(57)【要約】  磁気記録媒体は、長尺状の基体と、基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層およびカッピング抑制層と
を備える磁気記録媒体。
【請求項２】
前記カッピング抑制層は、炭素薄膜である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記炭素薄膜は、ダイヤモンドライクカーボンを含む請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記強化層は、金属および金属化合物のうちの少なくとも１種を含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記金属化合物は、金属酸化物である請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記金属は、アルミニウムおよび銅のうちの少なくとも１種を含み、
前記金属化合物は、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化シリコンのうちの少なくとも１種を含む請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記強化層は、内部応力として引っ張り応力が働くものであり、
前記カッピング抑制層は、内部応力として圧縮応力が働くものである請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記強化層が、２層以上の積層構造を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記強化層が、
第１の金属酸化物層と、
第２の金属酸化物層と、
前記第１金属酸化物層および前記第２金属酸化物層の間に設けられた金属層と
を備える請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記強化層が、金属および酸素を含み、
前記強化層の両面のうち、前記基体とは反対側の面における酸素濃度が、前記強化層の内部における酸素濃度に比して高い請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記強化層の両面における酸素濃度が、前記強化層の内部における酸素濃度に比して高い請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記カッピング抑制層が、２層以上の積層構造を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記強化層が、前記基体上に設けられ、
前記カッピング抑制層が、前記強化層上に設けられている請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記強化層の平均厚みが、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記強化層の平均厚みに対する前記カッピング抑制層の平均厚みの比率が、０．０５以上０．７以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
長手方向のヤング率が、７ＧＰａ以上１４ＧＰａ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記基体の他方の面上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層上に設けられた磁性層と
前記カッピング抑制層上に設けられたバック層と
をさらに備える請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
長尺状の基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜と
を備える磁気記録媒体。
【請求項１８】
基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層およびカッピング抑制層と
を備える積層体。
【請求項１９】
前記基体の厚みは、１０μｍ以下である請求項１８に記載の積層体。
【請求項２０】
前記カッピング抑制層が設けられた側の表面抵抗が、０．４Ω／□以下である請求項１８に記載の積層体。
【請求項２１】
湿度膨張係数が、０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下である請求項１８に記載の積層体。
【請求項２２】
基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜と
を備える積層体。
【請求項２３】
請求項１８または２２に記載の積層体を備えるフレキシブルデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、磁気記録媒体、積層体およびフレキシブルデバイスに関する。詳しくは、強化層を備える磁気記録媒体、積層体およびフレキシブルデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及やビッグデータ解析により情報量が爆発的に増大しており、それら情報をデータとしてバックアップおよびアーカイブしておくための記録媒体には、さらなる高容量化が望まれている。数あるストレージシステムの中でも、磁気テープは低ビットコストとグリーンストレージとして、最近見直されつつある。磁気テープの高密度化は、近年１４８ギガビット毎平方インチの世界記録が樹立されとどまるところを知らない。【０００３】
リールに巻かれた状態でカートリッジに収納される磁気テープにおいては、高容量化のために磁気抵抗型ヘッドを多数配した固定ヘッドを用い、テープの長手方向に記録再生が行われるリニア記録方式のＬＴＯ（Linear-Tape-Open）などのシステムが実用化されている。さらなる高容量化に向けて、塗布型磁性記録層の磁性粉開発やスパッタ磁性層などの記録層の開発が活発に行われている。これによって、記録ビット長を狭くしてテープの長手方向の記録密度（一般には線記録密度）を向上させることが可能となる。【０００４】
一方、磁気テープは磁気ディスクと比較して、フレキシブルなフィルム状の基体を用いるため、記録トラック幅が非常に広い。磁気テープの高密度化は前述の記録層の開発とともに、テープ幅方向のトラック密度の向上ができれば、飛躍的に記録密度が向上する。この場合、線記録密度がかわらないため、磁性記録層とヘッドとのわずかなスペーシングにより出力が小さくなることが緩和されるなど、高トラック密度化の技術開発はテープドライブの開発にメリットが大きいと思われる。【０００５】
現在の磁気テープにおいて、テープ幅方向のトラック密度を上げると、テープ走行時の幅方向の変動や温度湿度などの環境要因によるテープ自体の寸法変化により、本来磁気ヘッドが読み取るべきトラック位置にトラックが存在しない、もしくはずれたトラック位置を読み取るなどのいわゆるオフトラックが発生してしまう。高密度化のためにテープの厚みが薄くなるに伴い、テンション要因によるテープ幅の変化がさらに大きくなるので、オフトラックの影響が顕著になりテープ走行性が不安定になっていく可能性もある。【０００６】
これに対して、片面または両面に金属、合金、またはその酸化物からなる強化層を基体に設けて、基体を補強する技術が提案されている（例えば、特許文献１〜６参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−１３４３３号公報
【特許文献２】特開平１１−３３９２５０号公報
【特許文献３】特開２０００−１１３６４号公報
【０００８】
【特許文献４】特開２００２−３０４７２０号公報
