【事件の表示】
　特願２００２−１４２９７０「コンタクト構造の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月３１日出願公開、特開２００３−　３１８１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年９月３０日に出願した特願平９−２６６７０６号の一部を平成１４年５月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成１８年５月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年５月２９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１を、
「【請求項１】　基板上に非晶質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜にレーザー光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜上に、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する工程と、この窒化シリコン膜上にこの窒化シリコン膜に接して酸化シリコン膜を積層する工程と、この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する工程と、この孔を介して前記多結晶シリコン膜とコンタクトする電極を形成する工程と、を備えたコンタクト構造の形成方法であって、前記窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜よりも前記フッ酸系のエッチング液に対するエッチングレートの速い酸化シリコン膜であるとともに、前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜との界面における孔の広さは、前記窒化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜に接して形成された酸化シリコン膜との界面における孔の広さ以下であることを特徴とするコンタクト構造の形成方法。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「酸化シリコン膜」を、補正後の請求項１の「トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜」と補正（以下、「補正事項ａ−１」という。）し、また、補正前の請求項１の「窒化シリコン膜」を、補正後の請求項１の「、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜」と補正（以下、「補正事項ａ−２」という。）したものである。
　
２−２　補正の目的の適否についての検討
　補正事項ａについての補正は、補正事項ａ−１と補正事項ａ−２とからなるので、以下に検討する。
・補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１についての補正は、補正前の請求項１の「酸化シリコン膜」の前に、補正後の請求項１の「トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた」を加えて限定したものである。
　したがって、補正事項ａ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
・補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２についての補正は、補正前の請求項１の「窒化シリコン膜」の前に、補正後の請求項１の「前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む」を加えて限定したものである。
　したがって、補正事項ａ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２−３　むすび
　以上のとおり、補正事項ａについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項１に係る発明は、「第２　１」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
３−１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平９−２５１９９６号公報（原審の拒絶の理由に引用）
刊行物２．特開平２−３０３０７１号公報（原審の平成１６年１２月２１日付け拒絶理由通知で引用）
　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平９−２５１９９６号公報）には、図１、図２、図５とともに、
「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、
「【請求項３】金属導電層又は半導体層を形成する工程と、
前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工程と、
前記絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記絶縁膜を形成する工程は、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素を堆積する工程と、
プラズマＣＶＤ法によりｒｆ出力を段階的に又は連続的に減少しながら前記窒化珪素膜上に酸化珪素を堆積する工程と、
から成る請求項３に記載の半導体装置の製造方法。」、
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造を有する半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する方法に関するものである。」、
「【００１３】また、第２の発明に係る半導体装置の製造方法の構成は、金属導電層又は半導体層を形成する工程と、前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増加するものである。」、
「【００１８】また、第２の発明に係る半導体装置の製造方法は、金属導電層又は半導体層を覆う絶縁膜をエッチングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増加するようにＣＶＤ法により形成し、この絶縁膜をエッチングすることにより、下層程開孔部が小さくなり、コンタクトホールがテーパー状に形成される。」、
「【００２４】
【実施例】本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２５】〔実施例１〕図１（Ａ）〜（Ｆ）は第１の実施例の作成工程に沿った半導体装置の断面構成図であり、本実施例はアルミニウムを主成分とするゲイト電極を有する薄膜トランジスタに応用した例である。
【００２６】図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に、プラズマＣＶＤ法により、下地膜１０２を３０００Åの厚さに成膜する。この後、下地膜１０２上に、プラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法により非晶質珪素膜を３００〜１０００Åの厚さに成膜する。ここでは５００Åの厚さに成膜する。非晶質珪素膜は薄膜トランジスタの活性層を構成する出発膜である。非晶質珪素膜を結晶化するために、レーザー光を照射する。ここでは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜を結晶化して、結晶性珪素膜を作成する。この結晶性珪素膜をエッチングして島状珪素膜１０３を形成する。
【００２７】この後に、プラズマＣＶＤ法又はスパッタ法により、酸化珪素膜１０４を５００〜１５００Åの厚さに成膜する。更に、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法により、アルミニウム膜を２０００〜８０００Åの厚さに成膜する。ここでは、厚さを４０００Åとする。なお、加熱や後述する陽極酸化工程において、アルミニウム膜の結晶の異常成長を抑制するために、予めアルミニウムには０．１〜０．５重量％のスカンジウム（Ｓｃ）又はイットリウム（Ｙ）が混入されている。」、
