【事件の表示】
　特願２００１−３４８２７３「薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを用いた画像入力装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　２日出願公開、特開２００２−２１７２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１１月１４日の出願（国内優先権主張日　平成１２年１１月２０日）であって、平成１６年１２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年１月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年３月７日付けで審尋がなされ、その後同年５月１５日に回答書が提出されたものである。
　　
２．平成１７年１月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１月２０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、補正前の請求項２、請求項５、請求項８、請求項１０、請求項１２、請求項１３、請求項１６及び請求項１７を削除するとともに、補正前の請求項１、請求項３、請求項４、請求項６、請求項７、請求項９、請求項１１、請求項１４及び請求項１５を補正後の請求項１ないし請求項９と補正するものであり、補正後の請求項１、請求項２、請求項４、請求項６及び請求項７に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　ガラス基板（１）と、
　エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記絶縁基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）と、
　該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）と
を具備する薄膜トランジスタ。
【請求項２】　ガラス基板（１）上に厚さ約６０〜８０ｎｍのアモルファスシリコン層（３）を形成する工程と、
　前記アモルファスシリコン層に第１の方向に沿ってエネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビームを照射し、該レーザラインビームに照射された前記アモルファスシリコン層の部分を前記レーザラインビームの照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記絶縁基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さを有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）に変換する工程と、
　前記ポリシリコン層をポリシリコンアイランド（３’）にパターン化する工程と、
　前記ポリシリコンアイランド内に薄膜トランジスタのソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）を前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って形成する工程と　
　を具備する薄膜トランジスタの製造方法。」
「【請求項４】　ガラス基板（１）上に厚さ約６０〜８０ｎｍのアモルファスシリコン層（３）を形成する工程と、
　前記アモルファスシリコン層に第１の方向に沿ってエネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２の複数のレーザラインビームを照射し、該レーザビームに照射された前記アモルファスシリコン層の部分を
　前記各レーザラインビームの照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該各レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記各レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して形成された前記各レーザラインビームの幅の約1/2の長さを有する２つの結晶領域よりなる複数のポリシリコン層（3’,3’）に変換する工程と、
　前記各ポリシリコン層を複数のポリシリコンアイランド(3’,3’)にパターン化する工程と、
　前記複数のポリシリコン層の１つに属するポリシリコンアイランド内にPチャネル型薄膜トランジスタのソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン（D）を前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って形成すると共に、前記複数のポリシリコン層の他の１つに属するポリシリコンアイランド内にNチャネル型薄膜トランジスタのソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）を前記第２の方向に沿って形成する工程と
　を具備し、前記Pチャネル薄膜トランジスタ及び前記Nチャネル薄膜トランジスタによりCMOSインバータを製造するCMOSインバータの製造方法。」
「【請求項６】　ガラス基板（１）上に厚さ約６０〜８０ｎｍのアモルファスシリコン層（３）を形成する工程と、
　前記アモルファスシリコン層に第１の方向に沿ってエネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２の複数のレーザラインビームを照射し、前記各レーザラインビームの照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該各レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記各レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して形成された前記各レーザラインビームの幅の約1/2の長さを有する２つの結晶領域よりなる複数のポリシリコン層(3’,3’)に変換する工程と、
　前記各ポリシリコン層の２つの結晶領域毎にポリシリコンアイランド（３’）にパターン化する工程と、
　前記複数のポリシリコン層の１つに属する前記ポリシリコンアイランドの２つの領域の一方にPチャネル型薄膜トランジスタのソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）を前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って形成すると共に、前記複数のポリシリコン層の他の１つに属する前記ポリシリコンアイランドの２つの領域の一方にNチャネル型薄膜トランジスタのソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）を前記第２の方向に沿って配置して形成する工程と
　を具備し、前Pチャネル薄膜トランジスタ及び前記Nチャネル薄膜トランジスタによりCMOSインバータを製造するCMOSインバータの製造方法。
【請求項７】　ガラス基板（１）と、
　エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記絶縁基板に形成された前記レーザビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層(3’)をパターン化して形成された複数のポリシリコンアイランド(3’)と、
