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　特願２００１−５６９８６９「シリコンウェーハの保管用水及び保管方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２７日国際公開、ＷＯ０１／７１７８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件の出願（以下、「本願」という。）は、２００１年３月１２日（優先権主張２０００年３月１７日、２０００年５月１７日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年６月１５日付け（発送日：同年６月２０日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年７月２８日付けで請求項の削除を目的とする手続補正がなされた。
　そして、当審において審理し、平成１９年７月２日付け（発送日：同月３日）で新たに拒絶理由を通知したところ、同年８月２９日付けで意見書が提出されたところである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年７月２８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　
「シリコンウェーハを水中で保管する際に用いられる保管用水であって、クエン酸を純水に添加してなり、前記クエン酸の添加量が０.０００１〜０.０１％であってかつｐＨが３以上７以下であることを特徴とするシリコンウェーハの保管用水。」
　
３．引用例
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物であって、平成１９年７月２日付け拒絶理由で引用した、特開平８−１８７４７５号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の記載がある。
　
（１）「ウェハ・スクラバ中の表面金属と一般的な微粒子を同時に減少させる方法において、基板を準備し、前記基板をスクラバ中に置き、前記基板をスクラブ操作を施し、前記基板のスクラブ操作中に前記スクラバに、クエン酸アンモニウムを含む酸性溶液を添加することとを含む、ウェハ・スクラバ中の表面金属と一般的な微粒子を同時に減少させる方法。」（【請求項４】）
　
（２）「スクラバ中の基板表面から表面金属汚染物質を除去する方法において、基板を準備し、研磨後の、エピタキシャル・シリコンの堆積後であって、スクラブ操作前に、前記基板を湿潤状態に維持し、前記基板をスクラバ中に置き、スクラバ溶液で前記基板をスクラブ操作し、前記基板のスクラブ操作中に、クエン酸を含む溶液を前記スクラバ溶液に添加することとを含むことを特徴とする、スクラバ中の基板表面から表面金属汚染物質を除去する方法。」（【請求項５】）
　
（３）「スクラバ中の親水性基板表面から表面金属汚染物質を除去する方法において、基板を準備し、研磨後の、エピタキシャル・シリコンの堆積後であって、スクラブ操作前に、前記基板を湿潤状態に維持し、前記基板をスクラバ中に置き、スクラバ溶液で前記基板をスクラブ操作し、前記基板のスクラブ操作中に、約０．０５〜１０．０重量％のクエン酸を含む溶液を前記スクラバ溶液に添加して、その添加後前記スクラバ溶液を約０ないし２．８の範囲のｐＨレベルとすることを特徴とするスクラバ中の親水性基板表面から表面金属汚染物質を除去する方法。」（【請求項６】）
　
（４）「化学機械的研磨の後に粒子、金属、および表面有機被膜を除去する方法において、基板を準備し、前記基板を研磨し、研磨後、スクラブ操作の前に、前記基板を湿潤状態に維持し、前記基板をスクラバ中に置き、希釈界面活性剤と試薬とを含むスクラバ溶液で前記ウェハをスクラブすることとを含み、前記希釈界面活性剤が酸性洗剤を含み、前記試薬が、クエン酸と、シュウ酸と、クエン酸とシュウ酸の混合物とから成る群から選択され、前記試薬を含む前記スクラバ溶液が、１．６ないし２．８の範囲のｐＨレベルを有することを特徴とする、化学機械的研磨の後に粒子、金属、および表面有機被膜を除去する方法。」（【請求項８】）
　
（５）「ウェハ洗浄プロセスで、金属を含む粒子の堆積および再堆積を低減させる方法において、基板を準備し、前記基板を溶液中に置き、金属を含む粒子と前記基板の表面の間のゼータ電位反発を確立することとを含み、前記ゼータ電位反発が、正・正反発であり、洗浄液が前記ゼータ電位を確立し、前記洗浄液が、約０ないし２．８の範囲のｐＨレベルを有し、前記洗浄液が、クエン酸と、シュウ酸と、クエン酸とシュウ酸の混合物とから成る群から選択されることを特徴とする、ウェハ洗浄プロセスで、金属を含む粒子の堆積および再堆積を低減させる方法。」（【請求項１０】）
