【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）であって、
（Ａ）無機粒子、
（Ｂ）一般式（Ｉ）
【化１】
2018506176.tif 000001
（式中、
Ｘは、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、ここで、Ｘはそれぞれの基の炭素原子により窒素と結合され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに独立して、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、
ｕ及びｔは、０又は１であり、
構造中にポリマーポリエーテル鎖のない式（Ｉ）の化合物については、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５の範囲の整数であり、
構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物については、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５００の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５００の範囲の整数であり、
ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、したがって、ｌ若しくはｒがゼロであるか、又はｌ及びｒがゼロであり、
ｕが１であり、かつＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、したがって、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）
の化合物、又はその塩、
（Ｃ）水性媒体
を含み、前記組成物（Ｑ）が２〜６のｐＨを有することを特徴とするＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項２】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎであり、ｕが１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８が、互いに独立して、ポリエーテルを形成するＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、ｔが０であることを特徴とし、前記ポリエーテル鎖の最後のオキシアルキレン基がヒドロキシ官能性を有する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項３】
前記ポリエーテル中のＣＨ２ＣＨ２Ｏ基の数が１〜３００の範囲にあり、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ基の数が１〜５００の範囲にある、請求項２に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項４】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２ＣＨ２Ｎであり、ｕが１であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及びＲ７がＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであることを特徴とし、ｍ、ｌ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓが１であり、ｔが０であり、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８が水素である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項５】
（Ｂ）が、ＸがＣＨ２ＣＨ２Ｏの末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８が、互いに独立して、ポリエーテルを形成するＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、ｔが０であることを特徴とし、前記ポリエーテル鎖の最後のオキシアルキレン基がヒドロキシ官能性を有する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項６】
前記ポリエーテル中のＣＨ２ＣＨ２Ｏ基の数が１〜５０の範囲にあり、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ基の数が１〜１００の範囲にある、請求項５に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項７】
（Ｂ）が、Ｘが、アミドを形成するカルボニル基の炭素原子により窒素と結合されたＣ＝Ｏであり、ｕが１であり、Ｒ３がＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、Ｒ５がＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、Ｒ４及びＲ６がＨであり、Ｒ７及びＲ８が、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、又は少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニルであり、ｔが０であることを特徴とし、又はそれらの塩である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項８】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎであり、ＸがＣＨ２である場合にｕが１〜４の整数であり、そうでなければｕが１であり、Ｒ１がＨであり、ｌが１であり、ｍが０であり、Ｒ３がＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ３がＣＨ３である場合にｎが１であり、そうでなければｎが１〜４の整数であり、Ｒ４がＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯＮａであり、ｏが１であり、Ｒ５がＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａであり、ｐが１であり、ｑが０であり、Ｒ７がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ８〜Ｃ１６−アシルであり、ｒが１であり、ｓが０であり、Ｒ７がＣ８〜Ｃ１６−アルキルである場合にｌが０であり、ｍが０であることを特徴し、又はそれらの塩（式中、Ｒ９がＯ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３であり、ｔが１である）である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項９】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨであり、又はＸがカルボニル基の炭素原子により窒素と結合されたＣ＝Ｏであり、ｕが１であり、Ｒ１がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニルであり、ｌが１であり、ｍが０であり、Ｒ３がＣＨ２であり、ｎが１〜４の整数であり、Ｒ４が−ＯＨであり、ｏが１であり、Ｒ５がＣＨ２、ＣＨ３であり、Ｒ５がＣＨ３である場合にｐが１であり、ｑが０であり、あるいはｐが１〜４の整数であり、Ｒ６がＯＨであり、ｑが１であり、Ｒ７がＯＨであり、ｒが１であり、ｓが０であり、ＸがＣ＝Ｏである場合にｒが０であり、ｓが０であることを特徴とし、又はそれらの塩（式中、Ｒ９がＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３であり、ｔが１である）である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１０】
