【事件の表示】
　特願２００２−１４６３２１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２８日出願公開、特開２００３−３３８５１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１４年５月２１日の出願であって、平成１８年７月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年８月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月７日に手続補正（以下、本件補正という。）がなされたものである。
　
II．本件補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜３のうち、請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】主面と、前記主面の一辺に沿って一列に配置された複数の電極パッドを含む半導体チップと、
その表面に前記半導体チップが搭載された配線基板と、
前記配線基板の表面に前記半導体チップの一辺に沿って複数列に配置された複数の接続部と、
前記半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の接続部とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記複数のワイヤは、前記複数の電極パッドのうちの第１の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの第１の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続された第１のワイヤと、前記複数の電極パッドのうちの前記第１の電極パッドと隣り合う第２の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの前記第１の接続部と隣り合い、かつ前記第１の接続部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた列に配置された第２の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続され、かつ前記第１のワイヤよりもループ高さが高い第２のワイヤとを含み、
前記複数の電極パッドの配列ピッチは、前記複数の接続部の配列ピッチよりも狭く配置され、
前記複数の電極パッドのそれぞれは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状から成り、
前記第２のワイヤの一端部は、前記第１のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
前記第２のワイヤの他端部は、前記第１のワイヤの他端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
前記第１の電極パッドは、その表面にプローブ針による第１の接触跡部が形成され、
前記第２の電極パッドは、その表面にプローブ針による第２の接触跡部が形成され、
前記第２の接触跡部の位置は、前記半導体チップの一辺方向に沿って前記第１の接触跡部と隣り合う位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。」
　上記補正は、補正前の請求項１において、半導体装置が、「前記複数の電極パッドの配列ピッチは、前記複数の接続部の配列ピッチよりも狭く配置され、」ると補正するものである。
　そこで、上記補正を検討すると、「配置された複数の電極パッド」にいう「配置」の態様を、「前記複数の電極パッドの配列ピッチは、前記複数の接続部の配列ピッチよりも狭く配置」する態様に限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　上記の通り、特許請求の範囲は減縮されたので、次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開平２−８７６３７号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平１１−１２１５２６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）引用例１（特開平２−８７６３７号公報）
（１ａ）「【特許請求の範囲】
（１）周辺部に複数個のチップ引出電極を千鳥状に配列する半導体チップと、前記複数個のチップ引出電極のそれぞれと互いに対向するよう配置される千鳥状配列のワイヤ・ボンディング部と、前記千鳥状配列のチップ引出電極とワイヤ・ボンディング部をループ形状に高低差をつけて交互に低ループおよび高ループでボンディング接続するボンディング・ワイヤとを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。」（特許請求の範囲（１））
