(57)【要約】  本発明の含フッ素エーテル化合物は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。［化１］2018159250.tif 000067
2018159250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
【化１】
2018159250.tif 000046
（式中、Ａは少なくとも１つの極性基を含む連結基を表し、Ｂは下記式（２）、下記式（３）、下記式（４）または下記式（５）のいずれかを表し、Ｄは水酸基、下記式（６）、下記式（７）または下記式（８）のいずれかを表し、ｌは１〜１０の整数を表す。）
【化２】
2018159250.tif 000047
（式中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは１〜３０の整数を表す。）
【化３】
2018159250.tif 000048
（式中、ｍは１〜３０の整数を表す。）
【化４】
2018159250.tif 000049
（式中、ｐは１〜３０の整数を表す。）
【化５】
2018159250.tif 000050
（式中、ｑは１〜３０の整数を表す。）
【化６】
2018159250.tif 000051
（式中、ｒは０〜５の整数を表す。）
【化７】
2018159250.tif 000052
（式中、ｓは０〜５の整数を表す。）
【化８】
2018159250.tif 000053
（式中、ｔは１〜５の整数を表す。）
【請求項２】
上記一般式（１）におけるＡが、少なくとも１つの極性基を有する炭素原子数が１〜２０の連結基である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項３】
上記一般式（１）におけるＡが、下記式（９）で表される連結基である請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
【化９】
2018159250.tif 000054
（式中、ｕは１〜５の整数を表す。）
【請求項４】
数平均分子量が１０００〜１００００の範囲内である請求項１〜３のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項５】
一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１０）：
【化１０】
2018159250.tif 000055
（式中、Ｒｆ１は、下記式（１１）で表わされ、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３０の整数を表わす。）
【化１１】
2018159250.tif 000056
で表わされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項６】
一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１２）：
【化１２】
2018159250.tif 000057
（式中、Ｒｆ１は、下記式（１１）で表わされ、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３０の整数を表わす。）
【化１３】
2018159250.tif 000058
で表わされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項７】
一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１３）：
【化１４】
2018159250.tif 000059
（式中、Ｒｆ２は、下記式（１４）で表わされ、ｍは１〜３０の整数を表わす。）
【化１５】
2018159250.tif 000060
で表わされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項８】
一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１５）：
【化１６】
2018159250.tif 000061
（式中、Ｒｆ２は、下記式（１４）で表わされ、ｍは１〜３０の整数を表わす。）
【化１７】
2018159250.tif 000062
で表わされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項９】
一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１６）：
【化１８】
2018159250.tif 000063
（式中、Ｒｆ２は、下記式（１４）で表わされ、ｍは１〜３０の整数を表わす。）
【化１９】
2018159250.tif 000064
で表わされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項１０】
一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１７）：
【化２０】
2018159250.tif 000065
（式中、Ｒｆ１は、下記式（１１）で表わされ、ｍおよびｎは１〜３０の整数を表わす。）
【化２１】
2018159250.tif 000066
で表わされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項１２】
基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
前記潤滑層は、請求項１１に記載の磁気記録媒体用潤滑剤からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記潤滑層の平均膜厚は、０．５ｎｍ〜３ｎｍである請求項１２に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本願は、２０１７年３月２日に、日本に出願された特願２０１７−０３９８２０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、磁気記録媒体用の基板上に記録層等を積層した後、記録層上にカーボン等の保護層を形成し、さらに保護層上に潤滑層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高めるものである。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。【０００３】
このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。保護層上に潤滑層を設けることによって、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止できるとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドの摩擦力を著しく低減させることができ、耐久性が向上される。【０００４】
ハードディスク等の磁気記録媒体に使用される潤滑剤としては、例えば、特許文献１には、−ＣｍＦ２ｍＯ−単位（但し、ｍは１〜１８の整数）を基本骨格とするフッ素化ポリエ−テルの少なくとも一つの末端に、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎＯＨ（但し、ｎは１〜３０の整数）で表される極性基を有するフッ素化ポリエ−テルを含有するものが提案されている。また、パーフルオロポリエーテル主鎖および極性基を有する類似の鎖状化合物が特許文献２〜４に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２５８２８７号公報