（Ｂ）が、ＸがＣＨであり、ｕが１であり、Ｒ１がＣＨ２であり、ｌが１〜４の整数であり、Ｒ２がＯＨであり、ｍが１であり、Ｒ３がＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ３がＨである場合にｎが１であり、そうでなければｎが１〜４の整数であり、Ｒ４がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ８〜Ｃ１６−アシル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニルであり、ｏが１であり、Ｒ５がＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ５がＨである場合にｐが１であり、そうでなければｐが１〜４の整数であり、Ｒ６がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ８〜Ｃ１６−アシル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニルであり、ｑが１であり、Ｒ７がＨ、ＣＨＯＨ、ＨＯＣＨＣＨＯＨであり、ｒが１であり、Ｒ８がＣ４〜Ｃ１６−アルキルであり、ｓが１であることを特徴とし、又はそれらの塩（式中、Ｒ９がＣＨ３であり、ｔが１であり、アニオンがＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−又は［ＣＨ３ＯＳＯ２］−である）である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１１】
前記無機粒子（Ａ）がシリカである、請求項１から１０のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１２】
酸化剤（Ｄ）をさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１３】
半導体産業に使用される基板（Ｓ）の化学機械研磨に、請求項１から１１のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）を使用する使用方法。
【請求項１４】
前記基板（Ｓ）が、
（ｉ）元素ゲルマニウム、又は
（ｉｉ）Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（式中、０．１≦ｘ＜１）、
を含む、請求項１３に記載の使用方法。
【請求項１５】
前記元素ゲルマニウムが、ＳＴＩ（浅溝分離）二酸化シリコンの間のトレンチに成長される、請求項１３又は１４に記載の使用方法。
【請求項１６】
請求項１から１２のいずれか一項に定義のＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で、半導体産業に使用される基板（Ｓ）を化学機械研磨することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板（Ｓ）が、
（ｉ）元素ゲルマニウム、又は
（ｉｉ）Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（式中、０．１≦ｘ＜１）、
を含む、請求項１６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
したがって、
（Ａ）無機粒子、
（Ｂ）一般式（Ｉ）
【化１】
2018506176.tif 000002
（式中、
Ｘは、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、ここで、Ｘはそれぞれの基の炭素原子により窒素と結合され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに独立して、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、
ｕ及びｔは、０又は１であり、
構造中にポリマーポリエーテル鎖のない式（Ｉ）の化合物において、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５の範囲の整数であり、
構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物において、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５００の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５００の範囲の整数であり、
ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、しがたって、ｌ若しくはｒが０であるか、又はｌ及びｒが０であり、
ｕが１であり、かつＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、しがたって、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）
の化合物、又はその塩、
（Ｃ）水性媒体
を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）が見出され、ここで、組成物（Ｑ）が２〜６のｐＨを有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
ＤＬＳにおいて、典型的には、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ Ｓ（ＤＬＳ、マニュアルによる動的光散乱測定）又は任意の他のこのような装置を使用する。この技術は、入射光に対して９０°又は１７３°の角度で検出される、レーザ光源（λ＝６５０ｎｍ）を散乱させるときに粒子の流体力学的直径を測定する。散乱光の強度の変化は、粒子が入射ビームを通過し、時間の関数として監視されるときのランダムなブラウン運動（Brownian motion）に起因する。遅延時間の関数として計測器により行われる自己相関関数を使用して、減衰定数（decay constants）を抽出する。より小さい粒子は入射ビームを通してより速い速度で移動し、より速い減衰に対応する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
粒子（Ａ）は様々な形状であり得る。それによって、粒子（Ａ）は、1つ又は本質的に１つのみのタイプの形状であってもよい。しかしながら、粒子（Ａ）は、異なる形状を有してもよい。例えば、２つのタイプの異なる形状の粒子（Ａ）が存在してもよい。例えば、（Ａ）は、立方体、斜縁を備えた立方体、八面体、二十面体、コクーン（繭）、突起又はくぼみを有するか又は有しないノジュール又は球体の形状を有することができる。好ましくは、それらは本質的に球形であり、それによって、典型的には、これらは突起又はくぼみを有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
Ｒ６は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ６は、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ６は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ６は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
Ｒ７は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ７は、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＨ、ＣＨ２、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ７は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ７は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
その構造中にポリマーポリエーテル鎖がない式（Ｉ）の化合物（Ｂ）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、好ましくは、０〜５の整数であってもよく、より好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜４の整数であってもよく、最も好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜３の整数であってもよく、特に好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜２の整数、例えば１であってもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
