【事件の表示】
　平成１１年特許願第　９６２７１号「薄膜ガスセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月２０日出願公開、特開２０００−２９２３９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年４月２日の出願であって、平成１８年７月２７日付けで拒絶査定（同年８月３日謄本発送）がなされ、これに対し、同年９月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願明細書について平成１８年１０月３日付けで行った手続補正は、明細書の発明の詳細な説明について、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、発明の詳細な説明中の明らかな誤記を訂正する適法なものであるので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１７年８月９日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された技術的事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１は次のとおりである（以下、「本願発明」という。）。
　
「【請求項１】両面に熱酸化ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉ基板の一側面中央部がダイアフラム様にくりぬかれた基板面上に、窒化Ｓｉ膜とＣＶＤ−ＳｉＯ２膜からなる支持層と、薄膜ヒータと、ＳｉＯ２と窒化Ｓｉ膜からなる電気絶縁層と、ガス検知膜とを順に積層し、前記薄膜ヒータおよびガス検知膜には電極をそれぞれ形成してなる薄膜ガスセンサにおいて、
　前記ガス検知膜の最表面に、アルミナ焼結体またはアルミナを主成分としこれにＰｔまたはＰｄを含む触媒を担持した焼結体よりなるガス選択燃焼層を形成するとともに、前記薄膜ヒータ，ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを３００μｍ以下で、ダイアフラム径の大きさとの比を１／２以下とすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。」
　
３．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び、その記載事項は以下のとおりである。
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１（特開平５−２４９０６１号公報）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（１ａ）特許請求の範囲
「【請求項１】シリコン基板と、この基板の一方の主面に支持される順次積層された第一の絶縁層と、ヒータと、第二の絶縁層と、ガス感応体とを有し、
シリコン基板は所定角度でオフカットされた基板で、前記一方の主面に対する他の主面に開口部を有し且つ第一の絶縁層に達する空洞部を備え、
前記順次積層された第一の絶縁層と、第二の絶縁層は前記空洞部上に張り出してダイアフラムとなるものであり、
第一の絶縁層は、熱酸化膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜が順次積層されてなり、
ヒータは前記ダイアフラム内に配置され、
ガス感応体は前記ダイアフラム上に配置されるものであることを特徴とするガスセンサ。」
（１ｂ）従来技術について（段落【０００３】）
「【０００３】図３は従来のガスセンサを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ矢視断面図である。このようなガスセンサは単結晶シリコン基板１上に熱絶縁層である熱酸化膜３、ヒータ６、電気絶縁層１０、ガス感応体９を形成し、次いで空洞部１１をシリコン基板に穿設する。これらは半導体技術により加工され微細なマイクロガスセンサが製造される。」
（１ｃ）実施例（段落【００１１】〜【００１５】）
