【事件の表示】
　特願２００５−３６５７３３「センサ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月１３日出願公開、特開２００６−１８６３５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年４月２２日（優先権主張平成１５年１０月３日）に出願した特願２００４−１２７１３４号の出願の一部を、特許法第４４条第１項の規定により平成１７年１２月２０日に分割して出願したものであって、平成１９年５月１７日付（発送日同年５月２２日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年６月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年７月１８日付で手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年７月１８日付の手続補正（以下、「本願補正」という。）についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論]
　本願補正を却下する。
　
[理由]
１．補正の内容
　本願補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】
　センサ本体部と、
　前記センサ本体部と同一材料で形成された上部封止体と、
　前記センサ本体部と同一材料で形成され、前記上部封止体と接合されることによりその内部に形成される空洞に前記センサ本体部を収納する下部封止体とを備え、
　前記センサ本体部は、前記上部封止体に固定され、
　前記上部封止体は、その外側主面に設けられた実装用電極と、前記センサ本体部と前記実装用電極とを電気的に接続しそれを貫通する貫通電路とを備え、
　前記上部封止体と前記下部封止体との一方又は双方が、前記センサ本体部を駆動するための回路が形成された集積回路基板であること
　を特徴とするセンサ装置。」
から
「【請求項１】
　
シリコンを基材とする
　
シリコンを基材とする
　
シリコンを基材とし
　前記センサ本体部は、前記上部封止体に固定され、
　前記上部封止体は、その外側主面に設けられた実装用電極と、前記センサ本体部と前記実装用電極とを電気的に接続しそれを貫通する
金属からなる
　前記上部封止体と前記下部封止体との一方又は双方が、前記センサ本体部を駆動するための回路が形成された集積回路基板であること
　を特徴とするセンサ装置。」
と補正する補正事項を含むものである。（なお、下線は、補正箇所を示すため、請求人が付したものである。また、平成１９年４月５日付の手続補正は原審にて却下されている。）
　
２．補正の適否
　上記の補正事項は、請求項１に係る発明特定事項である、上部封止体及び下部封止体の材料が、センサ本体部と「同一材料」で形成された点について、その材料を「シリコンを基材」とすることに限定し、同じく、請求項１に係る発明特定事項である、「貫通電路」の材料を「金属からなる」ものに限定するものである。
　したがって、上記補正事項は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３．刊行物記載の発明・事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平７−２０１４７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【０００２】
【従来の技術】半導体加速度センサは、図３（ａ）に示す斜視図及び図３（ｂ）に示すＡーＡ断面図に見られるように、センサ部１、上部ストッパ部２及び下部ストッパ部３の三重構造をしていて、それぞれの外周部は接着部５で封止されている。センサ部１には、単結晶シリコンウエーハを加工して形成した厚肉のおもり部分４と薄肉の梁部分１３とが有り、このおもり部分４に加速度が加わったときの振動によって梁部分１３に生じるひずみにより加速度を検出するものである。上部ストッパ２とセンサ部１との間及び下部ストッパ３とセンサ部１との間の空隙は接着部５によりシールされ、おもり部分４の振動に対してエアダンピング効果により制振作用を及ぼすためのものである。
【０００３】以下に、上記構造の半導体加速度センサの製造方法について説明する。先ず、シリコン製ストッパウエーハに、図４（ａ）に示すような全面格子状パターンの接着剤１０を塗布する。このストッパウエーハ内のセンサ部に対応する部分には、ウエーハの表裏を貫通する通気孔８が予め設けられている。但し、ウエーハの外周部は製造工程中でウエーハを加工するときに、真空吸着によってウエーハハンドリングを行うための領域として用いるので、通気孔はウエーハ外周部には設けられていない。一方、単結晶シリコンウエーハに、例えばアルカリ性溶液などを用いた異方性エッチングにより、厚肉のおもり部分と薄肉の梁部分とを形成した構造のセンサウエーハを用意する。
【０００４】次に、上下のストッパウエーハの間にセンサウエーハを挟んで重ね合せる。このときの位置決めは、顕微鏡を用いてそれぞれのウエーハに形成された目合せマークを合せることにより行う。
【０００５】次いで、重ね合せたウエーハを加圧・加熱し、３枚のウエーハを接着する。その後、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシングソーなどにより接着部の部分で切断し、個々のセンサを得る。」（段落【０００２】〜【０００５】）
