【事件の表示】
　特願２００４−１７２８４４「配線基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２２日出願公開、特開２００５−３５３８３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年６月１０日の出願であって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１９年８月２４日付の手続補正書により請求項の削除を目的として補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
 
「【請求項１】
　導体層と誘電体層とが交互に積層される配線基板であって、
　前記導体層は、配線層と電源又はグランド層とを有し、該電源又はグランド層には、これらを厚さ方向に貫く複数のガス抜き孔が形成されるとともに、
　前記配線層と前記電源又はグランド層とが前記誘電体層を挟んで隣接する積層構造においては、前記配線層に形成され、１ＧＨｚよりも高い周波数の信号が伝達される信号配線に対して、５０μｍの限界近接距離を隔てて平行をなす領域に、複数の前記ガス抜き孔が並んだガス抜き孔列が形成されており、
　前記電源又はグランド層に形成される前記ガス抜き孔列に含まれない前記ガス抜き孔は、前記電源又はグランド層において、予め定められた格子配列の格子点上に形成され、
　かつ前記格子点のうち、前記信号配線を前記電源又はグランド層に対して層厚方向に投影したときの、投影された前記信号配線、および前記ガス抜き孔列をなす前記ガス抜き孔と重なる前記格子点上には形成されないことを特徴とする配線基板。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された、特開２００２−３２４９７９号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平６−２９１２１６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面と共に、次の事項が記載されている。 
　
（１）刊行物１（特開２００２−３２４９７９号公報）
（１ａ）「【請求項１】複数の貫通孔を備える導体層と、
この導体層に接する絶縁層と、
上記絶縁層を介して上記導体層と対向し、信号が伝送される信号配線層と、を積層してなる配線基板であって、
上記導体層は、
厚さ方向に投影した上記信号配線層に対応する配線対応領域と、
この配線対応領域を除く配線非対応領域とを含み、
上記貫通孔は、
上記導体層のうち上記配線非対応領域に配置されてなる配線基板。
【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、
前記貫通孔のうち少なくともいずれかは、前記配線非対応領域のうち、前記配線対応領域の近傍であって、この配線対応領域に沿う側部に形成されてなる配線基板。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に関し、特に、信号配線層と導体層とが絶縁層を介して電磁的に結合して、信号が伝送される配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層と信号配線層やベタ状の導体層などとを交互に積層した配線基板が知られている。これらの配線基板のうち、伝送される信号の周波数が高いものでは、信号の伝送路として信号配線層とベタ状の導体層とを電磁的に結合させ、ストリップライン構造やマイクロストリップライン構造などの構造とすることがある。
【０００３】一方、絶縁層と導体層とを交互に積層した配線基板において、ベタ状など大きな面積の導体層を形成するに際しては、導体層に格子状など所定間隔で円形や四角形状貫通孔を多数形成したり、導体層自身をメッシュ状にして、上下の絶縁層が貫通孔（メッシュの目）を通じて互いに直接結合するように構成することが、しばしば行われている。
