(57)【要約】  センサは、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備える。押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有する。第２構造部は、基底層と対向する面に形状部を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記第２構造部は、前記基底層と対向する面に形状部を有するセンサ。
【請求項２】
前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備える請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記第２構造部は、錐台状を有し、
前記形状部は、前記第２構造部の側面に設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記形状部は、前記側面の底部側の周縁に設けられている請求項３に記載のセンサ。
【請求項５】
前記形状部は、前記側面の頂部側の周縁に設けられている請求項３に記載のセンサ。
【請求項６】
前記形状部は、前記第２構造部の頂部に設けられ、
前記形状部は、前記基底層に向かって突出している請求項１に記載のセンサ。
【請求項７】
前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
前記押圧部は、第３構造部をさらに備え、
前記第１構造部は、前記第第３構造部上に設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項９】
前記基底層は、センシング部を有するセンサ層を含み、
前記押圧部は、前記センシング部に対応して設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１０】
可撓性を有する導体層をさらに備え、
前記導体層は、前記押圧部上に設けられている請求項１に記載のセンサ。
【請求項１１】
可撓性を有する導体層をさらに備え、
前記導体層は、前記中間層と前記押圧部との間に設けられている請求項２に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記第１構造部は、押圧により反転する座屈部である請求項１に記載のセンサ。
【請求項１３】
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有するセンサ。
【請求項１４】
前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備え、
前記形状部は、前記中間層の一部または全部と同様の層構成を有している請求項１３に記載のセンサ。
【請求項１５】
前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
前記形状部は、前記基材に一体成形されている請求項１３に記載のセンサ。
【請求項１６】
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有するセンサ。
【請求項１７】
前記孔部を前記基底層の表面に垂直な方向から見ると、前記孔部は、前記境界部の内側から外側まで延設されている請求項１６に記載のセンサ。
【請求項１８】
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記第２構造部は、貫通孔を有するセンサ。
【請求項１９】
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記押圧部に対向する面に凹凸を有し、
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
【請求項２０】
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である請求項１９に記載のセンサ。
【請求項２１】
前記凹凸は、前記押圧部に対向する面のうち、少なくとも前記押圧部に対向する部分に設けられている請求項１９に記載のセンサ。
【請求項２２】
前記凹凸は、前記押圧部に対向する面の全体に設けられている請求項１９に記載のセンサ。
【請求項２３】
前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
前記凹凸は、前記基材に設けられている請求項１９に記載のセンサ。
【請求項２４】
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記押圧部は、前記基底層と対向する面に凹凸を有し、
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
【請求項２５】
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である請求項２４に記載のセンサ。
【請求項２６】
前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている請求項２４に記載のセンサ。
【請求項２７】
前記凹凸は、前記エンボスフィルムの表面のうち、前記基底層と対向する面の全体に設けられている請求項２６に記載のセンサ。
【請求項２８】
請求項１に記載のセンサを備える入力装置。
【請求項２９】
請求項１に記載のセンサを備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、センサ、それを備える入力装置および電子機器に関する。詳しくは、センサ、それを備える入力装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイルＰＣ（Personal Computer）やタブレットＰＣには、薄型であることが求められている。それに付随する入力装置（キーボード）にも、薄型化が求められている。薄型の入力装置としては、樹脂フィルムや金属薄板などにより押圧部を構成したものが提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１０９２７２号公報
【特許文献２】特開２０１０−２４４７９５号公報
【特許文献３】特開２０１３−０２０７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、樹脂フィルムや金属薄板などにより構成された押圧部では、復帰障害が生じやすい。【０００５】
本技術の目的は、押圧部の復帰障害を抑制できるセンサ、入力装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、第１の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、第２構造部は、基底層と対向する面に形状部を有するセンサである。【０００７】
第２の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、基底層は、第２構造部に対向する位置、および第１構造部と第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有するセンサである。【０００８】
第３の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、基底層は、第２構造部に対向する位置、および第１構造部と第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有するセンサである。【０００９】
第４の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、第２構造部は、貫通孔を有するセンサである。【００１０】
第５の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、基底層は、押圧部に対向する面に凹凸を有し、凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサである。【００１１】
第６の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、押圧部は、基底層と対向する面に凹凸を有し、凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサである。【００１２】
第７の技術は、第１から第６のいずれかの技術のセンサを備える入力装置である。【００１３】
第８の技術は、第１から第６のいずれかの技術のセンサを備える電子機器である。【００１４】
本技術において、第２構造部が有する形状部は、基底層に向けて突出した凸形状部、または基底層から離れる方向に窪んだ凹形状部である。【００１５】
本技術において、基底層が有する形状部は、基底層の表面に対して突出した凸形状部、または基底層の表面に対して窪んだ凹形状部である。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本技術によれば、押圧部の復帰障害を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、センサの構成の一例を示す断面図である。
【図２】図２Ａは、キー押圧時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。図２Ｂは、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の構成の一例を示すブロック図である。
【図４】図４は、入力装置の外観の一例を示す平面図である。
【図５】図５Ａは、図４のＶＡ−ＶＡ線に沿った断面図である。図５Ｂは、図５Ａに示したセンサの一部を拡大して表す断面図である。
【図６】図６は、Ｘ、Ｙ電極の配置の一例を示す平面図である。
【図７】図７は、凹凸層の構成の一例を示す平面図である。
【図８】図８Ａは、押圧部の構成の一例を示す斜視図である。図８Ｂは、押圧部の構成の一例を示す平面図である。図８Ｃは、図８ＢのＶIIIＣ−ＶIIIＣ線に沿った断面図である。
【図９】図９Ａは、ジェスチャー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。図９Ｂは、キー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。
【図１０】図１０Ａは、リファレンス電極の移動量と操作者に対する反力との関係の一例を示すグラフである。図１０Ｂは、リファレンス電極の移動量と容量変化との関係の一例を示すグラフである。図１０Ｃは、操作者に対する反力と容量変化との関係の一例を示すグラフである。
【図１１】図１１は、コントローラＩＣの動作の一例について説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１２Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有する押圧部の構成の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有する押圧部の構成の一例を示す平面図である。図１２Ｃは、図１２ＢのＸIIＣ−ＸIIＣ線に沿った断面図である。
【図１３】図１３Ａ、図１３Ｂはそれぞれ、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有する押圧部の構成の一例を示す斜視図である。
【図１４】図１４Ａ、図１４Ｂはそれぞれ、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図１５】図１５Ａ、図１５Ｂはそれぞれ、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有するＸ、Ｙ電極の構成の一例を示す平面図である。
【図１７】図１７Ａは、本技術の第２の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図１７Ｂは、基材が有する孔部の構成の一例を示す平面図である。
【図１８】図１８は、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。
【図１９】図１９Ａは、本技術の第２の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図１９Ｂは、基材が有する孔部の構成の一例を示す平面図である。
【図２０】図２０Ａは、本技術の第３の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２０Ｂは、センサ層の表面に設けられた形状部の構成の一例を示す平面図である。
【図２１】図２１は、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。
【図２２】図２２Ａ、図２２Ｂはそれぞれ、本技術の第３の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図２３】図２３は、本技術の第３の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図２４】図２４Ａは、本技術の第４の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２４Ｂは、押圧部の構成の一例を示す平面図である。
【図２５】図２５は、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。
【図２６】図２６Ａは、本技術の第５の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２６Ｂは、本技術の第５の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図２７】図２７Ａは、ジェスチャー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。図２７Ｂは、キー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。
【図２８】図２８Ａは、本技術の第６の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２８Ｂは、本技術の第６の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図２９】図２９Ａは、本技術の第７の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２９Ｂは、本技術の第７の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図３０】図３０は、本技術の第８の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図３１】図３１Ａは、実施例１−１の押圧部の構成を示す平面図である。図３１Ｂは、図３１ＡのＸＸＸＩＢ−ＸＸＸＩＢ線に沿った断面図である。図３１Ｃは、実施例１−２の押圧部の構成を示す平面図である。
【図３２】図３２Ａは、実施例１−３の押圧部の構成を示す平面図である。図３２Ｂは、図３２ＡのＸＸＸIIＢ−ＸＸＸIIＢ線に沿った断面図である。図３２Ｃは、実施例１−４の押圧部の構成を示す平面図である。
