【事件の表示】
　平成　８年特許願第２９３１４１号「酸化物超電導導体とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２５９６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１０月１６日の出願であって、平成１７年３月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成１８年６月２８日付けで審尋がなされ、同年９月４日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１７年６月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年６月２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであって、特許請求の範囲についての補正は、以下のとおりである。
補正事項ａ．
　補正前の請求項１の「【請求項１】　配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であり、その内部で同様な結晶構造を有する非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていることを特徴とする酸化物超電導導体。ここで、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素をさす。」を
「【請求項１】　RE2BaCuO5相が分散し、かつ、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であり、その内部で同様な結晶構造を有する非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていることを特徴とする酸化物超電導導体。ここで、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさす。」と補正すること。
補正事項ｂ．
　補正前の請求項２ないし１０と本件補正による請求項２ないし１０とは、文言上は同一であり、文言上の補正は、なされていない。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　以下、補正事項ａ、ｂについて検討する。
２−１−１　補正事項ａについての検討
　補正事項ａについての補正は、本件補正前の請求項１の「配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体」を「RE2BaCuO5相が分散し、かつ、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体」と補正するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、補正後の請求項１の「RE2BaCuO5相が分散し、かつ、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体」については、本願の願書に最初に添付した明細書の【００２２】段落に、「酸素量（ｘ）による電気抵抗、超電導特性の変化を調べるため、酸素アニ−ル温度を変えてYBa2Cu30xバルク超電導体を作製し、電気抵抗、臨界温度、臨界電流密度を調べた。YBa2Cu30xはＱＭＧ法で作製した。この材料（ＱＭＧ材）の特徴は結晶配向しており、内部に粒径約１μｍ，体積率約３０％のY2BaCuO5相が分散していることである。」と記載されており、また、本願の願書に最初に添付した明細書の【００２９】段落に、「できあがった結晶は47mm角のバルク材料で、配向したYBa2Cu30x相内に１mm程度のY2BaCuO5相が体積率約２５％で分散している。」と記載されている。
　してみると、補正事項ａについての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
２−１−２　補正事項ｂについての検討
　本件補正により、請求項２ないし１０は、文言上の補正はなされていないが、請求項２ないし１０は、請求項１を直接的、又は間接的に引用して記載している請求項であるから、補正事項ｂについての補正は、補正事項ａについての補正と同様に、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２−２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのむすび
　以上のとおり、補正事項ａ、ｂを含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合しており、また、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される事項を目的とするものである。
　
３　本件補正の独立特許要件についての検討
　本願の補正後の請求項１に係る発明は、「第２　１」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　RE2BaCuO5相が分散し、かつ、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であり、その内部で同様な結晶構造を有する非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていることを特徴とする酸化物超電導導体。ここで、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさす。」
　
３−１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平３−６２９７８号公報（原審拒絶理由通知において引用）
刊行物２．特開平１−２２０８７４号公報（原審拒絶理由通知において引用）
刊行物３．特開平５−１９３９３８号公報（本願明細書の【０００５】段落に提示されている刊行物）
刊行物４．特公平４−４０２８９号公報（平成１７年１２月８日作成の前置報告及び平成１８年６月２８日付けの審尋で引用した刊行物）
刊行物５．特開平８−１８１１０号公報（平成１７年１２月８日作成の前置報告及び平成１８年６月２８日付けの審尋で引用した刊行物）
刊行物６．特開平８−１７６２１号公報（新たな刊行物）
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物１（特開平３−６２９７８号公報）には、
「酸化物超電導体にレーザーを照射することにより被照射部を非超電導相に変質させて回路を形成することを特徴とする酸化物超電導体の回路作製方法。」（特許請求の範囲）、
