【事件の表示】
　特願２００１−３８１４３６「電子部品の実装構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年７月４日出願公開、特開２００３−１８８５６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月１４日の出願であって、平成１７年１０月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がされ、同日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１７年１１月２２日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１１月２２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）手続補正の内容
　本件補正のうち特許請求の範囲に係る補正事項の一つは、請求項１の限定的減縮を目的として、「複数の」はんだバンプを「マトリックス状に形成された多数の」はんだバンプに限定するものといえる。そして、この請求項１に記載された事項により特定される発明は次のとおりのものである。
　
「第１及び第２の電子部品と、この第１及び第２の電子部品を相互に接続し、マトリックス状に形成された多数のはんだバンプと、前記第１及び第２の電子部品の温度を夫々検出する第１及び第２の温度検出手段と、前記第１及び第２の電子部品を夫々冷却する第１及び第２の冷却手段と、前記第１及び第２の温度検出手段の検出結果が入力されこの検出結果に基づいて前記第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるように前記第１及び第２の冷却手段のうち少なくとも一方の動作を制御する温度制御手段と、を有することを特徴とする電子部品の実装構造体。」（以下、「本願補正発明」という。）
　
（２）独立特許要件違反についての当審の判断
（２−１）引用刊行物とその記載事項
　原査定の理由で引用された刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開平７−２０１９１９号公報
（１ａ）「【請求項１】回路基板と、前記回路基板に形成された温度調節手段と、接続電極を有し、この接続電極を介して前記回路基板に接続された半導体素子とを備え、前記温度調節手段によって温度変化による前記回路基板と半導体素子との伸び又は縮みの差を小さくすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記温度調節手段は、加熱手段又は冷却手段もしくは加熱手段及び冷却手段からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】前記回路基板又は半導体素子には温度を検知する温度センサが取り付けられているかもしくは作り込まれていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。」
　
（１ｂ）「【０００７】
【作用】半導体装置の動作時にチップ温度が上昇し半導体装置の電源を切るとチップ温度は下がる。そして、チップを搭載している回路基板もチップからの熱伝導により温度変化するが、本発明では回路基板の温度をチップと回路基板の熱膨張（熱膨張係数×温度差）×Ｌを合わせる様にそれぞれ別個にコントロールをする。半導体装置の使用時にチップと回路基板の熱膨張の差を温度調節手段により減少させるように回路基板の温度制御を行うことにより、チップの接続電極である突起電極への応力集中を減少させる。また、定期的に又は半導体装置のオンオフ動作を繰り返した後に、この温度調節手段により回路基板に取付けられているチップの低融点金属からなる突起電極をアニールしてその疲労を取り除く。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。まず、図１および図２を参照して第１の実施例を説明する。図１は、半導体装置の断面図、図２は、使用時の半導体装置の断面図である。回路基板２は、例えば、合成樹脂の積層体からなり、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材を複数枚積層し、加熱圧着して形成される。各絶縁基板表面に回路配線を形成し積層すれば回路基板を多層配線にすることもできる。この回路基板２に、例えば、シリコン半導体のチップ１を複数の突起電極３を介してフリップチップ実装する。チップ１は、その表面に内部の集積回路に電気的に接続されたＡｌなどからなるパッド電極７を備えており、その上に、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ半田などの低融点金属から構成された突起電極３を複数個備えている。この突起電極３の高さは、約１００μｍである。また、回路基板２には複数のチップ１が実装されている。チップ１上の突起電極３は、回路基板２の表面に形成されたＡｌ配線層の回路パターン８の上に電気的に接続されてこの回路基板２上に実装される。」
