【事件の表示】
　特願２００２−３７６２１３「半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びステンシルマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２２日出願公開、特開２００４−２０７５７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月２６日の出願であって、平成１７年８月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２０日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成１９年５月１１日付けで審尋がなされ、同年７月１７日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１７年１０月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１０月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであって、特許請求の範囲の補正については、以下のとおりである。
補正事項ａ
　本件補正前の請求項１の「【請求項１】　半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する照射源と、
　前記半導体基板と前記照射源との間で、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを保持する手段と、
　この第１のステンシルマスクを保持する手段と前記照射源との間で、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを保持する手段とを備えた半導体製造装置。」を、
「【請求項１】　半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する照射源と、
　前記半導体基板と前記照射源との間で、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを位置合わせして固定する手段と、
　この第１のステンシルマスクと前記照射源との間で、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを位置合わせして固定する手段とを備えた半導体製造装置。」と補正したこと。
補正事項ｂ
　本件補正前の請求項２の「【請求項２】　半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップと、
　前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを配置するステップと、
　この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを配置するステップと、
　前記粒子又は電磁波を前記第２のステンシルマスクの前記第２の開口部を通過させるステップと、
　前記第２の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記第１のステンシルマスクの前記第１の開口部を通過させるステップと、
　前記第１の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記半導体基板の前記照射領域に照射させるステップとを備えた半導体装置の製造方法。」を、
「【請求項２】　半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップと、
　前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを位置合わせして固定するステップと、
　この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを位置合わせして固定するステップと、
　前記粒子又は電磁波を前記第２のステンシルマスクの前記第２の開口部を通過させるステップと、
　前記第２の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記第１のステンシルマスクの前記第１の開口部を通過させるステップと、
　前記第１の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記半導体基板の前記照射領域に照射させるステップとを備えた半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｃ
　本件補正前の請求項５を削除したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａ、ｂを整理すると、以下のとおりである。
２−１−１　補正事項ａ
　補正事項ａについての補正は、本件補正前の請求項１の「第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを保持する手段」を、
「第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを位置合わせして固定する手段」と補正（以下、「補正事項ａ−１」という。）し、
「この第１のステンシルマスクを保持する手段と前記照射源との間で」を、
「この第１のステンシルマスクと前記照射源との間で」と補正（以下、「補正事項ａ−２」という。）し、
「第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを保持する手段」を、
「第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを位置合わせして固定する手段」と補正（以下、「補正事項ａ−３」という。）したものである。
２−１−２　補正事項ｂ
　補正事項ｂについての補正は、本件補正前の請求項２の「前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを配置するステップ」を、
「前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを位置合わせして固定するステップ」と補正（以下、「補正事項ｂ−１」という。）し、
「この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを配置するステップ」を、
「この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを位置合わせして固定するステップ」と補正（以下、「補正事項ｂ−２」という。）したものである。
　
２−２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　以下、補正事項ａないしｃについて検討する。
２−２−１　補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正事項ａ−１、補正事項ａ−２、補正事項ａ−３とからなるので、それぞれ検討する。
・補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１についての補正は、本件補正前の請求項１の「第１のステンシルマスクを保持する手段」を「第１のステンシルマスクを位置合わせして固定する手段」と補正したものである。
　そして、本件補正前の「保持する手段」は、作用で物を特定しようとする記載を用いた「発明を特定するための事項」であるが、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」は、「位置合わせして固定する」という、「保持する」という作用とは別個の作用を有する「発明を特定するための事項」になっている。また、仮に、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」の一部である「固定する手段」が、本件補正前の「保持する手段」に対応しており、「固定する手段」と「保持する手段」が同様の「発明を特定するための事項」であるとしても、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」は、「位置合わせして」という「発明を特定するための事項」を追加していることになる。
　したがって、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」は、「保持する手段」を概念的により下位の「発明を特定するための事項」に限定したものとは認められないので、補正事項ａ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号で掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ａ−１についての補正は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号で掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ａ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
・補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２についての補正は、本件補正前の「第１のステンシルマスクを保持する手段」を「第１のステンシルマスク」と補正したものである。
　そして、「第１のステンシルマスクを保持する手段」と「第１のステンシルマスク」とは、一方は「保持する手段」であり、他方は「マスク」そのものであるので、それぞれ、「発明を特定するための事項」が異なっている。
　したがって、補正事項ａ−２についての補正は、特許請求の範囲を限定したものとは認められないので、補正事項ａ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号で掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ａ−２についての補正は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号で掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ａ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　なお、審判請求人は、補正事項ａ−２についての補正に係る、本件補正前の「第１のステンシルマスクを保持する手段」を「第１のステンシルマスク」と補正したことは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると、主張するかも知れない。しかしながら、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限ってできるものであり、たとえ、本願の拒絶査定に付随する記載として、「＜＜以下の記載は拒絶査定を構成するものではない。＞＞
