【事件の表示】
　特願２００３−３６０７８９「集積回路付加速度センサー」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１９日出願公開、特開２００５−１２７７４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２１日付の出願であって、平成１８年４月１２日付（発送日平成１８年４月２１日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年５月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年５月１０日付手続補正書による補正（以下、「本願補正」という。）についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論]
　本願補正を却下する。
　
[理由]
１．補正の内容
　本願補正は、特許請求の範囲の請求項１の内容を、補正前の、
　「【請求項１】
　支持枠と支持枠に可撓部を介して保持される錘部、可撓部に設けられた半導体ピエゾ抵抗素子と配線よりなる加速度センサー素子を保護ケース内に保持し、錘部上方には錘部の動きを規制するＩＣ板を備える加速度センサーであって、過度の加速度を受けて錘部が変位したとき、加速度センサー素子の錘部の配線上面がＩＣ板下面に接触しないように、錘配線部および錘張出し部の少なくとも一方に突起を設けたことを特徴とする集積回路付加速度センサー。」
から、
　「【請求項１】
　
シリコン板とシリコン層がシリコン酸化層で接合されたＳＯＩウェファーの、シリコン板とシリコン酸化層、シリコン層で支持枠と錘部、シリコン層で可撓部を構成し、
と補正する補正事項を含むものである。（なお、下線は、補正箇所を示すために請求人が付したものである。）
　
２．補正の適否
　上記の補正内容は、請求項１に係る発明特定事項である「支持枠」、「錘部」、「可撓部」について、これらが「シリコン板とシリコン層がシリコン酸化層で接合されたＳＯＩウェファーの、シリコン板とシリコン酸化層、シリコン層で支持枠と錘部、シリコン層で可撓部を構成」したものであるとの限定を付加したものである。
　したがって、上記補正事項は、平成１８年法改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３．刊行物記載の発明・事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３３７５７０号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面とともに下記の事項が記載されている。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板を加工して形成される加速度センサに関するものである。」（段落【０００１】）
　
（イ）「【０００２】
【従来の技術】図１６は、従来の加速度センサの構成を示す構成図である。この図において、センサチップ１は異方性エッチング加工が施されて裏面にダイヤフラムから成る薄肉の支持体３が形成され、該センサチップ１の中央部側にはマス部４が、周端縁側には厚肉部５がそれぞれ形成される。また、マス部４の周囲には、貫通溝６が形成されている。このマス部４と厚肉部５は、前記エッチング加工により形成された支持体３によってのみ連結され、この支持体３は片持ち支えとしてマス部４を支持している。さらに、前記支持体３の表面には、ゲージ抵抗７が形成され、これらゲージ抵抗７を結線することでホイートストンブリッジ回路を構成している。
【０００３】このセンサチップ１の厚肉部５の両面側にガラスストッパ２ａ、２ｂが陽極接合により接合されるが、ガラスストッパ２ａ、２ｂにはそれぞれ凹部９が設けられており、マス部４と、マス部４と対向するガラスストッパ２ａ、２ｂとの間には隙間８が形成される。この隙間８は、加速度が加わった際のマス部４の揺動範囲であり、ガラスストッパ２ａ、２ｂはマス部４が加速度センサの垂直方向（図１６矢印で示す方向）に過度に変位することを規制する働きをしている。」（段落【０００２】〜【０００３】）
　
（ウ）「【０００５】次に、この加速度センサの動作を説明する。いま、加速度αが加速度センサチップ１と垂直方向に加えられると、マス部４に力Ｆ＝ｍαが発生する。この力Ｆによって支持体３が撓み、表面に歪みが発生し、この歪みによって支持体３の表面に形成されたゲージ抵抗７の値が変化する。このとき、外部から電圧をホイートストンブリッジ回路に供給すると、このゲージ抵抗７の抵抗値の変化により、加速度に比例した電圧信号をワイヤ１２を介して外部に検出する構造となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このように構成された加速度センサは、製造時に、マス部４が支持体３と同一のシリコンウェハから異方性エッチング加工により形成されるため、マス部４の重さを増加させ、感度を向上させることが困難であった。」（段落【０００５】〜【０００６】）
