【事件の表示】
　特願２０００−５６８１１６「超小型電子構造体、その製造方法およびメモリセルにおけるその使用」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月　９日国際公開、ＷＯ００／１３２２４、平成１４年　８月　６日国内公表、特表２００２−５２４８５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、１９９９年８月２日（パリ条約による優先権主張外国受理１９９８年８月３１日、独国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年３月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願請求項１ないし８に係る発明は、平成１７年２月１０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　−基板（１）中に配置された、ドーピング領域（２）を有するトランジスタ（２，３，４，８）を有し、
−前記の基板上に配置され、かつ前記のトランジスタのドーピング領域（２）と接続する、半導体構造体（１０）で充填されたコンタクトホールを有する絶縁層を有し、
−前記の半導体構造体（１０）上に配置されたバリア構造体（１１）を有し、前記のバリア構造体（１１）は、
−チタン層（１１１）と、前記のチタン層（１１１）上に形成された、Ｎ：Ｔｉ＞１の化学量論を有する窒化チタン層（１１２）を有し、その際、前記のチタン層（１１１）は前記の半導体構造体（１０）と窒化チタン層（１１２）との間に配置されていて、
−前記のバリア構造体（１１）上に配置されていてかつ［１１１］テクスチャを有する白金を有する下方の電極（５）を有し、前記の下方の電極（５）中の白金が６０〜１００ｎｍの間の平均粒度を有する粒子を有し、
−前記の下方の電極（５）上に配置された誘電体層（６）を有し、かつ
−前記の誘電体層（６）上に配置された上方の電極（７）を有する
超小型電子構造体。」
　
３．引用した刊行物に記載の発明
（１）特開平９−９７８８３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成９年４月８日に日本国内において頒布された特開平９−９７８８３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図２、７ないし９とともに以下の事項が記載されている。
「【０００８】・・・半導体メモリ素子においては、白金（Ｐｔ）から成る下部電極と層間絶縁層との間に、下からＴｉ層／ＴｉＮ層から成る下地層が形成されている。このＴｉ層／ＴｉＮ層は、白金から成る下部電極の拡散防止及び層間絶縁層への密着性の向上を意図して設けられている。・・・
【０００９】・・・本発明の目的は、強誘電体薄膜を有するキャパシタ構造中に水素や水分が拡散し難い構造を有する半導体メモリ素子及びその形成方法を提供することにある。」
「【００２９】プレーナ型の実施の形態１における半導体メモリ素子の製造方法を、半導体基板等の模式的な一部断面図である図２〜図４を参照して、以下、説明する。
【００３０】［工程−１００］先ず、シリコン半導体基板１０に、公知の方法に基づきＬＯＣＯＳ構造を有する素子分離領域１１を形成する。次に、半導体基板１０の表面を酸化してゲート酸化膜１２を形成する。そして、ポリシリコン層を例えばＣＶＤ法にて全面に堆積させた後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によってポリシリコン層をパターニングし、ポリシリコンから成るゲート電極１３を形成する。尚、このゲート電極１３はワード線を兼ねている。次に、不純物イオンのイオン注入及び注入された不純物の活性化処理を行い、ソース・ドレイン領域１４及びチャネル領域１５を形成する。こうして、半導体メモリ素子における選択トランジスタが形成される。」
「【００６１】・・・実施の形態３における半導体メモリ素子においては、選択トランジスタの一方のソース・ドレイン領域と下部電極とはコンタクトプラグを介して接続され、上部電極はプレート線に接続されている。そして、キャパシタ構造が選択トランジスタの上方に形成されている、所謂スタック型の半導体メモリ素子構造を有する。以下、実施の形態３を、図７〜図１０を参照して説明する。
