【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年12月26日(2018.12.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の幾つかの実施態様によれば、
グラフェンの形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の表面に、少なくとも１種の第一の金属と少なくとも１種の第二の金属とを含む少なくとも２種の金属を堆積させることと、
少なくとも１種の第一の金属がシリコンカーバイドのシリコンと反応する条件下において、ＳｉＣと第一及び第二の金属を加熱して、カーボンと少なくとも１種の安定なシリサイドとを形成させることとを含み、
少なくとも１種の安定なシリサイド中及び少なくとも１種の第二の金属中のカーボンの対応する溶解度が十分に低く、シリサイド反応により製造されたカーボンが、少なくとも１種の安定なシリサイドと残っているＳｉＣの間に配置されたグラフェン層を形成する、方法が与えられる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の幾つかの実施態様によれば、
グラフェン層の形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイドの表面に、実質的にニッケルと銅で構成されたＮｉ／Ｃｉ層を堆積させることと、
得られた構造を加熱して、ニッケルの少なくとも一部をシリコンカーバイドの対応する部分と反応させて、カーボンと、ニッケルシリサイドと任意の残っている未反応のニッケル及び銅とを含む金属層と、を形成させることとを含み、
カーボンが、残っているシリコンカーバイドと金属層の間に配置されたグラフェン層の形態である、方法が与えられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
幾つかの実施態様において、シリコンカーバイドは、基板上に配置された薄膜の形態である。幾つかの実施態様において、基板は、シリコン基板である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
幾つかの実施態様において、ＳｉＣの薄膜は、シリコン基板上に配置されたシリコンカーバイドの互いに離間した島の形態である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
また、本開示で記載されるのは、グラフェン層の形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイドの表面に、実質的にニッケルと銅で構成されたＮｉ／Ｃｉ層を堆積させることと、
得られた構造を加熱して、ニッケルの少なくとも一部をシリコンカーバイドの対応する部分と反応させて、カーボンと、ニッケルシリサイドと任意の残っている未反応のニッケル及び銅とを含む金属層と、を形成させることとを含み、
カーボンが、残っているシリコンカーバイドと金属層の間に配置されたグラフェン層の形態である、方法である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
幾つかの実施態様において、シリコンカーバイドは、基板上に配置されたＳｉＣの薄膜である。幾つかの実施態様において、基板はシリコン基板である。幾つかの実施態様において、ＳｉＣの薄膜は、シリコン基板上に配置されたシリコンカーバイドの互いに離間した島の形態である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
また、本開示で記載されるのは、グラフェン層の形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイド表面に、実質的にニッケルと銅で構成されたＮｉ／Ｃｉ層を堆積させることと、
得られた構造を加熱して、ニッケルの少なくとも一部をシリコンカーバイドの対応する部分と反応させて、カーボンと、ニッケルシリサイドと任意の残っている未反応のニッケル及び銅とを含む金属アロイ層と、を形成させることとを含み、
カーボンが、残っているシリコンカーバイドと金属アロイ層の間に配置されたグラフェン層の形態である、方法である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
本発明の範囲から逸脱することのない多くの改変は、当業者に明らかである。
本開示は以下も包含する。
［１］
グラフェンの形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の表面に、少なくとも１種の第一の金属と少なくとも１種の第二の金属とを含む少なくとも２種の金属を堆積させることと、
少なくとも１種の第一の金属がシリコンカーバイドのシリコンと反応する条件下において、ＳｉＣと第一及び第二の金属を加熱して、カーボンと少なくとも１種の安定なシリサイドとを形成させることとを含み、
少なくとも１種の安定なシリサイド中及び少なくとも１種の第二の金属中のカーボンの対応する溶解度が十分に低く、シリサイド反応により製造されたカーボンがＳｉＣ上のグラフェン層を形成する、方法。
［２］
少なくとも１種の第二の金属中の対応する溶解度が、少なくとも１種の安定なシリサイド中のカーボンの対応する溶解度より低い、上記態様１に記載の方法。
［３］
第一の少なくとも１種の金属がニッケルであり、第二の少なくとも１種の金属が銅である、上記態様２に記載の方法。
［４］
グラフェン層の形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイドの表面に、実質的にニッケルと銅で構成されたＮｉ／Ｃｕ層を堆積させることと、
得られた構造を加熱して、ニッケルの少なくとも一部をシリコンカーバイドの対応する部分と反応させて、カーボンと、ニッケルシリサイドと任意の残っている未反応のニッケル及び銅とを含む金属層と、を形成させることとを含み、
