【事件の表示】
　特願２００１−３６３２３４「温度補償型水晶発振器」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月　６日出願公開、特開２００３−１６３５３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年１１月２８日の出願であって、平成１７年４月２８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１７年６月３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年７月４日付けで手続補正がなされたものである。 
　その後、当審において平成１９年７月９日付けで平成１７年７月４日付けの手続補正が却下され、同日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１９年９月１０日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年９月１０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
　
　
「上面及び下面それぞれにキャビティー部を有する容器体と、前記上面側のキャビティー部内に収容される水晶振動子と、前記下面側のキャビティー部内に収容され、且つ温度補償制御回路部、発振回路部、バッファ回路部、分周回路部及び該分周回路部の分周率を決定するセレクタ回路部を集積化してなるＩＣチップと、前記下面側のキャビティー部の底面に形成される一対のモニタ電極パッドと、を備えた温度補償型水晶発振器において、
　前記容器体の側面には、前記ＩＣチップに接続し、温度補償データ及び前記分周率を決定するためのデータを書き込むための制御用端子電極が、前記容器体下面の四隅には、互いに間隔を空けて配置される外部端子電極がそれぞれ設けられており、
　前記下面側のキャビティー部は、隣接する前記外部端子電極間に張り出す複数の張出部を有し、対向し合う前記張出部には前記一対のモニタ電極パッドが各々配置されていることを特徴とする温度補償型水晶発振器。」
　
　
２．引用刊行物
　
　当審における拒絶の理由に引用された特開平４−３３５７０４号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
（イ）「【請求項２】少なくとも圧電振動子を発振させる発振部、前記発振部の源振信号を分周する分周回路、前記分周回路の各分周信号及び前記源振信号を選択する分周選択回路、前記分周選択回路を制御するデータを外部から入力するデータ入力回路、前記分周選択回路を制御するデータを記憶するＰＲＯＭ回路、前記データ入力回路のデータを分周選択回路へ送出する動作と、前記ＰＲＯＭ回路のデータを分周選択回路へ送出する動作と、前記データ入力回路のデータをＰＲＯＭ回路へ送出する動作を制御するデータ制御回路を有する事を特徴とする発振回路。
【請求項３】少なくともデータ入力端子とコントロール端子がパッケージ外部に導出されていて、周波数調整後、前記データ入力端子と前記コントロール端子はパッケージの端面から切断される事を特徴とする請求項１，２記載の発振回路。」（【特許請求の範囲】）
　
（ロ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発振回路に係り、特に圧電振動子を用いた発振器の発振周波数が可変できる水晶発振回路に関する。」（第２頁第１欄第２８行〜第３１行）
　
（ハ）「【０００７】そこで本発明は、周波数調整が自動調整可能で、かつ迅速に周波数調整ができる事、外部端子を少なくし、発振回路の実装、封止後に周波数調整ができる様にする事で封止後の周波数シフトをなくし、気密性も向上させ、周波数可変回路を回転機構等の可動部分をなくしＩＣ化し耐振動性、耐衝撃性を向上させ、かつ小型化させる事、以上を特徴とする発振回路を提供することにある。」（第２頁第２欄第２８行〜第３５行）
　
（ニ）「【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図１は、本発明の一実施例を示すブロック図で、１は圧電振動子、２は発振部で、圧電振動子を発振させる回路である。４はデータ入力回路で、発振回路の外部から入力されるデータを周波数調整データとして内部で処理できる形にデータを変換させる。データ入力回路４は、一例としてシフトレジスタが上げられこの場合外部からシリアルのデータを入力しパラレルのデータに変換し内部回路に送出する。５は外部からのデータを入力する端子である。６は容量アレイで、コンデンサとスイッチングトランジスタの直列体を複数並列に構成した回路で容量アレイの片側電極は圧電振動子に接続され、もう一つの片側電極は高周波的に接地される為、容量アレイ６は圧電振動子の可変できる負荷容量として働く。スイッチングトランジスタのゲートを制御する事により容量アレイ６の容量が可変できる。７はＰＲＯＭ回路で、データ入力回路４からのデータを記憶する事ができ、又その記憶データで容量アレイ６を制御する事ができる。８はデータ制御回路で、周波数調整時にはデータ入力回路４からのデータを容量アレイ６と分周選択回路１０に送り、データ記憶時にはデータ入力回路４からのデータをＰＲＯＭ回路７へ送り、発振回路の通常動作時にはＰＲＯＭ回路７の記憶データを容量アレイ６と分周選択回路１０へ送る、以上３つの動作を行ないデータの制御をする。３は、以上のデータ制御のコントロールをする端子である。９は分周回路で、発振部２からの源振信号を１／２，１／４，１／８…と分周する回路である。１０は分周選択回路で、分周回路９の分周信号と源振信号をデータ制御回路８からの制御データにより選択する。１１は出力バッファで、分周選択回路１０で選択された信号を増幅し発振回路外部へ出力する。次に発振部２と容量アレイ６の構成を詳しく表わしたのが図２である。この図において、２１はインバーター増幅器、２２はフィードバック抵抗で、インバーター増幅器のゲートとドレインに接続されている。２３はゲート容量でインバーター増幅器２１のゲートに接続されており、２４はドレイン容量でインバーター増幅器２１のドレインに接続されている。