【事件の表示】
　特願２００１−２４２７７４「レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２８日出願公開、特開２００３−　５９８５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年８月９日の出願であって、平成１７年５月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月１３日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、これに対し、指定期間内である同年１０月１０日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年７月１３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年７月１３日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　本件補正による主な補正事項
　本件補正により、特許請求の範囲は、
「【請求項１】　物質の表面に対してレーザ光を照射することで当該物質にアニール処理を施すレーザアニール装置において、
　上記物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、
　上記複数の半導体レーザ素子の各々に設けられ、上記複数の半導体レーザ素子から出射された上記レーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有し、上記出射口部と上記物質の表面とを対向させて配設されている複数の光学素子と、
　上記複数の半導体レーザが配列される支持台と、
　上記支持台に備えられ、上記半導体レーザ素子を上記物体の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構と
　を備えることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項２】　基板上に非晶質シリコン膜を成膜する第１の工程と、
　上記非晶質シリコン膜に対してアニール処理を施すことにより、上記非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に転換させる第２の工程と、
　上記多結晶シリコン膜を活性層として所定の領域に薄膜トランジスタを積層形成する第３の工程とを有し、
　上記第２の工程において、上記非晶質シリコン膜に対してレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、当該複数の半導体レーザ素子を上記非晶質シリコン膜の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構と、上記複数の半導体レーザ素子の各々に設けられ、上記複数の半導体レーザ素子から出射された上記レーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有し、上記出射口部と上記物質の表面とを対向させて配設されている複数の光学素子と、を備えるレーザアニール装置を用いて上記アニール処理を施すとともに、上記昇降機構により上記複数の半導体レーザと上記シリコン膜の表面との距離を変化させることで、上記シリコン膜に照射されるレーザ光の光強度を調節及び均一化することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」と補正された。
　
　２　特許法第１７条の２第３項について
　本件補正により補正された請求項２の「昇降機構により上記複数の半導体レーザと上記シリコン膜の表面との距離を変化させることで、上記シリコン膜に照射されるレーザ光の光強度を調節及び
均一化
　
　当初明細書等には、以下の記載がある。
「【００３３】
以上のような構成のレーザアニール装置２０では
レーザ光２８の光強度が均一化するように照射する
【００３４】そして、アモルファスシリコン膜の表面に照射する
レーザ光２８の光強度を均一化させる条件
複数の半導体レーザ素子２２の出射部２９とアモルファスシリコン膜の表面との距離を一定にして複数の半導体レーザ素子２２を支持台２３に支持させる
アモルファスシリコン膜の表面に照射されたレーザ光２８にビームの重なりやビーム間に隙間が生じることがない間隔で複数の半導体レーザ素子２２を支持台２３に並べる
複数の半導体レーザ素子２２から同一な光強度のレーザ光２８を出射させる
【００３５】
これにより、レーザアニール装置２０では、複数の半導体レーザ素子２２から出射されたレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光強度が均一化され
【００３６】上述したレーザアニール装置２０を用いてポリシリコン膜６を形成する際は、先ず、移動ステージ２１にアモルファスシリコン膜が成膜されたガラス基板２を置載する。
【００３７】次に、複数の半導体レーザ素子２２を支持する支持台２３の昇降機構が、移動ステージ２１に対して支持台２３を
昇降させ、複数の半導体レーザ素子２２とアモルファスシリコン膜の表面との距離を調節する
光強度を所望の強度に調節する
【００３８】次に、複数の半導体レーザ素子２２から出射されたレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の表面に照射し、移動ステージ２１を複数の半導体レーザ素子２２が直列に並んだ方向に対して略直交する方向に平行移動させることによって、レーザ光２８の照射領域を移動させながらアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜６に多結晶化させるレーザアニール処理を施す。
