【事件の表示】
　特願２００３−　６６４８６「半田付け方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月３０日出願公開、特開２００４−２７４０００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年３月１２日に出願したものであって、平成１９年３月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年４月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年４月１７日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１９年４月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論]
　平成１９年４月１７日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりとなった。
　「【請求項１】半田部としての高さにばらつきのあるバンプが形成された第１の電極を第２の電極に半田付けする半田付け方法であって、半田付け時の加熱によって前記バンプが溶融した半田の流動を妨げずに固化する熱硬化性樹脂に前記バンプよりも高い融点を有する鱗片状の金属粉を混合した半田付け補助材を前記バンプもしくは前記第２の電極の少なくとも一方に塗布する第１の工程と、前記第１の電極のバンプと第２の電極を位置あわせすることにより前記半田付け補助材を前記バンプと第２の電極との間に介在させる第２の工程と、加熱によって前記バンプを溶融させて前記金属粉の表面伝いに濡れ拡がらせることにより溶融した半田を前記第２の電極に接触させる第３の工程と、第３の工程の後に前記熱硬化性樹脂を固化させる第４の工程とを含み、前記第３の工程において、寸足らずのバンプと第２の電極の間の隙間に、この寸足らずのバンプの下端部とこの第２の電極の表面を結ぶ前記鱗片状の金属粉のブリッジを形成することを特徴とする半田付け方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１において、「固化する樹脂」を、「固化する熱硬化性樹脂」とするとともに、「前記樹脂を固化させる」を、「前記熱硬化性樹脂を固化させる」と、樹脂を熱硬化性樹脂に限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　次に、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３２９７４５号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平６−５１１６号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）引用例１（特開２００２−３２９７４５号公報）
（１ａ）「【請求項６】電子部品に設けられた突起電極を実装基板に設けられた接続端子に溶融接合することにより、前記電子部品を前記実装基板に実装する電子部品の実装方法において、
　前記突起電極の直径より小さい直径を有する金属粒とベースフラックスとを含むフラックスペーストを前記突起電極上に配設する工程と、
　前記実装基板に前記電子部品を搭載すると共に加熱処理を行ない、前記突起電極を溶融し前記接続端子に接合する工程と、
　前記突起電極と前記接続端子との接合後、前記電子部品と前記実装基板との間に形成される前記空間に樹脂を封止する工程とを有することを特徴とする電子部品の実装方法。」
　
（１ｂ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の実装方法及びペースト材料に係り、特にフリップチップ実装方式等の電子部品の突起電極を溶融させて実装基板の接続端子に接続する電子部品の実装方法及びこの実装に使用するペースト材料に関する。」
　
（１ｃ）「【０００４】【従来の技術】従来、はんだバンプ等の突起電極を有した電子部品を実装基板にフリップチップ実装する方法としては、ボンディングツールに電子部品を保持し、実装基板のボンディング位置に位置合わせし、加圧加熱することではんだバンプを接触/溶融させて接合する方法が主流であった。しかしながら、この実装方法は個々の電子部品をそれぞれ処理するため、表面実装リフローはんだ付け方法に比較して作業効率の悪いという問題点がある。
　【０００５】これに対し、作業効率の向上を図るため、一般的な表面実装リフローはんだ付け方法と同様に実装基板の接続端子上にソルダーペーストを印刷し、そこに電子部品のはんだバンプを位置合わせして搭載し、リフロー工程ではんだバンプを溶融させ接合する方法も一部採用されている（以下、この実装方法を従来技術１という）。図１は、この従来技術１に係る実装方法を示している。・・・」
　