【特許文献５】特開２００２−３０４７２１号公報
【特許文献６】特開２００３−１３２５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、補強層を基体に設けると、テープの形状が幅方向に湾曲するいわゆるカッピングが増大する。これにより書き込みおよび読みだしを行う磁気ヘッドと磁気テープとの間にスペーシングが生じ、記録再生特性が劣化することになる。このため、寸法安定性に優れ、かつカッピングを抑制できる磁気テープが望まれている。【００１０】
また、フレキシブルデバイスなどにおいても、磁気テープにおけるのと同様に、寸法安定性に優れ、かつ湾曲を抑制できるものが望まれている。【００１１】
したがって、本技術の第１の目的は、寸法安定性に優れ、かつカッピングを抑制できる磁気記録媒体を提供することにある。【００１２】
また、本技術の第２の目的は、寸法安定性に優れ、かつ湾曲を抑制できる積層体およびフレキシブルデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の課題を解決するために、第１の技術は、長尺状の基体と、基体の一方の面上に設けられた強化層およびカッピング抑制層とを備える磁気記録媒体である。【００１４】
第２の技術は、長尺状の基体と、基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜とを備える磁気記録媒体である。【００１５】
第３の技術は、基体と、基体の一方の面上に設けられた強化層およびカッピング抑制層とを備える積層体である。【００１６】
第４の技術は、基体と、基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜と
を備える積層体である。【００１７】
第５の技術は、第３または第４の技術の積層体を備えるフレキシブルデバイスである。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本技術によれば、寸法安定性に優れ、かつカッピングを抑制できる磁気記録媒体を実現できる。また、寸法安定性に優れ、かつ湾曲を抑制できる積層体を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２Ａ、図２Ｂは、本技術の第１の実施形態の変形例に係る磁気記録媒体の構成例を示す概略断面図である。
【図３】図３Ａは、本技術の第２の実施形態に係るディスプレイの構成の一例を示す概略断面図である。図３Ｂは、図３Ａの一部を拡大して表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１  第１の実施形態（磁気記録媒体の例）
１．１  磁気記録媒体の構成
１．２  磁気記録媒体の製造方法
１．３  効果
１．４  変形例
２  第２の実施形態（ディスプレイの例）
２．１  ディスプレイの構成
２．２  効果
２．３  変形例
【００２１】
＜１  第１の実施形態＞
［１．１  磁気記録媒体の構成］
本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる塗布型の垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた記録層１３と、基体１１の他方の面上に設けられた強化層１４と、強化層１４上に設けられたカッピング抑制層１５と、カッピング抑制層１５上に設けられたバック層１６とを備える。また、磁気記録媒体が、必要に応じて、記録層１３上に設けられた保護層および潤滑剤層などをさらに備えるようにしてもよい。基体１１、強化層１４およびカッピング抑制層１５により積層体１０が構成される。
【００２２】
磁気記録媒体は、長尺状を有する。磁気記録媒体の長手方向のヤング率が、好ましくは７ＧＰａ以上１４ＧＰａ以下である。ヤング率が７ＧＰａ以上であると、良好な磁気ヘッド当たりを得ることができ、かつ、エッジダメージを抑制することができる。一方、ヤング率が１４ＧＰａ以下であると、良好な磁気ヘッド当たりを得ることができる。
【００２３】
磁気記録媒体の湿度膨張係数が、好ましくは０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下である。湿度膨張係数が上記範囲であると、磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できる。
【００２４】
（基体）
基体１１は、いわゆる非磁性支持体であり、具体的には、可撓性を有する長尺状のフィルムである。基体１１の厚みは、例えば、１０μｍ以下である。基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、およびポリカーボネートのうちの少なくとも１種を含んでいる。なお、基体１１は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。
【００２５】
（下地層）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、研磨剤、硬化剤および防錆剤などの各種添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００２６】
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、カーボンブラックなども使用できる。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが挙げられる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、板状などの各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２７】
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
【００２８】
例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴムなどが挙げられる。
【００２９】
また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
【００３０】
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）2などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金属である。
【００３１】
更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３+Ｘ-の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２+Ｘ-の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ-は弗素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基なども挙げられる。
【００３２】
また、樹脂にポリイソシアネートを併用して、これを架橋硬化させるようにしてもよい。ポリイソシアネートとしては、例えば、トルエンジイソシアネート、およびこれらの付加体、アルキレンジイソシアネート、およびこれらの付加体などが挙げられる。
【００３３】
導電性粒子としては、炭素を主成分とする微粒子、例えば、カーボンブラックを用いることができる。カーボンブラックとしては、例えば、旭カーボン社の旭＃１５、＃１５ＨＳなどを用いることができる。また、シリカ粒子表面にカーボンを付着させたハイブリッドカーボンを用いてもよい。
【００３４】
