【事件の表示】
　特願２００１−３３５８３８「電子部品装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月１６日出願公開、特開２００３−１４２５２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月３１日の出願であって、平成１７年６月１５日付けで拒絶理由通知がなされ、同年８月１９日に意見書が提出され、平成１８年８月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月６日付けで手続補正がなされたものである。
　
［２］平成１８年１１月６日付け手続補正についての補正却下の決定
　
〈補正却下の決定の結論〉
　平成１８年１１月６日付け手続補正を却下する。
　
〈理　　由〉
１．手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲の補正を含んでおり、補正前後の特許請求の範囲は、次のとおりである。
　
補正前の特許請求の範囲（出願当初のもの）
　「【請求項１】　所定の機能部分を有するデバイスチップと所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ所定の空間部が形成されるように、前記デバイスチップと前記基板とが導電性バンプを介して電気的かつ機械的に接続され、かつ、保護材により前記デバイスチップの機能部分が外部から保護されるように構成された電子部品装置において、
　前記デバイスチップと前記基板との間であって、前記デバイスチップの機能部分が配置される場所の外側であり、かつ前記保護材が配置される場所の内側に、前記保護材の進入防止のための低融点金属からなるダムを設けたことを特徴とする電子部品装置。
　　【請求項２】　前記ダムが、前記導電性バンプが配置される場所の外側に配置されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項３】　前記ダムが、前記導電性バンプが配置される場所の内側に配置されるように構成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の装置。
　　【請求項４】　前記ダムが、ハンダにより構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の装置。
　　【請求項５】　所定の機能部分を有するデバイスチップと所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ所定の空間部が形成されるように前記デバイスチップと前記基板とを導電性バンプを介して電気的かつ機械的に接続し、樹脂により前記機能部分が外部雰囲気から遮蔽されるように前記デバイスチップおよび前記基板の外周を封止するように構成された電子部品装置の製法において、
　前記デバイスチップと前記基板との間であって、前記デバイスチップの機能部分が配置される場所の外側であり、かつ前記樹脂が配置される場所の内側に、前記樹脂の進入防止のための低融点金属からなるダム用部材を、前記樹脂による封止工程の前に設けるように構成したことを特徴とする電子部品装置の製造方法。」
　
補正後の特許請求の範囲
　「【請求項１】　所定の機能部分を有するデバイスチップと所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ所定の空間部が形成されるように前記デバイスチップと前記基板とを導電性バンプを介して電気的かつ機械的に接続し、樹脂により前記機能部分が外部雰囲気から遮蔽されるように前記デバイスチップおよび前記基板の外周を封止するように構成された電子部品装置の製法において、
　前記デバイスチップと前記基板との間であって、前記デバイスチップの機能部分が配置される場所の外側であり、かつ前記樹脂が配置される場所の内側に、前記デバイスチップと前記基板とをフリップチップボンディングあるいはフェイスダウンボンディングする際に溶融もしくは液状化、あるいは塑性変形もしくは柔軟化する、前記樹脂の進入防止のための低融点金属からなるダム用部材を、前記樹脂による封止工程の前に設けるように構成したことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
　　【請求項２】　前記ダムが、前記導電性バンプが配置される場所の外側に配置されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置の製造方法。
　　【請求項３】　前記ダムが、前記導電性バンプが配置される場所の内側に配置されるように構成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品装置の製造方法。
　　【請求項４】　前記ダムが、ハンダにより構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の電子部品装置の製造方法。」
　
２．補正の適否についての判断
　上記補正について検討するに、補正前では、請求項１〜４が装置の発明、請求項５が方法の発明であったところ、補正後では、全請求項１〜４が方法の発明となっている。それ故、仮に、補正後の請求項１が補正前の請求項５に対応する発明であるとしても、補正後の請求項２〜４の方法の発明は、補正前に対応する請求項が存在せず、請求項を新たに設けたものと言わざるを得ない。また、仮に、補正後の請求項２〜４の方法の発明がそれぞれ補正前の請求項１〜４の何れかに対応するものであるとしても、その場合には、補正前後で発明のカテゴリーが「装置」から「方法」に変更されていることになるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」に該当するとはいえない。
