(57)【要約】利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。表示パネルは、第１の画素と、第２の画素と、を有し、第１の画素及び第２の画素はそれぞれ、発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とを有する。第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、第２の導電膜は、光反射性を備える。第３の導電膜は、光透過性を備える。第１の導電膜は、第２の導電膜との間に、第３の導電膜と発光層とを挟むように形成される。第１の画素における第１の導電膜と第２の導電膜との間の距離と、第２の画素における、第１の導電膜と第２の導電膜との間の距離は等しい。第１の画素は、発光極大波長を波長６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に、第２の画素は、発光極大波長を波長４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素及び前記第２の画素はそれぞれ、発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、光透過性および光反射性を備え、
前記第２の導電膜は、光反射性を備え、
前記第３の導電膜は、光透過性を備え、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜との間に、前記第３の導電膜を挟むように形成され、
前記発光層は、前記第２の導電膜と、前記第３の導電膜との間に挟まれるように形成され、
前記第１の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第１の距離を備え、
前記第２の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第２の距離を備え、
前記第２の距離は、前記第１の距離と等しく、
前記第１の画素は、発光極大波長を波長６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出し、
前記第２の画素は、発光極大波長を波長４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する表示パネル。
【請求項２】
第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素及び前記第２の画素はそれぞれ、発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、光反射性を備え、
前記第２の導電膜は、光透過性および光反射性を備え、
前記第３の導電膜は、光透過性を備え、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜との間に、前記第３の導電膜を挟むように形成され、
前記発光層は、前記第２の導電膜と、前記第３の導電膜との間に挟まれるように形成され、
前記第１の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第１の距離を備え、
前記第２の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第２の距離を備え、
前記第２の距離は、前記第１の距離と等しく、
前記第１の画素は、発光極大波長を波長６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出し、
前記第２の画素は、発光極大波長を波長４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する表示パネル。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
さらに第３の画素を有し、
前記第３の画素は、前記発光層と、前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜と、前記第３の導電膜と、を有し、
前記第３の画素は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に、第３の距離を備え、
前記第３の距離は、前記第１の距離と異なり、
前記第３の画素は、緑色の光を射出する表示パネル。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
さらに第４の導電膜を有し、
前記第４の導電膜は、光透過性を備え、
前記第１の画素において、前記第４の導電膜は、前記発光層と、前記第３の導電膜との間に挟まれるように配置され、
前記第２の画素において、前記第４の導電膜は、前記発光層と、前記第３の導電膜との間に挟まれるように配置され、
前記第１の画素において、前記第３の導電膜は、第１の膜厚を備え、
前記第２の画素において、前記第３の導電膜は、第２の膜厚を備え、
前記第１の画素において、前記第４の導電膜は、第３の膜厚を備え、
前記第２の画素において、前記第４の導電膜は、第４の膜厚を備え、
前記第１の膜庫は前記第２の膜厚と等しく、
前記第３の膜厚は前記第４の膜厚と等しい表示パネル。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３の導電膜は、前記第４の導電膜より、一のエッチング雰囲気におけるエッチングレートが小さい表示パネル。
【請求項６】
請求項４において、
前記第３の導電膜は、前記第４の導電膜より、一の溶液を用いた場合のエッチングレートが小さい表示パネル。
【請求項７】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１または請求項２に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
【請求項８】
第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜の上方に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜の上方に第３の導電膜を形成する工程と、
前記第３の導電膜の上方に、第１の領域と、前記第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有するマスクを形成する工程と、
前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜と、前記第３の導電膜と、の前記マスクと重ならない部分を除去する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記マスクを後退させることにより前記第２の領域の前記マスクを除去する第２の工程と、
前記第２の工程の後、前記第３の導電膜の前記第２の領域と重なる部分を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の後、前記マスクを除去する工程と、
前記第２の導電膜、または前記第３の導電膜の上方に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、第４の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示パネルの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明の一態様は、表示パネル、情報処理装置または表示パネルの作製方法に関する。【０００２】なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、作製方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの作製方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】ディスプレイ技術の発展に伴って、要求される性能は日々高度化している。あるディスプレイが再現可能な色域を示す規格には、従来から広く指標とされているｓＲＧＢ規格やＮＴＳＣ規格などがあるが、最近ではより広い色域をカバーするＢＴ．２０２０規格が提唱されている。【０００４】ほぼ全ての物体色を表現できるＢＴ．２０２０規格ではあるが、有機化合物の発するブロードな発光スペクトルをそのまま用いるのでは現状実現が難しいため、キャビティ構造等を用いることによって色純度を高めることで、当該規格を実現する試みがなされている。【０００５】表示パネルにおいて、より広い色域をカバーする、キャビティ長の異なる領域を設ける構造などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０３２３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上で有利である。特に、広い色再現性を達成するためには、最適な発光スペクトルピーク波長と、シャープなスペクトルを得ることが必要である。【０００８】しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラー化の発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在し、色純度の低下が問題となっている。さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加も問題になっている。【０００９】そこで、本発明の一態様では、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した発光装置において、各発光素子から所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することを目的とする。さらに、工程数およびコストの削減を図ることを目的とする。【００１０】本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。【００１１】なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】本発明の一態様の表示パネルは、第１の画素と、第２の画素と、を有する。第１の画素及び第２の画素はそれぞれ、発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とを有する。第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、第２の導電膜は、光反射性を備える。または、第１の導電膜は光反射性を備え、第２の導電膜は半光透過性および半光反射性を備える。【００１３】第３の導電膜は、光透過性を備え、第１の導電膜は、第２の導電膜との間に、第３の導電膜を挟むように形成され、発光層は、第２の導電膜と、第３の導電膜との間に挟まれるように形成され、第１の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、第１の距離を備え、第２の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、第２の距離を備え、第２の距離は、第１の距離と等しく、第１の画素は、発光極大波長を波長６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出し、第２の画素は、発光極大波長を波長４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する。【００１４】上記構成において、さらに第３の画素を有し、第３の画素は発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とを有し、第３の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、第３の距離を備え、第３の距離は、第１の距離と異なり、第３の画素は、緑色の光を射出すると好ましい。【００１５】上記各構成において、さらに第４の導電膜を有し、第４の導電膜は、光透過性を備えると好ましい。また、第１の画素において、第４の導電膜は、発光層と、第３の導電膜との間に挟まれるように配置され、第２の画素において、第４の導電膜は、発光層と、第３の導電膜との間に挟まれるように配置されると好ましい。また、第１の画素において、第３の導電膜は、第１の膜厚を備え、第２の画素において、第３の導電膜は、第２の膜厚を備え、第１の画素において、第４の導電膜は、第３の膜厚を備え、第２の画素において、第４の導電膜は、第４の膜厚を備え、第１の膜厚は第２の膜厚と等しく、第３の膜厚は第４の膜厚と等しいと好ましい。【００１６】上記各構成において、第３の導電膜は、第４の導電膜より、一のエッチング雰囲気におけるエッチングレートが小さいと好ましい。または、第３の導電膜は、第４の導電膜より、一の溶液を用いた場合のエッチングレートが小さいと好ましい。【００１７】本発明の一態様の情報処理装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記記載の表示パネルと、を含む。【００１８】本発明の一態様の表示パネルの作製方法は、第１の導電膜を形成する工程と、第１の導電膜の上方に第２の導電膜を形成する工程と、第２の導電膜の上方に第３の導電膜を形成する工程と、第３の導電膜の上方に、第１の領域と、第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有するマスクを形成する工程と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、のマスクと重ならない部分を除去する第１の工程と、第１の工程の後、マスクを後退させることにより第２の領域のマスクを除去する第２の工程と、第２の工程の後、第３の導電膜の第２の領域と重なる部分を除去する第３の工程と、第３の工程の後、マスクを除去する工程と、第２の導電膜、または第３の導電膜の上方に、発光層を形成する工程と、発光層の上に、第４の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。【００１９】本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。【００２０】本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。【００２１】本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。【００２２】本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。【００２３】本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。【００２４】本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。【００２５】また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００２６】本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。【００２７】なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。
【図３】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図および模式図。
【図４】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図５】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図６】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図９】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図１０】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図１１】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図１２】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図１３】実施の形態に係る多階調マスクを説明する図。
【図１４】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。
【図１５】実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。
【図１６】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する模式図および断面図。
【図１７】実施の形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図。
【図１８】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図およびその外観を説明する図。
【図１９】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。
【図２０】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する上面図および投影図。
【図２１】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。
【図２２】実施の形態に係る表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図。
【図２３】実施の形態に係る表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図。
【図２４】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。
【図２５】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図２６】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図２７】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。
【図２８】実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図２９】実施の形態に係る表示パネルの光反射膜の形状を説明する模式図。
【図３０】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図と模式図。
【図３１】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。
【図３２】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図およびタイミングチャート。
【図３３】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図３４】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図３５】実施例に係る屈折率を説明する図。
【図３６】実施例に係るサンプルと光強度を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】本発明の一態様の表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する自発光型の表示素子を備える。当該複数の画素は、微小光共振器（マイクロキャビティともいう）を備える。
【００３０】これにより、色純度が良い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することができる。さらに、色相が互いに異なる２の画素の、微少共振器構造の作製工程の一部を同一とすることにより、工程数およびコストの削減を図ることができる。
【００３１】実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３２】（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について説明する。
【００３３】図１（Ａ）および図１（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｙ３−Ｙ４における断面図である。
【００３４】図２（Ａ）および図２（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｙ３−Ｙ４における断面図である。
【００３５】図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図３（Ｃ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの断面の構成を説明する模式図である。
【００３６】図６は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。
【００３７】図４および図５は表示パネルの構成を説明する断面図である。図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図６の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）はいずれも図４（Ａ）の一部を説明する図である。
【００３８】図５は図６の切断線Ｘ７−Ｘ８、図３（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【００３９】図７は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００４０】なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００４１】＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。
【００４２】当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
【００４３】なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
【００４４】例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、いずれも副画素とみなし、これらを一組にして画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ａ）参照）。
【００４５】具体的には、赤色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および青色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を副画素とみなし、一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。
