【事件の表示】
　平成　８年特許願第　　５０１３号「磁気ディスク」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月３１日出願公開、特開平　９−１９８６４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年１月１６日の出願であって、平成１７月８日４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年９月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年１０月１１日付けで手続補正（平成１８年１月２５日付けで方式上の手続補正がなされている）がなされ、また平成１８年１月２５日付けで上申書が提出されたものである。なお、上記方式上の手続補正により図の番号が変更されたが、上記上申書に基いて明細書の図の番号を読み替えて判断した。
　本願の請求項１ないし２に係る発明は、平成１７年１０月１１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　アルミニウム合金基板上に非磁性な表面処理膜を形成し、この表面処理膜上に媒体を形成してなる磁気ディスクにおいて、前記表面処理膜がＮｉＰ，ＮｉＣｕＰ，ＮｉＭｏＰ，ＮｉＳｎＰ，ＮｉＷＰ，ＮｉＢ，ＡｌＮ，ＣｒＣ，ＣｒＮ，ＨｆＮ，ＴｉＡｌ，ＴｉＣ，ＴｉＣＮ，ＴｉＮ，ＴｉＮＡｌ，ＷＣ，Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２からなると共に、下記式（１）を充たす硬度と厚みを有することを特徴とする耐衝撃性能に優れた磁気ディスク。
　Ｈｖ＞−３３δ＋９２０　−−−式（１）
　但し、上記式（１）において、δは表面処理膜の膜厚（μｍ）、Ｈｖは表面処理膜のビッカース硬度（ｋｇ／ｍｍ２）を示すものであり、δ≧２０μｍである。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開昭６３−２３９６０２号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「（１）
非磁性基材上に磁性層を有する磁気記録媒体
　基材表面のビッカース硬度Ｈｖｓと浮上型磁気ヘッドの浮上面のビッカース硬度Ｈｖｈとの硬度差△Ｈｖ＝（Ｈｖｓ−Ｈｖｈ）／Ｈｖｈ×１００が±２０％以内であることを特徴とする磁気記録方法。
（２）
非磁性基材が
非磁性基板上に下地層を有する
　（イ）「本発明は、いわゆる
ハードタイプの磁気ディスク
　（ウ）「ところで、ハードタイプの磁気ディスクでは、浮上型の磁気ヘッドを用いており、このヘッドのコンタクト・スタート・ストップ時に
大きな衝撃
機械的接触に対する耐久性、耐摩耗性、ヘッド吸着等
　（エ）「また、用いる基材の材質およびその硬度としては、ビッカース硬度Ｈｖｓ４００〜８００の範囲内に例えば、アルミニウム製基板上に形成したＮｉ−Ｐ系下地層などがあり、」（公報３頁右上欄１１行〜１４行）
　（オ）「上記したような非磁性基材は、非磁性基板そのものであってよいが、基板とその上に設層された下地層から構成してもよい。
　下地層を設層するときには、Ｈｖｓの値を所望の値に制御することができるからである。」（公報３頁左下欄９行〜１３行）
　（カ）「そして、特にこのようなＭｎ−Ｚｎ系フェライトヘッドを用いるときには
Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ等のＮｉ−Ｐ系の金属膜
　これらのもの、特にＮｉ−Ｐ系の金属膜は、液層メッキ、特に無電解メッキ法で成膜させることが好ましい。無電解メッキ法によれば、きわめて厚さの均一な膜ができ、機械的剛性、硬度、加工性をあげることができる。
　そして、容易にＨｖｓを調整することができる。」（公報３頁右下欄１行〜１１行）
　（キ）「このような
下地層の膜厚は３〜５０μｍ、特に５〜２５μｍが好ましい
　通常、Ｎｉ−Ｐ系下地層のビッカース硬度Ｈｖｓは、後述の成膜後の熱処理前のものでは、４００以上、特に４００〜５００である。
