【事件の表示】
　特願２００３−１８５７７９「走査トルク顕微鏡」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月１６日出願公開、特開２００４−３５４３５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、平成１５年５月２７日の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　これに対して、平成１９年９月３日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　 
　ここで、上記拒絶理由の内容は以下のとおりである。 
　 
『
Ｉ．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
ＩＩ．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　記 
 １．本願発明 
 　本件出願は平成１５年５月２７日に出願され、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という）と認める。 
 　 
 ２．引用刊行物 
 　引用例１：特開平１１−１６０３３４号公報 
 　引用例２：特開２００１−５０８８５号公報 
 　 
 ３．引用刊行物記載事項 
 ３−１．引用例１には、図面とともに次の記載がある。 
 （１）「【００３４】図１に示される走査型プローブ顕微鏡の探針は、支持体１、支持部またはカンチレバー部２、検出部３、探針部４を備えている。カンチレバー部２、検出部３、および探針部４は実質的に同一軸上に連続して形成され、かつ支持体１とも連続して形成されている。 
 【００３５】探針部４は、幅が好ましくは２００ｎｍ以下、例えば１００〜２００ｎｍ程度、長さが好ましくは１μｍ以上、例えば３μｍ程度の大きさを有している。探針部４は細くて長いため、半導体試料のトレンチ５や溝などにも容易に差し入れることができる。探針部４の先端部分は好ましくは図１のように横または斜め方向に突出しているが、直線的であってもよい。また、探針部４の先端部分は先鋭化していればより好ましい。 
 【００３６】検出部３は、例えば一辺（長辺）が５０μｍ程度の大きさを有する平板形状のものであり、カンチレバー部２および探針部４とはほぼ同一平面上に形成されている。また、検出部３は光を反射する光反射面すなわちミラー部分を有している。カンチレバー部２は探針部４に力が働くとたわむものであり、探針部４および検出部３を支持体１に接続しかつ支持している。支持体１は例えばミリメートルのオーダーの大きさを有する平板形状のものである。 
 【００３７】本実施形態の探針は、探針部４が細くて長く、更にカンチレバー部２、検出部３、および探針部４が同一軸上に形成されているため、空間的な制約が少ない。このため、微細な溝に探針部を差し入れることが可能で、かつ探針を微細な凹凸形状を有する試料上に走査させることができる。 
 【００３８】次にこのような構成を有する走査型プローブ顕微鏡の探針の製造方法について、説明する。図２は図１に示される走査型プローブ顕微鏡の探針の探針部４の先端部分が直線的な場合の製造工程を示す概略図である。 
 【００３９】半導体基板１１として、例えば厚さ約２５０μｍ、（１００）面方位のシリコン単結晶基板を用い、ＬＰ−ＣＶＤ法（減圧ＣＶＤ法）などにより半導体基板１１の両面に例えば厚さ約０．１μｍの窒化珪素膜１２、１３を形成する（図２（ａ））。 
 【００４０】基板１１上の窒化珪素膜１２の上にレジスト膜１４を塗布し、リソグラフィー法を用いて後述のミラー部分に対応する例えば四角形状の開口部をレジスト膜１４に形成する。その上にニッケルクロムを薄く蒸着し、さらにその上から金層１５（図２（ｂ）で斜線で示されている部分）を全面に蒸着する（図２（ｂ））。ニッケルクロムを窒化珪素膜１２と金層１５の間の下地とすると、その後の金層１５の耐性が強くなり、金層１５の剥がれなどが生じなくなる。リフトオフ法を用いて金層１５の不要な部分をレジスト膜１４とともに取り除き、窒化珪素膜１２上に金のミラー部分１６（図２（ｃ）で斜線で示されている部分）をパターニングする（図２（ｃ））。ミラー部分１６は、探針の検出部３の光反射面またはミラー部分に対応するものである。 
 【００４１】窒化珪素膜１２、１３およびミラー部分１６上にレジスト膜１７を塗布し、リソグラフィー法を用いて、支持体１、カンチレバー部２、検出部３、探針部４および探針部４と対向する薄膜部１８の所定の形状に合わせて、パターニングを施す。ここで、後のエッチング処理により、探針部４の先端部分が薄膜部１８から切り離されるように、探針部４に対応する部分のレジスト膜１７と薄膜部１８に対応する部分のレジスト膜１７との間には、リソグラフィー法の解像度ぎりぎり程度、すなわち光の波長程度の細いくびれ部分１９がある（図２（ｄ））。 
