【事件の表示】
　特願２０００−１３７７５１「半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月１６日出願公開、特開２００１−３１８２８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１２年５月１０日に特許出願したものであって、平成１７年３月２２日付けで手続補正がなされたが、平成１８年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月７日付けで拒絶査定不服審判請求がなされた後、同年１０月１０日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
（ア）本件補正は、補正前の請求項４に
「平均粒径が略２μｍのタングステン粉末と、銅粉末を混合してかつ銅粉末の含有量を１０〜３０重量％としたＣｕＷ混合粉末を得る工程と、
　該混合粉末に焼結補助剤を含有する工程と、
　ＣｕＷ混合粉末にカップリング剤を用いて表面処理する工程と、
　該表面処理されたＣｕＷ混合粉末にバインダーを添加して混練して成型用組成物を得る工程と、
　該成型用組成物を造粒してペレット化する工程と、
　射出成形法により成型しグリーン体を得る工程と、
　該グリーン体からバインダーを除去しブラウン体を得る工程と、
　該ブラウン体を焼結して成型体を得る工程を備えた
ことを特徴とする半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法。」
　
とあるのを、新たな請求項１として下記のように補正しようとする内容を含むものである（下線は、当審において付した。）。
　
「平均粒径が
０．５〜３．５μｍ
　
この
　
前記
、加水分解により水酸基となり前記混合粉末と相互作用し得る官能基と、バインダーと相互作用し得る有機官能基とを有する
　
この
、ポリスチレン、ポリアセタール、ポリエチレングリコールおよび樟脳からなる群から選ばれた１種以上の有機系樹脂、またはこの有機系樹脂とパラフィンワックス、カルナウバワックスおよび蜜蝋からなる群から選ばれた１種以上のワックス類との混合物の
　
この
　
得られたペレットを
　
この
前記
　
この
ことを特徴とする半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法。」
　
（イ）上記（ア）の補正の内容は、「平均粒径が略２μｍのタングステン粉末」を「平均粒径が０．５〜３．５μｍのタングステン粉末」とする補正事項（以下「本件補正事項」という。）を含むものである。
　イ　補正の適否についての判断
　例えば、０．５μｍあるいは３．５μｍが「略２μｍ」の範疇に入るものとは到底解せないから、本件補正事項が、補正前の平均粒径である「略２μｍ」を明りょうにしたものとはいえない。加えて、本件補正事項に係る補正は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものでもない。
　そうすると、本件補正事項に係る補正が、平成１８年改正前特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第４号に規定する事項を目的とするものとはいえない。
　また、平均粒径を「略２μｍ」から「０．５〜３．５μｍ」とすることは、平均粒径の数値範囲を拡張するものと解され、特許請求の範囲の減縮に該当するものといえないから、本件補正事項に係る補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する事項を目的とするものとはいえず、同条第４項第１号または第３号に規定する事項を目的とするものでないことは明らかである。
　
　ウ　小括
　したがって、本件補正事項を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（３）付言
　なお、以下に検討するとおり、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正を認める余地はない。
　
　ア　刊行物の記載
　原査定の拒絶理由に引用した特開平５−３２７０３１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）　「【０００１】
【産業上の利用分野】
　本発明は光半導体モジュールに係り、特に放熱を必要とする半導体素子が内設される光半導体モジュールに関する。