「【００３３】次に、図１（Ｅ）に示すようにイオンドーピング法により、ゲイト電極１０６、緻密な陽極酸化物１０８、ゲイト絶縁膜１０９をそれぞれマスクにして島状珪素膜１０３に不純物イオンを注入する。ここでは、Ｎ型の伝導性を付与する燐イオンを注入する。」、
「【００３５】この結果、島状珪素膜１０３において、ゲイト絶縁膜１０９が上層に無い層は不純物イオンが高濃度に注入されて、ソース領域１１０、ドレイン領域１１１がそれぞれ形成され、ゲイト絶縁膜１０９が上層に有る層には、ゲイト絶縁膜１０９を透過した不純物イオンのみが注入されて、低濃度不純物領域１１２、１１３が形成され、ゲイト電極１０６の下層の層には不純物イオンが実質的に注入されずに、チャネル領域１１４が形成される。即ち、緻密な陽極酸化物１０８、ゲイト絶縁膜１０９がマスクの作用をして、ソース領域１１０、ドレイン領域１１１、低濃度不純物領域１１２、１１３、チャネル領域１１４がそれぞれ自己整合的に形成される。」、
「【００３８】次に、プラズマＣＶＤ法を採用して、多層構造の層間絶縁物を形成する。この際に、最下層にエッチング速度が最も遅い膜を堆積し、上層に行くに従ってエッチング速度が速い膜を堆積して、最上層にエッチング速度の最も速い膜を堆積している。本実施例では３層構造の層間絶縁物を形成する。このような層間絶縁物をエッチングすることにより、テーパー状のコンタクトホールを得ることができる。
【００３９】図２はゲイト電極１０６のコンタクトホールを拡大した断面構成図であり、ソース／ドレイン領域１１０、１１１側のコンタクトホールは緻密な陽極酸化物１０８が無いものに相当する。
【００４０】先ず、層間絶縁物１１５の１層目には、プラズマＣＶＤ法より窒化珪素膜１１５ａを厚さ５００Åに成膜する。２層目、３層目には、窒化珪素膜よりもエッチング速度が速い酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により、ＴＥＯＳガスを原料にして成膜する。この際に、成膜時のｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチング速度が速くなることを利用して、２層目と３層目とのエッチングレートを異なるようにしている。本実施例では、２層目の酸化珪素膜１１５ｂをｒｆ出力を３００Ｗで、厚さ５０００Åに成膜し、３層目の酸化珪素膜１１５ｃをｒｆ出力を５０Ｗで、厚さ１０００Åに成膜する。これにより層間絶縁物１１５は６５００Åの厚さに形成されることになる。
【００４１】この多層構造の層間絶縁物１１５、及び緻密な陽極酸化物１０８をエッチングして，コンタクトホールを形成して、電極・配線を形成する。
【００４２】コンタクトホールを形成する場合には、先ず層間絶縁物１１５をエッチングする。エッチング液は窒化珪素膜及び酸化珪素膜をエッチングできるものであればよく、本実施例では、広く用いられているバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用する。この場合のエッチングレートは温度２０℃下で、１層目の窒化珪素膜１１５ａは約７５０Å／ｍｉｎであり、２層目の酸化珪素膜１１５ｂは約２７００Å／ｍｉｎであり、３層目の酸化珪素膜１１５ｃは約４２７０Å／ｍｉｎである。このようにエッチングレートに差があるために、下層ほど開孔部が徐々に小さくなるので、図２に示すように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされる。これにより、ソース／ドレイン領域１１０、１１１側のコンタクトホールが形成される。」、
「【００４６】・・・この後に、第２の配線層と呼ばれる金属配線層を連続成膜法により形成する。
【００４７】スパッタ法により、先ずチタン膜を１５００Åの厚さに成膜して、引き続いてアルミニウム膜を５０００Åの厚さに成膜して、パターニングして、ゲイト電極・配線１１６、ソース／ドレイン電極１１７、１１８をそれぞれ形成する。更に、２００〜４００℃で水素アニールする。以上の工程を経て、図１（Ｆ）に示す薄膜トランジスタを得る。
【００４８】本実施例は、層間絶縁物１１５を形成する際に、窒化珪素膜１１５ａと酸化珪素膜１１５ｂ、１１５ｃという組成の違う膜を堆積して、かつｒｆ出力を変化させて酸化珪素膜１１５ｂ、１１５ｃを成膜して、エッチングレートの異なる多層構造の層間絶縁物１１５を形成するようにしたため、一般的に広く採用されているエッチング方法により、テーパー状のコンタクトホールを形成することができる。このため、コンタクトホールの段差部でゲイト電極・配線１１６、ソース／ドレイン電極１１７、１１８がその部分だけ薄くなって、断線するようなことが無い。」、
「【００５１】本実施例では、層間絶縁物１１５を３層構造としたが、層数はこれに限るものではなく、２層以上であればよい。好ましくは、３層以上とするとよい。例えば層間絶縁物１１５を４層構造とする場合には、プラズマＣＶＤ法より、１層目は窒化珪素膜１１５ａで厚さ５００Åに成膜し、２〜４層目はプラズマＣＶＤ法より、ＴＥＯＳを原料にして、層毎にｒｆ出力を異ならせて酸化珪素膜１１５ｂを成膜する。この場合のｒｆ出力は、例えば２層目は３００Ｗとし、３層目は１５０Ｗとし、４層目は５０Ｗとすればよい。」、
「【００５３】本実施例では、層間絶縁物１１５のエッチングレートを変化するために、ｒｆ出力を変化するように説明したが、例えば成膜時に、原料ガスの種類、原料ガスの流量、ガス比等を変化するようにしてもよい。」、
「【００７３】〔実施例３〕図５は第３の実施例のソース／ドレイン領域のコンタクトホールの断面図であり、層間絶縁膜の最下層に２００〜５００Åの窒化珪素膜を形成するようにしている。構造的には実施例１と同様であるが、果たす効果が異なるので本実施例で説明することとする。
【００７４】図５において、５０１は結晶性珪素膜でなる島状珪素膜、５０２は２５０Åの厚さの窒化珪素膜である。この窒化珪素膜５０２はプラズマＣＶＤ法により成膜され、成膜条件は以下の通りである。
  原料ガス  ＳｉＨ4 ：１０sccm、ＮＨ3 ：７５sccm、Ｎ2 ：５００sccm
  成膜圧力  ０．７torr
  印加電力  ３００Ｗ
  成膜温度  ３５０℃
【００７５】その上には、それぞれエッチングレートの異なる酸化珪素膜５０３ａ、５０３ｂで構成される層間絶縁膜５０３を堆積する。この層間絶縁膜５０３の成膜条件等に関しては実施例１及び実施例２で述べたのでここでは省略する。
【００７６】次に、層間絶縁膜５０３をバッファードフッ酸溶液でエッチングしてコンタクトホールを形成する。この時、窒化珪素膜５０２および各層間絶縁膜５０３ａ、５０３ｂのエッチングレートの違いからテーパー形状を有するコンタクトホールが形成される。（図５）」、
が、記載されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「下地膜１０２を成膜したガラス基板１０１上に、非晶質珪素膜を成膜する工程と、レーザー光を照射して前記非晶質珪素膜を結晶化して、結晶性珪素膜を作成し、前記結晶性珪素膜をエッチングして島状珪素膜１０３を形成する工程と、前記島状珪素膜１０３上に、層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する工程と、前記窒化珪素膜１１５ａ上に、層間絶縁物１１５の２層目として、前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜を成膜する工程と、前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールにソース／ドレイン電極１１７、１１８をそれぞれ形成する工程と、更に、水素アニールする工程とを備えた半導体装置の製造方法。」
　
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平２−３０３０７１号公報）には、第１図、第２図とともに、
「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、
「１．多結晶Ｓｉ膜中にソースおよびドレイン領域を形成し、チヤネル領域を該多結晶Ｓｉ膜とする、多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、チヤネル領域を覆うようにシリコンナイトライド膜を島状に設けたことを特徴とする半導体装置。
２．前記シリコンナイトライド膜をプラズマ化学気相蒸着法で形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項１、２）、