　薄膜トランジスタ(Q1, Q2, Q3)及び該薄膜トランジスタ上に形成されたフォトダイオード（PD）を含む複数の画素と
　を具備し、前記各薄膜トランジスタが前記複数のポリシリコンアイランドの１つに形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）を有し、前記各薄膜トランジスタのソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）が前記方向に平行に形成された画像入力装置。」
　
（２）補正事項の整理
　［補正事項１］
　補正前の請求項１についての補正は、補正前の請求項１の「絶縁基板」を、補正後の請求項１の「ガラス基板」と補正し（補正事項１−１）、補正前の請求項１の「レーザラインビーム照射」を、補正後の請求項１の「エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」と補正し（補正事項１−２）、補正前の請求項１の「ポリシリコン層(3’)」を、補正後の請求項１の「厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層(3’)」と補正（補正事項１−３）するものである。
　［補正事項２］
　補正前の請求項３についての補正は、補正前の請求項３を補正後の請求項２に項番を繰り上げるとともに、補正前の請求項３の「絶縁基板」を、補正後の請求項２の「ガラス基板」と補正し（補正事項２−１）、補正前の請求項３の「アモルファスシリコン層(３)」を、補正後の請求項２の「厚さ約６０〜８０ｎｍのアモルファスシリコン層(３)」と補正し（補正事項２−２）、補正前の請求項３の「レーザラインビーム照射」を、補正後の請求項２の「エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」と補正（補正事項２−３）するものである。
　［補正事項３］             
　補正前の請求項６についての補正は、補正前の請求項６を補正後の請求項４に項番を繰り上げるとともに、補正前の請求項６の「絶縁基板」を、補正後の請求項４の「ガラス基板」と補正し（補正事項３−１）、補正前の請求項６の「アモルファスシリコン層(３)」を、補正後の請求項４の「厚さ約６０〜８０ｎｍのアモルファスシリコン層(３)」と補正し（補正事項３−２）、補正前の請求項６の「レーザラインビーム照射」を、補正後の請求項４の「エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」と補正（補正事項３−３）するものである。
　［補正事項４］
　補正前の請求項９についての補正は、補正前の請求項９を補正後の請求項６に項番を繰り上げるとともに、補正前の請求項９の「絶縁基板」を、補正後の請求項６の「ガラス基板」と補正し（補正事項４−１）、補正前の請求項９の「アモルファスシリコン層(３)」を、補正後の請求項６の「厚さ約６０〜８０ｎｍのアモルファスシリコン層(３)」と補正し（補正事項４−２）、補正前の請求項９の「レーザラインビーム照射」を、補正後の請求項６の「エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」と補正（補正事項４−３）するものである。
　［補正事項５］
　補正前の請求項１１についての補正は、補正前の請求項１１を補正後の請求項７に項番を繰り上げるとともに、補正前の請求項１１の「絶縁基板」を、補正後の請求項７の「ガラス基板」と補正し（補正事項５−１）、補正前の請求項１１の「レーザラインビーム照射」を、補正後の請求項７の「エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」と補正し（補正事項５−２）、補正前の請求項１１の「ポリシリコン層(3’)」を、補正後の請求項７の「厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層(3’)」と補正（補正事項５−３）するものである。
  ［補正事項６］
　補正前の請求項２，請求項５、請求項８、請求項１０、請求項１２、請求項１３、請求項１６及び請求項１７を削除し、補正前の請求項４、請求項７、請求項１４及び請求項１５を、補正後の請求項３，請求項５、請求項８及び請求項９と補正するものである。　
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
　［補正事項１について］
　補正前の請求項１についての補正は、補正前の請求項１の「絶縁基板」を、補正後請求項１の「ガラス基板」と補正し、補正前の請求項１の「レーザラインビーム照射」を、補正後請求項１の「エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」と補正し、補正前の請求項１の「ポリシリコン層(3’)」を、補正後請求項１の「厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層(3’)」と補正するものであって、補正前の請求項１の「絶縁基板」の材質、「レーザラインビーム照射」のエネルギー密度、「ポリシリコン層(3’)」の厚さを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、補正前の請求項１についての補正は、「基板カバー層２上に、約６０〜８０nm厚さのアモルファスシリコン層３を、温度約５００℃でジシランガスを用いたLPCVD法により形成する。」（００２７段落）及び「レーザラインビームのエネルギーはたとえば４００〜９００mJ/cm2と比較的高く」（００２８段落）等の記載に基づいて、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項２について］ないし［補正事項５について］
　補正前の請求項３、請求項６、請求項９及び請求項１１についての補正は、［補正事項１について］において検討したと同様な理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、補正前の請求項３、請求項６、請求項９及び請求項１１についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　さらに、請求項の項番を繰り上げる補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　［補正事項６について］
　補正事項６についての補正は、請求項の削除又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。　 
　
　したがって、本件補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に掲げる目的に該当し、また、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　以下において、更に、本件補正が、独立特許要件を満たすか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件に適合するか否か）について検討する。
　
（３−２）独立特許要件について［その１］
　本件補正後の請求項に係る発明の独立特許要件について検討する。
（３−２−１）補正後の請求項１に係る発明について［特許法第３６条第６項について］
　本件補正後の請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
　「【請求項１】　ガラス基板（１）と、
　エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記絶縁基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）と、
