【事件の表示】
　特願２００２−　　　１０１「垂直磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　２日出願公開、特開２００２−２１６３４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１４年１月４日の出願（パリ条約による優先権主張２００１年１月４日、韓国）であって、平成１７年８月１１日付けで手続補正がなされ、その後平成１７月８月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１２月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年１月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年１月５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１月５日付け手続補正を却下する。
［理由］
１　本件補正
　本件補正は、段落３４、３６、４３について、
（ア）【００３４】を「＜実施例５＞
　ガラス基板上にニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）系軟磁性層を４００ｎｍの層厚で形成した後、チタン（Ｔｉ）下地層を５ｎｍの層厚で形成し、白金（Ｐｔ）垂直補強層を１５ｎｍの層厚に蒸着した以外は、実施例１の方法と同様にして２層構造の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ディスクを製造した。」
（イ）【００３６】を「＜実施例７＞
　厚さ０．６３５ｍｍのガラス基板上にニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）系軟磁性層を１０ｎｍの層厚で形成し、白金（Ｐｔ）垂直補強層を１５ｎｍの層厚で形成した以外は、実施例６の方法と同様にして擬似２層構造の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ディスクを製造した。」
（ウ）【００４３】を「＜比較例３＞
　厚さ０．６３５ｍｍのガラス基板上にチタン（Ｔｉ）下地層を４０ｎｍの層厚で設けた以外は、比較例１の方法と同様にして垂直磁気記録（ＰＭＲ）ディスクを製造した。」
　と補正するものである。
　本件補正の、（ア）（イ）の「白金（Ｐｔ）垂直補強層」が「１５ｎｍ」の層厚である構成は、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載されていない。
　請求人は、請求項１や段落２２の「１５ｎｍ以上」という記載を根拠に、当初明細書等の「１０ｎｍ」の記載が誤記であって「１５ｎｍ」とすべきことは自ずと明らかな事項であると主張している。
　しかしながら、当初明細書等の「１０ｎｍ」の記載が請求項１や段落２２の記載と矛盾しているからといって、実施例５や７の白金（Ｐｔ）垂直補強層の層厚が１５ｎｍの誤記であったことは自明ではない。即ち、請求項１や段落２２の内容が間違いである場合や、実施例５や７のＰｔの層厚が１５ｎｍ以外の層厚である可能性があるからである。
　本件補正の、（ウ）の「下地層」が「チタン（Ｔｉ）下地層」である構成は、当初明細書等に記載されていない。当初明細書等には、「チタン（Ｔｉ）下地層の代わりに白金（Ｐｔ）下地層を４０ｎｍの層厚で設けた」と記載されているのみである。
　請求人は、当初明細書の「白金（Ｐｔ）下地層」は誤記であって、＜比較例３＞が比較例であるためには、従来例として当初明細書に記載された「チタン（Ｔｉ）下地層」であることが自ずと明らかな事項であると主張している。
　しかしながら、当初明細書等の「白金（Ｐｔ）下地層」の記載が比較例の記載としては請求項の記載と矛盾しているからといって、下地層が本来「チタン（Ｔｉ）下地層」の誤記であったことは自明ではない。
　よって、本件補正の、（ア）（イ）の「白金（Ｐｔ）垂直補強層」が「１５ｎｍ」の層厚である構成、及び（ウ）の「下地層」が「チタン（Ｔｉ）下地層」である構成は、当初明細書等に記載した事項の範囲内であるということはできない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１７年８月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】基板と垂直磁気記録層との間に、垂直磁気記録層の垂直配向性を高めるための垂直配向特性低下防止層が１５〜５０ｎｍの層厚にて設けられたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
　
２　引用例
（１）原審の拒絶理由で引用した特開平７−３３４８３２号公報（以下「引用例１」という。）には、「垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【請求項５】単結晶からなる基板と、該基板上に形成された下地膜と、該下地膜上に形成されたＣｏまたはＣｏを主成分とする合金からなる垂直磁化膜と、該垂直磁化膜上に形成された保護膜とからなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地膜が前記基板上に、前記垂直磁化膜が前記基板面に対して垂直な磁化容易軸をもつように前記下地膜上にエピタキシャル成長していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項９】請求項５に記載の垂直磁気記録媒体において、前記下地膜の前記基板面に平行な膜面内の最近接原子間距離（ａ（下地膜）とする）と、前記垂直磁化膜の前記基板面に平行な膜面内の最近接原子間距離（ａ（垂直磁化膜）とする）とが、