　
（６）「基板を処理する方法において、第１の処理動作で基板を処理し、酸を含む溶液中に前記基板を維持し、第２の処理動作で前記基板を処理することを含むことを特徴とする、基板を処理する方法。」（【請求項１１】）
　
（７）「各汚染物質タイプごとの既存のウェハ洗浄方法に取って代わることができ、あるいは前述の方法と組み合わせて使用できる、ウェハ表面から金属汚染物質を除去する方法が必要である。」（段落【００１４】）
　
（８）「本発明は、クエン酸溶液および同様の特性を有するその他の酸性溶液の使用を半導体ウェハ洗浄プロセスに組み込むものである。本発明でのクエン酸の使用を支持する一般的な概念は、クエン酸がキレート特性およびゼータ（ζ）電位特性を有し、そのため、半導体基板表面から金属を除去し、金属が除去された後基板表面に再堆積するのを妨げる上で有用な点にある。クエン酸のキレート特性によって、クエン酸と金属の化合物を形成し、したがって基板表面から金属を除去することができる。クエン酸のゼータ（ζ）電位特性によって、基板表面と、金属を含む粒子の間に正・正ζ電位が生成され、そのため、基板表面と粒子が相互に反発し合う。したがって、粒子が基板表面上に再堆積されることはない。当業者には、クエン酸に類似の特性を有する他の酸性溶液、たとえばシュウ酸やクエン酸ジアンモニウムをクエン酸の代わりに使用することも、あるいはクエン酸と組み合わせて使用することもできることが明白であろう。」（段落【００１９】）
　
（９）「他の好ましい実施の形態は、スラリ、およびこのようなスラリと、標準発煙シリカ・スラリまたはコロイド・シリカ・スラリの混合物を含む、酸化アルミニウムまたは酸化セリウムによって残された金属汚染など、化学機械的研磨（ＣＭＰ）後の金属汚染のレベルを低減させるために使用される。　この好ましい実施の形態では、クエン酸またはシュウ酸の溶液と、ｐＨレベルが約１．６ないし２．８である２つの試薬の混合溶液を使用する。例えば約０．１重量％ないし０．３重量％のクエン酸溶液を使用して、軽く汚染された純シリコン基板を洗浄する。他の例では、約０．５重量％ないし２．０重量％のクエン酸溶液を使用して、ＣＭＰ研磨後の基板を洗浄する。具体的には、この場合、ＣＭＰプロセス中にＡｌ2Ｏ3スラリを使用した。他の好ましい実施の形態は、この同じ酸性溶液を希釈界面活性剤（具体的には酸性洗剤）と混合して、微粒子、金属、および表面有機被膜を除去できる洗浄液を生成するものである。」（段落【００３１】）
　
（１０）「上記の説明は、両面スクラブ・システムでの本発明の使用を例示したものであるが、本発明が他の洗浄システムおよび洗浄プロセスでも使用できることに留意されたい。たとえば、一面スクラブ・システムでは、水酸化アンモニウム・スクラブ・ステップまたは水スクラブ・ステップと最終すすぎサイクルの間にクエン酸スクラブ・ステップを追加することができる。他の例を挙げると、超音波スクラブ・システムおよびメガソニック・バス・システムでは、水酸化アンモニウム溶液スクラブまたは水スクラブの代わりにクエン酸溶液を使用することも、あるいは前記スクラブと共にクエン酸溶液を使用することもできる。他の例を挙げると、ＲＣＡ法では、クエン酸溶液で水酸化アンモニウム溶液を置換することも、あるいはクエン酸溶液を使用する別のステップをＲＣＡ法と共に使用することもできる。また、製造プロセス中の基板の貯蔵または輸送、あるいはその両方のために、クエン酸を使用することも、あるいは類似の酸性溶液を使用することもできることが理解されよう。たとえば、化学機械的処理などのプロセスの後に、基板を、クエン酸溶液または類似の酸性溶液に貯蔵し、必要に応じて、再びクエン酸溶液に没させたまま、本明細書で説明した洗浄プロセスなどの洗浄プロセスへ輸送し、次いで、次のプロセスの前にクエン酸溶液に貯蔵し、あるいはクエン酸溶液に没させたまま輸送することができる。クエン酸溶液または類似の酸性溶液での貯蔵および輸送は、貯蔵または輸送時の汚染を防止するのを助け、このことは、洗浄プロセス後の清潔さを維持するうえで特に有益である。」（段落【００３５】）
　
　したがって、引用例には、次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されていると認める。
　