　該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）と
を具備する薄膜トランジスタ。」
　ここで、補正後の請求項１には、「前記絶縁基板」とあるが、「絶縁基板」は「前記」されておらず、「前記絶縁基板」より前に記載されているのは、「ガラス基板」であり、「前記絶縁基板」がどのような構成を意味するか明確でないから、補正後の請求項１に係る発明は不明確であり、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　また、補正後の請求項２に係る発明及び請求項７に係る発明も、補正後の請求項１に係る発明と同様の理由により、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。　
　
（３−３）独立特許要件について［その２］
（３−３−１）補正後の請求項１に係る発明について［特許法第２９条第２項について］
　本件補正後の請求項１に係る発明は、本件補正により、補正前の請求項１の「絶縁基板」が「ガラス基板」と補正されている経緯を参酌して、補正後の請求項１に記載される「前記絶縁基板」が「前記ガラス基板」の
誤記であると認定し
　「【請求項１】　ガラス基板（１）と、
　エネルギー４００〜９００ｍＪ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）と、
　該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）と
を具備する薄膜トランジスタ。」
　
（３−３−２）刊行物に記載された発明
（ａ）刊行物１：特開平８−２８８５１５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の国内優先権主張日前に日本国内で頒布されたものである特開平８−２８８５１５号公報（以下「刊行物１」という。）には、図１ないし図３とともに、以下の事項が記載されている。
「【従来の技術】上述のアクティブマトリクス型液晶ディスプレイの画素スイッチング素子やドライバー素子、あるいはＳＲＡＭのメモリセル内の負荷素子等としては、多結晶シリコン膜からなるチャネル領域を有するＴＦＴ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴ）が用いられている。しかし、高性能なＴＦＴを実現する上で、多結晶シリコン膜には以下の２つの問題がある。
【０００３】第１の問題は、次のとおりである。多結晶シリコン膜の結晶粒界に存在する欠陥によって生じるポテンシャルバリアが電流障壁として働き、高移動度なＴＦＴを実現する妨げとなる。これを防ぐためには電流経路に対して垂直な方向の結晶粒界の数を低減させなければならない。つまり、多結晶シリコン膜を形成する時に結晶粒界の位置を制御する必要があることである。
【０００４】第２の問題は、ＴＦＴ特性のバラツキを低減するためには、結晶粒界の位置を制御すると共に、個々の結晶粒においてＴＦＴの電流経路方向の配向性を揃えることが必要であることである。」（０００２段落ないし０００４段落）
「【発明が解決しようとする課題】上述のように、高性能なＴＦＴを実現するためには、結晶粒界の位置を制御すると共に個々の結晶粒の配向性を揃えて、ＴＦＴの電流経路に結晶粒界が殆ど存在しない多結晶シリコン膜を得る必要がある。しかし、上述の第１〜第５の方法では、以下のような問題がある。」（００２９段落）
「【作用】段差が形成された絶縁性基板上に第１の非晶質シリコン膜を形成し、これを熱処理により固相結晶化させると、段差を起点として段差側面に対して垂直な方向に配向性の揃った第１の多結晶シリコン膜が得られる。この第１の多結晶シリコン膜は、基板上に多結晶シリコン膜を堆積した場合（約０．０５μｍ）に比べて大粒径（約３μｍ）にすることができる。
【００４０】この第１の多結晶シリコン膜を、配向性の揃った領域（段差部およびその周辺領域、もしくは側壁部）を残してパターニングする。その上に第２の非晶質シリコン膜を形成して熱処理すると、第１の多結晶シリコン膜の側面をシードとして第２の非晶質シリコン膜が横方向にエピタキシャル成長する。よって、大粒径の多結晶シリコン膜を、配向性と結晶粒界の位置とを制御して得ることができる。
【００４１】段差の側面に対して垂直な方向が電流経路となるように、第２の多結晶シリコン膜からチャネル領域を形成すると、電流経路とエピタキシャル成長方向（横方向）とが一致するので、電流経路の方向に結晶粒界が殆ど無く、個々の結晶粒の配向性の揃ったチャネル領域とすることができる。」（００３９段落ないし００４１段落）
「（実施例１）図１（ｉ）に、本実施例で得られるＴＦＴの断面図を示す。・・・
【００４５】多結晶シリコン膜９は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、段差２の側面に対して垂直な方向に配向性が揃った状態で結晶成長されている。チャネル領域１２ｉは、段差の側面２に対して垂直な方向が電流経路となるように形成されているので、電流経路の方向には結晶粒界が殆ど無い。
【００４６】これらのＴＦＴは、以下のようにして作製することができる。
【００４７】まず、図１（ａ）に示すように、ガラスや石英等からなる絶縁性基板１をエッチングすることにより段差２を形成する。この段差２の深さは、後述する第１の非晶質シリコン膜３の膜厚および第２の非晶質シリコン膜８の膜厚と同程度であるのが望ましい。このように段差２と第１の非晶質シリコン膜３の膜厚および第２の非晶質シリコン膜８の膜厚とがほぼ同じであると、段差部における横方向の結晶配向性を最も揃えることができる。これは、段差の側面を起点として第１の非晶質シリコン膜３の多結晶化が起こり、第１の多結晶シリコン膜４のパターニングされた側面をシードとして第２の非晶質シリコン膜８の多結晶化が起こるからである。また、段差２の深さは５０〜５００ｎｍ程度であるのが望ましい。これは、膜厚が５００ｎｍを超える多結晶シリコン膜をＴＦＴのチャネル領域１２ｉとして用いるとリーク電流が増加し、膜厚が５０ｎｍ未満であると非晶質シリコン膜を多結晶化する時にグレインがあまり大きく成長しないからである。この実施例では、段差２の深さを１００ｎｍに形成した。
【００４８】次に、図１（ｂ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法により段差２の深さと同程度の膜厚の第１の非晶質シリコン膜３を堆積する。非晶質シリコン膜を堆積する時、Ｓｉ2Ｈ6ガスを原料ガスとすると、ＳｉＨ4ガスを原料ガスとした場合に比べて固相結晶化グレインが大きく成長でき、本発明の製造方法によれば〜３μｍ以上のグレイン成長が期待できる。堆積温度は４００〜５５０℃が望ましい。温度が低すぎると反応が起こらず、高すぎると多結晶化が起こって非晶質シリコン膜が得られない。この実施例では、原料ガスとしてＳｉ2Ｈ6ガスを用い、温度５００℃、圧力２５Ｐａで厚み１００ｎｍの非晶質シリコン膜を堆積した。
【００４９】この第１の非晶質シリコン膜３をＮ2雰囲気下、固相結晶化法によりアニールして、第１の多結晶シリコン膜４とする。このＮ2アニールは６００〜７００℃で行うのが望ましい。結晶化温度が低すぎると結晶化が起こらず、高すぎると結晶化速度は速くなるがグレインサイズがあまり大きくならない。結晶化時間は６ｈ（ｈ：時間）以上であればよいが、十分に結晶化するためには１８〜２４ｈが望ましい。この実施例では、６００℃で２４ｈのアニールを行った。多結晶化の際のアニール法としては、エキシマレーザー、Ａｒイオンレーザー等を用いたレーザーアニールやハロゲンランプの加熱による短時間アニール等を用いてもよい。このアニールにより、段差部とその周辺領域では、段差を起点として段差の側面に対して垂直な方向に配向性の揃った第１の多結晶シリコン膜４が成長する。
