【事件の表示】
　特願２００２−２２７７２２「マイクロ構造体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　６６３７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１４年８月５日の特許出願であって、同１８年６月１５日付けで拒絶の理由が通知され、同１８年８月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１９年１月５日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１９年２月１４日に本件審判の請求がされ、同１９年３月１３日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、特許請求の範囲における補正前後の請求項１の記載は以下のとおりである。
(１)　補正前の請求項１
「基板（１０）に固定部（１７）と可動部（１６）とを形成してなるマイクロ構造体の製造方法において、
　前記基板に対して、前記固定部および前記可動部を画定するための溝（１５）を形成する溝形成工程と、
　熱処理により蒸発若しくは昇華する蒸発昇華性部材（２０）を、前記基板に対して前記溝を埋めるように形成することにより、前記蒸発昇華性部材によって前記可動部を保持する可動部保持工程と、
　前記蒸発昇華性部材によって前記可動部を保持した状態で、前記基板をエッチングすることにより、前記基板において前記可動部と前記固定部とを切り離す切り離し工程と、
　前記切り離し工程にて前記基板をエッチングすることで発生したパーティクルを除去するために前記基板を洗浄する洗浄工程と、
　しかる後、前記蒸発昇華性部材を熱処理して除去することにより、前記可動部を可動状態とする蒸発昇華性部材除去工程とを備えることを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。」
(２)　補正後の請求項１
「
第１の基板（１１）と第２の基板（１２）とが埋め込み酸化膜（１３）を介して積層された
の該第２の基板（１２）
　前記
第２の
前記埋め込み酸化膜をエッチングのストッパーとして
　熱処理により蒸発若しくは昇華する蒸発昇華性部材（２０）を、
前記埋め込み酸化膜に接触する
第２の
　前記蒸発昇華性部材によって前記可動部を保持した状態で、前記
第１の
および前記埋め込み酸化膜
　前記切り離し工程にて前記基板をエッチングすることで発生したパーティクルを除去するために前記基板を
ウェットプロセスにより
　しかる後、前記蒸発昇華性部材を熱処理して除去することにより、前記可動部を可動状態とする蒸発昇華性部材除去工程とを備えることを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。」（なお、下線は、補正箇所を示すため当審において付したものである。）
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、基板が「第１の基板と第２の基板とが埋め込み酸化膜を介して積層された」基板であり、固定部と可動部が「第２の基板」に形成されているものであり、「第２の」基板に対して、「埋め込み酸化膜をエッチングのストッパーとして」いるものであり、蒸発昇華性部材を溝を埋めるように形成することが「埋め込み酸化膜に接触する第２の」基板に対して行われるものであり、エッチングが「第１の基板および埋め込み酸化膜を」エッチングするものであり、洗浄が「ウェットプロセス」によるものである旨の限定事項を付加するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
(１)　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１の(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
(２)　引用例記載事項
　本件出願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３１５０２号公報（以下「引用例１」という。）、特開平７−２０９１０５号公報（以下「引用例２」という。）、特開平８−１８０６９号公報（以下「引用例３」という。）及び特開平１０−２２１３６３号公報（以下「引用例４」という。）には、以下のとおり記載されている。
ア　引用例１
(ア)　１３欄４５−４７行
「【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発明を半導体加速度センサの製造方法に適用した第１実施例について図１ないし図３を参照しながら説明する。」