少なくとも以上の素子により構成されているのが発振部２であり、圧電振動子１は発振部２の中のゲートとドレインに接続する。次に容量アレイ６の中を説明すると、３１はコンデンサ、４１はスイッチングトランジスタでこの２つの素子が直列に接続された直列体がある。これと同様に３２，３３，３４はコンデンサで、４２，４３，４４はスイッチングトランジスタでそれぞれのコンデンサと直列に接続される。以上のコンデンサとスイッチングトランジスタの直列体が並列に接続されて、片側電極は発振部２のゲート側に接続され、他のＢ側電極は、電源であるＶDD又はＶSSに高周波的に接地されている。この容量アレイ６の容量値を可変するにはスイッチングトランジスタ４１〜４４それぞれを任意にオン又はオフする事で行ない、これにはスイッチングトランジスタ４１〜４４のゲートを制御する事で行なう。コンデンサ３１〜３４の容量値の設定の例としては重み付けした容量値で行なう。（たとえば１ｐＦ、２ｐＦ、４ｐＦ、８ｐＦ）こうする事により少ない容量素��で広い容量範囲を分解能を維持しながら可変する事ができる。当然、容量とスイッチングコンデンサの直列体の数を増やしても良い。」（第３頁第３欄第１０行〜第４欄第１８行）
　
（ホ）「【００１１】以上の様に構成した発振回路の周波数調整と分周選択の方法と、調整、選択が終了した後それらのデータを記憶させる方法と、発振回路の通常動作時の動きを順を追って説明する。
【００１２】まず、発振回路の外部から周波数制御データと、分周選択データをデータ入力端５から入力する。シフトレジスタであるデータ入力回路４は入力されるシリアルのデータを順次入力していき、入力終了後パラレルデータに変更する。データ制御回路８は、データ入力回路から出力されるデータのうち、周波数制御データを容量アレイ６に、分周選択データを分周選択回路１０に送る。容量アレイ６は、送られて来た周波数制御データにもとづきスイッチングトランジスタ４をオンあるいはオフさせ周波数を変化させる。分周選択回路１０は、データ制御回路から送られて来た分周選択データにもとづき分周信号か源振信号を選択する。以上の発振器外部からのデータ入力から周波数変化、分周選択までの動作を、発振周波数を測定しながらくり返し目的の周波数範囲へ調整する。
【００１３】次に、周波数調整及び分周選択の操作により得られたデータを記憶させるには、データ入力回路のデータをデータ制御回路を介してＰＲＯＭ回路へ送り、ＰＲＯＭ回路にデータを記憶させる。ＰＲＯＭ回路は、一旦記憶したデータは電源を切っても記憶しているので周波数と分周選択は永久に持続できる。又、電気的あるいは紫外線等により消去できるＰＲＯＭ回路を使用すればデータの変更も可能になり、周波数と分周選択の再調整も可能になる。
【００１４】次に、発振器の通常の動作では、ＰＲＯＭ回路に記憶された周波数制御と分周選択のデータがデータ制御回路を介して容量アレイと分周選択回路へ送られ、そのデータにもとづき容量アレイと分周選択回路は動作する。
【００１５】以上の様に動作させることができるので、周波数調整が、デジタルデータで行なえる様になり自動化が簡単になる。又、データの入力をシリアルデータ入力で行なえば発振回路外部に出る端子が少なくなり、金属パッケージによる封止やトランスファーモールドによる封止後にこの端子からデータを入力し周波数調整を行なえば発振回路の気密性の向上と、封止による周波数のシフトがなくなる。又、ＰＲＯＭ回路によるデータの記憶と、コンデンサとスイッチングトランジスタで構成した容量アレイによる周波数制御である為、耐振性、耐衝撃性、経時変化に優れる。又、すべての回路がＩＣ化可能なので小型化が可能になる。又、分周選択を外部からのデータにより制御できるので、周波数調整時には源振信号を出力させて源振信号を測定し周波数調整をしておき、周波数調整が終ってから分周選択を行ない目的の分周選択を行なう事も可能である。こうする事により、測定周波数が高い方が高速に又は高分解能に測定できるので、周波数調整が速く又は高精度に行なう事ができる。」（第３頁第４欄第１９行〜第４頁第５欄第１９行）
　
（ヘ）「【００１８】次に本実施例の実装例を図５に示す。１は圧電振動子、５１はＩＣで、上記実施例で説明した発振部、データ入力回路、容量アレイ、ＰＲＯＭ回路、データ制御回路、分周回路、分周選択回路、出力バッファが含まれる。５２は、発振回路を封止するパッケージで、樹脂モールド、セラミック、金属等により封止される。５３はＶDDリード、５４はＶSSリード、５５は出力リードでＩＣ５１とワイヤーボンディングで接続され、パッケージ５２の外部へ導出される。５６はコントロールリードでＩＣ５１のコントロール端子と接続しパッケージ５２の外部へ導出される。５７はデータ入力リードでＩＣ５１のデータ入力端子と接続し、パッケージ５２の外部へ導出される。以上の様に構成した発振回路を周波数調整するには、ＶDDリード５３とＶSSリード５４から電源を印加し、出力リード５５から出力される発振信号の周波数を測定し、周波数調整に必要なデータをデータ入力リード５７から入力する。周波数が目的の範囲に入るまでこれをくり返す。周波数調整が終了すれば、ＰＲＯＭにデータを書き込む。以上の操作中ＩＣ内部のデータの制御をコントロールリード５６から行なう。データの書き込み終了後、コントロールリード５６とデータ入力リード５７を５８のパッケージの端面から切断する。これにより通常動作で不必要なリードはなくなりリードのショート等の事故を防ぐ事ができる。」（第４頁第５欄第２６行〜第６欄第３行）
　
（ト）図１には、コントロール端子３は、データ制御回路８に接続され、データ入力端子５は、データ入力回路４に接続されることが記載されている。
　
（チ）図１には、出力バッファ１７は、分周選択回路１０の後段に配置されていることが記載されている。
　
　
　これらの記載によれば、引用刊行物１には、
「発振回路を封止するパッケージであって、当該パッケージには、圧電振動子、ＩＣが設けられ、当該ＩＣには、発振部、データ入力回路、容量アレイ、ＰＲＯＭ回路、データ制御回路、分周回路、分周選択回路、出力バッファが含まれ、
　出力バッファは、分周選択回路の後段に配置されており、
