【事件の表示】
　特願２０００−５５１４４３「バイパスダイオードを有する太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月　２日国際公開、ＷＯ９９／６２１２５、平成１４年　６月１１日国内公表、特表２００２−５１７０９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９９年５月１９日（パリ条約による優先権主張１９９８年５月２８日、米国）を国際出願日とする出願であって、原審において平成１７年３月１８日付で拒絶査定がなされたところ、同年６月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月２７日に手続補正がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　保護されたマルチジャンクション太陽電池回路であって、
　少なくとも第一の光活性接合を有する第一光起電力セルおよび該第一光起電力セルの少なくとも一部にオーバーレイされた第二の光活性接合を有する第二光起電力セルを備えるマルチジャンクション太陽電池構造体と、
　光活性接続を有する前記マルチジャンクション太陽電池構造体上の少なくとも一部にオーバーレイされたエピタキシャル成長により形成されたダイオードとを含んで構成され、
　前記エピタキシャル成長により形成されたダイオードが、前記少なくとも第一光起電力セルと前記第二光起電力セルを逆バイアスから保護するように、前記少なくとも第一光起電力セルと第二光起電力セルを越えて電気的に接続されている保護されたマルチジャンクション太陽電池回路。」
　　　
２．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−９０５７３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア．「本発明は、太陽電池システムに関する。
　太陽電池システムの応用に対して、太陽電池は、通常、直列の一続きにて組み立てられ、それからパネル状に集められる。直列結合された一続きの太陽電池における個々の太陽電池が、光を遮られても、一続きの太陽電池の残りが照射される間は、光電流は、なお、光の遮られた太陽電池を流れなければならない。この点において、照射された太陽電池からの出力光電流は、照射されない太陽電池ダイオードに対し、「逆」方向又は通常非導通方向にあることが注目される。光を遮られた太陽電池を電流が流れるとき、その太陽電池は逆降服点にもたらされ、しばしばそれ以降の性能の劣化の原因となる。この問題は、ヒ化ガリウム太陽電池に関して特に深刻である。
太陽電池を保護するために、逆方向のバイパス・ダイオードが太陽電池ダイオードと並列に配線される。
　　
　イ．「こうして、太陽電池アレイにおいてバイパス・ダイオードを使用することが望ましいが、別個の離散的バイパス・ダイオードの使用は、太陽電池パネル・アセンブリを非常に複雑にすることが認識された。また、上記の（１）の論文において記載されたように、別個の結線を必要とする「一体化」ダイオードの使用は、同一の不都合を有する。
　従って、本発明の主な目的は、前述の不都合を回避するモノリシックな太陽電池及びバイパス・ダイオード構成を提供することである。」（３頁左上欄１０〜１９行）
　　
　ウ．「第２図は、本発明の原理を示す太陽電池の概略図であり、太陽電池が照射されるときの電流径路を示す。さらに具体的に、第２図の太陽電池２６は、太陽電池ダイオード２８と３０にて示された電流生成領域と、ダイオード３４にて示された太陽電池の一部分の上部に取り付けられ、参照番号３２にて示されたバイパス・ダイオードとを含む。なお、第２図に概略的に示された構造は、図面の第４図乃至第９図に関連して、さらに詳細に示されるであろう。
　第２図を再び参照すると、太陽電池２６が照射されるとき、電流は、参照番号２８と３０にて示された太陽電池の部分において生成され、そして端子３８から端子４０へと破線３６にて示されたように流れる。端子４０における電圧は端子３８における電圧に関して負である。