(イ)　１５欄９−１３行
「【００４３】上記のように構成された半導体加速度センサ１にあっては、可動電極１０ａと固定電極４ｂとの間に第１のコンデンサが形成され、また、可動電極１０ｂと固定電極５ｂとの間に第２のコンデンサが形成されることになる。」
(ウ)　１５欄２８−３７行
「【００４５】まず、図１（ａ）に示すようなＳＯＩ基板１４（本発明でいう半導体基板に相当）を用意する。このＳＯＩ基板１４にあっては、ベースとなる単結晶シリコンウェハ１４ａ（本発明でいう半導体層及び第１半導体層に相当）が最終的に前記支持基板２となるものであり、この単結晶シリコンウェハ１４ａ上に、単結晶シリコン薄膜１４ｂ（本発明でいう半導体層及び第２半導体層に相当）をシリコン酸化膜１４ｃ（本発明でいう絶縁層に相当：最終的に前記絶縁膜６となる）を介して設けた構造となっている。」
(エ)　１６欄２６行−１７欄３６行
「【００４９】この後には、図１（ｅ）に示すトレンチ形成工程を実行する。この工程では、単結晶シリコン薄膜１４ｂ及び電極パッド４ｃ、５ｃ、１１ａ上にドライエッチ耐性があるレジスト（図示せず）を所定パターン（梁構造体３、固定電極構造体４及び５、シールド用薄膜１２に対応した形状）で形成した状態で、ドライエッチング装置により異方性ドライエッチングを実行することにより、単結晶シリコン薄膜１４ｂ中に、シリコン酸化膜１４ｃに達するトレンチ１６を形成する。
【００５０】この状態から、図１（ｆ）に示すような第１のエッチング工程を実行する。この第１のエッチング工程では、単結晶シリコンウェハ１４ａを、前記マスク１５を使用し且つ例えばＫＯＨ水溶液を利用して表面（シリコン酸化膜１４ｃと反対側の面）側から選択エッチングする。この場合、斯様なエッチングをシリコン酸化膜１４ｃまで進行させると、エッチング液の圧力により当該シリコン酸化膜１４ｃが破れて単結晶シリコン薄膜１４ｂが破壊される可能性が非常に高くなるため、エッチングがシリコン酸化膜１４ｃまで進行しないようにエッチング時間を管理する。尚、このようなエッチング時間の管理は、例えば、単結晶シリコンウェハ１４ａの厚さ寸法並びにエッチング液のエッチングレートに基づいた計算により行うものであるが、本実施例では、単結晶シリコンウェハ１４ａの膜厚が１０μｍ程度残存することを目標にした時間管理を行う。また、具体的には図示しなかったが、この第１のエッチング工程の実行前には、ＳＯＩ基板１４の表面側をレジストにより覆っておくものであり、このレジストは、例えば第１のエッチング工程終了後に除去するようにしている。
【００５１】次いで、図１（ｇ）に示すような第２のエッチング工程を実行する。この第２のエッチング工程では、単結晶シリコンウェハ１４ａの表面側から、例えばプラズマエッチング装置を利用したドライエッチングを施すことにより、前記第１のエッチング工程においてシリコン酸化膜１４ｃとの間に残した膜厚１０μｍ程度の単結晶シリコンウェハ１４ａを除去し、以てシリコン酸化膜１４ｃの裏面（下面）を露出させる。尚、斯様なドライエッチングに伴い、マスク１５も同時に除去されることになる。
【００５２】そして、図１（ｈ）に示すような第３のエッチング工程を実行する。この第３のエッチング工程では、前記第２のエッチング工程で使用したドライエッチング装置のエッチングレートを変更した状態で、シリコン酸化膜１４ｃの裏面（単結晶シリコンウェハ１４ａ側の面）からドライエッチングを施すことにより、当該シリコン酸化膜１４ｃを除去する。このような第３のエッチング工程の実行に応じて、前記開口部２ａが形成されると共に、梁構造体３のマス部７、梁部８ａ、８ｂ、可動電極１０ａ、１０ｂ（マス部７、梁部８ａ、８ｂ、可動電極１０ｂについては図１中に示されていない）がリリースされることになる。また、このときには、固定電極構造体４、５の固定電極４ｂ及び５ｂ（固定電極５ｂについては図１中に示されていない）もリリースされて、固定電極用配線部４ａ及び５ａに片持ち支持された状態となる。このようにして、第３のエッチング工程の実行に応じて梁構造体３及び固定電極構造体４、５が形成（画定）されるものである。
【００５３】そして、このような第３のエッチング工程の実行後に、ＳＯＩ基板１４を所定のセンサチップ形状に切断するというダイシング工程を行うことにより半導体加速度センサ１の基本構造を完成させる。」
(オ)　２４欄２−３１行
「【００８２】（第６の実施の形態）図１０及び図１１には本発明の第６実施例が示されており、以下これについて前記第１実施例と異なる部分のみ説明する。即ち、図１０（ａ）に示すように第１実施例と同様のＳＯＩ基板１４を用意した上で、図１０（ｂ）に示す電極パッド形成工程、図１０（ｃ）に示す寸法調整工程、図１０（ｄ）に示すマスク形成工程、図１０（ｅ）に示すトレンチ形成工程を、それぞれ第１実施例と同様に実行する。
