【事件の表示】
　平成１０年特許願第　５７８１５号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２４日出願公開、特開平１１−２６０７８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件の出願（以下、「本願」という。）は、平成１０年３月１０日の出願であって、平成１５年７月２５日付けでの拒絶理由通知（発送日：同年８月７日）に対して同年１０月１日付けで手続補正がなされたが、平成１７年７月１２日付け（発送日：同月１９日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年９月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年９月１２日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年９月１２日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本願補正発明
　平成１７年９月１２日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された。
　
「ノズルから基板に処理液を供給して基板に所定の基板処理を施す基板処理部と、
　処理液を貯留する貯留タンクと、
　前記貯留タンクから前記基板処理部に処理液を送液するための送液管を介して前記貯留タンクに貯留された処理液を吸引して前記基板処理部に送液する送液用ポンプと、
　前記送液管を介して送液される処理液の温度を調節する温調器とを有する処理液貯留部と、
　を備えた基板処理装置において、
　前記基板処理部をクリーンルームの床面に設置し、
　基板処理部は、前記基板処理部内で前記送液管から分岐され、前記送液管を介して送液されてきた処理液を前記ノズル近くの上流から前記貯留タンクに戻す帰還管と、
　前記送液管を介して送液された処理液を、ノズルを介して基板に供給する側と前記帰還管を介して前記貯留タンクに戻し、処理液をノズル近くの上流と処理液貯留部との間で循環させる側とで切り替える切替え手段とを有し、
　前記処理液貯留部は、前記送液用ポンプよりも送液方向の上流側に前記温調器を配置させて前記送液用ポンプと前記温調器とを前記送液管に配設し、
　前記処理液貯留部をクリーンルームの床面との高低差が大きな地下空間に設置したしたことを特徴とする基板処理装置。」
　
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「基板に処理液を供給」するものについて、「ノズル」と特定し、また、「基板処理部」について、「前記基板処理部内で前記送液管から分岐され、前記送液管を介して送液されてきた処理液を前記ノズル近くの上流から前記貯留タンクに戻す帰還管と、前記送液管を介して送液された処理液を、ノズルを介して基板に供給する側と前記帰還管を介して前記貯留タンクに戻し、処理液をノズル近くの上流と処理液貯留部との間で循環させる側とで切り替える切替え手段とを有し」との限定を付加したことも含むものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用した特開平８−１４８４６４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある。
　
ア．「本発明は、基板処理装置およびそれに用いられる処理槽に関し、より特定的には、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセス等において、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板に対して所定の処理（薬液処理、洗浄処理および乾燥処理等）を施す装置およびそれに用いられる処理槽に関する。」（段落【０００１】）
　
イ．「上記のように従来の基板処理装置は、薬液処理と水洗処理と乾燥処理とをそれぞれ別の場所、すなわち別の外槽内で行っていた。そのため、装置全体の構成が大型化し、また価格も高くなる。特に、このような基板処理装置は、クリーンルーム内に設置されるため、専有面積が大きくなると、クリーンルームの設備費も高くなる。
　それゆえに、本発明の目的は、小型でかつ安価な基板処理装置およびそれに用いられる処理槽を提供することである。」（段落【０００８】−【０００９】）
　
