【事件の表示】
　特願２００４−３４４０３５「アクティブマトリクス型装置および表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２８日出願公開、特開２００５−１１６５３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成９年８月２９日に出願された特願平９−２３４９２１号の一部を新たな特許出願としたものとして、平成１６年１１月２９日に特願２００４−３４４０３５号として出願されたものであって、平成１８年６月２９日付けで拒絶理由通知がされ、同年８月２１日付けで手続補正がされ、同年９月８日付けで拒絶理由通知がされ、同年１１月２０日付けで手続補正がされ、これに対して、同年１２月１４日付けで補正却下の決定がなされるとともに拒絶査定がされ、これに対し、平成１９年２月８日付けで審判請求がされ、これに対して、平成２０年２月２８日付けで拒絶理由通知がされ、同年５月１日付けで手続補正がされたものであって、その請求項１乃至１３に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１乃至１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】
　複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、該複数のデータ線と前記複数の走査線の交差に対応して形成された複数の画素と、複数の給電線とを備えるアクティブマトリクス型装置であって、
　前記複数の画素の各々は、画素電極と、対向電極と、及び前記画素電極と前記対向電極との間に位置する有機半導体膜と、を含むエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレクトロルミネッセンス素子の前記画素電極への駆動電流の供給を制御する第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極への信号の印加を制御する第２トランジスタと、前記ゲート電極に電気的に接続された保持容量と、を有し、
　前記保持容量は、前記複数の給電線のいずれか一つの給電線の一部を一方の電極とし、前記ゲート電極を他方の電極とするものであり、前記一方の電極と前記他方の電極との間に第１の絶縁膜が形成され、前記一方の電極と前記他方の電極との上方に第２の絶縁膜が形成され、前記第２の絶縁膜の上方に前記画素電極が形成されており、
　前記対向電極の上層側には、少なくとも当該対向電極を覆う保護膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型装置。」
　
２．引用例
　これに対して、当審における、平成２０年２月２８日付けの拒絶理由の通知において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−２４１０４８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は能動マトリックスアドレッシング要素としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と放射媒体として有機エレクトロルミネセンス薄膜とを用いたエレクトロルミネセンスデバイス（例えば画素）に関する。」
　
（ｂ）「【００２１】
【発明の実施の形態】図１は能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端子方式の主な特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離する能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいったん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留めることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００％に近いデュティサイクルで動作することを許容する。
【００２２】本発明のエレクトロルミネセンスデバイスの構造は図２、３に示される。このデバイスの基板は絶縁及び好ましくは水晶又は低温度ガラスのような透明材料である。本明細書で用いられる透明という用語は表示デバイスで実際的な使用に対して充分な光を透過する部品を意味する。例えば所望の周波数範囲で５０％以上の光を透過する部品は透明と考えられる。低温度ガラスという用語は約６００度Ｃ以上の温度で融解又は歪むガラスをいう。
【００２３】図２に示されるＴＦＴ−ＥＬデバイスではＴＦＴ１はソースバス（列電極）をデータラインとして及びゲートバス（行電極）をデータラインとして有する論理トランジスタである。ＴＦＴ２はＥＬ素子と直列のＥＬ電力トランジスタである。記憶コンデンサはＴＦＴ１と直列である。ＥＬ素子の陽極はＴＦＴ２のドレインに接続される。
【００２４】図２のＴＦＴ−ＥＬの構成は図３から９の断面図に示される。図３から８に示される断面図は図２の線Ａ−Ａ’に沿ったものである。図９に示される断面図は図２の線Ｂ−Ｂ’に沿ったものである。第一のプロセス段階でポリシリコン層は透明で絶縁性の基板にわたり堆積され、ポリシリコン層はフォトリソグラフィによりアイランドにパターン化される（図４を参照）。基板は水晶のような結晶材料であるが、好ましくは低温度ガラスのようなより高価でない材料である。ガラス基板が用いられるときにはＴＦＴ−ＥＬの製造全体がガラスの溶融又は歪みを回避し、能動領域内にドーパントの外側拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）を回避するために低プロセス温度で実施される。斯くしてガラス基板に対して全ての製造段階は１０００゜Ｃ以下、好ましくは６００゜Ｃ以下でなされなければならない。」
　
（ｃ）「【００２６】次の段階でシリコン４４の層はゲート絶縁層上に堆積され、イオンインプラント後にソースとドレイン領域はポリシリコン領域内に形成されるようにポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることによりパターン化される。ゲート電極材料は好ましくはアモルファスシリコンから形成されたポリシリコンである。イオンインプラントは好ましくは砒素であるＮ型ドーパントで導電化される。ポリシリコンゲート電極はまたコンデンサーの底部電極として供される（図９を参照）。　本発明の好ましい実施例では薄膜トランジスタは二重（ｄｏｕｂｌｅ）ゲート構造を用いていない。斯くして製造はより複雑でなく、より高価でない。ゲートバス４６は絶縁層上で適用され、パターン化される。ゲートバスは好ましくは珪素化タングステン（ＷＳｉ2）のような金属珪素化物である。
