【事件の表示】
　特願２０００−２２５１５９「発光素子アレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月　８日出願公開、特開２００２−　４３６２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年７月２６日に出願された特許出願であって、原審において、平成１６年１０月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１２月２４日に手続補正がなされ、その後、当審において、平成１９年７月１２日付で審尋がなされ、同年９月１３日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年１２月２４日の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　 平成１６年１２月２４日の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容 
　本件補正は、補正前の請求項１を、次のように補正することを含むものである。 
　「【請求項１】
　第１導電型半導体層を有する基板に、前記基板の端部から第１間隔で形成された第２導電型半導体領域からなる第１発光部と、
　前記基板の長手方向において、前記第１発光部と第２間隔で形成された第２の発光部と、
　前記第２発光部の、前記基板の長手方向の一方側の前記第１導電型半導体層領域に形成された光量調整部とを備え、
　前記光量調整部の端部と前記第２発光部の端部相互間の距離は、前記第１間隔と略等しいことを特徴とする発光素子アレイ。」 
 　 
　上記補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。 
 　 
（２）先願発明 
　本願の出願の日前の他の特許出願であって、本願の出願の日後に出願公開された特願平１１−１７２６０９号（特開２００１−７３８４号公報参照）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）には、以下の事項が記載されている。 
　ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子アレイに関し、特に発光素子アレイの光量調整に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光素子アレイは複数の発光素子を直線状に配置したものであり、発光素子として発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記述する）を用いた発光素子アレイをＬＥＤアレイと称する。」
　
　ｂ．「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光プリンタにおいては高精細化が強く望まれていることから、それに伴いＬＥＤアレイの高密度化を図ることが必要となる。しかし、高密度化を図るためにＬＥＤアレイ内の発光部の間隔を狭くすると、ＬＥＤアレイの端部に位置する発光部とチップ端部との間隔が狭くなって、アレイの端部に位置する発光部から放射される有効な光量（チップ表面から略垂直方向に放出される光の量）が少なくなる。これは、発光部から少し傾いて放射された光のうちチップ表面に達する前にチップ端面に達する光が有効な光とならないからである。
【０００５】図２２は、従来例におけるＬＥＤアレイの問題点を説明するための図であり、電極や配線等は省いている。図２２に示すように、チップ端部（ダイシング位置）がＡからＢに変更されると、チップ端の発光部２１から光が放射される領域がＡとＢとの距離の差に対応する領域の分だけ小さくなり、図の斜線で示した分だけチップ端の発光部２１から放射される光強度が小さくなってしまう。
【０００６】また、光プリンタにおいては高速化が重要な課題であり、高速化のためには光源であるＬＥＤアレイの光量増加を図ることも必要となる。
【０００７】このような点に鑑み本発明は、発光素子アレイのチップ内の光量ばらつきを低減することを目的とする。また、発光素子アレイの光量を増加させることも目的とする。」
　
　ｃ．「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光素子アレイは、第１導電型半導体層に所定の深さの複数の第２導電型半導体領域が複数の発光部として形成されている発光素子アレイであって、前記発光部のうちの第１発光部と該第１発光部に隣接する第２発光部との間に、該第１発光部および該第２発光部のいずれにも接触しない光量調整部を有する。このとき、前記光量調整部をすべての前記発光部の間に形成することができる。」
　
