【事件の表示】
　特願２００３−１４３４８５「半導体受光モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月　９日出願公開、特開２００４−３４９３９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１５年５月２１日の出願であって、平成１８年７月２１日に手続補正がなされ、同年８月１１付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月１１日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正の却下の決定
　
［結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正の内容
　本件補正は、平成１８年７月２１日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲に記載された、
　
「【請求項１】
　基板上に順次に形成された光吸収層と上部クラッド層とを有し、前記基板と前記光吸収層とが同一端面の光入射端面をなし、前記基板と前記光吸収層の少なくとも一方の前記光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号をｐ電極及びｎ電極から外部に出力する半導体受光素子と、
　前記半導体受光素子の前記光入射端面に対して光を斜めに入射させると共に、前記光の少なくとも一部が前記光入射端面において前記光吸収層を照射するように指向させる入射光指向装置とを具備し、
　前記入射光指向装置は、前記光を前記光入射端面に対して斜めに入射させると共に、前記光の少なくとも一部が前記光入射端面において前記光吸収層を照射するように指向させることにより、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるようにし、且つ前記上部クラッド層に対する光の入射角が前記光吸収層と前記上部クラッド層との界面において光の全反射が起きる臨界角以上になるようにし、
　前記半導体受光素子は、前記光吸収層に入射した光について、前記光吸収層の上方にある前記上部クラッドとの界面と平行に伝搬する成分と、前記光吸収層の上方にある界面で反射し前記光吸収層内を斜め方向に伝搬する成分とのうち少なくとも一方を伝搬するようにしたことを特徴とする半導体受光モジュール。」を、
　
「【請求項１】
　基板上に順次に形成された光吸収層と上部クラッド層とを有し、前記基板と前記光吸収層とが同一端面の光入射端面をなし、前記基板と前記光吸収層の少なくとも一方の前記光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号をｐ電極及びｎ電極から外部に出力する半導体受光素子と、
　前記半導体受光素子の前記光入射端面に対して光を斜めに入射させると共に、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記基板と前記光吸収層を照射するように指向させる入射光指向装置とを具備し、
　前記入射光指向装置は、前記光を前記光入射端面に対して斜めに入射させると共に、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記基板と前記光吸収層に前記光を照射するように指向させ、且つ前記上部クラッド層に対する光の入射角が前記光吸収層と前記上部クラッド層との界面において光の全反射が起きる臨界角以上になるようにし、
　前記半導体受光素子は、前記光吸収層に入射した光について、前記光吸収層の上方にある前記上部クラッド層との界面と平行に伝搬する成分と、前記光吸収層の上方にある界面で反射し前記光吸収層内を斜め方向に伝搬する成分とのうち少なくとも一方を伝搬するようにしたことを特徴とする半導体受光モジュール。」に補正する内容を含むものである。
　
　上記請求項１に係る補正は、
　補正前の請求項１の発明特定事項である「前記光の少なくとも一部が」前記光入射端面において前記光吸収層を照射することに関し、「前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように」前記光吸収層を照射することと、それ以外に「前記基板」も照射することとを限定し、
　同じく補正前の請求項１の発明特定事項である「前記光の少なくとも一部が」前記光入射端面において前記光吸収層を照射するように指向させることにより、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるようにすることに関し、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記光吸収層に前記光を照射する以外に「前記基板に」も「前記光を」照射するように指向させることを限定するとともに、
　「前記上部クラッド層」の誤記であることが明らかな補正前の請求項１の「前記上部クラッド」の記載を「前記上部クラッド層」と訂正するものであるから、
