【事件の表示】
　特願２００２−　４３０１８「電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２９日出願公開、特開２００３−２４３３３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１４年２月２０日の特許出願であって、同１８年５月２２日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１８年７月３１日に意見書と共に明細書について手続補正がされたが、同１８年１０月６日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１８年１１月１６日に本件審判の請求がされ、その後、同１８年１２月１４日に明細書について再度手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をすると共にそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１）補正前
「基板の表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、前記電子素子の表面側に熱可塑性樹脂でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッキングして被実装体に実装する第五の工程を有し、
第五の工程において、少なくとも所望の電子素子に熱を加えた後
（２）補正後
「基板の表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、前記電子素子の表面側に熱可塑性樹脂でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッキングして被実装体に実装する第五の工程を有し、
前記第五の工程では、所望の前記電子素子に熱を加えた後、または熱を加えながら、所望の前記電子素子の周辺の前記接着層を溶解し、所望の前記電子素子を
２　補正の適否
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、上記のとおり、第五の工程におけるピッキングについて、補正前の「少なくとも所望の電子素子に熱を加えた後」という事項を、補正後の「所望の前記電子素子に熱を加えた後、または熱を加えながら」という事項に訂正するものであり、「または熱を加えながら」という事項を選択的に付加するものであって、特許請求の範囲の減縮に該当せず、また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
３　むすび
　したがって、本件補正は、その余の補正事項について検討するまでもなく、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項をも目的とするものでなく同項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本件出願の発明について
１　本件出願の発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１８年７月３１日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「電子部品の製造方法」である。
２　引用例                      
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１６０２１号公報（以下「引用例１」という。）及び国際公開第００／６８９９０号（以下「引用例２」という。）の記載内容は以下のとおりである。
（１）引用例１
　引用例１には以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを個々のチップに分割する方法に関する。」
イ　段落【０００９】
「【課題を解決するための手段】上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、ストリートによって区画されて複数のチップ領域が形成された半導体ウェーハを個々のチップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、半導体ウェーハに形成されたストリートを切削して表面にダイシング溝を形成する溝形成工程と、ダイシング溝が形成された表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、少なくともダイシング溝に至るまで半導体ウェーハの裏面を研削し、２００μｍ〜６０μｍの厚さのチップを形成するチップ形成工程と、形成されたチップの裏面を化学的エッチングにより１５μｍ〜３０μｍエッチング除去するエッチング工程とから構成される半導体チップの生産方法を提供する。」
ウ　段落【００１４】