「４．前記チヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜とシリコンナイトライド膜との間にシリコン配化膜を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項４）、
「６．チヤネル部多結晶Ｓｉ膜を堆積する工程、前記シリコンナイトライド膜を堆積する工程、該シリコンナイトライド膜及び多結晶Ｓｉ膜を同一のマスクを用いてエツチングする工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項６）、
「従来、多結晶ＳｉＭＯＳ型電界効果トランジスタの水素化には、最終保護膜としてプラズマＣＶＤ法で形成したシリコンナイトライド膜を用い、４５０℃の熱処理によつて水素原子を拡散させる方法を用いている。」（第２頁左上欄第３〜７行）、
「また、多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタのチヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜と層間絶縁膜との界面特性を良くするために、多結晶Ｓｉ膜とシリコンナイトライド膜との間にＳｉＯ２膜を設けた。」（第２頁右上欄第７〜１１行）、
「〔実施例〕
　以下、図面を参照しながら本発明を詳述する。
　実施例１
　ｐ型Ｓｉ基板１０１を用意し、熱酸化しＳｉＯ２膜１０２を形成する。その上に低圧化学気相蒸着法（以下ＬＰＣＶＤ法と略記）により、多結晶Ｓｉ膜１０３を堆積し、この上にＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜１０４を堆積し、多結晶Ｓｉ膜１０３中にＢＦ２＋のイオン打込みを行う（第１図Ａ）。
　次に不純物の活性化を行つた後、ＨＦ系水溶液中でウエツトエツチングし、ＳｉＯ２膜１０４を除去する。次にホトレジストパターンをマスクとしたドライエツチング法で多結晶Ｓｉ膜１０３を加工し、ゲート電極１０３’を形成する。次にＬＰＣＶＤ法でＳｉＯ２膜１０５を２５ｎｍ堆積し、Ｎ２ガス雰囲気中で９００℃，１０分間熱処理を行いゲート酸化膜とする。その上にＳｉＨ４ガスを反応ガスに用い、温度５２０℃でＬＰＣＶＤ法によりＳｉ膜１０６を４０ｎｍ堆積する。ホトレジストパターンをマスクとしたドライエツチング法で所定形状に加工する。
　次にＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜１０７を堆積し、ホトレジストパターンをマスクとしてＢＦ２＋をイオン打込みし、不純物の活性化を行いソース・ドレインのｐ型高濃度不純物領域を形成する。
　次にＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜１０８を１００ｎｍ形成し、その上に反応ガスにＳｉＨ４およびＮＨ３を用い基板温度３００℃でプラズマＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜１０９を２０ｎｍ堆積する。続いてホトレジストパターンをマスクとしたドライエツチング法でシリコンナイトライド膜１０９を所定形状に加工する（第１図ＢおよびＣ）。
　次にホトレジストパターンをマスクにドライエツチング法でコンタクト穴を形成し、Ａｌ−Ｓｉ膜１１０を堆積し、ホトレジストパターンをマスクにドライエツチング法で配線のパターンを形成する。最後に反応温度４００℃で常圧ＣＶＤ法によりＰＳＧ膜（リンを含むＳｉＯ２膜）１１１を１μｍ堆積し最終保護膜とする（第１図Ｄ）。
　本実施例により製造した多結晶Ｓｉ−ｐチヤネルＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、ソース電極を接地し、ドレイン及びゲート電極に電圧を印加し、ドレイン電界を測定した。その結果、本実施例ではシリコンナイトライド膜を設けない構造に比べてオフ電流は１／１０に減少し、逆にオン電流は１０倍に増加した。これより、本実施例の構造で十分に水素化が行われることがわかつた。
　実施例２
　実施例１はシリコンナイトライド膜のエツチングのためにホト回数をｌ回余分に必要とする。これに対して第２図に示す本実施例ではホトエツチングの回数を増やさずに実施例１と同等の効果を得た。
　ｐ型Ｓｉ基板２０１を用意し、実施例１と同じ方法により熱酸化膜２０２，多結晶Ｓｉ電極２０３’ゲート酸化膜２０５，Ｓｉ膜２０６を形成する（第２図Ａ）。
　次にＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜２０７を堆積し、ホトレジストパターンをマスクとしてＢＦ２＋をイオン打込みした後、不純物の活性化を行い、ソース・ドレインのｐ型高濃度不純物領域を形成する。次いでＨＦ系水溶液中でＳｉＯ２膜２０７を除去する。次にＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜２０８を１００ｎｍ、プラズマＣＶＤ法によるシリコンナイトライド膜２０９を２００ｎｍ堆積する（第２図Ｂ）。
　次にホトレジストパターンをマスクとしたドライエツチング法で、シリコンナイトライド膜２０９，ＳｉＯ２膜２０８および２０７，多結晶Ｓｉ膜２０６を同時に所定形状に加工する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜２１０を堆積し、ホトレジストパターンをマスクとしたドライエツチング法でコンタクト穴を形成し、Ａｌ−Ｓｉ膜２１１を堆積し、ホトレジストパターンをマスクとしたドライエツチング法で配線のパターンを形成する。反応温度４００℃で常圧ＣＶＤ法によりＰＳＧ膜２１２を堆積し最終保護膜とする（第２図Ｃ）。
　本実施例でも実施例１と同等のトランジスタ特性が得られた。」（第２頁左下欄第８行〜第３頁左下欄第１０行）、
「〔発明の効果〕
　本発明によれば、多結晶ＳｉＭＩＳトランジスタの特性をシリコンナイトライド膜からの水素原子の拡散によつて改善できる。」（第４頁右下欄第２〜５行）、
が、記載されている。
　
３−２　対比・判断
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正後発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比すると、刊行物１発明の「下地膜１０２を成膜したガラス基板１０１」、「非晶質珪素膜」、「結晶性珪素膜」及び「結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３」、「窒化珪素膜１１５ａ」、「酸化珪素膜」、「前記コンタクトホールにソース／ドレイン電極１１７、１１８をそれぞれ形成する工程」は、それぞれ、本願補正後発明の「基板」、「非晶質シリコン薄膜」、「多結晶シリコン膜」、「窒化シリコン膜」、「酸化シリコン膜」、「この孔を介して前記多結晶シリコン膜とコンタクトする電極を形成する工程」に相当する。
　また、刊行物１発明の「前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する工程」において、刊行物１発明の「前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより」「前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する」ことは、「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）」が、「フッ酸系のエッチング液」であり、「層間絶縁物１１５」である「酸化珪素膜」と「窒化珪素膜１１５ａ」の両方を「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングする」ので、本願補正後発明の「この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすること」に相当し、刊行物１発明の「下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ」た「コンタクトホールを形成する」ことは、本願補正後発明の「上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する」ことに相当するので、刊行物１発明の「前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する工程」は、本願補正後発明の「この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する工程」に相当する。
