【事件の表示】
　平成１０年特許願第　９１６５１号「銅系配線膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月１９日出願公開、特開平１１−２８８９３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年４月３日の出願であって、平成１６年１２月２２日に拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年２月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月８日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、その後当審において、平成１８年３月７日付けで審尋がなされ、同年５月９日に回答書が提出されている。
　
２．平成１７年３月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年３月８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲である請求項１ないし請求項６を、補正後の請求項１ないし請求項４と補正するとともに、明細書の段落【００１３】、【００１４】、【００１９】、【００２３】、【００２７】、及び【００３４】を補正するものであって、補正後の請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　孔もしくは溝が形成されたＳｉ半導体ウェーハ基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆した後、３００℃以上融点以下の温度で、配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧の不活性ガスの圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させており、
　前記高圧の不活性ガスの圧力を作用させる高圧ガス処理工程に先立ち、銅系の配線膜材料で被覆されたＳｉ半導体ウェーハ基板を、水素を含む還元性気体の雰囲気中で該高圧ガス処理工程時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程を行っており、
　前記銅系の配線膜材料の被覆形成はＳｉ半導体ウェーハ基板を２００〜４００℃程度の温度にした状態にてスパッタリング法で行われるものであって、
　前記高圧ガス処理工程は２００ＭＰａ以下の圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とするものであることを特徴とする銅系配線膜の形成方法。」
　
（２）本件補正の内容の整理
　請求項１についての本件補正の内容を、以下に整理する。
［補正事項１］
　補正前の請求項１の「基板」を、補正後の請求項１の「Ｓｉ半導体ウェーハ基板」と補正すること。
［補正事項２］
　補正前の請求項１の「高圧のガス圧力を作用させて、」及び「高圧のガス圧力を作用させる」を、補正後の請求項１の「高圧の不活性ガスの圧力を作用させて、」及び「高圧の不活性ガスの圧力を作用させる」とそれぞれ補正すること。
［補正事項３］
　補正前の請求項１の「還元性気体の雰囲気中で」を、補正後の請求項１の「水素を含む還元性気体の雰囲気中で」と補正すること。
［補正事項４］
　補正前の請求項１の「還元除去工程を含むこと」を、「還元除去工程を行っており、」と補正し、更にその後に、「 前記銅系の配線膜材料の被覆形成はＳｉ半導体ウェーハ基板を２００〜４００℃程度の温度にした状態にてスパッタリング法で行われるものであって、　前記高圧ガス処理工程は２００ＭＰａ以下の圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とするものであること」を付加すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）新規事項の有無について
［補正事項４について］
　補正事項４のうち、付加された「前記高圧ガス処理工程は２００ＭＰａ以下の圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とするものであること」について検討すると、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「このような方法で形成された純Ｃｕ膜の状態は図２（ａ）に示すような組織を呈する。Ａｌと比較して、かなり大きな結晶粒からなる組織となる。このような組織を有する膜を、前述の温度上の制約から４５０℃，１００ＭＰａの高温の高圧ガス雰囲気で埋込み処理を行うと、図２（ｂ）（ｃ）のような形態で埋込み処理がなされる。Ａｌの場合とは、全く異なり、孔及び孔の上部の膜部分が一つの結晶粒すなわち単結晶となっている。」（段落【００１７】）
（イ）「このように、気孔内部を単結晶で埋めることは、低電気抵抗化の観点で理想的であるが、当初の膜の形成や、膜形成後の高圧処理までの間のウェーハの管理、高圧処理時の雰囲気が非常に大きな影響を与えることを本発明者らは見出した。」（段落【００１８】）
（ウ）「実施例１の結果から判るように、スパッタリング時の基板温度を３００℃程度の高温として成膜し、水素による還元処理を行った後、加圧埋込処理を行うと、完全埋込みが達成されると同時に製造された配線膜の体積固有抵抗値も純銅の１．５５〜１．６μΩｃｍとほぼ同じ約１．６μΩｃｍが得られた。これは、図２（ｂ）に示したようなコンタクトホール内のＣｕが完全な単結晶になったためと推定される。」（段落【００２８】）
（エ）「実施例３は、いわゆるデュアルダマシンといわれる構造の配線形成手法によるコンタクトホールと配線溝の製造を行ったものである。・・・実施例１の場合と同様、このような複雑な構造で完全な埋込が可能で電気抵抗的にも良い配線膜がえられることが実証された。」（段落【００３１】）
（オ）「以上の実験から、水素等による還元を組合せることにより、確実な埋込処理が可能になること、純銅本来の電気抵抗値に近い電気抵抗特性を持った配線構造を製造できることが実証された。」（段落【００３２】）
（カ）図２（ｂ）には、孔及び孔の上部の配線膜の部分が一つの「Ｃｕ結晶粒」となっている様子が描かれている。
　上記の（ア）ないし（カ）の記載によれば、当初明細書等には、配線膜材料が純Ｃｕである場合に、高圧ガス処理工程で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込むことにより、「孔及び孔の上部の膜部分が単結晶」となることは記載されているものの、絶縁膜上の配線膜材料、或いは、溝（配線溝）に埋込まれた配線膜材料を単結晶とすることは記載されておらず、また、配線の固有抵抗値を根拠として、配線膜材料を全て単結晶とすることが、自明のこととも認められない。
