【事件の表示】
　平成　９年特許願第　６１８６４号「張り合わせシリコンウェーハおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月１１日出願公開、特開平１０−２４２４３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年２月２７日の出願であって、平成１７年６月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年８月１７日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１８年８月３日付けで審尋がなされ、これに対し、指定期間内である同年１０月３日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年８月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年８月１７日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　活性層用シリコンウェーハと表面に酸化膜を形成した支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ、
　この張り合わせシリコンウェーハを炉内温度１０００℃〜１２００℃のウェット雰囲気中で酸化し、上記活性層用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させるとともに、上記支持基板用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させることにより、上記活性層用シリコンウェーハと上記支持基板用シリコンウェーハとの間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜を一体化させた後、
　少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって幅１ｍｍ以下の面取りを施した張り合わせシリコンウェーハ。」と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である酸化により「上記活性層用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させるとともに、上記支持基板用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させることにより、上記活性層用シリコンウェーハと上記支持基板用シリコンウェーハとの間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜を一体化させ」ることを限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
　（１）刊行物に記載された発明
　　（ア）刊行物１：特開平５−６８８３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１には、「半導体基板の製造方法」（発明の名称）に関して、図１とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
「【００１３】次いで、図１（ｃ）に示すように、
第１の半導体シリコン基板１と第２の半導体シリコン基板３とを向かい合わせて、その主面どうしを貼り合わせ、１０００〜１２００℃の高温下、水蒸気雰囲気中で熱処理して互いに接着する
　
　　（イ）刊行物２：特開平５−１０９６７７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物２には、「ＳＯＩ基板の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図６とともに以下の事項が記載されている。
「【００１０】
【実施例】本発明の好適な実施例を図１〜図６を参照しながら工程順に説明する。
【００１１】本実施例はシリコン基板同士の貼り合わせによりＳＯＩ基板を製造する方法であり、図１に示すように、一対のシリコン基板１，２の鏡面研磨した面同士を親水性処理し、次いで水素結合力を利用して、図２のように、これらシリコン基板１，２の面３，４同士を貼り合わせる。それら
シリコン基板１，２の貼り合わせ面３，４は、シリコン酸化膜等の絶縁膜
を介在させてから貼り合わせるようにしても良い
【００１２】次に、その貼り合わせ強度を増強するために、
貼り合わせたシリコン基板１，２を酸素雰囲気で熱処理する。この熱処理は、一例として１１００℃、１５リットル毎分，１２０分の条件で行う
【００１３】
このような酸素雰囲気による熱処理によって、貼り合わせ強度が向上し、同時に、図３に示すように、シリコンの露出していたシリコン基板１，２の全周囲にシリコン酸化膜５が形成される
【００１４】シリコン基板１，２の周囲にシリコン酸化膜５を形成した後、
シリコン基板１，２の外周部の未接着部分を除去するために、面取り加工を行い
　以上から、刊行物２には、「シリコン基板１，２の貼り合わせ面３，４は、シリコン酸化膜等の絶縁膜を介在させてから貼り合わせ、貼り合わせたシリコン基板１，２を１１００℃の酸素雰囲気で１２０分熱処理することにより、貼り合わせ強度が向上し、同時に、シリコンの露出していたシリコン基板１，２の全周囲にシリコン酸化膜５が形成され、その後、シリコン基板１，２の外周部の未接着部分を除去するために、面取り加工を行ったＳＯＩ基板。」（以下、「引用発明１」という。）が、記載されている。
　
　　（ウ）刊行物３：特開平７−２５４６８９号公報
　刊行物３には、「エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法及びエピタキシャル成長層を絶縁層上に有するシリコンウエハ」（発明の名称）に関して、図５とともに以下の事項が記載されている。
「【０００３】次に、ＳＯＩウエハの製造方法について説明する。図５において、（５−ａ）〜（５−ｅ）は、ＳＯＩウエハ製造工程の各過程を経たシリコンウエハ１、２の状態を示している。過程（５−ａ）に従って、２枚のシリコンウエハ１，２を準備する。次いで過程（５−ｂ）に従って、シリコンウエハ１を酸化し、表面にシリコン酸化膜を１μｍ程度形成する。次いで過程（５−ｃ）に従って、シリコンウエハ１とシリコンウエハ２を貼り合わせる。これは、
シリコンウエハ１、２を重ねて、例えば、ウエット酸化雰囲気中で、１１００℃、２時間程度の熱処理を行う
