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　特願２００２−　５４４４０「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月１２日出願公開、特開２００３−２５７９４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年２月２８日の出願であって、平成１７年８月２５日付で拒絶査定がなされ、平成１７年１０月２７日付で審判請求がなされ、平成１７年１１月１１日付で手続補正がなされ、当審にて、平成１９年１１月３０日付で拒絶理由が通知され、平成２０年２月１９日付で手続補正がなされたものである。　
　
２．平成２０年２月１９日付の手続補正について
　結論
　平成２０年２月１９日付の手続補正を却下する。
　
理由
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のように補正された。
「　　【請求項１】　半導体基板の上方に下地絶縁膜を形成する工程と、
　前記下地絶縁膜上に第１導電膜を形成する工程と、
　前記第１導電膜の上に強誘電体材料又は高誘電体材料からなる誘電体膜を形成する工程と、
　前記誘電体膜の上に第２導電膜を形成する工程と、
　第１雰囲気中において、前記第２導電膜を選択的にエッチングして前記第２導電膜をキャパシタ上部電極にする工程と、
　第２雰囲気中において、前記誘電体膜を選択的にエッチングして前記誘電体膜をキャパシタ誘電体膜にする工程と、
　第３雰囲気中において、前記第１導電膜を選択的にエッチングして前記第１導電体膜をキャパシタ下部電極にする工程とを有し、
　前記第１雰囲気と前記第３雰囲気はＨＢｒとＯ２を含みＯ２濃度が８０％以上９０％以下の混合ガスであり、前記第２雰囲気は塩素とアルゴンからなると共に、前記アルゴンの流量が前記塩素の流量より多い混合ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である第２雰囲気について、「塩素を含むガス」を、「塩素とアルゴンからなると共に、前記アルゴンの流量が前記塩素の流量より多い混合ガス」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　当審の拒絶理由に引用された特開平１１−３３００５０号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ：「【００１５】本発明のさらに別の誘電体素子の形成方法は、Ａ．半導体基板上に拡散バリア層と下部電極層と誘電体薄膜と上部電極層とをこの順で形成し、あるいは、半導体基板上に密着層と拡散バリア層と下部電極層と誘電体薄膜と上部電極層とをこの順で形成し、そして該上部電極層上に、マスクとなる耐エッチング膜をパターニングする工程と；Ｂ．該耐エッチング膜に覆われていない領域の該上部電極層をドライエッチングする工程とを含み、該ドライエッチング工程Ｂが、ｄ．エッチング開始時には第６ハロゲンガス単独であり、かつ、エッチング終了時には第６ハロゲンガスと酸化性ガスとが所定の流量比となるように、酸化性ガスを段階的に導入しながら、第６ハロゲンガスと酸化性ガスとの混合ガスでドライエッチングを行う工程を含む。」
ｂ：「【００４０】本発明に用いられる基板１は、半導体装置および集積回路などの基板として使用されるものであれば特に限定されず、任意の適切な基板が用いられる。このような基板としては、シリコン等の半導体基板、GaAs等の化合物半導体基板、・・・、半導体基板（特に、シリコン基板）が好ましい。
【００４１】基板１上には、下部電極構造30が設けられる。下部電極構造30は、誘電体素子のキャパシタの電極となる。下部電極構造30は、・・・層間絶縁膜（いずれも図示せず）を備えた基板に形成してもよい。好ましくは、図１に示すように、下部電極構造30は、絶縁用酸化膜（NSGとも称する）２が設けられた基板上に設けられる。」
ｃ：「【００５７】（実施形態２）本発明の別の実施形態による誘電体素子の形成方法を説明する。下部電極構造30および耐エッチング膜５の形成は実施形態１と同様であるので、説明は省略する。以下、下部電極層４／拡散バリア層３のエッチングについて詳細に説明する。実施形態１と同様に、下部電極層４がＩｒ膜であり拡散バリア層３がTaSiN(Ta0.85Si0.15N0.41)膜である場合について説明する。
【００５８】本実施形態では、・・・、酸化性ガスを段階的に導入しながら、第６ハロゲンガスと酸化性ガスとの混合ガスでエッチングを行う。
【００５９】第６ハロゲンガスとしては、例えば、HCl、・・・、HBr、・・・、またはこれらの混合ガスが挙げられ、・・・る。酸化性ガスとしては、酸素ガス、N2Oガス、またはこれらの混合ガスが挙げられ、好ましくは酸素ガスである。・・・」