　当該パッケージには、当該パッケージの外部へ導出されるＩＣのデータ入力端子と接続されたデータ入力リードと、当該パッケージの外部へ導出されるＩＣのコントロール端子と接続されたコントロールリードとを設け、コントロール端子は、データ制御回路に接続され、データ入力端子は、データ入力回路に接続され、当該データ入力リードから、周波数制御データと、分周選択データを入力し、周波数調整を行い、
　当該周波数制御データを容量アレイに、当該分周選択データを分周選択回路に送り、　容量アレイは、送られて来た周波数制御データにもとづき周波数を変化させ、
　分周選択回路は、データ制御回路から送られて来た分周選択データにもとづき分周信号か源振信号を選択し、周波数調整が終了すれば、ＰＲＯＭ回路にデータを書き込み、ＩＣ内部のデータの制御をコントロールリードから行い、データの書き込み終了後、前記データ入力リードと前記コントロールリードはパッケージの端面から切断される水晶発振回路。」の発明（以下「引用刊行物１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　
　当審における拒絶の理由に引用された特開２０００−７７９４３号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
　
（イ）「【請求項１】　下面にキャビティー部を有する容器体と、
　該容器体の上面側に実装された水晶振動子と、
　前記キャビティー部に収容され、前記水晶振動子の温度補償を行うＩＣチップとを具備する温度補償型水晶発振器であって、
  前記容器体の側面で、上下面より離間した領域に、前記ＩＣチップに温度補償データを書き込むためのＩＣ制御用端子電極を設けたことを特徴とする温度補償型水晶発振器。」（【特許請求の範囲】）
　
（ロ）「【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上述の温度補償型水晶発振器において、実装された水晶振動子52の固有温度周波数は特性に応じて、個々のＩＣチップ53に固有温度周波数を平坦化するために温度補償データを供給しなくてはならない。
【００１６】この温度補償データは、製造工程でＩＣチップ53に書き込むが、実際に温度補償動作するには、プリント配線基板に実装された後である。
【００１７】即ち、プリント配線基板に実装した後、ＩＣチップ53に書き込んだ温度補償データが消去したり、改変されては、温度補償型水晶発振器として全く機能しない。
【００１８】上述の温度補償型水晶発振器では、ＩＣチップ53に書き込むための書き込み端子電極65〜68が、容器体51の一対の側面に形成されている。しかし、実際には、書き込み端子電極65〜68は、容器体51の側面から底面にかけて形成されている。
【００１９】従って、温度補償データをＩＣチップ53に書き込んだ後、この温度補償型水晶発振器をプリント配線基板に半田接合した場合、書き込み端子電極65〜68にも半田付着し、また、外部から予期していない電位が書き込み端子電極65〜68に印加され、ＩＣチップ53の温度補償データが消去したり、改ざんされたりしてしまう。これは、書き込み端子電極65〜68が容器体51の側面に形成されているものの、容器体51の底面にまで到達して形成されているためである。
【００２０】また、プリント配線基板上に実装するにあたり、書き込み端子電極65〜68の近傍に半田接合される配線パターンや外部端子電極を排除すればよいが、容器体51の形状が大きくなったり、プリント配線基板の引回し自由度が大きく低下している。
【００２１】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、ＩＣチップに実装した温度補償データが安定的に維持でき、安定した温度補償動作が安定的に行える温度補償型水晶発振器を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、底面にキャビティー部を有し、少なくとも３層以上のセラミック絶縁層を積層してなる容器体と、該容器体の表面側に実装された水晶振動子と、前記キャビティー部に実装され、且つ温度補償データを保持するＩＣチップと、前記容器体の底面に前記ＩＣチップと接続するように配置された外部端子電極とから成る温度補償型水晶発振器において、前記容器体の側面に、該容器体の表面及び底面に達することがない温度補償データを書き込むＩＣ制御用端子電極が形成されていることを特徴とする温度補償型水晶発振器である。
【００２３】
【作用】本発明では、温度補償に必要なデータ等を入力したり、また入力可能な状態とするＩＣ制御用端子電極が、容器体の側面に形成されている。しかも、容器体は少なくとも３層以上のセラミック絶縁層を積層してなり、容器体の表面側のセラミック絶縁層及び底面側のセラミック絶縁層には形成されていない。即ち、ＩＣ制御用端子電極が、容器体の実装底面及び表面に到達することなく、側面に独立して形成されている。
【００２４】 これより、温度補償型水晶発振器をプリント配線基板の所定配線パターン上に半田接合しても、プリント配線基板の所定配線パターンと短絡することがない。
【００２５】 また、容器体の底面には、キャビティー部と外部端子電極のみが存在することになり、プリント配線基板に実装した後、殆ど使用することのないＩＣ制御用端子電極が存在しないため、容器体の平面形状の小型化にも大きく寄与できる。
【００２６】 尚、ＩＣ制御用端子電極の構造としては、表面側のセラミック絶縁層と底面側のセラミック絶縁層によって挟持される他のセラミック絶縁層の端面（側面となる）に、例えば半円形状の凹部を形成し、この凹部の内壁面に導体膜を形成して構成するが望ましい。
【００２７】このようにすれば、外的要因に導電性異物がＩＣ制御用端子電極に接触しようとしても実際には接触されにくく、温度補償データの安定的な保持が可能となる。」（第２頁第２欄第４４行〜第３頁第４欄第１９行）
　
（ハ）「【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の温度補償型水晶発振器を図面に基づいて詳説する。
【００２９】図１は本発明の温度補償型水晶発振器の断面図であり、図２は側面図であり、図３は蓋体省略した状態の上面図であり、図４は充填樹脂を省略した状態の下面図である。図５は、内部配線パターンを示す概略平面図である。尚、図１は、図３のＸ　Ｘ線断面を示している。
