【事件の表示】
　特願２００１−１４６０３７「回路部品の製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２９日出願公開、特開２００２−３４４１１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１３年５月１６日の出願であって、平成１７年７月２７日付の拒絶理由通知に対し、同年９月１４日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１２月８日付で拒絶査定がなされ、これを不服として平成１８年１月１０日付で審判請求がなされるとともに、同年２月１日付で手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１８年２月１日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年２月１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲についての補正事項を含んでおり、補正前後の特許請求の範囲は、次のとおりである。
　
＜補正前の特許請求の範囲＞
　「【請求項１】　絶縁体材料からなる所定形状の絶縁体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの導電層が形成される回路部品の製法であって、
　上記絶縁体材料から前記所定形状の絶縁体基体を形成する工程と、
　上記所定形状に形成された絶縁体基体の全表面に一次めっきとして無電解めっきにより前記導電性材料からなる導電体層を形成する工程と、
　上記導電体層が形成された絶縁体基体の表面のうち、前記所定のパターンの導体層が形成されるべき部分を露出させて射出成形することにより上記絶縁体基体にポリ乳酸、脂肪族ポリエステル、またはポリ乳酸と脂肪族ポリエステルとの混合体または共重合体の樹脂マスクを射出成形により一体に形成する工程と、
　上記露出した導電体層の部分に二次めっきとして酸性浴組成による電解めっきの導体層を積層する工程と、
　上記樹脂マスクをアルカリ水溶液で加水分解により除去する工程と、
　上記一次めっきの導電体層を化学エッチングで除去して上記絶縁体基体の表面上に所定パターンの導体層を形成する工程と
　を含むことを特徴とする回路部品の製法。」
　
＜補正後の特許請求の範囲＞
　「【請求項１】　絶縁体材料からなる所定形状の絶縁体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの導電層が形成される回路部品の製法であって、
　上記絶縁体材料から前記所定形状の絶縁体基体を形成する工程と、
　上記所定形状に形成された絶縁体基体の全表面に一次めっきとして無電解めっきにより前記導電性材料からなる導電体層を形成する工程と、
　上記導電体層が形成された絶縁体基体の表面のうち、前記所定のパターンの導体層が形成されるべき部分を露出させて射出成形することにより上記絶縁体基体にポリ乳酸、脂肪族ポリエステル、またはポリ乳酸と脂肪族ポリエステルとの混合体または共重合体の樹脂マスクを射出成形により一体に形成する工程と、
　上記露出した導電体層の部分に二次めっきとして酸性浴組成による電解めっきの導体層を積層する工程と、
　上記樹脂マスクをアルカリ水溶液で加水分解により除去する工程と、
　上記一次めっきの導電体層を化学エッチングで除去して上記絶縁体基体の表面上に所定パターンの導体層を形成する工程とを含み、
　上記樹脂マスクは、酸性水溶液に対して耐性を示す性質があることを特徴とする回路部品の製法。」
　
［２］補正の適否について
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「樹脂マスク」について、「樹脂マスクは、酸性水溶液に対して耐性を示す性質がある」との限定を付加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるか否か）について、以下検討する。
　
１．引用刊行物及びその摘記事項
　平成１７年７月２７日付の拒絶理由通知に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−１９６８４０号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特開２０００−８０４８０号公報（以下「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開平６−１９６８４０号公報