　
（エ）「【００２０】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１〜図３は、本発明の実施形態１を示す断面図である。なお、本実施形態及び以下に述べる実施形態の基本構成は、従来例とほぼ共通するので共通する部分については同一の符号を付して説明を省略することとし、本実施形態及び以下に述べる実施形態の特徴となる部分についてのみ説明することとする。
【００２１】本実施形態は、図１に示すように、センサチップ１のマス部４の少なくとも一面に半導体から成る重り１０（以下、シリコン重りと呼ぶ）をガラス薄膜１１により接合したことに特徴がある。」（段落【００２０】〜【００２１】）
　
（オ）「【００２５】一方、シリコン重り１０と対向するガラスストッパ２ａ、２bには凹部９が形成され、凹部９の深さが充分深いために、マス部４との間にシリコン重り１０が配置されるのに充分な空間が確保される。このため、上述のようにシリコン重り１０をマス部４に接合しても、シリコン重り１０と対向するガラスストッパ２ａとの間には一定の隙間８が設けられ、マス部４が揺動可能となる。そして、ガラスストッパ２ａの凹部９の深さを変えることにより、隙間８の幅を設定し、マス部４の揺動範囲を制御することができる構造となっている。」（段落【００２５】）
　
（カ）「【００３２】・・・
（実施形態４）本実施形態では、図６に示すように、センサチップ１の両面に接合されるストッパ１５ａ、１５ｂがシリコン材料から構成され、このシリコンストッパ１５ａ、１５ｂの両端はセンサチップ１両面にガラス薄膜１１により接合されている。これにより、シリコンストッパ１５ａ、１５ｂがセンサチップ１と同じシリコン材料から構成され、熱膨張係数が等しくなり、これらの接合時に支持体３に応力が加わることもない。・・・
【００３３】さらに、このシリコンストッパ１５ａの表面に、図７に示すように、温度及び感度補償回路や出力増幅回路等の半導体集積回路（ＩＣ）１６を形成すれば、半導体集積回路１６をストッパと兼用することになるので、実装面積を小さくできる。このＣＭＯＳやバイポーラトランジスタ等から構成される半導体集積回路１６は、低融点のガラス薄膜１１で、低温かつ低電圧でシリコンストッパ１５ａ上面に接合されるため歪みがなく、従来の陽極接合であったような放電破壊や特性変動をなくすることができる。・・・
（実施形態５）・・・
（実施形態６）・・・
（実施形態７）本実施形態では、シリコン重り１０に、図１０に示すように、ガラスストッパ２ａと対向する側の面に凸部１９を設け、シリコン重り１０の両端部又は周辺部とマス部４をガラス薄膜１１により接合している。これにより、シリコン重り１０の凸部１９の頂上付近のガラスストッパ２ａとの隙間８は狭くなり、外部から過度の加速度が加わった際に、シリコン重り１０の凸部1９が、まず対向するガラスストッパ２ａと接触する構造となっている。そして、このとき、シリコン重り１０は、両端部又は周辺部がマス部４の幅広の面に接合され、その中央下部は接合されず空間が設けられているので、シリコン重り１０が撓み、これにより、加速度センサに加わる過度の衝撃を緩和することができる。」（段落【００３２】〜【００３３】）
　
（キ）図面の図７には、マス部４のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面にシリコン重り１０をガラス薄膜１１によって接合した構成、及び、センサチップ１のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面にワイヤ１２を接続した構成が記載されている。
　
　上記摘記事項（エ）の段落【００２０】における「本実施形態及び以下に述べる実施形態の基本構成は、従来例とほぼ共通するので共通する部分については同一の符号を付して説明を省略することとし、本実施形態及び以下に述べる実施形態の特徴となる部分についてのみ説明することとする。」の記載より、摘記事項（カ）の【００３２】〜【００３３】に記載されている実施形態４におけるセンサチップ１の構成は摘記事項（イ）の【０００２】と同様なものであることが読み取れる。
　そうすると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
＜刊行物１記載の発明＞
　「シリコンウェハから、厚肉部５、マス部４、支持体３を形成し、中央部側にはマス部４が、周端縁側には厚肉部５がそれぞれ形成され、マス部４と厚肉部５は、エッチング加工により形成された支持体３によって連結され、支持体３の表面には、ゲージ抵抗７が形成され、ゲージ抵抗７を結線することでホイートストンブリッジ回路が構成されたセンサチップ１と、マス部４の上方には、マス部４の動きを規制するシリコンストッパ１５ａを備え、シリコンストッパ１５ａ表面に半導体集積回路１６を形成した加速度センサであって、
