【事件の表示】
　特願２００２−　２４３６５「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１８日出願公開、特開２００２−３０５１７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願は、平成１４年１月３１日の出願（優先権主張：平成１３年２月１日）であって、平成１９年４月２０日付けで拒絶査定（発送日：同年５月２２日）がなされたところ、平成１９年６月２０日に拒絶査定不服審判が請求され、同年７月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年７月１７日付けの手続補正について
［結論］
　平成１９年７月１７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　１．平成１９年７月１７日付け手続補正による発明　　
　平成１９年７月１７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液により除去する基板処理装置であって、
　基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
　前記スピンチャックに保持された基板に反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液供給機構と、
　前記スピンチャックに保持された基板に純水を供給する純水供給機構と、
　前記スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する
除去液を回収するための第１回収部と、前記スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する純水を回収するための第２回収部とを備え、
　前記除去液供給機構により基板に供給され、前記カップにより捕獲された除去液を
、前記第１回収部を介して
　前記純水供給機構により基板に供給され、前記カップにより捕獲された純水を
、前記第２回収部を介して
　
前記第２回収部および
　基板の表面に除去液を供給して反応生成物を除去する際に、前記カップ内の雰囲気の排気を
、基板の表面に純水を供給するときよりも
　を備えることを特徴とする基板処理装置。」
　と補正された（以下、「本件補正発明」という。）。
　本件補正に係る「第１回収部」及び「第２回収部」は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書」という。）の【００５４】、【００５５】、【図５】等に、同じく「排気を、基板の表面に純水を供給するときよりも弱める」点は、【００７７】等に記載された事項であるから、本件補正は、当初明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　そして、本件補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「カップ」について、当該カップが「除去液を回収するための第１回収部と、純水を回収するための第２回収部とを備え」ていることを限定し、それに伴い、除去液が「第１回収部を介して」排出されること、純水が「第２回収部を介して」排出されること、排気手段が「第２回収部」及び純水排出路を介して排気することを限定し、更に、制御手段が、反応生成物を除去する際にカップ内の雰囲気の排気を弱めるについて、その比較基準を「基板の表面に純水を供給するときよりも」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　なお、本件補正前の請求項１に係る発明は、平成１９年３月３０日付け手続補正が原審において補正却下されているため、平成１８年１０月１９日付け手続補正によるものである。
　そこで、本件補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、即ち、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか否か、について検討する。
　
　２．引用例に記載された事項
　(１)原査定の理由に引用された特開２０００−１８３０１０号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が、図面（特に、【図４】、【図５】）と共に記載されている。
　Ａ．「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板を回転させながら基板上に薬液やリンス液を順に供給して基板の処理を行う基板処理装置に係り、特に、基板周縁から振り切られた薬液やリンス液を分離して回収する技術に関する。」（【０００１】）