「（ハ）発明の開示
　本発明は、上記のような従来の諸欠点を解消するために開発された全く新規な酸化物超電導体の回路作製法であって、酸化物超電導成型体にレーザーを照射することにより被照射部分を分解又は溶融させ超電導相を破壊して非超電導相に変質させ、レーザーが照射されない部分をもって回路を形成するものである。
　即ち、本発明法では酸化物超電導成型体の所定部分に所定形状の非超電導相を形成させる場合、該部分にＣＯ２ガスレーザーやＹＡＧレーザー等を使用し、レーザー光のビームスポット径とパワーを調節して照射することにより、該部分を加熱分解又は溶融させて所望形状の非超電導相を形成させて、超電導電流を遮断するのである。
　本発明は酸化物超電導体にレーザーを照射して非超電導相を形成させるに際して、成型体を完全に切断するのではなく、部分的に変質させるのみであるので、該部分の接合力は全く失われないのである。
　第３図にレーザー照射により超電導相が変質する状況例を示したが、図中ｌはレーザービームを受けて溶融変質した溶融部であり、ｓはレーザービームを受けて加熱分解し変質した部分を示す固体部であって、レーザー光を完全に貫通させないで所定部分のみの超電導相を破壊して非超電導相を形成させるのである。
　このように、超電導成型体を切断することなくその部分を変質させるのみであるから、酸化物超電導成型体自体の保有する強度等は全く変らないのである。また、レーザー光被照射部以外の超電導相の特性を劣化させる心配も全くないのである。
　例えば、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの酸化物超電導材料で成型した厚さが３ｍｍで内径が１００ｍｍφで長さが１００ｍｍの円筒形成型体を所定速度で回転させながらかつその軸方向に上昇又は下降移動するようにセットし、これに固定型ＣＯ２ガスレーザ−３０ｗによりスポット径３ｍｍφで照射すると、上記円筒のスポット照射部分が溶融又は分解してＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ超電導相が変質し、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５やＢａＣｕＯ２あるいはＣｕＯ等の非超電導相が形成されるのである。
　かくして、上記円筒形成型体に所定ピッチの螺線状の非超電導相が形成されるため、超電導コイルが形成されたことになる。
　上記の場合は固定型ＣＯ２ガスレーザーを使用したので、被照射成型体を所定の速度で回転させながら上昇移動させなければならないが、走査型レーザーを使用すれば成型体を固定しておいてレーザーを走査させてもよいことは勿論である。
　また、被照射酸化物超電導体ごとに溶融又は分解して変質する温度が異なるので、予め相図を参照して加工システムにおけるレーザー光のビームスポット径、パワー、熱吸収、移動速度、冷却速度等の設計条件を設定すれば、目的とする非超電導相が形成できる。」（第２頁左上欄第１５行〜同頁右下欄第１１行）こと、
「（ニ）実施例
実施例１
　ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導材料で成型した厚さ４ｍｍ、内径５０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの円筒形成型体を周速度２ｍｍ／分で回転させながらゆっくりと上昇移動するようにセットし、固定型ＣＯ２ガスレーザー３０ｗを用いて２ｍｍスポツトに焦点を合わせ、円筒形成型体の外周面にレーザー光を貫通させないようにしながらピッチ４ｍｍの螺線状非超電導相を形成すべく照射し、所定部分の超電導相を溶融・分解して変質させてから急冷した。
　その結果、レーザービームを照射した部分には完全に非超電導相が形成され、目的とする超電導コイルの成型体を作製することができた。
　このコイルで流せる電流値は４００Ａ／ｃｍ２であり、バルクで流せる電流値と同等であった。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第９行）こと、
「（ホ）発明の結果
　上述したように、本発明法によればレーザーのビームスポット径を調節し、酸化物超電導体の所定部分に照射し、溶融又は分解により超電導相を変質させる温度まで加熱することにより照射部分の超電導相を破壊して半導体もしくは絶縁体等の非超電導相に変質させ、任意な回路を特性を低下させることなく容易に作製することができるのである。」（第３頁右上欄第７〜１５行）こと、
「なお、上記実施例ではＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体の回路作製について説明したが、本発明法が他の酸化物超電導体にも適用できることは勿論である。」（第３頁左下欄第１〜４行）こと、
「第１図は、本発明法により円筒形酸化物超電導成型体から作製したコイル状回路を示す斜視図、第２図は同様に平板型成型体から作製した回路を示す平面図」（第３頁左下欄第６〜９行）、
「符号説明
１−円筒形酸化物超電導成型体　２−非超電導相
３−超電導相　４−平板状酸化物超電導成型体
５−ＣＯ２ガスレーザー　６−レーザービーム
ｌ−溶融変質部　ｓ−加熱分解変質部」（第３頁左下欄第１２〜１６行）が、第１図〜第３図と共に記載されている。
　そして、刊行物１の特許請求の範囲には、「酸化物超電導体にレーザーを照射することにより被照射部を非超電導相に変質させて回路を形成することを特徴とする酸化物超電導体の回路作製方法」が、記載されており、また、図面第１図には、「本発明法により円筒形酸化物超電導成型体から作製したコイル状回路を示す斜視図」、第２図には、「同様に平板型成型体から作製した回路を示す平面図」が、記載されていることから、回路であるものの発明も記載されている。
　また、「バルクで流せる電流値」（第３頁左上欄第９行）という記載があることから、刊行物１に記載の発明における酸化物超電導体は、バルクからなることは、明らかである。
　
　以上の記載から、刊行物１には、「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導体、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体であり、レーザーを照射することにより被照射部を変質させた非超電導相により、酸化物超電導体の回路が形成されている酸化物超導電体の回路。」が、示されている。
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物２（特開平１−２２０８７４号公報）には、
