【事件の表示】
　平成　９年特許願第５３０８３９号「圧力センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　４日国際公開、ＷＯ９７／３２１９０、平成１２年　５月２３日国内公表、特表２０００−５０６２６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９７年２月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年２月２７日、ノルウェー王国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年１２月６日付（発送日同年１２月１３日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年３月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年４月１２日付手続補正書によって明細書を補正対象とする補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年４月１２日付手続補正書（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論]
　本件補正を却下する。
　
[理由]
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、補正前の、
　「【特許請求の範囲】
１．　中央部に空洞（３、２３、３３、６３）が形成されるように二つの部分（１Ａ−Ｂ、２１Ａ−Ｂ、３１Ａ−Ｂ、６１Ａ−Ｂ）を封止連結した構造の測定子（１、２１、３１、５１、６１）と、
　この測定子の外側と前記空洞との圧力差によりこの測定子に生じる機械的応力状態を検出するセンサ手段（１１−１４）と
　を備えた圧力センサにおいて、
　前記二つの部分（１Ａ−Ｂ、２１Ａ−Ｂ、３１Ａ−Ｂ、６１Ａ−Ｂ）は半導体製造工程で利用されるプレーナ技術を用いて製造された細長い形状の部品であり、
　これら細長い形状の部品には前記空洞（３、２３、３３、６３）となる構造がその細長い形状に沿って形成され、
　前記測定子（１、２１、３１、５１、６１）の長さ方向と直交する断面の形状はその長さ方向に沿った二つの面に対してそれぞれ対称形であり、
　前記センサ手段（１１−１４）は前記測定子の外側の面（５）または前記空洞の内面に配置された圧電抵抗素子により構成された
　ことを特徴とする圧力センサ。」
から、
　「【特許請求の範囲】
１．　中央部に空洞（３、２３、３３、６３）が形成されるように二つの部分（１Ａ−Ｂ、２１Ａ−Ｂ、３１Ａ−Ｂ、６１Ａ−Ｂ）を封止連結した構造の測定子（１、２１、３１、５１、６１）と、
　この測定子の外側と前記空洞との圧力差によりこの測定子に生じる機械的応力状態を検出するセンサ手段（１１−１４）と
　を備えた圧力センサにおいて、
　前記二つの部分（１Ａ−Ｂ、２１Ａ−Ｂ、３１Ａ−Ｂ、６１Ａ−Ｂ）は半導体製造工程で利用されるプレーナ技術を用いて製造された細長い形状の部品であり、
　これら細長い形状の部品には前記空洞（３、２３、３３、６３）となる構造がその細長い形状に沿って形成され、
　前記測定子（１、２１、３１、５１、６１）の長さ方向と直交する断面の形状はその長さ方向に沿った二つの面に対してそれぞれ対称形であり、
　前記センサ手段（１１−１４）は前記測定子の外側の面（５）または前記空洞の内面に配置された圧電抵抗素子により構成され、
　
前記測定子（１）の長さ方向の寸法はそれと直交する横方向の寸法の少なくとも十倍であり、
　前記空洞（３、２３、３３、６３）は前記測定子の長さ方向のほぼ全域にわたって同じ断面形状で設けられた
　ことを特徴とする圧力センサ。」
と補正する補正事項を含むものである。（なお、下線は、補正箇所を示すために請求人が付したものである。）
　
２．補正の適否
　上記の補正内容は、請求項１に係る発明特定事項である「測定子」について、その寸法を「長さ方向の寸法はそれと直交する横方向の寸法の少なくとも十倍であり」とし、また、発明特定事項である「空洞」について、その断面形状を「測定子の長さ方向のほぼ全域にわたって同じ断面形状で設けられた」とする限定を付加する補正事項である。
　上記補正事項は、平成１８年法改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本件補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３．刊行物記載の発明・事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前の昭和６２年７月１３日に頒布された刊行物である特開昭６２−１５７５４３号公報（以下「刊行物１という」）には、図面とともに下記の事項が記載されている。