　Ｂ．「＜第１実施例＞図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施例の概略構成を示した縦断面図である。本実施例の基板処理装置は、図７に示した従来装置と同様に、半導体ウエハなどの基板Ｗを水平姿勢で吸着保持するスピンチャック１１と、このスピンチャック１１を回転駆動するモータ１２を備えている。スピンチャック１１およびモータ１２は本発明における基板回転保持手段に相当する。」（【００１９】３〜１０行）
　Ｃ．「スピンチャック１１の上方には三方弁ＶＬの切り換えにより薬液や、純水などのリンス液を選択的に基板Ｗに供給するためのノズル１４が設けられている。」（【００２０】４〜７行）
　Ｄ．「本実施例の基板処理装置は薬液回収用カップ１５に回収された薬液を循環して利用するように構成されている。具体的には薬液回収用カップ１５の廃液口１５ｂから導出された薬液廃液は管路１７を通って薬液タンク１８に集められる。」（【００２３】１〜５行）
　Ｅ．「基板Ｗの回転に伴って基板周縁から振り切られたリンス液は、基板周縁に対向する開口１６ａからリンス液回収用カップ１６に回収される。回収されたリンス液はリンス液回収用カップ１６の廃液口１６ｂから排出される。」（【００２５】６〜１０行）
　Ｆ．「＜第３実施例＞図４は本発明に係る基板処理装置の第３実施例の概略構成を示した縦断面図である。図４において図１ないし図３中の各符号と同一の符号で示した構成部分は第１および第２実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。」（【００３２】）
　Ｇ．「本実施例装置は、第１および第２実施例装置と同様に、基板Ｗの回転軸芯周りの外側に設けられ、基板周縁から振り切られた薬液を取り込む開口１５ａが基板Ｗの回転軸芯に沿った上側にある薬液回収用カップ１５と、基板Ｗの回転軸芯周りの内側に設けられ、基板周縁から振り切られたリンス液を取り込む開口１６ａが基板Ｗの回転軸芯に沿った下側にあるリンス液回収用カップ１６とを備えている。そして、本実施例の特徴として、両カップ１５および１６を隔てる中間カップ壁３０が昇降自在に構成されている。」（【００３３】）
　Ｈ．「具体的には、中間カップ壁３０は、上端部が内側に傾斜するように絞り込まれた筒状体であって、その基端部には２重のリング状の裾部３０ａ、３０ｂが形成されている。この裾部３０ａ、３０ｂが、カップ１５、１６の底面に２重に形成されたリング状の案内壁３１ａ、３１ｂの外側に緩く嵌め込まれている。中間カップ壁３０の裾部３０ａ、３０ｂの内側中程に複数個のエアーシリンダ３２のロッド３２ａが連結されている。各エアーシリンダ３２のロッド３２ａの周囲はベローズ３３で遮蔽されており、カップ１５、１６内の雰囲気が装置外へ漏れたり、あるいは装置外からカップ１５、１６内へパーティクルが侵入しないようになっている。これらのエアーシリンダ３２が伸縮することにより中間カップ壁３０が昇降する。このエアーシリンダ３２は本発明における中間カップ壁昇降手段に相当する。」（【００３４】）
　Ｉ．「なお、本実施例装置は薬液およびリンス液を個別に供給する２つのノズル１４ａおよび１４ｂを備えている。また、モータ１２の下部には、装置内へ基板Ｗを搬入するときにスピンチャック１１を基板搬入位置にまで上昇させるためのエアーシリンダ３４が設けられている。さらに、リンス液回収用カップ１６の内側には、カップ１５、１６内を排気するための排気口３５（ただし、図１ないし図３では図示を省略してある）が設けられている。」（【００３５】）
　
　(２)同じく引用された特開平９−２１３７０３号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　Ｊ．「【従来の技術】半導体装置の製造工程において、アルミ電極配線やアルミ配線層間のコンタクトホールをドライエッチで形成する際、反応生成物（ポリマー）も同時に形成される。…(略)…、その後にアッシングを実施してもこの反応生成物は完全に除去されない。また、プラズマでアタックされ変質したレジスト膜もウェーハ上にレジスト残さとして残る。最終的には、この反応生成物およびレジスト残さを除去しなくてはならない。」（【０００２】）
　Ｋ．「次に図１（Ｂ）は、レジスト１をマスクにして反射防止膜２，アルミ電極配線３およびバリアメタル４をドライエッチした後の状態である。反応生成物（ポリマー）７が、ドライエッチ時に、同時に側壁に形成されている。…(略)…。ドライエッチ直後は、アルミ電極配線３の側壁部の腐食対策になっている。しかしながら、最終的には洗浄処理で除去しなくてはならない。」（【００１１】）
　Ｌ．「図４はチャンバ１６の断面図である。図４において、２５は上部チャンバ、２６は下部チャンバ、２７はＯリング、２８は無水弗酸供給口、２９は純水供給口、３０は排気口、３１はフィルタ、３２はウェーハ、３３はターンテーブル、３４はドレイン口、３５はステージ、３６はターンテーブル３３を回転させる回転軸である。」（【００１４】）
　Ｍ．「ターンテーブル３３の上にウェーハ３２を載せ、モータ（図示せず）により回転軸３６を介してターンテーブル３３を回転させる。そして、無水弗酸供給口２８より、無水弗酸，ベーパー窒素およびキャリア用窒素を供給して処理する。その後、純水供給口２９より純水を供給して、図４のウェーハ３２の表面を洗浄し、その洗浄水はドレイン口３４より排出される。」（【００１６】３行〜【００１７】３行）