　平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮及び同３号の誤記の訂正を目的とするものである。
　そこで、補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の平成１４年７月５日に頒布された刊行物である国際公開第２００２／０９１４８４号（以下「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
ア．「ｉ−ＩｎＧａＡｓからなる光吸収層」（２頁９行）、
「光吸収層４の屈折率ｎ４を３．５０と仮定する」（７頁１２行）
及び「ここで、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層２は屈折率ｎ２が光吸収層４と同じ（ｎ２＝ｎ４）である」（８頁１４〜１５行）
　
イ．「また、ｎ−ＩｎＰからなる下部クラッド層５の屈折率ｎ５は、３．１５である。
　なお、ノンドープＩｎＰの屈折率は３．１７であるが、ｎドープＩｎＰの屈折率は、これよりも低くなることが知られているので、ここでは、３．１７よりも低くｎ５＝３．１５としている。」（６頁１９〜２４行）
及び「正孔は質量が重いので、通常、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３の屈折率ｎ３はノンドープＩｎＰのものと同じなので、ｎ３＝３．１７とする」（８頁１〜３行）
　
ウ．「つまり、層の総数がｋ＋１で光吸収層がｋ番目の層であると仮定すると、光が最初に存在する媒質の屈折率ｎ１がｋ＋１番目の層の屈折率ｎＫ＋１よりも大きい場合には、光は光吸収層とｋ＋１番目の層の界面において光吸収層内に幾何光学の意味において全反射される入射角θ1 が存在することになる。
　ここで、図１４と図１８及び図１５と図１９に示した従来の半導体受光素子について再度考察してみる。
　図１５に示した半導体受光素子におけるｎ−ＩｎＰからなる下部クラッド層５の屈折率ｎ５と、図１９に示した半導体受光素子におけるｎ＋−ＩｎＰからなる基板６の屈折率ｎ６とは３．１５であり、図１５と図１９のｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３の屈折率ｎ３（＝３．１７）より低いので、図１４と図１８に示した従来の半導体受光素子においては、光は光吸収層４を幾何光学におけるスネルの法則に従って通り抜ける。
　つまり、これらの従来の半導体受光素子においては光吸収層４とｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３との界面において光が幾何光学の意味において全反射されることは、原理的に不可能である。
　以下、以上のような基本的な考え方に基づく本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
　　（第１の実施の形態）
　図２は、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体受光素子の概略構成を示す横断面図である。
　図２において、図１４に示した従来の半導体受光素子と同一部分には同一符号を付して
、重複する部分の詳細説明を省略する。
　すなわち、図２に示すように、半絶縁性ＩｎＰ（ＳＩ−ＩｎＰ）材料で形成された基板９上には、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３、ｉ−ＩｎＧａＡｓからなる光吸収層４、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層２が積層されている。
　そして、このコンタクト層２の上側には、電気信号を取出すためのｐ型電極１が取付けられている。
　また、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３には、同じく電気信号を取出すためのｎ型電極７が取付けられている。
　さらに、基板９の下側に配置されたくさび型の台座１４によって、半導体受光素子は傾斜されている。
　そして、この半導体受光素子においては、基板９と下部クラッド層１３の端面で形成される光入射端面１０と下部クラッド層１３の上面（光吸収層４の下面）とのなす角度は９０度に設定されている。
　具体的には、光入射端面１０は、へき開によって形成されている。
　そして、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３には、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３（屈折率ｎ３＝３．１７）よりも屈折率の高い材料、例えば、バンドギャップ波長１．３μｍの４元組成の材料（屈折率ｎ１３＝３．３９）が採用されている。
　なお、実際のデバイスにおいては、オーミックコンタクトを実現するためにｐ＋−ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層２が用いられるので、ここにおいてもその使用を想定している。
　図３は、この第１の実施の形態の半導体受光素子における光の中心の軌跡を示す図である。
