【事件の表示】
　特願２００２−　　３０５０「超高密度記録のための垂直磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　２日出願公開、特開２００２−２１６３３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１４年１月１０日（パリ条約による優先権主張２００１年１月１０日、韓国）の出願であって、平成１７年５月２６日付けで手続補正がなされ、平成１７年６月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年９月２０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１７年５月２６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ本願特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　基板と垂直磁気記録層との間に、前記垂直磁気記録層の垂直配向性を誘導する下地層が設けられた磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録層がＰｔの含有量８〜２０ａｔ％（原子％）、Ｃｒの含有量１２〜２０ａｔ％（原子％）のＣｏＣｒＰｔ系の合金よりなり、前記垂直磁気記録層の層厚が５〜４０ｎｍの範囲内に調節されて負の核生成磁界を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
　
２　　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２３２６３２号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「【請求項１】
垂直磁気記録に用いられる磁気記録媒体において、膜面垂直方向に磁界を印加して測定した時の磁化曲線が非可逆な磁化反転を起こし始める磁界の大きさ、すなわち磁化曲線の肩の位置が磁化曲線の第２象限にあることを特徴とする磁気記録媒体
【請求項２】請求項１記載の磁気記録媒体において、磁化曲線の肩の位置における磁界の大きさが絶対値で１００Ｏｅ以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、垂直磁化記録膜の表面に厚さ０．３〜５ｎｍのＣｏＰｔ系薄膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１又は２記載の磁気記録媒体において、垂直磁化記録膜の表面をエッチング処理したことを特徴とする磁気記録媒体
　（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁気異方性を有する強磁性薄膜を記録層として用いた磁気記録媒体に関わり、高密度記録において高い信号対出力比（Ｓ／Ｎ）を有するとともに、熱揺らぎに対しても安定した特性をもつ磁気記録媒体とそれを用いた磁気記録再生装置に関する。」
　（ウ）「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
＜実施の形態１＞ニッケル（Ｎｉ）と燐（Ｐ）合金めっき膜が施された、Ａｌ−Ｍｇ合金からなるディスク基板上に、スパッタリング法によって下地膜、磁気記録層、ＣｏＰｔ系薄膜、保護層を成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。スパッタリング条件は、基板温度２６０℃、アルゴン圧２ｍＴｏｒｒ、膜の堆積速度は約１ｎｍ／ｓであり、下地膜から保護膜までスパッタリング装置の真空を破ることなく連続して成膜した。最初、
ディスク基板上に厚さ３０ｎｍのＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金膜を形成した後、Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒの組成を持つ厚さ０．０２μｍの非磁性Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜からなる下地層を形成した
厚さ３０ｎｍのＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａの４元合金を磁気記録層として形成した
【００１３】（略）また、比較用として、磁気記録層の上に極薄のＣｏ−５ａｔ％Ｃｒ−２０ａｔ％Ｐｔ合金層を形成しない点を除いて磁気ディスクＳ１と同じ構造の試料を同じ条件で作製し、ディスクＲ１とした。
【００１４】上記した方法で作製した
磁気ディスクＳ１，Ｓ２，Ｒ１のＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ磁気記録層
は
そのｃ軸が膜面に対して垂直方向に配向していること
　（エ）「【００２０】（略）次の、実施の形態２においては、ＣｏＰｔ系の薄膜を用いずにＣｏＣｒＴａＰｔ系合金膜表面の磁気特性を改質する手法を示す。
【００２１】＜実施の形態２＞
試料の作製法は実施の形態１と同じであるが、ここでは
Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａの４元合金を磁気記録層として形成した後
ディスク試料の表面をアルゴンガスで表面を約２ｎｍエッチングした
磁気ディスクＳ３とした
磁気ディスクＳ３は、比較用磁気ディスクＲ１の磁気記録層表面をエッチングで除去したものに相当する
【００２２】表１に示したように、磁気ディスクＳ３のＳ／Ｎは、比較用磁気ディスクＲ１のＳ／Ｎを０ｄＢとして１．７であった。また、１００時間後の再生出力は２．２％低下したが、比較用磁気ディスクＲ１の出力低下８．０％と比較すると大きく改善されていた。これは、
磁気記録層の表面をエッチングした磁気ディスクＳ３においてもニュークリエーション磁界の値が負となって（磁化曲線の肩の位置が第２象限及び第３象限にある
　（オ）「【００２３】
【表１】（略）
＊符号は、最初に印加した磁界方向をプラスとした。ここで、
ニュークリエーション磁界とは、磁化曲線が非可逆な磁化反転を起こし始める磁界の大きさ、すなわち磁化曲線の肩の位置の磁界である
