(57)【要約】半導体装置に良好な電気特性を付与する。または信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体層に金属酸化物を用いたボトムゲート型トランジスタを有する半導体装置において、金属酸化物は、ソース領域と、ドレイン領域と、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有する。第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、はいずれもソース領域と、ドレイン領域とにチャネル長方向に沿って挟まれる。第２の領域は、チャネル幅方向に沿って、第１の領域と、第３の領域と、に挟まれ、第１の領域及び第３の領域は、それぞれ金属酸化物の端部を含み、チャネル長方向に沿った長さにおいて、第２の領域の長さは、第１の領域の長さ、または第３の領域の長さ、より小である。
2018100465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の前記金属酸化物と、
前記金属酸化物上の一対の電極と、
前記金属酸化物上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記金属酸化物は、ソース領域と、ドレイン領域と、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記ソース領域は、前記一対の電極の一方と接し、
前記ドレイン領域は、前記一対の電極の他方と接し、
前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域と、はいずれも前記ソース領域と、前記ドレイン領域とにチャネル長方向に沿って挟まれ、
前記第２の領域は、チャネル幅方向に沿って、前記第１の領域と、前記第３の領域と、に挟まれ、
前記第１の領域及び前記第３の領域は、それぞれ前記金属酸化物の端部を含み、
チャネル長方向に沿った長さにおいて、前記第２の領域の長さは、前記第１の領域の長さ、または前記第３の領域の長さ、より小である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
チャネル長方向に沿った長さにおいて、
前記第２の領域の長さは、０μｍより大であり４μｍ未満であり、
前記第１の領域の長さ、または前記第３の領域の長さ、は、前記第２の領域の長さの３倍より大であり、金属酸化物の長さより小である半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ソース領域から、前記ドレイン領域への最短経路は、前記第２の領域に含まれる半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記金属酸化物は、第１の金属酸化物と、前記第１の金属酸化物の上面に接する第２の金属酸化物と、を有し、
前記第１の金属酸化物及び前記第２の金属酸化物は、
それぞれ、Ｉｎと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）と、Ｚｎと、を有し、
前記第１の金属酸化物は、前記第２の金属酸化物よりも結晶性が低い領域を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の金属酸化物及び前記第２の金属酸化物は、
それぞれ、前記Ｉｎ、前記Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数の総和に対して、
前記Ｉｎの含有量が４０％以上５０％以下の領域と、前記Ｍの含有量が５％以上３０％以下の領域と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記第１の金属酸化物及び前記第２の金属酸化物は、
それぞれ、前記Ｉｎの原子数比が４の場合、前記Ｍの原子数比が１．５以上２．５以下であり、且つ前記Ｚｎの原子数比が２以上４以下である半導体装置。
【請求項７】
請求項４において、
前記第１の金属酸化物及び前記第２の金属酸化物は、
それぞれ、前記Ｉｎの原子数比が５の場合、前記Ｍの原子数比が０．５以上１．５以下であり、且つ前記Ｚｎの原子数比が５以上７以下である半導体装置。
【請求項８】
請求項４において、
前記金属酸化物をＸＲＤ分析により測定した場合に、
前記第１の金属酸化物は、２θ＝３１°近傍にピークが観察されず、
前記第２の金属酸化物は、２θ＝３１°近傍にピークが観察される半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明の一態様は、金属酸化物を有する半導体装置に関する。【０００２】なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法に関する。【０００３】なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は、半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】トランジスタに適用可能な半導体材料として、酸化物が注目されている。例えば、特許文献１では、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を有する電界効果型トランジスタが開示されている。【０００５】また、非特許文献１では、トランジスタの活性層として、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物と、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物との２層積層の金属酸化物を有する構造が検討されている。【０００６】さらに近年、金属酸化物を有するトランジスタを用いて、記憶装置の集積回路を作製する技術が公開されている（特許文献２参照）。また記憶装置だけでなく、演算装置等も、金属酸化物を有するトランジスタによって作製されてきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５１１８８１０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１９６７４号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｊｏｈｎ  Ｆ．Ｗａｇｅｒ、「Ｏｘｉｄｅ  ＴＦＴｓ：Ａ  Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  Ｒｅｐｏｒｔ」、Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  １／１６、ＳＩＤ  ２０１６、Ｊａｎ／Ｆｅｂ  ２０１６、Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．１，ｐ．１６−２１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】記憶装置の集積回路、演算装置、高精細の表示装置のバックプレーンを、トランジスタを用いて作製する場合、該トランジスタの電界効果移動度が大きいことが重要である。また、微細な構造を有するトランジスタにおいて、設計通り良好な電気特性を有することが求められている。また、トランジスタの半導体層として、金属酸化物を用いることができる。【００１０】一方で、金属酸化物膜はトランジスタの形成の過程で、酸化性雰囲気、還元性雰囲気に晒される。例えば酸化性雰囲気は、酸素元素が金属酸化物膜中に拡散しやすい雰囲気である。【００１１】金属酸化物膜が、酸化性雰囲気に晒されていればトランジスタ特性に対し影響は小さいが、還元性雰囲気に晒される場合、金属酸化物膜の抵抗が低くなる（Ｎ型化ともいう）場合がある。金属酸化物膜の何れかの領域でＮ型化が生じると、該Ｎ型化した部分が寄生チャネルとして作用してトランジスタ特性のばらつきの増加の要因となるとともに、長期間の使用にわたるトランジスタ特性の変動の要因となり得る。トランジスタがＮ型化した領域を有すると、ノーマリオフのスイッチング特性がノーマリオンとなる可能性があるため、一層注意するべきである。また同じ大きさの領域がＮ型化したとき、特に微細な島状の金属酸化物膜においては、トランジスタ特性への影響が顕著である。【００１２】そこで、上記課題に鑑み本発明の一態様では、ばらつきの少ないトランジスタ特性を有する、金属酸化物を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。【００１３】また、優れたノーマリオフのスイッチング特性を有する、金属酸化物を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。【００１４】また、金属酸化物を用いた電界効果移動度の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。【００１５】また、金属酸化物材料からなる微細な島状のパターンを用いて形成された半導体装置を提供することを課題の一とする。【００１６】また、上記の課題の一に係る半導体装置を作製する方法を提供することを課題の一とする。【００１７】また、本発明の一態様は、半導体装置に良好な電気特性を付与することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な構成の半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な構成の半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。【００１８】なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１９】金属酸化物膜が島状パターンのとき、端部は接触する層から元素が拡散する場合や、不安定な結合を有する場合があり、島状の中央部に比べて異なる特性となりやすい。トランジスタ形成の過程で、その端部が十分に酸化性雰囲気に晒されていれば問題ないが、還元性雰囲気に晒される場合、端部から一定の距離の領域（端部領域）においてＮ型化し、より高い導電率σを有する可能性がある。または端部付近に、トランジスタ特性に影響のあるトラップ準位が形成される可能性がある。【００２０】特に、ソース電極とドレイン電極との間に配設される金属酸化物が端部領域を有し、端部領域でＮ型化が生じると、端部領域が寄生チャネルとして作用してトランジスタ特性のばらつきの増加の要因となるとともに、長期間の使用にわたるトランジスタ特性の変動の要因となり得る。上記一定の距離が同じ場合、特に微細な島状の金属酸化物においては、端部領域が占める面積が大きくなり、トランジスタ特性への影響が顕著となる。【００２１】そこで、上記端部の抵抗を大きくするため、端部領域におけるソース電極とドレイン電極との距離は、チャネル形成領域におけるソース電極とドレイン電極との距離より長くする。これにより、たとえ端部領域がＮ型化しても、端部領域の有するソース電極とドレイン電極との間の抵抗を大きくし、トランジスタ特性への影響を小さくすることができる。【００２２】本発明の一態様の半導体装置は、金属酸化物を有する。半導体装置は、ゲート電極と、ゲート電極上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上の金属酸化物と、金属酸化物上の一対の電極と、金属酸化物上の第２の絶縁膜と、を有する。金属酸化物は、ソース領域と、ドレイン領域と、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有する。ソース領域は、一対の電極の一方と接し、ドレイン領域は、一対の電極の他方と接し、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、はいずれもソース領域と、ドレイン領域とにチャネル長方向に沿って挟まれる。第２の領域は、チャネル幅方向に沿って、第１の領域と、第３の領域と、に挟まれ、第１の領域及び第３の領域は、それぞれ金属酸化物の端部を含み、チャネル長方向に沿った長さにおいて、第２の領域の長さは、第１の領域の長さ、または第３の領域の長さ、より小である。【００２３】上記構成において、チャネル長方向に沿った長さにおいて、第２の領域の長さは、０μｍより大であり４μｍ未満であり、第１の領域の長さ、または第３の領域の長さ、は、第２の領域の長さの３倍より大であり、金属酸化物の長さより小であることが好ましい。【００２４】上記各構成において、ソース領域から、ドレイン領域への最短経路は、第２の領域に含まれることが好ましい。【００２５】上記各構成において、金属酸化物は、第１の金属酸化物と、第１の金属酸化物の上面に接する第２の金属酸化物と、を有し、第１の金属酸化物及び第２の金属酸化物は、それぞれ、Ｉｎと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）と、Ｚｎと、を有し、第１の金属酸化物は、第２の金属酸化物よりも結晶性が低い領域を有することが好ましい。【００２６】上記各構成において、第１の金属酸化物及び第２の金属酸化物は、それぞれ、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の総和に対して、Ｉｎの含有量が４０％以上５０％以下の領域と、Ｍの含有量が５％以上３０％以下の領域と、を有することが好ましい。【００２７】上記各構成において、第１の金属酸化物及び第２の金属酸化物は、それぞれ、Ｉｎの原子数比が４の場合、Ｍの原子数比が１．５以上２．５以下であり、且つＺｎの原子数比が２以上４以下であることが好ましい。【００２８】上記各構成において、第１の金属酸化物及び第２の金属酸化物は、それぞれ、Ｉｎの原子数比が５の場合、Ｍの原子数比が０．５以上１．５以下であり、且つＺｎの原子数比が５以上７以下であることが好ましい。【００２９】上記各構成において、金属酸化物をＸＲＤ分析により測定した場合に、第１の金属酸化物は、２θ＝３１°近傍にピークが観察されず、第２の金属酸化物は、２θ＝３１°近傍にピークが観察されることが好ましい。
【発明の効果】
【００３０】本発明の一態様により、半導体装置に良好な電気特性を付与することができる。または、本発明の一態様により、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な構成の半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な構成の半導体装置の作製方法を提供することができる。【００３１】なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図２】半導体装置を説明する上面図。
【図３】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図４】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図５】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図６】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図７】半導体装置を説明する上面図及び断面図。
【図８】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図９】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図１０】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図１１】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図１２】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図１３】エネルギーバンドを説明する図。
【図１４】金属酸化物の構成の概念を説明する断面図。
【図１５】金属酸化物の構成の概念を説明する断面図。
【図１６】表示装置の一態様を示す上面図。
【図１７】表示装置の一態様を示す断面図。
【図１８】表示装置の一態様を示す断面図。
【図１９】表示装置の一態様を示す断面図。
【図２０】画素の一例を示す上面図及び断面図。
【図２１】画素の一例を示す上面図及び断面図。
【図２２】表示モジュールを説明する図。
【図２３】電子機器を説明する図。
【図２４】電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３４】また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
【００３５】また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００３６】また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００３７】また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【００３８】また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３９】また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
【００４０】また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００４１】また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００４２】また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
【００４３】トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。
【００４４】一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１３Ａであり、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、または、Ｖｇｓが−０．５Ｖ乃至−０．８Ｖの範囲において、１×１０−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−２２Ａ以下である、と言う場合がある。
【００４５】また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。
【００４６】トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００４７】トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００４８】上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
【００４９】また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
【００５０】また、本明細書等において、トランジスタのしきい値電圧とは、トランジスタにチャネルが形成されたときのゲート電圧（Ｖｇ）を指す。具体的には、トランジスタのしきい値電圧とは、ゲート電圧（Ｖｇ）を横軸に、ドレイン電流（Ｉｄ）の平方根を縦軸にプロットした曲線（Ｖｇ−√Ｉｄ特性）において、最大傾きである接線を外挿したときの直線と、ドレイン電流（Ｉｄ）の平方根が０（Ｉｄが０Ａ）との交点におけるゲート電圧（Ｖｇ）を指す場合がある。あるいは、トランジスタのしきい値電圧とは、チャネル長をＬ、チャネル幅をＷとし、Ｉｄ［Ａ］×Ｌ［μｍ］／Ｗ［μｍ］の値が１×１０−９［Ａ］となるゲート電圧（Ｖｇ）を指す場合がある。
【００５１】また、本明細書等において、「半導体」と表記した場合であっても、例えば、導電性が十分に低い場合は、「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」とは境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書等に記載の「半導体」は、「絶縁体」に言い換えることが可能な場合がある。同様に、本明細書等に記載の「絶縁体」は、「半導体」に言い換えることが可能な場合がある。または、本明細書等に記載の「絶縁体」を「半絶縁体」に言い換えることが可能な場合がある。
【００５２】また、本明細書等において、「半導体」と表記した場合であっても、例えば、導電性が十分に高い場合は、「導電体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」とは境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書等に記載の「半導体」は、「導電体」に言い換えることが可能な場合がある。同様に、本明細書等に記載の「導電体」は、「半導体」に言い換えることが可能な場合がある。
【００５３】また、本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。また、ＯＳ  ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００５４】また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【００５５】（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置、及び当該半導体装置の作製方法について、図１乃至図１３を参照して説明する。
