(57)【要約】  本開示の一実施形態の液晶表示装置は、複数の画素からなる画素領域を有する液晶パネルを有し、液晶パネルは、画素毎に光反射性を有する複数の画素電極が設けられた第１の基板と、第１の基板に対向配置された第２の基板と、第１の基板および第２の基板の間に配置された液晶層と、第１の基板と液晶層との間に設けられた層間膜とを備えたものであり、層間膜は、少なくとも一部が複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を有する。
2018074219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる画素領域を有する液晶パネルを有し、
前記液晶パネルは、
前記画素毎に光反射性を有する複数の画素電極が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板および前記第２の基板の間に配置された液晶層と、
前記第１の基板と前記液晶層との間に設けられた層間膜とを備え、
前記層間膜は、少なくとも一部が前記複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、前記画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を有する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の傾斜部のそれぞれの前記傾斜幅は、前記画素領域の中心部から周縁部にかけて変化する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の傾斜部の形状は、前記画素領域の中心部から周縁部にかけて変化する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数の傾斜部はそれぞれ傾斜面を有し、前記それぞれの傾斜面の全長は、それぞれ異なる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数の傾斜部はそれぞれ傾斜面を有し、前記それぞれの傾斜面の傾斜角は、それぞれ異なる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記層間膜は、隣り合う前記複数の画素電極との間にそれぞれ凸部または凹部を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記凸部および前記凹部は、隣り合う前記複数の傾斜部の傾斜面を側面として形成されている、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素電極は、それぞれ異なる平面形状または断面形状を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数の画素電極のうち、少なくとも１つの画素電極は、端部の少なくとも一部に切り欠き部を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記複数の画素電極のうち、少なくとも１つの画素電極は、端部の少なくとも一部にテーパ面を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極は、面内に凹部または凸部を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
光源と、
前記光源からの光を変調して映像に対応する光を出射する画素領域を含む液晶パネルと、
前記液晶パネルの出射光に基づいて前記映像を投射する投射レンズとを有し、
前記液晶パネルは、
前記画素毎に光反射性を有する複数の画素電極が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板および前記第２の基板の間に配置された液晶層と、
前記第１の基板と前記液晶層との間に設けられた層間膜とを備え、
前記層間膜は、少なくとも一部が前記複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、前記画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を有する
投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、投射型の液晶プロジェクタに用いられる液晶表示装置および投射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
投射型の液晶プロジェクタに用いられる液晶ディスプレイには、光反射と液晶制御とを兼ねた画素電極を配置した、所謂反射型の液晶ディスプレイがある。この反射型の液晶ディスプレイのうち、駆動用のトランジスタや配線等をシリコン基板で形成したディスプレイをＬＣＯＳ（liquid Crystal On Silicon）と呼ぶ。反射型の液晶ディスプレイでは、液晶の偏光を利用して、正面から照射された光の画素電極による反射のオン・オフを制御している。【０００３】
ＬＣＯＳ等の反射型の液晶ディスプレイを用いた投射型の液晶プロジェクタでは、投射される光は、シリコン基板の上に設けられている透明電極を備えたガラス基板、液晶層、配向膜および誘電膜を順に透過し、画素電極で反射される。このため、投影される映像の光の強弱は、先に述べた構造物によって左右されやすく、特に、ガラス基板上の透明電極と画素電極との間の距離（ギャップ長）を一定に保つことが求められる。【０００４】
ギャップ長は、液晶層を構成する液晶分子の長さが変わることによって変化する。例えば、液晶分子は温度上昇等によって膨張するため、駆動時の発熱によって液晶層の厚みが厚くなり、ギャップ長が変化しやすい。このため、直視型の液晶ディスプレイでは、一般に、表示領域内にスペーサを設けることで、ギャップ長を一定に保っている。一方、投射型の液晶ディスプレイは、画素電極のサイズが、例えば一辺１０μｍ以下と小さいため、スペーサを設けることによって生じる投射される光への影響が大きくなる。このため、スペーサを用いずにギャップ長を一定に保つ工夫がなされている。例えば、特許文献１では、シリコン基板側に、画素領域の周辺を縁とする凹部を形成することでギャップ長を調整する液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６１９３６号公報
【発明の概要】
【０００６】
ところで、より小型なＬＣＯＳは、一般的な投射型の液晶ディスプレイよりもギャップ長が変化しやすい。このため、画素領域内における光量の均一化が可能な構成が求められている。
【０００７】
画素領域内の光量を均一化することが可能な液晶表示装置および投射型表示装置を提供することが望ましい。
【０００８】
本開示の一実施形態の液晶表示装置は、複数の画素からなる画素領域を有する液晶パネルを有し、液晶パネルは、画素毎に光反射性を有する複数の画素電極が設けられた第１の基板と、第１の基板に対向配置された第２の基板と、第１の基板および第２の基板の間に配置された液晶層と、第１の基板と液晶層との間に設けられた層間膜とを備えたものであり、層間膜は、少なくとも一部が複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を有する。
