【事件の表示】
　特願２０００−３６１０３７「半導体レーザ素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　７日出願公開、特開２００２−１６４６０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１１月２８日の出願であって、平成１７年１１月４日に手続補正がなされ、同年１２月２日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１８年１月５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年２月２日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年２月２日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１８年２月２日付の手続補正を却下する。
　
[理由]
（１）補正の内容  
 　上記平成１８年２月２日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項６を以下のように補正して、新たな請求項２とすることを含むものである。
「【請求項２】　半導体レーザチップにおける
互いに対向する二つの
　少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が５Å以上であり且つ３０Å以下であるＳi膜が形成されており、
　上記Ｓi膜が形成されている光出射端面および上記Ｓi膜内でのリーク電流の発生が抑制されていることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法であって、
　上記
両光出射端面における
　
　この請求項２に係る補正は、補正前の請求項６に記載した発明を特定するために必要な事項である「光出射端面」及び「上記Ｓi膜と酸化膜」に、それぞれ「互いに対向する二つの」及び「両光出射端面における」との技術的限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後の請求項２に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて検討する。
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成１２年６月２３日に頒布された刊行物である特開２０００−１７４３７８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【請求項１】  第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有し、対向する二つの化合物半導体層の端面が共振器構造を形成している化合物半導体発光素子であって、
該化合物半導体層の端面を形成する第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層の表面が不活性化層で被覆されており、該化合物半導体層の端面を構成する元素の少なくとも１つは酸素との結合を持たず、該不活性化層の化合物半導体層の端面に隣接する部分が酸素を構成元素として含有することを特徴とする化合物半導体発光素子。」
　
　ｂ．「【請求項１０】  前記不活性化層の表面が、誘電体または誘電体と半導体との組合せからなるコーティング層で被覆されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の化合物半導体発光素子。
【請求項１１】  前記コーティング層が、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮ、ＳｉおよびＺｎＳからなる群から選択される１以上の化合物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の化合物半導体発光素子。
【請求項１２】  前記コーティング層が一端では低反射率のコーティング層からなり、他端では高反射率のコーティング層からなることを特徴とする請求項１０または１１に記載の化合物半導体発光素子。」
　
　ｃ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子、特に半導体レーザに関するものである。本発明は、光ファイバー増幅器用励起光源や光情報処理用の光源等のように、高出力かつ長寿命であることを要求される場合に好適に利用することができる。また本発明は、スーパールミネッセントダイオード等のＬＥＤで、光の出射端が端面により形成されているものや、面発光レーザ等へも応用することができる。」
　
