【事件の表示】
　特願２００１−３４４２８５「半導体ウエハ保護用シート」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２３日出願公開、特開２００３−１５１９３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１３年１１月９日の出願であって、同１８年５月１７日付で拒絶の理由が通知され、同年７月１４日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同年８月３１日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同年１０月５日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年１１月６日に手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［理由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１−１　補正前の請求項１
「【請求項１】 シート状の支持体、該支持体上に積層された基材粘着剤層と、該基材粘着剤層上に積層された基材と、該基材上に積層されたウエハ粘着剤層を有する半導体ウエハ保護用シートであって、ウエハ粘着剤層が２，４−トルイレンジイソシアナートを含有し、該支持体の引張弾性率が０．０５〜１０ＧＰａで、その厚みが５０〜３００μｍであり、ウエハ研磨後における前記支持体を前記基材から剥離する際の剥離強度又は該基材をウエハから剥離する際の剥離強度の少なくとも一方が１．０×１０−３〜２．０Ｎ／２０ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハ保護用シート。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１−２　補正後の請求項１
「【請求項１】 シート状の支持体、該支持体上に積層された
紫外線硬化型
紫外線硬化型
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．補正の適否
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である基材粘着剤層について、「紫外線硬化型」と限定するものであって、平成１８年法律第５５号による改正前特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−１　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記１−２に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「半導体ウエハ保護用シート」であると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−２　引用刊行物記載の発明（事項）
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１１−８７２８２号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特開２０００−２１２５２４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（１）刊行物１
（１−ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハをバックグラインド工程からスピンエッチング工程の間、半導体ウェハデバイス面（以下デバイス面と略す）を研磨屑及びエッチング液から保護する半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウェハのバックグラインド及びスピンエッチング方法に関する。」
（１−イ）段落【０００５】〜【０００６】
「【発明の実施の形態】次に、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明にかかる半導体ウェハデバイス面保護用フィルムの構造を示したもので、粘着剤層を有する補強層１１と同じく粘着剤層を有する保護層１２の２層構成からなる。本発明に用いる補強層の基材１１ａとしてはプラスチックフィルムが好ましくもちいられ、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン又はこれらの共重合体、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル共重合体等が挙げられ、単一層でも、２層以上の積層体でもよい。プラスチックフィルムの種類及び構造については制限はないが、あまり、フィルムが硬いとデバイス面の凹凸を吸収できないため、ある程度の柔軟性が必要である。また、プラスチックフィルムの厚さは２５〜２００μｍが好ましい。これは、これより薄いとバックグラインドの際、デバイス面の凹凸の吸収性が悪くなり、それに起因する半導体ウェハの割れ研磨ムラが発生する。また、これより厚いと剥離しづらいという不具合が生じる。・・・。
