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　平成１１年特許願第３１９１０５号「セラミックス回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１８日出願公開、特開２００１−１３５９０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年１１月１０日の出願であって、平成１７年８月２３日付け拒絶理由通知に対して、同年９月１２日付けで手続補正がされたが、同年１０月２４日付けで拒絶査定され、これに対し、同年１１月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１７年１１月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１７年１１月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲についてするもので、本件補正前の請求項１及び請求項３に、「９５質量％以上のアルミニウムを含有する金属板からなる回路」とあったところを、「９９．８５質量％以上のアルミニウムを含有する金属板からなる回路」と限定し、また、本件補正前の請求項１及び請求項３に、「セラミックス回路基板」及び「セラミックス回路基板の製造方法」とあったところを、「耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板」及び「耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板の製造方法」と限定するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】少なくとも一主面に１ｎｍ以上０．２μｍ以下の酸化層を有するセラミックス基板の少なくとも一主面上に、９９．８５質量％以上のアルミニウムを含有する金属板からなる回路を、Ｍｇと、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群の１種以上とを含むアルミニウム合金からなり、５００℃から６３０℃の温度範囲で液相を形成するろう材を用いて接合させてなることを特徴とする耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板。」
　
２．引用例
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１２５４６３号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１ａ）「〔産業上の利用分野〕この発明は、軽量にして、熱伝導性（放熱性）にすぐれ、したがって半導体装置の高集積化および大電力化に十分対応することができる半導体装置用基板に関するものである。」（第２頁左上欄第６〜１０行）
　
（１ｂ）「近年の半導体装置の高集積化および大電力化に伴って、装置自体が大型化し、重量化する傾向にあり、したがってこれを構成する部材の軽量化が強く望まれている」（第２頁右上欄第１１〜１４行）
　
（１ｃ）「そこで、本発明者等は、・・・すぐれた熱伝導性をもった上で、さらに軽量の半導体装置用基板を開発すべく研究を行なった結果、ヒートシンク板材および薄板材として、・・・１５０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋの高い熱伝導度を有し、かつＣｕより一段と軽量の純Ａｌや、例えばＡｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金およびＡｌ−１％Ｍｎ合金などのＡｌ合金を用いると共に、絶縁板材として、・・・窒化アルミニウム（以下ＡｌＮで示す）系焼結体を適用し・・・このＡｌ系焼結板材の両面に、Ａｌ−１３％Ｓｉ合金、Ａｌ−７．５％Ｓｉ合金、Ａｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金、・・・などのＡｌ−Ｓｉ系合金や、Ａｌ−１５％Ｇｅ合金などのＡｌ−Ｇｅ系合金からなるろう材（以上重量％、以下％は重量％を示す）を箔材、あるいは前記ヒートシンク板材および薄板材の接合面にクラッドした状態で用いて、ヒートシンク板材および薄板材をそれぞれ積層接合し・・・構成部材すべては軽量にして熱伝導性の良好なＡｌまたはＡｌ合金とＡｌＮ系焼結体で構成されることになるから、基板全体が軽量化され、かつ放熱性のすぐれたものになるという研究結果を得るに至ったのである。」（第２頁左下欄第６行〜第３頁左上欄第４行）
