【事件の表示】
　平成１１年特許願第３５６８７３号「半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　７日出願公開、特開２０００−３１１８９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年１２月１６日（パリ条約による優先権主張　１９９８年１２月１６日　米国（ＵＳ））の出願であって、平成１６年１０月２８日付け手続補正を平成１７年３月１４日付けで補正却下するとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月２０日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、これに対し、指定期間内である平成１９年２月２日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年７月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年７月２０日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　（Ａ）　半導体基板（１）上に、金属層（３）を堆積するステップと、
（Ｂ）　前記導電層（３）上に、ハードマスク層（５）をプラズマ堆積するステップと、
（Ｃ）　前記ハードマスク層（５）上に、厚さが０．８６μｍ以下のホトレジスト層（７）を堆積するステップと、
（Ｄ）　前記ホトレジスト層（７）をパターン化して前記ハードマスク層の一部を露出するステップと、
（Ｅ）　前記ハードマスク層の露出した部分をハードマスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層（３）の一部を露出するステップと、
（Ｆ）　前記パターン化したホトレジスト層及び前記ハードマスク層を介して、前記導電層（３）の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップであって、前記ホトレジスト層と前記ハードマスク層を組合せることは、両方の厚さの低減を可能にする
からなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「（Ｆ）　前記導電層（３）の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップ」を「（Ｆ）　前記パターン化したホトレジスト層及び前記ハードマスク層を介して、前記導電層（３）の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップであって、前記ホトレジスト層と前記ハードマスク層を組合せることは、両方の厚さの低減を可能にする」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
　（１）刊行物に記載された発明
　　（ア）刊行物１：特開平８−２０３９１１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１には、「Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法」（発明の名称）に関して、図１とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、引用箇所などのうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体装置の電極・配線等に用いるＡｌ系金属層のプラズマエッチング方法に関し
「【０００８】一方、
サブハーフミクロンクラスの高集積化した微細なデザインルールのもとでは、フォトリソグラフィにおける露光時の解像度を向上するためにも、レジストの塗布厚を低減することが要求される
レジスト塗布厚低減による微細加工性の確保と、対レジストマスク選択比の確保とはトレードオフの関係にあり
「【００１９】
Ｆを含む無機系材料層としては、ＳｉＯＦおよびＳｉＯＮＦを例示できる。これらは、ＳｉＯ
ｘ
Ｆ
ｙ
およびＳｉＯ
ｘ
Ｎ
ｙ
Ｆ
ｚ
の形で表記されるべき化合物であり、必ずしもストイキオメトリ組成を有するものではない。すなわち、通常の無機誘電体材料であるＳｉＯ
２
やＳｉＯＮ中ににＦが含まれた構造とみるべきである
「【００３０】
本発明で採用するＳｉＯＦあるいはＳｉＯＮＦ等の無機系材料マスクは、Ｆを含有するとは言え、もともとはＳｉＯ
２
系ないしはＳｉＯＮ系の材料であるから、Ａｌ系金属層のプラズマエッチングにおいては対エッチングマスク選択比は充分に確保することが可能である
「【００３５】本実施例で用いた試料は、図示しない
Ｓｉ等の半導体基板上のＳｉＯ
２
からなる層間絶縁膜１上に形成したＴｉ層およびＴｉＮ層の積層による密着層兼バリアメタル層２、Ａｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層３およびＳｉＯＦからなる無機系材料層４およびレジストマスク５が順次形成されたものである
密着層兼バリアメタル層２は下層のＴｉ層が３０ｎｍ、上層のＴｉＮ層が７０ｎｍで合計１００ｎｍをいずれもスパッタリングないし反応性スパッタリングにより形成したものである。Ａｌ系金属層４はこれもスパッタリングにより５００ｎｍの厚さに堆積したものである
