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　特願２００１−１９３４７０「ＭＯＳＦＥＴ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月２６日出願公開、特開２００２−１２４６７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年６月２６日（優先権主張　２０００年７月７日、米国）の出願であって、平成１７年７月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。 
　
２．本願発明 
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成１５年１０月１５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体基板に形成されたＭＯＳＦＥＴであって、
　半導体基板と、
　前記半導体基板上のゲート酸化膜と、
　前記ＭＯＳＦＥＴのチャネルを画定するように前記ゲート酸化膜を覆うポリシリコンのゲート電極と、
　厚さが２．５ナノメートル（ｎｍ）未満、抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上、１ボルト（Ｖ）のバイアス電圧を印加したときの漏れ電流が１Ａ／μｍ2未満である半絶縁性の拡散障壁層と、
　前記ゲート電極と電気的にコンタクトするように、前記半絶縁性の拡散障壁層に接触している、タングステン、チタン・シリサイド、コバルト、およびコバルト・シリサイドから成る群から選択された材料から成るゲート導体とを備えたゲート構造を備え、
　前記ゲート導体に電圧を印加することにより前記ゲート電極に誘起されるゲート電極電圧が、前記ゲート導体に印加した電圧の少なくとも７５％であり、
　前記拡散障壁層が、９００℃以上の温度で前記ゲート導体と前記ゲート電極との間の拡散および混合を阻止するのに効果を発揮するように、前記拡散障壁層の厚さと漏れ電流が調整されている、ＭＯＳＦＥＴ。」
　
３．刊行物記載の発明 
（１）刊行物１．　特開昭６０−１９５９７５号公報 
　原審の拒絶理由通知書で引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開昭６０−１９５９７５号公報には、第１図ないし第４図とともに以下の事項が記載されている。
「本発明は、多結晶シリコン膜と高融点金属或いはそのシリサイドからなる膜との２層構造を有する電極・配線を備えることに依って信号伝搬の遅延を解消し、しかも、前記多結晶シリコン膜と前記高融点金属或いはそのシリサイドからなる膜との界面に於ける接触抵抗が高くなることを抑止できるようにする。」（第１頁右下欄第２０行ないし第２頁左上欄第６行）
「第１図参照
（ａ）　ｐ型シリコン半導体基板１に選択的熱酸化法を適用することに依り、二酸化シリコンからなるフィールド絶縁膜２を形成する。
（ｂ）　熱酸化法を適用することに依り、活性領域表面にゲート絶縁膜３を形成する。
第２図参照
（ｃ）　化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用することに依り、厚さ約０．１［μｍ］である多結晶シリコン膜４を形成する。
・・・
（ｅ）　純化したアンモニア（ＮＨ３）ガス雰囲気中で温度７００［℃］、時間５［分］間の熱処理を行い、多結晶シリコン膜４の表面に例えば厚さが約２０［Å］程度である窒化シリコン膜５を形成する。
　この窒化シリコン膜５を形成するには、前記工程に依らず、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスとを反応させるＣＶＤ法に適用しても良いし、或いは、多結晶シリコン膜４の表面をアンモニア・プラズマ或いは光照射に依るエネルギで窒化するようにしても良い。
　また、窒化シリコン膜５の膜厚は、前記２０［Å］程度に限定されず、１０〜５０［Å］程度の範囲を採用することができ、要は電圧を印加することで、充分なトンネル電流が流れる程度に薄ければ良い。ここで、トンネル電流が流れる程度とは、半導体装置の動作中に窒化シリコン膜５に印加される電圧で電流が流れる程度を意味する。
