【事件の表示】
　特願２００２−　４４６６７「金属含有物付き薄膜半導体の強化磁気抵抗の有限要素モデリングおよびシミュレーション方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１３日出願公開、特開２００２−２６１３５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年２月２１日（パリ条約による優先権主張２００１年２月２８日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１７年６月９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年８月２日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、同年９月１９日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年８月２日付け手続補正について
　
【補正却下の決定の結論】
　平成１７年８月２日付け手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１７年８月２日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項３ないし７を削除し、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び２を、補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２と補正するものであって、補正前の請求項１及び２、補正後の請求項１及び２は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】　デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法であって、
　前記デバイスは、複数の電流ポートを有し、かつ極超巨大磁気抵抗を示し、
　印加磁界と前記デバイスの幾何学的形状の関数として有限要素解析を使用して前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗を計算することと、
　電流の流れの磁場依存性と、前記デバイスのモデルの電位を計算することと、
　前記極超巨大磁気抵抗、電流の流れの前記場依存性、および前記デバイスのモデルの前記電位を、所定の、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、および電位と比較することと、
　前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正することと、
　離散化された作用積分から前記幾何学的形状の他の部分における電位の値を自己無憧着に決定する一方で、境界条件を前記デバイスのモデルの前記幾何学的形状の特定の部分に直接適用し、
　すべての電流ポートにおいて評価された電位を相互に一致させること、を含む、デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法。
　　【請求項２】　計算に必要な時間を減少させるために、帯域幅レジューサーとまばらな行列ＬＵソルバーを使用することをさらに含む、請求項１記載の最適化する方法。」
　
（補正後）
「　【請求項１】　デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法であって、
　前記デバイスは、複数の電流ポートを有し、かつ極超巨大磁気抵抗を示し、
　印加磁界と前記デバイスの幾何学的形状の関数として有限要素解析を使用して前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、電位の磁場依存性を計算することと、
　前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性を、実験により得られた極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性と比較することと、
　前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性と、実験により得られた極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正することと、
　離散化された作用積分から前記幾何学的形状の他の部分における電位の値を自己無憧着に決定する一方で、境界条件を前記デバイスのモデルの前記幾何学的形状の特定の部分に直接適用し、
　すべての電流ポートにおいて評価された電位を相互に一致させること、を含む、デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する有限要素法のモデリングの方法。
　　【請求項２】　計算に必要な時間を減少させるために、帯域幅レジューサーとまばらな行列ＬＵソルバーを使用することをさらに含む、請求項１記載の有限要素法のモデリングの方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正における補正事項を整理すると以下のとおりである。
（２−１）請求項１についての補正
ａ．補正事項１
　補正前の「印加磁界と前記デバイスの幾何学的形状の関数として有限要素解析を使用して前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗を計算することと、　電流の流れの磁場依存性と、前記デバイスのモデルの電位を計算することと」を、補正後の「印加磁界と前記デバイスの幾何学的形状の関数として有限要素解析を使用して前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、電位の磁場依存性を計算することと」と補正すること。
ｂ．補正事項２
　補正前の「前記極超巨大磁気抵抗、電流の流れの前記場依存性、および前記デバイスのモデルの前記電位を、所定の、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、および電位と比較することと」を、補正後の「前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性を、実験により得られた極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性と比較することと」と補正すること。
ｃ．補正事項３
　補正前の「前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正することと」を、補正後の「前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性と、実験により得られた極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正することと」と補正すること。
ｄ．補正事項４
