【事件の表示】
　特願２００３−　３３３３０「半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月　２日出願公開、特開２００４−２４７３８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１５年２月１２日の出願であって、平成１８年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２６日付けで手続補正がなされたものである。 
　
２．平成１８年５月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について  
［補正却下の決定の結論］  
 　平成１８年５月２６日付けの手続補正を却下する。  
　
［理由］  
（１）本件補正の内容  
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３を、補正後の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２と補正するとともに、明細書の段落【０００９】を補正するものであって、補正前の請求項１ないし３、並びに補正後の請求項１及び２は以下のとおりである。
　
補正前
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成され、前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下であり、前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２】　前記多数の突起の平面部の総面積が、搭載するウェハの面積の４０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３】　請求項１または２に記載のウェハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。」
　
補正後
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成され、前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下であり、且つ前記多数の突起の総面積が、搭載するウェハの面積の４０％以下であり、前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２】　請求項１に記載のウェハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。」
　
（２）本件補正の内容の整理 
　本件補正の内、特許請求の範囲についての補正内容を、以下に整理する。
（２−１）補正事項１ 
　補正前の請求項１を削除すること。
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２について、記載形式を独立請求項形式に変更し、項番を請求項１と補正すること。
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項３について、「請求項１または２に記載のウェハ保持体」を「請求項１に記載のウェハ保持体」と補正するとともに、項番を請求項２と補正すること。
　
（３）本件補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についての検討 
（３−１）補正事項１について
　補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当することは明らかである。
（３−２）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、補正事項１による補正が行われたことにより、引用請求項形式の記載が不適切となったことに対応して、それらを是正する補正であるから、特許法第１７の２第４項第３号に掲げる誤記の修正を目的とするものに該当する。
（３−３）補正事項３について
　補正事項３についての補正は、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「ウェハ保持体」について、補正前には「請求項１または２に記載の」「ウェハ保持体」であったものを、補正後には「請求項１の」「ウェハ保持体」と補正するものであり、択一的表現で表されていた２つの選択肢の内の１つを削除する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　また、補正事項１ないし３に関する補正が願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項又は第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）独立特許要件 
