【事件の表示】
　特願２０００−１０２２３６「半導体装置の製造方法および半導体の製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１２日出願公開、特開２００１−２８４２９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、平成１２年４月４日の特許出願であって、同１７年１月２１日付けで拒絶の理由が通知され、同年３月２５日に手続補正がなされ、同年９月１日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月７日に手続補正がなされ、同１８年２月９日付けで拒絶の理由が通知され、同年４月１７日に手続補正がなされたが、同年６月２８日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同年８月３日に本件審判の請求がなされ、同年９月４日に明細書を対象とする手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　本審決において、意匠法等の一部を改正する法律（平成１８年法律第５５号）附則第３条第１項に規定される各条については、同項の規定により、なお従前の例による。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び９について補正をするものであって、補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
「【請求項１】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸およびアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造方法であって、
　水の電気分解によりアノードから酸素を発生させ
、
　前記酸素を研磨液中に溶解させる工程（ｂ）と、
　前記工程（ｂ）の後に、前記研磨液を用いて金属膜を研磨する工程（ｃ）と、
　前記工程（ａ）の後に、前記水素を純水に溶解させて水素溶解水を生成する工程（ｄ）と、
　前記工程（ｃ）の後に、前記水素溶解水を洗浄液として用いて前記金属膜を洗浄する工程（ｅ）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸及びアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造装置であって、
　水を電気分解する電気分解手段と、前記水の電気分解
に
により
　
（２）補正後
「【請求項１】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸およびアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造方法であって、
　水の電気分解によりアノードから酸素を発生させ、
前記アノードと対となる
　前記酸素を研磨液中に溶解させる工程（ｂ）と、
　前記工程（ｂ）の後に、前記研磨液を用いて金属膜を研磨する工程（ｃ）と、
　前記工程（ａ）の後に、前記水素を純水に溶解させて水素溶解水を生成する工程（ｄ）と、
　前記工程（ｃ）の後に、前記水素溶解水を洗浄液として用いて前記金属膜を洗浄する工程（ｅ）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸及びアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造装置であって、
　水を電気分解する電気分解手段と、前記水の電気分解
手段
手段
前記アノードと対となる
　
２．補正の適否　　　
　本件補正の特許請求の範囲についての補正は、請求項１及び９の「カソード」について特定事項を付加するとともに、請求項９の「前記水の電気分解」を従前の記載に整合させ「前記水の電気分解手段」とするものであり、それぞれ、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮、同第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項９に係る発明（以下「補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、上記１．（２）の請求項９のとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
　これに対し、原査定で文献３として引用され本件出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２４４６７７号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア．段落０００１〜０００２
「【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体製造工程において洗浄水として用いられる水素溶解水の如き一定量のガスを溶解してなるガス溶解水を製造するためのガス溶解水製造装置に関する。
【従来の技術】半導体製造工程において、シリコンウエハ表面に付着している微粒子、有機物、金属、自然酸化膜等の除去を行うための洗浄が行われるが、・・・この点を解決するため、超純水に水素ガスを溶解せしめた水素溶解水を用いてすすぎ等の洗浄を行う方法が既に幾つか提案されている。」
  　
イ．段落００２２〜００２６
「水供給管１８より超純水を供給し、流入管８を介して電解装置１に超純水を流入し、ここで水の電気分解を行う。水の電気分解により陰極７側に水素ガスが生じる。陰極室５より流出するのは水素ガスと水との気液混合物であり、この気液混合物は流出管９を経て気液分離器１１に流入する。
　この気液分離器１１において水素ガスと水とが分離し、水素ガスはガス供給管１２を通ってガス溶解装置２に導かれる。・・・
　電解装置１において、陽極６側には酸素ガスが発生し、この酸素ガスは陽極室４より、流出管１０を経て系外に排出される。・・・
　上記の如くガス供給管１２よりガス溶解装置２に導かれた水素ガスは、該装置２のガス供給通路１６に流入する。一方、該装置２の水供給通路１７には水供給管１８より超純水が供給される。水素ガスはガス透過膜１５を通過して水供給通路１７内に入り込み、ここで超純水に溶解して水素溶解水が得られる。
