【事件の表示】
　平成１０年特許願第１２８９８７号「半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１２月２２日出願公開、特開平１０−３４１０３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年５月１２日（パリ条約による優先権主張１９９７年６月３日、米国）の出願であって、 平成１８年２月８日付けで手続補正がなされ、同年２月２０日付けで拒絶査定がなされたところ、これに対し、同年５月２９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年６月２３日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１８年６月２３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年６月２３付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正の内容
　ア．本件補正は、平成１８年２月８日付け手続補正により補正された本願明細書の特許請求の範囲を、
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１の側部を備えた多層ヘテロ構造と、
　活性素子領域を形成する、多層ヘテロ構造内のｐ−ｎ接合（１１）と、
　ｐ−ｎ接合に電気的に接続する金属接点（１４、１５）と、
　上部素子領域、及び、多層ヘテロ構造に対して斜角をなす連続側部表面を備えた、第１の側部に接する一次透明窓と、
　が含まれている半導体発光素子。
【請求項２】
　ｐ−ｎ接合領域の活性素子領域が１５０平方ミルを超えることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
　一次透明窓（１２）層の厚さが５０〜２５０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
　斜角が２０〜５０度であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
　上部素子領域が、正方形、円、及び、三角形を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
　上部素子領域対活性素子領域の比が、３未満であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項７】
　一次透明窓（１２）が基板であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
　さらに、多層ヘテロ構造の第２の側部に接する二次透明窓（１３）が含まれていることと、第２の側部が第１の側部に対して平行であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
　さらに、角度平均反射率が５０％を超える、二次透明窓に取り付けられたリフレクタが含まれていることを特徴とする、請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
　二次透明窓（１３）の厚さが５０〜２５０μｍであることを特徴とする、請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
　さらに、一次透明窓内の反射率が８０％を超えるように側部表面に設けられた高反射性金属が含まれていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
　さらに、一次透明窓の底面に配置された１つ以上の電気接点（１４、１５）が含まれていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
　さらに、角度平均反射率が５０％を超える、ヘテロ構造の第２の側部に取り付けられたリフレクタが含まれていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
　半導体発光素子であって、
　第１の側部を備えた多層ヘテロ構造と、
　活性素子領域を形成する、多層ヘテロ構造内のｐ−ｎ接合（１１）と、
　ｐ−ｎ接合に電気的に接続する金属接点（１４、１５）と、
　上部素子領域、及び、多層ヘテロ構造に対して斜角をなす連続側部表面を備えた、第１の側部に接する一次透明窓（１２）が含まれており、
　活性素子領域対上部素子領域の比として定義される領域歩留まりを所定値としたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１５】
　領域歩留まりが３３％を超えることを特徴とする、請求項１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
　一次窓（１２）の厚さが２５０μｍ未満であることを特徴とする、請求項１５に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
　斜角が５０゜未満であることを特徴とする、請求項１５に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
　金属接点の少なくとも１つの固有接触抵抗が５×１０-5オーム-ｃｍ2未満であることを
特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
　半導体発光素子の製造方法であって、
　ｐ−ｎ接合領域を備え、第１の側部を有する多層ヘテロ構造を作製するステップと、
　第１の側部に一次透明窓を取り付けるステップと、
　ｐ−ｎ接合と電気的に接触するステップと、
　一次窓の側部表面に整形を施して、側部表面が連続し、多層ヘテロ構造に対して斜角をなすようにすることによって、上部素子領域を形成するステップが含まれている、