　補正前の「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法」を、補正後の「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する有限要素法のモデリングの方法」と補正すること。
　
（２−２）請求項２についての補正
ｅ．補正事項５
　補正前の「請求項１記載の最適化する方法」を補正後の「請求項１記載の有限要素法のモデリングの方法」と補正すること。
　
（２−３）請求項の削除
ｆ．補正事項６
　補正前の請求項３ないし７を削除すること。
　
（３）補正の目的の適否
（３−１）請求項１についての補正
ａ．補正事項１
　補正前の計算対象は、「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、「電流の流れの磁場依存性」、「前記デバイスのモデルの電位」であるのに対し、補正後の計算対象は、「前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗」、「前記デバイスのモデルの、」「電流の流れの磁場依存性」、「前記デバイスのモデルの、」「電位の磁場依存性」となっている。ここで、補正前の「電流の流れの磁場依存性」には、「前記デバイスのモデルの」という修飾語はないが、請求項１において「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」以外に計算対象となり得る「電流の流れの磁場依存性」は存在しないから、補正前の「電流の流れの磁場依存性」は「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」を意味することは明らかである。
　そこで、補正前後の計算対象についてみると、「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」については補正前後で変更はないが、補正前の計算対象である「前記デバイスのモデルの電位」が「前記デバイスのモデルの、」「電位の磁場依存性」に変更されている。
　そして、「電位」と「電位の磁場依存性」とは概念の異なる事項であるから、計算対象の一つである「電位」を「電位の磁場依存性」と変更する補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
ｂ．補正事項２
（ｂ−１）補正前の請求項１においては、「前記極超巨大磁気抵抗、電流の流れの前記場依存性、および前記デバイスのモデルの前記電位」を「所定の、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、および電位」と比較するものであったものが、補正後の請求項１においては、「前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性」を「実験により得られた極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、または、電位の磁場依存性」と比較するものとなっている。
　ここで、補正前の「電流の流れの前記場依存性」は「電流の流れの前記磁場依存性」の誤記と認められるので、「電流の流れの前記場依存性」を「電流の流れの前記磁場依存性」と読み替えた上で、以下に検討を進める。
（ｂ−２）補正前の「前記極超巨大磁気抵抗、電流の流れの前記磁場依存性、および前記デバイスのモデルの前記電位」における「前記極超巨大磁気抵抗」、「電流の流れの磁場依存性」、「前記デバイスのモデルの前記電位」は、「印加磁界と前記デバイスの幾何学的形状の関数として有限要素解析を使用して前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗を計算することと、　電流の流れの磁場依存性と、前記デバイスのモデルの電位を計算することと」という構成中の「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、「電流の流れの磁場依存性」、「前記デバイスのモデルの電位」をそれぞれ意味するものである。そして、これらは全て上記構成に記載されているとおり計算により得られたものであり、また、「電流の流れの磁場依存性」は、上記ａ．において検討したとおり、「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」を意味するものであるから、補正前の「前記極超巨大磁気抵抗、電流の流れの前記磁場依存性、および前記デバイスのモデルの前記電位」は、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」、「および」計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」を意味するものであることは明らかである。
（ｂ−３）以上を勘案すると、補正事項２ついての補正により、補正前の請求項１においては、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」、「および」計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」を、「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「および」、「所定の、」「電位」と比較するものであったものが、補正後の請求項１においては、「前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗」、「前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、」「電流の流れの磁場依存性」、「または」、「前記計算により得られた前記デバイスのモデルの、」「電位の磁場依存性」を、「実験により得られた極超巨大磁気抵抗」、「実験により得られた」「電流の流れの磁場依存性」、「または」、「実験により得られた」「電位の磁場依存性」と択一的に比較するものとなっている。ここで、補正前における「計算により得られた」と補正後における「前記計算により得られた」は、ともにデバイスのモデルに関する計算により得られたことを意味するものであることは明らかである。
（ｂ−４）したがって、整理すると、補正事項２についての補正による実質的な変更点は以下のとおりである。
（イ）補正前の「電位」を補正後の「電位の磁場依存性」と変更すること。
（ロ）補正前の「および」を補正後の「または」と変更すること。
（ハ）補正前の「所定の、」を補正後の「実験により得られた」と変更すること。
　この内、（イ）については、上記ａ．において検討したとおり、「電位」と「電位の磁場依存性」とは概念の異なる事項であるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　次に、（ロ）については、比較対象を、「極超巨大磁気抵抗」、「電流の流れの磁場依存性」、「電位」の全てから、「極超巨大磁気抵抗」、「電流の流れの磁場依存性」、「電位の磁場依存性」のいずれか一つへと変更するものであり、特許請求の範囲を実質的に拡張するものであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　次に、（ハ）については、「所定の、」を「実験により得られた」と下位概念化するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（ｂ−５）よって、補正事項２についての補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない補正を含むから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
