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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月6日(2019.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効キーコード（２１３０）を受信するように適合されたネットワークインターフェース（２１２４）と、
テレストリアル媒体に沿って移動する誘導表面波から電気エネルギを得るように構成されており、前記誘導表面波にはユーザキーコード（２１４０）が埋め込まれている誘導表面波受信構造体（Ｒ）と、
前記有効キーコード（２１３０）に対して前記ユーザキーコード（２１４０）を有効にするように適合されており、かつ前記ユーザキーコード（２１４０）が無効にされたことに応答して前記誘導表面波から電気的負荷（３１５）への前記電気エネルギの送出を無効にするように適合された処理回路（２５０３）と、
前記誘導表面波受信構造体（Ｒ）に結合されており、前記誘導表面波を生成する誘導表面導波プローブ（Ｐ）に結合された励起源（２１２）において負荷として経験される、前記電気的負荷（３１５）と、を備える装置。
【請求項２】
前記有効キーコード（２１３０）は、電力サービス制御デバイス（２１２０）から周期的に受信される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記有効キーコード（２１３０）を記憶するように構成された予約メモリ部（２１６７）を更に備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記有効キーコード（２１３０）は、暗号化されたネットワークチャネルを介して受信される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記有効キーコード（２１３０）は、セルラ方式通信チャネルを介して受信される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
損失性導電媒体上に誘導表面波を放射するように構成された誘導表面導波プローブ（Ｐ）と、
前記誘導表面波内に有効キーコード（２１３０）を埋め込むように構成された変調回路（２１１０）と、
前記誘導表面波を受信するように構成された誘導表面波受信装置（２１６０）にアウトオブバンド通信チャネルでユーザキーコード（２１４０）を送信するように更に構成された制御デバイス（２１２０）と、を備え、前記ユーザキーコード（２１４０）の前記有効キーコード（２１３０）との比較結果が正しいことは、前記誘導表面波から得られた電気エネルギを電気的負荷（３１５）に送出するための許可を表す、装置。
【請求項７】
前記誘導表面導波プローブ（Ｐ）は、前記損失性導電媒体上に持ち上げられた前記損失性導電媒体の複素ブルースター入射角（θｉ，Ｂ）で入射する波面を合成する、結果として生じる少なくとも１つの電界を生成するように構成された帯電端子（ＴＲ）を備える、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記帯電端子（ＴＲ）は複数の帯電端子（ＴＲ）の１つである、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記帯電端子（ＴＲ）に電気的に結合された給電ネットワーク（２０９）であって、前記誘導表面導波プローブ（Ｐ）の近傍で前記損失性導電媒体に関連付けられた複素ブルースター入射角（θｉ，Ｂ）に関連付けられたウェーブチルト角（Ψ）に一致する位相遅延（Φ）を提供する給電ネットワーク（２０９）を更に備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記帯電端子（ＴＲ）は複数の帯電端子（ＴＲ）の１つである、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記制御デバイス（２１２０）は、更新された有効キーコード（２１３０）を前記誘導表面波受信装置（２１６０）に周期的に送信する、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記更新された有効キーコード（２１３０）は、前記誘導表面導波プローブ（Ｐ）によって提供される電力サービスの現在の加入者のネットワークアドレスに送信される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記有効キーコード（２１３０）を生成するように適合されたキー生成アプリケーション（２１２６）を更に備える、請求項６〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記アウトオブバンド通信チャネルは、ネットワーク暗号化チャネルを備える、請求項６〜１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記アウトオブバンド通信チャネルは、セルラ方式通信チャネルを含む、請求項６〜１３のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月29日(2019.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環境構造体、特に建物に対し一定の相互関係で配設されるように構成されている少なくとも１つのリニア固定子と、移動する要素に連結し共働して前記固定子に沿って動くように構成されている少なくとも１つの駆動機とを有し、
該モータは前記少なくとも１つの固定子を支持する固定子梁を有し、該固定子梁はピッチ分の間隔をあけて前記固定子の強磁性極を担持する少なくとも１つの側面を含み、前記駆動機は前記固定子梁の前記側面に対向する少なくとも１つの対向面を含み、該対向面には前記駆動機の電磁要素が配設されて前記固定子梁の強磁性極と共働する電気リニアモータであって、
前記駆動機は前記固定子梁を囲繞するＣ字形材またはＵ字形材を有し、
前記駆動機は矩形に構成され前記固定子梁の４つの側面に対向する４つの対向面を含み、好ましくは対向面のそれぞれは前記駆動機の電磁要素を有し、前記Ｃ字形材の開口部は前記固定子梁の（前記）締結要素に適合するように構成されていることを特徴とする電気リニアモータ。
【請求項２】
請求項１に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子および前記駆動機は、前記固定子梁に沿った前記移動する要素の移動の誘導手段を形成する電気リニアモータ。
【請求項３】
請求項２に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子梁の前記強磁性極および前記駆動機の前記電磁要素は前記要素の誘導および懸垂を行う磁気軸受を形成する電気リニアモータ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記駆動機は前記リニアモータの電磁駆動機の要素から独立して制御される個々の磁気軸受コイルを有し、該磁気軸受コイルを制御して前記リニアモータの空隙を調節し、前記個々の磁気軸受コイルは前記リニア固定子、好ましくは固定子鉄心と共働する電気リニアモータ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子梁は、少なくとも２つの固定子を支持する支持構造体と、該支持構造体を前記環境構造体に固定する少なくとも１つの締結要素とを有する電気リニアモータ。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、該エレベータモータは磁束切替式永久磁石モータ（FSPM）である電気リニアモータ。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子梁は、ピッチが同一である固定子極が付いている少なくとも２つの側面を含み、該２つの側面の前記固定子極の前記固定子の長さ方向における位置は、好ましくは互いに対してずれている電気リニアモータ。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子梁は多角形状断面を含み、さらに強磁性極を担持する複数の側面を含み、該側面は角部で連結される電気リニアモータ。