「基板上に作成した酸化物超伝導体の薄膜に水素雰囲気中あるいは真空雰囲気中でレーザビームを照射し、走査することによって、照射した領域を非超伝導化することを特徴とする酸化物超伝導体薄膜の加工方法。」（特許請求の範囲）、
「（作用）
　本発明では基板上に全面に形成した酸化物超伝導体の薄膜を水素雰囲気中あるいは真空雰囲気中でレーザビームを照射し、走査することによって、特定の領域のみ前記酸化物超伝導体の薄膜を順次非超伝導化することができる。レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。また組成変化の他にレーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にすることによって、結晶構造を変化させて非超伝導化することも可能である。本発明ではレーザビームをスキャンすることによってマスクなして所望の領域のみを非超伝導化することが出来る。」（第２頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第１２行）こと、
「（実施例）
　第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を説明するための断面図である。まず、表面に半導体装置が形成されたＧａＡｓ結晶基板１１をＳｉＯ２等の絶縁材料で被覆する。次にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系のターゲットを用いたスパッタ法により、酸化物超伝導体の構成成分を有する薄膜１２としてＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する薄膜を基板全面に厚さ約０．５μｍ被着する（第１図（ａ））。この時ＧａＡｓ半導体装置中にはすでにＦＥＴ構造を作成してあり、また電極もすでに形成しておく。スパッタはアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）との混合雰囲気中で基板温度は室温〜８００℃の範囲で半導体装置の構造がくずれない温度を選んで行なう。
　次に酸素雰囲気中、基板温度４００℃で酸素プラズマ処理を行ない、上記薄膜を超伝導化する（第１図（ｂ））。
　次に水素気流中で酸化物超伝導体の薄膜１３表面の所望の部分にＡｒレーザを照射する（第１図（ｃ））。このＡｒレーザを照射してビーム照射部を加熱し雰囲気水素と反応させることにより水分を蒸発させ、非超伝導薄膜１４と化する。レーザビームの照射条件は、ビームスポット径５０μｍ、出力パワー３〜５Ｗ、走査速度２ｃｍ／ｓｅｃとした。
　任意の方向にレーザビームを走査することにより、所望の領域のみを酸化物超伝導物質として残すことが出来、レーザビーム非照射部は特性を測定した結果、本加工により特性の低下は認められなかった。」（第２頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第２０行）こと、
「また本実施例では水素気流中でレーザビームを照射したが、真空中で照射してもよい。」（第２頁右下欄第９〜１１行）こと、
「（発明の効果）
　本発明によればマスクで所望の領域を非超伝導化できるために素子の配線方法等として極めて有効である。」（第２頁右下欄第１２〜１５行）ことが、第１図とともに記載されている。
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物３（特開平５−１９３９３８号公報）には、
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はＲＥ（Ｙを含む希土類元素の１種またはその組合せ）、ＢａおよびＣｕの複合酸化物である酸化物超電導体において大型の単結晶状のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相（以下１２３相と称す）から構成された材料を提供することを目的とする。更に本発明は大型の１２３相の中に極めて微細な粒径をもつＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相（以下２１１相と称す）を分散した組織の材料を提供することを目的とする。」ことが、記載されている。
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物４（特公平４−４０２８９号公報）には、
「１  RE（Ｙを含む希土類元素）、Ba，Cuの酸化物からなる酸化物超電導体において、前記RE（Ｙを含む希土類元素）、Ba，Cuの酸化物超電導体の組織REBa2Cu3O7-y相中に直径20ミクロン以下のRE2BaCuO5相が分散した組織を有することを特徴とする酸化物超電導バルク材料。」（特許請求の範囲第１項）が、記載されている。
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物５（特開平８−１８１１０号公報）には、
「超電導導体」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】  ミアンダ構造が３次元的に接続され、３次元的な電流経路を有するＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系バルク超電導体（ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）とその両端に接続された導線とにより構成されることを特徴とする超電導導体。」、
「【０００６】臨界電流密度やその磁場中における特性を考えた場合、ＹＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系超電導材料は優れた特性を有する材料である。Ｙの位置は他のＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素で置換してもよく、以下ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX と表記する。ただし、この材料系の場合、結晶粒界が著しく臨界電流密度を低下させるため、結晶粒が配向している必要がある。現在の技術では、配向したＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX を製造する方法として、格子定数の近い基盤上に成膜させる方法と溶融法が挙げられる。」こと、
「【００１５】
【実施例】
