【事件の表示】
　特願２０００−　２３８２３「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月１０日出願公開、特開２００１−２１５５２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年２月１日に特許出願したものであって、平成１７年１１月４日付けで手続補正がなされた（以下「本件補正１」という。）が、平成１８年８月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされた（以下「本件補正２」という。）後、当審において、平成２０年５月１３日付けで本件補正２が却下されるとともに、同日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年７月２２日付けで手続補正がなされた（以下「本件補正３」という。）ものである。
　
第２　本件補正３についての却下の決定
　
１　結論
　 本件補正３を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正３は、補正前の明細書の特許請求の範囲（本件補正１による補正後のもの）の請求項２を削除するとともに、請求項１を下記のとおり補正するものである。
　
「　液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して
対向
対向
対向
画素
　前記
画素
れ、
　前記対向電極
は、前記画素
導電
対向
　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなり、
　前記ゲート絶縁膜は前記
対向
　
（２）本願当初明細書の記載
　本願の出願当初の明細書又は図面（以下、これらを総称して「本願当初明細書」という。）には、次の記載がある。
　
　ア　「【請求項２】  液晶を介して配置される第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板の液晶側の面に形成される第１の電極と第２の電極と、を備え、
　前記第１の電極と第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、前記第２の電極は第１の電極より液晶に近い側に形成されており、
　かつ、第１の電極は透明導電材から構成されているとともに、その膜厚が３００ｎｍ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
　イ　「【請求項６】  液晶を介して配置される第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板の液晶側の面に形成される第１の電極と透明導電材からなる第２の電極と、を備え、
　前記第１の電極と第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、前記第１の電極は第２の電極より液晶に近い側に形成されており、
　かつ、前記絶縁膜は前記第２の電極の膜厚の２倍以上の膜厚で設定されていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
　ウ　「【請求項７】  液晶を介して配置される第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板の液晶側の面に形成される第１の電極と透明導電材からなる第２の電極と、を備え、
　前記第１の電極と第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、前記第１の電極は第２の電極より液晶に近い側に形成されており、
　かつ、前記絶縁膜は第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との積層構造からなっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】  液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して第１の電極とこの第１の電極との間に基板に平行な成分をもつ電界を発生せしめる第２の電極が備えられ、
　前記第１の電極と第２の電極のうちの一方の電極は、ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を構成し、
　前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかが他の電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明電極で構成され、
　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなっていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
　エ　「【請求項１１】  液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して第１の電極とこの第１の電極との間に基板に平行な成分をもつ電界を発生せしめる第２の電極が備えられ、
　前記第１の電極と第２の電極のうちの一方の電極は、ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を構成し、
