【事件の表示】
　特願２０００−３９８４３４「熱処理方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１２日出願公開、特開２００２−１９８３２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１２年１２月２７日の出願であって、平成１７年３月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）及び請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は、その請求項１及び請求項２に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
〈本願発明１〉
「【請求項１】　被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程において、被処理物の昇温速度が２×１０４〜２×１０６℃／秒の範囲であることを特徴とする熱処理方法。」
　
〈本願発明２〉
「【請求項２】　被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程において、予め被処理物を所定温度まで予備加熱する工程と、該被処理物の昇温速度が２×１０４〜２×１０６℃／秒の範囲で昇温する工程と、該予備加熱温度から室温までの温度範囲に降温する工程とを含むことを特徴とする熱処理方法。」
　
３．刊行物に記載の発明
（１）刊行物記載の発明
　刊行物１：特開昭６０−２５８９２８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６０−２５８９２８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図９とともに以下の事項が記載されている。
「（３）直径の大きなドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなますため加熱する方法において、
　ＣＷランプ手段と集光罐体を使用して、前記ウエーハを比較的均一に等温加熱する段階と、
　パルス発光ランプ手段と集光罐体を使用して、前記等温加熱段階で前記半導体材料を昇温した後、前記ウエーハのドウパントインプラント表面区域を比較的均一に熱線束加熱する段階とを有する半導体ウエーハの加熱方法」（第１頁右下欄第５行ないし第１４行）
「本発明は半導体ウエーハの加熱装置および方法に関する。」（第２頁左上欄第９行ないし第１０行）
「この用途に利用する本発明の方法は、主にイオン−インプラント半導体ウエーハを焼なまして、イオンインプラント処理によつて生じたストレスを取り除き、インプラントドウパント（implant dopants）を完全に活性化し、固相エピタキシャルを再成長させて損傷した結晶格子構造を補修することができる。」（第２頁左上欄第１６行ないし同頁右上欄第２行）
「本発明は、均一な等温加熱と熱線加熱との組み合わせにも関係している。例えば、等温加熱は、光学系空所内に配置した連続波（ＣＷ）放射源によって行われる。・・・・・・シリコンのウエーハが約８００−１１００℃の範囲の所定温度に達すると、第２の放射源、すなわち、高出力パルス発光ランプが点燈され、シリコンウエーハの表面温度を１２００−１４００℃（またはそれ以上）に速やかに昇温する。従って、ウエーハの表面は焼きなまされ欠陥が取り除かれる。」（第５頁左上欄第６行ないし第１７行）
「ドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなます第２の方法は、ウエーハの溶融点よりかなり低い所定温度までそうしたウエーハを均一に等温加熱し、その後でウエーハの（ドウパントインプラント処理を加える）上部表面区域を速やかに熱線束加熱し、次いでウエーハを冷却する工程を備えている。熱線束加熱（この用語は、本明細書の冒頭で特定されている）は、半導体材料の溶融点付近で行うことが望ましいが、第９図の中央領域にある立ち上がり部分で示されているように、シリコンの１４１０℃の溶融点に対しこれと同じ温度まで到達することはない。
　さらに詳しく説明すると、第２の製法は、ＣＷ放射源によりドウパントインプラント半導体ウエーハを等温加熱する工程を備えている。・・・・・・シリコンウエーハが、８００−１１００℃のプログラム温度に到達すると、次にパルスランプの列へ大電力が供給され、ウエーハのドウパントインプラント表面の温度を１２００−１４００℃まで急速に高める。従って、ウエーハの表面域を焼きなまし、欠陥を取り除くことができる。・・・・・・
　パルスランプ列のパルス発光時間は、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒にすることができる。」（第９頁左下欄１２行ないし第１０頁左上欄第８行）
　
（ア）刊行物１において「次にパルスランプの列へ大電力が供給され、ウエーハのドウパントインプラント表面の温度を１２００−１４００℃まで急速に高める」際に、「パルスランプ列」が点燈することは明らかである。
（イ）刊行物１において「１２００−１４００℃まで急速に高め」られる「ウエーハのドウパントインプラント表面」が、「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」のことであることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明１」という。）が記載されている。
「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程を備えた加熱する方法において、前記焼きなます工程は、前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める工程であることを特徴とする、加熱する方法。」
　