【００６２】図７に、実施の形態３に係る半導体メモリ素子の模式的な一部断面図を示す。半導体メモリ素子を構成する選択トランジスタの構造は、基本的には実施の形態１にて説明した選択トランジスタの構造と同様とすることができる。
【００６３】選択トランジスタの上方の層間絶縁層２０上には、キャパシタ構造が形成されている。このキャパシタ構造は、例えば白金（Ｐｔ）から成る下部電極２２、強誘電体薄膜から成るキャパシタ部２３、及び、例えば白金（Ｐｔ）から成る上部電極２６から構成されている。下部電極２２は、基体に相当する層間絶縁層２０上に形成されている。キャパシタ部２３は下部電極２２上に形成されている。更に、上部電極２６はキャパシタ部２３の上に形成されている。
【００６４】第１の保護層２１が、基体に相当する層間絶縁層２０と下部電極２２との間に形成されている。一方、第２の保護層２７が、上部電極２６の上に形成されている。実施の形態３においても、第１の保護層２１及び第２の保護層２７は、４Ａ族遷移金属（具体的にはＴｉ）から成る層、及び４Ａ族遷移金属窒化物（具体的にはＴｉＮ）から成る層の２層構造を有する。ここで、Ｔｉから成る層が下層であり、ＴｉＮから成る層が上層である。」
「【００６７】［工程−３００］先ず、実施の形態１の［工程−１００］と同様の方法で、半導体メモリ素子の選択トランジスタの部分を形成する。
【００６８】［工程−３０５］次に、半導体基板１０上に、基体に相当するＢＰＳＧから成る層間絶縁層２０を、例えばＣＶＤ法にて形成した後、窒素ガス雰囲気中で例えば９００゜Ｃ×２０分間、層間絶縁層２０をリフローさせることが好ましい。・・・
【００６９】その後、一方のソース・ドレイン領域１４（例えばソース領域）の上方の層間絶縁層２０に、ＲＩＥ法にて開口部４０を形成する。そして、開口部４０内を含む層間絶縁層２０の上にポリシリコン層をＣＶＤ法にて堆積させ、エッチバック法にて層間絶縁層２０上のポリシリコン層を除去する。次いで、イオン注入法等によりこのポリシリコン中にリン等の不純物をドーピングし、熱処理を施し不純物を活性化する。こうして、開口部４０がドープト・ポリシリコンで埋め込まれたコンタクトプラグ４１を形成することができる（図８の（Ａ）参照）。
【００７０】［工程−３１０］次に、基体に相当する層間絶縁層２０上に第１の保護層２１を形成する。第１の保護層２１の形成条件は、実施の形態１の［工程−１１０］と同様とすることができる。
【００７１】［工程−３１５］その後、実施の形態１の［工程−１１５］と同様にして、第１の保護層２１上に下部電極層を形成する。
【００７２】［工程−３２０］次に、実施の形態１の［工程−１２５］と同様にして、下部電極層上に強誘電体薄膜を形成する。
【００７３】［工程−３２５］その後、ＲＩＥ法等により強誘電体薄膜、下部電極層及び第１の保護層をパターニングし、強誘電体薄膜から成るキャパシタ部２３、及び、例えば白金から成る下部電極２２を形成する。こうして、図８の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。
【００７４】［工程−３３０］次に、全面に、例えばＳｉＯ2から成る絶縁層２４を、例えばＣＶＤ法にて形成した後、キャパシタ部２３の上の絶縁層２４に、ＲＩＥ法にて開口部２５を形成する（図９の（Ａ）参照）。
【００７５】［工程−３３５］その後、開口部２５内を含む絶縁層２４上に上部電極層を形成する。例えば白金（Ｐｔ）から成る上部電極層の形成は、［工程−１１５］と同様とすることができる。」
　
　ここで、図７とその説明を参照すると、図７には、「半導体メモリ素子」が記載され、その選択トランジスタの構造は、「基本的には実施の形態１にて説明した選択トランジスタの構造と同等」（段落【００６２】）であるから、半導体基板１０に形成された、ゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、不純物イオンのイオン注入及び注入された不純物の活性化処理により形成されたソース・ドレイン領域１４、及びチャネル領域１５から構成されている。
