【事件の表示】
　特願２００２−　５６７９９「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月１２日出願公開、特開２００３−２５８０８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１４年３月４日の出願であって、平成１８年２月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２５日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、同年３月１８日に回答書が提出されたものである。 
　
２．平成１８年４月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について  
［補正却下の決定の結論］  
 　平成１８年４月２５日付けの手続補正を却下する。  
　
［理由］  
（１）本件補正の内容  
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４と補正するとともに、明細書の段落【００１１】を補正するものであって、補正前後の請求項１及び補正前の請求項２は以下のとおりである。
　
本件補正前の請求項１
「【請求項１】　半導体基板上に耐エッチングマスクを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクの開口を介して前記半導体基板をエッチングして種々の幅を有する素子分離溝を形成する工程と、
　前記素子分離溝が形成された半導体基板に、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜を形成する工程と、
　前記塗膜を、溶媒を揮発させた後化学反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、
　ＣＭＰ法を用いて前記シリコン酸化膜を前記素子分離溝の内部に残して除去する工程と、
　前記素子分離溝に残されたシリコン酸化膜を熱処理により緻密化する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
本件補正前の請求項２
「【請求項２】　前記耐エッチングマスクは、シリコン窒化膜を含んで形成され、
　前記素子分離溝を形成した後、前記過水素化シラザン重合体溶液の塗膜を形成する前に、前記シリコン窒化膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」
　
本件補正後の請求項１
「【請求項１】　半導体基板上に耐エッチングマスクを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクの開口を介して前記半導体基板をエッチングして種々の幅を有する素子分離溝を形成する工程と、
　前記素子分離溝の内面と前記耐エッチングマスクの表面とにシリコン酸化膜を形成する工程と、
　前記素子分離溝が形成された半導体基板に、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜を形成する工程と、
　前記塗膜を、溶媒を揮発させた後化学反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、
　ＣＭＰ法を用いて前記シリコン酸化膜を前記素子分離溝の内部に残して除去する工程と、
　前記素子分離溝に残されたシリコン酸化膜を熱処理により緻密化する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）本件補正の内容の整理 
　本件補正の内、請求項１についての補正内容を、以下に整理する。
〈補正事項〉 
　補正前の請求項１の「前記耐エッチングマスクの開口を介して前記半導体基板をエッチングして種々の幅を有する素子分離溝を形成する工程と、」の後に、「前記素子分離溝の内面と前記耐エッチングマスクの表面とにシリコン酸化膜を形成する工程」を追加すること。 
　
（３）本件補正についての検討 
新規事項の追加の有無及び目的の適否について
（ａ）上記補正事項について検討する。
　補正後の請求項１において追加された事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００１６】及び図４等に実質的に記載されていることから、上記補正事項についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（ｂ）補正の目的について検討する。