 【００４２】その後、基板１１の上面および下面の窒化珪素膜１２、１３の不要部分をドライエッチング法などによる等方性エッチングにより取り除く（図２（ｅ））。このとき、窒化珪素膜１２は等方的にエッチングされるため、レジスト膜１７により保護されている窒化珪素膜１２はアンダーエッチングを生じる。このアンダーエッチングにより、窒化珪素膜１２の探針部４を形成する部分は、レジスト膜１７の探針部４に対応する部分よりも幅が細くなる。 
 【００４３】図２（ｆ）は、探針部４に対応する部分の周辺領域の窒化珪素膜１２がアンダーエッチングされた様子を示す概略的な平面拡大図である。図２（ｆ）では、レジスト膜１７下でのアンダーエッチングを示すために、レジスト膜１７下の窒化珪素膜１２を点線で示してある。図２（ｆ）にもあるように、アンダーエッチングによって窒化珪素膜１２の探針部４を形成する部分はレジスト膜１７の形状より細くなっている。また、窒化珪素膜１２は、くびれ部分１９の下でアンダーエッチングによって、窒化珪素膜１２の薄膜部１８の下の部分と窒化珪素膜１２の探針部４を形成する部分とに切り離される。このため、窒化珪素膜１２の探針部４を形成する部分の先端部分は鋭く細くなり、極めて先鋭化される。 
 【００４４】最後に、レジスト膜１７を取り除き、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液またはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液などのシリコン用のエッチング液に含浸し、窒化珪素膜１２、１３をマスクとして、基板１１の露出した部分を異方性エッチングにより取り除く（図２（ｇ）、（ｈ））。これによって、窒化珪素膜および金よりなる走査型プローブ顕微鏡の探針を、半導体製造技術を利用して一括して安価に製造することができる。 
 【００４５】シリコン基板に窒化珪素膜を形成することで窒化珪素膜および金よりなる走査型プローブ顕微鏡の探針を製造する工程を示したが、例えばシリコン基板に酸化珪素膜を形成することで、酸化珪素膜および金よりなる走査型プローブ顕微鏡の探針を製造することもできる。」 
 （２）「【００４９】次に、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液またはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液などのシリコン用のエッチング液に含浸し、窒化珪素膜１２、１３をマスクとして、基板１１の開口２０から露出した部分を異方性エッチングし、開口２０と連続しかつ傾斜面２２を有する深さ約２μｍの溝２１を基板１１に形成する（図３（ｂ））。基板１１には（１００）面方位のシリコン単結晶が用いられているので、傾斜面２２はシリコン単結晶の（１１１）面であり、傾斜面２２が溝２１の底面すなわち基板１１表面に対してなす角度は約５４．７４゜となる。後述するように、この角度が、探針の先端部分が探針部４、検出部３およびカンチレバー部に対して傾斜して突出する角度となる。」 
 （３）「【００５５】本実施形態の走査型プローブ顕微鏡の探針は、探針部４が細く長いため、半導体試料のトレンチ５や溝に差し入れることができる。探針部４の先端部分または側面部分と半導体試料のトレンチ５の側壁または底面などの内壁との間に相互作用力が働けば、それに応じてカンチレバー部２などがたわみ、高い感度で検出部３の光反射面が傾く。検出部３の光反射面の角度の変化は、光てこ法などにより検出することができる。例えば、検出部３の光反射面にレーザー６などによりレーザー光を照射し、その反射光を分割型フォトダイオード７で受光すれば、高い感度で検出部３の光反射面の角度変化を検出することができる。分割型フォトダイオード７には４分割フォトダイオードを用いるが、左右に分割された２分割フォトダイオードでもよい。 
 【００５６】探針部４の側面に作用する力は、半導体試料のトレンチ５の側壁との間の相互作用を反映したものであり、探針部４の先端に作用する力は、トレンチ５の底面との間の相互作用を反映したものである。このため、探針部４に力が作用することによってたわむ検出部３の光反射面の角度変化を検出することで、探針部４と半導体試料のトレンチ５の内壁との間の相互作用力を検知でき、半導体試料のトレンチ５の内壁形状をイメージングし、観察することができる。また、探針部４の先端部分が横または斜め方向に突出していれば、半導体試料のトレンチ５の側壁との間の相互作用力をより高感度に検出することが可能である。」 
