【事件の表示】
　平成１０年特許願第　３６６１８号「窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月１０日出願公開、特開平１１−２２０１６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・補正の内容  
　本願は、平成１０年２月２日の出願であって、平成１６年３月１２日に手続補正がなされたが原審において平成１７年８月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月１４日に手続補正がなされたものである。  
　　  
ＩＩ．平成１７年１０月１４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１０月１４日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　　
［理由］
１．補正前後の発明
１−１．補正前発明
　平成１６年３月１２日付の手続補正により補正された請求項１ないし７は、次のとおりである（以下、これらをそれぞれ「補正前請求項１」などといい、各請求項に係る発明を「補正前発明１」などという。）。
「【請求項１】　基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
　ｐ型半導体側のコンタクト層と前記コンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極との間に膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
　【請求項２】　前記薄膜金属層は、複数の種類の金属より形成された多層構造をしていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
　【請求項３】　前記厚膜正電極は、複数の種類の金属より形成された多層構造をしていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
　【請求項４】　前記薄膜金属層は、プラチナ（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）またはレニウム（Ｒｅ）の内の少なくとも１種類の金属を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
　【請求項５】　前記厚膜正電極は、プラチナ（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の少なくとも１種類の金属を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
　【請求項６】　基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子の製造方法であって、
　ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極を形成する前に、前記コンタクト層の上に膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層を形成し、この薄膜金属層を熱処理した後に前記厚膜正電極を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
　【請求項７】　前記熱処理は、酸素（Ｏ2 ）雰囲気中で行われることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。」
　　  
１−２．補正後発明　
　本件補正後の請求項１ないし５は、次のとおりである（以下、これらをそれぞれ「補正後請求項１」などといい、各請求項に係る発明を「補正後発明１」などという。）。
「【請求項１】　基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子の製造方法であって、
　ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極を形成する前に、前記コンタクト層の上に膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層を形成し、この薄膜金属層を酸素（Ｏ2）雰囲気中で熱処理した後に前記厚膜正電極を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
　【請求項２】　前記薄膜金属層は、複数の種類の金属より形成された多層構造をしていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
　【請求項３】　前記厚膜正電極は、複数の種類の金属より形成された多層構造をしていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
　【請求項４】　前記薄膜金属層は、プラチナ（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）またはレニウム（Ｒｅ）の内の少なくとも１種類の金属を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
　【請求項５】　前記厚膜正電極は、プラチナ（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の少なくとも１種類の金属を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。」
　　
２．補正の目的について
　補正後請求項１に関する本件補正の目的は、（i）補正前請求項６を補正前請求項７の内容に限定して補正後請求項１とし、補正前請求項１を削除したもの、（ii）補正前請求項１を製造方法に限定して補正後請求項１としたもの、のいずれかであると理解することが一応可能であるが、本件補正に関して平成１７年１０月１４日付で提出された手続補正書（方式）の記載等からみて、上記（i）を目的とすると考えられる。
　そこで、上記（i）の場合に基づいて補正後請求項２ないし５の補正の目的について検討するに、補正前請求項６を補正前請求項７の内容に限定して補正後請求項１としたことにより補正前請求項１は削除したことになるので、補正前請求項１を引用する補正前請求項２ないし５についても一律に削除したこととなる。しかも、補正前請求項６又は７を引用する補正前の請求項が存在しないから、補正後請求項２ないし５は、実質的に新しい請求項を追加したものと解するのが相当である（例えば、平成１７年（行ケ）第１０１９２号（東京高裁平成１７年４月２５日判決）、平成１５年（行ケ）第２３０号（東京高裁平成１６年４月１４日判決）を参照されたい。）。
　したがって、本件補正は、請求項を追加するものであるから、特許法第１７条の２第４項の各号に規定する、請求項の削除（第１号）、特許請求の範囲の減縮（第２号）、誤記の訂正（第３号）、明りょうでない記載の釈明（第４号）のいづれかの事項を目的とするものとはいえない。