【請求項９】
請求項８に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子梁の断面は矩形、とりわけ正方形である電気リニアモータ。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子梁は、ピッチが同一である固定子極が付いている４つの側面を含み、向かい合う側面のピッチは一致しているが、直角に延伸している側面のピッチは前記固定子の長さ方向に好ましくは半ピッチ分ずれている電気リニアモータ。
【請求項１１】
請求項１ないし10のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記駆動機は前記要素のリュックサック懸架を行う１つの取付側部を有するように構成されている電気リニアモータ。
【請求項１２】
請求項１ないし11のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記駆動機は前記固定子梁から該固定子梁に垂直な方向に解放可能である電気リニアモータ。
【請求項１３】
請求項１ないし12のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、導体レール付きのバスバーが前記固定子梁の両端部にわたって配設され、該固定子梁によって担持される前記要素の前記駆動機は、前記導体レールに連結する、好ましくは接触ローラ付きの少なくとも１つの接触子を有する電気リニアモータ。
【請求項１４】
請求項１ないし13のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記駆動機または前記移動する要素は電源を有し、該電源は好ましくは前記駆動機の予備電源として構成されている電気リニアモータ。
【請求項１５】
請求項１ないし14のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、該モータは、垂直方向の長さが50ｍ超、好ましくは100ｍ超の高層エレベータに設置されるように構成されている電気リニアモータ。
【請求項１６】
請求項１ないし15のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、少なくとも２本の平行する固定子梁が前記環境構造体内に配設され、該固定子梁はそれぞれ少なくとも１つの駆動機を誘導し、互いに平行に配設される少なくとも２つの駆動機は前記移動する要素に共通して連結されるように構成され、該駆動機はそれぞれ前記固定子梁の一方と共働する電気リニアモータ。
【請求項１７】
請求項１ないし16のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記強磁性極は強磁性固定子ロッドの側面に設けられる歯であり、該歯は歯溝分の間隔があいている電気リニアモータ。
【請求項１８】
請求項１ないし17のいずれか１項に記載の電気リニアモータにおいて、前記固定子は永久磁石を有さず、さらに巻線も有していない電気リニアモータ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無損失相互接続ネットワークにおける効率的な仮想化をサポートするためのシステムであって、
１つ以上のマイクロプロセッサと、
１つ以上のスイッチと、
複数のホストチャネルアダプタとを含み、前記複数のホストチャネルアダプタの各々は少なくとも１つの仮想機能、少なくとも１つの仮想スイッチおよび少なくとも１つの物理機能を含み、前記複数のホストチャネルアダプタは前記１つ以上のスイッチを介して相互接続されており、前記システムはさらに、
複数のハイパーバイザを含み、前記複数のハイパーバイザの各々は、前記複数のホストチャネルアダプタのうち少なくとも１つのホストチャネルアダプタに関連付けられており、前記システムはさらに、
複数の仮想マシンを含み、前記複数の仮想マシンの各々は、少なくとも１つの仮想機能に関連付けられており、
前記複数のホストチャネルアダプタは、予めポピュレートされたローカル識別子（ＬＩＤ）アーキテクチャを備えた仮想スイッチまたは動的ＬＩＤ割当てアーキテクチャを備えた仮想スイッチのうち１つ以上と共に配置されており、
ＬＩＤスペースは、複数の物理的ＬＩＤ（ｐＬＩＤ）および複数の仮想ＬＩＤ（ｖＬＩＤ）を含み、
前記仮想スイッチの各々には、前記複数のｐＬＩＤのうち１つのｐＬＩＤが割当てられており、前記割当てられた１つのｐＬＩＤは関連付けられた物理機能のｐＬＩＤに対応しており、
前記複数の仮想マシンの各々には前記複数のｖＬＩＤのうち１つのｖＬＩＤが割当てられている、システム。
【請求項２】
無損失相互接続ネットワークにおける効率的な仮想化をサポートするための方法であって、
１つ以上のマイクロプロセッサを含む１つ以上のコンピュータにおいて、１つ以上のスイッチと、複数のホストチャネルアダプタと、複数のハイパーバイザと、複数の仮想マシンとを設けるステップを含み、
前記複数のホストチャネルアダプタの各々は少なくとも１つの仮想機能、少なくとも１つの仮想スイッチおよび少なくとも１つの物理機能を含み、前記複数のホストチャネルアダプタは前記１つ以上のスイッチを介して相互接続されており、
前記複数のハイパーバイザの各々は、前記複数のホストチャネルアダプタのうち少なくとも１つのホストチャネルアダプタに関連付けられており、
前記複数の仮想マシンの各々は、少なくとも１つの仮想機能に関連付けられており、前記方法はさらに、
予めポピュレートされたローカル識別子（ＬＩＤ）アーキテクチャを備えた仮想スイッチまたは動的ＬＩＤ割当てアーキテクチャを備えた仮想スイッチのうち１つ以上を備えた前記複数のホストチャネルアダプタを配置するステップと、
前記仮想スイッチの各々に複数の物理的ＬＩＤ（ｐＬＩＤ）のうち１つのｐＬＩＤを割当てるステップとを含み、前記割当てられたｐＬＩＤは関連付けられた物理機能のｐＬＩＤに対応しており、前記方法はさらに、
前記複数の仮想マシンの各々に複数の仮想ＬＩＤ（ｖＬＩＤ）のうち１つのｖＬＩＤを割当てるステップを含み、
ＬＩＤスペースは前記複数のｐＬＩＤおよび前記複数のｖＬＩＤを含む、方法。
【請求項３】
前記仮想スイッチの各々に割当てられた前記複数のｐＬＩＤに少なくとも基づいて１つ以上のリニアフォワーディングテーブル（ＬＦＴ）を計算するステップをさらに含み、前記複数のｐＬＩＤに少なくとも基づいている前記１つ以上のＬＦＴの各々は、前記１つ以上のスイッチのうちの一のスイッチに関連付けられている、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の仮想マシンの各々に割当てられた前記複数のｖＬＩＤに少なくとも基づいて、１つ以上の二次的ＬＦＴを計算するステップをさらに含み、前記複数のｖＬＩＤに少なくとも基づいている前記二次的ＬＦＴの各々は、前記１つ以上のスイッチのうちの一のスイッチに関連付けられている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記二次的ＬＦＴの各々は前記複数の仮想マシンにトラフィックを転送する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
