【事件の表示】
　特願２００１−３２２８０５「電気光学装置の製造方法、および電気光学装置、投射型表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月　９日出願公開、特開２００３−１３１５９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月１９日の出願（特願２００１−３２２８０５号）であって、平成１９年８月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年１０月３日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、平成１９年１０月３日付及び平成１９年１０月３１日付で手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１９年１０月３日付の手続補正についての補正却下の決定について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１０月３日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
２−１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲は、平成１９年４月１３日付手続補正書の特許請求の範囲に記載の、
「【請求項１】　画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、前記画素電極に対向する対向電極、および前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置の製造方法において、
　前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反射層であるアルミニウム膜と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層である窒化チタン膜の積層構造からなり、
　前記対向基板に前記遮光膜を形成する工程が、
　前記透明基板の前記ＴＦＴ基板と対向する面に、アルミニウム膜と窒化チタン膜を順次形成する工程と、
　前記アルミニウム膜と前記アルミニウム膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程と、からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】　前記透明基板としてマイクロレンズが形成された基板を用いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】　請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された、電気光学装置。
【請求項４】　前記電気光学物質が液晶であることを特徴とする、請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】　請求項３または４に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いるとともに、前記対向基板側を光源からの光の入射側としたことを特徴とする投射型表示装置。」が
　
「【請求項１】　画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、前記画素電極に対向する対向電極、前記画素電極に対向する領域の各々にマイクロレンズ、および前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置の製造方法において、
　前記透明基板として前記マイクロレンズが形成された基板を使用するとともに、
　前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反射層であるアルミニウム膜と、
当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層である窒化チタン膜の積層構造からなり、
　前記対向基板に前記遮光膜を形成する工程が、
　前記透明基板の前記ＴＦＴ基板と対向する面に、アルミニウム膜と窒化チタン膜を順次形成する工程と、
　前記アルミニウム膜と前記アルミニウム膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程と、からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】　請求項１に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された、電気光学装置。
【請求項３】　前記電気光学物質が液晶であることを特徴とする、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】　請求項３に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いるとともに、前記対向基板側を光源からの光の入射側としたことを特徴とする投射型表示装置。」と補正された。
　
　本件補正は、
ａ．請求項１を削除する補正、及び
ｂ．請求項２〜５を請求項１〜４として、さらに、各請求項について、透明基板のＴＦＴアレイ基板と対向する面において、「画素電極に対向する領域の各々にマイクロレンズが形成された」ことを限定する補正、
からなる。
　そして、補正事項ａ．は、請求項の削除を目的とするものであり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的とするものである。また、補正事項ｂ．は、いわゆる限定的減縮を目的とするものであり、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