【０００４】その理由の第１は、・・・。第２には、焼成あるいはキュア、熱処理などの際、絶縁層よりも導体層はガス抜け性が悪いため、大きな面積の導体層があると、これらの処理などにおいてそれよりも下層の絶縁層や導体層から発生するガスの放散が、この大きな面積の導体層によって妨害されやすい。すると、絶縁層とこれに接する導体層との間に空洞（フクレ）が発生することがあり、このようなフクレは絶縁層と導体層との密着強度をさらに低下させるからである。従って、信号配線層と電磁的に結合する導体層についても、絶縁層との密着強度やフクレ防止のためには、多数の貫通孔を形成したりメッシュ状とするのが適当であることとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、信号配線層と電磁的に結合している導体層において、上述のように多数の貫通孔を形成したり、導体層をメッシュ状とすると、例えば、図６に示すように、導体層のうち、ちょうど信号配線層と対向する部分に、貫通孔が位置することとなる場合が生じる。・・・信号配線層４の特性インピーダンスは、導体層２と信号配線層４とが重なる場合と、貫通孔２Ｂと信号配線層４とが重なる場合とでは異なるため、一本の信号配線層４について、その長手方向に特性を見ると、部分的に特性インピーダンスなどの特性の変動が生じることとなる。これため、この信号配線層４で伝送される信号について、反射や歪みなどが生じるから、信号伝送の遅れや誤りを生じる可能性がある。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、密着強度が高くて信頼性の高い、しかも、信号配線層について特性インピーダンスなどの特性変動を抑制した配線基板を提供することを目的とする。」
　
（１ｃ）「【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてその解決手段は、複数の貫通孔を備える導体層と、この導体層に接する絶縁層と、上記絶縁層を介して上記導体層と対向し、信号が伝送される信号配線層と、を積層してなる配線基板であって、上記導体層は、厚さ方向に投影した上記信号配線層に対応する配線対応領域と、この配線対応領域を除く配線非対応領域とを含み、上記貫通孔は、上記導体層のうち上記配線非対応領域に配置されてなる配線基板である。
【０００８】本発明の配線基板では、貫通孔は、導体層のうち配線対応領域を除く配線非対応領域に形成されている。つまり、信号配線層は貫通孔の無い配線対応領域と結合するから、信号配線層の長手方向に見た場合の信号配線層と導体層との電磁的な結合状態の変化が少ない。従って、信号配線層について、部分的な特性インピーダンス等の特性変動を抑制することができる。・・・
【０００９】さらに、上記配線基板であって、前記貫通孔のうち少なくともいずれかは、前記配線非対応領域のうち、前記配線対応領域の近傍であって、この配線対応領域に沿う側部に形成されてなる配線基板とすると良い。
【００１０】・・・これに対し、本発明の配線基板では、上記に加えて、配線非対応領域のうち、配線対応領域に沿う側部に貫通孔を形成する。このため、配線対応領域を含むこの貫通孔の近傍では、ガス抜け性や上下絶縁層の密着性などが良好となるから、導体層の配線対応領域におけるフクレを防止でき、より信頼性の高い配線基板とすることができる。
・・・
【００１４】本発明の配線基板では、貫通孔は、導体層のうち配線対応領域を除く配線非対応領域に形成されている。つまり、信号配線層は貫通孔の無い配線対応領域と結合するから、信号配線層の長手方向に見た場合の信号配線層と導体層との電磁的な結合状態の変化が少ない。従って、信号配線層について、部分的な特性インピーダンス等の特性変動を抑制することができる。」
　
（１ｄ）「【００２７】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実施形態について、図１〜図４を参照しつつ説明する。図１に示す配線基板１０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる厚さ約６００μｍのコア基板１１の表裏面に、Ｃｕからなり厚さ約２０μｍの導体層や信号配線層などの金属層と、エポキシ樹脂からなる厚さ約３５μｍの樹脂絶縁層とが交互に積層されてなる。なお、本実施形態では、表面側のみ図示して説明を進めることとし、裏面側の図示及び説明を省略する。コア基板１１の表面１１Ｂには、交流的に接地される（具体的には接地される）第１導体層１２、第１絶縁層１３、複数の信号配線層１４、第２絶縁層１５、交流的に接地される（具体的には＋の電源電位とされる）第２導体層１６、第３絶縁層１７がこの順に積層されてなる。
【００２８】この断面構造を有する配線基板１０は、信号配線層１４が、第１，第２絶縁層１３，１５を介して、接地された第１，第２導体層１２，１６に挟まれて電磁的に結合し、いわゆるストリップライン構造の信号伝送路を構成しており、信号配線層１４により信号が伝送される。
