【事件の表示】
　特願２００１−１０６０１０「大出力ダイオードレーザバーの接触方法、並びに、熱的に副次的な機能を有する電気的な接触部を備えた大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１１日出願公開、特開２００２−　　９３８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１３年４月４日（パリ条約による優先権主張２０００年４月７日、独国）の出願であって、平成１７年１０月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１月１０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年１月１９日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。　　 
　
２．平成１８年１月１９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１８年１月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正の内容
　本件補正は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の
　
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】熱的に副次的に機能する電気的な接触部（２）を大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）に接合するための方法において、接着要素（３ｂ）を含む接合材料（３ａ）を用いて、接触部（２）とＨＤＢ（１）を接合することを特徴とする方法。
　【請求項２】接合材料（３ａ）の接着要素（３ｂ）が、非金属性であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】接合材料（３ａ）が、接着要素（３ｂ）の他に電導性素材（３ｃ、３ｄ）を含むことを特徴とする、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項４】接合材料（３ａ）が、その機能特性を、接着要素（３ｂ）のための硬化（キュアリング）プロセス後に獲得することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項５】大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）、熱的に副次的に機能する電気的な接触部（２）、及びＨＤＢ（１）と接触部（２）との間の接合領域（３）を有する大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置において、接合領域（３）が、接着要素（３ｂ）を有する接合材料（３ａ）を含むことを特徴とする大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項６】ＨＤＢ（１）が、少なくとも１つの電導性の層（１ｄ）を有することを特徴とする、請求項５に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項７】電気的な接触部（２）が、ＨＤＢ（１）のための基板側の電気的な接触部であることを特徴とする、請求項５〜６のいずれか一項に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項８】電気的な接触部（２）が、１００μｍ以下の厚さの金属フィルムであることを特徴とする、請求項７に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項９】金属フィルム（２）が、接触タグ（２ａ）、開口部（２ｂ）、及び溝部または穴部（２ｃ）を有することを特徴とする、請求項８に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項１０】電気的な接触部（２）が、第２ＨＤＢであることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一項に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項１１】電気的な接触部（２）が、ＨＤＢ（１）における各放出体（１ａ）のための電気的に別個の導電トラックを有するエピタクシー側の電気的な接触部であることを特徴とする、請求項５〜６のいずれか一項に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項１２】接合領域（３）が、異方電導性であることを特徴とする、請求項１１に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項１３】接合領域（３）が、１００μｍ以下の層厚を有することを特徴とする、請求項５〜１２のいずれか一項に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項１４】大出力ダイオードレーザ（ＨＤＬ、６）であって、この大出力ダイオードレーザ（ＨＤＬ、６）が、大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）、２つの電気的な接触部（２、４）、及びこれらの接触部（２、４）とＨＤＢ（１）との間の接合領域（３、５）を有し、前記接触部（２、４）のうちの少なくとも１つの接触部（２）が熱的に副次的に機能する前記大出力ダイオードレーザ（ＨＤＬ、６）において、熱的に副次的に機能する電気的な接触部（２）とＨＤＢ（１）との間における接合領域（３）が、接着要素（３ｂ）を有する接合材料（３ａ）を含むことを特徴とする大出力ダイオードレーザ。
