【事件の表示】
　平成１１年特許願第　７３９８５号「電界放出素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月２９日出願公開、特開２０００−２６８７０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年３月１８日の出願であって、平成１７年１１月３０日付け（発送日同年１２月６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年１月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年１月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の記載を、補正前の、
「【請求項１】カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電粒子と抵抗粒子と絶縁粒子からなる群から選択され粒子径が数μｍ以下の微細な一種類の粒子で電子放出の均一性を確保できるように構成された凹凸層と、
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料により構成され、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。
【請求項２】カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電層又は抵抗層から構成され、断面矩形歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように構成された凹凸層と、
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料により構成され、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。
【請求項３】カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電層又は抵抗層から構成され、先端が鋭角の鋸歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように構成された凹凸層と、
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料により構成され、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。
【請求項４】カソード基板の表面に形成された導電電極の表面にカソード基板の表面に対して一定の高さで突出する凹凸層を形成し、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料により構成されて前記導電電極に導通するエミッション層を前記凹凸層を被覆して設けることを特徴とする電界放出素子の製造方法。」
から、補正後の、
「【請求項１】　カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電粒子と抵抗粒子と絶縁粒子からなる群から選択され粒子径が数μｍ以下の微細な一種類の粒子で電子放出の均一性を確保できるように
印刷法又はエッチング法により
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料
をペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって
【請求項２】カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電層又は抵抗層から構成され、断面矩形歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように
印刷法又はエッチング法により
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料を
ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって
【請求項３】カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電層又は抵抗層から構成され、先端が鋭角の鋸歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように
印刷法又はエッチング法により
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料を
ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって
【請求項４】カソード基板の表面に形成された導電電極の表面にカソード基板の表面に対して一定の高さで突出する凹凸層を
印刷法又はエッチング法により
ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって
に補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、補正前の請求項１〜４に記載した発明を特定するために必要な事項である「凹凸層」に関して、「印刷法又はエッチング法により」構成又は形成される点を限定し、また、「エミッション層」に関して、「ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって」構成され又は設けられる点を限定を付加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項３に記載された事項により特定される発明（以下「補正後第３発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）補正後第３発明を改めて記載する。
「【請求項３】カソード基板と、
　前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、
　前記導電電極の表面に設けられ、導電層又は抵抗層から構成され、先端が鋭角の鋸歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように
印刷法又はエッチング法により
　フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料を
ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１９９３９８号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　ア　「【請求項１】基板上にライン状に導電性材料が形成されてなるカソード電極と、該カソードと直交するようにライン状に導電性材料が形成されてなるグリッド電極とを構成し、前記カソードとグリッド電極との間に絶縁体を有し、該カソードとグリッド電極が電気的に絶縁されており、かつ、該カソード上には炭素を含む材料が積層されており、該カソードとグリッド電極との間に電界を加えることで、前記カソード上の炭素を含む材料から電子を放出することを特徴とする電子発生装置。