　上記（３）において検討したとおり、本件補正の補正事項３についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるから、補正後の請求項２により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（４−１）補正後の発明 
　本件補正後の請求項２に係る発明は、上記「（１）本件補正の内容」の「補正後」の欄の請求項２に記載したとおりである。 
　
（４−２）刊行物に記載された発明
刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００２−２３７３７５号公報（以下、「刊行物」という。）には、「半導体製造・検査装置用セラミック基板およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図３、図７及び図１２とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体産業において、セラミックヒータ、静電チャック、ウエハプローバ用のチャップトップ板等に使用される半導体製造・検査装置用セラミック基板に関する。」、
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような構成のセラミックヒータは、半導体ウエハ等を加熱する面（以下、加熱面という）が平面により構成されており、その上に半導体ウエハを載置すると、半導体ウエハの全面が加熱面と接触する。従って、この状態で半導体ウエハを加熱すると、セラミック基板表面の温度分布がそのまま半導体ウエハに反映され、半導体ウエハ等を均一に加熱することができず、その結果、半導体ウエハ等が熱衝撃により、破損するという問題が発生した。
【０００８】そこで、セラミック基板に形成された貫通孔等に挿通したリフターピン、または、セラミック基板の表面に設けた数本の支持ピン等を用い、半導体ウエハ等をセラミック基板表面からわずかに離間して保持し、加熱する方法をとった。この方法を用いると、セラミック基板からの輻射および雰囲気ガスの対流により半導体ウエハへ熱が伝わるため、セラミック基板表面の温度分布が、直接、半導体ウエハに反映されず、半導体ウエハのより均一な温度分布が実現する。
【０００９】しかしながら、この方法を用いると、セラミック基板と半導体ウエハとの間に空間が形成され、その外縁部が開放されているため、セラミック基板と半導体ウエハとの間に存在する雰囲気ガスが外側に逃げやすく、温度の低い雰囲気ガスが入れ替わって入ってくることになる。このため、半導体ウエハの温度均一性が充分とは言えなかった。また、セラミック基板と半導体ウエハとの間に存在する雰囲気ガスが逃げやすいことに起因して、昇温速度も充分とは言えなかった。また、支持ピンでは、半導体ウエハがゆがんでしまい、温度の均一性が低下してしまう。
【００１０】なお、近年の半導体ウエハ等の大口径化等に伴って、より直径の大きいセラミックヒータが求められているが、セラミック基板の直径が大きくなるにつれて、セラミック基板自体の温度分布も発生しやすくなり、上記した半導体ウエハの温度の不均一や半導体ウエハのゆがみも益々発生しやすくなる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した問題点に鑑み、迅速な昇温を行うことが可能であり、加熱面の温度ばらつきが小さく、半導体ウエハ等が熱衝撃により破損したりゆがんだりすることのないセラミック基板（セラミックヒータ）を得ることを目的として鋭意研究を行った結果、セラミック基板の加熱面に半導体ウエハ等と接触する多数の凸状体を形成することにより、迅速に昇温を行うことができ、加熱面を均一な温度とすることができることを見出し、本発明を完成するに至った。」、
「【００２３】
【発明の実施の形態】第一の本発明の半導体製造・検査装置用セラミック基板は、その表面または内部に発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、その外縁部には、半導体ウエハを嵌合させるための突部が形成され、上記突部の内側には、上記半導体ウエハと接触する多数の凸状体が形成されていることを特徴とする。なお、以下の説明においては、半導体製造・検査装置用セラミック基板を、単に、セラミック基板ともいうことにする。
【００２４】第一の本発明のセラミック基板に、抵抗発熱体のみが形成されている場合には、セラミックヒータとして使用することができる。そこで、まず、第一の本発明のセラミック基板をセラミックヒータとして使用する場合について説明する。図１は、第一の本発明に係るセラミックヒータにおける加熱面の一例を模式的に示す平面図であり、図２は、図１に示すセラミックヒータの一部を模式的に示す断面図である。また、図３は、図１に示すセラミックヒータを模式的に示す底面図である。なお、このセラミックヒータでは、セラミック基板の内部に抵抗発熱体が形成されている。
