【事件の表示】
　平成　６年特許願第１４０７１０号「面の粗いポリシリコン層の均一ドーピング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　１月１７日出願公開、特開平　７−　１４７９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
 　本願は、平成６年６月１日（パリ条約による優先権主張１９９３年６月３日、米国）の出願であって、平成１８年５月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月２０日に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成１９年６月１日付けで上記平成１８年９月２０日付け手続補正の却下の決定がなされるとともに、平成１９年６月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２６日に意見書及び手続補正書が提出されている。
 　 
２．本願発明 
（１）請求項１について
 　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１２月２６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
「【請求項１】　面の粗いポリシリコン層に均一にドーピングする方法であって、
　チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）とこの第１のポリシリコン層（１５）の上の二酸化シリコン層（２０）とを有する半導体基板（１０）を用意し、
　前記二酸化シリコン層（２０）の上に、半球粒状面性ポリシリコンからなる面の粗いポリシリコン層（３０）を蒸着し、
　前記面の粗いポリシリコン層（３０）をエネルギーとガスに曝すことによって、この面の粗いポリシリコン層（３０）にドーピングを施してドーピングされた面の粗いポリシリコン層を形成することを含む方法。」 
（２）請求項２について
　平成１９年１２月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項２には、以下のとおり記載されている。
「【請求項２】　面の粗いポリシリコン層に均一にドーピングする方法であって、
　チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）とこの第１のポリシリコン層（１５）の上の二酸化シリコン層（２０）とを有する半導体基板（１０）を用意し、
　前記二酸化シリコン層（２０）の上にアモルファスポリシリコン層を蒸着し、
　真空アニーリングすることにより、前記アモルファスポリシリコン層の面を粗くし、面の粗いポリシリコン層を形成し、
　前記面の粗いポリシリコン層をエネルギーとガスに曝すことによって、この面の粗いポリシリコン層にドーピングを施すことを含む方法。」
　ここで、本願の発明の詳細な説明において、二酸化シリコン層上に真空アニーリングを利用して面の粗いポリシリコン層を形成する工程に関連する記載を参照すると、以下の記載がある。（なお、下線は強調のため、本審決において付加したものである。）
（ア）「【００１１】
　本発明の第二の態様においては、第１のポリシリコン層の上に二酸化シリコン層を有する半導体基板を用意する。ついで、二酸化シリコン層の上に、その場でドーピングを施した表面の粗いポリシリコン層を形成する。これは、二酸化シリコン層の上に
アモルファスシリコン層
アモルファスシリコン層
アモルファスシリコン層
（イ）「【００１８】
　本発明の第二の態様においては、ドーピングされた面の粗いポリシリコン層を形成する工程は、
アモルファスシリコン層
アモルファスシリコン層
アモルファスシリコン層
アモルファスシリコン層
　上記（ア）及び（イ）の記載によれば、二酸化シリコン層の上に「アモルファスシリコン層」を蒸着しており、「アモルファスシリコン層」をその場で真空アニーリングすることによって、「アモルファスシリコン層」の面を粗くする工程を達成することは明らかであり、また、本願の発明の詳細な説明には、「アモルファスポリシリコン層」の記載は存在しないから、本願の請求項２において、「アモルファスポリシリコン層」は、「アモルファスシリコン層」の誤記であると認められる。
　したがって、本願の請求項２に係る発明は、平成１９年１２月２６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、以下のとおりのものであると認める。
「【請求項２】　面の粗いポリシリコン層に均一にドーピングする方法であって、
　チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）とこの第１のポリシリコン層（１５）の上の二酸化シリコン層（２０）とを有する半導体基板（１０）を用意し、
　前記二酸化シリコン層（２０）の上にアモルファスシリコン層を蒸着し、
