【事件の表示】
　平成　８年特許願第　３２４１２号「光学的記録再生装置用光学ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１２月２４日出願公開、特開平　８−３３９５７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件審判の請求に係る特許願（以下「本願」という。）は、平成８年２月20日（国内優先権主張　平成７年４月１３日）に出願されたものであって、平成16年12月１日に拒絶査定不服審判が請求され、平成19年７月12日付けで当審から拒絶理由通知がなされ、平成19年９月14日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、本願請求項１乃至６に係る各発明は、平成19年９月14日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲請求項１乃至６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
「【請求項１】　記録用ビームと再生用ビームを出力するレーザ光源を備え、このレーザ光源からの記録用ビームにより光情報記録媒体に情報を記録し、前記再生用ビームにより前記光情報記録媒体に記録された情報を再生するようにした光学的記録再生装置用光学ヘッドであって、
　前記レーザ光源は、前記記録用ビームを出力する第１の半導体レーザチップと前記再生用ビームを出力する第２の半導体レーザチップとが１つの基板上に集積配置された半導体レーザアレイを有し、
　前記基板には前記第１、第２の半導体レーザチップが設置される１つのガイド溝が形成されており、
　前記第１、第２の半導体レーザチップが前記ガイド溝に沿って設置されており、
　前記ガイド溝は前記記録用ビーム及び前記再生用ビームの出光方向と平行に形成されており、
　前記ガイド溝は底面が平坦で、該溝内には位置決め用の両端部が形成されており、
　前記第１、第２の半導体レーザチップのそれぞれの一面が前記両端部にそれぞれ位置決めされているとともに、該それぞれの一面に対向する他面はガイド溝内の側面から離間されており、
　かつ前記位置決め箇所を除いて前記第１、第２の半導体レーザチップの前記それぞれの一面は前記ガイド溝内の側面から離間されている
　ことを特徴とする光学的記録再生装置用光学ヘッド。」（なお、上記で符号は省略した。以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物及びその記載
　当審で通知した拒絶の理由に引用した刊行物は、特開平5-114137号公報（平成５年５月７日出願公開、以下「刊行物１」という。）、及び、特開平6-334262号公報（平成６年12月２日出願公開、以下「刊行物２」という。）であって以下の記載がある。（なお、下線は当審での付与。）
　
　−刊行物１−
　刊行物１には、再生用の短波長光ビームを用いて、情報を書き換える直前に、書き換える前のデータを読みだし、書き換える前の状態と書き換えるデータをもとに、記録パワー、消去パワー、記録パルス幅を設定することにより、消し残りを少なくし、エッジシフトを低減することにより、記録特性を向上させることを目的としてなされた光情報記録再生装置に関する発明について以下の記載がある。
　(i)「【特許請求の範囲】
【請求項１】  記録層の結晶相とアモルファス相間の可逆的相変化を利用することにより情報の記録消去を行い、記録層の相の違いによる反射率変化または透過率変化を利用して情報の再生を行う相変化型光記録媒体を用いた光情報記録再生装置において、
前記
相変化型光記録媒体上に情報の記録消去を行う記録に十分な出射パワーを有する波長８００ｎｍ付近の第１の光ビームを出射する第１の半導体レーザと
前記相変化型光記録媒体上の情報の再生を行い、前記第１の光ビームより低い出射パワーで細い集光ビームに絞ることのできる波長６７０ｎｍ付近の第２の光ビームを出射する第２の半導体レーザと、
前記第１及び第２の光ビームを前記相変化光記録媒体上に情報を記録、消去、再生するために前記相変化型光記録媒体上に導き、また前記相変化型光記録媒体からの反射光を取り込んで処理するための光学系と、
前記第１及び第２の光ビームが相変化型光記録媒体面上の所定の位置に照射されるように前記光学系を移動させるポジショナと、
