【事件の表示】
　平成９年特許願第３４４９９８号「低温焼成基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年７月２日出願公開、特開平１１−１７７２４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成９年１２月１５日の出願であって、平成１７年７月２１日付で拒絶理由通知がなされ、同年８月２３日付で意見書が提出され、平成１７年７月２１日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、平成１８年１月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月２３日付で手続補正書が提出され、平成１８年４月１１日付で前置報告がなされ、平成１９年８月６日付で審尋がなされ、平成１９年９月２０日に回答書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１８年２月２３日付手続補正についての補正却下の決定
　　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１８年２月２３日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
［２−１］補正の内容 
　平成１８年２月２３日付手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】導電成分として平均粒径が３．０〜５．４μｍのＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有する導電ペーストを印刷したグリーンシートを複数枚積層して低温で焼成することによって得られる低温焼成基板であって、導電ペーストの最大収縮速度を示す焼成温度がグリーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度以上であることを特徴とする低温焼成基板。」
 　　 
［２−２］補正の目的
　上記補正後の請求項１は、補正前の請求項１の「導電ペースト」について、「導電成分として平均粒径が３．０〜５．４μｍのＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有する」との記載を付加して限定するものである。
　したがって、当該補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　　
［２−３］独立特許要件 
　次いで、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、平成１８年２月２３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記［２−１］の【請求項１】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物とその記載事項 
　これに対して、本願出願前に頒布された下記の刊行物１〜６（以下、それぞれ「引用刊行物１」〜「引用刊行物６」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　
引用刊行物１：特開昭６３−６４３９９号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１）
引用刊行物２：特開平２−９４５９５号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２）
引用刊行物３：特開平７−３２６８３５号公報（前置報告書に提示された引用文献３）
引用刊行物４：特開平５−２２１６８６号公報（前置報告書に提示された引用文献４）
引用刊行物５：特開平７−１２２１１３号公報
引用刊行物６：特開平７−８２０４１号公報
　　
（２−１）引用刊行物１：特開昭６３−６４３９９号公報
（１ａ）「（１）セラミック絶縁体と導体とが交互に重なり複数の層を形成するセラミック多層基板において、このセラミック絶縁体は１０００℃以下で焼結するガラスセラミックスであり、導体はＡｇとＰｄの少なくとも１種からなり、導体の組成を（１００−ｘ）Ａｇ，ｘ・Ｐｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）とした場合、前記ガラスセラミックスのガラス軟化点Ｔｓが、Ｔｓ≦（１／２４）（ｘ＋３０）２＋４６４〔℃〕となる・・・セラミック多層基板。