【００５０】続いて、図１（ｃ）に示すように、第１の多結晶シリコン膜４上に絶縁膜５を堆積し、図１（ｄ）に示すように、第１の多結晶シリコン膜４と絶縁膜５とを、段差部とその周辺を残してパターニングする。ここで、第１の多結晶シリコン膜４は、段差から３μｍ程度、配向性が揃った状態で成長するので、シードとして残す段差部とその周辺は、段差の片側で２〜４程度、両側で４〜８程度残すのが望ましい。この実施例では、片側で２μｍ、両側で４μｍ残してパターニングを行った。・・・この実施例では、厚み４０ｎｍ程度以上のＳｉＯ2からなる絶縁膜５をＣＶＤ法により堆積した。
【００５１】その後、図１（ｅ）に示すように、第２の非晶質シリコン膜８を堆積する。堆積条件は第１の非晶質シリコン膜３と同様の範囲が望ましい。この実施例では、第１の非晶質シリコン膜３と同じ条件で厚み１００ｎｍの非晶質シリコン膜を堆積した。
【００５２】次に、図１（ｆ）に示すように、段差２を含む領域の第２の非晶質シリコン膜８をエッチングする。続いて、この第２の非晶質シリコン膜８を、第１の多結晶シリコン膜４の露出した側面をシードとしてＮ2雰囲気下、固相結晶化法によりアニールして、第２の多結晶シリコン膜９とする。上述のように第２の非晶質シリコン膜８をエッチングするのは以下の通りである。エッチングしない場合は、絶縁膜５の上の第２の非晶質シリコン膜８は、シードの影響を受けず、配向の揃わない第２の多結晶シリコン膜９が成長すると思われ、その成長過程で他の部分にあまり良い影響を与えない。一方、エッチングした場合は、絶縁膜５の上の第２の非晶質シリコン膜８の結晶化が、下地の第１の多結晶シリコン膜４の影響を受けることなく、段差２の側面からのエピタキシャル成長のみが起こり、横方向の配向性が良好となるからである。このアニール条件は第１の非晶質シリコン膜３と同様の範囲が望ましい。この実施例では、６００℃で２４ｈのアニールを行った。多結晶化の際のアニール法としては、エキシマレーザー、Ａｒイオンレーザー等を用いたレーザーアニールやハロゲンランプの加熱による短時間アニール等を用いてもよい。このアニールにより、第２の非晶質シリコン膜８は、第１の多結晶シリコン膜４の露出した側面（シード）と同じ配向性を持って横方向にエピタキシャル成長する。つまり、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、電流経路の方向（段差２の側面に対して垂直な方向）に結晶粒界が存在しない大粒径（〜１０μｍ以上）の第２の多結晶シリコン膜９が得られる。
・・・
【００５６】（実施例２）図３（ｊ）に、本実施例で得られるＴＦＴの断面図を示す。これらのＴＦＴは、段差１７が形成された絶縁性基板１６の凹部に、チャネル領域２６ｉとリンがドープされたソース領域２６Ｎとドレイン領域２６Ｎとを有する第２の多結晶シリコン膜２２、およびチャネル領域２７ｉとボロンがドープされたソース領域２７Ｐとドレイン領域２７Ｐとを有する第２の多結晶シリコン膜２２が形成され、その上にゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４の上には、チャネル領域２６ｉ、２７ｉと対向するようにゲート電極２５が形成され、その上を覆って層間絶縁膜２８が形成されている。さらにその上にソース電極２９およびドレイン電極２９が形成され、ゲート絶縁膜２５および層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール部３０においてソース領域２６Ｎ、２７Ｐおよびドレイン領域２６Ｎ、２７Ｐと電気的に接続されている。
【００５７】多結晶シリコン膜２２は、図３（ｆ）および図３（ｇ）に示すように、段差１７の側面に対して垂直な方向に配向性が揃った状態で結晶成長されている。チャネル領域２６ｉおよび２７ｉは、段差１７の側面に対して垂直な方向が電流経路となるように形成されているので、電流経路の方向には結晶粒界が殆ど無い。
【００５８】これらのＴＦＴは、以下のようにして作製することができる。
【００５９】まず、図３（ａ）に示すように、石英等からなる絶縁性基板１６をエッチングすることにより上面から見たサイズが３０μｍ×１００μｍの凹部を形成して１００ｎｍの段差１７を設ける。この段差１７の深さは、実施例１と同様に後述する第１の非晶質シリコン膜１８および第２の非晶質シリコン膜２１の膜厚と同程度であるのが望ましく、具体的には５０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが望ましい。
【００６０】次に、図３（ｂ）に示すように、Ｓｉ2Ｈ6ガスを原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法により温度５００℃、圧力２５Ｐａで厚み５０ｎｍの第１の非晶質シリコン膜１８を堆積し、Ｎ2雰囲気下、固相結晶化法により６００℃で２４ｈアニールして、第１の多結晶シリコン膜を形成する。この時の堆積条件およびアニール条件は実施例１と同様の範囲であるのが望ましい。また、多結晶化の際のアニール法としては、エキシマレーザー、Ａｒイオンレーザー等を用いたレーザーアニールやハロゲンランプの加熱による短時間アニール等を用いてもよい。
【００６１】続いて、図３（ｃ）に示すように、第１の多結晶シリコン膜を段差の側壁部のみを残してエッチングし、サイドウォール２０を形成する。このエッチングには異方性のドライエッチング法を用いる。このサイドウォール２０の多結晶シリコンの結晶配向性は、段差１７の側面に対して垂直な方向、つまり絶縁性基板１６に対して平行に〈１１１〉の配向性を有する。サイドウォール２０の段差１７の側面からの厚みは、段差の１／２以下であるのが好ましい。・・・
【００６２】その後、図３（ｄ）に示すように、Ｓｉ2Ｈ6ガスを原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法により温度５００℃、圧力２５Ｐａで厚み１００ｎｍの第２の非晶質シリコン膜２１を堆積し、図３（ｅ）に示すように、サイドウォール２０をシードとしてＮ2雰囲気下、固相結晶化法により６００℃で２４ｈアニールして、第２の多結晶シリコン膜２２とする。この時の堆積条件およびアニール条件は第１の非晶質シリコン膜１８と同様の範囲が望ましい。多結晶化の際のアニール法としては、エキシマレーザー、Ａｒイオンレーザー等を用いたレーザーアニールやハロゲンランプの加熱による短時間アニール等を用いてもよい。このアニールにより、第２の非晶質シリコン膜２１は、サイドウォール２０と同じ配向性を持って、つまり絶縁性基板１６に対して平行に〈１１１〉の配向性を有して成長する。この時、図３（ｆ）および図３（ｇ）に示すように、凹部のそれぞれの段差１７から成長してきた結晶同士が段差の中間でぶつかって結晶粒界２３が形成されるので、この結晶粒界２３を含まないように、ＴＦＴのチャネル領域を形成するパターニングを行うのが望ましい。図３（ｇ）は図３（ｆ）におけるａ−ａ'線の断面図である。
【００６３】続いて、図３（ｈ）に示すように、第２の多結晶シリコン膜２２を島状にパターニングする。その後は、実施例１と同様にして図３（ｉ）に示すようなＴＦＴを作製する。」（００４４段落ないし００６３段落）
　　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「ガラス基板１６と、
　レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により形成された、多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２であって、前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長した前記多結晶シリコン膜２２を島状にパターニングした部分と、