【０００９】
本開示の一実施形態の投射型表示装置は、光源と、光源からの光を変調して映像に対応する光を出射する画素領域を含む、上記一実施形態の液晶パネルと、液晶パネルの出射光に基づいて映像を投射する投射レンズとを有するものである。
【００１０】
本開示の一実施形態の液晶表示装置および一実施形態の投射型表示装置では、第１の基板と液晶層との間の層間膜に、少なくとも一部が複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を設けるようにした。これにより、画素領域内の光反射率を変化させることが可能となる。
【００１１】
本開示の一実施形態の液晶表示装置および一実施形態の投射型表示装置によれば、各画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を層間膜に設けるようにしたので、画素領域内の所定の領域の光反射率を変化させることが可能となる。よって、画素領域内の光量を均一化することが可能となる。
【００１２】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施の形態に係る液晶パネルの構成の一例を表す断面図である。
【図２】本開示の一実施の形態に係る液晶パネルの構成の他の例を表す断面図である。
【図３】画素電極上に形成される傾斜部による光の反射を説明する模式図である。
【図４】画素電極上に形成される傾斜部による光の反射を説明する模式図である。
【図５Ａ】本開示の液晶パネルの製造方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ａ】図５Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図７Ａ】図６Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８】本開示の一実施の形態に係る液晶パネルの構成の他の例を表す断面図である。
【図９】本開示の液晶パネルを備えた投射型表示装置の全体構成の一例を表す図である。
【図１０】本開示の液晶パネルを備えた投射型表示装置の全体構成の他の例を表す図である。
【図１１】比較例としての液晶パネルの構成を表す断面図である。
【図１２】図１１に示した液晶パネルの使用時における形状の変化を表す断面図である。
【図１３Ａ】本開示の変形例１における液晶パネルの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１４Ａ】図１３Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１５Ａ】図１４Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１６Ａ】本開示の変形例２における画素電極の形状を表す平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに示した画素電極の断面形状の一例を表す模式図である。
【図１６Ｃ】図１６Ａに示した画素電極の断面形状の他の例を表す模式図である。
【図１７Ａ】本開示の変形例３における画素電極の形状を表す平面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａに示した画素電極の断面形状の一例を表す模式図である。
【図１７Ｃ】図１７Ａに示した画素電極の断面形状の他の例を表す模式図である。
【図１８】図１０に示した投射型表示装置を用いた電子機器（ヘッドアップディスプレイ）の外観を表す図である。
【図１９】図１０に示した投射型表示装置を用いた電子機器（ヘッドマウントディスプレイ）の外観を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．実施の形態（誘電体層の画素領域内に段差の異なる複数の凹凸構造を形成した例）
１−１．液晶パネルの構成
１−２．液晶パネルの製造方法
１−３．投射型表示装置の構成
１−４．作用・効果
２．変形例
２−１．変形例１（誘電体層の凹凸構造の他の製造方法の例）
２−２．変形例２（画素電極の端面の一部に切り欠き部を形成した例）
２−３．変形例３（画素電極の面内に凹部または凸部を形成した例）
【００１５】
＜１．実施の形態＞
（１−１．液晶パネルの構成）
図１は、本開示の一実施の形態に係る液晶表示装置（液晶パネル１０Ａ）の断面構成の一例を表したものである。図２は、本開示の一実施の形態に係る液晶表示装置（液晶パネル１０Ｂ）の断面構成の他の例を表したものである。この液晶パネル１０Ａおよび液晶パネル１０Ｂは、例えば、対向配置された画素回路基板１１（第１の基板）および対向基板３１（第２の基板）との間に、画素回路基板１１側から順に、画素電極１６、誘電体層１７（層間膜）および液晶層２１が積層された構成を有する。液晶層２１には、画素回路基板１１側および対向基板３１側にそれぞれ配向膜２２，２３が設けられており、液晶層２１の周縁は、封止材２４によって封止されている。対向基板３１には、画素回路基板１１側に対向電極３２が設けられており、画素電極１６とは反対側の面Ｓ１には、偏光板３３が貼り合わされている。
【００１６】
本実施の形態の液晶パネル１０Ａおよび液晶パネル１０Ｂは、面内に複数の画素Ｐを含む画素領域１１０を有し、この画素領域１１０内の誘電体層１７に、複数の傾斜部４１が設けられたものである。この複数の傾斜部４１は、傾斜部４１の傾斜面Ｓ２の少なくとも一部が複数の画素電極１６とそれぞれ対向するように設けられており、画素電極１６と対向する傾斜幅Ｗ（図１におけるＸ軸方向の幅）が、画素領域１１０内においてそれぞれ異なる構成を有する。この傾斜幅Ｗは、例えば、画素領域１１０の中心部から周縁部にかけて、例えば段階的に変化している。
【００１７】
画素回路基板１１は、基板１２と、この基板１２上に設けられた画素回路１３とから構成されている。画素回路１３は、基板１２上に設けられた絶縁層１４と、この絶縁層１４内に設けられ、互いに、例えばビアＶ１５Ａ，Ｖ１５Ｂ，Ｖ１５Ｃ，Ｖ１５Ｄを介して電気的に接続されている複数の配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃとから構成されている。この画素回路１３は、画素Ｐごとに形成されている。画素回路基板１１上には、光反射性を有する複数の画素電極１６が設けられており、画素電極１６は、例えばビアＶ１５Ｄを介して画素回路１３を構成する配線１５Ｃと電気的に接続されている。画素電極１６上には、誘電体層１７が設けられており、この誘電体層１７の表面（液晶層２１側）には、上記複数の傾斜部４１が設けられている。誘電体層１７は、例えば誘電体層１７Ａ上に誘電体層１７Ｂが積層された２層構造を有する。複数の傾斜部４１は、図１および図２では、傾斜部４１を構成する凹凸構造が上層の誘電体層１７Ｂにのみ形成された例を示したが、例えば、図３，図４および図７Ｃ等に示したように、下層の誘電体層１７Ａに凹凸構造を形成し、これを反映して誘電体層１７Ｂの表面に傾斜部４１が形成されていてもよい。誘電体層１７上には、傾斜部４１によって形成される誘電体層１７の表面の凹凸に沿って配向膜２２が設けられている。
【００１８】
