【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　６２３１号「光伝送装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月２８日出願公開、特開２０００−２０８８５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１月１３日の出願であって、平成１７年１２月２０日付けで手続補正がなされ、平成１８年５月１日付けで拒絶査定がなされたところ、これに対し、同年６月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月６日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正の内容
　ア．本件補正は、補正前の本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】
　半導体レーザと、上記半導体レーザの出力光を伝送光ファイバに結合する導波路と、上記導波路上に形成され上記半導体レーザの出力光を変調する外部変調器をもつ光伝送装置において、上記半導体レーザ、上記導波路及び上記外部変調器が単一基板上に半導体光素子集積体として構成され、上記半導体レーザ及び上記外部変調器の制御電極が半田材料を介して上記半導体レーザ、上記外部変調器をそれぞれ独立に電気駆動するために実装基板上に分離形成された表面電極に固着されており、
　上記実装基板上に分離形成された表面電極は、半導体レーザ駆動用電極部と光変調器駆動用電極部とからなり、
　上記光変調器駆動用電極部への給電線と上記外部変調器の表面でその制御電極が形成されていない領域との間に所定の大きさの間隙を有しており、
　上記半導体レーザ駆動用電極部と上記半導体レーザの制御電極とは、半田で全面が密着接合されており、
　上記半導体レーザ駆動用電極部と上記半導体レーザの制御電極との密着接合された領域は、上記半導体光素子集積体の表面積の３０〜５０％である
ことを特徴とした光伝送装置。」から
「【請求項１】
　半導体レーザと、上記半導体レーザの出力光を伝送光ファイバに結合する導波路と、上記導波路上に形成され上記半導体レーザの出力光を変調する外部変調器をもつ光伝送装置において、上記半導体レーザ、上記導波路及び上記外部変調器が単一基板上に半導体光素子集積体として構成され、上記半導体レーザ及び上記外部変調器の制御電極が半田材料を介して上記半導体レーザ、上記外部変調器をそれぞれ独立に電気駆動するために実装基板上に分離形成された表面電極に固着されており、
　上記実装基板上に分離形成された表面電極は、半導体レーザ駆動用電極部と光変調器駆動用電極部とからなり、
　上記光変調器駆動用電極部への給電線と上記外部変調器の表面でその制御電極が形成されていない領域との間に
１．５μｍ
　上記半導体レーザ駆動用電極部と上記半導体レーザの制御電極とは、半田で全面が密着接合されており、
　上記半導体レーザ駆動用電極部と上記半導体レーザの制御電極との密着接合された領域は、上記半導体光素子集積体の表面積の３０〜５０％である
ことを特徴とした光伝送装置。」
とする補正事項を含むものである。
　なお、本件補正前後の請求項１における「実装基板上に分離形成された表面電極に固着されおり」の「固着されおり」および「上記半導体レーザ駆動用電極部と上記上記半導体レーザの制御電極との密着接合された領域」の「上記上記半導体レーザ」は、それぞれ、「固着されており」および「上記半導体レーザ」の明らかな誤記であるので、訂正して記載した。
　
　イ．上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１の発明特定事項である「所定の大きさの間隙」の「所定の大きさ」を、「 １．５μｍ」に限定するものであるから、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の限縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−２２０３５８号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体基板上に形成されたリッジ装荷型光導波素子においてリッジ部の両脇にリッジを形成するためのエッチング溝を有し、該エッチング溝にのみ半導体以外の物質が充填されていることを特徴とする導波路型光素子。
【請求項２】リッジ導波路に電流または電圧印加のための電極構造を有し且つボンディングパッド電極下に該充填物質が存在しないことを特徴とする請求項１記載の導波路型光素子。
・・・・中略・・・・