仮想マシンがマイグレートされると、前記二次的ＬＦＴのうち１つ以上が更新される、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上のスイッチの各々および前記複数のホストチャネルアダプタの各々にはｐＬＩＤが割当てられる、請求項２〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
サブネットマネージャは、再構成中に前記無損失相互接続ネットワーク上で経路演算を実行し、前記経路演算は当該経路演算から各々のｖＬＩＤを除外している、請求項２〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記無損失相互接続ネットワークはインフィニバンドファブリックを含み、各々のｐＬＩＤ値は、インフィニバンドパケットのローカルルートヘッダにおける標準ＳＬＩＤフィールドおよび標準ＤＬＩＤフィールドを用いて表わされ、各々のｖＬＩＤ値は、拡張を表わす追加の２ビット以上と組合わせて、前記標準ＳＬＩＤフィールドと前記標準ＤＬＩＤフィールドとの組合せを用いて表わされる、請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つ以上のスイッチはリーフスイッチを含む、請求項２〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
無損失相互接続ネットワークにおける効率的な仮想化をサポートするための命令が格納されているコンピュータ読取り可能プログラムであって、前記命令が１つ以上のコンピュータによって読出されて実行されると、前記１つ以上のコンピュータに請求項２〜１０のいずれか１項に記載の方法を実行させる、コンピュータ読取り可能プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月2日(2019.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手方両性型コネクタと接続するように構成された両性型コネクタを備えるデバイスであって、前記コネクタは、前記コネクタと前記相手方コネクタを機械的に掛止解除させるように構成されたラッチ機構を有し、前記コネクタの前記ラッチ機構は、前記コネクタと前記相手方コネクタを掛止解除させるように作動させられると、前記コネクタの保持構造及び前記相手方コネクタの保持構造の両方を係合解除させる、デバイス。
【請求項２】
ラッチ機構を有するコネクタであって、前記ラッチ機構は、
前記コネクタの第１の側部に配置された第１の保持構造と、
前記コネクタの第２の側部に配置された第２の保持構造と、
前記コネクタの前記第２の保持構造を相手方コネクタの第１の保持構造から係合解除させるように構成された第１の係合解除構造と、
前記相手方コネクタの第２の保持構造を前記コネクタの前記第１の保持構造から係合解除させるように構成された第２の係合解除構造と、
前記第１の係合解除構造及び前記第２の係合解除構造の運動を生じさせ、前記第１の保持構造からの前記第２の保持構造の係合解除を生じさせるように構成されたアクチュエータ機構と、
を含む、コネクタ。
【請求項３】
ラッチ機構を有するコネクタであって、前記ラッチ機構は、
前記コネクタの第１の側部上に配置された保持構造と、
前記第１の側部と反対側の前記コネクタの第２の側部上に配置された相補保持構造であって、前記コネクタの前記保持構造は、相手方コネクタの相補保持構造と係合するように構成されており、前記コネクタの前記相補保持構造は、前記相手方コネクタの保持構造と係合するように構成されている、相補保持構造と、
第１の端部及び第２の端部を有する作動レバーと、
前記コネクタの前記第１の側部に沿って配置された第１のアームであって、前記第１のアームは、第１の端部及び第２の端部、並びに前記第１のアームの前記第２の端部に配置された１つ以上のカムを有する、第１のアームと、
前記第１のアームの前記第１の端部を前記作動レバーの前記第２の端部に取り付けている連結機構と、
前記コネクタの前記第２の側部に沿って配置された第２のアームであって、前記第２のアームは、第１の端部及び第２の端部、並びに前記第２のアームの前記第２の端部に配置された少なくとも１つのカムを有する、第２のアームと、
前記作動レバーの前記第２の端部に剛体的に取り付けられており、ヒンジによって前記第２のアームの前記第１の端部に取り付けられたピボットアームと、
を含み、
前記レバーの作動が、前記レバーの前記第２の端部を中心とした前記レバーの前記第１の端部の回転を生じさせ、前記レバーの前記第１の端部の前記回転が前記ピボットアームを、支点を中心として回転させ、前記支点を中心とした前記ピボットアームの回転が前記第１のアームと前記第２のアームを、それぞれ、前記コネクタの前記第１の側部及び前記第２の側部に沿って反対方向に運動させ、前記第１のアームの運動が前記第１のアームの前記第２の端部における前記カムに、前記コネクタの前記保持構造を前記相手方コネクタの前記相補保持構造から係合解除させ、前記第２のアームの運動が前記第２のアームの前記第２の端部における前記カムに、前記コネクタの前記相補保持構造を前記相手方コネクタの前記保持構造から係合解除させる、コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月6日(2019.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電性手段と、
前記第１の導電性手段の下にあり前記第１の導電性手段と実質的に垂直に整列された第２の導電性手段と、
前記第１の導電性手段と前記第２の導電性手段との間に共に位置する第３の導電性手段と、
前記第１の導電性手段と前記第３の導電性手段との間に垂直に整列された第１の細長いビアであって、該第１の細長いビアが前記第１の導電性手段を前記第３の導電性手段に導電的に結合するように構成され、該第１の細長いビアが少なくとも略２対１の長さ対高さのアスペクト比を有し、該第１の細長いビアの長さが前記第１の導電性手段および前記第３の導電性手段の曲線に実質的に従う、第１の細長いビアと、
前記第３の導電性手段と前記第２の導電性手段との間に垂直に整列された第２の細長いビアであって、該第２の細長いビアが前記第３の導電性手段を前記第２の導電性手段に導電的に結合するように構成され、該第２の細長いビアが少なくとも略２対１の長さ対高さのアスペクト比を有し、該第２の細長いビアの長さが前記第３の導電性手段および前記第２の導電性手段の曲線に実質的に従う、第２の細長いビアと、を備え、
前記第１の導電性手段と前記第２の導電性手段と前記第３の導電性手段との各々が複数の金属層から構成されている、インダクタデバイス。
【請求項２】
前記第１の導電性手段が第１の湾曲金属板を備え、
前記第２の導電性手段が、前記第１の湾曲金属板の下にあり前記第１の湾曲金属板と実質的に垂直に整列された第２の湾曲金属板を備え、
前記第３の導電性手段が、前記第１の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板との間に共に位置する第３の湾曲金属板を備える、請求項１に記載のインダクタデバイス。
【請求項３】
前記第１の細長いビアが、前記第１の湾曲金属板の内縁および外縁によって画定される垂直周囲内に完全にあり、前記第２の細長いビアが、前記第２の湾曲金属板の内縁および外縁によって画定される垂直周囲内に完全にある、請求項２に記載のインダクタデバイス。
