【事件の表示】
　平成　９年特許願第５３９７５３号「薄膜トランジスタの製造方法、それを用いた液晶表示装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月１１日国際公開、ＷＯ９７／４７０４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９７年６月４日（優先権主張１９９６年６月６日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年２月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１４日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、同年３月２１日に回答書が提出されたものである。
　  
２．平成１８年４月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１８年４月１４日付けの手続補正を却下する。  
［理由］  
（１）本件補正の内容  
　本件補正は、補正前の請求項１ないし１３を補正後の請求項１ないし１３と補正するものであり、補正後の請求項１ないし３、１０ないし１２は、以下のとおりである。 
〈補正後の請求項１ないし３、１０ないし１２〉 
「１．電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向するチャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなり、少なくとも前記ゲート絶縁膜を形成した後に、水分を含む雰囲気下で温度３５０℃〜５００℃、時間１時間以上の条件でアニールを行なうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
２．ガラス基板上にソース・ドレイン領域およびチャネル領域となる非単結晶シリコン薄膜を形成する工程と、
　ＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極を形成する工程と、
　前記ソース・ドレイン領域に接続されたソース・ドレイン電極を形成する工程と、
　しかる後に水分を含む雰囲気下で温度３５０℃〜４５０℃、時間１時間以上の条件でアニールを行なう工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
３．請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜をＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」 
「１０．請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法により構成された液晶表示装置。
１１．請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法により構成された電子機器。
１２．基板上にゲート電極と、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向して形成された非単結晶シリコン薄膜からなるチャネル領域とを有する薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなり、少なくとも前記ゲート絶縁膜が形成された基板をホットウォール型装置内に挿入して、水蒸気を含んだ雰囲気で温度３５０℃〜５００℃、時間１時間以上の条件でアニールすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　 
（２）補正内容の整理 
　本件補正の内容を、以下に整理する。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「温度３００℃〜５００℃」を、補正後の請求項１の「温度３５０℃〜５００℃」と補正すること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項２の「温度３００℃〜５００℃」を、補正後の請求項２の「温度３５０℃〜５００℃」と補正すること。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項３の「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法により」を補正後の請求項３の「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法により」と補正すること。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１０の「請求項１乃至９」を補正後の請求項１０の「請求項１ないし９」と補正すること。
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１１の「請求項１乃至９」を補正後の請求項１１の「請求項１ないし９」と補正すること。
〈補正事項６〉
　補正前の請求項１２の「温度３００℃〜５００℃」を、補正後の請求項１２の「温度３５０℃〜５００℃」と補正すること。
　
（３）補正事項についての検討
（３−１）新規事項の追加及び補正の目的の適否について
（３−１−１）補正事項１、２及び６について
（ア）補正事項１、２及び６についての補正は、実質的に、補正前の請求項１、２及び６に記載された「温度３００℃〜５００℃」の温度範囲を、補正後の請求項１、２及び６に記載された「温度３５０℃〜５００℃」に限定するものである。
　特許法第１８４条の６第２項の規定により同法第３６条第２項に規定する願書に添付した明細書又は図面とみなされる、日本語特許出願に係る国際出願日における明細書及び請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の第１２頁第１２行ないし第１７行には、「ウェットアニールの条件として、温度を３００℃以上、好ましくは３５０℃以上、時間を少なくとも１時間以上とすれば、ウェットアニールを実施しない従来の製造方法の場合に比べて、電気的特性の変動を小さく抑えることができ、信頼性の向上が可能であることが実証された。またウェットアニールの温度は、５００℃以上とすると、シリコン酸化膜に埋め込まれた水素が抜ける可能性があるため、３００℃〜５００℃以内にすることが好ましい。」と記載されており、「３００℃〜５００℃以内」の温度範囲における、さらに好ましい範囲として「３５０℃以上」があげられている。
