【事件の表示】
　特願２００２−５４２８５９「基板検査方法、基板検査装置及び電子線装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月２３日国際公開、ＷＯ０２／４０９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１１月２日（優先権主張平成１２年１１月１７日、平成１２年１１月３０日、平成１２年１２月１８日、平成１２年１２月２６日、平成１３年１月１１日、平成１３年１月１７日、平成１３年１月３１日、平成１３年２月２日、平成１３年２月１４日、平成１３年２月１６日、平成１３年３月１６日、平成１３年４月２３日、平成１３年５月２８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、 平成１８年１月２７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年３月６日に拒絶査定不服審判の請求が行われるとともに、同日付けで手続補正（以下「第１補正」という。）がなされ、同年３月１６日付けで手続補正（受付番号５０６００４９３５９６。以下「第２補正」という。）がなされ、さらに同日付けで手続補正（受付番号５０６００４９６６３５。以下「第３補正」という。）がなされたものである。
　
２．第１補正について
２−１．補正内容、補正の目的の適否
　第１補正は、補正の内容として、補正前（平成１７年１１月１４日付け手続補正書）の特許請求の範囲請求項１乃至３８から、請求項１４乃至３８を削除し、請求項１乃至１３とするものである。
　この補正は、請求項の削除をするものであり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的としたものであるから、適法な補正である。
　
３．第２補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年３月１６日付けの手続補正（受付番号５０６００４９３５９６）を却下する。
　
　［理由］
３−１．補正内容
　第２補正は、補正の内容として、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（第１補正）の、
「【請求項１】　基板検査方法であって、
（１）荷電粒子線発生手段から一次荷電粒子線を放出させるステップと、
（２）前記発生された一次荷電粒子線を複数の開口を有するマルチ開口板に照射させ、前記複数の開口を通過した複数の荷電粒子線を基板面上に結像させる一次光学系を介して基板に照射するステップと、
（３）前記一次荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線を二次光学系に投入するステップと、
（４）前記二次光学系に投入された前記二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換するステップと、
（５）前記電気信号を処理して基板を評価するステップと、を備えた基板検査方法において、
　前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離の最小値を、前記二次光学系の分解能を前記基板の表面上での値に換算した値よりも大きくした基板検査方法。」を、
「【請求項１】　基板検査方法であって、
（１）荷電粒子線発生手段から一次荷電粒子線を放出させるステップと、
（２）前記発生された一次荷電粒子線を複数の開口を有するマルチ開口板に照射させ、前記複数の開口を通過した複数の荷電粒子線を基板面上に結像させる一次光学系を介して基板に照射するステップと、
（３）前記一次荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線を二次光学系に投入するステップと、
（４）前記二次光学系に投入された前記二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換するステップと、
（５）前記電気信号を処理して基板を評価するステップと、を備えた基板検査方法において、
　
更に、（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、
（７）検出された複数のサブ画像データを、前記複数のそれぞれの荷電粒子線のＸ座標、Ｙ座標に合致するように並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップと、を備え、
　前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離の最小値を、前記二次光学系の分解能を前記基板の表面上での値に換算した値よりも大きくした基板検査方法。」（下線部分は、補正箇所である。以下、第２補正後の請求項１に係る発明を「本願第２補正発明」という。）と補正することを含むものである。
　
３−２．補正の目的の適否
　上記補正は、請求項１に、新たな発明特定事項である「（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、（７）検出された複数のサブ画像データを、前記複数のそれぞれの荷電粒子線のＸ座標、Ｙ座標に合致するように並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップ」を追加するものであって、特許請求の範囲の減縮（特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの）に該当しない。
