(57)【要約】  片状体（ＣＰ）を収容可能な収容部（１０１）を複数備える整列治具（１００）であって、収容部（１０１）の収容角部（１０３）は、複数の収容部（１０１）に片状体（ＣＰ）をそれぞれ収容させて収容部（１０１）の壁部（１０２）に片状体（ＣＰ）を当接させた際に、片状体（ＣＰ）の片状体角部が収容角部（１０３）に接触しないように形成されている、ことを特徴とする整列治具（１００）。
2018003602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片状体を収容可能な収容部を複数備える整列治具であって、
前記収容部の収容角部は、複数の前記収容部に前記片状体をそれぞれ収容させて前記収容部の壁部に前記片状体を当接させた際に、前記片状体の片状体角部が前記収容角部に接触しないように形成されている、
ことを特徴とする整列治具。
【請求項２】
請求項１に記載の整列治具であって、
複数の前記収容部は、格子状に配列されている、
ことを特徴とする整列治具。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の整列治具であって、
前記片状体は、
第一側面と、
前記第一側面と隣り合う第二側面と、を有し、
前記片状体角部は、前記第一側面の端部及び前記第二側面の端部に位置し、
前記収容部の前記壁部は、
第一側壁と、
前記第一側壁と隣り合う第二側壁と、を有し、
前記収容角部は、前記第一側壁の端部及び前記第二側壁の端部に位置し、
前記収容角部は、前記第一側壁の面、及び前記第二側壁の面よりも奥側に窪んだ窪み部を有し、
前記片状体の前記第一側面と前記収容部の前記第一側壁とを当接させ、さらに前記片状体の前記第二側面と前記収容部の前記第二側壁とを当接させた際に、前記片状体の前記片状体角部は、前記収容角部の前記窪み部に収容される、
ことを特徴とする整列治具。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の整列治具であって、
複数の前記収容部は、正方格子状に配列されている、
ことを特徴とする整列治具。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の整列治具を用いて、複数の前記片状体を整列させることを特徴とする整列方法。
【請求項６】
請求項５に記載の整列方法により整列させた複数の前記片状体を、粘着面を有する硬質支持体の前記粘着面に転着させることを特徴とする転着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、整列治具、整列方法及び転着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程において、半導体ウエハ（以下、単にウエハという場合がある）を所定の形状、及び所定のサイズに切断して複数の半導体チップ（以下、単にチップという場合がある）に個片化し、個片化した各チップの相互間隔を広げてからリードフレームや基板等の被搭載物上に搭載することが行われている。【０００３】
また、近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップは、半導体チップのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングによりパッケージを個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ−Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ−Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層、及び外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。【０００４】
例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成する工程、及び半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する工程を含む半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。【０００５】
チップ（片状体）の相互間隔を広げる離間方法としては、フィルム（接着シート）を介してフレームと一体化されたウエハ（板状部材）を支持するフレーム支持手段（支持手段）と、フィルム面支持機構（離間テーブル）とを相対移動させることが知られている（例えば、特許文献２参照）。このようなチップの相互間隔を広げる方法では、例えば＋Ｘ軸方向、−Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向、及び−Ｙ軸方向の４方向の張力を接着シートに付与し、例えば、最外周に位置するチップが所定の位置に達したことを検知手段が検知することで間隔を広げる動作が完了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０５８６４６号
【特許文献２】特開２０１２−２０４７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２に記載されたような従来の方法では、接着シートには上記４方向に加え、それらの合成方向すなわち、＋Ｘ軸方向と＋Ｙ軸方向との合成方向、＋Ｘ軸方向と−Ｙ軸方向との合成方向、−Ｘ軸方向と＋Ｙ軸方向との合成方向、並びに−Ｘ軸方向と−Ｙ軸方向との合成方向にも張力が付与される。その結果、内側のチップの間隔と外側のチップの間隔とに違いが生じる。
しかし、このような間隔の違いは極めて微小なため、各チップは、均等に間隔が広げられたものとされ、計算で導き出される位置（以下、理論上の位置という場合がある）を基準として搬送装置、及びピックアップ装置等の搬送手段によって搬送され、被搭載物上に搭載されて製造物が形成される。その結果、当該製造物におけるチップと被搭載物との相対位置関係が微妙にずれてしまう場合が生じ、ワイヤボンディングの接続位置がずれたり、チップと被搭載物との端子同士の位置がずれたりして、それらの導通が取れなくなり、当該製造物の歩留りを低下させてしまうという不都合を生じる。
なお、このような課題は、半導体装置の製造に係るだけでなく、例えば、緻密な機械部品、及び微細な装飾品等においても発生し得る。【０００８】
特許文献１に記載された製造方法のように、複数の半導体チップの間の距離を拡大させる際、半導体ウエハを個片化した後に、エキスパンド工程を一回実施するだけでは、複数の半導体チップの間の距離を充分に拡げることができないおそれがある。一方で、１回のエキスパンド工程において複数の半導体チップを支持するシートを無理に引き延ばそうとすると、シートが破断したり、裂けたりするおそれがある。その結果、シート上の半導体チップ同士の間隔がばらついたり、半導体チップがシートから離脱したりして、半導体チップの取り扱い性が低下するおそれがある。【０００９】
なお、ピックアンドプレイス（pick and place）方式によれば、複数の片状体を均等な間隔に整列させることができるものの、ピックアンドプレイス装置を準備する必要がある。さらに、ピックアンドプレイス方式では、複数の片状体をまとめて整列させることができない。そのため、より簡易な方法で、より迅速に複数の片状体を整列させることができる方法が望まれている。【００１０】
その他の整列方法としては、整列治具を用いて複数の半導体チップを整列させる方法も検討されている。例えば、複数の収容部を備える整列治具が使用される。収容部は、半導体チップを収容可能に形成されている。このような整列治具を用いて半導体チップを整列させる際は、まず、収容部に半導体チップを収容させる。続いて、整列治具及び半導体チップの少なくともいずれかを移動させて、半導体チップと収容部の壁部とを当接させることにより、半導体チップの位置や傾きを調整する。このように調整している間に、半導体チップの角部と収容部の角部とが接触して、片状体が傾いてしまうことがある。【００１１】
本発明の目的は、簡易かつ迅速に、複数の片状体をより均等な間隔で整列させることができる整列治具及び整列方法を提供することである。本発明の別の目的は、当該整列方法により整列させた複数の片状体を支持体に転着させることができる転着方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様に係る整列治具は、片状体を収容可能な収容部を複数備える整列治具であって、前記収容部の収容角部は、複数の前記収容部に前記片状体をそれぞれ収容させて前記収容部の壁部に前記片状体を当接させた際に、前記片状体の片状体角部が前記収容角部に接触しないように形成されている、ことを特徴とする。【００１３】
本発明の一態様に係る整列治具において、複数の前記収容部は、格子状に配列されている、ことが好ましい。【００１４】
本発明の一態様に係る整列治具において、前記片状体は、第一側面と、前記第一側面と隣り合う第二側面と、を有し、前記片状体角部は、前記第一側面の端部及び前記第二側面の端部に位置し、前記収容部の前記壁部は、第一側壁と、前記第一側壁と隣り合う第二側壁と、を有し、前記収容角部は、前記第一側壁の端部及び前記第二側壁の端部に位置し、前記収容角部は、前記第一側壁の面、及び前記第二側壁の面よりも奥側に窪んだ窪み部を有し、前記片状体の前記第一側面と前記収容部の前記第一側壁とを当接させ、さらに前記片状体の前記第二側面と前記収容部の前記第二側壁とを当接させた際に、前記片状体の前記片状体角部は、前記収容角部の前記窪み部に収容される、ことが好ましい。【００１５】
本発明の一態様に係る整列治具において、複数の前記収容部は、正方格子状に配列されている、ことが好ましい。【００１６】
本発明の一態様に係る整列方法は、前述の本発明の一態様に係る整列治具を用いて、複数の前記片状体を整列させることを特徴とする。【００１７】
本発明の一態様に係る転着方法は、前述の本発明の一態様に係る整列方法により整列させた複数の前記片状体を、粘着面を有する硬質支持体の前記粘着面に転着させることを特徴とする。【００１８】
本発明の一態様によれば、簡易かつ迅速に、複数の片状体をより均等な間隔で整列させることができる整列治具及び整列方法を提供することができる。
本発明の一態様に係る整列治具によれば、片状体を収容部の壁部に複数回、当接させて整列させる際に、片状体の角部（片状体角部）が、収容部の角部（収容角部）に接触しない。すなわち、この整列治具によれば、片状体を壁部に当接させる際に、片状体が傾くことを防止できる。さらに、この整列治具によれば、ピックアンドプレイス装置よりも簡易な構成で、複数の片状体をまとめて迅速に整列させることができる。
本発明の一態様に係る転着方法によれば、前述の本発明の一態様に係る整列方法により整列させた複数の片状体を支持体に転着させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る整列治具の平面図である。
【図２Ａ】第１実施形態に係る整列治具を用いた整列方法を説明する平面図である。
【図２Ｂ】第１実施形態に係る整列治具を用いた整列方法を説明する平面図である。
【図２Ｃ】第１実施形態に係る整列治具を用いた整列方法を説明する平面図である。
【図３Ａ】参考例に係る整列治具を用いた整列方法を説明する平面図である。
【図３Ｂ】参考例に係る整列治具を用いた整列方法を説明する平面図である。
【図３Ｃ】参考例に係る整列治具を用いた整列方法を説明する平面図である。
【図４Ａ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４Ｂ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４Ｃ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ａ】図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｂ】図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図６Ａ】図５Ａ、及び図５Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図６Ｂ】図５Ａ、及び図５Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図７Ａ】図６Ａ、及び図６Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図７Ｂ】図６Ａ、及び図６Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図８Ａ】図７Ａ、及び図７Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図８Ｂ】図７Ａ、及び図７Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図８Ｃ】図７Ａ、及び図７Ｂに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図９Ａ】図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図９Ｂ】図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図９Ｃ】図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃに続いて、第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１０Ａ】