（実施例１）ＱＭＧ法で作製したＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx系バルク超電導体から図２、図３で示されるような電流リードを作製した。図中の矢印３は電流の流れる方向を示している。これらをそれぞれ電流リードＡおよび電流リードＢとする。それぞれの電流リードを構成している材料は全体にわたって大傾角粒界がなく、マトリクスのＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx相内にＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が平均２μｍ以下で均一に分散している組織を有する。また図に示したように、試料の最も広い面がａｂ面になっており、電流は主としてａｂ面に平行に流れるようにした。室温における電流リードＡと電流リードＢのＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx両端の電気抵抗がそれぞれ０．６Ω、および１．８Ωであった。また、この材料の臨界電流密度は７７Ｋ、１Ｔで２５０００Ａ／ｃｍ2 であった。」ことが、図１〜図４とともに記載されている。
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物６（特開平８−１７６２１号公報）には、
「超電導電流リード」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】  ミアンダ構造を有する配向したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏx系バルク超電導体（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）とその両端に接続された導線により構成される導体で、ＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏxの電流経路が常にａｂ面と平行であることを特徴とする超電導電流リード。」、
「【００１８】
【実施例】
（実施例１）ＱＭＧ法で作製したＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx系バルク超電導体から図３、図４および図５で示されるような電流リードを作製した。これらを電流リードＡ（図３）、電流リードＢ（図４）および電流リードＣ（図５）とする。電流リードＢの切り込み部分２を含めて、加工はすべてダイヤモンドカッターを用いて行った。それぞれの電流リードを構成している材料は全体にわたって大傾角粒界がなく、マトリクスのＹＢａ2Ｃｕ3Ｏx 相内にＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が平均２μｍ以下で均一に分散している組織を有する。結晶方位は図３から図５に示したように試料の最も広い面がａｂ面、すなわち電流の流れる方向がａｂ面に平行である。また、この材料の臨界電流密度は７７Ｋ，１Ｔで２５０００Ａ／ｃｍ2 である。なお図中３は電流の流れる方向を示す。」ことが、図１〜図９とともに記載されている。
　
３−２　対比・判断
３−２−１　補正後の請求項１に係る発明について
　補正後の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明における「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」と、補正後の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox系バルク超電導体」とは、いずれも、「Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」であり、刊行物１に記載された発明における「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ」中のｘの表記は、補正後の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox」中のｘの表記とは相違するものの、「Ｏ７−ｘ」と「Ox」は、同じ組成を示すために、いずれも慣用的に用いられる表記であり、また、刊行物１に記載された発明における「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系」中の「Ｙ」は、補正後の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox」の内のREはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれたYの元素をさしており、また、刊行物１に記載された発明は、「バルクからなる」ものであり、刊行物１に記載された発明は、「バルク酸化物超電導体」であるので、刊行物１に記載された発明における「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」は、補正後の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox系バルク超電導体」に相当し、
刊行物１に記載された発明における「非超電導相により、酸化物超電導体の回路が形成されている」ことは、たとえば、刊行物１の第１図、又は第２図に記載されているように、非超電導相により、酸化物超電導体の超導電状態での電流経路に相当するものが形成されていることは明らかであり、しかも、この電流経路に相当するものは、「酸化物超電導体にレーザーを照射して非超電導相を形成させ」（第２頁右上欄第１０〜１１行）て、酸化物超電導体の内部に形成されるものであるので、刊行物１に記載された発明における「非超電導相により、酸化物超電導体の回路が形成されている」ことは、補正後の請求項１に係る発明の「その内部で非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていること」に相当する。
　してみると、補正後の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
「REBa2Cu3Ox系バルク超電導体であり、その内部で非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていることを特徴とする酸化物超電導体。ここで、REはYである。」点で一致し、
補正後の請求項１に係る発明では、REBa2Cu3Ox系バルク超電導体が、「RE2BaCuO5相が分散し、かつ、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であ」るのに対して、刊行物１に記載された発明では、RE2BaCuO5相が分散し、かつ、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であるかどうかの記載がない点（以下、「相違点１」という。）、
