【事件の表示】
　特願２００４−　２９５５５「半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月　７日出願公開、特開２００４−２８２０３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１６年２月５日（優先日、平成１５年２月２８日）の特許出願であって、その請求項１ないし請求項４に係る発明は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして溝を形成するダイサーと、
　前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に粘着テープを貼り付けるテープ貼り付け装置と、
　前記半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記ハーフカットによって形成された溝に達する深さまで研削する研削装置と、
　前記ダイサーによるダイシング位置に対応してレーザー光線の照射位置を移動し、前記半導体ウェーハのダイシング領域に形成された切削条痕を溶融または気化するレーザー照射装置と
　を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。」
　
第２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１９５８２６号公報（以下「引用例１」という。）及び特開２０００−２９９３５４号公報（以下「引用例２」という。）の記載内容は以下のとおりである。
１　引用例１
（１）引用例１記載の事項
　引用例１には以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明はウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法に関するもので、特に、ウェーハ上に形成された半導体素子を個々のチップに切断分離し、外囲器に封止する工程に係り、外囲器の小型薄厚化やウェーハの大口径化時に好適なものである。」
イ　段落【００４５】〜【００４９】
「【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１ないし図６はそれぞれ、この発明の第１の実施の形態に係るウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図１はダイシングラインに沿ってウェーハに溝を形成する工程、図２（ａ），（ｂ）はウェーハに表面保護テープを貼り付ける工程、図３はウェーハ裏面の研削及び研磨工程（分割工程）、図４は分離したチップをピックアップする工程、図５はダイボンディング工程及び図６は外囲器に封止する工程をそれぞれ示している。
　図１ないし図６において、２１は各種の半導体素子が形成されたウェーハ、２１’はパターン形成面（ウェーハ２１の主表面）、２２はダイシングラインに沿って形成された溝、２３はダイシング用チャックテーブル、２４はダイシング用ブレード、２５はフラットリング、２６はパターン形成面の表面保護テープ（粘着性のシート）、２７は裏面研削用チャックテーブル、２８は裏面研削用砥石、２９は切断分離後のチップ、３０はピックアップニードル、３１はリードフレームのアイランド（ベッド）、３２は導電性ペースト等のダイボンディング用接着剤、３３は樹脂パッケージまたはセラミックパッケージ（外囲器）、３４はリードフレーム、及び３５はボンディングワイヤである。
　先ず、図１に示す如く、各種の半導体素子が形成されたウェーハ２１をパターン形成面側を上にして、ダイシング装置のチャックテーブル２３にバキュームその他の方法で吸着して固定する。そして、ダイシング用ブレード２４を任意の回転数で回転させ、切削水を掛けながら所定の深さまで溝２２を切り込む。この溝２２の深さは、完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深くする。その後、ウェーハ２１の洗浄と乾燥処理を行う。
　次に、図２（ａ）に示すようなフラットリング２５を表面保護テープ２６に貼り付けてこのテープ２６の弛みや皺を除去した状態で、図２（ｂ）に示すように前工程で溝２２を形成したウェーハ２１のパターン形成面２１’をテープ２６の接着剤側に貼り付けて固定する。
　その後、図３に示すように、上記フラットリング２５と表面保護テープ２６とで保持されたウェーハ２１を、研削装置のチャックテーブル２７にバキューム等の方法で吸着固定する。そして、チャックテーブル２７と研削用砥石２８を回転させ、砥石２８を降下させながらウェーハ２１の裏面を削る。一般にこの研削方法はインフィード研削と呼ばれるものであるが、別の方法としてスルーフィード研削またはクリープフィード研削と呼ばれ、ウェーハ２１と砥石２８を回転させながら削る方法を用いても良い。上記ウェーハ２１の裏面を、溝に達するまで削ると、ウェーハ２１は個々のチップ２９に分割される。この発明では、ウェーハ２１が個々のチップ２９に分割された後も研削及び研磨を続け、少なくとも５μｍ以上研削及び研磨する。これによって、ダイシングによって形成された面と研削及び研磨によって形成された面とが交わる部分にチッピングが発生しても、この領域を研削及び研磨によって除去できる。研削及び研磨する量を増加させれば、より大きなチッピングを除去できるが、この研削及び研磨量はウェーハ２１の厚さや完成時のチップ２９の厚さ等必要に応じて設定すればよい。」
（２）引用例１記載の発明
　引用例１記載の事項を技術常識を考慮に入れながら本願発明に照らして整理すると引用例１には以下の発明が記載されていると認める。
「各種の半導体素子が形成されたウェーハ２１に、ダイシングラインに沿って所定の深さまで溝２２を切り込むダイシング用ブレード２４と、
　前記ウェーハ２１のパターン形成面２１’に粘着性のシートから成る表面保護テープ２６を貼り付けるテープ貼り付け装置と、
　前記ウェーハ２１の裏面を、少なくとも前記溝２２に達する深さまで研削する研削装置と
　を具備する半導体装置の製造装置。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）
２　引用例２
　引用例２には以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、キャリアテープに半導体チップが搭載されるＴＣＰ（Tape Carrier Package) などの表面実装型パッケージに好適に実施することができる半導体装置およびその製造方法に関する。」
イ　段落【００４１】〜【００４４】