２−２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、本件補正によってなされた、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）本願補正発明について
　平成１９年１０月３日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、上記「２−１　本件補正について」において記載された、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載における「前記アルミニウム膜と前記アルミニウム膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程」は「前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程」の誤記であることは明らかである。
　したがって、本願補正発明は、以下のとおりのものであると認める。
　
「画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、前記画素電極に対向する対向電極、前記画素電極に対向する領域の各々にマイクロレンズ、および前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置の製造方法において、
　前記透明基板として前記マイクロレンズが形成された基板を使用するとともに、
　前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反射層であるアルミニウム膜と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層である窒化チタン膜の積層構造からなり、
　前記対向基板に前記遮光膜を形成する工程が、
　前記透明基板の前記ＴＦＴ基板と対向する面に、アルミニウム膜と窒化チタン膜を順次形成する工程と、
　前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程と、からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−２１４２５８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の点が記載されている。
　
ア．「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年注目されている、画像をスクリーンに拡大投影する投射型画像表示装置においては、輝度を高めるべく、遮光膜が形成された側から強い光が照射されており、上記のような反射率の低い材料を用いて遮光膜を形成すると、遮光膜が光を吸収して表示素子の温度が上昇し、表示不良を起こしたり、表示装置の信頼性が低下する虞れがある。
【０００６】 このため、特開平１−１０２４３０号公報（「特開昭平」は誤記と認める。）には、光の反射率を高めて表示素子の温度上昇を防止するために、遮光膜をＡｌを用いて形成することが提案されている。しかし、Ａｌの薄膜は薬品によるダメージを受け易く、熱的な原子移動によるピンホールが発生し易い。よって、量産した場合に充分な良品率が得られない。また、遮光膜が光学的表示媒体側でも高反射率であるので、光散乱が生じてＴＦＴの特性が悪化したり、散乱光によるコントラストの低下などが起こり、画質が低下するという問題がある。
【０００７】　本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、強い照射光を用いて表示画面の高輝度化を図ると共に、画質の劣化を防止でき、しかも高い良品率で製造することができるアクティブマトリクス表示素子を提供することを目的とする。」
　
イ．「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマトリクス表示素子は、光学的表示媒体を挟んで対向配設された一対の透明絶縁性基板と、該一対の基板の一方にマトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極と接続されたスイッチング素子と、を有するアクティブマトリクス表示素子において、該一対の基板の内、絵素電極が形成されていない方の基板の該光学的表示媒体側に、開口部を有する遮光膜が、その開口部を該絵素電極と対向させて形成され、該遮光膜の略々全面が、高反射率のＡｌと高融点金属との合金からなる第１層と、低反射率の材料からなる第２層との２層構造からなり、該第２層が光学的表示媒体側に配されており、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】
【作用】本発明のアクティブマトリクス表示素子においては、遮光膜が、その開口部を絵素電極と対向させて形成され、２層構造からなっている。基板側に高反射率のＡｌと高融点金属との合金からなる第１層が形成されているので、光反射率が高く、基板の温度上昇が少なくすることができ、薬品や熱に対しても安定である。また、光学的表示媒体側に、低反射率の材料からなる第２層が第１層のほぼ全面に形成されているので、表示素子内での光散乱が生じにくく、ＴＦＴへの光照射や散乱光によるコントラストの低下を防ぐことができる。」
　
ウ．「【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１１】図１に本発明のアクティブマトリクス表示素子の模式図を示し、図２に図１の拡大図を示す。
