【事件の表示】
　平成　６年特許願第　８５９７２号「スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　８月２２日出願公開、特開平　７−２２４３７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年３月３１日の出願であって、平成１５年９月２４日に拒絶理由を発送し、その指定期間内である平成１５年１１月２５日付けで手続補正書および意見書が提出されたが、平成１６年４月２７日付け（発送：平成１７年５月６日）で拒絶査定がなされ、これに対し同年６月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後当審において平成１９年４月１３日付けで審尋がなされ、その後同年６月１５日に回答書が提出されたものである。
　
２．本願発明について
（１）本願の請求項１に係る発明は、平成１５年１１月２５日付けで手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】　膜中のスズ含有量がインジウムに対して、０．０５〜２．０重量％又は１０〜４０重量％であり、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□、電極間の距離が３０ｃｍのときのリニアリティ値が±２％以内であることを特徴とするスズドープ酸化インジウム膜。」
　
３．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本願出願前の昭和５８年４月８日に頒布された刊行物である特開昭５８−５９５０９号公報（以下、「刊行物１」という）には、次の事項が記載されている。
　
（ア）「本発明は酸化インジウム、二酸化錫よりなる透明導電性膜（以後ＩＴＯ膜と称する）の製造方法に関し、詳しくは高性能のＩＴＯ膜を生産性よく製造する改善された製造方法に関する。」（第１頁左欄第１３−１６行）
　
（イ）「またＩＴＯタブレットの組成を変えることによってもＩＴＯ膜の特性は変化する。第３図にＩＴＯタブレットにおいて二酸化錫の含量を変えた時の、膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜のシート抵抗及び光透過率の変化を示した。横軸に二酸化錫の含有重量％、縦軸はシート抵抗及び光透過率である。また耐久性試験として３００℃、大気中１時間の熱処理結果を併記した。二酸化錫の含量と特性変化は図により明かである。熱処理の影響は二酸化錫が５重量％以下の場合、シート抵抗の劣化が顕著になるが、例えば液晶表示装置の透明電極の熱劣化許容限度１ｋΩ／□を基準にすると３重量％以上の二酸化錫含有範囲であればよい。
　その他の用途についても勘案して、二酸化錫の含有量は０．３〜４０重量％、好しくは５〜２５％である。」（第４頁右上欄第８行−第４頁左下欄第３行）
（ウ）「第３図」には「ＩＴＯタブレットにおいて二酸化錫の含量を変えた時の、膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜のシート抵抗及び光透過率の変化」として、横軸を二酸化錫の含有重量％、縦軸をシート抵抗値及び透過率としたものが記載され、ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％が「０」−「３５」の範囲のものが記載されている。さらに「第３図」には「ＩＴＯタブレットにおいて二酸化錫の含量を変えた時の、膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜」の「シート抵抗値」が「ａ：熱処理なし」として、該「ＩＴＯ膜」を「３００℃、大気中１時間の熱処理結果」が「ｂ：熱処理（３００℃、１時間、大気中）」として記載されている。またＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％が約１０ｗｔ％〜約３５ｗｔ％の範囲において、「ａ：熱処理なし」の「ＩＴＯ膜」は、約１０ｗｔ％でシート抵抗値約４００Ω／□の値をとり、「ＳｎＯ2重量％」が約２０重量％になるまで「シート抵抗値」は単調に減少し、「ＳｎＯ2重量％」が約２０重量％でシート抵抗値約３００Ω／□の極小値を採り、「ＳｎＯ2重量％」が約２０重量％から３５重量％に増加するにつれて「シート抵抗値」は単調に増加し、「ＳｎＯ2重量％」が３５重量％で約６５０Ω／□の値を採ること及びＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％が３０重量％で約５００Ω／□の値を採ることが窺える。
　さらにＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％が約１０ｗｔ％〜約３５ｗｔ％の範囲において、「ｂ：熱処理（３００℃，１時間、大気中）」の「ＩＴＯ膜」は、約１０ｗｔ％でシート抵抗値約９５０Ω／□の値をとり、「ＳｎＯ2重量％」が約２３重量％になるまで単調に減少し約２３重量％でシート抵抗値約４００Ω／□の極小値を採り、「ＳｎＯ2重量％」が約２０重量％から３５重量％に増加するにつれて「シート抵抗値」は単調に増加し、「ＳｎＯ2重量％」が３５重量％で約７３０Ω／□の値を採ること及び「ＳｎＯ2重量％」が３０重量％で約５５０Ω／□の値を採ることが窺える。
（エ）「以上述べたＩＴＯ膜製造装置に於て、ボート１２１に酸化インジウム及び二酸化錫から成る蒸発源例えば二酸化錫０．３〜４０重量％を含む酸化インジウムとの混合物を均一に混合し加圧成形した酸化インジウム、二酸化錫タブレット（ＩＴＯタブレット）を入れ、ペルジャー１１を排気し、酸素放電管１４から酸素ガス或は含酸素ガスをグロー放電部１４１によって活性化して供給し、ペルジャー１１内の真空度を１０-6〜１０-2ｔｏｒｒ、より好しくは１０-5〜１０-3ｔｏｒｒにし、電子銃（図示せず）からの電子ビームでＩＴＯタブレットを照射し、背後電極に前述した印加電圧範囲、好しくは−１〜−５ｋＶの直流電圧を印可する。」（第３頁左下欄第３−１５行）
　
４．引用発明について
（１）刊行物１には、記載事項（イ）によれば、「ＩＴＯタブレットにおいて二酸化錫の含量を変えた時の、膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜」が記載され、記載事項（ウ）によればＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％として「０」−「３５」重量％に変化させた場合の「ＩＴＯ膜」、該「ＩＴＯ膜」の「シート抵抗」値が「ａ」として記載され、該「ＩＴＯ膜」の「シート抵抗」値はＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％が１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲で約３００Ω／□〜約５００Ω／□の値を示すことが記載されている。
　さらに記載事項（ウ）によれば該「ＩＴＯ膜」を「３００℃、大気中１時間の熱処理」したＩＴＯ膜の「シート抵抗」値が「ｂ」として記載され、ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％が１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲で「シート抵抗」値が約４００Ω／□〜約７３０Ω／□の値を示すことが記載されている。
　これらの記載を本願発明１の記載ぶりに即して整理すると、刊行物１には、「ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲として膜厚４００Åに蒸着された、シート抵抗値が約３００Ω／□〜約６５０Ω／□のＩＴＯ膜」（「以下、引用発明１」という）及び
「ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲として膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜を３００℃、大気中１時間の熱処理し得られる、シート抵抗値が約４００Ω／□〜約７３０Ω／□以上のＩＴＯ膜」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
　
５．対比・判断
（１）本願発明１と引用発明１との対比
（イ）一致点・相違点
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、その単位より引用発明１の「シート抵抗値」は本願発明１の「シート抵抗値」に相当し、引用発明１のシート抵抗値は本願発明１のシート抵抗値に約３００Ω／□〜約５００Ω／□の範囲で包含され引用発明１と本願発明１は「膜」の発明で共通することは明らかである。
　そうすると、引用発明１と本願発明１とは、「シート抵抗値が約３００Ω／□〜約５００Ω／□の膜」の点で一致し以下の（ａ）−（ｂ）の点で一応相違する。
　
（ａ）本願発明１は「膜中のスズ含有量がインジウムに対して、０．０５〜２．０重量％又は１０〜４０重量％」の「スズドープ酸化インジウム膜」であるのに対し、引用発明１は「ＩＴＯ膜」である点
（ｂ）本願発明１は「電極間距離が３０ｃｍのときのリニアリティ値が±２％以内」であるが、引用発明１には該記載のない点
　
（ロ）相違点（ａ）についての判断
　本願発明１の発明特定事項である「膜中のスズ含有量がインジウムに対して、０．０５〜２．０重量％又は１０〜４０重量％」は、本願発明１のスズドープ酸化インジウム膜中のスズ含有量を、スズドープ酸化インジウム膜中のインジウム含有量で除した値が「０．０５〜２．０重量％又は１０〜４０重量％」の範囲と解される。
