【事件の表示】
　特願２０００−１０６７６７「ノンリニアホールＩＣ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１９日出願公開、特開２００１−２８９９２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年４月７日の出願であって、平成１６年１１月１日付け（発送日：平成１６年１１月９日）で拒絶査定がされ、これに対し平成１６年１２月９日に拒絶査定不服審判の請求がされ、その後、当審において平成１９年３月２７日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し平成１９年６月２０日に意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。　
　
２．本願発明
２−１．本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１６年７月２６日付けの手続補正書、及び平成１９年６月２０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　ホール素子によって磁界強度を検知し、このホール素子によるホール電圧を変換して出力電圧を出力するホールＩＣであって、前記ホール素子によって出力された前記ホール電圧を前記出力電圧に変換するための変換情報を記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された前記変換情報に基づいて前記ホール電圧を変換し、前記磁界強度と前記出力電圧との関係を非直線的な関係に変換するノンリニア変換手段と、を含み、前記ノンリニア変換手段は、任意の間隔で前記磁界強度を区分し、この区分毎に前記ホール電圧を前記出力電圧に変換することを特徴とするノンリニアホールＩＣ。」
　
２−２．引用例
　当審による平成１９年３月２７日付けの拒絶理由通知の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である実願昭４８−１４１２４５号（実開昭５０−８６１５０号）のマイクロフィルム（以下、「引用例」という。）には図面と共に、以下（１）、（２）の事項が記載されている。
　
（１）「例えば第３図に示すように、タンク１内に配される一対の対向電極５及び６はその上下方向における少くともそれ等間の容量測定に有効に作用する各部の形状はそれぞれ変化されず同一形状であり、この例では円筒電極５と同一軸心の外筒電極６が外側に配される。このような電極５，６間の静電容量は、通常の容量測定器、即ち、特性が直線的である容量測定器、例えば、容量ブリツジ７において測定される。この測定出力は、アナログデジタル変換器８によりデジタル信号とされて補正演算器９へ供給される。補正演算器９としては他の演算などの処理のたゆに利用されている電子計算機を利用できる。いまタンク１の形状が第４図に示すように高さＺが高くなるに従つて水平断面積Ｓが三段階で変化して小さくなるとする。タンク１内の液量 Ｖ＝∫0Z ｓｄｚ は第５図に示すような関係となる。この曲線は複数の積分区間に分割すれば、多項式Ｖ＝ａ＋ｂｚ＋ｃｚ2＋ｄｚ3で可成り正確に近似できる。この各区間における多項式の定数ａ，ｂ，ｃ，ｄがそれぞれ予め記憶装置１０に記憶され、また各区間を示すＺの値も記憶されている。更に彎曲点Ｚ５，Ｚ６では別の式が記憶される。
　容量ブリツジ７で測定された信号Ｚは補正演算器９へ供給され、演算器９においてそのＺが何れの区間に属するか順次比較され、次にその区間に属する上記定数ａ，ｂ，ｃ，ｄが記憶装置１０から読出され、上記多項式が計算される。このようにして補正された値が指示器１１へ供給される。」（明細書第４頁第１４行〜第６頁第１行）
（２）「特に上記多項式の定数ａ，ｂ，ｃなどの記憶値を各タンクに応じて変更することにより補正演算器９及び記憶装置１０そのものは同一構成とすることができ、従つて量産が可能であり、安価なものとなる。しかも記憶装置１０の各種の記憶値を変更することにより、タンクを取替えても使用可能であり、かつ何れの場合も微細な補正ができ正確な測定が可能となる。」（明細書第６頁第１２〜２０行）
　
　上記（１）の記載及び図面の第５図の記載から、容量ブリツジ７で測定された信号Ｚを補正演算器９により計算して得られた補正された値Ｖは、信号Ｚに対して非直線的、すなわちノンリニアであることが読み取れる。
　また、上記（１）の記載及び図面の第５図の記載から、補正演算器９は検知した静電容量をタンクに対応した任意の間隔で区分し、この区分毎に信号Ｚを補正された値Ｖに変換していることも読み取れる。
　
　してみると、これらの記載から引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
「　対向電極５、６及び容量ブリツジ７によって静電容量を検知し、この対向電極５、６及び容量ブリツジ７による信号Ｚを変換して補正された値Ｖを出力する計測回路であって、前記対向電極５、６及び容量ブリツジ７によって出力された前記信号Ｚを前記補正された値Ｖに変換するための多項式の定数ａ，ｂ，ｃ，ｄを記憶する記憶装置１０と、この記憶装置１０に記憶された前記多項式の定数ａ，ｂ，ｃ，ｄに基づいて前記信号Ｚを変換し、前記静電容量と前記補正された値Ｖとの関係を非直線的な関係に変換する補正演算器９と、を含み、前記補正演算器９は、任意の間隔で前記静電容量を区分し、この区分毎に前記信号Ｚを前記補正された値に変換することを特徴とするノンリニア計測回路。」