　マス部４のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面にシリコン重り１０をガラス薄膜１１によって接合し、センサチップ１のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面に、ゲージ抵抗７の抵抗値変化を検出するためのワイヤ１２を接続した半導体集積回路１６付加速度センサ。」
　
（２）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−１３６４９４号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面とともに下記の事項が記載されている。
　
（ク）「【００２０】次に、加速度センサ１０の製造方法について説明する。図３は、加速度センサ１０を構成するＳＯＩ基板を示す断面図である。図３（ａ）は、図１に示されたＡＡ’面での断面図であり、図３（ｂ）は、図１に示されたＢＢ’面での断面図である。本図に示されるように、このＳＯＩ基板は、厚み５μｍのＳＯＩ層１５、埋め込み酸化膜としての厚み１μｍの埋め込み絶縁膜１６及び厚み５６０μｍのＳｉ基板である支持基板１７の３層からなる。
【００２１】まず、後ほど形成される一直線上のビーム１３ａ、１３ｂに対応する所定位置にＸ軸方向の加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４を形成し、これと直交するビーム１３ｃ、１３ｄに対応する所定位置に、Ｙ軸方向の加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗Ｒｙ１〜Ｒｙ４を、Ｘ軸と平行で、その近傍にある軸上にＺ軸方向の加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４を形成する。
【００２２】次に、ＳＯＩ基板の表面から埋め込み絶縁膜１６までＳｉディープＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりエッチングを行い、重錘体１２、ビーム１３ａ〜１３ｄ及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄを形成する。そして、裏面から埋め込み絶縁膜１６までＳｉディープＲＩＥにより深堀りエッチングを行い、重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄを形成する。」（段落【００２０】〜【００２２】）
　
（ケ）「【００２５】第１の手法は、ＳＯＩ層１５の電位をブリッジ回路への印加電圧Ｖｄｄ等に固定する方法である。図４は、この第１の安定化手法を説明するための加速度センサ１０の断面図である。ここでは、ＳＯＩ層１５に２つのピエゾ抵抗２３が形成され、ＳＯＩ層１５の上面には酸化膜が形成されている。ＳＯＩ層１５に形成されたピエゾ抵抗２３の両端には、絶縁膜１８を貫通してその上面に露出する金属配線によって、ピエゾ抵抗負電極２１及びピエゾ抵抗正電極２２が形成されている。そして、ピエゾ抵抗２３の左側には、同様の金属配線によって、ＳＯＩ層１５と電気的に接続されるコンタクト電極２０が形成されている。」（段落【００２５】）
　
　上記摘記事項（ク）、（ケ）及び図面の図３に記載の断面図からみて、刊行物２には次の事項が記載されているものと認められる。
　
＜刊行物２記載の事項１＞
　「ＳＯＩ層１５、埋め込み絶縁膜１６及びＳｉ基板である支持基板１７の３層からなるＳＯＩ基板により加速度センサ１０を構成し、ＳＯＩ層１５、埋め込み絶縁膜１６及び支持基板１７で枠部１１、重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄを、ＳＯＩ層１５でビーム１３ａ〜１３ｄを形成し、ビーム１３ａ〜１３ｄにピエゾ抵抗を形成した加速度センサ１０。」
　
＜刊行物２記載の事項２＞
　「ＳＯＩ基板により構成した加速度センサ１０において、ビーム１３ａ〜１３ｄにピエゾ抵抗を形成し、ピエゾ抵抗の端部には、絶縁膜１８を貫通してその上面に露出する金属配線を設けた加速度センサ１０。」
　
４．対比
　本願補正発明１（前者）と刊行物１記載の発明（後者）とを対比する。
　・後者の「厚肉部５」、「マス部４」、「支持体３」、「センサチップ１」、「半導体集積回路１６付加速度センサ」は、それぞれ、前者の「支持枠」、「錘部」、「可撓部」、「加速度センサー素子」、「集積回路付加速度センサー」に相当する。
　・後者の「シリコンウェハ」と、前者の「シリコン板とシリコン層がシリコン酸化層で接合されたＳＯＩウェファー」とは、「シリコンを基材とするウェファー」である限りで一致する。
