【事件の表示】
　特願２００３−１９９２０７「トランジスタとその製造方法、電気光学装置、半導体装置並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月　７日出願公開、特開２００４−２８１９９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯
　本願は、平成１５年７月１８日（優先権主張平成１５年１月２３日）の出願であって、平成１７年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１８年２月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月３日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、その後同年３月１２日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年３月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月３日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容
　補正前の請求項１及び請求項６をそれぞれ補正後の請求項１及び請求項４とし、補正前の請求項４、５を削除し、なおかつ、補正前の明細書の【００１１】、【００１２】、【００１５】ないし【００１８】、【００３１】、【００３２】、【００３７】、【００５３】、【００５５】を補正後の明細書の【０００１１】、【００１２】、【００１５】ないし【００１８】、【００３１】、【００３２】、【００３７】、【００５３】、【００５５】と補正するものであって、補正後の請求項１及び請求項４は以下のとおりである。
「【請求項１】　チャネル領域及びソース・ドレイン領域が形成された単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを少なくとも備えてなり、
　前記ゲート絶縁膜は、前記単結晶半導体層の上面および側面に形成された熱酸化膜と、この熱酸化膜上に形成された少なくとも一層の気相合成絶縁膜とを有し、前記熱酸化膜と気相合成絶縁膜との合計膜厚は６０〜８０ｎｍであり、
　前記単結晶半導体層の膜厚は１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、
　前記熱酸化膜は、その膜厚が５〜２０ｎｍであるとともに、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されており、
　前記気相合成絶縁膜は、前記熱酸化膜の上面および側面を覆って形成されていることを特徴とするトランジスタ。」
「【請求項４】　単結晶半導体層にチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成し、この単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成するトランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、前記単結晶半導体層を熱酸化してその上面および側面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄くなるようにするとともに、該熱酸化膜の膜厚を５〜２０ｎｍにし、かつ前記単結晶半導体層の膜厚を１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下にする工程と、気相合成法によって前記熱酸化膜の上面および側面を覆って気相合成絶縁膜を形成し、該気相合成絶縁膜と前記熱酸化膜との合計膜厚を６０〜８０ｎｍにする工程と、を少なくとも備えていることを特徴とするトランジスタの製造方法。」
　
（２）本件補正の内容の整理
補正事項を整理すると以下のとおりである。
（ａ）補正事項１
　補正前の請求項１に、「前記熱酸化膜と気相合成絶縁膜との合計膜厚は６０〜８０ｎｍであり、」を追加すること。（補正事項１−１）
　補正前の請求項１に、「前記単結晶半導体層の膜厚は１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、」を追加すること。（補正事項１−２）
　補正前の請求項１の「前記熱酸化膜は、」の後に、「その膜厚が５〜２０ｎｍであるとともに、」を追加すること。（補正事項１−３）
（ｂ）補正事項２
　補正前の請求項４及び請求項５を削除すること。
（ｃ）補正事項３
　補正前の請求項４及び請求項５を削除することに伴い、補正前の請求項６を補正後の請求項４とすること。（補正事項３−１）
　補正前の請求項６の「前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、前記単結晶半導体層を熱酸化してその上面および側面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄くなるようにする工程」を、補正後の請求項４の「前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、前記単結晶半導体層を熱酸化してその上面および側面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄くなるようにするとともに、該熱酸化膜の膜厚を５〜２０ｎｍにし、かつ前記単結晶半導体層の膜厚を１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下にする工程」と補正すること。（補正事項３−２）