ア　「本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを使ったセンサに関する。本発明の重要な特徴は、例えば静水圧等の圧力を測定するためＳＡＷデバイスを使用することに関連する。」（第２頁右下欄２〜５行）
イ　「従って、ＳＡＷ圧力センサは、約百万倍以上のダイナミックレンジ、０〜１２５℃より広い温度範囲で数秒以下の大きさの圧力応答時間、できるだけ短い熱応答時間および高精度を持った圧力測定能力を有していることが好ましい。上記とは異なるが、０〜１０，０００ｐｓｉの圧力レンジ、０．０１ｐｓｉの分解能、周囲温度にて１００℃ステップ変化したときに約１０秒以下の熱レスポンス時間、およびフルスケールで０．０２５％の精度を有するＳＡＷ圧カセンサにすることが好ましい。更に上記目標を越え、かつ上記分解能および精度と妥協することなく０〜２０，０００ｐｓｉを越える圧力レンジ、０〜１７５℃を越える温度レンジ、数秒の大きさの圧力および温度応答時間を有する構造体を提供することが好ましい。」（第３頁左下欄１２行〜同頁右下欄６行）
ウ　「第１図の斜視図および第２図、第３図および第４図の断面図を参照すると、番号１０で一般的に示される外部負荷型圧力センサは軸平面に沿って１６で接合され頂部半分割体１２および底部半分割体１４から成る。頂部半分割体１２内には軸方向に延長するチャンネル１８が形成され、底部半分割体１４内には同様な（しかしチャンネル１８より浅い）軸方向延長チャンネル２０が形成されている。これら２つのチャンネルは互いに対向し、頂部半分割体１２と底部半分割体１４によってシールされたキャビティを形成している。頂部チャンネル１８の底部には軸方向に延長する頂部フラット面２２が形成され、チャンネル２０の底部には軸方向に延長する底部フラット面２４が形成されている。フラット面２２および２４はチャンネル１８および２０により形成されたキャビティを横断して互いに対向し、頂部フラット面２２に頂部ＳＡＷ共振器２６が形成され、底部フラット面２４に底部共振器２８が形成されている。本体１０を構成する半分割体の外観のこれ以上の細部は第９図から徐々に明らかとなるが、第９図は底部半分割体１４の半分の斜視図であり、他の部分は第９図にて底部半分割体１４が切断されている平面３０に対して実質的に対称的である。ここで「実質的」という用語を使用したのは、第４図に最良に示すように２つのチャンネルの深さが異なり、かつ２つのフラット面でのセンサの壁の厚さが異なることがあり得るからである。」（第４頁右下欄１６行〜第５頁右上欄３行）
エ　「第１１図に示したタイプのＳＡＷ共振器およびこれをドライブして出力するための回路の簡略化したブロック図である第１２図を参照すると、ＳＡＷ共振器は５４で略図で示され、第１図に５６および５８等で示すリード線を介して接続された出力端を有する。これらリード線は、頂部半分割体１２と底部半分割体１４との間のシールされた接合部を貫通し、外部の回路基板に適当に接続できる。この外部回路基板は第１２図に示すようにループアンプ６０と、方向性カップラーすなわちパワースプリッタ６２および出力バッファアンプ６４を含むことができ、アンプ６４はＳＡＷ共振器５４の特性で決まる周波数の信号を出力ライン６６に発生する。これら共振器の特性は、センサの本体に加えられる圧力による変化によって変わる。」（第８頁右上欄１０行〜同頁左下欄５行）
オ　「第１４図には、静水圧測定用センサ１０を使用するための装置の例が示されている。この装置は圧力センサ１０が分離サポート１０６により適当に支持されているハウジング１０４へ加圧流体を供給するよう導管１０２を選択的に開けることができる入力バルブ１００を含む。」（第９頁左上欄１〜６行）
カ　図面の第１図には、頂部半分割体１２、及び、底部半分割体１４は、共に細長い形状の部品である構成が示されている。
キ　図面の第４ないし８図には、接合された頂部半分割体１２及び底部半分割体１４の中央部にキャビティが形成されている構成、並びに、頂部半分割体１２及び底部半分割体１４の断面形状が、これら両者の接合面と直角の、長さ方向に沿った面に対して対称形である構成が示されている。
ク　図面の第９図には、底部半分割体１４の先端の近傍まで、チャンネルが形成されている構成が示されている。
　
　上記摘記事項「ウ」における「頂部半分割体１２内には軸方向に延長するチャンネル１８が形成され、底部半分割体１４内には同様な（しかしチャンネル１８より浅い）軸方向延長チャンネル２０が形成されている。これら２つのチャンネルは互いに対向し、頂部半分割体１２と底部半分割体１４によってシールされたキャビティを形成している。」の記載、及び、摘記事項「カ」から、チャンネル１８、２０が、頂部半分割体１２及び底部半分割体１４の細長い形状に沿って形成されている構成が読み取れる。
