【事件の表示】
　特願２００２−１０８３１２「自動焦点システムを備えた走査型荷電粒子顕微鏡とその使用方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月２４日出願公開、特開２００３−３０３５６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成１４年４月１０日の出願であって、平成１９年４月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１９年５月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成１９年６月２９日付け手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１９年６月２９日付け手続補正を却下する。
[理由１］目的要件違反
　平成１９年６月２９日付け手続補正（以下「本件補正」という。）により、補正前の特許請求の範囲の請求項１が、
「【請求項１】　走査線毎に焦点位置と走査位置を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段とを含む自動焦点システムを備えたものであって、前記走査線が半導体ウエハ上のチップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った斜め走査線であることを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。」から、
「【請求項１】　走査線毎に焦点位置と走査幅を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段と走査線の方向を特定する手段とを含む自動焦点システムを備えたものであって、前記走査線が半導体ウエハ上のチップ領域内であって、チップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った斜め走査線であることを特徴とする半導体ウエハ検査用の走査型荷電粒子顕微鏡。」に補正された。
　
　そして、この補正により、
ａ　補正前の「走査位置を変化させる手段」という事項が、「走査幅を変化させる手段」と補正された（以下「補正ａ」という）。
ｂ　補正前の自動焦点システムが、「走査線毎に焦点位置と走査位置を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段とを含む」ものから、「走査線毎に焦点位置と走査幅を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段と走査線の方向を特定する手段とを含む」ものに補正された（以下「補正ｂ」という）。
ｃ　補正前の「半導体ウエハ上の」という事項が、「半導体ウエハ上のチップ領域内であって」と限定された（以下「補正ｃ」という）。
ｄ　補正前の請求項１に係る発明の対象を特定する「走査型荷電粒子顕微鏡」が、「半導体ウエハ検査用の走査型荷電粒子顕微鏡」と限定された（以下「補正ｄ」という）。
　
　先ず、補正ａについて検討する。
（ａ）補正後の「走査幅」は走査線の長さを意味し、補正前の「走査位置」は走査する領域における走査線の位置を意味するので、補正後の「走査幅」が補正前の「走査位置」を限定するものではないから、補正ａは、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当しない。
（ｂ）補正前の「走査位置を変化させる手段」の意味が不明であるとも、また、「走査位置を変化させる手段」の意味が補正前の他の記載との関係において不明であるともいえず、さらに、補正前の請求項１に記載された「走査位置を変化させる手段」について、原審の審査官が記載不備の拒絶の理由を通知していないから、補正ａは、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第４号に規定される明りようでない記載の釈明を目的とする補正に該当しない。
（ｃ）補正ａが、請求項の削除、誤記の訂正を目的とする補正に該当しないことは明らかである。
（ｄ）したがって、補正ａは、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定するいずれの事項を目的とする補正に該当しない。
　
　次に、補正ｂについて検討する。
（ａ）補正ｂのうち、「走査位置」を「走査幅」とする補正は、補正ａについて検討したとおり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定するいずれの事項を目的とする補正に該当しない。