・・・・・
（３）セラミック絶縁体と導体とが交互に重なり複数の層を形成するセラミック多層基板において、このセラミック絶縁体は１０００℃以下で焼結するガラスセラミックスであり導電性金属，有機バインダー，有機溶剤等からなる導体において導電性金属の含有量が５５〜７０重量％である・・・セラミック多層基板。」（特許請求の範囲第１項、第３項）、
　　
（１ｂ）「（c）のグリーンシート積層多層法による多層基板の製造方法は、・・・まず複数枚のセラミックのグリーンシート・・・それぞれ異なるパターンの導体層を印刷・乾燥する・・・次に導体パターンの異なるグリーンシート同士を所望枚数積層し・・・焼成する・・・
　・・・本発明は（c）のグリーンシート積層多層法に関するものである。・・・セラミック絶縁体にガラスとアルミナとの混合物を用い焼結温度を１０００℃以下と低温化させ、その結果、内部導体にＡｇ／Ｐｄ系の非酸化性低融点金属を用いることが可能となり還元雰囲気での焼成は不必要となった。」（第２頁右上欄１１行〜右下欄１６行）、
（１ｃ）「第６図のように絶縁体の収縮開始点が導体よりも低温度の場合、温度Ｔ１にて導体はPointｆのごとく多少収縮を開始している。この時点で導体は軟化の状態である。一方Ｔ１での絶縁体はPointｇの如くすでに大きく収縮が進行しており導体はこの絶縁体の大きな変化に引きづられ収縮してゆく。基板を構成する絶縁体は導体に比べ量が非常に多いため温度Ｔ１での基板の収縮は導体が内蔵されているか否かにかかわらず全体として均一に進行して行く。さらに温度が上昇しＴ２となった場合、Pointｉの如く絶縁体は、すでに収縮を完了し固化しているためPointｈのような導体の変化に対して基板全体としては収縮は発生しない。従って第４図（b）に示すような焼成時の基板変形は発生しない。
　さらに第７図のように導体と絶縁体の収縮開始点が一致する場合、両者の収縮変化が同一のため基板変形は発生しない。
　以上の・・・第６図，第７図にて説明した導体の収縮開始点は導体材料がＡｇ／Ｐｄ系の場合、・・・Ａｇ／ＰｄペーストのＰｄ含有量をｘwt％とした時のＡｇ／Ｐｄペースト（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄの収縮開始点は、第８図より次式〈1〉
（１／２４）（ｘ＋３０）２＋４６４〔℃〕・・・・・・・・・・〈1〉
で算出されることが明らかとなった。さらに絶縁体の収縮開始点は絶縁材料を構成する無機粉体間の原子、イオンレベルの物質の拡散，再配列が生ずる温度を意味するものでありマクロ的には、その材料のガラス軟化点Ｔｓと一致する。従って上記基板変形が発生しない条件は絶縁体のガラス軟化点Ｔｓが〈1〉式で示される導体の収縮開始点よりも同一か又は低温であることが必要である。
Ｔｓ≦（１／２４）（ｘ＋３０）２＋４６４〔℃〕・・・・・・・〈2〉」
（第３頁右下欄５行〜第４頁左上欄末行）、
（１ｄ）「内部導体に含有する導電性金属の含有率は５５〜７０重量％である必要がある。含有率が７０重量％を越える場合、グリーンシート上に印刷形成された導体層中の導電性金属粉は互いに非常に近接しており導体粉同士の接触点が多い状態である。このような状態で焼成時のエネルギーが加えられた場合、粉体間の原子及びイオンの拡散が通常よりも容易に発生し、その結果、焼成収縮開始点が絶縁材料のガラス軟化点Ｔｓよりも低温へシフトし、焼成時の基板変形が生じる。」（第４頁右上欄９〜１８行）が記載されている。
（１ｅ）第６図に示されたセラミック多層基板の導体、絶縁体の収縮曲線において、該導体の収縮開始点は、該絶縁体の収縮開始点より高温度であり、また、該導体、絶縁体の収縮曲線は、双方の収縮の進行中、同程度の温度差を保ちつつほぼ平行に推移することが見て取れる。
（１ｆ）第７図に示されたセラミック多層基板の導体、絶縁体の収縮曲線において、該導体、絶縁体の収縮開始点、及び、双方の収縮が進行中の収縮曲線の推移は一致していることが見て取れる。
　　