　
（１ｄ）「この発明は、上記研究結果にもとづいてなされたものであって、第１図に概略説明図で示されるように、絶縁板材Ｃを、平均膜厚：０．２〜２０μｍの表面酸化層Ｃ−Ｓを有するＡｌＮ系焼結板材Ｃ−Ｂの少なくとも両面に平均膜厚：０．０１〜１０μｍのＳｉＯ２系被覆層Ｃ−Ｃを形成したもので構成し、・・・上記絶縁板材Ｃの一方面にＡｌまたはＡｌ合金からなるヒートシンク板材Ａを、また上記絶縁板材Ｃの他方面に同じくＡｌまたはＡｌ合金からなる回路形成用薄板材Ｂを、それぞれＡｌ−Ｓｉ系合金またはＡｌ−Ｇｅ系合金からなるろう材Ｄを用いて積層接合し、・・・放熱性にすぐれた半導体装置用軽量基板に特徴を有するものである。」（第３頁左上欄第５行〜同頁右上欄第１９行）
　
（１ｅ）「（ｂ）ＡｌＮ系焼結板材表面部に形成される酸化層　この表面酸化層は、ＡｌＮ系焼結板材とＡｌまたはＡｌ合金のヒートシンク板材および薄板材とのＡｌ−Ｓｉ系合金またはＡｌ−Ｇｅ系合金からなるろう材によるろう付け密着性を、ＳｉＯ２系被覆層との共存において向上させるために形成されるが、・・・その平均膜厚を０．２〜２０μｍとしなければならない。」（第３頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第９行）
　
（１ｆ）「（ｃ）ＳｉＯ２系被覆層　ＳｉＯ２系被覆層は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする表面酸化層、並びにＡｌ−Ｓｉ系合金またはＡｌ−Ｇｅ系合金からなるろう材との密着性にすぐれたものであり、ＡｌＮ系焼結板材とＡｌまたはＡｌ合金のヒートシンク板材および薄板材とのろう付け接合には不可欠の介在層であるが、その平均層厚が０．０１μｍ未満では所望の接合強度を確保することができず、一方その平均層厚が１０μｍを越えると熱伝導性（放熱性）が損なわれるようになるので、その平均層厚を０．０１〜１０μｍとしなければならない。」（第３頁右下欄第１６行〜第４頁左上欄第７行）
　
（１ｇ）「〔実施例〕つぎに、この発明の半導体装置用基板を実施例により具体的に説明する。まず、・・・これら原料粉末をそれぞれ第１表に示される配合組成に配合し、・・・実質的に配合組成と同一の成分組成を有し、かつ幅：５０ｍｍ×厚さ：０．６３ｍｍ×長さ：７５ｍｍの寸法をもったＡｌＮ系焼結板材を形成し、ついで、これらのＡｌＮ系焼結板材に、酸素分圧：０．１〜１気圧、水蒸気分圧：１×１０−５〜１×１０−３気圧の雰囲気中、１３５０〜１４５０℃の温度に所定の時間保持の条件で酸化処理を施して第１表に示される平均膜厚の表面酸化層を形成し、さらに引続いて、前記表面酸化層上に、通常の高周波スパッタ法、ゾルゲル法、および光ＣＶＤ法のうちのいずれかの方法にて、同じく第１表に示される組成および平均層厚を有するＳｉＯ２系被覆層を形成することにより絶縁板材Ａ〜Ｖをそれぞれ製造した。さらに、ヒートシンク板材として、いずれも幅・・・の寸法を有し、また薄板材として、いずれも幅・・・を有し、かつ（ａ）純Ａｌ、・・・（ｃ）Ａｌ−１％Ｍｎ合金（以下、Ａｌ−Ｍｎ合金という）、・・・以上（ａ）〜（ｅ）のうちのいずれかからなる板材を用意し、またろう材として・・・（ｄ）Ａｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金（以下、「Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金という）、・・・以上（ｄ）または（ｅ）を適用する場合には、上記のヒートシンク板材および薄板材の圧延加工時に３０μｍの厚さにクラッドしてろう付け板材（ブレージングシート）とした状態で用い、ついでこれらの構成部材を第２表に示される組合せで第１図に示される状態に積み重ね、この状態で真空中、４３０〜６１０℃に１０分間保持の条件でろう付けして積層接合体とし、・・・形成することにより本発明基板１〜２２をそれぞれ製造した。」（第４頁左下欄第７行〜第５頁右下欄第９行）
　
（１ｈ）「ついで、本発明基板１〜２２および従来基板について、一般に半導体装置用基板の評価試験として採用されている試験、すなわち温度：１２５℃に加熱後、−５５℃に冷却を１サイクルとする繰り返し加熱試験を行い、絶縁板材に割れが発生するに至るまでのサイクル数を２０サイクル毎に観察して測定し、またレーザ・フラッシュ法による熱伝導度の測定、および絶縁板材とヒートシンク板材の接合強度の測定を行ない、さらに本発明基板１〜２２の重量を測定し、従来基板の重量を１とし、これに対する相対比を求めた。これらの結果を第２表に示した。」（第７頁左上欄第５〜１６行）