【００３０】尚、実施例の温度補償型水晶発振器として、水晶振動子の温度周波数特性を平坦化する温度補償動作を行う制御回路を具備した水晶発振器を例に説明する。
【００３１】本発明の温度補償型水晶発振器は、上面（以下、表面という）が平坦で且つ下面（以下、底面という）側に凹部状キャビティー部が形成された概略直方体状の容器体１、矩形状の水晶振動子２、制御回路を構成するＩＣチップ６及び２つの電子部品素子４、５、金属製蓋体６及び充填樹脂７とから主に構成されている。
【００３２】容器体１は、複数の略矩形状のセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、異形状の開口を有する概略枠状セラミック絶縁層１ｃ、１ｄが一体的に積層されて構成されている。このセラミック絶縁層１ａ、１ｂによって、水晶振動子２とＩＣチップ３、電子部品素子４、５を仕切る仕切部8 となり、また、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄによって枠状脚部9 となる。この枠状脚部9 によって、仕切部8 の底面に、該底面と枠状脚部9 とに囲まれた凹部状のキャビティー部10が構成される。」（第３頁第４欄第２０行〜第４７行）
　
（ニ）「【００３３】そして、容器体１の底面の４つの隅部には、各々外部端子電極１１〜１４が形成されている。また、容器体１の一対の長辺側側面には、ＩＣチップ３に必要な温度補償データや制御のため各種情報を書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極１５〜１８が形成されている。」（第３頁第４欄第４８行〜第４頁第５欄第３行）
　
（ホ）「【００３４】容器体１の表面、即ち、仕切部８の表面には、その外周を取り囲むように封止用導体パターン19が形成されており、また、容器体１表面の長手方向の一端部寄りに水晶振動子2 と接続するための水晶振動子用電極パッド20、21が並設されている。また、上述の水晶振動子用電極パッド20、21上には水晶振動子2 を容器体1 の表面との間に所定間隔を形成するための接続バンプ22、23が形成されている。また、容器体１表面の長手方向の他端部寄りに、水晶振動子2 の他方端部側を支持する保持用バンプ24が形成されている。
【００３５】 また、セラミック絶縁層１ａには、水晶振動子用電極パッド20、21と接続する２つのビアホール導体25、26（尚、26は図では省略する）が形成され、セラミック絶縁層１b には、キャビティー部10の底面に導出する第２のビアホール導体27、28が形成され、さらに、セラミック絶縁層１ａと１ｂとの層間には両ビアホール導体25と27、26と28とを接続する内部配線パターン29、30が形成されている。
【００３６】 また、セラミック絶縁層１ｂの底面側主面には、ＩＣチップ3 と上述のＩＣ制御端子電極15〜18とを接続し、また、ＩＣチップ3 と電子部品素子4 、5 とを接続し、さらにＩＣチップ3 、電子部品素子4 、5 と外部端子電極11〜14と接続する各種配線パターン31・・・が形成されている。尚、キャビティー部４の底面領域に各種配線パターン31の一部を構成するIC電極パッド32・・・、素子電極パッド33・・・が形成されている。尚、第2 のビアホール導体27、28は、直接または所定配線パターン31を介して、ＩＣチップ3 の発振入力電極に接続するが、同時に、キャビティー部10の底面には、このＩＣチップ3 の発振特性を個別に測定するためのモニター電極パッド34、35が形成されている。
【００３７】 そして、容器体1 の内部には、一方端が表面に、他端がキャビティー部10内に導出されるビアホール導体25、内部配線パターン29、ビアホール導体27及びビア
ホール導体26、内部配線パターン30、ビアホール導体28からなる導電経路が形成
されることになる。
【００３８】尚、外部端子電極11〜14の構造については、容器体1 の底面の４隅部に形成した平面部11a 〜14a と、セラミック絶縁層1c、1dの４つの角部を厚み方向に概略1/4 円形状の切り欠いた凹部の内壁に形成した端面部11b 〜14b とから構成されている。また、グランド電位の外部端子電極13は、容器体1 の表面に形成した封止用導体パターン19と接続させ、金属製蓋体6 にシールド効果を達成させる必要がある。このため、グランド電位の外部端子電極13に関しては図のようにセラミック絶縁層１ａ〜１ｄの全てを貫通するビアホール導体及び配線パターンによって、封止用導体パターン19と接続したり、また、外部端子電極13の端面電極13aを容器体1 の表面にまで延出して、封止用導体パターン19と接続する。
【００３９】また、ＩＣ制御端子電極１５〜１８について、セラミック絶縁層１ａ、１ｄには形成されておらず、セラミック絶縁層１ａ、１ｄに挟まれた中間層、例えばセラミック絶縁層1b、1b部分の長辺の端面に形成されている。従って、図２に示すように、ＩＣ制御端子電極１５〜１８（図２では１５、１６）は、容器体１の側面で底面及び表面に接することが一切ない。これは、表面側に形成された封止用導体パターン１９と短絡を避け、また、プリント配線基板に半田接合した時、プリント配線基板の配線パターンと短絡を避けるためである。さらに、ＩＣ制御端子電極１５〜１８は、セラミック絶縁層１ｂ、１ｃの長辺側端面に凹み部を形成して、この凹み部の内壁面に形成されていることが望ましい。これにより、外部要因、例えば、温度補償型水晶発振器をプリント配線基板上に搬送する場合の搬送手段などの書き込まれたデータが変動し、温度補償動作に誤動作が発生しないようしている。
【００４０】上述の容器体１は、セラミック絶縁層１ａ〜１ｄとなるセラミックグリーンを用いて形成する。具体的には、絶縁層１ａとなる矩形状セラミックグリーンに例えば第１ビアホール導体25、26となる貫通孔を形成し、モリブデンやタングステンなどの高融点金属ペーストで貫通孔を充填する。同時に、表面に水晶振動子用電極パッド20、21となる導体膜、バンプ22〜24となる導体膜、封止用導体パターン19となる導体膜を上述の導電性ペーストの印刷により形成する。