　
　なお、上記補正で請求項１に追加された事項のうち、「（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、（７）検出された複数のサブ画像データを並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップ」は、補正前の請求項４が、
「【請求項４】　請求項１ないし３のいずれかに記載の基板検査方法において、
（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、
（７）検出された複数のサブ画像データを並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップと、
を更に備える基板検査方法。」であったことから、補正前の請求項４に記載されていたものである。そして、上記補正で請求項１に追加された事項のうち、「前記複数のそれぞれの荷電粒子線のＸ座標、Ｙ座標に合致するように」は、補正前の請求項４に記載された発明特定事項である「（７）検出された複数のサブ画像データを並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップ」を限定するものである。そうすると、上記補正は、補正前の請求項１を削除すると共に、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項４を独立請求項として記載して、さらに限定的減縮を行ったものと一応解することができる。
　しかし、補正前の請求項９は
「【請求項９】　請求項１に記載の基板検査方法において、
（中略）
基板検査方法。」と請求項１を引用して記載するもので、請求項４を引用して記載するものではないから、この引用関係を考えると、上記補正が、補正前の請求項４について特許請求の範囲の減縮（特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの）を行ったものであるとは認められない。（上記補正が、補正前の請求項１を削除し、補正前の請求項４を補正前の請求項１を引用する内容で独立請求項として記載したものについて、限定的減縮を行ったものであると言うためには、補正前の請求項９が、補正前の請求項４を引用して記載される必要がある。）
　
　以上のとおり、上記補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものでないことは明らかである。
　さらに、上記補正が、請求項の削除、誤記の訂正又は明りようでない記載の釈明のいずれを目的とするものでないことも明らかである。
　したがって、第２補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に掲げる事項のいずれをも目的としていないから同法第１７条の２第４項の規定に適合しないものであり、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により、却下されるべきものである。
　
３−３．独立特許要件についての検討
　３−２．で示したように、第２補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満足しないものであるが、仮に、第２補正が同法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものであるとして、本願第２補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
３−３−１．引用例
３−３−１−１．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開平１０−１３４７５７号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審にて付加した）。
　
（ア）「【００１５】図１は本例のマルチチャンネルＳＥＭの概略構成を示し、この図１において、試料としてのウエハ６の表面の法線に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に平行にＸ軸を、図１の紙面に垂直にＹ軸を取って説明する。先ず、
電子銃１から放出された電子線は、コンデンサレンズ２で集束されて、３×３個（９個）の開口が形成されたアパーチャ板３に入射する。アパーチャ板３の９個の開口を通過した電子線（以下、「１次電子」と呼ぶ）ＡＥは、投影レンズ４を介してウエハ６の表面に入射する。この場合、ウエハ６の表面とアパーチャ板３の配置面とは投影レンズ４に関してほぼ共役となっており、ウエハ６の表面の９個の計測点にそれぞれ１次電子ＡＥが集束される。
【００１６】
図２は、ウエハ６上の９個の計測点７Ａ〜７Ｉを示し、この図２において、計測点７Ａ〜７ＩはＸ方向にピッチＳＸ、Ｙ方向にピッチＳＹの３行×３列で配置され、ピッチＳＸ及びＳＹはそれぞれ一例として１ｍｍ程度である。
【００１７】図１に戻り、ウエハ６は可動ステージ８上に保持され、可動ステージ８は駆動装置９を介してベース１０上に載置されている。駆動装置９は、例えば送りねじ、及び駆動モータ等から構成され、駆動装置９によって可動ステージ８がＸ方向、及びＹ方向にステップ移動する。可動ステージ８の位置は例えば不図示のレーザ干渉計によってモニタされており、その位置情報が主制御系１１に供給され、主制御系１１はドライバ１２を介して駆動装置９の動作を制御する。また、可動ステージ８の底部のベース１０上にウエハ６に近接して、ウエハ６から発生する２次電子を２次元的に偏向するための偏向器１３が設けられている。偏向器１３による偏向量も主制御系１１が偏向量設定器１４を介して設定する。