　また、上記摘記事項「ウ」における「・・・第４図に最良に示すように２つのチャンネルの深さが異なり、かつ２つのフラット面でのセンサの壁の厚さが異なることがあり得るからである。」の記載から、２つのチャンネルの深さが同じであってもよいこと、及び、２つのフラット面でのセンサの壁の厚さが同じであってもよいことが読み取れる。そして、摘記事項「キ」において示される構成と合わせれば、頂部半分割体１２及び底部半分割体１４を接合した構造体の長さ方向と直交する断面の形状はその長さ方向に沿った二つの面に対してそれぞれ対称形である構成、及び、キャビティが構造体の長さ方向にわたって同じ断面形状で設けられた構成が読み取れる。
　以上のことから、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
＜刊行物１記載の発明＞
　「中央部にシールされたキャビティが形成されるように頂部半分割体１２及び底部半分割体１４を接合した本体１０と、
　この本体１０に加えられる圧力を検出する手段であるＳＡＷ共振器と
　を備えた外部負荷型圧力センサにおいて、
　頂部半分割体１２及び底部半分割体１４は細長い形状の部品であり、
　これら細長い形状の部品である頂部半分割体１２及び底部半分割体１４には、軸方向に延長するチャンネル１８、２０が形成され、
　本体１０の長さ方向と直交する断面の形状はその長さ方向に沿った二つの面に対してそれぞれ対称形であり、
　圧力を検出する手段はチャンネル１８、２０の底部のフラット面２２、２４に形成されたＳＡＷ共振器２６、２８により構成され、
　キャビティは本体１０の長さ方向に同じ断面形状で設けられた
　外部負荷型圧力センサ。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前の１９９５年３月３０日に頒布された刊行物である国際公開第９５／０８７５７号（以下「刊行物２という」）には、図面とともに下記の事項が記載されている。（なお、以下のア〜エにおける訳文は、当該刊行物２に係る出願の日本国における公表公報である特表平９−５０３０５６号公報の記載を参照している。）
ア　「The pressure sensor layers of the present invention are made using batch fabrication techniques. A silicon wafer or layer is etched in a conventional manner to form the desired features and is then formed into a sandwich construction with additional layers of suitable material to form the sensor. 」（明細書第３頁２２〜２７行）
　（訳文「本発明の圧力センサ層はバッチ製造技術で作られる。シリコンウエーファすなわちシリコン層が通常の方法でエッチングされて所望の形状に整形され、さらに適当な材質の他の層とサンドイッチ状に組合わされてセンサが構成される。」）
イ　「 Upper diaphragm 28 and lower diaphragm 32 form a diaphragm assembly having diaphragm cavity 34 which typically containing a reference pressure applied through channel 20. Upper and lower diaphragms 28 and 32 are joined along their rims. Upper diaphragm 28 and lower diaphragm 32 are suspended in pressure input cavity 36 which is coupled to pressure inlet 26.」（明細書第４頁３２行〜第５頁５行）
　（訳文「上部ダイアフラム２８および下部ダイアフラム３２はダイアフラム空所３４を有するダイアフラム組立体を構成し、通常このダイアフラム空所３４は溝２０を介して供給される基準圧力に保持される。上部ダイアフラム２８と下部ダイアフラム３２はそれらのリムに沿って互いに接合されている。上部ダイアフラム２８と下部ダイアフラム３２とは、圧力導入口２６に連通している圧力導入空所３６内に懸架されている。」）
