【事件の表示】
　特願２００２−　５０１２３「マスク基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月　５日出願公開、特開２００３−２４８２９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年２月２６日の出願であって、平成１７年４月４日付け及び平成１７年１１月２１日付けで手続補正がなされた後、平成１８年１０月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１８年１１月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年１２月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年１２月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１２月１１日付けの手続補正を却下する。
　
２−１［理由１］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、
「基準マークを有する透明基板と、
　前記透明基板上に設けられた遮光膜と
　を具備してなり、前記基準マークは前記透明基板上の欠陥の位置を決めるための基準となるマークであり、かつ、前記基準マークは前記透明基板の表面にエネルギービームを照射して形成され、ダストが溜まらない直径および深さを有する凹部で構成され、該凹部が前記遮光膜で被覆されていることを特徴とするマスク基板。」
と補正された。
（以下、この発明を「本願補正発明」という。）
　
　前記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「凹部」について「ダストが溜まらない直径および深さを有する」との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかに関して、先ず、特許法第２９条第２項の規定を満たすものであるかどうかについて検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−３３９４１号公報（以下、「引用例１」という。）、同じく特開昭６２−７５５３２号公報（以下、「引用例２」という。）、同じく特開平４−１１０９４４号公報（以下、「引用例３」という。）、及び同じく特開平１１−２６７８６１号公報（以下、「引用例４」という。）にはそれぞれ、以下の事項が記載されている。
　
　引用例１；
記載事項ア．；【０００１】
　「【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンの形成方法に係わり、特にマスクブランクス等の原版にＬＳＩ等のパターンを露光形成するためのパターン形成方法に関する。また、このパターン形成方法を実施するための露光装置に関する。」
　
記載事項イ．；【特許請求の範囲】
　「【請求項２】露光用マスクを作成するためのマスクブランクスの主面に所望のパターンを露光し、該ブランクスにマスクパターンを形成するためのパターン形成方法において、
　前記ブランクスの主面の少なくとも二点に位置計測マークを形成しておく工程と、
　前記ブランクスの主面の欠陥を検出すると共に、少なくとも該欠陥の種類及び前記位置計測マークに対する位置を含む欠陥解析データを取得する工程と、
　前記取得された欠陥の位置と前記ブランクスに形成すべきマスクパターンとの相対位置を比較し、前記ブランクスに対するパターンの配置位置を選択する工程と、
　前記位置計測マークを計測して露光位置を算出し、前記選択された位置に露光処理を施す工程と、
　を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】前記パターンのエッジに欠陥が位置しないようにパターン配置位置を補正又は選択することを特徴とする請求項１又は２記載パターン形成方法。
【請求項４】前記ブランクスは透明基板上に遮光膜が形成されたものであり、前記欠陥の種類に応じて、黒系欠陥は遮光膜パターンに埋もれるように、白系欠陥は遮光膜パターンの無いパターン開口に露出するように、パターン配置位置を選択することを特徴とする請求項２記載パターン形成方法。」
　
記載事項ウ．；【００３９】〜【００４１】
　「【００３９】（第３の実施形態）次に第３の実施形態として、縮小光学系を有する露光装置での転写において、原版として用いられるフォトマスクの製造に本発明を適用した例を説明する。