ウ．「図１は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の構成を示す外観斜視図である。また、図２は、図１の基板処理装置における可搬型処理槽のより詳細な構成を示す一部破断斜視図である。なお、本実施例の基板処理装置は、後述するように、１つの減圧チャンバ内で、各種基板（半導体集積回路のためのシリコンウエハ、液晶表示装置のためのガラス基板、他の電子部品のための基板等）に対する一連のウエット処理（薬液処理、洗浄処理および乾燥処理）が行える構成となっている。以下、図１および図２を参照して、本実施例の基板処理装置の構成について説明する。
　可搬型処理槽（以下、単に処理槽と称する）２１は、その上面と下面とが開口した筺体２２を有している。なお、筺体２２の下部は、その内部に収納される基板２１との隙間をできるだけ少なくするため、基板２０の外周に沿ったＲ形状を有している。筺体２２の内壁には、基板２０を支持するための基板ガイド２３ａ〜２３ｄが固定的に取り付けられている。各基板ガイド２３ａ〜２３ｄには、それぞれ互いに対応する位置に複数の支持溝が形成されており、この支持溝内で基板２０を支持することにより、処理槽２１内に複数枚の基板２０が相互に非接触でかつ平行な状態で配置される。筺体２２の外壁上部には、４つの係合突起２４ａ〜２４ｄが固定的に取り付けられる。また、筺体２２の外壁底部左右には、処理槽内に薬液または純水を注入するための２本の注入管２５が設けられる。これら２本の注入管２５は、それぞれ、内管２６と外管２７から成る２重管構造を有している。各内管２６の一方端部は、外管２７の一方端部を貫通して垂直下方向に折り曲げられている。また、各内管２６の他方端部は、外管２７において閉塞されている。また、各外管２７の一方端部および他方端部は、いずれも閉塞されている。さらに、筺体２２の下面には、その開口を囲むように、矩形枠状のフレーム２８が設けられている。このフレーム２８の底面は、減圧チャンバ側の受け台４１との密着性を上げるため、所定精度の平面性を有するように形成されている。また、フレーム２８の底面には、各辺の中央部に位置決め溝２９が形成されている。」（段落【００２５】−【００２６】）
　
エ．「図３は、図１における注入管２５のより詳細な構成を示す部分斜視図である。図４は、図１における注入管２５の断面図である。以下、これら図３および図４を参照して、注入管２５の構成をより詳細に説明する。外管２７には、処理槽２１の内部に向けて開口した複数のスリット２７ａが形成されている。各スリット２７ａは、外管２７の周方向に沿って延びており、かつ図５に示すように、各基板２０の間の位置に対応するように配置されている。内管２６には、複数の噴出口２６ａが形成されている。なお、各噴出口２６ａは、上記スリット２７ａとほぼ１８０°対向する位置に配置されている。」（段落【００２９】）
　
オ．「図８は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の全体構成を示すシステムフロー図である。図８において、減圧チャンバ４０は、処理槽２１を収納する本体４０１と、本体４０１の上面に被せられる蓋４０２とを含む。本体４０１と蓋４０２との間は、Ｏリング４０３等によって密着される。本体４０１の内底部には、処理槽２１を載置するための受け台４１が配置される。この受け台４１の周囲には、処理槽２１からオーバフローした薬液または純水を受けるための受け溝４７が形成されている。また、減圧チャンバ４０の内部には、純水噴出管４８と、ＩＰＡベーパ（蒸気）供給管４９とが設けられている。
　純水供給管４８には、バルブ５１を介して外部の純水供給源から純水が供給される。ＩＰＡベーパ供給管４９には、バルブ５２を介して外部のＩＰＡ供給源からＩＰＡ（イソ・プロピル・アルコール）のベーパ（蒸気）が供給される。減圧チャンバ４０の外底部であって、受け台４１の下部には、プッシュアップ装置５３が設けられる。このプッシュアップ装置５３は、後述するクイック・ダンプ・リンス時に受け台４１上の位置決め突起４２（図１参照）を押し上げて、フレーム２８と受け台４１との間を分離する。これによって、処理槽内の薬液または純水が急速排出される。
