【事件の表示】
　平成１１年特許願第２７５０５５号「多層配線基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月１３日出願公開、特開２００１−１０２７５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　本願は、平成１１年９月２８日の出願であって、平成１６年６月２日付で拒絶の理由が通知され、平成１６年８月９日に意見書及び手続補正書が提出された。その後、平成１７年２月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年３月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年４月１８日付で手続補正書が提出されたものである。
　
II．平成１７年４月１８日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年４月１８日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、平成１６年８月９日付手続補正書により補正された特許請求の範囲を、本件手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１乃至６のとおりにすることを含む補正であるところ、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりに補正された。
　
「【請求項１】ガラスセラミックスから成る絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び／または内部に形成された配線回路層とを具備する配線基板であって、該絶縁基板の少なくとも内部に、金属成分の含有量が９９．５重量％以上の金属箔からなる内部配線回路層を具備し、且つ該絶縁基板のヤング率が１２０ＧＰａ以下であることを特徴とする多層配線基板。」
　
　そして、上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１における内部配線回路層について、「９９．５重量％以上の高純度金属導体」を、「９９．５重量％以上の金属箔」と、「導体」をその形状が「箔」であると限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　また、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平１０−２４２６４４号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平１１−７４４１８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開平１０−２４２６４４号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項３】金属導体回路パターンをグリーンシートに転写する多層配線セラミック基板において、基材上に熱剥離性接着層を形成し、その熱剥離性接着層面側に形成された金属導体回路パターン部を、セラミックグリーンシートの層間接続用バイアホールに導体ペースト又は金属導体を埋め込んで形成した接続用突起部に接続するように位置あわせして加熱圧着して導体回路付グリーンシートを製造し、複数の導体回路付グリーンシートを互いに位置合わせて加熱圧着して積層体を作製して面方向の拘束力を加えながら加熱焼結してなることを特徴とする多層配線セラミック基板。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップを搭載して機能モジュールを構成するための導体配線が低抵抗導体回路を有する高性能多層配線セラミック基板に関する。」
　
（１ｃ）「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、基材上に加熱剥離性接着層を形成し、その加熱剥離性接着層面側に金属導体回路パターンを形成する工程、層間接続用バイアホールに導体回路パターンより融点１０℃から１００℃低い導体ペースト又は金属導体合金の突起したパット状導体部を設ける工程、セラミックグリーンシートの突起部先端が上記金属導体回路パターンに接続するように位置あわせして加熱圧着して導体パターンを転写し、基材上の加熱剥離性接着層から導体回路付グリーンシートに剥離する工程、得られた配線付グリーンシートユニットを互いに整合するように重ね合わせて加熱圧着し、重ね合わせセラミックのＸ及びＹ方向の収縮を制限し、Ｚ（厚さ）方向に荷重を加えながら焼結することによって、高強度で、電気的特性の優れた高信頼性の多層セラミック基板が製造出来ることを見出した。」
　
（１ｄ）「【０００７】以下に、本発明の詳細を説明する。
【０００８】基材上に熱剥離接着シート（セパレータ／熱剥離接着剤／基材（ポリエチレンテレフタレート）／接着剤／セパレータ）の接着剤面でラミネートし、更に熱剥離接着剤面側に銅箔をラミネートする。つぎに感光性ドライフイルムで銅箔のパターニングを行なう。このようにして導体回路転写用基板が製造される。
・・・
【００１８】本発明に用いられるセラミック粉末の平均粒径が２０．０μ以下、好ましくは１０μ以下、更に好ましくは５μ以下である。セラミック粉末は、例えば、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，３Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2，ＰｂＯ，Ａｌ2Ｏ3・ＭｇＯ，Ｂ2Ｏ3，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，Ｎａ2Ｏ，Ｐ2Ｏ5，Ｋ2Ｏ，Ｌｉ2Ｏ等から１種以上より選ばれたものである。更に詳しく言えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、アノーサイト（Ａｎｏｒｔｈｉｔｅ，ＣａＯ・ＡｌＯ・２ＳｉＯ2）、ムライト（Ｍｕｌｌｉｔｅ，３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、コージェライト（Ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ，２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）、スポジューメン（Ｓｐｏｄｕｍｅｎｅ，Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）のうち少なくとも一種のセラミック粉末、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ、系等のホウ珪酸ガラスのうち、１種以上のガラスセラミック粉末より選ばれる。又これらのガラスセラミックが銅の融点より低温で焼成可能な非結晶性又は結晶性ガラスセラミック、抗折強度が強いことが好ましく、さらには焼結後にクリストバライト（Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ）が生成しにくい成分が好ましい。このセラミック微粒子は球状、粉砕状のもの等が使用される。微細なスルーホール加工を必要とする場合には、グリーンシート用セラミック粉末の平均粒径は、一般的に１０μ以下、更に好ましくは５μ以下が望ましい。」
