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　特願２００１−３４０６８４「ガス放電パネルの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月１６日出願公開、特開２００３−１４１９９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１３年１１月６日の出願であって、平成１８年３月１３日付け（発送日同年３月２２日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年４月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたが、平成２０年３月１３日付けで当審において、拒絶理由通知が、平成２０年５月１５日付けで手続補正書がなされたものである。なお、平成１８年５月１９日付けの手続補正は、当審における平成２０年３月１３日付の補正却下の決定により、却下された。
　
　
２．本願発明　
　本願の請求項１に係る発明は、平成１７年１１月８日及び平成２０年５月１５日付けの手続補正書によって補正された明細書並びに図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（以下、「本願発明」という。）
　
「【請求項１】　電極とこの電極を覆う誘電体層とこの誘電体層を覆う保護層とにより構成される前面板と、電極とこの電極を覆う下地層とこの下地層上に所定のパターンで形成された隔壁とこの隔壁間に形成された赤、緑、青からなる蛍光体層とにより構成される背面板とを、対向配置し、その周辺を封着部材でシールした構造のガス放電パネルの製造方法であって、
　背面板に対して、ペースト化した結晶化ガラスを塗布することで封着部材を形成し、この封着部材を軟化温度以下で加熱することにより封着部材中のバインダーを除去するフリット脱バイ工程と、
　その後、前面板と背面板とを対向配置し、その状態で前記封着部材の軟化温度に昇温し保持することで、前記封着部材を結晶化させ、前面板と背面板とを接合しパネルとする封着工程と、
　その後、このパネル内を真空に排気しかつ前記封着部材の前記軟化温度より高くかつ封着部材以外の他の構成部材の軟化が引き起こされる温度より低い温度で加熱する排気ベーキング工程と、
を有することを特徴とするガス放電パネルの製造方法。」
　
３．引用例記載の発明
　これに対して、当審において平成２０年３月１３日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の出願前である平成１２年３月２１日に頒布された刊行物である特開２０００−８２４０１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１−１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放電空間を挟んで一対の基板が周辺を封止されてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、特に放電空間を形成するための封止方法に関する。
【０００２】放電空間は、一対の基板の周辺をシール材で封止して形成した気密空間で、排気と浄化処理を行って不純物のない安定した状態にされた後放電ガスが封入される。量産化に伴って、このような放電空間を迅速且つ確実に得ることのできる方法が求められている。
【０００３】
【従来の技術】まず、プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと称する）の代表例としてＡＣ駆動の３電極面放電型ＰＤＰの構造を説明する。図１９は、ＰＤＰの一部を切り出した状態の斜視図である。
【０００４】図１９に示すように、前面ガラス基板５０の内面には、基板面に沿った面放電を生じさせるための表示電極（サスティン電極とも称される）Ｘ，Ｙが、マトリクス表示のラインＬ毎に一対ずつ配列されている。表示電極対Ｘ，Ｙは、フォトリソグラフィ技術によって形成されるもので、それぞれがＩＴＯ（Indium Tin Oxide）薄膜からなる幅の広い直線状の透明電極５２と多層構造の金属薄膜からなる幅の狭い直線状のバス電極５３とから構成されている。