　本実施例のシステムでは、薬液供給源として３つのタンク５４〜５６が準備されている。第１のタンク５４には、ＮＨ４ＯＨ とＨ２Ｏ２とＨ２０ との混合液ＳＣ−１が収納されている。第２のタンク５５には、ＨＣｌとＨ２Ｏ２とＨ２０ との混合液ＳＣ−２が収納されている。第３のタンク５６には、ＨＦが収納されている。混合液ＳＣ−１は、ポンプ５７，フィルタ５８およびバルブ５９を介して、受け台４１の注入口４４に供給される。混合液ＳＣ−２は、ポンプ６０，フィルタ６１およびバルブ６２を介して、注入口４４に供給される。ＨＦは、フィルタ６３，バルブ６４，ミキシングバルブ６５およびバルブ６６を介して、注入口４４に供給される。第３のタンク５６は、窒素ガス（Ｎ２）によって加圧されており、ＨＦはこの加圧に応じた圧力で注入口４４に供給される。」（段落【００３４】−【００３６】）
　
カ．「なお、第１のタンク５４内にはヒータ７５が、第２のタンク５５内にはヒータ７６が設けられ、それぞれの薬液が処理に最適な一定温度に保たれている。また、フィルタ５８と第１のタンク５４との間にはバルブ７５が、フィルタ６１と第２のタンク５５との間にはバルブ７６が設けられている。これらバルブ７５および７６は、薬液処理を行わないときに開き、各タンク内の薬液を循環させる。これによって、各タンク内の薬液の温度分布に不均一が生じないようにしている。減圧チャンバ４０の底部に連結されたバルブ７９は、真空排気用のバルブである。すなわち、乾燥処理時にバルブ７９が開き、図示しない排気装置によって減圧チャンバ内が減圧される。」（段落【００３８】）
　
  また、図８の記載内容から、引用例１の基板処理装置が、タンクに貯留された薬液を減圧チャンバに送液するための送液管を有することは明らかである。
　さらに、図８及び上記「カ．」の記載から、引用例１の基板処理装置が、送液管から分岐され、薬液をタンクに戻す帰還管を有することは、明らかである。
　加えて、減圧チャンバ及びその周辺の配管をまとめて、基板の処理部と、また、タンク、ポンプ、ヒータ、及びその周辺の配管をまとめて薬液の貯留部ということができる。
　
　したがって、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
　
　「注入管から基板に薬液を供給して基板に所定の基板処理を施す基板の処理部と、薬液を貯留するタンクと、タンクから基板の処理部に薬液を送液するための送液管を介してタンクに貯留された薬液を吸引して基板の処理部に送液するポンプと、送液管を介して送液される薬液の温度を調節するヒータとを有する薬液の貯留部と、を備えた基板処理装置において、クリーンルームに設置し、送液管から分岐され、送液管を介して送液されてきた薬液をタンクに戻す帰還管と、送液管を介して送液された薬液を基板に供給する側と帰還管を介してタンクに戻し循環させる側とで切り替えるバルブとを有し、薬液の貯留部は、ポンプよりも送液方向の上流側タンク内にヒータを配置させ、ポンプを送液管に配設した基板処理装置。」
　
（２）また、原査定の拒絶の理由に引用した特開平７−３２６６００号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の記載がある。
　
キ．「本発明は薬液処理装置及び薬液処理方法に関し、特には半導体装置の製造工程で試料を薬液処理する際に用いる薬液処理装置及び薬液処理方法に関する。」（段落【０００１】）
　
ク．「薬液処理装置１は、処理槽１１と、この処理槽１１に隣接する調合槽１２とを有している。そして、処理槽１１と調合槽１２との間には、循環系１３が設けられている。」（段落【００１５】）
　
ケ．「上記循環系１３は、処理槽１１と調合槽１２とを接続する配管１３１を有している。この配管１３１には、内部を通過する薬液Ｌを所定温度に加熱または冷却する温度調節手段１３２が配設されている。また、配管１３１には、調合槽１２から処理槽１１に向かって薬液Ｌを流し込むポンプ１３３と、薬液Ｌをろ過するフィルタ１３４とが直列に設けられている。」（段落【００１９】）
　
　また、図１及び上記「ケ．」の記載から、引用例２の温度調節手段がポンプよりも送液方向の上流側に配置されていることは、明らかである。
　
　したがって、引用例２には、次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されている。
　
　「ポンプよりも送液方向の上流側に温度調節手段を配置させてポンプと温度調節手段とを配管に配設した薬液処理装置。」
　
（３）また、平成１９年６月８日付け審尋（発送日：同月１２日）で示した特開平９−６４０１０号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに次の記載がある。
　
コ．「本発明は半導体素子等の製造において洗浄に用いられるリンス機に温純水等の温洗浄液を供給する装置に関するものである。」（段落【０００１】）
