【事件の表示】
　特願２００１−３１４６６２「ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法、ＩＩＩ族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　９日出願公開、特開２００２−２２２７７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月１２日（優先権主張平成１２年１１月２１日）の出願であって、平成１６年７月８日付けの拒絶理由の通知に対して、同年９月７日付けで手続補正がされたが、平成１７年１２月１９日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１８年２月９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年３月９日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年３月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年３月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前に、
　
「【請求項１】III族窒化物膜を製造する方法であって、平坦部の割合が５０％以下の凹凸状の表面を有し、ＡｌＮからなる下地膜上に、前記III族窒化物膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
【請求項２】前記下地膜の前記表面における前記平坦部の割合が１０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項３】前記下地膜の前記表面における前記平坦部を除いた部分が、｛１０１｝ファセットを有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項４】前記下地膜を、サファイア単結晶基板又はＳｉＣ単結晶基板上に形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項５】前記サファイア単結晶基板の主面には表面窒化処理が施されることにより表面窒化層が形成され、前記下地膜は、前記サファイア単結晶基板上に前記表面窒化層を介して形成されていることを特徴とする、請求項４に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項６】前記下地膜を、平均粗さ（Ｒａ）が１０Å以下であり、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下であって、少なくともＡｌを５０原子％以上含む第２のIII族窒化物からなる表面層を有する基板上に形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項７】III族窒化物膜を製造するための下地膜であって、平坦部の割合が５０％以下の凹凸状の表面を有し、ＡｌＮからなることを特徴とする、III族窒化物膜の製造用下地膜。
【請求項８】前記下地膜の前記表面における前記平坦部の割合が１０％以下であることを特徴とする、請求項７に記載のIII族窒化物膜の製造用下地膜。
【請求項９】前記下地膜の前記表面における前記平坦部を除いた部分が、｛１０１｝ファセットを有することを特徴とする、請求項７又は８に記載のIII族窒化物膜の製造用下地膜。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】III族窒化物膜を製造する方法であって、平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面を有し、エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜上に、前記III族窒化物膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
【請求項２】前記下地膜の前記表面における前記平坦部の割合が１０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項３】前記下地膜を、サファイア単結晶基板又はＳｉＣ単結晶基板上に形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項４】前記サファイア単結晶基板の主面には表面窒化処理が施されることにより表面窒化層が形成され、前記下地膜は、前記サファイア単結晶基板上に前記表面窒化層を介して形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項５】前記下地膜を、平均粗さ（Ｒａ）が１０Å以下であり、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下であって、少なくともＡｌを５０原子％以上含む第２のIII族窒化物からなる表面層を有する基板上に形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項６】III族窒化物膜を製造するための下地膜であって、平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面を有し、ＡｌＮからなることを特徴とする、III族窒化物膜の製造用下地膜。
【請求項７】前記下地膜の前記表面における前記平坦部の割合が１０％以下であることを特徴とする、請求項６に記載のIII族窒化物膜の製造用下地膜。」
　
と補正しようとするものである。
　
　そして、補正後の請求項４については、これに対応する補正前の請求項５がその直前の請求項４のみを引用していたのを、補正後の請求項１〜３のいずれか一を引用するように補正し（以下、「本件補正事項１」という。）、また、補正後の請求項１については、これに対応する補正前の請求項１における「平坦部の割合が５０％以下の凹凸状の表面」を「平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面」に補正するとともに、同じく補正前の請求項１における「ＡｌＮからなる下地膜」を「エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜」と限定するように補正したもの（以下、「本件補正事項２」という。）である。
　
２．本件補正の適否
　以下、上記本件補正事項１、２を含む本件補正の適否について検討する。
　
（１）本件補正事項１について