【００４６】また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。
【００４７】＜表示素子の構成例１＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ｂ）参照）。表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ）は発光層５５３、電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２を備える。例えば、電極５５１（ｉ，ｊ）は光透過性を有する材料、電極５５２は光反射性を有する材料を用いる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）についても同様である。発光層５５３は、発光性の材料を含む層である。
【００４８】また後述の部分で説明するが、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ１（Ｇ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の着色膜ＣＦ１（Ｂ）を備える。
【００４９】表示素子５５０（ｉ，ｊ）において、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）とを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。
【００５０】光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。
【００５１】この場合において、発光層５５３と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）との積層膜を、光透過性を有する膜とみなすことができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。
【００５２】画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は微少共振器構造を備える。微小光共振器構造とは、光透過性を有し、厚さ方向において所定の光学距離を有する膜を、半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜との間に挟む積層構造を指す。光透過性を有する導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、光透過率の異なる２種以上の積層構造としても良い。
【００５３】図１（Ｂ）には、赤色の光Ｒ０１及びＲ０２、緑色の光Ｇ０１及びＧ０２、青色の光Ｂ０１及びＢ０２が示されている。いずれの光も発光層５５３から射出される。また、ｄ０、ｄ１が示されている。ｄ０、ｄ１はいずれも、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と電極５５２との間の、導電膜５５１＿０の膜厚方向に沿った距離である。
【００５４】光Ｒ０２、光Ｇ０２、光Ｂ０２、は半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）との界面で反射する。また光Ｒ０２、光Ｇ０２、光Ｂ０２、は発光層５５３と、光反射性を有する電極５５２との界面で反射する。
【００５５】画素７０２（ｉ，ｊ）において光Ｒ０１と光Ｒ０２とは干渉して強めあう。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において光Ｇ０１と光Ｇ０２とは干渉して強めあう。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において光Ｂ０１と光Ｂ０２とは干渉して強めあう。
【００５６】本発明の一態様の表示パネル７００において、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）と、は距離ｄ０を有する。また、画素７０２（ｉ，ｊ）における距離ｄ０と、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）における距離ｄ１とは異なる。換言すると、画素７０２（ｉ，ｊ）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との距離と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）との距離とは、概略等しい。また、画素７０２（ｉ，ｊ）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との距離と、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）との距離とは、異なる。なお、本明細書等において、２つの距離が概略等しいとは、２つの距離のうちの一方の、他方に対する比が０．８以上１．２以下であることを示す。
【００５７】光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）の屈折率に波長依存性があり、赤色の光と青色の光とで互いに屈折率が異なるのであれば、画素７０２（ｉ，ｊ）における距離ｄ０と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）における距離ｄ０とにおいて、光学距離は異なる。表示パネル７００において、上記屈折率を考慮して、距離ｄ０を決定することで、有効な微小光共振器構造が形成される。
【００５８】なお、半光透過性・半光反射性を備える膜は、可視光の一部を透過する機能および他の一部を反射する機能を備える。具体的には、光が透過する程度に薄い金属膜を半光透過性・半光反射性を備える膜に用いることができる。
【００５９】これにより、微小光共振器構造を画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けることができる。画素７０２（ｉ，ｊ）は、赤色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。また画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、緑色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。また画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、青色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。
【００６０】または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。
【００６１】また表示パネル７００＿１のように、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）に接して導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）を設ける積層構造としてもよい（図２（Ｂ）参照）。ここで、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）とは異なる材料であると好ましい。なお、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は同じ材料としてもよい。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。
【００６２】表示素子５５０（ｉ，ｊ）において、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）とを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。
【００６３】光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。また、光透過性を備える導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。この場合において、発光層５５３、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）および光透過性を備える導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）の積層膜を光透過性を有する膜とみなすことができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。
【００６４】表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）において、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）とを、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）に用いることができる。
【００６５】光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）は、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。この場合において、発光層５５３および光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）の積層膜を光透過性を有する膜とみなすことができる。
【００６６】実施の形態２で説明するが、電極５５１（ｉ，ｊ）が、表示パネル７００＿１のような、積層構造を有する場合、電極５５１（ｉ，ｊ）の作製工程の簡略化に有効である。
【００６７】＜画素の構成例１＞
例えば、白色の光を発する発光層を発光層５５３に用いることができる（図２（Ｂ）参照）。
【００６８】画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を備え、赤色の光を射出する機能を備える（図２（Ｂ）参照）。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ１（Ｇ）を備え、緑色の光を射出する機能を備える。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の着色膜ＣＦ１（Ｂ）を備え、青色の光を射出する機能を備える。副画素は、互いに絶縁膜５２８で区切られている。発光層５５３は、画素７０２（ｉ，ｊ）において配設される領域、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において配設される領域、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において配設される領域、を有する。
【００６９】画素７０２（ｉ，ｊ）において、発光層５５３は、例えば１８８ｎｍの膜厚とすることができる。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、例えば膜厚５０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は、例えば膜厚６２ｎｍの、インジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜を用いることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。
【００７０】画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、発光層５５３は、例えば１８８ｎｍの膜厚とすることができる。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）は、例えば膜厚５０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。
【００７１】上記膜厚による各副画素の構成により、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は青色の色純度を高め、いずれの表示も鮮やかにすることができる。
【００７２】＜表示パネルの構成例２＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図３（Ａ）または図１７参照）。
【００７３】＜画素の構成例２＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図３（Ｃ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。
【００７４】画素回路５３０（ｉ，ｊ）は導電膜を備える。当該導電膜は可視光を透過する領域を備えてもよい。例えば、可視光を透過する導電膜を導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４に用いることができる（図４（Ａ）参照）。
【００７５】なお、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４は、いずれもトランジスタＭの電極の機能を備える。または、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４は、いずれも画素回路５３０（ｉ，ｊ）の配線の機能を備える（図４（Ａ）または図４（Ｂ）参照）。
【００７６】＜表示素子の構成例２＞
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図３（Ｃ）参照）。例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、接続部５２２Ａにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭの導電膜５１２Ａと電気的に接続される。
【００７７】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、基板７７０に向かって可視光を射出する機能を備える（図３（Ｃ）、図４（Ａ）参照）。このとき光Ｌ１の射出する経路に、着色膜ＣＦ１（Ｒ）を設けることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）も同様とする。
【００７８】＜画素回路の構成例１＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭを備え、トランジスタＭは、半導体膜５０８、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよびゲート電極として機能する導電膜５０４を備える。
【００７９】半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える（図４（Ｂ）参照）。
【００８０】半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間にゲート電極として機能する導電膜５０４と重なる領域５０８Ｃを備える。
【００８１】画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図７参照）。
【００８２】スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【００８３】例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【００８４】例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）および導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図７参照）。なお、導電膜５１２Ｂは、接続部５２２Ｂにおいて導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図４（Ａ）および図７参照）。
【００８５】画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む（図７参照）。
【００８６】例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【００８７】トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【００８８】なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【００８９】容量素子Ｃ２１は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【００９０】また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５２を導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【００９１】＜画素の構成例３＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は絶縁膜５７３を備える（図５参照）。例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。
【００９２】画素７０２（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５１８を備える。なお、絶縁膜５７３は、例えば、表示領域２３１の外側で絶縁膜５１８と接する領域を備える。
【００９３】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は絶縁膜５７３および絶縁膜５１８に挟まれる領域を備える。
【００９４】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は電極５５１（ｉ，ｊ）、発光層５５３、および電極５５２を備える。発光層５５３は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間に挟まれる領域を備える。発光層５５３は、有機化合物を含む。
【００９５】これにより、表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【００９６】＜表示パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１７参照）。
【００９７】＜表示領域の構成例＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する（図１７参照）。また、導電膜ＶＣＯＭ２と、導電膜ＡＮＯと、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【００９８】一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【００９９】他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０１００】走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１０１】信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１０２】＜表示パネルの構成例４＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図３（Ａ）および図１７参照）。
【０１０３】＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０１０４】一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０１０５】例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０１０６】また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１８参照）。
【０１０７】また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
【０１０８】＜駆動回路ＳＤ＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図２２または図２３参照）。
【０１０９】駆動回路ＳＤ１または駆動回路ＳＤ２は、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０１１０】例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１１１】例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１１２】例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０１１３】＜表示パネルの構成例５＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、機能膜７７０Ｐ等を備える（図４（Ａ）または図５参照）。
【０１１４】＜端子５１９Ｂ＞
端子５１９Ｂは、例えば、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続することができる。
【０１１５】＜基板５７０、基板７７０＞
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に表示素子５５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。
【０１１６】基板７７０の、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域において、例えば、複屈折が抑制された材料を用いることができる。
【０１１７】＜接合層５０５＞
接合層５０５は、基板７７０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０１１８】＜機能膜７７０Ｐ等＞
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０１１９】＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０または接合層５０５を有する。
【０１２０】また、表示パネル７００は、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０３または絶縁膜５０６を有する。
【０１２１】また、表示パネル７００は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）または導電膜ＡＮＯを有する。
【０１２２】また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂを有する。
