【事件の表示】
　特願２００１−３０７３８７「磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年４月２５日出願公開、特開２００３−１２３２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件特許出願は、平成１３年１０月３日に出願したものであって、平成１６年１０月８日付けの拒絶理由通知に対して平成１６年１１月２９日付けで手続補正がされたが、平成１７年１月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年２月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年３月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成１７年３月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　
　［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年３月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。　
　
　［理由］
１．本件補正の概要
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、補正前に、
（ａ）
「【請求項１】　基体と、
　該基体に形成された磁気ヘッド素子と、
　磁気記録媒体に対向する側の前記基体の少なくとも一部に形成されたＤＬＣ(Diamond Like Carbon)保護膜とを有する磁気ヘッドであって、
　前記ＤＬＣ保護膜は、当該ＤＬＣ保護膜をラマン分光法で測定することによりＤピーク(Disorder Peak)およびＧピーク(Graphite Peak)が存在する波形が得られ、その測定された波形を統計的手法にてフィッティングさせてＤピークが存在するＤピーク波形部分とＧピークが存在するＧピーク波形部分とに波形分離させ、得られたＤピーク波形部分の面積をＳD、Ｇピーク波形部分の面積をＳGとした時、これらの面積比ＳD／ＳGが１．２０〜１．３５であり、前記Ｇピークにおいて、ピーク強度の零からのＧピーク高さをＢ、ベースラインからのＧピーク高さをＡとした時、これらの比であるＧ比（Ｂ／Ａ）が１．１０〜１．１６であることを特徴とする磁気ヘッド。
　【請求項２】　前記ＤＬＣ保護膜は、さらに、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気ヘッド素子の面における少なくとも金属面にまで伸びて形成されている請求項１に記載の磁気ヘッド。
　【請求項３】　前記統計的手法によるフィッティングが、ガウス分布とローレンツ分布によるフィッティングである請求項１または請求項２に記載の磁気ヘッド。
　【請求項４】　前記ＤＬＣ保護膜の下に下地膜が形成され、当該下地膜がシリコン膜又はシリコン酸化膜である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
　【請求項５】　基体の上に磁気ヘッド素子を形成する工程と、
　磁気記録媒体に対向する側の前記基体の面の少なくとも一部にＤＬＣ(diamond like carbon)保護膜を形成する工程と、を含む磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記ＤＬＣ保護膜を形成する工程においては、前記ＤＬＣ保護膜が前記基体の温度を２００〜３００℃に昇温させた状態で形成されることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項６】　前記ＤＬＣ保護膜は、さらに、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気ヘッド素子の面における少なくとも金属面にまで伸びて形成される請求項５に記載の磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項７】　前記ＤＬＣ保護膜は、プラズマＣＶＤ法、またはアーク放電法で形成されてなる請求項５または請求項６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項８】　磁気ヘッドと、該磁気ヘッドが先端部付近に搭載され前記磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備え、
　前記磁気ヘッドは、基体と、該基体に形成された磁気ヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する側の前記基体の面の少なくとも一部に形成されたＤＬＣ(diamond like carbon)保護膜とを有し、
　前記ＤＬＣ保護膜は、当該ＤＬＣ保護膜をラマン分光法で測定することによりＤピーク(Disorder Peak)およびＧピーク(Graphite Peak)が存在する波形が得られ、その測定された波形を統計的手法にてフィッティングさせてＤピークが存在するＤピーク波形部分とＧピークが存在するＧピーク波形部分とに波形分離させ、得られたＤピーク波形部分の面積をＳD、Ｇピーク波形部分の面積をＳGとした時、これらの面積比ＳD／ＳGが１．２０〜１．３５であり、前記Ｇピークにおいて、ピーク強度の零からのＧピーク高さをＢ、ベースラインからのＧピーク高さをＡとした時、これらの比であるＧ比（Ｂ／Ａ）が１．１０〜１．１６であることを特徴とするヘッドサスペンションアセンブリ。