　なお、当起案システムでの表示の都合上、丸数字１、２に代えて「〈1〉」、「〈2〉」を用い、また、数式内の「２４分の１」の分数を「（１／２４）」と表示した。
　　
（２−２）引用刊行物２：特開平２−９４５９５号公報
（２ａ）「導体ペーストの収縮終了温度をグリーンシートの収縮終了温度より高くするような材料を使用する・・・多層セラミックス基板の製造方法。」（特許請求の範囲）、
（２ｂ）「セラミックスの材料の平均粒径が小さいほど縮終了温度が低温側に移動し、平均粒径が大きいほど収縮終了温度が高温側に移動することを利用して、導体ペーストの収縮終了温度をグリーンシートの収縮終了温度より高くすることによって多層セラミックス基板の反り等の変形や導体の断線を防止しようとするものであり、更に、このようにすることによって平均粒径が大きくなると収縮終了温度が高くなることを利用して導体のシート抵抗をも下げようとするものである。」（第２頁左上欄１〜１１行）、
（２ｃ）「表−２、表−３からわかるように導体ペーストの平均粒径が大きくなるとシート抵抗値が小さくなることがわかる。更に、収縮率は、材料の充填率に支配されることがわかった。即ち、充填率が高いほど収縮率は小さくなり、充填率が低いほど収縮率は大きくなる。そこで材料の充填率をコントロールするため、・・・導体ペーストの場合は、印刷性を付与するために添加するビヒクル量により充填率をコントロールすればよい。本発明に係る多層セラミックス基板は・・・導体ペーストの収縮終了温度をグリーンシート収縮終了温度より高くするように導体ペーストの平均粒径を大きくするかグリーンシートの平均粒径を小さくするように選択したものである。」（第２頁右上欄１４行〜左下欄１５行）、
（２ｄ）「焼成温度＝８５０℃、６時間、空気中雰囲気」（第３頁左下欄７行）が記載されている。
（２ｅ）表２には、Ｎｏ．７のＡｇ，Ｐｄ導体ペーストの平均粒径が３．１μｍ、収縮終了温度が９９０℃であること、Ａｇ，Ｐｄ導体ペーストの平均粒径が０．５μｍから３．１μｍまで大きくなるにつれて収縮終了温度が高くなること、Ｎｏ．２〜４の平均粒径が同じＡｇ，Ｐｄ導体ペーストにおいてビヒクル量が増えるにつれて、収縮率が高くなることが示されている。
（２ｆ）表４には、上記Ｎｏ．７のＡｇ，Ｐｄ導体ペーストと、該導体ペーストより低い収縮終了温度のグリーンシートとを組合せて用いたサンプルＮｏ．６において、反り及び断線がなかったことが示されている。
　　
（２−３）引用刊行物３：特開平７−３２６８３５号公報
（３ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】 ８００〜１０００℃で焼成可能なガラス−セラミック材料から成る単層または多層の基体上に、表面配線となる導体膜を一体的に焼成して成る低温焼成セラミック回路基板において、・・・前記導体膜を、少なくとも０．５ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ系導体から成る低温焼成セラミック回路基板。」、
（３ｂ）「【００２５】・・・導電性ペーストを作成する上での金属粉末の実用的な一範囲として、Ａｇ粉末が８０〜９９．５ｗｔ％、Ｐｔ粉末が０．５〜１０ｗｔ％、Ｐｄ粉末が０〜１０ｗｔ％が挙げられる。上述のＡｇ粉末の平均粒径は０．２〜７．０μｍで、より好ましくは０．５〜５．０μｍである。この範囲から外れると焼成後の基体の反りが顕著となる。」、
（３ｃ）「【００５６】次に、平均粒径３μｍのＡｇ粉末と、平均粒径０．５μｍのＰｔ粉末と、必要に応じて平均粒径０．５μｍのＰｄ粉末と、必要に応じて平均粒径０．５μｍのホウケイ酸ガラス粉末、必要に応じて所定量のＳｉＯ２、ＳｎＯなどの金属酸化物と、チタネート系カップリング剤とに、エチルセルロース、ペンタンジオールモノイソブチレートを適量加え、３本ロールミルで混練しペーストを形成した。
【００５７】次に、上述のグリーンシート上に上述の導電性ペーストをスクリーン印刷方法で所定形状の導体膜を形成し、５枚重ね合わせて加熱圧着し、表面配線２となる導体膜を有する積層体１（基体）を作成して、その後、大気雰囲気で９００℃で焼成した。」が記載されている。
　　
（２−４）引用刊行物４：特開平５−２２１６８６号公報
（４ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】Ａｇを主体とする導電材と、ガラスフリットを含む無機結合剤とをビヒクル中に分散した・・・導体ペースト組成物。