　まず、補正後の請求項１が補正前の請求項１に対応するものと仮定して検討すると、上記補正事項についての補正により、補正後の請求項１には、補正前の請求項１には存在しなかった「前記素子分離溝の内面と前記耐エッチングマスクの表面とにシリコン酸化膜を形成する工程」が新たに付加されているから、当該補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を下位概念化するものではない。したがって、当該補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　次に、補正後の請求項１が補正前の請求項２に対応するものと仮定して検討すると、上記補正事項についての補正により、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「前記耐エッチングマスクは、シリコン窒化膜を含んで形成され」という事項が削除されているから、当該補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正後の請求項１が補正前の請求項１又は請求項２のいずれに対応するものと仮定しても、上記補正事項についての補正は、特許法１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、特許法１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）むすび 
　したがって、上記補正事項以外の補正について検討するまでもなく、上記補正事項についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　
３．本願発明 
　平成１８年４月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１７年１月１４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
　
「【請求項１】　半導体基板上に耐エッチングマスクを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクの開口を介して前記半導体基板をエッチングして種々の幅を有する素子分離溝を形成する工程と、
　前記素子分離溝が形成された半導体基板に、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜を形成する工程と、
　前記塗膜を、溶媒を揮発させた後化学反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、
　ＣＭＰ法を用いて前記シリコン酸化膜を前記素子分離溝の内部に残して除去する工程と、
　前記素子分離溝に残されたシリコン酸化膜を熱処理により緻密化する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」 　 
　
４．刊行物に記載された発明
（１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１１−３０７６２６号公報（以下、「刊行物」という。）には、「トレンチ・アイソレーション構造の形成方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図４とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に設けられるトレンチ・アイソレーション（Trench Isolation）構造の形成方法に関する。」（０００１段落）、
「【００４６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施の形態を添付図面を参照しながら具体的に説明する。
【００４７】［第１の実施形態］　この発明の第１の実施形態のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法を図１〜図４に示す。
【００４８】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１の表面に、熱酸化法により二酸化シリコン膜５（厚さ２０ｎｍ程度）を形成し、その上に減圧ＣＶＤ法で窒化シリコン膜６（厚さ２００ｎｍ程度）を形成する。この時、シリコン基板１の裏面にも同様の膜が形成されるが、この発明とは無関係であり且つ後の工程で除去されるため、省略している。
【００４９】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト（図示せず）を窒化シリコン膜６上に塗布した後、得られたフォトレジスト膜をフォトリソグラフィ法により露光、現像してパターン化する。このパターン化されたフォトレジスト膜は、アイソレーション溝が形成される部分に窓を持つ。
【００５０】そして、このパターン化されたフォトレジスト膜をマスクとして、窒化シリコン膜６と二酸化シリコン膜５を順にドライエッチングする。それによって、図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜の窓に対応する箇所に窒化シリコン膜６と二酸化シリコン膜５を貫通する孔１８が形成される。この孔１８は、フォトレジスト膜の窓に対応するパターンを持つ。
【００５１】フォトレジスト膜を除去した後、貫通孔１８を備えた窒化シリコン膜６をマスクとしてシリコン基板１をドライエッチングし、シリコン基板１の表面に図１（ｃ）に示すようなアイソレーション溝３を形成する。このアイソレーション溝３は、前記フォトレジスト膜の窓に対応するパターンを持ち、その幅は例えば０．１μｍ、深さは例えば０．５μｍである。