【図３３】図３３Ａは、実施例２−１の押圧部の構成を示す平面図である。図３３Ｂは、図３３ＡのＸＸＸIIIＢ−ＸＸＸIIIＢ線に沿った断面図である。
【図３４】図３４Ａは、実施例２−２の押圧部の構成を示す平面図である。図３４Ｂは、実施例２−３の押圧部の構成を示す平面図である。図３４Ｃは、実施例２−４の押圧部の構成を示す平面図である。
【図３５】図３５Ａは、実施例３−１の押圧部の構成を示す平面図である。図３５Ｂは、図３５ＡのＸＸＸＶＢ−ＸＸＸＶＢ線に沿った断面図である。
【図３６】図３６Ａは、実施例３−２の押圧部の構成を示す平面図である。図３６Ｂは、実施例３−３の押圧部の構成を示す平面図である。図３６Ｃは、実施例３−４の押圧部の構成を示す平面図である。
【図３７】図３７Ａは、実施例４−１の押圧部の構成を示す平面図である。図３７Ｂは、図３７ＡのＸＸＸVIIＢ−ＸＸＸVIIＢ線に沿った断面図である。図３７Ｃは、実施例４−２の押圧部の構成を示す平面図である。
【図３８】図３８Ａは、実施例５−１の押圧部の構成を示す平面図である。図３８Ｂは、図３８ＡのＸＸＸVIIIＢ−ＸＸＸVIIIＢ線に沿った断面図である。
【図３９】図３９Ａは、実施例１−３のセンサの距離−圧力カーブを示すグラフである。図３９Ｂは、実施例１−１のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。
【図４０】図４０Ａは、実施例１−４のセンサの距離−圧力カーブを示すグラフである。図４０Ｂは、実施例１−２のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。
【図４１】図４１Ａは、実施例２−３のセンサの距離−圧力カーブを示すグラフである。図４１Ｂは、実施例１−３のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。
【図４２】図４２Ａは、実施例２−４のセンサの距離−圧力カーブを示すグラフである。図４２Ｂは、実施例１−４のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。
【図４３】図４３Ａは、実施例５−１のセンサの距離−圧力カーブを示すグラフである。図４３Ｂは、実施例５−１のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。
【図４４】図４４Ａは、実施例２−３の押圧部の形状の評価結果を示すプロファイルである。図４４Ｂは、比較例５−１の押圧部の形状の評価結果を示すプロファイルである。
【図４５】図４５Ａは、実施例６−１の押圧部の構成を示す平面図である。図４５Ｂは、実施例６−４の押圧部の構成を示す平面図である。図４５Ｃは、実施例６−５の押圧部の構成を示す平面図である。
【図４６】図４６Ａは、実施例７−１の押圧部の構成を示す平面図である。図４６Ｂは、実施例７−２の押圧部の構成を示す平面図である。
【図４７】図４７Ａは、実施例７−３の押圧部の構成を示す平面図である。図４７Ｂは、実施例７−４の押圧部の構成を示す平面図である。
【図４８】図４８は、本技術の第９の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図４９】図４９は、本技術の第１０の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図５０】図５０は、本技術の第１１の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【図５１】図５１は、本技術の第１２の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１  第１の実施形態（第２構造部に形状部を設けたセンサ、それを備える入力装置および電子機器の例）
１．１  概要
１．２  電子機器の構成
１．３  センサの構成
１．４  センサの動作
１．５  キー入力操作に対する静電容量の変化
１．６  コントローラＩＣの動作
１．７  効果
１．８  変形例
２  第２の実施形態（基材に孔部を設けたセンサの例）
２．１  センサの構成
２．２  キー入力操作時のセンサの動作
２．３  効果
２．４  変形例
３  第３の実施形態（センサ層の表面に形状部を設けたセンサの例）
３．１  センサの構成
３．２  キー入力操作時のセンサの動作
３．３  効果
３．４  変形例
４  第４の実施形態（第２構造部に貫通孔を設けたセンサの例）
４．１  センサの構成
４．２  キー入力操作時のセンサの動作
４．３  効果
５  第５の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ第２構造部に形状部を設けたセンサの例）
５．１  センサの構成
５．２  センサの動作
５．３  効果
５．４  変形例
６  第６の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ基材に孔部を設けたセンサの例）
６．１  センサの構成
６．２  効果
６．３  変形例
７  第７の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ基材の表面に形状部を設けたセンサの例）
７．１  センサの構成
７．２  効果
７．３  変形例
８  第８の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ第２構造部に貫通孔を設けたセンサの例）
８．１  センサの構成
８．２  効果
８．３  変形例
【００１９】
９  第９の実施形態（基材の表面に凹凸を設けたセンサの例）
９．１  センサの構成
９．２  効果
１０  第１０の実施形態（押圧部の裏面に凹凸を設けたセンサの例）
１０．１  センサの構成
１０．２  効果
１０．３  変形例
１１  第１１の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ基材の表面に凹凸を設けたセンサの例）
１１．１  センサの構成
１１．２  効果
１１．３  変形例
１２  第１２の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ押圧部の裏面に凹凸を設けたセンサの例）
１２．１  センサの構成
１２．２  効果
１２．３  変形例
【００２０】
＜１  第１の実施形態＞
［１．１  概要］
本発明者らは、薄型でクリック感を発生できるセンサとして、図１に示す構成を有するものを検討している。このセンサ８２０は、リファレンス電極層（以下「ＲＥＦ電極層」という。）２１と、センサ層２２と、基材２３と、中間層２４と、複数の押圧部８４１を含む凹凸層８２５と、ＲＥＦ電極層２６とを備える。ＲＥＦ電極層２６上には、複数のキー２７ａを有するキートップ層２７が設けられる。押圧部８４１は、第１構造部８４１ａと、第１構造部８４１ａ上に設けられ、基体としての基材２３に対して突出し、かつ底部側が開放された中空状の第２構造部８４１ｂとを備える。
【００２１】
上述の構成を有するセンサ８２０では、キー２７ａを所定の力以上で押圧すると、第１構造部８４１ａが反転して、クリック感が得られる。第１構造部８４１ａのみを備える押圧部でもクリック感を得ることができるが、上述のように押圧部８４１が第１構造部８４１ａ上に第２構造部８４１ｂを備える押圧部８４１の方が、第１構造部８４１ａのみを備える押圧部に比べてクリック感を向上できる。
【００２２】
しかしながら、第１構造部８４１ａ上に第２構造部８４１ｂを備える押圧部８４１では、クリック感を向上できる反面、復帰障害が生じる場合がある。この復帰障害は、以下のようなメカニズムにより発生するものと考えられる。キー２７ａを所定の力以上で押圧すると、第１構造部８４１ａが反転して、中間層２４の孔部２４ａに押圧部８４１が押し込まれる。この際、押圧力によっては、図２Ａに示すように、第１、第２構造部８４１ａ、８４１ｂの境界部を起点として第２構造部８４１ｂが変形し、潰れることで第２構造部８４１ｂの内部が大気圧に対して減圧することがある。このように第２構造部８４１ｂが潰れた状態において、キー２７ａの押圧を解除すると、図２Ｂに示すように、第２構造部８４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。これにより、第２構造部８４１ｂが基材２３の表面に吸着し、復帰障害が生じる。復帰障害が生じると、押圧の解除時にキー２７ａの戻り遅れが発生したり、異音が発生したりする。
【００２３】
そこで、本発明者らは、復帰障害を抑制すべく、鋭意検討を行った。その結果、第２構造部８４１ｂのセンサ層２２と対向する側の面に形状部（凹形状部および凸形状部の少なくとも一方）を設ける構成を見出すに至った。以下では、このような構成を採用したセンサ、それを備える入力装置および電子機器について説明する。
【００２４】
［１．２  電子機器の構成］
図３に示すように、本技術の第１の実施形態に係る電子機器１０は、いわゆるパーソナルコンピュータであり、入力装置１１と、電子機器１０の本体であるホスト機器１２とを備える。なお、第１の実施形態では、入力装置１１がホスト機器１２の外部に周辺機器として設けられている構成について説明するが、入力装置１１とホスト機器１２とが一体となっている構成を採用してもよい。
【００２５】
（入力装置）
入力装置１１は、いわゆるキーボードであり、センサ２０と、制御部としてのコントローラＩＣ（Integrated Circuit）１３と、通信部１４とを備える。また、入力装置１１は、図４に示すように、複数のキー２７ａを有するキートップ層２７を一方の主面に備える。このキートップ層２７の下にセンサ２０が設けられている。
【００２６】
センサ２０は、同一の操作面においてキー入力操作２０ａとジェスチャー入力操作２０ｂとの二種類の入力操作を行うことができ、かつ薄型でクリック感を発生できるセンサである。センサ２０は、入力操作に応じた静電容量の変化を検出し、それに応じた電気信号をコントローラＩＣ１３に出力する。
【００２７】
コントローラＩＣ１３は、センサ２０から供給される、静電容量の変化に応じた電気信号に基づき、センサ２０の操作面に対してジェスチャーおよびキー入力操作のいずれかが行われたかを判断し、その判断結果に応じた情報を通信部１４を介してホスト機器１２に出力する。具体的には、コントローラＩＣ１３は、２つの閾値Ａ、Ｂを有し、これらの閾値Ａ、Ｂに基づき上記判断を行う。例えば、ジェスチャー入力操作が行われたと判断した場合には、通信部１４を介して座標情報をホスト機器１２に出力する。一方、キー入力操作が行われたと判断した場合には、通信部１４を介してスキャンコードなどのキーに関する情報をホスト機器１２に出力する。
【００２８】
通信部１４は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの所定の無線通信規格でホスト機器１２と通信し、情報のやりとりを行うためのものである。
【００２９】
（ホスト機器）
ホスト機器１２は、制御部１５と、通信部１６と、表示装置１７とを備える。制御部１５は、通信部１６を介して入力装置１１から供給される情報に基づき、各種の処理を実効する。例えば、表示装置１７に対する文字情報の表示や、表示装置１７に表示されたカーソルの移動などの処理を実行する。通信部１６は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの所定の無線通信規格で入力装置１１と通信し、情報のやりとりを行うためのものである。
【００３０】
表示装置１７は、ホスト機器１２から供給される映像信号や制御信号などに基づき、映像（画面）を表示する。表示装置１７としては、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３１】
［１．３  センサの構成］
以下、図５Ａ、図５Ｂ、図６、図７、図８Ａ〜図８Ｃを参照して、センサ２０の構成の一例について説明する。センサ２０は、図５Ａ、図５Ｂに示すように、第１の導体層としてのＲＥＦ電極層２１と、センサ層２２と、基材２３と、中間層（スペーサ層）２４と、複数の押圧部４１を含む凹凸層２５と、第２の導体層としてのＲＥＦ電極層２６とを備える。センサ２０の両主面のうちＲＥＦ電極層２６側の面が、柔軟性を有する操作面となっており、この操作面にはキートップ層２７が設けられている。第１の実施形態では、センサ層２２と、基材２３と、中間層２４とからなる積層体により基底層が構成されている。以下では、センサ２０およびその構成要素（構成部材）の両主面のうち、操作面側となる主面を表面（第１の面）といい、それとは反対側の主面を裏面（第２の面）と適宜称する。
【００３２】
センサ２０は、キートップ層２７に対する入力操作によるＲＥＦ電極層２６とセンサ層２２との間の距離の変化を静電的に検出することで、当該入力操作を検出する。当該入力操作は、キートップ層２７に対するキー入力操作、またはキートップ層２７上でのジェスチャー操作である。
【００３３】
センサ層２２の表面側に所定間隔を隔ててＲＥＦ電極層２６が設けられ、センサ層２２の裏面側に隣接してＲＥＦ電極層２１が設けられている。このようにＲＥＦ電極層２１、２６をセンサ層２２の両面側に設けることにより、センサ２０内に外部ノイズ（外部電場）が入り込むのを防ぐことができる。
【００３４】
センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との間に、センサ層２２からＲＥＦ電極層２６の方向に向かって基材２３、中間層２４、凹凸層２５がこの順序で設けられている。凹凸層２５によりＲＥＦ電極層２６と中間層２４との間が離間され、所定幅のスペースが設けられる。
【００３５】
（ＲＥＦ電極層）
ＲＥＦ電極層２１は、センサ２０の裏面を構成し、センサ２０の厚さ方向にＲＥＦ電極層２６と対向して配置されている。ＲＥＦ電極層２１は、例えば、センサ層２２およびＲＥＦ電極層２６などよりも高い曲げ剛性を有し、センサ２０の支持プレートとして機能する。
【００３６】
ＲＥＦ電極層２１としては、導電層または導電性基材を用いることができる。導電性基材は、例えば、基材と、その表面に設けられた導電層とを備える。基材は、例えば、フィルム状または板状を有する。ここで、フィルムには、シートも含まれるものとする。導電層は、電気的導電性を有するものであればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導電層、有機系導電材料を含む有機導電層、無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機−無機導電層などを用いることができる。
【００３７】
無機系導電材料としては、例えば、金属、金属酸化物などが挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられるが、これに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３８】
有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、導電性ポリマーなどが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ナノホーンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３９】