【００３９】このようにして、
アモルファスシリコン膜の表面に照射されるレーザ光２８の光強度が均一化されたレーザ光２８
　
　すなわち、【００３４】に光強度を均一化させる条件が３例記載されており、【００３５】において、【００３４】の光強度を均一化させる条件を受けて「
これにより、
レーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光強度が均一化され
均一化
　なお、「複数の半導体レーザ素子２２の出射部２９とアモルファスシリコン膜の表面との距離を一定」にすることは、複数の半導体レーザ素子の各々とアモルファスシリコン膜の表面との距離のばらつきをなくし、一定にすることを意味するものであって、昇降機構により距離を一定に保つことと解釈する余地はない。
　また、【００３７】では、最初に、昇降機構により距離を調節し、レーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光強度を所望の強度に調節することだけが記載されており、【００３８】では、レーザ光２８をアモルファスシリコン膜の表面に照射する際に移動ステージ２１を平行移動することだけが記載されている。
　したがって、当初明細書等に、本願発明のレーザアニール装置が、【００３４】の３例によりレーザ光の光強度を均一化させることは、記載されているが、昇降機構により複数の半導体レーザとシリコン膜の表面との距離を変化させることで、「シリコン膜に照射されるレーザ光の光強度を
均一化
　
　３　特許法第１７条の２第４項について
　本件補正は、補正前の請求項１に「複数の半導体レーザ素子から出射された上記レーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有し、上記出射口部と上記物質の表面とを対向させて配設されている複数の光学素子」という新たな事項を付加する補正を含む補正であって、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないので、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、さらに、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号、及び第４号に規定された請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項をも目的とするものではないので、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　４　独立特許要件について
　仮に、補正前の請求項１に「複数の半導体レーザ素子から出射された上記レーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有し、上記出射口部と上記物質の表面とを対向させて配設されている複数の光学素子」を付加する補正が、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（１）刊行物に記載された発明
　　（ア）刊行物１：特開２０００−９１２３１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１には、「多結晶の成長方法及び製造装置」（発明の名称）に関して、図１〜図９とともに以下の事項が記載されている。
「【００２６】図１は、本発明による多結晶成長方法を表す概念図である。すなわち、同図に表した方法においては、
レーザ発生装置１０から線状のレーザ光が放出され、このレーザ光により被照射体１５がスキャン照射される
レーザ発生装置１０には、アレイ状に並べた複数の半導体レーザ１１が搭載されている
「【００３１】さらに、本発明によれば、被照射体のサイズに適応したレーザビームを形成することが出来るため、
従来に比べて光学系を簡素化することができる。その結果として、光学系を含めたレーザ光系を簡略化し、１／１０程度に小型化することもできる。その結果として、レーザ光線の制御性及び信頼性が飛躍的に向上し、メンテナンスや取り扱いも容易となる
「【００３９】本実施例においては、個々の半導体レーザ１１は電圧３ボルト、電流１００ミリアンペアを印加し、パルス幅１００ナノ秒、周波数０．５キロヘルツで駆動する。この駆動条件において取り出されるレーザ光束サイズは、
光源と被照射体１５との間に設置された光学系によって調整される。光学系には、基本的に、レーザ光強度を均一にするホモジナイザ１３と所望のサイズにレーザ光束を形成するための集束と平行化を行うレンズ系１４との組み合わせが用いられる
「【００５９】さらに、本実施例によれば、従来よりも高性能且つ高信頼性を有する液晶表示装置を高い歩留まりで製造することが可能となる。すなわち、アモルファスシリコンまたは微細多結晶シリコンを
レーザアニール
　さらに、図１には、レーザ発生装置１０が、実質的に「複数の半導体レーザ１１が配列される支持台」を備え、「複数の半導体レーザ１１から出射されたレーザ光が、被照射体１５の表面に対して照射されている様子」が示されている。
　以上から、刊行物１には、「被照射体の表面に対してレーザ光を照射することで当該被照射体１５にレーザアニールを施すレーザ発生装置において、
　上記被照射体に対してレーザ光を出射する複数の半導体レーザと、
　上記複数の半導体レーザが配列される支持台と、
　を備えることを特徴とするレーザ発生装置。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　　（イ）刊行物２：特開平４−２８２８６９号公報
