Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
口腔内走査装置であって、
ａ）低コヒーレンス光の光源と、
ｂ）干渉計であって、前記低コヒーレンス光を参照経路及び試料経路まで導き、前記参照及び試料経路に沿って返された結合光から干渉によって画像データを生成する干渉計と、
ｃ）前記試料経路に光学的に結合されている固定具であって、前記固定具は、
（ｉ）患者の顎同士の間に延在するように構成された設置部分と、
（ｉｉ）走査のための湾曲走査経路を画定する軌道と、
（ｉｉｉ）前記試料経路光を前記患者の歯まで及びそれらから導くように構成された１つ又は複数のスキャナと、
（ｉｖ）前記１つ又は複数のスキャナを前記湾曲走査経路に沿って動かすアクチュエータ及び並進装置と、
を備え、
ｄ）前記固定具からの光走査と取得とを同期させる制御論理プロセッサと、
ｅ）取得された走査データを表示するために前記制御論理プロセッサと信号通信する表示器と、を備える口腔内走査装置。
【請求項２】
前記固定具は、走査された領域の一部を撮像するカメラを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記固定具は、前記患者の歯の歯弓形状に嵌合するように調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記干渉計は、マッハツェンダ干渉計またはマイケルソン干渉計である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記固定具は、１つ若しくは複数の歯又は歯列弓全体を走査するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記アクチュエータは、モータであり、前記並進装置は、前記１つ又は複数のスキャナを引張力の下で前記軌道に沿って引く、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記並進装置は、前記スキャナを前記湾曲走査経路に沿って両方向に動かす、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記スキャナは、微小電気機械システムデバイスを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
口腔内走査装置であって、
ａ）低コヒーレンス光の光源と、
ｂ）干渉計であって、前記低コヒーレンス光を参照経路及び試料経路まで導き、前記参照及び試料経路に沿って返された結合光から干渉によって画像データを生成する干渉計と、
ｃ）前記試料経路に光学的に結合されている固定具であって、前記固定具は、
（ｉ）患者の顎同士の間にクランプ固定するように特徴付けられた咬合部分と、
（ｉｉ）走査のための湾曲走査経路を画定する軌道と、
（ｉｉｉ）前記湾曲走査経路に直交する方向に走査しながら、前記試料経路光を前記歯の複数の側面まで及びそれらから同時に導くように構成された複数のスキャナを備えるセットと、
（ｉｖ）前記スキャナのセットを前記湾曲走査経路に沿って動かすアクチュエータ及び並進装置と、
を備え、
ｄ）前記固定具からの光走査と取得とを同期させる制御論理プロセッサと、
ｅ）取得された走査データの表示のために前記制御論理プロセッサと信号通信する表示器と、を備える口腔内走査装置。
【請求項１０】
前記固定具は、一方又は両方の歯列弓をシングルパスで走査する、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月10日(2019.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のセグメント化された３−Ｄ歯モデルを生成するためのコンピュータ実行型の方法であって、
患者の歯列の３−Ｄメッシュモデルを取得するステップと、
取得した前記３−Ｄメッシュモデルに第１のセグメンテーション手順を実行し、前記３−Ｄメッシュモデルから少なくとも１つの最初にセグメント化された歯を表示するステップと、
前記少なくとも１つの最初にセグメント化された歯を操作者指示に従って記録し、修正済み３−Ｄメッシュモデルを形成するために前記記録された少なくとも１つの歯を前記３−Ｄメッシュモデルから取り除くステップと、
（ｉ）修正済みセグメンテーション手順を識別し、
（ｉｉ）前記修正済みセグメンテーション手順を前記修正済み３−Ｄメッシュモデルに実行し、前記修正済み３−Ｄメッシュモデルから１つ以上のセグメント化された歯を表示し、
（ｉｉｉ）前記１つ以上のセグメント化された歯のうちの少なくとも１つを記録し、前記記録した少なくとも１つの歯を前記修正済み３−Ｄメッシュモデルから取り除く、
シーケンスを１回以上実行するステップと、
記録したセグメンテーション結果を表示、記憶、又は伝達するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
記録するための前記操作者指示が、表示される歯を、タッチスクリーン又はコンピュータマウスの選択に従って識別する、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記操作者指示が、歯のセグメンテーション結果を検証する、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記シーケンスを実行するステップが、操作者指示によって終了される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記操作者指示が、インタラクティブ歯セグメンテーションのために１つ以上の幾何学的プリミティブを追加する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記３−Ｄメッシュモデルを取得するステップが、複数の構造化光画像を手持ち式口腔内カメラから獲得することを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
口腔内特徴部のデジタルモデルを生成するためのコンピュータ実行型の方法であって、
患者の歯列の３−Ｄデジタルメッシュモデルを複数の構造化光画像から生成するステップと、
取得された前記３−Ｄメッシュモデルに自動歯セグメンテーションを実行するステップと、
第１の操作者指示に応じて、自動化されたセグメンテーション結果を表示し、１つ以上の自動的にセグメント化された歯のセットを記録するステップと、
前記記録されたセットにはない他の歯のインタラクティブセグメンテーションに関係する、少なくとも第２の操作者指示を受け付けるステップと、
前記記録されたセットにはない前記他の歯の前記インタラクティブセグメンテーションを実行し、１つ以上のインタラクティブにセグメント化された歯を前記セットに記録するステップと、
前記セットから、記録されたセグメンテーション結果を表示、記憶、又は伝達するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記他の歯の追加のインタラクティブセグメンテーションが実行される前に、前記記録されたセットにない前記他の歯に、少なくとも１つの記録された歯を戻すステップを更に含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
患者の歯列の３−Ｄメッシュモデルを獲得するように構成される構造化光画像化カメラと、
前記構造化光画像化カメラ及びディスプレイと信号通信し、命令でプログラムされるコンピュータプロセッサと、
を含む、口腔内画像化のための装置であって、
前記命令は、
取得した前記３−Ｄメッシュモデルに第１のセグメンテーション手順を実行して、取得した前記３−Ｄメッシュモデルから複数のセグメント化された歯を生成することと、
前記複数のセグメント化された歯のうちの少なくとも１つを記録し、修正済み３−Ｄメッシュモデルを形成するために前記３−Ｄメッシュモデルから少なくとも１つのセグメント化された歯を取り除くことと、