　また、刊行物１発明の「層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する工程と、前記窒化珪素膜１１５ａ上に、層間絶縁物１１５の２層目として、前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜を成膜する工程と、前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすること」において、「前記窒化珪素膜１１５ａ上」の「酸化珪素膜」は、「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングする」と、「前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い」のであるから、刊行物１発明の「前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜」は、本願補正後発明の「前記窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜よりも前記フッ酸系のエッチング液に対するエッチングレートの速い酸化シリコン膜である」ことに相当する。
　さらに、刊行物１発明は、「コンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールにソース／ドレイン電極１１７、１１８をそれぞれ形成する工程」を有しているので、刊行物１発明の「半導体装置の製造方法」は、本願補正後発明の「コンタクト構造の形成方法」に相当する。
　すると、本願補正後発明と刊行物１発明とは、
「基板上に非晶質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜にレーザー光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程と、この窒化シリコン膜上にこの窒化シリコン膜に接して酸化シリコン膜を積層する工程と、この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する工程と、この孔を介して前記多結晶シリコン膜とコンタクトする電極を形成する工程と、を備えたコンタクト構造の形成方法であって、前記窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜よりも前記フッ酸系のエッチング液に対するエッチングレートの速い酸化シリコン膜であることを特徴とするコンタクト構造の形成方法。」の点で一致し、
　本願補正後発明は、「多結晶シリコン膜上に、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する工程」を備えているのに対して、刊行物１発明は、「前記結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３上に、層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する工程」を備えている点（以下、「相違点１」という。）、
　本願補正後発明は、「前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜との界面における孔の広さは、前記窒化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜に接して形成された酸化シリコン膜との界面における孔の広さ以下である」との構成を備えているのに対して、刊行物１発明は、「前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜」を有していないために、このような構成を備えていない点（以下、「相違点２」という。）、で相違している。
　
　そこで、上記相違点１及び２について検討する。
ａ．相違点１について
　刊行物１発明の「プラズマＣＶＤ法によ」る「窒化珪素膜１１５ａ」は、本願の願書に添付した明細書の【００１０】段落に記載の「水素イオンを多量に含む絶縁膜としては、窒化シリコン膜が知られている。プラズマＣＶＤ法により成膜された窒化シリコン膜の水素イオン濃度は、通常１０^22／ｃｍ^3（^はべき乗を表す）程度であ」るという「プラズマＣＶＤ法により成膜された窒化シリコン膜」と同等であるから、「水素イオンを多量に含む」「窒化シリコン膜」であり、刊行物１発明は、「水素アニールする工程」も備えていることから、刊行物１発明の「プラズマＣＶＤ法によ」る「窒化珪素膜１１５ａ」からの水素イオンも、水素アニールに用いられ、刊行物１発明の「プラズマＣＶＤ法によ」る「窒化珪素膜１１５ａ」は、「結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３」に水素イオンを導入することが、示唆されている。
　また、刊行物２には、「多結晶ＳｉＭＩＳトランジスタの特性をシリコンナイトライド膜からの水素原子の拡散によつて改善」する（第４頁右下欄第３〜５行）際に、「多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタのチヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜と層間絶縁膜との界面特性を良くするために、多結晶Ｓｉ膜とシリコンナイトライド膜との間にＳｉＯ２膜を設けた」（第２頁右上欄第７〜１１行）ことが、記載されている。
　ここで、刊行物２に記載の「多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタのチヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜と層間絶縁膜との界面特性を良くするために」とは、本願補正後発明の「トランジスタ動作特性を劣化させないために」に相当するので、刊行物２に記載の「多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタのチヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜と層間絶縁膜との界面特性を良くするために、多結晶Ｓｉ膜とシリコンナイトライド膜との間に」設けた「ＳｉＯ２膜」は、本願補正後発明の「多結晶シリコン膜上に、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜」に相当し、また、刊行物２に記載の「多結晶ＳｉＭＩＳトランジスタの特性をシリコンナイトライド膜からの水素原子の拡散によつて改善」するための「シリコンナイトライド膜」は、本願補正後発明の「前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜」に相当する。
　また、例えば、以下の周知文献１又は２に記載されているように、「多結晶シリコン膜上に」、「酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する」ことは、周知技術である。
　
　周知文献１．特開平４−１６７４６６号公報（前置報告書で提示）（第１図、第２図、第４図、及び、第１頁右下欄第１１〜１７行、第３頁左上欄第３〜６行、第３頁左上欄第１１行〜同頁右上欄第５行参照）には、「薄膜トランジスタのチャネル用の多結晶Ｓｉ膜を水素化して、この薄膜トランジスタの特性を向上させることが行われている。　そして、この水素化のための水素として、一般的には、プラズマＣＶＤで形成したパッシベーション膜であるＰ−ＳｉＮ膜から解離した水素が用いられている」（第１頁右下欄第１１〜１７行）こと、「第１実施例では、パッシベーション膜であるＰ−ＳｉＮ膜１１（第４図）とは別に且つＡｌ配線１４（第４図）よりも下層に、水素供給膜であるＰ−ＳｉＮ膜２７が配されている」（第３頁左上欄第３〜６行）こと、「第２図は、第２実施例を示している。この第２実施例は、ＳｉＯ２膜２４上にＰ−ＳｉＮ膜２７が堆積されており、このＰ−ＳｉＮ膜２７上にＳｉＯ２膜３２とＢＰＳＧ膜２５とが堆積されていることを除いて、第１図に示した第１実施例と実質的に同様の構成を有している。　つまり、上述の第１実施例ではＰ−ＳｉＮ膜２７がＢＰＳＧ膜２５上に配されているが、この第２実施例ではＰ−ＳｉＮ膜２７がＢＰＳＧ膜２５の下層に配されている。　従ってこの第２実施例では、Ａｌ配線１４用のコンタクト孔２６を開口するためのレジスト膜のパターニングとこのレジスト膜をマスクにしたエッチングとが１回ずつでよく、上述の第１実施例に比べて夫々１回ずつ少なくてよい」（第３頁左上欄第１１行〜同頁右上欄第５行）ことが、記載されている。