【００２７】次の段階では好ましくは二酸化シリコンである絶縁層はデバイスの表面全体にわたり適用される。接触孔５４、５６は第二の絶縁層内で切削され（図５を参照）、電極材料は薄膜トランジスタと接点を形成するよう適用される（図６、７を参照）。ＴＦＴ２のソース領域に付けられた電極材料６２はコンデンサの上面電極をまた形成する（図９を参照）。ソースバス及び接地バスはまた第二の絶縁層上に形成される（図２を参照）。透明電極材料７２はＴＦＴ２のドレイン領域と接触し、好ましくはＩＴＯであり、これは有機エレクトロルミネセンス材料に対して陽極として設けられる。」
　
（ｄ）「【００２９】有機エレクトロルミネセンス層８２はパシベーション層上及びＥＬ陽極層上に堆積される。本発明の有機ＥＬでの材料は、その開示は参考として引用される（ＳｃｏｚｚａｆａｖａのＥＰＡ３４９，２６５（１９９０）；Ｔａｎｇのアメリカ特許第４，３５６，４２９号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５３９，５０７号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，７２０，４３２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，７６９，２９２号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８８５，２１１号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９５０，９５０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，０５９，８６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，０４７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメリカ特許第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第５，０６１，６１７号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８７０号）のような従来技術の有機ＥＬデバイスの形をも取りうる。ＥＬ層は陽極と接触する有機ホール注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成されえ、陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注入層からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又は複数の材料から形成されえ、陽極及び、電子注入層とホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移動層と接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発生する。有機ＥＬ層を形成する化合物は典型的には蒸着により堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積されうる。」
　
（ｅ）「【図面の簡単な説明】
【図１】能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。
【図２】本発明の４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの平面図である。
【図３】図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図４】イオンインプラントに対する自己整列ＴＦＴ構造を形成するプロセスを示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図５】薄膜トランジスタのソースとドレイン領域に対するパシベーション酸化層の堆積と接触切断を開口するプロセス段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図６】アルミニウム電極の堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図７】表示陽極と表示陽極の表面から部分的にエッチングされたパシベーション層との堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図８】エレクトロルミネセンスと陽極の堆積の段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図９】図２の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【符号の説明】
Ｔ1，Ｔ2薄膜トランジスタ
ＣSコンデンサー
ＥＬエレクトロルミネセンス層
４２ゲート材料
４４シリコン層
４６ゲートバス
５２絶縁層
５４、５６接触孔
６２、７２電極材料
７４パシベーション層
７６テーパ付端
８２ＥＬ層
８４ＥＬ陰極」
　
　上記引用例１記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「複数のゲートバスと、前記複数のゲートバスに交差する複数のソースバスと、該複数のソースバスと前記ゲートバスの交差に対応して形成された複数の画素と、複数の接地バスとを備える能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスであって、
　前記複数の画素の各々は、陽極として設けられた透明電極材料７２と、ＥＬ陰極８４と、及び前記陽極と前記ＥＬ陰極８４との間に位置する有機エレクトロルミネセンス層８２と、を含むＥＬ素子と、前記ＥＬ素子の前記陽極への駆動電流の供給を制御するＴＦＴ２と、前記ＴＦＴ２のゲート電極への信号の印加を制御するＴＦＴ１と、並びに前記ゲート電極に電気的に接続された記憶コンデンサと、を有し、