【００５２】以上の工程は、図７および図８に示した従来の方法と同じである。
【００５３】続いて、貫通孔１８を備えた窒化シリコン膜６の上に、図２（ａ）に示すように、シリコン基板１の全表面を覆うように過水素化シラザン（パーハイドロ・シラザン）重合体［（ＳｉＨ2ＮＨ）n］の溶液の塗膜７（厚さ４００ｎｍ程度）を形成する。
【００５４】この過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は、過水素化シラザン重合体をキシレン中に分散して過水素化シラザン重合体溶液を生成し、その過水素化シラザン重合体溶液をスピンコーティング法により窒化シリコン膜６の表面に塗布することにより形成される。このため、幅が０．１μｍ、深さが０．５μｍといった狭くてアスペクト比の高いアイソレーション溝３であっても十分に埋設・充填され、図２（ａ）に示すように、アイソレーション溝３の内部の塗膜７にボイド（未充填）はまったく生じない。
【００５５】スピンコーティング法の条件は、例えば、シリコン基板１の回転速度を４０００ｒｐｍ、回転時間を２０秒間とする。
【００５６】その後、窒化シリコン膜６の表面に形成された過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７に対して所定の熱処理を行う。この熱処理によって、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は二酸化シリコン膜４に変性する。
【００５７】過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７の熱処理では、図４に示すように、三つのステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３を順に行う。
【００５８】ステップＳ１では、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７を備えたシリコン基板１を、ホットプレート上で２００℃の不活性雰囲気中に３分間放置し、有機溶剤のキシレンを揮発させる。
【００５９】ステップＳ２では、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７を備えたシリコン基板１を４００℃の水蒸気（Ｈ２Ｏ）雰囲気の電気炉内に６０分放置する。このステップＳ２において、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は次の化学反応式（１）に従って二酸化シリコン膜４に変性する。
【００６０】　ＳｉＨ2ＮＨ　＋　２Ｏ　　→　　ＳｉＯ2　＋　ＮＨ3　　　　（１）
化学式（１）から明らかなように、過水素化シラザンＳｉＨ2ＮＨは水蒸気の分解により生成される酸素Ｏと反応し、二酸化シリコンＳｉＯ2とアンモニアＮＨ3を発生する。このアンモニアＮＨ3はこの化学反応において触媒として働くため、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７に含まれる過水素化シラザンはすべて二酸化シリコンに変成され、塗膜７内にまったく残留しない。その結果、変成によって得られる二酸化シリコン膜４は密度が高くなる。しかも、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は、二酸化シリコン膜４への変成の際にほとんど収縮しないため、クラックも生じない。このように、二酸化シリコン膜４は優れたエッチング耐性を持つ。
【００６１】ステップＳ３では、二酸化シリコン膜４を備えたシリコン基板１を９００℃の不活性雰囲気の電気炉内に６０分放置し、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７中に残っている余分なアンモニア、水などの不純物を取り除く。これにより、二酸化シリコン膜４はさらに緻密化され、密度がいっそう高くなる。
【００６２】引き続いて、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７の熱処理により得た二酸化シリコン膜４をＣＭＰ法により、窒化シリコン膜６の表面が露出するまで研磨して除去する。この時、二酸化シリコン膜４は、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１のアイソレーション溝３と、窒化シリコン膜６および二酸化シリコン膜５を貫通する貫通孔１８の内部に残される。アイソレーション溝３の内部に残った二酸化シリコン膜４の頂部は、ほぼ平坦となる。
【００６３】続いて、窒化シリコン膜６を高温（例えば１６０℃）のリン酸を用いたウエットエッチングにより、また、二酸化シリコン膜５を緩衝化ふっ酸を用いたウエットエッチングにより、順に除去する。
【００６４】以上の工程で、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板１にトレンチ・アイソレーション構造２ａが形成される。