【００１８】
ウエハ６の上方に球殻状の導電体よりなる曲面形状の電極１５が配置されている。
更に、電極１５にはウエハ６上の９個の計測点に対応して９個の小さい開口が形成され、これらの開口の外側にこれらの開口を通過した２次電子を検出するための２次電子検出器が配置されている。
【００１９】
２次電子検出器１７Ａ〜１７Ｃの検出信号はそれぞれ増幅整形器１８Ａ〜１８Ｃを介して増幅、及び２値信号への変換が行われた後、波形比較器１９Ａ〜１９Ｃの一方の入力部に供給される。このとき、主制御系１１は現在計測点７Ａ〜７Ｃが位置する回路パターンの設計データを波形生成器２０に供給し、波形生成器２０は検査対象の回路パターンに対応する２値の参照信号を生成して波形比較器１９Ａ〜１９Ｃの他方の入力部に供給する。波形比較器１９Ａ〜１９Ｃは、それぞれ検出信号と参照信号とを比較して、検出信号と参照信号とが所定の長さ以上の領域で異なる場合にハイレベル”１”となり、それ以外の領域ではローレベル”０”となるエラー信号を生成し、このエラー信号をそれぞれエラーメモリ２１に供給する。エラーメモリ２１では、ウエハ６上での計測点７Ａ〜７Ｃの位置に対応させてエラー信号を記憶し、主制御系１１はエラーメモリ２１からエラー信号を読み出して、エラー信号がハイレベル”１”となっている領域、即ち回路パターンに欠陥があると予想される領域を検出し、検出された欠陥領域を不図示の表示装置に表示する。
【００２０】次に、
本例のマルチチャンネルＳＥＭによる欠陥検査動作につき説明する。
主制御系１１は可動ステージ８を駆動して、ウエハ６上の最初の検査領域を１次電子ＡＥの照射領域に移動した後、走査用偏向器５を動作させて図２の矢印で示すように、１次電子の集束点である計測点７Ａ〜７Ｉを並列にそれぞれウエハ６上の隣接する幅ＳＸ×幅ＳＹの領域内で２次元的に走査する。その走査用偏向器５による１次電子の走査と同期して主制御系１１は、偏向器１３を介してウエハ６上の計測点７Ａ〜７Ｉから発生する２次電子が、それぞれ電極１５の対応する開口の方向に進むようにその２次電子を偏向する。
【００２１】
図１において、ウエハ６上の９個の計測点（以下、３個の計測点７Ａ〜７Ｃで代表する）から放出された２次電子ＢＥは、正電位を持つ電極１５により加速され、それぞれその電極１５に設けられた開口１６Ａ〜１６Ｃに向かう。
開口１６Ａ〜１６Ｃの近くまできた２次電子ＢＥは、それぞれ開口の外側に置かれた２次電子検出器１７Ａ〜１７Ｃの電極に印加された正電位が作る凸レンズ作用によって大部分はその開口を透過して、２次電子検出器１７Ａ〜１７Ｃに捕捉される。
【００２２】そして、
２次電子検出器１７Ａ〜１７Ｃの検出信号は増幅整形器１８Ａ〜１８Ｃを介して波形比較器１９Ａ〜１９Ｃに供給され、波形比較器１９Ａ〜１９Ｃでそれらの検出信号を波形生成器２０から供給される参照信号と比較することによってエラー信号が生成され、これらのエラー信号がエラーメモリ２１に供給される。
主制御系１１は、エラーメモリ２１からウエハ６上の位置に応じたエラー信号を読み出して、ウエハ６上で欠陥が存在する欠陥領域を検出し、検出された欠陥領域を不図示の表示装置に表示する。
　
　この記載から、引用例１には、「ウエハの欠陥検査方法であって、
（１）電子銃から電子線を放出させ、
（２）該電子線を、３×３個（９個）の開口が形成されたアパーチャ板に入射させ、該アパーチャ板の９個の開口を通過した電子線を、投影レンズを介してウエハの表面に入射させ、
（３）該ウエハ上の９個の計測点から放出された２次電子は、正電位を持つ電極により加速され、それぞれその電極に設けられた各開口に向かわせ、
（４）各開口の近くまできた該２次電子は、各２次電子検出器によって検出され、各検出信号が出力され、
（５）各２次電子検出器の検出信号は、各波形比較器でそれらの検出信号を波形生成器から供給される参照信号と比較することによってエラー信号が生成され、これらのエラー信号がエラーメモリに供給され、主制御系は、該エラーメモリから該ウエハ上の位置に応じたエラー信号を読み出して、該ウエハ上で欠陥が存在する欠陥領域を検出し、
各計測点はＸ方向にピッチＳＸ、Ｙ方向にピッチＳＹの３行×３列で配置され、ピッチＳＸ及びＳＹはそれぞれ一例として１ｍｍ程度である、欠陥検査方法。」（以下、「引用例１に記載された発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３−３−１−２．引用例２
　本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２０００−１００３６２号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審にて付加した）。
　
（イ）「【００１５】［ウェハ検査装置構成概要］荷電粒子ビーム走査式検査装置の更に詳細な実施例として、
図１０に電子ビーム走査式ウェハ外観検査装置の全体の概要を示す。
　
（ウ）「【００２２】［検査方法の説明（チップ比較含む）］
図１１は、図１０に示す検査装置の走査シーケンスの例を説明した図である。
ステップアンドリピート方式は、１回にステージ停止状態で偏向領域分の画像を取得し、ステージのステップ動作で次の検査位置まで移動し、次の偏向領域分の画像を取得する動作を繰り返すことにより、前記複数の偏向領域分の画像をつなぎ合わせることでウェハの画像を得る。
　