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２〜１２の１価〜６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、またはジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステルを適宜用いることができる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチルなどが挙げられる。
【００３５】
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、および必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したものなどが、単独または組み合せで使用される。
【００３６】
（記録層）
記録層１３は、例えば、短波長記録または超短波超記録が可能な垂直記録層である。記録層１３は、記録層１３の厚さ方向に磁気異方性を有する磁性層である。すなわち、記録層１３の磁化容易軸は、記録層１３の厚さ方向に向いている。記録層１３の平均厚さは、好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。
【００３７】
記録層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む磁性層である。記録層１３が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、研磨剤、硬化剤および防錆剤などの各種添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００３８】
磁性粉は、例えば、六方晶フェライト磁性粉または立方晶フェライト磁性粉である。六方晶フェライト磁性粉は、六方晶フェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「六方晶フェライト磁性粒子」という。）からなる。六方晶フェライトは、例えば、Ｂａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上を含んでいる。六方晶フェライトは、好ましくは、Ｂａを含むバリウムフェライトである。バリウムフェライトが、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。
【００３９】
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ12Ｏ19で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えば、Ｂａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属である。Ｍは、好ましくは、Ｂａである。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
【００４０】
六方晶フェライト磁性粒子の平均粒径（平均板径）は、好ましくは３２ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上３２ｎｍ以下である。六方晶フェライト磁性粒子の平均粒子厚は、好ましくは９ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上９ｎｍ以下である。六方晶フェライト磁性粒子の平均アスペクト比（平均粒径／平均粒子厚）は、好ましくは３．９以下、より好ましくは１．９以上３．９以下である。
【００４１】
立方晶フェライト磁性粉は、立方晶フェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「立方晶フェライト磁性粒子」という。）からなる。立方晶フェライトは、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上を含んでいる。好ましくは、立方晶フェライトは、Ｃｏを少なくとも含み、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいる。より具体的には例えば、立方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ2Ｏ4で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。好ましくは、Ｍは、Ｃｏと、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせである。
【００４２】
立方晶フェライト磁性粒子の平均板径（平均粒子サイズ）は、好ましくは１４ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。立方晶フェライト磁性粒子の平均板状比（平均アスペクト比（平均板径ＬAM／平均板厚ＬBM））は、０．７５以上１．２５以下であることが好ましい。
【００４３】
結着剤は、上述の下地層１２と同様である。導電性粒子、潤滑剤および研磨剤も、上述の下地層１２と同様である。
【００４４】
記録層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含んでいてもよい。
【００４５】
（強化層）
強化層１４は、磁気記録媒体の機械的強度を高めて、優れた寸法安定性を得るためのものである。強化層１４は、例えば、金属および金属化合物のうちの少なくとも１種を含んでいる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属は、例えば、アルミニウムおよび銅のうちの少なくとも１種であり、好ましくは銅である。銅は、安価で蒸気圧が比較的低いため、安価に強化層１４を成膜が可能であるからである。金属は、例えば、アルミニウム、銅、シリコンおよびコバルトのうちの少なくとも１種であってもよい。金属化合物は、例えば、金属酸化物である。金属酸化物は、例えば、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化シリコンのうちの少なくとも１種であり、好ましくは酸化銅である。蒸着法などにより安価に強化層１４を成膜が可能であるからである。金属酸化物は、例えば、酸化アルミニウム、酸化銅、酸化シリコンおよび酸化コバルトのうちの少なくとも１種であってもよい。強化層１４は、例えば、真空斜方蒸着法により形成される蒸着膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。
【００４６】
強化層１４は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。強化層１４の厚みを厚くしていくと、外力に対する基体１１の伸縮をより抑えることができる。しかしながら、蒸着法やスパッタリングなどの真空薄膜の作製技術を用いて強化層１４を形成する場合、上記のように強化層１４の厚みを厚くしていくと、強化層１４中に空隙が生じやすくなる虞がある。上記のように強化層１４を２層以上の積層構造とすることで、真空薄膜の作製技術を用いて強化層１４を形成する際に強化層１４中に生じる空隙を抑制し、強化層１４の緻密性を向上できる。したがって、強化層１４の水蒸気透過率を低減できるので、基体１１の膨張をさらに抑制し、磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できる。強化層１４が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４７】