Ａ．本願の請求項１には「第１のステンシルマスクを保持する手段と前記照射源との間で、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを保持する」と第１のステンシルマスクを保持する手段と照射源との間に第２のステンシルマスクを保持する旨記載されているが、不明確である。
（第２のステンシルマスクは第１のステンシルマスクと照射源との間となるように保持されているのであって、第１のステンシルマスクを保持する手段と照射源との間ではないのではないか？）」という記載があっても、このような記載は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項ではないので、補正事項ａ−２についての補正が明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるとの主張は、採用できない。
・補正事項ａ−３について
　補正事項ａ−３についての補正は、本件補正前の請求項１の「第２のステンシルマスクを保持する手段」を「第２のステンシルマスクを位置合わせして固定する手段」と補正したものである。
　そして、本件補正前の「保持する手段」は、作用で物を特定しようとする記載を用いた「発明を特定するための事項」であるが、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」は、「位置合わせして固定する」という、「保持する」という作用とは別個の作用を有する「発明を特定するための事項」になっている。また、仮に、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」の一部である「固定する手段」が、本件補正前の「保持する手段」に対応しており、「固定する手段」と「保持する手段」が同様の「発明を特定するための事項」であるとしても、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」は、「位置合わせして」という「発明を特定するための事項」を追加していることになる。
　したがって、本件補正後の「位置合わせして固定する手段」は、「保持する手段」を概念的により下位の「発明を特定するための事項」に限定したものとは認められないので、補正事項ａ−３についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号で掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ａ−３についての補正は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号で掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ａ−３についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　以上のように、補正事項ａについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
２−２−２　補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正事項ｂ−１と補正事項ｂ−２とからなるので、それぞれ検討する。
・補正事項ｂ−１について
　補正事項ｂ−１についての補正は、本件補正前の請求項２の「第１のステンシルマスクを配置するステップ」を「第１のステンシルマスクを位置合わせして固定するステップ」と補正したものである。
　そして、本件補正前の「配置するステップ」という「発明を特定するための事項」に対して、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」は、「位置合わせして固定する」という、「配置する」とは別個の作用を有する「発明を特定するための事項」になっている。また、仮に、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」の一部である「固定するステップ」が、本件補正前の「配置するステップ」に対応しており、「固定するステップ」と「配置するステップ」が同様の「発明を特定するための事項」であるとしても、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」は、「位置合わせして」という「発明を特定するための事項」を追加していることになる。
　したがって、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」は、「配置するステップ」を概念的により下位の「発明を特定するための事項」に限定したものとは認められないので、補正事項ｂ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号で掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ｂ−１についての補正は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号で掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ｂ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
・補正事項ｂ−２について
　補正事項ｂ−２についての補正は、本件補正前の請求項２の「第２のステンシルマスクを配置するステップ」を「第２のステンシルマスクを位置合わせして固定するステップ」と補正したものである。
　そして、本件補正前の「配置するステップ」という「発明を特定するための事項」に対して、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」は、「位置合わせして固定する」という、「配置する」とは別個の作用を有する「発明を特定するための事項」になっている。また、仮に、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」の一部である「固定するステップ」が、本件補正前の「配置するステップ」に対応しており、「固定するステップ」と「配置するステップ」が同様の「発明を特定するための事項」であるとしても、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」は、「位置合わせして」という「発明を特定するための事項」を追加していることになる。
　したがって、本件補正後の「位置合わせして固定するステップ」は、「配置するステップ」を概念的により下位の「発明を特定するための事項」に限定したものとは認められないので、補正事項ｂ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号で掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ｂ−２についての補正は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号で掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ｂ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　以上のように、補正事項ｂについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
２−２−３　補正事項ｃについて
　補正事項ｃについての補正は、本件補正前の請求項５を削除したものであり、特許法第１７条の２第４項第１号で掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するので、補正事項ｃについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
３　むすび
　以上のとおり、補正事項ａ及びｂについての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下されるべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
　平成１７年１０月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年３月２５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであり、本願の請求項１ないし５に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する照射源と、
　前記半導体基板と前記照射源との間で、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを保持する手段と、
　この第１のステンシルマスクを保持する手段と前記照射源との間で、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを保持する手段とを備えた半導体製造装置。
【請求項２】　半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップと、
　前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを配置するステップと、
　この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを配置するステップと、
　前記粒子又は電磁波を前記第２のステンシルマスクの前記第２の開口部を通過させるステップと、
　前記第２の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記第１のステンシルマスクの前記第１の開口部を通過させるステップと、
　前記第１の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記半導体基板の前記照射領域に照射させるステップとを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３】　前記粒子又は電磁波は前記照射領域に対して垂直方向から角度θ（θ≧０）で前記照射領域に注入されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】　前記照射領域は、前記第１及び第２の開口部の個々の開口寸法よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】　第１の開口部と半導体製造装置に固着するための第１の支持部とを有する第１のステンシルマスクと、
