【事件の表示】
　特願２００２−２７８０８８「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月１５日出願公開、特開２００４−１１９５１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年９月２４日の出願であって、平成１７年８月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。　
　
第２　本願発明について
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成１７年３月９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものであり、このうち、請求項７に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項７】　半導体基板を準備する工程と、
　前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最小値より大きな共有結合半径を有する第１の不純物を前記半導体基板の半導体層にドープする工程と、
　前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする工程
　とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第３　引用刊行物等及び該引用刊行物等記載の発明
　１　刊行物１．特開２００２−７６３３２号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１（特開２００２−７６３３２号公報）には、図１、図４〜図６とともに、
「絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】  第一導電型である半導体基板の主表面領域の一部に、上記半導体基板の表面で最大濃度となるごとく構成され、且つ深い接合と浅い接合によって区画される第二導電型を有する高濃度不純物領域が形成するＰＮ接合を有し、且つ前記半導体基板の内部で最大濃度を有し、且つ第二導電型を有する前記浅い接合領域を構成する第一の不純物による高濃度領域内部に分布し、前記第一の不純物による高濃度領域の最大不純物濃度よりも低い最大濃度を有する第二の不純物領域を有してなることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ。
【請求項２】  前記浅い接合領域を構成する第一の不純物領域の最大濃度は１ｘ１０20ｃｍ-3以上、第二の不純物領域の最大不純物濃度は５ｘ１０19ｃｍ-3以下である事を特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ。」、
「【請求項１０】  ゲート電極を形成する工程、ゲート電極端を導入境界として、第二導電型の第一の不純物を半導体基板主表面で最大不純物濃度になる如く導入する工程、半導体基板内の上記第一の不純物導入領域内で最大不純物濃度となる如く、第二導電型よりなる第二の不純物領域を導入する工程、を含むことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果型トランジスタの製造方法。」、
「【００３０】即ち、２．５ｎｍの表面保護酸化膜が形成された面方位（１００）のＳｉ単結晶基板表面に加速エネルギー５ｋｅＶ、注入量２ｘ１０15/ｃｍ2なる条件でＡｓがイオン注入された試料に、重ねてＩｎをイオン注入し、注入イオンの活性化熱処理を１０００℃、１０秒なる短時間高温熱処理を施した。尚、前記Ｉｎイオンの注入に際しては、イオンの加速エネルギー２００ｋｅＶ、注入量をパラメータとして１ｘ１０12/ｃｍ2から１ｘ１０15/ｃｍ2なる条件で変化させた。そして、イオンの活性化熱処理の前後における上記各試料のＡｓ及びＩｎの深さ方向不純物分布を二次イオン質量分析法により測定した。」、
「【００３５】Ｉｎの他の不純物との相互作用を調べた結果を図４に示す。図は１０００℃、１０秒なる活性化熱処理前後における、ＩｎによるＢの増速拡散結果を示す図である。この場合、Ｂの導入は、加速エネルギー３ｋｅＶ、注入量１ｘ１０15/ｃｍ2なるＢＦ2のイオン注入条件、一方、Ｉｎのイオン注入条件は、加速エネルギー３５ｋｅＶ、注入量１ｘ１０13/ｃｍ2であった。Ｉｎは基板表面から約２２ｎｍの深さで最大濃度６ｘ１０18/ｃｍ3であり、Ｂは１０20/ｃｍ3以上の高濃度均一分布状態で表面から２５ｎｍ程度の深さまで分布し、そこから急峻な濃度勾配で減少する分布形状が得られた。」、
「【００４２】実施例１
図１は本発明の第一の実施例によるＭＯＳの完成断面図、図５、及び図６はその製造工程順を示す装置の断面図である。
【００４３】面方位（１００）、Ｎ導電型、直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板１に、活性領域を画定する素子間分離絶縁領域（図示せず）の形成する。」、
