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　特願２００３−３５３１４９「発光部品およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４８０６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１１月１４日に出願した特願平９−３３１０８３号の一部を平成１５年１０月１４日に新たな特許出願としたものであって、平成１６年１１月８日に手続補正がなされ、平成１９年１月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年３月２６日に手続補正がなされたものである。
　
　
　
ＩＩ．平成１９年３月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年３月２６日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年３月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。  
「【請求項１】
　基板および前記基板上にそれぞれ形成されかつ接続される複数の３族窒化物半導体発光素子を備えた発光部品であって、
　前記各３族窒化物半導体発光素子は、前記基板上に形成される第１導電型の半導体層、前記第１導電型の半導体層上に形成される第１導電型側電極、前記第１導電性の半導体層上に形成される第２導電型の半導体層、前記第２導電型の半導体層上に形成される第２導電型側電極、前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極上に形成された保護膜を含み、
　前記保護膜には、前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極のそれぞれの上面の一部が露出する開口が形成されており、
　相互に隣接する前記３族窒化物半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とは、前記開口を介して接続される、発光部品。」
 　 
 　 
２．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された「保護膜」の形成場所について、「３族窒化物半導体発光素子上」を「（前記）第１導電型側電極および（前記）第２導電型側電極上」に限定するとともに、前記保護膜の「開口」を形成する形態について、「前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極のそれぞれの上面の一部が露出する」、との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　しかしながら、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）は、以下のとおり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
１〕刊行物記載の発明  
　本願の出願前に頒布され、平成１８年９月１３日付けの拒絶理由通知において引用された刊行物である特開昭５１−３６０８５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「この発明は、複数個の発光素子を含む半導体発光装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１４、１５行）
（イ）「第２図は、この発明の一実施例で、４個の発光素子が電気的に直列に接続されている半導体発光装置１００の平面図を示すもので、１１，１２，１３，１４は発光素子、１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａはそれぞれ発光素子１１，１２，１３，１４のｎ型半導体層、１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂはそれぞれ発光素子１１，１２，１３，１４のｐ型半導体層、１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ，１４Ｃはそれぞれ発光素子１１，１２，１３，１４のｐｎ接合、１１Ｄ，１２Ｄ，１３Ｄ，１４Ｄはそれぞれ発光素子１１，１２，１３，１４のｎ側電極、１１Ｅ，１２Ｅ，１３Ｅ，１４Ｅはそれぞれ発光素子１１，１２，１３，１４のｐ側電極である。なお、ｎ側電極１１Ｄ，１２Ｄ，１３Ｄは、ｐ型半導体基板１Ｐ上に形成され、互いに独立した４個の発光素子１１，１２，１３，１４を電気的に直列に接続させるためのリード線としての役割をも果たしている。
　以下、この半導体発光装置１００の製造方法を説明する。
　第３図は、第２図に示す半導体発光装置１００の製造工程を示すもので、Ｌ−Ｌ線による断面図を示すものである。
　まず、第３図（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１Ｐ上にｎ型半導体層１Ａ′をエピタキシヤル成長法等により形成して分離に必要な分離用ｐｎ接合１Ｑを形成する。次いで第３図（ｂ）に示すように、ｎ型半導体層１Ａ′を電気的に分離するためにサンドブラスト、化学的食刻等の技術を用いて凹陥状の溝２１の底部がｐ型半導体基板１Ｐに充分達するように溝２１を形成する。これによつて図示されないものも含めて互いに電気的に分離された４個のｎ型半導体層１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａが形成される。次に、第３図（ｃ）に示すように、全面に電気的絶縁膜２２を形成した後、写真製版技術等により電気的絶縁膜２２に穴２３をあけて拡散マスクとする。次に、電気的絶縁膜２２の穴２３からアクセプタとして作用する不純物をｎ型半導体層１１Ａ，１２Ａに所定の深さ拡散させて、ｐ型半導体層１１Ｂ，１２Ｂを形成すれば、発光に寄与するｐｎ接合１１Ｃ，１２Ｃが形成される。
