【事件の表示】
　平成　８年特許願第２０２６８０号「発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　４月２２日出願公開、特開平　９−１０７１２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成　８年　８月　１日
　（パリ条約による優先権主張１９９５年８月１０日、米国）
　拒絶理由通知書送付　　　平成１６年　５月２４日
　意見書・手続補正書提出　平成１６年１１月２４日
　拒絶査定送付　　　　　　平成１７年　５月　９日
　審判請求　　　　　　　　平成１７年　８月　８日
　手続補正書提出　　　　　平成１７年　９月　７日
　
２．平成１７年９月７日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１７年９月７日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
（１）本件補正
　平成１７年９月７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１について、
「【請求項１】光を発生するための活性領域と、
　前記活性領域の下に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明な基板と、
　前記活性領域の上に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明なウインドウ層と、
　前記活性領域に電圧を印加する第１の接触部および第２の接触部と、
　所定の入射角範囲内で当たる光を反射し、その範囲外で当たる場合には、吸収を最小限に抑えてその光を透過する、前記活性領域から空間的に離れた少なくとも１つの第１の分布ブラッグ・リフレクタであって、前記分布ブラッグ・リフレクタがフラットな平面を有することを特徴とする記載の発光ダイオード。」を
「【請求項１】光を発生するための活性領域（３２）と、
　前記活性領域の下に位置し、頂部および底部表面と、複数の露出した側面とを有する、該活性領域が発生する光に対して透明な基板（３３）であって、前記活性領域（３２）で発生した光が前記基板（３３）の前記露出した側面を介して前記発光ダイオード（３０）から出ることができるようになった基板と、
　前記活性領域の上に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明なウインドウ層であって、前記活性領域（３２）で発生した光が通過することできる少なくとも１つの側面有しているウインドウ層と、
　前記活性領域（３２）に電圧を印加し、少なくとも一方が前記活性領域（３２）で発生した光を吸収するようになっている第１の接触部および第２の接触部（３４）と、
　前記活性領域（３２）で発生した光に対して実質的に透明な少なくとも１つの第１の分布ブラッグ・リフレクタ（３１）であって、前記分布ブラッグ・リフレクタ（３１）反射光が所定の入射角範囲内で該分布ブラッグ・リフレクタに当り、かつ前記活性領域（３２）で発生した光が前記所定の入射角範囲の外側で該分布ブラッグ・リフレクタに当たる場合には、２５％未満の吸収で前記活性領域（３２）で発生した光を透過するようになっており、前記活性領域で発生した光を発光ダイオードの吸収領域から遠ざけ、少なくと１つの露出表面に向かうように再指向させるようになっているブラッグ・リフレクタと
　を備えて成るコヒーレント発光しない発光ダイオード（３０）。」と補正するものである。
　
（２）補正の目的要件についての検討
　ここで、補正後の請求項１の発明特定事項である「分布ブラッグ・リフレクタ（３１）」は、補正前の請求項１の発明特定事項である「分布ブラッグ・リフレクタがフラットな平面を有する」という事項を有していない。
　したがって、本件補正は、特許請求の範囲を限定的に減縮することを目的とするものとはいえない。
　また、本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正又は明瞭でない記載の釈明を目的とするものでもない。
　
（３）むすび
　よって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反しているものと認められるので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年９月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年１１月２４日付けで補正された明細書の請求項１に記載された事項によって特定されるものであって、上記２．［II］．（１）で補正前の請求項１として摘記したとおり、
「光を発生するための活性領域と、
　前記活性領域の下に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明な基板と、
　前記活性領域の上に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明なウインドウ層と、
　前記活性領域に電圧を印加する第１の接触部および第２の接触部と、