【請求項９】請求項１乃至８のいずれかに記載の導波路型光素子を基本導波構造としたレーザ、光増幅器、光変調器、光スイッチ、光検出器またはこれらのうち少なくとも二者を一体集積した集積化光導波素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体光素子に係り、特に光通信用モジュール、光通信システム、光ネットワークに用いる好適な半導体光素子に関する。」
　
　ｂ．「【００１０】本構造の採用による改善点は以下の通りである。
【００１１】（１）まず、素子の電気実装の際、ワイヤボンディングを行う電極パッド下にポリイミド等の有機絶縁性樹脂膜がなく、電極が接触する材料はＳｉＯ２膜のような無機材料であるため通常のワイヤボンディングに必要な十分な電極の密着強度が得られる。このため、実装歩留まり、素子の耐震性に関する信頼性等が大きく向上する。
【００１２】（２）ポリイミド等の有機絶縁性樹脂膜がリッジ両脇の２〜４０μｍと素子内の僅かな領域のみにしか存在しないため、リッジ導波路型光素子の劣化の主要因である膜の引っ張り応力等による面内ストレスが殆どない。また、ポリイミドが電極に覆われ素子の表面に露出しないため耐湿性に優れた構造が容易に得られる。このため、素子の長期寿命も大きく改善できる。
【００１３】（３）素子の表面形状が完全に平坦化されるため、これをジャンクションダウン実装した場合、リッジ部とヒートシンクとが半田を介して完全に密着する。このため、本構造を半導体レーザに適用した場合、高光出力時に発生するジュール熱を効率的にヒートシンク側に逃がすことができる。また、上記のリッジ両脇の溝幅を十分狭くすることにより発光層であるリッジ部で発生するジュール熱を効率的に素子表面に放出できる。従って、本構造を用いるとレーザ高出力化の本質的な制限要因である熱飽和を大きく低減できる。また、低価格実装に必須である配線パターンを施したヒートシンク上へのワイヤレスジャンクションダウン実装にも適用できる。」（審決注：「ヒートシンク上へのへの」は、「ヒートシンク上への」の明らかな誤記であるので、訂正して摘記した。）
　
　ｃ．「【００１５】上記原理を光増幅器、光変調器、光スイッチ、光検出器またはこれらのうち少なくとも二者を一体集積した集積化光導波素子等に適用した場合においても上記と全く同様の効果が得られることは言うまでもない。また、図１ではリッジ形状が逆メサの場合について示したが従来型である順メサ形状、垂直メサ形状のリッジ導波路に適用した場合においても上記と全く同様の効果が得られることは言うまでもない。また、図１ではＩｎＰ系半導体レーザについて示したが、ＧａＡｓ、ＧａＮ、Ｓｉ等他の全ての半導体光導波路素子適用した場合においても上記と全く同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図３〜図７を用いて説明する。
【００１７】（実施例１）図３（ａ）に示すように、ｎ型（１００）ＩｎＰ半導体基板１１上に公知の手法によりＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１０μｍ）下側光ガイド層０．１５μｍ、６．０ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３７μｍ）を井戸層、１０ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１０μｍ）を障壁層とする７周期の多重量子井戸構造、ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１０μｍ）上側光ガイド層０．０５μｍからなる多重量子井戸活性層１２、ｐ型ＩｎＰクラッド層２．０μｍ１３、ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層０．２μｍ１４を図３（ｂ）のように順次形成する。次に公知の手法によりキャップ層１４をストライプ幅５．０μｍ、ストライプ両脇の溝幅５μｍのストライプ構造に加工する。ここでストライプ方向は［０１１］とする。続いて、臭化水素酸と燐酸の混合水溶液によるウェットエッチングを用いて、図３（ｃ）に示すような（１１１）Ａ面を側壁にもつ逆メサ断面形状のリッジ導波路を形成する。
【００１８】続いて公知の手法により図３（ｄ）のように基板全面に厚さ０．１５μｍのシリコン酸化膜１５を形成した後、ポリイミド樹脂１６を回転塗布しその後、所定の熱処理を施す。次に図３（ｅ）に示すように、エッチバック法を用いて溝部以外でシリコン酸化膜が露出するまでポリイミド樹脂をエッチングする。次に図３（ｆ）のようにフォトレジスト１７をリッジ部形成し、リッジ上部のシリコン酸化膜１５を除去する。最後に公知の手法により図３（ｇ）のとおり上部電極１８、下部電極１９を形成した後、劈開工程により共振器長３００μｍの素子に切り出した。後端面には反射率８０％の高反射膜２０を公知の手法により形成した。図３（ｈ）は完成素子の構造である。」
