【事件の表示】
　特願２００１−１５１１１２「キャパシタンスの小さい積み重ね式過電圧保護素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月　６日出願公開、特開２００２−３５３００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　本願発明　
　本願は、平成１３年５月２１日の出願であって、平成１７年２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定された次のとおりのものである。
「【請求項１】　過電圧保護素子であって、
　基板と、
　当該基板の上に形成される電導性下部電極層と、
　当該下部電極層の上に形成される電圧に対して敏感な材料層と、
　当該電圧に対して敏感な材料層の上に形成され、１つの接続孔がある、キャパシタンスの制限された低絶縁性材料層と、
　前記電圧に対して敏感な材料層の上に形成される電導性上部電極層と、
　からなることを特徴とする、キャパシタンスの小さい積み重ね式電圧保護素子。」
　
第２　刊行物及び周知例に記載された発明
　１　刊行物１：特開平８−２１１４０９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用文献４として引用された刊行物１には、「液晶表示装置」（発明の名称）に関して、図１，３，８，９とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２端子の非線形素子を用いた液晶表示装置に関するものであり、さらに詳しくは、
コンタクトホール開口部を素子駆動部とした２端子の非線形素子を用いた液晶表示装置に関する
「【０００４】上述したような、液晶を用いて大容量の文字や画像などの表示を行う方法としては、２端子の非線形素子、あるいは３端子の能動素子を用いる２種類の方法について盛んに研究開発が進められている。特に、２端子の非線形素子は、３端子の能動素子に比べて構造が簡単なため、製造工程が少ないという特徴をもっている。
【０００５】上記２端子の非線形素子を用いる方法としては、容量の非線形性を利用する方法と、電気抵抗の非線形性を利用する方法とに大きく分けられる。しかしながら、容量の非線形性を利用する方法については駆動電圧が高い等の欠点が有り、現在実用化にまでは至っていない。
【０００６】もう一方の、
電気抵抗の非線形性を用いる方法としては、
ＺｎＯのバリスタを用いる方法
現在では、非線形抵抗層にＴａ
２
Ｏ
５
を用いたＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ　Ｍｅｔａｌ）型の２端子素子が、液晶表示装置として商品化されている
「【００１１】これは、
図８に示すように、絶縁基板５１上にＴａからなる第１電極５２を形成し、Ｔａ
２
Ｏ
５
からなる非線形抵抗層５３を形成した後、中間層５４を設け、コンタクトホール５５を形成して、第２電極５６を形成した後、画素電極５７を形成するというものである。この構造では、素子容量は、コンタクトホール５５の面積により決定されている
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構造のマトリクスアレイを対向基板と組み合わせて液晶表示装置を構成した場合における各画素の等価回路は、図９に示すように、素子容量ＣＤ６０と非線形抵抗６１との並列回路である非線形素子６２と、液晶容量ＣＬＣ６３と液晶の抵抗６４との並列回路である液晶層６５との直列結合と見なすことができる。従って、走査信号とデータ信号とが与えられたとき、端子６６と端子６７との間で電圧Ｖが発生し、この電圧Ｖは、素子容量６０と液晶容量６３とにより、容量分割され、素子に印加される電圧はＶＤ＝Ｖ×ＣＬＣ／（ＣＬＣ＋ＣＤ）となる。このことより、
素子容量Ｃ
Ｄ
６０が液晶容量Ｃ
ＬＣ
６３よりも十分に小さければ（Ｃ
Ｄ
≪Ｃ
ＬＣ
）、電圧の大部分が非線形素子６２にかかり、低抵抗素子として動作するので画素電極に十分な電荷量を蓄積することができる
【００１３】しかしながら、
非線形素子６２と液晶層６５との容量比が大きくとれない場合には、非線形素子がスイッチング機能を果たさなくなってしまう
上述した構造の非線形素子においては、容量比を大きくする為にコンタクトホール５５の面積を小さくすることが考えられる
「【００４２】（実施例２）本実施例に係る非線形素子を用いた液晶表示装置の平面図は、実施例１と同様に図１で示され、図３は、図１のＡ−Ａ´線における断面図を示している。このとき、図面の各符号は図２と共通で示してあり、これら、図１及び図３に従って本実施例の詳細を具体的に説明する。
【００４３】図１及び図２において、
ガラス基板等の絶縁基板１００上に第１電極１０２をＴａ等の金属を用いて
形成した
【００４４】次に、基板１００全面に
非線形抵抗層１１０をＴａ
２
Ｏ
５
で形成した
第２電極１０６を形成
【００４５】次に、
ＳｉＯ
２
等の絶縁膜１０４を
形成した
コンタクトホール１０８を第１電極１０２上の絶縁膜１０４に形成した
画素電極１２０をＡｌやＩＴＯなどをパターニングして形成した
【００４６】ここで、第２電極１０６と画素電極１２０との間で、実施例１と同様の方法で付加容量部１２２を形成し、その付加容量ＣＳを、非線形素子の素子容量ＣＤとは直列に、液晶容量ＣＬＣとは並列に形成することにより、容量比（ＣＬＣ＋ＣＳ）／ＣＤを大きくすることができる。従って、データ信号と走査信号との電圧の大部分が非線形素子にかかるので、これが低抵抗素子として動作し、画素電極１２０に電荷を蓄積することが可能となる。」
　以上から、刊行物１には、
「非線形素子であって、
　絶縁基板と、
　当該絶縁基板の上に形成される第１電極と、
　当該第１電極の上に形成されるＴａ２Ｏ５からなる非線形抵抗層と、
　当該非線形抵抗層の上に形成され、１つのコンタクトホールがある、中間層と、