ＲＥＦ電極層２１としては、具体的に例えば、Ａｌ合金またはＭｇ合金などの金属材料を含む金属板、カーボン繊維強化型プラスチックなどの導体板、プラスチック材料などを含む絶縁体層上にメッキ膜、蒸着膜、スパッタリング膜または金属箔などの導電層を形成した積層体を用いることができる。ＲＥＦ電極層２１は、例えばグランド電位に接続される。
【００４０】
ＲＥＦ電極層２１の形状としては、例えば、平坦な板状が挙げられるが、これに限定されるものではない。例えば、ＲＥＦ電極層２１が段差部を有していてもよい。また、ＲＥＦ電極層２１に１または複数の開口が設けられていてもよい。さらには、ＲＥＦ電極層２１がメッシュ状の構成を有していてもよい。
【００４１】
ＲＥＦ電極層２１は、押圧部４１上に設けられている。ＲＥＦ電極層２６は、可撓性を有している。このため、ＲＥＦ電極層２６は、操作面の押圧に応じて変形可能である。ＲＥＦ電極層２６は、例えば、可撓性を有する導電層または導電性フィルムである。導電性フィルムは、例えば、基材であるフィルムと、その表面に設けられた導電層とを備える。導電層の材料としては、上述のＲＥＦ電極層２１の導電層と同様のものを例示することができる。
【００４２】
導電性フィルムとしては、具体的に例えば、ステンレス鋼（Stainless Used Steel：ＳＵＳ）フィルム、カーボンを印刷したフィルム、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）フィルム、Ｃｕなどの金属を蒸着した金属蒸着フィルムなどを用いることができる。ＲＥＦ電極層２６は、例えばグランド電位に接続される。
【００４３】
（センサ層）
センサ層２２は、押圧部４１の押圧を検出する。センサ層２２は、ＲＥＦ電極層２１、２６の間に設けられ、操作面側となるＲＥＦ電極層２６との距離の変化を静電的に検出することが可能である。具体的には、センサ層２２は、複数のセンシング部２２ｓを含み、この複数のセンシング部２２ｓが、ＲＥＦ電極層２６との距離に応じて変化する静電容量を検出する。
【００４４】
センサ層２２は、静電容量式のセンサ層であり、図５Ｂに示すように、基材２２ａと、基材２２ａ上に設けられた複数のセンシング部２２ｓと、これらのセンシング部２２ｓを覆う絶縁層２２ｂを備える。
【００４５】
基材２２ａは、例えば、フィルム状または板状を有する。ここで、フィルムには、シートも含まれるものとする。基材２２ａの材料としては、例えば、高分子樹脂またはガラスを用いることができる。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどが挙げられる。
【００４６】
Ｚ軸方向から複数のセンシング部２２ｓを平面視すると、複数のセンシング部２２ｓは、図６に示すように、センサ２０のキー配列に応じて基材２２ａの表面上に２次元的に配置されている。但し、図６では、図示を容易とするために、センシング部２２ｓがマトリックス状に２次元的に配置された構成を示している。センシング部２２ｓは、基材２２ａの表面に設けられた複数のＸ、Ｙ電極３１、３２により構成されている。なお、本明細書において、基材２２ａまたはセンサ２０の表面内において互いに直交する軸をそれぞれＸ軸およびＹ軸といい、基材２２ａの表面に垂直な軸をＺ軸という。
【００４７】
第１電極であるＸ電極３１は、電極線部３１ａと、複数の単位電極体３１ｂと、複数の接続部３１ｃとを備える。電極線部３１ａは、Ｘ軸方向に延設されている。複数の単位電極体３１ｂは、Ｘ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部３１ａと単位電極体３１ｂとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部３１ｃにより接続されている。なお、接続部３１ｃを省略して、電極線部３１ａ上に単位電極体３１ｂが直接設けられた構成を採用するようにしてもよい。
【００４８】
第２電極であるＹ電極３２は、電極線部３２ａと、複数の単位電極体３２ｂと、複数の接続部３２ｃとを備える。電極線部３２ａは、Ｙ軸方向に延設されている。複数の単位電極体３２ｂは、Ｙ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部３２ａと単位電極体３２ｂとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部３２ｃにより接続されている。
【００４９】
単位電極体３１ｂは、複数のサブ電極３１ｄがＹ軸方向に延設された櫛歯状を有している。単位電極体３２ｂは、複数のサブ電極３２ｄがＹ軸方向に延設された櫛歯状を有している。単位電極体３１ｂ、３２ｂは、互いのサブ電極３１ｄ、３２ｄ同士を噛み合わせるようにして配置されている。具体的には、複数のサブ電極３１ｄ、３２ｄが交互に配置されるとともに、隣接するサブ電極３１ｄ、３２ｄが所定の間隔離されている。
【００５０】
電極線部３２ａは、電極線部３１ａとの交差部において電極線部３１ａを跨ぐジャンパ配線部３２ｅを備える。ジャンパ配線部３２ｅと電極線部３２ａとの間には、図示しない絶縁層が設けられている。
【００５１】
絶縁層２２ｂの材料としては、無機材料および有機材料のいずれを用いてもよい。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＨｆＡｌＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2などを用いることができる。有機材料としては、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールなどの高分子樹脂を用いることができる。
【００５２】
（基材）
基材２３は、その下層となるセンサ層２２上に粘着層などにより貼り合わされず、載置されているのみの状態である。基材２３は、凹凸層２５と同一またはほぼ同一の線膨張係数を有している。基材２３および凹凸層２５は同一の材料により構成されていてもよいし、同一またはほぼ同一の線膨張係数を有する異なる材料により構成されていてもよい。
【００５３】
基材２３は、例えば、フィルム状または板状を有する。基材２３の材料としては、基材２２ａと同様の高分子樹脂を例示することができる。なお、基材２３が、樹脂層とこの樹脂層の一方の表面に設けられた粘着層とを備え、粘着層を介して基材２３と中間層２４とが貼り合わされていてもよい。この場合、基材２３の線膨張係数とは、樹脂層の線膨張係数を意味するものとする。
【００５４】
基材２３がセンサ層２２上に貼り合わされずに載置されていることで、環境温度の変化などによりセンサ層２２と凹凸層２５とがセンサ層２２の面内方向に伸縮した場合にも、
センサ層２２と凹凸層２５とが独立に変位することが可能である。したがって、センサ２０を構成する部材に歪みなどが発生することを抑制できるので、センサ２０の信頼性を向上できる。
【００５５】
（中間層）
中間層２４は、図５Ｂに示すように、中間層２４の本体層２４ｂと、この本体層２４ｂの表面に設けられた粘着層２４ｃとを備える。また、中間層２４は、複数の押圧部４１がそれぞれ押し込まれる複数の孔部２４ａを有している。孔部２４ａは、例えば、中間層２４の表面から裏面に貫通する貫通孔である。孔部２４ａは、センシング部２２ｓおよび押圧部４１に対応する位置に設けられている。具体的には、センサ２０の厚さ方向に、押圧部４１、孔部２４ａおよびセンシング部２２ｓが重なるように設けられている。これにより、キー入力操作を行った場合に、第１構造部４１ａが反転して、孔部２４ａに押圧部４１が入り込むことができる。中間層２４は、例えば、スクリーン印刷や成型フィルムなどにより形成される。本体層２４ｂの材料としては、例えば、絶縁層２２ｂと同様の材料を例示することができる。本体層２４ｂの材料としては、紫外線硬化性樹脂などのエネルギー線硬化性樹脂を用いてもよい。中間層２４と凹凸層２５は、粘着層２４ｃを介して貼り合わされている。
【００５６】
（凹凸層）
凹凸層２５は、エンボスフィルム４０により構成されている。エンボスフィルム４０の材料としては、基材２２ａと同様の高分子樹脂を例示することができる。凹凸層２５は、図５Ｂ、図７に示すように、複数の押圧部４１と、平坦部４２と、通気孔４３とを備える。但し、図７以外の図面では、通気孔４３の図示を省略している。
【００５７】
複数の押圧部４１は、複数のセンシング部２２ｓにそれぞれ対応するように、中間層２４の表面上に２次元的に配置されている。押圧部４１は、センサ層２２に対して突出し、かつ底部側が開放された中空状を有する。押圧部４１は、中間層２４とＲＥＦ電極層２６との間を離間し、中間層２４とＲＥＦ電極層２６との間に所定厚さのスペースを形成する。平坦部４２は、中間層２４に対して貼り合わされており、これにより凹凸層２５が中間層２４の表面上に固定されている。押圧部４１は、押し込み量に対して（操作荷重に対して）反力が非線形変化する反力構造部である。
【００５８】
図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃに示すように、押圧部４１は、底部側が開放された中空状の第１構造部４１ａと、第１構造部４１ａの頂部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部４１ｂとを有する。第１構造部４１ａは、キー２７ａの押圧により反転する座屈部であり、その頂部から底部に向かって徐々に広がる傾斜面を有している。第１構造部４１ａの形状としては、例えば底部および頂部が開放された中空状の錐台形状が挙げられる。第２構造部４１ｂの形状としては、例えば底部が開放された中空状の錐台形状が挙げられる。第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの錐台形状としては、例えば、円錐台形状または四角錐台形状などが挙げられる。なお、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの形状は、これに限定されるものではなく、これ以外の形状を用いることもできる。第２構造部４１ｂの側面の傾斜角は、第１構造部４１ａの側面の傾斜角より大きく設定される。ここで、傾斜角は、センサ層２２の表面に対する傾斜角を意味する。
【００５９】
第２構造部４１ｂは、１個または２個以上の形状部４１ｃを側面に有している。形状部４１ｃは、センサ層２２に向けて突出した凸形状部であり、形状部４１ｃの裏面側は押し下げられて窪んでいる。ここでは、裏面側が窪んだ形状部４１ｃを例として説明するが、センサ層２２に対向する面が凸形状となっていればよく、裏面側が窪んでいなくともよい。
【００６０】
形状部４１ｃは、第２構造部４１ｂが有する側面の底部側の周縁に部分的に設けられている。形状部４１ｃの個数が２個以上である場合には、２個以上の形状部４１ｃは、第２構造部４１ｂの周縁に等間隔または不等間隔で離間して配置される。なお、図８Ａ、図８Ｂでは、４個の形状部４１ｃが、第２構造部４１ｂの周縁に等間隔で配置された例が示されている。
【００６１】
Ｚ軸方向から押圧部４１を平面視したときの形状部４１ｃの形状としては、略部分円形状、略部分楕円形状、略四角形状などの略多角形状または不定形状などが挙げられるがこれに限定されるものではない。ここで、部分円形状とは、円形状の一部の形状であり、例えば半円形状である。部分楕円形状とは、楕円形状の一部の形状であり、例えば半楕円形状である。多角形状としては、例えば、三角形状、四角形状、五角形状などが挙げられ、これらの形状の頂部に曲率Ｒなどが付与されていてもよい。
【００６２】
通気孔４３は、隣接する押圧部４１の内部空間同士を繋ぐとともに、押圧部４１の内部空間を外部空間に繋いている。押圧部４１が押されたときに、通気孔４３により押圧部４１の内部空間の空気が排出される。通気孔４３は、凹凸層２５の裏面に設けられた溝と中間層２４の表面とにより構成された孔部である。中間層２４の表面にも溝を設け、凹凸層２５の裏面の溝と中間層２４の表面の溝とを組み合わせて通気孔４３が構成されるようにしてもよい。
【００６３】
（キートップ層）
キートップ層２７は、可撓性を有している。このため、キートップ層２７は、操作面の押圧に応じてＲＥＦ電極層２６と共に変形可能である。キートップ層２７としては、例えば、樹脂フィルム、柔軟性を有する金属板などを用いることができる。キートップ層２７の表面には、複数のキー２７ａが配列されている。キー２７ａには、文字、記号、機能などが印字されている。このキー２７ａを押したり離したりすることにより、コントローラＩＣ１３からホスト機器１２に対してスキャンコートなどの情報が出力される。
【００６４】
キー２７ａの下には、押圧部４１、孔部２４ａおよびセンシング部２２ｓが設けられている。すなわち、センサ２０の厚さ方向に、キー２７ａ、押圧部４１、孔部２４ａおよびセンシング部２２ｓが重なるようにして設けられている。
【００６５】
［１．４  センサの動作］
上述の構成を有するセンサ２０では、Ｘ、Ｙ電極３１、３２間に電圧が印加されると、隣接するサブ電極３１ｄ、３２ｄは容量結合を形成する。Ｘ、Ｙ電極３１、３２間に電圧が印加された状態において、入力操作によりＲＥＦ電極層２６がセンサ層２２（すなわちセンシング部２２ｓ）に近接すると、隣り合うサブ電極３１ｄ、３２ｄ間の静電容量が変化する。このため、１組の単位電極体３１ｂ、３２ｂにより構成されたセンシング部２２ｓ全体の静電容量が変化する。このセンシング部２２ｓ全体の静電容量の変化に基いて、コントローラＩＣ１３は操作面に対してジェスチャーおよびキー入力操作のいずれの入力操作が行われたかを判断する。
【００６６】
以下、図９Ａ、図９Ｂを参照して、ジェスチャーおよびキー入力操作時におけるセンサ２０の動作の一例について説明する。
【００６７】
（ジェスチャー入力操作）
図９Ａに示すように、センサ２０の表面（操作面）に対してジェスチャー入力操作を行うと、押圧部４１の形状が僅かに変形して、キー２７ａが初期位置から下方に距離Ｄ１変位する。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が僅かにＤ１変位し、静電容量が僅かに変化する。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。ここで、静電容量変化は、１つのセンシング部２２ｓ全体の静電容量変化を意味する。
【００６８】
（キー入力操作）
図９Ｂに示すように、センサ２０のキー２７ａを押圧してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、キー２７ａが初期位置から距離Ｄ２変位する。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が大きくＤ２変位し、静電容量が大きく変化する。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。
【００６９】
図９Ｂに示す状態においてキー２７ａをさらに押圧すると基材１２３に押し当てられた第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として、第２構造部４１ｂが変形して潰れる（図２Ａ参照）。第１の実施形態では、第２構造部４１ｂが側面に形状部４１ｃを有しているため、このように第２構造部４１ｂが潰れた状態において、形状部４１ｃの両側に図示しない通気孔が形成される。これにより、第２構造部４１ｂの内側面と基材２３の表面とにより形成される空間が、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部と通じる。
