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　平成　９年特許願第３４４６４８号「トランジスタパッケージおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　２日出願公開、特開平１１−１７７００７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明１ 
　本願は、平成９年１２月１５日の出願であって、平成１８年７月５日付で拒絶理由通知がなされ、これに対して同年９月８日に手続補正がなされ、平成１８年１０月４日付で拒絶査定がなされたものであり、これに対し、平成１８年１１月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年１２月１１日に手続補正がなされたものである。
　 
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１８年１２月１１日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、平成１８年１２月１１日付の手続補正前に請求項１を引用する形式で記載されていた請求項２を、独立形式で記載した、次のとおりのものである。
　「【請求項１】ベース（ゲート）電極とエミッタ（ソース）電極とコレクタ（ドレーン）電極が形成されたトランジスタチップと、外部と電気的信号をやり取りするリード端子と、チップとリード端子の一部を覆う封止樹脂から構成されるトランジスタパッケージにおいて、  
前記コレクタ電極と第１のリードが半田，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔのいずれかの金属を介して接合され、前記ゲート電極と第２のリードが、前記第２のリードの接合面に形成された貴金属膜とＡｕバンプとの直接接合により接合され、前記エミッタ電極と第３のリードが、前記第３のリードの接合面に形成された貴金属膜とＡｕバンプとの直接接合により接合され、前記エミッタ電極と前記第３のリードとが、複数のＡｕバンプを介して接合された構造であることを特徴とするトランジスタパッケージ。」  
　 
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−６４６３４号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平９−６４２５８号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 
　 
（１）引用例１（特開平８−６４６３４号公報） 
（１ａ）「【０００８】【作用】前記した手段によれば、各インナリードが半導体ペレットに各接続部によって直接的に接続されているため、ボンディングワイヤによる電気的接続に比べて外部抵抗分が大幅に低減されることになる。・・・」」（【０００８】） 
（１ｂ）「【００１０】本実施例において、本発明に係る半導体装置は、パワーＭＯＳＦＥＴ（以下、トランジスタという。）として構成されている。このトランジスタ１は、ＭＯＳＦＥＴが作り込まれ小形の平板形状に形成された半導体ペレット（以下、ペレットという。）１０と、ＭＯＳＦＥＴを電気的に外部に引き出すための３本のインナリード３５、３６、３７と、放熱性能を高めるためのヘッダ４１と、ペレット１０、インナリード群およびヘッダ４１の一部を樹脂封止する樹脂封止体４４とを備えている。ペレット１０の回路要素が作り込まれた側の主面（以下、上面とする。）には各インナリード３５、３６、３７がバンプから形成された接続部２５、２６、２７によって電気的かつ機械的に接続されている。また、ペレット１０の反対側の主面である下面にはヘッダ４１が結合されている。・・・」（【００１０】） 
（１ｃ）「【００１３】・・・このペレット１０はサブストレート１１を備えており、サブストレート１１の上にはポリシリコンによってゲート１２が下敷きシリコン酸化膜１３を介して形成されている。サブストレート１１におけるゲート１２の外側に対応するサブストレート１１の内部には半導体拡散層部としてのソース１４が形成されており、サブストレート１１の下部にはドレイン１５が形成されている。 
