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　特願２００１−２４７９９５「低圧誘導結合プラズマを用いたダイヤモンド微粒子の合成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２６日出願公開、特開２００３−　５５０８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年８月１７日の出願であって、平成１７年６月１日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年７月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月８日付で手続補正がなされたものである。
　
 ２．平成１７年８月８日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年８月８日付の手続補正を却下する。
　［理由］ 
　（１）補正後の本願発明
　平成１７年８月８日付の手続補正（以下、「本件補正」という）は、願書に最初に添附した明細書（以下、「当初明細書」という）の特許請求の範囲の請求項４を削除し、同項において特定された事項を、「ガス供給ノズルには１ｍｍ前後の、安定プラズマを確保しうる内径を有するノズルを選択し、」 として請求項１に付加する補正を含むものである。
　（２）本件補正の適否に対する判断
　本件補正の内の上記補正事項は、形式的には、特許請求の範囲の限定的減縮に該当するものである。
　しかしながら、当初明細書には、「ノズル内径」に関しては、「原料ガス供給ノズルの設定位置、及び内径を選定し、このノズルを介して原料ガスをプラズマ中心部に直接供給すること」（【００１０】）、「ノズル内径を選択し」（【００１１】）、「ノズル内径が１ｍｍのものを選定した」（【００１３】）、「加えて、ノズルの内径について選定、配慮する点は、与えられた一様な条件、すなわち、反応装置、圧力条件、ガス組成とその供給量、等の諸条件が一様な条件として与えられている場合、そのプラズマ発生空間内におけるガス速度は、専らノズル径によって左右されることは、自明の理である。すなわち、ノズル径を小に設定すると、プラズマ空間内におけるガスの速度は、相対的に速く、逆にノズル径を大にした場合、ガス速度は、遅くなる。このガス速度の遅速は、プラズマの発生、状態に直接関わり、ガス速度が速くなりすぎるとガスが一定の密度にプラズマ化されることなく、すなわち、充分に励起される前に系外に排出され、これによって安定なプラズマを得ることが出来ない。逆に、ノズル内径を大にし、プラズマ発生空間におけるガス速度を相対的に遅くすると、これはノズルのない場合に等しくなり、ガスが速く拡散し、これによってプラズマ密度を上げることが出来ず、その結果として、ダイヤモンド前駆体ラジカルが得られないか、得られたとしても基板に到達するまでには至らない。」（【００２０】）、「すなわち、ノズルの径（内径）は、以上述べたように、プラズマの発生維持、あるいは、ダイヤモンド前駆体ラジカルの生成、そして基板への到達、堆積等に深く関係し、そこに格別の配慮を要するものである。このような理由により、その内径を最適の範囲に設定すべきであり、これを技術的要件事項とすることは重要である。実験によると、メタン／一酸化炭素／水素＝４．５／１０／７５ｃｃ／分の場合に１ｍｍのノズル内径が最適の結果を示した。（或いは逆に、ノズル内径を１ｍｍとした場合、これに見合った原料ガスの供給量は、上記供給割合が、最適ということになる。）」（【００２１】）及び「内径１ｍｍのノズルよりプラズマチャンバーのプラズマ中心部に導入し」（【００３０】）とあるだけで、特定の幅をもってノズル内径を表現した記載は認められない。また、願書に最初に添附した【図２】は、低圧誘導結合型プラズマ反応装置の概要図であるが特定の幅をもってノズル内径を表現した記載は認められない。
　審判請求人は、平成１７年８月８日付手続補正書において、「３−１．これに対し、請求人（出願人）は、平成１７年８月８日付け手続補正により特許請求の範囲の記載並びこれに準ずる記載箇所（００１１）を以下の通り補正し、併せて明細書を全文訂正いたしました。
（請求項１）；
原料ガス供給口と排出口とを備えてなる真空引きチャンバー構造を有し、該供給口と排出口との間のチャンバー内ガス流路には、プラズマ発生アンテナによってプラズマが発生しうるプラズマ発生空間領域が形成され、このプラズマ発生空間領域に隣接して反応物堆積用加熱基板が取り付けられてなる誘導結合型プラズマ反応装置によるダイヤモンド合成方法において、
原料ガスとしてメタンを含むガスに一酸化炭素又は二酸化炭素を添加し、さらに水素を含んでなるガスを用いるとともに、加熱基板温度を７００〜１０００℃、反応装置内圧力を０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧に設定し、且つ、プラズマ発生周波数を１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ、プラズマ入力パワーを５００Ｗ〜３ｋＷに設定し、該誘導結合型プラズマ反応装置には、そのプラズマ発生アンテナの内側にファラデーシールドをアースして装着し、該原料ガスはプラズマアンテナによって囲まれたプラズマ発生空間中心部に臨ませて配置したガス供給ノズルを介してチャンバー内に導入するとともに、ガス供給ノズルには１ｍｍ