【００４１】また、絶縁層１ｂとなる矩形状セラミックグリーンに第2 ビアホール導体27、28となる貫通孔及びＩＣ制御端子電極15〜18が形成される凹み部を形成し、上述の高融点金属ペーストで該貫通孔を充填し、該凹み部の内壁面に導体膜を形成する。同時に、このグリーンシートのキャビティー部４の底面となる面に、IC電極パッド32、素子電極パッド33、モニタ電極パッド34、35及びIC電極パッド32、素子電極パッド33と各端子電極11〜18とを接続し所定回路網を構成する各種配線パターン31となる導体膜を形成する。」（第４頁第５欄第４行〜第６欄第３９行）
　
（ヘ）「【００４９】 また、容器体1 の表面において、水晶振動子用電極パッド20、21上に接続用バンプ22、23、他方端部側に保持用バンプ24を、導電性ペーストの重ね印刷により形成したが、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストの塗布・焼き付けやＡｇ粉末を含む樹脂ペーストの塗布・硬化などにより形成してもよい。また、接続用バンプ22、23を所定高さとするために複数回の塗布を行えばよい。好ましくは、容器体１の表面から接続用バンプ22、23の頂点部分までの高さは、例えば１５〜２０μｍであり、保持用バンプ24の頂点部分までの高さは、接続用バンプ22、23よりも例えば５〜１０μｍ程度低い値となっている。
【００５０】さらに、封止用導体パターン19上に、概略矩形状の金属枠体であるシールリング36を接合する。シールリング36は42アロイ、コバール、リン青銅などからなり封止用導体パターン19の形状に対応する構造となっている。このシールリング35は封止用導体パターン19にろう付けによって接合されている。
【００５１】上述のような容器体1 の表面には、水晶振動子2 が配置されている。水晶振動子2 は、所定カット、例えばＡＴカットされた矩形状の水晶板2aの両主面に形成された振動電極2b、2c、該振動電極2b、2cから一方他端部に延出された島状の引出電極部2d、2eとから構成されている。尚、図３において下面側の振動電極2c及び引出電極2eは点線で示す。この引出電極2d、2eは、水晶振動子用電極パッド20、21と導電性接着材2f、2gを介して接続するものである。
【００５２】また、振動電極2b、2e及び引出電極2d、2eは、水晶板2aの両面に下地としてＣｒやＮｉ、表面層としてＡｇやＡｕなどの導電性材料の蒸着、スパッタリングな
どの薄膜技法により被着形成する。
【００５３】容器体1 の表面側に実装された水晶振動子2 は金属製蓋体6 によって気密的に封止されている。金属製蓋体6 は、コバールや４２アロイなどの金属材料からなり、例えば０．１ｍｍの厚みであり、容器体１の表面の封止用導体パターン19にろう付けされた枠状のシームリング36と密接されて溶接・接合される。尚、金属製蓋体6 の外表面側主面にはＮｉ、アルミニウム等を被着する。これは、溶接時にろう材が融け表面側主面に回り込まないようにして、安定かつ強固な溶接時が結成できるようにするものである。」（第５頁第７欄第５０行〜第８欄４０行）
　
（ト）「【００５４】容器体1 のキャビティー部10の底面には、制御回路を構成するＩＣチップ3 が実装されている。ＩＣチップ3 は、例えば3 次の曲線で示される固有温度周波数特性による水晶振動子2 の周波数変動を、常温を含む広い温度範囲で平坦化するように制御するのである。具体的には、シリコンチップに周知のＰＮドープにより、発振回路を構成する発振インバータ、負荷容量成分、帰還抵抗に加え、水晶振動子2 の固有温度周波数特性を平坦化するために必要な温度補償データを保持するメモリ部、周囲の温度検知する感温センサ部、バリキャップダイオード、所定温度補償データに基づいて所定電圧に変換してバリーキャップダイオードに供給するＤＡ変換手段、外部から書き込まれる信号をメモリー部に保持するＡＤ変換手段、これらの動作を制御するプロセッサー部どから構成されている。
【００５５】このようなＩＣチップ3 には、例えば、電源電圧が供給されるＶＣＣ端子、グランド電位となるＧＮＤ端子、水晶振動子2 と接続される水晶接続端子、発振出力を行うＯＵＴ端子、外部から周波数の調整を可能とするＶＣＯＮ端子、補償データ書き込みのために用いる例えば４つの温度補償データ書き込み制御端子とを有している。
【００５６】ＩＣチップ3 のＶＣＣ端子( 電源部) は、所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端子電極11に導出されている。また、ＯＵＴ端子は、所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端子電極12に導出されている。
【００５７】また、ＧＮＤ端子( 一種の電源部) は、所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端子電極13に導出されている。ＶＣＯＮ端子は所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端子電極14に導出されている。また、２つの水晶接続端子は、所定IC電極パッド32、所定配線パターン31やモニタ電極34(35)、導電経路を介して容器体1 の表面の電極パッド20、21に各々導出されている。さらに、４つのデータ書き込み制御端子は、所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して各々ＩＣ制御端子電極15〜18に導出されている。」（第５頁第８欄第４１行〜第６頁第９欄第２８行）
　
（チ）「【００７７】 図４では、キャビティー部10は、隣接しあう２つ外部端子電極11と14との間の底面領域に、キャビティー部10の一部が延出するように広がった張出部10a を有し、例えば、電子部品5 が主に配置されている。
【００７８】また、隣接しあう２つ外部端子電極12と13との間の底面領域に、キャビティー部10の一部が延出するように広がった張出部10c を有し、例えば、電子部品4 が主に配置されている。
【００７９】尚、隣接しあう２つ外部端子電極11と12との間及び13と14との間の底面領域に、キャビティー部10の一部が延出するように広がった張出部10b 、10d を有している。この張出部10b 、10d には、ＩＣチップ3 の一部が配置されており、これにより、キャビティー部10の全体形状、即ち、キャビティー中央部10e 、４つの張出部10a 〜10d の形状の小型化を達成している。