補正後の請求項１に係る発明では、非超電導相が、（REBa2Cu3Ox系バルク超電導体と）同様な結晶構造を有するのに対して、刊行物１に記載された発明では、非超電導相が、（酸化物超電導体に）レーザーを照射することにより被照射部を変質させたものである点（以下、「相違点２」という。）、
補正後の請求項１に係る発明では、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさすのに対して、刊行物１に記載された発明では、REはYである点（以下、「相違点３」という。）、
補正後の請求項１に係る発明では、発明の末尾の記載が、「酸化物超電導導体。」であるのに対して、刊行物１に記載された発明における、発明の末尾の記載は、「酸化物超電導体の回路。」である点（以下、「相違点４」という。）、
で相違している。
　そこで、上記相違点１〜４について検討する。
ａ．相違点１について
　刊行物３ないし６に記載された発明には、いずれも、「ＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が分散し、かつ、配向したＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系バルク超電導体（ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）」に相当するものが記載されており、このようなＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX系バルク超電導体は、周知であるから、刊行物１に記載された発明の「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導体、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」においても、周知の「ＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が分散し、かつ、配向したＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系バルク超電導体（ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）」を用いることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
ｂ．相違点２について
　刊行物１に記載された発明では、非超電導相は、レーザーを照射することにより被照射部を変質させたものであり、被照射部が溶融又は分解してＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ超電導相が変質し、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５やＢａＣｕＯ２あるいはＣｕＯ等の非超電導相が形成されるものである。
　このように形成されたＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５やＢａＣｕＯ２あるいはＣｕＯ等の非超電導相は、バルク超電導体と同様な結晶構造と言うことはできないが、刊行物２には、「酸化物超伝導体薄膜の加工方法」として、「基板上に作成した酸化物超伝導体の薄膜に水素雰囲気中あるいは真空雰囲気中でレーザビームを照射し、走査することによって、照射した領域を非超伝導化すること」（特許請求の範囲）（ここで、（「超伝導」は、「超電導」と同義語）である。）が記載されており、実施例では、酸化物超伝導体の薄膜としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する薄膜を基板全面に被着し、超伝導化している。
　また、刊行物２には、「素子の配線方法等として極めて有効であ」り（第２頁右下欄第１４〜１５行）、「基板上に全面に形成した酸化物超伝導体の薄膜を水素雰囲気中あるいは真空雰囲気中でレーザビームを照射し、走査することによって、特定の領域のみ前記酸化物超伝導体の薄膜を順次非超伝導化することができる。レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。また組成変化の他にレーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にすることによって、結晶構造を変化させて非超伝導化することも可能である。」（第２頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第１０行）ことが記載されており、この記載の内、「レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。」部分の記載によれば、刊行物２に記載のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する酸化物超伝導体薄膜を例にとると、「真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こ」すことにより、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する酸化物超伝導体薄膜の「Ｏ７」と表記した部分の酸素が、脱離やＨ２Ｏによる蒸発により、少なくなると解することができるので、この「組成変化」した非超電導薄膜は、結晶構造までは変化していないものと認められる。このことは、「また組成変化の他にレーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にすることによって、結晶構造を変化させて非超伝導化することも可能である。」という記載からも、レーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にした場合には、結晶構造を変化させて非超伝導化し、レーザビームのパワーが弱く加熱温度を１１００℃未満とした場合、即ち、「レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。」場合には、結晶構造までは変化していないものと裏付けられており、この「真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こ」す場合には、非超伝導薄膜は、超伝導薄膜と同様な結晶構造を有するものと認められる。