　
　ｄ．「【００２２】（実施例４）図６（ａ），(ｂ)は実施例１とほぼ同様な手法で光変調器集積分布帰還型レーザを作製した例である。図において、基板の一部分に一定周期２４０．５ｎｍの回折格子５１が形成された（１００）ｎ−ＩｎＰ基板５２上に公知の手法により１．５５μｍ帯分布帰還型レーザ活性層と電界吸収型光変調器光吸収層との集積構造を形成する。次に、ｐ型ＩｎＰクラッド層２．０μｍ５５、ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層０．２μｍ５６を基板全面に形成する。
【００２３】次に実施例１と同様の手法によりキャップ層５９をストライプ下側幅２．０μｍのストライプ構造に加工し、リッジ形状をポリイミド樹脂膜により平坦化する。最後に電極工程の後、劈開工程により素子長６００μｍの素子に切り出し、前端面には反射率０．１％の反射防止膜５７、後端面には反射率９０％の高反射膜５８を公知の手法により形成し光変調器集積分布帰還型レーザを作製する。
【００２４】作製した素子は室温、連続条件においてしきい値１５〜２０ｍＡ、発振効率０．１５Ｗ／Ａと良好な発振特性を示した。また、リッジ幅の狭窄化を反映して２０ＧＨｚの変調帯域が得られた。また、本素子を用いて毎秒１０Ｇｂ／ｓの光伝送を行い伝送後の信号品質劣化のない良好な伝送特性を確認した。」
　
　ｅ．上記ａ．および図６から、上部電極１８は、リッジ導波路上の一端側に形成した分布帰還型レーザ活性層およびリッジ導波路上の他端側に形成した電界吸収型光変調器光吸収層のそれぞれの上部に形成された、前記レーザ活性層への電流または電圧印加のための電極構造（以下「レーザ駆動電極」という。）および前記光変調器光吸収層への電流または電圧印加のための電極構造（以下「光変調器駆動電極」という。）と、前記レーザ駆動電極の両側に連続しているレーザ用ボンディングパッド電極と、前記光変調器駆動電極の片側に連続している光変調器用ボンディングパッド電極とからなっていることがみてとれる。
　
　ｆ．上記ｄ．には、作製した光変調器集積分布帰還型レーザを用いて光伝送を行うことが記載されているから、光変調器集積分布帰還型レーザは光伝送を行う装置である。また、該光変調器集積分布帰還型レーザの電極にワイヤボンディングを行うことも、該光変調器集積分布帰還型レーザを「配線パターンを施したヒートシンク上へワイヤレスジャンクションダウン実装し、リッジ部とヒートシンクとが半田を介して完全に密着」するようにすることも、どちらも想定されていることは明らかであり（上記ｂ．参照。）、後者の場合は、「リッジ部とヒートシンクとが半田を介して完全に密着する」との記載（上記ｂ．【００１３】参照。）からみて、パッド電極であるレーザ用ボンディングパッド電極および光変調器用ボンディングパッド電極のみならず、リッジ導波路上に形成されたレーザ駆動電極および光変調器駆動電極も含めた電極全体が、半田を介して、上記配線パターンに密着固定されることが当業者に自明である。
　
　ａ．〜ｆ．によれば、引用例には、次の発明が記載されていると認められる。
　「ｎ−ＩｎＰ基板上に、１．５５μｍ帯分布帰還型レーザ活性層と、電界吸収型光変調器光吸収層との集積構造を形成し、
　次に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層を基板全面に形成し、
　次に、キャップ層をストライプ構造に加工してリッジ形状のリッジ導波路を形成し、
　前記リッジ導波路のリッジ形状をポリイミド樹脂膜により平坦化した後、前記リッジ導波路上の一端側に形成した分布帰還型レーザ活性層の上部にレーザ駆動電極を、該レーザ駆動電極の両側に連続してレーザ用ボンディングパッド電極を、前記リッジ導波路上の他端側に形成した電界吸収型光変調器光吸収層の上部に光変調器駆動電極を、該光変調器駆動電極の片側に連続して光変調器用ボンディングパッド電極を形成して製作した、変調器集積分布帰還型レーザを用いた光伝送を行う装置において、
　前記変調器集積分布帰還型レーザを、配線パターンを施したヒートシンク上へワイヤレスジャンクションダウン実装し、
　前記レーザ駆動電極、前記変調器駆動電極、前記レーザ用ボンディングパッド電極および前記光変調器用ボンディングパッド電極を、半田を介して前記配線パターンに密着固定することにより、レーザの高光出力時に発生するジュール熱を効率的にヒートシンク側に逃がすことのできる、光伝送を行う装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア．引用発明の「ｎ−ＩｎＰ基板」、「リッジ導波路」、「『レーザ駆動電極』および『レーザ用ボンディングパッド電極』」、「『光変調器駆動電極』および『光変調器用ボンディングパッド電極』」、「光変調器集積分布帰還型レーザ」、「『配線パターン』を施した『ヒートシンク』」、「半田」、「密着固定」および「光伝送を行う装置」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「導波路」、「半導体レーザの制御電極」、「光変調器の制御電極」、「半導体光素子集積体」、「実装基板」、「半田材料」、「『固着』および『密着接合』」および「光伝送装置」に相当する。
