【事件の表示】
　平成１０年特許願第５４６９４７号「半導体基板上の構造物を選択的にプラズマエッチングするための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１１月　５日国際公開、ＷＯ９８／４９７１９、平成１３年１１月１３日国内公表、特表２００１−５２２５３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９８年２月１６日（優先権主張１９９７年４月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年３月１日付で拒絶査定がなされ、平成１６年６月３日に審判請求がなされ、当審にて平成１８年１１月２１日付で拒絶理由通知がなされ、平成１９年５月２２日付で意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の発明は特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「　半導体物質の上にドーピングしていない二酸化シリコン層を形成させる工程；
　ドーピングしていない二酸化シリコン及びシリコンに対し選択性があるエッチングプロセスを選択する工程；
　前記のドーピングしていない二酸化シリコン層上にドーピングした二酸化シリコン層を形成させる工程；および
　Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ１０、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、およびＣＨ３Ｆ並びにそれらの組み合わせからなる群から選ばれるエッチング剤を使用して、約１ミリトル〜約４００ミリトルの範囲のトータルエッチング圧力で前記エッチングプロセスにより、ドーピングしていない二酸化シリコンに対して、前記のドーピングした二酸化シリコン層の一部を、より高い物質除去速度にて選択的に除去して、前記半導体物質上に、接触表面に延びている開口を形成させる工程；
を含む、半導体物質に接触開口を形成させるための方法。」
　
３．引用刊行物及びその摘記事項　
　当審の拒絶理由通知で引用した本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平６−２４４１５３号公報には、図面とともに以下の事項が記載されている。（以下、「引用文献１」という。）
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法に関し、特に、半導体基板の表面に下地膜、たとえばＢやＰを含まないシリコン酸化膜（以下、シリコン酸化膜と記す）を介して形成されたＢＰＳＧに対して選択的にドライエッチングを行うドライエッチング方法に関する。」
ｂ．「【００２１】また、ＰＳＧ膜４０７のエッチングが、ドライエッチングであると仮定した場合、特に記述が無いので一般に用いられているシリコン酸化膜ドライエッチングであると考えることもできるが、通常のシリコン酸化膜のドライエッチングでは、ＣＨＦ３とＣＦ４の混合ガスやＣＨＦ３とＯ２の混合ガスが広く用いられており（その他のとしてはＣ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，ＣＨ２Ｆ２などであり添加ガスとしてはＡｒ，Ｈｅ，Ｈ２などがある）、・・・
【００２４】本発明は上記問題点に鑑み、微細（２μｍ以下）なコンタクト形成において、自己整合可能なコンタクトの形成方法を提供するものである。・・・」
ｃ．「【００２７】まず、従来より知られているＣＨＦ３およびＣＦ４ガスにおけるＢＰＳＧ膜のドライエッチングにおいて、！ＣＨＦ３およびＣＦ４ガスが反応室内で高周波電力などにより（式１）に示されるように分解され、（式１）により生成されたＦがＢＰＳＧ膜の構成要素であるＳｉＯ２やＢ２Ｏ３やＰ２Ｏ５と（式２）で示される反応を起こし、ＳｉＦ４やＢ２Ｆ６やＰＦ３になり、気化し反応容器外へ排出されることによりＢＰＳＧ膜がエッチングされる。ただし、ガスの分解では（式１）に示される以外にも、ＣＦ３やＣＦ２やＣＦあるいはＨの結合した中間的な物質や、さらにはこれらのイオン化した物質も生成される。」
