【事件の表示】
　平成　８年特許願第２９２７７５号「液晶表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２２日出願公開、特開平１０−１３３２１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明 
　
　本願は、平成８年１１月５日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１７年７月６日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
　
「【請求項１】
　ガラス基板の内面に各画素に対応する薄膜トランジスタ及び画素電極がマトリクス状に形成されているＴＦＴアレイ基板と、ガラス基板の内面に共通電極が形成されている共通電極基板とが、液晶層を挟んで近接対向して配される液晶表示素子であって、
　前記ＴＦＴアレイ基板は、ガラス基板の内面に第１層としてライトシールド及びソースバスが同一金属材料で形成され、
　その第１層の形成されたガラス基板の内面に第２層として第１絶縁膜が形成され、
　その第１絶縁膜上に、第３層として、ソース電極、ドレイン電極、そのドレイン電極より延長された画素電極が透明導電膜により形成されると共に、それらソース電極とドレイン電極の間及びその近傍に半導体層が形成され、
　前記第３層の形成された第１絶縁膜上に、第４層として第２絶縁膜が形成され、
　その第２絶縁膜上に、第５層としてゲート電極、ゲートバス及びソース電極・ソースバスを接続するための接続部が同一金属材料で形成され、
　前記ソース電極及びソースバスはそれぞれコンタクトホールを通じて前記接続部に接続され、
前記ライトシールドはコンタクトホールを通じて前記ゲートバスに接続され、
　第５層の前記ゲート電極及びゲートバスが陽極酸化されている、
ことを特徴とする液晶表示素子。」（以下、「本願発明」という。） 
 　 
２．刊行物の記載事項
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−３９０３０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア．「〔従来の技術〕
　アクティブマトリックス型の液晶表示素子に使用されるＴＦＴパネルは、透明基板上に多数の透明画素電極を縦横に配列するとともに、この基板面に各画素電極を駆動する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を各画素電極にそれぞれ対応させて配列したもので、各薄膜トランジスタのゲート電極およびドレイン電極はそれぞれ画素電極間を通して配線したゲートラインおよびデータラインに接続され、またソース電極は画素電極に接続されている。」（１頁右下欄４〜１４行）、
　
イ．「〔実施例〕
　以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
　第１図〜第３図において、１１は透明基板（ガラス板）であり、この基板１１面には、薄膜トランジスタ形成部に対応する遮光膜１２
（審決注：「遮光膜２」は「遮光膜１２」の明らかな誤記である。）
（審決注：「遮光膜２」は「遮光膜１２」の明らかな誤記である。）
（審決注：「遮光膜２」は「遮光膜１２」の明らかな誤記である。）
　第４図および第５図〜第１０図は上記ＴＦＴパネルの製造方法を示したもので、このＴＦＴパネルは次のようにして製造される。
　まず、基板１１面にＣｒ等の金属をスパッタリング法により２０００Åの厚さに膜付けし、この金属膜をフォトエッチング法でパターニングして第４図（ａ）および第５図に示すように遮光膜１２とデータラインＤＬを形成する。次に、第４図（ｂ）および第６図に示すように、遮光膜１２とデータラインＤＬを形成した基板１１上にＳＯＧ（スピンオンガラス）等によって膜面を平坦化した絶縁基膜１３（膜厚５０００Å〜１μｍ）を形成し、この絶縁基膜１３
（審決注：「絶縁基膜３」は「絶縁基膜１３」の明らかな誤記である。）
　
ウ．「しかも、上記ＴＦＴパネルにおいては、薄膜トランジスタのドレイン電極ＤとデータラインＤＬとを別に形成してこれをコンタクトメタル２１により接続しているから、ドレイン電極Ｄの膜厚に関係なくデータラインＤＬの膜厚を選ぶことができ、したがってデータラインＤＬの膜厚を厚くしてこのデータラインＤＬの抵抗値を下げることができる。