ｃ．補正事項３
（ｃ−１）補正前における「前記計算」は、「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」の計算、「電流の流れの磁場依存性」の計算、「前記デバイスのモデルの電位」の計算を意味するものである。そして、「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」の計算、「電流の流れの磁場依存性」の計算、「前記デバイスのモデルの電位」の計算とは、それぞれ、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「電流の流れの磁場依存性」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」を意味するものと解される。さらに、「電流の流れの磁場依存性」は、上記ａ．において検討したとおり「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」を意味するものである。
　また、補正前の「前記所定の特性」は、「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「所定の、」「電位」を意味するものである。
　したがって、補正前における「前記計算と前記所定の特性との間の相関」は、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの前記電位」と、「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「所定の、」「電位」との間の相関を意味するものである。
（ｃ−２）以上を勘案すると、補正事項３についての補正により、相関を得る対象に関し、補正前の、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」が、補正後には、「計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗」、「計算により得られた前記デバイスのモデルの、」「電流の流れの磁場依存性」、「または」「計算により得られた前記デバイスのモデルの、」「電位の磁場依存性」と変更され、かつ、補正前の「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「所定の、」「電位」が、補正後には、「実験により得られた極超巨大磁気抵抗」、「実験により得られた」「電流の流れの磁場依存性」、「または」「実験により得られた」「電位の磁場依存性」と変更されている。
（ｃ−３）したがって、整理すると、補正事項３についての補正による実質的な変更点は以下のとおりである。
（イ）補正前の「電位」を補正後に「電位の磁場依存性」と変更すること。
（ロ）補正前になかった「または」を補正後に挿入すること。
（ハ）補正前の「所定の」を補正後に「実験により得られた」と変更すること。
　この内、（イ）については、上記ａ．において検討したとおり、「電位」と「電位の磁場依存性」とは概念の異なる事項であるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　次に、（ロ）については、補正前の「前記計算」が、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」の全てを指すのか、いずれか一つを指すのか不明確であったものを、「計算により得られた前記デバイスのモデルの、極超巨大磁気抵抗」、「計算により得られた前記デバイスのモデルの、」「電流の流れの磁場依存性」、「計算により得られた前記デバイスのモデルの、」「電位の磁場依存性」のいずれか一つを指すことを明らかにし、かつ、補正前の「所定の特性」が「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「所定の、」「電位」の全てを指すのか、いずれか一つを指すのか不明確であったものを、「実験により得られた極超巨大磁気抵抗」、「実験により得られた」「電流の流れの磁場依存性」、「実験により得られた」「電位の磁場依存性」のうちのいずれか一つを指すことを明らかにしたものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　次に、（ハ）については、「所定の、」を「実験により得られた」と下位概念化するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（ｃ−４）よって、補正事項３についての補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない補正を含むから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
ｄ．補正事項４
　補正前に「最適化する方法」であったものが、「最適化する有限要素法のモデリングの方法」に変更されている。
　ここで、「最適化する有限要素法のモデリングの方法」という記載は、それ自体が日本語として意味不明であることに加え、請求項１の冒頭には、「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法であって」と記載されており、これと合わせて読むと「・・・最適化する方法であって、・・・ 最適化する有限要素法のモデリングの方法」となり、請求項１全体としてみても、意味不明であるから、「最適化する方法」を「最適化する有限要素法のモデリングの方法」に変更する補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　また、仮に、「最適化する有限要素法のモデリングの方法」の内の「最適化する」を除外して解釈したとしても、一般に、「モデリング」とは、何らかの事物をモデル化することを意味し、最適化することとは別の概念であるから、「最適化する方法」を「モデリングの方法」と変更する補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項４についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。　
　
（３−２）請求項２についての補正
ｅ．補正事項５
　補正前の「最適化する方法」を「最適化する有限要素法のモデリングの方法」と変更する補正は、上記ｄ．において検討した補正事項４についての補正と同様の理由で、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項５についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
（３−３）請求項の削除
ｆ．補正事項６