・・・
【００３２】次いで、第１導体層１２の平面的な形態を図３に示す。第１導体層１２は、ベタ状の導体層であり、多数の貫通孔１２Ｂ，１２Ｅ，１２Ｈ，１２Ｌを備える。このような貫通孔１２Ｂ等を形成するのは、コア基板１１と第１絶縁層１３とを貫通孔１２Ｂ等を介して直接接続し、配線基板１０の強度を高めるためである。また、配線基板１０の製造に際して、第１絶縁層１３のキュアなど繰り返しかかる加熱によって、コア基板１１から生じるガスを貫通孔１２Ｂ等を通じて外部に放散させ、コア基板１１と第１導体層１２との間にフクレが生じるのを防ぐためである。なお、図１に示す部分拡大断面図は、図３における、Ｘ−Ｘ’断面である。
【００３３】このような目的で第１導体層に貫通孔を形成する場合には、例えば、残部１２Ｋに格子状に配列した円形の貫通孔１２Ｌのように、格子状など規則正しく配列すれば足りる。しかしながら、前記した課題があるため、本配線基板１０では、貫通孔と信号配線層１４との関係を考慮し、貫通孔１２Ｂ，１２Ｅ，１２Ｈを形成している。なお、貫通孔１２Ｂ，１２Ｅ，１２Ｈ，１２Ｌは、いずれも内部全体にコア基板１１が露出している。
【００３４】第１導体層１２は、破線で示すように、信号配線層１４を厚さ方向（図３中紙面に垂直な方向）に投影した配線対応領域と、それ以外の配線非対応領域とに分けられる。配線対応領域には、信号配線層１４の第１平行配線部１４Ｂに対応する第１平行配線対応部１２Ｃ、第２平行配線部１４Ｃに対応する第２平行配線対応部１２Ｆ、及び、第３平行配線部１４Ｄに対応する第３平行配線対応部１２Ｉが含まれる。一方、配線非対応領域には、第１平行配線対応部１２Ｃ同士の間に位置する第１平行配線間対応部１２Ｄ、第２平行配線対応部１２Ｆ同士の間に位置する第２平行配線間対応部１２Ｇ、第３平行配線対応部１２Ｉ同士の間に位置する第３平行配線間対応部１２Ｊ、及び残部１２Ｋが含まれる。貫通孔１２Ｂ，１２Ｅ，１２Ｈ，１２Ｌはいずれも、配線非対応領域に形成されている。・・・
【００３５】図３から容易に理解できるように、第１長形貫通孔１２Ｂは、第１平行配線対応部１２Ｃ同士の間に位置する第１平行配線間対応部１２Ｄ内に形成されている。つまり、信号配線層１４の第１平行配線部１４Ｂと対応する第１平行配線対応部１２Ｃには貫通孔が形成されていない。このため、第１平行配線部１４Ｂの長さ方向である第１長さ方向Ｈ１に見て、信号配線層１４のうち、この第１平行配線部１４Ｂの特性インピーダンス等の特性は、ほとんど変動しない。
・・・
【００４１】次いで、第２平行配線対応部１２Ｆ及び第２平行配線間対応部１２Ｇについて考察する。図３から容易に理解できるように、第２長形貫通孔１２Ｅは、第２平行配線対応部１２Ｆ同士の間に位置する第２平行配線間対応部１２Ｇ内に形成されている。このため、第２平行配線部１４Ｃの長さ方向である第２長さ方向Ｈ２に見て、この第２平行配線部１４Ｃの特性インピーダンス等の特性は、ほとんど変動しない。
・・・
【００４６】次いで、第３平行配線対応部１２Ｉ及び第３平行配線間対応部１２Ｊについて考察する。・・・第３長形貫通孔１２Ｈは、第３平行配線間対応部１２Ｊ内に形成されているため、第３平行配線部１４Ｄの長さ方向である第３長さ方向Ｈ３に見て、この第３平行配線部１４Ｄの特性インピーダンス等の特性は、ほとんど変動しない。
・・・
【００５１】なお、第１導体層１２の配線層非対応部のうち残部１２Ｋ（例えば、図３中、中央下部）においては、従来と同様に、円形の貫通孔１２Ｌを格子状に配置すれば良い。この部分の上方には信号配線層１４が通らないため、第１平行配線対応部１２Ｃなどの配線層対応領域により、貫通孔の配置制限を受けないためである。
【００５２】また、第２導体層１６に形成する貫通孔１６Ｂ等についても、第１導体層１２と同様にして、信号配線層１４との位置関係を考慮して配置を決定する。即ち、この信号配線層１４を厚さ方向に投影した配線対応領域（具体的には平行配線対応部１６Ｃ）には、貫通孔１６Ｂを形成せず、配線非対応領域（具体的には平行配線間対応部１６Ｄ）に貫通孔１６Ｂを形成する。かくして、信号配線層１４の特性インピーダンス等の特性の長さ方向の変動が抑制される。さらに、第２絶縁層１５と第３絶縁層１７との密着性を高くでき、その上、貫通孔１６Ｂを通じてのガス抜け性が良好になるので、第２絶縁層１５と第２導体層１６との間にフクレが生じることも防止される。」
　