　次に引用発明１の「ＩＴＯ膜」について検討する。記載事項（エ）より引用発明１の「ＩＴＯ膜」は、「酸化インジウム及び二酸化錫から成る蒸発源例えば二酸化錫０．３〜４０重量％を含む酸化インジウムとの混合物を均一に混合し加圧成形した酸化インジウム、二酸化錫タブレット（ＩＴＯタブレット）」を用い得られるものである。ここで化学大事典　縮刷版　１９６０年９月３０日　初版第１冊発行の「酸化インジウム」の項によれば「酸化インジウム」は、「酸化インジウム（III）」すなわち、「Ｉｎ2Ｏ3」を指すと記載されていること、さらに透明導電膜の蒸着材料として「Ｉｎ2Ｏ3」を用いることは、例えば特開平５−２２６０７５号公報【０００８】欄に見られるように周知の技術的事項であることから、記載事項（エ）の「酸化インジウム」は「Ｉｎ2Ｏ3」であるといえる。そこで記載事項（ウ）について検討すると、記載事項（エ）の「二酸化錫０．３〜４０重量％を含む酸化インジウムとの混合物を均一に混合し加圧成形した酸化インジウム、二酸化錫タブレット（ＩＴＯタブレット）」の記載より、記載事項（ウ）の「第３図」の「ＳｎＯ2重量％」は、「Ｉｎ2Ｏ3」と「二酸化錫」からなるＩＴＯタブレットにおける「二酸化錫」の重量％を指すものといえ、またＩＴＯ被膜組成がターゲット組成に類似することは明らかである。
　そこで、引用発明１について検討する。引用発明１は「ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲」とした膜であることから、引用発明１は、「ＳｎＯ2重量％」が１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％、「Ｉｎ2Ｏ3」が９０ｗｔ％〜７０ｗｔ％の組成を有するものと認められる。そこで引用発明１の膜の組成を、本願発明１の膜中のスズ含有量を、スズドープ酸化インジウム膜中のインジウム含有量で除した値として表すと、引用文献１発明の「シート抵抗値が約３００−約５００Ω／□の膜」は、膜中のスズ含有量がインジウムに対して、約１０重量％〜約４０重量％」となり、本願発明１の規定と重複する範囲を含むものである。したがって　引用発明１は本願発明１の「膜中のスズ含有量がインジウムに対して、１０〜４０重量％」の規定を満たすものと認められる。
　また引用発明１の「ＩＴＯ膜」は、記載事項（ア）の記載から酸化インジウム及び二酸化スズとからなる膜である。本願発明１の「スズドープ酸化インジウム膜」は、本願明細書実施例等の記載から成分として酸化スズ、酸化インジウムからなることは明らかである。してみると引用発明１の「ＩＴＯ膜」と本願発明１の「スズドープ酸化インジウム膜」とは酸化インジウム、二酸化スズの組成割合の点で重複する膜の点で重複し、また「スズドープ酸化インジウム膜」自体が、結晶性など規定するものとも認められないことから、引用発明１の「ＩＴＯ膜」は、本願発明１の「スズドープ酸化インジウム膜」に包含されるものといえる。
　してみれば引用発明１と本願発明１とは相違点（ａ）の点で実質的に相違するものとはいえない。
　
（ハ）相違点（ｂ）についての判断
　本願明細書【００１３】には「２００〜３０００Ω／□でリニアリティ値が２％以内の均一性に優れたＩＴＯ膜を得る方法として、Ｓｎドープ量をコントロールする方法を見出した。すなわち、均一性を良くするには１００Å以上の膜厚が必要であり、このとき比抵抗は３×１０-4以上の値でコントロールしなければならない」と記載されている。また本願明細書【００１５】には「Ｓｎドープ量がＩｎに対して１０〜４０重量％の膜は、キャリア密度が約５×１０20個/cm3であり、移動度は３０以下の値をとり、比抵抗は５〜８×１０-4Ωcmの値となる。」と記載され、さらに本願明細書【００１６】【００１７】には「ＩＴＯ膜を成膜する方法としては、一般に知られている方法を採用できる。すなわち、スパッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法等において、ＩＴＯ膜中に前記の量Ｓｎがドープされるよう成膜することで、高抵抗ＩＴＯ膜が成膜される。・・・一般的にＬＣＤ用の低抵抗ＩＴＯ膜を成膜する条件でＳｎのドープ量を変えることで対処することが可能である。すなわち、スパッター法では、ターゲットのＳｎ組成を変え、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法ではペレットのＳｎ組成を変え、ＣＶＤ法、パイロゾル法では原料中のＳｎ組成を変えれば良い。その結果いずれの方法を用いて成膜しても、高抵抗の所定の値にコントロールされたＩＴＯ膜が得られる。」と記載されていることから、蒸着法等で製造されるＩＴＯ膜であって、Ｓｎドープ量がＩｎに対して１０〜４０重量％のものは、比抵抗が３×１０-4以上を示すものといえる。してみるとこれら本願明細書の記載から、蒸着法等でターゲットのＳｎ組成を変え製造されるＩＴＯ膜において、Ｓｎドープ量がＩｎに対して１０〜４０重量％、１００Å以上の膜厚にコントロールすることによって２００〜３０００Ω／□でリニアリティ値が２％以内のＩＴＯ膜が得られるものと解される。