　補正前の請求項６の「気相合成法によって前記熱酸化膜の上面および側面を覆って気相合成絶縁膜を形成する工程」を、補正後の請求項４の「気相合成法によって前記熱酸化膜の上面および側面を覆って気相合成絶縁膜を形成し、該気相合成絶縁膜と前記熱酸化膜との合計膜厚を６０〜８０ｎｍにする工程」と補正すること。（補正事項３−３）
（ｄ）補正事項４
　補正前の明細書の【００１１】、【００１２】、【００１５】ないし【００１８】、【００３１】、【００３２】、【００３７】、【００５３】、【００５５】を、補正後の明細書の【０００１１】、【００１２】、【００１５】ないし【００１８】、【００３１】、【００３２】、【００３７】、【００５３】、【００５５】と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
（ａ）補正事項１について
　補正事項１−１についての補正は、熱酸化膜と気相合成絶縁膜からなるゲート絶縁膜の厚さを限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。また、願書に最初に添付した明細書の【００３７】には、「また、ゲート絶縁膜２全体の厚さ、すなわち熱酸化膜２ａと気相合成絶縁膜２ｂとの合計厚さは６０〜８０ｎｍ程度とされる。」と記載されているから、この補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　補正事項１−２についての補正は、単結晶半導体層の膜厚を限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。また、願書に最初に添付した明細書の【００３１】には、「この半導体層１ａの厚さとしては、１５ｎｍ以上とすることが望ましく、その場合に特に１５ｎｍ以上、６０ｎｍ以下とするのが好ましい。１５ｎｍ未満であると、画素電極９ａとスイッチング素子３０、３１とを接続するコンタクトホールを設ける際の加工に悪影響を及ぼす恐れがあるからである。また、６０ｎｍを越えると、この半導体層１ａに光源からの光や反射光が入射し、縦クロストークが発生して表示性能に悪影響を及ぼすおそれがあるからである。すなわち、６０ｎｍ以下とすることにより、例えば膜厚を２００ｎｍにした場合に比べ、光リークによるリーク電流を、１桁減らすことが可能になる。」と記載されているから、この補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　補正事項１−３についての補正は、熱酸化膜の膜厚を限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。また、願書に最初に添付した明細書の【００３２】には、「熱酸化膜２ａの厚さは、５〜５０ｎｍ程度、好ましくは５〜３０ｎｍ程度とされる。また、特に半導体層１ａの厚さを前述したように１５ｎｍ以上、６０ｎｍ以下とした場合には、熱酸化膜２ａの厚さは、５〜５０ｎｍ程度、好ましくは５〜２０ｎｍ程度、さらに好ましくは５〜１０ｎｍ程度とされる。」と記載されているから、この補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項１についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許法第１７条第４項第２号に該当し、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の要件を満たしている。
（ｂ）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、請求項の削除を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に該当する。また、この補正が、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
（ｃ）補正事項３について
　補正事項３−１についての補正は、補正事項２についての補正に伴って、請求項の番号を繰り上げるものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に該当する。
　補正事項３−２についての補正は、熱酸化膜及び単結晶半導体層の膜厚を限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。また、この補正は、願書に最初に添付した明細書の【００３１】及び【００３２】の記載から、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　補正事項３−３についての補正は、熱酸化膜と気相合成絶縁膜からなるゲート絶縁膜の厚さを限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。また、願書に最初に添付した明細書の【００３７】の記載から、この補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項３についての補正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号及び第４号に該当し、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の要件を満たしている。