　この第１のステンシルマスクの一方の面から所定距離を離間して配置され、前記第１の開口部と重ねることにより所定の開口パターンを形成するための第２の開口部と前記半導体製造装置に固着するための第２の支持部とを有する第２のステンシルマスクとを備えたステンシルマスク。」
　
１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開昭４９−６８６６０号公報
刊行物２．特開２００２−２３７４４７号公報
　
　本願の出願前日本国内において頒布された刊行物１（特開昭４９−６８６６０号公報）には、第１図〜第１０図とともに、
「粒子線照射方法」（発明の名称）に関して、
「被照射体に粒子線を照射するようにした粒子線注入方法において、前記被照射体に注入されるべき粒子線を遮蔽するための第１マスクを前記被照射体に配設しかつ前記粒子線を遮蔽するための第２マスクを前記第１マスクに重ねて配設し、これらの２つのマスクのうちの少なくとも一方のマスクを連続的に移動させつつ前記被照射体に粒子線を照射し、これによつて前記粒子線の照射量を場所的に制御するようにしたことを特徴とする粒子線照射方法。」（特許請求の範囲）、
「第１Ａ図〜第６図は本発明の第１の実施例を示し、かつ第７図はこの実施例を接合形電界効果トランジスタに適用した状態を示す。この第１の実施例において、２００〜５００μ、例えば３００μ程度の厚さのシリコン等からなる被照射体としての半導体基板（１）の表面の所定位置に所定形状のＳｉＯ２等からなるマスク（２）が約１μ程度の厚さに形成されている。」（第２頁右上欄第５〜１２行）、
「基板（１）の上方には、開口（３）と一対一に対応しかつ開口（３）と同一形状に形成された開口（６）を有するマスク（７）が基板（１）とほゞ平行に配設されかつ矢印（９）方向に移動出来るようになつている。マスク（７）はステンレス、ニツケル等の金属からなつていてよい。この実施例におけるイオンビーム（８）としては５０ｋｅＶ〜１００ｋｅＶに加速されたＢ、Ｐ又はＡｓ等が使用され、毎秒１０１３〜１０１６／ｃｍ２、例えば毎秒１０１５／ｃｍ２の割合で基板（１）に対して直角方向から照射される。」（第２頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第７行）、
「次いで第１Ａ図の状態からマスク（７）を矢印（９）方向に毎秒（１／６）μ〜（５／３）μ、例えば毎秒（１／３）μ程度の速さで移動させる。マスク（７）の移動機構の概略は第３図に示されている。マスク（７）はマスクホルダ（図示されていない。）によつて保持され、マスク（７）の両側には弾性保持体（１２）が固着形成されている。またマスク（７）はガイドレール（図示されていない。）に沿つて矢印（９）方向に案内されるようにしてある。一方の側の弾性保持体（１２）はマイクロメータ（１３）のスピンドル（１４）と固着又は接触している。マイクロメータ（１２）の回転部（１５）の他端にはギア（１６）が設けられ、このギア（１６）が可変電源（１７）によつて作動する電動モータ（１８）の回転軸（１９）に固着されたギア（２０）と噛み合わされている。従つて、電動モータ（１８）が作動することにより回転部（１５）が矢印（２１）方向に回転し、かつこの回転に伴つてスピンドル（１４）が矢印（９）方向に押出され、この押出し力によつてマスク（７）が前記ガイドレールに沿つて移動するようになつている。」（第２頁右下欄第１４行〜第３頁右上欄第１行）
「次に本発明の第２の実施例を第８Ａ図〜第８Ｄ図に付き述べる。この実施例においては移動マスクの形状及びビームの照射方法が前記第１の実施例と異なるのみであり、共通する部分には同じ符号を付して説明を省略する。」（第５頁右下欄第１３行〜第６頁左上欄第２行）、
「次に本発明の第３の実施例を第９Ａ図〜第９Ｄ図に付き述べる。この実施例においては固定マスクを用いず移動マスクだけで粒子線を制御する点で前記第２の実施例と異なつており、その他の共通部分には同じ符号を付して説明を省略する。基板（１）の表面にはＳｉＯ２等からなる被膜（３７）が全面に亘つて付着形成されており、基板（１）の上方には矢印（９）の方向に移動可能な第１マスク（３８）が基板（１）と平行に配設され、かつこの第１マスク（３８）の上方には矢印（３９）の方向に移動可能な第２マスク（４０）が基板（１）及び第１マスク（３８）と平行に配設されている。第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）は、基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域と同じ幅及び長さの開口（４１）（４２）を夫々具備している。この実施例における操作開始前には第１マスク（３８）の開口（４１）と第２マスク（４０）の開口（４２）とが互い違いに配置されており、かつ第１マスク（３８）の左端部（３８ａ）と第２マスク（４０）の右端部（４０ｂ）とが重なり合い、かつ第１マスク（３８）の右端部（３８ｂ）と第２マスク（４０）の左端部（４０ａ）とが重なり合つている。次にこの状態から第１マスク（３８）を矢印（９）の方向に、また第２マスク（４０）を矢印（３９）の方向に夫々毎秒（１／６）μ〜（５／３）μ、例えば毎秒（１／３）μ程度で等速移動させる。第１マスク（３８）と第２マスク（４０）との移動開始と同時にＢ、Ｐ又はＡｓ等のイオンビーム（８）を毎秒１０１３〜１０１６／ｃｍ２、例えば毎秒１０１５／ｃｍ２の割合で基板（１）に対して直角方向から照射する。第９Ｂ図には第１マスク（３８）と第２マスク（４０）とを途中まで移動させたときの状態が示されている。このときイオンビーム（８）が部分的に遮蔽され、かつ第１マスク（３８）の端部（３８ａ）と第２マスク（４０）の端部（４０ｂ）とからイオンビーム（８）の照射方向に延長した仮想平面（４３）（４４）（図面には点線で示されている。）と基板（１）表面との２つの交差線の間にイオンビーム照射面（４５）が形成される。またこのイオンビーム照射面（４５）から基板（１）にビームが注入され不純物層（４６）が形成される。そうして第９Ｃ図に示す如く、第１マスク（３８）の開口（４１）と第２マスク（４０）の開口（４２）とが完全に重なり合う迄移動させたときに第１マスク（３８）と第２マスク（４０）との移動及びイオンビーム（８）の照射を停止する。上述の操作終了時には基板（１）表面に不純物層（４７）が形成される。上述の如くにして第９Ａ図の状態から第９Ｃ図の状態に第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）を夫々等速移動させると基板（１）表面におけるイオンビーム照射面（４５）の面積が連続的に増大する。この結果、不純物層（４７）の不純物濃度はその中央部から左側及び右側にかけて直線的に減小し、前記第２の実施例において得られた不純物濃度分布線（第８Ｂ図）と同一の不純物濃度分布線が得られる。
　次いで第９Ｃ図の状態から第１マスク（３８）を矢印（９）の方向に、第２マスク（４０）を矢印（３９）の方向に夫々毎秒（１／３）μ程度の速度で移動させる。この場合、第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）の移動開始と同時にＨ＋又はＨｅ等のビーム（２３）を基板（１）に対して直角方向から照射する。そうして第１マスク（３８）と第２マスク（４０）とが第９Ｄ図の状態、換言すれば端部（３８ａ）と端部（４０ｂ）とが重なり合いかつ端部（３８ｂ）と端部（４０ａ）とが重なり合う迄移動する間にビーム（２３）の加速エネルギーを０ｋｅＶから５００ｋｅＶに連続的に変化させる。この結果、前記第２の実施例と同様に基板（１）には逆二等辺三角形状の格子欠陥領域（４８）が形成される。次いで基板（１）にアニーリング処理を施こして不純物層（４７）の不純物を格子欠陥領域（４８）に拡散させ、この領域（４８）と同一形状の不純物拡散領域を形成する。」（第６頁右下欄第１５行〜第８頁左上欄第４行）、
「また、第９Ａ図〜第９Ｄ図は本発明による方法を半導体装置の製造方法に適用した第３の実施例を示すものであつて、第９Ａ図は不純物の打込み開始状態の断面図、第９Ｂ図は第９Ａ図の状態からマスクを途中まで移動させた状態の断面図、第９Ｃ図はマスクの移動が完了した状態の断面図、第９Ｄ図は第９Ｃ図の状態からＨ＋等の粒子線を照射しつつマスクを移動させ最終的にマスクの移動が完了した状態の断面図である。」（第１０頁右上欄第３〜１１行）、
が、記載されている。
　ここで、「図面の簡単な説明」の「第９Ａ図〜第９Ｄ図は本発明による方法を半導体装置の製造方法に適用した第３の実施例を示すものであつて、第９Ａ図は不純物の打込み開始状態の断面図、第９Ｂ図は第９Ａ図の状態からマスクを途中まで移動させた状態の断面図、第９Ｃ図はマスクの移動が完了した状態の断面図、第９Ｄ図は第９Ｃ図の状態からＨ＋等の粒子線を照射しつつマスクを移動させ最終的にマスクの移動が完了した状態の断面図である。」（第１０頁右上欄第３〜１１行）の記載によれば、「断面図」が記載されており、第９Ａ図〜第９Ｄ図には、「本発明による方法」、すなわち、「粒子線照射方法」を「半導体装置の製造方法に適用した」装置の「断面図」である、半導体装置の製造装置の断面図が示されている。
　また、「イオンビーム（８）」を「照射」するためには、イオンビーム（８）を照射する手段が必須であることは、明らかである。
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の第１、第２発明が記載されている。
［第１発明］
「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射するようにした粒子線照射方法において、前記被照射体に注入されるべき前記粒子線を遮蔽するための開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設されかつ前記粒子線を遮蔽するための開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され、前記第１マスク（３８）及び前記第２マスク（４０）を連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射することを特徴とする粒子線照射方法。」
［第２発明］