（ｉ）修正済みセグメンテーション手順を選択し、
（ｉｉ）前記修正済みセグメンテーション手順を前記修正済み３−Ｄメッシュモデルに実行し、
（ｉｉｉ）前記１つ以上のセグメント化された歯のうちの少なくとも１つを記録し、前記記録した少なくとも１つの歯を前記修正済み３−Ｄメッシュモデルから取り除く、
シーケンスを、前記複数のセグメント化された歯が記録されるまで、１回以上実行することと、
前記複数の記録されたセグメント化された歯を前記修正済み３−Ｄメッシュモデルから表示することと、
のためのものである、
ことを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記記録されたセグメント化された歯は、セグメント化信頼度が規定の閾値を超えるときに、記録されて前記３−Ｄメッシュから取り除かれる、
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月26日(2019.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジストニアに罹患したヒト対象を治療する方法であって、
前記対象を治療するのに効果的な量のプリドピジンまたはその薬学的に許容可能な塩を含む医薬組成物を定期的に前記対象に投与することを含み、
前記ジストニアは、原発性ジストニア、孤立性ジストニア、原発性全身性ジストニア、遺伝型の原発性ジストニア、早期発症全身性ジストニア、二次性ジストニア、複合ジストニア、局所性ジストニア、分節性ジストニア、多巣性ジストニア、半身ジストニア、全身性ジストニア、または発作性ジストニアである、方法。
【請求項２】
前記ジストニアは、早期発症全身性ジストニアである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ジストニアは、捻転ジストニア−１（ＤＹＴ１）ジストニア、ＤＹＴ６ジストニア、またはＤＹＴ−ＫＭＴ２Ｂ（ＤＹＴ２８）ジストニアである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ＤＹＴ１ジストニアは、姿勢型ジストニアまたは動作型ジストニアである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記二次性ジストニアまたは複合ジストニアは、ドパ反応性ジストニア、ミオクローヌスジストニア、Ｘ連鎖ジストニアパーキンソニズム、または急性発症ジストニアパーキンソニズムである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ジストニアは、作用特異性ジストニア（ａｃｔｉｏｎ−ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｄｙｓｔｏｎｉａ）または動作特異性ジストニア（ｔａｓｋ−ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｄｙｓｔｏｎｉａ）である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ジストニアは、音楽家のジストニアである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ジストニアは、病理学に起因するものではない、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記病理学は、脳卒中、外傷性脳損傷、外傷、脳腫瘍、神経学的組織損傷、または神経学的組織変性である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記対象は、遺伝子検査により、ＤＹＴ１またはその他の原発性遺伝性型のジストニアに罹患したことが確証されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記対象は、６より大きいＢｕｒｋｅ−Ｆａｈｎ−Ｍａｒｓｄｅｎジストニア評価尺度（ＢＦＭＤＲＳ）スコアを有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記対象は、染色体９ｑ３４上に位置するＴＯＲ１Ａ（トルシンＡ）遺伝子のコード領域内に３塩基対インフレーム欠失を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記対象は、ハンチントン病に罹患していない、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記プリドピジンの量は、ジストニア症状の臨床的に有意な改善をもたらすのに効果的である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ジストニア症状の前記臨床的に有意な改善は、診療または臨床研究で使用される評価尺度、好ましくは、ＵＨＤＲＳスケールのジストニア項目またはＢｕｒｋｅ−Ｆａｈｎ−Ｍａｒｓｄｅｎジストニア評価尺度で測定して、プリドピジンで治療されていないヒト患者に比べて、プリドピジンを投与された前記対象のベースラインからの少なくとも２０％の変化である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記プリドピジンの量は、前記対象のジストニアの１つまたは複数の症状のレベルを下げるまたは維持するのに効果的である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記症状は、Ｂｕｒｋｅ−Ｆａｈｎ−Ｍａｒｓｄｅｎジストニア評価尺度またはジストニア統一評価尺度により測定される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記症状は、臨床全般印象（ＣＧＩ）スケール、患者総合評価スコア、疼痛の視覚的アナログスコア、全体的反応の患者評価、Ｂｕｒｋｅ−Ｆａｈｎ−Ｍａｒｓｄｅｎスケール（ＢＦＭＤＳ）、または健康関連生活の質スコア（ＥＱ−５Ｄ、ＳＦ−３６）により評価される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記１つまたは複数の症状は、不随意四肢運動または筋肉収縮；四肢または体幹の捻転姿勢；四肢または体幹の異常固定姿勢；内反尖足；脚の内旋；腕の内旋；手、頭部、体幹または腕の振戦；足の引きずり；斜頸；書痙；および体幹および／または四肢のジストニアからなる群より選択される、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
１日当たり２２．５ｍｇ〜３１５ｍｇのプリドピジンが前記患者に投与される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記プリドピジンの量は、２２．５ｍｇ、４５ｍｇ、６７．５ｍｇ、９０ｍｇ、１００ｍｇ、１１２．５ｍｇ、１２５ｍｇ、１３５ｍｇ、１５０ｍｇ、１８０ｍｇ、２００ｍｇ、２５０ｍｇ、または３１５ｍｇのプリドピジンの単位用量により投与される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記単位用量が１日１回投与される、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記単位用量が１日２回以上投与される、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記単位用量が１日２回投与される、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記定期的投与が経口投与である、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記プリドピジンが、プリドピジン塩酸塩、臭化水素酸塩、Ｌ−酒石酸塩、硝酸塩、過塩素酸塩、リン酸塩、硫酸塩、ギ酸塩、酢酸塩、アコニット酸塩、アスコルビン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸塩、桂皮酸塩、クエン酸塩、パモ酸、エナント酸塩、フマル酸塩、グルタミン酸塩、グリコール酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、マロン酸塩、マンデル酸塩、メタンスルホン酸塩、ナフタレン−２−スルホン酸塩、フタル酸塩、サリチル酸塩、ソルビン酸塩、ステアリン酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、またはトルエン−ｐ−スルホン酸塩の形態である、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