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１０Ｂ】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１０Ｃ】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１０Ｄ】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１１Ａ】図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、及び図１０Ｄに続いて、第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１１Ｂ】図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、及び図１０Ｄに続いて、第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１１Ｃ】図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、及び図１０Ｄに続いて、第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１２Ａ】図１１Ａ、図１１Ｂ、及び図１１Ｃに続いて、第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１２Ｂ】図１１Ａ、図１１Ｂ、及び図１１Ｃに続いて、第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１３Ａ】第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１３Ｂ】第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ａ】第４実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｂ】第４実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１４Ｃ】第４実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ａ】第５実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１５Ｂ】第５実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１６Ａ】第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１６Ｂ】第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１６Ｃ】第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１７Ａ】図１６Ａ、図１６Ｂ、及び図１６Ｃに続いて、第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１７Ｂ】図１６Ａ、図１６Ｂ、及び図１６Ｃに続いて、第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１８Ａ】図１７Ａ、及び図１７Ｂに続いて、第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１８Ｂ】図１７Ａ、及び図１７Ｂに続いて、第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１８Ｃ】図１７Ａ、及び図１７Ｂに続いて、第６実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【図１９Ａ】第７実施形態に係る転着方法を説明する断面図である。
【図１９Ｂ】第７実施形態に係る転着方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔第１実施形態〕
本実施形態においては、整列治具を半導体装置の製造工程で使用する態様を例に挙げて説明する。本発明の整列治具の用途は、半導体装置の製造用途に限定されない。
本実施形態においては、片状体として半導体チップを整列させる態様を例に挙げて説明する。本発明の整列治具によって整列させることができる片状体は半導体チップに限定されない。
【００２１】
・整列治具
図１には、本実施形態に係る整列治具１００の平面図が示されている。さらに、図１には、整列治具１００の一部を拡大する平面図も示されている。
整列治具１００は、枠状の本体部１１０と、半導体チップＣＰを収容可能な収容部１０１とを備える。整列治具１００は、複数の収容部１０１を備えている。
本実施形態の整列治具１００は、平面視で略正方形状に開口する収容部１０１が格子状に配列されている枠状の部材である。複数の収容部１０１は、正方格子状に配列されていることがより好ましい。
本実施形態の本体部１１０の外形は、円形状に形成されている。本体部１１０は、外枠１１０Ａと、外枠１１０Ａの内側に形成された内枠１１０Ｂとを有する。外枠１１０Ａは、円形状の枠である。内枠１１０Ｂは、円形状の外枠１１０Ａの内側において格子状に組まれた枠である。整列治具の剛性を向上させて、整列治具を取り扱い易くする観点から、整列治具１００の平面視で、複数の収容部１０１をそれぞれ区画する格子状の内枠１１０Ｂの幅よりも、円形状の外枠１１０Ａの幅の方が大きく形成されていることが好ましい。後述するように、整列治具の本体部の外形は、円形状に限定されず、円形状以外の形状であってもよい。
【００２２】
収容部１０１は、それぞれ、壁部１０２及び収容角部１０３を有する。本実施形態においては、収容部１０１は、壁部１０２及び収容角部１０３によって、平面視で略正方形状に形成されている。収容部１０１の開口サイズは、半導体チップを収容可能なサイズに形成されていれば特に限定されない。複数の収容部１０１は、互いに、等間隔に形成されている。
本実施形態の収容部１０１は、本体部１１０の上面側と下面側とを貫通する。すなわち、収容部１０１は、上面側の開口、及び下面側の開口を有する。そのため、収容部１０１に半導体チップＣＰを収容させる際は、整列治具１００を保持部材の保持面に載置したり、本体部１１０の上面側及び下面側の一方に板状部材などを取り付けるなどしたりして、収容部１０１の一方の開口を塞いでおくことが好ましい。収容部１０１の一方の開口を塞ぐことで、当該開口を塞ぐ部材によって半導体チップＣＰが支持される。
本体部１１０が外枠１１０Ａと内枠１１０Ｂとで構成され、かつ、収容部１０１が本体部１１０の上面側と下面側とを貫通することで、本実施形態に係る整列治具１００を軽量化できる。
【００２３】
収容部１０１の深さは、特に限定されない。半導体チップＣＰを収容部１０１に収容させた際に、半導体チップＣＰの表面が、本体部１１０の表面よりも上に位置していてもよいし、下に位置していてもよいし、本体部１１０の表面と半導体チップＣＰの表面とが同一面に位置していてもよい。収容部１０１の深さは、壁部１０２の高さに相当する。
【００２４】
収容部１０１において、壁部１０２は、第一側壁１０２ａ、第二側壁１０２ｂ、第三側壁１０２ｃ、及び第四側壁１０２ｄで構成される。
収容部１０１において、第一側壁１０２ａと第二側壁１０２ｂとが隣り合い、第二側壁１０２ｂと第三側壁１０２ｃとが隣り合い、第三側壁１０２ｃと第四側壁１０２ｄとが隣り合い、第四側壁１０２ｄと第一側壁１０２ａとが隣り合っている。
【００２５】
収容部１０１において、収容角部１０３は、壁部１０２の端部に位置する。
収容部１０１において、収容角部１０３は、第一収容角部１０３ａ、第二収容角部１０３ｂ、第三収容角部１０３ｃ、及び第四収容角部１０３ｄで構成される。
収容部１０１において、第一収容角部１０３ａは、第一側壁１０２ａの端部及び第二側壁１０２ｂの端部に位置し、第二収容角部１０３ｂは、第二側壁１０２ｂの端部及び第三側壁１０２ｃの端部に位置し、第三収容角部１０３ｃは、第三側壁１０２ｃの端部及び第四側壁１０２ｄの端部に位置し、第四収容角部１０３ｄは、第四側壁１０２ｄの端部及び第一側壁１０２ａの端部に位置する。
【００２６】
４つの収容角部１０３は、それぞれ、次のような形状に形成されている。収容部１０１に半導体チップＣＰを収容させて、壁部１０２に半導体チップＣＰを当接させた際に、収容角部１０３に半導体チップＣＰの角部が接触しないように形成されている。半導体チップＣＰの角部を、チップ角部、又は片状体角部と称する場合がある。
本実施形態の整列治具１００においては、このように半導体チップＣＰの角部と収容角部１０３とが接触しないようにするための形状として、４つの収容角部１０３が壁部１０２の壁面よりも奥側に窪んだ窪み部１０４を有する態様を例に挙げて説明する。なお、本発明は、このような窪み部１０４を有する態様に限定されない。
本実施形態の窪み部１０４は、半円形状に窪んだ形状であるが、半導体チップＣＰの角部と収容角部１０３とが接触しないような形状であれば、特に限定されない。窪み部１０４の形状としては、例えば、楕円形や多角形などでもよい。また、窪み部１０４は、本実施形態で説明したように４つの角部に形成されている態様に限定されず、少なくとも１つの収容角部１０３に窪み部１０４が形成されていればよい。例えば、１つの窪み部１０４が形成されている態様の整列治具の場合、窪み部１０４は、それぞれの収容部１０１において同じ角部（例えば、第一収容角部１０３ａ）に窪み部１０４が形成されていることが好ましい。
【００２７】
整列治具１００は、耐熱性を有する材質で形成されていることが好ましい。後述する封止部材が熱硬化性樹脂である場合、例えば、熱硬化性樹脂の硬化温度は、１２０℃〜１８０℃程度である。そのため、整列治具１００は、熱硬化性樹脂の硬化温度においても整列治具の変形が生じない耐熱性を有することが好ましい。整列治具１００の材質としては、例えば、金属、及び耐熱性樹脂が挙げられる。金属としては、例えば、銅、４２アロイ、及びステンレス等が挙げられる。耐熱性樹脂としては、ポリイミド樹脂、及びガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００２８】
整列治具１００の製造方法は、特に限定されない。例えば、整列治具１００は、板状の部材に打ち抜き加工を施すことにより製造できる。また、整列治具１００は、板状の部材にエッチング加工を施すことによっても製造できる。収容部１０１や窪み部１０４について要求される寸法精度に応じて、適宜、加工方法を選択することが好ましい。
【００２９】
・整列方法
図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃ（これらをまとめて図２と称する場合がある。）には、本実施形態に係る整列治具１００を用いて、片状体としての半導体チップＣＰを整列させる方法を説明する平面図が示されている。
【００３０】
図２Ａには、保持部材の保持面に載置された整列治具１００と、収容部１０１に半導体チップＣＰがそれぞれ収容された状態を説明する平面図が示されている。整列治具１００が保持部材の保持面に載置されていることによって、収容部１０１の下面側の開口が塞がれている。
半導体チップＣＰは、平面視で、矩形状である。半導体チップＣＰは、第一側面ｃｐ１と、第一側面ｃｐ１と隣り合う第二側面ｃｐ２と、を有する。
図２Ａにおいては、複数の半導体チップＣＰは、整列されていない。
【００３１】
図２Ｂには、整列治具１００を図中の矢印方向２Ｂに動かして、半導体チップＣＰの側面に収容部１０１の壁部１０２を当接させた状態を説明する平面図が示されている。
整列治具１００を矢印方向２Ｂに動かすと、収容部１０１に収容されたそれぞれの半導体チップＣＰの第一側面ｃｐ１と、整列治具１００の第一側壁１０２ａとが当接する。その結果、複数の半導体チップＣＰは、お互いに、矢印方向２Ｂの配列に関して等間隔に整列される。
【００３２】
図２Ｃには、整列治具１００を図中の矢印方向２Ｃに動かして、半導体チップＣＰの側面に収容部１０１の壁部１０２を当接させた状態を説明する平面図が示されている。
矢印方向２Ｃは、矢印方向２Ｂと直交することが好ましい。矢印方向２Ｃに整列治具１００を動かす際は、半導体チップＣＰの第一側面ｃｐ１と整列治具１００の第一側壁１０２ａとを当接させたまま動かすことが好ましい。
整列治具１００を矢印方向２Ｃに動かすと、収容部１０１に収容されたそれぞれの半導体チップＣＰの第二側面ｃｐ２と、整列治具１００の第二側壁１０２ｂとが当接する。第二側面ｃｐ２と第二側壁１０２ｂとが当接する際に、半導体チップＣＰのチップ角部ｃｐ３が第一収容角部１０３ａに接触せずに、窪み部１０４に収容される。
半導体チップＣＰのチップ角部ｃｐ３が第一収容角部１０３ａに接触しないため、半導体チップＣＰの第一側面ｃｐ１が第一側壁１０２ａに沿ったまま、第二側面ｃｐ２が第二側壁１０２ｂに当接する。つまり、半導体チップＣＰを傾かせることなく、半導体チップＣＰの互いに隣り合う側面を収容部１０１の互いに隣り合う壁部に当接させることができる。
その結果、複数の半導体チップＣＰは、矢印方向２Ｂ及び矢印方向２Ｃの配列に関して等間隔に整列される。
【００３３】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃ（これらをまとめて図３と称する場合がある。）には、参考例に係る整列治具３００を用いて、片状体としての半導体チップＣＰを整列させる方法を説明する平面図が示されている。