【０００２】
　一般に、光通信に用いられる光半導体モジュールは、ケース内に光半導体素子（レーザダイオード：以下、ＬＤ素子という），ＬＤ素子が発光した光をケース外部に出射するための光学系，ＬＤ素子の発光状態を検出するための受光素子（ホトダイオード：以下、ＰＤ素子という）等を配設した構成とされている。」、
「【００１６】
【課題を解決するための手段】
　上記の課題は、パッケージ本体と蓋体とにより構成されるケース内に、少なくとも光半導体素子を含む複数の素子と、光半導体素子が発光した光をケースの外部に向け出射する光学系と、ケース内における温度管理を行うサーモエレメントとを具備する光半導体モジュールにおいて、上記パッケージ本体を、銅−タングステンの複合材にて形成したことを特徴とする光半導体モジュールにより解決することができる。」、
「【００１８】
　また、上記パッケージ本体を、射出形成焼結法により形成したことにより、また、上記パッケージ本体を構成するフランジ部，光出射窓部，及び筺体部を一体成形することにより、より効果的に解決することができる。」、
「【００３０】
　続いて、本発明の特徴となるケース本体２１の構造について以下説明する。前記のように、ケース本体２１はフランジ部２１ａ，光出射窓部２１ｂ，及び筺体部２１ｃとにより構成されるが、本発明ではこのケース本体２１を銅−タングステンの複合材料により構成すると共に、上記フランジ部２１ａ，光出射窓部２１ｂ，及び筺体部２１ｃ等を射出成形焼結法により一体的に成形したことを特徴とするものである。
【００３１】
　図３は射出成形焼結法を説明するための工程図である。上記のように本実施例ではケース本体２１を銅−タングステンの複合材料により構成するため、銅及びタングステンを用いた射出成形焼結法を例に挙げて説明する。・・・射出成形焼結法による具体的な銅−タングステンの複合材料の製造手順としては、先ずタングステン及び銅を微粉末とし、このタングステン粉末と銅粉末をバインダと混練した後、出射成形（審決注：「射出成形」の誤記と認められる。）して所望の形状を成形する。続いて、この出射成形（審決注：「射出成形」の誤記と認められる。）された成形品に対して熱処理を行うことにより脱脂を行う（即ち、バインダをとばす）。次にこの成形品に対して高熱処理を行うと、銅が溶融しタングステンとの焼結物が形成される。・・・そして、このように形成された成形品に対して切削，研磨等の二次加工が実施され、最終的な成形品が得られる。」
　
（イ）　「【００３４】続いて、上記のようにケース本体２１の材質として銅−タングステンの複合材料を用いた理由について図４を用いて説明する。同図は、各種材料における密度，熱伝導率，線膨張係数を夫々対比して示す図である。
【００３５】
　先ず、銅−タングステンに注目する。同図においては、銅の体積含有率が１０％，１５％，２０％（括弧書で示す）の各銅−タングステンの特性が示されている。同図より、銅−タングステンの線膨張係数は、約6.0〜7.0×10−６deg−１であり、線膨張係数が6.5×10−６deg−１であるセラミックと近い値となっている。一方、熱伝導率に注目すると、銅−タングステンの熱伝導率は0.50〜0.59cal/cm.sec.degであり、従来ケース本体の材料として用いられていたコバール材（熱伝導率が0.04cal/cm.sec.deg）や42alloy（熱伝導率が0.035cal/cm.sec.deg）に比べて高い放熱特性を有している。従って、ケース本体２１の材料として銅−タングステンの複合材料をを（審決注：「複合材料を」の誤記と認められる。）用いることにより、セラミックより構成される基板２３，２４とケース本体２１の熱的な整合性を維持しつつ、放熱特性を向上することができる。」
　
（ウ）引用刊行物の図４には、銅−タングステンの複合材料において、銅の体積含有率を１０％，１５％，２０％とした場合の特性が示されており、同図から、銅の体積含有率が１０％から２０％へ増加するにつれて、密度が減少する一方、熱伝導率が増加することが理解できる。
　
　イ　引用発明
　上記ア（ア）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