【００５６】＜１−１．半導体装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ａの上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。なお、図１（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ１００Ａの構成要素の一部（ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等）を省略して図示している。また、一点鎖線Ｘ１−Ｘ２方向をチャネル長方向、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図１（Ａ）と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
【００５７】トランジスタ１００Ａは、基板１０２上の導電膜１０４と、基板１０２及び導電膜１０４上の絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上の金属酸化物１０８と、金属酸化物１０８上の導電膜１１２ａと、金属酸化物１０８上の導電膜１１２ｂと、を有する。また、トランジスタ１００Ａ上、具体的には、金属酸化物１０８、導電膜１１２ａ、及び導電膜１１２ｂ上には、絶縁膜１１５が形成されている。
【００５８】なお、トランジスタ１００Ａは、所謂チャネルエッチ型のトランジスタである。
【００５９】また、絶縁膜１１５は、シリコンと、窒素及び酸素のいずれか一方または双方と、を有すると好ましい。
【００６０】絶縁膜１１５は過剰な酸素を有し、金属酸化物１０８に酸素を供給することができる。
【００６１】また、金属酸化物１０８は、絶縁膜１０６上の金属酸化物１０８＿１と、金属酸化物１０８＿１の上面に接する金属酸化物１０８＿２と、を有する。
【００６２】なお、金属酸化物１０８＿１、及び金属酸化物１０８＿２は、それぞれ、Ｉｎと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）と、Ｚｎと、を有する。特に、元素Ｍとしてはガリウムが好ましい。
【００６３】なお、図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａにおいて、絶縁膜１０６は、トランジスタ１００Ａのゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１５は、トランジスタ１００Ａの保護絶縁膜としての機能を有する。また、トランジスタ１００Ａにおいて、導電膜１０４は、ゲート電極としての機能を有し、導電膜１１２ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１１２ｂは、ドレイン電極としての機能を有する。なお、本明細書等において、絶縁膜１０６を第１の絶縁膜と、絶縁膜１１５を第２の絶縁膜と、それぞれ呼称する場合がある。
【００６４】図２（Ａ）は、トランジスタ１００Ａの、金属酸化物１０８と、導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂと、のみを示した上面図である。上面から見ると、導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂとは、金属酸化物１０８より手前に配置される。金属酸化物１０８のうち、導電膜１１２ａと接する領域をソース領域、導電膜１１２ｂと接する領域をドレイン領域、と言うことができる。尚、上記ソース領域とドレイン領域とは入れ替えて定めてもよい。
【００６５】上面から見たとき、導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂと、のチャネル長方向の間隔は、間隔２０６と、間隔２０７と、の２種類に分けられる。金属酸化物１０８が形成され、かつ導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂと、の間にあり、かつ導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂとの間隔が間隔２０６である領域は、チャネル形成領域２０１であり、同じく間隔２０７である領域は、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂである。
【００６６】端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂは、それぞれ金属酸化物１０８の端部２０４Ａ、端部２０４Ｂ、を有する。端部２０４Ａ及び端部２０４Ｂは隣接する層から元素が拡散する場合や、不安定な結合を有する場合があるため、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂは、チャネル形成領域２０１より高い導電率σを有する可能性がある。または、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂに、トランジスタ特性に影響のあるトラップ準位が形成される可能性がある。尚、端部領域２０２Ａ、端部領域２０２Ｂ及びチャネル形成領域２０１は、ソース領域と、ドレイン領域と、にチャネル長方向に沿って挟まれる。
【００６７】チャネル形成領域２０１の、チャネル幅方向の長さは、チャネル幅２１１であり、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂの、チャネル幅方向の長さは、端部幅２１２である。端部幅２１２は０より大であり、金属酸化物１０８のチャネル幅方向の長さの半分より小である。
【００６８】端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂは、金属酸化物１０８の端部を含んでいる。導電膜１１２ａ又は導電膜１１２ｂと、金属酸化物１０８とが重ならない領域において、チャネル形成領域２０１より高い導電率σを有する金属酸化物１０８の領域の全てが、端部領域２０２Ａ又は端部領域２０２Ｂに含まれることが好ましい。つまり、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂに、チャネル形成領域２０１より高い導電率σを有する金属酸化物がすべて含まれる端部幅２１２を選ぶことが好ましい。または、トランジスタ特性に影響のあるトラップ準位が形成された端部付近の金属酸化物がすべて含まれる端部幅２１２を選ぶことが好ましい。好ましい端部幅２１２の大きさは、プロセス条件により異なる。例えばプロセス上限温度が高い場合は、端部幅２１２は大きい。
【００６９】端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂはトランジスタ特性への影響が小であるとして、トランジスタ特性は、チャネル幅２１１にて計算することができる。
【００７０】間隔２０７が小さくなると、導電膜１１２ａと、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂと、導電膜１１２ｂと、の直列抵抗が小さくなり、トランジスタ特性への影響が顕著である。
【００７１】そこで、間隔２０６が０μｍより大であり４μｍ未満、好ましくは０ｕｍより大であり２．５μｍ未満、であるトランジスタにおいては、以下の間隔２０７とする。すなわち間隔２０７は間隔２０６より大であり、金属酸化物１０８のチャネル長方向の長さより小とする。好ましくは間隔２０７は間隔２０６の３倍より大であり、金属酸化物１０８のチャネル長方向の長さより小とする。
【００７２】間隔２０７を間隔２０６より大とすることで、導電膜１１２ａと、端部領域２０２Ａまたは端部領域２０２Ｂと、導電膜１１２ｂと、の直列抵抗が大きくなり、ばらつきの少ないトランジスタ特性を有する金属酸化物を用いた半導体装置を提供することができる。また、優れたノーマリオフのスイッチング特性を有する金属酸化物を用いた半導体装置を提供することができる。
【００７３】また本発明の一態様のトランジスタは、金属酸化物１０８の端部を有し、導電膜１１２ａまたは導電膜１１２ｂと重なる、領域２０３Ａ、２０３Ｂ、２０３Ｃ、２０３Ｄ、を有する。
【００７４】領域２０３Ａ、２０３Ｂ、２０３Ｃ、２０３Ｄ、を有することで、金属酸化物１０８と、導電膜１１２ａまたは導電膜１１２ｂとの接触抵抗を下げることができる。また、トランジスタを表示装置に用いたとき、領域２０３Ａ、２０３Ｂ、２０３Ｃ、２０３Ｄ、を有することで、膜面と平行な方向に沿ってチャネル形成領域２０１に到達する迷光を低減することができる。
【００７５】また半導体装置の有する層間膜の材料や、プロセスの熱処理条件、使用環境によっては、水素のチャネル形成領域２０１方向への拡散量が大きいことがある。導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂとが、チャネル形成領域２０１及びその周辺の水素を吸収する効果がある場合、トランジスタの導電率σが高くなるのを防ぐことができる。より大きな面積で導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂとを形成したい場合に、トランジスタが領域２０３Ａ、２０３Ｂ、２０３Ｃ、２０３Ｄを有することは有効である。
【００７６】チャネル形成領域２０１及びその周辺の水素を吸収する効果がある導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂと、の材料の例としては、導電性を有する酸化物、例えば、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物、または窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を成膜し、該酸化物上に、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウムなどから選ばれた金属元素を１種以上含む材料、または、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを成膜してもよい。または、該酸化物の代わりにチタンを用いても同様の機能を有する場合がある。
【００７７】またチャネル長方向に沿って、チャネル形成領域２０１は、領域２０３Ａと、領域２０３Ｂとの間に位置する。同様にチャネル長方向に沿って、チャネル形成領域２０１は、領域２０３Ｃと、領域２０３Ｄとの間に位置する。この配置により、導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂとの最短距離は、チャネル長である間隔２０６となる。換言すれば、ソース領域から、ドレイン領域への最短経路は、チャネル形成領域２０１に含まれる。
【００７８】端部領域２０２Ａと領域２０３Ａとの境界は、チャネル幅方向に対して平行でなくても良い。例えば、金属酸化物１０８の端部から離れるに従って、導電膜１１２ａと、導電膜１１２ｂとの間隔が小さくなる形状でも良い（図２（Ｂ）参照）。この形状の配置は、金属酸化物における端部の影響が小さく、なるべく端部幅２１２を小さくしたいものの、露光やエッチングによる微細化の限界にある場合に有効である。
【００７９】＜１−２．半導体装置の構成要素＞
次に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
【００８０】［基板］
基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板１０２として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０２として用いてもよい。なお、基板１０２として、ガラス基板を用いる場合、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。
【００８１】また、基板１０２として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ１００Ａを形成してもよい。または、基板１０２とトランジスタ１００Ａとの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板１０２より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ１００Ａは耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
【００８２】［導電膜］
ゲート電極として機能する導電膜１０４、ソース電極として機能する導電膜１１２ａ、及びドレイン電極として機能する導電膜１１２ｂとしては、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
【００８３】また、導電膜１０４、１１２ａ、１１２ｂには、インジウムと錫とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムとタングステンとを有する酸化物（Ｉｎ−Ｗ酸化物）、インジウムとタングステンと亜鉛とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物）、インジウムとチタンとを有する酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムとチタンと錫とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｎ酸化物）、インジウムと亜鉛とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムと錫とシリコンとを有する酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物）、インジウムとガリウムと亜鉛とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物）等の酸化物導電体または酸化物半導体を適用することもできる。
【００８４】ここで、酸化物導電体について説明を行う。本明細書等において、酸化物導電体をＯＣ（Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼称してもよい。酸化物導電体としては、例えば、酸化物半導体に酸素欠損を形成し、該酸素欠損に水素を添加すると、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、酸化物半導体は、導電性が高くなり導電体化する。導電体化された酸化物半導体を、酸化物導電体ということができる。一般に、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に対して透光性を有する。一方、酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、酸化物導電体は、ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の透光性を有する。
【００８５】また、導電膜１０４、１１２ａ、１１２ｂには、Ｃｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を適用してもよい。Ｃｕ−Ｘ合金膜を用いることで、ウエットエッチングプロセスで加工できるため、製造コストを抑制することが可能となる。
【００８６】また、導電膜１１２ａ、１１２ｂには、上述の金属元素の中でも、特に銅、チタン、タングステン、タンタル、及びモリブデンの中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好適である。特に、導電膜１１２ａ、１１２ｂとしては、窒化タンタル膜を用いると好適である。当該窒化タンタル膜は、導電性を有し、且つ、銅または水素に対して、高いバリア性を有する。また、窒化タンタル膜は、さらに自身からの水素の放出が少ないため、金属酸化物１０８と接する導電膜、または金属酸化物１０８の近傍の導電膜として、最も好適に用いることができる。また、導電膜１１２ａ、１１２ｂとして、銅膜を用いると、導電膜１１２ａ、１１２ｂの抵抗を低くすることができるため好適である。
【００８７】また、導電膜１１２ａ、１１２ｂを、無電解めっき法により形成することができる。当該無電解めっき法により形成できる材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ａｇ、及びＰｄの中から選ばれるいずれか一つまたは複数を用いることが可能である。特に、ＣｕまたはＡｇを用いると、導電膜の抵抗を低くすることができるため、好適である。
【００８８】［ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜］
トランジスタ１００Ａのゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁層を用いることができる。なお、絶縁膜１０６を、積層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。
【００８９】また、トランジスタ１００Ａのチャネル形成領域として機能する金属酸化物１０８と接する絶縁膜１０６は、酸化物絶縁膜であることが好ましく、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域（過剰酸素領域）を有することがより好ましい。
【００９０】ただし、上記構成に限定されず、金属酸化物１０８と接する絶縁膜に、窒化物絶縁膜を用いる構成としてもよい。当該構成の一例としては、窒化シリコン膜を形成し、当該窒化シリコン膜の表面に酸素プラズマ処理などを行うことで、窒化シリコン膜の表面を酸化させる構成などが挙げられる。なお、窒化シリコン膜の表面に酸素プラズマ処理などを行った場合、窒化シリコン膜の表面は原子レベルで酸化されている場合があるため、トランジスタの断面の観察等を行っても、酸素が検出されない可能性がある。すなわち、トランジスタの断面の観察を行った場合、窒化シリコン膜と、金属酸化物とが、接しているように観察される場合がある。
【００９１】なお、窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比誘電率が高く、酸化シリコン膜と同等の静電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、トランジスタのゲート絶縁膜として、窒化シリコン膜を含むことで絶縁膜を厚膜化することができる。よって、トランジスタの絶縁耐圧の低下を抑制、さらには絶縁耐圧を向上させて、トランジスタの静電破壊を抑制することができる。
【００９２】［金属酸化物］
金属酸化物１０８としては、先に示す材料を用いることができる。金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２は、それぞれＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の総和に対して、Ｉｎの含有量が４０％以上５０％以下の領域と、Ｍの含有量が５％以上３０％以下の領域と、を有する。金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２が、それぞれ上記の領域を有することで、キャリア密度を高めることができる。
【００９３】具体的には、金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２のＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を、それぞれＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３近傍、またはＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６近傍とすると好ましい。ここで、４：２：３近傍とは、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の総和に対して、Ｉｎが４の場合、Ｍが１．５以上２．５以下であり、且つＺｎが２以上４以下である。また、５：１：６近傍とは、Ｉｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の総和に対して、Ｉｎが５の場合、Ｍが０．５以上１．５以下であり、且つＺｎが５以上７以下である。
【００９４】また、金属酸化物１０８＿１は、金属酸化物１０８＿２よりも結晶性が低い領域を有すると好ましい。金属酸化物１０８＿１が、金属酸化物１０８＿２よりも結晶性が低い領域を有することで、キャリア密度を高め、且つ信頼性の高い半導体装置とすることができる。例えば、トランジスタ１００Ａは、チャネルエッチ型のトランジスタであるため、金属酸化物１０８＿１よりも金属酸化物１０８＿２の結晶性を高めることで、金属酸化物１０８＿２が金属酸化物１０８＿１のエッチングストッパとして機能する。
【００９５】また、金属酸化物１０８＿２のＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比を上記範囲とすることで、金属酸化物１０８＿２と、導電膜１１２ａ、１１２ｂとの接触抵抗を低くすることができる。