　ここで、重要なことは、光は、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３よりも高い屈折率を有するｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３に入射されていることである。
　以下、各媒質の境界においてスネルの法則を適用すると、
　光入射端面１０では、
　ｎ０ｓｉｎθ１　＝　ｎ１３ｓｉｎθ２　　　　　　　　　　…（１９）
が得られる。
　下部クラッド層１３と光吸収層４の境界では、
　ｎ１３ｓｉｎθ４　＝　ｎ４ｓｉｎθ５　　　　　　　　　　…（２０）
が得られる。
　最終的に、光吸収層４とｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３の界面で光が幾何光学の意味において全反射されるためには、スネルの法則から得られる下記の反射条件
　ｎ４ｓｉｎθ５　＝　ｎ３　　　　　　　　　　　　　　　…（２１）
が成り立つことが必要である。
　ちなみに、光吸収層４の屈折率ｎ４は３．５、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３の
屈折率ｎ３は３．１７なので、光吸収層４内でのθ５の臨界角θ５Ｃは式（２１）よりθ５Ｃ＝６４．９度（あるいはθ６Ｃ＝π／２−６４．９度＝２５．１度）となる。
　一方、式（２１）を式（２０）に代入することにより、反射条件を
　ｎ１３ｓｉｎθ４　＝　ｎ３　　　　　　　　　　　　　　…（２２）
とも書きかえることができる。
　ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３の屈折率ｎ３は３．１７、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３の屈折率ｎ１３は３．３９であるから、光が吸収層４内において反射を得るためのθ４の臨界角θ４Ｃは６９．２度（あるいはθ２ の臨界角θ２Ｃは２０．８度）となる。
　つまり、光入射端面１０に入射後、屈折した光が光入射端面１０の法線となす角θ２がこの２０．８度以内であれば、光は光吸収層４とｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３との界面において反射され、再度、光吸収層４を伝播し、吸収される。
　先に説明した従来の半導体受光素子と比較すると、本実施の形態による半導体受光素子において光吸収層４内を伝播する光の傾きが従来の半導体受光素子の場合と比較して小さいので、光の実効的な吸収長が長くなる。
　さらに、本実施の形態の半導体受光素子では、光は反射されるので実効的な吸収長は倍化され、半導体受光素子としての変換効率が大幅に改善される。
　例として、光の光入射端面１０に対する入射角θ１が１０度の場合について考えてみる。
　光入射端面１０におけるスネルの法則より、
　ｎ０ｓｉｎθ１　＝　ｎ１３ｓｉｎθ２　　　　　　　　　　…（２３）
が成り立つ。
　そして、空気の屈折率ｎ０が１であることを考慮すると、式（２３）のθ２は、２．９度となる。
　したがって、θ４＝π／２−θ２＝８７．１度となる。
　このθ４を式（２０）に代入すると、θ５＝７５．３度、つまりθ６＝１４．７度となる。
　よって、本実施の形態の半導体受光素子では、光吸収層４における光の反射の臨界角θ６Ｃ＝２５．１度以内であることを確認することができる。
　さらに、本実施の形態の半導体受光素子では、光吸収層４内を光が伝播する角度を小さく設定できることと、この幾何光学の意味における光の全反射を用いることにより、従来の半導体受光素子と比較して、光の吸収効率を大幅に改善することができる。
　例えば、本実施の形態の半導体受光素子では、入射角θ１が１０度の場合、光の実効的な吸収長は、光吸収層４の厚みの１／ｓｉｎ（１４．７度）×２（反射分）＝７．９倍にもなるので、光の吸収効率を大幅に改善することができる。
　前述したように、従来の半導体受光素子では光の実効的な吸収長は光吸収層４の厚みの約２倍であったから、本実施形の態の半導体受光素子を使用することにより、光の吸収効率を大幅に改善することができる。
　また、本実施の形態の半導体受光素子では、実効的な吸収長を同じとするならば、光吸収層４の幾何学的な長さを短くできるので、キャパシタンスを減らすことができ、ＣＲ時定数から制限される帯域を大幅に改善することができる。
　なお、本実施の形態の半導体受光素子では、光の入射角θ１を最適化すればさらなる改善が期待される。」（２７頁１７行〜３３頁１行）
　
エ．「ここで、屈折率が高い下部クラッド層１３に光が入射されることが望ましいが、光にとっての等価屈折率が上部クラッド層３の屈折率よりも高くなるように、下部クラッド層１３と基板９の両方に光が入射されるようにしても本発明を実施できる。」（３３頁下から２行目〜３４頁３行）
　
オ．「すなわち、本発明では、光が入射する部分の屈折率を光吸収層の上側のクラッド層の屈折率よりも高くすることが基本的な考え方なので、以上の全ての実施形態におけるｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３、１５の代りに、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３よりも屈折率が高い他の材料を全て使用することができる。
