【事件の表示】
　特願２０００−１１６６８８「光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月１６日出願公開、特開２００１−３２００６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１２年４月１８日（優先権主張平成１２年３月２日）に特許出願したものであって、平成１８年７月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年８月１１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされた後、当審において、平成２０年５月２２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年７月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、上記手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「　互いに平行な第１および第２の主表面を備えた透明基板と、前記第１の主表面上に形成された反射抑制膜と、前記第２の主面上に形成された透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成された少なくとも一つの光電変換ユニットと、前記光電変換ユニット上に形成された裏面電極とを備えた光電変換装置であって、
　前記反射抑制膜が、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平均粒径を有する微粒子と、前記微粒子同士および前記微粒子と前記透明基板との間の付着強度を向上させる金属酸化物からなるバインダーと、前記微粒子の間の空隙とを含み、前記微粒子が露出して前記反射抑制膜の表面に凹凸が形成され、
　前記透明導電膜を形成した状態で測定した前記透明基板の波長域８００ｎｍ〜９００ｎｍにおける光線透過率が７５％以上であり、
　前記光電変換ユニットの少なくとも一つが、バンドギャップが１．８５ｅＶ以下の半導体材料の薄膜を光電変換層として含み、
　前記光電変換ユニットとして、前記透明導電膜側から順に、非晶質シリコン系薄膜を光電変換層とする非晶質シリコン系光電変換ユニットと、結晶質シリコン系薄膜を光電変換層とする結晶質シリコン系光電変換ユニットとがこの順に積層された構成を有する、ことを特徴とする光電変換装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
（１）当審における拒絶理由通知に引用した、本願優先日前に頒布された刊行物である実願平１−１１８４３９号（実開平３−５７９５２号）のマイクロフィルム（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
　
「基板に起電力部を形成してなる光起電力装置において、
　前記基板の内部に設けた空孔又は基板の前記起電力部と反対側に位置する表面に設けた粗面で入射光を散乱するようにしたことを特徴とする光起電力装置。」（１頁、実用新案登録請求の範囲）、
「第１図は本考案をａ−Ｓｉ太陽電池に適用した実施例を示す図面である。
　このａ−Ｓｉ太陽電池は、透光性ガラス基板２の図上下面側に起電力部を形成する透明電極４、光発電層５及びＡｌ裏面電極６をこの順で積層形成して成る。透明電極４の材質は、テクスチャ化されたＳｎＯ２から成る。また、光発電層５はａ−Ｓｉ：Ｈのｐｉｎ構造から成り、プラズマＣＶＤ法により形成される。
　加えて、透光性ガラス基板２の起電力部、より具体的には透明電極４と反対側の表面には入射光１を散乱角θで散乱させる粗面２０が設けられる。この粗面２０は、研磨加工により形成することにしてもよいし、表面にガラスの微小粒を融着したり或いはカッターによる切削加工により形成することにしてもよい。」（５頁７行〜６頁２行）
　
（２）当審における拒絶理由通知に引用した、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２７４５３６号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガラス基板の表面に平均粒径０．１〜１．０μｍの絶縁性微粒子薄膜を形成してなる太陽電池用基板。・・・
【請求項３】  絶縁性微粒子がシリカである請求項１又は２の太陽電池用基板。