　刊行物２には、「薄膜半導体装置の製造方法及びこれを実施するための装置」（発明の名称）に関して、図１とともに以下の事項が記載されている。
「【請求項２】　複数のパルスレーザビーム発振装置と、複数のレーザビーム均一化装置と、パルスレーザビーム発振同期装置とを備え、複数のパルスレーザビームの一部あるいは全部を重ね合わせながら同時に照射することによって、大面積領域を均一にアニールすることを可能とする薄膜半導体の製造装置。」
　さらに、図１には、「複数のレーザ発振機２の各々に均一光学系３が設けられたレーザアニール装置」が示されている。
　以上から、刊行物２には、「複数のレーザ発振機２の各々に均一光学系３が設けられたレーザアニール装置」が記載されている。
　
　（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「被照射体」、「レーザアニール」、「レーザアニールを施すレーザ発生装置」、「半導体レーザ」は、それぞれ本願補正発明の「物質」、「アニール処理」、「レーザアニール装置」、「半導体レーザ素子」に相当するので、両者は、
「物質の表面に対してレーザ光を照射することで当該物質にアニール処理を施すレーザアニール装置において、
　上記物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、
　上記複数の半導体レーザが配列される支持台と、
　を備えることを特徴とするレーザアニール装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願補正発明は、「上記複数の半導体レーザ素子の各々に設けられ、上記複数の半導体レーザ素子から出射された上記レーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有し、上記出射口部と上記物質の表面とを対向させて配設されている複数の光学素子」を備えているのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない。
［相違点２］本願補正発明は、「上記支持台に備えられ、上記半導体レーザ素子を上記物体の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構」を備えているのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない。
　
　そこで、上記相違点について、以下に検討する。
［相違点１］
　刊行物２に、従来のレーザではあるが、「複数のレーザ発振機２の各々に均一光学系３が設けられたレーザアニール装置」が示されているように、引用発明においても、複数の半導体レーザ素子の各々に均一光学系を設けることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、例えば、刊行物１（「【００３９】・・・レーザ光束サイズは、光源と被照射体１５との間に設置された光学系によって調整される。光学系には、基本的に、レーザ光強度を均一にするホモジナイザ１３と所望のサイズにレーザ光束を形成するための集束と平行化を行うレンズ系１４との組み合わせが用いられる。」）、特開平２−７３６２３号公報（原審拒絶理由における引用文献２。第１図のレーザビーム均一化機構４とスリット板５。）にも示されるように、レーザ光の光強度を均一化する手段とともにレーザ光の形状を成形する（光学系）手段を用いることは、単なる慣用手段である。
　また、「所定のビーム形状になったレーザ光を所定の方向に出射する出射口部を」設け、「出射口部と物質の表面とを対向させて配設」することは、物質の表面をアニールする目的から、当然のことに過ぎない。
　ゆえに、引用発明において、「複数の半導体レーザ素子の各々に設けられ、上記複数の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有し、上記出射口部と上記物質の表面とを対向させて配設されている複数の光学素子」を設けることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２］
（ａ）刊行物１の図１，７，８，９には、レーザ光が半導体レーザから広がりながら出射されるように記載されており、照射面におけるレーザ光が所定の大きさ及び所定の強度を有するものとする必要があることは、当業者にとって当然な事項であることを考慮すると、引用発明において、半導体レーザと被照射体の距離を調節して光強度などを調節する手段が必要であることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
（ｂ）さらに、例えば、特開２０００−３４９０４３号公報（「【００２０】・・・
照射光学系２０に対するステージ３０の
距離を適宜微調整することができる。つまり、照射光学系２０に対するワークＷのＺ軸方向の位置（距離）
を調整することができる
Ｚステージを独立に設けてワークＷのチルト調整と高さ調整とを完全に分離して行うこともできる
（ｃ）そして、照射光学系とステージ（ワーク）の距離を調節するためには、相対的にどちらかを移動すればよいことは明らかであり、本願の図８でも、移動ステージ７１で高さ（距離）調節を行っている。
　従来は、照射光学系が大型だったので、ステージを移動させて距離調節を行うのが通常であったが、刊行物１に「【００３１】さらに、本発明によれば、・・・従来に比べて光学系を簡素化することができる。その結果として、光学系を含めたレーザ光系を簡略化し、１／１０程度に小型化することもできる。」と記載されているように、照射光学系が小型軽量であれば、ステージでなく、照射光学系自体を移動させようと考えることは、むしろ自然であり、当業者であれば容易に想到し得たことである。