　よって、「温度３００℃〜５００℃」の温度範囲を「温度３５０℃〜５００℃」に限定する補正事項１、２及び６についての補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（イ）上記（ア）に記載したとおり、補正事項１、２及び６についての補正は、実質的に、「温度３００℃〜５００℃」の温度範囲を「温度３５０℃〜５００℃」に限定するものであるから、補正事項１、２及び６についての補正は、特許法第３６条第５項に規定された請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３−１−２）補正事項３について
（ア）補正事項３についての補正は、実質的に、「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法により」を「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法により」とするものであり、択一的記載における選択肢を削除するものである。
　そして、当初明細書等の第７頁第２０行ないし第２２行には、「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法、あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法を用いて、多結晶シリコン層１７を覆う膜厚１２０ｎｍ程度のゲートＳｉＯ２膜１８（シリコン酸化膜）を形成する。」と記載されており、ゲート絶縁膜を「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法により」形成することがあげられている。
　よって、「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法により」から「ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法により」とする補正事項３についての補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（イ）上記（ア）に記載したとおり、補正事項３についての補正は、実質的に、択一的記載における選択肢を削除するものであるから、補正事項３についての補正は、特許法第３６条第５項に規定された請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３−１−３）補正事項４及び５について
（ア）補正事項４及び５についての補正は、実質的に、引用する請求項を「請求項１乃至９」から「請求項１ないし９」とするものであり、実質的に、引用される請求項は変更されないから、補正事項４及び５についての補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（イ）上記（ア）に記載したとおり、補正事項４及び５についての補正は、「請求項１乃至９」から「請求項１ないし９」とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（３−２）独立特許要件について
　上記（３−１）において検討したとおり、本件補正は、当初明細書に記載した事項の範囲内においてなされ、特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たすものであり、同法第１７条の２第４項第２号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであるから、以下において、同法第１７条の２第５項にて準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（独立特許要件）について検討する。
　
（３−２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「１．電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向するチャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなり、少なくとも前記ゲート絶縁膜を形成した後に、水分を含む雰囲気下で温度３５０℃〜５００℃、時間１時間以上の条件でアニールを行なうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（３−２−２）刊行物に記載された発明
（３−２−２−１）刊行物１：国際公開第９５／０３６２９号パンフレット
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である国際公開第９５／０３６２９号パンフレット（以下、「刊行物１」という。）には、図２５とともに以下の事項が記載されている。
「以下、本第５の実施例を詳細に説明する。図２５（Ａ）〜（Ｄ）はＭＩＳ型電界効果トランジスタを形成する薄膜半導体装置の製造工程を示した図である。
　第５の実施例では基板１０１として２３５ｍｍ□の無アルカリガラス（日本電気硝子社ＯＡー２）を用いたが、工程最高温度に耐え得る基板であるならば、基板の種類や大きさは無論問われない。まず基板１０１上に、常圧化学気相堆積法（ＡＰＣＶＤ法）やＰＥＣＶＤ法あるいはスパッター法などで、下地保護膜となる二酸化珪素膜（ＳｉＯ２膜）１０２を形成する。・・・
　次に、後に薄膜半導体装置の能動層となる真性シリコン膜を５００Å程度堆積した。真性シリコン膜は高真空型ＬＰＣＶＤ装置にて、原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨ４）を２００ＳＣＣＭ流し、堆積温度４９５℃で３１分間堆積した。・・・