（１ｄ）「【０００９】一方、バンプ自体がはんだであることを利用し、フラックスのみを実装基板またははんだバンプの先端に塗布し、電子部品を実装基板にリフロー処理により実装する方法も提案されている（以下、この実装方法を従来技術２という）。図２は、この従来技術２に係る実装方法を示している。・・・
　【００１０】図２（Ａ）は、実装基板３にフラックス８を印刷した状態を示している。フラックス８は、図１に示したソルダーペースト５と異なり、はんだ粉末は含まれていない。このフラックス８は実装基板３の上面全面に配設される。
　【００１１】続いて、半導体装置１のはんだバンプ２と、実装基板３の接続端子４とを位置合わせし、図２（Ｂ）に示すように、半導体装置１を実装基板３に搭載する。これにより、半導体装置１はフラックス８により実装基板３に仮固定された状態となる。
　【００１２】続いて、半導体装置１が仮固定された実装基板３をリフロー炉に通し、はんだバンプ２を溶融させて接続端子４に接合する。図２（Ｃ）は、はんだバンプ２が接続端子４に接合された状態を示している。リフロー処理によるはんだバンプ２と接続端子４との接合が終了すると、必要に応じて残留フラックスの洗浄処理が実施され、これにより図２（Ｄ）に示すように、半導体装置１の実装基板３への実装が完了する。
　【００１３】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記した従来技術１の方法では、ソルダーペースト５を微細に実装基板３の接続端子４上に印刷する技術が必要となり、適切な印刷ができない場合は端子間でブリッジ部６を生じたり（図１（Ｃ），（Ｄ）参照）、逆にはんだバンプ２と接続端子４との間で接合不良が生じたりするという問題点があった。
・・・・・・
　【００１５】一方、上記した従来技術２の方法では、はんだバンプ２と実装基板３との平坦性に対する許容が低く、はんだバンプ２と実装基板３の接続端子４が接合されないとおそれがある。即ち、はんだバンプ２には必然的に直径のバラツキが存在する（図２（Ａ）に矢印ΔＨで示す）。このため、同図に示すはんだバンプ２Ｂのように正常のはんだバンプ２Ａに対して直径が小さいと、はんだバンプ２Ｂと接続端子４との間に間隙が発生してしまう。」
　
（１ｅ）「【００２２】請求項１記載の発明は、電子部品に設けられた突起電極を実装基板に設けられた接続端子に溶融接合することにより、前記電子部品を前記実装基板に実装する電子部品の実装方法において、・・・を特徴とするものである。
　【００２３】上記発明によれば、突起電極の直径（高さ）のバラツキにより、一部の接合位置で突起電極の先端と接続端子との間に間隙が生じても、実装基板には金属粒とベースフラックスとを含むフラックスペーストが配設されているため、間隙に存在する金属粒が突起電極と接続端子との接合を補助する。即ち、突起電極と接続端子との間に間隙が存在しても、金属粒がこの間隙間を電気的に接続する構成となるため、突起電極と接続端子に接合不良が発生することを防止することができる。この際、金属粒の直径は突起電極の直径より小さい直径とされているため、金属粒の存在により電子装置と実装基板との離間距離が突起電極の直径以上となるようなことはない。」
　
（１ｆ）「【００５１】図３乃至図５は、本発明の第１実施例である電子部品の実装方法及びペースト材料を説明するための図である。尚、以下の説明では、電子部品として半導体装置１０を用いた例について説明する。
　【００５２】本実施例に係る実装方法では、半導体装置１０を実装基板１３にフリップチップ実装する。半導体装置１０を実装基板１３にフリップチップ実装するには、先ず図３（Ａ）に示すように、フラックスペースト１５Ａを実装基板１３上に配設する。半導体装置１０は、・・・複数の突起電極が配設されている。本実施例では、突起電極としてはんだバンプ１２を用いた例を示している。・・・
　【００５３】はんだバンプ１２は直径Ｈ１を有しているが、製造誤差等により所定の公差ΔＨを有している。尚、本明細書において公差ΔＨとは、はんだバンプ１２に許容されている最大直径を有したはんだバンプ（図３（Ａ）に例示的に示すはんだバンプ１２Ａ）と、はんだバンプ１２に許容されている最小直径を有したはんだバンプ（図３（Ａ）に例示的に示すはんだバンプ１２Ｂ）との直径差をいうものとする。
　【００５４】一方、実装基板１３は、例えばガラスエポキシ製の配線基板であり、表面に接続端子１４及び図示しない配線が形成されている。フラックスペースト１５Ａは、この実装基板１３の上面全面に配設される。フラックスペースト１５Ａを実装基板１３上に配設する方法は、特に限定されるものではなく、例えばステンシル印刷やスクリーン印刷法等を用いて形成することができる。
　【００５５】この際、ステンシル印刷を適用する場合には、フラックスペースト１５Ａの粘度を３０Ｐａ・ｓ程度とすることが望ましい。・・・