【特許文献２】特開平９−２８２６４２号公報
【特許文献３】特開２００９−２４５４９１号公報
【特許文献４】特開２０１２−７００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させて、磁気記録再生装置の磁気ヘッドの浮上量をより小さくするために、潤滑層の厚みをより一層薄くすることが求められている。
しかし、潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層に隙間が形成されて潤滑層による磁気記録媒体の表面の被覆率が低下し、潤滑層の下層の一部が露出される場合があった。
潤滑層に隙間が形成されると、潤滑層の隙間から潤滑層の下層に汚染物質を生成させる環境物質が侵入して、磁気記録媒体が汚染されてしまう。【０００７】
より詳細には、潤滑層の隙間から潤滑層の下層に、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が侵入すると、潤滑層の下層に侵入した環境物質が、潤滑層の下層に存在するイオン成分を凝集させて磁気記録媒体を汚染する汚染物質を生成させる。
また、磁気記録媒体を備えたハードディスクドライブの内部は、通常、磁気記録媒体を駆動して磁気記録媒体に情報の記録再生を行うことにより、高温状態となる。上述した潤滑層の隙間からの環境物質の侵入、潤滑層の下層に存在するイオン成分の凝集、磁気記録媒体を汚染する汚染物質の生成は、高温条件下でより顕著となる。また、上述の特許文献１〜４には、このような課題の認識はない。【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成することができ、潤滑層の下層に侵入した環境物質に起因する潤滑層の下層に存在するイオン成分の凝集を防止し、磁気記録媒体を汚染する汚染物質の生成を抑制して、磁気記録媒体の表面の汚染を効果的に防止でき、磁気記録媒体上に存在する汚染物質の磁気ヘッドへの付着（転写）を防止できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤、および、当該磁気記録媒体用潤滑剤を用いた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、中央にジフルオロメチレン基（−ＣＦ２−）からなる鎖状構造を有し、この鎖状構造の両末端に、少なくとも１つの極性基を含む連結基を介して、パーフルオロポリエーテル鎖を有し、このパーフルオロポリエーテル鎖の末端に水酸基を有する単位が結合した構造の化合物を潤滑剤に適用すればよいことを見出した。さらに、この潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成することにより、潤滑層と保護層とが高い結合力で結合され、潤滑層の厚みを十分に薄くできること、ほぼ均一の膜厚で保護層の表面を高い被覆率で潤滑層により被覆できることを見出し、以下の［１］〜［１３］に示す本発明を完成するに至った。【００１０】
［１］本発明の一態様に係る含フッ素エーテル化合物は、下記一般式（１）で表される。【００１１】
【化１】
2018159250.tif 000003
【００１２】
（式中、Ａは少なくとも１つの極性基を含む連結基を表し、Ｂは下記式（２）、下記式（３）、下記式（４）または下記式（５）のいずれかを表し、Ｄは水酸基、下記式（６）、下記式（７）または下記式（８）のいずれかを表し、ｌは１〜１０の整数を表す。）【００１３】
【化２】
2018159250.tif 000004
（式中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは１〜３０の整数を表す。式（２）において、２つの繰り返し単位（Ｏ−ＣＦ２）、（Ｏ−ＣＦ２−ＣＦ２）の並び順は、特に限定されず、式（２）に示す順番と逆であってもよい。）【００１４】
【化３】
2018159250.tif 000005
（式中、ｍは１〜３０の整数を表す。）【００１５】
【化４】
2018159250.tif 000006
（式中、ｐは１〜３０の整数を表す。）【００１６】
【化５】
2018159250.tif 000007
（式中、ｑは１〜３０の整数を表す。）【００１７】
【化６】
2018159250.tif 000008
（式中、ｒは０〜５の整数を表す。）【００１８】
【化７】
2018159250.tif 000009
（式中、ｓは０〜５の整数を表す。）【００１９】
【化８】
2018159250.tif 000010
（式中、ｔは１〜５の整数を表す。）【００２０】
［２］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、上記一般式（１）におけるＡが、少なくとも１つの極性基を有する炭素原子数が１〜２０の連結基であることが好ましい。【００２１】
［３］上記［２］に記載の含フッ素エーテル化合物において、上記一般式（１）におけるＡが、下記式（９）で表される連結基であることが好ましい。【００２２】
【化９】
2018159250.tif 000011
（式中、ｕは１〜５の整数を表す。）【００２３】
［４］上記［１］〜［３］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、数平均分子量が１０００〜１００００の範囲内であることが好ましい。【００２４】
［５］上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１０）：【００２５】
【化１０】
2018159250.tif 000012
（式中、Ｒｆ１は、下記式（１１）で表わされ、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３０の整数を表わす。）【００２６】
【化１１】
2018159250.tif 000013
【００２７】
で表わされることが好ましい。【００２８】
［６］上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１２）：【００２９】
【化１２】
2018159250.tif 000014
（式中、Ｒｆ１は、下記式（１１）で表わされ、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３０の整数を表わす。）【００３０】
【化１３】
2018159250.tif 000015
【００３１】
で表わされることが好ましい。【００３２】
［７］上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１３）：【００３３】
【化１４】
2018159250.tif 000016
（式中、Ｒｆ２は、下記式（１４）で表わされ、ｍは１〜３０の整数を表わす。）【００３４】
【化１５】
2018159250.tif 000017
【００３５】
で表わされることが好ましい。【００３６】
［８］上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１５）：【００３７】
【化１６】
2018159250.tif 000018
（式中、Ｒｆ２は、下記式（１４）で表わされ、ｍは１〜３０の整数を表わす。）【００３８】
【化１７】
2018159250.tif 000019
【００３９】
で表わされることが好ましい。【００４０】
［９］上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１６）：
