【事件の表示】
　特願２０００−　２３８６８「半導体材料の２つの領域間に界面領域を形成する方法および半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月１５日出願公開、特開２０００−２２８４０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年２月１日（パリ条約優先権主張　１９９９年２月４日、米国）の出願であって、平成１７年４月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２３日付けで手続補正がなされたものであり、その後、当審において、平成１８年８月２２日付けで審尋がなされ、その後同年１１月２４日に回答書が提出されている。
　　
２．平成１７年８月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年８月２３日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正後の請求項１、４０及び４１に係る発明は、その請求項１，４０および４１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体材料の２つの領域間に、少なくとも１つの界面領域を形成する方法において、　　
　前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程を含み、
　前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御することを特徴とする方法。」
「【請求項４０】
　半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程と、前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記半導体材料の２つの領域間における界面の電気抵抗値を制御する工程とを含む方法により作製される半導体デバイス。
【請求項４１】
　半導体材料の第１の領域と、
　半導体材料の第２の領域と、
　前記半導体材料の第１の領域と前記半導体材料の第２の領域との間の一部に窒素を含み複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を含み、前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記第１の領域と前記第２の領域との間における界面の割合により当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記第１の領域と前記第２の領域との間における界面の電気抵抗値を制御する界面領域と、
を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
（２）補正内容の整理
　補正事項１　
　補正前の請求項１の「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程を含み」を、補正後の請求項１の「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程を含み」と補正すること（補正事項１）。
　補正事項２　
　補正前の請求項４０の「半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」を、補正後の請求項４０の「半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」と補正すること（補正事項２）。
　補正事項３
　補正前の請求項４１の「前記半導体材料の第１の領域と前記半導体材料の第２の領域との間の一部に窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を含み」を、補正後の請求項４１の「前記半導体材料の第１の領域と前記半導体材料の第２の領域との間の一部に窒素を含み複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を含み」と補正すること（補正事項３）。
（３）補正の目的及び新規事項の追加の存否について
　補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１の「窒素を含む誘電体材料の」「領域」について、「窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の」「領域」と限定するもの、言い換えると、「窒素を含む誘電体材料の」「領域」が、「複数の島状領域」からなるものであると限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　ここで、本願明細書の００２６段落には、「図３（ｂ）は、半導体材料の２つの領域間に誘電体材料の複数の領域を含む図３（ａ）に示した構造の一部分の拡大断面図を示す。このように、図３（ｂ）は、この発明による構造の実施例の一例を示す構造の一部分を示す。したがって、図３（ｂ）は、単結晶シリコン領域１と多結晶シリコン領域３との間の誘電体材料の複数の領域９を含む界面領域７を示す。矢印１１は、半導体材料の領域間を流れる電流を示す。」と記載されており、図３（ｂ）には、「単結晶シリコン領域１と多結晶シリコン領域３との間の誘電体材料の複数の領域９」が記載されているから、誘電体材料の領域が「複数の島状領域」からなるものであることは、願書に最初に添付した明細書又は図面に実質的に記載されている。
