【事件の表示】
　特願２０００−１９９５６１「半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月２５日出願公開、特開２００２−　２５９５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　この出願は、平成１２年６月３０日の特許出願であって、同１９年３月１２日に拒絶査定がされ、同年４月１６日に本件審判請求がなされ、同２０年７月１５日に面接が行われ、同年８月２１日にファクシミリにより意見が提出されたものである。
　
　その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「ラップ後の半導体ウェーハを、アルカリ性エッチング液によりエッチングするアルカリエッチ工程と、
　この後、半導体ウェーハの表面に、＃１０００〜＃８０００のレジノイド研削砥石を使用し、ウェーハ表面を３〜１５μｍ研削する表面研削工程と、
　この後、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨すると同時に、アルカリエッチ工程において半導体ウェーハの裏面に形成された凹凸を０．５〜１．５μｍ研磨する両面研磨工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法。」
　
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用されたこの出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１３５１６４号公報（以下「引用例１」という。）及び特開２０００−９１２８２号公報（以下「引用例２」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
(１)　引用例１
「【００１５】次に、各実施例の製造方法を説明する。
実施例１
図１は実施例１の製造方法の工程図、図２は実施例１の製造方法により製造された半導体ウェハの側断面図である。図１に示すように、本実施例１の製造方法は次の工程からなる。
（１）半導体インゴットを切断しウェハ１を得る〔図２（ａ）参照〕。
（２）切断されたウェハ１の周縁部１３を面取りする〔図２（ａ）参照〕。
（３）面取りされたウェハ１の表面１１および裏面１２の切断面をラッピングにより平坦化する。この際、ラッピングにより表面１１および裏面１２には加工歪１４が生じる〔図２（ｂ）参照〕。
【００１６】（４）平坦化されたウェハ１をアルカリエッチングする。〔図２（ｃ）参照〕
ＮａＯＨの４０％水溶液により約５分間エッチングすることにより、取代として２０μｍ程度エッチングオフされ、ラッピングにより生じた加工歪１４が除去される。このアルカリエッチングによると、そのウェハ１全体としては平坦度が維持されるが、その表面にはＰ−Ｖ値が２．０μｍ程度の凹凸１５が形成される。
【００１７】（５）エッチングされたウェハ１を両面研磨装置により研磨する。
この際、上定盤と下定盤を反対方向に回転させ、インターナルギアとサンギアを下定盤と同じ方向に回転させ、上記した方法によりの研磨条件を設定し、ウェハの表面を約１０μｍ研磨し、裏面を約０．２μｍ研磨する。
【００１８】（６）両面研磨されたウェハ１を洗浄する。
これにより表面１１は鏡面で、裏面には凹凸１５ａが残り、その光沢度が８０％程度のウェハ１が得られ〔図２（ｄ）参照〕、感知センサーによりこの裏面１２を識別することができる。」（４欄３５行−５欄１８行）
　
　上記摘記事項より、引用例１には、次の事項が記載されていると認める。
「ラッピング後のウェハ（１）を、アルカリ性エッチング液によりエッチングするアルカリエッチング工程と、
　この後、ウェハ（１）の表面を約１０μｍ研磨すると同時に、アルカリエッチング工程においてウェハ（１）の裏面に形成された凹凸を約０．２μｍ研磨する両面研磨工程とを備えたウェハの製造方法」（以下「引用例１記載の発明」という。）。
　
　なお、請求人は、平成２０年８月２１日のファクシミリで、引用例１について、「１０μｍ研磨した程度では、その面は決して鏡面とはなりません」と主張するので、「鏡面」であるとは認定しなかった。
　
(２)　引用例２
ア　１欄２−２１行
「【請求項１】　面取り加工が施された半導体ウェーハをラッピングする工程と、
　このラップドウェーハをエッチングする工程と、
　エッチング後、半導体ウェーハの表面にレジノイドボンド研削砥石を用いて低ダメージの研削を施す工程と、
　この研削後の半導体ウェーハの表面を研磨する工程とを備えた高平坦度ウェーハの製造方法。
　・・・