（１ｂ）「第１図は本発明をセラミックパッケージ型半導体集積回路装置に実施した場合の一実施例を示すパッケージ内部の平面図である。・・・すなわち、本実施例によれば、セラミック・パッケージ半導体集積回路装置の半導体チップ１およびこれを上面にマウントするセラミック・パッケージ基板６には、２列配列の引出電極2,3およびボンディング・パッド4,5がそれぞれ互いに対向するように千鳥状に配置される。・・・、チップ引出電極の外側配列２と内側配列のボンディング・パッド４間のボンディング・ワイヤ長は短かく、またチップ引出電極の内側配列３と外側配列のボンディング・パッド５間のボンディング・ワイヤ長は長くなる。従って、短かいワイヤ長を低ループに、また、長いワイヤ長を高リープにそれぞれ形成すれば、低ループ・ボンディング・ワイヤ７および高ループ・ボンディング・ワイヤ８とが交互に配置されることとなるので、仮令、ワイヤ密度が高い場合でもワイヤ同志が接触し合う恐れは極めて小さい。」（２頁右下欄１４行〜３頁右上欄１６行）
（１ｃ）「第３図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明にかかるワイヤ・ボンディング接続で形成される高、低２つのワイヤ・ループの相対的位置関係を示す俯瞰図およびその側面透視図で、上記隣接するワイヤ7,8間の接触がループの高低差によって回避できることを、より明確に示したものである。」（３頁右下欄９〜１４行）
（１ｄ）「第４図は本発明を樹脂封止パッケージ型半導体集積回路装置に実施した場合の一実施例を示すリード・フレーム上の平面図である。」（３頁右下欄２０行〜４頁左上欄２行）
（１ｅ）第１図には、「主面と、前記主面の内側の配列と外側の配列の２列をチップの一辺に沿って千鳥状に配置し、長方形の平面形状を有する、複数の引出電極２，３を含む半導体チップ１と、
その表面に前記半導体チップ１が搭載されたセラミック・パッケージ基板６と、
前記セラミック・パッケージ基板６の表面に前記半導体チップ１の一辺に沿って複数列に配置された複数のボンディング・パッド４，５と、
前記引出電極２に一端部が接続され、前記ボンディング・パッド４に前記一端部とは反対側の他端部が接続された低ループ・ボンディング・ワイヤ７と、
前記引出電極２と隣り合う引出電極３に一端部が前記低ループ・ボンディング・ワイヤ７の一端部よりも前記半導体チップ１の一辺から遠く離れた位置で接続され、前記ボンディング・パッド４と隣り合い、かつ前記ボンディング・パッド４よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた列に配置されたボンディング・パッド５に前記一端部とは反対側の他端部が低ループ・ボンディング・ワイヤ７の他端部よりも前記半導体チップ１の一辺から遠く離れた位置で接続された、高ループ・ボンディング・ワイヤ８」とが、示されている。　
（１ｆ）図３（ａ）には、半導体チップ１の端部において、前記半導体チップ１の一辺に沿って千鳥状に配置された引出電極２，３と前記ボンディング・パッド４，５とを、高低２本のループ・ボンディング・ワイヤ７，８が、半導体チップの一辺に対し、斜めに放射状に接続することが示され、チップ引出し電極同士の間隔よりも、ボンディングパッド同士の間隔が広くなっていることが示されている。また、図３（ｂ）には、半導体チップ１上面からループ頂点までのループ高さは、低ループ・ボンディング・ワイヤ７よりも高ループ・ボンディング・ワイヤ８のほうが高いことが示されている。
　
（２）引用例２（特開平１１−１２１５２６号公報）
（２ａ）「【請求項１】半導体素子に並列されるパッドに電極を形成する半導体素子の実装構造であって、該電極を前記パッドの中央より偏芯した位置に形成すると共に、該位置は交互に逆方向に偏芯していることを特徴とする半導体素子の実装構造。」（【請求項１】）
（２ｂ）「【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第一の半導体素子の実装構造を説明する図であり、ワイヤボンディング装置によりベアチップのパッドに金電極を形成する工程を示す図である。ワイヤボンディング装置によりベアチップのパッドに金電極を形成する工程を示す図である。(ａ)はベアチップを側面から見た図であり、(ｂ)は(ａ)のＡ矢印で示す方向から見た図であり、・・・
【００１９】・・・。次に(ｂ)に示すように金線をボンディングするパッド２−１の中心から図中上側へ偏芯した位置３−１に位置決めし、(ｃ)に示すようにボール６をパッド２へ押しつけて加熱圧着される。その後(ｄ)に示すように金線５を供給しながらキャピラリ４を上方へ移動し、他のパッド１０にまで移動して加熱圧着することで、金線５−１で示すようなルーピングが行われ接続がなされる。・・・そして、(ｂ)に示すように、先程位置決めしたパッド２−１の隣のパッド２−２へ位置決めをする。この時、パッド２−１とは逆方向である図中下側へ偏芯した位置３−２に位置決めされる。そして、上記と同様にして(ｃ)に示すようにボール６がボンディングされ、(ｄ)の５−２で示すようにワイヤボンディングがなされる・・・、前述の工程をベアチップに形成された全てのパッド２に対して繰り返し行うことで交互にずれた位置に金線５をボンディングする。