以下
３−２．補正の根拠
上記補正は、平成１３年８月１７日に出願した願書に添付した当初明細書の特許請求の範囲第１項に記載された要件事項に、同じく特許請求の範囲第２項以下第６項に記載された各要件事項をさらに付加することによって技術的に限定するものであるから、この補正は、当初明細書に記載された範囲内の補正であり、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。」と主張している。
　この主張について検討すると、上記における「ガス供給ノズルには１ｍｍ
以下
　さらに、審判請求人の主張が平成１７年８月８日付手続補正書と矛盾するものであるにせよ何らかの数値限定を付加しようとすることが現れている以上、この主張からも、この「１ｍｍ前後」が製造上の誤差を含んだ「１ｍｍのもの」と解することはできない。
　したがって、本件補正における「ガス供給ノズルには１ｍｍ前後の、安定プラズマを確保しうる内径を有するノズルを選択し、」は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項ではないばかりか、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項から自明のこととも認められないから、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
（３）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年８月８日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、当初明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「原料ガス供給口と排出口とを備えてなる真空引きチャンバー構造を有し、該供給口と排出口との間のチャンバー内ガス流路に、プラズマ発生アンテナによってプラズマが発生するプラズマ発生空間領域を有し、さらにこのプラズマ発生空間領域に隣接して反応物堆積用加熱基板が設けられている低圧誘導結合型プラズマ反応装置を使用する、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧誘導結合プラズマＣＶＤによるダイヤモンド合成方法において、該プラズマ反応装置には、そのプラズマ発生アンテナの内側にファラデーシールドをアースして装着し、原料ガスは、プラズマアンテナによって囲まれたプラズマ発生空間中心部に臨ませて配置したガス供給ノズルを介してチャンバー内に導入するとともに、ノズル内径を選択し、これによって反応室に与えられた原料ガス供給量に対する反応室内ガス速度を安定プラズマが確保されるガス速度とするとともに、ダイヤモンド成長の前駆体ラジカルが基板に到達しうるに充分なガス速度を確保し、加熱基板上に１００ｎｍ〜１０００ｎｍの高純度ダイヤモンド微粒子を析出させることを特徴とするダイヤモンドの合成方法。」
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平８−２７５７６号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開平１０−２７５６９４号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。 
　（１−１）引用例１ 
（ア）「高周波プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド膜の形成方法において、誘導結合型プラズマＣＶＤ法を用い、かつ高周波周波数を４０〜２５０ＭＨｚとして、炭素を含有する原料ガスをプラズマ化して分解し、基体上にダイヤモンド膜を形成することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。」（【請求項１】）、
（イ）「本発明においては、高周波印加方法として、誘導結合型電極を用いることにより、更に、高い密度でプラズマが形成され、ダイヤモンド結晶の形成速度が向上する。」（【００３１】）、
（ウ）「基体温度は３００℃から１２００℃・・・である。
又、圧力は、１Ｐａから１０４Ｐａ・・・である。」（【００３７】〜【００３８】）、
（エ）「本発明で用いられるプラズマＣＶＤ装置の一形態を図１に示す。本装置においては、減圧可能な石英製反応容器１中に、基体の加熱及び冷却、更には基体バイアスが印加可能な基体ホルダー２と、基体３が配置されている。また、反応容器外側には誘導結合コイル４が配置され、整合回路５を介して、不図示の高周波電源が接続されている。また、誘導結合コイルの外側には基体面に垂直な方向の磁界を印加するための磁界印加手段６が設置されている。更に、７は基体バイアス用電源である。また、８はガス供給口で、不図示のバルブ及びガスボンベ、ガス流量調整器が接続されている。９は、真空排気口で、不図示のバルブ及びターボ分子ポンプ、ロータリポンプが接続されている。」（【００３９】）、
（オ）【図１】は、本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施態様例であって、石英製反応容器１が誘導結合コイル４に巻回されていること及び石英製反応容器中に突出したガス供給口８に対向して基体３が設置されていることが窺える（【図１】）。