整列治具３００は、本実施形態に係る整列治具１００と同様に、複数の収容部３０１を有しており、壁部３０２及び収容角部３０３を有する。壁部３０２は、第一側壁３０２ａと、第一側壁３０２ａと隣り合う第二側壁３０２ｂとを有する。ただし、収容角部３０３の形状が、本実施形態に係る整列治具１００の収容角部１０３と異なり、収容角部３０３は窪み部１０４を有しておらず、壁部１０２の壁面よりも内側に湾曲して張り出している。
【００３４】
図３Ａには、図２Ａと同様、保持部材の保持面に載置された整列治具３００と、収容部３０１に半導体チップＣＰがそれぞれ収容された状態を説明する平面図が示されている。整列治具３００が保持部材の保持面に載置されていることによって、収容部３０１の下面側の開口が塞がれている。
図３Ｂには、整列治具３００を図中の矢印方向３Ｂに動かして、半導体チップＣＰの側面に収容部３０１の壁部３０２を当接させた状態を説明する平面図が示されている。
整列治具３００を矢印方向３Ｂに動かすと、収容部３０１に収容されたそれぞれの半導体チップＣＰの第一側面ｃｐ１と、整列治具３００の第一側壁３０２ａとが当接する。その結果、複数の半導体チップＣＰは、お互いに、矢印方向３Ｂの配列に関して等間隔に整列される。
【００３５】
図３Ｃには、整列治具３００を図中の矢印方向３Ｃに動かして、半導体チップＣＰの側面に収容部３０１の壁部３０２を当接させようとした際の整列状態を説明する平面図が示されている。
整列治具３００を矢印方向３Ｃに動かすと、収容部３０１に収容されたそれぞれの半導体チップＣＰの第二側面ｃｐ２と、整列治具３００の第二側壁３０２ｂとが当接する前に、半導体チップＣＰのチップ角部ｃｐ３が収容角部３０３の張り出している部分に接触してしまい、半導体チップＣＰが傾いてしまう。
【００３６】
以上のように、本実施形態に係る整列治具１００及び整列方法によれば、半導体チップＣＰを傾かせることなく、均等に整列させることができる。
【００３７】
・半導体装置の製造方法
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、半導体装置の製造方法の工程中に、前述の半導体チップを整列させる工程（半導体チップ整列工程）を実施する。
【００３８】
図４Ａには、第一の粘着シート１０に貼着された半導体ウエハＷが示されている。半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法、及びリフトオフ法などが挙げられる。
半導体ウエハＷは、予め所定の厚みに研削して、裏面Ｗ３を露出させて第一の粘着シート１０に貼着されている。半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダーなどを用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、表面保護シートを回路面Ｗ１に貼着させる。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。研削後の半導体ウエハＷの厚みは、特に限定はされず、通常は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。
【００３９】
第一の粘着シート１０は、第一の基材フィルム１１と、第一の粘着剤層１２とを有する。第一の粘着剤層１２は、第一の基材フィルム１１に積層されている。
第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷ及び第一のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第一の粘着シート１０の第一の粘着剤層１２の上に、第一のリングフレーム及び半導体ウエハＷを載置し、第一のリングフレーム及び半導体ウエハＷを軽く押圧し、第一のリングフレーム及び半導体ウエハＷを第一の粘着シート１０に固定する。
【００４０】
第一の基材フィルム１１の材質は、特に限定されない。第一の基材フィルム１１の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリスチレン樹脂などが挙げられる。
【００４１】
第一の粘着剤層１２に含まれる粘着剤は、特に限定されず、様々な種類の粘着剤を第一の粘着剤層１２に適用できる。第一の粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、及びウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途及び貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
【００４２】
第一の粘着剤層１２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第一の粘着剤層１２に第一の基材フィルム１１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。エネルギー線重合性化合物を硬化させると、第一の粘着剤層１２の凝集力が高まり、第一の粘着剤層１２と半導体ウエハＷとの間の粘着力を低下、又は消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）及び電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。
【００４３】
第一の粘着剤層１２と半導体ウエハＷとの間の粘着力を低下、又は消失させる方法は、エネルギー線照射に限定されない。この粘着力を低下、又は消失させる方法としては、例えば、加熱による方法、加熱及びエネルギー線照射による方法、並びに冷却による方法が挙げられる。
冷却による方法としては、第一の粘着シート１０を冷却することにより、第一の粘着剤層１２に使用している高分子の結晶構造を変化させ、粘着力を変化させる方法が挙げられる。
【００４４】
［ダイシング工程］
図４Ｂには、第一の粘着シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
第一の粘着シート１０に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚みと、第一の粘着剤層１２の厚みとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。ダイシングによって、第一の粘着剤層１２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。さらに、ダイシングによって第一の基材フィルム１１にも切込みが形成される場合がある。
また、半導体ウエハＷをダイシングする方法は、ダイシングソーを用いる方法に限定されない。例えば、半導体ウエハＷをレーザ照射法によりダイシングしてもよい。
【００４５】
第一の粘着剤層１２へのエネルギー線の照射は、半導体ウエハＷを第一の粘着シート１０に貼着させた後から、第一の粘着シート１０を剥離する前までのいずれの段階で行ってもよい。エネルギー線の照射は、例えば、ダイシングの後に行ってもよいし、後述するエキスパンド工程の後に行ってもよい。エネルギー線を、複数回、照射してもよい。
【００４６】
［第一のエキスパンド工程］
図４Ｃには、複数の半導体チップＣＰを保持する第一の粘着シート１０を引き延ばす工程（第一のエキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。第一のエキスパンド工程において第一の粘着シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第一の粘着シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状のエキスパンダ、又は円状のエキスパンダを第一の粘着シート１０に押し当てて、第一の粘着シート１０を引き延ばす方法、及び把持部材などを用いて第一の粘着シート１０の外周部を掴んで、第一の粘着シート１０を引き延ばす方法などが挙げられる。
【００４７】
本実施形態では、図４Ｃに示されているように、第一のエキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、１５μｍ以上１１０μｍ以下とすることが好ましい。
【００４８】
［第一の転写工程］
図５Ａには、第一のエキスパンド工程の後に、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写する工程（第一の転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。第一の粘着シート１０を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ間の距離を距離Ｄ１に拡げた後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第二の粘着シート２０を貼着する。
【００４９】
第二の粘着シート２０は、第二の基材フィルム２１と、第二の粘着剤層２２とを有する。第二の粘着シート２０は、回路面Ｗ１を第二の粘着剤層２２で覆うように貼着されることが好ましい。
第二の基材フィルム２１の材質は、特に限定されない。第二の基材フィルム２１の材質としては、例えば、第一の基材フィルム１１について例示した材質と同様の材質が挙げられる。
【００５０】
第二の粘着剤層２２は、第二の基材フィルム２１に積層されている。第二の粘着剤層２２に含まれる粘着剤は、特に限定されず、様々な種類の粘着剤を第二の粘着剤層２２に適用できる。第二の粘着剤層２２に含まれる粘着剤としては、例えば、第一の粘着剤層１２について説明した粘着剤と同様の粘着剤が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途及び貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。第二の粘着剤層２２にも、エネルギー線重合性化合物が配合されていてもよい。
【００５１】
第二の粘着シート２０は、第一の粘着シート１０よりも引張弾性率が小さいことが好ましい。第二の粘着シート２０の引張弾性率は、１０ＭＰａ以上２０００ＭＰａ以下であることが好ましい。第二の粘着シート２０の破断伸度は、５０％以上であることも好ましい。なお、本明細書における引張弾性率、及び破断伸度は、ＪＩＳ  Ｋ７１６１及びＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠し、引張試験装置を使用して測定される。
【００５２】
第二の粘着剤層２２の粘着力は、第一の粘着剤層１２の粘着力よりも大きいことが好ましい。第二の粘着剤層２２の粘着力の方が大きければ、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写した後に第一の粘着シート１０を剥離し易くなる。
【００５３】
第二の粘着シート２０は、耐熱性を有することが好ましい。後述する封止部材が熱硬化性樹脂である場合、例えば、熱硬化性樹脂の硬化温度は、１２０℃〜１８０℃程度であり、加熱時間は、３０分〜２時間程度である。第二の粘着シート２０は、封止部材を熱硬化させる際に、皺が生じないような耐熱性を有することが好ましい。また、第二の粘着シート２０は、熱硬化プロセス後に、半導体チップＣＰから剥離可能な材質で構成されていることが好ましい。
【００５４】
第二の粘着シート２０は、第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２の上に、第二のリングフレームを載置し、第二のリングフレームを軽く押圧し、第二のリングフレームを第二の粘着シート２０に固定する。その後、第二のリングフレームの環形状の内側にて露出する第二の粘着剤層２２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第二の粘着シート２０に複数の半導体チップＣＰを固定する。
【００５５】
第二の粘着シート２０を回路面Ｗ１に貼着する際、第一の基材フィルム１１のＭＤ方向と、第二の基材フィルム２１のＭＤ方向とを直交させることが好ましい。このように貼着することで、基材フィルムの伸び易い方向が、第一のエキスパンド工程と、後述する第二の粘着シート２０を引き延ばす第二のエキスパンド工程とで直交する。そのため、第二のエキスパンド工程を実施することで、複数の半導体チップＣＰ間の間隔はより均一に拡張される。本明細書において、「ＭＤ方向」とは、基材フィルムを与える原反の長手方向（原反の製造時の送り方向）に平行な方向を示す語として用いている。本明細書において、ＭＤは、Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称である。
例えば、第一のエキスパンド工程において伸び易い方向（第一の方向と称する場合がある。）に沿って延びる延び量と、第一の方向と直交する方向（第一の方向よりも伸びにくい方向。第二の方向と称する場合がある。）に沿って延びる延び量と、が異なる場合に、第二の基材フィルム２１の伸び易い方向を第二の方向に合わせることで、第二のエキスパンド工程において第二の方向の延び量を第一の方向よりも大きくすることができ、複数の半導体チップＣＰ間の間隔をより均一に調整できる。例えば、格子状の分割予定ラインに沿って複数の半導体チップＣＰに個片化した場合には、この態様によれば、上下方向及び左右方向において複数の半導体チップＣＰ間の間隔がより均一に拡張される。
【００５６】
