【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの対象物（１１２）の光学的検出のための検出器（１１０）であって；
−少なくとも１つの縦方向光センサ（１１４）、ここで、該縦方向光センサは（１１４）は、少なくとも１つのセンサ領域（１３０）を有し、前記縦方向光センサ（１１４）は、少なくとも１つの縦方向センサ信号を、光ビーム（１３２）による前記センサ領域（１３０）の照明に依存する仕方で、生成するように設計されており、前記縦方向センサ信号は、照明の全パワーが同じである場合、前記センサ領域（１３０）内の前記光ビーム（１３２）のビーム断面に依存し、前記縦方向センサ信号は、前記センサ領域（１３０）に含まれる少なくとも１つの半導体材料（１３４）によって生成され、高抵抗材料が前記半導体材料（１３４）の表面の一部に存在し、前記高抵抗材料は、前記半導体材料（１３４）の電気抵抗に等しいか又はこれを超える電気抵抗を示す；及び
−少なくとも１つの評価装置（１５０）、ここで、該評価装置（１５０）は、前記縦方向光センサ（１１４）の前記縦方向センサ信号を評価することによって前記対象物（１１２）の縦方向位置に関する情報の少なくとも１つの項目を生成するように設計されている、
を有することを特徴とする検出器（１１０）。
【請求項２】
前記高抵抗材料が境界、界面及び／又は接合部（１９０）の少なくとも１つによって前記半導体材料（１３４）から分離されている、及び／又は、前記境界、界面及び／又は接合部（１９０）の少なくとも１つが高抵抗材料を含む、請求項１に記載の検出器（１１０）。
【請求項３】
前記半導体材料（１３４）は、半導体層（１３６）の形態で提供され、前記半導体層（１３６）は、２つの対向する表面領域（１６０、１６２）を有する請求項１又は２に記載の検出器（１１０）。
【請求項４】
前記半導体層（１３６）は、半導体微結晶質針を有し、前記半導体微結晶質針の少なくとも一部は、前記半導体層（１３６）の前記表面領域（１６０、１６２）に対して垂直に配向される請求項３に記載の検出器（１１０）。
【請求項５】
前記半導体層（１３６）の２つの前記表面領域（１６０、１６２）の少なくとも１つは、高抵抗層（１６４）に隣接しており、該高抵抗層（１６４）の電気抵抗は、隣接する前記半導体層（１３６）の電気抵抗を超える請求項３又は４に記載の検出器（１１０）。
【請求項６】
前記半導体層（１３６）の２つの前記表面領域（１６０、１６２）の少なくとも１つは、金属層に隣接しており、高抵抗空乏領域が、前記半導体層（１３６）と前記隣接する金属層との間に存在する請求項３から５の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項７】
前記半導体材料（１３４）は、少なくとも１つのｎ型半導体材料（１８６）及び少なくとも１つのｐ型半導体材料（１８８）を有し、少なくとも１つの接合部（１９０）が、前記ｎ型半導体材料（１８６）と前記ｐ型半導体材料（１８８）との間に位置する請求項２から６の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項８】
ｉ型半導体材料が、前記n型半導体材料（１８６）と前記ｐ型半導体材料（１８８）との間の前記接合部（１９０）に配置されている請求項７に記載の検出器（１１０）。
【請求項９】
複数の前記接合部（１９０）が前記半導体材料（１３４）内に配置される、請求項７又は８に記載の検出器（１１０）。
【請求項１０】
２つの隣接する前記接合部（１９０）が絶縁層（２００）によって分離されている、請求項７から９の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項１１】
前記半導体層（１３６）は、少なくとも２つの電極層（１６６、１６８）の間に埋め込まれている請求項３から１０の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項１２】
前記２つの電極層（１６６、１６８）にバイアス電圧が印加される請求項１１に記載の検出器（１１０）。
【請求項１３】
前記バイアス電圧は、前記センサ領域（１３０）における前記縦方向センサ信号の前記光ビーム（１３２）のビーム断面依存性を調整するように構成されている請求項１２に記載の検出器（１１０）。