　本件補正後の請求項４には、「前記サファイア単結晶基板の主面には表面窒化処理が施されることにより表面窒化層が形成され・・・」と記載されている一方で、同請求項４には、「請求項１〜３のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法」とも記載されているが、補正後の請求項１、２には、「サファイア単結晶基板」との記載はなく、補正後の請求項４の内の請求項１又は請求項２を引用する部分についてみれば、「前記サファイア単結晶基板」が何を指示するのかが不明確であるといわざるを得ない。
　してみると、本件補正事項１は、補正後の特許請求の範囲の記載を明りょうでないものに補正するものであり、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（２）本件補正事項２について
ア　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正事項２は、上述のとおり、補正前の請求項１における「平坦部の割合が５０％以下の凹凸状の表面」を「平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面」に補正するとともに、同じく補正前の請求項１における「ＡｌＮからなる下地膜」を「エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜」と限定するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）について以下に検討する。
　本願補正発明１は、「第２〔理由〕１．」に補正後の請求項１として記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
イ　引用例及びその摘記事項
（ア）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その優先権主張の日の後に出願公開された特願平１１−３７６４２２号（特開２００１−１６８０４５号公報参照）（以下、「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、図１〜図３と共に、以下の事項が記載されている。
　
〔先ａ〕「本発明は、ＩＩＩ族元素とＶ族元素としての窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法に関する。」（【０００１】）
　
〔先ｂ〕「本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、品質を向上させることができ、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法を提供することにある。」（【００１０】）
　
〔先ｃ〕「本発明の一実施の形態に係る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層の製造方法は、ＩＩＩ族元素としてガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種を含み、Ｖ族元素として少なくとも窒素（Ｎ）を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層を製造する方法である。このような窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、ＧａＮ，ＩｎＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ混晶，ＧａＩｎＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶がある。・・・
　図１および図２は、本実施の形態に係る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層の製造方法の一製造工程を表すものである。図１（Ｂ）および図２（Ｂ）は、それぞれ図１（Ａ）および図２（Ａ）の一部を表している。・・・
　本実施の形態では、まず、図１に示したように、例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３），炭化ケイ素（ＳｉＣ）あるいはスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）よりなる成長用基体１０を用意し、この成長用基体１０を例えば有機溶剤により洗浄する。・・・
　次いで、・・・この成長用基体１０上（サファイアよりなる場合は、例えばｃ面上）に、例えばハイドライドＶＰＥ法を用いて、上述した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を所望の厚さ（例えば、２００μｍ）に達するまで成長させ、第１の成長層２１を形成する（第１の成長工程）。このとき、成長面（ここでは、成長用基体１０の表面）に対して垂直な方向の成長速度が、例えば１０μｍ／ｈよりも大きくなるように成長させる。成長速度は、他に支障を及ぼさない範囲内においてできり限り大きくすることが好ましい。なお、第１の成長層２１の結晶性を良好なものとするには、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１００μｍ／ｈ以下となるように成長させることが好ましい。ここで、ハイドライドＶＰＥ法とは、ハロゲン水素化物を原料ガスとして用いた気相成長法のことを指す。・・・
　この第１の成長層２１の形成は、より具体的には、例えば以下のようにしてＧａＮを成長させることにより行う。すなわち、図示しない加熱手段（例えば、サセプタ）により成長用基体１０を１０００℃程度まで加熱し、窒素の原料としてアンモニアガス（ＮＨ３）を１リットル／分の流量で供給すると共に、ガリウムの原料として、８５０℃程度に加熱されたガリウム単体（金属ガリウム）上に塩化水素ガス（ＨＣｌ）を０．０３リットル／分（３０ｃｃｍ）の流量で流すことにより得られる塩化ガリウムガス（ＧａＣｌ）を供給する。なお、キャリアガスには窒素ガス（Ｎ２）を用い、その流量を１リットル／分とする。ここでは、塩化水素ガスの供給量を調節することにより、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の成長速度を制御することができる。このようにして例えば数時間成長を行うと、ＧａＮよりなる厚さ２００μｍ程度の第１の成長層２１が形成される。・・・
　図３は、上述した条件によりＧａＮを成長させて第１の成長層２１を形成したのち、その表面を電子顕微鏡により観察した結果を示す写真である。図３からも分かるように、第１の成長層２１の表面は、例えば山形に突起しており、粗くなっている。また、この第１の成長層２１には、図１（Ｂ）において細線で示したように、積層方向に延びる転位Ｄが高濃度（例えば、１０９〜１０１０個／ｃｍ２程度）に存在している。・・・
　なお、ここでは、ＧａＮを具体例に挙げて説明したが、他の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を成長させる場合には、アルミニウムの原料としては例えばアルムニウム単体を用い、・・・また、インジウムの原料としては、例えばインジウム単体を用いる。・・・
