【事件の表示】
　特願２００１−３８１９８８「リン化硼素系半導体素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　４日出願公開、特開２００３−１８８１０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年１２月１４日の出願であって、その請求項１〜７に係る発明は、平成１７年１１月１４日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
 
「【請求項１】単結晶基板上に形成された、硼素（Ｂ）の空孔を占有するリン（Ｐ）と、リンの空孔を占有する硼素とが内在する、硼素とリンとを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層を備えたリン化硼素系半導体素子であって、リンの空孔を占有する硼素の原子濃度以上に、硼素の空孔を占有するリンを含み、且つ第ＩＶ族元素のｎ形不純物が添加されたｎ形のリン化硼素系化合物半導体層を有することを特徴とするリン化硼素系半導体素子。」 
　
２．引用刊行物及びその摘記事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、米国特許第４２１４９２６号明細書（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　 
（１）刊行物１（米国特許第４２１４９２６号明細書）
（１ａ）「BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a method of doping a IIb or VIb group element into a boron phosphide semiconductor and, in particular, it relates to a method of doping a IIb group acceptor impurity element or a VIb group donor impurity element in the vapor phase growth of boron phosphide by incorporating trace amounts of organic compounds of a IIb group element or hydrides of a VIb group element in the reaction gas.
  It has been difficult to obtain a high quality boron phosphide crystal since the crystal growth thereof is more difficult as compared with other III, VI and V group elements such as GaAs, GaP and like. Consequently, an extreme difficulty is present in the method of impurity doping to form an acceptor level due to the IIb group element impurity or a donor level due to the VIb group element impurity.」（第１欄第９〜２５行）
（１ｂ）「SUMMARY OF THE INVENTION
  It is, accordingly, an object of the present invention to provide a novel method of doping a IIb or VIb group element into a boron phosphide semiconductor.
  It is another object of the present invention to provide a method for effecting the vapor phase growth of a P or N type boron phosphide epitaxial layer at a high quality.」（第１欄第２６〜３４行）　
（１ｃ）「EXAMPLE 4
  Description will now be made in this example for the case where BP vapor phase growing is effected on a Si substrate by using B2H6, PH3 and H2 as the reaction gas, simultaneously with the impurity doping of VIb group elements of S, Se and Te from VIb group hydrides: H2S, H2Se and H2Te.
  A Si substrate having (100), (110) and (111) faces subjected to mirror polishing was placed on a SiC-coated carbon susceptor and kept at a growing temperature of 930℃ by way of radio frequency induction heating and caused to grow epitaxially in vapor phase under the conditions of B2H6 concentration at 2×10-5 mol/min, and PH3 /B2H6 molar ratio at 50. At the same time, VIb group hydrides diluted with H2 were mixed with the reaction gas and introduced into a quartz reaction tube while