「【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例について図面を参照して説明する。まず最初に、図１に示す複数のチップ領域ＣがストリートＳによって区画されて表面に形成された半導体ウェーハＷの表面に、図２に示すダイシング装置１０を用いてダイシング溝を形成する。」
エ　段落【００１９】〜【００２１】
「更に、チャックテーブル１５を９０度回転させてから上記と同様の切削を行うことにより、図３に示すように、縦横に設けられたすべてのストリートにほぼ一定の深さ（後述するチップ形成工程で形成されるチップの厚さ以上の深さ）のダイシング溝１９が形成される（溝形成工程）。
　次に、溝形成工程によってダイシング溝が形成された半導体ウェーハＷの表面には、図４に示すように、保護部材、例えば保護テープＴが貼着される（保護部材貼着工程）。
　そして、表面に保護テープＴが貼着された半導体ウェーハＷは、図５に示す研削装置２０に搬送される。この研削装置２０においては、保護テープＴが貼着された半導体ウェーハＷは、保護テープＴを下にして、即ち、半導体ウェーハＷの裏面を上にしてカセット２１ａに収容される。」
オ　段落【００２９】
「半導体ウェーハＷの裏面を研削していくと、やがて溝形成工程において形成したダイシング溝１９が図６に示すように表出し、表出したダイシング溝１９によって半導体ウェーハＷが個々のチップに分割される。研削の際は、研削手段２７ａ、２７ｂの垂直方向の位置を高精度に制御することによって、各チップを所望の厚さに形成することができ、ここでは例えば厚さが２００μｍ〜６０μｍになるまで研削を行う（チップ形成工程）。」
　引用例１記載の事項を本願発明に照らして整理すると引用例１には以下の発明が記載されていると認める。
「ストリートＳによって区画されて形成された複数のチップ領域Ｃを有する半導体ウェーハＷの表面に、縦横に設けられたすべての前記ストリートＳにほぼ一定の深さのダイシング溝１９を形成する溝形成工程と、前記ダイシング溝１９が形成された半導体ウェーハＷの表面に保護テープＴを貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウェーハＷの裏面を、前記ダイシング溝１９が表出するように研削するチップ形成工程とを有す半導体ウェーハを個々のチップに分割する方法。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）
（２）引用例２             
　引用例２に記載されている事項を、引用例２のいわゆるパテントファミリの一つである特表２００２−５４４６６９号公報を援用して摘記すると、以下のとおりである。（なお、段落番号は、上記援用公報のものである。）
ア　段落【０００１】
「発明の属する技術分野
　本発明はスマートカードに組み込むために薄化チップを取り扱うための方法に関する。」
イ　段落【００２６】〜【００３１】
 「本発明の方法の実施においては、初めにウエハ１がコンポーネント２をもつ表面でキャリア基板４に接着される。用いられるキャリア基板は、例えば別のウエハ、金属ホイルまたは磁化可能なホイル、あるいはＰＶＣ(塩化ビニル樹脂)，ＡＢＳ(アルキルベンゼンスルホン酸樹脂)，ＰＣ(ポリカーボネート)等のようなスマートカードに通常用いられている別の種類のホイルとすることができる。
　この目的のため、接着層３がウエハ１またはキャリア基板４に与えられ、次いでウエハ１とキャリア基板４とが接合される。
　ウエハは、標準のスマートカードチップか、さもなければメモリチップをそれぞれ形成できる、並べて配置されたいくつかの回路を通常の態様で有する。
　キャリア基板４に接合されたウエハ１は次いで、図１に破線９で示されるような、あらかじめ定められた厚さまで裏面から薄くされる。薄化は従来の方法、例えばエッチングまたは機械的研削により行うことができる。このようにすれば、ウエハ１またはウエハ１から作製されるチップ１０の厚さを１００μｍ以下、好ましくは約２０μｍまで薄くすることが可能である。
　図２ａ及び２ｂに示される方法にしたがえば、ウエハ１にダイシングによる切込み７が裏面から接着層３までつくられ、よってウエハ１が個々のチップ１０に細分される。次いで接着層３が全てまたは部分的に溶解され、チップ１０が吸着ヘッド３０によりキャリア基板４から吸い取られて、専用トレーに載せられ、そこで以降の処理を待つ。薄いチップ１０を取り外す吸着ヘッド３０は比較的平らであり、必要に応じてチップ１０を吸着するかまたは配置するために配管を介して吸気または圧縮空気を与えることができるいくつかの小穴３１を吸着面に有する。チップ１０は、カード製造時に、ロボットにより同じ手段で専用トレーから取り出すことができ、所定の位置に装着することができる。
　キャリア基板４の接着層３の溶解は、熱作用により行うことができる。この目的のため、例えば加熱可能な吸着ヘッド３０または、図４ａに示されるように、独立した熱放射源３４が用いられる。」
ウ　ＦＩＧ．４ａ
