(57)【要約】  水晶発振器(101)は、第１励振電極及び第２励振電極が形成された圧電振動板(2)と、圧電振動板(2)の第１励振電極を覆う第１封止部材(3)と、圧電振動板(2)の第２励振電極を覆う第２封止部材(4)とが設けられ、第１封止部材(3)と圧電振動板(2)とが接合され、第２封止部材(4)と圧電振動板(2)とが接合されて、第１励振電極と第２励振電極とを含む圧電振動板(2)の振動部を気密封止した内部空間(13)が形成される。第１封止部材(3)の外面（一主面(311)）には、ワイヤボンディング用の実装パッドを含む電極パターン(371)が形成される。
2018097132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面に第１励振電極が形成され、前記基板の他主面に前記第１励振電極と対になる第２励振電極が形成された圧電振動板と、
前記圧電振動板の前記第１励振電極を覆う第１封止部材と、
前記圧電振動板の前記第２励振電極を覆う第２封止部材と、が設けられ、
前記第１封止部材と前記圧電振動板とが接合され、前記第２封止部材と前記圧電振動板とが接合されて、前記第１励振電極と前記第２励振電極とを含む前記圧電振動板の振動部を気密封止した内部空間が形成された圧電振動デバイスにおいて、
前記第１封止部材の外面に、ワイヤボンディング用の実装パッドが形成されていることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動デバイスであって、
前記第２封止部材の外面に、シールド電極が形成されていることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電振動デバイスであって、
前記ワイヤボンディング用の実装パッドは、前記第１励振電極および前記第２励振電極と重畳しない配置とされていることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の圧電振動デバイスであって、
前記ワイヤボンディング用の実装パッドは、前記内部空間周囲の枠体に対向して配置されることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載の圧電振動デバイスであって、
前記第１封止部材の外面に、ＩＣチップが搭載されていることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動デバイスであって、
前記第１封止部材の外面に、前記ＩＣチップの実装端子が形成され、前記ＩＣチップの実装端子は、前記第１励振電極および前記第２励振電極と重畳しない配置とされていることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項７】
請求項５または６に記載の圧電振動デバイスであって、
前記ワイヤボンディング用の実装パッドの周囲に溝が形成されていることを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項８】
請求項１から７の何れか一項に記載の圧電振動デバイスを備えていることを特徴とするＳｉＰモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振器等の圧電振動デバイスおよびそれを備えたＳｉＰモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化（特に低背化）が進んでいる。そのため、高周波化やパッケージの小型化にともなって、圧電振動デバイス（例えば水晶振動子、水晶発振器等）も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。【０００３】
この種の圧電振動デバイスでは、その筐体が略直方体のパッケージで構成されている。このパッケージは、例えばガラスや水晶からなる第１封止部材及び第２封止部材と、例えば水晶からなり両主面に励振電極が形成された圧電振動板とから構成され、第１封止部材と第２封止部材とが圧電振動板を介して積層して接合される。そして、パッケージの内部（内部空間）に配された圧電振動板の振動部（励振電極）が気密封止されている（例えば、特許文献１）。以下、このような圧電振動デバイスの積層形態をサンドイッチ構造という。【０００４】
また、特許文献２には、圧電振動デバイスの裏面に回路基板への実装端子を有する表面実装型の圧電振動デバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２５２０５１号公報
【特許文献２】特開２０１５−１６５６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
サンドイッチ構造の圧電振動デバイスは、従来構造の圧電振動デバイスに比べて薄型化しやすく、発振回路であるＩＣチップを搭載した圧電発振器としてもデバイスを十分に薄型化でき、ＳｉＰ（System in a Package）のようにパッケージに内蔵しやすい。尚、従来構造の圧電振動デバイスとは、セラミックからなるパッケージ筐体内部に水晶振動素子を封入する構造の、いわゆるセラミックパッケージのデバイスである。【０００７】
但し、ＳｉＰでは、内蔵される他のデバイスはワイヤボンディングによって回路基板に実装されることが多い。このため、表面実装型の圧電振動デバイスでは、他のデバイスと異なる実装方法が用いられることで、回路基板への実装工程が煩雑化する。【０００８】
