【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２４２６３号「スパッタリングターゲット組立体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月１６日出願公開、特開平１０−１５８８２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明　
　　本願は平成８年１２月４日の出願であって、平成１８年２月２４日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１８年２月２８日）、平成１８年５月１日付けで意見書・補正書が提出され、平成１８年７月６日付けで拒絶査定され（発送日は平成１８年７月１１日）、その後、平成１８年８月１０日に審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明は（以下、「本願発明」という。）平成１８年９月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。　
　
　【請求項１】
　スパッタリングに使用されるターゲット材と、バッキングプレートとが接合されてなるスパッタリングターゲット組立体を製造するスパッタリングターゲット組立体の製造方法において、
　上記ターゲット材を、結晶粒径を１００μｍ以下とするＴｉにより形成し、
　上記バッキングプレートをＡｌ合金により形成し、
　上記ターゲット材及び上記バッキングプレートの接合面となる面に対して、算術平均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとなるように鏡面処理を施して平坦化し、
　その後、上記鏡面処理が施された面同士が接するようにして上記ターゲット材と上記バッキングプレートとを重ね合わせ、
　次いで、０．０１〜１．０Ｔｏｒｒの真空雰囲気下にて、加圧力を１４０〜２００ｋｇ／ｃｍ２、温度を４５０〜６００℃とした条件下で、上記ターゲット材と上記バッキングプレートとを固相拡散接合により接合することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体の製造方法。
　
２．引用文献
２−１．引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された、本願出願日前に頒布された特開平６−１５８２９６号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「チタンターゲット材とチタン製バッキングプレートとを、歪速度１×１０−３／ｓｅｃ　以下の条件で固相拡散接合させることを特徴とするターゲット材の結晶粒径が１００μｍ以下である固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体を製造する方法。」（【請求項２】）
（２）「スパッタリングターゲットは、スパッタリングにより各種半導体デバイスの電極、ゲート、配線、素子、保護膜等を基板上に形成するためのスパッタリング源となる」（【０００２】）
（３）「【実施例】・・・・・・ターゲット材とバッキングプレートとの積層体を一般に０．１Ｔｏｒｒ以下の真空下でそして３５０〜６５０℃、・・・・・・の接合温度範囲内での一定温度で、０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ２の負荷の下で・・・・・・固相状態で拡散接合することによりスパッタリングターゲット組立体が得られる。酸化物の形成を防止するために好ましくは０．１Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中で実施される。適用する荷重は、接合温度及び対象とする材質により選択される。」（【００１８】〜【００２１】）
　
　ここで、上記（１）〜（３）の記載事項について検討する。
（あ）上記（１）の記載から、引用文献１に記載のスパッタリングターゲット組立体はチタンのターゲット材とチタン製のバッキングプレートが固相拡散接合したものであるといえる。
（い）上記（３）の記載をみると、ターゲット材とバッキングプレートの積層体に０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ２の負荷の下で、固相状態で拡散接合しているから、ターゲット材とバッキングプレートとを重ね合わせて、加圧して、固相拡散接合しているといえる。
　
２−２．引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用文献３として引用された、本願出願日前に頒布された特開平７−６２５２８号公報（以下、「引用文献３」という。）には、「同種および／または異種の材料同士を拡散接合にて組合せてなることを特徴とするスパッタリングターゲット」（請求項１）に関し、以下の事項が記載されている。
　
（４）「各構成材料を組合せる際の各材料間の接合部の表面粗さは小さいほど、拡散が良好に行われるため好ましい。そして、拡散接合する際の加熱温度（拡散温度）は、・・・・・・あまりその温度が高いと材料が熱変形して所定の形状が得られ難く、材料の結晶粒が粗大化して膜抵抗の均一化に悪影響を及ぼす。その好ましい拡散温度は、使用材料の各溶融温度の低いほうの材料の溶融温度に対し、１／２〜２／３の温度範囲である。」（【００２０】）
　
（う）引用文献３でいう「拡散接合」とは、上記（４）の拡散温度に関する記載からみて、液相を介さない「固相拡散接合」であることは明らかである。
　
３．対比・判断