　したがって、補正事項１についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
　よって、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとともに、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　　
　補正事項２及び３について
　上記「補正事項１について」において検討したと同様な理由により、補正事項２及び３についての補正も、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとともに、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
　したがって、補正事項１ないし３についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとともに、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（４）独立特許要件についての検討　
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、本件補正後の請求項に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるか否かについて更に検討する。
　
（４−１）請求項１について（特許法第３６条第６項第２号に関して）
（ａ）本件補正後の請求項１の「前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」なる記載において、「誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」は、「誘電体材料」の「１つの領域」を形成するものを含んでいるにもかかわらず、「複数の島状領域を形成する誘電体材料」と記載されており、「複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域」、言い換えると、「誘電体材料」の「１つの領域」が「複数の島状領域」からなるとは、どのような構成を意味するか不明であり、本件補正後の請求項１に係る発明の構成が明確でない。
（ｂ）また、「誘電体材料の少なくとも１つの領域」なる記載は、「複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域」、「前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さ」及び「前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面」と、本件補正前の請求項１及び本件補正後の請求項１において、本件補正により補正されることなく、それぞれ３箇所の記載があり、「誘電体材料の少なくとも１つの領域」の「少なくとも１つ」が誤記又は錯誤に基づく記載であると解することはできない。
（ｃ）したがって、本件補正後の請求項１に係る発明は、明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
（４−２）請求項４０及び４１について
　上記「請求項１について」において検討したと同様の理由により、本件補正後の請求項４０及び４１に係る発明は、明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
（４−３）請求項５について（特許法第３６条第６項第１号に関して）
（ｄ）本件補正により、本件補正前の請求項１の「窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域」は、本件補正後の請求項１の「窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料の少なくとも１つの領域」と補正された。
　本件補正後の請求項５は、本件補正前の請求項５と文言上何らの補正もされていないが、本件補正前の請求項５は、本件補正前の請求項１を引用するものであり、また、本件補正後の請求項５は、本件補正後の請求項１を引用するものであることは明らかであるから、本件補正後の請求項５は、請求項１の本件補正による補正に伴って、実質的に補正されている。
　本件補正後の請求項１を引用する請求項である本件補正後の請求項５には、「前記誘電体材料は、Ｎ,ＳｉｘＮｙ，またはＳｉｘＯｙＮｚであること」と記載されており、本件補正後の請求項１に記載される「前記誘電体材料」は「Ｎ」であることを含んでいる。
（ｅ）また、平成１５年６月１６日意見書の「（２）請求項５、４６について」において、「本願明細書において、「誘電体材料」は、誘電体を構成する原子または分子を意味します。すなわち、請求項５に係る発明は、請求項１に係る発明において、「窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域」が、Ｎ原子、ＳｉｘＮｙ分子、またはＳｉｘＯｙＮｚ分子で構成される少なくとも１つの領域であることを限定するものです。」と主張している。