強化層１４の平均厚みは、好ましくは１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。強化層１４の平均厚みが１５０ｎｍ以上であると、強化層１４として良好な機能（すなわち磁気記録媒体の良好な寸法安定性）が得られる。一方、強化層１４の平均厚みを５００ｎｍを超えて厚くしなくとも、強化層１４として十分な機能が得られる。また、強化層１４の平均厚みを５００ｎｍを超えて厚くすると、カッピングの発生を抑制するためには、カッピング抑制層１５の平均厚みを厚くしなければならなくなり、強化層１４とカッピング抑制層１５との合計の平均厚みが厚くなりすぎる虞がある。
【００４８】
強化層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体をその主面に対して垂直に切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察する。
以下に、ＴＥＭの測定条件を示す。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製、H9000NAR）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１０００００倍
次に、観察したＴＥＭ像から強化層１４の平均厚みを算出する。具体的には、一般財団法人材料科学技術振興財団作製のＳＥＭ／ＴＥＭ測長ソフト、Image Measuring Toolを用いてヒストグラムをとって強化層１４の平均厚みを算出する。
【００４９】
強化層１４の平均厚みが１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である場合、強化層１４の平均厚みＤ１に対するカッピング抑制層１５の平均厚みＤ２の比率（Ｄ２／Ｄ１）が、０．０５以上０．７以下であることが好ましい。比率（Ｄ２／Ｄ１）が０．０５以上であると、強化層１４の平均厚みＤ１に対してカッピング抑制層１５の平均厚みＤ２が十分な平均厚みとなるため、カッピング抑制効果を向上できる。一方、比率（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下であると、強化層１４の平均厚みＤ１に対してカッピング抑制層１５の平均厚みＤ２が厚くなりすぎないため、カッピング抑制効果を向上できる。
【００５０】
（カッピング抑制層）
カッピング抑制層１５は、基体１１上に強化層１４を形成したことにより発生するカッピングを抑制するためのものである。ここで、カッピングとは、長尺状の基体１１の幅方向に発生する湾曲を意味する。強化層１４には内部応力として引っ張り応力、すなわち基体１１の裏面側を凹形状に変形させる応力が働く。これに対して、カッピング抑制層１５には、内部応力として圧縮応力、すなわち基体１１の裏面側を凸形状に変形させる応力が働く。このため、強化層１４とカッピング抑制層１５との内部応力が相殺し合って、磁気記録媒体にカッピングが発生することを抑制できる。
【００５１】
カッピング抑制層１５は、例えば、炭素薄膜である。炭素薄膜は、ダイヤモンドライクカーボン（以下「ＤＬＣ」という。）を含む硬質炭素薄膜であることが好ましい。カッピング抑制層１５は、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法により形成されるＣＶＤ膜であってもよいし、スパッタ法により形成されるスパッタ膜であってもよい。
【００５２】
カッピング抑制層１５は、２層以上の積層構造を有していることが好ましい。磁気記録媒体の寸法安定性をさらに向上できるからである。なお、その原理は、強化層１４を２層以上の積層構造とする場合と同様である。カッピング抑制層１５が２層以上の積層構造を有する場合、各層の材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００５３】
カッピング抑制層１５の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。カッピング抑制層１５の平均厚みが１０ｎｍ未満であると、カッピング抑制層１５の圧縮応力が小さくなりすぎる虞がある。一方、カッピング抑制層１５の平均厚みが２００ｎｍを超えると、カッピング抑制層１５の圧縮応力が大きくなりすぎる虞がある。なお、カッピング抑制層１５の平均厚みは、上述の強化層１４の平均厚みの算出方法と同様にして求められる。
【００５４】
（バック層）
バック層１６は、結着剤、無機粒子および潤滑剤を含んでいる。バック層１６が、必要に応じて硬化剤および帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。結着剤、無機粒子および潤滑剤は、上述の下地層１２と同様である。
【００５５】
［１．２  磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。
【００５６】
（塗料の調整工程）
まず、非磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。次に、結着剤、無機粒子および潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。下地層形成用塗料、記録層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を適用することができる。
【００５７】
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
【００５８】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
【００５９】
（強化層の形成工程）
次に、Roll to Roll方式の真空成膜装置を用いて、基体１１の他方の面上に強化層１４を形成する。強化層１４の平均厚みは、基体１１の巻取り速度、導入ガス流量、放電電圧などの成膜条件を変えることで調整可能である。真空成膜装置としては、例えば、蒸着装置（例えば斜方蒸着装置）、スパッタ装置、ＣＶＤ装置などを用いることができる。
【００６０】
（カッピング抑制層の形成工程）
次に、Roll to Roll方式の真空成膜装置を用いて、強化層１４上にカッピング抑制層１５を形成する。カッピング抑制層１５の平均厚みは、基体１１の巻取り速度、導入ガス流量、放電電圧などの成膜条件を変えることで調整可能である。真空成膜装置としては、例えば、蒸着装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置などを用いることができる。以上により、積層体１０が得られる。
【００６１】
（下地層の形成工程）
次に、基体１１の一方の面上に下地層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、下地層１２を基体１１の一方の面上に形成する。
【００６２】
（記録層の形成工程）
次に、下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、必要に応じて、塗料に含まれる磁性粉を磁場配向させることにより、磁性粉の磁化容易軸を記録層１３の厚さ方向に向けるようにしてもよい。
【００６３】
（熱処理の工程）
次に、必要に応じて、上記の各層が積層された基体１１に対して熱処理を施して、基体１１を熱収縮させるようにしてもよい。このように熱収縮させることで、カッピングを更に抑制できる。熱処理の温度は、例えば、８０℃以上１２０℃以下である。熱処理の保持時間は、例えば、３時間以上７２時間以下である。
【００６４】
（バック層の形成工程）