　
（１ｃ）「【００１３】次に、図３及び図４を参照してチップに温度センサを設けた例を説明する。図３は、半導体装置の断面図、図４は、回路基板に搭載されるチップの平面図及びこれを回路基板に取付けたこの平面図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。アルミナ回路基板２には、温度調節手段４が埋設されている。基板回路２表面には電源６が配置されており、埋設された温度調節手段４と電気的に接続されている。回路基板２には配線パターン８が形成されていて、ここにチップ１のＰｂ−Ｓｎ半田の突起電極３が取り付けられている。チップ１はシリコンからなり、内部に温度センサ５が内蔵されている。チップ１の主面には、その周辺に沿ってＡｌからなるパッド電極７が形成されている。チップ１の半導体基板に形成された温度センサ５は、例えば、ＰＮ接合により構成されている。そして、その信号は、信号配線を通ってパッド電極７列の１つの温度センサ用パッド電極７１から外部に出る。このシリコンチップ１は熱膨張係数αＳｉが３．５×１０−６であり、アルミナ回路基板２の熱膨張係数αＡは、６．５×１０−６である。温度調節手段４は、例えば、ＷやＭｏなどの抵抗発熱体からなる。
【００１４】アルミナ回路基板２は複数のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板を積層し、張合わせて形成されるが、前記温度調節手段４はこのアルミナ基板のいずれかの表面にスパッタリングなどの方法で塗布し、アルミナ基板間に挟み込むことによって、アルミナ回路基板２に埋め込む。温度調節手段４の発熱体の電源６は、接続配線４１を介してこの発熱体に接続されており、回路基板２上に形成されている。この電源６は、チップ１の半導体基板に形成された半導体集積回路の電源と共通にしても良い。温度センサ５からの信号は、チップ１の表面に形成された接続パッド７の中の温度センサ用パッド電極７１から突起電極３を通して回路基板２上の配線パターン８に接続されて前記電源６と電気的に接続されている。したがって、温度センサ５は、チップ１の温度をモニタし、回路基板２中の発熱体４の電流にフィードバックし、回路基板２の温度を適宜変化させる。
【００１５】ここで、半導体装置の使用時の温度をチップ１及び回路基板２ともに７５℃とする。半導体装置をオフにしたときに２５℃（室温）に戻るとすると、アルミナ回路基板２を発熱体４による加熱により４８℃までしか下がらないようにする。したがって、この半導体装置のオン状態のときのチップ１と回路基板２の熱膨張は、いずれも１．８×１０−４％となり、熱膨張があっても突起電極３に応力が集中しない。すなわち、突起電極３の上辺と下辺の移動距離は等しく、突起電極３に剪断力は働かず、突起電極の塑性ひずみが発生しない。このオンオフ動作を１サイクルとして多数回繰返しても突起電極３に疲労が発生しない。回路基板側にも温度センサを取付けて回路基板側の温度を測定すれば、さらに詳細な温度制御が可能になる。また、温度センサはチップに外づけしても良い。次に、図３の半導体装置において、回路基板２に形成された温度調節手段４として冷却手段を用いた例を説明する。冷却手段には、例えば、ペルチェ効果素子の様な電子冷凍素子を用いる。その配置構造は、この図３の場合と同じである。半導体装置を使用していない時の温度がシリコンチップ１、アルミナ配線基板２ともに室温（２５℃）にあるとする。
【００１６】この半導体装置の使用時にシリコンチップが前述の例と同様に７５℃になったとすると、アルミナ配線基板は、ペルチェ素子によって５２℃に制御される。シリコンチップが使用時に前記室温から７５℃になったときに回路基板を５２℃に制御すれば、両者の熱膨張は、ほぼ等しくなるのでシリコンチップとアルミナ回路基板との間に介在している突起電極に塑性ひずみが発生しない。次に、図３の半導体装置において、回路基板２に形成された温度調節手段４として冷却手段と加熱手段とを併用した例を説明する。冷却手段には、例えば、ペルチェ効果素子の様な電子冷凍素子を用いる。加熱手段にはＷやＭｏなどの抵抗加熱体を用いる。その配置構造は、この図３の場合と同じであり、両者は、同時に用いないので、同一の電源を用いることができる。また、回路基板内における冷却手段と加熱手段の埋込み深さを互いに異ならせることもできる。半導体装置を使用していない時の温度がシリコンチップ１、アルミナ配線基板２ともに室温（２５℃）にあるとする。」
　
（２−２）対比・判断
（２−２−１）刊行物１に記載の発明
　引用刊行物１の（１ａ）には「【請求項１】回路基板と、前記回路基板に形成された温度調節手段と、接続電極を有し、この接続電極を介して前記回路基板に接続された半導体素子とを備え、前記温度調節手段によって温度変化による前記回路基板と半導体素子との伸び又は縮みの差を小さくすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記温度調節手段は、加熱手段又は冷却手段もしくは加熱手段及び冷却手段からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】前記回路基板又は半導体素子には温度を検知する温度センサが取り付けられているかもしくは作り込まれていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。」と記載されており、この請求項３に記載の半導体装置を同項において引用する請求項２における温度調節手段として冷却手段を選択したものを独立形式で記載すると、次のとおりのものといえる。