【００４０】フォトマスクを作成するために用いるマスクブランクスは、６０２５規格と呼ばれる石英ガラス基板の主面にクロム及びクロム酸化物の積層膜を形成した基板であり、このマスクブランクスにはその製造工程に伴ってピンホール等の欠陥が少なからず発生する。従って、まずマスクブランクスの欠陥の検査を行い、欠陥の有無の確認を行った。
【００４１】欠陥は、０．５μｍ程度のピンホールで、基板のほぼ中央に認められた。レーザリペア装置を用いて基板の対角の隅からｘ，ｙそれぞれほぼ４ｍｍ位置に格子状にパターンの焼き付けを行った。図５に、このマスクブランクスの平面構造を示す。図中の５１はマスクブランクス、５２は格子状パターン（アライメントマーク）、５３はピンホール欠陥を示している。」
　
記載事項エ．；【００４２】、【００４３】
　「【００４２】次いで、パターン位置測定器を用いてピンホールの位置と、前記２箇所に焼き付けられた格子状パターンの位置を計測した。得られた座標を用いて、基板の隅の格子状パターンを基準とする該基板の中心に露光パターンの領域を配置しようとするときの、ピンホール欠陥の位置と露光パターンの位置の関係をＣＡＤデータを参照して算出した。欠陥位置は、パターンのエッジに一部接触することが判明した。
【００４３】そこで、近接するパターンを調査し、ｘ方向２．０μｍ，ｙ方向−３．５μｍ移動すると、ピンホール欠陥はパターンの開口部のほぼ中央に位置し、製造工程でピンホール部分が除去され、欠陥として残らないことが予測された。」
　
記載事項オ．；【００４４】、【００４５】
　「【００４４】図６は、マスクブランクスに形成すべきパターンと欠陥との関係を示す模式図である。図中の６１はマスクブランクスを構成する透明基板、６２は遮光膜からなるパターン、６５はピンホール欠陥（白系欠陥）、６７はダスト等の欠陥（黒系欠陥）を示している。
【００４５】図６（ａ）は補正前の状態であり、先に説明したように、ピンホール欠陥６５がパターン６２のエッジに一部接触している。図６（ｂ）は補正後の状態であり、ピンホール欠陥６２がパターンの開口部のほぼ中央に位置している。また、欠陥６７は、図６（ａ）の補正前ではパターン６２に接しているが、図６（ｂ）の補正後ではパターン６２と離れている。パターンと離れた欠陥６７は後処理により容易に除去することが可能である。」
　
記載事項カ．；【００４６】〜【００４８】
　「【００４６】次に、マスクブランクスを洗浄した後、ヘキサメチルジシラザン蒸気処理を行い、０．５μｍ膜厚のフォトレジスト（ＴＯＫ社製ｉｐ３５００）を塗布し、ホットプレートでベーキング処理を施した。
【００４７】次いで、マスクブランクスをレーザ描画装置にセットし、前記２箇所に焼き付けられた格子状パターンの位置を計測した。そして、パターン領域全体を格子状パターンの位置を基準とした予定位置から、ｘ方向２．０μｍ，ｙ方向−３．５μｍシフトし、この条件で露光処理を施した。露光後に現像処理を施し、ドライエッチング処理を実施した後、レジストを剥離した。さらに、洗浄処理した後、欠陥検査を実施した。
【００４８】レジストパターンの異常に伴うと考えられる黒欠陥がブランクスの欠陥位置とは明らかに異なる位置に検出されたが、これは修正技術を適用することにより除去可能な孤立の欠陥であった。レーザリペア装置を用いてこの黒系欠陥を飛ばした。さらに、洗浄を行った後、ペリクルを装着した。そして、このフォトマスクを用いて縮小露光装置によりＳｉ基板上のレジストパターンに転写処理を行った後、レジストパターンの欠陥検査を実施した。その結果、フォトマスクに起因すると考えられる欠陥は検出されず、マスクの無欠陥が確認された。」
　
記載事項キ．；【００５２】、【００５３】
　「【００５２】図８（ａ）はマスクブランクスの全体構成を示し、８１は遮光領域、８２はパターン領域である。図８（ｂ）（ｃ）はパターン領域の一部を拡大して示す図である。図８（ｂ）に示すように、遮光体下地に設けた開口パターン８４の一部に欠陥（黒系欠陥）８５が接しているとする。このようにパターン８４のエッジに接した欠陥８５は修正するのが困難である。
【００５３】本実施形態では、先に説明したようにパターン位置をｘ方向及びｙ方向にずらすことにより、図８（ｃ）に示すように、欠陥８５の全てを遮光部分で覆うことができ、これにより欠陥８５の影響を無くすことができる。」
　
記載事項ク．；【００５８】