　補正前の請求項３ないし７を削除する補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（４）むすび
　上記（３）で述べたとおり、補正事項１ないし５についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　したがって、本件補正は、特許法１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年８月２日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１７年４月１３日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】　デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法であって、
　前記デバイスは、複数の電流ポートを有し、かつ極超巨大磁気抵抗を示し、
　印加磁界と前記デバイスの幾何学的形状の関数として有限要素解析を使用して前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗を計算することと、
　電流の流れの磁場依存性と、前記デバイスのモデルの電位を計算することと、
　前記極超巨大磁気抵抗、電流の流れの前記場依存性、および前記デバイスのモデルの前記電位を、所定の、極超巨大磁気抵抗、電流の流れの磁場依存性、および電位と比較することと、
　前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正することと、
　離散化された作用積分から前記幾何学的形状の他の部分における電位の値を自己無憧着に決定する一方で、境界条件を前記デバイスのモデルの前記幾何学的形状の特定の部分に直接適用し、
　すべての電流ポートにおいて評価された電位を相互に一致させること、を含む、デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法。
　　【請求項２】　計算に必要な時間を減少させるために、帯域幅レジューサーとまばらな行列ＬＵソルバーを使用することをさらに含む、請求項１記載の最適化する方法。
　　【請求項３】　磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計を最適化する方法であって、
　半導体基板と、前記半導体基板の上に配置された円形の第１の領域を有する閉じた輪郭の形式の半導体材料と、
　導電不均一性を形成するために少なくとも部分的に前記半導体材料の中に配置された円形の第２の領域を有する導電材料とを有する前記センサのモデルの磁気抵抗を最大化するように第１の領域の第２の領域に対する半径の比率が選択されており、
　第１のポートに電流を印加し、第２のポートを介して電流が流れ出るように備えることと、
　前記半導体材料の輪郭の応答として、第１の幅および第２の幅をそれぞれ有する第３および第４のポートの複数の区間において、電圧の差を連続して測定することと、
　半導体材料の導電率を示す微分方程式を満たす静電位についての作用積分を離散化することと、
　変分原理を実行することと、
　前記第１の幅および前記第２の幅にわたって前記第３および第４のポートにおいて唯一の電位を定めるために、前記第３および第４のポート内のノードに対するすべてのノードの値を一致させることと、
　実効抵抗を計算することと、
　磁気抵抗を計算することと、
　前記センサの磁気抵抗特性を所定の磁気抵抗特性に相関させるために、前記センサのモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正することとを含む、磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計を最適化する方法。
　　【請求項４】　代数的整数法により生成された非構造三角形メッシュを使用して、離散化を実行する、請求項３記載の最適化する方法。
　　【請求項５】　前記三角形メッシュは、電流分布の大きい変化を表している領域で密度を選択的に増加させる、請求項４記載の最適化する方法。
　　【請求項６】　ノード変数に対して離散化作用を変化させることにより、変分原理を実行する、請求項３記載の最適化する方法。
　　【請求項７】　デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有し、強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計するシステムであって、
　電流分布の大きい変化を表している幾何学的形状の領域内で要素密度が増加するように、前記デバイスのモデルの幾何学的構造を選択的に要素に分割する要素分割手段と、
　前記要素の接続性から係数行列を得る係数行列獲得手段と、
　前記デバイスのモデルの材料特性と幾何学的構造の詳細を明らかにする前記行列に対して帯域幅レジューサーが使用され、次に前記行列がガウス消去法のための標準のＬＵ形式に分解して、前記行列から有限要素による結果を計算する有限要素演算手段と、を有する、デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有し、強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計するシステム。」
　
４．特許法第３６条第４項、及び第６項第１号に規定する要件について
（１）請求項１について
（ａ）請求項１に係る発明は、請求項１に記載されたとおり、「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法」に関するものである。
　しかしながら、発明の詳細な説明には、「金属含有物を有する薄膜半導体内の強化された磁気抵抗の有限要素モデリング方法および装置」（０００１段落）が記載されているにすぎず、「最適化」という語さえ記載されていない。さらに、最適化する対象である「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計」についてみても、発明の詳細な説明には、「半導体薄膜デバイス」に関し、「金属含有物を有する半導体薄膜は、０.０５から４テスラの範囲の磁界で、室温において、１００％から７５０、０００％と高いエンハンスメントを有する極超巨大磁気抵抗（ＥＭＲ）を示す。磁気抵抗（ＭＲ）は、ＭＲ＝［Ｒ（Ｈ）−Ｒ（０）］／Ｒ（０）と定義され、ここでＲ（Ｈ）は有限の磁界Ｈにおける抵抗である。これらのエンハンスメントは、半導体ディスクと同心である埋め込まれた金属の円形の不均一性を有する半導体マトリックスの複合ファン・デル・パウ・ディスク、および１つの面の上に金属の分路を有する長方形の半導体ウェーハに対して見られる。」（０００２段落）、「図１１は、半導体薄膜デバイスを設計するシステムの構成を示す図である。　図１１に示すように、このシステムは、要素分割部１００と、係数行列演算部１０１と、有限要素演算部１０２とを備えている。要素分割部１００は、電流分布の大きい変化を表している幾何学的形状の領域内で要素密度が増加するように、そのデバイスの幾何学的構造を選択的に要素に分割する。要素分割部１００によって、デバイスは、例えば、図５に示すような各要素に分割される。」（００８９段落）と記載されているにすぎず、「半導体薄膜デバイスの設計を最適化する」ことについては記載されていない。
