【事件の表示】
　平成８年特許願第２４４００９号「パワーモジュール用基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年３月１０日出願公開、特開平１０−７０２１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成８年８月２８日の出願であって、平成１７年２月１４日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年４月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１７年６月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年７月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、法定期間内の平成１７年８月１５日付けで、その明細書についての手続補正書が提出されたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年８月１５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
［１］主たる補正内容
　本件補正は、明細書の特許請求の範囲について、
　補正前の独立請求項である請求項１，２の「半田レジスト」を、
　「上記半田レジストは金属表面を分割するように形成されており且つ半田流れ止め穴を有さない」と限定して減縮するものである。
　そして、補正後の請求項２は結果として、
　「【請求項２】セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合した金属と、この金属表面上に塗布した半田レジストとより成り、上記半田レジストは、エポキシ系あるいはイミド系レジストであり、上記半田レジストは、印刷、スプレー、ロールコーターのいずれかの手段により５〜４０μｍの膜厚に塗布され、上記半田レジストは、５０〜２００℃で加熱硬化され、硬化後は２５０℃以上の耐熱性を有し、上記半田レジストは金属表面を分割するように形成されており且つ半田流れ止め穴を有さないことを特徴とするパワーモジュール用基板。」(以下、「本件発明」という)へと限定して減縮された。
　したがって、審判請求人が平成１７年８月１５日付けで明細書の特許請求の範囲についてした手続補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された事項を目的とするものに該当する。
　そこで、本件発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか)について次で検討する。
　　　
［２］引用例１，２の記載事項
［２-1］引用例１；特開平８−１４８６４７号公報(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献１である)
　段落【0006】の【課題を解決するための手段】に、
(引1a)「本発明は、半導体素子を搭載する放熱板が、チップを搭載する表面領域は、半田付け可能な材料からなり、チップが接触しない表面領域は、半田をはじく材料からなることを特徴としている」と記載され、
　段落【0007】に、
(引1b)「・・・前記放熱板は、半田付け可能な金属からなるベースを有し、前記半導体素子が接合されない領域には、前記半導体素子が接合される領域を囲む半田をはじく絶縁層」と記載され、
　段落【0008】の【作用】に、
(引1c)「放熱板においてチップが搭載されていない領域が半田をはじくのでマウント半田流れが防止され、半田厚が均一になる」と記載され、
　段落【0017】に、
(引1d)「次に、図４を参照して第３の実施例を説明する。図は、インバータなどに用いられる混成集積回路装置の断面図である。・・・チップが接合されていない領域とは、実質的にチップが接合されている領域を囲む領域を指している。この実施例では、放熱板は、半田付け可能な金属を金属ベースとし、前記チップが接合されていない領域には、前記チップが接合される領域に隣接した部分にフォトレジストのような半田をはじく絶縁層が形成されており」と記載され、
　段落【0018】に、
(引1e)「チップが２つ搭載される放熱板４１は、Ｃｕなどの半田付け可能な金属ベースを備え、その表面のチップが接合されない領域の一部にチップが接合される領域の半田層を囲むようにフォトレジストなどの半田をはじく絶縁層６が形成されている。チップが接合される領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２５、２６によってチップ１１、１２が接合されている。半田をはじく絶縁層６は、チップ１１及びチップ１２をそれぞれ囲むように配置されていて」と記載され、
　段落【0020】に、
(引1f)「この様に半田をはじく絶縁層６、７は、半田層を囲むように形成されており、半田流れを防止している。したがって、この半田流れによるチップずれがなく、チップは放熱板のボンディング性の低下を防止することができる。また、マウント半田流れによる半田厚さのバラツキに起因するＴＦＴレベルのバラツキが防止される」と記載されている。
　　　
［２-2］引用例２；特開平４−３４３２８７号公報(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献２である)
　段落【0001】の【産業上の利用分野】に、
(引2a)「本発明は、・・・金属回路とセラミックス基板との接合体からなる回路基板に関する」と記載され、
　段落【0002】の【従来の技術】に、
(引2b)「近年、ロボットやモーター等の産業機器の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーターなど大電力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放散するため、大電力モジュール基板では従来よりさまざまな方法がとられてきた。とくに最近、良好な熱伝導率を有するセラミックス基板の出現により、基板上に金属板を接合して回路を形成後、そのまま金属板上に半導体素子を搭載する構造も採用されている」と記載され、
　段落【0003】に、
(引2c)「・・・大電力モジュール基板の製造では、現在、金属として銅を用い、セラミックスとの接合方法として活性金属法又はＤＢＣ法を用いることが主流となっており、さらに高熱伝導性を有する窒化アルミニウムを絶縁基板として使用することが普及しつつある」と記載されている。
　　　
［３］対比・判断
［３-1］引用発明
　上記(引1a)，(引1b)，(引1f)の摘記事項；
　「半導体素子を搭載する放熱板が、チップを搭載する表面領域は、半田付け可能な材料からなり、チップが接触しない表面領域は、半田をはじく材料からなることを特徴として」おり、「前記放熱板は、半田付け可能な金属からなるベースを有し、前記半導体素子が接合されない領域には、前記半導体素子が接合される領域を囲む半田をはじく絶縁層」であり、「半田をはじく絶縁層は、半田層を囲むように形成されており、半田流れを防止している」ことから、