また、上記実施例では、遮光膜１２とデータラインＤＬとを同じ金属膜で形成するとともに、薄膜トランジスタのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを透明導電膜１４の上にオーミックコンタクト用金属膜１５を形成した２層膜としてこのうち下層の透明導電膜１４を延長させて画素電極１８とドレイン電極リード部Ｄａを形成し、さらにゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬとドレイン電極接続用のコンタクトメタル２１とを同じ金属で形成しているから、このＴＦＴパネルを製造するのに必要なパターニング工程数は、前述した製造方法のように、遮光膜１２およびデータラインＤＬのパターニングと、透明導電膜１４とオーミックコンタクト用金属膜１５とｎ＋−ａ−Ｓｉ膜１６との３層膜のパターニングと、ｉ−ａ−Ｓｉ半導体層１７のパターニングおよびこれと連続して行なわれる画素電極１８およびドレイン電極リード部Ｄａ上のオーミックコンタクト用金属膜１５とｎ＋−ａ−Ｓｉ膜１６のエッチング除去と、ゲート絶縁膜１９と絶縁基膜１３へのコンタクト孔２０の形成と、ゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬとドレイン電極接続用コンタクトメタル２１とのパターニングとの５回でよく、したがって上記ＴＦＴパネルは少ないパターニング工程数で容易に製造することができる。」（５頁左上欄２行〜同頁右上欄１４行）、
　
エ．第１図、第２図及び第７図〜第１０図の記載からみて、「ｉ−ａ−Ｓｉ半導体層１７が、リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４とソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４との間、及びその近傍に、形成されている」との事項が見て取れる。
　
オ．第１図、第２図、第４図（ｅ）及び第４図（ｆ）の記載からみて、「リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４及びデータラインＤＬはそれぞれコンタクト孔２０を通じてコンタクトメタル２１に接続されている」なる事項が見て取れる。
　
カ．これらの記載から、引用例１には、
　
「ガラス板の透明基板１１の面に遮光膜１２及びデータラインＤＬが同一の金属膜から形成され、
　その遮光膜１２とデータラインＤＬが形成された透明基板１１上に絶縁基膜１３が形成され、
　その絶縁基膜１３の上に、透明導電膜１４と、オーミックコンタクト用金属膜と、ｎ＋−ａ−Ｓｉ膜１６とが膜付けされ、この３層がパターニングされて、リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４、ソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４、ソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４が画素形成領域にわたって形成され透明画素電極１８とされた部分とが形成されると共に、リード部分Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４とソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４との間、及びその近傍に、ｉ−ａ−Ｓｉ半導体層１７が形成され、
　前記透明導電膜１４の形成された絶縁基膜１３上に、ゲート絶縁膜１９が形成され、
　そのゲート絶縁膜１９上に、Ａｌ等の低抵抗金属を膜付けし、この金属膜をパターニングして、ゲート電極Ｇと、ゲートラインＧＬと、前記リード部Ｄａと前記データラインＤＬとを接続するためのコンタクトメタル２１とが、同じ金属で形成され、
　リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４及びデータラインＤＬはそれぞれコンタクト孔２０を通じてコンタクトメタル２１に接続され、
　透明基板上に多数の透明画素電極が縦横に配列されるとともに、この基板面に各画素電極を駆動する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が各画素電極にそれぞれ対応して配列されているＴＦＴパネルを備えた、
　アクティブマトリックス型の液晶表示素子。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−２０８８９６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア．「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、液晶等を用いたアクティブマトリクス表示装置に用いられる薄膜トランジスタアレイの改良に関する。」（１頁下右欄８〜１１行）、
　
イ．「第３図は、従来の第２の例であり、・・・・（中略）・・・・ゲート電極２を最上部に配した点にある。このような従来の第２の例では・・・・（中略）・・・・最後にゲート電極を形成するので、耐熱性は低いが低抵抗の材料であるＡｌを使用できる利点がある。」（２頁上右欄１０〜１７行）、
　