　このようなＮｉ−Ｐ系等の下地層には、設層後熱処理を施すことが好ましい。
　熱処理により、硬度を所望の値に設定し調整できるからである。」（公報４頁左上欄９行〜１７行）
　（ク）「このような
熱処理により、ＮｉＰ系下地層表面のビッカース硬度は５００〜１１００、特に５００〜８００、より好適には５５０〜７５０程度
　このような
Ｎｉ−Ｐ系膜下地層を形成する場合の基板材質
アルミニウム、アルミニウム合金
　（ケ）「（実施例１）
　φ３．５″、厚さ１．９ｍｍのディスク状であって、下記に示される種々の材質の基板１〜１１を媒体の基板として用いた。
基板１
基板２
アルミディスク
２０μｍのＮｉＰメッキ
　これを、スピードファム９Ｂ−５Ｐラッピングマシン、不二見研磨の研磨液、メディボールＮ−０８（５０％希釈液）を用い、１００ｇ荷重、１０分研磨し、
５μｍの研磨
基板３
　以下、同様に研磨した。
基板４
　（コ）「（実施例２）
　実施例１の基板１上に、実施例１と同様にＮｉＰメッキ下地層を形成した。
　なお、下地層の組成はＮｉ：Ｐ＝８７：１３（重量比）、厚さは２０μｍとした。
　次いで、下地層の表面を実施例１の条件にて研磨処理し、次いで実施例１と同様に洗浄した。（略）
　その後、さらに同様な洗浄を行った後、下地層の熱処理を行った。すなわち、熱処理の条件を処理温度１００、２００、２５０、２８５、３００℃（処理時間：すべて２時間）の範囲で種々かえて、表２に示されるようなビッカース硬度値をもつ下地層とした。」（公報１０頁左下欄３行〜１９行）
　（サ）表１には、基板２（硬度Ｈｖｓ５００）を用いたサンプル１０４〜１０６、基板３（硬度Ｈｖｓ５５０）を用いたサンプル１０７〜１０８、基板４（硬度Ｈｖｓ７５０）を用いたサンプル１０９〜１１０、基板５（硬度Ｈｖｓ８００）を用いたサンプル１１１〜１１２が記載されている。
　（シ）表２には、下地層（硬度Ｈｖｓ６３１）を用いたサンプル２０１、下地層（硬度Ｈｖｓ５８３）を用いたサンプル２０２、下地層（硬度Ｈｖｓ５４５）を用いたサンプル２０３、下地層（硬度Ｈｖｓ６４０）を用いたサンプル２０４、下地層（硬度Ｈｖｓ６３０）を用いたサンプル２０８、下地層（硬度Ｈｖｓ６２５）を用いたサンプル２０９、下地層（硬度Ｈｖｓ６３５）を用いたサンプル２１０が記載されている。
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（ア）（イ）（カ）（キ）（ク）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「非磁性基材上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、
　非磁性基材は、非磁性基板上に下地層を有したものであり、
　磁気記録媒体は、ハードタイプの磁気ディスクであり、
　下地層としては、ＮｉＰ、ＮｉＣｕＰ、ＮｉＷＰ等のＮｉＰ系の金属膜を用い、
　下地層の膜厚は３〜５０μｍ、特に５〜２５μｍが好ましく、
　ＮｉＰ系下地層は、設層後の熱処理により、ＮｉＰ系下地層表面のビッカース硬度は５００〜１１００、特に５００〜８００、より好適には５５０〜７５０程度となり、
　ＮｉＰ系下地層を形成する場合の基板材質としては、アルミニウム、アルミニウム合金等を用いた、磁気記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「磁気記録媒体」は、「ハードタイプの磁気ディスク」であるから、本願発明の「磁気ディスク」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「非磁性基板」は、基板材質として「アルミニウム合金等」を用いているので、本願発明の「アルミニウム合金基板」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「下地層」は、非磁性基板上に設けられて非磁性基材を構成し、ＮｉＰ系の金属膜であるから、本願発明の「非磁性な表面処理膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁性層」は、本願発明の「媒体」に相当している。
　そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「アルミニウム合金基板上に非磁性な表面処理膜を形成し、この表面処理膜上に媒体を形成してなる磁気ディスクにおいて、前記表面処理膜がＮｉＰからなる磁気ディスク。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
　（相違点）　「表面処理膜」について、本願発明では、「下記式（１）を充たす硬度と厚みを有する、耐衝撃性能に優れた磁気ディスク。　Ｈｖ＞−３３δ＋９２０　−−−式（１）　但し、上記式（１）において、δは表面処理膜の膜厚（μｍ）、Ｈｖは表面処理膜のビッカース硬度（ｋｇ／ｍｍ２）を示すものであり、δ≧２０μｍである。」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
　引用例１に記載された発明では、表面処理膜の膜厚とビッカース硬度について、膜厚は、「３〜５０μｍ、特に５〜２５μｍ」であり、ビッカース硬度は、「５００〜１１００、特に５００〜８００、より好適には５５０〜７５０程度」である。そして、その具体例として、２０μｍのＮｉＰメッキを行なったものを５μｍの研磨を行い熱処理して、ビッカース硬度がＨｖｓ６３１、５８３、５４５、６４０、６３０、６２５、６３５である下地層を用いた磁気ディスクが、引用例１に記載され（上記（ケ）（コ）（サ）（シ）、実施例２等参照）ていることから、ＮｉＰ表面処理膜の膜厚が１５μｍ（＝２０μｍ−５μｍ）でビッカース硬度５４５〜６４０のものが引用例１に実質的に示されている。これらの膜厚とビッカース硬度の関係は、上記式（１）Ｈｖ＞−３３δ＋９２０を十分満たしているものである。また、当該ＮｉＰ表面処理膜を備える引用例１に記載された発明の磁気ディスクは、適切な硬度を調整するによりＣＳＳ時などの大きな衝撃に対する耐久性を改良したものであるから（上記（ウ）、実施例の表２等参照）、耐衝撃性能に優れた磁気ディスクであるといえる。
　引用例１において、ＮｉＰ表面処理膜におけるビッカース硬度は、上記５４５〜６４０や、５５０〜７５０程度であり、引用例１に記載された発明において、当該ＮｉＰ表面処理膜を用いて磁気ディスクを作成するにあたり、その膜厚を磁気ディスクの所望の特性を得るよう適宜選定すべきものであるところ、引用例１には、上記式（１）を十分満たしている１５μｍの実施例に加えて２５μｍや５０μｍを上限とする範囲内で選択すべきことが示されているのであるから、膜厚を２０μｍ以上のものを採用することは当業者が容易に想到しうることである。ところで、２０μｍ以上という限定事項は、平成１７年６月２２日付け補正により付加されたものであり、その根拠は図６に膜厚が２０μｍのもの及び２０μｍ超の実施例が多数記載されているからと説明されているが、同図には２０μｍ未満であっても耐衝撃度が同様に優れているものが多数示されていて、「２０μｍ」という数値に格別臨界的意義があるわけでもないから、前述のとおり引用例１に記載された発明に基づき当業者が容易に想到しうることにすぎない。
　なお、請求人は、引用例１に記載されたビッカース硬度について、「ビッカース硬度Ｈｖｓは、基材表面の下地層（膜）そのもののビッカース硬度ではなく、あくまでも基材表面のビッカース硬度である。即ち、（略）表面にＮｉ−Ｐ系膜等の膜を有する基材の場合には、この基材表面上面のビッカース硬度（膜の下の基材の硬度に影響されるため、膜そのものの硬度とは値が異なる）である。」と主張している。しかしながら、引用例１にはその実施例２の表２に「ビッカース硬度値をもつ下地層」（上記（コ）参照）と記載され、また、本願発明でＮｉＰ表面処理膜のビッカース硬度として例示されているＨｖ５５０は引用例１に示されている値と何ら相違しない値であり、請求人の主張は採用できない。
　
　そうすると、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。