ジストニアに罹患したヒト対象の治療に使用される、プリドピジンまたはその薬学的に許容可能な塩を含む医薬組成物であって、
前記ジストニアは、原発性ジストニア、孤立性ジストニア、原発性全身性ジストニア、遺伝型の原発性ジストニア、早期発症全身性ジストニア、二次性ジストニア、複合ジストニア、局所性ジストニア、分節性ジストニア、多巣性ジストニア、半身ジストニア、全身性ジストニア、または発作性ジストニアである、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月11日(2019.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
高速ミキサを備えた適切な大きさの混合ベッセルに、５３．６部の水を入れ、低速で混合を開始する。以下の成分を連続して入れる：０．６重量部のドデシルベンゼンスルホン酸イソプロピルアミン塩、０．４重量部のアルコキシル化アルコール界面活性剤Ａ（１分子当たり平均約１０のエチレンオキシド単位を含有するエトキシル化トリデカノール）、１重量部のアルコキシル化アルコール界面活性剤Ｂ（プロピレンオキシドおよびエチレンオキシドでブロック様式でアルコキシル化されたｎ−ブタノール）、および２重量部のエトキシル化トリスチリルフェノール（トリスチリルフェノール１モル当たり平均約１６モルのエチレンオキシドを含有する）。混合物の粘度が増すにつれて徐々に撹拌を強めながら、以下の成分を加える：４．３重量部の１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オン（１，２−ｂｅｎｚｉｓｏｔｈｉａｌｉｎ−３−ｏｎｅ）（ＢＩＴ、８５％）、１５．５重量部の３−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素（３−（３，４−ｄｉｃｈｌｏｒｐｈｅｎｙｌ）−１，１−ｄｉｍｅｔｈｙｌｕｒｅａ）（「ジウロン」）９．３重量部のメチルベンゾイミダゾール−２−イルカルバメート（ＢＣＭ、工業グレード）、１０．２重量部の自然粘度（増粘剤）、１重量部の変性シリカ、３．４重量部の３−ヨード−２−プロピニルブチルカルバメート（３−ｉｄｏ−２−ｐｒｏｐｙｎｙｌ  ｂｕｔｙｌ  ｃａｒｂａｍａｔｅ）（ＩＰＢＣ）、および０．６重量部の消泡剤。温度を４０°以下に維持しながら、２時間または所望の粒径、典型的には５〜７５ミクロンの均質なエマルジョンに達するまで高速で混合する。室温に冷却し、その後、０．３重量部のキサンタンガム（増粘剤）ならびに９．５重量％のＢＩＴおよび９０．５重量％の不活性成分を含有する０．４重量部の製品を加える。均質になるまで３０分間撹拌する。結果として生じる乳白色エマルジョンを分析し、３．７重量％のＩＰＢＣ、９．１重量％のＢＣＭ、３．６重量％のＢＩＴ、および１５．４重量％のジウロンを含有し、２５℃で６４２ｃｐｓの粘度を有することがわかった。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月24日(2019.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ねじ外径（ｄＡ）およびねじ中央穴径（ｄＫ）を有する内ねじ（７）を工作物の下穴（１）に形成するための工具であって、同工具（９）は、ねじ形成部（１１）を有して、ねじ外径（ｄＡ）およびねじ内径（ｄＩ）を有する内ねじの輪郭（２７）を下穴の壁に形成可能であり、かつ同工具（９）は、内ねじの輪郭（２７）におけるねじ内径（ｄＩ）を切削加工によってねじ中央穴径（ｄＫ）に拡径可能な穿孔部（１３）を有したものにおいて、
工具（９）の穿孔部（１３）は、少なくとも１つの溝部（４３）を有し、この溝部（４３）は、ねじ内径（ｄＩ）をねじ中央穴径（ｄＫ）に拡径するときに発生する切屑を詰められた状態で運び去ることができるものであり、
穿孔部（１３）は、径方向外側に長手方向のカッティングエッジ（２５）備えた少なくとも１つの長手方向切刃（２３）を有し、
カッティングエッジ（２５）が２つの切刃角部（２９、３１）の間で工具軸方向に設けられており、カッティングエッジ（２５）は、径方向内向きに湾曲した刃輪郭を有して、形成された内ねじ（７）のバリ取りを行うものであることを特徴とする内ねじ形成用工具。
【請求項２】
溝部（４３）は、工具の軸心（Ｗ）に沿ってらせん状または直線状に、溝長さ（ＩＮ）でもって、ねじ形成部（１１）を通り越して工具クランプ柄（２１）の方向へ形成されていることを特徴とする請求項１記載の内ねじ形成用工具。
【請求項３】
ねじ形成部（１１）は、径方向外側の歯先（１７）と、この歯先（１７）から径方向内向きに歯高分の距離をおいた、歯の谷部（１９）とを備えた、少なくとも１つのねじ形成歯（１５）を有し、歯先（１７）は、下穴の直径（ｄＶ）よりも大径の直径（ｄＳ）を有する円周方向の線上に形成されており、歯の谷部（１９）は、下穴の直径（ｄＶ）よりも小径の直径（ｄＧ）を有する円周方向の線上に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の内ねじ形成用工具。
【請求項４】
ねじ形成部（１１）は、工具の周方向に見て、少なくとも１つの軸方向に延びる潤滑用溝（１６）によって離間されている円周方向に分布したねじ形成歯（１５）を有し、前記溝（１６）は、ねじ形成歯（１５）への潤滑剤および／または冷却剤の案内路を構成し、そして溝部の溝深さ（ｔＮ）が前記案内路の溝深さ（ｔＳ）よりも大きいことを特徴とする請求項１または２または３記載の内ねじ形成用工具。
【請求項５】
穿孔部（１３）が、工具の先端に形成されるとともに、工具クランプ柄（２１）の方向に沿ってねじ形成部（１１）に接続されており、ねじ形成ストローク（Ｇ）において、穿孔部（１３）は、負荷なし状態で下穴（１）に挿入され、それに続く逆転ストローク（Ｒ）において、穿孔部（１３）は、内ねじの輪郭（２７）に対し穴加工することで、中央穴径（ｄＫ）を有する内ねじ（７）を完成させるものであることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の内ねじ形成用工具。
【請求項６】
切削角部（２９）から側方へ離れて形成された長手方向のカッティングエッジ（２５）が、横方向切刃（３３）に接続され、この横方向切刃（３３）と長手方向切刃（２３）とによって、逆転ストローク（Ｒ）において、材料の切削が行われることを特徴とする請求項５記載の内ねじ形成用工具。
【請求項７】
ねじ形成部（１１）が工具の先端に直接形成されるとともに、穿孔部（１３）が前記先端部から工具軸心方向に距離をおいた状態で偏位して設けられており、穿孔部（１３）は、ねじ形成ストローク（Ｇ）において内ねじの輪郭（２７）を内ねじの中央穴径（ｄＫ）に拡径する切削加工を行うとともに、それに続く逆転ストローク（Ｒ）においては内ねじ（７）から応力を受けずに引き出されるものであることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の内ねじ形成用工具。
【請求項８】