【００８０】以上のように、図４に示す容器体１の矩形状の底面形状において、４つの張出部10a 〜10d 及び中央部10e から成る十字状のキャビティー部10と、十字状キャビティー部10のデッドスペースである４つの隅部で外部端子電極11〜14を配置しているため、容器体1 の底面全体では、全く無駄なスペースが存在せず、容器体1 のプリント配線基板への実装面積を非常に小型化することができる。」（第７頁第１１欄第２７行〜第４９行）
　
（リ）「【００８５】次に、上述の温度補償型水晶発振器の組立方法を説明する。
【００８６】まず、上述した容器体１、水晶振動子2 、ＩＣチップ3 、コンデンサなどの電子部品4 、5 及び金属製蓋体6 を用意する。尚、容器体１の表面には、シームリング36がろう付けなどにより接合し、電極パッド20、21上にバンプ22、23を形成しておく。さらに、ＩＣチップ3 実装面の各入出力部のアルミ電極上に、金バンプを形成しておく。
【００８７】次に、水晶振動子2 の実装を行う。具体的には、容器体１の表面の水晶振動子用電極パッド20、21上に形成した接続用バンプ22、23と、水晶振動子2 の引出電極部2d、2eとが合致するように位置決め載置し、引出電極部2d、2eと電極パッド20、21とをＡｇ等の導電性接着材2f、2gを用いて両者を接合する。尚、水晶振動子５の他端側の下面は、保持用バンプ24上に載置されて接合が行われるが、この時、導電性接着材の硬化時に収縮応力が働き、水晶振動子2 の他端側先端を持ち上げり、容器体１の表面との間に、接続用バンプ22、23の高さに相当する間隙を形成する。
【００８８】これにより、水晶振動子2 の振動電極2b、2cは、電極パッド20、21、第１のビアホール導体25、26、内部配線パターン29、30及び第２ビアホール導体27、28を介して、キャビティー部10の底面に形成した所定配線パターン31及びモニタ電極パッド34、35に導出されることになる。
【００８９】次に、水晶振動子2 の周波数調整を行う。具体的にはこのモニター電極パッド34、35に周波数測定装置の測定用端子（プローブ）を接触させ、水晶振動子2 を所定発振させて、周波数を測定する。その結果に基づいて、容器体１に接合された水晶振動子2 の上面側の振動電極2b上に、Ａｇなどの金属の蒸着を行い、実質的に振動電極2bの質量を変動させて発振周波数の調整を行う。
【００９０】次に、水晶振動子2 の調整した周波数を安定化させる。具体的には、水晶振動子2 が接合した容器体１全体を、１５０〜２５０℃で熱処理を行う。この熱処理を一般に熱エージングという。この熱エージングにより、振動電極2b上に被着した周波数調整用の蒸着物を安定化させ、また、導電性ペーストなどに含まれている溶剤などの不純物を揮発させる。
【００９１】次に、金属製蓋体6 の封止をおこなう。具体的には、シールリング36上に、金属製蓋体6 を載置し、金属製蓋体6 の周囲をシーム溶接用のローラー電極（図示せず）で、溶接電流を印加しながら接触移動させて両者を溶接する。
【００９２】次に、ＩＣチップ3 や電子部品4 、5 をキャビティー部10内に実装を行う。具体的には、まずＩＣチップ3 の実装は、ＩＣチップ3 に形成した各Ａｕバンプと各ＩＣ電極パッド32・・・とが合致するように、ＩＣチップ3 を位置決め載置し、その後、ＩＣチップ3 に超音波などを印加して互いに融着させる。
【００９３】 また、電子部品4 、5 の接合は、素子電極パッド33・・・・にＡｇ粉末などを含む導電性樹脂ペーストを塗布し、電子部品4 、5 を載置し、導電性樹脂ペーストをキュアーして硬化する。
【００９４】次に、ＩＣチップ3 、電子部品4 、5 を充填樹脂7 で充填・被覆する。具体的には、キャビティー部10内に配置されたＩＣチップ3 や電子部品4 、5 の全体を、一般にアンダーフィルと言われる樹脂材料で完全に覆い、硬化し、さらにこの樹脂層上に耐湿性に優れたエポキシ樹脂を充填・硬化する。即ち、充填樹脂7 を積層構造で構成してもよい。」（第７頁第１２欄第２９行〜第８頁第１３欄第４１行）
　
（ヌ）「【００９５】 次に、温度補償型水晶発振器の所定動作のため、予め周波数調整工程によって決定された水晶振動子2 の温度周波数特性に基づいて、ＩＣチップ3 のメモリ部に、この温度周波数特性を、常温を含む広い温度範囲で平坦化するための温度補償データ等を、ＩＣ制御端子15〜18を用いて入力する。
【００９６】尚、必要に応じて、書き込んだ補償データによって、動作確認を行い、再度修正の補償データを書き込んでも構わない。
【００９７】この温度補償動作は、例えば、所定温度における水晶振動子2 の発振周波数が、基準周波数からの変動量を、バリキャップダイオードの容量の調整によって補正するものであり、温度補償データは、感温手段による周囲温度に基づいて、周波数変位量を補正するために、バリキャップダイオードの容量を制御する電圧を適正化するためのデータである。これにより、水晶振動子2 が有する固有の温度周波数特性は、常温を含む広い温度範囲で平坦化されることができる。
【００９８】上述の温度補償型水晶発振器では、外部端子電極11〜14を容器体1 の底面に配置し、ＩＣ制御用端子電極15〜18を容器体の側面に配置しているため、容器体1 の底面は何等変動がなく、外部端子電極11〜14とキャビティー部10のみで専有することができ、装置全体の小型化が維持できる。
【００９９】また、図2 に示すように、ＩＣ制御用端子電極15〜18は、容器体1 の側面で、セラミック絶縁層1a及び1dの端面部分には形成されていない。表面側のセラミック絶縁層1aを避けて形成したのは、ＩＣ制御用端子電極15〜18と封止用導体パターン19との短絡を防止するためである。仮に、ＩＣ制御用端子電極15〜18と封止用導体パターン19とが短絡してしまうと、例えばシーム溶接時の溶接電流がＩＣ制御用端子電極15〜18が流れ、温度補償データが消去されたり、また、ＩＣチップ3 の誤動作の原因となってしまう。
【０１００】また、底面となるセラミック絶縁層1dを避けて形成したのは、ＩＣ制御用端子電極15〜18と外部端子電極11〜14やプリント配線基板などの配線パターンとの短絡を防止するためである。」（第８頁第１３欄第４２行〜第１４欄第２９行）
