【事件の表示】
　平成１１年特許願第１５０８５３号「回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月　８日出願公開、特開２０００−３４０８９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１１年５月３１日の出願であって、平成１７年９月２６日付で拒絶理由通知がなされ、これに対して同年１０月７日に手続補正がなされ、平成１８年４月１１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　
II．平成１８年４月２７日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年４月２７日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成１８年４月２７日付の手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりに補正された。
「 窒化アルミニウム基板の両面に厚み１５〜３５μmのＡｌ−Ｃｕ系の合金箔を介して、厚み１００μm以上、純度９９．９９重量%以上の圧延ＡｌからなるＡｌ又はＡｌ合金の板、パターン若しくは両方を配置し、それをセラミックス基板の垂直方向に１〜５０kgf／cm2の圧力を負荷しながら、５９５〜６３５℃の温度で２０〜９０分保持した後、必要に応じてエッチングすることを特徴とする放熱板に対する回路の体積比が０．８０〜１．２である耐熱性に優れた回路基板の製造方法。
〈耐熱性の定義〉−４０℃×３０分→室温×１０分→１２５℃×３０分→室温×１０分を１サイクルとして、３０００サイクルを試験体に負荷するヒートサイクル試験を行い、ボンディングワイヤーの剥離、メッキの異常の有無、並びに、半田クラックの有無を調べ、さらに、回路及び放熱板を塩酸で溶解して窒化アルミニウム基板のクラックの有無を観察する。その結果、ボンディングワイヤーの剥離がなく、メッキの異常がなく、且つ、半田クラック及び窒化アルミニウム基板のクラック発生率が１０％以下であるとき、耐熱性に優れるとする。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１において、「回路基板の製造方法。」を、「耐熱性に優れた回路基板の製造方法。
〈耐熱性の定義〉
−４０℃×３０分→室温×１０分→１２５℃×３０分→室温×１０分を１サイクルとして、３０００サイクルを試験体に負荷するヒートサイクル試験を行い、ボンディングワイヤーの剥離、メッキの異常の有無、並びに、半田クラックの有無を調べ、さらに、回路及び放熱板を塩酸で溶解して窒化アルミニウム基板のクラックの有無を観察する。その結果、ボンディングワイヤーの剥離がなく、メッキの異常がなく、且つ、半田クラック及び窒化アルミニウム基板のクラック発生率が１０％以下であるとき、耐熱性に優れるとする。」と補正するものである。
　そこで、上記補正を検討すると、「回路基板」が、「〈耐熱性の定義〉」において定義した特定の耐熱性（以下、本願耐熱性という）に優れることを限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　上記のとおり、特許請求の範囲は減縮されたので、次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開平１０−６５０７５号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平７−８６７０３号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平４−１８７４６号公報（以下、「引用例３」という。）には、それぞれ、次の事項が記載されている。
　　　
（１）引用例１（特開平１０−６５０７５号公報）　
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関する。・・・」（【０００１】）
（１ｂ）「【００１６】
【実施例】次に本発明の実施例を・・・説明する。
＜実施例１＞・・・ＡｌＮにより形成されたセラミック基板１３と、・・・厚さが・・・０．４ｍｍのＡｌ合金により形成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、・・・ヒートシンク１４と、・・・厚さが・・・０．０３ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系ろう材（図示せず）とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％で・・・あった。・・・
【００１７】先ず第１アルミニウム板１１の上にＡｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６３０℃に加熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した。積層接着後、第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路とした。次に・・・ヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着し、ヒートシンク付セラミック回路基板１０を得た。」（【００１６】、【００１７】）