「【００４５】ゲート電極３形成後、この状態よりＢＦ2イオンを、加速エネルギー３ｋｅＶ、注入量１ｘ１０15/ｃｍ2の条件で垂直方向からイオン注入し、浅いソース拡散層４、及び浅いドレイン拡散層５とした。続いて、Ｉｎイオンを加速エネルギー１０ｋｅＶ、注入量２ｘ１０12/ｃｍ2の条件で実施し、不純物吸引領域６とした。
【００４６】上記条件によるＩｎの最大不純物濃度は、Ｓｉ基板表面から約１０ｎｍの深さに位置し、２ｘ１０19/ｃｍ3であり、且つＢの最大不純物濃度は、Ｓｉ基板表面において４ｘ１０20/ｃｍ3から５ｘ１０20/ｃｍ3程度であった。その確認は、別途同仕様で作成した試料を二次イオン質量分析法測定によりなされた。上記最大濃度深さは、上記浅いソース拡散層４、及び浅いドレイン拡散層５の内部に位置する。
【００４７】不純物吸引領域６の形成の後、９５０℃、５秒の条件で熱処理を施し、注入不純物の活性化を実施した。なお、上記熱処理はＩｎ注入前に施しても差し支えない。この状態を図５の断面図に示す。」、
「【００５５】本実施例において、Ｉｎの注入量をパラメータとして種々の条件で試作したが、注入量が５ｘ１０19/ｃｍ3以上では重イオン注入に基づく結晶欠陥が発生する。上記結晶欠陥は高濃度拡散層内部に局在し、直接、電気的悪影響を及ぼすとは言えない。しかし、結晶欠陥の発生は好ましいとは言い難く、注入量は５ｘ１０19/ｃｍ3が望ましい。また、その注入量の下限は、５ｘ１０17/ｃｍ3以上が望ましい。それは、注入量が５ｘ１０17/ｃｍ3以上で本実施例の効果が十分顕著に観測されるためである。尚、ソース・ドレインの浅接合の拡散層の低抵抗化の観点では、最大不純物濃度は１ｘ１０20/ｃｍ3以上であることが好ましい。」、
「【００５７】前記実施例１に於いて、浅いソース拡散層４、及び浅いドレイン拡散層５を形成するイオン注入工程と不純物吸引領域６を形成するイオン注入工程の順を逆にした以外は、実施例１と同様の仕様で、図５に示される状態まで製造工程を進めた。」、
「【００６０】本実施例、及び前記実施例１に於て、５Ｐ導電型の浅いソース拡散層４、及び浅いドレイン拡散層、及び高濃度拡散層９及び１０を形成するイオン種として、ＢＦ2の例について例示したが、Ｂ等の他のイオン種であっても何ら差し支えない。更にＮ導電型パンチスルー防止拡散層７の形成もＰの代わりにＡｓ、Ｓｂ等他のＮ導電型不純物に依っても何ら問題ない。」、
が、記載されている。
　また、図４を参照すると、【００３０】段落に記載の「Ａｓがイオン注入された試料に、重ねてＩｎをイオン注入」するのと同様に、ＢＦ2イオンをイオン注入した領域と、Ｉｎイオンをイオン注入した領域とは、重ねてイオン注入されていることが、示されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「面方位（１００）、Ｎ導電型、直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板内に、５ｘ１０17/ｃｍ3以上５ｘ１０19/ｃｍ3以下である最大不純物濃度となる如く、Ｉｎからなる第１の不純物を導入する工程と、Ｂからなる第２の不純物を前記半導体基板主表面で１ｘ１０20/ｃｍ3以上の最大不純物濃度になる如く、前記Ｉｎからなる第１の不純物を導入した領域と重ねて導入する工程とを含むことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果型トランジスタの製造方法。」
　
　２　刊行物等２．特願２００１−１７６４７８号（特開２００２−３６８２１２号公報参照）　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願の日前の平成１３年６月１２日の出願である他の出願であって、本願の出願後に出願公開された特願２００１−１７６４７８号（特開２００２−３６８２１２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書２」という。）には、図１、図４〜図６とともに、
「絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】第１の導電型を有する半導体基板の主表面から、第１の不純物を上記半導体基板内部で最大不純物濃度になる如く注入する工程と、第１の導電型を有する第２の不純物を最大不純物濃度となる深さが上記第１の不純物の最大不純物濃度深さと一致する如く注入する工程とを有することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２】前記第１の不純物の注入工程と上記第２の不純物の注入工程との順序が逆であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法。」、