　前記非線形抵抗層の上に形成される第２電極と、
　からなる液晶表示装置のスイッチング素子として用いられた非線形素子。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　２　周知例１：特開昭６１−２３７４０１号公報
　周知例１には、「電圧非直線抵抗素子」（発明の名称）に関して、第１図〜第６図とともに以下の事項が記載されている。
「（従来技術）
　
電圧非直線抵抗素子として
ＺｎＯ
バリスタ
「それゆえに、この発明の主たる目的は、他の性能の劣化ないし低下がなくしかも
静電容量の小さい、電圧非直線抵抗素子を提供する
「したがって、
帯状電極１６ａと１６ｂとが対向して重なり合う部分の面積が、ユニットの両面の全面にわたって電極を形成した従来のバリスタに比べて非常に小さいので、静電容量を大幅に小さくし得る
　
　３　周知例２：特開平６−１３２６０号公報
　周知例２には、「積層セラミック磁器素子」（発明の名称）に関して、図１〜図４とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器や電気機器で発生するノイズ、パルス、
静電気などの異常高電圧
回路を保護する目的で使用される積層セラミック磁器素子
「【０００９】また、
内部電極層の形状を種々変えることにより有効電極面積を使用目的に応じて変えることができ
有効電極面積を小さくすることにより静電容量を小さくすることができる
【００１０】これにより静電容量が小さくなるのに伴いノイズ減衰率が最大になる共振周波数を高くすることができ、信号ラインに乗ってくる高周波ノイズを吸収、抑制することができる。また、有効電極面の形状を種々変えることにより静電容量を変えることなく吸収できるノイズエネルギーの大きさを調節することができる。」
　
　４　周知例３：特開２０００−６８１１２号公報
　周知例３には、「電圧非直線性抵抗体磁器組成物及び電圧非直線性抵抗体」（発明の名称）に関して、図１とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
各種電子機器などの回路電圧の安定化やサージ及びノイズ吸収等に利用される誘電率の低い、高周波特性のすぐれた電圧非直線性抵抗体磁器組成物及び電圧非直線性抵抗体に関する
【０００２】
【従来の技術】従来電子機器などの
過電圧保護用に酸化亜鉛バリスタが使用されている
【０００３】最近は、これらのもの以外に、ノイズ・静電気対策部品として表面実装タイプの積層チップバリスタも注目されており、多く使用されるようになった。しかし表面実装タイプの積層チップバリスタは、使用対象が、微弱な信号波形を取扱う分野にも適用されるため、波形の変化が問題になっており、それに伴い
バリスタの持つ静電容量が問題になってきている。即ち静電容量が大きいと信号波形が矩形波形のとき歪みが生じるという問題がある
【０００４】
静電容量の少ない積層チップバリスタを得るため、特開平６−１３２６０号公報に記載されているように、積層チップバリスタの内部電極の重なり部分を少なくして静電容量を小さくしたものが知られている
　
　５　周知例４：特開昭６４−９０５０１号公報
　周知例４には、「電圧非直線性素子」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「産業上の利用分野
本発明は
印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さらにはマトリックス駆動の液晶、ＥＬなどの表示デバイスのスイッチング素子などに利用されるものである
　従来の技術
　従来の電圧非直線性素子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）・・・
ＺｎＯバリスタ
　
　６　周知例５：特開平４−２３４１０２号公報
　周知例５には、「薄膜バリスタ」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】
バリスタは非直線性の電圧−電流特性を有し、
サージ（異常過電圧）吸収用、液晶デイスプレイの駆動素子用などに広く用いられている。バリスタとしては、ＺｎＯを主成分とし
　
　７　周知例６：特開平６−７７０１２号公報
　周知例６には、「電圧非線形素子とその製造方法および製造用金属有機物ペースト、並びに上記電圧非線形素子を駆動素子とする液晶表示装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
サージ吸収，電圧安定，過電圧抑制，あるいはスイッチング素子等の用途に好適な非線形な電圧電流特性をもつ電圧非線形素子
電圧非線形素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置
【０００２】
【従来の技術】
印加電圧に対して急峻な抵抗値変化を示し、電圧電流特性が非線形である電圧非線形素子として，所謂バリスタ素子が知られている
ＺｎＯを主成分とし
　
第３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「絶縁基板」、「第１電極」、「コンタクトホール」、「第２電極」は、それぞれ本願発明の「基板」、「電導性下部電極層」、「接続孔」、「電導性上部電極層」に相当する。
　また、引用発明の「中間層」は、刊行物１の図３の実施例２では、ＳｉＯ２等の絶縁膜であり、「中間層」は絶縁性の材料から形成された層であることは、明らかであるから、引用発明の「中間層」は、本願発明の「絶縁性材料層」に相当する。
　さらに、引用発明の「非線形素子」と本願発明の「過電圧保護素子」は、「素子」として共通している。
　引用発明の「Ｔａ２Ｏ５からなる非線形抵抗層」は、「材料層」と言えるので、本願発明の「電圧に対して敏感な材料層」とは、「材料層」として共通している。
　ゆえに、両者は、
「素子であって、
　基板と、
　当該基板の上に形成される電導性下部電極層と、