　前記島状にパターニングした部分内に前記方向と平行に配列して形成されたソース領域（２６Ｎ、２７Ｐ）、チャネル領域（２６ｉ、２７ｉ）及びドレイン領域（２６Ｎ、２７Ｐ）とを備えたＴＦＴ。」
　
（ｂ）刊行物２：特表２０００−５０５２４１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の国内優先権主張日前に日本国内で頒布されたものである特表２０００−５０５２４１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１、図２、図７ないし図９とともに、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
１．支持された半導体材料の膜の横方向に延在する部分として多結晶領域を形成するに当たり、
　半導体材料中に熱を誘導するパルス状の放射を用いて、後側に位置する放射透過性の基板と、基板上の第１の半導体膜と、第１の半導体膜上の耐熱性の膜と、耐熱性の膜上の第２の半導体膜とを具える構造体の前側及び後側から同時に露光し、前記横方向に延在する部分を含む半導体膜の横方向に延在する領域の全ての半導体材料を溶融し、
　同時露光の後、前記領域の境界から横方向に凝固させることにより、多結晶の微細構造体を前記領域に形成する多結晶領域の形成方法。
２．請求項１に記載の方法において、前記領域が平行な縁部により範囲が規定されている方法。
３．請求項２に記載の方法において、前記平行な縁部が、同時に生ずる横方向からの凝固により前記領域の全体が結晶化する距離だけ離間している方法。
４．請求項１に記載の方法において、前記半導体材料がシリコンで構成される方法。
５．請求項１に記載の方法において、前記耐熱層がほぼＳｉＯ２で構成されている方法。
６．請求項１に記載の本発明において、前記基板をガラス基板とした方法。」
「１４．請求項１に記載の方法において、前記放射がレーザ放射により構成される方法。」
「
技術分野
　本発明は、半導体集積化デバイス用の半導体材料の処理方法に関するものである。
　
発明の背景
　半導体デバイスは例えば・・・ガラスの基板上のシリコンの層又は膜に形成することができる。この技術は・・・アクティブマトリックス液晶表示装置・・・のデバイスの製造に用いられる。後者の場合、適切に透明な基板上の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の規則的なアレイにおいて、各トランジスタは画素コントローラとして作用する。」（第７頁第４ないし１２行）
「
発明の概要
　デバイス特性及びデバイスの不均一性を改善するため、基板上の半導体膜に横方向に凝固させる技術を適用する。この人為的に制御されるスーパラテラル成長・・・と称せられる技術は、例えばレーザビームパルスのような適当な放射パルスにより膜の一部を露光し、膜をその全厚さにわたって局部的に溶融することを含む。溶融した半導体材料が凝固すると、膜の予め定めた完全に溶融しなかった部分から結晶構造が成長する。」（第７頁第２５行ないし第８頁第３行）
「
第１実施例
　図１の投影露光装置は、エキシマレーザ１１、ミラー１２、ビームスプリッタ１３、可変焦点視野レンズ１４、パターン化された投影マスク１５、２個の素子の結像レンズ１６、サンプルステージ１７、可変減衰器１８、及び収束レンズ１９を含んでいる。この投影装置を用いることにより、ステージ１７上のサンプル１０の前側面及び後側面に同時に放射パルスを供給することができる。
　この技術の第１実施例の場合、図２に示すように、透明基板２０、第１のアモルファスシリコン膜２１、ＳｉＯ２膜２２、及び第２のアモルファスシリコン膜２３を含む「二重層」（ＤＬ）サンプル構造体を用意した。アモルファスシリコン膜の膜厚は１００ｎｍとし、ＳｉＯ２膜の膜厚は５００ｎｍとした。例えば窒化シリコン又は高温ガラスのような別の耐熱性材料を膜２２に用いることができる。」（第９頁第１９行ないし第１０頁第１行）
「サンプルは図１の投影露光装置のステージ１７上に配置する。マスク１５は、１０〜１００μｍの種々の分離距離で５０μｍ幅の簡単な細条のパターンを有する。
　マスクパターンは３〜６の範囲の種々の縮小倍率でサンプルに投影する。・・・サンプルは３０８ｎｍの波長の３０ｎ秒ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて室温で照射され・・・る。・・・ガラス基板の場合、例えば３４８ｎｍのようなより長い波長が必要である。
　ビーム照射は固定された前側エネルギー密度及び種々の後側エネルギー密度で行う。評価した前側エネルギー密度はサンプル面で約１．０Ｊ／ｃｍ２である。後側エネルギー密度は１７０〜６８０Ｊ／ｃｍ２である。
　・・・これらの粒子は細条状領域の２個の側から横方向に成長し、細条の中心線上に良好に規定された粒子境界で２本の粒子列を形成している。」（第１０頁第１４行ないし第１１頁第１行）
「
第３実施例
　図７の投影露光装置は、エキシマレーザ７１、ミラー７２、可変焦点視野レンズ７４、パターン化された投影マスク７５、２素子結像レンズ７６、サンプルステージ７７、及び可変減衰器７８を含んでいる。サンプル７０はサンプルステージ７７上に配置する。この装置を用いて鮮明なビームを発生させることにより、順次横方向凝集（ＳＬＳ）プロセスで単一結晶のシリコン領域を段階成長させることができる。或いは、近接マスク又は接触マスクを用いてビーム、成形することができる。
　図８のサンプル構造体は、基板８０、熱酸化膜８１、及びアモルファスシリコン膜８２を有する。
　以下の説明において、図９Ａ〜９Ｆ・・・を参照して第３実施例の技術を説明する。
　本例において矩形にパターン化されているアモルファスシリコン膜８２からスタートし（図９Ａ）、２本の破線により境界されているシリコン膜８２の領域９１をパルスで露光し、この領域のシリコンを完全に溶融させ（図９Ｂ）、次に領域９１の溶融シリコンを再凝固させる（図９Ｃ）。ここで、領域９１は細条状とし、この領域９１の露光はマスクされた露光により又は近接マスクを用いて行うことができる。領域９１の溶融シリコンの再凝固に際し、２個の粒子列が領域９１の破線の境界部から領域９１の中央に向けて爆発的に成長する。２本の粒子列の成長は、最終の距離９２に至る特有の横方向の成長である。領域９１の残りの部分において、微細に粒子化した多結晶領域９３が形成される。好ましくは、この細条の幅は、再凝固に際し２本の粒子列が集束することなく互いに近づくように選択する。・・・シリコン膜上に酸化キャップ層を形成し、凝集を遅くすると共にシリコン膜の表面の歪みを低減して表面を円滑にすることができる。」（第１４頁第２３行ないし第１５頁第２４行）　
　
（３−３−３）対比・判断