　また、半導体基板１０上に層間絶縁膜２０を形成し、一方のソース・ドレイン領域１４の上方の層間絶縁層２０に開口部４０を形成した後、開口部４０がドープト・ポリシリコンで埋め込まれたコンタクトプラグ４１を形成すること、即ち、ソース・ドレイン領域１４と接続するドープト・ポリシリコンで埋め込まれた開口部４０を有する層間絶縁膜２０が記載されている。
　そして、図７とその説明から、コンタクトプラグ４１を構成するドープト・ポリシリコン上に第１の保護層２１を形成し、第１の保護層２１上に下部電極層２２を形成し、下部電極層２２上に強誘電体薄膜から成るキャパシタ部２３を形成し、キャパシタ部２３上に上部電極層２６を形成していることは、明らかである。
　更に、第１の保護層２１は、４Ａ族遷移金属（具体的にはＴｉ）から成る層、及び４Ａ族遷移金属窒化物（具体的にはＴｉＮ）から成る層の２層構造を有し、Ｔｉから成る層が下層であり、ＴｉＮから成る層が上層であり、また、下部電極層２２は、白金から成っている（段落【００６３】、【００６４】）ことが記載されている。
　したがって、刊行物１には、
「半導体基板１０に形成された、ゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、不純物イオンのイオン注入及び注入された不純物の活性化処理により形成されたソース・ドレイン領域１４、及びチャネル領域１５を含む選択トランジスタを有し、
前記半導体基板１０上に形成され、ソース・ドレイン領域１４と接続するドープト・ポリシリコンで埋め込まれた開口部４０を有する層間絶縁膜２０を有し、
前記ドープト・ポリシリコン上に配置された第１の保護層２１を有し、
前記第１の保護層２１は、Ｔｉ層、とＴｉＮ層の２層構造を有し、Ｔｉから成る層が下層であり、ＴｉＮから成る層が上層であり、
前記第１の保護層２１上に配置された白金からなる下部電極層２２を有し、
前記下部電極層２２上に配置された強誘電体薄膜から成るキャパシタ部２３を有し、かつ
前記キャパシタ部２３上に配置された上部電極層２６を有する
半導体メモリ素子。」（以下、「引用発明」という。）
が記載されている。
　
（２）特開平３−１３５０１８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成３年６月１０日に日本国内において頒布された特開平３−１３５０１８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。
「窒化チタンを主成分とする膜を大気に晒した場合には以下の現象が起こる。上記の格子位置にない原子のうち特に、膜表面近傍のチタン原子は大気中において室温で容易に酸化され、ＴｉＯ２等のチタン酸化物となる。すなわち大気中に放置された窒化チタンを主成分とする膜表面には窒化チタンとチタン酸化物が存在すると考えられる。」（第４頁右上欄第１７行ないし左下欄第３行）
「窒化チタンを主成分とする膜を大気に晒すことなく例えば窒素プラズマに晒した場合、上記の孤立したチタン原子が窒化されるため、後に上層にアルミニウムを主成分とする膜を重ねて熱処理を加えても、チタン原子の拡散は起こらない。膜表面近傍の窒素の含有量が増加することにより、膜内部から孤立したチタン原子が拡散した場合も膜表面近傍で固定され、上層のアルミニウムを主成分とする膜中までには拡散しない効果がある。・・・
　特に、膜表面近傍の窒素の含有量が、５４原子％以上である膜はバリア性が優れ、かつ上層のアルミニウムを主成分とする膜との積層配線の耐エレクトロマイグレーション性が高い。かかる原子数比においては、過剰の窒素原子によるトラップ効果のため、膜中からのチタン原子の拡散が生じないため最も効果があると考えられる。」（第４頁右下欄第１２行ないし第５頁左上欄第１０行）
「本発明の半導体装置では窒化チタン表面にチタン酸化物が存在せず、そのためアルミニウム合金膜を積層した後に酸化還元反応が生じない。」（第６頁右下欄第７行ないし９行）
　
（３）特開昭６３−２７２０４９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である昭和６３年１１月９日に日本国内において頒布された特開昭６３−２７２０４９号公報（以下、「刊行物３」という。）には、第６図とともに以下の事項が記載されている。
「本発明の骨子は、ＣＶＤ法で用いるガスを選択することにより、金属窒化物層上への金属膜の成長を容易にしたことにある。さらに、金属窒化物層の窒素を過剰として反応障壁効果を高めることにある。」（第３頁左上欄第１２ないし１６行）