　
（ル）図４には、キャビティー部10の張出部10a 、10cは、対向し合っていること、外部端子電極11〜14が互いに間隔を空けて配置されていることが記載されている。
　
（ヲ）図５には、張出部10a 、10cには、素子電極パッド33が各々形成されていることが記載されている。
　
　
　これらの記載によれば、引用刊行物２には、
「下面にキャビティー部を有する容器体と、
　該容器体の上面側に実装された水晶振動子と、
　該容器体の上面側表面には、その外周を取り囲むように封止用導体パターンが形成され、該封止用導体パターン上に、概略矩形状で該封止用導体パターンの形状に対応するの金属枠体であるシールリングを接合し、
　前記キャビティー部に収容され、前記水晶振動子の温度補償を行う制御回路、発振回路を構成する発振インバータを構成するＩＣチップと、前記キャビティー部の底面に形成された一対のモニター電極パッドを具備する温度補償型水晶発振器であって、
  前記容器体の側面で、上下面より離間した領域に、前記ＩＣチップに温度補償データや制御のため各種情報を書き込むためのＩＣ制御用端子電極を設け、
　前記容器体の底面の４つの隅部には、互いに間隔を空けて配置される外部端子電極がそれぞれ形成され、
　前記キャビティー部は、隣接しあう前記外部端子電極の間にキャビティー部の一部が延出するように広がった複数の張出部を有し、対向し合う前記張出部には、素子電極パッドが各々配置されていることを特徴とする温度補償型水晶発振器。」の発明（以下「引用刊行物２発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　
　当審で周知技術として引用された特開平７−１０６８９１公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
　
（イ）「【０００５】
【実施例】図１（ａ）に示す、セラミック基板１に示す様に、表面に圧電板を取り付ける導体のパターンを有し、裏面にＩＣチップを収容する凹部３を有し、該凹部３の中に表面の導体と導通した圧電振動子特性評価パット７を有し、該凹部３の周辺に表面実装タイプの圧電発振器としての端子を有するセラミック基板を製作する。次にセラミック基板１に圧電振動板を導電接着剤で固着する。次にセラミック基板１にキャップ６を気密封止する。圧電振動子特性評価パット７を使用して圧電振動子の特性を測定し良品のみを選別する。前記良品の圧電振動子にのみ、セラミック基板１の凹部３に発振器用ＩＣチップ４を固着する。発振用ＩＣチップ４と該セラミック基板１の凹部３の周辺に有る端子の凹部への引き込みパッド及び圧電振動子特性評価パッド相互間をワイヤーボンディングの手法を用いて接続する。凹部３を樹脂のポッティング８にて充填する工程を経て、該表面実装タイプの圧電発振器としての特性を測定し、製品が完成する。」（第２頁第１欄第３７行〜第２欄第１４行）
　
（ロ）図１には、圧電振動子特性評価パット７は、発振用ＩＣチップ４の周囲に設けられていることが記載されている。
　
　
　当審で周知技術として引用された特開平９−２９８４４０公報（以下、「引用刊行物４」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
（イ）「【００１１】
【実施例】 第１図は本発明の一実施例を説明する水晶発振器の図である。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与して、その説明は簡略する。
  圧電発振器は、前述したように、セラミックの積層体からなる絶縁性容器１２、シーム溶接される蓋体２、ＡＴカットの水晶片３及びＩＣベアチップ１０等の回路素子４からなる。この実施例では、絶縁性容器１２は圧電収容部１３と素子収容部１４からなる。圧電収容部１３は絶縁性容器１２の一面側に凹部をもって設けられ、一端側に分割された段部５を有する。段部５の表面には、前述同様に金属膜６が形成される。そして、水晶片３の引出電極９の延出した一端部を電気的・機械的に接続する。素子収容部１４は他面側に凹部をもって設けられ、図示しない回路パターンが形成される。そして、ＩＣベアチップ１０及びコンデンサ等１１の回路素子４が配設される。また、段部５表面の金属膜６は、電極孔（スルーホール）により、素子収容部１４の表面に延出し、測定端子１５として露出する。測定端子１５は図示しない回路パターンに接続する。そして、回路パターンは外表面に実装用端子７として露出する。
【００１２】 第２図は、絶縁性容器１２の分解図で、例えばセラミックとした、圧電収容部枠１６、段部枠１７、基体１８及び素子収容部枠１９からなる。そして、金属膜６、電極孔及び回路パターンを形成して積層し、一体的に焼成して形成する。
【００１３】このようなものでは、先ず、圧電収容部１３の段部５に水晶片３を保持して、シーム溶接により接合する。すなわち、水晶片３を密閉して水晶振動子を形成する。なお、この場合、絶縁性容器１２の表面には、溶接用の金属リングが形成される。次に、測定端子１５に測定器のプローブを当て、水晶振動子の振動特性を測定する。そして、例えば温度特性、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）、振動周波数が規格外で、不良品となったものは、工程から除去される。次に、ＩＣベアチップ１０及びコンデンサ等１１の回路素子４を素子収容部１４に配設する。そして、素子収容部１４内に樹脂を埋設し回路素子４をモールドする。
【００１４】このような構成であれば、水晶振動子の段階で、良否の選別を可能にする。したがって、ＩＣ等の回路素子４を無駄にすることなく、生産性及び経済性を高めることができる。」（第２頁第２欄第３８行〜第３頁第３欄第２９行）
　
（ロ）図１には、測定端子１５は、ＩＣベアチップ１０の周囲に設けられていることが記載されている。
　
　
　
３．対比
　
　そこで、本願発明と引用刊行物２発明とを対比する。
　