　ＦＩＧ．４ａを参照すると、チップ１０の大きさに対応する大きさの熱放射源３４により、取り外そうとするチップ１０に熱を加えていることが見て取れる。
　引用例２に記載されているアないしイの記載事項、及びウの認定事項を整理すると、引用例２には以下の事項が記載されていると認める。
「スマートカードに組み込むために薄化チップを取り扱うための方法において、
　ウエハ１のコンポーネント２の表面側に熱作用により溶解する接着層３を介してキャリア基板４を接着し、ウエハ１を細分した個々のチップ１０の大きさに対応する大きさの熱放射源３４により、所望のチップ１０に熱を加えて接着層３を溶解し、吸着ヘッド３０によってチップ１０をキャリア基板４から取り外すこと。」（以下、「引用例２記載の事項」という。）
３　対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
  引用例１記載の発明の「半導体ウェーハＷ」は、本願発明の「基板」に相当し、引用例１記載の発明における基板表面の「ストリートＳによって区画されて形成された複数のチップ領域Ｃ」には、引用例１には明記されていないものの技術常識からみて、電子素子が形成されていることは明らかであり、引用例１記載の発明は、溝形成工程の前に本件出願の発明と同様「基板の表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程」を有しているということができる。
　そして、引用例１記載の発明の「ストリートＳによって区画されて形成された複数のチップ領域Ｃを有する半導体ウェーハＷの表面に、縦横に設けられたすべての前記ストリートＳにほぼ一定の深さのダイシング溝１９を形成する溝形成工程」は、本願発明の「電子素子の外周に沿って基板の表面側に溝を形成する第二の工程」に相当する。
　また、引用例１記載の発明の「保護テープＴ」は、本願発明の「ダミー基板」に相当し、引用例１記載の発明の「ダイシング溝１９が形成された半導体ウェーハＷの表面に保護テープＴを貼着する保護部材貼着工程」は、「電子素子の表面側にダミー基板を接着する工程」であるという限りで、本願発明の「電子素子の表面側に熱可塑性樹脂でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程」と共通している。
　また、引用例１記載の発明の「半導体ウェーハＷの裏面を、ダイシング溝１９が表出するように研削するチップ形成工程」は、本願発明の「基板の裏面側から基板の一部を溝に到達するまで除去する第四の工程」に相当する。
　さらに、引用例１記載の発明は「半導体ウェーハを個々のチップに分割する方法」として表現されているが、本願発明と同様「電子部品の製造方法」としても表現できるものである。
　したがって、本願発明と引用例１記載の発明とは、以下の一致点と相違点とを有しているということができる。
（１）一致点
「基板の表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、前記電子素子の表面側にダミー基板を接着する第三の工程と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第四の工程を有する電子部品の製造方法。」
（２）相違点
＜相違点１＞
　本願発明では、基板の裏面側から基板の一部を溝に到達するまで除去する第四の工程の後に、電子素子をピッキングして被実装体に実装する第五の工程を有しているのに対して、引用例１記載の発明では、第四の工程に相当するチップ形成工程後の工程について不明な点。
＜相違点２＞
　本願発明では、第三の工程において、熱可塑性樹脂でなる接着層を介して電子素子の表面側にダミー基板を接着し、第五の工程において、少なくとも所望の電子素子に熱を加えた後ピッキングするのに対して、引用例１記載の発明では、どのようにしてウェーハの表面側に保護テープＴを貼着しているのか、また、第五の工程としてのピッキングについて不明な点。
４　相違点の検討
（１）＜相違点１＞について
　保護テープに貼着されたチップをピッキングして被実装体に実装することは、例えば特開２００１−８５３６０号公報（段落【００５３】には、「したがって、図１２の状態から、取り出したいチップ１２ａのみを加熱手段で加熱し必要な個数を吸着コレット６１を用いて取り出し、ＩＣ実装用基板などに実装することができる。」と記載されている。）、特開２００１−３２６１９５号公報（段落【００１４】〜【００１５】には、「つぎに、磁性体２５０が塗布され側を制御部２００でコントロールさせながら磁石２７０をもつ吸着コレット２３０で複数個同時に吸着し、テープより剥離する（ｃ）。・・・ダイシングテープ１７０から半導体チップ１９０を剥がす。