　方法。
【請求項２０】
　一次透明窓の取り付けステップが、ウェーハ・ボンディング・ステップ及びエピタキシャル成長ステップを含むグループから選択されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
　さらに、二次透明窓を多層ヘテロ構造の第２の側部に取り付けるステップが含まれることと、第２の側部が第１の側部に対して平行であることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
　二次透明窓の取り付けステップが、ウェーハ・ボンディング・ステップ及びエピタキシャル成長ステップを含むグループから選択されることを特徴とする、請求項２１に記載の方法。」
から、
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　発光ダイオード構造であって、
　　光を発するための平らな表面を持ち、かつ、透明で、前記平らな表面に対して斜角をなす少なくとも一又はそれ以上の側部を持つ窓部分、及び光を生成するための活性層を含む多層へテロ構造
　を備え、前記斜角は、前記窓部分の前記側部から脱出する光の量を増大するように選択され、
　前記活性層に対して角をなす、前記窓部分の各側部の内角が、４０〜７０度であり、
　前記窓部分の厚さが５０ミクロンを超え、
　前記窓部分内へ一表面から光を発し、かつ前記窓部分から離れるように他の表面から光を発する前記活性層は、前記窓部分の第一の表面上で支持され、前記窓部分から離れるように発された少なくとも幾らかの光は、反対方向に反射し戻され、
　前記窓部分の前記少なくとも一又はそれ以上の側部は、該窓部分が前記活性層に近付くように、外向きに伸び、
　前記活性層と垂直な方向に、該活性層より発した少なくとも幾らかの光は、前記窓部分の前記角をなす側部に当たり、及び
　オーム接触が前記活性層に電気的に接続し、かつ、前記オーム接触が、前記活性層から前記発光ダイオード構造外へ発された光を反射させるためのリフレクタを備える
　ことを特徴とする、前記発光ダイオード構造。
【請求項２】
　前記窓部分が、基板の少なくとも一部である
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
　前記窓部分が絶縁体である
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項４】
　前記窓部分が半導体である
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項５】
　前記窓部分が、その上で前記活性層が成長した成長基板に取って代わった基板である
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項６】
　前記へテロ構造の層が、前記窓部分上で成長した
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項７】
　前記窓部分が、該窓部分の一又はそれ以上の側部全体が前記斜角をなす錐台形状である　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項８】
　前記窓部分が、前記発光ダイオードにおける一次光出力窓である
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項９】
　前記ダイオードを通して電気接触を提供するために、
　　前記窓部分上に形成された第一のオーム接触、及び前記へテロ構造の反対側に形成された第二のオーム接触
　をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１０】
　前記斜角は一定ではない
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１１】
　　前記ダイオードの一次光出力表面と反対側の、前記へテロ構造の表面上に形成された反射性電気接触
　をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１２】
　前記ダイオードを通して電流を提供するために、
　　前記ダイオードの一次光出力表面と反対側の、前記へテロ構造の表面上に形成された２つのオーム接触
　をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１３】
　前記窓部分がＧａＰを含む
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１４】
　前記活性層が、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ，及びＰから成る群より選択された材料の組合せによって形成される
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１５】
　前記多層へテロ構造全体が切頭角柱を形成する
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１６】
　前記窓部分の前記少なくとも一又はそれ以上の側部が、該窓部分が前記活性層に近付くように、外向きに伸びる
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１７】
　前記窓部分の前記側部から脱出する前記光の量が、前記ダイオードが発する光全体の４０％を超える
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１８】
　前記窓部分は第１の窓部分であり、前記ダイオードが、前記活性層の前記第１の窓部分と面している側と反対側に、第２の窓部分をさらに備える
