【事件の表示】
　特願２０００−３１３１１８「誘導型薄膜磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１９日出願公開、特開２００２−１１７５０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年１０月６日の出願であって、平成１７年６月９日付けで手続補正がなされ、平成１８年１月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年２月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年３月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年３月１４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月１４日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項３について、補正前の、
　（ａ）　「【請求項３】　基板の上に形成された下部磁気コアと、
　浮上面より後退して設けられた第１上部磁気コアと、
　前記第１上部磁気コアと前記下部磁気コアとの間に形成されたコイルと、
　前記下部磁気コアと前記第１上部磁気コアの先端部の間に設けられた、第１磁性膜と、非磁性の磁気ギャップ膜と、第２上部磁気コアとを有し、前記下部磁気コアと前記第１上部磁気コアは後端部で結合された磁気ヘッドの製造方法において、
　前記第１磁性膜と前記磁気ギャップ膜と前記第２上部磁気コアをめっき法により連続的にフレームを用いて形成し、
　前記第２上部磁気コアが、浮上面において、前記磁気ギャップ膜に接した面の幅が前記磁気ギャップ膜とは反対側面の幅より小さくなるようイオン・ミリング又はリアクティブ・イオン・エッチングすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」を、
　（ｂ）　「【請求項３】　基板の上に形成された下部磁気コアと、
　浮上面より後退して設けられた第１上部磁気コアと、
　前記第１上部磁気コアと前記下部磁気コアとの間に形成されたコイルと、
　前記下部磁気コアと前記第１上部磁気コアの先端部の間に設けられた、第１磁性膜と、非磁性の磁気ギャップ膜と、第２上部磁気コアとを有し、
　前記下部磁気コアと前記第１上部磁気コアは後端部で結合され、
　
前記第１上部磁気コアの浮上面側の端面より浮上面側において、前記第２上部磁気コアの下部における幅は、前記第２上部磁気コアの上部における幅より小さい
　前記第１磁性膜と前記磁気ギャップ膜と前記第２上部磁気コアをめっき法により連続的にフレームを用いて形成し、
　前記第２上部磁気コアが、浮上面において、前記磁気ギャップ膜に接した面の幅が前記磁気ギャップ膜とは反対側面の幅より小さくなるようイオン・ミリング又はリアクティブ・イオン・エッチングすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項３に記載された発明の「磁気ヘッド」について、「
前記第１上部磁気コアの浮上面側の端面より浮上面側において、前記第２上部磁気コアの下部における幅は、前記第２上部磁気コアの上部における幅より小さい
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項３に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１０５９０６号公報（以下「引用例１」という。）には、「薄膜磁気ヘッドの製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【請求項３】
書き込みポール部を含む薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記書き込みポール部は第１のポール部と第２のポール部とをギャップ膜を介して互いに対向させて構成されており
　
前記第１のポール部、前記ギャップ膜及び前記第２のポール部の積層膜を、フォトリソグラフィによるパターンニング工程によって形成し
　
次に、前記積層体の両側面に対し、ドライエッチングを施し、縮小されたトラック幅を得る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
【請求項５】請求項１乃至４の何れかに記載された製造方法であって、
　
前記ドライエッチング工程は、イオン．ビーム．ミリング工程である製造方法
　（イ）「【０００５】トラック幅を狭小化する試みは、公知文献に種々見られる。例えば、（略）号公報は、フォトリソグラフィ工程の適用によって得られた第２のポール部をマスクとして用い、イオン．ビーム．ミリングにより、第１のポール部のトラック幅を、第２のポール部のトラック幅に合わせる手段を開示している。
【０００６】特開平６ー２８６２６号公報は、第１の磁気ヨーク層（第１のヨーク部）を形成した後、フォトレジスト層を付着させ、フォトレジスト層に、第１のポール部、ギャップ膜及び第２のポール部でなる磁極端アセンブリをパターン形成するための開口部を設け、次に、開口部に磁極端アセンブリを形成した後、磁極端アセンブリの前部に位置するフォトレジスト層を除去し、この後、従来方法によりコイル構造や絶縁膜等を構成し、更に第２の磁気ヨーク層（第２のヨーク部）を形成する方法を開示している。