「金属窒化物層の窒素を過剰とすることにより、窒化物粒界に窒素を析出させ、該窒化物層における未反応の金属の残留を防止でき、金属との界面及び窒化物内部での粒界における金属或いはＳｉの拡散を抑制し、金属／Ｓｉ構造の熱的安定性をより高温まで保持することができる。」（第３頁左下欄第１ないし６行）
「第６図は本発明の第４の実施例方法を説明するための工程断面図である。この実施例は、金属膜とＳｉ基板との反応を確実に防止するために、これらの間の金属窒化膜を窒素過剰としたものである。」（第５頁左上欄第１５ないし１９行）
「高真空のスパッタ装置内にて第６図（ｂ）に示す基板上に、１００ÅのＴｉ膜をアルゴンでスパッタ堆積し、その後窒素とアルゴンとの混合ガス雰囲気中（圧力５×１０−３Ｔｏｒｒ）でＴｉターゲットをスパッタすることにより、第６図（ｃ）に示す如く全面に１０００ÅのＴｉＮｘ膜（金属窒化物層）６６を形成する。このとき、ｘは１よりも大とした。次いで、・・・Ａｌ膜（金属膜）６７を堆積する。・・・
　また、同一手法でＡｌの代りにＷを用いた場合、９５０℃でのＷのシリサイド化速度は、Ｎ／Ｔｉ比が１ではＷ厚換算にして１０Å／ｍｉｎであるのに対し、Ｎ／Ｔｉ比が１．２では０．２〜０．５Å／ｍｉｎと低下し、反応障壁効果が著しく向上した。」（第５頁右上欄第１２行ないし左下欄第１８行）
　
（４）特開平９−２４６０８２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成９年９月１９日に日本国内において頒布された特開平９−２４６０８２号公報（以下、「刊行物４」という。）には、図１ないし図４とともに以下の事項が記載されている。
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構造およびその製造方法では、下部電極４を形成する白金を室温で形成しているため、柱状結晶粒の並んだ荒い膜質であるため結晶粒界を通じて密着層３の金属成分が、下部電極４へ拡散し易く、密着層３が消滅して密着強度が劣化しはがれが生じたり、さらに容量絶縁膜５にまで拡散して容量素子の電気的特性が劣化するという課題を有していた。
【０００６】本発明は上記の従来の課題を解決するもので、緻密な膜質の白金を形成することにより、はがれや電気的特性劣化のない容量素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために本発明の容量素子は、密着層の上に形成された下部電極を形成する白金が、２×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2以上の引っ張り応力の内部応力を有するものであり、その製造方法は、下部電極を形成する白金を基板温度を２００℃以上６００℃以下にしてアルゴンガスによるスパッタリング法により形成するものである。
【０００８】本発明によれば、緻密な膜質の白金を形成することができ、はがれや電気的特性劣化のない容量素子が得られる。」
「【００１４】ところで図１（ｂ）の下部電極１４を形成する白金のスパッタリングでは、密着層１３の金属チタンの下部電極１４への拡散を防ぐため緻密な膜質の白金が要求される。図２〜図４に白金の成膜条件と白金の内部応力との関係を示す。内部応力が引っ張り方向で大きいほど緻密な膜となる。・・・白金の内部応力はＡｒガス圧やスパッタリング・パワーによってはあまり変化していない。これらに比べて白金の内部応力は基板温度依存性が大きく、基板温度が高いほど内部応力は引っ張り方向に強くなる。・・・白金の引っ張り応力が大きくなるほど、臨界荷重すなわち密着強度が大きくなることがわかる。この結果、基板温度が高くなるほど、言い換えれば白金の引っ張り応力が大きくなるほど、密着層１３を形成するチタンの拡散が抑制され、密着強度が強くなることがわかる。以上の結果、白金の成膜条件は基板温度を図５に示した臨界荷重がほぼ飽和する２００℃以上にして２×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2以上の引っ張り応力を有する緻密な膜を形成することにより、チタン拡散をほぼ抑制し、密着性の劣化をなくすことができる。」
　