（ｆ）　スパッタリング法或いはＣＶＤ法を適用することに依り、厚さ約０．３［μｍ］程度のモリブデン膜６を形成してから、例えば約１０００［℃］程度の温度で熱処理を行い、モリブデン膜６を緻密化することに依って抵抗値の低下を図る。
　前記熱処理に於いて、窒化シリコン膜５はバリアとして作用するので、多結晶シリコン膜４とモリブデン膜６とが反応することはなく、その結果、モリブデン膜６の低抵抗値が確保される。
　因に、窒化シリコン膜５がない場合、多結晶シリコン膜４とモリブデン膜６とが反応してシリサイド化すると抵抗値は１桁程度増加することになる。
・・・
（ｇ）　通常のリソグラフィ技術を利用することに依り、モリブデン膜６、窒化シリコン膜５、多結晶シリコン膜４のパターニングを行い、２層構造のゲート電極及び要すればその他の配線を形成する。尚、この場合、窒化シリコン膜５は層として数えていない。
第４図参照
（ｈ）　イオン注入法を適用して砒素（Ａｓ）を打ち込み、且つ、熱処理することに依り、ｎ＋型ソース領域７及びｎ＋型ドレイン領域８を形成する。
・・・
（ｋ）・・・この後、通常の技術を適用してＭＩＳ電界効果型半導体装置を完成する。」（第２頁右上欄第１０行ないし第３頁右上欄第１４行）
「高融点金属としてモリブデンを用いたが、この高融点金属としては、モリブデン・シリサイド或いは他の物質、例えば、Ｗ、・・・チタン（Ｔｉ）、・・・、コバルト（Ｃｏ）、・・・或いはこれ等のシリサイド等の中から選択することができる。
　更にまた、本発明に於いて、多結晶シリコン膜と高融点金属或いはそのシリサイドからなる膜との間に窒化シリコン膜を介在させてあることに依る半導体装置の電気的特性劣化は実用上問題にならない程軽微である。その理由は、窒化シリコン膜の厚さがＭＩＳ構造に於けるゲート絶縁膜のそれに比較して充分に薄く、大きなトンネル電流が流れ、そして、配線全域に亙って形成されているものであるから、窒化シリコン膜を誘電体と考えた容量は非常に大きな値となり、信号の伝搬には何等の実質的影響を及ぼさないからである。」（第３頁左下欄第２０行ないし右下欄第１８行）
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。 
「ｐ型シリコン半導体基板１に形成されたＭＩＳ電界効果型半導体装置であって、
ｐ型シリコン半導体基板１と、
ｐ型シリコン半導体基板１上に熱酸化法により形成されたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜を覆う多結晶シリコン膜４と、
充分なトンネル電流が流れる程度の１０〜５０［Å］程度の範囲の膜厚である窒化シリコン膜５と、
Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜とを有し、
多結晶シリコン膜４、窒化シリコン膜５及びＷ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜とからなるゲート電極を備えているＭＩＳ電界効果型半導体装置」（以下、「刊行物発明」という。） 
　
４．当審の判断 
　本願発明と刊行物発明とについて、以下で対比・検討する。 
（ａ）刊行物発明の「ＭＩＳ電界効果型半導体装置」は、ゲート絶縁膜が熱酸化法により形成されているから、実態としては、ＭＯＳ構造を有しており、さらに、「ゲート電極」、「ｎ＋型ソース領域８」、「ｎ＋型ドレイン領域９」を有していることから、「トランジスタ」であることは明らかである。したがって、刊行物発明の「ＭＩＳ電界効果型半導体装置」は、本願発明の「ＭＯＳＦＥＴ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「熱酸化法により形成されたゲート絶縁膜」は、本願発明の「ゲート酸化膜」に相当することは明らかである。
（ｃ）刊行物１には、「通常のリソグラフィ技術を利用することに依り、モリブデン膜６、窒化シリコン膜５、多結晶シリコン膜４のパターニングを行い、２層構造のゲート電極・・・を構成する。」（第３頁左上欄第１２行ないし第１６行）と記載されているから、「多結晶シリコン膜４」は、ゲート電極の一部を構成していることは明らかである。さらに、刊行物１には、第３図及び第４図とともに、「イオン注入法を適用して砒素（Ａｓ）を打ち込み、且つ、熱処理することに依り、ｎ＋型ソース領域７及びｎ＋型ドレイン領域８を形成する。」（第３頁左上欄第１９行ないし右上欄第２行）と記載されており、「ゲート電極」をマスクにイオン注入を行い、「ｎ＋型ソース領域７」及び「ｎ＋型ドレイン領域８」を形成しているから、「ゲート電極」がチャネルを画定していることは明らかである。そして、上記（ａ）、（ｂ）で検討したように、刊行物発明の「ＭＩＳ電界効果型半導体装置」、「熱酸化法により形成されたゲート絶縁膜」は、本願発明の「ＭＯＳＦＥＴ」、「ゲート酸化膜」にそれぞれ相当する。