【請求項２】前記導電材に対する前記ガラスフリットの含有量が１〜１０重量％である請求項１に記載の導体ペースト組成物。」、
（４ｂ）「【００３６】導電材粒子の平均粒径は、０．０１〜１０μｍ程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒径が０．０１μm 未満であると収縮率が大きくなりすぎ、また１０μm を超えると導体ペースト組成物の印刷性、分散性が悪くなるからである。」、
（４ｃ）「【００３８】なお、一般に、導体ペースト組成物中のビヒクルの含有率は、１０〜７０重量％程度である。
【００３９】本発明の導体ペースト組成物は、導電材粒子と無機結合剤とを混合し、これにバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化することにより製造される。・・・
【００４０】本発明の導体ペースト組成物は、通常、配線基板端面に所定のパターンに印刷されて焼成するなどして使用される。」、
（４ｄ）「【００４３】多層配線基板を構成する絶縁性基板の材料としては、・・・酸化物骨材とガラスとを含む低温焼成材料が好ましい。」が記載されている。
　　
（２−５）引用刊行物５：特開平７−１２２１１３号公報
（５ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】Ａｇ・・・が９９．５〜９０重量％、ＣａＯが０．５〜１０重量％からなり、さらにガラス成分が外割りで０〜１０重量％及び適量の有機ビヒクルからなる・・・導体ペースト。
【請求項２】Ａｇの平均粒径が、０．５〜５．０μｍである・・・請求項１記載の導体ペースト。
【請求項３】内部配線を形成してなる低湿焼成セラミック配線基板において、Ａｇ・・・が９９．５〜９０重量％、ＣａＯが０．５〜１０重量％からなり、さらにガラス成分が外割りで０〜１０重量％及び適量の有機ビヒクルからなる導体ペーストを、内部配線に用いる・・・低温焼成セラミック配線基板。」、
（５ｂ）「【００１９】表１から明らかなように、実施例１〜１５においては、導体中のＣａＯの割合が０．５〜１０重量％、Ａｇの平均粒径が０．５〜５．０μｍ、ガラス成分の割合が１０重量％以下の基板については、いずれも基板内部の導体と基板との界面にデラミネーションやボイド及び基板のソリがなく、・・・
【００２０】これに対して比較例では、・・・Ａｇの平均粒径が０．５〜５．０μｍの範囲外にあると基板にソリが生じ」が記載されている。
（５ｃ）【表１】には、Ａｇwt％が９９．５〜９０、ＣａＯwt％が０．５〜１０、Ａｇ平均粒径μｍが３．０である実施例１〜４、Ａｇwt％が９７．０、ＣａＯwt％が３．０、ガラス成分（外割）wt％が３、Ａｇ平均粒径μｍが３．０、又は５．０である実施例１０、１１の各基板においてソリがなく、Ａｇwt％が９７．０、ＣａＯwt％が３．０、ガラス成分（外割）wt％が３、Ａｇ平均粒径μｍが０．３、又は７．０である比較例５、６の基板においてソリがあることが示されている。
　　
（２−６）引用刊行物６：特開平７−８２０４１号公報
（６ａ）「【００１３】導体ペーストにてパターンを形成する場合、銀粉・・・等の導体粉を構成する導体粒子の平均径（・・・）は、１〜４μm 、好ましくは２〜３μm とする。・・・
【００１４】導体ペースト中の導体粉の含有量は、６０〜９５重量％、特に７０〜９０重量％とすることが好ましい。含有量が少なすぎると比抵抗が減少し、Ｑ値が低下し、焼成後のパターンの一部が断線したり、比抵抗やＱ値がばらついたりしてくる。一方、含有量が多すぎるとペーストの粘度が増大し、パターン形成が困難となってくる。
【００１５】本発明では、ガラス粉を含む導体ペーストを用いてもよい。ガラス粉は、導体ペーストの焼結モードをセラミック材料層の焼結モードに近づける作用をはたし、セラミック材料層のクラックや多層セラミック部品の反りを防ぐ。・・・
【００１６】・・・このようなガラス粉を添加することにより、導体粉の焼結開始温度を高くすることが可能となり、内部導体層とセラミック素体との収縮挙動をほぼ一致させることができる。その結果、多層セラミック部品の反りやデラミネーションを抑制することができる。」、