【００１２】透明絶縁性基板１および５を有している。透明絶縁性基板１および５としては、ガラス基板が用いられている。一方の基板１には、絵素電極４がマトリクス状に形成され、各絵素電極４にはスイッチング素子としてＴＦＴ２が接続されている。また、各絵素電極４の間には、ゲートバスライン３およびソースバスライン９が互いに直交するように設けられている。
【００１３】 他方の基板５には、絵素電極４の周辺部および絵素電極４以外の部分を覆うように遮光膜６が形成されている。遮光膜６は、Ａｌと高融点金属との合金、例えば、Ａｌ９８％−Ｔａ２％（以下Ａｌ−Ｔａと称する）の合金からなる第１層６ａと、低反射率の材料、例えば、Ｍｏからなる第２層６ｂとの２層構造からなる。この遮光膜６は、例えば、スパッタリング法などの薄膜形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜とＭｏ薄膜とを連続的に形成し、これらの薄膜にフォトリソグラフィ技術により開口部を設けることにより形成することができる。
【００１４】 遮光膜６を覆って、基板５の全面にスパッタリング法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）からなる対向電極７とポリイミド樹脂を焼成してラビング処理を施した配向膜８とが設けられている。
【００１５】上記基板１と基板５との間には、液晶層（図示せず）が封入されて表示素子１０となっている。本実施例では、表示素子１０の表示画面の大きさについては、対角線を７５ｍｍ、絵素ピッチを縦１９０μｍ×横１６１μｍとし、遮光膜６の開口部を縦８８μｍ×横１０４μｍ、開口率３０％として形成した。また、表示は、ツイステッドネマティックモードで行うようにした。本実施例では、第１層６ａが設けられているので、表示素子面では可視光反射率が約８０％となり、また、第２層６ｂが設けられているので、表示素子内では可視光反射率が約６０％となる。従来より用いられているＣｒからなる遮光膜では、可視光反射率は約６０％であり、強い照射光の当たる表示素子面では遮光膜の光吸収率を約半分に低減し、表示素子内では散乱光を従来の遮光膜と同程度とすることができる。また、Ａｌ−Ｔａ薄膜は、Ａｌ薄膜に比べて薬品に対するダメージや熱的な原子移動によるピンホールの発生などが少なく、量産した場合に充分な良品率を得ることができる。」
　
エ．【図１】には、アクティブマトリクス表示装置の模式図が、【図２】には、【図１】の拡大図が記載されており、これらの図から、透明絶縁性基板１にマトリクス状に絵素電極４が配置され、透明絶縁性基板５には、透明絶縁性基板１の絵素電極に対向するように対向電極７が、透明絶縁性基板１の絵素電極の境界領域に対向するように遮光膜６が配置されていることが読み取れる。
　
　上記記載事項ア．乃至エ．の記載から、アクティブマトリクス表示素子に関し、
・「一方の基板１には、絵素電極４がマトリクス状に形成され、各絵素電極４にはスイッチング素子としてＴＦＴ２が接続されている」こと、
・基板１および５が「透明絶縁性基板」であること、
・「他方の基板５には、絵素電極４の周辺部および絵素電極４以外の部分を覆うように遮光膜６が形成されている」こと、
・「遮光膜６を覆って、基板５の全面にスパッタリング法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）からなる対向電極７と・・・とが設けられている。」こと、
・「基板５には、基板１の絵素電極４に対向するように対向電極７が、基板１の絵素電極４同士の境界領域に対向するように遮光膜６が配置されていること」、
・「上記基板１と基板５との間には、液晶層（図示せず）が封入されて表示素子１０となっている」こと、
・「遮光膜が、その開口部を絵素電極と対向させて形成され、２層構造からなっている。基板側に高反射率のＡｌと高融点金属との合金からなる第１層が形成されているので、光反射率が高」いこと、
・「遮光膜６は、Ａｌと高融点金属との合金、例えば、Ａｌ９８％−Ｔａ２％（以下Ａｌ−Ｔａと称する）の合金からなる第１層６ａと、低反射率の材料、例えば、Ｍｏからなる第２層６ｂとの２層構造からなる」こと、
・「この遮光膜６は、例えば、スパッタリング法などの薄膜形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜とＭｏ薄膜とを連続的に形成し、これらの薄膜にフォトリソグラフィ技術により開口部を設けることにより形成する」こと、
が記載事項として抽出される。
　
　よって、引用例１には、
「絵素電極４およびスイッチング素子としてのＴＦＴ２が複数、マトリクス状に形成された基板１と、透明絶縁性基板の前記基板１と対向する面に、前記絵素電極４に対向する対向電極７、および前記絵素電極同士の境界領域に対向する遮光膜６が形成された基板５と、該基板５と前記基板１との間に封入された液晶層とを有するアクティブイマトリクス表示素子の形成方法において、
　前記遮光膜６は、Ａｌと高融点金属との高反射率の合金、例えば、Ａｌ９８％−Ｔａ２％（以下Ａｌ−Ｔａと称する）の合金からなる第１層６ａと、当該第１層６よりも光反射率が低い低反射率の材料、例えば、Ｍｏからなる第２層６ｂとの２層構造からなり、、
　前記基板５に前記遮光膜６を形成する工程が、
　前記透明絶縁性基板である基板５の基板１と対向する面に、薄膜形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜とＭｏ薄膜とを連続的に形成する工程と、
　これらの薄膜にフォトリソグラフィ技術により開口部を設ける工程と、からなることを特徴とするアクティブマトリクス表示素子の形成方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１００２５０号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の点が記載されている。