（１ｃ）「【００２０】＜比較試験及び評価＞実施例１・・・の回路基板の反り、熱抵抗及びセラミックスクラックを・・・測定した。
丸１（丸数字の１を指す、以下同様。）反りの測定・・・
丸２熱抵抗の測定・・・上記実施例１、・・・の回路基板に冷熱衝撃試験器にて−５５℃〜室温〜１５０℃を１サイクルとして１０００サイクルの温度サイクルを付加・・・した後に・・・熱抵抗（温度サイクル１０００回後の熱抵抗）を測定した。
【００２１】丸３セラミックスクラックの測定
先ず温度サイクル１０００回後の熱抵抗を測定した実施例１のセラミック基板上の第１及び第２アルミニウム板・・・をそれぞれエッチンク（エッチングの誤記と認める。）で除去した。次に実施例１のセラミック基板のうち除去されたアルミニウム板全周長さに対するセラミック基板にクラックが生じている部分の長さの割合・・・を・・・測定した。上記丸１〜丸３の結果を表１に示す。」（【００２０】〜【００２１】）と記載され、【表１】の実施例１の行につき、セラミックスクラック（％）温度サイクル１０００回後の欄に、「０」という値が記載されている。（【表１】）
　
（２）引用例２（特開平７−８６７０３号公報）　
（２ａ）「【０００４】・・・活性金属法を利用して、セラミックス基板に素子搭載部や回路パターンを形成する場合、金属板接合時や素子搭載用のハンダリフロー時の加熱によるセラミックス基板の反り等を抑制する上で、また放熱用部材として、セラミックス基板の裏面側にも金属板を接合することが行われている。ただし、表面側の金属板（素子搭載側金属部材）は、回路形成のためにパターニングされている場合が多く、・・・」（【０００４】）
（２ｂ）「【００１１】・・・本発明のセラミックス回路基板において・・・は、放熱側金属板の体積（Ｖ2 ）と素子搭載側金属板の体積（Ｖ1 ）との比（Ｖ2 ／Ｖ1 ）を規定・・・することによって、素子搭載側金属板のパターン形状等によらずに、再現性よく反りの発生を防止することができる。
【００１２】・・・例えば、窒化アルミニウム系基板を用いる場合には、0.75≦Ｖ2／Ｖ1 ＜ 1とすることが好ましい。・・・」（【００１１】、【００１２】）
　
（３）引用例３（特開平４−１８７４６号公報）　
（３ａ）「本発明の一実施例に係るＩＣ実装用基板を示すための断面図・・・において、１１は絶縁体である炭化珪素層（ＳｉＣ基板、例えば炭化珪素基焼結体板）であって、この炭化珪素層１１の両面にはろう材層１２Ａ，１２Ｂを介して回路形成用のアルミニウム層・・・１３Ａ，１３Ｂがそれぞれ被着されている。このろう材としてはＡｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｃｕ系等のろう材が使用される。」（２頁左上欄１６行〜右上欄５行）
　
３．対比・判断
　引用例１には、摘記事項（１ｂ）によれば、本発明の実施例１について、ＡｌＮにより形成されたセラミック基板１３と、厚さが０．４ｍｍ、Ａｌ純度は９９．９９重量％の第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、ヒートシンク１４と、厚さが０．０３ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系ろう材とを用意し、第１アルミニウム板１１の上に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材及び、第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６３０℃に加熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した後、第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路とし、次にヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着し、ヒートシンク付セラミック回路基板１０を得たことが記載されており、ヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着する前のセラミック回路基板の製造方法も記載されているといえる。
　また、摘記事項（１ｃ）によれば、実施例１の回路基板に冷熱衝撃試験器にて−５５℃〜室温〜１５０℃を１サイクルとして１０００サイクルの温度サイクルを付加後、第１及び第２アルミニウム板をそれぞれエッチングで除去したセラミック基板のうち、除去されたアルミニウム板全周長さに対するセラミック基板にクラックが生じている部分の長さの割合は０（％）であることが記載されている。
　また、摘記事項（１ａ）には、セラミック回路基板は、「パワーモジュール用」であることが記載されている。
　よって、摘記事項（１ｂ）に記載された、ヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着する前のセラミック回路基板の製造方法を中心に、摘記事項（１ａ）〜（１ｃ）を総合すると、引用例１には、