　前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかが他の電極よりも液晶に近い位置に配置された透明電極で構成され、
　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなり、
　前記保護膜の上面に透明電極で構成された前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかを被って絶縁膜が形成され、この絶縁膜の上面に配向膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
　オ　「【請求項１２】  液晶を介して配置される各基板のうち一方の基板の画素領域の液晶側の面に、
　絶縁膜を介して形成された第１の電極と第２の電極とを有し、
　前記第１の電極は、前記絶縁層に対して基板側に形成された金属層によって構成され、一方向に延在され該方向に並設される複数の電極群からなるとともに、
　前記第２の電極は、前記絶縁膜に対して液晶側に形成された透明な材料層によって構成され、前記第１の電極と重畳されて画素領域の周辺部を除いた中央部に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
　カ　「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
〔実施例１〕図２（ａ）は本発明による液晶表示装置の画素の構成を示す平面図であり、そのｂ−ｂ線における断面図を同図（ｂ）に、ｃ−ｃ線における断面図を同図（ｃ）に示している。・・・
【００１９】まず、同図（ａ）において、透明基板ＳＵＢ１の表面に、図中ｘ方向に延在された対向電圧信号線ＣＬおよびゲート信号線ＧＬがたとえばクロム（Ｃｒ）で形成されている。この対向電圧信号線ＣＬとゲート信号線ＧＬは後述するドレイン信号線ＤＬ（および右側に隣接する画素のドレイン信号線）とで矩形状の領域を形成し、この領域は一画素領域を構成するようになっている。
【００２０】そして、この画素領域には、後述する画素電極ＰＸとの間で電界を発生せしめる対向電極ＣＴが形成され、この対向電極ＣＴは該画素領域の周辺を除く中央部の全域に形成され、透明導電層であるたとえばＩＴＯ膜（Indium-Tin-Oxide）１から構成されている。
【００２１】この対向電極ＣＴは、透明基板ＳＵＢ１の表面の全域にたとえばスパッタリング方法で形成されたＩＴＯ膜を周知のフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって上述したパターンとすることによって形成される。
【００２２】そして、この実施例では、前記ＩＴＯ膜の膜厚は５００ｎｍ以下に、好ましくは４００ｎｍに形成され、その結果として対向電極ＣＴの膜厚も５００ｎｍ以下に、好ましくは４００ｎｍに設定されている。
【００２３】このように対向電極ＣＴの膜厚を制限した理由は、ＩＴＯのような酸化物系透明導電体は、その性質がセラミックに近く、その１分子はＩＴＯの場合Ｉｎ2Ｏ3の５元素によって構成され、しかも、一定濃度でＳｎ等の別原子が入り込んでおり、結晶構造的に定期的に歪みが生じる性質を有している。
【００２４】このため、前記ＩＴＯ膜をたとえばスパッタリングによって形成する際に、ターゲットからＩＴＯの異常粒子が脱落し、該ＩＴＯ膜に混入してそれが成長するのを防止するためである。
【００２５】すなわち、ＩＴＯ膜は熱によりアモルファス状態（ａ−ＩＴＯ）から結晶状態（ｐ−ＩＴＯ）に移行することが知られ、基板上にＩＴＯが堆積して膜厚が増大するにしたがって、前記異常粒子が成長しその径が大きくなってしまうのを回避せんがためである。
【００２６】そして、対向電極ＣＴの表面にこのような異常粒子の発生を回避するのは、図３に示すように、該対向電極ＣＴの形成後に絶縁膜ＧＩを介して該対向電極ＣＴに重ねるようにして画素電極ＰＸを形成する際に、該絶縁膜ＧＩから突出した前記異常粒子ＡＢＮに接触して形成されることによって発生する該対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとのショートを防止せんがためである。・・・
【００２８】そして、このように対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、およびゲート信号線ＧＬが形成された透明基板の上面には、それらをも被ってたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが形成されている。
【００２９】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号ＤＬに対しては対向電圧信号線ＣＬおよびゲート信号線ＧＬの層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。・・・
【００３７】画素電極ＰＸは、前記対向電極ＣＴの形成領域に重畳されて、この実施例では４本形成され、それぞれ図中ｙ方向に延在しｘ方向に等間隔に並設されている。
【００３８】そして、これら各画素電極ＰＸの下端はそれぞれｘ方向に延在する同材料層で互いに接続されるとともに、その一部が前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１の延在部と重ね合わされて、電気的接続がなされている。・・・