　真空アニーリングすることにより、前記アモルファスシリコン層の面を粗くし、面の粗いポリシリコン層を形成し、
　前記面の粗いポリシリコン層をエネルギーとガスに曝すことによって、この面の粗いポリシリコン層にドーピングを施すことを含む方法。」
　 
３．引用した刊行物に記載の発明 
（１）特開平３−２７８５６６号公報 
　当審の拒絶理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成３年１２月１０日に日本国内において頒布された特開平３−２７８５６６号公報（拒絶理由における引用文献４。以下、「刊行物１」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。 
 「〔実施例〕
　本発明の第１の実施例について、第１図（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
　はじめに第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の表面にゲート酸化膜２、ゲート電極３、絶縁膜４が形成されている。
　つぎに第１図（ｂ）に示すように、シラン（ＳｉＨ４）を用いた減圧ＣＶＤ法によりポリシリコンを堆積する。
　このとき６５０℃以上の温度条件、望ましくは６７５〜７２５℃において、０．４Ｔｏｒｒの減圧下でポリシリコンが堆積される。
　ポリシリコンは第２図のグラフに示すように、堆積温度６５０℃以上において急速に粒塊が成長し、表面凹凸が大きくなり、７００℃においては約１５００Åに達する。
　このあとイオン注入法または熱拡散法により、燐をドープしてから選択エツチングすることにより、容量下層電極５が形成される。
　つぎに熱酸化法により、ポリシリコンからなる容量下層電極５の表面に、容量絶縁膜６が形成される。
　つぎに第１図（ｃ）に示すように、ポリシリコンからなる容量上層電極７が形成されて、容量素子が完成する。」 （第２頁左上欄第１４行〜右上欄第１８行）
 　 
　ここで、第１図及び第２図とその説明を参照すると、堆積温度６５０℃以上において、表面凹凸が大きいポリシリコンが基板上に堆積されることは、明らかである。 
　また、「このあとイオン注入法または熱拡散法により、燐をドープしてから選択エツチングする」（第２頁右上欄第１０行〜第１１行）と記載されているから、「ドープされた表面凹凸が大きいポリシリコン」を形成していることは明らかであり、刊行物１における「半導体装置の製造方法」は、実質的に、「表面凹凸が大きいポリシリコンにドープする方法」であると言える。
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「表面凹凸が大きいポリシリコンにドープする方法であって、
　表面にゲート酸化膜２及び絶縁膜４が形成された半導体基板１を用意し、
　前記ゲート酸化膜２及び絶縁膜４の上に、表面凹凸が大きいポリシリコンを減圧ＣＶＤ法で堆積し、
　前記表面凹凸が大きいポリシリコンにイオン注入法または熱拡散法により燐をドープして、ドーピングされた表面凹凸が大きいポリシリコンを形成することを含む方法。」（以下、「刊行物発明１」という。） 
　 
（２）特開平４−１９６４３５号公報 
　当審の拒絶理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成４年７月１６日に日本国内において頒布された特開平４−１９６４３５号公報（拒絶理由における引用文献２。以下、「刊行物２」という。）には、「多結晶シリコン膜の製造方法」（発明の名称）に関して、第１図ないし第３図とともに以下の事項が記載されている。 
「本発明者は特願平２−７２４６２号（平成２年３月２０日出願）明細書で、ＬＰＣＶＤにおけるポリシリコン形成をある温度範囲で行うと、アモルファス領域からポリシリコンに変化する境界で、表面に半円球状のグレインが緻密に成長し、表面積は他の温度で成長したシリコン膜の約２倍になることを示している。このポリシリコンをスタックトキャパシタの蓄積電極に適応することにより、厚さ１００Å程度の酸化膜換算膜厚の容量絶縁膜で十分な蓄積電荷を蓄え、リーク電流も減少させている。」（第１頁右下欄第１５行〜第２頁左上欄第５行）
「　［作用］
　本発明者はＬＰＣＶＤ法等で堆積したアモルファスシリコンを大気中にとり出すことなく、清浄な表面状態を維持した状態で真空中あるいは不活性ガス等の非酸化雰囲気中で加熱処理することにより結晶化する際、表面でのシリコンのマイグレーションおよび結晶化によりシリコン膜表面に凹凸が高密度に形成されることを見出した。この凹凸を利用して表面積の大きいポリシリコン膜を形成することができる。」（第２頁右上欄第９行〜第１８行）
「
実施例１
　第３図の断面図に示す構造を有するキャパシタを作成するものとする。厚いＳｉＯ２膜５２が形成されたＳｉ基板５０上に、シリコン膜５４を５１０℃で厚さ２５００Å堆積した。堆積はＬＰＣＶＤ法で行い、使用ガスはＳｉＨ４＋Ｈｅ（ＳｉＨ４：２０％，Ｈｅ：８０％）、圧力は１Ｔｏｒｒである。