　また、補正後の請求項２〜４の方法の発明とする補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、同項第３号の誤記の訂正、同項第４号の明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当するとはいえない。
　したがって、そのような補正を含む本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　よって、本件手続補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明について
１．本願発明
　平成１８年１１月６日付け手続補正は上記［２］のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、次のとおりである。
「【請求項１】　所定の機能部分を有するデバイスチップと所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ所定の空間部が形成されるように、前記デバイスチップと前記基板とが導電性バンプを介して電気的かつ機械的に接続され、かつ、保護材により前記デバイスチップの機能部分が外部から保護されるように構成された電子部品装置において、
　前記デバイスチップと前記基板との間であって、前記デバイスチップの機能部分が配置される場所の外側であり、かつ前記保護材が配置される場所の内側に、前記保護材の進入防止のための低融点金属からなるダムを設けたことを特徴とする電子部品装置。」
　
２．引用文献とその主な記載事項
　原査定の拒絶理由で引用された引用文献１とその主な記載事項は、次のとおりである。
（１）引用文献１：特開平１１−２６６４５号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  高周波集積回路基板上に実装した半導体装置に封印剤を覆い被せて気密フリップチップ実装を実現している半導体集積回路装置において、
上記半導体装置の実装面側に、上記高周波集積回路基板上の電極パッドに対応した位置に形成する電極用金属バンプと、
該電極用金属バンプより外側に、半導体装置と高周波集積回路基板との間から上記封印剤が侵入してくることを防ぐ封印剤侵入防止機構とを有してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体集積回路装置において、
上記封印剤侵入防止機構は、熱可塑性樹脂，セラミック，または金属からなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。」
（１ｂ）「【００３１】この実施の形態２による半導体集積回路装置は、封印剤侵入防止機構として多数の金属バンプを半導体装置１１の外周に沿って並べた金属バンプ群２０を配置したものを用いたものである。この金属バンプ群２０は、上記電極用金属バンプ１３と同じ高さにしてあり、半導体装置１１の気密フリップチップ実装を行う封印剤１９が半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間に侵入し、半導体装置１１の表面に付着することを防いでいる。・・・」
（１ｃ）「【００３２】次に、上記実施の形態２による半導体集積回路装置の製造方法としては、上記実施の形態１の場合とほぼ同様に行われる。すなわち、金属バンプ群２０を半導体装置１１の所定位置に並べ、ハンダや導電性接着剤を用いて接着し、ついで、この半導体装置１１を多層ＭＩＣ基板１６上での実装位置を決定し、導電性接着剤、ハンダ、または熱圧着も用いて接着し、その後、半導体装置１１全体を封印剤１９で覆い被せて固定するか、あるいは、半導体装置１１、金属バンプ群２０、多層ＭＩＣ基板１６を全て熱圧着によって接着し、半導体装置１１全体を封印剤１９で覆い被せて固定することにより、実施の形態２による半導体集積回路装置が製造される。また、半導体装置１１を多層ＭＩＣ基板１６上に搭載した後、半導体装置１１の上から封印剤１９を覆い被せて、半導体装置１１、金属バンプ群２０、多層ＭＩＣ基板１６の全てをこの封印剤１９のみによって固定することにより製造される。」
（１ｄ）「【００３３】このように、実施の形態２による半導体集積回路装置によれば、上記半導体装置１１の実装面側において、電極用金属バンプ１３より外側に、半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間から封印剤１９が侵入して半導体装置１１の表面に付着することを防ぐ金属バンプ群（封印剤侵入防止機構）２０を有してなるので、この金属バンプ群２０によって半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間からの封印剤１９の侵入を防止して半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間に空間１８が形成されて封印剤１９が半導体装置１１の表面へ付着することを防止でき、その結果、半導体装置１１の高周波における性能の劣化を防ぐ気密フリップチップ実装を実現することができるという効果がある。また、上記金属バンプ群２０の個数を変えることによってあらゆる大きさの半導体装置に適応することができるという汎用性を有する効果もある。」
　
３．当審の判断
３−１．引用文献１記載の発明