【００４０】このように構成した場合、対向電極ＣＴと各画素電極ＰＸとの重畳部には絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されるようになっている。・・・
【００４２】ここで、上述した画素電極ＰＸは、絶縁膜ＧＩを介してその下層に形成されている対向電極ＣＴとの間でショートを起こすことなく形成し得ることは上述したとおりである。膜厚が制限された対向電圧ＣＴの形成によって図３に示す異常粒子ＡＢＮが発生する確率を大幅に抑制しているからである。・・・
【００４６】そして、このように薄膜トランジスタＴＦＴが形成された透明基板ＳＵＢの表面には、該薄膜トランジスタＴＦＴをも被ってたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。薄膜トラジスタＴＦＴの液晶ＬＣとの直接の接触を回避するためである。・・・
【００５０】・・・
《考察》上述した実施例１は、絶縁膜ＧＩの下層に位置づけられる対向電極ＣＴの膜厚を制御することによって、該膜にＩＴＯの異常粒子が発生するのを抑制させ、該対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間に発生するショートの低減を図ったものである。
【００５１】ここで、評価用基板を用いて、上述した液晶表示装置の効果について説明をする。・・・
【００５８】図１は、下層のＩＴＯ膜においてその膜厚を種々変化させ、それら各膜厚のものに対して上記試験を２０基体、すなわち２７０００テストパッドに対して行った結果を、２２５テストパッド当たりのショート発生数に換算したグラフである。
【００５９】これから、下層のＩＴＯ膜の膜厚が５００ｎｍ以下であれば、１５インチＸＧＡのものにあって画素電極と対向電極とのショートによる点欠陥を１０個以下に抑えることができ、製品として良品を獲得することができる。
【００６０】そして、下層のＩＴＯ膜においてその膜厚を特に３００ｎｍ以下とすることによって、点欠陥を一個以下に抑えることが明らかであり、画素電極と対向電極とのショートによる点欠陥を無欠陥から１個程度に抑制することができるようになる。」
　
　キ　「【００６２】・・・
〔実施例２〕上述した実施例１では、絶縁膜ＧＩの下層に位置づけられる透明な電極からなる対向電極の膜厚を所定値以下に設定することにより、本発明の課題を達成せんとしたものである。
【００６３】しかし、本実施例は、前記絶縁膜ＧＩの膜厚を前記対向電極ＣＴの膜厚以上に大きく設定するようにしたものである。
【００６４】この場合、前記対向電極ＣＴの膜厚の如何に拘らず（５００ｎｍ以上であってもよい）、この対向電極ＣＴと絶縁膜ＧＩの上層に形成される画素電極ＰＸとのショートを回避することができるようになる。
【００６５】図５に示すグラフは、前記対向電極ＣＴを形成する際の、その膜厚とその時に生じる異常粒子のサイズの比率を検証した結果を示すものである。
【００６６】このグラフから明らかなように、発生する異常粒子の９０％以上の異常粒子が前記対向電極ＣＴの膜厚以下の大きさであることが判明する。
【００６７】このことから、前記絶縁膜ＧＩの膜厚をその下層の対向電極ＣＴの膜厚以上に設定することによって、９０％以上の異常粒子が該絶縁膜ＧＩによって被覆されることになり、前記対向電極ＣＴと該絶縁膜ＧＩの上層に形成される画素電極ＰＸとのショートを高い確率で回避できるようになる。
【００６８】また、前記絶縁膜ＧＩの膜厚を前記対向電極ＣＴの膜厚の２倍以上とすることにより、該絶縁膜ＧＩは充分な絶縁破壊耐圧を得るとともに、該透明な電極と該絶縁膜の上層に形成される他の電極とのショートの発生をほとんど皆無とすることができるようになる。」
　
　ク　「【００６９】・・・
〔実施例３〕図６（ａ）は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平面図で、図２（ａ）に対応した図となっている。
【００７０】また、図６（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を図６（ｂ）に、図６（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を図６（ｃ）に示している。
【００７１】各図の構成において図２の各図の構成との違いは、絶縁膜ＧＩの下層に形成される対向電極ＣＴは、該絶縁膜ＧＩとその上層に形成される保護膜ＰＳＶとを介して画素電極ＰＸと重畳するようにして形成されている。
【００７２】すなわち、前記画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上面に形成され、該保護膜ＰＳＶに形成したスルホールＳＨを通して該保護膜ＰＳＶ下の薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１に接続された構成となっている。
【００７３】このような構成からなる液晶表示装置は、前記絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳＶとによって、それらの膜厚をその下層の対向電極ＣＴの膜厚以上に容易に設定できるようになる。
【００７４】対向電極ＣＴは、その膜厚を電極として機能させる程度に薄く形成できるのに対して、前記絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜としての機能をもたせることから、その膜厚が所定の厚さ以上に設定し、また、前記保護膜ＰＳＶは、薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するために、その膜厚が所定の厚さ以上に設定するからである。」