【０１２３】また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはトランジスタＭを有する。
【０１２４】また、表示パネル７００は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２または発光層５５３（ｊ）を有する。
【０１２５】また、表示パネル７００は、絶縁膜５７３を有する。
【０１２６】また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０１２７】＜基板５７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０に用いることができる。
【０１２８】例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨又はエッチングした材料を用いることができる。
【０１２９】例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０１３０】有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０に用いることができる。
【０１３１】具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０に用いることができる。
【０１３２】例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０に形成することができる。
【０１３３】例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０に用いることができる。
【０１３４】例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。
【０１３５】また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。
【０１３６】具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０に用いることができる。
【０１３７】具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０に用いることができる。
【０１３８】具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル樹脂等を基板５７０に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０１３９】また、紙または木材などを基板５７０に用いることができる。
【０１４０】例えば、可撓性を有する基板を基板５７０に用いることができる。
【０１４１】なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０１４２】＜基板７７０＞
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された光透過性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。
【０１４３】例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０１４４】例えば、樹脂フィルムを基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０１４５】また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。
【０１４６】＜絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。
【０１４７】具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。
【０１４８】例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。
【０１４９】例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂは、例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂと重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０１５０】なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂ等に好適に用いることができる。
【０１５１】例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。
【０１５２】例えば、光透過性を有する材料を絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。具体的には、窒化シリコンを絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。
【０１５３】＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、ポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０１５４】＜絶縁膜５１８＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。
【０１５５】例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜からトランジスタの外部への酸素の拡散を抑制することができる。または、トランジスタの外部から酸化物半導体膜への水素または水等の拡散を抑制することができる。
【０１５６】例えば、水素または窒素を供給する機能を有する材料を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、絶縁膜５１８に接する膜に水素または窒素を供給することができる。例えば、酸化物半導体膜に接するように絶縁膜５１８を形成し、当該酸化物半導体膜に水素または窒素を供給することができる。または、当該酸化物半導体膜に導電性を付与することができる。または、当該酸化物半導体膜を第２のゲート電極に用いることができる。
【０１５７】＜絶縁膜５１６＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、作製方法が異なる膜を積層した積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。
【０１５８】例えば、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第１の膜と、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５１６に用いることができる。
【０１５９】具体的には、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である膜を第１の膜に用いると好ましい。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜を、絶縁膜の形成にともなう損傷から、保護することができる。または、シリコンの欠陥に捉えられる酸素を低減することができる。または、酸素の透過または移動を容易にすることができる。
【０１６０】また、例えば、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、さらには１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である材料を第２の膜に用いると好ましい。
【０１６１】＜絶縁膜５０３＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５０３に用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を絶縁膜５０３に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１６２】＜絶縁膜５０６＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。具体的には、酸素の透過を抑制する機能を備える第１の膜と、酸素を供給する機能を備える第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜に酸素を拡散することができる。
【０１６３】具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。
【０１６４】例えば、酸素雰囲気下において形成された膜を第２の膜に用いることができる。または、成膜後に酸素を導入した膜を第２の膜に用いることができる。具体的には、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いて成膜後に酸素を導入することができる。
【０１６５】＜絶縁膜５７３＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。
【０１６６】例えば、酸化物または窒化物を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化シリコンまたは窒化アルミニウム等を絶縁膜５７３に用いることができる。
【０１６７】具体的には、１×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満、好ましくは、５×１０−３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−４ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える膜を、絶縁膜５７３に用いる。
【０１６８】例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。また、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＡＬＤ法）を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。これにより、例えば、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる密度が低い領域を、原子層堆積法を用いて形成される緻密な絶縁膜で覆うことができる。または、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる不純物が拡散しやすい領域を、原子層堆積法を用いて形成される不純物の拡散しにくい膜で覆うことができる。または、外部から表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１６９】具体的には、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。また、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ａに用いることができる。
【０１７０】＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂ等に用いることができる。
【０１７１】例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０１７２】具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０１７３】具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０１７４】具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０１７５】具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０１７６】例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０１７７】例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０１７８】具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０１７９】なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。具体的には、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を導電材料ＣＰを用いて電気的に接続することができる。
【０１８０】＜機能膜７７０Ｐ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルムまたは位相差フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０１８１】具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０１８２】また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０１８３】＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ  ＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１８４】例えば、発光性の有機化合物を発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１８５】例えば、量子ドットを発光層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０１８６】＜発光層＞
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１８７】例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０１８８】例えば、副画素毎に異なる発光層を形成しても良い。このとき、赤色の光を射出するように積層された積層材料を発光層５５３（ｊ）に、緑色の光を射出するように積層された積層材料を発光層５５３（ｊ＋１）に、青色の光を射出するように積層された積層材料等を発光層５５３（ｊ＋２）に、用いることができる。
【０１８９】このとき、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）、発光層５５３（ｊ＋１）、発光層５５３（ｊ＋２）に用いることができる。
【０１９０】＜電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２＞
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１９１】具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小光共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０１９２】例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有する材料、を電極５５２に用いることができる。
【０１９３】＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ２に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０１９４】例えば、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０１９５】例えば、トランジスタＭに用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、金属膜を導電膜５１２Ｃ、導電膜５１２Ｄおよび導電膜５０４Ｅに用いることができる（図４（Ｃ）参照）。これにより、配線としての機能を兼ねる導電膜の電気抵抗を低減することができる。または、領域５０８Ｃに向かって進行する外光を遮光することができる。または、外光に起因するトランジスタの電気特性の異常を防ぐことができる。または、トランジスタの信頼性を向上することができる。
【０１９６】＜トランジスタ＞
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０１９７】例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０１９８】ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０１９９】例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２００】一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２０１】これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０２０２】例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる（図４（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０２０３】導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０２０４】導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０２０５】また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図４（Ｂ）または図４（Ｃ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。
【０２０６】例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を、トランジスタＭＤの導電膜５０４Ｅに用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２０７】例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２０８】例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０２０９】例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、トランジスタＭＤの導電膜５１２Ｃまたは導電膜５１２Ｄに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０２１０】＜表示パネルの構成例６＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図８および図９を参照しながら説明する。
【０２１１】図８および図９は表示パネルの構成を説明する断面図である。図８（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図６の切断線Ｘ５−Ｘ６に相当する位置における断面図であり、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）はいずれも図８（Ａ）の一部を説明する図である。
【０２１２】図９は図６の切断線Ｘ７−Ｘ８、図３（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０に相当する位置における断面図である。
【０２１３】本実施の形態で説明する表示パネルは、トップゲート型のトランジスタを備える点が、図４および図５を用いて説明する表示パネルと異なる。
【０２１４】＜表示パネルの構成例７＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１０を参照しながら説明する。
【０２１５】図１０は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１０（Ａ１）および図１０（Ａ２）は、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図である。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ２）の切断線Ａ−Ｂにおける断面図である。
【０２１６】＜画素の構成例４＞
図１０（Ａ１）に、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図を示す。図１０（Ａ１）に示す画素９００は、３つの副画素を有する。各副画素には、発光素子９３０ＥＬ（図１０（Ａ１）および図１０（Ａ２）には図示しない）、トランジスタ９１０、及びトランジスタ９１２が設けられている。また、図１０（Ａ１）に示す各副画素では、発光素子９３０ＥＬの発光領域（発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、または発光領域９１６Ｂ）を示している。なお、発光素子９３０ＥＬは、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１２側に光を射出する、所謂ボトムエミッション型の発光素子とする。
【０２１７】また、画素９００は、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６等を有する。配線９０２は、例えば走査線として機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０６は、例えば発光素子に電位を供給する電源線として機能する。また、配線９０２と配線９０４とは、互いに交差する部分を有する。また、配線９０２と配線９０６とは、互いに交差する部分を有する。なお、ここでは、配線９０２と配線９０４、及び配線９０２と配線９０６とが交差する構成について例示したが、これに限定されず、配線９０４と配線９０６とが交差する構成としてもよい。
【０２１８】トランジスタ９１０は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１０のゲートは、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１０のソースまたはドレインの一方は、配線９０４と電気的に接続されている。
【０２１９】トランジスタ９１２は、発光素子に流れる電流を制御するトランジスタである。トランジスタ９１２のゲートは、トランジスタ９１０のソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている。トランジスタ９１２のソースまたはドレインの一方は配線９０６と電気的に接続され、他方は発光素子９３０ＥＬの一対の電極の一方と電気的に接続されている。
