【手続補正書】
【提出日】平成31年2月26日(2019.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元デバイスの製造方法であって、
基板面から垂直に延在し、前記基板面に対して平行なフィン軸線を有するフィン構造の拡張領域の端面にイオンを指向させるステップを含み、
前記イオンは、前記基板面に垂直であり、かつ前記フィン軸線に対して平行な平面内に延在する軌道を有し、
前記フィン構造の一部は、チャネル領域を画定するゲート構造によって被覆され、かつ
前記端面は、前記ゲート構造によって被覆されない、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記フィン構造は、単結晶シリコンを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記フィン構造は、少なくとも３つの層を備え、少なくとも一層はシリコンを含み、かつ少なくとも一層はシリコン：ゲルマニウム合金を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記軌道は、前記基板面に垂直に対して１０°〜１２°の入射角度をなす、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記イオンは、ソース／ドレイン拡張インプラントとして提供される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、更に、前記イオンを前記端面内に指向させるステップの後に、前記拡張領域上に隆起したソース／ドレインを形成するステップを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記ゲート構造は、前記フィン構造の露出領域を画定し、更に、前記フィン構造の拡張領域が形成される前記露出領域の一部を取り除くステップを含む、方法。
【請求項８】
三次元デバイスの製造方法であって、
基板面から垂直に延在し、相互に平行であり、前記基板面に対して平行なフィン軸線を有する複数のフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造の一部を被覆し、所与のフィン構造の露出領域を画定するゲート構造を形成するステップと、
前記ゲート構造によって被覆されない端面を有する前記フィン構造の拡張領域が形成される露出領域の少なくとも一部を取り除くステップと、
前記基板面に対して垂直かつ前記フィン軸線に対して平行な平面内に延在する軌道を有するイオンを、前記端面に指向させるステップと、を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記複数のフィン構造は、単結晶シリコンを含む、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、前記複数のフィン構造は、少なくとも３つの層を備え、少なくとも一層はシリコンを含み、かつ少なくとも一層はシリコン：ゲルマニウム合金を含み、前記フィン構造は、ｈＧＡＡデバイス構造の一部を含む、方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、前記軌道は、前記基板面に垂直に対して１０°〜１２°の入射角度をなす、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、前記三次元デバイスは、複数のフィンストリングを備え、所与のフィンストリングは、所与のフィン構造と、前記フィン構造の端面から距離Ｓだけ分離された隣接する構造とを含み、前記ゲート構造は、高さｈＴによって画定され、前記イオンは、アークタンジェント（Ｓ／ｈＴ）によって画定される入射角度で指向される、方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であって、前記複数のフィン構造は、フィンＦＥＴデバイスの一部またはｈＧＡＡデバイスの一部を含む、方法。
【請求項１４】
マルチゲート型トランジスタの製造方法であって、
基板面から垂直に延在し、相互に平行であり、前記基板面に対して平行なフィン軸線を有し、少なくとも単結晶シリコンを含む複数のフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造の一部を被覆し、所与のフィン構造の露出領域を画定するゲート構造を形成するステップと、
ソース／ドレイン拡張インプラントを実施するステップの前に、前記露出領域の少なくとも一部を取り除くステップと、
を含み、
前記フィン構造の拡張領域は、前記ゲート構造によって被覆されない端面を有するように形成する、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記ソース／ドレイン拡張インプラントを実施するステップは、ドーパントイオンを前記端面に指向させるステップを含み、前記ドーパントイオンは、前記基板面に垂直であり、前記フィン軸線に対して平行な平面内に延在する軌道を有し、前記軌道は、前記基板面に垂直に対して非ゼロの入射角度をなし、前記ドーパントイオンは、前記フィン構造内にソース／ドレイン拡張を形成する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】三次元デバイスの製造方法及びマルチゲート型トランジスタの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
現代では、プレーナー型トランジスタの性能を高めるために、三次元トランジスタデバイスが利用されている。フィン電界効果トランジスタ（フィンＦＥＴ）デバイスやｈＧＡＡ ＦＥＴ等のデバイスは、シリコンウェーハ等の基板面から垂直に延在するフィン状の半導体領域から形成される。そのようなデバイスにおいて隣接するフィンは相互に近接して詰め込まれており、ポリシリコン層およびマスキング層を含む特別層を考慮したフィン構造の高さ対フィン構造の間隔の比は、処理の一段階において約１０：１である。このような環境下において、フィン構造のソース／ドレインまたはソース／ドレイン拡張領域をインプラントするのは困難である。なぜなら、所与のフィン構造の表面に指向されるイオンは、隣接するフィンによって遮られるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、図１Ｃを参照すると、露出領域１１８がエッチングされ拡張領域１２４を形成した後、イオン１１２は、拡張領域１２４に指向させる。特に、イオン１１２は、端面１２６および端面１２７に指向させる。イオン１１２は、一インプラントプロセスまたは複数のインプラントプロセスにおいて、拡張領域１２４内にインプラントされ、ソース／ドレイン拡張（ＳＤＥ）ドーピングインプラントとしての役割を果たし、更に、例えば、「ハロ」ドーピング用イオンとしての役割を果たす。この実施形態において、イオン１１２は、Ｘ−Ｚ面内における軌道に沿って指向させるが、この場合、Ｘ−Ｚ面は、Ｘ−Ｙ面に対して平行である基板面Ｐに対して垂直である。端面１２６および端面１２７は、Ｙ−Ｚ面に対して平行である。従って、イオン１２２の軌道は、端面１２６の平面および端面１２７の平面に対して垂直な平面内に配置することができる。イオン１１２は、非ゼロ入射角度を形成する軌道も有することができ、これは、基板面Ｐに垂直１３０に対する入射角度θとして示す。図１Ｃに示すように、イオン１１２は、一インプラントプロセスにおいて、端面１２６に対して＋θの角度で指向させ、第２のインプラントプロセスにおいて、端面１２７に対して−θの角度で指向させることができる。イオン１１２がドーパントイオンである一実施例において、イオンは、端面１２６を通じてインプラントされると、第１ソース／ドレイン拡張を形成し、端面１２７を通じてインプラントされると、第２ソース／ドレイン拡張を形成することができる。２つのソース／ドレイン拡張は、フィン構造１０２を通じてＸ軸に沿って延在するチャネルの対向端部を画定する２つのジャンクションを形成することができる。図１Ａ〜図１Ｃに示す操作に続いて、ソース／ドレイン領域は、露出領域１１８内に再成長させることができる。角度−θおよび角度＋θは、同一の大きさまたは異なる大きさを有することができることに留意されたい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１−１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１−１】
2018515914.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１−２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１−２】
2018515914.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２−１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２−１】
2018515914.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２−２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２−２】
2018515914.tif 000004