（ｂ）次に、補正ｂのうち、「走査線の方向を特定する手段」という事項を追加する補正について検討すると、補正前には、上記事項に対応する事項が請求項１に記載されていないから、「走査線の方向を特定する手段」は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえない、即ち、補正ｂは、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当しない。
（ｃ）また、補正ｂのうち、上記事項を追加する補正が、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明を目的とする補正に該当しないことは明らかである。
（ｄ）したがって、補正ｂは、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定するいずれの事項を目的とする補正に該当しない。
　
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
[理由２］独立特許要件違反　
　上記補正ｃ及び補正ｄは、補正前の請求項１に記載した事項を限定する補正であり、本件補正の請求項１についてした補正が、全体としてみて、仮に、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮であるとした場合、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）本件補正後の本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面からみて、請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める（「２[理由１］の項）。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１１０３４７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、「荷電粒子線装置における自動焦点合わせ方法」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項１＞
「【請求項１】試料上の電子ビームのフォーカスの状態を段階的に変化させ、各段階において試料上の特定領域の電子ビーム走査に伴って得られた検出信号に基づいて最適なフォーカスの状態に電子ビームを設定するようにした荷電粒子装置における自動焦点合わせ方法において、前記試料上の特定領域で電子ビームの走査を複数の走査形状を用いて複数回行い、各走査形状ごとに電子ビームを走査して得られた検出信号に基づいて最適な走査形状を選択し、選択された走査形状を用いて自動焦点合わせを行うことを特徴とする自動焦点合わせ方法。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動的に荷電粒子線の焦点合わせを行うことができる走査電子顕微鏡などの荷電粒子線装置における自動焦点合わせ方法および装置に関する。」
＜記載事項２＞
「【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、自動的な焦点合わせ機能が備えられている。この焦点合わせは、対物レンズの励磁をステップ状に変化させ、各ステップ状ごとに試料の所定領域を電子ビームで走査し、その際、検出器によって２次電子や反射電子を検出し、各励磁状態ごとの検出信号から合焦の程度を表す情報（例えば、変化量の絶対値の積算値（以下、単に積算値と呼ぶ））を求めて比較し、積算値の最大値が得られたときの励磁状態を合焦点位置と判断し、その状態に対物レンズの励磁を設定するようにしている。
【０００３】このような焦点合わせに対する要求として、従来の走査電子顕微鏡における自動焦点合わせの際の電子ビームの走査形状は、大きく分けて２つの方式が用いられている。第１方式は所定の四角形の試料領域をラスター走査する直線走査であり、（略）」
＜記載事項３＞
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、焦点合わせにおいて、試料の走査領域の全面においてほぼ均一に凹凸が存在していれば、どのような走査形状を用いても精度の高い焦点合わせを実行することができる。しかし、ＩＣパターンの中には、走査領域の一部に直線状あるいは円形のパターンが存在し、他の大部分は滑らかな平面となっている場合やパターンに方向性がある場合などがあり、使用される走査形状によっては、パターンのエッジ部分と電子線の走査ラインと重なりが少なくなり、信号量積算値の変化が小さくなり、焦点合わせの精度が低下することがある。
【０００５】例えば、ラスター走査法で、図５（Ａ）に示すようなパターン形状の場合には、走査方向がパターンの方向と一致すると、パターンのエッジ部分と電子線の走査ラインと重なりが少なくなり、信号量積算値の変化が、各対物レンズの励磁の変化によって現れにくくなり、最適な合焦点が得られにくい。」
