【事件の表示】
　平成１０年特許願第２３０８６４号「発振回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月　３日出願公開、特開２０００−　６８７３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年８月１７日の出願であって、平成１６年５月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年４月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　
　「【請求項１】　　ベースまたはコレクタが高周波的に接地された発振トランジスタと、前記発振トランジスタのエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗と、発振周波数を変えるための第一のバラクタダイオードを有すると共に、前記ベースとコレクタとの間に高周波的に接続されたリアクタンス回路と、前記エミッタバイアス抵抗に直列に介挿された並列共振回路とを備え、前記並列共振回路には第二のバラクタダイオードを設け、前記第一のバラクタダイオードと前記第二のバラクタダイオードとに同一の制御電圧を供給し、前記並列共振回路の共振周波数をほぼ発振周波数に一致させたことを特徴とする発振回路。」
　
２．刊行物
（２−１）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−１４８９３３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面と共に、次のような記載がある。
　
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、数百Ｍ〜数ＧＨｚ帯の移動体通信装置等に最適な電圧制御型発振器に関し、より特定的には、プリント配線が施された基板上に複数の部品を実装することにより共振回路と発振段とを形成し、入力される制御電圧に基づいて当該共振回路の並列共振回路の共振周波数を変化させることにより当該発振段の発振周波数を所定の周波数帯の範囲内で変化させる電圧制御型発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の電圧制御型発振器の構成を示す回路図である。図３において、電圧制御型発振器は、例えば９００ＭＨｚ帯の移動体通信装置に用いられ、大略的に、コントロール端子Ｃと、出力端子Ｐと、コントロール端子Ｃに印加される制御電圧Ｖｃによって共振周波数が変化する共振回路１と、この共振回路１の共振周波数で発振周波数が決定される発振段１２と、・・・を備えている。・・・
【０００３】共振回路１は、カップリングコンデンサＣ１と、可変容量ダイオードＶＤと、共振用インダクタＬ１と、共振用コンデンサＣ２とを備える。コントロール端子Ｃに印加された制御電圧Ｖｃは、チョークコイルＬ２を介して可変容量ダイオードＶＤに与えられる。なお、コントロール端子Ｃは、高周波バイパスコンデンサＣ３によって高周波的に接地されている。
　
【０００８】制御電圧Ｖｃの値に応じて共振回路１を構成している可変容量ダイオードＶＤの容量値を変化させることにより、共振回路１の共振周波数が変化し、その共振周波数で発振段１２が発振動作し、出力端子Ｐからその出力信号が出力される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電圧制御型発振器のＣ／Ｎ特性を向上させるためには、所定の周波数帯の発振周波数において、能動素子の電流出力端子のインピーダンスが無限大になるのが理想的である。そのためには、所定の周波数帯において、チップインダクタＬＬのインピーダンスをｏｐｅｎの状態にする必要がある。
　
【００１７】図１において、電圧制御型発振器は、例えば９００ＭＨｚ帯の移動体通信装置に用いられ、大略的に、コントロール端子Ｃと、出力端子Ｐと、コントロール端子Ｃに印加される制御電圧Ｖｃによって共振周波数が変化する共振回路１と、この共振回路１の共振周波数で発振周波数が決定される発振段２と、・・・を備えている。
【００１８】なお、この実施例においては、共振回路１、バッファ段３および出力整合段４が図３に示す従来の電圧制御型発振器と同様に構成されているので、その説明を省略する。また、これらの共振回路１、バッファ段３、出力整合回路４の回路構成は、同一の機能を有しておれば他の回路からなるものであってもよいし、バッファ段３および出力整合段４を省略するようにしてもよい。