　【００５６】ここで、フラックスペースト１５Ａの具体的構成について説明する。フラックスペースト１５Ａは、ベースフラックス１７内に金属粒１６を混入した構成とされている。具体的には、フラックスペースト１５Ａは、上記のベースフラックス１７に上記の金属粒１６を体積比率で１％以上２０％以下含むよう攪拌混練することで作製される。
　【００５７】金属粒１６は導電性を有した金属により形成されており、具体的にははんだ合金、金、或いは銀等を用いることが可能である。この金属粒１６の直径は、前記したはんだバンプ１２の直径の公差ΔＨ以上で、かつはんだバンプ１２の直径Ｈ１の約１／３以下となるよう設定されている。
　【００５８】・・・また、後に説明するように、はんだバンプ１２と接続端子１４との接合後において、半導体装置１０と実装基板１３との間を封止する補強樹脂１８（アンダーフィルレジンとして機能する）との適合性を考慮し、この補強樹脂１８となる樹脂材料をベースフラックス１７として用いることも可能である。この際、補強樹脂１８としては通常エポキシ樹脂およびその硬化剤を含むものが適用されるが、酸無水物系やアミン系の硬化剤はフラックスの活性剤としての機能も有する。このため、補強樹脂１８となる樹脂材料をベースフラックス１７として用いた場合には、特に活性剤を添加しなくとも、補強樹脂１８となる樹脂材料をベースフラックス１７としてそのまま適用することができる。
　・・・
　【００６０】ここで、再び図３に戻り、実装方法の説明を続ける。上記のようにフラックスペースト１５Ａを実装基板１３上に配設する処理が終了すると、続いて図３（Ｂ）に示すように、実装基板１３の接続端子１４と半導体装置１０のはんだバンプ１２とを位置合わせし、半導体装置１０を実装基板１３上に搭載する。これにより、半導体装置１０はフラックスペースト１５Ａ（具体的には、ベースフラックス１７）の有する接着力により実装基板１３に仮固定される。
　・・・  
　【００６３】ここで、前記したようにはんだバンプ１２の直径（高さ）にバラツキが存在した場合、図５に示すようにはんだバンプ１２の直径の大きさにより金属粒１６の押し出され方が異なる。即ち、直径の大きいはんだバンプ１２（特に、符号１２Ａで示すはんだバンプ１２）では、はんだバンプ１２Ａは接続端子１４と直接当接するため、金属粒１６ははんだバンプ１２Ａと接続端子１４との接合位置の側部に位置する。
　【００６４】これに対し、直径の小さいはんだバンプ１２（特に、符号１２Ｂで示すはんだバンプ１２）では、直径の大きいはんだバンプ１２Ａが接続端子１４と当接した時点で、直径の小さいはんだバンプ１２Ｂは接続端子１４と離間した状態である。そして、金属粒１６は、はんだバンプ１２Ｂと接続端子１４との間隙に挟まるよう位置する。前記したように、金属粒１６は導電性を有した金属により形成されているため、はんだバンプ１２Ｂと接続端子１４との間が離間していたとしても、金属粒１６によりはんだバンプ１２Ｂと接続端子１４は電気的に接続される。
　・・・
　【００７２】上記したように、半導体装置１０が実装基板１３上に搭載されると、半導体装置１０を搭載した実装基板１３をリフロー炉に通し、はんだバンプ１２を加熱溶融して接続端子１４に接合させる処理が行なわれる。この際、フラックスペースト１５Ａのフラックス作用により、はんだバンプ１２及び接続端子１４の表面酸化膜が除去され、はんだバンプ１２は接続端子１４に濡れ広がる。」    
　
（１ｇ）「【００７４】一方、直径（高さ）の小さなはんだバンプ１２Ｂと接続端子１４との接合位置では、はんだバンプ１２Ｂと接続端子１４が直接接していないため直接濡れ広がりはしないが、間隙に存在する金属粒１６を介して濡れが生じ、かつ上記のように正常な高さのはんだバンプ１２Ａが接続端子１４に濡れ広がる際に半導体装置１０は沈み込むため、直径の小さなはんだバンプ１２Ｂも接続端子１４の全体に濡れ広がる。これにより、直径の大小に拘わらず、はんだバンプ１２Ａ，１２Ｂは、確実に接続端子１４に接合される。図３（Ｃ）は、各はんだバンプ１２（１２Ａ，１２Ｂ）が接続端子１４に接合された状態を示している。」
　
（１ｈ）「【００８６】図８は、本発明の第３実施例である半導体装置１０（電子部品）の実装方法を示す図である。尚、図８においても、第１実施例の説明に用いた図３乃至図５に示した構成と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略するものとする。
　【００８７】本実施例に係る実装方法は、第１実施例における図３（Ｃ）〜図３（Ｅ）に示した各処理に対応する処理に特徴を有するものである。第１及び第２実施例では、はんだバンプ１２を接続端子１４に接合した後、残留する残留フラックスを洗浄して除去する構成とされていた。
　【００８８】これは、フラックスペースト１５Ａ，１５Ｂのベースフラックス１７が補強樹脂１８と異なる材料の場合、ベースフラックス１７と補強樹脂１８の樹脂材との接合性が不良であると、補強樹脂１８の充填性が低下してしまうことによる。