＜記載事項４＞
「【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施例として自動焦点機能を有した走査電子顕微鏡を示しており、電子銃１から発生された電子ビームＥＢは、集束レンズ２と対物レンズ３によって試料４上に細く照射される。５は２段の偏向コイル５ａ、５ｂであり、２段偏向コイル５ａ、５ｂの各々には水平、垂直方向の偏向コイルが含まれている。２段偏向コイル５ａ、５ｂには走査信号発生回路１３から偏向コイル駆動回路１２を介して水平、垂直走査信号が供給される。走査信号発生回路１３は複数の走査形状を与える複数の走査信号波形を記憶するメモリを備えており、コンピュータの如き制御回路２０によって制御される。」
＜記載事項５＞
「【００１２】制御回路２０内のメモリー２１に一時記憶された信号は、データ積算ユニット２２に送られて積算値が求められ、ある条件の積算値として信号強度分布メモリー２３に記憶される。信号強度分布メモリー２３には最大値検出ユニット２４が接続され、最大値検出ユニット２４は信号強度分布メモリー２３に記憶された複数の積算値の最大値のデータを検出する。最大値検出ユニット２４の出力信号はオートフォーカスユニット２６に供給される。オートフォーカスユニット２６はＤＡ変換器１５を介して対物レンズ駆動回路１４に対物レンズ電流を指定する信号を供給すると共に、走査信号発生回路１３を制御してオートフォーカス作業を実行する。このような構成の動作を次に説明する。」
＜記載事項６＞
「【００１５】次に、図１〜図４を用いてオートフォーカス動作について説明する。図２（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、試料形状の十字パターンに対して、走査形状として水平ラスター走査，垂直ラスター走査，円心円状の曲線走査を用いた場合の走査軌跡を示した図で、また、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は３つの走査形状より得られた検出信号を示した図である。これらの走査形状を与える走査信号波形は、予め走査信号発生回路１３にオートフォーカス用として備えられている。他の走査形状として、斜め直線走査、８字、渦巻き等の複数の走査形状があり、それらの走査形状を任意に選択して用いることができる。また、これらの走査形状のいずれを用いても、試料上でのトータル走査距離および走査速度はほぼ同一になるように走査周期、走査期間などが適宜設定されている。（略）」
＜記載事項７＞
「【００２３】次に、図４を用いて第２フォーカスの動作について説明する。対物レンズの励磁電流は、図４に示す、スタート値Ｉｓからストップ値Ｉｔ間でステップ状に変化される。このステップ状の変化の都度、偏向コイル５には試料４上の所定領域を曲線走査（図２Ｃ）にて１回ずつ走査が行われる。走査に基づいて得られた検出信号は前記と同様の処理を受け、走査ごとの信号の積算値として、図４（Ｂ）に示すような積算値が信号強度分布メモリー２３に記憶される。制御回路２０内の最大値検出ユニット２４は、図４（Ｂ）の分布の最大値を検出し、その積算値の最大値のときの対物レンズ励磁電流値のデータをオートフォーカスユニット２６に供給する。この結果、オートフォーカスユニット２６は、ＤＡ変換器１５と対物レンズ駆動回路１４を介して対物レンズの励磁電流をその電流値に設定し２次オートフォーカス動作を終了する。
【００２４】このように、１次と２次のオートフォーカスが実行された後、試料のパターン形状に最適な合焦点が得られて、２次電子像の観察ができる。」
　
　上記記載事項から、引用刊行物１には、以下の事項が記載されているといえる。
ア
（ア）対物レンズ駆動回路１４に対物レンズ電流を指定する信号を供給すると共に、走査信号発生回路１３を制御するオートフォーカスユニット２６（記載事項５）
（イ）２段偏向コイル５ａ、５ｂに水平、垂直走査信号が供給する走査信号発生回路１３（記載事項４）
（ウ）記載事項７には、対物レンズの励磁電流のステップ状の変化の都度、偏向コイル５には試料４上の所定領域を曲線走査にて１回ずつ走査が行われる旨が記載されているが、曲線走査に加えて、他の走査形状として記載された「斜め直線走査」等（記載事項６）も対象となると読みとることができ、即ち、対物レンズの励磁電流のステップ状の変化の都度、偏向コイル５には試料４上の所定領域を斜め直線走査にて１回ずつ走査が行われることを読み取ることができる。
　したがって、引用刊行物１には、対物レンズの励磁電流のステップ状の変化の都度、偏向コイル５には試料４上の所定領域を斜め直線走査にて１回ずつ走査するように、対物レンズ駆動回路１４に対物レンズの励磁電流（対物レンズ電流）を指定する信号を供給すると共に、２段偏向コイル５ａ、５ｂに水平、垂直走査信号を供給する走査信号発生回路１３を制御するオートフォーカスユニット２６が記載されている。