　【請求項１５】ＨＤＢ（１）、熱的に副次的に機能する２つの電気的な接触部（２、２’）、及びこれらの接触部（２、２’）とＨＤＢ（１）との間の接合領域（３、３’）を有する大出力ダイオードレーザ（ＨＤＬ、６）において、接合領域（３、３’）が、接着要素（３ｂ、３ｂ’）を有する接合材料（３ａ、３ａ’）を含むことを特徴とする大出力ダイオードレーザ。
　【請求項１６】互いに材料拘束的に接続する少なくとも２つの大出力ダイオードレーザバー（１、１’）、及びこれらの大出力ダイオードレーザバー（１、１’）間の接合領域（３）を有する大出力ダイオードレーザスタック（７）において、接合領域（３）が、接着要素（３ｂ）を有する接合材料（３ａ）を含むことを特徴とする大出力ダイオードレーザスタック。
　【請求項１７】接着要素を含む接合材料（３ａ）を有する接合領域（３）が、第１ＨＤＢ（１）のカソードと第２ＨＤＢ（１’）のアノードとの間に設けられていることを特徴とする、請求項１６に記載の大出力ダイオードレーザスタック。」を、
　
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）、電気的な接触部（２）、及びＨＤＢ（１）と接触部（２）との間の接合領域（３）を有する大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置であって、接合領域（３）が、接着要素を含む接合材料（３ａ）を含んでいて、この接合材料（３ａ）が電導性接続を実現する、前記大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置において、
　電気的な接触部（２）が、１００μｍ以下の厚さの金属フィルムであり、この金属フィルムを介し、ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散されることを特徴とする大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項２】電気的な接触部（２）が、ＨＤＢ（１）のための基板側の電気的な接触部であることを特徴とする、請求項１に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項３】前記金属フィルムが、接触タグ（２ａ）、開口部（２ｂ）、及び溝部または穴部（２ｃ）を有することを特徴とする、請求項１に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項４】ＨＤＢ（１）が、少なくとも１つの電導性の層（１ｄ）を有することを特徴とする、請求項１に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項５】接合領域（３）が、１００μｍ以下の層厚を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項６】大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）、電気的な接触部（２）、及びＨＤＢ（１）と接触部（２）との間の接合領域（３）を有する大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置であって、接合領域（３）が、接着要素を含む接合材料（３ａ）を含んでいて、この接合材料（３ａ）が電導性接続を実現する、前記大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置において、
　電気的な接触部（２）を介し、ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散されること、及び、電気的な接触部（２）が、ＨＤＢ（１）における各放出体（１ａ）のための電気的に別個の導電トラックを有するエピタクシー側の電気的な接触部であることを特徴とする大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項７】接合領域（３）が、異方電導性であることを特徴とする、請求項６に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項８】ＨＤＢ（１）が、少なくとも１つの電導性の層（１ｄ）を有することを特徴とする、請求項６に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。