【００９６】なお、金属酸化物１０８を上記構成とすることでトランジスタ１００Ａの電界効果移動度を高くすることができる。具体的には、トランジスタ１００Ａの電界効果移動度が５０ｃｍ２／Ｖｓを超える、さらに好ましくはトランジスタ１００Ａの電界効果移動度が１００ｃｍ２／Ｖｓを超えることが可能となる。
【００９７】例えば、上記の電界効果移動度が高いトランジスタを、ゲート信号を生成するゲートドライバに用いることで、額縁幅の狭い（狭額縁ともいう）表示装置を提供することができる。また、上記の電界効果移動度が高いトランジスタを、表示装置が有する信号線からの信号の供給を行うソースドライバ（とくに、ソースドライバが有するシフトレジスタの出力端子に接続されるデマルチプレクサ）に用いることで、表示装置に接続される配線数が少ない表示装置を提供することができる。
【００９８】なお、金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２の結晶構造は、特に限定されない。金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２は、それぞれ単結晶構造または非単結晶構造のいずれか一方または双方でもよい。
【００９９】非単結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、及び非晶質構造を含む。また、結晶構造としては、ビックスバイト型の結晶構造、層状の結晶構造などが挙げられる。また、ビックスバイト型の結晶構造と、層状の結晶構造との双方を含む混晶構造としてもよい。
【０１００】また、金属酸化物１０８＿２は、層状の結晶構造、特にｃ軸配向性を有する結晶構造を有すると好適である。別言すると、金属酸化物１０８＿２は、ＣＡＡＣ−ＯＳであると好適である。
【０１０１】例えば、金属酸化物１０８＿１を、微結晶構造とし、金属酸化物１０８＿２を、ｃ軸配向性を有する結晶構造とすると好適である。別言すると、金属酸化物１０８＿１は、金属酸化物１０８＿２よりも結晶性が低い領域を有する。なお、金属酸化物１０８の結晶性としては、例えば、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を用いて分析する、あるいは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて分析することで解析できる。
【０１０２】例えば、金属酸化物１０８をＸＲＤ分析により測定した場合に、金属酸化物１０８＿１は、２θ＝３１°近傍にピークが観察され難く、金属酸化物１０８＿２は、２θ＝３１°近傍にピークが観察される。
【０１０３】金属酸化物１０８＿１が結晶性の低い領域を有する場合、以下の優れた効果を有する。
【０１０４】まず、金属酸化物１０８＿１中に形成されうる酸素欠損について説明を行う。
【０１０５】金属酸化物１０８＿１に形成される酸素欠損は、トランジスタ特性に影響を与えるため問題となる。例えば、金属酸化物１０８＿１中に酸素欠損が形成されると、該酸素欠損に水素が結合し、キャリア供給源となる。金属酸化物１０８＿１中にキャリア供給源が生成されると、金属酸化物１０８＿１を有するトランジスタ１００Ａの電気特性の変動、代表的にはしきい値電圧のシフトが生じる。したがって、金属酸化物１０８＿１においては、酸素欠損が少ないほど好ましい。
【０１０６】そこで、本発明の一態様においては、金属酸化物１０８＿１上に金属酸化物１０８＿２が形成される。金属酸化物１０８＿２は、金属酸化物１０８＿１よりも酸素を多く含有する構成である。金属酸化物１０８＿２の形成時または、金属酸化物１０８＿２の形成後に、金属酸化物１０８＿２から金属酸化物１０８＿１に酸素または過剰酸素が移動することで、金属酸化物１０８＿１中の酸素欠損を低減することが可能となる。
【０１０７】また、金属酸化物１０８＿２の形成時に、酸素を多く含む雰囲気とすることで、金属酸化物１０８＿２の結晶性を高めることができる。
【０１０８】金属酸化物１０８＿２の結晶性を高めることで、金属酸化物１０８＿１に混入しうる不純物を抑制することができる。特に、金属酸化物１０８＿２の結晶性を高めることで、導電膜１１２ａ、１１２ｂを加工する際に、金属酸化物１０８＿１へのダメージを抑制することができる。金属酸化物１０８の表面、すなわち金属酸化物１０８＿２の表面は、導電膜１１２ａ、１１２ｂの加工の際のエッチャントまたはエッチングガスに曝される。しかしながら、金属酸化物１０８＿２は、結晶性が高い領域を有するため、結晶性が低い金属酸化物１０８＿１と比較してエッチング耐性に優れる。したがって、金属酸化物１０８＿２は、エッチングストッパとして機能する。
【０１０９】なお、金属酸化物１０８としては、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い金属酸化物を用いることで、優れた電気特性を有するトランジスタを作製することができ好ましい。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真性または実質的に高純度真性とよぶ。なお、金属酸化物中の不純物としては、代表的には水、水素などが挙げられる。また、本明細書等において、金属酸化物中から水及び水素を低減または除去することを、脱水化、脱水素化と表す場合がある。また、金属酸化物に酸素を添加することを、加酸素化と表す場合があり、加酸素化され且つ化学量論的組成よりも過剰の酸素を有する状態を過酸素化状態と表す場合がある。
【０１１０】高純度真性または実質的に高純度真性である金属酸化物は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、該金属酸化物にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である金属酸化物は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性または実質的に高純度真性である金属酸化物は、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得ることができる。
【０１１１】また、金属酸化物１０８＿１は、金属酸化物１０８＿２よりも結晶性が低い領域を有することで、キャリア密度が高くなる場合がある。金属酸化物１０８＿１のキャリア密度が高くなると、金属酸化物１０８＿１の伝導帯に対してフェルミ準位が相対的に高くなる場合がある。これにより、金属酸化物１０８＿１の伝導帯の下端が低くなり、金属酸化物１０８＿１の伝導帯下端と、ゲート絶縁膜（ここでは、絶縁膜１０６）中に形成されうるトラップ準位とのエネルギー差が大きくなる場合がある。該エネルギー差が大きくなることにより、ゲート絶縁膜中にトラップされる電荷が少なくなり、トランジスタのしきい値電圧の変動を小さくできる場合がある。また、金属酸化物１０８＿１のキャリア密度が高くなると、金属酸化物１０８の電界効果移動度を高めることができる。
【０１１２】金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２が、それぞれＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ＞Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。
【０１１３】なお、成膜される金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２の原子数比は、それぞれ上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２に用いるスパッタリングターゲットの組成が、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］の場合、成膜される金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２の組成は、それぞれＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の近傍となる場合がある。
【０１１４】また、金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２は、それぞれエネルギーギャップが２．５ｅＶ以上、好ましくは３．０ｅＶ以上である。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタ１００Ａのオフ電流を低減することができる。
【０１１５】［保護絶縁膜として機能する絶縁膜］
絶縁膜１１５は、トランジスタ１００Ａの保護絶縁膜としての機能を有する。または、絶縁膜１１５は、金属酸化物１０８に酸素を供給する機能を有する。
【０１１６】例えば、絶縁膜１１５としては、シリコンと、窒素及び酸素のいずれか一方または双方とを有すると好ましい。また、絶縁膜１１５としては、シリコンと、酸素と、を含む第１の層と、シリコンと、窒素と、を含む第２の層と、を有すると好ましい。
【０１１７】また、絶縁膜１１５は、窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０よりも大きく２以下、好ましくは１以上２以下、代表的にはＮＯまたはＮＯ２）に起因する準位密度が低い絶縁膜を用いると好ましい。
【０１１８】窒素酸化物は、絶縁膜１１５などに準位を形成する。当該準位は、金属酸化物１０８のエネルギーギャップ内に位置する。例えば、当該窒素酸化物に起因する準位密度は、金属酸化物１０８の価電子帯の上端のエネルギー（Ｅｖ＿ｏｓ）と、金属酸化物１０８の伝導帯の下端のエネルギー（Ｅｃ＿ｏｓ）との間に形成され得る場合がある。そのため、窒素酸化物が、絶縁膜１１５及び金属酸化物１０８の界面に拡散すると、当該準位が絶縁膜１１５側において電子をトラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が、絶縁膜１１５及び金属酸化物１０８界面近傍に留まるため、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。
【０１１９】絶縁膜１１５として、窒素酸化物に起因する準位密度が低い絶縁膜とすることで、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。
【０１２０】なお、上記記載の、導電膜、絶縁膜、金属酸化物などの様々な膜としては、スパッタリング法やＰＥＣＶＤ法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成してもよい。熱ＣＶＤ法の例としてＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などが挙げられる。
【０１２１】熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。また、熱ＣＶＤ法としては、原料ガスをチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、基板上に膜を堆積させればよい。
【０１２２】また、ＡＬＤ法としては、原料ガスをチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、基板上に膜を堆積させればよい。
【０１２３】＜１−３．半導体装置の構成例２＞
次に、図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ａの変形例について、図３を用いて説明する。
【０１２４】また、図３（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ｂの上面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０１２５】トランジスタ１００Ｂは、基板１０２上の導電膜１０４と、基板１０２及び導電膜１０４上の絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上の金属酸化物１０８と、金属酸化物１０８上の導電膜１１２ａと、金属酸化物１０８上の導電膜１１２ｂと、金属酸化物１０８、導電膜１１２ａ、及び導電膜１１２ｂ上の絶縁膜１１５と、絶縁膜１１５上の絶縁膜１１６と、絶縁膜１１６上の導電膜１２０ａと、絶縁膜１１６上の導電膜１２０ｂと、を有する。
【０１２６】また、絶縁膜１０６は、開口部１５１を有し、絶縁膜１０６上には、開口部１５１を介して導電膜１０４と電気的に接続される導電膜１１２ｃが形成される。また、絶縁膜１１５及び絶縁膜１１６は、導電膜１１２ｂに達する開口部１５２ａと、導電膜１１２ｃに達する開口部１５２ｂとを有する。
【０１２７】なお、トランジスタ１００Ｂにおいて、絶縁膜１０６は、トランジスタ１００Ｂの第１のゲート絶縁膜としての機能を有し、絶縁膜１１５、１１６は、トランジスタ１００Ｂの第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。また、トランジスタ１００Ｂにおいて、導電膜１０４は、第１のゲート電極としての機能を有し、導電膜１１２ａは、ソース電極としての機能を有し、導電膜１１２ｂは、ドレイン電極としての機能を有する。また、トランジスタ１００Ｂにおいて、導電膜１２０ａは、第２のゲート電極としての機能を有し、導電膜１２０ｂは、表示装置の画素電極としての機能を有する。
【０１２８】なお、図３（Ｃ）に示すように、導電膜１２０ａは、開口部１５２ｂ、１５１を介して導電膜１０４と電気的に接続される。よって、導電膜１０４と、導電膜１２０ａとは、同じ電位が与えられる。
【０１２９】また、図３（Ｃ）に示すように、金属酸化物１０８は、導電膜１０４、及び導電膜１２０ａと対向するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。導電膜１２０ａのチャネル長方向の長さ、及び導電膜１２０ａのチャネル幅方向の長さは、金属酸化物１０８のチャネル長方向の長さ、及び金属酸化物１０８のチャネル幅方向の長さよりもそれぞれ長く、金属酸化物１０８の全体は、絶縁膜１１５、１１６を介して導電膜１２０ａに覆われている。
【０１３０】別言すると、導電膜１０４及び導電膜１２０ａは、絶縁膜１０６、１１５、１１６に設けられる開口部において接続され、且つ金属酸化物１０８の側端部よりも外側に位置する領域を有する。
【０１３１】このような構成を有することで、トランジスタ１００Ｂに含まれる金属酸化物１０８を、導電膜１０４及び導電膜１２０ａの電界によって電気的に囲むことができる。トランジスタ１００Ｂのように、第１のゲート電極及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル形成領域が形成される金属酸化物を、電気的に囲むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  Ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−Ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
【０１３２】トランジスタ１００Ｂは、Ｓ−Ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、第１のゲート電極として機能する導電膜１０４によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に金属酸化物１０８に印加することができるため、トランジスタ１００Ｂの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ１００Ｂを微細化することが可能となる。また、トランジスタ１００Ｂは、金属酸化物１０８が第１のゲート電極として機能する導電膜１０４及び第２のゲート電極として機能する導電膜１２０ａによって囲まれた構造を有するため、トランジスタ１００Ｂの機械的強度を高めることができる。
【０１３３】＜第２のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜＞
ここで、第２のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１１６に用いることのできる材料について説明する。絶縁膜１１６としては、絶縁性材料であればよく、無機材料または有機材料の一方または双方を用いることができる。無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどを用いることができる。有機材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性を有する樹脂材料を用いることができる。絶縁膜１１６として、有機材料、例えばアクリル樹脂を用いると、平坦性を高くすることができ、且つ生産性が高いため好適である。
【０１３４】また、導電膜１２０ａ、１２０ｂとしては、先に示す導電膜１０４、１１２ａ、１１２ｂに列挙した材料と同様の材料を用いることができる。特に導電膜１２０ａ、１２０ｂとしては、酸化物導電膜（ＯＣ）が好ましい。導電膜１２０ａ、１２０ｂに酸化物導電膜を用いることで、絶縁膜１１５、１１６中に酸素を添加することができる。
【０１３５】なお、トランジスタ１００Ｂのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。
【０１３６】＜１−４．半導体装置の構成例３＞
次に、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｂの変形例について、図４を用いて説明する。
【０１３７】図４（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ｃの上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図４（Ｃ）は、図４（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０１３８】トランジスタ１００Ｃは、先に示すトランジスタ１００Ｂが有する金属酸化物１０８を３層の積層構造とした構成である。トランジスタ１００Ｃの金属酸化物１０８は、絶縁膜１０６上の金属酸化物１０８＿３と、金属酸化物１０８＿３上の金属酸化物１０８＿１と、金属酸化物１０８＿１上の金属酸化物１０８＿２と、を有する。
【０１３９】＜１−５．バンド構造＞
ここで、金属酸化物１０８を積層構造とした場合のバンド構造について、図１３を用いて説明する。
【０１４０】図１３（Ａ）は、絶縁膜１０６、金属酸化物１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１５を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。また、図１３（Ｂ）は、絶縁膜１０６、金属酸化物１０８＿１、１０８＿２、及び絶縁膜１１５を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。なお、バンド構造は、理解を容易にするため絶縁膜１０６、金属酸化物１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、及び絶縁膜１１５の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を示す。
【０１４１】図１３（Ａ）に示すように、金属酸化物１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。また、図１３（Ｂ）に示すように、金属酸化物１０８＿１、１０８＿２において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するためには、金属酸化物１０８＿１と金属酸化物１０８＿２との界面、または金属酸化物１０８＿１と金属酸化物１０８＿３との界面において、トラップ中心や再結合中心のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しないとする。
【０１４２】金属酸化物１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３に連続接合を形成するためには、ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
【０１４３】図１３（Ａ）（Ｂ）に示す構成とすることで金属酸化物１０８＿１がウェル（井戸）となり、上記積層構造を用いたトランジスタにおいて、チャネル形成領域が金属酸化物１０８＿１に形成されることがわかる。
【０１４４】なお、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３を設けることにより、金属酸化物１０８＿１に形成されうるトラップ準位を金属酸化物１０８＿２または金属酸化物１０８＿３に設けることができる。したがって、金属酸化物１０８＿１には、トラップ準位が形成され難い構造となる。
【０１４５】また、トラップ準位がチャネル形成領域として機能する金属酸化物１０８＿１の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位から遠くなることがあり、トラップ準位に電子が蓄積しやすくなってしまう。トラップ準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固定電荷となり、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって、トラップ準位が金属酸化物１０８＿１の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位に近くなるような構成にすると好ましい。このようにすることで、トラップ準位に電子が蓄積しにくくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度を高めることができる。