ねじ形成部（１１）が工具の軸心方向に少なくとも２つのねじ形成歯（１５）を有し、ねじ形成歯（１５）の互いに向かい合う歯フランク（１８）が、ねじ形成時に、塑性変形した工作物の材料が入り込む成形空間を形成し、そして歯の谷部（１９）に形成された成形空間が、径方向内向きにポケットの形状の凹部（２２）を構成し、それによって、ねじ形成時に工作物の材料が変形するための空間が増大し、形成された内ねじの輪郭（２７）におけるねじ内径（ｄＩ）が低減されるものであることを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項記載の内ねじ形成用工具。
【請求項９】
穿孔部（１３）の溝部（４３）が、この溝部（４３）を軸方向において少なくとも部分的に閉じるチップブレーカ（４７）を備え、機械加工工程において形成された切屑を下穴の加工方向に除去することがこのチップブレーカ（４７）によって防止されるとともに、下穴（１）からの切屑の送り出しがこのチップブレーカ（４７）によって支援されるものであることを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項記載の内ねじ形成用工具。
【請求項１０】
チップブレーカ（４７）が工具先端に直接形成され、および／または、チップブレーカ（４７）によって、溝部（４３）の溝深さ（ｔＮ）を低減させた、溝深さ（ｔＬ）を形成させるものであることを特徴とする請求項９記載の内ねじ形成用工具。
【請求項１１】
チップブレーカ（４７）が切屑案内面（４９）を有し、この切屑案内面（４９）は、穿孔部（１３）においてツールフランク（４５）に接続して、長手方向切刃（２３）を形成し、および／または、切屑案内面（４９）は、端部側の移行エッジ（５１）において工具端面（５３）に接続して、工具先端部を形成するものであることを特徴とする請求項９または１０記載の内ねじ形成用工具。
【請求項１２】
端部側の移行エッジ（５１）は、工具端面（５３）において開口する、溝の自由開口領域（５５）を規定するものであることを特徴とする請求項１１記載の内ねじ形成用工具。
【請求項１３】
工具（９）は、工具クランプ柄（２１）によって工具先端の方向に案内される中央冷却路（５７）を有し、この中央冷却路（５７）は、溝部（４３）に向けて開口する出口路（５９）と連通しており、それによって、機械加工時に、中央冷却路（５７）の内部の冷却材（Ｋ）は、工具先端へ案内されるとともに、出口路（５９）へ向けて反転されて、溝部（４３）に面した開口部（６１）から出口路（５９）とは反対側の方向に案内されて、切屑の除去を支援できるように構成されていることを特徴とする請求項１から１２までのいずれか１項記載の内ねじ形成用工具。
【請求項１４】
特に工具（９）をめくら穴（１）の内部において使用するときに、中央冷却路（５７）と出口路（５９）との両者が工具端面（５３）に向けて開口して、これら中央冷却路（５７）と出口路（５９）との間で流れの接続部（Ｋ）を規定し、そして、中央冷却路（５７）の流れ断面積が、溝部への開口領域（５５）と出口路（５９）との合計断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１３記載の内ねじ形成用工具。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月1日(2019.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視覚的に一様なフィルタ寿命インジケータを含む空気フィルタであって、
エアハンドリングシステムのフィルタ支持層の上流面の少なくとも一部に設置可能な適合可能で枠無しの空気フィルタ媒体を含み、
前記適合可能で枠無しの空気フィルタ媒体が、前記空気フィルタの視覚的に一様なフィルタ寿命インジケータを実現する少なくとも１つの不動態化された領域を含む、空気フィルタ。
【請求項２】
ＰＭ２．５粒子を少なくとも１立方メートル当たり１５マイクログラムの濃度で含む空気流に前記空気フィルタを曝露した際に、前記不動態化された領域が前記空気フィルタの耐用寿命にわたり前記不動態化された領域の全体を通して一様な色を呈する、請求項１に記載の空気フィルタ。
【請求項３】
前記不動態化された領域が化学的に不動態化された領域である、請求項１に記載の空気フィルタ。
【請求項４】
前記不動態化された領域が物理的に不動態化された領域である、請求項１に記載の空気フィルタ。
【請求項５】
前記物理的に不動態化された領域において、前記空気フィルタ媒体の少なくともいくつかの繊維が集合的に高密度化されて空気流遮断層を形成する、請求項４に記載の空気フィルタ。
【請求項６】
前記フィルタ媒体をエアハンドリングシステムの円弧状フィルタ支持層の上流面に設置できるように、前記空気フィルタ媒体が円弧形状に適合可能である、請求項１に記載の空気フィルタ。
【請求項７】
空気を濾過する方法であって、
適合可能で枠無しの空気フィルタ媒体をエアハンドリングシステムのフィルタ支持層に設置することであって、前記適合可能で枠無しの空気フィルタ媒体が、視覚的に一様なフィルタ寿命インジケータを実現する少なくとも１つの不動態化された領域を含むことと、
前記フィルタ支持層をそれが取り付けられた前記空気フィルタと共に、移動する空気の空気流に曝露して、前記移動する空気の少なくとも一部が前記空気フィルタ媒体を通過するようにすることと、を含む、方法。
【請求項８】
前記フィルタ支持層の公称空気透過面積の８５％未満を前記空気フィルタ媒体が占めるように、前記空気フィルタを前記フィルタ支持層に設置することと、
前記フィルタ支持層をそれが取り付けられた前記空気フィルタと共に、移動する空気の空気流に曝露して、前記空気流の第１の部分が前記空気フィルタ媒体を通過するように、かつ、前記空気流の第２の部分が前記空気フィルタ媒体の側縁部の周りを通過して、前記空気フィルタ媒体を迂回しながら前記フィルタ支持層を通過するようにすることと、を含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月24日(2019.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
さらに、タンディッシュ内の溶鋼の量を望ましい範囲内に維持するために、連続鋳造プロセス中に２つ以上の取鍋を交換してタンディッシュ中に溶鋼を注入する場合がある。この取鍋交換プロセスは、溶鋼の液面がタンディッシュ内で許容可能な液面に低下するまで取鍋交換を実行するのを待たなければならないため、非効率的となる可能性がある。さらに、取鍋シュラウドは、典型的には、取鍋に取り付けられるため、取鍋交換中に取鍋シュラウドをタンディッシュから取り外すことは、ときに困難となる可能性がある。したがって、より効率的でより簡単な取鍋交換を提供する装置を提供することも必要とされている。この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第４，３９３，９８５号明細書
（特許文献２）  オーストリア国特許発明第３４６５１２号明細書
（特許文献３）  中国特許出願公開第１０４１１７６６６号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）ＮＮ："ＷＥＩＴＥＲＥ  ＭＯＥＧＬＩＣＨＫＥＩＴＥＮ  ＤＥＳ  ＧＩＥＳＳＥＮＳ  ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＩＳＣＨ  ＨＯＣＨＷＥＲＴＩＧＥＲ  ＧＵＳＳＳＴＵＥＣＫＥ"，ＧＩＥＳＳＥＲＥＩ，ｖｏｌ．７５，ｎｏ．１７，１５  Ａｕｇｕｓｔ  １９８８  （１９８８−０８−１５），ｐａｇｅ  ４９７，ＸＰ００２０５８２７６，ＩＳＳＮ：００１６−９７６５
（非特許文献２）ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  ＷＥＥＫ  ２０１５０４  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  ２０１５−０３２４８Ｈ