無機系材料層４は、一例として基板バイアス印加が可能なＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により
１００ｎｍの厚さに形成した
レジストマスク５は無機系材料層４をパターニングするためのマスクであり
０．３５μｍ幅のパターンに選択的に形成したものである
【００３６】
つぎにレジストマスク５をマスクとし、無機系材料層４をＦ系ガスを用いてパターニングした後、レジストマスク５はアッシング除去する
【００３７】この被エッチング基板を基板バイアス印加型のヘリコン波プラズマエッチング装置の基板ステージ上にセッティングし、
Ａｌ系金属層の一般的なエッチングガスであるＢＣｌ
３
／Ｃｌ
２
混合ガスによりＡｌ系金属層３およ密着層兼バリアメタル層２を含む積層膜を一例として下記条件により連続的にパターニングした
　　　　ＢＣｌ３流量　　　　　　　　５０　　ｓｃｃｍ
　　　　Ｃｌ２流量　　　　　　　　　５０　　ｓｃｃｍ
　　　　ガス圧力　　　　　　　　０．１３　　Ｐａ
　　　　ヘリコン波電源パワー　　２５００　　Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
　　　　基板バイアスパワー　　　　１００　　Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
　　　　基板温度　　　　　　　　　　２０　　℃
なお基板温度は、温度制御された基板ステージの上面より被処理基板裏面に向けて熱伝導ガスとしてのＨｅを１０ｓｃｃｍ流出させて一定温度を保った。プラズマエッチング進行中の被エッチング基板の状態を図１（ｃ）に示す。
通常、ＳｉＯ
２
やＳｉＯＮ等の無機系材料をエッチングマスクとし、ＢＣｌ
３
／Ｃｌ
２
混合ガスによりＡｌ系金属層をプラズマエッチングする
　さらに、図１の（ａ）には、「レジストマスク５をパターン化してＳｉＯＦからなる無機系材料層４の一部を露出した」様子が示され、（ｂ）には、「ＳｉＯＦからなる無機系材料層４の露出した部分をエッチングして、Ａｌ系金属層３の一部を露出した」様子が示され、（ｃ）及び（ｄ）には、「パターン化したＳｉＯＦからなる無機系材料層４を介して、Ａｌ系金属層３及び密着層兼バリアメタル層２の露出した部分をエッチングした」様子が示されている。
　以上から、刊行物１には、
「半導体基板上の層間絶縁膜１上に、Ｔｉ層及びＴｉＮ層の積層による密着層兼バリアメタル層２及びＡｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層３をスパッタリングにより堆積し、
　Ａｌ系金属層３上に、ＳｉＯＦからなる無機系材料層４をＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により、１００ｎｍの厚さに形成し、
　ＳｉＯＦからなる無機系材料層４上に、レジストマスク５を形成し、
　レジストマスク５は無機系材料層４をパターニングするためのマスクであり、パターン化して、ＳｉＯＦからなる無機系材料層４の一部を露出し、
　次に、レジストマスク５をマスクとし、無機系材料層４の露出した部分をＦ系ガスを用いてエッチングしてパターニングしＡｌ系金属層３の一部を露出した後、レジストマスク５はアッシング除去し、
　パターン化したＳｉＯＦからなる無機系材料層４を介して、Ａｌ系金属層の一般的なエッチングガスであるＢＣｌ３／Ｃｌ２混合ガスによりＡｌ系金属層３及び密着層兼バリアメタル層２を含む積層膜の露出した部分をエッチングして連続的にパターニングしたＡｌ系金属層のプラズマエッチング方法」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　　（イ）刊行物２：特開平１０−２５６１４９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物２には、「レジストパターンの形成方法」（発明の名称）に関して、図３とともに以下の事項が記載されている。
「【００２６】図３に、以下に説明する本発明の第１、第２の実施例で用いた、ＫｒＦエキシマレーザー用レジストのレジスト膜厚によるパターン寸法（ＣＤ；Ｃritical Ｄimention）の変動曲線を示す。図３を参照すると、この変動曲線の極小値の
レジスト膜厚は０．６６μｍ
レジスト膜厚は０．７１μｍ
　さらに、図３には、「
レジスト膜厚として、０．６４５〜０．７２５μｍ
　
　　（ウ）刊行物３：特開平１０−３０１２９３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物３には、「パターン形成方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【００２４】・・・
レジスト膜の膜厚は０.８μｍ 
「【００３２】・・・本実施例の場合、
ホトレジストの膜厚０.８μｍを０.４μｍ
　