その構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物（Ｂ）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、好ましくは、０〜５００の整数であってもよく、より好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜３００の整数であってもよく、最も好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜２００の整数であってもよく、特に好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、０〜１００の整数、例えば４、６、８、１０、１３、１７、２２、２５、２９、３３、３５、３７、４１、４７、５０、５４、５８、６２、６７、７１、７３、７８、８１、８４、８５、８７、９１、９５又は９７であってもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
この明細書において、二価の置換基は少なくとも２つのさらなる共有化学結合を形成することができる置換基であり、二価の置換基は、ＣＨ、ＣＨ２、ＨＯＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
一般的には、化合物（Ｂ）は、少なくとも１つの非ポリマー側鎖を有する分子、又は少なくとも1つのポリマー側鎖を有する分子であってもよい。化合物（Ｂ）の側鎖がポリマー側鎖である場合、少なくとも１つのポリエーテル側鎖が好ましく、ここで、少なくとも１つのポリエーテル側鎖の末端オキシアルキレン基がヒドロキシ官能性を有する。例えば、化合物（Ｂ）中の少なくとも1つのポリマーポリエーテル側鎖の末端オキシエチレン基はヒドロキシル官能性を有するか、又は化合物（Ｂ）中の少なくとも1つのポリマーポリエーテル側鎖の末端オキシプロピレン基はヒドロキシル官能性を有する。一般的には、少なくとも１つのポリエーテル側鎖は、直鎖又は分岐状であってもよく、化合物（Ｂ）中の少なくとも1つのポリマーポリエーテル側鎖を形成するオキシアルキレン基は、ポリマーポリエーテル側鎖において、ランダム、交互、勾配及び／又はブロックのような分布を有してもよい。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
例えば、本発明による化合物（Ｂ）は、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２ＯであるＸ、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ１、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ２、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ３、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ４、Ｈ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ２、ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ５、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ６、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ７、Ｈ、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ８、Ｏ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３又はＣＨ２ＣＯＯ−であるＲ９、０又は１であるｕ及びｔ、並びに、構造中にポリマーポリエーテル鎖がない式（Ｉ）の化合物において、０〜５の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜５の範囲の整数であるｎ、ｐ及びｒ、構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物において、０〜５００の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜５００の範囲の整数であるｎ、ｐ及びｒ（ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、ｌ若しくはｒがゼロであるか、又はｌ及びｒがゼロである；ＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ又はＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）を有することが、最も好ましい。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
例えば、本発明による化合物（Ｂ）は、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２ＯであるＸ、Ｈ、ＣＨ２、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ１、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ２、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ３、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ４、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ５、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ６、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ７、Ｈ、Ｃ４〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ４〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ８、Ｏ−、ＣＨ３又はＣＨ２ＣＨ３であるＲ９、０又は１であるｕ及びｔ、並びに、構造中にポリマーポリエーテル鎖がない式（Ｉ）の化合物において、０〜３の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜３の範囲の整数であるｎ、ｐ及びｒ、構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物において、０〜２５０の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜２５０の範囲の整数であるｎ、ｐ及びｒ（ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、ｌ若しくはｒがゼロであるか、又はｌ及びｒがゼロである；ＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ又はＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）を有することが、特に好ましい。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
さらに、本発明の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）は、任意に、１種以上の酸化剤（Ｄ）、好ましくは１種又は２種の酸化剤、より好ましくは１種の酸化剤を含む。一般的には、酸化剤（Ｄ）は、被研磨基板又はその１つの層を酸化することができる化合物である。好ましくは、１種よりも多くの酸化剤（Ｄ）の１種又は少なくとも１種は、パータイプの（per-type）酸化剤である。より好ましくは、１種以上の酸化剤（Ｄ）の１種又は少なくとも１種は、過酸化物、過硫酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩及びそれらの誘導体からなる群から選択される。最も好ましくは、このような酸化剤（Ｄ）は過酸化物又は過硫酸塩である。特に、このような酸化剤（Ｄ）は過酸化物である。特に、（Ｄ）は過酸化水素である。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
