【事件の表示】
　平成　８年特許願第　９３１０５号「マグネトロンスパッタリング装置、及び磁性膜製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月３０日出願公開、特開平　９−２５６１５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成８年３月２２日の出願であって、平成１７年８月１２日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１７年８月２３日）、平成１７年１０月２０日付けで意見書・手続補正書が提出され、平成１７年１１月１５日付けで拒絶査定され（発送日は平成１７年１１月２２日）、その後、平成１７年１２月２２日に審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１７年１０月２０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】　基板表面に対して平行な平行磁場を形成する磁気回路と、
　前記基板と対向配置されたターゲットと、
　前記ターゲット裏面に近接配置され、該ターゲット表面に磁場を形成するマグネトロン磁石とを有し、
　前記ターゲットをマグネトロンスパッタリングして前記基板表面に磁性膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置であって、
　前記ターゲットと前記基板の距離は、前記マグネトロン磁石が前記磁気回路の形成する前記平行磁場を乱さない大きさである１２０ｍｍ以上にされたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
　
２．引用文献
２−１．引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６１−２８８０６７号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「磁性体膜形成のためのスパッタ装置」（１ページ左下欄１２〜１３行）に関し、その実施例として以下の記載がある。
（１）「第１図は本発明によるスパッタ装置の一実施例を示す断面図である。同図はマグネトロン方式のスパッタ装置を示すもの」（２ページ左上欄１３〜１５行）
（２）「真空容器１の図面下部にはターゲット部２が、また、図面上部には基板部３が配置されている。」（２ページ右上欄３〜５行）
（３）「前記ターゲット部２は、・・・・・・絶縁保持されたターゲット７、永久磁石８・・・・・とから構成されている。」（２ページ右上欄５〜１１行）
（４）「前記基板部３は・・・・・・基板ホルダ１３・・・・・・とから構成されている。」（２ページ右上欄１１〜１４行）
（５）「ターゲット７の前面には永久磁石８によりマグネトロン磁場が発生しており、局部的に高密度のプラズマが生じるようになっており、これによりスパッタされた粒子は基板ホルダ１３におけるターゲット部２側の面に支持された基板１４面に付着して薄膜を形成するようになっている。」（２ページ左下欄４〜１０行）
（６）「基板１４の同一平面内において、前記基板１４を挟み、基板１４の両側にそれぞれ棒磁石１５を平行に配置すれば、前記棒磁石１５間における前記平面上には平行な磁束が生ずることになる。」（２ページ左下欄２０行〜右下欄４行）
（７）「前記基板１４面上に形成される磁性膜」（２ページ右下欄５〜６行）
　
　ここで、上記（１）〜（７）の記載事項について検討する。
（あ）上記（６）の「棒磁石１５間における前記平面上には平行な磁束が生ずること」は、「前記平面」が「基板１４の同一平面」を指しており、「前記平面」は「基板１４表面」を含むことは明らかだから、「棒磁石により基板表面に平行な磁束が生ずること」であるといえる。
（い）上記（３）から、「ターゲット部」は「ターゲット」を有し、上記（４）から、「基板部」は「基板ホルダー」を含み、上記（５）の「基板ホルダーに・・・・・・支持された基板」との記載から「基板部」は「基板」を有している。
　そして、上記（２）の「真空容器１の図面下部にはターゲット部２が、また、図面上部には基板部３が配置されている」の記載からみて、「真空容器の下部にはターゲットが、また、上部には基板が配置されている」といえる。
（う）上記（５）の「ターゲット７の前面には永久磁石８によりマグネトロン磁場が発生」するとの記載から、「永久磁石はターゲット前面にマグネトロン磁場を発生するもの」であり、上記（３）の記載からみて「永久磁石はターゲット部」にある。
（え）上記（５）の「ターゲット７の前面には永久磁石８によりマグネトロン磁場が発生しており、局部的に高密度のプラズマが生じるようになっており、これによりスパッタされた粒子は基板ホルダ１３におけるターゲット部２側の面に支持された基板１４面に付着して薄膜を形成する」との記載から、「ターゲットはスパッタされ、基板面にスパッタされた粒子が付着して薄膜が形成」され、この「薄膜」は上記（７）の記載からみて、「磁性膜」といえる。
