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　平成１１年特許願第　７０４３３号「半導体基板の欠陥位置特定方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月２９日出願公開、特開２０００−２６９２８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年３月１６日の出願であって、その請求項１〜９に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　半導体基板上に少なくとも３個の基準点を形成するステップと、
　半導体基板の欠陥を評価する第１の評価装置を用いて前記半導体基板の前記基準点および欠陥を検出し、これらの基準点および欠陥の前記第１の評価装置の座標系における座標値を測定するステップと、
　半導体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前記半導体基板の前記基準点を検出し、これらの基準点の前記第２の評価装置の座標系における座標値を測定するステップと、
　前記基準点に関する、前記第１および第２の評価装置における各々の座標値に基づいて、第１の評価装置に関する座標系を第２の評価装置に関する座標系に変換するアフィン変換を決定するステップと、
　前記決定されたアフィン変換および前記欠陥の前記第１の評価装置の座標系における座標値に基づいて前記第２の評価装置の座標系における前記欠陥の位置を特定するステップと、
　を備えたことを特徴とする半導体基板の欠陥位置特定方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内に頒布された下記の刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平４−６２８５８号公報
　
（１）刊行物１の摘記事項
（１ａ）「〔発明が解決しようとする課題〕
　・・・異物を観察、分析装置の視野内に捉えるには、異物を視野内に高精度に位置決めすることが重要である。
　ところが、ミラーウエハではウエハ面上に座標系の基準となる対象物がないため、前述のように、ウエハの座標系はオリフラを基準にして設定している。しかし、オリフラはウエハの結晶面方位とウエハの粗位置合わせのために設けられているものであり、位置決めのための基準は誤差が大きく精度が不十分である。
　また、オリフラは光学顕微鏡やレーザ散乱による異物検出装置などの光学的手段では容易に検出でき、位置精度も高い。しかし、ＳＥＭなどの電子的手段では焦点深度が大きくウエハ面、オリフラ部端面の両方の画像が得られてしまうため、オリフラのエツジは形状などから判断して検出せざるをえない。このため、オリフラの高精度な位置検出が難しく、また、オリフラ検出を自動化して効率的な観察、分析を行うのも難しい。
　・・・・・・
　本発明の目的は、ウエハ座標系を高精度に設定することにより、異物検出装置で検出された異物を高精度に観察、分析装置（ＳＥＭ／ＥＤＸなと）の視野内に捉えて、異物の観察、分析を効率的に行うことにある。
〔課題を解決するための手段〕
　上記の目的を達成するために、ミラーウエハ上の所定の位置に、光学的手段と電子的手段（電子顕微鏡ＳＥＭ）の両方で検知できる手段で座標基準となる基準マーカを設ける。そして、これを基準にしてウエハの座標系を設定し、異物検出装置で検出された異物の座標を、ＳＥＭの座標に変換してＳＥＭの視野内に捉えることにより、ＳＥＭ／ＥＤＸによる異物の観察、分析を効率的に行う。
　　〔作用〕