(ア)引用文献１の摘示（１ａ）には、請求項１に記載のとおりの、封印剤侵入防止機構等を有する半導体集積回路装置が記載され、同請求項２には、封印剤侵入防止機構は、金属からなるものである旨が記載されているから、引用文献１には、金属からなる封印剤侵入防止機構等を有する半導体集積回路装置が記載されているといえる。
(イ)摘示（１ｂ）には、封印剤侵入防止機構は、多数の金属バンプを半導体装置の外周に沿って並べた金属バンプ群を配置したものである旨が記載されているから、前記封印剤侵入防止機構として金属バンプ群を用いているといえる。
(ウ)摘示（１ｄ）の「金属バンプ群２０によって半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間からの封印剤１９の侵入を防止して半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間に空間１８が形成されて封印剤１９が半導体装置１１の表面へ付着することを防止でき、その結果、半導体装置１１の高周波における性能の劣化を防ぐ気密フリップチップ実装を実現することができる」との記載からみて、封印剤侵入防止機構は、高周波における性能を発揮する部分を有する半導体装置と基板との間の前記性能を発揮する部分を含む空間部に封印剤が侵入するのを防止するものといえる。
(エ)摘示（１ｄ）の「封印剤１９の侵入を防止して半導体装置１１と多層ＭＩＣ基板１６との間に空間１８が形成されて封印剤１９が半導体装置１１の表面へ付着することを防止でき、その結果、半導体装置１１の高周波における性能の劣化を防ぐ気密フリップチップ実装を実現することができる」等の記載からみて、封印剤は、前記性能を発揮する部分を含む空間部を気密にして前記性能を発揮する部分を外部から保護するものといえる。
　
　以上の(ア)〜(エ)の事項を考慮し、摘示（１ａ）〜（１ｄ）の記載を整理すると、引用文献１には、次の半導体集積回路装置についての発明（以下、「引用文献１発明」という）が記載されていると認められる。
　　　引用文献１発明：「高周波集積回路基板上に実装した半導体装置に封印剤を覆い被せて気密フリップチップ実装を実現している半導体集積回路装置において、上記半導体装置の実装面側に、上記高周波集積回路基板上の電極パッドに対応した位置に形成する電極用金属バンプと、該電極用金属バンプより外側に、高周波における性能を発揮する部分を有する半導体装置と基板との間の前記性能を発揮する部分を含む空間部に封印剤が侵入するのを防止する、封印剤侵入防止機構としての金属バンプ群とを有し、封印剤は、前記性能を発揮する部分を含む空間部を気密にして前記性能を発揮する部分を外部から保護する半導体集積回路装置。」
　
３−２．本願発明１と引用文献１発明との対比
　本願発明１と引用文献１発明を対比すると、
(カ)引用文献１発明における「半導体集積回路装置」は、本願発明１における「電子部品装置」に相当し、以下同様に、「半導体装置」は「デバイスチップ」に、「高周波における性能を発揮する部分」は「所定の機能部分」に、「金属バンプ」は「導電性バンプ」に、「封印剤」は「保護材」に、「封印剤侵入防止機構」は「ダム」に、「侵入防止」は「進入防止」に、それぞれ相当する。
(キ)引用文献１発明では、その構成要件の「フリップチップ実装を実現している半導体集積回路装置において、・・・高周波集積回路基板上の電極パッドに対応した位置に形成する電極用金属バンプ」等からみて、半導体装置と高周波集積回路基板とは、金属バンプを介して電気的かつ機械的に接続されているといえる。
　
　以上の(カ)、(キ)の事項を考慮すると、両者は、
「所定の機能部分を有するデバイスチップと所定の材質からなる基板との間に前記機能部分を含んだ所定の空間部が形成されるように、前記デバイスチップと前記基板とが導電性バンプを介して電気的かつ機械的に接続され、かつ、保護材により前記デバイスチップの機能部分が外部から保護されるように構成された電子部品装置において、前記デバイスチップと前記基板との間であって、前記デバイスチップの機能部分が配置される場所の外側であり、かつ前記保護材が配置される場所の内側に、前記保護材の進入防止のためのダムを設けた電子部品装置。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　　相違点：保護材の進入防止のためのダムが、本願発明１では、「低融点金属からなる」のに対し、引用文献１発明では、「金属バンプ群」であるものの、「低融点金属からなる」ことが特定されていない点
　
３−３．相違点についての判断
　デバイスチップと基板との間に所定の空間部が形成されるように、デバイスチップと基板とが導電性バンプを介して電気的かつ機械的に接続され、かつ、保護材により封止された電子部品装置において、保護材が空間部に進入しないように保護材の内側となる部分に設けたダムを、導電性バンプと同じ材質のハンダで構成することは、次の周知例１、２の記載にみられるように、本願出願前において周知の事項といえる。
　
周知例１：特開平６−２０４２９１号公報
（周１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体素子がその表面を下側にして基板上に実装され、前記表面に形成された金属バンプと前記基板上に形成されたリードパッドとが電気的に接続される半導体装置において、
前記半導体素子は低粘度の樹脂で封止されており、かつ、前記半導体素子は前記封止樹脂の内部への流れ込みを防止する畝状突起（ダム）を備えていることを特徴とする半導体装置。」
（周１ｂ）「【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