　こうして得られたシリコン膜は高純度のａ−Ｓｉ膜である。次にこのａ−Ｓｉ膜に光学エネルギーまたは電磁波エネルギーを短時間照射してａ−Ｓｉを結晶化し、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）へと改質する。・・・次に、このシリコン膜をパターニングし、トランジスタの能動層となるチャンネル部半導体膜１０３を作成した（図２５（Ａ））。・・・
　その後、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法やＰＥＣＶＤ法などでゲート絶縁膜１０４を形成する。第５の実施例ではゲート絶縁膜としてＳｉＯ２膜を用い、ＰＥＣＶＤ法で１２００Åの膜厚に堆積した（図２５（Ｂ））。・・・第５の実施例では原料ガスとしてモノシランと笑気ガスを用いたが、これらに限らずＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）等の有機シランと酸素等の酸化性気体を用いても良い。・・・
　引き続いてゲート電極１０５となる薄膜をスパッター法、蒸着法あるいはＣＶＤ法などで堆積する。・・・
　ゲート電極となる薄膜を堆積後パターニングを行い、引き続いて真性シリコン膜にバケット型質量非分離型のイオン注入装置（イオン・ドーピング法）を用いて燐元素等の不純物イオン注入１０６を行い、ソース・ドレイン部１０７及びチャンネル領域１０８を形成した（図２５（Ｃ））。・・・
　次に層間絶縁膜１０９を５０００Å堆積する。第５の実施例では層間絶縁膜としてＳｉＯ２をＰＥＣＶＤ法にて形成した。・・・こうしたイオン注入と層間絶縁膜形成後、酸素雰囲気下３００℃で１時間熱処理を施して注入イオンの活性化及び層間絶縁膜の焼き締めを行った。この熱処理温度は３００℃から３５０℃が好ましい。その後、コンタクトホールを開け、ソース・ドレイン取り出し電極１１０をスパッター法などで形成し、薄膜半導体装置が完成する（図２５（Ｄ））。」（第３１頁第４行ないし第３４頁第９行参照）
　
　刊行物１の図２５（Ｄ）より、「チャンネル部半導体膜１０３」が「ゲート絶縁膜１０４」を介して「ゲート電極１０５」に対向することは明らかである。
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「ＭＩＳ型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜１０４を介してゲート電極１０５に対向するチャンネル部半導体膜１０３が多結晶シリコンからなる、ＭＩＳ型電界効果トランジスタを形成する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜１０４が、ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）と酸素を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなることを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタを形成する薄膜半導体装置の製造方法。」
　
（３−２−２−２）刊行物２：特開平０５−３０４１４７号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０５−３０４１４７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図４とともに以下の事項が記載されている。
「【０００３】図４を用いて層間ＣＶＤ膜の吸水性の問題を説明する。図４（ａ）に示すように半導体基板２上に下層金属配線層４を形成し、半導体基板２及び下層金属配線層４を覆うように、ＣＶＤ法を用いて例えばシリコン酸化膜の層間ＣＶＤ膜６を形成する。ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成は、モノシラン（ＳｉＨ４）−酸素系が多く用いられるが、この反応においてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が成長すると共に水（Ｈ２Ｏ）が生成される。この生成される水は、シリコン酸化膜の成長時に膜中に混入し、形成された層間ＣＶＤ膜６中に含まれてしまう。」
「【０００８】さらに、近年、良好なステップカバレッジを示すことから注目されているＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等、シリコンアルコキシドを原料ガスに用いて形成した層間ＣＶＤ膜の場合は、上記プラズマ励起による反応を利用したり、Ｏ３や酸素ラジカル等の活性ガスを利用したりする方法を用いても、シラン系原料ガスの場合に比べて未反応基（ＯＲ基、ＯＨ基等）を減少させることができない。これは、ＯＲ基例えばＴＥＯＳのＣ２Ｈ５は、Ｏとよく結合する未反応基（Ｓｉ−Ｈ）に比較してさらにＯと結合しやすいからである。このように、ＴＥＯＳを原料ガスとして形成した層間ＣＶＤ膜の吸水性を抑制することができないという問題があった。
【０００９】従って、従来のシランやシリコンアルコキシドを原料ガスに用い、酸素、オゾン、水、窒素、アンモニア、酸化窒素等を反応ガスとしてシリコン酸化膜等のシリコン化合膜を形成するＣＶＤ技術においては、吸水性の大きなシリコン化合膜しか形成することができず、このシリコン化合膜上に良好な膜質を有する上部金属配線層を形成することができなかった。さらに、このシリコン化合膜にコンタクトホール等を開口した場合、コンタクトホールの側壁のシリコン化合膜から水が放出され、配線間コンタクトに不良を引き起こすという問題があった。」
「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＶＤ法を用いて半導体基板上にシリコン化合物からなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、形成された薄膜を酸化する酸化工程と、酸化された薄膜を重縮合する重縮合工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１２】・・・さらに、本発明は上記半導体装置の製造方法において、酸化工程及び重縮合工程が、温度１００℃〜６００℃の水蒸気雰囲気又は３０％以上の酸素雰囲気で薄膜を熱処理する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。」