（ウ）また、図９より「パルスランプ列」を点灯させた後、「ドウパントインプラント半導体ウエーハ」の温度が、等温加熱によって加熱された温度よりも低い温度に降温されることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明２」という。）も記載されている。
「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程を備えた加熱する方法において、前記焼きなます工程は、予め前記ドウパントインプラント半導体ウエーハを８００−１１００℃まで等温加熱する工程と、前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める工程と、等温加熱によって加熱された温度よりも低い温度に降温する工程とを含むことを特徴とする加熱する方法。」
　
４．対比・判断
４−１．本願発明１について
４−１−１．対比
　本願発明１と刊行物発明１とを対比する。
（ア）「焼きなます工程」において熱が加えられることは明らかであり、また、刊行物１の第２頁左上欄第１６行ないし同頁右上欄第２行に記載されているように、「焼きなます」ことによって「イオンインプラント処理によつて生じたストレスを取り除き、インプラントドウパント（implant dopants）を完全に活性化し、固相エピタキシャルを再成長させて損傷した結晶格子構造を補修する」作用が生じるから、刊行物発明１の「焼きなます工程」及び「加熱する方法」は、本願発明１の「加熱処理する工程」及び「熱処理方法」に相当する。また、刊行物発明１の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」は本願発明１の「被処理物の一部」に相当するから、刊行物発明１の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」は、本願発明１の「被処理物の一部を加熱処理する工程」に相当する。
　
　よって、本願発明１と刊行物発明１とは、
「被処理物の一部を加熱処理する工程を備えた熱処理方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願発明１は「被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程」を備えるのに対し、刊行物発明１は「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」を備える点。
　
〈相違点２〉
　本願発明１は「被処理物の昇温速度が２×１０４〜２×１０６℃／秒の範囲である」のに対し、刊行物発明１は「前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める」ものであり、「パルスランプ列」の「パルス発光時間」及び「温度」の変化は特定されているものの、昇温速度について特定されていない点。
　
４−１−２．相違点の検討
　以下、各相違点について検討する。
〈相違点１について〉
　本願発明１の「被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程」は、「被処理物の一部を加熱処理する工程」と、「被処理物の全体を加熱処理する工程」とを択一的に表現したものであって、刊行物発明１の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」は、本願発明１の「被処理物の一部を加熱処理する工程」に相当するから、本願発明１の「被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程」と、刊行物発明１の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」とは、実質的に相違しない。
　
〈相違点２について〉
（ア）本願の発明の詳細な説明の００１７段落の「フラッシュランプを使用した場合には予備加熱温度を４００℃とし、４００℃に到達後、パルスエネルギーを２０Ｊ／ｃｍ2、パルス幅２ｍｓｅｃでフラッシュランプを照射した。フラッシュランプ照射後、予備加熱用の白熱ランプを消灯し降温を行った。なお、フラッシュランプのパルス数は１ショットとした。この場合、１０００℃まで昇温したので、昇温速度は３×１０５℃／ｓｅｃになる。」との記載より、本願発明１の「昇温速度」が、昇温の前後の温度差をランプの照射時間で除して導出した値であることは明らかである。
（イ）一方、刊行物発明１は、「前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める」ものであるから、その昇温の前後の温度差をランプによる照射時間で除した値は、１×１０５℃／秒（［１２００−１１００］℃／１０００×１０−６秒）ないし１．２×１０８℃／秒（［１４００−８００］℃／５×１０−６秒）の範囲を有し、前記（ア）を参照すると、この範囲が刊行物発明１における「昇温速度」であると認められる。
（ウ）よって、刊行物発明１の「前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める」ことは、「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」の昇温速度が１×１０５℃／秒ないし１．２×１０８℃／秒の範囲であることであるから、刊行物発明１における「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」の昇温速度は、本願発明１における「被処理物の昇温速度」と、１×１０５℃／秒ないし２×１０６℃／秒の範囲で重複する。
　したがって、前記相違点２は実質的なものではない。
　
４−１−３．小むすび
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
　
４−２．本願発明２について
４−２−１．対比
　本願発明２と刊行物発明２とを対比する。