　
　ケ　「【００７５】・・・
〔実施例４〕図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図であり、図６（ｂ）に対応した断面図である。
【００７６】同図は、対向電極ＣＴの上面に絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶとの積層膜が形成され、その上面に画素電極ＰＸが形成されていることは図６に示した構成と同様であるが、さらに、その上面に該画素電極ＰＸをも被って他の絶縁膜ＩＬが形成されていることにある。
【００７７】この絶縁膜ＩＬは、透明電極から構成される画素電極ＰＸの表面に異常粒子ＡＢＮが発生していても、その異常粒子ＡＢＮによる段差を軽減させる機能をもたせるためのものであり、該絶縁膜ＩＬの表面に形成する配向膜ＯＲＩ１のラビング不良の発生を軽減させるようになっている。
【００７８】このラビング不良は、たとえばノーマリブラックの場合において、その不良個所にて光が漏れる現象をもたらすようになる。
【００７９】この絶縁膜ＩＬは、その厚さを画素電極ＰＸのそれ以上に設定することが好ましいが、光透過の減衰等を考慮するならばそれ以下に設定してもよい。
【００８０】絶縁膜ＩＬの厚さを小さく設定することによって、該絶縁膜ＩＬから異常粒子ＡＢＮの一部が突出することはあるが、その周囲には該絶縁膜ＩＬによってなだらかなテーパが形成され、配向膜ＯＲＩ１のラビング処理に弊害をもたらすようなことがないからである。」
　
　コ　「【００８１】上述した各実施例では、絶縁膜ＧＩを介して配置される各電極のそれぞれは、対向電極ＣＴを液晶から遠い位置に、画素電極ＰＸ（薄膜トランジスタを介して映像信号が供給される電極）を液晶から近い位置に配置させた構成としたものである。
【００８２】しかし、画素電極ＰＸを液晶から遠い位置に、対向電極ＣＴを液晶から近い位置に配置させるような構成としても同様である。
【００８３】この場合、画素電極ＰＸは画素領域の周辺部を除く中央部の全域に形成し、対向電極ＣＴは一方向に延在され該方向と交差する方向に並設される複数の電極群として形成することによって、画素領域内の構成は上述したと相違はないからである。
〔実施例５〕図８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図で、図６（ｂ）と対応した図となっている。
【００８４】同図は、絶縁膜ＧＩの下層の電極（画素電極ＰＸあるいは対向電極ＣＴ）は一方向に延在され該方向に交差する方向に並設される電極群から構成され、該絶縁膜ＧＩの上層の電極（対向電極ＣＴあるいは画素電極ＰＸ）は該電極群を被って形成される透明な電極から構成されている。
【００８５】ここで、該絶縁膜ＧＩの下層の電極はたとえばクロム等の不透明な金属層によって形成され、該絶縁膜ＧＩの上層の電極はたとえばＩＴＯ膜等の透明な材料層によって形成されている。
【００８６】このようにすることによって、透明な電極を形成した場合、その際に異常粒子が発生しても、それが絶縁膜の上層に形成されることから特に弊害が生じることはなくなる。
【００８７】このような弊害は、該絶縁膜の下層に形成された電極は透明な電極である場合に生じるものであるが、この実施例ではその電極が透明な電極ではなく金属層で形成させていることにある。」
　
　サ　図８には、絶縁膜ＧＩの下方に画素電極ＰＸあるいは対向電極ＣＴが形成され、絶縁膜ＧＩの上方には保護膜ＰＳＶが積層され、保護膜ＰＳＶの上方に対向電極ＣＴあるいは画素電極ＰＸが形成された様子が示されている。
　
（３）判断
　ア　本願補正発明を分説すると、次のとおりのものと認められる。
　
　Ａ　液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して対向電極とこの対向電極と重畳し該対向電極との間に基板に平行な成分をもつ電界を発生せしめる画素電極が備えられ、
　Ｂ　前記画素電極は、ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給され、
　Ｃ　前記対向電極は、前記画素電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明導電層で構成され、該対向電極は膜厚が３００ｎｍ以下であり、
　Ｄ　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなり、
　Ｅ　前記ゲート絶縁膜は前記対向電極の膜厚の２倍以上からなっている
　Ｆ　ことを特徴とする液晶表示装置。
　
　イ　上記によれば、本願補正発明においては、絶縁膜が、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなり（特定事項Ｄ）、かかる積層体からなる絶縁膜を介して対向電極と画素電極とが重畳し（特定事項Ａ）、画素電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明導電層で構成される対向電極の膜厚が３００ｎｍ以下であり（特定事項Ｃ）、ゲート絶縁膜は対向電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ）ものと認められる。
　