　【００８９】これに対して本実施例では、フラックスペースト１５Ｃを構成するベースフラックス１９が、補強樹脂１８となる樹脂を主成分とするよう構成したことを特徴としている（本実施例では、同一材料としている）。これにより、はんだバンプ１２と接続端子１４との接合後に残留するベースフラックス１９は、その後に形成される補強樹脂１８の樹脂と略同成分となる。
　【００９０】よって、補強樹脂１８とベースフラックス１９との接合性は良好となり、ベースフラックス１９を除去することなく補強樹脂１８を形成することが可能となる。即ち、図８（Ａ）に示すように、ベースフラックス１９が残留している状態で補強樹脂１８を形成することが可能となる。従って、第１及び第２実施例と異なり、補強樹脂１８の形成前にベースフラックス１９を洗浄する必要はなくなり、実装工程の簡略化を図ることができる。
　・・・・・
　【００９２】尚、ベースフラックス１９を補強樹脂１８と同一主成分の樹脂で構成した場合、はんだバンプ１２を接続端子１４に接合する際に印加される熱による熱硬化が問題となるが、これはベースフラックス１９の樹脂の硬化剤量をコントロールすることで解決することができる。例えば、比較的硬化の進行が早い場合には、ベースフラックス１９に用いる樹脂の硬化剤量を減らすことではんだバンプ１２と接続端子１４との接合時における接合硬化反応を制御し、その後の補強樹脂１８の形成処理で完全に硬化させるようにすることも可能である。」  
　
（２）引用例２（特開平６−５１１６号公報）
（２ａ）「【請求項１】融点が 300℃以下の低融点金属と、少なくともその表面が該低融点金属の融点よりも高い融点をもつ導電性粒子とを、電気絶縁性樹脂性シート中に分散含有させ、これを該低融点金属の融点以上に加熱して異方導電性をもつものとしてなることを特徴とする低融点金属接合型異方導電膜。」
　
（２ｂ）従来技術として、「【０００５】また、このＬＣＤパネルと基板とを異方導電膜で接続する場合には、この異方導電膜が接着剤層に導電性粒子を分散含有してなるもので、これは主にＬＣＤパネルとテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰと略記する）との接続に使用される（特開平3-49105 号公報参照）のであるが、これも前記したヒートシールコネクタと同様に導電性粒子の密度によってリーク不良やオープン不良が発生し、ＴＣＰの熱伸縮でＬＣＤパネルとＴＣＰの位置ずれが発生するという問題がある。
　【０００６】なお、これについては導電性粒子として金メッキ樹脂粒子を用い、加圧により弾性変形させて、導電性粒子と対向電極との接続を面接触化して安定化させるという方法も提案されているが、これにも接着剤の熱的変体や応力緩和で対向電極間距離が広がり、導電性粒子の弾性変形がなくなり、オープン不良が発生し易いという欠点があり、導電性粒子としてはんだ粒子などの低融点金属粒子のみを使用する方法も提案されている（特公昭63-51354号公報参照）が、これは低融点金属、特にはんだは接着剤層である樹脂に対するよりも対向電極の金属材料やＩＴＯに対する方が濡れ性が高いので、粒径がばらついていると大きい粒子ははんだづけ時にブリッジが発生してリーク不良が起きたり、逆に小さい粒子は一方の対向電極に流れてしまい、上下間の導通が得られなかったりするなどの欠点がある。」  
　
（２ｃ）「【００１０】本発明の低融点金属型異方導電膜は前記したように低融点金属と、これよりも融点の高い導電性粒子とを電気絶縁性樹脂シートに分散、含有させたのち、これを低融点金属の融点以上に加熱すると、この低融点金属が溶融して導電性粒子の周りに付着してこれが異方導電性をもつようになる。
　【００１１】本発明の低融点金属接合型異方導電膜を構成する電気絶縁性樹脂性シートはこの異方導電膜を使用するＬＣＤパネル・・・などの基板を接着固定するものであるが、これは後記する低融点金属を溶融させる工程で熱劣化したり、熱分解しない材料であれば特にこれを制限する必要はなく、これは熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でもよく、さらにこれらの混合物であってもよい。
　【００１２】この樹脂としては飽和共重合ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂などが例示されるが、これは・・・などの合成ゴムや天然ゴムであってもよい。」
　
（２ｄ）「【００１６】つぎに本発明の低融点金属接合型異方導電膜を構成する低融点金属はこれが融解して導電性粒子間や導電性粒子と対向電極との間を接合し、電気的導通路を完成させる機能を果たすものであるが、このものは本発明の異方導電膜の適用される電気機器、・・・の信頼性が50〜100 ℃とされるし、対向するＬＣＤパネルや基板の耐熱性も一般に 300℃程度とされるので、これは融点が 300℃以下のものとすることがよい。
　【００１７】この低融点金属としては一般にハンダ、ロウ材などが好適なものとされるので、これにはＳｎ−Ｓｂ、Ｐｂ−Ａｇ、Ｂｉ−Ｓｎなどの合金が例示され、・・・