【００２０】このように、ベアチップのパッドへ金線をボンディングする位置を交互にズラすことで金線相互の間隔を広く取ることができ、・・・特にワイヤボンディングを行う場合には、ルーピングする金線の間隔が広がり、隣り合う金線の短絡が起こる確率が減少する。・・・また、ベアチップのパッドの中心には、ベアチップメーカーで出荷試験するために付いたプローブ跡が付いて平坦ではないために、ボンディング不良が発生する場合があるが、パッドの中心から偏芯してボンディングすることで、プローブ跡によるボンディング不良が無くなる。」（【００１８】〜【００２０】）
（２ｃ）図１（ａ）には、ベアチップ１の上面と対向するＡ方向が示され、図１（ｂ）には、ワイヤボンディング装置によりベアチップのパッドに金電極を形成する一工程におけるベアチップの実装構造として、主面と、前記主面の一辺に沿って一列に配置された複数のパッド２−１、２−２・・・を含むベアチップ１と、
前記複数のパッドのそれぞれは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記ベアチップの水平方向の一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状から成り、
前記パッド２−１は、パッドの中心からみて、前記ベアチップの水平方向の一辺から遠ざかる方向に、上側に偏心した位置３−１が存在し、前記パッド２−２は、パッドの中心からみて、前記ベアチップの水平方向の一辺に近づく方向に、下側に偏心した位置３−２が存在している、ベアチップの実装構造が示されている。
　
３．対比・判断
　引用例１には、摘記事項（１ａ）によれば、「周辺部に複数個のチップ引出電極を千鳥状に配列する半導体チップと、前記複数個のチップ引出電極のそれぞれと互いに対向するよう配置される千鳥状配列のワイヤ・ボンディング部と、前記千鳥状配列のチップ引出電極とワイヤ・ボンディング部をループ形状に高低差をつけて交互に低ループおよび高ループでボンディング接続するボンディング・ワイヤとを含む半導体集積回路装置。」が記載されている。
　また、摘記事項（１ｂ）によれば、「第１図は本発明をセラミックパッケージ型半導体集積回路装置に実施した場合」と記載され、かつ、摘記事項（１ｄ）によれば、「第４図は本発明を樹脂封止パッケージ型半導体集積回路装置に実施した場合」と記載されているから、「半導体集積回路装置」とは、セラミックパッケージ型の場合もあれば、樹脂封止パッケージ型の場合もあることが、理解できる。
　また、摘記事項（１ｂ）、（１ｅ）によれば、第１図には、
「半導体集積回路装置」の発明の実施例として、
「主面と、前記主面の半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配置されており、長方形の平面形状である、複数の引出電極２，３を含む半導体チップ１と、
その表面に前記半導体チップ１が搭載されたセラミック・パッケージ基板６と、
前記セラミック・パッケージ基板６の表面に前記半導体チップ１の一辺に沿って複数列に配置された複数のボンディング・パッド４，５と、
前記引出電極２に一端部が接続され、前記ボンディング・パッド４に前記一端部とは反対側の他端部が接続された低ループ・ボンディング・ワイヤ７と、
前記引出電極２と隣り合う引出電極３に一端部が前記低ループ・ボンディング・ワイヤ７の一端部よりも前記半導体チップ１の一辺から遠く離れた位置で接続され、前記ボンディング・パッド４と隣り合い、かつ前記ボンディング・パッド４よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた列に配置されたボンディング・パッド５に前記一端部とは反対側の他端部が低ループ・ボンディング・ワイヤ７の他端部よりも前記半導体チップ１の一辺から遠く離れた位置で接続された、高ループ・ボンディング・ワイヤ８とを含む、
セラミックパッケージ型半導体集積回路装置。」の例が示されている、といえる。　
　
　よって、第１図に示された「セラミックパッケージ型半導体集積回路装置。」に対応する「樹脂封止パッケージ型半導体集積回路装置。」を中心として、摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）を総合すると、引用例１には、
「主面と、前記主面の一辺に沿って千鳥状に配置されており、長方形の平面形状である、複数の引出電極２，３を含む半導体チップ１と、
その表面に前記半導体チップ１が搭載されたパッケージ基板６と、
前記パッケージ基板６の表面に前記半導体チップ１の一辺に沿って複数列に配置された複数のボンディング・パッド４，５と、
前記引出電極２に一端部が接続され、前記ボンディング・パッド４に前記一端部とは反対側の他端部が接続された低ループ・ボンディング・ワイヤ７と、