　ウ　しかるところ、前記（２）の本願当初明細書の記載を検討すると、以下のとおり、本願当初明細書に、ＡないしＦの特定事項からなる本願補正発明が記載されているものとは認められず、本願補正発明が本願当初明細書に記載された事項から自明のものとも認められない。
　
（ア）対向電極の膜厚が３００ｎｍ以下である（特定事項Ｃ）液晶表示装置に関し、本願当初明細書には、請求項２に、第１の電極と第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、第２の電極は第１の電極より液晶に近い側に形成され、透明導電材から構成されている第１の電極の膜厚が３００ｎｍ以下に設定されている液晶表示装置の発明（（２）ア）が記載されているものと認められる。
　そして、実施例１として、絶縁膜ＧＩを介して透明導電層で構成された対向電極ＣＴに重ねるようにして画素電極ＰＸを形成したものにおいて、対向電極ＣＴの膜厚を５００ｎｍ以下として、絶縁膜ＧＩから突出した異常粒子ＡＢＮによって発生する、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとのショートを防止したものが記載されており、膜厚を特に３００ｎｍ以下とすることによって、画素電極と対向電極とのショートによる点欠陥を無欠陥から１個程度に抑制することができること（（２）カ）が記載されているものと認められる。
　しかし、対向電極の膜厚が３００ｎｍ以下である液晶表示装置について、絶縁膜が薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなるものである（特定事項Ｄ）こと、さらには、ゲート絶縁膜が対向電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ）ことは、本願当初明細書に記載されていない。
　
（イ）ゲート絶縁膜が対向電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ）液晶表示装置に関し、本願当初明細書には、請求項６に、第１の電極と透明導電材からなる第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、第１の電極は第２の電極より液晶に近い側に形成され、絶縁膜は前記第２の電極の膜厚の２倍以上の膜厚で設定されている液晶表示装置の発明（（２）イ）が記載されているものと認められる。
　そして、実施例２として、実施例１と同様に、絶縁膜ＧＩを介して透明導電層で構成された対向電極ＣＴに重ねるようにして、画素電極ＰＸを形成したものにおいて、絶縁膜ＧＩの膜厚を対向電極ＣＴの膜厚以上に大きく設定することによって、対向電極ＣＴの膜厚の如何に拘らず、この対向電極ＣＴと絶縁膜ＧＩの上層に形成される画素電極ＰＸとのショートを回避することができるようにしたものが記載されており、絶縁膜ＧＩの膜厚を対向電極ＣＴの膜厚の２倍以上とすることにより、絶縁膜ＧＩは充分な絶縁破壊耐圧を得るとともに、対向電極ＣＴと絶縁膜の上層に形成される他の電極とのショートの発生をほとんど皆無とすることができること（（２）キ）が記載されているものと認められる。
　しかし、ゲート絶縁膜が対向電極の膜厚の２倍以上である液晶表示装置について、対向電極の膜厚が３００ｎｍ以下である（特定事項Ｃ）こと、絶縁膜が薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなるものである（特定事項Ｄ）ことは、本願当初明細書に記載されていない。
　
（ウ）ａ　積層体からなる絶縁膜（特定事項Ｄ）を介して対向電極と画素電極とが重畳する（特定事項Ａ）液晶表示装置に関し、本願当初明細書には、次の（ａ）ないし（ｃ）の事項が記載されているものと認められる。
　
（ａ）請求項７には、第１の電極と透明導電材からなる第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、第１の電極は第２の電極より液晶に近い側に形成され、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との積層構造からなっている液晶表示装置の発明が記載されており、また、請求項８には、絶縁膜を介して第１の電極とこの第１の電極との間に基板に平行な成分をもつ電界を発生せしめる第２の電極が備えられ、前記第１の電極と第２の電極のうちの一方の電極は、薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を構成し、前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかが他の電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明電極で構成され、前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなっている液晶表示装置の発明（（２）ウ）が記載されているものと認められる。