　（１）「金属からなる放熱板と、この金属表面上に形成された絶縁層とより成るベース」が開示されている。
　　　
　そして、上記(引1e)，(引1f)，(引1c)の摘記事項；
　「チップが２つ搭載される放熱板４１は、Ｃｕなどの半田付け可能な金属ベースを備え、その表面のチップが接合されない領域の一部にチップが接合される領域の半田層を囲むようにフォトレジストなどの半田をはじく絶縁層６が形成されている。・・・半田をはじく絶縁層６は、チップ１１及びチップ１２をそれぞれ囲むように配置されて」おり、「半田をはじく絶縁層は、半田層を囲むように形成されており、半田流れを防止している。したがって、この半田流れによるチップずれがなく」、また「半田をはじくのでマウント半田流れが防止され、半田厚が均一になる」ことから、
　（２）「半田をはじく絶縁層は金属表面を分割するように形成されており且つ半田流れ止め穴を有さず半田層を囲む」ものであることが開示されている。
　　　
　さらに、上記(引1b)，(引1d)の摘記事項；
　「放熱板は、半田付け可能な金属からなるベースを有し、半導体素子が接合されない領域には、半導体素子が接合される領域を囲む半田をはじく絶縁層」から成り、「インバータなどに用いられる混成集積回路装置」を構成するものであるから、
　（３）「放熱板はパワーモジュール用基板」であるといえる。
　　　
　以上の（１）〜（３）から、引用例１には、
　「金属からなる放熱板と、この金属表面上に形成された絶縁層とより成り、上記絶縁層は半田をはじくものであり、上記絶縁層は金属表面を分割するように形成されており且つ半田流れ止め穴を有さないパワーモジュール用基板」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［３-2］引用例２の開示内容
　上記(引2a)〜(引2c)の摘記事項から、
(引2z)「セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合した金属とからなる大電力モジュール用基材」が開示されている。
　　　
［３-3］本件発明と引用発明との対比
　本件発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「絶縁層」は、「半田をはじく」ものであるから、本件発明の「半田レジスト」に相当する。
　したがって、本件発明と引用発明とは、
　「少なくとも表面が金属からなる基材と、この金属表面上に形成された半田レジストとより成り、上記半田レジストは金属表面を分割するように形成されており且つ半田流れ止め穴を有さないパワーモジュール用基板」であることで一致する。
　　　
　一方、少なくとも表面が金属からなる基材について、本件発明は「セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合した金属と」からなるのに対して、引用発明は「金属からなる放熱板」である点(相違点１)と、
　本件発明では「半田レジストは、エポキシ系あるいはイミド系レジストであり、上記半田レジストは、印刷、スプレー、ロールコーターのいずれかの手段により５〜４０μｍの膜厚に塗布され、上記半田レジストは、５０〜２００℃で加熱硬化され、硬化後は２５０℃以上の耐熱性を有し」ているのに対して、引用発明では「絶縁層(半田レジスト)」の属性は特定されていない点(相違点２)とで、両者は相違する。
　　　
［３-4］相違点１，２の判断
（１）相違点１について、
　相違点１について考察するに、
　上記(引2z)の如く、「セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合した金属とからなる基材」は引用例２に示されている。
　一方、パワーモジュールの発熱に対する放熱能力を考慮すれば、引用発明のように「金属からなる放熱板」を基材として用いるか、
　上記(引2b)，(引2c)に摘記の如き、「高熱伝導性を有する窒化アルミニウムをセラミックス基板とした金属接合基材」を用いるかは、当業者が必要に応じて容易に選択できた事項であるといえる。
　したがって、この相違点１は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
（２）相違点２について、
　相違点２について考察するに、
　本件発明における「半田レジスト」は、特開昭６１−１８０２３６号公報(エポキシ系半田レジスト，印刷塗布膜厚；約２５ミクロン，加熱硬化温度；２００℃，硬化後の耐熱性；２６０℃)，特開平７−９０１８０号公報(イミド系半田レジスト，印刷塗布膜厚；１０〜３０μｍ，加熱硬化温度；１５０〜２００℃，硬化後の耐熱性；２６０℃)により周知のものである。
　したがって、この相違点２は、当業者が周知のものを単に採用したに過ぎない程度の事項である。
　　　
［４］まとめ
　以上のとおり、本件発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１７年８月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１７年４月２５日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであり、
　そして、その請求項２に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
　「【請求項２】セラミックス基板と、このセラミックス基板に接合した金属と、この金属表面上に塗布した半田レジストとより成り、上記半田レジストは、エポキシ系あるいはイミド系レジストであり、上記半田レジストは、印刷、スプレー、ロールコーターのいずれかの手段により５〜４０μｍの膜厚に塗布され、上記半田レジストは、５０〜２００℃で加熱硬化され、硬化後は２５０℃以上の耐熱性を有することを特徴とするパワーモジュール用基板。」である。
　　　
【４】原審における拒絶理由
　原審における拒絶理由の要点は、
　「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　請求項　　１〜８
　引用文献　１，２
　　　　　引用文献等一覧
　１．特開平８−１４８６４７号公報(以下でも、「引用例１」という)
　２．特開平４−３４３２８７号公報(以下でも、「引用例２」という)　」である。
　　　
【５】当審の判断
　本願発明は、【２】段落の「補正却下の決定」中で特定した本件発明と比較すると、
　本件発明の「上記半田レジストは金属表面を分割するように形成されており且つ半田流れ止め穴を有さない」という限定を除き、その余の発明特定事項が本件発明とすべて共通・同一のものである。
　そして、引用例１，２も、【２】段落の［２］に記載したものと同じである。
　そうすると、本願発明は、同段落の［３］対比・判断に記載したのと同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　　　
【６】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項２に係る発明)は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。