【事件の表示】
　特願２００３−４０５８５１「異方性導電シートの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６６５３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件審判に係る出願は、平成１５年１２月４日に出願されたもので、平成１７年５月１８日付け拒絶理由通知書が送付され、願書に添付した明細書又は図面についての同年６月２８日付け手続補正書が提出されたものの、同年９月７日付けで拒絶査定されたものである。
　そして、本件審判は、この拒絶査定を不服として請求されたもので、平成１７年１１月２１日付け審判請求書が提出されるとともに、上記明細書又は図面についての同日付け手続補正書が提出され、その後、平成１９年１０月１日付け審尋を送付し、期限を指定して回答を求めたが、回答書の提出はなかったものである。
　なお、上記審尋は、要すれば、平成１７年１１月２１日付け手続補正書による手続補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものであること、そして、上記手続補正前の明細書における請求項１〜６に係る発明は、原査定の拒絶理由のとおりに、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことを報告する、特許法第１６２条による審査（前置審査）おける前置報告書の内容について、意見を求めるものである。
　
２．原査定
　原査定の拒絶理由の１つは、以下のとおりのものと認める。
　
　「この出願の請求項１〜６に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された特開２００３−１２１４６８号公報又は特開２００１−２９１４３０号公報に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
　
　「特開２００３−１２１４６８号公報」を、以下、「引用刊行物」という。
　
３．当審の判断
　
３−１．平成１７年１１月２１日付け手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　本件補正は、以下に詳述するように、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３−１−１．本件補正の内容
　本件補正は、以下の補正事項ａを有するものと認める。
　
補正事項ａ；特許請求の範囲の記載につき、以下の（ＣＬ）を（ｃｌ）と補正する。
　
（ＣＬ）；
　「【請求項１】
　単結晶シリコンウェハーから異方性エッチングによって、該ウェハーの断面を板ばねの板面とする曲がり板ばね形状の部材を形成し、その表面に導電性層を設けたことを特徴とするシリコン製ばね電極。
【請求項２】
　請求項１記載のシリコン製ばね電極において、
　前記曲がり板ばね形状は、リング状に連続した形状であることを特徴とするシリコン製ばね電極。
【請求項３】
　請求項１または２記載のシリコン製ばね電極において、
　前記導電性層は、金めっき層であることを特徴とするシリコン製ばね電極。
【請求項４】
　軟プラスチックシートの貫通穴に請求項１ないし３のいずれかに記載のシリコン製ばね電極を固定したことを特徴とする異方性導電シート。
【請求項５】
　請求項１ないし３のいずれかに記載のシリコン製ばね電極を金型内に配置し、該金型に軟プラスチック材料を流し込むインサート成型によって製造したことを特徴とする異方性導電シート。
【請求項６】
　請求項４または５記載の異方性導電シートにおいて、
　前記軟プラスチックはシリコーン樹脂であることを特徴とする異方性導電シート。」
　
（ｃｌ）；
　「【請求項１】
　単結晶シリコンウェハーからディープ反応性イオンエッチングによる貫通エッチングによって、該ウェハーの断面を板ばねの板面とする曲がり板ばね形状の部材を形成するステップＡと、
　前記ステップＡで形成した曲がり板ばね形状の部材の表面に導電性層を設けてシリコン製ばね電極を形成するステップＢと、
　前記ステップＢで形成した複数のシリコン製ばね電極を、軟プラスチックシートの複数の貫通穴にそれぞれ挿入し、該シリコン製ばね電極が該軟プラスチックシートにより締め付けられ固定されるようにするステップＣと、
を備えたことを特徴とする異方性導電シートの製造方法。」
　
３−１−２．本件補正の適否
　
１）補正事項ａは、「第３６条第５項に規定する請求項の削除」（以下、単に、「請求項の削除」という。）、「特許請求の範囲の減縮（第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」（以下、「限定的減縮」という。）、「誤記の訂正」又は「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」（以下、単に、「明りようでない記載の釈明」という。）のいずれかの事項を目的にしている、とする根拠は見当たらない。
　これに対し、請求人は、審判請求書において、いずれの事項を目的にしているかについて実質的に明らかにしていないが、以下に、補足する。
　
２）補正事項ａの補正前の請求項に係る発明は、シリコン製ばね電極又は異方性導電シートについての発明であるのに対し、補正後の発明は、異方性導電シートの製造方法についての発明であって、補正事項ａは、請求項に係る発明の対象を変更するものであって、このように変更する補正は、請求項の削除、限定的減縮、誤記の訂正又は明りようでない記載の釈明のいずれかの事項を目的にしているということはできない。
　
３−１−３．まとめ