　ミラーウエハ上に設けられた座標基準となる基準マーカに基づいてウエハの座標系を設定することにより、ウエハの座標系を高精度に設定できる。この座標基準は光学的手段と電子的手段（電子顕微鏡ＳＥＭ）の両方で検知できるので、異物検出装置、電子顕微鏡の座標を高精度に設定でき、また相互に座標を変換できる。従つて、異物検出装置で検出された異物を高精度に電子顕微鏡の視野内に捉えられるので、ＳＥＭ／ＥＤＸによる異物の観察、分析を効率的に行うことができる。」（２頁左上欄５行〜右下欄１０行）
　
（１ｂ）「〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
　第１図は、ウエハ１のオリフラ２の近傍に設けられた座標基準３をもとにウエハ座標系Ｘｗ−Ｙｗ４を設定し、異物検出系座標系Ｘｉ−Ｙｉ５、観察分析系（ＳＥＭ／ＥＤＸ）座標系Ｘｓ−Ｙｓ６の間で座標変換を行う方法を示す。
　ここでは座標基準３は、オリフラ２直近のオリフラと概略平行な直線マーカｍの両端に位置する基準マーカａ、ｂから構成される。ウエハ座標系Ｘｗ−Ｙｗ４は基準マーカａを原点として、基準マーカａ、ｂを結ぶ直線をＸ軸とする直交座標系として設定している。
　異物の座標変換はつぎの手順で行う（第２図参考）。検出系ｉ、ＳＥＭ系ｓでの基準マーカａ、ｂの座標をそれぞれ、（Ｘａｉ、　Ｙａｉ）、（Ｘｂｉ、Ｙｂｉ）；（Ｘａｓ、Ｙａｓ）、（Ｘｂｓ、Ｙｂｓ）であらわす。また、検出系ｉ、ＳＥＭ系ｓ、ウエハ系ｗでの異物Ｐの座標をそれぞれ、（Ｘｐｉ、Ｙｐｉ）、（Ｘｐｓ、Ｙｐｓ）、（Ｘｐｗ、Ｙｐｗ）であらわす。まず、検出系ｉで異物Ｐと基準マーカａ、ｂを検出する。これらの座標情報をもとに、異物Ｐの座標を検出系（Ｘｐｉ、Ｙｐｉ）からウエハ系（Ｘｐｗ、Ｙｐｗ）へ
　
｜Ｘｐｗ｜＝｜　ｃｏｓθｉ　−ｓｉｎθｉ｜｜Ｘｐｉ−Ｘａｉ｜
｜Ｙｐｗ｜＝｜　ｓｉｎθｉ　　ｃｏｓθｉ｜｜Ｙｐｉ−Ｙａｉ｜
　
ｃｏｓθｉ＝（Ｘｂｉ−Ｘａｉ）／（（Ｘｂｉ−Ｘａｉ）２＋（Ｙｂｉ−Ｙａｉ）２）１／２  　
ｓｉｎθｉ＝（Ｙｂｉ−Ｙａｉ）／（（Ｘｂｉ−Ｘａｉ）２＋（Ｙｂｉ−Ｙａｉ）２）１／２  　
　
により変換する。
　つぎに、ＳＥＭ／ＥＤＸ系ｓで基準マーカａ、ｂを検出し、この座標情報をもとに、異物Ｐの座標をウエハ系（Ｘｐｗ、Ｙｐｗ）からＳＥＭ系（Ｘｐｓ、Ｙｐｓ）へ
　
｜Ｘｐｓ｜＝｜　ｃｏｓθｓ　　ｓｉｎθｓ｜｜Ｘｐｗ＋Ｘａｓ｜
｜Ｙｐｓ｜＝｜−ｓｉｎθｓ　　ｃｏｓθｓ｜｜Ｙｐｗ＋Ｙａｓ｜
　
ｃｏｓθｓ＝（Ｘｂｓ−Ｘａｓ）／（（Ｘｂｓ−Ｘａｓ）２＋（Ｙｂｓ−Ｙａｓ）２）１／２  　
ｓｉｎθｓ＝（Ｙｂｓ−Ｙａｓ）／（（Ｘｂｓ−Ｘａｓ）２＋（Ｙｂｓ−Ｙａｓ）２）１／２  　
　
により変換する。そしてこの位置座標をもとに異物ＰをＳＥＭ／ＥＤＸの視野に移動し、観察、分析を行う。このようにして異物Ｐの座標を変換する場合、検出系ｉ、ＳＥＭ系ｓでの異物座標は座標基準（基準マーカ）をもとに高精度に決定できるので、検出系ｓで検出した異物を高精度にＳＥＭ／ＥＤＸ系ｓの視野にとらえることができ、効率的に異物の観察、分析が行える。」（２頁右下欄１１行〜３頁右上欄１４行）
　
（１ｃ）「第４図は、座標基準となる基準マーカの位置、座標系の設定方法について示す。
　・・・
　基準マーカは第４図（ｃ）のように必ずしもオリフラ近くになくてもよい。
　また、第４図（ｄ）のように三個（あるいはそれ以上）の基準マーカにより座標系を設定してもよい。」（４頁左上欄１６行〜右上欄１８行）
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１記載の発明