（ｄ）補正事項４について
　補正事項４についての補正は、補正事項１ないし補正事項３についての補正に伴って、明細書の記載を整合させるものであるから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。したがって、この補正は、特許法第１７条の２第３項の要件を満たしている。
　
 　以上のとおり、補正事項１ないし補正事項４についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たし、同法同条第３項の規定に適合する。
　
　ここで、補正事項１及び補正事項３についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、かつ同法同条第４項第２号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものであるから、本件補正について、同法同条第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
 　
（３−２）独立特許要件の検討
（３−２−１）補正後の請求項１に記載された発明
　補正後の請求項１に記載された発明は、上記２．（１）に示した補正後の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
（３−２−２）刊行物に記載された発明
　刊行物１．　特開２００１−２５５５５９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開２００１−２５５５５９号公報には、「電気光学装置の製造方法及び電気光学装置」（発明の名称）に関して、図４及び図５とともに、以下の事項が記載されている。
「【００２７】次にＴＦＴアレイ基板の製造方法について図４〜図８を用いて説明する。尚、図４から図８は、ＴＦＴアレイ基板側の表示画素領域及び駆動回路領域における各層の断面図を、図３に対応させて示す工程図である。」
「【００４３】次に、工程（９）に示すように、マスク２１１を熱燐酸により剥離する。この後、窒素雰囲気中にて、６００〜７００℃の温度下、ここでは６４０℃の温度下で６時間加熱し、非単結晶シリコン膜の固相成長を行う。この工程により、表示画素領域においては、非単結晶シリコン膜２１０ｃがポリシリコン化されてポリシリコン膜２１０ｄが形成される。一方、
駆動回路領域においては、単結晶シリコン膜２１０ｅが形成された構成となる。
【００４４】次に、図５の工程（１０）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、表示画素領域においては、図２及び図３に示した如き所定パターンの半導体層１ａ、半導体層１ａから延設された容量用電極１ｆを形成する。
駆動回路領域においては半導体層４０１及び４０２を形成する。
「【００４６】次に、工程（１１）に示すように、表示画素領域における画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ、容量用電極１ｆ、
駆動回路領域におけるＮ型ＴＦＴを構成する半導体層４０１及びＰ型ＴＦＴを構成する半導体層４０２を、約８５０〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度で３０分程度熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成する。更に、３０〜５０ｎｍの厚みにて減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ）膜を形成し、熱酸化シリコン膜とＨＴＯ膜の二層からなるゲート絶縁膜２を形成する。
半導体層１ａ、４０１、４０２及び第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約４０ｎｍの厚さ、ゲート絶縁膜２の厚さは、約６０〜８０ｎｍの厚さとなる。
【００４７】次に、工程（１２）に示すように、半導体層１ａを延設してなる第１蓄積容量電極１ｆを低抵抗化するため、基板１０の表面の走査線３ａ（ゲート電極）に対応する部分にレジスト膜５０１を形成し、これをマスクとしてその上からＰなどのＶ族元素のドーパント、ここではＰイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、３ｅ１４／ｃｍ２のドーズ量にてドープする。
【００４８】次に、工程（１３）に示すように、レジスト膜５０１を除去し、下地膜１２に、遮光膜１１ａに至るコンタクトホール１３を反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。この際、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングのような異方性エッチングにより、コンタクトホール１３等を開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点がある。但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、これらのコンタクトホール１３等をテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。
