【事件の表示】
　平成　７年特許願第５０７５５３号「バイポーラトランジスタ・プロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月　２日国際公開、ＷＯ９５／０６３２７、平成　９年　２月２５日国内公表、特表平　９−５０２０５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９４年６月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、１９９３年８月２７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年５月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１７に係る発明は、本願の願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載されたとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載される以下のとおりのものである。
　「１．バイポーラ素子を製造するための方法であって、不純物の直接注入に起因した、素子の活性領域への損傷が抑制され、バイポーラ素子は、開口が、ベース、エミッタ、及びコレクタ接触子のために形成された酸化膜層を有する、方法において、
　酸化膜層の開口における活性領域上に、ゲルマニウムからなる緩衝材料を選択的に堆積するステップと、
　ベース接触子開口に形成された緩衝材料内に、第１の導電型の第１の不純物を注入するステップと、
　コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された緩衝材料内に、第２の導電型の第２の不純物を注入するステップと、
　素子の活性領域内に、それら不純物を拡散させるステップと、
　を含む方法。」
　
３．刊行物記載の発明
（１）特開昭６１−８９１６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開昭６１−８９１６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、第１図ないし第３図とともに以下の事項が記載されている。
 「Ｂ．開示の概要
　本発明は、基板中に極めて浅いドープ領域を低温で形成するための方法に係る。約３００Åを越えない深さのドープ領域が７００℃よりも低い温度で形成される。それらの浅いドープ領域は、半導体スイツチング素子、ダイオード、及び接点の形成を含む、種々の適用例に於て用いることができる。１つの層が金属原子を含み、少くとも１つの層が所望のドーパントを含む、少くとも２つの層が基板上に付着された後、金属化合物が形成されるように、アニール工程が施される。金属化合物が形成されるとき、基板のドーパントとして用いられる上記層中の材料が、雪かき効果により、成長中の金属化合物の界面から基板の上部表面中に押出されて、該上部表面に浅いドープ領域が形成される。」（第１頁右下欄第１３行〜第２頁左上欄第８行）
「これは、界面の成長作用によりドーパントが界面の前面に蓄積される、いわゆる“雪かき”効果である。この雪かき効果は、当技術分野に於て知られており、金属化合物の形成中にドーパントの拡散が増して、成長している金属化合物からドーパントが放出されることによつて生じる。従つて、ドーパントは、基板上の層から供給され、基板中に押込まれて、該基板中に極めて浅いドープ領域を形成する。」（第２頁左下欄第１０〜１８行）
「基本的には、本発明の方法は、基板上に少くとも２つの層を設け、それらの層を反応させて金属化合物を形成し、雪かき効果により上記の１つの又はそれ以上の層に於けるドーパントを上記基板中に押出させて、上記基板中に極めて浅いドープ領域を形成することを含み、上記金属化物は極めて低い温度で形成される。浅いドープ領域は、半導体中にｐ−ｎ接合を形成するため、障壁の高さを調節するため、ドープされた半導体に接点（オーム接点の如き）を設けるため等に用いることができる。バイポーラ・トランジスタ・・・の如き素子をこの技術により形成することができ」（る）（第３頁右下欄第７〜１９行）
「第１図は、基板はシリコンであり、金属化合物は基板上の金属層及びシリコン層をアニールすることにより形成される金属珪化物である、本発明の方法の一実施例を示している。工程（Ａ）に於て、基板１０は、ｎ型又はｐ型にドープされた単結晶シリコン層である。・・・基板１０上に、ｎ型にドープされた多結晶シリコン層・・・１２を付着する。・・・多結晶シリコン層１２に用いられるｎ型ドーパントは、例えば、周知のＡｓ、Ｓｂ、及びＰである。ｐ型ドーパントが必要である場合には、Ｂの如きドーパントが用いられる。
　工程（Ｂ）に於て、多結晶シリコン層１２上に金属層１４を付着する。金属珪化物の化合物を形成するためには、金属層１４の金属が貴金属又は貴金属類似金属であることが好ましい。それらの適当な金属は、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ・・・である。・・・