　
　回路基板と、前記回路基板に形成された冷却手段と、接続電極を有し、この接続電極を介して前記回路基板に接続された半導体素子とを備え、前記回路基板又は半導体素子には温度を検知する温度センサが取り付けられているかもしくは作り込まれており、前記冷却手段によって温度変化による前記回路基板と半導体素子との伸び又は縮みの差を小さくすることを特徴とする半導体装置。
　
　この半導体装置の回路基板及び半導体素子は、いずれも電子部品と言い換えることができる。そして、この半導体装置は、電子部品といえる回路基板と半導体素子との実装構造を有するものといえるから、電子部品の実装構造体ともいえる。
　そして、この電子部品の実装構造体は、刊行物１の（１ｂ）の「この回路基板２に、例えば、シリコン半導体のチップ１を複数の突起電極３を介してフリップチップ実装する。チップ１は、その表面に内部の集積回路に電気的に接続されたＡｌなどからなるパッド電極７を備えており、その上に、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ半田などの低融点金属から構成された突起電極３を複数個備えている。この突起電極３の高さは、約１００μｍである。また、回路基板２には複数のチップ１が実装されている。チップ１上の突起電極３は、回路基板２の表面に形成されたＡｌ配線層の回路パターン８の上に電気的に接続されてこの回路基板２上に実装される。」という記載によれば、Ｐｂ−Ｓｎ半田などの低融点金属から構成された突起電極３は、はんだバンプといえるから、電子部品（回路基板）と電子部品（チップ、すなわち半導体素子）とを相互に接続している複数のはんだバンプを有するといえる。
　また、この電子部品の実装構造体は、刊行物１の（１ｃ）の「図３及び図４を参照してチップに温度センサを設けた例を説明する。・・・回路基板側にも温度センサを取付けて回路基板側の温度を測定すれば、さらに詳細な温度制御が可能になる。」という記載によれば、電子部品（回路基板）と電子部品（チップ）との温度を夫々検出するものといえる。
　さらに、この電子部品の実装構造体は、刊行物１の（１ｃ）の「回路基板２に形成された温度調節手段４として冷却手段を用いた例を説明する。冷却手段には、例えば、ペルチェ効果素子の様な電子冷凍素子を用いる。・・・この半導体装置の使用時にシリコンチップが前述の例と同様に７５℃になったとすると、アルミナ配線基板は、ペルチェ素子によって５２℃に制御される。」という記載によれば、冷却手段（ペルチェ素子）の動作を制御する温度制御手段を有するといえる。
　刊行物１の記載及びこの記載から認定された以上の事項を本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、回路基板及び半導体素子は、それぞれ第１の電子部品及び第２の電子部品ともいうことができるし、温度変化による前記回路基板と半導体素子との伸び又は縮みの差を小さくすることは、第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるようにすることといえるから、刊行物１には、次のとおりの発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「第１及び第２の電子部品と、この第１及び第２の電子部品を相互に接続し、複数のはんだバンプと、前記第１及び第２の電子部品の温度を夫々検出する第１及び第２の温度検出手段と、前記第１の電子部品を冷却する第１の冷却手段と、前記第１及び第２の温度検出手段の検出結果が入力されこの検出結果に基づいて前記第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるように前記第１の冷却手段の動作を制御する温度制御手段と、を有する電子部品の実装構造体。」
　
（２−２−２）本願補正発明と引用発明との対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「第１及び第２の電子部品と、この第１及び第２の電子部品を相互に接続するはんだバンプと、前記第１及び第２の電子部品の温度を夫々検出する第１及び第２の温度検出手段と、前記第１の電子部品を冷却する第１の冷却手段と、前記第１及び第２の温度検出手段の検出結果が入力されこの検出結果に基づいて前記第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるように前記第１の冷却手段の動作を制御する温度制御手段と、を有する電子部品の実装構造体。」という点で一致し、次の点で相違しているといえる。