「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する手段を有し、前記被照射体に注入されるべき前記粒子線を遮蔽するための開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設されかつ前記粒子線を遮蔽するための開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され、前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダと前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダを有し、前記第１マスク（３８）及び前記第２マスク（４０）をそれぞれ連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射することを特徴とする半導体装置の製造装置。」
　
　本願の出願前日本国内において頒布された刊行物２（特開２００２−２３７４４７号公報）には、図１〜図２０とともに、
「ステンシル多層マスク」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】  ＳＯＲ光のような強力なＸ線と、電子ビームやイオンビームの荷電粒子を用いることによって厚いレジストを感光する高加速電子ビームである露光光源等に対応できるように、各層を成膜配置されている多層マスク（９，１０，１１，１２，１３，１５，１７）より選択してなるステンシル多層マスクであって、選択される多層マスク（９，１０，１１，１２，１３，１５，１７）は、パターン開口部（３１）と、パターン（３２）と、空隙（６１）と、必要に応じて、帯電防止対策用の電気的接続（４１）と、あるいは導電性材料を埋め込む貫通孔（３３）と、必要に応じてフレーム（５１）とを設けられる構成であることを特徴とするステンシル多層マスク。」、
「【解決手段】  ＳＯＲ光のような強力なＸ線と、荷電粒子である電子ビームやイオンビームによって、厚いレジストを感光する高加速電子ビームである露光光源等に対応できる熱吸収用ステンシル部と、パターン形成用ステンシルとを有するステンシル多層マスクであって、露光光源に対応できる各層構成を有するステンシル多層マスクは、パターン開口部３１と、パターン３２と、空隙６１と、帯電防止対策となる電気的接続手段４１と、あるいは導電性材料を埋め込む貫通孔３３と、露光装置に固定し易くするフレーム５１とを設けることを特徴とする。」（【要約】の【解決手段】）、
「【００２３】図９〜図１３と、図１５〜図１７は、ステンシル多層マスクの熱吸収用ステンシル部からパターン開口部までの成膜配置の各構成例を示す。各層の形成では、イオンスパッターリング技術や、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術、低融点金属による融着、または、Ｓｉ，ＳｉＯ２，シリサイド（Ｓｉｌｉｃｉｄｅ）化した金属等の素材を種々組み合わせて圧着（熱圧着も含む）、あるいは、陽極接合によるはり合わせ等も行われる層構成である。上記記載の技術を駆使して作られるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造基板はステンシル多層マスクの部材として用いられる。」、
「【００２６】図１０は、層構成Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの多層マスクの断面図である。多層マスク１０は、多層マスク９のシリコン単結晶層（Ｓｉ）２２に重ねて、ダイアモンド層（Ｄｉａｍｏｎｄ）２８と、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２３を成膜配置している構成である。ステンシル多層マスクとして用いられる場合には、パターン形成用ステンシル部としてシリコン単結晶層２３と、熱吸収用ステンシル部としてシリコン単結晶層２２とが用られる。パターン形成用ステンシル部は、薄層化構造される。照射荷電粒子の入射側から見て、電気伝導性が劣るダイアモンド層２８を、シリコン単結晶層２２の後方にしかも直接配置することで帯電を防止し、且つ、熱吸収を速やかに取ることができる。
【００２７】図１１は、層構成Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの多層マスクの断面図である。多層マスク１１は、多層マスク１０のシリコン単結晶層（Ｓｉ）２３に重ねて、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２７と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２４とを成膜配置している構成である。ステンシル多層マスクとして用いられる場合には、パターン形成用ステンシル部としてシリコン単結晶層２４と、熱吸収用ステンシル部としてシリコン単結晶層２２，２３とが用られる。パターン形成用ステンシル部は、薄層化構造される。照射荷電粒子の入射側から見て、電気伝導性が劣るダイアモンド層２８を、シリコン単結晶層２２の後方にしかも直接配置することで帯電を防止し、且つ、熱吸収を速やかに取ることができる。」、
「【００３２】次に、図１から図８までは、ステンシル多層マスクの完成までの実施の形態を詳細に説明する。前記に記載した多層マスクの数々は、露光装置環境に適応するよう多層マスクの層構成から選択され用いられる。説明に当たって、前記記載の実施の形態の同一構成部分には、同一符号を付して重複する説明を省略する。なお、この実施の形態は一例である。説明に用いるステンシル多層マスクは、Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２／ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの成膜配置の構成である。構成のなかで、ＳｉＯ２／ＳｉＯ２は、陽極接合によりはり合わせる箇所を示している。陽極接合により完成した多層マスクは、図１１に示した多層マスクと同様な多層構造となる。それは以下に説明する多層マスク１１ａと、多層マスク１１ｂとの陽極接合で得られる。
【００３３】図８は、層構成Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋ＳｉＯ２の多層マスクの断面図である。多層マスク１１ａは、多層マスク１１ｂと、陽極接合するために、Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの層の表面にシリコン酸化膜を成膜して、Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋ＳｉＯ２の成膜配置の構成となる多層マスク１１ａである。該多層マスク１１ａの成膜配置は、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２４と、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２７と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２３と、その上にシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６とを成膜され、陽極接合に対応できるようにした構成である。
【００３４】図７は、層構成Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２の多層マスクの断面図である。多層マスク１１ｂは、多層マスク１１ａと、陽極接合するために、Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄの層の表面にシリコン酸化膜を成膜して、Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２の成膜配置の構成となる。多層マスク１１ｂは、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２１と、シリコン酸化膜層（（ＳｉＯ２）２５と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２２と、ダイアモンド層（Ｄｉａｍｏｎｄ）２８と、その上にシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６とを成膜され、陽極接合に対応できるようにした構成である。
【００３５】図６は、陽極接合によりはり合わせられた多層マスクの断面図である。多層マスク１１は、多層マスク１１ａのシリコン酸化膜と、多層マスク１１ｂのシリコン酸化膜とを、陽極接合によりはり合わせることで設けられる。多層マスク１１は、Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２／ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの層構成である。それは、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２１に重ねて、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２５と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２２と、ダイアモンド層（Ｄｉａｍｏｎｄ）２８と、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６との成膜配置である多層マスク１１ｂと、陽極接合によりはり合わせられる多層マスク１１ａのシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２３と、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２７と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２４との成膜配置の構成である。」、
「【００３７】図５は、パターンを形成されたステンシル多層マスクの断面図である。パターン３２が形成されるステンシル多層マスク１１１は、所望の厚さのシリコン単結晶層２４を残し薄層化された多層マスク１１を、所望するパターン３２に基づいて、電子ビーム露光技術や、光露光技術およびエッチング技術等で施される。それは、多層マスク１１のパターン開口部３１からシリコン単結晶層２４までを、所望するパターン３２に基づき貫通させる微細化加工が施されたステンシル多層マスク１１１である。