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１９】
　　前記多層へテロ構造を封じ込めるエポキシ
　をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項２０】
　前記活性層の表面が、該活性層と反対の方向を向く前記窓部分の表面の領域を超える領域を持つ
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。
【請求項２１】
　前記ダイオードの一次光出力表面が、前記窓部分の表面とは異なる
　ことを特徴とする、請求項１に記載のダイオード。」
へと補正するものである。
　
　イ．この本件補正は、
　（ａ）「方法の発明」である請求項１９乃至２２に係る発明を削除するとともに、
　（ｂ）「物の発明」である請求項１乃至１８を、「物の発明」である請求項１乃至２１に係る発明とするものである。
　
（２）補正の目的の適否について当審の判断
　ア．上記（１）イ．（ａ）の補正事項は、請求項の削除を目的とするものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的とするものである。
　
　イ．上記（１）イ．（ｂ）の補正事項は、「物の発明」に関する請求項１乃至１８の合計１８の請求項を、本件補正により、請求項１乃至２１の合計２１の請求項に増加するものであり、かつ、補正前の請求項１乃至１８はいずれも独立形式または単一請求項を引用する形式の請求項であるから、ｎ項を引用している１の請求項を形式をｎ−１以下の独立請求項に変更するものではない。よって、上記（１）イ．（ｂ）の補正事項は、請求項の数を増加させる補正であり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号乃至４号にそれぞれ掲げる「請求項の削除」、「特許請求の範囲の減縮」、「誤記の訂正」および「明りょうでない記載の釈明」のいずれにも該当しない。
　
　ウ．また、本件補正により、本件補正前に請求項１乃至２２において発明を特定するために必要な事項とされていた多層ヘテロ構造に関する限定事項である「ｐ−ｎ接合」を省いているから、本件補正前後の各請求項の記載について検討しても、本件補正は、特許請求の範囲を拡張するものであり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号乃至４号にそれぞれ掲げる「請求項の削除」、「特許請求の範囲の減縮」、「誤記の訂正」および「明りょうでない記載の釈明」のいずれにも該当しない。
　
　なお、原査定の拒絶の理由３は、明細書の段落【００１７】、段落【００２２】乃至【００２５】の記載は意味不明であるというものであるが、特許請求の範囲の記載における「ｐ−ｎ接合」を省く上記補正事項は、明細書の段落【００１７】、段落【００２２】乃至【００２５】についてするものではないのは明らかである。したがって、上記「ｐ−ｎ接合」を省く補正事項は、拒絶の理由に示す事項についてするものではなく、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当しない。
　
　エ．以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年６月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２２に係る発明は、平成１８年２月８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２２に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の側部を備えた多層ヘテロ構造と、
　活性素子領域を形成する、多層ヘテロ構造内のｐ−ｎ接合（１１）と、
　ｐ−ｎ接合に電気的に接続する金属接点（１４、１５）と、
　上部素子領域、及び、多層ヘテロ構造に対して斜角をなす連続側部表面を備えた、第１の側部に接する一次透明窓と、
　が含まれている半導体発光素子。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由２で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−２４４４５８号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光素子が少なくとも透光性基板と該透光性基板に積層された窒化ガリウム系化合物半導体とからなり、さらに該発光素子の透光性基板を上面としてリードフレーム上に載置し、発光素子全体を樹脂モールドで封止してなる青色発光ダイオードにおいて、
前記発光素子の側面が、透光性基板上面の鉛直方向より、鋭角θで切断されていることを特徴とする青色発光ダイオード。」
　
　ｂ．「【０００２】
【従来の技術】一般に、青色ＬＥＤの発光素子の材料として、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体が知られている。これら窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子を有する従来の青色ＬＥＤの構造を図２に示す。１は透光性基板、２は透光性基板１上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体（以下、本明細書においては、１と２とを合わせて発光素子という。）３は窒化ガリウム系化合物半導体２上の適切な位置に設けられた電極、４は発光素子を載置するリードフレーム、５は発光素子全体を封止し、窒化ガリウム系化合物半導体２からの発光を集光する樹脂モールドである。透光性基板１の材料にはサファイア、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等の酸化物系単結晶を使用することができ、一般的にはサファイアが用いられている。また樹脂モールド５には、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等、耐候性に優れた透明樹脂が用いられる。この図に示すように、従来の青色ＬＥＤはそのほとんどが、発光素子の端面が垂直になるようにチップ状にカットされ、透光性基板１側が上面、即ち発光観測面となるようにしてリードフレームに載置された構造を有している。」