イ　「【０００７】尚、上下のストッパウエーハは上述のとおり、センサウエーハとストッパウエーハとの間の間隙によりおもり部分の振動に対するエアダンピング効果をもたらすためのものであるので、平面度の良好な平板上のものであればシリコンウエーハに限らず、例えば石英板など他の材料を用いることができる。但し、製造工程中でセンサウエーハと共に加熱することがあることから、熱膨張率がセンサウエーハの熱膨張率と同等なシリコンウエーハが通常用いられる。尚また、センサウエーハとしては、梁部分がピエゾ抵抗効果を示すようにする必要から単結晶シリコンウエーハを用いなければならないが、ストッパウエーハに用いるシリコンウエーハは、必ずしも単結晶シリコンウエーハである必要はない。」（段落【０００７】）
ウ　図面の図３（ｂ）には、上部ストッパ２と下部ストッパ３との間に挟まれてセンサ部１が設けられている構成が示されている。
　
　上記摘記事項ア〜ウからみて、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　
＜刊行物１記載の発明＞
「単結晶シリコンを基材とするセンサ部１と、
　シリコンを基材とする上部ストッパ２と、
　シリコンを基材とし、上部ストッパ２との間にセンサ部１を設けた下部ストッパ３とを備え、
　センサ部１は、上部ストッパ２と下部ストッパ３との間に挟まれて重ね合わせて接着された半導体加速度センサ。」
　
（２）同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平８−３２０９０号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、振動計測や車両制御や運動制御などに利用される加速度、角速度などの慣性力を検出する慣性力センサ並びにその製造方法に関するものである。」（段落【０００１】）
イ　「【００６５】図１において、３は梁、４は質量体、５はアンカー、６は固定電極、７は固定電極、８は金属電極、９はシリコンからなる基板である。梁３、質量体４およびアンカー５は一体化形成され振動体を構成する。さらに振動体と、固定電極６と、固定電極７とで構造体を構成する。構造体は、基板９に絶縁膜を介して接合された表面の結晶面が（１１０）である単結晶シリコンからなるウエハを異方性エッチングすることにより作る。振動体には電極が形成されている。これにより質量体４は固定電極６と、固定電極７との間を変位することが可能な可動電極を構成する。・・・」（段落【００６５】）
ウ　「【００６９】図２（ｃ）に上記検出回路の一例を示す。ＡＣ信号源１２と反転増幅器１３により固定電極６と、固定電極７とにそれぞれ位相の反転した電圧を加える。・・・質量体４に流れる電流をチャージアンプ１５により検出し、これを電圧に変換する。これに後段の同期検波器などからなる復調器１６により復調される。この後、ＬＰＦなどのフィルタ１７を通して質量体４の変位による２つのコンデンサの差動容量変化に比例した電圧信号を出力する。・・・」
エ　「【００７０】図３に実施例１の加速度センサの製造方法について説明する。図３において、１８および１９は酸化膜、２０は単結晶シリコンからなり結晶面が（１１０）面を有するデバイスウエハ、２１はエッチング溝、２２および２３は酸化膜または窒化膜などからなるパッシベーション膜、２４はｐ型またはｎ型の不純物拡散層、２５は加速度を検出するための検出回路ＩＣ、２６は検出回路ＩＣ２５を組み込むためのシリコンＩＣ基板、２７はボンディングワイヤーである。まず、デバイスウエハ２０上に厚さ３μｍ程度の酸化膜１８を堆積した後、半導体リソグラフィー技術を用いて酸化膜１８上にパターンを形成する。その後ドライエッチングまたはウエットエッチングにより酸化膜１８表面から２μｍから３μｍ程度の深さをもつエッチング溝２１を形成する。また、エッチング溝２１は完成後の質量体４および梁３を自由に振動させるためのものであるから、基板９上の酸化膜１９の上にエッチング溝２１を設けてもよい。その後、このデバイスウエハ２０と酸化膜１９を堆積した基板９を融合接合（ヒュージョンボンディング）技術を用いて両者を接合する（図３（ａ））。」（段落【００７０】）
オ　「【００７８】または、上述のように加速度を検出するための検出回路をＩＣ化した検出回路ＩＣ２５を組み込んだシリコンＩＣ基板２６を別に用意するのではなく、デバイスウエハ２０にあらかじめ検出回路ＩＣ２５を組み込んでおくのでもよい。組み込みの方法として、図３（ｂ）工程の終了後デバイスウエハ２０の上に検出回路ＩＣ２５を鏡面化された面に作り込めばよい。または、初めからデバイスウエハ２０にＩＣ化された検出回路ＩＣ２５を組込んでおくのでもよい。・・・」
カ　「【０１０４】また、基板９がシリコンからなる場合、基板９と下部固定電極４８および下部固定電極４９との間を絶縁する必要があるため、基板９の表面に酸化膜または窒化膜からなる絶縁膜を堆積し、下部固定電極４８および下部固定電極４９のパターンを形成後、蒸着またはスパッタなどにより下部固定電極４８および下部固定電極４９を選択メタライズする。または、下部固定電極４８および下部固定電極４９のレジストパターンを形成後蒸着またはスパッタを行いリフトオフにより下部固定電極４８および下部固定電極４９を形成するのでもよい。または、酸化膜または窒化膜などからなる絶縁膜をマスクとして基板９自体にｐ型またはｎ型の不純物を拡散させることにより形成される不純物拡散層を下部固定電極４８および４９としてもよい（図示せず）。この後、デバイスウエハ２０と基板９をアライメントし、低温融合接合により両者を接合する。」（段落【０１０４】）