　補正事項ａは、請求項の削除、限定的減縮、誤記の訂正又は明りようでない記載の釈明のいずれかの事項を目的にしている、ということはできず、補正事項ａを有する本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　
３−２．原査定の拒絶理由について
　
３−２−１．本件の発明
　本件補正は、先に「３−１」で述べたように却下すべきものであり、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、本件補正前の、願書に添付した明細書の請求項１に記載の事項により特定されるものであって、同項の記載は、以下のとおりのものと認める。
　
　「単結晶シリコンウェハーから異方性エッチングによって、該ウェハーの断面を板ばねの板面とする曲がり板ばね形状の部材を形成し、その表面に導電性層を設けたことを特徴とするシリコン製ばね電極。」
　
３−２−２．引用刊行物の記載
　
１）引用刊行物には、以下の記載が認められる。
　
ア；「【請求項１】 複数の電極（８）が形成された試験対象のＩＣパッケージ（４）と、このＩＣパッケージの動作試験を行うＩＣ試験装置のＩＣ取付面（３）との間に介挿され、前記ＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極（２）と前記ＩＣパッケージの各電極（８）とを導通させる電極プローバー（１９、１９ａ）において、
一端が前記ＩＣ取付面の電極（２）に当接し他端が前記ＩＣパッケージの電極（８）に当接するとともに共有結合性結晶材料で形成された伸縮可能な複数のバネ部材（２２、２２ａ、２２ｂ、３０）と、
この各バネ部材の表面を覆う導電性の金属皮膜と、
前記複数のバネ部材における各バネ部材の中途位置を互いに非接触で支持する基板（２０）とを備えた電極プローバー。」
イ；「【００３２】基板２０に形成された各貫通孔２１内にバネ部材２２が貫通されている。このバネ部材２２は、図３（ａ）に示すように長さＬ＝１００μｍ〜２００μｍ、厚みｔ＝１０μｍ〜２０μｍを有する単結晶シリコンウエハ材料２６から、図３（ｂ）に示すように、幅Ｗ＝１００μｍ、厚みｔ＝１０μｍ〜２０μｍの正弦波形状に、エッチング手法にて切出したものである。
【００３３】したがって、このバネ部材２２は、単結晶シリコンウエハ材料２６の表面に平行する一つの面内で図中矢印Ａ方向にのみ伸縮する。そして、このバネ部材２２の先端部には、それぞれＩＣパッケージ４の電極８及びＩＣ取付面３の電極２と一定面積以上で接触する接触部２４，２５が形成されている。
【００３４】この単結晶シリコンで形成されたバネ部材２２の表面は、金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜で覆われている。なお、金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜は、単結晶シリコンに比較して十分に伸縮性を有するので、たとえ、バネ部材２２が矢印Ａ方向に大きく伸縮したとしても、導電性金属被膜がバネ部材２２の表面から剥げ落ちることはない。」及び【図３】
ウ；「【００４３】（第２実施形態）図４は、本発明の第２実施形態の電極プローバー１９ａの一部を取出して示す断面模式図である。図１に示す第１実施形態の電極プローバー１９と同一部分には同一符号が付してある。したがって、重複する部分の詳細説明を省略する。
【００４４】この第２実施形態の電極プローバー１９ａに組込まれている、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とを電気的に導通する導電性金属で被服（審決注；この「被服」の記載が、「被覆」の誤記であることは明らかである。）された各バネ部材３０は、一つの面内で互いに平行するとともに、各電極８、２に当接する位置で連通する一体形成された一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂで構成されている。そして、各電極８、２に当接する部分は、各電極８、２に対して一定面積以上で接触するように平面に形成されている。したがって、この平面に形成された部分が、図１、図３に示す接触部に相当する。
【００４５】また、この一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂからなる各バネ部材３０が貫通する基板２０の貫通孔２１内に、２本の単位バネ部材３０ａ、３０ｂの中途位置が接着剤２３で固定されている。なお、この一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂからなる各バネ部材３０の製造方法は、第１実施形態の電極プローバー１９の各バネ部材２２と同様に、単結晶シリコンウエハ材料２６からエッチング手法を用いて切出す。」及び【図４】
　
２）引用刊行物には、記載アによれば、電極プローバーが記載され、更に、この電極プローバーについて詳しく見ていくと、導電性の金属皮膜に覆われたバネ部材が見て取れ、該バネ部材は、その一端がＩＣ取付面の電極に当接し、他端がＩＣパッケージの電極に当接し、これら電極を電気的に導通させることは明らかであるから、電極といい得るものであって、「導電性の金属皮膜に覆われたバネ部材からなる電極」の発明が記載されているということができる。
