリコ−ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる、本発明剥離液における、グリコール類の含有量は、特に限定されないが、例えば、１０〜１００ｇ／Ｌ、好ましくは２０〜６０ｇ／Ｌである。
【００２１】
上記ラクタム類としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。本発明剥離液における、ラクタム類の含有量は、特に限定されないが、例えば、１０〜８００ｇ／Ｌ、好ましくは１０〜５０ｇ／Ｌである。
【００２２】
上記有機溶媒は１種または２種以上を用いることができるが、少なくともスルホキシド類を用いることが好ましく、スルホキシド類とグリコール類を用いることがより好ましく、特にジメチルスルホキシドとプロピレングリコールを用いることが好ましい。
【００２３】
更に、本発明剥離液は、上記成分のみで構成されることが好ましいが、本発明の効果を損なわない限り、例えば、泡消剤等を含有させてもよい。なお、本発明剥離液には、本発明の効果を損うため、発泡性のある界面活性剤等は含有させない方がよい。
【００２４】
以上説明した本発明剥離液は上記成分を水に溶解することにより調製できる。
【００２５】
本発明剥離液は、全成分を予め水に溶解させて調製したものでもよいし、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含む第１液（必要により有機溶媒）と、第４級アンモニウム塩を含む第２液とを含むレジストの剥離液キットを利用して、使用時に調製してもよい。
【００２６】
本発明剥離液を用いてレジストが施された基材を処理することにより、レジストが細かく粉砕され、レジストを除去することができる。
【００２７】
レジストが施された基材を、本発明剥離液で処理する条件は特に限定されないが、例えば、１０〜８０℃にした本発明剥離液に、基材を１〜６０分間程度浸漬する条件や、１０〜８０℃にした本発明剥離液を基材に１〜６０分間程度噴霧する条件が挙げられる。なお、浸漬の際には、基材を揺動したり、本発明剥離液に超音波をかけてもよい。
【００２８】
レジストの種類は、特に限定されないが、例えば、アルカリ可溶タイプのものが好ましい。このようなアルカリ可溶タイプのレジストしては、例えば、ＵＦＧ−２５８（ＳＡＰ用２５μｍ厚)（旭化成株式会社製）等が挙げられる。
【００２９】
レジストが施される基材は、特に限定されないが、例えば、プリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、リードフレームに用いられる各種金属や合金で形成された、薄膜、基板、部品等が挙げられる。
【００３０】
上記のようにして本発明剥離液は、レジストが施された基材からレジストを除去することができるため、このようなレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、リードフレーム等の製造方法に用いることができる。
【００３１】
上記製造方法の中でもレジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法が好ましく、特にセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法が好ましい。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。【００３３】
実  施  例  １
剥離液の調製：
以下の表１に記載の成分を水に溶解し、剥離液を調製した。【００３４】
【表１】
2017195453.tif 000002
（）の数値はｇ／Ｌである。
ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＴＥＡ：トリエタノールアミン
ＤＭＡＥ：２−（ジメチルアミノ）エタノール
ＥＤＡ：エチレンジアミン
ＴＥＮ：トリエチルアミン
ＰＧ：プロピレングリコール
ＤＧＭＥ：ジエチレングリコールモノエチルエーテル
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
【００３５】
実  施  例  ２
剥離液の性能：
（１）剥離試験
銅張積層板（古河電工（株）製：ＣＣＬ：電解銅箔ＧＴＳ  ３５μｍ箔）上にドライフィルム（旭化成製：ＵＦＧ−２５８（ＳＡＰ用）：２５μｍ厚）をラミネートから露光を実施した基板を用い、５０×５０ｍｍ２へ切り出したものを試験片とした。【００３６】
液温を５０℃にした各剥離液に上記試験片を浸漬して１往復／１秒で基板を揺動させ、完全にドライフィルムが剥離されるまでの時間および剥離後の剥離片サイズ（長辺）を測定した。【００３７】
（２）耐炭酸ガス性
剥離液（１Ｌ）に対して、液温５０℃を保持しながらエアー流量１Ｌ／ｍｉｎで空気バブリングを１９２時間（８日間）実施した。バブリング後に（１）と同様の剥離試験を行った。【００３８】
（３）回復性
（２）のバブリング後に、滴定分析で消費成分を分析したところ、第４級アンモニウム塩が消費されていることがわかった。そこで第４級アンモニウム塩を表１の組成に戻る量で補給した。補給後に（１）と同様の剥離試験を行った。【００３９】
（４）結果
上記試験の結果を表２に示した。【００４０】
【表２】
2017195453.tif 000003
【００４１】
以上の結果から、アミン類としてアルカノールアミンと脂肪族アミンを２種類用いることによりバブリング８日後でも従来の剥離液ほど性能（特に剥離サイズ）が低下しなかった。また、消費成分を補給することにより剥離液は元の性能に近い状態となった。上記剥離液の中でも実際のラインでの使用を考慮すると、剥離時間とサイズから組成２および５が好ましく、特にバブリング８日後の性能から組成２が好ましいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法に利用できる。
以    上
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第４級アンモニウム塩と、アルカノールアミン、スルホキシド類、グリコール類および脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液。
【請求項２】
アルカノールアミンがモノエタノールアミンであり、脂肪族アミンがエチレンジアミンである請求項１記載のレジストの剥離液。
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
（削除）
【請求項５】
アルカノールアミン、スルホキシド類、グリコール類および脂肪族アミンを含む第１液と、第４級アンモニウム塩を含む第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キット。
【請求項６】
レジストが施された基材を、請求項１、２または１１の何れかに記載のレジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法。
【請求項７】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法において、レジストの除去を請求項１、２または１１の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含む半導体基板の製造方法において、レジストの除去を請求項１、２または１１の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項９】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むフラットパネルディスプレイの製造方法において、レジストの除去を請求項１、２または１１の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１０】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むリードフレームの製造方法において、レジストの除去を請求項１、２または１１の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
スルホキシド類がジメチルスルホキシドであり、グルコール類がプロピレングリコールである請求項１または２に記載のレジストの剥離液。
【請求項１２】
スルホキシド類がジメチルスルホキシドであり、グルコール類がプロピレングリコールである請求項５記載のレジストの剥離液キット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月6日(2018.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第４級アンモニウム塩と、アルカノールアミン、スルホキシド類、グリコール類および脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液。
【請求項２】
アルカノールアミンがモノエタノールアミンであり、脂肪族アミンがエチレンジアミンである請求項１記載のレジストの剥離液。
【請求項３】
スルホキシド類がジメチルスルホキシドであり、グルコール類がプロピレングリコールである請求項１または２に記載のレジストの剥離液。
【請求項４】
アルカノールアミン、スルホキシド類、グリコール類および脂肪族アミンを含む第１液と、第４級アンモニウム塩を含む第２液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キット。
【請求項５】
スルホキシド類がジメチルスルホキシドであり、グルコール類がプロピレングリコールである請求項４記載のレジストの剥離液キット。
【請求項６】
レジストが施された基材を、請求項１〜３の何れかに記載のレジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法。
【請求項７】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法において、レジストの除去を請求項１〜３の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含む半導体基板の製造方法において、レジストの除去を請求項１〜３の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項９】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むフラットパネルディスプレイの製造方法において、レジストの除去を請求項１〜３の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１０】
レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むリードフレームの製造方法において、レジストの除去を請求項１〜３の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【国際調査報告】
2017195453.tif 000004
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2017195453.tif 000006
2017195453.tif 000007
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