　この点について、審判請求人は、平成１８年５月９日付け回答書において、『補正後の請求項１における「…配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とする…」とは、出願当初の明細書に添付しました図２（特に図２（ｂ），（ｃ））のように、少なくとも孔または溝に埋め込まれた部分とその上部の部分（孔または溝の底部から上表面に亘る部分）の配線膜材料を単結晶とすることを意図したものです。　補正後の請求項１における「…配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とする…」は、前置報告書に補正が却下される理由として記載されたような、「絶縁膜の表面に被覆された配線膜材料が全域にわたって単結晶となること」を意図したものでは決してありません。』と釈明している。
　しかしながら、特許請求の範囲に記載された技術的事項の認定は、特許請求の範囲の記載に基づくべきであり、補正後の請求項１における「…配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とする…」の「配線膜材料」は、請求項１の前段の「孔もしくは溝が形成されたＳｉ半導体ウェーハ基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆した後、…」の「配線膜材料」と同一のものを意味すると解釈されるから、この「配線膜材料」は、孔及び孔の上部のみならず、Ｓｉ半導体ウェーハ基板の絶縁膜の表面を被覆する配線膜材料全体を意味することは明らかであり、補正後の請求項１における「…配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とする…」は、絶縁膜の表面を被覆する「配線膜材料」を全域にわたって単結晶とすることを意味するか、少なくとも、そのような態様を含むものである。
　そして、前述のとおり、絶縁膜の表面を被覆する「配線膜材料」を全域にわたって単結晶とすることは当初明細書等には記載されておらず、当初明細書等の記載から自明のこととも認められない。
　したがって、補正事項４についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）独立特許要件の検討
　上記（３−１）で検討したとおり、上記補正事項４についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが、仮に、本件補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、且つ、請求項１についての補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しているとして、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、同法同条第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについても、さらに検討する。
　
（３−２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、上記「２．（１）本件補正の内容」に記載したとおりのものである。
　
（３−２−２）刊行物に記載された発明
刊行物１．特開平８−３３０４２４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−３３０４２４号公報（以下、「刊行物１」という。）は、「半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置」（発明の名称）に関するものであって、図１ないし図１０とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置の技術に関し、特に、高信頼度で電気特性の優れた多層配線層を有する半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関するものである。」
「【００５０】スパッタリング室５は、スパッタリング処理を行うことができる処理部であり、ウエハ９の上に導電膜としての例えばアルミニウム合金膜をスパッタリング法により形成させることができる処理部である。なお、導電膜の他の態様としては、例えばアルミニウムまたはアルミニウムを含む導電膜あるいは銅、銅合金または銅を含む導電膜などの他の金属を使用する態様を採用することができる。」
「【００５３】温度調節機構を用いてウエハステージ５ａの温度を低下（例えば、好ましくは１００℃以下）させることにより、初期段階（トータル膜厚の半分以内）でのスパッタリング成膜処理中のウエハ９を冷却させ、スパッタ粒子の結晶成長を防止し、表面張力により結晶粒が丸まり、粒界に空隙ができるのを抑制することができるなどの効果がある。この温度は低いほどその効果が顕著である。
【００５４】引続き、温度調節機構を用いてウエハステージ５ａの温度（例えば３００℃〜５００℃）を高めることにより、スパッタリング成膜処理中のウエハ９を加熱させ、導電膜を形成する際に導電膜の材質である例えばアルミニウム、アルミニウム合金などの流動性を高めて導電膜を接続孔に容易に埋め込む作業を行うことができる。」
「【００５６】後処理室６は、前述したスパッタリング室４およびスパッタリング室５により形成したそれぞれの導電膜を例えば還元性雰囲気などのガス雰囲気の中で加熱処理またはプラズマ処理と加熱処理とを複合させた処理を行う処理室である。・・・
【００５８】また、後処理室６は、チャンバの中のガスを例えば３００気圧という高い気圧にしてウエハ９の表面に高い圧力を印加できる加圧機構を備えている。これにより、後処理室６により前述した例えば還元性雰囲気などのガス雰囲気の中で加熱処理またはプラズマ処理と加熱処理とを複合させた処理を行う処理中または処理後にウエハの表面を加圧することができるので、接続孔内部に導電膜を強制的に流し込んで容易に埋め込み作業を行うことができる。」
「【００６８】まず、図３に示すように、例えばｐ型シリコン単結晶からなる半導体基板などのウエハ９を用意し、ｐ型のウエル領域１０およびｎ型のウエル領域１１を形成した後、その表面の（１００）面における選択的な領域に素子分離用絶縁膜となるフィールド絶縁膜１２を形成した後、フィールド絶縁膜１２に囲まれているｐ型のウエル領域１０およびｎ型のウエル領域１１における素子形成領域に例えばＭＯＳＦＥＴを形成する。・・・
【００７６】次に、図４に示すように、ウエハ９の上に絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７は、例えば厚さ1.２μm 程度のＢＰＳＧ（Boro Phospho Silicate Glass)膜からなる絶縁膜１７をＣＶＤ法などにより堆積した後、絶縁膜１７の上面の平坦化処理としてウエハ９に対して例えば８００℃程度の熱処理を施すことにより絶縁膜１７の上面を平坦化して形成されているものである。
【００７７】次に、絶縁膜１７に拡散層１５の表面が露出するように接続孔１８を形成する。」
「【００８８】次に、図５および図９に示すように、スパッタリング室４において、ウエハ９の上に例えば厚さ２００nm程度の第１の導電膜１９をスパッタリング法によって堆積する（図１０に示す工程１０２から工程１０４）。・・・
【００８９】第１の導電膜１９は、例えば厚さ５０nm程度のチタン（Ｔｉ）膜１９ａ、厚さ１００nm程度のチタンナイトライド（ＴｉＮ）膜１９ｂおよび厚さ５０nm程度のチタン膜１９ｃからなる積層膜とする。」