また、サンドイッチ構造の圧電振動デバイスは、パッケージが薄いために回路基板（特に、多層回路基板を用いている場合）に存在する配線等とも容量結合が発生しやすい。このため、そのような容量結合を防止するためのシールド対策が必要となる。しかしながら、表面実装型の圧電振動デバイスでは、デバイスの底面に回路基板への実装端子が形成されるため、容量結合を防止するためのシールド電極を設けにくいという問題もあった。【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ＳｉＰへの実装に適したサンドイッチ構造の圧電振動デバイスおよびそれを備えたＳｉＰモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明は、基板の一主面に第１励振電極が形成され、前記基板の他主面に前記第１励振電極と対になる第２励振電極が形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記第１励振電極を覆う第１封止部材と、前記圧電振動板の前記第２励振電極を覆う第２封止部材と、が設けられ、前記第１封止部材と前記圧電振動板とが接合され、前記第２封止部材と前記圧電振動板とが接合されて、前記第１励振電極と前記第２励振電極とを含む前記圧電振動板の振動部を気密封止した内部空間が形成された圧電振動デバイスにおいて、前記第１封止部材の外面に、ワイヤボンディング用の実装パッドが形成されていることを特徴としている。【００１１】
上記の構成によれば、ワイヤボンディング用の実装パッドを設けることで、表面実装型ではなくワイヤボンディング実装の圧電振動デバイスを提供することができる。そして、ワイヤボンディング実装により、圧電振動デバイスをＳｉＰ実装によりパッケージに内蔵しやすくなる。【００１２】
また、ワイヤボンディング実装面ではワイヤ引き上げのための高さが必要となる一方、ＩＣチップ搭載面ではＩＣチップの厚み分の高さが発生する。このため、ＩＣチップ搭載面とワイヤボンディングパッドの実装面を同じ面にすることにより、圧電振動デバイスにおけるデバイス高さの増大を抑えることができる。【００１３】
また、上記圧電振動デバイスでは、前記第２封止部材の外面に、シールド電極が形成されている構成とすることができる。【００１４】
上記の構成によれば、回路基板（例えば多層プリント基板）において第１励振電極及び第２励振電極と対向する信号配線があるような場合、第２封止部材の外面にシールド電極を設けることにより励振電極と信号配線との容量結合を防止できる。サンドイッチ構造の圧電振動デバイスは薄型構造であるため、励振電極が他の配線と容量結合しやすく、このようなシールド対策が有効となる。【００１５】
また、上記圧電振動デバイスでは、前記ワイヤボンディング用の実装パッドは、前記第１励振電極および前記第２励振電極と重畳しない配置とすることができる。【００１６】
上記の構成によれば、ワイヤボンディング用の実装パッドと励振電極との容量結合を回避し、容量結合による圧電振動デバイスの特性変動を抑制できる。【００１７】
また、上記圧電振動デバイスでは、前記ワイヤボンディング用の実装パッドは、前記内部空間周囲の枠体に対向して配置される構成とすることができる。【００１８】
上記の構成によれば、ワイヤボンディング工程において、圧電振動デバイスの内部空間を避けて枠体に対向するように実装パッドが配置されているため、ワイヤボンディング時の押圧力によって圧電振動デバイスに変形が生じることを回避できる。【００１９】
また、上記圧電振動デバイスは、前記第１封止部材の外面に、ＩＣチップが搭載されている構成とすることができる。【００２０】
ワイヤボンディング実装面ではワイヤ引き上げのための高さが必要となる一方、ＩＣチップ搭載面ではＩＣチップの厚み分の高さが発生する。このため、ＩＣチップ搭載面とワイヤボンディングパッドの実装面を同じ面にすることにより、圧電振動デバイスにおけるデバイス高さの増大を抑えることができる。【００２１】
また、上記圧電振動デバイスでは、前記第１封止部材の外面に、前記ＩＣチップの実装端子が形成され、前記ＩＣチップの実装端子は、前記第１励振電極および前記第２励振電極と重畳しない配置とすることができる。【００２２】
上記の構成によれば、ＩＣチップの実装端子と励振電極との容量結合を回避し、容量結合による圧電振動デバイスの特性変動を抑制できる。【００２３】
また、上記圧電振動デバイスでは、前記ワイヤボンディング用の実装パッドの周囲に溝が形成されている構成とすることができる。【００２４】
上記の構成によれば、ＩＣチップの周囲が封止樹脂によってモールドされるときに、ワイヤボンディング用の実装パッドの周囲には溝が形成されているため、該実装パッド上への封止樹脂の流れ込みが防止できる。【００２５】
また、本発明のＳｉＰモジュールは、上記記載の圧電振動デバイスを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の圧電振動デバイスは、ワイヤボンディング用の実装パッドを設けることで、表面実装型ではなくワイヤボンディング実装の圧電振動デバイスを提供することができる。そして、ワイヤボンディング実装により、圧電振動デバイスをＳｉＰ実装によりパッケージに内蔵しやすくなるといった効果を奏する。【００２７】
また、ワイヤボンディング実装面ではワイヤ引き上げのための高さが必要となる一方、ＩＣチップ搭載面ではＩＣチップの厚み分の高さが発生する。このため、ＩＣチップ搭載面とワイヤボンディングパッドの実装面を同じ面にすることにより、圧電振動デバイスにおけるデバイス高さの増大を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施の形態に係る水晶発振器の構成を模式的に示した概略構成図である。
【図２】水晶発振器の第１封止部材の概略平面図である。
【図３】水晶発振器の第１封止部材の概略裏面図である。
【図４】水晶発振器の水晶振動板の概略平面図である。
【図５】水晶発振器の水晶振動板の概略裏面図である。
【図６】水晶発振器の第２封止部材の概略平面図である。
【図７】水晶発振器の第２封止部材の概略裏面図である。
【図８】水晶発振器における各接合材の平面視での位置関係を示す図である。
【図９】水晶発振器の第２封止部材の変形例を示す概略裏面図である。
【図１０】水晶発振器におけるＩＣチップ搭載部付近の模式断面図である。
【図１１】水晶発振器の第１封止部材の変形例を示す概略平面図である。
【図１２】水晶発振器の第１封止部材の変形例を示す概略平面図である。
【図１３】水晶発振器の第１封止部材の変形例を示す概略平面図である。
【図１４】水晶発振器を用いたＳｉＰモジュールの概略構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３０】