【請求項４】
前記第１の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板と前記第３の湾曲金属板とが、八角形状であり、略同じ長さを有する、請求項２に記載のインダクタデバイス。
【請求項５】
無線周波数フロントエンドモジュール、フィルタ、および電力増幅器のうちの一つを備える請求項２に記載のインダクタデバイス。
【請求項６】
前記第１の湾曲金属板と前記第３の湾曲金属板との間であって且つ前記第３の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板との間にコアレス基板をさらに備える請求項２に記載のインダクタデバイス。
【請求項７】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定ロケーション端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、自動車車両内の自動車デバイス、無線周波数フロントエンドモジュール、フィルタ、および電力増幅器からなる群から選択されたデバイス内に組み込まれている請求項２に記載のインダクタデバイス。
【請求項８】
インダクタデバイスを形成する方法であって、
第１の湾曲金属板を形成するステップと、
前記第１の湾曲金属板の下にあり前記第１の湾曲金属板と実質的に垂直に整列された第２の湾曲金属板を形成するステップと、
前記第１の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板との間に共に位置する第３の湾曲金属板を形成するステップと、
前記第１の湾曲金属板と前記第３の湾曲金属板との間に垂直に整列された第１の細長いビアであって、該第１の細長いビアが前記第１の湾曲金属板を前記第３の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、該第１の細長いビアが少なくとも略２対１の長さ対高さのアスペクト比を有し、該第１の細長いビアの長さが前記第１の湾曲金属板および前記第３の湾曲金属板の曲線に実質的に従う、第１の細長いビアを形成するステップと、
前記第３の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板との間に垂直に整列された第２の細長いビアであって、該第２の細長いビアが前記第３の湾曲金属板を前記第２の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、該第２の細長いビアが少なくとも略２対１の長さ対高さのアスペクト比を有し、該第２の細長いビアの長さが前記第３の湾曲金属板および前記第２の湾曲金属板の曲線に実質的に従う、第２の細長いビアを形成するステップと、を備え、
前記第１の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板と前記第３の湾曲金属板との各々が複数の金属層から構成される、方法。
【請求項９】
前記第１の細長いビアが、前記第１の湾曲金属板の内縁および外縁によって画定される垂直周囲内に完全にあり、前記第２の細長いビアが、前記第２の湾曲金属板の内縁および外縁によって画定される垂直周囲内に完全にある、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板と前記第３の湾曲金属板とが八角形状である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記インダクタデバイスが、無線周波数フロントエンドモジュール、フィルタ、および電力増幅器のうちの一つを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の湾曲金属板と前記第３の湾曲金属板との間であって且つ前記第３の湾曲金属板と前記第２の湾曲金属板との間にコアレス基板を設けるステップをさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
請求項８から１２のいずれか一項に記載の方法のステップを機械に実行させるコンピュータ実行可能コードを記憶する非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月19日(2019.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体ウェブに特徴物を作製する方法において、
前記基体ウェブを、第１のスプールから、レーザを含むレーザ処理アセンブリを通って、連続して前進させる工程と、
複数の欠陥部を、前記レーザ処理アセンブリにおける前記レーザを用いて、前記基体ウェブ内に生成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記基体ウェブを、最終スプールアセンブリに向かって、連続して前進させる工程と、
前記基体ウェブを、前記最終スプールアセンブリにおける最終スプールへと巻く工程と、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基体ウェブを前記最終スプールへと巻きながら、該基体ウェブをエッチングして、複数の前記欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を該基体ウェブに形成する工程を、
更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基体ウェブを、前記最終スプールへと巻く工程の前に、該基体ウェブを、１つ以上の更なる処理アセンブリを通って前進させる工程を、
更に含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記基体ウェブを、エッチングアセンブリを通って前進させる工程と、
前記基体ウェブを、前記エッチングアセンブリにおいてエッチングして、複数の前記欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を該基体ウェブに形成する工程と、
を更に含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチングアセンブリが、複数のエッチングゾーンを含むものである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基体ウェブを、前記エッチングアセンブリを通って前進させる工程の前に、該基体ウェブを、中間スプールへと巻く工程と、
前記基体ウェブを、前記中間スプールから前記エッチングアセンブリに向かって前進させる工程と、
を更に含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記基体ウェブが、ガラス基体ウェブ、ガラスセラミック基体ウェブ、または、セラミック基体ウェブを含むものである、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記基体ウェブを、前記レーザ処理アセンブリを通って前進させる工程の後に、該基体ウェブを、形成された複数の欠陥部を有する１つ以上の更なる基体ウェブ、および、隣接した基体ウェブ間に配置された１つ以上の間紙層と共に巻き、それにより、第３の中間スプールを形成する工程を、
更に含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ガラス基体ウェブにおいて、