【００１４】サブストレート１１の上にはＣＶＤ酸化膜等からなる絶縁膜１６がゲート１２およびソース１４を被覆するように形成されており、この絶縁膜１６におけるゲート１２に対向する位置にはゲート用コンタクトホール１７が１個、ゲート１２に貫通するように開設されている。また、絶縁膜１６におけるソース１４に対向する領域にはソース用コンタクトホール１８が３個、ゲート用コンタクトホール１７の片脇において直交する方向に並べられてソース１４にそれぞれ貫通するように開設されている。 
【００１５】さらに、ゲート用コンタクトホール１７の内部にはゲート用電極パッド１９が形成され、各ソース用コンタクトホール１８の内部にはソース用電極パッド２０がそれぞれ形成されている。・・・他方、サブストレート１１の下面にはドレイン１５用の電極パッド２１がアルミニウム材料を被着されている。 
【００１６】ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０の上には、・・・保護膜２４が被着されており、保護膜２４のゲート用電極パッド１９およびソース用電極パッド２０にそれぞれ対向する位置にはゲート用バンプ２２および各ソース用バンプ２３がそれぞれ突設されている。これらバンプ２２、２３は、・・・、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）からなる本体２２ｃ、２３ｃとから構成されている。」（【００１３】〜【００１６】） 
（１ｄ）「【００１７】・・・この多連リードフレーム３０の表面には錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）等を用いためっき処理が、ペレット１０に突設されたバンプ２２、２３による電気的かつ機械的接続作用が適正に実施されるように被着されている（図示せず）。この多連リードフレーム３０には複数の単位リードフレーム３１が一方向に１列に並設されている。・・・ 
【００１９】各単位リードフレーム（・・・）３１において、両セクション枠の間にはダム部材３４が・・・一体的に架設されている。ダム部材３４には３本のインナリード３５、３６、３７が・・・突設されている。中央のインナリード３５（以下、第１インナリードという。）の先端部には、ドレイン用接続部片３５ａが・・・形成され・・・インナリード３６（以下、第２インナリードという。）の先端部には、ゲート用接続部片３６ａが・・・形成され・・・インナリード（以下、第３インナリードという。）３７の先端部には、ソース用接続部片３７ａが・・・形成されている。」（【００１７】〜【００１９】） 
（１ｅ）「【００２２】・・・ペレット１０とヘッダ４１とは、ペレットボンディング工程において、ヘッダ４１の一方の主面（以下、上面とする。）にペレット１０のドレイン用電極パッド２１側の主面がペレットボンディング層としてのはんだ付け層４３によりボンディングされる。・・・ 
【００２３】次に、インナリードボンディング工程において図５に示されているように、ペレット１０のヘッダ４１と反対側の主面にインナリード群がボンディングされる。・・・。そして、・・・、各バンプ２２および２３が各インナリード３６および３７の接続部片３６ａ、３７ａにそれぞれ整合されてボンディング工具により熱圧着されることにより、多連リードフレーム３０に組み付けられる。 
【００２４】すなわち、各バンプ２２、２３が各インナリード３６、３７に加熱下で押接されると、バンプ本体２２ｃ、２３ｃのはんだが溶融して各インナリード３６および３７に溶着する。そして、はんだが固化した後に、ペレット１０のゲート用電極パッド１９および各ソース用電極パッド２０と第２インナリード３６および第３インナリード３７との間には、ゲート用接続部２５およびソース用接続部２６がそれぞれ形成される。・・・ 
【００２５】このインナリードボンディング作業に際して、第１インナリード３５のドレイン用接続部片３５ａはヘッダ４１の取付孔４２と反対側の短辺付近にはんだ付けされる。このはんだ付け部によってドレイン用接続部２７が形成された状態になり、ドレイン用接続部２７によってペレット１０のドレイン電極パッド２１とヘッダ４１とが電気的に接続された状態になる。」（【００２２】〜【００２５】） 
（１ｆ）「【００４１】・・・本発明は前記実施例に限定されるものではなく、・・・種々変更可能であることはいうまでもない。 