　例えば、バンドギャップ波長が１．３μｍ以外のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ材料やその他ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓ、ｎ−ＩｎＡｌＡｓなどを用いても良いことは言うまでもない。」（４１頁１６〜２４行）
　
カ．「さらに、光吸収層４の材料としては、ｐ−ＩｎＧａＡｓの他、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓなどの４元混晶のほか、各種多重量子井戸でも良いことは言うまでもない。」（４２頁１９行〜２２行）
　
キ．「さらに、図１から図９に示した本発明の各実施の形態では光入射端面１０の上側のエッジから光吸収層４の端面間での距離が零でないように図を描いているが、実際には、光が光吸収層４に効率良く照射されれば良いので、この距離は零で良いし、零でなくても良い。」（４３頁２行〜６行）
　
ク．「さらに、高濃度のｎタイプの半導体は屈折率がやや小さくなることを利用して、光吸収層４の上にｎ型もしくはｎ＋型の半導体層を、光吸収層の下にｐ型もしくはｐ＋型の半導体層を形成しても良い。
　例えば、光吸収層の上にｎ＋−ＩｎＰクラッド層を形成することが考えられる。
　その場合には、以上の各実施の形態において、コンタクト層２をｎ＋−ＩｎＧａＡｓで形成し、上部クラッド層３をｎ＋−ＩｎＰで形成し、下部クラッド層５をｐ−ＩｎＰ（ＩｎＰの他にＩｎＧａＡｓＰなどその他の材料でも良い）で形成し（但し、この層はあってもなくても良い）、下部クラッド層１３をｐ−ＩｎＰあるいはｐ−ＩｎＰとしても良いし、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層あるいはｐ＋−ＩｎＧａＡｓＰ層など屈折率を高めることができれば、半絶縁性ＩｎＰなどを含めどの材料でも良いことは言うまでもない。
　さらに、基板９と下部クラッド層１３とを一体と見なし、ｐ＋−ＩｎＰ基板を使用しても良い。」（４３頁１２行〜４４頁９行）
　
ケ．「ここで、図２に示した本発明の第１の実施の形態による半導体受光素子の実測結果ついて図１０により説明する。
　すなわち、図１０は、入射光の傾きθ１が３５度（入射光は、図３に示したように斜め左下から斜め右上方に向っている）の場合に、先球ファイバを光入射端面１０に沿って基板９側から上方に動かした際に得られる光電流の測定値を示している。
　この場合、入力光のパワーは、−８．１ｄＢｍである。
　先球ファイバを基板９側から光入射端面１０に沿って、上方に移動させるにつれ、先球ファイバから出射された光が図３の基板９の他にｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３の高い屈折率を感じだすと、入射光の等価屈折率は高くなる。
　その結果、入射光の等価屈折率は、光吸収層４の上にあるｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３の屈折率ｎ３よりも高くなり、光はｉ−ＩｎＧａＡｓからなる光吸収層４とｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３との境界において反射されるようになるので、効率が大幅に改善される。
　ここで、光吸収層４の厚みは、０．４μｍである。
　なお、この実験では、光吸収層４、上部クラッド層３、コンタクト層２の端面と光入射端面１０とは同一平面上にある素子を用いている。
　つまり、この素子では光入射端面１０のエッジから光吸収層４までの距離は零である。」（４５頁３行〜４６頁２行）
　
コ．「請求の範囲
　１．基板と、
　上記基板の上部に積層され、少なくとも一層で構成される下部クラッド層と、
　上記下部クラッド層の上部に積層される光吸収層と、
　上記光吸収層の上方に積層され、少なくとも一層で構成される上部クラッド層と、
　上記基板及び上記下部クラッド層の少なくとも一方に提供され、所定角度をなして光を入射させることにより、上記光吸収層で該光を吸収させて電流として出力させることを可能とする光入射端面とを備え、
　上記光入射端面を提供する上記基板及び上記下部クラッド層の少なくとも一方の等価屈折率が上記上部クラッド層を構成する少なくとも一層の屈折率よりも大であるとともに、
　上記所定角度が、上記光吸収層に入射された光を上記上部クラッド層を構成する少なくとも一層の下面で反射させることを可能とする角度である半導体受光素子。
　２．上記光は、上記光入射端面に対して斜めに入射し、さらに上記光吸収層に対して斜めに入射して伝播した後、
  上記光吸収層の上側の界面もしくは上記光吸収層の上側に位置する上記上部クラッド層を構成する少なくとも一層の界面において反射され、
  再び、上記光吸収層を斜め下方に伝播する請求の範囲１に従う半導体受光素子。
・・・・（中略）・・・・