「ＡｌＮにより形成されたセラミック基板１３と、厚さが０．４ｍｍ、Ａｌ純度は９９．９９重量％の第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、ヒートシンク１４と、厚さが０．０３ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系ろう材とを用意し、第１アルミニウム板１１の上に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材及び、第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６３０℃に加熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した後、第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路とする方法であって、回路基板に冷熱衝撃試験器にて−５５℃〜室温〜１５０℃を１サイクルとして１０００サイクルの温度サイクルを付加後、第１及び第２アルミニウム板をそれぞれエッチングで除去したセラミック基板のうち、除去されたアルミニウム板全周長さに対するセラミック基板にクラックが生じている部分の長さの割合は０（％）である、ヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着する前の、パワーモジュール用セラミック回路基板の製造方法」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明１と引用例１発明とを対比する。
　引用例１発明の「ＡｌＮにより形成されたセラミック基板」、「第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路とした」ことは、それぞれ、本願補正発明１の「窒化アルミニウム基板」、「必要に応じてエッチングすること」に相当する。
　また、厚さが０．４ｍｍ即ち４００μｍであれば薄板といえ、Ａｌの薄板は圧延法により製造されることが一般的であるから、引用例１発明の「厚さが０．４ｍｍ、Ａｌ純度は９９．９９重量％の第１及び第２アルミニウム板」は、本願補正発明１の「厚み１００μm以上、純度９９．９９重量%以上の圧延ＡｌからなるＡｌの板」に相当する。
　また、厚さが０．０３ｍｍ即ち３０μｍであれば箔といえるから、引用例１発明の「厚さが０．０３ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系ろう材とを用意し、・・・、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材・・・を重ねた状態」とすることと、本願補正発明１の「基板の両面に厚み１５〜３５μmのＡｌ−Ｃｕ系の合金箔を介」することとは、基板の両面に厚み１５〜３５μmのＡｌ基の合金箔を介」することで、一致する。
　また、積層接着において荷重を掛ける積層方向とは、基板の垂直方向であるから、引用例１発明の「重ねた状態で、これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2、真空中で６３０℃に加熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着」することは、本願補正発明１の「セラミックス基板の垂直方向に１〜５０kgf／cm2の圧力を負荷しながら、５９５〜６３５℃の温度とした」ことに相当している。
　
　また、引用例１発明の回路基板は、「回路基板に冷熱衝撃試験器にて−５５℃〜室温〜１５０℃を１サイクルとして１０００サイクルの温度サイクルを付加」という条件のヒートサイクル試験を行い、「第１及び第２アルミニウム板をそれぞれエッチングで除去した」結果、基板のクラックが少ないことの評価手段として「除去されたアルミニウム板全周長さに対するＡｌＮにより形成されたセラミック基板にクラックが生じている部分の長さの割合は０（％）である」、という性質（以下、この性質を引例耐熱性という）を有しており、一方本願耐熱性も、ヒートサイクル試験後、アルミニウム板を除去した基板全体にクラックが少ないことを評価するものであるから、引例１発明の回路基板が引例耐熱性を有することと、本願補正発明１の回路基板が本願耐熱性に優れたこととは、ヒートサイクル試験の条件及び、基板全体のクラックの評価手段の詳細で相違しているものの、ヒートサイクル試験後、アルミニウム板を除去した基板全体にクラックが少ないことをいう点では、一致している。
　
　よって、両者は、「窒化アルミニウム基板の両面に厚み１５〜３５μmのＡｌ基の合金箔を介して、厚み１００μm以上、純度９９．９９重量%以上の圧延ＡｌからなるＡｌの板を配置し、それをセラミックス基板の垂直方向に１〜５０kgf／cm2の圧力を負荷しながら、５９５〜６３５℃の温度とした後、必要に応じてエッチングする、ヒートサイクル試験後、アルミニウム板を除去した基板全体にクラックが少ない回路基板の製造方法。」の点で一致し、次の相違点１〜４で相違する。
　
