【事件の表示】
　平成１１年特許願第３１６００８号「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１８日出願公開、特開２００１−１３３８１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１１年１１月５日の出願であって、平成１８年２月２日に手続補正がなされ、同年４月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月３日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正の却下の決定
　
［結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正の内容
　本件補正は、平成１８年２月２日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、
　
「【請求項１】　対向する一対の基板間に自発分極を有する液晶物質が挟持され、その一方の基板内面に画素対応の電極とスイッチング素子とを設けた液晶表示装置において、スイッチング素子がオンとなっている時間が、前記液晶物質の自発分極が略応答しない時間であり、前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下にしてあることを特徴とする液晶表示装置。」を、
　
「【請求項１】　対向する一対の基板間に自発分極を有する液晶物質が挟持され、その一方の基板内面に画素対応の電極とスイッチング素子とを設けた液晶表示装置において、スイッチング素子がオンとなっている時間が、前記液晶物質の自発分極が略応答しない時間であり、前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下に
することにより、画素に蓄積された電荷量を用いて液晶物質を駆動するようにしてある
　
　上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１の発明特定事項である「前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下に」してあることに関し、そうすることにより「画素に蓄積された電荷量を用いて液晶物質を駆動するようにした」ものであるとの限定を付加するものであるから、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　
　拒絶査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の平成６年６月７日に頒布された刊行物である特開平６−１６０８１２号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　
ア．「【請求項１】
　電極を有し、少なくとも一方が透光性を有し、かついずれか一方の基板に薄膜トランジスタを有する一対の基板間に、強誘電性もしくは反強誘電性を示す液晶材料、あるいはそれらを高分子化合物に分散させた材料を挟持し、該薄膜トランジスタに対するデータ信号印加時間が液晶材料もしくはそれらを高分子化合物に分散させた材料の応答時間よりも短いことを特徴とする液晶電気光学装置。」
　
イ．「【０００２】
【従来の技術】
　液晶組成物は外部の電場によって、その光透過量や屈折率が変化するものであり、この性質を使用することによって電気信号を光信号に変換し、表示をおこなうことができる。液晶材料としては、ＴＮ（ツイステッド・ネマティック）液晶、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマティック）液晶、強誘電性あるいは反強誘電性液晶、また、最近では、ネマティック液晶や強誘電性もしくは反強誘電性液晶を高分子材料中に分散させたポリマー液晶（分散型液晶ともいう）とよばれる材料が知られている。液晶は外部電圧に対して、無限に短い時間に反応するのではなく、応答するまでにある一定の時間がかかることが知られている。その値はそれぞれの液晶材料に固有で、ＴＮ液晶の場合には、数１０ｍｓｅｃ、ＳＴＮ液晶の場合には数１００ｍｓｅｃ、強誘電性液晶の場合には数１０μｓｅｃ、ネマティック液晶を利用した分散型あるいはポリマー液晶の場合には数１０ｍｓｅｃである。