　第１図（ａ）に、堆積したシリコン膜５４を大気中に取り出した時の表面状態を示す。第１図（ｂ）には、堆積したシリコン膜５４を大気中に取り出すことなくＡｒガスを炉内に導入し６００℃で１時間アニールした後、シリコン膜を大気中に取り出した時の表面状態を示す。第１図（ａ），（ｂ）は、今回形成したシリコン膜表面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で、第１図（ａ）は倍率１０万倍であり、第１図（ｂ）は倍率４０万倍である。この走査電子顕微鏡の加速電圧は２０ｋｖである。
次に、堆積したシリコン膜５４に、８２０℃，６０分の条件でリン拡散を行い、そのあと表面に容量絶縁膜５６を形成し、その上に上層電極となるポリシリコン膜５８を形成する。」（第２頁左下欄第１４行〜右下欄第１４行）
「５１０℃で２５００Å堆積したシリコン膜５４を大気中に取り出すことなくＡｒガスを炉内に導入し６００℃で１時間アニールすると、第１図（ｂ）に示すように径が１０００Å程度の半球状のグレインが高密度にしかも一様に形成され、表面に微細な凹凸が生じ表面積が激増する。容量は第２図からわかるように７ｎＦ、表面積が約２ｍｍ２と５１０℃のときの約２倍となる。なお第２図は加熱処理（アニール）の前後によるキャパシタ容量（シリコン膜の表面積）の変化を示している。
　実施例１ではＡｒガス中でアニールを行ったが、Ｈｅ，Ｎｅ，真空中のアニールにおいても、同様の結果が得られる。」（第３頁左上欄第１６行〜右上欄第８行）
　 
　ここで、上記［作用］に関する記載を参照すると、上記実施例１においてＬＰＣＶＤ法で堆積された「シリコン膜５４」は、アモルファスシリコンであることは明らかであり、また、該アモルファスシリコンを真空中あるいは不活性ガス中で加熱処理することにより、表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜が形成されるから、実施例１の上記「シリコン膜５４」は、アニールにより、表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜となることは明らかである。そして、実施例１の結果に対しても、「真空中のアニールにおいても、同様の結果が得られる。」（第３頁右上欄第７行〜第８行）との記載がある。
　また、実施例１のリン拡散はアニールの後に行っているから、この時点で「シリコン膜５４」は表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜となっており、このポリシリコン膜にリン拡散、即ち、不純物の拡散を行うことが開示されているから、刊行物２における「多結晶シリコン膜の製造方法」は、実質的に、「表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜に拡散する方法」であると言える。
　したがって、刊行物２には、以下の発明が記載されている。
「表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜に拡散する方法であって、
　炉内に、ＳｉＯ２膜５２が形成されたＳｉ基板５０を用意し、
　前記ＳｉＯ２膜５２上に、アモルファスシリコン膜５４をＬＰＣＶＤ法で堆積し、
　真空中のアニールにより、前記アモルファスシリコン膜５４の表面に凹凸を形成し、表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜を形成し、
　前記表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜に拡散を行うことを含む方法。」（以下、「刊行物発明２」という。） 
　 
（３）米国特許第５２０８４７９号
　当審の拒絶理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成５年５月４日に米国内において頒布された米国特許第５２０８４７９号（拒絶理由における引用文献１。以下、「刊行物３」という。）には、第１図ないし第４図とともに以下の事項が記載されている。 
「発明の別の態様によれば、半導体基板の上に電気伝導性ポリシリコン容量プレートを形成する方法は、以下の各工程からなる。
　半導体基板の表面に第１の所定の厚さで第１のポリシリコン層を堆積し、その場で導電性のドーピングを行う；
　第１のポリシリコン層の表面に厚さ２オングストロームから最大で約３０オングストロームの厚さの酸化物の薄い層を設け、その薄い酸化物層は外部へ曝される表面を有する；
　外部に曝された薄い酸化膜表面の上に、外部に曝された表面を有するドープされていないポリシリコンの第２の層を堆積し、第２のポリシリコン層は約５００オングストロームから約７００オングストロームの厚さを有し、薄い酸化物層が、約５００オングストロームから約７００オングストロームの第２の導電性ポリシリコン層の外部に曝された表面に凹凸を引き起こすように、ポリシリコンの堆積中におけるシリコン原子の移動度を減少させる；
