【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３３】
複数の実施形態は、複数の集積フォトニクスのアプリケーションに関する新規の共振キャビティを含んでいる。共振キャビティは、材料を備えるコアを含む。コア材料は、結晶、多結晶またはアモルファスシリコン、シリカまたは他のガラス、シリコン窒化物（ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４）、またはＩＩＩ−Ｖ族半導体を含む多数の他の半導体を含み得る。キャビティは、その構造をコア材層からエッチングすることで形成され、キャビティは部分的にエッチングされるか、または好ましくは、コア材を貫通して完全にエッチングされ得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの非線形部を有する光共振器構造と、
前記光共振器構造の前記少なくとも１つの非線形部に結合される第１光導波路と
を備え、
前記少なくとも１つの非線形部は、コア材料から形成され、且つ、少なくとも１つの径方向接合領域を含み、
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、それぞれ複数の異なる電気伝導特性を有する少なくとも第１材料と第２材料との間で形成され、
前記少なくとも１つの径方向接合領域の主軸は、前記少なくとも１つの非線形部の曲率半径に沿って方向づけられ、
前記光共振器構造は、シリコン層の完全にエッチングされた部分として形成されたキャビティとして構成され、前記完全にエッチングされた部分は前記コア材料を貫通してエッチングされている、
光変調器。
【請求項２】
少なくとも１つの非線形部を有する光共振器構造と、
前記光共振器構造の前記少なくとも１つの非線形部に結合される第１光導波路と
を備え、
前記少なくとも１つの非線形部は、少なくとも１つの径方向接合領域を含み、
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、それぞれ複数の異なる電気伝導特性を有する少なくとも第１材料と第２材料との間で形成され、
前記少なくとも１つの径方向接合領域の主軸は、前記少なくとも１つの非線形部の曲率半径に沿って方向づけられ、
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、前記主軸に沿ってジグザグ構造を有する、
光変調器。
【請求項３】
前記少なくとも１つの非線形部は、それぞれ複数の異なるドーピング特性を有する少なくとも第１領域と第２領域とを含む半導体材料から形成され、前記少なくとも１つの径方向接合領域は、前記第１領域と前記第２領域との間の交点に配置される、請求項１または２に記載の光変調器。
【請求項４】
前記複数の異なるドーピング特性は、複数の異なるタイプの複数のドーパントと、少なくとも１つのドーパントの複数の異なる濃度のうちの少なくとも１つを備える、請求項３に記載の光変調器。
【請求項５】
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、ｐ‐ｎ接合領域、ｐ‐ｉ‐ｎ接合領域、ｐ＋‐ｎ接合領域、ｐ＋‐ｐ接合領域、ｐ＋‐ｐ‐ｎ＋接合領域、ｐ＋‐ｐ‐ｎ‐ｎ＋接合領域、金属‐酸化膜‐半導体キャパシタ構造、金属‐絶縁体‐金属接合領域、およびショットキー接合のうちの少なくとも１つである、請求項３または４に記載の光変調器。
【請求項６】
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、金属‐酸化膜‐半導体キャパシタ構造と、金属‐絶縁体‐金属接合領域と、ショットキー接合とのうちの少なくとも１つである、請求項１から５のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項７】
前記光共振器構造は、実質的に円形の構造を有し、前記光共振器構造は、マイクロリング共振器の外半径でステップインデックスの境界により提供される光閉じ込めを伴う前記マイクロリング共振器を備える、請求項１から６のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項８】
前記マイクロリング共振器は、前記マイクロリング共振器の内側キャビティの一次モードのみに結合するような寸法にされる、請求項７に記載の光変調器。
【請求項９】
前記マイクロリング共振器の内側キャビティの境界は、複数の独立接点を備え、
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、複数のｐ‐ｎ接合を備え、
前記複数の独立接点は、前記複数のｐ‐ｎ接合と電気通信を行う、
請求項７または８に記載の光変調器。
【請求項１０】
前記マイクロリング共振器のリングの幅は、前記マイクロリング共振器の光モードと前記複数の独立接点との相互作用に起因する光損失を著しく減少させるべく十分に広い、請求項９に記載の光変調器。
【請求項１１】
前記第１光導波路は、入力ポートと貫通ポートとを備え、前記入力ポートは入力信号を受信する、請求項９または１０に記載の光変調器。
【請求項１２】