 （４）「【００５９】探針の支持体１は、クリップ３０により、圧電体素子であるＺ軸方向駆動用ＰＺＴ素子３１の自由端側に保持されている。Ｚ軸方向駆動用ＰＺＴ素子３１の他端は、ブロック３２に固定されている。圧電体素子であるＸ軸方向駆動用ＰＺＴ素子３３およびＹ軸方向駆動用ＰＺＴ素子３４のそれぞれの自由端は共にブロック３２に固定され、それぞれの固定端はフレーム３５に固定されている。フレーム３５は３つのマイクロメーター３６のより支えられている。半導体レーザー６、４分割フォトダイオード７、およびミラー３７は、それぞれ位置調整されてブロック３２に固定されている。半導体レーザー６からの発光や４分割フォトダイオード７からの出力は、フレーム３５上に設けられた電気回路３８により処理される。クリップ３０の下面には、ノンコンタクトモードの観察用に振動子３９が設けられている。 
 【００６０】このような構成の走査型プローブ顕微鏡は次のような動作により、試料５の表面形状のイメージングを行う。デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）４０により発生された探針駆動信号は、ＤＡ変換回路４１により電圧に変換され、ハイボルテージアンプ４２により昇圧された後、探針駆動用のＰＺＴ素子３３および３４に印加される。これによって、探針が試料の平面方向に移動し、探針の探針部４と試料５との相対距離が変化する。従って、試料５と探針部４との間の相互作用力が変化し、探針の検出部３がたわみ、検出部３の光反射面の角度が変化する。 
 【００６１】一方、半導体レーザー６によりミラー３７を介して検出部３の光反射面に照射された光は、反射され、４分割フォトダイオード７により検出される。４分割フォトダイオード７により検出された検出部３の光反射面の角度変化すなわち試料５と探針の探針部４との間の相互作用力の変化に対応する信号は、プリアンプ４３で増幅され、ロックインアンプ４４を経て、ＡＤ変換器４５によりデジタル化され、ＤＳＰ４０に入力される。 
 【００６２】ＤＳＰ４０内部では試料５と探針の探針部４との間の相互作用力の変化に対応して試料と探針の探針部４との相対距離を一定に保つサーボの計算が行われ、フィードバック信号がＤＡ４１とハイボルテージアンプ４２を経てＺ軸方向駆動用ＰＺＴ４１に印加される。このフィードバック信号は試料５の表面形状を反映するものであり、ＤＳＰ４０につながれたパソコン４７によってディスプレイに表示され、データは記憶される。」 
 （５）「【００７７】また、このように探針にねじれ共振を励起して探針と試料との間に作用する力を検出する方法においては、探針を試料表面に対して傾斜させて走査し、試料形状をイメージングすることもできる。この場合の力検出方法の概念図を図９に示す。」 
 （６）「【０１３４】具体的な実施形態をあげたが、本発明は前述の実施形態には限定されない。また、本発明は、原子間力顕微鏡に限らず、例えば探針の探針部の先端に金属膜などの導電膜や磁性体膜を形成すれば、走査型トンネル顕微鏡、走査型電気容量顕微鏡、走査型静電気力顕微鏡、走査型磁気力顕微鏡など、種々の走査型プローブ顕微鏡において適用することができる。」 
 （７）「【０００４】原子間力顕微鏡などの走査型プローブ顕微鏡が広く用いられている工業分野、特に半導体分野においては、垂直に近い側壁を有する形状の試料を観察あるいは測定する必要性があった。しかしながら、従来の走査型プローブ顕微鏡では、探針部と探針部の真下にある試料との間の相互作用しか検出できないため、垂直な形状を精密に観察することは困難であった。試料を傾ければ、試料の垂直な側壁と探針部との間の力を検知することはできるが、微細な垂直形状の精密な観察は難しかった。」 
 （８）図１，３，４には、支持体１、カンチレバー部２、検知部３、探針部４が順に接続され、光反射面が検出部３上に設けられ、探針部４をカンチレバー２の支持部１に接続された側とは反対側の、自由端側に設けることが記載されている。 
 （９）上記摘記事項１の、成膜及びエッチング工程からなる製法に関する記載、及び図２の正面図（ｄ）及び側面図（ｇ）からみて、カンチレバー部２が薄い板状であることはあきらかである。 
 　 
 　上記記載から、引用例１には次の発明が記載されている（以下「引用発明１」という。）。 
 「支持体１、カンチレバー部２、検知部３、探針部４を順に備え、光反射面が検出部３上に設けられ、 
 カンチレバー部２は探針部４に力が働くとたわむ板状のものであり、探針部４をその自由端側に備え、該探針部４および検出部３を支持体１に接続しかつ支持しており、 
 カンチレバー部２、検出部３、および探針部４は実質的に同一軸上に連続して形成され、 