　【００１８】・・・
　【００１９】また、本発明の低融点金属接合型異方導電膜を構成する導電性粒子は上記した低融点金属が溶融時にこれに付着するものであることから、溶融状態の低融点金属が付着し易い材料で少なくともその表面が覆われているものが好ましく、さらには少なくともその表面の融点がこの低融点金属の融点より高いもの、少なくとも20℃以上高いものとすることが必要とされ、これにはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳＵＳ粉などが例示されるが、これらは低融点金属の融点を超える融点を有する金属で表面が覆われたものであってもよく、・・・
　【００２０】この導電性粒子の形状は球状、樹脂状、鱗型状のいずれでもよく、これはウイスカー、針状であってもよいが、この大きさは大きすぎるとリーク不良発生の原因となり、小さすぎると複数の粒子が凝集して２次粒子を形成するので、直径が0.1〜50μｍ、特には１〜10μｍのものとすることがよい。」 
  
（２ｅ）「【００２１】・・・図１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の低融点金属接合型異方導電膜の製造過程図を示したものであり、図２はこの低融点金属型異方導電膜による基板間の電気的接続図を示したものである。
　【００２２】図１の（ａ）は電気絶縁性樹脂製シート２の中に低融点金属３と導電性粒子４を分散させたものの縦断面図であるが、これを低融点金属の融点以上に加熱するとこの低融点金属が溶解して図１の（ｂ）に示したようにこれが低融点金属の濡れ性がよい材料で少なくともその表面が覆われた導電性粒子の周りに付着するが、この加熱をさらに続けると図１の（ｃ）に示したようにこの低融点金属同士が結合して導電性粒子の周りに電気的導通回路５が形成された、本発明の低融点金属接合型異方導電膜１が形成される。
　【００２３】また、図２はこの低融点金属接合型異方導電性１を用いて２つの基板を電気的に接続したものを図示したものであるが、これには図１の（ｃ）で作られた低融点金属接合型異方導電膜を基板６、７の間に配置し、これを押圧すればこの異方導電膜における電気的導通回路５によって電極８、９が電気的に接続されることが示されている。この押圧時に加熱を併用するか否かは任意であるが、加熱すれば樹脂の流動性が上昇するので、導電性粒子が電気絶縁性樹脂を押し分けて対向電極と接続し易くなり、接続信頼性が向上する。・・・
　【００２４】なお、本発明の低融点金属接合型異方導電膜では基本的には導電性粒子が導電経路の核となり、低融点金属がこの核間を接続するので、この低融点金属の添加量は少なくとも電気的導通路が形成されるだけの量とすることが必要とされるが、これは多すぎると隣接電極間も導通するリーク不良が発生するので、この導電性粒子に対する低融点金属の容量比率は9/95〜95/5の間とすることが必要であり、この間であればどのような比率であってもよい。」
　
（２ｆ）「【００２７】実施例２
平均粒径が５μｍでＡｕめっきフェノール樹脂製の球状導電性粒子２ｇと、平均粒径が２μｍでＢｉ−Ｓｎ−Ｃｄ製の球状の低融点粒子８ｇとを、電気絶縁性の熱硬化性樹脂・液状エポキシ樹脂50ｇ中に混練ロールを用いて混練してセパレーター上に塗布し、50℃で30分間加熱して厚さが８μｍである樹脂シートを作った。
　【００２８】ついで、このシートをＢｉ−Ｓｎ−Ｃｄよりなる低融点金属の融点である 102℃以上の 110℃に加熱したところ、この金属が溶融して導電性粒子に付着し、ここに電気的導通路が形成されたので、これを 0.1mmピッチで電極が配列されている基板間に挿入して・・・加熱加圧して、この樹脂シートを基板に接着固定したところ、隣接電極間の絶縁抵抗は1013Ω以上でリーク不良はなく、電気接続部の接続抵抗はすべて10ｍΩ以下でオープン不良もなく、このものは良好な電気特性を示した。なお、このものは85℃での高温放置、65℃、95％ＲＨの高湿放置、−20℃／70℃での温度サイクル試験後についても同様の電気特製試験を行なったが、この場合でも不良発生はなく、良好な接続信頼性を示した。」
　
（２ｇ）図１、特に（ｃ）には、複数の導電性粒子４の周りに溶融した低融点金属３同士が結合した電気的導通路５を形成していること、又図２には、複数の導電性粒子の周りに溶融した低融点金属同士が結合した電気的導通路５により、基板６、７の電極８、９が接続されていることが示されている。
　
３．当審の判断　
３−１．引用例１に記載の発明
〔Ａ〕引用例１の摘記（１ａ）によれば、電子部品に設けられた突起電極を実装基板に設けられた接続端子に溶融接合することにより、前記電子部品を前記実装基板に実装する電子部品の実装方法において、
　Ａ１：前記突起電極の直径より小さい直径を有する金属粒とベースフラックスとを含むフラックスペーストを前記突起電極上に配設する工程と、