対向基板３１には、液晶層２１との対向面に全ての画素Ｐにわたって共通の対向電極３２が設けられており、この対向電極３２には、液晶層２１の平面方向を配向膜２２と共に封止する配向膜２３が貼り合わされている。対向基板３１の光入射面および光出射面となる面Ｓ１側には、偏光板３３が貼り合わされている。
【００１９】
配向膜２２と配向膜２３との間には、液晶層２１が設けられている。液晶層２１は、平面方向を配向膜２２および配向膜２３によって封止されており、液晶層２１の周囲は、液晶パネル１０Ａおよび液晶パネル１０Ｂの端部において封止材２４によって封止されている。
【００２０】
なお、画素回路基板１１の画素領域１１０の周辺（周辺領域（図示せず））には、各画素Ｐを駆動するための周辺回路が形成されている。
【００２１】
基板１２は、例えばシリコン基板によって構成されている。絶縁層１４は、例えば、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜等によって構成されている。配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃおよびこれらを電気的に接続するビアＶ１５Ａ，Ｖ１５Ｂ，Ｖ１５Ｃ，Ｖ１５Ｄは、例えば、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃを、Ａｌを用いて形成する場合には、ビアＶ１５Ａ，Ｖ１５Ｂ，Ｖ１５Ｃ，Ｖ１５Ｄは、例えば、ＣＶＤ−Ｗ等によって形成される。配線１５Ａ，１５Ｂ，１５ＣをＣｕ配線として形成する場合には、ビアＶ１５Ａ，Ｖ１５Ｂ，Ｖ１５Ｃ，Ｖ１５Ｄは、例えば、デュアルダマシン法で形成される。なお、配線１５Ａ，１５Ｂ，１５ＣをＣｕ配線として形成する場合には、画素電極１６はＡｌを主とした材料を用いることが好ましい。この場合、画素電極１６と配線１５Ｃとを接続するビアＶ１５Ｄは、ＣＶＤ−Ｗで形成することが望ましい。画素電極１６は、上記のようにＡｌを主とした材料によって形成することが好ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ＡｌＣｕおよびＡｌＳｉ等の光反射性を有する導電膜により構成されている。誘電体層１７（誘電体層１７Ａおよび誘電体層１７Ｂ）は、それぞれ誘電体材料によって構成されている。例えば、誘電体層１７Ａは、シリコン酸化物（ＳｉＯX）によって構成されており、誘電体層１７Ｂは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮX）によって構成されている。
【００２２】
対向基板３１は、例えば、石英、ガラス、シリコン等の光透過性を有する透明基板により構成されている。対向電極３２は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜により構成されている。偏光板３３は、例えば、ヨウ素（Ｉ）化合物分子が吸着配向したポリビニルアルコール（ＰＶＡ）によって構成されている。
【００２３】
液晶層２１は、例えばＶＡ（Vertical Alignment）型、ＴＮ（Twisted Nematic）型あるいはＩＰＳ（In-Place-Switching）型等の各種液晶により構成され、例えばノーマリーブラック・モードあるいはノーマリーホワイト（ＮＷ）・モードにより表示される。配向膜２２，２３は、例えばポリイミド等の絶縁膜により構成されている。
【００２４】
本実施の形態では、液晶パネル１０（液晶パネル１０Ａ，１０Ｂ）には、上記のように、画素領域１１０内の誘電体層１７の表面（面Ｓ１側）に複数の傾斜部４１が設けられている。この複数の傾斜部４１は、例えば、それぞれ、各画素電極１６と対向する位置、具体的には、画素電極１６の中心から周縁部にシフトした位置に設けられており、傾斜部４１を構成する傾斜面Ｓ２の少なくとも一部が画素電極１６上に形成されている。
【００２５】
傾斜部４１の傾斜面Ｓ２は、例えば、誘電体層１７の表面を基準として、誘電体層１７の厚みが薄くなる方向、即ち、画素回路基板１１側に傾斜していてもよい。あるいは、誘電体層１７の表面を基準として、誘電体層１７の厚みが厚くなる方向、即ち、対向基板３１側に傾斜していてもよい。傾斜部４１は、それぞれ、例えば矩形形状を有する画素電極１６の周縁部の一部あるいは全部に設けられている。傾斜部４１が、各画素電極１６の周縁部の全部に連続して設けられている場合には、隣り合う画素電極１６との間でそれぞれの画素電極１６上に形成された傾斜面Ｓ２が向かい合うようになっている。即ち、隣り合う画素電極１６との間には、傾斜部４１の傾斜面Ｓ２を側面とする凹部４２または凸部４３（例えば、図７Ｃ参照）が形成される。
【００２６】
本実施の形態では、画素電極１６と対向する傾斜面Ｓ２の幅（傾斜幅Ｗ）は、画素領域１１０内においてそれぞれ異なるように形成されている。図３および図４は、画素電極１６と、画素電極１６と対向する傾斜面Ｓ２との位置および傾斜面Ｓ２の形状ならびにこれによる光（Ｌ）の反射方向を説明するための模式図である。
【００２７】
図３（Ｃ）は、誘電体層１７に傾斜部４１を作らず、誘電体層１７の表面が平坦な場合の光（Ｌ）の反射方向を表したものである。例えば、後述する投射型表示装置１の光源１３１から出射され、液晶パネル１０Ａの正面方向（Ｚ軸方向）から照射される光（Ｌ）は、図３（Ｃ）に示したように、画素電極１６上の誘電体層１７が平坦な場合には、画素電極１６によって反射され、その全てがＺ軸方向に反射される。
【００２８】
これに対して、図３（Ａ），図３（Ｂ）に示したように、誘電体層１７の厚みが画素Ｐ間に向かって徐々に減少する傾斜面Ｓ２（Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ）を有する傾斜部４１（４１ａ，４１ｂ）を画素電極１６上に設けた場合には、傾斜部４１に照射された光（Ｌ）は、傾斜面Ｓ２によって、Ｚ軸方向以外の方向、例えば、Ｘ軸方向に反射される。これにより、その画素電極１６における光反射率は低下する。この光反射率の低下は、Ｚ軸以外の方向に反射される光（Ｌ）の割合に比例する。即ち、画素電極１６と対向する傾斜部４１の傾斜幅Ｗが広いほど、その画素電極１６における光反射率は低下する。
【００２９】
例えば、図３（Ａ）に示したように、画素電極１６のある位置から端部までの領域１６０Ｘに対して、この領域１６０Ｘの幅（Ｗｘ）と同じ傾斜幅Ｗ１を有する傾斜部４１ａを設けた場合には、領域１６０Ｘに照射された光（Ｌ）は、全て傾斜部４１ａの傾斜面Ｓ２ａによって、例えばＸ軸方向に反射される。これに対して、図３（Ｂ）に示したように、領域１６０Ｘの幅（Ｗｘ）よりも狭い傾斜幅Ｗ２（Ｗｘ＞Ｗ２）を有する傾斜部４１ｂを設けた場合には、領域１６０Ｘに照射される光（Ｌ）は、傾斜部４１ｂに照射された光（Ｌ１）は傾斜部４１ｂの傾斜面Ｓ２ｂによって、例えばＸ軸方向に反射され、傾斜部４１ｂ以外の領域に照射された光（Ｌ２）は、画素電極１６によってＺ軸方向に反射される。よって、図３（Ａ）の画素電極１６における光反射率は、図３（Ｂ）の画素電極１６における光反射率よりも低下する。
【００３０】
なお、傾斜部４１による光反射率の低下は、その傾斜部４１の傾斜面Ｓ２の形状に限定されない。即ち、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、誘電体層１７の厚みが画素Ｐ間に向かって徐々に増加する傾斜面Ｓ２（Ｓ２ｃ，Ｓ２ｄ，Ｓ２ｅ）を有する傾斜部４１（４１ｃ，４１ｄ，４１ｅ）を設けた場合も、上記と同様に、画素電極１６上に設けられる傾斜部４１の傾斜幅Ｗが広いほど、その画素電極１６における光反射率は低下する。