【０００３】
　液晶を利用した表示装置のうちでもっとも優れた画質が得られるものは、アクティブマトリクス方式を用いたものであった。従来のアクティブマトリクス型の液晶電気光学装置では、アクティブ素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用い、ＴＦＴにはアモルファスまたは多結晶型の半導体を用い、１つの画素にＰ型またはＮ型のいずれか一方のみのタイプのＴＦＴを用いたものであった。即ち、一般にはＮチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴという）を画素に直列に連結している。そして、マトリクスの信号線に信号電圧を流し、それぞれの信号線の直交する箇所に設けられたＴＦＴに双方から信号が印加されるとＴＦＴがＯＮ状態となることを利用して液晶画素のＯＮ／ＯＦＦを個別に制御するものであった。このような方法によって画素の制御をおこなうことによって、コントラストの大きい液晶電気光学装置を実現することができる。」
　
ウ．「【００１５】
　本発明は、ネマチック液晶を利用した場合のこのような欠点を解決するものである。具体的には使用する液晶材料について強誘電性もしくは反強誘電性を示す液晶材料、あるいはそれらを高分子化合物（ポリマー）中に分散させた、いわゆるポリマー液晶（分散型液晶ともいう）を用いた。
【００１６】
　本発明の液晶電気光学装置は基本的に以下のような構成を有するものである。本発明の基本構造は、図４に示すように電極１３、１４を有し、少なくとも一方が透光性を有し、いずれか一方の基板に薄膜トランジスタ１５を有し、さらに少なくとも一方にラビング処理等の一軸配向処理を施した膜１６を有した一対の基板１１、１２を、配向処理をした面が対向するように配置させた液晶セルの間隙に、強誘電性もしくは反強誘電性を示す液晶材料、あるいはそれらを高分子化合物に分散させた材料１７を挟持した構造を有するものである。
【００１７】
　本発明における表示素子の場合、少ない電荷でも液晶分子を反転させることが可能であるように、小さな自発分極の値を有する液晶材料を用いることで、強誘電性もしくは反強誘電性を示す液晶材料、あるいはそれらを高分子化合物に分散させた材料の応答時間よりも短いパルス幅でも液晶分子の応答が可能となり、良好な光学特性を得ることができた。」
　
エ．「【００２０】
　本発明において必要とされる液晶材料の自発分極の大きさは、１０ｎＣ／ｃｍ２以下望ましくは８ｎＣ／ｃｍ２以下ある。・・・・（中略）・・・・
【００２１】
・・・・（中略）・・・・また、画素自身の容量を大きくすることも放電を小さくすることには有効で、液晶の誘電率を高くする、あるいは基板の間隔を狭める等といった処置を行えばよい。
【００２２】
　本発明を実施するには、例えば、図５に示すような、薄膜トランジスタを使用したマトリクス回路を組めばよい。図５に示した回路は従来のＴＦＴを利用したアクティブマトリクス型表示装置に用いられた回路と同じである。
【００２３】
　このような回路において、各薄膜トランジスタのゲイト電圧やソース・ドレイン間電圧をコントロールすることによって、画素に印加される電圧のＯＮ／ＯＦＦを制御することが可能である。この例では、マトリクスは６４０×４８０ドットであるが、煩雑さをさけるため、ｎ行ｍ列近傍のみを示した。これとおなじものを上下左右に展開すれば、完全なものが得られる。この回路を用いた動作例を図２に示す。ここでは１つの画素だけに注目してその動作を示した。
【００２４】
　信号線Ｘｎ（走査線）は、各ＴＦＴのゲイト電極に接続されている。そして、図２に示すように、矩形パルス信号が印加されてゆく。一方、信号線Ｙｍ（データ線）は、各ＴＦＴのソース（あるいはドレイン電極）に接続されているが、これには、正もしくは負のいずれかの状態を示すパルス列が印加される。４８０行のマトリクスでは、このパルス列には、１単位の時間Ｔ１中に、４８０個の情報が含まれている。本発明では、１フレームが複数のサブフレーム（図２の例では５つ）から構成されていることが特徴である。また、図２の例では各サブフレームはそれぞれ持続時間が異なる。
【００２５】
