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　特願２００１−５０５０５８「軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月２８日国際公開、ＷＯ００／７９５８９、平成１５年　１月２１日国内公表、特表２００３−５０２８６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２０００年４月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年６月１７日、ドイツ）を国際出願日とする出願であり、平成１７年７月１９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１０月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月２４日付の手続補正書により、特許請求の範囲は特許法第１７条の２第４項第１号に規定する請求項の削除することを目的として請求項１〜５となったものである。
　そして、本願の請求項１〜５に係る発明は、同年１１月２４日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有する電子部品であって、
　第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
　この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されているものにおいて、
　バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、上記第１表面（２）と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有し、
　バンプ（３）の表面上で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターン（８）が配置されていることを特徴とする電子部品。
 【請求項２】電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有する電子部品であって、
　第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
　この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されているものにおいて、
　バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、上記第１表面（２）と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有し、
　バンプ（３）の内部で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターンが配置されていることを特徴とする電子部品。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張日前に頒布された特開平５−２５１４５５号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平１−１８７９４８号公報（以下、「刊行物２」という。）には次の事項が記載されている。
（１）刊行物１（特開平５−２５１４５５号公報）の摘記事項
（１ａ）「【請求項１】 素子領域および配線の形成された半導体基板表面に突出するように形成された絶縁性の突起部と、
前記突起部を覆うと共に前記配線に電気的に接続されたバンプとしての金属膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】 前記金属膜は、前記基板表面を覆う保護膜に形成されたスルーホールを介して前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」
　
（１ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特に半導体集積回路チップ上へのバンプの形成に関する。」
　
（１ｃ）「【００１６】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明実施例の半導体装置を示す図である。
　【００１７】この半導体装置は、シリコン基板１１上に絶縁膜としての酸化シリコン膜１２を介してＡｌ配線層１３を形成した後、保護膜としての酸化シリコン膜１４を形成し、これにスルーホールＨを開口し、さらにポリイミド膜からなる突起１５を形成し、この突起１５の上層からスルーホールＨにかけてバリア層１７と銅層１８と金層１９との３層構造の導体膜を形成し、Ａｌ配線層１３との電気的接続を行うことにより、この突起１５上を覆う３層構造の導体膜をバンプとして用いるようにしたことを特徴とするものである。
　【００１８】すなわち、この構造ではバンプとなる突起１５の下地は、シリコン基板１１上に形成された酸化シリコン膜１２と保護膜としての酸化シリコン膜１４とであり、３層膜のパターンはこの突起１５を覆うとともにスルーホールＨ内に露呈するＡｌ配線層１３上を覆うように形成されている。」　