【００３１】
図４では、傾斜部４１を構成する傾斜面Ｓ２の全長、即ち、傾斜部４１の全体の幅（傾斜幅Ｗ０）は同じながらも、画素電極１６に対して、それぞれ異なる位置に傾斜部４１を設けた例（（Ａ）〜（Ｃ））を示している。図４（Ａ）では、傾斜部４１ｃを構成する傾斜面Ｓ２ｃ全体が画素電極１６と対向している。即ち、画素電極１６と対向する傾斜部４１ｃの傾斜幅Ｗ３は、傾斜部４１ｃの全体の傾斜幅Ｗ０と等しい（Ｗ３＝Ｗ０）。これに対して、図４（Ｂ）では、傾斜部４１ｄを構成する傾斜面Ｓ２ｄは、一部が画素電極１６上に設けられており、この画素電極１６と対向する傾斜幅Ｗ４は、傾斜部４１ｄの全体の傾斜幅Ｗ０よりも狭い（Ｗ４＜Ｗ０）。また、図４（Ｃ）では、傾斜部４１ｅは、隣り合う画素電極１６の間のみに形成されており、傾斜部４１ｅの傾斜面Ｓ２ｅは、画素電極１６と対向していない。即ち、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）における画素電極１６と対向する傾斜幅Ｗは、図４（Ｃ），図４（Ｂ），図４（Ａ）の順に広くなる。よって、図４（Ａ）における光反射率が最も低く、図４（Ｂ）が、図４（Ａ）に次いで低くなる。図４（Ｃ）では、傾斜部４１が設けられていない図３（Ｃ）と同様に、光反射率の低下は起こらない。
【００３２】
このように、各画素電極１６における光反射率は、画素電極１６上に形成される非光反射領域の大きさによって変化する。ここで、非光反射領域とは、例えば、液晶パネル１０Ａの正面から照射された光が、正面方向以外に反射される領域のこととする。このため、この非光反射領域を形成する傾斜部４１を構成する傾斜面Ｓの角度、隣り合う傾斜部４１の間の距離（ｌ）および各傾斜部４１を構成する傾斜面Ｓ２の全長、即ち、傾斜部４１の全体の傾斜幅（Ｗ０）のいずれか１つの要素が異なっていれば、それら傾斜部４１が各々形成された複数の画素電極１６の光反射率は、それぞれ異なるようになる。なお、上記要素のいずれか１つの要素が異なっていれば、他の要素は互いに同じでもよいし、異なっていてもよい。例えば、画素領域１１０内で、隣り合う傾斜部４１の間の距離がそれぞれ異なる場合には、同じ傾斜角および同じ傾斜幅Ｗであっても画素電極１６上に形成される傾斜幅Ｗは、画素領域１１０内で変化する。
【００３３】
具体的には、例えば、画素領域１１０の面内において、周縁部の光量を低下させたい場合には、画素領域１１０の中心部から周縁部にかけて、画素電極１６と対向する傾斜部４１の傾斜幅Ｗが徐々に広くなるように形成することが好ましい。このとき、例えば、隣り合う画素Ｐ間において隣り合う傾斜部４１の間隔が等しい場合には、図１に示したように、傾斜部４１全体の傾斜幅Ｗ０が、画素領域１１０の中心部から周縁部に向かって徐々に広くなるようにする。換言すると、隣り合う傾斜部４１によって形成される凹部４２の段差（Ｄ）が、画素領域１１０の中心部から周縁部に向かって徐々に大きくなるようにする。これにより、画素電極１６に対向する傾斜幅Ｗが周縁部に向かって徐々に広くなり、周縁部の光量が低下する。
【００３４】
また、例えば、画素領域１１０の面内において、中央の光量を低下させたい場合には、画素領域１１０の周縁部から中心部にかけて、画素電極１６と対向する傾斜部４１の傾斜幅Ｗが徐々に広くなるように形成することが好ましい。このとき、例えば、隣り合う画素Ｐ間において隣り合う傾斜部４１の間隔が等しい場合には、図２に示したように、傾斜部４１全体の傾斜幅Ｗ０が、画素領域１１０の周縁部から中心部に向かって徐々に広くなるようにする。換言すると、隣り合う傾斜部４１によって形成される凹部４２の段差（Ｄ）が、画素領域１１０の周縁部から中心部に向かって徐々に大きくなるようにする。これにより、画素電極１６に対向する傾斜幅Ｗが中央に向かって徐々に広くなり、中央の光量が低下する。
【００３５】
このように、光量を低下させたい領域の画素電極１６と対向する傾斜幅Ｗを広くすることで、その領域の光量を低下させることが可能となる。
【００３６】
（１−２．液晶パネルの製造方法）
本実施の形態の液晶パネル１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００３７】
図５Ａ〜図７Ｃは、液晶パネル１０の製造方法を工程順に表したものである。まず、図５Ａに示したように、例えばシリコンからなる基板１２上に画素回路１３を形成する。これによって形成された画素回路基板１１上に、例えばスパッタ法およびフォトリソグラフィ法にて、画素Ｐごとに分離形成された、バリア膜（図示せず）、例えばＡｌからなる画素電極１６および、例えばＳｉＮからなる犠牲層５１をこの順に形成する。続いて、図５Ｂに示したように、画素回路基板１１上に、例えばＳｉＯ2膜１７ａを成膜する。次に、図５Ｃに示したように、ＳｉＯ2膜１７ａ上の所定の領域（ここでは、画素領域１１０の中央部）にマスクとしてレジスト膜５２を形成する。
【００３８】
続いて、図６Ａに示したように、フォトリソグラフィ法を用いて、画素領域１１０の中央部より外側のＳｉＯ2膜１７ａをエッチングする。次に、図６Ｂに示したように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて画素領域１１０の中央部のＳｉＯ2膜１７ａを研磨する。このとき、犠牲層５１がストッパ層として機能する。続いて、図６Ｃに示したように、エッチバックによりＳｉＯ2膜１７ａを所望の厚みまで除去する。
【００３９】
続いて、図７Ａに示したように、エッチバックにより犠牲層５１を除去する。これにより、画素電極１６間のＳｉＯ2膜１７ａには、エッチバック時の選択比によって所望の凸形状や凹形状が形成される。次に、図７Ｂに示したように、高密度プラズマ化学気相成長（ＨＤＰ−ＣＶＤ）法を用いて画素電極１６上および画素電極１６の間のＳｉＯ2膜１７ａ上にさらにＳｉＯ2膜を成膜する。このＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いたＳｉＯ2膜の形成方法は、スパッタリングを行いながら酸化膜（ＳｉＯ2膜）の成膜を行うため、埋め込み性がよい等の特徴を有する。これにより、表面に凹形状や凸形状が反映された誘電体層１７Ａが形成される。
【００４０】
続いて、図７Ｃに示したように、誘電体層１７Ａ上に、例えばＳｉＮからなる誘電体層１７Ｂを成膜する。これにより、画素電極１６と対向する傾斜幅Ｗが画素領域１１０内で異なる傾斜部４１が形成される。この後、誘電体層１７上に配向膜２２、液晶層２１および配向膜２３を形成したのち、配向膜２３に対向電極３２を備えた対向基板３１を貼り合わせる。最後に、対向基板３１の面Ｓ１側に偏光板３３を貼り合わせる。以上により、本実施の形態の液晶パネル１０が完成する。
【００４１】
なお、本実施の形態のように、画素電極１６間の誘電体層１７の凹凸の方位あるいは深さまたは高さを変える場合には、図５Ｃおよび図６Ａに示したように、エッチバック前の平坦化の直前で、予め、所望の領域（画素領域１１０の周縁部から画素領域１１０の周辺領域）のＳｉＯ2膜１７ａの厚みを、例えばドライエッチングによって薄くしておくことが好ましい。これにより、図７Ｂに示したように、誘電体層１７Ａ表面の凹凸構造が、画素領域１１０の中心部と周縁部とで変化する。更に、ドライエッチングの加工量やＣＭＰの研磨量を調整することで、誘電体層１７上に形成される凸部または凹部の方位を、画素領域１１０の中心部と周縁部とで変化させることができる。