「本発明の基本概念は、Ｓｉ単結晶基板にイオン注入したＰ導電型であるＩｎの拡散現象を調べる過程で、予め導入されたＢ及びＰ，Ａｓ等の不純物拡散層が低濃度のＩｎの導入により大きく変動する現象を見出した事実に基づく。即ち、２．５ｎｍの表面保護酸化膜が形成された面方位（１００）のＳｉ単結晶基板表面に加速エネルギー２０ｋｅＶ，注入量３×１０１３／ｃｍ２なる条件でＢがイオン注入された試料に、重ねて加速エネルギー２０ｋｅＶ，注入量５×１０１１／ｃｍ２なる条件でＩｎをイオン注入し、注入イオンの活性化熱処理を１０００℃，１０秒なる短時間高温熱処理を施した。活性化熱処理前後における上記各試料のＢ及びＩｎの深さ方向不純物分布を二次イオン質量分析法により測定したところ、活性化熱処理前におけるＢの最大不純物濃度はＳｉ基板表面から約１００ｎｍ深さで４×１０１８／ｃｍ３、ＩｎはＳｉ基板表面から約１５ｎｍの深さで２×１０１８／ｃｍ３の最大不純物濃度であった。一方、活性化熱処理後の不純物分布は極めて特異な分布を示した。即ち、Ｂの深さ方向分布において、最大不純物濃度深さが移動し、約１８ｎｍとなり、最大濃度も５×１０１８／ｃｍ３へと増加すると共に熱処理前の分布よりも急峻な分布に変化していた。Ｂの表面濃度に関しても熱処理前の値１×１０１７／ｃｍ３から増加することなく、むしろ低下傾向に観測された。一方、Ｉｎを同時に注入せず、Ｂだけを注入した試料においては最大不純物濃度深さは約１００ｎｍ深さで２×１０１８／ｃｍ３に低下し、且つ分布も拡がり、表面濃度は約１×１０１８／ｃｍ３にまで増加していた。上記実験結果はＩｎの重ね注入により熱処理後のＢの不純物分布はＢの注入直後の分布に比べてもより急峻な分布が得られることを示している。上記結果はＩｎが他の不純物原子を吸引すると仮定すれば説明ができる。」（【０００４】段落、第４頁第６欄第２５行〜第５頁第７欄第６行）、
「本発明においては新たに見出した上記現象を微細ＭＯＳＦＥＴのチャネル領域の不純物分布改善に利用する。ゲート長１００ｎｍのＮＭＯＳの場合を例にとると、チャネル領域の不純物濃度分布としてＢのイオン注入を最大不純物濃度深さが表面から５０ｎｍ程度、最大不純物濃度を２×１０１８／ｃｍ３程度に設定し実施した後、基板表面から約１５ｎｍの深さで最大不純物濃度１×１０１８／ｃｍ３程度となるごとくＩｎを重ね合わせて注入しその後の短時間高温アニールにより導入不純物の活性化と不純物の再分布を実行する。再分布の結果、Ｂの最大不純物濃度深さは２０ｎｍ以下に移動し、且つ最大不純物濃度は３×１０１８／ｃｍ３程度、表面不純物濃度も１×１０１７／ｃｍ３程度以下に低下し、スーパーリトログレードウエルが形成される。」（【０００４】段落、第５頁第７欄第１３〜２７行）、
「なお、上記イオン注入において、ＢとＩｎ，ＡｓとＩｎのイオン注入順は反対でも結果は同様であった。」（【０００４】段落、第５頁第７欄第４６〜４８行）、
「＜実施例１＞図１は本発明の第１の実施例によるＭＯＳＦＥＴの完成断面図、図５及び図６はその製造工程順を示す断面図であり、図４はチャネル領域における半導体基板表面からの不純物深さ方向分布を示す図である。面方位（１００），Ｐ導電型，直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板１に、活性領域を画定する素子間分離絶縁領域（図示せず）を形成し、基板濃度調整用Ｐ導電型ウエルイオン注入とその引き延ばし熱処理を公知の手法により施した後、半導体基板１表面に形成されているＳｉ酸化膜を選択除去し、再び２ｎｍ厚のＳｉ酸化膜（図示せず）を堆積した。上記Ｓｉ酸化膜をイオン注入工程における表面保護膜とし、加速エネルギ２０ｋｅＶ，注入量３×１０１３／ｃｍ２なる条件でＢを注入してＢ注入層２１の形成と、最大不純物濃度１×１０１８／ｃｍ３程度となるごとく加速エネルギ２０ｋｅＶでＩｎを続けてイオン注入したＩｎ注入層２を形成した。」（【０００５】段落、第６頁第９欄第９〜２４行）、
「上記の重ね合わせイオン注入の後、９５０℃，１０秒なる条件の短時間高温熱処理を施した。昇温レートは１００℃／秒とした。上記熱処理の後、同様の処理を施した別途準備の試料によりＢの深さ方向分布を二次イオン質量分析法により測定したところ、最大不純物濃度深さが移動し、約１８ｎｍとなり、最大濃度も５×１０１８／ｃｍ３へと増加すると共に熱処理前の分布よりも急峻な分布に変化していた。Ｂの表面濃度に関しても熱処理前の値１×１０１７／ｃｍ３から増加することなく、むしろ低下傾向に観測された。上記の不純物分布はＩｎを重ね注入しないＢ単独のイオン注入試料への同様な熱処理における不純物再分布特性は最大不純物濃度深さが表面より約１００ｎｍ深さで最大不純物濃度が２×１０１８／ｃｍ３に低下し、且つ分布も拡がり、表面濃度は約１×１０１８／ｃｍ３にまで増加していた。上記結果はＩｎの重ね注入により熱処理後のＢの不純物分布はＢの注入直後の分布に比べてもより急峻な分布が得られることを示している。上記結果はＩｎが他の不純物原子を吸引すると仮定すれば説明ができる。」（【０００５】段落、第６頁第９欄第３４行〜同頁第１０欄第３行）、
「本実施例において、Ｉｎの注入量をパラメータとして種々の条件で試作したが、注入量が５×１０１９／ｃｍ３以上では重イオン注入に基づく結晶欠陥が発生する。結晶欠陥の発生は好ましいとは言い難く、注入量は１×１０１９／ｃｍ３以下であることが望ましい。注入量の下限に関しては５×１０１７／ｃｍ３以上であれば本実施例の効果が観測されるため、５×１０１７／ｃｍ３以上が望ましい。」（【０００５】段落、第７頁第１１欄第３３〜４０行）、