 試料５と探針の探針部４との間の相互作用力の変化に対応して試料と探針の探針部４との相対距離を一定に保ちながら探針が試料の平面方向に移動し、 
 カンチレバー部２などのたわみ量を、カンチレバー部２と同一軸上に設けられた検出部３の光反射面の角度変化を検出することにより、試料５と探針部４との間の相互作用力を測定する、原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡、走査型電気容量顕微鏡、走査型静電気力顕微鏡、走査型磁気力顕微鏡などの走査型プローブ顕微鏡。」 
 　 
 ３−２．引用例２には、次の記載がある。 
 （１）「【請求項１】 試料を３次元方向に移動させるための圧電素子と、この圧電素子を駆動するための圧電素子駆動回路と、プローブを先端に有するカンチレバーと、カンチレバーの変位角度を検出するためのレーザ光源およびレーザー光検出素子とを備え、カンチレバーを取り替えて使用することが可能な走査型マルチプローブ顕微鏡であって、冷凍機冷却による大口径超伝導磁石の作る強磁場中に真空容器を設置し、真空容器内部に試料と前記圧電素子と前記カンチレバーを設置し、真空容器内部または外部に設置された前記レーザ光源および前記レーザー光検出素子により、前記カンチレバーの変位角度を測定することにより、試料表面の測定を行うことを特徴とする磁場中走査型マルチプローブ顕微鏡。」 
 （２）「【０００８】それぞれのカンチレバー（４）の上下変動による変位角度の検出は、レーザ光源（５）およびレーザー光検出素子（６）によってなされる。レーザー光源（５）より照射されるレーザー光は、カンチレバー（４）先端に設置された反射板（９）によって反射され、反射角度がレーザー光検出素子（６）によって測定される。測定される反射角度はカンチレバー（４）の変位に比例しており、カンチレバー（４）を構成するスプリングのバネ定数が既知であるから、プローブ（７）と試料（１）間に働く力を算出することが可能である。」 
 　 
 ４．対比 
 　引用発明１の 
 (a)「探針部４」、(b)「力が働くとたわむ」、(c)「探針が試料の平面方向に移動」、(d)「カンチレバー部２などがたわむことによる探針の検出部３の光反射面の角度変化を検出」 
 は、それぞれ本願発明の  
 (a)「プローブ」、(b)「弾性的に屈曲可能な」、(c)「プローブの先端と試料表面とを相対移動させ」、(d)「カンチレバーの屈曲量を検出」 
 に相当することが明らかである。 
 　また、引用発明１のカンチレバー２は「探針部４および検出部３を支持体１に接続しかつ支持」するものであり、ここで、カンチレバー部２の支持体側が本願発明の「基端」に相当し、また、探針部４および検出部３はカンチレバー部２を介して支持体１に接続しかつ支持されるのであるから、カンチレバー部２は当然に支持体１にその前記「基端」に於いて固定されているのであり、引用発明１の「該探針部４および検出部３を支持体１に接続しかつ支持しており」は、本願発明の「基端を固定し自由端にプローブを設けた・・・カンチレバー」に相当する。 
 　また、引用発明１に於ける「相対距離」は、「一定に保」つものであり、「探針が試料の平面方向に移動」することで「変化する」もの（上記摘記事項（３）参照）であって、また、磁気力や原子間力などの相互作用力が及ぶ程度の距離であることから、ゼロではない有限の、ごく小さい距離であることが明らかである。よって、引用発明１の「試料と探針の探針部４との相対距離を一定に保」つことは、本願発明の「プローブの先端と試料表面との間隔を極微小に保」つことに相当する。 
 　また、引用発明１の「試料５と探針部４との間の相互作用力」と本願発明の「プローブに働くトルク」とは、共に「プローブに働く力」である点で共通する。 
 　よって両者は、 
 （一致点） 
 「基端を固定し自由端にプローブを設けた弾性的に屈曲可能な板状のカンチレバーを試料表面に対して配置し、プローブの先端と試料表面との間隔を極微小に保ちながら相対移動させ、カンチレバーの屈曲量を検出することによりプローブに働く力を測定することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。」 
 の点で一致し、以下の各点で相違する。 
 （相違点１） 
 　本願発明のカンチレバーは試料表面に垂直に配置されているのに対し、引用発明１のカンチレバーが試料表面に垂直であるかは明確でない点。 
 （相違点２） 
 　本願発明が測定対象とするプローブに働く力はトルクであり、このことを以て走査型プローブ顕微鏡の種類として特に「走査型トルク顕微鏡」と特定しているのに対し、引用発明１が測定対象としている前記力がトルクであるのか否か、定かではなく、走査型プローブ顕微鏡の種類として特に「走査型トルク顕微鏡」とは特定していない点。 