　第３図は、第２図に概略的に示されたものと同一の保護太陽電池を流れる電流を示すが、太陽電池２６は光を遮られている。さらに具体的には、太陽電池が光を遮られると、電流は、参照番号２８と３０にて示された太陽電池の主要部分によって生成されない。破線４２によって示された電流は、一続きの太陽電池における他の太陽電池によって太陽電池２６を流される（第１図参照）。バイパス・ダイオード３２がない場合、参照番号２８と３０にて示された太陽電池は逆バイアスされ、そして太陽電池にかかる逆電流又は逆電圧は、逆降服を引き起こし、永久的に電池を損傷する可能性を有する。しかし、代わりに、バイパス・ダイオード３２が配置されると、電流は破線４２によって指示された径路に沿って流れ、そして障害は、光を遮られた太陽電池２６に生じない。」（４頁左上欄４行〜同頁右上欄１５行）
　　
　エ．「第４図を参照すると、太陽電池の下側表面５２は、銀のような導電性物質である。基板５４はｎ形ヒ化ガリウムとすることができ、そして太陽電池の厚さの大部分が基板５４によって占められるために、第４図において縮尺は考慮していない。第４図に示されたように、付加すべき層は、上記の論文において幾分詳細に記載されたように、金属有機化学蒸気析出技術のような公知の技術を使用して、エピタキシャルに成長させた。層５６は、ｎ形ヒ化ガリウムであり、そして層５６とｐ形ヒ化ガリウムの層５８の間の界面は、太陽光又は他の類似の輻射が太陽電池の上面に当たるとき、電流が生成される接合部である。このｐ−ｎ接合は、第４図において参照番号６０にて示される。
　ｐ形ヒ化ガリウム層６２は、アルミニュームの実質的部分を含み、かつｐ形アルミニューム・ヒ化ガリウムを構成するが、透明であり、そしてｐ−ｎ接合６０において生成される電荷又は電流の消散を防ぐために役立つ。ｎ形ヒ化ガリウムの付加層６４は、次に析出されるエピタキシャル層であり、そしてそれは、今までに作製された太陽電池において通常存在しないという点において新規のものである。以下に開示されるように、層６４の小部分における物質が、モノリシック・バイパス・ダイオードの形成において使用される。
　・・・・（中略）・・・・
　第５図を参照すると、従来のレジスト被覆及びエッチング・プロセスにより、頂部層６４の大部分は除去され、第５図において６４’と指定された小領域のみを残す。
　第６図はメサエッチ段階を示し、領域７２と７４はエッチングにより削りとられ、第４図において示されたように、関連する総ての層を参照することにより、６４’、６２’と５８’にて示された層の残りの部分を含む約１ミリメートル角の島を残す。
　第７図は、バイパス・ダイオードをモノリシック・ベースにおける太陽電池に含む工程の１つとして適用される、２つの金属接触バッド７６と７８を加えることを示す。
　第８図は、例えば窒化ケイ素から形成される、不伝導層または絶縁層８２を加えることを示す。
　第９図は太陽電池の最終構成を示し、この場合、バイパス・ダイオードの端子７６は、絶縁材料８２の上に析出されたメタライズされた導電性径路８４によって、太陽電池の出力導体８６の１つに結合される。別の出力導体８６’が、第９図の右側に示される。さらに、メタライズされた導体８８が、導電パッド７８をｐ形物質５８’と６２’とに相互連結し、バイパス・ダイオードの回路を完成する。」（４頁左下欄１行〜５頁右上欄１行）
　　
　これらア〜エの記載によれば、引用例には、
「ｎ形ヒ化ガリウム基板上に、電流が生成されるｐ−ｎ接合である太陽電池ダイオード、その上にバイパス・ダイオードを各々エピタキシャル成長させて形成したモノリシック太陽電池であって、上記バイパス・ダイオードは上記太陽電池ダイオードと並列に配線されることにより、逆バイアスから上記太陽電池ダイオードを保護するモノリシック太陽電池。」
との発明（以下、「引用例発明」という。）が開示されていると認められる。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例発明とを以下に対比すると、
　ａ．引用例発明の「電流が生成されるｐ−ｎ接合である太陽電池ダイオード」は、本願発明の「第一の光活性接合を有する第一光起電力セル」に相当し、同「太陽電池ダイオード」は、また、太陽電池構造体である点で本願発明の「マルチジャンクション太陽電池構造体」に一致し、