前記ガラス基体ウェブ内に配置された複数の貫通孔を有し、前記ガラス基体ウェブは、３００μｍ未満の厚さを有し、スプールへと巻いたものである、ガラス基体ウェブ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性又は半導電性遷移金属化合物相中に埋め込まれた誘電性遷移金属化合物相を含む層を含み、
前記誘電性遷移金属化合物相はＴｉＦ３を含み、
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相はＴｉＮを含む、デバイス。
【請求項２】
前記デバイスは、光デバイスである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記誘電性遷移金属化合物相は、直径約０．１ｎｍ〜約５００ｎｍの粒子からなる、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相は、離散する誘電性遷移金属化合物相粒子を取り囲む、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項５】
前記層は、光活性材料を含み、
前記層は前記光デバイスの表面に入射する光子の放射エネルギーを吸収し、電気回路内に電気エネルギーを生成する、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項６】
前記層は、電気回路内の電気エネルギーを利用し、光子を生成する、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項７】
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相中に埋め込まれた前記誘電性遷移金属化合物相を含む前記層は、光子透過層として作用し、及び、
前記光子透過層により、前記光子透過層の表面上に入射する光子が前記光子透過層を通って光子活性層へ達することを可能にする、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項８】
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相中に埋め込まれた前記誘電性遷移金属化合物相を含む前記層は、光子励起電荷キャリアを収集する電荷収集要素として作用する、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項９】
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相中に埋め込まれた前記誘電性遷移金属化合物相を含む前記層は、前記光デバイスの第１の部分上に入射する光量子束を、前記光デバイスの第２の部分へ伝達することを可能にする導波路要素として作用する、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項１０】
光子励起電荷キャリアを収集する電荷収集要素であって、前記電荷収集要素は、酸化錫、ドープされた酸化錫、酸化亜鉛、ドープされた酸化亜鉛、導電ポリマー、金属グリッド、カーボンナノチューブ、グラフェン、又はナノワイヤ薄膜のうちの少なくとも１つを含む電荷収集要素を更に含む、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項１１】
Ｓｉ、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、又はＩｎＧａＡｓのうちの少なくとも１つを含む光活性要素を更に含む、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項１２】
導電性又は半導電性遷移金属化合物相中に埋め込まれた誘電性遷移金属化合物相を含み、
前記誘電性遷移金属化合物相はＴｉＦ３を含み、
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相はＴｉＮを含む光活性材料。
【請求項１３】
前記光活性材料は、光子の放射エネルギーを吸収して電気回路内に電気エネルギーを生成する、請求項１２に記載の光活性材料。
【請求項１４】
前記光活性材料は光子透過性導電性材料である、請求項１２に記載の光活性材料。
【請求項１５】
前記光活性材料は導波路材料であり、
前記導波路材料は、前記導波路材料の第１の部分上に入射する光量子束の特性を前記導波路材料の第２の部分へ伝達することができる、請求項１２に記載の光活性材料。
【請求項１６】
光デバイスにおいて層を堆積する蒸着プロセスであって、前記層は、導電性又は半導電性遷移金属化合物相中に埋め込まれた誘電性遷移金属化合物相を含み、
前記誘電性遷移金属化合物相はＴｉＦ３を含み、
前記導電性又は半導電性遷移金属化合物相はＴｉＮを含む、蒸着プロセス。
【請求項１７】
前記蒸着プロセスは複数のスーパーサイクルを含み、各前記複数のスーパーサイクルは誘電性遷移金属化合物サブサイクル及び還元サブサイクルを含み、
前記誘電性遷移金属化合物サブサイクルは、基材を気相誘電性遷移金属化合物と接触させることを含み、
前記還元サブサイクルは、前記基材を還元剤及び窒素反応物質と交互に逐次接触させることを含む、請求項１６に記載の蒸着プロセス。
【請求項１８】
前記還元剤は、シラン又はボランを含む、請求項１７に記載の蒸着プロセス。
【請求項１９】
前記窒素反応物質は、アンモニア、Ｎ２Ｈ４、窒素原子、窒素含有プラズマ、及び窒素ラジカルのうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の蒸着プロセス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月24日(2019.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板に対して固定位置に形成されるガリウム窒化物層と、
前記ガリウム窒化物層上に形成されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む障壁層であって、前記ガリウム窒化物層において電子ガスを形成する、前記障壁層と、
ソースコンタクトと、
ドレインコンタクトと、
前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間のゲートコンタクトと、
前記障壁層と前記基板との間に配置される第１のｎ型領域を含む片側ＰＮ接合と、
前記ガリウム窒化物層の第１の端部と前記障壁層の第１の端部とに沿った第１の誘電体充填トレンチであって、前記ガリウム窒化物層から前記基板に向かう方向において前記片側ＰＮ接合の下まで延在する、前記第１の誘電体充填トレンチと、
前記ガリウム窒化物層の第２の端部と前記障壁層の第２の端部とに沿った第２の誘電体充填トレンチであって、前記ガリウム窒化物層から前記基板に向かう方向において前記片側ＰＮ接合の下まで延在する、前記第２の誘電体充填トレンチと、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記第１の誘電体充填トレンチと前記第２の誘電体充填トレンチとの間に形成される第１のトランジスタであって、前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトと前記ゲートコンタクトと前記電子ガスとを含む、前記第１のトランジスタを更に含む、半導体デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体デバイスであって、