「【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態の半導体装置３１を示す斜視図であり、図２は図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た半導体装置３１を上下方向を反転して示す拡大断面図である。本実施の形態の半導体装置３１は、半導体チップ３２と、この半導体チップ３２が搭載されるチップ基板３３とを含む。半導体チップ３２は、複数の半導体素子が形成される一表面３４と、この一表面３４とは半導体チップ３２の厚み方向（図２の上下方向）に反対側の表面であって、後述する研磨傷３５がエッチングによって除去された平滑な他表面３６と、後述するダイシング傷３７ａ〜３７ｄ（総称する場合には、添字ａ〜ｄを省略する）がエッチングによって除去された平滑な４つの側面３８ａ〜３８ｄ（総称する場合には、添字ａ〜ｄは省略する）とを有し、図２の紙面に垂直な方向に長手の四角柱状の外観形状を有する。
　このような半導体チップ３２は、封止樹脂３９によって薄板状のチップ基板３３に接着される。チップ基板３３は、たとえば幅３５ｍｍのポリイミドフィルムから成る長尺のキャリアテープの実行パターン領域を金型によって打ち抜いたものである。チップ基板３３の一表面４１には、各複数の入力側配線４２および出力側配線４３が形成され、これらの入力側配線４２および出力側配線４３には、チップ基板３３のほぼ中央に設けられる透孔４３内に両側から突出する各複数のインナリード４４，４５がそれぞれ一体的に連なって形成される。インナリード４４，４５の前記透孔４３内に突出する先端部は、半導体チップ３２の一表面３４上に形成されるバンプ４７，４８を介して前記半導体素子の各端子または電極に接続される。
　図３は、半導体チップ３２の他表面３６の状態を説明するための一部の拡大断面図であり、図３（ａ）はエッチング処理前の他表面３６の状態を示し、図３（ｂ）はエッチング処理後の他表面３６の状態を示す。前記半導体チップ３２は、拡散工程などを経て一表面３４に半導体素子が形成された半導体ウエハの他表面３６を、平坦化処理のために研磨を行った後、その研磨後の半導体ウエハを、格子状のスクライブ線に沿ってダイシングソーと呼ばれる極薄の回転丸刃によって切断することによって形成される。したがってダイシング後の半導体チップ３２には、図３（ａ）に示されるように、他表面３６に多数の研磨傷３５が残存しており、また各側面３８にダイシング傷３７が残存している。このような研磨傷３５およびダイシング傷３７を除去すること、すなわち、図３（ｂ）に示されるように、研磨傷３５の発生領域４９およびダイシング傷３７の発生領域５０を除去することによって、前記半導体チップ３２の機械的強度を向上することができる。
　前記研磨傷３５を除去する方法としては、エッチング液に半導体チップ３２を浸漬するウエットエッチングによる方法と、レーザで半導体チップ３２の研磨傷３５の発生領域４９を熔融する方法と、前記研磨傷３５の発生領域３７をプラズマでエッチングするドライエッチングによる方法とがある。・・・。」
　これらの記載事項から引用例２には以下の事項が記載されていると認める。
「半導体装置において、半導体チップ３２の側面３８に残存するダイシング傷３７をレーザで熔融して除去すること。」（以下、「引用例２記載の事項」という。）
　
第３　対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例１記載の発明の「各種の半導体素子が形成されたウェーハ２１」は、本願発明の「半導体ウェーハ」に相当することが明らかである。
　そして、引用例１記載の発明において、「各種の半導体素子が形成されたウェーハ２１に、ダイシングラインに沿って所定の深さまで溝２２を切り込む」ことは、「半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして溝を形成する」ことにほかならず、引用例１記載の発明の「ダイシング用ブレード２４」は、本願発明の「ダイサー」に相当する。
　また、引用例１記載の発明の「ウェーハ２１のパターン形成面２１’」、「粘着性のシートから成る表面保護テープ２６」及び「ウェーハ２１の裏面」は、それぞれ本願発明の「半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面」、「粘着テープ」及び「半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面」に相当する。
　したがって、本願発明と引用例１記載の発明とは以下の点で一致している。
［一致点］
「半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして溝を形成するダイサーと、
　前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に粘着テープを貼り付けるテープ貼り付け装置と、
　前記半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記ハーフカットによって形成された溝に達する深さまで研削する研削装置と
　を具備する半導体装置の製造装置。」
　そして、本願発明と引用例１記載の発明とは以下の点で相違している。
［相違点］
　本願発明では、ダイサーによるダイシング位置に対応してレーザー光線の照射位置を移動し、半導体ウェーハのダイシング領域に形成された切削条痕を溶融または気化するレーザー照射装置を具備しているのに対して、引用例１記載の発明では、そのようなレーザー照射装置を具備していない点。
　
第４　相違点についての検討
　上記第２の２で認定したように引用例２には「半導体装置において、半導体チップ３２の側面３８に残存するダイシング傷３７をレーザで熔融して除去すること。」が記載されている。                                      
　そして、引用例２記載の事項及び引用例１記載の発明は、いずれも半導体装置に関する技術であることからみて、引用例２記載の事項を引用例１記載の発明に適用して、ダイサーにより溝を形成する際に生じるダイシング傷、すなわち、半導体ウェーハのダイシング領域に形成された切削条痕を溶融または気化するレーザー照射装置を具備することに格別の困難性は見当たらない。
　また、本願発明では、ダイサーによるダイシング位置に対応してレーザー光線の照射位置を移動するように構成しているが、切削条痕が半導体ウェーハのダイシング領域に形成されることを考慮すると、このように構成することは、上記適用に当たって当業者が当然採用すべき、単なる設計的事項にすぎない。
　そして、本願発明の採用する構成によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
第５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　なお、本件出願の請求項１に係る発明も、切断装置に追従してレーザを照射することが特開昭６３−２９３９３９号公報（第３頁左上欄第１８行〜右上欄第１行参照。）に記載されているように周知の技術であったことからすれば、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得る程度の発明であって格別の発明性を備えるものではない。
　
　以上のとおり、本件出願は拒絶されるべきものであるから結論のとおり審決する。