（１ａ）「【０００３】図１及び図２は立体回路板の製造の各工程を示すものであり、図１及び図２に基づいて立体回路板の製造の一例の概略を説明する。まず図１（ａ）のように立体的に表面を有する回路基板１を樹脂成形することによって作成し、表面を粗面化した後に、無電解メッキをおこなって図１（ｂ）のように回路基板１の表面の全面に無電解メッキ層２を施し、次にこの上から図１（ｃ）のようにフォトレジスト３を全面に亘って塗着し、図１（ｄ）のようにフォトマスク４を被せて露光した後に現像し、回路形成部分のフォトレジスト３を除去する。この後に無電解メッキ層２に通電して電気メッキをおこなうことによって、図２（ａ）のように無電解メッキ層２のフォトレジスト３で覆われていない露出面に電気メッキ層５を析出させ、さらにこの電気メッキ層５の上に図２（ｂ）のようにニッケルメッキや金メッキをしてこれらのメッキ層７を形成した後に、図２（ｃ）のようにフォトレジスト３を剥離すると共に無電解メッキ層２の不要部分をエッチングすることによって無電解メッキ層２と電気メッキ層５及びニッケルと金のメッキ層７で構成される回路６の形成をおこなうことができる。
　・・・
　　　　【０００５】さらに、図１（ｃ）の工程のように回路基板１の表面にフォトレジスト３を塗着するにあたって、立体的な回路基板１の表面に均一な厚みでフォトレジスト３を塗着するために、前記特開平４−７６９８５号公報に開示されるようにフォトレジスト３として電着レジストを用いて電着塗装をすることがおこなわれている。そしてこの電着レジストとしては前記特開平１−２０６６９２号の実施例において使用されているようにアニオン型電着レジストが一般的である。・・・
　・・・
　　　　【０００８】・・・さらに、フォトレジスト３としてカチオン型の電着レジストを用いて回路基板１にフォトレジスト３を電着塗装し、このフォトレジスト３をめっきレジストとして用いて金メッキをおこなうようにしてある。」
　
（１ｂ）「【００２２】上記各実施例では回路基板１に粗面を設けて無電解メッキのための触媒核の吸着力を高めるようにしているが、・・・本発明では回路基板１の表面に粗面を形成しないで無電解メッキをおこなうこともできる。・・・
　　　　【００２３】上記のようにして図１（ｂ）のように回路基板１の表面の全面に無電解メッキ層２を形成した後、この上の全面に亘って図１（ｃ）のようにフォトレジスト３を塗着する。・・・電着塗装することによってフォトレジスト３の塗着をおこなうものである。レジスト電着工程の一例を説明すると、・・・乳酸・・・を用いて・・・回路基板１の表面を前処理する。次に図９（ｂ）に示すように回路基板１を・・・電着レジスト液３０に浸漬すると共に電着レジスト液３０に電極１０を差込み、回路基板１の表面に形成した無電解メッキ層２を陰極に接続すると共に電極１０を陽極に接続し、両者間に直流電流を流すことによっておこなうことができる。・・・また電着レジスト液３０を・・・通電することによって電着塗装をおこなうことができる。」
　
（１ｃ）「【００２６】上記のようにして露光・現像をおこなって回路形成部分のフォトレジスト３を除去し、回路形成部分の無電解メッキ層２を露出させた後、無電解メッキ層２に通電して電気銅メッキなど電気メッキを施す。電気メッキ工程の一例を説明すると、・・・硫酸・・・溶液を用いて・・・酸洗する。そして硫酸銅８０ｇ／リットル、硫酸１８０ｇ／リットル、塩素イオン５０ｍｇ／リットルの組成の「トップルチナ」をメッキ浴として用いて、・・・電気メッキをおこない、図２（ａ）のように無電解メッキ層２の露出部のみに電気メッキ層５を・・・析出させる。
　・・・
　　　　【００２９】上記のようにして図２（ａ）のようにフォトレジスト３を除去して露出された無電解メッキ層２の上に電気メッキ層５を電気メッキする・・・。」
　
（１ｄ）「【００３４】上記のようにして電気メッキをおこなった後に、・・・「・・・剥離液」を用いて回路基板１を・・・処理することによって、回路基板１の表面のフォトレジスト３を剥離する。さらに過硫酸アンモニウムを用いて・・・処理してソフトエッチングをおこなうことによって、回路形成部以外の不要な無電解メッキ層２を回路基板１の表面から溶解除去し、・・・乾燥する。このようにして図２（ｃ）に示すように、無電解メッキ層２と電気メッキ層５・・・からなる回路６のパターン形成をおこなうことができるものであ・・・る。」
　
（２）刊行物２：特開２０００−８０４８０号公報
（２ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、・・・特に、プリント基板、リードフレームインサート成形回路部品等の電子・電気部品を製造するための上記基体への部分的メッキ方法に関する。
　　　　【０００２】
【技術背景】従来から、合成樹脂基体（成形品）を部分的にメッキする方法として、（１）成形品を表面粗化（・・・）し、・・・メッキするための触媒を付与した後、メッキすべき部分を残して・・・レジストを塗布し、次いでメッキし、レジストを除去する方法、（２）上記触媒付与後の成形品を金型にインサートし、この金型内にプラスチックやゴム等（電気絶縁材料）を注入（射出）して、成形品のメッキすべき部分以外の部分を被覆し、次いでメッキし、必要に応じて被覆材を除去する方法、等が知られている（・・・）。