前記第２の光ビームで前記相変化型光記録媒体から読み取った情報を再生データに復調する再生信号制御部と、
前記第２の光ビームで読み取った再生データと書き換えるデータとのタイミングを合わせるタイミング調整部と、
前記再生データと書き換えるデータとを比較して、記録パワー、消去パワー、記録パルス幅を設定するパワー設定部と、
前記パワー設定部による設定値を元に前記波長８００ｎｍ付近の半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動部とから構成されることを特徴とする光情報記録再生装置。
　(ii)「【００１９】
【実施例】以下、図面を参照することによって本発明の実施例について詳細に説明する。図１は、本発明に係わる光情報記録再生装置に一実施例を示す構成図である。また図２は、図１の光情報記録再生装置に適用する記録方式の一例を示す概念図である。図３は、図１の光情報記録再生装置におけるパワー設定部の一具体例を示すブロック図である。
【００２０】この光情報記録再生装置は、光ディスク１、光ディスク１を回転させるスピンドルモーター２、光ディスク１にレーザ光を集光し、情報を記録消去したり、信号を読み取るための光ヘッド３、光ヘッド３を所定の位置に制御するポジショナ４、半導体レーザアレイ３１の出射パワーの変調を行うための半導体レーザ駆動部５、および再生信号制御部６から構成される。
【００２１】光ヘッド３は、半導体レーザアレイ３１、コリメータレンズ３４、ビームスプリッター３５、１／４波長板３６、対物レンズ３７、アクチュエータ３８、光検出器３９から構成されている。半導体レーザアレイ３１は、波長８００ｎｍ付近の高出力の半導体レーザ３２と波長６８０ｎｍ付近の低出力の半導体レーザ３３との２ビームの構成となっている。
【００２２】半導体レーザ駆動部５は、符号器５１、駆動回路５２，５３、パワー設定部５４、タイミング調整部５５から構成されている。駆動回路５３によって、波長６８０ｎｍ付近の低出力半導体レーザ３３が、情報の再生に適したパワーに一定に保持される。
【００２３】半導体レーザアレイ３１からの２つのレーザビームがコリメータレンズ３４により平行光となり、ビームスプリッタ３５、１／４波長板３６を透過し、対物レンズ３７によって光ディスク１上に集光される。この光ヘッド３からの収束光は、光ディスク１上の所定の位置に集光されるように、光ヘッド３によって検出したフォーカス、およびトラッキング誤差信号を元に（図示せず）、アクチュエータ３８、およびポジショナ４によって位置決めされる。そして、波長６８０ｎｍ付近の低出力半導体レーザ３３の集光ビームが波長８００ｎｍ付近の高出力半導体レーザ３２の集光ビームに対して、同一トラック上でディスク１の回転方向の前側になるように配置する。
【００２４】波長６８０ｎｍ付近の低出力半導体レーザ３３の集光ビームの光ディスク１からの反射光は、対物レンズ３７、１／４波長板３６を経て、ビームスプリッタ３５により反射され、光検出器３９で受光される。波長６８０ｎｍ付近のビームの集光スポット径は、波長分だけ小さくなるので、小さいピットを再生することが可能となり、高密度化が可能となる。」
　
　以上の記載を、光ヘッド部分に着目して整理すると、刊行物１には、結局、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。
「相変化型光記録媒体上に情報の記録消去を行う記録に十分な出射パワーを有する波長８００ｎｍ付近の第１の光ビームを出射する第１の半導体レーザと、
　前記相変化型光記録媒体上の情報の再生を行い、前記第１の光ビームより低い出射パワーで細い集光ビームに絞ることのできる波長６７０ｎｍ付近の第２の光ビームを出射する第２の半導体レーザと、
　前記第１及び第２の光ビームを前記相変化光記録媒体上に情報を記録、消去、再生するために前記相変化型光記録媒体上に導き、また前記相変化型光記録媒体からの反射光を取り込んで処理するための光学系と、
　前記第１及び第２の光ビームが相変化型光記録媒体面上の所定の位置に照射されるように前記光学系を移動させるポジショナと、
　前記第２の光ビームで前記相変化型光記録媒体から読み取った情報を再生データに復調する再生信号制御部と、
　前記第２の光ビームで読み取った再生データと書き換えるデータとのタイミングを合わせるタイミング調整部と、
