【事件の表示】
　特願２００４−１８７４２８「画像のコントラストを向上させるための計測プロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２０日出願公開、特開２００５−　１７２９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年６月２５日（パリ条約による優先権主張２００３年６月２６日、米国）の出願であって、平成１８年１月６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年４月１７日に拒絶査定不服審判の請求が行われるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年４月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年４月１７日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
２−１．補正後の本願発明
　平成１８年４月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正の内容として、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（願書に最初に添付した特許請求の範囲）の
「【請求項１】
埋め込みフィーチャの画像コントラストを高めるための計測プロセスであって、
　基板の選択された表面を研磨して前記埋め込みフィーチャの断面を露出させるステップと、
　前記露出させた断面をフッ素含有化合物を含むガス混合物に露出させるステップと、
　前記露出した断面に高エネルギビームを照射して、前記埋め込みフィーチャの画像コントラストを高めるステップと、
を有する、プロセス。」を、
「【請求項１】
埋め込みフィーチャの画像コントラストを高めるための計測プロセスであって、
　
集束イオンビーム、および、ＸｅＦ
2
、ＸｅＦ
4
、ＸｅＦ
6
、ＫｒＦ
2
、ＫｒＦ
4
、ＫｒＦ
6
から成る群から選択した希ガスハライドに晒して
、研磨
　前記露出させた断面をフッ素含有化合物を含むガス混合物に
晒す
　前記露出した断面に高エネルギビームを照射して、前記埋め込みフィーチャの画像コントラストを高める
、照射
を備え、　前記晒すステップと前記照射するステップを同時に行うことを特徴とする
　
　上記補正は、「断面を露出させるステップ」を「断面を露出させる
、研磨
晒す
、照射
集束イオンビーム、および、ＸｅＦ
2
、ＸｅＦ
4
、ＸｅＦ
6
、ＫｒＦ
2
、ＫｒＦ
4
、ＫｒＦ
6
から成る群から選択した希ガスハライドに晒して
前記晒すステップと前記照射するステップを同時に行う
　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２−２．引用例
　原査定の拒絶の理由２に引用した、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である、特開平７−３３３１２０号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審にて付加した）。
　
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
半導体素子などの特定個所を透過電子顕微鏡で観察するための試料作製方法に係り、特に集束イオンビーム加工による試料作成方法
　
（イ）「【００３３】〈実施例２〉
この例は、薄膜部３の厚さ、更には厚さ分布をモニタする方法に関するものであり、以下、図１と図８〜図１９により説明する。
　
（ウ）「【００３９】
図１２は、集束電子銃１３より電子ビーム１４を薄膜部３に当て、透過した電子ビームをファラデーカップやシンチレータなどの電子ビーム検出器１６で検出し、厚さを図るものである。
また、透過電子顕微鏡と同じ構造とすることで、集束イオンビーム加工中にＴＥＭ像を観察することもできると云う効果がある。
　
（エ）「【００４３】これまでの実施例では、薄膜部３の表面に、ほぼ平行に集束イオンビーム２を当てる構成例について示してきたが、図１９に示すように、薄膜部３に集束イオンビーム２を垂直に当てる方法もとれる。この場合は、ステージ３９に観察光照射部５２と反射光検出部５３を上向きに取り付ける。これにより薄膜部３の加工中の厚さをモニタすることができる。
【００４４】また、図１９においては、