ｄ．「【００３５】前述の特性について、その一例として、有磁場ＲＩＥにおけるエッチング特性の実験データを図３から図５に示す。図３は、ＢＰＳＧ膜とシリコン酸化膜（図中ではＳｉＯ２ と記載）エッチングにおけるＣＯガス流量依存性を示しており、ＣＨＦ３ ：５０ｃｃｍ，ＣＦ４ ：５ｃｃｍ，圧力：６０ｍＴｏｒｒ，磁場強度：８０Ｇａｕｓｓ，高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）６００Ｗにおける実験データである。図３（ａ）は、ＢＰＳＧ膜とシリコン酸化膜のエツチングレートのＣＯガス流量依存性を示しており、図３（ｂ）は、ＢＰＳＧ膜とシリコン酸化膜のエッチング均一性のＣＯガス流量依存性を示しており、図３（ｃ）は、ＢＰＳＧ膜とシリコン酸化膜のエッチング選択比のＣＯガス流量依存性を示している。ここで、図３におけるデータは、６インチ基板上における中心と周辺から１０mmの４点の合計５点測定によるもので、エッチングレートは５点の平均値であり、エッチング均一性は５点中の最大値と最小値より｛最大−最小｝／｛最大＋最小｝の計算で求めた値であり、エッチング選択比はエッチングレートの比である（以下同様）。
【００３６】図３（ａ）から分かるように、ＢＰＳＧ膜の場合にはＣＯ流量の増加によってあまり、エッチングレートは低下しないのに対し、シリコン酸化膜の場合にはＣＯ流量の増加によって著しくエッチグレートは低下している。よって、図３（ｃ）に示すようにＣＯ流量が増すにつれてＢＰＳＧ膜とシリコン酸化膜の選択比が増す。また、図３（ｂ）のエッチング均一性を考慮すると、ＢＰＳＧ膜の均一性が保たれる領域はＣＯ流量５０ｃｃｍ以下であり、流量比的にはおよそ５０％が使用に適している。」
ｅ．「【００４４】次に、ゲートレジストパターン１０をエッチングマスクとしてｎ＋ポリシリコン膜４とＣＶＤ酸化膜５をエッチングしてｎ＋ポリシリコン膜４′およびＣＶＤ酸化膜５′を形成した後、ゲートレジストパターン１０を除去して全面にシリコン酸化膜であるＣＶＤ酸化膜６を１５０ｎｍ形成する（同図ｂ）。
【００４５】次に、異方性のドライエッチングによりＣＶＤ酸化膜６をエッチングしてｎ＋ポリシリコン膜４′およびＣＶＤ酸化膜５′側面にサイドウォール酸化膜６′を形成する（同図ｃ）。このとき、ＣＶＤ酸化膜６を２０％オーバーエッチングするため、ＣＶＤ酸化膜５′はおよそ２２０ｎｍになる。
【００４６】次に、ソース・ドレイン領域にイオン注入によりＡｓを注入してｎ＋拡散領域１２を形成した後、全面にＣＶＤによるＢＰＳＧ膜７を７００ｎｍ堆積して熱処理を行うことで表面をなだらかに（フロー）した後、コンタクト形成領域を開口したコンタクトレジストパターン１１を形成する（同図ｄ）。
【００４７】次に、コンタクトレジストパターン１１をエッチングマスクとしてＢＰＳＧ膜７のドライエッチングを行う。ドライエッチング装置としては、有磁場の平行平板型ＲＩＥ装置を使用し、（表１）に示すエッチング条件を用いる。このエッチング条件ではＢＰＳＧ膜７のエッチングレートはおよそ３００ｎｍ／ｍｉｎであり、ＣＶＤ酸化膜５′およびサイドウォール酸化膜６′とのエッチング選択比は１５である。ＢＰＳＧ膜７がｎ＋ポリシリコン膜４′とＣＶＤ酸化膜５′によるゲート配線パターン間を完全に平坦化している場合を想定するとコンタクト部のＢＰＳＧ膜７の膜厚は１１２０ｎｍになる。この膜厚に対して２０％のオーバーエッチングに相当する時間のエッチングを行った際に、ＣＶＤ酸化膜５′やサイドウォール酸化膜６′が現れても２２０ｎｍの膜厚であるＣＶＤ酸化膜５′はおよそ１７０ｎｍ残るため、ｎ＋ ポリシリコン膜４′が露出することはない。」
ｆ．「表１
ＣＨＦ３流量　　　　　　　　　　５０ｃｃｍ
ＣＦ４流量　　　　　　　　　　　５ｃｃｍ
ＣＯ流量　　　　　　　　　　　　５０ｃｃｍ
エッチング圧力　　　　　　　　　６０ｍＴｏｒｒ
磁場強度　　　　　　　　　　　　４０Ｇａｕｓｓ
高周波電力　　　　　　　　　　　６００W