　
（１ｅ）【図２】には、実施例として多層配線セラミック基板の層構造とその断面図が示され、ガラスセラミック焼結体が積層され、その層間に銅内部配線導体が存在することが示されている。
　
（２）特開平１１−７４４１８号公報
（２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】絶縁基板と、メタライズ配線層とを具備した配線基板において、前記絶縁基板が、Ｌｉを酸化物換算で５重量％以上含有するリチウム珪酸系の非晶質相を１５〜６０体積％と、４０〜４００℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物結晶相を合計で８５〜４０体積％の割合で含有し、ヤング率が１００ＧＰａ以下であり、且つ４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体からなることを特徴とする配線基板。」
　
（２ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メタライズ配線層を具備する配線基板およびその実装構造に関するものである。」
　
（２ｃ）「【０００７】そのため、配線基板や半導体素子収納用パッケージに半導体素子を収容し、しかる後、プリント基板などに実装した場合、半導体素子の作動時に発する熱が絶縁基板とプリント基板の両方に繰り返し印加されると前記絶縁基板とプリント基板との熱膨張差に起因する大きな熱応力が発生する。この熱応力は、パッケージにおける端子数が３００以下の場合には影響はないが、端子数が３００を超えたり、パッケージのサイズが大型化するに従い、その熱応力が大きくなる。」
　
（２ｄ）「【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題点に対して検討を重ねた結果、リチウム珪酸系ガラスと無機質フィラーとを用いて、これを成形、焼成する過程において、リチウム珪酸系ガラスを焼成温度まで高めた後、その冷却速度を制御し、特に冷却速度を早めることにより、リチウム珪酸系非晶質相が生成され、この非晶質相は、結晶質に比較して原子と原子との間隔が拡大するために熱膨張係数が高まると同時に焼結体のヤング率も低下すること、さらには、低熱膨張のリチウムアルミニウムシリケート結晶相などの析出も抑制されることから、同一組成物であっても、その非晶質相の生成量を制御することにより、熱膨張係数をさらに高く任意の範囲で調整できるとともに、ヤング率をさらに小さくできることを見いだし、本発明に至った。」
　
（２ｅ）「【００３２】次に、上記の絶縁基板を形成する焼結体を作製する方法について説明すると、まず、出発原料として、リチウム珪酸系ガラス粉末と、４０〜４００℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物フィラー粉末を準備する。リチウム珪酸系ガラスは、焼結体中において、リチウム珪酸系非晶質相を形成する成分であって、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、およびＳｉＯ2 を６０〜８５重量％の割合で含有するもので、特に、ＳｉＯ2 とＬｉ2 Ｏとの合量がガラス中、６５〜９５重量％であることが望ましい。また、ガラス中には、上記のＬｉ2 ＯやＳｉＯ2以外に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 、ＺｎＯ、アルカリ金属酸化物、Ｆ等を含んでもよい。」
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１記載の発明
　上記摘記事項（１ｅ）を中心にして、上記摘記事項（１ａ）乃至（１ｅ）を総合すると、刊行物１には、
　
「ガラスセラミック焼結体が積層され、その層間に銅内部配線導体を具備する多層配線セラミック基板であって、該銅内部配線導体が銅箔からなる多層配線セラミック基板。」（以下、「刊行物１記載発明」という。）
　
が記載されているといえる。
　
３−２．本願補正発明１と刊行物１記載発明との対比・判断
（１）刊行物１記載発明における、「ガラスセラミック焼結体」は、本願補正発明１の「ガラスセラミックス」に相当する。
（２）刊行物１記載発明における、積層されたガラスセラミック焼結体は、絶縁体であり、多層配線セラミック基板を構成するものであるから、本願補正発明１における「絶縁基板」に相当する。
（３）刊行物１記載発明における「銅内部配線導体」は、積層されたガラスセラミック焼結体の内部にあることから、本願補正発明の「絶縁基板の・・・内部に形成された配線回路層」、及び「内部配線回路層」に相当する。
（４）刊行物１記載発明の「銅箔」は、本願補正発明１における「金属箔」の一態様である。
　
　以上（１）乃至（４）を考慮すると、本願補正発明１と刊行物１記載発明とは、
　
「ガラスセラミックスから成る絶縁基板と、該絶縁基板の内部に形成された配線回路層とを具備する配線基板であって、該絶縁基板の少なくとも内部に、銅箔からなる内部配線回路層を具備する多層配線基板。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点１：本願補正発明１においては、金属箔を「金属成分の含有量が９９．５重量％以上」と限定するのに対し、刊行物１記載発明においては、金属成分の含有量が不明である点。
　
相違点２：本願補正発明１においては、「絶縁基板のヤング率が１２０ＧＰａ以下」と限定するのに対し、刊行物１記載発明においては、そのような限定がない点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
相違点１について：