　第２のポリシリコン層を電気伝導性とするために、第１のポリシリコン層から薄い酸化物層を通して第２のポリシリコン層へと導電性不純物が拡散するように、半導体基板を加熱し、この結果、第１のポリシリコン層は、薄い酸化物層を通して第２のポリシリコン層と電気伝導性を有する；」（第２欄第５６行〜第３欄第１４行の訳文）
「薄い酸化物層１８を生成する好ましい方法は、ポリシリコン層１４を酸化してＳｉＯ２を形成するために、ウエハ片１０を酸化雰囲気中に曝すことである。」（第４欄第２９行〜第３２行の訳文）
　したがって、「薄い酸化物層１８」は「二酸化シリコン層」であるから、図面及び上記摘記事項より、刊行物３には、ドーピングがされた第１のポリシリコン層（１４）と、この第１のポリシリコン層（１４）の上の二酸化シリコン層（１８）とを有する半導体基板（１２）の上に、第２のポリシリコン層（２２）を形成することが記載されていると言える。
　 
（４）特開昭６３−１９７３３０号公報 
　当審の拒絶理由に引用された、本願優先権主張日の前である昭和６３年８月１６日に日本国内において頒布された特開昭６３−１９７３３０号公報（拒絶理由における引用文献６。以下、「刊行物４」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。 
「２．特許請求の範囲
　半導体装置を高温で瞬時的にアニールするランプアニール方法において、不純物ガスを供給できる装置を具備し、不純物ガスを瞬時的に半導体装置に拡散することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第１頁左下欄第４行〜第９行）
「拡散方法は第２図のシーケンスに示すように常温下で、パージ用窒素ガスを流した状態で半導体装置２を石英チューブ内１に挿入し、真空ポンプ４によって石英チューブ内１を真空引きにする。その後ランプ・ヒーター３によって石英チューブ内１を加熱し、一定温度に到達した後、即、オキシ塩化リンと酸素及び希釈用窒素を混合せしめた不純物ガスをガス供給装置５から供給し、数秒から数分の間拡散を行い、常温に戻した後真空ポンプを停止し、石英チューブ内１を大気にして半導体装置２を出炉する。」（第２頁右上欄第１行〜第１２行）
「〔発明の効果〕
　以上説明したように、本発明は、ランプ・アニール装置に、不純物ガスを供給できる装置を具備し、不純物ガスを瞬時に半導体装置に拡散することにより、・・・不純物拡散層の均一性に優れ・・・、工程が短縮でき安定した、浅い接合形成ができる効果がある。」（第２頁右上欄第１３行〜左下欄第１行）
　
（５）特開昭５７−４５９２３号公報 
　当審の拒絶理由に引用された、本願優先権主張日の前である昭和５７年３月１６日に日本国内において頒布された特開昭５７−４５９２３号公報（拒絶理由における引用文献７。以下、「刊行物５」という。）には、「光・拡散法」（発明の名称）に関して、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。 
「２．特許請求の範囲
　（１）半導体表面に気体から不純物元素を拡散するに当り、同時に光を照射させることにより上記拡散の促進乃至コントロールを行うことを特徴とする光・拡散法。」（第１頁左下欄第４行〜第８行）
　
４．請求項１に係る発明について
（１）対比 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物発明１について、以下で対比する。
（ａ） 刊行物発明１の「表面凹凸が大きいポリシリコン」は、本願発明１の「面の粗いポリシリコン層」に相当する。なお、審判請求人は、平成１９年１２月２６日付け意見書において、『引用文献２（刊行物２）、４（刊行物１），及び５において、表面部は面の粗いポリシリコン層ではありません。』と主張しているが、刊行物発明１において「表面凹凸が大きい」ことは、約１５００Åの凹凸が生じることであり（第２頁右上欄第８行〜第９行）、これは「面の粗い」ことであると認められるから、上記主張は採用することができない。
（ｂ）刊行物発明１の「ドープする」は、本願発明１の「ドーピングする」と同じ意味であることは明らかである。
（ｃ）刊行物発明１の「ゲート酸化膜２及び絶縁膜４」は、「絶縁層」である点において、本願発明１の「二酸化シリコン層」に対応している。
（ｄ）本願明細書には、「蒸着」について明確な定義は記載されていないが、本願における「蒸着」は成膜法として一般的な物理蒸着・化学蒸着を意味すると解されるから、刊行物発明１の「減圧ＣＶＤ法で堆積」は、本願発明１の「蒸着」に相当する。
　したがって、本願発明１と刊行物発明１とは、
「面の粗いポリシリコン層にドーピングする方法であって、
　絶縁層を有する半導体基板を用意し、
　前記絶縁層の上に、面の粗いポリシリコン層を蒸着し、
　この面の粗いポリシリコン層にドーピングを施してドーピングされた面の粗いポリシリコン層を形成することを含む方法。」
であることにおいて一致しており、ただ、以下の３点において相違している。
（相違点１）
　本願発明１は、「チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）とこの第１のポリシリコン層（１５）の上の二酸化シリコン層（２０）とを有する半導体基板（１０）」を用意しているのに対し、刊行物発明１は、このような構成が記載されていない点。