【００２５】図１に示したように、セラミック基板１１は、円板状に形成されており、セラミック基板の加熱面１１ａの外縁部には、半導体ウエハを嵌合させるための円環状の突部１６が一体的に形成され、突部１６の内側には、上記半導体ウエハと接触する多数の凸状体１７が形成されている。また、凸状体１７が形成されていない凸状体非形成部１１０ａには、底面１１ｂに抜ける複数の通気用貫通孔１８が形成されている。なお、通気用貫通孔１８は、例えば、後述するように加熱媒体または冷却媒体の供給に利用できるほか、半導体ウエハ等の吸引吸着等にも使用することができるが、第一の本発明において必須のものではない。」、
「【００４１】図７は、第一の本発明に係るセラミックヒータに形成された凸状体を模式的に示す部分拡大断面図である。（ａ）に示した凸状体１７０は円柱状であり、上部が平面により構成されている。（ｂ）に示した凸状体１７１は、略円柱状であり、上面と側面との間は曲面により形成されている。（ｃ）に示した凸状体１７２は、半球形状であり、（ｄ）に示した凸状体１７３は、円錐状である。」、
「【００４５】凸状体１個あたりの半導体ウエハとの接触面積は、３１４ｍｍ２以下であることが望ましい。３１４ｍｍ２を超えると、その凸状体１個と半導体ウエハとの接触面内で温度のばらつきが発生するおそれがあるからである。なお、凸状体の配置は、セラミック基板の中心部分と外周部分とにおいて、その存在密度を変えてもよい。例えば、中心部分においては、凸状体を疎にして、外周部分においては、凸状体を密にする配置等を挙げることができる。
【００４６】第一の本発明に係るセラミックヒータの突部１６に嵌合される半導体ウエハ３９の面積に対する、凸状体１７が半導体ウエハ３９と接触する面積の比の百分率をＳ（％）とすると、０．０５≦Ｓ≦９５％であることが望ましい。
【００４７】セラミック基板から凸状体を介して半導体ウエハに伝導する熱は、セラミック基板と半導体ウエハとが接しているため、直接かつ迅速に伝わるが、加熱面の温度のばらつきをそのまま反映し、半導体ウエハに温度のばらつきが発生しやすい傾向にあり、一方、セラミック基板からの輻射および雰囲気ガスの対流により半導体ウエハ等へ伝わる熱は、空間や雰囲気ガス等の流体を介して伝わるため、平均化されやすく、半導体ウエハの温度も均一化されやすい傾向にある。
【００４８】すなわち、Ｓが上記範囲内にあると、セラミック基板から凸状体を介して半導体ウエハに伝導する熱と、セラミック基板からの輻射および雰囲気ガスの対流により半導体ウエハ等へ伝わる熱とのバランスがとれるため、半導体ウエハ等を迅速に加熱することができ、かつ、加熱面が均一な温度となる。
【００４９】Ｓが０．０５％未満であると、凸状体と半導体ウエハとの接触する面積が小さいため、セラミック基板から半導体ウエハ等に伝導する熱が減少し、半導体ウエハ等を迅速に加熱することができない。また、Ｓが９５％を超えると、凸状体と半導体ウエハとが接触する面積が大きくなるため、加熱面を均一な温度とすることが困難となる。」、
「【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
（実施例１）
セラミックヒータ（図１〜３および図１２参照）の製造・・・得られたセラミック板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ドリル加工処理により、上側（加熱面）に突部１６および凸状体１７を形成した。すなわち、セラミック基板１１の外縁部には、高さが０．５ｍｍ、幅が１０ｍｍの突部１６を形成した。また、突部１６の内側には、高さが０．３ｍｍ、直径が１０ｍｍの円柱形状の凸状体１７を２００個形成した（図１２（ｂ）参照）。半導体ウエハ３９の面積に対する凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積の比率Ｓは５０％であった。・・・セラミックヒータ１０を得た。」（０１６６段落〜０１７４段落）
　
（ａ）００２３段落の「半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、その外縁部には、半導体ウエハを嵌合させるための突部が形成され、上記突部の内側には、上記半導体ウエハと接触する多数の凸状体が形成されている」、「半導体製造・検査装置用セラミック基板を、単に、セラミック基板ともいうことにする。」、００２４段落の「セラミック基板に、抵抗発熱体のみが形成されている場合には、セラミックヒータとして使用することができる。そこで、まず、第一の本発明のセラミック基板をセラミックヒータとして使用する」、「図１は、第一の本発明に係るセラミックヒータにおける加熱面の一例を模式的に示す平面図であり、図２は、図１に示すセラミックヒータの一部を模式的に示す断面図である。また、図３は、図１に示すセラミックヒータを模式的に示す底面図である。」、００２５段落の「図１に示したように、セラミック基板１１は、円板状に形成されており、セラミック基板の加熱面１１ａの外縁部には、半導体ウエハを嵌合させるための円環状の突部１６が一体的に形成され、突部１６の内側には、上記半導体ウエハと接触する多数の凸状体１７が形成されている。」との記載及び図１〜３から、「セラミックヒータとして使用する」「半導体製造・検査装置用セラミック基板」であって、「加熱面１１ａの外縁部には、半導体ウエハを嵌合させるための」「突部１６が一体的に形成され、突部１６の内側には、上記半導体ウエハと接触する多数の凸状体１７が形成されている」「半導体製造・検査装置用セラミック基板」が記載されていることは明らかである。