　
　ｃ．「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の青色ＬＥＤは、発光素子が少なくとも透光性基板と該透光性基板に積層された窒化ガリウム系化合物半導体とからなり、さらに該発光素子の透光性基板を上面としてリードフレーム上に載置し、発光素子全体を樹脂モールドで封止してなる青色発光ダイオードにおいて、前記発光素子の側面が、透光性基板上面の鉛直方向より、鋭角θで切断されていることを特徴とするものである。
【０００７】鋭角θの角度は特に限定するものではないが、透光性基板の屈折率、樹脂モールドの屈折率によって適宜変更することができる。窒化ガリウム系化合物半導体の発光を全て透光性基板側（発光観測面側）に全反射させるためには、鋭角θは、透光性基板の屈折率をｎ1、前記樹脂モールドの屈折率をｎ2とした場合、ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）以上の角度、即ち臨界角以上の角度で切断されていることが好ましい。なお、この式により、全ての青色発光を発光素子側面で全反射させる場合、樹脂モールドの材料の屈折率が基板の屈折率よりも小さいものを選択することはいうまでもない。」
　
　ｄ．「【０００９】
【作用】図４は、本発明の一実施例に係る青色ＬＥＤにおいて、側面が鋭角θで切断された発光素子の構造を示す図である。また図３は、側面が垂直に切断された従来の発光素子の構造を示す図である。なおこれらの図は電極、リードフレームを省略して示している。図４に示すように、発光素子の側面を、透光性基板１の上面から、鋭角θで切断することにより、窒化ガリウム系化合物半導体より発する青色発光、特に発光素子側面近傍の青色発光を、透光性基板１で反射させて発光観測面に取り出し、有効利用することが可能となる。一方、前にも説明したように、図３に示す従来の発光素子は、透光性基板１内で全反射したり、発光素子の側面から出て行ってしまう光が圧倒的に多い。なお、この図４はθを臨界角以上としていないため、一部側面から出ていく光もあるが、θを前述の式に基づいて臨界角以上で切断することにより、全て観測面側に反射させることができるのは当然である。」
　
　ｅ．「【００１１】
【実施例】予めサファイア基板の上にｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮとを順に積層した２インチφのウエハーを用意し、ｐ型ＧａＮ層の一部をエッチングして、ｎ型ＧａＮ層を一部露出させる。次に、露出させたｎ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮとに所定の形状で電極を蒸着した後、サファイア基板に粘着テープを張り付ける。」
　
　ｆ．「【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の青色ＬＥＤはその発光素子の側面を斜めにカットしているために、窒化ガリウム系化合物半導体の発光を、その側面で反射させて透光性基板から有効に取り出すことができる。しかも従来のようにカップ状のリードフレームも必要とせず、生産性にも非常に優れている。」
　
　ｇ．「サファイア基板の上にｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮとを順に積層した」（上記ｅ．参照）ｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮの界面が、ｐ−ｎ接合であることは明らかである。また、「ｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮとに蒸着された電極」（上記ｅ．参照）は、それぞれｎ型ＧａＮまたはｐ型ＧａＮを介して上記ｐ−ｎ接合に電気的に接続されるのは明らかである。
　
　ｈ．図１から、透光性基板上面の鉛直方向より、鋭角θで切断されている発光素子の側面が、透光性基板及び窒化ガリウム系化合物半導体の側面からなる連続側部表面であることがみてとれる。
　
　上記ａ．〜ｈ．によると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「発光素子が少なくとも透光性基板と該透光性基板にｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮとが順に積層されてｐ−ｎ接合が形成された窒化ガリウム系化合物半導体とからなり、
　前記ｐ−ｎ接合に電気的に接続する電極を設け、
　該発光素子の透光性基板を上面としてリードフレーム上に載置し、発光素子全体を樹脂モールドで封止してなる青色発光ダイオードにおいて、
　前記窒化ガリウム系化合物半導体が青色発光を発し、
　前記発光素子の側面が、透光性基板上面の鉛直方向より、鋭角θで切断した連続側部表面である青色発光ダイオード。」
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　ａ．引用発明の「青色発光ダイオード」、「ｐ−ｎ接合」、「電極」および「透光性基板」は、それぞれ、本願発明の「半導体発光素子」、「ｐ−ｎ接合」、「接点」および「一次透明窓」に相当する。
　