【００６５】アイソレーション溝３に残された二酸化シリコン膜４は、窒化シリコン膜６のエッチング工程ではエッチングされず、続く二酸化シリコン膜５のエッチング工程で二酸化シリコン膜５と共にエッチングされるので、アイソレーション溝３に残された二酸化シリコン膜４の上端部は、図３（ｂ）に示すようにアイソレーション溝３から突出する。このトレンチ・アイソレーション構造２ａは、二酸化シリコン膜４の上端が突出したこの状態で使用される。
【００６６】以上述べたように、この発明の第１実施形態のトレンチ・アイソレーションチ構造の形成方法では、埋設性の極めて優れたスピンコーティング法により過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７を形成した後、熱処理によってその塗膜７を二酸化シリコン膜４に変成している。このため、アイソレーション溝の幅が０．１μｍ程度の微細なアイソレーション構造であっても、アイソレーション領域の拡大、アイソレーション性能の低下、リーク電流の増加といった問題を生じることなく、酸化シリコン膜を良好にアイソレーション溝３の内部に埋設できる。
【００６７】また、スピンコーティング法を用いるので、アイソレーション溝３内に残った二酸化シリコン膜にボイドが形成されることはない。過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は酸化シリコン膜への変成の際にほとんど収縮しないため、クラックも生じない。さらに、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７の化学反応によって得られる二酸化シリコン膜４は緻密であり、エッチング耐性が高いので、余分な二酸化シリコン膜を除去するＣＭＰ工程や、基板１上に形成されている窒化シリコン膜６や酸化シリコン膜５を除去するウエットエッチング工程において、二酸化シリコン膜４はほとんど影響を受けない。よって、これらの工程において二酸化シリコン膜４に窪みなどの欠陥が生じることもない。
【００６８】このように、この発明の第１実施形態のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法では、アイソレーション溝の幅が０．１μｍ程度の微細なアイソレーション構造であっても、アイソレーション領域の拡大、アイソレーション性能の低下、リーク電流の増加といった問題を生じずに、アイソレーション溝の内部に埋設される絶縁膜のボイド、クラック、窪みなどの欠陥を防止できる。」（００４６〜００６８段落）
　
（ａ）０００１段落の「この発明は、半導体装置に設けられるトレンチ・アイソレーション（Trench Isolation）構造の形成方法に関する。」、００４７段落の「トレンチ・アイソレーション構造の形成方法を図１〜図４に示す。」との記載及び図１〜図４から、「半導体装置に設けられる」「トレンチ・アイソレーション構造の形成方法」が、記載されているのは明らかである。
（ｂ）００４８段落の「図１（ａ）に示すように、シリコン基板１の表面に、熱酸化法により二酸化シリコン膜５（厚さ２０ｎｍ程度）を形成し、その上に減圧ＣＶＤ法で窒化シリコン膜６（厚さ２００ｎｍ程度）を形成する。」、００５１段落の「貫通孔１８を備えた窒化シリコン膜６をマスクとしてシリコン基板１をドライエッチングし、シリコン基板１の表面に図１（ｃ）に示すようなアイソレーション溝３を形成する。」との記載から、「シリコン基板１」上に「ドライエッチング」のための「マスク」としての「窒化シリコン膜６」「を形成する」工程と、「窒化シリコン膜６」の「貫通孔１８」を介して「シリコン基板１をドライエッチングし」て「アイソレーション溝３を形成する」工程、すなわち、「シリコン基板１」上に「ドライエッチング」のための「マスク」としての「窒化シリコン膜６」「を形成する」工程と、「ドライエッチング」のための「マスク」としての「窒化シリコン膜６」の「貫通孔１８」を介して「シリコン基板１をドライエッチングし」て「アイソレーション溝３を形成する」工程とが、記載されていることは明らかである。
（ｃ）００５３段落の「図２（ａ）に示すように、シリコン基板１の全表面を覆うように過水素化シラザン（パーハイドロ・シラザン）重合体［（ＳｉＨ2ＮＨ）ｎ］の溶液の塗膜７（厚さ４００ｎｍ程度）を形成する。」との記載から、「アイソレーション溝３」が形成された「シリコン基板１」に、「過水素化シラザン」「重合体」「溶液の塗膜７」「を形成する」工程が、記載されていることは明らかである。