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019524450.tif 000001
【図２】
2019524450.tif 000002
【図３】
2019524450.tif 000003
【図４】
2019524450.tif 000004
【図５】
2019524450.tif 000005
【図６】
2019524450.tif 000006
【図７】
2019524450.tif 000007
【図８】
2019524450.tif 000008
【図９】
2019524450.tif 000009
【図１０】
2019524450.tif 000010
【図１１】
2019524450.tif 000011
【図１２】
2019524450.tif 000012
【図１３】
2019524450.tif 000013
【図１４】
2019524450.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月16日(2019.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平面のセラミック基板構造を製造する方法であって、前記方法は、
複数の自然に発生する空隙を特徴とする前面を有し、多結晶材料を含むセラミック基板を用意することと、
前記セラミック基板をバリア層に封入することと、
接合層材料を含み、前記セラミック基板の前記前面の上の前記バリア層に結合される接合層を形成することと、
前記接合層の一部を除去して、前記バリア層の少なくとも一部を露出し、前記複数の自然に発生する空隙の空間が前記接合層材料で充填された充填領域を画定することと、
前記露出したバリア層および前記充填領域の前記少なくとも一部の上に第２の接合層を堆積することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記セラミック基板が、多結晶窒化アルミニウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合層の前記一部を除去することは、化学的機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣＭＰプロセスが前記バリア層で終了する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記バリア層が窒化シリコンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記セラミック基板の前記前面は、５０〜６００ｎｍの範囲のＲＭＳ粗さを特徴とし、前記第２の接合層は、０．５〜５ｎｍの範囲のＲＭＳ粗さを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記接合層が酸化シリコンを含み、前記第２の接合層が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さの酸化シリコン層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の接合層が前記接合層とは異なる材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記接合層が酸化シリコンを含み、前記第２の接合層がＤＬＣを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記接合層の一部を除去した後に、前記露出したバリア層および前記充填領域を封入する第２のバリアシェルを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記接合層を形成することが、堆積／研磨のサイクルを１回以上繰り返すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
繰り返す前記堆積／研磨のサイクルが異なる材料の堆積を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
実質的単結晶層を前記第２の接合層に接合することであって、前記実質的単結晶層は、第１の表面粗さを特徴とすることと、
実質的単結晶層を処理して、前記第１の表面粗さよりも小さい第２の表面粗さを特徴とする成長表面を形成することと、
前記成長表面に結合されたエピタキシャル層を形成することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
実質的に平面のセラミック基板構造を製造する方法であって、前記方法は、
複数の自然に発生する山を特徴とする前面を有し、多結晶材料を含むセラミック基板を用意することと、
接合層材料を含み、前記セラミック基板の前記前面に結合される接合層を形成することと、
化学的機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを実行して、前記セラミック基板の前記前面の少なくとも一部を露出させるために前記接合層の一部を除去し、前記セラミック基板の前記前面における前記複数の自然に発生する山のうちの隣接する山の間が前記接合層材料で充填された充填領域を画定することと、
前記セラミック基板をバリア層に封入することと
を含む、方法。
【請求項１５】
前記セラミック基板の前記前面と前記接合層との間に接着促進層を堆積させることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記セラミック基板が、多結晶窒化アルミニウムを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記バリア層の少なくとも一部に結合される導電層を堆積することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記バリア層の少なくとも一部に結合される熱伝導層を堆積することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記バリア層の少なくとも一部に結合される第２の接合層を堆積することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記バリア層の少なくとも一部に結合される導電層を堆積することと、
前記導電層の少なくとも一部に結合される熱伝導層を堆積することと、
前記熱伝導層の少なくとも一部に結合される第２の接合層を堆積することと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空ウエハース、又はケーキの製造の為に用いられる焼き型のハーフシェル形状の焼き型キャビティ（１）の洗浄の為の装置であって、
その際、装置が、ドライアイス、特に凍った固形のＣＯ２粉粒体と、特に圧縮空気のようなキャリア流体から成る異質性の混合物の提供のためのドライアイス噴射装置（３）を有し、
その際、ドライアイス噴射装置（３）が、混合物（３）の吐出の為の二つのノズル（５）と接続されており、
その際、ノズル（５）のノズル出口（６）が洗浄領域（７）に向けられており、
そしてその際、焼き型（２）の保持の為のホルダー装置（８）が設けられている装置であって、
ホルダー装置（８）に対する、又はホルダー装置（８）によって保持される焼き型（２）に対するノズル（５）の相対移動の為の移動装置（９）が設けられている装置において、
二つのノズル（５）は、異なる角度で焼き型キャビティ（１）に向けられているか、
または、二つのノズル（５）は、唯一の焼き型キャビティ（１）に向けられていることを特徴とする装置。
【請求項２】
洗浄領域（７）とノズル出口（６）を取り囲み、そして洗浄領域（７）を大部分を遮蔽する、又は完全に遮蔽するハウジング（１０）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