前記光変調器の少なくとも一部は、入力信号が前記入力ポートに存在するとき、前記複数のｐ‐ｎ接合の２つのバイアス状態間の空乏幅の変化が、前記貫通ポートで電磁放射出力を変調させる光共振周波数シフトをもたらすよう寸法決めされる、請求項１１に記載の光変調器。
【請求項１３】
前記第１光導波路と前記光共振器構造との結合相互作用は、前記光共振器構造における複数の高次モードの励起を除き、前記複数の高次モードの存在は、前記光共振器構造のマイクロリング共振器のリングの幅に起因する、請求項１から１２のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項１４】
前記光変調器の貫通ポートまたはドロップポートとして用いられる、位相整合構成における前記光変調器に結合される第２光導波路を更に備える、請求項１から１３のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの非線形部は半導体材料から形成され、前記半導体材料は、シリコン、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料、ゲルマニウム、グラフェン、またはこれらの半導体材料のうち２つまたはそれより多い任意の組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項１から１４のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項１６】
それぞれ貫通バス導波路に結合され、特定された共振波長に調節される複数の光変調器を備え、
前記複数の光変調器のうちの少なくとも１つの光変調器は、
少なくとも１つの非線形部を有する光共振器構造と、
前記少なくとも１つの非線形部の曲率半径に沿って方向づけられる、前記少なくとも１つの径方向接合領域の主軸と
を備え、
前記少なくとも１つの非線形部は、コア材料から形成され、且つ、少なくとも１つの径方向接合領域を含み、
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、それぞれ複数の異なる電気伝導特性を有する少なくとも第１材料と第２材料との間で形成され、
前記光共振器構造は、シリコン層の完全にエッチングされた部分として形成されたキャビティとして構成され、前記完全にエッチングされた部分は前記コア材料を貫通してエッチングされている、
波長分割多重システム。
【請求項１７】
各光変調器のマイクロリング共振器の一部は、前記マイクロリング共振器の光キャビティの一部に印加される電流が、前記光キャビティの複数の光共振の熱的同調に関してジュール加熱を生成するように電気抵抗を低減させるべくドープされる、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
半導体製造ツールを用いて、前記半導体製造ツールの設計基準検査に基づき形成される光変調器デバイスであって、
少なくとも１つの非線形部を有する光共振器構造と、
前記光共振器構造に近接して配置されるトランジスタ層と
を備え、
前記少なくとも１つの非線形部は、コア材料から形成され、且つ、少なくとも１つの径方向接合領域を含み、
前記少なくとも１つの径方向接合領域は、それぞれ複数の異なる電気伝導特性を有する少なくとも第１材料と第２材料との間で形成され、
前記少なくとも１つの径方向接合領域の主軸は、前記少なくとも１つの非線形部の曲率半径に沿って方向づけられ、
前記光共振器構造は、シリコン層の完全にエッチングされた部分として形成されたキャビティとして構成され、前記完全にエッチングされた部分は前記コア材料を貫通してエッチングされている、
光変調器デバイス。
【請求項１９】
前記光共振器構造は、前記トランジスタ層の一部に配置されるマイクロリング共振器である、請求項１８に記載の光変調器デバイス。
【請求項２０】
前記光共振器構造は、前記マイクロリング共振器の外半径でステップインデックスの境界により提供される光閉じ込めを示す、請求項１９に記載の光変調器デバイス。
【請求項２１】
前記マイクロリング共振器の内側キャビティの境界は、複数の独立接点を含み、
金属および複数のビア層のうちの少なくとも１つによって、電気接点が前記複数の独立接点の各々に対して構成される、
請求項２０に記載の光変調器デバイス。
【請求項２２】
前記マイクロリング共振器の前記内側キャビティの一部に近接して配置されるマイクロヒータを更に備え、
前記マイクロヒータは、電流が前記内側キャビティを通過するのを可能とし、前記内側キャビティの複数の光共振の熱的同調に関して十分なジュール加熱を生成するように電気抵抗を低減させるべく、前記マイクロリング共振器の一部がドープされたものである、
請求項２１に記載の光変調器デバイス。
【請求項２３】
前記ジュール加熱を生成すべく、前記光変調器デバイスに近いトランジスタボディシリコンの一部、または、ＳＯＩ  ＣＭＯＳトランジスタ製造プロセスにある複数の金属または堆積させられたシリコンの一部のいずれかが用いられる、請求項２２に記載の光変調器デバイス。
【請求項２４】
光モードと前記複数の独立接点との相互作用に起因する光損失が十分に低くなるよう、前記マイクロリング共振器のリングの幅が十分に広い、請求項２１から２３のいずれか１項に記載の光変調器デバイス。