（５）Thermal Stability of Pt Bottom Electrodes for Ferroelectric 
　Capacitors，Jpn.J.Appl.Phys.，１９９８年４月１５日，Vol.37,Part2,
　No.4B，L465-467 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である１９９８年４月１５日に日本国内において頒布されたJpn.J.Appl.Phys.，Vol.37,Part2,No.4B，L465-467（以下、「刊行物５」という。）には、図２及び３とともに以下の事項が記載されている。
「Ｐｔ／ＴｉＮ構造は、酸化雰囲気中で高温被着されるＰｂ（Ｚｎ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）や（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜を用いた強誘電体や誘電体容量の下部電極として、良好な電気特性を達成するために、広く利用されている。」（Ｌ４６５頁左欄第１ないし５行の訳文）
「最初に、我々は、５０ｎｍ厚のＴｉＮ膜を、Ｓｉ基板上にＴｉ金属をターゲットとする反応スパッタリングで被着した。・・・次に、１００ｎｍ厚のＰｔ薄膜が、ＴｉＮ層の上に、圧力４．５Ｐａ、基板温度が室温から５００℃の範囲で、スパッタ被着された。」（Ｌ４６５頁左欄第２３ないし３０行の訳文）
「図２は、被着温度に対する残留応力の依存性を示している。室温で被着されたＰｔ膜は圧縮応力であり、残留応力は被着温度の上昇と共に引張り応力となった。・・・Ｐｔの１１１回折線のロッキングカーブの半値幅は、被着温度の上昇と共に減少する。これは、Ｐｔ膜が、（１１１）方向優先の円柱状のテクスチャを有していることを示している。」（Ｌ４６７頁左欄第２ないし１３行の訳文）
「図３は熱処理後の表面モフォロジーを示している。・・・５００℃で形成されたＰｔ膜の表面は、明らかに、加熱温度がヒロックの生じるしきい値温度より低かったため、ヒロックが無く、なめらかさを維持していた。Ｐｔ膜の高温被着は、引張りの残留応力を生じさせ、Ｐｔ膜が高温においてもなめらかな表面を維持できるようにすることは、明らかである。」（Ｌ４６７頁左欄第３７ないし右欄第１０行の訳文）
　　
（６）特開平３−１０８７５９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成３年５月８日に日本国内において頒布された特開平３−１０８７５９号公報（以下、「刊行物６」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。
「３００℃に加熱しながら白金（Ｐｔ）をスパッタすることにより（１１１）配向したＰｔ下部電極３３を形成した。この上に、金属アルコキシド溶液をスピンコートした。・・・得られた強誘電体薄膜３４はペロブスカイト構造を有し、且つ第４図（Ａ）に示したように、（１１１）軸が下部電極面に対して垂直な結晶配向を有していた。」（第６頁左上欄第１９行ないし右下欄第１２行）
　
４．対比
　本願発明と引用発明について、以下で対比する。
　本願明細書には、「超小型電子構造体は、有利にメモリセル中のメモリコンデンサの部品として使用でき、その際電極構造体がメモリコンデンサの第一電極を形成する。」（段落【００２４】）と記載され、本願発明の実施例としてメモリセル装置が詳説されていることから、引用発明の「半導体メモリ素子」が、本願発明の「超小型電子構造体」に相当する。
　そして、引用発明の「半導体基板１０」、「不純物イオンのイオン注入及び注入された不純物の活性化処理により形成されたソース・ドレイン領域１４」、「選択トランジスタ」は、本願発明の「基板（１）」、「ドーピング領域（２）」、「トランジスタ（２，３，４，８）」にそれぞれ相当する。
　本願明細書には、「半導体構造体１０は、ドーピングされたポリシリコンを含有する。半導体構造体１０の表面には、半導体構造体１０の表面を完全に覆うバリア構造体１１が配置されている。バリア構造体１１は、チタン層１１１およびその上方に配置された窒化チタン層１１２を包含する。」（段落【００２７】）と記載されているから、引用発明の「ドープト・ポリシリコン」、「第１の保護層２１」、「Ｔｉ層」、「ＴｉＮ層」は、本願発明の「半導体構造体（１０）」、「バリア構造体（１１）」、「チタン層（１１１）」、「窒化チタン層（１１２）」にそれぞれ相当し、また、引用発明の「Ｔｉから成る層が下層であり、ＴｉＮから成る層が上層」であることは、本願発明の「前記のチタン層（１１１）は前記の半導体構造体（１０）と窒化チタン層（１１２）との間に配置されて」いることに相当する。