ウ．「更に、ａ−Ｓｉ半導体は光が照射されると導電率が著しく変化するが、従来の第１及び第２の例では何れもａ−Ｓｉ半導体層４の一方の面のみが、遮光性のゲート電極２により遮光されている。換言すれば他方の面は遮光されておらず、ａ−Ｓｉ半導体層４中に形成されるチャネル部に光が到達してしまう。　このため、薄膜トランジスタの特性が外部からの光によって変化し、誤った表示をする問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明は、かかる従来の問題点を解決することを目的とし、問題点解決の具体的手段として、薄膜トランジスタのゲート電極及びその延長したゲート配線をチャネルが形成される半導体層４を挟んで上方と下方に２本設けた２層配線構造としたものである。さらに両配線材料には、ともに遮光性導体を用い、さらに上記２層配線をトランジスタ以外の部分において電気的に連接したものである。」（２頁下右欄１行〜最下行）、
　
エ．「〔実施例〕
　以下に実施例をともなって本発明の作用、効果を詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明の薄膜トランジスタアレイの１画素の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’断面図、同じく（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図、である。
１ガラス基板、２はＮｉＣｒの蒸着膜からなる下部ゲート電極、３はＣＶＤ法により形成した窒化Ｓｉからなる下部ゲート絶縁膜、４はアモルファスシリコンからなる半導体層、・・・・（中略）・・・・６は３と同じくＣＶＤ法により形成した窒化Ｓｉからなる上部ゲート絶縁膜、・・・・（中略）・・・・１１は下部ゲート電極（２）の延長部分たる下部ゲート配線（２’）と上部ゲート電極（１２）の延長部分たる上部ゲート配線（１２’）とを薄膜トランジスタ以外の部分において電気的に連接するためのスルーホール、１２は上部ゲート電極である。　ここで下部及び上部電極（２，１２）は遮光性導体であれば良く、上述の材料に限定されない。・・・・（中略）・・・・薄膜トランジスタのゲート電極及びその延長したゲート配線をチャネルが形成されるａ−Ｓｉ半導体層４を挟んで上方と下方に２本設けた２層配線構造とし・・・・（中略）・・・・また２層配線をトランジスタ以外の部分において電気的に連接しているので、・・・・（中略）・・・・更にチャネルが形成されるａ−Ｓｉ半導体層４はその両面が遮光性導体により外光より保護されているので薄膜トランジスタの特性を極めて安定に保つことができる。
更に図示は省略するが、上下２層のデュアルゲート構造となっているので、チャネルはａ−Ｓｉ半導体層４の表面と裏面の近傍に２本形成されるのでトランジスタの負荷（表示画素）駆動能力を増大できる利点がある。」（３頁上左欄１行〜同頁左下欄最下行）、
　
オ．第１図（ａ）、（ｂ）の記載からみて、下部ゲート電極２はガラス基板１の面に、チャネル形成用半導体層４のチャネルを遮光する位置に形成されていることが見てとれる。
　
カ．これらの記載から、引用例２には、
「液晶等を用いたアクティブマトリクス表示装置に用いられる薄膜トランジスタアレイにおいて、
　ガラス基板（１）の面に、チャネル形成用半導体層（４）のチャネルを遮光する位置に下部ゲート電極（２）を形成し、
　窒化Ｓｉからなる下部ゲート絶縁膜（３）、前記半導体層（４）、窒化Ｓｉからなる上部ゲート絶縁膜（６）を形成し、
　該下部ゲート電極（２）と上部ゲート電極（１２）とで、チャネルが形成される半導体層を挟むように上部ゲート電極（１２）を形成し、両ゲート電極材料には、ともに遮光性導体を用い、さらに下部ゲート電極（２）の延長部分たる下部ゲート配線（２’）と上部ゲート電極（１２）の延長部分たる上部ゲート配線（１２’）とを、薄膜トランジスタ以外の部分においてスルーホール（１１）により電気的に連接して、
　半導体層の両面を遮光性導体により外光から保護しているので薄膜トランジスタの特性を極めて安定に保つことができ、
　さらに、上下２層のデュアルゲート構造となっているので、チャネルは半導体層の表面と裏面の近傍に２本形成され、トランジスタの負荷（表示画素）駆動能力を増大できる利点がある薄膜トランジスタアレイ。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
 ３．対比 
 　本願発明と引用発明１とを対比する。 
　