集束イオンビームアシストエッチングを行なうために、ガスノズル６５より反応性ガスが加工面に吹き付けられている。
【００４５】なお、
反応性ガスとしては、Ｓｉ、ＳｉＯ
2
、ＳｉＮ等の試料に対しては例えばＸｅＦ
2
、ＳＦ
6
、ＣＦ
4
等のフッ素系ガス単体、または混合ガスであり
【００４６】また、集束イオンビームアシストエッチングは、図１９に示したように加工面に垂直にイオンが照射される場合に限らず、図１７に示したように加工面に斜め、あるいはほぼ平行にイオンを入射させる場合にも、同様に効果的であることは言うまでもない。」
　
（オ）「【００６８】〈実施例８〉
図２５は、集束イオンビーム加工装置に、図１２に示した透過電子ビームを測定する装置を取り付けた本発明装置の要部断面概略図である。図示のように、試料室チャンバ４０には、集束イオンビーム光学系２１と電子銃１３と２次電子検出器５６と試料を透過した電子ビームの検出器１６とステージ３９が設けられている。ステージ３９の上には図３に示したように加工される試料４２が載っている。試料４２を加工するための集束イオンビーム２５は偏向コントローラ３０からの信号を偏向電極３１に印加することで偏向走査される。電子ビーム１４は電子ビーム偏向コントローラ５７からの信号を偏向電極５８に印加することで偏向走査される。
【００６９】集束イオンビーム２５の照射より得られる２次電子と、
電子ビーム１４の照射により得られる２次電子は、２次電子検出器５６により検出され
電子ビーム１４の照射により得られる２次電子像は加工された試料薄膜部の断面観察にそれぞれ供せられる
．．．
【００７３】
走査電子像（ＳＥＭ像）を見る場合には、電子ビーム偏向信号と２次電子検出出力を画像表示モニタ３７に入力する
．．．
【００７６】
集束イオンビーム２５と電子ビーム１４との２つのビームの照射の方法については、同時あるいは時間を区切って別々に照射することが可能である。同時に照射すると、イオンビームにより加工しながら加工断面の走査電子像（ＳＥＭ像）を同時に観察することができる。
．．．
【００８０】この方式はＴＥＭ観察用試料を作成する場合のみならず、
断面ＳＥＭ観察用試料の加工時にも断面ＳＥＭ像を見ながら集束イオンビーム加工ができる
　
　以上の記載を総合すると、引用例には、「半導体素子などの試料の特定個所を観察するために、断面ＳＥＭ像を見ながら集束イオンビーム加工を行う方法として、
ＸｅＦ2、ＳＦ6、ＣＦ4等のフッ素系ガス単体、または混合ガスを試料の加工面に吹き付けて集束イオンビームアシストエッチングを行ない、
電子ビームの照射により得られる２次電子像は加工された試料薄膜部の断面観察に供せられ、
集束イオンビームと電子ビームとの２つのビームを同時に照射し、イオンビームにより加工しながら試料の加工断面の走査電子像（ＳＥＭ像）を同時に観察する、方法。」（以下、「引用例に記載された発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
２−３．対比・判断
　本願補正発明と引用例に記載された発明とを対比する。
　引用例に記載された発明の「半導体素子などの試料の特定個所」に関して、本願明細書の【００３１】段落に「ゲート構造すなわち埋め込みフィーチャ」と記載され、【０００２】段落に【背景技術】として、「半導体集積回路（ＩＣ：integratedcircuit）の業界では．．．」と記載され、また本願明細書全般にわたり半導体デバイスを対象にすることが記載されていることから、引用例に記載された発明の「半導体素子などの試料の特定個所」は、本願補正発明の「埋め込みフィーチャ」に相当する。
　また、引用例に記載された発明の「ＸｅＦ2、ＳＦ6、ＣＦ4等のフッ素系ガス単体、または混合ガスを試料の加工面に吹き付けて集束イオンビームアシストエッチングを行な」うことは、試料の加工面に吹き付けるガスとしてＸｅＦ2を用いており、また集束イオンビームエッチングは、試料の断面を露出させる加工法であるから、本願補正発明において選択的に記載された「集束イオンビーム、および、ＸｅＦ2、ＸｅＦ4、ＸｅＦ6、ＫｒＦ2、ＫｒＦ4、ＫｒＦ6から成る群から選択した希ガスハライドに晒して基板の選択された表面を研磨して前記埋め込みフィーチャの断面を露出させる、研磨ステップ」のうち、「集束イオンビーム、および、ＸｅＦ2の希ガスハライドに晒して基板の選択された表面を研磨して前記埋め込みフィーチャの断面を露出させる、研磨ステップ」に相当する。