【００８３】次いで、図１１（ｆ）に示す表面保護工程において、単結晶シリコン薄膜１４ｂの表面側を、容易に剥離可能な材料である例えば有機系レジスト或いはポリイミド系材料より成る表面保護膜２２により覆った状態とする。この後に、図１１（ｇ）に示す第１のエッチング工程、図１１（ｈ）に示す第２のエッチング工程、図１１（ｉ）に示す第３のエッチング工程を、それぞれ第１実施例と同様に実行して開口部２ａを形成し、さらに、最終的に図１１（ｊ）に示す保護膜除去工程を実行して表面保護膜２２を取り除く。この場合、製造途中において単結晶シリコン薄膜１４ｂへダメージが及ぶ事態を当該表面保護膜２２により防止可能になる利点がある。また、表面保護膜２２は有機系レジスト或いはポリイミド系材料より成るものであるから、例えば酸素プラズマ中（つまり、ドライ雰囲気中）で簡単に除去できることになる。そして、このような保護膜除去工程を上記第３のエッチング工程の一部として実行した後に、ＳＯＩ基板１４を所定のセンサチップ形状に切断するためのダイシング工程を行うことにより半導体加速度センサ１の基本構造を完成させる。尚、上記保護膜除去工程をダイシング工程の実行後に行う構成としても良い。」
(カ)　図面の図１０、図１１を参照すると、表面保護膜２２を、トレンチ１６を埋めるように形成することが見て取れる。
　そして、表面保護膜２２は、トレンチ１６を埋めるように形成されているのであるから、可動電極１０ａは、表面保護膜２２により保持されているものであり、第３のエッチング工程の実行の後に表面保護膜２２が除去されると、可動電極１０ａが可動状態になることは、技術常識より明らかである。
　以上のとおりであるので、引用例１には、次の事項が記載されていると認める。
「単結晶シリコンウェハ（１４ａ）と単結晶シリコン薄膜（１４ｂ）とがシリコン酸化膜（１４ｃ）を介して積層されたＳＯＩ基板（１４）の該単結晶シリコン薄膜（１４ｂ）に固定電極（４ｂ）と可動電極（１０ａ）とを形成してなる半導体加速度センサの製造方法において、
　前記単結晶シリコン薄膜（１４ｂ）に対して、前記固定電極（４ｂ）および前記可動電極（１０ａ）を画定するためのトレンチ（１６）を形成するトレンチ形成工程と、
　ポリイミド系材料よりなる表面保護膜（２２）を、前記シリコン酸化膜（１４ｃ）に接触する前記単結晶シリコン薄膜（１４ｂ）に対して前記トレンチ（１６）を埋めるように形成することにより、前記表面保護膜（２２）によって前記可動電極（１０ａ）を保持する表面保護工程と、
　前記表面保護膜（２２）によって前記可動電極（１０ａ）を保持した状態で、前記単結晶シリコンウェハ（１４ａ）および前記シリコン酸化膜（１４ｃ）をエッチングすることにより、前記ＳＯＩ基板（１４）において前記可動電極（１０ａ）と前記固定電極（４ｂ）とを切り離す第１〜第３のエッチング工程と、
　しかる後、前記表面保護膜（２２）を酸素プラズマ中で除去することにより、前記可動電極（１０ａ）を可動状態とする保護膜除去工程とを備える半導体加速度センサの製造方法。」（以下「引用例１記載の発明」という。）
イ　引用例２
(ア)　４欄２７−３０行
「（第１実施例）以下、この発明を具体化した第１実施例を図面に従って説明する。
【００２２】図１は、本実施例の半導体加速度センサの平面図を示す。」
(イ)　５欄２２行−６欄４７行
「【００２８】次に、このように構成した半導体加速度センサの製造工程を図４〜図１５を用いて説明する。ここで、図面の左側にセンサ、右側には処理回路に必要なトランジスタの工程を示す。
【００２９】図４に示すように、ウェハ状態のＰ型シリコン基板１７を用意し、フォトリソ工程を経て、イオン注入等によりセンサやトランジスタのソース・ドレインの配線部分となるＮ型拡散層１８，１９，２０，２１を形成する。
【００３０】そして、図５に示すように、その一部が犠牲層となる絶縁膜２２をセンサ作製部に形成する。尚、このとき、基板全体に絶縁膜２２を成膜し後からトランジスタ作製部上の絶縁膜を除去してもよい。
【００３１】さらに、図６に示すように、ゲート酸化によりトランジスタ作製部分上にゲート酸化膜２３を形成する。そして、図７に示すように、ポリシリコンを成膜し、フォトリソ工程を経てドライエッチ等でセンサの可動電極２４及びトランジスタのゲート電極２５をパターニングする。
【００３２】引き続き、図８に示すように、Ｎ型拡散層からなるセンサの固定電極を形成するために、フォトリソ工程を経て絶縁膜２２に可動電極２４に対して自己整合的に開口部２６，２７を形成する。又、トランジスタのソース・ドレインを形成するために、フォトリソ工程を経てレジスト２８により開口部２９，３０を形成する。