　第１の成長層２１を形成したのち、図２に示したように、第１の成長層２１の上に、例えば第１の成長層２１を構成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物と同一の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を、第１の成長層２１を形成した際の成長速度よりも小さい成長速度で成長させて、第２の成長層２２を形成する（第２の成長工程）。この第２の成長層２２を形成する際の成長速度は、成長面に対して垂直な方向の成長速度が、例えば１０μｍ／ｈ以下となるように成長させる。なお、良好な結晶性を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を成長させるには、成長面に対して垂直な方向の成長速度を５μｍ／ｈ程度とすることが好ましい。・・・
　第２の成長層２２は、例えば、ハイドライドＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法のいずれかの方法により、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を成長させて形成する。」（【００１５】〜【００２３】）
　
〔先ｄ〕「すなわち、大きな成長速度で成長した第１の成長層２１，３１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２，３２を成長させることにより、第１の成長層２１，３１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２，３２の表面を平坦にすることができる。更に、第１の成長層２１，３１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１，３１から引き継がれた転位Ｄが横方向に屈曲し、第２の成長層２２，３２の表面まで伝搬される転位Ｄの密度が大きく低減する。従って、得られた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０（窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板３０）は、その上に、結晶性に優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる良質なものとなる。」（【００４１】）
　
〔先ｅ〕「上記実施の形態では、第１の成長層２１，３１および第２の成長層２２，３２として、同一の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物をそれぞれ成長させるようにしたが、異なる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物をそれぞれ成長させるようにしてもよい。」（【００４３】）
　
（イ）上記先願明細書の摘記事項〔先ａ〕〜〔先ｅ〕及び図１〜図３を総合勘案すると、上記先願明細書には、次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「サファイアなどよりなる成長用基板１０上に、ハイドライドＶＰＥ法を用いて窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を２００μｍの厚さに達するまで成長させ、表面が山形に突起しており、粗くなっている第１の成長層２１を形成したのち、該第１の成長層２１の上に窒化物ＩＩＩ−Ｖ族化合物を、第１の成長層２１を形成した際の成長速度よりも小さい成長速度で成長させて、第２の成長層２２を形成する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層の製造方法において、該窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物をＡｌＮとした、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層の製造方法。」
　
ウ　対比・判断
　そこで、本願補正発明１と先願発明とを対比する。
　先願発明の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物」、「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層」及び「第２の成長層２２」は、本願補正発明１の「ＩＩＩ族窒化物」乃至「ＩＩＩ族窒化物膜」に相当する。
　そして、先願発明の「サファイアなどよりなる成長用基板１０上に、ハイドライドＶＰＥ法を用いて窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を２００μｍの厚さに達するまで成長させ、表面が山形に突起しており、粗くなっている第１の成長層２１」であって、上記「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物」がＡｌＮであるものについては、上記「ハイドライドＶＰＥ法」が気相エピタキシャル成長法の一種であること、「表面が山形に突起しており、粗くなっている」点は、「凹凸状の表面を有し」ている点に相当すること、及びその上に形成される「第２の成長層２２」の下地膜となっていることから、本願補正発明１の「凹凸状の表面を有し、エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜」に対応するものといえるし、さらに、その凹凸状の表面が、「平坦部の割合が５０％以下で存在する」か否かの点においても、以下に述べるとおり、本願補正発明１の「エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜」と相違するものではない。
　
　本件明細書には、「平坦部」について、「『平坦部』とは、平均粗さＲａが１０Å以下の場合をいうものである。」（【００２０】参照）と記載されていることに鑑みれば、本願補正発明１の「平坦部の割合が５０％以下で存在する」とは、「平均粗さＲａが１０Å以下の部分の割合が５０％以下で存在する」ことを意味すると解すべきである。
　一方、先願発明における下地膜の表面については、「山形に突起しており、粗くなっている」と記載されており、図３の図面代用写真から明らかなように、数μｍ程度の凹凸が全面に形成されている。よって、上記下地膜の表面全体に１０Åを超える程度の凹凸乃至荒れが実際に形成されているものといえる。そして、そのような凹凸乃至荒れが表面全体に形成されているものであれば、その表面全体での「平均粗さＲａ」が１０Åを超えるものとなることは明らかであり、上記表面に「平均粗さＲａが１０Å以下の部分」、即ち、「平坦部」は存在しないといえる。このことは、「平坦部の割合が０％」であることに他ならず、したがって、本願補正発明１の「下地膜」と、先願発明の「下地膜」とは、その表面において「平坦部の割合が５０％以下で存在する」点で実質的に相違するものではない。
