【手続補正書】
【提出日】令和1年6月12日(2019.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）は以下を備える：
２つの電極とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域と、
支持基板と、
前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との間に配置され、低熱伝導層と高熱伝導層とを備える、音響ミラーと、
前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合されたヒートブリッジ、
以下を特徴とする、
前記低熱伝導層は、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への熱流を低減するのに好適であり、
前記ヒートブリッジは、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への前記熱流を増加させるために備えられる。
【請求項２】
前記音響ミラーは、低熱伝導層と、高熱伝導層と、を備える、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項３】
前記低熱伝導層は、低音響インピーダンスを有し、前記高熱伝導層は、高音響インピーダンスを有する、請求項２に記載のＢＡＷＲ。
【請求項４】
前記低熱伝導層は、誘電材料を備え、前記高熱伝導層は、金属を備える、請求項２に記載のＢＡＷＲ。
【請求項５】
前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項６】
前記ヒートブリッジと前記アクティブ領域との距離は前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との距離よりも短く、
前記ヒートブリッジと前記支持基板との距離は前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との距離よりも短い、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項７】
前記ヒートブリッジは、前記電気音響アクティブ領域を水平方向において取り囲む領域を備える、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項８】
前記ヒートブリッジは、少なくとも１つの低熱伝導層に配置され、少なくとも１つの高熱伝導層と前記電気音響アクティブ領域又は前記支持基板とを結合する領域を備える、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項９】
前記ヒートブリッジは、少なくとも１つの低熱伝導層に配置され、２つの高熱伝導層を互いに結合する領域を備える、請求項２に記載のＢＡＷＲ。
【請求項１０】
請求項１に記載のＢｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）を備える高周波フィルタ。
【請求項１１】
請求項１に記載のＢｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）を有する高周波フィルタを備えるデュプレクサ。
【請求項１２】
Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）の製造方法は以下を備える：
支持基板上に交互に高熱伝導層と低熱伝導層を有する音響ミラーを形成することと、
２つの電極層間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域を前記音響ミラー上に形成することと、
熱を前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板へ伝達するように構成され、前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合された、ヒートブリッジを形成すること。
【請求項１３】
前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を備えて前記電気音響アクティブ領域を側方から取り囲む領域を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を備えて前記低熱伝導層の内部に構成される領域を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ヒートブリッジを形成することは、前記ヒートブリッジの材料を前記低熱伝導層においてリソグラフィ工程を介して積層することを備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ヒートブリッジが個々の領域に限定されないことは明らかである。ヒートブリッジの個々の記載された領域は組み合わせることができ、それにより更に高い伝導性を有するヒートブリッジとすることができる。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
ＢＡＷ共振器（ＢＡＷＲ）は以下を備える：
２つの電極（ＥＬ）とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域（ＥＡＢ）と、
支持基板（ＴＳ）と、
前記アクティブ領域（ＥＡＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との間に配置され、低熱伝導層（ＷＩ）と高熱伝導層（ＷＬ）とを有する、音響ミラーと、
ヒートブリッジ（ＷＢ）、
以下を特徴とする、
前記低熱伝導層（ＷＩ）は、前記アクティブ領域（ＥＡＢ）から前記支持基板（ＴＳ）への熱流を低減するのに好適であり、
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、前記アクティブ領域（ＴＳ）から前記支持基板（ＴＳ）への前記熱流を増加させるために備えられる。
［Ｃ２］
Ｃ１に記載のＢＡＷ共振器において、前記音響ミラーは、
２以上の低熱伝導層（ＷＩ）と、
２以上の高熱伝導層（ＷＬ）と、を有する。
［Ｃ３］
前記低熱伝導層（ＷＩ）は低音響インピーダンスを有し、前記高熱伝導層（ＷＬ）は、高音響インピーダンスを有する、Ｃ１又は２に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ４］
前記低熱伝導層（ＷＩ）は誘電材料を有し、前記高熱伝導層（ＷＬ）は金属を有する、Ｃ１乃至３の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ５］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は前記低熱伝導層（ＷＩ）よりも高い熱伝導性を有する、Ｃ１乃至４の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ６］
Ｃ１乃至５の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器において、
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）と前記アクティブ領域（ＥＡＢ）との距離は前記アクティブ領域（ＥＡＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との距離よりも短く、
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との距離は前記アクティブ領域（ＥＡＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との距離よりも短い。
［Ｃ７］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、前記アクティブ領域（ＥＡＢ）を水平方向において取り囲む領域（ＷＢ１）を有する、Ｃ１乃至６の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ８］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、少なくとも１つの低熱伝導層（ＷＩ）に配置され、少なくとも１つの高熱伝導層（ＷＬ）と前記アクティブ領域（ＥＡＢ）又は前記支持基板（ＴＳ）とを結合する領域（ＷＢ２）を有する、Ｃ１乃至７の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ９］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、少なくとも１つの低熱伝導層（ＷＩ）に配置され、２つの高熱伝導層（ＷＬ）を互いに結合する領域（ＷＢ２）を有する、Ｃ１乃至８の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ１０］
Ｃ１乃至９の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器を備える高周波フィルタ。
［Ｃ１１］
Ｃ１０に記載の高周波フィルタを備えるデュプレクサ。
［Ｃ１２］
ＢＡＷ共振器（ＢＡＷＲ）の製造方法は以下のステップを備える。
支持基板（ＴＳ）を供給するステップと、
交互に高熱伝導層（ＷＬ）と低熱伝導層（ＷＩ）を有する音響ミラーを配置するステップと、
２つの電極（ＥＬ）間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域（ＥＡＢ）を前記ミラー上に構成するステップ、
更に、熱を前記アクティブ領域（ＥＡＢ）から前記支持基板（ＴＳ）へ伝達するために備えられたヒートブリッジ（ＷＢ）が構成されることを特徴とする。
［Ｃ１３］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）が、前記低熱伝導層（ＷＩ）よりも高い熱伝導材料を有して前記アクティブ領域（ＥＡＢ）を側方から取り囲む領域（ＷＢ１）を含む、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１４］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、前記低熱伝導層（ＷＩ）よりも高い熱伝導材料を有して前記低熱伝導層（ＷＩ）の内部に構成される領域（ＷＢ２）を含む、Ｃ１２又は１３に記載の方法。
［Ｃ１５］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）の材料は前記低熱伝導層（ＷＩ）においてリソグラフィ工程により積層される、Ｃ１４に記載の方法。