　【請求項９】　前記ＤＬＣ保護膜は、さらに、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気ヘッド素子の面における少なくとも金属面にまで伸びて形成される請求項８に記載のヘッドサスペンションアセンブリ。
　【請求項１０】　前記統計的手法によるフィッティングが、ガウス分布とローレンツ分布によるフィッティングである請求項８または請求項９に記載のヘッドサスペンションアセンブリ。」
とあったところを、
　
（ｂ）
「【請求項１】　基体の上に磁気ヘッド素子を形成する工程と、
　磁気記録媒体に対向する側の前記基体の面の少なくとも一部にＤＬＣ(diamond like carbon)保護膜を形成する工程と、を含む磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記ＤＬＣ保護膜を形成する工程においては、前記基体の温度を２００〜３００℃に昇温させた状態で
ＤＬＣ保護膜を成膜しつつ、かつ、成膜されたＤＬＣ保護膜が、当該ＤＬＣ保護膜をラマン分光法で測定することによりＤピーク(Disorder Peak)およびＧピーク(Graphite Peak)が存在する波形が得られ、その測定された波形を統計的手法にてフィッティングさせてＤピークが存在するＤピーク波形部分とＧピークが存在するＧピーク波形部分とに波形分離させ、得られたＤピーク波形部分の面積をＳ
D
、Ｇピーク波形部分の面積をＳ
G
とした時、これらの面積比Ｓ
D
／Ｓ
G
が１．２０〜１．３５であり、前記Ｇピークにおいて、ピーク強度の零からのＧピーク高さをＢ、ベースラインからのＧピーク高さをＡとした時、これらの比であるＧ比（Ｂ／Ａ）が１．１０〜１．１６である特性を備えてなるように
　【請求項２】　前記ＤＬＣ保護膜は、さらに、前記磁気記録媒体に対向する側の前記磁気ヘッド素子の面における少なくとも金属面にまで伸びて形成される請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項３】　前記ＤＬＣ保護膜は、プラズマＣＶＤ法、またはアーク放電法で形成されてなる請求項１または請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。」
と補正しようとするものである（なお、下線は当審で付した。）。
　
　本件補正前後の特許請求の範囲を比較すると、本件補正は、補正前の請求項１ないし４、及び請求項８ないし１０を削除し、形式的に請求項５〜７を繰り上げて新たな請求項１ないし３とし、さらに、補正前の請求項５に新たな技術事項（上記下線部分参照）を付加しようするものであるが、付加する技術事項のうち、
「かつ、成膜されたＤＬＣ保護膜が、当該ＤＬＣ保護膜をラマン分光法で測定することによりＤピーク(Disorder Peak)およびＧピーク(Graphite Peak)が存在する波形が得られ、その測定された波形を統計的手法にてフィッティングさせてＤピークが存在するＤピーク波形部分とＧピークが存在するＧピーク波形部分とに波形分離させ、得られたＤピーク波形部分の面積をＳD、Ｇピーク波形部分の面積をＳGとした時、これらの面積比ＳD／ＳGが１．２０〜１．３５であり、前記Ｇピークにおいて、ピーク強度の零からのＧピーク高さをＢ、ベースラインからのＧピーク高さをＡとした時、これらの比であるＧ比（Ｂ／Ａ）が１．１０〜１．１６である特性を備えてなるように」との要件（以下、「要件Ａ」という）は、ＤＬＣ保護膜を形成する工程について「基体の温度を２００〜３００℃に昇温させた状態で」との要件に続けて、「かつ」と、並列的に特定するもので、「成膜されたＤＬＣ保護膜が」ラマン分光法による測定に基づいて所定の「特性を備えてなるように」との事項を付け加えるものであるから、ＤＬＣ保護膜を形成する工程に、新たな技術事項を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に掲げる、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
　
　また、仮に、前記「要件Ａ」が、「ＤＬＣ保護膜を形成する工程」又は「基体の温度を２００〜３００℃に昇温させた状態で」との事項について、限定を加えるものであると解されたとしても、本件補正による請求項１に係る発明は、磁気ヘッドの製造方法に関するものであるから、当該製造方法が明確でなければならないところ、「要件Ａ」の技術的意義は、製造された結果としての「物」が所定の特性を備えるというものであることが明らかであり、成膜されたＤＬＣ保護膜が「要件Ａ」で特定されるような特性を持つようにするような工程とは、どのような工程か、「要件Ａ」からは、直接想定することができないばかりでなく、明細書及び図面の記載を参酌しても不明である。すると、本件補正により、請求項１の記載は、特許を受けようとする発明が著しく不明りょうなものとなり、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさないものであるから、同請求項に記載された発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものである。
　
２．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるか、又は、仮に特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる場合であっても、同法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願の特許請求の範囲の請求項に係る発明
　平成１７年３月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の、願書に添付した明細書及び図面は、平成１６年１１月２９日付け手続補正により補正されたものであると認められるところ、原査定の拒絶の理由の概要は、