　ｄ．「【００１２】上記本発明の発光素子アレイは、前記発光部が複数のブロックに分割された多層配線構造を有し、ブロック相互間の光量調整部が素子分離領域を兼ねることができる。
【００１３】このとき、前記ブロック間の光量調整部として、少なくとも前記第１導電型半導体層を貫通する光量調整溝を備えることができる。また、発光部間の前記光量調整部と前記ブロック間の光量調整部とで、当該発光素子アレイが備える各発光部の列と平行する方向の幅を同じにすることができる。さらに、発光部間の前記光量調整部または前記ブロック間の光量調整部を、当該発光素子アレイが備える各発光部の列のうち最もチップの一端に近い発光部の列方向のいずれの側にも形成せず、該チップの一端から奇数番目の発光部のうち最もチップの一端に近い発光部を除くものには該チップの一端側に形成し、該チップの一端から偶数番目の発光部には該チップの一端と反対側に形成することができ、該発光部間の光量調整部が光量調整溝を備え、該ブロック間の光量調整部が素子分離溝を備えている。」
　
　ｅ．「【００２１】そして、隣接する発光部２１相互間には、それぞれの発光部２１と接触することのないように光量調整溝３１が形成されている。第１導電型半導体層１２上のうち発光部２１および光量調整溝３１が形成されていない領域には、拡散マスク２２が形成されている。
【００２２】光量調整溝３１が形成してあると、その隣に位置する発光部２１からの有効光量が少なくなる。これは、発光部２１から少し傾いて放射された光がチップの表面に達する前に光量調整溝３１に当たるからである。」
　
　ｆ．「【００４９】( 第３の実施の形態 )図９は、第３の実施の形態における多層配線型ＬＥＤアレイの構造を示す図であり、図９(ａ)は断面図を示し、図９(ｂ)は上面図を示している。図９に示した多層配線型ＬＥＤアレイは、高抵抗基板１３上に形成された第１導電型半導体層１２が素子分離領域によって複数のブロックに電気的に分離され、各ブロックごとに、第１導電型半導体層１２上の所定の領域に第１導電型半導体層１２の途中の深さまで到達する第２導電型半導体領域によってｐｎ接合を構成する複数の発光部２１の列が形成され、各発光部２１上にはｐ側電極２６が形成され、各ブロックごとに１個のｎ側電極パッド機能を持つｎ側コンタクト電極２９（以下、ｎ側電極パッド２９と記述する）が形成され、ブロック内の発光部２１と同数の共通配線６２がチップの長手方向に延設され、各共通配線６２ごとにｐ側電極パッド２８が形成され、各発光部２１がｐ側電極２６およびｐ側電極配線６１を介して対応する共通配線６２にコンタクト部６５で接続されている。・・・。
【００５０】そして、隣接する発光部２１相互間には、それぞれの発光部２１と接触することのないように光量調整溝３１が形成されている。また、素子分離領域は、高抵抗基板１３に到達するように素子分離溝３２によって形成されている。第１導電型半導体層１２上のうち発光部２１、光量調整溝３１および素子分離溝３２が形成されていない領域には、拡散マスク２２が形成されている。」
　
　ｇ．「【００５７】図１１(ｂ)および図１２(ａ)に示すように、隣接する各発光部２１の間に、各発光部２１と接触しないようにそれぞれ光量調整溝３１および素子分離溝３２を形成する。光量調整溝３１および素子分離溝３２は例えばりん酸過水をエッチャントとして第１導電型半導体層１２を選択的にエッチングして形成することができる。
【００５８】ここで、光量調整溝３１の長さ（発光部２１の列に直交する方向の寸法）および幅は任意に設定することができるが、光量ばらつきを抑制するという効果を得るためには、少なくとも発光部２１と同程度の長さとなり、素子分離溝３２の幅が光量調整溝３１の幅と等しくなるように形成することが望ましい。また、外部に出力される光量は光量調整溝３１の長さおよび幅によって決められるので、光量調整溝３１の深さ方向に対する制約はない。・・・。」
　
　ｈ．「【００９６】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に係る発明は、発光素子アレイの隣接する２個の発光部の間にいずれの発光部にも接触しない光量調整部が形成されていることによって、発光素子アレイの発光部の光量を調整することができるという効果を有する。
【００９７】請求項２に係る発明は、光量調整部がすべての発光部の間に設けられていることによって、発光素子アレイのすべての発光部について均一に光量を調整することができるという効果を有する。
【００９８】請求項３に係る発明は、光量調整部として、少なくとも第１導電型半導体層の途中まで到達する光量調整溝が用いられていることによって、チップ端における光量低下の影響をチップ内において低減することができ、チップ端の発光部とチップ内の各発光部との間の光量ばらつきを抑制することができるという効果を有する。