【０１４６】また、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３は、金属酸化物１０８＿１よりも伝導帯下端のエネルギー準位が真空準位に近く、代表的には、金属酸化物１０８＿１の伝導帯下端のエネルギー準位と、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３の伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。すなわち、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３の電子親和力と、金属酸化物１０８＿１の電子親和力との差が、０．１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
【０１４７】このような構成を有することで、金属酸化物１０８＿１が主な電流経路となる。すなわち、金属酸化物１０８＿１は、チャネル形成領域としての機能を有する。また、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３は、チャネル形成領域が形成される金属酸化物１０８＿１を構成する金属元素の一種以上から構成される金属酸化物を用いると好ましい。このような構成とすることで、金属酸化物１０８＿１と金属酸化物１０８＿２との界面、または金属酸化物１０８＿１と金属酸化物１０８＿３との界面において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害されないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
【０１４８】また、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３は、膜中にスピネル型の結晶構造が含まれないことが好ましい。金属酸化物１０８＿２、１０８＿３の膜中にスピネル型の結晶構造を含む場合、該スピネル型の結晶構造と他の領域との界面において、導電膜１２０ａ、１２０ｂの構成元素が金属酸化物１０８＿１へ拡散してしまう場合がある。なお、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３がＣＡＡＣ−ＯＳである場合、導電膜１２０ａ、１２０ｂの構成元素、例えば、銅元素のブロッキング性が高くなり好ましい。
【０１４９】なお、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］の金属酸化物ターゲット、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］の金属酸化物ターゲット、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：６［原子数比］の金属酸化物ターゲットなどを用いて形成することができる。なお、金属酸化物１０８＿２、１０８＿３としては、上記の金属酸化物ターゲットに限定されず、金属酸化物１０８＿１と同等の組成の金属酸化物ターゲットを用いてもよい。
【０１５０】＜１−６．半導体装置の構成例４＞
次に、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｂの変形例について、図５乃至図７を用いて説明する。
【０１５１】図５（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ｄの上面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０１５２】トランジスタ１００Ｄは、先に示すトランジスタ１００Ｂが有する導電膜１１２ａ、１１２ｂを３層の積層構造とした構成である。
【０１５３】トランジスタ１００Ｄが有する導電膜１１２ａは、導電膜１１２ａ＿１と、導電膜１１２ａ＿１上の導電膜１１２ａ＿２と、導電膜１１２ａ＿２上の導電膜１１２ａ＿３と、を有する。また、トランジスタ１００Ｄが有する導電膜１１２ｂは、導電膜１１２ｂ＿１と、導電膜１１２ｂ＿１上の導電膜１１２ｂ＿２と、導電膜１１２ｂ＿２上の導電膜１１２ｂ＿３と、を有する。
【０１５４】例えば、導電膜１１２ａ＿１、導電膜１１２ｂ＿１、導電膜１１２ａ＿３、及び導電膜１１２ｂ＿３としては、チタン、タングステン、タンタル、モリブデン、インジウム、ガリウム、錫、及び亜鉛の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好適である。また、導電膜１１２ａ＿２及び導電膜１１２ｂ＿２としては、銅、アルミニウム、及び銀の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好適である。
【０１５５】より具体的には、導電膜１１２ａ＿１、導電膜１１２ｂ＿１、導電膜１１２ａ＿３、及び導電膜１１２ｂ＿３にチタンを用い、導電膜１１２ａ＿２及び導電膜１１２ｂ＿２に銅を用いることができる。
【０１５６】上記構成とすることで、導電膜１１２ａ、１１２ｂの配線抵抗を低くし、且つ金属酸化物１０８への銅の拡散を抑制できるため好適である。また、上記構成とすることで、導電膜１１２ｂと、導電膜１２０ｂとの接触抵抗を低くすることができるため好適である。なお、トランジスタ１００Ｄのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ｂと同様であり、同様の効果を奏する。
【０１５７】図６（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ｅの上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０１５８】トランジスタ１００Ｅは、先に示すトランジスタ１００Ｂが有する導電膜１１２ａ、１１２ｂを３層の積層構造とした構成である。また、トランジスタ１００Ｅは、先に示すトランジスタ１００Ｄが有する導電膜１１２ａと導電膜１１２ｂの形状が異なる。
【０１５９】トランジスタ１００Ｅが有する導電膜１１２ａは、導電膜１１２ａ＿１と、導電膜１１２ａ＿１上の導電膜１１２ａ＿２と、導電膜１１２ａ＿２上の導電膜１１２ａ＿３と、を有する。また、トランジスタ１００Ｅが有する導電膜１１２ｂは、導電膜１１２ｂ＿１と、導電膜１１２ｂ＿１上の導電膜１１２ｂ＿２と、導電膜１１２ｂ＿２上の導電膜１１２ｂ＿３と、を有する。なお、導電膜１１２ａ＿１、導電膜１１２ａ＿２、導電膜１１２ａ＿３、導電膜１１２ｂ＿１、導電膜１１２ｂ＿２、及び導電膜１１２ｂ＿３としては、先に示す材料を用いることができる。
【０１６０】また、導電膜１１２ａ＿１の端部は、導電膜１１２ａ＿２の端部よりも外側に位置する領域を有し、導電膜１１２ａ＿３は、導電膜１１２ａ＿２の上面及び側面を覆い、且つ導電膜１１２ａ＿１と接する領域を有する。また、導電膜１１２ｂ＿１の端部は、導電膜１１２ｂ＿２の端部よりも外側に位置する領域を有し、導電膜１１２ｂ＿３は、導電膜１１２ｂ＿２の上面及び側面を覆い、且つ導電膜１１２ｂ＿１と接する領域を有する。
【０１６１】上記構成とすることで、導電膜１１２ａ、１１２ｂの配線抵抗を低くし、且つ金属酸化物１０８への銅の拡散を抑制できるため好適である。なお、先に示すトランジスタ１００Ｄよりもトランジスタ１００Ｅに示す構造とした方が、銅の拡散を好適に抑制することができる。また、上記構成とすることで、導電膜１１２ｂと、導電膜１２０ｂとの接触抵抗を低くすることができるため好適である。なお、トランジスタ１００Ｅのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ｂと同様であり、同様の効果を奏する。
【０１６２】また、図７（Ａ）は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ｆの上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。
【０１６３】トランジスタ１００Ｆは、先に示すトランジスタ１００Ｂと、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構造、絶縁膜１１５の構造、及び絶縁膜１１３ａ、１１３ｂを有する点が異なる。
【０１６４】トランジスタ１００Ｆが有する導電膜１１２ａは、導電膜１１２ａ＿１と、導電膜１１２ａ＿１上の導電膜１１２ａ＿２とを有する。また、導電膜１１２ａ＿２は、絶縁膜１１３ａにより覆われている。トランジスタ１００Ｆが有する導電膜１１２ｂは、導電膜１１２ｂ＿１と、導電膜１１２ｂ＿１上の導電膜１１２ｂ＿２とを有する。また、導電膜１１２ｂ＿２は、絶縁膜１１３ｂにより覆われている。
【０１６５】絶縁膜１１３ａ、１１３ｂとしては、例えば、ＰＡ  ＡＬＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することができる。具体的には、導電膜１１２ａ＿２、導電膜１１２ｂ＿２を形成したのち、ＰＡ  ＡＬＤ法により、導電膜１１２ａ＿２、導電膜１１２ｂ＿２の上面及び側面にシランガスなどを付着させることで形成することができる。なお、絶縁膜１１３ａ、１１３ｂとしては、導電膜１１２ａ＿２及び導電膜１１２ｂ＿２の構成元素の一部を有する場合がある。例えば、導電膜１１２ａ＿２及び導電膜１１２ｂ＿２が銅を含む場合、絶縁膜１１３ａ、１１３ｂとしては、銅を含むシリサイドとなる場合がある。
【０１６６】また、トランジスタ１００Ｆが有する絶縁膜１１５は、絶縁膜１１５＿１と、絶縁膜１１５＿１上の絶縁膜１１５＿２と、絶縁膜１１５＿２上の絶縁膜１１５＿３と、を有する。絶縁膜１１５＿１、絶縁膜１１５＿２としては、シリコンと酸素を含む層とし、絶縁膜１１５＿３としては、シリコンと窒素を含む層とすることができる。このような積層構造とすることで、金属酸化物１０８の欠陥を減らす効果、金属酸化物１０８への水素の拡散を低減する効果、が追加され、よりトランジスタの電気特性の変動を低減する効果が期待できる。
【０１６７】なお、トランジスタ１００Ｆのその他の構成は、先に示すトランジスタ１００Ｂと同様であり、同様の効果を奏する。また、本実施の形態に係るトランジスタは、上記の構造のトランジスタを、それぞれ自由に組み合わせることが可能である。
【０１６８】＜１−７．半導体装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ１００Ｂの作製方法について、図８乃至図１２を用いて説明する。
【０１６９】なお、図８乃至図１２に示す各図は、半導体装置の作製方法を説明する断面図である。また、図８乃至図１２の各図において、左側がチャネル長方向の断面図であり、右側がチャネル幅方向の断面図である。
【０１７０】まず、基板１０２上に導電膜を形成し、該導電膜をリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い加工して、第１のゲート電極として機能する導電膜１０４を形成する。次に、導電膜１０４上に第１のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６を形成する（図８（Ａ）参照）。
【０１７１】本実施の形態では、基板１０２としてガラス基板を用い、第１のゲート電極として機能する導電膜１０４として、厚さ５０ｎｍのチタン膜と、厚さ２００ｎｍの銅膜とを、それぞれスパッタリング法により形成する。また、絶縁膜１０６として厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜と、をＰＥＣＶＤ法により形成する。次いで厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜をＰＥＣＶＤ法により形成する。
【０１７２】なお、上記窒化シリコン膜は、第１の窒化シリコン膜と、第２の窒化シリコン膜と、第３の窒化シリコン膜とを有する、３層積層構造である。該３層積層構造の一例としては、以下のように形成することができる。
【０１７３】第１の窒化シリコン膜としては、例えば、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍの窒素、及び流量１００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてＰＥＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成すればよい。
【０１７４】第２の窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、流量２０００ｓｃｃｍの窒素、及び流量２０００ｓｃｃｍのアンモニアガスを原料ガスとしてＰＥＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが３００ｎｍとなるように形成すればよい。
【０１７５】第３の窒化シリコン膜としては、流量２００ｓｃｃｍのシラン、及び流量５０００ｓｃｃｍの窒素を原料ガスとしてＰＥＣＶＤ装置の反応室に供給し、反応室内の圧力を１００Ｐａに制御し、２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２０００Ｗの電力を供給して、厚さが５０ｎｍとなるように形成すればよい。
【０１７６】なお、上記第１の窒化シリコン膜、第２の窒化シリコン膜、及び第３の窒化シリコン膜形成時の基板温度は３５０℃以下とすることができる。
【０１７７】窒化シリコン膜を上述の３層の積層構造とすることで、例えば、導電膜１０４に銅を含む導電膜を用いる場合において、以下の効果を奏する。
【０１７８】第１の窒化シリコン膜は、導電膜１０４からの銅元素の拡散を抑制することができる。第２の窒化シリコン膜は、水素を放出する機能を有し、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜の耐圧を向上させることができる。第３の窒化シリコン膜は、第３の窒化シリコン膜からの水素放出が少なく、且つ第２の窒化シリコン膜からの放出される水素の拡散を抑制することができる。
【０１７９】また、上記第２の窒化シリコン膜の成膜前、及び成膜後にＰＡ  ＡＬＤ法による処理、例えば、シランガスを供給し、その後当該シランガスを排気し、窒素ガスによるプラズマを発生させる処理を行うことで、上記第１の窒化シリコン膜、第３の窒化シリコン膜の成膜工程を省略してもよい。
【０１８０】上述の、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜の形成は省略してもよい。このとき、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜の上に、酸素プラズマ処理を行う。
【０１８１】次に、絶縁膜１０６上に金属酸化物１０８＿１＿０を形成する（図８（Ｂ）参照）。
【０１８２】なお、図８（Ｂ）は、絶縁膜１０６上に金属酸化物１０８＿１＿０を形成する際の成膜装置内部の断面模式図である。図８（Ｂ）では、成膜装置としてスパッタリング装置を用い、当該スパッタリング装置内部に設置されたターゲット１９１と、ターゲット１９１の下方に形成されるプラズマ１９２とが、模式的に表されている。
【０１８３】なお、図８（Ｂ）において、絶縁膜１０６に添加される酸素または過剰酸素を模式的に破線の矢印で表している。例えば、金属酸化物１０８＿１＿０の成膜時に酸素ガスを用いる場合、絶縁膜１０６中に酸素を添加することができる。
【０１８４】金属酸化物１０８＿１＿０の厚さとしては、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすればよい。また、金属酸化物１０８＿１＿０は、不活性ガス（代表的にはＡｒガス）及び酸素ガスのいずれか一方または双方を用いて形成される。なお、金属酸化物１０８＿１＿０を形成する際の成膜ガス全体に占める酸素ガスの割合（以下、酸素流量比ともいう）としては、０％以上３０％未満、好ましくは５％以上１５％以下である。
【０１８５】上記範囲の酸素流量比で金属酸化物１０８＿１＿０を形成することで、金属酸化物１０８＿１＿０の結晶性を低くすることができる。
【０１８６】本実施の形態では、金属酸化物１０８＿１＿０の形成条件としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、スパッタリング法により形成する。また、金属酸化物１０８＿１＿０の形成時の基板温度を室温とし、成膜ガスとして流量１８０ｓｃｃｍのアルゴンガスと、流量２０ｓｃｃｍの酸素ガスとを用いる（酸素流量比１０％）。
【０１８７】次に、金属酸化物１０８＿１＿０上に金属酸化物１０８＿２＿０を形成する（図８（Ｃ）参照）。
【０１８８】なお、図８（Ｃ）は、金属酸化物１０８＿１＿０上に金属酸化物１０８＿２＿０を形成する際の成膜装置内部の断面模式図である。図８（Ｃ）では、成膜装置としてスパッタリング装置を用い、当該スパッタリング装置内部に設置されたターゲット１９３と、ターゲット１９３の下方に形成されるプラズマ１９４とが、模式的に表されている。
【０１８９】なお、図８（Ｃ）において、金属酸化物１０８＿１＿０に添加される酸素または過剰酸素を模式的に破線の矢印で表している。例えば、金属酸化物１０８＿２＿０の成膜時に酸素ガスを用いる場合、金属酸化物１０８＿１＿０中に酸素を添加することができる。
【０１９０】また、金属酸化物１０８＿２＿０の厚さとしては、１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすればよい。また、金属酸化物１０８＿２＿０を形成する際に、酸素ガスを含む雰囲気にてプラズマを放電させると好適である。酸素ガスを含む雰囲気にてプラズマを放電させる際に、金属酸化物１０８＿２＿０の被形成面となる金属酸化物１０８＿１＿０中に酸素が添加される。なお、金属酸化物１０８＿２＿０を形成する際の酸素流量比としては、３０％以上１００％以下、好ましくは５０％以上１００％以下、さらに好ましくは７０％以上１００％以下である。
【０１９１】上記範囲の酸素流量比で金属酸化物１０８＿２＿０を形成することで、金属酸化物１０８＿２＿０の結晶性を高くすることができる。
【０１９２】本実施の形態では、金属酸化物１０８＿２＿０の形成条件としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、スパッタリング法により形成する。また、金属酸化物１０８＿２＿０の形成時の基板温度を室温とし、成膜ガスとして流量２００ｓｃｃｍの酸素ガスを用いる（酸素流量比１００％）。
【０１９３】なお、上述したように金属酸化物１０８＿２＿０の形成条件としては、金属酸化物１０８＿１＿０よりも酸素流量比を高めると好ましい。別言すると、金属酸化物１０８＿１＿０は、金属酸化物１０８＿２＿０のよりも低い酸素分圧で形成されると好ましい。
【０１９４】金属酸化物１０８＿１＿０と、金属酸化物１０８＿２＿０との成膜時の酸素流量比を変えることで、結晶性の異なる積層膜を形成することができる。
【０１９５】また、金属酸化物１０８＿１＿０及び金属酸化物１０８＿２＿０の形成時の基板温度としては、室温（２５℃）以上２００℃以下、好ましくは室温以上１３０℃以下とすればよい。基板温度を上記範囲とすることで、大面積のガラス基板（例えば、先に記載の第８世代または第１０世代のガラス基板）を用いる場合に好適である。特に、金属酸化物１０８＿１＿０及び金属酸化物１０８＿２＿０の成膜時における基板温度を室温とすることで、基板の撓みまたは歪みを抑制することができる。なお、本明細書等において、室温とは、意図的に加熱しない温度を含む。
【０１９６】なお、金属酸化物１０８＿２＿０の結晶性を高めたい場合においては、金属酸化物１０８＿２＿０の形成時の基板温度を高める（例えば、１００℃以上２００℃以下、好ましくは１３０℃）と好ましい。
【０１９７】また、金属酸化物１０８＿１＿０及び金属酸化物１０８＿２＿０を真空中で連続して形成することで、各界面に不純物が取り込まれないため、より好適である。
【０１９８】また、スパッタリングガスの高純度化も必要である。例えば、スパッタリングガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで金属酸化物に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。
【０１９９】また、スパッタリング法で金属酸化物を成膜する場合、スパッタリング装置におけるチャンバーは、金属酸化物にとって不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプを用いて、高真空（５×１０−７Ｐａから１×１０−４Ｐａ程度まで）に排気することが好ましい。特に、スパッタリング装置の待機時における、チャンバー内のＨ２Ｏに相当するガス分子（ｍ／ｚ＝１８に相当するガス分子）の分圧を１×１０−４Ｐａ以下、好ましく５×１０−５Ｐａ以下とすることが好ましい。
【０２００】次に、金属酸化物１０８＿１＿０及び金属酸化物１０８＿２＿０を所望の形状に加工することで、島状の金属酸化物１０８＿１及び島状の金属酸化物１０８＿２を形成する。なお、本実施の形態においては、金属酸化物１０８＿１及び金属酸化物１０８＿２により、島状の金属酸化物１０８が構成される（図９（Ａ）参照）。