【請求項４】　上記研削工程は、ディスコ株式会社製の＃１５００〜＃３０００のレジノイドボンド研削砥石を用いて行う請求項１〜請求項３のうちのいずれか１項に記載の高平坦度ウェーハの製造方法。」
　
イ　３欄４７行−４欄１０行
「【作用】この発明の高平坦度ウェーハの製造方法によれば、面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラッピングする。次いで、半導体ウェーハをエッチングする。これにより、それ以前にこのウェーハ表面に発生した欠陥を除去する。このエッチング後のウェーハ表面にレジノイドボンド研削砥石を用いた低ダメージの研削を施す。その後、この高平坦度の研削面を研磨して、ウェーハ外周部のダレが小さい高品質の半導体ウェーハを製造する。このように、研磨前にウェーハ表面を研削するので、研磨時間が短縮される。また、研磨量を少なくすることができ、平坦度も高まる。これは、研削により、高平坦度のウェーハ表面を得ることができるため、少ない研磨量（従来は１０〜１５μｍ）で、従来と同品質の研磨面を得ることができることを意味する。」
　
ウ　５欄２０行−６欄４６行
「【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。図１は、この発明の第１実施例に係る高平坦度ウェーハの製造方法を示すフローチャートである。図１に示すように、この第１実施例にあっては、大略、スライス，粗面取り，ラッピング，仕上げ面取り，エッチング，必要に応じての裏面軽ポリッシング，洗浄、研削，ＰＣＲ，研磨，洗浄の各工程を経て、高平坦度のシリコンウェーハが作製される。以下、各工程を詳細に説明する。
　・・・
【００２１】・・・その後、シリコンウェーハの表面を、ディスコ株式会社製のレジノイドボンド研削砥石、製品名「ＩＦ−０１−１−４／６−Ｂ−Ｍ０１」を用いて研削する（Ｓ１０９）。この研削砥石は、＃２０００という高番手でかつ非ダメージ面を加工するために開発した特別な砥石である。この研削装置の製品名は「ＤＦＧ８４０」である。　そして、このときの研削量は、２〜１０μｍ程度である。この結果、その後工程でのウェーハの表面研磨時に、その研磨量が２〜８μｍとなる。具体的には、シリコンウェーハが厚さ７４０μｍの場合１０μｍ程度研削する。このように、番手の高い研削砥石により研削するようにしたので、ウェーハのダメージを少なく（２μｍ以下）かつその表面をあらすことなく、研削することができる。
【００２２】次に、この表面研削されたシリコンウェーハの外周部に公知のＰＣＲ加工を施す（Ｓ１１０）。これにより、ウェーハ外周部（面取り面）が鏡面加工される。さらに、ＰＣＲ加工後のシリコンウェーハの表面をさらに研磨する（Ｓ１１１）。この研磨量は、Ｓ１０９の研削工程でのダメージを除去するため、２〜８μｍで足りる。このため、表面が高平坦度のシリコンウェーハをさらに研磨していった場合、その研磨量が約１０μｍを超えたところで平坦度が低下するという不具合を避けることができる（図３のグラフ参照）。その後、洗浄工程（Ｓ１１２）を行う。具体的にはＲＣＡ系の洗浄とする。このような製造工程を経て、ウェーハ外周部のダレが小さい高品質のシリコンウェーハが製造される。しかも、研磨前にウェーハ表面を研削するようにしたので、研磨時間を短縮することができる。」
　
エ　７欄２１−３５行
「【００２５】次に、図６に基づいて、この発明の第３実施例の高平坦度ウェーハの製造方法を説明する。図６は、この発明の第３実施例に係る高平坦度ウェーハの製造方法を示すフローチャートである。図示のように、この第３実施例にあっては、上記各実施例の工程中において、研削工程（Ｓ６０５）をドナーキラー熱処理工程（Ｓ６０７）の前に配置した例である。すなわち、スライス工程Ｓ６０１、面取り工程Ｓ６０２、ラップ工程Ｓ６０３、エッチング工程Ｓ６０４の後、シリコンウェーハの表面を上記レジノイドボンド研削砥石「Ｂ−Ｍ０１」を用いた研削を行うものである（Ｓ６０５）。さらに、この研削後、洗浄工程Ｓ６０６（ＲＣＡ洗浄など）を施した後、ドナーキラー熱処理工程Ｓ６０７が実施され、ＰＣＲ工程Ｓ６０８、鏡面研磨工程Ｓ６０９を経て、最終洗浄が行われる（Ｓ６１０）。」
　
　上記摘記事項より、引用例２には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体ウェーハの製造方法において、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する前に、＃２０００のレジノイドボンド研削砥石を使用し、半導体ウェーハの表面を２〜１０μｍ研削することにより、研磨量を少なくし、研磨時間を短縮し、平坦度を高めること」（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）。
