【事件の表示】
　特願２０００−　３０８２１「赤外線光源及びその製造方法及び赤外線ガス分析計」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月１７日出願公開、特開２００１−２２１７３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年２月８日の出願であって、平成１７年６月１５日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年８月３日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１８年２月２０日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年３月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年４月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年４月１９日付けの手続補正書（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年４月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正は、補正の内容として、特許請求の範囲の請求項１、２について、補正前の
「【請求項１】
　基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源において、
　単結晶シリコン基板上に絶縁膜を介して単結晶シリコン層が形成されたＳＯＩ基板を有する基板と、
　前記単結晶シリコン層をエッチングして形成されたフィラメントと、
　前記単結晶シリコン基板をエッチングして設けられ前記フィラメントをマイクロブリッジ状に形成する凹部と
　を具備したことを特徴とする赤外線光源。
　　【請求項２】
　単結晶シリコン基板上に絶縁膜を介して単結晶シリコン層が形成されたＳＯＩ基板を準備する工程と、
　前記単結晶シリコン層をフォトエッチングしてフィラメントを形成する工程と、
　このフィラメントの下部の前記単結晶シリコン基板をエッチングすることにより、前記フィラメントをマイクロブリッジ状とする工程と、
　を具備することを特徴とする赤外線光源の製造方法。」
を、
「【請求項１】
　基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源において、
　単結晶シリコン基板
の一面に一面が接する
とこの絶縁膜の他面に一面が接する
とを具備する
　前記単結晶シリコン層をエッチングして形成されたフィラメントと、
　前記単結晶シリコン基板をエッチングして設けられ前記フィラメントをマイクロブリッジ状に形成する凹部と
　を具備したことを特徴とする赤外線光源。
　　【請求項２】
　単結晶シリコン基板
の一面に一面が接する
とこの絶縁膜の他面に一面が接する
とを具備する
　前記単結晶シリコン層をフォトエッチングしてフィラメントを形成する工程と、
　このフィラメントの下部の前記単結晶シリコン基板をエッチングすることにより、前記フィラメントをマイクロブリッジ状とする工程と、
　を具備することを特徴とする赤外線光源の製造方法。」
と補正することを含むものである。（下線部は補正箇所を示す。）
　
　上記補正は、請求項１、２に記載した発明を特定するために必要な事項である「ＳＯＩ基板」を構成する、「単結晶シリコン基板」と「絶縁膜」との関係を、「の一面に一面が接する」と限定すると共に、「絶縁膜」と「単結晶シリコン層」との関係を「とこの絶縁膜の他面に一面が接する」との限定を付加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第第４項第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された刊行物である、特開平８−６４１８３号公報（以下、「引用例１」という。）は、「電気的に調節可能な熱放射源」に関するものであり、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項１の前文のような電気的に調節可能な熱放射源に関するものである。」
　