【化１８】
2018159250.tif 000020
（式中、Ｒｆ２は、下記式（１４）で表わされ、ｍは１〜３０の整数を表わす。）【００４１】
【化１９】
2018159250.tif 000021
【００４２】
で表わされることが好ましい。【００４３】
［１０］上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、一般式（１）で表わされる化合物は、下記式（１７）：【００４４】
【化２０】
2018159250.tif 000022
（式中、Ｒｆ１は、下記式（１１）で表わされ、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３０の整数を表わす。）【００４５】
【化２１】
2018159250.tif 000023
【００４６】
で表わされることが好ましい。【００４７】
［１１］本発明の一態様に係る磁気記録媒体用潤滑剤は、上記［１］〜［１０］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物を含む。【００４８】
［１２］本発明の一態様に係る磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、上記［１１］に記載の磁気記録媒体用潤滑剤からなる。【００４９】
［１３］上記［１２］に記載の磁気記録媒体は、前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜３ｎｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００５０】
本発明の含フッ素エーテル化合物を磁気記録媒体用潤滑剤に適用すると、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成することができる。したがって、本発明の磁気記録媒体用潤滑剤を用いた磁気記録媒体では、潤滑層の下層に侵入した環境物質に起因する潤滑層の下層に存在するイオン成分の凝集を防止して、磁気記録媒体を汚染する汚染物質の生成を抑制できる。その結果、磁気記録媒体の表面の汚染を効果的に防止でき、磁気記録媒体上に存在する汚染物質の磁気ヘッドへの付着（転写）を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
【図２】実施例および比較例において、連続ＬＵＬ（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ）動作の繰り返しを行う環境を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。しかしながら、本発明は、それらの形態のみに限定されるものではない。特に記載のない限り、数、位置、材料などを必要に応じて選択してよいものとする。
【００５３】
［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物（フッ素を含有するエーテル化合物）は、下記一般式（１）で表される化合物である。
この化合物は、中央にジフルオロメチレン基（−ＣＦ２−）からなる鎖状構造を有し、この鎖状構造の両端に、少なくとも１つの極性基を含む２価以上の連結基Ａを介して、パーフルオロポリエーテル鎖Ｂを有し、末端に水酸基を有する単位Ｄが結合した構造をなしている。すなわち、この化合物は、中央に有するジフルオロメチレン基の鎖状構造の各端部に、Ａ、Ｂ、Ｄが順に結合されている。
【００５４】
【化２２】
2018159250.tif 000024
【００５５】
（式中、Ａは少なくとも１つの極性基を含む連結基を表し、Ｂは下記式（２）、下記式（３）、下記式（４）または下記式（５）のいずれかを表し、Ｄは水酸基、下記式（６）、下記式（７）または下記式（８）のいずれかを表し、ｌは１〜１０の整数を表す。）
【００５６】
【化２３】
2018159250.tif 000025
（式中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは１〜３０の整数を表す。式（２）において、２つの繰り返し単位の並び順は、特に限定されず、式（２）に示す順番と逆であってもよい。）
【００５７】
【化２４】
2018159250.tif 000026
（式中、ｍは１〜３０の整数を表す。）
【００５８】
【化２５】
2018159250.tif 000027
（式中、ｐは１〜３０の整数を表す。）
【００５９】
【化２６】
2018159250.tif 000028
（式中、ｑは１〜３０の整数を表す。）
【００６０】
【化２７】
2018159250.tif 000029
（式中、ｒは０〜５の整数を表す。）
【００６１】
【化２８】
2018159250.tif 000030
（式中、ｓは０〜５の整数を表す。）
【００６２】
【化２９】
2018159250.tif 000031
（式中、ｔは１〜５の整数を表す。）
【００６３】
一般式（１）において、ｌは、３〜８であることが好ましく、４〜６であればがより好ましい。
一般式（１）におけるｌは、シリコーンコンタミ耐性等の本実施形態の潤滑剤に求められる性能に応じて適宜調整される。
【００６４】
一般式（１）におけるＡは、前述のジフルオロメチレン基（−ＣＦ２−）からなる鎖状構造と、後述の含フッ素エーテル基とを結合する少なくとも１つの極性基を有する炭素原子数が１〜２０の連結基であればよい。極性基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アミノカルボニル基等が挙げられる。Ａは、下記式（９）で表される連結基であることが好ましい。
【００６５】
【化３０】
2018159250.tif 000032
（式中、ｕは１〜５の整数を表す。）
【００６６】
一般式（１）において、Ａが上記式（９）で表わされる場合、ｕは、１〜５であり、１〜３であれば好ましく、１または２であればより好ましい。
一般式（１）におけるＡの構造や、上記式（９）におけるｕは、シリコーンコンタミ耐性等の本実施形態の潤滑剤に求められる性能に応じて適宜調整される。
【００６７】
一般式（１）において、Ｂが上記式（２）で表わされる場合、ｍは、３〜２０であることが好ましく、４〜１０であればより好ましい。また、ｎは、３〜２０であることが好ましく、４〜１０であればより好ましい。
式（２）において、２つの繰り返し単位の並び順は、特に限定されず、式（２）に示す順番と逆であってもよい。
【００６８】
一般式（１）において、Ｂが上記式（３）で表わされる場合、ｍは、３〜２０であることが好ましく、４〜１０であればより好ましい。
一般式（１）において、Ｂが上記式（４）で表わされる場合、ｐは、３〜２０であることが好ましく、４〜１０であればより好ましい。
一般式（１）において、Ｂが上記式（５）で表わされる場合、ｑは、３〜２０であることが好ましく、４〜１０であればより好ましい。
一般式（２）〜（５）におけるＢのｍ、ｎ、ｐおよびｑは、それぞれ、シリコーンコンタミ耐性等の本実施形態の潤滑剤に求められる性能に応じて適宜調整される。
【００６９】
一般式（１）において、Ｄは、水酸基または上記式（６）〜（８）のいずれかで表わされる。
一般式（１）において、Ｄが上記式（６）で表わされる場合、ｒは、０〜４であることが好ましく、０〜２であればより好ましい。
一般式（１）において、Ｄが上記式（７）で表わされる場合、ｓは、１〜４であることが好ましく、１〜２であればより好ましい。
一般式（１）において、Ｄが上記式（８）で表わされる場合、ｔは、１〜４であることが好ましく、１〜２であればより好ましい。