　これらの記載から、引用例２には、「電子ビーム走査式ウェハ外観検査装置を用いた検査方法において、ステップアンドリピート方式として、１回にステージ停止状態で偏向領域分の画像を取得し、ステージのステップ動作で次の検査位置まで移動し、次の偏向領域分の画像を取得する動作を繰り返すことにより、前記複数の偏向領域分の画像をつなぎ合わせることでウェハの画像を得ること。」（以下、「引用例２に記載された発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３−３−２．対比
　本願第２補正発明と、引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載された発明の「ウエハ」、「電子銃」、「電子線」、「アパーチャ板」、「投影レンズ」、「２次電子」、「正電位を持つ電極」及び「検出信号」は、それぞれ本願第２補正発明の「基板」、「荷電粒子線発生手段」、「一次荷電粒子線」、「マルチ開口板」、「一次光学系」、「二次荷電粒子線」、「二次光学系」及び「電気信号」に相当する。
　また、引用例１に記載された発明の「各２次電子検出器の検出信号は、各波形比較器でそれらの検出信号を波形生成器から供給される参照信号と比較することによってエラー信号が生成され」ることは、そのエラー信号に基づいてウエハの欠陥を検査するものであるから、本願第２補正発明の「前記電気信号を処理して基板を評価する」ことに相当する。
　さらに、引用例１に記載された発明の「エラー信号がエラーメモリに供給され、主制御系は、該エラーメモリから該ウエハ上の位置に応じたエラー信号を読み出して、該ウエハ上で欠陥が存在する欠陥領域を検出」することは、各２次電子検出器から検出された信号に基づくエラー信号を、エラーメモリによってウエハ上に位置づけ、ウエハ上の欠陥位置を検出するものであるから、本願第２補正発明の「（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、（７）検出された複数のサブ画像データを、前記複数のそれぞれの荷電粒子線のＸ座標、Ｙ座標に合致するように並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップ」と、基板の検査領域の複数の部分領域から検出された信号に基づいて、基板の検査領域のデータを生成する点で共通する。
　そして、引用例１に記載された発明の「各計測点はＸ方向にピッチＳＸ、Ｙ方向にピッチＳＹの３行×３列で配置され、ピッチＳＸ及びＳＹはそれぞれ一例として１ｍｍ程度である」ことは、本願第２補正発明の「前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離の最小値を、前記二次光学系の分解能を前記基板の表面上での値に換算した値よりも大きくした」ことと、複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離を所定のものとした点で共通する。
　
　したがって、本願第２補正発明と引用例１に記載された発明とは、
「基板検査方法であって、
（１）荷電粒子線発生手段から一次荷電粒子線を放出させるステップと、
（２）前記発生された一次荷電粒子線を複数の開口を有するマルチ開口板に照射させ、前記複数の開口を通過した複数の荷電粒子線を基板面上に結像させる一次光学系を介して基板に照射するステップと、
（３）前記一次荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線を二次光学系に投入するステップと、
（４）前記二次光学系に投入された前記二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換するステップと、
（５）前記電気信号を処理して基板を評価するステップと、を備えた基板検査方法において、
　更に、基板の検査領域の複数の部分領域から検出された信号に基づいて、基板の検査領域のデータを生成するステップを備え、
　前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離を所定のものとした基板検査方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１
　基板の検査領域の複数の部分領域から検出された信号に基づいて、基板の検査領域のデータを生成するために、本願第２補正発明では
「（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、
（７）検出された複数のサブ画像データを、前記複数のそれぞれの荷電粒子線のＸ座標、Ｙ座標に合致するように並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップ」とを備えているのに対し、引用例１に記載された発明ではそのようなステップは備えていない点。
　
相違点２
　複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の所定の距離として、本願第２補正発明では、「前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離の最小値を、前記二次光学系の分解能を前記基板の表面上での値に換算した値よりも大きくした」としているのに対し、引用例１に記載された発明ではそのような限定はしていない点。
　
３−３−３．判断
　上記各相違点について検討する。
　
３−３−３−１．相違点１について。