【００１９】この実施例の発振段２は、能動素子としての発振用トランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパスコンデンサＣ６と、バイアス抵抗Ｒ３に直列に接続されるストリップラインＳＬと、ストリップラインＳＬに並列に接続されるチップコンデンサＣｃとを備える。発振段２は、カップリングコンデンサＣ７を介して共振回路１と接続されている。また、バイアス抵抗Ｒ３は、発振用トランジスタＱ１の電流出力端子としてのエミッタの直流バイアスを規定する。
【００２０】ストリップラインＳＬとチップコンデンサＣｃとは、図３のチップインダクタと同様に、図４の等価回路で示される並列共振回路２１を形成する。
　
【００２４】・・・また、ストリップラインＳＬとチップコンデンサＣｃによって並列共振回路２１を構成しているため、ストリップラインＳＬの長さとコンデンサの容量を簡単に調整することができ、様々な周波数帯においてＣ／Ｎ特性の向上を最大限に引き出すことができ、設計の柔軟度を高めることができる。さらに、基板を様々な周波数帯において共用することができる。
　
【００２７】
【発明の効果】請求項１に係る発明にあっては、ストリップラインとチップコンデンサとのインダクタンスや容量等を個別に変更することができ、ストリップラインの長さやチップコンデンサの容量を調節することで、ストリップラインとチップコンデンサとの共振周波数を所定の周波数に合致させることが容易にでき、所定の周波数におけるインピーダンスを最大にすることができるので、ストリップラインとチップコンデンサとのインピーダンスをｏｐｅｎの状態に近づけることができ、電圧制御型発振器のＣ／Ｎ特性をさらに向上させることができる。
　
　図１には、電圧制御型発振器の構成を示す回路図として、発振段２において、コレクタが高周波バイパスコンデンサＣ６を介して接地された発振用トランジスタＱ１と、前記発振用トランジスタＱ１のエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗Ｒ３と、可変容量ダイオードＶＤを有すると共に、前記ベースとコレクタとの間に高周波的に接続された共振回路１と、前記エミッタバイアス抵抗に直列に介挿された並列共振回路２１とを備える発振器の回路、が示されている。
　
  これらの記載によれば、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　「共振回路と発振段とを有し、入力される制御電圧に基づいて当該共振回路の並列共振回路の共振周波数を変化させることにより当該発振段の発振周波数を所定の周波数帯の範囲内で変化させる電圧制御型発振器であって、
　コントロール端子Ｃと、出力端子Ｐと、コントロール端子Ｃに印加される制御電圧Ｖｃによって共振周波数が変化する共振回路１と、この共振回路１の共振周波数で発振周波数が決定される発振段２とを備えており、
　共振回路１は、カップリングコンデンサＣ１と、可変容量ダイオードＶＤと、共振用インダクタＬ１と、共振用コンデンサＣ２とを備え、コントロール端子Ｃに印加された制御電圧Ｖｃは、チョークコイルＬ２を介して可変容量ダイオードＶＤに与えられ、コントロール端子Ｃは、高周波バイパスコンデンサＣ３によって高周波的に接地されており、
　制御電圧Ｖｃの値に応じて共振回路１を構成している可変容量ダイオードＶＤの容量値を変化させることにより、共振回路１の共振周波数が変化し、その共振周波数で発振段２が発振動作し、出力端子Ｐからその出力信号が出力され、
　発振段２は、能動素子としての発振用トランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパスコンデンサＣ６と、バイアス抵抗Ｒ３に直列に接続されるストリップラインＳＬと、ストリップラインＳＬに並列に接続されるチップコンデンサＣｃとを備え、発振段２は、カップリングコンデンサＣ７を介して共振回路１と接続されていて、また、バイアス抵抗Ｒ３は、発振用トランジスタＱ１の電流出力端子としてのエミッタの直流バイアスを規定し、