【０２０１】また、金属酸化物１０８を形成した後に、加熱処理（以下、第１の加熱処理とする）を行うと好適である。第１の加熱処理により、金属酸化物１０８に含まれる水素、水等を低減することができる。なお、水素、水等の低減を目的とした加熱処理は、金属酸化物１０８を島状に加工する前に行ってもよい。なお、第１の加熱処理は、金属酸化物の高純度化処理の一つである。
【０２０２】第１の加熱処理としては、例えば、１５０℃以上基板の歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、さらに好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とする。
【０２０３】また、第１の加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、短時間に限り基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため、加熱時間を短縮することが可能となる。また、第１の加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等が含まれないことが好ましい。また、窒素または希ガス雰囲気で加熱処理した後、酸素または超乾燥空気雰囲気で加熱してもよい。この結果、金属酸化物中に含まれる水素、水等を脱離させると共に、金属酸化物中に酸素を供給することができる。この結果、金属酸化物中に含まれる酸素欠損を低減することができる。
【０２０４】次に、絶縁膜１０６に開口部１５１を形成する（図９（Ｂ）参照）。
【０２０５】ウエットエッチング法、及びドライエッチング法のいずれか一方または双方を用いることで、開口部１５１を形成することができる。なお、開口部１５１は、導電膜１０４に達するように形成される。
【０２０６】次に、導電膜１０４、絶縁膜１０６、及び金属酸化物１０８上に導電膜１１２を形成する（図９（Ｃ）参照）。
【０２０７】本実施の形態では、導電膜１１２として、厚さ３０ｎｍのチタン膜と、厚さ２００ｎｍの銅膜を、それぞれ順に、スパッタリング法により成膜する。
【０２０８】次に、導電膜１１２を所望の形状に加工することで、島状の導電膜１１２ａと、島状の導電膜１１２ｂと、島状の導電膜１１２ｃと、を形成する（図１０（Ａ）参照）。
【０２０９】なお、本実施の形態においては、ウエットエッチング装置を用い、導電膜１１２を加工する。ただし、導電膜１１２の加工方法としては、これに限定されず、例えば、ドライエッチング装置を用いてもよい。
【０２１０】また、導電膜１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの形成後に、金属酸化物１０８（より具体的には金属酸化物１０８＿２）の表面（バックチャネル側）を洗浄してもよい。当該洗浄方法としては、例えば、リン酸等の薬液を用いた洗浄が挙げられる。リン酸等の薬液を用いて洗浄を行うことで、金属酸化物１０８＿２の表面に付着した不純物（例えば、導電膜１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃに含まれる元素等）を除去することができる。なお、当該洗浄を必ずしも行う必要はなく、場合によっては、洗浄を行わなくてもよい。
【０２１１】また、導電膜１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを形成する工程、及び上記洗浄工程のいずれか一方または双方において、金属酸化物１０８の導電膜１１２ａ、１１２ｂから露出した領域が、薄くなる場合がある。
【０２１２】なお、本発明の一態様の半導体装置においては、導電膜１１２ａ、１１２ｂから露出した領域、すなわち、金属酸化物１０８＿２は結晶性が高められた金属酸化物である。結晶性が高い金属酸化物は、不純物、特に導電膜１１２ａ、１１２ｂに用いる構成元素が膜中に拡散しにくい構成である。したがって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０２１３】また、図１０（Ａ）において、導電膜１１２ａ、１１２ｂから露出した金属酸化物１０８の表面、すなわち金属酸化物１０８＿２の表面に凹部が形成される場合について例示したが、これに限定されず、導電膜１１２ａ、１１２ｂから露出した金属酸化物１０８の表面は、凹部を有していなくてもよい。
【０２１４】次に、金属酸化物１０８、及び導電膜１１２ａ、１１２ｂ上に絶縁膜１１５を形成する。絶縁膜１１５は、金属酸化物１０８に接するシリコンと酸素を含む層と、シリコンと窒素を含む層との積層構造とすることが好ましい。以下、絶縁膜１１５の作製方法について示す。
【０２１５】トランジスタ１００Ｂの場合は、絶縁膜１１５として後述の部分にて説明する絶縁膜１１５＿２を形成する（図１０（Ｂ）参照）。
【０２１６】トランジスタ１００Ｆの場合は、絶縁膜１１５＿１、絶縁膜１１５＿２、絶縁膜１１５＿３、を形成する（図１０（Ｃ）参照）。
【０２１７】［保護絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１］
絶縁膜１１５＿１、１１５＿２は、トランジスタの保護絶縁膜としての機能、及び金属酸化物１０８に酸素を供給する機能のいずれか一方又は双方を有する。すなわち、絶縁膜１１５＿１、１１５＿２は、酸素を有する。また、絶縁膜１１５＿１は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜１１５＿１は、後に形成する絶縁膜１１５＿２を形成する際の、金属酸化物１０８へのダメージ緩和膜としても機能する。
【０２１８】絶縁膜１１５＿１としては、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。
【０２１９】また、絶縁膜１１５＿１は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることが好ましい。これは、絶縁膜１１５＿１に含まれる欠陥密度が多いと、該欠陥に酸素が結合してしまい、絶縁膜１１５＿１における酸素の透過性が減少してしまう。
【０２２０】なお、絶縁膜１１５＿１においては、外部から絶縁膜１１５＿１に入った酸素が全て絶縁膜１１５＿１の外部に移動せず、絶縁膜１１５＿１にとどまる酸素もある。また、絶縁膜１１５＿１に酸素が入ると共に、絶縁膜１１５＿１に含まれる酸素が絶縁膜１１５＿１の外部へ移動することで、絶縁膜１１５＿１において酸素の移動が生じる場合もある。絶縁膜１１５＿１として酸素を透過することができる酸化物絶縁膜を形成すると、絶縁膜１１５＿１上に設けられる、絶縁膜１１５＿２から脱離する酸素を、絶縁膜１１５＿１を介して金属酸化物１０８に移動させることができる。
【０２２１】また、絶縁膜１１５＿１は、窒素酸化物に起因する準位密度が低い酸化物絶縁膜を用いて形成することができる。なお、当該窒素酸化物に起因する準位密度は、金属酸化物膜の価電子帯の上端のエネルギー（Ｅｖ＿ｏｓ）と金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギー（Ｅｃ＿ｏｓ）の間に形成され得る場合がある。上記酸化物絶縁膜として、窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化シリコン膜、または窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化アルミニウム膜等を用いることができる。
【０２２２】なお、窒素酸化物の放出量の少ない酸化窒化シリコン膜は、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）において、窒素酸化物の放出量よりアンモニアの放出量が多い膜であり、代表的にはアンモニアの放出量が１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下である。なお、アンモニアの放出量は、膜の表面温度が５０℃以上６５０℃以下、好ましくは５０℃以上５５０℃以下の加熱処理による放出量とする。
【０２２３】窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０よりも大きく２以下、好ましくは１以上２以下）、代表的にはＮＯ２またはＮＯは、絶縁膜１１５＿１などに準位を形成する。当該準位は、金属酸化物１０８のエネルギーギャップ内に位置する。そのため、窒素酸化物が、絶縁膜１１５＿１及び金属酸化物１０８の界面に拡散すると、当該準位が絶縁膜１１５＿１側において電子をトラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が、絶縁膜１１５＿１及び金属酸化物１０８界面近傍に留まるため、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。
【０２２４】また、窒素酸化物は、加熱処理においてアンモニア及び酸素と反応する。絶縁膜１１５＿１に含まれる窒素酸化物は、加熱処理において、絶縁膜１１５＿２に含まれるアンモニアと反応するため、絶縁膜１１５＿１に含まれる窒素酸化物が低減される。このため、絶縁膜１１５＿１及び金属酸化物１０８の界面において、電子がトラップされにくい。
【０２２５】絶縁膜１１５＿１として、上記酸化物絶縁膜を用いることで、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。
【０２２６】また、上記酸化物絶縁膜は、ＳＩＭＳで測定される窒素濃度が６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
【０２２７】基板温度が２２０℃以上３５０℃以下であり、シラン及び一酸化二窒素を用いたＰＥＣＶＤ法を用いて、上記酸化物絶縁膜を形成することで、緻密であり、且つ硬度の高い膜を形成することができる。
【０２２８】絶縁膜１１５＿２は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜である。上記の酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。なお、ＴＤＳにおいて、上記の酸化物絶縁膜は、酸素の放出量が１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の領域を有する。また、上記の酸素の放出量は、ＴＤＳにおける加熱処理の温度が５０℃以上６５０℃以下、または５０℃以上５５０℃以下の範囲での総量である。また、上記の酸素の放出量は、ＴＤＳにおける酸素原子に換算しての総量である。
【０２２９】絶縁膜１１５＿２としては、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。
【０２３０】また、絶縁膜１１５＿２は、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、さらには１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることが好ましい。なお、絶縁膜１１５＿２は、絶縁膜１１５＿１と比較して金属酸化物１０８から離れているため、絶縁膜１１５＿１より、欠陥密度が多くともよい。
【０２３１】また、絶縁膜１１５＿１、１１５＿２は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜１１５＿１と絶縁膜１１５＿２の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１５＿１と絶縁膜１１５＿２の界面は、破線で図示している。
【０２３２】［保護絶縁膜としての機能を有する絶縁膜２］
絶縁膜１１５＿３は、トランジスタの保護絶縁膜として機能する。
【０２３３】絶縁膜１１５＿３は、水素及び窒素のいずれか一方または双方を有する。または、絶縁膜１１５＿３は、窒素及びシリコンを有する。また、絶縁膜１１５＿３は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングできる機能を有する。絶縁膜１１５＿３を設けることで、金属酸化物１０８からの酸素の外部への拡散と、絶縁膜１１５＿１、１１５＿２に含まれる酸素の外部への拡散と、外部から金属酸化物１０８への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。
【０２３４】絶縁膜１１５＿３としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。
【０２３５】なお、上記記載の、導電膜、絶縁膜、金属酸化物膜、金属膜などの様々な膜としては、スパッタリング法やＰＥＣＶＤ法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成してもよい。熱ＣＶＤ法の例としてＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などが挙げられる。
【０２３６】熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。また、熱ＣＶＤ法としては、原料ガスをチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、基板上に膜を堆積させればよい。
【０２３７】また、ＡＬＤ法としては、原料ガスをチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、基板上に膜を堆積させればよい。
【０２３８】なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１５として、絶縁膜１１５＿１、１１５＿２、１１５＿３、について説明したが、これに限定されず、例えば、他の組成や成膜方法の絶縁膜を含んだ積層構造としてもよい。
【０２３９】次に、絶縁膜１１５上に絶縁膜１１６を形成する（図１１（Ａ）参照）。
【０２４０】例えば、絶縁膜１１６として、スピンコーター、スリットコーターなどを用いて、アクリル樹脂などの平坦化絶縁膜を形成すればよい。
【０２４１】また、絶縁膜１１６を形成した後に、加熱処理（以下、第２の加熱処理とする）を行うと好適である。第２の加熱処理により、絶縁膜１１５に含まれる酸素の一部を金属酸化物１０８に移動させ、金属酸化物１０８に含まれる酸素欠損を低減することができる。
【０２４２】第２の加熱処理の温度は、代表的には、４００℃未満、好ましくは３７５℃未満、さらに好ましくは、１５０℃以上３５０℃以下とする。第２の加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等が含まれないことが好ましい該加熱処理には、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。
【０２４３】次に、絶縁膜１１５、及び絶縁膜１１６の所望の領域に開口部１５２ａ、１５２ｂを形成する（図１１（Ｂ）参照）。
【０２４４】ウエットエッチング法、及びドライエッチング法のいずれか一方または双方を用いることで、開口部１５２ａ、１５２ｂを形成することができる。なお、開口部１５２ａは、導電膜１１２ｂに達するように形成され、開口部１５２ｂは、導電膜１１２ｃに達するように形成される。
【０２４５】次に、開口部１５２ａ、１５２ｂを覆うように、絶縁膜１１６上に導電膜１２０を形成する（図１２（Ａ）参照）。
【０２４６】導電膜１２０としては、酸化物導電膜などを、スパッタリング法により形成すればよい。酸化物導電膜としては、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、またはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などを用いることができる。
【０２４７】次に、導電膜１２０を所望の形状に加工することで、島状の導電膜１２０ａと、島状の導電膜１２０ｂと、を形成する（図１２（Ｂ）参照）。
【０２４８】本実施の形態においては、ウエットエッチング装置を用い、導電膜１２０を加工する。
【０２４９】また、導電膜１２０ａ、１２０ｂの形成後に、先に記載の第１の加熱処理及び第２の加熱処理と同等の加熱処理（以下、第３の加熱処理とする）を行ってもよい。
【０２５０】第３の加熱処理を行うことで、絶縁膜１１５が有する酸素は、金属酸化物１０８中に移動し、金属酸化物１０８中の酸素欠損を補填する。
【０２５１】以上の工程で図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すトランジスタ１００Ｂを作製することができる。すなわち、ばらつきの少ないトランジスタ特性を有する金属酸化物を用いた半導体装置を提供することができる。または、優れたノーマリオフのスイッチング特性を有する金属酸化物を用いた半導体装置を提供することができる。または、金属酸化物を用いた電界効果移動度の高い半導体装置を提供することができる。または、金属酸化物材料からなる微細な島状のパターンを用いて形成された半導体装置を提供することができる。
【０２５２】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２５３】（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体膜として用いることができる金属酸化物について説明する。
【０２５４】＜２−１．金属酸化物＞
以下では、金属酸化物の中でも酸化物半導体について説明する。
【０２５５】酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ−Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ−Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および非晶質酸化物半導体などがある。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
【０２５６】なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０２５７】また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０２５８】また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０２５９】すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０２６０】まず、図１４及び図１５を用いて、金属酸化物の一つであるＣＡＣ−ＯＳの構成について説明する。なお、図１４及び図１５は、ＣＡＣ−ＯＳの概念を表す断面模式図である。
【０２６１】＜２−２．ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、図１４に示すように、金属酸化物を構成する元素が偏在することで、各元素を主成分とする領域００１、領域００２、および領域００３を形成し、各領域が、混合し、モザイク状に形成される。つまり、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【０２６２】なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）が含まれていてもよい。
【０２６３】例えば、ＣＡＣ−ＯＳの構成を有するＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、元素Ｍの酸化物（以下、ＭＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、または元素Ｍの亜鉛酸化物（以下、ＭＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【０２６４】また、図１４に示す概念が、ＣＡＣ−ＯＳの構成を有するＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であると仮定する。その場合、領域００１がＭＯＸ３を主成分とする領域、領域００２がＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１を主成分とする領域、また、領域００３が少なくともＺｎを有する領域であるといえる。このとき、ＭＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、少なくともＺｎを有する領域とは、周辺部が不明瞭である（ボケている）ため、それぞれ明確な境界が観察できない場合がある。
【０２６５】つまり、ＣＡＣ−ＯＳの構成を有するＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物は、ＭＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している金属酸化物である。従って、金属酸化物を複合金属酸化物と記載する場合がある。なお、本明細書において、例えば、領域００２の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、領域００１の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、領域００２は、領域００１と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【０２６６】なお、ＣＡＣ−ＯＳの構成を有する金属酸化物とは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は含まない。