　所定の入射角範囲内で当たる光を反射し、その範囲外で当たる場合には、吸収を最小限に抑えてその光を透過する、前記活性領域から空間的に離れた少なくとも１つの第１の分布ブラッグ・リフレクタであって、前記分布ブラッグ・リフレクタがフラットな平面を有することを特徴とする記載の発光ダイオード。」というものである。（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用例及び引用発明
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平３−８５７７４号公報（以下、「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
ａ．「【産業上の利用分野】
　本発明は光通信又は光情報処理等の分野で重要である高出力・集積化が可能な面発光型半導体発光素子に関する。
【従来の技術】
　従来の装置は、特願昭６０−９８６８９号に記載の様に、半導体基板上に多層反射膜を設け、この上に光を発光し得る活性層を設けることを特徴とした構造となっていた。この種の半導体装置の一例を第４図によって説明する。
　この第４図で、１は半導体基板でＧａＡｌＡｓ，２ａは活性層でＧａＡｓ，４はクラッド層でＧａＡｌＡｓである。又はは多層反射膜で、屈折率の異なる２種類以上の物質で、２層以上交互に結晶成長させて形成した構造となっている。又９は絶縁膜でＳｉＯ２，６及び７は電極で各々Ａｌ，Ａｕとなっている。１０は光取出し用の窓である。この様な発光ダイオードにおいて、活性層２ａの下方へ出射した光は多層反射層５で反射され、光取出し用の窓１０から外部に取り出せる。
【発明が解決しようとする課題】
　従来の構造（第４図参照）の様に多層反射膜と光取出し面１０が平行であると、光取出し面と多層反射面によるファブリペロ共振器が形成され、これにより発光スペクトルにリップルが生じる。又…欠点を有する。」（第２頁左上欄第９行〜左下欄第１０行）
　
ｂ．「本発明は外部量子効率の高い発光素子を得ることと、さらに焦光性が良く結合特性に優れた発光素子を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、面集積化・面実装化が可能な面発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する為に、本発明では、電流注入により発光する機能を持つｐ−ｎ接合の一方の側に高反射（多）層膜を形成し、他方の側に光を取り出す構造とし、出射方向に対して凹状の形状とし、光出力効率及び光結合特性を高めたことを特徴としたものである。
　また、この凹状の反射膜により反射される光の収束点が素子の外部に存在するように構成することで、さらに素子の発光効率を上げることができる。
　さらに光出力効率を上げ、温度特性を向上させる為に上記ｐ−ｎ接合をヘテロ多層膜で構成された（多重）量子井戸構造であることを特徴としている。」（第２頁左下欄第１１行〜右下欄第１０行）
　
ｃ．「【実施例】
　以下、この発明の実施例を詳細に説明する。
　実施例１．
　第１図は、本発明第１の実施例である。本構造において、１はｎ型ＧａＡｓ基板である。この様な凹面形状をもつ基板は研磨工，エツチング等により作成できる。２ｂは厚さ約０．５μｍのｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．３７）クラッド層であり、４は基板凹状曲率半径が例えば２００μｍの時約３０μｍから１５０μｍの厚さからなるＰ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ（ｘ＝０．３７）クラッド層である。４ａは厚さ約５μｍのｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層である２ａは井戸層と障壁層が各々ＧａＡｓとＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．２）で、厚さが各々８０Å，３０Åとから成り１８ペア組合された量子井戸構造のヘテロ接合層である。この様な量子井戸構造については、例えば（日本物理学会側「半導体超格子の物理と応用」第４章）に記載がある。
　３は（１）式で与えられる膜厚と屈折率を有した反射多層膜で、厚さ５９０ÅのＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．２）高屈折率層と厚さ６４０ÅのＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．６）の低屈折率層とから成り、１６ペアで構成されている。屈折率は各々３．４９，３．２２である。」（第３頁右下欄第１６行〜第４頁左上欄第２０行）
　
　上記摘記事項ａにおいて、「又はは多層反射膜」及び「多層反射層５」の記載は、第４図を参照すると、それぞれ「又３は多層反射膜」及び「多層反射層３」の誤記であると認められる。
　そして、上記摘記事項ａ及び第４図によれば、引用例には従来の技術として
「光を出射するＧａＡｓの活性層２ａと、
　前記活性層２ａの下に位置するＧａＡｌＡｓの半導体基板１と、
　前記活性層２ａの上に位置するＧａＡｌＡｓのクラッド層４と、
　電極６および電極７と、