【００３３】さらに、絶縁膜２２及びレジスト２８の開口部２６，２７、レジスト２８の開口部２９，３０から可動電極２４，ゲート電極２５に対して自己整合的にイオン注入等によって不純物を導入して、図９に示すように、Ｎ型拡散層からなるセンサの固定電極３１，３２、トランジスタのソース・ドレイン領域３３，３４を形成する。
【００３４】次に、図１０に示すように、可動電極２４，ゲート電極２５とアルミ配線を電気的に絶縁するための層間絶縁膜３５を成膜する。そして、図１１に示すように、層間絶縁膜３５に配線用拡散層１８，１９，２０，２１とアルミ配線を電気的に接続するためのコンタクトホール３６，３７，３８，３９をフォトリソ工程を経て形成する。
【００３５】さらに、図１２に示すように、電極材料であるアルミニウムを成膜して、フォトリソ工程を経てアルミ配線４０，４１，４２，４３等を形成する。そして、図１３に示すように、層間絶縁膜３５の一部と絶縁膜２２の一部である犠牲層をエッチングする。
【００３６】引き続き、図１４に示すように、ナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）を融点である８１℃以上に加熱し、この流動化したナフタレン４４を可動電極２４とシリコン基板１７の間を含むシリコン基板１７上に配置する。ナフタレン４４は、昇華性を有する物質であり、可動電極２４を固定し実装後除去する場合にセンサチップを汚染させずセンサエレメントにダメージを与えないものである。
【００３７】その後、雰囲気温度を常温まで戻すことによりナフタレン４４を固化させる。この状態においては、可動電極２４がシリコン基板１７に対し固定化される。この状態でウェハ状態のＰ型シリコン基板１７を各チップにダイシングし、チップをマウントし、さらに、その後にワイヤーボンディングを行う。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わるが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時に可動電極２４がナフタレン４４にて動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。さらに、実装時のワイヤーボンディングの際には、可動電極２４に振動が加わるが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。
【００３８】その後、図１５に示すように、ナフタレン４４を真空中にて加熱して完全に昇華させ除去する。この際、加熱することによりナフタレン４４の蒸気圧が高くなるため完全に昇華するまでの時間を短縮することができる。
【００３９】このようにして、トランジスタ型半導体加速度センサの製作工程が終了する。」
(ウ)　８欄７−３８行
「（第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違点を中心に説明する。
【００４５】本実施例では、第１実施例で用いたナフタレン４４の代わりにポリイミド（ＰＩＱ）を用いている。このポリイミドは有機系の熱硬化材料であり、常温で液状をなし、加熱により固化するものである。
【００４６】以下、センサの製造方法について説明する。図１３に示す状態から、図１４に示すように、ポリイミド（ＰＩＱ）４４を可動電極２４とシリコン基板１７の間を含むシリコン基板１７上に配置する。その後、加熱することによりポリイミド４４を固化させる。この状態においては、可動電極２４がシリコン基板１７に対し固定化される。
【００４７】この状態でウェハ状態のＰ型シリコン基板１７を各チップにダイシングし、チップをマウントし、さらにその後にワイヤーボンディングを行う。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わるが、可動電極２４がポリイミド４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時に可動電極２４がポリイミド４４にて動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。さらに、実装時のワイヤーボンディングの際には、可動電極２４に振動が加わるが、可動電極２４がポリイミド４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。このようにして、可動電極２４が破壊してしまうことが回避されるので、歩留りを向上させることができる。
【００４８】このようにして実装した後は、図１５に示すように、ポリイミド４４をＯ２プラズマ中で灰化（アッシング）、即ち、燃焼してポリイミド４４を除去する。」