　「【００５８】第３の実施形態においては、基板上の薄膜を加工してマークを形成したが、薄膜上にパターンを設けても、薄膜或いは多層膜の形成に先立って主面に加工を施してマークの形成を行っても、同等の効果を得ることができる。」
　
　前記ア．〜ク．の記載事項、特に記載事項ク．からして、引用例１には、
「少なくとも二点の位置計測マークを有する透明基板と、前記透明基板上に設けられた遮光膜とを具備してなり、前記位置計測マークが前記遮光膜で被覆されている、露光用マスクを作成するためのマスクブランクス。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　引用例２；
記載事項ケ．；１頁左欄末行〜同右欄３行　
　「〔発明の技術分野〕本発明は基板の製造方法に関するもので、特に半導体装置を得るガラスマスク基板を使用する際に有効なものである。」
　
記載事項コ．；特許請求の範囲
　「（１）基板の主パターン有効エリヤ外にレーザーを用いてパターン認識情報を直接書き込む基板の製造方法であって、前記パターン認識情報を半導体製造上の現工程以降の処理制御条件または現工程までの検査結果としたことを特徴とする基板の製造方法。
（２）前記パターン認識情報がコード化または英数字化したパターンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の基板の製造方法。
（３）前記パターン情報が、基板上の凹凸として蝕刻されているもので、洗浄処理工程を経ても消えないものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の基板の製造方法。」
　
　引用例３；
記載事項サ．；１頁左欄下から２行〜同右欄３行
　「［産業上の利用分野］本発明は、フォトマスク基板などの種々の透明材料において、他の透明材料と識別するため、また、その透明材料の履歴や特性を記録するためのマーキング方法に関する。」
　
記載事項シ．；１頁右欄４行〜同１１行
　「［従来の技術］従来、フォトマスクなどにマーキングする方法としては、基板のコーナーを切り欠く方法、基板のパターン領域外に識別記号をレーザーなどで記録する方法（特開昭６２−７５５３２）特開昭５８−５６３１５、特開昭５７−１０４９３４）同じく領域外にバーコードや磁気記録領域を設ける方法があった。」
　
　引用例４；
記載事項ス．；【０００２】、【０００３】
　「【０００２】【従来の技術】従来のレーザー光によるマーキング方法は、レーザー光によるアブレーション（爆触）現象を利用して、たとえば透明ガラス基板などの被マーキング材料の表面に加工を行うものであったため、被マーキング材料の表面が微小に割れて、その破片が生産工程に混入するという問題がある。
【０００３】たとえば図９は、従来の光透過性材料のマーキング方法による被マーキング材料の断面側面図であって、被マーキング材料としての透明ガラス基板１（光透過性材料）の表面２の所定部位にレーザー光３を集光し、上記アブレーションにより表面２のガラスを飛ばして、くぼみを形成し、このくぼみによってマーキング４を行う。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ａ．本願補正発明の対象である「マスク基板」は、遮光膜を具備するものであり、該マスク基板がマスクブランクスである場合を包含する。（本願明細書の【特許請求の範囲】、【０００１】欄など。）
　したがって、引用発明の対象である「露光用マスクを作成するためのマスクブランクス」は、本願補正発明の対象である「マスク基板」に相当するといえる。
　
ｂ．引用例１において、
（１）上記記載事項エ．の「【００４２】次いで、パターン位置測定器を用いてピンホールの位置と、前記２箇所に焼き付けられた格子状パターンの位置を計測した。得られた座標を用いて、基板の隅の格子状パターンを基準とする該基板の中心に露光パターンの領域を配置しようとするときの、ピンホール欠陥の位置と露光パターンの位置の関係をＣＡＤデータを参照して算出した。欠陥位置は、パターンのエッジに一部接触することが判明した。【００４３】そこで、近接するパターンを調査し、ｘ方向２．０μｍ，ｙ方向−３．５μｍ移動すると、ピンホール欠陥はパターンの開口部のほぼ中央に位置し、製造工程でピンホール部分が除去され、欠陥として残らないことが予測された。」の記載内容、