　前記再生データと書き換えるデータとを比較して、記録パワー、消去パワー、記録パルス幅を設定するパワー設定部と、
　前記パワー設定部による設定値を元に前記波長８００ｎｍ付近の半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動部とから構成される光情報記録再生装置。」
　
　−刊行物２−
　刊行物２には、シリコン基板上に半導体レーザチップ，モニタホトダイオード，及び球レンズを組み合わせ、モニタホトダイオード，及びレンズが半導体レーザチップに対して特定の位置に配置する際、煩雑な作業が必要であるなどの問題があったとしてなされた半導体レーザアレイ装置に関する発明について、以下の記載がある。
　(iii)「【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体レーザ装置のアレイを構成する半導体レーザアレイ装置において、
半導体レーザチップアレイは、所定のチップ幅を有する複数の半導体レーザチップをアレイ状に連ねてなり、該レーザチップアレイは、バー形状の支持基板上に、該レーザチップの光軸方向，及び支持基板の長手方向，及び高さ方向に位置決めされて、該支持基板の長手方向に搭載載置され、
モニタホトダイオードアレイは、上記半導体レーザチップアレイと同じ周期で、複数のモニタホトダイオードをアレイ状に連ねてなり、該モニタホトダイオードアレイは、上記バー形状の支持基板上に、上記レーザチップの光軸方向，及び支持基板の長手方向，及び高さ方向に位置決めされて、該支持基板の長手方向に搭載載置され、
複数のレンズは、上記バー形状の支持基板上に、上記レーザチップの光軸方向，及び支持基板の長手方向，及び高さ方向に位置決めされて、上記半導体レーザチップアレイと同じ周期で、上記支持基板の長手方向に搭載載置され、
上記半導体レーザチップアレイ，モニタホトダイオードアレイ，及び複数のレンズの、各半導体レーザチップ，モニタホトダイオード，及びレンズにより、個々の半導体レーザ装置を構成していることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体レーザアレイ装置において、
上記半導体レーザチップアレイ，及びモニタホトダイオードアレイを、上記レーザチップの光軸方向に位置決めする手段は、上記バー形状の支持基板上に、その長手方向に設けられた溝，又は突起であることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
【請求項３】〜【請求項２８】・・・。」
　(iv)「【００５１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１はこの発明の第１の実施例による半導体レーザアレイ装置の斜視図、図２は図１の半導体レーザアレイ装置を切り離した半導体レーザ装置の斜視図、図３(a) は図１の半導体レーザアレイ装置を−ｘ方向から見た側面図、図３(b) は図１の半導体レーザアレイ装置の長手方向の断面図、図４はシリコン基板を上から見た平面図であり、図において、１１は長手方向の長さ２０ m/m以上，厚さ３００〜１０００μｍ，幅１．２〜１．５ m/mのシリコン基板、１２は長手方向の長さ２０ m/m以上，高さ１００μｍ，幅２００〜５００μｍの半導体レーザチップアレイ、１３は長手方向の長さ２０ m/m以上，高さ１００μｍ，幅２００〜５００μｍのモニタフォトダイオードアレイ、１４は長手方向の長さ２０ m/m以上，高さ２００μｍ，幅２５０〜５００μｍのレンズアレイ、１５は高さ２〜５μｍ，幅１０〜５０μｍのシリコン基板１１上に帯状に設けられた半導体レーザチップアレイ−レンズアレイ間の位置決め突起、１６は半導体レーザチッブ１２の底面とモニタフォトダイオード１３の底面とを接続した金属薄膜からなる電極、１７ａはシリコン基板１１上にレンズアレイ１４を載置してこれを固着するための，幅１０〜５０μｍの溝、１７ｂはシリコン基板１１上に半導体レーザチップアレイ１２を載置し固着するための，幅２１０〜５５０μｍの溝、１７ｃはシリコン基板１１上にモニタフォトダイオード１３を載置し固着するための，幅５００〜１０００μｍの溝、１８はシリコン基板１１上に帯状に設けられた，高さ２〜５μｍ，幅１０〜５０μｍの，モニタフォトダイオードアレイの位置決めのための突起、１９は半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