【０００７】上述した先行技術は、基本的には、フォトリソグラフィ工程によってパターンニングされたマスクを用いて、トラック幅を画定するものである。（略）」（従来の技術の項）
　（ウ）「【００１１】上記製造方法によれば、フォトリソグラフィによって画定された書き込みトラック幅を、ドライエッチングによる削減により、更に狭小化することができる。（略）」（課題を解決するための手段の項）
　（エ）「【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る製造方法によって得られる薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。（略）図１を参照すると、図示された
薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む
スライダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面がＡＢＳ１３、１４
　（オ）「【００４９】図１８は本発明に係る製造方法を適用し得る薄膜磁気ヘッドの他の例を示す断面図、図１９は図１８の１９ー１９線に沿った断面図、図２０は図１８及び図１９に示した薄膜磁気ヘッドの書き込みポール部の拡大斜視図である。（略）
【００５０】書き込み素子２は、誘導型薄膜磁気変換素子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２の第１の磁性膜２１は、第１のヨーク部２１１と、第１のポール部２１０とを含み
【００５１】
第２の磁性膜２２は、第２のポール部２２０と、第２のヨーク部２２１とを含んでいる
【００５２】第１のポール部２１０、第２のポール部２２０及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜２７によって埋められている。（略）
【００５３】
第２のヨーク部２２１は、先端部が
第２のポール部２２０の上に積層され
【００５４】
第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２は
そのヨーク部２１１、２２１が第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０とは反対側にある後方の結合部２２３において、磁気回路を完成するように互いに結合されている
結合部２２３のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜２３を形成してある
【００５５】上述したように、書き込み素子２の第２のポール部２２０は、第１のポール部２１０と対向し、かつ、ギャップ膜２４によって分離され、トラック幅Ｗ２１が第１のポール部２１０のトラック幅Ｗ１１と実質的に等しくなっている。このため、サイドフリンジング磁界の発生を抑え、トラック密度を高め、高密度記録を達成することができる。
【００５６】第２のヨーク部２２１は、先端部が第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック幅Ｗ２２を有して第２のポール部２２０の上に積層されているから、第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１を狭小化しても、書き込み能力を損なうことがない。
【００５７】更に、第２のヨーク部２２１を、第２のポール部２２０と同時に形成するのではなく、第２のポール部２２０の上に積層する構造であるから、第２のポール部２２０を、第１のポール部２１０及びギャップ膜２４と同一のトラック幅（Ｗ２１＝Ｗ１１）を有するように形成した後、第２のヨーク部２２１を形成することができる。この構造は、後で説明するように、製造工程上、多くの利点をもたらす。
【００５８】第１のポール部２１０、第２のポール部２２０及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜２７によって埋められている。（略）」（発明の実施の形態の項）
　（カ）「【００６１】次に図２１〜図３８を参照して、本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法
【００６２】（略）図２１及び図２２に示す工程では、
基体１の上に
第２シールド膜２１
【００６３】次に、図２３及び図２４に示すように、
第２シールド膜２１の上に
レジストフレーム６０を形成する
【００６４】次に、図２５及び図２６に示すように、
レジストフレーム６０によって画定された内側パターン６１及び外側パターンに、第１の磁性膜５１、非磁性膜５２及び第２の磁性膜５３の積層膜７１、７２を付着させる。これらは、フレームメッキ法によって形成できる
【００６５】（略）内側パターン６１に付着した積層膜７１のうち、第２シールド膜２１の上に付着された第１の磁性膜５１が第１のポール部２１０となり、その上に積層された非磁性膜５２がギャップ膜２４となり、その上に積層された第２の磁性膜５３が第２のポール部２２０となる。この製造工程によれば、レジストフレーム６０を、積層過程の低段差の段階で形成できるため、第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０を、フォトリソグラフィ工程によって定まる微小値に設定することができる。