　ｄ．「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の従来技術の問題点を解決することを課題とした。具体的には、本発明は、端面での外因的な界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができ、高出力と長寿命を両立させた高性能の半導体発光素子を提供することを解決すべき課題とした。また本発明は、端面での劣化を抑え、大気中での劈開も可能である簡便な方法で製造することができる半導体発光素子を提供することを解決すべき課題とした。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を進めた結果、化合物半導体層の端面や不活性化層の端面との隣接部分の酸化状態が、端面の界面準位密度の長期間安定に影響を与えることを見出し、本発明を完成するに至った。」
　
　ｅ．「【００５８】本発明では、露出した半導体端面上に構成した不活性化層（１４）の上に、さらに誘電体または誘電体および半導体の組合せからなるコーティング層（１５）（１６）を形成するのが好ましい（図１）。特に、端面へのプラズマ照射、不活性化層（１４）の形成、コーティング層（１５）（１６）の形成は、連続して負圧下、より好ましくは真空中で行うことが望ましい。コーティング層は、主に半導体レーザからの光の取り出し効率を上げ、端面の保護を強化するという２つの目的のために形成する。特に高出力を達成するためには、発振波長に対して低反射率のコーティング層を前端面に施し、発振波長に対して高反射率のコーティング層を後端面に施す非対称コーティングを行うのが一般的である。」
　
　ｆ．「【００６７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、濃度、厚さ、操作手順等は、本発明の精神から逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下の実施例に示す具体例に制限されるものではない。
【００６８】（実施例１）図２に示すグルーブ型のレーザ素子を以下の手順にしたがって製造した。キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ基板（１）の（１００）面上に、ＭＢＥ法にて、バッファ層（２）として厚さ１μｍでキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ層；第一導電型クラッド層（３）として厚さ１．５μｍでキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ層；次いで、厚さ３０ｎｍのアンドープのＧａＡｓ光ガイド層上に厚さ６ｎｍのアンドープＩｎ0.16Ｇａ0.84Ａｓの単一量子井戸（ＳＱＷ）、さらにその上に厚さ３０ｎｍのアンドープＧａＡｓ光ガイド層を有する活性層（４）；第二導電型第一クラッド層（５）として厚さ０．１μｍでキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ層；第２エッチング阻止層（６）として厚さ１０ｎｍでキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓ層；第一エッチング阻止層（７）として厚さ２０ｎｍでキャリア濃度５×１０17ｃｍ-3のｎ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ層；電流ブロック層（９）として厚さ０．５μｍでキャリア濃度５×１０17ｃｍ-3のｎ型Ａｌ0.39Ｇａ0.61Ａｓ層；キャップ層（１０）として厚さ１０ｎｍでキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ層を順次積層した。
【００６９】最上層の電流注入領域部分を除く部分に窒化シリコンのマスクを設けた。このとき、窒化シリコンマスクの開口部の幅は１．５μｍとした。第一エッチング阻止層（７）をエッチングストップ層として２５℃で３０秒間エッチングを行い、電流注入領域部分のキャップ層（１０）と電流ブロック層（９）を除去した。エッチング剤は、硫酸（９８ｗｔ％）、過酸化水素（３０ｗｔ％水溶液）および水を体積比で１：１：５で混合した混合液を使用した。
【００７０】次いでＨＦ（４９％）とＮＨ4Ｆ（４０％）を１：６で混合した混合液に２分３０秒浸漬して窒化シリコン層を除去した。その後、第２エッチング阻止層（６）をエッチングストップ層として２５℃で２分間エッチングを行い、電流注入領域部分の第一エッチング阻止層（７）をエッチング除去した。エッチング剤は、塩酸（３５ｗｔ％）と水を２：１に混合した混合液を使用した。