（１ｅ）図１には、第１導体層の貫通孔１２Ｂ、第２の導体層の貫通孔１６Ｂと、信号配線層１４とを層厚方向に投影した際、貫通孔１２Ｂ、１６Ｂと信号配線層１４とが距離を隔てていることが示されており、また、図３には、信号配線層１４に対して平行をなしている平行配線間対応部１２Ｄ、１２Ｇ、１２Ｊに、貫通孔１２Ｂ、１２Ｅ、１２Ｈが複数並んで列を成して形成されていることが示されている。
　
（２）刊行物２（特開平６−２９１２１６号公報）
（２ａ）「【０００８】多層プリント配線板においても、銅張り積層板等の基板の反りや捻れの発生を防止し、寸法安定性を向上させるために、内層用の銅張り積層板等に形成された電源配線又は接地配線をメッシュ状パターンにする場合がある。
・・・
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図９に示したように、電源配線又は接地配線１０４がメッシュ状パターンを有する場合、信号線路１０２の下方に必ずしも電源配線又は接地配線１０４が存在しない（図９の（Ｂ）参照）。即ち、信号線路１０２は、電源配線又は接地配線１０４の上方を走行する場合もあるが、電源配線又は接地配線の上方を走行しない場合もある。その結果、信号線路１０２の高周波特性、特に特性インピーダンスが、電源配線又は接地配線１０４の有無によって変化し、伝送線路にインピーダンス不連続性が生じるという問題がある。
【００１２】従って、本発明の目的は、信号線路の高周波特性に変化を生じさせ難い電源配線又は接地配線を備えた基板及びセラミックパッケージを提供することにある。
・・・
【００２０】
【作用】本発明においては、絶縁層には、信号線路に対応した電源配線又は接地配線が形成されている。即ち、図１に原理図を模式的に示すように、絶縁層１０の一方の面に具備された信号線路１２の上方若しくは下方（尚、図１においては下方のみを図示した）には、絶縁層１０を挟んで、必ず電源配線又は接地配線１４が存在する。言い替えれば、信号線路１２は、電源配線又は接地配線１４の上方若しくは下方を必ず走行する。その結果、信号線路の高周波特性、特に特性インピーダンスが、従来技術のように電源配線又は接地配線の有無によって変化することがなく、制御された、一定の高周波特性を信号線路に付与することができる。・・・」
　
（２ｂ）「【００３６】（実施例２）実施例２も、本発明の基板に関する。図５に模式的な断面図を示すように、実施例２における基板１Ｂは多層配線板、より具体的には多層プリント配線板から成る。実施例２の基板１Ｂは、ガラスエポキシ銅張り積層板２４，２６，２８から形成された信号線路１２及び電源配線又は接地配線１４、並びにプリプレグから形成された絶縁層１０から構成されている。信号線路１２及び電源配線又は接地配線１４は絶縁層１０を挟んで対向して形成されている。実施例２においては、電源配線又は接地配線１４の幅を信号線路１２の幅の２倍とした。信号線路１２及び電源配線又は接地配線１４は銅箔をエッチングして形成することができる。
【００３７】信号線路１２が形成された基板１Ｂの表面には、能動・受動素子等を実装するためのランド部やその他の回路３０が形成されている。また、基板１Ｂの内部には、信号線路１２、回路３０及び電源配線又は接地配線１４を接続するためのビアホールやスルーホール等あるいは内層回路３２が形成されている。
【００３８】図６に、信号線路１２、電源配線又は接地配線１４及び絶縁層１０の関係を示す。図６の（Ａ）は、信号線路１２（斜線で示す）と電源配線又は接地配線１４（破線で示す）の関係を示す模式的な一部平面図であり、絶縁層１０の図示は省略されている。また、図６の（Ｂ）は、線Ｂ−Ｂに沿った模式的な一部分を切り欠いた一部断面図であり、図６の（Ｃ）は、電源配線又は接地配線１４のパターン（破線で示す）を模式的に描いたものである。正方形あるいは多角形で囲まれた領域１４Ｂは、電源配線又は接地配線が形成されていない領域である。この領域１４Ｂの一部には、本発明の好ましい態様であるメッシュ状の導体１４Ｃが形成されている。」
　
（２ｃ）図６（Ｃ）には、電源配線又は接地配線が形成されていない領域１４Ｂが、電源配線又は接地配線における信号配線１２の２倍の幅が投影される部分においては、存在しないことが示されている。
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１に記載の発明