【請求項１４】
前記半導体層（１３６）の前記表面領域（１６０、１６２）の１つは、前記高抵抗層（１６４）に隣接しており、前記半導体層（１３６）の前記表面領域（１６０、１６２）の他の１つは、前記電極層（１６６、１６８）の１つに隣接している請求項１１から１３の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項１５】
前記高抵抗層（１６４）は、前記電極層（１６６、１６８）の他方に隣接する請求項１４に記載の検出器（１１０）。
【請求項１６】
前記電極層（１６６、１６８）の1つが分割電極（１７２）であり、該分割電極（１７２）が少なくとも２つの別個の部分電極（１７４、１７６）を有する請求項１１から１５の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項１７】
少なくとも２つの前記部分電極（１７４、１７６）は、中間抵抗層（１７８）上の異なる位置に配置されており、該中間体抵抗層（１７８）は、前記高抵抗層（１６４）に隣接して配置されており、前記中間抵抗層（１７８）の電気抵抗は、前記分割電極（１７２）の電気抵抗率を超えるが、前記高抵抗層（１６４）の電気抵抗率を下回る請求項１６に記載の検出器（１１０）。
【請求項１８】
少なくとも２つの前記部分電極（１７４、１７６）は、前記中間抵抗層（１７８）の同じ側に付される請求項１７に記載の検出器（１１０）。
【請求項１９】
少なくとも２つの前記部分電極（１７４、１７６）は、横方向光センサ（２６０）として使用され、該横方向光センサ（２６０）は、前記対象物（１１２）から前記検出器（１１０）まで伝搬する前記光ビーム（１３２）の横方向位置を決定するように適合されており、前記横方向位置は、前記検出器（１１０）の光軸（１１６）に垂直な少なくとも１つの次元の位置であり、前記横方向光センサ（２６０）は、少なくとも１つの横方向センサ信号を生成するように適合されており、前記評価装置（１５０）は、前記横方向センサ信号を評価することにより前記対象物（１１２）の前記横方向位置に関する情報の少なくとも１つの項目を生成するように更に設計されている請求項１６から１８の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項２０】
前記半導体材料（１３４）が、半導体単結晶、アモルファス、ナノ結晶又は微結晶の相（２０４）の形態で提供され、前記半導体相（２０４）は半導体粒子（２０６）を有しており、該半導体粒子（２０６）の表面の一部は高抵抗コーティング（２０８）により覆われており、該高抵抗コーティング（２０８）の電気抵抗は、前記半導体粒子（２０６）の電気抵抗を越える請求項１から１９の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項２１】
前記半導体相（２０４）は、単結晶、アモルファス、ナノ結晶又は微結晶のシリコンを有する請求項２０に記載の検出器（１１０）。
【請求項２２】
前記光ビーム（１３２）は、無変調の連続波光ビームである請求項１から２１の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項２３】
少なくとも１つの照明源（１３８）を更に備える請求項１から２２の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項２４】
少なくとも１つの撮像装置（２６６）を更に備える請求項１から２３の何れか１項に記載の検出器（１１０）。
【請求項２５】
少なくとも1つの対象物（１１２）を撮像するためのカメラ（２５２）であって、検出器（１１０）に関する請求項１から２４の何れか１項に記載の検出器（１１０）を少なくとも１つ有することを特徴とするカメラ（２５２）。
【請求項２６】