【００７１】その後、ＭＯＣＶＤ法にて第二導電型第二クラッド層（８）としてキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ層を埋め込み部分（電流注入領域部分）の厚さが１．５μｍになるように成長させた。さらに、電極との良好な接触を保つためのコンタクト層（１１）として、キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓ層を厚さ３．５μｍになるように成長させた。電流注入領域の幅Ｗ（第二エッチング阻止層との界面における第二導電型第二クラッド層の幅）は２．２μｍであった。さらに、基板側にはｎ型電極（１３）としてＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを、またｐ型電極（１２）にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着させ４００℃で合金化を５分間行って半導体ウエハーを完成させた。
【００７２】続いて、大気中で、共振器長７００μｍのレーザバーの状態に劈開して（１１０）面を露出させ、プラズマ発生装置を有する真空チャンバーの中に入れた。３ｘ１０-5Torrの真空チャンバー内で、平均エネルギー６０ｅＶ、電流密度１５０μＡ／ｃｍ2のＡｒプラズマを１分間端面（劈開面）に照射した。連続して、２ｘ１０-7Torr以下の真空中で通常の電子ビーム蒸着法を用いてアモルファスＳｉを２ｎｍ端面に堆積させて、Ｓｉ不活性化層（１４）を形成した。さらに連続的にＡｌＯｘ膜を発振波長９８０ｎｍにおいて前端面の反射率が２．５％になるように１６５ｎｍ製膜し、コーティング層（１５）を形成した。ＡｌＯｘ製膜はＩＡＤ法により行い、４ｘ１０-5Torrの真空中でＡｌＯｘの端面への供給と同時に平均エネルギー１２０ｅＶ、電流密度２００μＡ/ｃｍ2のＡｒプラズマを照射した。なお、９８０ｎｍでのアモルファスＳｉの屈折率は、その実数部分が約３．４であることが確認されている。
【００７３】さらに後端面側の処理を行うために、一度レーザバーを真空層から取り出した。後端面側においても前端面側と全く同様にしてＡｒプラズマ照射、Ｓｉ不活性化層（１４）の形成、さらに連続して、厚さ１７０ｎｍのＡｌＯｘ層／厚さ６０ｎｍのアモルファスＳｉ層／厚さ１７０ｎｍのＡｌＯｘ層／厚さ６０ｎｍのアモルファスＳｉ層の４層からなるコーティング層（１６）を形成し、反射率９２％の後端面を作製した。ＡｌＯｘ膜の製膜は、前端面側と同様にＩＡＤ法により行ない、アモルファスＳｉの形成は前端面側と同様の電子ビーム蒸着法により行った。」
　
ｇ．「【００８３】（実施例３）前端面および後端面に不活性化層を形成した後、その不活性化層に対して、コーティング層の原料供給を行わずに４×１０-5Torrの真空中で平均エネルギー１１０ｅＶ、電流密度２００μＡ／ｃｍ2のＡｒプラズマを３０秒ほど照射し、引き続きＡｌＯｘを通常の電子ビーム蒸着によって形成した点を変更した以外は、実施例１と同様にして化合物半導体発光素子を作製した。」
　
　上記ａ．〜ｇ．から、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する半導体ウエハーを備え、
　対向する二つの前記化合物半導体層の端面である、前端面及び後端面が共振器構造を形成している半導体レーザであって、
　前記前端面及び前記後端面が劈開面から形成され、
　該化合物半導体層の前端面及び後端面の表面が不活性化層で被覆され、
　前記不活性化層の表面が、半導体レーザからの光の取り出し効率を上げ、端面の保護を強化するという２つの目的を有するコーティング層で被覆され、
　前記コーティング層が一端では低反射率のコーティング層からなり、他端では高反射率のコーティング層からなり、
　前記低反射率のコーティング層がＡｌＯｘを含み、前記高反射率のコーティング層がＡｌＯｘおよびＳｉを含む半導体レーザの製造方法において、
　
　前記前端面及び前記後端面に、それぞれ通常の電子ビーム蒸着法を用いてアモルファスＳｉを２ｎｍ堆積させて、前記不活性化層を形成し、その不活性化層に対して、前記コーティング層の原料供給を行わずにＡｒプラズマを照射し、引き続きＡｌＯｘを通常の電子ビーム蒸着によって形成して前記低反射率のコーティング層及び前記高反射率のコーティング層となす工程を有する半導体レーザの製造方法。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明１とを以下に対比する。  
（ａ）引用発明１の「半導体レーザ」が、本願補正発明の「半導体レーザ素子」に相当する。
　
（ｂ）引用発明１の「前端面及び後端面」が、活性層を含む化合物半導体層を基板上に有する半導体ウエハーの劈開面から形成されているのであるから、引用発明１の「対向する二つの前記化合物半導体層の端面である、前端面及び後端面」は、本願補正発明の「半導体レーザチップにおける互いに対向する二つの光出射端面」に相当することは明らかである。