「【０１０５】スパッタリング室５において、第１の導電膜１９が形成されているウエハ９の上に第２の導電膜としての例えば厚さ８００nm程度のアルミニウム合金膜２０をスパッタリング法によって堆積して形成する（図１０に示す工程１０５および工程１０６）。第２の導電膜としては、アルミニウム合金膜２０の他に、例えばアルミニウム膜、銅膜または銅合金膜などの金属膜を適用することができる。」
「【０１１３】次に、ウエハ９をスパッタリング室５から搬送室７を介して後処理室６に移送する。
【０１１４】後処理室６において、ウエハ９を加熱すると共に例えば水素ガスなどの還元性ガスを導入し、水素プラズマなどのプラズマを発生させる（図１０に示す工程１０７）。
【０１１５】すなわち、ウエハ９をウエハステージ５ａに移載し、サセプタを加熱する。その後、チャンバー内部に水素ガスを導入し、水素ガスの熱伝達によりウエハ９を加熱する。この際、水素ガスの圧力は例えば２０torr、ウエハ９の温度は例えば４００℃とする。その後、チャンバー内部の水素ガスの圧力を調整し、高周波（ＲＦ）電力を印加してプラズマを発生させる。・・・
【０１１７】次に、水素ガスを排気した後、ウエハ９の加熱を継続したまま、例えばアルゴンガスをチャンバー内部に導入し、チャンバー内部の圧力を例えば１００気圧にする（図１０に示す工程１０８）。
【０１１８】本工程により、前工程までに接続孔１８にアルミニウム合金膜２０を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間を押しつぶすことにより、アルミニウム合金膜２０による接続孔１８の埋め込みを完全な状態にすることができる。
【０１１９】前工程である還元処理を行っていることにより、アルミニウム合金膜２０の表面の酸化膜が還元されているので、本工程における加圧処理により、効果的でしかも再現性よく埋め込み処理を行うことができ、高信頼度で優れた電気特性を有するリフローされたアルミニウム合金膜２０などの金属膜を有する配線層を製作できる。
【０１２０】なお、前工程である還元処理を行わない場合には、アルミニウム合金膜２０の表面が酸化されて硬化していることにより、本工程における接続孔１８へのアルミニウム合金膜２０の埋め込みを加圧処理により行っても不完全な埋め込み状態となってしまう。」
　
　ここで、刊行物１には「半導体集積回路装置の製造方法」が記載されており、刊行物１の図３ないし図５、及び図１０とその説明に示された工程に基づくと、「ｐ型シリコン単結晶からなる半導体基板などのウエハ９」の上の「絶縁膜１７」に、拡散層１５の表面を露出する「接続孔１８」を形成し、その上に「第１の導電膜１９」及び「第２の導電膜」を堆積している。そして、段落【０１０５】には、「第２の導電膜としては、アルミニウム合金膜２０の他に、例えばアルミニウム膜、銅膜または銅合金膜などの金属膜を適用することができる。」と記載されているから、上記「第２の導電膜」を「銅膜または銅合金膜」とすることも開示されている。
　また、「第１の導電膜１９」及び「第２の導電膜」はそれぞれスパッタリング室で形成され、特に「第２の導電膜」は、温度調節機構を用いてウエハステージ５ａの温度を低下（段落【００５３】）又は高める（段落【００５４】）ことにより、スパッタリング成膜処理中の「ウエハ９」の温度を調整して、スパッタリング法で形成されている。
　図１０に示す「還元処理（工程１０７）」として、「後処理室６において、ウエハ９を加熱すると共に例えば水素ガスなどの還元性ガスを導入し、水素プラズマなどのプラズマを発生させる。」（段落【０１１４】）と記載されており、また、「還元処理を行っていることにより、アルミニウム合金膜２０の表面の酸化膜が還元されている」（段落【０１１９】）と記載されているから、この還元処理工程は、水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気中で、酸化膜を還元除去するものである。なお、実施例においては、還元処理においてプラズマを発生させているが、段落【００５６】には、「後処理室６は、前述したスパッタリング室４およびスパッタリング室５により形成したそれぞれの導電膜を例えば還元性雰囲気などのガス雰囲気の中で加熱処理またはプラズマ処理と加熱処理とを複合させた処理を行う処理室である。」と記載されているから、還元処理において、還元性雰囲気などのガス雰囲気の中で「加熱処理」を行うことも開示されている。
　図１０に示す「埋め込み処理（工程１０８）」として、「次に、水素ガスを排気した後、ウエハ９の加熱を継続したまま、例えばアルゴンガスをチャンバー内部に導入し、チャンバー内部の圧力を例えば１００気圧にする。」（段落【０１１７】）と記載されており、前工程の還元処理が４００℃で行われ、且つ、加熱を継続することから、この埋め込み処理工程は、アルミニウム合金膜を例として、４００℃程度の温度で、１００気圧のアルゴンガスの圧力により、第２の導電膜を接続孔１８に埋め込む工程であると認められる。なお、この埋め込み処理工程について、「ウエハの表面を加圧することができるので、接続孔内部に導電膜を強制的に流し込んで容易に埋め込み作業を行うことができる。」（段落【００５８】）及び「前工程までに接続孔１８にアルミニウム合金膜２０を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間を押しつぶすことにより、アルミニウム合金膜２０による接続孔１８の埋め込みを完全な状態にすることができる。」（段落【０１１８】）と記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明１」という。）が記載されている。
「接続孔１８が形成されたｐ型シリコン単結晶からなる半導体基板などのウエハ９上の絶縁膜１７の表面に、第１の導電膜１９及び銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を堆積し、アルゴンガスの圧力を作用させて、第２の導電膜を強制的に流し込むようにし、第２導電膜を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間を押しつぶすことにより、第２の導電膜による接続孔１８の埋め込みを完全な状態にしており、
　前記アルゴンガスの圧力を作用させる埋め込み処理工程に先立ち、第２の導電膜が堆積されたウエハ９を、水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気中で、加熱処理を行うことで、酸化膜を還元除去する還元処理工程を行っており、
　前記銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜の形成は、ウエハ９の温度を調整して、スパッタリング法で行われるものであって、
　前記埋め込み処理工程は、圧力で、第２の導電膜を接続孔１８に埋め込むものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。」
　
刊行物２．特開平９−１１５８６６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１１５８６６号公報（以下、「刊行物２」という。）は、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関するものであり、図１ないし図５とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の製造方法に係わり、特に、絶縁層に形成され、必要に応じ電極を有する配線（以下、電極配線という）の形成方法に関するものである。」