　そして、刊行物２に記載された発明は、酸化物超伝導薄膜に関するものであり、刊行物１に記載された発明のバルクからなる酸化物超電導体とは異なっているが、両者とも、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体であり、また、刊行物２に記載された発明は、酸化物超伝導体による、素子の配線に用いられるものであり、刊行物１に記載された発明は、回路を形成するものであり、配線により回路が形成されることは、明らかであるので、刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明の用途も、ほぼ共通している。
　してみると、刊行物１に記載された発明における非超電導相として、刊行物２に記載された発明における超伝導物質と同様な結晶構造を有する非超電導物質を用いることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
ｃ．相違点３について
　刊行物１に記載された発明では、REはYであり、REがYである限り、補正後の請求項１に係る発明の、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさすものと一致している。
　したがって、相違点３は、実質的なものではない。
ｄ．相違点４について
　刊行物１に記載された発明における酸化物超電導体は、使用される温度域では導体であるので、刊行物１に記載された発明における酸化物超電導体の回路も、電流が流れる部分は、使用される温度域では導体である。
　してみると、補正後の請求項１に係る発明に記載の「酸化物超電導導体。」と、刊行物１に記載された発明に記載の「酸化物超電導体の回路。」とは、格別に相違するものではない。
　
　なお、審判請求人は、平成１７年６月２日付けの審判請求書の手続補正書の「５．本願発明と引用文献との対比」において、「そして、これらの引用文献は、酸化物超電導体に関する点では類似していますが、引用文献１，５が酸化物超電導バルク材料であり、引用文献２〜４，６が酸化物超電導薄膜であることや、それぞれの文献の対象とする技術分野が異なることから、これらの引用文献を組み合わせる蓋然性は無いものであります。」と主張している（ここで、「引用文献１」とは、この審決中の「第２　３−１」に掲げた「刊行物１」であり、「引用文献２」とは、この審決中の「第２　３−１」に掲げた「刊行物２」に該当する。）が、この審判請求人の主張中にもあるように、「引用文献１」、即ち、この審決中の「第２　３−１」に掲げた「刊行物１」に記載されている「酸化物超電導バルク材料」と、「引用文献２」、即ち、この審決中の「第２　３−１」に掲げた「刊行物２」に記載されている「酸化物超電導薄膜」は、酸化物超電導体に関する点では類似しており、補正後の請求項１に係る発明は、酸化物超電導導体の厚みや断面積等が特定されていないために、任意の厚みや断面積等で設計できるものであり、また、酸化物超電導導体の用途に関する特定もないために、超電導限流器や永久電流スイッチ等の電力システム分野への応用のみを企画したものとは、認められないため、「刊行物１」に記載された発明と「刊行物２」に記載された発明とは、酸化物超電導体として、組み合わせることができるものである。
　
　したがって、補正後の請求項１に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　まとめ
　以上のとおり、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるので、補正後の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
第３　本願発明について
　平成１７年６月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものであるところ、本願の請求項１に係る発明は、「第２　１」に掲げた次のとおりのものである。
「【請求項１】　配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であり、その内部で同様な結晶構造を有する非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていることを特徴とする酸化物超電導導体。ここで、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素をさす。」
　
１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平３−６２９７８号公報（原審拒絶理由通知において引用）
刊行物２．特開平１−２２０８７４号公報（原審拒絶理由通知において引用）
　
　これらの刊行物１、２には、前記「第２　３−１」に記載されたとおりの事項が記載されており、この内、刊行物１には、「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導体、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体であり、レーザーを照射することにより被照射部を変質させた非超電導相により、酸化物超電導体の回路が形成されている酸化物超導電体の回路。」が、示されている。
　
２　対比・判断
２−１　本願の請求項１に係る発明について
　本願の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明における「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」と、本願の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox系バルク超電導体」とは、いずれも、「Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」であり、刊行物１に記載された発明における「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ」中のｘの表記は、本願の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox」中のｘの表記とは相違するものの、「Ｏ７−ｘ」と「Ox」は、同じ組成を示すために、いずれも慣用的に用いられる表記であり、また、刊行物１に記載された発明における「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系」中の「Ｙ」は、本願の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox」の内のREはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれたYの元素をさしており、また、刊行物１に記載された発明は、「バルクからなる」ものであり、刊行物１に記載された発明は、「バルク酸化物超電導体」であるので、刊行物１に記載された発明における「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」は、本願の請求項１に係る発明の「REBa2Cu3Ox系バルク超電導体」に相当し、