　然る後、第３図（ｄ）に示すように、発光波長領域において光学的に透明な電気的絶縁膜２４を全面に形成した後、写真製版技術等を用いてｎ側電極１１Ｄ，１２Ｄおよびｐ側電極１１Ｅ，１２Ｅを形成する箇所にそれぞれ穴２５，２６を開け、それぞれｎ型半導体層１１Ａ，１２Ａおよびｐ型半導体層１１Ｂ，１２Ｂの表面を露出させる。その後、第３図（ｅ）に示すように、ｐ側電極１１Ｅ，１２Ｅ用材料を真空蒸着法等を用いて全面に被着した後、写真製版技術等を用いてｐ側電極１１Ｅ，１２Ｅを形成する。次いで、第３図（ｆ）に示すように、ｐ側電極１１Ｅ，１２Ｅを形成したのと同様にしてｎ側電極１１Ｄ，１２Ｄを形成する。
　なお、この実施例ではｎ側電極１１Ｄ，１２Ｄ，１３Ｄは、ｐ型半導体基板１Ｐ上に互いに電気的に独立に形成された発光素子１１，１２，１３，１４を電気的に直列に接続するリード線の役割を果たしているが、このリード線として他の材料を用いて接続してもよい。このようにして、同一基板上に互いに独立した４個の発光素子を、電気的に直列の接続された半導体発光装置１００が形成される。
　第４図は、第２図に示す半導体発光装置１００の他の製造工程を示すものである。
　まず、第４図（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１Ｐ上にｎ型半導体層１Ａ′をエピタキシヤル成長法等により形成して分離に必要な分離用ｐｎ接合１Ｑを形成した後、ｎ型半導体層１Ａ′上にエピタキシヤル成長法等によりｐ型半導体層１Ｂ′を形成して発光に必要なｐｎ接合１Ｃ′を形成する。
　次に、第４図（ｂ）に示すように、発光に必要なｐｎ接合１Ｃ′を電気的に分離するために、サンドブラスト、化学的食刻等の技術を用いて凹陥状の溝２１の底部がｐ型半導体基板１Ｐに充分達するように溝２１を形成する。これによつて、図示されないものも含めて互いに電気的に分離された４個の発光素子１１，１２，１３，１４が形成される。
　次いで、第４図（ｃ）に示すように、サンドブラスト、化学的食刻等の技術を用いてｐ型半導体層１１Ｂ，１２Ｂの所定箇所を除去して、ｎ型半導体層１１Ａ，１２Ａの電極形成部分２７を露出させる。次に、第４図（ｄ）に示すように、発光波長領域において、光学的に透明な電気的絶縁膜２４を全面に形成した後、写真製版技術等を用いて、ｎ側電極１１Ｄ，１２Ｄおよびｐ側電極１１Ｅ，１２Ｅを形成する箇所にそれぞれ穴２５，２６を開け、それぞれｎ型半導体層１１Ａ，１２Ａおよびｐ型半導体層１１Ｂ，１２Ｂの表面を露出させる。
　然る後、第４図（ｅ），（ｆ）に示すように、第３図（ｅ），（ｆ）に示したと同様にしてｐ側電極１１Ｅ，１２Ｅ，およびｎ側電極１１Ｄ，１２Ｄを形成する。」（第２頁右下欄第９行〜第４頁左上欄第１行）
（ウ）「さらに上記実施例ではＧａＡｓ近赤外半導体発光装置について説明したが、ＧａＡｓ以外の他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体あるいは発光装置として利用できる他の任意の半導体材料を使用することもできる。」（第４頁右下欄第２〜６行）
　
　したがって、上記記載事項等を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ｐ型半導体基板および前記ｐ型半導体基板上にそれぞれ形成されかつ直列に接続される４個のＧａＡｓ発光素子を備えた半導体発光装置であって、
　前記各ＧａＡｓ発光素子は、前記ｐ型半導体基板上に形成されるｎ型半導体層、前記ｎ型半導体層上に形成されるｐ型半導体層、前記ｎ型半導体層および前記ｐ型半導体層上に形成された光学的に透明な電気的絶縁膜、該絶縁膜のｎ型電極及びｐ型電極を形成する箇所にそれぞれ穴を開け、それぞれ、前記ｎ型半導体層および前記ｐ型半導体層の表面を露出させ、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層のそれぞれ露出した表面に形成した前記ｎ型電極及び前記ｐ型電極を含み、
　相互に隣接する前記ＧａＡｓ発光素子の一方の発光素子のｎ側電極と他方の発光素子のｐ側電極とは、リード線としての役割をも果たす前記ｎ側電極により接続される、半導体発光装置。」
　
　
２〕対比
  本願補正発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ｐ型半導体基板」、「直列に接続される」、「半導体発光装置」、「ｎ型半導体層」、「ｐ型半導体層」、「穴」、「光学的に透明な電気的絶縁膜」、「相互に隣接する」、「ｎ型半導体層の露出した表面」、「ｐ型半導体層の露出した表面」、「ｎ側電極」及び「ｐ側電極」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「接続される」、「発光部品」、「第１導電型の半導体層」、「第２導電型の半導体層」、「開口」、「保護膜」、「相互に隣接する」、「第１導電型の半導体層上」、「第２導電型の半導体層上」、「第１導電型側電極」及び「第２導電型側電極」に相当する。
　また、引用発明の「４個の」は、本願補正発明の「複数の」を満足する。
