【事件の表示】
　特願２００３−３７４０８４「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日出願公開、特開２００４−１１１９８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件出願は、平成９年１０月８日に出願した特願平９−２７５９６４号の一部を同１５年１１月４日に新たな特許出願としたものであって、同１８年１０月２３日付けで拒絶の理由が通知され、同１８年１２月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１９年３月１３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１９年４月１９日に本件審判の請求がされ、同１９年５月１８日に明細書及び特許請求の範囲を補正対象書類とする手続補正がされたものである。
　
２　本願発明
　上記平成１９年５月１８日にされた手続補正について検討すると、補正後の請求項は、補正前の請求項１及び２を削除するとともに、補正前の請求項５に記載された「前記第１の樹脂」を明りょうでない記載の釈明を目的として「前記封止樹脂」と補正して補正後の請求項１とし、また、補正前の請求項３及び４をそれぞれ補正後の請求項２及び３としたものである。
　したがって、上記手続補正は、請求項の削除及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　以上のとおりであるから、本件出願の請求項１乃至３に係る発明は、願書に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「電極パッドが形成された表面と、裏面と、ダイシングによって形成された側面とを有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記表面及び前記側面を覆い、前記半導体チップの前記側面を覆う厚みはダイシングによって規定される封止樹脂と、
　前記半導体チップの前記裏面を覆う樹脂を材料とする塗布膜と、
　一部は前記電極パッドと接続し、他の一部は前記封止樹脂から露出するバンプ電極とを有する半導体装置の製造方法において、
　前記塗布膜は、スピンコート法により塗布されて形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
３　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である特開平２−１２５６３３号公報（以下「引用例」という。）には、以下のとおり記載されている。
(１)　引用例の記載内容
ア　第１頁左下欄下から２行〜末行
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、集積回路に関する。」
　
イ　第２頁右上欄第５行〜右下欄第６行
「次に、本発明について図面を参照して説明する。
　第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
　この実施例は、表面に電極パッド２を複数個有する半導体チップ１ａと、電極パッド２のそれぞれに対応するはんだバンプからなる裏面電極７ｂ及び裏面電極７ｂとスルーホール電極６及び孔を充填するはんだで電気的に接続されたはんだバンプからなる表面電極７ａを備えた表面保護板５ａと、電極パッド２と裏面電極７ｂとを各々連結させて半導体チップ１ａと表面保護板５ａとを貼合せる結合部材８と、半導体チップ１ａと表面保護板５ａの側面を被覆する樹脂１２′を含んでなる容器とを有している。裏面保護板３ａは接続層４を介して半導体チップ１ａの裏面に接続され、樹脂１２′とともに容器を構成している。
　次に、この実施例の製造方法について説明する。
　第２図（ａ）〜（ｅ）は第１の実施例の製造方法を説明するため工程順に配置した断面図である。
　まず、第１図（ａ）に示すように、表面に外部との電気的接続をとる電極パッド２を設けたウェーハ１を準備する。このウェーハには通常のように集積回路がつくりこまれている。
　次に、第１図（ｂ）に示すように、ウェーハ１の表面及び裏面にそれぞれ表面保護板５及び裏面保護板３を取り付ける。裏面保護板３は、裏面の導通が必要な場合は、金属板等を用いる。この場合接着層４は、Ａｕ−Ｓｉ合金あるいは、銀ペースト等を用いることになる。また、導通が必要ない場合は、セラミック板や樹脂板等が使用可能でこの場合接着層４は熱硬化樹脂等の通常の接着剤が使用可能である。
　表面保護板５には、電極パッド２に対応した位置に表面保護板５の表面及び裏面を貫通するスルーホール電極６を設けさらに半田バンプ７によってスルーホール電極６を埋めることによって電極パッド２と外部との電気的接続を確実にする。表面保護板５の材質としては透明ガラス、通常のセラミック板又は樹脂等が可能である。」
　
ウ　第３頁左上欄第９行〜右上欄第１５行
「さらに、第１図（ｃ）に示すように、通常のスクライブ工程とまったく同様に円形のフレーム１０の上に張られたテープ９に裏面保護板３を貼り付ける。さらに、ダイシングによりスクライブ溝１１を縦横に形成し、各チップに分離する。この際ダイシングマシーンによる自動認識が可能なように表面保護板の表面にパターンを形成して正確に各チップに分離できるようにする。
　さらに第１図（ｄ）に示すように、スクライブ溝１１に沿ってさらにブレーキングをほどこし各チップをテープ９上で完全に分離したのち、テープ９に張力をかけてチップの間隔を広げる。チップ間隔は通常の場合に比べ大きくし少なくとも２mm以上にし、さらにチップの並びが直線からずれないように注意する。フレーム１０を通常のものよりも大きくし、張力をフレーム１０の円周に均一に加える。このあと、周囲に漏れ止めの枠１３を設け、チップ間にポッティング樹脂１２を充填し硬化させる。ポッティング樹脂としてはポリイミドやエポキシ等がよい。樹脂の表面が表面保護板５の表面とほぼ一致するようにし、半田バンプ７の電極にかからないようにする。