　上記摘記事項より、引用例２には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体加速度センサの製造方法において、可動電極２４とシリコン基板１７の間に熱を加えることにより昇華するナフタレン４４を配置して可動電極２４を固定した状態で、ダイシング、マウント及びワイヤーボンディングを行うことにより、可動電極２４の破損を回避すること及びナフタレンの代わりにポリイミドを用いること。」（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）
ウ　引用例３
(ア)　２欄１４−３７行
「【従来の技術】従来のキャビティ部あるいは可動部を有する微小装置及びその製造方法について、・・・半導体容量式加速度センサを例として、基本構成図１によって説明する。ここで、１０１はセンサチップのシリコン基板であり、異方性エッチングによって、リード取り出し部１０２、重り部１０３及びダイアフラム１０４が形成されている。また、ＰＹＲＥＸ７７４０を用いたガラス基板１０５には、固定電極１０６及びボンディングパッド１０７が形成されている。以上のように加工したシリコン基板１０１とガラス基板とを陽極接合によって接合した後、ダイシングソーを用いてセンサチップに分割する。このようにして得られたセンサチップは、シリコン基板１０１とガラス基板１０５との接合面に空隙部１０８が設けられ、該空隙部１０８を介して固定電極１０６のリードを取り出す構造になっている。
【０００３】しかしながら、上記のような従来の微小装置の製造方法においては、リードの取り出し方法について十分な配慮がなされておらず、ダイシング工程時に、上記リード取り出しのための空隙部１０８を介して固定電極１０６周囲の空隙部に水や切り粉などが侵入するため、加速度センサとしての性能が得られなくなるという問題があった。このため、信頼性を確保したセンサを提供するための種々の方法が提案されている。」
(イ)　４欄３−１９行
「【課題を解決するための手段】上記目的は、キャビティ部あるいは可動部を有する微小装置の製造において、（１）上記のキャビティ部あるいは可動部を有する微小装置の構成材料と濡れ性の良い溶剤を用いて常温・常圧で固体の昇華性物質を溶解し、該昇華性物質溶液を上記キャビティ部あるいは可動部に塗布する工程と、（２）加熱ないしは冷却の熱処理によって、上記キャビティ部あるいは可動部に上記昇華性物質を充填する工程と、（３）昇華により、上記昇華性物質を除去する工程とを含む微小装置の製造方法とすることによって達成することができる。
【００１０】
【作用】上記内容の製造工程とすることによって、キャビティ部あるいは可動部の一時封止及び保護を、簡易にしかも確実に行うことができる。これによって、生産性に優れた、高性能でかつ安価な微小装置、例えば半導体容量式加速度センサを容易に提供することができる。」
(ウ)　５欄９−１１行
「図５に、上記手順によって空隙部１０８がナフタレン結晶４０１で完全に充填された状態のセンサチップを示す。」
(エ)　５欄３６−４５行
「【００１６】なお、ナフタレンは疎水性であるため、ダイシング工程における冷却水の侵入を完全に防止することができ、また、センサの可動部すなわち梁の損傷も完全に防止することが可能となる。
【００１７】充填されたナフタレン結晶は、ダイシング工程終了後、室温放置によって完全に昇華除去することができる。また、加熱除去してもよい。例えば、１５０℃で加熱した場合、１５分以内で容易に除去することができる。その他、通風あるいは減圧等でも、同様に、除去促進の効果が得られる。」
(オ)　６欄１９−２３行
「また、本発明の方法は、ダイシング工程のほか、洗浄工程ないしはウェットエッチング工程等で代表される水あるいは水溶液と接する湿式薬品処理工程においても、キャビティ部の保護あるいは可動部の損傷防止という同様の効果が得られる。」
　上記摘記事項より、引用例３には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体容量式加速度センサの製造方法において、空隙部１０８をナフタレン結晶４０１で充填した状態で、ダイシング工程、洗浄工程、ウェットエッチング工程等を行うことにより、可動部の損傷を防止すること。」（以下「引用例３記載の技術的事項」という。）
エ　引用例４
(ア)　３欄６−１４行
「【課題を解決するための手段】本発明の半導体加速度センサの製造方法は、基本的な手段として、第１の基板上に複数の単位領域を形成し、前記単位領域において凹部を第２の面に形成する工程と、前記第１の基板の第２の面に第２の基板の第１の面を接合する工程と、前記接合された第１及び第２の基板との間の空間に充填剤を充填し固化する工程と、少なくともいずれか一方の基板を切断する工程と、切断部を洗浄する工程と、空間内に充填された充填剤を除去する工程とを備えるものである。」