　【請求項９】接合領域（３）が、１００μｍ以下の層厚を有することを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。」に変更する補正事項を含むものである。
　
　上記補正後の請求項１に係る補正は、補正前の請求項５の発明特定事項である「電気的な接触部（２）」について、補正前の請求項８に記載の「電気的な接触部（２）が、１００μｍ以下の厚さの金属フィルムであ」るとの限定を加えるとともに、補正前の請求項５の発明特定事項である「熱的に副次的に機能する電気的な接触部（２）」を、発明の詳細な説明の段落０００８の「熱的に副次的な機能を有する電気的な接触部とは、ＨＤＢ用電気接触部にして、ｃｗ稼動時にＨＤＢにて発生される熱出力の最大限で１／３を当該接触部を介して放散する接触部として定義される。」との記載に基づき「この金属フィルムを介し、ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散されること」という下位概念の記載にすることにより限定するものであるから、平成１４年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権日前の平成９年５月１６日に頒布された刊行物である特開平９−１２９９８６号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　
　ア．「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基体が冷却体を備えたヒートシンクに取り付けられており、半導体基体と冷却体の熱膨張係数が大きく異なっているレーザダイオードデバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザダイオード、特に高出力レーザダイオード或いはレーザダイオードブロックの損失熱はできるだけ速やかにかつ均一に放出する必要がある。即ち、作動中の著しい温度変動は波長のずれにつながり、余りに高い温度上昇は効率の減少を招き、極端な場合にはレーザダイオードの破壊にもつながる。」、
　
　イ．「【００１６】
【実施例】この発明を図１乃至３と関連して２つの実施例を参照して詳しく説明する。
【００１７】図１に示されたレーザダイオードデバイスは側面からレーザを発振する高出力レーザダイオードで、その半導体基体１は例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＩｎＡｌＧａＡｓからなる。・・・・（中略）・・・・半導体基体１は電気的及び熱的に伝導性の接続層２を介して端子板３に取り付けられている。接続層２は例えば電気的及び熱的に伝導性の接着剤或いは例えばＡｕＳｎ合金からなる硬ろうからなり、必要に応じて例えばマスク技術或いはフォトリソグラフィによりパターン化される。・・・・（中略）・・・
【００１８】端子板３は半導体基体１の熱並びに電気端子として利用され、これにリード端子３７がボンド接合或いはろう付けされている。・・・・（中略）・・・・半導体基体１の上面１３には、接続層２と同一の材料からなる接続層１５を介してもう１つの端子板１４が取り付けられている。この端子板１４は端子板３と同じ厚さである必要はない。半導体基体１と端子板３、１４とからなる結合体は、端子板３の下面６において、冷却板１２と冷却媒体案内部３４とからなる冷却体７に取り付けられている。・・・・（中略）・・・
【００１９】半導体基体１と端子板３、１４との間の境界にそれらの間の異なる熱膨張係数により生ずる機械的応力をできるだけ小さくするために、端子板３、１４は、好ましくは、半導体基体１の材料と類似の熱膨張係数を備えた材料からなる。さらにこの材料は、少なくとも端子板３は通電にも熱放出にも利用されているので電気的及び熱的な良伝導性を有する必要がある。ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＩｎＡｌＧａＡｓＰからなる半導体基体１に対しては例えばモリブデンが上述の要件に適合した材料である。
【００２０】端子板３の厚さは例えば１０及び１００μｍの間にあり、接続層２の厚さは１及び２μｍの間にある。これにより、この両部分の熱抵抗が小さく、作動中に半導体基体１に発生する熱が充分妨げられずに冷却板１２から放出されることが保証される。・・・・（中略）・・・・
【００２４】端子板１４は図１の実施例においては専らレーザダイオードの電気端子として作用している。しかしまた必要な場合には、この端子板１４に冷却板を設け、半導体基体１を付加的に冷却することもできる。同様に、電気的接続部のみが設けられる場合には、端子板１４の代わりに、例えばアルミニウム或いはアルミニウムベースの合金からなる接触金属膜を半導体基体１に形成することもできる。」、
　
　ウ．引用例に記載の電気的及び熱的に伝導性の接続層２は「電気的及び熱的に伝導性の接着剤」或いは「硬ろう」からなっており、接続層１５は「接続層２と同一の材料」からなるものであるから（上記イ．の段落００１７、００１８の記載参照。）、引用例に記載の接続層１５は電気的及び熱的に伝導性の接着剤或いは硬ろうからなり、電気的及び熱的に伝導性のものである。
　