　
　(３)同じく引用された特開平１０−１２５２３号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　Ｎ．「配管５０ａは処理槽４２に設けられた開口４２ｂに接続されるとともに、後述する排気抵抗調整バルブ６０を経由して切換えバルブ７０に接続されており、基板近辺を通過し、基板処理部４０から排出される雰囲気を含んだ各種処理液ＰＲがその内部において送給される。」（【００２４】）
　Ｏ．「また、排気抵抗調整バルブ６０は制御部１０の制御により適宜、配管５０ａ内の雰囲気および処理液ＰＲの流路の開度を調節する。」（【００２５】）
　Ｐ．「切換えバルブ７０は配管５０ａからの雰囲気および処理液ＰＲの送給先を処理液ＰＲが洗浄液の場合には配管５０ｂに、処理液ＰＲが薬液の場合には配管５０ｃに切り換える。」（【００２６】）
　Ｑ．「気液分離容器８０ａ（「第２気液分離手段」に相当）には配管５０ｂ，５０ｄおよび５０ｆが接続されており、配管５０ｂによって送給された雰囲気および洗浄液を雰囲気と洗浄液とに分離し、雰囲気は配管５０ｄに送出し、洗浄液は配管５０ｆを通じて廃棄する。」（【００２７】）　
　Ｒ．「配管５０ｅは配管５０ｄに接続され、さらに配管５０ｄは図示しない排気ラインに接続されており、送給された雰囲気を排気する。」（【００２９】）
　
　(４)同じく引用された特開平７−２０１７９３号公報（以下、「引用例４」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　Ｓ．「【産業上の利用分野】この発明は、層間絶縁膜を有する半導体基板の異方性ドライエッチング時に堆積形成される化合物を取り除く半導体基板の洗浄方法に関する。」（【０００１】）
　Ｔ．「そして、このように構成された洗浄装置においては、基板回転支持台42に保持された半導体基板41を極低速回転、又は停止させた状態で、薬液吐出ノズル43から20〜110 ℃の範囲内の所定温度に恒温された薬液44を吐出し、半導体基板41と薬液44を接触させる。半導体基板41に供給された薬液44は、薬液44の持つ表面張力により、図４の（Ｂ）に示す様に、半導体基板41上全域に均一に液盛り状態にする事が出来る。基板回転支持台42は、薬液44を半導体基板41上全域に均一に液盛りするために、前述のように極低速回転又は停止した状態にして、薬液44を供給する。図４の（Ｂ）に示す液盛り状態となった時、半導体基板41を保持した基板回転支持台42の回転、及び薬液吐出ノズル43からの薬液44の吐出を停止する。これらの動作によって、半導体基板41は20〜110 ℃の範囲内の所定温度に恒温された薬液44と接触させた状態になる。」（【００２１】）
　Ｕ．「図４の（Ｂ）に示す状態で、図１の（Ｃ）に示した化合物４を取り除くのに必要な処理時間放置した後、基板回転支持台42に保持された半導体基板41を回転させ、前記化合物を取り除くために使用した前記薬液44を遠心力等により、半導体基板41から離脱させる。続いて、純水により半導体基板41に残存する薬液を完全に洗い流す。この実施例において使用される薬液44の使用量は、必要最小限に押さえられ、第２の実施例と比較して大幅な薬品使用量の低減が可能となる。」（【００２２】）
　
　(５)同じく引用された特開平１１−８７２２６号公報（以下、「引用例５」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　Ｖ．「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」と称する）に現像液を供給して現像処理を行う基板現像装置に関する。」（【０００１】）
　Ｗ．「しかしながら、現像処理を行っているときにも現像処理装置に積極的にダウンフローを与えると、基板の主面に形成された現像液層がダウンフローによって波立ち、均一な現像処理が行えない懸念がある。」（【０００９】）
　Ｘ．「これらのうち上記現像液供給工程および現像工程において基板Ｗに積極的にダウンフローを供給すると、基板の主面に形成された現像液層がダウンフローによって波立ち、均一な現像処理結果が得られなくなる可能性がある一方、洗浄工程および乾燥工程においては、基板Ｗの遠心力によって振り切られたリンス液が舞い上がり基板Ｗに再付着したりするのを防止するためにダウンフローを積極的に供給する必要がある。」（【００２３】）
　Ｙ．「そこで、図２（ａ）に示すように、時刻ｔ＝０から時刻ｔ＝ｔ２までの間、すなわち現像液供給工程および現像工程においては、ファン２１による吸気および排気ダンパー４５による排気を停止して、カップ３０内にダウンフローが形成されないようにする。そして、時刻ｔ＝ｔ２から時刻ｔ＝ｔ４までの間、すなわち洗および乾燥工程においては、排気ダンパー４５によってカップ３０から排気を行うとともに、その排気量と等量の吸気をファン２１によって行い、カップ３０内にダウンフローを形成する。」（【００２４】）
　