　　上記（１）〜（３）の記載事項を上記（あ）〜（い）の検討を踏まえ、本願第１発明の記載ぶりに則して記載すると、引用文献１には、
「ターゲット材と、バッキングプレートとが接合されてなるスパッタリングターゲット組立体を製造するスパッタリングターゲット組立体の製造方法において、
　上記ターゲット材を、結晶粒径を１００μｍ以下とするＴｉにより形成し、
　上記バッキングプレートをＴｉにより形成し、
　上記ターゲット材と上記バッキングプレートとを重ね合わせ、
　次いで、０．１Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気下にて、加圧力を０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ２、温度を３５０〜６００℃とした条件下で、上記ターゲット材と上記バッキングプレートとを固相拡散接合により接合するスパッタリングターゲット組立体の製造方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　ここで、本願発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「ターゲット材」は、上記（２）の記載からみて「スパッタリングに使用される」ことは明らかである。
（き）真空雰囲気について、引用発明の「０．１Ｔｏｒｒ以下」は、本願発明と「０．０１〜０．１Ｔｏｒｒ」の範囲で重複・一致している。
（く）引用発明の加圧力が「０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ２」とは、１ｃｍ２当たりの圧力に換算すると「１０〜２００ｋｇ／ｃｍ２」であり、本願発明と加圧力が「１４０〜２００ｋｇ／ｃｍ２」の範囲で重複・一致している。
（け）引用発明の温度の「３５０〜６００℃」は、本願発明と温度の「４５０〜６００℃」の範囲で重複・一致している。
　
　そうすると、本願発明と引用発明は、共に、
「スパッタリングに使用されるターゲット材と、バッキングプレートとが接合されてなるスパッタリングターゲット組立体を製造するスパッタリングターゲット組立体の製造方法において、
　上記ターゲット材を、結晶粒径を１００μｍ以下とするＴｉにより形成し、
　上記ターゲット材と上記バッキングプレートとを重ね合わせ、
　次いで、０．０１〜０．１Ｔｏｒｒの真空雰囲気下にて、加圧力を１４０〜２００ｋｇ／ｃｍ２、温度を４５０〜６００℃とした条件下で、上記ターゲット材と上記バッキングプレートとを固相拡散接合により接合するスパッタリングターゲット組立体の製造方法。」である点で一致し、
（Ａ）バッキングプレートにつき、本願発明がＡｌ合金により形成されているのに対し、引用発明はＴｉにより形成されている点、
（Ｂ）ターゲット材とバッキングプレートとを重ね合わせる際に、本願発明では、ターゲット材及びバッキングプレートの接合面となる面に対して、算術平均粗さＲａが０．０１〜１．０μｍとなるように鏡面処理を施して平坦化し、その後、上記鏡面処理が施された面同士が接するようにしているのに対し、引用発明ではかかる事項を有していない点、
で相違している。
　
　そこで、これらの相違点について検討する。
・相違点（Ａ）について
　引用文献１の【０００２】には、「【従来の技術】・・・・・・バッキングプレートとしては、ＯＦＣ（無酸素銅）、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、ＳＵＳ（ステンレス鋼）若しくはＴｉ乃至Ｔｉ合金等の熱伝導性の良い金属及び合金が使用されている。」との記載があり、バッキングプレートとしてＡｌ合金が従来より使用されていることが示され、また、特開平６−６５７３３号公報（平成１８年２月２４日付けの拒絶理由通知書において「引用文献２」として引用されたもの）には、Ｔｉのターゲット材とＡｌ合金のバッキングプレートとが接合されたスパッタリングターゲット組立体が記載されているから（【００１３】、【００１４】）、当業者にとって引用発明のバッキングプレートをＡｌ合金とすることを妨げる事情はない。
・相違点（Ｂ）について
　引用文献３に記載されているように（上記摘示（４）を参照）、固相拡散接合において接合面の表面粗さは小さいほど、すなわち、平坦であるほど拡散が良好に行われることは周知であって、さらに、その平坦の程度がＲａのμｍの桁数でみて十分の一の桁以下であることも周知である（要すれば、特開平８−３８９１２号公報、特開昭６２−２５４９８９号公報を参照。以下、これらを「周知文献」という。）ことも考慮すれば、固相拡散接合するに当たり、所望の接合強度と平坦化に要する手間を比較検討して、接合面の粗さを０．０１〜１．０μｍとすることは当業者ならば困難なくなしえたことである。
　なお、本願発明の「鏡面処理」ついて、引用文献１〜３及び周知文献のいずれにも「鏡面処理」なる語は見当たらないが、本願明細書【００３０】及び【００３１】の記載によれば、Ｒａを０．０１〜１．０μｍとするための処理と解されるから、接合面の表面粗さを小さくし平坦に近づける処理は、本願明細書でいう「鏡面処理」とみることができ、引用文献３及び例示したＲａのμｍの桁数でみて十分の一の桁以下とすることが記載されている周知文献には、「鏡面処理」なる語は明言はないものの「鏡面処理」を行うことは事実上記載されているといえる。
　そして、本願発明の奏する作用・効果も引用文献１〜３の記載、及び周知技術から当然に予想できる程度のものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用文献１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。