　周知文献２．特開平６−２９１３１７号公報（前置報告書で提示）（図１、図２及び、【０００３】、【０００６】、【００１１】〜【００１２】、【００１５】段落参照）には、「【０００３】チヤネル層３上にはＳｉＯ2 膜からなるゲート絶縁膜４がパターニングされて形成され、このゲート絶縁膜４を挟んでゲート電極５が形成される。この後、チヤネル層３、ゲート絶縁膜４及びゲート電極５を覆うようにＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜６が常圧ＣＶＤ法により６０００〔Å〕程度の膜厚で堆積される。」こと、「【０００６】　【発明が解決しようとする課題】ところでチヤネル層３を構成する多結晶シリコン薄膜は、一般にシリコン粒界のダングリングボンドによつて電界効果電子移動度が単結晶シリコン薄膜に比して低い。」、「【００１１】　【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。　【００１２】図２との対応部分に同一符号を付して示す図１において、２０は全体として薄膜トランジスタを示し、透明電極１１を形成した後にプラズマシリコンナイトライド膜１２を形成するのに代えて、ゲート電極５を覆う一層目の層間絶縁膜６が形成された後にプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−ＳｉＮｘＨｙ）膜２１を形成し、熱処理によつて水素基をチヤネル層３に拡散させるようになされている。」こと、「【００１５】その後、アルミニウム層２３の上にさらに一層の層間絶縁膜２４を形成し、層間絶縁膜２４より薄膜トランジスタ１のドレインに達するコンタクト孔２５を開孔してコンタクト孔２５に画素電極に接続される透明電極２６を形成することにより薄膜トランジスタ２０を形成することができる。」ことが、記載されている。
　ここで、「ＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜６」（【０００３】段落）の「ＰＳＧ膜」は、酸化シリコン膜の一種である。
　
　そして、上記の周知技術である「多結晶シリコン膜上に」、「酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する」ことにおいて、「多結晶シリコン膜」と「前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜」の間に「酸化シリコン膜」が存在するので、この「酸化シリコン膜」の存在により、「前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜」を直接に「多結晶シリコン膜上に」設けた場合よりも、少なくとも「トランジスタ動作特性を劣化させない」ことになることは、明らかである。
　すると、刊行物１発明の「前記結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３上に、層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する」代わりに、刊行物２に記載の「多結晶ＳｉＭＩＳトランジスタの特性をシリコンナイトライド膜からの水素原子の拡散によつて改善」する際に、「多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタのチヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜と層間絶縁膜との界面特性を良くするために、多結晶Ｓｉ膜とシリコンナイトライド膜との間にＳｉＯ２膜を設け」ること、あるいは、上記の周知技術である、「多結晶シリコン膜上に」、「トランジスタ動作特性を劣化させない」ことが明らかである「酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する」ことを適用し、刊行物１発明において、本願補正後発明のごとく「多結晶シリコン膜上に、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する」ことは、当業者が容易になしえたものと認められる。
　
ｂ．相違点２について
　上記の「ａ．相違点１について」において検討したように、刊行物１発明において、本願補正後発明のごとく「多結晶シリコン膜上に、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する」ことは、当業者が容易になしえたものと認められるので、刊行物１発明に、「多結晶シリコン膜上に、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、前記多結晶シリコン膜に導入する水素イオンを含む窒化シリコン膜を形成する」との構成を適用すると、刊行物１発明の「層間絶縁物」は、「島状珪素膜１０３上に」、トランジスタ動作特性を劣化させないために設けた酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、「プラズマＣＶＤ法により」成膜した「窒化珪素膜１１５ａ」を設け、「前記窒化珪素膜１１５ａ上に」、「前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜」を設けたものとなるので、本願補正後発明と同等の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜からなる積層構造となり、また、ちなみに、本願補正後発明と同等の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜からなる積層構造は、例えば、上記「ａ．相違点１について」で提示した周知文献１（「第２図は、第２実施例を示している。この第２実施例は、ＳｉＯ２膜２４上にＰ−ＳｉＮ膜２７が堆積されており、このＰ−ＳｉＮ膜２７上にＳｉＯ２膜３２とＢＰＳＧ膜２５とが堆積されている」（第３頁左上欄第１１〜１４行））及び周知文献２（「【００１２】図２との対応部分に同一符号を付して示す図１において、・・・ゲート電極５を覆う一層目の層間絶縁膜６が形成された後にプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−ＳｉＮｘＨｙ）膜２１を形成し、熱処理によつて水素基をチヤネル層３に拡散させるようになされている。」、「【００１５】その後、アルミニウム層２３の上にさらに一層の層間絶縁膜２４を形成」する）に記載されるように従来周知であるから、このような積層構造の「層間絶縁物」を、刊行物１発明の「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングする」と、本願補正後発明の「フッ酸系のエッチング液を用い」た「エッチング」と同等のエッチングが行われるので、コンタクトホールの形状は、本願補正後発明のごとく「前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜との界面における孔の広さは、前記窒化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜に接して形成された酸化シリコン膜との界面における孔の広さ以下」となることは明らかである。
　
　よって、補正後の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された上記刊行物１及び２に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−３　独立特許要件についてのむすび
　以上のとおり、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合しない。
　
４　まとめ