【００４２】例えば、・・・。また、バンプ本体ははんだによって形成するに限らず、金によって形成し、インナリードに金−錫共晶層によって接続するように構成してもよい。」（【００４１】〜【００４２】） 
　 
（２）引用例２（特開平９−６４２５８号公報） 
（２ａ）「【０００５】なお、パワー半導体以外の半導体実装分野では、シリコンチップから信号を取り出す部分の接続構造として、シリコンチップ上のアルミニウムパッドに金ボールを予めボンディングしてバンプを形成しておき、その上に金メッキ又はスズメッキを施した銅リードを接合する構造が知られている。この場合の金バンプは、銅リードを熱圧着あるいは熱超音波圧着する場合の衝撃緩衝と接合性向上の目的で形成されている。」（【０００５】） 
（２ｂ）「【００３４】図１１は、本発明を半導体パッケージに適用した場合の一実施例を示すもので、・・・ある。図において、シリコンチップ７４のアルミニウム電極パッド７５上には、多層構造の応力緩衝部材７６が超音波ボンディングされている。シリコンチップは、リードフレームの金属ダイ７１に半田７３によって固着されている。ゲート及びエミッタの各電極パッドへの電気的接続は、リードフレームのリード７７，７８を曲げ加工した後に、直接、半田により応力緩衝部材に接合している。・・・。最終的に、各リード７７，７８，７９の先端部を残して、全体を樹脂７２によりモールドしている。 
【００３５】本実施例によれば、アルミニウムワイヤを用いないでダイレクトにリードをシリコンチップに接続しているため、アルミニウムワイヤ自身の固有抵抗あるいはワイヤとシリコンチップの接合面積が小さいことに起因する電気抵抗の増加を最小限に低減できてパッケージ内の電力損失を大幅に減少でき、放熱構造の簡素化やパッケージ寿命の向上を図ることができる。さらに、ワイヤループ部分が無いため、パッケージ高さを極限まで薄くできるという効果もある。・・・」（【００３４】、【００３５】） 
（２ｃ）図１１には、リード７９の先端部である金属ダイ７１上に半田７３を介してシリコンチップ７４が接合され、シリコンチップ上面のアルミニウム電極パッド７５上に、応力緩衝部材７６を介して、リード７７，７８が接続されることが示されている。 
　　 
３．当審の判断 
３−１．引用例１発明 
　引用例１には、摘記事項（１ｂ）によれば、「本実施例において、本発明に係る半導体装置は、パワーＭＯＳＦＥＴ（以下、トランジスタという。）として構成されている。このトランジスタ１は、ＭＯＳＦＥＴが作り込まれ小形の平板形状に形成された半導体ペレット（以下、ペレットという。）１０と、ＭＯＳＦＥＴを電気的に外部に引き出すための３本のインナリード３５、３６、３７と、放熱性能を高めるためのヘッダ４１と、ペレット１０、インナリード群およびヘッダ４１の一部を樹脂封止する樹脂封止体４４とを備えている。ペレット１０の回路要素が作り込まれた側の主面（以下、上面とする。）には各インナリード３５、３６、３７がバンプから形成された接続部２５、２６、２７によって電気的かつ機械的に接続されている。また、ペレット１０の反対側の主面である下面にはヘッダ４１が結合されている。」と記載されており、ＭＯＳＦＥＴが作り込まれ小形の平板形状に形成されたペレット１０と、電気的に外部に引き出すための３本のインナリード３５、３６、３７と、放熱性能を高めるためのヘッダ４１と、ペレット１０、インナリード群およびヘッダ４１の一部を樹脂封止する樹脂封止体４４とを備えており、ペレット１０の下面にはヘッダ４１が結合されている、トランジスタ１として構成されている半導体装置、が記載されている。 
　また、摘記事項（１ｃ）によれば、「ペレット１０はサブストレート１１を備えており、・・・サブストレート１１の上には・・・絶縁膜１６が・・・形成されており、この絶縁膜１６におけるゲート１２に対向する位置にはゲート用コンタクトホール１７が１個、・・・開設され・・・、絶縁膜１６におけるソース１４に対向する領域にはソース用コンタクトホール１８が３個・・・開設され・・・、ゲート用コンタクトホール１７の内部にはゲート用電極パッド１９が形成され、各ソース用コンタクトホール１８の内部にはソース用電極パッド２０がそれぞれ形成され・・・」と記載されているから、ペレット１０の上には、ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０が形成されている。