（６ｂ）「【００１９】ガラス粉を用いる場合、内部導体ペースト中のガラス粉の含有量は、１０重量％以下、特に１〜１０重量％、さらには３〜８重量％が好ましい。・・・
【００２０】内部導体ペーストには、銀粉等の導体粉と必要に応じて添加されるガラス粉の他、ビヒクルが含まれる。・・・ペースト中のビヒクルの含有量は、１０〜２０重量％程度とすることが好ましい。」、
（６ｃ）「【００４２】【実施例】・・・平均径３．０μm の球状の粒子からなる銀粉（純度９９．９％以上）、または、この銀粉とガラス粉とを、らいかい機によりビヒクル中に分散した。得られた混合物にさらにビヒクルを添加し、３本ロールで混練して内部導体ペーストとした。ビヒクルには、バインダとしてアクリル樹脂、溶剤としてテルピネオールを用いた。
【００４３】各成分の混合比率は、
銀粉＋ガラス粉　　　　　　９０重量％、
有機バインダ　　　　　　２．５重量％、
有機溶剤　　　　　　　　７．５重量％
とした。ガラス粉添加量｛ガラス粉／（銀粉＋ガラス粉）｝（体積％）を、表１に示す。」、
（６ｄ）「【００４６】これとは別に、平均径１．９μm のガラス粒子７０体積％と、平均径１．５μm のＡｌ２Ｏ３粒子１５体積％と、平均径１．０μm のＴｉＯ２粒子１５体積％とを含有する誘電体材料を作製した。そしてこの誘電体材料１００重量部に対しビヒクルを７３重量部添加し、ボールミルで混合してスラリー化した。・・・
【００４７】この誘電体材料のスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ０．２５mmのグリーンシートを作製した。次いで各グリーンシートに、前記内部導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷してストリップ線路およびグランドプレーンを形成した後、熱プレスにより積層してグリーンシート積層体を得た。そして、この積層体を脱脂後、空気中において焼成した。焼成温度および温度保持時間を表１に示す。」が記載されている。
（６ｅ）【表１】には、試料Ｎｏ．２〜４として、、ガラス粉（vol％）が０、焼成温度（℃）が９００、導体粒子平均径（μｍ）初期が３．０のものが示されている。
　　
（３）対比・判断
（ア）摘記（１ａ）によれば、引用刊行物１には、「セラミック絶縁体と導体とが交互に重なり複数の層を形成するセラミック多層基板において、このセラミック絶縁体は１０００℃以下で焼結するガラスセラミックスであり、導体はＡｇとＰｄの少なくとも１種からなり、導体の組成を（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）とした場合、前記ガラスセラミックスのガラス軟化点Ｔｓが、Ｔｓ≦（１／２４）（ｘ＋３０）２＋４６４〔℃〕となるセラミック多層基板」が記載されている。
（イ）上記「セラミック絶縁体は１０００℃以下で焼結するガラスセラミックスであり、導体はＡｇとＰｄの少なくとも１種からなり、導体の組成を（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）とした・・・セラミック多層基板」は、摘記（１ｂ）によれば、「それぞれに異なるパターンの導電層を印刷・乾燥する・・・グリーンシート同士を所望枚数積層し・・・焼成」して製造され、「セラミック絶縁体にガラスとアルミナとの混合物を用い焼結温度を１０００℃以下と低温化させ、その結果、内部導体にＡｇ／Ｐｄ系の非酸化性低融点金属を用いることが可能となり還元雰囲気での焼成は不必要となった」ものであるから、Ａｇ／Ｐｄペースト（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）を印刷したグリーンシートを所望枚数積層して１０００℃以下の温度で焼成した低温焼成基板であるといえる。
（ウ）上記「導体の組成を（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）とした場合、前記ガラスセラミックスのガラス軟化点Ｔｓが、Ｔｓ≦（１／２４）（ｘ＋３０）２＋４６４〔℃〕となる」とは、摘記（１ｃ）によれば、「Ａｇ／Ｐｄペースト（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄの収縮開始点」は「（１／２４）（ｘ＋３０）２＋４６４〔℃〕」で算出される一方、「絶縁体の収縮開始点は絶縁材料を構成する無機粉体間の原子、イオンレベルの物質の拡散，再配列が生ずる温度を意味するものでありマクロ的には、その材料のガラス軟化点Ｔｓと一致する」のであるから、絶縁体の収縮開始点が、導体の収縮開始点と同じ温度か、又は導体の収縮開始点より低い温度となること、即ち、Ａｇ／Ｐｄペーストの収縮開始点の温度が、グリーンシートの収縮開始点の温度以上であることを規定しているものといえる。