【００４２】
更に、図１，図２および上記製造方法では、２層構造の誘電体層１７のうち、下層の誘電体層１７Ａに凹凸構造を設け、これを反映して、誘電体層１７の表面に凹凸構造を形成した例を示したがこれに限らない。例えば、図８に示した液晶パネル１０Ｃのように、２層構造の誘電体層１７のうち、上層の誘電体層１７Ｂのみに凹凸構造を形成するようにしてもよい。
【００４３】
（１−３．投射型表示装置の構成）
図９は、本実施の形態の液晶パネル１０を備えた投射型表示装置（投射型表示装置１）の構成の一例を表したものである。この投射型表示装置１は、光源（光源１３１）から画像光を生成し、例えば、後述するヘッドアップディスプレイのスクリーン部２２０に画像を投影するものである。投射型表示装置１は、反射型の光変調素子（液晶パネル１５４）を１枚用いてカラー画像表示を行う、いわゆる単板方式の反射型プロジェクタである。
【００４４】
この投射型表示装置１は、白色光をそれぞれ出射する光源１３１を有し、出射光の光軸１３０に沿って、ＲＧＢ分割フィルタ１５１、ハーフミラー１５２、偏光板１５３、液晶パネル１５４、アパーチャ１５５および投射レンズ１５６を備えている。光源１３１は、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプ等により構成されている。また、例えば半導体レーザ（ＬＤ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）等の固体光源を用いてもよい。
【００４５】
投射型表示装置１では、例えば、光源１３１Ｒから出射される白色光（Ｗ）は、白色光（Ｗ）を赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）および青色光（Ｂ）に時間分割するＲＧＢ分割フィルタ１５１を透過してハーフミラー１５２に入射し、一部が反射され、偏光板１５３を経て液晶パネル１５４に入射するようになっている。なお、光源１３１の出射光の光路上にはコンデンサレンズや、必要に応じてリレーレンズ等が設けられている。
【００４６】
液晶パネル１５４に入射した光は、液晶パネル１５４内の反射面で反射され、再度、偏光板１５３を通過し、ハーフミラー１５２に入射し、一部が透過するようになっている。ハーフミラー１５２を透過した光は、アパーチャ１５５によって不要光がカットされ、投射レンズ１５６によってスクリーン（図示せず）に拡大投影される。
【００４７】
図１０は、本実施の形態の液晶パネル１０を備えた投射型表示装置（投射型表示装置２）の構成の他の例を表したものである。この投射型表示装置２は、画像信号に基づき、光源から出力された光（照明光）をＲＧＢの色毎に変調して合成することにより画像光を生成し、例えば、後述するヘッドアップディスプレイのスクリーン部２２０に画像を投影するものである。投射型表示装置２は、赤、青および緑の各色用の反射型の光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂを３枚用いてカラー画像表示を行う、いわゆる３板方式の反射型プロジェクタである。
【００４８】
この投射型表示装置２は、光軸１３０に沿って、光源１３１と、インテグレータ１３２と、ダイクロイックミラー１３３（波長選択素子）とを備えている。光源１３１は、カラー画像表示に必要とされる、赤色光（Ｒ）、青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）を含んだ白色光を発するものであり、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプ等により構成されている。また、例えば半導体レーザ（ＬＤ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）等の固体光源を用いてもよい。更に、光源１３１は、上記のように白色光を出射する１つの光源（白色光源部）に限定されず、例えば、緑色帯域の光を出射する緑色光源部、青色帯域の光を出射する青色光源部及び赤色帯域の光を出射する赤色光源部の３種の光源部から構成するようにしてもよい。インテグレータ１３２は、ＰＳコンバータ等を含み、光源１３１からの光の均一化や効率的な利用を図るために設けられている。ダイクロイックミラー１３３は、白色光を、青色光Ｂとその他の色光Ｒ，Ｇとに分離する機能を有している。
【００４９】
投射型表示装置２は、また、ダイクロイックミラー１３３によって分離された赤色光Ｒおよび緑色光Ｇの光路上において、光の進む順に、プリＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）１３４と、集光レンズ１３６と、ダイクロイックミラー１３８とを備えている。投射型表示装置２は、また、ダイクロイックミラー１３３によって分離された青色光Ｂの光路上において、光の進む順に、プリＰＢＳ１３４，１３５と、集光レンズ１３７とを備えている。プリＰＢＳ１３５は、入射光のうち所定偏光成分の光を選択的に反射する機能を有している。ダイクロイックミラー１３８は、プリＰＢＳ１３４および集光レンズ１３６を経て入射された赤色光Ｒと緑色光Ｇとを分離する機能を有している。
【００５０】
なお、プリＰＢＳ１３４，１３５は、例えば、集光レンズ１３６〜集光レンズ１３９Ｒ，１３９Ｇ，１３９Ｂの間のいずれかの位置に配置するようにしてもよい。その際には、図１０に示したプリＰＢＳ１３４，１３５の位置には、ミラーが配置される。
【００５１】
投射型表示装置２において、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂの各光路上には、光の入射側から順に、集光レンズ１３９Ｒ，１３９Ｇ，１３９Ｂと、ＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂと、１／４波長板１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂと、光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂとが設けられている。
【００５２】
光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂは、本実施の形態の液晶パネル１０（例えば、液晶パネル１０Ａや液晶パネル１０Ｂ）により構成されている。この光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂには、それぞれＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂの偏光選択面によって選択された所定の偏光成分（例えばＳ偏光成分）の色光が入射されるようになっている。光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂは、偏光状態の制御により入射光に変調を施し、その変調光をＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂに向けて反射するようになっている。