　ここで検討するに、「誘電体材料」が「Ｎ原子」で構成されるとすると、「窒素を含み、複数の島状領域を形成する誘電体材料」「の領域」は、「Ｎ原子」のみからかる「複数の島状領域を形成する誘電体材料」「の領域」を意味することになる。
（ｆ）ここで、本願明細書には、上記（３）で検討したとおり、００２６段落及び図３（ｂ）には、誘電体材料の領域が「複数の島状領域」からなるものであることが、実質的に記載されている。
（ｇ）「窒素を含む少なくとも１つの誘電体材料の領域」については、明細書の各所（例えば、００１３段落、００１５段落等）に記載があるものの、Ｎを誘電体材料として用いることについては、「前述したように、半導体材料の２つの領域間の誘電体材料は、一般的に窒素を含む。窒素は、あらゆる形態とすることができる。例えば、窒素は、ＳｉxＮy（シリコンナイトライド）および／またはＳｉxＯyＮz （シリコンオキシナイトライド）を形成するＮ2Ｏ ，ＮＨ3 ，および／またはＮＯを含むガス環境から注入されたＮ+ 、あるいは付着されたＮの形態とすることができる。」（００２０段落）と記載され、また、Ｎを含むガスを用いて誘電体材料の領域を形成することは、「誘電体材料の領域を形成するためのこの発明による方法の第２の実施例によれば、半導体材料の一方の領域を、高温、および窒素含有ガス雰囲気へさらすことができる。ガス雰囲気は、Ｎ2Ｏ ガス，ＮＯガス，およびＮＨ3 ガスの少なくとも一種を含むことができる。」（００３８段落）と記載され、さらに、窒素を半導体材料にイオン注入することにより、「低レベルの窒素が半導体材料内へ注入される一実施例によれば、窒素は、約２ｋｅＶより低いエネルギーで注入される。」（００３４段落）、「一実施例によれば、アニール処理を急速熱アニール・・・とすることもできる。急速熱アニールを、約１〜約６０秒の期間、約９００℃〜約１１００℃の温度で行うことができる。このような急速熱アニールを用いて、ＳｉxＮy（シリコンナイトライド）および／またはＳｉxＮyＯz （シリコンオキシナイトライド）を形成することができる。」（００３６段落）と記載されるように、ＳｉＮ（膜）又は、ＳｉＮＯ（膜）を形成することができる。
（ｈ）しかしながら、本願の発明の詳細な説明の窒素を含む誘電体材料の領域を形成する技術に関する記載を参照しても、Ｎのみで「誘電体材料の膜」、言い換えると「膜」を形成することが記載されているとは言えない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明には、「複数の島状領域」を形成することが実質的に記載され、また、ＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜を薄く形成することにより、複数の島状の領域とすることが実質的に記載されていると解することはできるとしても、Ｎのみで「複数の島状領域」を形成することまでもが記載されていると解することはできない。
　
　（４−４）小むすび
　したがって、Ｎのみで「誘電体材料」からなる「複数の島状領域」を形成することは、本願の発明の詳細な説明に記載がなく、言い換えると、本件補正後の請求項５に係る発明の「前記誘電体材料は、Ｎ,ＳｉｘＮｙ，またはＳｉｘＯｙＮｚであること」の内、「前記誘電体材料は、Ｎ」であることは、本願の発明の詳細な説明に開示されたものではないから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　
　（５）むすび
　よって、本件補正後の請求項１及び請求項５に係る発明は、特許出願の際に独立して特許を受けることができないから、請求項１及び請求項５についての補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年８月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５４に係る発明は、平成１５年１２月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　半導体材料の２つの領域間に、少なくとも１つの界面領域を形成する方法において、
　前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程を含み、
　前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御することを特徴とする方法。」
　
４．刊行物に記載された発明
　（１）JanMye James Sung et.al.，Analytical Modeling of Oxide Breakup Effect on Base Current in n+-Polysilicon Emitter Bipolar Devices，IEEE Transactions on Electron Devices，１９９２年１２月，Vol.39, No.12，pp.2797-2802（以下、「刊行物１」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に米国で頒布された刊行物１には、図２、図３及び表Ｉとともに以下の事項が記載されている。   