＜第１実施例＞・・・図１に示すように、半導体素子１０は、その表面の周辺部に複数個の金属バンプ１１が形成されている。金属バンプ１１としては、ハンダあるいは金などの金属材料が用いられる。・・・
　　　　　【００１２】各金属バンプ１１の間に、本発明における畝状突起に相当するダム１２が形成されている。・・・
　　　　　【００１３】上述した半導体素子１０を、図２に示すように、表面を下側にして実装基板１上に搭載し、加熱下で押圧することにより、各金属バンプ１１と基板１のリードパッド２とを接続する。半導体素子１０をフィイスダウンボンディングした後、エポキシ樹脂などの低粘度の樹脂１３を滴下し、これを熱硬化することによって半導体素子１０を封止する。図２では、半導体素子１０の周辺部のみを樹脂１３で覆っているが、半導体素子１０の全体を覆ってもよい。樹脂１３の粘度は、５０００〜５００００ｃＰが好ましい。粘度が低すぎると、滴下された樹脂が基板表面に拡がり、半導体素子１０を覆う樹脂量が少なくなるので、封止効果および補強効果が小さくなる。また、粘度が高くなると、上述したように基板１との密着性が低下し十分な信頼性が得られない。
　　　　　【００１４】上記のような低粘度の樹脂１３が滴下されたとき、金属バンプ１１間のダム１２によって、前記樹脂１３が実装基板１と半導体素子１０との間へ流れ込むのが阻止され、両者間に空間が形成されるので、半導体装置の動作周波数が低下するということはない。なお、ダム１２は実装基板１の表面に必ずしも密着させる必要はなく、実装基板１との間に数μｍ程度の間隙があっても、樹脂１３の粘性によって内部への樹脂の流入を防止することができる。」
（周１ｃ）「【００１５】＜第２実施例＞図３は第２実施例に用いられる半導体素子の外観斜視図、図４は実装状態を示す断面図である。図３に示すように、本実施例の半導体素子２０は、金属バンプ２１の内側にリング状のダム２２を備えている。ダム２２は、第１実施例と同様の樹脂によって形成してもよいが、本実施例では、金属バンプ２１と同じ金属材料で形成している。そうすることにより、半導体ウエハ状態において、メッキ法、蒸着法、あるいはスクリーン印刷法などによって、ダム２２と金属バンプ２１とを同時に形成することができるので、第１実施例よりも工程数を削減することができる。
　　　　　【００１６】図４に示すように、本実施例によっても、第１実施例と同様に、低粘度の封止樹脂１３が実装基板１と半導体素子２０との間へ流れ込むのを有効に防止することができる。」
〔（周１ａ）〜（周１ｂ）の記載における「半導体素子」、「金属バンプ」、「封止樹脂」は、それぞれ、本願発明１における「デバイスチップ」、「導電性バンプ」、「保護材」に相当する。〕
　
周知例２：特開２０００−７７４５８号公報
（周２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体素子をバンプを介して実装基板上に実装し、該半導体素子の周縁部のみを封止樹脂により封止するフリップチップ実装方法において、前記実装基板上に金属またはプラスチックから成る枠状のスペーサーを設け、該スペーサーの頂部を前記半導体素子の周縁部に当接させ、該半導体素子の周縁部のみを封止樹脂により封止し、前記半導体素子と前記実装基板とを枠状の前記スペーサーで囲まれた領域でバンプを介してフリップチップ実装するようにしたことを特徴とするフリップチップ実装方法。
【請求項２】  ・・・
【請求項３】  ・・・
【請求項４】  ・・・
【請求項５】  前記スペーサーの代わりに、前記バンプと同じ材質のメッキから成る枠状のフレームを用いたことを特徴とする請求項１記載のフリップチップ実装方法。」
（周２ｂ）「【００２８】＝実施の形態４＝
図４は、本発明の他の実施の形態に係る半導体装置のフリップチップ実装工程図であり、（ａ）は概略斜視図であり、（ｂ），（ｃ）は概略断面図である。本実施の形態に係る半導体装置のフリップチップ実装工程は、実施の形態１として図１に示す半導体装置のフリップチップ実装工程において、スペーサー２の代わりに、バンプ４と同じ材質のメッキ（金，ニッケル，銅，半田等）から成る枠状のフレーム９を用い、フレーム９の頂部を半導体素子２の周縁部に当接させた構成である。
　　　　　【００２９】従って、本実施の形態においては、バンプ４と同じ材質のメッキから成る枠状のフレーム９を実装基板１上に形成し、フレーム９の頂部を半導体素子３の周縁部に接続したので、封止樹脂５がバンプ４形成箇所に流れ込むことがなく、また、半導体素子３及び実装基板１を加工することなく封止樹脂５のバンプ形成箇所への流れ込みを防止することができる。」
〔（周２ａ）〜（周２ｂ）の記載における「半導体素子」、「バンプ」、「スペーサー」、「半田」、「封止樹脂」は、それぞれ、本願発明１における「デバイスチップ」、「導電性バンプ」、「ダム」、「ハンダ」、「保護材」に相当する。〕
　
　また、引用文献１に記載されたような電子部品装置に用いる金属バンプを低融点金属からなるものとすることは、本願出願前において周知の事項でもあるし、上記周知例１、２に記載されたようなハンダは、低融点金属からなるものといえる。
　してみれば、引用文献１発明において、保護材の進入防止のためのダムとしての金属バンプ群を低融点金属からなるものとすることは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　そして、前示の周知事項を勘案すると、本願発明１は、引用文献１発明に比べて格別に顕著な効果を奏するとも認められない。
　したがって、本願発明１は、引用文献１発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。