【０２２０】図１０（Ａ１）では、発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、及び発光領域９１６Ｂが、それぞれ縦方向に長い短冊状の形状を有し、横方向にストライプ状に配列している。
【０２２１】ここで、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量等を構成する各層には、光透過性を有する膜を用いると好適である。図１０（Ａ２）は、図１０（Ａ１）に示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９００ｓと、に分けて明示した例である。このように、光透過性を有する膜を用いてトランジスタを作製することで、各配線が設けられる部分以外を透過領域９００ｔとすることができる。また、発光素子の発光領域を、トランジスタ、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量などと重ねることができるため、画素の開口率を高めることができる。
【０２２２】なお、画素の面積に対する透過領域の面積の割合が高いほど、発光素子の光取り出し効率を高めることができる。例えば、画素の面積に対する、透過領域の面積の割合は、１％以上９５％以下、好ましくは１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下とすることができる。特に４０％以上または５０％以上とすることが好ましく、６０％以上８０％以下であるとより好ましい。
【０２２３】また、図１０（Ａ２）に示す一点鎖線Ａ−Ｂの切断面に相当する断面図を図１０（Ｂ）に示す。なお、図１０（Ｂ）では、上面図において図示していない、発光素子９３０ＥＬ、容量素子９１３、及び駆動回路部９０１などの断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１としては、走査線駆動回路部または信号線駆動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９１１を有する。
【０２２４】図１０（Ｂ）に示すように、発光素子９３０ＥＬからの光は、破線の矢印に示す方向に射出される。発光素子９３０ＥＬの光は、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、及び容量素子９１３等を介して外部に取り出される。したがって、容量素子９１３を構成する膜などについても、光透過性を有すると好ましい。容量素子９１３が有する光透過性の領域の面積が広いほど、発光素子９３０ＥＬから射出される光の減衰を抑制することができる。
【０２２５】なお、駆動回路部９０１においては、トランジスタ９１１については、遮光性であってもよい。駆動回路部９０１のトランジスタ９１１などを遮光性とすることで、駆動回路部の信頼性や、駆動能力を高めることができる。すなわち、トランジスタ９１１を構成するゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。またこれらに接続される配線も同様に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。
【０２２６】また、図１０に示すトランジスタ、配線、容量素子等には、以下に示す材料を用いることができる。
【０２２７】トランジスタが有する半導体膜は、光透過性を有する半導体材料を用いて形成することができる。光透過性を有する半導体材料としては、金属酸化物、または酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等が挙げられる。酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０２２８】トランジスタが有する導電膜は、光透過性を有する導電性材料を用いて形成することができる。光透過性を有する導電性材料は、インジウム、亜鉛、錫の中から選ばれた一種、または複数種を含むことが好ましい。具体的には、Ｉｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物などが挙げられる。
【０２２９】また、トランジスタが有する導電膜に、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた酸化物半導体を用いてもよい。当該低抵抗化させた酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ということができる。
【０２３０】例えば、酸化物導電体は、酸化物半導体に酸素欠損を形成し、当該酸素欠損に水素を添加することで、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。酸化物半導体にドナー準位が形成されることで、酸化物半導体は、導電性が高くなり導電体化する。
【０２３１】なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きい（例えば、エネルギーギャップが２．５ｅＶ以上である）ため、可視光に対して光透過性を有する。また、上述したように酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、酸化物導電体は、ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の光透過性を有する。
【０２３２】また、酸化物導電体は、トランジスタが有する半導体膜に含まれる金属元素を一種類以上有することが好ましい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、トランジスタを構成する層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができる。
【０２３３】本実施の形態に示す表示装置が有する画素の構成とすることで、発光素子から射出される光を効率よく使用することができる。したがって、消費電力が抑制された、優れた表示装置を提供することができる。
【０２３４】また、本発明の一態様の表示装置は、さまざまな規格の色域を再現することができる。例えば、テレビ放送で使われるＰＡＬ（Ｐｈａｓｅ  Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ｌｉｎｅ）規格およびＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）規格、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、プリンタなどの電子機器に用いる表示装置で広く使われているｓＲＧＢ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ＲＧＢ）規格およびＡｄｏｂｅ  ＲＧＢ規格、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、ハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．７０９（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｕｎｉｏｎ  Ｒａｄｉｏｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｅｃｔｏｒ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）  ７０９）規格、デジタルシネマ映写で使われるＤＣＩ−Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｉｎｅｍａ  Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅｓ  Ｐ３）規格、ＵＨＤＴＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、スーパーハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ−Ｒ  ＢＴ．２０２０（ＲＥＣ．２０２０（Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ  ２０２０））規格などの色域を再現することができる。
【０２３５】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２３６】（実施の形態２）
＜画素の作製方法例１＞
本実施の形態では、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）の作製方法について説明する。特に多階調（高階調）マスクを用いる作製方法について説明する。
【０２３７】図１１は表示パネル７００＿１の構成を説明する断面図である。
【０２３８】図１１の画素７０２（ｉ，ｊ）と示される部分は、図６に示される画素７０２（ｉ，ｊ）の切断線Ｘ５−Ｘ５Ｍの断面図である。図６に示される画素７０２（ｉ，ｊ）と同様に、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に切断線Ｘ５−Ｘ５Ｍを設けたとき、それらの各断面を図１１に並べて示している。ただし機能膜７７０Ｐは図１１中には示していない。
【０２３９】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）を有する。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）は、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）を有する。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）は、電極５５１（ｉ，ｊ＋２）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋２）を有する。
【０２４０】図１２（Ａ）、（Ｂ）、図１４（Ａ）、（Ｂ）、は表示パネルの作製方法を説明する断面図である。
【０２４１】図１２（Ａ）は、絶縁膜５２１Ｂ上に、導電膜５５１＿０と、その上方に導電膜５５１＿１と、その上方に導電膜５５１＿２と、が成膜された状態である。各材料は、例えば実施の形態１にて導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）として示された材料を用いることができる。
【０２４２】導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２の各膜厚については、例えば実施の形態１や、実施例にて示される例と同様に設定することができる。
【０２４３】導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２とを、ウエットエッチングに用いる所定の溶液にて同一条件にてエッチングしたとき、導電膜５５１＿１のエッチングレートは、導電膜５５１＿２のエッチングレートより小さい材料を用いると好ましい。または、導電膜５５１＿１は導電膜５５１＿２より、一の溶液を用いた場合のエッチングレートが小さいと好ましい。
【０２４４】例えば導電膜５５１＿１は、例えば重量比にて、Ｉｎ２Ｏ３を８５％、ＳｎＯ２を１０％、ＳｉＯ２を５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、膜厚５０ｎｍで形成することができる。また導電膜５５１＿２は、例えば組成にてＩｎ２Ｏ３を２５％、ＺｎＯを７５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、膜厚６２ｎｍで形成することができる。
【０２４５】このとき室温のシュウ酸（５重量％以下のシュウ酸、９５重量％以上の水を含有する混合溶液）を用いた場合のエッチングレートは、導電膜５５１＿１においては２２７ｎｍ／ｍｉｎであり、導電膜５５１＿２においては４００ｎｍ／ｍｉｎより大きい。
【０２４６】また室温の混酸アルミ液（８０重量％未満のリン酸、１０重量％未満の酢酸、及び５重量％未満の硝酸、５重量％以上の水を含有する混合溶液）を用いた場合のエッチングレートは、導電膜５５１＿１においては５ｎｍ／ｍｉｎであり、導電膜５５１＿２においては３５０ｎｍ／ｍｉｎより大きい。
【０２４７】また８５％リン酸を水で１／１００に希釈した室温の０．８５％リン酸を用いた場合のエッチングレートは、導電膜５５１＿１においては１ｎｍ／ｍｉｎであり、導電膜５５１＿２においては６６．９ｎｍ／ｍｉｎである。
【０２４８】例えば導電膜５５１＿１を、Ｉｎ２Ｏ３と、ＳｎＯ２とを含む結晶性の導電膜で形成し、導電膜５５１＿２をＩｎ２Ｏ３と、ＳｎＯ２と、ＳｉＯ２と、を含む非結晶性の導電膜で形成しても良い。
【０２４９】例えば導電膜５５１＿１をＩｎ２Ｏ３とＺｎＯを含む導電膜で形成し、導電膜５５１＿２を導電膜５５１＿１よりＺｎＯ含有量が小さい、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯを含む導電膜で形成してもよい。
【０２５０】なお、ここでの導電膜５５１＿１、及び導電膜５５１＿２のエッチングは、ウエットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。但し導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２とを、同一条件にてドライエッチングしたとき、導電膜５５１＿１のエッチングレートは、導電膜５５１＿２のエッチングレートより小さい材料を用いると好ましい。または、導電膜５５１＿１は導電膜５５１＿２より、一のエッチング雰囲気におけるエッチングレートが小さいと好ましい。
【０２５１】ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）が好ましい。
【０２５２】また、ドライエッチングに用いるその他のエッチングガスとして、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
【０２５３】次いで、レジストマスク５４１を、導電膜５５１＿２上に形成する（図１２（Ｂ）参照）。
【０２５４】レジストマスク５４１は、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域にレジストの膜厚が薄い領域を有する。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域は凹部ともいえる。本実施の形態では、レジストマスク５４１の形成に、多階調（高階調）マスクを用いた露光を用いる。このとき、レジストの厚さが異なるレジストマスク５４１を形成できる。
【０２５５】多階調（高階調）マスクを用いる露光について、説明する。
【０２５６】まず、レジストマスクを形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジスト又はネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。レジストはスピンコート法で形成してもよいし、インクジェット法で選択的に形成してもよい。レジストをインクジェット法で選択的に形成すると、不要箇所へのレジスト形成を削減することができるので、材料の無駄を軽減することができる。
【０２５７】次に、露光マスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを露光する。
【０２５８】多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。一度の露光及び現像工程により、複数の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。よって、多階調マスクを用いることで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化できる。
【０２５９】多階調マスクの代表例としては、図１３（Ａ）に示すようなグレートーンマスク１０ａ、図１３（Ｃ）に示すようなハーフトーンマスク１０ｂがある。
【０２６０】図１３（Ａ）に示すように、グレートーンマスク１０ａは、光透過性基板１３及び光透過性基板１３の上に形成される遮光膜１５を備える。また、グレートーンマスク１０ａは、遮光膜が設けられた遮光部１７、遮光膜のパターンにより設けられた回折格子部１８及び遮光膜が設けられない透過部１９を有する。
【０２６１】光透過性基板１３は、石英等の光透過性基板を用いることができる。遮光膜１５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができる。
【０２６２】グレートーンマスク１０ａに露光光を照射した場合の、光の透過率ＴＲを図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ｂ）に示すように、遮光部１７では光の透過率２１は０％である。透過部１９では光の透過率２１は略１００％である。また、回折格子部１８では光の透過率２１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。回折格子部１８においては、スリット、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を露光に用いる光の解像度限界以下の間隔にしている。そして、回折格子部１８は、スリット、ドット又はメッシュの間隔及びピッチを調整することで、光の透過率を制御できる。なお、回折格子部１８は、周期的なスリット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュのどちらも用いることができる。
【０２６３】図１３（Ｃ）に示すように、ハーフトーンマスク１０ｂは、光透過性基板１３及び光透過性基板１３の上に形成される遮光膜２５及び半光透過膜２３を備える。また、ハーフトーンマスク１０ｂは、遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられた遮光部２７、遮光膜２５が設けられずかつ半光透過膜２３が設けられた半光透過部２８、及び遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられない透過部２９を有する。
【０２６４】ハーフトーンマスク１０ｂに露光光を照射した場合の、光の透過率を図１３（Ｄ）に示す。
図１３（Ｄ）に示すように、遮光部２７では光の透過率３１は０％であり、透過部２９では光の透過率３１は略１００％である。また、半光透過部２８では光の透過率３１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。半光透過部２８においては、半光透過膜２３の材料により、光の透過率を制御できる。
【０２６５】半光透過膜２３は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＳｉなどを用いることができる。遮光膜２５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いることができる。
【０２６６】多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図１２（Ｂ）に示すように膜厚の異なる領域を有するレジストマスクを形成することができる。
【０２６７】なお、多階調マスクとして、レジストの膜厚が２種類の例を示したが、本発明の形態はこれに限られない。複数の光の透過率を有する回折格子部１８又は半光透過膜２３を用いることにより、３種類以上の膜厚を有するレジストを形成できる。
【０２６８】次に、レジストマスク５４１をマスクに、導電膜５５１＿０と、導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２と、の一部を除去し、画素７０２（ｉ，ｊ）においては導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）と、を形成する。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。但し、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）においては導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）が形成されており、以下の工程で導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）の除去を行う。
【０２６９】導電膜５５１＿０と、導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２の加工には、ウエットエッチングを用いることができる。ただし、加工方法としてはこれに限定されず、例えば、ドライエッチングを用いてもよい。
【０２７０】次に、レジストマスク５４１を後退させることで一部を除去し、レジストマスクの面積を縮小する。ここでいう後退とは、膜厚を減らすことである。上記除去により、レジストマスク５４２が形成される（図１４（Ａ）参照）。
【０２７１】レジストマスクの一部の除去にはアッシング装置を用いることができる。アッシングにより、レジストマスクの面積が縮小するとともに、レジストマスクの厚さが薄くなる場合がある。
【０２７２】例えば、アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスに紫外線などの光を照射し、ガスと有機物を化学反応させて有機物を除去する光励起アッシングを用いてもよい。アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスを高周波などでプラズマ化し、そのプラズマを利用して有機物を除去するプラズマアッシングを用いてもよい。
【０２７３】レジストマスク５４１のレジストマスクが薄い領域は、該アッシングによりレジストが除去され、図１４（Ａ）に示すようにレジストマスクが分離する。これにより、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域のレジストマスクが除去され、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）が露出する。
【０２７４】次に、レジストマスク５４２をマスクに、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）をエッチングする。
【０２７５】エッチングは、例えば室温のシュウ酸、または室温の混酸アルミ、または８５％リン酸を１％に希釈した室温の溶液、を用いることができる。このとき、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）より、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）の方がエッチングレートは大きいため、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）を消失させることなく、好適に加工ができる。
【０２７６】次にレジストマスク５４２を除去する（図１４（Ｂ）参照）。