　
「要約：我々は、破壊界面酸化膜領域（界面ボイド）の異なる百分比でのベース電流についての最近の観察をモデル化することに成功した。界面酸化膜被覆領域を通してのトンネリングと破壊界面酸化膜領域を通しての拡散のいずれをも含む、多結晶シリコンとシリコンエミッタとの界面での、小数キャリア搬送のデュアルチャネル擬２次元構造は、電気的に等価なコンダクタンスネットワークのアナロジーとして構築できる。開発されたコンダクタンスネットワークを用いて、ベース電流の分析的表現は簡単に導き出せる。厚さ１０−１５Å程度の界面酸化膜を備えた典型的多結晶シリコンエミッタデバイスについての実験結果は、ベース電流が界面ボイドの割合に強く依存することを示す。更に、シミュレーションにより、ベース電流は、非常に薄い界面酸化膜（界面酸化膜の厚さは約５Åより薄い）において、多結晶シリコンエミッタデバイスに対する界面酸化膜破壊の割合には影響されないことが予想される。界面ボイドの割合の関数としてのエミッタ抵抗モデリングと共に、界面破壊比率のある範囲での、電流増幅率とエミッタ抵抗の最適化の間のプロセスウインドウの発見についての最近の報告が示されている。」（第２７９７頁右欄第１行ないし第２１行の訳文）　　
「III．シミュレーションと実験結果の比較
　表Ｉには、シミュレーションに用いるパラメーター値を列記する　。列記したパラメーターの中には、多結晶粒サイズ、多結晶厚さ、エミッタ接合深さ、エミッタドーピングプロファイル、及び破壊界面酸化膜の百分比は、高分解能のＴＥＭ（ＨＴＥＭ）とＳＩＭＳ分析により得られた。図２には、界面ボイドの割合（破壊酸化膜領域の百分比）に対しての、界面酸化膜の異なる厚さに対してシミュレートしたベース電流と、実測ベース電流の比較が示されている。黒い四角（■）は、測定での界面ボイドの割合とウエハを横切るベース電流の測定時のバラツキを示す誤差範囲表示を伴う実験データである。ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）前の界面酸化膜の最初の厚さは、高分解能のＴＥＭ技術で測定して、１５Åだった。界面ボイドが２％以上の場合には、実測データは、１０Åの界面酸化膜条件でのシミュレート値と非常に良く整合することが分かった。界面ボイドが２％以下で、ベース電流が正確には一致していないのは、界面ボイドの成長において、酸化膜が順次薄くなる現象の効果によるものであると信じられている。その結果、界面での酸化膜の初期の厚さの１５ないし２０Åは、界面ボイドを形成する前に、１０Å程度に減少する。したがって、破壊酸化膜領域の低い百分比でのベース電流の急激な増加が起こる。界面の破壊の後、我々は、下地シリコン基板と多結晶の再度の位置合わせ（シリコンの再成長）を実際に観測した。再度の位置合わせ領域における多結晶粒のサイズ変化の推移は、我々の現在のモデルには含まれない。我々は、正確なベース電流モデリングでの、より広い領域の界面破壊領域において、その効果が重要であると信じている。極めて薄い界面酸化膜デバイスにおいてベース電流への界面破壊の効果を更に研究するために、我々は、５Å又はそれより薄い場合において、ベース電流は破壊界面酸化膜領域とほぼ無関係になることを発見した。物理的には、これは、５Å又はそれより薄い界面酸化膜のトンネルチャネルコンダクタンスが多結晶シリコン領域と比べて遙かに大きく、このため、有効ホールコンダクタンスは主に多結晶シリコンにより決定されることから、理解できる。
　図３には、界面ボイドの割合に対する、エミッタ抵抗のシミュレーション値と実験データとの比較が示されている。異なる界面ボイド比率での全ての値が、１００％界面ボイド条件での実験値から外挿したエミッタ抵抗に対して規格化されている。１００％界面ボイドでの飽和エミッタ抵抗は、金属抵抗、金属・シリサイド接触抵抗、シリサイド抵抗、シリサイド・多結晶（接触）抵抗、多結晶抵抗と中性シリコンエミッタ抵抗を含んでいる。０％から１％までの界面ボイド形成において、多結晶・シリコン界面抵抗が非常に急激に減少することは、初期の１０−２０Åの界面ボイドを備えたデバイスについての測定データから上手くモデル化出来た。界面ボイドが１０％以上では、シミュレーションと測定データのいずれも、２０Åの界面厚さにおいてさえ、多結晶とシリコン界面での抵抗がないことを示している。」（第２７９９頁右欄第１８行ないし第２８００頁右欄第５行の訳文）
　また、ｐ２８００の図２の説明として、「異なる界面酸化膜厚さでの、界面ボイドの割合の関数としてシミュレーションしたベース電流と、実験データとの比較。多結晶シリコンの厚さは１２００Å。」（訳文）と記載されている。
　さらに、ｐ２８０１の図３の説明として、「異なる界面酸化膜厚さでの、界面ボイドの割合の関数として、１００％界面ボイドに対して規格化したエミッタ抵抗と、実験データとの比較。多結晶シリコンの厚さは１２００Å。」（訳文）と記載されている。
　
　ここで、刊行物１には、多結晶シリコンとシリコンエミッタとの界面に界面酸化膜を形成することが記載されている。　