図１は、本発明が適用される圧電振動デバイスとして、水晶発振器１０１の構成を模式的に示した概略構成図である。尚、以下の説明では、ＩＣチップを構成要素とする水晶発振器１０１を圧電振動デバイスとして例示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る圧電振動デバイスには、ＩＣチップを構成要素としない水晶振動子等も含まれる。
【００３１】
本実施の形態に係る水晶発振器１０１では、図１に示すように、水晶振動板（圧電振動板）２、第１封止部材３、及び第２封止部材４が設けられている。水晶発振器１０１では、水晶振動板２と第１封止部材３とが接合され、水晶振動板２と第２封止部材４とが接合されてサンドイッチ構造のパッケージ１２が構成される。第１封止部材３は、水晶振動板２の一主面２１１に形成された第１励振電極２２１（図４参照）を覆うように水晶振動板２に接合される。第２封止部材４は、水晶振動板２の他主面２１２に形成された第２励振電極２２２（図５参照）を覆うように水晶振動板２に接合される。
【００３２】
水晶振動子であるパッケージ１２において、第１封止部材３の一主面３１１にはＩＣチップ５が搭載される。電子部品素子としてのＩＣチップ５は、水晶振動子とともに発振回路を構成する１チップ集積回路素子である。水晶発振器１０１は、水晶振動子であるパッケージ１２とこれに搭載されたＩＣチップ５とにより構成される。
【００３３】
水晶発振器１０１においては、水晶振動板２の両主面（一主面２１１，他主面２１２）に第１封止部材３及び第２封止部材４が接合されることで、パッケージ１２の内部空間１３が形成され、内部空間１３に第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２を含む振動部２２（図４，５参照）が気密封止されている。本実施の形態に係る水晶発振器１０１は、例えば、１．０×０．８ｍｍのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。
【００３４】
次に、上記した水晶発振器１０１の各構成について図１〜７を用いて説明する。ここでは、水晶振動板２、第１封止部材３及び第２封止部材４のそれぞれについて、部材単体の構成を説明する。
【００３５】
水晶振動板２は、水晶からなる圧電基板であって、図４，５に示すように、その両主面２１１，２１２が平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。本実施の形態では、水晶振動板２として、厚みすべり振動を行うＡＴカット水晶板が用いられている。図４，５に示す水晶振動板２では、水晶振動板２の両主面２１１，２１２が、ＸＺ’平面とされている。このＸＺ’平面において、水晶振動板２の短手方向（短辺方向）がＸ軸方向とされ、水晶振動板２の長手方向（長辺方向）がＺ’軸方向とされている。尚、ＡＴカットは、人工水晶の３つの結晶軸である電気軸（Ｘ軸）、機械軸（Ｙ軸）、及び光学軸（Ｚ軸）のうち、Ｚ軸に対してＸ軸周りに３５°１５′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ＡＴカット水晶板では、Ｘ軸は水晶の結晶軸に一致する。Ｙ’軸及びＺ’軸は、水晶の結晶軸のＹ軸及びＺ軸からそれぞれ３５°１５′傾いた軸に一致する。Ｙ’軸方向及びＺ’軸方向は、ＡＴカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。
【００３６】
水晶振動板２の両主面２１１，２１２には、一対の励振電極（第１励振電極２２１，第２励振電極２２２）が形成されている。水晶振動板２は、略矩形に形成された振動部２２と、この振動部２２の外周を取り囲む外枠部２３と、振動部２２と外枠部２３とを連結する連結部２４とを有しており、振動部２２と連結部２４と外枠部２３とが一体的に設けられた構成となっている。本実施の形態では、連結部２４は、振動部２２と外枠部２３との間の１箇所のみに設けられており、連結部２４が設けられていない箇所は空間（隙間）２２ｂになっている。また、図示していないが、振動部２２及び連結部２４は、外枠部２３よりも薄く形成されている。このような外枠部２３と連結部２４との厚みの違いにより、外枠部２３と連結部２４の圧電振動の固有振動数が異なる。これにより、連結部２４の圧電振動に外枠部２３が共鳴しにくくなる。
【００３７】
連結部２４は、振動部２２の＋Ｘ方向かつ−Ｚ’方向に位置する１つの角部２２ａのみから、−Ｚ’方向に向けて外枠部２３まで延びている（突出している）。このように、振動部２２の外周端部のうち、圧電振動の変位が比較的小さい角部２２ａに連結部２４が設けられているので、連結部２４を角部２２ａ以外の部分（辺の中央部）に設けた場合に比べて、連結部２４を介して圧電振動が外枠部２３に漏れることを抑制することができ、より効率的に振動部２２を圧電振動させることができる。
【００３８】
第１励振電極２２１は振動部２２の一主面側に設けられ、第２励振電極２２２は振動部２２の他主面側に設けられている。第１励振電極２２１，第２励振電極２２２には、引出電極（第１引出電極２２３，第２引出電極２２４）が接続されている。第１引出電極２２３は、第１励振電極２２１から引き出され、連結部２４を経由して、外枠部２３に形成された接続用接合パターン１１６に繋がっている。第２引出電極２２４は、第２励振電極２２２から引き出され、連結部２４を経由して、外枠部２３に形成された接続用接合パターン１２４に繋がっている。第１励振電極２２１及び第１引出電極２２３は、一主面２１１上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、この下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。第２励振電極２２２及び第２引出電極２２４は、他主面２１２上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、この下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。
【００３９】