【０２７７】次に、発光層５５３、電極５５２、を形成する。さらに、接合層５０５を用いて基板５７０を、基板７７０と接合する。さらに、機能膜７７０Ｐを形成する。このような工程により、表示パネル７００＿１を作製することができる。
【０２７８】（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる表示パネルについて説明する。
【０２７９】＜画素の構成例５＞
本発明の一態様の表示パネル７００＿２には、赤色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ）に、緑色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ＋１）に、青色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ＋２）に、用いることができる（図１５（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【０２８０】画素７０２（ｉ，ｊ）は発光層５５３（ｊ）を、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は発光層５５３（ｊ＋１）を、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は発光層５５３（ｊ）を備える。
【０２８１】これにより、画素７０２（ｉ，ｊ）を用いて赤色の表示をすることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いて緑色の表示をすることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を用いて青色の表示をすることができる。
【０２８２】このとき、発光層５５３（ｊ）、発光層５５３（ｊ＋１）、発光層５５３（ｊ＋２）、の膜厚方向における各光学距離を、画素の構成例１と同等にする。
【０２８３】図１５（Ｂ）に示すように、着色膜ＣＦ１（Ｒ）、着色膜ＣＦ１（Ｇ）及び着色膜ＣＦ１（Ｂ）を設けない構成としてもよい。また、表示素子５５０における、他の構成については、表示パネル７００と同じ構成とする。
【０２８４】上記膜厚による各副画素の構成により、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は青色の色純度を高め、いずれの表示も鮮やかにすることができる。
【０２８５】＜画素の構成例６＞
また、表示パネル７００＿４（図１６（Ａ）参照）のように、表示素子５５０（ｉ，ｊ）から光Ｌ２が、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が配設される方向とは逆の方向に、射出される構造としてもよい。このとき画素回路５３０（ｉ，ｊ）を、電極５５１（ｉ，ｊ）との間に光反射性を有する電極５５２を挟むように設ける。このとき光Ｌ２の射出する経路に、着色膜ＣＦ１（Ｒ）を設けることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）も同様とする。
【０２８６】このとき表示素子５５０（ｉ，ｊ）には、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との間に、発光層５５３を配設させると好適である（図１６（Ｂ）参照）。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）についても同様である。
【０２８７】表示パネル７００＿４は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が、射出光を遮らない個所に配置されるため、表示パネル７００に比べて開口率を向上させることができる。
【０２８８】（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。
【０２８９】酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。
【０２９０】また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）を用いてもよい。
【０２９１】なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ−ＯＳまたはＣＡＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。
【０２９２】なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体層として、ＣＡＣ−ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ−ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。
【０２９３】以下では、ＣＡＣ−ＯＳの詳細について説明する。
【０２９４】ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２９５】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２９６】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０２９７】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２９８】すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２９９】ＣＡＣ−ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。
【０３００】なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。
【０３０１】例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０３０２】つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０３０３】なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０３０４】上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【０３０５】一方、ＣＡＣ−ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【０３０６】なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【０３０７】なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【０３０８】なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０３０９】ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【０３１０】ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【０３１１】またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【０３１２】また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【０３１３】ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０３１４】ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０３１５】一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０３１６】従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【０３１７】また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０３１８】本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３１９】（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１７および図１８を参照しながら説明する。
【０３２０】図１７は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。
【０３２１】図１８（Ａ）は図１７に示す表示パネルの構成とは異なる構成を説明するブロック図である。図１８（Ｂ−１）乃至図１８（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する図である。
【０３２２】＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００と、を有する（図１７参照）。
【０３２３】＜制御部２３８＞
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。
【０３２４】制御部２３８は、画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１２を生成する機能を備える。制御部２３８は、情報Ｖ１２を供給する機能を備える。
【０３２５】例えば、制御部２３８は、伸張回路２３４および画像処理回路２３５Ｍを備える。
【０３２６】＜表示パネル７００＞
表示パネル７００は、情報Ｖ１２を供給される機能を備える。また、表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。
【０３２７】画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。
【０３２８】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１２に基づいて表示する機能を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は発光素子である。
【０３２９】例えば、実施の形態１で説明する表示パネルを表示パネル７００に用いることができる。または、表示パネル７００Ｂに用いることができる。例えば、テレビジョン受像システム（図１８（Ｂ−１）参照）、映像モニター（図１８（Ｂ−２）参照）またはノートブックコンピュータ（図１８（Ｂ−３）参照）などを提供することができる。
【０３３０】これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０３３１】＜伸張回路２３４＞
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
【０３３２】＜画像処理回路２３５Ｍ＞
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、領域を備える。
【０３３３】領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。
【０３３４】画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１２を生成する機能と、情報Ｖ１２を供給する機能と、を備える。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１２を生成する機能を備える。
【０３３５】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３３６】（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１９を参照しながら説明する。
【０３３７】図１９は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【０３３８】＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図１９参照）。例えば、実施の形態１に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。
【０３３９】入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。
【０３４０】検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３４１】＜入力部２４０＞
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備えることができる（図１９参照）。
【０３４２】＜検知領域２４１＞
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備えることができる。
【０３４３】検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１９参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【０３４４】一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１９に矢印Ｒ２で示す方向は、図１９に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【０３４５】また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【０３４６】＜検知素子＞
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
【０３４７】具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。
【０３４８】また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
【０３４９】具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
【０３５０】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３５１】（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図２０乃至図２１を参照しながら説明する。
【０３５２】図２０は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図２０（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図２０（Ｂ）および図２０（Ｃ）は図２０（Ａ）の一部を説明する投影図である。
【０３５３】図２１は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図２１（Ａ）は制御線および検知信号線の隣接部の上面図である。図２１（Ｂ）は隣接部に生じる電界を模式的に説明する投影図である。
【０３５４】＜入出力パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する入出力パネルは、検知領域２４１を有する点が、例えば、実施の形態１において説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０３５５】＜検知領域２４１＞
検知領域２４１は、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜を備える。導電膜は検知素子７７５（ｇ，ｈ）を備える（図１９および図２０（Ａ）参照）。
【０３５６】例えば、複数の領域に分割された導電膜を検知領域２４１に用いることができる（図１９または図２０参照）。これにより、複数の領域のそれぞれに異なる電位を供給することができる。
【０３５７】具体的には、制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜を検知領域２４１に用いることができる。また、複数の領域に分割された導電膜のそれぞれに、例えば、矩形の導電膜を用いることができる（図２１および図４（Ａ）、図５参照）。これにより、分割された導電膜を検知素子の電極に用いることができる。または、異なる電位を制御線に供給することができる。または、インセル型の入出力パネルを提供することができる。または、入出力パネルを構成する部材を削減することができる。
【０３５８】例えば、制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、検知信号線ＭＬ（ｈ＋１）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜は、隣接部Ｘ０において互いに隣接する（図２０（Ａ）、図２０（Ｃ）または図２１参照）。
【０３５９】検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される（図２０（Ａ）参照）。
【０３６０】なお、制御線ＣＬ（ｇ）は制御信号を供給する機能を備え、検知信号線ＭＬ（ｈ）は、検知信号を供給される機能を備える。
【０３６１】＜検知素子７７５（ｇ，ｈ）＞
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御信号および画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。また、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える（図２１（Ｂ）参照）。
【０３６２】電極Ｃ（ｇ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に光透過性を有する領域を備え、電極Ｃ（ｇ）は制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。なお、電極Ｃ（ｇ）を制御電極ということができる。また、制御線ＣＬ（ｇ）に用いる導電膜と同一の導電膜を電極Ｃ（ｇ）に用いて、制御線ＣＬ（ｇ）と電極Ｃ（ｇ）を一体にすることができる。
【０３６３】電極Ｍ（ｈ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に光透過性を有する領域を備える（図４（Ａ）および図５参照）。また、電極Ｍ（ｈ）は検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。また、電極Ｍ（ｈ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される（図２１（Ｂ）参照）。なお、電極Ｍ（ｈ）を検知電極ということができる。また、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いる導電膜と同一の導電膜を電極Ｍ（ｈ）に用いて、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電極Ｍ（ｈ）を一体にすることができる。
【０３６４】例えば、制御線ＣＬ（ｇ）に制御信号を供給すると、電極Ｃ（ｇ）と電極Ｍ（ｈ）の間または電極Ｃ（ｇ）と電極Ｍ（ｈ＋１）の間に電界が形成される（図２１（Ｂ）参照）。また、例えば、電極Ｃ（ｇ）と電極Ｍ（ｈ）の間に形成される電界の一部は、近接する指等によって遮られる。
【０３６５】これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０３６６】＜発振回路ＯＳＣ＞
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
【０３６７】＜検知回路ＤＣ＞
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。
【０３６８】＜表示部２３０＞
例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部２３０に用いることができる。または、実施の形態５において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
【０３６９】＜検知素子７７５（ｇ，ｈ）＞
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）を備える。
【０３７０】例えば、光透過性を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。または、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。
【０３７１】なお、検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１９参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【０３７２】一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１９に矢印Ｒ２で示す方向は、図１９に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【０３７３】また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【０３７４】行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む（図２０（Ｂ）または図２０（Ｃ）参照）。例えば、同一の工程で形成することができる導電膜を、制御線ＣＬ（ｇ）および電極Ｃ（ｇ）に用いることができる。
【０３７５】列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。例えば、同一の工程で形成することができる導電膜を、検知信号線ＭＬ（ｈ）および電極Ｍ（ｈ）に用いることができる。
【０３７６】検知信号線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図２０（Ｂ）および図６参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。
【０３７７】なお、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は絶縁膜を備える。絶縁膜は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。
【０３７８】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３７９】（実施の形態８）
本発明の一態様の表示パネルについては、実施の形態１乃至実施の形態７と異なる構成としても良い。
【０３８０】本実施の形態では、液晶材料を含む層を用いた反射型の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、光を射出する機能を備える表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、の双方を有する表示パネル７００＿３の構成について、図２２乃至図２９を参照しながら説明する。