（ｂ）０１６６段落の「セラミックヒータ（図１〜３および図１２参照）の製造」、０１７２段落の「セラミック基板１１の外縁部には、高さが０．５ｍｍ、幅が１０ｍｍの突部１６を形成した。また、突部１６の内側には、高さが０．３ｍｍ、直径が１０ｍｍの円柱形状の凸状体１７を２００個形成した（図１２（ｂ）参照）。半導体ウエハ３９の面積に対する凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積の比率Ｓは５０％であった。」との記載並びに図１〜３及び図１２から、「直径が１０ｍｍの円柱形状の凸状体１７を２００個形成し」、「半導体ウエハ３９の面積に対する凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積の比率Ｓは５０％」である「セラミックヒータ」が記載されていることは明らかである。
　
　したがって、刊行物には、以下の発明が記載されている。
　「加熱面１１ａの外縁部には、半導体ウエハ３９を嵌合させるための突部１６が一体的に形成され、突部１６の内側には、上記半導体ウエハ３９と接触する、直径が１０ｍｍの円柱形状の凸状体１７が２００個形成され、半導体ウエハ３９の面積に対する凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積の比率Ｓは５０％である半導体製造・検査装置用セラミック基板。」（以下、「刊行物発明」という。）
　
（４−３）対比・判断
　補正後の請求項２に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「半導体ウエハ３９」は、補正発明の「ウェハ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「凸状体１７」は、補正発明の「突起」に相当し、そして、刊行物発明の「凸状体１７」は、「円柱形状」であるから、その上面には平面部を有することは明らかである。よって、刊行物発明の「円柱形状の凸状体１７が２００個形成され」は、補正発明の「平面部を有する多数の突起が形成され」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「加熱面１１ａの外縁部には、半導体ウエハ３９を嵌合させるための円環状の突部１６が一体的に形成され、突部１６の内側には、上記半導体ウエハ３９と接触する、直径が１０ｍｍの円柱形状の凸状体１７」から、
（ｃ−１）「加熱面１１ａ」に、「半導体ウエハ３９」を搭載することは明らかであるから、刊行物発明の「加熱面１１ａ」は、補正発明の「ウェハ搭載面」に相当し、
（ｃ−２）刊行物発明の「半導体製造・検査装置用セラミック基板」は、「半導体ウエハ３９を嵌合させるための円環状の突部１６」によって、「半導体ウエハ３９」を保持するウエハ保持体であることは明らかであるから、補正発明の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成されている半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　補正発明では、「前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下」であるのに対し、刊行物発明では、「直径が１０ｍｍの円柱形状」として、「凸状体１７」の平面部の直径については記載されているものの、平面部の面積について明記されていない点。
　
相違点２
　補正発明では、「多数の突起の総面積が、搭載するウェハの面積の４０％以下」であるのに対し、刊行物発明では、「半導体ウエハ３９の面積に対する凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積の比率Ｓは５０％」、すなわち、「凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積」と、搭載する「半導体ウエハ３９の面積」との比率が「５０％」である点。
　
相違点３
　補正発明では、「ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下」であるのに対し、刊行物発明では、ウェハ搭載面の平面度が特定されていない点。
　
相違点４
  補正発明は、「ウェハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置」であるのに対し、刊行物発明は、「半導体製造・検査装置用セラミック基板」である点
　
相違点について以下で検討する。
相違点１について
（ａ）刊行物発明において、「凸状体１７」は、「円柱形状」であるから、上面部は平面であることは明らかである。そして、円柱の直径が「１０ｍｍ」であるから、円柱形状の平面部の面積は、円柱形状１個あたり、約７８．５ｍｍ２となる。
（ｂ）ここで、例えば、刊行物の０００９段落の「半導体ウエハの温度均一性が充分とは言えなかった。」との記載から、刊行物発明と補正発明とは、共通する課題を有することは明らかである。