　屈折率の異なる２種類以上の物質で２層以上交互に結晶成長させて形成した構造の多層反射膜であって、前記活性層２ａの下方へ出射した光を反射するフラットな平面を有する多層反射膜３を有する半導体発光素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明を比較するに、引用発明の「半導体発光素子」が「発光ダイオード」であることは明らかであり、引用発明の「活性層２ａ」、「電極６」及び「電極７」が本願発明の「活性領域」、「第１の接触部」及び「第２の接触部」にそれぞれ相当する。
　また、ＧａＡｌＡｓのバンドギャップがＧａＡｓのバンドギャップより大きいことは技術常識であり、引用発明の「ＧａＡｌＡｓの半導体基板１」及び「ＧａＡｌＡｓのクラッド層４」が、「ＧａＡｓの活性層」が発生する光に対して透明であることは当業者に明らかであるから、それぞれ、本願発明の「透明な基板」及び「透明なウインドウ層」に相当する。
　さらに、引用発明の「多層反射膜３」は、第４図及び摘記事項ａの「従来の構造（第４図参照）の様に多層反射膜と光取出し面１０が平行であると、」との記載からみて、フラットな平面を有するものであると認められ、また、屈折率の異なる２種類以上の物質で２層以上交互に結晶成長させて形成した構造であるから、本願明細書の段落【０００３】に「光を放出する活性領域と基板の間に、
ＤＢＲミラー、すなわち、屈折率の低い半導体層と高い半導体層から成る多層スタック
ＤＢＲは、ほぼ垂直な入射光だけしか反射しない
ＤＢＲミラーには、あらゆる角度の光が入射し、その一部だけしか反射されないことになる。残りの部分は、吸収性基板に通ることになる
　
　以上のことから、両者はともに
「光を発生するための活性領域と、
　前記活性領域の下に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明な基板と、
　前記活性領域の上に位置し、該活性領域が発生する光に対して透明なウインドウ層と、
　前記活性領域に電圧を印加する第１の接触部および第２の接触部と、
　所定の入射角範囲内で当たる光を反射する少なくとも１つの第１の分布ブラッグ・リフレクタであって、前記分布ブラッグ・リフレクタがフラットな平面を有する発光ダイオード。」の発明である点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
ａ．本願発明では、分布ブラッグ・リフレクタが、所定の入射角の範囲外で光が当たる場合には、吸収を最小限に抑えてその光を透過するとされているのに対し、引用発明にはそのような開示がない点。
ｂ．本願発明では、分布ブラッグ・リフレクタが活性領域から空間的に離れているとされているのに対し、引用発明にはその点についての明確な開示がない点。
　
（４）相違点についての判断
　まず、相違点ａについて検討する。
　引用発明の「多層反射膜３」について、その具体的材料の明記はないが、引用例の実施例１において、摘記事項ｃに記載されるようにその反射多層膜としてＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．２）の高屈折率層とＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．６）の低屈折率層が用いられていることからすれば、引用発明の「多層反射膜３」を同様の材料で構成することが考えられるところであり、このとき、高屈折率層も低屈折率層もともにそのバンドギャップは、ＧａＡｓのバンドギャップより大きいから、このような材料で構成した引用発明の「多層反射膜３」は、ＧａＡｓの活性層２ａが発生する光に対して透明なものとなり、このとき、所定の入射角の範囲外で当たる光に対して、吸収を最小限に抑えてその光を透過することとなることは明らかである。
　したがって、相違点ａに係る事項は、引用発明の「多層反射膜３」の材料として引用例の実施例１に記載されるものを採用することにより、格別の相違点とはならない程度の事項に過ぎない。
　
　次に相違点ｂについて検討するに、引用発明では、「活性層２ａ」と「多層反射膜３」の関係が必ずしも明確でない（引用例第４図では、活性層の符号２ａがクラッド層４の下側に位置する直線を指し示すかのごとくに図示されているが、この直線と反射多層膜３の間に位置する層についての記載がなく、活性層２ａと反射多層膜３が空間的に離れているかは必ずしも明確でない）が、引用例の実施例１においては、発光層であるヘテロ多層膜２ａの両側にそれぞれＰ型クラッド層４及びｎ型クラッド層２ｂが設けられているところであり、一般に発光層の両側にクラッド層を設けることは周知の事項であるから、引用発明においても活性層２ａの基板側にクラッド層を設ける構造とすることは当業者が容易に採用し得るところであり、このとき当然に、多層反射膜３が活性層２ａから空間的に離れている構造となるのであって、相違点ｂに係る事項も、発光層の基板側にクラッド層を設けるという周知の構造を採用することにより、格別の相違点とはならない程度の事項に過ぎない。
　
　また、本願発明が奏するとする効果についても、当業者が予測可能なものであって格別のものとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明に引用例に記載された上記の技術事項を適用することにより当業者が容易に発明できたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。