　刊行物１には、上記摘記事項（１ｂ）段落【０００２】の「絶縁層と信号配線層やベタ状の導体層などとを交互に積層した配線基板が知られている。これらの配線基板のうち、伝送される信号の周波数が高いものでは、信号の伝送路として信号配線層とベタ状の導体層とを電磁的に結合させ、ストリップライン構造やマイクロストリップライン構造などの構造とすることがある。」という記載から、導体層と絶縁層が交互に積層される配線基板であり、伝送される信号の周波数が高い伝送路では、ベタ状の導体層と電磁的に結合させる構造を用いることが理解できる。
　また、上記摘記事項（１ｄ）段落【００２７】の「図１に示す配線基板１０は、・・・導体層や信号配線層などの金属層と、・・・樹脂絶縁層とが交互に積層されてなる。・・・コア基板１１の表面１１Ｂには、交流的に接地される（具体的には接地される）第１導体層１２、第１絶縁層１３、複数の信号配線層１４、第２絶縁層１５、交流的に接地される（具体的には＋の電源電位とされる）第２導体層１６、第３絶縁層１７がこの順に積層されてなる。」という記載、及び段落【００２８】の「この断面構造を有する配線基板１０は、信号配線層１４が、第１，第２絶縁層１３，１５を介して、接地された第１，第２導体層１２，１６に挟まれて電磁的に結合し、いわゆるストリップライン構造の信号伝送路を構成しており、・・・」という記載から、導体層は、信号配線層と、接地される第１導体層と、電源電位とされる第２導体層と、を有し、信号配線層と第１、第２導体層とが、絶縁層を挟んで隣接する積層構造を成し、信号配線層が、第１、第２導体層と電磁的に結合されていると云える。
　そして、上記摘記事項（１ｄ）段落【００５２】の「また、第２導体層１６に形成する貫通孔１６Ｂ等についても、第１導体層１２と同様にして、信号配線層１４との位置関係を考慮して配置を決定する。」という記載から、第１導体層と第２導体層は同様の位置関係であることを考慮すると、段落【００３２】の「・・・第１導体層１２は、ベタ状の導体層であり、多数の貫通孔・・・を備える。・・・コア基板１１から生じるガスを貫通孔１２Ｂ等を通じて外部に放散させ、コア基板１１と第１導体層１２との間にフクレが生じるのを防ぐためである。」という記載から、第１、第２導体層に、ガスを外部に放散させるための多数の貫通孔が形成されていることが分かる。
　更に、該貫通孔については、上記摘記事項（１ｅ）から、信号配線層に対して、距離を隔てた平行配線間対応部に、貫通孔を複数並べて列を成して形成しており、また、上記摘記事項（１ｄ）段落【００３３】の「・・第１導体層に貫通孔を形成する場合には、例えば、残部１２Ｋに格子状に配列した円形の貫通孔１２Ｌのように、格子状など規則正しく配列すれば足りる。・・・」、及び段落【００５１】の「なお、第１導体層１２の配線層非対応部のうち残部１２Ｋ（例えば、図３中、中央下部）においては、従来と同様に、円形の貫通孔１２Ｌを格子状に配置すれば良い。この部分の上方には信号配線層１４が通らないため、・・・」という記載から、第１、第２導体層に形成される、平行配線間対応部に形成された貫通孔に含まれない貫通孔は、配線層非対応部のうちの残部、即ち、平行配線間対応部以外の配線層非対応部において、格子状に配置されているといえる。
　
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、
「導体層と絶縁層とが交互に積層される配線基板であって、
　前記導体層は、信号配線層と、接地される第１導体層又は電源電位とされる第２導体層とを有し、該第１、第２導体層には、ガスを外部に放散させるための多数の貫通孔が形成されており、
　前記信号配線層と前記第１、第２導体層とが、前記絶縁層を挟んで隣接する積層構造においては、信号配線層に形成され、伝送される信号の周波数が高い伝送路に対して、距離を隔てた平行配線間対応部に、貫通孔が複数並んで列を成して形成されており、
　前記第１、第２導体層に形成される、該平行配線間対応部に形成された貫通孔に含まれない貫通孔は、平行配線間対応部以外の配線層非対応部において、格子状に配置されている配線基板。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比すると、
(i)刊行物１発明の「絶縁層」、「信号配線層」、「接地される第１導体層」、「電源電位とされる第２導体層」、「ガスを外部に放散させるための・・・貫通孔」、「伝送される信号の周波数が高い伝送路」は、本願発明の「誘電体層」、「配線層」、「グランド層」、（「電源又はグランド層」のうちの）「電源層」、「厚さ方向に貫く・・・ガス抜き孔」、「高い周波数の信号が伝達される信号配線」にそれぞれ相当する。