【００７０】
キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
【００７１】
［１．５  キー入力操作に対する静電容量の変化］
以下、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃを参照して、キー入力操作時におけるセンサ２０の静電容量変化の一例について説明する。
【００７２】
上述の構成を有するセンサ２０では、押圧部４１は、図１０Ａに示すように、操作者に対する反力がＲＥＦ電極層２６の移動量に対して非線形に変化する機能を持っている。具体的には、押圧部４１は、操作者の押込みに応じて反力が増加しＰ１で極大値まで上昇し、さらに押込み量を増やすと極小値Ｐ２まで反力が減少し、押込み変形の限界点まで押し込むと再び反力が増加する機能を持っている。
【００７３】
センサ２０では、静電容量変化は、図１０Ｂに示すように、ＲＥＦ電極層２６の移動量に対して単調に増加する。また、静電容量変化は、図１０Ｃに示すように、操作者に対する反力の増加に応じて、なだらかに変化した後、急峻に変化し、その後再びなだらかに変化する。最初になだらかに変化する領域ＲBは、図１０Ａにおいて、操作者が初期位置から押込みを開始してから、反力が極大値Ｐ１に到達するまでの領域に対応する。また、急峻に変化する領域ＲAは、図１０Ａにおいて、反力が極大値Ｐ１から極小値Ｐ２に達する領域に対応する。
【００７４】
領域ＲA内にて閾値Ａを設定し、静電容量がこの閾値Ａを超えているか否かを判断することで、操作面に対してキー入力操作が行われているか否かを判断できる。一方、領域ＲB内にて閾値Ｂを設定し、静電容量がこの閾値Ｂを超えているか否かを判断することで、操作面に対してジェスチャー操作が行われているか否かを判断できる。
【００７５】
［１．６  コントローラＩＣの動作］
以下、図１１を参照して、コントローラＩＣ１３の動作の一例について説明する。
【００７６】
まず、ステップＳ１において、ユーザにより入力装置１１の操作面に対して入力操作が行われると、ステップＳ２において、コントローラＩＣ１３は、センサ２０から供給される、静電容量変化に応じた電気信号に基づき、１つのセンシング部２２ｓ全体の静電容量変化が閾値Ｂ以上であるか否かを判断する。ステップＳ２にて静電容量変化が閾値Ｂ以上であると判断された場合には、ステップＳ３において、コントローラＩＣ１３は、スキャンコードなどのキーに関する情報をホスト機器１２に出力する。これにより、キー入力が行われる。一方、ステップＳ２にて静電容量変化が閾値Ｂ以上でないと判断された場合には、処理はステップＳ４に移行する。
【００７７】
次に、ステップＳ４において、コントローラＩＣ１３は、センサ２０から供給される、静電容量変化に応じた電気信号に基づき、１つのセンシング部２２ｓ全体の静電容量変化が閾値Ａ以上であるか否かを判断する。ステップＳ４にて静電容量変化が閾値Ａ以上であると判断された場合には、ステップＳ５において、コントローラＩＣ１３は、ジェスチャー判定アルゴリズムに従い動作する。これにより、ジェスチャー入力が行われる。一方、ステップＳ４にて静電容量変化が閾値Ａ以上でないと判断された場合には、処理はステップＳ１に戻る。
【００７８】
［１．７  効果］
第１の実施形態に係るセンサ２０では、第２構造部４１ｂが、センサ層２２に対向する面に、センサ層２２に向けて突出した１個または２個以上の形状部４１ｃを有する。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部４１ｂが潰れたときに、形状部４１ｃの両側に通気孔が形成される。したがって、キー２７ａの押圧の解除により、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部４１ｂが基材２３に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
【００７９】
［１．８  変形例］
上述の第１の実施形態では、入力装置１１がキーボードである場合について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。本技術は、１つの押圧部のみを備えるセンサ、およびそれを備えるスイッチなどの入力装置にも適用可能である。
【００８０】
上述の第１の実施形態では、電子機器１０がパーソナルコンピュータである場合について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。本技術はキーボードまたはスイッチなどの入力装置を備える種々の電子機器、例えば、スマートフォンなど携帯電話、タブレット型コンピュータ、テレビ、カメラ、携帯ゲーム機器、カーナビゲーションシステム、ウェアラブル機器などに適用可能である。
【００８１】
単位電極体３１ｂ、３２ｂは、同心状または螺旋状を有していてもよい。同心状としては、例えば、同心の多角形状、同心の円形状、同心の楕円状が挙げられるが、これに限定されるものではない。螺旋状としては、例えば、螺旋の多角形状、螺旋の円形状、螺旋の楕円状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００８２】
第２構造部４１ｂが、センサ層２２に向けて突出した１個または２個以上の形状部４１ｃ（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ参照）に代えて、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃに示すように、センサ層２２から離れる方向に窪んだ１個または２個以上の形状部（凹形状部）４１ｄを側面に備えるようにしてもよい。
【００８３】
上述の構成を有する第２構造部４１ｂを備えるセンサ２０では、キー２７ａの押圧により第２構造部４１ｂが潰れた状態において、形状部４１ｄが通気孔として機能する。これにより、第２構造部４１ｂの内側面と基材１２３の表面とにより形成される空間が、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部と通じる。したがって、第１の実施形態と同様に押圧部４１の復帰障害を抑制することができる。
【００８４】
第２構造部４１ｂが、側面の底部側の周縁に設けられた形状部４１ｃ（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ参照）に代えて、図１３Ａに示すように、側面の頂部側の周縁に設けられた形状部４１ｅを備えるようにしてもよい。
【００８５】
上述の構成を有する第２構造部４１ｂを備えるセンサ２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として第２構造部４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部４１ｂの頂部が形状部４１ｅにより支持される。このため、第２構造部４１ｂの潰れが抑制される。したがって、キー２７ａの押圧解除により、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部４１ｂが基材２３に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
【００８６】
図１３Ｂに示すように、第２構造部４１ｂが、センサ層２２に向かって突出した形状部（凸形状部）４１ｆを頂部に備えるようにしてもよい。Ｚ軸方向から押圧部４１を平面視したときの形状部４１ｆの形状は、例えば、十字状、Ｉ字状、円形状、多角形状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００８７】
上述のように第２構造部４１ｂの頂部に形状部４１ｆを設けたセンサ２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として第２構造部４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部４１ｂの頂部が形状部４１ｆにより支持される。したがって、上述の形状部４１ｅを第２構造部の側面に備えるセンサ２０と同様に、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
【００８８】
センサ層２２に向けて突出した１個または２個以上の形状部４１ｃ（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ参照）を備える代わりに、第２構造部４１ｂの深さを２００μｍ以下に浅くするようにしてもよい。この場合、キー２７ａの押圧により第２構造部４１ｂが潰れる量が小さくなるので、第２構造部４１ｂが潰れた状態から復帰する際の吸着力が弱まる。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
【００８９】
図１４Ａに示すように、中間層２４（図５Ｂ参照）に代えて、押圧部４１が、第３構造部４１ｇをさらに備え、第１構造部４１ａは第３構造部４１ｇ上に設けられるようにしてもよい。第３構造部４１ｇは、第１構造部４１ａを嵩上げする嵩上げ部であって、センサ層２２の表面に対してほぼ垂直に立設された側面、またはセンサ層２２の表面に対して９０°未満の傾斜角で傾斜された側面を有する。第３構造部４１ｇの側面の傾斜角は、第１構造部４１ａの側面の傾斜角より大きく設定される。ここで、傾斜角は、センサ層２２の表面に対する傾斜角を意味する。
【００９０】
上述のように押圧部４１が第３構造部４１ｇをさらに備える構成を採用した場合には、中間層２４を省くことができるので、センサ２０の層構成を簡略化することができる。但し、中間層２４と第３構造部４１ｇとの両方を設ける構成を採用することも可能である。
【００９１】
図１４Ｂに示すように、基材２３が設けられず、センサ層２２上に中間層２４が直接設けられた構成を採用してもよい。但し、上述したようにセンサ２０の信頼性向上の観点からすると、基材２３が設けられていることが好ましい。
【００９２】
図１５Ａに示すように、押圧部４１が、第２構造部４１ｂの頂部に押子４４をさらに備えるようにしてもよい。押子４４は、例えば、両面粘着フィルムであり、樹脂層４４ａと、この樹脂層４４ａの両面にそれぞれ設けられた粘着層４４ｂ、４４ｃとを備える。押子４４は、粘着層４４ｂを介して第２構造部４１ｂの頂部に貼り合わされ、粘着層４３ｃを介してＲＥＦ電極層２６の裏面に貼り合わされている。上述のように、第２構造部４１ｂの頂部に押子４４をさらに備えた場合には、クリック感をさらに向上できる。
【００９３】
図１５Ｂに示すように、センサ２０が、押子４４とＲＥＦ電極層２６との間に設けられた支持層４５をさらに備えるようにしてもよい。この構成を採用することにより、キートップ層２７の表面を指などで触れたときなどに、キートップ層２７を介して感じる押圧部４１の粒々感を抑制できる。
【００９４】
支持層４５の周縁は、Ｚ軸方向からセンサ２０を平面視すると、押圧部４１の頂部の周縁より外側で、かつキー２７ａの周縁より内側に設けられていることが好ましく、押圧部４１の底部の周縁より外側で、かつキー２７ａの周縁より内側に設けられていることがより好ましく、例えばキー２７ａの周縁と重なるまたはほぼ重なるように設けられている。支持層４５の周縁がこのような位置に設けられていることで、キートップ層２７を介して感じる押圧部４１の粒々感をより抑制できる。
【００９５】
支持層４５は、例えば粘着フィルムであり、樹脂層４５ａと、この樹脂層４５ａの一方の表面に設けられた粘着層４５ｂとを備える。支持層４５は、粘着層４５ｂを介してＲＥＦ電極層２６の裏面に貼り合わされている。押子４４は、粘着層４５ｃを介して支持層４５の裏面に貼り合わされている。
【００９６】
なお、上述の構成例では、支持層４５と押子４４とが別体である構成を例として説明したが、支持層４５と押子４４とが一体成形されていてもよい。また、押圧部４１が押子４４を備えず、押圧部４１上に支持層４５が直接設けられていてもよい。
【００９７】
第１構造部４１ａが、第２構造部４１ｂを支持する複数の脚部により構成されていてもよい。センサ層２２上に凹凸層２５を直接設け、第１構造部４１ａが反転しない構造を採用してもよい。
【００９８】
センサ層２２は、基材２２ａの裏面に複数のＸ電極３１を有し、基材２２ａの表面に複数のＹ電極３２を備えるものであってもよい。この場合、センシング部２２ｓは、基材２２ａの異なる面に設けられた単位電極体３１ｂ、３２ｂにより構成される。
【００９９】
Ｘ電極３１は、図１６に示すように、Ｘ方向に所定間隔で配置された複数の単位電極体３１ｂと、単位電極体３１ｂ間をそれぞれ繋ぐ複数の電極線部３１ｆとを備える。単位電極体３１ｂは、Ｘ方向に延設された複数のサブ電極３１ｄを有する網状のものである。
【０１００】
Ｙ電極３２は、図１６に示すように、Ｙ方向に所定間隔で配置された複数の単位電極体３２ｂと、単位電極体３２ｂ間をそれぞれ繋ぐ複数の電極線部３２ｆとを備える。単位電極体３２ｂは、Ｙ方向に延設された複数のサブ電極３２ｄを有する網状のものである。
【０１０１】
＜２  第２の実施形態＞
［２．１  センサの構成］
本技術の第２の実施形態に係るセンサ１２０は、第２構造部４１ｂに１個または２個以上の形状部４１ｃ（図５Ｂ参照）を備える代わりに、図１７Ａに示すように、第２構造部４１ｂの裏面と対向する位置に１個または２個以上の孔部１２３ａを備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０２】
孔部１２３ａは、基材１２３に設けられている。孔部１２３ａは、貫通孔であってもよいし、底を有する孔部であってもよい。孔部１２３ａは、図１７Ｂに示すように、Ｚ軸方向からセンサ１２０を平面視すると、第２構造部１４１ｂと重なる位置に設けられている。孔部１２３ａの一部は、Ｚ軸方向からの平面視において、第２構造部１４１ｂの位置から第１構造部１４１ａの位置まで延設されている。すなわち、孔部１２３ａの一部は、Ｚ軸方向からの平面視において、第１、第２構造部１４１ａ、１４１ｂの境界部の内側から外側まで延設されている。Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの孔部１２３ａの形状としては、例えば楕円形状、多角形状、Ｉ字状、十字状、長円状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、図１７Ｂでは、Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの孔部１２３ａの形状が、Ｉ字状である例が示されている。
【０１０３】
凹凸層１２５は、エンボスフィルム１４０により構成される。エンボスフィルム１４０は、押圧部１４１を備える。押圧部１４１は、形状部４１ｃ（図５Ｂ参照）が側面に設けられていない第２構造部１４１ｂを備える点において、第１の実施形態における押圧部４１と異なっている。
【０１０４】
［２．２  キー入力操作時のセンサの動作］
キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、孔部１２３ａが通気孔として機能する。これにより、第２構造部１４１ｂの内側面と基材１２３の表面とにより形成される空間が、孔部１２３ａを介して第２構造部１４１ｂの外部と通じる。したがって、図１８に示すように、キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、孔部１２３ａを介して第２構造部１４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部１４１ｂによる基材１２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１０５】
［２．３  効果］
第２の実施形態に係るセンサ１２０では、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に孔部１２３ａが設けられている。このため、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１０６】
［２．４  変形例］
Ｚ軸方向からの平面視において、孔部１２３ａが第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部の内側の位置に収まっていてもよい。この構成の場合には、孔部１２３ａが設けられていることで、第２構造部１４１ｂが潰れた状態から復帰する際の吸着力が弱まる。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１０７】
上記の構成の場合には、孔部１２３ａを貫通孔とすると共に、センサ層２２と基材１２３との間に隙間を形成することが好ましい。第２構造部１４１ｂが潰れた状態から復帰する際に、第２構造部１４１ｂの内部空間に上記の貫通孔および隙間を介してエアーが供給されるからである。
【０１０８】
また、上記の構成の場合には、孔部１２３ａを貫通孔とすると共に、センサ層２２と基材１２３との間に多孔質層をさらに設けることが好ましい。第２構造部１４１ｂが潰れた状態から復帰する際に、第２構造部１４１ｂの内部空間に上記の貫通孔および多孔質層を介してエアーが供給されるからである。
【０１０９】
図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、１個または２個以上の孔部１２３ａが、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に部分的に設けられていてもよい。なお、各孔部１２３ａは、Ｚ軸方向からの平面視において、第２構造部１４ｂの内側面の位置から第１構造部１４１ａの内側面の位置まで延設されている。すなわち、各孔部１２３ａは、Ｚ軸方向からの平面視において、第１、第２構造部１４１ａ、１４１ｂの境界部の内側から外側まで延設されている。基材１２３が２個以上の孔部１２３ａを備える場合には、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に等間隔または不等間隔で離間して設けられる。上記構成の場合にも、第２の実施形態と同様に押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１１０】
センサ層２２と基材１２３との間に多孔質層を備えるようにしてもよい。この場合、復帰障害の抑制効果が更に向上する。基材１２３が多孔質層であってもよい。この場合には、基材１２３の孔部位置を第２構造部１４１ｂに対して位置合わせする必要なくなるので、センサ１２０の作製が容易となる。
【０１１１】
＜３  第３の実施形態＞
［３．１  センサの構成］
本技術の第３実施形態に係るセンサ２２０は、第２構造部４１ｂが１個または２個以上の形状部４１ｃ（図５Ｂ参照）を側面に備える代わりに、図２０Ａ、図２０Ｂに示すように、センサ層２２が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２８を備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。第３の実施形態では、センサ層２２と中間層２４とにより基底層が構成されている。なお、第３の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１１２】
形状部２８は、センサ層２２の表面に対して突出するように設けられた島状部である。センサ層２２が表面に２個以上の形状部２８を備える場合には、２個以上の形状部２８は、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に等間隔または不等間隔で離間して設けられる。形状部２８は、中間層２４の一部または全部と同様の層構成を有していることが好ましい。中間層２４の作製プロセスにおいて形状部２８も同時に形成することができ、中間層２４の製造工程を簡略化できるからである。
【０１１３】
Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの形状部２８の形状としては、例えば円形状、楕円形状、多角形状、一部が切り欠かれたリング状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、図２０Ｂでは、Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの押圧部１４１の形状が、四角形状である例が示されている。
【０１１４】
［３．２  キー入力操作時のセンサの動作］
センサ２２０のキー２７ａを押圧してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部が形状部２８によりセンサ層２２の表面から浮いた状態で保持される。この状態において、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部とセンサ層２２の表面との間の一部に隙間が形成される。
【０１１５】
図２１に示すように、キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の隙間を介して第２構造部１４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部１４１ｂによるセンサ層２２の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１１６】
［３．３  効果］
第３の実施形態に係るセンサ２２０では、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に１個または２個以上の形状部２８が設けられている。このため、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによるセンサ層２２の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１１７】
［３．４  変形例］
センサ層２２が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に１個または２個以上の形状部２８（図２０Ａ、図２０Ｂ）を備える代わりに、図２２Ａに示すように、センサ２２０がセンサ層２２と中間層２４との間に基材２２３を備え、基材２２３が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８を備えるようにしてもよい。この構成の場合にも、第３の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。形状部２２８と基材２２３とが一体成形されていてもよいし、形状部２２８と基材２２３とが別体として成形されていてもよい。
【０１１８】
センサ層２２が、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２８（図２０Ａ、図２０Ｂ）を備える代わりに、図２２Ｂに示すように、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に１個または２個以上の形状部２８を備えるようにしてもよい。
【０１１９】
上記の形状部２８をセンサ層２２に備えるセンサ２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として第２構造部１４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部１４１ｂの頂部が形状部２８により支持される。このため、第２構造部１４１ｂの潰れが抑制される。したがって、キー２７ａの押圧解除により、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部１４１ｂがセンサ層２２に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１２０】
センサ層２２が、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２８（図２０Ａ、図２０Ｂ）を備える代わりに、図２３に示すように、センサ２２０がセンサ層２２と中間層２４との間に基材２２３を備え、基材２２３が１個または２個以上の形状部２２８を第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に備えるようにしてもよい。この構成の場合にも、上記の変形例と同様の作用効果を得ることができる。
【０１２１】
＜４  第４の実施形態＞
［４．１  センサの構成］
本技術の第４実施形態に係るセンサ３２０は、１個または２個以上の形状部４１ｃが側面に設けられた第２構造部４１ｂ（図５Ｂ参照）を備える代わりに、図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、１個または２個以上の貫通孔３４１ｃが側面に設けられた第２構造部３４１ｂを備える点において、第１の実施形態に係るセンサ３２０とは異なっている。なお、第４の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１２２】
凹凸層３２５は、エンボスフィルム３４０により構成される。エンボスフィルム３４０は、押圧部３４１を備える。押圧部３４１は、１個または２個以上の貫通孔３４１ｃが側面に設けられた第２構造部３４１ｂを備える。第２構造部３４１ｂが２個以上の貫通孔３４１ｃを有する場合には、２個以上の貫通孔３４１ｃは、図２４Ｂに示すように、第２構造部３４１ｂの側面の周方向に等間隔または不等間隔で離間して配置されている。貫通孔３４１ｃの形状としては、円形状、楕円形状、多角形状または不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０１２３】
［４．２  キー入力操作時のセンサの動作］
所定の押圧力以上でキー２７ａを押圧すると、第１、第２構造部４１ａ、３４１ｂの境界部が基材２３に押し付けられ、押し付けられた上記の境界部を起点として、第２構造部３４１ｂが変形して潰れる。図２５に示すように、キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部３４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の貫通孔３４１ｃを介して第２構造部３４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部３４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部３４１の復帰障害が抑制される。
【０１２４】
［４．３  効果］
第２の実施形態に係るセンサ３２０では、第２構造部３４１ｂが１個または２個以上の貫通孔３４１ｃを側面に備えるため、押圧部３４１の復帰障害が抑制される。
【０１２５】
＜５  第５の実施形態＞
［５．１  センサの構成］
本技術の第５の実施形態に係るセンサ４２０では、図２６Ａに示すように、基材２３上に凹凸層が２５設けられ、中間層２４と基材２３との間にＲＥＦ電極層２６が設けられている。基材２３は、その下層となるＲＥＦ電極層２６上に粘着層などにより貼り合わされず、載置されているのみの状態である。凹凸層２５と基材２３とは、粘着層などにより貼り合わされている。押圧部４１の底部は、Ｚ軸方向からセンサ４２０を平面視すると、中間層２４の孔部２４ａの内側に位置する。なお、第５の実施形態におけるように凹凸層２５が基材２３上に設けられた構成においては、基材２３が基底層となる。
【０１２６】
第５の実施形態に係るセンサ４２０は、上記以外の点では第１の実施形態に係るセンサ２０と同様である。
【０１２７】
［５．２  センサの動作］
（ジェスチャー入力操作）
図２７Ａに示すように、センサ４２０の表面（操作面）に対してジェスチャー入力操作を行うと、押圧部４１の底部によりＲＥＦ電極層２６が押されて、ＲＥＦ電極層２６のうち孔部２４ａ上に位置する部分が、中間層２４の孔部２４ａに僅かに落ち込む。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が僅かにＤ１変位し、単位電極体３１ｂ、３２ｂ間の静電容量に僅かに変化が生じる。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。
【０１２８】
（キー入力操作）
図２７Ｂに示すように、センサ４２０の表面（操作面）に対してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、押圧部４１の裏面にＲＥＦ電極層２６が押されて、ＲＥＦ電極層２６のうち孔部２４ａ上に位置する部分が、中間層２４の孔部２４ａ内に落ち込む。この際、第１構造部４１ａの反転により第２構造部４１ｂも中間層２４の孔部２４ａ内に落ち込む。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が大きくＤ２変位し、単位電極体３１ｂ、３２ｂ間の静電容量が大きく変化する。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。
【０１２９】
キー入力操作により第２構造部４１ｂが基材２３に押し付けられ潰れた状態となった場合に、形状部４１ｃの両側に図示しない通気孔が形成される。キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。
【０１３０】
［５．３  効果］
上述の構成を有するセンサ４２０では、第２構造部４１ｂが潰れた状態において、形状部４１ｃの両側に図示しない通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。また、上述の構成を有するセンサ４２０では、ＲＥＦ電極層２６が中間層２４上に設けられている。この構成は、ＲＥＦ電極層２６を凹凸層２５上に設ける構成に比べて、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離を容易に一定に調整可能である。したがって、第５の実施形態に係るセンサ４２０は、第１の実施形態に係るセンサ２０に比べて製造が容易である。
【０１３１】
上述の構成を有するセンサ４２０では、基材２３がＲＥＦ電極層２６に貼り合わされずに載置されているだけであるため、環境温度の変化などによりセンサ層２２と凹凸層２５とがセンサ層２２の面内方向に伸縮した場合にも、センサ層２２と凹凸層２５とが独立に変位することが可能である。したがって、センサ４２０を構成する部材に歪みなどが発生することを抑制できるので、センサ４２０の信頼性を向上できる。