【０２６７】具体的には、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（なお、ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）について説明する。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳは、ＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ５（Ｘ５は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ６ＺｎＹ６ＯＺ６（Ｘ６、Ｙ６、およびＺ６は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２がクラウド状である金属酸化物である。
【０２６８】つまり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ５が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。また、ＧａＯＸ５が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、周辺部が不明瞭である（ボケている）ため、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２６９】なお、領域００１乃至領域００３のサイズは、ＥＤＸマッピングで評価することができる。例えば、領域００１は、断面写真のＥＤＸマッピングにおいて、領域００１の径が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上２ｎｍ以下で観察される場合がある。また、領域の中心部から周辺部にかけて、主成分である元素の密度は、徐々に小さくなる。例えば、ＥＤＸマッピングでカウントできる元素の個数（以下、存在量ともいう）が、中心部から周辺部に向けて傾斜すると、断面写真のＥＤＸマッピングにおいて、領域の周辺部が不明瞭な（ボケた）状態で観察される。例えば、ＧａＯＸ５が主成分である領域において、Ｇａ原子は、中心部から周辺部にかけて徐々に減少し、代わりに、Ｚｎ原子が増加することで、ＧａＸ６ＺｎＹ６ＯＺ６が主成分である領域へと段階的に変化する。従って、ＥＤＸマッピングにおいて、ＧａＯＸ５が主成分である領域の周辺部は不明瞭な（ボケた）状態で観察される。
【０２７０】ここで、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【０２７１】上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した層状の結晶構造である。
【０２７２】本明細書等において、ＣＡＣ−ＩＧＺＯとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む金属酸化物において、Ｇａを主成分とする複数の領域と、Ｉｎを主成分とする複数の領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している状態の金属酸化物と定義することができる。
【０２７３】例えば、図１４に示す概念図において、領域００１がＧａを主成分とする領域に相当し、領域００２がＩｎを主成分とする領域に相当する。また、図１４に示す概念図において、領域００３が亜鉛を含む領域に相当する。なお、Ｇａを主成分とする領域、及びＩｎを主成分とする領域を、それぞれナノ粒子と呼称してもよい。当該ナノ粒子は、粒子の径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、代表的には１ｎｍ以上２ｎｍ以下である。また、上記ナノ粒子は、周辺部が不明瞭である（ボケている）ため、明確な境界が観察できない場合がある。
【０２７４】また、図１５は、図１４に示す概念図の変形例である。図１５に示すように、領域００１、領域００２、及び領域００３は、それぞれの形状または密度が金属酸化物の形成条件によって、異なる場合がある。
【０２７５】なお、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおける結晶性は、電子線回折で評価することができる。例えば、電子線回折パターン像において、リング状に輝度の高い領域が観察される。また、リング状の領域に複数のスポットが観察される場合がある。
【０２７６】以上より、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ５などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【０２７７】なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムが含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【０２７８】ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ５などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。なお、別言すると導電性の高い領域は、相対的にＩｎ比の高い領域である。以下の説明において、相対的にＩｎ比の高い領域を、便宜的にＩｎ−Ｒｉｃｈ領域と記載する場合がある。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【０２７９】一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。なお、別言すると絶縁性の高い領域は、相対的にＧａ比の高い領域である。以下の説明において、相対的にＧａ比の高い領域を、便宜的にＧａ−Ｒｉｃｈ領域と記載する場合がある。つまり、ＧａＯＸ５などが主成分である領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【０２８０】従って、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ５などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、および、低いオフ電流（Ｉｏｆｆ）を実現することができる。
【０２８１】なお、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【０２８２】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２８３】（実施の形態３）
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図１６乃至図１８を用いて以下説明を行う。
【０２８４】図１６は、表示装置の一例を示す上面図である。図１６に示す表示装置７００は、第１の基板７０１上に設けられた画素部７０２と、第１の基板７０１に設けられたソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６と、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を囲むように配置されるシール材７１２と、第１の基板７０１に対向するように設けられる第２の基板７０５と、を有する。なお、第１の基板７０１と第２の基板７０５は、シール材７１２によって封止されている。すなわち、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６は、第１の基板７０１とシール材７１２と第２の基板７０５によって封止されている。なお、図１６には図示しないが、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には表示素子が設けられる。
【０２８５】また、表示装置７００は、第１の基板７０１上のシール材７１２によって囲まれている領域とは異なる領域に、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６と、それぞれ電気的に接続されるＦＰＣ端子部７０８（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）が設けられる。また、ＦＰＣ端子部７０８には、ＦＰＣ７１６が接続され、ＦＰＣ７１６によって画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６に各種信号等が供給される。また、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８には、信号線７１０が各々接続されている。ＦＰＣ７１６により供給される各種信号等は、信号線７１０を介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８に与えられる。
【０２８６】また、表示装置７００にゲートドライバ回路部７０６を複数設けてもよい。また、表示装置７００としては、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を画素部７０２と同じ第１の基板７０１に形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ回路部７０６のみを第１の基板７０１に形成しても良い、またはソースドライバ回路部７０４のみを第１の基板７０１に形成しても良い。この場合、ソースドライバ回路またはゲートドライバ回路等が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を、第１の基板７０１に形成する構成としても良い。なお、別途形成した駆動回路基板の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法などを用いることができる。
【０２８７】また、表示装置７００が有する画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６は、複数のトランジスタを有しており、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタを適用することができる。
【０２８８】また、表示装置７００は、様々な素子を有することが出来る。該素子の一例としては、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤなど）、発光トランジスタ素子（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）ディスプレイ（例えば、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、デジタル・マイクロ・シャッター（ＤＭＳ）素子、インターフェロメトリック・モジュレーション（ＩＭＯＤ）素子など）、圧電セラミックディスプレイなどが挙げられる。
【０２８９】また、ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク素子又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
【０２９０】なお、表示装置７００における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素とＷ（白）の画素の四画素から構成されてもよい。または、ペンタイル配列のように、ＲＧＢのうちの２色分で一つの色要素を構成し、色要素によって、異なる２色を選択して構成してもよい。またはＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加してもよい。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
【０２９１】また、バックライト（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ、蛍光灯など）に白色発光（Ｗ）を用いて表示装置をフルカラー表示させるために、着色層（カラーフィルタともいう。）を用いてもよい。着色層は、例えば、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）、イエロー（Ｙ）などを適宜組み合わせて用いることができる。着色層を用いることで、着色層を用いない場合と比べて色の再現性を高くすることができる。このとき、着色層を有する領域と、着色層を有さない領域と、を配置することによって、着色層を有さない領域における白色光を直接表示に利用しても構わない。一部に着色層を有さない領域を配置することで、明るい表示の際に、着色層による輝度の低下を少なくでき、消費電力を２割から３割程度低減できる場合がある。ただし、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子などの自発光素子を用いてフルカラー表示する場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ、Ｗを、それぞれの発光色を有する素子から発光させても構わない。自発光素子を用いることで、着色層を用いた場合よりも、さらに消費電力を低減できる場合がある。
【０２９２】また、カラー化方式としては、上述の白色発光からの発光の一部をカラーフィルタを通すことで赤色、緑色、青色に変換する方式（カラーフィルタ方式）の他、赤色、緑色、青色の発光をそれぞれ用いる方式（３色方式）、または青色発光からの発光の一部を赤色や緑色に変換する方式（色変換方式、量子ドット方式）を適用してもよい。
【０２９３】本実施の形態においては、表示素子としてＥＬ素子及び液晶素子を用いる構成について、図１７及び図１８を用いて説明する。なお、図１７は、図１６に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子としてＥＬ素子を用いた構成である。また、図１８は、図１６に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子として液晶素子を用いた構成である。
【０２９４】まず、図１７及び図１８に示す共通部分について最初に説明し、次に異なる部分について以下説明する。
【０２９５】＜３−１．表示装置の共通部分に関する説明＞
図１７及び図１８に示す表示装置７００は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。また、引き回し配線部７１１は、信号線７１０を有する。また、画素部７０２は、トランジスタ７５０及び容量素子７９０を有する。また、ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を有する。
【０２９６】トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２は、先に示すトランジスタ１００Ｅと同様の構成である。なお、トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２の構成については、先の実施の形態に示す、その他のトランジスタを用いてもよい。
【０２９７】本実施の形態で用いるトランジスタは、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した金属酸化物を有する。該トランジスタは、オフ電流を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０２９８】また、本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライバトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【０２９９】容量素子７９０は、トランジスタ７５０が有する第１のゲート電極と機能する導電膜と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される下部電極と、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される上部電極と、を有する。また、下部電極と上部電極との間には、トランジスタ７５０が有する第１のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜と同一の絶縁膜を形成する工程を経て形成される絶縁膜が設けられる。すなわち、容量素子７９０は、一対の電極間に誘電体膜として機能する絶縁膜が挟持された積層型の構造である。
【０３００】また、図１７及び図１８において、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２、及び容量素子７９０上に平坦化絶縁膜７７０が設けられている。
【０３０１】平坦化絶縁膜７７０としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性を有する有機材料を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜７７０を形成してもよい。また、平坦化絶縁膜７７０を設けない構成としてもよい。
【０３０２】また、図１７及び図１８においては、画素部７０２が有するトランジスタ７５０と、ソースドライバ回路部７０４が有するトランジスタ７５２と、を同じ構造のトランジスタを用いる構成について例示したが、これに限定されない。例えば、画素部７０２と、ソースドライバ回路部７０４とは、異なるトランジスタを用いてもよい。具体的には、画素部７０２にスタガ型のトランジスタを用い、ソースドライバ回路部７０４に実施の形態１に示す逆スタガ型のトランジスタを用いる構成、あるいは画素部７０２に実施の形態１に示す逆スタガ型のトランジスタを用い、ソースドライバ回路部７０４にスタガ型のトランジスタを用いる構成などが挙げられる。なお、上記のソースドライバ回路部７０４を、ゲートドライバ回路部と読み替えてもよい。
【０３０３】また、信号線７１０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同じ工程を経て形成される。信号線７１０として、例えば、銅元素を含む材料を用いた場合、配線抵抗に起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となる。
【０３０４】また、ＦＰＣ端子部７０８は、接続電極７６０、異方性導電膜７８０、及びＦＰＣ７１６を有する。なお、接続電極７６０は、トランジスタ７５０、７５２のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同じ工程を経て形成される。また、接続電極７６０は、ＦＰＣ７１６が有する端子と異方性導電膜７８０を介して、電気的に接続される。
【０３０５】また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５としては、例えばガラス基板を用いることができる。また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５として、可撓性を有する基板を用いてもよい。該可撓性を有する基板としては、例えばプラスチック基板等が挙げられる。
【０３０６】また、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には、構造体７７８が設けられる。構造体７７８は、絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられる。なお、構造体７７８として、球状のスペーサを用いていても良い。
【０３０７】また、第２の基板７０５側には、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜７３８と、カラーフィルタとして機能する着色膜７３６と、遮光膜７３８及び着色膜７３６に接する絶縁膜７３４が設けられる。
【０３０８】＜３−２．表示装置が有する入出力装置の構成例＞
また、図１７及び図１８に示す表示装置７００には入出力装置として、タッチパネル７９１が設けられている。なお、表示装置７００にタッチパネル７９１を設けない構成としてもよい。
【０３０９】図１７及び図１８に示すタッチパネル７９１は、第２の基板７０５と着色膜７３６との間に設けられる、所謂インセル型のタッチパネルである。タッチパネル７９１は、遮光膜７３８、及び着色膜７３６を形成する前に、第２の基板７０５側に形成すればよい。
【０３１０】なお、タッチパネル７９１は、遮光膜７３８と、絶縁膜７９２と、電極７９３と、電極７９４と、絶縁膜７９５と、電極７９６と、絶縁膜７９７と、を有する。例えば、指やスタイラスなどの被検知体が近接することで、電極７９３と、電極７９４との間の容量の変化を検知することができる。
【０３１１】また、図１７及び図１８に示すトランジスタ７５０の上方においては、電極７９３と、電極７９４との交差部を明示している。電極７９６は、絶縁膜７９５に設けられた開口部を介して、電極７９４を挟む２つの電極７９３と電気的に接続されている。なお、図１７及び図１８においては、電極７９６が設けられる領域を画素部７０２に設ける構成を例示したが、これに限定されず、例えば、ソースドライバ回路部７０４に形成してもよい。