【００４９】次に、工程（１４）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を３５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。これにより、ポリシリコン膜３の導電性を高めることができる。
【００５０】次に、
工程（１５）に示すように、レジスト膜を用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。
【００５１】次に、工程（１６）に示すように、駆動回路領域のＰチャネルＴＦＴとなる半導体層４０２を除く基板全面にレジスト膜５０２を形成する。その後、
このレジスト膜５０２及びゲート電極４０４をマスクとして、半導体層４０２にＢなどのIII族元素のドーパント、ここではＢＦ
2
イオンを９０ｋｅＶの加速電圧、２×１０
15
ｃｍ
-2
のドーズ量にてドープする。これにより、駆動回路領域におけるＰチャネルＴＦＴに対応するソース領域４０２ｂ及びドレイン領域４０２ｃが形成される。
【００５２】次に、工程（１７）に示すように、駆動回路領域のＰチャネルＴＦＴとなる半導体層４０２を覆うようにレジスト膜５０３を形成する。その後、
レジスト膜５０３及び走査線（ゲート電極）３ａ、容量線３ｂをマスクとして、半導体層４０１及び半導体層１ａに、ＰなどのＶ族元素のドーパント、ここでは、Ｐイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、６×１０
12
ｃｍ
-2
のドーズ量にてドープする。
駆動回路領域においては、ＮチャネルＴＦＴに対応するソース領域４０１ｂ及びドレイン領域４０１ｃが形成される。
【００５３】続いて、工程（１８）に示すように、ゲート電極３ａよりも幅が広い形状を有し、更に駆動回路領域におけるＰチャネルＴＦＴの半導体層４０２を覆う形状を有するレジスト膜５０４を形成する。その後、
レジスト膜５０４及びゲート電極４０３をマスクとして、半導体層１ａ及び半導体層４０１に、ＰなどのＶ族元素のドーパント、ここではＰイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、４×１０
15
／ｃｍ
-2
のドーズ量にてドープする。
駆動回路領域のＮチャネル型ＴＦＴにおいては、更に低抵抗化されたソース領域４０１ｂ及びドレイン領域４０１ｃが得られる。
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「ソース領域４０１ｂ，４０２ｂ及びドレイン領域４０１ｃ，４０２ｃが形成された単結晶シリコン膜からなる半導体層４０１，４０２と、単結晶シリコン膜からなる半導体層４０１，４０２上にゲート絶縁膜２を介して設けられたゲート電極４０３，４０４とを備えており、
　ゲート絶縁膜２は、単結晶シリコン膜からなる半導体層４０１，４０２上に形成された熱酸化シリコン膜と、熱酸化シリコン膜上に形成された減圧ＣＶＤ法等により形成された高温酸化シリコン膜とを有し、ゲート絶縁膜２の厚さは、約６０〜８０ｎｍであり、
　単結晶シリコン膜からなる半導体層４０１，４０２の膜厚は、約４０ｎｍであり、
　熱酸化シリコン膜は、３０ｎｍであるＴＦＴ。」
　
（３−２−３）対比・判断
　平成１８年３月３日付けで補正された請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
　
（ａ）刊行物発明は、ＴＦＴであって、ソース領域４０１ｂ，４０２ｂ及びドレイン領域４０１ｃ，４０２ｃを備えているから、ソース領域４０１ｂ，４０２ｂとドレイン領域４０１ｃ，４０２ｃの間の半導体層４０１，４０２には、チャネル領域を備えていることは明らかである。
（ｂ）刊行物発明の「単結晶シリコン膜からなる半導体層４０１，４０２」は、補正発明の「単結晶半導体層」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「熱酸化シリコン膜」は、補正発明の「熱酸化膜」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「熱酸化シリコン膜」は、図５からも明らかなように、半導体層４０１，４０２の上面及び側面に形成されていることは明らかである。
（ｅ）刊行物発明の「減圧ＣＶＤ法等により形成された高温酸化シリコン膜」は、減圧ＣＶＤ法が、気相合成により膜を形成する方法であり、「酸化シリコン膜」は絶縁膜であることは自明であるから、補正発明の「気相合成絶縁膜」に相当する。
（ｆ）刊行物発明の「減圧ＣＶＤ法等により形成された高温酸化シリコン膜」は、熱酸化シリコン膜上に形成されているから、熱酸化シリコン膜の上面及び側面を覆って形成されていることは明らかである。
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「チャネル領域及びソース・ドレイン領域が形成された単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを少なくとも備えてなり、
　前記ゲート絶縁膜は、前記単結晶半導体層の上面および側面に形成された熱酸化膜と、この熱酸化膜上に形成された少なくとも一層の気相合成絶縁膜とを有し、前記熱酸化膜と気相合成絶縁膜との合計膜厚は６０〜８０ｎｍであり、
　前記単結晶半導体層の膜厚は１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、