【０１３２】
［５．４  変形例］
第５の実施形態に係るセンサ４２０において、第１の実施形態の変形例の構成を採用してもよい。
【０１３３】
図２６Ｂに示すように、基材２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層２５が直接設けられた構成を採用してもよい。すなわち、ＲＥＦ電極層２６のみが、中間層２４と凹凸層２５との間に設けられた構成を採用してもよい。この場合、凹凸層２５とＲＥＦ電極層２６とは粘着層（図示せず）などを介して貼り合わされていてもよい。
【０１３４】
＜６  第６の実施形態＞
［６．１  センサの構成］
本技術の第６の実施形態に係るセンサ５２０は、第２構造部４１ｂに１個または２個以上の形状部４１ｃ（図２６Ａ参照）を備える代わりに、図２８Ａに示すように、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に１個または２個以上の孔部１２３ａを有する基材１２３を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第６の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１３５】
基材１２３、凹凸層１２５はそれぞれ、第２の実施形態におけるものと同様である。
【０１３６】
［６．２  効果］
第６の実施形態に係るセンサ５２０では、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に孔部１２３ａが設けられている。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、孔部１２３ａが通気孔として機能する。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材１２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１３７】
［６．３  変形例］
第６の実施形態に係るセンサ５２０において、第２の実施形態の変形例の構成を採用してもよい。例えば、図２８Ｂに示すように、１個または２個以上の孔部１２３ａが、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に部分的に設けられていてもよい。孔部１２３ａは、第２の実施形態の変形例におけるものと同様である。
【０１３８】
孔部１２３ａが、基材１２３およびＲＥＦ電極層２６の両方に設けられていてもよい。
基材１２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層１２５が直接設けられ、孔部１２３ａがＲＥＦ電極層２６に設けられていてもよい。
【０１３９】
＜７  第７の実施形態＞
［７．１  センサの構成］
本技術の第７の実施形態に係るセンサ６２０は、第２構造部４１ｂに１個または２個以上の形状部４１ｃ（図２６Ａ参照）を側面に備える代わりに、図２９Ａに示すように、基材２２３が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第７の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１４０】
形状部２２８は、第３の実施形態の変形例におけるものと同様である。
【０１４１】
［７．２  効果］
第７の実施形態に係るセンサ６２０では、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８が設けられている。このため、センサ６２０のキー２７ａを押圧してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が形状部２２８により基材２２３の表面から浮いた状態で保持される。この状態において、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と基材２２３の表面との間の一部に隙間が形成される。したがって、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材２２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１４２】
［７．３  変形例］
センサ層２２が、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に１個または２個以上の形状部２２８（図２９Ａ）を備える代わりに、図２９Ｂに示すように、基材２２３が１個または２個以上の形状部２２８を第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に備えるようにしてもよい。
【０１４３】
上記の形状部２２８を基材２２３に備えるセンサ６２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部を起点として第２構造部１４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部１４１ｂの頂部が形状部２２８により支持される。このため、第２構造部１４１ｂの潰れが抑制される。したがって、キー２７ａの押圧解除により、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部１４１ｂが基材２２３に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１４４】
基材２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層１２５が直接設けられ、ＲＥＦ電極２６が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８を備えるようにしてもよいし、第２構造部１４１ｂの裏面が対向する位置に１個または２個以上の形状部２２８を備えるようにしてもよい。
【０１４５】
＜８  第８の実施形態＞
［８．１  センサの構成］
本技術の第８実施形態に係るセンサ７２０は、１個または２個以上の形状部４１ｃが側面に設けられた第２構造部４１ｂ（図２６Ａ参照）を備える代わりに、図３０に示すように、１個または２個以上の貫通孔３４１ｃが側面に設けられた第２構造部３４１ｂを備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第８の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１４６】
凹凸層３２５は、第４の実施形態におけるものと同様である。
【０１４７】
［８．２  効果］
第８の実施形態に係るセンサ３２０では、第２構造部３４１ｂが１個または２個以上の貫通孔３４１ｃを側面に備える。このため、キー２７ａの押圧解除時には、貫通孔３４１ｃを介して第２構造部３４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部３４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部３４１の復帰障害が抑制される。
【０１４８】
［８．３  変形例］
基材２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層１２５が直接設けられた構成を採用してもよい。この構成の場合にも、上記の第８の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１４９】
＜９  第９の実施形態＞
［９．１  センサの構成］
本技術の第９の実施形態に係るセンサ９２０は、押圧部１４１の裏面と対向する面に孔部１２３ａを有する基材１２３（図１７Ａ参照）を備える代わりに、図４８に示すように、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する基材９２３を備える点において、第２の実施形態に係るセンサ１２０とは異なっている。なお、第９の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１５０】
第９の実施形態では、センサ層２２と、基材９２３と、中間層２４とからなる積層体により基底層が構成されている。基底層は、押圧部１４１と対向する基材２３を備え、凹凸９２３ａは、基材９２３に設けられている。凹凸９２３ａは、基材９２３の両面のうち、押圧部１４１の裏面と対向する面の全体に設けられていてもよいし、押圧部１４１と対向する部分にのみ設けられていてもよいし、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と対向する部分にのみ設けられていてもよい。但し、生産性を考慮すると、基材９２３の両面のうち、押圧部１４１の裏面と対向する面の全体に設けられていることが好ましい。
【０１５１】
凹凸９２３ａの算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上、より好ましくは２．４３μｍ以上である。算術平均粗さＲａが０．４８μｍ以上であると、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂが基材９２３の表面に吸着し、押圧部１４１に復帰障害が発生することを抑制できる。凹凸９２３ａの算術平均粗さＲａの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００μｍ以下である。
【０１５２】
凹凸９２３ａは、規則的なものであってもよいし、不規則的なものであってもよい。凹凸９２３ａの形成方法としては、例えば、熱転写法、ＵＶ転写法などの光転写法、印刷法、サンドブラスト法、微粒子を含有する塗料を塗布硬化する方法などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０１５３】
［９．２  効果］
第９の実施形態に係るセンサ９２０では、基材９２３が、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する。このため、第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、凹凸９２３ａにより第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と基材９２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材９２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１５４】
＜１０  第１０の実施形態＞
［１０．１  センサの構成］
本技術の第１０の実施形態に係るセンサ１０２０は、第２構造部１０４１ｂに形状部４１ｃを有する凹凸層２５（図５Ｂ参照）を備える代わりに、図４９に示すように、基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する凹凸層１０２５を備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。なお、第１０の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１０の実施形態では、センサ層２２と、基材２３と、中間層２４とからなる積層体により基底層が構成されている。
【０１５５】
凹凸層１０２５は、複数の押圧部１０４１と、平坦部１０４２とを備えるエンボスフィルム１０４０により構成されている。押圧部１０４１は、第１構造部１０４１ａと、第１構造部１０４１ａ上に設けられた第２構造部１０４１ｂとを備える。第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂは、基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する以外の点においては、第２の実施形態における第１、第２構造部１４１ａ、４１ｂと同様である。凹凸１０２５ａは、エンボスフィルム１０４０の両面のうち、基材２３と対向する面の全体に設けられていてもよいし、押圧部１４１の部分にのみ設けられていてもよいし、第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂの境界部にのみ設けられていてもよい。
【０１５６】
凹凸１０２５ａの算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上、より好ましくは２．４３μｍ以上である。算術平均粗さＲａが０．４８μｍ以上であると、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１０４１ｂが基材２３の表面に吸着し、押圧部１４１に復帰障害が発生することを抑制できる。凹凸１０２５ａの算術平均粗さＲａの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００μｍ以下である。
【０１５７】
［１０．２  効果］
第１０の実施形態に係るセンサ１０２０では、凹凸層１０２５が基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する。このため、第２構造部４１ｂが潰れた状態において、凹凸１０２５ａにより第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂの境界部と基材２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１０４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１５８】
［１０．３  変形例］
センサ１０２０が、基材２３の代わりに、第９の実施形態における基材９２３を備えるようにしてもよい。
【０１５９】
＜１１  第１１の実施形態＞
［１１．１  センサの構成］
本技術の第１１の実施形態に係るセンサ１１２０では、孔部１２３ａを有する基材１２３（図２８Ａ参照）に代えて、図５０に示すように、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する基材１１２３を備える点において、第６の実施形態に係るセンサ５２０とは異なっている。なお、第１１の実施形態において第６の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１１の実施形態では、基材１１２３が基底層となる。
【０１６０】
基材１１２３は、第９の実施形態における基材９２３と同様である。
【０１６１】
［１１．２  効果］
第１１の実施形態に係るセンサ１１２０では、基材１１２３が押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、凹凸９２３ａにより第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と基材１１２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材１１２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