ｄ：「【００６７】下部電極構造30（下部電極層４）上に、誘電体薄膜13を形成する。誘電体薄膜を形成する材料としては、例えば、酸化物強誘電体PZT（チタン酸ジルコン酸鉛）、およびBi系強誘電体が挙げられる。・・・
【００７０】次に、強誘電体薄膜13上に、上部電極層14を形成する。下部電極層４と強誘電体薄膜13と上部電極層14とにより、強誘電体キャパシタが構成される。・・・
【００７１】次いで、上部電極層14上に、実施形態１と同様にして耐エッチング膜５を形成する。
【００７２】さらに、実施形態１および／または２に記載のエッチング手順を用いて、上部電極層14を加工する。・・・上部電極層14／誘電体薄膜13を高い選択比で、かつ、側壁残渣を発生させずに、上部電極層14を加工することができる。特に、上部電極層14下部の誘電体薄膜13が酸化物である場合には、エッチングガスに酸化性ガスを用いることにより、上部電極層14／誘電体薄膜13のより高い選択比が得られる。
【００７３】・・・
【００７４】さらに、必要に応じて、誘電体薄膜13を任意の適切な方法（例えば、ECRエッチング装置を用い、ガスとしてArおよびCl2を用いる、圧力1.4mmTorr、RFPOWER=150Wでのドライエッチング）でパターニングする。パターニングされた誘電体薄膜をマスクとして、実施形態１および２に記載の手順で、下部電極層４／拡散バリア層３を加工する。
【００７５】さらに、必要に応じて、上部電極層14の上に、目的に応じた所望の配線および絶縁膜を形成することにより、例えば、強誘電体キャパシタが得られる。
【００７６】本発明の方法により形成される誘電体素子は、それ自身が誘電体素子（例えば、強誘電体薄膜素子）として用いられる。あるいは、この誘電体素子は、半導体装置の構成要素の一つとして、集積回路ウェハを構成する基板上で、集積回路の回路部に設けられる。本発明の方法はまた、誘電体素子を不揮発性メモリの容量部としてMFMIS-FET、MFS-FET等を形成する際の電極の加工方法として用いることができる。さらに、本発明の方法は、強誘電体素子をFETのゲート部に適用し、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン領域等を組み合わせて形成し、MFMIS-FET、MFS-FET等を形成する際の電極の加工方法として使用することもできる。」
　
　同じく、当審の拒絶理由に引用された特開平８−７８３９６号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
ｅ：「第３実施例：実施例１と同様の膜構造を持つ試料を用い、且つ同様の装置で、酸素ガスに臭化水素ガスを添加したときのRuO2膜２のエッチレートと臭化水素ガス添加率の関係を図７に示す。その際の条件は、ガス総流量を８０sccmとし、圧力を５mTorr、マイクロ波パワーを２２０Ｗ、基板に印加した２MHz の高周波パワーを５０Ｗ、基板温度を２０℃とした。図７より、臭化水素ガスの添加率が１５％から５０％の範囲内でRuO2膜２のエッチレートは１００nm／分以上となる。そして添加率２５％付近で最大のエッチレート１４７nm／分が得られた。また、そのエッチング形状は異方的なものとなった。」（第２０段落）
　
（３）対比
　引用文献１には、以下の発明が記載されている（以下、「引用発明」という。）。
「絶縁用酸化膜が設けられた半導体基板上に、キャパシタの電極となる下部電極層が設けられ、下部電極層上に、酸化物強誘電体である誘電体薄膜を形成し、誘電体薄膜上に、上部電極層を形成し、下部電極層と誘電体薄膜と上部電極層とにより、強誘電体キャパシタを構成した、半導体装置の製造方法において、
上部電極層上に、耐エッチング膜を形成し、HBrと酸素ガスとの混合ガスでエッチングを行い、
誘電体薄膜を、ガスとしてArおよびCl2を用いるドライエッチングでパターニングし、パターニングされた誘電体薄膜をマスクとして、下部電極層を加工する半導体装置の製造方法。」
　
　本願補正発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「絶縁用酸化膜」、「下部電極層」、「誘電体薄膜」、「上部電極層」、「HBr、酸素ガスとの混合ガス」、「ArおよびCl2を用いたガス」が、本願補正発明の「下地絶縁膜」、「第１導電膜」、「強誘電体材料からなる誘電体膜」、「第２導電膜」、「第１雰囲気」および「第３雰囲気」、「第２雰囲気」に相当する。
　また、キャパシタを構成する電極及び誘電体層は、それぞれの工程を経て形成されるものである。
　
　よって、両者は、以下の点で一致し、下記の点で相違する。
一致点
「半導体基板の上方に下地絶縁膜を形成する工程と、
　前記下地絶縁膜上に第１導電膜を形成する工程と、
　前記第１導電膜の上に強誘電体材料からなる誘電体膜を形成する工程と、
　前記誘電体膜の上に第２導電膜を形成する工程と、