　また、摘記事項（１ｃ）によれば、「ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０の上には、・・・保護膜２４が被着されており、保護膜２４のゲート用電極パッド１９およびソース用電極パッド２０にそれぞれ対向する位置にはゲート用バンプ２２および各ソース用バンプ２３がそれぞれ突設され・・・バンプ２２、２３は、・・・、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）からなる本体２２ｃ、２３ｃとから構成されている。」と記載されているから、ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０にそれぞれ対向する位置には、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）からなる本体２２ｃ、２３ｃから構成されている、ゲート用バンプ２２および各ソース用バンプ２３がそれぞれ突設されている。 
　また、摘記事項（１ｃ）によれば、「ペレット１０はサブストレート１１を備えており、・・・、サブストレート１１の下面にはドレイン１５用の電極パッド２１が・・・被着されている。」と記載されているから、ペレット１０の下面には、ドレイン１５用の電極パッド２１が被着されている。 
　また、摘記事項（１ｄ）によれば、「この多連リードフレーム３０の表面には・・・、金（Ａｕ）、・・・等を用いためっき処理が、ペレット１０に突設されたバンプ２２、２３による電気的かつ機械的接続作用が適正に実施されるように被着されている（図示せず）。この多連リードフレーム３０には複数の単位リードフレーム３１が一方向に１列に並設されて・・・各単位リードフレーム（・・・）３１において・・・ダム部材３４が・・・架設され・・・ダム部材３４には３本のインナリード３５、３６、３７が・・・突設されている。」と記載されているから、インナリード３５、３６、３７の表面には、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）等を用いためっき処理が、ペレット１０に突設されたバンプ２２、２３による電気的かつ機械的接続作用が適正に実施されるように被着されている。 
　また、摘記事項（１ｅ）によれば、「ペレット１０とヘッダ４１とは、ペレットボンディング工程において、ヘッダ４１の一方の主面（以下、上面とする。）にペレット１０のドレイン用電極パッド２１側の主面がペレットボンディング層としてのはんだ付け層４３によりボンディングされる。・・・次に、インナリードボンディング工程において・・・、第１インナリード３５のドレイン用接続部片３５ａはヘッダ４１の取付孔４２と反対側の短辺付近にはんだ付けされる。このはんだ付け部によってドレイン用接続部２７が形成された状態になり、ドレイン用接続部２７によってペレット１０のドレイン電極パッド２１とヘッダ４１とが電気的に接続された状態になる。」と記載されているから、ペレット１０のドレイン用電極パッド２１が、はんだ付け層４３によりヘッダ４１にボンディングされ、インナリード３５はヘッダ４１にはんだ付けされてドレイン用接続部２７が形成されている。 
　また、摘記事項（１ｅ）によれば、「ボンディング工具により・・・、バンプ本体２２ｃ、２３ｃのはんだが溶融して各インナリード３６および３７に溶着・・・して、はんだが固化した後に、ペレット１０のゲート用電極パッド１９および各ソース用電極パッド２０と第２インナリード３６および第３インナリード３７との間には、ゲート用接続部２５およびソース用接続部２６がそれぞれ形成される。」と記載されているから、ボンディング工具により、バンプ本体２２ｃ、２３ｃのはんだが溶融して各インナリード３６および３７に溶着して、はんだが固化した後に、ペレット１０のゲート用電極パッド１９と第２インナリード３６との間にはゲート用接続部２５が、各ソース用電極パッド２０と第３インナリード３７との間にはソース用接続部２６が、それぞれ形成されている 
　また、摘記事項（１ｆ）によれば、「本発明は前記実施例に限定されるものではなく、・・・種々変更可能で・・・例えば、・・・、バンプ本体ははんだによって形成するに限らず、金によって形成し、インナリードに金−錫共晶層によって接続するように構成してもよい。」と記載されているから、バンプ本体は、金によって形成し、インナリードに金−錫共晶層によって接続するよう変更可能といえる。 