水晶振動板２の両主面２１１，２１２には、水晶振動板２を第１封止部材３及び第２封止部材４に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。振動側封止部は、水晶振動板２の一主面２１１に形成された振動側第１接合パターン２５１と、他主面２１２に形成された振動側第２接合パターン２５２とからなる。振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２は、上述した外枠部２３に設けられており、平面視で環状に形成されている。第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２は、振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２とは電気的に接続されていない。
【００４０】
振動側第１接合パターン２５１は、一主面２１１上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。振動側第２接合パターン２５２は、他主面２１２上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。つまり、振動側第１接合パターン２５１と振動側第２接合パターン２５２とは、同一構成からなり、複数の層が両主面２１１，２１２上に積層して構成され、その最下層側からＴｉ（チタン）層とＡｕ（金）層とが蒸着形成されている。このように、振動側第１接合パターン２５１と振動側第２接合パターン２５２とでは、下地ＰＶＤ膜が単一の材料（Ｔｉ）からなり、電極ＰＶＤ膜が単一の材料（Ａｕ）からなり、下地ＰＶＤ膜よりも電極ＰＶＤ膜の方が厚い。また、水晶振動板２の一主面２１１に形成された第１励振電極２２１と振動側第１接合パターン２５１とは同一厚みを有し、第１励振電極２２１と振動側第１接合パターン２５１との表面が同一金属からなる。同様に、水晶振動板２の他主面２１２に形成された第２励振電極２２２と振動側第２接合パターン２５２とは同一厚みを有し、第２励振電極２２２と振動側第２接合パターン２５２との表面が同一金属からなる。また、振動側第１接合パターン２５１と振動側第２接合パターン２５２は、非Ｓｎパターンである。
【００４１】
ここで、第１励振電極２２１、第１引出電極２２３及び振動側第１接合パターン２５１を同一の構成とすることで、同一のプロセスでこれらを一括して形成することができる。同様に、第２励振電極２２２、第２引出電極２２４及び振動側第２接合パターン２５２を同一の構成とすることで、同一のプロセスでこれらを一括して形成することができる。詳細には、真空蒸着やスパッタリング、イオンプレーティング、ＭＢＥ、レーザーアブレーションなどのＰＶＤ法（例えば、フォトリソグラフィ等の加工におけるパターニング用の膜形成法）により下地ＰＶＤ膜や電極ＰＶＤ膜を形成することで、一括して膜形成を行い、製造工数を減らしてコスト低減に寄与することができる。
【００４２】
水晶振動板２の一主面２１１には、図４に示すように、第１励振電極２２１、第１引出電極２２３及び振動側第１接合パターン２５１以外に、９個の接続用接合パターン１１１〜１１９が形成されている。接続用接合パターン１１１〜１１４は、水晶振動板２の外枠部２３であって、水晶振動板２の４隅（角部）の領域に設けられている。接続用接合パターン１１１〜１１４は、振動側第１接合パターン２５１とは所定の間隔を隔てて設けられている。
【００４３】
接続用接合パターン１１５，１１６は、水晶振動板２の外枠部２３であって、水晶振動板２の振動部２２の−Ｚ’方向側に設けられている。また、接続用接合パターン１１５，１１６はＸ軸方向に沿って並び、接続用接合パターン１１５が−Ｘ方向側、接続用接合パターン１１６が＋Ｘ方向側に配置されている。接続用接合パターン１１６は、上述したように第１引出電極２２３につながっている。
【００４４】
接続用接合パターン１１７は、接続用接合パターン１１５，１１６とは水晶振動板２の振動部２２を挟んでＺ’軸方向の反対側の位置に（水晶振動板２の振動部２２の＋Ｚ’方向側に）設けられている。接続用接合パターン１１７は、水晶振動板２の外枠部２３において、Ｘ軸方向に沿って延びている。
【００４５】
接続用接合パターン１１８，１１９は、水晶振動板２の外枠部２３であって、振動部２２のＸ軸方向の両側に設けられている。接続用接合パターン１１８，１１９は、水晶振動板２の長辺に沿った長辺近傍領域に設けられており、Ｚ’軸方向に沿って延びている。接続用接合パターン１１８は、水晶振動板２の一主面２１１に形成された接続用接合パターン１１１と接続用接合パターン１１３との間に設けられている。接続用接合パターン１１９は、接続用接合パターン１１２と接続用接合パターン１１４との間に設けられている。
【００４６】
水晶振動板２の他主面２１２には、図５に示すように、第２励振電極２２２、第２引出電極２２４及び振動側第２接合パターン２５２以外に、８個の接続用接合パターン１２０〜１２７が形成されている。接続用接合パターン１２０〜１２３は、水晶振動板２の外枠部２３であって、水晶振動板２の４隅（角部）の領域に設けられている。接続用接合パターン１２０〜１２３は、振動側第２接合パターン２５２とは所定の間隔を隔てて設けられている。
【００４７】
接続用接合パターン１２４，１２５は、水晶振動板２の外枠部２３であって、水晶振動板２の振動部２２のＺ’軸方向の両側に設けられており、接続用接合パターン１２４が−Ｚ’方向側、接続用接合パターン１２５が＋Ｚ’方向側に配置されている。接続用接合パターン１２４，１２５は、Ｘ軸方向に沿って延びている。また、接続用接合パターン１２４は、上述したように第２引出電極２２４につながっている。
【００４８】
接続用接合パターン１２６，１２７は、水晶振動板２の外枠部２３であって、振動部２２のＸ軸方向の両側に設けられている。接続用接合パターン１２６，１２７は、水晶振動板２の長辺に沿った長辺近傍領域に設けられており、Ｚ’軸方向に沿って延びている。接続用接合パターン１２６は、水晶振動板２の一主面２１１に形成された接続用接合パターン１２０と接続用接合パターン１２２との間に設けられている。接続用接合パターン１２７は、接続用接合パターン１２１と接続用接合パターン１２３との間に設けられている。
【００４９】