　・・・。この水素溶解水は水流出管２２を経て系外に流出し、例えば半導体製造工場における洗浄工程に送られ、シリコンウエハ等の半導体基板に対する洗浄水として用いられる。」
　
　これらの記載事項を、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
「半導体製造工程のガス溶解水製造装置であって、
　水を電気分解する電気分解手段と、前記水の電気分解手段により陽極から発生させた酸素ガスを系外に排出する手段と、前記水の電気分解手段により前記陽極と対となる陰極から発生した水素ガスを超純水に溶解させて水素溶解水を生成する水素溶解水生成手段と、前記水素溶解水を洗浄水として使用する洗浄手段とを設けた半導体製造工程のガス溶解水製造装置。」
　
　また、同じく文献２として引用された刊行物である特開平１０−７９３６３号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア．段落０００２〜０００５
「・・・。鏡面ウエハは、次の手順で作製される。
（１）（原文は丸囲み数字）結晶インゴットをスライスし、ウエハを切り出す。
（２）ウエハをアルミナ砥粒で粗研磨して平坦性を高めた後、メカノケミカル研磨によりウエハの表面を鏡面に仕上げる。
（３）鏡面ウエハの脱脂洗浄を行った後、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液での洗浄および超純水での洗浄を行う。」
　
イ．段落００３６
「本実施形態においては、研磨液として有効塩素５％以上の次亜塩素ナトリウム水溶液または臭素−メタノール溶液に混合する酸化剤として過酸化水素水を挙げているが、特にこれに限定するものではなく、酸素やオゾンなどであってもよい。・・・」
　
　これらの記載事項から、技術常識を踏まえて整理すると、刊行物２には以下の事項（以下「刊行物２事項」という。）が記載されていると認める。
「ウエハの製造において、酸素を含む研磨液を用い、メカノケミカル研磨によるウエハ表面の仕上げ後、ウエハの洗浄を行うもの。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「半導体製造工程のガス溶解水製造装置」と、補正発明の「半導体装置の製造装置」とは、「半導体製造工程の製造装置」である限りにおいて一致し、刊行物１発明の「酸素ガスを系外に排出する手段」と、補正発明の「酸素を前記研磨液中に溶解させる溶解手段」とは、「酸素を処置する手段」である限りにおいて一致する。
　刊行物１発明の「陽極」、「酸素ガス」、「陰極」、「水素ガス」、「超純水」、「洗浄水」は、それぞれ補正発明の「アノード」、「酸素」、「カソード」、「水素」、「純水」、「洗浄液」に相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致している。
「半導体製造工程の製造装置であって、
　水を電気分解する電気分解手段と、前記水の電気分解手段によりアノードから発生させた酸素を処置する手段と、前記水の電気分解手段により前記アノードと対となるカソードから発生した水素を純水に溶解させて水素溶解水を生成する水素溶解水生成手段と、前記水素溶解水を洗浄液として使用する洗浄手段とを設けた半導体製造工程の製造装置。」
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。
　補正発明は「酸素を処置する手段」が「酸素を研磨液中に溶解させる溶解手段」であり、「研磨液を用いて金属膜を研磨する研磨手段」を有し、「純水と砥粒とｐＨ調整のための酸及びアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う」ものであり、「洗浄液」は「化学的機械研磨後」に使用されるものであるが、刊行物１発明は特定されていない点。
　
（４）相違点の検討
　相違点について検討する。
　刊行物１発明においては、酸素ガスは系外に排出され、利用されていない。
　ところで、製造費用の低減は一般的課題であるところ、利用されていない酸素ガスを、利用することにより、製造費用の低減が期待される。
　さらに、水の電気分解により生じた、水素ガス、酸素ガスをともに利用するものも、特開平９−１４３７７９号公報の段落０００１、特開平１０−２６５９８８号公報の段落０００１にみられるごとく周知でもある。
　酸素ガスの利用という観点で、半導体製造工程をみると、洗浄工程の前工程である化学的機械研磨（メカノケミカル研磨）工程において、酸素ガスが必要なことが、刊行物２事項から明らかである。
　そして、半導体製造工程において、研磨工程と洗浄工程とは、関連する工程であり、しかも、特開平１０−２７５７８８号公報、特開２０００−３６４７７号公報にみられるごとく、装置として一体化されたものも周知であるから、刊行物１発明において利用されていない酸素ガスを、酸素ガスが必要な研磨工程で利用することを試みることに困難性は認められない。
　また、化学的機械研磨において、純水と砥粒とｐＨ調整のための酸及びアルカリとからなる研磨液を用いて金属膜を研磨することは、特開平１１−８７２８５号公報の段落０００３、特開平１０−３２４８６５号公報の段落００１９にみられるごとく周知である。
　
　請求人は、「組み合わせに困難性があり」、たとえ組み合わせることができたとしても「酸素と水素とを発生させる水の電気分解を共用する」ことには当業者といえども容易に想到できない旨主張する。
　しかし、これら主張は、上記のとおり、採用することができない。
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本件発明について
１．本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし１５に係る発明は、平成１８年４月１７日付けで補正された明細書及び図面の記載、上記の請求項９に係る誤記を踏まえ、以下のとおりと認められるところ、請求項９に係る発明（以下「本件発明」という。）は、以下の請求項９に記載されたとおりである。
　
「【請求項１】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸およびアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造方法であって、
　水の電気分解によりアノードから酸素を発生させ、カソードから水素を発生させる工程（ａ）と、
　前記酸素を研磨液中に溶解させる工程（ｂ）と、