キ　「【０１０８】以上の工程により回転運動をする物体の角速度を検出する角速度センサの構造体が完成する。この工程は、前述の直線運動する物体の加速度を検出する加速度センサの製造工程と共通部分が多いので、直線運動する物体の加速度を検出する加速度センサの製造工程を用いて回転運動をする物体の角速度を検出する角速度センサを製造することが可能である。また角速度を検出するための検出回路ＩＣ２５を基板９に作り込むことも可能である。」（段落【０１０８】）
　
　上記摘記事項ウにおける「図２（ｃ）に上記検出回路の一例を示す。ＡＣ信号源１２と反転増幅器１３により固定電極６と、固定電極７とにそれぞれ位相の反転した電圧を加える。・・・」の記載、及び、摘記事項オにおける「加速度を検出するための検出回路をＩＣ化した検出回路ＩＣ２５」の記載から、検出回路ＩＣ２５は加速度センサを駆動するための回路を含むものであることが読み取れる。
　また、上記摘記事項ア、イ、エより、単結晶シリコンからなるデバイスウエハ２０には加速度により変位可能な質量体４が形成されること、摘記事項カより、デバイスウエハ２０はシリコンからなる基板９に接合されること、摘記事項キより、基板９には角速度を検出するための検出回路ＩＣ２５を作り込むことも可能であることが読み取れる。そして、デバイスウエハ２０が単結晶シリコンからなり、基板９がシリコンからなることは、これらデバイスウエハ２０及び基板９はシリコンを基材としていることに他ならない。
　してみれば、刊行物２には、次の技術が記載されていると認める。
　「加速度を検出するセンサにおいて、加速度により変位可能な質量体４が形成されるシリコンを基材とするデバイスウエハ２０が接合されるシリコンを基材とする基板９にセンサを駆動するための回路を含む検出回路ＩＣ２５を作り込むこと。」
　
４．対比
　本願補正発明１と刊行物１記載の発明を対比する。
　後者の「上部ストッパ２」及び「下部ストッパ３」は、これら２つのストッパとセンサ部１とが三重構造をしていて、それぞれの外周部は封止されていることからして（上記摘記事項「３．（１）　ア」における段落【０００２】）、前者の「上部封止体」、「下部封止体」にそれぞれに相当する。
　また、後者の「半導体加速度センサ」は、前者の「センサ装置」と「センサ装置」である限りで一致し、後者の「単結晶シリコンを基材とするセンサ部１」は、前者の「シリコンを基材とするセンサ本体部」と、「シリコンを基材とするセンサ本体部」である限りで一致する。
　更に、後者の「シリコンを基材とし、上部ストッパ２との間にセンサ部１を設けた下部ストッパ３」と、前者の「シリコンを基材とし、前記上部封止体と接合されることによりその内部に形成される空洞に前記センサ本体部を収納する下部封止体」とは、「シリコンを基材とし、上部封止体との間にセンサ本体部を設けた下部封止体」である限りで一致する。
　そうすると、両者は次の一致点及び相違点１ないし３を有している。
　
＜一致点＞
　「シリコンを基材とするセンサ本体部と、
　シリコンを基材とする上部封止体と、
　シリコンを基材とし、上部封止体との間にセンサ本体部を設けた下部封止体とを備えたセンサ装置。」
　
＜相違点１＞
　本願補正発明１においては、下部封止体が上部封止体と接合されることによりその内部に形成される空洞にセンサ本体部を収納するものであり、センサ本体部は上部封止体に固定されているのに対し、刊行物１記載の発明においては、下部ストッパ３は上部ストッパ２と接合されておらず、センサ部１は上部ストッパ２と下部ストッパ３との間に挟まれて重ね合わせて接着されている点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明１においては、上部封止体が、その外側表面に設けられた実装用電極と、前記センサ本体部と前記実装用電極とを電気的に接続しそれを貫通する金属からなる貫通電路とを備えているのに対し、刊行物１記載の発明においては、実装用電極及び貫通電路に相当する構成を具備していない点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明１においては、「上部封止体と前記下部封止体との一方又は双方が、前記センサ本体部を駆動するための回路が形成された集積回路基板である」のに対し、刊行物１記載の発明においては、当該構成を備えていない点。
　
５．判断
＜相違点１について＞
　センサ装置において、シリコンを基材とする２つの部材のうちの一方の部材が他方の部材に接合されることによりこれら２つの部材の内部に空洞を形成し、その空洞にシリコンを基材とするセンサ本体を収納し、且つ、センサ本体部はこれら２つの部材のうちの一方に固定することは、例えば、特開２００１−３０５１５２号公報（特にその段落【００３３】〜【００３４】、及び図１（ｂ）を参照。）、特開平７−２０１９０５号公報（特にその段落【００５８】〜【００５９】、【００６３】、及び図１８を参照。）、特開平１０−１９９２３号公報（特にその段落【０００２】〜【０００７】、及び図１３〜１５を参照。）に記載されるように周知の技術である。そして、刊行物１記載の発明と当該周知の技術とは、シリコンを基材とする２つの部材の間にシリコンを基材とするセンサ本体部を設けた点で共通していることからすれば、刊行物１記載の発明に対して上記周知の技術を適用して上記相違点１に係る特定事項を得ることは、当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点２について＞