前記引出電極２と隣り合う引出電極３に一端部が前記低ループ・ボンディング・ワイヤ７の一端部よりも前記半導体チップ１の一辺から遠く離れた位置で接続され、前記ボンディング・パッド４と隣り合い、かつ前記ボンディング・パッド４よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた列に配置されたボンディング・パッド５に前記一端部とは反対側の他端部が低ループ・ボンディング・ワイヤ７の他端部よりも前記半導体チップ１の一辺から遠く離れた位置で接続された、高ループ・ボンディング・ワイヤ８とを含む、
樹脂パッケージ型半導体集積回路装置。」の発明（以下、「引用例１記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明１と引用例１記載発明とを対比する。
　半導体チップ及びワイヤを封止するべく樹脂封止パッケージするものであるから、引用例１記載発明の「樹脂封止パッケージ型半導体集積回路装置。」は、本願補正発明１の「樹脂封止体」を有した「半導体装置」に相当している。
　また、摘記事項（１ｆ）によれば、半導体チップ１上面からループ頂点までのループ高さは、低ループ・ボンディング・ワイヤ７よりも高ループ・ボンディング・ワイヤ８のほうが高いことが示されているから、引用例１記載発明の「低ループ・ボンディング・ワイヤ７」、「高ループ・ボンディング・ワイヤ８」は、それぞれ本願補正発明１の「第１のワイヤ」、「第２のワイヤ」に相当する。
　また、引用例１記載発明の「パッケージ基板」、「（低ループ・ボンディング・ワイヤ７と接続する）ボンディング・パッド４」、「（高ループ・ボンディング・ワイヤ８と接続する）ボンディング・パッド５」は、それぞれ、本願補正発明１の「配線基板」、「第１の接続部」、「第２の接続部」に相当する。
　また、引用例１記載発明の「（低ループ・ボンディング・ワイヤ７と接続する）引出電極２」及び「（高ループ・ボンディング・ワイヤ８と接続する）引出電極３」と、本願補正発明１の「第１の電極パッド」及び「第２の電極パッド」とは、ボンディング・ワイヤによって、基板と接続されるものであり、半導体チップ主面の一辺に沿って配置されており、長方形の平面形状の電極パッドである点で、共通するものである。
　
　よって、両者は、「主面と、前記主面の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを含む半導体チップと、
その表面に前記半導体チップが搭載された配線基板と、
前記配線基板の表面に前記半導体チップの一辺に沿って複数列に配置された複数の接続部と、
前記半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の接続部とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記複数のワイヤは、前記複数の電極パッドのうちの第１の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの第１の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続された第１のワイヤと、前記複数の電極パッドのうちの前記第１の電極パッドと隣り合う第２の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの前記第１の接続部と隣り合い、かつ前記第１の接続部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた列に配置された第２の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続され、かつ前記第１のワイヤよりもループ高さが高い第２のワイヤとを含み、
前記第２のワイヤの一端部は、前記第１のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
前記第２のワイヤの他端部は、前記第１のワイヤの他端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
ている半導体装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：電極パッド及び電極パッド内に形成された接触跡部に関して、本願補正発明１が、主面の一辺に沿って一列に配置されている複数の電極パッドのそれぞれは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状から成り、
第１の電極パッドは、その表面にプローブ針による第１の接触跡部が形成され、
第２の電極パッドは、その表面にプローブ針による第２の接触跡部が形成され、
前記第２の接触跡部の位置は、前記半導体チップの前記一辺方向に沿って前記第１の接触跡部と隣り合う位置に設けられているのに対して、引用例１記載発明では、このようになっていない点。