【００５３】
ＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂは、それぞれ偏光選択面を有し、その偏光選択面において、光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂに入射させる所定偏光成分（Ｓ偏光成分）の光を選択（反射）すると共に、光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂによって反射された光のうち、所定偏光成分（Ｐ偏光成分）の光を、画像表示用の光として選択（透過）して出射する機能を有している。なお、図１０の例では、ＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂにおいて、Ｓ偏光成分の光を反射して光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂへの入射光とし、光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂからの戻り光のうち、Ｐ偏光成分の光を出射光として透過するような光学配置としてあるが、これとは逆に、Ｐ偏光の入射光を光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂの正面側から入射させ、その戻り光のうち、光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂにおいて反射により選択されたＳ偏光成分の光線を、画像表示用の光とするような配置とすることも可能である。
【００５４】
１／４波長板１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂは、ＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂと光変調素子１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂとの間で、偏光状態の補正を行うためのものであり、互いに直交する偏光成分の光に対してほぼ１／４波長の位相差を発生させるようになっている。
【００５５】
投射型表示装置２は、また、クロスダイクロイックプリズム１４４と、投影レンズ１４５と、スクリーン１４６とを備えている。クロスダイクロイックプリズム１４４は、ＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂによって選択された所定偏光成分の各色光を合成して出射する機能を有している。このクロスダイクロイックプリズム１４４は、３つの入射面と１つの出射面とを有している。
【００５６】
クロスダイクロイックプリズム１４４における光の入射面と、ＰＢＳ１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂにおける光の出射面との間には、それらの光学素子の温度変化等による応力歪みを防止するために、スペーサ１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂが設けられている。なお、スペーサ１４３Ｒ，１４３Ｇ，１４３Ｂの位置には、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）あるいは、ダイクロイックプリズムを配置するようにしてもよい。ＰＢＳを配置することで、偏光漏れがカットされる。また、ダイクロイックプリズムを配置することで、意図しない波長の光を反射させることが可能となる。
【００５７】
投影レンズ１４５は、クロスダイクロイックプリズム１４４の出射面側に配置されている。この投影レンズ１４５は、クロスダイクロイックプリズム１４４から出射された合成光を、スクリーン１４６に向けて投射する機能を有している。
【００５８】
（１−４．作用・効果）
前述したように、反射型の液晶ディスプレイを備えた投射型の液晶プロジェクタでは、投射される光は、基板上に配置された透明電極を備えたガラス基板、液晶層、配向膜および誘電膜を順に透過し、画素電極で反射される経路を有する。このため、投影される映像の光の強弱は、先に述べた構造物によって左右されやすく、特に、ガラス基板上の透明電極と画素電極との間の距離（ギャップ長）を一定に保つことが求められる。
【００５９】
このガラス基板上の透明電極と画素電極との間の距離は、前述したように、主に液晶層を構成する液晶分子の長さが、環境温度の変化によって、例えば膨張し、これによってギャップ長が変化する。
【００６０】
例えば、図１１は、一般的な液晶パネル１０１０の断面構成を表したものである。この液晶パネル１０１０は、本実施の形態の液晶パネルと同様に、画素回路基板１０１１上に、光反射性を有する画素電極１０１６、誘電体層１０１７、配向膜１０２２，１０２３に挟まれ、封止材１０２４によって封止された液晶層１０２１および、対向電極１０３２と偏光板１０３３とが配設された対向基板１０３１が積層された構成を有する。このような液晶パネル１０１０では、製造時には、図１１に示したように、液晶層１０２１の厚みは一定である。しかし、使用によって環境温度が例えば６０℃程度に上昇すると、液晶分子が膨張し、図１２に示したように、液晶層１０２１の厚みは、周縁部分の厚みＤ１に比べて中央部分の厚みＤ２が厚くなる（Ｄ２＞Ｄ１）。
【００６１】
直視型の液晶ディスプレイでは、一般に、表示領域内にスペーサを設けることで、ギャップ長を一定に保っている。これに対して、投射型の液晶ディスプレイは、画素電極のサイズが直視型の液晶ディスプレイと比較して画素電極のサイズが、例えば一辺１０μｍ以下と小さいため、スペーサを設けることによる投射される光への影響が大きくなる。更に、投射型のディスプレイでは、映像を投影するためにより強い光が照射されるため、直視型の液晶ディスプレイよりもギャップ長が変化しやすい。このため、スペーサを用いない方法として、例えば、基板側に、画素領域の周辺を縁とする凹部を形成することでギャップ長を調整する方法等が開発されている。
【００６２】
上記方法は、ある程度のパネルサイズがあれば、画素電極の形成工程による影響を受けることなく、ギャプ長の調整代を設けることができるため、有効な方法であるが、ＬＣＯＳのようにパネルサイズが小さい液晶ディスプレイでは難しい。これは、パネルサイズが小さい液晶ディスプレイでは、パネルサイズが小さい分、液晶分子の膨張による画素領域内の湾曲の変化率が大きくなるからであり、加えて、画素電極の形成工程による影響が大きくなる。このため、投射型の液晶プロジェクタに用いられるＬＣＯＳ等の小型な液晶ディスプレイでも画素領域内における光量の均一化が可能な構成が求められている。
【００６３】
これに対して、本実施の形態の液晶パネル１０では、画素領域１１０内で、隣り合う画素電極１６間の誘電体層１７の形状が互いに異なる、もしくは、形状は同一でも高さあるいは深さが互いに異なる形状を有するようにした。具体的には、図１や図２等に示した液晶パネル１０Ａ，１０Ｂのように、各画素電極１６上に傾斜面Ｓ２を有する複数の傾斜部４１を誘電体層１７に設け、さらに、画素電極１６と対向する傾斜面Ｓ２の幅（傾斜幅Ｗ）が、画素領域１１０内に異なるようにした。これにより、各画素電極１６における光反射率を調整することが可能となる。よって、画素領域１１０内の所望の領域の光反射率を変化させ、画素領域１１０内の光量を均一化することが可能となる。