　よって、補正後の請求項１を含む本件補正は、上記の「第２　３−３」に記載の理由により、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年５月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年２月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　基板上に非晶質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜にレーザー光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して窒化シリコン膜を形成する工程と、この窒化シリコン膜上にこの窒化シリコン膜に接して酸化シリコン膜を積層する工程と、この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する工程と、この孔を介して前記多結晶シリコン膜とコンタクトする電極を形成する工程と、を備えたコンタクト構造の形成方法であって、前記窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜よりも前記フッ酸系のエッチング液に対するエッチングレートの速い酸化シリコン膜であるとともに、前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜との界面における孔の広さは、前記窒化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜に接して形成された酸化シリコン膜との界面における孔の広さ以下であることを特徴とするコンタクト構造の形成方法。」
　
第４　引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１の記載事項及び刊行物１に記載された発明は、上記の「第２　３−１」に記載したとおりである。
　なお、「第２　３−１」において、刊行物２とした特開平２−３０３０７１号公報は、周知文献３とする。
　
刊行物３．特開平９−８２９８２号公報（原審の拒絶の理由に引用）
刊行物４．特開平８−９７４３４号公報（原審の拒絶の理由に引用）
　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物３（特開平９−８２９８２号公報）には、図１とともに、
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】・・・しかしながら、多結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタで、従来と同様にパシベーション層としてＰ−ＳｉＮx を用いると、多結晶シリコン中にダメージが入りやすくなり、トランジスタ特性を劣化させるという課題があった。Ｐ−ＳｉＮx は内部膜応力が大きい為多結晶シリコンにストレスが加わり、薄膜トランジスタの特性が劣化する。・・・本発明は以上の問題点を解決するものであり、その目的は低温プロセスで作成される多結晶シリコン等の非単結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、ダメージの影響が殆どないパシベーション構造を提供する事にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち本発明は、絶縁基板の上に下から順に重なったゲート電極、ゲート絶縁膜及び活性層とこれに隣接するソース／ドレイン領域とを備え、前記活性層は非単結晶シリコンを主成分とするボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、前記活性層及び／又はソース／ドレイン領域に接してパシベーション用の二酸化シリコン薄膜が形成されている事を特徴とする。好ましくは、前記二酸化シリコン薄膜の上にさらに窒化シリコン薄膜が形成されている。又好ましくは、前記二酸化シリコン薄膜はリンを含有する。さらに好ましくは、前記非単結晶シリコンはリン含有の該二酸化シリコン薄膜を水素供給源とするアニールにより水素化される。」、
「【０００９】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良な実施形態を詳細に説明する。図１は本発明にかかる薄膜トランジスタの製造方法を示す工程図である。先ず最初に、（ｄ）に示す完成品状態を参照して、本薄膜トランジスタの基本的な構造を説明する。本薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、絶縁基板１の上に下から順に重なったゲート電極２、ゲート絶縁膜３及び活性層４ａとこれに隣接するソース領域６Ｓ／ドレイン領域６Ｄとを備えている。活性層４ａは多結晶シリコン又は非晶質シリコン等の非単結晶シリコンを主成分とする。本例では多結晶シリコンを活性層４ａとしている。特徴事項として活性層４ａ及び／又はソース領域６Ｓ／ドレイン領域６Ｄに接してパシベーション用の二酸化シリコン薄膜８が形成されている。本例では、二酸化シリコン薄膜８と活性層４ａとの間に同じく二酸化シリコンからなるチャネルストッパ５が介在している。従って、二酸化シリコン薄膜８はソース領域６Ｓ及びドレイン領域６Ｄと直接接した構造になっている。この二酸化シリコン薄膜８はリンを含有したガラス（ＰＳＧ）からなる。これに代えて、リンを含有しないガラス（ＮＳＧ）を用いても良い。二酸化シリコン薄膜８の上にさらに窒化シリコン薄膜９が形成されている。この構造によれば、活性層４ａを構成する非単結晶シリコンが、リン含有の二酸化シリコン薄膜８を水素供給源とするアニールにより水素化可能である。この際、窒化シリコン薄膜９は水素の外方拡散を抑制するキャップ膜として機能する。なお本例では薄膜トランジスタは画素のスイッチング素子として絶縁基板１の上に形成されている。この関係で、ドレイン領域６Ｄは画素電極１１に接続し、ソース領域６Ｓは信号配線１０に接続している。
【００１０】引き続き図１を参照して本薄膜トランジスタの製造方法を詳細に説明する。先ず（ａ）に示す様に、ガラス等からなる絶縁基板１の上に、Ａｌ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属又は高濃度ドープ多結晶シリコン（ＤＯＰＯＳ）、又はＤＯＰＯＳと前記金属との積層構造あるいは合金を成膜し、所定の形状にパタニングしてゲート電極２に加工する。次いで、ゲート電極２を被覆する様にゲート絶縁膜３を成膜する。例えばプラズマＣＶＤ等の手段でＳｉＯ2 又はＳｉＮxを５０〜１００nmの厚みで堆積する。続いて薄膜トランジスタの活性層となる非単結晶シリコン４を約２０〜１００nmの膜厚でプラズマＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法により成膜する。この非単結晶シリコン４をレーザアニール又は熱アニールで結晶化させる。レーザアニールはエキシマレーザパルス等を非単結晶シリコン４に照射して一旦溶融し冷却過程で結晶化を図るものである。これにより、例えば成膜段階で得られた非晶質シリコンが多結晶シリコンに転換できる。」、
「【００１２】次に（ｃ）に示す様に、二酸化シリコン薄膜８を約２００〜６００nmの厚みで堆積しパシベーション層とする。この成膜方法はプラズマＣＶＤ法でも良いし、常圧ＣＶＤ法（ＡＰＣＶＤ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ）の何れでも良い。プラズマＣＶＤ法、ＡＰＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法の何れの場合であっても、このパシベーション層はＳｉＨ4 ，Ｎ2 Ｏ，Ｏ2 等の混合ガスを原料気体に用いてＳｉＯ2 を形成する。特に、この混合ガスにＰＨ3 ガスを用いて成膜するとリンドープＳｉＯ2 （ＰＳＧ）が得られる。ＰＳＧは吸湿性が高い性質があり、加熱により膜中の水分が分解され水素を放出する。従って、ＰＳＧは良好な水素供給源となる。さらにパシベーション層を形成した後窒化シリコン薄膜（ＳｉＮx ）９を約１００〜４００nmの厚みで成膜しキャップ層とする。続いて窒素ガス又はフォーミングガスあるいは真空中において３００〜４００℃で且つ１〜２時間アニールを行ない二酸化シリコン薄膜８から水素をシリコン中に拡散させる。この際、窒化シリコン薄膜９はキャップ層として機能し水素の外方拡散を抑制して水素化処理を効率化する。但し、このキャップ層は必ずしも必要ではなく、二酸化シリコン薄膜８からなるパシベーション層を成膜した段階で水素化処理の為のアニールを行なっても良い。このアニールにより、イオンドーピングで一時的に生じたダメージも略完全に回復可能である。これに対し、従来の様にパシベーション層としてＳｉＮx を活性層又はソース／ドレイン領域に直接接して設けた構造ではダメージを完全に回復する事はできない。
【００１３】最後に（ｄ）に示す様に二酸化シリコン薄膜８及び窒化シリコン薄膜９の積層にエッチングでコンタクトホールを開口する。Ｍｏ，Ａｌ等をスパッタリングにより成膜し所定の形状に加工して信号配線１０とする。この信号配線１０はコンタクトホールを介してソース領域６Ｓに接続している。さらにＩＴＯ等の透明導電膜をスパッタリング等で成膜し所定の形状にパタニングして画素電極１１に加工する。この画素電極１１は他のコンタクトホールを介してドレイン領域６Ｄに接続している。なお、配線電極１０と画素電極１１との間に層間絶縁膜としてアクリル樹脂等の平坦化層を介在させても良い。」、