「タングステン及び銅を微粉末とし、このタングステン粉末と銅粉末をバインダと混練した後射出成形して所望の形状を成形し、この射出成形された成形品に対して熱処理を行うことにより脱脂を行い（即ち、バインダをとばし）、次にこの成形品に対して高熱処理を行い銅とタングステンとの焼結物を形成し、このように形成された成形品に対して切削，研磨等の二次加工を実施して最終的な成形品を得る、ＬＤ素子を備えた光半導体モジュールのパッケージ本体を射出成形焼結法により形成する方法。」（以下「引用発明」という。）
　
　ウ　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明の「タングステン及び銅を微粉末とし、このタングステン粉末と銅粉末をバインダと混練し」、「射出成形して所望の形状を成形し」、「この射出成形された成形品に対して熱処理を行うことにより脱脂を行い（即ち、バインダをとばし）」、「次にこの成形品に対して高熱処理を行い銅とタングステンとの焼結物を形成し」、「ＬＤ素子を備えた光半導体モジュールのパッケージ本体を・・・形成する方法」は、それぞれ、本願補正発明の「・・・タングステン粉末と、銅粉末・・・に、・・・バインダーを添加して混練して成型用組成物を得る工程」、「射出成形法により成型しグリーン体を得る工程」、「このグリーン体から前記バインダーを除去しブラウン体を得る工程」、「このブラウン体を焼結して成型体を得る工程」、「半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法」に相当する。
　
（イ）したがって、両者は、
「タングステン粉末と銅粉末に、バインダーを添加して混練して成型用組成物を得る工程と、
　射出成形法により成型しグリーン体を得る工程と、
　このグリーン体から前記バインダーを除去しブラウン体を得る工程と、
　このブラウン体を焼結して成型体を得る工程を備えた
半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法。」
である点で一致し、下記ａないしｆの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　本願補正発明では、タングステン粉末の平均粒径が０．５〜３．５μｍであるのに対して、引用発明では、タングステン粉末の平均粒径が不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
　ｂ　本願補正発明は、「タングステン粉末と銅粉末を混合してＣｕＷ混合粉末を得る工程」を備え、銅粉末の含有量を１０〜３０重量％としたのに対して、引用発明は、かかる工程を備えるのか不明であり、銅粉末の含有量も不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
　ｃ　本願補正発明は、「混合粉末に焼結補助剤を含有させる工程」を備えるのに対して、引用発明は、かかる工程を備えるのか不明である点（以下「相違点３」という。）。
　
　ｄ　本願補正発明は、「前記混合粉末に、加水分解により水酸基となり前記混合粉末と相互作用し得る官能基と、バインダーと相互作用し得る有機官能基とを有するカップリング剤を用いて表面処理する工程」を備えるのに対して、引用発明は、かかる工程を備えるのか不明である点（以下「相違点４」という。）。
　
　ｅ　本願補正発明は、「この表面処理された混合粉末に、ポリスチレン、ポリアセタール、ポリエチレングリコールおよび樟脳からなる群から選ばれた１種以上の有機系樹脂、またはこの有機系樹脂とパラフィンワックス、カルナウバワックスおよび蜜蝋からなる群から選ばれた１種以上のワックス類との混合物のバインダーを添加して混練して成型用組成物を得る工程」を備えるのに対して、引用発明は、かかる工程を備えるのか不明である点（以下「相違点５」という。）。
　
　ｆ　本願補正発明は、「この成型用組成物を造粒してペレット化する工程」を備えているのに対して、引用発明は、かかる工程を備えるのか不明である点（以下「相違点６」という。）。
　
　エ　相違点についての判断
（ア）相違点１について
　引用発明において、タングステン粉末の粒径をどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜決定すべきことであるところ、銅及びタングステンを用いた粉末射出成形法に用いられるタングステン粉末の平均粒径を、本願補正発明で規定される「０．５〜３．５μｍ」程度のものとすることも、本願出願前に周知である（例えば、原査定の拒絶理由に引用した特開平９−８７７７５号公報の段落【００１８】「クロム族金属粉末はＷ又はＭｏの粉末が好ましい。・・・クロム族金属粉末の平均粒径は、０．５〜３．０μｍ程度、好ましくは０．８〜２．５μｍ程度、特に好ましくは１．０〜２．０μｍ程度が適当である。」との記載、特開平４−３３３２６５号公報の段落【００１７】「平均粒径がいずれも２〜３μｍのＷ粉末、・・・」との記載参照。）から、引用発明において、タングステン粉末の平均粒径を、本願補正発明で規定される「０．５〜３．５μｍ」程度のものとすることは、当業者が、設計上適宜なし得る程度のことである。