　エ．図１、図２の記載からみて、高出力レーザダイオードの半導体基体１と端子板３、１４とからなる結合体は、半導体基体１と端子板３との間の電気的及び熱的に伝導性の接続層２からなる接合領域及び半導体基体１と端子板１４との間の電気的及び熱的に伝導性の接続層１５（上記ウ．参照。）からなる接合領域を含んでいること、および、端子板３、１４はフィルム状であることが見てとれる。
　
　オ．上記イ．の「端子板３、１４は、好ましくは、半導体基体１の材料と類似の熱膨張係数を備えた材料からなる。さらにこの材料は、少なくとも端子板３は通電にも熱放出にも利用されているので電気的及び熱的な良伝導性を有する必要がある。ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＩｎＡｌＧａＡｓＰからなる半導体基体１に対しては例えばモリブデンが上述の要件に適合した材料である。」の記載から、端子板３、１４の例としてモリブデンからなる端子板が記載されているといえる。
　
　カ．上記ア．〜オ．によれば、引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
　
「ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＩｎＡｌＧａＡｓＰからなる高出力レーザダイオード半導体基体（１）と、モリブデンフィルムからなる第１の端子板（３）と、モリブデンフィルムからなる第２の端子板（１４）と、前記高出力レーザダイオード半導体基体と第１の端子板との間の電気的及び熱的に伝導性の第１の接続層（２）からなる第１接合領域と、前記高出力レーザダイオード半導体基体と第２の端子板との間の電気的及び熱的に伝導性の第２の接続層（１５）からなる第２接合領域とを含んでいる結合体において、
　前記第１及び第２の接続層は電気的及び熱的に伝導性の接着剤からなり、
　前記結合体は第１の端子板の下面（６）において、冷却板（１２）と冷却媒体案内部（３４）とからなる冷却体（７）に取り付けられていて、
　前記第１の端子板は、前記高出力レーザダイオード半導体基体の熱並びに電気端子として利用するため、その厚さを１０及び１００μｍの間とし、前記第１の接続層の厚さを１及び２μｍの間とすることにより、この第１の端子板及び第１の接続層部分の熱抵抗を小さくし、作動中に高出力レーザダイオード半導体基体に発生する熱が充分妨げられずに前記冷却板から放出されることを保証し、
　前記第２の端子板は専らレーザダイオードの電気端子として作用するため、第２の端子板の代わりに、アルミニウムからなる接触金属膜を高出力レーザダイオード半導体基体に形成することもでき、反対に、第２の端子板にも冷却板を設け、高出力レーザダイオード半導体基体を付加的に冷却することもできるものであるので、前記第２の端子板は前記第１の端子板と同じ厚さである必要はないものである、
　高出力レーザダイオード半導体基体、第１及び第２の端子板、第１及び第２接合領域を含んでいる結合体。」（以下、「引用発明」という。）
　
　（３）対比 
　 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。 
　 
　ア．引用発明の「ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＩｎＡｌＧａＡｓＰからなる高出力レーザダイオード半導体基体（１）」と本願補正発明の「大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）」とは、「高出力レーザダイオード」である点で一致している。
　
　イ．引用発明の「高出力レーザダイオード半導体基体、第１及び第２の端子板、第１及び第２接合領域を含んでいる結合体」と本願補正発明の「大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置」とは、「高出力レーザダイオード・接触部・装置」である点で一致している。
　
　ウ．引用発明の「モリブデンフィルムからなる第２の端子板（１４）」は、本願補正発明の「『金属フィルムであ』る『電気的な接触部（２）』」に相当する。
　
　エ．引用発明の「第２接合領域」は本願補正発明の「接合領域（３）」に相当する。
　
　オ．引用発明の「『電気的及び熱的に伝導性の接着剤から』なる『前記高出力レーザダイオード半導体基体と第２の端子板との間の電気的及び熱的に伝導性の第２の接続層（１５）』」は本願補正発明の「『電導性接続を実現する』『接着要素を含む接合材料（３ａ）』」に相当する。
　
　カ．以上ア．〜オ．からみて、両発明は、「高出力レーザダイオード、電気的な接触部、及び高出力レーザダイオードと接触部との間の接合領域を有する高出力レーザダイオード・接触部・装置であって、接合領域が、接着要素を含む接合材料を含んでいて、この接合材料が電導性接続を実現する、前記高出力レーザダイオード・接触部・装置において、電気的な接触部が、金属フィルムである、高出力レーザダイオード・接触部・装置。」の点で一致し、次の点で相違している。
　
相違点１：
　前記高出力レーザダイオードが、本願補正発明においては「大出力ダイオードレーザバー」であるのに対して、引用発明の「高出力レーザダイオード（高出力レーザダイオード半導体基体）」が「レーザバー」であるか否かが不明である点。