【０００５】また、表示電極Ｘ，Ｙを放電空間に対して被覆するように、ＡＣ（交流）駆動のための誘電体層５４がスクリーン印刷により設けられている。そして、誘電体層５４の表面にはＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなる保護膜５５が蒸着されている。
【０００６】一方、背面ガラス基板５１の内面には、アドレス放電を発生させるためのアドレス電極５６が表示電極Ｘ，Ｙと直交するように一定ピッチで配列されている。このアドレス電極５６もフォトリソグラフィ技術によって形成されるもので、バス電極５３同様に多層構造の金属膜により形成される。
【０００７】このアドレス電極５６上を含む背面ガラス基板５１の全面には、スクリーン印刷により誘電体層５７が形成され、その上層には、高さが１５０μｍ程度の直線状の複数の隔壁５８が、各アドレス電極５６の間に一つずつ設けられている。
【０００８】そして、アドレス電極５６の上部を含めて、誘電体層５７の表面及び隔壁５８の側面を被覆するように、フルカラー表示のためのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の蛍光体６０がやはりスクリーン印刷により設けられている。
【０００９】また、放電空間５９中には、放電時に紫外線を照射して蛍光体を励起するＮｅ−Ｘｅ（ＮｅとＸｅの混合ガス）等の放電ガスが数百torr程度の圧力で封入されている。そして放電空間５９を封止するためのシール材（シールガラス層）６１が基板周辺部に設けられている。
【００１０】前面ガラス基板５０と背面ガラス基板５１とはそれぞれ個別に形成され、最終的に両基板を放電空間を有するようにシール材６１により貼り合わせてＰＤＰは完成される。
【００１１】上記シール材６１により外部と遮蔽される放電空間を形成する工程を含めた従来のＰＤＰの製造方法を図２０及び図２１を参照しながら説明する。図２０及び図２１は従来技術を説明するための図であり、図２０は封止工程時のＰＤＰ状態を示す断面図及び平面図、図２１は時間経過に伴う加熱や排気の処理サイクルを示す図である。
【００１２】図１９に示すシール材６１は、ペースト状のガラス材を塗布した後、これを固化することで背面ガラス基板５１側に形成されており、封止工程においてこのシールガラス層（シール材）を一旦溶融して再度固化させることにより前面ガラス基板５０側との接合を行なうものである。」
　
（１−２）「【０１１３】この真空加熱炉１１０でＰＤＰ１００は、図１２に示す処理サイクルを受ける。真空加熱炉１１０は、加熱を開始するとともに、炉内の真空排気を開始する。本実施例で使用するシール材１０４は、軟化点温度が４２０°Ｃ〜４４０°Ｃ程度の特性を有したものであり、溶融開始温度はおよそ３７０°〜３９０°Ｃである。この溶融開始温度の直前の３５０°〜３７０°Ｃ付近では、シール材１０４の頂部と基板との間の間隙１０５はまだ維持されている。」
　
（１−３）「【０１２６】つぎに、図１３、１４に第６の実施形態を示す。この第６の実施形態は、量産製造方法として、より容易に設備化が可能な方法である。図１３は、基板対１０１、１０２を含むＰＤＰ１３０の処理工程の状態を示す図、図１４は処理サイクルを示す図である。実施形態１〜５と同じ機能を果たす部材には、同じ符号を付して説明を省略する。
【０１２７】この第６の実施形態は、一連の工程中において、設備的に大規模となる真空加熱炉の適用が極一部期間に限定することが可能であり、また、貫通穴封着法にも従来と同じ手法を採用できるため、比較的容易な設備で対応できる特徴を有している。
【０１２８】前面ガラス基板１０１および背面ガラス基板１０２は、第５の実施形態と同様に形成する。第５の実施形態と同様に、前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２は重ね合わされて、複数のクリップ７で固定される。クリップ７の締め付け位置についても第５の実施形態と同様に行う。
【０１２９】使用する真空加熱炉１４０は、図示していないヒータによって加熱され、排気口１４１を経由して接続される真空ポンプ（図示せず）によって炉内が排気され、高真空状態にされることが可能である。
【０１３０】つぎに、貫通穴を有する成形ガラスフリット１３１およびフレア加工を施した導通管１３２は、クリップ７’でこのフレア加工部を押圧することにより固定される。このクリップ７’のクリップ先端は、導通管１３２の管状部分を回避してフレア加工部を押圧するために、Ｕ字状の切り欠が設けられている。導通管１３２のフレア加工を施されていない先端には、シールヘッド１３３を装着する。ここで使用するシールヘッド１３３には、導通管１３２を周囲から締め付ける方向に加圧密着することで真空を維持できる樹脂が設けられている。この樹脂の耐熱性は、２００°Ｃ程度であり、この樹脂全体を冷却するために、冷却水を循環させる冷却水配管１３５をシールヘッド１３３に設けてある。