　さらに、引用発明の「ＧａＡｓ発光素子」は、「半導体発光素子」である点で本願補正発明の「３族窒化物半導体発光素子」と一致する。
　
　したがって、両者は、　  
 「基板および前記基板上にそれぞれ形成されかつ接続される複数の半導体発光素子を備えた発光部品であって、
　前記各半導体発光素子は、前記基板上に形成される第１導電型の半導体層、第１導電型の半導体層上に形成される第１導電型側電極、前記第１導電性の半導体層上に形成される第２導電型の半導体層、第２導電型の半導体層上に形成される第２導電型側電極、保護膜を含み、
　前記保護膜には開口が形成されており、
　相互に隣接する前記半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とは接続される、発光部品」
である点で一致し、以下の各点において相違する。
　
相違点
ｉ）相違点１
　複数の半導体発光素子が、本願補正発明は３族窒化物であるのに対し、引用発明はＧａＡｓである点。
ｉｉ）相違点２
　本願補正発明では、前記保護膜が、「前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極上」に形成され、前記開口が、「前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極のそれぞれの上面の一部が露出する」開口であり、相互に隣接する前記半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極との接続は、「前記開口を介して」なされるのに対し、引用発明では、前記保護膜が、第１導電型の半導体層および第２導電型の半導体層上に形成されていて、前記開口は、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層のそれぞれの上面の一部を露出するものである点。
　
３〕判断  
　上記相違点につき検討する。
ｉ）相違点１について
　半導体発光素子を３族窒化物で構成するものは周知であり（必要なら、特開平７−２８８３４０号公報（【０００２】）、特開平９−２７６３９号公報（【０００２】等）参照。）、この周知技術を引用発明に適用して上記相違点１に係る本願補正発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
ｉｉ）相違点２について
　第１導電型の半導体層上に形成される第１導電型側電極および第２導電型の半導体層上に形成される第２導電型側電極上に形成された保護膜を含み、前記保護膜には、前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極のそれぞれの上面の一部が露出する開口が形成されており、前記第１導電型側電極及び前記第２導電型電極への電気的接続は前記開口を介してなされる発光素子は周知であり（例えば、特開平７−９４７８３号公報（【００１６】、図３）、特開平９−２７６３９号公報（【００１３】〜【００１５】、【００１９】、図１）参照。）、この周知技術を引用発明に適用して上記相違点２に係る本願補正発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、引用刊行物に記載された発明および周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４〕むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年３月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年１１月８日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたものであるところ、その請求項１は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項１】
　基板および前記基板上にそれぞれ形成されかつ接続される複数の３族窒化物半導体発光素子を備えた発光部品であって、
　前記各３族窒化物半導体発光素子は、前記基板上に形成される第１導電型の半導体層、前記第１導電型の半導体層上に形成される第１導電型側電極、前記第１導電性の半導体層上に形成される第２導電型の半導体層、および前記第２導電型の半導体層上に形成される第２導電型側電極を含み、
　相互に隣接する前記３族窒化物半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とは、前記３族窒化物半導体発光素子上に形成された保護膜の開口を介して接続される、発光部品。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物及びその記載事項は、前記ＩＩ．２．１〕に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩ．で検討した本願補正発明から、「保護膜」の形成場所について、「３族窒化物半導体発光素子上」を「（前記）第１導電型側電極および（前記）第２導電型側電極上」とする限定、および前記保護膜の「開口」を形成する形態について、「前記第１導電型側電極および前記第２導電型側電極のそれぞれの上面の一部が露出する」との限定、を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ．２．で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。