　補正発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「レーザーの照射」、「前記多結晶シリコン膜２２を島状にパターニングした部分」、「前記島状にパターニングした部分内に前記方向と平行に配列して形成されたソース領域（２６Ｎ、２７Ｐ）、チャネル領域（２６ｉ、２７ｉ）及びドレイン領域（２６Ｎ、２７Ｐ）」及び「ＴＦＴ」は、それぞれ、補正発明の「レーザ」「ビーム照射」、「ポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）」、「該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）」、及び「薄膜トランジスタ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明において、「非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により」「多結晶シリコン膜２２」を形成する工程において、「非晶質シリコン膜２１」をシリコンの溶融点に近い温度にして「多結晶シリコン膜２２」が形成されることは明らかであり、また、刊行物発明において、「非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により」、「多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２」が形成されることは、「多結晶シリコン膜２２」が「一対のサイドウォール２０」を種結晶として成長していることも明らかであり、さらに、刊行物発明において、「多結晶シリコン膜２２」が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい」、「前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長」しているから、「多結晶シリコン膜２２」の結晶粒が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」言い換えると「一方向」に向かって成長することも明らかであり、さらに、刊行物発明の「多結晶シリコン膜２２」は、図３を参照すると、結晶粒界２３に区分された２つの領域からなり、「２つの領域」が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」には、結晶粒界２３以外には結晶粒界を持たないことも明らかであるから、刊行物発明の「多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２であって、前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長した前記多結晶シリコン膜２２」は、補正発明の「シリコン種結晶を起点として」「結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された」「幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる」「ポリシリコン層（３’）」に相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「ガラス基板（１）と、
　レーザビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度においてシリコン種結晶を起点として結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）と、
　該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）と
を具備する薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　［相違点１］
　補正発明は、「エネルギー４００〜９００ｍJ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」を行うのに対して、
　刊行物発明は、「レーザーの照射」を行うが、レーザーがラインビームであるか否か及びレーザーのエネルギー強度が明らかでない点。
　［相違点２］
　補正発明は、「レーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる」「ポリシリコン層（３’）」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により形成された、多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２であって、前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長した前記多結晶シリコン膜２２」を備える点。
　［相違点３］
　補正発明は、「厚さ約６０〜８０ｎｍのポリシリコン層（３’）」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「多結晶シリコン膜２２」を備えるものの、膜の厚さが明らかでない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
（ａ）刊行物１は、「レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により」「多結晶シリコン膜２２」を形成するものであるが、その際の「レーザーの照射」のエネルギー強度は記載されていない。
（ｂ）本願発明は、エネルギー４００〜９００ｍJ/ｃｍ２の「レーザラインビーム照射により」アモルファスシリコン膜から「ポリシリコン層（３’）」を形成するものであって、言い換えると、「レーザラインビーム」の照射により、アモルファスシリコン膜を溶融し、再結晶化して、形成された「ポリシリコン層（３’）」を備えている。
（ｃ）刊行物２には、膜厚１００ｎｍの「アモルファスシリコン膜」をエネルギー密度が１７０〜６８０Ｊ／ｃｍ２であるＸｅＣｌエキシマレーザを照射し、多結晶領域（シリコン）を形成することが記載されている（第１０頁第２３ないし２５行）。
（ｄ）アモルファスシリコン膜を結晶性シリコン膜とするために、レーザ光を照射すること及びレーザ光の形状を長方形とすること、言い換えると、レーザラインビームとすることは、従来周知の技術である。
（ｅ）したがって、上記（ａ）ないし（ｄ）を勘案すると、刊行物発明において、長方形状のレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射して結晶性シリコン膜を形成する従来周知の技術、さらに、アモルファスシリコン膜に照射して結晶性シリコン膜とするために必要なレーザ光のエネルギー強度は、アモルファスシリコン膜の材質・膜厚、アモルファスシリコン膜の形成された基板の放熱性等を考慮して、レーザ光照射後の結晶性シリコン膜の結晶粒が一方向に成長する程度にレーザ光のエネルギー強度を設定すること、及び、レーザ光として、レーザラインビームを用いることにより、補正発明の如く「エネルギー４００〜９００ｍJ/ｃｍ２のレーザラインビーム照射」とすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
  ［相違点２について］
（ａ）刊行物２には、「本例において矩形にパターン化されているアモルファスシリコン膜８２からスタートし（図９Ａ）、２本の破線により境界されているシリコン膜８２の領域９１をパルスで露光し、この領域のシリコンを完全に溶融させ（図９Ｂ）、次に領域９１の溶融シリコンを再凝固させる（図９Ｃ）。ここで、領域９１は細条状とし、この領域９１の露光はマスクされた露光により又は近接マスクを用いて行うことができる。領域９１の溶融シリコンの再凝固に際し、２個の粒子列が領域９１の破線の境界部から領域９１の中央に向けて爆発的に成長する。２本の粒子列の成長は、最終の距離９２に至る特有の横方向の成長である。領域９１の残りの部分において、微細に粒子化した多結晶領域９３が形成される。好ましくは、この細条の幅は、再凝固に際し２本の粒子列が集束することなく互いに近づくように選択する。」（第１５頁第８ないし１８行）、即ち、「矩形パターン化されているアモルファスシリコン膜８２」に「パルスで露光」し、露光した領域の端部である「領域９１の破線の境界部」から「領域９１の中央に向けて」２本の粒子列を「集束することなく互いに近づくように」成長させて、再凝固した（再結晶化した）シリコン膜を形成することが記載されている。