　　
　なお、仮に、本件補正が上記（ii）の場合であったとしても、補正前発明１が「物の発明」であるのに対して、補正後発明１が「方法の発明」であるから、補正前後で発明のカテゴリーを変更することになり、このことは、請求している権利とは異なる効果を有する別の権利を請求することに他ならない（例えば、平成１８年（行ケ）第１０４９４号（東京高裁平成１９年９月２０日判決）を参照のこと。）。
　したがって、本件補正が上記（ii）の場合であったとしても、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に規定する、請求項の削除（第１号）、特許請求の範囲の減縮（第２号）、誤記の訂正（第３号）、明りょうでない記載の釈明（第４号）のいづれの事項を目的とするものともいえない。
　　
３．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
　　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１０月１４日付の手続補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年３月１２日付の手続補正書に記載された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】　基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
　ｐ型半導体側のコンタクト層と前記コンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極との間に膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。」（以下、「本願発明」という。）
　　
２．引用刊行物
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−２３２６３２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。  
　　
ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の同一面側に形成され窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ型層及びｎ型層と、前記ｐ型層及び前記ｎ型層上にそれぞれ形成されたｐ側電極及びｎ側電極とを備えた半導体発光素子において、
前記ｐ側電極と前記ｎ側電極は、同一の金属単体または合金、もしくはそれらからなる層構造で構成され且つ同一工程で形成された電極であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】  前記ｐ側電極と前記ｎ側電極は、少なくともＴｉとＡｕとが積層されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】  前記ｐ側電極と前記ｎ側電極は、少なくともＮｉとＡｕとが積層されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】  前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極がフリップチップ方式で第１及び第２の外部リードにそれぞれ接続され、フェースダウンで前記基板の裏面側より外部へ光を取り出すように構成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の半導体発光素子。」
　　
イ）「【００１８】第４の発明である半導体発光素子の特徴は、上記第１乃至第３の発明において、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極がフリップチップ方式で第１及び第２の外部リードにそれぞれ接続され、フェースダウンで前記基板の裏面側より外部へ光を取り出すように構成されたことにある。
【００１９】この第４の発明によれば、ｎ側電極とｐ側電極に同一の電極を用いているので、均質な反射特性が得られる。」（第３欄第４４行〜第４欄第２行）
　　
ウ）「【００３１】図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示した半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【００３２】まず、同図（ａ）に示すように、絶縁性のサファイア基板１１の上に、ｎ−ＧａＮからなるｎ型層１２とｐ−ＧａＮからなるｐ型層１３とを積層したｐ−ｎ接合ウエハを有機金属気相成長法などを用いることにより用意する。次に、そのｐ−ｎ接合ウエハに対し、従来と同様に、ｐ型層１３の一部より選択的にエッチングしてｎ型層１２を露出させる（図２（ｂ））。
【００３３】その後、１回のリフトオフによって同時にｐ側電極１４及びｎ側電極１５を形成すべく、前記ウエハ表面にレジストを塗布してマスクパターン２１を形成し、さらにそのマスクパターン２１の表面に、真空蒸着法によりＮｉとＴｉとＡｕを順次積層して金属層２２を形成する（図２（ｃ））。
【００３４】そして、マスクパターン２１を除去すれば、図２（ｄ）に示すように、上記図１に示す電極構造の半導体発光素子が得られる。
【００３５】ここで、ｐ側電極１４及びｎ側電極１５を構成するＮｉ，Ｔｉ，Ａｕの厚さをそれぞれ０．０２μｍ，０．０２μｍ，０．５μｍとしたとき、本実施形態の２０ｍＡにおける動作電圧は３．８Ｖとなる。この値は、上記従来の半導体発光素子（図１１）の動作電圧（３．６Ｖ）とほぼ同等のものが本実施形態による電極構造により得られていることを示すものである。
【００３６】低い動作電圧を得るには、図３のグラフに示すように、前記Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕのうち、Ｎｉ，Ｔｉの厚さを０．００１から０．５μｍまでの範囲にすることが望ましい。それは、この厚さを０．００１μｍより薄くすると密着性が悪くなって電極が剥がれやすくなり、また、０．５μｍよりも厚くするとｐ側またはｎ側のコンタクト抵抗が高くなり動作電圧が高くなるからである。さらに望ましい範囲としては０．００５〜０．１μｍにすることで動作電圧が低い実用的な素子を得ることができる。」（第５欄第２２行〜第６欄第６行）
　　
エ）「【００６４】図１０は、本発明の半導体発光素子を実装した他のＬＥＤ製品の断面構造図であり、チップ裏面側から外部に光を取り出すタイプを示したものである。なお、本ＬＥＤ製品は、上記第５実施形態（図７）で示したようなｐ側電極及びｎ型電極を透光性の電極で構成する構造のＬＥＤチップを実装する場合ではなく、第１〜第４実施形態で示すような構造のＬＥＤチップを実装する場合に適用される。このＬＥＤ製品に搭載されるＬＥＤチップ８０は、例えば、絶縁性のサファイア基板８１上にｎ−ＩｎＧａＡｌＮ層８２と、ＩｎＧａＡｌＮからなる活性層８３と、ｐ−ＩｎＧａＡｌＮ層８４とを積層したダブルヘテロ構造のウエハに対し、ｐ型層８４の一部より選択的にエッチングしてｎ型層８２を露出させ、ｐ型層８４に対してはｐ側電極８５を、ｎ型層８２に対しては前記ｐ側電極８５と同一の電極材料からなるｎ型電極８６を形成している。前記ｐ側電極８５及びｎ型電極８６の電極としては、上記第１実施形態と同様に、例えばＮｉとＴｉとＡｕを積層した合金を用いている。