【０１６２】
［１１．３  変形例］
凹凸層１２５とＲＥＦ電極層２６との間に基材１１２３を設けずに、ＲＥＦ電極層２６の両面のうち、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを設けた構成を採用してもよい。
【０１６３】
＜１２  第１２の実施形態＞
［１２．１  センサの構成］
本技術の第１２の実施形態に係るセンサ１２２０は、第２構造部４１ｂに形状部４１ｃを有する凹凸層２５（図２６Ａ参照）を備える代わりに、基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する凹凸層１２２５を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第１２の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１２の実施形態では、基材２３が基底層となる。
【０１６４】
凹凸層１２２５は、第１０の実施形態における凹凸層１０２５と同様である。
【０１６５】
［１２．２  効果］
第１２の実施形態に係るセンサ１２２０では、凹凸層１２２５が基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、凹凸１０２５ａにより第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂの境界部と基材２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１０４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１０４１の復帰障害が抑制される。
【０１６６】
［１２．３  変形例］
センサ１２２０が、基材２３の代わりに、第１１の実施形態における基材１１２３を備えるようにしてもよい。
【実施例】
【０１６７】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。【０１６８】
実施例について以下の順序で説明する。
ｉ  第２構造部に形状部を設けたセンサ
ii  基材に孔部を設けたセンサ
iii  下敷きフィルムに微細凹凸を設けたセンサ【０１６９】
＜ｉ  第２構造部に形状部を設けたセンサ＞
［実施例１−１］
まず、アルミを切削加工することにより、転写用原盤を作製した。次に、転写用原盤と厚さ１００μｍのＰＣフィルムとを重ね合わせて、高温真空プレス機にセットし、熱転写を行うことにより、図３１Ａ、図３１Ｂに示す構成を有する押圧部をＰＣフィルムに形成した。この際、図３１Ａ、図３１Ｂに示すように、幅ｗ＝１ｍｍ、深さｄ＝０．１ｍｍのほぼ矩形状を有する１個の凹形状部を第２構造部の裏面に形成した。凹形状部の形成位置は、第２構造部の側面の底部側周縁とした。また、第１構造部の高さＨ1＝２００μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２７０μｍとした。以上により、エンボスフィルムが得られた。その後、エンボスフィルムの裏面に基材としてのＰＣフィルムを粘着層を介して貼り合わせることにより、構造体を得た。【０１７０】
次に、静電容量式のセンサ層を準備し、このセンサ層の裏面にＲＥＦ電極層を形成した。次に、印刷法により、センサ層の表面に絶縁層、粘着層を順次形成することにより、複数の孔部が２次元的に配置された中間層を形成した後、粘着層を介して中間層の表面にＲＥＦ電極層を貼り合わせた。次に、エンボスフィルムの複数の押圧部がそれぞれ中間層の複数の孔部の位置に一致するようにして、ＲＥＦ電極層上に構造体を載置した。次に、キートップ層を準備し、粘着層を介して構造体の押圧部の頂部上にキートップ層を貼り合わせた。これにより、目的とするセンサが得られた。【０１７１】
［実施例１−２］
図３１Ｃに示すように、４個の凹形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。【０１７２】
［実施例１−３］
図３２Ａ、図３２Ｂに示すように、凹形状部の深さｄ＝０．２ｍｍとし、凹形状部の長さを長くしたこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。【０１７３】
［実施例１−４］
図３２Ｃに示すように、４個の凹形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例１−３と同様にしてセンサを得た。【０１７４】
［実施例２−１］
図３３Ａ、図３３Ｂに示すように、直径Ｄ3＝１ｍｍのほぼ半円状を有する１個の凸形状部を第２構造部の裏面に形成したこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。【０１７５】
［実施例２−２］
図３４Ａに示すように、４個の凸形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例２−１と同様にしてセンサを得た。【０１７６】
［実施例２−３］
図３４Ｂに示すように、凸形状部の直径Ｄ3＝２ｍｍとしたこと以外は実施例２−１と同様にしてセンサを得た。【０１７７】
［実施例２−４］
図３４Ｃに示すように、４個の凸形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例２−３と同様にしてセンサを得た。【０１７８】
［実施例３−１］
図３５Ａ、図３５Ｂに示すように、直径Ｄ3＝１ｍｍのほぼ半円状を有する１個の凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に形成したこと以外は実施例２−１と同様にしてセンサを得た。【０１７９】
［実施例３−２］
図３６Ａに示すように、４個の凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例３−１と同様にしてセンサを得た。【０１８０】
［実施例３−３］
図３６Ｂに示すように、凸形状部の直径Ｄ3＝２ｍｍとしたこと以外は実施例３−１と同様にしてセンサを得た。【０１８１】
［実施例３−４］
図３６Ｃに示すように、２個の凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例３−３と同様にしてセンサを得た。【０１８２】
［実施例４−１］
図３７Ａ、図３７Ｂに示すように、第２構造部の頂部の裏面に十字状の凸形状部を形成したこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。【０１８３】
［実施例４−２］
図３７Ｃに示すように、十字状の凸形状部の大きさを変更したこと以外は実施例４−２と同様にしてセンサを得た。【０１８４】
［実施例５−１］
凹形状部を第２構造部の側面の裏面側周縁に形成する代わりに、図３８Ａ、図３８Ｂに示すように、第１構造部の高さＨ1＝２５０μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２００μｍとしたこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。【０１８５】
［比較例５−１］
第１構造部の高さＨ1＝２００μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２７０μｍとしたこと以外は実施例５−１と同様にしてセンサを得た。【０１８６】
［比較例５−２］
第１構造部の高さＨ1＝２２５μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２３５μｍとしたこと以外は実施例５−１と同様にしてセンサを得た。【０１８７】
（復帰障害の評価）
上述のようにして得られた実施例１−１〜５−１、比較例５−１、５−２のセンサのキーを指の腹で強く押して、押圧部の復帰の際に生じる異音を５段階で評価した。なお、異音なしを評価結果“０”とし、比較例５−１の異音を評価結果“５”として５段階で評価した。【０１８８】
（クリック感の評価）
上述のようにして得られた実施例１−３、１−４、２−３、２−４、５−１のセンサのクリック感を以下のようにして評価した。まず、ロボットを用いて１ｍｍ／ｓでｚ方向（操作面に垂直な方向）にロボットを動かし、ロボットに取り付けた圧子（シリコーン製の擬似指、φ６ｍｍ）でセンサのキーを圧迫した。その際に圧子にかかる圧力をロードセルで計測した。これにより、距離−圧力カーブ（以下「Ｆ−Ｓカーブ」という。）を得た。次に、Ｆ−Ｓカーブに初めに現れる極大値をＰ１とし、その後に現れる極小値をＰ２として、クリック率（（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ１）を求めて、クリック感の指標とした。【０１８９】
上記のクリック感の評価をセンサ毎に異なる３つのキー（例えば、実施例１−１のセンサでは“Ｖ”、“Ｂ”、“Ｎ”ｋｅｙ）に対して行った。【０１９０】
（静電容量の変化量の評価）
上述のようにして得られた実施例１−３、１−４、２−３、２−４、５−１のセンサの静電容量の変化量を以下のようにして評価した。まず、センサにコントローラＩＣを接続した。次に、上記ロボットを用いてセンサのキーに荷重を加えて、コントローラＩＣからの供給される静電容量の変化量を測定した。この測定操作を、センサのキーに加える荷重を所定量で増加させながら、各荷重において行い、荷重に対する静電容量の変化量の変化を求めた。【０１９１】
上記の静電容量の変化量の評価をセンサ毎に異なる３つのキー（例えば、実施例１−３のセンサでは“Ａ”、“Ｓ”、“Ｄ”ｋｅｙ）に対して行った。【０１９２】
（押圧部の変形形状の評価）
上述のようにして得られた実施例２−３、比較例５−１の押圧部の変形形状を以下のようにして評価した。まず、エンボスフィルムの押圧部に押圧力を加えていない初期状態において、押圧部のプロフィルをレーザ変位計で測定した。次に、ロボットを用いてｚ方向（操作面に垂直な方向）にロボットを動かし、ロボットに取り付けた圧子（シリコーン製の擬似指、φ６ｍｍ）で押圧部を圧迫した。次に、この状態における押圧部のプロフィルをレーザ変位計で測定した。【０１９３】
（結果）
表１に、センサの構成および復帰障害の評価結果を示す。
【表１】
2017169974.tif 000003
但し、表１中、“凸形状”は、センサ層に向けて突出する凸形状を意味し、“凹形状”は、センサ層から離れる方向に窪んだ凹形状を意味する。【０１９４】
表１から以下のことがわかる。第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けることで、復帰障害が抑制される。凹形状部または凸形状部のサイズを大きくする、もしくは凹形状部または凸形状部の数を増やすに従って、復帰障害の抑制効果が向上する。凹形状部または凸形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に設けた構成は、凹形状部または凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に設けた構成に比べて、高い復帰障害の抑制効果を得ることができる。【０１９５】
第２構造部の頂部に凹形状部を設けた場合にも、復帰障害が抑制される。但し、第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けた構成の方が、第２構造部の頂部の裏面に凸形状部を設けた構成に比べて、高い復帰障害の抑制効果を得ることができる。第２構造部の深さを２００μｍ以下に浅くすることでも、復帰障害が抑制される。【０１９６】
表２に、クリック率の評価結果を示す。
【表２】
2017169974.tif 000004
但し、表２中において、クリック率は、異なる３つのキーのクリック率を平均した値である。【０１９７】
図３９Ａ、図４０Ａ、図４１Ａ、図４２Ａ、図４３Ａにそれぞれ、実施例１−３、１−４、２−３、２−４、５−１のセンサのＦ−Ｓカーブの評価結果を示す。図３９Ｂ、図４０Ｂ、図４１Ｂ、図４２Ｂ、図４３Ｂにそれぞれ、実施例１−３、１−４、２−３、２−４、５−１のセンサの静電容量の変化量の評価結果を示す。なお、図３９Ｂ、図４０Ｂ、図４１Ｂ、図４２Ｂ、図４３Ｂに記載された数値は、第１構造部の反転時（座屈時）における“静電容量の変化量の差”を示している。【０１９８】
図３９Ａ〜図４３Ｂ、表２から以下のことがわかる。第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けて復帰障害を抑制したセンサは、第２構造部の高さを低くして復帰障害を抑制したセンサと同等以上の打鍵特性を有する。すなわち、第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けることで、打鍵特性の低下を抑制しつつ、復帰障害を抑制できる。【０１９９】
図４４Ａに、実施例２−３の押圧部の形状の評価結果を示す。図４４Ｂに、比較例５−１の押圧部の形状の評価結果を示す。なお、図４４Ａ中において、破線で囲んで示した部分が、凸形状部のプロファイルを示している。これらの評価結果から以下のことがわかる。第２構造部の側面の底部側周縁に凸形状部を設けたセンサでは、第２構造部が潰れた状態において、凸形状部の両側（図４４Ａ中、Ｙ軸方向における両側）に通気孔（隙間）が形成されている。このため、第２構造部の内部空間は外部と連通した状態となる。一方、第２構造部の側面の底部側周縁に凸形状部を設けていないセンサでは、第２構造部が潰れた状態において、第２構造部の内部空間は閉鎖された状態にある。【０２００】
＜ii  基材に孔部を設けたセンサ＞
［実施例６−１〜６−３］
凸形状部を第２構造部の側面に形成する代わりに、図４５Ａに示すように、第２構造部の中心を通り、かつ、第１、第２の境界部の内側に両端が位置するスリット状の孔部を基材に形成したこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。なお、孔部の長さＬは１ｍｍ、２ｍｍ、４ｍｍとなるようにサンプル毎に変化させた。【０２０１】
［実施例６−４］
図４５Ｂに示すように、スリット状の孔部の両端を第１、第２の境界部の位置まで延設したこと以外は実施例６−１と同様にしてセンサを得た。【０２０２】
［実施例６−５］
図４５Ｃに示すように、スリット状の孔部の両端を第１、第２の境界部を超える位置まで延設したこと以外は実施例６−１と同様にしてセンサを得た。【０２０３】
［実施例７−１］
凸形状部を第２構造部の側面に形成する代わりに、図４６Ａに示すように、Ｄ4＝２ｍｍの円形状を有し、かつ、第１、第２構造部の境界部の位置に配置された２個の孔部を形成したこと以外は実施例１−１と同様にしてセンサを得た。なお、２個の孔部の配置位置は、第２構造部の中心を介して対向する位置とした。【０２０４】
［実施例７−２］
図４６Ｂに示すように、孔部の個数を４個とし、それらを第１、第２構造部の境界部に等間隔で配置したこと以外は実施例７−１と同様にしてセンサを得た。【０２０５】
［実施例７−３］
図４７Ａに示すように、孔部の形状を長さＬ＝２ｍｍの長円状にしたこと以外は実施例７−１と同様にしてセンサを得た。【０２０６】
［実施例７−４］
図４７Ｂに示すように、孔部の個数を４個とし、それらを第１、第２構造部の境界部に等間隔で配置したこと以外は実施例７−１と同様にしてセンサを得た。【０２０７】
［実施例８−１〜８−５、９−１〜９−４］