が、記載されている。
　
　以上の記載から、先願明細書２には、以下の発明が記載されている。
「面方位（１００），Ｐ導電型，直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板の主表面から、Ｉｎからなる第１の不純物を前記半導体基板内部で５×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１９／ｃｍ３以下の最大不純物濃度となる如く注入する工程と、Ｂからなる第２の不純物を２×１０１８／ｃｍ３程度の最大不純物濃度となる深さが前記Ｉｎからなる第１の不純物の最大不純物濃度深さと一致する如く注入する工程とを有することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法。」
　
第４　対比・判断
　　本願の請求項７に係る発明について
　１　特許法第２９条第１項第３号について
　（１）対比
　本願の請求項７に係る発明（以下、「本願発明７」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「面方位（１００）、Ｎ導電型、直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板」、「Ｓｉ」、「導入する工程」は、それぞれ、本願発明７の「半導体基板」、「半導体基板の半導体構成原子」、「ドープする工程」に相当する。
（ｂ）本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明、【００３１】段落の「共有結合半径を見てみると、Ｓｉが０．１１７ｎｍに対して、Ｉｎ、Ｂ、及びＣは、それぞれ、０．１４４、０．０８８、及び０．０７７ｎｍであ」るという記載を参照すると、刊行物１発明の「Ｓｉ」の共有結合半径よりも、刊行物１発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の共有結合半径は、大きいので、刊行物１発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」は、本願発明７の「前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最小値より大きな共有結合半径を有する第１の不純物」に相当し、また、刊行物１発明の「Ｓｉ」の共有結合半径よりも、刊行物１発明の「Ｂからなる第２の不純物」の共有結合半径は、小さいので、刊行物１発明の「Ｂからなる第２の不純物」は、本願発明７の「前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明は、「面方位（１００）、Ｎ導電型、直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板内に」「不純物を導入する工程」を有するのであるから、その前の工程として、「面方位（１００）、Ｎ導電型、直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板」を準備する工程を有することは、明らかである。
（ｄ）刊行物１発明は、「絶縁ゲート型電界効果型トランジスタの製造方法」であるが、「絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ」は、半導体装置であるので、刊行物１発明の「絶縁ゲート型電界効果型トランジスタの製造方法」は、本願発明７の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　したがって、本願発明７と刊行物１発明とは、
「半導体基板を準備する工程と、
　前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最小値より大きな共有結合半径を有する第１の不純物を前記半導体基板の半導体層にドープする工程と、
　前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物をドープする工程
　とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で一応相違している。
　本願発明７は、「前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物を」「ドープする」にあたり、「第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする」との構成を備えているのに対して、刊行物１発明は、「Ｂからなる第２の不純物を前記半導体基板主表面で１ｘ１０20/ｃｍ3以上の最大不純物濃度になる如く、前記Ｉｎからなる第１の不純物を導入した領域と重ねて導入する工程」を備えるものの、「Ｂからなる第２の不純物」を「前記Ｉｎからなる第１の不純物」の最隣接置換位置にドープする、との構成を備えているかどうか不明である点（以下、「相違点１」という。）。