　引用刊行物２発明の「容器体の上面側表面」には、その外周を取り囲むように封止用導体パターンが形成され、該封止用導体パターン上に、概略矩形状で該封止用導体パターンの形状に対応するの金属枠体であるシールリングを接合していることから、容器体の上面側表面と、金属枠体であるシールリングとにより、凹部が形成されることは、明らかであって、当該凹部がキャビティー部を形成しているといえるから、引用刊行物２発明は、本願発明と同様に「上面側のキャビティー部」を有しているといえる。
　
　引用刊行物２発明の「キャビティー部」は、容器体の下面に設けられたものであるから、本願発明の「下面側のキャビティー部」に相当する。
　
　したがって、引用刊行物２発明の「容器体」は、本願発明と同様に、「上面及び下面それぞれにキャビティー部を有する」といえる。
　
　引用刊行物２発明の「発振回路を構成する発振インバータ」は、本願発明の「発振回路部」に相当する。
　
　引用刊行物２発明の「水晶振動子の温度補償を行う制御回路」は、本願発明の「温度補償制御回路部」に相当する。
　
　引用刊行物２発明の「ＩＣチップ」は、キャビティー部に収容され、水晶振動子の温度補償を行う制御回路及び発振回路を構成する発振インバータを集積化したものであることは明らかであるから、本願発明の「ＩＣチップ」に対応し、「下面側のキャビティー部内に収容され、且つ温度補償制御回路部、発振回路部を集積化してなるＩＣチップ」という点で一致する。
　
　引用刊行物２発明の「ＩＣ制御用端子電極」は、容器体の側面に設けられ、ＩＣチップに温度補償データや制御のため各種情報を書き込むためのものであって、ＩＣチップに接続されていることは明らかであるから、本願発明の「制御用端子電極」に対応し、「ＩＣチップに接続し、温度補償データ及びその他のデータを書き込むための制御用端子電極」という点で一致する。
　
　引用刊行物２発明の「張出部」は、隣接しあう外部端子電極の間に複数のキャビティー部の一部が延出するように広がったものであって、隣接する外部端子電極間に張り出すものといえるから、本願発明の「張出部」に相当する。
　
　引用刊行物２発明の「素子電極パッド」と、本願発明の「一対のモニタ電極パッド」とは、対向し合う張出部に各々配置されている「電極パッド」である点で一致する。
　
　
　以上を総合すると、両者は、
「上面及び下面それぞれにキャビティー部を有する容器体と、前記上面側のキャビティー部内に収容される水晶振動子と、前記下面側のキャビティー部内に収容され、且つ温度補償制御回路部、発振回路部を集積化してなるＩＣチップと、前記下面側のキャビティー部の底面に形成される一対のモニタ電極パッドと、を備えた温度補償型水晶発振器において、
　前記容器体の側面には、前記ＩＣチップに接続し、温度補償データ及びその他のデータを書き込むための制御用端子電極が、前記容器体下面の四隅には、互いに間隔を空けて配置される外部端子電極がそれぞれ設けられており、
　前記下面側のキャビティー部は、隣接する前記外部端子電極間に張り出す複数の張出部を有し、対向し合う前記張出部には電極パッドが各々配置されていることを特徴とする温度補償型水晶発振器。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
　
［相違点１］本願発明では、ＩＣチップが、温度補償制御回路部、発振回路部、バッファ回路部、分周回路部及び該分周回路部の分周率を決定するセレクタ回路部を集積化しており、制御用端子電極が、温度補償データ及び分周率を決定するためのデータを書き込むためのものであるのに対して、引用刊行物２発明では、ＩＣチップが、温度補償制御回路部、発振回路部を集積化しているものの、バッファ回路部、分周回路部及び該分周回路部の分周率を決定するセレクタ回路部を集積化することは記載されておらず、制御用端子電極は、温度補償データや制御のため各種情報を書き込むためものであり、分周率を決定するためのデータを書き込むためのものであることは記載されていない点。
　
［相違点２］本願発明では、対向し合う張出部には一対のモニタ電極パッドが各々配置されているのに対して、引用刊行物２発明では、下面側のキャビティー部の底面に一対のモニタ電極パッドが形成されているが、当該底面の対向し合う張出部には、素子電極パッドが各々配置されている点。
　
　
　
　４．当審の判断
　
　［相違点１］について
　引用刊行物１発明は、水晶発振回路のＩＣに、分周回路（本願発明でいう「分周回路部」）、分周選択回路（本願発明でいう「分周回路部の分周率を決定するセレクタ回路部」）、出力バッファ（本願発明でいう「バッファ回路部」）を含むものであり、データ入力端子（本願発明でいう「制御用端子電極」）から分周選択データ（本願発明でいう「分周率を決定するためのデータ」）を入力して書き込むものである。
　したがって、引用刊行物２発明において、引用刊行物１発明のように、ＩＣチップに、バッファ回路部、分周回路部及び該分周回路部の分周率を決定するセレクタ回路部を含めて集積化し、制御用端子電極から分周率を決定するためのデータを書き込むように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　［相違点２］について
　引用刊行物２発明において、下面側のキャビティー部の底面には、一対のモニタ電極パッドが設けられ、底面の対向し合う張出部には素子電極パッドが設けられているが、これらの電極パッドを底面のどの位置に配置するかは設計的事項である。
　そして、引用刊行物２発明において、上記張出部はＩＣチップ周辺に設けられているところ、引用刊行物３、４に記載されているように圧電振動子を用いた圧電発振器において、ＩＣチップの周辺に当該圧電振動子の特性を測定するモニタ電極パッドを設けることは、周知技術であるから、引用刊行物２発明おいて、上記周知技術を適用して、ＩＣチップの周辺にある対向し合う張出部に、一対のモニタ電極パッドを各々配置することは、当業者が適宜なし得ることである。
　
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用刊行物１発明、引用刊行物２発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１発明、引用刊行物２発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
　よって、結論のとおり審決する。