【事件の表示】
　平成　９年特許願第１３９６５５号「垂直磁気記録媒体および記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１２月１８日出願公開、特開平１０−３３４４４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年５月２９日の出願であって、平成１６年２月９日付けで手続補正がなされ、その後平成１７年４月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年５月２５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年６月２４日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成１９年９月１２日付けで審尋を行ったが回答書は提出されなかったものである。
　
第２　平成１７年６月２４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年６月２４日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の、
　（ａ）　「【請求項１】　非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた下地膜と、該下地膜上に形成された垂直磁化膜と、該素直磁化膜上に形成された軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜とを有し、
　前記垂直磁化膜の厚さは、前記磁性膜の厚さより大きく、
　垂直磁化膜及び磁性膜の厚さの合計が、７ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、
　前記磁性膜の厚さが、３ｎｍ以上，１０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】　非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた下地膜と、該下地膜上に形成された垂直磁化膜と、該
垂
　前記垂直磁化膜の厚さは、前記磁性膜の厚さより大きく、
　
前記
　前記磁性膜の厚さが、３ｎｍ以上，１０ｎｍ
未満
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「該素直磁化膜」を「該
垂
未満
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−２６１０２６号公報（以下「引用例１」という。）には、「磁気記録媒体」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「
垂直方向に磁化可能な層の上に，面内に磁化可能な層を積層したことを特徴とする磁気記録媒体
　（イ）「垂直記録は短波長になる程、減磁界の影響が小さくなると考えられているものであるが、現在最も信頼性のあるリング型磁気ヘッドによる記録再生では十分な性能を得ることができないため、テープ状磁気記録媒体の高密度化に対応するのはむずかしいことが予測されている。
　しかし、記録密度の向上の要求は民生用において特に強く、トラック幅の短縮は勿論、短波長での再生時の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）の改良された媒体構成が強く望まれている。」（公報１頁左下欄２０行〜右下欄１０行）
　（ウ）「第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で第２図はＳ／Ｎの比較図である。
　第１図で１は
高分子基板
垂直磁化可能な層
面内に磁化可能な層
　（エ）「本発明に用いることの出来る垂直磁化可能な層は、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｍｏ、（略）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のスパッタ膜、電子ビーム蒸着膜、イオンプレーティング膜等で、
０．０５〔μｍ〕から０．３〔μｍ〕
　本発明に用いることの出来る面内磁化可能な層は、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｂ、（略）、Ｃｏ−Ｚｒ等の薄膜又は部分酸化膜等であり、
厚み０．０５μｍから０．１５μｍの範囲
　（オ）「本発明の
積層構成に於て、夫々の厚み、夫々の抗磁力等は目的の波長域と、磁気ヘッド条件により、最適化すれば良い
　（カ）「本発明により、短波長でのＳ／Ｎが改良されるのは、リング型磁気ヘッドで一度磁化されると、
下層の垂直磁化層が、記録を保持する
　（キ）「厚み１０．５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、高周波スパッタリング法（高周波１３．５６ＭＨｚ）により
Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０ｗｔ％）垂直磁化膜を、厚み０．１２μｍ
　この上に、直径５０ｃｍの円筒状キャンに沿わせて、連続入射角変化蒸着法により、入射角９０°から４０°までの入射角で斜め蒸着し、
部分酸化されたＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ２１ｗｔ％）膜０．１μｍ
　この膜は、面内抗磁力１０００〔Ｏｅ〕、飽和磁束密度５１００〔Ｇ〕である。
　この構成の磁気テープをＡとし、比較テープを高周波スパッタリング法により、２種類準備した。テープＢは、厚み１４μｍのポリイミドフィルム上にＮｉ−Ｆｅ（Ｎｉ８０ｗｔ％）膜０．４８μｍ、Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０ｗｔ％）垂直磁化膜０．１５μｍ形成した。垂直抗磁力は、１１００〔Ｏｅ〕である。
　テープＣは、垂直抗磁力１０００〔Ｏｅ〕のＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０ｗｔ％）膜０．２μｍだけ配したものである。（略）
　比較に用いたヘッドは、ギャップ長０．２５μｍのセンダスト合金リング型ヘッドと、主磁極としてセンダスト合金（スパッタ膜）０．２μｍを用いた補助磁極励磁型垂直ヘッドの２種類で、テープＡとテープＣは、センダストリング型ヘッド、テープＢは垂直ヘッドと組み合わせた。
　第２図は、夫々の組み合わせで記録し、再生した時の記録波長とＳ／Ｎの関係である。
　この図より明らかに、本発明品は垂直記録での最良の実験データと同等のＢで示された波長特性より、４〜６〔ｄＢ〕の改良がされていることになり、短波長記録の実用化の立場でみると、テープＡの有価値性がよく理解される。」（公報２頁左下欄６行〜３頁左上欄３行、実施例の項）