，及びレンズアレイ１４にそれぞれ設けられた，深さ４〜１０μｍ，幅５〜１０μｍの，位置決めのための切り込み、２０はシリコン基板１１上に設けられた，高さ２〜５μｍ，幅２〜５μｍの，半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，及びレンズアレイ１４の長手方向の位置決めのための突起、２１はシリコン基板１１上に半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，及びレンズアレイ１４を位置決めして固着した後、切断して構成単位ごとに素子分離するためのダイシングラインである分離線、２２は半導体レーザチップ１２の発光点より出射されるレーザビームである。」
　(v)「【００５６】次に、上記半導体レーザチップアレイ１２，モニタホトダイオードアレイ１３，及びレンズアレイ１４を載置するためのバー形状のシリコン基板１１をへき開により形成し、該支持基板１１をレジストマスクを用いてエッチングして、該支持基板１１上に、半導体レーザチップアレイ１２−レンズアレイ１４間の位置決めのための溝１７ａ，１７ｂを形成する突起１５，及びモニタフォトダイオードアレイ１３の位置決めのための溝１７ｃを形成する突起１８を形成する。また、支持基板１１上にその長手方向に垂直な方向に延びる，半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，レンズアレイ１４の位置決めのための突起２０を形成した後、ＣｒＡｕ蒸着法を用いて、半導体レーザチッブ１２の電極になり、かつモニタフォトダイオード１３の電極にもなる共通の金属薄膜電極１６を形成する。
【００５７】次に、上記半導体レーザチップアレイ１２を、半導体レーザチップアレイ−レンズアレイ間の位置決め用の突起１５に、その長手方向の端面を押圧させるとともに、アレイ位置決め突起２０と、上記アレイ１２の位置決め切り込み１９とを係合させて該アレイ１２の位置合わせをし、このようにして該アレイ１２をシリコン基板１１上の溝１７ｂ内の所望の位置に配置して、ＡｕＳｎ等からなるロー材を用いて半田付けを行うことにより該溝１７ｂに固着させる。このとき、モニタホトダイオードアレイ１３側のモニタフォトダイオードアレイ用の位置決め突起１８の前端面とは数十μｍ離れていて、あそびを持たせてある。
【００５８】次いで、上記モニタホトダイオードアレイ１３をモニタフォトダイオードアレイ位置決め用の突起１８に、その長手方向の端面を押圧させるとともに、アレイ位置決め突起２０と上記アレイ１３の位置決め切り込み１９とを係合させて該アレイ１３の位置合わせをし、このようにして該アレイ１３をシリコン基板１１上の溝１７ｃ内の所望の位置に配置して、ＡｕＳｎ等からなるロー材を用いて半田付けを行うことにより該溝１７ｃに固着させる。モニタホトダイオードアレイ１３は半導体レーザチップアレイ１２の出射光をモニタするものであるから、半導体レーザチップアレイ１２の出射端面とモニタホトダイオードアレイ１３の入射端面とを合わしてある。シリコン基板１１上の溝１７ｂ，モニタホトダイオードアレイ用の位置決め突起１８，及び溝１７ｃは、ＣｒＡｕ蒸着膜で覆われていて、溝１７ｃにおいて、モニタホトダイオードアレイ１３との接触面以外は、半導体レーザチップ１２とモニタホトダイオード１３との共通の外部電極１６として用いられる。
【００５９】次に、半導体レーザチップアレイ１２が当接している端面とは反対側の半導体レーザチップアレイ−レンズアレイ間の位置決め用の突起１５の端面に、上記レンズアレイ１４の長手方向の端面を押圧させるとともに、アレイ位置決め突起２０と上記アレイ１４の位置決め切り込み１９とを係合させて、該アレイ１４の位置合わせをし、このようにして該アレイ１４をシリコン基板１１上の溝１７ａ内の所望の位置に配置して、ＡｕＳｎ等からなるロー材を用いて半田付けを行うことにより、あるいはポリイミド系の接着剤を用いることにより、該溝１７ａに固着させる。このとき、半導体レーザチップアレイ−レンズアレイ間の位置決め用の突起１５の幅は、半導体レーザチップ１２の発光点がレンズ１４の焦点に位置するように設定される。このようにして、半導体レーザチップ１２，モニタホトダイオード１３，及びレンズ１４からなる個々の半導体レーザ装置の光軸が一致するバー形状の半導体レーザアレイ装置を完成する（図１）。」
