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　平成１０年特許願第３０９１５９号「半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２５日出願公開、特開２０００−１１９０７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　　
　本願は、平成１０年１０月２９日（優先権主張平成１０年８月１１日）の出願であって、平成１７年２月２１日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１７年５月６日に手続補正書とともに意見書の提出がなされ、平成１７年６月３日付けで拒絶査定がなされ、平成１７年７月７日に拒絶査定不服審判が請求され、平成１７年７月２８日に審判請求書の補正書の提出がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１７年５月６日の手続補正書より補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】ＳｉＣにＳｉを含浸してなるＳｉ−ＳｉＣを基材とする半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材において、前記基材の金属不純物含有量として、Ｆｅの含有量が０．０５ｐｐｍ以下、ＮｉとＣｕとＮａとＣａとＣｒとＫとの合計含有量が０．０５ｐｐｍ以下であり、かつ少なくとも半導体が接触する部位の表面粗さ（Ｒａ）が０．２０μｍ以下であることを特徴とする半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材。」
　
３．刊行物の記載事項
（３−１）原査定の拒絶の理由において引用文献１として引用された特開平８−６７５８１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（い）「【請求項１】炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料で形成され、ガス不透過性を有する半導体用治工具において、表面に存在するボイドの径が１０μｍ以下であることを特徴とする半導体用治工具。」（第２頁左欄、特許請求の範囲）、
（ろ）「本発明は・・・ウエハボートやプロセスチューブ等、半導体の熱処理やその他の用途に用いられる半導体用治工具に及びその製造方法に関する。」（第２頁左欄１６〜１９行）、
（は）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来から半導体の熱処理に用いられてきた高純度石英ガラス製の半導体用治工具は、フッ酸を含む洗浄液に対して均一に溶解し、またその表面にはボイド等が殆ど存在せず非常に滑らかであるため、何らかの原因で一旦その表面が汚染されても、フッ酸等を用いた洗浄により比較的容易に汚染物質等の洗浄、除去を行うことができるという利点がある。しかし、この石英ガラス製の半導体用治工具は・・・耐熱性などの点で問題があった。【０００６】一方、炭化珪素質材料は・・・耐熱性については殆ど問題がないが、材料自体の純度の点で石英ガラス並の高純度な材料を得ることが難しいという問題があった。・・・。【０００８】ところが最近では、・・・高純度の原料を用いることにより石英ガラス並に高純度の炭化珪素質材料が開発され、その用途展開が進んでいる。しかし、通常の炭化珪素質材料は多孔質の炭化珪素成形体に金属シリコンを浸透させることにより複合材料を製造するため、その内部には金属シリコンが完全に浸透しない部分（ボイド）が無数に存在する。そして、例えば前記炭化珪素質材料からなるウエハボートにスリット加工処理を施すと、前記ボイドがウエハボートの表面に露出し、例えば加工処理工程で用いられる冷却水中の不純物、環境からの不純物やパーティクル等が、この露出したボイド内に入り込むことになる。【０００９】このような炭化珪素質材料表面のボイド、特にその大きさが数十μｍに及ぶ大きなボイドの内部に付着した不純物やパーティクル等は、酸洗浄によってもその除去は容易ではなく、不純物等の除去処理工程の後の乾燥工程も複雑化するという課題があった。」（第２頁左欄４５行〜同頁右欄４２行）、
（に）「【００１０】本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、高純度であり、かつその表面に大きなボイドが存在しないために環境からの汚染が少なく、また酸等により容易に不純物等の除去ができ、半導体素子等の熱処理工程等において該半導体素子等を汚染する虞れのない半導体用治工具を提供することを目的としている。」（第２頁右欄４８行〜第３頁左欄３行）