＊＊比較用磁気ディスクＲ１の値を０ｄＢとした。」
　
３　　対比判断
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比する。
（１）　引用例には、上記２に摘示した記載事項、特に（ア）（ウ）（エ）（下線部参照）によれば、
　「垂直磁気記録に用いられる磁気記録媒体において、膜面垂直方向に磁界を印加して測定した時の磁化曲線が非可逆な磁化反転を起こし始める磁界の大きさ、すなわち磁化曲線の肩の位置が磁化曲線の第２象限にある磁気記録媒体であって、
　ディスク基板上に厚さ３０ｎｍのＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金膜を形成し、Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒの組成を持つ厚さ０．０２μｍの非磁性Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜からなる下地層を形成し、厚さ３０ｎｍのＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａの４元合金を磁気記録層として形成した後、真空を破らない条件でディスク試料の表面をアルゴンガスで表面を約２ｎｍエッチングして磁気記録層表面を除去してなる磁気記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　
（２）
　ア．　引用例に記載された発明の「垂直磁気記録に用いられる磁気記録媒体」「磁気記録層」は、それぞれ本願発明の「垂直磁気記録媒体」「垂直磁気記録層」に相当する。
　イ．　引用例に記載された発明の「膜面垂直方向に磁界を印加して測定した時の磁化曲線が非可逆な磁化反転を起こし始める磁界の大きさ、すなわち磁化曲線の肩の位置」は、「ニュークリエーション磁界とは、磁化曲線が非可逆な磁化反転を起こし始める磁界の大きさ、すなわち磁化曲線の肩の位置の磁界である」（上記２（オ）参照）とも引用例で説明されているので、本願発明の「核生成磁界」に相当する。
　ウ．　引用例に記載された発明の「膜面垂直方向に磁界を印加して測定した時の磁化曲線が非可逆な磁化反転を起こし始める磁界の大きさ、すなわち磁化曲線の肩の位置が磁化曲線の第２象限にあること」とは、「ニュークリエーション磁界の値が負となって（磁化曲線の肩の位置が第２象限及び第３象限にある）」（上記２（エ）参照）と引用例において説明されているから、「負の核生成磁界を有すること」に相当する。
　エ．　引用例に記載された発明の「ディスク基板」は、本願発明の「基板」に相当する。
　オ．　引用例に記載された発明の「下地層」は、Ｔｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金膜とＣｏ−３５ａｔ％Ｃｒの非磁性Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜からなる下地層であって、上に形成されるＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａの４元合金磁気記録層が垂直方向に配向している（上記２（ウ）段落１４参照）のであるから、引用例に記載された発明の「下地層」は、本願発明の「垂直磁気記録層の垂直配向性を誘導する下地層」に相当する。
　
　ここで、ア〜オによれば、引用例に記載された発明は、本願発明の「基板と垂直磁気記録層との間に、前記垂直磁気記録層の垂直配向性を誘導する下地層が設けられた磁気記録媒体において、」「負の核生成磁界を有すること」に相当する構成を備えている。
　さらに検討を続ける。
　
　カ．　引用例に記載された発明の「磁気記録層」の組成は、「Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａの４元合金」であるから、本願発明の「Ｐｔの含有量８〜２０ａｔ％（原子％）、Ｃｒの含有量１２〜２０ａｔ％（原子％）のＣｏＣｒＰｔ系の合金」の組成の範囲に含まれる。
　キ．　引用例に記載された発明の「磁気記録層」は、「厚さ３０ｎｍのＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａの４元合金を磁気記録層として形成した後、真空を破らない条件でディスク試料の表面をアルゴンガスで表面を約２ｎｍエッチングして磁気記録層表面を除去してなる」ので、３０ｎｍから２ｎｍ減じたおよそ２８ｎｍ程度の厚さであり、５〜４０ｎｍの範囲内の厚さであることは明らかである。また、引用例には、磁気記録層のエッチング前の厚さおよびエッチング厚さが明記され、垂直磁気記録媒体としての所望の特性、特に負の核生成磁界を有する特性を得る目的で適切な層厚の例が示されているのであるから、引用例に記載された発明においても、３０ｎｍから２ｎｍ減じたおよそ２８ｎｍ程度に、層厚が「調節されて」負の核生成磁界を有しているといえる。
　
　そうすると、上記ア〜オを踏まえて上記カ〜キによれば、引用例に記載された発明は、本願発明の「垂直磁気記録層がＰｔの含有量８〜２０ａｔ％（原子％）、Ｃｒの含有量１２〜２０ａｔ％（原子％）のＣｏＣｒＰｔ系の合金よりなり、前記垂直磁気記録層の層厚が５〜４０ｎｍの範囲内に調節されて負の核生成磁界を有すること」に相当する構成を備えている。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は引用例に記載された発明と同一である。
　
４　　請求人の主張に対して
　請求人は、本願発明と引用例に記載された発明との相違について、引用例には、「磁気記録層の厚さを特定の範囲にすることは記載されておらず、まして、本願発明のごとく、層厚を５〜４０ｎｍにすることは記載されていない」と、請求の理由で主張している。
　しかしながら、上記３で述べたとおり、引用例に記載された発明の垂直磁気記録層の層厚は、５〜４０ｎｍの範囲内であることが明らかであって、引用例に記載された発明の垂直磁気記録媒体と、本願発明の垂直磁気記録媒体とは、何ら相違しないから、請求人の主張は採用できない。
　
５．　むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。