１．本願は、特許法第３７条に規定する要件を満たしていない。
２．本願は、明細書及び図面の記載が、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
３．本願の請求項１乃至１０に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
というものである。
　
　以下に、原査定の拒絶の理由について順次検討していく。なお、検討の都合上、原査定の拒絶の理由２を最初に検討する。
　
　
Ａ．特許法第３６条第４項及び第６項第２号について
（１）原査定の理由
　特許法第３６条についての原査定の理由は、概略、次のとおりである。
（ｉ）ＤＬＣ膜の面積比ＳＤ／ＳＧ、及びＧ比、それぞれの制御方法が不明瞭である。また、0053〜0055段落等には、ＤＬＣ膜形成時の基体の加熱の必要性について記載されているが、そのこと（のみ）によって必ず所定の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のＤＬＣ膜が得られるとは到底考えられず、請求項で規定するものは、どのようにすれば得られるのか、あるいは、どのようにされたものが本願発明に該当するのかが不明である。
（ｉｉ）表１では種々の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のデータは挙げられているが、比較例として、面積比ＳＤ／ＳＧは所定の範囲を満たすがＧ比は満たさないもの、及び、逆にＧ比は所定の範囲を満たすが面積比ＳＤ／ＳＧは満たさないもの、がいずれも含まれておらず、本願発明の効果を把握することができない。
　
（２）上記理由についての検討
（２−１）本願の詳細な説明の【００５３】から【００５７】には、ＤＬＣ膜形成時の基体の加熱の必要性について記載されているが、ＤＬＣ保護膜の基体の温度の設定だけが、所定の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のＤＬＣ保護膜を得る条件であるとまで解することはできない。
　平成１６年１１月２９日付けの意見書の「（４）〈理由２において〉２−１」では、「ＤＬＣ膜の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のそれぞれの制御方法の要部は基板の温度設定にあります。プラズマ装置の電力や周波数、ならびに装置内圧力や使用するガス種もパラメータのひとつになり得ますが、これらは、通常一般的に行なわれている条件範囲の中から適宜選定することで十分なのであります。」と主張しているが、少なくとも「プラズマ装置の電力や周波数、ならびに装置内圧力や使用するガス種もパラメータのひとつ」である以上、それらのパラメータが面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比に関連するのは当然であり、例えば引用例２の表１、表２を参照すると、設定する基板温度（１７０℃）のみが面積比ＳD／ＳG及びＧ比（Ｂ／Ａ）を決めるものとすることができないのは明らかで、基板の温度設定のみで特定の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のＤＬＣ膜が定まるとすることができないから、発明の詳細な説明及び、請求項１乃至４及び８乃至１０については、原査定で指摘された「ＤＬＣ膜の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のそれぞれの制御方法が不明瞭である。」との点は、依然として解消していない。
（２−２）請求項１乃至４及び８乃至１０において、「ＤＬＣ保護膜は、当該ＤＬＣ保護膜をラマン分光法で測定することによりＤピーク(Disorder Peak)およびＧピーク(Graphite Peak)が存在する波形が得られ、その測定された波形を統計的手法にてフィッティングさせてＤピークが存在するＤピーク波形部分とＧピークが存在するＧピーク波形部分とに波形分離させ、得られたＤピーク波形部分の面積をＳD、Ｇピーク波形部分の面積をＳGとした時、これらの面積比ＳD／ＳGが１．２０〜１．３５であり、前記Ｇピークにおいて、ピーク強度の零からのＧピーク高さをＢ、ベースラインからのＧピーク高さをＡとした時、これらの比であるＧ比（Ｂ／Ａ）が１．１０〜１．１６である」とすることについては、平成１６年１１月２９日付けの意見書の「（３）」において、「補正の根拠は、表１のデータにあります。」と、表１のデータのＣＳＳ耐久性が９５０００回以上に基づいて減縮補正したものである旨主張しているが、本願の【００８２】には、ＣＳＳ耐久性が７００００回以上を磁気ヘッドの合格基準とする記載があって、前記主張と一致しない。
　前記表１においても、本願の表１のＣＳＳ耐久性は、記録媒体に傷が入った時のＣＳＳ動作のパス回数を示すものであるから、耐久性に優れているほどパス回数の数値が大きくなることは当然であるが、ＣＳＳ耐久性が８００００回以上のものについては環境特性が○となっているのであるから、同表において、ＣＳＳ耐久性が、特に９５０００回以上のものについて、ＤＬＣ膜の面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比を特定する理由又は技術的意義は不明であり、原査定で指摘された「面積比ＳＤ／ＳＧ及びＧ比のデータは挙げられているが」「それぞれの効果は不明である。」との点は、依然として解消していない。
　