ウ　「In operation, suspended diaphragm pressure sensor is used to sense the difference in pressure between cavity 34 and cavity 36. ・・・Diaphragm 28 carries a capacitive plate and diaphragm 32 carries a capacitive plate. The capacitance between these two plates changes as they are displaced due to applied pressure through inlet 26. In another embodiment, electrical contacts 22 and 24 are coupled to a strain gage on a diaphragm which changes resistance as diaphragms 28 and 32 are deformed.」（明細書第５頁６〜２６行）
　（訳文「動作時には、懸架式ダイアフラム圧力センサはダイアフラム空所３４と圧力導入空所３６との間の圧力差を感知するのに使用される。・・・上部ダイアフラム２８はコンデンサ電極を有し、下部ダイアフラム３２もコンデンサ電極を有する。圧力導入口２６を介して供給される印加圧力にしたがってこれら２つの電極が変位すると、両者間の容量が変化する。他の実施例においては、前記電気接点２２および２４は、ダイアフラム上に設けら、上部ダイアフラム２８と下部ダイアフラム３２との変形につれてその抵抗値が変化する歪み計に接続される。」）
エ　「During fabrication, substrates 42, 44, 46 and 48 are formed using standard batch fabrication etching and masking techniques. Capacitive plates 70A and 70B, and 71A and 71B, are deposited on diaphragms 60A and 60B, and 58A and 58B, respectively. Diaphragms 58A, 58B, 60A and 60B are formed by etching away the back sides (the side which is exposed to cavities 64A and 64B) of the diaphragms to provide a more flexible diaphragm membrane. Substrates 46 and 48 are joined together such that a fluid tight bond is formed. This bond also bonds the rim of diaphragm 58A to the rim of diaphragm 60A, and the rim of diaphragm 58B to the rim of diaphragm 60B. 」（明細書第８頁１５〜２７行）
　（訳文「製造の途中において、標準的なバッチ製造のエッチングおよびマスク技術を用いて基板４２、４４、４６および４８が作られる。コンデンサ電極板７０Ａ、７０Ｂ、７１Ａ、７１Ｂが、ダイアフラム６０Ａ、６０Ｂ、５８Ａ、５８Ｂの上にそれぞれ沈積される。ダイアフラム５８Ａ、５８Ｂ、６０Ａ、６０Ｂは、ダイアフラムの背面（空所６４Ａ、６４Ｂに露出した面）を、より撓み易いダイアフラム膜が形成されるようにエッチング除去して作られる。基板４６、４８が、流体密な接合が形成されるように一体に接合される。この接合によって同時に、ダイアフラム５８Ａのリムがダイアフラム６０Ａのリムに、またダイアフラム５８Ｂのリムがダイアフラム６０Ｂのリムにそれぞれ接合される。」）
　
　上記摘記事項ア〜エからみて、刊行物２には、以下の技術が記載されているものと認められる。
　「圧力センサにおいて、被測定圧力の印加により変形する部分を、シリコンウエーファに対してエッチングおよびマスク技術を用いて製造すること。」
　
４．対比
　本件補正発明１と刊行物１記載の発明を対比する。
　後者の「キャビティ」、「本体１０」、「外部負荷型圧力センサ」、「チャンネル１８、２０」、「チャンネル１８、２０の底部のフラット面２２、２４」は、前者の「空洞」、「測定子」、「圧力センサ」、「空洞となる構造」、「空洞の内面」にそれぞれ相当し、後者の「細長い形状の部品である頂部半分割体１２及び底部半分割体１４には、軸方向に延長するチャンネル１８、２０が形成され」ることは、前者の「細長い形状の部品には前記空洞（３、２３、３３、６３）となる構造がその細長い形状に沿って形成され」ることに相当し、後者の「シールされたキャビティが形成されるように頂部半分割体１２及び底部半分割体１４を接合」することは、前者の「空洞（３）が形成されるように二つの部分（１Ａ−Ｂ）を封止連結」することに相当する。