　
２−３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「補正された値Ｖ」、「多項式の定数ａ，ｂ，ｃ，ｄ」、「記憶装置１０」及び「補正演算器９」は、それぞれ本願発明における「出力電圧」、「変換情報」、「記憶手段」及び「ノンリニア変換手段」に相当する。
　また、引用発明の「対向電極５、６及び容量ブリツジ７によって静電容量を検知し、この容量ブリツジ７による信号Ｚを変換して補正された値を出力する計測回路」と本願発明の「ホール素子によって磁界強度を検知し、このホール素子によるホール電圧を変換して出力電圧を出力するホールＩＣ」とは、「検出素子によって物理量を検知し、この検出素子による検出電圧を変換して出力電圧を出力する計測回路」である点で共通する。そしてこのことにより、引用発明の「対向電極５、６及び容量ブリツジ７によって出力された前記信号Ｚを前記補正された値に変換するための多項式の定数ａ，ｂ，ｃ，ｄを記憶する記憶装置１０と、この記憶装置１０に記憶された前記多項式の定数ａ，ｂ，ｃ，ｄに基づいて前記信号Ｚを変換し、前記静電容量と前記補正された値との関係を非直線的な関係に変換する補正演算器９と、を含み、前記補正演算器９は、任意の間隔で前記静電容量を区分し、この区分毎に前記信号Ｚを前記補正された値に変換する」ことと、本願発明の「ホール素子によって出力された前記ホール電圧を前記出力電圧に変換するための変換情報を記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された前記変換情報に基づいて前記ホール電圧を変換し、前記磁界強度と前記出力電圧との関係を非直線的な関係に変換するノンリニア変換手段と、を含み、前記ノンリニア変換手段は、任意の間隔で前記磁界強度を区分し、この区分毎に前記ホール電圧を前記出力電圧に変換する」こととは、「検出素子によって出力された前記検出電圧を前記出力電圧に変換するための変換情報を記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された前記変換情報に基づいて前記検出電圧を変換し、前記物理量と前記出力電圧との関係を非直線的な関係に変換するノンリニア変換手段と、を含み、前記ノンリニア変換手段は、任意の間隔で前記物理量を区分し、この区分毎に前記検出電圧を前記出力電圧に変換する」点で共通する。
　
　してみると、両者は
「　検出素子によって物理量を検知し、この検出素子による検出電圧を変換して出力電圧を出力する計測回路であって、前記検出素子によって出力された前記検出電圧を前記出力電圧に変換するための変換情報を記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された前記変換情報に基づいて前記検出電圧を変換し、前記物理量と前記出力電圧との関係を非直線的な関係に変換するノンリニア変換手段と、を含み、前記ノンリニア変換手段は、任意の間隔で前記物理量を区分し、この区分毎に前記検出電圧を前記出力電圧に変換することを特徴とするノンリニア計測回路。」
の点で一致している。
　そして、計測回路が用いる「検出素子」、計測対象の「物理量」、及び得られる「検出電圧」について、本願発明においては、それぞれ「ホール素子」、「磁界強度」、「ホール電圧」であるのに対して、引用発明においては、それぞれ「対向電極５、６及び容量ブリツジ７」、「静電容量」、静電容量に応じて出力される電圧「信号Ｚ」である点で、また、本願発明においては、全体がＩＣに構成されているものであるのに対して、引用発明においては、この点について明示していない点で両者は相違している。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　計測対象の変位を「検出素子」である「ホール素子」を用いて該変位量に応じた「物理量」である「磁界強度」を検知し、「検出電圧」である「ホール電圧」を出力として得ること、及びホール素子と周辺の付属の回路とをまとめて１つのホールＩＣとして形成することは、たとえば当審による平成１９年３月２７日付けの拒絶理由通知の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−２８５２１２号公報（特に、第５図、第７図における「ホール素子１」、「増幅器２」を含む「トリミング機能付増幅回路」及び「ホールＩＣ５」について参照）、及び本願の出願前に頒布された刊行物である実願昭５８−２６２２６号（実開昭５８−１６５６８３号）のマイクロフィルム（特に、第１図、第２図におけるホール素子である「磁気センサー部１１」、「回路部２１」、「センサー回路部３１」、「モールド樹脂５１」及び「パッケージ５２」について参照）に記載されているとおり周知のことであり、引用発明にこれらの周知技術を適用することで上記相違点１及び２に係る構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明の有する作用効果は引用例の記載及び周知技術から当業者が予測しうる範囲内のものであって、格別のものではない。
　したがって、本願発明は引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、請求項１に係る発明が特許を受けることのできないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。