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　特願２００３−　７９１１６「光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月１４日出願公開、特開２００４−２８７０９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年３月２０日に特許出願したものであって、平成１８年１１月７日付で拒絶査定がなされ、これに対して平成１９年１月１１日付で拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成１９年１月１１日付手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「【請求項１】　基板上に形成される光導波路の一部が曲がった曲がり部を有する光導波路において、
　前記曲がり部の両側に位置する前記基板を、前記曲がり部の形状に沿って掘り下げ形成したリッジ構造部と、
　前記リッジ構造部の少なくとも前記曲がり部に面する側面に、前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いて膜形成したバッファ層と、
　を備えたことを特徴とする光導波路。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　原審における拒絶理由に引用した特開平１１−１４８４９号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信装置に用いられる光信号の制御を行う光学素子の製造方法に関する。」
（イ）「【０００４】そこで、リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂＯ３：以下、「ＬＮ」と言う。）等の強誘電体材料を基板として用い、チタン（Ｔｉ）をその基板中に拡散させて光導波路を形成した光学素子が多く適用されてきている。」
（ウ）「【０００７】このような光学素子を製造するには、先ずＬＮの基板上に所定幅のＴｉパターンを形成する。次に、熱拡散炉を用いてＴｉパターンの熱拡散（例えば、１０００℃、８時間）を行い、基板に断面視半円形状の光導波路を形成する。
【０００８】次いで、光導波路上にマスクを形成した後、Ｃ２Ｆ６−Ａｒ等のガスを用い、エッチング（ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ＲＩＥ（Reactive IonEtching）、プラズマエッチング等）を行ってリッジ構造を形成する。
【０００９】そして、マスクをフッ化水素酸等で除去した後、リッジ構造を覆うようにバッファ層（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等）を形成する（蒸着、スパッタ、プラズマＣＶＤ等）。これによって光学素子を完成させる。・・・（略）・・・。」
（エ）「【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光学素子の製造方法における実施の形態を図に基づいて説明する。図１および図２は、本実施形態における光学素子の製造方法を順に説明する断面図である。
【００２０】本実施形態では、電気光学効果を有する基板を利用して、この基板に光導波路を形成し、光信号を効率良く伝搬しながらスイッチングや変調を行う光学素子を製造するものである。
【００２１】なお、ここでは基板１としてＬＮを使用する場合を例として説明を行うが、このＬＮには、特性改善のためにＣｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、ＭｇＯ、Ｎｂをドープしたものを含むこととする。
【００２２】先ず、先ず図１（ａ）に示すように、例えばＬＮの基板１上に所定幅のＴｉパターン２を形成する。所定幅のＴｉパターン２を形成するには、基板１上にスパッタ法によってＴｉ膜を形成した後、レジストを塗布してＴｉパターン２を形成する位置を残すようにパターニングする。その後、このレジストをマスクとしてＴｉ膜をエッチングして所定幅のＴｉパターン２のみを残すようにする。
【００２３】・・・（略）・・・。
【００２４】次に、図１（ｂ）に示すように、熱拡散炉を用いてＴｉパターン２（図１（ａ）参照）の熱拡散（例えば、１０００℃、８時間）を行い、基板１に図示するような断面視半円形状の光導波路２０を形成する。
【００２５】次いで、図１（ｃ）に示すように、光導波路２０上にマスク３を形成した後、図２（ａ）に示すように、Ｃ２Ｆ６−Ａｒ等のガスを用い、エッチング（ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、プラズマエッチング等）を行ってリッジ構造を形成する。
【００２６】その後、マスク３をフッ化水素酸等で除去した後、図２（ｂ）に示すように、リッジ構造となった基板１の表面に、その基板１と同じ組成を備え基板１よりもわずかに屈折率の異なる例えばリチウムタンタルナイオベイト（以下、「ＬＮＴ」と言う。）を液相エピタキシャル成長させてバッファ層４を形成する。
【００２７】・・・（略）・・・。
【００２８】ＬＮＴとしては、例えばＬｉＮｂＸＴａ１−ＸＯ３ …（０≦Ｘ＜１）の組成から成るものや、Ｌｉ（ＮｂＸ Ｔａ１−Ｘ ）３ Ｏ８ …（０≦Ｘ＜１）の組成から成るもの、Ｌｉ３ ＮｂＸ Ｔａ１−Ｘ Ｏ４ …（０≦Ｘ＜１）の組成から成るものがある。