（ア）「焼きなます工程」において熱が加えられることは明らかであり、また、刊行物１の第２頁左上欄第１６行ないし同頁右上欄第２行に記載されているように、「焼きなます」ことによって「イオンインプラント処理によつて生じたストレスを取り除き、インプラントドウパント（implant dopants）を完全に活性化し、固相エピタキシャルを再成長させて損傷した結晶格子構造を補修する」作用が生じるから、刊行物発明２の「焼きなます工程」及び「加熱する方法」は、本願発明２の「加熱処理する工程」及び「熱処理方法」に相当する。また、刊行物発明２の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」は本願発明２の「被処理物の一部」に相当するから、刊行物発明２の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」は、本願発明２の「被処理物の一部を加熱処理する工程」に相当する。
（イ）刊行物発明２の「予め前記ドウパントインプラント半導体ウエーハを８００−１１００℃まで等温加熱する工程」は、「パルスランプ列」を点燈させる前に、前記「パルスランプ列」の点燈により高められる前の温度まで「ドウパントインプラント半導体ウエーハ」を加熱する工程であるから、本願発明２の「予め被処理物を所定温度まで予備加熱する工程」に相当する。
（ウ）刊行物発明２の「等温加熱によって加熱された温度よりも低い温度に降温する工程」において、格別な冷却手段を用いない限り、「ドウパントインプラント半導体ウエーハ」が室温より低い温度にならないことは明らかであるから、刊行物発明２の「等温加熱によって加熱された温度よりも低い温度に降温する工程」は、本願発明２の「該予備加熱温度から室温までの温度範囲に降温する工程」に相当する。
　
　よって、本願発明２と刊行物発明２とは、
「被処理物の一部を加熱処理する工程において、予め被処理物を所定温度まで予備加熱する工程と、昇温する工程と、該予備加熱温度から室温までの温度範囲に降温する工程とを含む熱処理方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点３〉
　本願発明２は「被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程」を備えるのに対し、刊行物発明２は「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」を備える点。
　
〈相違点４〉
　本願発明２は「該被処理物の昇温速度が２×１０４〜２×１０６℃／秒の範囲で昇温する」のに対し、刊行物発明２は「前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める」ものであり、「パルスランプ列」の「パルス発光時間」及び「温度」の変化は特定されているものの、昇温速度について特定されていない点。
　
４−２−２．相違点の検討
　以下、各相違点について検討する。
〈相違点３について〉
　本願発明２の「被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程」は、「被処理物の一部を加熱処理する工程」と、「被処理物の全体を加熱処理する工程」とを択一的に表現したものであって、刊行物発明２の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」は、本願発明２の「被処理物の一部を加熱処理する工程」に相当するから、本願発明２の「被処理物の一部またはその全体を加熱処理する工程」と、刊行物発明２の「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を焼きなます工程」とは、実質的に相違しない。
　
〈相違点４について〉
（ア）本願の発明の詳細な説明の００１７段落の「フラッシュランプを使用した場合には予備加熱温度を４００℃とし、４００℃に到達後、パルスエネルギーを２０Ｊ／ｃｍ2、パルス幅２ｍｓｅｃでフラッシュランプを照射した。フラッシュランプ照射後、予備加熱用の白熱ランプを消灯し降温を行った。なお、フラッシュランプのパルス数は１ショットとした。この場合、１０００℃まで昇温したので、昇温速度は３×１０５℃／ｓｅｃになる。」との記載より、本願発明２の「昇温速度」が、昇温の前後の温度差をランプの照射時間で除して導出した値であることは明らかである。
（イ）一方、刊行物発明２は、「前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める」ものであるから、その昇温の前後の温度差をランプによる照射時間で除した値は、１×１０５℃／秒（［１２００−１１００］℃／１０００×１０−６秒）ないし１．２×１０８℃／秒（［１４００−８００］℃／５×１０−６秒）の範囲を有し、前記（ア）を参照すると、この範囲が刊行物発明２における「昇温速度」であると認められる。
（ウ）よって、刊行物発明２の「前記ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域を、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒のパルス発光時間でパルスランプ列を点燈させ、８００−１１００℃から１２００−１４００℃まで温度を高める」ことは、「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」の昇温速度が１×１０５℃／秒ないし１．２×１０８℃／秒の範囲で昇温することであるから、刊行物発明２における「ドウパントインプラント半導体ウエーハの上部表面区域」の昇温速度は、本願発明２における「被処理物の昇温速度」と、１×１０５℃／秒ないし２×１０６℃／秒の範囲で重複する。
　したがって、前記相違点４は実質的なものではない。
　
４−２−３．小むすび
　したがって、本願発明２は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項３ないし８に係る発明について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。