「【００１４】このような製造方法を採ることにより、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）−酸素系を原料ガスとして用いたＣＶＤ法、或いはＴＥＯＳ等シリコンアルコキシドを原料ガスに用いてＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成の際、酸化することによりＳｉ−Ｈ或いはＯＲ基等の未反応基を、ＯＨ基或いはダングリングボンドを有する状態にし、この状態で重縮合することにより、Ｈ２Ｏ又はＨとして放出させてＨ基等の未反応基を減少させることができる。したがって、ＣＶＤ膜は脱水されて緻密化され、吸水性の低いＣＶＤ膜を形成することができる。」
「【００２０】
【実施例】
（実施例１）多層配線構造の１層目のＡｌ配線を形成後、ＴＥＯＳとオゾンを４００℃で熱反応させてシリコン酸化膜を厚さ１μｍ成長させ、その後４５０℃の水蒸気雰囲気中で熱処理を行った。次にシリコン酸化膜にコンタクトホールを開口し２層目の金属配線層を蒸着したところ、２層目の金属層に水の混入による変化は生じなかった。」
　
（３−３）当審の判断 
（３−３−１）対比 
　補正発明と刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明の「多結晶シリコン」が非単結晶シリコンであることは明らかであるから、刊行物発明の「チャンネル部半導体膜１０３が多結晶シリコンからなる」構造は、補正発明の「チャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる」構造に相当する。
　よって、補正発明と刊行物発明とは、
「電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向するチャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜がＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　補正発明が、「前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」るのに対し、刊行物発明が、「前記ゲート絶縁膜１０４が、ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）等の有機シランと酸素等の酸化性気体を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなる」点。
〈相違点２〉
　補正発明が、「少なくとも前記ゲート絶縁膜を形成した後に、水分を含む雰囲気下で温度３５０℃〜５００℃、時間１時間以上の条件でアニールを行なう」のに対し、刊行物発明は「ゲート絶縁膜１０４」を形成した後に、そのような工程を有さない点。
　
（３−３−２）相違点の検討 
　以下、相違点１及び２について検討する。
〈相違点１について〉
　補正発明の、「前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」るとの特定は、「前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法」「で形成されたシリコン酸化膜からな」る構造と、「前記ゲート絶縁膜が」「ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」る構造とを択一的に表現したものである。そして、刊行物発明の「前記ゲート絶縁膜１０４が、ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）等の有機シランと酸素等の酸化性気体を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなる」構造は、上記補正発明の「前記ゲート絶縁膜が」「ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」る構造に相当する。よって、相違点１は実質的なものではない。
　
〈相違点２について〉
（ア）刊行物２には、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスに用いて形成したシリコン酸化膜は、吸水性が大きく、成長時に生成される水が膜中に混入する問題があったことが記載されており、さらに、当該課題を解決するために、ＴＥＯＳを原料ガスに用いたＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜を、温度４５０℃の水蒸気雰囲気で熱処理し、脱水及び緻密化することが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された、熱処理の温度である４５０℃は、補正発明の「温度３５０℃〜５００℃」の温度範囲に含まれ、また、刊行物２に記載された水蒸気雰囲気は、補正発明の「水分を含む雰囲気」に相当する。
（イ）また、本願の優先権主張日前、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜中に水分が含まれると、デバイスの電気的特性が不安定になることは、以下の周知文献１及び２に記載されるように従来周知の技術課題である。
（ウ）周知文献１．特開平０６−２５２２７５号公報（０００３段落ないし０００５段落、図６参照）には、ゲート酸化膜中に水分が拡散すると、ホットキャリアによる素子劣化を加速し、素子の信頼性寿命が短くなることが記載されている。
「【０００３】・・・一方、ＭＯＳＦＥＴの微細化によりドレイン電界が増加し、ホットキャリア問題が素子信頼性上重要な課題となってきている。この問題は、高電界中で高エネルギー状態（ホット）になったキャリアがゲート酸化膜中に注入され、酸化膜内に捕獲されたり、ゲート酸化膜と基板との間に界面準位を発生させ、素子特性を劣化させる。この際、ゲート酸化膜中にＯＨ基が多量に存在すると、ホットキャリア注入による素子劣化が大きくなることが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】塗布方法およびＴＥＯＳ−ＣＶＤ法により形成される絶縁膜は、膜中に多量の水分を含んでおり、この水分がゲート酸化膜中にまで拡散すると、ゲート酸化膜中にＯＨ基を形成するため、ホットキャリアによる素子劣化を加速する可能性がある。