　また、上記摘記事項「３．（１）ウ」における「２つのチャンネルは互いに対向し、頂部半分割体１２と底部半分割体１４によってシールされたキャビティを形成している。」の記載、「３．（１）エ」における「アンプ６４はＳＡＷ共振器５４の特性で決まる周波数の信号を出力ライン６６に発生する。これら共振器の特性は、センサの本体に加えられる圧力による変化によって変わる。」の記載、図面第１〜４図に示されている本体１０の構成、及び、被測定圧力を起歪体に作用させることで生じる起歪体の応力を検出して圧力を測定するという圧力測定における周知技術からみて、後者における圧力の検出は、圧力センサの本体１０の外側とキャビティとの圧力差により本体１０に生じる機械的応力状態がＳＡＷ共振器によって検出されることでなされているとするのが相当である。
　更に、後者の「チャンネル１８、２０の底部のフラット面２２、２４に形成」することと、前者の「測定子の外側の面または空洞の内面に配置」することとは、共に「空洞の内面に配置」することである限りにおいて共通しており、後者の「ＳＡＷ共振器５４」と、前者の「圧電抵抗素子」は、共に「圧力を検出するセンサ手段」である限りにおいて共通している。
　そうすると、両者は次の一致点及び相違点を有している。
　
＜一致点＞
　「中央部に空洞が形成されるように二つの部分を封止連結した構造の測定子と、
　この測定子の外側と空洞との圧力差により測定子に生じる機械的応力状態を検出するセンサ手段と
　を備えた圧力センサにおいて、
　二つの部分は細長い形状の部品であり、
　これら細長い形状の部品には前記空洞となる構造がその細長い形状に沿って形成され、
　測定子の長さ方向と直交する断面の形状はその長さ方向に沿った二つの面に対してそれぞれ対称形であり、
　センサ手段は空洞の内面に配置され、
　空洞は測定子の長さ方向に同じ断面形状で設けられた
　圧力センサ。」
　
＜相違点１＞
　本件補正発明１においては、細長い形状の部品である二つの部分（１Ａ−Ｂ）は、「半導体製造工程で利用されるプレーナ技術を用いて製造された」ものであるのに対し、刊行物１記載の発明においては、そのような製造手法についての構成を備えていない点。
　
＜相違点２＞
　本件補正発明１においては、センサ手段が、「圧電抵抗素子」であるのに対し、刊行物１記載の発明においては、「ＳＡＷ共振器」である点。
　
＜相違点３＞
　本件補正発明１においては、「測定子（１）の長さ方向の寸法はそれと直交する横方向の寸法の少なくとも十倍」であるのに対し、刊行物１記載の発明においては、本体１０（測定子に相当）の寸法について特定されていない点。
　
＜相違点４＞
　本件補正発明１においては、空洞（３）の断面形状が「測定子の長さ方向のほぼ全域にわたって同じ断面形状で設けられた」ものであるのに対し、刊行物１記載の発明においては、キャビティ（空洞に相当）の長さについて特定されていない点。
　
５．当審の判断
＜相違点１について＞
　上記の「３．（２）」にて述べたように、刊行物２には、「圧力センサにおいて、被測定圧力の印加により変形する部分を、シリコンウエーファに対してエッチングおよびマスク技術を用いて製造すること。」の技術が記載されている。一方、本願の明細書第５頁２１〜２５行の記載によれば、「プレーナ技術」とは、エッチングにて所望の形状を製造するものを含むと解されるのであり、刊行物２に記載の技術は、この「プレーナ技術」に相当するものである。また、シリコンウエーファは半導体であることは明らかである。そして、刊行物１記載の発明と刊行物２に記載の技術は共に、圧力センサに係る技術であり、被測定圧力が印加される部材の形状が、内部に空洞を有するものであることについても共通している構成を有していることからすれば、刊行物１記載の発明に対し刊行物２に記載の技術を適用することにより、相違点１に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点２について＞
　圧力センサにおいて、センサ手段として「圧電抵抗素子」を用いることは、例えば、特開昭６３−１９１９３６号公報（その第２頁右上欄１〜６行を参照）、特公平２−３１３０号公報（その第３頁右欄７〜２３行を参照）に記載されるように周知の技術である。刊行物１記載の発明における「ＳＡＷ共振器」と、これら周知の「圧電抵抗素子」は、共に、被測定圧力によって変形する箇所の歪みを検出するものであることで共通するものであることからすれば、刊行物１記載の発明に対しこれら周知の技術を適用することにより、相違点２に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点３について＞
　刊行物１記載の発明において、圧力センサの本体１０は、細長い形状の部品である頂部半分割体１２及び底部半分割体１４を接合したものであるから、本体１０の形状も当然に細長い形状を有している。一方、本願明細書を参酌しても、十倍の前後で特段の作用効果の相違を生じることを示す記載はないので、本件補正発明１において、「測定子（１）の長さ方向の寸法はそれと直交する横方向の寸法の少なくとも十倍」であることの技術的意義は特に存在せず、長さ方向の寸法を、それと直交する横方向の寸法の少なくとも十倍とすることは単なる設計事項にすぎない。してみれば、刊行物１記載の発明において、細長い形状を有している本体１０について、その長さ方向の寸法とそれと直交する横方向の寸法の比率を適宜選択して、相違点３に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点４について＞