｜ａ（垂直磁化膜）−ａ（下地膜）｜／ａ（下地膜）≦０．２５
の関係を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２４】請求項５から１２のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記下地膜は面心立方構造を有する材料からなり、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、及びこれらの元素を主成分とする合金、からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料で構成され、前記下地膜の配向方位が＜１１１＞であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。」（特許請求の範囲の請求項５、９、２４）
　（イ）「【００１９】本発明の垂直磁気記録媒体の第２の実施形態は、図２に示すように、
基板２１と、この基板上に設けられた下地膜２２と、この下地膜上に設けられた垂直磁化膜２３と、この垂直磁化膜上に設けられた保護膜２４とからなる垂直磁気記録媒体
　（ウ）「【００２０】第１、第２の実施形態においては、（１）垂直磁化膜１２及び２３の材料を、ＣｏまたはＣｏを主成分とする合金とすること、（２）基板の表面は表面粗さＲａの値が１０ｎｍ以下の平坦度を有することが最も好ましく、（３）基板面内の最近接原子間距離（ａ（基板）とする）と、垂直磁化膜の基板面に平行な膜面内の最近接原子間距離（ａ（垂直磁化膜）とする）と、下地膜の基板面に平行な膜面内の最近接原子間距離（ａ（下地膜）とする）とが、第１の実施形態では、
｜ａ（垂直磁化膜）−ａ（基板）｜／ａ（基板）≧０．００５
第２の実施形態では、
｜ａ（下地膜）−ａ（基板）｜／ａ（基板）≧０．００５
の関係をそれぞれ満足すること、が最も好ましい。」
　（エ）「【００２２】第２の実施形態においては、下地膜の基板面に平行な膜面内の最近接原子間距離（ａ（下地膜）とする）と、垂直磁化膜の基板面に平行な膜面内の最近接原子間距離（ａ（垂直磁化膜）とする）とが、
｜ａ（垂直磁化膜）−ａ（下地膜）｜／ａ（下地膜）≦０．２５
の関係を満足することが好ましく、
｜ａ（垂直磁化膜）−ａ（下地膜）｜／ａ（下地膜）≦０．１５
の関係を満足することが最も好ましい。
下地膜は、
（２）面心立方構造を有する材料からなり、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、及びこれらの元素を主成分とする合金、からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料で構成され、前記下地膜の配向方位が＜１１１＞であること、が最も好ましい
　（オ）「【００２７】〈実施例２〉表面を鏡面研磨した直径０．８インチのＭｇＯ単結晶基板（面方位（１１１）、表面更さ、Ｒａ＝１ｎｍ）を用い、図５に示すような断面構造を持つ磁気記録媒体を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって作製した。単結晶基板５１の両面に、Ｃｕ下地膜５２、５２’、Ｃｏ合金磁性膜５３、５３’、カーボン保護膜５４、５４’をこの順序で形成する。なお、ＭｇＯ単結晶基板は、立方晶系のＮａＣｌ型結晶構造であり、
Ｃｕ下地膜は面心立方構造
Ｃｕ下地膜が２０ｎｍ
【００２８】作製した試料の結晶配向をＸ線回折によって、磁気特性を試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いてそれぞれ測定した。Ｘ線回折では、基板の回折とＣｕの１１１回折ピーク、Ｃｏ合金の０００２回折ピークが観測され、Ｃｕが＜１１１＞配向、Ｃｏ合金膜が〔０００１〕配向していることがわかった。さらにＸ線極点図形の測定により、膜面内の結晶方位に関しても強く配向していることがわかった。Ｃｏ合金の０００２回折ピークのロッキング曲線を測定したところ、本実施例の磁気記録媒体は、ガラス基板を用いて全く同様の条件で作製した磁気記録媒体と比較して、ロッキング曲線の半値幅が大きく減少しており、Ｃｏ合金磁性膜の〔０００１〕配向が著しく改善され、膜面垂直方向の保磁力は１３．８％向上した、１６５０（Ｏｅ）であった。
【００２９】また、上記
Ｃｕ下地膜に代えて、いずれも面心立方構造をもつ
Ａｕ
Ｐｄ
Ｐｔ
各下地膜を用いたところ、いずれも上記と同様の改善効果が認められた
１００×｜ａ（下地膜）−ａ（基板）｜／ａ（基板）
で表したミスフイット率１、及び
１００×｜ａ（垂直磁化膜）−ａ（下地膜）｜／ａ（下地膜
で表した
ミスフイット率
　（カ）「【００３９】
【発明の効果】本発明を用いれば、単結晶上のエピタキシャル成長により、
極めて強い配向性をもち、大きな垂直磁気異方性を示す垂直磁化膜