【０１３１】さらに、背面ガラス基板１０２の貫通穴１１５は、成形ガラスフリット１３１の孔、導通管１３２を介して、排気／ガス導入配管１３４に接続されている。この排気／ガス導入配管１３４は、図示していない切り換え弁を介して、真空設備と放電ガスを供給する設備に接続されている。
【０１３２】真空加熱炉１４０に投入された重ね合わせた基板対は、不純ガスの影響による基板性能の変化が起きにくい３５０°Ｃ程度まで基板破損が発生しない程度の急激な昇温レートで昇温する（図１４のＴ１）。
【０１３３】つぎに、真空加熱炉１４０内を排気することによって、重ね合わせた基板対の周囲全体を真空排気し、かつ基板温度を３５０°〜３７０°Ｃ程度に維持しておく（図１４のＴ２）。
【０１３４】この時、シール材１０４、未溶融であるために、第５の実施形態と同様に基板から発生する不純ガスをシール材１０４と前面ガラス基板１０１との間隙１０５（図１０を参照）から、効率良く除去することが可能となる。この不純ガスの除去が完了するまで、基板温度の維持を継続する。
【０１３５】つぎに、重ね合わせ基板の温度を３７０°〜４１０°Ｃに昇温する（図１４のＴ３）。この時、第５の実施形態と同様に、シール材１０４の溶融および融着が順次おこなわれ、同時に成形ガラスフリット１３１の溶融および背面ガラス基板１０２と導通管１３２のフレア部の融着も順次おこなわれる。シール材１０４および成形ガラスフリット１３１による融着が完了すると、重ね合わせた基板対によって形成された放電空間１０３と導通管１３２は、シールヘッド１３３を介して排気／ガス導入配管１３４に対して、閉じた系となりシールヘッド１３３を介して真空排気が可能となる。
【０１３６】ここで、真空加熱炉１４０内の圧力に対して、閉じた系となった放電空間１０３内の圧力を負圧に制御し、炉内圧力を基板に対して常時加圧状態とし、この加圧力を利用して溶融したシール材１０４の変形を行う。
【０１３７】この第６の実施形態では、第１〜４の実施形態と同様に、重ね合わせた基板を締め付け固定するクリップ７は、締め付け力を前面ガラス基板１０１、背面ガラス基板１０２が位置ズレしない程度に弱めたり、取り付け個数を減らしたりすることが可能となる。
【０１３８】また、シール材１０４が完全に溶融するまでに、重ね合わせ基板の周囲を大気圧レベルまで戻す。この操作によって、第４の実施形態と同様にシール材１０４に内在する微小泡が巨大化することによる不具合を対策することが可能となる。本第６の実施形態では、重ね合わせ基板が閉じた系となった状態では、その内部は不純ガスによって汚染されないために、炉内を大気圧に戻すために導入するガスには、大気を用いることが可能となる。また、純度の高い不活性ガスや放電用ガスは重ね合わせ基板内部に充填する極僅かな量で処理することが可能となる。さらに、大気リーク後の工程（図１４のＴ４〜Ｔ６）は、従来プロセスと同様に大気加熱炉内での処理が可能となる。
【０１３９】つぎに、重ね合わせ基板内部の排気を継続し、不純ガスの残留が無い様に一定時間保持（図１４のＴ４）するが、基板から発生する不純ガスの大半はシール材１０４の融着以前の周囲からの真空排気で除去されているために、従来方法よりも短時間で降温工程（図１４のＴ５）に移行することが可能になる。」
　
が記載されている。
　
　また、上記（１−３）の段落【０１３３】、【０１３４】に記載された工程では、シール材１０４（封着部材に相当。）を３５０°〜３７０°Ｃ程度（軟化温度以下に相当。）で加熱しているから、不純ガスの除去と同時に、シール材１０４（封着部材に相当。）中のバインダーを除去するフリット脱バイ工程が進行していると認められる。
　
　したがって、これらの記載事項によると、引用例１には、次のとおりの発明、
　
【引用例１に記載された発明】
「表示電極とこの表示電極を被覆する誘電体層５４とこの誘電体層５４を覆う保護膜５５とにより構成される前面ガラス基板１０１と、アドレス電極５６とこのアドレス電極５６を覆う誘電体層５７とこの誘電体層５７上に所定のパターンで形成された隔壁５８とこの隔壁５８間に形成されたＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の蛍光体６０とにより構成される背面ガラス基板１０２とを、重ね合わせ、かつその周辺をシール材１０４で封止した構造のＰＤＰ１３０の製造方法であって、