　（１−２）引用例２
（ア）「処理チャンバと、処理用のガスの導入手段および排気手段と、被処理物を載置するステージと、プラズマを発生させるための高周波電力供給手段を備え、前記電力供給手段と接続されたアンテナとプラズマ発生部との間にファラデーシールドを備え、前記ファラデーシールドが開閉手段を介して接地されることを特徴とするプラズマ処理装置。」（【請求項１】）、
（イ）「【課題を解決するための手段】・・・また、制御回路によって、ファラデーシールドに加わる電圧を適当な値にすることにより、アンテナ直下の絶縁材チャンバが削れず、かつエッチング等のプラズマ処理による反応生成物も付着しない理想的なチャンバ内表面の状態が実現できる。」（【０００９】）、
（ウ）「【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置によれば、アンテナ近傍の絶縁材の削れを防止するとともに、同時に、その付近への反応生成物の付着を防ぎ、これにより、繰り返し処理する場合でも、安定したプラズマ処理が可能となる。また、削れによる部品の交換や、反応生成物の付着による内部の清掃の頻度が激減する。その結果、全体としてのプラズマ処理性能、および装置の稼働率が向上し、ハイスループットでの微細なエッチング加工や、高品質な成膜加工、表面処理等が可能となる。」（【００２２】）。
（２）対比 
　引用例１には、記載事項（ア）から「誘導結合型プラズマＣＶＤ法を用い」、「炭素を含有する原料ガスをプラズマ化して分解し、基体上にダイヤモンド膜を形成することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法」が記載され、及び同（ウ）には、「基体温度は３００℃から１２００℃」「である。」こと及び「圧力は、１Ｐａから１０４Ｐａ」「である。」ことが記載され、同（エ）において「減圧可能な石英製反応容器１中に、基体の加熱及び冷却、更には基体バイアスが印加可能な基体ホルダー２と、基体３が配置されている。また、反応容器外側には誘導結合コイル４が配置され」、とされ、「８はガス供給口で、不図示のバルブ及びガスボンベ、ガス流量調整器が接続されている。９は、真空排気口で、不図示のバルブ及びターボ分子ポンプ、ロータリポンプが接続されている。」とあり、さらに、同（オ）に「石英製反応容器中に突出したガス供給口８に対向して基体３が設置されている」ことが示されているから、これら引用例１に記載された事項を本願発明に則して整理すると、「外側には誘導結合コイルが配置され、ガス供給口と真空排気口を有し、減圧可能な石英製反応容器中において、１Ｐａから１０４Ｐａで誘導結合型プラズマＣＶＤ法を用い、石英反応容器中に突出したガス流量調整器が接続されているガス供給口に対向して基体が配置され、炭素を含有する原料ガスをプラズマ化して分解し、基体温度３００℃から１２００℃で基体上にダイヤモンド膜を形成するダイヤモンド膜の形成方法」（以下「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「ガス供給口」、「真空排気口」及び「減圧可能な石英製反応容器」は、本願発明の「原料ガス供給口」、「排出口」及び「真空引きチャンバー」に相当し、引用例１発明の「１Ｐａから１０４Ｐａ」は、０．１Ｔｏｒｒが１３．３Ｐａであるから、本願発明の「０．１Ｔｏｒｒ以下」と１Ｐａから１３．３Ｐａでの範囲で重複し、本願の当初明細書段落【０００２】から、この範囲の圧力は「低圧」であるといえる。そして、引用例１発明の「誘導結合コイル」は、「原料ガスをプラズマ化」するという機能からみて、本願発明の「プラズマ発生アンテナ」に相当するということができ、これにより「炭素を含有する原料ガスをプラズマ化して分解し」「基体上にダイヤモンド膜を形成する」から引用例１発明は、本願発明の「供給口と排出口との間のチャンバー内ガス流路に、プラズマ発生アンテナによってプラズマが発生するプラズマ発生空間領域を有」するということができ、引用例１発明の「基体」は、「基体温度３００℃から１２００℃で」「ダイヤモンド膜を形成する」ものであるから、本願発明の「反応物堆積用加熱基板」に相当し、その配置箇所は、プラズマＣＶＤを原理とする以上プラズマから離隔することはないので、「プラズマ発生空間領域に隣接し」ているといえる。さらに、「石英製反応容器１」は、当然「プラズマ発生空間」を有しているものと認められ、「外側には誘導結合コイルが配置された石英製反応容器中」は「プラズマアンテナによって囲まれたプラズマ発生空間中心部」ということができるので、引用例１発明の「石英製反応容器中に突出したガス供給口」は、本願発明の「ガス供給ノズル」に相当するということができるから「原料ガスは、プラズマアンテナによって囲まれたプラズマ発生空間中心部に臨ませて配置したガス供給ノズルを介してチャンバー内に導入する」ことが引用例１発明に記載されているということができる。
