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　平成１１年特許願第１７８６６８号「結晶基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１６日出願公開、特開２００１−　１０８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年６月２４日の出願であって、平成１５年５月２２日付けの拒絶理由通知書に対して、同年７月２３日付けで手続補正書が提出され、その後、同年１０月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、手続補正書が提出されたものである。
　そして、当審より、平成１９年１月２４日付けの審尋を通知したところ、同年４月２日に回答書が提出されたものである。
　
２．本願発明について
　本願の請求項１乃至１７に係る発明は、平成１５年１１月１３日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１及び請求項８に係る発明（以下、「本願発明１」及び「本願発明８」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】凹凸が１００ｎｍ以下の鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板上に、半導体層をエピタキシャル成長したことを特徴とする結晶基板。」
「【請求項８】凹凸が１００ｎｍ以下の鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板上に半導体層をエピタキシャル成長することを特徴とする結晶基板の製造方法。」
　
３．引用刊行物及び引用刊行物の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１２５６０８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　（１ａ）「ＬＥＤ用途のエピタキシャルウエハの形成について記述する。基板としては、・・・表裏両面を鏡面研磨したサファイア結晶を用いた。・・・両面が研磨された基板を使用する主たる理由は、表面の面粗度精度の向上によってヒータ等の加熱体表面との接触が均一化が果たされるからである。」（段落【００４０】、第１１頁右欄第２０〜２８行）
　（１ｂ）「乾燥を終えたサファイア基板を・・・スレンレス鋼反応容器内に収納された基板載置台（サセプター）上の中央部に載置した。・・・
　ガスノズルを介して反応炉内に流通する水素ガスの流量を・・・制御しながら、サファイア基板を高純度のグラファイトからなるサセプターを介して、・・・主に伝熱により加熱した。・・・水素ガスを反応炉に導入するための・・・配管内にアンモニアガスを導入し・・・トリメチルガリウムをアンモニアと同じく水素ガスに添加した。・・・この原料ガス並びにキャリアガスとしての水素ガスの流量を２０分間継続して維持し、層厚を６４ｎｍとするアンドープの窒化ガリウムバッファ層を得た。」（段落【００４１】〜段落【００４２】、第１１頁右欄第３４行〜第１２頁左欄第２９行）
　（１ｃ）「同一条件下で得たアンドープ窒化ガリウムバッファ層の断面ＴＥＭ法に依る観察から・・・本実施例の窒化ガリウムバッファ層はａｓ−ｇｒｏｗｎ状態で既に、窒化ガリウムの単結晶粒が相互に密に集合してなる単結晶層となっていた。」（段落【００４３】、第１２頁左欄第３０行〜右欄第２行）
　（１ｄ）「窒化ガリウム単結晶粒から構成するバッファ層の成長は・・・終了させた。・・・アンドープ窒化ガリウム成長層の形成を開始した。・・・９０分間に亘り原料ガスの供給を継続して層厚を約３．５μｍとするアンドープ窒化ガリウム成長層を形成した。この様な条件下で形成されるアンドープ窒化ガリウム成長層は、・・・配向性の揃った単結晶層であった。」（段落【００４４】〜段落【００４５】、第１２頁右欄第７行〜第１３頁左欄第３行）
　（１ｅ）「トリメチルガリウムを随伴する水素バブリングガスの成長系への添加を停止することをもってアンドープ窒化ガリウム成長層の形成を終了させた後、アンモニア及びキャリアガスの構成並びに流量をそのまま維持し・・・成長系内へトリメチルガリウムを随伴する水素ガスの添加を開始した。・・・トリメチルガリウムの成長系への添加と同時に、昇華したシクロペンタジエニルインジウム（・・・）を含む水素ガスの成長系へ添加した。・・・これにより、層厚を約５０ｎｍとする、インジウムの原子濃度を約６．４％とし且つ亜鉛（Ｚｎ）がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層を得た。」（段落【００４６】、第１３頁左欄第１２〜４９行）
　（１ｆ）「インジウム添加窒化ガリウム層の成長は、成長系内へのシクロペンタジエニルインジウムの添加を停止することをもって終了した。・・・窒化アルミニウム・ガリウム混晶層の成長を開始した。・・・アルミニウム組成の遷移領域層を含めての窒化アルミニウム・ガリウム混晶層の合計の層厚は１３０ｎｍであった。
　上記の窒化アルミニウム・ガリウム混晶層の形成をガリウム及びアルミニウム原料の成長系への添加の停止をもって終了させて・・・基板を反応炉外へ取り出した。」（段落【００４８】〜段落【００４９】、第１３頁右欄第４０行〜第１４頁左欄第４９行）
