【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射冷却用のシステムであって、
1または2以上のポリマーを有する上部層であって、熱スペクトルの少なくとも一部において、高い放射率を有し、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、吸収率が近似的にゼロであり、太陽スペクトルの少なくとも一部において高い透過率を有する、上部層と、
前記上部層の下側に配置された反射層であって、1または2以上の金属を有し、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、高い反射率を有する、反射層と、
を有する、システム。
【請求項２】
前記上部層は、2または3以上のポリマーを有し、
各ポリマーは、前記熱スペクトルの異なる位置において高い放射率を有し、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、高い透過率を有する、請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
前記1または2以上のポリマーは、質量比で設計され、前記質量比は、前記熱スペクトルの少なくとも一部において、前記上部層が均一で高い放射率を有するように選択される、請求項1に記載のシステム。
【請求項４】
前記上部層は、1または2以上の尾根もしくは突起を有する1または2以上のアレイを有する、1または2以上の領域を有する、請求項1乃至3のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項５】
前記上部層は、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（アクリル酸）、およびポリ（メチルメタクリレート）の1または2以上を有する、請求項1乃至4のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項６】
前記上部層は、前記反射層が存在しない場合、受動放射冷却に使用できる、請求項1乃至5のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項７】
当該システムは、昼間受動放射冷却に使用できる、請求項1乃至6のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項８】
前記反射層は、
金属を含み、約0.8よりも大きな反射率を有し、前記太陽スペクトルの第1の波長範囲において第1の電磁浸透深さを有し、前記太陽スペクトルの第2の波長範囲において第2の電磁浸透深さを有する上部層であって、前記第2の電磁浸透深さは、前記第1の電磁浸透深さよりも大きく、前記第1および第2の波長範囲は異なる、上部層と、
金属を含み、前記第1の波長範囲において前記上部層よりも低い反射率を有し、前記第2の波長範囲において前記上部層よりも高い反射率を有する下部層と、
を有し、
前記上部層は、前記第1の浸透深さよりも近似的に大きく、または同等の厚さを有し、前記第2の浸透深さよりも小さな厚さを有する、請求項1乃至7のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項９】
前記第1の波長範囲における前記反射層の反射率は、前記第1の波長範囲における前記下部層の反射率よりも大きく、前記第2の波長範囲における前記反射層の反射率は、前記第2の波長範囲における前記上部層の反射率よりも大きい、請求項8に記載のシステム。
【請求項１０】
前記上部層は、銀を含み、および／または
前記下部層は、アルミニウムを含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項１１】
前記上部層の厚さは、約5nmから約50nmである、請求項8に記載のシステム。
【請求項１２】
さらに、前記反射層の上に配置された保護層を有し、
該保護層は、約10nm未満の厚さを有し、酸化アルミニウムおよび二酸化ケイ素の1または2以上を含む、請求項9乃至11のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項１３】
当該システムは、自立式の反射器として使用され、前記太陽スペクトルの少なくとも一部における放射線を反射する、請求項9乃至12のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項１４】
前記反射層は、電気めっき法、熱気相成膜法、電子ビーム成膜法、またはスパッタリング技術により設置される、請求項1乃至13のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項１５】
前記上部層は、さらに、1または2以上の種類のナノ粒子を有し、
各種類のナノ粒子は、前記熱スペクトルの少なくとも一部において、存在する場合、他の種類のナノ粒子、および1または2以上の前記ポリマーよりも高い放射率を有し、
前記ナノ粒子は、前記太陽スペクトルにおいて、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、吸収率が近似的にゼロである、請求項1乃至14のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項１６】
前記1または2以上のポリマーおよび前記1または2以上の種類のナノ粒子は、質量比で設計され、
前記質量比は、前記熱スペクトルの少なくとも一部において、前記上部層が均一で高い放射率を有するように選定される、請求項15に記載のシステム。
【請求項１７】
前記1または2以上のポリマーおよび前記1または2以上の種類のナノ粒子は、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、相互の10％以内の屈折率を有する、請求項15に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ナノ粒子は、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、および窒化ケイ素の1または2以上を有する、請求項15乃至17のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項１９】
前記ナノ粒子は、約100nm未満の直径を有する、請求項15乃至18のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２０】
1または2以上のポリマーおよび1または2以上の添加剤を含む層を有する、放射冷却用のシステムであって、
前記1または2以上のポリマーは、熱スペクトルの少なくとも一部において、高い放射率を有し、前記1または2以上の添加物は、太陽スペクトルの少なくとも一部において、約0.3よりも大きな反射率を有する、システム。
【請求項２１】
前記1または2以上の添加物の各々は、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、存在する場合、他の添加物、および前記1または2以上のポリマーとは異なる屈折率を有する、請求項20に記載のシステム。
【請求項２２】
前記1または2以上の添加物は、二酸化チタン、窒化ケイ素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、および空気ボイドの1または2以上を有する、請求項20または21に記載のシステム。
【請求項２３】
前記1または2以上のポリマーは、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（アクリル酸）、およびポリ（メチルメタクリレート）の1または2以上を有する、請求項20乃至22のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２４】