接続用接合パターン１１１〜１２７は、振動側第１接合パターン２５１，振動側第２接合パターン２５２と同様の構成であり、振動側第１接合パターン２５１，振動側第２接合パターン２５２と同一のプロセスで形成することができる。具体的には、接続用接合パターン１１１〜１２７は、水晶振動板２の両主面２１１，２１２上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、当該下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。
【００５０】
また、水晶振動板２には、図４，５に示すように、一主面２１１と他主面２１２との間を貫通する２つの貫通孔（第１，第２貫通孔１５１，１５２）が形成されている。第１貫通孔１５１は、接続用接合パターン１１２，１２１の重畳領域に形成されており、接続用接合パターン１１２と接続用接合パターン１２１とを導通させる。第２貫通孔１５２は、接続用接合パターン１１５，１２４の重畳領域に形成されており、接続用接合パターン１１５と接続用接合パターン１２４とを導通させる。
【００５１】
第１及び第２貫通孔１５１，１５２には、一主面２１１と他主面２１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極１５１ａ，１５２ａがそれぞれの内壁面に沿って形成されている。そして、第１及び第２貫通孔１５１，１５２それぞれの中央部分は、一主面２１１と他主面２１２との間を貫通した中空状態の貫通部分１５１ｂ，１５２ｂとなる。
【００５２】
水晶発振器１０１では、第１貫通孔１５１及び接続用接合パターン１１１〜１１４，１１８〜１２３，１２６，１２７は、振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２よりも外周側に設けられる。第２貫通孔１５２及び接続用接合パターン１１５〜１１７，１２４，１２５は、振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２よりも内周側に設けられる。接続用接合パターン１１１〜１２７は、振動側第１接合パターン２５１及び振動側第２接合パターン２５２とは電気的に接続されていない。
【００５３】
第１封止部材３には、曲げ剛性（断面二次モーメント×ヤング率）が１０００［Ｎ・ｍｍ２］以下の材料が用いられている。具体的には、第１封止部材３は、図２，３に示すように、１枚のガラスウエハから形成された直方体の基板であり、この第１封止部材３の他主面３１２（水晶振動板２に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。
【００５４】
この第１封止部材３の他主面３１２には、水晶振動板２に接合するための封止側第１封止部として封止側第１接合パターン３２１が形成されている。封止側第１接合パターン３２１は、平面視で環状に形成されている。この封止側第１接合パターン３２１は、第１封止部材３上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。尚、本実施の形態では、下地ＰＶＤ膜には、Ｔｉが用いられ、電極ＰＶＤ膜にはＡｕが用いられている。また、封止側第１接合パターン３２１は、非Ｓｎパターンである。
【００５５】
第１封止部材３の一主面３１１（ＩＣチップ５を搭載する面）には、図２に示すように、発振回路素子であるＩＣチップ５を搭載する搭載パッドを含む６つの電極パターン（４つの電極パターン３７１及び２つの電極パターン３７２）が形成されている。４つの電極パターン３７１は、水晶発振器１０１を回路基板（図示せず）にワイヤボンディング実装するための電極パターンであり、一方の端部（中央側）にＩＣチップ５を搭載する搭載パッドを有し、他方の端部（外周側）にワイヤボンディングパッドを有している。２つの電極パターン３７２は、ＩＣチップ５を第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２に接続するための電極パターンであり、一方の端部（中央側）にＩＣチップ５を搭載する搭載パッドを有している。ＩＣチップ５は、金属バンプ（例えばＡｕバンプ等）３８（図１参照）を用いて電極パターン３７１，３７２に、ＦＣＢ（Flip Chip Bonding)法により接合される。
【００５６】
尚、本発明の圧電振動デバイスが、ＩＣチップを搭載しない水晶振動子である場合には、該水晶振動子は、回路基板上に別チップとして搭載されるＩＣチップに接続されて発振器として機能する。この場合、第１封止部材３の一主面３１１では、水晶振動子の第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２に接続するための電極パターンのみが形成され、この電極パターンとＩＣチップとが接続される。
【００５７】
第１封止部材３の他主面３１２には、図３に示すように、封止側第１接合パターン３２１以外に、９個の接続用接合パターン１２８〜１３６及び配線パターン３３が形成されている。接続用接合パターン１２８〜１３１は、第１封止部材３の４隅（角部）の領域に設けられている。接続用接合パターン１２８〜１３１は、封止側第１接合パターン３２１とは所定の間隔を隔てて設けられている。
【００５８】
接続用接合パターン１３２，１３３は、第１封止部材３のＡ２方向側に設けられている。また、接続用接合パターン１３２，１３３はＢ軸方向に沿って並び、接続用接合パターン１３２がＢ１方向側、接続用接合パターン１３３がＢ２方向側に配置されている。尚、図３のＡ１方向及びＡ２方向は図４の＋Ｚ’方向及び−Ｚ’方向にそれぞれ一致し、Ｂ１方向及びＢ２方向は−Ｘ方向及び＋Ｘ方向にそれぞれ一致する。
【００５９】
接続用接合パターン１３４は、第１封止部材３のＡ１方向側に設けられており、Ｂ軸方向に沿って延びている。また、接続用接合パターン１３２と接続用接合パターン１３４との間には、配線パターン３３が接続用接合パターン１３２，１３４と一体的に形成されている。つまり、配線パターン３３のＡ２方向側に接続用接合パターン１３２が接続され、Ａ１方向側に接続用接合パターン１３４が接続されている。
【００６０】