　補強層１１に塗布される粘着剤１１ｂとしては汎用の粘着剤、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、天然ゴム、合成ゴム等を使用できる。常温で粘着性を有するものであればよい。これらの中でよく用いられるものとしては、アクリル樹脂系粘着剤がある。これは、比較的扱い易く変性も容易であることから使用される。更に、その凝集力を向上させる目的から架橋剤によって架橋することも可能である。この架橋剤を例示すると、イソシアネート、エポキシ、アミン、イミド、メラミン樹脂等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。その他、粘着付与剤、着色剤等の添加剤を添加することもできる。この粘着剤の接着力については、室温では以下に説明する保護層の粘着剤１２ｂの接着力よりも低く、その半分以下であれば更に好ましい。これは、バックグラインド後、補強層のフィルム１１を選択的に剥離するためである。・・・」
（１−ウ）段落【０００７】
「・・・上述の保護層に塗布する粘着剤１２ｂには、汎用の粘着剤を使用してもよいが、何らかの処理により接着力が低下するものが好ましい。これは、スピンエッチング後の半導体ウェハの厚みが、かなり薄くなっているため、剥離時に大きな応力がかかるとウェハが破損する恐れがあるためである。何らかの処理としては、加熱、冷却、ＵＶや電子線等の放射線等の照射等が挙げられるが、これに限定するものではない。特に、半導体の製造工程においては、水分、電子線等は半導体のデバイスに悪影響を与えるため好ましくない。よって、熱を加えることにより接着力が下がる粘着剤が好ましい。」
（１−エ）段落【０００９】〜【００１０】
「この粘着剤１２ｂのポリマーには、接着力等の制御のために汎用のアクリル酸（メタクリル酸）誘導体を用いることもできる。汎用のアクリルモノマーとしては、アクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸アミド、アクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−シアノエチル、アクリロニトリル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。・・・この粘着剤１２ｂも、その凝集力を向上させる目的から架橋剤によって架橋する必要がある。その架橋剤としては、前述のものを使用してもよいが、これに限定されるものではない。また、粘着剤にはその他、架橋剤の反応を促進させる触媒、粘着付与剤、着色剤等の添加剤を添加することもできる。・・・
　この保護層１２の接着力は、粘着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離する高温で低くなるのが好ましい。具体的には、シリコンウェハに対する接着力が、粘着剤の融点付近で５０ｇｆ／２５ｍｍ以上あり且つ、６０℃で２０ｇｆ／２５ｍｍ以下になるのが好ましい。融点付近で５０ｇｆ／２５ｍｍ以下であると半導体ウェハ裏面研磨処理時に保護層１２が剥がれてしまう恐れがある。また、６０℃で２０ｇｆ／２５ｍｍ以上あると保護層の剥離時の応力が大きくなり、半導体ウェハに負荷がかかり破損する恐れがある。このようにして得られた２つの粘着フィルムをラミネートして、半導体ウェハデバイス面保護用フィルム１０とする。・・・」
（１−オ）段落【００１３】
「【実施例】・・・保護層１２には、基材１２ａにＰＥＴフィルム（厚み１８８μｍ）を使い、粘着剤１２ｂには前述した高温低剥離型粘着剤を用い、融点を１５℃に設定した。この粘着剤の接着力は、２５℃付近では、１００〜２００ｇｆ／２５ｍｍで、６０℃に加熱すると５〜２０ｇｆ／２５ｍｍになった。・・・」
（１−カ）段落【００１４】〜【００１５】
「次に、本実施例に係る半導体ウェハデバイス面保護用フィルム１０の使用方法について、図２〜図５を用いて説明する。・・・（貼付け工程）・・・（バックグラインド工程）・・・（補強層剥離工程）・・・最後に、スピンエッチングが終了した保護層１２付き半導体ウェハ２１を加熱し、保護層１２の接着力を下げた後、バックグラインド剥離用テープ等で剥離した。・・・」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記摘記事項（１−エ）〜（１−カ）において、保護層１２付き半導体ウェハ２１を加熱し、保護層１２の接着力を下げた後、保護層１２を剥離することから、粘着剤の接着力は、ウェハ研磨後における保護層１２をウェハから剥離する際の剥離強度が５〜２０ｇｆ／２５ｍｍということができる。
　そうすると、これらの記載事項からみて、技術常識を勘案して本件補正発明に照らして整理すると、刊行物１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「補強層の基材１１ａ、該補強層の基材１１ａ上に積層された補強層の粘着剤１１ｂ層と、該補強層の粘着剤１１ｂ上に積層された保護層の基材１２ａと、該保護層の基材１２ａ上に積層された保護層の粘着剤１２ｂ層を有する半導体ウェハデバイス面保護用フィルムであって、
　該補強層の基材１１ａの厚みが２５〜２００μｍであり、ウェハ研磨後における該保護層１２をウェハから剥離する際の剥離強度が５〜２０ｇｆ／２５ｍｍである半導体ウェハデバイス面保護用フィルム。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）刊行物２