controlling the amount supplied by way of a flowmeter. The BP vapor phase grown layer doped with VIb group elements from VIb group hydrides had a film about 2μ in thick. After the completion of the growing, silicon as the substrate was removed through etching by the use of mixed acid composed of HF-HNO3 and the carrier concentration was measured by the Van der Pauw method. The BP layer doped with the VIb group elements exhibited a conduction type N. A non-doped vapor phase grown layer not doped with the VIb group elements exhibited a conduction type N and had the carrier concentration less than 5×1016 cm-3. Gas flow rates 100 cc/min, 500 cc/min and 1000 cc/min indicative of the carrier density for the BP vapor phase grown layer and obtained by varying the amount of the doping gas supplied composed of VIb hydrides: H2S, H2Se and H2Te diluted with H2 to 300 ppm are shown in table 1 below, and these flow rates respectively correspond to VIb hydride/B2H6 molar ratio of: 0.067, 0.33 and 0.67. As can be seen from the table 1, the carrier concentration increased with the increase in the amount of the VIb group hydrides supplied. Reflecting electron diffraction showed no degradation resulted from VIb element doping in the vapor phase grown BP layer. The amounts of S, Se and Te in the grown BP layer measured by a mass spectrum analyzer and an X-ray micronanalyzer were substantially corresponded to the carrier concentration measured electrically.」（第６欄第２３〜６８行）
（１ｄ）「As apparent from the foregoing Examples 4 and 5, production of a N type layer in the epitaxial growing of BP is enabled by doping VIb group elements into BP from VIb group hydrides, which provides a great industrial advantage in the preparation of PN junction devices by way of BP.」（第７欄第６３〜６８行）
　
 上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）の翻訳
（１ａ）「発明の背景
　本発明はリン化ホウ素半導体へのIIb又はVIb族元素のドーピング方法に関するものであって、特に、反応ガス中にIIb族元素化合物又はVIb族元素の水素化物を微量取り込むことにより、リン化ホウ素の気相成長において、IIb族アクセプタ不純物元素又はVIb族ドナー不純物元素をドーピングする方法に関するものである。
　高品質のリン化ホウ素の結晶を得ることは、他のIII,VI又はV族化合物半導体、すなわち、GaAs、GaP等と比較してその結晶成長が困難であるから、容易なものではなく、従って、IIb族元素不純物に起因するアクセプタ・レベル、又は、VIb族元素不純物に起因するドナー・レベルを形成するような不純物ドーピング方法は、極めて困難なことであった。」
（１ｂ）「発明の要約
　従って、本発明の目的は、リン化ホウ素半導体の中にIIb又はVIb族元素をドーピングする新たな方法を提供することである。
　本発明の別の目的は、良質なP又はN型リン化ホウ素エピタキシャル層の気相成長に有効な方法を提供することである。」
（１ｃ）「実施例４
　この実施例において、B2H6, PH3 及びH2 を反応ガスに用い、Si基板上にBPを気相成長させると同時に、VIb族水素化物H2S, H2Se 及び H2Te を用いて、S, Se 及び Te のVIb族元素の不純物ドーピングを行う場合について述べる。