【請求項４】  ガラス基板の表面に絶縁性微粒子を分散させたポリイミド溶液を塗布してなる請求項１〜３のいずれかの太陽電池用基板。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、安価に製造でき、かつ、光電変換効率の高い太陽電池用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質Ｓｉ太陽電池用の基板としては、一般的にガラス基板やステンレス基板が用いられる。この非晶質Ｓｉ太陽電池の変換効率を向上させるため、従来、太陽光の吸収量を増加させる方法として、光電変換層に入射する光の光路長を増加させ光変換効率を向上させるべく、ガラス表面を研磨する方法、熱ＣＶＤ法によりＳｎＯ２膜を形成する方法などの基板表面に凹凸を形成させることが行われている（特開昭５８−５７７５６、特開平２−１６４０７７等）。
【０００３】
【発明が解決しようとした課題】しかしながら、ガラス表面を研磨する方法では微細な凹凸を有する表面を得ることが難しく、また、熱ＣＶＤ法によりＳｎＯ２膜を形成する方法では生産性が悪くコスト高になるという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、ガラス基板の表面に形成する均一絶縁性微粒子薄膜によれば微細な凹凸を有し、光電変換効率が高く、しかも安価に製造できることを見出し本発明に到達した。即ち、本発明の要旨は、ガラス基板の表面に平均粒径０．１〜１．０μｍの絶縁性微粒子薄膜を形成してなる太陽電池用基板に存する。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。本発明において使用されるガラス基板は特に制限はないが、透明な強化ガラスが好ましい。ガラス基板の幅は一般的には１０〜１００cm、厚さは一般的には０．５〜５mmの範囲で選ぶのがよい。
【０００６】本発明において使用される絶縁性微粒子は、その平均粒径が０．１〜１．０μｍである。該範囲は、太陽光の主要波長範囲の０．４〜１．２μｍの範囲に対応したものであり、０．１μｍ未満あるいは１．０μｍを超えると光路長の増加効果が減少し、光線吸収効率が低下するので好ましくない。かかる使用される絶縁性微粒子としては、炭酸カルシウム、アルミナ、シリカ、酸化チタンなどが挙げられ、中でもシリカが好適である。・・・
【００１０】以上の絶縁性微粒子の薄膜をを（審決注：「薄膜をを」は「薄膜を」の誤記と認められる。）ガラス基板の表面に形成させる方法は特に限定されないが、絶縁性微粒子を溶媒に分散させてなる液を塗布する方法が望ましい。塗布液としては単に溶媒を用いてもよいが、樹脂化合物を溶解させた液を使用した方が分散性が向上し、絶縁性微粒子が均一に配列した膜が形成されやすいので好ましく、樹脂化合物としてはポリイミド系樹脂が特に好ましい。」
　
（３）当審における拒絶理由通知に引用した、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−５８８９２号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【００３８】図２は、図１の第１の実施の形態に代わり得る第２の実施の形態によるシリコン系薄膜光電変換装置を示している。なお、図１と２において、同一の参照番号は互いに対応する部分を示している。図２の薄膜光電変換装置では、ガラス等の透明な基板１上に前面透明電極２が形成される。光電変換されるべき光４は透明な基板１側から入射される。・・・前面透明電極２上にシリコン系薄膜光電変換ユニット１１が形成される。・・・」、
「【００４３】次に、図３の模式的な断面図を参照して、本発明の第３の実施の形態によるタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置が説明される。図３のタンデム型光電変換装置においては、基板１上の複数の層２０１〜２０３および２１１〜２１３が、図１の基板１上の複数の層１０１〜１０３および１１１〜１１３に対応して同様に形成される。
【００４４】しかし、図３のタンデム型光電変換装置においては、後方光電変換ユニットとして結晶質シリコン系光電変換層を含む第１のユニット２１を用い、この上に前方光電変換ユニットとしての第２のユニット２２がさらに重ねて形成される。第２の光電変換ユニット２２は、プラズマＣＶＤ法にて順次堆積された第１導電型の微結晶または非晶質のシリコン系薄膜２２１、実質的に真性半導体である非晶質シリコン系薄膜光電変換層２２２、および逆導電型の微結晶または非晶質のシリコン系薄膜２２３を含んでいる。第２の光電変換ユニット２２上には、前面透明電極２および櫛型金属電極３が図１の場合と同様に形成され、これによって図３に示されているようなタンデム型光電変換装置が完成する。