接続用接合パターン１３５，１３６は、第１封止部材３のＢ軸方向の両側に設けられている。接続用接合パターン１３５，１３６は、第１封止部材３の長辺に沿った長辺近傍領域に設けられており、Ａ軸方向に沿って延びている。接続用接合パターン１３５は、第１封止部材３の他主面３１２に形成された接続用接合パターン１２８と接続用接合パターン１３０との間に設けられている。接続用接合パターン１３６は、接続用接合パターン１２９と接続用接合パターン１３１との間に設けられている。
【００６１】
接続用接合パターン１２８〜１３６は、封止側第１接合パターン３２１と同様の構成であり、封止側第１接合パターン３２１と同一のプロセスで形成することができる。具体的には、接続用接合パターン１２８〜１３６は、第１封止部材３の他主面３１２上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、当該下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。
【００６２】
また、第１封止部材３には、図２，３に示すように、一主面３１１と他主面３１２との間を貫通する３つの貫通孔（第３〜第５貫通孔１５３〜１５５）が形成されている。第３貫通孔１５３は、電極パターン３７１の一つ（図２では右下）と接続用接合パターン１２９との重畳領域に形成されており、電極パターン３７１と接続用接合パターン１２９とを導通させる。第４貫通孔１５４は、電極パターン３７２の一方（図２では右側）と接続用接合パターン１３４との重畳領域に形成されており、電極パターン３７２と接続用接合パターン１３４とを導通させる。第５貫通孔１５５は、電極パターン３７２の他方（図２では左側）と接続用接合パターン１３３との重畳領域に形成されており、電極パターン３７２と接続用接合パターン１３３とを導通させる。
【００６３】
第３〜第５貫通孔１５３〜１５５には、図３に示すように、一主面３１１と他主面３１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極１５３ａ〜１５５ａがそれぞれの内壁面に沿って形成されている。そして、第３〜第５貫通孔１５３〜１５５それぞれの中央部分は、一主面３１１と他主面３１２との間を貫通した中空状態の貫通部分１５３ｂ〜１５５ｂとなる。
【００６４】
水晶発振器１０１では、第３貫通孔１５３及び接続用接合パターン１２８〜１３１，１３５，１３６は、封止側第１接合パターン３２１よりも外周側に設けられる。第４，第５貫通孔１５４，１５５、接続用接合パターン１３２〜１３４及び配線パターン３３は、封止側第１接合パターン３２１よりも内周側に設けられる。接続用接合パターン１２８〜１３６は、封止側第１接合パターン３２１とは電気的に接続されていない。また、配線パターン３３も、封止側第１接合パターン３２１とは電気的に接続されていない。
【００６５】
第２封止部材４には、曲げ剛性（断面二次モーメント×ヤング率）が１０００［Ｎ・ｍｍ２］以下の材料が用いられている。具体的には、第２封止部材４は、図６，７に示すように、１枚のガラスウエハから形成された直方体の基板であり、この第２封止部材４の一主面４１１（水晶振動板２に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。
【００６６】
この第２封止部材４の一主面４１１には、水晶振動板２に接合するための封止側第２封止部として封止側第２接合パターン４２１が形成されている。封止側第２接合パターン４２１は、平面視で環状に形成されている。この封止側第２接合パターン４２１は、第２封止部材４上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。尚、本実施の形態では、下地ＰＶＤ膜には、Ｔｉが用いられ、電極ＰＶＤ膜にはＡｕが用いられている。また、封止側第２接合パターン４２１は、非Ｓｎパターンである。
【００６７】
第２封止部材４の一主面４１１には、図６に示すように、封止側第２接合パターン４２１以外に、８個の接続用接合パターン１３７〜１４４が形成されている。接続用接合パターン１３７〜１４０は、第２封止部材４の４隅（角部）の領域に設けられている。接続用接合パターン１３７〜１４０は、封止側第２接合パターン４２１とは所定の間隔を隔てて設けられている。
【００６８】
接続用接合パターン１４１，１４２は、第２封止部材４のＡ軸方向の両側に設けられており、Ｂ軸方向に沿って延びている。ここでは、接続用接合パターン１４１がＡ１方向側、接続用接合パターン１４２がＡ２方向側に配置されている。尚、図６のＡ１方向及びＡ２方向は図４の＋Ｚ’方向及び−Ｚ’方向にそれぞれ一致し、Ｂ１方向及びＢ２方向は−Ｘ方向及び＋Ｘ方向にそれぞれ一致する。
【００６９】
接続用接合パターン１４３，１４４は、第２封止部材４のＢ軸方向の両側に設けられている。接続用接合パターン１４３，１４４は、第２封止部材４の長辺に沿った長辺近傍領域に設けられており、Ａ軸方向に沿って延びている。接続用接合パターン１４３は、第２封止部材４の一主面４１１に形成された接続用接合パターン１３７と接続用接合パターン１３９との間に設けられている。接続用接合パターン１４４は、接続用接合パターン１３８と接続用接合パターン１４０との間に設けられている。
【００７０】
接続用接合パターン１３７〜１４４は、封止側第２接合パターン４２１と同様の構成であり、封止側第２接合パターン４２１と同一のプロセスで形成することができる。具体的には、接続用接合パターン１３７〜１４４は、第２封止部材４の一主面４１１上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、当該下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。
【００７１】
第２封止部材４の他主面４１２（水晶振動板２に面しない外方の主面）には、一つのシールド電極４３１が設けられている。シールド電極４３１は、他主面４１２上に物理的気相成長させて形成された下地ＰＶＤ膜と、下地ＰＶＤ膜上に物理的気相成長させて積層形成された電極ＰＶＤ膜とからなる。
【００７２】