（１ｃ−１）基板、第一絶縁層について
「【００１１】
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施例に係るガスセンサを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ矢視断面図である。図３とはタイアフラムの構成のみが異なる。本発明の第一の絶縁層は熱酸化膜の他、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを有している。このようなガスセンサは以下のようにして調製される。市販の単結晶シリコン基板表面に対し３度のオフカットを行い、２．５ｍｍ角のＳｉ基板を調製する。このシリコン基板上に熱酸化膜３を０．５μｍ厚さに形成する。次にＲＦマグネトロンスパッタリング法により、水素化窒化シリコン膜４を１μｍ厚さに形成する。次に化学気相成長法により低温でＳｉＯ２を０．０５μｍ成膜する。このような積層構造により内部応力が従来の１／１０で且つ表面に微細な凹凸を有する第一の絶縁層が形成される。この微細な凹凸はシリコン基板のオフカットにより生じた凹凸がそのまま反映される。」
（１ｃ−２）ヒータ、電極、第二絶縁層、センサ電極について
「【００１２】次にヒータ材料である白金をスパッタしフォトリソグラフィにより白金をパターニングしてヒータ６とヒータ電極７を同一面内に形成する。続いてメタルマスクを用い、ヒータ上部に反応性スパッタリングにより酸化シリコン膜からなる第二の絶縁層１０を形成する。続いて前述したのと同様にしてセンサ電極８を形成する。」
（１ｃ−３）ガス感応体について
「【００１３】次にメタルマスクを用い、ＲＦ反応性スパッタリング法により低真空度で酸化スズを用いガス感応体９を形成する。このようにして調製されたガス感応体は下地基板の影響を受けて、表面に微細な凹凸を有した繊維構造の膜となり、有効表面積が増大して感度の増大したガス感応体が得られる。このようにしてシリコン基板のオフカット角度によりガス感応体の結晶配向性と表面凹凸を制御できることが電子顕微鏡観察とＸ線回折法とにより確認された。本実施例では３度のオフカット角度を用いているがこれに限定されるものではない。」
（１ｃ−４）空洞部形成について
「【００１４】次にプラズマエッチング法によりＳｉ基板の裏面から直径１ｍｍの空洞部を形成する。この際第一の絶縁層の熱酸化膜によりプラズマエッチングによるガス感応体の損傷を軽減することができる。酸化シリコン膜５は化学気相成長法により調製されるので内部応力は小さく、ダイアフラムを損傷させることなく密着性向上や電気絶縁の目的を達する。」
（１ｃ−５）得られたセンサの特性について
「【００１５】ヒータ電極７とセンサ電極８に白金のリード線を接続し、ヒータを間欠動作させることにより低消費電力で製造歩留りの大きなガスセンサが得られる。図２はこの発明の実施例に係るガスセンサの水素（特性線ロ）とイソブタン（特性線ニ）に対するガス感度を従来のガスセンサのガス感度と対比して示す線図である。特性線ロと特性線ニはそれぞれこの発明の実施例に係るガスセンサの水素とイソブタンに対するガス感度特性である。特性線イと特性線ハはそれぞれ従来のガスセンサの水素とイソブタンに対するガス感度特性である。本発明のセンサは水素に対してもイソブタンに対しても従来のものより低いセンサ温度で駆動でき、従って低消費電力であることがわかる。ガス感度は空気中でのガスセンサの電気抵抗をＲ０、被検ガス中での電気抵抗値をＲｇとしてＲ０／Ｒｇにより表現した。また被検ガスの濃度は空気希釈した０．５％濃度とした。」
（１ｄ）図面
　そして、【図１】には、上記実施例に係るガスセンサの平面図ならびに断面図が示され、シリコン基板の略中央に空洞部が形成されることが図示されている。また、【図２】には、上記実施例に係るガスセンサならびに従来のガスセンサそれぞれの、水素とイソブタンに対するガス感度が図示されている。
　
　これらの記載および図面の図示内容を勘案すると、引用例１には、