　そして、実施例３として、透明導電層で構成された対向電極ＣＴが、絶縁膜ＧＩとその上層に形成される保護膜ＰＳＶとを介して画素電極ＰＸと重畳するようにして形成したものにおいては、対向電極ＣＴは、その膜厚を電極として機能させる程度に薄く形成できるのに対して、絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜としての機能をもたせることから、その膜厚が所定の厚さ以上になるように設定し、また、保護膜ＰＳＶは、薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するために、その膜厚が所定の厚さ以上になるように設定することから、絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳＶとによって、それらの膜厚をその下層の対向電極ＣＴの膜厚以上に容易に設定できること（（２）ク）が記載されているものと認められる。
　
（ｂ）請求項１１には、請求項８に係る発明の特定事項に加えて、保護膜の上面に透明電極で構成された前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかを被って絶縁膜が形成され、この絶縁膜の上面に配向膜が形成されているとの特定事項を有する液晶表示装置の発明（（２）エ）が記載され、実施例４として、図６に示される実施例３と同様に、対向電極ＣＴの上面に絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶとの積層膜が形成され、その上面に画素電極ＰＸが形成されたものにおいて、画素電極ＰＸの上面を被って他の絶縁膜ＩＬを形成することによって、透明電極から構成される画素電極ＰＸの表面に異常粒子ＡＢＮが発生していても、その異常粒子ＡＢＮによる段差を軽減させ、該絶縁膜ＩＬの表面に形成する配向膜ＯＲＩ１のラビング不良の発生を軽減させること（（２）ケ）が記載されているものと認められる。
　
（ｃ）請求項１２には、金属層によって構成され、一方向に延在され該方向に並設される複数の電極群からなる第１の電極と、透明な材料層によって構成され、前記第１の電極と重畳されて画素領域の周辺部を除いた中央部に形成された第２の電極とが、絶縁膜を介して形成されており、前記第１の電極は前記絶縁層に対して基板側に形成され、前記第２の電極は、前記絶縁膜に対して液晶側に形成されている液晶表示装置の発明（（２）オ）が記載され、実施例５として、一方向に延在され該方向に交差する方向に並設される電極群（画素電極ＰＸあるいは対向電極ＣＴ）の上面に絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＳＶとの積層膜が形成され、その上面に透明な電極（対向電極ＣＴあるいは画素電極ＰＸ）が形成することによって、透明な電極を形成する際に異常粒子が発生しても、それが絶縁膜の上層に形成されることから特に弊害が生じなくなること（（２）コ、サ）が記載されているものと認められる。
　
　ｂ　しかし、絶縁膜が薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなる絶縁膜（特定事項Ｄ）を介して対向電極と画素電極とが重畳する（特定事項Ａ）液晶表示装置について、対向電極の膜厚が３００ｎｍ以下である（特定事項Ｃ）こと、ゲート絶縁膜が対向電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ）ことは、本願当初明細書に記載されていない。
　
（エ）上記（ウ）で検討したところによれば、本願当初明細書に、ＡないしＦの特定事項からなる本願補正発明が記載されているということはできない。
　
（オ）さらに、本願当初明細書には、Ａ、Ｂの特定事項を備える液晶表示装置において、ＣないしＥの特定事項を組み合わせて用いることを示唆する記載も認められないから、ＡないしＦの特定事項からなる本願補正発明が、本願当初明細書に記載された事項から自明のものとも認められない。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、本件補正３は、本願当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たさないものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（５）なお、平成２０年７月２２日付け意見書における請求人の主張について、以下に検討して付言する。
　請求人は、本願当初明細書で示された各実施例の課題は、いずれも透明導電体の成膜時に発生する異常粒子による対向電極と画素電極間のショートを防止するという共通のもので、特定事項Ｃは実施例１に、特定事項Ｄは実施例３に、特定事項Ｅは実施例２に記載されるところ、課題を解決する手段として、実施例１は対向電極、実施例２は電極間のゲート絶縁膜、実施例３は電極間のゲート絶縁膜と保護膜の積層体という、異なる構成を対象にしており、本願発明の課題を解決するに当たり、「対向電極の膜厚を薄くすること」、「絶縁膜をゲート絶縁膜と保護膜の積層体にすること」および「電極間の絶縁膜の膜厚を厚くすること」という３つの構成要件は、同時に実施することが可能であることは自明であり、それぞれの効果は共存可能であって、それぞれの構成要件を組み合わせることを阻害する要因はないため、これらの構成要件を同時に採用し、それぞれの効果を同時に得るようにすることは極めて自然なことであり、よって、当業者であれば、本件補正３による補正後の請求項１に示されたＡないしＦの特定事項の組み合わせを実現することは、本願当初明細書に記載された事項から自明である旨、主張する。
　しかし、実施例１ないし３における課題が共通であることは、仮に、それぞれの実施例における課題解決のための手段（本願補正発明におけるＣないしＥの特定事項）を組み合わせて用いることが当業者にとって想到容易であることの根拠となる動機づけになり得るとしても、本件において問題となるのは、これらを組み合わせて用いることの想到容易性ではなく、ＡないしＦの特定事項からなる本願補正発明が、当初明細書に記載した事項の範囲内のものといえるか否かである。