　第１雰囲気中において、前記第２導電膜を選択的にエッチングして前記第２導電膜をキャパシタ上部電極にする工程と、
　第２雰囲気中において、前記誘電体膜を選択的にエッチングして前記誘電体膜をキャパシタ誘電体膜にする工程と、
　第３雰囲気中において、前記第１導電膜を選択的にエッチングして前記第１導電体膜をキャパシタ下部電極にする工程とを有し、
　前記第１雰囲気と前記第３雰囲気はＨＢｒとＯ2を含む混合ガスであり、前記第２雰囲気は塩素とアルゴンからなる混合ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
相違点１
　本願補正発明では、「第１雰囲気と前記第３雰囲気はＯ2濃度が８０％以上９０％以下の混合ガス」であるのに対し、引用発明では、濃度について限定のない点。
　
相違点２
　第２雰囲気について、本願補正発明では、「塩素とアルゴンからなると共に、前記アルゴンの流量が前記塩素の流量より多い混合ガス」であるのに対し、引用発明では、流量についての限定のない点。
　　
（４）判断
相違点１について
　引用文献２において、キャパシタ電極であるRuO2膜のエッチング工程について、「酸素ガスに臭化水素ガスを添加したときのRuO2膜２のエッチレートと臭化水素ガス添加率の関係を図７に示す。・・・図７より、臭化水素ガスの添加率が１５％から５０％の範囲内でRuO2膜２のエッチレートは１００nm／分以上となる。」と記載されている。臭化水素ガスの添加率が１５％から５０％の範囲内ということは、酸素ガスが、５０％から８５％含まれるということであり、Ｏ2濃度を８０％以上とすることが記載されている。そして、引用文献２記載の発明は、強誘電体キャパシタの電極の製造方法に関するものであるので、引用発明に適用することは、当業者が容易になしうるものである。　
　
相違点２について
　強誘電体のエッチングにおいて、塩素とアルゴンからなると共に、前記アルゴンの流量が前記塩素の流量より多い混合ガスでエッチングすることは、下記文献１、２、３に記載されているように周知であり、当業者が適宜なしうるものである。
　１．特開平８−１８１１２６号公報（第３７段落参照）
　２．特開平１０−３４０８９３号公報（第４３段落参照）
　３．特開２００１−２６７３０２号公報（第１８段落参照）
　
　よって、本願補正発明は、引用文献１、引用文献２に記載された発明、および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について。
　平成２０年２月１９日付手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年１１月１１日手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　半導体基板の上方に下地絶縁膜を形成する工程と、
　前記下地絶縁膜上に第１導電膜を形成する工程と、
　前記第１導電膜の上に強誘電体材料又は高誘電体材料からなる誘電体膜を形成する工程と、
　前記誘電体膜の上に第２導電膜を形成する工程と、
　第１雰囲気中において、前記第２導電膜を選択的にエッチングして前記第２導電膜をキャパシタ上部電極にする工程と、
　第２雰囲気中において、前記誘電体膜を選択的にエッチングして前記誘電体膜をキャパシタ誘電体膜にする工程と、
　第３雰囲気中において、前記第１導電膜を選択的にエッチングして前記第１導電体膜をキャパシタ下部電極にする工程とを有し、
　前記第１雰囲気と前記第３雰囲気はＨＢｒとＯ２を含みＯ２濃度が８０％以上９０％以下の混合ガスであり、前記第２雰囲気は塩素を含むガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（１）引用例
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献１、２の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明の第２雰囲気において、「塩素とアルゴンからなると共に、前記アルゴンの流量が前記塩素の流量より多い混合ガスで」との構成を省いて、「塩素を含むガス」であるとしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用文献１、２、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用文献１、２、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり本願発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された発明、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。