（３）特許法第３６条の拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本願の明細書の発明の詳細な説明については、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとすることができず、また、特許請求の範囲については、少なくとも請求項１乃至４及び８乃至１０は、特許を受けようとする発明を明確に記載したものとすることができないから、本願は、特許法第３６条第４項及び同条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
Ｂ．特許法第３７条の理由について
　特許法第３７条に関する原査定の拒絶の理由の概要は、本願は、物の発明と、その物を製造する方法の発明とを、単一の出願としたものであるとすることができないから、出願の単一性の要件を満たさないというものである。
　本願の請求項１乃至４は磁気ヘッドに関する発明であり、本願の請求項８乃至１０はヘッドサスペンションアセンブリに関する発明であるから、それぞれ物の発明であるのに対して、請求項５乃至７は磁気ヘッドの製造方法に関する発明であるから、その物を生産する方法の発明である。
　請求項１乃至４及び請求項８乃至１０では、磁気ヘッドのＤＬＣ保護膜がラマン分光法で測定することによりＤピーク(Disorder Peak)およびＧピーク(Graphite Peak)が存在する波形が得られ、その測定された波形を統計的手法にてフィッティングさせてＤピークが存在するＤピーク波形部分とＧピークが存在するＧピーク波形部分とに波形分離させ、得られたＤピーク波形部分の面積をＳD、Ｇピーク波形部分の面積をＳGとした時、これらの面積比ＳD／ＳGが１．２０〜１．３５であり、前記Ｇピークにおいて、ピーク強度の零からのＧピーク高さをＢ、ベースラインからのＧピーク高さをＡとした時、これらの比であるＧ比（Ｂ／Ａ）が１．１０〜１．１６であることを、発明特定事項として含むものの、請求項５乃至７はこれらの特定事項を含まない。また、請求項５乃至７の製造方法において、ＤＬＣ保護膜を形成する工程を、単に基体の温度を２００℃〜３００℃に昇温させた状態とすることだけで、本願の請求項１乃至４の磁気ヘッド又は請求項８乃至１０のヘッドサスペンションアセンブリのＤＬＣ保護膜が製造できるといえないことは、前記「Ａ．特許法第３６条第４項及び第６項第２号について」で検討したとおりである。
　すると、請求項５乃至７に記載された「磁気ヘッドの製造方法」は、請求項１乃至４に記載された「磁気ヘッド」又は請求項８乃至１０に記載された「ヘッドサスペンションアセンブリ」と、平成１５年改正前特許法第３７条第３号に規定される関係を有するものではなく、また、同法同条のその他の各号に掲げるいずれかの関係を有するとすることもできない。
　したがって、本願は、平成１５年改正前特許法第３７条に規定する要件を満たさないものである。
　
Ｃ．特許法第２９条第２項について
（１）本願発明について
　以下においては、請求項５に係る発明（以下、「本願発明」という。）について検討する。
（２）引用例　
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−１４３２３２号公報（平成１３年５月２５日公開。以下、「引用例１」という。）には、磁気ヘッドについて、次の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
「【請求項１】  合成樹脂材料からなる基材に磁性材料が塗布されて構成され信号記録面の最大突起高が１００ｎｍ程度であって回転操作される
磁気ディスクの該信号記録面に対向される対向面部を有するスライダと、
スライダに埋設された磁気ヘッド素子とを備え、上記スライダの上記対向面部の表面には、ダイヤモンドライクカーボン膜が被着形成されている
　
「【００２６】そして、この磁気ヘッドにおいては、スライダ１の対向面部の表面部（少なくともレール部２，２の主面部３，３及びランプエッジ部４，４の全面）には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜７が被着形成されている。このダイヤモンドライクカーボンは、低摩擦係数、高活性（高表面エネルギー）、高硬度の材料である。このような材料としては、ダイヤモンドライクカーボンの他には、シリカ（ＳｉＯX）、無酸素カーボン（Ｔａ−Ｃ）などが考えられる。
【００２７】スライダ１の対向面部の表面は、図２に示すように、厚さ２ｎｍ程度の二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜（下地層）８が形成され、その上に、
厚さ８ｎｍ程度のダイヤモンドライクカーボン膜７が形成されている
【００２８】
ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜方法としては、Ｐ−ＣＶＤ方式、パルススパッタ方式、アーク蒸着方式などを採用することができる。
　
　前記記載及び図面を参照すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「スライダと、
　前記スライダに埋設された磁気ヘッド素子を備え、
　前記スライダの磁気ディスクに対向される対向面部の表面に、ダイヤモンドライクカーボン膜を被着形成する磁気ヘッドの製造方法であって、
　厚さ８ｎｍ程度の前記ダイヤモンドライクカーボン膜が、Ｐ−ＣＶＤ方式、パルススパッタ方式、アーク蒸着方式などのダイヤモンドライクカーボン膜の成膜方法により形成する、
磁気ヘッドの製造方法。」
　
（２）−２　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−１４６５７号公報（平成１３年１月１９日公開。以下、「引用例２」という。）には、ディスクの温度を１７０℃に設定した状態で、ダイヤモンドライクカーボン成分を含んだカーボン保護膜を形成する製造方法について、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１６】プラズマＣＶＤ装置１を用いて成膜を行うことにより、