前記1または2以上の添加物の各々は、入射太陽放射線の後方散乱が増加し、前記太陽スペクトルにおける反射が増加するように選定された寸法を有する、請求項20乃至23のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２５】
前記1または2以上のポリマーおよび前記1または2以上の添加物は、質量比で設計され、
前記質量比は、当該システムが、前記熱スペクトルの少なくとも一部において高い放射率を有し、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において約0.5よりも大きな均一な反射率を有するように選定される、請求項20乃至24のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２６】
当該システムは、2または3以上のポリマーを有し、
各ポリマーは、前記熱スペクトルの異なる部分において、他のポリマーよりも高い放射率を有し、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、高い透過率を有する、請求項20乃至25のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２７】
当該システムは、1または2以上の尾根もしくは突起を有する1または2以上のアレイを含む、1または2以上の領域を有する、請求項20乃至26のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２８】
当該システムは、約5μmから約500μmの厚さを有する、請求項20乃至27のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項２９】
当該システムは、さらに、繊維および／または布地（textile）を有する、請求項20乃至28のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項３０】
放射冷却用のシステムであって、
1または2以上の構造化ポリマーを有する上部層であって、熱スペクトルの少なくとも一部において高い放射率を有し、太陽スペクトルの少なくとも一部において電磁減衰係数が近似的にゼロであり、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において約0.5よりも大きな反射率を有する、上部層と、
前記上部層の下側に配置されたコントラスト層であって、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、前記上部層の屈折率よりも低い屈折率を有する、コントラスト層と、
を有する、システム。
【請求項３１】
前記コントラスト層は、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、二酸化ケイ素、ポリ（ジメチルシロキサン）、および空気ボイドの1または2以上を有する、請求項30に記載のシステム。
【請求項３２】
前記上部層は、1または2以上の尾根および／もしくは突起を有する1または2以上のアレイを含む、1または2以上の領域を有する、請求項30乃至31のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項３３】
前記1または2以上のポリマーは、機械的に強く、化学結合もしくは密着特性を有し、水に対して不浸透性であり、および／または耐食性を有する、請求項1乃至32のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項３４】
さらに、カバー層を有する、請求項1乃至33のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項３５】
放射加熱用のシステムであって、
1または2以上の構造化材料を有し、太陽スペクトルの少なくとも一部において、高い吸収率を有し、熱スペクトルの少なくとも一部において約0.1未満の放射率を有する、上部層と、
前記熱スペクトルの少なくとも一部において、前記上部層の屈折率よりも低い屈折率を有する下地層と、
を有する、システム。
【請求項３６】
前記上部層は、シリコン、ガリウムヒ素、および／またはゲルマニウムを有する、請求項35に記載のシステム。
【請求項３７】
前記下地層は、二酸化ケイ素、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、ポリ（ジメチルシロキサン）、および／または空気ボイドの1または2以上を有する、請求項35乃至36のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項３８】
前記上部層は、1または2以上の尾根および／もしくは突起を含む1または2以上のアレイを有する、1または2以上の領域を有する、請求項35乃至37のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項３９】
さらに、基板を有する、請求項1乃至38のいずれか一つに記載のシステム。
【請求項４０】
前記層は、物理的もしくは化学的気相成膜法、フォトリソグラフィ法、電子ビームリソグラフィ法、湿式エッチング法、反応性イオンエッチング法、3Ｄ印刷法、インプリント法、スプレー法、浸漬コーティング法、スピンコーティング法、またはアプリケータの少なくとも一つを用いて、前記基板に設置される、請求項20に記載のシステム。
【請求項４１】
前記層は、約5μｍから約500μｍの厚さを有する、請求項20に記載のシステム。
【請求項４２】
放射冷却の方法であって、
1または2以上のポリマー、および必要に応じて、さらに1または2以上の種類のナノ粒子を有する、上部層を提供するステップであって、前記上部層は、熱スペクトルの少なくとも一部において高い放射率を有し、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、吸収率が近似的にゼロであり、太陽スペクトルの少なくとも一部において、高い透過率を有する、ステップと、
前記上部層の下側に設置された、1または2以上の金属を含む反射層を提供するステップであって、前記反射層は、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、高い反射率を有する、ステップと、
を有する、方法。
【請求項４３】
放射冷却の方法であって、
1または2以上のポリマー、および1または2以上の添加物を有する上部層を提供するステップ
を有し、
前記1または2以上のポリマーは、熱スペクトルの少なくとも一部において高い放射率を有し、
前記1または2以上の添加物は、太陽スペクトルの少なくとも一部において、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、約0.3よりも大きな反射率を有する、方法。
【請求項４４】
放射冷却の方法であって、
1または2以上の構造化ポリマーを有する上部層であって、熱スペクトルの少なくとも一部において高い放射率を有し、太陽スペクトルの少なくとも一部において、電磁減衰係数が近似的にゼロであり、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において約0.5よりも大きな反射率を有する、上部層を有し、
前記上部層の下側にコントラスト層を提供するステップであって、前記コントラスト層は、前記太陽スペクトルの少なくとも一部において、前記上部層の屈折率よりも低い屈折率をする、ステップ
を有する、方法。
【請求項４５】
放射加熱の方法であって、
1または2以上の構造化材料を有する上部層を提供するステップであって、前記上部層は、太陽スペクトルの少なくとも一部において高い吸収率を有し、熱スペクトルの少なくとも一部において約0.1未満の放射率を有する、ステップと、
前記熱スペクトルの少なくとも一部において、前記上部層の屈折率よりも低い屈折率を有する下地層を提供するステップと、
を有する、方法。