　
　（２）当審の判断（その１）
　そこで、上記相違点１について検討する。
　刊行物１発明は、「面方位（１００）、Ｎ導電型、直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板内に、５ｘ１０17/ｃｍ3以上５ｘ１０19/ｃｍ3以下である最大不純物濃度となる如く、Ｉｎからなる第１の不純物を導入する工程と、Ｂからなる第２の不純物を前記半導体基板主表面で１ｘ１０20/ｃｍ3以上の最大不純物濃度になる如く、前記Ｉｎからなる第１の不純物を導入した領域と重ねて導入する工程」を備える。
　これに対して、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明、【００３６】段落には、「半導体基板１０中に、図７に示すように、Ｉｎ及びＢのピーク濃度が一致するようにイオン注入している。Ｉｎの固溶限は８００〜１１００℃では、１．５×１０１８ｃｍ−３であるが、Ｂとの相互作用によりイオン注入されたＢのピーク濃度である約６×１０１８ｃｍ−３の活性濃度が実現できる。」と記載されており、Ｉｎのピーク濃度は、約６×１０１８ｃｍ−３であり、Ｂのピーク濃度も、約６×１０１８ｃｍ−３であることが、示されている。
　すると、刊行物１発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の「５ｘ１０17/ｃｍ3以上５ｘ１０19/ｃｍ3以下である最大不純物濃度」と、本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明、【００３６】段落に示される、Ｉｎのピーク濃度が約６×１０１８ｃｍ−３であることとは、ピーク濃度の数値に重なる範囲のあることが、理解できる。
　そして、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、本願発明７の「第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする」との構成についての、Ｉｎ及びＢをドープする方法としては、その他に、【００４２】段落の「半導体基板２０に、Ｉｎ及びＢを、各々の不純物ピーク濃度が約１×１０１９ｃｍ−３、ピーク深さ約３０ｎｍとなるように順次イオン注入する。その後、熱処理工程により、図８（ｄ）に示すように、エクステンション拡散層４２が形成される。」という記載、【００４４】段落の「ゲート電極及び側壁絶縁膜３８をマスクとして、Ｉｎ及びＢのイオン注入を行い、熱処理工程を経て、図８（Ｆ）に示すように、ソース・ドレイン拡散層４４を形成する。Ｉｎ及びＢはピーク濃度約１×１０２０ｃｍ−３、ピーク深さ約１００ｎｍとなるように順次イオン注入する。」という記載があるが、刊行物１発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の「５ｘ１０17/ｃｍ3以上５ｘ１０19/ｃｍ3以下である最大不純物濃度」と、上記の【００４２】段落に記載の「Ｉｎ」の「不純物ピーク濃度が約１×１０１９ｃｍ−３」であることとは、ピーク濃度の数値に重なる範囲のあることが、理解できる。
　しかも、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、本願発明７の「第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする」との構成についての、Ｉｎ及びＢをドープする方法としての説明は、上記した以外には、ほとんど記載されていない。
　すると、刊行物１発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の「５ｘ１０17/ｃｍ3以上５ｘ１０19/ｃｍ3以下である最大不純物濃度」と、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明に記載の「Ｉｎ」の「不純物ピーク濃度」とは、ピーク濃度の数値に重なる範囲があり、しかも、刊行物１発明の「Ｂからなる第２の不純物」の「１ｘ１０20/ｃｍ3以上の最大不純物濃度」は、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の【００３６】段落と、【００４２】段落に記載された「Ｂのピーク濃度」よりも高いのであるから、刊行物１発明においても、「Ｂからなる第２の不純物を前記半導体基板主表面で１ｘ１０20/ｃｍ3以上の最大不純物濃度になる如く、前記Ｉｎからなる第１の不純物を導入した領域と重ねて導入する」ことにより、全部ではないにしても、ある程度は、「Ｂからなる第２の不純物を」「Ｉｎからなる第１の不純物」の最隣接置換位置にドープしているものと認められる。
　したがって、上記相違点１において、本願発明７と刊行物１発明とは、実質的に相違しているものとは認められない。
　
　よって、本願の請求項７に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