　前記記憶コンデンサは、上面電極が接地バスと接続し、前記ゲート電極が底部電極として供されるものであり、前記一方の電極と前記他方の電極との間に絶縁層５２が形成され、前記一方の電極と前記他方の電極との上方にパシベーション層７４が形成され、前記絶縁層５２の上方に前記陽極が形成されていることを特徴とする能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイス。」
　
３．対比
　本願発明を、引用発明と対比する。
　引用発明における「ゲートバス」は、本願発明における「走査線」に相当する。
　引用発明における「ソースバス」は、本願発明における「データ線」に相当する。
　引用発明における「接地バス」は、本願発明における「給電線」に相当する。
　引用発明における「能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイス」は、本件補正発明における「アクティブマトリクス型装置」に相当する。
　引用発明における「陽極として設けられた透明電極材料７２」及び「陽極」は、本願発明における「画素電極」に相当する。
　引用発明における「ＥＬ陰極８４」は、本願発明１における「対向電極」に相当する。
　引用発明における「有機エレクトロルミネセンス層８２」は、本願発明における「有機半導体膜」に相当する。
　引用発明における「ＥＬ素子」は、本願発明における「エレクトロルミネッセンス素子」に相当する。
　引用発明における「ＴＦＴ２」は、本願発明における「第１トランジスタ」に相当する。
　引用発明における「ＴＦＴ１」は、本願発明における「第２トランジスタ」に相当する。
　引用発明における「記憶コンデンサ」は、本願発明における「保持容量」に相当する。
　引用発明における「上面電極が接地バスと接続し」していることと、本願発明における「複数の給電線のいずれか一つの給電線の一部を一方の電極とし」ていることとは、保持容量の一方の電極が複数の給電線のいずれか一つの給電線と電気的に接続されているという点で一致する。
　引用発明における「ゲート電極はコンデンサーの底部電極として供される」ことは、本願発明における「ゲート電極を他方の電極とする」ことに相当する。
　引用発明における「絶縁層５２」と、本願発明における「第１の絶縁膜」は、「一方の電極」と「他方の電極」との間に形成されているという点で一致する。
　引用発明における「パシベーション層７４」と、本願発明における「第２の絶縁膜」は、「一方の電極」と「他方の電極」との上方に形成されているという点で一致する。
　引用発明における「絶縁層５２の上方に前記陽極が形成されていることと、本願発明における「第２の絶縁膜の上方に前記画素電極が形成されていること」とは、絶縁膜の上方に画素電極が形成されているという点で一致する。
　
　すると、本願発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
　
「複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、該複数のデータ線と前記複数の走査線の交差に対応して形成された複数の画素と、複数の給電線とを備えるアクティブマトリクス型装置であって、
　前記複数の画素の各々は、画素電極と、対向電極と、及び前記画素電極と前記対向電極との間に位置する有機半導体膜と、を含むエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレクトロルミネッセンス素子の前記画素電極への駆動電流の供給を制御する第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲート電極への信号の印加を制御する第２トランジスタと、並びに前記ゲート電極に電気的に接続された保持容量と、を有し、
　前記保持容量は、一方の電極が前記複数の給電線のいずれか一つの給電線の一部と電気的に接続され、前記ゲート電極を他方の電極とするものであり、前記一方の電極と前記他方の電極との間に第１の絶縁膜が形成され、前記一方の電極と前記他方の電極との上方に第２の絶縁膜が形成され、絶縁膜の上方に前記画素電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型装置。」
　
　一方で、両者は、次の相違点で相違する。
　
（１）本願発明は、保持容量の一方の電極が給電線の一部であるのに対して、引用発明は、記憶コンデンサの上面電極が接地バス（「給電線」に相当する。）の一部であるか否かが明確でない点。（以下、相違点（１）という。）
　
（２）本願発明は、画素電極が第２の絶縁膜の上方に形成されているのに対して、引用発明は、画素電極が絶縁層５２（「第１の絶縁膜」に相当する。）の上方に形成されている点。（以下、相違点（２）という。）
　
（３）本願発明は、対向電極の上層側に当該対向電極を覆う保護膜が形成されているのに対して、引用発明は、対向電極の上層側に当該対向電極を覆う保護膜が形成されているか否かが明確でない点。（以下、相違点（３）という。）
　
４．判断
　上記相違点（１）について検討する。
　保持容量の一方の電極を給電線の一部と電気的に接続する際に、保持容量の一方の電極を給電線の一部とすることは、部材の共通化を図って製造工程を削減するという予測可能な効果を奏するに過ぎず、当業者が適宜なし得る設計変更の域を出ないものである。
　
　上記相違点（２）について検討する。
　本願発明においても、引用発明においても、第１の絶縁膜を形成した後に第２の絶縁膜を形成するのであるから、画素電極が形成されるのが第１の絶縁膜上であるのか第２の絶縁膜上であるのかは、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜をどのように形成するかに応じて、当業者が適宜なし得る設計変更にすぎない。
　
　上記相違点（３）について検討する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた装置において、対向電極の上層側に当該対向電極を覆う保護膜を形成することは周知慣用技術であるから、引用発明においても、対向電極の上層側に当該対向電極を覆う保護膜を形成することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、本願発明の作用効果が引用発明から予期し得ない格別のものであるとも認められない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。