　
（ｃ）引用発明１の「コーティング層」は、ＡｌＯｘを含み、半導体レーザからの光の取り出し効率を上げ、端面の保護を強化するという２つの目的を有し、さらに、一端では低反射率のコーティング層からなり、他端では高反射率のコーティング層からなるとともに、これらのコーティング層が前端面及び後端面をそれぞれ被覆するように設けられているのであるから、引用発明１は、本願補正発明の「互いに対向する二つの光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成され」との構成を備えている。
　
（ｄ）引用発明１の「不活性化層」は、アモルファスＳｉを２ｎｍ堆積させて形成されたものであり、前端面及び後端面の表面を被覆するとともに、さらにその表面はＡｌＯｘを含むコーティング層で被覆されているのだから、引用発明１の「不活性化層」は、本願補正発明の「少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が５Å以上であり且つ３０Å以下であるＳi膜」に相当する。
　
（ｅ）引用発明１の前端面及び後端面における「不活性化層」及び「コーティング層」は、それぞれ通常の電子ビーム蒸着法を用いて形成されたものであるから、引用発明１が、本願補正発明の「両光出射端面における上記Ｓi膜と酸化膜とを、真空蒸着によって形成する」との構成を備えていることは明らかである。
　
　以上（ａ）〜（ｅ）によれば、本願補正発明と引用発明１とは、
「半導体レーザチップにおける互いに対向する二つの光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成された半導体レーザ素子において、
　少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が５Å以上であり且つ３０Å以下であるＳi膜が形成されてなる半導体レーザ素子の製造方法であって、
　上記両光出射端面における上記Ｓi膜と酸化膜とを、真空蒸着によって形成する半導体レーザ素子の製造方法。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
[相違点Ａ]
　本願補正発明では、Ｓi膜が形成されている光出射端面および当該Ｓi膜内でのリーク電流の発生が抑制されているのに対し、引用発明１では、リーク電流の発生が抑制されているか否か、そして、仮に抑制されているのであればその場所が明らかでない点。
　
（４）判断
　上記相違点Ａについて以下に検討する。
　（ａ）リーク電流に関する記載を本願明細書の発明の詳細な説明から摘記すると、以下のとおりである。
「【００１６】また、上記特開平１‐２８９２８９号公報に開示された高出力タイプの半導体レーザ素子においては、信頼性向上のために、主出射端面４１aに保護膜４２aを形成する際に、熱伝導率の高いＳi膜４４を先に形成するようにしている。この場合、放熱性の向上ばかりでなく、蒸着時の材料分解によって酸素が発生することのないＳi膜４４を先に形成することで、蒸着開始直後から酸素分圧が低い状態でレーザチップ４１の出射端面４１a近傍の成膜を行うことができるため、上述した出射端面４１a近傍におけるダメージを抑えることができるという効果も得られる。
【００１７】ところが、この場合には、
上記Ｓi膜４４の厚さが約５３２Å(≒λ/４)とかなり厚いために、Ｓi膜４４内(光出射端面)でリーク電流が発生し、半導体レーザ素子の発振特性に悪影響を及ぼす場合がある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、第１の発明は、半導体レーザチップにおける光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成された半導体レーザ素子において、少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が４０Å以下のＳi膜が形成されていることを特徴としている。
・・・中略・・・
【００２２】
さらに、上記Ｓi膜の膜厚は４０Å以下であってかなり薄い。したがって、上記Ｓi膜内あるいは上記光出射端面でのリーク電流の発生が低減され、発振特性に悪影響を及ぼすことがない。
【００２４】
上記構成によれば、上記Ｓi膜の膜厚は５Å以上であり且つ３０Å以下であるため、上記リーク電流の発生は略無くなる。
　
（ｂ）上記（ａ）（特に、下線部参照）によれば、Ｓｉ膜内（光出射端面）或いは出射端面近傍でのリーク電流の発生は、当該出射端面に形成されるＳｉ膜の膜厚に依存し、当該膜厚が本願補正発明で特定された「５Å以上であり且つ３０Å以下」であれば、略無くなることが理解できるところ、両発明は、光出射端面に形成されたＳｉ膜の膜厚に関して何ら異なるところがなく、その他のレーザ素子の構造も相違しないのであるから、引用発明１においても、本願発明と同様に「Ｓi膜が形成されている光出射端面および当該Ｓi膜内でのリーク電流の発生が抑制されている」といえる。