　なお、引用発明の「開口部４０」、「層間絶縁膜２０」が、本願発明の「コンタクトホール」、「絶縁層」に相当し、刊行物１の図７を参照すると、引用発明の「下部電極層２２」、「強誘電体薄膜から成るキャパシタ部２３」、「上部電極層２６」が、本願発明の「下方の電極（５）」、「誘電体層（６）」、「上方の電極（７）」にそれぞれ相当することは明らかである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「−基板（１）中に配置された、ドーピング領域（２）を有するトランジスタ（２，３，４，８）を有し、
−前記の基板上に配置され、かつ前記のトランジスタのドーピング領域（２）と接続する、半導体構造体（１０）で充填されたコンタクトホールを有する絶縁層を有し、
−前記の半導体構造体（１０）上に配置されたバリア構造体（１１）を有し、前記のバリア構造体（１１）は、
−チタン層（１１１）と、前記のチタン層（１１１）上に形成された、窒化チタン層（１１２）を有し、その際、前記のチタン層（１１１）は前記の半導体構造体（１０）と窒化チタン層（１１２）との間に配置されていて、
−前記のバリア構造体（１１）上に配置されていて白金を有する下方の電極（５）を有し、
−前記の下方の電極（５）上に配置された誘電体層（６）を有し、かつ
−前記の誘電体層（６）上に配置された上方の電極（７）を有する
超小型電子構造体。」
であることにおいて一致しており、次の２点において相違している。
（相違点１）
　本願発明は、「Ｎ：Ｔｉ＞１の化学量論を有する窒化チタン層（１１２）」を有しているのに対し、引用発明は、「ＴｉＮ層」を有するものの、その組成は明らかではない点。
（相違点２）
　本願発明は、「前記のバリア構造体（１１）上に配置されていてかつ［１１１］テクスチャを有する白金を有する下方の電極（５）を有し、前記の下方の電極（５）中の白金が６０〜１００ｎｍの間の平均粒度を有する粒子を有し」ているのに対し、引用発明は、「前記第１の保護層２１上に配置された白金からなる下部電極層２２を有」しているものの、白金の構造について明らかではない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　本願発明において、窒化チタン層がＮ：Ｔｉ＞１の化学量論を有するのは、本願明細書の段落【００１５】を参照すると、「これによりバリア構造体の被酸化性が減少するからである」と認められる。
　ところで、強誘電体薄膜をキャパシタ誘電体層とする半導体装置においては、一般に強誘電体薄膜を酸化雰囲気中で形成することから、強誘電体薄膜の下層となる電極やバリア層の耐酸化性を高めることは、周知の技術課題であり、刊行物１に記載の強誘電体薄膜からなるキャパシタ部を有する半導体メモリ素子においても、同様の技術課題を有することは、当業者にとって自明のことである。また、刊行物１に記載の半導体メモリ素子において、Ｔｉ層とＴｉＮ層の２層構造からなる第１の保護層は、水素の拡散や水分の侵入を防止すると共に、周知のバリア層としての機能も有していることは明らかである。
　これに対して、刊行物２には、窒化チタンを主成分とする膜を大気に晒した場合には、膜表面近傍のチタン原子は大気中において室温で容易に酸化され、ＴｉＯ２等のチタン酸化物となるが、窒化チタンを主成分とする膜を窒素プラズマに晒した場合、即ち、膜表面近傍の窒素の含有量が増加すると、孤立したチタン原子が窒化され、又は固定されて、チタン酸化物が存在しなくなる旨記載されており、また、刊行物３には、窒化チタン等の金属窒化物層の窒素を過剰とすることにより、窒化物粒界に窒素を析出させ、該窒化物層における未反応の金属の残留を防止すると共に、反応障壁効果を高めることができる旨記載されている。