刊行物１に記載された発明における「非超電導相により、酸化物超電導体の回路が形成されている」ことは、たとえば、刊行物１の第１図、又は第２図に記載されているように、非超電導相により、酸化物超電導体の超導電状態での電流経路に相当するものが形成されていることは明らかであり、しかも、この電流経路に相当するものは、「酸化物超電導体にレーザーを照射して非超電導相を形成させ」（第２頁右上欄第１０〜１１行）て、酸化物超電導体の内部に形成されるものであるので、刊行物１に記載された発明における「非超電導相により、酸化物超電導体の回路が形成されている」ことは、本願の請求項１に係る発明の「その内部で非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていること」に相当する。
　してみると、本願の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
「REBa2Cu3Ox系バルク超電導体であり、その内部で非超電導相により、超電導状態での電流経路が形成されていることを特徴とする酸化物超電導体。ここで、REはYである。」点で一致し、
本願の請求項１に係る発明では、REBa2Cu3Ox系バルク超電導体が、「配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であ」るのに対して、刊行物１に記載された発明では、配向したREBa2Cu3Ox系バルク超電導体であるかどうかの記載がない点（以下、「相違点５」という。）、
本願の請求項１に係る発明では、非超電導相が、（REBa2Cu3Ox系バルク超電導体と）同様な結晶構造を有するのに対して、刊行物１に記載された発明では、非超電導相が、（酸化物超電導体に）レーザーを照射することにより被照射部を変質させたものである点（以下、「相違点６」という。）、
本願の請求項１に係る発明では、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさすのに対して、刊行物１に記載された発明では、REはYである点（以下、「相違点７」という。）、
本願の請求項１に係る発明では、発明の末尾の記載が、「酸化物超電導導体。」であるのに対して、刊行物１に記載された発明における、発明の末尾の記載は、「酸化物超電導体の回路。」である点（以下、「相違点８」という。）、
で相違している。
　そこで、上記相違点５〜８について検討する。
ａ．相違点５について
　本願出願前日本国内において頒布された特開平５−１９３９３８号公報（例えば、「【０００４】・・・本発明はＲＥ（Ｙを含む希土類元素の１種またはその組合せ）、ＢａおよびＣｕの複合酸化物である酸化物超電導体において大型の単結晶状のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相（以下１２３相と称す）から構成された材料を提供することを目的とする。・・・」の記載を参照のこと（なお、前記「第２　３−１」に当該公報あり））、本願出願前日本国内において頒布された特公平４−４０２８９号公報（例えば、特許請求の範囲第１項の「１  RE（Ｙを含む希土類元素）、Ba，Cuの酸化物からなる酸化物超電導体において、前記RE（Ｙを含む希土類元素）、Ba，Cuの酸化物超電導体の組織REBa2Cu3O7-y相中に直径20ミクロン以下のRE2BaCuO5相が分散した組織を有することを特徴とする酸化物超電導バルク材料。」の記載を参照のこと（なお、前記「第２　３−１」に当該公報あり））、本願出願前日本国内において頒布された特開平８−１８１１０号公報（例えば、「【請求項１】  ミアンダ構造が３次元的に接続され、３次元的な電流経路を有するＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系バルク超電導体（ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）とその両端に接続された導線とにより構成されることを特徴とする超電導導体。」、「【０００６】臨界電流密度やその磁場中における特性を考えた場合、ＹＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系超電導材料は優れた特性を有する材料である。Ｙの位置は他のＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素で置換してもよく、以下ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX と表記する。ただし、この材料系の場合、結晶粒界が著しく臨界電流密度を低下させるため、結晶粒が配向している必要がある。現在の技術では、配向したＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX を製造する方法として、格子定数の近い基盤上に成膜させる方法と溶融法が挙げられる。」の記載を参照のこと（なお、前記「第２　３−１」に当該公報あり））、又は、本願出願前日本国内において頒布された特開平８−１７６２１号公報（例えば、「【請求項１】  ミアンダ構造を有する配向したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏx系バルク超電導体（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）とその両端に接続された導線により構成される導体で、ＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏxの電流経路が常にａｂ面と平行であることを特徴とする超電導電流リード。」の記載を参照のこと（なお、前記「第２　３−１」に当該公報あり））に記載されているように、「配向したＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系バルク超電導体（ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）」に相当する超電導体は、周知であるから、刊行物１に記載された発明の「バルクからなる、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導体、あるいは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体」においても、上記周知の「配向したＲＥＢａ2 Ｃｕ3 ＯX 系バルク超電導体（ＲＥは��、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた１種以上の元素）」を用いることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