　したがって、本願補正発明は、実質的に引用発明１と相違しない。
　
（ｃ）よって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年２月２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１１月４日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　
「【請求項１】半導体レーザチップにおける光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成された半導体レーザ素子において、
　少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が５Å以上であり且つ３０Å以下であるＳi膜が形成されており、
　上記Ｓi膜が形成されている光出射端面および上記Ｓi膜内でのリーク電流の発生が抑制されていることを特徴とする半導体レーザ素子。　」
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成１０年９月８日に頒布された刊行物である特表平１０−５０９２８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【特許請求の範囲】
１．ほぼ１に等しい屈折率を有する媒体（６０）により包囲される半導体ダイオードレーザであって、半導体本体（１００）が半導体基板（１）上に位置する半導体層構造体を有し、この半導体層構造体が２個のクラッド層（２，４）の間に位置する少なくとも１個の活性層（３）とｐｎ接合を具え、ｐｎ接合が、十分な順方向電流が与えられると、共振キャビティ内に位置すると共に活性層（３）の一部を構成する細条状活性区域（３Ａ）においてコヒーレントな電磁放射を発生することができ、前記共振キャビティが活性区域にほぼ直交する端面（５，５１）により境界され、少なくとも一方の端面にカバー層（２０）が形成される半導体ダイオードレーザにおいて、前記カバー層（２０）が第１の屈折率を有する第１の誘電体と第２の屈折率を有する第２の誘電体との少なくとも２個の副層（２１，２２）を具え、これら副層（２１，２２）の光学厚さ及び屈折率を、半導体本体（１００）及びカバー層（２０）で発生した電磁放射の電界強度の最大強度が前記端面（５０，５１）の外側に位置するように選択したことを特徴とする半導体第レーザ。
・・・中略・・・
４．請求項１、２又は３に記載の半導体ダイオードレーザにおいて、前記第１の誘電体をＡｌ2Ｏ3で構成し、前記第２の誘電体をＳｉ3Ｎ4で構成したことを特徴とする半導体ダイオードレーザ。
・・・中略・・・
７．請求項１から６までのいずれか１項に記載の半導体ダイオードレーザにおいて、前記カバー層（２０）が形成されている端面（５０）が発生した電磁放射の出射面（５０）を構成し、発生した放射の波長を１μｍ以下で０．６８μｍ以上としたことを特徴とする半導体ダイオードレーザ。
８．請求項１から７までのいずれか１項に記載の半導体ダイオードレーザにおいて、前記半導体本体（１００）とカバー層（２０）との間に、Ｓｉ又はＡｌ好ましくはＡｌの、好ましくは２から３ｎｍの厚さの極めて薄い中間層（３０）が存在することを特徴とする半導体ダイオードレーザ。」（第２頁１行〜第３頁２１行）
　
　ｂ．「【発明の詳細な説明】
                 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法
  本発明は、ほぼ１に等しい屈折率を有する媒体により包囲される半導体ダイオードレーザであって、半導体本体が半導体基板上に位置する半導体層構造体を有し、この半導体層構造体が２個のクラッド層の間に位置する少なくとも１個の活性層とｐｎ接合を具え、ｐｎ接合が、十分な順方向電流が与えられると、共振キャビティ内に位置すると共に活性層の一部を構成する細条状活性区域においてコヒーレントな電磁放射を発生することができ、前記共振キャビティが活性区域にほぼ直交する端面により境界され、少なくとも一方の端面にカバー層が形成される半導体ダイオードレーザに関するものである。本発明は、特にサブμの電磁放射を放出するダイオードレーザに関するものである。このダイオードレーザは、レーザプリンタ、バーコードリーダ、及び、ＣＤ（オーディオ）及びＣＤＲＯＭ（データ）ディスクのような光記録用の読出及び／又は書込装置のような情報処理装置の読出及び／又は書込に用いるのに好適である。