　相違点１：基板の両面に介させる箔を構成するＡｌ基の合金が、本願補正発明１では、Ａｌ−Ｃｕ系であるのに対して、引用例１発明では、Ａｌ−Ｓｉ系である点。
　相違点２：加熱について、本願補正発明１が、２０〜９０分の保持としているのに対して、引用例１発明では、加熱時間の記載がない点。
　相違点３：放熱板に対する回路の体積比が、本願補正発明１では、０．８０〜１．２であるのに対し、引用例１発明ではこのようになっていない点。
　相違点４：本願補正発明１は、本願耐熱性に優れた回路基板であるのに対して、引用例１発明は、本願耐熱性とは試験条件や評価手段の相違する引例耐熱性を有する回路基板である点。
　　
　上記各相違点について検討する。
相違点１について　
　引用例３には、摘記事項（３ａ）に「ＩＣ実装用基板において、炭化珪素層（ＳｉＣ基板・・・）・・・１１の両面には」、「Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｃｕ系等の」、「ろう材層１２Ａ，１２Ｂを介して回路形成用のアルミニウム層１３Ａ，１３Ｂがそれぞれ被着されてい」ると記載されており、Ａｌ−Ｓｉ系と同じように、Ａｌ−Ｃｕ系においても、接着すると認められるので、引用例１発明において、Ａｌ−Ｃｕ系ろう材を用いることは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
相違点２について
　本願における「２０〜９０分の保持」とは、本願明細書の【００２３】の「本発明においては、セラミックス基板の両面に上記合金箔を介してＡｌの板・・・を配置し、・・・、５９０℃以上の温度で少なくとも２０分保持してそれらを接合する。」、【００２５】の「・・・、５９０℃以上で２０分以上の保持が必要となる。好ましくは、５９５℃〜６３５℃で２０〜９０分の保持である。」との記載からみて、接合時の加熱であるところ、引用例１発明における「６３０℃に加熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した」ことも接合時の加熱であって、接合材の溶融時間などある程度の時間、保持を行うものといえる。
　そして、下記の周知例１、２に記載されているように、Ａｌ−Ｃｕ系ろう材の加熱保持時間として、３０分程度とすることが周知の事項であることを考慮すると、上記「相違点１について」において検討したように、Ａｌ−Ｃｕ系ろう材を採用するにあたり、接合時の加熱時間として、３０分程度の保持を選定して、相違点２の発明特定事項を構成することは当業者が容易に想到しうるものである。
　
周知例１：特公昭６３−３２２５３号公報
（周１−Ａ）「【特許請求の範囲】
１  半導体基体とそれを支持する電極とをＡｌ−Ｃｕろう材により接着する半導体装置の製造方法において、・・・順次ＡｌとＣｕの２層を・・・設けてろう付けすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（周１−Ｂ）「実施例  １・・・、カソード電極１上にＡｌを８μｍおよび−Ｃｕを２μｍ順次設けたものとを重ね合せ、５４０℃×３０分のＮ2雰囲気中でのろう付け熱処理を行なつた。」（３欄３４行〜４欄３行）
（周１−Ｂ）には、Ａｌ−Ｃｕろう材のろう付け熱処理の時間として、「３０分」という値が記載されている。
　
周知例２：奈賀正明ら”Ａｌ−Ｃｕ合金ろうによるアルミナ同士の接合およびアルミナ/アルミニウム接合への適用”（溶接学会論文集 Ｖｏｌ．５ Ｎｏ．３　Ｐ．３７９〜３８４）
（周２−Ａ）「Ｆｉｇ．５には接合条件を１３７３Ｋ，１．８ｋｓとした場合のＡｌ−Ｃｕ合金ろうによるＡｌ２Ｏ３同士継手の室温でのせん断強さのＣｕ量依存性を示す．」（３８１頁左欄２６〜２８行）
（周２−Ａ）には、Ａｌ−Ｃｕ合金ろうの接合条件の時間として、３０分（１８００秒）に相当する「１．８ｋｓ」という値が記載されている。
　
相違点３について　
　引用例２には、摘記事項（２ａ）、（２ｂ）によれば、放熱用部材として、セラミックス基板の裏面側に接合する放熱側金属板の体積（Ｖ2 ）と、回路形成のためにパターニングされている素子搭載側金属板の体積（Ｖ1 ）との比（Ｖ2 ／Ｖ1 ）を、窒化アルミニウム系基板を用いる場合には、０．７５≦Ｖ2／Ｖ1＜１とすることによって、再現性よくセラミックス基板の反りの発生を防止することが記載され、引用例１発明は、第２アルミニウム板１２を回路とし、ヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着することから、第２アルミニウム板１２が放熱板、第１アルミニウム板１１が回路に対応しており、また、再現性よくセラミックス基板の反りの発生を防止することは当然求められる課題であるので、裏表両面方向の反りを考慮して１より小さい範囲並びに１より大きい範囲を規定することは、当業者が容易に想到しうるものである。０．８や１．２など具体的値は、材料の組合せや、反りの許容範囲に応じて適宜に決めうるものであるから、相違点３の発明特定事項を構成することは、当業者が容易に想到しうるものである。　
　
相違点４について