第二の粘着シート２０を複数の半導体チップＣＰに貼着した後、第一の粘着シート１０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第一の粘着シート１０を剥離した後も、第一のエキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ１が維持されていることが好ましい。第一の粘着剤層１２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第一の粘着剤層１２に第一の基材フィルム１１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させてから第一の粘着シート１０を剥離することが好ましい。
【００５７】
［第二のエキスパンド工程］
図５Ｂには、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を引き延ばす工程（第二のエキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
第二のエキスパンド工程では、複数の半導体チップＣＰ間の間隔をさらに拡げる。第二のエキスパンド工程において第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状のエキスパンダ、又は円状のエキスパンダを第二の粘着シート２０に押し当てて、第二の粘着シート２０を引き延ばす方法、及び把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで、第二の粘着シート２０を引き延ばす方法などが挙げられる。
【００５８】
本実施形態では、図５Ｂに示されているように、第二のエキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の間隔をＤ２とする。距離Ｄ２は、距離Ｄ１よりも大きい。距離Ｄ２としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。
【００５９】
［第二の転写工程］
図６Ａには、第二のエキスパンド工程の後に、複数の半導体チップＣＰを保持部材の保持面に転写させる工程（第二の転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
図６Ａには、保持部材２００に転写された複数の半導体チップＣＰが示されている。保持部材２００は、半導体チップＣＰを吸着保持可能な保持面２０１を有する。半導体チップＣＰは、保持面２０１において、図示しない減圧手段によって吸着保持される。保持面２０１は、平坦な面であることが好ましく、半導体チップＣＰを吸着保持できるように複数の吸引孔を有することが好ましい。減圧手段としては、例えば、減圧ポンプ及び真空エジェクタ等が挙げられる。第二の転写工程においては、第二の粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保持面２０１に向けて載置する。保持面２０１に載置された複数の半導体チップＣＰは、その裏面Ｗ３が保持面２０１に当接している。減圧手段を駆動させることで、複数の半導体チップＣＰは、保持面２０１に吸着保持される。複数の半導体チップＣＰを保持面２０１に吸着保持させた後に、第二の粘着シート２０を剥離することが好ましい。
【００６０】
［治具載置工程］
図６Ｂには、整列治具１００を保持部材２００の保持面２０１に載置する工程（治具載置工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
保持面２０１に保持されている半導体チップＣＰを収容部１０１に収容させるように、整列治具１００を保持面２０１に載置する。整列治具１００が保持部材２００の保持面２０１に載置されることによって、収容部１０１の下面側の開口が塞がれた状態となる。
治具載置工程においても、複数の半導体チップＣＰを保持面２０１に吸着保持させておくことが好ましい。
ダイシング後の半導体チップＣＰが格子状に配列されている場合、収容部１０１に半導体チップＣＰを収容し易くする観点から、格子状に収容部１０１が配列された整列治具１００を用いることが好ましい。
【００６１】
［半導体チップ整列工程］
治具載置工程の後、整列治具１００を用いて複数の半導体チップＣＰを整列させる半導体チップ整列工程を実施する。半導体チップ整列工程は、前述の半導体チップの整列方法と同様に実施することができる。
本実施形態では、整列治具１００を動かして半導体チップＣＰの側面に収容部１０１の壁部１０２を当接させる方法の態様を例に挙げて説明する。
まず、把持手段を用いて整列治具１００の本体部１１０の外枠１１０Ａを把持する。把持手段は、図示しない駆動装置と接続されている。この駆動装置により整列治具１００を移動させて、半導体チップＣＰの側面に整列治具１００の壁部１０２を当接させる。整列治具１００を移動させる順番及び方向は、前述の図２Ｂの矢印方向２Ｂ及び図２Ｃの矢印方向２Ｃの順番及び方向に限定されない。駆動装置は、整列治具１００を保持面２０１に沿って、任意の方向へ移動可能に構成されていることが好ましい。整列治具１００を移動させる際は、整列治具１００を保持面２０１から離間させて、保持面２０１に沿って移動させることが好ましい。また、保持面２０１に接触させたまま整列治具１００を移動させてもよい。
半導体チップ整列工程を実施する間は、保持部材２００の減圧手段による吸着保持を解除したり、吸着保持力を低下させたりすることにより、半導体チップＣＰを移動させ易くすることができる。なお、駆動装置は、図示しない検知手段を有していてもよい。検知手段にて保持面２０１に載置された半導体チップＣＰの位置を検知させてもよい。駆動装置は、検知手段の検知結果に基づいて半導体チップＣＰの移動量や移動方向を制御する制御手段を有していてもよい。駆動装置において、把持手段、検知手段、及び制御手段を連動させてもよい。
【００６２】
複数の半導体チップＣＰを整列させる方法としては、上述した方法に限定されない。例えば、整列治具１００を移動させるのではなく、保持部材２００を移動させて、整列治具１００と半導体チップＣＰとを当接させる方法でもよい。この方法の場合も、保持部材２００の減圧手段による吸着保持を解除したり、吸着保持力を低下させたりすることが好ましい。
また、複数の半導体チップＣＰを整列させる方法としては、整列治具１００及び保持部材２００の両方を移動させて、整列治具１００と半導体チップＣＰとを当接させる方法でもよい。この方法の場合も、保持部材２００の減圧手段による吸着保持を解除したり、吸着保持力を低下させたりすることが好ましい。
【００６３】
［第三の転写工程］
図７Ａには、半導体チップ整列工程において整列された半導体チップＣＰを第四の粘着シートとしての表面保護シート４０に転写する工程（第三の転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
整列された複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に表面保護シート４０を貼着する。本実施形態では、半導体チップＣＰを表面保護シート４０に貼着させるが、整列治具１００を表面保護シート４０に貼着させない。
【００６４】
表面保護シート４０は、第四の基材フィルム４１と、第四の粘着剤層４２とを有する。表面保護シート４０は、回路面Ｗ１を第四の粘着剤層４２で覆うように貼着されることが好ましい。
表面保護シート４０の材質は、特に限定されない。第四の基材フィルム４１の材質としては、例えば、第一の基材フィルム１１について例示した材質と同様の材質が挙げられる。
第四の粘着剤層４２は、第四の基材フィルム４１に積層されている。第四の粘着剤層４２に含まれる粘着剤は、特に限定されず、様々な種類の粘着剤を第四の粘着剤層４２に適用できる。第四の粘着剤層４２に含まれる粘着剤としては、例えば、第一の粘着剤層１２について説明した粘着剤と同様の粘着剤が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途及び貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。第四の粘着剤層４２にも、エネルギー線重合性化合物が配合されていてもよい。
【００６５】
表面保護シート４０は、耐熱性を有することが好ましい。後述する封止部材が熱硬化性樹脂である場合、例えば、熱硬化性樹脂の硬化温度は、１２０℃〜１８０℃程度であり、加熱時間は、３０分〜２時間程度である。表面保護シート４０は、封止部材を熱硬化させる際に、皺が生じないような耐熱性を有することが好ましい。また、表面保護シート４０は、熱硬化プロセス後に、半導体チップＣＰから剥離可能な材質で構成されていることが好ましい。
【００６６】
［封止工程］
図７Ｂには、表面保護シート４０によって保持された複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを、封止部材６０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材６０が充填されている。本実施形態では、表面保護シート４０により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材６０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
【００６７】
封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ２が維持された状態で、封止部材６０により覆われることが好ましい。
封止部材６０で複数の半導体チップＣＰを覆う方法は、特に限定されない。例えば、金型内に、表面保護シート４０で回路面Ｗ１を覆ったまま複数の半導体チップＣＰを収容し、金型内に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる方法を採用してもよい。また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を覆うように載置し、封止樹脂を加熱することで、複数の半導体チップＣＰを封止樹脂に埋め込ませる方法を採用してもよい。封止部材６０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材６０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、及び硬化促進剤などが含まれていてもよい。
【００６８】
封止工程の後、表面保護シート４０が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の表面保護シート４０と接触していた面３Ｓが露出する。
【００６９】
［半導体パッケージの製造工程］
図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃ（これらをまとめて図８と称する場合がある。）、並びに図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃ（これらをまとめて図９と称する場合がある。）には、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明する図が示されている。本実施形態は、このような半導体パッケージの製造工程を含んでいることが好ましい。
【００７０】
［再配線層形成工程］
図８Ａには、表面保護シート４０を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。本実施形態では、表面保護シート４０が剥離された後の封止体３に再配線層を形成する再配線層形成工程をさらに含むことが好ましい。再配線層形成工程においては、露出した複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と接続する再配線を、回路面Ｗ１の上及び封止体３の面３Ｓの上に形成する。再配線の形成に当たっては、まず、絶縁層を封止体３に形成する。
【００７１】
図８Ｂには、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の面３Ｓに第一の絶縁層６１を形成する工程を説明する断面図が示されている。絶縁性樹脂を含む第一の絶縁層６１を、回路面Ｗ１及び面３Ｓの上に、回路Ｗ２、又は回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、及びシリコーン樹脂などが挙げられる。内部端子電極Ｗ４の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅、及びアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。
【００７２】
図８Ｃには、封止体３に封止された半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線５を形成する工程を説明する断面図が示されている。本実施形態では、第一の絶縁層６１の形成に続いて再配線５を形成する。再配線５の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅、及びアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。再配線５は、公知の方法により形成できる。
【００７３】
図９Ａには、再配線５を覆う第二の絶縁層６２を形成する工程を説明する断面図が示されている。再配線５は、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを有する。第二の絶縁層６２には開口などを設けて、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド５Ａは、封止体３の半導体チップＣＰの領域（回路面Ｗ１に対応する領域）内及び領域外（封止部材６０上の面３Ｓに対応する領域）に露出させている。また、再配線５は、外部電極パッド５Ａがアレイ状に配置されるように、封止体３の面３Ｓに形成されている。本実施形態では、封止体３が半導体チップＣＰの領域外に外部電極パッド５Ａを露出させる構造を有するので、ファンアウト型のＷＬＰを得ることができる。