　　　　【０００３】しかし、上記（１）の方法では、レジスト塗布後に熱乾燥等によるレジストの硬化工程が必要である。また、メッキ後のレジストの除去に際して塩化メチレン等の有機溶剤の使用を余儀なくされ、この塩化メチレン等の有機溶剤は、・・・オゾン層破壊の原因物質とされ、廃棄量が増大すれば、皮膚ガンや白内障の増加、あるいは・・・生態系の破壊が懸念される。上記（２）の方法では、被覆材の密着性が低いため、被覆材の境界面にメッキ液が入り込み、寸法精度が低い。また、必要に応じて被覆材を除去する場合は、上記のレジストと同様の懸念がある。しかも、上記（１）、（２）の方法とも、成形品の全面に、メッキ用の触媒が付与されているため、メッキ後、すなわち回路成形後の電気的な表面抵抗値が低い。
　　　　【０００４】
【発明の目的】本発明は、レジストの塗布・硬化・除去工程がなく、従って有機溶剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮することもできる合成樹脂あるいは他の材料製の基体へのメッキ方法であって、しかも寸法精度が高く、かつ電気的表面抵抗値の高い、高品質の電子・電気部品とすることができる、基体への部分的メッキ方法を提供することを目的とする。」
　
（２ｂ）「【０００５】
【発明の概要】本発明は、上記目的を、メッキしたい部分以外の部分を水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料を被覆材として使用することにより達成しようとするものである。・・・
　　　　【０００６】・・・・・
　　　　【０００７】以上の本発明によれば、・・・加水分解性高分子材料を被覆材として使用するため、該被覆材の除去を、有機溶剤を使用することなく、・・・加水分解性高分子材料ではアルカリ水溶液や酸液を使用することで行うことができる。」
　
（２ｃ）「【００１２】〔被覆材〕また、被覆材としては、前記の・・・加水分解性の高分子材料であり、上記の基体の上で一定形状に成形し得る材料が使用でき、・・・具体的には、・・・加水分解性のポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体・・・である。・・・
　・・・
　　　　【００１４】また、上記のポリ乳酸は単独で使用してもよいし、あるいはポリ乳酸を主成分とし、これに脂肪族ポリエステル・・・の単独又は２種以上を、混合したものや、ランダム共重合又はブロック共重合させたものであってもよい・・・。」
　
（２ｄ）「【００１７】上記被覆材を除去するには、・・・加水分解性高分子材料の場合はアルカリ水溶液や酸液（各種の無機酸の液）を用いて行う。・・・被覆材が加水分解性高分子材料、特にポリ乳酸の場合は、・・・カ性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）水溶液中に・・・浸漬して除去するのが好ましい。」
　
（２ｅ）「【００２６】〔メッキ〕本発明におけるメッキ方法は、公知のメタライジング方法（無電解メッキ方法や電気メッキ方法）が採用できる。・・・」
　
（２ｆ）「【００２８】
【実施例】実施例１
〔基体の成形工程〕・・・
　　　　【００２９】〔基体表面の粗化工程〕芳香族系ポリエステル・・・により、１次金型を用いて、・・・基体１を成形した。・・・
　　　　【００３０】〔基体の被覆工程〕表面粗化後の基体１をセットし・・・た２次金型内に、・・・被覆材３としての水溶性高分子材・・・を、・・・射出し、図２（斜視図）に示す態様の部分被覆３成形品を得た。・・・
　　　　【００３１】〔メッキ用触媒の付与工程および被覆材の除去工程〕・・・部分被覆成形品の被覆材３以外の部分にメッキ用触媒を付与すると共に、被覆材３の溶解除去を行った。・・・メッキ用触媒の付与と被覆材３の除去とが同時に良好に行われた。
　　　　【００３２】〔メッキ工程〕被覆材３除去後の基体１に、表３に示す組成の銅メッキ浴を使用し、表４に示すメッキ条件で、・・・無電解銅メッキを施し、図３に示す態様のものを得た。また、無電解銅メッキを・・・施した後、電気銅メッキを・・・施した場合も、同様の態様のものを得た。なお、図３中、符号４で示す部分が銅メッキが施された部分であり、図３に示すように、この銅メッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に施されていた。」
　
（２ｇ）「【００４０】実施例２
〔基体の成形工程〕・・・
　　　　【００４１】〔基体表面の粗化工程〕・・・
　　　　【００４２】〔基体の被覆工程〕表面粗化後の基体１をセットし・・・被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸樹脂・・・）を、・・・射出し、図２（斜視図）に示す態様の部分被覆３成形品を得た。・・・