前記基板に関連して前記第１のトランジスタの近接して形成される第２のトランジスタであって、前記第１の誘電体充填トレンチにより前記第１のトランジスタから隔離される、前記第２のトランジスタを更に含む、半導体デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体デバイスであって、
前記第２のトランジスタが、前記第１の誘電体充填トレンチにより前記第１のトランジスタの前記片側ＰＮ接合から隔離される第２の片側ＰＮ接合を含む、半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイスであって、
前記第２の片側ＰＮ接合が第２のｎ型領域を含み、
前記第２のトランジスタが、
第２のソースコンタクトと、
前記第２のソースコンタクトと前記第２のｎ型領域との間の導電性部材と、
を更に含む、半導体デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体デバイスであって、
ハーフブリッジ回路を形成するために前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間の電気的接続を更に含む、半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ソースコンタクトと前記ｎ型領域との間の導電性部材を更に含む、半導体デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体デバイスであって、
前記片側ＰＮ接合が、前記第１のｎ型領域より低いドーピング濃度を有するｐ型領域を更に含む、半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
隔離電圧を更に含み、
前記第１の誘電体充填トレンチと前記第２の誘電体充填トレンチとの各々が、２０Ｖミクロン幅で除算された前記隔離電圧の１〜３倍の範囲の幅を有する、半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
隔離電圧を更に含み、
前記第１の誘電体充填トレンチと前記第２の誘電体充填トレンチとの各々が、前記片側ＰＮ接合の下方に２０Ｖミクロン幅で除算された前記隔離電圧の１〜３倍の範囲の深さを有する、半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記第１のｎ型領域に近接するミスマッチ隔離層を更に含む、半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体デバイスであって、
前記ミスマッチ隔離層に近接するバッファ層であって、前記ミスマッチ隔離層に近接する第１の層と、前記ミスマッチ隔離層から離れて前記第１の層に近接する第２の層とを含む、前記バッファ層を更に含み、
前記第１の層と第２の層とがアルミニウムとガリウムとを含み、
前記第１の層が、前記第２の層よりも多いアルミニウムと少ないガリウムとを含む、半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体デバイスであって、
前記バッファ層に近接する電気的隔離層を更に含む、半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体デバイスであって、
前記電気的隔離層が半絶縁性ガリウム窒化物を含む、半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体デバイスであって、
前記障壁層が前記電気的隔離層に近接する、半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記片側ＰＮ接合がｐ型ガリウム窒化物を含む第１の層を更に含み、前記第１の層に近接する前記第１のｎ型領域がｎ型ガリウム窒化物を含む、半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記第１のｎ型領域が、前記基板の長さに沿った平面に実質的に平行な第１の部分と、前記第１の部分から前記障壁層まで延在する第２の部分とを含む、半導体デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体デバイスであって、
前記ソースコンタクトが前記第２の部分に接する、半導体デバイス。
【請求項１９】
基板に関連して半導体デバイスを形成する方法であって、
前記基板に対して固定位置に形成されるガリウム窒化物層を形成することと、
前記ガリウム窒化物層上に形成されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む障壁層であって、前記ガリウム窒化物層において電子ガスを形成する、前記障壁層を形成することと、
ソースコンタクトを形成することと、
ドレインコンタクトを形成することと、
電位を受け取るためのゲートコンタクトを形成することであって、前記電位が、前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトとの間で、前記電子ガスと、前記電子ガスに応答して前記電子ガスによって形成される導電性経路とを調節する、前記ゲートコンタクトを形成することと、
前記障壁層と前記基板との間に配置されるｎ型層を含む片側ＰＮ接合を形成することと、
前記ガリウム窒化物層の第１の端部と前記障壁層の第１の端部とに沿った第１の誘電体充填トレンチを形成することであって、前記第１の誘電体充填トレンチが前記ガリウム窒化物層から前記基板に向かう方向において前記片側ＰＮ接合の下まで延在する、前記第１の誘電体充填トレンチを形成することと、
前記ガリウム窒化物層の第２の端部と前記障壁層の第２の端部とに沿った第２の誘電体充填トレンチを形成することであって、前記第２の誘電体充填トレンチが前記ガリウム窒化物層から前記基板に向かう方向において前記片側ＰＮ接合の下まで延在する、前記第２の誘電体充填トレンチを形成することと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月8日(2019.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二官能性分子を含む眼科用組成物であって、前記二官能性分子は、
【化１】
2018536659.tif 000001
である、眼科用組成物。
【請求項２】
前記眼科用組成物が点眼剤である、請求項１に記載の眼科用組成物。
【請求項３】
前記眼科用組成物は、眼科用液剤、眼科用懸濁剤、眼科用軟膏剤、スプレー剤または眼科用ゲル剤の形態である、請求項１に記載の眼科用組成物。
【請求項４】
前記眼科用組成物は、緩衝剤、等張化剤、可溶化剤、防腐剤、増粘剤、キレート剤、抗酸化剤、抗生物質、糖およびｐＨ調節剤またはそれらの組み合わせを含む、請求項３に記載の眼科用組成物。
【請求項５】
前記眼科用組成物は眼科用デバイス内に含まれている、請求項１に記載の眼科用組成物。
【請求項６】
前記眼科用デバイスは、コンタクトレンズまたは涙点プラグの形態にある、請求項５に記載の眼科用組成物。
【請求項７】
前記眼科用組成物は、徐放性組成物である、請求項１に記載の眼科用組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の眼科用組成物であって、白内障形成、老視または眼の水晶体の加齢に関連する変性の進行を抑制または後退させる方法において使用するための眼科用組成物。
【請求項９】
前記眼科用組成物は、前記方法において、点眼、噴霧、注入、イオントフォレシスまたは超音波増強によって投与されるものである、請求項８に記載の眼科用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】白内障および老視の抑制に用いられるＰＥＧを含有する二官能性分子を含む眼科用組成物