　背面ガラス基板１０２に対して、ペースト状のガラス材を塗布することでシール材１０４を形成し、
　前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２とを重ね合わせ、
　このシール材１０４を３５０°〜３７０°Ｃ程度で加熱することによりシール材１０４中のバインダーを除去するフリット脱バイ工程と、
　その後、前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２とを重ね合わせた、その状態で前記シール材１０４の３７０°〜４１０°Ｃに昇温し保持することで、前記シール材１０４を溶融させ、ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２とを融着しＰＤＰ１３０とする封着工程と、
　その後、このＰＤＰ１３０内を真空排気しかつ前記シール材１０４の軟化点温度４２０℃〜４４０℃より低い３７０℃〜４１０℃の温度で加熱する排気ベーキング工程と、
を有することを特徴とするＰＤＰ１３０の製造方法。」（以下、これを「引用例１に記載された発明」という。）
　
が記載されているものと認める。
　　
４．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１に記載の発明における「表示電極」、「被覆する」、「誘電体層５４」、「保護膜５５」、「前面ガラス基板１０１」、「アドレス電極５６」、「誘電体層５７」、「隔壁５８」、「Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の蛍光体６０」、「背面ガラス基板１０２」、「重ね合わせ」、「周辺」、「シール材１０４」、「封止」、「ＰＤＰ１３０の製造方法」は、それぞれ、
　本願発明における「電極」、「覆う」、「誘電体層」、「保護層」、「前面板」、「電極」、「下地層」、「隔壁」、「赤、緑、青からなる蛍光体層」、「背面板」、「対向配置し」、「周辺」、「封着部材」、「シール」、「ガス放電パネルの製造方法」に相当する。
　さらに、引用例１に記載の発明における「３５０°〜３７０°Ｃ」、「融着」、「ＰＤＰ１３０」、「フリット脱バイ工程」、「融着」、「封着工程」、「真空排気」、「軟化点温度４２０℃〜４４０℃」、「排気ベーキング工程」は、それぞれ、
　本願発明における「軟化温度以下」、「接合」、「パネル」、「フリット脱バイ工程」、「接合」、「封着工程」、「真空に排気」、「軟化温度」、「排気ベーキング工程」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　
【一致点】
「電極とこの電極を覆う誘電体層とこの誘電体層を覆う保護層とにより構成される前面板と、電極とこの電極を覆う下地層とこの下地層上に所定のパターンで形成された隔壁とこの隔壁間に形成された赤、緑、青からなる蛍光体層とにより構成される背面板とを、対向配置し、かつその周辺を封着部材でシールした構造のガス放電パネルの製造方法であって、
　背面板に対して、ペースト化したガラスを塗布することで封着部材を形成し、この封着部材を軟化温度以下で加熱することにより封着部材中のバインダーを除去するフリット脱バイ工程と、
　その後、前面板と背面板とを対向配置した、その状態で昇温し保持することで、前記封着部材を溶融させ、前面板と背面板とを接合しパネルとする封着工程と、
　その後、このパネル内を真空に排気しかつ加熱する排気ベーキング工程と、
を有することを特徴とするガス放電パネルの製造方法。」
　
で一致し、
　
【相違点１】
　「本願発明では、前面板と背面板とを対向配置するのを、封着工程時になしているのに対して、
　引用例１に記載された発明では、前面ガラス基板１０１（前面板に相当。）と背面ガラス基板１０２（背面板に相当。）とを重ね合わせ（対向配置に相当。）するのを、フリット脱バイ工程時になしている」
　
【相違点２】
　「本願発明では、
　背面板に対して、ペースト化した「結晶化ガラス」を塗布することで封着部材を形成し、この封着部材を軟化温度以下で加熱することにより封着部材中のバインダーを除去するフリット脱バイ工程と、
　その後、前面板と背面板とを対向配置した、その状態で「封着部材の軟化温度に昇温し保持することで、封着部材を結晶化させ、」前面板と背面板とを接合しパネルとする封着工程と、