  このダイオードレーザは、刊行物エレクトロン  レター  第２８巻  Ｎo.１１１９９２年５月２１日に記載されている「リライアブル  ハイーパワー（４０ｍＷ）  オペレーション  オブ  トランスバース−モード  スタビライズド  ＩｎＧａＡｌＰ  レーザ  ダイオード  ウイズ  ストレインド  アクティブ  レイヤ」から既知である。この刊行物に記載されているダイオードレーザは、ｎ形クラッド層とｐ形クラッド層との間に位置する活性層の一部を構成する活性領域から６９８ｎｍの波長の放射を放出している。活性領域は、長手方向において２個の端面により境界されている共振キャビティ内に存在し、これら端面は活性領域と直交し一方の端面にはＡｌ2Ｏ3のカバー層が形成されている。この層は出射面として作用する端面を不働化し、このカバー層の厚さは所望の反射率すなわち１０％の比較的低い反射率となるように選択されている。共振キャビティを境界する他方の端面には高反射率のカバー層が形成され誘電性半導体すなわちＡｌ2Ｏ3-Ｓｉの多層で構成されている。」（第５頁１行〜２７行）
　
　ｃ．「この目的を達成するため、冒頭部で述べた形式のダイオードレーザは、カバー層が第１の屈折率を有する第１の誘電体と第２の屈折率を有する第２の誘電体との少なくとも２個の副層を具え、これら副層の光学厚さ及び屈折率を、半導体本体及びカバー層で発生した電磁放射の電界強度の最大強度が前記端面の外側に位置するように選択したことを特徴とする。本発明は、既知の反射防止カバー層にもかかわらず端面でのダイオードレーザの劣化が少なくならないという認識に基づいている。端面での劣化は、端面及びその付近で発生した放射の高い電界強度により助長されてしまう。カバー層が誘電体を含む少なくとも２個の副層で構成され、これらの副層について適当な屈折率及び光学厚さが選択される場合、端面及びその付近での電界強度が低下することが達成され、この結果劣化が減少する。さらに、本発明は、寿命を制限する劣化の一部は、カバー層が半導体を含むため電子放射を吸収するという事実により発生するという認識に基づいている。このため、カバー層の光学的に活性な主要な部分を、考えられる波長の電磁放射を吸収しない誘電体材料で構成する。結果として、本発明のダイオードレーザは、極めて大きい光パワーが供給されても寿命が極めて長くなる所望の特性を有する。」（第６頁第９行〜２４行）
　
　ｄ．「本発明のダイオードレーザの主要な変形例として、第２の誘電体が第１の誘電体の屈折率よりも大きい屈折率を有し、λを発生した放射の波長とし、ｎを自然数とした場合に、前記副層の光学厚さを、これら副層の光学厚さの和が（ｎ×１／２＋１／４）×λにほぼ等しくなるように、好ましくは第１の副層の光学厚さがｎλ／２に等しく第２の副層の光学厚さがλ／４に等しくなるように選択する。このダイオードレーザにおいて、放射の電界強度は端面又はその近傍で最小になり、これは劣化に対して最良である。２個の誘電体含有副層で構成されるカバー層は比較的容易に再現性に優れて製造することができる。さらに、このカバー層は所望の反射を得るように調整する自由度を有している。好ましくは、第１の材料をＡｌ2Ｏ3で構成し、第２の材料はＳｉ3Ｎ4で構成する。これらの材料は、発生した放射を吸収しない重要な利点を有している。また、これらの材料は約６７０ｎｍの波長の放射に対してそれぞれ１．６６及び２．０１の適切な屈折率を有しており、層形成するのが容易である。
・・・中略・・・
　上述した形態の好適な変形例として、半導体本体とカバー層との間に極めて薄い中間層、好ましくは２〜３ｎｍで、Ｓｉ又はＡｌ好ましくはＡｌの中間層を存在させる。この中間層は半導体本体の外側において酸素又は酸素化合物用のゲッタとして作用し、この結果本発明のダイオードレーザを一層良好に生産することができる。この中間層の欠点は、発生した放射の一部を吸収することであり、これは望ましくないことである。本発明のダイオードレーザでは、中間層付近において放射強度は極めて低いので、中間層での吸収も極めて少なく、この結果予期される効果を最大に達成できる。製品寿命及びパワーの点に関して最良の結果は、この実施例により得られた。
　本発明のダイオードレーザは、好ましくは放射波長が１μｍ以下好ましくは０．６８μｍ以下になるように構成する。これは、例えばＩｎＡｌＧａＰ材料系又はＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料系で製造する場合である。約１μｍ以上の放射波長を有するダイオードレーザは実際にほとんど（ミラー）劣化を受けないことが判明しており、ダイオードレーザとカバー層との間の界面での電界強度の低下はほとんど不要であり上記利点が達成されない。