一般式（１）におけるＤの構造や、上記式（６）におけるｒ、上記式（７）におけるｓ、および、上記式（８）におけるｔは、シリコーンコンタミ耐性等の本実施形態の潤滑剤に求められる性能に応じて適宜調整される。
【００７０】
一般式（１）で表される化合物は、数平均分子量が１０００〜１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が２０００〜６０００の範囲内であることがより好ましく、２０００〜４０００の範囲内であることがさらに好ましい。
一般式（１）で表される化合物の数平均分子量が１００００を超えると、粘度が高く扱い難くなることがある。一方、一般式（１）で表される化合物の数平均分子量が１０００未満では、潤滑剤が基板から蒸散し易くなり、蒸散した潤滑剤が磁気ヘッドに付着し、ハードディスクドライブに負荷がかかることがある。
数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めることができる。
ＧＰＣの測定条件は、以下の通りである。
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ製  ＫＦ８０３、溶離液：フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）／アセトン＝４／１（ｖ／ｖ）、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：ＥＬＳＤ。
【００７１】
また、本実施形態の潤滑剤には、一般式（１）で表される化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤として使用されている公知の他の化合物が含まれていてもよい。
そのような化合物としては、例えば、一般式（１）で表される化合物以外の含フッ素エーテル化合物、他の官能基を有する含フッ素エーテル化合物が挙げられる。これら上記の一般式（１）で表される化合物以外の含フッ素エーテル化合物を含有する潤滑剤を「他の潤滑剤」と呼ぶ。本実施形態の潤滑剤には、これらの他の潤滑剤を必要に応じて混合して用いることができる。他の潤滑剤の具体例としては、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）  ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ  ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ  ＡＭ−２００１（以上Ｓｏｌｖｅｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ  Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）が挙げられる。他の潤滑剤としては、数平均分子量が１０００〜１００００であるものを用いることが好ましい。
上記他の潤滑剤を併用する場合、本実施形態の潤滑剤中の一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。
【００７２】
炭素または炭化ケイ素からなる保護層上に上記一般式（１）の化合物を含む本実施形態の潤滑層を形成した場合、この化合物を構成する２つの連結基Ａに各々存在する少なくとも１つの極性基と、２つの水酸基とが、保護層に含まれる炭素原子と強く結合する。その結果として、潤滑層と保護層とを高い結合力で結合することができる。そのため、潤滑層の厚みを十分に薄くすることができる。
【００７３】
すなわち、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みを薄くしても、塗布によって形成された潤滑層がアイランド状または網目状とならずに、ほぼ均一の厚さで保護層の表面を高い被覆率で被覆した潤滑層を形成することができる。また、形成された潤滑層は、磁気記録媒体を構成する各層に、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、隙間から侵入することを防止する機能を有している。よって、本実施形態の潤滑層によれば、その表面上に存在する汚染物質が少ない磁気記録媒体を提供することができる。
【００７４】
［磁気記録媒体］
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
【００７５】
「基板」
基板１１としては、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
【００７６】
「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合において、基板１１の腐食の進行を防止するための層である。
付着層１２の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等から適宜選択できる。
付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００７７】
「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性層１３がＡＦＣ結合した構造を有していることにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに、垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【００７８】
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなる膜であることが好ましい。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなる膜である場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。
また、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００７９】
「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられた第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層であり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層１６の磁化の方向をより強固に基板１１と垂直な方向に固定するために設けられている。
第１下地層１４は、ＮｉＷ合金からなる層であることが好ましい。第１下地層１４がＮｉＷ合金からなる層である場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００８０】
「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００８１】
「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなることが好ましい。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
【００８２】
磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
【００８３】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００８４】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性および熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００８５】