【請求項２】請求項１において、前記カソード上の炭素を含む材料は、ダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする電子発生装置。
【請求項３】請求項１において、前記カソード上の炭素を含む材料は、カーボンナノチューブであることを特徴とする電子発生装置。
・・・
【請求項５】請求項２において、ダイヤモンドライクカーボンが積層されるカソード表面には突起状凹凸が形成されていることを特徴とする電子発生装置。」（【特許請求の範囲】）
　　イ　「【発明の属する技術分野】本発明は、電子発生装置、より詳細には、電子放出用冷陰極電子発生装置に係り、例えば、ディスプレイ、高速高周波電子デバイス、撮像デバイス等に応用可能なものである。」（段落【０００１】)
　　ウ　「【発明の実施の形態】本発明による電子発生装置は、硝子、半導体、セラミックス、フィルムのどれかからなる基板上に電気的絶縁層を介して、ライン状に導電性材料が形成されてカソードを構成しており、それらは外部に設けた電源から電圧を印加出来るようになっている。そのライン状導電性材料の両側には挟むように電気的絶縁材が設けられていて、その高さは該導電材の表面よりも高くなっている。それらと直交するように、かつ、挟むように設けられた電気的絶縁材に橋を架けるような形でライン状に導電性材料が形成されてグリッド電極を構成しており、前記カソードとグリッド電極間に挟むように設けられた電気的絶縁材によって、双方は電気的に絶縁されており、該グリッド電極には外部から電界が印加できるようになっている。カソード上には炭素を含む材料が積層されており、カソードとグリッド電極間に電界を加えることで、カソード上の炭素を含む材料からグリッド方向に電子が放出される構造になっている。」（段落【００１４】)
　　エ　「（実施例２）第二の実施例として、電子放出層として、ダイヤモンドライクカーボンを用いた実施例がある。この実施例では、ダイヤモンドライクカーボンの積層される領域の表面が数ミクロンオーダで凹凸が付けられたその上に積層することでより効果的に電子が放出される。このときのダイヤモンドライクカーボン膜厚は約４００から１０００ｎｍである。図２は、上記第二の実施例を説明するための要部断面図で、図中、１０がカソードに設けられた突起状凹凸、１１が積層されたダイヤモンドライクカーボンである。なお、１は基板、４は絶縁領域、５はグリッド電極である。」（段落【００１８】）
　　オ　「【００１９】【発明の効果】請求項１の発明の効果：基板上に、ライン状に導電性材料が形成されてなるカソード電極と、該カソードと直交するようにライン状に導電性材料が形成されてなるグリッド電極とを構成し、前記カソードとグリッド電極との間に絶縁体を有し、該カソードとグリッド電極が電気的に絶縁されており、かつ、該カソード上には炭素を含む材料が積層されており、該カソードとグリッド電極との間に電界を加えることで、前記カソード上の炭素を含む材料から電子を放出するようにしたもので、低真空領域で、安定な電流特性が得られる。
【００２０】請求項２の発明の効果：請求項１の発明において、前記カソード上の炭素を含む材をダイヤモンドライクカーボンとしたので、低真空領域で、安定な電流特性が得られ、さらには、低電圧駆動で、大電流が得られ、また、プラズマＣＶＤなども使え、製法が容易となる。
【００２１】請求項３の発明の効果：請求項１の発明において、前記カソード電極上の炭素を含む材料をカーボンナノチューブとしたので、請求項２の発明の効果に加えて、更なる低電圧駆動で、大電流が得られる。
【００２２】請求項４の発明の効果：請求項１の発明において、前記ライン状カソード電極は平行に複数本形成されてアレー状になっており、かつ、前記ライン状グリッド電極は平行に複数本アレー状に形成されていて、前記カソードとグリッド電極の両方に電界が印加されたところの交点で、電子が放出されるようにしたので、アレー化により、個別駆動が可能となる。
【００２３】請求項５の発明の効果：請求項２の発明において、ダイヤモンドライクカーボンが積層されるカソード表面に突起状凹凸が形成されているので、請求項２の発明の効果をさらに良くし、低電圧駆動で、大電流が得られる。」（段落【００１９】〜【００２３】)
　　カ　図面の図２には、基板１の表面にカソード材１０が突起状凹凸に描かれており、突起状凹凸は先端が鋭角の鋸歯状であって、略一定の高さで突出していることが見て取れる。さらに、突起状凹凸には電子放出層としてダイヤモンドライクカーボン１１が被覆して描かれている。
　
　そうすると、上記ア（特に請求項５）、エ及びカから、基板１の表面にカソードが形成され、該カソードの表面には数ミクロンオーダの略一定の突起状凹凸１０が形成され、ダイヤモンドライクカーボン１１は電子放出層として突起状凹凸１０に被覆されたものであることが読み取れる。
　したがって、引用例には次のとおり発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
【引用発明】
　「基板１と、前記基板１の表面に形成されたカソードと、前記カソードの表面に設けられ先端が鋭角の鋸歯状であって基板１の表面に対して略一定の高さで突出するように構成された突起状凹凸１０と、ダイヤモンドライクカーボンによって構成され、前記突起状凹凸１０を被覆した電子放出層とを有する電子発生装置。」
　
（３）対比
　補正後第３発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「基板１」、「カソード」、「突起状凹凸１０」、「電子放出層」、「電子発生装置」は、それぞれ、補正後第３発明の「カソード基板」、「導電電極」、「凹凸層」、「エミッション層」、「電界放出素子」に相当する。
　　イ　引用発明の「ダイヤモンドライクカーボン」と、補正後第３発明の「フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料」とは、共に「炭素を含む材料」である点で共通する。
　　ウ　引用発明の突起状凹凸１０は、カソードと一体でカソードの表面に形成されているものであるから、該突起状凹凸１０は、カソードと同じく導電層として構成されていることは明らかである。
　　エ　引用発明の電子放出層はカソード表面の突起状凹凸１０を被覆しているから、該電子放出層はカソードに導通していることも明らかである。
　
　以上ア〜エの考察から、両者は、次の一致点で一致し、相違点１〜３で相違する。
　【一致点】
　「カソード基板と、前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、前記導電電極の表面に設けられ、導電層から構成され、先端が鋭角の鋸歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように構成された凹凸層と、炭素を含む材料によって構成され、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。」