（ほ）「【００１３】まず、本発明に係る半導体用治工具の製造方法を詳細に説明する。
【００１４】原料として用いられる炭化珪素粉末は、α型、又はβ型のいずれであってもよく、またそれらの混合物であってもよい。・・・。また、半導体用治工具は高純度を要求される製品であるため、前記炭化珪素粉末は、その金属不純物濃度が１ｐｐｍ以下の高純度のものを用いるのが望ましい。（第３頁左欄第１９〜３４行）、
（へ）「【００３０】このようにして製造された炭化珪素質焼結体に切削加工等を施すことにより、表面に存在するボイドの径が１０μｍ以下の半導体用治工具の製造が完了する。この半導体用治工具は、・・・、その金属不純物濃度も１ｐｐｍ以下であり、１３５０℃程度以下の温度で半導体等に熱処理を施す際に使用する半導体用治工具として好適なものとなる。」（第４頁右欄３〜１１行）、
（と）「【００３５】［実施例１］粒径・・・のβ型炭化珪素粉（金属不純物濃度：０．２ｐｐｍ）・・・を加えて混練し、・・・ウエハボート形状の成形体を作製し・・・焼成を行い、・・・純化処理を施した。【００３７】この純化処理を施した多孔質炭化珪素系成形体に、・・・溶融シリコン（・・・）を含浸させたところ、その内部までシリコンの浸透した緻密な焼結体が得られた。この焼結体に・・・スリットを加工・・・し、ウエハボートの製造を完了した。」（第５頁左欄２〜２６行）、
（ち）「【００４５】［実施例２］その粒径が・・・のβ型炭化珪素粉末を使用した以外は、実施例１と同一の条件でウエハボートを作製した。」（第５頁右欄１５〜１８行）
（り）「【００４６】［実施例３］その粒径・・・のβ型炭化珪素粉末９５重量％及びその粒径・・・の炭素粉末（金属不純物濃度：０．１ｐｐｍ）５重量％からなる混合粉末を使用した以外は実施例１と同一の条件でウエハボートを作製した。」（第５頁右欄２４〜３０行）、
（ぬ）「本発明に係る半導体用治工具にあっては、・・・、表面に存在するボイドの径が１０μｍ以下であるので、環境からの汚染が少なく、また酸等により容易に不純物等を除去することができ、半導体素子等の熱処理工程等において該半導体素子等の汚染を防止することができる。」（第７頁左欄４〜１１行）。
　
（３−２）原査定の拒絶の理由において引用文献２として引用された特開平６−３４０４７９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（る）「【請求項１】・・・不純物含有量が２０ｐｐｍ以下である炭化珪素粉末を用いて成形体を作製した後、・・・焼成して得られる多孔質性の焼結体の表面に、ＣＶＤ法による厚さ１０μｍ〜５００μｍの高純度炭化珪素薄膜を形成することを特徴とした半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法。【請求項２】・・・。【請求項３】前記高純度炭化珪素薄膜における不純物の含有量は１ｐｐｍ以下であることを特徴とした請求項１または２に記載の半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法。」（第２頁左欄、特許請求の範囲参照）、
（を）「【００１８】更に、焼結体の表面粗さ（ＪＩＳ　Ｂ　０６０１）の平均値（Ｒａ）は０．５μｍ〜１０μｍでありかつ最大値（Ｒｍａｘ）は２．０μｍ〜１００μｍであることが望ましい。即ち、焼結体の表面にある程度の凹凸があると、そのアンカー効果によってＳｉＣ薄膜の密着強度が向上するからである。」（第３頁左欄４３〜４８行）、
（わ）「【００１９】ＲａまたはＲｍａｘが前記の値より小さいと、充分なアンカー効果を得ることができず、生成したＳｉＣ薄膜が小さな衝撃等によって剥離し易くなる。また、耐熱衝撃値が小さくなるため、高温雰囲気下での使用が難しくなる。一方、ＲａまたはＲｍａｘが前記の値より大きいと、ＳｉＣ薄膜を平滑化するためには厚膜にしなければならず、生産性及びコストの面で問題となる。」（第３頁左欄４９行〜第３頁右欄６行）。
　
４．対比・判断
（４−１）対比
　刊行物１には、（い）の記載から、「炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料で形成される半導体用治工具において、表面に存在するボイドの径が１０μｍ以下であることを特徴とする半導体用治工具」に係る発明が記載されている。