次に、カッピング抑制層１５上にバック層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層１６を形成する。これにより、幅広の磁気記録媒体が得られる。なお、記録層１３の形成工程後（または熱処理の工程後）、バック層１６の形成工程前において、表面改質処理によりカッピング抑制層１５の表面の濡れ性を改善することが好ましい。バック層形成用塗料の塗布性を改善できるからである。表面改質処理としては、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理または電子線処理などを用いることができる。
【００６５】
（カレンダー処理および裁断の工程）
次に、得られた幅広の磁気記録媒体を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。次に、幅広の磁気記録媒体に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅に裁断する。これにより、目的とする磁気記録媒体が得られる。なお、バック層１６を形成する工程は、カレンダー処理後であってもよい。
【００６６】
［１．３  効果］
本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、基体１１の他方の面上に設けられた強化層１４と、強化層１４上に設けられたカッピング抑制層１５とを備える。これにより、強化層１４とカッピング抑制層１５との内部応力が相殺し合って、磁気記録媒体に対するカッピングの発生を抑制できる。よって、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触状態を良好な状態に保持でき、かつトラック幅方向における高い寸法安定性を有する、オフトラック特性に優れた高ＳＮの磁気記録媒体を提供できる。
【００６７】
［１．４  変形例］
磁気記録媒体が、基体１１の他方の面（記録層１３側とは反対側の面）に強化層１４およびカッピング抑制層１５を備える代わりに、図２Ａに示すように、基体１１の一方の面（記録層１３側の面）に強化層１４およびカッピング抑制層１５を備えるようにしてもよい。
【００６８】
磁気記録媒体が、図２Ｂに示すように、基体１１の両面に強化層１４を備えるようにしてもよい。この場合、カッピング抑制層１５は、両面に備えられた強化層１４のうち内部応力がより大きいものの側に設けられる。
【００６９】
強化層１４が、第１の金属酸化物層と、第２の金属酸化物層と、第１金属酸化物層および第２金属酸化物層の間に設けられた金属層とを備えるようにしてもよい。第１、第２の金属酸化物層は、例えば酸化アルミニウム、酸化銅、酸化シリコンおよび酸化コバルトのうちの少なくとも１種、好ましくは酸化銅を含んでいる。第１、第２の金属酸化物層が同一種類の金属酸化物を含んでいてもよいし、異なる種類の金属酸化物を含んでいてもよい。金属層は、例えばアルミニウム、銅、シリコンおよびコバルトのうちの少なくとも１種、好ましくは銅を含んでいる。
【００７０】
強化層１４は、金属および酸素を含み、その厚み方向に酸素濃度が変化する濃度分布を有しいてもよい。強化層１４の両面のうち、基体１１側とは反対側となる面（すなわちカッピング抑制層１５側となる面）における酸素濃度が、強化層１４の内部における酸素濃度に比して高い。具体的には、強化層１４の酸素濃度が、基体１１側とは反対側となる面から内部に向かって減少している。この場合、酸素濃度の変化は、連続的であってもよいし、不連続的であってもよい。
【００７１】
強化層１４の両面のうち、基体１１側となる面における酸素濃度が、強化層１４の内部における酸素濃度に比して高くてもよい。蒸着法やスパッタリングなどの真空薄膜の作製技術を用いて強化層１４を形成する場合、基体１１の材質や表面の状態などによっては、上記のように強化層１４の両面のうち、基体１１側となる面における酸素濃度が、強化層の内部における酸素濃度に比して高くなる場合があるからである。具体的には、強化層１４の酸素濃度が、基材１１側となる面から内部に向かって減少している。この場合、酸素濃度の変化は、連続的であってもよいし、不連続的であってもよい。
【００７２】
強化層１４に含まれる金属は、例えばアルミニウム、銅、シリコンおよびコバルトのうちの少なくとも１種、好ましくは銅である。
【００７３】
上記の濃度分布を有する強化層１４は、例えば、蒸着法やスパッタリングなどの真空薄膜の作製技術を用いて強化層１４を形成する際に、プロセスガスに含まれる酸素濃度を変化させることにより作製することができる。
【００７４】
上述の第１の実施形態では、磁気記録媒体が垂直磁気記録媒体である場合を例として説明したが、磁気記録媒体が水平磁気記録媒体であってもよい。
【００７５】
上述の第１の実施形態では、記録層１３に含まれる磁性粉として六方晶フェライト磁性粉または立方晶フェライト磁性粉を用いる例について説明したが、磁性粉はこの例に限定されるものではなく、垂直磁気記録媒体または水平磁気記録媒体にて一般的に用いられているものを使用可能である。具体的には例えば、磁性粉としては、Ｆｅ系、およびＦｅ−Ｃｏ系の金属粉末、炭化鉄、酸化鉄などが挙げられる。なお、副元素として、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｚｒなどの金属化合物が共存していてもよい。
【００７６】
上述の第１の実施形態では、下地層１２および記録層１３が塗布工程（ウエットプロセス）により作製される薄膜である例について説明したが、下地層１２および記録層１３は、スパッタリングなどの真空薄膜の作製技術（ドライプロセス）により作製される薄膜であってもよい。
【００７７】
上述の第１の実施形態では、基体１１の他方の面上に強化層１４が設けられ、強化層１４上にカッピング抑制層１５が設けられた構成を例として説明したが、基体１１の他方の面上にカッピング抑制層１５が設けられ、強化層１４上に強化層１４が設けられていてもよい。但し、カッピング抑制層１５としてＤＬＣ層を用いる場合には、基体１１の材料によっては基体１１上にカッピング抑制層１５を形成することが困難となる虞があるので、強化層１４上にカッピング抑制層１５を設けることが好ましい。
【００７８】
上述の第１の実施形態では、磁気記録媒体が下地層およびバック層を備える場合を例として説明したが、磁気記録媒体が下地層およびバック層のうちの少なくとも一方を備えないようにしてもよい。
【００７９】
＜２  第２の実施形態＞
［２．１  ディスプレイの構成］
本技術の第２の実施形態に係るディスプレイは、フレキシブル性を有するマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、図３Ａに示すように、第１の導電性素子１１０と、第１の導電性素子１１０と対向配置された第２の導電性素子１２０と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）１３０とを備える。このディスプレイは、フレキシブルデバイスの一例である。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本技術を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、ツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式または電子粉粒方式などの電子パーパーにも本技術は適用可能である。また、液晶ディスプレイまたは有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイなどにも本技術は適用可能である。
【００８０】
（マイクロカプセル層）
マイクロカプセル層１３０は、多数のマイクロカプセル１３１を含んでいる。マイクロカプセル１３１内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
【００８１】
（第１、第２の導電性素子）