　
サ．「また、タンクの容量には限りがあるので、一定以上の量の洗浄液を使用する場合には、新たにタンクに洗浄液を追加注液する必要があり、液温が不安定となりやすく、液温低下により洗浄が不十分となることもあった。一旦タンク内の洗浄液を使い切ってから再度タンク内を満たして加熱，保温する場合は最初の立ち上げ時と同様の立ち上げ時間が必要となり効率が悪い。さらに、洗浄液として純水ではなく薬液を用いた場合、上記の問題の他に長時間の加熱保温により薬液の特性が変化してしまうという問題もある。」（段落【０００３】）
　
シ．「本発明のリンス機用温洗浄液供給装置は、流入口(1)より流入した洗浄液を温度調整部(2)で加熱し、温度調整された洗浄液を流出口(3)よりリンス機(6)に供給する装置であって、供給する必要のないときには洗浄液を保温しつつ装置内で循環させることを特徴とする。」（段落【０００４】）
　
ス．「(1)は外部から純水等の洗浄液の流入口であり、逆止弁(16)を通って開状態の第２開閉弁(18)に流れて行く。このとき第２流量調整弁(23)は閉状態になっている。第１開閉弁(17)と第２開閉弁(18)とは常に反対の状態（一方が「開」の時に他方は「閉」）となるように設定されているため、このときは閉状態となっている。そこで第２開閉弁(18)を通過した洗浄液は全てポンプ(5)を通過する。レギュレーター(13)を備えた経路は通常閉状態であるため、洗浄液は第１流量調整弁(22)と、脈動防止のためのパルスダンパー(12)と、第１温度検知部(7)を介して温度調整部(2)に導かれる。温度調整部(2)においては電熱線(2a)が、洗浄液が通っている管路の周りに巻き付けられており、電熱線(2a)により洗浄液が加熱される。温度調整部(2)にはヒーター温度の異常上昇を検知して電源を遮断するための２種類の過熱防止センサ（「熱電対」と「液圧式サーモスタット」）を備えている（図示せず）。温度調整部(2)で適当な温度に調整された洗浄液は液体用のフィルター(11)を通って第２温度検知部(8)に流れて行く。第２温度検知部(8)で検出された温度データは温度調整器（図示せず）へ送られ、これに基づき電熱線(2a)への出力が制御される。
　供給時には流出側流量検知部(10)，第５開閉弁(21)，サックバック(14)を介して洗浄液流出口(3)より洗浄液供給先（リンス機）(6)に供給される。ここにサックバック(14)は供給停止時に、サックバック(14)から洗浄液流出口(3)までの経路内に残留している洗浄液が洗浄液供給先(6)に滴下しないようにするために用いている。また、流出側流量検知部(10)は、後述する循環側流量検知部(9)とともに洗浄液の流量を検知して空炊きを防止している。」（段落【０００６】−【０００７】）
　
セ．「洗浄液を供給しないときには、洗浄液は経路内を循環する。循環時には第２温度検知部(8)から循環側流量検知部(9)に流れて行く。第１開閉弁(17)は開状態，第２開閉弁(18)は閉状態に切り替わっているので、第１開閉弁(17)を通った洗浄液は全てポンプ(5)，温度調整部(2)を経由して流れ、循環する。温度調整部(2)では循環により失われた熱量だけ加熱するため洗浄液の温度はほぼ一定に保たれる。」（段落【０００８】）
　
ソ．「本発明の温洗浄液供給装置では・・・装置の立ち上げに要する時間が大幅に短縮できる。そして、温度が安定した洗浄液を供給することができ、洗浄液として薬液を用いる場合でも薬液の特性変化を少なくすることができる。」（段落【００１２】）
　
  また、図１及び上記「セ．」の記載から、引用例３のリンス機用温洗浄液供給装置が、循環側経路を有することは、明らかである。
　さらに、図１及び上記「シ．」、「ソ．」の記載から、引用例３の循環側経路は、洗浄液流出口近くの上流から分岐されるものであると理解することができる。
　したがって、引用例３には、次の発明（以下、「引用例３発明」という。）が記載されている。
　
　「経路から分岐され、経路を介して送液されてきた温洗浄液を洗浄液流出口近くの上流から戻す循環側経路と、経路を介して送液された温洗浄液を、洗浄液流出口を介して半導体素子に供給する側と温洗浄液を洗浄液流出口近くの上流から循環させる側とで切り替える開閉弁とを設けたリンス機用温洗浄液供給装置。」
　
３．対比
　本願補正発明と上記引用例発明とを対比する。
　
　引用例１発明の「薬液」は、本願補正発明の「処理液」に相当し、以下同様に、「基板の処理部」は「基板処理部」に、「タンク」は「貯留タンク」に、「ポンプ」は「送液用ポンプ」に、「ヒータ」は「温調器」に、「薬液の貯留部」は「処理液貯留部」に、「バルブ」は「切替え手段」に相当する。