　以下では、話を単純にするために、対向基板の電位は０で一定であるとする。図に示すように、最初にＶＧが印加されたときに、ＶＤは正であったので、画素の電位ＶＬＣは正となる。このときには、図３に関して説明したようにΔＶだけ電位が降下し、その後、自然放電によって画素の電位ＶＬＣは徐々に０に近づく。しかし、画素の透過率ＴＬＣに注目すると、画素電位ＶＬＣが降下してゆくにも関わらず、透過率ＴＬＣは一定に保たれる。メモリー性の良い液晶材料であれば、画素電位ＶＬＣの降下はさほど問題とならない。しかし、メモリー性の良くない液晶材料を用いる場合には画素電位ＶＬＣの低下が許容できるように他のパラメータ（ＶＧ、ＶＤ）を設定しなければならない。
【００２６】
　設計上のポイントとしては、最も特性の悪いＴＦＴを基準としてＶＧ、ＶＤを設定すればよい。例えば、最も電荷の保持特性の悪い画素において、図２に示す場合で最も長いサブフレームの持続時間１６Ｔ０後の電位ＶＬＣが＋９Ｖ以上、好ましくは＋１１Ｖ以上あるように、ＶＤを設定する。そして、左記ＶＤを駆動するのに適切なＶＧを設定する。
【００２７】
　図２ではいずれのサブフレームでも電位ＶＬＣの降下の様子は同じであるように書かれているが、実際にはサブフレームの持続時間が長いほど電位の降下が大きいことに注意しなければならない。
【００２８】
　最初のパルスＶＧが印加されてから時間Ｔ０後に、第２のパルスＶＧが印加される。このときのデータ信号ＶＤも正であったので、画素電位ＶＬＣは正のままである。ただし、新たに電荷が注入されて電位が再び高まる。画素の透過率ＴＬＣは変化しない。
【００２９】
　次いで、時間１６Ｔ０後に第３のパルスＶＧが印加されたときには、データ信号ＶＤは負であったので、画素電位ＶＬＣは負に反転する。そして、透過率も変動する。ただし、この遷移は比較的緩やかであり、印加される電圧が１０Ｖ以下であれば、５０μｓｅｃ程度の時間が必要である。これに対し、パルスＶＧの幅は３０μｓｅｃ以下であるが、この液晶の光学応答遷移はパルスＶＧではなく、画素電位ＶＬＣによっておこなわれるので、何ら支障はない。
【００３０】
　その後、時間２Ｔ０後に、３回目のパルスＶＧが印加され、そのときのデータ信号ＶＤは負であったので、画素の状態は変化しない。さらに時間８Ｔ０後に、４回目のパルスＶＧが印加され、そのときのデータ信号ＶＤは正であったので、画素電位ＶＬＣは再び正になり、画素の透過率ＴＬＣも変化する。最後に、時間４Ｔ０後に、次のフレームの１回目のパルスＶＧが印加されて、１つのフレームが終了する。このような５つのサブフレームを適当に組み合わせることによって３２階調の表示が可能であるが、以上の動作によって、１＋１６＋４＝２１〔階調〕の明るさが得られた。
【００３１】
　以上の動作において、最適な最小時間単位Ｔ０を決定することが重要である。既に述べたように、強誘電性（もしくは反強誘電性）液晶の光学応答時間は印加される電圧に依存する。上記のように１５Ｖ程度の電圧であれば５０μｓｅｃの応答時間である。一般に光学応答時間は、印加電圧に反比例する。ところで、１フレームは動画の表示特性やフリッカーの防止の目的で１フレームは１００ｍｓｅｃ以下、好ましくは３０ｍｓｅｃ以下である必要がある。例えば１フレームを３０ｍｓｅｃとすれば、最大の階調度数は、３０ｍｓｅｃを５０μｓｅｃで除した６００階調が限度であるが、実際には、光学応答が完全に行われるためには上記光学応答時間の数倍が必要であるので、１００階調程度の階調が限度となる。このような制約は、液晶に印加する電圧（あるいは電場）の大きさを大きくし、光学応答時間を短縮することによって改善されるが、ＴＦＴの耐圧がそれに伴って向上することが必要である。
【００３２】
【作用】
　本発明の構造によれば、上記のようなデジタル階調表示をおこなった場合には少々ばらつきのあるＴＦＴにおいても均一な階調表示が可能であることが明らかになった。これは、強誘電性液晶もしくは反強誘電性液晶は実質的に実効値電圧に応答するのではなく、電界の極性の変化に対して応答することに起因している。すなわち、強誘電性液晶もしくは反強誘電性液晶では、ＯＮ電圧として１ｍｓｅｃ以上の間、継続的な電圧印加がある場合には、５Ｖでも５．１Ｖでも同じ光透過性を示すからである。
【００３３】