　・後者の「ゲージ抵抗７を結線することでホイートストンブリッジ回路が構成されたセンサチップ１」と、前者の「半導体ピエゾ抵抗素子と配線よりなる加速度センサー素子」とは、「変形によって抵抗値が変化する抵抗素子と配線よりなる加速度センサー素子」である限りで一致する。
　・後者の、表面に半導体集積回路１６を形成した「シリコンストッパ１５ａ」は、前者の「ＩＣ板」に相当する。
　・上記摘記事項（オ）の記載からみて、後者の「シリコン重り１０」は、過度の加速度を受けた際に、マス部４の揺動範囲を制御する機能を有していることは明らかである。そうすると、後者の「シリコン重り１０」は、前者の「突起」に相当し、後者の「マス部４のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面にシリコン重り１０をガラス薄膜１１によって接合」することと、前者の「過度の加速度を受けて錘部が変位したとき、加速度センサー素子の錘部の配線上面がＩＣ板下面に接触しないように、錘配線部および錘張出し部の少なくとも一方に突起を設けた」こととは、「過度の加速度を受けて錘部が変位したとき、加速度センサー素子の錘部がＩＣ板下面に接触しないように、錘部に突起を設けた」限りで一致する。
　
　以上のことから、本願補正発明１と刊行物１記載の発明とは、次の一致点、及び、相違点１ないし３を有している。
　
＜一致点＞
　「シリコンを基材とするウェファーで支持枠、錘部、可撓部を構成し、支持枠と支持枠に可撓部を介して保持される錘部、可撓部に設けられた変形によって抵抗値が変化する抵抗素子と配線よりなる加速度センサー素子と、錘部上方には錘部の動きを規制するＩＣ板を備える加速度センサーであって、過度の加速度を受けて錘部が変位したとき、加速度センサー素子の錘部がＩＣ板下面に接触しないように、錘部に突起を設けた集積回路付加速度センサー。」
　
＜相違点１＞
　本願補正発明１においては、加速度センサー素子を「シリコン板とシリコン層がシリコン酸化層で接合されたＳＯＩウェファー」を用い、「シリコン板とシリコン酸化層、シリコン層で支持枠と錘部、シリコン層で可撓部を構成」しており、また、変形によって抵抗値が変化する抵抗素子が「半導体ピエゾ抵抗素子」であるのに対し、刊行物１記載の発明においては、シリコンを基材とするウェファーがＳＯＩウェファーであるか否か明らかでなく、また、抵抗素子が半導体ピエゾ抵抗素子であるか否か明らかでない点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明１においては、加速度センサー素子を「保護ケース内に保持」しているのに対し、刊行物１記載の発明においては、保護ケースの有無について明らかでない点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明１においては、「加速度センサー素子の錘部の配線上面がＩＣ板下面に接触しないように、錘配線部および錘張出し部の少なくとも一方に突起を設け」ているのに対し、刊行物１記載の発明においては、マス部４の表面における配線の存在について明らかでなく、また、刊行物１記載の発明においては、シリコン重り１０を設ける箇所であるマス部４において、本願補正発明１における「錘配線部」あるいは「錘張出し部」に相当する構成が存在しているか否かが明らかでない点。
　
５．判断
　上記相違点１ないし３について検討する。
　
＜相違点１について＞
　上記刊行物２には、「ＳＯＩ層１５、埋め込み絶縁膜１６及びＳｉ基板である支持基板１７の３層からなるＳＯＩ基板により加速度センサ１０を構成し、ＳＯＩ層１５、埋め込み絶縁膜１６及び支持基板１７で枠部１１、重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄを、ＳＯＩ層１５でビーム１３ａ〜１３ｄを形成し、ビーム１３ａ〜１３ｄにピエゾ抵抗を形成した加速度センサ１０。」が記載されている（上記「３．刊行物記載の発明・事項（２）」の＜刊行物２記載の事項１＞を参照）。刊行物１記載の発明と刊行物２に記載の加速度センサは、共に、シリコンを基材とするウェファーにて加速度センサー素子を構成する点で共通することからすれば、刊行物１記載の発明に対し、刊行物２に記載の事項を適用して上記相違点１に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点２について＞
　シリコンを基材とするウェファーにて構成した加速度センサーを保護ケース内に保持した状態で計測装置に実装することは、例えば、特開平６−１６０４２２号公報（その段落【００１８】に記載の保護ケース９に係る構成を参照）、特開２００３−４７６３号公報（その段落【００２２】に記載のケース本体７、ケース蓋８に係る構成を参照）に記載されるように周知の事項である。刊行物１記載の発明の加速度センサは、シリコンを基材とするウェファーにて加速度センサー素子を構成したものであることからすれば、刊行物１記載の発明に対し、当該周知の事項を適用して上記相違点２に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜相違点３について＞ 