　 
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）を整理すると、引用例１には、 「ＭＯＳＦＥＴが作り込まれ、小形の平板形状に形成されたペレット１０と、電気的に外部に引き出すための３本のインナリード３５、３６、３７と、放熱性能を高めるためのヘッダ４１と、ペレット１０、インナリード群およびヘッダ４１の一部を樹脂封止する樹脂封止体４４とを備えており、 
ペレット１０の下面にはヘッダ４１が結合されており、 
ペレット１０の上には、ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０がそれぞれ形成され、 
ペレット１０の下面には、ドレイン１５用の電極パッド２１が被着され、 
ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０にそれぞれ対向する位置には、本体２２ｃ、２３ｃから構成されている、ゲート用バンプ２２および３個のソース用バンプ２３がそれぞれ突設されており、
インナリード３５、３６、３７の表面には、バンプ２２、２３による電気的かつ機械的接続作用が適正に実施されるように、金（Ａｕ）を用いためっき処理が被着され、
バンプ本体を、金によって形成し、インナリードに金−錫共晶層によって接続するものであって、
ペレット１０のドレイン用電極パッド２１が、はんだ付け層４３によりヘッダ４１にボンディングされ、インナリード３５はヘッダ４１にはんだ付けされてドレイン用接続部２７が形成されており、
ボンディング工具により、バンプ本体２２ｃ、２３ｃが溶融して各インナリード３６および３７に溶着して、固化した後に、ペレット１０のゲート用電極パッド１９と第２インナリード３６との間にはゲート用接続部２５が、各ソース用電極パッド２０と第３インナリード３７との間にはソース用接続部２６が、それぞれ形成されている、トランジスタ１として構成されている半導体装置」（以下、「引用例１発明」という）が記載されているといえる。
　 
３−２．本願発明と引用例１発明との対比 
　本願発明１と引用例１発明を対比すると、引用例１発明における「ゲート用電極パッド」、「ソース用電極パッド」、「ドレイン用電極パッド」は、それぞれ、本願発明１における「ベース（ゲート）電極」、「エミッタ（ソース）電極」、「コレクタ（ドレーン）電極」にそれぞれ相当する。 
　また、引用例１発明は、「ペレット１０の上には、ゲート用電極パッド１９および３個のソース用電極パッド２０がそれぞれ形成され、ペレット１０の下面には、ドレイン１５用の電極パッド２１が被着され」ているから、引用例１発明における「ＭＯＳＦＥＴが作り込まれ小形の平板形状に形成されたペレット」は、本願発明１における、「ベース（ゲート）電極とエミッタ（ソース）電極とコレクタ（ドレーン）電極が形成されたトランジスタチップ」に相当する。 
　また、引用例１発明における「電気的に外部に引き出すための３本のインナリード３５、３６、３７」、「第２インナリード３６」、「第３インナリード３７」、「ペレット１０、インナリード群およびヘッダ４１の一部を樹脂封止する樹脂封止体」、「トランジスタ１として構成されている半導体装置」は、それぞれ、本願発明１における「外部と電気的信号をやり取りするリード端子」、「第２のリード」、「第３のリード」、「チップとリード端子の一部を覆う封止樹脂」、「トランジスタパッケージ」にそれぞれ相当する。 
　また、引用例１発明は、バンプ本体を、金によって形成するものであるから、引用例１発明の「本体２２ｃ・・・から構成されている、ゲート用バンプ２２」は、本願発明１の「（ゲート電極と第２のリードとを接合する）Ａｕバンプ」に相当する。 
　また、引用例１発明は、バンプ本体を、金によって形成するものであり、３個のソース用バンプ２３は複数個であるから、引用例１発明の「本体・・・２３ｃから構成されている、・・・３個のソース用バンプ２３」は、本願発明１の「（エミッタ電極と第３のリードとを接合する）複数のＡｕバンプ」に相当する。 
　 
　よって、両者は、「ベース（ゲート）電極とエミッタ（ソース）電極とコレクタ（ドレーン）電極が形成されたトランジスタチップと、外部と電気的信号をやり取りするリード端子と、チップとリード端子の一部を覆う封止樹脂から構成されるトランジスタパッケージにおいて、 