また、磁性層１６が複数層からなる場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
【００８６】
磁性層１６の間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。
【００８７】
また、磁性層１６の間に設けられる非磁性層としては、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００８８】
また、磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。
【００８９】
「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護するための層である。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７は、炭素系保護層（炭素または炭化ケイ素からなる層）であり、炭素からなることが好ましい。
保護層１７上に形成されている潤滑層１８は、炭素との結合力が非常に高い層である。
保護層１７が炭素または炭化ケイ素からなる場合、保護層１７に含まれる炭素原子と潤滑層１８とが結合して、保護層１７と潤滑層１８とが高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０となり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。
【００９０】
特に、保護層１７が炭素からなる場合、保護層１７に含まれる炭素原子と潤滑層１８との結合に起因する潤滑層１８と保護層１７との結合力がより一層高くなる。このため、保護層１７が炭素からなる場合、磁気記録媒体１０の表面の汚染をより効果的に防止できるとともに、潤滑層１８の厚みをより薄くしても十分に高い被覆率で保護層１７の表面を被覆できる。
保護層１７の成膜方法としては、カーボンターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法，ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
【００９１】
「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止するとともに、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる層である。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成され、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤からなる層である。
【００９２】
潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜３ｎｍ（３０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）であることがより好ましい。
潤滑層１８の平均膜厚を０．５ｎｍ以上とすることにより、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならず均一の膜厚で、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。
また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１０の記録密度を高くすることができる。
【００９３】
保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着したイオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質を含む水が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入することがある。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、潤滑層１８の下に隠されていた微少なイオン成分を凝集させて、イオン性の汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）が磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
このような潤滑層１８の隙間からの環境物質の侵入に起因する問題は、磁気記録媒体１０を高温条件下に保持した場合、より顕著に現れる。
【００９４】
汚染物質を生成させる環境物質は、例えば、イオン性不純物である。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。
【００９５】
「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８は、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、製造途中の磁気記録媒体の保護層１７上に、潤滑層形成用溶液を塗布することにより形成する。
潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を溶媒で希釈して、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
【００９６】
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
【００９７】
潤滑層形成用溶液の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、次の処理を行う。ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬し、その後、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。これにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布することができる。ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚の潤滑層１８を形成できる。
【００９８】
本実施形態の磁気記録媒体１０では、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられ、保護層１７が、炭素または炭化ケイ素からなり、潤滑層１８が保護層１７上に接して形成され、潤滑層１８が上述の実施形態の磁気記録媒体用の潤滑剤からなる。この潤滑剤には、上記一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の２つの連結基Ａの各々に存在する少なくとも１つの極性基と、２つの末端Ｄの各々に存在する少なくとも１つの水酸基とが、含まれている。２つの連結基Ａの各々に存在する少なくとも１つの極性基と、２つの末端Ｄの各々に存在する少なくとも１つの水酸基とが、保護層１７に含まれる炭素原子と強く結合することにより、潤滑層１８と保護層１７とが高い結合力で結合されるため、潤滑層１８の厚みを十分に薄くすることが可能となる。
【００９９】