　
相違点（イ）
　はんだバンプが、本願補正発明は、「マトリックス状に形成された多数」のものであるのに対して、引用発明は、マトリックス状に形成されたものか否か不明であり、複数のものである点
　
相違点（ロ）
　本願補正発明は、「第２の電子部品を冷却する第２の冷却手段」を有するのに対して、引用発明は、第２の電子部品（半導体素子）を冷却する第２の冷却手段を有するか否か不明である点
　
（２−２−３）相違点（イ）についての判断
　半導体素子として、はんだバンプが、多数マトリックス状に形成されたものは、本出願前当業者に周知の事項といえるから、引用発明を、はんだバンプが多数マトリックス状に形成された本出願前当業者に周知の半導体素子に用いることは、当業者が容易に想到することといえる。
　
（２−２−４）相違点（ロ）についての判断
　第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるようにすることは、第１及び第２の電子部品相互間の熱膨張差に関することであって、第１及び第２の電子部品相互間において相対的なことであるから、引用発明において第２の電子部品（半導体素子）を冷却する第２の冷却手段をも設けることは、当業者が容易に想到することといえる。
　
（２−２−５）小括
　以上のように、本願補正発明は、引用発明、及び本出願前当業者に周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２−３）むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明についての審決
（１）本願発明
　平成１７年１１月２２日付け手続補正は、上記のとおり却下すべきものであるから、本願請求項１〜５に係る発明は、平成１７年９月３０日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものである。そのうちの請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「第１及び第２の電子部品と、この第１及び第２の電子部品を相互に接続する複数のはんだバンプと、前記第１及び第２の電子部品の温度を夫々検出する第１及び第２の温度検出手段と、前記第１及び第２の電子部品を夫々冷却する第１及び第２の冷却手段と、前記第１及び第２の温度検出手段の検出結果が入力されこの検出結果に基づいて前記第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるように前記第１及び第２の冷却手段のうち少なくとも一方の動作を制御する温度制御手段と、を有することを特徴とする電子部品の実装構造体。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりのものである。
　本願請求項１〜５に係る発明は、本出願前頒布された下記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
１．特開平７−２０１９１９号公報
２．特開平１１−１２８６５号公報
３．特開２００１−２９８０４６号公報
　
（３）引用刊行物の記載事項
　原査定の理由に引用された刊行物１とその記載事項は、上記「２．（２）（２−１）」に記載されたとおりのものである。　
　
（４）対比・判断
（４−１）引用発明について
　引用発明は、上記「２．（２）（２−２）（２−２−１）」記載された次のとおりのものである。
　
「第１及び第２の電子部品と、この第１及び第２の電子部品を相互に接続し、複数のはんだバンプと、前記第１及び第２の電子部品の温度を夫々検出する第１及び第２の温度検出手段と、前記第１の電子部品を冷却する第１の冷却手段と、前記第１及び第２の温度検出手段の検出結果が入力されこの検出結果に基づいて前記第１及び第２の電子部品の熱膨張の大きさが相互に等しくなるように前記第１の冷却手段の動作を制御する温度制御手段と、を有する電子部品の実装構造体。」
　
（４−２）本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明は、はんだバンプについて本願補正発明の「マトリックス状に形成された多数の」という限定を「複数の」という限定にしたものといえる。そして、「マトリックス状に形成された多数の」はんだバンプという事項を有する本願補正発明は、上記「２．（２）（２−２）」で述べたように、引用発明、及び本出願前当業者に周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえるから、「マトリックス状に形成された多数の」という限定をも含む「複数の」はんだバンプという事項を有する本願発明も、本願補正発明と同様に、引用発明、及び本出願前当業者に周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
（４−３）小括
　したがって、本願発明は、引用発明、及び本出願前当業者に周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。