焼き型（２）によって転向された混合物（４）と、場合によってはその中に含まれ得る汚染粒子の吸引の為の吸引部（１１）が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
移動装置（９）が、一、又は複数の焼き型（２）の移動の為の焼き型移動装置（１２）を有し、
その際、焼き型移動装置（１２）が、特に無端搬送装置、チェーン搬送装置、バンド搬送装置、ベルト搬送装置、把持ビーム、把持アーム、又はリニア駆動部として形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
移動装置（９）が、焼き型（２）に対するノズル（５）の移動の為のノズル移動装置（１３）を有し、
その際、ノズル移動装置（１３）が、特にリニア駆動部として形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
移動装置（９）が、一、又は複数の焼き型（２）の移動の為の焼き型移動装置（１２）を有すること、
移動装置（９）が、焼き型（２）に対するノズル（５）の移動の為のノズル移動装置（１３）を有すること、
及び焼き型移動装置（１２）とノズル移動装置（１３）が、互いに独立して操作可能な二つの移動装置であり、その移動方向（１４，１５）が、互いに異なり、そして特に互いに横断し合って推移することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
二以上のノズル（５）が設けられており、これらが、混合物（４）の吐出の為に洗浄領域（７）へ向けられており、
その際、ノズル（５）が、特に堅固に互いに接続されており、そしてその際、ノズル（５）が、特に一緒に、ノズル移動装置（１３）の操作によって移動可能であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
一つの洗浄領域（７）に向けられている二以上のノズル（５）が設けられていること、及び異なる角度で洗浄領域（７）に向けられ、そして特に洗浄領域内に位置取る焼き型キャビティ（１）のほうへと向けられている二以上のノズル（５）が設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
焼き型（２）の洗浄後の予加熱の為の加熱装置（１６）が設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
ベーキング用トングとして形成された焼き型（２）を開くため、及び／又は閉じるため、又は焼き型（２）を裏返すための折り畳み装置（１７）が設けられていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
焼き型（２）の汚染程度の光学的な認識の為の画像認識装置（１８）が設けられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
装置が、一、又は複数の焼き型（２）の移動の為の焼き型移動装置（１２）を有する機械フレーム（１９）を有すること、及び、焼き型移動装置（１２）の推移に沿って、ある加熱装置、又は前記加熱装置（１６）、ある折畳み装置、又は前記折畳み装置（１７）、ある画像認識装置、又は前記画像認識装置（１８）、及び、あるノズル、又は前記ノズル（５）が設けられており、そして特に、これらが相前後して設けられていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
ベーキング装置（２０）が設けられており、このベーキング装置が、無端搬送装置（２１）を有し、この無端搬送装置に、焼き型（２）と、特にベーキング用トングとして形成された焼き型（２）が取り外し可能に固定可能、又は固定されていること、
及び、ベーキング装置（２０）から汚染した焼き型（２）を取り出すため、ホルダー装置（８）又は焼き型移動装置（１２）に引き渡す為、及びベーキング装置（２０）に洗浄された、ある焼き型（２）、又は前記焼き型（２）を引き渡すための焼き型取り出し装置（２７）が設けられていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
焼き型の洗浄の為の方法であって、以下のステップ、
焼き型内で一、又は複数のベーキングプロダクトを焼く、
特に凍結した固体のＣＯ２粉粒体のようなドライアイスと、特に圧縮空気のようなキャリア流体を含む混合物の、二以上のノズルを通しての吐出と、ホルダーによって保持される焼き型に対する、又はホルダーに対するノズルの相対移動の為の移動装置の操作による焼き型の洗浄を行う、
というステップを有し、
その際、洗浄すべき焼き型が、一又は複数のベーキングプロダクトを焼き型内で焼いた後、及び焼き型の洗浄の前に、焼き型取り出し装置によってベーキング機械から、又はベーキングプロセスから取り出され、そして焼き型移動装置、又はホルダーに引き渡されること、及び焼き型が、洗浄の後、焼き型取り出し装置によって再びベーキング機械に引き渡されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
焼き型の洗浄において、又は、焼き型の洗浄のため、請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置が使用されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月16日(2019.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベクターゲノムを中にパッケージングして有するＡＡＶカプシドを含む組換えアデノ随伴ウイルス（ｒＡＡＶ）であって、前記ベクターゲノムは、ネコエリスロポエチン（ＥＰＯ）をコードする核酸配列、末端逆位反復配列、及び宿主細胞での前記ＥＰＯの発現を指示する発現制御配列を含む、
前記組換えアデノ随伴ウイルス。
【請求項２】
ベクターゲノムを中にパッケージングして有するＡＡＶカプシドを含む組換えアデノ随伴ウイルス（ｒＡＡＶ）であって、前記ベクターゲノムは、イヌエリスロポエチン（ＥＰＯ）をコードする核酸配列、末端逆位反復配列、及び宿主細胞での前記ＥＰＯの発現を指示する発現制御配列を含む、
前記組換えアデノ随伴ウイルス。
【請求項３】
前記ＥＰＯ配列は、全長ＥＰＯタンパク質をコードする、請求項１または２に記載のｒＡＡＶ。
【請求項４】
前記ＥＰＯ配列は、異種リーダー配列と組み合わせて、成熟ＥＰＯタンパク質をコードする、請求項１または２に記載のｒＡＡＶ。
【請求項５】
前記ＥＰＯ配列は、配列番号４のタンパク質配列をコードする、請求項１に記載のｒＡＡＶ。
【請求項６】
前記ＥＰＯ配列は、配列番号３のタンパク質配列をコードする、請求項２に記載のｒＡＡＶ。
【請求項７】
前記ＥＰＯ配列は、配列番号６の核酸配列またはその変異体を含む、請求項１に記載のｒＡＡＶ。
【請求項８】
前記変異体は、配列番号６のコドン最適化変異体である、請求項７に記載のｒＡＡＶ。
【請求項９】
コドン最適化変異体は、配列番号８である、請求項８に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１０】
前記ＥＰＯ配列は、配列番号５の核酸配列またはその変異体を含む、請求項２に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１１】
前記変異体は、配列番号５のコドン最適化変異体である、請求項１０に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１２】
コドン最適化変異体は、配列番号７である、請求項１１に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１３】