　　　　【００４３】〔メッキ用触媒の付与工程〕水に、メッキ用触媒塩・・・を・・・添加し、更にＨＣｌを・・・添加し、これを・・・保持し、この溶液中に上記の部分的被覆形成品を・・・浸漬した後、水洗し、・・・塩酸・・・中に・・・浸漬・・・し、部分被覆形成品の被覆材３以外の部分にメッキ用触媒を付与した。
　　　　【００４４】〔被覆材の除去工程〕メッキ用触媒を付与した後の基体１を、・・・ＮａＯＨ水溶液中に・・・浸漬して、被覆材３を除去した。
　　　　【００４５】なお、ポリ乳酸による被覆材３の厚さを実施例１と同じ・・・とした場合は、いずれの場合も、上記のメッキ用触媒の付与工程において、メッキ用触媒の付与と同時に被覆材３の除去を行うことができた。
　　　　【００４６】〔メッキ工程〕この部分的被覆成形品に、実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。また、実施例１と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電気銅メッキを施した。いずれの場合も、実施例１と同様に、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に、銅メッキ４が施されていた。」
　
（２ｈ）「【００４７】実施例３
〔基体の成形工程〕・・・
　　　　【００４８】〔基体の被覆工程〕この基体１をセットし、実施例２と同様にして加水分解性樹脂を射出し、実施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
　　　　【００４９】〔基体表面の粗化工程〕上記の部分的被覆成形品を、・・・ジメチルホルムアミド溶液に・・・浸漬して、被覆材３以外の部分すなわち基体１の表面を膨潤させた後、水洗し、次いで・・・濃硫酸・・・に・・・浸漬して、この膨潤部分を粗化した。
　　　　【００５０】〔メッキ用触媒の付与工程〕・・・
　　　　【００５１】〔被覆材の除去工程〕・・・
　　　　【００５２】〔メッキ工程〕・・・」
　
（２ｉ）「【００６０】実施例５
〔基体の成形工程〕実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形した。
　　　　【００６１】〔基体表面の粗化工程〕・・・
　　　　【００６２】〔メッキ用触媒の付与工程〕・・・
　　　　【００６３】〔基体の被覆工程〕実施例２で用いたものと同じ加水分解性樹脂により、実施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
　　　　【００６４】〔メッキ工程〕実施例１と同様にして、・・・無電解銅メッキを施した。
　　　　【００６５】〔被覆材の除去工程〕・・・苛性ソーダ溶液に・・・浸漬し、被覆材を加水分解して除去した。
　　　　【００６６】〔後メッキ工程〕無電解銅メッキが施された成形品の全面に、再度、実施例１と同様にして、・・・無電解銅メッキを施した。」
　
２．刊行物１記載の発明
(ア)刊行物１の摘記（１ａ）には、図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ａ）〜（ｄ）に示された立体回路板の製造の各工程について記載されている。
(イ)同摘記（１ｃ）には、硫酸銅８０ｇ／リットル、硫酸１８０ｇ／リットル、塩素イオン５０ｍｇ／リットルの組成のメッキ浴を用いて、該図２（ａ）に示されたような電気メッキ工程を行う旨が記載されているから、該立体回路板の製造における電気メッキの浴組成として酸性のものを用いる旨が記載されているといえる。
　
　以上の(ア)、(イ)の事項を考慮し、摘記（１ａ）、（１ｃ）等の記載を整理すると、刊行物１には、次の「立体回路板の製法」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
「回路基板を樹脂成形することによって作成し、表面を粗面化した後に、無電解メッキをおこなって回路基板の表面の全面に無電解メッキ層を施し、次にこの上からフォトレジストを全面に亘って塗着し、フォトマスクを被せて露光した後に現像し、回路形成部分のフォトレジストを除去し、この後に浴組成が酸性のものを用い無電解メッキ層に通電して電気メッキをおこなうことによって、無電解メッキ層のフォトレジストで覆われていない露出面に電気メッキ層を析出させ、さらにこの電気メッキ層の上にニッケルメッキや金メッキをしてこれらのメッキ層を形成した後に、フォトレジストを剥離すると共に無電解メッキ層の不要部分をエッチングすることによって無電解メッキ層と電気メッキ層及びニッケルと金のメッキ層で構成される回路の形成をおこなう立体回路板の製法。」
　
３．対比・判断