　
　　（エ）刊行物４：特開平５−２１７８１７号公報
　刊行物４には、「貼り合わせシリコンウエーハおよびその接着方法」（発明の名称）に関して、図２，図３とともに以下の事項が記載されている。
「【要約】
【目的】貼り合わせシリコンウエーハの接着不良範囲を減少させて、有効面積を拡大する
「【０００７】上記ウエーハ２，４は、前記鏡面を互いに対向させて配置され、この鏡面を密着させることにより、図２に示すように接着される。なおこの接着には、通常の接着剤を用いる方法の他、ウエーハ２，４の接着面を親水化処理すること、例えば表面にＯＨ基を付与することなどの方法により行われる。このように、接着剤を用いずに接着すると、接着面に介在物が存在しないこととなるので、両ウエーハの密着性が高められる。また上記ウエーハ２，４は、ＴＴＶが１μｍ以下となっているから、接着面に気泡が介在する余地がほとんどなく、したがって、接着不良となる範囲がきわめて少ない。
【０００８】図２のように一体に接着されたウエーハ２，４は、図３に鎖線Ｃで示す範囲を研磨によって除去することにより面取りされる。これらのウエーハ２，４は、前述のようにＴＴＶが１μｍ以下とされていて外周近傍に接着不良部分がほとんど存在しないから、
面取りの範囲は、内周へ向かってａ’（ａ’＝０．５ｍｍ）以下でよい
すなわち、両ウエーハ２，４の外周に予め施されていた面取り部６の幅ｂに相当する範囲（ｂ＝０．３ｍｍ）を確実に取り除くべく、面取りされた範囲に対して余裕を持った０．５ｍｍの範囲までが除去される
　
　　（オ）刊行物５：特開平８−１０７０９２号公報
　刊行物５には、「ＳＯＩ基板の製造方法」（発明の名称）に関して、図２とともに以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】近年、高性能の半導体デバイス用基板として、その高耐圧性や高速性などからＳＯＩ基板が要求されており、この種の要求を満たす大面積で結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板は、２枚の半導体ウェハを貼り合わせて得られる貼合せウェハから比較的容易に作れるようになった。通常、このような貼合せウェハの製造は次に示すような工程で行われる。
（１）
図２（ａ）に示すように、支持基板１２を熱処理し、その表面に酸化膜１３を形成する
（２）図２（ｂ）に示すように、活性基板１１と支持基板１２の互いの接合面を洗浄、親水処理し、乾燥処理した後、まだ親水性を保持した状態で接合させる。これに
再度熱処理を行うことにより活性基板１１と支持基板１２は互いに貼着すると共に、活性基板１１側にも酸化膜１３が形成される
　
　　（カ）刊行物６：特開平３−２６３８０９号公報
　刊行物６には、「半導体基板、その製造方法及び半導体装置」（発明の名称）に関して、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を第１図により説明する。ＳＯＩ層２１、Ｓｉ結晶板２２を形成するために、直径１００mm、厚さ５２５μｍ、表面が（１００）面で、ｐ型、比抵抗８〜１２Ωcm、片面鏡面研磨のＳｉウェーハの＜１００＞及び＜１１０＞方向にオリエンテーションフラット２３を有するものを各１枚準備する。
酸化により表面に厚さ０．５μｍの酸化皮膜を形成する。この２枚のウェーハを鏡面研磨面を合わせるように重ねる
　
ウェーハを密着して重ねたまま、湿った酸化性雰囲気中で８００℃以上で熱処理することにより、間の酸化膜を一体化し、絶縁膜２４とする
　上のウェーハの裏面、すなわち鏡面研磨面と逆の面より研削して残厚を５０μｍ程度とし、さらに通常のメカノケミカル研磨法により残厚が２μｍ程度になるまで薄くし、ＳＯＩ層２１を得た。次に、下のＳｉ結晶板２２の＜１１０＞方向に形威されたオリエンテーションフラット２３に沿ってＳＯＩ層２１を面取りし、さらに
ＳＯＩ層２１の周辺を面取り加工した
　以上から、刊行物６には、「酸化により表面に酸化皮膜を形成した２枚のＳｉウェーハを鏡面研磨面を合わせるように重ね、Ｓｉウェーハを密着して重ねたまま、湿った酸化性雰囲気中で８００℃以上で熱処理することにより、間の酸化膜を一体化し、絶縁膜２４とし、さらにＳＯＩ層２１の周辺を面取り加工した半導体基板。」（以下、「引用発明２」という。）が、記載されている。
　
　（２）本願補正発明と引用発明１との対比・判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「シリコン基板１，２」、「１１００℃の酸素雰囲気で熱処理する」、「シリコンの露出していたシリコン基板１，２の全周囲にシリコン酸化膜５が形成され」、「シリコン基板１，２の外周部の未接着部分を除去するために、面取り加工を行った」、「ＳＯＩ基板」は、それぞれ本願補正発明の「活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハ」、「炉内温度１０００℃〜１２００℃の雰囲気中で酸化し」、「上記活性層用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させるとともに、上記支持基板用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させる」、「少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって面取りを施した」、「張り合わせシリコンウェーハ」に相当するので、両者は、
［一致点］「活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ、
　この張り合わせシリコンウェーハを炉内温度１０００℃〜１２００℃の雰囲気中で酸化し、上記活性層用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させるとともに、上記支持基板用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させた後、
　少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって面取りを施した張り合わせシリコンウェーハ。」で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願補正発明は、「活性層用シリコンウェーハと表面に酸化膜を形成した支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ」ているのに対して、引用発明１は、「シリコン基板１，２の貼り合わせ面３，４は、シリコン酸化膜等の絶縁膜を介在させてから貼り合わせ」た点。