【００４５】図４は、図３の第３の実施の形態に代わり得る第４の実施の形態によるタンデム型光電変換装置を示している。図３と４の光電変換装置の関係は、図１と２の関係に類似しており、図３と４中の同一の参照番号は互いに対応する部分を表わしている。」、
「【符号の説明】
・・・
１１、２１：結晶質シリコン系光電変換ユニット
２２：非晶質シリコン系光電変換ユニット
・・・
１１２、２１２：結晶質シリコン系光電変換層
２２２：非晶質シリコン系光電変換層」
　
　イ　図４には、ガラス等の透明な基板１上に前面透明電極２が形成され、前面透明電極２上に、結晶質シリコン系光電変換層２１２を含む結晶質シリコン系光電変換ユニット２１、非晶質シリコン系光電変換ユニット２２２を含む非晶質シリコン系光電変換ユニット２２が形成された様子が示されている。
　
４　引用発明
　上記３（１）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「透光性ガラス基板２の下面側に、起電力部を形成する、透明電極４、ａ−Ｓｉ：Ｈのｐｉｎ構造からなる光発電層５及びＡｌ裏面電極６をこの順で積層形成してなり、前記透光性ガラス基板２の、透明電極４と反対側の表面には入射光１を散乱させる、ガラスの微小粒を融着した粗面２０が設けられたａ−Ｓｉ太陽電池」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「透光性ガラス基板２」、「ガラスの微小粒を融着した粗面２０」、「透明電極４」、「ａ−Ｓｉ：Ｈのｐｉｎ構造からなる光発電層５」、「Ａｌ裏面電極６」、「ガラスの微小粒」及び「ａ−Ｓｉ太陽電池」は、それぞれ、本願発明の「互いに平行な第１および第２の主表面を備えた透明基板」、「前記第１の主表面上に形成された反射抑制膜」、「前記第２の主面上に形成された透明導電膜」、「前記透明導電膜上に形成された少なくとも一つの光電変換ユニット」、「前記光電変換ユニット上に形成された裏面電極」、「微粒子」及び「光電変換装置」に相当する。
　
（２）引用発明は、透光性ガラス基板２の、透明電極４と反対側の表面に、ガラスの微小粒を融着した粗面２０が設けられたものであって、粗面２０は、融着したガラスの微小粒により形成されるものであるから、粗面２０の表面にはガラスの微小粒が露出することは明らかである。したがって、引用発明は、本願発明の「微粒子が露出して前記反射抑制膜の表面に凹凸が形成され、」との特定事項を有するものである。
　
（３）引用発明の「光発電層５」は、「ａ−Ｓｉ：Ｈのｐｉｎ構造からなる」ものであるところ、かかる構造の光発電層が１．７ｅＶ程度のバンドギャップを含むバンドプロファイルを有することは技術常識である（例えば、桑野幸徳著、「太陽電池とその応用〔エレクトロニクス製品から電力用発電まで〕」、パワー社、昭和６０年６月２５日、ｐ．２７、図３−１２参照。）から、引用発明の「光発電層５」が、バンドギャップが１．８５ｅＶ以下の半導体材料の薄膜を光電変換層として含むことは明らかである。
　したがって、引用発明は、本願発明の「光電変換ユニットの少なくとも一つが、バンドギャップが１．８５ｅＶ以下の半導体材料の薄膜を光電変換層として含み、」との特定事項を有するものである。
　
（４）以上によれば、両者は、
「互いに平行な第１および第２の主表面を備えた透明基板と、前記第１の主表面上に形成された反射抑制膜と、前記第２の主面上に形成された透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成された少なくとも一つの光電変換ユニットと、前記光電変換ユニット上に形成された裏面電極とを備えた光電変換装置であって、前記反射抑制膜が微粒子を含み、前記微粒子が露出して前記反射抑制膜の表面に凹凸が形成され、前記光電変換ユニットの少なくとも一つが、バンドギャップが１．８５ｅＶ以下の半導体材料の薄膜を光電変換層として含む光電変換装置。」
である点で一致し、下記ア〜ウの点で相違するものと認められる。
　
　ア　反射抑制膜に関し、本願発明は、微粒子が「０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平均粒径を有する」ものであり、また、「微粒子と、微粒子同士および前記微粒子と透明基板との間の付着強度を向上させる金属酸化物からなるバインダーと、前記微粒子の間の空隙とを含」むものであるのに対し、引用発明は、ガラスの微小粒の粒径が不明であり、また、「ガラスの微小粒を融着した」ものである点（以下「相違点１」という。）。
　
　イ　本願発明は、「透明導電膜を形成した状態で測定した透明基板の波長域８００ｎｍ〜９００ｎｍにおける光線透過率が７５％以上であ」るのに対し、引用発明は、透明電極４を形成した状態で測定した透光性ガラス基板の波長域８００ｎｍ〜９００ｎｍにおける光線透過率が不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