　並列共振回路２１は、ストリップラインＳＬとチップコンデンサＣｃによって構成され、ストリップラインとチップコンデンサとのインダクタンスや容量等を個別に変更することができ、ストリップラインの長さやチップコンデンサの容量を調節することで、ストリップラインとチップコンデンサとの共振周波数を所定の周波数に合致させることが容易にでき、所定の周波数におけるインピーダンスを最大にすることができるので、ストリップラインとチップコンデンサとのインピーダンスをｏｐｅｎの状態に近づけることができ、Ｃ／Ｎ特性をさらに向上させることができ、
　電圧制御型発振器の構成を示す回路は、発振段２において、コレクタが高周波バイパスコンデンサＣ６を介して接地された発振用トランジスタＱ１と、前記発振用トランジスタＱ１のエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗Ｒ３と、可変容量ダイオードＶＤを有すると共に、前記ベースとコレクタとの間に高周波的に接続された共振回路１と、前記エミッタバイアス抵抗に直列に介挿された並列共振回路２１とを備える
　電圧制御型発振器の回路。」
　
（２−２）
　原査定の拒絶の理由に引用された実願昭６２−１１３１８号（実開昭６３−１２０４０９号）のマイクロフィルム（以下、「周知文献１」という。）には、図面と共に、次のような記載がある。
　
　「第１図は本考案のトランジスタ発振器の実施例を示す回路図で、１はライン板、２は可変容量ダイオード、３は終端容量、Ｔはタンク回路、４はクラップ容量、５，６は帰還容量、７は接地用コンデンサ、８はトランジスタ、９は制御電圧供給用抵抗、１０は残留インダクタンス、１１は発振周波数制御用電圧の端子であり、以上の構成は従来と同じである。１２は第２の可変容量ダイオードで接地用コンデンサ７及び残留インダクタンス１０に直列に接続されてそれらと共に直列共振回路Ｔ’を構成する。この直列共振回路Ｔ’の第２の容量可変容量ダイオード１２のカソードは制御電圧供給用抵抗１３を介して上記端子１１に接続される。これによってタンク回路Ｔ及び直列共振回路Ｔ’には共通の制御電圧が加えられる。
　次に本実施例の動作を説明する。
　タンク回路Ｔの発振周波数を可変するために端子１１に制御電圧を加えるとその制御電圧は抵抗１３を介して直列共振回路Ｔ’にも加えられ、タンク回路Ｔの発振周波数及び直列共振回路Ｔ’の共振周波数は制御される。この直列共振回路Ｔ’の共振周波数をタンク回路Ｔの発振周波数と同じになるように予め接地用コンデンサ７の値を設定しておくことにより、発振周波数の可変に応じて共振周波数も発振周波数と同様に変化する。従って直列共振回路Ｔ’のインピーダンス、すなわちトランジスタ８のコレクタと接地間のインピーダンスは発振周波数が変わっても常に略０にすることができる。」（第４ページ第７行〜第５ページ第１５行）
　
（２−３）
　特開平４−２７２０４号公報（以下、「周知文献２」という。）には、図面と共に、次のような記載がある。
　
　「第２図はこの電圧制御発振器をさらに詳しく示す回路図である。制御部２０は抵抗５、コンデンサ７、ならびに可変容量ダイオード６により構成されている。抵抗５の一端は制御電圧端子２に接続され、抵抗５の他端には可変容量ダイオード６のカソードとコンデンサ７の一端が接続されている。そしてダイオード６のアノードは接地され、コンデンサ７の他端は発振部１０の入力端子に接続されている。コンデンサ７は制御部２０と発振部１０とを接続するためのカップリングコンデンサであり、このコンデンサにより制御部２０と発振部１０とは交流的に接続される一方、直流的には遮断され、端子２に印加された直流電圧が発振部に影響を与えることを阻止している。このコンデンサはさらに後述のようにダイオード６の発振部１０への影響を調節する作用も持っている。端子２に印加された電圧は抵抗５を通じてダイオード６に与えられ、ダイオード６の容量はこの電圧によって決定される。そして直列接続されたダイオード６とコンデンサ７とが発振部１０の内部の共振回路（図示せず）に並列に接続されているので、この共振回路の回路定数は結局、端子２に印加される電圧により決まり、したがって発振部１０の発振周波数は端子２に印加される電圧によって制御されることになる。・・・