ユーザ（２７０）と機械（２７４）との間で情報の少なくとも１つの項目を交換するためヒューマンマシンインタフェース（２５４）であって、該ヒューマンマシンインタフェース（２５４）は、検出器（１１０）に関する請求項１から２４の何れか１項に記載の検出器（１１０）を少なくとも１つ有しており、前記ヒューマンマシンインタフェース（２５４）は、前記検出器（１１０）によって前記ユーザ（２７０）の幾何学的情報の少なくとも１つの項目を生成するように設計されており、前記ヒューマンマシンインタフェース（２５４）は、少なくとも１つの情報の項目を幾何学的情報に割り当てるように設計されていることを特徴とするヒューマンマシンインタフェース（２５４）。
【請求項２７】
少なくとも１つの娯楽機能を実行するための娯楽装置（２５６）であって、該娯楽装置（２５６）は、請求項２６に記載のヒューマンマシンインタフェース（２５４）を少なくとも１つ有しており、前記娯楽装置（２５６）は、少なくとも１つの情報の項目が前記ヒューマンマシンインタフェース（２５４）を使用してユーザ（２７０）によって入力されることを可能にするように設計されており、前記娯楽装置は、情報に従って前記娯楽機能を変更するように設計されていることを特徴とする娯楽装置（２５６）。
【請求項２８】
少なくとも１つの移動可能な対象物（１１２）の位置を追跡するための追跡システム（２５８）であって、該追跡システム（２５８）は、検出器（１１０）に言及する請求項１から２４の何れか１項に記載の検出器（１１０）を少なくとも１つ有しており、前記追跡システム（２５８）は、少なくとも１つの追跡コントローラ（２７６）を更に有しており、該追跡コントローラ（２７６）は、前記対象物（１１２）の一連の位置を追跡するように適合されており、各々の位置は、特定の時点での前記対象物（１１２）の少なくとも縦方向位置に関する情報の少なくとも１つの項目を有することを特徴とする追跡システム（２５８）。
【請求項２９】
少なくとも１つの対象物（１１２）の少なくとも１つの位置を決定するための走査システムであって、該走査システムは、検出器（１１０）に関連する請求項１から２４の何れか１項に記載の検出器（１１０）を少なくとも１つ有しており、前記走査システムは、少なくとも1つの前記対象物（１１２）の少なくとも1つの表面に配置された少なくとも1つのドットの照明のために構成された少なくとも1つの光ビームを放射するように適合された少なくとも１つの照明源を更に有しており、前記走査システムは、少なくとも１つの前記検出器（１１０）を使用することによって、少なくとも1つのドットと走査システムとの間の距離に関する情報の少なくとも１つの項目を生成するように設計されていることを特徴とする走査操作システム。
【請求項３０】
少なくとも1つの対象物（１１２）の光学的検出のための方法であって：
−少なくとも１つの縦方向光センサ（１１４）を使用することによって少なくとも1つの縦方向センサ信号を生成する工程、ここで、該縦方向センサ信号は、光ビーム（１３２）による縦方向光センサ（１１４）のセンサ領域（１３０）の照明に依存し、前記縦方向センサ信号は、照明の全パワーが同じである場合、前記センサ領域（１３０）内の前記光ビーム（１３２）のビーム断面に依存し、前記縦方向センサ信号は、前記センサ領域（３０）内に含まれる少なくとも１つの半導体材料（１３４）によって生成され、高抵抗材料が前記半導体材料（１３４）の表面の一部に存在し、前記高抵抗材料は、前記半導体材料（１３４）の電気抵抗に等しいかそれを超える電気抵抗を示す；及び
−前記縦方向光センサ（１１４）の前記縦方向センサ信号を評価することによって、前記対象物（１１２）の縦方向位置に関する情報の少なくとも1つの項目を生成する工程、を有することを特徴とする方法。
【請求項３１】
検出器（１１０）に言及する請求項１から２４の何れか１項に記載の検出器（１１０）の使用であって、距離測定、特に交通技術における距離測定、位置測定、特に交通技術における位置測定、エンターテイメントアプリケーション、セキュリティアプリケーション、ヒューマンマシンインタフェースアプリケーション、追跡アプリケーション、写真アプリケーション、撮像アプリケーション又はカメラアプリケーション、少なくとも１つの空間のマップを生成するマッピングアプリケーション、車両用のホーミング又はトラッキングビーコン検出器、サーマルシグネチャを有する対象物の距離及び／又は位置の測定、マシンビジョンアプリケーション、ロボットアプリケーションから成る群から選択される使用の目的のためであることを特徴とする使用。