（相違点２）
　本願発明１は、「前記二酸化シリコン層（２０）の上に、半球粒状面性ポリシリコンからなる面の粗いポリシリコン層（３０）」を蒸着しているのに対し、刊行物発明１は、絶縁層上に表面凹凸が大きいポリシリコンを堆積しているものの、半球粒状面性ポリシリコンであるか明らかではない点。
（相違点３）
　本願発明１は、「前記面の粗いポリシリコン層をエネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施しており、これにより、面の粗いポリシリコン層に「均一に」ドーピングする方法であるのに対し、刊行物発明１は、前記表面凹凸が大きいポリシリコンにイオン注入法または熱拡散法により燐をドープしている点。
　 
（２）判断 
　上記相違点について検討する。 
（相違点１について） 
　刊行物発明１は、本願発明１と同じく、容量素子の下層電極となるポリシリコン層を形成することをその技術的背景とするものである。そして、刊行物３には、同様に半導体基板の上に電気伝導性ポリシリコン容量プレートを形成する方法において、半導体基板として、ドーピングがされた第１のポリシリコン層と、この第１のポリシリコン層の上の二酸化シリコン層とを有する半導体基板を用意し、この半導体基板の上に、第２のポリシリコン層を形成することが開示されているから、刊行物発明１において、容量素子の下層電極となるポリシリコン層を形成するにあたり、刊行物３に記載される半導体基板を使用することは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　また、刊行物１には、その製造工程をどのような製造装置内で行うのか明記されていないが、刊行物発明１の少なくとも表面凹凸が大きいポリシリコンを堆積する工程は、所定圧力に減圧されたガス雰囲気中で行われるから、このようなガス雰囲気が実現できる周知の製造装置である「チャンバ」内に半導体基板を配置し、その製造工程を行うことは自明のことである。
　したがって、刊行物発明１において、ポリシリコンを堆積する際に刊行物３に記載の半導体基板を利用し、本願発明１のごとく、「チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層とこの第１のポリシリコン層の上の二酸化シリコン層とを有する半導体基板」を用意することは、当業者が容易になし得ることである。 
（相違点２について）
　刊行物２には、「本発明者は・・・、ＬＰＣＶＤにおけるポリシリコン形成をある温度範囲で行うと、アモルファス領域からポリシリコンに変化する境界で、表面に半円球状のグレインが緻密に成長し、表面積は他の温度で成長したシリコン膜の約２倍になることを示している。このポリシリコンをスタックトキャパシタの蓄積電極に適応することにより、厚さ１００Å程度の酸化膜換算膜厚の容量絶縁膜で十分な蓄積電荷を蓄え、リーク電流も減少させている。」（第１頁右下欄第１５行〜第２頁左上欄第５行）と記載され、所定の温度条件によるＬＰＣＶＤにより半円球状のグレインが緻密に成長したポリシリコン、即ち、「半球粒状面性ポリシリコン」を形成でき、且つ、このポリシリコンがスタックトキャパシタの蓄積電極、即ち、容量素子の電極に適応できることが開示されているから、同じく、容量素子の下層電極となるポリシリコン層を形成することをその技術的背景とする刊行物発明１において、刊行物２に記載のポリシリコン層を適用しようとすることは、当業者が当然に考慮することである。
　そして、刊行物発明１のポリシリコンの堆積は、減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）で行うことが刊行物１に記載されており、絶縁層上に表面凹凸が大きいポリシリコンを堆積しているから、刊行物発明１においても実質的に半球粒状面性ポリシリコンが形成されている可能性もあり、また、形成されていないとしても、刊行物発明１において、刊行物２の記載及び上記（相違点１について）の検討に基づいて、本願発明１のごとく「前記二酸化シリコン層の上に、半球粒状面性ポリシリコンからなる面の粗いポリシリコン層」を形成することは、当業者が容易になし得ることである。
（相違点３について）
　刊行物４には、ランプ・ヒーター３によって石英チューブ内１を加熱し、不純物ガスをガス供給装置５から供給して、不純物ガスを瞬時に半導体装置に拡散することが記載されており、このランプ・ヒーター３からの光はエネルギーに外ならないから、刊行物４に記載の方法は、「エネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施す方法に相当する。また、刊行物５には、半導体表面に気体から不純物元素を拡散するに当り、同時に光を照射させることにより上記拡散の促進乃至コントロールを行うことが記載されており、この光はエネルギーに外ならないから、刊行物５に記載の方法も、「エネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施す方法に相当する。