【０３８１】表示パネル７００＿３は、演算装置等から、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を取得する機能を備える。上記演算装置は、表示パネル７００＿３が映像等を所望の表示方法で表示できるように、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を生成することができる。例えば、映像のうち動画情報を情報Ｖ１１に含ませ、静止画情報を情報Ｖ１２に含ませる、等である。
【０３８２】表示パネル７００＿３は、情報Ｖ１１に基づいて、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示し、情報Ｖ１２に基づいて、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示する。
【０３８３】図２２は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。表示装置は表示パネルを有する。
【０３８４】図２３は本発明の一態様の表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。図２３は図２２に示す構成とは異なる構成を説明するブロック図である。
【０３８５】図２４は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図２４（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図２４（Ｃ）は図２４（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。
【０３８６】図２５および図２６は表示パネルの構成を説明する断面図である。図２５（Ａ）は図２４（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３８７】図２６（Ａ）は図２４（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）の一部を説明する図である。
【０３８８】図２７（Ａ）は図２４（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。
【０３８９】図２８は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０３９０】図２９は表示パネルの画素に用いることができる光反射膜の形状を説明する模式図である。
【０３９１】なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【０３９２】＜表示パネルの構成例８＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００＿３は、表示領域２３１を有する（図２２参照）。また、表示パネル７００＿３は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。
【０３９３】また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００＿３Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図２３参照）。
【０３９４】＜表示領域２３１＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図２２、図２７または図２８参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０３９５】一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０３９６】他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０３９７】走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０３９８】列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。
【０３９９】＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０４００】一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０４０１】例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０４０２】また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。
【０４０３】＜駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図２２参照）。
【０４０４】駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０４０５】駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。
【０４０６】例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０４０７】例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０４０８】例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０４０９】＜画素の構成例＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図２４（Ｃ）、図２５（Ａ）および図２６（Ａ）参照）。
【０４１０】＜機能層＞
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。
【０４１１】なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。
【０４１２】＜絶縁膜５０１Ｃ＞
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図２６（Ａ）参照）。
【０４１３】＜第１の導電膜＞
例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０４１４】＜第２の導電膜＞
例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【０４１５】第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【０４１６】＜画素回路＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図２８参照）。
【０４１７】スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４１８】例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０４１９】例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図２８参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図２６（Ａ）および図２８参照）。
【０４２０】画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図２８参照）。
【０４２１】画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【０４２２】例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０４２３】容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０４２４】例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０４２５】トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０４２６】なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０４２７】容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０４２８】なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０４２９】また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０４３０】＜表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０４３１】表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図２５（Ａ）および図２６（Ａ）参照）。
【０４３２】なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。
【０４３３】＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０４３４】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図２５（Ａ）参照）。
【０４３５】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、当該表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図２６（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図２５（Ａ）参照）。
【０４３６】表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光層５５３（ｊ）と、を備える（図２５（Ａ）参照）。
【０４３７】第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０４３８】発光層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０４３９】第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図２８参照）。
【０４４０】＜中間膜＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、中間膜７５４Ａと、中間膜７５４Ｂと、中間膜７５４Ｃと、を有する。
【０４４１】中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。
【０４４２】＜絶縁膜５０１Ａ＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ａを有する（図２５（Ａ）参照）。
【０４４３】絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図２５（Ａ）または図２６（Ａ）参照）。
【０４４４】第１の開口部５９２Ａは、中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。
【０４４５】第２の開口部５９２Ｂは、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【０４４６】また、開口部５９２Ｃは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。
【０４４７】また、絶縁膜５０１Ａは、導電膜５１１Ｂとの間に絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと接する。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと接する。
【０４４８】絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａの周縁に沿って、中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ａは、第２の開口部５９２Ｂの周縁に沿って、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。
【０４４９】＜絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等＞
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０４５０】絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０４５１】第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の短絡を防止する。
【０４５２】絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０４５３】絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０４５４】＜端子等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。
【０４５５】端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０４５６】端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０４５７】導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０４５８】＜基板等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【０４５９】基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【０４６０】＜接合層、封止材、構造体等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０４６１】接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０４６２】封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０４６３】構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０４６４】＜機能膜等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。
【０４６５】遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図２５（Ａ）参照）。
【０４６６】絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０４６７】機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０４６８】機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０４６９】＜構成要素の例＞
表示パネル７００＿３は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。
【０４７０】また、表示パネル７００＿３は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。
【０４７１】また、表示パネル７００＿３は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。
【０４７２】また、表示パネル７００＿３は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０４７３】また、表示パネル７００＿３は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。
【０４７４】また、表示パネル７００＿３は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０４７５】また、表示パネル７００＿３は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、光反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。
【０４７６】また、表示パネル７００＿３は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。
【０４７７】また、表示パネル７００＿３は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｉ）、第４の電極５５２または発光層５５３（ｊ）を有する。
【０４７８】また、表示パネル７００＿３は、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０４７９】また、表示パネル７００＿３は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０４８０】＜構造体ＫＢ１＞
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【０４８１】具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４８２】＜封止材７０５＞
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０４８３】例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０４８４】例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０４８５】具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０４８６】＜接合層５０５＞
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【０４８７】＜絶縁膜５２１＞
例えば、絶縁膜５２１Ａ，Ｂに用いる材料を、用いることができる。
【０４８８】＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０４８９】＜絶縁膜５０１Ａ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４９０】具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４９１】例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４９２】具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０４９３】＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子５５０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０４９４】例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０４９５】＜中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ＞
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。
【０４９６】例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４９７】例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４９８】例えば、光透過性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０４９９】具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。
【０５００】具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。
【０５０１】なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。
【０５０２】＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【０５０３】例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０５０４】具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０５０５】具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０５０６】具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０５０７】具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０５０８】例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０５０９】例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０５１０】具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０５１１】なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【０５１２】＜第１の導電膜、第２の導電膜＞
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０５１３】また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０５１４】また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０５１５】＜表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０５１６】例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０５１７】また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０５１８】表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０５１９】＜液晶材料を含む層７５３＞