　１１．上記光を、上記光入射端面に対して斜めに入射させるために、上記半導体受光素子は、上記基板の下側に配置されたくさび型の台座によって傾斜されている請求の範囲２に従う半導体受光素子。
・・・・（中略）・・・・
　１６．基板と、
　上記基板上に順番に積層される下部クラッド層、光吸収層、上部クラッド層と、
　上記基板と上記下部クラッド層との少なくとも一方の端面に形成された光入射端面と、
　上記光入射面から入射した光が上記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号を、上記上部クラッド層及び下部クラッド層をそれぞれ経て外部に出力するｐ電極及びｎ電極とを備え、
　上記光入射面に入射した光が、上記光入射端面において屈折された後、上記光吸収層に斜めに入射されて伝搬した後、上記光吸収層の上側の界面もしくは上記光吸収層の上側に位置する半導体層の界面において全反射され、再び上記吸収層を斜め下方に伝搬するように、
　上記下部クラッド層の屈折率を上記上部クラッド層の屈折率よりも高くした半導体受光素子。」（４８頁１行〜５１頁１６行）
　
サ．上記ア〜コによれば、引用例には、　
「下部クラッド層を一体と見なした基板上に順番に積層される光吸収層と上部クラッド層とを有し、前記基板端面に形成された光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号を外部に出力するｐ電極及びｎ電極とを備えた半導体受光素子であって、前記光吸収層はｉ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓなどの材料からなるとともに厚みは０．４μｍであり、前記光吸収層及び前記上部クラッド層の端面と前記光入射端面とは同一平面上にあり、前記上部クラッド層はｎ＋−ＩｎＰからなり、前記基板は前記上部クラッド層よりも屈折率の高いｐ＋−ＩｎＰが採用されている半導体受光素子と、
　前記光を、前記光入射端面に対して斜めに入射させるために、前記基板の下側に配置されたくさび型の台座とを具備し、
　前記台座は、前記光入射端面に入射した前記光が、前記光入射端面において屈折された後、前記光吸収層に斜めに入射されて伝搬した後、前記光吸収層の上側の界面において全反射され、再び前記吸収層を斜め下方に伝搬するように、前記光が入射する位置が前記上部クラッド層の屈折率よりも屈折率を高くした前記基板の端面となり、かつ、前記光が前記光吸収層内での臨界角θ５Ｃ以上の入射角で前記光吸収層の上側の界面に入射するような入射角θ１で前記光入射端面に対して斜めに入射するようにし、
　前記半導体受光素子は、前記光入射端面に入射した前記光が、前記光入射端面において屈折された後、前記光吸収層に斜めに入射されて伝搬した後、前記光吸収層の上側の界面において全反射され、再び前記吸収層を斜め下方に伝搬する半導体受光装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比 
　
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア．引用発明の「下部クラッド層を一体と見なした基板」、「光吸収層」、「上部クラッド層」、「前記基板端面に形成された光入射端面」、「前記光吸収層及び前記上部クラッド層の端面と前記光入射端面とは同一平面にあり」、「光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号を外部に出力するｐ電極及びｎ電極とを備えた半導体受光素子」、「前記光を、前記光入射端面に対して斜めに入射させる」、「前記基板の下側に配置されたくさび型の台座」、「前記台座は、前記光入射端面に入射した前記光が、前記光入射端面において屈折された後、前記光吸収層に斜めに入射されて伝搬した後、前記光吸収層の上側の界面において全反射され、再び前記吸収層を斜め下方に伝搬するように、前記光が入射する位置が前記上部クラッド層の屈折率よりも屈折率を高くした前記基板の端面となり、かつ、前記光が前記光吸収層内での臨界角θ５Ｃ以上の入射角で前記光吸収層の上側の界面に入射するような入射角θ１で前記光入射端面に対して斜めに入射するようにし」及び「半導体受光装置」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「光吸収層」、「上部クラッド層」、「光入射端面」、「前記基板と前記光吸収層とが同一端面」、「光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号をｐ電極及びｎ電極から外部に出力する半導体受光素子」、「前記半導体受光素子の前記光入射端面に対して光を斜めに入射させる」、「『前記光入射端面において前記基板』『を照射するように指向させる入射光指向装置』」、「『前記入射光指向装置は、前記光を前記光入射端面に対して斜めに入射させると共に、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記基板』『に前記光を照射するように指向させ、且つ前記上部クラッド層に対する光の入射角が前記光吸収層と前記上部クラッド層との界面において光の全反射が起きる臨界角以上になるようにし』」及び「半導体受光モジュール」に相当する。