［相違点２］酸化が、本願補正発明は、「ウェット雰囲気中」であるのに対して、引用発明１は、「酸素雰囲気」中である点。
［相違点３］本願補正発明は、「上記活性層用シリコンウェーハと上記支持基板用シリコンウェーハとの間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜を一体化させ」ているのに対して、引用発明１は、「シリコン基板１，２の全周囲にシリコン酸化膜５が形成され」ている点。
［相違点４］面取り幅が、本願補正発明は、「１ｍｍ以下」であるのに対して、引用発明１は、そのような記載がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　２枚のシリコン基板（ウェーハ）を貼り合わせる際に、「支持基板用シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する」ことは、刊行物５にも示されるように周知技術であり、引用発明１において、当業者が適宜採用し得たことである。
　
［相違点２］
　貼り合わせた２枚のシリコン基板を酸化して接着する際に、１０００〜１２００℃程度の温度においてウェット雰囲気中で行うことは、刊行物１，３，６にも示されるように周知技術であり、また、ウェット雰囲気の方が酸化処理も速いことは明らかであるから、引用発明１において、当業者が適宜採用し得たことである。
　
［相違点３］
　［相違点１］及び［相違点２］において検討したとおり、引用発明１の「シリコン基板２」の表面に予め酸化膜を形成すること、及び引用発明１の熱処理を１０００〜１２００℃程度の温度においてウェット雰囲気中で行うことは、周知技術にすぎないものであって、当業者が適宜採用し得たことであり、引用発明１において当該周知技術を採用した場合、本願補正発明と同様の処理をしているから、２枚のシリコン基板（ウェーハ）間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜が一体化していることは当然の結果として生じることであり、さらに、刊行物６には「ウェーハを密着して重ねたまま、湿った酸化性雰囲気中で８００℃以上で熱処理することにより、間の酸化膜を一体化し、絶縁膜２４とする。」との記載もあるから、酸化膜の一体化は、当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明１において当該周知技術を採用することにより、本願補正発明の如く、「上記活性層用シリコンウェーハと上記支持基板用シリコンウェーハとの間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜を一体化させ」ることは、当業者が容易になし得たものである。
　
［相違点４］
　貼り合わせシリコンウェーハの接着不良範囲を減少させ、面取りの範囲を小さくして、有効面積を拡大することは、刊行物４にも示されるように周知の課題であるから、引用発明１において、接着不良範囲を考慮しつつ、面取り幅をできるだけ小さくすべく、１ｍｍ以下とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物２に記載された発明及び上記周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　（３）本願補正発明と引用発明２との対比・判断
　本願補正発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「２枚のＳｉウェーハ」、「湿った酸化性雰囲気中で８００℃以上で熱処理することにより、間の酸化膜を一体化し、絶縁膜２４とし」、「ＳＯＩ層２１の周辺を面取り加工した」、「半導体基板」は、それぞれ本願補正発明の「活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハ」、「ウェット雰囲気中で酸化し、上記活性層用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させるとともに、上記支持基板用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させる」、「少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって面取りを施した」、「張り合わせシリコンウェーハ」に相当するので、両者は、
［一致点］「活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ、
　この張り合わせシリコンウェーハをウェット雰囲気中で酸化し、上記活性層用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させるとともに、上記支持基板用シリコンウェーハの表面の酸化膜を成長させた後、
　少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって面取りを施した張り合わせシリコンウェーハ。」で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願補正発明は、「活性層用シリコンウェーハと表面に酸化膜を形成した支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ」ているのに対して、引用発明２は、「酸化により表面に酸化皮膜を形成した２枚のＳｉウェーハを鏡面研磨面を合わせるように重ね」た点。
［相違点２］酸化が、本願補正発明は、「炉内温度１０００℃〜１２００℃」であるのに対して、引用発明２は、「８００℃以上」である点。
［相違点３］本願補正発明は、「上記活性層用シリコンウェーハと上記支持基板用シリコンウェーハとの間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜を一体化させ」ているのに対して、引用発明２は、２枚のＳｉウェーハの「間の酸化膜を一体化し、絶縁膜２４とし」ている点。
［相違点４］面取り幅が、本願補正発明は、「１ｍｍ以下」であるのに対して、引用発明２は、そのような記載がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　２枚のシリコン基板（ウェーハ）を貼り合わせる際に、「支持基板用シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する」ことは、刊行物５にも示されるように周知技術であり、引用発明１において、当業者が適宜採用し得たことである。