　そして、前記（い）の「半導体用治工具」および「炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料」は、（へ）の「半導体用治工具は、・・・半導体等に熱処理を施す際に使用する半導体用治工具として好適なものとなる。」との記載、（と）の「多孔質炭化珪素系成形体に、・・・溶融シリコン（・・・）を含浸させ・・・シリコンの浸透した緻密な焼結体が得られた。この焼結体に・・・スリットを加工・・・し、ウエハボートの製造を完了した。」との記載および前記「ウエハボート」は半導体に熱処理を施す際に使用する治工具として周知のものであることからみて、「半導体熱処理用治工具」が「炭化珪素に金属シリコンを含浸してなる炭化珪素質材料」から形成されているということができる。
　これを本願発明１の記載に則って整理すると、刊行物１には、「炭化珪素に金属シリコンを含浸してなる炭化珪素質材料で形成される半導体熱処理用治工具」に係る発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　そこで、本願発明１と刊行物１発明とを比較すると、後者の「炭化珪素に金属シリコンを含浸してなる炭化珪素質材料」は、「ＳｉＣにＳｉを含浸してなる材料」ということができ、「Ｓｉ−ＳｉＣ」と表記することもできるから、前者の「ＳｉＣにＳｉを含浸してなるＳｉ−ＳｉＣ」に相当し、後者の「炭化珪素質材料で形成される半導体熱処理用治工具」は、前者の「Ｓｉ−ＳｉＣを基材とする半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材」に相当するから、両者は、「ＳｉＣにＳｉを含浸してなるＳｉ−ＳｉＣを基材とする半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材」に係る発明である点で共通し、以下の（Ａ）、（Ｂ）の点で相違する。
（Ａ）本願発明１は、基材の金属不純物含有量について、「Ｆｅの含有量が０．０５ｐｐｍ以下、ＮｉとＣｕとＮａとＣａとＣｒとＫとの合計含有量が０．０５ｐｐｍ以下」としているのに対し、刊行物１発明はこのことを明示しない点、
（Ｂ）本願発明１は、半導体が接触する部位の表面粗さ（Ｒａ）について、「０．２０μｍ以下」としているのに対し、刊行物１発明はこのことを明示しない点。
　
（４−２）相違点についての検討
（４−２−１）相違点（Ａ）について：
　刊行物１の（ほ）には、「原料として用いられる炭化珪素粉末は、・・・。また、半導体用治工具は高純度を要求される製品であるため、前記炭化珪素粉末は、その金属不純物濃度が１ｐｐｍ以下の高純度のものを用いるのが望ましい。」と記載され、（へ）には「半導体用治工具の製造が完了する。この半導体用治工具は、・・・、その金属不純物濃度も１ｐｐｍ以下であり、・・・半導体等に熱処理を施す際に使用する半導体用治工具として好適なものとなる。」と記載され、（と）、（ち）、（り）には、原料として、金属不純物濃度が０．２ｐｐｍであるβ型炭化珪素粉を用いることが記載されている。
　してみると、刊行物１発明に係る「半導体用治工具」は、その金属不純物濃度を望ましくは「１ｐｐｍ以下」とするものであり、その下限値は明示されないものの、前記「半導体用治工具は高純度を要求される製品である」との記載、および、「不純物」という用語が、一般的に、その含有が望まれない物質を示す用語として用いられるものであることを考慮すると、「不純物濃度」を「１ｐｐｍ以下」という表現は、下限値として、ゼロまたはゼロに限りなく近い値を示唆していると解するのが自然である。
　そして、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｃａ、ＣｒおよびＫは、前記半導体用治工具において基材を構成する元素でなく、金属不純物と考えられる成分である。　してみると、刊行物１発明に係る「半導体用治工具」は、金属不純物濃度を「１ｐｐｍ以下」であり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｃａ、ＣｒおよびＫ等の金属濃度をゼロまたはゼロに限りなく近い値とすること、すなわち、「Ｆｅの含有量が０．０５ｐｐｍ以下、ＮｉとＣｕとＮａとＣａとＣｒとＫとの合計含有量が０．０５ｐｐｍ以下」とすることを示唆しているということができる。
　したがって、相違点（Ａ）に係る本願発明１の構成は刊行物１発明から示唆されるものである。
（４−２−２）相違点（Ｂ）について：
　刊行物１発明の開発課題は、前記（は）によると、概略、次のとおりである。