　
オ．「【００７８】同様に、層間絶縁膜２２４を成膜してから活性層４０３の他端まで到達するコンタクトホール２２５をフォトリソグラフィ技術で形成し、スパッタリング法によりチタンやアルミニウムなどで金属層(図示せず)を膜厚500(nm)に成膜し、この金属層をドライエッチングでパターニングしてデータ電極２０４を形成する。
【００７９】これでＴＦＴ２０３が完成するので、図７(ａ)に示すように、データ電極２０４の上方に層間絶縁膜２２８を成膜し、この層間絶縁膜２２８の上面にスパッタリング法により膜厚50(nm)のチタン層４０４を低透光性かつ低反射性の第三機能層として成膜する。
【００８０】さらに、このチタン層４０４の上面にスパッタリング法により膜厚300(nm)のアルミニウム層４０５を高反射性の第四機能層として成膜し、同図(ｂ)に示すように、これらの金属層４０４，４０５をフォトリソグラフィ技術により同時にパターニングして光遮断膜２１６と上部金属膜２０７とを同一パターンに形成する。」
　
 　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−１９６９２６号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の点が記載されている。
　
カ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影型あるいは透過型のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの一方の面にマイクロレンズアレイを備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記アクティブマトリクス型液晶表示パネルは、液晶層を間に挟む一対の基板の一方に多数の絵素電極がマトリクス状に設けられ、隣合う絵素電極の間に、その絵素電極に駆動電圧を供給するための信号電極線が形成されると共に、駆動電圧を制御する薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と略称する）やＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）などのスイッチング素子が形成された基本構造をとる。
【０００３】　したがって、かかる液晶表示パネルにおいては、信号電極線との位置関係などにより規制されて表示を行う絵素電極を大きく形成することができず、パネル画面中の絵素領域の占める割合、いわゆる開口率が小さくなっていた。また、電圧非印加時に透過、印加時に非透過となる、いわゆるノーマリホワイトモードにより表示を行う場合、表示コントラスト及び色再現性を向上させるために絵素電極と信号電極線との間の光漏れを防止する必要がある。そのために、アクティブマトリクス基板に対向する基板上のＴＦＴ及び信号電極線に向き合う部分に金属などからなる遮光マスクを増設し、表示に寄与しない光を吸収または反射させるようにしている。
【０００４】しかし、この遮光マスクは、対向する両基板の貼り合わせ精度を考慮してマージンを含んだ大きさで形成する必要があり、そのために前述の原因により小さくされた開口率は更に小さくなり、表示画面が暗くなるという問題があった。
【０００５】このような問題点を解決するために、表示パネルを構成する２枚の基板のうち光源側に位置する基板の表面に、各絵素のそれぞれに対応する位置に複数のマイクロレンズをマトリクス状に配列して形成したり、或は表示パネルの光源側に別に透明板を設け、その透明板の片面に同じく各絵素のそれぞれに対応する位置に複数のマイクロレンズをマトリクス状に配列したりして、光源から照射される光を各マイクロレンズで絵素領域にそれぞれ集光し、それによって表示画面を明るくする方法が提案されている（特開昭６０−１６５６２１〜１６５６２４）。」
　
キ．「【０００６】上記マイクロレンズを備えた液晶表示装置としては、従来、図５に示す構成のものが知られている。この装置は、ガラス等の透明基板１と透明対向電極（図示せず）を形成した対向基板６との間に液晶層４が挟持されてなるアクティブマトリクス型液晶表示パネルと、この液晶パネルの対向基板６側に設けられたマイクロレンズアレイ８と、前記液晶表示パネルの周端部を覆う保護ケース１１とを備える。
【０００７】上記透明基板１の上には、マトリクス状に複数の絵素電極３が配設され、隣合う絵素電極３と３の間には、走査線としてのゲート電極線、信号線としてのソース電極線（共に図示せず）およびスイッチング素子としてのＴＦＴ２が形成されている。一方、対向基板６には、ゲート電極線、ソース電極線及びスイッチング素子２を覆い、ＴＦＴ２に光が入射するのを防止すべく遮光膜５が形成されている。これら両基板１と６との間には、両基板１、６を貼り合わせて液晶層４を保持する樹脂製のシール部材７が設けられている。また、対向基板６側から入射する光が、マイクロレンズアレイ８を介して各絵素領域に集光するようになっている。