　
イ
　記載事項７の記載、及び図１に示された制御回路２０が、メモリー２１，・・・、オートフォーカスユニット２６から構成されている点からみて、制御回路２０は、記載事項２に記載された「各励磁状態ごとの検出信号から合焦の程度を表す情報（例えば、変化量の絶対値の積算値（以下、単に積算値と呼ぶ））を求めて比較し、積算値の最大値が得られたときの励磁状態を合焦点位置と判断」する手段であり、また、上記「積算値」は走査ごとの信号の積算値であることは明らかである。
　したがって、引用刊行物１には、走査ごとに検出信号から合焦の程度を表す信号の積算値を求めて比較し、積算値の最大値が得られたときの励磁状態を合焦点位置と判断する制御回路２０が記載されている。
　
ウ　２段偏向コイル５ａ、５ｂに水平、垂直走査信号を供給する走査信号発生回路１３（記載事項４）
　
エ　走査形状が斜め直線走査である（記載事項６）
　
オ　ＩＣパターンを検査する自動焦点機能を有した走査電子顕微鏡（記載事項１、４、１０）
　
　したがって、上記記載事項１ないし７及び図面に基づけば、引用刊行物１には、
「対物レンズの励磁電流のステップ状の変化の都度、偏向コイル５には試料４上の所定領域を斜め直線走査にて１回ずつ走査するように、対物レンズ駆動回路１４に対物レンズの励磁電流（対物レンズ電流）を指定する信号を供給すると共に、２段偏向コイル５ａ、５ｂに水平、垂直走査信号を供給する走査信号発生回路１３を制御するオートフォーカスユニット２６と、走査ごとに検出信号から合焦の程度を表す信号の積算値を求めて比較し、積算値の最大値が得られたときの励磁状態を合焦点位置と判断する制御回路２０と、
２段偏向コイル５ａ、５ｂに水平、垂直走査信号を供給する走査信号発生回路１３とを備え、走査形状が斜め直線走査であるＩＣパターンを検査する自動焦点機能を有した走査電子顕微鏡。」
の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明Ａとを比較する。
ア　
　引用発明Ａの「対物レンズの励磁電流」は、電子ビームの焦点位置を決めるパラメータであることは明らかである。引用発明Ａの「１回ずつ走査」、「オートフォーカスユニット２６」は、本願補正発明の「走査線毎」、「手段」に相当する。
　したがって、引用発明Ａの「対物レンズの励磁電流のステップ状の変化の都度、偏向コイル５には試料４上の所定領域を斜め直線走査にて１回ずつ走査するように・・・走査信号発生回路１３を制御するオートフォーカスユニット２６」と本願補正発明の「走査線毎に焦点位置と走査幅を変化させる手段」とは、走査線毎に焦点位置を変化させる手段の点で一致する。
　
イ　引用発明Ａの「走査ごとに検出信号から合焦の程度を表す信号の積算値」、「積算値の最大値が得られたときの励磁状態を合焦点位置と判断し」、「制御回路２０」は、本願補正発明の「該走査線毎の画像の鮮明度」、「合焦位置を割り出す」、「制御手段」に相当する。
　したがって、引用発明Ａの「走査ごとの信号の積算値であり、合焦の程度を表す情報である、２次電子や反射電子の検出信号の積算値の分布の最大値を検出し、その積算値の最大値のときの対物レンズ励磁電流値のデータをオートフォーカスユニット２６に供給し、最適なフォーカスの状態に電子ビームを設定する制御回路２０」は、本願補正発明の「該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段」に相当する。
　
ウ　引用発明Ａの「２段偏向コイル５ａ、５ｂに水平、垂直走査信号を供給する走査信号発生回路１３」は、走査線の方向を特定する手段であることは明らかであるから、本願補正発明の「走査線の方向を特定する手段」に相当する。
　
エ　引用発明Ａの走査電子顕微鏡において、オートフォーカスユニット２６、制御回路２０、走査信号発生回路１３等の種々の構成要素が相互に作用して「自動焦点機能」を奏するから、引用発明Ａは、本願補正発明でいう「自動焦点システム」を備えたものということができる。
　
オ　引用発明Ａの「走査形状」は、走査線に関するものであり、引用発明Ａの「斜め直線走査」は、本願補正発明の「斜め走査線」に相当する。
　したがって、引用発明Ａの「走査形状が斜め直線走査である」と本願補正発明の「前記走査線が半導体ウエハ上のチップ領域内であって、チップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った斜め走査線である」とは、前記走査線が斜め走査線である点で一致する。
　
カ　引用発明Ａの対象である「ＩＣパターンを検査する自動焦点機能を有した走査電子顕微鏡」と本願補正発明の対象である「半導体ウエハ検査用の走査型荷電粒子顕微鏡」とは、走査型荷電粒子顕微鏡の点で一致する。
　