　そして、引用例に記載された発明では、集束イオンビームアシストエッチングの際に、「ＸｅＦ2、ＳＦ6、ＣＦ4等のフッ素系ガス単体、または混合ガス」を試料の加工面に吹き付けるとしており、フッ素系ガスの混合ガスを用いうること、またイオンビームにより加工しながら試料の加工断面の走査電子像（ＳＥＭ像）を同時に観察しているから、走査電子像（ＳＥＭ像）の観察の際に試料の加工面にはフッ素系ガスが吹き付けられていることは明らかであり、またその観察する試料の加工面は集束イオンビームアシストエッチングにより露出された試料の断面であり、さらに「フッ素系ガスの混合ガス」は本願補正発明の「フッ素含有化合物を含むガス混合物」に相当することから、引用例に記載された発明が、本願補正発明の「前記露出させた断面をフッ素含有化合物を含むガス混合物に晒すステップ」を備え、当該ステップが走査電子像（ＳＥＭ像）の観察と同時に行われていることは明らかである。
　さらに、引用例に記載された発明の「電子ビームの照射により得られる２次電子像は加工された試料薄膜部の断面観察に供せられ」は、試料薄膜部の断面の走査電子像（ＳＥＭ像）の観察を行うものであることは明らかであり、また、本願明細書の【００１３】段落の「断面を高エネルギビームに露出させながら、同時に断面をフッ素含有ガスに露出させることを含む。．．．このように処理した断面は、結果として画像コントラストが向上することがわかっている。」との記載を参照すると、上記「晒すステップ」を備えることで画像コントラストが高められるものであり、上記の通り引用例に記載された発明においても「晒すステップ」を備えていることから、引用例に記載された発明の「電子ビームの照射により得られる２次電子像は加工された試料薄膜部の断面観察に供せられ」は、本願補正発明の「前記露出した断面に高エネルギビームを照射して、前記埋め込みフィーチャの画像コントラストを高める、照射ステップ」に相当する。
　また、上記のとおり、引用例に記載された発明において「晒すステップ」が走査電子像（ＳＥＭ像）の観察と同時に行われていることは明らかであることから、このことは本願補正発明において、「前記晒すステップと前記照射するステップを同時に行うこと」に相当する。
　そして、引用例に記載された発明は、上記の通り埋め込みフィーチャの画像コントラストを高めるものであり、また本願明細書を参照すると、「計測プロセス」とは、「走査電子顕微鏡」による画像を取得することを意味していることから、引用例に記載された発明の「半導体素子などの試料の特定個所を観察するために、断面ＳＥＭ像を見ながら集束イオンビーム加工を行う方法」は、「埋め込みフィーチャの画像コントラストを高めるための計測プロセス」に相当するものである。
　
　してみると、本願補正発明の発明特定事項は、すべて引用例に示されているものであって、本願補正発明は、引用例に記載された発明である。
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
２−４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
３−１．本願発明
　平成１８年４月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記２−１．に記載のとおりのものである。
　
３−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記２−２．に記載したとおりである。
　
３−３．対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明において、「断面を露出させる
、研磨
晒す
、照射
集束イオンビーム、および、ＸｅＦ
2
、ＸｅＦ
4
、ＸｅＦ
6
、ＫｒＦ
2
、ＫｒＦ
4
、ＫｒＦ
6
から成る群から選択した希ガスハライドに晒して
前記晒すステップと前記照射するステップを同時に行う
　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記２−３．に記載したとおり、引用例に記載された発明と同一のものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明と同一である。
　
３−４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　したがって、請求項２乃至１５に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。