　したがって、刊行物発明の「ゲート絶縁膜を覆う多結晶シリコン膜４」は、本願発明の「前記ＭＯＳＦＥＴのチャネルを画定するように前記ゲート酸化膜を覆うポリシリコンのゲート電極」に相当する。
（ｄ）刊行物１には、「本発明は、多結晶シリコン膜と高融点金属或いはそのシリサイドからなる膜との２層構造を有する電極・配線を備えることに依って信号伝搬の遅延を解消し、しかも、前記多結晶シリコン膜と前記高融点金属或いはそのシリサイドからなる膜との界面に於ける接触抵抗が高くなることを抑止できるようにする。」（第１頁右下欄第２０行ないし第２頁左上欄第６行）、「前記熱処理に於いて、窒化シリコン膜５はバリアとして作用するので、多結晶シリコン膜４とモリブデン膜６とが反応することはなく、その結果、モリブデン膜６の低抵抗値が確保される。　因に、窒化シリコン膜５がない場合、多結晶シリコン膜４とモリブデン膜６とが反応してシリサイド化すると抵抗値は１桁程度増加することになる。」（第２頁右下欄第１１行ないし第１９行）と記載されているから、「窒化シリコン膜５」は、多結晶シリコン膜４とモリブデン等の高融点金属或いはそのシリサイドとの間で反応しないためのバリア膜となることが示されている。
　一方、本願明細書には、「チタン・シリサイド（ＴｉＳｉx ）で形成したゲート導体は、抵抗率が低い（約１５〜２０μΩ・ｃｍ）が、しかし、接合活性化を行なうと、ポリシリコンのゲート電極との間の相互拡散に起因して必ず劣化してしまう。その結果、抵抗率が急激に増加してしまう」（【０００２】）、「タングステンからなるゲート導体を備えたゲート構造の劣化を防ぐ公知の手法の１つに、ゲート導体とポリシリコンのゲート電極との間に拡散障壁層を設けるものがある。・・・従来の知見は、拡散障壁層を構成する材料として、ＴｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮx などの導電性の材料を使うことであった。しかし、ＴｉＮ、ＴａＳｉＮなど拡散障壁層を構成する導電性の材料は、当該材料の降伏を防ぐため（ＴｉＮとＷＮx ）、あるいは、当該材料が熱酸化するのを防ぐため（ＴｉＮとＴａＳｉＮ）、プロセス温度が９００℃未満に制限されている。したがって、拡散障壁層を構成するのに現在使用可能な導電性の材料は、接合活性化などＭＯＳＦＥＴの製造に必要な高温プロセスで使われる高温に耐えることができないので、あるいは、酸化耐性が十分でない、すなわち集積回路装置の製造に適合していないので、ゲート電極用の拡散障壁層として完全には機能することができない。」（【０００３】）、「拡散障壁層２０の機能は、ゲート電極１６とゲート導体１８との間の相互拡散に対する物理的な障壁を形成すること」（【００１２】）と記載されているから、本願発明の「拡散障壁層」は、ゲート電極であるポリシリコンとゲート導体であるチタン・シリサイド（ＴｉＳｉx ）、タングステンとの相互拡散によって、抵抗率が上昇してしまうこと、つまり、ポリシリコンとチタン・シリサイドやタングステンとが反応することを防止するものであることを示している。
　そうすると、刊行物発明の「窒化シリコン膜５」は、本願発明の「拡散障壁層」に対応する。
（ｅ）刊行物１には、「通常のリソグラフィ技術を利用することに依り、モリブデン膜６、窒化シリコン膜５、多結晶シリコン膜４のパターニングを行い、２層構造のゲート電極及び要すればその他の配線を形成する。尚、この場合、窒化シリコン膜５は層として数えていない。」（第３頁左上欄第１２行ないし第１７行）と記載されているように、「モリブデン膜６」、「窒化シリコン膜５」、「多結晶シリコン膜４」がゲート電極を構成しており、「窒化シリコン膜５」は、「充分なトンネル電流が流れる程度の１０〜５０［Å］程度の範囲の膜厚」を有しているのであるから、「モリブデン膜６」、「窒化シリコン膜５」、「多結晶シリコン膜４」は電気的に接続されているものである。よって、「多結晶シリコン膜４」と電気的にコンタクトするように、「Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜」が、「窒化シリコン膜５」に接触していることは明らかである。