前記発現制御配列は、プロモーターを含む、請求項１または２に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１４】
前記プロモーターは、ＣＢ７プロモーターである、請求項１３に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１５】
前記プロモーターは、ＴＢＧプロモーターである、請求項１３に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１６】
前記発現制御配列は、組織特異的プロモーターを含む、請求項１３に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１７】
前記組織特異的プロモーターは、腎臓特異的プロモーターである、請求項１６に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１８】
前記組織特異的プロモーターは、Ｎｋｃｃ２プロモーター、ウロモジュリンプロモーター、Ｋｓｐ−カドヘリンプロモーター、及びＴＨＰ遺伝子プロモーターから選択される、請求項１６に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１９】
さらに、イントロン、Ｋｏｚａｋ配列、ポリＡ、及び転写後調節エレメントのうち１つまたは複数を含む、請求項１または２に記載のｒＡＡＶ。
【請求項２０】
前記ＡＡＶカプシドは、ＡＡＶ８、ｒｈ６４Ｒ１、ＡＡＶ９、ＡＡＶｈｕ．３７、またはｒｈ１０、及びそれらの変異体から選択される、請求項１または２に記載の組換えベクター。
【請求項２１】
前記カプシドは、ＡＡＶ８カプシドである、請求項１または２に記載のウイルスベクター。
【請求項２２】
さらに、ＡＡＶ末端逆位反復配列を含む、請求項１または２に記載のウイルスベクター。
【請求項２３】
ベクターゲノムを中にパッケージングして有するＡＡＶ８カプシドを含む組換えアデノ随伴ウイルス（ｒＡＡＶ）であって、前記ベクターゲノムは、ネコエリスロポエチン（ＥＰＯ）をコードする核酸配列、末端逆位反復配列、及び宿主細胞でのＥＰＯの発現を指示する発現制御配列を含む、
前記組換えアデノ随伴ウイルス。
【請求項２４】
薬学上許容される担体、及び請求項１から２３のいずれか１項に記載のウイルスベクターを含む、医薬組成物。
【請求項２５】
慢性腎臓疾患の治療方法であって、薬学上許容される担体、及び請求項１または請求項２に記載のウイルスベクターを含む医薬組成物を投与することを含む、
前記方法。
【請求項２６】
前記組成物は、静脈内投与される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記対象は、ネコまたはイヌである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記対象は、ネコであり、かつ前記ＥＰＯは、ネコ配列である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記組成物は、別の治療法と併用して投与される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
前記組成物は、約３×１０10ＧＣ／ｋｇの投与量で投与される、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
前記組成物は、１回より多く投与される、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
慢性腎臓疾患の治療の使用における、請求項１から２３のいずれか１項に記載の組換えＡＡＶの使用。
【請求項３３】
慢性腎臓疾患の治療に使用するのに適している、請求項１から２３のいずれか１項に記載の組換えｒＡＡＶ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月23日(2019.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培地で浮遊培養されている体細胞を幹細胞へ誘導することを含む、幹細胞の誘導方法。
【請求項２】
前記培地が攪拌されない、請求項１に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項３】
前記培地が、脱アシル化ジェランガムでゲル化されている、請求項１又は２に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項４】
前記培地が、成長因子を含まない、請求項１から３のいずれか１項に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項５】
前記培地が、成長因子を４０重量％以下の濃度で含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項６】
前記培地が、ｂＦＧＦを含まない、請求項１から３のいずれか１項に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項７】
前記培地が、ヒトＥＳ／ｉＰＳ培地を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項８】
成長因子を含まない培地で幹細胞を浮遊培養することを含む、幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項９】
成長因子を４０重量％以下の濃度で含む培地で幹細胞を浮遊培養することを含む、幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１０】
ｂＦＧＦを含まない培地で幹細胞を浮遊培養することを含む、幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１１】
ｂＦＧＦを５０μｇ／Ｌ以下の濃度で含む培地で幹細胞を浮遊培養することを含む、幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１２】
前記培地が攪拌されない、請求項８から１１のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１３】
前記培地が、脱アシル化ジェランガムでゲル化されている、請求項８から１２のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１４】
前記培地が、ＲＯＣＫ阻害剤を含む、請求項８から１３のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１５】
前記培地における前記幹細胞の濃度が、０．１×１０5個／ｍＬ以上である、請求項８から１４のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１６】
前記幹細胞をシングルセルに分解することと、
シングルセルに分解された前記幹細胞を、前記培地に入れることと、
を更に含む、請求項８から１５のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１７】
前記浮遊培養することにおいて、前記シングルセルがクローナリティを保ったままコロニーを形成する、請求項１６に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１８】
格子プレートを用いて幹細胞を懸滴型培養してコロニーを形成させることと、
形成されたコロニーを前記培地に入れることと、
を更に含む、請求項８から１５のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項１９】
前記幹細胞が未分化の状態を保ったまま増殖する、請求項８から１８のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項２０】