が、記載されている。
　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物４（特開平８−９７４３４号公報）には、
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる構成を有する薄膜トランジスタを画素駆動用のスイッチング素子として用いる場合、多結晶シリコン特有の結晶欠陥やダングリングボンド等の為、薄膜トランジスタのリーク電流が増加したり、オン電流が減少したりする欠点がある。これを克服する為、従来から水素化処理が行なわれていた。例えば、薄膜トランジスタを被覆する層間絶縁膜の上にさらにＰ−ＳｉＮ等からなる緻密なキャップ膜を成膜し、基板加熱を行なう事によりＰＳＧ等からなる層間絶縁膜に捕捉されていた水素原子を拡散させて多結晶シリコン中に導入する。かかる水素化処理によって導入された水素原子は多結晶シリコンの結晶粒界に拡散しダングリングボンドと結合する為、トラップ密度は小さくなり障壁ポテンシャルが低くなる。この為多結晶シリコン内でのキャリア移動度が高くなり薄膜トランジスタのオン電流を増加できる。又トラップ準位が減少する事によりリーク電流を抑制できる。さらには、導入された水素原子の一部は多結晶シリコンとゲート絶縁膜の境界にある界面準位とも結合するので、薄膜トランジスタの閾値電圧を低くできる。」、
が、記載されている。
　
第５　対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「下地膜１０２を成膜したガラス基板１０１」、「非晶質珪素膜」、「結晶性珪素膜」及び「結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３」、「窒化珪素膜１１５ａ」、「酸化珪素膜」、「前記コンタクトホールにソース／ドレイン電極１１７、１１８をそれぞれ形成する工程」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「非晶質シリコン薄膜」、「多結晶シリコン膜」、「窒化シリコン膜」、「酸化シリコン膜」、「この孔を介して前記多結晶シリコン膜とコンタクトする電極を形成する工程」に相当する。
　また、刊行物１発明の「前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する工程」において、刊行物１発明の「前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより」「前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する」ことは、「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）」が、「フッ酸系のエッチング液」であり、「層間絶縁物１１５」である「酸化珪素膜」と「窒化珪素膜１１５ａ」の両方を「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングする」ので、本願発明の「この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすること」に相当し、刊行物１発明の「下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ」た「コンタクトホールを形成する」ことは、本願発明の「上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する」ことに相当するので、刊行物１発明の「前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすることにより下層ほど開孔部が徐々に小さくなるように層間絶縁物１１５がテーパー状にエッチングされ前記島状珪素膜１０３に達するコンタクトホールを形成する工程」は、本願発明の「この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する工程」に相当する。
　また、刊行物１発明の「層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する工程と、前記窒化珪素膜１１５ａ上に、層間絶縁物１１５の２層目として、前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜を成膜する工程と、前記層間絶縁物１１５をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングすること」において、「前記窒化珪素膜１１５ａ上」の「酸化珪素膜」は、「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングする」と、「前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い」のであるから、刊行物１発明の「前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜」は、本願発明の「前記窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜よりも前記フッ酸系のエッチング液に対するエッチングレートの速い酸化シリコン膜である」ことに相当する。
　さらに、刊行物１発明は、「コンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールにソース／ドレイン電極１１７、１１８をそれぞれ形成する工程」を有しているので、刊行物１発明の「半導体装置の製造方法」は、本願発明の「コンタクト構造の形成方法」に相当する。
　すると、本願発明と刊行物１発明とは、
「基板上に非晶質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜にレーザー光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程と、この窒化シリコン膜上にこの窒化シリコン膜に接して酸化シリコン膜を積層する工程と、この窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜の表面から前記多結晶シリコン膜に達するまで連続してフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって上層側に向かって広がるテーパー形状の孔を形成する工程と、この孔を介して前記多結晶シリコン膜とコンタクトする電極を形成する工程と、を備えたコンタクト構造の形成方法であって、前記窒化シリコン膜上の酸化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜よりも前記フッ酸系のエッチング液に対するエッチングレートの速い酸化シリコン膜であることを特徴とするコンタクト構造の形成方法。」の点で一致し、
　本願発明は、「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して窒化シリコン膜を形成する工程」を備えているのに対して、刊行物１発明は、「前記結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３上に、層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する工程」を備えている点（以下、「相違点３」という。）、
　本願発明は、「前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜との界面における孔の広さは、前記窒化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜に接して形成された酸化シリコン膜との界面における孔の広さ以下である」との構成を備えているのに対して、刊行物１発明は、「前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜」を有していないために、このような構成を備えていない点（以下、「相違点４」という。）、で相違している。
　
　そこで、上記相違点３及び４について検討する。
ｃ．相違点３について