　【相違点】
　相違点１：補正後第３発明では、凹凸層が「印刷法又はエッチング法により」構成されているのに対して、引用発明では、突起状凹凸１０（「凹凸層」に相当）がどのような方法により構成されているのか不明な点。
　相違点２：炭素を含む材料に関して、補正後第３発明では、「フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された」材料であるのに対して、引用発明では、ダイヤモンドライクカーボンである点。
　相違点３：補正後第３発明では、エミッション層を構成するにあたり、材料を「ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって」構成されているのに対して、引用発明では、電子放出層を構成するにあたり、どのような方法によって構成されるか不明な点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　相違点１については、電界放出素子を構成する部材に凹凸を構成するにあたり、エッチング法を用いることは、例えば、特開平１０−３１２７３６号公報（「【０００８】図２は本発明に係る電子放出素子の別の実施の形態を示す側断面図である。この実施の形態の電子放出素子２０は、共通の画素に対応する複数のカソード３’の下部が共通の導電性酸化物膜で構成されている。このような構造は、Ｐｔ電極２となるＰｔ膜上に導電性酸化物膜を成膜した後、その導電性酸化物膜を塩化第二鉄系の液で途中までエッチング処理することにより実現できる。」参照）、特開平９−２１３２０２号公報（「【００２５】【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態に係る電界放出型冷陰極装置を製造工程順に示す断面図である。・・・【００２６】先ず、通常の半導体ウェハの標準洗浄により表面処理したＮ型Ｓｉ基板１１を用意する。なお、Ｓｉ基板１１はＰ型としてもよい。次に、フォトリソグラフィによりパターニングしたレジストマスクを使用し、基板１１をドライエッチングする。これにより、図１（ａ）に示すように、多数の円柱状の凸部１２ａとこれを囲む溝１２ｂとを基板１１上に形成する。」参照）に記載のごとく周知技術にすぎない。したがって、引用発明の突起状凹凸１０を構成するにあたり、当該周知のエッチング法を採用して補正後第３発明のように構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　次に、相違点２について検討する。
　上記引用例には、電子を放出する炭素を含む材料として、カーボンナノチューブを用いたもの（上記摘記事項アの請求項３の記載参照）も記載されているから、引用発明の電子放出層であるダイヤモンドライクカーボンに代えてカ−ボンナノチューブを採用して補正後第３発明のごとく構成することは、当業者が容易になし得る材料の選択にすぎない。
　次に、相違点３について検討する。
　例えば、特開平１０−１４９７６０号公報（「【００８９】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の更に別の実施の形態に係る電界放出型冷陰極装置を製造工程順に示す概略断面図である。・・・【００９５】次に、被処理体の主面上全体に、即ち凹部５８内だけでなく凹部５８外にもカーボンナノチューブ層を形成する。カーボンナノチューブ層は、予め調製したカーボンナノチューブを塗布、印刷等により被処理体上に付与することもできる」参照）に記載のごとく、電子放出層を構成するにあたり、カーボンナノチューブをペースト化し、これを印刷法で印刷することによってカーボンナノチューブ層を構成することは周知技術にすぎない。したがって、引用発明の電子放出層を構成するにあたり、当該周知の印刷法を採用して補正後第３発明のごとく構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　
　そして、補正後第３発明の奏する作用効果についても、引用例の記載事項及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲内のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、補正後第３発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１８年１月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１６年１０月２９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのと認められるところ、本願の請求項３に係る発明（以下「本願第３発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項３】カソード基板と、前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、前記導電電極の表面に設けられ、導電層又は抵抗層から構成され、先端が鋭角の鋸歯状であってカソード基板の表面に対して一定の高さで突出するように構成された凹凸層と、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセルまたはそれらを含むカーボン材料から選択された材料により構成され、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例（特開平１０−１９９３９８号公報）及びその記載事項は、上記「第２」の「２（２）引用例」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願第３発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討した補正後第３発明の発明特定事項から、凹凸層に関して、「印刷法又はエッチング法により」構成される点の事項を省き、かつ、エミッション層に関して、「ペースト化し、これを印刷法で前記凹凸層の上に均一に印刷することによって」構成される点の事項を省いたものである。
　そうすると、本願第３発明の発明特定事項を全て含みさらに他の限定事項を付加したものに相当する補正後第３発明が、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願第３発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願第３発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第３発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項１、２、４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。