　工程（Ｃ）は、多結晶シリコン層１２と金属層１４とが化合して金属珪化物層１６を形成する、アニール工程を示している。これは、層１２及び１４を消費し、基板の方向に移動する界面１８を生じる。このアニール工程は、工程（Ｃ）に於て参照番号２０により示されている如く、多結晶シリコン層１２に於けるドーパントが雪かきされるように金属珪化物の成長を促進されるために丁度充分な温度で行われる。・・・
　アニーリングは、例えば、加熱炉、閃光ランプ、レーザ等の任意の手段で行うことできる。重要なことは、金属化合物が形成されることであり、これはアニーリング（即ち、加熱）工程によつて最も容易に達成される。・・・
　又、それらの層１２及び１４のドーピングは、付着中又は付着後のイオン注入によつても行うことができる。これは、ドーパントを多結晶シリコン層１２中に所望の深さに導入することができるという利点を有している。単結晶シリコンの界面の近傍まで（しかしながら、完全に多結晶シリコン層１２の範囲内に）注入することにより、多結晶シリコン層及び金属層の厚さ、その結果得られる金属珪化物層、並びに金属珪化物層の形成及び雪かきに関するアニール時間を減少させることができる。イオン注入はドーピング・レベルを良好に制御する。更に、イオン注入は多結晶シリコン１２中にだけ行われるので、イオン注入による損傷が単結晶シリコン層１０中に生じない。・・・
　工程（Ｄ）に於て、アニール工程が更に続けられ、金属層１４は未だ残つているが、多結晶シリコン層１２は金属珪化物層１６が形成されることにより完全に消費されている。アニーリングが充分に行われ且つ層１２及び１４の初めの厚さが適切に選択されている場合には、金属珪化物層１６の界面１８が多結晶シリコン層１２を経て単結晶シリコン基板１０中に前進して、初めの単結晶シリコン基板１０の上面から或る小さな距離だけ内側に、新しい金属珪化物とシリコンとの界面が形成される。そのような場合には、多結晶シリコン層１２中に初めに導入されたドーパントの大部分が、前進している金属珪化物とシリコンとの界面の前面に雪かきされて、基板１０中にドープ領域が形成される。基板１０の上面中へのドープ領域２２の深さは、数百オングストローム以下であり、典型的には約３００Å又はそれ以下である。ドープ領域２２に於けるドープ濃度は、基板１０の初めのドープ・レベル及び層１２に存在していたドーパントの量に依存する。
　工程（Ｅ）に於て、ドープ領域２２の導電型は、基板１０の導電型と同一でも、反対でもよい。従って、接点又はＰＮ接合を形成することができる。・・・
　金属層１４及び金属珪化物層１６を化学的に除去しない場合には、電気的特性を選択し得る、素子の接点としてそれらを用いることができる。シリコン基板１０の導電型及び多結晶シリコン層１２のドーパント不純物に応じて、低抵抗のオーム接点（Ｎ型Ｓｉ層上のＮ型多結晶シリコン層）・・・を形成することができる。」（第４頁左下欄第１０行〜第５頁右下欄第１３行）
「第１図の例に於ては、基板１０中にドーパントを雪かきする、移動する界面１８を有する金属珪化物１６を生ぜしめるために、２つの層１２及び１４が用いられた。しかしながら、その金属化合物を生ぜしめるために、２つ以上の層（材料）を用いることもでき、その化合物は珪化物でなくてもよい。・・・それらの化合物は、金属珪化物を形成するという利点を有している他に、第２図・・・から理解されている如く、多結晶シリコンの導電路の抵抗値を減少させるためそして相互接続体及び接点を設けるために用いることができる。」（第６頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第１２行）
「以上の説明に於ては、適当な基板１０として単結晶シリコンを用いたが、本発明の方法は、Ｇｅの如き他の半導体の基板にも有用である。
　更に、極めて低い温度で形成することができ、且つ雪かき効果を示す金属化合物は、金属珪化物だけではない。金属層１４を、ドープされた多結晶シリコン層１２でなく、ドープされたＧｅ層を組合せて、金属珪化物層１６でなく、ゲルマニウム化物の化合物層を形成してもよい。」（第７頁右上欄第７〜１５行）
「第２図及び第３図は、本発明の方法を用いることができる素子を示している。第２図の埋込コレクタ型バイポーラ・トランジスタ構造体及び第３図のＦＥＴ型素子が代表例として選択されたが、本発明の方法は他の構造体及び素子を形成するためにも用いることができる。
　第２図に於て、Ａｌ−Ｃｕの如き金属より成る、ベース接点Ｂ、エミツタ接点Ｅ、及びコレクタ接Ｃが示されている。拡散障壁として、Ｔｉ−Ｗ層２４が用いられている。このｎ−ｐ−ｎ型構造体に於ては、コレクタ領域はｎ型領域２７への接点であるｎ＋型埋込層２６により成り、エミツタ領域はｎ＋型埋込層２８より成る。ベース領域は、ｐ型領域３２の一部として形成されたｐ＋型領域３０より成る。絶縁領域３４は、隣接する素子の間並びにエミツタ、ベース及びコレクタ接点の間を電気的に分離する。基板３５はｐ型シリコン・ウエハである。