【００６６】しかも、第１のポール部２１０、ギャップ膜２４及び第２のポール部２２０は、形成されたレジストフレーム６０により、同時に画定されるため、高精度で容易に位置合わせすることができる。
【００６７】次に、図２９及び図３０に示すように、レジストフレーム６０を除去する。（略）
【００６８】（略）本発明では、トラック幅を、更に狭小化するための工程が続く。
【００６９】まず、図３１に示すように、
積層膜７１に対し、ドライエッチングを施す
【００７０】上記方法によれば、書き込みポールのトラック幅を、フォトリソグラフィによって定まるトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０から、ドライエッチングによる削減により、更に狭小化された幅Ｗ１１、Ｗ２１まで、狭小化することができる。（略）
【００７１】（略）
【００７２】（略）
【００７３】図３１に示す
ドライエッチング工程は
イオン．ビーム．ミリング工程
　
（２）同じく引用された特開２０００−４８３１８号公報（以下「引用例２」という。）には、「薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（サ）「【請求項１】
記録ギャップを介して互いに対向する下部磁極及び上部磁極を含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記上部磁極は、前記記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有し、かつ該記録ギャップの反対側の第２の端が前記第１の端の幅より広い幅を有していること
【請求項７】下部磁極用の層を積層した後、記録ギャップ用の層を積層し、該記録ギャップ用の層上にコイルを形成すると共に上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記上部磁極を、前記記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有し、かつ該記録ギャップの反対側の第２の端が前記第１の端の幅より広い幅を有する形状に形成すること
【請求項１０】前記上部磁極の形状を、フレームめっき法におけるレジストの露光条件を制御して形成することを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１、７、１０）
　（シ）「【０００２】
【従来の技術】インダクティブ記録ヘッド部は、ＡＢＳ（浮上面）に露出した先端が記録ギャップを介して互いに対向しており、後部においてヨークとして互いに接触している２つの磁極と、そのヨークの周囲に巻回されているコイルとから主として構成されている。
【０００３】図１及び図２は、従来のインダクティブ記録ヘッドにおける磁極のＡＢＳ側から見た概略構造を表わす断面図である。
【０００４】図１において、１０は下部磁極、１１は記録ギャップ、１２は上部磁極をそれぞれ示している。このインダクティブ記録ヘッドにおいては、
上部磁極１２の幅Ｗ
Ｐ２
が記録ギャップ側においてもその反対側においても同一となるように形成されている
【０００５】このような形状の上部磁極１２を有するインダクティブ記録ヘッドは、
磁極への磁束の流入に抵抗が生じる
【０００６】
このような不都合を改善する構造として、図２に示すような形状の上部磁極を備えたインダクティブ記録ヘッド
上部磁極２２のＷ
Ｐ２
が記録ギャップ側からその反対側に向かって徐々に大きくなっており、これによって磁束の流入側が広くなる
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
図２に示す従来のインダクティブ記録ヘッドによると、記録のための実効トラック幅がどうしても広がってしまうという問題が生じる。特に近年、磁気記録の高密度化に伴って磁気ヘッドのトラック幅をより狭くすることが要求されているため、このような実効トラック幅の広がりは大きな問題
【０００８】従って本発明の目的は、狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向上の両方を同時に達成できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。」
　（ス）「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、記録ギャップを介して互いに対向する下部磁極及び上部磁極を含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁気ヘッドであって、上部磁極は、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有し、かつ記録ギャップの反対側の第２の端が第１の端の幅より広い幅を有している薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１０】