第２封止部材４には、図６，７に示すように、一主面４１１と他主面４１２との間を貫通する１つの貫通孔（第６貫通孔１５６）が形成されている。第６貫通孔１５６は、接続用接合パターン１３８とシールド電極４３１との重畳領域に形成されており、接続用接合パターン１３８とシールド電極４３１とを導通させる。
【００７３】
第６貫通孔１５６には、図６に示すように、一主面４１１と他主面４１２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極１５６ａが内壁面に沿って形成されている。そして、第６貫通孔１５６の中央部分は、一主面４１１と他主面４１２との間を貫通した中空状態の貫通部分１５６ｂとなる。
【００７４】
水晶発振器１０１では、第６貫通孔１５６及び接続用接合パターン１３７〜１４０，１４３，１４４は、封止側第２接合パターン４２１よりも外周側に設けられる。接続用接合パターン１４１，１４２は、封止側第２接合パターン４２１よりも内周側に設けられる。接続用接合パターン１３７〜１４４は、封止側第２接合パターン４２１とは電気的に接続されていない。
【００７５】
水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４を含む水晶発振器１０１では、水晶振動板２と第１封止部材３とが振動側第１接合パターン２５１及び封止側第１接合パターン３２１を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板２と第２封止部材４とが振動側第２接合パターン２５２及び封止側第２接合パターン４２１を重ね合わせた状態で拡散接合されて、サンドイッチ構造のパッケージ１２が製造される。これにより、別途接着剤等の接合専用材を用いずに、パッケージ１２の内部空間１３、つまり、振動部２２の収容空間が気密封止される。
【００７６】
そして、図１および図８に示すように、振動側第１接合パターン２５１及び封止側第１接合パターン３２１自身が拡散接合後に生成される接合材１５ａとなり、振動側第２接合パターン２５２及び封止側第２接合パターン４２１自身が拡散接合後に生成される接合材１５ｂとなる。
【００７７】
この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。具体的には、水晶振動板２の４隅の接続用接合パターン１１１〜１１４及び第１封止部材３の４隅の接続用接合パターン１２８〜１３１が拡散接合される。水晶振動板２の長辺近傍領域の接続用接合パターン１１８，１１９及び第１封止部材３の長辺近傍領域の接続用接合パターン１３５，１３６が拡散接合される。水晶振動板２の接続用接合パターン１１５及び第１封止部材３の接続用接合パターン１３２が拡散接合される。水晶振動板２の接続用接合パターン１１６及び第１封止部材３の接続用接合パターン１３３が拡散接合される。水晶振動板２の接続用接合パターン１１７及び第１封止部材３の接続用接合パターン１３４が拡散接合される。
【００７８】
そして、接続用接合パターン１１１〜１１４及び接続用接合パターン１２８〜１３１自身が拡散接合後に生成される接合材１６ａ〜１６ｄとなる。接続用接合パターン１１８，１１９及び接続用接合パターン１３５，１３６自身が拡散接合後に生成される接合材１６ｅ，１６ｆとなる。接続用接合パターン１１５及び接続用接合パターン１３２自身が拡散接合後に生成される接合材１６ｇとなる。接続用接合パターン１１６及び接続用接合パターン１３３自身が拡散接合後に生成される接合材１６ｈとなる。接続用接合パターン１１７及び接続用接合パターン１３４自身が拡散接合後に生成される接合材１６ｉとなる。これらの接合材１６ａ〜１６ｉは、水晶振動板２と第１封止部材３とを接合する作用に加えて、貫通孔の貫通電極を導通させる役割、あるいは、水晶振動板２と第１封止部材３との接合時に第１封止部材３に変形（撓み）が発生することを抑制する役割を果たす。
【００７９】
同様に、水晶振動板２の４隅の接続用接合パターン１２０〜１２３及び第２封止部材４の４隅の接続用接合パターン１３７〜１４０が拡散接合される。水晶振動板２の長辺近傍領域の接続用接合パターン１２６，１２７及び第２封止部材４の長辺近傍領域の接続用接合パターン１４３，１４４が拡散接合される。水晶振動板２の接続用接合パターン１２４及び第２封止部材４の接続用接合パターン１４２が拡散接合される。水晶振動板２の接続用接合パターン１２５及び第２封止部材４の接続用接合パターン１４１が拡散接合される。
【００８０】
そして、接続用接合パターン１２０〜１２３及び接続用接合パターン１３７〜１４０自身が拡散接合後に生成される接合材１７ａ〜１７ｄとなる。接続用接合パターン１２６，１２７及び接続用接合パターン１４３，１４４自身が拡散接合後に生成される接合材１７ｅ，１７ｆとなる。接続用接合パターン１２４及び接続用接合パターン１４２自身が拡散接合後に生成される接合材１７ｇとなる。接続用接合パターン１２５及び接続用接合パターン１４１自身が拡散接合後に生成される接合材１７ｈとなる。これらの接合材１７ａ〜１７ｈは、水晶振動板２と第２封止部材４とを接合する作用に加えて、貫通孔の貫通電極を導通させる役割、あるいは、水晶振動板２と第２封止部材４との接合時に第２封止部材４に変形（撓み）が発生することを抑制する役割を果たす。
【００８１】
水晶発振器１０１において、第１励振電極２２１は第１電気パスを介してＩＣチップ５に接続され、第２励振電極２２２は第２電気パスを介してＩＣチップ５に接続される。第１電気パスは、第１引出電極２２３、接合材１６ｈ、貫通電極１５５ａ及び電極パターン３７２により構成される。第２電気パスは、第２引出電極２２４、接合材１７ｇ、貫通電極１５２ａ、接合材１６ｇ、配線パターン３３、接合材１６ｉ、貫通電極１５４ａ及び電極パターン３７２により構成される。
【００８２】