　　（エ）刊行物４：特開平１０−３０７３９９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物４には、「レジスト用感光性樹脂組成物」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【０１４４】・・・この発明の溶液状態のレジスト用感光性樹脂組成物を、スピンコート法により、乾燥（プリベーク）後の
厚さが０．４μｍのレジスト膜
「【０１５８】・・・この発明の溶液状態のレジスト用感光性樹脂組成物を、スピンコート法により、乾燥（プリベーク）後の
厚さが０．３μｍのレジスト膜
「【０１７３】・・・この発明の溶液状態のレジスト用感光性樹脂組成物を、スピンコート法により、乾燥（プリベーク）後の
厚さが０．４μｍのレジスト膜
　
　　（オ）刊行物５：特開平１０−３２６０２０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物５には、「レジストパターンの製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【００３４】・・・プリベーク後の
レジストの膜厚は、０.７μm
　
　　（カ）刊行物６：特開平１０−１８９４４１号公報
　刊行物６には、「基板のホトリソグラフィック処理における精度を改善するための方法及び装置」（発明の名称）に関して、図５（Ｂ），図１０とともに以下の事項が記載されている。
「【００６１】ホトレジスト層２２５は現像され（ステップ４４０）、ホトレジスト層２２５に形成されたパターンがエッチング工程（ステップ４５０）によってハードマスク２５０に転写される。そして、
ここでの除去が望ましいならホトレジスト層２２５の残余部分が除去される（ステップ４６０）。次に下層２３０はハードマスク２５０を用いてパターン形成され
【００６２】
代わりに、より慣例的な技術に従って、下層２３０のパターン形成中にはホトレジスト層２２５を所定の位置に残しておき、その後にハードマスク２５０及びＡＲＣ２１０と共に除去することもできる
「【００７２】図１０はホトレジストの線幅対ホトレジスト層の厚さのグラフである。線幅は、用語が示唆するように、基板に堆積された材料のストリップの幅である。シュミレーションにおいて、
ホトレジスト層の厚さは、８００〜９００ｎｍ（０．８〜０．９ミクロン）の間で変えられた
【００７３】・・・
ハードマスクを付加すると、ホトレジスト層の厚さの変化に関連した線幅の変化が更に低減する
　
　　（キ）刊行物７：特開平１０−２０９１３４号公報
　刊行物７には、「パターン形成方法」（発明の名称）に関して、図１，図２，図６とともに以下の事項が記載されている。
「【０１３３】次に、図１（ｆ）に示すように、
レジストパターン５と有機シリコン膜パターン６をエッチングマスクとして用いて、被加工膜２の加工を行う
「【０１３５】また、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、
レジストパターン５を除去して、図２（ｃ）に示すように、有機シリコン膜パターン６のみをエッチングマスクとして用いて、被加工膜２をエッチングし、パターン７を形成してもよい
「【０３７９】また、
レジスト膜厚を１００〜２００ｎｍの範囲で変化させて
　
　（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「Ｔｉ層及びＴｉＮ層の積層による密着層兼バリアメタル層２及びＡｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層３」（以下、「Ａｌ系金属層等」という。）、「ＳｉＯＦからなる無機系材料層４」、「ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により、１００ｎｍの厚さに形成」、「レジストマスク５」、「Ｆ系ガス」、「Ａｌ系金属層の一般的なエッチングガスであるＢＣｌ３／Ｃｌ２混合ガス」は、それぞれ本願補正発明の「金属層，導電層」、「マスク層」、「プラズマ堆積」、「ホトレジスト層」、「マスク用エッチング剤」、「金属用エッチング剤」に相当する。
　そして、引用発明の「Ｔｉ層及びＴｉＮ層の積層による密着層兼バリアメタル層２及びＡｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層３をスパッタリングにより堆積」する工程は、本願補正発明の「金属層を堆積するステップ」に相当する。
　引用発明の「Ａｌ系金属層３上に、ＳｉＯＦからなる無機系材料層４をＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により、１００ｎｍの厚さに形成」する工程は、本願補正発明の「前記導電層上に、」「マスク層をプラズマ堆積するステップ」に相当する。
　引用発明の「ＳｉＯＦからなる無機系材料層４上に、レジストマスク５を形成」する工程は、本願補正発明の「前記」「マスク層上に、」「ホトレジスト層を堆積するステップ」に相当する。
　引用発明の「レジストマスク５は無機系材料層４をパターニングするためのマスクであり、パターン化して、ＳｉＯＦからなる無機系材料層４の一部を露出」する工程は、本願補正発明の「前記ホトレジスト層をパターン化して前記」「マスク層の一部を露出するステップ」に相当する。