　そこで引用発明１について検討すると、前記「（ロ）相違点（ａ）についての判断」で検討したとおり、引用発明１において、Ｓｎ、Ｉｎ含有量は約１０重量％〜約４０重量％の範囲を含み本願発明１の規定と重複しており、また膜厚の点は記載事項（イ）より、引用発明１は４００Åであり、前記１００Å以上の規定を満たすものである。さらに引用発明１はＩＴＯタブレットの組成割合を変えて蒸着し得られるものことから本願発明１の製造方法に包含されるものと認められる。してみると引用発明１は「電極間距離が３０ｃｍのときのリニアリティ値が±２％以内」の規定を満たすものと推認される。
　
（２）本願発明１と引用発明２との対比
（イ）．一致点・相違点
　本願発明１と引用発明２とを対比すると、その単位より引用発明２の「シート抵抗値」は本願発明１の「シート抵抗値」に相当し、引用発明２のシート抵抗値は本願発明１のシート抵抗値に約４００Ω／□〜約７３０Ω／□の範囲で包含され引用発明２と本願発明１は「膜」の発明で共通することは明らかである。
　そうすると、引用発明２と本願発明１とは、「シート抵抗値が約４００Ω／□〜約７３０Ω／□の膜」の点で一致し以下の（ｃ）−（ｄ）の点で一応相違する。
　
（ｃ）本願発明１は「膜中のスズ含有量がインジウムに対して、０．０５〜２．０重量％又は１０〜４０重量％」の「スズドープ酸化インジウム膜」であるのに対し、引用発明２は「ＩＴＯ膜」である点
（ｄ）本願発明１は「電極間距離が３０ｃｍのときのリニアリティ値が±２％以内」であるが、引用発明２には該記載のない点
　
（ロ）相違点（ｃ）についての判断
　引用発明２は「ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲として膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜を３００℃、大気中１時間の熱処理し得られる、シート抵抗値が約４００Ω／□〜約７３０Ω／□以上のＩＴＯ膜」の発明である。引用発明２において、「ＩＴＯタブレットにおいて二酸化錫の含量を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲として膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜」は、前記「（ロ）相違点（ａ）についての判断」で検討した通り、Ｓｎ、Ｉｎ含有量は約１０重量％〜約４０重量％の範囲となる「ＩＴＯ膜」であることは明らかである。引用発明２は該「ＩＴＯ膜」に、さらに「３００℃、大気中１時間の熱処理」するものであるが、酸化インジウム、酸化スズの融点等からみて、引用発明２の膜の成分組成は、「３００℃、大気中１時間の熱処理」前のほぼ成分組成と認められることから、引用発明２は「膜中のスズ含有量がインジウムに対して、１０〜４０重量％」の規定を満たすものと認められる。
　さらに本願発明１が「スズドープ酸化インジウム膜」である点についても「（１）本願発明１と引用発明１との対比」「（ロ）相違点（ａ）についての判断」で検討したとおり引用発明２と本願発明１とが相違するものともいえない。したがって相違点（ｃ）の点で引用発明２と本願発明１とが実質的に相違するものともいえない。
　
（ハ）相違点（ｄ）についての判断
　前記「相違点（ｂ）についての判断」で検討したとおり、蒸着法等でターゲットのＳｎ組成を変え製造されるＩＴＯ膜において、Ｓｎドープ量がＩｎに対して１０〜４０重量％、１００Å以上の膜厚にコントロールすることによってリニアリティ値が２％以内のＩＴＯ膜が得られるものと解される。また、本願明細書【００１５】には「Ｓｎドープ量がＩｎに対して１０〜４０重量％の膜は、キャリア密度が約５×１０20個/cm3であり、移動度は３０以下の値をとり、比抵抗は５〜８×１０-4Ωcmの値となる。・・・。このＳｎドープ量で８×１０-4Ωcm以上の比抵抗を得たい場合は、酸素欠陥量のコントロールにより、高比抵抗化する必要がある。すなわち、成膜したＩＴＯ膜を、酸素を含む雰囲気中で２００℃以上に加熱することで比抵抗をより増加することができる。２５０℃×３０分の処理で約１．５倍、３００℃×３０分で約２倍、３５０℃×３０分で約２．５倍に増加するので最終的な比抵抗のコントロールが可能となる。」と記載され、本願明細書【０００８】には「本発明者らはＩＴＯ膜を高比抵抗化する方法について鋭意検討した結果、膜中スズドープ量をインジウムに対し０．０５〜２．０重量％或いは１０〜４０重量にすること、また、該方法と酸素を含有雰囲気中で２００℃以上の温度で加熱処理を併用することにより高抵抗な均一性に優れたＩＴＯ膜が得られること・・・を見いだし、本発明を完成するに至った。」と記載されていることから、蒸着法等でターゲットのＳｎ組成を変え製造されるＳｎドープ量がＩｎに対して１０〜４０重量％、１００Å以上の膜厚のＩＴＯ膜を酸素含有雰囲気中で２００℃以上の温度で加熱処理をすることにより「リニアリティ値が２％以内」のＩＴＯ膜が得られると解される。