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（カ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「垂直方向に磁化可能な垂直磁化層の上に，面内に磁化可能な層を積層した、磁気記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「垂直磁化層」「面内磁化可能な層」は、それぞれ補正後の発明の「垂直磁化膜」「面内磁気異方性を有する磁性膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「垂直磁化層」は、記録を保持する役割を果たしている（上記（カ）参照）から、引用例１に記載された発明の「磁気記録媒体」は、補正後の発明の「垂直磁気記録媒体」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気記録媒体」は、高分子基板の上に形成されていることが引用例１に例示されている（上記（ウ）参照）から、補正後の発明の「非磁性基板」に相当する構成を実質的に備えている。
　引用例１に、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜の厚み０．１２μｍの上に、面内磁化可能な層として部分酸化されたＣｏ−Ｎｉ膜０．１μｍを形成した例が示されている（上記（キ）参照）から、引用例１に記載された発明は、補正後の発明の「垂直磁化膜の厚さは、磁性膜の厚さより大きく」に相当する構成を実質的に備えている。
　そうすると、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「非磁性基板と、垂直磁化膜と、該垂直磁化膜上に形成された面内磁気異方性を有する磁性膜とを有し、
　前記垂直磁化膜の厚さは、前記磁性膜の厚さより大きい、垂直磁気記録媒体。」
　（相違点１）　補正後の発明は、「非磁性基板上に設けられた下地膜」を備え「該下地膜上に」垂直磁化膜を形成されることを特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　（相違点２）　膜厚について、補正後の発明は、「垂直磁化膜及び磁性膜の厚さの合計が、７ｎｍ以上、１００ｎｍ以下」であり、「磁性膜の厚さが、３ｎｍ以上，１０ｎｍ未満」であることを特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　
（２）相違点についての判断
　（相違点１について）
　下地膜について、引用例１には比較例の１つとして軟磁性膜を垂直磁化膜の下に設ける例示があるのみであるが、垂直磁化膜の形成に際して、下地膜を設けることは、周知の技術であって、引用例１に記載された発明において当業者が適宜なし得ることである。例えば、原審で示された特開平９−９１６６０号公報（段落１２の、基板と多結晶磁性膜の間に、必要に応じて接着力強化あるいは磁性膜の構造制御のために非磁性の下地膜を介在させてもよい旨の記載参照。）、特開昭６１−１３１２２８号公報、及び本願の明細書段落６に記載された各公報等に記載されている。
　（相違点２について）
　引用例１には、垂直磁化層は、厚みが０．０５μｍから０．３μｍの範囲、面内磁化可能な層は、厚みが０．０５μｍから０．１５μｍの範囲が好ましいこと（上記（エ）参照）が記載されている。そうすると、引用例１に好ましいと示されている膜厚は、垂直磁化層及び面内磁化可能な層の厚さの合計が、０．１μｍ程度から０．４５μｍ程度、即ち１００ｎｍ程度から４５０ｎｍであり、また面内磁化可能な層の厚さが５０ｎｍから１５０ｎｍである。また、実施例の、垂直磁化層の厚さが０．１２μｍで面内磁化可能な層の厚さが０．１μｍの例（上記（キ）参照）では、垂直磁化層及び面内磁化可能な層の厚さの合計が、０．２２μｍ（２２０ｎｍ）で、面内磁化可能な層の厚さが０．１μｍ（１００ｎｍ）である。
　ところで、引用例１において、その膜厚について、「積層構成に於て、夫々の厚み、夫々の抗磁力等は目的の波長域と、磁気ヘッド条件により、最適化すれば良い」（上記（オ）参照）と記載され、材料の膜厚は上記例示された範囲にかかわらず適宜選択し得るものであることは明らかである。また、垂直磁化層や面内磁化可能な層に用いる２つの磁性膜の磁気特性（保磁力や飽和磁化等）に応じてその膜厚は適宜選択すべきものであることは当業者にとって明らかである。
　そして、垂直磁気記録媒体において、その垂直磁化膜の膜厚は磁気記録の高密度化にともなってより薄いことが望まれており、引用例１に記載された発明の膜厚の範囲より薄い膜厚を選択することは当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。例えば、上記特開平９−９１６６０号公報（段落１１等）にも記載されている。
　また、引用例１に記載された発明において、面内磁化可能な層は、記録を保持する役割の垂直磁化層の上に形成されるものであるから、垂直磁化層より薄いものであることが望まれ、膜厚が厚くなると垂直磁化層とで閉磁路を形成してしまうことは明らかであるから、その膜厚は磁気ヘッドで再生できるように適切な薄さに選定することは、当業者が容易に想到しうることである。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、垂直磁化膜及び磁性膜の合計の厚さ並びに磁性膜の厚さを、目的の波長域や磁気ヘッド条件や各膜の磁気特性に応じて、引用例１に例示された数値より小さいものとすることは、当業者が適宜なし得るものであり、またその数値範囲に格別臨界的意義があるものでない。
　なお、請求人は、引用例１について、「下層の垂直磁化膜はあくまで記録を保持する役割を果たし、上層の面内磁化膜に記録された記録ビットからの磁束を再生する媒体構成となっている。このことは、従来の長手記録方式用のリング型磁気ヘッドによる記録再生で優れたＳ／Ｎを得ようとしていることからも明らかである。」と主張している。しかしながら、引用例１には、従来の垂直磁化膜の磁気記録媒体（磁気テープＣ）と、上に面内磁化膜をさらに形成した磁気記録媒体（磁気テープＡ）に対して、リング型磁気ヘッドを用いて記録再生することが記載されて（上記（キ）参照）いるのであって、ここでリング型磁気ヘッドは垂直磁気記録にも通常用いられるものであり、例えば本願においてもリング型ヘッドを用いて記録を行っていること、そしてヘッド条件は補正後の発明を特定する事項でもないことから、請求人の主張は採用できない。
　
　そして、上記相違点１乃至２を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点に格別の困難性を要したものではない。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１７年６月２４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至８に係る発明は、平成１６年２月９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の３」で検討した補正後の発明から、「磁性膜の厚さ」についての限定事項である「１０ｎｍ未満」が「１０ｎｍ以下」となるものであって、１０ｎｍも含むものである。
　そうすると、「磁性膜の厚さ」が「１０ｎｍ未満」である補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、「１０ｎｍ以下」と特定する本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。