　そして、上記（ア）〜（ウ）の事項を踏まえ、摘記（１ａ）の特許請求の範囲第１項の記載を中心にして摘記（１ａ）〜（１ｃ）を総合すると、引用刊行物１には、
「Ａｇ／Ｐｄペースト（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）を印刷したグリーンシートを所望枚数積層して１０００℃以下の温度で焼成した低温焼成基板であって、該Ａｇ／Ｐｄペーストの収縮開始点の温度が、グリーンシートの収縮開始点の温度以上である低温焼成基板」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明における「Ａｇ／Ｐｄペースト（１００−ｘ）Ａｇ・ｘＰｄ（但しｘはＰｄの重量％で０≦ｘ≦３０）」は、本願補正発明における「導電ペースト」に相当し、また、引用発明における「グリーンシートを所望枚数積層して１０００℃以下の温度で焼成した」は、本願補正発明における「グリーンシートを複数枚積層して低温で焼成する」に相当する。
　また、引用発明における「Ａｇ／Ｐｄペーストの収縮開始点の温度」は、その温度で収縮が開始され、その温度以上で収縮が進行することから、本願補正発明における「導電ペーストの収縮速度を示す焼成温度」の最下温度に相当し、また同様に、引用発明における「グリーンシートの収縮開始点の温度」は、本願補正発明における「グリーンシートの収縮速度を示す焼成温度」の最下温度に相当する。
　　
　そうすると、両発明は、「導電ペーストを印刷したグリーンシートを複数枚積層して低温で焼成することによって得られる低温焼成基板であって、導電ペーストの収縮速度を示す焼成温度がグリーンシートの収縮速度を示す焼成温度以上である低温焼成基板」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点１：導電ペーストが、本願補正発明では、導電成分として平均粒径が３．０〜５．４μｍのＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有するのに対し、引用発明では、そのように限定されていない点。
　　
相違点２：本願補正発明では、導電ペーストの最大収縮速度を示す焼成温度が、グリーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度以上であるのに対し、引用発明では、Ａｇ／Ｐｄペーストの収縮開始点の温度が、グリーンシートの収縮開始点の温度以上である点。
　　
（４）相違点の検討
　上記相違点について以下検討する。
（４−１）相違点１について
　引用刊行物２に、低温焼成多層セラミックス基板のＡｇ，Ｐｄ導体ペーストに、平均粒径３．１μｍのＡｇ，Ｐｄ粉末を用いることが記載されており（摘記（２ｅ）参照）、引用刊行物３に、低温焼成セラミック回路基板のＡｇ系導電性ペーストに、平均粒径３μｍのＡｇ粉末を用いることが記載されており（摘記（３ｃ）参照）、引用刊行物４に、低温焼成多層配線基板のＡｇを主体とする導体ペーストに、平均粒径０．０１〜１０μｍのＡｇ粉末を用いることが記載されており（摘記（４ｂ）参照）、引用刊行物５に、低温焼成セラミック配線基板のＡｇ系導体ペーストに、平均粒径３．０μｍ、又は５．０μｍのＡｇ粉末を用いることが記載されており（摘記（５ｃ）参照）、引用刊行物６に、低温焼成多層セラミック基板の銀系導電ペーストに、平均粒径３．０μｍの銀粉を用いることが記載されているように（摘記（６ｃ）（６ｅ）参照）、低温焼成基板の導電ペーストに平均粒径が３．０〜５．４μｍ程度のＡｇ粉末を用いることは本出願前周知の事項であるといえる。