　
　
３．対比・判断
　〔対比〕
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比する。
　(a)刊行物記載の発明の情報の記録消去を行うための第１の光ビームを出射する「第１の半導体レーザ」と、情報の再生を行うための第１の光ビームより低い出射パワーの第２の光ビームを出射する「第２の半導体レーザ」と、第１及び第２の光ビームを光記録媒体上に導き、光記録媒体からの反射光を取り込んで処理するための光学系等においては、本願発明での光学的記録再生装置用光学ヘッドを構成することは明らかである。
　(b)いずれの発明も、光情報記録媒体に情報を記録するための記録用ビームを出力する第１の半導体レーザと、光情報記録媒体に記録された情報を再生するための再生用ビームを出力する第２の半導体レーザを有する光源を備えている点で共通するものである。
　
　両発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
　［一致点］
「記録用ビームと再生用ビームを出力するレーザ光源を備え、このレーザ光源からの記録用ビームにより光情報記録媒体に情報を記録し、前記再生用ビームにより前記光情報記録媒体に記録された情報を再生するようにした光学的記録再生装置用光学ヘッド。」の点。
　
　［相違点］
　(ア)レーザ光源の各ビームを出力する２つの半導体レーザについて、本願発明では、「記録用ビームを出力する第１の半導体レーザチップと再生用ビームを出力する第２の半導体レーザチップとが１つの基板上に集積配置された半導体レーザアレイ構造を有し、」ているのに対して、刊行物１記載の発明では、レーザ光源が、各半導体レーザをどのように配置構成されているのか不明である点。
　(イ)２つの半導体レーザチップの基板上への位置決め構造について、本願発明では、「基板には第１、第２の半導体レーザチップが設置される１つのガイド溝が形成されており、
　前記第１、第２の半導体レーザチップが前記ガイド溝に沿って設置されており、
　前記ガイド溝は前記記録用ビーム及び前記再生用ビームの出光方向と平行に形成されており、
　更に、前記ガイド溝は底面が平坦で、該溝内には位置決め用の両端部が形成されており、
　前記第１、第２の半導体レーザチップのそれぞれの一面が前記両端部にそれぞれ位置決めされているとともに、該それぞれの一面に対向する他面はガイド溝内の側面から離間されており、
　かつ前記位置決め箇所を除いて前記第１、第２の半導体レーザチップの前記それぞれの一面は前記ガイド溝内の側面から離間されている」との位置決め構造を有しているのに対して、刊行物１記載の発明では、この構成要件について不明である点。
　
　〔判断〕
　相違点(ア)について
　光ディスク装置における光源部を記録用ビームを出力する半導体レーザチップと再生用ビームを出力する半導体レーザチップの各半導体チップをシリコン等の基板上にそれぞれ配置して集積化することは、刊行物を提示するまでもなくごく周知の構成であり、刊行物１記載の発明においても、当業者であれば、格別の発明力を要すことなく適宜に採用し得るものと認める。
　
　相違点(イ)について
　刊行物２には、「【００５１】・・・、図において、１１は長手方向の長さ２０ m/m以上，厚さ３００〜１０００μｍ，幅１．２〜１．５ m/mのシリコン基板、１２は長手方向の長さ２０ m/m以上，高さ１００μｍ，幅２００〜５００μｍの半導体レーザチップアレイ、１３は長手方向の長さ２０ m/m以上，高さ１００μｍ，幅２００〜５００μｍのモニタフォトダイオードアレイ、１４は長手方向の長さ２０ m/m以上，高さ２００μｍ，幅２５０〜５００μｍのレンズアレイ、１５は高さ２〜５μｍ，幅１０〜５０μｍのシリコン基板１１上に帯状に設けられた半導体レーザチップアレイ−レンズアレイ間の位置決め突起、１６は半導体レーザチッブ１２の底面とモニタフォトダイオード１３の底面とを接続した金属薄膜からなる電極、１７ａはシリコン基板１１上にレンズアレイ１４を載置してこれを固着するための，幅１０〜５０μｍの溝、１７ｂはシリコン基板１１上に半導体レーザチップアレイ１２を載置し固着するための，幅２１０〜５５０μｍの溝、１７ｃはシリコン基板１１上にモニタフォトダイオード１３を載置し固着するための，幅５００〜１０００μｍの溝、１８はシリコン基板１１上に帯状に設けられた，高さ２〜５μｍ，幅１０〜５０μｍの，モニタフォトダイオードアレイの位置決めのための突起、・・・、位置決めのための切り込み、２０はシリコン基板１１上に設けられた，高さ２〜５μｍ，幅２〜５μｍの，半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，及びレンズアレイ１４の長手方向の位置決めのための突起、２１はシリコン基板１１上に半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，及びレンズアレイ１４を位置決めして固着した後、・・・。」