（ｃ）また、一般に、半導体製造装置に搭載される半導体ウエハの加熱面に凸状体を有するセラミック基板において、該半導体ウエハの温度均一性は、該加熱面の設定温度、該凸状体の材料・形状や該半導体ウエハの材料・大きさにも依存するものであるが、これらについて特定のない補正発明において、「前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下」とすることには、臨界的意義があるとは認められない。
（ｄ）さらに、刊行物の００４５段落の「凸状体１個あたりの半導体ウエハとの接触面積は、３１４ｍｍ２以下であることが望ましい。」との記載から、該接触面積として特定される範囲が、補正発明の「突起の平面部の面積が、７０ｍｍ２以下」と重なる範囲を有することは明らかである。
（ｅ）したがって、刊行物発明において、補正発明のごとく「突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下」とすることは、当業者が適宜設定し得る程度ものであり、格別に特徴のある構成とは認められない。
　
相違点２について
（ａ）上記「相違点１について（ａ）」の検討により、刊行物発明の「凸状体１７」の上面部は平面であることから、刊行物発明の「凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積」は、「凸状体１７」の上面部の総面積に相当し、そして、刊行物発明の「半導体ウエハ３９の面積」に対する「凸状体１７」の上面部の総面積の比率Ｓは、「５０％」であることは明らかである。
（ｂ）ここで、上記「相違点１について（ｂ）」の検討により、刊行物発明は、補正発明と共通する課題を有する。
（ｃ）また、一般に、半導体製造装置に搭載される半導体ウエハの加熱面に凸状体を有するセラミック基板において、該半導体ウエハの温度均一性は、該加熱面の設定温度、該凸状体の材料・形状や該半導体ウエハの材料・大きさにも依存するものであるが、これらについて特定のない補正発明において、「多数の突起の総面積が、搭載するウェハの面積の４０％以下」とすることに、臨界的意義があるとは認められない。
（ｄ）さらに、刊行物の００４６段落の「セラミックヒータの突部１６に嵌合される半導体ウエハ３９の面積に対する、凸状体１７が半導体ウエハ３９と接触する面積の比の百分率をＳ（％）とすると、０．０５≦Ｓ≦９５％であることが望ましい。」との記載、そして、上記「相違点２について（ａ）」の検討により、刊行物発明の「凸状体１７と半導体ウエハ３９とが接触する面積」は、「凸状体１７」の上面部の総面積に相当することを鑑みると、該「セラミックヒータの突部１６に嵌合される半導体ウエハ３９の面積に対する、凸状体１７が半導体ウエハ３９と接触する面積の比の百分率」として特定される範囲が、補正発明の「搭載するウェハの面積」に対する「多数の突起の総面積」の比率と実質的に重なる範囲を有することは明らかである。
（ｅ）したがって、刊行物発明において、補正発明のごとく「多数の突起の総面積が、搭載するウェハの面積の４０％以下」とすることは、当業者が適宜設定し得る程度ものであり、格別に特徴のある構成とは認められない。
　
相違点３について
（ａ）半導体製造装置に搭載される半導体製造装置用ウェハ保持体において、「ウェハ搭載面の平面度」を「０．５ｍｍ（＝５００μｍ）以下」とする技術は、例えば、以下の周知文献１、２に記載されているように、従来周知である。
（ａ−１）周知文献１．特開２０００−１１４３５４号の０００１段落には、「【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリング、ＰＶＤ等の成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチングなどのエッチング装置に用いられるウエハ支持加熱用ヒータに関するものであり、特に半導体製造用のウエハ支持加熱用ヒータとして好適なものである。」、００２３段落には、「載置面４はできるだけ平坦に仕上げることが重要で、平面度を２５μｍ以下とすることにより、半導体ウエハＷと載置面４との接地面積を大きくできるため、半導体ウエハＷへ均等に熱を加えることができ、不均一加熱時の熱膨張差による半導体ウエハＷの割れを防ぐことができる。」と記載されている。
（ａ−２）周知文献２．特開２０００−２５２０４５号の０００１段落には、「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等に使用されるＡｌＮ（窒化アルミニウム）焼結体からなるプレートヒーターとその製造方法に関する。」、０００６段落には、「カバープレートの加熱面の平面度（ＪＩＳ　Ｂ０６２１−１９８４）が２０μｍ以下、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が５０μｍ以下であることにより、加熱面温度の最大値と最小値の差が極めて小さくなる。加熱面の平面度が２０μｍを超え、間隔の最大、最小値の差が５０μｍを超えると、加熱面温度の最大、最小値の差が大きくなる。