（ア）上記摘記（１ｂ）によれば、異物検出系ｉにおいて異物Ｐと基準マーカａ、ｂを検出して、これらの座標情報をもとに摘記（１ｂ）に記載の式を用いて、異物検出系ｉの原点をウエハ系ｗの原点ａへ平行移動するとともに、平行移動した異物検出座標系Ｘｉ−Ｙｉを、ウエハ系ｗの原点ａを中心に角度θｉ回転して、異物Ｐの座標を異物検出系ｉの座標（Ｘｐｉ、Ｙｐｉ）からウエハ系ｗの座標（Ｘｐｗ、Ｙｐｗ）に座標変換している。
　
（イ）上記摘記（１ｂ）によれば、ＳＥＭ系ｓにおいて基準マーカａ、ｂを検出して、これらの座標情報をもとに摘記（１ｂ）に記載の式を用いて、ウエハ系ｗの原点ａをＳＥＭ系ｓの原点へ平行移動するとともに、平行移動したウエハ座標系Ｘｗ−ＹｗをＳＥＭ系ｓの原点を中心に角度θｓ回転して、異物Ｐの座標をウエハ系ｗの座標（Ｘｐｗ、Ｙｐｗ）からＳＥＭ系ｓの座標（Ｘｐｓ、Ｙｐｓ）に座標変換している。
　
（ウ）上記（ア）、（イ）の事項によれば、異物検出系ｉにおいて異物Ｐと基準マーカａ、ｂを検出するとともに、ＳＥＭ系ｓにおいて基準マーカａ、ｂを検出し、これらの座標情報をもとに式を用いて、ウエハ系ｗを介しているものの、異物Ｐの座標を異物検出系ｉからＳＥＭ系ｓへ平行移動と回転による座標変換を行うものであることがわかる。
　
（エ）上記摘記（１ｃ）によれば、基準マーカは、三個（あるいはそれ以上）、すなわち三個以上でもよいとしている。
　
　以上の（ア）〜（エ）の事項を考慮し、上記摘記（１ａ）〜（１ｃ）の記載を整理すると、刊行物１には、次の「ＳＥＭ系における異物の座標を決定する方法」についての発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
「ミラーウエハ上の所定の位置に、異物検出装置などの光学的手段とＳＥＭなどの電子的手段の両方で検知できる手段で座標基準となる基準マーカを３個以上設け、これを基準にしてウエハ座標系を設定し、異物検出装置で検出された異物検出系の異物の座標を、ウエハ系を介してＳＥＭ系に座標変換することにより、ＳＥＭ系における異物の座標を決定する方法であって、異物検出系において異物と３個以上の基準マーカを検出して、これらの座標情報をもとに、異物の座標を式を用いて、異物検出系からウエハ系へ平行移動と回転による座標変換を行うとともに、ＳＥＭ系において基準マーカを検出し、これらの座標情報をもとに、異物の座標を式を用いて、ウエハ系からＳＥＭ系へ平行移動と回転による座標変換を行うことにより、ＳＥＭ系における異物の座標を決定する異物座標決定方法。」
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ミラーウエハ」は、本願発明１の「半導体基板」に相当し、以下同様に、「基準マーカ」は「基準点」に、「異物検出装置」は「欠陥を評価する第１の評価装置」に、「異物」は「欠陥」に、「ＳＥＭ」は「欠陥を評価する第２の評価装置」に、「異物座標決定方法」は「欠陥位置特定方法」に、それぞれ相当するといえる。
　
　そうすると、両者は、
「半導体基板上に少なくとも３個の基準点を形成するステップと、半導体基板の欠陥を評価する第１の評価装置を用いて前記半導体基板の前記基準点および欠陥を検出し、これらの基準点および欠陥の前記第１の評価装置の座標系における座標値を測定するステップと、半導体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前記半導体基板の前記基準点を検出し、これらの基準点の前記第２の評価装置の座標系における座標値を測定するステップと、前記基準点に関する、前記第１および第２の評価装置における各々の座標値に基づいて、第１の評価装置に関する座標系を第２の評価装置に関する座標系に変換するステップと、前記変換および前記欠陥の前記第１の評価装置の座標系における座標値に基づいて前記第２の評価装置の座標系における前記欠陥の位置を特定するステップと、を備えた半導体基板の欠陥位置特定方法。」である点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明１は、第１の評価装置に関する座標系を第２の評価装置に関する座標系に変換するステップにおいて、「アフィン変換を決定する」としているのに対し、刊行物１発明は、そのような変換を行っていない点。