　及び、記載事項オ．の「【００４４】図６は、マスクブランクスに形成すべきパターンと欠陥との関係を示す模式図である。図中の６１はマスクブランクスを構成する透明基板、６２は遮光膜からなるパターン、６５はピンホール欠陥（白系欠陥）、６７はダスト等の欠陥（黒系欠陥）を示している。【００４５】図６（ａ）は補正前の状態であり、先に説明したように、ピンホール欠陥６５がパターン６２のエッジに一部接触している。図６（ｂ）は補正後の状態であり、ピンホール欠陥６２がパターンの開口部のほぼ中央に位置している。また、欠陥６７は、図６（ａ）の補正前ではパターン６２に接しているが、図６（ｂ）の補正後ではパターン６２と離れている。パターンと離れた欠陥６７は後処理により容易に除去することが可能である。」の記載内容、
（２）図６の記載からして、黒系欠陥６７は、マスクブランクスを構成する透明基板６１上の欠陥であること、
（３）上記記載事項キ．の「【００５２】図８（ａ）はマスクブランクスの全体構成を示し、８１は遮光領域、８２はパターン領域である。図８（ｂ）（ｃ）はパターン領域の一部を拡大して示す図である。図８（ｂ）に示すように、遮光体下地に設けた開口パターン８４の一部に欠陥（黒系欠陥）８５が接しているとする。このようにパターン８４のエッジに接した欠陥８５は修正するのが困難である。【００５３】本実施形態では、先に説明したようにパターン位置をｘ方向及びｙ方向にずらすことにより、図８（ｃ）に示すように、欠陥８５の全てを遮光部分で覆うことができ、これにより欠陥８５の影響を無くすことができる。」の記載内容、
（４）前記記載事項キ．の記載内容からして、黒系欠陥８５は、遮光体下地に設けた開口パターン８４の一部に接している（【００５２】）、或いは遮光部分で覆うことができる欠陥（【００５３】）であることからして、前記黒系欠陥８５は、透明基板上の欠陥であると認められること、
　
　前記（１）乃至（４）のことからみて、引用発明の「透明基板上の少なくとも二点の位置計測マーク」は、本願補正発明の「透明基板上の欠陥の位置を決めるための基準となる基準マーク」に相当するといえる。
　
　前記ａ．及びｂ．に記載したことから、両者は、「基準マークを有する透明基板と、前記透明基板上に設けられた遮光膜とを具備してなり、前記基準マークは前記透明基板上の欠陥の位置を決めるための基準となるマークであり、前記基準マークは前記遮光膜で被覆されているマスク基板。」である点で一致し、以下の相違点が存在する。
　
相違点；　
　前記基準マークが、本願補正発明は、前記透明基板の表面にエネルギービームを照射して形成され、ダストが溜まらない直径および深さを有する凹部で構成されるのに対して、引用例１には、前記基準マークの形成手段、及び該マークの形成形態についての記載がない点。
　
（４）当審の判断
　前記相違点について検討する。
　
　引用例１には、透明基板上に基準マークを形成するのではなく、遮光膜上に基準マークを形成するためとはいえ、基準マーク形成手段としてレーザーを用いることが記載されている。（記載事項ウ．）
　また、引用例２乃至４に記載されるように、透明基板上にレーザーを照射することによって、凹部のマークを形成することは、フォトマスクの技術分野において周知の技術である。
　したがって、引用発明の透明基板上の欠陥の位置を決めるための基準マーク形成手段としてレーザー照射手段を用い、レーザーの波長、出力エネルギー等を制御して、該透明基板上に凹部を形成することは、引用例１の上記記載事項ウ．（【００４１】欄）及び引用例２乃至４に記載される周知技術に基づいて当業者が容易になし得ることである。
　
　本願補正発明は、前記凹部はダストが溜まらない直径及び深さを有する凹部であることを発明特定事項としているので、この点について更に検討する。
　
　本願明細書には、【００３５】欄に「凹部３は、上述したように例えば直径１００μｍ程度で深さが３μｍ程度であり、広く浅い形状を有している。そのため、凹部３にダストが溜まってしまうことも無い。」と記載され、続いて【００３６】欄に「凹部３の直径や深さは、一般には、例えばレーザーの波長、エネルギー（出力）またはビーム径等で制御することが可能である。本実施形態の場合であれば、例えば、波長２６６μｍ（ＹＡＧレーザの４倍高調波）、照射エネルギー２０Ｊ／ｃｍ２の条件で、レーザービーム１１の照射を行うことで、上述したサイズの凹部３を形成することができる。」と記載されている。
　しかしながら、本願明細書には、いかなる理由で凹部はダストが溜まらない直径及び深さを有する必要があるのかについては何ら記載されておらず、凹部をそのようにすることの技術的意義が不明確な面がある。しかし、基準マークとして凹部を形成する以上、凹部にダストが溜まり、凹部として機能しなくなることが好ましくないことは、当業者にとって自明である。