　そこで、この発明におけるバネ部材について詳しく見ていくと、引用刊行物には、第１実施形態とされるものについて記載されていることが明らかな記載イによれば、バネ部材２２が記載され、これは、正弦波形状に単結晶シリコンウエハ材料からエッチング手法にて切出して基材（以下、「基材（２２）」という。）を得、その表面を金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜で覆ったものであることが見て取れる。そして、記載イの【図３】には、平板状の所定の厚みを有する上記単結晶シリコンウエハ材料の表面上に正弦波形が輪郭を持った線図として描かれており、基材（２２）は、単結晶シリコンウエハ材料から、このような輪郭に沿ってエッチングすることにより、切出されていることが分かる。そして、基材（２２）は、エッチング手法により切出すことにより現出する、上記単結晶シリコンウエハ材料の厚み方向の面を有することは明らかで、このような面を、以下、「基材厚み面」という。
　次に、引用刊行物には、記載ウによれば、一体形成された、一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂで構成された環状のバネ部材３０が、第２実施形態として記載されていることが認められ、記載ウに「バネ部材３０の製造方法は、第１実施形態の電極プローバー１９の各バネ部材２２と同様に、単結晶シリコンウエハ材料２６からエッチング手法を用いて切出す。」と記載されていることから、バネ部材３０は、基材２２と同様に、平板状の所定の厚みを有する単結晶シリコンウエハ材料の表面上に環が輪郭を持った線図として描かれたような、その輪郭に沿った形でエッチングすることにより、切出されているもので、基材厚み面を有していることは明らかである。
　してみると、引用刊行物には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「単結晶シリコンウエハ材料からエッチングによって、基材厚み面を有する環状の基材を形成し、その表面を導電性の金属皮膜で覆った環状のバネ部材３０からなる電極。」
　
３−２−３．対比判断
　
１）引用発明と本件発明とを対比すると、引用発明の「基材厚み面」、すなわち、「エッチング手法により切出すことにより現出する、単結晶シリコンウエハ材料の厚み方向の面」は、本件発明の「単結晶シリコンウェハーの断面」に対応し、また、引用発明の「基材」は、本件発明の「部材」に対応し、両者は、「単結晶シリコンウェハーからエッチングによって、該ウェハーの断面を有する部材を形成し、その表面に導電性層を設けたシリコン製ばね電極」である点で一致し、以下の相違点ａ及びｂで相違していると認められる。
　
相違点ａ；本件発明は、異方性エッチングによって部材を形成する点。
相違点ｂ；引用発明は、基材が、基材厚み面を有する環状のものであるのに対し、本件発明は、上記基材に対応する部材が、上記基材厚み面に対応する、単結晶シリコンウェハーの断面、を板ばねの板面とする曲がり板ばね形状のものである点。
　
２）そこで、まず、相違点ａについて検討する。
　エッチングとして、異方性エッチングは、この出願当時に周知慣用の技術であるから（本件審判に係る審判請求書に添付された甲第１号証（「マイクロマシーニングとマイクロメカトロニクス」、１１〜１２頁、株式会社培風館、１９９２年６月２０日、発行）、特開昭６０−１０６１６５号公報、特開昭６１−３１３８６号公報及び特開昭６２−２９６４１８号公報、参照）、引用発明のエッチングとして、該技術を適用することは、容易に相当し得るものであって、相違点ａは、容易に為し得たものといえる。
　
３）次に、相違点ｂについて検討する。
　引用発明のバネ部材３０について記載された、先に「３−２−２」の「１）」で摘示した記載ウには、「各電極８、２に当接する部分は、各電極８、２に対して一定面積以上で接触するように平面に形成されている。」とあり、記載ウの【図４】を参照すると、バネ部材３０において電極８、２に接触する部分に対応する、引用発明の基材厚み面を、少なくとも、比較的面積の広い平面にすることが実質的に記載されていると認められる。
　そこで、検討すると、バネ部材３０は、先に「３−２−２」の「２）」で述べたことから明らかなように、平板状の所定の厚みを有する単結晶シリコンウエハ材料の表面上に環が輪郭を持った線図として描かれたような、その輪郭に沿った形でエッチングされることにより切出される工程を経るものであって、比較的面積の広い平面にするとの上記記載に接した当業者は、単結晶シリコンウエハ材料の厚みを相対的に厚くし、基材厚み面の前記厚みの方向の長さを大きくすること、その結果として、引用発明の基材を、その基材厚み面を板面とする環状のものとすることは、容易に想到し得るものといえる。そして、基材厚み面を板面とする環状の基材は、単結晶シリコンウェハーの断面を板ばねの板面とする曲がり板ばね形状の部材に相当するものである。
　以上のことから、相違点ｂも容易に為し得たものといえる。
　
４）してみると、引用発明において、相違点ａ及びｂは、容易に為し得たものであって、本件発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５）これに対し、請求人は、その審判請求書においては、要するに、本件補正が認められることを前提とする主張が述べられているだけで、実質的な主張をしていないし、また、先に「１」で述べた手続の経緯からも明らかなように、本件補正前の明細書における請求項１〜６に係る発明は、原査定の拒絶理由のとおりに、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことを報告する、特許法第１６２条による審査（前置審査）おける前置報告書の内容について意見を求めた審尋に対しても、何らの回答書の提出がなかったものである。
　
３−２−４．まとめ
　本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできず、原査定の拒絶理由は、相当である。
　
４．結び
　原査定は、妥当である。
　したがって、結論のとおり審決する。