  本発明のダイオードレーザの光パワー及び寿命についての利点は、出射面として作用する端面について最も大きい。すなわち、ここでカバー層について選択した反射率は、通常比較的低く、例えば０％と３０％との間にある。これは、端面又はその近傍において放射の電界強度が比較的高くなることが克服されていることを意味する。出射面として作用しない他方の端面は通常より高い反射率、例えば５０％と１００％との間にあり、従ってここでの電界強度は比較的低くなる。」（第７頁２１行〜第９頁８行）
　
　ｅ．図１から、引用発明２の半導体ダイオードレーザが、半導体基板１を有する半導体本体１００を具え、該基板上に半導体層構造体が存在すること、及び中間層４０が端面５０，５１とカバー層２０との間に形成されていることが見て取れる。
　
　以上ａ．〜ｅ．から、引用例２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体基板を有する半導体本体を具え、該半導体本体が前記半導体基板上に位置する半導体層構造体を有し、この半導体層構造体が２個のクラッド層の間に位置する少なくとも１個の活性層とｐｎ接合を具え、ｐｎ接合が、十分な順方向電流が与えられると、共振キャビティ内に位置すると共に活性層の一部を構成する細条状活性区域においてコヒーレントな電磁放射を発生することができ、前記共振キャビティが活性区域にほぼ直交する端面により境界され、少なくとも一方の端面にカバー層が形成される半導体ダイオードレーザにおいて、
　　前記カバー層は、第１の屈折率を有する第１の誘電体と第２の屈折率を有する第２の誘電体との少なくとも２個の副層を具え、これら副層の光学厚さ及び屈折率を、前記半導体本体及び前記カバー層で発生した電磁放射の電界強度の最大強度が前記端面の外側に位置するように選択されることにより、端面及びその付近での電界強度が低下することが達成され、端面でのダイオードレーザの劣化が減少するものであるとともに、反射率が選択されており、
　前記第１の誘電体及び第２の誘電体が、それぞれＡｌ2Ｏ3及びＳｉ3Ｎ4で構成され、　前記カバー層が形成されている端面が、発生した電磁放射の出射面を構成し、
　前記端面と前記カバー層との間に、Ｓｉの２から３ｎｍの厚さの極めて薄い中間層が存在する半導体ダイオードレーザ。」
　
（３）対比
　（ａ）引用発明２の「半導体ダイオードレーザ」が、本願発明の「半導体レーザ素子」に相当する。
  　
　（ｂ）引用発明２の「半導体基板」及び「半導体層構造体」を有する「半導体本体」が、本願発明の「半導体レーザチップ」に相当することは明らかである。
　
　（ｃ）引用発明２の「端面」は、発生した電磁放射の出射面を構成しており、ダイオードレーザの共振キャビティが当該「端面」によって境界されているのであるから、引用発明２の「端面」が、本願発明の「半導体レーザチップにおける光出射端面」に相当することは明らかである。
　
　（ｄ）引用発明２の「カバー層」は、Ａｌ2Ｏ3を含み、且つ端面に形成されるものであり、該端面でのダイオードレーザの劣化を減少するように構成されるとともに、その反射率が選択されたものである。したがって、引用発明２は、本願発明の「半導体レーザチップにおける光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成された」との構成を備えているといえる。
　
　（ｅ）引用発明２の「中間層」は、端面と前記カバー層との間に、Ｓｉの２から３ｎｍの厚さの極めて薄い層として形成された層であるから、これが、本願発明の「少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が５Å以上であり且つ３０Å以下であるＳi膜」に相当する。
　
　以上（ａ）〜（ｅ）によれば、本願発明と引用発明２とは、
「半導体レーザチップにおける光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成された半導体レーザ素子において、
　少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が５Å以上であり且つ３０Å以下であるＳi膜が形成された半導体レーザ素子。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
[相違点Ａ’]
　本願発明では、Ｓi膜が形成されている光出射端面および当該Ｓi膜内でのリーク電流の発生が抑制されているのに対し、引用発明２では、リーク電流の発生が抑制されているか否か、そして、仮に抑制されているのであればその場所が明らかでない点。
　
（４）判断
　上記相違点Ａ’は、上記「２．（３）」に記載の相違点Ａと実質的に同一であるから、上記「２．（４）」に記載した理由と同様の理由により、引用発明２も具備している機能であるといえるから、上記相違点Ａ’は実質的な相違点ではない。
　したがって、本願発明は、実質的に引用発明２と相違しない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。