第１の導電性素子１１０は、積層体１１１と、積層体１１１の一方の面上に設けられた電極１１２とを備える。第２の導電性素子１２０は、積層体１２１と、積層体１２１の一方の面上に設けられた電極１２２とを備える。第１、第２の導電性素子１１０、１２０は、電極１１２、１２２が対向するように所定の間隔離して配置されている。
【００８２】
電極１１２、１２２は、ディスプレイの駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
【００８３】
積層体１１１は、図３Ｂに示すように、基体１１１ａと、基体１１１ａの他方の面上に設けられた強化層１１１ｂと、強化層１１１ｂ上に設けられた湾曲抑制層１１１ｃとを備える。基体１１１ａ、強化層１１１ｂおよび湾曲抑制層１１１ｃは、可視光に対して透明性を有するものであってもよいし、不透明性を有するものであってもよい。
【００８４】
基体１１１ａは、フィルム状を有する。ここで、フィルムには、シートも含まれるものとする。基体１１１ａの厚さは、好ましくは１０μｍ以下である。基体１１１ａの厚さが１０μｍ以下であると、強化層１１１ｂおよび湾曲抑制層１１１ｃを備えることで得られる効果が顕著であるからである。基体１１１ａの材料としては、例えば、高分子樹脂を用いることができる。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）およびノルボルネン系熱可塑性樹脂のうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００８５】
強化層１１１ｂ、湾曲抑制層１１１ｃはそれぞれ、第１の実施形態における強化層１４、カッピング抑制層１５と同様である。
【００８６】
湾曲抑制層１１１ｃが設けられた側における第１の導電性素子１１０の表面抵抗は、好ましくは０．４Ω／□以下である。ここで、表面抵抗は、４端子法にて測定された値である。
【００８７】
積層体１１１の湿度膨張係数が、好ましくは０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下である。湿度膨張係数が上記範囲であると、第１の導電性素子１１０の寸法安定性をさらに向上できる。
【００８８】
積層体１２１は、積層体１１１と同様の構成を有するので、説明を省略する。但し、積層体１２１に備えられる基体、強化層および湾曲抑制層としては、可視光に対して透明性を有するものが用いられる。
【００８９】
［２．２  効果］
第２の実施形態に係るディスプレイでは、電極１１２、１２２が対向するように配置されている第１、第２の導電性素子１１０、１２０を備える。第１の導電性素子１１０は、基体１１１ａの他方の面に強化層１１１ｂおよび湾曲抑制層１１１ｃを備えるので、強化層１１ｂと湾曲抑制層１１１ｃとの内部応力が相殺し合って、第１導電性素子に対する湾曲の発生を抑制できる。したがって、寸法安定性に優れ、かつ湾曲を抑制できる第１の導電性素子１１０が得られる。すなわち、第１の導電性素子１１０の形状安定性を向上できる。第２の導電性素子１２０も第１の導電性素子１１０と同様の構成を有するため、第２の導電性素子１２０の形状安定性を向上できる。よって、電極１１２、１２２を高集積化した場合であっても、電極１１２、１２２のパターン同士の重ね合わせ精度の劣化を抑制できるので、高品質のディスプレイの提供が可能となる。
【００９０】
［２．３  変形例］
上述の第２の実施形態では、本技術をディスプレイおよびそれに備えられる第１、第２の導電性素子１１０、１２０に本技術を適用する例について説明したが、本技術はこれに限定されるものではない。例えば、電磁シールド、タッチパネル、各種のウェアラブルデバイスにも本技術は適用可能である。本技術をタッチパネルやウェアラブルデバイスに適用した場合には、例えば、高集積化された電極パターンや配線パターン同士の重ね合わせ精度の劣化を抑制することができる。
【００９１】
上述の第２の実施形態では、フレキシブルデバイス（フレキシブルディスプレイ）に本技術を適用する例について説明したが、本技術はフレキシブル性を有していないデバイスにも適用可能である。
【００９２】
積層体１１１が、基体１１１ａの他方の面（電極１１２側とは反対側の面）に強化層１１１ｂおよび湾曲抑制層１１１ｃを備える代わりに、基体１１１ａの一方の面（電極１１２側の面）に強化層１１１ｂおよび湾曲抑制層１１１ｃを備えるようにしてもよい。この場合、湾曲抑制層１１１ｃと電極１１２との間には絶縁層が設けられる。積層体１２１も、上記の積層体１１１と同様の構成としてもよい。
【００９３】
積層体１１１が、基体１１の両面に強化層１４を備えるようにしてもよい。この場合、湾曲抑制層１１１ｃは、両面に備えられた強化層１１１ｂのうち内部応力がより大きいものの側に設けられる。積層体１２１も、上記の積層体１１１と同様の構成としてもよい。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。【００９５】
なお、以下の実施例および比較例において、強化層およびカッピング抑制層の平均厚みは、第１の実施形態にて説明した方法と同様にして求めた。【００９６】
本実施例について以下の順序で説明する。
ｉ  磁気テープについての実施例、比較例
ii  電磁シールドについての実施例【００９７】
＜ｉ  磁気テープについての実施例、比較例＞
［実施例１〜１４、３４〜３９］
（記録層形成用塗料の調製工程）
まず、記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記原料をエクストルーダで混練して混練物を得た。
ＣｏＮｉフェライト結晶磁性粉：１００質量部
（形状：ほぼ立方体形状、平均板径：１１ｎｍ、平均板状比：０．９５）
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：５５．６質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）【００９８】
次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練物と、下記原料とを加えて予備混合を行った。その後、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。
塩化ビニル系樹脂：２７．８質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ポリイソシアネート：４質量部
（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）
ミリスチン酸：２質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部【００９９】
（下地層形成用塗料の調製工程）
次に、下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記原料をエクストルーダで混練して混練物を得た。
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）【０１００】
次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練物と、下記原料とを加えて予備混合を行った。その後、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ポリイソシアネート：４質量部
（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）
ミリスチン酸：２質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部【０１０１】