　刊行物１記載の発明において、本体１０内部のキャビティは、チャンネルが形成されている頂部半分割体１２及び底部半分割体１４を接合して形成される。そして、上記の摘記事項「３．（１）ク」で述べたように、図面の第９図には、底部半分割体１４の先端の近傍まで、チャンネルが形成されており、摘記事項「３．（１）ウ」で述べた、「第９図は底部半分割体１４の半分の斜視図であり、他の部分は第９図にて底部半分割体１４が切断されている平面３０に対して実質的に対称的である。」の記載からすれば、同第９図に図示されていない半分についても、底部半分割体１４の反対側端の近傍まで、チャンネルを形成することに格別困難な点は見いだせない。してみれば、刊行物１記載の発明において、本体１０の内部のキャビティを、当該本体１０の長さ方向のほぼ全域に形成することにより、相違点４に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜補正発明１の作用効果について＞　
　そして、本件補正発明１の作用効果は、刊行物１及び２に記載の事項及び上記周知の技術から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本件補正発明１は刊行物１記載の発明、刊行物２に記載の事項及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１．本願発明
　平成１８年４月１２日付手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成１７年１０月５日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１８にそれぞれ記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
＜本願発明１＞
　「【特許請求の範囲】
１．　中央部に空洞（３、２３、３３、６３）が形成されるように二つの部分（１Ａ−Ｂ、２１Ａ−Ｂ、３１Ａ−Ｂ、６１Ａ−Ｂ）を封止連結した構造の測定子（１、２１、３１、５１、６１）と、
　この測定子の外側と前記空洞との圧力差によりこの測定子に生じる機械的応力状態を検出するセンサ手段（１１−１４）と
　を備えた圧力センサにおいて、
　前記二つの部分（１Ａ−Ｂ、２１Ａ−Ｂ、３１Ａ−Ｂ、６１Ａ−Ｂ）は半導体製造工程で利用されるプレーナ技術を用いて製造された細長い形状の部品であり、
　これら細長い形状の部品には前記空洞（３、２３、３３、６３）となる構造がその細長い形状に沿って形成され、
　前記測定子（１、２１、３１、５１、６１）の長さ方向と直交する断面の形状はその長さ方向に沿った二つの面に対してそれぞれ対称形であり、
　前記センサ手段（１１−１４）は前記測定子の外側の面（５）または前記空洞の内面に配置された圧電抵抗素子により構成された
　ことを特徴とする圧力センサ。」
　
２．刊行物記載の発明・事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び同刊行物に記載された発明・事項は、前記、「第２　３．（１）ないし（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、前記「第２」で検討した本件補正発明１の発明特定事項である「測定子」について、その寸法を「長さ方向の寸法はそれと直交する横方向の寸法の少なくとも十倍であり」とし、また、発明特定事項である「空洞」について、その断面形状を「測定子の長さ方向のほぼ全域にわたって同じ断面形状で設けられた」とする限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付加したものに相当する本件補正発明１が前記「第２　５．」に記載したとおり、前記刊行物１記載の発明、刊行物２に記載の事項及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明１も同様の理由により、刊行物１記載の発明、刊行物２に記載の事項及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、請求項１に係る発明が特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項２ないし１８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。