　また、「領域９１の溶融シリコンの再凝固に際し、２個の粒子列が領域９１の破線の境界部から領域９１の中央に向けて爆発的に成長する。」のであるから、再凝固のためのシリコン結晶の元となる微少な種結晶は、露光領域９１の境界部でランダムに発生することは明らかである。
（ｂ）刊行物２に記載されるアモルファスリコン膜の再結晶（再凝固）において、再結晶化したシリコン膜の「粒子列」は、「領域９１の破線の境界部」から「領域９１の中央に向けて」２本の粒子列を「集束することなく互いに近づくように」成長させるから、再結晶化した２本の粒子列は、露光した領域９１のほぼ半分の長さであると言える。
（ｃ）刊行物発明においても、レーザ照射により非晶質シリコン膜２１から形成された多結晶シリコン膜２２は、「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長」しており、また、刊行物発明の「多結晶シリコン膜２２」は、図３を参照すると、結晶粒界２３に区分された２つの領域からなり、「２つの領域」が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」には、結晶粒界２３以外には結晶粒界を持たないことも明らかであるから、「多結晶シリコン膜２２」の結晶粒は、「多結晶シリコン膜２２」の「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」の長さのほぼ半分の長さと言える。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）より、刊行物発明の「レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化」する方「法」に代えて、刊行物２に記載される、パルス露光によるアモルファスリコン膜の再結晶（再凝固）の方法を用いることにより、補正発明の如く、「レーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなる」「ポリシリコン層（３’）」を備えるものとすることは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　　
　［相違点３について］
（ａ）刊行物１には、「段差２の深さは５０〜５００ｎｍ程度であるのが望ましい。これは、膜厚が５００ｎｍを超える多結晶シリコン膜をＴＦＴのチャネル領域１２ｉとして用いるとリーク電流が増加し、膜厚が５０ｎｍ未満であると非晶質シリコン膜を多結晶化する時にグレインがあまり大きく成長しないからである。この実施例では、段差２の深さを１００ｎｍに形成した。」（００４７段落）、「図１（ｂ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法により段差２の深さと同程度の膜厚の第１の非晶質シリコン膜３を堆積する。」（００４８段落）及び、「この段差１７の深さは、実施例１と同様に後述する第１の非晶質シリコン膜１８および第２の非晶質シリコン膜２１の膜厚と同程度であるのが望ましく、具体的には５０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが望ましい。」（００５９段落）と記載されている。
（ｂ）刊行物１には、非晶質シリコン膜２１の厚さは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が望ましいことが記載され、また、非晶質シリコン膜２１の厚さは、結晶化後の多結晶化シリコン膜から形成されるＴＦＴの求められる特性を考慮して決められるものである。
（ｃ）ＴＦＴトランジスタの多結晶シリコン膜の膜厚として、「６０〜８０ｎｍ」は通常用いられる厚さである。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）から、刊行物発明において、結晶化後の多結晶シリコン膜２２の厚さを「約６０〜８０ｎｍ」とすることは、当業者が適宜設定し得たものである。
　
　よって、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　　
（４）むすび
　したがって、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　               
３．本願発明
　平成１７年１月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成１５年６月１９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ない１７に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
　「【請求項１】　絶縁基板（１）と、
　レーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記絶縁基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）と、
　該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）と
を具備する薄膜トランジスタ。」
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１の特開平８−２８８５１５号公報及び刊行物２の特表２０００−５０５２４１号公報に記載された事項は、「２．（３−３−２）刊行物に記載された発明」に記載されるとおりである。
 　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「ガラス基板１６と、
　レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により形成された、多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２であって、前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長した前記多結晶シリコン膜２２を島状にパターニングした部分と、
　前記島状にパターニングした部分内に前記方向と平行に配列して形成されたソース領域（２６Ｎ、２７Ｐ）、チャネル領域（２６ｉ、２７ｉ）及びドレイン領域（２６Ｎ、２７Ｐ）とを備えたＴＦＴ。」
　
５．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ガラス基板１６」、「レーザーの照射」、「前記多結晶シリコン膜２２を島状にパターニングした部分」、「前記島状にパターニングした部分内に前記方向と平行に配列して形成されたソース領域（２６Ｎ、２７Ｐ）、チャネル領域（２６ｉ、２７ｉ）及びドレイン領域（２６Ｎ、２７Ｐ）」及び「ＴＦＴ」は、それぞれ、本願発明の「絶縁基板」、「レーザ」「ビーム照射」、「ポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）」、「該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）」、及び「薄膜トランジスタ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明において、「非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により」「多結晶シリコン膜２２」を形成する工程において、「非晶質シリコン膜２１」をシリコンの溶融点に近い温度にして「多結晶シリコン膜２２」が形成されることは明らかであり、また、刊行物