上部磁極が、ＡＢＳ方向から見た形状として、記録ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側の第１の端の幅より広い幅を有する形状となっているので、磁束の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭くなることとなり
記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁気ヘッドの実効トラック幅が広がってしまうような不都合がなくなる
　（セ）「【００２２】
【発明の実施の形態】図３は本発明の一実施形態におけるインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【００２３】同図において、３０は下部磁極、３１は記録ギャップ、３２は上部磁極、３０ａは下部磁極３０の凸状の突出部をそれぞれ示している。上部磁極３２の下端は、記録ギャップ３１を介して下部磁極３０の突出部３０ａの上端に対向している。突出部３０ａは、幅ＷＰ２Ａを有しており、上部磁極３２もその下端から所定距離ＬＳの位置３３までこの幅ＷＰ２Ａに等しい幅を有している。上部磁極３２の幅は、この位置３３から徐々に曲線状に大きくなりその上端では、幅ＷＰ２Ｂとなっている。（略）
【００２４】上部磁極は、図３に示したようにその幅が位置３３から徐々に曲線状に大きくなる形状の他に、図４に示すように上部磁極の下端から所定距離ＬＳの位置４３から徐々に直線的に大きくなる形状であってもよい。（略）」
　（ソ）「【００４１】なお、
上部磁極６０は、フレームめっき法の代わりに、スパッタ法とミリング法とを組み合わせたドライプロセスで形成することも可能
　（タ）「【００５４】図１１は、本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。（略）
【００５５】〜【００５７】（略）
【００５８】次いで、図１１（Ｃ）に示すように、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂをフレームめっき法で形成する。この工程も上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂのみを形成する点を除いて、図５に述べたものと全く同様である。
【００５９】その後、図１１（Ｄ）に示すように、このようにして形成した上部磁極の磁極部１１１ａをマスクとして、イオンミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを行い、フレームめっき工程で用いた低抵抗膜及び記録ギャップ５７用の絶縁層のマスクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極５６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分を除去する。
【００６０】これにより、図１１（Ｅ）に示すように、上部磁極の磁極部１１１ａの下端に、記録ギャップ５７を介して対向しかつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部磁極５６に形成される。（略）
【００６１】次いで、図１１（Ｆ）に示すように、絶縁層１１２上に、図５の場合と同様に、コイル１１３及びこのコイル１１３を取り囲む絶縁層１１４を形成し、さらに、
その上に上部磁極のヨーク部１１５
このヨーク部１１５は、先に形成した上部磁極の磁極部１１１ａ
と一体化されて最終的に上部磁極となる
【００６２】
ヨーク部１１５の前端（ＡＢＳ側端）は、図１１（Ｆ）に示すように、磁極部１１１ａ上に補助磁極部１１５ａとして連接するように形成され
補助磁極部１１５ａは、その前端（ＡＢＳ側）をＡＢＳ側端まで形成しない方が好ましい
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（エ）（オ）（カ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「薄膜磁気ヘッドの書き込みポール部は、第１のポール部と第２のポール部とをギャップ膜を介して互いに対向させて構成されており、前記第１のポール部、前記ギャップ膜及び前記第２のポール部の積層膜を、フォトリソグラフィによるパターンニング工程によって形成し、次に、前記積層体の両側面に対し、イオンビームミリング等のドライエッチングを施し、縮小されたトラック幅を得る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　薄膜磁気ヘッドは、スライダを含み、スライダの媒体対向面側にレール部を有し、レール部の基体表面がＡＢＳとして用いられ、
　書き込み素子は、第１のヨーク部と、第１のポール部と、第２のポール部と、第２のヨーク部とを備え、
　第１のヨーク部は、基体の上に形成され、
　第２のヨーク部は、先端部が前記第２のポール部の上に積層され、
　第１のヨーク部及び第２のヨーク部が後方の結合部において、磁気回路を完成するように互いに結合され、
　結合部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜が形成され、