【０００８】透明基板１の周辺部には、ゲート電極線の電極端子およびソース電極線の電極端子が画面内から引き出されており、これらの信号線に駆動回路からの電気信号を伝えるためにＬＳＩを搭載したフレキシブル基板９が接続され、これが更にコントロール基板１０に接続されて外部からの信号が入力される。これらの液晶表示パネルおよびコントロール基板１０を保護する目的で金属からなる保護ケース１１によって表示部を除いた領域が囲まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マイクロレンズを備えた従来の液晶表示装置の場合には、光源からの光がマイクロレンズアレイ８側から液晶表示パネルに入射し、矢印ａのように絵素電極３に集光されることによって明るい表示が得られる。しかし、保護ケース１１の端面１１ａで反射されてマイクロレンズアレイ８に入射したり、或はマイクロレンズアレイ８の光入射側の周縁から光が入射すると、矢印ｂ１又はｂ２に示すように、マイクロレンズアレイ８に入射した光がマイクロレンズアレイ８のレンズの作用によりＴＦＴ２に到達することがあった。或は、保護ケース１１とマイクロレンズアレイ８との間に生じる隙間から、半透明もしくは白色の樹脂からなるシール部材７に入射した光が、シール部材７の内部で散乱して矢印ｃのように液晶表示パネル内に侵入し、ＴＦＴ２に入射することがあった。このようにしてＴＦＴ２に光が到達すると、ＴＦＴ２を構成する半導体膜に光伝導が生じ、ＴＦＴ２のスイッチング特性が劣化するという欠点があった。このことは、ＴＦＴ以外のスイッチング素子においても、同様に生じる。」
　
ク．【図１】【図２】【図４】には、液晶表示装置の、それぞれの実施例が記載されており、いずれの実施例からも、対向基板６上のマイクロレンズアレイ８が、透明基板１上の絵素電極３に対向して配置されていることが読み取れる。
　
（２）対比
　ここで、本願補正発明と引用発明を対比する。
　引用発明におけるの「絵素電極４」、「スイッチング素子としてのＴＦＴ２」、「基板１」、「基板５」、「該基板５と前記基板１との間に封入された液晶層」及び「アクティブイマトリクス表示素子」は、それぞれ、本願補正発明の「画素電極」、「画素スイッチング用の薄膜トランジスタ」、「ＴＦＴアレイ基板」、「対向基板」、「該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質」及び「電気光学装置」に相当する。
　
　また、遮光膜に関して、引用発明の「Ａｌと高融点金属との高反射率の合金、例えば、Ａｌ９８％−Ｔａ２％（以下Ａｌ−Ｔａと称する）の合金」は、光反射率の高い材料であり、また、「光反射率が低い低反射率の材料、例えば、Ｍｏ」は、光反射率が低い材料であるから、引用発明の遮光膜６は、本願補正発明の「光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造」に相当する。
　
　さらに、遮光膜を形成する工程に関しても、引用発明の「薄膜形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜とＭｏ薄膜とを連続的に形成する」ことと、本願補正発明の「アルミニウム膜と窒化チタン膜を順次形成する」ことは、「光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層を順次形成する」点で一致している。
　
　また、引用発明の「これらの薄膜にフォトリソグラフィ技術により開口部を設ける」ことと、本願補正発明の「前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする」ことは、「光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造とをパターニングする」点で一致している。
　
　したがって、引用発明と本願補正発明とは、
「画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、前記画素電極に対向する対向電極、および前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置の製造方法において、
　前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造からなり、
　前記対向基板に前記遮光膜を形成する工程が、
　前記透明基板の前記ＴＦＴ基板と対向する面に、光反射率の高い材料から形成された高反射層と当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層を順次形成する工程と、
　光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造とをパターニングする工程と、からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
相違点１；
　本願補正発明は、透明基板の対向基板として「マイクロレンズが形成された基板」を使用し、画素電極に対向する領域にマイクロレンズを形成したものであるのに対し、引用発明においては、その点の限定がない点。
　
相違点２；
　光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造からなり遮光膜における、光反射率の高い材料から形成された高反射層が、本願補正発明では「アルミニウム膜」であるのに対し、引用発明では「Ａｌ−Ｔａ薄膜」である点。
　
相違点３；
　光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造からなり遮光膜における、光反射率の低い材料から形成された低反射層が、本願補正発明では「窒化チタン膜」であるのに対し、引用発明では「Ｍｏ薄膜」である点。
　
相違点４；
　光反射率の高い材料から形成された高反射層と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層の積層構造とをパターニングする手法に関して、本願補正発明は「ドライエッチングにより一括して」行ったものであるのに対し、引用発明では、その点の限定がない点。
　
（３）当審の判断
　以下、各相違点について検討する。
(3-1)相違点１について
　引用例３の上記記載事項カ．乃至ク．には、透明基板の対向基板として「マイクロレンズアレイが形成された基板」を使用し、絵素電極（画素電極）に対向する領域にマイクロレンズアレイを形成したものが記載されている。
