【事件の表示】
　特願２００１−　５５１９１「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１１日出願公開、特開２００２−２５８３２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年２月２８日に出願したものであって、平成１８年１０月３０日に手続補正がなされ、平成１９年２月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年４月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
　
ＩＩ．平成１９年４月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年４月２５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年４月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。  
「【請求項１】
　ゲート線と、
　前記ゲート線と交差して配置されているデータ線と、
　前記ゲート線と前記データ線との交差箇所の近傍に配置されたスイッチング素子と、
　層間絶縁膜を介して前記ゲート線及び前記データ線の上方に形成されている画素電極と、
　を備える液晶表示装置であって、
　上方から見たときに、隣り合う２つの画素電極の間の間隙と前記ゲート線とが重なり合っている液晶表示装置において、
　前記間隙の下方であって、かつ、前記ゲート線の上方において、上方から見たときに、前記ゲート線を該ゲート線の幅方向に亘って完全に覆う制御電極が設けられており、
　前記制御電極は、隣り合う２つの画素電極の一方と重ならないように配置され、
　前記制御電極は、前記スイッチング素子を構成するソース電極と同電位であることを特徴とする液晶表示装置。」
 　 
 　 
２．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された「ゲート線を覆う制御電極」が、「（ゲート線を）該ゲート線の幅方向に亘って完全に」覆う、との限定を付加するものであって、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　しかしながら、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）は、以下のとおり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
１〕刊行物記載の発明  
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−１０９４１７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられた複数のゲート配線と、該ゲート配線と交差する複数のデータ配線と、該ゲート配線と該データ配線との交差部に設けられた駆動素子と、該駆動素子に電気的に接続された絵素電極とを有するアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に介在された液晶層と、バックライトとを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過表示領域と反射表示領域を備えた液晶表示装置に関するものである。」
（ウ）「【００１９】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）図１（ａ）は本発明の実施形態１のアクティブマトリクス基板の平面図を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面の断面図を示す。
【００２０】アクティブマトリクス基板は、ゲート配線１、データ配線２、駆動素子３、ドレイン電極４、補助容量電極５、ゲート絶縁膜６、絶縁性基板７、コンタクトホール８、層間絶縁膜９、反射用絵素電極１０と透過用絵素電極１１を備えている。補助容量電極５は、ドレイン電極４と電気的に接続されており、ゲート絶縁膜６を介してゲート配線１と重畳し補助容量を形成している。コンタクトホール８は、透過用絵素電極１１と補助容量電極５を接続するために層間絶縁膜９に設けられている。」
（エ）「【００２２】図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置を示す断面図であり、データ配線２、ドレイン電極４、ゲート絶縁膜６、絶縁性基板７、層間絶縁膜９、反射用絵素電極１０、透過用絵素電極１１、カラーフィルター層１３、対向電極１４、液晶層１５、配向膜１６、偏光板１７、バックライト１８を有している。」
（オ）引用刊行物１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
（オ−１）ゲート配線１は、ゲート絶縁膜６の下側にあることは明らかであるから、反射用絵素電極１０及び透過用絵素電極１１は、層間絶縁膜９を介してゲート配線１及びデータ配線２の上方に形成されること、
（オ−２）上方から見たときに、隣り合う２つの反射用絵素電極１０の間の間隙と前記ゲート配線１とが重なり合っていること、
（オ−３）前記補助容量電極５は、隣り合う２つの反射用絵素電極１０と重なるように配置されること、
が図１（ａ）、（ｂ）から見て取れる。
（カ）補助容量電極５は、駆動素子３を構成するドレイン電極４と接続されていることが図１（ａ）から見て取れるから、
