【事件の表示】
　平成　９年特許願第　４９６７８号「ガス噴射ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　８月２５日出願公開、特開平１０−２２６８８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年２月１７日の出願であって、平成１７年１１月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１２月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１８年１月２５日付けの手続補正書（方式）によって補正された平成１８年１月１７日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ガスを多数の小孔を通して均一に分配する薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッドであって、
　前記小孔の断面積が最小となる部分の断面積Ｆｃ（ｍ２）が次式を満足するように設定されていることを特徴とするガス噴射ヘッド。
　Fｃ≦mｃ／〔{2/(k+1)}1/(k-1){k/(k+1)}1/2{2(p１/v１)}1/2〕
　但し　ｍｃ：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ）
　　　　ｋ：比熱比（ガスにより一定）
　　　　ｐ１：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ）
　　　　ｖ１：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ３／ｋｇ）」
　
３．刊行物の記載事項
　原査定の理由で引用された引用文献２である特開平６−２１５１号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「図１に示す如く，本実施例に係るＥＣＲプラズマＣＶＤ装置Ａ′は，電場発生手段に相当するマイクロ波発振器（不図示），導波管１及びマイクロ波導入窓２と，試料に相当する試料基板３を入れた真空容器４と，処理ガス導入口５と，堆積用ガス導入手段に相当する堆積用ガス導入口６と，磁場発生手段に相当する磁気コイル７，７とを備えている点は従来例と同様である。しかし，本実施例では，真空容器４をプラズマ生成室と反応室とに分離せず一体型とした点及びマイクロ波導入窓２の形状を試料基板３に平行な偏平矩形状とすることにより，真空容器４内に磁気コイル７，７の軸方向に延び，試料基板３に平行な偏平矩形状のプラズマ発生エリアを形成し，このエリア外に同エリアを挟んで試料基板３と反対側に堆積用ガス導入口６を対向配置すると共に，堆積用ガス導入口６により導入される堆積用ガスの導入方向を試料基板３に向けるようにした点で従来例と異なる。」（段落【０００７】）
（イ）「試料基板３に対してプラズマを挟んで反対側に堆積用ガス導入口６を配置する。堆積用ガスは略音速でガス吹き出し口６ａから吹き出すようにガス吹き出し口６ａのノズル孔を形成する。このノズル孔から吹き出された堆積用ガスは運動エネルギを与えられ，この運動エネルギにより分子の運動方向がほぼ揃った状態でプラズマ中を通過して試料基板３に到達する。プラズマ中を通過するときに堆積用ガスはイオン化され，試料基板３上に供給され，堆積する。この時，ガス吹き出し口６ａに形成されるノズル孔の大きさ及び／又は分布を変えて各ノズル孔から吹き出す堆積用ガスの量を調節することにより，堆積ガスを試料基板３面全体に互って均一に堆積させることができる。以上のように本実施例では，試料基板３近傍に高密度プラズマを生成し，堆積用ガスをジェット流でプラズマ中を通過させイオン化し，試料基板３に堆積させることにより試料基板３上に品質の良い薄膜を高速でかつ均一に形成することができる。またマイクロ波導入窓２にはイオン化された堆積用ガスが堆積しないため，安定したプラズマ状態が得られる。更に，プラズマが直接試料基板３に当たらないため，試料基板３に対するダメージを低減させることができる。その結果，装置Ａ′の信頼性が向上し，長期自動運転が可能となる。尚，上記実施例では堆積用ガスのノズル孔からの吹き出し速度を略音速値としたが，実使用に際しては，さらに高速化しても良く，又高速になる程より顕著な効果が得られる。」（段落【０００９】）
（ウ）【図１】には、「ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置Ａ′の概略構成示す模式図」が示され、上記記載事項（ア）及び（イ）の技術事項が窺える。
　
４．対比・判断
　刊行物には、記載事項（ア）及び（ウ）に「試料基板３と反対側に堆積用ガス導入口６を対向配置すると共に，堆積用ガス導入口６により導入される堆積用ガスの導入方向を試料基板３に向けるようにしたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置Ａ′」が記載され、この記載中の「堆積用ガス」に関して、記載事項（イ）に「堆積用ガスは略音速でガス吹き出し口６ａから吹き出す」こと、「ノズル孔から吹き出された堆積用ガスは試料基板３上に供給される」こと、及び「ガス吹き出し口６ａに形成されるノズル孔の大きさ及び／又は分布を変えて各ノズル孔から吹き出す堆積用ガスの量を調節することにより，堆積ガスを試料基板３面全体に互って均一に堆積させること」が記載されている。