　前記気相合成絶縁膜は、前記熱酸化膜の上面および側面を覆って形成されていることを特徴とするトランジスタ。」である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１
　補正発明は、熱酸化膜の膜厚が５〜２０ｎｍであるのに対して、刊行物発明は、熱酸化シリコン膜の膜厚が３０ｎｍである点。
相違点２
　補正発明は、熱酸化膜が、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されているのに対して、刊行物発明は、熱酸化シリコン膜の構造について明らかでない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　いわゆる薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜を熱酸化膜及び堆積膜の２層構造とし、熱酸化膜の膜厚として、５〜２０ｎｍ程度の数値とすることは、例えば、特開２００１−３３１１２６号公報（「【０１０３】次に図５の工程（４）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約２０〜１５０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜からなる単一層構造の絶縁薄膜２を形成する。但し、係る熱酸化シリコン膜を３０ｎｍ以下程度に薄く形成した後に、減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる絶縁薄膜を約５０ｎｍの比較的薄い厚さに堆積し、これらの熱酸化シリコン膜及び絶縁薄膜を含む多層構造を持つ絶縁薄膜２を形成してもよい。このように複数層構造にすれば、高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ以上の大型基板を使用する場合に熱によるそりを防止することができる。」を参照。）、特開２００１−３２００６３号公報（「【００２０】この赤外光照射は、珪素膜を選択的に加熱することになるので、ガラス基板への加熱を最小限に抑えることができる。そして、珪素膜中の欠陥や不体結合手を減少させるのにも非常に効果がある。この赤外光照射によって形成された酸化珪素１０４の厚さは５０〜１５０Åであった。【００２１】つぎにプラズマＣＶＤ法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜１０５をゲイト絶縁膜として成膜した。」、「【００２９】・・・レーザー照射工程の後、基板を酸素雰囲気で６００℃で１時間アニールした。この結果、活性層の表面に２０〜２００Å、代表的には４０〜１００Åの厚さの熱酸化膜２０４が形成された。（図２（Ａ））【００３０】さらにテトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯＳ）を原料として、酸素雰囲気中のプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素のゲイト絶縁膜（厚さ７０〜１２０ｎｍ、典型的には１２０ｎｍ）２０６を形成した。」を参照。）、特開２００１−２５５５５８号公報（「【００７２】次に、図９（Ｃ）に示すように、熱酸化法等により、半導体能動層２７の表面に膜厚が約５０ｎｍ〜約１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜６５を形成する。あるいは、熱酸化膜を約５ｎｍ〜約１００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ形成した後、全面にＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜を約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ堆積し、それら２層のシリコン酸化膜によりゲート絶縁膜６５を形成してもよい。」を参照）、特開平７−９４７５６号公報（「【００２０】この赤外光照射は、珪素膜を選択的に加熱することになるので、ガラス基板への加熱を最小限に抑えることができる。そして、珪素膜中の欠陥や不体結合手を減少させるのにも非常に効果がある。この赤外光照射によって形成された酸化珪素１０４の厚さは５０〜１５０Åであった。【００２１】つぎにプラズマＣＶＤ法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜１０５をゲイト絶縁膜として成膜した。」、「【００２９】・・・レーザー照射工程の後、基板を酸素雰囲気で６００℃で１時間アニールした。この結果、活性層の表面に２０〜２００Å、代表的には４０〜１００Åの厚さの熱酸化膜２０４が形成された。（図２（Ａ））【００３０】さらにテトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯＳ）を原料として、酸素雰囲気中のプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素のゲイト絶縁膜（厚さ７０〜１２０ｎｍ、典型的には１２０ｎｍ）２０６を形成した。」を参照。）、特開平７−６６４２６号公報（「【００１９】この赤外光照射は、珪素膜を選択的に加熱することになるので、ガラス基板への加熱を最小限に抑えることができる。そして、珪素膜中の欠陥や不体結合手を減少させるのにも非常に効果がある。この赤外光照射によって形成された酸化珪素１０４の厚さは５０〜１５０Åであった。