　本願補正発明１と刊行物１発明を対比すると、刊行物１発明における樹脂成形することによって作成された「回路基板」は、本願補正発明１における「絶縁体材料からなる所定形状の絶縁体基体」に相当し、以下同様に、「無電解メッキ層」は、一次めっきとして無電解めっきにより導電性材料から形成された「導電体層」乃至「一次めっきの導電体層」に、回路形成部分のフォトレジストを除去した後に残った「フォトレジスト」は、「樹脂マスク」に、「電気メッキ層」は、二次めっきとして積層された「電解めっきの導体層」に、「無電解メッキ層と電気メッキ層及びニッケルと金のメッキ層で構成される回路」は、「（導電性材料からなる）所定パターンの導電層」乃至「所定のパターンの導体層」に、フォトレジストについての「剥離」は、樹脂マスクについての「除去」に、「立体回路板」は、「回路部品」に、それぞれ相当するといえる。
　また、刊行物１発明における、浴組成が酸性のものを用いる電気メッキは、本願補正発明１における「酸性浴組成による電解めっき」に相当するといえる。
　
　そうすると、両者は、「絶縁体材料からなる所定形状の絶縁体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの導電層が形成される回路部品の製法であって、上記絶縁体材料から前記所定形状の絶縁体基体を形成する工程と、上記所定形状に形成された絶縁体基体の全表面に一次めっきとして無電解めっきにより前記導電性材料からなる導電体層を形成する工程と、上記導電体層が形成された絶縁体基体の表面のうち、前記所定のパターンの導体層が形成されるべき部分を露出させて樹脂マスクを形成する工程と、上記露出した導電体層の部分に二次めっきとして酸性浴組成による電解めっきの導体層を積層する工程と、上記樹脂マスクを除去する工程と、上記一次めっきの導電体層をエッチングで除去して上記絶縁体基体の表面上に所定パターンの導体層を形成する工程とを含む回路部品の製法」である点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明１では、樹脂マスクの樹脂が「ポリ乳酸、脂肪族ポリエステル、またはポリ乳酸と脂肪族ポリエステルとの混合体または共重合体」であるのに対し、刊行物１発明では、樹脂マスクの樹脂の種類が不明である点
　
＜相違点２＞
　樹脂マスクの形成を、本願補正発明１では、「絶縁性基体に樹脂マスクを射出成形により一体に形成」することにより行うのに対し、刊行物１発明では、「フォトレジストを全面に亘って塗着し、フォトマスクを被せて露光した後に現像し、回路形成部分のフォトレジストを除去」することにより行う点
　
＜相違点３＞
　樹脂マスクの除去を、本願補正発明１では、「アルカリ水溶液で加水分解により」行うのに対し、刊行物１発明では、剥離することにより行う点
　
＜相違点４＞
　樹脂マスクが、本願補正発明１では、「酸性水溶液に対して耐性を示す性質がある」のに対し、刊行物１発明では、そのような性質を有することが不明である点
　
＜相違点５＞
　無電解めっきにより形成された導電体層を除去するエッチングが、本願補正発明１では、「化学エッチング」であるのに対し、刊行物１発明では、「化学エッチング」であることが不明である点
　
　次に、上記相違点について検討する。
＜相違点１〜４について＞
　刊行物２には、プリント基板、成形回路部品等の電子・電気部品を製造するための合成樹脂基体への部分的メッキ方法について記載されており、
(カ)摘記（２ａ）には、メッキすべき部分以外の被覆にレジストを用いる従来技術では、レジストの塗布・硬化・除去工程が必要である、レジスト除去には、生態系に有害な有機溶剤の使用が必要である等の問題が存在することを背景とし、そのような問題のないメッキ方法を提供することを目的とする旨が、
(キ)摘記（２ｂ）には、該目的は、メッキしたい部分以外の部分を水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料を被覆材として使用することにより達成できる旨、及び、被覆材の加水分解性高分子材料は、アルカリ水溶液を使用して除去できる旨が、
(ク)摘記（２ｃ）には、該加水分解性の高分子材料は、ポリ乳酸、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である旨が、
(ケ)摘記（２ｅ）には、該メッキ方法は、公知の電気メッキ方法が採用できる旨が、
(コ)摘記（２ｆ）〜（２ｉ）には、実施例５として、実施例２で用いたものと同じ加水分解性樹脂により、実施例１と同様の部分被覆成形品を得て、メッキを施し、アルカリ水溶液に浸漬し被覆材を加水分解して除去した旨、実施例１として、合成樹脂基体をセットした金型内に被覆材としての水溶性高分子材を射出し、部分被覆成形品を得た旨、実施例２として、被覆材としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸樹脂）を射出し、部分被覆成形品を得た旨が、
それぞれ記載されている。
　