　また、本願明細書の記載をみても、本願補正発明において、タングステン粉末の平均粒径を相違点１のごとく特定した点に、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
（イ）相違点２について
　金属粉末を用いた射出成形法において、成分粉末を混合させることは、本願出願前に周知である（例えば、上記特開平９−８７７７５号公報の段落【００２２】「上記の各成分粉末を秤量の後、擂潰機にて予備混合を行なった後、・・・」との記載、原査定に示した特開平１１−３５０００５号公報の【請求項１７】「前記１）の前に、金属粉末、セラミック粉末、又はこれらの混合粉末に、・・・」との記載参照。）から、引用発明において、タングステン粉末と銅粉末を混合してＣｕＷ混合粉末を得ることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　そして、引用刊行物には、銅−タングステンの複合材料において、銅の含有率によって密度や熱伝導率が変化することが記載されており（前記ア（イ）及び（ウ）参照。）、引用発明において、銅粉末の割合をどの程度のものとするかは、所望の密度や熱伝導率に応じて当業者が設計上適宜決定すべきことであるところ、銅及びタングステンを用いた粉末射出成形焼結法に用いられる銅粉末の粉末の含有量を、本願補正発明で規定される「１０〜３０重量％」程度のものとすることも、本願出願前に周知である（例えば、上記特開平９−８７７７５号公報の段落【００２１】「これらの配合割合は、Ｃｕ粉末とクロム族金属粉末との割合は製造される成形品に要求される熱膨張係数及び熱伝導率等によって選択されるが、通常Ｃｕ：クロム族金属の重量比で５：９５〜５０：５０、好ましくは８：９２〜３５：６５、更に好ましくは１０：９０〜２５：７５である。・・・」との記載、上記特開平４−３３３２６５号公報の段落【００１２】「Ｃｕ−Ｗ系又はＣｕ−Ｍｏ系合金の組成について、Ｃｕの含有量は従来と同様に、５重量％未満では所望の熱伝導率や熱膨張率を得ることができず、２５重量％を越えると熱膨張率が大きくなり過ぎるので、５〜２５重量％の範囲とする。」との記載、特開平１０−３０１４８号公報の段落【００４０】【００４１】「ヒートシンク本体２は、金属粉末の焼結体で構成され、その金属組成が、Ｗ：７５．５〜９０wt％、Ｃｕ：６〜２０wt％、・・・より好ましい金属組成は、Ｗ：８０〜８８wt％、Ｃｕ：１０〜１８wt％、・・・」との記載参照。）から、引用発明における銅粉末の含有量を、本願補正発明で規定される「１０〜３０重量％」程度のものとすることは、当業者が、設計上適宜なし得る程度のことである。
　また、本願明細書の記載をみても、本願補正発明において、銅粉末の含有量を相違点２のごとく特定した点に、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
（ウ）相違点３について
　銅及びタングステンを用いた粉末射出成形法において、材料粉末に焼結補助剤を混合することは、本願出願前に周知である（例えば、上記特開平９−８７７７５号公報の段落【００１９】「鉄族金属粉末は焼結助剤として用いられ、ニッケル、鉄、コバルトいずれかの粉末あるいはこれらの２種以上を組み合わせて用いられる。・・・」との記載、上記特開平４−３３３２６５号公報の段落【００１１】「本発明方法で用いる原料粉末は、Ｗ粉末又はＭｏ粉末とＣｕ粉末、及び焼結助剤としてのＮｉ粉末、Ｆｅ粉末、Ｃｏ粉末の少なくとも１種であり、・・・」との記載参照。）から、引用発明において、タングステン粉末及び銅粉末に焼結補助剤を含有させることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
（エ）相違点４について