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月13日(2019.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の癌の治療に使用される医薬の製造における式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容される塩の使用であって、
【化１】
2018536699.tif 000001
（Ｉ）式中、Ｘ１およびＸ２は、同一であっても異なっていてもよく、Ｃ１〜Ｃ７アルキル基、フェニル、ベンジルの中から選択され、またはＸ１およびＸ２は、それらが結合する窒素原子と共に、ヘテロ環、特に、ピペリジンまたはモルホリンを形成し、
前記対象の癌細胞は、
−対照値と比較してＨ２Ｏ２を過剰産生し、
−２５０００細胞に対して０．５ｎｍｏｌ未満のＧＳＨ濃度を有する、
式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容される塩の使用。
【請求項２】
前記対象は、前記対象の癌細胞における前記Ｈ２Ｏ２濃度および前記ＧＳＨ濃度を測定することによって特定される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記Ｈ２Ｏ２濃度は、蛍光強度のレベルを定量することによって決定される、請求項２に記載の使用。
【請求項４】
前記Ｈ２Ｏ２濃度は、２００００相対蛍光強度超である、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
前記対象の癌細胞はまた、式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容される塩でのｉｎ  ｖｉｔｒｏ治療後に、全タンパク質１μｇ当たり７５ｎｇを超えるＭＤＡ付加物濃度および／または全タンパク質１μｇ当たり１μｇを超えるＨＮＥ付加物濃度を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
癌を患っており、式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容される塩での治療から利益を得られる可能性が最も高い対象を選択する方法であって、
【化２】
2018536699.tif 000002
（Ｉ）式中、Ｘ１およびＸ２は、同一であっても異なっていてもよく、Ｃ１〜Ｃ７アルキル基、フェニル、ベンジルの中から選択され、またはＸ１およびＸ２は、それらが結合する窒素原子と共に、ヘテロ環、特に、ピペリジンまたはモルホリンを形成し、
前記方法は、
ａ．前記対象の癌細胞サンプルのＨ２Ｏ２濃度を測定すること、
ｂ．対照値と工程ａで得られた濃度とを比較すること、および、
前記対象の癌細胞サンプルのＧＳＨ濃度を測定すること、を含み、
−前記対照値超の前記対象の前記癌細胞サンプルのＨ２Ｏ２濃度、および
−２５０００細胞に対して０．５ｎｍｏｌ未満の前記対象の前記癌細胞サンプルのＧＳＨ濃度は、
前記対象が、前記化合物またはその薬学的に許容される塩での治療から利益を得られる可能性が高いことを示す、
方法。
【請求項７】
前記方法は、
ａ）前記対象の癌細胞サンプルのＨ２Ｏ２濃度を測定すること、
ｂ）対照値と工程ａで得られた濃度とを比較すること、
ｃ）前記対象の癌細胞サンプルのＧＳＨ濃度を測定すること、ならびに
ｄ）前記対象の癌細胞サンプル中の式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容される塩でのｉｎ  ｖｉｔｒｏ治療の後にＭＤＡ付加物および／またはＨＮＥ付加物濃度を測定すること、を含み、
−前記対照値超の前記対象の前記癌細胞サンプルのＨ２Ｏ２濃度、
−２５０００細胞当たり０．５ｎｍｏｌ未満の前記対象の前記癌細胞サンプルのＧＳＨ濃度、ならびに
−全タンパク質１μｇ当たり７５ｎｇを超えるＭＤＡ付加物濃度および／またはタンパク質１μｇ当たり１μｇを超えるＨＮＥ付加物濃度は、
前記対象が、前記化合物またはその薬学的に許容される塩での治療から利益を得られる可能性が高いことを示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
２００００相対蛍光強度超のＨ２Ｏ２濃度は、前記対象が、式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容される塩での治療から利益を得られる可能性が高いことを示す、
請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＧＳＨ濃度が、発光によって決定される、請求項２〜５のいずれか１項に記載の使用、または請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＭＤＡ付加物濃度および／またはＨＮＥ付加物濃度は、免疫モニタリングによって決定される、請求項５に記載の使用、または請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記癌は、膀胱癌、脳腫瘍、乳癌、メラノーマ、多発性骨髄腫、白血病、リンパ腫、前立腺癌、子宮頸癌、胃癌、肝臓癌、舌癌、卵巣癌、膵臓癌、腎癌、胸膜平滑筋腫、骨肉腫、筋腫瘍、肺癌、腎臓癌、頭頸部癌、大腸癌、血液癌、中枢神経系の癌、および肉腫から選択される、請求項１〜５、９および１０のいずれか１項に記載の使用、または請求項６〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記式（Ｉ）の化合物において、Ｘ１およびＸ２は、同一であっても異なっていてもよく、メチル、フェニル、ベンジルの中から選択され、Ｘ１またはＸ２の少なくとも１つがメチルであり、またはＸ１およびＸ２は、それらに結合する窒素原子と共にピペリジンもしくはモルホリンを形成する、請求項１〜５および９〜１１のいずれか１項に記載の使用、または請求項６〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
式（Ｉ）の化合物が、
・Ｓ−メチル４−メチル−４−（ピペリジン−１−イル）ペント−２−インチオエート（ｙｎｅｔｈｉｏａｔｅ）、
・Ｓ−メチル４−［ベンジル（メチル）アミノ］−４−メチルペント−２−インチオエート、
・Ｓ−メチル４−メチル−４−［メチル（フェニル）アミノ］ペント−２−インチオエート、
・Ｓ−メチル４−メチル−４−（モルホリン−４−イル）ペント２−インチオエート、および、
・Ｓ−メチル４−（ジメチルアミノ）−４−メチルペント−２−インチオエート、
から選択される化合物である、請求項１〜５および９〜１２のいずれか１項に記載の使用、または請求項６〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記式（Ｉ）の化合物は、Ｓ−メチル４−（ジメチルアミノ）−４−メチルペント−２−インチオエートまたはその薬学的に許容される塩である、請求項１〜５および９〜１３のいずれか１項に記載の使用、または請求項６〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記薬学的に許容される塩は、４−（ジメチルアミノ）−４−メチル−２−ペンチンチオ酸Ｓ−メチルエステルフマレートである、請求項１４に記載の使用、または請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SLFN11を発現する対象における小細胞肺がんを治療するために用いられる、有効量のPARP阻害剤を含む医薬組成物。