　
相違点２：
　前記電気的な接触部の金属フィルムの厚さが、本願補正発明においては「１００μｍ以下」であるのに対して、引用発明においてはその具体的厚さが不明である点。
　
相違点３：
　本願補正発明においては、電気的な接触部である前記金属フィルムを介し、ｃｗ稼動時に高出力レーザダイオードにて発生される熱出力の最大限で１／３が放散されるのに対して、引用発明においては、ｃｗ稼動時に高出力レーザダイオードにて発生される熱出力が、電気的な接触部である金属フィルムを介し、最大限で１／３以上が放散されるか最大限で１／３未満が放散されるか不明である点。
　
　（４）判断
　上記相違点について検討する。
　
　ア．上記相違点１について
　
　（ア）高出力レーザダイオードとして「レーザバー」は周知である（例．実願昭６１−１６０３５１号（実開昭６３−６５２５９号）のマイクロフィルム（２頁１〜１０行、３頁７〜１９行、４頁７〜１０行、第１図及び第２図に記載の半導体レーザアレイ（４）参照。）、特表平５−５０８２６５号公報（ＦＩＧ．１、ＦＩＧ．５などに記載の「レーザーダイオードバー１１２」参照。）、特開平７−２０２３３２号公報（段落０００３、０００４、図１、図２、図４、図７などに記載の「ＬＤバー１」参照。）、特開平１１−９７７７０号公報（段落０００２、００１７、図１などに記載の「半導体レーザバー（４）」参照。））。
　
　（イ）上記（ア）の周知のレーザバーを引用発明の「高出力レーザダイオード（高出力レーザダイオード半導体基体）」として採用することは、単なる周知技術の付加に相当し、当業者にとって容易なことである。
　
　イ．上記相違点２について
　
　（ウ）引用発明の「高出力レーザダイオード・接触部・装置（高出力レーザダイオード半導体基体、第１及び第２の端子板、第１及び第２接合領域を含んでいる結合体）」は第１の端子板の下面において、冷却板と冷却媒体案内部とからなる冷却体に取り付けられていて、前記第１の端子板は、前記高出力レーザダイオード半導体基体の熱並びに電気端子として利用するため、その厚さを１０及び１００μｍの間とし、前記第１の接続層の厚さを１及び２μｍの間とすることにより、この第１の端子板及び第１の接続層部分の熱抵抗を小さくし、作動中に高出力レーザダイオード半導体基体に発生する熱が充分妨げられずに前記冷却板から放出されることを保証した構成であるから、引用発明において、「第２の端子板の代わりに、アルミニウムからなる接触金属膜を高出力レーザダイオード半導体基体に形成」していないものであって、「第２の端子板にも冷却板を設け、高出力レーザダイオード半導体基体を付加的に冷却する」ことをしていないものについては、前記第２の端子板は専らレーザダイオードの電気端子として作用するものであり、高出力レーザダイオード半導体基体の熱端子としてはほとんど機能しない構造であることは明らかである。
　
　（エ）上記（ウ）で述べたように、引用発明の第２の端子板は高出力レーザダイオード半導体基板の熱端子としてはほとんど機能しない構造であるから、当該第２の端子板であるモリブデンフィルムの厚さは前記第１の端子板の１０及び１００μｍの間の厚さと同じ厚さである必要はないものの、その第２の端子板の代わりに、アルミニウムからなる接触金属膜を高出力レーザダイオード半導体基体に形成することで代替できる程度のものであること、および、当該アルミニウムからなる接触金属膜は、高出力レーザダイオード半導体基体に接着剤により接合されるフィルム状の第１の端子板よりもその厚さが薄いものと認められることからみて、引用発明の第２の端子板であるモリブデンフィルムは、その厚さが１００μｍ以下の薄いものにできることが明らかであり、上記相違点２は引用発明に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ．上記相違点３について
　
　（オ）そして、引用発明において、作動中に高出力レーザダイオード半導体基体に発生する熱は、熱端子としても利用される第１の端子板を介して冷却板から放出されることが保証されているのであるから、引用発明において「第２の端子板にも冷却板を設け、高出力レーザダイオード半導体基体を付加的に冷却する」ことをしていないものは、高出力レーザダイオードをｃｗ稼動させ発生する高出力レーザダイオードの熱出力は、熱端子としても利用される第１の端子板を介して冷却板から放出されることとなり、専ら電気端子として作用する第２の端子板を介してはほとんど放出されないことは明らかである。よって、その熱出力の１／３以上が第２の端子板を介して放散されるといったことにはならないことは、その構造からみて、当業者に自明である。
　
　（カ）ここで、本願補正発明の「ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散される」について検討する。
　ａ．平成１８年１月１９日付け手続補正書により補正された審判請求書の請求の理由において、審判請求人は「『ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散される』との補正事項は、『熱的に副次的な機能を有する電気的な接触部』の定義を示した、出願当初の明細書段落番号８の記載に基づくものです。」と主張している。