　したがって、引用発明Ａと本願補正発明の両者は、
「走査線毎に焦点位置を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段と走査線の方向を特定する手段とを含む自動焦点システムを備えたものであって、前記走査線が斜め走査線である走査型荷電粒子顕微鏡。」の点で一致し、以下の点で相違する。
[相違点１]
　走査線毎に焦点位置を変化させる手段が、本願補正発明は、走査線毎に走査幅も変化させるのに対して、引用発明Ａは、その点が限定されていない点。
[相違点２]
　斜め走査線が、本願補正発明は、「半導体ウエハ上のチップ領域内であって、チップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った」ものであるのに対して、引用発明Ａは、そのように限定されていない点。
[相違点３]
　走査型荷電粒子顕微鏡が、本願補正発明は、「半導体ウエハ検査用」であるのに対して、引用発明Ａは、ＩＣパターンを検査するものである点。
　
（４）当審の判断
　相違点３、２、１の順で検討する。
　
ア　相違点３について　　
　引用発明Ａは、ＩＣパターンを電子顕微鏡で検査する発明であるが、この検査対象であるＩＣパターンは、通常、半導体ウエハ上に配列された各チップに形成されているものである。
　また、複数のチップが配列された半導体ウエハを走査型電子顕微鏡によってチップ単位毎に検査することは、従来周知の技術である〔（特開平１０−１７３０１８号公報（段落【００１６】）〕。
　したがって、引用発明Ａの走査電子顕微鏡を半導体ウエハ検査用と限定すること、即ち相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項は、従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
イ　相違点２について　　
　「ア　相違点３について」の項で述べたように、複数のチップが配列された半導体ウエハをチップ単位毎に走査型電子顕微鏡によって検査することは、従来周知の技術である。
　してみると、引用発明Ａで用いられる「斜め走査線」を、本願補正発明のように「半導体ウエハ上のチップ領域内であって、チップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った」と限定することは、従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項は、従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
ウ　相違点１について
　引用刊行物１には、斜め直線走査でも例えば水平ラスター走査でも、走査試料上でのトータル走査距離および走査速度がほぼ同一である旨が記載されているから（記載事項６）、引用発明Ａで用いられる「斜め直線走査」は、十字パターンを有するＩＣパターンに対して、水平ラスター走査と同じく走査位置を変化させながらＩＣパターンの面にわたって走査する斜め走査であることは明らかである。
　また、「ア　相違点３について」の項で述べたように、複数のチップが配列された半導体ウエハをチップ単位毎に走査型電子顕微鏡によって検査することは、従来周知の技術であり、上記チップの形状は通常長方形である。
　してみると、引用発明Ａにおける上記斜め直線走査をチップ毎に行う場合に走査線毎に走査幅を変化させることは、チップの形状を考慮して当業者が当然になすべき事項である。
　したがって、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　なお、平成２０年４月１４付け審尋に対して、請求人は、同年５月１５日付けで回答書を提出しており、その中で請求項１の補正案を提示しているので、念のため検討する。
　
　上記補正案における「前記焦点位置を変化させる手段は走査線間の焦点位置の差を大／小に切替える機能を備え」るという事項について
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１８２５５号公報には、走査電子顕微鏡の焦点合わせのために、焦点位置を変化幅Ｄ分だけ変化させながらビームを走査して、焦点を評価するデータを取得し、これに基づいて大凡の焦点位置を求め、更に、大凡の焦点位置の近傍で、焦点位置を変化幅Ｄ分より小さいｄだけ変化させながらビームを走査して、焦点を評価するデータを取得して、これに基づいてより精度の高い焦点位置を求めることが記載されている（段落【００２６】、【００２７】、【００３２】〜【００３４】、【００４０】）。
　してみると、上記事項は格別なものではない。
　また、「走査幅」を「走査位置に対応して走査幅」と補正しようとしているが、この点も格別なものではない。
　したがって、上記補正案における請求項１に係る発明は、特許を受けることができない。