　
　そこで、上記相違点について、次に検討する。
　
　上記刊行物１発明においては、異物の座標を、式を用いて異物検出系からウエハ系へ平行移動と回転による座標変換を行うとともに、ウエハ系からＳＥＭ系へ平行移動と回転による座標変換を行うことにより、ＳＥＭ系における異物の座標を決定している。
　
　一方、２次元座標等で図形を平行移動するとともに、拡大・縮小、回転、せん断などを行う、式を用いた座標変換手段として、一般に、アフィン変換は、下記の周知例１、２に示すように周知の技術である。
　
　周知例１：特開平７−３２２２４７号公報
　「【０００５】一方、平行移動のみならず、拡大・縮小および回転を表現し得る線形変換として、数２に示すアフィン変換がある。
　 【０００６】
　 【数２】
　・・・
数２においては、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｖx 、およびｖy はアフィン変換係数、θは回転角、ＣxおよびＣyはそれぞれ水平方向および垂直方向の拡大・縮小率を表す。動き補償予測にアフィン変換を用いることによって、平行移動補償に加えて回転補償および拡大・縮小補償が可能となり、平行移動ブロックマッチング動き補償に比べてフレーム間予測効率を一層向上することが可能となる。」
　
　周知例２：特開平６−３２６９９１号公報
　「【０００７】
　 【作用】本発明において、画像信号処理における３次元フレームメモリ内データを読み出す処理を３次元アフィン変換を３つの２次元アフィン変換に分割するで実現し、かつ各２次元アフィン変換処理をメモリをダブルバッファ方式にすることによって同時並列に実行することにより、３次元の平行移動、回転、拡大、縮小、せん断処理をリアルタイムに実現する。」
　
　そうすると、刊行物１発明においても、異物の座標を、式を用いて異物検出系からＳＥＭ系へ平行移動と回転による座標変換を行うものであるから、このような平行移動と回転を行う、式を用いた座標変換手段として、上記周知のアフィン変換を採用して、アフィン変換を決定する程度のことは、当業者が容易に想到することができるものである。
　
　上記相違点に関し、請求人は、「アフィン変換によって、座標の平行移動や回転だけでは表されない歪みをも表現することができる。」（平成１８年８月２３日付手続補正書２頁１８〜１９行）と主張している。
　しかしながら、本願発明１では、拡大・縮小、せん断による歪みを含む座標変換を必ず行うことが限定されていない。
　また、（拡大・縮小、せん断による歪みを含まない）平行移動と回転による座標変換にもアフィン変換を採用できるのであるから、刊行物１発明における平行移動と回転による座標変換において、アフィン変換を採用できないとする阻害事由が存在するとはいえない。
　それ故、請求人の上記主張は、アフィン変換を採用することが容易に想到できる旨の当審の上記判断を覆し得るものとはいえない。
　
　そして、本願発明１は、刊行物１の記載や上記周知技術から予測できないような格別顕著な作用効果を奏するとは認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。