・・・（中略）・・・
【０１０７】請求項１２に係る発明は、発光部間の光量調整部とブロック間の光量調整部とで、各発光部の列と平行する方向の幅が同じであることによって、発光部間の光量調整部とブロック間の光量調整部とが均一に光量を調整することができ、請求項９に係る発明と比較して、さらに光量ばらつきを抑制することができるという効果を有する。」
　
　上記ａ〜ｈからは以下の事項が読み取れる。
　（ｉ）高抵抗基板１３上に形成された第１導電型半導体層１２が素子分離領域によって複数のブロックに電気的に分離され、各ブロックごとに、第１導電型半導体層１２上の所定の領域に第１導電型半導体層１２の途中の深さまで到達する第２導電型半導体領域によってｐｎ接合を構成する複数の発光部２１の列が形成され、隣接する発光部２１相互間には、それぞれの発光部２１と接触することのないように光量調整溝３１が形成されている。また、素子分離領域は、高抵抗基板１３に到達するように素子分離溝３２によって形成されている（上記ｆの段落【００４９】，【００５０】）。
　
　（ｉｉ）上記ｂの段落【０００４】，【０００５】にあるように、チップ端の発光部２１の光量は、その一部がチップ端から逃げてしまい、上記光量調整溝３１を設けないとすると発光素子アレイの他の発光部とは光量差を生じてしまい、発光素子アレイの光量はばらつくことになる。
　したがって、光量調整溝３１の機能は、上記ｅの段落【００２２】の記載からみて、これに隣接する発光部２１の光量の一部を、同溝３１から逃がすことにより発光部２１の光量を調整する点にあるところ、その目的は、「発光素子アレイのすべての発光部について均一に光量を調整すること」（上記ｈの段落【００９７】）である。
　
　（ｉｉｉ）上記ｆの段落【００５７】，【００５８】及び上記ｈの段落【０１０７】によれば、光量調整溝３１、素子分離溝３２などの光量調整部は、発光部の間にいずれの発光部にも接触しないように形成され、その幅（各発光部の列と平行する方向の幅）を同じにすることにより各発光部同士の光量を均一に調整することが可能であること、また、チップ端から逃げる光量は、チップ端の発光部とチップ端との間の距離により決定されること（上記ｂの段落【０００４】，【０００５】）、に照らせば、各発光部同士の光量を均一に調整するためには、発光部から光量調整溝３１または素子分離溝３２までの距離と、発光部からチップ端までの距離とを等しくすればよいことが理解できる。
　そして、上記（ｉｉ）によれば、「発光素子アレイのすべての発光部について均一に光量を調整する」のであるから、発光部から光量調整溝３１または素子分離溝３２などの光量調整部までの距離と、発光部からチップ端までの距離とは、等しく設計されていると推認することができる。
　
　したがって、上記ａ〜ｈ（上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）を含む）によれば、先願明細書等には、
「発光素子アレイであって、高抵抗基板上に形成された第１導電型半導体層上の所定の領域に第１導電型半導体層の途中の深さまで到達する第２導電型半導体領域によってｐｎ接合を構成する複数の発光部の列が形成され、隣接する発光部相互間には、それぞれの発光部と接触することのないように光量調整部が形成されており、発光部から光量調整部までの距離と発光部からチップ端までの距離とが等しい発光素子アレイ。」
なる発明が記載されているものと認められる（以下、「先願発明」という。）。
　
（３）対比・判断
　上記先願発明と本願補正発明とを対比する。
　　
　ア．先願発明の「高抵抗基板上に形成された第１導電型半導体層」は本願補正発明の「第１導電型半導体層を有する基板」に相当し、以下同様に「第２導電型半導体領域」は「第２導電型半導体領域」に、「複数の発光部」は「第１、第２の発光部」に、「光量調整部」は「光量調整部」に相当する。
　　
　イ．また、先願発明の「発光部から光量調整部までの距離と発光部からチップ端までの距離とが等しい」は、上記「発光部から光量調整部」までの距離が本願補正発明の「前記光量調整部の端部と前記第２発光部の端部相互間の距離」に相当し、同じく「発光部からチップ端までの距離」は、「前記第１間隔」に相当するから、結局、先願発明は、本願補正発明の「前記光量調整部の端部と前記第２発光部の端部相互間の距離は、前記第１間隔と略等しい」との事項を有する。
　
　そうすると、先願発明は、本願補正発明の発明特定事項をすべて充足するから、本願補正発明は先願発明と同一である。
 　 
　したがって、本願補正発明は、先願明細書等に記載された発明であり、しかも、この出願の発明者がその出願日前の特許出願に係る上記先願発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 　 