　金属粉末を用いた射出成形法において、加水分解により水酸基となり前記混合粉末と相互作用し得る官能基と、バインダーと相互作用し得る有機官能基とを有するカップリング剤を用いて金属粉末を表面処理することは、本願出願前周知である（例えば、上記特開平１１−３５０００５号公報の【請求項１７】「前記１）の前に、金属粉末、セラミック粉末、又はこれらの混合粉末に、カップリング処理を行なう・・・」及び段落【００１９】「金属粉末、セラミック粉末、又はこれらの混合物を前処理するためのカップリング剤は、加水分解して水酸基を生成し、上記の金属粉末等と相互作用し得る基と、バインダー中の多糖類と相互作用し得る有機官能基の両方を有するもので、具体的には、有機官能基側の側鎖にアミノ基（−ＮＨ２）、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、水酸基（−ＯＨ）の少なくとも１種を有するチタネート系カップリング剤やシランカップリング剤が好適に用いられる。」との記載参照。）から、引用発明において、上記カップリング剤を用いて混合粉末を表面処理することは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
（オ）相違点５について
　銅及びタングステンを用いた粉末射出成形法において、混合粉末に混練するバインダーとして、ポリエチレンなどの有機系樹脂とパラフィンなどのワックス類との混合物を用いることは、本願出願前に周知である（例えば、上記特開平９−８７７７５号公報の段落【００２６】ないし【００２９】「上記混合粉末に、熱可塑性有機バインダを添加し混練して射出成形に供するコンパウンドとする。この熱可塑性バインダには、分子量約１０，０００以上の高分子系バインダと分子量５，０００以下の低分子バインダよりなるものを用いる。・・・高分子系バインダの例としてはＥＶＡ（エチレンビニルアセート）−ＢＭＡ（ブチルメタアクリレート）−スチレンの共重合体、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥ(ポリエチレン)等を挙げることができ、これらを単独あるいは組み合わせて使用する。・・・低分子系バインダの例としてはポリエチレンワックス、パラフィンワックス、マイクロワックス、カルバナワックス、ステアリン酸、ＤＢＰ（フタル酸ジブチル）、オレイン酸等を挙げることができ、これらを単独あるいは組み合わせて使用する。」との記載、上記特開平１０−３０１４８号公報の段落【００５６】「一方、結合材としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリブチル（メタ）アクリレート等のアクリル系樹脂、ポリスチレン等のスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリビニルアルコール、またはこれらの共重合体等の各種樹脂や、各種ワックス、パラフィン、高級脂肪酸（例：ステアリン酸）、高級アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸アミド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。」との記載参照。）から、引用発明におけるバインダーとして、本願発明で規定される「ポリスチレン、ポリアセタール、ポリエチレングリコールおよび樟脳からなる群から選ばれた１種以上の有機系樹脂、またはこの有機系樹脂とパラフィンワックス、カルナウバワックスおよび蜜蝋からなる群から選ばれた１種以上のワックス類との混合物」を用いることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
（カ）相違点６について
　銅及びタングステンを用いた粉末射出成形法において、成型用組成物をペレット化することは、本願出願前に周知である（例えば、上記特開平９−８７７７５号公報の段落【００３７】「得られた金属混合粉に、射出成形用バインダを添加して加圧ニーダーにて３時間混合・混練を行った後、造粒を行って射出成形用コンパウンドとした。・・・」との記載、上記特開平１０−３０１４８号公報の段落【００６１】「（Ａ−２）　前記（Ａ−１）の工程で得られた混練物（または該混練物より造粒されたペレット）を用いて、射出成形機により射出成形し、所望のヒートシンク形状の成形体を製造する。」との記載参照。）から、引用発明において、成型用組成物を造粒してペレット化することは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
　オ　小括