【０３１２】電極７９３及び電極７９４は、遮光膜７３８と重なる領域に設けられる。また、図１７に示すように、電極７９３は、発光素子７８２と重ならないように設けられると好ましい。また、図１８に示すように、電極７９３は、液晶素子７７５と重ならないように設けられると好ましい。別言すると、電極７９３は、発光素子７８２及び液晶素子７７５と重なる領域に開口部を有する。すなわち、電極７９３はメッシュ形状を有する。このような構成とすることで、電極７９３は、発光素子７８２が射出する光を遮らない構成とすることができる。または、電極７９３は、液晶素子７７５を透過する光を遮らない構成とすることができる。したがって、タッチパネル７９１を配置することによる輝度の低下が極めて少ないため、視認性が高く、且つ消費電力が低減された表示装置を実現できる。なお、電極７９４も同様の構成とすればよい。
【０３１３】また、電極７９３及び電極７９４が発光素子７８２と重ならないため、電極７９３及び電極７９４には、可視光の透過率が低い金属材料を用いることができる。または、電極７９３及び電極７９４が液晶素子７７５と重ならないため、電極７９３及び電極７９４には、可視光の透過率が低い金属材料を用いることができる。
【０３１４】そのため、可視光の透過率が高い酸化物材料を用いた電極と比較して、電極７９３及び電極７９４の抵抗を低くすることが可能となり、タッチパネルのセンサ感度を向上させることができる。
【０３１５】例えば、電極７９３、７９４、７９６には、導電性のナノワイヤを用いてもよい。当該ナノワイヤは、直径の平均値が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の大きさとすればよい。また、上記ナノワイヤとしては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、またはＡｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、あるいは、カーボンナノチューブなどを用いればよい。例えば、電極７９３、７９４、７９６のいずれか一つあるいは全部にＡｇナノワイヤを用いる場合、可視光における光透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１００Ω／□以下とすることができる。
【０３１６】また、図１７及び図１８においては、インセル型のタッチパネルの構成について例示したが、これに限定されない。例えば、表示装置７００上に形成する、所謂オンセル型のタッチパネルや、表示装置７００に貼り合わせて用いる、所謂アウトセル型のタッチパネルとしてもよい。このように、本発明の一態様の表示装置７００は、様々な形態のタッチパネルと組み合わせて用いることができる。
【０３１７】＜３−３．発光素子を用いる表示装置＞
図１７に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電膜７７２、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。図１７に示す表示装置７００は、発光素子７８２が有するＥＬ層７８６が発光することによって、画像を表示することができる。なお、ＥＬ層７８６は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
【０３１８】有機化合物に用いることのできる材料としては、蛍光性材料または燐光性材料などが挙げられる。また、量子ドットに用いることのできる材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、などが挙げられる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドット材料を用いてもよい。
【０３１９】また、図１７に示す表示装置７００には、平坦化絶縁膜７７０及び導電膜７７２上に絶縁膜７３０が設けられる。絶縁膜７３０は、導電膜７７２の一部を覆う。なお、発光素子７８２はトップエミッション構造である。したがって、導電膜７８８は透光性を有し、ＥＬ層７８６が発する光を透過する。なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造について、例示するが、これに限定されない。例えば、導電膜７７２側に光を射出するボトムエミッション構造や、導電膜７７２及び導電膜７８８の双方に光を射出するデュアルエミッション構造にも適用することができる。
【０３２０】また、発光素子７８２と重なる位置に、着色膜７３６が設けられ、絶縁膜７３０と重なる位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に遮光膜７３８が設けられている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。また、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、図１７に示す表示装置７００においては、着色膜７３６を設ける構成について例示したが、これに限定されない。例えば、ＥＬ層７８６を塗り分けにより形成する場合においては、着色膜７３６を設けない構成としてもよい。
【０３２１】＜３−４．液晶素子を用いる表示装置の構成例＞
図１８に示す表示装置７００は、液晶素子７７５を有する。液晶素子７７５は、導電膜７７２、絶縁膜７７３、導電膜７７４、及び液晶層７７６を有する。導電膜７７４は、共通電極（コモン電極ともいう）としての機能を有し、絶縁膜７７３を介して、導電膜７７２と導電膜７７４との間に生じる電界によって、液晶層７７６の配向状態を制御することができる。図１８に示す表示装置７００は、導電膜７７２と導電膜７７４に印加される電圧によって、液晶層７７６の配向状態が変わることによって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
【０３２２】また、導電膜７７２は、トランジスタ７５０が有するソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜と電気的に接続される。導電膜７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され画素電極、すなわち表示素子の一方の電極として機能する。
【０３２３】導電膜７７２としては、可視光において透光性のある導電膜、または可視光において反射性のある導電膜を用いることができる。可視光において透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。可視光において反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム、または銀を含む材料を用いるとよい。本実施の形態においては、導電膜７７２として、可視光において、反射性のある導電膜を用いる。
【０３２４】なお、図１８においては、導電膜７７２をトランジスタ７５０のドレイン電極として機能する導電膜に接続する構成について例示したが、これに限定されない。例えば、接続電極として機能する導電膜を間に挟んでトランジスタ７５０のドレイン電極として機能する導電膜と電気的に接続させる構成としてもよい。
【０３２５】また、図１８において図示しないが、液晶層７７６と接する位置に、配向膜を設ける構成としてもよい。また、図１８において図示しないが、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設けてもよい。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
【０３２６】表示素子として液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０３２７】また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性であるため配向処理が不要である。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。また、ブルー相を示す液晶材料は、視野角依存性が小さい。
【０３２８】また、表示素子として液晶素子を用いる場合、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
【０３２９】また、ノーマリブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることができる。
【０３３０】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３３１】＜３−５．表示パネルの構成例＞
液晶素子７７５に、ゲスト−ホストモードで動作する液晶材料を用いることにより、光拡散層や偏光板などの機能性部材を省略することができる。図１９に示す表示装置７００は、図１８と同じ構造であるが、液晶層７７６に、ゲスト−ホストモードで動作する液晶材料を用いている。このとき偏光板などの偏光部材は有しない。
【０３３２】ゲスト・ホスト液晶とは、二色性色素を含む液晶材料をという。具体的には、分子の長軸方向に大きな吸光度を備え、長軸方向と直交する短軸方向に小さな吸光度を備える材料を、二色性色素に用いることができる。好ましくは、１０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができ、より好ましくは、２０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができる。
【０３３３】例えば、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素等を、二色性色素に用いることができる。
【０３３４】また、ホモジニアス配向した二色性色素を含む二層の液晶層を、配向方向が互いに直交するように重ねた構造を、液晶材料を含む層に用いることができる。これにより、全方位について光を吸収しやすくすることができる。または、コントラストを高めることができる。
【０３３５】また、相転移型ゲスト・ホスト液晶や、ゲスト・ホスト液晶を含む液滴を高分子に分散した構造を、液晶層７７６に用いることができる。
【０３３６】表示装置７００の構造とすることにより、表示装置の生産性を高めることができる。また、偏光板などの機能性部材を設けないことにより、液晶素子７７５の反射輝度を高めることができる。よって、表示装置の視認性を高めることができる。
【０３３７】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３３８】（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置が有する画素の構成の一例について、図２０及び図２１を用いて説明を行う。
【０３３９】［画素について］
まず、画素について、図２０（Ａ１）（Ａ２）（Ｂ）を用いて説明する。
【０３４０】図２０（Ａ１）に、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図を示す。図２０（Ａ１）に示す画素９００は、３つの副画素を有する。各副画素には、発光素子９３０ＥＬ（図２０（Ａ１）（Ａ２）には図示しない）、トランジスタ９１０、及びトランジスタ９１２が設けられている。また、図２０（Ａ１）に示す各副画素では、発光素子９３０ＥＬの発光領域（発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、または発光領域９１６Ｂ）を示している。なお、発光素子９３０ＥＬは、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１２側に光を射出する、所謂ボトムエミッション型の発光素子とする。
【０３４１】また、画素９００は、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６等を有する。配線９０２は、例えば走査線として機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０６は、例えば発光素子に電位を供給する電源線として機能する。また、配線９０２と配線９０４とは、互いに交差する部分を有する。また、配線９０２と配線９０６とは、互いに交差する部分を有する。なお、ここでは、配線９０２と配線９０４、及び配線９０２と配線９０６とが交差する構成について例示したが、これに限定されず、配線９０４と配線９０６とが交差する構成としてもよい。
【０３４２】トランジスタ９１０は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１０のゲートは、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１０のソースまたはドレインの一方は、配線９０４と電気的に接続されている。
【０３４３】トランジスタ９１２は、発光素子に流れる電流を制御するトランジスタである。トランジスタ９１２のゲートは、トランジスタ９１０のソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている。トランジスタ９１２のソースまたはドレインの一方は配線９０６と電気的に接続され、他方は発光素子９３０ＥＬの一対の電極の一方と電気的に接続されている。
【０３４４】図２０（Ａ１）では、発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、及び発光領域９１６Ｂが、それぞれ縦方向に長い短冊状の形状を有し、横方向にストライプ状に配列している。
【０３４５】ここで、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量等を構成する各層には、透光性を有する膜を用いると好適である。図２０（Ａ２）は、図２０（Ａ１）に示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９００ｓと、に分けて明示した例である。このように、透光性を有する膜を用いてトランジスタを作製することで、各配線が設けられる部分以外を透過領域９００ｔとすることができる。また、発光素子の発光領域を、トランジスタ、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量などと重ねることができるため、画素の開口率を高めることができる。
【０３４６】なお、画素の面積に対する透過領域の面積の割合が高いほど、発光素子の光取り出し効率を高めることができる。例えば、画素の面積に対する、透過領域の面積の割合は、１％以上９５％以下、好ましくは１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下とすることができる。特に４０％以上または５０％以上とすることが好ましく、６０％以上８０％以下であるとより好ましい。
【０３４７】また、図２０（Ａ２）に示す一点鎖線Ａ−Ｂの切断面に相当する断面図を図２０（Ｂ）に示す。なお、図２０（Ｂ）では、上面図において図示していない、発光素子９３０ＥＬ、容量素子９１３、及び駆動回路部９０１などの断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１としては、走査線駆動回路部または信号線駆動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９１１を有する。
【０３４８】図２０（Ｂ）に示すように、発光素子９３０ＥＬからの光は、破線の矢印に示す方向に射出される。発光素子９３０ＥＬの光は、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、及び容量素子９１３等を介して外部に取り出される。したがって、容量素子９１３を構成する膜などについても、透光性を有すると好ましい。容量素子９１３が有する透光性の領域の面積が広いほど、発光素子９３０ＥＬから射出される光の減衰を抑制することができる。
【０３４９】なお、駆動回路部９０１においては、トランジスタ９１１については、遮光性であってもよい。駆動回路部９０１のトランジスタ９１１などを遮光性とすることで、駆動回路部の信頼性や、駆動能力を高めることができる。すなわち、トランジスタ９１１を構成するゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。またこれらに接続される配線も同様に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。
【０３５０】次に、画素の一例について図２１（Ａ１）（Ａ２）（Ｂ）を用いて説明する。
【０３５１】図２１（Ａ１）に、画素９００の上面概略図を示す。図２１（Ａ１）に示す画素９００は、４つの副画素を有する。図２１（Ａ１）では、画素９００において、副画素が縦に２つ、横に２つ配列している例を示している。各副画素には、透過型の液晶素子９３０ＬＣ（図２１（Ａ１）（Ａ２）には図示しない）及びトランジスタ９１４等が設けられている。図２１（Ａ１）では、画素９００に、配線９０２及び配線９０４が、それぞれ２本ずつ設けられている。図２１（Ａ１）に示す各副画素では、液晶素子の表示領域（表示領域９１８Ｒ、表示領域９１８Ｇ、表示領域９１８Ｂ、及び表示領域９１８Ｗ）を示している。バックライトユニット（ＢＬＵ）から射出される光は、トランジスタ９１４等を介して、液晶素子９３０ＬＣに入射される。
【０３５２】また、画素９００は、配線９０２及び配線９０４等を有する。配線９０２は、例えば走査線として機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０２と配線９０４とは、互いに交差する部分を有する。
【０３５３】トランジスタ９１４は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１４のゲートは、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１４のソースまたはドレインの一方は、配線９０４と電気的に接続されており、他方は、液晶素子９３０ＬＣと電気的に接続されている。
【０３５４】ここで、配線９０２及び配線９０４は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、トランジスタ９１４、トランジスタ９１４に接続する配線、コンタクト、容量等を構成する各層には、透光性を有する膜を用いると好適である。図２１（Ａ２）は、図２１（Ａ１）に示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９００ｓと、に分けて明示した例である。このように、透光性を有する膜を用いてトランジスタを作製することで、各配線が設けられる部分以外を透過領域９００ｔとすることができる。液晶素子の透過領域をトランジスタ、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量等と重ねることができるため、画素の開口率を高めることができる。
【０３５５】なお、画素の面積に対する透過領域の面積の割合が高いほど、透過光の光量を増大させることができる。例えば、画素の面積に対する、透過領域の面積の割合は、１％以上９５％以下、好ましくは１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下とすることができる。特に４０％以上または５０％以上とすることが好ましく、６０％以上８０％以下であるとより好ましい。
【０３５６】また、図２１（Ａ２）に示す一点鎖線Ｃ−Ｄの切断面に相当する断面図を図２１（Ｂ）に示す。なお、図２１（Ｂ）では、上面図において図示していない、液晶素子９３０ＬＣ、着色膜９３２ＣＦ、遮光膜９３２ＢＭ、容量素子９１５、駆動回路部９０１等の断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１としては、走査線駆動回路部または信号線駆動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９１１を有する。
【０３５７】図２１（Ｂ）に示すように、バックライトユニット（ＢＬＵ）からの光は、破線の矢印に示す方向に射出される。バックライトユニット（ＢＬＵ）の光は、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５等を介して外部に取り出される。したがって、トランジスタ９１４、及び容量素子９１５を構成する膜などについても、透光性を有すると好ましい。トランジスタ９１４、容量素子９１５等が有する透光性の領域の面積が広いほど、バックライトユニット（ＢＬＵ）の光を効率良く使用することができる。
【０３５８】なお、図２１（Ｂ）に示すように、バックライトユニット（ＢＬＵ）からの光は、着色膜９３２ＣＦを介して外部に取り出してもよい。着色膜９３２ＣＦを介して取り出すことで、所望の色に着色することができる。着色膜９３２ＣＦとしては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄色（Ｙ）等から選択することができる。
【０３５９】また、図２０及び図２１に示すトランジスタ、配線、容量素子等には、以下に示す材料を用いることができる。
【０３６０】トランジスタが有する半導体膜は、透光性を有する半導体材料を用いて形成することができる。透光性を有する半導体材料としては、金属酸化物、または酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等が挙げられる。酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０３６１】トランジスタが有する導電膜は、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。透光性を有する導電性材料は、インジウム、亜鉛、錫の中から選ばれた一種、または複数種を含むことが好ましい。具体的には、Ｉｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｔｉ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物などが挙げられる。