 （１）引用発明１の「ガラス板の透明基板１１」、「遮光膜１２」、「データラインＤＬ」、「同一の金属膜」、「絶縁基膜１３」、「リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４」、「ソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４」、「ソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４が画素形成領域にわたって形成され透明画素電極１８」、「透明導電膜１４」、「リード部分Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４とソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４との間、及びその近傍」、「ｉ−ａ−Ｓｉ半導体層１７」、「ゲート絶縁膜１９」、「ゲート電極Ｇ」、「ゲートラインＧＬ」、「前記リード部Ｄａと前記データラインＤＬとを接続するためのコンタクトメタル２１」、「Ａｌ等の低抵抗金属」、「リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４及びデータラインＤＬはそれぞれコンタクト孔２０を通じてコンタクトメタル２１に接続され」、「液晶表示素子」、「各画素電極を駆動する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が各画素電極にそれぞれ対応して配列されている」、「ＴＦＴパネル」及び「縦横に配列」は、それぞれ、本願発明の「ガラス基板」、「ライトシールド」、「ソースバス」、「（第１層を形成する）同一金属材料」、「第１絶縁膜」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「そのドレイン電極より延長された画素電極」、「透明導電膜」、「ソース電極とドレイン電極の間及びその近傍」、「半導体層」、「第２絶縁膜」、「ゲート電極」、「ゲートバス」、「ソース電極・ソースバスを接続するための接続部」、「（第５層を形成する）同一金属材料」、「前記ソース電極及びソースバスはそれぞれコンタクトホールを通じて前記接続部に接続され」、「液晶表示素子」、「各画素に対応する薄膜トランジスタ」、「ＴＦＴアレイ基板」及び「マトリクス状に形成」に相当する。
　
（２）ガラス板の透明基板上に多数の透明画素電極が縦横に配列されるとともに、この基板面に各画素電極を駆動する多数の薄膜トランジスタが各画素電極にそれぞれ対応して配列されているＴＦＴパネルを備えたアクティブマトリックス型の液晶表示素子は、通常、前記ＴＦＴパネルの多数の透明画素電極が縦横に配列されたガラス基板の面と、ガラス基板の内面に共通電極が形成されている共通電極基板のその内面とが、液晶層を挟んで近接対向して配されるものであるから、引用発明１の液晶表示素子は、ガラス基板の内面に多数の透明画素電極が縦横に配列されるとともに、この基板面に各画素電極を駆動する多数の薄膜トランジスタが各画素電極にそれぞれ対応して配列されているＴＦＴパネルと、ガラス基板の内面に共通電極が形成されている共通電極基板とが、液晶層を挟んで近接対向して配される液晶表示素子であることが、当業者に自明である。また、このことから、引用発明１の「（遮光膜１２及びデータラインＤＬが同一の金属膜から形成される）ガラス板の透明基板１１の面」は、本願発明の「ガラス基板の内面」に相当する。
　
（３）引用発明１の、ガラス板の透明基板１１の面（本願発明の「ガラス基板の内面」に相当する。上記（２）参照。）に同一の金属膜から形成された「遮光膜１２」及び「データラインＤＬ」は、本願発明の「（ガラス基板の内面に同一金属材料で形成された）第１層」に相当する。
　
（４）引用発明１の、遮光膜１２とデータラインＤＬが形成された透明基板１１上に形成された「絶縁基膜１３」は、本願発明の「（第１層の形成されたガラス基板の内面に形成された）第２層」に相当する。
　
（５）引用発明１の、絶縁基膜１３の上に膜付けされた、透明導電膜１４と、オーミックコンタクト用金属膜と、ｎ＋−ａ−Ｓｉ膜１６とをパターニングして形成された、「リード部Ｄａが延長されているドレイン電極Ｄの下層の透明導電膜１４」、「ソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４」及び「ソース電極Ｓの下層の透明導電膜１４が画素形成領域にわたって形成され透明画素電極１８とされた部分」は、本願発明の「（第１絶縁膜上に透明導電膜により形成された）第３層」に相当する。
　
（６）引用発明１の、透明導電膜１４の形成された絶縁基膜１３上に形成された「ゲート絶縁膜１９」は、本願発明の「（第３層の形成された第１絶縁膜上に形成された）第４層」に相当する。
　
（７）引用発明１の、ゲート絶縁膜１９上に、Ａｌ等の低抵抗金属を膜付けし、この金属膜をパターニングして、同じ金属で形成された、「ゲート電極Ｇ」、「ゲートラインＧＬ」及び「前記リード部Ｄａと前記データラインＤＬとを接続するためのコンタクトメタル２１」は、本願発明の「（第２絶縁膜上に同一金属材料で形成された）第５層」に相当する。
　
（８）以上のことから、本願発明と引用発明１とは、
「ガラス基板の内面に各画素に対応する薄膜トランジスタ及び画素電極がマトリクス状に形成されているＴＦＴアレイ基板と、ガラス基板の内面に共通電極が形成されている共通電極基板とが、液晶層を挟んで近接対向して配される液晶表示素子であって、
　前記ＴＦＴアレイ基板は、ガラス基板の内面に第１層としてライトシールド及びソースバスが同一金属材料で形成され、