　上記の効果を示す一例として、強誘電性液晶（フェニルピリミジン系）を用いて、このパルスの持続時間を変化せしめることによってコントラストを制御し、階調表示したものを図６に示す。同様な効果は、強誘電性液晶もしくは反強誘電性液晶を高分子中に分散させた材料においても観測された。しかし、ＴＮ液晶を用いた場合には、同じようにパルス幅を変化させる方式によって階調表示をおこなう場合であっても、このような直線的な階調表示は得られなかった。
【００３４】
　しかしながら、本発明のような液晶に電界が印加される時間を制御することで階調表示を行う液晶電気光学装置においては、使用できる強誘電性もしくは反強誘電性液晶は限定される。以下にその理由を詳細に説明する。
【００３５】
　強誘電性液晶は、液晶材料が有する自発分極と外部電界との相互作用によって生じるトルクによって液晶分子をスイッチングさせることをその駆動原理としている。従って、強誘電性液晶もしくは反強誘電性液晶を駆動するためには、液晶材料の有する自発分極を反転させるための電場を電極間に形成させるため、十分な電荷が電極間に充電させる必要がある。液晶材料に対し、外部から継続的な電界を印加すれば、外部から電荷が常に電極に供給されるので、液晶分子が電界に反応し、自発分極が反転することで電極間に電流が流れて電荷が消費されても、電極間の電圧は外部電源の電圧に等しい電圧で保たれている。
【００３６】
　ところが、本発明のようＴＦＴ駆動を行う場合、電極に外部から電荷が供給されるのは、素子のゲートにパルスが印加されている間だけである。したがって、ＴＦＴがＯＦＦになったあとでは、電極は開放状態となるので、自発分極が反転するときの電力の消費は電極間だけで行われる。
【００３７】
　強誘電性液晶もしくは反強誘電性液晶は応答速度が速いものでも数μｓｅｃである。より精細な階調を行うため、例えばパルス幅が１μｓでなければならないとするなら、液晶分子の反転はＴＦＴがＯＦＦ状態の時に行われることになる。
【００３８】
　従って、液晶の応答時間がパルス幅より長い場合は、ＴＦＴがＯＦＦの時に液晶分子の大半が反転するときには、ＴＦＴがＯＮ状態になっている時間中に、自発分極が反転するのに十分な電荷を電極に充電しなければならない。
【００３９】
　自発分極が大きい強誘電性液晶もしくは反強誘電性液晶の場合、電極間に充電されなければならない電荷も当然大きくなる。
【００４０】
　パルス幅が短いなどで電極に供給される電荷が少ない場合、自発分極がすべて反転しないので光学応答が不十分になる等の問題がある。
【００４１】
　また、電極間が開放状態にあって、次のパルスが印加されるまでに電極間の電圧がある一定以上の電圧が保持されていないと、一旦スイッチングした液晶分子がまた元に戻ってしまい光学特性を不良化させる原因となる。
【００４２】
　実際、強誘電性もしくは反強誘電性液晶を用いた液晶電気光学装置において、本発明の表示方法を行う場合、液晶電気光学装置の光学特性は液晶材料の物性により大きく左右されるため、本方法に適するよう特に液晶材料の自発分極、補助容量の容量の大きさを選択する必要がある。
【００４３】
　ここで、本発明の液晶電気光学装置でデジタル階調を行うことを可能とするために、液晶が有していなければいけない液晶材料の自発分極の大きさ、及び、補助容量が必要となる場合の補助容量を求める。
【００４４】
　強誘電性もしくは反強誘電性液晶表示素子において、光学応答がとれているとき、印加電圧、画素容量、液晶材料の自発分極と、最もサブフレームから次のサブフレームに変わる直前の電圧との間に、次の式（１）の関係が成り立っていなければならないと考えられる。
【００４５】
【数１】
　ＣＬＣ・（Ｖ−Ｖｒｅｍ）≧２・Ｐｓ・Ｓ　　（１）
【００４６】
　ここに、ＣＬＣは画素電極間の容量、Ｖは画素に印加される信号の電圧、Ｐｓは強誘電性または反強誘電性液晶材料の有する自発分極、Ｓは画素電極の電極面積、Ｖｒｅｍはゲートパルス印加後、次のパルスが印加される直前の電極間の電圧を示す。また式（１）では液晶材料が反転するときの電荷の収支について考えている。式（１）のＣＬＣについては、式（２）として次のように表せる。
【００４７】
【数２】
　ＣＬＣ＝ε・Ｓ／ｄ　　　　　　　　　　　（２）
【００４８】
　ここに、εは強誘電性、または反強誘電性液晶材料の誘電率、Ｓは画素電極の面積、ｄは対向する２枚の基板の画素電極間の距離である。特に、強誘電性もしくは反強誘電性液晶の場合、式（２）の誘電率εは自発分極の寄与を考えなければならない。このため、強誘電性、または反強誘電性液晶材料の誘電率は、自発分極に関する成分とそれ以外の成分とで分けると、式（３）として次のように表せる。