　
（１ｄ）「【００１９】次にこの半導体装置の製造方法について説明する。
　【００２０】まず、所望の素子領域の形成されたシリコン基板１１上に絶縁膜としての酸化シリコン膜１２を形成しさらにスパッタリング法によりＡｌ薄膜を形成しフォトリソグラフィを用いてこれをパターニングしＡｌ配線層１３を形成する。
　【００２１】さらに、図２（ａ）に示すようにＣＶＤ法により保護膜としての酸化シリコン膜１４を形成し、フォトリソグラフィによりスルーホールＨを開口する。
　【００２２】この後、図２（ｂ）に示すように、ポリイミド膜をスピンコート法によって膜厚６μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィによってレジストマスクを形成し、ヒドラジンによってレジストマスクから露呈する領域を選択的に除去し、ポリイミド膜からなる突起１５を形成する。
　【００２３】そしてさらに、膜厚０．５μｍのチタン薄膜１７と膜厚０．５μｍの銅薄膜１８と膜厚１μｍの金薄膜１９をスパッタリング法により堆積し、フォトリソグラフィによりこれら３層膜をパターニングし、この突起１５の上層からスルーホールＨにかけてバリア層１７と銅層１８と金層１９との３層構造の導体膜を形成し、Ａｌ配線層１３との電気的接続を行い、図１（ａ）および（ｂ）に示した半導体装置が完成する。
　【００２４】このようにして、この突起１５上を覆う３層構造の導体膜によって形成されたバンプをもつバンプ付き半導体装置が得られる。
　【００２５】このバンプをリードフレームあるいはフィルムキャリアの所定のインナーリードに直接ボンディングを行うことにより、電気的接続を行い、樹脂封止をおこなって実装がなされる。」
　
（１ｅ）「【００２８】なお、前記実施例で突起の形成にポイリイミドを用いたのは、均一な膜厚を得ることができること、および下地との密着性が良好であること、３００℃以上の耐熱性を有し、後続の導体膜の形成時における熱に耐え得るという点である。・・・」
　
（１ｆ）図１は、本発明実施例の半導体装置を示す図であり、図１（ａ）には、その断面図として、１５（突起（ポリイミド膜））が台形であること、図１（ｂ）は、その平面図として、１５（突起（ポリイミド膜））が破線で四角形として示されている。
　
（２）刊行物２（特開平１−１８７９４８号公報）の摘記事項
（２ａ）「半導体チップの一主面に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に設けられた障壁金属層と、前記障壁金属層の上に設けられた柱状電極層と、前記柱状電極層の側面を被覆する耐熱性樹脂被覆層と、前記柱状電極層の上に設けられたはんだバンプとを含むことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
（２ｂ）「第５図（ａ）、（ｂ）は半導体チップを回路基板に接続した状態を示す平面図及び側面図である。
　まず、半導体チップ１のはんだバンプ８に対応した位置にはんだバンプが設けられている回路基板９に、半導体チップ１のはんだバンプ８を回路基板９のはんだバンプと互いに突合せて位置決めし、半導体チップ１を回路基板９に搭載する。
　次に、はんだバンプを再溶融して接続体１０を形成することにより、半導体チップ１を回路基板９に接続する。
　・・・
　上述した従来のフリップチップ方式の組立法では、半導体チップ１と回路基板９との間に熱膨張係数差があるため、半導体チップの発熱や環境温度変化により、接続体１０に繰返しせん断応力が発生し、最終的には疲労破壊するという問題がある。
　この疲労破壊に至らしめるせん断応力は、弾性限界内であれば、せん断歪みに比例するので、せん断歪みが大きい程、疲労破壊しやすいことになる。
　・・・
　すなわち、半導体チップ１が大きくなるとせん断歪みが大きく、接続体１０が高いと小さくなる。」（２頁左上欄１０行〜左下欄１行）
　
（２ｃ）「第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導体チップの断面図である。
　まず、第１図（ａ）に示すように、能動領域が形成されている半導体チップ１の表面に絶縁膜２を設け、電極を引出す部分に窓をあける。その窓にアルミニウムの電極パッド３を形成する。
　次に、電極パッド３を含めた半導体チップ１の全表面に、電極パッド３との密着性が良く、各金属相互間の拡散による劣化を起さないような金属をスパッタリング法または金属蒸着法により、障壁金属層４を形成する。・・・
　次に、第１図（ｂ）に示すように、ポリイミド層５ａを障壁金属層４の全面に・・・塗布し、硬化する。
　次に、第１図（ｃ）に示すように、電極パッド３の上にあるポリイミド層５ａの領域を、・・・反応性イオンエッチング法により選択除去し、開口６を形成する。
　次に、第１図（ｄ）に示すように、ニッケルまたは銅のようにはんだとのぬれ性の良い金属を電解めっき法により開口６を埋めて柱状電極層７を形成する。
　次に、電解めっき法またはディップ法によりはんだバンプ８を柱状電極層７の上に傘形になるように形成する。・・・
　次に、第１図（ｅ）に示すように、傘形に形成されたはんだバンプ８をマスクにしてドライエッチング法により、はんだバンプ８以外の領域のポリイミド層５ａを除去して、柱状電極層７の側面にあるポリイミド層５ｂを残す。