　よって、「エネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施す方法は、当業者において周知とも言える技術である。
　そして、刊行物４には、「不純物ガスを瞬時に半導体装置に拡散することにより、・・・不純物拡散層の均一性に優れ」ることも記載されているから（第２頁右上欄第１６行〜第１９行）、このような周知のドーピング方法を、刊行物発明１のポリシリコンへのドープに適用し、均一性の向上を図ることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　したがって、刊行物発明１において、表面凹凸が大きいポリシリコンにイオン注入法または熱拡散法により燐をドープすることに代えて、上記周知のドーピング方法を適用し、本願発明１のごとく、「前記面の粗いポリシリコン層をエネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施し、これにより、面の粗いポリシリコン層に「均一に」ドーピングする方法とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　 
　そして、上記相違点１ないし３における本願発明１の構成の組み合わせを考慮しても、これにより格別の作用・効果を生じるものとは認められず、本願発明１の奏する効果（例えば、平成１９年１２月２６日付け意見書において主張している、「既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）の上に二酸化シリコン層（２０）を形成して半導体基板（１０）を製造する工程をチャンバの外部で行い、用意された半導体基板（１０）に対し、面の粗いポリシリコン層を形成し、形成された面の粗いポリシリコン層にドーピングを施す、との工程をチャンバ内で行うことが可能となり」、「装置の小型化を実現できる、との作用効果」等）は、刊行物１ないし５に記載の事項に基づいて、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。 
　したがって、本願発明１は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
５．請求項２に係る発明について
（１）対比 
　本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）と刊行物発明２について、以下で対比する。
（ａ） 刊行物発明２の「表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜」は、本願発明２の「面の粗いポリシリコン層」に相当し、刊行物発明２の「表面に凹凸を形成」することは、本願発明２の「面を粗く」することに相当する。なお、審判請求人は、平成１９年１２月２６日付け意見書において、『引用文献２（刊行物２）、４（刊行物１），及び５において、表面部は面の粗いポリシリコン層ではありません。』と主張しているが、刊行物発明２において「表面に凹凸が形成」されたことは、「径が１０００Å程度の半球状のグレインが高密度にしかも一様に形成」されること（第３頁左上欄第１９行〜第２０行）であり、これは「面の粗い」ことであると認められるから、上記主張は採用することができない。
（ｂ）「拡散」はドーピングの一手段であるから、刊行物発明２の「拡散」することは、本願発明２の「ドーピング」すること（或いは「ドーピング」を施すこと）に相当する。
（ｃ）刊行物発明２の「炉」は、その中でシリコン膜の堆積やアニールを行うことのできる製造装置であるから、実質的に、本願発明２の「チャンバ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明２の「ＳｉＯ２膜」、「Ｓｉ基板」、「アモルファスシリコン膜」、「真空中のアニール」は、本願発明２の「二酸化シリコン層」、「半導体基板」、「アモルファスシリコン層」、「真空アニーリング」にそれぞれ相当する。
（ｅ）本願明細書には、「蒸着」について明確な定義は記載されていないが、本願における「蒸着」は成膜法として一般的な物理蒸着・化学蒸着を意味すると解されるから、刊行物発明２の「ＬＰＣＶＤ法で堆積」は、本願発明２の「蒸着」に相当する。
　したがって、本願発明２と刊行物発明２とは、
「面の粗いポリシリコン層にドーピングする方法であって、
　チャンバ内に、二酸化シリコン層を有する半導体基板を用意し、
　前記二酸化シリコン層の上にアモルファスシリコン層を蒸着し、
　真空アニーリングすることにより、前記アモルファスシリコン層の面を粗くし、面の粗いポリシリコン層を形成し、
　この面の粗いポリシリコン層にドーピングを施すことを含む方法。」
であることにおいて一致しており、ただ、以下の３点において相違している。
（相違点１）