　３．引用例１に記載された発明
　上記摘記事項Ｂからみて、引用例１に記載の基板は、回転可能にスピンチャックに保持されているものである。
　同じく、摘記事項Ｃからみて、引用例１に記載のリンス液は、その一例として、純水を含むものである。
　又、摘記事項Ｈ、Ｉ及び【図４】、【図５】からみて、排気口は、薬液回収カップと純水回収カップの両カップ内の雰囲気を排気するものである。
　してみると、引用例１には、次のような発明が記載されている（以下、「引用例１記載の発明」という。）。
　基板の処理を行う基板処理装置であって、
　基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
　スピンチャックに保持された基板に薬液を供給するノズルと、
　スピンチャックに保持された基板に純水を供給するノズルと、
　基板の回転軸芯周りの外側に設けられ、スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する薬液を回収するための薬液回収カップと、
　基板の回転軸芯周りの内側に設けられ、スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する純水を回収するための純水回収カップと、
　薬液を供給するノズルにより基板に供給され、前記薬液回収カップにより捕獲された薬液を、前記薬液回収カップを介して排出するための薬液の廃液口と、
　純水を供給するノズルにより基板に供給され、前記純水回収カップにより捕獲された純水を、前記純水回収カップを介して排出するための純水の廃液口と、
　前記両カップ内の雰囲気を排気するための排気口と、
　を備えることを特徴とする基板処理装置。
　
　４．対比・判断
　本件補正発明と引用例１記載の発明を対比する。
　引用例１記載の発明の「純水回収カップ」は、その作用等からみて、「第２回収部」に、「純水の廃液口」は「純水排出路」に、「排気口」は「排気手段」に、それぞれ相当する。
　ところで、引用例１記載の発明の基板処理装置は、基板について、どのような処理を行うのか記載がないため、引用例１記載の発明の「薬液」が、本件補正発明の「除去液」を含むかは、明らかではない。
　しかしながら、本件補正発明の「除去液」と引用例１記載の発明の「薬液」とは、基板処理に使用される処理液として共通するものであるから、本件補正発明と引用例１記載の発明との対比においては、引用例１記載の発明の「薬液」は、共通の上位概念である「処理液」として認定する。
　なお、本件補正発明の「除去液」も、一種の「処理液」であることは明らかである。
　即ち、引用例１記載の発明の「薬液回収カップ」は「処理液回収カップ」と言い換えることができ、当該「処理液回収カップ」は、処理液としての性質はともかく、本件補正発明の「第１回収部」に相当する。
　又、引用例１記載の発明の「処理液回収カップ」及び「純水回収カップ」は、基板の回転軸芯周りの外側と内側に並列して設けられているから、これらのカップは、２つがまとまって、処理液および純水を捕獲するためのカップを構成していると言うことができる。
　さらに、引用例１記載の発明の基板処理装置を、摘記事項Ｇ〜Ｉ等のように作動させるためには、引用例１記載の発明も、処理液及び純水の供給・排出、スピンチャックの上昇・下降及び回転、排気等、基板処理の制御を行う制御手段を備えていることは、明らかである。
　以上の点からみて、本件補正発明と引用例１記載とは、次の一致点と相違点を有する。
　［一致点］
　基板処理装置であって、
　基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
　前記スピンチャックに保持された基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
　前記スピンチャックに保持された基板に純水を供給する純水供給機構と、
　前記スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する処理液を回収するための第１回収部と、前記スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する純水を回収するための第２回収部とを備え、処理液および純水を捕獲するためのカップと、
　前記処理液供給機構により基板に供給され、前記カップにより捕獲された処理液を、前記第１回収部を介して排出するための処理液排出路と、
　前記純水供給機構により基板に供給され、前記カップにより捕獲された純水を、前記第２回収部を介して排出するための純水排出路と、
　前記カップ内の雰囲気を排気する排気手段と、
　基板処理の制御を行う制御手段と、
　を備えることを特徴とする基板処理装置。
　［相違点１］
　本件補正発明では、処理液が除去液であって、レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液により除去するものであるのに対して、引用例１記載の発明では、処理液が薬液であって、処理の対象等について特定されていない点。