　したがって、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年３月２２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項３に係る発明は、次のとおりのものである。
「平均粒径が略２μｍでかつ粒子の粒径が２５μｍ以下のタングステン粉末と、銅粉末とを混合してなり、かつタングステン粒子の粒径が０．１〜５μｍのタングステン粒子を５０重量％含み、かつ銅粉末の含有量を１０〜３０重量％とした銅タングステン混合粉末を、金属粉末射出成形法により成型することを特徴とする半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
（２）刊行物の記載及び引用発明
　前記２（３）ア及びイのとおりである。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比するに、両者は、
「タングステン粉末と、銅粉末とを混合してなる銅タングステン混合粉末を、金属粉末射出成形法により成型する半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法。」
である点で一致し、下記ア及びイの点で相違するものと認められる。
　
　ア　本願発明では、タングステン粉末の平均粒径が略２μｍでかつ粒子の粒径が２５μｍ以下であり、かつ粒径が０．１〜５μｍのタングステン粒子を５０重量％含むのに対して、引用発明では、タングステン粉末の粒径がどのようなものであるのか、また、どのような粒径のものをどの程度含むか不明である点（以下「相違点７」という。）。
　
　イ　本願発明では、銅粉末の含有量が１０〜３０重量％であるのに対して、引用発明では、銅粉末の含有量が不明である点（以下「相違点８」という。）。
　
（３）相違点についての判断
　ア　相違点７について
（ア）引用発明において、タングステン粉末の粒径をどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜決定すべきことであるところ、銅及びタングステンを用いた粉末射出成形法に用いられるタングステン粉末の平均粒径を、本願発明で規定される「略２μｍ」程度のものとすることも、本願出願前に周知である（例えば、上記特開平９−８７７７５号公報の段落【００１８】「クロム族金属粉末はＷ又はＭｏの粉末が好ましい。・・・クロム族金属粉末の平均粒径は、０．５〜３．０μｍ程度、好ましくは０．８〜２．５μｍ程度、特に好ましくは１．０〜２．０μｍ程度が適当である。」及び段落【００３６】「平均粒径２μｍのＷ粉末と・・・」との記載、上記特開平４−３３３２６５号公報の段落【００１７】「原料粉末として、平均粒径がいずれも２〜３μｍのＷ粉末、・・・」との記載参照。）から、引用発明において、タングステン粉末の平均粒径を略２μｍとすることは、当業者が、設計上適宜なし得る程度のことである。
　また、平均粒径を略２μｍとすることからすれば、粒径を一定以下のものとすること、また、２μｍを含むその前後の範囲の粒径の粒子が相当程度の割合を占めるようにすることも、当業者が設計上当然考慮する事項というべきであって、本願発明のごとく、「粒子の粒径が２５μｍ以下とし、かつ粒径が０．１〜５μｍのタングステン粒子を５０重量％含む」とすることに格別の困難を要するものとはいえない。
　
（イ）他方、本願明細書（平成１７年３月２２日付け手続補正後のもの。以下同じ。）には、タングステン粒子の粒径に関連する、以下の記載がある。
「【００１９】
　・・・Ｗ粉末としては、平均粒径が０．１〜５μｍであるものを用いることが望ましい。この範囲の平均粒径の小さいＷ粉末であれば、ＣｕＷ合金としたときの熱伝達率を向上させることができるとともに、強度を十分なものとすることができる。」、
「【００３０】
　このようにして製造された半導体レーザモジュール用パッケージにおいては、これを構成するＣｕＷ合金の微細状態が、大部分のＷが粒子形状を保ち、このＷ粒子間の隙間にＣｕが入り込んだ構造となっており、Ｗ粒子表面においては、ＷとＣｕとが溶け合い強く密着した状態となっている。
　本発明の半導体レーザモジュール用パッケージの製造方法によれば、得られる上記構造の成型体におけるＷ粒子の粒径を２５μｍ以下、粒径０．１〜５μｍの粒子の含有量を５０％以上、好ましくはＷ粒子の粒径を１５μｍ以下、平均粒径を３．５μｍ以下とすることができる。