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０５２０】＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）＞
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、光反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、光透過性を備える導電膜と、開口部を備える光反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５２１】＜光反射膜＞
例えば、可視光を反射する材料を光反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を光反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を光反射膜に用いることができる。
【０５２２】光反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、光反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０５２３】例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を光反射膜に用いることができる。
【０５２４】例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、光反射膜に用いることができる。または、液晶材料を含む層７５３との間に光透過性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える膜を、光反射膜を用いることができる。
【０５２５】光反射膜は、例えば表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。
【０５２６】例えば、単数または複数の開口部を備える形状を光反射膜に用いることができる。
【０５２７】多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。
【０５２８】非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０５２９】また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を損なう場合がある。
【０５３０】例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２９（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２９（Ｂ）参照）。
【０５３１】例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図２９（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０５３２】または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図２９（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０５３３】なお、例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、光反射膜に用いることができる（図２９（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を光反射膜に用いることができる。
【０５３４】＜第２の電極７５２＞
例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について光透過性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０５３５】例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０５３６】具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０５３７】具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０５３８】＜配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２＞
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０５３９】例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０５４０】＜着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２＞
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。
【０５４１】なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
【０５４２】＜遮光膜ＢＭ＞
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０５４３】＜絶縁膜７７１＞
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０５４４】＜機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０５４５】具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０５４６】また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０５４７】具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０５４８】＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、発光素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５４９】例えば、発光性の有機化合物を発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５５０】例えば、量子ドットを発光層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０５５１】例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５５２】例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５５３】また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５５４】例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５５５】例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５５６】具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０５５７】例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。
【０５５８】＜駆動回路ＧＤ＞
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図２５（Ｂ）参照）。
【０５５９】なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０５６０】表示パネル７００＿３の構造（図２５（Ａ）、図２６（Ａ）参照）は、表示パネル７００の構造（図４（Ａ）、図５参照）に比べて、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する分、工程に要するマスク枚数が増える。実施の形態１乃至実施の形態３に示すような構造を表示パネルに有することで、微小光共振器を形成しても工程を増えることはなく、製造コストの低減に有効である。
【０５６１】（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図３０乃至図３２を参照しながら説明する。
【０５６２】図３０（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図３０（Ｂ）および図３０（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図である。
【０５６３】図３１は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図３１（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図３１（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０５６４】図３２は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図３２（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートであり、図３２（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【０５６５】＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図３０（Ａ）参照）。入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図３０（Ｂ）または図３０（Ｃ）参照）。
【０５６６】入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図３０（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。
【０５６７】入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報Ｐ１または検知情報ＳＥ１を供給する機能を備える。
【０５６８】演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報ＳＥ１を供給される機能を備える。演算装置２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ１または検知情報ＳＥ１に基づいて動作する機能を備える。
【０５６９】なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
【０５７０】表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。
【０５７１】入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。
【０５７２】検知部２５０は検知情報ＳＥ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【０５７３】これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０５７４】以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
【０５７５】＜構成例＞
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体または演算装置２１０を有する。
【０５７６】演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェース２１５を備える。
【０５７７】また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。
【０５７８】入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を備える。
【０５７９】＜情報処理装置＞
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。
【０５８０】＜演算装置２１０＞
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【０５８１】＜演算部２１１＞
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【０５８２】＜記憶部２１２＞
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
【０５８３】具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【０５８４】＜入出力インターフェース２１５、伝送路２１４＞
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
【０５８５】伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１または記憶部２１２と電気的に接続することができる。
【０５８６】＜入出力装置２２０＞
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。例えば、実施の形態６において説明する入出力装置を用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。
【０５８７】＜表示部２３０＞
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図１７参照）。例えば、実施の形態５で説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
【０５８８】＜入力部２４０＞
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図３０参照）。
【０５８９】例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
【０５９０】例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【０５９１】例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【０５９２】一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【０５９３】＜検知部２５０＞
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。
【０５９４】例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
【０５９５】＜通信部２９０＞
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【０５９６】＜プログラム＞
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図３１（Ａ）参照）。
【０５９７】［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図３１（Ａ）（Ｓ１）参照）。
【０５９８】例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
【０５９９】［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図３１（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
【０６００】なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
【０６０１】［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図３１（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１または情報Ｖ１２を表示する情報に用いることができる。
【０６０２】例えば、画像情報Ｖ１を表示するーの方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
【０６０３】＜第１のモード＞
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
【０６０４】例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
【０６０５】例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。
【０６０６】＜第２のモード＞
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。
【０６０７】３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
【０６０８】例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。
【０６０９】ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
【０６１０】［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図３１（Ａ）（Ｓ４）参照）。
【０６１１】例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
【０６１２】［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図３１（Ａ）（Ｓ５）参照）。
【０６１３】＜割り込み処理＞
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図３１（Ｂ）参照）。
【０６１４】［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図３１（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
【０６１５】［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図３１（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
【０６１６】なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。
【０６１７】［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図３１（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
【０６１８】＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図３２を参照しながら説明する。
【０６１９】図３２（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図３２（Ａ）は、図３１（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
【０６２０】なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図３１（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０６２１】＜割り込み処理＞
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図３２（Ａ）参照）。
【０６２２】［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図３２（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
【０６２３】［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図３２（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。
【０６２４】例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ、駆動回路ＧＤＣおよび駆動回路ＧＤＤを備える表示部２３０の駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図３２（Ｂ）参照）。
【０６２５】例えば、所定のイベントが、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の入力部２４０に供給された場合に、当該領域の表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。これにより、例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＣおよび駆動回路ＧＤＤを動作することなく更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。
【０６２６】［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図３２（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
【０６２７】＜所定のイベント＞
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
【０６２８】また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
【０６２９】例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
【０６３０】具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。
【０６３１】＜所定のイベントに関連付ける命令＞
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。
【０６３２】例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０６３３】例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示位置を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【０６３４】例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
【０６３５】例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