　
　そうすると、本願補正発明１と先願発明とは、次の点で一致する。
　
「ＩＩＩ族窒化物膜を製造する方法であって、平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面を有し、エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜に、前記ＩＩＩ族窒化物膜を製造する、ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法。」
　
　よって、本願補正発明１は、先願発明と同一であり、しかも、本願補正発明１の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人は上記先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
エ　請求人の主張について
　審判請求人は、審判請求書の請求の理由において、上記先願明細書に関し、「成長用基体１０上に均一なＧａＮ成長層２２を形成することが開示されているのみであって、本願発明で規定しているような特に平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面を有するＡｌＮ層については何ら開示していません。」、「段落［００１５］の記載にはＡｌＮを用いることが出来る旨例示されており、同じIII族窒化物材料であるという観点から、ＧａＮ材料で実現されている結果からＡｌＮ材料においても当然に同様の結果が得られるとの考え方もあります。しかし、このような考え方は、当業者においては到底認められるものではありません。」と主張している。
　しかしながら、以下の参考例に記載されるように、ＳｉＣやサファイアからなる基板の上に、ハイドライドＶＰＥ法により２００μｍ程度の厚さのＡｌＮをエピタキシャル成長させた場合、その表面粗さは、「平均粗さＲａが１０Å」を大きく超えるものとなる蓋然性が極めて高いと考えられることから、先願明細書の記載から、下地膜の材料がＡｌＮである場合についても、ＧａＮの場合と同様、その表面が山形に突起しており、粗くなっていると認定することはできるというべきである。
　したがって、上記請求人の主張は採用しない。
　
参考例：Kovalenkov O. et al., Thick AlN layers grown by HVPE, Journal of Crystal Growth (2005), Vol.281, pp.87-92
　
〔参ａ〕「AlN layers were grown by HPVE.・・・The substrate temperature was varied from 900 to 1200℃.」（第８８頁左欄第５〜１０行）
　
〔参ｂ〕「As-grown surface of AlN layer deposited on SiC and sapphire substrates is shown in Fig.2. Pyramids with lateral size ranging from 0.1 to 50 μm and height of about 0.1μm are clearly seen. Fig.3 shows AFM 10μm ×10μm scan for a 30μm thick AlN layer. Surface roughness, rms ranged from 20 to 70 nm for different samples. The size of the pyramids and surface roughness increased with the layer thickness.」（第８９頁右欄第５〜１３行）
　
３．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正事項１は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするもののいずれにも該当しないので、本件補正事項１を含む本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　また、本願補正発明１は、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、これに係る本件補正事項２を含む本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件も満たさないものでもあり、同様に、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年３月９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１６年９月７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２〔理由〕１．」で補正前の請求項１として記載された事項により特定されるとおりのものである。　
　
２．引用例及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、先願明細書及びその記載事項は、上記「第２〔理由〕２．（２）イ」に記載したとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明は、上記「第２〔理由〕２．（２）」で検討した本願補正発明１の「平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面」を「平坦部の割合が５０％以下の凹凸状の表面」とし、さらに上記本願補正発明１の「エピタキシャル成長されたＡｌＮからなる下地膜」から、「エピタキシャル成長された」との限定を解除したものに相当する。
　上記「平坦部の割合が５０％以下の凹凸状の表面」と、上記「平坦部の割合が５０％以下で存在する凹凸状の表面」とは実質的に異なるものではないから、本願発明の構成要件を実質的に全て含み、さらに他の要件を付加したものに相当する本願補正発明１が、上記「第２〔理由〕２．（２）ウ」に記載したとおり先願発明と同一であるとすれば、本願発明も、同様の理由により、先願発明と同一であるといえる。
　そして、本願発明の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人は上記先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９の２の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。