ｂ．相違点６について
　刊行物１に記載された発明では、非超電導相は、レーザーを照射することにより被照射部を変質させたものであり、被照射部が溶融又は分解してＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ超電導相が変質し、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５やＢａＣｕＯ２あるいはＣｕＯ等の非超電導相が形成されるものである。
　このように形成されたＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５やＢａＣｕＯ２あるいはＣｕＯ等の非超電導相は、バルク超電導体と同様な結晶構造と言うことはできないが、刊行物２には、「酸化物超伝導体薄膜の加工方法」として、「基板上に作成した酸化物超伝導体の薄膜に水素雰囲気中あるいは真空雰囲気中でレーザビームを照射し、走査することによって、照射した領域を非超伝導化すること」（特許請求の範囲）（ここで、「超伝導」は、「超電導」と同義語である。）が記載されており、実施例では、酸化物超伝導体の薄膜としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する薄膜を基板全面に被着し、超伝導化している。
　また、刊行物２には、「素子の配線方法等として極めて有効であ」り（第２頁右下欄第１４〜１５行）、「基板上に全面に形成した酸化物超伝導体の薄膜を水素雰囲気中あるいは真空雰囲気中でレーザビームを照射し、走査することによって、特定の領域のみ前記酸化物超伝導体の薄膜を順次非超伝導化することができる。レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。また組成変化の他にレーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にすることによって、結晶構造を変化させて非超伝導化することも可能である。」（第２頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第１０行）ことが記載されており、この記載の内、「レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。」部分の記載によれば、刊行物２に記載のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する酸化物超伝導体薄膜を例にとると、「真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こ」すことにより、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７に近い組成を有する酸化物超伝導体薄膜の「Ｏ７」と表記した部分の酸素が、脱離やＨ２Ｏによる蒸発により、少なくなると解することができるので、この「組成変化」した非超電導薄膜は、結晶構造までは変化していないものと認められる。このことは、「また組成変化の他にレーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にすることによって、結晶構造を変化させて非超伝導化することも可能である。」という記載からも、レーザビームのパワーを増大して加熱温度を１１００℃以上にした場合には、結晶構造を変化させて非超伝導化し、レーザビームのパワーが弱く加熱温度を１１００℃未満とした場合、即ち、「レーザビームの照射の効果として酸化物超伝導体が加熱されることにより真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こし、照射領域は超伝導特性を示さなくなる。」場合には、結晶構造までは変化していないものと裏付けられており、この「真空雰囲気中では主に酸素の脱離、水素雰囲気中では還元されてＨ２Ｏによる蒸発を生じて、組成変化を起こ」す場合には、非超伝導薄膜は、超伝導薄膜と同様な結晶構造を有するものと認められる。
　そして、刊行物２に記載された発明は、酸化物超伝導薄膜に関するものであり、刊行物１に記載された発明のバルクからなる酸化物超電導体とは異なっているが、両者とも、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体であり、また、刊行物２に記載された発明は、酸化物超伝導体による、素子の配線に用いられるものであり、刊行物１に記載された発明は、回路を形成するものであり、配線により回路が形成されることは、明らかであるので、刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明の用途も、ほぼ共通している。
　してみると、刊行物１に記載された発明における非超電導相として、刊行物２に記載された発明における超伝導物質と同様な結晶構造を有する非超電導物質を用いることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
ｃ．相違点７について
　刊行物１に記載された発明では、REはYであり、REがYである限り、本願の請求項１に係る発明の、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさすものと一致している。
　したがって、相違点７は、実質的なものではない。
ｄ．相違点８について
　刊行物１に記載された発明における酸化物超電導体は、使用される温度域では導体であるので、刊行物１に記載された発明における酸化物超電導体の回路も、電流が流れる部分は、使用される温度域では導体である。
　してみると、本願の請求項１に係る発明に記載の「酸化物超電導導体。」と、刊行物１に記載された発明に記載の「酸化物超電導体の回路。」とは、格別に相違するものではない。
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、その出願前に国内において頒布された刊行物１、２に記載された発明及び周知例に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。