　Ａ２：前記実装基板に前記電子部品を搭載すると共に
　Ａ３：加熱処理を行ない、前記突起電極を溶融し前記接続端子に接合する工程と、
　前記突起電極と前記接続端子との接合後、前記電子部品と前記実装基板との間に形成される前記空間に樹脂を封止する工程とを有する電子部品の実装方法が記載されている。
　
又摘記（１ｆ）によれば、第１実施例の工程として、
　Ａ１’：半導体装置１０を実装基板１３にフリップチップ実装するには、フラックスペースト１５Ａを実装基板１３上に配設する工程（【００５２】、図３（Ａ））、
　Ａ２’：続いて、実装基板１３の接続端子１４と半導体装置１０のはんだバンプ１２とを位置合わせし、半導体装置１０を実装基板１３上に搭載する工程（【００６０】、図３（Ｂ））、
　Ａ３’：半導体装置１０が実装基板１３上に搭載されると、半導体装置１０を搭載した実装基板１３をリフロー炉に通し、はんだバンプ１２を加熱溶融して接続端子１４に接合させる処理が行なわれ、はんだバンプ１２は接続端子１４に濡れ広がる工程（【００７２】）、が記載され、
　更に摘記（１ｈ）によれば、第３実施例として、第１実施例の説明に用いた図３乃至図５に示した構成と同一構成については、その説明を省略する（【００８６】）とし、ベースフラックス１９を補強樹脂１８と同一主成分の樹脂で構成した場合、はんだバンプ１２を接続端子１４に接合する際に印加される熱による熱硬化の進行が比較的早い場合には、ベースフラックス１９に用いる樹脂の硬化剤量を減らすことではんだバンプ１２と接続端子１４との接合時における接合硬化反応を制御し、その後の補強樹脂１８の形成処理で完全に硬化させるようにすることも可能である（【００９２】）としているから、
　Ａ４’：Ａ３’の工程の後、ベースフラックスの熱硬化性樹脂を固化させる工程を有するものといえる。
　
〔Ｂ〕摘記（１ｅ）【００２３】によれば、突起電極の直径（高さ）のバラツキにより、一部の接合位置で突起電極の先端と接続端子との間に間隙が生じても、実装基板には金属粒とベースフラックスとを含むフラックスペーストが配設されているため、間隙に存在する金属粒が突起電極と接続端子との接合を補助し、即ち、突起電極と接続端子との間に間隙が存在しても、金属粒がこの間隙間を電気的に接続する構成となるため、突起電極と接続端子に接合不良が発生することを防止することができることが記載されており、通常、電子部品に設けられた突起電極は電子部品の電極上に設けられているから、電子部品に設けられた突起電極を、高さにばらつきのある突起電極が形成された電極を接続端子に溶融接合する方法が記載されているといえる。
　
〔Ｃ〕摘記（１ｆ）【００５８】によれば、補強樹脂１８となる樹脂材料をベースフラックス１７として用いる際、補強樹脂１８としては通常エポキシ樹脂およびその硬化剤を含むものが適用されること、摘記（１ｈ）【００９２】には、ベースフラックス１９を補強樹脂１８と同一主成分の樹脂で構成した場合、はんだバンプ１２を接続端子１４に接合する際に印加される熱による熱硬化が問題となることが記載されているから、フラックスペーストは、はんだバンプを接続端子に接合する際に印加される熱により硬化する熱硬化樹脂を含むものといえる。
　
〔Ｄ〕摘記（１ｆ）【００５７】には、金属粒１６は導電性を有した金属により形成されており、具体的には、金、或いは銀を用いると記載されているから、金属粒は、はんだバンプの融点より高温の融点を有することも明らかである。
　
〔Ｅ〕摘記（１ｇ）によれば、直径（高さ）の小さなはんだバンプ１２Ｂと接続端子１４との接合位置では、はんだバンプ１２Ｂと接続端子１４が直接接していないため直接濡れ広がりはしないが、間隙に存在する金属粒１６を介して濡れが生じ、直径の小さなはんだバンプ１２Ｂも接続端子１４の全体に濡れ広がり、直径の大小に拘わらず、はんだバンプ１２Ａ，１２Ｂは、確実に接続端子１４に接合されることが記載されているから、高さの小さなはんだバンプの下端部と接続端子の間の間隙に存在する金属粒を介して濡れが生じ、高さの小さなはんだバンプも接続端子の全体に濡れ広がり、直径の大小に拘わらず、はんだバンプは、確実に接続端子に接合されるのであるから、高さの小さなはんだバンプと接続端子の間の隙間に、この高さの小さなはんだバンプの下端部とこの接続端子の表面を結ぶ金属粒のブリッジが形成されていることが理解できる。
　
　そうすると、上記の整理〔Ａ〕〜〔Ｅ〕を踏まえ、引用例１の摘記（１ａ）〜（１ｈ）をまとめると、引用例１には、
「電子部品に設けられた突起電極を、高さにばらつきのあるはんだバンプからなる突起電極が形成された電極を実装基板に設けられた接続端子に溶融接合することにより、前記電子部品を前記実装基板に実装する電子部品の実装方法において、
　Ａ１：前記突起電極の直径より小さい直径を有し、はんだバンプの融点より高温の融点を有する金属粒と、はんだバンプを接続端子に接合する際に印加される熱により硬化する熱硬化樹脂を含むフラックスペーストを前記突起電極上に配設する工程と、