　また、図２（「異なる界面酸化膜厚さでの、界面ボイドの割合の関数としてシミュレーションしたベース電流と、実験データとの比較。多結晶シリコンの厚さは１２００Å。」（訳文））、「図２には、界面ボイドの割合（破壊酸化膜領域の百分比）に対しての、界面酸化膜の異なる厚さに対してシミュレートしたベース電流と、実測ベース電流の比較が示されている。」（第２７９９頁右欄第２５ないし２９行の訳文）及び、「界面ボイドが２％以上の場合には、実測データは、１０Åの界面酸化膜条件でのシミュレート値と非常に良く整合することが分かった。」（第２７９９頁右欄第３７ないし４０行の訳文）との記載から、界面酸化膜の「界面ボイドが２％以上の場合には」界面ボイドの割合（破壊酸化膜領域の百分比）とベース電流が比例すると言える。
　したがって、刊行物１に記載される多結晶シリコンとシリコンエミッタの界面に形成した界面酸化膜において、界面酸化膜中の界面ボイドの割合が増加することにより、ベース電流はほぼ比例して増加しているから、界面酸化膜中の界面ボイドの割合により、界面酸化膜の電気抵抗値を制御していると言える。
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「多結晶シリコンとシリコンエミッタとの間に、界面酸化膜を形成する方法において、
　前記界面酸化膜の電気抵抗値を制御するために、前記多結晶シリコンと前記シリコンエミッタとの間に、界面ボイドを含む前記界面酸化膜を形成する工程を備え、
　前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合により、前記界面ボイドの割合に比例するベース電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御することを特徴とする方法。」
　
　（２）特開平０４−３２１２３１号公報（以下、「刊行物２」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物２には、図１ないし図３、図８とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００６】
【発明の目的】　本発明の目的は、バイポーラ素子の降伏電圧を低下させずに増幅率を高めることのできる半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【発明の構成】　即ち、本発明は、エミッタ領域とベース領域とコレクタ領域とを有し、前記エミッタ領域に、キャリア移動方向と交差する方向に薄い絶縁膜が形成されている半導体装置に係るものである。
【０００８】
【実施例】　以下、本発明の実施例を詳細に説明する。図１〜図３は、本発明の第１の実施例によるＮＰＮ型バイポーラ素子を示すものである。
【０００９】この例によるバイポーラ素子の基本的構成は図８の従来例と同様であるので、共通する部分は共通符号を付して説明を省略することがある。しかしながら、本例で注目すべきことは、エミッタ領域３の内部に、面方向に極めて薄いＳｉＯ2 膜10が形成されていることである。
【００１０】このＳｉＯ2 膜10はエミッタ領域３を横方向（面方向）に貫通して酸化膜４の開口部11内に形成されている。そして、ＳｉＯ2 膜10の下部は通常の不純物拡散技術で形成されたＮ++型領域３ａ、その上部はエミッタ電極としてのポリシリコン層３ｂとなっており、これらの３ａ及び３ｂで１つのエミッタを構成している。
【００１１】ＳｉＯ2 膜10は50Å以下、特に10〜20Åと極めて薄く形成されるのがよい。これは、常法により、Ｎ++型領域３ａをイオン注入技術によって形成した後、酸化を行うことによって容易に実現することができる。
【００１２】このように、薄いＳｉＯ2 膜10をエミッタ領域３に設けることによって、電子に比べて実効質量の大きいホールのトンネリング確率が小さくなり、これによってＩBEを低下させ得ることが判明した。」
「【００１６】この結果、上記のホール５又はＨＯＬＥ（２）は、エミッタ領域中の多数キャリアである電子と結合し、消滅することになる・・・。即ち、ＩBEが減少する。このとき、電子６はＳｉＯ2 膜10をトンネリングしてエミッタ領域からベース領域２に進入し、ベース領域２を貫通してコレクタ領域１に達する。」
「【００３２】例えば、上述のＳｉＯ2 膜10（更には30）は他の絶縁膜に置き換えることができる。そうした絶縁膜としては電子とホールの透過選択性能があるものであればよく、ＳｉＯ2 以外にもＳｉ3 Ｎ4 等の窒化シリコン等でも適用可能である。」　  
　
５．当審の判断
（１）対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。　　