【００７４】
［外部端子電極との接続工程］
図９Ｂには、封止体３の外部電極パッド５Ａに外部端子電極を接続させる工程を説明する断面図が示されている。第二の絶縁層６２から露出する外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極７を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極７と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだ及び無鉛はんだ等が挙げられる。
【００７５】
［第二のダイシング工程］
図９Ｃには、外部端子電極７が接続された封止体３を個片化する工程（第二のダイシング工程と称する場合がある。）を説明する断面図が示されている。この第二のダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化する方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化できる。封止体３を個片化する工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
【００７６】
封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極７を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として製造される。
【００７７】
［実装工程］
本実施形態では、個片化された半導体パッケージ１を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。
【００７８】
・実施形態の効果
本実施形態に係る整列治具１００及び整列方法によれば、簡易かつ迅速に、複数の半導体チップＣＰをより均等な間隔で整列させることができる。
【００７９】
本実施形態に係る整列治具１００及び整列方法によれば、半導体チップＣＰのチップ角部ｃｐ３が整列治具１００の収容角部１０３に接触し難くなる。そのため、半導体チップＣＰの角部等の頂点部分の損傷を防止できる。半導体チップＣＰの厚さが薄い場合、又は半導体チップＣＰが脆い場合には、本実施形態に係る整列治具１００及び整列方法は、半導体チップＣＰの損傷を防止する観点から、さらに好適である。
【００８０】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ整列工程において、整列治具１００を用いた整列方法を実施するため、複数の半導体チップＣＰを均等な間隔で整列させた後で、封止工程や半導体パッケージ工程を実施できる。そのため、封止体３においては、複数の半導体チップＣＰがより均等な間隔で封止されている。さらに、複数の半導体チップＣＰが均等な間隔で封止されているため、再配線層形成工程において、複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と、再配線５との接続位置の位置ずれを抑制できる。
【００８１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージ１を製造するプロセスへの適合性に優れる。具体的には、本実施形態によれば、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージ１におけるチップ間隔の均等性及び正確性を向上させることができる。
【００８２】
〔第２実施形態〕
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、その説明を省略する。
【００８３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハＷを用いて半導体チップＣＰに個片化する工程から、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡げる工程までについて、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と主に相違する。その他の点は、第２実施形態と第１実施形態とは同様であるため、説明を省略又は簡略化する。なお、第１実施形態で説明した整列治具や整列方法についても、本実施形態において適用される。
【００８４】
・半導体装置の製造方法
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００８５】
［溝形成工程］
図１０Ａには、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側から所定深さの溝を形成する工程（溝形成工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
半導体ウエハＷは、第一の面としての回路面Ｗ１を有する。回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。
【００８６】
溝形成工程において、回路面Ｗ１側からダイシング装置のダイシングブレードなどを用いて半導体ウエハに切込みを入れる。その際、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１から、半導体ウエハＷの厚さよりも浅い深さの切込みを入れて、溝Ｗ５を形成する。溝Ｗ５は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に形成された複数の回路Ｗ２を区画するように形成される。溝Ｗ５の深さは、目的とする半導体チップの厚みよりもやや深い程度であれば、特に限定されない。
【００８７】
図１０Ｂには、溝Ｗ５の形成後、回路面Ｗ１に第三の粘着シートとしての保護シート３０が貼着された半導体ウエハＷが示されている。
本実施形態では、次の研削工程において半導体ウエハＷを研削する前に、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に保護シート３０を貼着する。保護シート３０は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を保護する。
【００８８】
保護シート３０は、第三の基材フィルム３１と、第三の粘着剤層３２とを有する。第三の粘着剤層３２は、第三の基材フィルム３１に積層されている。
【００８９】
第三の基材フィルム３１の材質は、特に限定されない。第三の基材フィルム３１の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリスチレン樹脂などが挙げられる。
【００９０】
第三の粘着剤層３２に含まれる粘着剤は、特に限定されず、様々な種類の粘着剤を第三の粘着剤層３２に適用できる。第三の粘着剤層３２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、及びウレタン系粘着剤等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途及び貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
【００９１】
第三の粘着剤層３２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第三の粘着剤層３２に第三の基材フィルム３１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。エネルギー線重合性化合物を硬化させると、第三の粘着剤層３２の凝集力が高まり、第三の粘着剤層３２と半導体ウエハＷとの間の粘着力が低下、又は消失する。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）及び電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。本実施形態においても、粘着力を低下、又は消失させる方法として、第１実施形態で説明した方法を採用できる。
【００９２】
［研削工程］
図１０Ｃには、溝Ｗ５を形成し、保護シート３０を貼着した後、半導体ウエハＷの第二の面としての裏面Ｗ６を研削する工程（研削工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
保護シート３０を貼着した後、グラインダー５０を用いて、裏面Ｗ６側から半導体ウエハＷを研削する。研削により、半導体ウエハＷの厚みが薄くなり、最終的に半導体ウエハＷは、複数の半導体チップＣＰへ分割される。溝Ｗ５の底部が除去されるまで裏面Ｗ６側から研削を行い、半導体ウエハＷを回路Ｗ２ごとに個片化する。その後、必要に応じてさらに裏面研削を行い、所定厚さの半導体チップＣＰを得ることができる。本実施形態では、第三の面としての裏面Ｗ３が露出するまで研削する。
【００９３】
図１０Ｄには、分割された複数の半導体チップＣＰが保護シート３０に保持された状態が示されている。裏面Ｗ３が露出した半導体チップＣＰが保護シート３０に保持されている。
【００９４】
［貼付工程（第二の粘着シート）］
図１１Ａには、研削工程の後、第二の粘着シート２０を、複数の半導体チップＣＰに貼付する工程（貼付工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
第二の粘着シート２０は、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に貼着される。第二の粘着シート２０は、第二の基材フィルム２１と、第二の粘着剤層２２とを有する。第二の粘着シート２０は、第１実施形態と同様である。
【００９５】
本実施形態において、第二の粘着剤層２２の半導体ウエハＷに対する粘着力は、第三の粘着剤層３２の半導体ウエハＷに対する粘着力よりも大きいことが好ましい。第二の粘着剤層２２の粘着力の方が大きければ、保護シート３０を剥離し易くなる。
【００９６】
第二の粘着シート２０は、第一のリングフレームに貼着されていてもよい。第一のリングフレームを用いる場合、第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２の上に、第一のリングフレームを載置し、第一のリングフレームを軽く押圧し、第二の粘着シート２０と第一のリングフレームとを固定する。その後、第一のリングフレームの環形状の内側にて露出する第二の粘着剤層２２を半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に押し当てて、第二の粘着シート２０に複数の半導体チップＣＰを固定する。
【００９７】
［剥離工程］
図１１Ｂには、第二の粘着シート２０を複数の半導体チップＣＰに貼付した後に、保護シート３０を剥離する工程（剥離工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。保護シート３０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１が露出する。本実施形態では、図１１Ｂに示されているように、先ダイシング法によって分割された半導体チップＣＰ間の距離をＤ３とする。距離Ｄ３は、例えば、１５μｍ以上１１０μｍ以下であることが好ましい。
【００９８】
［エキスパンド工程］
図１１Ｃには、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を引き延ばす工程を説明する図が示されている。
エキスパンド工程では、複数の半導体チップＣＰ間の間隔をさらに拡げる。エキスパンド工程において第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状のエキスパンダ、又は円状のエキスパンダを第二の粘着シート２０に押し当てて第二の粘着シート２０を引き延ばす方法、及び把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで、第二の粘着シート２０を引き延ばす方法などが挙げられる。
本実施形態では、図１１Ｃに示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ４とする。距離Ｄ４は、距離Ｄ３よりも大きい。距離Ｄ４は、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下であることが好ましい。
【００９９】
［転写工程］
図１２Ａには、エキスパンド工程後に、半導体チップＣＰを第四の粘着シートとしての表面保護シート４０に転写する工程（第四の転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。表面保護シート４０は、第１実施形態と同様である。
第四の転写工程において、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に表面保護シート４０を貼着する。
【０１００】
［剥離工程］
図１２Ｂには、第二の粘着シート２０を複数の半導体チップＣＰから剥がす工程を説明する図が示されている。第二の粘着シート２０を剥がすことにより、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を露出させる。
【０１０１】
［転写工程］
