【事件の表示】
　平成　９年特許願第　７７４８３号「光通信用送受信装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月　９日出願公開，特開平１０−２７０７２３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成９年３月２８日に特許出願したものであって，平成１７年１１月２日付け及び平成１８年５月１５日付けで手続補正がなされたところ，平成１８年６月１日付けで平成１８年５月１５日付け手続補正について補正却下の決定がなされるとともに，同日付で拒絶査定がなされ，これに対し，平成１８年７月６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされた後，同年８月７日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての補正却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
　本件補正は，請求項１を下記のように補正しようとする内容を含むものである。
「【請求項１】送信用の発光ダイオードと受信用のフォトダイオードを透光性樹脂によって一体にモールドした光通信用の送受信装置において，
　前記発光ダイオードおよび前記フォトダイオードは，発光面および受光面が同一方向を向くように並べて配置されており，前記フォトダイオード内の光電変換を行い電荷を出力する層よりも受光面に近い部位に，外部からの電磁ノイズを遮断する層を備え
，　前記フォトダイオードは，下面がグランド電位に直接接続された第１のｐ型層と，前記フォトダイオードの内部で第１のｐ型層と接続されることでグランド電位に接続された第２のｐ型層と，第１および第２のｐ型層に挟まれたｎ型層とを有し，第１のｐ型層とｎ型層の接合面において光電変換を行ってｎ型層より電荷を出力するとともに，第２のｐ型層により電磁ノイズを遮断する
　
　イ　補正の目的
　上記補正は，補正前の請求項２の「第１のｐ型層と第２のｐ型層」などの接続をさらに限定しようとするものであって，平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
　ウ　独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（ア）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した実願昭６２−１０４７８３号（実開昭６４−１１５５７号）のマイクロフィルム（以下「刊行物１」という。）には，以下の記載がある。
　
「半導体基板にＰＮ接合を形成し，この基板の一主表面を受光面とする半導体受光装置において，前記受光面に，前記基板の他方の主面と同じ導電型のシールド用拡散層を形成したことを特徴とする半導体受光装置。」（実用新案登録請求の範囲），
　
「本考案は半導体受光装置に関し，特に耐ノイズ性を向上させるための構造に係る。
　本考案の半導体受光装置は例えば遠隔操作のための光リモコン受信装置として利用される。」（１頁１２行〜１５行），
　
「第１図は本発明の一実施例であり，受光センサーチップの構造を示すものである。・・・ホトダイオードは，Ｐ型基板１１とＮ型エピタキシャル層１２で形成されるＰＮ接合が使われる。本実施例では，その上にＰ拡散層１３を重ねた構造をとる。このＰ拡散層１３はＰ拡散抵抗及びトランジスタのベースの形成時に使用されるＰ拡散をそのまま使用できる。なおｎ＋拡散層１４は信号取り出しのための拡散である。
　このようにして，基板１１の上面，下面，さらに本実施例では側面も全てＰ拡散層１３で囲まれた構造となり，ノイズは全てＰ拡散層１３で受けることになる。
　第２図に第１図の等価回路を示す。すなわちＰ型基板１１とＮ型エピタキシャル層１２で形成されるＰＮ接合のホトダイオードと，Ｐ拡散層１３とエピタキシャル層１２で形成されるＰＮ接合のホトダイオードが並列接続された構成となり，通常のホトダイオードと同様に動作する。このホトダイオードのアノード端子を例えばＧＮＤ電位にとることにより，チップの外周は全て接地されることになる。したがってチップ外周に受けたノイズはＧＮＤへ抜け，受光センサーの信号には影響しない。」（４頁１８行〜６頁５行），
　
「以上述べてきたように本考案は，受光面を基板上でシールドする構造により，部品点数を増やすことなく，回路部からのノイズのとび込み及び外部からのノイズのとび込みを防止することを可能とした半導体受光装置を提供するものである。」（７頁１５行〜１９行）。
　
　また，第１図及び第２図をあわせみると，
「Ｎ型エピタキシャル層１２がＰ型基板１１とシールド用Ｐ拡散層１３とに挟まれており，Ｎ型エピタキシャル層１２より上側（受光面に近い部位）にあるシールド用Ｐ拡散層１３の一部に開口を設けて露出したＮ型エピタキシャル層１２に信号取り出し用のｎ＋拡散層１４を設けカソード端子とし，シールド用Ｐ拡散層１３は，これらの半導体積層体の内部でＰ型基板１１と接するように形成される一方，Ｐ型基板１１とシールド用Ｐ拡散層１３とが接続されてともにＧＮＤ電位に接続されていること」が理解できる。
　
　上記によれば，刊行物１には，次の発明が記載されているものと認められる。