すなわち、本実施形態の磁気記録媒体１０は、潤滑剤塗布厚みを薄くしてもアイランド状または網目状とならずに、ほぼ均一の膜厚で保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる潤滑層１８を備え、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が潤滑層１８の隙間から侵入することが防止される。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、その表面上に存在する汚染物質が少なくなる。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。【０１０１】
＜実施例１＞
（化合物の合成）
１００ｍＬのナスフラスコに、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキサン−１，６−ジオール１ｇと、アセトン１９ｍＬと、水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ／水＝０．８ｇ／１９ｇ）１９．８ｇとを投入し、７０℃に加熱し、還流しながら、１時間撹拌した。
次いで、上記の混合物にエピクロロヒドリン１５ｍＬを加え、さらに、７０℃に加熱し、還流しながら、５時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸マグネシウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去し、さらに、カラム精製を行い、下記式（１８）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１（１．２ｇ）を得た。
得られた化合物１の１Ｈ−ＮＭＲ測定および１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝２．６０（２Ｈ），２．７７（２Ｈ），３．１０〜３．１５（２Ｈ），３．５４（２Ｈ），３．９２〜４．２０（６Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２５．４３（４Ｆ），−１２２．１５（４Ｆ）【０１０２】
【化３１】
2018159250.tif 000033
【０１０３】
窒素雰囲気下、１００ｍＬのナスフラスコに、化合物１（１ｇ）と、ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｍ＝１〜７、ｎ＝１〜７、数平均分子量８００、分子量分布１．１）２２ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．８ｇを加え、７０℃に加熱しながら、８時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１８ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（１７）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２ａ（４．５ｇ）を得た。なお、下記式（１７）におけるＲｆ１は、下記式（１１）で表わされる。
得られた化合物２ａの１Ｈ−ＮＭＲ測定および１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝３．７２〜３．８８（８Ｈ），３．８８〜４．０４（６Ｈ），４．０５〜４．２２（８Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２４．０９（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（２７Ｆ），−８３．１９（２Ｆ），−８１．１３（２Ｆ），−８０．６１（２Ｆ），−７８．５８（２Ｆ），−５５．６５〜−５１．３７（１２Ｆ）【０１０４】
【化３２】
2018159250.tif 000034
【０１０５】
【化３３】
2018159250.tif 000035
【０１０６】
（シリコーンコンタミ耐性評価）
化合物２ａをバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解させ、塗布時の膜厚が１０Å〜１５Åになるように、化合物２ａの希釈液を調製し、ディップ法により、図１に示す構成の直径６５ｍｍの磁気記録媒体の保護層上に塗布した。
このとき、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で、ディップ法により、保護層上に希釈液を塗布し、化合物２ａからなる潤滑層を形成した。
潤滑層の膜厚を、ＦＴ−ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ  ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。
次に、ＬＵＬ（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ）方式のハードディスクドライブを準備し、潤滑層を形成した磁気記録媒体を搭載した。ヘッドには、垂直磁気記録用ヘッドを用いた。
このハードディスクドライブ内に、市販のシリコーンゴムゲルチップ（１ｃｍ×１ｃｍ×０．５ｃｍ）を入れ、次の環境下で連続ＬＵＬ動作を繰り返した。
Ｄｒｙ（相対湿度１０％以下）環境２５℃→６０℃→２５℃の５時間サイクル運転（立ち上げ、立ち下げ各１時間）を、以下の不具合が発生するまで続けた（図２参照）。
ハードディスクドライブのスピンドルモーターの駆動電流が、閾値を超えた時点を耐久時間とした。化合物２ａからなる潤滑層が隙間なく均一であると、シリコーンゴムゲルチップから気化した環状シロキサンの磁気記録媒体への付着が防止され、ハードディスクドライブのスピンドルモーターに負荷がかからず、その結果、耐久時間が長くなる。一方、化合物２ａからなる潤滑層に隙間があると、気化した環状シロキサンが磁気記録媒体に付着し、ハードディスクドライブのスピンドルモーターに負荷がかかり、耐久時間が短くなる。
耐久時間が１５０時間以上の場合を「○」、耐久時間が１００時間以上、１５０時間未満の場合を「△」、耐久時間が１００時間未満の場合を「×」と評価した。
結果を表１に示す。【０１０７】
（オクタコサン付着試験）
上述のシリコーンコンタミ耐性評価と同様にして、化合物２ａからなる潤滑層を形成した磁気記録媒体を作製した。
それとは別に、直径４．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍの凹部を形成した治具を準備し、その穴にオクタコサン（Ｃ２８Ｈ５８）５０ｐｐｍ溶液（溶媒ヘキサン）を１０μＬ滴下し、ヘキサンを完全に蒸発させた。
次に、オクタコサンが入っている治具に、潤滑層を形成した磁気記録媒体を被せた。
次いで、磁気記録媒体を治具とともにガラスシャーレに入れ、さらに、アルミホイルでくるんだ状態で、８０℃にて、２４時間加熱した後、室温で２４時間静置した。
その後、治具と向かい合った側の磁気記録媒体の表面全面を、ＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒ：Ｃａｎｄｅｌａ  ６３００、ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製）で観察した。
ＯＳＡによる観察において、分割した微小エリアの散乱光強度がある一定強度を超えた場合を１カウントとし、その散乱光の数を計測した。化合物２ａからなる潤滑層が隙間なく均一である（塗膜の被覆率が高い）場合には、気化したオクタコサンの磁気記録媒体への付着が妨げられるため、カウント数は少なくなる。一方、化合物２ａからなる潤滑層に隙間があると、気化したオクタコサンが磁気記録媒体の表面に付着して結晶となり、光を強く散乱するため、散乱光のカウント数は多くなる。