第二の粘着シート２０を剥がし、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を露出させた後、第１実施形態の第二の転写工程と同様に、複数の半導体チップＣＰを保持部材２００の保持面２０１に転写させる工程を実施する。
【０１０２】
複数の半導体チップＣＰを保持面２０１に転写後、半導体チップ整列工程以降は、第１実施形態と同様にして実施できる。
【０１０３】
・実施形態の効果
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態によれば、いわゆる先ダイシング法によって半導体ウエハＷを複数の半導体チップＣＰに分割するため、個片化された時の半導体チップＣＰの整列状態の乱れを防止できる。
さらに、本実施形態によれば、先ダイシング法によって個片化された複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に貼付し、この第二の粘着シート２０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡げることができる。エキスパンド工程においても、複数の半導体チップＣＰの整列状態の乱れを防止できる。
【０１０４】
〔第３実施形態〕
次に、本発明の第３実施形態について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、その説明を省略する。
【０１０５】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップＣＰを整列させた後、表面保護シート４０に転写した複数の半導体チップＣＰを封止する封止工程以降が、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と主に相違する。その他の点は、第３実施形態と第１実施形態とは同様であるため、説明を省略又は簡略化する。なお、第１実施形態で説明した整列治具や整列方法についても、本実施形態において適用される。
【０１０６】
［枠部材貼着工程］
図１３Ａには、表面保護シート４０の第四の粘着剤層４２に枠部材４００を貼着させる工程（枠部材貼着工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
枠部材貼着工程は、第一実施形態の図７Ａに示す第三の転写工程を実施した後に実施されることが好ましい。枠部材貼着工程において、半導体チップＣＰが転写された表面保護シート４０に枠部材４００を貼着させる。表面保護シート４０は、第１実施形態と同様である。
本実施形態に係る枠部材４００は、格子状に形成され、複数の開口部４０１を有する。枠部材４００は、耐熱性を有する材質で形成されていることが好ましい。枠部材４００の材質としては、例えば、金属、及び耐熱性樹脂が挙げられる。金属としては、例えば、銅、及びステンレス等が挙げられる。耐熱性樹脂としては、ポリイミド樹脂、及びやガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
開口部４０１は、枠部材４００の表裏面を貫通する孔である。開口部４０１の形状は、半導体チップＣＰを枠内に収容可能であれば、特に限定されない。開口部４０１の孔の深さも、半導体チップＣＰを収容可能であれば、特に限定されない。
枠部材４００を表面保護シート４０に貼着する際は、それぞれの開口部４０１に半導体チップＣＰが収容されるように第四の粘着剤層４２に枠部材４００を貼り合せる。
【０１０７】
［封止工程］
図１３Ｂには、表面保護シート４０に貼着された半導体チップＣＰ及び枠部材４００を封止する工程を説明する図が示されている。
封止樹脂６３の材質は、熱硬化性樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止樹脂６３として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、及び硬化促進剤などが含まれていてもよい。
封止樹脂６３を用いて半導体チップＣＰ及び枠部材４００を覆うことにより封止体３Ｄが形成される。
封止樹脂６３で半導体チップＣＰ及び枠部材４００を封止する方法は、特に限定されない。例えば、シート状の封止樹脂を用いる方法が挙げられる。半導体チップＣＰ及び枠部材４００を覆うようにシート状の封止樹脂を載置し、封止樹脂を加熱硬化させて、封止樹脂層を形成する。
シート状の封止樹脂を用いる場合には、真空ラミネート法により半導体チップＣＰ及び枠部材４００を封止することが好ましい。この真空ラミネート法により、半導体チップＣＰと枠部材４００との間に空隙が生じることを防止できる。真空ラミネート法による加熱硬化の温度条件範囲は、例えば、８０℃以上１２０℃以下である。
【０１０８】
複数の半導体チップＣＰを封止して封止体３Ｄを形成した後、半導体パッケージの製造工程以降は、第１実施形態と同様にして実施できる。
【０１０９】
・実施形態の効果
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態によれば、封止体３Ｄの内部に半導体チップＣＰだけでなく、枠部材４００も封止されているため、封止体３Ｄの剛性が向上する。その結果、多数の半導体チップＣＰを比較的広い面積で封止する際にも、本実施形態によれば、半導体パッケージの反りを抑制できる。
【０１１０】
〔第４実施形態〕
次に、本発明の第４実施形態について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、その説明を省略する。
【０１１１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップＣＰを保持部材２００に転写する前に、予め整列治具１００を保持部材２００の保持面２０１に載置する点で、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と主に相違する。その他の点は、本実施形態と第１実施形態とは同様であるため、説明を省略又は簡略化する。なお、第１実施形態で説明した整列治具や整列方法についても、本実施形態において適用される。
【０１１２】
［治具載置工程］
図１４Ａには、整列治具１００を保持部材２００の保持面２０１に載置する工程を説明する図が示されている。本実施形態の治具載置工程は、予め保持面２０１に複数の半導体チップＣＰが転写されていない点で、第１実施形態の治具載置工程と相違する。本実施形態において、整列治具１００を保持面２０１に吸着保持させておくことが好ましい。
本実施形態の治具載置工程は、その他の点について第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１１３】
［転写工程］
図１４Ｂには、第一実施形態で説明した第二のエキスパンド工程（図５Ｂ参照）の後に、複数の半導体チップＣＰを保持部材２００の保持面２０１に転写させる工程を説明する図が示されている。
本実施形態の転写工程は、予め保持面２０１に整列治具１００が載置されている点で、第１実施形態の第二の転写工程と相違する。本実施形態の転写工程においては、第二の粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保持面２０１に向けて載置する。半導体チップＣＰは、整列治具１００の収容部１０１に収容されるように載置する。本実施形態において、整列治具１００を保持面２０１に吸着保持させておくことで、転写工程を実施する際に整列治具１００が保持面２０１の上を移動することを防止できる。本実施形態の転写工程において、整列治具の移動を防止することにより、半導体チップＣＰと整列治具１００との接触を防止できる。
【０１１４】
［剥離工程］
図１４Ｃには、半導体チップＣＰを保持面に載置した後に、第二の粘着シート２０を半導体チップＣＰから剥離する工程を説明する図が示されている。
第二の粘着シート２０を剥離する際は、減圧手段を駆動させて複数の半導体チップＣＰを保持面２０１に吸着保持させておくことが好ましい。さらに、第二の粘着シート２０を剥離する際は、整列治具１００も保持面２０１に吸着保持させておくことが好ましい。
【０１１５】
複数の半導体チップＣＰを保持部材２００の保持面２０１に転写した後、半導体チップＣＰを整列させる工程は、第１実施形態の半導体チップ整列工程と同様にして実施できる。半導体チップ整列工程以降も、第１実施形態と同様にして実施できる。
【０１１６】
・実施形態の効果
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【０１１７】
〔第５実施形態〕
次に、本発明の第５実施形態について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、その説明を省略する。
【０１１８】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップＣＰを整列させた後、半導体チップＣＰだけでなく、整列治具１００も一緒に表面保護シート４０に転写させる点において、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と主に相違する。その他の点は、本実施形態と第１実施形態とは同様であるため、説明を省略又は簡略化する。なお、第１実施形態で説明した整列治具や整列方法についても、本実施形態において適用される。
【０１１９】
［転写工程］
図１５Ａには、半導体チップ整列工程において整列された半導体チップＣＰ及び整列治具１００を表面保護シート４０に転写する工程を説明する図が示されている。
本実施形態の転写工程は、第一実施形態又は第三実施形態の半導体チップ整列工程を実施した後に実施されることが好ましい。
本実施形態の転写工程において、整列された複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び整列治具１００に表面保護シート４０を貼着する。表面保護シート４０を貼着するときは、複数の半導体チップＣＰ及び整列治具１００を保持面２０１に吸着保持させておくことが好ましい。
貼着後、保持部材２００の保持面２０１から、半導体チップＣＰ及び整列治具１００を離間させる。半導体チップＣＰ及び整列治具１００を保持面２０１から離間させるときは、保持面２０１による吸着保持を解除したり、吸着保持力を低下させたりすることが好ましい。
【０１２０】
［封止工程］
図１５Ｂには、表面保護シート４０によって保持された複数の半導体チップＣＰ及び整列治具１００を封止する工程を説明する図が示されている。
半導体チップＣＰ及び整列治具１００を、封止部材６０によって覆うことにより封止体３Ｅが形成される。整列治具１００の収容部１０１に収容された半導体チップＣＰの周囲にも封止部材６０が充填されている。封止方法は、前述と同様である。
【０１２１】
複数の半導体チップＣＰを封止して封止体３Ｅを形成した後、半導体パッケージの製造工程以降は、第１実施形態と同様にして実施できる。
【０１２２】
・実施形態の効果
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態によれば、封止体３Ｅの内部に半導体チップＣＰだけでなく、整列治具１００も封止されているため、封止体３Ｅの剛性が向上する。その結果、多数の半導体チップＣＰを比較的広い面積で封止する際にも、本実施形態によれば、半導体パッケージの反りを抑制できる。
【０１２３】
〔第６実施形態〕
次に、本発明の第６実施形態について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、その説明を省略する。
【０１２４】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップＣＰを整列させ、表面保護シート４０に転写した複数の半導体チップＣＰを封止した後に、半導体パッケージを製造する工程が、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法と主に相違する。その他の点は、本実施形態と第１実施形態とは同様であるため、説明を省略又は簡略化する。なお、第１実施形態で説明した整列治具や整列方法についても、本実施形態において適用される。
【０１２５】
図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１６Ｃ（これらをまとめて図１６と称する場合がある。）、図１７Ａ、及び図１７Ｂ（これらをまとめて図１７と称する場合がある。）、及び図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃ（これらをまとめて図１８と称する場合がある。）には、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程について説明する図が示されている。
本実施形態では、支持体上に再配線層を形成し、当該再配線層と、封止体の内部に封止されている半導体チップとを電気的に接続させる工程を含む。本実施形態で説明する半導体パッケージの製造工程は、ＲＤＬ−Ｆｉｒｓｔと称される場合がある。ＲＤＬは、Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒの略称である。
【０１２６】
図１６Ａには、支持基板８１と、支持基板８１の表面に形成された剥離層８２と、を有する支持体８０が示されている。
支持基板８１の材質としては、例えば、ガラス、及びシリコンウエハが挙げられる。支持基板８１の表面は平滑であることが好ましい。