【０６３６】なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、ユーザーが特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図３０（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
【０６３７】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０６３８】（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図３３および図３４を参照しながら説明する。
【０６３９】図３３および図３４は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図３３（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図３３（Ｂ）乃至図３３（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図３４（Ａ）乃至図３４（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【０６４０】＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図３３（Ａ）参照）。
【０６４１】演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【０６４２】入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
【０６４３】入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【０６４４】具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
【０６４５】表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
【０６４６】検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【０６４７】具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
【０６４８】通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【０６４９】＜情報処理装置の構成例１＞
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図３３（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【０６５０】＜情報処理装置の構成例２＞
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図３３（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【０６５１】＜情報処理装置の構成例３＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３３（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【０６５２】＜情報処理装置の構成例４＞
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図３３（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
【０６５３】＜情報処理装置の構成例５＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【０６５４】＜情報処理装置の構成例６＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【０６５５】＜情報処理装置の構成例７＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【０６５６】＜情報処理装置の構成例８＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【０６５７】＜情報処理装置の構成例９＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
【０６５８】なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０６５９】例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０６６０】ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０６６１】ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０６６２】ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０６６３】ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０６６４】なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０６６５】なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０６６６】例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０６６７】または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０６６８】なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０６６９】なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【実施例】
【０６７０】本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル７００＿１（図２（Ｂ）参照）の有する、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）、の構成の微小光共振器構造の効果について評価した結果を示す。【０６７１】表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を構成する要素として、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）としてインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を想定した。また導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は、インジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜を想定した。【０６７２】図３５に、光透過性基板上にインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を膜厚１００ｎｍにて成膜し、得られた透過率より算出した屈折率特性Ｎ１を示す。また光透過性基板上にインジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜を膜厚１００ｎｍにて成膜し、得られた透過率より算出した屈折率特性Ｎ２を示す。図３５の横軸は光の波長（ｎｍ）であり、縦軸は屈折率である。光透過性基板として、石英基板を用いた。【０６７３】インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜は、重量比にて、Ｉｎ２Ｏ３を８５％、ＳｎＯ２を１０％、ＳｉＯ２を５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて形成した。またインジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜は、組成にて、Ｉｎ２Ｏ３を２５％、ＺｎＯを７５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて形成した。【０６７４】図３５に示されるように、屈折率特性Ｎ１、屈折率特性Ｎ２には、波長分散がある。【０６７５】本実施例の計算で用いた微小光共振器構造の構成と、微小光共振器構造の効果について、構造ＭＳ１と、構造ＭＳ２との比較による説明を行う。【０６７６】構造ＭＳ１は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を想定し（図２（Ｂ）参照）、膜厚１８８ｎｍの発光層５５３と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）として膜厚５０ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）として膜厚６２ｎｍのインジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜とが積層された構造である（図３６（Ａ）参照）。【０６７７】構造ＭＳ２は、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を想定し（図２（Ｂ）参照）、膜厚１８８ｎｍの膜厚の発光層５５３と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）として膜厚５０ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜と、が積層された構造である（図３６（Ｂ）参照）。【０６７８】電極５５２は膜厚２００ｎｍの銀からなる膜とした。導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）は、膜厚２５ｎｍの、銀を含む膜とした。屈折率は銀の物性値を用いた。その上に、導電層５５４として、膜厚７０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜が積層された構造を想定した。屈折率は、図３５に示すとおりとした。また、その上に、絶縁膜５５５として、屈折率１．５の膜が積層された構造を想定した（図３６（Ａ）、（Ｂ）参照）。【０６７９】上記膜厚は、下記に示すような、各色における各材料の屈折率を想定して設定されたものである。【０６８０】赤色を表す波長λとしてλ＝６１０ｎｍが通常評価されるが、ＢＴ２０２０��格の色域を実現するためには、赤色は長波長側であるλ＝６４０ｎｍで評価することが望ましい。同様に青色を表す波長λとしてλ＝４６０ｎｍが通常評価されるが、短波長側であるλ＝４５０ｎｍで評価することが望ましい。【０６８１】図３５に示すように、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率は、およそ赤色であるλ＝６４０ｎｍの光において屈折率が１．９５、およそ緑色であるλ＝５３０ｎｍの光において屈折率が２．０１、およそ青色であるλ＝４５０ｎｍの光において屈折率が２．０７であった。【０６８２】図３５に示すように、インジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜の屈折率は、およそ赤色であるλ＝６４０ｎｍの光において屈折率が２．０４、およそ緑色であるλ＝５３０ｎｍの光において屈折率が２．１０、およそ青色であるλ＝４５０ｎｍの光において屈折率が２．１９であった。【０６８３】発光層は、いずれの上記波長においても、およそ屈折率１．８である。【０６８４】導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）及び導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）の膜厚において、それぞれ０ｎｍ以上５ｎｍ以下の誤差があっても、各副画素の色に対して微小光共振器構造を構成するには有効である。【０６８５】構造ＭＳ１、構造ＭＳ２において、絶縁膜５５５中に到達する光の強度（光強度）を計算した。図３６（Ｃ）に光強度の計算結果を示す。図３６（Ｃ）において、横軸が発光層５５３から射出される光の波長（ｎｍ）を、縦軸が絶縁膜５５５に到達する光強度を、それぞれ表している。【０６８６】発光層５５３は、白色光を射出するものとした。図３６（Ｃ）において光強度は、発光層５５３から射出される光のスペクトルにより変化する。そのため図３６（Ｃ）の縦軸は定性的な値を意味し、発光極大波長の正確な位置は、光のスペクトルにより異なる場合がある。なお、図３６（Ｃ）はサイバネットシステム社製のＳＥＴＦＯＳという計算ソフトを用いて計算を行った結果である。【０６８７】図３６（Ｃ）に示す発光スペクトルピークの計算結果は上記誤差を含んではいるが、構造ＭＳ１において、赤色を示す４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域の波長の強度と、青色を示す６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域の波長の強度が大きいことがわかる。すなわち、構造ＭＳ１を有する画素は、発光極大波長を上記波長領域のいずれかに有するスペクトルを備える光を射出することができる。【０６８８】導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）、発光層５５３、の膜厚を上記値より大きく設定すると、可視光領域に幾つも強まる波長ができる。換言すれば、反射電極と半透過電極間との間の、半透過電極の膜厚方向に沿った、距離ｄ０または距離ｄ１を大きくすると、表示素子の発光強度において青色と赤色を共に大きくできるものの、青色と赤色の間にも、発光強度が大きくなる光が出てくる。【０６８９】そのため、上記構造ＭＳ１、構造ＭＳ２の材料および膜厚の設定は、微小光共振器構造が純度の高い色を発光するためには有効である。【０６９０】微小光共振器構造は、反射電極と、半透過導電膜との間の、表示する光の各波長における光学距離を所定の値とすることにより、例えば赤色の光であれば、光Ｒ０１と光Ｒ０２とを共振させることができる。【０６９１】例えば、構造ＭＳ１において、赤色である波長６４０ｎｍでの光学距離は、５５６．１８ｎｍであった。構造ＭＳ２において、緑色である波長５３０ｎｍでの光学距離は、４３８．９ｎｍであった。構造ＭＳ１において、青色である波長４５０ｎｍでの光学距離は５７７．６８ｎｍであった。【０６９２】導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）、発光層５５３、の材料を変える場合、各膜の屈折率及び膜厚は、上記の規格化された光学距離が変化しないように設定することで、同じ微小光共振器構造の効果を得ることができる。【０６９３】本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０６９４】ＡＣＦ１    導電材料
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
ＡＮＯ    導電膜
Ｂ０１    光
Ｂ０２    光
ＢＭ    遮光膜
ＢＲ    導電膜
Ｃ    電極
Ｃ１    矢印
Ｃ２    矢印
Ｃ１１    容量素子
Ｃ１２    容量素子
Ｃ２１    容量素子
ＣＦ１    着色膜
ＣＦ２    着色膜
ＣＰ    導電材料
ＣＳＣＯＭ    配線
ｄ０    距離
ｄ１    距離
フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１
Ｇ０１    光
Ｇ１    走査線
Ｇ０２    光
Ｇ２    走査線
ＧＤ    駆動回路
ＧＤＡ    駆動回路
ＧＤＢ    駆動回路
ＧＤＣ    駆動回路
ＧＤＤ    駆動回路
ＫＢ１    構造体
Ｌ１    光
Ｌ２    光
Ｍ    トランジスタ
Ｍ（ｈ）    電極
ＭＤ    トランジスタ
ＭＬ    検知信号線
ＭＳ１    構造
ＭＳ２    構造
Ｎ１    屈折率特性
Ｎ２    屈折率特性
Ｐ１    位置情報
Ｒ０１    光
Ｒ１    矢印
Ｒ０２    光
Ｒ２    矢印
Ｓ１    信号線
Ｓ２    信号線
ＳＤ    駆動回路
ＳＤ１    駆動回路
ＳＤ２    駆動回路
ＳＥ１    検知情報
ＳＳ    制御情報
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
Ｖ１    画像情報
Ｖ１１    情報
Ｖ１２    情報
ＶＣＯＭ１    配線
ＶＣＯＭ２    導電膜
Ｘ０    隣接部
１０ａ    グレートーンマスク
１０ｂ    ハーフトーンマスク
１３    光透過性基板
１５    遮光膜
１７    遮光部
１８    回折格子部
１９    透過部
２３    半光透過膜
２５    遮光膜
２７    遮光部
２８    半光透過部
２９    透過部
２００    情報処理装置
２１０    演算装置
２１１    演算部
２１２    記憶部
２１４    伝送路
２１５    入出力インターフェース
２２０    入出力装置
２３０    表示部
２３１    表示領域
２３４    伸張回路
２３５Ｍ    画像処理回路
２３８    制御部
２４０    入力部
２４１    検知領域
２５０    検知部
２９０    通信部
５０１Ａ    絶縁膜
５０１Ｂ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０３    絶縁膜
５０４    導電膜
５０４Ｅ    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５０８Ａ    領域
５０８Ｂ    領域
５０８Ｃ    領域
５１１Ｂ    導電膜
５１１Ｃ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１２Ｃ    導電膜
５１２Ｄ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１９Ｂ    端子
５１９Ｃ    端子
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２１Ａ    絶縁膜
５２１Ｂ    絶縁膜
５２２    接続部
５２２Ａ    接続部
５２２Ｂ    接続部
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０    画素回路
５４１    レジストマスク
５４２    レジストマスク
５５０    表示素子
５５１    電極
５５１＿０    導電膜
５５１＿１    導電膜
５５１＿２    導電膜
５５２    電極
５５３    層
５５３Ｍ    中心部
５５４    導電層
５５５    絶縁膜
５７０    基板
５７３    絶縁膜
５７３Ａ    絶縁膜
５７３Ｂ    絶縁膜
５９１Ａ    開口部
５９１Ｂ    開口部
５９１Ｃ    開口部
５９２Ａ    開口部
５９２Ｂ    開口部
５９２Ｃ    開口部
７００    表示パネル
７００＿１    表示パネル
７００＿２    表示パネル
７００＿３    表示パネル
７００＿３Ｂ    表示パネル
７００＿４    表示パネル
７００Ｂ    表示パネル
７０２    画素
７０３    画素
７０５    封止材
７１９    端子
７５０    表示素子
７５１    電極
７５１Ｅ    領域
７５１Ｈ    開口部
７５２    電極
７５３    層
７５４Ａ    中間膜
７５４Ｂ    中間膜
７５４Ｃ    中間膜
７７０    基板
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
７７５    検知素子
９００    画素
９００ｓ    遮光領域
９００ｔ    透過領域
９０１    駆動回路部
９０２    配線
９０４    配線
９０６    配線
９１０    トランジスタ
９１１    トランジスタ
９１２    トランジスタ
９１３    容量素子
９１６Ｂ    発光領域
９１６Ｇ    発光領域
９１６Ｒ    発光領域
９３０ＥＬ    発光素子
５２００Ｂ    情報処理装置
５２１０    演算装置
５２２０    入出力装置
５２３０    表示部
５２４０    入力部
５２５０    検知部
５２９０    通信部
【図１】
2018150294.tif 000003
【図２】
2018150294.tif 000004
【図３】
2018150294.tif 000005
【図４】
2018150294.tif 000006
【図５】
2018150294.tif 000007
【図６】
2018150294.tif 000008
【図７】
2018150294.tif 000009
【図８】
2018150294.tif 000010
【図９】
2018150294.tif 000011
【図１０】
2018150294.tif 000012
【図１１】
2018150294.tif 000013
【図１２】
2018150294.tif 000014
【図１３】
2018150294.tif 000015
【図１４】
2018150294.tif 000016
【図１５】
2018150294.tif 000017
【図１６】
2018150294.tif 000018
【図１７】
2018150294.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2018150294.tif 000022
【図２１】
2018150294.tif 000023
【図２２】
2018150294.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2018150294.tif 000028
【図２７】
2018150294.tif 000029
【図２８】
2018150294.tif 000030
【図２９】
2018150294.tif 000031
【図３０】
2018150294.tif 000032
【図３１】
2018150294.tif 000033
【図３２】
2018150294.tif 000034
【図３３】
2018150294.tif 000035
【図３４】
2018150294.tif 000036
【図３５】
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【図３６】
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【国際調査報告】
2018150294.tif 000039
2018150294.tif 000040
2018150294.tif 000041
2018150294.tif 000042