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　よって、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　
（５）まとめ
　以上のとおり、本件補正の請求項１についてした補正が、全体としてみて、仮に、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮であるとした場合、本件補正は、平成１８年特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明について
　平成１９年６月２９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、以下のものと認める。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】　走査線毎に焦点位置と走査位置を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段とを含む自動焦点システムを備えたものであって、前記走査線が半導体ウエハ上のチップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った斜め走査線であることを特徴とする走査型荷電粒子顕微鏡。」
　　
４　引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−１６１３２７号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項８＞
「【請求項１】  荷電粒子ビームを試料上に集束するための集束レンズと、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を走査するための走査手段と、試料への荷電粒子ビームの照射によって得られた信号を検出する検出器と、試料上の荷電粒子ビームの集束状態を連続的に変化させる手段とを備えた荷電粒子ビーム装置において、荷電粒子ビームの集束状態を垂直走査信号に同期して連続的に変化させ、検出器によって検出された信号に関し、荷電粒子ビームの各集束状態における検出信号を積算し、各積算された信号を記憶し、記憶した一連の積算値から最適焦点位置を求め、最適焦点位置に集束レンズを設定するようにした荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法。」
＜記載事項９＞
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動的に荷電粒子ビームの焦点合わせを行うことができる走査電子顕微鏡などの荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、自動的な焦点合わせ機能が備えられている。この焦点合わせは、集束レンズの励磁をステップ状に変化させ、各励磁状態、すなわち、電子ビームの各集束状態のときに試料の所定領域を電子ビームで走査し、その際、検出器によって２次電子や反射電子を検出し、各集束状態ごとに検出信号を積算するようにしている。そして、各集束状態のときの検出信号の積算値を比較し、最大値が得られたときの集束状態を合焦点位置と判断し、その状態に集束レンズの励磁を設定するようにしている。」
＜記載事項１０＞
「【０００８】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法は、荷電粒子ビームの集束状態を垂直走査信号に同期して連続的に変化させ、荷電粒子ビームの各集束状態における検出信号を積算し、各積算された信号を記憶し、記憶した一連の積算値から最適焦点位置を求め、最適焦点位置に集束レンズを設定する。」
＜記載事項１１＞
「【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図１は本発明に基づく焦点合わせ方法を実施するための走査電子顕微鏡の一例を示しており、１は電子銃である。電子銃１から発生した電子ビームＥＢは、集束レンズ２と対物レンズ３によって試料４上に細く集束される。また、電子ビームＥＢは、偏向コイル５によって偏向され、試料４上の電子ビームの照射位置は走査される。試料４への電子ビームの照射によって発生した２次電子は、２次電子検出器６によって検出される。検出器６の検出信号は、増幅器７によって増幅された後、陰極線管９に供給される。
【００１０】前記検出信号は、ＡＤ変換器１２を介してメモリー１３に供給される。このＡＤ変換器１２あるいはメモリー１３はＣＰＵ１４によって制御される。１５は操作盤であり、操作盤１５は、ＣＰＵ１４に指示信号を送る。ＣＰＵ１４は、対物レンズ３の励磁電源１６と偏向コイル５に走査信号を供給する走査信号発生回路１７を制御する。このような構成の動作は次の通りである。」