 　
２−２．引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に頒布された刊行物である特開平１−２８３３７２号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「スパッタリング装置」に関して以下の記載がある。
（８）「基板７の両側近傍に例えば一定方向に磁界をかける磁場付与用のマグネット（図示せず）を設け、このマグネットによる磁場中で前記基板７上に一定方向に磁化容易軸を有する磁性膜を被着形成する場合、前記ターゲット５表面上に発生漏出される磁界９の干渉により形成された磁性膜の前記磁化容易軸の方向がずれたり、また乱れて良好な磁性膜が得られないといった欠点があった。
　そこでこのような問題を解決するために、例えばターゲット５と前記基板７との間隔を大きくする・・・・・・方法による成膜も試みた」（２ページ左下欄１５行〜右下欄８行）
　
　ここで、上記（８）の記載事項について検討する。
（か）「基板７の両側近傍に例えば一定方向に磁界をかけ」ているから「基板上に平行磁場が生じ」ていることは明らかであり、「ターゲット５表面上に発生漏出される磁界９」は「マグネトロン磁石から発生漏出する磁界」に相当する。
　そうすると、引用文献２には、
「「基板上の平行磁場が生じる」マグネットを設け、このマグネットによる磁場中で前記基板７上に一定方向に磁化容易軸を有する磁性膜を被着形成する場合、「マグネトロン磁石」から発生漏出する磁界の干渉により形成された磁性膜の前記磁化容易軸の方向がずれたり、また乱れて良好な磁性膜が得られないといった欠点」があること、
すなわち、「マグネトロン磁石から発生漏出する磁界が、平行磁場を干渉する」ことが記載されているとみることができ、「干渉」の結果、平行磁場が乱れることは明らかであって、この乱れを解決するために、「ターゲットと基板との間隔を大きくすること」が記載されているといえる。
　
３．対比・判断
　上記（１）〜（７）の記載事項を上記（あ）〜（え）の検討を踏まえ、本願第１発明の記載ぶりに則して記載すると、
「真空容器の上部に配置された基板表面に平行な磁束を生じさせる棒磁石と、
　前記真空容器の下部に配置されたターゲットと、
  ターゲット部に配置され、前記ターゲット前面にマグネトロン磁場を形成する永久磁石とを有し、
　前記ターゲットをスパッタして前記基板表面上に磁性膜を形成するマグネトロン方式のスパッタ装置」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　次に、本願第１発明と引用発明とを対比する。
（さ）引用発明の「棒磁石」および本願第１発明の「磁気回路」は共に「磁気発生手段」といえる。また、「磁束」とは「磁場の強度を表すもの」であるところ（例えば、副島ら編「ハンディブック電気」　オーム社（昭和５５年１２月２０日）２２ページを参照）、引用発明の「基板表面に平行な磁束を生じさせる」ことは、「基板表面に平行な平行磁場を生じさせる」ことといえる。
（し）引用発明の基板は真空容器の上部に、ターゲットは前記真空容器の下部にそれぞれ配置されており、また、上記（５）の「基板ホルダ１３におけるターゲット部２側の面に支持された基板１４」との記載から、「基板とターゲットは対向配置」されているとみることができる。
（す）上記（５）には「ターゲット７前面には永久磁石８によりマグネトロン磁場が発生し」との記載があるから、引用発明の「ターゲット部に配置され」た「マグネトロン磁場を形成する永久磁石」は「ターゲットに近接配置され」ていることは明らかであるし、また、同じく上記（５）には「ターゲット前面には薄膜が形成される」旨の記載があり、技術常識に照らし、前記「マグネトロン磁場を形成する永久磁石」はターゲット前面とは反対の面、すなわち、「裏面に配置され」ているとみることができるから、引用発明の「マグネトロン磁場を形成する永久磁石」は「ターゲット裏面に近接配置され」ているといえる。そして、引用発明の「マグネトロン磁場」が生じている「ターゲット前面」とは、「ターゲット表面」であることは明らかである。
（せ）引用発明の「マグネトロン磁場を形成する永久磁石」、「スパッタ」、「マグネトロン方式のスパッタ装置」は、それぞれ、本願第１発明の「磁場を形成するマグネトロン磁石」、「マグネトロンスパッタリング」、「マグネトロンスパッタリング装置」に相当することは明らかである。
　
　そうすると、本願第１発明と引用発明は、共に、
「基板表面に対して平行な平行磁場を形成する磁気発生手段と、
　前記基板と対向配置されたターゲットと、
　前記ターゲット裏面に近接配置され、該ターゲット表面に磁場を形成するマグネトロン磁石とを有し、
