【事件の表示】
　平成　９年特許願第１９６１９８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月１２日出願公開、特開平１１−　４０５２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成９年７月２２日の特許出願であって、同１７年７月２６日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１７年９月３０日に意見書の提出とともに明細書について手続補正がされたが、同１８年３月８日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１８年４月１３日に本件審判の請求がされ、同１８年５月１２日付けでに明細書について手続補正がされたものである。
　本件出願の請求項１乃至５に係る発明は、平成１８年５月１２日付けの手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「基板表面に形成された凹部に配線層を埋め込み形成する半導体装置の製造方法において、凹部を含む基板上に、銅、タングステン、アルミニウム、チタン又はこれらを含む合金からなる導体膜を形成する工程と、上記基板上の凹部以外の部分の上記導体膜を研磨液と研磨布を用いた化学機械研磨法により除去して上記導体膜を上記凹部内に残存させて配線層を形成する工程と、上記化学機械研磨法により上記凹部以外の上記導体膜を除去した後上記基板をアルコールに接触させる工程、とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２　引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である特開平９−１６７７６８号公報（以下「刊行物１」という。）及び特開平５−３１５３３１号公報（以下「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
(１)　刊行物１
ア　第１欄第２〜１４行
「【請求項１】基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に中間膜を形成する工程と、少なくとも前記絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、前記開口部の形成された前記基板全面に導電層を形成する工程と、前記導電層に対して前記絶縁膜が露出するまで化学機械研磨を行う工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記化学機械研磨を行なう際に用いる研磨剤に対する前記中間層の研磨速度が前記研磨剤に対する前記導電層の研磨速度よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】導電層が銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、タングステンまたはタングステン合金であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」
　
イ　第１欄第２１〜２４行
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の製造方法に関し、特に化学機械研磨を用いて、ディッシングを抑制した埋め込み配線及びプラグの形成方法に関するものである。」
　
ウ　第３欄第５行〜第４欄第１４行
「【発明の実施の形態】以下本発明のディッシングを抑制した埋め込み配線の形成方法の一発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態においては、配線材料として銅を用いた場合について説明する。
【００１０】図１（ａ）〜（ｅ）は、金属としてプラグの材料である銅や銅合金よりも研磨速度の大きな中間膜として例えばアルミニウムを用いた場合の銅の埋め込み配線形成方法を模式的に示したものである。上記の中間層に用いる金属は、さらに例えばアルミニウムー銅のような銅を含む金属アルミニウム合金でもよく、また銅が含まれていなくても配線やプラグとして用いられるものなら何でもよい。
【００１１】そこで、以下では本発明の工程について詳細に説明する。まず図１（ａ）のように、絶縁膜１０上に、中間層としてのアルミニウム膜１１をスパッタにより堆積する。その後、通常のホトリソグラフィー技術を用いてホトレジストのパターンを形成した後、ホトレジストをマスクにしてドライエッチングを施して、図１（ｂ）のようにアルミニウム膜１１を貫通し絶縁膜１０に至る開口部である溝１２を形成する。この時、アルミニウムの膜厚は大きければ大きいほどディッシングの防止には効果的であるが、溝１２を形成する際、アスペクト比が大きいと、銅が溝内に十分埋め込むことができないという問題が生じるため、その相関で決定される。これにより、例えばアルミニウムの膜厚は０．２μｍ、溝の幅は１μｍ、絶縁膜における溝の深さは０．５μｍを用いる。