【００２９】・・・（略）・・・。
【００３０】・・・（略）・・・。
【００３１】ここで、ＬｉＮｂＸ Ｔａ１−Ｘ Ｏ３の組成から成るＬＮＴにおいてＸ＝０．３の場合（例１）、０≦Ｘ＜１の場合（例２）、およびクラッド層としてＳｉＯ２を用いた場合（例３）、クラッド層なし（空気）の場合（例４）の各々の特性を説明する。
【００３２】・・・（略）・・・。
【００３３】一方、（例３）すなわちクラッド層としてＳｉＯ２を用いた場合には、その屈折率は１．４５７となる。また、（例４）すなわちクラッド層なし（空気）の場合は屈折率が１．０となる。」
（オ）「【表１】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　ここで、
（カ）引用刊行物１の「光導波路２０」は、その両側に位置する基板１を掘り下げ形成したリッジ構造を備えたものであること
を、図２（ａ）から見て取れる。
　また、
（キ）「バッファ層」として、ＬＮ基板が有する屈折率（約２．２）よりも低屈折率の材質であるＳｉＯ２（屈折率：１．４５７）を用いて膜形成することが記載されている（上記摘記事項（ウ）【０００９】、（エ）【００３３】、（オ）【表１】参照。）。
　
　よって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
「ＬＮ基板上に形成される光導波路において、
　前記光導波路の両側に位置する前記基板を、掘り下げ形成したリッジ構造と、
　前記リッジ構造の側面に、前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いて膜形成したバッファ層と、
を備えた光導波路。」
　
　
　同じく、原審における拒絶理由に引用した国際公開第０２／３３４５７号（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（和訳は、対応する特表２００４−５１２５５１号公報のとおりとした。）。
　
（ク）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波管装置であって、
底面から頂面に延在する第１および第２の側壁を有するコア領域と、
前記第１および第２の側壁に沿って長手方向にそれぞれ延在し、また前記頂面および底面の上下に所定の深さだけ垂直に延在する、前記コア領域に隣接した第１および第２のトレンチ領域であって、前記深さが前記コア内で伝搬する光のエバネッセントテール長さよりも大きい第１および第２のトレンチ領域と、
前記コア領域とトレンチ領域とを囲むクラッド領域と、
を備える導波管装置。
【請求項２】
・・・（略）・・・。
【請求項３】
前記トレンチ領域が低屈折率材料を含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記低屈折率材料が空気を含む請求項３に記載の装置。」（第８頁第１〜１５行）
（ケ）「【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低屈折率差の導波管に、さらにファイバから／ファイバへの、および垂直に配置された２つの導波管の間の効率的な結合のために、小さな曲げ半径のベンドを可能にする。これらの光学的な相互接続により、１つのチップ上において光学構成要素の集積密度の増加が可能になる。」（第１頁第８〜１２行）
（コ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明において、空気トレンチクラッドと界面で接する２つ以上の側壁を有する導波管ベンドが提供される。本発明は、フレネル反射により誘発される接合損失に対処するために、屈折率ガイダンス、断熱遷移、およびモード整合の原理を利用する。
【０００９】
本発明の目的は、比較的小さな曲率を有する導波管のベンドおよびスプリッタを提供すること、およびファイバから／ファイバへの、また面一でない導波管の間のカプラを提供することである。本発明の他の目的は、これらの構造体の製作方法を提供することである。ウェハ接合によって、空気を低屈折率材料として組み込むことが可能になる。
【００１０】
本発明は、コア屈折率に応じて、屈折率差を〜０．５以上に局所的に増大する局所的空気トレンチをベンドおよび交差部に用いて、低屈折率コントラストの導波管の導波管ベンドおよび交差部に取り組む。本発明では、空気は一例として低屈折率材料として選択されるが、低屈折率ポリマおよび絶縁体を含む他の材料もトレンチ用の空気の代わりに使用できる。」（第２頁第１２〜２７行）
（サ）「【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明による導波管ベンド装置１００の略ブロック図の平面図である。導波管ベンドは、コア領域１０２、第１の空気トレンチ領域１０４および第２の空気トレンチ領域１０６、および周囲クラッド領域１０８によって画定される。空気トレンチ導波管ベンド性能は、テーパ長さ、ベンド半径、および湾曲導波管の幅およびオフセットを適切に選択することによって最適化される。湾曲導波管の幅および（真っ直ぐな）テーパ出力部からの湾曲導波管の横方向オフセットが図１に示されており、テーパ出力部の光を最低オーダのベンドの漏出モードに最適にマッチさせるように選択される。」（第３頁第１５〜２２行）