　そして、前記（３）ウ（エ）のとおり、本願当初明細書に、ＡないしＦの特定事項からなる本願補正発明が記載されているということはできず、本願補正発明が、本願当初明細書に記載した事項の範囲内のものというためには、本願当初明細書に、これら特定事項、とくにＣないしＥの特定事項を組み合わせて用いることが少なくとも示唆されなければならないものというべきところ、前記（３）ウ（オ）のとおり、本願当初明細書においては、ＣないしＥの特定事項を組み合わせて用いることを示唆する記載も認められないのであって、実施例１ないし３における課題が共通であることをもって、ＣないしＥの特定事項を組み合わせて用いることを示唆するものということはできない。
　したがって、ＡないしＦの特定事項からなる本願補正発明が、本願当初明細書に記載された事項から自明のものということはできず、請求人の主張は採用できない。
　
第３　本件補正１について
　
１　当審において通知した拒絶理由の概要
　当審において、平成２０年５月１３日付けで通知した拒絶理由の概要は、本件補正１は、本願当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たさない、というものである。
　
２　本件補正１の補正の内容
　本件補正１は、補正前の明細書の特許請求の範囲（出願当初のもの）を、
「【請求項
１
　液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して第１の電極とこの第１の電極
と重畳し該第１の電極と
　前記第１の電極と第２の電極のうちの一方の電極は、ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を構成し、
　前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかが他の電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明電極で構成され、
該透明電極は膜厚が３００ｎｍ以下であり、
　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体から
なり、前記ゲート絶縁膜は前記液晶から遠い位置に配置された透明電極の膜厚の２倍以上から
【請求項
２
　液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して第１の電極とこの第１の電極と
重畳し該第１の電極と
　前記第１の電極と第２の電極のうちの一方の電極は、ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を構成し、
　前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかが他の電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明電極で構成され、
該透明電極は膜厚が３００ｎｍ以下であり、
　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体から
なり、前記ゲート絶縁膜と前記保護膜は前記液晶から遠い位置に配置された透明電極の膜厚の２倍以上から
に補正するものである。
　
３　本願発明
　上記第２のとおり、本件補正３は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、本件補正１による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２に【請求項１】として記載したとおりのものである。
　
４　本願当初明細書の記載
　第２、２（２）のとおりである。
　
５　判断
（１）本願発明を分説すると、次のとおりのものと認められる。
　
　Ａ’　液晶を介して配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、絶縁膜を介して第１の電極とこの第１の電極と重畳し該第１の電極との間に基板に平行な成分をもつ電界を発生せしめる第２の電極が備えられ、
　Ｂ’　前記第１の電極と第２の電極のうちの一方の電極は、ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を構成し、
　Ｃ’　前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかが他の電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明電極で構成され、該透明電極は膜厚が３００ｎｍ以下であり、
　Ｄ’　前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなり、
　Ｅ’　前記ゲート絶縁膜は前記液晶から遠い位置に配置された透明電極の膜厚の２倍以上からなっている
　Ｆ’　ことを特徴とする液晶表示装置。
　