【００１２】この後、例えば窒化チタン／チタンからなる密着層（バリヤー層：銅の酸化を防止する）１３を１００ｎｍ程度堆積する。次に図１（ｃ）のように配線金属（後にプラグとなる）である銅１４をＣＶＤあるいはスパッタで堆積し、化学機械研磨を施す。上記の化学機械研磨に用いられるスラリーは、アルミナやシリカなどの研磨粒子、過酸化水素などの酸化剤などが含まれており、銅よりアルミニウムの方が研磨速度が大きいスラリーを用いる。上記スラリーを用いて銅の膜１４に化学機械研磨を施すと、最初は溝上部の銅が凹部になっているが、中間膜のアルミニウム１１に研磨が進むと、銅よりアルミニウムの方が研磨速度が大きいため、図１（ｄ）のように、研磨が絶縁膜１０に到達した時点で溝内に埋め込まれた銅の上端１５ａは絶縁膜上端に対し凸となる。ここで、絶縁膜に研磨が到達したときを検知する手段は、一般的に用いられているものを使用することができ、例えば、絶縁膜が露出することに基づくキャリアの回転トルクの減少により検知すればよい。
【００１３】次に図１（ｄ）に示された状態で全面に配線金属を堆積させて、さらにパターニングを行なえば、配線金属の高さが均一となり、図３（ｃ）における配線抵抗が高い部分３３が形成されるのを防止することができる。また、埋め込まれた銅の凸部１５ａが存在した状態で全面に配線金属を堆積すると、堆積された金属と埋め込まれた銅との接触面積が面一の場合と比較して広くなるため、接触抵抗を低く抑えることが可能となる。
【００１４】一方、図１（ｄ）に示される銅が凸形状を有している状態に対して、さらに絶縁膜が露出した時点において溝に埋め込まれた銅の凸部１５ａをそのまま短時間で研磨除去（オーバー研磨）すると、図１（ｅ）のように、プラグの上面が絶縁膜の上面と面一になっているものを形成することも可能である。」
　
　刊行物１において、化学機械研磨に研磨布を用いることは、技術常識より明らかである。
　そこで、上記記載事項を技術常識を勘案しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板表面に形成された開口部である溝に配線を埋め込み形成する半導体装置の製造方法において、上記開口部の形成された基板全面に、銅、タングステン、アルミニウム又はこれらを含む合金からなる導電層を形成する工程と、上記基板全面の開口部以外の部分の上記導電層をスラリーと研磨布を用いた化学機械研磨法により除去して上記導電層を上記開口部内に残存させて配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
　
(２)　刊行物２
ア　第１欄第３９〜４１行
「【産業上の利用分野】本発明は、銅を基体とする配線が形成された半導体装置の製造方法及びその製造工程で用いられる洗浄装置に関する。」
　
イ　第２欄第７〜１３行
「【発明が解決しようとする課題】しかし、銅は耐食性や耐酸化性の点で問題がある。すなわち、銅はアルミニウムに比べ、その表面に生成する酸化皮膜の保護性が低いため、高温酸化を受けやすく、また水溶液中では腐食しやすい。配線材料はその製造工程中に数多くの水洗工程が含まれているので、配線材料には洗浄液中における高い耐食性が要求される。」
　
ウ　第２欄第４３〜４６行
「【０００７】また本発明は、基板上に銅配線パターンを形成した後、その銅配線パタ−ンをベンゾトリアゾールを含有する水溶液により洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。」
　
エ　第５欄第３４〜４２行
「【００２３】次に洗浄中の銅配線の腐食を抑制するために、洗浄液中にＢＴＡを添加した洗浄液による半導体装置の製造方法の実施例の手順を図４に示す。通常の半導体製造プロセスに従って、半導体が形成されたシリコンウエハ上に絶縁膜が形成され、そこにコンタクトホ−ルを形成し、配線膜を形成した。次にＢＴＡを含有した水溶液で洗浄し、半導体が形成されたシリコンウエハ上の付着物を充分に洗い流した。洗浄液中にはＢＴＡが含まれているので、銅配線の腐食は最小限に抑制される。」
　
　上記摘記事項からみて、刊行物２には、次の事項（以下「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法において、基板上に銅配線を形成した後、その銅配線をベンゾトリアゾールを含む水溶液により洗浄する工程を有することにより、銅配線の腐食を抑制すること。」
　
３　対比