　刊行物１の上記摘記事項「３．（１）　ア」における段落【０００２】には、「・・・おもり部分４に加速度が加わったときの振動によって梁部分１３に生じるひずみにより加速度を検出するものである。」と記載されている。当該記載事項、及び、上記摘記事項「３．（１）　ウ」における、上部ストッパ２と下部ストッパ３との間に挟まれてセンサ部１が設けられている構成、並びに、梁部分１３に生じるひずみの検出部と外部の回路装置とが電気的に接続されることは技術常識であることからみて、刊行物１記載の発明においては、上部ストッパ２と下部ストッパ３との間に挟まれて設けられているセンサ部１と、上部ストッパ２と下部ストッパ３との間の空間の外部とを繋ぐ電路、及び、センサ部、上部ストッパ２、下部ストッパ３よりなる加速度センサと外部の回路装置を繋ぐための電極が加速度センサ上に適宜設けられているものとするのが相当である。
　そして、積層されているシリコン基板に、その基板を貫通する金属からなる貫通電路を設けることは、例えば、特開２００２−１５８１９１（特にその段落【０００４】、【００１８】を参照。）、特開２００３−１４００６４号公報（特にその段落【００３１】〜【００３２】を参照。）に記載されるように周知の技術である。してみれば、刊行物１記載の発明に対して上記周知の技術を適用して上記相違点２に係る特定事項を得ることは、当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点３について＞
　刊行物２には、上記摘記事項「３．（２）」で述べたとおり、「加速度を検出するセンサにおいて、加速度により変位可能な質量体４が形成されるシリコンを基材とするデバイスウエハ２０が接合されるシリコンを基材とする基板９にセンサを駆動するための回路を含む検出回路ＩＣ２５を作り込むこと。」の技術が記載されている。そして、刊行物１記載の発明と当該刊行物２に記載のセンサとは、シリコンを基材とするセンサ本体部をシリコンを基材とする基板に接合したセンサである点で共通していることからすれば、刊行物１記載の発明に対して上記刊行物２に記載の技術を適用して上記相違点３に係る特定事項を得ることは、当業者が容易に成し得たものである。
　
＜本願補正発明１の作用効果について＞　
　そして、本願補正発明１の作用効果は、刊行物１に記載の発明、刊行物２に記載の技術及び上記周知の技術から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本願補正発明１は刊行物１記載の発明、刊行物２に記載の技術及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１．本願発明
　平成１９年７月１８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び平成１８年１２月２５日付手続補正書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３にそれぞれ記載された事項により特定されるとおりものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
＜本願発明１＞
　「【請求項１】
　センサ本体部と、
　前記センサ本体部と同一材料で形成された上部封止体と、
　前記センサ本体部と同一材料で形成され、前記上部封止体と接合されることによりその内部に形成される空洞に前記センサ本体部を収納する下部封止体とを備え、
　前記センサ本体部は、前記上部封止体に固定され、
　前記上部封止体は、その外側主面に設けられた実装用電極と、前記センサ本体部と前記実装用電極とを電気的に接続しそれを貫通する貫通電路とを備え、
　前記上部封止体と前記下部封止体との一方又は双方が、前記センサ本体部を駆動するための回路が形成された集積回路基板であること
　を特徴とするセンサ装置。」
　
２．刊行物記載の発明・事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び同刊行物に記載された発明・事項は、前記、「第２　３．（１）ないし（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、前記「第２」で検討した本願補正発明１の発明特定事項である、上部封止体及び下部封止体の材料が、センサ本体部と「同一材料」で形成された点について、その材料を「シリコンを基材」とする限定、及び、同発明特定事項である、「貫通電路」の材料を「金属からなる」ものとする限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付加したものに相当する本願補正発明１が前記「第２　５．」に記載したとおり、前記刊行物１記載の発明、刊行物２に記載の技術及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明１も同様の理由により、刊行物１記載の発明、刊行物２に記載の技術及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、請求項１に係る発明が特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項２ないし３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。