　
したがって、本願発明と刊行物発明とは、 
「半導体基板に形成されたＭＯＳＦＥＴであって、
　半導体基板と、
　前記半導体基板上のゲート酸化膜と、
　前記ＭＯＳＦＥＴのチャネルを画定するように前記ゲート酸化膜を覆うポリシリコンのゲート電極と、
　拡散障壁層と、
　前記ゲート電極と電気的にコンタクトするように、前記拡散障壁層に接触している、タングステン、チタン・シリサイド、コバルト、およびコバルト・シリサイドから成る群から選択された材料から成るゲート導体とを備えたゲート構造を備えている、
　ＭＯＳＦＥＴ。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
相違点１
　本願発明は、「厚さが２．５ナノメートル（ｎｍ）未満、抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上、１ボルト（Ｖ）のバイアス電圧を印加したときの漏れ電流が１Ａ／μｍ2未満である半絶縁性の拡散障壁層」及び「前記ゲート電極と電気的にコンタクトするように、前記半絶縁性の拡散障壁層に接触している、タングステン、チタン・シリサイド、コバルト、およびコバルト・シリサイドから成る群から選択された材料から成るゲート導体」を備えているのに対して、刊行物発明は、「充分なトンネル電流が流れる程度の１０〜５０［Å］程度の範囲の膜厚である窒化シリコン膜５」及び「Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜」を備えているものの、「厚さが２．５ナノメートル（ｎｍ）未満、抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上、１ボルト（Ｖ）のバイアス電圧を印加したときの漏れ電流が１Ａ／μｍ2未満である半絶縁性」である点、及び「多結晶シリコン膜４」と電気的にコンタクトするように、「Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜」が接触している「窒化シリコン膜５」が「半絶縁性」である点が明確でない点。
相違点２
　本願発明は、「前記ゲート導体に電圧を印加することにより前記ゲート電極に誘起されるゲート電極電圧が、前記ゲート導体に印加した電圧の少なくとも７５％であ」るのに対して、刊行物発明では、ゲート電極である多結晶シリコン膜４（本願発明の「ゲート電極」に相当）に誘起される電圧とＷ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜に印加した電圧の関係が明確でない点。
相違点３
　本願発明は、「前記拡散障壁層が、９００℃以上の温度で前記ゲート導体と前記ゲート電極との間の拡散および混合を阻止するのに効果を発揮するように、前記拡散障壁層の厚さと漏れ電流が調整されている」のに対して、刊行物発明は、「充分なトンネル電流が流れる程度の１０〜５０［Å］程度の範囲の膜厚である窒化シリコン膜５」の膜厚と漏れ電流が９００℃以上の温度で前記ゲート導体と前記ゲート電極との間の拡散および混合を阻止するのに効果を発揮するように調整されていることが明確でない点
　
 　以下で各相違点について検討する。 
相違点１について
　本願明細書には、「一般に、漏れ電流は拡散障壁層の両端の電圧の線形関数ではないので、拡散障壁層の抵抗値と抵抗率は、印加する電圧によって変動しうる。それにもかかわらず、半絶縁性材料の特定の電圧における抵抗値、抵抗率、および漏れ電流を比較した結果、きわめて薄い（例えば約０．５ｎｍ〜約１０ｎｍ）半絶縁性（バルクの抵抗率が１０-2〜１０6Ω・ｃｍ）の拡散障壁層の漏れ電流は、上述した望ましい範囲内、すなわち１０-8〜１Ａ／μｍ2（１ボルト〔Ｖ〕バイアス時）であることが分かった。」（【０００８】）と記載され、さらに、本願明細書には、「拡散障壁層２０用に特に好適な材料には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮx ）、シリコン・オキシナイトライド（ＳｉＮx Ｏy ）などがある。