　この素子に於ては、下のドープ領域に接点を形成するために、ＰｔＳｉ領域３６が用いられている。第２図の素子の形成に於て、領域２８及び浅いドープ領域３０への低抵抗接点が形成されるようにドーパントを雪かきするために、それらのＰｔＳｉ化合物を用いることができる。
　第３図は、ソース接点Ｓ、ゲート接点Ｇ、及びドレイン接点Ｄを含むＦＥＴを示している。ＳｉＯ２の如き絶縁領域３８が隣接する素子の間、隣接する金属接点の間、及びゲート接点Ｇの下に配置されている。」（第８頁左上欄第８行〜同頁右上欄第１６行）
「本発明によれば、トランジスタ・・・等のＶＬＳＩ素子を含む極めて小さな構造体を形成するために特に適しており、高温によるアニール工程を必要とせず、例えばシリコン半導体の如き基板中に、ｎ型又はｐ型のドーパントを導入することにより、約３００Åを越えない深さを有するドープ領域を、約７００℃よりも低い処理温度で形成することができる。」（第９頁左上欄第１８行〜右上欄第５行）
　
　ここで、（ａ）第２図及びその説明に、基板３５の表面に絶縁領域３４が形成され、絶縁領域３４の、エミツタ、ベース、及びコレクタ接点が形成される部分（通常、「開口部」又は「コンタクトホール」と呼ばれる）では、絶縁領域３４が除去され、この部分において、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ及びコレクタ接点Ｃが、拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＳｉ層３６を介して、それぞれ、ｐ＋型領域（ベース）３０、ｎ＋型領域（エミッタ）２８，及びｎ＋型埋込層（コレクタ）２６に導電接続されたバイポーラ・トランジスタが記載されており、さらに、第２図の絶縁領域３４に対応する、第３図の絶縁領域３８が「ＳｉＯ２」であると記載されている。
　したがって、刊行物１の第２図、第３図及びその説明には、「基板３５に形成された」ＳｉＯ２からなる絶縁領域に、「拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＳｉ層３６を備えたベース接点Ｂ、拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＳｉ層３６を備えたエミッタ接点Ｅ及び、拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＳｉ層３６を備えたコレクタ接点Ｃを備えたバイポーラ・トランジスタ」が実質的に記載されている。
（ｂ）第１図及びその説明には、半導体基板上にイオン注入によりｎ型にドープされた多結晶シリコン層１２を形成し、多結晶シリコン層１２上にＰｔなどの金属層１４を形成し、その後アニール工程により、金属珪化物１６を形成することにより、多結晶シリコン層１２中のドーパントを単結晶シリコン基板１０中に「雪かき効果」により押し出し、単結晶シリコン基板中にドープ領域２２を形成する工程を含む「基板中に極めて浅いドープ領域を形成する方法」が記載されている。
（ｃ）刊行物１には、「
第２図・・・は、本発明の方法を用いることができる素子を示している。
金属層１４を、ドープされた多結晶シリコン層１２でなく、ドープされたＧｅ層を組合せて、金属珪化物層１６でなく、ゲルマニウム化物の化合物層を形成してもよい
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）より、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「半導体基板上に形成されたＳｉＯ２からなる絶縁領域に、拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ、及びコレクタ接点Ｃとを備えたバイポーラ・トランジスタを形成する方法において、
　前記絶縁領域の、拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ、及びコレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）にＧｅ層を形成する工程と、
　ベース接点Ｂを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程と、
　エミッタ接点Ｅを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程と、
　コレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程と、
　不純物がドープされたＧｅ層上にＰｔ金属層１４を形成し、その後アニール工程により、ＰｔＧｅ層を形成して、Ｇｅ層中のドーパントを半導体基板中に押し出すことにより、半導体基板中にドープ領域を形成する工程と、
　を含む方法。」
　
（ｂ）特開平４−２２１８２１号公報  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平４−２２１８２１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。 