剥離層８２は、剥離性を有する材質で形成されている。例えば、支持基板８１の上に剥離テープをラミネートすることにより剥離層８２を形成することができる。剥離テープは、例えば、剥離基材と、剥離剤層と、を有することが好ましい。このような構成の剥離テープを用いる場合、剥離剤層が表面に露出するように支持基板８１の表面にラミネートする。剥離基材と支持基板８１とを貼着させる方法は、特に限定されない。例えば、剥離基材と支持基板８１との間に粘着剤層を介在させることにより、剥離テープと支持基板８１とを貼着することができる。
また、剥離層８２の上には、必要に応じて、金属膜が形成されていてもよい。金属膜は、例えば、スパッタリング法により形成できる。金属膜を構成する金属としては、例えば、チタン及びアルミニウムからなる郡から選択される金属が挙げられる。剥離層８２の上に金属膜が形成されている場合、金属膜の上に後述する再配線層が形成される。
【０１２７】
［再配線層形成工程］
図１６Ｂには、支持体８０の剥離層８２の上に再配線層ＲＤＬを形成する工程を説明する図が示されている。
再配線層ＲＤＬは、絶縁性樹脂層８３と、絶縁性樹脂層８３によって覆われた再配線８４と、を有する。
再配線層形成工程においては、再配線８４と、再配線８４を覆う絶縁性樹脂層８３とを形成する。再配線層ＲＤＬは、公知の再配線層形成方法を採用することによっても形成できる。また、再配線層ＲＤＬは、ＲＤＬ−Ｆｉｒｓｔの製造工程における再配線層の形成方法を採用することによっても形成できる。また、再配線層ＲＤＬは、第１実施形態で述べた再配線層の形成方法と同様の方法を採用することによっても形成できる。
【０１２８】
再配線８４は、半導体チップＣＰの内部端子電極Ｗ４と電気的に接続される内部電極パッド８４Ａと、外部端子電極と電気的に接続される外部電極パッド８４Ｂと、を有する。
内部電極パッド８４Ａは、支持体８０に再配線層ＲＤＬが形成された第１積層体８０Ａにおいて、当該第１積層体８０Ａの表面側に位置している。第１積層体８０Ａにおいて、内部電極パッド８４Ａは、露出している。
外部電極パッド８４Ｂは、第１積層体８０Ａにおいて、当該第１積層体８０Ａの内部に位置している。外部電極パッド８４Ｂは、第１積層体８０Ａの内部において、剥離層８２と対向している。第１積層体８０Ａにおいて、外部電極パッド８４Ｂは、露出していない。
【０１２９】
［バンプ形成工程］
図１６Ｃには、第１積層体８０Ａの内部電極パッド８４Ａに、バンプ８５を形成する工程を説明する図が示されている。
バンプ形成工程においては、内部電極パッド８４Ａに、はんだボール等を載置し、はんだ接合などにより、バンプ８５と内部電極パッド８４Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだ及び無鉛はんだ等が挙げられる。
第１積層体８０Ａに複数のバンプ８５を形成した後に、複数のバンプ８５を覆うように第１積層体８０Ａの表面に封止樹脂膜８６を貼り付ける。封止樹脂膜８６としては、例えば、ＮＣＦ（Non Conductivity Film）が挙げられる。
【０１３０】
［封止体形成工程］
図１７Ａには、第１実施形態に係る半導体チップ整列方法により整列させた複数の半導体チップＣＰを封止した封止体３Ａが示されている。
封止体３Ａは、第１実施形態と同様に形成できる。なお、図１７Ａに示されている封止体３Ａ、及び図７Ｂに示されている封止体３において、説明の都合上、封止されている半導体チップＣＰの数が異なる。封止体３Ａも、半導体チップ整列工程を実施した後に封止工程を実施することにより、封止体３と同様にして形成できる。
半導体チップＣＰを封止後、表面保護シート４０を剥離することにより、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び内部端子電極Ｗ４が露出する封止体３Ａが得られる。
また、本実施形態における封止体は、第３実施形態の封止体３Ｄのように半導体チップＣＰだけでなく、枠部材４００も封止された封止体であってもよい。
また、本実施形態における封止体は、第５実施形態の封止体３Ｅのように半導体チップＣＰだけでなく、整列治具１００も封止された封止体であってもよい。
【０１３１】
［半導体チップ接続工程］
図１７Ｂには、封止体３Ａの半導体チップＣＰと第１積層体８０Ａの内部電極パッド８４Ａとを電気的に接続する工程を説明する図が示されている。なお、この接続工程は、フリップチップ方式の接続方法によって実施できる。
本実施形態の接続工程においては、封止体３Ａの内部端子電極Ｗ４が露出している面と、第１積層体８０Ａのバンプ８５を覆う封止樹脂膜８６が形成されている面と、を対向させる。続いて、封止体３Ａの複数の内部端子電極Ｗ４の位置と、第１積層体８０Ａの複数のバンプ８５との位置とがそれぞれ合うように位置制御を行う。
位置制御の後、封止体３Ａを第１積層体８０Ａに押し当てて、半導体チップＣＰの内部端子電極Ｗ４を封止樹脂膜８６に入り込ませ、内部端子電極Ｗ４とバンプ８５とを接触させる。内部端子電極Ｗ４とバンプ８５とを接触させることにより、封止体３Ａと第１積層体８０Ａとが貼り合された第２積層体８０Ｂが形成される。
封止体３Ａ側及び第１積層体８０Ａ側から圧着部材を用いて第２積層体８０Ｂを挟み込んで、第２積層体８０Ｂを、所定時間、加熱及び圧着する。圧着部材としては、圧着板が挙げられる。圧着板の材質としては、金属、又は樹脂が挙げられる。
第２積層体８０Ｂを加熱圧着することにより、内部端子電極Ｗ４と内部電極パッド８４Ａとは、バンプ８５を介して電気的に接続され、封止樹脂膜８６は、硬化する。
この接続工程により、封止体３Ａと第１積層体８０Ａとの間に封止樹脂膜８６が充填されるので、内部端子電極Ｗ４とバンプ８５との電気的接続が補強される。
【０１３２】
［支持体剥離工程］
図１８Ａには、第２積層体８０Ｂから、支持体８０を剥離する工程を説明する図が示されている。
第２積層体８０Ｂから支持体８０を剥離すると、再配線８４の外部電極パッド８４Ｂが露出する。第２積層体８０Ｂから支持体８０を剥離することにより、再配線層ＲＤＬと封止体３Ａとが積層された第３積層体８０Ｃが得られる。
【０１３３】
［外部端子電極との接続工程］
図１８Ｂには、第３積層体８０Ｃに外部端子電極を接続させる工程を説明する図が示されている。
第３積層体８０Ｃの外部電極パッド８４Ｂに、はんだボール等の外部端子電極８７を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極８７と外部電極パッド８４Ｂとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだ及び無鉛はんだ等が挙げられる。
【０１３４】
［ダイシング工程］
図１８Ｃには、外部端子電極８７が接続された第３積層体８０Ｃを個片化する工程を説明する図が示されている。
このダイシング工程では、第３積層体８０Ｃを半導体チップＣＰ単位で個片化する。第３積層体８０Ｃを個片化する方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、第３積層体８０Ｃを個片化できる。第３積層体８０Ｃを個片化する工程は、第３積層体８０Ｃをダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
第３積層体８０Ｃを個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１Ａが製造される。
【０１３５】
・実施形態の効果
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
本実施形態においても第１実施形態と同様に半導体チップ整列工程を実施し、整列治具１００を用いた整列方法を実施するため、複数の半導体チップＣＰを均等な間隔で整列させた後で、封止工程や半導体パッケージ工程を実施できる。
そのため、封止体３Ａにおいては、複数の半導体チップＣＰがより均等な間隔で封止されている。さらに、複数の半導体チップＣＰが均等な間隔で封止されているため、封止体３Ａの複数の内部端子電極Ｗ４の位置と、第１積層体８０Ａの複数のバンプ８５との位置とを合わせ易く、さらに、接続位置の位置ずれも抑制できる。
【０１３６】
〔第７実施形態〕
次に、本発明の第７実施形態について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、その説明を省略する。
【０１３７】
本実施形態は、前記実施形態に係る整列方法により整列させた複数の片状体を支持体に転着させる方法に関する。本実施形態においては、片状体として半導体チップを整列させた後に支持体に転着させる態様を例に挙げて説明する。本発明の転着方法によって転着させることができる片状体は半導体チップに限定されない。
第１実施形態においては半導体チップ整列工程の後に整列された半導体チップＣＰを表面保護シート４０に転写する工程（第三の転写工程）を実施するのに対し、本実施形態に係る転着方法は、整列された半導体チップＣＰを、表面保護シート４０に代えて粘着面を有する硬質支持体に転着させる点で、第１実施形態と本実施形態とは主に相違する。
【０１３８】
［転着工程］
図１９Ａ及び図１９Ｂには、粘着面を有する硬質支持体に半導体チップＣＰを転着させる方法を説明する図が示されている。
図１９Ａには、硬質基材５００と、硬質基材５００の表面に形成された粘着層５０１とを有する硬質支持体５００Ａが示されている。粘着層５０１の外表面が粘着面５０２に相当する。
硬質基材５００としては、例えば、ガラス等で形成された基材を用いることができる。硬質基材５００は、耐熱性を有することが好ましい。例えば、加熱によって硬質基材５００が変形する温度は、加熱によって粘着シートが変形する温度に比べて高いことが好ましい。
粘着層５０１は、粘着剤を含有している。粘着層５０１に含まれる粘着剤は、特に限定されず、様々な種類の粘着剤を粘着層５０１に適用できる。粘着層５０１に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、及びウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途及び貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。粘着層５０１にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、粘着層５０１に硬質基材５００側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。エネルギー線重合性化合物を硬化させると、粘着層５０１の凝集力が高まり、粘着層５０１と半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下、又は消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）及び電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。粘着層５０１と半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下、又は消失させる方法としては、例えば、第１実施形態と同様に、エネルギー線照射による方法、加熱による方法、加熱及びエネルギー線照射による方法、並びに冷却による方法のいずれかの方法が挙げられる。
【０１３９】
図１９Ｂには、硬質基材５００と、硬質基材５００の表面に貼着された表面保護シート４０とを有する硬質支持体５００Ｂが示されている。表面保護シート４０は、第四の基材フィルム４１と、第四の粘着剤層４２とを有する。硬質支持体５００Ｂにおいては、第四の粘着剤層４２が表面に露出しており、第四の粘着剤層４２の外表面が粘着面４３に相当する。
本実施形態では、半導体チップ整列工程において整列された半導体チップＣＰを硬質支持体５００Ａの粘着面５０２、又は硬質支持体５００Ｂの粘着面４３に転着させる。
図１９Ａ及び図１９Ｂには、整列治具１００を貼着させない態様が例示されているが、整列後の半導体チップＣＰと共に整列治具１００を硬質支持体に転着させてもよい。
【０１４０】
硬質支持体へ半導体チップＣＰを転着させた後、前述の実施形態と同様に半導体装置の製造方法を実施することができる。例えば、第１実施形態の第三の転写工程に代えて、本実施形態の転着工程を実施し、その他の工程は、第１実施形態と同様に行うことができる。
【０１４１】
・実施形態の効果
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、硬質基材５００の耐熱性は、表面保護シート等の粘着シートに比べて高いので、本実施形態によれば、半導体チップＣＰが転着された硬質支持体を、高温加熱が必要な工程に用いることができる。また、硬質基材５００は、表面保護シート等に比べて、硬い材質で形成されているので、本実施形態によれば、半導体パッケージ等の製造工程において半導体チップＣＰをより安定的に支持及び搬送することができる。
【０１４２】
〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。
【０１４３】
例えば、半導体ウエハ及び半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。
【０１４４】
例えば、整列治具が有する収容部の数は、第１実施形態で説明した整列治具の例に限定されない。半導体チップ等の片状体の数に応じた収容部を有する整列治具を用いることができる。
また、例えば、整列治具の本体部の外形は、第１実施形態で説明したような円形状に限定されず、円形以外の形状としては、例えば、矩形、正方形、又は楕円形等が挙げられる。
【０１４５】
例えば、第１実施形態における整列方法の説明では、図中の２Ｂ方向及び２Ｃ方向への２段階の整列治具の移動によって半導体チップを整列させる方法を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、整列治具の収容角部の窪み部を半導体チップの角部に収容させる方向（例えば、斜め方向）に、整列治具を動かしたり、保持部材の保持面を動かしたりすることによっても、半導体チップを整列させることができる。