　つぎに、ＰＥＴ材２８０の粘着剤２９０面に接着後、一体化されている補強板付き半導体チップ３００全体に熱、光、溶剤等で処理を行い接着力を低下させて半導体チップ１９０単体にする（ｄ）。つぎにＰＥＴ材２８０の粘着剤２９０面に接着された半導体チップ１９０上面に再度、ＰＥＴ材２８０を貼り合わせる（ｅ）。この実装方法を行うことにより、チップサイズが微小で、チップ厚みが薄い数量のあるチップを複数個同時に、磁気作用を使って短時間で規則正しく配列することができる。」と記載されている。）、特開２００１−１２７０１３号公報（段落【００１８】には、「これによれば、集積回路の形成面において複数の電極上にバンプを形成した後に、少なくとも研削する工程を行う。これによって、研削する工程後の工程で、そのまま半導体チップを保持部材から取り出して実装工程に移ることができる。」と記載されている。）に記載されているように、本件出願の出願前、周知の事項であったことからすれば、引用例１記載の発明においても、チップ形成工程後、ピッキングして被実装体に実装する工程を後工程として加えることは、当業者が容易になし得たものである。
（２）＜相違点２＞について
　上記２の（２）で認定したように引用例２には以下の事項が記載されている。
「スマートカードに組み込むために薄化チップを取り扱うための方法において、
　ウエハ１のコンポーネント２の表面側に熱作用により溶解する接着層３を介してキャリア基板４を接着し、ウエハ１を細分した個々のチップ１０の大きさに対応する大きさの熱放射源３４により、所望のチップ１０に熱を加えて接着層３を溶解し、吸着ヘッド３０によってチップ１０をキャリア基板４から取り外すこと。」
　ここで、引用例２記載の事項の「チップ１０」は、本願発明の「電子素子」に相当することが明らかであり、また、引用例２記載の事項において「吸着ヘッド３０によってチップ１０をキャリア基板４から取り外すこと」は、電子素子をピッキングすることである。さらに、熱作用により溶解する接着材として、熱可塑性樹脂があることは、例えば、原審の平成１８年５月２２日付け拒絶理由通知書で引用文献４として挙げられた特開平２−２７３９５５号公報に示されているように従来周知である。
　そして、引用例１記載の発明と引用例２記載の事項との技術的親近性を考慮すると、引用例２記載の事項を引用例１記載の発明に適用して、保護テープＴの貼着を熱可塑性樹脂である接着層を介して行うとともに、ピッキングの際には熱を加えて行うようにすることに格別の困難性は見当たらない。
（３）作用・効果について
　本願発明によってもたらされる作用・効果も、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項、及び周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
（４）平成２０年２月１２日付け回答書の主張について
　審判請求人は、平成２０年２月１２日付け回答書第２頁第１３行〜第２４行に「本件発明につきましては本件審尋にてご指摘のありました引用文献との差異を明確にするために、特許請求の範囲を以下のように補正することを希望致します。
　すなわち、請求項１記載の発明は、基板の表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、前記電子素子の表面側に熱可塑性樹脂でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッキングして被実装体に実装する第五の工程を有し、前記第五の工程において、少なくとも所望の前記電子素子に赤外線を照射して熱を加えた後、所望の前記電子素子の周辺の前記接着層を溶解し、所望の前記電子素子をピッキングする電子部品の製造方法とするものであります。」と主張し、加熱手段として赤外線を照射する旨補正することを希望すると主張している。
　しかしながら、加熱するのに赤外線を用いることは例示するまでもなく従来周知の事項であるので、引用例１記載の発明に熱を加える工程を追加した場合には、その熱を赤外線の照射により加えるようにすることも、当業者が容易になし得たものである。
　したがって、審判請求人の主張は採用できない。
　
　なお、第２において言及したとおり、平成１８年１２月１４日付けの手続補正書による補正は特許請求の範囲の減縮ではないものであるが、仮に前記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであったとしても、上記＜相違点２＞について示したとおり、ピッキングの際には熱を加えて行うようにすることは容易になし得たものであって、「熱を加えてピッキングする」ことは、「熱を加えた後ピッキングする」ことと「熱を加えながらピッキングする」ことのいずれかに該当するものであるから、上記補正による補正後の補正発明は独立して特許を受けることができるものではなく、上記補正は却下すべきものあることに変わりはない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項、及び上記周知の事項から当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願の請求項２ないし請求項９に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。