　前記工程（ｂ）の後に、前記研磨液を用いて金属膜を研磨する工程（ｃ）と、
　前記工程（ａ）の後に、前記水素を純水に溶解させて水素溶解水を生成する工程（ｄ）と、
　前記工程（ｃ）の後に、前記水素溶解水を洗浄液として用いて前記金属膜を洗浄する工程（ｅ）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】　請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記工程（ａ）の後に、前記酸素を純水に溶解させて酸素溶解水を生成する工程（ｆ）と、
　前記工程（ｃ）の後に、前記酸素溶解水を洗浄液として用いて前記金属膜を洗浄する工程（ｇ）を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】　請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記工程（ｂ）は、研磨液供給装置内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】　請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
　前記工程（ｃ）は、前記工程（ｂ）に続いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】　請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
　前記工程（ｂ）の前に、前記研磨液に過酸化水素を溶解させる工程（ｈ）を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸およびアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造方法であって、
　水の電気分解によりアノードから発生した酸素を前記研磨液中に溶解させ、前記研磨液の酸化還元電位を測定し、前記酸化還元電位が常に規定の電位範囲内になるように、前記研磨液中への前記酸素の溶解量をフィードバック制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸およびアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造方法であって、
　空気又は酸素の無声放電により発生したオゾンを前記研磨液中に溶解させ、前記研磨液の酸化還元電位を測定し、前記酸化還元電位が常に規定の電位範囲内になるように、前記研磨液中への前記オゾンの溶解量をフィードバック制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】　請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記研磨液には過酸化水素が溶解されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸及びアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造装置であって、
　水を電気分解する電気分解手段と、前記水の電気分解
手段
手段
【請求項１０】　請求項９に記載の半導体装置の製造装置において、
　前記酸素を純水に溶解させて酸素溶解水を生成する酸素溶解水生成手段と、前記酸素溶解水を化学的機械研磨後の洗浄液として使用する洗浄手段とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１１】　請求項９または１０に記載の半導体装置の製造装置において、
　前記酸素を前記研磨液中に溶解させる前記溶解手段は、研磨液供給装置内に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１２】　請求項９〜１１のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置において、
　前記酸素を前記研磨液中に溶解させる前記溶解手段は、前記研磨液の供給直前の配管に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１３】　請求項９〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置において、
　前記研磨液の酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段と、前記酸化還元電位が常に規定の電位範囲内になるように、前記研磨液中への前記酸素の溶解量をフィードバック制御する制御手段とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１４】　純水と砥粒とｐＨ調整のための酸及びアルカリとからなる研磨液を用いて化学的機械研磨を行う半導体装置の製造装置であって、
　空気又は酸素を無声放電する無声放電手段と、
　前記空気又は酸素の無声放電により発生したオゾンを前記研磨液中に溶解させる溶解手段と、
　前記研磨液の酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段と、
　前記酸化還元電位が常に規定の電位範囲内になるように、前記研磨液中へのオゾンの溶解量をフィードバック制御する制御手段とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１５】　請求項９〜１４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造装置において、
　前記研磨液は過酸化水素を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造装置。」
　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の際にあげられた刊行物及びその記載内容は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本件発明は、上記第２．２．で検討した補正発明において、前記特定事項を削除するものである。
　そうすると、本件発明に特定事項を付加した補正発明が、上記第２．２．（４）で示したとおり、刊行物１発明、刊行物２事項、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。