前記培地が、ヒトＥＳ／ｉＰＳ培地を含む、請求項８から１９のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項２１】
前記培地が、Ｔｇｆ−βを含まない、請求項１に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項２２】
前記培地が、Ｔｇｆ−βを６００ｎｇ／Ｌ以下の濃度で含む、請求項１に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項２３】
前記培地が、Ｔｇｆ−βを含まない、請求項８から２０のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項２４】
Ｔｇｆ−βを６００ｎｇ／Ｌ以下の濃度で含む培地で幹細胞を浮遊培養することを含む、幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項２５】
前記培地が、Ｔｇｆ−βを６００ｎｇ／Ｌ以下の濃度で含む、請求項９から１１のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【請求項２６】
前記培地が、カドヘリン、ラミニン、フィブロネクチン、及びビトロネクチンからなる群から選択される少なくとも１種の物質を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の幹細胞の誘導方法。
【請求項２７】
前記培地が、カドヘリン、ラミニン、フィブロネクチン、及びビトロネクチンからなる群から選択される少なくとも１種の物質を含む、請求項８から２０のいずれか１項に記載の幹細胞の浮遊培養方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月13日(2018.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の発生構成を有する電力発生器を有する電力発生装置であって：
各発生構成は出力電圧及び／又は電流を発生するように構成され、各発生構成は少なくとも第１の発生要素及び第２の発生要素を利用し、発生要素の少なくとも一方は帯電する状態を有するように構成され、各発生要素は、結果的な出力電圧及び／又は電流を発生するために、互いに対して可動であるように構成され、前記出力電圧及び／又は電流は、前記第１及び第２の発生要素の間の分離距離に依存し、
前記電力発生器は、合成された電気出力信号を前記電力発生器から発生するために、前記第１及び第２の発生構成の前記出力電圧及び／又は電流を合成するように構成される合成ユニットを更に有し、
前記第１及び第２の発生構成は、前記第１の発生構成についての発生要素の間の分離距離の増加が、前記第２の発生構成についての発生要素の間の分離距離の関連する減少となり且つ逆も行われるように協調するように構成される、電力発生装置。
【請求項２】
前記電力発生器は、第１、第２及び第３の発生部材を有し、少なくとも前記第３の発生部材は、前記第１及び第２の発生部材に対して可動であるように構成され、
前記第１の発生部材は前記第１の発生構成についての前記第１の発生要素を構成し、前記第２の発生部材は前記第２の発生構成についての前記第１の発生要素を構成し、前記第３の発生部材は前記第１の発生構成及び前記第２の発生構成双方についての前記第２の発生要素を構成している、請求項１に記載の電力発生装置。
【請求項３】
前記第３の発生部材は、前記第１及び第２の発生部材の間に配置され、両者の間を通る軸に沿って可動であるように構成される、請求項２に記載の電力発生装置。
【請求項４】
前記軸に沿う前記第３の発生部材の位置は、外力の印加に応じて制御される、請求項３に記載の電力発生装置。
【請求項５】
前記第３の発生部材は、前記軸の方向に沿って変位可能なキャリアに結合され、それにより、前記第１及び第２の発生部材の間で軸に沿う前記第３の発生部材の運動を許容する、請求項３又は４に記載の電力発生装置。
【請求項６】
前記キャリアの変位は、軸に沿う一方向に付勢されたスプリングである、請求項５に記載の電力発生装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の発生構成各々の発生要素各々が、１つ以上の帯電可能な表面領域の各自のセットを有する、請求項１ないし６のうちの何れか一項に記載の電力発生装置。
【請求項８】
前記第１、第２及び第３の発生部材は個々のディスク要素を有し、１つ以上の出力電圧及び／又は電流を発生するために、前記第３の発生部材が前記第１及び第２の発生部材に対して又はその逆に対して可動である、請求項２ないし７のうちの何れか一項に記載の電力発生装置。
【請求項９】
前記電力発生装置はコントローラ・ユニットを更に有し、前記コントローラ・ユニットは、前記第１及び第２の発生部材の間を通る軸に沿って前記第３の発生部材の位置を制御するように構成される、請求項３ないし８のうち何れか一項に記載の電力発生装置。
【請求項１０】
前記コントローラ・ユニットは、前記第３の発生部材を、前記第１及び第２の発生部材の間で循環的に往復運動させるように構成される、請求項９に記載の電力発生装置。
【請求項１１】
前記コントローラ・ユニットは、前記第３の発生部材と前記第１及び／又は第２の発生部材との間の間欠的な接触の期間を誘発し、それにより、前記第１及び／又は第２の発生構成の前記第１及び第２の発生要素の間の接触を誘発するように構成されている、請求項９又は１０に記載の電力発生装置。
【請求項１２】
前記電力発生装置は、摩擦電気による電力発電機である、請求項１ないし１１のうち何れか一項に記載の電力発生装置。
【請求項１３】
前記合成ユニットは、２つの発生構成の前記出力電圧及び／又は電流を合計する、請求項１ないし１２のうちの何れか一項に記載の電力発生装置。
【請求項１４】
第１及び第２の発生構成を有する電力発生器を作動させるステップを有する電力発生方法であって：
各発生構成は出力電圧及び／又は電流を発生するように構成され、各発生構成は少なくとも第１の発生要素及び第２の発生要素を利用し、発生要素の少なくとも一方は帯電する状態を有するように構成され、各発生要素は、結果的な出力電圧及び／又は電流を発生するために、互いに対して可動であるように構成され、前記出力電圧及び／又は電流は、前記第１及び第２の発生要素の間の分離距離に依存し、
前記第１及び第２の発生構成は、前記第１の発生構成についての発生要素の間の分離距離の増加が、前記第２の発生構成についての発生要素の間の分離距離の関連する減少となり且つ逆も行われるように協調するように構成され、
当該電力発生方法は：
前記第１及び第２の発生構成の各々により使用される前記第１及び第２の発生要素の間の相対的な動きを誘発し、それにより、前記第１及び第２の発生構成の各々から、各自の結果的な出力電圧及び／又は電流を生成するステップ；及び
結果的な合成された電気出力信号を前記電力発生器から発生するために、前記第１及び第２の発生構成の前記出力電圧及び／又は電流を合成するステップ；
を有する、電力発生方法。
【請求項１５】
前記電力発生器は、第１、第２及び第３の発生部材を有し、少なくとも前記第３の発生部材は、前記第１及び第２の発生部材に対して可動であるように構成され、
前記第１の発生部材は前記第１の発生構成についての前記第１の発生要素を構成し、前記第２の発生部材は前記第２の発生構成についての前記第１の発生要素を構成し、前記第３の発生部材は前記第１の発生構成及び前記第２の発生構成双方についての前記第２の発生要素を構成し、
前記電力発生方法は：
前記第１及び第２の発生部材の間で循環的に往復運動するように、前記第１及び第２の発生部材に対する前記第３の発生部材の位置を制御するステップ；
を更に有する、請求項１４に記載の電力発生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力発生デバイス及び電力発生方法