　レジストフレームによって画定された内側パターンに、第１のポール部、ギャップ膜及び第２のポール部の積層膜をフレームメッキ法によって形成する、薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「第１のヨーク部」「第２のヨーク部」「基体」は、それぞれ補正後の発明の「下部磁気コア」「第１上部磁気コア」「基板」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第１のポール部」「第２のポール部」「ギャップ膜」は、それぞれ補正後の発明の「第１磁性膜」「第２上部磁気コア」「磁気ギャップ膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「イオンビームミリング」は、補正後の発明の「イオン・ミリング」に相当している。
　引用例１に記載された発明の薄膜磁気ヘッドは、「スライダを含み、スライダの媒体対向面側にレール部を有し、レール部の基体表面がＡＢＳとして用いられ」るので、引用例１に記載された発明の「媒体対向面」は、補正後の発明の「浮上面」に相当している。
　引用例１に記載された発明は、「第１のヨーク部及び第２のヨーク部が後方の結合部において、磁気回路を完成するように互いに結合され」ているので、補正後の発明の「下部磁気コアと第１上部磁気コアは後端部で結合され」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明は、「レジストフレームによって画定された内側パターンに、第１のポール部、ギャップ膜及び第２のポール部の積層膜をフレームメッキ法によって形成する」ので、補正後の発明の「第１磁性膜と磁気ギャップ膜と第２上部磁気コアをめっき法により連続的にフレームを用いて形成し」に相当する構成を備えている。
　そうすると、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「基板の上に形成された下部磁気コアと、
　第１上部磁気コアと、
　第１上部磁気コアと下部磁気コアとの間に形成されたコイルと、
　下部磁気コアと第１上部磁気コアの先端部の間に設けられた、第１磁性膜と、非磁性の磁気ギャップ膜と、第２上部磁気コアとを有し、
　下部磁気コアと第１上部磁気コアは後端部で結合された磁気ヘッドの製造方法において、
　第１磁性膜と磁気ギャップ膜と第２上部磁気コアをめっき法により連続的にフレームを用いて形成し、
　イオン・ミリングする、磁気ヘッドの製造方法。」
　（相違点１）　補正後の発明は、「第１上部磁気コア」が「浮上面より後退して設けられた」ものであり、「第２上部磁気コア」の形状が「第１上部磁気コアの浮上面側の端面より浮上面側において、第２上部磁気コアの下部における幅は、第２上部磁気コアの上部における幅より小さい」ものであり、「イオンミリングする」際に「第２上部磁気コアが、浮上面において、磁気ギャップ膜に接した面の幅が磁気ギャップ膜とは反対側面の幅より小さくなるようイオンミリングする」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　
（２）相違点１についての判断
　磁気ギャップを介して互いに対向する下部磁極と上部磁極を含む薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁極の形状を、磁気ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有し、かつ磁気ギャップとは反対側の第２の端が前記第１の端の幅より広い幅を有する形状（即ち、磁気ギャップ側の第１の端の幅が、磁気ギャップとは反対側の第２の端の幅より小さい幅を有する形状）に、形成することが、引用例２に記載されている（上記（サ）参照）。そして、引用例２には、上部磁極を、浮上面から見た形状として、磁気ギャップの反対側の第２の端が磁気ギャップ側の第１の端の幅より広い幅を有する形状とすることにより、磁束の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭くなることとなり、オーバーライト特性が大幅に向上すること、及び、磁気ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁気ヘッドの実効トラック幅が広がってしまうことがないという作用効果のあることが、記載されている（上記（シ）（ス）参照）。
　そして、引用例２には、上部磁極をヨーク部と磁極部とから構成した具体例においては、該ヨーク部をＡＢＳ（浮上面）側端から後退して形成し、該磁極部を、ＡＢＳ（浮上面）側端から見た形状として、磁気ギャップとは反対側の第２の端が磁気ギャップ側の第１の端の幅より広い幅を有する形状にすることが記載されている（上記（タ）、図１１参照）。即ち、該磁極部を、磁気ギャップとは反対側の第２の端でより幅が広くなるように形成することで、ヨーク部との接触面積が大きくなる作用効果を奏することが示されている。
　また、上記形状を形成する方法として、フレームめっき法が例示されていると共に、ミリング法を用いることも、引用例２には示されている（上記（ソ）参照）。