【００２０】つぎにプラズマＣＶＤ法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜１０５をゲイト絶縁膜として成膜した。」、「【００２７】・・・その後、基板を酸素雰囲気で６００℃で１時間アニールした。この結果、活性層の表面に２０〜２００Å、代表的には４０〜１００Åの厚さの熱酸化膜２０４が形成された。この工程によって、先の熱アニールによって結晶化した領域の結晶性をさらに向上させた。（図２（Ｂ））【００２８】さらにテトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯＳ）を原料として、酸素雰囲気中のプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素のゲイト絶縁膜（厚さ７０〜１２０ｎｍ、典型的には１２０ｎｍ）２０７を形成した。」を参照）に記載されているように、従来周知の技術にすぎないから、刊行物発明において、従来周知の技術を採用することにより、熱酸化シリコン膜の膜厚として、５〜２０ｎｍを採用することは当業者が適宜なし得る程度のものである。
　
相違点２について
　補正発明において、熱酸化膜の構造として、「前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成され」ることは、熱酸化により、５〜２０ｎｍの膜厚で熱酸化膜を形成すれば、必然的に備える構造であるから、上記「相違点１について」で検討したとおり、刊行物発明において、熱酸化シリコン膜の膜厚を５〜２０ｎｍとすることは当業者が容易になし得たものであり、結果として、熱酸化シリコン膜は、「前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成され」るものである。
　
　なお、上述したとおり、本願発明の構成は、刊行物発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるが、請求人は、審判請求書の請求の理由において、「本発明によれば、その請求項１の発明（本件発明１）により、特に以下の（イ）に示す優れた作用効果を奏し、さらには、（ロ）、（ハ）に示す優れた作用効果も奏する。
（イ）単結晶半導体層の膜厚を６０ｎｍ以下と薄くしているため、熱酸化膜の形成の際に熱応力に起因する欠陥が発生し易くなるものの、熱酸化膜の膜厚を５ｎｍ〜２０ｎｍとしているので、特にその膜厚を２０ｎｍ以下と薄くしていることにより、この熱酸化膜形成時の熱的負荷を軽減することができ、したがってこの熱的負荷に起因する欠陥の発生を防止することができる。すなわち、単結晶半導体層を厚さが６０ｎｍ以下の薄膜にしたときには、この薄膜にかかる熱酸化時のストレスが、例えば膜厚を２００ｎｍにした場合に比べて膜厚が薄い分大きくなるため、このストレスが緩和されず、したがってこの薄膜に欠陥が入りやすくなってしまう。よって、熱酸化膜の膜厚を２０ｎｍ以下と薄く設定しておき、これに伴って熱酸化膜形成時における熱酸化時間を短縮し、又は熱酸化温度を低くすることにより、半導体層にかかる熱的負荷を軽減し、欠陥が発生するのを防止することができるのである。
（ロ）熱酸化膜の膜厚を２０ｎｍ以下と薄くしているので、熱酸化膜形成時における熱酸化時間を短縮することができ、したがって製造工程に負担をかけることなくこれを簡略化して生産性を向上することができる。
（ハ）ゲート絶縁膜を構成する熱酸化膜と気相合成絶縁膜との合計膜厚を６０〜８０ｎｍにし、その中の熱酸化膜の膜厚を５〜２０ｎｍにしているので、ゲート絶縁膜中に占める熱酸化膜の割合が低いことから、単結晶半導体層の肩部（単結晶半導体層の側面における上端部）などの周辺部（単結晶半導体層の側面における上端部および下端部）を形成する熱酸化膜が他の部分（中央部）に比べ薄くなっても、ゲート絶縁膜全体の膜厚でみると、肩部などが他の部分（中央部）に比べ極端に薄くなってしまうといったことが確実に防止される。」と主張しているので、念のため、上記（イ）ないし（ハ）に示された作用効果についても検討する。
　まず、（イ）について検討すると、一般に、シリコンの熱酸化を行うと、酸化されるシリコンに対するシリコン酸化膜の体積はほぼ２倍になり、その結果、ストレスが発生し、それによって欠陥が発生するということは当業者には従来周知の技術事項にすぎず、熱酸化膜を薄く形成すれば、このようなストレスが小さくなり、欠陥の発生も抑制されるであろうということは、当業者にとっては予想しうる作用効果にすぎないものであるから、（イ）に示す作用効果が、進歩性を肯定するほど顕著なものであるということはできない。
　また、熱酸化膜を薄く形成すればするほど、必要とする熱処理時間が短くなることは、自明な事項であるから、（ロ）に示す作用効果についても、当業者が予想しうる程度のものにすぎない。
　さらに、（ハ）について検討すると、島状に形成された半導体層の表面を熱酸化すると、半導体層の肩部などの周辺部において、熱酸化膜の膜厚が薄くなることは、本願の明細書の従来技術においても示されているように、従来から周知の技術事項であり、また、刊行物発明にあるようなＨＴＯ膜が、段差被覆性の優れた、より均一な膜厚で形成可能な膜であることも従来から知られている技術事項にすぎないから、請求人の（ハ）についての主張も当業者には予想し得た程度の作用効果にすぎない。　
　よって、請求人が主張するような作用効果は、顕著なものではなく、当業者が予想し得た程度のものにすぎないから、請求人の上記主張は採用しない。