(ii)刊行物１発明の「（伝送路に対して、）距離を隔てた平行配線間対応部」は、平行配線間対応部が伝送路に対して平行であるから、本願発明の「（信号配線に対して・・・）距離を隔てて平行をなす領域」に相当する。
(iii)刊行物１発明の「貫通孔が複数並んで列を成して形成されて」いることは、本願発明の「複数の前記ガス抜き孔が並んだガス抜き孔列が形成されて」いることに相当する。
(iv)刊行物１発明の「平行配線間対応部」には「ガス抜き孔列」に相当する貫通孔が形成されていることから、刊行物１発明の「該平行配線間対応部に形成された貫通孔に含まれない貫通孔」は、本願発明の「前記ガス抜き孔列に含まれない前記ガス抜き孔」に相当する。
(v)刊行物１発明の「格子状に配置されている」ことは、本願発明の「予め定められた格子配列の格子点上に形成され」ることに相当する。
(vi)刊行物１発明の「平行配線間対応部以外の配線層非対応部」は、配線層対応部と平行配線間対応部のどちらにも該当しない領域を意味し、配線層対応部が「前記信号配線を前記電源又はグランド層に対して層厚方向に投影したときの、投影された信号配線」に対応し、平行配線間対応部には、「ガス抜き孔列」に相当する貫通孔が形成されていることから、結局、本願発明の「前記信号配線を前記電源又はグランド層に対して層厚方向に投影したときの、投影された信号配線、および前記ガス抜き孔列をなす前記ガス抜き孔と重なる」領域を除く領域に相当する。
　そして、上記(v)、(vi)を総合すると、刊行物１発明の「該平行配線間対応部に形成された貫通孔に含まれない貫通孔は、平行配線間対応部以外の配線層非対応部において、格子状に配置されている」ことは、本願発明の「前記ガス抜き孔列に含まれない前記ガス抜き孔は、・・・・予め定められた格子配列の格子点上に形成され、かつ前記格子点のうち、前記信号配線を前記電源又はグランド層に対して層厚方向に投影したときの、投影された信号配線、および前記ガス抜き孔列をなす前記ガス抜き孔と重なる前記格子点上には形成されない」ことに対応すると云える。
　よって、両者は、
「導体層と誘電体層とが交互に積層される配線基板であって、
　前記導体層は、配線層と電源又はグランド層とを有し、該電源又はグランド層には、これらを厚さ方向に貫く複数のガス抜き孔が形成されるとともに、
　前記配線層と前記電源又はグランド層とが前記誘電体層を挟んで隣接する積層構造においては、前記配線層に形成され、高い周波数の信号が伝達される信号配線に対して、距離を隔てて平行をなす領域に、複数の前記ガス抜き孔が並んだガス抜き孔列が形成されており、
　前記電源又はグランド層に形成される前記ガス抜き孔列に含まれない前記ガス抜き孔は、前記電源又はグランド層において、予め定められた格子配列の格子点上に形成され、
　かつ前記格子点のうち、前記信号配線を前記電源又はグランド層に対して層厚方向に投影したときの、投影された前記信号配線、および前記ガス抜き孔列をなす前記ガス抜き孔と重なる前記格子点上には形成されない配線基板。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：信号配線について、本願発明では、伝達する信号の周波数が１ＧＨｚよりも高く、ガス抜き孔列との間に５０μｍの限界近接距離を隔てているのに対し、刊行物１発明では、伝達する信号の周波数は不明であり、ガス抜き孔列との間に距離は隔てているものの数値が不明である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記摘記事項（１ｃ）段落【００１０】「・・・配線対応領域を含むこの貫通孔の近傍では、ガス抜け性や上下絶縁層の密着性などが良好となるから、導体層の配線対応領域におけるフクレを防止でき、より信頼性の高い配線基板とすることができる。」という記載、及び段落【００１４】の「信号配線層は貫通孔の無い配線対応領域と結合するから、信号配線層の長手方向に見た場合の信号配線層と導体層との電磁的な結合状態の変化が少ない。従って、信号配線層について、部分的な特性インピーダンス等の特性変動を抑制することができる。」という記載より、「フクレ防止」と「特性変動抑制」という課題を、孔の有無という相反する解決手段でもって実現しようとしていることが分かるから、刊行物１発明において、信号配線とガス抜き孔列との間に隔てられた距離を、相反する解決手段の効果が最大限になるように最適化して、限界近接距離を設定しようとしていると判断できる。