　引用発明の「無機系材料層４の露出した部分をＦ系ガスを用いてエッチングしてパターニングしＡｌ系金属層３の一部を露出」する工程は、本願補正発明の「前記」「マスク層の露出した部分を」「マスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層の一部を露出するステップ」に相当する。
　引用発明の「Ａｌ系金属層の一般的なエッチングガスであるＢＣｌ３／Ｃｌ２混合ガスによりＡｌ系金属層３及び密着層兼バリアメタル層２を含む積層膜の露出した部分をエッチングして連続的にパターニング」する工程は、本願補正発明の「前記導電層の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップ」に相当する。
　さらに、引用発明のＡｌ系金属層等は、半導体装置の電極・配線等に用いるので、引用発明の「Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法」は、本願補正発明の「半導体デバイスの製造方法」に相当する。
　ゆえに、両者は、
「（Ａ）　金属層を堆積するステップと、
（Ｂ）　前記導電層上に、マスク層をプラズマ堆積するステップと、
（Ｃ）　前記マスク層上に、ホトレジスト層を堆積するステップと、
（Ｄ）　前記ホトレジスト層をパターン化して前記マスク層の一部を露出するステップと、
（Ｅ）　前記マスク層の露出した部分をマスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層の一部を露出するステップと、
（Ｆ）　前記導電層の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップ
からなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］金属層を、本願補正発明では、「半導体基板上」に堆積しているのに対して、引用発明では「半導体基板上の層間絶縁膜上」に堆積している点。
［相違点２］本願補正発明では、「ハードマスク層」であるのに対して、引用発明では、「ＳｉＯＦからなる無機系材料層」である点。
［相違点３］ホトレジスト層の厚さが、本願補正発明では、「０．８６μｍ以下」であるのに対して、引用発明では、特定されていない点。
［相違点４］導電層の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングする際、本願補正発明では、「パターン化したホトレジスト層及びハードマスク層を介して」行い、「ホトレジスト層とハードマスク層を組合せることは、両方の厚さの低減を可能にする」のに対して、引用発明では、「ＳｉＯＦからなる無機系材料層を介して」行っている点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　半導体技術分野では、「半導体基板上に、金属層を堆積する」とは、「半導体基板上に直接接して、金属層を堆積する」場合と「半導体基板の上方ではあるが、別の層を介して、金属層を堆積する」場合の両者を含むことは常識であって、引用発明の場合は、後者に該当するから、Ａｌ系金属層等は半導体基板上に堆積されていると言え、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、本願補正発明は、「半導体基板上に直接接して、金属層を堆積する」ものであるとしても、引用発明において、半導体基板上に直接接して、Ａｌ系金属層等（金属層）を堆積することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
［相違点２］
　本願明細書には、「【０００６】このような問題は、
金属エッチング剤に対し大きな抵抗力を有する他の材料（例えば二酸化シリコン製ハードマスク）
ハードマスク材料は
シリコン酸素窒化物
二酸化シリコン
　そして、刊行物１に、「【００３０】
本発明で採用するＳｉＯＦあるいはＳｉＯＮＦ等の無機系材料マスクは、Ｆを含有するとは言え、もともとはＳｉＯ
２
系ないしはＳｉＯＮ系の材料であるから、Ａｌ系金属層のプラズマエッチングにおいては対エッチングマスク選択比は充分に確保することが可能である
　ゆえに、引用発明の「ＳｉＯＦからなる無機系材料層」は、実質的に本願補正発明の「ハードマスク」に相当するものであって、相違点２は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、刊行物１には、「【００３７】
通常、ＳｉＯ
２
やＳｉＯＮ等の無機系材料をエッチングマスクとし
　
［相違点３］
　刊行物１には、「【０００８】・・・
露光時の解像度を向上するためにも、レジストの塗布厚を低減することが要求される
レジスト塗布厚低減による微細加工性の確保と、対レジストマスク選択比の確保とはトレードオフの関係にあり・・・
　ゆえに、引用発明において、レジストマスク（ホトレジスト層）の厚さを「０．８６μｍ以下」とすることは、上記刊行物１記載の課題及び上記周知技術であるレジストマスク（ホトレジスト層）の厚さを考慮して、当業者が実験などにより適宜決定し得たことである。
　
［相違点４］