　一般に、同種の特性を評価する場合、試験条件や評価手段の相違に基づく実質的差異はなく、相違点４は、実質的な相違点とはいえないものである。　しかしながら、念のため、引例耐熱性を有する引用例１発明の回路基板を、これと、ヒートサイクル試験の条件の点、基板自体のクラックの評価手段の点、ボンディング剥離・メッキ異常・半田クラックという基板全体のクラックの評価手段の有無の点の各点で相違している、本願耐熱性に優れたものとすることの困難性について、以下検討する。
　
　まず、本願耐熱性におけるヒートサイクル試験の条件と、引例耐熱性における同様の条件との相違について検討する。
　温度条件は、本願耐熱性では、「−４０℃→室温→１２５℃」であるのに対して、引例耐熱性では、「−５５℃〜室温〜１５０℃」という、より過酷な条件であるから、これを本願耐熱性のように変更することに困難性はない。また、サイクル数の条件については、「熱ショック試験の要求サイクル数・・・は・・・，ユーザーにより異なった指定が多く，それが一般化する傾向にある。」（高木清「多層プリント配線板製造技術」、日刊工業新聞社発行　１７３頁１１〜１３行）と、時間の条件については、「熱衝撃試験・・・時間は材料や温度により適したものが選ばれている」（「プリント回路技術用語辞典−第２版−」　日刊工業新聞社　２３８頁　熱衝撃試験の項）と、それぞれ記載されているように、適宜選定されるものであるから、サイクル数や時間の条件を本願耐熱性のように変更することに困難性はない。
　次に、本願耐熱性における基板自体のクラックの評価手段と、引例耐熱性における同様の条件との相違について検討する。
　引例耐熱性においては、基板にクラックが生じている部分の長さの割合は０（％）とされており、クラックが０％、即ち、全く存在しなければ、どのような評価手段を用いても、クラック発生率が１０％以下となるから、本願耐熱性との間に実質的な差異はなく、変更することに困難性はない。
　次に、ボンディング剥離・メッキ異常・半田クラックを規定することについて検討する。
　本願耐熱性にいうメッキの「異常」とは、本願明細書表２において、実施例に「異常なし」、比較例に「剥離２／１０」乃至「剥離１／１０」と記載されていることからみて、「剥離」のことと考えられるので、本願耐熱性のボンディング剥離・メッキ異常・半田クラックについての規定は、剥離部分をクラックとみて、ボンディング部分、メッキ部分、半田部分を基板全体の一部とみれば、基板全体のクラックの評価手段において、基板全体にクラックが少ないことをいう点で、引例耐熱性と同種のものと理解できる。
　そして、本願補正発明１においては、ボンディング、メッキ、半田自体について、どのような場所に、どの時点で、どのように形成されるか等については、請求項に規定が無いから、本願明細書【０００１】にいう「【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール等に使用される回路基板とその製造方法」における一般的なものと考えられる。そして、引用例１発明は、パワーモジュール用回路基板の製造方法であって、パワーモジュール用回路基板の一般的なボンディング、メッキ、半田を行うにあたり、これらに剥離が無く、クラックが１０％以下であることは、当然望まれることといえるので、本願耐熱性のような規定をすることに困難性はない。
　
　以上、検討したように、引例耐熱性を有する引用例１発明の回路基板を、本願耐熱性に優れたものとすることには困難性がないので、相違点４の発明特定事項を構成することは当業者が容易に想到しうるものである。
　
　そして、本願補正発明１による効果も引用例１〜３の記載、及び上記周知の事項から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。　
　したがって、本願補正発明１は、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明１
　平成１８年４月２７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１７年１０月７日付手続補正書の特許請求の範囲１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】 窒化アルミニウム基板の両面に厚み１５〜３５μmのＡｌ−Ｃｕ系の合金箔を介して、厚み１００μm以上、純度９９．９９重量%以上の圧延ＡｌからなるＡｌ又はＡｌ合金の板、パターン若しくは両方を配置し、それをセラミックス基板の垂直方向に１〜５０kgf／cm2の圧力を負荷しながら、５９５〜６３５℃の温度で２０〜９０分保持した後、必要に応じてエッチングすることを特徴とする放熱板に対する回路の体積比が０．８０〜１．２である回路基板の製造方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用した引用例１〜３及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１の、本願耐熱性に優れた、という具体的限定事項を省いたものである。　
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加して限定したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。