イ．「【００２２】図６を参照して、放射源の層構造がより詳しく説明されている。ここに示した実施例において、放出された放射は反射防止層３７を通って下側に向かう。領域３１は通常は、その上に約２００ｎｍの厚さの窒化シリコン層３６を蒸着した（１００）−の向きの単結晶シリコンの基体チプにより形成される。窒化層３６は白熱フィラメントを導電性の基体３１から隔離するために必要であり、また同時に白熱フィラメント３３の下側の保護層としても機能する。窒化層３６の面上には通常は０．５μｍ厚の金属層３３が付着されており、これは、マイクロエレクトロニクス技術において使用されているホトリソグラフおよびプラズマエッチング技術により白熱フィラメント中にパターン付けされている。次いで、上側の窒化シリコン層３２が付着され、これにより、金属層３３からパターン付けされた白熱フィラメントが全体的に窒化層内にカプセル化される。上側の窒化層３２は通常は２００ｎｍの厚さである。入力電圧を供給する手段は、金属化されたパッド３４であり、これは例えばアルミニウムから作られる。これらのパッドは、例えばプラズマエッチングにより上側の窒化層３２内に作られた開口を経て、金属製の白熱フィラメント３３の抵抗性の接点を形成する。基体３１を構成する単結晶シリコンは最終的にフィラメントの下側からエッチング除去され、これによりウェル３５が形成される。このエッチング工程は、フィラメントの間に作られた開口、並びにフィラメントの外周側を経て起こる。層３７は、例えば窒化シリコンから作られた、薄い非反射層である。このλ／４層の厚さは、所望の動作波長に依存し、例えば４００から５００ｎｍである。」
　
ウ．「【００２７】本明細書で使用した放出の用語は、放射放出、特に赤外線放出を意味する。」
　
エ．図６には、単結晶シリコン基体３１の一面に一面が接する窒化シリコン層３６とこの窒化シリコン層３６の他面に一面が接するマイクロブリッジ状に形成される白熱フィラメント３３を構成する金属層３３とを具備する基板が、開示されている。
　
　上記摘記事項「ア．」〜「エ．」を総合すると、上記引用例１には、
「単結晶シリコン基体３１にマイクロブリッジ状に形成される白熱フィラメント３３を有し、この白熱フィラメント３３に通電して発熱させることにより赤外線を放出させる放射源において、
　単結晶シリコン基体３１の一面に一面が接する窒化シリコン層３６とこの窒化シリコン層３６の他面に一面が接する金属層３３とを具備する、単結晶シリコン基体３１上に窒化シリコン層３６及び金属層３３が順次形成された基板と、
　前記金属層３３からホトリソグラフ及びプラズマエッチング技術により形成された白熱フィラメント３３と、
　前記単結晶シリコン基体３１をエッチングして設けられた前記白熱フィラメント３３をマイクロブリッジ状に形成するウェル３５と
を具備した赤外線を放出させる放射源。」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が、開示されていると認められる。
　
　また、原査定の拒絶理由で引用された刊行物である、特開平１０−２９４１６５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
オ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基板上にマイクロブリッジ形状のフィラメントを有する赤外線光源に関するものである。」
　
カ．「【０００２】
【従来の技術】従来の赤外線光源の上面図及びＡ−Ａ断面図を図９に示す。１はシリコン基板であり、基板面上にフィラメント２と、フィラメント２を設置する台座３と、フィラメント２に電流を流すための電極４と、掘込み孔５とが形成されている。台座３及び掘込み孔５の形成には、シリコン基板１表面もしくは裏面からウエットエッチングにより台座３を選択的に残すようにして掘込み孔５を掘抜き形成する。なお、台座３に形成されたフィラメント２は、シリコン単結晶、ポリシリコン及び金属膜などの抵抗体が用いられる。」
　
キ．「【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態について図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る赤外線光源の断面図である。
【００１５】１はシリコン基板であり、基板面上にフィラメント２と、フィラメント２を設置する台座３と、フィラメント２に電流を流すための電極４と、掘込み孔５とが形成されている。台座３及び掘込み孔５の形成には、シリコン基板１表面もしくは裏面からウエットエッチングにより台座３を選択的に残すようにして掘込み孔５を掘抜き形成する。なお、台座３に形成されたフィラメント２には、シリコン単結晶、ポリシリコン及び金属膜などの抵抗体を用いる。」
　
　上記摘記事項「オ．」〜「キ．」を総合すると、上記引用例２には、
「赤外線光源のフィラメントとして、シリコン単結晶、ポリシリコン及び金属膜などの抵抗体を用いる」構成が、開示されていると認められる。
　
（３）対比・検討
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「単結晶シリコン基体３１」、「白熱フィラメント３３」、「窒化シリコン層３６」、「赤外線を放出させる放射源」、「ホトリソグラフ及びプラズマエッチング技術により形成された」及び「ウェル３５」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「フィラメント」、「絶縁層」、「赤外線を発光させる赤外線光源」、「エッチングして形成された」及び「凹部」に相当することが明らかである。また、引用例１発明の「金属層３３」と本願補正発明の「単結晶シリコン層」とは、エッチングによりフィラメントを形成するための材料層であるから、「フィラメント材料層」という点で共通するものである。また、引用例１発明の「単結晶シリコン基体３１上に窒化シリコン層及び金属層３３が順次形成された基板」と本願補正発明の「ＳＯＩ基板」とは、「赤外線光源を構成する基板」という点で共通するものである。