＜記載事項１２＞
「【００１２】次に、電子ビームの焦点合わせ動作を行う場合について説明する。操作盤１５を操作し、焦点合わせモードの指示を行うと、ＣＰＵ１４は、対物レンズ３の励磁電源１６と偏向コイル５の走査信号発生回路１７とを制御する。この制御により、励磁電源１６は対物レンズ３に、図２（ａ）に示すような垂直走査信号に同期したステップ状に変化する励磁電流を供給する。この間、走査信号発生回路１７は、試料の所定領域の走査（「操作」は誤記である。）を行うための走査信号を偏向コイル５に供給する。この結果、試料の電子ビームの走査領域は、各水平走査ラインごとに異なった集束状態で電子ビームが照射される。図２（ｂ）は陰極線管９の画面を示しているが、この走査画面は、垂直方向に５１２ステップ（ライン）で水平走査が行われ、各水平走査ラインごとに電子ビームの集束状態は変化している。」
＜記載事項１３＞
「【００１３】各ステップ状の励磁電流によるフォーカスの状態における検出器６によって検出された２次電子信号は、増幅器７によって増幅された後、ＡＤ変換器１２によってディジタル信号に変換された後、メモリー１３に供給されて記憶される。
【００１４】上記したステップによってメモリー１３においては、各水平走査ラインごとに２次電子検出信号が記憶される。そして、上記した垂直方向に集束レンズの励磁状態を変化させながら試料の所定領域の走査を行うステップは、多数回実行され、その間、２次電子検出信号は回帰型フィルター処理の機能を備えたメモリー１３内において積算処理が行われる。この結果、記憶された２次電子検出信号のＳＮ比は著しく向上する。」
＜記載事項１４＞
「【００１５】上記した所定回数の積算処理が終わると、ＣＰＵ１４は、メモリー１３内に記憶された５１２ライン毎の２次電子信号の積算処理を行ない、得られたライン毎の積算信号を比較し、最大積算信号が得られるラインを見出だす。図２（ｃ）はメモリー１３に記憶された信号値を示しており、縦軸が垂直走査位置、横軸が積算信号強度である。この図２（ｃ）のケースでは、ラインＬkにおいて最大積算信号が得られている。ＣＰＵ１４（「ＣＰＵ１３」は誤記である。）はラインＬkの時の励磁電源から集束レンズに供給される励磁電流を見出だし、この励磁電流を励磁電源から集束レンズに供給されるように制御する。この集束レンズの励磁状態で電子ビームの２次元走査を実施することにより、焦点の合った状態で走査電子顕微鏡像の観察を行うことができる。」
　
　上記記載事項から、引用刊行物２には、以下の事項が記載されている。
ア　試料の電子ビームの走査領域が、各水平走査ラインごとに異なった集束状態で走査されるように、対物レンズ３の励磁電源１６と偏向コイル５の走査信号発生回路１７とを制御するＣＰＵ１４（記載事項１２）
　
イ　
（ア）記載事項８における「荷電粒子ビームの集束状態を垂直走査信号に同期して連続的に変化させ、検出器によって検出された信号に関し、荷電粒子ビームの各集束状態における検出信号を積算し、各積算された信号を記憶し、記憶した一連の積算値から最適焦点位置を求め」る手段は、記載事項１３、１４の記載からみて、メモリ１３及びＣＰＵ１４からなる手段であることは明らかである。
（イ）記載事項８における「積算値」は、記載事項１２の記載、及び図２（Ｃ）の垂直走査位置の縦軸に対する横軸が、「積算信号強度」と記載されているからみて、メモリー１３内に記憶された各水平走査ライン毎の２次電子信号の積算処理を行ない、得られたライン毎の積算信号強度である。そして、「一連の積算値から最適焦点位置を求め」るので、積算信号強度を比較していることは明らかである。
　してみると、引用刊行物２には、電子ビームの集束状態を垂直走査信号に同期して連続的に変化させ、検出器によって検出された信号に関し、電子ビームの各集束状態における検出信号を積算し、各積算された信号を記憶し、メモリー１３内に記憶された各水平走査ライン毎の２次電子信号の積算処理を行ない、得られたライン毎の積算信号強度の比較から最適焦点位置を求める、メモリ１３及びＣＰＵ１４からなる手段が記載されている。
　
ウ　自動的な焦点合わせ機能が備えられた走査電子顕微鏡（記載事項９）
　
　したがって、上記記載事項８ないし１４及び図面に基づけば、引用刊行物２には、
「試料の電子ビームの走査領域が、各水平走査ラインごとに異なった集束状態で走査されるように、対物レンズ３の励磁電源１６と偏向コイル５の走査信号発生回路１７とを制御するＣＰＵ１４と、電子ビームの集束状態を垂直走査信号に同期して連続的に変化させ、検出器によって検出された信号に関し、電子ビームの各集束状態における検出信号を積算し、各積算された信号を記憶し、メモリー１３内に記憶された各水平走査ライン毎の２次電子信号の積算処理を行ない、得られたライン毎の積算信号強度の比較から最適焦点位置を求める、メモリ１３及びＣＰＵ１４からなる手段とを備え、自動的な焦点合わせ機能を有する走査電子顕微鏡。」の発明（以下「引用発明Ｂ」という。）が記載されている。