　また、引用刊行物４に、低温焼成多層配線基板のＡｇを主体とする導体ペースト中のガラスフリットの含有率は１〜１０重量％、同導体ペースト中のビヒクルの含有率は１０〜７０重量％程度であり、該ガラスフリットとビヒクルの含有率が共に低い場合には、同導体ペースト中のＡｇ粉末の含有率が９０重量％近くになるものが記載されており（摘記（４ａ）（４ｃ）参照）、また、引用刊行物６に、低温焼成多層セラミック基板の銀系導電ペースト中のビヒクルの含有率を１０重量％とし、銀粉の含有率を９０重量％とするものが記載されているように（摘記（６ｃ）（６ｅ）参照）、低温焼成基板の導電ペーストにＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有させることは本出願前周知の事項であるといえる。
　　
　ところで、引用刊行物１の特許請求の範囲第３項には、「導電性金属，有機バインダー，有機溶剤等からなる導体において導電性金属の含有量が５５〜７０重量％である」と記載されており（摘記（１ａ）参照）、また、発明の詳細な説明の発明の限定理由を記載した欄には、「内部導体に含有する導電性金属の含有率は５５−７０重量％である必要がある。含有率が７０重量％を越える場合、グリーンシート上に印刷形成された導体層中の導電性金属粉は互いに非常に近接しており導体粉同士の接触点が多い状態である。このような状態で焼成時のエネルギーが加えられた場合、粉体間の原子及びイオンの拡散が通常よりも容易に発生し、その結果、焼成収縮開始点が絶縁材料のガラス軟化点Ｔｓよりも低温へシフトし、焼成時の基板変形が生じる。」と記載されているので（摘記（１ｄ）参照）、上記特許請求の範囲第３項に係る発明の導電性金属の含有量についての限定理由は、上述のとおりのものといえる。
　しかしながら、引用刊行物１の特許請求の範囲第１項には、上記導電性金属の含有量についての限定はなく、同項に係る発明では、絶縁材料のガラス軟化点Ｔｓと導体の焼成収縮開始点の関係を表した数式のとおり、導体の焼成収縮開始点が絶縁材料のガラス軟化点Ｔｓ以上であればよいものである。
　そして、該数式により明らかなように、導体層のＰｄが増えれば、導体層の焼成収縮開始点は高温へシフトするので、導体層の焼成収縮開始点をＰｄ含有量により絶縁材料のガラス軟化点Ｔｓ以上に調節することも可能であり、また、導体層中の導電性金属粉含有率が７０重量％を越える高い含有率の場合も、導体粉の平均粒径を大きくしてその個数を減らせば、「導体粉同士の接触点が多い状態」になるとは限らないので、導体層中の導電性金属粉含有率が７０重量％を越えても、必ずしも「粉体間の原子及びイオンの拡散が通常よりも容易に発生し、その結果、焼成収縮開始点が絶縁材料のガラス軟化点Ｔｓよりも低温へシフト」することにはならない。
　　
　そうすると、引用発明において、導体層中の導電性金属粉含有率を、７０重量％を越える高い含有率にできないとはいえず、また、上述したとおり、低温焼成基板に用いる導電ペーストにＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有させること、及び、低温焼成基板の導電ペーストに平均粒径が３．０〜５．４μｍ程度のＡｇ粉末を用いることが本出願前周知の事項であるから、引用発明において、平均粒径が３．０〜５．４μｍのＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有する導電ペーストを用いることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
（４−２）相違点２について
　摘記（１ｃ）の「第６図のように絶縁体の収縮開始点が導体よりも低温度の場合、温度Ｔ１にて導体はPointｆのごとく多少収縮を開始している。この時点で導体は軟化の状態である。一方Ｔ１での絶縁体はPointｇの如くすでに大きく収縮が進行しており導体はこの絶縁体の大きな変化に引きづられ収縮してゆく。基板を構成する絶縁体は導体に比べ量が非常に多いため温度Ｔ１での基板の収縮は導体が内蔵されているか否かにかかわらず全体として均一に進行して行く。さらに温度が上昇しＴ２となった場合、Pointｉの如く絶縁体は、すでに収縮を完了し固化しているためPointｈのような導体の変化に対して基板全体としては収縮は発生しない。従って第４図（b）に示すような焼成時の基板変形は発生しない。さらに第７図のように導体と絶縁体の収縮開始点が一致する場合、両者の収縮変化が同一のため基板変形は発生しない」との記載、及び第６図、第７図に示されたセラミック多層基板の導体、絶縁体の収縮曲線（摘記（１ｅ）（１ｆ）参照）によれば、第６図に示された、導体の収縮開始点が絶縁体の収縮開始点より高温度であるセラミック多層基板では、該絶縁体の方が該導体より早く収縮して固化するので、焼成時の基板変形が発生することはなく、また、両収縮曲線は、収縮の進行中、同程度の温度差を保ちつつほぼ平行に推移するので、該導体の最大収縮速度を示す焼成温度が該絶縁体の最大収縮速度を示す焼成温度以上であることは明らかである。