（ｄ）００５６段落の「過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７に対して所定の熱処理を行う。この熱処理によって、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は二酸化シリコン膜４に変性する。」、００５７〜００６１段落の「過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７の熱処理では、図４に示すように、三つのステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３を順に行う。　【００５８】ステップＳ１では、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７を備えたシリコン基板１を、ホットプレート上で２００℃の不活性雰囲気中に３分間放置し、有機溶剤のキシレンを揮発させる。　【００５９】ステップＳ２では、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７を備えたシリコン基板１を４００℃の水蒸気（Ｈ２Ｏ）雰囲気の電気炉内に６０分放置する。このステップＳ２において、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は次の化学反応式（１）に従って二酸化シリコン膜４に変性する。　【００６０】　ＳｉＨ2ＮＨ　＋　２Ｏ　　→　　ＳｉＯ2　＋　ＮＨ3　　　　（１）　化学式（１）から明らかなように、過水素化シラザンＳｉＨ2ＮＨは水蒸気の分解により生成される酸素Ｏと反応し、二酸化シリコンＳｉＯ2とアンモニアＮＨ3を発生する。このアンモニアＮＨ3はこの化学反応において触媒として働くため、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７に含まれる過水素化シラザンはすべて二酸化シリコンに変成され、塗膜７内にまったく残留しない。その結果、変成によって得られる二酸化シリコン膜４は密度が高くなる。しかも、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７は、二酸化シリコン膜４への変成の際にほとんど収縮しないため、クラックも生じない。このように、二酸化シリコン膜４は優れたエッチング耐性を持つ。　【００６１】ステップＳ３では、二酸化シリコン膜４を備えたシリコン基板１を９００℃の不活性雰囲気の電気炉内に６０分放置し、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７中に残っている余分なアンモニア、水などの不純物を取り除く。これにより、二酸化シリコン膜４はさらに緻密化され、密度がいっそう高くなる。」との記載から、「過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７」を、「有機溶剤のキシレンを揮発させ」た後、「化学反応式（１）に従って二酸化シリコン膜４に変性する」工程と、「二酸化シリコン膜４を備えたシリコン基板１」を「９００℃」の「電気炉内」に「放置し」、「二酸化シリコン膜４」を「さらに緻密化」する工程とが、記載されているは明らかである。
（ｅ）００６２段落の「過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７の熱処理により得た二酸化シリコン膜４をＣＭＰ法により、窒化シリコン膜６の表面が露出するまで研磨して除去する。この時、二酸化シリコン膜４は、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１のアイソレーション溝３と、窒化シリコン膜６および二酸化シリコン膜５を貫通する貫通孔１８の内部に残される。アイソレーション溝３の内部に残った二酸化シリコン膜４の頂部は、ほぼ平坦となる。」との記載及び図３（ａ）から、「ＣＭＰ法により」、「二酸化シリコン膜４」を「アイソレーション溝３」の「内部」に「残」して、「除去する」工程が、記載されているのは明らかである。
　
　したがって、刊行物には、以下の発明が記載されている。
　「シリコン基板１上にドライエッチングのためのマスクとしての窒化シリコン膜６を形成する工程と、
前記ドライエッチングのためのマスクとしての窒化シリコン膜６の貫通孔１８を介して前記シリコン基板１をドライエッチングによりアイソレーション溝３を形成する工程と、
　前記アイソレーション溝３が形成された前記シリコン基板１に、過水素化シラザン重合体の溶液の塗膜７を形成する工程と、
前記過水素化シラザン重合体溶液の塗膜７を、有機溶剤のキシレンを揮発させた後、化学反応式（１）に従って二酸化シリコン膜４に変性する工程と、
前記二酸化シリコン膜４を備えた前記シリコン基板１を９００℃の電気炉内に放置し、前記二酸化シリコン膜４をさらに緻密化する工程と、
ＣＭＰ法により前記二酸化シリコン膜４を研磨して除去することにより、前記二酸化シリコン膜４を前記アイソレーション溝３の内部に残して除去する工程と、
を有する半導体装置に設けられるトレンチ・アイソレーション構造の形成方法」（以下、「刊行物発明」という。）
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「シリコン基板１」、「アイソレーション溝３」、「塗膜７」、「有機溶剤のキシレン」、「二酸化シリコン膜４」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「素子分離溝」、「塗膜」、「溶媒」、「シリコン酸化膜」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「ドライエッチングのためのマスクとしての窒化シリコン膜６」は、エッチングに対して耐性があるエッチングマスクであることは明らかであるから、本願発明の「耐エッチングマスク」に相当することは明らかである。