　したがって、「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法」は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、当業者が発明の詳細な説明の記載に基づいて、「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有する半導体薄膜デバイスの設計を最適化する方法」を実施することは困難である。
（ｂ）また、請求項１に係る発明は、発明特定事項として、「前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正すること」を含むものである。
　ここで「前記計算」は、「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」の計算、「電流の流れの磁場依存性」の計算、「前記デバイスのモデルの電位」の計算を意味するものである。そして、「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」の計算、「電流の流れの磁場依存性」の計算、「前記デバイスのモデルの電位」の計算とは、それぞれ、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「電流の流れの磁場依存性」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」を意味するものと解される。さらに、請求項１において「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」以外に計算対象となり得る「電流の流れの磁場依存性」は存在しないから、「電流の流れの磁場依存性」は「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」を意味するものと解される。
　また、「前記所定の特性」は、「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「所定の、」「電位」を意味するものである。
　したがって、「前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正すること」という発明特定事項は、計算により得られた「前記デバイスのモデルの極超巨大磁気抵抗」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの」「電流の流れの磁場依存性」、計算により得られた「前記デバイスのモデルの電位」と、「所定の、極超巨大磁気抵抗」、「所定の、」「電流の流れの磁場依存性」、「所定の、」「電位」「との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正すること」を意味するものである。
　そこで、当該発明特定事項が発明の詳細な説明に記載されているか否かについて検討するに、発明の詳細な説明には、「金属含有物を有する薄膜半導体内の強化された磁気抵抗の有限要素モデリング方法および装置」（０００１段落）が記載されているにすぎず、「デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正すること」については記載されていない。
　したがって、「前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正すること」は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、当業者が発明の詳細な説明に基づいて、「前記計算と前記所定の特性との間の相関を得るために、前記デバイスのモデルの材料特性および幾何学的形状を修正すること」を実施することは困難である。
（ｃ）以上述べたとおり、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項１は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、かつ、発明の詳細な説明は、経済産業省令の定めるところにより、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（２）請求項２について
　請求項２は、請求項１を引用する形式で記載されたものであるから、上記（１）に記載した請求項１についての検討結果を勘案すれば、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、発明の詳細な説明は、経済産業省令の定めるところにより、当業者が請求項２に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　したがって、請求項２は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、かつ、発明の詳細な説明は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）請求項３について
　請求項３に係る発明は、請求項３に記載されたとおり、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計を最適化する方法」である。
　しかしながら、発明の詳細な説明には、「金属含有物を有する薄膜半導体内の強化された磁気抵抗の有限要素モデリング方法および装置」（０００１段落）が記載されているにすぎず、「最適化」という語さえ記載されていない。また、最適化する対象である「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計」についてみても、発明の詳細な説明には、００１６段落，００２４段落，００８６段落，００９２段落に「ファン・デル・パウ構造」又は「変形ファン・デル・パウ構造」についての説明が記載されているにすぎず、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ」自体が記載されておらず、ましてや「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計を最適化する」ことについては記載されていない。
　したがって、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計を最適化する方法」は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、当業者が発明の詳細な説明の記載に基づいて、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサの設計を最適化する方法」を実施することは困難である。