　これらを総合すると、両者は、「原料ガス供給口と排出口とを備えてなる真空引きチャンバー構造を有し、該供給口と排出口との間のチャンバー内ガス流路に、プラズマ発生アンテナによってプラズマが発生するプラズマ発生空間領域を有し、さらにこのプラズマ発生空間領域に隣接して反応物堆積用加熱基板が設けられている低圧誘導結合型プラズマ反応装置を使用する、０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧誘導結合プラズマＣＶＤによるダイヤモンド合成方法において、原料ガスは、プラズマアンテナによって囲まれたプラズマ発生空間中心部に臨ませて配置したガス供給ノズルを介してチャンバー内に導入するとともに、加熱基板上に析出させるダイヤモンドの合成方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　［相違点１］本願発明は、「プラズマ反応装置には、そのプラズマ発生アンテナの内側にファラデーシールドをアースして装着し」ているのに対し、引用例１発明では「ファラデーシールド」については記載のない点。
　［相違点２］本願発明は、「ノズル内径を選択し、これによって反応室に与えられた原料ガス供給量に対する反応室内ガス速度を安定プラズマが確保されるガス速度とするとともに、ダイヤモンド成長の前駆体ラジカルが基板に到達しうるに充分なガス速度を確保し」ているのに対し、引用例１発明は、「ガス流量調整器が接続されているガス供給口」について記載があるものの、上記の特定事項については記載のない点。
　［相違点３］本願発明は、「１００ｎｍ〜１０００ｎｍの高純度ダイヤモンド微粒子」を析出させるのに対し、引用例１発明では、「ダイヤモンド膜を形成」するもののダイヤモンド結晶の粒径及びダイヤモンド微粒子が「高純度」であることについては記載のない点。
（３）判断
　［相違点１］について
　本願発明が「ファラデーシールド」を用いる理由は、当初明細書の段落【００１５】に記載されるように、「ここに、ファラデーシールドの装着がない場合、発生するプラズマとプラズマ発生用アンテナとの間には、静電容量的結合に基づく相互作用が生じ、プラズマ中の正イオンが加速されて反応チャンバー（石英管）内壁に対して激しく衝突し、石英管を激しくエッチングする。これによって、ＳｉＯ２の蒸発が生じ、これが基板上に搬送されて、凝縮し、基板上にはＳｉＯ２の堆積物が優勢に進行する結果となる。」というものであって、ダイヤモンドの合成方法と格別積極的な関連を有するものとは認められず、しかも、引用例２の記載事項（ア）〜（ウ）に記載されるように、「接続されたアンテナとプラズマ発生部との間にファラデーシールドを備え、接地されることにより、アンテナ直下の絶縁材チャンバが削れず、高品質な成膜加工が可能となる」ことが周知であり、引用例１発明も石英反応容器を用いたプラズマＣＶＤを成膜原理とする以上、かかる相違点１は、当業者であれば引用例１発明においても適宜付し得る程度の周知手段の付加にすぎないものであり、これにより得られる効果も格別顕著とも認められない。
　［相違点２］について
  本願発明が相違点２に係る特定事項を採用する技術的意義は、当初明細書の段落【００１９】に記載されるように、「基板上にダイヤモンドを堆積させる」というものである。
　確かに、引用例１には、「ノズル内径を選択し、これによって反応室に与えられた原料ガス供給量に対する反応室内ガス速度を」制御することは文言上記載されていないが、上記したように「ガス流量調整器」が設けられた「ダイヤモンド膜の形成方法」の発明である。したがって、その目的を達成するために「ガス流量調整器」は基板上にダイヤモンドを形成するために制御することは記載されているに等しい事項であるということができる。
　してみれば、引用例１発明に、相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得ることであり、これにより得られる効果も格別顕著とも認められない。
　［相違点３］について
　本願発明が「１００ｎｍ〜１０００ｎｍ」の粒径を特定する理由は、当初明細書に記載されるように「本件発明は、低圧誘導結合プラズマ法によって、実際にサブミクロン単位の微粒子状高純度ダイヤモンド結晶を製造するのに成功した」（【００３２】）ことによるものであって、格別積極的な臨界的意義を有するものとは認められず、しかも、例えば特開平３−１９７６７７号公報、特開平４−２５０９０６号公報及び特開平５−２５６３９号公報に記載されるように、低圧気相法を用いたプラズマＣＶＤにより製造された多結晶ダイヤモンドの粒径として通常のものと認められるので、かかる粒径の限定は、当業者であれば引用発明においても適宜付し得る程度の数値限定にすぎないものということができる。
　さらに、引用例１には、成膜されたダイヤモンドが「高純度」であることは記載されていないが、本願の当初明細書をみても「高純度」であることについては、上記の相違点１に係るファラデーシールドの採用による効果としか説明されておらず、引用例１発明においてもファラデーシールドを採用することにより必然的に得られる効果にすぎないものであるということができる。
　してみれば、引用例１発明に、相違点３に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得ることであり、これにより得られる効果も格別顕著とも認められない。
　したがって、上記相違点１〜３に係る本願発明の構成は、引用例１発明及び引用例２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものであり、得られた効果も格別顕著とも認められない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。