　
（１ｉ）第１表には、絶縁板材の種別Ｉとして、ＣａＯを０．１重量％含有し残部をＡｌＮとした配合組成を有しかつその表面に平均層厚が６．２μｍの表面酸化層を有するＡｌＮ系焼結板材に、ＴｉＯ２を４７．６重量％含有し残部をＳｉＯ２とした成分組成を有しかつ平均層厚が０．０１μｍのＳｉＯ２系被覆層を形成したものが示されている。
　
（１ｊ）第２表には、本発明基板の種別９として、種別Ｉの絶縁板材、純Ａｌのヒートシンク板材、純Ａｌの薄板材、及びＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金のクラッド材からなるろう材をそれぞれ用いたものが示されており、また、該基板が、２００サイクルの繰り返し加熱試験後も割れを生じることがなく、１５８Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導度、２ｋｇ／ｍｍ２以上の接合強度、及び０．３５２の重量相対比を有するものであることが示されている。
　
（２）また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−６５２９６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（２ａ）「【発明の属する技術分野】本発明はパワーモジュール用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関するものである。」（【０００１】）
　
（２ｂ）「請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、更に図１に示すように、第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌの純度が９９．９８重量％以上であることを特徴とする。
　この請求項２に係るセラミック回路基板では、第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌの純度を９９．９８重量％以上とすると、第１及び第２アルミニウム板１１，１２の０．２％耐力が２９ＭＰａと小さくなる。この結果、第１及び第２アルミニウム板１１，１２の変形抵抗が小さくなるので、回路基板１０に熱サイクルを付加しても、セラミック基板１３に作用する熱応力はこのセラミック基板１３にクラックが発生しない範囲となる。」（【０００６】）
　
（２ｃ）「【実施例】・・・＜実施例１＞図１に示すように、・・・セラミック基板１３と、縦、横及び厚さがそれぞれ５０．８ｍｍ、５０．８ｍｍ及び０．４ｍｍのＡｌ合金により形成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、・・・Ａｌ−Ｓｉ系ろう材とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌの純度はともに９９．９９９重量％であり、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材はＡｌ−７．５重量％Ｓｉ合金であった。また第１及び第２アルミニウム板はＡｌの他に０．０００３重量％のＳｉと、０．０００２重量％のＦｅと、０．０００１重量％のＣｕとを含んでいた。・・・セラミック回路基板１０を得た。」（【０００９】）
　
（２ｄ）「＜実施例２＞第１及び第２アルミニウム板が９９．９９重量％のＡｌと、０．００３重量％のＳｉと、０．００３重量％のＦｅと、０．００３重量％のＣｕとを含むことを除いて、実施例１のセラミック回路基板と同一に構成されたセラミック回路基板を実施例２とした。」（【００１０】）
　
（３）上記引用例１の記載事項及び第１図を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＣａＯを０．１重量％含有し残部をＡｌＮとした配合組成を有しかつその表面に平均層厚が６．２μｍの表面酸化層を有する厚さ０．６３ｍｍのＡｌＮ系焼結板材の少なくとも両面に、高周波スパッタ法、ゾルゲル法及び光ＣＶＤ法のうちのいずれかの方法によってＴｉＯ２を４７．６重量％含有し残部をＳｉＯ２とした成分組成を有しかつ平均層厚が０．０１μｍのＳｉＯ２系被覆層を形成したもので構成した絶縁板材と、該絶縁板材の他方面に純Ａｌからなる回路形成用薄板材とを、Ａｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金のクラッド材からなるろう材を用いて接合した半導体装置用基板において、上記ろう材を用いた接合は、４３０〜６１０℃に１０分間保持の条件で実施され、かつ２００サイクルの繰り返し加熱試験後も割れを生じない半導体装置用基板。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明における、表面に平均層厚６．２μｍの表面酸化層を有する「Ａｌ系焼結板材」は、その大部分が厚さ０．６３ｍｍの焼結体から成っているので、本願補正発明の「セラミックス基板」に相当する。