　また、請求項３に係る発明は、発明特定事項として、「前記センサの磁気抵抗特性を所定の磁気抵抗特性に相関させるために、前記センサのモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正すること」を含むものである。ここにおいて、「前記センサ」とは、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ」を意味するものであるから、「前記センサの磁気抵抗特性を所定の磁気抵抗特性に相関させるために、前記センサのモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正すること」とは、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ」「の磁気抵抗特性を所定の磁気抵抗特性に相関させるために、」「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ」「のモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正すること」を意味するものである。
　しかしながら、発明の詳細な説明には、上に述べたように、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ」自体が記載されておらず、ましてや、「磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ」「のモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正すること」は記載されていない。
　したがって、「前記センサの磁気抵抗特性を所定の磁気抵抗特性に相関させるために、前記センサのモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正すること」は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、当業者が発明の詳細な説明の記載に基づいて、「前記センサの磁気抵抗特性を所定の磁気抵抗特性に相関させるために、前記センサのモデルの前記幾何学的形状と材料特性を修正すること」を実施することは困難である。
　以上述べたとおり、請求項３に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項３は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、かつ、発明の詳細な説明は、経済産業省令の定めるところにより、当業者が請求項３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）請求項４，５，６について
　請求項４，５，６は、請求項３を直接的又は間接的に引用する形式で記載されたものであるから、上記（３）に記載した請求項３についての検討結果を勘案すれば、請求項４，５，６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、発明の詳細な説明は、経済産業省令の定めるところにより、当業者が請求項４，５，６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　したがって、請求項４，５，６は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、かつ、発明の詳細な説明は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（５）請求項７について
　請求項７に係る発明は、請求項７に記載されたとおり、「デバイスの中に少なくとも１つの金属含有物を有し、強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計するシステム」に関するものである。
　一方、発明の詳細な説明には、強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計するシステムに関し、「【００８９】　図１１は、半導体薄膜デバイスを設計するシステムの構成を示す図である。　図１１に示すように、このシステムは、要素分割部１００と、係数行列演算部１０１と、有限要素演算部１０２とを備えている。要素分割部１００は、電流分布の大きい変化を表している幾何学的形状の領域内で要素密度が増加するように、そのデバイスの幾何学的構造を選択的に要素に分割する。要素分割部１００によって、デバイスは、例えば、図５に示すような各要素に分割される。　【００９０】　係数行列演算部１０１は、それらの要素の接続性から　式（１５）を計算して係数行列Ａを得る。有限要素演算部１０２は、そのデバイスの材料特性と幾何学的構造の詳細を明らかにするその行列から有限要素による結果を式（２０）等を用いて計算する。有限要素演算部１０２では、その行列に対して帯域幅レジューサーが使用され、次にその行列がガウス消去法のための標準のＬＵ形式に分解される。　【００９１】　なお、このシステムには、そのシステムの動作を実行するためのプログラムが記録されている。このプログラムは、コンピュータである本実施形態のシステムのハードウエアの動作を制御するものであり、上述した処理は、全てそのプログラムによって指定されているものである。」（００８９ないし００９１段落）と、図１１に示された簡単なブロック図、及び当該ブロック図に含まれる「要素分割部」、「係数行列演算部」、「有限要素演算部」という３つの部分についての概略的な説明が記載されているにすぎず、各部分が、どのような値が入力されるものであり、入力された値に基づいてどのような値を出力するものであるのかについて具体的に記載されていないことに加え、各部分をどのようなハードウエア及びソフトウエア構成で実現するのかについても記載されいない。
　また、「強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計するシステム」であるからには、当然、「強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイス」を設計する手段を有していなければならないが、上に述べた００８９ないし００９１段落も含め、発明の詳細な説明には、モデリングに関しての説明が記載されているにすぎず、強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計する手段は記載されていない。
　したがって、実質的にみて、発明の詳細な説明には、「強化された磁気抵抗を示す半導体薄膜デバイスを設計するシステム」が記載されていないから、請求項７に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、かつ、発明の詳細な説明は、経済産業省令の定めるところにより、当業者が請求項７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　よって、請求項７は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、かつ、発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
５．むすび
　以上述べたとおり、本願は、特許法第３６条第４項、及び第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。