　したがって、補正発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３−３）小むすび
　以上のとおり、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１８年３月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成１７年１１月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　チャネル領域及びソース・ドレイン領域が形成された単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを少なくとも備えてなり、
　前記ゲート絶縁膜が、前記単結晶半導体層の上面および側面に形成された熱酸化膜と、この熱酸化膜上に形成された少なくとも一層の気相合成絶縁膜とを有し、
　前記熱酸化膜は、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されており、
　前記気相合成絶縁膜は、前記熱酸化膜の上面および側面を覆って形成されていることを特徴とするトランジスタ。」
　
４．刊行物記載の発明
　刊行物１には、上記「２．（３）（３−２）（３−２−２）刊行物に記載された発明」の「刊行物１．」に記載されるとおりの事項が記載されている。
　
５．対比・判断
本願発明と刊行物発明とを対比検討する。
（ａ）刊行物発明は、ＴＦＴであって、ソース領域４０１ｂ，４０２ｂ及びドレイン領域４０１ｃ，４０２ｃを備えているから、ソース領域４０１ｂ，４０２ｂとドレイン領域４０１ｃ，４０２ｃの間の半導体層４０１，４０２には、チャネル領域を備えていることは明らかである。
（ｂ）刊行物発明の「単結晶シリコン膜からなる半導体層４０１，４０２」は、本願発明の「単結晶半導体層」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「熱酸化シリコン膜」は、本願発明の「熱酸化膜」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「熱酸化シリコン膜」は、図５からも明らかなように、半導体層４０１，４０２の上面及び側面に形成されていることは明らかである。
（ｅ）刊行物発明の「減圧ＣＶＤ法等により形成された高温酸化シリコン膜」は、減圧ＣＶＤ法が、気相合成により膜を形成する方法であり、「酸化シリコン膜」は絶縁膜であることは自明であるから、本願発明の「気相合成絶縁膜」に相当する。
（ｆ）刊行物発明の「減圧ＣＶＤ法等により形成された高温酸化シリコン膜」は、熱酸化シリコン膜上に形成されているから、熱酸化シリコン膜の上面及び側面を覆って形成されていることは明らかである。
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「チャネル領域及びソース・ドレイン領域が形成された単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを少なくとも備えてなり、
　前記ゲート絶縁膜が、前記単結晶半導体層の上面および側面に形成された熱酸化膜と、この熱酸化膜上に形成された少なくとも一層の気相合成絶縁膜とを有し、
　前記気相合成絶縁膜は、前記熱酸化膜の上面および側面を覆って形成されていることを特徴とするトランジスタ。」である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点３
　本願発明は、熱酸化膜は、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されているのに対して、刊行物発明は、熱酸化シリコン膜の構造について明らかでない点。
　
　以下、上記相違点３について検討する。
　島状に形成された半導体層の表面を熱酸化すると、熱酸化膜の構造として、半導体層の側面における上端部および下端部が半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されるものであることは、従来から知られている技術事項であるから、刊行物発明においても、熱酸化シリコン膜を形成した結果、必然的に、単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されるものである。したがって、相違点３については、実質的なものではない。
　仮に、相違点３が実質的なものであったとしても、上記「２．（３）（３−２）（３−２−３）相違点２について」で検討したとおり、熱酸化シリコン膜の膜厚を５〜２０ｎｍとすることは当業者が容易になし得たものであり、その結果として得られる熱酸化シリコン膜は、必然的に、単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されるから、刊行物発明において、本願発明の如く「熱酸化膜は、前記単結晶半導体層の側面における上端部および下端部が該単結晶半導体層の上面および側面における中央部より薄く形成されている」とすることは当業者が容易になし得たものである。
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないし、仮に相違点３が実質的なものであったとしても、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。