　これら刊行物の記載事項を本願発明の記載振りに則して整理すると、刊行物には「堆積用ガスを略音速で各ノズル孔から吹き出させて試料基板面全体に均一に堆積させるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置のガス吹き出し口」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「堆積用ガス」、「各ノズル孔」、「ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置」及び「ガス吹き出し口」は、それぞれ本願発明の「ガス」、「多数の小孔」、「薄膜気相成長装置」及び「ガス噴射ヘッド」に相当する。そして、刊行物発明は、「堆積用ガスを各ノズル孔から吹き出させて試料基板面全体に均一に堆積させる」ものであるから、前記堆積用ガスは、各ノズル孔を通して均一に分配されているといえる。
　そうすると、本願発明と刊行物発明とは「ガスを多数の小孔を通して均一に分配する薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッド」の発明である点で一致するが、以下の点で相違する。
相違点：本願発明は、小孔の断面積が最小となる部分の断面積Ｆｃ（ｍ２）が
「Fｃ≦mｃ／〔{2/(k+1)}1/（k-1){k/(k+1)}1/2{2(p１/v１)}1/2〕
　但し　ｍｃ：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ）
　　　　ｋ：比熱比（ガスにより一定）
　　　　ｐ１：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ）
　　　　ｖ１：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ３／ｋｇ）」
という式（以下、「式Ａ」という。）を満足するように設定されている構成を有するのに対して、刊行物発明は係る構成を有していない点。
　
　上記相違点について以下検討する。
　平成１７年４月４日付け意見書中に「公知文献１」として提示された、北山直方著，「図解　熱力学の学び方（第２版）」，第２版第１３刷，株式会社オーム社，平成５年２月１０日，ｐ．１８３〜１９８（第７章　流路をとおる気体の流れ）に記載されているように、ノズル孔内におけるガスの流れについて、ノズル孔の最狭部断面でのガス速度の最大値が音速であり、この最狭部断面でのガス速度が音速であるときの質量流量ｍｃ（ｋｇ／ｓ）は、最狭部断面の面積Ｆｃ（ｍ２）、ガスの比熱比ｋ、ノズル孔入口断面でのガス圧力ｐ１（Ｐａ）、ノズル孔入口断面でのガス比容積ｖ１（ｍ３／ｋｇ）を用いて、前記公知文献１（ｐ．１９２）に記載されている以下の式（７・２１）で表されることは技術常識である。
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　そこで、上記式（７・２１）を、左辺がＦｃとなるように変形し、平方根を指数で記載することにより、
「Fｃ＝mｃ／〔{2/(k+1)}1/(k-1){k/(k+1)}1/2{2(p１/v１)}1/2〕」
という式（以下、「式Ｂ」という。）が得られることは明らかであり、この「式Ｂ」は、本願発明の上記「式Ａ」の「≦」を「＝」としたものであるから、上記「式Ａ」に含まれるものである。
　そして、刊行物には、記載事項（イ）に「ガス吹き出し口６ａに形成されるノズル孔の大きさ及び／又は分布を変えて各ノズル孔から吹き出す堆積用ガスの量を調節することにより，堆積ガスを試料基板３面全体に互って均一に堆積させることができる」こと、及び「上記実施例では堆積用ガスのノズル孔からの吹き出し速度を略音速値としたが，実使用に際しては，さらに高速化しても良く，又高速になる程より顕著な効果が得られる」ことが記載されている。これらの記載によれば、刊行物には、堆積ガスを試料基板面全体に互って均一に堆積させるために、ノズル孔の大きさを変えて各ノズル孔から吹き出す堆積用ガスの量を調節すること、及び、堆積用ガスのノズル孔からの吹き出し速度を略音速よりも高速化して効果を高めることが開示されているといえる。
　そうすると、刊行物発明において、堆積用ガスを試料基板面全体に互って均一に堆積させる効果を高めるために、ノズル孔の大きさを変えて堆積用ガスのノズル孔からの吹き出し速度を「略音速」よりも高速化することにより、ノズル孔の最狭部断面でのガス速度を最大値である音速とし、前記最狭部断面の面積Ｆｃが上記「式Ｂ」を満たすようにして、上記相違点の構成を有するものとすることは、当業者が容易に為し得ることである。
　また、上記相違点の構成を採用することにより奏される本願明細書に記載の効果も、刊行物に記載された技術的事項及び技術常識から、当業者であれば予測し得る範囲内のものといえる。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、その出願前に頒布された刊行物に記載された発明及び技術常識に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。