【０３６２】また、トランジスタが有する導電膜に、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた酸化物半導体を用いてもよい。当該低抵抗化させた酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ということができる。
【０３６３】例えば、酸化物導電体は、酸化物半導体に酸素欠損を形成し、当該酸素欠損に水素を添加することで、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。酸化物半導体にドナー準位が形成されることで、酸化物半導体は、導電性が高くなり導電体化する。
【０３６４】なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きい（例えば、エネルギーギャップが２．５ｅＶ以上である）ため、可視光に対して透光性を有する。また、上述したように酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、酸化物導電体は、ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の透光性を有する。
【０３６５】また、酸化物導電体は、トランジスタが有する半導体膜に含まれる金属元素を一種類以上有することが好ましい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、トランジスタを構成する層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができる。
【０３６６】本実施の形態に示す表示装置が有する画素の構成とすることで、発光素子及びバックライトユニットのいずれか一方または双方から射出される光を効率よく使用することができる。したがって、消費電力が抑制された、優れた表示装置を提供することができる。
【０３６７】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３６８】（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図２２乃至図２４を用いて説明を行う。
【０３６９】＜５−１．表示モジュール＞
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
【０３７０】図２２（Ａ）に示す表示モジュール６０００は、上部カバー６００１と下部カバー６００２との間に、ＦＰＣ６００５に接続された表示パネル６００６、フレーム６００９、プリント基板６０１０、及びバッテリ６０１１を有する。
【０３７１】例えば、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を、表示パネル６００６に用いることができる。これにより、高い歩留まりで表示モジュールを作製することができる。
【０３７２】上部カバー６００１及び下部カバー６００２は、表示パネル６００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０３７３】また、表示パネル６００６に重ねてタッチパネルを設けてもよい。タッチパネルとしては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル６００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネルを設けず、表示パネル６００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
【０３７４】フレーム６００９は、表示パネル６００６の保護機能の他、プリント基板６０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム６００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０３７５】プリント基板６０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ６０１１による電源であってもよい。バッテリ６０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０３７６】また、表示モジュール６０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０３７７】図２２（Ｂ）は、光学式のタッチセンサを備える表示モジュール６０００の断面概略図である。
【０３７８】表示モジュール６０００は、プリント基板６０１０に設けられた発光部６０１５及び受光部６０１６を有する。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２により囲まれた領域に一対の導光部（導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂ）を有する。
【０３７９】上部カバー６００１と下部カバー６００２は、例えばプラスチック等を用いることができる。また、上部カバー６００１と下部カバー６００２とは、それぞれ薄く（例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下）することが可能である。そのため、表示モジュール６０００を極めて軽量にすることが可能となる。また少ない材料で上部カバー６００１と下部カバー６００２を作製できるため、作製コストを低減できる。
【０３８０】表示パネル６００６は、フレーム６００９を間に介してプリント基板６０１０やバッテリ６０１１と重ねて設けられている。表示パネル６００６とフレーム６００９は、導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂに固定されている。
【０３８１】発光部６０１５から発せられた光６０１８は、導光部６０１７ａにより表示パネル６００６の上部を経由し、導光部６０１７ｂを通って受光部６０１６に達する。例えば指やスタイラスなどの被検知体により、光６０１８が遮られることにより、タッチ操作を検出することができる。
【０３８２】発光部６０１５は、例えば表示パネル６００６の隣接する２辺に沿って複数設けられる。受光部６０１６は、発光部６０１５と対向する位置に複数設けられる。これにより、タッチ操作がなされた位置の情報を取得することができる。
【０３８３】発光部６０１５は、例えばＬＥＤ素子などの光源を用いることができる。特に、発光部６０１５として、使用者に視認されず、且つ使用者にとって無害である赤外線を発する光源を用いることが好ましい。
【０３８４】受光部６０１６は、発光部６０１５が発する光を受光し、電気信号に変換する光電素子を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能なフォトダイオードを用いることができる。
【０３８５】導光部６０１７ａ、導光部６０１７ｂとしては、少なくとも光６０１８を透過する部材を用いることができる。導光部６０１７ａ及び導光部６０１７ｂを用いることで、発光部６０１５と受光部６０１６とを表示パネル６００６の下側に配置することができ、外光が受光部６０１６に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を吸収し、赤外線を透過する樹脂を用いることが好ましい。これにより、タッチセンサの誤動作をより効果的に抑制できる。
【０３８６】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０３８７】＜５−２．電子機器１＞
次に、図２３（Ａ）乃至図２３（Ｅ）に電子機器の一例を示す。
【０３８８】図２３（Ａ）は、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。
【０３８９】カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。
【０３９０】ここではカメラ８０００として、レンズ８００６を筐体８００１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８００６と筐体が一体となっていてもよい。
【０３９１】カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押すことにより、撮像することができる。また、表示部８００２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８００２をタッチすることにより撮像することも可能である。
【０３９２】カメラ８０００の筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。
【０３９３】ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。
【０３９４】筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントを有しており、ファインダー８１００をカメラ８０００に取り付けることができる。また当該マウントには電極を有し、当該電極を介してカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。
【０３９５】ボタン８１０３は、電源ボタンとしての機能を有する。ボタン８１０３により、表示部８１０２の表示のオン・オフを切り替えることができる。
【０３９６】カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０３９７】なお、図２３（Ａ）では、カメラ８０００とファインダー８１００とを別の電子機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ８０００の筐体８００１に、表示装置を備えるファインダーが内蔵されていてもよい。
【０３９８】図２３（Ｂ）は、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。
【０３９９】ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。
【０４００】ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を入力手段として用いることができる。
【０４０１】また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に複数の電極が設けられていてもよい。本体８２０３は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知することにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭部の動きなどを検出し、表示部８２０４に表示する映像をその動きに合わせて変化させてもよい。
【０４０２】表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０４０３】図２３（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
【０４０４】使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると好適である。表示部８３０２を湾曲して配置することで、使用者が高い臨場感を感じることができる。なお、本実施の形態においては、表示部８３０２を１つ設ける構成について例示したが、これに限定されず、例えば、表示部８３０２を２つ設ける構成としてもよい。この場合、使用者の片方の目に１つの表示部が配置されるような構成とすると、視差を用いた３次元表示等を行うことも可能となる。
【０４０５】なお、表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置は、極めて精細度が高いため、図２３（Ｅ）のようにレンズ８３０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い映像を表示することができる。
【０４０６】＜５−３．電子機器２＞
次に、図２３（Ａ）乃至図２３（Ｅ）に示す電子機器と、異なる電子機器の一例を図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す。
【０４０７】図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
【０４０８】図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【０４０９】図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０４１０】図２４（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９１００は、大画面、例えば、５０インチ以上、または１００インチ以上の表示部９００１を組み込むことが可能である。
【０４１１】図２４（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ、接続端子、センサ等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
【０４１２】図２４（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０４１３】図２４（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０４１４】図２４（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２４（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図２４（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図２４（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【０４１５】本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。
【０４１６】本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０４１７】００１    領域
００２    領域
００３    領域
１００Ａ    トランジスタ
１００Ｂ    トランジスタ
１００Ｃ    トランジスタ
１００Ｄ    トランジスタ
１００Ｅ    トランジスタ
１００Ｆ    トランジスタ
１０２    基板
１０４    導電膜
１０６    絶縁膜
１０８    金属酸化物
１０８＿１    金属酸化物
１０８＿１＿０    金属酸化物
１０８＿２    金属酸化物
１０８＿２＿０    金属酸化物
１０８＿３    金属酸化物
１１２    導電膜
１１２ａ    導電膜
１１２ａ＿１    導電膜
１１２ａ＿２    導電膜
１１２ａ＿３    導電膜
１１２ｂ    導電膜
１１２ｂ＿１    導電膜
１１２ｂ＿２    導電膜
１１２ｂ＿３    導電膜
１１２ｃ    導電膜
１１３ａ    絶縁膜
１１３ｂ    絶縁膜
１１５    絶縁膜
１１５＿１    絶縁膜
１１５＿２    絶縁膜
１１５＿３    絶縁膜
１１６    絶縁膜
１２０    導電膜
１２０ａ    導電膜
１２０ｂ    導電膜
１５１    開口部
１５２ａ    開口部
１５２ｂ    開口部
１９１    ターゲット
１９２    プラズマ
１９３    ターゲット
１９４    プラズマ
２０１    チャネル形成領域
２０２Ａ    端部領域
２０２Ｂ    端部領域
２０３Ａ    領域
２０３Ｂ    領域
２０３Ｃ    領域
２０３Ｄ    領域
２０４Ａ    端部
２０４Ｂ    端部
２０６    間隔
２０７    間隔
２１１    チャネル幅
２１２    端部幅
７００    表示装置
７０１    基板
７０２    画素部
７０４    ソースドライバ回路部
７０５    基板
７０６    ゲートドライバ回路部
７０８    ＦＰＣ端子部
７１０    信号線
７１１    配線部
７１２    シール材
７１６    ＦＰＣ
７３０    絶縁膜
７３２    封止膜
７３４    絶縁膜
７３６    着色膜
７３８    遮光膜
７５０    トランジスタ
７５２    トランジスタ
７６０    接続電極
７７０    平坦化絶縁膜
７７２    導電膜
７７３    絶縁膜
７７４    導電膜
７７５    液晶素子
７７６    液晶層
７７８    構造体
７８０    異方性導電膜
７８２    発光素子
７８６    ＥＬ層
７８８    導電膜
７９０    容量素子
７９１    タッチパネル
７９２    絶縁膜
７９３    電極
７９４    電極
７９５    絶縁膜
７９６    電極
７９７    絶縁膜
９００    画素
９００ｓ    遮光領域
９００ｔ    透過領域
９０１    駆動回路部
９０２    配線
９０４    配線
９０６    配線
９１０    トランジスタ
９１１    トランジスタ
９１２    トランジスタ
９１３    容量素子
９１４    トランジスタ
９１５    容量素子
９１６Ｂ    発光領域
９１６Ｇ    発光領域
９１６Ｒ    発光領域
９１８Ｂ    表示領域
９１８Ｇ    表示領域
９１８Ｒ    表示領域
９１８Ｗ    表示領域
９３０ＥＬ    発光素子
９３０ＬＣ    液晶素子
９３２ＣＦ    着色膜
９３２ＢＭ    遮光膜
６０００    表示モジュール
６００１    上部カバー
６００２    下部カバー
６００５    ＦＰＣ
６００６    表示パネル
６００９    フレーム
６０１０    プリント基板
６０１１    バッテリ
６０１５    発光部
６０１６    受光部
６０１７ａ    導光部
６０１７ｂ    導光部
６０１８    光
８０００    カメラ
８００１    筐体
８００２    表示部
８００３    操作ボタン
８００４    シャッターボタン
８００６    レンズ
８１００    ファインダー
８１０１    筐体
８１０２    表示部
８１０３    ボタン
８２００    ヘッドマウントディスプレイ
８２０１    装着部
８２０２    レンズ
８２０３    本体
８２０４    表示部
８２０５    ケーブル
８２０６    バッテリ
８３００    ヘッドマウントディスプレイ
８３０１    筐体
８３０２    表示部
８３０４    固定具
８３０５    レンズ
９０００    筐体
９００１    表示部
９００３    スピーカ
９００５    操作キー
９００６    接続端子
９００７    センサ
９００８    マイクロフォン
９０５０    操作ボタン
９０５１    情報
９０５２    情報
９０５３    情報
９０５４    情報
９０５５    ヒンジ
９１００    テレビジョン装置
９１０１    携帯情報端末
９１０２    携帯情報端末
９２００    携帯情報端末
９２０１    携帯情報端末
【図１】
2018100465.tif 000003
【図２】
2018100465.tif 000004
【図３】
2018100465.tif 000005
【図４】
2018100465.tif 000006
【図５】
2018100465.tif 000007
【図６】
2018100465.tif 000008
【図７】
2018100465.tif 000009
【図８】
2018100465.tif 000010
【図９】
2018100465.tif 000011
【図１０】
2018100465.tif 000012
【図１１】
2018100465.tif 000013
【図１２】
2018100465.tif 000014
【図１３】
2018100465.tif 000015
【図１４】
2018100465.tif 000016
【図１５】
2018100465.tif 000017
【図１６】
2018100465.tif 000018
【図１７】
2018100465.tif 000019
【図１８】
2018100465.tif 000020
【図１９】
2018100465.tif 000021
【図２０】
2018100465.tif 000022
【図２１】
2018100465.tif 000023
【図２２】
2018100465.tif 000024
【図２３】
2018100465.tif 000025
【図２４】
2018100465.tif 000026
【国際調査報告】
2018100465.tif 000027
2018100465.tif 000028
2018100465.tif 000029
2018100465.tif 000030