「【００１２】上記課題は，半導体基板１の素子領域２，８を覆う絶縁膜３にコンタクトホール４を形成する工程と, 該コンタクトホール４内に露出する素子領域２，８にＳｉＧｅ合金或いは一導電型の不純物を含むＳｉＧｅ合金を選択的に成長して，該コンタクトホール４を埋込む埋込み層５，９を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法によって解決される。」　
（ｃ）MIN-LIN CHENG et al.,Selective Ge CVD as a Via Hole Filling Method and Self-Aligned Impurity Diffusion Microsource in Si Processing, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol.28, no.11, November 1989, pp.L2054-L2056(1989)（以下、「刊行物３」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物３には、図１及び図３とともに以下の事項が記載されている。　
「ダイオードサンプルを作成するために・・・ボロンをドープしたシリコン基板を用いた。図１に作成した構造を示す。熱酸化膜を形成した後、背面金属膜に対して良好なコンタクトを形成するために、基板裏面にボロンを高濃度にドープした。その後、試料にはパターンを形成した。ＣＶＤ装置に入れる前に、試料は・・・清浄化した。Ｇｅとin situでの多結晶シリコン・・・を堆積した。」（Ｌ２０５４左欄末行〜右欄第１０行）
「図３には、コンタクトホールに選択的に充填した試料を示す。ＧｅＨ４の分圧０．２Ｐａでは、ファセット成長が生ずる（図３（ａ））。（ＧｅＨ４の）１０Ｐａ分圧では、ビアホールは均一に充填される（図３（ｂ））。」（Ｌ２０５５左欄第７〜１１行）
 　また、図３には、Ｓｉ基板に形成したシリコン酸化膜のコンタクトホール内にＧｅを選択成長することが記載されている。
　
４．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（ａ）刊行物発明の「バイポーラ・トランジスタ」は、本願発明の「バイポーラ素子」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた」、「ベース接点Ｂ」、「エミッタ接点Ｅ」及び「コレクタ接点Ｃ」は、半導体基板中に形成された「ベース（領域）」、「エミッタ（領域）」及び「コレクタ（領域）」と導電接続するものであり、一方、本願発明の「ベース、エミッタ、及びコレクタ接触子」は、半導体基板に形成されたベース領域、エミッタ領域及びコレクタ領域と導電接続するためのものであるから、刊行物発明の「拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ、及びコレクタ接点Ｃ」は、それぞれ、本願発明の「ベース、エミッタ、及びコレクタ接触子」に相当する。
（ｃ）刊行物発明において、「拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ、及びコレクタ接点Ｃ」が、それぞれ、半導体基板に形成された活性領域である「ベース（領域）」、「エミッタ（領域）」及び「コレクタ（領域）」上に形成されることは明らかであるから、刊行物発明の「前記絶縁領域の、拡散障壁としてのＴｉＷ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ及びコレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）にＧｅ層を形成する工程」は、本願発明の「酸化膜層の開口における活性領域上に、ゲルマニウムからなる」「材料を」「堆積するステップ」に相当する。
（ｄ）本願発明の「ベース接触子開口に形成された緩衝材料内」の「緩衝材料」は、「ゲルマニウムからなる緩衝材料」であることは明らかであるから、刊行物発明の「ベース接点Ｂを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」は、本願発明の「ベース接触子開口に形成された」「材料内に」「不純物を注入するステップ」に相当する。
（ｅ）本願発明の「コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された緩衝材料内」の「緩衝材料」は、「ゲルマニウムからなる緩衝材料」であることは明らかであるから、刊行物発明の「エミッタ接点Ｅを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」は、本願発明の「エミッタ接触子開口に形成された」「材料内に」「不純物を注入するステップ」に相当する。