【００６４】
＜２．変形例＞
次に、上記実施の形態の液晶パネル１０の変形例（変形例１〜３）について説明する。なお、上記実施の形態における液晶パネル１０の構成要素と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６５】
（２−１．変形例１）
図１３Ａ〜図１５Ｂは、液晶パネル１０の製造方法を工程順に表したものであり、上記実施の形態で説明した液晶パネル１０の他の製造方法を説明するための断面図である。本開示の液晶パネル１０は、本変形例の方法によっても製造することができる。
【００６６】
まず、図１３Ａに示したように、画素回路基板１１上に、例えばスパッタ法およびフォトリソグラフィ法にて、画素Ｐごとにバリア膜（図示せず）、例えばＡｌからなる画素電極１６をこの順に形成したのち、画素回路基板１１上に、例えばＳｉＯ2膜１７ａを成膜する。続いて、図１３Ｂに示したように、例えばＣＭＰ法にてＳｉＯ2膜１７ａを研磨し、表面を平坦化する。次に、図１３Ｃに示したように、所望の位置（ここでは、画素電極１６の間）にレジスト膜５３を形成する。
【００６７】
続いて、図１４Ａに示したように、フォトリソグラフィ法を用いてＳｉＯ2膜１７ａをエッチングしたのち、レジスト膜５３を除去する。このとき、ＳｉＯ2膜１７ａの内部でエッチングを止める。次に、図１４Ｂに示したように、例えばエッチバックによりＳｉＯ2膜１７ａを所望の厚み（例えば、画素電極１６が露出する）まで除去する。続いて、図１４Ｃに示したように、例えば逆スパッタ法や、ＤＥＴエッチング時に低バイアスでエッチングして等方的にエッチングすることにより、画素電極１６の間に残ったＳｉＯ2膜１７ａを加工する。
【００６８】
次に、図１５Ａに示したように、ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いて画素電極１６上にＳｉＯ2膜１７ａ膜を成膜し、誘電体層１７Ａを形成する。続いて、図１５Ｂに示したように、誘電体層１７Ａ上に例えばＣＶＤ法を用いて、例えばＳｉＮからなる誘電体層１７Ｂを成膜する。この後、誘電体層１７上に配向膜２２、液晶層２１および配向膜２３を形成したのち、液晶層２１に対向電極３２を備えた対向基板３１を貼り合わせる。最後に、対向基板３１の面Ｓ１側に偏光板３３を貼り合わせる。以上により、本開示の液晶パネル１０が完成する。
【００６９】
なお、上記実施の形態および変形例では、平坦な画素回路基板１１上に、ＳｉＯ2膜等によって画素領域１１０の中央部と周辺部とで段差を形成し、ＣＭＰ等の研磨によって画素領域１１０の中央部と周辺部とでとの誘電体層１７の膜厚差を形成する例を示したが、これに限らない。実際のデバイスでは、画素回路基板１１には多数の配線層が積層されており、各層配線層の間には絶縁膜（配線層間膜）が形成されているため、その表面には凹凸が形成されている。一般には、この凹凸を平坦化するために研磨等が行われるが、このとき、配線密度によって研磨量が変化する。このように、画素回路基板１１の表面が、例えば、画素領域１１０の中央部が凸状に、周辺部が凹状となっていてもよい。画素回路基板１１の表面に段差がある場合には、より平坦化能力の高い研磨を行うことで、上記のようにＳｉＯ2膜１７ａによって段差を形成することなく、画素領域１１０の中央部と周辺部とで、画素電極１９間において厚みの異なる誘電体層１７を形成することができる。
【００７０】
以上、上記実施の形態では、画素電極１６上に犠牲層５１を形成して隣り合う画素電極１６の間に凹部４２または凸部４３を形成したが、本変形例のように、犠牲層５１を形成することなく、隣り合う画素電極１６の間に凹部４２または凸部４３を形成することができる。具体的には、本変形例では、ＳｉＯ2膜１７ａの平坦化を行ったのち、画素電極１６上のＳｉＯ2膜１７ａをエッチングして画素電極１６の間に凸部４３を形成するようにした。なお、この方法では、画素電極１６上のＳｉＯ2膜１７ａのエッチングに際して、エッチング幅を画素領域１１０の中心部と周縁部とで変化させることで、画素電極１６上に形成される誘電体層１７の傾斜幅Ｗを変化させることができる。
【００７１】
（２−２．変形例２）
図１６Ａは、本開示の変形例に係る液晶パネル１０に設けられている複数の画素電極１６の平面形状の一例を表したものである。本変形例では、画素電極１６の平面形状を加工することで、誘電体層１７の表面に傾斜部４１を形成したものである。
【００７２】
画素領域１１０内の光量の制御は、上記実施の形態のように、画素電極１６上の誘電体層１７の厚みを変化させて、誘電体層１７の表面に傾斜部４１を形成し、画素電極１６の光反射率を変化させる方法の他に、２次元配列（例えばベイヤー配列）されている画素電極１６のレイアウトを変えることでも制御することができる。その方法の１つとして、例えば、画素電極１６の面積を変化させることが考えられる。しかしながら、単純に画素電極１６を小さくしてしまうと、画素電極１６間の距離が広くなり、ドット感が増してしまう。また、画素電極１６間の距離を一定にしようとすると、投影される映像に歪み等が生じる。
【００７３】
これに対して、本変形例では、複数の画素電極１６Ａが配列している画素領域１１０内で、光量を低下させたい領域に、例えば図１６Ａに示したように、矩形形状の四隅が切り欠かれた切り欠き部１６Ｘを有する画素電極１６Ｂを配置するようにした。これにより、誘電体層１７を別途加工することなく、誘電体層１７の表面に、傾斜部４１を形成することができる。
【００７４】
なお、切り欠き部１６Ｘの形状は、図１６Ａのように、四隅が完全に切り落とされた形状に限定されず、例えば、図１６Ｂおよび図１６Ｃに示した切り欠き部１６Ｘ１，１６Ｘ２のように、四隅にテーパ面Ｓ３を形成するようにしてもよい。また、この切り欠き部１６Ｘ１，１６Ｘ２は、画素電極１６の四隅だけでなく、画素電極１６の縁に連続して形成するようにしてもよい。
【００７５】
なお、画素領域１１０内で切り欠き部１６Ｘの大きさや、テーパ面Ｓ３の角度あるいは、テーパ面の幅（Ｗｘ）を変えることによって、各画素電極１６の光反射率を制御することができる。また、本変形例では、画素電極１６を矩形形状としたが、これに限らず、例えば、三角形状や六角形状等とした場合でも同様である。
【００７６】
（２−３．変形例３）
図１７Ａは、本開示の変形例に係る液晶パネル１０に設けられている複数の画素電極１６の平面形状の他の例を表したものである。本変形例では、画素電極１６の面内に、凸部１６Ｈ１（図１７Ｂ）または凹部１６Ｈ２（図１７Ｃ）を形成することで、誘電体層１７の表面に、傾斜部４１となる凹凸構造を形成したものである。
【００７７】