　
　結局、ダストが溜まらない直径及び深さを有する凹部と限定することは、当業者が容易になし得る設計的事項に過ぎず、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項は、当業者が容易になし得た事項である。
　
　そして、本願補正発明の作用・効果も、引用発明及び引用例２乃至４の周知技術から予測される範囲内のもので、格別のものではない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−２［理由２］
　次に、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかに関して、本願が特許法第３６条の規定を満たすものであるかどうかについて検討する。
　
（１）本願明細書の発明の詳細な説明には、【００３５】欄に「凹部３は、上述したように例えば直径１００μｍ程度で深さが３μｍ程度であり、広く浅い形状を有している。そのため、凹部３にダストが溜まってしまうことも無い。」と記載され、続いて【００３６】欄に「凹部３の直径や深さは、一般には、例えばレーザーの波長、エネルギー（出力）またはビーム径等で制御することが可能である。本実施形態の場合であれば、例えば、波長２６６μｍ（ＹＡＧレーザの４倍高調波）、照射エネルギー２０Ｊ／ｃｍ２の条件で、レーザービーム１１の照射を行うことで、上述したサイズの凹部３を形成することができる。」と記載されている。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、いかなる理由で凹部はダストが溜まらない直径及び深さを有する必要があるのか何等記載されてなく、凹部をそのようにすることの技術的意義が不明である。
　即ち、本願の発明の詳細な説明の記載からでは、ダストが溜まらない直径及び深さを有するものであるとする本願補正発明の凹部の果たす機能が明確でない。
　また、本願の発明の詳細な説明の記載からでは、ダストが溜まらないようにするための具体的な直径及び深さの上限、下限の範囲も不明である。
　
　したがって、本願の発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本願は特許法第３６条第４項の規定を満たさない。
　
（２）本願補正発明は、その請求項１の記載からして、ダストが溜まらない直径及び深さを有する凹部であることを発明特定事項としている。
　しかしながら、前記（１）で述べたように、本願補正発明の凹部の果たす機能が明確でないので、その請求項１の記載は、特許を受けようとする発明が明確であるものとはいえない。
　したがって、本件補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合しない。
　
　以上、（１）、（２）に記載した理由により、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年１２月１１日付けの手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年４月４日付け及び平成１７年１１月２１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）
　
「基準マークを有する透明基板と、
　前記透明基板上に設けられた遮光膜と
　を具備してなり、前記基準マークは前記透明基板上の欠陥の位置を決めるための基準となるマークであり、かつ、前記基準マークは前記透明基板の表面にエネルギービームを照射して形成した凹部で構成され、該凹部が前記遮光膜で被覆されていることを特徴とするマスク基板。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記「２−１［理由１］の（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．項で検討した本願補正発明から、「凹部」について「ダストが溜まらない直径及び深さを有する」の構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２−１［理由１］の（４）」に記載したとおり、引用例１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。