これらの各材料は、バルクの電気特性に関する限り、良好な絶縁体（例えば抵抗率が１０8 Ω・ｃｍ超）である、と考えられる。しかし、これらの材料（特に窒化膜）は、超薄膜（２．５ナノメートル〔ｎｍ〕未満）にすると、トンネリングによる漏れ電流がきわめて大きくなる。その結果、拡散障壁層２０は、導電率が膜厚に依存する量子導電薄膜になる。本発明の拡散障壁層２０は、量子導電薄膜として、厚さが薄くなるにつれて、導電性が強まり、それを通して１ボルトのバイアス電圧に対して最大約１Ａ／μｍ2の漏れ電流が流れるようになる。」（【００１３】）と記載されているように、拡散障壁層の好適な材料として、具体的には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮx ）、シリコン・オキシナイトライド（ＳｉＮx Ｏy ）が挙げられているから、これらの材料が上記膜厚の範囲を満たせば、必然的に漏れ電流が１０-8〜１Ａ／μｍ2（１ボルト〔Ｖ〕バイアス時）になること、特に窒化膜は、膜厚が２．５ナノメートル［ｎｍ］未満であれば、このような漏れ電流の範囲にあることが示されている。また、「半絶縁性」及び「抵抗率」についても、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮx ）、シリコン・オキシナイトライド（ＳｉＮx Ｏy ）が上記膜厚を満たせば、必然的に満たすことが示されている。
　そこで、刊行物発明について検討すると、刊行物発明の「窒化シリコン膜５」は、本願発明の「拡散障壁層」の好適な材料である「シリコン窒化膜」と同等のものであることは明らかであるし、この「窒化シリコン膜５」は「充分なトンネル電流が流れる程度の１０〜５０［Å］程度の範囲の膜厚」を有しているから、本願発明の拡散障壁層の膜厚範囲である２．５ナノメートル（ｎｍ）未満を包含していることは明らかであり、しかも、実施例においては、「約２０［Å］」であるから、１０〜２５［Å］の範囲或いは「約２０［Å］」の値において、本願発明と刊行物発明とは何等相違しないものである。そして、上述したとおり、上記好適な材料で、なおかつ当該膜厚の範囲であれば、「抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上、１ボルト（Ｖ）のバイアス電圧を印加したときの漏れ電流が１Ａ／μｍ2未満である半絶縁性」なる構成は必然的に満たされるものであるから、相違点１は、実質的なものではない。
　
　仮に実質的なものであったとしても、刊行物１には、「本発明に於いて、多結晶シリコン膜と高融点金属或いはそのシリサイドからなる膜との間に窒化シリコン膜を介在させてあることに依る半導体装置の電気的特性劣化は実用上問題にならない程軽微である。その理由は、窒化シリコン膜の厚さがＭＩＳ構造に於けるゲート絶縁膜のそれに比較して充分に薄く、大きなトンネル電流が流れ、そして、配線全域に亙って形成されているものであるから、窒化シリコン膜を誘電体と考えた容量は非常に大きな値となり、信号の伝搬には何等の実質的影響を及ぼさないからである。」（第３頁左下欄第２０行ないし右下欄第１８行）との記載があることから、「窒化シリコン膜５」を利用する際に、半導体装置の電気的特性に実用上問題がないように、大きなトンネル電流を流すこと、「窒化シリコン膜５」を誘電体と考えた容量が非常に大きな値となり、信号の伝搬には実質的に影響を及ぼさないことが示されている。そして、「信号の伝搬には何等の実質的影響を及ぼさない」ということは、信号の伝搬遅延や信号である電圧の低下を招かないことを意味することは当業者には技術常識であるから、刊行物１には、このような技術常識に基づいて、「窒化シリコン膜５」の膜厚、電流値を設定することが示唆されているものと認められる。そして、そのような膜厚の範囲として、刊行物発明は「１０〜５０［Å］程度の範囲」を有しているが、電圧の低下の許容範囲や信号の伝搬遅延の許容範囲によってその膜厚範囲は必要に応じて適宜変更できるものであるから、刊行物発明において、「窒化シリコン膜５」の膜厚を「１０〜５０［Å］程度の範囲」に代えて、「２．５ナノメートル［ｎｍ］未満」とすることは当業者が適宜選択しうる設計的事項にすぎない。また、既に述べたとおり、この膜厚の範囲であれば、「半絶縁性」という性質はもちろん、「抵抗率」及び「漏れ電流」の数値も請求項１に記載の数値範囲のとおりに必然的になるものであるから、結果として、刊行物発明の「窒化シリコン膜５」を、本願発明の如く、「厚さが２．５ナノメートル（ｎｍ）未満、抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上、１ボルト（Ｖ）のバイアス電圧を印加したときの漏れ電流が１Ａ／μｍ2未満である半絶縁性」とすることは当業者が容易になし得たものである。