　また、本願補正発明の「ノズル」も、引用例１発明の「注入管」も、ともに、液供給部ということができる。
　さらに、引用例１発明において、基板処理装置は、クリーンルームに設置されるものであるから、基板処理装置の一部である基板の処理部は、当然、クリーンルームに設置されるものである。
　
　したがって、両者は、
　
　「液供給部から基板に処理液を供給して基板に所定の基板処理を施す基板処理部と、処理液を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクから前記基板処理部に処理液を送液するための送液管を介して前記貯留タンクに貯留された処理液を吸引して前記基板処理部に送液する送液用ポンプと、前記送液管を介して送液される処理液の温度を調節する温調器とを有する処理液貯留部と、を備えた基板処理装置において、
　前記基板処理部をクリーンルームに設置し、
　前記送液管から分岐され、前記送液管を介して送液されてきた処理液を前記貯留タンクに戻す帰還管と、
　前記送液管を介して送液された処理液を、基板に供給する側と前記帰還管を介して前記貯留タンクに戻し循環させる側とで切り替える切替え手段とを有し、
　前記処理液貯留部は、前記送液用ポンプよりも送液方向の上流側に前記温調器を配置させて前記送液用ポンプを前記送液管に配設した基板処理装置。」
　
　の点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明では、「基板処理部をクリーンルームの床面に設置し」、「処理液貯留部をクリーンルームの床面との高低差が大きな地下空間に設置した」構成としているのに対し、引用例発明では、薬液の貯留部を含む基板処理装置をクリーンルームに設置している点。
　
［相違点２］
　温調器の配設態様として、本願補正発明では、送液用ポンプよりも送液方向の上流側の送液管に配設されているのに対し、引用例１発明では、ポンプよりも送液方向の上流側に配置されてはいるものの送液管ではなくタンク内に配設されている点。
　
［相違点３］
　本願補正発明では、液供給部に「ノズル」を採用し、「基板処理部」は「帰還管」及び「切替え手段」を備え、また、「帰還管」は、基板処理部内のノズル近くの送液管上流から分岐するよう構成し、「切替え手段」は、処理液をノズル近くの送液管上流で切り替えるように構成しているのに対し、引用例発明では、液供給部がノズルではなく、基板の処理部が帰還管及びバルブを有する点が明らかでなく、また、帰還管の分岐点及びバルブの切り替え点が明らかでない点。
　
４．判断
相違点１について
　基板処理装置において、基板の処理を行うための部分をクリーンルーム内に、それ以外の部分をクリーンルーム外に、分けて設けることは、当業者にとって従来周知の技術的事項である（例えば、特開平５−２２６３１１号公報、特開平６−２０１１６９号公報、特公平７−４５９４５号公報、原査定の拒絶の理由に引用した特開平９−３２０９９７号公報を参照。）。
　また、クリーンルーム外として地下空間を選択することは、当業者が普通になし得たことである。
　
　したがって、引用例１発明において、基板処理部をクリーンルームの床面に設置し、処理液貯留部をクリーンルームの床面との高低差が大きな地下空間に設置する構成を採用して上記相違点１に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
相違点２について
　引用例２発明を本願補正発明と対比すると、引用例２発明の「ポンプ」は、本願補正発明の「送液用ポンプ」に相当し、以下同様に、「温度調節手段」は「温調器」に、「配管」は「送液管」に、「薬液処理装置」は「基板処理装置」にそれぞれ相当するから、引用例２発明は、
「送液用ポンプよりも送液方向の上流側に前記温調器を配置させて前記送液用ポンプと前記温調器とを前記送液管に配設した基板処理装置。」ということができる。
　
　そして、引用例１発明も引用例２発明も、ともに、基板処理装置という同一の技術分野に属するものである。
　
　したがって、引用例１発明において、送液用ポンプよりも送液方向の上流側の送液管に配設して、上記相違点２に係る本願補正発明の構成を採用することは、引用例２発明に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
相違点３について