　（１ｇ）「このエピタキシャル層の最表面には突起或いはピット等の特異なモフォロジーは認められず、表面は平滑性に優れたものとなった。」（段落【００５０】、第１４頁左欄第５０行〜右欄第２行）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１２６７６３号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
　　（２ａ）「ダイヤモンドスラリー及びｐＨ７以上の溶液を用いて裏面が鏡面研磨されたサファイア基板４１ｂ上にＧａＮ系半導体層４２ｂが配設される。・・・ダイヤモンドスラリーとｐＨ７以上の溶液（イソプロピルメチルフェノール、トリエタノールアミン、プロピレングリコールを混ぜた溶液）とを用いて研磨した基板４１ｂの平均粗さＲａは１ｎｍ程度であった。」（段落【００５７】〜段落【００５９】、第６頁右欄第３９行〜第７頁左欄第７行）
　
４．対比・判断
４−１．本願発明１について
（一）引用文献１には、記載事項（１ａ）によれば、「エピタキシャルウエハ」が記載されているといえ、この「エピタキシャルウエハ」は、記載事項（１ａ）、（１ｂ）、（１ｄ）、（１ｅ）及び（１ｆ）によれば、「表裏両面を鏡面研磨したサファイア結晶」からなる「サファイア基板」に、「アンドープの窒化ガリウムバッファ層」、「アンドープ窒化ガリウム成長層」、「亜鉛（Ｚｎ）がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層」、及び「窒化アルミニウム・ガリウム混晶層」を順に成長させたものといえる。そして、記載事項（１ｃ）の「窒化ガリウムバッファ層はａｓ−ｇｒｏｗｎ状態で既に、窒化ガリウムの単結晶粒が相互に密に集合してなる単結晶層となっていた。」との記載、記載事項（１ｄ）の「アンドープ窒化ガリウム成長層は、・・・配向性の揃った単結晶層であった。」との記載、及び記載事項（１ｇ）の「このエピタキシャル層の最表面には突起或いはピット等の特異なモフォロジーは認められず、表面は平滑性に優れたものとなった。」との記載から、「アンドープの窒化ガリウムバッファ層」、「アンドープ窒化ガリウム成長層」、「亜鉛（Ｚｎ）がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層」、及び「窒化アルミニウム・ガリウム混晶層」は、「エピタキシャル層」といえ、また、記載事項（１ａ）の「両面が研磨された基板を使用する主たる理由は、表面の面粗度精度の向上によってヒータ等の加熱体表面との接触が均一化が果たされるからである。」との記載から、「サファイア基板」の加熱体と接触する裏面は、「加熱体表面との接触の均一化が果たされる」ような「面粗度精度の向上した」表面であるといえる。
　これら記載事項を本願発明１の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した表面とするために、裏面を鏡面研磨したサファイア基板に、アンドープの窒化ガリウムバッファ層、アンドープ窒化ガリウム成長層、亜鉛がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層、及び窒化アルミニウム・ガリウム混晶層からなるエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウエハ」の発明（以下、「引用１発明１」という。）が記載されているといえる。
　
（二）そこで、本願発明１と引用１発明１とを対比すると、引用１発明１の「アンドープの窒化ガリウムバッファ層、アンドープ窒化ガリウム成長層、亜鉛（Ｚｎ）がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層、及び窒化アルミニウム・ガリウム混晶層からなるエピタキシャル層を成長させた」こと、「エピタキシャルウエハ」は、本願発明１の「半導体層をエピタキシャル成長した」こと、「結晶基板」にそれぞれ相当する。また、引用１発明１の「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した表面とするために、裏面を鏡面研磨したサファイア基板」と、本願発明１の「凹凸が１００ｎｍ以下の鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板」とは、「鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板」である点で共通している。
　したがって、本願発明１と引用１発明１とは、「鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板上に、半導体層をエピタキシャル成長した結晶基板」で一致し、本願発明１の「サファイア基板」は、裏面が「凹凸が１００ｎｍ以下の」鏡面に研磨されているのに対して、引用１発明１では、裏面が「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した」鏡面に研磨されている点（相違点Ａ）で相違している。
　
（三）上記相違点Ａについて検討する。