（ａ）刊行物発明の「多結晶シリコン」と「シリコンエミッタ」がともに、半導体材料であることは明らかであるから、刊行物発明の「多結晶シリコン」と「シリコンエミッタ」は、本願発明の「半導体材料の２つの領域」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「界面酸化膜」は「多結晶シリコンとシリコンエミッタとの間に」形成され、本願発明の「界面領域」は「半導体材料の２つの領域間に」形成されるから、刊行物発明の「界面酸化膜」は、本願発明の「界面領域」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「多結晶シリコンとシリコンエミッタとの間に、界面酸化膜を形成する方法」は、本願発明の「半導体材料の２つの領域間に、」「界面領域を形成する方法」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「界面酸化膜」がシリコン酸化膜であること、及びシリコン酸化膜が誘電体材料であることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明の「界面酸化膜」は、本願発明の「誘電体材料」の「領域」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「前記界面酸化膜の電気抵抗値を制御するために、前記多結晶シリコンと前記シリコンエミッタとの間に、界面ボイドを含む前記界面酸化膜を形成する工程」は、本願発明の「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間」に「誘電体材料の」「領域を形成する工程」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合」とは、「前記界面酸化膜中」に形成される「界面ボイド」の割合であって、ここで、「界面ボイド」について、刊行物１に「破壊界面酸化膜領域（界面ボイド）」と記載されているから、「界面ボイド」は、「破壊界面酸化膜領域」、即ち界面酸化膜が破壊された領域、更に言い換えると、多結晶シリコンとシリコンエミッタとの界面が界面酸化膜に実質的に覆われていない領域を意味する。したがって、刊行物発明は、「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合」言い換えると、界面酸化膜に実質的に覆われていない領域の「割合に比例するベース電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」なる構成を備えるものであるから、刊行物発明の「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合により、前記界面ボイドの割合に比例するベース電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」は、本願発明の「前記誘電体材料の」「領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「半導体材料の２つの領域間に、界面領域を形成する方法において、
　前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間に、誘電体材料の領域を形成する工程を含み、
　前記誘電体材料の領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御することを特徴とする方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１
　本願発明は、「半導体材料の２つの領域間に、少なくとも１つの界面領域を形成する方法」であるのに対して、
　刊行物発明は、「多結晶シリコンとシリコンエミッタとの間に、界面酸化膜を形成する方法」である点。
　相違点２
　本願発明は、「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記界面酸化膜の電気抵抗値を制御するために、前記多結晶シリコンと前記シリコンエミッタとの間に、界面ボイドを含む前記界面酸化膜を形成する工程」を備えている点。
　相違点３
　本願発明は、「前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」との構成を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合により、前記界面ボイドの割合に比例するベース電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」との構成を備えている点。
　
（２）相違点の検討
　以下、相違点について検討する。
　相違点１について
（ａ）刊行物発明の「界面酸化膜」の個数については特定されていないが、少なくとも１つは存在していることは明らかであるから、刊行物発明も「多結晶シリコンとシリコンエミッタとの間に」少なくとも１つの「界面酸化膜を形成する方法」ということができ、相違点１については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違していない。
　
　相違点２について
　相違点２については、本願発明が「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、」「誘電体材料の」「領域を形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明が「前記界面酸化膜の電気抵抗値を制御するために、前記多結晶シリコンと前記シリコンエミッタとの間に、界面ボイドを含む前記界面酸化膜を形成する工程」を備えている点（相違点２−１）と、本願発明が「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間」に、「誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明が「前記界面酸化膜の電気抵抗値を制御するために、前記多結晶シリコンと前記シリコンエミッタとの間に」、「前記界面酸化膜を形成する工程」を備えている点（相違点２−２）と、誘電体材料の領域として、本願発明が「窒素を含む誘電体材料の」「領域」を備えるのに対して、刊行物発明が「界面ボイドを含む前記界面酸化膜」を備えている点（相違点２−３）に区分して検討する。