　そこで引用発明２について検討する。引用発明２において、「ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲として膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜」は、蒸着法により得られるものであり、さらに前記相違点（ｃ）で検討した通り、Ｓｎ、Ｉｎ含有量は約１０重量％〜約４０重量％の範囲となり本願発明１の規定と重複するものといえる。次に膜厚の点について検討する。引用発明２は「ＩＴＯタブレットにおける二酸化錫の含有重量％を１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲として膜厚４００Åに蒸着したＩＴＯ膜」を「３００℃、大気中１時間の熱処理し得られる」ＩＴＯ膜である。一方で酸化インジウム、酸化スズの融点等からみて「「３００℃、大気中１時間の熱処理」により膜厚が変わるものとも認められないことから、引用発明２のＩＴＯ膜は４００Åと認められ前記１００Å以上の規定を満たすものといえる。さらに引用発明２は該ＩＴＯ膜を「３００℃、大気中１時間の熱処理」するものであり、該構成は「酸素含有雰囲気中で２００℃以上の温度で加熱処理」に包含されるものであることから、成膜後のＩＴＯ膜を大気雰囲気下、300℃、1時間加熱した引用発明２は「電極間距離が３０ｃｍのときのリニアリティ値が±２％以内」の規定を満たすものと推認される。
　
６．審判請求人の主張について
　審判請求人は平成１６年９月３日付け審判請求書請求の理由「２−２意見の内容」「（４）」−「（８）」で、引用発明１は、本願実施例１、２に比して、膜厚が大きく、シート抵抗値が大きいことから、引用発明１の膜質は極めて悪く、「極めて膜質の悪いものの抵抗値が極めて不均一（リニアリティ値の幅が極めて大きい）であることは、当業者であれば容易に理解できることであり、本発明者らの経験によれば、リニアリティ値は、少なくとも±５％以上を示す。」旨主張している。該主張について検討する。
　平成１９年４月１３日付け審尋書に対する平成１９年６月１５日付けで提出された回答書「２．審尋事項Ａ（２）に対して」で、「キャリア密度が低い」、あるいは、「キャリアの移動度が低い」とは、上記のことから、夫々、「スズのドープが不完全あるいは不均一」、「膜の結晶化が不完全あるいは不均一」ということですから、膜質が悪いということになります。そして、この様な場合、導電性が悪くなり、抵抗値が高くなります。」と主張するが、ミクロ構造では不均質であってもマクロ構造では膜質が均一に悪くシート抵抗値が大きくなる場合等もあり、電極間距離が３０ｃｍのときのシート抵抗値は明らかにマクロ構造に基づくものであることから、前記回答書の記載をもって、膜質が悪く抵抗値が高いということが、膜の面内抵抗値が不均一であり、リニアリティー値の幅が極めて大きいとする点が十分に説明されているものとすることはできない。また審判請求人の引用発明１における膜質が悪いとの主張は、「引用例１における第３図のＳｎＯ2含有率０．４％」のＩＴＯ膜が少なくとも６００Ω／□を示すことを根拠とするものと認められるが（平成１６年９月３日付け審判請求書請求の理由「２−２意見の内容」「（７）」参照）、６００Ω／□よりも小さいシート抵抗値を含む１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の「ＳｎＯ2重量％」である引用発明１、２については膜質が悪いものともただちにはいえないことから、平成１６年９月３日付け審判請求書請求の理由の前記主張は採用できない。
　
　また審判請求人は平成１６年９月３日付け審判請求書請求の理由（１３）で膜厚を１００〜２５０Åと限定する補正を行う用意がある旨主張するが、特開平４−６８３１５号公報第５頁右上欄第１表に見られるようにＩＴＯ層を２００Å程度の厚さとすることは周知の技術的事項であり、引用発明１において該周知の膜厚とすることは当業者が容易に想到し得ることと認められることから、当該膜厚の限定をした補正案の発明が一見して特許性を有することが明らかであるともいえないことを付記する。
　
７．むすび
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　よって、結論の通り審決する。