　その後、このパネル内を真空に排気しかつ「封着部材の軟化温度より高くかつ封着部材以外の他の構成部材の軟化が引き起こされる温度より低い温度で」加熱する排気ベーキング工程と、を有しているのに対して、
　
　引用例１に記載された発明では、
　背面ガラス基板１０２（背面板に相当。）に対して、ペースト状のガラス材（ペースト化した結晶化ガラスに対応。）を塗布（塗布に相当。）することでシール材１０４（封着部材に相当。）を形成し、このシール材１０４（封着部材に相当。）を３５０°〜３７０°Ｃ程度（軟化温度以下に相当。）で加熱することによりシール材１０４（封着部材に相当。）中のバインダーを除去するフリット脱バイ工程と、
　その後、前面ガラス基板１０１（前面板に相当。）と背面ガラス基板１０２（背面板に相当。）とを重ね合わせ（対向配置に相当。）した、その状態で前記シール材１０４（封着部材に相当。）の３７０°〜４１０°Ｃ（軟化温度に対応。）に昇温し保持することで、前記シール材１０４（封着部材に相当。）を溶融（結晶化に対応。）させ、ガラス基板１０１（前面板に相当。）と背面ガラス基板１０２（背面板に相当。）とを融着（接合に相当。）しＰＤＰ１３０（パネルに相当。）とする封着工程（封着工程に相当。）と、
　その後、このＰＤＰ１３０（パネルに相当。）内を真空排気（真空に排気に相当。）しかつ前記シール材１０４（封着部材に相当。）の軟化点温度４２０℃〜４４０℃（軟化温度に相当。）より低い３７０℃〜４１０℃の温度で加熱する排気ベーキング工程と、を有している点」
　
で相違する。
　　
　そこで、上記【相違点１】について検討する。
　引用例１に記載された発明において、前面ガラス基板１０１（前面板に相当。）と背面ガラス基板１０２（背面板に相当。）とを重ね合わせ（対向配置に相当。）するのを、フリット脱バイ工程時から、封着工程時に変更することは、当業者が適宜なし得ることである。
　
　次に、上記【相違点２】について検討する。
　当審において平成２０年３月１３日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の出願前である平成１２年８月４日に頒布された特開２０００−２１５８０７号公報（以下、「引用例２」という。）に、
　
（２−１）「【０００２】
【従来の技術】平板状パネルディスプレイ装置（ＦＰＤ）は多くの用途に使用されるために広範囲な研究がなされている。当業界の主たる目標はテレビ画面のようなかさばったＣＲＴを小型のデイスプレイ装置に置き換えることである。最も見込みのある平板状パネルディスプレイ装置の中にはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）と電界放出ディスプレイ装置（ＦＥＤ）がある。これらのディスプレイ装置は、前面ガラスと背面ガラス板とをそれらの周辺部で接合したもので、これらのガラス板の間には約０．１〜０．２ｍｍの間隔が開けられており、そこにデイスプレイ装置の活性又は機能素子（ＦＥＤの場合には蛍光体、貫通部材の配列及び電子放出用の微小チップ素子、ＰＤＰの場合にはセルを形成する壁構造）を収納する内部空間を形成する。」
　
（２−２）「【０００５】ＦＰＤの製造法は、２枚のガラス板をそれらの周縁で比較的低温で溶融するガラスペースト（当業界でフリットガラスと呼ばれている）により接合する工程、及びフリット封止（シーリング）と呼ばれるＦＰＤ製造工程を含む。フリット封止工程中に、フリットガラスは空気中でその溶融を生じるに充分な温度Ｔ１に加熱される。温度を下げるとフリットガラスは固化して両ガラス板を互いに封止し、それよりＦＰＤ内に内部空間を形成する。
【０００６】フリット封止の後には通常ベーキングと称する製造工程が行われる。ベーキング工程ではディスプレイ装置の加熱を行いながら内部空間が排気される。ＦＥＤ内には真空が必要であるが、ＰＤＰ内では排気は所望の雰囲気による戻し充填に対して前駆的な工程である。排気中のディスプレイ装置の加熱は、さもなければディスプレイ装置の耐用寿命中にその内部空間で脱ガスして内部空間の真空度（ＦＥＤの場合）を低下し、或いは内部空間中の気体の純度（ＰＤＰの場合）を劣化させることになる、内部素子（とりわけ蛍光体）のほとんどの吸着気体を放出させる作用をする。」
　