　ｂ．そこで、出願当初の明細書の記載をみると、その段落０００７〜０００８には次の記載がある。
「【０００７】
　熱的に重要な機能を有する電気的な接触部とは、ＨＤＢ用電気接触部にして、連続波稼動時（ｃｗ稼動時）にＨＤＢにて発生される熱出力の１／３以上を当該接触部を介して放散する接触部として定義される。
　【０００８】
　熱的に副次的な機能を有する電気的な接触部とは、ＨＤＢ用電気接触部にして、ｃｗ稼動時にＨＤＢにて発生される熱出力の最大限で１／３を当該接触部を介して放散する接触部として定義される。」
　ｃ．上記ｂ．の記載からみて、「ｃｗ稼動時にＨＤＢにて発生される熱出力の最大限で１／３を当該接触部を介して放散する」との記載は、連続波稼動時（ｃｗ稼動時）にＨＤＢにて発生される熱出力の１／３以上を当該接触部を介して放散する接触部であると定義された「熱的に重要な機能を有する電気的な接触部」に対して、「熱的に副次的な機能を有する電気的な接触部」を連続波稼動時（ｃｗ稼動時）にＨＤＢにて発生される熱出力の当該接触部を介して放散する割合が最大になったときでも１／３以上にはならない接触部であると定義すべきところを、「ｃｗ稼動時にＨＤＢにて発生される熱出力の最大限で１／３を当該接触部を介して放散する」としたものであることが明らかである。
　ｄ．したがって、本願補正発明の「ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散される」との発明特定事項の技術上の意味は「連続波稼動時（ｃｗ稼動時）にＨＤＢにて発生される熱出力の当該接触部を介して放散する割合が最大になったときでも１／３以上にはならない」ことである。
　
　（キ）上記（オ）及び（カ）からみて、引用発明の「第２の端子板にも冷却板を設け、高出力レーザダイオード半導体基体を付加的に冷却する」ことをしていないものにおいて、高出力レーザダイオードをｃｗ稼動させ発生する高出力レーザダイオードの熱出力の１／３以上が第２の端子板を介して放散されないようにすること、即ち、「電気的な接触部である前記金属フィルムを介し、ｃｗ稼動時に高出力レーザダイオードにて発生される熱出力の最大限で１／３が放散される」ようにすること（上記相違点３）は引用発明に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
　エ．効果
　そして、本願補正発明の奏する効果は、引用発明の有する効果及び上記周知技術の有する効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
　オ．まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載した発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条４項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
　（１）本願発明
　
　平成１８年１月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項５に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項５】
　大出力ダイオードレーザバー（ＨＤＢ、１）、熱的に副次的に機能する電気的な接触部（２）、及びＨＤＢ（１）と接触部（２）との間の接合領域（３）を有する大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置において、接合領域（３）が、接着要素（３ｂ）を有する接合材料（３ａ）を含むことを特徴とする大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
　（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
　（３）対比・判断
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、限定事項である「電気的な接触部（２）が、１００μｍ以下の厚さの金属フィルムであ」るとの限定を省き、「この金属フィルムを介し、ｃｗ稼動時にＨＤＢ（１）にて発生される熱出力の最大限で１／３が放散されること」という下位概念の記載を「熱的に副次的に機能する電気的な接触部（２）」という上位概念の記載にしたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定事項である他の構成要件を付加するとともに、上位概念の記載を下位概念の記載にすることにより限定したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例に記載した発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載した発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載した発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。