（２−ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、各種半導体の製造工程のうち半導体ウエハの裏面を研削するバックグラインド工程において用いる半導体ウエハ保護用粘着シート、及び半導体ウエハの研削方法に関する。」
（２−イ）段落【０００４】
「【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の目的は、バックグラインド工程でのウエハの反りを抑制できる半導体ウエハ保護用粘着シート、及び半導体ウエハの研削方法を提供することにある。」
（２−ウ）段落【００１２】〜【００１３】
「・・・本発明は、基材フィルムと粘着剤層とで構成された半導体ウエハ保護用粘着シートであって、基材フィルムの引張り弾性率が０．６ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体ウエハ保護用粘着シート（以下、「粘着シート１」と略称する場合がある）を提供する。
　本発明は、また、基材フィルムと粘着剤層とで構成された半導体ウエハ保護用粘着シートであって、基材フィルムが引張り弾性率０．６ＧＰａ以上のフィルム層を少なくとも１層含む多層フィルムで構成されていることを特徴とする半導体ウエハ保護用粘着シート（以下、「粘着シート２」と略称する場合がある）を提供する。」
（２−エ）段落【００１７】〜【００１９】
「本発明の粘着シート１における基材フィルムの引張り弾性率、及び粘着シート２において基材フィルムを構成する複数のフィルム層のうち少なくとも１つのフィルム層の引張り弾性率は０．６ＧＰａ以上であり、好ましくは１．５ＧＰａ以上である。前記引張り弾性率は、大きすぎるとウエハより剥離する際に不具合の原因となるため、１０ＧＰａ以下であるのが好ましい。なお、本明細書において、引張り弾性率とは、幅１０ｍｍ、厚み１０μｍ〜１００μｍの短冊状の試料を２３℃において１分間に１００％の割合で引張った時に得られるＳ−Ｓ曲線から求められる初期弾性率を意味する。
　基材フィルムの厚みは大きいほど同じ応力に対しては小さい変形ですむので好ましいとも考えられるが、一方で厚みが大きくなると反りに対する中心軸が外側に偏向するために必ずしも反り量は小さくならない。また、逆に基材の厚みが薄くなりすぎると変形量が大きくなるので反りは大きくなる。よって、基材フィルムの厚みは２０μｍ〜３００μｍ程度が望ましい。
　本発明の粘着シート３において、基材フィルムの引張り弾性率（ＧＰａ）と基材フィルムの厚み（ｍｍ）との積は０．０２（ＧＰａ・ｍｍ）以上であり、好ましくは０．０３（ＧＰａ・ｍｍ）以上である。なお、基材フィルムの引張り弾性率（ＧＰａ）と厚み（ｍｍ）との積は、３（ＧＰａ・ｍｍ）程度以下であるのが好ましい。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記記載事項の記載からみて、技術常識を勘案して本件補正発明に照らして整理すると、刊行物２には次の事項（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
「複数の基材フィルムが積層された半導体ウエハ保護用粘着シートにおいて、研磨不良を生じないために基材フィルムを構成する複数のフィルム層のうち少なくとも１つのフィルム層の引張り弾性率が０．６〜１０ＧＰａで、その厚みが１０〜１００μｍとすること。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−３　対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「補強層の基材１１ａ」は前者の「シート状の支持体」に、以下同様に、「補強層の粘着剤１１ｂ層」は「基材粘着剤層」に、「保護層の基材１２ａ」は「基材」に、「保護層の粘着剤１２ｂ層」は「ウエハ粘着剤層」に、「半導体ウェハデバイス面保護用フィルム」は「半導体ウエハ保護用シート」に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、引用発明における保護層１２のシリコンウェハに対する剥離強度５〜２０ｇｆ／２５ｍｍは、本件補正発明における基材をウエハから剥離する際の剥離強度１．０×１０−３〜２．０Ｎ／２０ｍｍに含まれることは明らかである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
［一致点］
「シート状の支持体、該支持体上に積層された基材粘着剤層と、該基材粘着剤層上に積層された基材と、該基材上に積層されたウエハ粘着剤層を有する半導体ウエハ保護用シートであって、該支持体の厚みが５０〜２００μｍであり、ウエハ研磨後における該基材をウエハから剥離する際の剥離強度が１．０×１０−３〜２．０Ｎ／２０ｍｍである半導体ウエハ保護用シート。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点１］
　基材粘着剤層が、
　本件補正発明では、紫外線硬化型であるのに対して、
　引用発明では、紫外線硬化型でない点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点２］