　当該下部電極層の上に形成される材料層と、
　当該材料層の上に形成され、１つの接続孔がある、絶縁性材料層と、
　前記材料層の上に形成される電導性上部電極層と、
　からなることを特徴とする、素子。」で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願発明では、「過電圧保護素子」であるのに対して、引用発明では、「液晶表示装置のスイッチング素子として用いられた非線形素子」である点。
［相違点２］材料層が、本願発明では、「電圧に対して敏感な材料層」であるのに対して、引用発明では、「Ｔａ２Ｏ５からなる非線形抵抗層」である点。
［相違点３］絶縁性材料層が、本願発明では、「キャパシタンスの制限された低絶縁性材料層」であるのに対して、引用発明では、「中間層」である点。
［相違点４］本願発明では、「キャパシタンスの小さい」との限定があるのに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
［相違点５］本願発明では、「積み重ね式」であるのに対して、引用発明では、そのような特定がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　例えば、周知例１〜３にも示されるように、バリスタなどの非線形素子を「過電圧保護素子」として用いる場合に、静電容量を小さくすることは、周知の課題であり、静電容量を小さくするために電極の対向面積を小さくすることも周知技術である。
　そして、刊行物１には、「【００１１】これは、
図８に示すように
この構造では、素子容量は、コンタクトホール５５の面積により決定されている
容量比を大きくする為にコンタクトホール５５の面積を小さくすることが考えられる
　また、「液晶表示装置のスイッチング素子」として用いられた「非線形素子」も「過電圧保護素子」として用いられた「非線形素子」も、「非線形素子」としては、共通の技術分野である。
　さらに、例えば、周知例４〜６にも示されるように、バリスタなどの非線形素子を従来からの用途である「過電圧保護素子」として用いる他に、「液晶表示装置のスイッチング素子」としても用いられることは、周知技術であるから、「液晶表示装置のスイッチング素子」として用いられた非線形素子に関する技術を「過電圧保護素子」の非線形素子に適用することに、格別の困難性は認められない。
　したがって、引用発明の非線形素子は、「液晶表示装置のスイッチング素子として用いられた非線形素子」であるが、この非線形素子に関する技術を「過電圧保護素子」の非線形素子に適用し、電極の対向面積を小さくして静電容量を小さくすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２］
　本願明細書には、「【００２４】また、従来から、過電圧保護素子として用いる材料層の物質はいろいろ知られているが、その中でも、
電気抵抗の変化に富む酸化亜鉛は有名である
　仮に、相違点であるとしても、本願発明の「電圧に対して敏感な材料層」の具体的材料として本願明細書の【００２４】に記載された「酸化亜鉛」は、過電圧保護素子として用いる材料層の物質として有名、すなわち周知であることを請求人自らも認めており、さらに、非線形素子として、例えば、刊行物１の【０００６】に「
電気抵抗の非線形性を用いる方法としては
ＺｎＯのバリスタを用いる方法
　
［相違点３］
　引用発明の「中間層」は、図３の実施例２では、ＳｉＯ２等の絶縁膜であり、引用発明の「中間層」をＳｉＯ２の絶縁膜とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、「キャパシタンスの制限された低絶縁性材料層」との意味は、必ずしも明確でないが、請求人は審判請求書において「（３）（ａ）・・・低絶縁性材料層は、具体的には誘電率が３０以下・・・」と主張しているので、仮に請求人主張のように解釈したとしても、ＳｉＯ２の誘電率は、約４程度であるから、引用発明の「中間層」をＳｉＯ２の絶縁膜としたものは、本願発明の「キャパシタンスの制限された低絶縁性材料層」に相当する。
　仮に、相当しないとしても、引用発明においても非線形素子の静電容量を小さくすることが目的であり、さらに、相違点１で記載したように、過電圧保護素子においても、静電容量を小さくすることは、周知の課題であるから、引用発明において、静電容量を小さくするために、「中間層」を「キャパシタンスの制限された低絶縁性材料層」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点４］
　引用発明においても非線形素子の静電容量を小さくすることが目的であり、引用発明においても「キャパシタンスの小さい」ものとなっているから、相違点４は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、引用発明においても非線形素子の静電容量を小さくすることが目的であり、さらに、相違点１で記載したように、過電圧保護素子においても、静電容量を小さくすることは、周知の課題であるから、引用発明において、「キャパシタンスの小さい」ものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点５］
　引用発明においても実質的に「積み重ね式」となっているので、相違点５は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、「積み重ね式」の過電圧保護素子は、周知技術であるから、引用発明において、「積み重ね式」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物１に記載された発明及び周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　結び
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。