　また、第７図に示された、導体と絶縁体の収縮開始点が一致するセラミック多層基板では、導体と絶縁体の収縮変化が同一のため、基板変形が発生することはなく、また、導体と絶縁体の収縮中の両収縮曲線が一致しているので、該導体の最大収縮速度を示す焼成温度と該絶縁体の最大収縮速度を示す焼成温度とが同じであること、即ち、該導体の最大収縮速度を示す焼成温度が「該絶縁体の最大収縮速度を示す焼成温度以上」の範囲にあることは明らかである。
　そうすると、Ａｇ／Ｐｄペーストの最大収縮速度を示す焼成温度がグリーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度以上である場合に基板変形が発生しないことが、引用刊行物１の上記の記載（摘記（１ｃ）（１ｅ）（１ｆ）、第６図、第７図）により明らかであるから、基板変形が発生しないように、引用発明における導電ペースト（Ａｇ／Ｐｄペースト）の最大収縮速度を示す焼成温度を、グリーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度以上とすることは、引用刊行物１の記載に基づいて当業者が適宜に設定できたものと認められる。
　　
　そして、本願補正発明の効果も、引用刊行物１に記載された発明及び周知の事項から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとは認められない。
　　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（５）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１８年２月２３日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１に係る発明は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
「【請求項１】導電ペーストを印刷したグリーンシートを複数枚積層して低温で焼成することによって得られる低温焼成基板であって、導電ペーストの最大収縮速度を示す焼成温度がグリーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度以上であることを特徴とする低温焼成基板。」
 　　 
［４］引用刊行物に記載された発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１には、上記［２−３］（３）で述べたとおりの引用発明が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明における「導電ペースト」についての「導電成分として平均粒径が３．０〜５．４μｍのＡｇ粉末を８６〜９０重量％含有する」ことを省いたものであり、本願補正発明の上記相違点１に係る発明特定事項を具備しないので、引用発明とは、上記［２−３］（３）で述べた本願補正発明と引用発明との一致点と同様の点で一致し、上記相違点２と同様の相違点のみで相違する。
　そして、上記［２−３］（４）で検討したように、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用刊行物１の記載に基づいて当業者が適宜に設定できたものと認められ、それによる効果も格別なものとは認められない。
　そうすると、本願発明の上記相違点に係る、本願補正発明の上記発明特定事項と同様の発明特定事項も、同様の理由により、引用刊行物１の記載に基づいて当業者が適宜に設定できたものと認められ、それによる効果も格別なものとは認められない。
　　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。