「【００１３】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．以下に、この発明の実施の形態１について図１ないし図９に基づいて説明する。図１ないし図９は本実施の形態１を示す半導体装置を工程順に示したものである。まず図１に示すように、例えばシリコン基板からなる半導体基板１上に形成され、シリコン酸化膜等からなる絶縁層、および、例えばＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ合金からなる配線層等を備えた半導体素子２上に、例えばＴＥＯＳあるいはシランを原材料としたプラズマＣＶＤ若しくは常圧ＣＶＤ等の方法により形成したシリコン酸化膜と有機ＳＯＧあるいは無機ＳＯＧの組み合わせ等からなる絶縁層３を形成する。
【００１４】次に図２に示すように、上記絶縁層３に、必要に応じて接続孔４０を有する溝４を写真製版技術などを用い形成する。具体的には、例えば、写真製版工程により、まず配線パターンのみに対応する溝４１を形成し、次に接続孔４０を形成する。・・・
【００１６】次に図３に示すように、真空連続で、半導体素子２の表面の一部であり、上記溝４の底面及び絶縁層３の表面の上にスパッタ法を用いてバリア層５を形成する。ここで、バリア層５は、例えば、ＴｉＮ／Ｔｉ：１０００Å／１５０Å、ＴｉＮ／Ｔｉ：１０００Å／２００Å、ＴｉＮ／Ｔｉ：５００Å／１５０ÅまたはＴｉＮ／Ｔｉ：５００Å／２００Åからなるバリアメタル層で構成される。また、この成膜時における半導体基板１の加熱温度は、例えば５０〜５００゜Ｃであれば良い。
【００１７】次に、図４に示すように、真空連続で、溝４及び絶縁層３の上に例えば純Ｃｕからなる導電体６を形成する。具体的には、例えば、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気、５〜２０ｋＷのパワー、２５〜１５０゜Ｃの加熱温度でスパッタ法によりまず５０〜２００ｎｍ成膜する。続いて３００〜４５０゜Ｃの加熱温度でスパッタ法により所望の膜厚まで成膜する。ここで、半導体基板１の最高到達温度は６００゜Ｃとする。また、導電体６の膜厚は接続孔４０の径の１．２倍以上３μｍ以下とする。この時、溝４内に空間７が形成されることがあるが、ここでは問題としない。ここで、導電体６の形成において、成膜初期において加熱温度を低温とする理由は以下のとおりである。成膜時に半導体基板１がプラズマ雰囲気に曝されると、加熱温度より半導体基板１の実際の温度が上昇し、溝４の側壁あるいはバリア層５からガスが生じ、そのため、このガスにより導電体６は酸化もしくは窒化してしまい埋め込み特性が悪化する。そのため、最初に、導電体６を低温で５０〜２００ｎｍ形成することにより溝４の側壁およびバリア層５を導電体６で覆い、ガスの発生を抑止し、その後、半導体基板１を加熱しながら結晶性の良い導電体６を形成する。
【００１８】次に、図５に示すように、真空連続で、導電体６を高温高圧の下で保持することにより空間７は消滅し、導電体６で溝４が満たされる。具体的には、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気で、３５０〜７５０゜Ｃの温度、６５０〜９００ｂａｒの圧力で１〜２０分保持する。」
「【００２９】叉、本実施の形態１においては、バリア層５を形成しているが、バリア層５は形成しなくても良い。この場合にも、上記と同様の効果を得られることとなる。」
　
（３−２−３）対比・判断
　補正発明と刊行物発明１とを対比する。
（ａ）補正発明において、「孔」とはコンタクトホールのことであり（本願明細書段落【００１６】）、「孔もしくは溝」は択一的な記載であるから、刊行物発明１の「接続孔１８」は、補正発明の「孔もしくは溝」に相当する。また、刊行物発明１の「ｐ型シリコン単結晶からなる半導体基板などのウエハ９」（又は、単に「ウエハ９」）、「絶縁膜１７」は、補正発明の「Ｓｉ半導体ウェーハ基板」、「絶縁膜」にそれぞれ相当する。
（ｂ）刊行物発明１の「銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜」は、補正発明の「銅系の配線膜材料」に相当する。
（ｃ）刊行物発明１においても、「アルゴンガスの圧力」で導電膜の埋め込みを行っており、アルゴンガスは不活性ガスであって、その圧力は導電膜の接続孔への埋め込みが生じる程度の高い圧力であることは明らかであるから、刊行物発明１の「アルゴンガスの圧力」は、補正発明の「配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧の不活性ガスの圧力」に相当する。
（ｄ）刊行物１では、第２の導電膜としてアルミニウム合金膜を用いた場合に、（i）４００℃程度の温度で「埋め込み処理工程」を行っていると認められること（段落【０１１７】）、（ii）この温度で導電膜が「軟化」すること（段落【０１１６】）、（iii）この温度が導電膜の融点（Ａｌの場合は約６６０℃）以下であること、等を考慮すると、刊行物発明１の「埋め込み処理工程」は、融解しない範囲の温度で導電膜を軟化させ、圧力により導電膜を「強制的に流し込」む（段落【００５８】）ものであるから、このときに「塑性流動もしくは拡散クリープ」が生じていることは明らかであり、これらの現象は、導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合も同様に生じるものである。
　また、刊行物発明１の「第２導電膜を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間」は、補正発明の「被膜の下に残存した気孔」に相当するから、刊行物発明１の「第２の導電膜を強制的に流し込むようにし、第２導電膜を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間を押しつぶすことにより、第２の導電膜による接続孔１８の埋め込みを完全な状態に」することは、補正発明の「該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させ」ることに相当する。
（ｅ）刊行物発明１の「埋め込み処理工程」は、「アルゴンガスの圧力」で導電膜の埋め込みを行うものであるから、補正発明の「高圧ガス処理工程」に相当する。また、上記（ａ）、（ｂ）を参照すると、刊行物発明１の「第２の導電膜が堆積されたウエハ９を、水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気中で、加熱処理を行うことで、酸化膜を還元除去する還元処理工程」は、補正発明の「銅系の配線膜材料で被覆されたＳｉ半導体ウェーハ基板を、水素を含む還元性気体の雰囲気中で」「加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程」に相当する。
（ｆ）上記（ｂ）を参照すると、刊行物発明１の「前記銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜の形成は」「スパッタリング法で行われる」ことは、補正発明の「前記銅系の配線膜材料の被覆形成は」「スパッタリング法で行われる」ことに相当する。