　バッファ部２１はトランジスタ１４によるエミッタ接地トランジスタ回路となっている。トランジスタ１４のエミッタは接地され、そのベースはコンデンサ９を通じて発振部１０の出力端子に接続されている。またコレクタはコイル１２の一端に、コイル１２の他端は抵抗８を通じて電源端子１に接続されている。電源端子１とグランドとの間にはコンデンサ４が接続されている。抵抗８とコイル１２との接続点には抵抗１１とコンデンサ１６の一端がそれぞれ接続され、抵抗１１の他端はトランジスタ１４のベースに、コンデンサ１６の他端はグランドにそれぞれ接続されている。コンデンサ１３はコイル１２に並列に接続され、トランジスタ１４のコレクタと出力端子３との間にはコンデンサ１７が接続されている。可変容量ダイオード１９は、そのアノードが接地され、カソードはコンデンサ１５を通じてトランジスタ１４のコレクタに接続されている。ダイオード１９のカソードはまた抵抗１８を通じて制御電圧端子２に接続されている。・・・
　ダイオード１９のカソードには抵抗１８を通じて制御電圧端子２に印加された直流電圧が加えられるので、これによりダイオード１９は逆バイアスされ、その容量値が決定される。コイル１２には上述のようにコンデンサ１３が並列に接続されているが、これにダイオード１９とコンデンサ１５との直列接続回路が交流的に並列接続され、一つの共振回路が形成されている。そしてその共振周波数は、ダイオード１９の容量により決まり、したがって端子２に印加される制御電圧によって決定される。ここでコンデンサ１３，１５の値は、バッファ部２１の共振周波数が、発振部１０の発振周波数に一致するように設定する。
　バッファ部２１をこのような構成とすると、端子２に印加される制御電圧が変化して発振部１０の発振周波数が変化したとき、バッファ部２１の共振周波数もそれに応じて変化するので、バッファ部の周波数特性を第７図のような周波数選択性の高いものとしてもバッファ部の出力レベルが周波数によって変化することはなく、周波数選択性を高めて高増幅率とし、十分な出力レベルを得ることが可能となる。その結果、増幅率が低いときに生じるＣ／Ｎ比の劣化も防止できる。」（第２ページ右下欄第１５行〜第４ページ左上欄第１２行）
　
　
　これらの周知文献１，２等により、次のような技術（以下、「周知技術」という。）が本願出願前に周知であったと認められる。
　
　「第一のバラクタダイオードにより発振周波数を可変する発振回路において、発振周波数の変化に対応して他の共振回路の共振周波数を変化させるために、他の共振回路に第二のバラクタダイオードを設けて、第二のバラクタダイオードに第一のバラクタダイオードと同一の制御電圧を供給すること。」
　（周知文献１の「直列共振回路Ｔ’」、「可変容量ダイオード２」、「可変ダイオード１２」、「発振周波数制御用電圧の端子１１に加えられる制御電圧」、及び周知文献２の「コイル１２、コンデンサ１３、可変容量ダイオード１９とコンデンサ１５との直列接続回路からなる１つの共振回路」、「可変容量ダイオード６」、「可変容量ダイオード１９」、「制御電圧端子２に印可される制御電圧」が、それぞれ上記周知技術の「他の共振回路」、「第一のバラクタダイオード」、「第二のバラクタダイオード」、「同一の制御電圧」に相当する。）
　
　
３．対比
（イ）
　本願発明と刊行物１発明とを比較すると、刊行物１発明の「電圧制御型発振器の回路」、「コレクタが高周波バイパスコンデンサＣ６を介して接地された発振用トランジスタＱ１」「前記発振用トランジスタＱ１のエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗Ｒ３」、「エミッタバイアス抵抗に直列に介挿された並列共振回路２１」は、それぞれ本願発明の「発振回路」、「ベースまたはコレクタが高周波的に接地された発振トランジスタ」、「前記発振トランジスタのエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗」、「エミッタバイアス抵抗に直列に介挿された並列共振回路」に相当する。
（ロ）
　また、刊行物１発明の「可変容量ダイオードＶＤ」は、「制御電圧Ｖｃの値に応じて共振回路１を構成している可変容量ダイオードＶＤの容量値を変化させることにより、共振回路１の共振周波数が変化し、その共振周波数で発振段１２が発振動作し、出力端子Ｐからその出力信号が出力され」ることから、本願発明の「発振周波数を変えるための第一のバラクタダイオード」に相当し、そうすると、刊行物１発明の「共振回路１」は、共振用インダクタＬ１を備えるリアクタンス回路と言えるから本願発明の「発振周波数を変えるための第一のバラクタダイオードを有すると共に、前記ベースとコレクタとの間に高周波的に接続されたリアクタンス回路」に相当する。（ここで、本願発明の「ベースとコレクタとの間に高周波的に接続された」の意味が必ずしも明確でないので、図２を参照すると、リアクタンス回路５が発振トランジスタ１のベース及び（抵抗１４を介して）コレクタに、コンデンサ２１を介して接続されることを意味していると解され、刊行物１発明も、図１を参照すると、共振回路１が発振用トランジスタＱ１のベース及び（抵抗Ｒ１を介して）コレクタに、コンデンサＣ７を介して接続されており、実施例レベルで差異はない。）