　前記ターゲットをマグネトロンスパッタリングして前記基板表面に磁性膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置」
の発明である点で一致し、
（Ａ）「真空容器」につき、本願第１発明では特定がされていないのに対し、引用発明は特定がされている点、
（Ｂ）「磁気発生手段」につき、本願第１発明が「磁気回路」であるのに対し、引用発明は「棒磁石」である点、
（Ｃ）「前記ターゲットと前記基板との距離」につき、本願発明が「前記マグネトロン磁石が前記磁気回路の形成する前記平行磁場を乱さない大きさである１２０ｍｍ以上にされ」ているのに対し、引用発明は何ら特定がなされていない点、
で相違している。
　
　そこで、これらの相違点について検討する。
・相違点（Ａ）について
　「真空容器」は、「マグネトロンスパッタリング装置」が当然に有するものであって、本願第１発明に係る「マグネトロンスパッタリング装置」においても当然に有していることは明らかであるから、この相違点（Ａ）は単に文言上のものにすぎず、実質的な相違点ではない。
・相違点（Ｂ）について
　本願第１発明の「磁気回路」とは、「電磁石」と推認されるところ、「磁気発生手段」は「永久磁石」あるいは「電磁石」が適宜使い分けられているから、引用発明の「永久磁石」である「棒磁石」に代えて「磁気回路」とすることは当業者が適宜なし得ることである。
・相違点（Ｃ）について
　引用発明も、その特定事項からみて、その程度は不明であるが「マグネトロン磁石が棒磁石の形成する平行磁場を乱」していることは明らかである。
　一方、上記（か）で検討したように、引用文献２には、「マグネトロン磁石から発生漏出する磁界」により「基板上の平行磁場」が乱れること、及び、この乱れを解決するために、「ターゲットと基板との間隔（すなわち、「距離」）を大きくすること」が記載されているとみることができ、また、この「距離」が大きくなればなるほどこの乱れが小さくなることは技術常識といえるから、上記「マグネトロン磁石が棒磁石の形成する平行磁場を乱」していることを解決するために、引用発明の「ターゲットと基板との距離」を「マグネトロン磁石が前記磁気回路の形成する前記平行磁場を乱さない大きさである１２０ｍｍ以上に」することは当業者が困難なくなしえたことである。
　
　
　なお、審判請求人は、平成１８年１月２３日付けで提出した手続補正書において、
「引用文献２を見ると、成る程同号証には、漏出磁場による磁性膜への影響が記載されており、それを排除するために、ターゲットと基板との間隔を大きくすることも記載されている。
　しかしながら、この引用文献２には、ターゲットと基板との間隔を大きくしても、漏出磁場の影響を排除できない旨記載されている(同号証第２頁右下欄第４行〜同欄第１０行)。・・・・・・・仮に、引用文献１記載のスパッタリング装置においてマグネトロン磁石の漏出磁場の影響を排除しようとした場合には、そのスパッタリング装置には超伝導材料が適用されると言うべきであり、少なくとも、引用文献１、２から本願発明が想到されるはずがない。」
と主張しているのでこの主張について検討する。
　マグネトロン磁石の「漏出磁場による磁性膜の受ける影響」の評価は、磁性膜に許容される磁気異方性の程度等を基準にして、マグネトロン磁石の磁場の強さ、平行磁場の強さ等の種々の因子によって決定されることは明らかである。
　そうであれば、引用文献２の「ターゲット５と前記基板７との間隔を大きくする・・・・・方法による成膜も試みたが、・・・・・・自ずと限度があり、前記磁界９の干渉を完全に排除することが困難であった。」（２ページ右下欄５〜１０行）の「困難であった」との記載は、あくまでも、引用文献２の発明者の基準において、特定のマグネトロン磁石の磁場の強さ、平行磁場の強さ等の種々の因子を基に記載されたものであるという認識は当業者であれば当然になされるものといえ、この発明者の基準と異った基準において、マグネトロン磁石の磁場の強さ、平行磁場の強さ等の種々の因子が異なる場合では同様の判断になるとは限らないとの認識は、当業者ならば当然になされるものである。そうすると、引用文献２の上記記載に接した当業者は、上記漏出磁場の影響を排除するために、「ターゲットと基板の距離」を調整して、「マグネトロン磁石が平行磁場を乱さない」ように試みることは困難なくなしえることである。
　また、「ターゲットと基板の距離」の下限値である「１２０ｍｍ」という値をもって、「マグネトロン磁石が平行磁場を乱さない」という現象が臨界的に生じることは、本願明細書・図面にいずれにも何ら見当たらないから、当業者ならば、許容される漏出磁場の影響を考慮して、「ターゲットと基板の距離」を「１２０ｍｍ以上」とすることは適宜なしえることである。
　よって、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願第１発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。