　ｂ．引用発明の「ｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮとが順に積層されてｐ−ｎ接合が形成された窒化ガリウム系化合物半導体」の構造は、少なくともｎ型ＧａＮとｐ型ＧａＮの２層を有するから、本願発明の「多層ヘテロ構造」と、多層構造である点において一致する。また、引用発明は、「ｐ−ｎ接合が形成された窒化ガリウム系化合物半導体が青色発光を発」するから、該「ｐ−ｎ接合」およびその近くが、活性素子領域を形成しているのは明らかである。したがって、引用発明と本願発明とは、「活性素子領域を形成する、多層構造内のｐ−ｎ接合」を備える点においても一致する。
　
　ｃ．引用発明における、「透光性基板」に積層された「窒化ガリウム系化合物半導体」は、上記積層により「透光性基板」と接するから、引用発明の「窒化ガリウム系化合物半導体」の「透光性基板」と接する部分は、本願発明の「第１の側部」に相当し、引用発明は、本願発明における「第１の側部に接する一次透明窓」を備える。
　
　ｄ．引用発明の「透光性基板上面の鉛直方向より、鋭角θで切断した連続側部表面である発光素子の側面」は、発光素子が透光性基板と窒化ガリウム系化合物半導体とからなっているから、その一部は透光性基板の側面を構成している。また、窒化ガリウム系化合物半導体は透光性基板に積層されているから、透光性基板上面の鉛直方向より、鋭角θで切断した連続側部表面は、窒化ガリウム系化合物半導体に対して斜角をなしていることになる。よって、引用発明の透光性基板は「窒化ガリウム系化合物半導体に対して斜角をなす連続側部表面」を備えている。
　
　ｅ．引用発明における「透光性基板」の「上面」の領域は、本願発明における「一次透明窓」の「上部素子領域」に相当する。
　
　上記ａ．〜ｅ．からみて、両発明は、
「第１の側部を備えた多層構造と、
活性素子領域を形成する、多層構造内のｐ−ｎ接合と、
ｐ−ｎ接合に電気的に接続する接点と、
上部素子領域、及び、多層構造に対して斜角をなす連続側部表面を備えた、第１の側部に接する一次透明窓と、
が含まれている半導体発光素子。」
の点で一致し、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　上記「多層構造」が、本願発明では、「多層ヘテロ構造」であるのに対し、引用発明では、ヘテロ構造でない点。
　
＜相違点２＞
　上記「接点」が、本願発明では、「金属」であるのに対し、引用発明では蒸着したものであるもののその材料が明らかでない点。
　
（４）判断
　ア．相違点１について
　（ア）「活性素子領域を形成する、多層ヘテロ構造内のｐ−ｎ接合」は、本願の優先日前に周知である（例．特開昭６３−１８６８１号公報（第２頁左下欄第２行〜１６行、第１図および第２図参照。ＧａＡｓＰ動作層１３とＧａＡｌＰ層１との界面は、ヘテロ構造である。）、特開平３−２０３３８８号公報（特許請求の範囲第１項の記載、第４頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第１０行、第１図および第３図参照。ｐｎ接合構造を提供するｎ−ＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３と、ＧａＮ層（第４頁右下欄第１行）は、ヘテロ構造である。）、特開平４−６８５７９号公報（第１図のＺｎＯ：Ｃｌｎ型層３、ＧａＮ：Ｏ（Ｚｎ）ｎ型エピタキシャル発光層４およびＧａＮ：Ｚｎｐ型エピタキシャル電流注入層５が、活性素子領域を形成するｐ−ｎ接合を備えた多層ヘテロ構造である。また、第２図のＺｎＯｎ型エピタキシャル層１１、ＧａＮ：Ｏ（Ｚｎ）ｎ型エピタキシャル発光層１２、ＧａＮ：Ｍｇｐ型エピタキシャル注入層１３、第３図のＺｎＯ層３、ＧａＩｎＮ：Ｏｎ型発光層２０、ＧａＮ：Ｚｎｐ型エピタキシャル注入層２１、第４図のＺｎＯｎ型層３、ＧａＩｎＮ：Ｏｎ型エピタキシャル発光層３０、ＧａＩｎＮ：Ｚｎｐ型エピタキシャル注入層３１、第６図のＧａＩｎＮｎ型緩衝層５０、ＧａＮ：Ｓｎ型発光層５１、ＧａＮ：Ｚｎｐ型注入層５２も同様である。）、特開平８−４６２４０号公報（段落【０００３】のダブルヘテロｐｎ接合を有する発光ダイオード、段落【００１０】、【００２２】〜【００２４】および図１の発光層５が、ｐ層６およびｎ＋層４とのダブルヘテロ接合に形成されているｐｎ構造の窒化ガリウム系発光素子、第２実施例（図８参照。）の（Ａｌ０．３Ｇａ０．７）０．９４Ｉｎ０．０６Ｎからなる高キャリア濃度ｎ＋層４、（Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１）０．９９Ｉｎ０．０１Ｎからなる発光層５、（Ａｌ０．３Ｇａ０．７）０．９４Ｉｎ０．０６Ｎからなるｐ層６は、ｐ伝導型の発光層５とｎ＋層４とのｐｎ接合を備えたダブルヘテロ構造をなし、第３実施例（図９参照。）のダブルヘテロ接合が形成されるｐ伝導型の発光層５とｎ＋層４とはｐ−ｎ接合である。））。
　
　（イ）そして、引用発明における多層構造として、上記周知の多層ヘテロ構造を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　イ．相違点２について
　（ア）発光ダイオードの電極の材料として「金属」を用いることは、本願の優先日前に周知である（例．上記特開平３−２０３３８８号公報（第４頁右上欄第６、７行参照。）、上記特開平８−４６２４０号公報（段落【００１０】、【００２１】参照。））。
　
　（イ）そして、引用発明の電極すなわち接点の材料を、上記周知の金属材料とすることは、当業者にとっては容易なことである。
　
　ウ．本願発明の効果は、引用発明および上記周知技術から当業者が予測しうる程度のものである。
　
４．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明および上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。