【００４９】
【数３】
　ε＝ε０（ａ・Ｐ＋εｒ）　　　　　　　　（３）
【００５０】
　ここに、ε０は真空の誘電率（８．８５４×１０−１２［Ｆ／ｍ］)、ａは定数、Ｐは自発分極に関する値、εｒは自発分極に関しない部分の値である。一般的に、強誘電性もしくは反強誘電性液晶において、光学応答が完全にとれるとき自発分極の効果により、式（３）の値の括弧の中の値は１０〜１５となる。従って、液晶材料の誘電率は、１０６ｐＦ／ｍとなる。但し、式（３）の括弧の中が１２に等しいとした。
【００５１】
　画素電極の面積が２．５×１０−５ｍ２、対向する２枚の基板上の画素電極間の距離が２．５×１０−６ｍである時、画素の容量は１. ０６ｎＦである。
【００５２】
　本発明人らは、種々の強誘電性もしくは反強誘電性液晶について本発明による駆動方式で液晶表示素子の光学特性を調べたところ、光学特性が完全にとれるときの電極間の電圧は、９〜１０Ｖであることが確認された。
【００５３】
　従って、Ｖｒｅｍが９Ｖであったとすると、液晶材料の自発分極は式（１）から１０. ６ｎＣ／ｃｍ２であることが分かる。」
　
オ．「【００５７】
【実施例】
〔実施例１〕以下に本発明を利用した液晶電気光学装置の実施例を示し、本発明を実施例に則して説明する。本実施例により作製した液晶電気光学装置の構成を図８に示す。セルの一方の基板１１は無アルカリガラス基板上に形成した結晶性シリコンＴＦＴを用いたアクティブマトリクス１５を作製した。該アクティブマトリクス基板の回路構成は図４に示すように、補助容量を設けなかった。ＴＦＴはシングルゲイトのＰＭＯＳを用いたが、これはリーク電流が小さく、ＯＮ／ＯＦＦが大きくとれるためである。典型的にはリーク電流は１ｐＡ以下（ゲイト電圧＋１５Ｖ、ドレイン電圧−１０Ｖ）以下、ＯＮ／ＯＦＦ比７．５桁以上（ゲイト電圧−１５Ｖ／＋１５Ｖ、ドレイン電圧−１０Ｖ）であった。
【００５８】
　他方の基板１２には全面にＩＴＯ膜１４を形成し、その上にショート防止用の酸化珪素膜２１を形成した基板を使用した。
【００５９】
　画素１３の大きさは２０μｍ×６０μｍとし、マトリクスの規模は１９２０×４８０であった。各画素の電荷保持特性を調べたところ、データ信号として、−１０Ｖを印加した時の最も悪いものは３ｍｓｅｃ後の電圧で約−９Ｖであった。
【００６０】
　従って、本実施例ではマトリクスに印加する走査信号パルスの幅は１μｓｅｃとし、パルスの波高は−１５Ｖ、データ信号は±１５Ｖとした。
【００６１】
　次に前記基板上に溶媒を溶かした高分子樹脂１６をスピンコート法により塗布した。ここで使用した高分子樹脂はポリイミド系の樹脂（東レ（株）製）であり、溶媒にはｎ−メチル−２−ピロリドンを使用した。高分子樹脂の希釈濃度は８倍である。高分子樹脂を塗布した基板は２８０℃で２. ５時間加熱して溶媒を乾燥し樹脂をイミド化させた。次にこの基板上の樹脂をベルベット等の布が巻いてあるローラーで１０００ｒｐｍの回転数で一方向に擦った。次に前記基板を間隔１〜７μｍの無機製のスペーサーを間に挟んで加圧して挟んだ。これら２枚の基板間に液晶材料１７を注入した。
【００６２】
　次に液晶材料について説明する。本実施例にて使用した液晶材料はチッソ（株）製の強誘電性液晶、ＣＳ−１０１４である。この液晶はその相系列はＩｓｏ−Ｎ＊−ＳｍＡ−ＳｍＣ＊−Ｃｒｙをとるものであり、その転移温度はＩｓｏ−Ｎ＊は８１℃、Ｎ＊−ＳｍＡは６９℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ＊は５４℃、ＳｍＣ＊−Ｃｒｙは−２１℃であった。液晶セルの厚さは１. ６μｍとした。液晶の自発分極は５ｎＣ／ｃｍ２であった。
【００６３】
　なお、液晶に印加される電圧が５Ｖ以下では液晶中にドメイン構造が生成しているのが確認された。このようなドメイン構造はデジタル階調表示をおこなう上で特性を悪化することになるので、ドメインが発生しないように、印加する電圧を高めにすることが望まれる。
【００６４】
　また、本実施例の液晶電気光学装置の、コントラスト比のデータ信号印加時間依存性を図９に示す。図９に示すようにパルス幅が１μｓｅｃであっても完全に応答していることが分かる。
【００６５】