　次に、第１図（ｆ）に示すように、はんだバンプ８の下に位置する領域以外の部分の障壁金属層４をウェットエッチング法で除去する。」（２頁右下欄１８行〜３頁右上欄１９行）
　
（２ｄ）「第２図は本発明の第２の実施例の半導体チップの断面図である。
　第１図（ｆ）に示す半導体チップ１までは、第１の実施例と同じように形成する。
　次に、半導体チップ１を不活性雰囲気中ではんだバンプ８を再溶融して球状に整形する。
　このように、電解めっき法により柱状電極層７を形成するときに、ポリイミド層５ｂがあるため、めっき層は横の拡がりを抑えられて高く形成出来るので、従来の例に比べて、絶縁膜２からはんだバンプ８の最上部までの高さをより高くすることが出来る。また、ポリイミド層５ｂで被覆された柱状電極層７の上にはんだバンプ８を形成するので、はんだが柱状電極層７の側面に廻り込むことなくばらつきの少ない高さのはんだバンプ８が得られる。
　更に、フリップチップ法で半導体チップ１を回路基板９に接続したときに、はんだバンプ８が再溶融しても、柱状電極層７が従来より高く形成されているので、従来の例に比べ、接続体１０の高さ、すなわちＨは、柱状電極層７の高さだけ高く形成されることになる。また耐熱性のあるポリイミド層５ｂが柱状電極層７の側面にあることにより、溶融したはんだが柱状電極層７の側面に廻り込むことがなくなり、高さのばらつきをなくすことがる。」（３頁右上欄末行〜右下欄５行）  
　
（２ｅ）「〔発明の効果〕以上説明したように、本発明は、はんだバンプと半導体チップの電極パッドとのの間に、耐熱性樹脂で被覆された柱状電極層を設けることによって、はんだバンプの高さを高くし、且つ高さのばらつきを抑制して、接続体のせん断歪みを小さくさせ、従来より接続寿命の長い半導体装置が得られるという効果がある。」（３頁右下欄６〜１３行）
　
３．当審の判断
３−１．本願発明１について
３−１−１．刊行物１記載の発明
［Ａ］上記刊行物１の摘記（１ａ）には、素子領域および配線の形成された半導体基板表面に突出するように形成された絶縁性の突起部と、前記突起部を覆うと共に前記配線に電気的に接続されたバンプとしての金属膜とを具備し、前記金属膜は、前記基板表面を覆う保護膜に形成されたスルーホールを介して前記配線に電気的に接続されている半導体装置が記載されている。
［Ｂ］摘記（１ｃ）【００１７】には、シリコン基板上に酸化シリコン膜を介してＡｌ配線層を形成した後、保護膜としての酸化シリコン膜を形成し、これにスルーホールを開口し、さらにポリイミド膜からなる突起を形成し、この突起の上層からスルーホールにかけて導体膜を形成し、Ａｌ配線層との電気的接続を行うことにより、この突起上を覆う導体膜をバンプとして用いることが記載されているから、上記［Ａ］での「絶縁性の突起部」は、ポリイミド膜からなる突起部であるといえる。
［Ｃ］摘記（１ｄ）【００２５】には、このバンプをリードフレームあるいはフィルムキャリアの所定のインナーリードに直接ボンディングを行うことにより、電気的接続を行い、樹脂封止をおこなって実装されることが記載されている。
　
　そこで、上記の整理を踏まえ、摘記（１ａ）〜（１ｆ）をまとめると、
刊行物１には、「素子領域および配線の形成された半導体基板表面に突出するように形成された絶縁性のポリイミド膜からなる突起部と、前記突起部を覆うと共に前記配線に電気的に接続されたバンプとしての金属膜とを具備し、前記金属膜は、前記基板表面を覆う保護膜に形成されたスルーホールを介して前記配線に電気的に接続されている半導体装置」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−１−２．刊行物１発明との対比・判断
　そこで、本願発明１と上記刊行物１発明とを対比する。
［Ｄ］刊行物１の摘記（１ｃ）【００１７】には、上記のとおり、シリコン基板上に酸化シリコン膜を介してＡｌ配線層を形成した後、保護膜としての酸化シリコン膜を形成し、と記載されているから、刊行物１発明の「素子領域および配線の形成された半導体基板表面」には、電子回路が配置されているといえ、該半導体基板「表面」は、本願発明１の「第１の表面」に相当している。
［Ｅ］刊行物１発明の「突起部を覆う・・・金属膜」は、配線に電気的に接続されたバンプとしての金属膜としているから、半導体基板表面に配置されている電子回路を、実装基板等にボンディングするためのものであることは自明なことであって、本願発明１の「電気接点」に相当している。
［Ｆ］刊行物１発明では、「前記金属膜は、前記基板表面を覆う保護膜に形成されたスルーホールを介して前記配線に電気的に接続されている」としているから、「突起部を覆う・・・金属膜」と半導体基板表面に配置されている電子回路との間に回路パターンが配置されていることも明らかである。
［Ｇ］そして、刊行物１発明の「半導体装置」、及び「突起部」は、本願発明１の「電子部品」、及び「バンプ」に相当している。
　