　Ａ２’：実装基板の接続端子と半導体装置のはんだバンプとを位置合わせし、前記実装基板に前記電子部品を搭載する工程と、
　Ａ３’：電子部品を搭載した実装基板をリフロー炉に通し、はんだバンプを加熱溶融して接続端子に接合させ、溶融したはんだバンプは金属粒を介して接続端子に濡れ広がる工程と、
　Ａ４’：その後、ベースフラックスの熱硬化性樹脂を硬化させる工程とを含み、
　電子部品を搭載した実装基板をリフロー炉に通し、はんだバンプを加熱溶融して接続端子に接合させ、はんだバンプを接続端子に濡れ広がらせる工程において、
　高さの小さなはんだバンプと接続端子の間の隙間に、この高さの小さなはんだバンプの下端部とこの接続端子の表面を結ぶ金属粒のブリッジを形成する電子部品の実装方法」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているといえる。
　                    
３−２．対比・判断
　本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
〔Ｆ〕引用例１発明の「高さにばらつきのあるはんだバンプからなる突起電極」は、本願補正発明の「半田部としての高さにばらつきのあるバンプ」に相当し、引用例１発明の「突起電極が形成された電極」は、本願補正発明の「バンプが形成された第１の電極」に相当し、又引用例１発明の「接続端子」は、本願補正発明の「第２の電極」に相当している。
　
〔Ｇ〕引用例１発明の「フラックスペースト」は、電子部品に設けられ、突起電極が形成された電極を実装基板に設けられた接続端子にはんだ溶融接合するのに使用されるものであるから、本願補正発明の「半田付け補助材」に相当し、引用例１発明の「実装方法」は、本願補正発明の「半田付け方法」に相当している。
　
〔Ｈ〕引用例１発明の「はんだバンプを接続端子に接合する際に印加される熱により硬化する熱硬化樹脂」は、該接合する際に印加される熱により、はんだバンプが溶融して接続端子に接合し、摘記（１ｇ）によれば、直径の小さなはんだバンプ１２Ｂも接続端子１４の全体に濡れ広がり、これにより、直径の大小に拘わらず、はんだバンプ１２Ａ，１２Ｂは、確実に接続端子１４に接合されるのであるから、溶融した流動状態のはんだの流動を妨げずに固化するものである。
　
〔Ｉ〕引用例１発明の「Ａ１：工程」のフラックスペーストを前記突起電極上に配設するには、摘記（１ｄ）【０００９】のフラックスを実装基板またははんだバンプの先端に塗布することも、その態様として含んでいるから、本願補正発明の「第１の工程」に相当し、
又引用例１発明の「Ａ２’：工程」、「Ａ３’：工程」、「Ａ４’：工程」は、それぞれ順に本願補正発明の「第２の工程」、「第３の工程」、「第４の工程」に相当している。
　
〔Ｊ〕引用例１発明の「高さの小さなはんだバンプ」は、本願補正発明の「寸足らずのバンプ」に相当している。
　
　そうすると、両者は、
「半田部としての高さにばらつきのあるバンプが形成された第１の電極を第２の電極に半田付けする半田付け方法であって、半田付け時の加熱によって前記バンプが溶融した半田の流動を妨げずに固化する熱硬化性樹脂に前記バンプよりも高い融点を有する金属を混合した半田付け補助材を前記バンプもしくは前記第２の電極の少なくとも一方に塗布する第１の工程と、前記第１の電極のバンプと第２の電極を位置あわせすることにより前記半田付け補助材を前記バンプと第２の電極との間に介在させる第２の工程と、加熱によって前記バンプを溶融させて前記金属の表面伝いに濡れ拡がらせることにより溶融した半田を前記第２の電極に接触させる第３の工程と、第３の工程の後に前記熱硬化性樹脂を固化させる第４の工程とを含み、前記第３の工程において、寸足らずのバンプと第２の電極の間の隙間に、この寸足らずのバンプの下端部とこの第２の電極の表面を結ぶ前記金属のブリッジを形成することを特徴とする半田付け方法 」で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：バンプの融点よりも高温の融点を有する金属について、本願補正発明では、鱗片状の金属粉としているのに対し、引用例１発明は、この点が記載されていない点。
　
　次に、上記相違点について検討する。
　引用例２の摘記（２ａ）には、融点が 300℃以下の低融点金属と、該低融点金属の融点よりも高い融点をもつ導電性粒子とを、電気絶縁性樹脂性シート中に分散含有させ、これを該低融点金属の融点以上に加熱して異方導電性をもつものとしてなる低融点金属接合型異方導電膜が記載され、摘記（２ｃ）【００１１】には、低融点金属接合型異方導電膜を構成する電気絶縁性樹脂性シートはこの異方導電膜を使用する基板を接着固定するものであり、熱硬化性樹脂でもよいことが記載され、摘記（２ｄ）【００１７】には、低融点金属としてはハンダが例示され、同【００１９】には、導電性粒子は低融点金属が溶融時にこれに付着するものであることから、溶融状態の低融点金属が付着し易い材料で少なくともその表面が覆われているものが好ましく、さらには融点が低融点金属の融点より高いＡｕ、Ａｇ、・・・ＳＵＳ粉などが例示され、同【００２０】には、この導電性粒子の形状は鱗型状でよいことが記載されている。