　
３　対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「ラッピング」は、本願発明の「ラップ」に相当しており、以下同様に、「ウェハ」は「半導体ウェーハ」に、「アルカリエッチング工程」は「アルカリエッチ工程」にそれぞれ相当していることが明らかであるので、両者は、次の「半導体ウェーハの製造方法」で一致している。
　
「ラップ後の半導体ウェーハを、アルカリ性エッチング液によりエッチングするアルカリエッチ工程と、
　この後、半導体ウェーハの表面を研磨すると同時に、アルカリエッチ工程において半導体ウェーハの裏面に形成された凹凸を研磨する両面研磨工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法。」
　
　そして、両者は、次の点で相違している。
(１)　相違点１
　本願発明では、アルカリエッチング工程と両面研磨工程との間に、＃１０００〜＃８０００のレジノイド研削砥石を使用し、半導体ウェーハの表面を３〜１５μｍ研削する表面研削工程を備えているのに対し、引用例１記載の発明では、そのような表面研削工程を備えているものではない点。
　
(２)　相違点２
　両面研磨工程における半導体ウェーハの表面の研磨が、本願発明では、鏡面研磨であるのに対し、引用例１記載の発明では、鏡面研磨であるのか明らかではない点。
　
(３)　相違点３
　両面研磨工程における半導体ウェーハの裏面に形成された凹凸の研磨量が、本願発明では、０．５〜１．５μｍであるのに対し、引用例１記載の発明では、約０．２μｍである点。
　
４　相違点についての検討
　そこで、上記各相違点について以下検討する。
　
(１)　相違点１について 
　引用例１記載の発明である半導体ウェーハの製造方法において、研磨量を少なくすること、研磨時間を短縮すること、平坦度を高めること等は、自明の課題であるところ、上記引用例２には、上記２の(２)のとおり、半導体ウェーハの製造方法において、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する前に、＃２０００のレジノイドボンド研削砥石を使用し、半導体ウェーハの表面を２〜１０μｍ研削することにより、研磨量を少なくし、研磨時間を短縮し、平坦度を高めることの技術的事項が記載されているので、引用例１記載の発明に引用例２記載の技術的事項を採用して、アルカリエッチング工程と両面研磨工程との間に、＃２０００のレジノイドボンド研削砥石を使用し、半導体ウェーハの表面を２〜１０μｍ研削する表面研削工程を備えることに格別の困難性はない。
　
(２)　相違点２について
　引用例２記載の技術的事項は、半導体ウェーハの表面を研削してから鏡面研磨するものであるので、上記引用例２記載の技術的事項を採用するに際し、両面研磨工程における半導体ウェーハの表面の研磨を鏡面研磨とすることにも格別の困難性はない。
　
(３)　相違点３について
　両面研磨工程における半導体ウェーハの裏面に形成された凹凸の研磨量は、必要に応じて適宜決定する設計的事項であって、０．５〜１．５μｍとすることに格別の困難性はない。
　
(４)　作用効果について
　本願発明の奏する作用効果は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術的事項より当業者が予測できる程度のものであって、格別のものではない。
　
　なお、審判請求人は、平成２０年８月２１日付のファクシミリにおいて、（ア）引用例１は事実と異なるから引用例とすべきものでないこと、また、（イ）引用例１に、アルカリエッチング面を直接研磨することで鏡面が得られることが記載されているので、引用例１は、他の技術的要素との組み合せには阻害要因がある旨、主張している。
　しかし、（ア）については、引用例１記載の半導体ウェーハの製造方法が、仮に表面を鏡面化することができないものであるとしても、一定の平坦化は可能なものであり、技術的に研磨不能なものとまでは言えないから、引用例としての適切性に問題はない。しかも、仮に表面を鏡面化することができないものであるなら、むしろ、引用例１の発明の表面の研磨に他の引用例に記載の鏡面研磨手段を採用する動機付けになるものと思料する。
　また、（イ）については、引用例２記載の技術的事項は、前記のとおり「研磨量を少なくし、研磨時間を短縮し、平坦度を高める」ものであるから、引用例１のみで「鏡面」が得られるとしても、効率化を図るという、引用例２記載の技術的事項を採用する動機付けは、あると認められる。
　したがって、上記審判請求人の主張は採用できない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、結論のとおり審決する。