　刊行物６，７にも示されるように、ハードマスク等の層とホトレジスト層を用いてエッチングを行う場合に、ホトレジスト層を残さない場合と残す場合の両方があることは、周知技術であり、引用発明において、レジストマスク（ホトレジスト層）を残してパターン化したレジストマスク（ホトレジスト層）及び無機系材料層（ハードマスク層）を介してＡｌ系金属層等（導電層）をエッチングすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、引用発明において、レジストマスク（ホトレジスト層）を残した場合、レジストマスク（ホトレジスト層）と無機系材料層（ハードマスク層）の両方がマスクになるのであるから、レジストマスク（ホトレジスト層）と無機系材料層（ハードマスク層）の両方の厚さの低減が可能になることは、当然のことにすぎない。
　仮に、レジストマスク（ホトレジスト層）と無機系材料層（ハードマスク層）の両方の厚さの低減が可能になることは、当然のことでないとしても、引用発明の無機系材料層は１００ｎｍの厚さに形成されており、本願補正発明の実験例２６（【００３２】）の「１００ｎｍのハードマスク」と同じ厚さであり、さらに、上記相違点３において検討したとおり、引用発明において、レジストマスク（ホトレジスト層）の厚さを「０．８６μｍ以下」とすることは、上記刊行物１記載の課題及び上記周知技術であるレジストマスク（ホトレジスト層）の厚さを考慮して、当業者が実験などにより適宜決定し得たことであるから、引用発明において、レジストマスク（ホトレジスト層）を残した場合に、レジストマスク（ホトレジスト層）と無機系材料層（ハードマスク層）の両方の厚さの低減を可能とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物１に記載された発明及び周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１７年７月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１５年７月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　ただし、平成１５年７月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１には「（Ａ）　半導体基板（１）上に、導電層（３）を
マラズマ
マラズマ
　さらに、「導電層（３）をプラズマ堆積する」ことは、本願明細書及び図面に記載はなく、平成１５年７月１６日付け意見書中でも「別途提出した手続補正書において補正された請求項１においては、ハードマスクが
プラズマ堆積
プラズマ
　ゆえに、「（Ａ）　半導体基板（１）上に、導電層（３）を
マラズマ
プラズマ
　
「【請求項１】　（Ａ）　半導体基板（１）上に、導電層（３）を堆積するステップと、
（Ｂ）　前記導電層（３）上に、ハードマスク層（５）を
プラズマ
（Ｃ）　前記ハードマスク層（５）上に、厚さが０．８６μｍ以下のホトレジスト層（７）を堆積するステップと、
（Ｄ）　前記ホトレジスト層（７）をパターン化して前記ハードマスク層の一部を露出するステップと、
（Ｅ）　前記ハードマスク層の露出した部分をハードマスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層（３）の一部を露出するステップと、
（Ｆ）　前記導電層（３）の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップと、
からなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
　
　２　刊行物に記載された発明
　前記「第２　２（１）」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「Ｔｉ層及びＴｉＮ層の積層による密着層兼バリアメタル層２及びＡｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層３」（以下、「Ａｌ系金属層等」という。）、「ＳｉＯＦからなる無機系材料層４」、「ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により、１００ｎｍの厚さに形成」、「レジストマスク５」、「Ｆ系ガス」、「Ａｌ系金属層の一般的なエッチングガスであるＢＣｌ３／Ｃｌ２混合ガス」は、それぞれ本願発明の「金属層，導電層」、「マスク層」、「プラズマ堆積」、「ホトレジスト層」、「マスク用エッチング剤」、「金属用エッチング剤」に相当する。
　そして、引用発明の「Ｔｉ層及びＴｉＮ層の積層による密着層兼バリアメタル層２及びＡｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層３をスパッタリングにより堆積」する工程は、本願発明の「金属層を堆積するステップ」に相当する。
　引用発明の「Ａｌ系金属層３上に、ＳｉＯＦからなる無機系材料層４をＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により、１００ｎｍの厚さに形成」する工程は、本願発明の「前記導電層上に、」「マスク層をプラズマ堆積するステップ」に相当する。
　引用発明の「ＳｉＯＦからなる無機系材料層４上に、レジストマスク５を形成」する工程は、本願発明の「前記」「マスク層上に、」「ホトレジスト層を堆積するステップ」に相当する。