　
イ．引用発明においては、「前記半導体受光素子は、前記光入射端面に入射した前記光が、前記光入射端面において屈折された後、前記光吸収層に斜めに入射されて伝搬した後、前記光吸収層の上側の界面において全反射され、再び前記吸収層を斜め下方に伝搬する」から、引用発明は、本願補正発明における「前記半導体受光素子は、前記光吸収層に入射した光について、前記光吸収層の上方にある前記上部クラッド層との界面と平行に伝搬する成分と、前記光吸収層の上方にある界面で反射し前記光吸収層内を斜め方向に伝搬する成分とのうち少なくとも一方を伝搬する」点を備えている。
　
ウ．したがって、両発明は、
「基板上に順次に形成された光吸収層と上部クラッド層とを有し、前記基板と前記光吸収層とが同一端面の光入射端面をなし、前記基板の前記光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号をｐ電極及びｎ電極から外部に出力する半導体受光素子と、
　前記半導体受光素子の前記光入射端面に対して光を斜めに入射させると共に、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記基板を照射するように指向させる入射光指向装置とを具備し、
　前記入射光指向装置は、前記光を前記光入射端面に対して斜めに入射させると共に、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記基板に前記光を照射するように指向させ、且つ前記上部クラッド層に対する光の入射角が前記光吸収層と前記上部クラッド層との界面において光の全反射が起きる臨界角以上になるようにし、
　前記半導体受光素子は、前記光吸収層に入射した光について、前記光吸収層の上方にある前記上部クラッド層との界面と平行に伝搬する成分と、前記光吸収層の上方にある界面で反射し前記光吸収層内を斜め方向に伝搬する成分とのうち少なくとも一方を伝搬するようにしたことを特徴とする半導体受光モジュール。」の点で一致し、次の点で相違している。 
　
相違点：
　本願補正発明においては、光吸収層の端面も光入射端面をなしており、光の等価屈折率が半導体受光素子の上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように半導体受光素子の光入射端面に対して光を照射する位置が「前記基板と前記光吸収層」とされているのに対して、
　引用発明においては、光の等価屈折率が半導体受光素子の上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように半導体受光素子の光入射端面に対して光を照射する位置は基板であり、「前記光吸収層」にも光が照射されるか否か不明である点。
　
（４）判断
　
　上記相違点について検討する。
　
ア．光入射端面から入射した光が光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号を外部に出力する半導体受光素子の前記光入射端面に対して前記光を斜めに入射させると共に、前記光入射端面において前記光吸収層の端面を照射することは、本願出願前に周知である（例．特開平１１−３４５９９６号公報の段落０００８〜００１０及び図３、国際公開９７／４８１３７号の９頁１３〜１５行及び第４図参照。）。
　
イ．引用発明の光吸収層はｉ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓなどの材料からなり、その屈折率（＝３．５０程度、上記（２）ア参照。）はｎ＋−ＩｎＰからなる上部クラッド層（＝３．１５、上記（２）イ参照。）の屈折率よりも大きいことから、
　あるいは、引用例には、「本発明では、光が入射する部分の屈折率を光吸収層の上側のクラッド層の屈折率よりも高くすることが基本的な考え方なので、以上の全ての実施形態におけるｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる下部クラッド層１３、１５の代りに、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層３よりも屈折率が高い他の材料を全て使用することができる。例えば、バンドギャップ波長が１．３μｍ以外のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ材料やその他ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓ、ｎ−ＩｎＡｌＡｓなどを用いても良いことは言うまでもない。」（上記オ参照。）との記載のように、光が入射する部分の材料として、光吸収層の材料と同じ材料であるＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｌＡｓが例示されていることから、