【００６５】このような構造のＬＥＤチップ８０の実装は、フリップチップ方式で行われる。すなわち、サファイア基板８１の裏面側を上向きにしたフェースダウンで、チップ８０のｐ側電極８５及びｎ型電極８６をそれぞれ半田（例えばＩｎ、ＰｂＳｎ）９１，９２を用いてリードフレーム９３，９４に溶着し、電気的に接続する。そして、図９に示した実装例と同様に、チップ全体をレンズ形状の樹脂９５でモールドすれば、図１０に示すような構造で実装することができる。
【００６６】上記第１〜第４実施形態のＬＥＤチップ（ｎ側電極及びｐ側電極が透光性でない）を、本例のようなチップ裏面側から光を取り出すタイプで実装すれば、図９に示す上記実装タイプ（チップ主面側から光を取り出すタイプ）で実装した場合に比べて、活性層からの発光をより有効に取り出すことができる。特に、ｎ側電極とｐ側電極に同一の電極を用いているので、均質な反射特性が得られ、配光特性の優れたＬＥＤ製品を実現することができる。
【００６７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明である半導体発光素子によれば、ｐ側電極とｎ側電極を同一の金属単体または合金、もしくはそれらからなる層構造で構成したので、電極の形成工程を簡素化して製造工程の短縮を図ることができ、良好な素子特性を得ることが可能となる。
【００６８】第２の発明である半導体発光素子によれば、上記第１の発明において、前記ｐ側電極と前記ｎ側電極を少なくともＴｉとＡｕとが積層するようにしたので、良好なオーミック特性を得ることが可能となる。
【００６９】第３の発明である半導体発光素子によれば、上記第１の発明において、前記ｐ側電極と前記ｎ側電極を少なくともＮｉとＡｕとが積層するようにしたので、良好なオーミック特性を得ることが可能となる。
【００７０】第４の発明である半導体発光素子によれば、上記第１乃至第３の発明において、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極がフリップチップ方式で第１及び第２の外部リードにそれぞれ接続され、フェースダウンで前記基板の裏面側より外部へ光を取り出すように構成されているので、配光特性の優れたＬＥＤ製品を実現することが可能になる。」（第９欄第８行〜第１０欄第１５行）
　　  
　上記ア）〜エ）によれば、引用刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。  
  「絶縁性のサファイア基板１１上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層１２と窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ型層１３とが積層され、前記ｐ型層１３上にｐ側電極１４を備え、フリップチップ方式で実装される半導体発光素子において、
　前記ｐ側電極１４は、前記ｐ型層１３上にＮｉ、Ｔｉ及びＡｕからなる層を、それぞれ０．０２μｍ、０．０２μｍ、０．５μｍの厚さで順次積層してなり、半導体発光素子の活性層で発光した光を反射するものである半導体発光素子。」
　　
３．対比、判断
　本願発明と引用発明１とを対比する。  
イ．引用発明１の「絶縁性のサファイア基板１１」、「窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ型層１３」及び「フリップチップ方式」は、本願発明の「基板」、「ｐ型半導体側のコンタクト層」及び「フリップチップ型」にそれぞれ相当する。
　  
ロ．引用発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層１２」と「窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ型層１３」は、本願発明の「窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」に相当し、それゆえ、引用発明１の「半導体発光素子」は、本願発明の「発光素子」及び「窒化ガリウム系化合物半導体素子」に相当する。
　　
ハ．引用発明１のＡｕ層は、ｐ型半導体側のコンタクト層上にＮｉ層及びＴｉ層を介して形成され、かつＮｉ層及びＴｉ層に対して相対的に厚い膜厚を有するから、本願発明の「厚膜正電極」に相当し、また、引用発明１のＮｉ層及びＴｉ層は、それぞれの膜厚が０．０２μｍであるから、本願発明の「膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層」にそれぞれ相当する。
　　
　したがって、両者は、  
「基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
　ｐ型半導体側のコンタクト層と前記コンタクト層に接続する厚膜正電極との間に膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。」
の点で一致し、以下の点で一応相違する。  
　　  
　相違点： 
　本願発明では、厚膜正電極が光を反射するのに対し、引用発明１では、ｐ側電極が光を反射するものであるものの、ｐ側電極を構成するＡｕ層が光を反射するのか不明である点。
　　  
　相違点について検討する。  
　引用発明１のｐ側電極を構成するＮｉ層、Ｔｉ層及びＡｕ層の各層の光の反射特性について検討すると、Ｎｉ層及びＴｉ層は、膜厚がそれぞれ０．０２μｍであるから主として光を透過する性質を有し、これに対し、Ａｕ層は０．５μｍの膜厚を有するので主として光を反射する性質を有すると考えられる。
　してみると、引用発明１におけるｐ側電極１４は、Ｎｉ層及びＴｉ層を透過した光をＡｕ層により反射するものであるといえるから、上記相違点は実質的な相違点とはいえない。
　　
　したがって、両発明は、「基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
　ｐ型半導体側のコンタクト層と前記コンタクト層に接続する光を反射する厚膜正電極との間に膜厚５０Å〜５００Åの薄膜金属層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子」の点で一致し相違する点はない。
　　
　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求人は、審判請求書において、本願発明と上記引用刊行物１記載の発明とを対比し、容易性のみならず同一性についても検討していることは明らかである。
　　
４．まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。