　引用例１に記載された発明では、まず各２次電子検出器の検出信号を参照信号と比較することでエラー信号を生成し、その後、エラー信号をエラーメモリに供給し、エラーメモリからウエハ上の位置に応じたエラー信号を読み出すことでウエハ上の欠陥領域を検出するものであり、このことは、各２次電子検出器の検出領域において欠陥を検出し、その後、各検出領域で検出した欠陥の位置をエラーメモリ上で合成することにより、ウエハ上の欠陥領域を検出するものである。してみると、引用例１に記載された発明は、部分画像において欠陥を検出し、複数の部分画像に対して検出した欠陥位置を合成することで、ウエハ上の欠陥領域を検出していると言うことができる。
　ここで、複数の検出器を用いて複数箇所の検査を同時に行う場合に、複数の検出器毎に検査を行いそれぞれの検査結果を合成して全体の検査結果とするか、複数の検出器の検出結果を全体の検出画像として合成し、その全体の検出画像に対して検査を行って全体の検査結果とするかの、いずれの構成を採るかは、どちらの構成が有利な検査性能となるか、簡便となるかなどを考慮して、当業者において適宜決定すべき事項である。
　そして、引用例２に記載された発明に示されるように、電子ビーム走査式ウェハ外観検査装置を用いた検査方法において、ウェハの画像を得るために、複数の部分画像を取得し、それら複数の部分画像をつなぎ合わせることは、従来行われていることから、引用例１に記載された発明において、各２次電子検出器の検出信号から各２次電子検出器の検出領域の画像データを取得し、検出された複数の検出領域毎の画像データを、つなぎ合わせることで、検査領域全体の画像データとすることは、当業者において容易に為し得たものである。この様なつなぎ合わせを行う際に、各２次電子検出器の検出領域の基板上の位置が合致するように並び替えなどを行うことは、正しい全体画像を得るために必要なことであるから、当業者において適宜に為し得たものである。
　
３−３−３−２．相違点２について。
　引用例１に記載された発明に関して、引用例１には、上記摘記事項（ア）の【００２１】段落に、各計測点から発生する２次電子を常に対応する２次電子検出器に入射することが記載されている。このことは、各２次電子検出器の検出領域に、（一次）電子線が入射することによって発生する２次電子を、対応する２次電子検出器のみで検出し、他の２次電子検出器で検出しないようにしているものである。
　ここで、各計測点から発生した２次電子が、対応するものではない２次電子検出器に入射したとすると、そのようにして検出された２次電子は、検出すべき２次電子に対してノイズとなるものであって、そのような検出が起こらないようにすることは、当業者であれば当然に行うべき配慮である。そして、そのような検出が起こらないようにするために、各計測点の間の距離を、発生した２次電子が、対応する２次電子検出器のみで検出され、他の２次電子検出器で検出されないような距離、すなわち、２次電子の検出系の分解能の検出領域における長さよりも大きな距離とすることは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　すると、各計測点は（一次）電子線、すなわち荷電粒子線が入射する位置によって決められるものであるから、複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離の最小値を、二次光学系の分解能に応じた値、すなわち二次光学系の分解能を基板の表面上での値に換算した値よりも大きくすることは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
　そして、本願第２補正発明の作用効果も、引用例１及び２それぞれに記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願第２補正発明は、引用例１及び２それぞれに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３−３−４．むすび
　上記の通り、仮に、第２補正が平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものであるとしても、第２補正は、同法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
　なお、請求人は、第３補正の手続補正書に「【その他】同日付で手続補正書（０２０３３３ＩＥ）を提出しておりますが、本手続補正書（０２０３３３ＩＦ）の内容をご採用ください。」と記載しているが、「ある補正が，特許法１７条の２第４項及び第５項の規定に適合するか否かについての判断をする場合には，当該補正よりも前の時点での特許請求の範囲を基準にしなければならないところ，その基準となるのは，最後に適法に補正された特許請求の範囲であり，そのような補正がない場合には願書に添付された特許請求の範囲である。そして，特許請求の範囲に関するある補正について上記判断をする場合において，それ以前にされた複数の補正についてその適否がいまだ判断されていないときには，補正のされた順番に従って，補正の適否について順次判断すべきである。」（平成１７年（行ケ）第１０６９８号、平成１８年９月２６日言渡し）ものであり、上記の通り、まず第２補正についての補正の適否を判断した。
　
４．第３補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年３月１６日付けの手続補正（受付番号５０６００４９６６３５）を却下する。
　
　［理由］
４−１．補正内容