　
（イ）引用発明における「ＳｉＯ２系被覆層」は、セラミックス基板の少なくとも両面、即ち少なくとも一主面上に形成され、かつ「１ｎｍ以上０．２μｍ以下」の範囲に含まれる「０．０１μｍ」の層厚を有するものであることから、本願補正発明の「酸化層」に相当する。
　なお、本願補正発明における「酸化層」に関しては、本願明細書中に「窒化アルミニウム板を用意し、大気中で加熱処理し、表裏両面に０．５μｍ以上の酸化層を形成させた。」（【００１９】）との記載があるものの、同明細書中には、上記「酸化層」との文言の定義は記載されていないところ、一般に、「酸化層」、「酸化膜」という場合に、これらの層や膜が大気中等で下地となる部材の表面を加熱処理して形成したものに限定されず、下地となる部材の表面上にＣＶＤ法、ＳＯＧ法、スパッタリング法等で酸化物を堆積させて形成した層や膜までも含むことは、例えば以下の文献１、２に記載されているように、技術常識であり、してみると、引用発明の「高周波スパッタ法、ゾルゲル法及び光ＣＶＤ法のうちのいずれかの方法で形成されたＳｉＯ２系被覆層」は、本願補正発明の「酸化層」に含まれるものといえる。
　
文献１：半導体用語大辞典編集委員会編「半導体用語大辞典」（１９９９年３月２０日）株式会社日刊工業新聞社，ｐｐ．４６１−４６２
　
（文１ａ）「酸化膜　さんかまく・・・酸化膜の形成方法としては、熱酸化やＣＶＤ法による方法ならびに、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ）法、スパッタリング、陽極酸化などがある。」（４６１頁右欄第３６〜３９行）
　
文献２：米津宏雄「半導体基礎用語辞典（第９版）」（平１０−５−２０）工学図書株式会社，ｐｐ．４５−４６
　
（文２ａ）「酸化膜　ｏｘｉｄｅ・・・製法としては、熱酸化とＣＶＤの二種類がある。」（第４６頁第１行）
　
（ウ）引用発明における「純Ａｌからなる回路形成用薄板材」は、セラミックス基板の他方面、即ち少なくとも一主面上にろう材を用いて接合されるものであるから、本願補正発明の「アルミニウムを含有する金属板からなる回路」に相当する。
　
（エ）引用発明における「Ａｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金のクラッド材からなるろう材」は、これを用いたろう付けが「４３０〜６１０℃に１０分間保持の条件」で実施されるものであることから、「５００℃から６３０℃の温度範囲」に含まれる「５００℃から６１０℃の温度範囲」で液相を形成するものであることは明らかであるので、本願補正発明の「Ｍｇと、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群の１種以上とを含むアルミニウム合金からな」る「ろう材」に相当する。
　
（オ）引用発明における「半導体装置用基板」は、その構成要素である絶縁板材がセラミックス基板を含むものであり、かつ該絶縁板材の表面にアルミニウムを含有する金属板からなる回路を設けるものであり、さらに、「２００サイクルの繰り返し加熱試験後も割れを生じない」という耐ヒートサイクル性に優れたものであることから、本願補正発明の「耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板」に相当する。
　
　上記（ア）〜（オ）を勘案すると、本願補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「少なくとも一主面に０．０１μｍの酸化層を有するセラミックス基板の少なくとも一主面上に、アルミニウムを含有する金属板からなる回路を、Ｍｇと、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群の１種以上とを含むアルミニウム合金からなり、５００℃から６１０℃の温度範囲で液相を形成するろう材を用いて接合させてなる耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板。」
　