　ウエハ粘着剤層が、
　本件補正発明では、２，４−トルイレンジイソシアナートを含有しているのに対して、
　引用発明では、２，４−トルイレンジイソシアナートを含有しているのか否か不明である点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点３］
　支持体の引張弾性率と、その厚みに関して、
　本件補正発明では、引張弾性率が０．０５〜１０ＧＰａで、その厚みが５０〜３００μｍあるのに対して、
　引用発明では、引張弾性率が不明であり、その厚みが２５〜２００μｍである点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−４　相違点についての判断
［相違点１について］
　半導体ウエハ保護用シートの粘着剤層として紫外線硬化型のものは、例えば、刊行物１の段落【０００７】にも示唆されている（上記摘記事項（１−ウ）参照。）ように、当該技術分野で周知のものである。
　してみると、引用発明の基材粘着剤層に上記周知のものを採用して、相違点１に係る本件補正発明の特定事項とすることは当業者が適宜なし得た設計変更にすぎない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点２について］
　刊行物１には、ウェハ粘着剤層に架橋剤によって架橋する旨の記載があり（上記摘記事項（１−イ）参照。）、半導体ウエハ保護用シートのウエハ粘着剤層に架橋剤として２，４−トルイレンジイソシアナートを含有することは、例えば、特開平９−２９８１７３号公報の段落【００２７】や特開平８−２４５９３２号公報の段落【００１８】にも記載されているように、当該技術分野で周知の事項である。
　してみると、引用発明のウエハ粘着剤層に上記周知の事項を採用して、相違点２に係る本件補正発明の特定事項とすることは当業者が適宜なし得た設計的事項にすぎない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点３について］
　上記刊行物２記載の事項の「半導体ウエハ保護用粘着シート」、「基材フィルムを構成する複数のフィルム層のうち少なくとも１つのフィルム層」及び「引張り弾性率」は、「半導体ウエハ保護用シート」、「支持体」及び「引張弾性率」に、それぞれ相当することは明らかである。
　そうすると上記刊行物２記載の事項は、「複数の基材フィルムが積層された半導体ウエハ保護用シートにおいて、研磨不良を生じないために複数の基材フィルムを構成する複数のフィルム層のうち１つのフィルム層である支持体の引張り弾性率が０．６〜１０ＧＰａとすること。」とすることができる。
　そして、引用発明と上記刊行物２記載の事項とは、半導体ウエハの裏面研磨に用いる半導体ウエハ保護用シートである点で技術分野が一致しており、適用を阻害する特段の事由もない。
　そうすると、引用発明に上記刊行物２記載の事項を適用することに困難性はない。しかも、本件補正発明の支持体の引張弾性率及び厚みの数値範囲については、比較例は計４例あるものの実施例は１例にすぎず、その上下限近傍における実施例はなく格別な技術的意義を見出せない。
　してみると、引用発明における支持体の引張弾性率を０．０５〜１０ＧＰａとし、その厚みを５０〜３００μｍとすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本件補正発明によってもたらされる効果も、引用発明、刊行物２記載の事項及び上記各周知の事項から当業者であれば十分予測できるものであって格別なものとはいえない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本件補正発明は、引用発明、刊行物２記載の事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、改正前特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する改正前特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年７月１４日付の手続補正書により補正がされた特許請求の範囲の請求項１記載された事項により特定される前記第２の１−１に示したとおりのものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用刊行物
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用され、また、本件出願前に日本国内で頒布された刊行物及びその記載内容は、前記第２の２−２に示したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
　本願発明は、前記第２の２．で検討したように、本件補正発明の特定事項から前記限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の２−４に記載したとおり、引用発明、刊行物２記載の事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、刊行物２記載の事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。