　相違点２−１について
（ｂ）後述する「相違点３について」において、検討するとおり、相違点２−１については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違していない。
　相違点２−２について
（ｃ）本願発明が「誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する工程」を備える点については、上記「相違点１について」において検討したとおりであるから、相違点２−２については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違していない。
　相違点２−３について
（ｄ）刊行物２には、「バイポーラ素子の降伏電圧を低下させずに増幅率を高める」（０００６段落）ために、エミッタ領域３とベース領域６との接する面、即ち、エミッタ領域３とベース領域６との界面に電子がトンネリングできる程度の厚さの薄いＳｉＯ２膜１０（「ＳｉＯ2 膜10は50Å以下、特に10〜20Åと極めて薄く形成されるのがよい。」(００１１段落参照））を形成すること、及びＳｉＯ２膜１０に代えて、Ｓｉ３Ｎ４（窒化シリコン膜）を用いることができること（「上述のＳｉＯ2 膜10（更には30）は他の絶縁膜に置き換えることができる。そうした絶縁膜としては電子とホールの透過選択性能があるものであればよく、ＳｉＯ2 以外にもＳｉ3 Ｎ4 等の窒化シリコン等でも適用可能である。」（００３２段落参照））も記載されている。また、Ｓｉ３Ｎ４（窒化シリコン膜）が窒素を含む誘電体材料の膜であることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の界面ボイドを含む界面酸化膜に代えて、刊行物２に記載される、エミッタ領域とベース領域の界面に形成されるＳｉ３Ｎ４（窒化シリコン膜）を用いることにより、刊行物発明を、本願発明の如く「窒素を含む誘電体材料の」「領域」を備えたものとすることは、当業者が、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　
　相違点３について
（ｅ）「前記誘電体材料の少なくとも１つの領域」には、「前記誘電体材料」の「１つの領域」が含まれることは明らかであり、本願発明の「前記誘電体材料の少なくとも１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の少なくとも１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」が、「前記誘電体材料の」「１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の」「１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」を含むことは明らかである。
（ｆ）本願発明の「前記誘電体材料の」「１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の」「１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合」とは、ある厚さの「誘電体材料」が「前記半導体材料の２つの領域間における界面」を覆う割合を意味することも明らかである。
（ｇ）上記（２）（ｅ）、（ｆ）、上記（１）（ｃ）及び（ｄ）を参酌するとともに、刊行物発明の「前記界面酸化膜」が所定の厚さを備えることは明らかであることも考慮すると、刊行物発明の「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合」は、本願発明の「前記誘電体材料の」「１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の」「１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合」に相当している。
（ｈ）したがって、本願発明の「前記誘電体材料の」「１つの領域の厚さおよび前記誘電体材料の」「１つの領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」を備える点において、刊行物発明と本願発明とは一致しているから、相違点３については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違していない。　
　