　相違点２：配列ピッチについて、本願補正発明１が、複数の電極パッドの配列ピッチは、複数の接続部の配列ピッチよりも狭く配置されているのに対して、引用例１記載発明では、配列ピッチが不明である点。
　
　そこで、上記相違点１，２について次に検討する。
　
相違点１について
　引用例２には、摘記事項（２ｂ）によれば、本発明の第一の半導体素子の実装構造を説明する図１に関して、「金線相互の間隔を広く取ることができ、・・・ワイヤボンディングを行う場合には、ルーピングする金線の間隔が広がり、隣り合う金線の短絡が起こる確率が減少する」べく、「金線をボンディングするパッド２−１の中心から図中上側へ偏芯した位置３−１に位置決めし、・・・加熱圧着され・・・その後・・・、金線５−１で示すようなルーピングが行われ接続がなされ・・・そして、パッド２−１の隣のパッド２−２へ・・・、パッド２−１とは逆方向である図中下側へ偏芯した位置３−２に位置決めされ・・・、同様に・・・ボンディングされ、・・・５−２で示すようにワイヤボンディングがなされる・・・工程をベアチップに形成された全てのパッド２に対して繰り返し行うことで・・・ベアチップのパッドへ金線をボンディングする位置を交互にズラす」実装構造が記載されており、かつ、ここで、ベアチップ、金線、パッド、上又は下側へ偏芯した位置は、それぞれ、引用例１における、半導体チップ、ボンディング・ワイヤ、引出電極、一端部にそれぞれ相当するものである。
　引用例１においては、摘記事項（１ｂ）によれば、「低ループ・ボンディング・ワイヤ７および高ループ・ボンディング・ワイヤ８とが交互に配置されることとなるので、仮令、ワイヤ密度が高い場合でもワイヤ同志が接触し合う恐れは極めて小さ」くするべく、引出電極を「前記主面の一辺に沿って千鳥状に配置」している。してみれば、上記引用例２の図１に関する実装構造と、引用例１記載発明における、引出電極を「前記主面の一辺に沿って千鳥状に配置」することとは、ボンディングする位置ともどもパッドの位置をズラすか、それとも、パッドをズラすことなく、パッド内のボンディングする位置をズラすか、の点で異なっているものの、ボンディング・ワイヤの短絡防止という課題を、「ボンディングする位置を交互にズラす」ことにより、解決する点で、同様のものといえる。
　ここで、引用例２の図１に示される実装構造について検討すると、摘記事項（２ｃ）によれば、引用例２の図１には、「主面と、前記主面の一辺に沿って一列に配置された複数のパッド２−１、２−２・・・を含むベアチップ１と、前記複数のパッドのそれぞれは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記ベアチップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状から成り、前記パッド２−１は、パッドの中心からみて、前記ベアチップの一辺から遠ざかる方向に、上側に偏心した位置３−１が形成され、前記パッド２−２は、パッドの中心からみて、前記ベアチップの一辺から近づく方向に、下側に偏心した位置３−２が形成されているベアチップの実装構造」、が示されている。
　また、摘記事項（２ｂ）によれば、「ベアチップのパッドの中心には、ベアチップメーカーで出荷試験するために付いたプローブ跡が付いて」いる、と記載されており、引用例２の図１における複数のパッド同様、複数のパッドの中心も、前記主面の一辺に沿って一列に配置されていることになる。また、摘記事項（２ｂ）によれば、パッド２−１と、パッド２−２とが隣り合っているから、引用例２の図１に示される実装構造においては、「前記下側に偏心した位置３−２が形成されているパッド２−２は、その表面に第１のプローブ跡が形成され、
前記上側に偏心した位置３−１が形成されているパッド２−１は、その表面に第２のプローブ跡が形成され、
前記第２のプローブ跡の位置は、前記半導体チップの一辺方向に沿って前記第１のプローブ跡と隣り合う位置に設けられている」、といえる。
　よって、「ボンディングする位置を交互にズラす」手段として、引用例１記載発明における、引出電極を「前記主面の一辺に沿って千鳥状に配置」することに代えて、引用例２の図１に示された実装構造である、「前記主面の一辺に沿って一列に配置された複数の引出電極を含む半導体チップと、
前記複数の引出電極のそれぞれは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状から成り、
前記引出電極（「第２の電極パッド」に対応）は、引出電極の中心に設けられたプローブ跡からみて、前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に、上側に偏心した一端部が形成され、
前記引出電極と隣接する引出電極（「第１の電極パッド」に対応）は、引出電極の中心に設けられたプローブ跡からみて、前記半導体チップの一辺から近づく方向に、下側に偏心した一端部が形成されており、
前記下側に偏心した一端部が形成されている引出電極は、その表面に第１のプローブ跡が形成され、
前記上側に偏心した一端部が形成されている引出電極は、その表面に第２のプローブ跡が形成され、