（２−３）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、最終のディスプレイ装置の機能素子（電流供給用貫通部材、蛍光物質、等）を予め支持している、平板状パネル表示装置の正面ガラス板及び背面ガラス板を用意し、前記ガラス板のうちの一方の面に平板状ゲッタ装置を最終のディスプレイ装置の所定位置となるように配置し、前記２枚のガラス板をガラスペーストにより封止結合し、該ガラスペーストをその溶融温度Ｔ１に加熱し、ついで硬化して前記温度Ｔ１よりも高い溶融温度を有する固形分を生じるように結晶化させ、得られた平板状パネルディスプレイ装置を、前記２つのガラス板の一方に残されているガラス管を通じて内部空間を排気しつつＴ１よりも高い温度でベーキングし、前記ゲッターをＴ１よりも高い温度で活性化し、ついで前記ガラス管をチップオフすることによりディスプレイ装置の内部空間を閉鎖することよりなる、ゲッタ材を収納した平板状パネル表示装置の製造方法により解決する。この場合に、ベーキング及びゲッター活性化工程は共通の工程であってよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の方法は、特殊なフリットガラス、すなわち第一溶融後に結晶が析出し、再固化後に該第一溶融温度よりも高い温度に抗するようになるフリットガラスを使用することが重要である。このフリットガラスは、ガラス製造・加工の過程で通常好ましくないものとされる結晶析出現象を積極的に利用し、故意に結晶を析出させ、機械的性質・耐熱性を向上させた結晶化ガラスの一つである。本発明に有用なフリットガラスは「結晶性フリットガラス」と呼ばれる。」
　
（２−４）「【００１７】本発明の次の工程はディスプレイ装置を構成する２枚のガラス板をフリット封止で結合することである。本発明に従い、この工程は上に定義した結晶性フリットガラスを使用して実現される。このようなフリットガラスの例としては、旭硝子社製のＡＳＦ１３０７があり、このガラスは約４４０℃で封着固化すると少なくとも５００℃の温度に耐えることができる。
【００１８】結晶性フリットガラスを使用すると、ＦＰＤの製造工程でフリット封止温度とベーキング温度を逆転させた昇温条件を採用することが可能となる。公知の方法によると、フリット封止温度Ｔ１は引き続くＦＰＤ製造工程の温度の上限であったが、本発明の結晶性フリットガラスを使用するとこの制限が外され、ベーキング工程と活性化工程を温度Ｔ１よりも高い温度で実施することが可能となる。この場合の上限処理温度は約５５０℃であるが、その理由はこの温度よりも高い温度はディスプレイ装置の正面ガラス板及び背面ガラス板に対して安全でなくなるからである。」
　
と記載されているように、引用例２には、次のとおりの発明、
　
【引用例２に記載された発明】
「プラズマディスプレイパネルにおいて、フリットガラス（封着部材に相当。）にペースト化した結晶性フリットガラス（ペースト化した結晶化ガラスに相当。）を用い、
　正面ガラス板（前面板に相当。）と背面ガラス板（背面板に相当。）とを対向配置し、その状態でフリットガラス（封着部材に相当。）の封着固化する温度Ｔ１（４４０℃）（軟化温度に相当。）に昇温し保持することで、フリットガラス（封着部材に相当。）を結晶化（結晶化に相当。）させ、正面ガラス板（前面板に相当。）と背面ガラス板（背面板に相当。）とを結合（接合に相当。）しプラズマディスプレイパネル（パネルに相当。）とする封着工程と、
　その後、このプラズマディスプレイパネル（パネルに相当。）内を排気（真空に排気に相当。）しかつフリットガラス（封着部材に相当。）の封着固化する温度Ｔ１（４４０℃）（軟化温度に相当。）より高くかつ正面ガラス板及び背面ガラス板に対して安全でなくなる上限処理温度（約５５０℃）（封着部材以外の他の構成部材の軟化が引き起こされる温度に相当。）より低い温度（例えば５００℃）（低い温度に相当。）で加熱する、内部空間を排気するベーキング工程（排気ベーキング工程に相当。）。」（以下、これを「引用例２に記載された発明」という。）
　
が記載されているものと認められ、この点は、公知である。
　
　したがって、引用例１に記載された発明において、そのペースト状のガラス材、封着工程及び排気ベーキング工程を、引用例２に記載された、ペースト化した結晶性フリットガラス、封着工程及び排気するベーキング工程に変更することは、当業者が容易になし得ることである。
　　
　そして、本願発明の効果は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が予測可能な範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。