散乱光の数が１００個未満の場合を「○」、散乱光の数が１００個以上、５００個未満の場合を「△」、散乱光の数が５００個以上の場合を「×」と評価した。
結果を表１に示す。【０１０８】
＜実施例２＞
窒素雰囲気下、２０ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物２ａ（４ｇ）と、ｔ−ブタノール４０ｍＬとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．５ｇを加え、７０℃に加熱しながら、グリシドールを２５０μＬ加え、８時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１８ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（１０）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物３ａ（２ｇ）を得た。なお、下記式（１０）におけるＲｆ１は、上記式（１１）で表わされる。
得られた化合物３ａの１Ｈ−ＮＭＲ測定および１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝３．７０〜４．０４（２０Ｈ），４．０５〜４．２２（１２Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２４．０９（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（２７Ｆ），−８０．６１（４Ｆ），−７８．５８（４Ｆ），−５５．６５〜−５１．３７（１２Ｆ）
また、化合物３ａを用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に、化合物３ａからなる潤滑層を形成し、実施例１と同様にして、化合物３ａについて、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。結果を表１に示す。【０１０９】
【化３４】
2018159250.tif 000036
【０１１０】
＜実施例３＞
窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物２ａ（４．５ｇ）と、ｔ−ブタノール５９ｍＬとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にエピブロモヒドリン４．３ｇと、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．７ｇとを順次加え、７０℃に加熱しながら、９時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去し、さらに、カラム精製を行い、下記式（１９）で表される化合物からなる淡黄色液状の化合物４ａ（４．５ｇ）を得た。なお、下記式（１９）におけるＲｆ１は、上記式（１１）で表わされる。
得られた化合物４ａの１Ｈ−ＮＭＲ測定および１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝２．５８〜２．６４（２Ｈ），２．７５〜２．８１（２Ｈ），３．０８〜３．１７（２Ｈ），３．５８（２Ｈ），３．７０〜４．２５（２４Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２４．１０（４Ｆ），−１２０．７２（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（２７Ｆ），−８０．７０（２Ｆ），−８０．５８（２Ｆ），−７８．６９（２Ｆ），−７８．５８（２Ｆ），−５５．６５〜−５１．３７（１２Ｆ）【０１１１】
【化３５】
2018159250.tif 000037
【０１１２】
窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物４ａ（４．３ｇ）と、ｔ−ブタノール７４ｍＬとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物に２，２，３，３−フルオロブタン−１，４−ジオール４．４ｇと、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．８ｇとを順次加え、７０℃に加熱しながら、９時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１８ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（１２）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物５ａ（３．５ｇ）を得た。なお、下記式（１２）におけるＲｆ１は、上記式（１１）で表わされる。
得られた化合物５ａの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝３．６７〜４．０５（２４Ｈ），４．０５〜４．２２（１６Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２５．２７（４Ｆ），−１２４．０９（４Ｆ），−１２３．３１（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（２７Ｆ），−８０．５５（４Ｆ），−７８．５５（４Ｆ），−５５．６５〜−５１．３７（１２Ｆ）
また、化合物５ａを用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に、化合物５ａからなる潤滑層を形成し、実施例１と同様にして、化合物５ａについて、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。結果を表１に示す。【０１１３】
【化３６】
2018159250.tif 000038
【０１１４】
＜実施例４＞
窒素雰囲気下、１００ｍＬのナスフラスコに、化合物１（１ｇ）と、ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍＯＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｍ＝１〜９、数平均分子量８００、分子量分布１．０２）２２ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．８ｇを加え、７０℃に加熱しながら、８時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１８ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（１３）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２ｂ（４．４ｇ）を得た。なお、下記式（１３）におけるＲｆ２は、下記式（１４）で表わされる。
得られた化合物２ｂの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝３．７１〜３．８９（８Ｈ），３．８８〜４．０４（６Ｈ），４．０５〜４．２２（８Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２４．０９（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（４０Ｆ），−８１．１３（４Ｆ），−７８．５８（４Ｆ）