カーボンが、残っているシリコンカーバイドと金属層の間に配置されたグラフェン層の形態である、方法。
［５］
金属層を除去して下層のグラフェン層を露出させることを含む、上記態様１〜４のいずれかに記載の方法。
［６］
シリコンカーバイドが、基板上に配置された薄膜の形態である、上記態様１〜４のいずれかに記載の方法。
［７］
基板が、シリコン基板である、上記態様６に記載の方法。
［８］
ＳｉＣの薄膜が、シリコン基板上に配置されたシリコンカーバイドの互いに離間した島の形態である、上記態様７に記載の方法。
［９］
シリコンカーバイドの島の下の基板の少なくとも部分を除去して、互いに離間したシリコンカーバイドの島の対応する部分を解放することを含む、上記態様６〜８のいずれかに記載の方法。
［１０］
グラフェン層が、ＭＥＭＳトランスデューサーの部分である、上記態様１〜９のいずれかに記載の方法。
［１１］
シリコンカーバイドが、実質的にアモルファスである、上記態様１〜１０のいずれかに記載の方法。
［１２］
前記加熱する工程が、不活性ガス雰囲気中で実施される、上記態様１〜１１のいずれかに記載の方法。
［１３］
前記加熱する工程が、減圧下で実施される、上記態様１〜１１のいずれかに記載の方法。
［１４］
前記減圧が約１０-4〜１０-3ｍｂａｒの圧力である、上記態様１３に記載の方法。
［１５］
前記加熱する工程が、ＳｉＣと第一及び第二の金属を少なくとも８００℃の温度に加熱することを含む、上記態様１〜１４のいずれかに記載の方法。
［１６］
前記加熱する工程が、ＳｉＣと第一及び第二の金属を約１０００℃の温度に加熱することを含む、上記態様１〜１４のいずれかに記載の方法。
［１７］
前記加熱する工程が、ＳｉＣと第一及び第二の金属を約１０５０℃の温度に加熱することを含む、上記態様１６に記載の方法。
［１８］
前記加熱する工程が、急速熱処理（ＲＴＰ）加熱工程である、上記態様１〜１７のいずれかに記載の方法。
［１９］
上記態様１〜１８のいずれかに記載の方法により形成されたグラフェンの１つ又はそれより多くの層を含む、構造。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフェンの形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の表面に、ニッケル及び銅である金属を堆積させることと、
前記ニッケルがシリコンカーバイドのシリコンと反応する条件下において、ＳｉＣと前記金属を加熱して、カーボンと少なくとも１種の安定なシリサイドとを形成させることとを含み、
少なくとも１種の安定なシリサイド中及び前記銅中のカーボンの対応する溶解度が十分に低く、シリサイド反応により製造されたカーボンが、少なくとも１種の安定なシリサイドと残っているＳｉＣの間に配置されたグラフェン層を形成する、方法。
【請求項２】
グラフェン層の形成方法であって、方法が、
シリコンカーバイドの表面に、ニッケルと銅で構成されたＮｉ／Ｃｕ層を堆積させることと、
得られた構造を加熱して、ニッケルの少なくとも一部をシリコンカーバイドの対応する部分と反応させて、カーボンと、ニッケルシリサイドと任意の残っている未反応のニッケル及び銅とを含む金属層と、を形成させることとを含み、
カーボンが、残っているシリコンカーバイドと金属層の間に配置されたグラフェン層の形態である、方法。
【請求項３】
金属層を除去して下層のグラフェン層を露出させることを含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
シリコンカーバイドが、基板上に配置された薄膜の形態である、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項５】
基板が、シリコン基板である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ＳｉＣの薄膜が、シリコン基板上に配置されたシリコンカーバイドの互いに離間した島の形態である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
シリコンカーバイドの島の下の基板の少なくとも部分を除去して、互いに離間したシリコンカーバイドの島の対応する部分を解放することを含む、請求項４〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
グラフェン層が、ＭＥＭＳトランスデューサーの部分である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
シリコンカーバイドが、アモルファスである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記加熱する工程が、不活性ガス雰囲気中で実施される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記加熱する工程が、減圧下で実施される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記減圧が１０-4〜１０-3ｍｂａｒの圧力である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記加熱する工程が、ＳｉＣと前記金属を少なくとも８００℃の温度に加熱することを含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記加熱する工程が、ＳｉＣと前記金属を１０００℃の温度に加熱することを含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記加熱する工程が、ＳｉＣと前記金属を１０５０℃の温度に加熱することを含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記加熱する工程が、急速熱処理（ＲＴＰ）加熱工程である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。