前記ゲート電極と第２のリードが、Ａｕバンプにより接合され、前記エミッタ電極と第３のリードが、Ａｕバンプにより接合され、前記エミッタ電極と前記第３のリードとが、複数のＡｕバンプを介して接合された構造であることを特徴とするトランジスタパッケージ。」で一致し、次の点で相違する。 　 
相違点（イ）：ドレーンとの接合が、本願発明１では、「コレクタ（ドレーン）電極が第１のリードに半田を介して接合されている」のに対し、引用例１発明では、「ペレット１０のドレイン用電極パッド２１が、はんだ付け層４３によりヘッダ４１にボンディングされ、インナリード３５はヘッダ４１にはんだ付けされてドレイン用接続部２７が形成されて」いる点 
相違点（ロ）：ゲート電極と第２のリードとの接合及びエミッタ電極と第３のリードとの接合が、本願発明１では、「リードの接合面に形成された貴金属膜とＡｕバンプとの直接接合」によるのに対し、引用例１発明は、金−錫共晶層によって接続する点。 
　 
３−３．相違点の検討 
相違点（イ）について： 
　引用例１発明は、載置したペレット１０の下面でドレイン１５用の接合を行うものであるところ、載置したチップの下面で、コレクタ（ドレーン）用の接合を行うことに関して、引用例２には、摘記事項（２ｂ）、（２ｃ）によれば、「（ゲート及びエミッタの各電極パッドへリード７７，７８を電気的に接合した）チップは、リード７９の金属ダイ７１に半田７３によって固着されている」こと、即ち、「コレクタ（ドレーン）電極をリードに半田を介して接合されている」ことが記載されており、引用例１発明におけるヘッダを介した接続に代えて、引用例２に記載された接続を採用することは、当業者が容易に想到しうるものである。 
　 
相違点（ロ）について： 
　引用例２は、摘記事項（２ｂ）によれば、「ワイヤを用いないでダイレクトにリードをシリコンチップに接続しているため、・・・電気抵抗の増加を最小限に低減でき」ることをいうものであり、一方、引用例１は、摘記事項（１ａ）によれば、「各インナリードが半導体ペレットに各接続部によって直接的に接続されているため、ボンディングワイヤによる電気的接続に比べて外部抵抗分が大幅に低減される」ことをいうものであるから、引用例２と引用例１とは、ワイヤを用いない直接接続により、チップとリードの端子間の電気抵抗を下げることに関する点で、同一の目的を有するものといえる。 
　そして、引用例２の摘記事項（２ａ）には、「なお、パワー半導体以外の半導体実装分野では、シリコンチップから信号を取り出す部分の接続構造として、シリコンチップ上のアルミニウムパッドに金ボールを予めボンディングしてバンプを形成しておき、その上に金メッキ・・・を施した銅リードを接合する構造が知られている。」と記載されており、金メッキは貴金属膜であるから、この接続構造は、「リードの接合面に形成された貴金属膜とＡｕバンプとの直接接合」する構造といえるので、引用例１発明における金−錫共晶層による接続に代えて、引用例２に記載された接続構造の接続を採用することは、当業者が容易に想到しうるものである。 
　 
　なお、請求人は、平成１９年３月１日付手続補正書により補正された審判請求書の３（ハ）〜（ホ）において、摘記事項（２ａ）に記載されているのは、パワー半導体以外の場合におけるシングルポイント接合であって、トランジスタチップの接合の場合には採用できないものであるから、引用例１に記載された発明への適用は容易でない旨の主張をしている。 
　しかしながら、本願発明１は、トランジスタについて、パワートランジスタに限定されているわけでは無く、また、接合についても、シングルポイント接合を除くなどの限定も無いから、本願発明１は、トランジスタの種類や電極の接合手法につき、何ら、限定されるものではない。
　よって、請求人の主張は、請求項の記載に基づかない主張であるので採用できない。 
　 
　そして、本願発明１による効果も引用例１〜２の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。 
　よって、本願発明１は、引用例１に記載された発明及び引用例２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
４．むすび 
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。