また、化合物２ｂを用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に、化合物２ｂからなる潤滑層を形成し、実施例１と同様にして、化合物２ｂについて、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。結果を表１に示す。【０１１５】
【化３７】
2018159250.tif 000039
【０１１６】
【化３８】
2018159250.tif 000040
【０１１７】
＜実施例５＞
窒素雰囲気下、２０ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物２ｂ（４ｇ）と、ｔ−ブタノール４０ｍＬとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．５ｇを加え、７０℃に加熱しながら、グリシドール２５０μＬを加えて、８時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１８ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（１５）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物３ｂ（２．２ｇ）を得た。なお、下記式（１５）におけるＲｆ２は、上記式（１４）で表わされる。
得られた化合物３ｂの１Ｈ−ＮＭＲおよび１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝３．７１〜３．８９（８Ｈ），３．８８〜４．０４（６Ｈ），４．０４〜４．２４（８Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２４．０９（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（４０Ｆ），−７８．５８（８Ｆ）
また、化合物３ｂを用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に、化合物３ｂからなる潤滑層を形成し、実施例１と同様にして、化合物３ｂについて、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。結果を表１に示す。【０１１８】
【化３９】
2018159250.tif 000041
【０１１９】
＜実施例６＞
窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物２ｂ（４．２ｇ）と、ｔ−ブタノール５８ｍＬとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にエピブロモヒドリン４．１ｇと、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．７ｇとを順次加え、７０℃に加熱しながら、９時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去し、下記式（２０）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物４ｂ（４．１ｇ）を得た。なお、下記式（２０）におけるＲｆ２は、上記式（１４）で表わされる。
得られた化合物４ｂの１Ｈ−ＮＭＲ測定および１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝２．５８〜２．６４（２Ｈ），２．７５〜２．８１（２Ｈ），３．０８〜３．１７（２Ｈ），３．５８（２Ｈ），３．７０〜４．２５（２４Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２４．０９（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（４０Ｆ），−７８．７１（４Ｆ），−７８．５８（４Ｆ）【０１２０】
【化４０】
2018159250.tif 000042
【０１２１】
窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物４ｂ（４．０ｇ）と、ｔ−ブタノール７０ｍＬとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物に２，２，３，３−フルオロブタン−１，４−ジオール４．２ｇと、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．７ｇとを順次加え、７０℃に加熱しながら、９時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１８ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（１６）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物５ｂ（３．４ｇ）を得た。なお、下記式（１６）におけるＲｆ２は、上記式（１４）で表わされる。
得られた化合物５ｂの１Ｈ−ＮＭＲ測定および１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝３．６７〜４．０５（２４Ｈ），４．０５〜４．２２（１６Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ６＝４／１（ｖ／ｖ））：δ（ｐｐｍ）＝−１２５．２７（４Ｆ），−１２４．０９（４Ｆ），−１２３．３１（４Ｆ），−１２０．７０（４Ｆ），−９１．００〜−８８．４９（４０Ｆ），−７８．６８（４Ｆ），−７８．５５（４Ｆ）
また、化合物５ｂを用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に、化合物５ｂからなる潤滑層を形成し、実施例１と同様にして、化合物５ｂについて、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。結果を表１に示す。【０１２２】
【化４１】
2018159250.tif 000043
【０１２３】
（比較例）
Ｓｏｌｖｅｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌ（分子量約２０００、下記式（２１）に示す。）を用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に、この化合物からなる潤滑層を形成し、実施例１と同様にして、この化合物について、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。結果を表１に示す。【０１２４】
【化４２】
2018159250.tif 000044
【０１２５】
【表１】
2018159250.tif 000045
【０１２６】
表１の結果から、実施例１〜６の化合物を用いて磁気媒体上に潤滑層を形成した場合、比較例の化合物を用いて磁気媒体上に潤滑層を形成した場合よりも、高い被覆率で磁気記録媒体の表面を被覆でき、シリコーンコンタミ耐性に優れることが分った。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みを薄くしても、高い被覆率で磁気記録媒体の保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。
【図１】
2018159250.tif 000068
【図２】
2018159250.tif 000069
【国際調査報告】
2018159250.tif 000070
2018159250.tif 000071
2018159250.tif 000072