　なお、当審の審尋（平成１９年７月１２日付）に対し、請求人が同年９月１３日に提出した回答書の内容を検討したが、上記結論を翻すに足る心証を形成し得なかった。
　　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１２月２４日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年７月１６日の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、次のものである。
　
「【請求項１】　第１導電型半導体層を有する基板に、第２導電型半導体領域からなる前記基板の端部に位置する第１発光部と他に位置する第２の発光部を形成し、
　前記第２発光部からの光量を、前記第１発光部からの光量とほぼ同一にするように調整する光量調整手段を設けたことを特徴とする発光素子アレイ。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原審における拒絶理由に引用した刊行物１：特開平１１−２２０１８０号公報には、以下の事項が記載されている。
　（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ発光部間に光吸収材が埋め込まれていることを特徴とするＬＥＤアレイヘッド。」
　
　（ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤアレイプリンタ用の光源に用いられるＬＥＤアレイヘッドに関する。」
　
　（ｃ）「【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１に基づいて説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッドにおいては、ヘッド基板としてＧａＡｓ基板１が用いられている。このようなＧａＡｓ基板１の表面には半導体層を成膜し、適宜パターンにエッチングすることにより複数個のＬＥＤ発光部２が突出構造としてアレイ状に形成されている（紙面、左右方向がアレイ方向である）（図１（ａ）参照）。このようなＬＥＤ発光部２を有するＧａＡｓ基板１の表面全面に酸化アルミニウムが分散されて可視光に対して遮光性を示すエポキシ系樹脂を光吸収材３として塗布し、平坦化させる（図１（ｂ）参照）。このような光吸収材３に対して反応性イオンエッチングでエッチバックすることで、ＬＥＤ発光部２の上面２ａと同一平面をなすように除去する（図１（ｃ）参照）。これにより、各ＬＥＤ発光部２間が光吸収材３により埋め込まれた構造となる。この後、各ＬＥＤ発光部２の上面２ａに対する個別電極の形成、ＧａＡｓ基板１裏面に対する共通電極の形成等の工程を経て、ＬＥＤアレイヘッドが完成する。
【００１４】このような構成によれば、或るＬＥＤ発光部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向けて放射される。この際、そのＬＥＤ発光部２の側面２ｂから放射される側面光Ｐ１も存在するが、このような側面光Ｐ１はＬＥＤ発光部２間に埋め込まれた光吸収材３中に入り込んで吸収・減衰される。よって、このような側面光Ｐ１が基板面に垂直な方向に放射されて感光体面側に向かうことが防止され、側面光Ｐ１による悪影響が抑制される。このような機能を果たす光吸収材３でＬＥＤ発光部２間を埋め込む工程にはフォトグラフィー法を用いる必要がなく塗布工程で済むため、フォトマスクのアライメントが不要となり、製造が簡単な構造で目的を達成できる。」
　
　上記摘記事項によれば、刊行物１には以下の発明が記載されているものと認められる。
「ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ発光部間に光吸収材が埋め込まれており、上記光吸収剤によりＬＥＤ発光部の側面から放射される側面光が吸収・減衰されるＬＥＤアレイヘッド。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
　同じく刊行物２：特開平１−１８７８３８号公報には、以下の事項が記載されている。
　（ｄ）「[産業上の利用分野]
　本発明は、半導体装置に係り、特に、半導体基板内に、・・・光の遮断又は減衰を目的とした分離領域を有する半導体装置に関する。」（１頁左下欄１８行〜同頁右下欄２行）
　
　（ｅ）「[課題を解決するための手段]
　本発明によれば、前記目的には、半導体基板内に形成される半導体素子相互間に、光を遮断し、反射させあるいは吸収せしめる領域を、半導体基板内の光路に設けることにより達成される。
　[作用]