 (100), (110)又は(111)面を有する鏡面研磨されたSi基板がSiCコート カーボンサセプタ上に載せられ、高周波誘導加熱により成長温度９３０℃に保たれ、B2H6 濃度 2×10-5 mol/min, PH3 /B2H6 （モル比）を50の条件下で気相エピタキシャルを行なわしめる。同時に、H2希釈したVIb族水素化物を流量計により供給量の制御を行い、反応ガスに混合、石英反応管に導入した。VIb族水素化物によりVIb族元素のドーピングを行ったBP気相成長層の膜厚は２μであった。成長後基板となっているシリコンをHF-HNO3系混酸でエッチング除去し、Van der Pauw法によりキャリア濃度の測定を行った。VIb族元素のドーピングを行ったBP層はN型の導電型を示した。VIb族元素のドーピングを行わないnon-dope気相成長層は、N型でキャリア濃度は5×1016 cm-3以下であった。VIb族水素化物であるH2S, H2Se 及び H2Te のH2 希釈300 ppmのドーピングガスの供給量を変化させて得られたBP気相成長層のキャリア濃度を示すガス流量100cc/min, 500cc/min　と 1000cc/minは、表１に示されており、VIb族水素化物/B2H6 （モル比）はそれぞれ0.067, 0.33, 0.67に相当する。表１から明らかなようにVIb族水素化物の供給量の増加に従ってキャリア濃度の上昇が見られる。反射電子線回折によればVIb族元素のドーピングによるBP気相成長層の劣化は観察されなかった。マス・スペクトルアナライザ、X線マイクロ・アナライザによるBP成長層中のS, Se 及び Te の量は電気的測定によるキャリア濃度とほぼ一致し対応が見られた。」
（１ｄ）「以上の実施例４、５から明らかなように、BPの気相エピタキシャル成長において、VIb族水素化物を用いるVIb族元素のBP中のドーピングによりN型層の形成が可能となり、BPによるPN接合素子の作成上その工業的価値は大きい。」
（以下、刊行物を引用する場合には、上記の翻訳文の摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を用いることとする。）
　
３．対比・判断
　刊行物には、上記摘記事項（１ｃ）の「VIb族元素のドーピングを行ったBP層はN型の導電型を示した。VIb族元素のドーピングを行わないnon-dope気相成長層は、N型でキャリア濃度は5×1016 cm-3以下であった。」、及び「VIb族水素化物の供給量の増加に従ってキャリア濃度の上昇が見られる。」という記載から、VIb族元素はＮ型不純物であって、VIb族元素をドーピングしたBP層はＮ型半導体であり、ドーピングを行わないnon-dopeのBP層もＮ型半導体の性質を有することがわかる。
　また、上記摘記事項（１ｄ）の「BPによるPN接合素子の作成上その工業的価値は大きい」という記載から、上記摘記事項（１ｃ）におけるBP層は、ＰＮ接合素子の一部を成していることも理解できる。
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物には、
 「Si基板上に形成されたBP層を備えたＰＮ接合素子であって、non-dopeではN型半導体の性質を有しており、且つVIb属元素のＮ型不純物をドーピングしたＮ型のBP層を有する、BP層を備えたＰＮ接合素子。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「Si基板」、「BP層を備えたＰＮ接合素子」、及び「Ｎ型」は、本願発明の「単結晶基板」、「リン化硼素系半導体素子」、及び「ｎ形」にそれぞれ相当し、刊行物発明の「（Ｎ型不純物を）ドーピングした」ことは、本願発明の「（ｎ形不純物が）添加された」ことに相当する。
　また、BP（リン化硼素）はIII-V族化合物半導体であって、このIII-V族化合物半導体の結晶は、III族(V族)元素が、本来V族(III族)元素が占めるはずの位置を占有してしまうというアンチサイト欠陥を起こしやすいことから、刊行物発明の「BP層」は、本願発明の「硼素（Ｂ）の空孔を占有するリン（Ｐ）と、リンの空孔を占有する硼素とが内在する、硼素とリンとを構成元素として含むリン化硼素系（ＢＰ）系半導体層」に相当すると云える。
　そして、刊行物発明の「non-dopeではN型半導体の性質を有して」いることは、不純物が添加されていない状態でアクセプター濃度以上にドナー濃度を含んでいることと理解でき、「・・・硼素の正規の格子位置を占めるリンはドナー（ｄｏｎｏｒ）として作用するとされている・・・。逆に、リンの正規の格子位置を占めるアクセプター（ａｃｃｅｐｔｏｒ）として作用するとされる」（本願明細書段落【０００４】）ことから、結局、本願発明の「リンの空孔を占有する硼素の原子濃度以上に、硼素の空孔を占有するリンを含」んでいることを意味するから、両者は、
 「単結晶基板上に形成された、硼素（Ｂ）の空孔を占有するリン（Ｐ）と、リンの空孔を占有する硼素とが内在する、硼素とリンとを構成元素として含むリン化硼素系（ＢＰ）系半導体層を備えたリン化硼素系半導体素子であって、リンの空孔を占有する硼素の原子濃度以上に、硼素の空孔を占有するリンを含み、且つｎ形不純物が添加されたｎ形のリン化硼素系化合物半導体層を有する、リン化硼素系半導体素子。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：ｎ形不純物が、本願発明では、第ＩＶ族元素であるのに対し、刊行物発明では、（第）VIb族元素である点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　リン化硼素（ＢＰ）をｎ形半導体とするｎ形不純物として、第VIb族元素の他に、ＳｉやＳｎ等の第ＩＶ族元素を用いることは、例えば、以下の特許文献に示すように周知である。
　
周知例１：特開平２−２８８３８８号公報
（特に、第４頁右下欄第８行〜第５頁左上欄第４行、第１図参照。）
　
周知例２：特開平２−２８８３７１号公報
（特に、第４頁右下欄第８行〜第５頁左上欄第４行、第１図参照。）
　
周知例３：特開２０００−３４９３３５号公報
（特に、段落【００１８】参照。）
　
周知例４：特開２０００−１２８９６号公報
（特に、段落【００３２】参照。）
　
周知例５：特開平１１−３４６００１号公報
（特に、段落【００５９】参照。）
　
　よって、刊行物発明において、第VIb族元素のｎ形不純物に代えて、周知の、第ＩＶ族元素のｎ形不純物を採用することは、当業者にとって容易に想到しうることである。
　そして、上記相違点に係る本願発明の作用効果も、格別なものは見当たらない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。