【００３８】図４は、熱遮断用の隔離層を設けたステンシル多層マスクの断面図である。空隙６１を形成するステンシル多層マスク１１２は、ステンシル多層マスク１１１の、隔離層であるシリコン酸膜層２５，２６，２７をエッチングで取り除いて空隙６１が形成される。これは、素材間のエッチングレイト差を利用して、周辺のシリコン酸化膜層を残してパターン部分の隔離層が徐去される。隔離層はマスク層と比較して、エッチング率の大きい材料が用いられ、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）の他に、Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ，ＢＰＳＧ，ＳｉＮ４，ＳｉＯＮ等が用いられ、この隔離層は絶縁膜である。
【００３９】図３は、フレームを設けたステンシル多層マスクの断面図である。フレーム５１を設けたステンシル多層マスク１１３は、空隙６１が形成されたステンシル多層マスク１１２を、露光装置に容易に取り付け固定しやすくするためシリコン単結晶層（Ｓｉ）２１と、ＳｉＣやガラスあるいは、金属等からなるフレーム５１を固着して設けられる。また、フレーム５１は片側のみ固着して設けられる場合もある。
【００４０】図２は、外周に帯電防止対策を有するステンシル多層マスクの断面図である。前記記載のステンシル多層マスク１１３に、帯電防止対策が設けられたステンシル多層マスク１１４である。ステンシル多層マスク１１３の各マクス層間は電気的に分離した状態であるので、マスク層に電気的接続４１を設ける。電気的接続４１は、マスク層であるシリコン単結晶層２１，２２と、ダイアモンド層２８と、シリコン単結晶層２３，２４等との外周に、導電性材料の塗布、金属蒸着あるいは、電解または無電解メッキ等を施される。
【００４１】図１は、内部に帯電を防止対策を有するたステンシル多層マスクの断面図である。多層マクス１１２に貫通孔３３を形成して、内部から帯電防止対策を設けられたステンシル多層マスク１１５である。多層マクス１１２のパターン形成時に、パターン開口部３１より離れた箇所に導電性用の貫通孔３３を形成する。形成された導電性用の貫通孔３３に、導電性材料をを埋め込み電気的な接続が施される。また、必要に応じて多層マクス１１２の外周から帯電防止対策がマスク層に電気的接続４１が設けられてもよい。導電性物質は、低融点金属や、導電性銀ペーストあるいは、蒸着金属や、カーボンが使用される。
【００４２】また、図１４から図１７までは、前記記載のステンシル多層マスク１１２と異なる工程で製造されるステンシル多層マスク１１６の実施の形態を説明する。説明に当たって、前記記載の実施の形態の同一構成部分には、同一符号を付して重複する説明を省略する。ステンシル多層マスク１１６は、陽極接合する前の多層マスク１１ｂにパターン３２が設けられてなる多層マスク１７と、もう方の多層マスク１１ａとは、陽極接合される。多層マスク１７と、多層マスク１１ａとが陽極接合された後、ステンシル多層マスクとするためのパターン３２形成が施される。
【００４３】図１７は、パターンを形成された多層マスクの断面図である。多層マスク１７は、前記記載の多層マスク１１ｂに、ステンシル多層マスク用のパターン３２に基づいてパターンが形成されるのでパターン孔３４が設けられる。多層マスク１１ｂに設けられる所望する深度のあるパターン孔３４は、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６から、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２１の深さまで到達させる。あるいは、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２１を貫通させるパターン孔３４であってもよい。また、帯電防止対策用の導電性用の貫通孔３３が必要ならば設ける。
【００４４】図１６は、陽極接合された多層マスクの断面図である。前記記載の多層マスク１７と、多層マスク１１ａとは陽極接合される。多層マスク１６は、多層マスク１７と、多層マスク１１ａとを陽極接合され設けられる。それは、両方の多層マスク（１７，１１ａ）のシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６を陽極接合させる。ステンシル多層マスクに用いられる場合に、パターン形成用ステンシル部となるシリコン単結晶層（Ｓｉ）２４は、ＣＭＰ技術あるいは、化学エッチングなどで除去され所望の厚さの単結晶層を残し薄層化される。図に示すシリコン単結晶層２４の上方の空白枠は、除去されたシリコン単結晶層２４の跡を示している。
【００４５】図１５は、パターンを形成された多層マスクの断面図である。前記記載の多層マスク１６にパターン３２を形成される。多層マスク１５は、パターン３２を形成され設けられたパターン孔３４を有する多層マスク１６に、パターン３２を形成してパターン孔３５が設けられる。パターン孔３４と、パターン孔３５とは、同一のパターン３２であるため、パターン３２に基づいた同一の貫通したパターン３２が設けられる。帯電防止対策用の導電性用の貫通孔３３が必要ならば設ける。パターン形成用ステンシル部はシリコン単結晶層２４と、熱吸収用ステンシル部はシリコン単結晶層２２，２３等とが用いられる。
【００４６】図１４は、ステンシル多層マスクの断面図である。ステンシル多層マスク１１６は、多層マスク１５にパターン開口部３１と、空隙６１等とが設けられる。シリコン単結晶層２１と、シリコン酸化膜層２５とを、ドライまたはウエットエッチング等を用いて所望する大きさの開口であるパターン開口部３１が設けらられる。また、次に、多層マスク１５は、空隙６１が形成される。空隙６１は、隔離層であるシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２５，２６，２７をエッチングで取り除いて形成される。帯電防止対策と、フレーム５１の取り付け等は、必要に応じて前記記載の通り設ければよい。
【００４７】
【発明の効果】ＳＯＲ光のような強力なＸ線と、荷電粒子である電子ビームやイオンビームの照射に耐えられるように各層構成を有するステンシル多層マスクは、一層以上の層構成である熱吸収用ステンシル部としては、各層間に空隙を設けられるので、パターン形成に不要な照射エネルギーは熱吸収用ステンシル部に吸収され、微細化パターン転写用マスクであるパターン形成用ステンシルには、パターン寸法の変化や、パターン配置の歪みあるいは、熱膨張等の影響は、パターン形成用ステンシルには無く、微細化パターンを厚いレジストであっても高精度に形成できるステンシル多層マスクを提供することができる。」、
が、記載されている。
　ここで、「多層マスク１１のパターン開口部３１からシリコン単結晶層２４までを、所望するパターン３２に基づき貫通させる微細化加工が施されたステンシル多層マスク１１１である。」（【００３７】段落）という記載と、「図１５は、パターンを形成された多層マスクの断面図である。前記記載の多層マスク１６にパターン３２を形成される。多層マスク１５は、パターン３２を形成され設けられたパターン孔３４を有する多層マスク１６に、パターン３２を形成してパターン孔３５が設けられる。パターン孔３４と、パターン孔３５とは、同一のパターン３２であるため、パターン３２に基づいた同一の貫通したパターン３２が設けられる。」「パターン形成用ステンシル部はシリコン単結晶層２４と、熱吸収用ステンシル部はシリコン単結晶層２２，２３等とが用いられる。」（【００４５】段落）という記載とから、「パターン形成用ステンシル部」と「熱吸収用ステンシル部」の「パターン３２」は、同一であることが、理解できる。
　また、「図４は、熱遮断用の隔離層を設けたステンシル多層マスクの断面図である。空隙６１を形成するステンシル多層マスク１１２は、ステンシル多層マスク１１１の、隔離層であるシリコン酸膜層２５，２６，２７をエッチングで取り除いて空隙６１が形成される。」（【００３８】段落）という記載と、「図１１は、層構成Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの多層マスクの断面図である。多層マスク１１は、多層マスク１０のシリコン単結晶層（Ｓｉ）２３に重ねて、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２７と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２４とを成膜配置している構成である。ステンシル多層マスクとして用いられる場合には、パターン形成用ステンシル部としてシリコン単結晶層２４と、熱吸収用ステンシル部としてシリコン単結晶層２２，２３とが用られる。」（【００２７】段落）という記載とから、「パターン形成用ステンシル部として」の「シリコン単結晶層２４」と、「熱吸収用ステンシル部として」の「シリコン単結晶層２２，２３」（【００２７】段落）の間に、「空隙６１が形成され」ている（【００３８】段落）ことが、理解できる。
　また、「図１０は、層構成Ｓｉ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉ＋Ｄｉａｍｏｎｄ＋ＳｉＯ２＋Ｓｉの多層マスクの断面図である。多層マスク１０は、多層マスク９のシリコン単結晶層（Ｓｉ）２２に重ねて、ダイアモンド層（Ｄｉａｍｏｎｄ）２８と、シリコン酸化膜層（ＳｉＯ２）２６と、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２３を成膜配置している構成である。ステンシル多層マスクとして用いられる場合には、パターン形成用ステンシル部としてシリコン単結晶層２３と、熱吸収用ステンシル部としてシリコン単結晶層２２とが用られる。」（【００２６】段落）という記載によれば、「パターン形成用ステンシル部」と「熱吸収用ステンシル部」を、それぞれ、１層づつ有する例が、示されている。
　
　以上の記載から、刊行物２には、以下の発明が記載されている。
「ＳＯＲ光のような強力なＸ線と、電子ビームやイオンビームの荷電粒子を用いることによって厚いレジストを感光する高加速電子ビームである露光光源等に対応できるように、各層を成膜配置されている、熱吸収用ステンシル部とパターン形成用ステンシル部とを有するステンシル多層マスクであって、前記熱吸収用ステンシル部はパターン３２を有し、前記パターン形成用ステンシル部は前記熱吸収用ステンシル部と同一のパターン３２を有し、前記熱吸収用ステンシル部と前記パターン形成用ステンシル部との間には、空隙６１が設けられ、前記ステンシル多層マスクには露光装置に固定し易くするフレーム５１が設けられ、前記熱吸収用ステンシル部と前記パターン形成用ステンシル部とは、圧着、あるいは、陽極接合によるはり合わせにより成膜配置されていることを特徴とするステンシル多層マスク。」
　
２　対比・判断