ＢＰＳＧ膜エッチングレート　　　３００ｎｍ／ｍｉｎ
シリコン酸化膜エッチングレート　２０ｎｍ／ｍｉｎ」
ｇ．「【００５２】図２は第１の実施例と同様に、素子間絶縁分離領域に素子分離酸化膜２を形成したＰ型シリコン基板１に、膜厚１０ｎｍのゲート酸化膜３とＣＶＤによりポリシリコン膜を２００ｎｍ堆積した後、ＰＯＣｌ３ガスを用いてＰを拡散してゲート電極配線となるｎ＋ポリシリコン膜４を形成した後、ｎ＋ポリシリコン膜４上にシリコン酸化膜であＣＶＤ酸化膜５を２５０ｎｍ形成し、ゲート電極配線形成領域にゲートレジストパターン１０を形成する（同図ａ）。
【００５３】次に、ゲートレジストパターン１０をエッチングマスクとしてｎ＋ポリシリコン膜４とＣＶＤ酸化膜５をエッチングしてｎ＋ポリシリコン膜４′およびＣＶＤ酸化膜５′を形成した後、ゲートレジストパターン１０を除去して、全面にシリコン酸化膜であるＣＶＤ酸化膜６を１５０ｎｍ形成する（同図ｂ）。
【００５４】次に、異方性のドライエッチングによりＣＶＤ酸化膜６をエッチングしてｎ＋ポリシリコン膜４′およびＣＶＤ酸化膜５′側面にサイドウォール酸化膜６′を形成する。この時、ＣＶＤ酸化膜６を２０％オーバーエッチングするため、ＣＶＤ酸化膜５′はおよそ２２０ｎｍになる。次に、ソース・ドレイン領域にイオン注入によりＡｓを注入してｎ＋拡散領域１２を形成した後、全面にシリコン酸化膜であるＣＶＤ酸化膜１３を６０ｎｍ形成した（同図ｃ）。
【００５５】その後、全面にＣＶＤによるＢＰＳＧ膜７を７００ｎｍ堆積して熱処理を行うことで表面をなだらかに（フロー）した後、コンタクト形成領域を開口したコンタクトレジストパターン１１を形成する。ＢＰＳＧ膜７は図中のＢではおよそ７００ｎｍであるのに対し、Ｃではおよそ１１２０ｎｍになる（同図ｄ）。
【００５６】次に、コンタクトレジストパターン１１をエッチングマスクとしてＢＰＳＧ膜７のドライエッチングを行う。ドライエッチング装置としては、有磁場の平行平板型ＲＩＥ装置を使用し、（表１）と（表２）に示すエッチング条件を用いる。
【００５７】まず、（表１）のエッチング条件でＢＰＳＧ膜７をエッチングする。このとき第１の実施例と同様であるから、Ｃ部の１１２０ｎｍのＢＰＳＧ膜に対して２０％のオーバーエッチングに相当する時間のエッチングを行うとＣ部のＣＶＤ酸化膜１３は４５ｎｍとなり、Ｂ部のＣＶＤ酸化膜１３は１５ｎｍになるので、４２０ｎｍあった膜厚差は３０ｎｍに低減することができる。次に、（表２）のエッチング条件ではＣＶＤ酸化膜６をエッチングする。このときのエッチングレートはおよそ３００ｎｍ／ｍｉｎであり、下地シリコンとのエッチング選択比は１５である。ＣＶＤ酸化膜６０ｍｎ相当に相当する時間のエッチングを行うとＣ部のシリコンの堀れ量は１ｎｍとなり、Ｂ部のシリコンの掘れ量は３ｎｍになる。」
ｈ．「表２
ＣＨＦ３流量　　　　　　　　　　５０ｃｃｍ
ＣＦ４流量　　　　　　　　　　　５ｃｃｍ
エッチング圧力　　　　　　　　　６０ｍＴｏｒｒ
磁場強度　　　　　　　　　　　　４０Ｇａｕｓｓ
高周波電力　　　　　　　　　　　６００W
シリコン酸化膜エッチングレート　３００ｎｍ／ｍｉｎ
シリコンエッチングレート　　　　２０ｎｍ／ｍｉｎ」
ｉ．図１（ｅ）において、自己整合的にシリコン基板に達する開口を形成している。
　図３のグラフにおいて、ＢやＰを含まないシリコン酸化膜に対して、ＢＰＳＧ膜を、より高い物質除去速度で選択的に除去することが示されている。また、ＣＯ流量が０のときにもより高い物質除去速度を有していることが示されている。
　
５．引用発明および対比　
　摘記ｉより、ＢやＰを含まないシリコン酸化膜に対して、ＢＰＳＧ膜の一部を、より高い物質除去速度にて選択的に除去すること、ＣＯ流量が０のときにもより高い物質除去速度を有していることが示されている。
　また、摘記ｈより、ＣＯを用いない条件で、ＢやＰを含まないシリコン酸化膜よりもシリコンのエッチングレートが低いエッチングプロセスが記載されている。自己整合的にシリコン基板に達する開口を形成するのであれば、当然、シリコンに対しても選択性を有するエッチングプロセスを選択していると認められる。