また、保持面を動かす方向は、水平方向に限られず、例えば、保持面を傾斜させることによって、半導体チップＣＰを移動させて、整列治具の壁部に当接させるようにしてもよい。
【０１４６】
例えば、第１実施形態では、エキスパンド工程を２回実施する態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、整列治具の枠を半導体チップ同士の間に挿入可能であれば、エキスパンド工程は１回でもよい。
【０１４７】
例えば、第２実施形態では、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に保護シート３０を貼付し、溝形成工程を実施する態様を例示したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、他の態様としては、回路面Ｗ１に保護シート３０を貼付せずに、回路面Ｗ１を露出させたまま溝形成工程を行い、溝形成後に回路面Ｗ１に第一の粘着シート１０を貼付して、研削工程を実施する態様も挙げられる。また、溝形成工程前に、回路面Ｗ１を覆うパッシベーション膜を形成しておいてもよい。パッシベーション膜は、回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させる形状であることが好ましい。パッシベーション膜は、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、又はポリイミド等を用いて形成されることが好ましい。
【０１４８】
例えば、第２実施形態では、第二の粘着シート２０を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡げる態様を例に挙げて説明したが、さらに、エキスパンド工程を追加して実施してもよい。エキスパンド工程を複数回、実施する場合、第二の粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰを、拡げられた間隔を維持したまま、別のエキスパンドシートに転写し、当該エキスパンドシートを引き延ばして、さらに複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡げることができる。例えば、第２実施形態において表面保護シート４０を貼付した後に、表面保護シート４０を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ同士の間隔をさらに拡げてもよい。
【０１４９】
例えば、第２実施形態では、半導体ウエハの厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成する工程を含めた半導体装置の製造方法を例に挙げて説明したが、当該溝が予め形成された半導体ウエハを用いてもよい。
【０１５０】
第２実施形態では、半導体ウエハＷに溝Ｗ５を形成した後に第三の粘着シートとしての保護シート３０を回路面Ｗ１に貼付する態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。
例えば、回路面Ｗ１が回路面保護シートにより保護された状態で、溝Ｗ５の形成を行えば、切削屑による回路面Ｗ１や回路Ｗ２の汚染や破損を防止できる。この場合、回路面保護シート側から切込みを入れ、回路面保護シートを完全に切断し、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１から、半導体ウエハＷの厚さよりも浅い深さの切込みを入れて、溝Ｗ５を形成する。さらに、この態様において、研削する前に、保護シート３０側に、第一の粘着シート１０を貼着してもよい。第一の粘着シート１０を貼着した後、グラインダー５０を用いて、裏面Ｗ６側から半導体ウエハＷを研削する。第一の粘着シート１０は、第一の基材フィルム１１と、第一の粘着剤層１２とを有する。第一の粘着剤層１２は、第一の基材フィルム１１に積層されている。第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷと略同形状となるように、予めカットしてあってもよく、また半導体ウエハＷよりも大きな第一の粘着シート１０を準備し、半導体ウエハＷに貼着後、半導体ウエハＷと同形状にカットしてもよい。また、この態様において、第一の粘着剤層１２には、後の工程で、切断された保護シート３０も一緒に剥離できるように、比較的、粘着力の強い粘着剤が含まれていることが好ましい。第一の基材フィルム１１は、剥離する際に伸びないように、ポリエチレンテレフタレートのように、比較的、高い剛性を有することが好ましい。
【０１５１】
また、半導体チップＣＰ等の片状体を整列させる方法としては、例えば、次の［１］及び［２］のような態様の整列方法も挙げられる。
【０１５２】
［１］整列治具を用いて複数の片状体を整列させる整列方法であって、
前記片状体は、第一側面と、前記第一側面と隣り合う第二側面と、前記第一側面の端部及び前記第二側面の端部に位置する片状体角部と、を有し、
前記整列治具は、片状体を収容可能な複数の収容部を備え、前記収容部は、壁部と、収容角部と、を有し、
前記壁部は、第一側壁と、前記第一側壁と隣り合う第二側壁と、を有し、
前記収容角部は、前記第一側壁の端部及び前記第二側壁の端部に位置し、
前記収容角部は、前記第一側壁の面、及び前記第二側壁の面よりも奥側に窪んだ窪み部を有し、
前記片状体の前記第一側面と前記収容部の前記第一側壁とを当接させる工程と、
前記片状体の前記第二側面と前記収容部の前記第二側壁とを当接させる工程と、
前記片状体の前記片状体角部を、前記収容角部の前記窪み部に収容させる工程と、を含む整列方法。
この整列方法によれば、簡易かつ迅速に、複数の片状体をより均等な間隔で整列させることができる。
【０１５３】
［２］前記［１］の態様の整列方法において、複数の前記収容部は、格子状に配列されていることが好ましく、正方格子状に配列されていることがより好ましい。
【０１５４】
〔実施例〕
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
【０１５５】
実施例１では、前記第１実施形態に係る整列治具を用いた整列方法を実施した。すなわち、第１実施形態において図２Ａで示した形状の収容部を複数有する銅製の整列治具を用いた。この整列治具の一方の面側に、厚さ３ｍｍの銅板を取り付けて一方の開口を塞ぎ、他方の開口側から半導体チップを銅板上に置いた後、半導体チップを収容部の壁部に当接させた（図２Ｃ参照）。
参考例１として、前記実施形態中、図３Ａで説明した参考例に係る整列治具を用いた整列方法を実施した。参考例１では整列治具を変えた以外は実施例１と同様の操作を行った。本実施例（実施例１及び参考例１）で用いた整列治具収容部の内寸（対向する側壁間の距離）及び整列治具の格子枠幅、並びに本実施例で用いた半導体チップの寸法は以下の通りである。なお、実施例１で用いた整列治具の窪み部の形状は、直径が約０．４ｍｍの半円形とした。
実施例１及び参考例１の各整列方法を実施後、半導体チップがどの程度、等間隔に整列されているか比較した。
・整列治具収容部の内寸：４．６ｍｍ×４．６ｍｍ
・整列治具の格子枠幅  ：０．４ｍｍ
・半導体チップの寸法  ：３ｍｍ×３ｍｍ、厚さ３５０μｍ
【０１５６】
なお、本実施例では、収容部の形状は、前記実施形態１及び参考例で説明した収容部と同様の形状を有するものの、前記実施形態や参考例で図示したものよりもさらに多数の収容部を有する治具を用いた。整列治具において縦４箇所×横４箇所の合計１６箇所の収容部を有する収容エリアを３つ規定し、３つの収容エリアの収容部（合計４８箇所）に、半導体チップを収容させて、整列方法を実施した。
【０１５７】
整列方法を実施後、ＸＹステージを有する測定器を用いて各半導体チップの中心座標を共通の座標系で数値化した。測定器は、株式会社ミツトヨ製のＣＮＣ画像測定器（製品名：ＱＶ  ＡＣＣＥＬ  ＨＹＢＲＩＤ  ＴＹＰＥ１）を用いた。
３つの収容エリアの内、１つの収容エリア（第１エリア）を選定し、第１エリアを基準とし、その他の２つのエリアを第２エリア及び第３エリアとした。
基準とした第１エリアのＸ軸方向及びＹ軸方向と、第２エリアのＸ軸方向及びＹ軸方向のズレ量が最少になるように収容エリアの角度(傾き)を変えずにデータ上で重ね合わせた。第１エリア及び第３エリアについても、上述と同様にデータ上で重ね合わせた。
重ね合わせ後、第１エリアの１６箇所の収容部と、第２エリア又は第３エリアの１６箇所の収容部とで各エリア同士でそれぞれ対応する収容部に収容された半導体チップの座標を比較した。ここでは、第１エリアの半導体チップの座標を基準にして、当該基準座標から第２エリアの半導体チップの座標がどの程度ずれているか計算した。同様に、第１エリアを基準にして、第３エリアの半導体チップの座標がどの程度ずれているか計算した。
表１に、実施例１及び参考例１の整列方法を実施後に計算した、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及び傾きのばらつき量の計算結果を示す。
なお、傾きとは、第１エリアの半導体チップの対角線を結んだ線を基準として、第２エリア又は第３エリアの半導体チップの対角線を結んだ線とを比較し、その傾き度合を示す。
【０１５８】
【表１】
2018003602.tif 000003
【０１５９】
表１に示すように、実施例１に係る整列治具を用いた整列方法によれば、参考例１と比べて、半導体チップ同士のＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び傾きに関する位置のずれ量が少ないことが分かった。すなわち、実施例１に係る整列治具を用いた整列方法によれば、複数の半導体チップをより均等な間隔で整列させることができた。
第１実施形態以外の実施形態や実施形態の変形などにおいて説明した整列治具及び整列方法によっても、第１実施形態と同様に、参考例１と比較して複数の半導体チップをより均等な間隔で整列させることができる。
【符号の説明】
【０１６０】
１００…整列治具、１０１…収容部、１０２…壁部、１０２ａ…第一側壁、１０２ｂ…第二側壁、１０３…収容角部、１０３ａ…第一収容角部、１０４…窪み部、ＣＰ…半導体チップ（片状体）、ｃｐ１…第一側面、ｃｐ２…第二側面、ｃｐ３…チップ角部。
【図１】
2018003602.tif 000004
【図２Ａ】
2018003602.tif 000005
【図２Ｂ】
2018003602.tif 000006
【図２Ｃ】
2018003602.tif 000007
【図３Ａ】
2018003602.tif 000008
【図３Ｂ】
2018003602.tif 000009
【図３Ｃ】
2018003602.tif 000010
【図４Ａ】
2018003602.tif 000011
【図４Ｂ】
2018003602.tif 000012
【図４Ｃ】
2018003602.tif 000013
【図５Ａ】
2018003602.tif 000014
【図５Ｂ】
2018003602.tif 000015
【図６Ａ】
2018003602.tif 000016
【図６Ｂ】
2018003602.tif 000017
【図７Ａ】
2018003602.tif 000018
【図７Ｂ】
2018003602.tif 000019
【図８Ａ】
2018003602.tif 000020
【図８Ｂ】
2018003602.tif 000021
【図８Ｃ】
2018003602.tif 000022
【図９Ａ】
2018003602.tif 000023
【図９Ｂ】
2018003602.tif 000024
【図９Ｃ】
2018003602.tif 000025
【図１０Ａ】
2018003602.tif 000026
【図１０Ｂ】
2018003602.tif 000027
【図１０Ｃ】
2018003602.tif 000028
【図１０Ｄ】
2018003602.tif 000029
【図１１Ａ】
2018003602.tif 000030
【図１１Ｂ】
2018003602.tif 000031
【図１１Ｃ】
2018003602.tif 000032
【図１２Ａ】
2018003602.tif 000033
【図１２Ｂ】
2018003602.tif 000034
【図１３Ａ】
2018003602.tif 000035
【図１３Ｂ】
2018003602.tif 000036
【図１４Ａ】
2018003602.tif 000037
【図１４Ｂ】
2018003602.tif 000038
【図１４Ｃ】
2018003602.tif 000039
【図１５Ａ】
2018003602.tif 000040
【図１５Ｂ】
2018003602.tif 000041
【図１６Ａ】
2018003602.tif 000042
【図１６Ｂ】
2018003602.tif 000043
【図１６Ｃ】
2018003602.tif 000044
【図１７Ａ】
2018003602.tif 000045
【図１７Ｂ】
2018003602.tif 000046
【図１８Ａ】
2018003602.tif 000047
【図１８Ｂ】
2018003602.tif 000048
【図１８Ｃ】
2018003602.tif 000049
【図１９Ａ】
2018003602.tif 000050
【図１９Ｂ】
2018003602.tif 000051
【国際調査報告】
2018003602.tif 000052
2018003602.tif 000053