２−１　本願の請求項１に係る発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１に記載された第２発明（以下、「刊行物１第２発明」という。）とを対比すると、刊行物１第２発明の「半導体基板（１）からなる被照射体」、「不純物拡散領域」は、それぞれ、本願発明１の「半導体基板」、「照射領域」に相当し、刊行物１第２発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射する手段」が「照射源」を備えることは明らかであるから、刊行物１第２発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射する手段」は、本願発明１の「粒子又は電磁波を照射する照射源」に相当するので、刊行物１第２発明の「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射する手段」は、本願発明１の「前記半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する照射源」に相当する。
　刊行物１第２発明の「開口（４１）」、「第１マスク（３８）」、「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダ」は、それぞれ、本願発明１の「第１の開口部」、「第１のステンシルマスク」、「第１のステンシルマスクを保持する手段」に相当し、刊行物１第２発明の「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダ」は、「被照射体」と自明の照射源との間にあることは明らかであるので、刊行物１第２発明の「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」ていることと、「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダ」とを合わせた構成は、本願発明１の「前記半導体基板と前記照射源との間で、第１の開口部」を有する「第１のステンシルマスクを保持する手段」に相当する。
　刊行物１第２発明の「開口（４２）」、「第２マスク（４０）」、「前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダ」は、それぞれ、本願発明１の「第２の開口部」、「第２のステンシルマスク」、「第２のステンシルマスクを保持する手段」に相当し、刊行物１第２発明の「第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ているので、「第２マスク（４０）」は、「第１マスク（３８）」と自明の照射源との間に配設されていることになり、刊行物１第２発明の「前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダ」も、「第２マスク（４０）」と同様に、「第１マスク（３８）」と自明の照射源との間に配設されていることは、明らかであるので、刊行物１第２発明の「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ていることと、「前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダ」とを合わせた構成は、本願発明１の「この第１のステンシルマスクを保持する手段と前記照射源との間で、第２の開口部」を有する「第２のステンシルマスクを保持する手段」に相当する。
　また、刊行物１第２発明の「半導体装置の製造装置」は、本願発明１の「半導体製造装置」に相当する。
　すると、本願発明１と刊行物１第２発明とは、
「半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する照射源と、
　前記半導体基板と前記照射源との間で、第１の開口部を有する第１のステンシルマスクを保持する手段と、
　この第１のステンシルマスクを保持する手段と前記照射源との間で、第２の開口部を有する第２のステンシルマスクを保持する手段とを備えた半導体製造装置。」の点で一致し、以下の点で一応相違している。
相違点１
　本願発明１は、「半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する」との構成を備えているのに対して、刊行物１第２発明は、「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」との構成を備えるものである点（以下、「相違点１」という。）。
相違点２
　本願発明１は、「第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを保持する手段」を備えているのに対して、刊行物１第２発明は、「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」、「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダ」「を有」するとの構成を備えている点（以下、「相違点２」という。）。
相違点３
　本願発明１は、「第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを保持する手段」を備えているのに対して、刊行物１第２発明は、「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」、「第２マスク（４０）を保持するマスクホルダを有」するとの構成を備えている点（以下、「相違点３」という。）。
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
［相違点１について］
　刊行物１第２発明は、「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」との構成を備える。そして、刊行物１第２発明の「粒子線を直角方向から照射する」ことは、本願発明１の「半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で」「粒子又は電磁波を照射する」際に、垂直方向に対して角度θ＝０で粒子又は電磁波を照射することに相当する。
　したがって、刊行物１第２発明の「直角方向」と本願発明１の「垂直方向に対して角度θ＝０」とは、同じ方向を意味しているので、刊行物１第２発明の「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」との構成は、角度θ＝０の限りにおいて、本願発明１の「半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板中の照射領域に粒子又は電磁波を照射する」との構成と一致しており、相違点１において、本願発明１と刊行物第２発明とは、実質的に相違しているものとは認められない。
［相違点２について］
　刊行物１の「第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）は、基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域と同じ幅及び長さの開口（４１）（４２）を夫々具備している。」（第７頁左上欄第１０〜１３行）という記載と、刊行物１第２発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」という記載とから、刊行物１第２発明の「第１マスク（３８）」の「開口（４１）」は、「イオンビーム（８）からなる粒子線」が「直角方向から照射」されて半導体「基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域」に対応して設けられているものであり、言い換えると、刊行物１第２発明の「開口（４１）」は、「直角方向」に沿って「不純物拡散領域」と対応しているものである。
　また、刊行物１第２発明は、「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダと前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダを有し、前記第１マスク（３８）及び前記第２マスク（４０）をそれぞれ連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射する」ものであるから、「前記第１マスク（３８）」を「連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射する」状態でも、「前記第１マスク（３８）」は「マスクホルダ」によって「保持」されている。
　そうすると、刊行物１第２発明は、「前記被照射体と平行に配設され」ている「第１マスク（３８）」の「開口（４１）」が、本願発明１の「角度θ方向」の角度θ＝０の方向に相当する「直角方向」に沿って本願発明１の「照射領域」に相当する「不純物拡散領域」と対応するものであり、かつ、「開口（４１）」を有する「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダ」「を有」するので、刊行物１第２発明の「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」、「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダ」「を有」するとの構成は、本願発明１の「第１の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを保持する手段」を備えていることに相当し、相違点２において、本願発明１と刊行物１第２発明とは、特段相違しているものとは認められない。
［相違点３について］
　刊行物１の「第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）は、基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域と同じ幅及び長さの開口（４１）（４２）を夫々具備している。」（第７頁左上欄第１０〜１３行）という記載と、刊行物１第２発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」という記載とから、刊行物１第２発明の「第２マスク（４０）」の「開口（４２）」は、「イオンビーム（８）からなる粒子線」が「直角方向から照射」されて半導体「基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域」に対応して設けられているものであり、言い換えると、刊行物１第２発明の「開口（４２）」は、「直角方向」に沿って「不純物拡散領域」と対応しているものである。