　その第１層の形成されたガラス基板の内面に第２層として第１絶縁膜が形成され、
　その第１絶縁膜上に、第３層として、ソース電極、ドレイン電極、そのドレイン電極より延長された画素電極が透明導電膜により形成されると共に、それらソース電極とドレイン電極の間及びその近傍に半導体層が形成され、
　前記第３層の形成された第１絶縁膜上に、第４層として第２絶縁膜が形成され、
　その第２絶縁膜上に、第５層としてゲート電極、ゲートバス及びソース電極・ソースバスを接続するための接続部が同一金属材料で形成され、
　前記ソース電極及びソースバスはそれぞれコンタクトホールを通じて前記接続部に接続されている、
　液晶表示素子。」である点で一致し、次の点で相違する。 
　
相違点１：
　本願発明においては「前記ライトシールドはコンタクトホールを通じて前記ゲートバスに接続され」ているのに対して、引用発明１においては、ライトシールドはゲートバスに接続されていない点。
　
相違点２：
　本願発明においては「第５層の前記ゲート電極及びゲートバスが陽極酸化されている」のに対して、引用発明１においては、ゲート電極もゲートバスも陽極酸化されていない点。
　
 ４．判断 
　
（１）上記相違点１について検討する。
　
ア．本願発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「スルーホール」、「下部ゲート電極」、「上部ゲート電極」及び「上部ゲート配線」は、それぞれ、本願発明の「コンタクトホール」、「ライトシールド」、「ゲート電極」及び「ゲート配線」に相当し、引用発明２の薄膜トランジスタアレイは、下部ゲート電極の延長部分たる下部ゲート配線と上部ゲート電極の延長部分たる上部ゲート配線とを、薄膜トランジスタ以外の部分においてスルーホールにより電気的に連接しているものであるから、引用発明２において「下部ゲート電極はスルーホールを通じてゲート配線に接続されている」といえる。よって、引用発明２は、本願発明の「前記ライトシールドはコンタクトホールを通じて前記ゲートバスに接続され」ている事項、すなわち、上記相違点１を備えている。
　
イ．引用発明２は、半導体層の両面を遮光性導体により外光から保護しているので薄膜トランジスタの特性を極めて安定に保つことができ、さらに、上下２層のデュアルゲート構造となっているので、チャネルは半導体層の表面と裏面の近傍に２本形成され、引用発明２には、トランジスタの負荷（表示画素）駆動能力を増大できる利点があるから、この利点を備えさせる目的で、引用発明１に引用発明２を採用することには十分な動機があるといえる。そして、引用発明１に引用発明２を採用し、引用発明１において、絶縁基膜１３をゲート絶縁膜１９と同様にＳｉＮ等の絶縁膜で形成し、遮光膜１２をゲート配線ＧＬと重なるように延長し、ゲート配線ＧＬと重なる箇所のゲート絶縁膜１９及び絶縁基膜１３にコンタクトホールを設ける等して、遮光膜１２を、コンタクトホールを通じてゲート配線ＧＬに連接して下部ゲート電極となし、上下２層のデュアルゲート構造となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
ウ．よって、上記相違点１は、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　
ア．ゲート電極及びゲートバスを陽極酸化することは周知である（例．特開平６−２６７９８８号公報（段落０００１、００２３参照。アルミニウム配線、ゲイト電極２８ａ、２８ｂ、２８ｃを陽極酸化している。）、特開平６−２８９４２７号公報（段落００１７参照。ゲート電極３およびゲートバスラインの表面を陽極酸化している。）、特開平７−５６１６０号公報（段落０００３〜００２６参照。）、特開平７−２２６５１５号公報（請求項８、１０、１１、１４、段落００２４、００２８、００２９、００３６〜００３８）、特開平７−２１８９３２号公報（請求項６、７、８、段落０００１、００１３〜００２２、００３０〜００４０参照。）、特開平８−１７９３５５号公報（段落００２７参照。）、特開平８−２１３６３４号公報（段落００５１〜００５６参照。））。
　
イ．引用発明１の、Ａｌ等の低抵抗金属を膜付けし、この金属膜をパターニングして形成した「ゲート電極Ｇ及びゲートラインＧＬ」に、上記ア．の周知技術を採用し、ゲート電極及びゲートラインを陽極酸化すること、すなわち、上記相違点２の構成とすることは、当業者が容易になし得たことであり、そのことによる効果も引用発明１及び上記周知技術から当業者が予測できたものである。
　
（３）また、本願発明の効果は、引用発明１の有する効果、引用発明２の有する効果及び上記周知技術の有する効果から当業者が予測し得た程度のものである。
　
（４）したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび 
　
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 
 　よって、結論のとおり審決する。