　よって、摘記ａ．〜ｉ．より、引用文献１には以下の発明（以下、「引用
発明１」という。）が記載されている。
　「半導体基板の表面に、ＢやＰを含まないシリコン酸化膜を介して形成されたＢＰＳＧ膜に対して、ＢＰＳＧ膜のドライエッチングを、エッチングガスとしてＣＨＦ３、ＣＦ４を用い、エッチング圧力６０ｍＴｏｒｒのエッチング条件で行い、ＢＰＳＧ膜がＢやＰを含まないシリコン酸化膜に対してエッチング選択比を有するドライエッチング方法で、選択的にドライエッチングを行い、さらに、下地シリコンに対してもエッチング選択比を有する自己整合可能なコンタクト形成領域の開口の形成方法。」
　
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「半導体基板」、「ＢやＰを含まないシリコン酸化膜」、「ＢＰＳＧ膜」、「エッチング圧力」、「コンタクト形成領域の開口」、「下地シリコン」が、本願発明１の「半導体物質」、「ドーピングしていない二酸化シリコン層」、「ドーピングした二酸化シリコン層」、「トータルエッチング圧力」、「接触開口」、「シリコン」に相当するので、本願発明１と引用発明１とは、
「半導体物質の上にドーピングしていない二酸化シリコン層を形成させる工程；
　ドーピングしていない二酸化シリコン及びシリコンに対し選択性があるエッチングプロセスを選択する工程；
　前記のドーピングしていない二酸化シリコン層上にドーピングした二酸化シリコン層を形成させる工程；および
　エッチング剤を使用して、約１ミリトル〜約４００ミリトルの範囲のトータルエッチング圧力で前記エッチングプロセスにより、ドーピングしていない二酸化シリコンに対して、前記のドーピングした二酸化シリコン層の一部
を、より高い物質除去速度にて選択的に除去して、前記半導体物質上に、接触表面に延びている開口を形成させる工程；
を含む、半導体物質に接触開口を形成させるための方法。」の点で一致し、
　
相違点
　エッチング剤を、本願発明１では、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ１０、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、およびＣＨ３Ｆ並びにそれらの組み合わせからなる群から選ばれるエッチング剤を使用しているのに対し、引用発明１では、ＣＨＦ３、ＣＦ４を用いている点、で相違する。
　
６．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明１のエッチングにおいて、摘記ｃ．に「ＣＨＦ３およびＣＦ４ガスが反応室内で高周波電力などにより・・・分解され、・・・生成されたＦがＢＰＳＧ膜の構成要素であるＳｉＯ２やＢ２Ｏ３やＰ２Ｏ５と・・・反応を起こし」と記載されているように、分解されてFを発生するガスであれば、ほぼ同様なドライエッチングの効果を奏するものと認められ、よって、引用発明１のエッチングガスは本来、ＣＨＦ３およびＣＦ４に限定されるものではない。
　また、分解されてFを発生するエッチングガスとしてＣ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ１０、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、およびＣＨ３Ｆを用いることは周知であり、引用発明１のＣＨＦ３、ＣＦ４に替えてこれらの周知のガスを用いることは適宜なし得るガスの変更にすぎない。そして、エッチングガスをＣ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ１０、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、およびＣＨ３Ｆに限定する格別な効果は認められない。
　よって、本願発明１は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７．むすび
　したがって、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。