　このように、上記半導体レーザモジュール用パッケージにおいては、粒径の小さいＷ粉末から成型されたものであるため、得られる成型体におけるＷ粒子の平均粒径は小さく、これらの隙間は小さく、そこにＣｕが入り込む構造となっているため、高密度化が可能とされる。このようなＣｕＷ合金であれば、熱伝達率および強度を向上させることができる。・・・」、
「【００３４】
【作用】
　以下、実験例を示して、本発明の効果作用について説明する。
　通常、半導体レーザモジュール用パッケージに用いられるＣｕＷ合金は、平均粒径が５μｍ以上のＷ粉末を用いてなるものである。このような比較的大きな平均粒径のＷ粉末を用いて得られるＣｕＷ合金の熱伝導率は、最大でも、Ｃｕ含有量が２０重量％のとき、２００Ｗ/ｍＫ程度であった。
　これに対して、本発明のＷ粉末のように、平均粒径の小さいＷ粉末を用いることによって、かつＣｕの含有量を１０〜３０重量％とすることによって、ＣｕＷ合金の熱伝導率および強度を向上させることができる。
【００３５】
　このように、ＭＩＭ法におけるＷ粒子の平均粒径を制御（小さく）することによって、熱伝導率および強度を向上することができるのは、以下の理由によるものと考えられる。
　まず、上記ＣｕＷ混合粉体の焼結の際、Ｗ粉末の平均粒径が小さいことにより、ＣｕＷ合金におけるＷ粒子とＣｕの接触部分が増大することによって、ＣｕＷ合金の高密度化が可能となる。
　そして、このようなＣｕＷ合金の高密度化と、Ｗ粒子とＣｕとの接触界面の増大によって、ＣｕＷ合金における熱伝導率が飛躍的に向上する。
　また、ＣｕＷ合金の高密度化により、またＣｕＷ合金中のＷ粒子の粒径が細かくなることで、一般の金属材料と同様にして、ＣｕＷ合金の機械的強度が向上する。」、
「【００３６】
　図３は、ＣｕＷ合金におけるＷ粉末の平均粒径と、ＣｕＷ合金の熱伝導率との関係をＣｕの含有量が１０重量％のときと、３０重量％のときとを示したグラフである。
　また、図４は、ＣｕＷ合金におけるＷ粉末の平均粒径と、ＣｕＷ合金の強度との関係を示したグラフであり、Ｃｕの含有量が１０重量％のときと、３０重量％のときとを示したグラフである。
【００３７】
　これらのグラフは、実際に、用いるＷ粉末の平均粒径と銅の含有量を変えて、ＭＩＭ法において、ＣｕＷ合金（試料）を製造し、この熱伝導率および強度を測定したデータをもとに作成したものである。
【００３８】
　このグラフから、Ｗ粉末の平均粒径を０．１から５μｍとしたときに、ＣｕＷ合金の熱伝導率および強度が向上すること、これらの特性がＣｕ含有量に関係することがわかる。
　また、製造に用いるＷ粉末の平均粒径を０．１〜５μｍとし、ＣｕＷ合金における銅の含有量を１０〜３０％とすることで、ＣｕＷ合金における熱伝導率を、１６０〜２８０Ｗ/ｍＫと高くすることができるとともに、その強度を１３００〜１６５０ＭＰａとすることができることがわかる。」
　
　また、本願の図３及び図４からは、タングステン粉末の平均粒径が２μｍの近辺で熱伝導率及び強度が最大となることが窺える。
　
（ウ）上記によれば、本願明細書の記載からは、通常、半導体レーザモジュール用パッケージに用いられるＣｕＷ合金に用いるとされる、平均粒径が５μｍ以上のＷ粉末（タングステン粉末）よりもＷ粉末の粒径を相対的に小さくすることによって、高密度化を可能とし熱伝達率や強度を向上させることが理解できるにとどまる。
　また、上記（ａ）で検討したとおり、引用発明において、タングステン粉末の平均粒径を略２μｍとすることは、当業者が、設計上適宜なし得る程度のことであるところ、本願の図３及び図４から、タングステン粉末の平均粒径が２μｍの近辺で熱伝導率及び強度が最大となることが窺えるものの、本願発明において「タングステン粉末の平均粒径を略２μｍとする」ことにより生じる作用効果があるとしても、かかる平均粒径の粒子を用いることにより当然生じる程度以上のものではない。
　したがって、本願発明において、タングステン粉末の粒径等について相違点１のごとく特定した点に、設計的事項の域を超えるほどの技術的意義があるものとは認められない。
　
　イ　相違点８について
　前記２（３）エ（イ）で検討したとおり、引用発明における銅粉末の含有量を、本願発明で規定される「１０〜３０重量％」程度のものとすることは、当業者が、設計上適宜なし得る程度のことであり、本願明細書の記載をみても、本願発明において、銅粉末の含有量を相違点２のごとく特定した点に、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
４　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。