【０００５】このような従来法で形成したときの素子のホットキャリア耐性寿命を図６に示す。図６は、素子の信頼性寿命の単位チャネル幅当たりの基板電流依存性を示すものである。基板電流は、発生したホットキャリアの数に比例し、素子に加わる電源電圧が大きいほど、大きな基板電流が流れる。図６に示すようにホットキャリアによる信頼性寿命と基板電流との間にはｌｏｇ−ｌｏｇプロット上で線形関係があるため、信頼性寿命の予測には、基板電流を用いるのが通常である。図６から、電源電圧３．３Ｖのときの寿命は、半年と予測される。実用的には、寿命を１０年とする必要があり、このような層間膜の構成による素子では、信頼性を保証できないことが判る。」
（エ）周知文献２．特開平０８−５５８５８号公報（００３６段落、００４４段落及び００５０段落）には、ＳｉＯ２ゲート絶縁膜中の水分が増大すると、ホットキャリアの劣化の原因となることが記載されている。
「【００３６】次に、本発明製法を、具体的に説明する。この場合、半導体基板２として、ボロンＢが１０１５atoms/cm３ドープされたｐ型の単結晶Ｓｉ基板が用意され、その一主面上に基板温度２７０℃として図２のリモートプラズマＣＶＤ装置によって、ＳｉＯ２ゲート絶縁膜を厚さ１００ｎｍに成膜した。そして、これの上にＡｌの蒸着膜によってゲート電極を形成し、ＭＩＳキャパシタ（ＭＩＳダイオード）を作製した。図３は、このようにして形成したＭＩＳダイオードの、Ｃ−Ｖ（容量−電圧）特性である。」
「【００４４】ところで、本発明方法による水蒸気中アニールによる場合、ホットキャリアの劣化の原因となる絶縁膜中の水分を増大させるのではないかという懸念があるが、実際には、このアニールは逆にＳｉＯ２膜中の水分、またはＯＨ基の低減効果があることを確認した。図５は、赤外分光により求めた膜中のＨ２Ｏ＋ＯＨ量（任意単位）のアニール温度依存性を示したもので、この場合１００ｎｍの膜厚のＳｉＯ２膜を成膜温度２７０℃にて形成し、５０Torrの水蒸気中で、基板温度２７０℃の水蒸気中アニールを行った。長時間加熱するほど、膜中のＨ２Ｏ＋ＯＨ量が減少しているとがわかる。」
「【００５０】上述したところは、本発明をＭＩＳダイオード（ＭＩＳキャパシタ）に適用した場合であるが、ＴＦＴをはじめとするＭＩＳトランジスタに適用して同様の効果を有することは言うまでもない。」
（オ）してみると、上記（イ）ないし（エ）に記載したとおり、電界効果トランジスタに関する技術分野において、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜中に水分が含まれると、デバイスの電気的特性が不安定になることは、周知の技術課題であるから、刊行物発明においても、ゲート絶縁膜中に水分が含まれないようにし、半導体装置の電気的特性が不安定になることを防止することは、当業者ならば当然考慮すべきことである。そして、刊行物発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれも、半導体装置の製造方法に関する共通の技術分野に属するものであり、刊行物発明は、「ゲート絶縁膜１０４」が「ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）と酸素を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなる」ものであるから、刊行物２に記載された発明の、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスに用いて形成したシリコン酸化膜を脱水及び緻密化するために、ＴＥＯＳを原料ガスに用いたＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜を、温度４５０℃の水蒸気雰囲気で熱処理し、脱水及び緻密化する工程を、刊行物発明の「ゲート絶縁膜１０４」に対して実行することは、当業者が容易になし得たことであり、その際、熱処理する時間を、「ゲート絶縁膜１０４」の脱水及び緻密化が十分になされ、補正発明の如く、シリコン酸化膜中の結合が安定化し、薄膜トランジスタの電気的特性が安定化する程度とし、具体的な数値範囲として１時間以上と設定することも、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。
　
　以上のとおりであるから、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
（３−４）まとめ
　よって、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１８年４月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１７年１１月２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「１．電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向するチャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなり、少なくとも前記ゲート絶縁膜を形成した後に、水分を含む雰囲気下で温度３００℃〜５００℃、時間１時間以上の条件でアニールを行なうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
４．刊行物に記載の発明
　刊行物１に記載された事項、及び、刊行物１に記載された発明は、「２．（３−２−２−１）刊行物１：国際公開第９５／０３６２９号パンフレット」に記載したとおりであり、刊行物２に記載された事項は、「２．（３−２−２−２）刊行物２：特開平０５−３０４１４７号公報」に記載したとおりである。
　
５．当審の判断 
（１）対比 