　光を遮断し、反射させあるいは吸収せしめる領域は、１つのＰＮ接合が順方向にバイアスされて発光現象を起こしたとき、その光が他のＰＮ接合に到達することを防止する。このため、他のＰＮ接合は、自接合以外のＰＮ接合の発する光に影響されることなく動作可能となる。」（２頁左上欄２０行〜右上欄１１行）
　
　（ｆ）「第８図に示す実施例の半導体装置は、Ｐ型基板６、該基板６上のＮ型半導体層７、Ｎ型半導体層７を電気的に分離する分離用Ｐ型拡散層８、Ｎ型半導体層７内に形成された半導体素子を構成するＰＮ接合３，４、分離用Ｐ型拡散層８内に設けられた溝５内に埋め込まれた光遮断を行う酸化アルミ層９により構成される。このような半導体装置において、酸化アルミ層９が光遮断領域を形成しており、Ｎ型半導体層７内を横方向に通る光を遮断している。」（３頁右上欄２〜１１行）」
　　
　上記（ｄ）〜（ｆ）によれば、刊行物２には、
「Ｎ型半導体層内に形成された半導体素子を構成するＰＮ接合が順方向にバイアスされて発光現象を起こしたとき、その光が他のＰＮ接合に到達することを防止する光遮断領域を上記半導体素子相互間に形成した半導体装置。」の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比・判断
　本願発明と上記刊行物１発明とを対比する。
　（ア）刊行物１発明の「ヘッド基板」は発光部の「基板」である点で、本願発明の「第１導電型半導体層を有する基板」と一致する。
　また、刊行物１発明の「ＬＥＤアレイヘッド」は本願発明の「発光素子アレイ」に相当する。
　
　（イ）刊行物１発明の「複数個のＬＥＤ発光部」は、ヘッド基板から突出させてアレイ状に形成された複数の発光部であるから、これら複数の発光部には基板の端部に位置する発光部もあればそれ以外の場所に位置する発光部もあることは自明であり、それゆえ、「基板の端部に位置する第１発光部と他に位置する第２の発光部」を備える点で刊行物１発明は、本願発明と一致する。
　
　（ウ）刊行物１発明の「光吸収剤」は、ＬＥＤ発光部の側面から放射される側面光を吸収・減衰せしめる手段であって、上記基板の端部に位置する発光部及びそれ以外の場所に位置する発光部を問わずすべての発光部に関し、発光部の側面から放射される側面光を吸収・減衰するものと解されること、及び、この種プリンタ用ＬＥＤアレイヘッドのＬＥＤ発光部においては、特段の断りがない限り個々のＬＥＤ発光部自体の発光強度は大凡一律であると解するのが技術常識であること、に照らせば、刊行物１発明の「光吸収剤」により各発光部は、側面光による影響が排除されて結果的にその光量はほぼ同一になるといえる。
　したがって、刊行物１発明の「光吸収剤」は、本願発明の「光量調整手段」に相当し、刊行物１発明は、本願発明の「前記第２発光部からの光量を、前記第１発光部からの光量とほぼ同一にするように調整する光量調整手段」を有する。
　　
　上記（ア）〜（ウ）によれば、両者は、
「基板に、前記基板の端部に位置する第１発光部と他に位置する第２の発光部を形成し、
　前記第２発光部からの光量を、前記第１発光部からの光量とほぼ同一にするように調整する光量調整手段を設けたことを特徴とする発光素子アレイ。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　　
　[相違点]
　本願発明の発光部は、「第１導電型半導体層を有する基板に、第２導電型半導体領域からなる・・・発光部」を形成したものであるのに対し、刊行物１発明では、「ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部」を形成したものであって、発光部の構造が異なる点。
　
（４）判断
　第１導電型半導体層を有する基板に、第２導電型半導体領域からなる発光部を形成する点は本願出願以前から周知の技術事項にすぎない。
　例えば、上記刊行物２（特に、摘記事項（ｆ））、及び特開昭５９−２２３７２号公報（２頁左上欄１２行〜左下欄１０行、第１，２図）等を参照のこと。
　
　そこで、上記周知技術を刊行物１発明に適用することが容易であるかについて検討するに、刊行物１発明は、発光部の構造が上記周知技術のものとは異なるので、刊行物１発明の光量調整手段と上記周知技術との組合せが可能であるか疑念の余地がなしとはしない。
　しかしながら、上記刊行物２発明は、本願発明と同様な「第１導電型半導体層を有する基板に、第２導電型半導体領域からなる発光部」を有する半導体装置において、半導体素子相互間に刊行物１発明の光量調整手段と同じ素子側面からの発光光を遮断する「光遮断領域」を有するものであり、これに照らせば刊行物１発明の光量調整手段と上記周知技術との組合せに格別の困難性は存しないから、上記相違点は、刊行物１，２の発明及び周知技術から当業者が容易に想到し得たことといえる。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。