「熱酸化膜が形成されたＳｉ基板上に窒化シリコン膜、化学気相成長法による酸化シリコン膜を順次積層した第一の絶縁層上に、白金をスパッタしフォトリソグラフィでパターニングしたヒータならびにヒータ電極、酸化シリコン膜からなる第二の絶縁層、センサ電極、ガス感応体を順に形成し、Ｓｉ基板の裏面からエッチングを行って前記基板の略中央に空洞部を形成し、第一の絶縁層と第二の絶縁層を、前記空洞部上に張り出したダイアフラムとした、半導体技術により加工された微細なマイクロガスセンサ。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、引用例２（特開平７−１９８６４６号公報）には、低消費電力型薄膜ガスセンサについて、図面と共に次の記載がある。（下線は当審で付加した。）
（２ａ）熱損失と消費電力低下について（段落【０００３】〜【０００６】）
「【０００３】このようなガスセンサには素子内にヒータを蒸着して、感知膜が特定ガスによく反応するように感知膜を特定温度（通常２００〜５００℃）で加熱するべきであるが、
この時、ヒータの消費電力は低くなければならない。ヒータの消費電力を低めるためには、ヒータの材料自体が発熱体として効率が高くなければならないし、ヒータから発熱した熱の外部への損失量が少なくなければならない。
【０００４】
ヒータを特定温度差△Ｔだけ加熱する時外部へ損失される量Ｐは、通常次のように示される。
Ｐ＝Ｐ
ｍ
＋Ｐ
Ｒ
＋Ｐ
Ａ
【０００５】上記式でＰＲは相対的に微少な量であり、ＰＡは加熱部の幾何構造（Ｇｅｏｍｅｔｒｙ）に起因した少ない量であるので、
Ｐ
ｍ
を減少することにより熱損失Ｐを低減させることができる。そして、センサの支持膜を通じた熱損失Ｐ
ｍ
は次のように表現される。
Ｐ
ｍ
＝  Ｋ・σ・ｈ・△Ｔ  ／ ｌｎ（ｕ／ａ）
ここで、Ｋは定数、σは支持フィルムの熱伝導度、ｈは支持フィルムの厚さ、ｕは支持フィルムの幅、ａは発熱部の長さである。
【０００６】
上記式から分かるように、支持膜を通じた熱損失を低めるためには、
加熱部の長さと支持膜の幅の比を調節したりすればよい。
（２ｂ）従来の薄膜ガスセンサについて（段落【００１０】〜【００１０】）
「【００１０】図１は従来の薄膜ガスセンサの断面構造図である。図１を参照すると、薄膜ガスセンサの支持膜２は、シリコン基板１上にシリコン酸化膜２ａ、シリコン窒化膜２ｂ及びシリコン酸化膜２ｃを各々２．５μｍ、０．２μｍ、２．５μｍの厚となるように積層蒸着して形成し、前記支持膜２上にＮｉＦｅ金属合金を蒸着しパターニングして、ヒータ３と温度センサ４を形成する。この時、ヒータ３の発熱部（Ａｃｔｉｖｅ  ａｒｅａ）ａの大きさ４５０×４５０μｍ２とする。」
【００１１】このようにヒータ３と温度センサ４を支持膜２上に形成した後、ＳｉＯＮＸを用いて層間絶縁膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）５を形成する。感知電極６と感知膜７から構成されたガス感知素子８を層間絶縁膜５上に形成した後、ＫＯＨ水溶液を用いてシリコン基板１の裏面を異方性エッチングする。これにより、ＳｉＯ２、ＳｉＮ４、ＳｉＯ２からなる積層構造の支持膜２が形成された従来の薄膜ガスセンサ１０が製造される。」
（２ｃ）ヒータと感知膜の間の層間絶縁膜について（段落【００２２】〜【００２３】）
「【００２２】上記したように、ヒータと温度センサを形成した後、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法によりシリコン窒化膜を蒸着させ層間絶縁膜４０を形成する。
本発明では、層間絶縁膜４０として、ヒータ３０ｂから発熱した熱が後述する工程で形成される感知膜へ容易に伝達できるように、絶縁特性に優れていて熱伝導度の高いシリコン窒化膜を使用する。
【００２３】これにより、図３（ｄ）のように感知膜電極５０ａと感知膜５０から構成された感知素子が形成される。」
（２ｄ）図面
　そして、【図１】には、上記の従来の薄膜ガスセンサに関し、薄膜ガスセンサの支持膜２の下方に
シリコン基板が存在せずダイヤフラム状となっている部分の長さを符号「ｕ」、ヒータを含むガスセンサ部分の長さを符号「ａ」と表す
　
（３）引用例３