　そうすると、両者は、「電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面に電子回路と電気接点とを有する電子部品であって、第１表面上に、少なくとも１つのバンプが配置されており、この少なくとも１つのバンプ上に、少なくとも１つの電気接点が配置されているものにおいて、バンプの表面上で、少なくとも１つの電気接点と電子回路との間に回路パターンが配置されている電子部品」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点ａ：バンプが、本願発明１では、「熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、第１表面と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有し」ているのに対し、刊行物１発明では、絶縁性のポリイミド膜からなるとしているものの、そのような特性を有する材料からなることと、そのような幾何学的造形を有していることとが不明である点。
　
　次に、上記相違点ａについて検討する。
　刊行物１発明の「絶縁性のポリイミド膜からなる突起部」の材料であるポリイミドは、通常、軟性を有していることは次に示すとおり周知の事項である。
　
周知例１：特開平６−８４９１７号公報
（周１ａ）「【請求項１】ウェハー上の半導体素子の電極パッド部上に、パッド部面積より小さい大きさでポジ型又はネガ型の、・・・感光性ポリイミドを用いて角柱又は円柱のクッションバンプを形成し、次にパッド部及びクッションバンプの全面を包み込むように、密着用Ｔｉ薄膜 ・・・を形成し、その上に導電用Ａｕ薄膜・・・を形成することを特徴とする高周波用バンプの形成方法。」  
（周１ｂ）「【００１０】然して高周波用バンプはＴＡＢ用テープとの接続時熱圧力を受けるが、弾性を有する感光性樹脂のクッションバンプが衝撃を吸収するので、ウェハーにクレータリングが発生することがない。また高周波用バンプとガラスエポキシ基板・・・とを接続した際、熱膨張、熱収縮により歪が発生することがあってもクッションバンプがこれを吸収するので疲労破壊することがなく、バンプの寿命が増長する。」
　以上によれば、感光性ポリイミドのクッションバンプにより接続時の熱圧力による衝撃を吸収するとともに、接続時の熱膨張、熱収縮による歪みを吸収するようにしたことが理解できる。
　
周知例２：特開平１１−６７７７６号公報
（周２ａ）「【０００２】【従来の技術】半導体装置に突起電極を設けた従来技術を図６の断面図を用いて説明する。
【０００４】図６に示した従来技術である突起電極６０は、同様に突起電極の芯に絶縁樹脂４０を有するために、実装時の応力緩和効果を狙ったものである。」  
（周２ｂ）「【００２５】図４は図１に示したＡ−Ａ間の断面図で、絶縁樹脂４０は電極２０から保護膜３０とにまたがって設け、金属膜５０が電極２０と絶縁樹脂４０とにまたがって設け、金属膜５０は電極２０電気的に導通する。
　・・・・
【００２９】つぎに図３に示すように、電極２０を含む保護膜３０の表面全面にポリイミドなどの有機高分子膜を５μｍから３０μｍの厚さで形成し、フォトエッチングにより電極２０と保護膜３０にまたがるように形成する。
【００３０】この絶縁樹脂４０は５μｍ以上の厚さで形成すると、絶縁樹脂の頂部が平坦化し、半導体装置１０を分割した後の実装において良好な接続が得られる。」
　以上によれば、突起電極の芯にポリイミドを用いて実装時の応力緩和を狙ったことが理解できる。
　
　そして、上記周知事項を勘案すれば、刊行物１発明の絶縁性のポリイミド膜からなる突起部は、半導体チップとリードフレーム、フィルムキャリアのインナーリードとの間で生じる熱応力、機械的応力が突起部により補足されるような軟性を有しているものと認められる。
　しかも、この突起部は、摘記（１ｆ）によれば、断面図で台形、平面図で四角であるから、四角錐形状の幾何学的造形を有しているといえ、四角錐形状には高さ成分を有する以上、半導体チップの表面と平行な方向において、バネ作用が生じることもまた自明なことである。
　そうすると、刊行物１発明の突起部は、本願発明１のバンプと同様に、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、半導体チップの表面と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有しているものと認められから、上記相違点ａは実質的に差異があるとは認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明である。
　
３−２．本願発明２について
３−２−１．刊行物２記載の発明
［ア］上記刊行物２には、摘記（２ａ）によれば、「半導体チップの一主面に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に設けられた障壁金属層と、前記障壁金属層の上に設けられた柱状電極層と、前記柱状電極層の側面を被覆する耐熱性樹脂被覆層と、前記柱状電極層の上に設けられたはんだバンプとを含む半導体装置」が記載されている。
［イ］摘記（２ｃ）には、傘形に形成されたはんだバンプ８をマスクにしてドライエッチング法により、はんだバンプ８以外の領域のポリイミド層５ａを除去して、柱状電極層７の側面にあるポリイミド層５ｂを残すと記載されているから、上記［ア］の「柱状電極層の側面を被覆する耐熱性樹脂被覆層」は、絶縁材料であるポリイミド層からなっているといえる。
［ウ］そして、上記半導体装置の半導体チップには、通常、電子回路が形成されているものである。
　                    