（カ−１）補助容量電極５はドレイン電極４と同電位である、といえ、
（カ−２）隣り合う２つの反射用絵素電極１０の間の間隙の下方であって、かつ、ゲート配線１の上方に補助容量電極５が設けられるとともに、該補助容量電極５は、上方から見たときに、前記ゲート配線１を該ゲート配線１の幅方向に亘って完全に覆うこと、が図１（ａ）、（ｂ）から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ゲート配線と、
　前記ゲート配線と交差するデータ配線と、
　前記ゲート配線と前記データ配線との交差部に設けられた駆動素子と、
　層間絶縁膜を介して前記ゲート配線及び前記データ配線の上方に形成されている反射用絵素電極及び透過用絵素電極と、
　を備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
　上方から見たときに、隣り合う２つの反射用絵素電極の間の間隙と前記ゲート配線とが重なり合っているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記間隙の下方であって、かつ、前記ゲート配線の上方において、上方から見たときに、前記ゲート配線を該ゲート配線の幅方向に亘って完全に覆う補助容量電極が設けられており、
　前記補助容量電極は、隣り合う２つの反射用絵素電極と重なるように配置され、
　前記補助容量電極は、前記駆動素子を構成するドレイン電極と同電位であるアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
　
　また、本願の出願前に頒布され、同じく原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１０−２８８７７５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（キ）「【請求項９】  行と列からなる２次元マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
これらの画素電極との間に間隙を置いて配置された対向電極と、
この対向電極と前記画素電極との間に配され、該対向電極側から入射して画素電極（あるいはその奥方の反射部材）で反射する光を、これら両電極による印加電圧に応じて変調する光変調層とを備えてなる反射型２次元マトリクス空間光変調素子において、
前記画素電極を間に置いて前記光変調層と反対側に絶縁膜が形成されるとともに、
この絶縁膜を介して、前記画素電極どうしの間の間隙の少なくとも一部を覆い、かつ該間隙を構成している画素電極と電気的に接続する導電膜が形成されていることを特徴とする反射型２次元マトリクス空間光変調素子。」
（ク）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型フラットディスプレイ、ビデオプロジェクター、感光材料への露光投影等に用いられる反射型２次元マトリクス空間光変調素子に関するものである。」
（ケ）「【０１１１】＜第８実施形態＞図３７は、本発明の第８実施形態による反射型２次元マトリクス空間光変調素子の画素部を示す立断面図である。図示されているように単結晶のｐ- 型シリコン半導体基板１０上には、ｎ-ＭＯＳ−ＦＥＴ１１と電荷蓄積容量Ｃｓｔｇ１２が形成されている。・・・（中略）・・・。
【０１１２】また、第１層間絶縁膜２０を介して第１層Ａｌ配線２１が形成され、これにより、ソース領域１４に接続されたソース電極２２が形成されている。このソース電極２２により、ソース領域１４と電荷蓄積容量Ｃｓｔｇ１２のｐｏｌｙ-Ｓｉ膜１９とが接続されている。なおドレイン領域１３には、ドレイン電極２３が接続されている。さらに第２層間絶縁膜２４を介して導電膜である画素間隙電極（第２層Ａｌ）９０が形成され、ソース電極２２と接続されている。
【０１１３】画素間隙電極９０上には第３層間絶縁膜９１が形成され、さらにその上には、所定形状にパターニングされた画素電極（第３層Ａｌ）２５が形成されている。画素間隙電極９０は、第３層間絶縁膜９１を介して画素電極２５の間隙領域を覆い、かつこの画素電極２５と一部が重なるように形成されている。そして１つの画素電極２５は１つの画素間隙電極９０に接続されている。また画素電極２５上には、配向膜２６が形成されている。」
（コ）「【０１１６】図３８は、図３７の空間光変調素子の画素部を平面から見た図である。同図では画素電極２５を太い実線で示し、画素間隙電極９０を斜線を付して示してある。この例では、各画素間隙電極９０はそれに接続している画素電極２５の一部と、該画素電極２５に隣接する画素電極２５との間隙（図中では上側の間隙と右側の間隙）を覆うように形成されている。図３８から明らかなように本実施形態では、素子の平面領域のほとんどは、画素電極２５と画素間隙電極９０とで占められている。」
（サ）引用刊行物２記載の反射型２次元マトリクス空間光変調素子は、
（サ−１）ゲート電極１６とドレイン電極２３の交差点近傍にｎ-ＭＯＳ−ＦＥＴ１１を配置したものであること、
（サ−２）上方から見たときに、画素間隙電極９０は、これと接続する画素電極２５とは重なっているが、該画素電極２５と隣り合う画素電極２５とは重ならないように配置されていること、
が、図３７及び図３８から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ゲート電極とドレイン電極の交差点近傍にｎ-ＭＯＳ−ＦＥＴを配置し、該ｎ-ＭＯＳ−ＦＥＴのソース領域にソース電極が接続され、該ソース電極に画素間隙電極が接続され、該画素間隙電極に画素電極に接続される反射型２次元マトリクス空間光変調素子において、