「Ｐ型基板１１と，該Ｐ型基板１１と接続され，該Ｐ型基板１１とともにＧＮＤ電位に接続されたシールド用Ｐ拡散層１３と，前記Ｐ型基板１１とシールド用Ｐ拡散層１３に挟まれたＮ型エピタキシャル層１２とを有し，前記Ｐ型基板１１とＮ型エピタキシャル層１２とでＰＮ接合を構成するホトダイオードであって，
　前記Ｎ型エピタキシャル層１２より上側（受光面に近い部位）にある前記シールド用Ｐ拡散層１３の一部に開口を設けて露出したＮ型エピタキシャル層１２に信号取り出し用のｎ＋拡散層１４を設けカソード端子とし，
　前記シールド用Ｐ拡散層１３は，これらの半導体積層体の内部で前記Ｐ型基板１１と接するように形成されるとともに，該Ｐ型基板１１と接続されて該Ｐ型基板１１とともにＧＮＤ電位に接続されたホトダイオード。」（以下「引用発明１」という。）
　
（イ）対比
　そこで，本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　ａ　引用発明１の「Ｐ型基板１１」，「ＧＮＤ電位」，「シールド用Ｐ拡散層１３」，「Ｎ型エピタキシャル層１２」及び「ホトダイオード」は，それぞれ，本願補正発明の「第１のｐ型層」，「グランド電位」，「第２のｐ型層」，「ｎ型層」及び「フォトダイオード」に相当する。
　
　ｂ　引用発明１のホトダイオードにおいて，「Ｐ型基板１１とＮ型エピタキシャル層１２とでＰＮ接合を構成」しているのであるから，この接合面で光電変換を行って「Ｎ型エピタキシャル層１２」に設けた「信号取り出し用のｎ＋拡散層１４」より電荷を出力することは明らかである。
　
　ｃ　引用発明１において，「シールド用Ｐ拡散層１３」は，「Ｎ型エピタキシャル層１２より上側（受光面に近い部位）」にあり，「受光面をシールド」しているのであるから，本願補正発明の「フォトダイオード内の光電変換を行い電荷を出力する層よりも受光面に近い部位に，外部からの電磁ノイズを遮断する層を備え」，「第２のｐ型層により電磁ノイズを遮断する」点が備わっていることは明らかである。
　　
　よって，両者は，フォトダイオードの構成につき，
「フォトダイオード内の光電変換を行い電荷を出力する層よりも受光面に近い部位に，外部からの電磁ノイズを遮断する層を備え，
　前記フォトダイオードは，グランド電位に接続された第１のｐ型層と，前記第１のｐ型層と接続されてグランド電位に接続された第２のｐ型層と，第１および第２のｐ型層に挟まれたｎ型層とを有し，第１のｐ型層とｎ型層の接合面において光電変換を行ってｎ型層より電荷を出力するとともに，第２のｐ型層により電磁ノイズを遮断する」との点において一致し，下記の点で相違するものと認められる。
　
（相違点１）
　本願補正発明は，送信用の発光ダイオードと受信用のフォトダイオードを透光性樹脂によって一体にモールドした光通信用の送受信装置であって，前記発光ダイオードおよび前記フォトダイオードは，発光面および受光面が同一方向を向くように並べて配置されているのに対して，引用発明１は，フォトダイオードであって，本願補正発明のように発光ダイオードを備えた送受信装置ではない点。
（相違点２）
　本願補正発明は，下面がグランド電位に直接接続された第１のｐ型層と第２のｐ型層がフォトダイオードの内部で接続されているのに対して，引用発明１は，この点に関する構成が不明である点。
　
（ウ）判断
　ａ　相違点１について
　送信用の発光ダイオードと受信用のフォトダイオードの発光面および受光面が同一方向を向くように並べて配置しこれらを透光性樹脂によって一体にモールドした光通信用の送受信装置は，この出願前周知のもの（例えば，米国特許第５１２２８９３号明細書，米国特許第５５０６４４５号明細書，特開昭６１−２４１７１３号公報（第２図およびこれに関する説明，３頁右下欄１６行〜２０行）参照。）である。
　そして，引用発明１のフォトダイオードは光リモコン受信装置として利用されるものであることからすれば，引用発明を上記従来周知の送受信装置のフォトダイオードに適用し，相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　
　ｂ　相違点２について
　まず，本願補正発明の「フォトダイオードの内部」について検討する。
　本願明細書（本件補正後のもの。以下，この項において同じ。）の【００２０】には，「フォトダイオード３は，第１のｐ型層１１，ｎ型層１２，第２のｐ型層１３，保護膜層１４，および２つの電極１５および１６より成る。」と記載される一方，【００２９】には，「また，第２のｐ型層１３とｐ型帯１１ａをフォトダイオード３の内部で接続して，第２のｐ型層１３と第１のｐ型層１１を電極１６を介さずに接続するようにしてもよい。その場合は，・・・フォトダイオードの表面に形成している電極１６を省略することもできる。」と記載されている。
　上記記載によれば，本願補正発明の「フォトダイオードの内部」は，「第１のｐ型層１１，ｐ型帯１１ａ，ｎ型層１２，第２のｐ型層１３等からなる半導体積層体」の内部を意味し，その表面に形成された電極は含まれないものと解される。
　
　一方，引用発明１は，「シールド用Ｐ拡散層１３は，これらの半導体積層体の内部で前記Ｐ型基板１１と接するように形成されるとともに，該Ｐ型基板１１と接続されて該Ｐ型基板１１とともにＧＮＤ電位に接続された」との構成である。
　そして，引用発明１の「半導体積層体の内部」は，本願補正発明の「フォトダイオードの内部」に相当する。