　
　イ．引用発明の「変調器集積分布帰還型レーザ」のうち、「リッジ導波路上の一端側に形成した分布帰還型レーザ活性層」および「リッジ導波路上の他端側に形成した電界吸収型光変調器光吸収層」が、それぞれ、本願補正発明における「半導体レーザ」および「外部変調器」に相当し、当該外部変調器は、半導体レーザの出力を変調するものであることは明らかである。
　
　ウ．引用発明において、「配線パターン」は、「レーザ駆動電極、変調器駆動電極、レーザ用ボンディングパッド電極および光変調器用ボンディングパッド電極」と、半田を介して密着固定されるから、該「配線パターン」は、「レーザ駆動用」および「変調器駆動用」のものであり、かつ、半田で密着固定できるような電極であるのは明らかである。したがって、引用発明の「配線パターン」は、本願補正発明の「『半導体レーザ駆動用電極部』および『光変調器駆動用電極部』」に相当し、かつ、同「配線パターン」と本願補正発明の「半導体レーザ駆動用電極部」とは、「実装基板」上に形成された「表面電極」である点で一致する。
　
　エ．すると、本願補正発明と引用発明とは、
　「半導体レーザと、導波路と、上記導波路上に形成され上記半導体レーザの出力光を変調する外部変調器をもつ光伝送装置において、上記半導体レーザ、上記導波路及び上記外部変調器が単一基板上に半導体光素子集積体として構成され、上記半導体レーザ及び上記外部変調器の制御電極が半田材料を介して実装基板上に形成された表面電極に固着されており、
　上記表面電極と上記半導体レーザの制御電極とは、半田で密着接合される、光伝送装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。 
　
＜相違点１＞
　導波路が、本願補正発明は「半導体レーザの出力光を伝送光ファイバに結合する」ものであるのに対し、引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　
＜相違点２＞
　表面電極が、本願補正発明では、「半導体レーザ、外部変調器をそれぞれ独立に電気駆動するために」「分離形成」され、「半導体レーザ駆動用電極部と光変調器駆動用電極部とから」なり、半導体レーザの制御電極と密着接合されるのは前記半導体レーザ駆動用電極部であるのに対し、引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明は、「光変調器駆動用電極部への給電線と外部変調器の表面でその制御電極が形成されていない領域との間に１．５μｍの間隙を有して」いるのに対し、引用発明は、そのような間隙を有しているか否か不明である点。
　
＜相違点４＞
　本願補正発明においては、上記半導体レーザ駆動用電極部と上記半導体レーザの制御電極とは「全面」が密着接合されており、その領域が「半導体光素子集積体の表面積の３０〜５０％である」のに対し、引用発明においては、密着接合が「全面」において行われるか不明であり、その領域の半導体光素子集積体の表面積に対する割合も不明である点。
　
（４）判断                     
　上記相違点について検討する。
（４−１）相違点１について
　引用発明は、導波路上に形成された半導体レーザの出力光を、同じく導波路上に形成された外部変調器で変調して光伝送するものであり、また、光伝送に光伝送ファイバを用いることは周知慣用手段であるから、引用発明において、半導体レーザの出力光を光伝送するために、該光を前記導波路により光ファイバに結合させて上記相違点１に係る構成とすることは、上記周知慣用手段に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４−２）相違点２について
　引用発明の光伝送装置は、半導体レーザの出力光を外部変調器で変調するものであるから、前記半導体レーザおよび前記外部変調器はそれぞれ独立して駆動されるものである。したがって、引用発明において、前記半導体レーザおよび前記外部変調器をそれぞれ独立して駆動するために、前記表面電極を「半導体レーザ駆動用電極部」および「光変調器駆動用電極部」からなるものとして「分離形成」し、半導体レーザの制御電極は前記半導体レーザ駆動用電極と密着接合されるようにすること、すなわち、記相違点２に係る構成となすことは、当業者にとっては容易である。
　
（４−３）相違点３について