前記第２のプローブ跡の位置は、前記半導体チップの一辺方向に沿って前記第１のプローブ跡と隣り合う位置に設けられている、実装構造を採用することは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
相違点２について
　引用例１には、摘記事項（１ｆ）によれば、半導体チップ１の端部において、前記半導体チップ１の図３の垂直な一辺に沿って千鳥状に配置された引出電極２，３と前記ボンディング・パッド４，５とを、高ループ・ボンディング・ワイヤ７，８が、図３の垂直な一辺に対し、斜めに放射状に接続することが示されている。
　また、一般に、半導体チップ外縁の内側に構成される電極パッドは、外縁の外側に構成される複数の接続部よりも、配列に使用可能な場所が少ないから、同一配列数を行うにあたり、電極パッドの配列ピッチを狭くすることに、困難性はないものである。
　また、原審における拒絶理由通知及び、当審による審尋において周知技術として提示した文献である、特開２００１−３３８９５５号公報の図２には、電極パッドの配列ピッチを、接続部の配列ピッチよりも狭く配置することが示されており、該電極パッドの配列ピッチを、接続部の配列ピッチよりも狭く配置することは、周知技術である。
　上記のような各事情を勘案すると、引用例１記載発明において、複数の電極パッドの配列ピッチを、複数の接続部の配列ピッチよりも狭く配置することは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　そして、本願補正発明１による効果も引用例１、２の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明１
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１８年６月１９日付手続補正書の特許請求の範囲１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】主面と、前記主面の一辺に沿って一列に配置された複数の電極パッドを含む半導体チップと、
その表面に前記半導体チップが搭載された配線基板と、
前記配線基板の表面に前記半導体チップの一辺に沿って複数列に配置された複数の接続部と、
前記半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の接続部とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記複数のワイヤは、前記複数の電極パッドのうちの第１の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの第１の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続された第１のワイヤと、前記複数の電極パッドのうちの前記第１の電極パッドと隣り合う第２の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの前記第１の接続部と隣り合い、かつ前記第１の接続部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた列に配置された第２の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続され、かつ前記第１のワイヤよりもループ高さが高い第２のワイヤとを含み、
前記複数の電極パッドのそれぞれは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状から成り、
前記第２のワイヤの一端部は、前記第１のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
前記第２のワイヤの他端部は、前記第１のワイヤの他端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
前記第１の電極パッドは、その表面にプローブ針による第１の接触跡部が形成され、
前記第２の電極パッドは、その表面にプローブ針による第２の接触跡部が形成され、前記第２の接触跡部の位置は、前記半導体チップの一辺方向に沿って前記第１の接触跡部と隣り合う位置に設けられている
ことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用した引用例１、２及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１の、「前記複数の電極パッドの配列ピッチは、前記複数の接続部の配列ピッチよりも狭く配置され、」という具体的限定事項とを省いたものである。　
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加して限定したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。