　本願発明２は、「チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）とこの第１のポリシリコン層（１５）の上の二酸化シリコン層（２０）とを有する半導体基板（１０）」を用意しているのに対し、刊行物発明２は、炉内に、ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉ基板を用意している点。
（相違点２）
　本願発明２は、「前記面の粗いポリシリコン層をエネルギーとガスに曝すこと」によって、この面の粗いポリシリコン層にドーピングを施しており、これにより、面の粗いポリシリコン層に「均一に」ドーピングする方法であるのに対し、刊行物発明２は、前記表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜に拡散を行っている点。
　 
（２）判断 
　上記相違点について検討する。 
（相違点１について） 
　刊行物発明２は、本願発明２と同じく、容量素子の下層電極となるポリシリコン層を形成することをその技術的背景とするものである。そして、刊行物３には、同様に半導体基板の上に電気伝導性ポリシリコン容量プレートを形成する方法において、半導体基板として、ドーピングがされた第１のポリシリコン層と、この第１のポリシリコン層の上の二酸化シリコン層とを有する半導体基板を用意し、この半導体基板の上に、第２のポリシリコン層を形成することが開示されているから、刊行物発明２において、容量素子の下層電極となるポリシリコン層を形成するにあたり、刊行物３に記載される半導体基板を使用することは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　したがって、刊行物発明２において、本願発明２のごとく、「チャンバ内に、既にドーピングされている第１のポリシリコン層とこの第１のポリシリコン層の上の二酸化シリコン層とを有する半導体基板」を用意することは、当業者が容易になし得ることである。 
（相違点２について）
　刊行物４には、ランプ・ヒーター３によって石英チューブ内１を加熱し、不純物ガスをガス供給装置５から供給して、不純物ガスを瞬時に半導体装置に拡散することが記載されており、このランプ・ヒーター３からの光はエネルギーに外ならないから、刊行物４に記載の方法は、「エネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施す方法に相当する。また、刊行物５には、半導体表面に気体から不純物元素を拡散するに当り、同時に光を照射させることにより上記拡散の促進乃至コントロールを行うことが記載されており、この光はエネルギーに外ならないから、刊行物５に記載の方法も、「エネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施す方法に相当する。
　よって、「エネルギーとガスに曝すこと」によって、ドーピングを施す方法は、当業者において周知とも言える技術である。
　そして、刊行物４には、「不純物ガスを瞬時に半導体装置に拡散することにより、・・・不純物拡散層の均一性に優れ」ることも記載されているから（第２頁右上欄第１６行〜第１９行）、このような周知のドーピング方法を、刊行物発明２のポリシリコンへのドープに適用し、均一性の向上を図ることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　したがって、刊行物発明２において、表面に凹凸が形成されたポリシリコン膜に拡散を行うことに代えて、上記周知のドーピング方法を適用し、本願発明２のごとく、「前記面の粗いポリシリコン層をエネルギーとガスに曝すこと」によって、この面の粗いポリシリコン層にドーピングを施し、これにより、面の粗いポリシリコン層に「均一に」ドーピングする方法とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　 
　そして、上記相違点１及び２における本願発明２の構成の組み合わせを考慮しても、これにより格別の作用・効果を生じるものとは認められず、本願発明２の奏する効果（例えば、平成１９年１２月２６日付け意見書において主張している、「既にドーピングされている第１のポリシリコン層（１５）の上に二酸化シリコン層（２０）を形成して半導体基板（１０）を製造する工程をチャンバの外部で行い、用意された半導体基板（１０）に対し、面の粗いポリシリコン層を形成し、形成された面の粗いポリシリコン層にドーピングを施す、との工程をチャンバ内で行うことが可能となり」、「装置の小型化を実現できる、との作用効果」等）は、刊行物２ないし５に記載の事項に基づいて、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。 
　したがって、本願発明２は、刊行物２ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
６．むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項３ないし７に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。