　このような液晶電気光学装置により、デジタル階調表示を行った。すなわち、図２に示されたように１フレームを５つのサブフレームによって構成し、３２階調のデジタル階調表示を行った。各サブフレームの持続時間を第１サブフレームは１７９μｓｅｃ、第２サブフレームは２. ８７ｍｓｅｃ、第３サブフレームは３５８μｓｅｃ、第４サブフレームは１. ４３ｍｓｅｃ、第５サブフレームは７１７μｓｅｃとし、１フレームは５. ５ｍｓｅｃすなわち１８０Ｈｚとした。
【００６６】
　その結果、以上の液晶電気光学装置によって、最大コントラスト比１８０、３２階調の表示を得ることができた。」
　
カ．図４から、基板１１の画素電極１３及び薄膜トランジスタ１５が設けられた内面と、基板１２の電極１４が形成された内面とが対向するように、一対の基板１１，１２が配置されていることが見てとれる。
　
キ．上記ア〜カによれば、引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
　
「一方の基板１１の画素電極１３及び薄膜トランジスタ１５が設けられた内面と、他方の基板１２のＩＴＯ膜からなる電極１４が形成された内面とが対向するように、一対の基板１１，１２が配置され、その一対の基板間に、速いものでも数μｓｅｃである応答速度の強誘電性もしくは反強誘電性を示す液晶材料を挟持し、前記薄膜トランジスタのゲイト電圧やソース・ドレイン間電圧をコントロールすることによって画素に印加される電圧のＯＮ／ＯＦＦを制御し、前記薄膜トランジスタがＯＮ状態になっている時間中に、前記電極１３，１４間に十分な電荷を充電し、前記薄膜トランジスタがＯＦＦ状態の時に、前記電極１３，１４間に形成される電場により前記液晶材料の有する自発分極が反転するようにした液晶電気光学装置において、前記液晶材料の応答時間よりも短い１μｓのパルス幅の走査信号パルスでも液晶分子の応答が可能となるように、印加電圧Ｖ、画素容量ＣＬＣ、液晶材料の自発分極の大きさＰｓ、画素電極の電極面積Ｓ及びゲートパルス印加後次のパルスが印加される直前の電極間の電圧Ｖｒｅｍが、次の式（１）の関係を満たし、
　ＣＬＣ・（Ｖ−Ｖｒｅｍ）≧２・Ｐｓ・Ｓ　　（１）
かつ、前記画素容量ＣＬＣが１．０６ｎＦ、前記電圧Ｖｒｅｍが９〜１０Ｖ、前記自発分極の大きさＰｓが１０．６ｎＣ／ｃｍ２以下の５ｎＣ／ｃｍ２とすることにより、完全に応答するようにした液晶電気光学装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比・判断 
　 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　 
ア．引用発明の「『一対の基板』すなわち『一方の基板１１』及び『他方の基板１２』」、「速いものでも数μｓｅｃである応答速度の強誘電性もしくは反強誘電性を示す液晶材料」、「画素電極１３」、「薄膜トランジスタ１５」「液晶電気光学装置」、「『薄膜トランジスタがＯＮ状態になっている時間』すなわち『走査信号パルス』の『パルス幅』である『１μｓ』」、「前記液晶材料の応答時間よりも短い１μｓ」、「液晶材料の自発分極の大きさＰｓ」、「前記液晶材料の有する自発分極が反転する」、「『前記電極１３，１４間に』『充電』」及び「前記薄膜トランジスタがＯＮ状態になっている時間中に、前記電極１３，１４間に十分な電荷を充電し、前記薄膜トランジスタがＯＦＦ状態の時に、前記電極間に形成される電場により前記液晶材料の有する自発分極が反転するようにした」は、それぞれ、本願補正発明の「一対の基板」、「自発分極を有する液晶物質」、「画素対応の電極」、「スイッチング素子」、「液晶表示装置」、「スイッチング素子がオンとなっている時間」、「液晶物質の自発分極が略応答しない時間」、「液晶物質の自発分極の大きさ」、「液晶物質を駆動する」、「画素に蓄積」及び「画素に蓄積された電荷量を用いて液晶物質を駆動するようにしてある」に相当する。
　
イ．引用発明の「『前記薄膜トランジスタがＯＮ状態になっている時間中に、前記電極１３，１４間に』『充電』される『電荷』」の最大値及び「画素電極の電極面積Ｓ」が、それぞれ、本願補正発明の「『スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される』『最大の電荷量』」及び「『画素電極の』『面積』」に相当するから、引用発明において、「画素容量ＣＬＣ」と「印加電圧Ｖ」との積を「画素電極の電極面積Ｓ」で除した値が、本願補正発明における「スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量」に相当することが当業者に自明である。