ここで、加熱面温度の最大値と最小値の差（温度むらの程度）は、加熱面の設定温度によって変化し、設定温度が低いほど加熱面温度の最大値と最小値の差は小さく、高いほど加熱面温度の最大値と最小値の差は大きくなる。本発明によれば設定温度が３００℃以下の場合には加熱面温度の最大値と最小値の差が１℃以下となり、設定温度が３００〜６００℃の場合には加熱面温度の最大値と最小値の差が２℃以下となり、設定温度が６００℃を越える場合でも加熱面温度の最大値と最小値の差を５℃以下に抑えることができる。又、平面度が２０μｍを超えると、被加熱物が加熱面と均一に接触することができず、被加熱物を均一に加熱できないという不具合も生じる。好ましい平面度は、１０μｍ以下、又、好ましい間隔の最大、最小値の差は、３５μｍ以下である。ただし、プレートヒーターの加熱面の面積が大きくなる程、加熱面の平面度を小さく加工することが困難となり、８インチサイズ以下のプレートヒーターの場合には１０μｍ以下とする加工は容易にできるが、８インチを越えるサイズのプレートヒーターの場合には、平面度１０μｍを超えて２０μｍ以下とする加工は容易にできるものの、平面度１０μｍ以下の加工は困難となる。」と記載されている。
（ｂ）したがって、刊行物発明において、「ウェハ搭載面の平面度」を「０．５ｍｍ以下」とする周知文献１、２に記載された周知の技術を適用することは、当業者が容易になし得るものである。
　
相違点４について
　刊行物発明は、「半導体製造・検査装置用」の「セラミック基板」であることから、該「セラミック基板」を本願出願前に周知である「半導体製造装置」に搭載することは、当業者が当然なし得るものである。
　
　よって、補正発明は、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−４）むすび 
　したがって、補正事項３についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　
３．本願発明 
　平成１８年５月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１７年１２月７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
　
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成され、前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下であり、前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」 　 
　
４．刊行物に記載された発明
（１）刊行物
　刊行物に記載される事項は、「２．（４−２）刊行物に記載された発明」に記載したとおり、刊行物には、前記「刊行物発明」が記載されている。
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「半導体ウエハ３９」は、本願発明の「ウェハ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「凸状体１７」は、本願発明の「突起」に相当し、そして、刊行物発明の「凸状体１７」は、「円柱形状」であるから、その上面には平面部を有することは明らかである。よって、刊行物発明の「円柱形状の凸状体１７が２００個形成され」は、本願発明の「平面部を有する多数の突起が形成され」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「加熱面１１ａの外縁部には、半導体ウエハ３９を嵌合させるための円環状の突部１６が一体的に形成され、突部１６の内側には、上記半導体ウエハ３９と接触する、直径が１０ｍｍの円柱形状の凸状体１７」から、
（ｃ−１）「加熱面１１ａ」に、「半導体ウエハ３９」を搭載することは明らかであるから、刊行物発明の「加熱面１１ａ」は、本願発明の「ウェハ搭載面」に相当し、
（ｃ−２）刊行物発明の「半導体製造・検査装置用セラミック基板」は、「半導体ウエハ３９を嵌合させるための円環状の突部１６」によって、「半導体ウエハ３９」を保持するウエハ保持体であることは明らかであるから、本願発明の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成されている半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点５
　本願発明では、「前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下」であるのに対し、刊行物発明では、「直径が１０ｍｍの円柱形状」として、「凸状体１７」の平面部の直径については記載されているものの、平面部の面積について明記されていない点。
　
相違点６
　本願発明では、「ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下」であるのに対し、刊行物発明では、ウェハ搭載面の平面度が特定されていない点。
　
相違点について以下で検討する。
相違点５について