　配線基板において、金属成分の含有量が９９．５重量％以上の高純度の銅箔を用いることは、下記周知例１に記載されているように本願出願前に周知の技術的事項である。したがって、刊行物１記載発明において用いられている銅箔も、金属成分の含有量が９９．５重量％以上であると認められ、相違点１は実質的な相違点でないか、あるいは、実質的な相違点であるとしても、高純度の銅箔を用いることが周知であるからことから、金属成分の含有量を９９．５重量％以上と限定することは、当業者が適宜なし得る事項にすぎない。また、当該数値についても、格別のものでもない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
周知例１：特開平１１−６８２７１号公報
（周１ａ）「【要約】
【課題】  容易に銅配線ピッチの微細化が図れ、温度サイクルの信頼性が向上し、エレクトロマイグレーションを低減し、めっき異常析出を防止する高純度銅配線基板を提供する。
【解決手段】  ポリイミドフィルム６上に半導体素子９と接続される所定の銅配線２を有し、銅配線２は、９９．９９重量％以上の純度の銅配線であり、電解銅箔、電気銅めっき、または無電解銅めっきによって形成される。」
（周１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅配線を有する銅配線基板に関し、特に、高純度の銅配線を有する半導体素子搭載用の高純度銅配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、有機プリント配線基板、有機フレキシブル配線基板、セラミック基板、ビルドアップ多層配線基板、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、ベアチップ搭載用インターポーザ、半導体素子を搭載する配線基板に金属ボール端子を格子状に配列したパッケージ構造のＢＧＡ（Ball Grid array）用配線基板、および半導体素子を搭載する配線基板が半導体素子とほぼ同じ大きさのパッケージのＣＳＰ（Chip Scale Package）用配線基板などの高密度配線基板は、電解銅箔による９９．９０〜９９．９５重量％、また無酸素圧延銅箔による９９．９９０〜９９．９９５重量％の純度の銅配線材料などが用いられている。
【０００３】電解銅箔は、円形のステンレス電解ドラムに銅めっきを形成し、一定の厚さのめっきにしてから、これをドラムから剥離して製造され、９９．９５重量％程度の純度の銅箔を連続して得ることができる。
【０００４】圧延銅箔は、電解銅板を鋳造して長い板形状とし、さらにこれを連続圧延して製造される。この場合、溶解銅の鋳造時に、酸素などの活性ガスの成分を還元性雰囲気で脱ガスして、銅箔を高純度化できるので、電解銅箔より高い純度の銅箔を製造することができる。この製造法は、通常、純度が９９．９９０〜９９．９９５重量％の銅箔を製造するときに多く使用されている。」
　
相違点２について：
　金属板が接合されたセラミック基板において、金属とセラミック基板とのヤング率の違いにより、熱応力が発生し、セラミック基板に亀裂が発生することは下記周知例２に記載されているように、本願出願前に周知の技術的事項である。
　してみると、刊行物１記載発明においても、基板の亀裂発生を防止しようとすることは当然の課題であるから、刊行物１記載発明において、金属である銅箔とセラミック基板のヤング率を同程度とすることを試み、銅のヤング率は１１０ＧＰａであることから（岩波　理化学辞典　第５版第２刷（１９９８年４月２４日）第９４４頁）、刊行物１記載発明において、セラミック基板のヤング率を銅のヤング率である１１０ＧＰａに近づけようとすることは、当業者ならば当然に想到し得ることである。
　そして、刊行物２にはヤング率が１００ＧＰａ以下のガラスセラミック焼結体からなるセラミック基板が記載されていることから、刊行物１記載発明において、相違点２のごとく、「絶縁基板のヤング率が１２０ＧＰａ以下」と規定することは、当業者が適宜なし得たことと認められる。さらに、当該数値限定に格別の臨界的意義があるものとも認められない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
周知例２：特開平４−１８２３６７号公報
（周２ａ）「［産業上の利用分野］
　本発明は、金属板接合セラミックス基板に関し、熱応力を緩和した構造に係る。
［従来の技術］
　金属とセラミックス基板の熱膨張率、ヤング率の違いにより耐熱衝撃試験（・・・熱衝撃を繰返してセラミックス基板に亀裂の入るまでの回数を測定する試験）中に、セラミックス基板に熱応力が発生し、亀裂が発生する。」（１頁左下欄１４行〜右上欄２行）
　
　そして、本願補正発明１による効果も刊行物１、２の記載及び上記周知技術から予測できる程度のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、審判請求人は、意見書、審判請求書において、刊行物１記載発明は加圧焼成を行う点で、本願補正発明１と相違する旨主張する。しかしながら、当該主張の相違点は製造方法の発明における相違点であって、製造された多層配線基板という物の発明においては妥当しない主張であり、補正後の請求項１の記載に基づいていない。
　したがって、上記主張は採用し得ない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１７年４月１８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至６に係る発明は、平成１６年８月９日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された事項により特定されとおりであるところ、そのうち本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】ガラスセラミックスから成る絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び／または内部に形成された配線回路層とを具備する配線基板であって、該絶縁基板の少なくとも内部に、金属成分の含有量が９９．５重量％以上の高純度金属導体からなる内部配線回路層を具備し、且つ該絶縁基板のヤング率が１２０ＧＰａ以下であることを特徴とする多層配線基板。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１における内部配線回路層について、「９９．５重量％以上の金属箔」を「９９．５重量％以上の高純度金属導体」とするものである。そして、「高純度」とは、その意味を考慮すると、「９９．５重量％以上」に内包されていると言えるから、本願発明１は、本願補正発明１から、導体が「箔」であることの限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．当審の判断」に記載したとおり、刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。