　一方で、両者は、次の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明では、酸化層の厚みが「１ｎｍ以上０．２μｍ以下」であるのに対して、引用発明では、該酸化層の厚みが「０．０１μｍ」である点。
　
＜相違点２＞
　ろう材が液相を形成する温度範囲が、本願補正発明では、「５００℃から６３０℃の温度範囲」であるのに対して、引用発明では、「４３０℃から６１０℃の温度範囲」であり、両者は、一部重複しているものの、完全には一致していない点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明では、回路を構成する金属板のアルミニウム純度が「９９．８５質量％以上」であるのに対して、引用発明では、回路を構成する金属板について、「純Ａｌ」からなると規定されるのみで、質量％で表現した具体的なアルミニウムの純度が不明な点。
  
　以下、上記相違点について検討する。
　
＜相違点１＞について
　引用例１の摘記事項（１ｆ）によれば、引用発明の「酸化層」は、「ろう付け接合には不可欠の介在層」であり、かつ所望の接合強度を確保しつつ熱伝導性（放熱性）を損なわないように、その平均層厚を「０．０１〜１０μｍ」としなければならないものとされるが、逆にいえば、上記「０．０１〜１０μｍ」の範囲内であれば、上記酸化層の厚さを自由に設定することができるといえる。
　また、同じく引用例１の摘記事項（１ｆ）によれば、引用発明の「酸化層」について、「平均層厚が０．０１μｍ未満では所望の接合強度を確保することができ」ないとされるが、上記平均層厚が「０．０１μｍ未満」であったとしても、介在層として存在する限りにおいては、所定の接合強度は維持されると考えられるので、熱伝導性等の他の特性を考慮して、上記酸化層の厚さの下限が０．０１μｍ未満となるように拡張することは、当業者であれば十分想到可能である。
　一方、本願補正発明において、酸化層の厚さを「１ｎｍ以上０．２μｍ以下」と設定していることの意義について検討するに、本願明細書の段落【００１２】には、「セラミックス基板の少なくともアルミニウム回路に対する主面上に酸化層が特定厚さについて、その明確な理由は不明であるが、本発明者らの実験結果に基づけば、表面酸化層の厚さが１ｎｍよりも薄い場合、或いは０．２μｍよりも厚い場合には、得られる回路基板についてのヒートサイクル試験において、１０００回以下でセラミックス基板にクラックが発生したり、アルミニウム回路材が剥離することがあるからである。また、前記範囲のうち、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下が、本発明の目的を達成する上で、より好ましい。」と記載され、また、同明細書の【表４】及び段落【００２７】には、表面酸化層厚さが「１ｎｍ」、「１０ｎｍ」又は「０．２μｍ」の窒化アルミニウム基板を用いた実施例１〜５においては、ヒートサイクル３０００回後でも回路材の剥離や窒化アルミニウム基板及び半田部のクラック等の異常は認められなかった一方で、上記表面酸化層厚さが「０．５ｎｍ」又は「０．２５μｍ」の窒化アルミニウム基板を用いた比較例１、２においては、回路材の剥離が有ったことが記載されていることから、一見、本願補正発明は、酸化層の厚さを「１ｎｍ以上０．２μｍ以下」と設定することによって、ヒートサイクル３０００回後であってもアルミニウム回路材の剥離の防止を可能とするという格別の効果を奏するものであるとも考えられるが、引用発明の酸化層の厚さも「０．０１μｍ」であって、「１ｎｍ以上０．２μｍ以下」の範囲に含まれることからすると、引用発明についても上記した本願補正発明と同様の効果を奏することが十分予測できるものと認められる。してみると、本願補正発明における酸化層の厚さを「１ｎｍ以上０．２μｍ」と設定していることに、引用発明に比べて特段の意義があるとは認められない。
　よって、引用発明において「０．０１μｍ」である酸化層の厚さを本願補正発明のように「１ｎｍ以上０．２μｍ以下」と拡張することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
＜相違点２＞について　
　部材同士をろう材を用いて接合する際には、上記部材が溶融せず、かつ上記ろう材が液相を形成するような温度まで一時的に加熱する必要があることはいうまでもない。