　そうすると、引用例１に記載された発明の、フレームめっきをしてイオンミリングする磁気ヘッドの製造方法において、上部磁極である「第１上部磁極」及び「第２上部磁極」の形状として、トラック幅の狭小化及び磁路の改善のため、引用例２に記載された上部磁極の形状を採用することは、当業者が容易に想到しうることである。
　そして、補正後の発明の効果は、引用例１乃至２に記載された発明から予測される範囲内であるので、上記相違点に格別の困難性を要したものではない。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、請求の理由及び平成１８年７月２６日付け上申書において、（ア）引用例１には、本願の特徴である、第２上部磁気コアの磁気ギャップ側の幅を、磁気ギャップと反対側の幅より小さくする発想がなく、むしろサイドフリンジングの抑制のためそのような構成を否定しているので、引用例１に記載された発明に上部磁気コアの幅を変える技術を結びつけることには阻害要因があること、（イ）引用例１の、フレームめっき法で下部磁極・ギャップ・上部磁極を形成する技術と、上部磁極の幅を変える技術とを結びつける動機付けがないこと、（ウ）本願は、第１磁性膜と磁気ギャップ膜と第２上部磁気コアの積層膜をフレームめっき法で形成することにより相対的に磁気ギャップの奥行き方向長さが長くなり磁界が弱くなるという問題を解決するものであり、第２上部磁気コアと第１上部磁気コアとの接続部が広がり、磁気ギャップ幅を狭くしても高い記録磁界が確保できるという効果があること、（エ）引用例２では、磁気ギャップ膜を絶縁材料で形成しているから、引用例２の技術を、引用例１のフレームめっき（ギャップ膜が金属）による技術と組み合わせるには、阻害要因があること、を主張している。
　しかしながら、引用例１において、サイドフリンジングは、磁気ギャップを挟む上下のポール部の側面の磁束の漏洩に関するものであり、特に下のポール部の形状との関係でサイドフリンジングを抑制するものであって、阻害要因にはならないので、請求人の主張（ア）は採用できない。
　また、引用例２には、上部磁極の形状を、磁気ギャップとは反対側の第２の端が磁気ギャップ側の第１の端の幅と同じである従来の形状から、該第２の端がより広い幅を有する形状とすることにより、磁路の抵抗の改善及びヨーク部との接続面積を大きくする作用効果を奏することが示され、かつ、磁気ギャップ側近傍の一定範囲では同一幅として、磁気ギャップ側とは反対側でのみ広い幅とすることにより、実効トラック幅が広がらないように即ちサイドフリンジングを抑制しながらヨーク部との接続面積を大きくする作用効果を奏することが示されている（上記（サ）（シ）（ス）参照）。そして、引用例１と引用例２とは、下部磁極・ギャップ・上部磁極の構造において共通するのであるから、引用例１に記載された発明の上部磁極の形状として、引用例２の上部磁極の形状を採用することは当業者であれば適宜なし得ることである。よって、請求人の主張（イ）は採用できない。
　また、請求人は、本願は、第１磁性膜と磁気ギャップ膜と第２上部磁気コアの積層膜をフレームめっき法で形成することによって生じる特有の問題を解決するものであると主張しているが、本願の明細書には、上記特有の問題及びこれを解決する旨の記載はなく、また請求人が相対的に磁気ギャップの奥行き方向長さが長くなる根拠とする図３及び図４は、寸法を正確に図示しているものでなく、当初からその長さの違いを表現することを意図して図示されているものでもなく、根拠とはなりえない。そして、引用例２には、上部磁極の形状の改良という点で、磁気ギャップを挟む上下の磁極から構成される磁気ヘッドに共通して、形成方法にかかわらず採用できること（上記（ソ）等参照）が示されているのであるから、引用例１に記載された発明のように積層膜をフレームめっき法で形成するものにおいて採用することは当業者が容易に想到しうることである。また、接続面積を大とできるという作用効果は、引用例２の記載から予測しうるものであり、請求人の主張（ウ）は採用できない。
　また、引用例２は、上部磁極の幅を従来例から改善することにより作用効果を奏するものであって、磁気ギャップ膜の材料によらないものであるから、引用例２で例示されている材料が絶縁材料であっても、引用例２で示されている形状を引用例１に記載された発明において採用することに、何ら阻害要因はなく、請求人の主張（エ）は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年３月１４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至５に係る発明は、平成１７年６月９日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項３に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２の１の（ａ）」のとおりである。
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の３」で検討した補正後の発明から、「磁気ヘッド」についての限定事項である「
前記第１上部磁気コアの浮上面側の端面より浮上面側において、前記第２上部磁気コアの下部における幅は、前記第２上部磁気コアの上部における幅より小さい
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。