（ｇ）上記（ａ）、（ｂ）、（ｅ）を参照すると、刊行物発明１の「前記埋め込み処理工程は、圧力で、第２の導電膜を接続孔１８に埋め込むものであること」は、補正発明の「前記高圧ガス処理工程は」「圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込」むものであることに相当する。
（ｈ）「半導体集積回路装置」は、当然にその内部に配線を有するものであり、刊行物１は、実質的に、銅系を含む導電膜（配線膜）の製造方法を開示しているから、刊行物発明１の「半導体集積回路装置の製造方法」は、補正発明の「銅系配線膜の形成方法」に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物発明１とは、
「孔もしくは溝が形成されたＳｉ半導体ウェーハ基板の絶縁膜を、銅系の配線膜材料で被覆した後、配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧の不活性ガスの圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させており、
　前記高圧の不活性ガスの圧力を作用させる高圧ガス処理工程に先立ち、銅系の配線膜材料で被覆されたＳｉ半導体ウェーハ基板を、水素を含む還元性気体の雰囲気中で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程を行っており、
　前記銅系の配線膜材料の被覆形成はスパッタリング法で行われるものであって、
　前記高圧ガス処理工程は圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込むものであることを特徴とする銅系配線膜の形成方法。」
であることにおいて一致しており、以下の点で相違している。
［相違点１］
　補正発明は、「孔もしくは溝が形成されたＳｉ半導体ウェーハ基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆」しているのに対して、刊行物発明１は、接続孔１８が形成されたウエハ９上の絶縁膜１７の表面に、第１の導電膜１９を形成し、その上に銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を堆積している点。
［相違点２］
　補正発明は、「３００℃以上融点以下の温度で」、配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧の不活性ガスの圧力を作用させているのに対して、刊行物発明１は、アルゴンガスの圧力を作用させて、第２の導電膜を強制的に流し込むようにしているものの、その温度が明確ではない点。
［相違点３］
　補正発明は、「銅系の配線膜材料で被覆されたＳｉ半導体ウェーハ基板を、水素を含む還元性気体の雰囲気中で該高圧ガス処理工程時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程」を行っているのに対し、刊行物発明１は、第２の導電膜が堆積されたウエハ９を、水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気中で、加熱処理を行うことで、酸化膜を還元除去する還元処理工程を行うものの、加熱処理の温度条件を補正発明の如くすることは明示されていない点。　
［相違点４］
　補正発明は、「前記銅系の配線膜材料の被覆形成はＳｉ半導体ウェーハ基板を２００〜４００℃程度の温度にした状態にてスパッタリング法で行われる」のに対して、刊行物発明１は、前記銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜の形成は、ウエハ９の温度を調整して、スパッタリング法で行われるものの、その温度条件が異なる点。
［相違点５］
　補正発明は、「前記高圧ガス処理工程は２００ＭＰａ以下の圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とするものである」のに対し、刊行物発明１は、埋め込み処理工程において、第２の導電膜を接続孔１８に埋め込んでいるものの、その圧力と結晶状態が明らかではない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
［相違点１について］
　刊行物１において、「第１の導電膜１９」は、具体的には、チタン（Ｔｉ）膜１９ａ、チタンナイトライド（ＴｉＮ）膜１９ｂおよびチタン膜１９ｃからなる積層膜であるが（段落【００８９】）、これらの膜は、相互拡散を防止するバリア膜（段落【００９５】）や、アルミニウム合金膜との濡れ性を向上させるための膜（段落【００９８】）として形成されるものである。
　一方、刊行物２には、刊行物発明１と同じく、絶縁層３に形成した接続孔又は溝４に、高温高圧で導電体６を埋め込む技術が開示されており、刊行物発明１の「第１の導電膜１９」に相当する「バリア層５」を、導電膜６を形成する前に設けることが記載されているが、更に、「本実施の形態１においては、バリア層５を形成しているが、バリア層５は形成しなくても良い。この場合にも、上記と同様の効果を得られることとなる。」（刊行物２の段落【００２９】）と記載されている。即ち、刊行物２には、バリア層５（刊行物発明１の「第１の導電膜１９」に相当）を形成せずに、接続孔又は溝が形成された絶縁層の表面を、直接導電膜６で被覆し、その後高温高圧で導電体６を埋め込むことも開示されている。
　したがって、刊行物発明１において、刊行物２に開示されたバリア層を形成しない形態の技術を適用し、「第１の導電膜１９」を形成することなく、絶縁膜１７の表面に、銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を堆積すること、即ち、補正発明のごとく、「孔もしくは溝が形成されたＳｉ半導体ウェーハ基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆」するようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点２について］
　刊行物１においては、アルミニウム合金膜を第２の導電膜として用いた実施例に基づいて説明がなされており、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合の埋め込み処理工程の温度については、具体的に記載されていない。
　しかしながら、前記（ｄ）で検討したとおり、刊行物発明１の「埋め込み処理工程」は、導電膜の融点以下で導電膜が軟化する程度の温度で行うものであり、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合には、この導電膜が軟化する程度の温度が「３００℃以上融点以下の温度」となることは、当業者にとって自明の事項である。
　また、刊行物２には、純Ｃｕからなる導電膜６を、絶縁層３に形成した接続孔又は溝４に高温高圧で埋め込む技術が開示されており、その具体的条件は、「Ａｒ等の不活性ガス雰囲気で、３５０〜７５０゜Ｃの温度、６５０〜９００ｂａｒの圧力で１〜２０分保持する。」（段落【００１８】）と記載されているから、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合、第２の導電膜に対する埋め込み処理工程を「３５０〜７５０℃の温度」で行うことは、刊行物２の記載に基づいて通常選択される温度範囲であって、この温度範囲は「３００℃以上」であり、且つ、銅の「融点以下」であることは明らかである。