　［相違点２］
　排気手段が、本件補正発明では、第２回収部および純水排出路を介しているのに対して、引用例１記載の発明では、第２回収部および純水排出路とは別に設けられている点。
　［相違点３］
　制御手段に関して、本件補正発明では、基板の表面に除去液を供給して反応生成物を除去する際に、前記カップ内の雰囲気の排気を、基板の表面に純水を供給するときよりも弱めるように制御するのに対して、引用例１記載の発明では、排気をどのように制御するか記載されていない点。
　
　上記各相違点について検討する。
　［相違点１］について
　上記引用例２には、レジストをマスクにして、アルミ電極配線等をドライエッチしてパターン形成する際に、反応生成物（ポリマー）が形成されること、この反応生成物を除去しなければならないことが、従来技術として記載されており、除去のための装置として、具体的に、ターンテーブル上にウェーハを載せ、ターンテーブルを回転させ、無水弗酸供給口より無水弗酸（除去液）を供給して処理した後、純水供給口より純水を供給して、ウェーハの表面を洗浄する処理装置が記載されている。
　即ち、ウェーハ（基板）に関して、レジストをマスクにしてドライエッチしてパターン形成する際に反応生成物が形成されること、該反応生成物を、ターンテーブル、除去液供給口、純水供給口、排気口、ドレイン口等を備える処理装置を用いて除去することは公知の技術手段である。
　他方、引用例１記載の発明も、基板を載置・回転するスピンチャック、スピンチャック上の基板に薬液及び純水を供給する薬液供給機構及び純水供給機構等を備える基板処理装置であるから、この基板処理装置を、ウェーハ（基板）処理の際に、生成される反応生成物の除去に応用することは、当業者が容易に想到することであり、又、そうであれば、引用例１記載の発明の薬液が反応生成物の除去液となることは、当然の帰結である。
　
　［相違点２］について
　上記引用例３には、従来の技術として、処理液を排出するドレイン口、洗浄液を排出するドレイン口、雰囲気を排出する排気口を、それぞれ独立して設けた基板処理装置が記載されており（【０００８】、【図９】等参照）、引用例３に記載された基板処理装置は、この従来の技術の課題を解決するための装置であり、具体的に、処理槽に設けられた開口に接続される配管に、基板処理部から排出される雰囲気を含んだ各種処理液が送給されるようにしたものである。
　即ち、従来、薬液・洗浄液の排出手段とは別に設けられていた排気口（雰囲気の排出手段）を、薬液・洗浄液の排出手段と兼用させること、換言すれば、基板処理部の雰囲気を、基板処理に用いた薬液・洗浄液の排出手段を介して排出することは、公知の技術手段であるから、同様の基板処理装置である引用例１記載の発明においても、独立して設けられた排気口を、薬液の廃液口或いは純水の廃液口と兼用させること、換言すれば、カップ内の雰囲気を、薬液の廃液口或いは純水の廃液口を介して排気させるようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そしてその際、排気口を、薬液の廃液口と純水の廃液口とのどちらと兼用させるかは、当業者が適宜決定する設計事項であると認められるところ、引用例１記載の発明の基板処理装置は、純水での洗浄時に、中間カップが上昇し薬液回収用カップの開口を閉塞するもの（【図４】、【図５】参照）であるため、排気口を薬液の廃液口と兼用させると、純水による洗浄時に、基板が載置されるスピンチャック付近の雰囲気が排気できないものであり、逆に、排気口を純水の廃液口と兼用させると、薬液による処理時、純水による洗浄時の何れにおいても、スピンチャック付近の雰囲気が排気できるものであるから、排気口は、純水の廃液口と兼用させるようにしなければならないことは、技術的に明らかである。
　以上のとおりであるから、相違点２を格別のものとすることはできない。
　
　［相違点３］について
　基板に形成される化合物を薬液により除去するについて、薬液を基板上に均一な液盛り状態にする必要があり、その均一な液盛り状態を得るために、スピンチャック上に載置された基板に対する薬液処理の際、スピンチャックの薬液処理時の回転速度を、洗浄処理時の回転速度より遅くする、或いは、回転を停止することは、上記引用例４（摘記事項Ｔ、Ｕ参照）に記載されるように公知の技術手段である。
　又、引用例１には、従来の技術として「一般に薬液処理はミストの発生を防止する観点から基板Ｗを比較的に低速回転させて行われるのに対して、リンス液処理や乾燥処理は薬液処理のときよりも基板Ｗを高速に回転させて行われる。」（【０００３】５〜９行）と記載されており、この記載によれば、薬液の均一な液盛り状態を得るためだけでなく、ミストの発生を防止するために、薬液処理時のスピンチャックの回転速度を、洗浄処理時の回転速度より遅くすることも、公知の技術手段である。
　他方、基板の現像処理ではあるが、現像処理装置のダウンフローにより基板上の現像液が波打つと、均一な現像処理結果が得られないことを課題とし、この課題解決のために、現像処理中は、ダウンフローが生じないようにすることも、上記引用例５（摘記事項Ｗ〜Ｙ参照）に記載されるように公知の技術手段である。