「ウェハを溶液中で貯蔵する際に用いられる貯蔵のための溶液であって、溶液中にクエン酸を含有したウェハの貯蔵のための溶液」
　
４．対比
　本願発明と上記引用例発明とを対比する。
　
　引用例発明の「ウェハ」は、本願発明の「シリコンウェーハ」に相当し、以下同様に、「貯蔵のための溶液」は「保管用水」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　
　「シリコンウェーハを水中で保管する際に用いられる保管用水であって、クエン酸を添加してなるシリコンウェーハの保管用水。」
　
　の点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、保管用水を、「クエン酸を純水に添加して」得ているのに対し、引用例発明では、クエン酸溶液の水に純水として使用しているか明らかでない点。
　
［相違点２］
　本願発明では、クエン酸の添加量を「０.０００１〜０.０１％」とし、かつ、保管用水のｐＨを「３以上７以下」としているのに対し、引用例発明では、クエン酸の添加量、保管用水のｐＨについて、上記範囲の特定がない点。
　
５．判断
相違点１について
　半導体ウェハの製造工程において、洗浄等各工程で使用される水に純水を用いることは、当業者において普通になされていることである。
　
　したがって、引用例発明において、クエン酸溶液の水に純水を使用し、上記相違点１に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
相違点２について
　クエン酸の添加量の決定に際し、キレート効果が十分に発揮され、また、経済性を考慮して、クエン酸の添加量の範囲を決定することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。
　そして、明細書には、その実施例において、クエン酸の添加量が「０.０００１〜０.０１％」の範囲に入らない、クエン酸の添加量を「０.０５ｗｔ％」として「ｐＨ＝３．３」としたもの（実施例３）についても、良好な結果であった旨記載されており（段落【００３９】、【００４７】を参照されたい。）、クエン酸の添加量を「０.０００１〜０.０１％」とした数値限定に、臨界的な意義は認められない。
　
　また、保管用水は、クエン酸の添加により酸性側になるものであり、また、ｐＨ値は、当然、クエン酸の添加量に応じて変わるものである。
　さらに、明細書には、その実施例（段落【００３８】−【００５４】を参照されたい。）において、クエン酸の添加量を「０.００５ｗｔ％」として「ｐＨ＝４．１」としたもの（実施例１）、クエン酸の添加量を「０.０５ｗｔ％」として「ｐＨ＝３．３」としたもの（実施例３）、クエン酸の添加量を「０.０００５ｗｔ％」として「ｐＨ＝５．１」としたもの（実施例４）、及び、純水のみとしたもの（比較例１。ｐＨ＝６．２。）について、実験し、性能を評価したものが記載されているのみであり、ｐＨ「３以上７以下」の範囲の境界近傍にある数値を有するものや、引用例に記載のあるｐＨ２．８としたものについて、実験し、性能評価がされたものではなく、本願発明におけるｐＨの数値限定についても、臨界的な意義を認めることはできない。
　加えて、審判請求人は、平成１９年８月２９日付け意見書で、「保管用水としてのクエン酸溶液の濃度及びｐＨについては具体的には教示していないものの、洗浄液としての例であるにしてもクエン酸溶液の使用態様としては、約０．０５重量％ないし１０．０重量％の濃度範囲でかつ約０ないし２．８のｐＨ範囲で使用するという教示しかない以上、引用例の教示に従って保管用水として使用する場合に、当業者であってもクエン酸溶液としては約０．０５重量％ないし１０．０重量％の濃度範囲でかつ約０ないし２．８のｐＨ範囲で使用することになるのは極めて当然なことであると思料します。」と主張しているが、保管という長時間シリコンウェーハに接触する使用態様を考えれば、引用例発明に係る保管用水を、洗浄液に比べて弱い酸性とすることは、当業者が通常の創作能力を発揮してなし得たことである。
　
　そうしてみると、引用例発明において、クエン酸の添加量を「０.０００１〜０.０１％」とし、また、保管用水のｐＨを「３以上７以下」として、上記相違点２に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たことといえる。
　
　しかも、本願発明の作用効果は、引用例発明からみて格別なものではない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。