　また、刊行物１第２発明は、「前記第１マスク（３８）を保持するマスクホルダと前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダを有し、前記第１マスク（３８）及び前記第２マスク（４０）をそれぞれ連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射する」ものであるから、「前記第２マスク（４０）」を「連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射する」状態でも、「前記第２マスク（４０）」は「マスクホルダ」によって「保持」されている。
　そうすると、刊行物１第２発明は、「前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ている「第２マスク（４０）」の「開口（４２）」が、本願発明１の「角度θ方向」の角度θ＝０の方向に相当する「直角方向」に沿って本願発明１の「照射領域」に相当する「不純物拡散領域」と対応するものであり、かつ、「開口（４２）」を有する「前記第２マスク（４０）を保持するマスクホルダを有」するので、刊行物１第２発明の「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」、「第２マスク（４０）を保持するマスクホルダを有」するとの構成は、本願発明１の「第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを保持する手段」を備えていることに相当し、相違点３において、本願発明１と刊行物１第２発明とは、特段相違しているものとは認められない。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された第２発明である。
　
２−２　本願の請求項２に係る発明について
　本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）と刊行物１に記載された第１発明（以下、「刊行物１第１発明」という。）とを対比すると、刊行物１第１発明の「半導体基板（１）からなる被照射体」は、本願発明２の「半導体基板」に相当し、刊行物１第１発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射するように」するためには、「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射する」以前に、「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「発生させる」ことが必須であることは明らかであるから、刊行物１第１発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射するようにした」ことは、「照射する」以前の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「発生させる」ことを実質的に構成として含んでいるので、本願発明２の「照射する粒子又は電磁波を発生させる」ことに相当する。したがって、刊行物１第１発明の「半導体基板（１）からなる被照射体に不純物拡散領域を形成するためにイオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射するようにした」ことは、本願発明２の「前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップ」に相当する。
　刊行物１第１発明の「開口（４１）」、「第１マスク（３８）」は、それぞれ、本願発明２の「第１の開口部」、「第１のステンシルマスク」に相当し、刊行物１第１発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「照射するように」するためには、「粒子又は電磁波発生源」を備えることは明らかであり、そうすると、刊行物１第１発明の「被照射体と平行に配設され」る「第１マスク（３８）」は、「被照射体」と自明の粒子又は電磁波発生源との間にあるので、刊行物１第１発明の「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」ることは、本願発明２の「前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部」を有する「第１のステンシルマスクを配置するステップ」に相当する。
　刊行物１第１発明の「開口（４２）」、「第２マスク（４０）」は、それぞれ、本願発明２の「第２の開口部」、「第２のステンシルマスク」に相当し、刊行物１第１発明の「第２マスク（４０）」は、「第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ているのであるから、刊行物１第１発明の「第２マスク（４０）」は、「第１マスク（３８）」と自明の粒子又は電磁波発生源との間にあるので、刊行物１第１発明の「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ることは、本願発明２の「この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部」を有する「第２のステンシルマスクを配置するステップ」に相当する。
　刊行物１第１発明の「前記第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）を連続的に移動させつつ前記被照射体に粒子線を照射する」という記載によれば、「粒子線」は、「第２マスク（４０）」の「開口（４２）」を通過し、続いて、「第１マスク（３８）」の「開口（４１）」を通過して、「被照射体」に「照射」されるのであるから、刊行物１第１発明の「前記第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）を連続的に移動させつつ前記被照射体に粒子線を照射する」ことは、本願発明２の「前記粒子又は電磁波を前記第２のステンシルマスクの前記第２の開口部を通過させるステップと、　前記第２の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記第１のステンシルマスクの前記第１の開口部を通過させるステップと、　前記第１の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記半導体基板の前記照射領域に照射させるステップ」に相当する。
　また、刊行物１第１発明の「粒子線照射方法」は、半導体装置の製造方法の一種であるから、刊行物１第１発明の「粒子線照射方法」は、本願発明２の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　すると、本願発明２と刊行物１第１発明とは、
「半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップと、
　前記半導体基板と前記粒子又は電磁波発生源との間に、第１の開口部を有する第１のステンシルマスクを配置するステップと、
　この第１のステンシルマスクと前記粒子又は電磁波発生源との間に、第２の開口部を有する第２のステンシルマスクを配置するステップと、
　前記粒子又は電磁波を前記第２のステンシルマスクの前記第２の開口部を通過させるステップと、
　前記第２の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記第１のステンシルマスクの前記第１の開口部を通過させるステップと、
　前記第１の開口部を通過した前記粒子又は電磁波を前記半導体基板の前記照射領域に照射させるステップとを備えた半導体装置の製造方法。」の点で一致し、以下の点で一応相違している。
相違点４
　本願発明２は、「半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップ」を備えているのに対して、刊行物１第１発明は、「半導体基板（１）からなる被照射体に」「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射するようにした」との構成を備えるものである点（以下、「相違点４」という。）。
相違点５
　本願発明２は、「第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを配置するステップ」を備えているのに対して、刊行物１第１発明は、「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」ているとの構成を備えている点（以下、「相違点５」という。）。
相違点６
　本願発明２は、「第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを配置するステップ」を備えているのに対して、刊行物１第１発明は、「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ているとの構成を備えている点（以下、「相違点６」という。）。
　そこで、上記相違点４〜６について検討する。
［相違点４について］
　刊行物１第１発明は、「半導体基板（１）からなる被照射体に」「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射するようにした」との構成を備える。そして、刊行物１第１発明の「粒子線を直角方向から照射するようにした」ことは、前記したように、「照射する」以前の「イオンビーム（８）からなる粒子線を」「発生させる」ことを実質的に構成として含んでいるので、刊行物１第１発明の「粒子線を直角方向から照射するようにした」ことは、本願発明２の「半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させる」際に、垂直方向に対して角度θ＝０で粒子又は電磁波を発生させることに相当する。
　したがって、刊行物１第１発明の「直角方向」と本願発明２の「垂直方向に対して角度θ＝０」とは、同じ方向を意味しているので、刊行物１第１発明の「半導体基板（１）からなる被照射体に」「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射するようにした」との構成は、角度θ＝０の限りにおいて、本願発明２の「半導体基板の垂直方向に対して角度θ（θ≧０）で前記半導体基板に照射する粒子又は電磁波を発生させるステップ」と一致しており、相違点４において、本願発明２と刊行物第１発明とは、実質的に相違しているものとは認められない。
［相違点５について］