　これら公知の技術手段を参酌すると、基板に何らかの薬液処理を行う場合、基板上の薬液の波打ち、急な移動、ミストの発生等は、基板処理が均一に行われないことの要因となることは明らかであり、そのような状態にならないようにすることは、当業者が、当然に配慮すべき事項である。
　そこで、引用例１記載の発明についてみるに、引用例１記載の発明も、従来の技術から勘案して、薬液処理時のスピンチャックの回転速度は、洗浄処理時のそれより遅いことは明らかであり、その結果、ミストの発生、薬液の急な移動等に対処していると解されるところ、上記公知の技術手段等を参酌すれば、スピンチャックの回転速度に対する配慮と同様に、薬液の液盛り状態に影響を及ぼす（排気手段により生じる）ダウンフローについても配慮することは、当業者が容易に想到し得ることであり、具体的に、薬液処理時のダウンフローを、洗浄処理時より弱めるようにすることは、当業者が容易に採用し得る技術的事項である。
　以上のとおりであるから、排気手段による排気を、洗浄処理時（純水の供給時）より弱めるように制御すること、即ち、上記相違点３に係る事項は、当業者が容易に採用し得る技術的事項である。
　
　［作用効果］について
　本件補正発明の作用効果についても、引用例１記載の発明、引用例２〜５に記載された技術手段から予測し得る程度のものであって、格別なものとも認められない。
　
　以上のとおり、本件補正発明は、引用例１記載の発明及び引用例２〜５に記載された技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
　５．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項に違反するので、平成１８年改正前法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年１０月１９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　「レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液により除去する基板処理装置であって、
　基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
　前記スピンチャックに保持された基板に反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液供給機構と、
　前記スピンチャックに保持された基板に純水を供給する純水供給機構と、
　前記スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する除去液および純水を捕獲するためのカップと、
　前記除去液供給機構により基板に供給され、前記カップにより捕獲された除去液を排出するための除去液排出路と、
　前記純水供給機構により基板に供給され、前記カップにより捕獲された純水を排出するための純水排出路と、
　前記純水排出路を介して前記カップ内の雰囲気を排気する排気手段と、
　基板の表面に除去液を供給して反応生成物を除去する際に、前記カップ内の雰囲気の排気を弱める制御手段と、
　を備えることを特徴とする基板処理装置。」
　なお、平成１９年３月３０日付け手続補正書は、原審において、平成１９年４月２０日付けで、補正の却下の決定がなされている。
　　
　２．引用例に記載された事項
　原査定の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２　２．」に記載したとおりである。
　　
　３．引用例１に記載された発明
　原査定の理由に引用された引用例１に記載された発明は、前記「第２　３．」に記載したとおりである。
　　
　４．対比・判断
　本願発明は、前記「第２　１．」に記載した本件補正発明から、「カップ」が「除去液を回収するための第１回収部と、純水を回収するための第２回収部とを備え」ていることを限定する事項を省き、除去液が「第１回収部を介して」排出されること、純水が「第２回収部を介して」排出されること、排気手段が「第２回収部」及び純水排出路を介して排気することを限定する事項を省き、更に、制御手段が、反応生成物を除去する際にカップ内の雰囲気の排気を弱めるについて、その比較基準を「基板の表面に純水を供給するときよりも」と限定する事項を限定する事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成を全て含み、さらに構成要件を限定したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　４．」に記載したとおり、引用例１記載の発明及び引用例２〜５に記載された技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　５．まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。