カーボン保護膜は、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣという）成分を多く含み、
　
「【００４４】
【実施例】（試験例１〜１９）ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを６Åとした後、この基板Ｓ両面に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜３１、およびＣｏ合金からなる磁性膜３２を順次形成し、ディスクＤを得た。このディスクＤを、
プラズマＣＶＤ装置１のチャンバ１０内に搬入し、トルエン・水素混合ガス（トルエン：水素＝１：１０（体積比））を原料ガスとしてチャンバ１０内に供給した。同時に、８００Ｗの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を電極１１に印加しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜３３を形成した。保護膜形成時のディスクＤの温度、成膜レートはそれぞれ１７０℃、
　
（３）対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明と本願発明は、いずれも磁気ヘッドの製造方法に関するものである点で共通している。
　引用発明の、「磁気ヘッド素子」、「磁気ディスク」及び「ダイヤモンドライクカーボン膜」は、それぞれ本願発明の、「磁気ヘッド素子」、「磁気記録媒体」及び「ＤＬＣ(diamond like carbon)保護膜」に相当する。
　引用発明において、「スライダの磁気ディスクに対向される対向面部の表面に、ダイヤモンドライクカーボン膜を被着形成する」は、本願発明において、「磁気記録媒体に対向する側の基体の面の少なくとも一部にＤＬＣ(diamond like carbon)保護膜を形成する工程」に相当する。
　
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「磁気記録媒体に対向する側の前記基体の面の少なくとも一部にＤＬＣ(diamond like carbon)保護膜を形成する工程を含む、
　磁気ヘッドの製造方法。」
　
（相違点１）
　本願発明には「基体の上に磁気ヘッド素子を形成する工程」が含まれるが、引用発明には、磁気ヘッド素子を形成する工程について特定されていない点。
（相違点２）
　ＤＬＣ保護膜を形成する工程について、本願発明は、「ＤＬＣ保護膜が前記基体の温度を２００〜３００℃に昇温させた状態で形成される」とされるのに対して、引用発明では温度について特段の言及がない点。
　
（４）判断
（相違点１について）
　引用発明の「磁気ヘッド素子」は磁気ヘッドの基体となるスライダに埋設されたもので、スライダ上に磁気ヘッド素子を形成することは、特開２０００−２９３８３０号公報、特開２０００−２６８３１９号公報、特開平１０−６９６０８号公報等にて周知の製造方法であるから、磁気ヘッドを製造する際に「基体の上に磁気ヘッド素子を形成する工程」を備えることは当業者が容易に想到しうるものである。
　
（相違点２について）
　上記引用例２には、上記「第３　Ｃ．　（２−２）」に記載したように、ＤＬＣを含むカーボン保護膜をディスク表面に形成するときに、ディスクの温度を１７０℃に設定したことが記載されているので、本願発明の温度範囲の下限付近である２００℃程度の温度を想到することについて、格別困難であったとすることはできない。
　そもそも、ＤＬＣ膜を形成する工程において、基体の温度を２００℃〜３００℃の範囲にした状態で、ＤＬＣ膜を形成することは、例えば、特開平６−１３８０３５号公報には、ＤＬＣ膜を形成するとき基板温度を２５０℃とすること（００１３段落参照）、特開平８−２５５３０８号公報には、ＤＬＣ膜を形成するとき基板の温度を２００℃とすること（００２８段落参照）が示されているように、周知の事項にすぎないものである。
　引用発明において、ディスクに対向する側の面にダイヤモンドライクカーボン膜を形成するときに、ディスクに対向する側の面が所定の温度にあることは明らかであり、してみれば、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程において、ダイヤモンドライクカーボン膜が形成される面を有するスライダ（基体）の温度を、引用例２及び周知例を参酌することにより、２００℃〜３００℃程度の範囲で昇温させた状態とすることは、最適な操業条件を見出す過程において得た程度のもので、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　そして、上記各相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、引用例１及び２に記載された発明及び周知技術から、当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本件特許出願は、特許法第３７条に規定する要件を満たさず、又、明細書及び図面の記載が、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たさず、さらには、各請求項に係る発明のうち、少なくとも請求項５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許出願は、拒絶すべきものである。
　よって結論のとおり審決する。