　
［相違点２］
　２枚のシリコン基板をウェット雰囲気中で酸化して接着する際の温度として、１０００〜１２００℃は、刊行物１（１０００〜１２００℃）及び刊行物３（１１００℃）にも示されるように周知技術であり、また、温度が高ければ酸化処理が速いことは明らかであるから、引用発明２において、当業者が適宜採用し得たことである。
　
［相違点３］
　引用発明２は、「Ｓｉウェーハを密着して重ねたまま、湿った酸化性雰囲気中で８００℃以上で熱処理することにより、間の酸化膜を一体化し、絶縁膜２４と」するものであり、当該温度範囲でＳｉが酸化することは技術常識であるから、引用発明２は、酸化膜の成長と酸化膜の一体化が同時に進行するものと認められる。
　そして、［相違点１］及び［相違点２］において検討したとおり、引用発明２の「ウェーハ」のうち、支持用基板となる「ウェーハ」表面に予め酸化膜を形成すること、及び引用発明２の湿った酸化性雰囲気中での熱処理を１０００〜１２００℃において行うことは、周知技術にすぎないものであって、当業者が適宜採用し得たことであり、引用発明２において当該周知技術を採用した場合、本願補正発明と同様の処理をしているから、２枚のウェーハ間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜が一体化していることは当然の結果として生じることである。
　したがって、引用発明２において当該周知技術を採用することにより、本願補正発明の如く、「上記活性層用シリコンウェーハと上記支持基板用シリコンウェーハとの間の空隙部分を埋めて、これらの酸化膜を一体化させ」ることは、当業者が容易になし得たものである。
　
［相違点４］
　貼り合わせシリコンウェーハの接着不良範囲を減少させ、面取りの範囲を小さくして、有効面積を拡大することは、刊行物４にも示されるように周知の課題であるから、引用発明１において、接着不良範囲を考慮しつつ、面取り幅をできるだけ小さくすべく、１ｍｍ以下とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物６に記載された発明及び上記周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物６に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１７年８月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年５月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　活性層用シリコンウェーハと表面に酸化膜を形成した支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ、
　この張り合わせシリコンウェーハを炉内温度１０００℃〜１２００℃のウェット雰囲気中で酸化した後、
　少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって幅１ｍｍ以下の面取りを施した張り合わせシリコンウェーハ。」
　
　２　刊行物に記載された発明
　前記「第２　２（１）」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明１との対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「シリコン基板１，２」、「１１００℃の酸素雰囲気で熱処理する」、「シリコン基板１，２の外周部の未接着部分を除去するために、面取り加工を行った」、「ＳＯＩ基板」は、それぞれ本願発明の「活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハ」、「炉内温度１０００℃〜１２００℃の雰囲気中で酸化し」、「少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって面取りを施した」、「張り合わせシリコンウェーハ」に相当するので、両者は、
［一致点］「活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ、
　この張り合わせシリコンウェーハを炉内温度１０００℃〜１２００℃の雰囲気中で酸化した後、
　少なくとも上記活性層用シリコンウェーハの外周縁部に、ウェーハ半径方向の内方に向かって面取りを施した張り合わせシリコンウェーハ。」で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願発明は、「活性層用シリコンウェーハと表面に酸化膜を形成した支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせ」ているのに対して、引用発明１は、「シリコン基板１，２の貼り合わせ面３，４は、シリコン酸化膜等の絶縁膜を介在させてから貼り合わせ」た点。
［相違点２］酸化が、本願発明は、「ウェット雰囲気中」であるのに対して、引用発明１は、「酸素雰囲気」中である点。
［相違点３］面取り幅が、本願発明は、「１ｍｍ以下」であるのに対して、引用発明１は、そのような記載がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　２枚のシリコン基板（ウェーハ）を貼り合わせる際に、「支持基板用シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する」ことは、刊行物５にも示されるように周知技術であり、引用発明１において、当業者が適宜採用し得たことである。
　
［相違点２］
　貼り合わせた２枚のシリコン基板を酸化して接着する際に、１０００〜１２００℃程度の温度においてウェット雰囲気中で行うことは、刊行物１，３，６にも示されるように周知技術であり、また、ウェット雰囲気の方が酸化処理も速いことは明らかであるから、引用発明１において、当業者が適宜採用し得たことである。
　
［相違点３］
　貼り合わせシリコンウェーハの接着不良範囲を減少させ、面取りの範囲を小さくして、有効面積を拡大することは、刊行物４にも示されるように周知の課題であるから、引用発明１において、接着不良範囲を考慮しつつ、面取り幅をできるだけ小さくすべく、１ｍｍ以下とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物２に記載された発明及び上記周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。