　そのような観点からすると、引用発明においてセラミックス基板とアルミニウムを含有する金属板とを接合するためのろう材についても、セラミックス基板及びアルミニウムを含有する金属板の融点よりも低い融点を有するものが求められるが、一般にセラミックスはアルミニウム等の金属よりも融点が高いものであるから、上記ろう材は、アルミニウムを含有する金属板の融点よりも低い融点を有するものでなければならない。そして、アルミニウムの融点が６６０．２℃であることは、よく知られていることであるから、結局のところ、上記ろう材は、少なくとも６６０．２℃より低い融点を有するものであることが必要である。
　また、同じく部材同士のろう材を用いた接合に当たっては、当該接合部の接合強度を十分に確保しつつ、上記部材に過度の熱応力が残留しないようにろう材の選択や加熱温度を最適化することは、当業者が適宜なし得ることにすぎず、引用発明においても、上記「少なくとも６６０．２℃より低い融点を有する」との制約条件の中で、上記の点に考慮しつつ最適なろう材の選択及び加熱温度の設定を行うことに特段の困難性はない。
　一方、本願補正発明では、ろう材が液相を形成する温度として、「５００℃から６３０℃の温度範囲」を採用しているが、本願明細書中には、「すなわち、５００℃未満では接合性の面で不十分な場合があるし、６３０℃を越える温度ではアルミニウム板やセラミックス基板に残留する熱応力が大きくなり易いし、また、アルミニウムの融点に近くなるためにろう接欠陥が発生しやすくなるためである。」（【００１６】）と記載されるのみで、この記載からは、上記温度範囲の下限値としての「５００℃」及び同じく上限値としての「６３０℃」に臨界的な意義があるとまではいえない。
　したがって、ろう材が液相を形成する温度範囲について、引用発明が「４３０℃から６１０℃」としている点を、本願補正発明のように「５００℃から６３０℃」に変更することは、単なる設計変更にすぎず、当業者が適宜なし得たことである。
　
＜相違点３＞について
　引用発明における「純Ａｌ」とは、不可避的に混入する不純物成分を除いてほぼ純粋な高純度のアルミニウムを意味するものと解されるところ、引用例２の摘記事項（２ｃ）、（２ｄ）や、以下の周知例の記載事項からみて、Ａｌ純度が９９．９９重量％や９９．９９９重量％、即ち９９．９９質量％や９９．９９９質量％のアルミニウム板自体は、本願出願前既に周知のものにすぎず、してみると、引用発明における「純Ａｌ」の純度を「９９．８５質量％以上」と数値的に規定することに特段の困難性を見いだせない。
　
周知例：特開平１０−６５０７５号公報
　
（周ａ）「第１及び第２アルミニウム板はＡｌ純度が９９．９８％以上の高純度のＡｌ合金により形成され、」（【０００９】）
　
（周ｂ）「＜実施例１＞図１に示すように、・・・第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％であり、・・・ヒートシンク付セラミック回路基板１０を得た。」（【００１６】〜【００１７】）
　
　そして、本願補正発明の効果も、引用発明から予測可能なものにすぎない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１１月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１７年９月１２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】少なくとも一主面に１ｎｍ以上０．２μｍ以下の酸化層を有するセラミックス基板の少なくとも一主面上に、９５質量％以上のアルミニウムを含有する金属板からなる回路を、Ｍｇと、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅからなる群の１種以上とを含むアルミニウム合金からなり、５００℃から６３０℃の温度範囲で液相を形成するろう材を用いて接合させてなることを特徴とするセラミックス回路基板。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２　〔理由〕２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明から、「９９．８５質量％以上のアルミニウムを含有する金属板からなる回路」とあったところを、「９５質量％以上のアルミニウムを含有する金属板からなる回路」とし、また、「耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板」とあったところを、「セラミックス回路基板」とすることにより、それぞれの限定を解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　〔理由〕３．」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。