　そこで、上記整理を踏まえ、摘記（２ａ）〜（２ｅ）をまとめると、刊行物２には、「電子回路が形成されている半導体チップの一主面に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に設けられた障壁金属層と、前記障壁金属層の上に設けられた柱状電極層と、前記柱状電極層の側面を被覆する絶縁材料であるポリイミド層からなる耐熱性樹脂被覆層と、前記柱状電極層の上に設けられたはんだバンプとを含む半導体装置」（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているといえる。
　          
３−２−２．刊行物２発明との対比・判断
　そこで、本願発明２と上記刊行物２発明とを対比する。
［エ］刊行物２発明の柱状電極層の上に設けられた「はんだバンプ」は、半導体チップに形成されている電子回路を、実装基板等にボンディングするためのものであることは自明なことであって、本願発明２の「電気接点」に相当している。
［オ］刊行物２発明での「柱状電極層の側面を被覆するポリイミド層からなる耐熱性樹脂被覆層」は、摘記（２ｃ）によれば、柱状電極層の側面にあるポリイミド層は、はんだバンプをマスクにしてポリイミド層をエッチングすることにより、柱状電極層の側面にあるポリイミド層を残すようにしたものであるから、該耐熱性樹脂被覆層の外形は、内部に柱状電極層が配置された柱状のものであって、該柱状電極層の側面を被覆するポリイミド層からなる耐熱性樹脂被覆層は、本願発明２の「バンプ」を形成しているといえる。
　又「柱状電極層」は、はんだバンプと半導体チップに形成されている電子回路を接続する機能を備えているから、回路パターンといえ、結果として、該柱状電極層の配置は、本願発明２の「バンプの内部で・・・回路パターンが配置されている」に相当している。
［カ］そして、刊行物２発明の「一主面」、「半導体装置」は、本願発明２の「第１表面」、「電子部品」に相当している。
　
　そうすると、両者は、「電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面に電子回路と電気接点とを有する電子部品であって、第１表面上に、少なくとも１つのバンプが配置されており、この少なくとも１つのバンプ上に、少なくとも１つの電気接点が配置されているものにおいて、バンプの内部で、少なくとも１つの電気接点と電子回路との間に回路パターンが配置されている電子部品」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点ｂ：バンプが、本願発明２では、「熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、第１表面と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有し」ているのに対し、刊行物２発明では、柱状電極層の側面を被覆する絶縁材料であるポリイミド層からなる耐熱性樹脂被覆層よりなるとしている点。
　            
　次に、上記相違点ｂについて検討する。
　刊行物２の摘記（２ｂ）によれば、従来のフリップチップ方式の組立法では、半導体チップ１と回路基板９との間に熱膨張係数差があるため、半導体チップの発熱や環境温度変化により、接続体１０に繰返しせん断応力が発生し、最終的には疲労破壊するという問題があるのを、摘記（２ｅ）によれば、はんだバンプと半導体チップの電極パッドとの間に、耐熱性樹脂で被覆された柱状電極層を設けることによって、接続体のせん断歪みを小さくさせ、従来より接続寿命の長い半導体装置が得られるという効果があることが記載されているから、刊行物２発明の柱状電極層の側面に形成した耐熱性樹脂被覆層は、半導体チップと回路基板との間の熱膨張差により、接続体にせん断応力が発生して疲労破壊するのを防止するものであるといえる。
　そして、耐熱性樹脂被覆層としてポリイミドを用いている以上、該耐熱性樹脂被複層は、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるものと認められる。
　また、該耐熱性樹脂被覆層は、上記のとおり、はんだバンプをマスクにしてポリイミド層をエッチングすることにより、柱状電極層の側面にあるポリイミド層を残すようにしたもの（摘記（２ｃ））であるから、その幾何学的造形は柱状であって、柱状には高さ成分を有する以上、半導体チップの表面と平行な方向において、バネ作用が生じることもまた自明のことである。
　そうすると、刊行物２発明の絶縁材料であるポリイミド層からなる耐熱性樹脂被覆層は、本願発明２のバンプと同様に、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、半導体チップの表面と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有しているものと認められ、上記相違点ｂは実質的に差異があるとは認められない。
　
　したがって、本願発明２は、刊行物２に記載された発明である。 
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、また、本願の請求項２に係る発明は、刊行物２に記載された発明であるから、それぞれ特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。