　したがって、引用発明の半導体メモリ素子において、強誘電体薄膜から成るキャパシタ部の下方にある第１の保護層のＴｉＮ層を、耐酸化性が高く（即ち、チタン酸化物が生じにくく）、且つ、反応障壁効果の高い層とするために、刊行物２及び３に記載された、窒化チタンの窒素を過剰にするという技術を適用すること、即ち、本願発明のごとく、「Ｎ：Ｔｉ＞１の化学量論を有する窒化チタン層」とすることは、当業者が容易になし得ることである。
（相違点２について）
　本願明細書には、本願発明の下方の電極（５）となる白金について、「電極構造体中の白金は６０および１００ｎｍの間の平均粒度を有する。白金は、平均粒度のこの大きさ範囲内に鮮明な［１１１］テクスチャ（Textur）を有し、該組織はその上に分離される誘電構造体の品質にとり有利であることが判明している。」（段落【００１３】）、「電極構造体の機械的層応力は大体において温度の関数であることが判明した。少なくとも２００℃のスパッタ温度でスパッタリングにより白金を析出する場合、層応力（・・・）は引張りである。」（段落【００１９】）、「白金からなる電極構造体を析出するためのスパッタ温度は４５０および５５０℃の間に選択される。この比較的高い析出温度において付加的に白金の比較的僅かな層抵抗、白金の比較的大きい平均粒度および顕著な［１１１］層組織が達成されることが判明した。」（段落【００２０】）、及び「スパッタリングする際の選択された電力および圧力は、電極構造体の白金の性質に対し僅かな影響しか有しないことが判明した。」（段落【００２１】）と記載されており、本願発明の白金の組織や平均粒度が、スパッタ温度を４５０および５５０℃の間に選択することにより実現されることが記載されている。
　一方、刊行物４には、容量素子の下部電極を形成する白金を、基板温度を２００℃以上６００℃以下にしてアルゴンガスによるスパッタリング法により形成し、これにより、緻密な膜質の白金を形成することができ、はがれや電気的特性劣化のない容量素子が得られることが開示されおり、また、刊行物５には、強誘電体容量の下部電極として利用される、窒化チタン層上の白金薄膜について、残留応力は被着温度の上昇と共に引張り応力となり、白金膜が（１１１）方向優先の円柱状のテクスチャを有していること、及び、５００℃で形成された白金膜の表面は、加熱処理後もヒロックが無く、なめらかさを維持していたことが記載されている。更に、刊行物６には、強誘電体薄膜を用いる強誘電体素子において、下部電極を（１１１）配向した白金とすることが記載されている。
　よって、刊行物４ないし６に記載の技術的思想を考慮すると、引用発明の下部電極層を構成する白金を、高温（例えば、刊行物５に記載の５００℃）で被着することにより、緻密な膜質であって、加熱処理後もヒロックが無く、なめらかな表面を有し、（１１１）配向した白金として構成し、電気的特性劣化のない素子を得ることは、当業者が直ちに想到し得ることである。そして、刊行物４ないし６には、白金の平均粒度について記載されていないが、本願明細書には、本願発明の白金の平均粒度が、スパッタ温度を４５０および５５０℃の間に選択することにより実現されることが記載されているから、刊行物５に記載の５００℃でスパッタ形成した白金は、実質的に、本願発明と同等の「６０〜１００ｎｍの間の平均粒度を有する粒子」を有するものと認められる。
　したがって、引用発明の「前記第１の保護層２１上に配置された白金からなる下部電極層２２」を形成するにあたり、刊行物４ないし６に記載の技術的思想を適用し、本願発明のごとく、「前記のバリア構造体（１１）上に配置されていてかつ［１１１］テクスチャを有する白金を有する下方の電極（５）を有し、前記の下方の電極（５）中の白金が６０〜１００ｎｍの間の平均粒度を有する粒子を有し」ているようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、上記相違点１及び２における本願発明の構成の組み合わせを考慮しても、これにより格別の作用・効果を生じるものとは認められず、本願発明の奏する効果は、刊行物１ないし６に記載の事項に基づいて、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし６に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし８に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。