　刊行物３には、「ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、前記活性層及び／又はソース／ドレイン領域に接してパシベーション用の二酸化シリコン薄膜が形成されて」ており、「前記二酸化シリコン薄膜の上にさらに窒化シリコン薄膜が形成されている。」（【０００６】段落）、「本薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、絶縁基板１の上に下から順に重なったゲート電極２、ゲート絶縁膜３及び活性層４ａとこれに隣接するソース領域６Ｓ／ドレイン領域６Ｄとを備えている。活性層４ａは多結晶シリコン又は非晶質シリコン等の非単結晶シリコンを主成分とする。本例では多結晶シリコンを活性層４ａとしている。特徴事項として活性層４ａ及び／又はソース領域６Ｓ／ドレイン領域６Ｄに接してパシベーション用の二酸化シリコン薄膜８が形成されている。・・・二酸化シリコン薄膜８の上にさらに窒化シリコン薄膜９が形成されている。」（【０００９】段落）ことが、記載されており、「多結晶シリコン」の「活性層４ａとこれに隣接するソース領域６Ｓ／ドレイン領域６Ｄ」の上に、「二酸化シリコン薄膜が形成されて」ており、「前記二酸化シリコン薄膜の上にさらに窒化シリコン薄膜が形成されている。」ので、刊行物３の前記記載は、本願発明の「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して窒化シリコン膜を形成する」との構成に相当する。
　また、刊行物４には、「薄膜トランジスタを被覆する層間絶縁膜の上にさらにＰ−ＳｉＮ等からなる緻密なキャップ膜を成膜し、基板加熱を行なう事によりＰＳＧ等からなる層間絶縁膜に捕捉されていた水素原子を拡散させて多結晶シリコン中に導入する。」（【０００３】段落）ことが記載されており、「ＰＳＧ」膜は酸化シリコン膜の一種であるから、刊行物４の前記記載は、本願発明の「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して窒化シリコン膜を形成する」との構成に相当する。
　また、例えば、上記の「第２　３−２　ａ．相違点１について」に提示した周知文献１又は２、あるいは、以下の周知文献３（上記の「第２　３−１」で刊行物２として提示）に記載されているように、「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、窒化シリコン膜を形成する」ことは、周知技術である。
　
　周知文献１．特開平４−１６７４６６号公報（前置報告書で提示）（第１図、第２図、及び、特に、第３頁左上欄第１２〜１４行の記載を参照）には、多結晶Ｓｉ膜１３上に堆積された「ＳｉＯ２膜２４上にＰ−ＳｉＮ膜２７が堆積されており、このＰ−ＳｉＮ膜２７上にＳｉＯ２膜３２とＢＰＳＧ膜２５とが堆積されている」（第３頁左上欄第１２〜１４行）ことが、記載されている。
　周知文献２．特開平６−２９１３１７号公報（前置報告書で提示）（図１、図２及び、【０００３】、【０００６】、【００１１】〜【００１２】、【００１５】段落の記載を参照）には、「チヤネル層３を構成する多結晶シリコン薄膜」上の「ゲート電極５を覆う一層目の」「ＰＳＧ膜からなる」「層間絶縁膜６が形成された後にプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−ＳｉＮｘＨｙ）膜２１を形成し」、「その後、アルミニウム層２３の上にさらに一層の層間絶縁膜２４を形成」することが、記載されている。
　周知文献３．特開平２−３０３０７１号公報（原審の平成１６年１２月２１日付け拒絶理由通知で引用）（第１図、第２図、及び、特に、第２頁右上欄第７〜１１行の記載を参照）には、「多結晶ＳｉＭＩＳトランジスタの特性をシリコンナイトライド膜からの水素原子の拡散によつて改善」する（第４頁右下欄第３〜５行）際に、「多結晶ＳｉＭＩＳ型電界効果トランジスタのチヤネル領域を含む多結晶Ｓｉ膜と層間絶縁膜との界面特性を良くするために、多結晶Ｓｉ膜とシリコンナイトライド膜との間にＳｉＯ２膜を設けた」（第２頁右上欄第７〜１１行）ことが、記載されている。
　
　すると、刊行物１発明の「前記結晶性珪素膜をエッチングし」た「島状珪素膜１０３上に、層間絶縁物１１５の１層目として、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜１１５ａを成膜する」代わりに、刊行物３又は４に記載されており、また、周知技術でもある「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、窒化シリコン膜を形成する」技術思想を適用し、刊行物１発明において、本願発明のごとく「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、窒化シリコン膜を形成する」ことは、当業者が容易になしえたものと認められる。
　
ｄ．相違点４について
　上記の「ｃ．相違点３について」において検討したように、刊行物１発明において、本願発明のごとく「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、窒化シリコン膜を形成する」ことは、当業者が容易になしえたものと認められるので、刊行物１発明に、「多結晶シリコン膜上に、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、窒化シリコン膜を形成する」との構成を適用すると、刊行物１発明の「層間絶縁物」は、「島状珪素膜１０３上に」、酸化シリコン膜を介してこの酸化シリコン膜に接して、「プラズマＣＶＤ法により」成膜した「窒化珪素膜１１５ａ」を設け、「前記窒化珪素膜１１５ａ上に」、「前記窒化珪素膜１１５ａよりもエッチング速度が速い酸化珪素膜」を設けたものとなるので、本願発明と同等の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜からなる積層構造となり、また、ちなみに、本願発明と同等の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜からなる積層構造は、例えば、上記「ｃ．相違点３について」で提示した周知文献１（「第２図は、第２実施例を示している。この第２実施例は、ＳｉＯ２膜２４上にＰ−ＳｉＮ膜２７が堆積されており、このＰ−ＳｉＮ膜２７上にＳｉＯ２膜３２とＢＰＳＧ膜２５とが堆積されている」（第３頁左上欄第１１〜１４行））、周知文献２（「【００１２】図２との対応部分に同一符号を付して示す図１において、・・・ゲート電極５を覆う一層目の層間絶縁膜６が形成された後にプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−ＳｉＮｘＨｙ）膜２１を形成し、熱処理によつて水素基をチヤネル層３に拡散させるようになされている。」、「【００１５】その後、アルミニウム層２３の上にさらに一層の層間絶縁膜２４を形成」する）及び周知文献３（「次にＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜２０８を１００ｎｍ、プラズマＣＶＤ法によるシリコンナイトライド膜２０９を２００ｎｍ堆積する（第２図Ｂ）。・・・次にＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜２１０を堆積」する（第３頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第２行））に記載されるように従来周知であるから、このような積層構造の「層間絶縁物」を、刊行物１発明の「バッファードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用してエッチングする」と、本願発明の「フッ酸系のエッチング液を用い」た「エッチング」と同等のエッチングが行われるので、コンタクトホールの形状は、本願発明のごとく「前記多結晶シリコン膜上に接して形成された酸化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜との界面における孔の広さは、前記窒化シリコン膜部分の前記多結晶シリコン膜に接して形成された酸化シリコン膜との界面における孔の広さ以下」となることは明らかである。
　
　よって、本願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された上記刊行物１、３及び４に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。