（ｃ）刊行物発明の「有機溶剤のキシレンを揮発させた後」は、本願発明の「溶媒を揮発させた後」に相当することは明らかである。
（ｄ）刊行物発明の「化学反応式（１）に従って二酸化シリコン膜４に変性する」について、化学反応式（１）とは、化学反応の内容を表した式であるから、「二酸化シリコン膜４に変性する」過程は、化学反応であることは明らかである。よって、刊行物発明の「化学反応式（１）に従って二酸化シリコン膜４に変性する工程」は、本願発明の「化学反応させてシリコン酸化膜を形成する」ことに相当する。
（ｅ）刊行物発明において、「前記二酸化シリコン４を備えた前記シリコン基板１を９００℃の電気炉内に放置」することにより、熱処理を行っていることは明らかであるから、刊行物発明の「前記二酸化シリコン４を備えた前記シリコン基板１を９００℃の電気炉内に放置し、前記二酸化シリコン膜４をさらに緻密化する」ことは、本願発明の「シリコン酸化膜を熱処理により緻密化する」ことに相当する。
（ｆ）刊行物発明の「半導体装置に設けられるトレンチ・アイソレーション構造の形成方法」について、「半導体装置に設けられるトレンチ・アイソレーション構造の形成方法」は、半導体装置の製造方法に包含されることは明らかであるから、本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
 　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板上に耐エッチングマスクを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクの開口を介して前記半導体基板をエッチングして素子分離溝を形成する工程と、
　前記素子分離溝が形成された半導体基板に、過水素化シラザン重合体溶液の塗膜を形成する工程と、
　前記塗膜を、溶媒を揮発させた後化学反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　本願発明は、「素子分離溝を形成する工程」における「素子分離溝」が、「種々の幅を有する素子分離溝」であるのに対し、刊行物発明では「アイソレーション溝３」が種々の幅を有しているとは特定されていない点。
相違点２
　本願発明は、「ＣＭＰ法を用いて前記シリコン酸化膜を前記素子分離溝の内部に残して除去する工程」の後に、「前記素子分離溝に残されたシリコン酸化膜を熱処理により緻密化する工程」を有するのに対し、刊行物発明では、「前記二酸化シリコン４を備えた前記シリコン基板１を９００℃の電気炉内に放置し、前記二酸化シリコン膜４をさらに緻密化する工程」の後に、「ＣＭＰ法により前記二酸化シリコン膜４を研磨して除去することにより、前記二酸化シリコン膜４を前記アイソレーション溝３の内部に残して除去する工程」を有している点。
　
相違点について以下で検討する。
相違点１について
　半導体基板をエッチングして形成する素子分離溝を、種々の幅を有する素子分離溝とする技術は、例えば、以下の周知文献１、２に記載されているように、従来周知である。
　周知文献１．特開平１０−２８４７０４号には、図４１とともに、「【０００５】図４１〜図４７は図４０で示した構造のＤＲＡＭの製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照してその製造方法を説明する。　【０００６】まず、半導体基板１上に、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４を順に形成した後、写真製版技術および、ドライエッチング技術を用いて所定の領域のシリコン窒化膜４、シリコン酸化膜３を除去することにより、図４１に示すように、半導体基板１に所定の深さの溝１０（１０Ａ〜１０Ｃ）を形成する。すなわち、アライメントマーク領域１１Ａには広い幅の溝１０Ａを形成し、メモリセル領域１１Ｂには狭い幅の溝１０Ｂを形成し、周辺回路領域１１Ｃには広い幅の溝１０Ｃを形成する。」（０００５〜０００６段落）と記載されている。
　周知文献２．特開平１１−６７８９４号には、図４５とともに、「【０００２】　【従来の技術】図４５〜図５１は溝型の素子分離構造を有する従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照してその製造方法を説明する。　【０００３】まず、シリコン基板１上に、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４を順に形成した後、フィールドのマスクを用いてシリコン酸化膜３及びシリコン窒化膜４をパターニングし、パターニングに用いたレジストを除去した後、・・・エッチングすることにより、図４５に示すように、シリコン基板１に所定の深さの溝１０（１０Ａ〜１０Ｃ）を形成する。すなわち、アライメントマーク領域１１Ａには比較的広い幅の溝１０Ａを形成し、メモリセル領域１１Ｂには狭い幅の溝１０Ｂを形成し、周辺回路領域１１Ｃには広い幅の溝１０Ｃを形成する。」（０００２〜０００３段落）と記載されている。