　刊行物１の「第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）は、基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域と同じ幅及び長さの開口（４１）（４２）を夫々具備している。」（第７頁左上欄第１０〜１３行）という記載と、刊行物１第１発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」という記載とから、刊行物１第１発明の「第１マスク（３８）」の「開口（４１）」は、「イオンビーム（８）からなる粒子線」が「直角方向から照射」されて半導体「基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域」に対応して設けられているものであり、言い換えると、刊行物１第１発明の「開口（４１）」は、「直角方向」に沿って「不純物拡散領域」と対応しているものである。
　また、刊行物１第１発明の「前記第１マスク（３８）及び前記第２マスク（４０）を連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射すること」という記載から、「開口（４１）を有する第１マスク（３８）」は、「連続的に移動」しつつ、「被照射体」に「粒子線」が「照射」されており、「開口（４１）を有する第１マスク（３８）」が「連続的に移動」している状態でも、「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」ているものである。
　そうすると、刊行物１第１発明は、「前記被照射体と平行に配設され」ている「第１マスク（３８）」の「開口（４１）」が、本願発明２の「角度θ方向」の角度θ＝０の方向に相当する「直角方向」に沿って本願発明２の「照射領域」に相当する「不純物拡散領域」と対応するものであり、かつ、「第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」ているものであるので、刊行物１第１発明の「開口（４１）を有する第１マスク（３８）が前記被照射体と平行に配設され」ているとの構成は、本願発明２の「第１の開口部が前記角度θ方向に沿って照射領域と対応するように第１のステンシルマスクを配置するステップ」を備えていることに相当し、相違点５において、本願発明２と刊行物１第１発明とは、特段相違しているものとは認められない。
［相違点６について］
　刊行物１の「第１マスク（３８）及び第２マスク（４０）は、基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域と同じ幅及び長さの開口（４１）（４２）を夫々具備している。」（第７頁左上欄第１０〜１３行）という記載と、刊行物１第１発明の「イオンビーム（８）からなる粒子線を直角方向から照射する」という記載とから、刊行物１第１発明の「第２マスク（４０）」の「開口（４２）」は、「イオンビーム（８）からなる粒子線」が「直角方向から照射」されて半導体「基板（１）に形成されるべき不純物拡散領域」に対応して設けられているものであり、言い換えると、刊行物１第１発明の「開口（４２）」は、「直角方向」に沿って「不純物拡散領域」と対応しているものである。
　また、刊行物１第１発明の「前記第１マスク（３８）及び前記第２マスク（４０）を連続的に移動させつつ前記被照射体に前記粒子線を照射すること」という記載から、「開口（４２）を有する第２マスク（４０）」は、「連続的に移動」しつつ、「被照射体」に「粒子線」が「照射」されており、「開口（４２）を有する第２マスク（４０）」が「連続的に移動」している状態でも、「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ているものである。
　そうすると、刊行物１第１発明は、「前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ている「第２マスク（４０）」の「開口（４２）」が、本願発明２の「角度θ方向」の角度θ＝０の方向に相当する「直角方向」に沿って本願発明２の「照射領域」に相当する「不純物拡散領域」と対応するものであり、かつ、「第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ているものであるので、刊行物１第１発明の「開口（４２）を有する第２マスク（４０）が前記被照射体及び前記第１マスク（３８）と平行に前記第１マスク（３８）の上方に重ねて配設され」ているとの構成は、本願発明２の「第２の開口部が前記角度θ方向に沿って前記照射領域に対応するように第２のステンシルマスクを配置するステップ」を備えていることに相当し、相違点６において、本願発明２と刊行物１第１発明とは、特段相違しているものとは認められない。
　
　したがって、本願の請求項２に係る発明は、刊行物１に記載された第１発明である。
　
２−３　本願の請求項５に係る発明について
　本願の請求項５に係る発明（以下、「本願発明５」という。）と刊行物２に記載された発明（以下、「刊行物２発明」という。）とを対比すると、刊行物２発明の「パターン形成用ステンシル部は」「パターン３２を有」することにおいて、「パターン３２」が本願発明５の「第１の開口部」に相当し、「パターン形成用ステンシル部」が、本願発明５の「第１のステンシルマスク」に相当するので、刊行物２発明の「パターン形成用ステンシル部は」「パターン３２を有」することは、本願発明５の「第１の開口部」「を有する第１のステンシルマスク」を備えることに相当する。
　刊行物２発明の「熱吸収用ステンシル部はパターン３２を有」することにおいて、「パターン３２」が本願発明５の「第２の開口部」に相当し、「熱吸収用ステンシル部」が、本願発明５の「第２のステンシルマスク」に相当するので、刊行物２発明の「熱吸収用ステンシル部はパターン３２を有」することは、本願発明５の「第２の開口部」「を有する第２のステンシルマスク」に相当し、刊行物２発明の「前記パターン形成用ステンシル部は前記熱吸収用ステンシル部と同一のパターン３２を有」することにおいて、刊行物２発明の「前記パターン形成用ステンシル部」の「前記熱吸収用ステンシル部と同一のパターン３２」が、「露光光源等に対応」して「前記熱吸収用ステンシル部」の「パターン３２」と重ねられることは、明らかであり、刊行物２発明の「前記熱吸収用ステンシル部と前記パターン形成用ステンシル部との間には、空隙６１が設けられ」ていることにおいて、「空隙６１が設けられ」ていることが、本願発明５の「所定距離を離間して配置され」ていることに相当するので、刊行物２発明の「前記熱吸収用ステンシル部と前記パターン形成用ステンシル部との間には、空隙６１が設けられ」ていることは、本願発明５の「第２のステンシルマスク」が「この第１のステンシルマスクの一方の面から所定距離を離間して配置され」ていることに相当する。すると、刊行物２発明の「熱吸収用ステンシル部はパターン３２を有し、前記パターン形成用ステンシル部は前記熱吸収用ステンシル部と同一のパターン３２を有し、前記熱吸収用ステンシル部と前記パターン形成用ステンシル部との間には、空隙６１が設けられ」ていることは、本願発明５の「この第１のステンシルマスクの一方の面から所定距離を離間して配置され、前記第１の開口部と重ねることにより所定の開口パターンを形成するための第２の開口部」「を有する第２のステンシルマスク」を備えることに相当する。
　また、刊行物２発明の「ステンシル多層マスク」は、本願発明５の「ステンシルマスク」に相当する。
　すると、本願発明５と刊行物２発明とは、
「第１の開口部を有する第１のステンシルマスクと、
　この第１のステンシルマスクの一方の面から所定距離を離間して配置され、前記第１の開口部と重ねることにより所定の開口パターンを形成するための第２の開口部を有する第２のステンシルマスクとを備えたステンシルマスク。」の点で一致し、以下の点で一応相違している。
相違点７
　本願発明５は、「第１のステンシルマスク」が「半導体製造装置に固着するための第１の支持部」「を有」し、「第２のステンシルマスク」が「前記半導体製造装置に固着するための第２の支持部」「を有する」との構成を備えているのに対して、刊行物２発明は、「前記ステンシル多層マスクには露光装置に固定し易くするフレーム５１が設けられ」ているとの構成を備えている点（以下、「相違点７」という。）。
　そこで、上記相違点７について検討する。
［相違点７について］
　刊行物２の「図３は、フレームを設けたステンシル多層マスクの断面図であ」り、「フレーム５１を設けたステンシル多層マスク１１３は、空隙６１が形成されたステンシル多層マスク１１２を、露光装置に容易に取り付け固定しやすくするためシリコン単結晶層（Ｓｉ）２１と、ＳｉＣやガラスあるいは、金属等からなるフレーム５１を固着して設けられる」（【００３９】段落）。そして、図３を参照すると、フレーム５１は、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２１に固着されており、シリコン単結晶層（Ｓｉ）２１は、シリコン酸化膜層２５にはり合わされて成膜配置されており、さらに、順次、熱吸収用ステンシル部２２、ダイアモンド層２８、シリコン酸化膜層２６、熱吸収用ステンシル部２３、シリコン酸化膜層２７、パターン形成用ステンシル部２４が、はり合わされて成膜配置されている。
　そして、フレーム５１は、間接的に、本願発明５の「第２のステンシルマスク」に相当する熱吸収用ステンシル部２２、又は熱吸収用ステンシル部２３にはり合わされているので、刊行物２発明の「フレーム５１」は、本願発明５の「第２の支持部」に相当しており、また、刊行物２発明の「露光装置に固定」することは、本願発明５の「半導体製造装置に固着する」ことに相当するので、刊行物２発明の「露光装置に固定し易くするフレーム５１が設けられ」ているとの構成は、本願発明５の「前記半導体製造装置に固着するための第２の支持部」に相当する。
　また、フレーム５１は、間接的に、本願発明５の「第１のステンシルマスク」に相当するパターン形成用ステンシル部２４にもはり合わされており、刊行物２発明の「フレーム５１」は、本願発明５の「第１の支持部」にも相当しており、また、刊行物２発明の「露光装置に固定」することは、本願発明５の「半導体製造装置に固着する」ことに相当するので、刊行物２発明の「露光装置に固定し易くするフレーム５１が設けられ」ているとの構成は、本願発明５の「前記半導体製造装置に固着するための第１の支持部」に相当する。
　すると、上記相違点５に係る、本願発明５の、「第１のステンシルマスク」が「半導体製造装置に固着するための第１の支持部」「を有」し、「第２のステンシルマスク」が「前記半導体製造装置に固着するための第２の支持部」「を有する」との構成は、刊行物２発明も備えていることになり、上記相違点７において、本願発明５と刊行物２発明とは、格別に相違していないことになる。
　
　したがって、本願の請求項５に係る発明は、刊行物２に記載された発明である。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１、２及び５に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。