（ａ）刊行物発明において、「凸状体１７」は、「円柱形状」であるから、上面部は平面であることは明らかである。そして、円柱の直径が「１０ｍｍ」であるから、円柱形状の平面部の面積は、円柱形状１個あたり、約７８．５ｍｍ２となる。
（ｂ）ここで、例えば、刊行物の０００９段落の「半導体ウエハの温度均一性が充分とは言えなかった。」との記載から、刊行物発明と本願発明とは、共通する課題を有することは明らかである。
（ｃ）また、一般に、半導体ウエハの加熱面に凸状体を有するセラミック基板において、該半導体ウエハの温度均一性は、該加熱面の設定温度、該凸状体の材料・形状や該半導体ウエハの材料・大きさにも依存するものであるが、これらについて特定のない本願発明において、「前記突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下」とすることには、臨界的意義があるとは認められない。
（ｄ）さらに、刊行物の００４５段落の「凸状体１個あたりの半導体ウエハとの接触面積は、３１４ｍｍ２以下であることが望ましい。」との記載から、該接触面積として特定される範囲が、本願発明の「突起の平面部の面積が、７０ｍｍ２以下」と重なる範囲を有することは明らかである。
（ｅ）したがって、刊行物発明において、本願発明のごとく「突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下」とすることは、当業者が適宜設定し得る程度ものであり、格別に特徴のある構成とは認められない。
　
相違点６について
（ａ）半導体製造装置に搭載される半導体製造装置用ウェハ保持体において、「ウェハ搭載面の平面度」を「０．５ｍｍ（＝５００μｍ）以下」とする技術は、例えば、以下の周知文献１、２に記載されているように、従来周知である。
（ａ−１）周知文献１．特開２０００−１１４３５４号の０００１段落には、「【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリング、ＰＶＤ等の成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチングなどのエッチング装置に用いられるウエハ支持加熱用ヒータに関するものであり、特に半導体製造用のウエハ支持加熱用ヒータとして好適なものである。」、００２３段落には、「載置面４はできるだけ平坦に仕上げることが重要で、平面度を２５μｍ以下とすることにより、半導体ウエハＷと載置面４との接地面積を大きくできるため、半導体ウエハＷへ均等に熱を加えることができ、不均一加熱時の熱膨張差による半導体ウエハＷの割れを防ぐことができる。」と記載されている。
（ａ−２）周知文献２．特開２０００−２５２０４５号の０００１段落には、「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等に使用されるＡｌＮ（窒化アルミニウム）焼結体からなるプレートヒーターとその製造方法に関する。」、０００６段落には、「カバープレートの加熱面の平面度（ＪＩＳ　Ｂ０６２１−１９８４）が２０μｍ以下、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が５０μｍ以下であることにより、加熱面温度の最大値と最小値の差が極めて小さくなる。加熱面の平面度が２０μｍを超え、間隔の最大、最小値の差が５０μｍを超えると、加熱面温度の最大、最小値の差が大きくなる。ここで、加熱面温度の最大値と最小値の差（温度むらの程度）は、加熱面の設定温度によって変化し、設定温度が低いほど加熱面温度の最大値と最小値の差は小さく、高いほど加熱面温度の最大値と最小値の差は大きくなる。本発明によれば設定温度が３００℃以下の場合には加熱面温度の最大値と最小値の差が１℃以下となり、設定温度が３００〜６００℃の場合には加熱面温度の最大値と最小値の差が２℃以下となり、設定温度が６００℃を越える場合でも加熱面温度の最大値と最小値の差を５℃以下に抑えることができる。又、平面度が２０μｍを超えると、被加熱物が加熱面と均一に接触することができず、被加熱物を均一に加熱できないという不具合も生じる。好ましい平面度は、１０μｍ以下、又、好ましい間隔の最大、最小値の差は、３５μｍ以下である。ただし、プレートヒーターの加熱面の面積が大きくなる程、加熱面の平面度を小さく加工することが困難となり、８インチサイズ以下のプレートヒーターの場合には１０μｍ以下とする加工は容易にできるが、８インチを越えるサイズのプレートヒーターの場合には、平面度１０μｍを超えて２０μｍ以下とする加工は容易にできるものの、平面度１０μｍ以下の加工は困難となる。」と記載されている。
（ｂ）したがって、刊行物発明において、「ウェハ搭載面の平面度」を「０．５ｍｍ以下」とする周知文献１、２に記載された周知の技術を適用することは、当業者が容易になし得るものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２及び３について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。よって、結論のとおり審決する。