（ｆ）本願発明の「コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された緩衝材料内」の「緩衝材料」は、「ゲルマニウムからなる緩衝材料」であることは明らかであるから、刊行物発明の「コレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」は、本願発明の「コレクタ」「接触子開口に形成された」「材料内に」「不純物を注入するステップ」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「バイポーラ素子を製造するための方法であって、バイポーラ素子は、開口が、ベース、エミッタ、及びコレクタ接触子のためのに形成された酸化膜層を有する、方法において、
　酸化膜層の開口における活性領域上に、ゲルマニウムからなる材料を堆積するステップと、
　ベース接触子開口に形成された材料内に、不純物を注入するステップと、
　コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された材料内に、不純物を注入するステップと、
　を含む方法。」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「不純物の直接注入に起因した、素子の活性領域への損傷が抑制され」た「バイポーラ素子」を製造するための方法であるのに対して、
　刊行物発明は、上記の如き「不純物の直接注入に起因した、素子の活性領域への損傷が抑制され」た「バイポーラ・トランジスタ」を形成する方法であるか否か明らかでない点。
　相違点２
　本願発明は、「酸化膜層の開口における活性領域上に、ゲルマニウムからなる緩衝材料を選択的に堆積するステップ」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「絶縁領域３４の、拡散障壁としてのＴｉ−Ｗ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ及びコレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）にＧｅ層を形成する工程」を備えるものの、刊行物発明の「Ｇｅ層」が「緩衝材料」であるか否か明らかでなく、「Ｇｅ層」が「選択的に堆積」されるものであるか否かも明らかでない点。
　相違点３
　本願発明は、「ベース接触子開口に形成された緩衝材料内に、第１の導電型の第１の不純物を注入するステップ」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「ベース接点Ｂを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」を備えるものの、「Ｇｅ層」が「緩衝材料」であるか否か明らかでなく、「イオン注入により」ドープする「不純物」が、「第１の導電型の第１の不純物」であるか否かも明らかでない点。
　相違点４
　本願発明は、「コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された緩衝材料内に、第２の導電型の第２の不純物を注入するステップ」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「エミッタ接点Ｅを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程と、　コレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」を備えているものの、「Ｇｅ層」が「緩衝材料」であるか否か明らかでなく、「イオン注入により」ドープする「不純物」が、「第２の導電型の第２の不純物」であるか否か明らかもでない点。
　相違点５
　本願発明は、「素子の活性領域内に、それら不純物を拡散させるステップ」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「不純物がドープされたＧｅ層上にＰｔ金属層１４を形成し、その後アニール工程により、ＰｔＧｅ層を形成して、Ｇｅ層中のドーパントを半導体基板中に押し出すことにより、半導体基板中にドープ領域を形成する工程」を備える点。
　
５．当審の判断
　［相違点１について］
　刊行物１には、「それらの層１２・・・のドーピングは、・・・付着後のイオン注入によつても行うことができる。これは、ドーパントを多結晶シリコン層１２中に所望の深さに導入することができるという利点を有している。
単結晶シリコンの界面の近傍まで（しかしながら、完全に多結晶シリコン層１２の範囲内に）注入する
イオン注入は多結晶シリコン１２中にだけ行われるので、イオン注入による損傷が単結晶シリコン層１０中に生じない
　［相違点２について］
（ａ）半導体基板上に形成した、開口部（コンタクトホール）を備えた絶縁膜層に半導体膜をＣＶＤにより形成することで、絶縁膜層上にはＧｅ（層）を含む半導体膜を形成せず、開口部（コンタクトホール）内の半導体基板上に選択的にＧｅ（層）を含む半導体膜を形成できることは、例えば、刊行物２の特開平４−２２１８２１号公報（「【００１２】半導体基板１の素子領域２，８を覆う絶縁膜３にコンタクトホール４を形成する工程と, 該
コンタクトホール４内に露出する素子領域２，８にＳｉＧｅ合金或いは一導電型の不純物を含むＳｉＧｅ合金を選択的に成長して