　よって、刊行物発明において、周知文献１、２に記載された周知の技術を適用し、種々の幅を有する「アイソレーション溝３」を設けることは、当業者が容易になし得るものである。
　
相違点２について
　素子分離構造の形成方法において、素子分離溝に埋め込んだシリコン酸化膜（酸化シリコン膜）のシンタリング（焼き締め）時間、すなわち、熱処理による緻密化の時間の短縮のために、ＣＭＰ法を用いて前記シリコン酸化膜を前記素子分離溝の内部に残して除去する工程の後に、前記素子分離溝に残されたシリコン酸化膜を熱処理により緻密化する工程を採用することは、例えば、以下の周知文献３、４に記載されているように、従来周知である。
　周知文献３．特開平１０−３０３２８９号には、「【００４９】次に、半導体基板１を１０００℃以下の温度、例えば８５０℃で湿式酸化することにより、溝４ａに埋め込んだ酸化シリコン膜７の膜質を改善するためのシンタリング（焼き締め）を行う。　【００５０】次に、図１０に示すように、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて酸化シリコン膜７を研磨し、その表面を平坦化する。この研磨は、活性領域を覆う窒化シリコン膜３をストッパに用い、溝４ａの内部のみに酸化シリコン膜７が残るようにする。これにより、酸化シリコン膜７を埋め込んだ素子分離溝４が完成する。その後、図１１に示すように、活性領域を覆う窒化シリコン膜３を熱リン酸などのエッチング液を用いて除去する。　【００５１】溝４ａに埋め込んだ酸化シリコン膜７のシンタリングは、化学的機械研磨法で酸化シリコン膜７を研磨し、溝４ａの内部のみに酸化シリコン膜７を残した後に行ってもよい。この場合は、酸化シリコン膜７を研磨する前にシンタリングを行う場合に比べてシンタリングされる酸化シリコン膜７の膜厚が薄いので、シンタリング時間を短縮することができる。」（００４９〜００５１段落）と記載されている。
　周知文献４．特開平１１−２６０９０４号には、「【００３９】次に、図８に示すように、半導体基板１の主面上にＣＶＤ法で酸化シリコン膜８を堆積することにより、溝５ａの内部に酸化シリコン膜８を埋め込む。酸化シリコン膜８は、例えばオゾン（Ｏ3 ）とテトラエトキシシラン（（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ)4Ｓｉ）とを使って成膜される酸化シリコン膜のように、流動性の良好な酸化シリコン材料を使用する。次に、半導体基板１を１０００℃以下の温度、例えば８５０℃でウエット酸化することにより、溝５ａに埋め込んだ酸化シリコン膜８の膜質を改善するためのシンタリング（焼き締め）を行う。　【００４０】次に、図９に示すように、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて酸化シリコン膜８を研磨し、その表面を平坦化する。この研磨は、活性領域を覆う窒化シリコン膜４をストッパに用い、溝５ａの内部のみに酸化シリコン膜８が残るようにする。これにより、酸化シリコン膜８を埋め込んだ素子分離溝５が完成する。その後、図１０に示すように、活性領域を覆う窒化シリコン膜４を熱リン酸などのエッチング液を用いて除去する。　【００４１】溝５ａに埋め込んだ酸化シリコン膜８のシンタリングは、化学的研磨法で酸化シリコン膜８を研磨し、溝５ａの内部のみに酸化シリコン膜８を残した後に行ってもよい。この場合は、酸化シリコン膜８を研磨する前にシンタリングを行う場合に比べてシンタリングされる酸化シリコン膜８の膜厚が薄いので、シンタリング時間を短縮することができる。」（００３９〜００４１段落）と記載されている。
　さらに、半導体装置の製造方法において、一般に、製造過程に要する時間を短縮するという技術課題は当然有しているものであり、素子分離溝に埋め込んだシリコン酸化膜のシンタリング（焼き締め）時間、すなわち、熱処理による緻密化の時間にも当てはまるものである。よって、刊行物発明において、熱処理による緻密化の時間を短縮するという技術的課題についても、当業者であれば当然想起し得るものである。
　したがって、刊行物発明において、素子分離溝に埋め込んだシリコン酸化膜の熱処理による緻密化の時間の短縮のために、周知文献３、４に記載された周知の技術を適用し、「ＣＭＰ法により前記二酸化シリコン膜４を研磨して除去することにより、前記二酸化シリコン膜４を前記アイソレーション溝３の内部に残して除去する工程」の後に「前記二酸化シリコン４を備えた前記シリコン基板１を９００℃の電気炉内に放置し、前記二酸化シリコン膜４をさらに緻密化する工程」を採用することは、当業者が容易になし得るものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし４について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。よって、結論のとおり審決する。