 　 
 ５．相違点の検討 
 （１）相違点１について 
 　引用発明１の顕微鏡に於いては、カンチレバー部２、検出部３、および探針部４は実質的に同一軸上に連続して形成されている。 
 　また、引用例１では、先行する図１及び４で、カンチレバー部は試料表面に対し垂直に描かれているのに対し、後続の、カンチレバー部が試料表面に対して傾斜して描かれた図９に関しては、「探針を試料表面に対して傾斜させて走査し、試料形状をイメージングすることもできる。」（上記摘記事項３−１．（５））と記載されている。 
 　また、引用発明１は、引用例１の 
 「本実施形態の探針は、探針部４が細くて長く、更にカンチレバー部２、検出部３、および探針部４が同一軸上に形成されているため、空間的な制約が少ない。このため、微細な溝に探針部を差し入れることが可能で、かつ探針を微細な凹凸形状を有する試料上に走査させることができる。」（摘記事項３−１．（１）【００３７】） 
 「探針部４の側面に作用する力は、半導体試料のトレンチ５の側壁との間の相互作用を反映したものであり、探針部４の先端に作用する力は、トレンチ５の底面との間の相互作用を反映したものである。このため、探針部４に力が作用することによってたわむ検出部３の光反射面の角度変化を検出することで、探針部４と半導体試料のトレンチ５の内壁との間の相互作用力を検知でき、半導体試料のトレンチ５の内壁形状をイメージングし、観察することができる。」（摘記事項３−１．（３）【００５６】） 
 及び摘記事項３−１．（７）の各記載からみて、試料の微細な溝の垂直な側壁と底面をも測定対象とすることを意図するものであることから、もしカンチレバーや探針部が試料表面の垂直方向に対し傾斜していた場合、種々の方向に面する前記垂直な側壁に対し均等に測定ができず、該溝の底面についても、測定できない死角が生じてしまうことになり、不適当である。 
 　以上のことからみて、引用発明１に於いて、同一軸上に形成されたカンチレバー部と探針部とは、試料表面に対して垂直に配置されているものであることが明らかである。 
 　よって、該相違点１は、実質的な相違点ではない。 
 　 
 （２）相違点２について 
 　トルクとは、力のモーメントの意味であり、回転軸と作用点（力点）との距離と力の積で定義される量である。 
 　一方、引用発明１は、支持体に一端を固定された片持梁であるカンチレバー部の自由端に働く試料５と探針の探針部４との間の相互作用力による、光反射面の角度変化を測定するものであり、前記相互作用力は、一端のみ固定されたカンチレバー部の重心ではない部位に作用する力であるから、カンチレバー部に対しトルクを与える力に外ならず、前記角度変化は該トルクにより生じる変化であり、よって、該角度変化を測定することは、実質的に、前記トルクを測定していることに外ならない。 
 　したがって、該相違点２は、実質的な相違点ではない。 
 　また、仮に、前記のごとく引用発明１が実質的にトルクを求めているとまでは言えないとしても、本願発明は、明細書【０００８】に記載されたとおり、トルクと称する量を具体的にはカンチレバー部の傾き角（角度変化）θと比例定数Ｋとの積として演算し、これと前記相互作用力とを釣り合わせる演算を経て該相互作用力を求めており、走査型プローブ顕微鏡に於いて、カンチレバーの角度変化と比例定数の積から相互作用力を求めることは、引用例２にも記載されたとおり周知慣用の技術に過ぎず、引用発明１に於いて、カンチレバーの角度変化量の測定値と比例定数との積を測定することで相互作用力を求めるようにすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。 
 　 
 　 
 III．本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項及び第６項第１，２号に規定する要件を満たしていない。  
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 （１）請求項１に記載された「トルク」とは、一般に、力のモーメント、即ち、力と、その作用点（力点）と回転軸との距離の積として定義される物理量であるが、発明の詳細な説明では、回転角θに比例する量Ｋθとして定義され、該定義には「距離」の概念が含まれていない。よって、本願発明に於けるトルクなる語句の意味と、発明の詳細な説明に於いて為された定義とは矛盾しており、また、該矛盾のために、本願発明に於ける「トルク」が如何なる物理量で、如何に求められるものであるのかが不明となっている。 
』 
　 
　そして、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。