　したがって、刊行物発明においても、「拡散障壁としてのＴｉＷ層２４及びＰｔＧｅ層をそれぞれ備えた、ベース接点Ｂ、エミッタ接点Ｅ及びコレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）」（以下、「開口部」という。）のみにＧｅ層を形成し、その他の絶縁領域３４上には、Ｇｅ層を形成しない条件で、選択的に「開口部」のみにＧｅ層を形成することは、当業者が容易になし得たものである。
（ｂ）また、本願発明において、「ゲルマニウムからなる緩衝材料」の「緩衝」とは、「酸化膜層の開口における活性領域上」に「ゲルマニウム」を堆積させた後に、不純物をイオン注入するために、不純物が直接「酸化膜層の開口における活性領域上」にイオン注入された場合に比し、「素子の活性領域への損傷が抑制」されることを意味するのであって、刊行物１にも、上記［相違点１について］において、検討したとおり、「Ｇｅ層」が同様な効果を奏するから、刊行物発明の「Ｇｅ層」が、実質的に、イオン注入時の緩衝層になることは、明らかである。
　［相違点３及び４について］
（ａ）上記［相違点２について］（ｂ）で検討したとおり、「Ｇｅ層」が、実質的に、イオン注入時の緩衝層になることは、明らかである。
（ｂ）バイポーラ・トランジスタにおいては、「ベース」の導電型と、「エミッタ」及び「コレクタ」の導電型が異なることは技術常識であり、「ベース」の導電型を「第１の導電型」とすると、「エミッタ」及び「コレクタ」の導電型は、「第２の導電型」となることは明らかである。
（ｃ）バイポーラ・トランジスタを含む半導体集積回路の製造においては、可能な限り不純物をイオン注入する工程（回数）を減らすようにすることは技術常識であり、また、「同一の導電型」の不純物をイオン注入する際に格別の問題がない限り、「同一工程」（同一のイオン注入工程）で行うことは技術常識であり、さらに、「第１の導電型」の「不純物」（ドーパント）と「第２の導電型」の「不純物」（ドーパント）とを異なる「不純物」（ドーパント）とすることも技術常識である。
（ｄ）したがって、刊行物発明における、「ベース接点Ｂを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」の「ベース接点Ｂを形成するため」の「イオン注入」を、「第１の導電型の第１の不純物」の「イオン注入」とするとともに、刊行物発明における、「エミッタ接点Ｅを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」と、「コレクタ接点Ｃを形成するための部分（開口部）に形成されたＧｅ層内にイオン注入により不純物をドープする工程」とを同一の「第２の導電型の第２の不純物」をイオン注入するために同一工程で行い、本願発明の如く、「コレクタ、及びエミッタ接触子開口に形成された緩衝材料内に、第２の導電型の第２の不純物を注入するステップ」とすることは、当業者が何ら困難性なくなし得ることである。　
　［相違点５について］
（ａ）刊行物１には、第１図の工程（Ｃ）及び（Ｄ）についての記載、「工程（Ｃ）は、多結晶シリコン層１２と金属層１４とが化合して金属珪化物層１６を形成する、アニール工程を示している。これは、層１２及び１４を消費し、基板の方向に移動する界面１８を生じる。このアニール工程は、工程（Ｃ）に於て参照番号２０により示されている如く、多結晶シリコン層１２に於けるドーパントが雪かきされるように金属珪化物の成長を促進されるために丁度充分な温度で行われる。」（第４頁右下欄第１６行〜第５頁左上欄第４行）、「工程（Ｄ）に於て、アニール工程が更に続けられ、金属層１４は未だ残つているが、多結晶シリコン層１２は金属珪化物層１６が形成されることにより完全に消費されている。アニーリングが充分に行われ且つ層１２及び１４の初めの厚さが適切に選択されている場合には、金属珪化物層１６の界面１８が多結晶シリコン層１２を経て単結晶シリコン基板１０中に前進して、初めの単結晶シリコン基板１０の上面から或る小さな距離だけ内側に、新しい金属珪化物とシリコンとの界面が形成される。そのような場合には、多結晶シリコン層１２中に初めに導入されたドーパントの大部分が、前進している金属珪化物とシリコンとの界面の前面に雪かきされて、基板１０中にドープ領域が形成される。」（第５頁右上欄第１８行〜左下欄第１２行）、及び「これは、界面の成長作用によりドーパントが界面の前面に蓄積される、いわゆる“雪かき”効果である。
この雪かき効果は、当技術分野に於て知られており、金属化合物の形成中にドーパントの拡散が増して、成長している金属化合物からドーパントが放出されることによつて生じる
（ｂ）上記（ａ）で検討したとおり、刊行物発明においても、Ｇｅ層中に導入されたドーパントは、半導体基板中に拡散しているのであり、刊行物発明は、本願発明の「素子の活性領域内に、それら不純物を拡散させるステップ」は実質的に備えており、この相違点は、実質的なものではない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１７に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。