【請求項２】
SLFN11、SIL1、SLC25A3、MAF、AP3B1、C1orf50、BCL2、DDX6、又はGULP1の1以上を発現する対象における小細胞肺がんを治療するために用いられる、有効量のPARP阻害剤を含む医薬組成物。
【請求項３】
前記PARP阻害剤が、タラゾパリブ、オラパリブ、ルカパリブ、ベリパリブ、CEP9722、MK4827、又はBGB-290、あるいは医薬として許容し得るそれらの塩である、請求項1又は2に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記PARP阻害剤がタラゾパリブ又は医薬として許容し得るその塩である、請求項3に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記PARP阻害剤がタラゾパリブのトシレート塩である、請求項4に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記PARP阻害剤を、1日当たり約0.5〜約2mg、又は約1mg／日、又は約0.10〜0.75mg／kg／日、又は約0.25〜0.30mg／kg／日の投与量で、経口的に1日1回投与するための、請求項1〜5のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記対象が、SIL1、SLC25A3、MAF、AP3B1、C1orf50、BCL2、DDX6、又はGULP1の1以上を発現する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記対象が、SLFN11、SIL1、SLC25A3、MAF、AP3B1、C1orf50、BCL2、DDX6、又はGULP1の1以上の増大した発現レベルを有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
1以上の化学療法剤、手術、及び／又は放射線照射との組合わせで投与するために用いられる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記1以上の化学療法剤が、DNA損傷剤、テモゾロミド、トポイソメラーゼ1阻害剤、イリノテカン、トポテカン、トポイソメラーゼ2阻害剤、エトポシド、エンザルタミド、ATR阻害剤、EGFR阻害剤、プラチナ薬、シスプラチン、カルボプラチン、又はエトポシドである、請求項9に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記対象が、プラチナ薬、又はシスプラチン、又はカルボプラチンを用いて、あるいはこれらとエトポシドとの組合わせを用いて、以前治療されたことがある、請求項1〜10のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記対象が、低減したレベルのATMを発現する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
PARP阻害剤化学療法について小細胞肺がん対象を選択する方法であって、該対象の小細胞肺がん腫瘍サンプル中のSLFN11、SIL1、SLC25A3、MAF、AP3B1、C1orf50、BCL2、DDX6、及びGULP1の1以上を検出すること、及び該対象に有効量のPARP阻害剤を投与することを含む方法。
【請求項１４】
前記検出されたバイオマーカーのひとつがSLFN11である、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記検出工程が、免疫組織学的アッセイ、免疫組織化学染色(IHC)アッセイ、インサイチュLC／MSアッセイ、プロモーターメチル化アッセイ、細胞学的アッセイ、mRNA発現アッセイ、RT-PCRアッセイ、ノーザンブロットアッセイ、タンパク質発現免疫吸着アッセイ(ELISA)、酵素結合免疫スポットアッセイ(ELISPOT)、ラテラルフローテストアッセイ、酵素免疫アッセイ、蛍光偏光免疫アッセイ、化学発光免疫アッセイ(CLIA)、又は蛍光標識細胞分取アッセイ(FACS)による検出を含む、請求項13又は14に記載の方法。
【請求項１６】
前記検出工程が、増大したレベルのSLFN11、SIL1、SLC25A3、MAF、AP3B1、C1orf50、BCL2、DDX6、又はGULP1の1以上を検出することを含む、請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１７】
前記検出工程が、ATMを検出すること、又はATMの低減したレベルの発現を検出することをさらに含む、請求項16記載の方法。
【請求項１８】
前記対象が、TP53及び／又はRB1突然変異を発現する、請求項1〜12のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記対象におけるSLFN11についてのRMAスコアが、4以上、又は5以上、又は6以上、又は7以上、又は8以上である、請求項1〜12及び18のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記対象が、40以下、又は35以下、又は30以下、又は25以下、又は20以下のMyriad HRDスコアを有する、請求項1〜12、18及び19のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホメオタンパク質またはそのペプチド誘導体を含む、神経変性障害の処置および／または予防に使用される医薬組成物。
【請求項２】
前記ホメオタンパク質が、Ｅｎｇｒａｉｌｅｄタンパク質、Ｇｂｘ２およびＬｈｘ９からなる群から選択される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記神経変性疾患が、パーキンソン病、アルツハイマー病、筋萎縮性側索硬化症、ハンチントン病、筋萎縮性側索硬化症、および眼または耳に影響を及ぼす変性疾患からなる群から選択される、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記神経変性障害がパーキンソン病である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記ホメオタンパク質がＥｎｇｒａｉｌｅｄタンパク質である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記Ｅｎｇｒａｉｌｅｄタンパク質が、ＳＮｐｃ領域中に直接投与される、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記ホメオタンパク質またはそのペプチド誘導体が、一度で投与される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記ホメオタンパク質が、Ｅｎｇｒａｉｌｅｄタンパク質であり、前記ＤＮＡ損傷関連疾患または前記ＤＮＡ損傷関連障害が、筋萎縮性側索硬化症である、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記ホメオタンパク質が、Ｇｂｘ２タンパク質であり、前記ＤＮＡ損傷関連疾患または前記ＤＮＡ損傷関連障害が、ハンチントン病である、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記ホメオタンパク質が、Ｌｈｘ９タンパク質であり、前記ＤＮＡ損傷関連疾患または前記ＤＮＡ損傷関連障害が、ハンチントン病である、請求項１または２に記載の医薬組成物。