　引用発明の「レジストマスク５は無機系材料層４をパターニングするためのマスクであり、パターン化して、ＳｉＯＦからなる無機系材料層４の一部を露出」する工程は、本願発明の「前記ホトレジスト層をパターン化して前記」「マスク層の一部を露出するステップ」に相当する。
　引用発明の「無機系材料層４の露出した部分をＦ系ガスを用いてエッチングしてパターニングしＡｌ系金属層３の一部を露出」する工程は、本願発明の「前記」「マスク層の露出した部分を」「マスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層の一部を露出するステップ」に相当する。
　引用発明の「Ａｌ系金属層の一般的なエッチングガスであるＢＣｌ３／Ｃｌ２混合ガスによりＡｌ系金属層３及び密着層兼バリアメタル層２を含む積層膜の露出した部分をエッチングして連続的にパターニング」する工程は、本願発明の「前記導電層の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップ」に相当する。
　さらに、引用発明のＡｌ系金属層等は、半導体装置の電極・配線等に用いるので、引用発明の「Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法」は、本願発明の「半導体デバイスの製造方法」に相当する。
　ゆえに、両者は、
「（Ａ）　金属層を堆積するステップと、
（Ｂ）　前記導電層上に、マスク層をプラズマ堆積するステップと、
（Ｃ）　前記マスク層上に、ホトレジスト層を堆積するステップと、
（Ｄ）　前記ホトレジスト層をパターン化して前記マスク層の一部を露出するステップと、
（Ｅ）　前記マスク層の露出した部分をマスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層の一部を露出するステップと、
（Ｆ）　前記導電層の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップと、
からなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］金属層を、本願発明では、「半導体基板上」に堆積しているのに対して、引用発明では「半導体基板上の層間絶縁膜上」に堆積している点。
［相違点２］本願発明では、「ハードマスク層」であるのに対して、引用発明では、「ＳｉＯＦからなる無機系材料層」である点。
［相違点３］ホトレジスト層の厚さが、本願発明では、「０．８６μｍ以下」であるのに対して、引用発明では、特定されていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　半導体技術分野では、「半導体基板上に、金属層を堆積する」とは、「半導体基板上に直接接して、金属層を堆積する」場合と「半導体基板の上方ではあるが、別の層を介して、金属層を堆積する」場合の両者を含むことは常識であって、引用発明の場合は、後者に該当するから、Ａｌ系金属層等は半導体基板上に堆積されていると言え、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、本願発明は、「半導体基板上に直接接して、金属層を堆積する」ものであるとしても、引用発明において、半導体基板上に直接接して、Ａｌ系金属層等（金属層）を堆積することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
［相違点２］
　本願明細書には、「【０００６】このような問題は、
金属エッチング剤に対し大きな抵抗力を有する他の材料（例えば二酸化シリコン製ハードマスク）
ハードマスク材料は
シリコン酸素窒化物
二酸化シリコン
　そして、刊行物１に、「【００３０】
本発明で採用するＳｉＯＦあるいはＳｉＯＮＦ等の無機系材料マスクは、Ｆを含有するとは言え、もともとはＳｉＯ
２
系ないしはＳｉＯＮ系の材料であるから、Ａｌ系金属層のプラズマエッチングにおいては対エッチングマスク選択比は充分に確保することが可能である
　ゆえに、引用発明の「ＳｉＯＦからなる無機系材料層」は、実質的に本願発明の「ハードマスク」に相当するものであって、相違点２は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、刊行物１には、「【００３７】
通常、ＳｉＯ
２
やＳｉＯＮ等の無機系材料をエッチングマスクとし
　
［相違点３］
　刊行物１には、「【０００８】・・・
露光時の解像度を向上するためにも、レジストの塗布厚を低減することが要求される
レジスト塗布厚低減による微細加工性の確保と、対レジストマスク選択比の確保とはトレードオフの関係にあり・・・
　ゆえに、引用発明において、レジストマスク（ホトレジスト層）の厚さを「０．８６μｍ以下」とすることは、上記刊行物１記載の課題及び上記周知技術であるレジストマスク（ホトレジスト層）の厚さを考慮して、当業者が実験などにより適宜決定し得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物１に記載された発明及び周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。