（シ）「【００１５】
図２Ａは、図１の線Ａ−Ａ’に沿った導波管ベンド装置１００の断面図である。構造体は、上方の２００と下方の２０２のトレンチを含む第１の１０４と第２の１０６の空気トレンチ領域によって実質的に囲まれたコア１０２を含む。コア１０２は、クラッド１０８の第１の２０４と第２の２０６の延長部によって支持される。この構造では、コアは空気クラッド内に実質的に吊設される。・・・（略）・・・。
【００１６】
図２Ｂは、図１の線Ａ−Ａ’に沿った導波管ベンド装置１００の代替的実施態様の断面図である。構造体は、下方の２０８のトレンチを含む第１の１０４と第２の１０６の空気トレンチ領域によって実質的に囲まれたコア１０２を含む。コア１０２は、クラッド１０８の延長部２１０のみによって支持される。再び、この構造では、コアは空気クラッド内に実質的に吊設される。・・・（略）・・・。」（第４頁第６〜２６行）
（ス）「【００２３】
図６Ａ〜図６Ｇ（図６（Ａ）〜（Ｇ））は、図２Ａに示した空気トレンチ構造体の製作のプロセスフローを示した略図である。ＳｉＯ２層６０２は従来のプロセス（ａ）によってＳｉウェハ６００上に形成される（図６Ａと図６Ｂ）。プロセス（ａ）は熱酸化、ＣＶＤ（化学蒸着）、火炎加水分解等であり得る。ＳｉＯ２層６０２は下方クラッドとして使用される。層６０２はＢドープＳｉＯ２、ＰドープＳｉＯ２等であり得る。次に、導波管コア材料６０４は従来のプロセス（ｂ）によってＳｉＯ２層６０２上に形成される（図６Ｃ）。材料６０４は、選択したΔｎ（例えば０．０１）だけ層６０２よりも屈折率が高いＧｅドープＳｉＯ２であり得る。層６０４上に、他のＳｉＯ２層６０６が従来のプロセス（ｃ）によって形成される（図６Ｄ）。層６０６は上方クラッドであり、層６０２と同一であり得る。導波管およびトレンチは、従来のフォトリソグラフィ法を用いて製作される。次に、構造体は従来のプロセス（ｄ）によってエッチングされる（図６Ｅ）。最後に、ウェハ６００および他のウェハ６０８（図６Ｆ）（裸のシリコンウェハ）が接合され、図２Ａに示したような空気トレンチ構造体６１０を形成する。」（第５頁第２７行〜第６頁第５行）
（セ）「【００２５】
図７Ａ〜図７Ｈ（図７（Ａ）〜（Ｈ））は、図２Ｂに示した空気トレンチ構造体の製作のプロセスフローを示した略図である。従来のプロセス（ａ）と（ｂ）によって、導波管層７０４と下方クラッド層７０２とを有する構造体が、ウェハ７００上に形成される（図７Ａ〜図７Ｃ）。従来のプロセス（ｄ）によって、上方クラッド層７０８がウェハ７０６上に形成される（図７Ｅと図７Ｆ）。フォトリソグラフィの後に、導波管およびトレンチ構造体７１０と７１２は従来のプロセス（ｃ）と（ｅ）によって製作される（図７Ｄと図７
Ｇ）。最後に、構造体７１０と７１２が接合され、図２Ｂに示したような空気トレンチ構造体７１４を形成する。」（第６頁第１４〜２１行）
　
　ここで、
（ソ）引用刊行物２の「光導波装置」は、基板上に形成される導波管の一部が曲がったベンド部を有するものであること、
（タ）上記ベンド部の両側には第１及び第２の空気トレンチ領域が設けられ、上記導波管はリッジ構造をなしていること、
をＦｉｇ．１、Ｆｉｇ．２Ｂ及びＦｉｇ．７Ｈから見て取れる。
　
　よって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「基板上に形成される導波管の一部が曲がったベンド部を有する光導波装置において、前記ベンド部の両側に第１及び第２の空気トレンチ領域を設けて該導波管の一部をリッジ構造とするもの。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「ＬＮ基板」、「光導波路」、「リッジ構造」及び「バッファ層」は、それぞれ、本願発明における「基板」、「光導波路」、「リッジ構造部」及び「バッファ層」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「基板上に形成される光導波路において、
　前記光導波路の両側に位置する前記基板を掘り下げ形成したリッジ構造部と、
　前記リッジ構造部の側面に、前記基板が有する屈折率よりも低屈折率の材質を用いて膜形成したバッファ層と、
　を備えた光導波路。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
相違点：本願発明の光導波路は、その一部が曲がった曲がり部を有し、前記曲がり部の形状に沿って形成されたリッジ構造部の前記曲がり部に面する側面にバッファ層が膜形成されるのに対し、引用発明１の光導波路は曲がった曲がり部を有するのかどうか明らかでない点。
　
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　基板上に形成される導波管の一部をリッジ構造とし、該リッジ構造の導波管の一部を曲がったベンド部（本願発明の「曲がり部」に相当。）とする光導波装置の発明（引用発明２）は引用刊行物２において知られているところ、この引用発明２を引用発明１に適用し、曲がり部形状に沿って形成されたリッジ構造部の該曲がり部に面する側面にバッファ層を膜形成して上記相違点を含む本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び引用発明２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。