　ウ　光電変換ユニットに関し、本願発明は、「透明導電膜側から順に、非晶質シリコン系薄膜を光電変換層とする非晶質シリコン系光電変換ユニットと、結晶質シリコン系薄膜を光電変換層とする結晶質シリコン系光電変換ユニットとがこの順に積層された構成を有する」ものであるのに対し、引用発明は、「ａ−Ｓｉ：Ｈのｐｉｎ構造からなる」ものである点（以下「相違点３」という。）。
　
６　判断
（１）相違点１について
　ア　本願明細書には、反射抑制膜が、微粒子とともに、「微粒子同士および前記微粒子と透明基板との間の付着強度を向上させる金属酸化物からなるバインダー」と、「前記微粒子の間の空隙」とを含むものであることに関し、次の記載がある。
　
「【００１９】反射抑制膜１は、微粒子とバインダーとを含むことが好ましい。微粒子としては、酸化物微粒子が好ましく、屈折率が２．０以下、特に屈折率が１．６以下の材料からなる微粒子が好適である。特に適した酸化物微粒子は、シリカ微粒子である。ただし、ここでは、酸化シリコンを主成分としていれば、他の成分を含んでいてもシリカ微粒子と呼ぶこととする。シリカ微粒子としては、例えば、ゾルゲル法によりシリコンアルコキシドをアンモニアなどの塩基性触媒の存在下で反応させて合成したシリカ微粒子や、珪酸ソーダなどを原料としたコロイダルシリカ、気相で合成されるヒュームドシリカなどを用いることができる。
【００２０】このような微粒子を用いて形成した反射抑制膜は、多くの場合、微粒子間に空隙を含む構造を有する。空隙を含むと、膜の実質的な屈折率が低下し、反射抑制効果が向上する。実際には、反射抑制膜の構造は、微粒子の粒径により変化する。微粒子の粒径が小さすぎると、粒子間の空隙も小さくなって毛管力が増し、空気中の水分や有機物が除々に（審決注：「除々に」は「徐々に」の誤記と認められる。）空隙に入り込む。空隙が失われると膜の屈折率は増すことになる。その一方、微粒子の粒径が大きすぎると、ガラス板との密着性が低下する。このような観点から、微粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上１．０μｍ以下が好適である。・・・
【００２５】反射抑制膜は、微粒子とともにバインダーを含むことが好ましい。バインダーは、微粒子同士、および微粒子とガラス板との間の付着強度を向上させる。バインダーとしては、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物およびタンタル酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属酸化物が好ましい。バインダーの原料としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、ＺｒおよびＴａから選ばれる少なくとも１種の金属のアルコキシドが、膜強度や化学的安定性の観点から好適である。バインダー成分の含有量が比較的大きい膜では、バインダー成分の屈折率が反射率に影響を及ぼすため、屈折率の小さいシリコンアルコキシド、特にシリコンテトラアルコキシドまたはそのオリゴマーが好ましい。
【００２６】以下、シリカ微粒子およびバインダーを含む反射抑制膜の製法についてさらに詳しく説明する。この膜は、シリカ微粒子、金属アルコキシドなどの金属化合物などから調製したコーティング液を用いて成膜できる。このコーティング液は、金属化合物の加水分解物をシリカ微粒子と混合することによって調製してもよいが、シリカ微粒子の存在下で、加水分解可能な金属化合物を加水分解して調製することが好ましい。シリカ微粒子の存在下で金属アルコキシドを加水分解すると、シリカ微粒子表面のシラノール基と金属アルコキシドとの間の縮合反応がコーティング液中で促進される。この縮合反応は、シリカ微粒子間の密着力を高めるだけでなく、シリカ微粒子表面の反応性を上げて微粒子とガラス基板との密着力も強化する。こうして調製されたコーティング液をガラス板に塗布し、加熱することにより、ガラス板上に反射抑制膜を形成できる。」
　
　イ　上記によれば、本願発明における「微粒子と、微粒子同士および前記微粒子と透明基板との間の付着強度を向上させる金属酸化物からなるバインダー」とは、少なくとも、「シリカ微粒子とシリコン酸化物からなるバインダー」を含むものであること、シリカ微粒子を用いて形成した反射抑制膜は多くの場合微粒子間に空隙を含む構造を有するものであるが、微粒子の粒径が小さすぎると空気中の水分や有機物が徐々に空隙に入り込むことから、本願発明においては、微粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上に規定したものであって、反射抑制膜が「微粒子の間の空隙」を含むために、それ以上の格別の構成を有するものではないことが認められる。