　以上によれば、引用例２には、低融点金属としてはハンダ、導電性粒子として溶融状態の低融点金属（ハンダ）が付着し易い材料で、融点が低融点金属の融点より高く、形状が鱗型状（鱗片状と同じ）であるＡｕ、Ａｇ、ＳＵＳ粉のいずれかとを、即ちハンダと鱗片状の金属粉とを、熱硬化性樹脂からなる電気絶縁性樹脂性シート中に分散含有させ、これを該低融点金属の融点以上に加熱して異方導電性をもつものとしてなる低融点金属接合型異方導電膜が記載されているといえる。
　そして、摘記（２ｅ）【００２２】によれば、低融点金属の融点以上に加熱するとこの低融点金属が溶解して図１の（ｂ）に示したようにこれが低融点金属の濡れ性がよい導電性粒子の周りに付着するが、この加熱をさらに続けると図１の（ｃ）に示したようにこの低融点金属同士が結合して導電性粒子の周りに電気的導通回路５が形成されること、同【００２４】には、低融点金属接合型異方導電膜では基本的には導電性粒子が導電経路の核となり、低融点金属がこの核間を接続すると記載されているから、融点が低融点金属の融点より高く、形状が鱗型状（鱗片状）であるＡｕ、Ａｇ等の導電性粒子は、低融点金属の濡れ性がよい材料で低融点金属が導電性粒子の周りに付着し、加熱をさらに続けると低融点金属同士が結合して導電性粒子の周りに電気的導通回路が形成されることが理解できる。
　
　そうすると、引用例１発明の、はんだバンプの融点より高温の融点を有する金属粒も、はんだバンプと接続端子が直接接していないが、間隙に存在する金属粒を介して濡れが生じ、はんだバンプも接続端子の全体に濡れ広がり、はんだバンプは、確実に接続端子に接合されるもの（摘記（１ｇ））であって、引用例２に記載された鱗片状の金属粉と同じ作用を奏するものであるから、引用例１発明の該金属粒の形状を、鱗片状の金属粉とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　また、本願補正発明の奏する効果も、引用例１、２の記載事項から予測することができる程度のものであって、格別顕著であるとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定によって読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年４月１７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１、２に係る発明は、平成１８年１１月２２日付手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。なお、平成１９年２月９日付手続補正書は、平成１９年３月１日付で補正却下されたものである。
　「【請求項１】半田部としての高さにばらつきのあるバンプが形成された第１の電極を第２の電極に半田付けする半田付け方法であって、半田付け時の加熱によって前記バンプが溶融した半田の流動を妨げずに固化する樹脂に前記バンプよりも高い融点を有する鱗片状の金属粉を混合した半田付け補助材を前記バンプもしくは前記第２の電極の少なくとも一方に塗布する第１の工程と、前記第１の電極のバンプと第２の電極を位置あわせすることにより前記半田付け補助材を前記バンプと第２の電極との間に介在させる第２の工程と、加熱によって前記バンプを溶融させて前記金属粉の表面伝いに濡れ拡がらせることにより溶融した半田を前記第２の電極に接触させる第３の工程と、第３の工程の後に前記樹脂を固化させる第４の工程とを含み、前記第３の工程において、寸足らずのバンプと第２の電極の間の隙間に、この寸足らずのバンプの下端部とこの第２の電極の表面を結ぶ前記鱗片状の金属粉のブリッジを形成することを特徴とする半田付け方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、２とその主な記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明は、上記本願補正発明の発明特定事項の一部である「固化する熱硬化性樹脂」、「前記熱硬化性樹脂を固化させる」について、「熱硬化性」という具体的な限定事項を削除するものである。
　そうすると、本願発明の構成を全て含み、さらに他の構成を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「II．３．３−２．対比・判断」に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明についても、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。