　半導体レーザ等の光素子を基板に実装する手段として、１．５μｍ以上の厚さの半田を介してジャンクションダウン実装することは、本願出願前に周知である（例．特開平７−２７３３９５号（【００１６】の「ハンダ層７の厚さは数ミクロン程度」の記載参照。）、特開平１０−３１９２８０号公報（【００２４】、図３および図４参照。半田の厚さは、ハンダバンプと基板側および光素子側のハンダ接合パッドの合計の厚さ１８μｍから、前記パッドの厚さ０．７μｍ×２＝１．４μｍを引いた、１６．６μｍである。））。
　そして、引用発明において、光変調器駆動電極は光変調器光吸収層へ電流または電圧印加のための電極構造であるから（上記２（２）ｅ．参照）、「配線パターン」は、光変調器駆動電極へ電流または電圧を供給するために、上記光変調器駆動用電極部（（４−２）参照。）への給電線も備えていることは当業者に自明であり、光変調器駆動用電極部と外部変調器の制御電極とを半田で固着すると、前記給電線と外部変調器の表面でその制御電極が形成されていない領域との間に生じる間隙は、半田と外部変調器の制御電極との合計の厚さに相当することが明らかであるから、上記相違点３に係る構成とすることは、上記周知技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
（４−４）相違点４について
　引用発明は、半導体レーザの制御電極および外部変調器の制御電極を、半田を介して表面電極に密着固定することにより、レーザの高光出力時に発生するジュール熱を効率的にヒートシンク側に逃がすことのできるものであるところ、半導体レーザの制御電極と半導体レーザ駆動用電極部（上記（４−２）参照。）が密着する領域を大きくするほどレーザから発生する熱を効率的に逃がすことができることは技術的に明らかである。しかし、前記領域を大きくしすぎると、半導体レーザの制御電極が外部変調器の制御電極に接触して又は接近し過ぎてしまうから、前記領域を大きくするにも上限があることは明らかである。したがって、引用発明において、半導体レーザ駆動用電極部と半導体レーザの制御電極の密着接合を全面にて行い、その領域の大きさを、半導体レーザの制御電極と外部変調器の制御電極との間に必要な間隙を確保しつつ、熱を効率的に逃がすことができる所定の範囲に定めることは、当業者が容易に想到することができたことである。
　また、その「所定の範囲」を具体的にどの範囲とするかは設計上の事項であるところ、本願明細書には、半導体光素子集積体の表面積の３０〜５０％とすることについて、「・・・光素子集積体１０６の表面積に対し、かなり（３０〜５０％）の面積（縦横それぞれ３００〜５００μｍ）をもたせることができる・・・・。」（【００２４】参照。）と記載されているに過ぎないから、「半導体光素子集積体の表面積の３０〜５０％」とは、技術上「かなりの面積」であることを意味しているにすぎず、半導体光素子集積体の表面積を基準とすることも、その上限値を５０％、下限値を３０％とすることも設計事項である以上の技術的意義はない。よって、上記相違点４に係る構成とすることは、引用発明に基づいて当業者が容易になし得た程度のことである。
　
　また、本願補正発明の効果は、引用発明、上記周知慣用技術および上記周知技術から当業者が予測しうる程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明、上記周知慣用技術および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１２月２０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「２．［理由］（１）ア．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２）引用例 
 　引用例及びその記載事項は、前記「２．［理由］（２）」に記載したとおりである。 
　
（３）対比・判断 
　本願発明は、上記「２．［理由］」で検討した本願補正発明の「間隙」について、「１．５μｍ」との限定を省き、「所定の大きさ」としたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．［理由］（４）」で検討したとおり、引用発明、上記周知慣用技術および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、上記周知慣用技術および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　そして、本願発明の効果は、引用発明、上記周知慣用技術および周知技術から当業者が予測しうる程度のものである。
　
（４）．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載の発明、上記周知慣用技術および上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。