　
　ウ　そうすると、引用発明における反射抑制膜を、「０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平均粒径を有するシリカ微粒子とシリコン酸化物からなるバインダーとを含む」ものとすれば、その結果、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成を得ることになるものというべきである。
　
　エ　しかるところ、前記３（２）によれば、刊行物２には、太陽電池用ガラス基板の表面に平均粒径０．１〜１．０μｍのシリカなどの絶縁性微粒子薄膜を形成し、ガラス基板の表面が凹凸を有するようにする技術が記載されており、絶縁性微粒子の薄膜をガラス基板の表面に形成させる方法は、絶縁性微粒子を溶媒に分散させてなる液を塗布する方法が望ましく、塗布液としては、ポリイミド系樹脂を溶解させた液を使用した方が好ましいが、単に溶媒を用いてもよいこと、さらに、絶縁性微粒子の薄膜をガラス基板の表面に形成させる方法は、特に限定されないことが記載されているものと認められる。
　そうすると、引用発明における透光性ガラス基板２に粗面２０を設ける手段として、ガラスの微小粒を融着する構成に代えて、当業者が適宜採用し得る手法により、平均粒径０．１〜１．０μｍのシリカなどの絶縁性微粒子薄膜を形成する構成を採用することは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　ここで、ガラス基板表面に微小な凹凸を設けた反射防止膜を形成する方法として、シリカなどの微粒子を分散させたエチルシリケートなどのアルコール溶液を基板に塗布、焼成し、生成するシリコン酸化物をバインダーとして作用させることは、本願優先日前に周知の技術である（例えば、特開平７−１３４９５６号公報の段落【００１８】【００１９】、特開平５−２８８９０３号公報の段落【００３４】【００３５】、特開平１−１５４４４４号公報の２頁左上欄１行〜１２行、特許請求の範囲第９項参照。）から、引用発明において、平均粒径０．１〜１．０μｍのシリカなどの絶縁性微粒子薄膜を形成するに際して、シリコン酸化物からなるバインダーを含むものとすることは、当業者が適宜採用し得る手法というべきである。
　
　オ　してみれば、引用発明における反射抑制膜を、「０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平均粒径を有するシリカ微粒子とシリコン酸化物からなるバインダーとを含む」ものとすることは、刊行物２記載の技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきところ、上記ウのとおり、このことにより相違点１に係る本願発明の構成を得ることになるのであるから、結局のところ、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（２）相違点２について
　光電変換装置において、透明導電膜を形成した透明基板の光線透過率は、使用される波長域において高い方が好ましいことは明らかであるから、波長域８００ｎｍ〜９００ｎｍにおいて７５％以上とすることは、当業者が設計上適宜なし得る下限値の設定に過ぎない。
　
（３）相違点３について
　前記３（３）によれば、刊行物３には、「ガラス等の透明な基板１上に前面透明電極２が形成され、前面透明電極２上に、結晶質シリコン系光電変換層２１２を含む結晶質シリコン系光電変換ユニット２１、非晶質シリコン系光電変換ユニット２２２を含む非晶質シリコン系光電変換ユニット２２が形成されたシリコン系薄膜光電変換装置」が記載されているものと認められ、当該光電変換装置の構成を引用発明に適用し、相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
（４）発明の効果について
　本願発明の奏する効果について、本願明細書の記載をみても、刊行物１ないし刊行物３の記載事項及び周知技術から当業者が予測し得ないほどの格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　
７　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、刊行物１ないし刊行物３にそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。