、及び、「【００５６】・・・、該支持基板１１上に、半導体レーザチップアレイ１２−レンズアレイ１４間の位置決めのための溝１７ａ，１７ｂを形成する突起１５，及びモニタフォトダイオードアレイ１３の位置決めのための溝１７ｃを形成する突起１８を形成する。また、支持基板１１上にその長手方向に垂直な方向に延びる，半導体レーザチップアレイ１２，モニタフォトダイオードアレイ１３，レンズアレイ１４の位置決めのための突起２０を形成した後、・・・。」等の記載がある。
　要するに、各アレイについてではあるが、位置決めのための溝（底面が平坦であることは自明である）、及び、溝の両側を構成する両端部に位置決めのための突起を支持基板上に形成し、各アレイ端面を位置決め用突起に押圧させ、位置決め、固着している。
　また、上記【００５１】及び【図１】乃至【図３】において、各位置決め用突起は溝底面からの高さが２〜５μｍとされ、アレイ、特に半導体レーザチップアレイの高さ寸法１００μｍに比して、極めて低い高さ寸法とされている。
　また、溝端部の位置決め用突起には、半導体レーザチップアレイの端面が溝底面近傍のごく一部の面でのみ接して位置決めされていることは明らかである。
　したがって、位置決め用突起に接している半導体レーザチップの端面のごく一部を除く、該端面の大部分の面積部分及びその端面に対向する他の面については、ガイド溝内の側面を構成する位置決め用突起部分から離間していることは明らかである。
　即ち、刊行物２には、アレイ構造の半導体レーザチップについてではあるが、基板に半導体レーザチップが設置されるガイド溝が形成され、半導体レーザチップがガイド溝に沿って設置されており、さらに、ガイド溝は底面が平坦で、該溝内には位置決め用の両端部が形成されており、前記半導体レーザチップの一面が該端部に位置決めされているとともに、該一面に対向する他面はガイド溝内の側面から離間されており、かつ前記位置決め箇所を除いて半導体レーザチップの一面は前記ガイド溝内の側面から離間されているとの本願発明が備えている位置決め構造が記載されているといえる。
　とすれば、刊行物１記載の発明において、記録用のビームと再生用のビームを出力する光源を２つの半導体レーザチップを基板上に集積配置して構成しようとする場合、各半導体レーザチップの基板への取付部に、上記位置決め構造を適用すること、また、刊行物２の特に上記図面からみて、半導体レーザチップアレイが接する位置決め用突起は、溝の片側端面部の突起のみであり、他側端面部に形成された位置決め用突起についても、同じ溝内側から当接して位置決め用として機能し得ることは明らかであるから、一つの溝の両側端部を２つの半導体レーザチップのそれぞれの位置決め固定に用いることは、当業者が格別の発明力を要すことなく、適宜になし得る範囲内のことと認める。
　さらに、位置決め用の溝及び突起の方向を各レーザビームの出光方向と平行に配置するようなことは周知（例：実願昭61−40952（実開昭62−152474号）のマイクロフィルムの第３図参照。）であり、本願発明のようにビームの出光方向と平行に形成することも、当業者が、格別の発明力を要すことなく、適宜採用し得るものと認める。
　
　そして、上記各相違点についての判断を総合しても、本願発明の奏する効果は刊行物１及び刊行物２から当業者が十分に予測可能なものであって格別のものとは言えない。
　
　結局、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものと認める。
　
　
　４．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明については、特許法第29条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。