　半導体の熱処理に従来より用いられてきた高純度石英ガラス製の半導体用治工具は、その表面にボイド等が殆ど存在せず非常に滑らかであるため、洗浄で比較的容易に汚染物質の洗浄、除去を行うことができるという利点を有したものであったが、耐熱性に劣るという難点も有していた。この難点を解決するべく、多孔質の炭化珪素成形体に金属シリコンを浸透させて製造された、石英ガラス並に高純度の炭化珪素質材料が開発されたものの、この炭化珪素質材料は、スリット加工処理を施すと、金属シリコンが完全に浸透しない部分（ボイド）がウエハボートの表面に露出し、ボイドの内部に不純物やパーティクル等が入り込み、特に数十μｍに及ぶ大きなボイドにあっては、その内部に付着した不純物やパーティクル等が酸洗浄によっても容易に除去できないという課題があった。
　そこで、前記課題を解決する目的でなされたのが刊行物１発明であり［上記（に）参照］、前記したように、炭化珪素質材料で形成される半導体用治工具の表面のボイド径を「１０μｍ以下」とするという構成を採用し、「環境からの汚染が少なく、また酸等により容易に不純物等を除去することができ、半導体素子等の熱処理工程等において該半導体素子等の汚染を防止することができる。」という効果を奏したものである［上記（ぬ）参照］。
　ところで、前記課題に関する「高純度石英ガラス製の半導体用治工具」の利点に係る「その表面にボイド等が殆ど存在せず非常に滑らかであるため、洗浄で比較的容易に汚染物質の洗浄、除去を行うことができる」との内容は、洗浄により比較的容易に汚染物質等の洗浄、除去ができるとの観点から、半導体用治工具としては、その表面にボイド等が殆ど存在せず非常に滑らかであることが望ましいとする技術思想が存在したことを示すとともに、刊行物１発明に係る前記「酸等により容易に不純物等を除去することができ」との効果は、その工具が酸洗浄に悪影響を与えるようなボイドを殆ど有さず非常に滑らかであることを示していると解される。
　また、刊行物２には、半導体製造用治具のための炭化珪素質基材に関して［前記（る）参照］、「焼結体の表面粗さ（・・・）の平均値（Ｒａ）は０．５μｍ〜１０μｍ」［前記（を）参照］および「ＲａまたはＲｍａｘが前記の値より小さいと、充分なアンカー効果を得ることができず、生成したＳｉＣ薄膜が小さな衝撃等によって剥離し易くなる。」［前記（わ）参照］と記載され、本願発明１のようなＳｉＣ薄膜を特定事項としない場合においては、アンカー効果を期待する必要はないのであるから、焼結体の表面粗さ（Ｒａ）を０．５μｍより小さくすることが妨げられるものでなく、当業者が適宜調整できることであり、「一方、ＲａまたはＲｍａｘが前記の値より大きいと、ＳｉＣ薄膜を平滑化するためには厚膜にしなければならず、生産性及びコストの面で問題となる。」［前記（わ）参照］とあるように、表面の平滑化も半導体製造用治具（本願発明１の「半導体用治工具」に相当）において前提とされるものであることが示されている。
　してみると、刊行物１発明における、半導体用治工具の表面のボイド径を「１０μｍ以下」とするという構成は、ボイド径が限りなくゼロに近く、ボイドを殆ど有さないといえる滑らかな場合をも構成として包含することを示唆し、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍより小さい「０．２０μｍ以下」の「滑らか」な状態をも示唆しているということができる。
　したがって、本願発明１の相違点（Ａ）及び相違点（Ｂ）に係る構成は、ともに、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想起できたものである。
（４−２−３）効果について：
　本願発明１の、相違点（Ａ）及び相違点（Ｂ）に係る構成を採用することにより奏されるとされる効果は、半導体ウェーハの汚染を防止できるという効果と、スリップの発生を防止できるという効果である。しかし、半導体ウェーハの汚染を防止できるという効果は、刊行物１の前記した内容から予想される効果であり、スリップの発生を防止できるという効果については、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍより小さい「０．２０μｍ以下」とすることにより臨界的意義を有するものとは認められず、滑らかであれば擦り傷が発生しがたいという程度のことであって、格別の効果であるとすることはできない。
　したがって、本願発明１の前記構成の採用に伴うとされる効果は、当業者が刊行物１、２に記載された発明に基づいて容易に予想できたものにすぎない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、本願の優先日前に頒布された刊行物１、２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。