　さらに第１図（ｅ）に示すように再びダイシング加工により各チップの間のポッティング樹脂１にスクライブ溝１４を設け各チップを分離し、周囲の枠を取りのぞけば、周囲を完全に覆われた状態のチップを取り出すことができる。」
　
エ　第１図の記載によれば、半田バンプ７の表面電極７ａが表面保護板５ａから露出していることが看取できる。
　
　なお、摘記事項イ及びウにおいて、「第１図（ａ）に示すように」、「第１図（ｂ）に示すように」、「第１図（ｃ）に示すように」、「第１図（ｄ）に示すように」及び「第１図（ｅ）に示すように」と記載されているが、これらの「第１図（ａ）〜（ｅ）」は、「第２図（ａ）〜（ｅ）」の誤記であると認められる。
　
(２)　引用発明
　摘記事項ウ及び第２図（ｃ）の記載からみて、半導体チップ１ａの側面はダイシングによって形成されたものであることは明らかである。
　そこで、これらの事項を技術常識を勘案しながら本願発明に照らして整理すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「電極パッド２が形成された表面と、裏面と、ダイシングによって形成された側面とを有する半導体チップ１ａと、
　前記半導体チップ１ａの前記表面を覆う表面保護板５ａと、
　前記半導体チップ１ａの前記側面を覆う樹脂１２′と、
　前記半導体チップ１ａの前記裏面を覆う樹脂を材料とする裏面保護板３ａと、
　一部は前記電極パッド２と接続し、他の一部は前記表面保護板５ａから露出する半田バンプ７とを有する集積回路の製造方法。」
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の側面を覆う「樹脂」は、本願発明の「封止樹脂」に相当しており、以下同様に、「半田バンプ」は「バンプ電極」に、「集積回路」は「半導体装置」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、引用発明の「表面保護板」は、被覆樹脂であるという限りで、本願発明の「封止樹脂」と共通しており、同様に、引用発明の「裏面保護板」は、被覆部材であるという限りで、本願発明の「塗布膜」と共通している。
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「電極パッドが形成された表面と、裏面と、ダイシングによって形成された側面とを有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記表面を覆う被覆樹脂と、
　前記半導体チップの前記側面を覆う封止樹脂と、
　前記半導体チップの前記裏面を覆う樹脂を材料とする被覆部材と、
　一部は前記電極パッドと接続し、他の一部は前記被覆樹脂から露出するバンプ電極とを有する半導体装置の製造方法。」である点。
［相違点１］
　本願発明では、半導体チップの表面及び側面を封止樹脂で覆っているのに対し、引用発明では、半導体チップの側面を封止樹脂で覆っているものの、表面を表面保護板で覆っている点。
［相違点２］
　封止樹脂の半導体チップの側面を覆う厚みが、本願発明では、ダイシングによって規定されるのに対し、引用発明では、そのように特定されていない点。
［相違点３］
　半導体チップの裏面を覆う樹脂を材料とする被覆部材が、本願発明では、塗布膜であり、スピンコート法により塗布されて形成されているのに対し、引用発明では、そのようなものではなく裏面保護板である点。
　
４　相違点についての検討
(１)　相違点１について
　半導体装置の製造方法において、半導体チップの電極パッドが形成された表面及び側面を封止樹脂で覆うことは、例えば、特開平３−９４４３８号公報の特に第５図、特開平９−４５７３０号公報の特に図４等に記載されているように従来周知の事項であるから、引用発明において、半導体チップの表面及び側面を封止樹脂で覆うことに格別の困難性はない。
　
(２)　相違点２について
　本願発明における「半導体チップの前記側面を覆う厚みはダイシングによって規定される」がどのようなことを意味するものであるか必ずしも明らかではないが、引用発明においても、半導体チップの側面を覆う封止樹脂は、隣接する半導体チップの側面間に充填された樹脂にダイシングによりスクライブ溝を設けて形成されるものであるから（摘記事項ウ参照）、前記側面を覆う封止樹脂の厚みはダイシングによって規定されるということができるものである。
　また、たとえそのように解されなかったとしても、側面を覆う封止樹脂の厚みをどの程度にするかは製造する半導体チップに応じて適宜設定すべき事項であり、本願発明のように規定することに格別の困難性はない。
　
(３)　相違点３について
　半導体装置の製造方法において、スピンコート法により樹脂を材料とする塗布膜を形成してウエハを覆うことは、例えば、特公平８−４１０１号公報の第３欄第３７〜４１行、特開平８−２８８２９３号公報の段落【０００４】等に記載されているように従来周知の事項である。
　してみると、引用発明において、裏面保護板に代えて塗布膜を採用し該塗布膜をスピンコート法により塗布されて形成されているものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願発明の作用効果についてみても、引用発明及び上記従来周知の各事項から当業者が予測できる範囲内のものであって格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおりであり、本願発明は、引用発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。