　したがって、相違点２は実質的な相違点ではなく、仮に実質的であるとしても、当業者が容易になし得ることにすぎない。
［相違点３について］
　刊行物１においては、アルミニウム合金膜を第２の導電膜として用いた実施例に基づいて説明がなされており、還元処理工程が４００℃で行われ（段落【０１１５】）、還元処理工程から埋め込み処理工程に移行するにあたって、「ウエハ９の加熱を継続したまま」（段落【０１１７】）としており、ウエハ９の加熱状態が維持されることは明らかであるものの、その後の埋め込み処理工程の具体的温度は記載されておらず、還元処理工程と埋め込み処理工程の温度関係は明らかではない。
　ところで、刊行物発明１においては、銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を用いているから、導電膜の材料変更に伴って製造条件を適正に調整することは、当業者が当然に行うことにすぎない。
　そして、上記相違点２で検討したとおり、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合、第２の導電膜に対する埋め込み処理工程を「３５０〜７５０℃の温度」で行うことは、刊行物２の記載に基づいて通常選択される温度範囲であって、上記温度範囲の平均値が５５０℃であることからも、上記埋め込み処理工程の温度を還元処理工程の温度（４００℃）よりも高くすること、言い換えれば、還元処理工程の温度を埋め込み処理工程の温度よりも低い温度とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることであるから、刊行物発明１において、補正発明のごとく、「銅系の配線膜材料で被覆されたＳｉ半導体ウェーハ基板を、水素を含む還元性気体の雰囲気中で該高圧ガス処理工程時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程」を行うことは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点４について］
　刊行物１には、アルミニウム合金膜を第２の導電膜として用いた実施例において、まず、温度調節機構を用いてウエハステージ５ａの温度を低下（例えば、好ましくは１００℃以下）させることにより、初期段階（トータル膜厚の半分以内）でのスパッタリング成膜処理を行い（段落【００５３】）、引続き、温度調節機構を用いてウエハステージ５ａの温度（例えば３００℃〜５００℃）を高めることにより、スパッタリング成膜処理を行う（段落【００５４】）ことが記載されている。
　ここで、第２の導電膜として銅膜を用いた場合について検討すると、刊行物２には、「真空連続で、溝４及び絶縁層３の上に例えば純Ｃｕからなる導電体６を形成する。具体的には、例えば、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気、５〜２０ｋＷのパワー、２５〜１５０゜Ｃの加熱温度でスパッタ法によりまず５０〜２００ｎｍ成膜する。続いて３００〜４５０゜Ｃの加熱温度でスパッタ法により所望の膜厚まで成膜する。・・・導電体６の膜厚は接続孔４０の径の１．２倍以上３μｍ以下とする。・・・ここで、導電体６の形成において、成膜初期において加熱温度を低温とする理由は以下のとおりである。成膜時に半導体基板１がプラズマ雰囲気に曝されると、加熱温度より半導体基板１の実際の温度が上昇し、溝４の側壁あるいはバリア層５からガスが生じ、そのため、このガスにより導電体６は酸化もしくは窒化してしまい埋め込み特性が悪化する。そのため、最初に、導電体６を低温で５０〜２００ｎｍ形成することにより溝４の側壁およびバリア層５を導電体６で覆い、ガスの発生を抑止し、その後、半導体基板１を加熱しながら結晶性の良い導電体６を形成する。」（段落【００１７】）と記載されており、この成膜初期の膜厚は５０〜２００ｎｍであって、導電体６の全体の膜厚（接続孔の径の１．２倍以上３μｍ以下）よりもかなり薄いと解されるから、純Ｃｕ導電膜６の大部分は３００〜４５０℃の加熱温度でスパッタ法により成膜されることが明らかである。また、成膜初期に低温とする理由から判断して、ガスにより導電体６が多少酸化もしくは窒化することを許容すれば、成膜初期の低温による成膜を省略することも適宜なし得ることと認められる。
　よって、刊行物２には、純Ｃｕ導電膜を３００〜４５０℃の加熱温度でスパッタ法により成膜することが実質的に開示されており、且つ、この温度範囲は２００〜４００℃程度の温度範囲と重複するものであるから、刊行物２の純Ｃｕ導電膜の形成方法を、刊行物発明１の、前記銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜の形成に適用し、補正発明のごとく、「前記銅系の配線膜材料の被覆形成はＳｉ半導体ウェーハ基板を２００〜４００℃程度の温度にした状態にてスパッタリング法で行われる」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点５について］
　刊行物１には、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合の埋め込み処理工程の圧力については、具体的に記載されていない。
　しかしながら、上記相違点２における検討で指摘したとおり、刊行物２には、純Ｃｕからなる導電膜６を、絶縁層３に形成した接続孔又は溝４に高温高圧で埋め込む際に、その圧力を「６５０〜９００ｂａｒの圧力」（段落【００１８】）とすることが記載されている。
　よって、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合、第２の導電膜に対する埋め込み処理工程を「６５０〜９００ｂａｒの圧力」で行うことは、刊行物２の記載に基づいて通常選択される圧力範囲であって、この圧力範囲が「２００ＭＰａ以下」であることは明らかである。
　次に、刊行物発明１においては、埋め込み処理工程後の導電膜の結晶状態が明らかではないが、従来より、金属膜を流動化することにより接続孔又は配線溝に埋め込んだ場合、接続孔又は配線溝内において、金属膜が単結晶金属となることは、例えば、特開平６−１４０３９３号公報（「埋め込み配線１９のほとんどがこの方向に揃った単結晶であることがわかった。」［段落【００８５】］、「配線金属としてＡｌを用いる場合について説明したが、Ａｌ合金、Ｃｕ、・・・等他の金属にも当然適用可能である。」［段落【００９３】］）に記載されるように、周知の技術的事項であるから、刊行物発明１においても、第２の導電膜が単結晶となることは、十分に可能性のあることである。
　また、本願明細書においても、配線膜材料を単結晶とするために、従来と比較して格別の条件で処理を行うことが開示されているものではなく、単結晶化は、配線膜材料を孔もしくは溝に埋め込むための温度及び圧力で高圧ガス処理工程を行った結果生じたものにすぎないと認められ、刊行物発明１においても、刊行物２に記載の導電膜が銅膜である場合の製造条件を組み合わせることにより、補正発明とほぼ同等の製造条件になるから、その結果として、第２の導電膜の単結晶化が生じるものと認められる。