　
ウ．そこで、引用発明における「スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される最大の電荷量」をＱとして、上記イで自明であると述べた事項を式で表すと次式（４）となる。
　（ＣＬＣ・Ｖ）／Ｓ＝Ｑ／Ｓ　　（４）
　
エ．引用発明における式（１）に上記式（４）を代入して「２・Ｓ」で両辺を割ると次式（５）となる。
　（１／２）・（Ｑ／Ｓ−ＣＬＣ・Ｖｒｅｍ／Ｓ）≧Ｐｓ　　（５）
　
オ．上記式（５）において、ＣＬＣ・Ｖｒｅｍ／Ｓ≧０であるから、上記式（５）から、次式（６）が成り立つ。
　（１／２）・Ｑ／Ｓ≧Ｐｓ　　（６）
　
カ．上記式（６）における「（１／２）・Ｑ／Ｓ」は、「スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２」を意味するから、上記式（６）は、引用発明における「液晶材料の自発分極の大きさＰｓ」は「スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２」以下であることを意味する。
　
キ．したがって、引用発明の式（１）は、本願補正発明の「前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下にすること」に相当するから、引用発明は、本願補正発明の「前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下にすることにより、画素に蓄積された電荷量を用いて液晶物質を駆動するようにしてある」との技術事項を備えている。
　
ク．以上から、両発明は「対向する一対の基板間に自発分極を有する液晶物質が挟持され、その一方の基板内面に画素対応の電極とスイッチング素子とを設けた液晶表示装置において、スイッチング素子がオンとなっている時間が、前記液晶物質の自発分極が略応答しない時間であり、前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下にすることにより、画素に蓄積された電荷量を用いて液晶物質を駆動するようにしてあることを特徴とする液晶表示装置。」の点で一致し、相違する点はない。
　
ケ．よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年２月２日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「２．［理由］（１）」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．［理由］（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　
　本願発明は、上記「２．［理由］」で検討した本願補正発明から、「前記液晶物質の自発分極の大きさを、スイッチング素子がオンとなっている場合に画素に注入される、画素電極の単位面積当たりの最大の電荷量の１／２以下に」してあることに関し、そうすることにより「画素に蓄積された電荷量を用いて液晶物質を駆動するようにした」ものであるとの限定を解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．［理由］（３）」に記載したとおり、引用例に記載された発明であるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明である。
　
　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法２９条１項３号に該当するというものではないが、審判請求人は、審判請求書において、本願発明と上記刊行物とを対比し、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。
　
（４）むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。