画素電極１６の面内の凸部１６Ｈ１または凹部１６Ｈ２は、画素電極１６の下部に凹凸構造を形成することで設けられる。この凹凸構造は、例えば、画素回路１３と画素電極１６とを電気的に接続するビアＶ１５の加工を工夫することによって形成できる。ビアＶ１５は、例えばタングステン（Ｗ）を、例えばエッチバックやＣＭＰ法を用いて絶縁層１４に埋め込むことで形成される。このビアＶ１５は、通常、最後に絶縁層１４から突出した部分を、例えばＣＭＰ法等によって研磨して平坦化する。そのため、この研磨量を画素領域１１０内で変化させることで、画素電極１６の表面に、凸部１６Ｈ１または凹部１６Ｈ２を形成することができる。即ち、研磨量を少なくし、図１７Ｂに示したように、ビアＶ１５の一部が絶縁層１４の表面から突出した状態とすることで、画素電極１６のビアＶ１５に対応する位置には凸部１６Ｈ１が形成される。また、研磨量を多くし、図１７Ｃに示したように、ビアＶ１５の上面が絶縁層１４の表面よりも窪んだ状態とすることで、画素電極１６のビアＶ１５に対応する位置には凹部Ｈ２が形成される。
【００７８】
なお、ビアＶ１５の絶縁層１４からの突出量を変化させる方法としては、例えば、ビアＶ１５の径を画素領域１１０の中心部と周縁部とで変える方法がある。この方法を用いる場合には、ビアＶ１５の加工の際に抜け性が変化してしまうため、オーバーエッチングを十分に掛けることが好ましい。
【００７９】
以上のように、液晶パネル１０に設けられている複数の画素電極１６の平面形状および断面形状を画素領域１１０内で変化させることでも、誘電体層１７の表面に、画素領域１１０内で互いに異なる傾斜部４１を形成することができる。これにより、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００８０】
＜３．適用例＞
本開示の液晶パネル１０を備えた投射型表示装置１，２は、例えばヘッドアップディスプレイ等のウェアラブルディスプレイや持ち運び可能なポータブルディスプレイ、あるいは上記のようにスマートフォンやタブレット等の投射機能を有するあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。一例として、ヘッドアップディスプレイ３（図１８）およびヘッドマウントディスプレイ（図１９）の概略構成を説明する。
【００８１】
（適用例１）
図１８は、ヘッドアップディスプレイ３の外観を表したものである。このヘッドアップディスプレイ３は、利用者の視野に直接情報を映し出すものであり、例えば車両等に搭載することによって、前方の視界を遮ることなくナビゲーション情報等を表示することができる。このヘッドアップディスプレイ３は、例えば、光出射部２１０と、スクリーン部２２０と、凹面ハーフミラー２３０とを有する。
【００８２】
（適用例２）
図１９は、適用例３に係るヘッドマウントディスプレイ４の外観を表している。このヘッドマウントディスプレイ４は、表示部３１０と、装着部３２０と、投射部３３０とを備えている。本開示の投射型表示装置１（あるいは、投射型表示装置２）は、例えば投射部３３０に搭載されている。
【００８３】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、本開示の投射型表示装置は、上記実施の形態において説明した構成のものに限定されず、光源からの光を、液晶表示ユニットを介して変調し、投射レンズを用いて映像表示するタイプの様々な表示装置に適用可能である。
【００８４】
また、本開示の液晶パネル１０は、上記実施の形態に上記変形例１または変形例２をそれぞれ組み合わせるだけでなく、変形例１および変形例２を組み合わせた構成としてもよい。
【００８５】
なお、本開示内容は以下のような構成であってもよい。
（１）
複数の画素からなる画素領域を有する液晶パネルを有し、
前記液晶パネルは、
前記画素毎に光反射性を有する複数の画素電極が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板および前記第２の基板の間に配置された液晶層と、
前記第１の基板と前記液晶層との間に設けられた層間膜とを備え、
前記層間膜は、少なくとも一部が前記複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、前記画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を有する
液晶表示装置。
（２）
前記複数の傾斜部のそれぞれの前記傾斜幅は、前記画素領域の中心部から周縁部にかけて変化する、前記（１）に記載の液晶表示装置。
（３）
前記複数の傾斜部の形状は、前記画素領域の中心部から周縁部にかけて変化する、前記（１）または（２）に記載の液晶表示装置。
（４）
前記複数の傾斜部はそれぞれ傾斜面を有し、前記それぞれの傾斜面の全長は、それぞれ異なる、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（５）
前記複数の傾斜部はそれぞれ傾斜面を有し、前記それぞれの傾斜面の傾斜角は、それぞれ異なる、前記（１）乃至（４）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（６）
前記層間膜は、隣り合う前記複数の画素電極との間にそれぞれ凸部または凹部を有する、前記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（７）
前記凸部および前記凹部は、隣り合う前記複数の傾斜部の傾斜面を側面として形成されている、前記（６）に記載の液晶表示装置。
（８）
前記複数の画素電極は、それぞれ異なる平面形状または断面形状を有する、前記（１）乃至（７）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（９）
前記複数の画素電極のうち、少なくとも１つの画素電極は、端部の少なくとも一部に切り欠き部を有する、前記（１）乃至（８）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（１０）
前記複数の画素電極のうち、少なくとも１つの画素電極は、端部の少なくとも一部にテーパ面を有する、前記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（１１）
前記画素電極は、面内に凹部または凸部を有する、前記（１）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の液晶表示装置。
（１２）
光源と、
前記光源からの光を変調して映像に対応する光を出射する画素領域を含む液晶パネルと、
前記液晶パネルの出射光に基づいて前記映像を投射する投射レンズとを有し、
前記液晶パネルは、
前記画素毎に光反射性を有する複数の画素電極が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板および前記第２の基板の間に配置された液晶層と、
前記第１の基板と前記液晶層との間に設けられた層間膜とを備え、
前記層間膜は、少なくとも一部が前記複数の画素電極とそれぞれ対向すると共に、前記画素電極と対向する傾斜幅が互いに異なる複数の傾斜部を有する
投射型表示装置。
【００８６】
本出願は、日本国特許庁において２０１６年１０月１９日に出願された日本特許出願番号２０１６−２０５２１８号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００８７】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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