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「開口部」は、本願発明の「凹部」に相当しており、以下同様に、「配線」は「配線層」に、「開口部の形成された基板全面」は「凹部を含む基板上」に、「導電層」は「導体膜」に、「スラリー」は「研磨液」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「基板表面に形成された凹部に配線層を埋め込み形成する半導体装置の製造方法において、凹部を含む基板上に、銅、タングステン、アルミニウム又はこれらを含む合金からなる導体膜を形成する工程と、上記基板上の凹部以外の部分の上記導体膜を研磨液と研磨布を用いた化学機械研磨法により除去して上記導体膜を上記凹部内に残存させて配線層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」である点。
［相違点］　
　本願発明では、化学機械研磨法により凹部以外の導体膜を除去した後基板をアルコールに接触させる工程を有するのに対し、刊行物１記載の発明では、そのような工程を有するものではない点。
　
４　相違点についての検討
　上記相違点について、以下検討する。
　まず、本願発明の「アルコール」の意味するところについてみると、本件出願の明細書には、段落【０００９】に、「非水性液体としてはメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール類が好ましく、また、非水性液体に防食性物質を含んでいてもよい。」と記載されている。また、段落【００１１】には、「防食性物質は、ＢＴＡが代表的であるが、・・・等でも同様の効果があり、特に銅、銅合金に対して有効である。」と記載され、段落【００１３】には、「防食性物質の濃度は、０．００１〜１重量％の範囲であることが好ましい。これは非水性液体に防食性物質を含むときも同様である。０．００１重量％未満では防食効果が顕著ではない。」と記載されている。
　上記記載によれば、防食性物質としてベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が代表的なものであり、本願発明の「アルコール」は、「防食性物質を含むアルコール」を包含すると解される。
　次に、防食性物質の代表的なものであるベンゾトリアゾールについてみると、刊行物２には、上記２の(２)に示すとおり、半導体装置の製造方法において、基板上に銅配線を形成した後、その銅配線をベンゾトリアゾールを含む水溶液により洗浄する工程を有することにより、銅配線の腐食を抑制するという事項が記載されている。
　刊行物１記載の発明において、化学機械研磨法により導体膜を凹部内に残存させて配線層を形成した後、配線層の腐食を抑制することは、当然に考慮すべき事項である。
　したがって、刊行物１記載の発明において、化学機械研磨法により導体膜を凹部内に残存させて配線層を形成した後、配線層の腐食を抑制するために、刊行物２記載の事項を採用して、化学機械研磨法により凹部以外の導体膜を除去した後、基板をベンゾトリアゾールを含む水溶液に接触させる工程を有するものとすることに格別の困難性はなく、また、ベンゾトリアゾールの溶剤としてアルコールを用いることは、例えば、拒絶査定の際に引用された特開平１−２１２７８２号公報（第２頁左下欄第１４行〜右下欄第２行）及び特開平８−２３１９８９号公報（第３欄第３７〜３９行、第４欄第８〜１９行）に記載されているほか、特公昭５８−３６０６１号公報（第３欄第３５〜３９行）、特開昭６３−２６６８４４号公報（第３頁右下欄第１４行〜第４頁左上欄３行、第４頁右下欄第１２〜１５行）等に記載されているように従来周知の事項にすぎない。
　してみると、刊行物１記載の発明に刊行物２記載の事項を採用するに当たり、溶剤としてアルコールを用いて基板をベンゾトリアゾール即ち防食性物質を含むアルコールに接触させることは当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明の奏する作用効果についても、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項及び上記従来周知の事項より当業者が予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
　また、たとえ、本願発明の「アルコール」が防食性物質を含まないものと解されたとしても、半導体装置の製造方法において、防食性物質を含まないアルコールを洗浄液として用いることは、例えば、特開平８−１３９２９３号公報（第９欄第３０〜３７行）、特開平７−１３０７００号公報（第３欄第１７〜１９行）等に記載されているように従来周知の事項であり、刊行物１記載の発明に上記従来周知の事項を採用して、化学機械研磨法により凹部以外の導体膜を除去した後、基板を防食性物質を含まないアルコールに接触させる工程を有するものとすることも当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。