　刊行物１記載の発明においては、シリコン重り１０がマス部４のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面に、ガラス薄膜１１により接合されている。この構造によって、過度の加速度を受けた際にシリコン重り１０とシリコンストッパ１５ａとが接触しても、マス部４を含むセンサチップ１とシリコンストッパ１５ａとは、機械的に接触せず、且つ、ガラス薄膜１１の存在によって電気的にも接触しない状態となっていることは明らかである。
　そして、刊行物１記載の発明においては、センサチップ１のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面に、ゲージ抵抗７の抵抗値変化を検出するためのワイヤ１２が接続されており、当該ワイヤ１２は「ゲージ抵抗７の抵抗値の変化により、加速度に比例した電圧信号をワイヤ１２を介して外部に検出する」（上記「３．刊行物記載の発明・事項（１）」の（ウ）を参照）ものであることからすれば、刊行物１記載の発明において、センサチップ１のシリコンストッパ１５ａに対向する側の面には、外部とゲージ抵抗７とを電気的に接続するなんらかの配線が存在しているとみるのが相当である。一方、刊行物２に記載されるように、ＳＯＩ基板により構成した加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗の端部には、絶縁膜を貫通してその上面に露出する金属配線を設けることは本出願前に公知である（上記「３．刊行物記載の発明・事項（２）」の＜刊行物２記載の事項２＞を参照）。
　してみれば、過度の加速度を受けた際にも、マス部４を含むセンサチップ１とシリコンストッパ１５ａとは、機械的に接触せず、且つ、電気的にも接触しない構成を有しているところの刊行物１記載の発明に対し、刊行物２に記載の事項を適用して上記相違点３に係る特定事項を得ることは当業者が容易に成し得たものである。
　
＜本願補正発明１の作用効果について＞　
　そして、本願補正発明１の作用効果は、刊行物１に記載の発明、刊行物２に記載の事項、及び、上記周知の事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載の発明、刊行物２に記載の事項、及び、上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１．本願発明
　平成１８年５月１０日付手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５にそれぞれ記載された事項により特定されるとおりものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
＜本願発明１＞
　「【請求項１】
　支持枠と支持枠に可撓部を介して保持される錘部、可撓部に設けられた半導体ピエゾ抵抗素子と配線よりなる加速度センサー素子を保護ケース内に保持し、錘部上方には錘部の動きを規制するＩＣ板を備える加速度センサーであって、過度の加速度を受けて錘部が変位したとき、加速度センサー素子の錘部の配線上面がＩＣ板下面に接触しないように、錘配線部および錘張出し部の少なくとも一方に突起を設けたことを特徴とする集積回路付加速度センサー。」
　
２．刊行物記載の発明・事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び同刊行物に記載された発明・事項は、前記「第２　３．刊行物記載の発明・事項（１）ないし（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１の発明特定事項から、その発明特定事項である「支持枠」、「錘部」、「可撓部」について、これらが「シリコン板とシリコン層がシリコン酸化層で接合されたＳＯＩウェファーの、シリコン板とシリコン酸化層、シリコン層で支持枠と錘部、シリコン層で可撓部を構成」したものであるとの限定を限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付加したものに相当する本願補正発明１が前記「第２　５．判断」に記載したとおり、前記刊行物１に記載の発明、刊行物１２に記載の事項、及び、上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明１も同様の理由により、刊行物１に記載の発明、刊行物２に記載の事項、及び、上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明が特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。