　基板処理装置において、液供給部にノズルを採用することは、当業者にとって従来周知の技術的事項であり、また、基板の処理部に帰還管及びバルブを設けることは、当業者が必要に応じて適宜設定すべき設計的事項である。
　
　また、引用例３発明を本願補正発明と対比すると、引用例３発明の「経路」は、本願補正発明の「送液管」に相当し、以下同様に、「温洗浄液」は「処理液」に、「洗浄液流出口」は「ノズル」に、「循環側経路」は「帰還管」に、「半導体素子」は「基板」に、「開閉弁」は「切替え手段」に、「リンス機用温洗浄液供給装置」は「基板処理装置」にそれぞれ相当するから、引用例３発明は、
「送液管から分岐され、送液管を介して送液されてきた処理液をノズル近くの上流から戻す帰還管と、送液管を介して送液された処理液を、ノズルを介して基板に供給する側と処理液をノズル近くの上流から循環させる側とで切り替える切替え手段とを設けた基板処理装置」ということができる。
　
　そして、引用例３発明の課題は、上記「サ．」に記載されるように、装置の立ち上げ時間を短くし、速やかに洗浄液を供給することであるが、引用例１に記載された基板処理装置も、このような課題を解決できることが望ましいことは当然である。
　
　したがって、引用例１発明において、液供給部にノズルを採用し、帰還管及び切替え手段を備えた基板処理部、基板処理部内のノズル近くの送液管上流から分岐するよう構成した帰還管、処理液をノズル近くの送液管上流で切り替えるように構成した切替え手段を採用し、上記相違点３に係る本願補正発明の構成を採用することは、引用例３発明及び上記周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
　しかも、本願補正発明の作用効果は、引用例１発明ないし引用例３発明、及び、上記周知の技術的事項から当業者が予測できた範囲内のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１発明ないし引用例３発明、及び、周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年１０月１日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「基板に処理液を供給して基板に所定の基板処理を施す基板処理部と、
　処理液を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクから前記基板処理部に処理液を送液するための送液管を介して前記貯留タンクに貯留された処理液を吸引して前記基板処理部に送液する送液用ポンプと、前記送液管を介して送液される処理液の温度を調節する温調器とを有する処理液貯留部と、
　を備えた基板処理装置において、
　前記基板処理部をクリーンルームの底面に設置し、
　前記処理液貯留部は、前記送液用ポンプよりも送液方向の上流側に前記温調器を配置させて前記送液用ポンプと前記温調器とを前記送液管に配設し、
　前記処理液貯留部をクリーンルームの底面との高低差が大きな地下空間に設置したことを特徴とする基板処理装置。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用した引用例１及びその記載事項、並びに、原査定の拒絶の理由に引用した引用例２及びその記載事項は、上記「第２　２．（１）」及び上記「第２　２．（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明から「ノズルから」という事項、及び、「基板処理部は、前記基板処理部内で前記送液管から分岐され、前記送液管を介して送液されてきた処理液を前記ノズル近くの上流から前記貯留タンクに戻す帰還管と、前記送液管を介して送液された処理液を、ノズルを介して基板に供給する側と前記帰還管を介して前記貯留タンクに戻し、処理液をノズル近くの上流と処理液貯留部との間で循環させる側とで切り替える切替え手段とを有し」という事項を省いたものである。
　
　そうしてみると、本願発明と引用例１発明とを対比すると、両者は、上記「第２　３．」に記載した相違点１及び相違点２でのみ相違し、それら相違点１及び相違点２についての判断は、上記「第２　４．」に記載したとおりである。
　したがって、本願発明は、引用例１発明、引用例２発明、及び、周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明、引用例２発明、及び、周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。