　合成樹脂基体をセットした金型内に被覆材の樹脂を射出して部分被覆成形品を得ることは、合成樹脂基体に樹脂の部分被覆を射出成形により一体に形成することといえるから、上記(カ)〜(コ)の事項を併せ考慮すると、刊行物２には、回路部品を製造する際の絶縁性基体への部分的電気メッキ方法における、メッキすべき部分以外の部分被覆（樹脂マスクに相当）の形成・除去に関して、レジストの塗布・硬化・有機溶剤による除去等の従来技術の代わりに、ポリ乳酸、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体等の加水分解性高分子材料を用い、合成樹脂基体に加水分解性高分子材料の部分被覆を射出成形により一体に形成し、電気メッキ後、該部分被覆をアルカリ水溶液で加水分解により除去することが教示されているといえる。
　
　また、刊行物２の摘記（２ｇ）の実施例２には、加水分解性高分子材料（ポリ乳酸樹脂）を射出した部分被覆成形品を塩酸中に浸漬し、部分被覆成形品の被覆材以外の部分にメッキ用触媒を付与することが記載され、同摘記（２ｈ）の実施例３には、実施例２と同じ部分的被覆成形品の被覆材以外の部分、すなわち絶縁性基体の表面を膨潤させた後、濃硫酸に浸漬して、この膨潤部分を粗化することが記載されているから、加水分解性高分子材料で形成した部分被覆は、ポリ乳酸樹脂で形成したもののように、酸性水溶液に対して耐性を有するものが存在するといえる。
　
　そして、刊行物１発明のフォトレジストと刊行物２に記載の部分被覆は、いずれも、回路部品を製造する際に使用する電解めっきのための樹脂マスクである点で共通しており、しかも、刊行物２に記載の射出成形により形成される部分被覆は、従来技術のレジストの部分被覆に代替し得るものであり、さらに、加水分解性高分子材料（ポリ乳酸樹脂）で形成した部分被覆は、酸性水溶液に対して耐性を有するものが存在し、そのような耐性を有する部分被覆は、電解めっきの浴組成が酸性である場合にも使用し得ることが予測できるから、刊行物１発明において、刊行物２の上記教示を適用し、樹脂マスクの形成を、「フォトレジストを全面に亘って塗着し、フォトマスクを被せて露光した後に現像し、回路形成部分のフォトレジストを除去」することにより行う代わりに、「絶縁性基体に樹脂マスクを射出成形により一体に形成」することにより行い、樹脂マスクの樹脂として、加水分解性高分子材料のうちから酸性水溶液に対して耐性を有するポリ乳酸等を選択して、樹脂マスクを「酸性水溶液に対して耐性を示す性質がある」ものとし、樹脂マスクの除去を、剥離することにより行う代わりに、「アルカリ水溶液で加水分解により」行い、上記相違点２〜５で示される本願補正発明１の特定事項を構成することは、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
＜相違点５について＞
　刊行物１の摘記（１ｄ）には、電気メッキ後、フォトレジストを剥離し、さらに過硫酸アンモニウムを用いてソフトエッチングを行うことによって、回路形成部以外の不要な無電解メッキ層を回路基板の表面から溶解除去することが記載されているから、無電解めっきにより形成された導電体層を「化学エッチング」により除去することが記載されているといえる。また、そのような不要な導電体層を「化学エッチング」により除去することは、本願出願前において周知の事項ともいえる。
　してみれば、刊行物１発明において、無電解めっきにより形成された導電体層を除去するエッチングを「化学エッチング」とすることは、上記摘記（１ｄ）の記載や周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願補正発明１は、刊行物１、２の記載や周知事項から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
４．補正の適否についてのむすび
　よって、本件手続補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
１．本願発明
　平成１８年２月１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１７年９月１４日付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記ＩＩ．［１］＜補正前の特許請求の範囲＞参照）。
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　平成１７年７月２７日付の拒絶理由通知に引用された刊行物１、２とその摘記事項は、上記ＩＩ．［２］「１．引用刊行物及びその摘記事項」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記ＩＩ．で検討した本願補正発明１から「樹脂マスク」の限定事項である「上記樹脂マスクは、酸性水溶液に対しては耐性を示す性質がある」との特定事項を削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明１の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、上記ＩＩ．［２］「３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。