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、引用例３（特開平７−１２８２６８号公報）には、ガスセンサについて、図面と共に次の記載がある。（下線は当審で付加した。）
（３ａ）従来のガスセンサと課題について（段落【０００３】〜【０００６】）
「【０００３】図４は従来のガスセンサを示す平面図である。図５は図４に示す従来のガスセンサのＢ−Ｂ矢視断面図である。基板１の一方の主面に感ガス層３と触媒層４がまた他の主面にはヒータ８が設けられる。感ガス層３の電気抵抗の変化は電極２を介してリード線７により取り出される。またヒータ８にはリード線９を介してヒータ用の電圧が印加される。
【０００４】ヒータ８はガスセンサを所定の温度に加熱してガスセンサを駆動する。上述のガスセンサにおいて
感ガス層は白金を担持した酸化スズＳｎＯ
２
の薄膜であり、触媒層は白金の超薄膜である。上述のガスセンサはアルコールのような有機溶剤ガスと水素ガスに感度を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら
上述のような従来のガスセンサは有機溶剤ガスに対しても水素ガスに対しても感度を有するために水素ガスを選択的に検知できないという問題があった。
【０００６】水素とアルコールに対する感度は大差がない。この発明は上述の点に鑑みてなされその目的は有機溶剤ガスを選択的に燃焼させることにより、有機溶剤ガスの干渉がない水素ガスセンサを提供することにある。」
（３ｂ）課題を解決するための手段について（段落【０００７】）
「【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明によれば基板上に電極と感ガス層と触媒層と酸化燃焼層とヒータとを有し、基板の第一の主面は、対をなす電極と、前記電極と基板上に選択的に形成された感ガス層と、感ガス層上に積層された触媒層と、触媒層上に積層された酸化燃焼層を備え、基板の第二の主面は、対をなす電極と、前記電極と基板上に選択的に形成されたヒータを備え、感ガス層はスパッタで調製されたｎ型金属酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、酸化燃焼層は貴金属を担持したｎ型金属酸化物半導体の厚膜であるとすることにより達成される。」
（３ｃ）作用について（段落【０００８】）
「【０００８】
【作用】
酸化燃焼層は有機溶剤ガスを選択的に燃焼して水素ガスと可燃性ガスを感ガス層に導く。感ガス層はスパッタで形成された柱状の結晶であり、可燃性ガスは感ガス層の内部に拡散することができない。触媒層は水素ガスを活性化して感ガス層における酸素との置換を促進する。
（３ｄ）酸化燃焼層の実施例（段落【００１７】〜【００１９】）
「【００１７】…
実施例２
酸化燃焼層を以下のようにして形成する他は実施例１と同様にして水素ガスセンサを調製した。
【００１８】
比表面積が１５０ｍ
２
／ｇ，平均粒径が３μｍのγ−アルミナ粉体に白金１重量％を含有する塩化白金酸水溶液を含浸させ、乾燥して６００℃で２ｈ乾燥してγ−アルミナに白金を担持させた粉体を調製する。この粉体に水を加えてペーストとし１００μｍ厚さとなるように被覆した。室温で乾燥したのち、アルミナゾルをしみ込ませ乾燥後７３０℃で３０分加熱して酸化燃焼層５を形成した。
【００１９】
γ−アルミナ担体に白金を加えて酸化燃焼層とする場合は酸化燃焼層において可燃性ガスが一部燃焼して水素ガスに対する選択性が一層高まる。
　
４．対比（一致点・相違点）
　本願発明と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の(ア)「熱酸化膜」、(イ)「Ｓｉ基板」、(ウ)「窒化シリコン膜」、(エ)「化学気相成長法による酸化シリコン膜」は、それぞれ、本願発明の(ア’)「熱酸化ＳｉＯ２膜」、(イ’)「Ｓｉ基板」、(ウ’)「窒化Ｓｉ膜」、(エ’)「ＣＶＤ−ＳｉＯ２膜」に相当することが明らかである。そうすると、引用発明の「Ｓｉ基板の裏面からエッチングを行って前記基板の略中央に空洞部を形成し、第一の絶縁層と、第二の絶縁層が前記空洞部上に張り出したダイアフラム」となることは、本願発明の「Ｓｉ基板の一側面中央部がダイアフラム様にくりぬかれた基板面上に支持層を形成してなる」と同等の構造を意味する。