　そして、引用例３の上記記載事項カ．における「光源から照射される光を各マイクロレンズで絵素領域にそれぞれ集光し、それによって表示画面を明るくする」の記載及び、引用例１の上記記載事項ア．における「本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、強い照射光を用いて表示画面の高輝度化を図ると共に、画質の劣化を防止でき、しかも高い良品率で製造することができるアクティブマトリクス表示素子を提供することを目的とする」の記載より、引用例３において、マイクロレンズを採用することとは引用発明における課題と同様に「表示画面の高輝度化を図る」という課題を解決するためのものである。したがって、かかる技術課題の共通性、及び、液晶表示装置という技術分野の共通性から、引用発明に上記の引用例３の『透明基板の対向基板として「マイクロレンズアレイが形成された基板」を使用し、絵素電極（画素電極）に対向する領域にマイクロレンズアレイを形成した』構造を採用し、上記相違点１に係る発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　
(3-2)相違点２について
　液晶表示装置の分野において、高反射層としてアルミニウム膜を用いることは、引用例２の上記記載事項オ．にも記載されているように周知の技術である。
　そして、高反射層の材料としてどのような材料を選択するかは、当業者が必要に応じて適宜決定し得る事項であるから、引用発明においても、上記周知技術を採用して、高反射層の材料としてアルミニウムを選択し、上記相違点２に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
(3-3)相違点３について
　液晶表示装置の分野において、低反射層として窒化チタン膜を用いることは、例えば、
・特開２０００−２０６５６２号公報（【００２１】〜【００２４】）
にも記載されているように周知の技術である。（なお、上記の周知例は、本願補正発明と同じく、アルミニウム膜に窒化チタン膜を積層するものである。）
　そして、低反射層の材料としてどのような材料を選択するかは、当業者が必要に応じて適宜決定し得る事項であるから、引用発明においても、上記周知技術を採用して、低反射層の材料として窒化チタンを選択し、上記相違点３に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
(3-4)相違点４について
　複数の層が積層された積層膜のパターニングをドライエッチングにより一括して行うことは、例えば、
・特開２００１−２８４３９号公報（【００５９】〜【００６０】）
・特開２０００−２８４３２６号公報（【００１３】）
にも記載されているように周知の技術である。特に、上記の「特開２００１−２８４３９号公報」に記載の周知例は、本願補正発明と同じく、アルミニウム膜と窒化チタン膜からなる積層構造の膜において、アルミニウム膜と窒化チタン膜の積層後にドライエッチングにより一括してパターニングするものである。
　そして、積層膜のパターニングにおいて、どのような手法を選択するかは、当業者が製造上の要請に応じて適宜設定し得る事項であるから、引用発明においても、上記周知技術を採用して、積層膜のパターニングの手法としてドライエッチングにより一括して行うものを選択し、上記相違点４に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、上記引用発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。すなわち、本願補正発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものではない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．平成１９年１０月３１日付の手続補正（以下、「本件補正２」という。）についての補正却下の決定について
　平成１９年１０月３日付手続補正が却下されたことにより、平成１９年１０月３１日付手続補正の直前に適法になされた手続補正は、平成１９年４月１３日付手続補正書によってなされた手続補正となるが、本件補正２が適法な補正であるかを判断する。
　
　本件補正２により、平成１９年４月１３日手続補正書の特許請求の範囲の記載が、平成１９年１０月３１日付手続補正書の特許請求の範囲の記載の、以下のとおりとなった。
「【請求項１】　画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、前記画素電極に対向する対向電極、前記画素電極に対向する領域の各々にマイクロレンズ、および前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置の製造方法において、
　前記透明基板として前記マイクロレンズが形成された基板を使用するとともに、
　前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反射層であるアルミニウム膜と、
当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層である窒化チタン膜の積層構造からなり、
　前記対向基板に前記遮光膜を形成する工程が、
　前記透明基板の前記ＴＦＴ基板と対向する面に、アルミニウム膜と窒化チタン膜を順次形成する工程と、
　前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程と、からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】　請求項１に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された、電気光学装置。