(イ)　３欄４８−４欄２８行
「【００１３】図３は、接合された接合ウエハ２５０のダイアフラム内部の空間１４やスリット２５内を充填剤Ｎ１で充填する工程を示す。充填剤Ｎ１は、例えばナフタリン等の常温では固体であるが、加熱、溶剤による溶解等の方法で完全に除去することができる物質が用いられる。ダイシング工程で支障のない物質であることが条件となるので、非水溶性で低粘度の物質が使い易い。ナフタリンの外に、ブタノール、各種のワックス等が利用可能である。なお、ダイアフラム内部の空間１４やスリット２５内への充填剤の充填方法は、スリット２５が設けられた第２のウエハ２００の側面部から、注入、圧入、あるいは充填剤の液相状態にしておき、この液体の中に浸漬して充填する等の適当な方法を採用する。
【００１４】図４は、空間部に充填剤Ｎ１が充填された接合ウエハ２５０に対して、スリット２５にダイシング加工Ｄ１を施して、切断部２６を形成する工程を示している。
【００１５】図５は図４のＥ部の拡大図である。図５の（Ａ）に示すように充填剤Ｎ１が充填されたスリット２５に対して、切断部２６をダイシング加工する。次に、図５の（Ｂ）に示すように、この切断部２６に付着したダイシング時の切粉Ｐ１等を洗浄して除去する。このダンシング工程と洗浄工程において、切粉等のゴミＰ１はスリット２５等の空間にも浸入しようとするが、空間内は充填剤で密封されているので、浸入することはできず、接合ウエハから外部へ排出される。
【００１６】図６は、充填剤Ｎ１の除去工程を示す。充填剤Ｎ１として、ナフタリンを使用したときには、加熱することでナフタリンを昇華させて除去することができる。真空中ではより低い温度で昇華させることができる。充填剤Ｎ１の物性に応じた除去手段を採用する。」
　上記摘記事項より、引用例４には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体加速度センサの製造方法において、ウエハの空間内にナフタリンを充填した状態で、ダイシング工程及びダイシング時の切粉等を洗浄して除去する洗浄工程を行うことにより、空間内に切粉等が入るのを防ぐこと。」（以下「引用例４記載の技術的事項」という。）
(３)　対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「単結晶シリコンウェハ（１４ａ）」は、補正発明の「第１の基板」に相当しており、以下同様に、「単結晶シリコン薄膜（１４ｂ）」は「第２の基板」に、「シリコン酸化膜（１４ｃ）」は「埋め込み酸化膜」に、「ＳＯＩ基板（１４）」は「基板」に、「固定電極（４ｂ）」は「固定部」に、「可動電極（１０ａ）」は「可動部」に、「半導体加速度センサ」は「マイクロ構造体」に、「トレンチ（１６）」は「溝」に、「表面保護工程」は「可動部保持工程」に、「第１〜第３のエッチング工程」は「切り離し工程」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、引用例１記載の発明の「ポリイミド系材料よりなる表面保護膜（２２）」は、充填部材であることに限り、補正発明の「蒸発昇華性部材」と一致している。
　以上のとおりであるので、両者は、次の「マイクロ構造体の製造方法」で一致している。
「第１の基板と第２の基板とが埋め込み酸化膜を介して積層された基板の該第２の基板に固定部と可動部とを形成してなるマイクロ構造体の製造方法において、
　前記第２の基板に対して、前記固定部および前記可動部を画定するための溝を形成する溝形成工程と、
　充填部材を、前記埋め込み酸化膜に接触する前記第２の基板に対して前記溝を埋めるように形成することにより、前記充填部材によって前記可動部を保持する可動部保持工程と、
　前記充填部材によって前記可動部を保持した状態で、前記第１の基板および前記埋め込み酸化膜をエッチングすることにより、前記基板において前記可動部と前記固定部とを切り離す切り離し工程と、
　しかる後、前記充填部材を除去することにより、前記可動部を可動状態とする充填部材除去工程とを備えるマイクロ構造体の製造方法。」
　そして、両者は、次の点で相違している。
ア　＜相違点１＞
　補正発明では、第２の基板に対して、埋め込み酸化膜をエッチングのストッパーとしているのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものであるのか明らかではない点。
イ　＜相違点２＞