　
相違点２について
　上記「相違点１について」において検討したように、刊行物１には、信号の伝搬には何等の実質的影響を及ぼさないように、トンネル電流が流され、しかも、「窒化シリコン膜５」を誘電膜とする容量を大きくすることが示されているから、信号の伝搬遅延や信号である電圧の低下を招かないように「窒化シリコン膜」の膜厚、電流値を設定することが示唆されている。
　したがって、実際にゲートとしてチャネル領域に電界をかけるために作用する部分である多結晶シリコン膜４に印加される電圧は、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ或いはこれ等のシリサイドから選択された材料からなる膜に印加される電圧に極力近いことが求められるのであるから、「窒化シリコン膜５」の膜厚及びトンネル電流を調節して、本願発明の如く、「前記ゲート導体に電圧を印加することにより前記ゲート電極に誘起されるゲート電極電圧が、前記ゲート導体に印加した電圧の少なくとも７５％」とすることは当業者が容易になし得たものである。
　
相違点３について
　刊行物発明の「窒化シリコン膜５」の膜厚は、「充分なトンネル電流が流れる程度の１０〜５０［Å］程度の範囲」とするものであり、また、上記「相違点１について」において検討したように、「２．５ナノメートル（ｎｍ）未満」とすることは当業者が容易になし得たものである。そして、このように設定された膜厚の「窒化シリコン膜５」が、本願発明の如く、「９００℃以上の温度で前記ゲート導体と前記ゲート電極との間の拡散および混合を阻止するのに効果を発揮する」ものであるか否かを検討する。
　刊行物１には、「スパッタリング法或いはＣＶＤ法を適用することに依り、厚さ約０．３［μｍ］程度のモリブデン膜６を形成してから、例えば約１０００［℃］程度の温度で熱処理を行い、モリブデン膜６を形成してから、モリブデン膜６を緻密化することに依って抵抗値の低下を図る。　前記熱処理に於いて、窒化シリコン膜５はバリアとして作用するので、多結晶シリコン膜４とモリブデン膜６とが反応することはなく、その結果、モリブデン膜６の低抵抗値が確保される。」（第２頁右下欄第５行ないし第１５行）と記載されているように、約１０００［℃］程度の温度で熱処理を行っても「多結晶シリコン膜４」と高融点金属である「モリブデン膜６」が反応しないことが示されており、また、刊行物１には、「イオン注入法を適用して砒素（Ａｓ）を打ち込み、且つ、熱処理することに依り、ｎ＋型ソース領域７及びｎ＋型ドレイン領域８を形成する。」（第３頁左上欄第１９行ないし右上欄第２行）とも記載されているから、ソース領域及びドレイン領域を形成するための通常の熱処理（本願明細書でいう「少なくとも１０５０℃」（【０００４】））を経ても「多結晶シリコン膜４」と「高融点金属或いはそのシリサイド」が反応しないことも示唆されている。そうすると、刊行物発明の「窒化シリコン膜５」は、９００℃以上の温度で「多結晶シリコン膜４」と「高融点金属或いはそのシリサイド」との間の反応を阻止するものであるから、刊行物発明の「窒化シリコン膜５」は、本願発明の如く、「９００℃以上の温度で前記ゲート導体と前記ゲート電極との間の拡散および混合を阻止するのに効果を発揮するように、前記拡散障壁層の厚さと漏れ電流が調整されている」ものである。したがって、相違点３は、実質的なものではない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　
 ５．むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし８に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。