【請求項３】　前記電気光学物質が液晶であることを特徴とする、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】　請求項３に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いるとともに、前記対向基板側を光源からの光の入射側としたことを特徴とする投射型表示装置。」
　
　したがって、本件補正２は、
ａ．請求項１を削除する補正、
ｂ．請求項２〜５を請求項１〜４として、さらに、各請求項について、透明基板のＴＦＴアレイ基板と対向する面において、「画素電極に対向する領域の各々にマイクロレンズが形成された」ことを限定する補正、及び
ｃ．請求項１における「前記アルミニウム膜と前記アルミニウム膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程」を「前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程」とする補正
からなる。
　そして、補正事項ａ．は、請求項の削除を目的とするものであり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的とするものである。また、補正事項ｂ．は、いわゆる限定的減縮を目的とするものであり、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。また、補正事項ｃ．は、誤記の訂正を目的とするものであり、同法第１７条の２第４項第３号に掲げる事項を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正２によってなされた、本件補正２後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明２」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　本件補正２により、本願補正発明２は、上記の、平成１９年１０月３１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載のとおりとなったが、これは、上記「２−２　独立特許要件違反についての検討」において認定した本願補正発明と同じものである。
　してみると、「２−２　独立特許要件違反についての検討」で述べた理由と同じ理由で、本願補正発明２は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものではない。
　よって、本件補正２も本件補正と同様に、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
４．本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年１０月３日付の手続補正及び平成１９年１０月３１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年４月１３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものである。そして、その請求項１の記載において、「前記アルミニウム膜と前記アルミニウム膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程」の記載があるが、これは「前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程」の誤記であることは明らかである。したがって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、下記のとおりのものと認める。
「画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタが複数、マトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、前記画素電極に対向する対向電極、および前記画素電極同士の境界領域に対向する遮光膜が形成された対向基板と、該対向基板と前記ＴＦＴアレイ基板との間に保持された電気光学物質とを有する電気光学装置の製造方法において、
　前記遮光膜は、光反射率の高い材料から形成された高反射層であるアルミニウム膜と、当該高反射層よりも光反射率が低い材料から形成された低反射層である窒化チタン膜の積層構造からなり、
　前記対向基板に前記遮光膜を形成する工程が、
　前記透明基板の前記ＴＦＴ基板と対向する面に、アルミニウム膜と窒化チタン膜を順次形成する工程と、
　前記アルミニウム膜と前記窒化チタン膜とをドライエッチングにより一括してパターニングする工程と、からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項は、上記「２−２　独立特許要件違反についての検討」の「（１）引用例」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明に対して、「透明基板の前記ＴＦＴアレイ基板と対向する面に、・・・前記画素電極に対向する領域の各々にマイクロレンズが形成された」こと及び「前記透明基板として前記マイクロレンズが形成された基板を使用する」ことの限定を含まないものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２−２　独立特許要件違反についての検討」において記載したとおり、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。