　
　そうすると、両者は、
「基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源において、
　単結晶シリコン基板の一面に一面が接する絶縁膜とこの絶縁膜の他面に一面が接するフィラメント材料層とを具備する赤外線光源を構成する基板と、　前記フィラメント材料層をエッチングして形成されたフィラメントと、
前記単結晶シリコン基板をエッチングして設けられ前記フィラメントをマイクロブリッジ状に形成する凹部と、
　を具備した赤外線光源。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点
　本願補正発明では、赤外線光源を構成する基板が、単結晶シリコンの一面に一面が接する絶縁膜とこの絶縁膜の他面に一面が接する単結晶シリコン層とを具備するＳＯＩ基板であって、フィラメントが、前記単結晶シリコン層をエッチングして形成されたものであるのに対して、引用例１発明では、単結晶シリコン基板の一面に一面が接する絶縁膜とこの絶縁膜の他面に一面が接する金属層とを具備する基板であって、フィラメントが前記金属層をエッチングして形成されたものである点。
　
（４）判断
　上記相違点につて検討する。
　引用例２には、赤外線光源のフィラメント材料として、シリコン単結晶、ポリシリコン及び金属膜などの抵抗体が用いられる構成が開示されている。引用例１と引用例２は、ともにフィラメントを加熱して赤外線を放出する赤外線源に関するものであるから、引用例１発明のフィラメント材料層である「金属層」に替えて、引用例２のフィラメント材料として挙げられている材料の一つである単結晶シリコンを用いた「単結晶シリコン層」を用いることは、当業者が容易に想到し得る事項であると認められる。
　そして、「ＳＯＩ基板」が如何なる基板であるのか、本願明細書では明確に定義はなされていないが、「ＳＯＩ基板」とは、「絶縁層上に（単結晶）シリコン層を有する基板」を含む技術用語であると認められ（特開昭６３−６０５２０号公報（〔産業上の利用分野〕の項、第２頁左下欄第７−１７行参照）、特開平７−２２１２９７号公報（【０００６】参照）、特開平１１−２８８８５８号公報（【００３２】、【００４０】参照））、この絶縁層にはこれらの文献に記載されているように窒化シリコンを含むものであるから、引用例１発明において、上述したとおりフィラメント材料層として単結晶シリコン層を用いた場合、赤外線光源を構成する基板は、絶縁層の他面に一面が接する単結晶シリコン層を具備するＳＯＩ基板となることは明らかである。
　
　また、本願補正発明の作用効果は、引用例１発明及び引用例２に記載の発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１発明及び引用例２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年４月１９日付けの手続補正書は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年８月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源において、
　単結晶シリコン基板上に絶縁膜を介して単結晶シリコン層が形成されたＳＯＩ基板を有する基板と、
　前記単結晶シリコン層をエッチングして形成されたフィラメントと、
　前記単結晶シリコン基板をエッチングして設けられ前記フィラメントをマイクロブリッジ状に形成する凹部と
　を具備したことを特徴とする赤外線光源。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明から、「ＳＯＩ基板」の「単結晶シリコン基板」と「絶縁膜」の限定事項である「の一面に一面が接する」との構成、「絶縁膜」と「単結晶シリコン層」の限定事項である「とこの絶縁膜の他面に一面が接する」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１発明及び引用例２に記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１発明及び引用例２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明及び引用例２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、他の請求項について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。