　引用発明において、光入射端面に入射する光の位置を上記アの周知技術のように光吸収層の端面としても、引用例に記載の下部クラッド層１３と同様の作用により、「前記光入射端面に入射した前記光が、前記光入射端面において屈折された後、前記光吸収層を伝搬した後、前記光吸収層の上側の界面において全反射され、再び前記吸収層を斜め下方に伝搬するようにでき、かつ、前記光が前記光吸収層内での臨界角θ５Ｃ以上の入射角で前記光吸収層の上側の界面に入射するような入射角θ１で前記光入射端面に対して斜めに入射するように」できることが当業者に自明である。
　
ウ．そして、引用発明の光吸収層の屈折率（＝３．５０程度、上記（２）ア参照。）はｐ＋−ＩｎＰからなる基板の屈折率（＝３．１７、上記（２）イ参照。）の屈折率よりも大きく、ある屈折率ｎよりも高い屈折率の層とｎよりも低い屈折率の層の両方に光が入射されるようにしても、光の等価屈折率が屈折率ｎよりも高くなるようにできること（引用例の上記エの記載参照。）に照らせば、引用発明に上記アの周知技術を付加し、引用発明において、半導体受光素子の光入射端面に対して光を照射する位置を、「前記基板と前記光吸収層」とすることにより、光の等価屈折率を基板のみに照射する場合の屈折率よりも更に大きいものとすることは、当業者が容易に想到することができた程度のことである。
　
エ．本願補正発明の効果は、引用発明、引用例の記載事項及び上記周知技術から、当業者が予測することができた程度のものである。
　
オ．したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明、引用例の記載事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年７月２１日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものであると認められる。
　
「【請求項１】
　基板上に順次に形成された光吸収層と上部クラッド層とを有し、前記基板と前記光吸収層とが同一端面の光入射端面をなし、前記基板と前記光吸収層の少なくとも一方の前記光入射端面から入射した光が前記光吸収層において吸収されることにより生じた電気信号をｐ電極及びｎ電極から外部に出力する半導体受光素子と、
　前記半導体受光素子の前記光入射端面に対して光を斜めに入射させると共に、前記光の少なくとも一部が前記光入射端面において前記光吸収層を照射するように指向させる入射光指向装置とを具備し、
　前記入射光指向装置は、前記光を前記光入射端面に対して斜めに入射させると共に、前記光の少なくとも一部が前記光入射端面において前記光吸収層を照射するように指向させることにより、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるようにし、且つ前記上部クラッド層に対する光の入射角が前記光吸収層と前記上部クラッド層との界面において光の全反射が起きる臨界角以上になるようにし、
　前記半導体受光素子は、前記光吸収層に入射した光について、前記光吸収層の上方にある前記上部クラッド層との界面と平行に伝搬する成分と、前記光吸収層の上方にある界面で反射し前記光吸収層内を斜め方向に伝搬する成分とのうち少なくとも一方を伝搬するようにしたことを特徴とする半導体受光モジュール」
　なお、「前記上部クラッドとの界面」は、「前記上部クラッド層との界面」の誤記であることが明らかであるから、「前記上部クラッド層との界面」と誤記を訂正して認定した。
　 
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．［理由］（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「前記光入射端面において前記光吸収層を照射すること」に関する限定事項である「前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように」前記光吸収層を照射するとの限定と、それ以外に「前記基板」も照射するとの限定とを省き、単に「前記光の少なくとも一部が」前記光吸収層を照射するとし、同じく、「前記光入射端面において前記光吸収層を照射するように指向させることにより、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように」することに関し、前記光の等価屈折率が前記半導体受光素子の前記上部クラッド層の屈折率よりも高くなるように前記光入射端面において前記光吸収層に前記光を照射する以外に「前記基板に」も「前記光を」照射するように指向させるとの限定を省き、単に「前記光の少なくとも一部が」前記光吸収層を照射するように指向させるとしたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらにその構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、前記２．［理由］（４）に記載したとおり、引用例に記載された発明、引用例の記載事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明、引用例の記載事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。