（バック層形成用塗料の調製工程）
次に、バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部【０１０２】
（強化層の形成工程）
次に、Roll to Roll方式の真空蒸着装置を用いて、厚さ６．２μｍ、帯状のＰＥＮフィルム（基体）の一方の面上に単層のＣｕ層（強化層）を形成した。この際、フィルム巻取り速度などの成膜条件を調整することで、表１、表３に示すようにＣｕ層の平均厚みを設定した。【０１０３】
（カッピング抑制層の形成工程）
次に、Roll to Roll方式のＣＶＤ装置を用いて、ＤＬＣ層（カッピング抑制層）をＣｕ層上に形成した。この際、フィルム巻取り速度、導入ガス流量および放電電圧などの成膜条件を調整することで表１、表３に示すようにＤＬＣ層の平均厚みを設定した。【０１０４】
（下地層の形成工程）
次に、ＰＥＮフィルムの他方の面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルムの他方の面上に厚さ１μｍの下地層を形成した。【０１０５】
（記録層の形成工程）
次に、下地層上に記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に厚さ７０ｎｍの記録層を形成した。【０１０６】
（熱処理の工程）
次に、得られた幅広の磁気テープに熱処理を施した。熱処理の温度は、表１、表３に示すように調整した。【０１０７】
（バック層の形成工程）
次に、表面改質によりＤＬＣ層の表面の濡れ性を改善した後、ＤＬＣ層上にバック層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＤＬＣ層上に厚さ０．６μｍのバック層を形成した。これにより、幅広の磁気テープを得た。【０１０８】
（カレンダー処理および裁断の工程）
次に、磁気テープに対して、金属ロールによるカレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。次に、幅広の磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断して、目的とする磁気テープを得た。【０１０９】
［実施例１５〜２８、４０、４１］
強化層を２層構造にすること、Ｃｕ層およびＤＬＣ層の平均厚みが表１、表３に示す値となるようにＣｕ層およびＤＬＣ層の成膜条件を調整したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。【０１１０】
［実施例２９］
強化層として単層のＣｕ層に代えて単層のＡｌ層を形成する以外は実施例１１と同様にして磁気テープを得た。【０１１１】
［実施例３０］
強化層として単層のＣｕ層に代えて２層のＡｌ層を形成する以外は実施例２５と同様にして磁気テープを得た。【０１１２】
［実施例３１］
強化層としてＣｕ層に代えてＳｉＯ2層を形成する以外は実施例１１と同様にして磁気テープを得た。【０１１３】
［実施例３２］
蒸着の際、酸素を導入することでＣｕＯ層を形成する以外は、実施例１１と同様にして磁気テープを得た。【０１１４】
［実施例３３］
蒸着の際、酸素を導入することでＡｌ2Ｏ3層を形成する以外は、実施例２９と同様にして磁気テープを得た。【０１１５】
［実施例４２］
磁気テープに対する熱処理の工程を省く以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。【０１１６】
［比較例１］
ＤＬＣ層の形成を省略すること以外は実施例３と同様にして磁気テープを得た。【０１１７】
［評価］
上述のようにして得られた実施例１〜４２、比較例１の磁気テープについて以下の評価を行った。【０１１８】
（ヤング率）
まず、温度２３℃、相対湿度６０％の環境下において、引っ張り試験機（ＭＮＢ社製  ＴＣＭ−２００ＣＲ）を用いて磁気テープのヤング率を測定した。【０１１９】
（蒸着膜付着強度）
ＬＴＯ規格 Ultrium Generation6 Specification Document Ｕ-616  Section 9.8.1の方法に従い蒸着膜（強化層）の付着強度を測定した。次に、その測定結果に基づき、以下の基準で判定した。
○：剥がれの発生がない
×：剥がれの発生がある【０１２０】
（湿度膨張係数）
恒温槽を環境条件１（温度１６℃、相対湿度１０％）から環境条件２（温度２９℃、相対湿度８０％）まで変化させた場合の寸法変化を、キーエンス社製レーザー変位計ＬＳ−７０００を用いて測定した。次に、以下の式により湿度膨張係数を求めた。
ＴＤＳ（湿度）［ｐｐｍ］＝（（温度２９℃、相対湿度８０％のテープ幅）−（温度１６℃、相対湿度１０％のテープ幅））／（温度１６℃、相対湿度１０％のテープ幅）
湿度膨張係数［ｐｐｍ／％ＲＨ］＝ＴＤＳ（湿度）／（８０−１０）【０１２１】
（カッピング）
カッピング測定装置を用い、温度２３℃、相対湿度６０％の環境下において、スリット後のテープ１ｍを２４時間放置した後、カッピングの量を測定した。記録層を上側にして記録層側が凸になるカッピングをマイナス（−）、バック層側が凸になるカッピングをプラス（＋）として、カッピングの量を測定し、以下の基準で判定した。  
◎：カッピング量が０．０〜−０．５ｍｍの範囲内
○：カッピング量が−０．５〜−１．０ｍｍの範囲内
△：カッピング量が−１．０〜−１．５ｍｍの範囲内
×：カッピング量が０．０〜−１．５ｍｍの範囲外
なお、測定サンプル長は１±０．１ｍとする。【０１２２】
（テープ走行摩擦上昇）
１／２インチ固定ヘッド型ドライブ（ＬＴＯ５）を用いて、一定区間（１０ｍ長）の１０００００回走行を行い、以下の基準で判定した。
○：リファレンステープ（ＭＳＲＴ）と同等の摩擦で走行が継続する
△：走行は継続するがリファレンステープ（ＭＳＲＴ）よりも摩擦が高い
×：走行がストップする【０１２３】
（ＳＮＲ）
まず、市販のMountain Engineering社製のテープ走行系にて磁気テープを走行させ、１／２インチ固定ヘッド型ドライブの磁気ヘッドを用いて記録再生を行うことにより、ＳＮＲを求めた。次に、求めたＳＮＲを以下の基準で判定した。
○：ＳＮＲがＬＴＯ５メディアのリファレンステープ（ＭＳＲＴ）に対して−１．５ｄＢ以内となる
△：ＳＮＲがＬＴＯ５メディアのリファレンステープ（ＭＳＲＴ）に対して−１．５ｄＢを超え、−２．５ｄＢ以内となる
×：ＳＮＲがＬＴＯ５メディアのリファレンステープ（ＭＳＲＴ）に対して−２．５ｄＢを超える【０１２４】
（結果）
表１、表２は、実施例１〜２８の磁気テープの構成および評価結果を示す。
【表１】
2017195865.tif 000003
【０１２５】
【表２】
2017195865.tif 000004
【０１２６】
表３、表４は、実施例２９〜４２、比較例１の磁気テープの構成および評価結果を示す。
【表３】
2017195865.tif 000005
【０１２７】
【表４】
2017195865.tif 000006
【０１２８】
表１〜表４から以下のことがわかる。
金属層または金属酸化物層上にＤＬＣ層を設けることで、磁気テープのカッピングを抑制できる。
金属層または金属酸化物層の平均厚みを１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内とすることで、湿度膨張係数を０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下の範囲内とすることができる。したがって、磁気テープの寸法安定性をより向上できる。
金属層または金属酸化物層の平均厚みを１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内とし、かつ、金属層または金属酸化物層の平均厚みに対するＤＬＣ層の平均厚みの比率を０．０５以上０．７以下とすることで、磁気テープのカッピングをさらに抑制できる。