　しかるところ，引用発明１の上記構成からすれば，このシールド用Ｐ拡散層１３が半導体積層体の内部でＰ型基板１１と接するように形成されている部分を電気的にも接続することは当業者が当然考慮する程度のことである。
　また，上記構成において，ＧＮＤ電位に直接接続する部分をいずれの箇所にするかは，当業者が適宜考慮する設計事項というべきところ，本願明細書において，グランド電位に対する接続構造として「下面がグランド電位に直接接続された第１のｐ型層と第２のｐ型層がフォトダイオードの内部で接続された」との構成をとることにつき，格別の技術的意義を説明する記載は全くない。
　したがって，引用発明１において，相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは，当業者が適宜設計的になし得る程度のことである。
　
　ｃ　本願補正発明の効果
　本願補正発明において奏される効果が，引用発明１及び上記従来周知の送受信装置から予測し得る以上の格別顕著なものとも認められない。
　
（エ）　小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，引用発明１及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年８月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，平成１７年１１月２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項によって特定されるものであるところ，請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「【請求項１】送信用の発光ダイオードと受信用のフォトダイオードを透光性樹脂によって一体にモールドした光通信用の送受信装置において，
　前記発光ダイオードおよび前記フォトダイオードは，発光面および受光面が同一方向を向くように並べて配置されており，
　前記フォトダイオード内の光電変換を行い電荷を出力する層よりも受光面に近い部位に，外部からの電磁ノイズを遮断する層を備えることを特徴とする送受信装置。」（以下「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物１には，前記２（２）ウ（ア）に摘記した事項が記載されている。
　それらの記載から，刊行物１には次の発明が記載されているものと認められる。
「Ｐ型基板１１とシールド用Ｐ拡散層１３に挟まれたＮ型エピタキシャル層１２とを有し，前記Ｐ型基板１１とＮ型エピタキシャル層１２とでＰＮ接合を構成するホトダイオードにおいて，前記Ｎ型エピタキシャル層１２より上側（受光面に近い部位）にある前記シールド用Ｐ拡散層１３はＧＮＤ電位に接続されることにより受光面をシールドするホトダイオード。」（以下「引用発明２」という。）
　
（３）対比
　本願発明と引用発明２とを対比する。
　ア　引用発明２のホトダイオードにおいて，「Ｐ型基板１１とＮ型エピタキシャル層１２とでＰＮ接合を構成」しているのであるから，この接合面で光電変換を行って「Ｎ型エピタキシャル層１２」より電荷を出力することは明らかである。
　イ　引用発明２において，「シールド用Ｐ拡散層１３」は，「Ｎ型エピタキシャル層１２より上側（受光面に近い部位）」にあり，「受光面をシールド」しているのであるから，本願発明の「電荷を出力する層よりも受光面に近い部位に，外部からの電磁ノイズを遮断する層を備える」点が備わっていることは明らかである。
　
　よって，両者は，フォトダイオードの構成につき，
「フォトダイオード内の光電変換を行い電荷を出力する層よりも受光面に近い部位に，外部からの電磁ノイズを遮断する層を備える」との点において一致し，下記の点で相違するものと認められる。
　
（相違点）　
　本願発明は，送信用の発光ダイオードと受信用のフォトダイオードを透光性樹脂によって一体にモールドした光通信用の送受信装置であって，前記発光ダイオードおよび前記フォトダイオードは，発光面および受光面が同一方向を向くように並べて配置されているのに対して，引用発明２は，フォトダイオードであって，本願発明のように発光ダイオードを備えた送受信装置ではない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　上記相違点は，前記２（２）ウ（イ）で認定した，本願補正発明と引用発明１との相違点１と同一内容であるから，前記２（２）ウ（ウ）ａで相違点１について検討したのと同様の理由により，引用発明２において，上記相違点に係る本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　
　そして，本願発明において奏される効果が，引用発明２及び上記従来周知の送受信装置から予測し得る以上の格別顕著なものとも認められない。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用発明２及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上検討したとおり，本願発明は，刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって，結論のとおり審決する。