　２　特許法第２９条の２について
　（１）対比
　本願発明７と先願明細書２に記載された発明（以下、「先願明細書２発明」という。）とを対比する。
（ａ）先願明細書２発明の「面方位（１００），Ｐ導電型，直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板」、「Ｓｉ」、「注入する工程」は、それぞれ、本願発明７の「半導体基板」、「半導体基板の半導体構成原子」、「ドープする工程」に相当する。
（ｂ）本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明、【００３１】段落の「共有結合半径を見てみると、Ｓｉが０．１１７ｎｍに対して、Ｉｎ、Ｂ、及びＣは、それぞれ、０．１４４、０．０８８、及び０．０７７ｎｍであ」るという記載を参照すると、先願明細書２発明の「Ｓｉ」の共有結合半径よりも、先願明細書２発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の共有結合半径は、大きいので、先願明細書２発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」は、本願発明７の「前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最小値より大きな共有結合半径を有する第１の不純物」に相当し、また、先願明細書２発明の「Ｓｉ」の共有結合半径よりも、先願明細書２発明の「Ｂからなる第２の不純物」の共有結合半径は、小さいので、先願明細書２発明の「Ｂからなる第２の不純物」は、本願発明７の「前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物」に相当する。
（ｃ）先願明細書２発明は、「面方位（１００），Ｐ導電型，直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板の主表面から、」「不純物を」「注入する工程」を有するのであるから、その前の工程として、「面方位（１００），Ｐ導電型，直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板」を準備する工程を有することは、明らかである。
（ｄ）先願明細書２発明は、「絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法」であるが、「絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」は、半導体装置であるので、先願明細書２発明の「絶縁ゲート型電界効果型トランジスタの製造方法」は、本願発明７の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　したがって、本願発明７と先願明細書２発明とは、
「半導体基板を準備する工程と、
　前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最小値より大きな共有結合半径を有する第１の不純物を前記半導体基板の半導体層にドープする工程と、
　前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物をドープする工程
　とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で一応相違している。
　本願発明７は、「前記半導体基板の半導体構成原子の共有結合半径の最大値より小さな共有結合半径を有する第２の不純物を」「ドープする」にあたり、「第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする」との構成を備えているのに対して、先願明細書２発明は、「Ｂからなる第２の不純物を前記半導体基板主表面で１ｘ１０１８/ｃｍ3程度の最大不純物濃度となる深さが前記Ｉｎからなる第１の不純物の最大不純物濃度深さと一致する如く注入する工程」を備えるものの、「Ｂからなる第２の不純物」を「前記Ｉｎからなる第１の不純物」の最隣接置換位置にドープする、との構成を備えているかどうか不明である点（以下、「相違点２」という。）。
　
　（２）当審の判断（その２）
　そこで、上記相違点２について検討する。
　先願明細書２発明は、「面方位（１００），Ｐ導電型，直径２０ｃｍの単結晶Ｓｉよりなる半導体基板の主表面から、Ｉｎからなる第１の不純物を前記半導体基板内部で５×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１９／ｃｍ３以下の最大不純物濃度となる如く注入する工程と、Ｂからなる第２の不純物を２×１０１８／ｃｍ３程度の最大不純物濃度となる深さが前記Ｉｎからなる第１の不純物の最大不純物濃度深さと一致する如く注入する工程とを有する」。