　したがって、刊行物発明１において、刊行物２に記載の銅膜における埋め込み処理の製造条件及び上記周知の技術的事項に基づき、補正発明のごとく、「前記高圧ガス処理工程は２００ＭＰａ以下の圧力で配線膜材料を孔もしくは溝に埋込んで配線膜材料を単結晶とする」ことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　したがって、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３−３）まとめ
　よって、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、仮に、本件補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、且つ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しているとしても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年３月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１６年１２月２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆した後、３００℃以上融点以下の温度で、配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧のガス圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させており、
　前記高圧のガス圧力を作用させる高圧ガス処理工程に先立ち、銅系の配線膜材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で該高圧ガス処理工程時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程を含むことを特徴とする銅系配線膜の形成方法。」
　
４．引用した刊行物に記載の発明
　刊行物１及び刊行物２に記載される事項は、「２．（３−２−２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。そして、刊行物１に記載の事項より、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明２」という。）が記載されている。
「接続孔１８が形成されたｐ型シリコン単結晶からなる半導体基板などのウエハ９上の絶縁膜１７の表面に、第１の導電膜１９及び銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を堆積し、アルゴンガスの圧力を作用させて、第２の導電膜を強制的に流し込むようにし、第２導電膜を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間を押しつぶすことにより、第２の導電膜による接続孔１８の埋め込みを完全な状態にしており、
　前記アルゴンガスの圧力を作用させる埋め込み処理工程に先立ち、第２の導電膜が堆積されたウエハ９を、水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気中で、加熱処理を行うことで、酸化膜を還元除去する還元処理工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。」
　
５．対比・判断
　ここで、本願発明と刊行物発明２とを対比する。
（ａ）本願発明において、「孔」とはコンタクトホールのことであり（本願明細書段落【００１６】）、「孔もしくは溝」は択一的な記載であるから、刊行物発明２の「接続孔１８」は、本願発明の「孔もしくは溝」に相当する。また、刊行物発明２の「ｐ型シリコン単結晶からなる半導体基板などのウエハ９」（又は、単に「ウエハ９」）、「絶縁膜１７」は、本願発明の「基板」、「絶縁膜」にそれぞれ相当する。
（ｂ）刊行物発明２の「銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜」は、本願発明の「銅系の配線膜材料」に相当する。
（ｃ）刊行物発明２においても、「アルゴンガスの圧力」で導電膜の埋め込みを行っており、アルゴンガスは不活性ガスであって、その圧力は導電膜の接続孔への埋め込みが生じる程度の高い圧力であることは明らかであるから、刊行物発明２の「アルゴンガスの圧力」は、本願発明の「配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧の不活性ガスの圧力」に相当する。
（ｄ）刊行物１では、第２の導電膜としてアルミニウム合金膜を用いた場合に、（i）４００℃程度の温度で「埋め込み処理工程」を行っていると認められること（段落【０１１７】）、（ii）この温度で導電膜が「軟化」すること（段落【０１１６】）、（iii）この温度が導電膜の融点（Ａｌの場合は約６６０℃）以下であること、等を考慮すると、刊行物発明２の「埋め込み処理工程」は、融解しない範囲の温度で導電膜を軟化させ、圧力により導電膜を「強制的に流し込」む（段落【００５８】）ものであるから、このときに「塑性流動もしくは拡散クリープ」が生じていることは明らかであり、これらの現象は、導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合も同様に生じるものである。
　また、刊行物発明２の「第２導電膜を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間」は、本願発明の「被膜の下に残存した気孔」に相当するから、刊行物発明２の「第２の導電膜を強制的に流し込むようにし、第２導電膜を完全に埋め込むことができずに残っていた接続孔１８内部の空間を押しつぶすことにより、第２の導電膜による接続孔１８の埋め込みを完全な状態に」することは、本願発明の「該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させ」ることに相当する。
（ｅ）刊行物発明２の「埋め込み処理工程」は、「アルゴンガスの圧力」で導電膜の埋め込みを行うものであるから、本願発明の「高圧ガス処理工程」に相当する。また、上記（ａ）、（ｂ）を参照すると、刊行物発明２の「第２の導電膜が堆積されたウエハ９を、水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気中で、加熱処理を行うことで、酸化膜を還元除去する還元処理工程」は、本願発明の「銅系の配線膜材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で」「加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程」に相当する。
（ｆ）「半導体集積回路装置」は、当然にその内部に配線を有するものであり、刊行物１は、実質的に、銅系を含む導電膜（配線膜）の製造方法を開示しているから、刊行物発明２の「半導体集積回路装置の製造方法」は、本願発明の「銅系配線膜の形成方法」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明２とは、
「孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜を、銅系の配線膜材料で被覆した後、配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧のガス圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させており、
　前記高圧のガス圧力を作用させる高圧ガス処理工程に先立ち、銅系の配線膜材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程を含むことを特徴とする銅系配線膜の形成方法。」
であることにおいて一致しており、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明は、「孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆」しているのに対して、刊行物発明２は、接続孔１８が形成されたウエハ９上の絶縁膜１７の表面に、第１の導電膜１９を形成し、その上に銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を堆積している点。
［相違点２］
　本願発明は、「３００℃以上融点以下の温度で」、配線膜材料を孔もしくは溝に埋込む高圧の不活性ガスの圧力を作用させているのに対して、刊行物発明２は、アルゴンガスの圧力を作用させて、第２の導電膜を強制的に流し込むようにしているものの、その温度が明確ではない点。
［相違点３］
　本願発明は、「銅系の配線膜材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で該高圧ガス処理工程時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程」を行っているのに対し、刊行物発明２は、第２の導電膜が堆積されたウエハ９を、還元性ガスの雰囲気中で、加熱処理を行うことで、酸化膜を還元除去する還元処理工程を行うものの、加熱処理の温度条件を本願発明の如くすることは明示されていない点。　
　
　以下、上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　刊行物１において、「第１の導電膜１９」は、具体的には、チタン（Ｔｉ）膜１９ａ、チタンナイトライド（ＴｉＮ）膜１９ｂおよびチタン膜１９ｃからなる積層膜であるが（段落【００８９】）、これらの膜は、相互拡散を防止するバリア膜（段落【００９５】）や、アルミニウム合金膜との濡れ性を向上させるための膜（段落【００９８】）として形成されるものである。
　一方、刊行物２には、刊行物発明２と同じく、絶縁層３に形成した接続孔又は溝４に、高温高圧で導電体６を埋め込む技術が開示されており、刊行物発明２の「第１の導電膜１９」に相当する「バリア層５」を、導電膜６を形成する前に設けることが記載されているが、更に、「本実施の形態１においては、バリア層５を形成しているが、バリア層５は形成しなくても良い。この場合にも、上記と同様の効果を得られることとなる。」（刊行物２の段落【００２９】）と記載されている。即ち、刊行物２には、バリア層５（刊行物発明２の「第１の導電膜１９」に相当）を形成せずに、接続孔又は溝が形成された絶縁層の表面を、直接導電膜６で被覆し、その後高温高圧で導電体６を埋め込むことも開示されている。
　したがって、刊行物発明２において、刊行物２に開示されたバリア層を形成しない形態の技術を適用し、「第１の導電膜１９」を形成することなく、絶縁膜１７の表面に、銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を堆積するようにすること、即ち、本願発明のごとく、「孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜の表面を、銅系の配線膜材料で被覆」するようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点２について］
　刊行物１においては、アルミニウム合金膜を第２の導電膜として用いた実施例に基づいて説明がなされており、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合の埋め込み処理工程の温度については、具体的に記載されていない。
　しかしながら、前記（ｄ）で検討したとおり、刊行物発明２の「埋め込み処理工程」は、導電膜の融点以下で導電膜が軟化する程度の温度で行うものであり、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合には、この導電膜が軟化する程度の温度が「３００℃以上融点以下の温度」となることは、当業者にとって自明の事項である。
　また、刊行物２には、純Ｃｕからなる導電膜６を、絶縁層３に形成した接続孔又は溝４に高温高圧で埋め込む技術が開示されており、その具体的条件は、「Ａｒ等の不活性ガス雰囲気で、３５０〜７５０゜Ｃの温度、６５０〜９００ｂａｒの圧力で１〜２０分保持する。」（段落【００１８】）と記載されているから、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合、第２の導電膜に対する埋め込み処理工程を「３５０〜７５０℃の温度」で行うことは、刊行物２の記載に基づいて通常選択される温度範囲であって、この温度範囲は「３００℃以上」であり、且つ、銅の「融点以下」であることは明らかである。
　したがって、相違点２は実質的な相違点ではなく、仮に実質的であるとしても、当業者が容易になし得ることにすぎない。
［相違点３について］
　刊行物１においては、アルミニウム合金膜を第２の導電膜として用いた実施例に基づいて説明がなされており、還元処理工程が４００℃で行われ（段落【０１１５】）、還元処理工程から埋め込み処理工程に移行するにあたって、「ウエハ９の加熱を継続したまま」（段落【０１１７】）としており、ウエハ９の加熱状態が維持されることは明らかであるものの、その後の埋め込み処理工程の具体的温度は記載されておらず、還元処理工程と埋め込み処理工程の温度関係は明らかではない。
　ところで、刊行物発明２においては、銅膜または銅合金膜からなる第２の導電膜を用いているから、導電膜の材料変更に伴って製造条件を適正に調整することは、当業者が当然に行うことにすぎない。
　そして、上記相違点２で検討したとおり、第２の導電膜を「銅膜または銅合金膜」とした場合、第２の導電膜に対する埋め込み処理工程を「３５０〜７５０℃の温度」で行うことは、刊行物２の記載に基づいて通常選択される温度範囲であって、上記温度範囲の平均値が５５０℃であることからも、上記埋め込み処理工程の温度を還元処理工程の温度（４００℃）よりも高くすること、言い換えれば、還元処理工程の温度を埋め込み処理工程の温度よりも低い温度とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることであるから、刊行物発明２において、本願発明のごとく、「銅系の配線膜材料で被覆された基板を、還元性気体の雰囲気中で該高圧ガス処理工程時の温度より低い温度で加熱処理を行うことで、酸化被膜を還元除去する還元除去工程」を行うことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。