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明の「多結晶シリコン」が非単結晶シリコンであることは明らかであるから、刊行物発明の「チャンネル部半導体膜１０３が多結晶シリコンからなる」構造は、本願発明の「チャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる」構造に相当する。
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
「電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向するチャネル領域が非単結晶シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁膜がＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願発明が、「前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」るのに対し、刊行物発明が、「前記ゲート絶縁膜１０４が、ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）等の有機シランと酸素等の酸化性気体を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなる」点。
〈相違点２〉
　本願発明が、「少なくとも前記ゲート絶縁膜を形成した後に、水分を含む雰囲気下で温度３００℃〜５００℃、時間１時間以上の条件でアニールを行なう」のに対し、刊行物発明は「ゲート絶縁膜１０４」を形成した後に、そのような工程を有さない点。
　
（２）相違点の検討 
　以下、相違点１及び２について検討する。
〈相違点１について〉
　本願発明の、「前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」るとの特定は、「前記ゲート絶縁膜がＰＥＣＶＤ法」「で形成されたシリコン酸化膜からな」る構造と、「前記ゲート絶縁膜が」「ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」る構造とを択一的に表現したものである。そして、刊行物発明の「前記ゲート絶縁膜１０４が、ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）等の有機シランと酸素等の酸化性気体を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなる」構造は、上記本願発明の「前記ゲート絶縁膜が」「ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜からな」る構造に相当する。よって、相違点１は実質的なものではない。
　
〈相違点２について〉
（ア）刊行物２には、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスに用いて形成したシリコン酸化膜は、吸水性が大きく、成長時に生成される水が膜中に混入する問題があったことが記載されており、さらに、当該課題を解決するために、ＴＥＯＳを原料ガスに用いたＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜を、温度４５０℃の水蒸気雰囲気で熱処理し、脱水及び緻密化することが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された、熱処理の温度である４５０℃は、本願発明の「温度３００℃〜５００℃」の温度範囲に含まれ、また、刊行物２に記載された水蒸気雰囲気は、本願発明の「水分を含む雰囲気」に相当する。
（イ）また、本願の優先権主張日前、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜中に水分が含まれると、デバイスの電気的特性が不安定になることは、２．（３−３−２）〈相違点２について〉（ウ）及び（エ）に記載した周知文献１及び２に記載されるように従来周知である。
（ウ）してみると、上記（イ）に記載したとおり、電界効果トランジスタに関する技術分野において、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜中に水分が含まれると、デバイスの電気的特性が不安定になることは、周知の技術課題であるから、刊行物発明においても、ゲート絶縁膜中に水分が含まれないようにし、半導体装置の電気的特性が不安定になることを防止することは、当業者ならば当然考慮すべきことである。そして、刊行物発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれも、半導体装置の製造方法に関する共通の技術分野に属するものであり、刊行物発明は、「ゲート絶縁膜１０４」が「ＴＥＯＳ（Ｓｉ−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３）４）と酸素を用いたＰＥＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２膜からなる」ものであるから、刊行物２に記載された発明の、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスに用いて形成したシリコン酸化膜を脱水及び緻密化するために、ＴＥＯＳを原料ガスに用いたＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜を、温度４５０℃の水蒸気雰囲気で熱処理し、脱水及び緻密化する工程を、刊行物発明の「ゲート絶縁膜１０４」に対して実行することは、当業者が容易になし得たことであり、その際、熱処理する時間を、「ゲート絶縁膜１０４」の脱水及び緻密化が十分になされ、本発明の如く、シリコン酸化膜中の結合が安定化し、薄膜トランジスタの電気的特性が安定化する程度とし、具体的な数値範囲として１時間以上と設定することも、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１３について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。