　上方から見たときに、該画素間隙電極は、これと接続する画素電極とは重なっているが、該画素電極と隣り合う画素電極とは重ならないように配置されているもの。」
　
　
２〕対比
  本願補正発明と引用発明１を対比する。
　引用発明１の「ゲート配線」、「交差する」、「データ配線」、「交差部に設けられた」、「駆動素子」、「層間絶縁膜」、「反射用絵素電極（及び透過用絵素電極）」、「アクティブマトリクス型液晶表示装置」、「間隙」、「補助容量電極」及び「ドレイン電極」は、それぞれ本願補正発明の「ゲート線」、「交差して配置されている」、「データ線」、「交差箇所の近傍に配置された」、「スイッチング素子」、「層間絶縁膜」、「画素電極」、「液晶表示装置」、「間隙」、「制御電極」及び「ソース電極」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
 「ゲート線と、
　前記ゲート線と交差して配置されているデータ線と、
　前記ゲート線と前記データ線との交差箇所の近傍に配置されたスイッチング素子と、
　層間絶縁膜を介して前記ゲート線及び前記データ線の上方に形成されている画素電極と、
　を備える液晶表示装置であって、
　上方から見たときに、隣り合う２つの画素電極の間の間隙と前記ゲート線とが重なり合っている液晶表示装置において、
　前記間隙の下方であって、かつ、前記ゲート線の上方において、上方から見たときに、前記ゲート線を該ゲート線の幅方向に亘って完全に覆う制御電極が設けられており、
　前記制御電極は、前記スイッチング素子を構成するソース電極と同電位である液晶表示装置。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
　制御電極が、本願補正発明では、隣り合う２つの画素電極の一方と重ならないように配置されるのに対し、引用発明１では、隣り合う２つの反射用絵素電極と重なるように配置される点。
　
３〕判断  
　上記相違点につき検討する。
　引用発明２は、ｎ-ＭＯＳ−ＦＥＴのソース領域に接続されるソース電極に接続されるとともに、画素電極に接続される画素間隙電極を、上方から見たときに、前記画素電極とは重なっているが、該画素電極と隣り合う隣の画素電極とは重ならないように配置した反射型２次元マトリクス空間光変調素子の発明といえる。しかるところ、上記「画素間隙電極」は、ｎ-ＭＯＳ−ＦＥＴ（本願補正発明の「スイッチング素子」に相当。）を構成するソース電極と接続されてこれと同電位であり、本願補正発明の「制御電極」に相当するものであるといえるから、この引用発明２を引用発明１に適用して、該制御電極が隣り合う２つの画素電極の一方と重ならないように配置することは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、引用刊行物１、２に記載された発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　なお、審判請求人は、平成１８年１０月３０日付けの意見書、及び平成１９年４月２５日付けの審判請求書の手続補正書において、「制御電極２０と画素電極１５ｂとがオーバーラップするとカップリングにより表示不良が起こることが実験により分かってい」る旨主張しているが、そのような事項は本願出願当初の明細書または図面に記載されておらず、また、その具体的根拠も明示されているわけではないから、上記主張は採用できない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４〕むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年４月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１０月３０日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されたものであるところ、その請求項１は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項１】
　ゲート線と、
　前記ゲート線と交差して配置されているデータ線と、
　前記ゲート線と前記データ線との交差箇所の近傍に配置されたスイッチング素子と、
　層間絶縁膜を介して前記ゲート線及び前記データ線の上方に形成されている画素電極と、
　を備える液晶表示装置であって、
　上方から見たときに、隣り合う２つの画素電極の間の間隙と前記ゲート線とが重なり合っている液晶表示装置において、
　前記間隙の下方であって、かつ、前記ゲート線の上方において、上方から見たときに、前記ゲート線を覆う制御電極が設けられており、
　前記制御電極は、隣り合う２つの画素電極の一方と重ならないように配置され、
　前記制御電極は、前記スイッチング素子を構成するソース電極と同電位であることを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、前記ＩＩ．２．１〕において記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩ．で検討した本願補正発明から、「ゲート線を覆う制御電極」が、「（ゲート線を）該ゲート線の幅方向に亘って完全に」覆う、との限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ．２．で検討したとおり、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。