　
　ｂ．また、引用例発明の「バイパス・ダイオード」は、太陽電池ダイオード上にエピタキシャル成長により形成され、上記太陽電池ダイオードと並列に配線されることにより、逆バイアスから上記太陽電池ダイオードを保護するバイパスとなるダイオードであるから、本願発明の「太陽電池構造体上の少なくとも一部にオーバーレイされたエピタキシャル成長により形成されたダイオード」であって、「第一光起電力セルを逆バイアスから保護するように、第一光起電力セルを越えて電気的に接続されている」ものに相当し、
　
　ｃ．さらに、引用例発明の「モノリシック太陽電池」は、太陽電池回路である点で、本願発明の「マルチジャンクション太陽電池回路」と一致するから、
　
　両者は、
「保護された太陽電池回路であって、
　少なくとも第一の光活性接合を有する第一光起電力セルを備える太陽電池構造体と、
　光活性接続を有する前記太陽電池構造体上の少なくとも一部にオーバーレイされたエピタキシャル成長により形成されたダイオードとを含んで構成され、
　前記エピタキシャル成長により形成されたダイオードが、前記少なくとも第一光起電力セルを逆バイアスから保護するように、前記少なくとも第一光起電力セルを越えて電気的に接続されている保護された太陽電池回路。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点］
　本願発明の太陽電池構造体は、「少なくとも第一の光活性接合を有する第一光起電力セルおよび該第一光起電力セルの少なくとも一部にオーバーレイされた第二の光活性接合を有する第二光起電力セルを備えるマルチジャンクション太陽電池構造体」であり、その結果、「ダイオード」は、「前記少なくとも第一光起電力セルと前記第二光起電力セルを逆バイアスから保護するように、前記少なくとも第一光起電力セルと第二光起電力セルを越えて電気的に接続されている」「マルチジャンクション太陽電池回路」であるのに対して、引用例発明の太陽電池構造体は、光活性接合を複数積層して備えるマルチジャンクション型ではなく単一の第一光起電力セルのみを備える太陽電池構造体であって、その結果、引用例発明の「ダイオード」は第一光起電力セルのみからなる太陽電池構造体を逆バイアスから保護する太陽電池回路である点。
　　
４．判断
　光活性接合を複数積層して備える、所謂マルチジャンクション型の太陽電池構造体は従来から周知の太陽電池構造である。
　例えば、特開平４−１３７７６８号公報（１頁右下欄１６行〜２頁右上欄２行参照）、特開平５−１１４７４７号公報、特開平６−１６３９６２号公報（段落【０００４】）などには、単結晶基板上に複数のｐ−ｎ接合をエピタキシャル成長により積層形成したモノリシックタンデム型（マルチジャンクション型）太陽電池が記載されている。
　
　そこで、引用例発明に上記周知のマルチジャンクション型を適用することが容易であるか検討するに、引用例発明は、上記周知例と同様、単結晶基板上にｐ−ｎ接合をエピタキシャル成長により形成したモノリシックな太陽電池であるから、これにｐ−ｎ接合の積層構造を追加しさえすればマルチジャンクション型となすことが可能なものであり、それゆえ、引用例発明をマルチジャンクション型とすることは、当業者が必要に応じて適宜実施することができる程度のことといえる。
　この場合、マルチジャンクション（複数のｐ−ｎ接合を有する太陽電池ダイオード）上に形成されるダイオード（引用例発明のバイパス・ダイオード）の結線が問題となるが、引用例に記載されているように当該ダイオードは、「太陽電池を保護するために、逆方向のバイパス・ダイオードが太陽電池ダイオードと並列に配線される。」（上記ア）類のものであるから、上記ダイオードが、複数のｐ−ｎ接合が直列接続されるとともに積層構造をなし、全体として一体の構造と見なしうるマルチジャンクションに対して並列に接続されることは自明であって、いわば、マルチジャンクション型を採用することに伴い自動で付随する事項であるといえる。
　
　また、本願発明の効果も引用例発明及び周知技術から予測される程度のことであって、格別とはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。