さらに、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、任意に、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、０〜２質量％の少なくとも１種のｐＨ調整剤（Ｎ）を含有することができる。ｐＨ調整剤（Ｎ）は、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）と異なる。一般的には、ｐＨ調整剤（Ｎ）は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）に添加してそのｐＨ値を所要の値まで調整させる化合物である。好ましくは、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は少なくとも１種のｐＨ調整剤（Ｎ）を含有する。好ましいｐＨ調整剤は、水酸化テトラアルキルアンモニウムを含んで、無機酸、カルボン酸、アミン塩基、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウムである。特に、ｐＨ調整剤（Ｎ）は、硝酸、硫酸、アンモニア、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。例えば、ｐＨ調整剤（Ｎ）は水酸化カリウム又は硝酸である。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
存在する場合、ｐＨ調整剤（Ｎ）は、様々な量で含むことができる。存在する場合、（Ｎ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、好ましくは２質量％以下、より好ましくは１質量％以下、最も好ましくは０．５質量％以下、特に０．１質量％以下、例えば０．０５質量％以下である。存在する場合、（Ｎ）の量は、対応する組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、好ましくは少なくとも０．０００５質量％、より好ましくは少なくとも０．００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．０２５質量％、特に少なくとも０．１質量％、例えば少なくとも０．４質量％である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
さらに、本発明のＣＭＰ組成物は、任意に、少なくとも１種の殺生物剤（Ｈ）、例えば１種の殺生物剤をさらに含有することができる。一般的には、殺生物剤は、化学的又は生物学的手段により、任意の有害生物を抑制、無害化又は制御効果を発揮する化合物である。好ましくは、（Ｈ）は、第４級アンモニウム化合物、イソチアゾリノン系化合物、Ｎ−置換二酸化ジアゾニウム、又はＮ’−ヒドロキシ−ジアゾニウムオキサイド塩である。より好ましくは、（Ｈ）はＮ−置換二酸化ジアゾニウム又はＮ’−ヒドロキシ−ジアゾニウムオキサイド塩である。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２２】
一般的には、本発明による方法により製造することができる半導体装置には、特に制限されない。したがって、半導体装置は、半導体材料、例えばシリコン、ゲルマニウム及びＩＩＩ−Ｖ材料を含む電子部品であり得る。半導体装置は、単独の個別素子（discrete devices）として製造されたもの、又はウェハ上に製造され、相互接続された複数の素子からなる集積回路（ＩＣｓ）として製造されたものであり得る。半導体装置は、二端子素子（terminal device）（例えば、ダイオード）、三端子素子（例えば、バイポーラトランジスタ）、四端子素子（例えば、ホール効果センサ）、又は多端子素子であり得る。好ましくは、前記半導体装置は多端子素子である。多端子素子は、集積回路としての論理素子、及びマイクロプロセッサー、又はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）及び相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）としてのメモリ素子であることができる。好ましくは、前記半導体装置は多端子論理素子である。特に、前記半導体装置は集積回路又はマイクロプロセッサーである。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２３】
一般的には、この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、任意のタイプ、形態又は形状の元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘであり得る。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、好ましくは、層状及び／又はオーバーグロース（overgrowth）を有する。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは層状及び／又はオーバーグロースを有する場合、ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘの含有量は、対応する層及び／又はオーバーグロースの質量に基づいて、好ましくは９０質量％を超え、より好ましくは９５質量％を超え、最も好ましくは９８質量％を超え、特に９９質量％を超え、例えば９９．９質量％を超える。一般的には、この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、異なる方法で製造する又は得ることができる。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、好ましくは、他の基板間のトレンチに充填又は成長され、より好ましくは、二酸化ケイ素、シリコン、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料の間のトレンチに充填又は成長され、最も好ましくは、ＳＴＩ（浅溝分離）二酸化シリコンの間のトレンチに充填又は成長され、特に、選択的エピタキシャル成長プロセスにおけるＳＴＩ二酸化シリコン間のトレンチで成長される。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、ＳＴＩ二酸化シリコン間のトレンチに充填又は成長される場合、前記トレンチの深さは、好ましくは２０〜５００ｎｍ、より好ましくは１５０〜４００ｎｍ、最も好ましくは２５０〜３５０ｎｍ、特に２８０〜３２０ｎｍである。他の実施態様において、この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、二酸化ケイ素、シリコン、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料の間のトレンチに充填又は成長される場合、前記トレンチの深さは、好ましくは５〜１００ｎｍ、より好ましくは８〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜３５ｎｍ、特に１５〜２５ｎｍである。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３９】
特に、本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、ＳＴＩ（浅いトレンチ分離）二酸化シリコン、又は、層及び／又はオーバーグロースの形状を有し、かつ対応する層及び／又はオーバーグロースに対して９８質量％を超えるゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ含有量を有する元素ゲルマニウム若しくはＳｉ１−ｘＧｅｘの間のトレンチ内で成長した元素ゲルマニウムを含む基板の研磨に使用することができる。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４５】
Ｇｅ−ｃＳＥＲ（ゲルマニウム層の低温静的エッチング速度）の決定は、２５℃でＫＡＭＩＣ Ｉｎｃ．製の１ｘ１インチのゲルマニウム試験片（coupon）を対応する組成物に１０分間浸漬し、浸漬前後の質量損失を測定することにより行う。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４６】
Ｇｅ−ｈＳＥＲ（ゲルマニウム層の高温静的エッチング速度）の決定は、５０℃でＫＡＭＩＣ Ｉｎｃ．製の１ｘ１インチのゲルマニウム試験片を対応する組成物に１０分間浸漬し、浸漬前及び後の質量損失を測定することにより行う。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４７】
３５ｎｍの平均一次粒子径（ｄ１）及び７０ｎｍの平均二次粒子径（ｄ２）（動的光散乱技術を用いて決定した）を有するコクーン状のコロイドシリカ粒子（Ａ１）（例えば、Ｆｕｓｏ（登録商標）ＰＬ−３）を使用した。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６１】
（それぞれ、表１に記載の量の）成分（Ａ）、（Ｂ）及び任意（Ｄ）を脱イオン水（Ｃ）中に分散又は溶解した。スラリーにアンモニア水溶液（０．１％〜１０％）、１０％のＫＯＨ溶液又はＨＮＯ３（０．１％〜１０％）を添加することにより、ｐＨを調整する。ｐＨ複合電極（Ｓｃｈｏｔｔ、ブルーライン２２ｐＨ）を用いて、ｐＨ値を測定する。