　これに対して、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明、【００３６】段落には、「半導体基板１０中に、図７に示すように、Ｉｎ及びＢのピーク濃度が一致するようにイオン注入している。Ｉｎの固溶限は８００〜１１００℃では、１．５×１０１８ｃｍ−３であるが、Ｂとの相互作用によりイオン注入されたＢのピーク濃度である約６×１０１８ｃｍ−３の活性濃度が実現できる。」と記載されており、Ｉｎのピーク濃度は、約６×１０１８ｃｍ−３であり、Ｂのピーク濃度も、約６×１０１８ｃｍ−３であることが、示されている。
　すると、先願明細書２発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の「５×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１９／ｃｍ３以下の最大不純物濃度」と、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明、【００３６】段落に示される、Ｉｎのピーク濃度が約６×１０１８ｃｍ−３であることとは、ピーク濃度の数値に重なる範囲のあることが、理解できる。
　そして、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、本願発明７の「第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする」との構成についての、Ｉｎ及びＢをドープする方法としては、その他に、【００４２】段落の「半導体基板２０に、Ｉｎ及びＢを、各々の不純物ピーク濃度が約１×１０１９ｃｍ−３、ピーク深さ約３０ｎｍとなるように順次イオン注入する。その後、熱処理工程により、図８（ｄ）に示すように、エクステンション拡散層４２が形成される。」という記載、【００４４】段落の「ゲート電極及び側壁絶縁膜３８をマスクとして、Ｉｎ及びＢのイオン注入を行い、熱処理工程を経て、図８（Ｆ）に示すように、ソース・ドレイン拡散層４４を形成する。Ｉｎ及びＢはピーク濃度約１×１０２０ｃｍ−３、ピーク深さ約１００ｎｍとなるように順次イオン注入する。」という記載があるが、先願明細書２発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の「５×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１９／ｃｍ３以下の最大不純物濃度」と、上記の【００４２】段落に記載の「Ｉｎ」の「不純物ピーク濃度が約１×１０１９ｃｍ−３」であることとは、ピーク濃度の数値に重なる範囲のあることが、理解できる。
　しかも、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、本願発明７の「第２の不純物を前記第１の不純物の最隣接置換位置にドープする」との構成についての、Ｉｎ及びＢをドープする方法としての説明は、上記した以外には、ほとんど記載されていない。
　すると、先願明細書２発明の「Ｉｎからなる第１の不純物」の「５×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１９／ｃｍ３以下の最大不純物濃度」と、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明に記載の「Ｉｎ」の「不純物ピーク濃度」とは、ピーク濃度の数値に重なる範囲があり、また、先願明細書２発明の「Ｂからなる第２の不純物」の「２×１０１８／ｃｍ３程度の最大不純物濃度」は、本願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の【００３６】段落と、【００４２】段落に記載された「Ｂのピーク濃度」よりも多少は低いものの、先願明細書２発明においても、「Ｂからなる第２の不純物を２×１０１８／ｃｍ３程度の最大不純物濃度となる深さが前記Ｉｎからなる第１の不純物の最大不純物濃度深さと一致する如く注入する」ことにより、全部ではないにしても、ある程度は、「Ｂからなる第２の不純物を」「Ｉｎからなる第１の不純物」の最隣接置換位置にドープしているものと認められる。
　したがって、上記相違点２において、本願発明７と先願明細書２発明とは、実質的に相違しているものとは認められない。
　
　よって、本願の請求項７に係る発明は、上記先願明細書２発明と同一であり、しかも、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一ではなく、かつ、その発明者が先願の発明者と同一でもないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　　　
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項７に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができず、また、同法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものでもあるので、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。