（ｉ）ここで、本願明細書に記載される、「半導体材料の２つの領域間に」形成された「誘電体材料の」「１つの界面領域」及び、「前記界面領域の電気抵抗値を制御するために、前記半導体材料の２つの領域間の一部に、窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成する」ことに関して、 　 「この方法は、半導体材料の２つの領域間の界面の少なくとも一部の付近に、窒素を含む少なくとも１つの誘電体材料の領域を形成し、これにより、界面での電気抵抗値を制御することを含む。」(００１３段落）、「窒素を含む少なくとも一種の誘電体材料の少なくとも１つの領域を含む界面領域が、半導体材料の第１の領域と半導体材料の第２の領域との間の界面の少なくとも一部の付近に配置され、これにより界面の電気抵抗値を制御している。」(００１５段落）、「この発明は、ベース電流したがってβ値と，多結晶シリコン・エミッタと単結晶シリコン基板との間の誘電体材料の少なくとの１つの領域の抵抗値とを制御する。」(００１７段落）、「この発明によれば、誘電体領域は、約１〜約１０Åの厚さを有することができる。厚さは、楕円偏光計で測定することができる。自然酸化物膜を加えた厚さも、楕円偏光計で測定することができる。言い換えれば、誘電体材料は、１つの単分子膜〜複数の単分子膜より小さい厚さを有する膜とすることができる。１つの単分子膜より薄い厚さは、膜が、半導体材料の領域間の界面を完全に覆わないことを示している。」(００２２段落）、「この発明は、半導体材料の２つの領域間に少なくとも１つの界面領域を形成する方法を含む。この方法は、半導体材料の２つの領域間の界面の少なくとも一部の付近に、窒素を含む誘電体材料の少なくとも１つの領域を形成することを含む。誘電体材料の少なくとも１つの領域を種々の方法で形成することができる。」(００３１段落）、「一実施例によれば、誘電体材料の領域は、低ドーズ量の誘電体材料を注入することにより作製される。誘電体の不連続な層を形成して、ベース電流の所望の制御を得ることを確実にするために、低ドーズ量が望ましい。一実施例によれば、低レベルの窒素が注入される。」(００３３段落）、「このような時間をこのような雰囲気，およびこのような温度へ単結晶シリコン基板をさらすことは、単結晶シリコンの表面上に不連続な膜を作製する。」(００３９段落）、「第２の実施例による方法は、楕円偏光法で測定した場合に、約１〜約１０Åの厚さを有する誘電体層を形成することができる。しかし、処理パラメータを制御して、所望の厚さの誘電体層、および半導体材料の２つの領域間の界面の領域被覆の割合を与えることができる。」(００４８段落）、「用いられる化学気相成長法にかかわらず、誘電体材料の領域を作製する方法のこの第３の実施例を用いて、半導体材料の一方の領域上に、不連続な膜を作製することができる。例えば、化学気相成長法を用いて、半導体デバイスのエミッタとして働く単結晶シリコン上に不連続な膜を作製することができる。」(００５１段落）及び「ＣＶＤ処理でのガスの比を制御して、ボイドを形成するための種々の比率を用いることができる。」(００５５段落）と記載されている。
（ｊ）上記（ｉ）の記載から、「多結晶シリコン・エミッタと単結晶シリコン基板との間の誘電体材料の少なくとも１つの領域の抵抗値とを制御する。」(００１７段落）ことができること、及び、「誘電体領域は、約１〜約１０Åの厚さを有することができる。」（００２２段落及び００４８段落）ことは記載されているとしても、実際に形成された厚さ約１〜約１０Åの誘電体材料の領域（薄膜）を備えた構成、言い換えると、「半導体材料の２つの領域間に」「１つの界面領域」を備えた構成、例えば、「多結晶シリコン・エミッタと単結晶シリコン基板」において、「多結晶シリコン・エミッタと単結晶シリコン基板」との間に形成した「界面領域」により、抵抗値を制御できたとの実測データは何ら記載がされておらず、さらに、誘電体領域が「約１〜約１０Åの厚さを有すること」は、平成１５年１２月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１には、記載がなく、「約１〜約１０Å」との厚さを限定する数値に臨界的意義は認められない。
（ｋ）刊行物発明においても、上記４．（１）及び５．（２）「相違点３について」において検討したとおり、「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合により、前記界面ボイドの割合に比例するベース電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」ができ、また、刊行物発明の「前記界面酸化膜中の前記界面ボイドの割合により、前記界面ボイドの割合に比例するベース電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」は、本願発明の「前記誘電体材料の」「領域が覆う前記半導体材料の２つの領域間における界面の割合により、当該界面の割合に比例する電流が流れるように、前記電気抵抗値を制御すること」に相当するとともに、上記構成による、刊行物発明と本願発明とは、「電気抵抗値を制御する」との作用効果において、実質的に同等であると認められる。
（ｌ）したがって、本願発明の作用効果についても、当業者が容易に予測しえる程度のものである。
　　
　よって、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし５４に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。