　また、引用発明の(オ)「白金をスパッタしフォトリソグラフィでパターニングしたヒータ」は、薄膜として形成されることが明らかであるので、本願発明の(オ’)「薄膜ヒータ」に相当する。さらに、引用発明の(カ)「ガス感応体」は本願発明の(カ’)「ガス検知膜」に相当する部材であって、引用発明の(キ)「センサ電極」は前記「ガス感応体」からの出力を得るための電極であることも明らかであるので、本願発明の(キ’)「ガス検知膜に形成してなる電極」に相当する部材である。
　ここで、引用発明の「酸化シリコン膜からなる第二の絶縁層」と、本願発明の「ＳｉＯ２と窒化Ｓｉ膜からなる電気絶縁層」は、いずれも薄膜ヒータとガス検知層の間に配される「ＳｉＯ２膜を有する電気絶縁層」である点で共通する。
　そして、引用発明の(ク)「半導体技術により加工された微細なマイクロガスセンサ」は、ダイアフラムを有する構造であることからして、本願発明の(ク’)「薄膜ガスセンサ」に相当するものであることも明らかである。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
（一致点）
「熱酸化ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉ基板の一側面中央部がダイアフラム様にくりぬかれた基板面上に、窒化Ｓｉ膜とＣＶＤ−ＳｉＯ２膜からなる支持層と、薄膜ヒータと、ＳｉＯ２膜を有する電気絶縁層と、ガス検知膜とを順に積層し、前記薄膜ヒータおよびガス検知膜には電極をそれぞれ形成してなる薄膜ガスセンサ。」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）
　「Ｓｉ基板」が、
本願発明は、「両面に熱酸化ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉ基板」であるのに対し、
引用発明は、窒化Ｓｉ膜とＣＶＤ−ＳｉＯ２膜からなる支持膜をはじめとして薄膜ヒータ、ガス検知膜等が積層されるＳｉ基板面側に熱酸化ＳｉＯ２膜が形成されることを明記している（前記摘記（１ｃ−１）、図１（ｂ）参照）ものの、Ｓｉ基板の両面に熱酸化ＳｉＯ２膜を形成したＳｉ基板であることについて記載していない点。
（相違点２）
　「ＳｉＯ２膜を有する電気絶縁層」が、
本願発明は、「ＳｉＯ２と窒化Ｓｉ膜からなる電気絶縁層」であるのに対し、
引用発明は、ＳｉＯ２膜からなる電気絶縁層であって、ＳｉＯ２と窒化Ｓｉ膜からなる電気絶縁層を使用することは記載されていない点。
（相違点３）
　本願発明は「前記ガス検知膜の最表面に、アルミナ焼結体またはアルミナを主成分としこれにＰｔまたはＰｄを含む触媒を担持した焼結体よりなるガス選択燃焼層を形成する」ものであるとともに、「前記薄膜ヒータ，ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを３００μｍ以下で、ダイアフラム径の大きさとの比を１／２以下とする」のに対し、
引用発明は、前記ガス検知膜の最表面に、アルミナ焼結体またはアルミナを主成分としこれにＰｔまたはＰｄを含む触媒を担持した焼結体よりなるガス選択燃焼層を形成すること、ならびに、前記薄膜ヒータ，ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを３００μｍ以下で、ダイアフラム径の大きさとの比を１／２以下とすることについて、記載されていない点。
　
５．検討・判断
　そこで、上記各相違点について検討する。
（５−１）相違点１について
　Ｓｉ基板の一側面中央部をエッチングによってくり抜き、ダイアフラム状の薄膜ガスセンサを作成する際、前記ダイアフラム状の薄膜ガスセンサを形成するＳｉ基板面側だけでなく、エッチングを開始する反対側の面にも、エッチング阻止のためのマスク材料として熱酸化ＳｉＯ２膜を形成すること、すなわち、エッチング後にＳｉ基板の両面に熱酸化ＳｉＯ２膜が形成されるようなＳｉ基板を用いることは、例えば特開昭６４−３５３５２号公報（特に、＜発明の背景＞の欄（第１頁右下欄第１０行〜第２頁右上欄第１３行）参照）にも見られるように、薄膜ガスセンサの技術分野において古くから知られた周知の事項にすぎず、相違点１に格別の進歩性を見出すことはできない。