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（イ）（エ）（オ）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「基板と、この基板上に設けられた下地膜と、この下地膜上に設けられた垂直磁化膜と、この垂直磁化膜上に設けられた保護膜とからなる垂直磁気記録媒体であって、
　下地膜は、面心立方構造を有する材料からなり、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、及びこれらの元素を主成分とする合金、からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料で構成され、上記下地膜の配向方位が＜１１１＞であり、
　上記下地膜は、Ｃｕ下地膜が膜厚２０ｎｍで形成され、またＣｕに代えＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの各下地膜でも形成されてなる、垂直磁気記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　
（２）
　ア．　引用例１に記載された発明の「垂直磁化膜」は、本願発明の「垂直磁気記録層」に相当している。
　イ．　引用例１に記載された発明の「下地膜」は、「面心立方構造を有する材料からなり」、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選ばれた少なくとも一種の材料で構成されていて、当該下地膜は、垂直磁化膜と、それぞれの最近接原子間距離（ａ（下地膜）とａ（垂直磁化膜））が、所定の範囲内のミスフィットになるよう選択されることにより、垂直配向性の高い垂直磁化膜を得ることができたものである。一方、本願発明の「垂直配向特性低下防止層」は、基板と垂直磁気記録層との間に設けられ、垂直結晶配向特性に優れた金属から構成され、当該金属としてはＰｔ、Ａｕ、Ｐｄが列挙され（段落２２、２８）、垂直磁化膜との結晶格子径の差が、従来のものより小さくなる（段落２７等）ように選択したものである。してみれば、引用例１に記載された発明の「下地膜」は、本願発明の「垂直磁気記録層の垂直配向性を高めるための垂直配向特性低下防止層」に実質的に相当している。
　ウ．　引用例１に記載された発明の「下地膜」は、具体的には、Ｃｕ下地膜が膜厚２０ｎｍで形成され、またＣｕに代えＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの各下地膜でも形成されてなるので、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔの各下地膜も膜厚２０ｎｍで形成されているものと解されるから、本願発明の「垂直配向特性低下防止層が１５〜５０ｎｍの層厚」という特定に含まれる構成を備え、引用例１に記載された発明は、本願発明と、２０ｎｍにおいて一致している。
　エ．　上記ア．イ．ウ．によれば、引用例１に記載された発明の「垂直磁気記録媒体」は、本願発明の「基板と垂直磁気記録層との間に、垂直磁気記録層の垂直配向性を高めるための垂直配向特性低下防止層が１５〜５０ｎｍの層厚にて設けられたこと」に相当する構成を備えている。
　以上のとおりであるから、本願発明は引用例に記載された発明と同一である。
　
　オ．　また、本願発明では、「垂直磁気記録層の垂直配向性を高めるための垂直配向特性低下防止層が１５〜５０ｎｍの層厚にて設けられたこと」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、層厚の数値範囲をそのように特定されていない点で、一応相違するとしても、上記点は、次の理由により当業者が容易に想到しうることにすぎない。
　引用例１にはＣｕ下地膜で層厚２０ｎｍにする例示が記載されていることから、Ｃｕに代えＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの各下地膜でも２０ｎｍ近傍の１５〜５０ｎｍ程度の厚さで形成することは、当業者が適宜なし得る程度の値にすぎない。また、本願の明細書には、「その層厚は１５ｎｍ以上であると良い。層厚が１５ｎｍより薄くなると、この垂直補強層２６の上下に設けられる他の層との安定性が低下するためである。」（段落２２）と下限の技術的意義が説明されているが、当業者が各層を形成する際に適宜なし得る程度の事項であり、上限については特に限定されるものではない（段落２２）のであるから、上記数値範囲「１５〜５０ｎｍの層厚」の限定に、格別意義があるものではない。
　なお、請求人は、平成１７年８月１１日付け意見書及び請求の理由の手続補正書（方式）において、実験結果のデータを追加して、「１５〜５０ｎｍの層厚」の数値範囲に臨界的意義があることを主張しているが、当初明細書等には上述（段落２２）の記載があるのみであって、特に５０ｎｍを超える層厚においての臨界的意義に関する主張は、出願後の実験結果に基づくものであって、到底採用できない。もっとも、引用例１に２０ｎｍの例示があるのであるから、「１５〜５０ｎｍの層厚」は、先に述べたとおり、当業者が必要に応じ適宜なし得る程度の数値範囲にすぎない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、また引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。