　充填部材が、補正発明では、熱処理により蒸発若しくは昇華する蒸発昇華性部材であり、熱処理により除去されるものであるのに対し、引用例１記載の発明では、ポリイミド系材料よりなる表面保護膜であり、除去方法も、酸素プラズマ中で行うものであって、熱処理によるものではない点。
ウ　＜相違点３＞
　補正発明では、切り離し工程と充填部材除去工程との間に、切り離し工程にて基板をエッチングすることで発生したパーティクルを除去するために前記基板をウェットプロセスにより洗浄する洗浄工程を備えているのに対し、引用例１記載の発明では、そのような洗浄工程を備えているのか明らかではない点。
(４)　相違点の検討
　そこで、上記各相違点について、以下検討する。
ア　＜相違点１＞について
　酸化膜をエッチングのストッパーとすることは、例えば、特開２００２−１８２１３６号公報（１２欄３３行−１３欄８行参照）に記載されているように、従来周知であり、また、引用例１においても、図面の図１０（ｅ）に示されるように、トレンチ（１６）の形成の際には埋め込み酸化膜に相当するシリコン酸化膜（１４ｃ）が露出した状態となっていることからすれば、引用例１記載の発明において、第２の基板に対して、埋め込み酸化膜に相当するシリコン酸化膜（１４ｃ）をエッチングのストッパーとすることに格別の困難性はない。
イ　＜相違点２＞について
　上記(２)のイのとおり、引用例２には、半導体加速度センサの製造方法において、可動電極を固定する材料として熱を加えることにより昇華するナフタレンを用いることが記載され、さらに、ポリイミドがナフタレンの代替材料となることも記載されている。
　したがって、引用例１記載の発明に引用例２記載の技術的事項を採用し、充填部材であるポリイミド系材料をナフタレンに変更して熱処理により蒸発若しくは昇華する蒸発昇華性部材とし、該蒸発昇華性部材を熱処理により除去することに格別の困難性はない。
ウ　＜相違点３＞について
　基板のエッチング工程後に、基板をエッチングすることで発生したパーティクルを除去するために基板をウェットプロセスにより洗浄することは、例えば、特開平７−６９４２号公報（２欄１７−２８行参照。）、特開２０００−２０６１４２号公報（２３欄２９−４４行参照。）、特開平６−２７５５８０号公報（１欄１７−３０行参照。）に記載されているように従来周知であるので、引用例１記載の発明において、切り離し工程の後に、切り離し工程にて基板をエッチングすることで発生したパーティクルを除去するために前記基板をウェットプロセスにより洗浄する洗浄工程を備えることは、上記従来周知の事項を単に採用したものにすぎない。
　また、上記(２)のウ及びエのとおり、引用例３及び４には、半導体加速度センサの製造方法において、空間に充填部材であるナフタレンを充填した状態で洗浄することが記載されている。
　したがって、上記洗浄工程を備えるに際し、さらに、引用例３及び４記載の技術的事項を採用して、充填部材が溝に埋められている状態で上記洗浄工程の洗浄を行うこと、言い換えると、充填部材を除去する充填部材除去工程の前に上記洗浄工程を備えることは、当業者が容易に想到することができたことである。
エ　補正発明の作用効果について
　補正発明が奏する作用効果は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１乃至３に係る発明は、平成１８年８月１０日付け手続補正書によって補正された明細書及び願書に添付された図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１の(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物は、上記引用例１乃至４であり、その記載事項は、上記第２の２の(２)に示したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で述べたとおり、補正発明の発明特定事項から、上記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、上記第２の２の(４)で検討したとおり、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明の発明特定事項から上記限定事項が省かれた本願発明についても、同様の理由により、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明、引用例２乃至４記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２ないし３に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。