（ハ）
　また、刊行物１発明の「電圧制御型発振器の回路」は、「共振回路１」においては「可変容量ダイオードＶＤの容量値を変化させることにより、共振回路１の共振周波数が変化し、その共振周波数で発振段２が発振動作し、出力端子Ｐからその出力信号が出力され」るとともに、「並列共振回路２１」においては「電圧制御型発振器のＣ／Ｎ特性を向上させるためには、所定の周波数帯の発振周波数において、能動素子の電流出力端子のインピーダンスが無限大になるのが理想的である。そのためには、所定の周波数帯において、チップインダクタＬＬのインピーダンスをｏｐｅｎの状態にする必要がある。」（第９段落）と言う課題を解決するために、「並列共振回路２１は、ストリップラインＳＬとチップコンデンサＣｃによって構成され、ストリップラインとチップコンデンサとのインダクタンスや容量等を個別に変更することができ、ストリップラインの長さやチップコンデンサの容量を調節することで、ストリップラインとチップコンデンサとの共振周波数を所定の周波数に合致させることが容易にでき、所定の周波数におけるインピーダンスを最大にすることができるので、ストリップラインとチップコンデンサとのインピーダンスをｏｐｅｎの状態に近づけることができ、Ｃ／Ｎ特性をさらに向上させることができ」るから、本願発明の「並列共振回路の共振周波数をほぼ発振周波数に一致させた発振回路」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　「ベースまたはコレクタが高周波的に接地された発振トランジスタと、前記発振トランジスタのエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗と、発振周波数を変えるための第一のバラクタダイオードを有すると共に、前記ベースとコレクタとの間に高周波的に接続されたリアクタンス回路と、前記エミッタバイアス抵抗に直列に介挿された並列共振回路とを備え、前記並列共振回路の共振周波数をほぼ発振周波数に一致させた発振回路。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点］
　並列共振回路に、本願発明では、「第二のバラクタダイオードを設け」るとともに、「前記第一のバラクタダイオードと前記第二のバラクタダイオードとに同一の制御電圧を供給」するのに対して、刊行物１発明では、並列共振回路にはバラクタダイオードがなく、制御電圧について開示がない点。
　
　
４．判断
［相違点］について
　刊行物１発明の発振周波数を変化させる発振器の回路に設けられた「並列共振回路」は、所定の周波数におけるインピーダンスを最大としており、刊行物１発明においても並列共振回路のコンデンサの容量を調節することで、並列共振回路の共振周波数を発振回路の周波数に応じた値に変化することが示唆されている。
　そして、「第一のバラクタダイオードにより発振周波数を可変する発振回路において、発振周波数の変化に対応して他の共振回路の共振周波数を変化させるために、他の共振回路に第二のバラクタダイオードを設けて、第二のバラクタダイオードに第一のバラクタダイオードと同一の制御電圧を供給すること。」は上記のように周知技術であるから、刊行物１発明の発振器の回路における並列共振回路に上記周知技術を適用して、並列共振回路の共振周波数を発振回路の発振周波数に応じて変化させるために、並列共振回路のチップコンデンサＣｃをバラクタダイオードとし、当該バラクタダイオードに、発振回路の発振周波数を変えるための第１のバラクタダイオードと同一の制御電圧を供給するようにして本願発明のように構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　したがって、本件発明は、刊行物１発明及び周知技術から当業者が容易に想到し得たものである。 
　
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物１発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。