【手続補正書】
【提出日】令和1年5月16日(2019.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一接合装置(arrangement)における底部シリコンサブセルの効率を上回る電力変換効率で正味の利得(net  gain)を生成する、第２のサブセルの上に配置された第１のサブセルを含む、マルチ接合光起電力デバイスであって、
前記第１のサブセルは、
少なくとも１のｎ型層を含むｎ型領域と、
少なくとも１のｐ型層を含むｐ型領域と、
前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置され、且つ、前記ｎ型領域及び前記ｐ型領域との一方又は両方と平面ヘテロ接合を形成する、開放気孔率を有しないペロブスカイト材料の層を含む光活性領域と、
を含み、
前記ペロブスカイト材料が一般式（ＩＡ）：
ＡｘＡ’１−ｘＢ（ＸｙＸ’１−ｙ）３            （ＩＡ）
のものであり、式中、
Ａは、メチルアンモニウムカチオン（ＭＡ）（ＣＨ３ＮＨ３＋）、ホルムアミジニウムカチオン（ＦＡ）（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）、及びエチルアンモニウムカチオン（ＥＡ）（ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ３＋）から選択される１以上の有機カチオンを含み、
Ａ’は、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｃｕ＋、Ｐｄ＋、Ｐｔ＋、Ａｇ＋、Ａｕ＋、Ｒｈ＋、及びＲｕ＋から選択される１以上の無機カチオンを含み、
ＢはＰｂ２＋を含む少なくとも１の２価無機カチオンを含み、
Ｘはヨウ化物であり、
Ｘ’は臭化物であり、且つ、
０＜ｘ≦１及び０＜ｙ≦１であり、
前記第２のサブセルはシリコンヘテロ接合（ＳＨＪ）を含む、
マルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２】
ペロブスカイト材料の前記層が、前記第２のサブセルの隣接する表面に適合する表面上に実質的に連続し、且つ、コンフォーマルな層として配置されている、請求項１に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項３】
前記第１のサブセルと前記第２のサブセルとの間に配置され、且つ、前記第１のサブセルと前記第２のサブセルとを接続する中間領域をさらに含み、
前記中間領域は１以上のインターコネクト層を含む、
請求項１又は２に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項４】
前記１以上のインターコネクト層の各々は、透明な導体材料を含む、請求項３に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項５】
前記中間領域は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなるインターコネクト層を含む、請求項３〜４のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項６】
ＩＴＯの前記層は、１０ｎｍ〜６０ｎｍの厚さを有する、請求項５に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項７】
前記ｎ型領域は、無機ｎ型材料を含むｎ型層を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項８】
前記無機ｎ型材料が、：
チタン、スズ、亜鉛、ニオブ、タンタル、タングステン、インジウム、ガリウム、ネオジム、パラジウム、カドミウムの酸化物、又は前記金属の２以上の混合物の酸化物；
カドミウム、スズ、銅、亜鉛の硫化物又は前記金属の２以上の混合物の硫化物；
カドミウム、亜鉛、インジウム、ガリウムのセレン化物又は前記金属の２以上の混合物のセレン化物；及び
カドミウム、亜鉛、カドミウムもしくはスズのテルル化物、又は前記金属の２以上の混合物のテルル化物；
のいずれかから選択される、請求項７に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項９】
前記ｎ型領域がＴｉＯ２を含むｎ型層を含む、、請求項７又は８に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１０】
前記ｎ型領域が有機ｎ型材料を含むｎ型層を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１１】
前記有機ｎ型材料が、フラーレンもしくはフラーレン誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、又はポリ｛［Ｎ,Ｎ０−ビス（２−オクチルドデシル）−ナフタレン−１，４，５，８−ビス（ジカルボキシイミド）−２，６−ジイル］−ａｌｔ−５，５０−（２，２０−ビチオフェン）｝（Ｐ（ＮＤＩ２０Ｄ−Ｔ２））のいずれかから選択される、請求項１０に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１２】
前記ｐ型領域が無機ｐ型材料を含むｐ型層を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１３】
前記無機ｐ型材料は、：
ニッケル、バナジウム、銅又はモリブデンの酸化物；及び
ＣｕＩ、ＣｕＢｒ、ＣｕＳＣＮ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ又はＣＩＳ；
のいずれかから選択される、請求項１２に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１４】
前記ｐ型領域が有機ｐ型材料を含むｐ型層を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１５】
前記有機ｐ型材料が、スピロ−ＭｅＯＴＡＤ、Ｐ３ＨＴ、ＰＣＰＤＴＢＴ、ＰＶＫ、ＰＥＤＯＴ−ＴＭＡ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのいずれかから選択される、請求項１４に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１６】
前記ｎ型領域が前記第２のサブセルに隣接している、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイスであって、且つ、第１の電極及び第２の電極をさらに含み、及び
前記第１のサブセル及び前記第２のサブセルは、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され、前記第１のサブセルは、前記第１の電極と接触する、マルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１８】
前記第１の電極が前記第１のサブセルの前記ｐ型領域に接している、請求項１７に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項１９】
前記第１の電極が透明又は半透明の導電性材料を含む、請求項１７又は１８に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２０】
前記第１の電極がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の層からなる、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２１】
前記第１のサブセルの前記光活性領域は、１．５０ｅＶ〜１．７５ｅＶのバンドギャップを有するペロブスカイト材料の層を含む、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２２】
前記ペロブスカイト材料がＦＡｘＣｓ１−ｘＰｂＩ３−ｙＢｒｙである、請求項１に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２３】
前記ペロブスカイト材料がＭＡＰｂ（Ｉ０．８Ｂｒ０．２）３である、請求項１に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２４】
前記第２のサブセルは２面サブセルを含み、且つ、当該デバイスは、前記第２のサブセルの下に配置された第３のサブセルをさらに含み、前記第３のサブセルは、ペロブスカイト材料の層を含む光活性領域を含む、請求項１〜２３のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２５】
前記第３のサブセルの前記光活性領域は、前記第１のサブセルの前記光活性領域の前記ペロブスカイト材料と同じか又は異なる、のいずれかであるペロブスカイト材料の層を含む、請求項２４に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２６】
前記第１のサブセルは規則的な構造を有し、及び前記第３のサブセルは反転構造を有する、請求項２４又は２５に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２７】
請求項２４〜２６のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイスであって、且つ、前記第３のサブセルと前記第２のサブセルとの間に配置され、及び前記第３のサブセルと前記第２のサブセルとを接続するさらなる中間領域をさらに含み、前記さらなる中間領域は、１以上のさらなるインターコネクト層を含む、マルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２８】
前記１以上のさらなるインターコネクト層の各々は、透明な導体材料からなる、請求項２７に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【請求項２９】
前記中間領域は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなるさらなるインターコネクト層を含む、請求項２７〜２８のいずれか一項に記載のマルチ接合光起電力デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
［Ａ］は、好ましくは、メチルアンモニウム（ＣＨ３ＮＨ３＋）、ホルムアミジニウム（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）及びエチルアンモニウム（ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ３＋）から選択される１以上の有機カチオンを含み、及び好ましくは、メチルアンモニウム（ＣＨ３ＮＨ３＋）及びホルムアミジニウム（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）から選択される１以上の有機カチオンを含む。［Ａ］は、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｃｕ＋、Ｐｄ＋、Ｐｔ＋、Ａｇ＋、Ａｕ＋、Ｒｈ＋、及びＲｕ＋から選択される１以上の無機カチオンを含んでよい。