（ｄ）以上の点を考慮すれば、引用発明において、照射光学系自体を移動させるべく、半導体レーザ素子を物体の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構を複数の半導体レーザが配列される支持台に備えることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物１，２に記載された発明及び上記慣用手段から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１，２に記載された発明及び上記慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　（３）独立特許要件についてのむすび
　本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
　５　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさず、仮に特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしているとしても、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１７年７月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年１月５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　物質の表面に対してレーザ光を照射することで当該物質にアニール処理を施すレーザアニール装置において、
　上記物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、
　上記複数の半導体レーザが配列される支持台と、
　上記支持台に備えられ、上記半導体レーザ素子を上記物体の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構と
　を備えることを特徴とするレーザアニール装置。」
　
　２　刊行物１に記載された発明
　前記「第２　３（１）（ア）」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「被照射体」、「レーザアニール」、「レーザアニールを施すレーザ発生装置」、「半導体レーザ」は、それぞれ本願発明の「物質」、「アニール処理」、「レーザアニール装置」、「半導体レーザ素子」に相当するので、両者は、
「物質の表面に対してレーザ光を照射することで当該物質にアニール処理を施すレーザアニール装置において、
　上記物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、
　上記複数の半導体レーザが配列される支持台と、
　を備えることを特徴とするレーザアニール装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願発明は、「上記支持台に備えられ、上記半導体レーザ素子を上記物体の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構」を備えているのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない。
　
　そこで、上記相違点について、以下に検討する。
［相違点１］
（ａ）刊行物１の図１，７，８，９には、レーザ光が半導体レーザから広がりながら出射されるように記載されており、照射面におけるレーザ光が所定の大きさ及び所定の強度を有するものとする必要があることは、当業者にとって当然な事項であることを考慮すると、引用発明において、半導体レーザと被照射体の距離を調節して光強度などを調節する手段が必要であることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
（ｂ）さらに、例えば、特開２０００−３４９０４３号公報（「【００２０】・・・
照射光学系２０に対するステージ３０の
距離を適宜微調整することができる。つまり、照射光学系２０に対するワークＷのＺ軸方向の位置（距離）
を調整することができる
Ｚステージを独立に設けてワークＷのチルト調整と高さ調整とを完全に分離して行うこともできる
（ｃ）そして、照射光学系とステージ（ワーク）の距離を調節するためには、相対的にどちらかを移動すればよいことは明らかであり、本願の図８でも、移動ステージ７１で高さ（距離）調節を行っている。
　従来は、照射光学系が大型だったので、ステージを移動させて距離調節を行うのが通常であったが、刊行物１に「【００３１】さらに、本発明によれば、・・・従来に比べて光学系を簡素化することができる。その結果として、光学系を含めたレーザ光系を簡略化し、１／１０程度に小型化することもできる。」と記載されているように、照射光学系が小型軽量であれば、ステージでなく、照射光学系自体を移動させようと考えることは、むしろ自然であり、当業者であれば容易に想到し得たことである。
（ｄ）以上の点を考慮すれば、引用発明において、照射光学系自体を移動させるべく、半導体レーザ素子を物体の表面に対して垂直方向に昇降させる昇降機構を複数の半導体レーザが配列される支持台に備えることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物１に記載された発明及び上記慣用手段から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び上記慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び上記慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。