（２）上記によれば、本願発明においては、絶縁膜が、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなり（特定事項Ｄ’）、かかる積層体からなる絶縁膜を介して第１の電極と第２の電極とが重畳し（特定事項Ａ’）、前記第１の電極と第２の電極のうちのいずれかである、他の電極よりも液晶から遠い位置に配置された透明電極（以下、単に「透明電極」という。）の膜厚が３００ｎｍ以下であり（特定事項Ｃ’）、ゲート絶縁膜は、透明電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ’）ものと認められる。
　
（３）しかるところ、前記第２、２（２）の本願当初明細書の記載を検討すると、以下のとおり、本願当初明細書に、Ａ’ないしＦ’の特定事項からなる本願発明が記載されているものとは認められず、本願発明が当初明細書に記載された事項から自明のものとも認められない。
　
　ア　透明電極の膜厚が３００ｎｍ以下である（特定事項Ｃ’）液晶表示装置に関し、本願当初明細書には、請求項２に、第１の電極と第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、第２の電極は第１の電極より液晶に近い側に形成され、透明導電材から構成されている第１の電極の膜厚が３００ｎｍ以下に設定されている液晶表示装置の発明（第２、２（２）ア）が記載されているものと認められる。
　そして、実施例１として、絶縁膜ＧＩを介して透明導電層で構成された対向電極ＣＴに重ねるようにして画素電極ＰＸを形成したものにおいて、対向電極ＣＴの膜厚を５００ｎｍ以下として、絶縁膜ＧＩから突出した異常粒子ＡＢＮによって発生する、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとのショートを防止したものが記載されており、膜厚を特に３００ｎｍ以下とすることによって、画素電極と対向電極とのショートによる点欠陥を無欠陥から１個程度に抑制することができること（第２、２（２）カ）が記載されているものと認められる。
　しかし、透明電極の膜厚が３００ｎｍ以下である液晶表示装置について、絶縁膜が、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなるものである（特定事項Ｄ’）こと、さらには、ゲート絶縁膜が透明電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ’）ことは、本願当初明細書に記載されていない。
　
　イ　ゲート絶縁膜が透明電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ’）液晶表示装置に関し、本願当初明細書には、請求項６に、第１の電極と透明導電材からなる第２の電極は絶縁膜を介して重畳される部分を有するとともに、第１の電極は第２の電極より液晶に近い側に形成され、絶縁膜は前記第２の電極の膜厚の２倍以上の膜厚で設定されている液晶表示装置の発明（第２、２（２）イ）が記載されている。
　そして、実施例２として、実施例１と同様に、絶縁膜ＧＩを介して透明導電層で構成された対向電極ＣＴに重ねるようにして画素電極ＰＸを形成したものにおいて、絶縁膜ＧＩの膜厚を対向電極ＣＴの膜厚以上に大きく設定することによって、対向電極ＣＴの膜厚の如何に拘らず、この対向電極ＣＴと絶縁膜ＧＩの上層に形成される画素電極ＰＸとのショートを回避することができるようにしたものが記載されており、絶縁膜ＧＩの膜厚を対向電極ＣＴの膜厚の２倍以上とすることにより、絶縁膜ＧＩは充分な絶縁破壊耐圧を得るとともに、対向電極ＣＴと絶縁膜の上層に形成される他の電極とのショートの発生をほとんど皆無とすることができること（第２、２（２）キ）が記載されているものと認められる。
　しかし、ゲート絶縁膜が透明電極の膜厚の２倍以上である液晶表示装置について、透明電極の膜厚が３００ｎｍ以下である（特定事項Ｃ’）こと、絶縁膜が薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなるものである（特定事項Ｄ’）ことは、本願当初明細書に記載されていない。
　
　ウ（ア）積層体からなる絶縁膜を介して第１の電極と第２の電極とが重畳する液晶表示装置に関し、本願当初明細書には、第２、２（３）ウ（ウ）ａの（ａ）ないし（ｃ）の事項が記載されているものと認められる。
　
（イ）しかし、絶縁膜が薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として形成される絶縁膜と該薄膜トランジスタを液晶との直接の接触を回避する保護膜との積層体からなる絶縁膜を介して第１の電極と第２の電極とが重畳する液晶表示装置について、透明電極の膜厚が３００ｎｍ以下である（特定事項Ｃ’）こと、ゲート絶縁膜が透明電極の膜厚の２倍以上である（特定事項Ｅ’）ことは、本願当初明細書に記載されていない。
　
（４）上記（３）で検討したところによれば、本願当初明細書に、Ａ’ないしＦ’の特定事項からなる本願発明が記載されているということはできない。
　
（５）さらに、本願当初明細書には、Ａ’、Ｂ’の特定事項を備える液晶表示装置において、Ｃ’ないしＥ’の特定事項を組み合わせて用いることを示唆する記載も認められないから、Ａ’ないしＦ’の特定事項からなる本願発明が、本願当初明細書に記載された事項から自明のものとも認められない。
　
第４　むすび
　以上の検討によれば、本件補正１は、当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たさないものであるから、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。