　引用１発明１において、「サファイア基板」の「裏面を鏡面研磨」することは、「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した表面とするため」であることから、サファイア基板と加熱体表面との接触をより均一化させるために、面粗度をより小さくすることは、当業者であれば容易に想到することである。 
　そして、引用文献２には、記載事項（２ａ）によれば、サファイア基板を、ダイヤモンドスラリー及びｐＨ７以上の溶液を用いて鏡面研磨した場合、基板の平均粗さＲａは１ｎｍ程度となることが記載されているといえるから、サファイア基板を鏡面研磨して平均粗さＲａが１ｎｍ程度の鏡面のサファイア基板を得ることは、公知の技術であるといえる。 
　してみると、サファイア基板と加熱体表面との接触のより均一化させるために、サファイア基板の裏面の面粗度をより小さくするに際して、平均粗さＲａが１ｎｍ程度の鏡面とすることは、当業者であれば容易になし得ることであり、サファイア基板の裏面を、「凹凸が１００ｎｍ以下の」鏡面とすることに、当業者の格別の創意を要したものとはいえない。 
　しかも、本願発明１の作用効果は、引用１発明１のように、サファイア基板と加熱体表面との接触を均一化させることにより達せられる効果に過ぎないから、引用文献１に記載された事項から当業者であれば容易に予測できる範囲のものにすぎない。 
　 
（四）したがって、本願発明１は、引用文献１及び２に記載された発明から当業者が容易になし得たものである。 
　 
４−２．本願発明８について 
（一）前記「４−１．本願発明１について」の「（一）」で検討したと同様にして、引用文献１の記載事項（１ａ）を本願発明８の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した表面とするために、裏面を鏡面研磨したサファイア基板に、アンドープの窒化ガリウムバッファ層、アンドープ窒化ガリウム成長層、亜鉛がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層、及び窒化アルミニウム・ガリウム混晶層からなるエピタキシャル層を成長するエピタキシャルウエハの形成方法」の発明（以下、「引用１発明２」という。）が記載されているといえる。 
　 
（二）そこで、本願発明８と引用１発明２とを対比すると、引用１発明２の「アンドープの窒化ガリウムバッファ層、アンドープ窒化ガリウム成長層、亜鉛（Ｚｎ）がドーピングされたインジウム含有窒化ガリウム層、及び窒化アルミニウム・ガリウム混晶層からなるエピタキシャル層を成長する」こと、「エピタキシャルウエハの形成方法」は、本願発明８の「半導体層をエピタキシャル成長する」こと、「結晶基板の製造方法」にそれぞれ相当する。また、引用１発明２の「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した表面とするために、裏面を鏡面研磨したサファイア基板」と、本願発明８の「凹凸が１００ｎｍ以下の鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板」とは、「鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板」である点で共通している。 
　したがって、本願発明８と引用１発明２とは、「鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板上に、半導体層をエピタキシャル成長する結晶基板の製造方法」で一致し、本願発明８の「サファイア基板」は、裏面が「凹凸が１００ｎｍ以下の」鏡面に研磨されているのに対して、引用１発明２では、裏面が「加熱体表面との接触の均一化が果たされるような面粗度精度の向上した」鏡面に研磨されている点（相違点Ｂ）で相違している。 
　 
（三）上記相違点Ｂについて検討すると、上記相違点Ｂは、前記「４−１．本願発明１について」で検討した、相違点Ａと同じであるから、前記「４−１．本願発明１について」の「（三）」で検討したとおり、本願発明８は、引用文献１及び２に記載された発明から当業者が容易になし得たものである。 
　 
５．平成１９年４月２日付けの回答書に記載された「補正案」について 
　上記回答書に記載された「補正案」には、請求項１乃至９に係る発明が記載されているところ、その請求項１には、「凹凸が１００ｎｍ以下の鏡面に裏面が研磨されたサファイア基板主面上に半導体層をエピタキシャル成長することを特徴とする結晶基板の製造方法。」との発明が記載されている。 
　しかしながら、当該「補正案」の請求項１に係る発明は、本願発明８と実質的に相違するものでないから、前記「４−２．本願発明８について」で検討したと同様に、引用文献１及び２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって、当該「補正案」に記載された特許請求の範囲に補正されたとしても、本願は特許を受けることができない。 
　 
６．むすび 
　以上のとおり、本願請求項１及び８に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　したがって、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。