　第３補正は、補正の内容として、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（第１補正）の請求項１を補正すること（以下、第３補正後の請求項１に係る発明を「本願第３補正発明」という。）を含むものであるが、その補正内容は、上記３−１．で述べた第２補正において請求項１についてした補正と同様である。
　
４−２．補正の目的の適否
　上記３−２．で述べたのと同様に、上記補正は、請求項１に、新たな発明特定事項を追加するものであって、特許請求の範囲の減縮（特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの）に該当しない。
　また、上記補正が、請求項の削除、誤記の訂正又は明りようでない記載の釈明のいずれを目的とするものでないことも明らかである。
　
　ここで、上記３−２．で述べたのと同様に、上記補正は、補正前の請求項１を削除すると共に、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項４を独立請求項として記載して、限定的減縮を行ったものと認めると（補正前（第１補正）において請求項４を引用しないで記載されていた請求項９、１１及び１３は、第３補正においては削除されている）、第３補正は平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると解することができる。
　
４−３．独立特許要件についての検討
　そこで、本願第３補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　本願第３補正発明は、本願第２補正発明と同様のものであるから、上記３−３．にて示したのと同様に、本願第３補正発明は、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４−４．むすび
　以上のとおり、第３補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号、第３号又は第４号に掲げる事項のいずれをも目的としていないから同法第１７条の２第４項の規定に適合しないものであり、また第３補正が同法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとしても、第３補正は、同法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
５．本願発明について
５−１．本願発明
　第２補正及び第３補正は上記の通り却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、第１補正の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記３−１．に記載のとおりのものである。
　
５−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、上記３−３−１−１．に記載したとおりである。
　
５−３．対比
　本願発明は、上記３．で検討した本願第２補正発明から、「（６）前記検出系が前記基板の複数の領域から放出された二次荷電粒子線を検出して複数のサブ画像データを得るステップと、（７）検出された複数のサブ画像データを、前記複数のそれぞれの荷電粒子線のＸ座標、Ｙ座標に合致するように並び替えて、基板の検査領域の画像データを生成するステップ」なる構成を削除したものである。
　本願発明と、引用例１に記載された発明とを対比すると、上記３−３−２．で示した理由により、本願発明と引用例１に記載された発明とは、
「基板検査方法であって、
（１）荷電粒子線発生手段から一次荷電粒子線を放出させるステップと、
（２）前記発生された一次荷電粒子線を複数の開口を有するマルチ開口板に照射させ、前記複数の開口を通過した複数の荷電粒子線を基板面上に結像させる一次光学系を介して基板に照射するステップと、
（３）前記一次荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線を二次光学系に投入するステップと、
（４）前記二次光学系に投入された前記二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換するステップと、
（５）前記電気信号を処理して基板を評価するステップと、を備えた基板検査方法において、
　前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離を所定のものとした基板検査方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点
　複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の所定の距離として、本願発明では、「前記複数の荷電粒子線のそれぞれの荷電粒子線間の距離の最小値を、前記二次光学系の分解能を前記基板の表面上での値に換算した値よりも大きくした」としているのに対し、引用例１に記載された発明ではそのような限定はしていない点。
　
５−４．判断
　上記相違点について検討すると、上記３−３−３−２．にて示したのと同様の理由により、上記相違点は当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
５−５．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、請求項２乃至１３に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。