センサ層と基材としてのＰＣフィルムとの間に、多孔質プレートを設けた以外は実施例６−１〜６−５、７−１〜７−４と同様にしてセンサを得た。【０２０８】
（復帰障害の評価）
上述のようにして得られた実施例６−１〜６−５、７−１〜７−４、８−１〜８−５、９−１〜９−４のセンサの復帰障害を評価した。評価方法は、上記の復帰障害の評価方法と同様とした。【０２０９】
（クリック感の評価）
上述のようにして得られた実施例６−１、比較例５−１のクリック感を評価した。評価方法は、上記のクリック感の評価方法と同様とした。【０２１０】
（結果）
表３に、センサの構成および復帰障害の評価結果を示す。
【表３】
2017169974.tif 000005
【０２１１】
表３から以下のことがわかる。第２構造部と対向する基材の表面位置に孔部を設けることで、復帰障害の発生を抑制できる。この場合、Ｚ軸方向からの平面視において、孔部が第１、第２構造部の境界部まで延設されているようにするか、もしくは孔部が第１、第２構造部の境界部の内側から外側まで延設されているようにすることで、復帰障害の発生を特に抑制できる。【０２１２】
第１、第２構造部の境界部と対向する基材の表面位置に孔部を設けた場合にも、復帰障害の抑制効果が得られる。この場合、孔部の個数を増やすか、もしくは孔部の形状を押圧部の中心から放射状に伸びる細長形状とすることで、特に優れた効果が得られる。【０２１３】
表４に、クリック率の評価結果を示す。
【表４】
2017169974.tif 000006
【０２１４】
表４から以下のことがわかる。基材に孔部を設けて復帰障害を抑制したセンサは、基材に孔部を設けていないセンサと同程度の打鍵特性を有する。すなわち、基材に孔部を設けることで、打鍵特性の低下を抑制しつつ、復帰障害を抑制できる。【０２１５】
＜iii  下敷きフィルムに微細凹凸を設けたセンサ＞
（実施例１０−１〜１−７）
まず、凹形状部を第２構造部の側面に形成しないこと以外は実施例１−１と同様にしてエンボスフィルムを得た。次に、市販のＰＣフィルムを準備し、このＰＣフィルムの一方の面を凹凸加工することにより、表５に示す算術平均粗さＲａの微細凹凸を形成した。これにより、下敷きフィルムが得られた。【０２１６】
次に、印刷法により、下敷きフィルムの表面に絶縁層、粘着層を順次形成することにより、複数の孔部が２次元的に配置された中間層を形成した後、エンボスフィルムの複数の押圧部がそれぞれ中間層の複数の孔部の位置に一致するようにして、粘着層を介して中間層上にエンボスフィルムを貼り合わせた。次に、エンボスフィルムの押圧部上に粘着層を介してＲＥＦ電極層を貼り合わせた後、ＲＥＦ電極層上にキートップ層を粘着層を介して貼り合わせた。【０２１７】
次に、静電容量式のセンサ層を準備し、このセンサ層の裏面にＲＥＦ電極層を形成した後、センサ層の表面上に、中間層、エンボス層およびキートップ層が形成された下敷きフィルムを載置した。この際、センサ層の複数のセンシング部がそれぞれ中間層の複数の孔部の位置に一致するようにして、センサ層上に下敷きフィルムを載置した。これにより、目的とするセンサが得られた。【０２１８】
（比較例１０−１）
市販のＰＣフィルムの一方の面に凹凸加工を施さずに、下敷きフィルムとして用いたこと以外は実施例１０−１と同様にしてセンサを得た。【０２１９】
（算術平均粗さＲａの評価）
上述のようにして得られた実施例１０−１〜１０−７、比較例１０−１のセンサに用いた下敷きフィルム表面の算術平均粗さＲａを、接触式段差計（KLA-Tencor社製、P-15）を用いて求めた。以下に測定条件を示す。
測定範囲：５ｍｍ×５ｍｍ、２６５μｍ間隔×２０ｓｃａｎ
分解能：０．２μｍ
測定針２ｍｍ（円錐角６０°）、ダイヤモンド製【０２２０】
（復帰障害の評価）
上述のようにして得られた実施例１０−１〜１０−７、比較例１０−１のセンサのキーを指の腹で強く押して、押圧部の復帰の状態を以下の６段階で評価した。
５：復帰障害あり（完全に戻らない）
４：いくつかのキーで復帰障害あり（完全に戻らない）
３：いくつかのキーで復帰障害あり（戻るのに時間がかかる）
２：復帰するが異音がする
１：いくつかのキーで復帰するが異音がする
０：復帰障害なし【０２２１】
表５に、実施例１０−１〜１０−７、比較例１０−１のセンサの構成および評価結果を示す。
【表５】
2017169974.tif 000007
【０２２２】
表５から以下のことがわかる。算術平均粗さＲａが０．４８μｍ以上であると、キーの復帰障害を抑制することができる。また、算術平均粗さＲａが２．４３μｍ以上であると、キーの復帰障害を無くすることができる。【０２２３】
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。【０２２４】
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。【０２２５】
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。【０２２６】
また、第１〜第１２の実施形態およびそれらの変形例において、センサが、センサ層とこのセンサ層の裏面側に設けられたＲＥＦ電極層との間に空気層（空間層）をさらに備えていてもよい。【０２２７】
また、第１の実施形態の変形例にて図１６に示したＸ、Ｙ電極の構成を、第２〜第１２の実施形態およびそれらの変更例において採用することも可能である。このような構成を採用する場合、センサ層とこのセンサ層の裏面側に設けられたＲＥＦ電極層との間に空気層（空間層）が設けられていてもよい。【０２２８】
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記第２構造部は、前記基底層と対向する面に形状部を有するセンサ。
（２）
前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備える（１）に記載のセンサ。
（３）
前記第２構造部は、錐台状を有し、
前記形状部は、前記第２構造部の側面に設けられている（１）または（２）に記載のセンサ。
（４）
前記形状部は、前記側面の底部側の周縁に設けられている（３）に記載のセンサ。
（５）
前記形状部は、前記側面の頂部側の周縁に設けられている（３）に記載のセンサ。
（６）
前記形状部は、前記第２構造部の頂部に設けられ、
前記形状部は、前記基底層に向かって突出している（１）に記載のセンサ。
（７）
前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている（１）から（６）のいずれかに記載のセンサ。
（８）
前記押圧部は、第３構造部をさらに備え、
前記第１構造部は、前記第第３構造部上に設けられている（１）から（７）のいずれかに記載のセンサ。
（９）
前記基底層は、センシング部を有するセンサ層を含み、
前記押圧部は、前記センシング部に対応して設けられている（１）から（８）のいずれかに記載のセンサ。
（１０）
可撓性を有する導体層をさらに備え、
前記導体層は、前記押圧部上に設けられている（１）から（９）のいずれかに記載のセンサ。
（１１）
可撓性を有する導体層をさらに備え、
前記導体層は、前記中間層と前記押圧部との間に設けられている（２）に記載のセンサ。
（１２）
前記第１構造部は、押圧により反転する座屈部である（１）から（１１）のいずれかに記載のセンサ。
（１３）
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有するセンサ。
（１４）
前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備え、
前記形状部は、前記中間層の一部または全部と同様の層構成を有している（１３）に記載のセンサ。
（１５）
前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
前記形状部は、前記基材に一体成形されている（１３）に記載のセンサ。
（１６）
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有するセンサ。
（１７）
前記孔部を前記基底層の表面に垂直な方向から見ると、前記孔部は、前記境界部の内側から外側まで延設されている（１６）に記載のセンサ。
（１８）
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記第２構造部は、貫通孔を有するセンサ。
（１９）
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記押圧部に対向する面に凹凸を有し、
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
（２０）
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である（１９）に記載のセンサ。
（２１）
前記凹凸は、前記押圧部に対向する面のうち、少なくとも前記押圧部に対向する部分に設けられている（１９）または（２０）に記載のセンサ。
（２２）
前記凹凸は、前記押圧部に対向する面の全体に設けられている（１９）または（２０）に記載のセンサ。
（２３）
前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
前記凹凸は、前記基材に設けられている（１９）から（２２）のいずれかに記載のセンサ。
（２４）
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記押圧部は、前記基底層と対向する面に凹凸を有し、
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
（２５）
前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である（２４）に記載のセンサ。
（２６）
前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている（２４）または（２５）に記載のセンサ。
（２７）
前記凹凸は、前記エンボスフィルムの表面のうち、前記基底層と対向する面の全体に設けられている（２６）に記載のセンサ。
（２８）
（１）から（２７）のいずれかに記載のセンサを備える入力装置。
（２９）
（１）から（２７）のいずれかに記載のセンサを備える電子機器。【０２２９】
（３０）
静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記第２構造部は、前記基底層と対向する面に形状部を有する構造体。
（３１）
静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有する構造体。
（３２）
静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有する構造体。
（３３）
静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
基底層と、
前記基底層に対して突出した押圧部と
を備え、
前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
前記第２構造部は、貫通孔を有する構造体。
【符号の説明】
【０２３０】
１０    電子機器
１１    入力装置
１２    ホスト機器
１３    コントローラＩＣ
１４、１６    通信部
１５    制御部
１７    表示装置
２０    センサ
２１、２６    ＲＥＦ電極層
２２    センサ層
２２ｓ    センシング部
２３、１２３    基材
２４    中間層
２５    凹凸層
２７    キートップ層
２７ａ    キー
２８、４１ｃ、４１ｄ、４１ｅ、４１ｆ    形状部
３１    Ｘ電極
３２    Ｙ電極
４１    押圧部
４１ａ    第１構造部
４１ｂ    第２構造部
４１ｇ    第３構造部
１２３ａ    孔部
３４１ｃ    貫通孔
【図１】
2017169974.tif 000008
【図２】
2017169974.tif 000009
【図３】
2017169974.tif 000010
【図４】
2017169974.tif 000011
【図５】
2017169974.tif 000012
【図６】
2017169974.tif 000013
【図７】
2017169974.tif 000014
【図８】
2017169974.tif 000015
【図９】
2017169974.tif 000016
【図１０】
2017169974.tif 000017
【図１１】
2017169974.tif 000018
【図１２】
2017169974.tif 000019
【図１３】
2017169974.tif 000020
【図１４】
2017169974.tif 000021
【図１５】
2017169974.tif 000022
【図１６】
2017169974.tif 000023
【図１７】
2017169974.tif 000024
【図１８】
2017169974.tif 000025
【図１９】
2017169974.tif 000026
【図２０】
2017169974.tif 000027
【図２１】
2017169974.tif 000028
【図２２】
2017169974.tif 000029
【図２３】
2017169974.tif 000030
【図２４】
2017169974.tif 000031
【図２５】
2017169974.tif 000032
【図２６】
2017169974.tif 000033
【図２７】
2017169974.tif 000034
【図２８】
2017169974.tif 000035
【図２９】
2017169974.tif 000036
【図３０】
2017169974.tif 000037
【図３１】
2017169974.tif 000038
【図３２】
2017169974.tif 000039
【図３３】
2017169974.tif 000040
【図３４】
2017169974.tif 000041
【図３５】
2017169974.tif 000042
【図３６】
2017169974.tif 000043
【図３７】
2017169974.tif 000044
【図３８】
2017169974.tif 000045
【図３９】
2017169974.tif 000046
【図４０】
2017169974.tif 000047
【図４１】
2017169974.tif 000048
【図４２】
2017169974.tif 000049
【図４３】
2017169974.tif 000050
【図４４】
2017169974.tif 000051
【図４５】
2017169974.tif 000052
【図４６】
2017169974.tif 000053
【図４７】
2017169974.tif 000054
【図４８】
2017169974.tif 000055
【図４９】
2017169974.tif 000056
【図５０】
2017169974.tif 000057
【図５１】
2017169974.tif 000058
【国際調査報告】
2017169974.tif 000059
2017169974.tif 000060
2017169974.tif 000061
2017169974.tif 000062