（５−２）相違点２について
　刊行物２には、本願発明と同様なダイアフラム状の薄膜ガスセンサにおいて、「層間絶縁膜４０として、ヒータ３０ｂから発熱した熱が後述する工程で形成される感知膜へ容易に伝達できるように、絶縁特性に優れていて熱伝導度の高いシリコン窒化膜を使用する。」（前記摘記（２ｃ）の下線部参照）ことが記載されており、当該記載は、窒化Ｓｉ膜は、ヒータとガス検知膜との間の層間絶縁膜として使用される、絶縁特性に優れた熱伝導度の高い材料であることを開示するものである。
　してみると、引用発明において、薄膜ヒータとガス検知層の間に配される電気絶縁層として、ＳｉＯ２膜だけでなく、「ＳｉＯ２と窒化Ｓｉ膜からなる電気絶縁層」を使用してみることも、当業者が必要に応じ適宜選択し得る範囲内の事項である。
　そして、本願の明細書の発明の詳細な説明および図面を精査しても、電気絶縁層としてＳｉＯ２膜を用いることは記載されているものの、ＳｉＯ２と窒化Ｓｉ膜からなる電気絶縁層を用いることについては具体的な記載がなく、それによる効果も何ら記載されていないことから、そのことによって格別な作用効果が奏されるとも認めることはできない。
（５−３）相違点３について
　薄膜ガスセンサにおいて、検出するガスの選択性を高めるために、ガス検知膜の最表面に、アルミナを主成分としこれにＰｔを含む触媒を担持した焼結体よりなるガス選択燃焼層を形成することは、例えば刊行物３にもみられるように周知、慣用の事項にすぎない。
　また、例えば特開昭５９−３８６４１号公報にも見られるように、本願の発明の詳細な説明の実施の形態で用いられているガス検知層であるＳｎＯ２と同じガス検知材料を用いたガスセンサに、アルミナに白金を担持させた触媒層を選択燃焼層として設け、ＣＨ４やＣ３Ｈ８を選択的に検知することは、ガスセンサの技術分野において古くから知られた周知の事項である。
　そして、刊行物２には、ヒータの消費電力を低減させるためにはヒータから発熱した熱の外部への損失量が少なくなければならないこと、熱損失は特にセンサの支持膜を通じて損失される量が大きく影響すること、該損失量（Ｐｍ）は支持膜の幅（ｕ）／加熱部の長さ（ａ）の比が大きければ大きいほど小さな値となる量であることを示す式が記載され、前記比を調節することによりセンサの支持膜を通じての熱損失を低減できることも記載されている（前記摘記（２ａ）の下線部参照）。さらに、刊行物２の図１に図示内容からすると、「支持膜の幅（ｕ）」は本願発明における「ダイヤフラム径（Ｄ）」に相当するものであり、また、「加熱部の長さ（ａ）」は、本願発明における「薄膜ヒータを含む薄膜ガスセンサのセンサ部を構成する長さ（Ｓ）」に相当するものである。
　ここで、引用発明の薄膜ガスセンサは、設置したヒータによって所定温度まで加熱されなければならないものである以上、センサの大きさが大きくなればなるほど、それとともに加熱に要する消費電力が大きくなることは、自明の事項である。
　そうすると、低消費電力化を図るため、薄膜ガスセンサのセンサ部を構成する前記薄膜ヒータ、ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを適当な大きさに制限するとともに、ヒータから発熱した熱の外部への損失量を少なくするよう、刊行物２に記載された事項に基づいて、前記薄膜ガスセンサのセンサ部を構成する前記薄膜ヒータ、ガス検知膜およびガス選択燃焼層の大きさとダイヤフラム径の大きさとの比を適当な値以下にして、薄膜ガスセンサの消費電力を低減しようとすることは、当業者であれば適宜なし得る範囲内の事項であって、反復実験により、「前記薄膜ヒータ，ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを３００μｍ以下で、ダイアフラム径の大きさとの比を１／２以下」と特定することにも、格別の困難性は認められない。
　