発明において、「非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により」、「多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２」が形成されることは、「多結晶シリコン膜２２」が「一対のサイドウォール２０」を種結晶として成長していることも明らかであり、さらに、刊行物発明において、「多結晶シリコン膜２２」が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい」、「前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長」しているから、「多結晶シリコン膜２２」の結晶粒が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」言い換えると「一方向」に向かって成長することも明らかであり、さらに、刊行物発明の「多結晶シリコン膜２２」は、図３を参照すると、結晶粒界２３に区分された２つの領域からなり、「２つの領域」が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」には、結晶粒界２３以外には結晶粒界を持たないことも明らかであるから、刊行物発明の「多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２であって、前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長した前記多結晶シリコン膜２２」は、本願発明の「シリコン種結晶を起点として」「結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された」「幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「絶縁基板（１）と、
　レーザビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度においてシリコン種結晶を起点として結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）をパターン化して形成されたポリシリコンアイランド（３’）と、
　該ポリシリコンアイランド内に前記方向に平行に配列形成されたソース領域（S）、チャネル領域（C）及びドレイン領域（D）と
を具備する薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　［相違点１］
　本願発明は、「レーザラインビーム照射」を行うのに対して、
　刊行物発明は、「レーザーの照射」を行うが、レーザーがラインビームであるか否か明らかでない点。
　［相違点２］
　本願発明は、「レーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化法により形成された、多結晶シリコンの一対のサイドウォール２０と同じ結晶配向性を持つ多結晶シリコン膜２２であって、前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長した前記多結晶シリコン膜２２」を備える点。
　
６．当審の判断
　以下、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
　アモルファスシリコン膜を結晶性シリコン膜とするために、レーザ光を照射すること及びレーザ光の形状を長方形とすること、言い換えると、レーザラインビームとすることは、従来周知の技術である。　
　したがって、刊行物発明において、レーザ光として、レーザラインビームを用いることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
  ［相違点２について］
（ａ）刊行物２には、「本例において矩形にパターン化されているアモルファスシリコン膜８２からスタートし（図９Ａ）、２本の破線により境界されているシリコン膜８２の領域９１をパルスで露光し、この領域のシリコンを完全に溶融させ（図９Ｂ）、次に領域９１の溶融シリコンを再凝固させる（図９Ｃ）。ここで、領域９１は細条状とし、この領域９１の露光はマスクされた露光により又は近接マスクを用いて行うことができる。領域９１の溶融シリコンの再凝固に際し、２個の粒子列が領域９１の破線の境界部から領域９１の中央に向けて爆発的に成長する。２本の粒子列の成長は、最終の距離９２に至る特有の横方向の成長である。領域９１の残りの部分において、微細に粒子化した多結晶領域９３が形成される。好ましくは、この細条の幅は、再凝固に際し２本の粒子列が集束することなく互いに近づくように選択する。」（第１５頁第８ないし１８行）、即ち、「矩形パターン化されているアモルファスシリコン膜８２」に「パルスで露光」し、露光した領域の端部である「領域９１の破線の境界部」から「領域９１の中央に向けて」２本の粒子列を「集束することなく互いに近づくように」成長させて、再凝固した（再結晶化した）シリコン膜を形成することが記載されている。
　また、「領域９１の溶融シリコンの再凝固に際し、２個の粒子列が領域９１の破線の境界部から領域９１の中央に向けて爆発的に成長する。」のであるから、再凝固のためのシリコン結晶の元となる微少な種結晶は、露光領域９１の境界部でランダムに発生することは明らかである。
（ｂ）刊行物２に記載されるアモルファスリコン膜の再結晶（再凝固）において、再結晶化したシリコン膜の「粒子列」は、「領域９１の破線の境界部」から「領域９１の中央に向けて」２本の粒子列を「集束することなく互いに近づくように」成長させるから、再結晶化した２本の粒子列は、露光した領域９１のほぼ半分の長さであると言える。
（ｃ）刊行物発明においても、レーザ照射により非晶質シリコン膜２１から形成された多結晶シリコン膜２２は、「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向に向かい、前記一対のサイドウォール２０の中間まで成長」しており、また、刊行物発明の「多結晶シリコン膜２２」は、図３を参照すると、結晶粒界２３に区分された２つの領域からなり、「２つの領域」が「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」には、結晶粒界２３以外には結晶粒界を持たないことも明らかであるから、「多結晶シリコン膜２２」の結晶粒は、「多結晶シリコン膜２２」の「前記サイドウォール２０の側面に対して垂直な方向」の長さのほぼ半分の長さと言える。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）より、刊行物発明の「レーザーの照射により非晶質シリコン膜２１を固相結晶化」する方「法」に代えて、刊行物２に記載される、パルス露光によるアモルファスリコン膜の再結晶（再凝固）の方法を用いることにより、本願発明の如く、「レーザラインビーム照射によりシリコンの溶融点に近い温度の該レーザラインビームの両端においてランダムに発生したシリコン種結晶を起点として前記レーザラインビームの中央に向かって結晶粒が一方向に伸長して前記ガラス基板上に形成された前記レーザラインビームの幅の約1/2の長さの結晶粒を有する２つの結晶領域よりなるポリシリコン層（３’）」を備えるものとすることは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。　
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１７に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。