　また、刊行物２には、上記摘記事項（２ａ）〜（２ｃ）を総合すると、基板の反りや捻れの発生を防止するとともに、信号線路の高周波特性に変化を生じさせがたい電源配線又は接地配線を備えた基板を提供するために、電源配線又は接地配線が形成されていない領域１４Ｂが、電源配線又は接地配線における信号線路１２の２倍の幅が投影される部分においては存在しないことが記載されており、刊行物２の「電源配線又は接地配線が形成されていない領域１４Ｂ」、「電源配線又は接地配線」、「信号線路１２」は、本願発明の「ガス抜き孔」、「電源又はグランド層」、「信号配線」に相当することから、電源又はグランド層のガス抜き孔は、信号配線に対して、該信号配線の２倍の幅を隔てて形成されていると云える。
　更に、一般に、高周波の信号を用いる配線基板の技術分野において、高性能化のために１ＧＨｚよりも高い周波数をも範疇に入れようとすることは技術常識であり、１ＧＨｚよりも高い周波数を用いようとする際に、信号配線の幅を１００μｍ程度にすることは、例えば、次の特許文献に記載されているように、本願出願前に周知である。
　
周知例１：特開２００１−７７５３７号公報
（周１ａ）「【００４４】・・・さらに、距離ｈ＝１００μｍ、パターン幅ｗ＝１００μｍ、導体厚さｔ＝４０μｍ、距離ｄ＝２００μｍ、ランドパターン４５ＡからのＩＣチップ４１の高さａ＝１００μｍ、グランド層２５からＩＣチップ４１までの距離ｂ＝２４０μｍの場合、配線パターン３５Ａのうち第１の絶縁物４６に接する部分の特性インピーダンスとして約４５Ωを得ることができる。
【００４５】この場合、特性インピーダンスが約４７．７Ωから約４５Ωに変化する箇所では、上式から反射率ρ＝０．０３となり、信号反射を約３％に抑えることができ、信号波形の歪みの発生や、反射波による不要電磁波の発生を抑えることが可能である。また、例えば５ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波を含む信号についても、反射ノイズを抑えることが可能である。」
　
　上記摘記事項（周１ａ）から、５ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波を含む信号を、パターン幅ｗ＝１００μｍの信号配線で伝達していることが分かる。
　
周知例２：特開２０００−１３３９１６号公報
（周２ａ）「【００１０】また、西暦２０００年には、ＣＰＵのクロック周波数が、１ＧＨｚ程度になり、その機能の高度化に伴い、ＣＰＵの消費電力も、１チップ当たり１００〜１５０Ｗに達すると推測される。
・・・
【００１２】一方、基板の高密度実装を進める上で、重要なのが微細な配線パターンの形成である。前記多層セラミック配線基板において、配線パターンの形成は、例えば、セラミック基板に厚膜導電性ペーストをスクリーン印刷し、焼成により焼き固める方法が一般的に利用されている。しかし、このスクリーン印刷法では、１００μｍ以下の線幅である配線パターンを量産することは困難であると言われている。」
　
　上記摘記事項（周２ａ）から、１ＧＨｚ程度、即ち、１ＧＨｚをわずかに超える部分も範疇である高周波の信号を、１００μｍ以下の幅の信号配線で伝達しようとしていると云える。
　
　してみると、刊行物１発明の限界近接距離として、例えば、刊行物２に記載の、信号配線の２倍の幅と見積もり、高性能化のために、伝達する信号の周波数が１ＧＨｚよりも高い際の信号配線の幅を１００μｍと想定することは、当業者にとって格別な困難性があるとはいえないし、その際に信号配線とガス抜き孔列との隔てられた距離が、信号配線の両脇にできることを考慮すれば、（１００μｍ×２−１００μｍ）／２＝５０μｍとなることも自明のことである。
　また、仮に、刊行物１発明の限界近接距離を見積もる際に、刊行物２に記載の幅を採用しなくとも、高性能化のために、１ＧＨｚよりも高い周波数の信号にも適用しようとすれば、信号配線の幅が１００μｍ以下程度であることから、実験の反復等により、５０μｍ程度を範疇に入れて、限界近接距離を選択・設定しようとすることは、当業者にとって、やはり格別な困難性があるものとはいえない。
　
　そして、上記相違点に係る本願発明の作用効果も、格別なものは見当たらない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。