　なお、請求人は、「薄膜ヒータ，ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを３００μｍ以下で、ダイアフラム径の大きさとの比を１／２以下」とした構成について、審判請求の理由において「すなわち、図２によれば、ダイアフラム径２００μｍを境にして、それより小さい径の領域では消費電力が上昇するのに対し、２００μｍより大きい径の領域で消費電力は下限の一定値に落ち着くという顕著な効果が認められる。これより、前記２００μｍは当該グラフの変曲点と捉えることができる。そして、当該変曲点２００μｍ以上のダイアフラム径においてもセンサの低消費電力化の傾向が認められる点で、前記変曲点は臨界的な意義を有するものである。
　つまり、図２は、センサ部大きさが１００μｍ一定の場合、ダイアフラム径を、変曲点である２００μｍ以上の大径とすればセンサの低消費電力化が可能になることを示している。この、変曲点である２００μｍのときのセンサ部とダイアフラム径の比は、１００μｍ：２００μｍ＝１：２となり、これより、センサ部とダイアフラム径の比が１／２以下で消費電力が低減できることが分かる。
　本願発明は、このような変曲点におけるセンサ部とダイアフラム径の比に臨界的意義を認め、その値を適用することにより、センサの低消費電力化を達成することを目的とするものである。
　なお、図２でセンサ径を１００μｍ一定としたのは、試験片（テストピース）としてのセンサ加工上の最小制限によるものであるが、請求項１及び実施例では、前記センサ径を、一般的な製造上のセンサ径に適用するため３００μｍとして記載してある。」旨主張している。
　しかしながら、「薄膜ヒータ、ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさを３００μｍ以下」とすることは、前記したとおり、所定温度まで加熱するために必要な消費電力を低減するため、また、請求人が自認するとおり製造上の要件等を考慮し、当業者が適宜設定しうる事項であって、その値に臨界的意義は見いだせない。
　そして、「（薄膜ヒータ、ガス検知膜およびガス選択燃焼層の各大きさと）ダイアフラム径の大きさとの比を１／２以下とする」ことについては、その主張の根拠とする、下向きに僅かに湾曲した図２の図示内容から、２００μｍの位置に変曲点が生じていることを読み取ることはできないとともに、本願明細書の段落【００１２】の「図２はヒータとガス検知素子を含むセンサ部の大きさを１００μｍと固定したとき、ダイアフラム径と消費電力との関係を示す。ダイアフラムが大きくなるにつれ、つまりセンサ部とダイアフラムの大きさの比が大きくなるにつれ消費電力が低下することが分かる。」との記載からしても、図２は、ヒータとガス検知素子を含むセンサ部が特定の大きさ（１００μｍ）の場合について、ダイヤフラム径を１００μｍ超、３００μｍ未満の範囲としたときの消費電力を検討した結果を示したものにすぎず、その結果は、刊行物２に記載されているＰｍに関する式（前記摘記（２ａ）の段落【０００５】参照）において、ａ＝１００μｍとした場合に、ｕが大きくなるに従い、すなわち、ダイヤフラム径を大きくするに従って外部への熱損失が小さくなって低消費電力化を図ることができるという、前記式の意味する内容と同じことを示しているにすぎないと認められるので、その比の値にも、請求人の主張するような臨界的意義を認めることはできない。
　
　以上のとおりであるので、本願発明が奏する作用効果も、引用発明および引用例２、３に記載された技術的事項ならびに周知事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　よって、本願発明は、引用発明および引用例２、３に記載された技術的事項ならびに周知事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
　
６．むすび
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１乃至３に記載された発明ならびに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。