熱処理の工程を備えず、カッピング抑制層を設けるのみでも磁気テープのカッピングを十分に抑制できる。【０１２９】
＜ii  電磁シールドについての実施例＞
［実施例４３］
Ｃｕ層およびＤＬＣ層の平均厚みが表５に示す値となるようにＣｕ層およびＤＬＣ層の成膜条件を調整したこと以外は実施例１と同様にして、厚さ６．２μｍ、帯状のＰＥＮフィルム（基体）上にＣｕ層およびＤＬＣ層を積層した。これにより、目的とする電磁シールドが得られた。【０１３０】
［実施例４４］
ＣｕＯ層およびＤＬＣ層の平均厚みが表５に示す値となるようにＣｕＯ層およびＤＬＣ層の成膜条件を調整したこと以外は実施例３２と同様にして、厚さ６．２μｍ、帯状のＰＥＮフィルム（基体）上にＣｕＯ層およびＤＬＣ層を積層した。これにより、目的とする電磁シールドが得られた。【０１３１】
［評価］
上述のようにして得られた実施例４３、４４の磁気シールドについて、ヤング率、湿度膨張係数、カッピングおよび電磁波透過率を評価した。なお、ヤング率、湿度膨張係数およびカッピングの評価方法は、上述の実施例１〜４２におけるのと同様のものとした。【０１３２】
（電磁波透過率）
磁気シールドの電磁波透過率をアドバンテスト法により測定した。【０１３３】
表５、表６は、実施例４３、４４の積層体の構成および評価結果を示す。
【表５】
2017195865.tif 000007
【０１３４】
【表６】
2017195865.tif 000008
【０１３５】
表５、表６から以下のことがわかる。
金属層または金属酸化物層上にＤＬＣ層を設けることで、電磁シールドの湾曲を抑制できる。したがって、平面性に優れた電磁シールドが得られる。【０１３６】
以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。【０１３７】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。【０１３８】
また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。【０１３９】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
長尺状の基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層およびカッピング抑制層と
を備える磁気記録媒体。
（２）
前記カッピング抑制層は、炭素薄膜である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記炭素薄膜は、ダイヤモンドライクカーボンを含む（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記強化層は、金属および金属化合物のうちの少なくとも１種を含む（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記金属化合物は、金属酸化物である（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）
前記金属は、アルミニウムおよび銅のうちの少なくとも１種を含み、
前記金属化合物は、酸化アルミニウム、酸化銅および酸化シリコンのうちの少なくとも１種を含む（４）に記載の磁気記録媒体。
（７）
前記強化層は、内部応力として引っ張り応力が働くものであり、
前記カッピング抑制層は、内部応力として圧縮応力が働くものである（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記強化層が、２層以上の積層構造を有する（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記強化層が、
第１の金属酸化物層と、
第２の金属酸化物層と、
前記第１金属酸化物層および前記第２金属酸化物層の間に設けられた金属層と
を備える（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記強化層が、金属および酸素を含み、
前記強化層の両面のうち、前記基体とは反対側の面における酸素濃度が、前記強化層の内部における酸素濃度に比して高い（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記強化層の両面における酸素濃度が、前記強化層の内部における酸素濃度に比して高い（１０）に記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記カッピング抑制層が、２層以上の積層構造を有する（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
前記強化層が、前記基体上に設けられ、
前記カッピング抑制層が、前記強化層上に設けられている（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記強化層の平均厚みが、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記強化層の平均厚みに対する前記カッピング抑制層の平均厚みの比率が、０．０５以上０．７以下である（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
長手方向のヤング率が、７ＧＰａ以上１４ＧＰａ以下である（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記基体の他方の面上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層上に設けられた磁性層と
前記カッピング抑制層上に設けられたバック層と
をさらに備える（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
長尺状の基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜と
を備える磁気記録媒体。
（１８）
基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層およびカッピング抑制層と
を備える積層体。
（１９）
前記基体の厚みは、１０μｍ以下である（１８）に記載の積層体。
（２０）
前記カッピング抑制層が設けられた側の表面抵抗が、０．４Ω／□以下である（１８）または（１９）に記載の積層体。
（２１）
湿度膨張係数が、０．５ｐｐｍ／％ＲＨ以上、４ｐｐｍ／％ＲＨ以下である（１８）から（２０）のいずれかに記載の積層体。
（２２）
基体と、
前記基体の一方の面上に設けられた強化層および炭素薄膜と
を備える積層体。
（２３）
（１８）から（２２）のいずれかに記載の積層体を備えるフレキシブルデバイス。
【符号の説明】
【０１４０】
１０、１１１、１２１    積層体
１１、１１１ａ    基体
１２    下地層
１３    記録層
１４、１２１ｂ    強化層
１５、１２１ｃ    カッピング抑制層
１６    バック層
１１０    第１の導電性素子
１１２、１２２    電極
１２０    第２の導電性素子
１３０    マイクロカプセル層
１３１    マイクロカプセル
【図１】
2017195865.tif 000009
【図２】
2017195865.tif 000010
【図３】
2017195865.tif 000011
【国際調査報告】
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2017195865.tif 000013
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