　
　また、引用刊行物１には、前記「２［理由２］（２）」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　
５　対比
　本願発明と引用発明Ｂとを比較する。
ア　
（ア）引用発明Ｂの「各水平走査ライン」は、走査ラインごとに走査位置が異なるといえ、また「各水平走査ラインごと」は、本願発明の「走査線毎」に相当する。
（イ）引用刊行物２には、集束状態と合焦点位置との関係について「最大値が得られたときの集束状態を合焦点位置と判断し」と記載されているから（記載事項２）、引用発明Ｂの「各水平走査ラインごとに異なった集束状態で」は、本願発明の「走査線毎に焦点位置」を「変化させる」に相当する。
（ウ）引用発明Ｂの「対物レンズ３の励磁電源１６と偏向コイル５の走査信号発生回路１７とを制御するＣＰＵ１４」は、本願発明の「手段」に相当する。
　したがって、引用発明Ｂの「試料の電子ビームの走査領域が、各水平走査ラインごとに異なった集束状態で走査されるように、対物レンズ３の励磁電源１６と偏向コイル５の走査信号発生回路１７とを制御するＣＰＵ１４」と本願発明の「走査線毎に焦点位置と走査位置を変化させる手段」とは、走査線毎に焦点位置と走査位置を変化させる手段の点で一致する。
　
イ　
（ア）引用発明Ｂの「得られたライン毎」は、各水平走査ライン毎であるから、引用発明Ｂの「得られたライン毎の積算信号強度」は、本願発明の「該走査線毎の画像の鮮明度」に相当する。
（イ）引用発明Ｂの「最適焦点位置を求める」は、本願発明の「合焦位置を割り出す」に相当する。
（ウ）引用発明Ｂの「メモリ１３及びＣＰＵ１４からなる手段」は、本願発明の「制御手段」に相当する。
　したがって、引用発明Ｂの「得られたライン毎の積算信号強度の比較から最適焦点位置を求める、メモリ１３及びＣＰＵ１４からなる手段」は、本願発明の「該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段」に相当する。
　
ウ　引用発明Ｂの走査型荷電粒子顕微鏡において、ＣＰＵ１４、励磁電源１６、走査信号発生回路１７、メモリー１３等の種々の構成要素が、相互に作用して「自動的な焦点合わせ機能」を奏するから、引用発明Ｂは、上記構成要素を含む本願発明でいう「自動焦点システム」を備えたものということができる。
　
エ　引用発明Ｂの「走査電子顕微鏡」は本願発明の「走査型荷電粒子顕微鏡」に相当する。
　
　したがって、引用発明Ｂと本願発明の両者は、
「走査線毎に焦点位置を変化させる手段と、該走査線毎の画像の鮮明度を比較して合焦位置を割り出す制御手段とを含む自動焦点システムを備えた走査型荷電粒子顕微鏡。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点
　走査線が、本願発明は、「半導体ウエハ上のチップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った斜め走査線である」のに対して、引用発明は、そのように限定されていない点。
　
６　判断
　上記相違点について検討する。
　
　引用刊行物１には、十字パターンを有するＩＣパターンに対して走査型電子顕微鏡の焦点調整をする際に用いられる斜め直線走査について、斜め直線走査でも例えば水平ラスター走査でも、走査試料上でのトータル走査距離および走査速度がほぼ同一である旨が記載されている（記載事項４）。
　この記載によれば、上記「斜め直線走査」が、水平ラスター走査と同じく走査位置を変化させながら十字パターンを有するＩＣパターンの面にわたって斜め走査をすることであることは明らかである。また、引用刊行物１に記載された発明の検査対象であるＩＣパターンは、通常、半導体ウエハ上に配列された各チップに形成されるものである。
　してみると、引用発明Ｂの走査線を、本願発明のように「半導体ウエハ上のチップ配列方向に対し水平方向成分と垂直方向成分とを合わせ持った斜め走査線」と限定することは、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　よって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　そして、本願発明の効果は、引用刊行物２及び引用刊行物１の記載から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物２及び引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物２及び引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。