第２封止部材４の他主面４１２に形成されるシールド電極４３１は、水晶発振器１０１内部の励振電極や内部配線が回路基板に存在する信号配線等と容量結合することを防止するためのものである。パッケージ内部の励振電極や内部配線がパッケージ外側にある信号配線等と容量結合すると、該信号配線における電位変化の影響を受け、周波数やその他の特性変動を起こす恐れがある。例えば、水晶発振器１０１が実装される回路基板が多層プリント基板であるような場合には、第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２と重畳する領域に信号配線が存在する場合があり得る。サンドイッチ構造の圧電振動デバイスでは、パッケージが薄いために容量結合が発生しやすく、水晶発振器１０１内部の第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２と回路基板内の信号配線との間の容量結合も無視できないものとなり、この容量結合を防止するにはシールド電極４３１が必要となる。
【００８３】
シールド電極４３１は、水晶発振器１０１の動作中に変動の無い固定電位が与えられている必要がある。そのような固定電位としてはＧＮＤ（接地）電位を用いることが好適である。このため、シールド電極４３１は、第１封止部材３の一主面３１１に形成された電極パターン３７１のうちの一つと第３電気パスを介して電気的に接続されている。すなわち、シールド電極４３１に接続される電極パターン３７１は、ＩＣチップ５にＧＮＤ電位を与えるための配線である。これにより、シールド電極４３１には、常にＧＮＤ電位が与えられる。第３電気パスは、貫通電極１５３ａ、接合材１６ｂ、貫通電極１５１ａ、接合材１７ｂ及び貫通電極１５６ａにより構成される。
【００８４】
上記構成の水晶発振器１０１では、第１封止部材３の外面（一主面３１１）に、ＩＣチップ５が搭載され、かつ、ＩＣチップ搭載面と同一面にワイヤボンディング用の実装パッド（電極パターン３７１）が形成されている。このように、ワイヤボンディング用の実装パッドを設けることで、表面実装型ではなくワイヤボンディング実装の水晶発振器１０１を提供することができる。そして、ワイヤボンディング実装により、水晶発振器１０１をＳｉＰ実装によりパッケージに内蔵しやすくなる。
【００８５】
また、ワイヤボンディング実装面ではワイヤ引き上げのための高さが必要となる。一方、ＩＣチップ搭載面ではＩＣチップ５の厚み分の高さが発生する。このため、ＩＣチップ搭載面とワイヤボンディングパッドの実装面を同じ面にすることにより、水晶発振器１０１におけるデバイス高さの増大を抑えることができる。
【００８６】
また、第１封止部材３の外面にワイヤボンディング用の実装パッドを設けたことで、第２封止部材４の外面（他主面４１２）は実装端子等が形成されず、回路基板との接着面とされる。そして、回路基板（例えば多層プリント基板）において第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２と対向する信号配線があるような場合、第２封止部材４の外面にシールド電極４３１を設けることにより励振電極と信号配線との容量結合を防止できる。サンドイッチ構造の水晶発振器１０１は薄型構造であるため、第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２が他の配線と容量結合しやすく、このようなシールド対策が有効となる。
【００８７】
また、サンドイッチ構造の水晶発振器１０１では、第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２が、第１封止部材３に形成された電極パターンと容量結合することもあり得る。このような容量結合による水晶発振器１０１の特性変動を防止するため、ワイヤボンディング用の実装パッドは、第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２と平面視で重畳しない（あるいは重畳領域ができる限り少ない）配置とされていることが好ましい。同様に、ＩＣチップ５の実装パッドは、第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２と平面視で重畳しない（あるいは重畳領域ができる限り少ない）配置とされていることが好ましい。また、第１封止部材３における他の配線（電極パターン３７１や３７２）や、水晶振動板２における他の配線（第１引出電極２２３、第２引出電極２２４及び配線パターン３３等）も、他の電極や配線と平面視で重畳しない配置とされることがより好ましい。
【００８８】
また、水晶発振器１０１では、電極パターン３７１の外周側端部に設けられるワイヤボンディング用の実装パッドは、水晶振動板２の外枠部２３と平面視で重畳する領域に配置されることが好ましい。この場合、ワイヤボンディング工程において、水晶発振器１０１の内部空間を避けて外枠部２３に対向するように実装パッドが配置されているため、ワイヤボンディング時の押圧力によって水晶発振器１０１に変形が生じることを回避できる。
【００８９】
また、図７に示すシールド電極４３１は、第２封止部材４の他主面４１２のほぼ全面に形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、シールド電極４３１は水晶発振器１０１内部の電極や配線の形状に合わせてパターニングされた形状であってもよい。図９は、第１及び第２励振電極２２１，２２２、第１及び第２引出電極２２３，２２４、配線パターン３３および接合材１６ｇ〜１６ｉ，１７ｇ，１７ｈの形状に合わせてシールド電極４３１をパターニング形成した場合の例を示す。
【００９０】
このように、シールド電極４３１を、シールドすべき励振電極や配線の形状に合わせてパターニングすることで、シールド電極４３１の形成面積を最小限に抑えることができ、シールド電極４３１によって生じる寄生容量も低減される。寄生容量が低減されると励振電極の可変量が低下することを抑制でき、水晶発振器１０１における周波数調整が行いやすくなるといった利点がある。
【００９１】
また、水晶発振器１０１では、第１封止部材３上にＩＣチップ５が搭載されるが、図１０に示すように、ＩＣチップ５の周囲は封止樹脂６によってモールドされる。この時、封止樹脂６がワイヤボンディング用の実装パッド上に流れ出ることを防止するための溝３９が形成されていてもよい。溝３９は、図１１に示すようにＩＣチップ５の周囲全体を囲うように形成されていてもよく、あるいは、図１２に示すように電極パターン３７１におけるワイヤボンディング用の実装パッドを個別に囲うように形成されていてもよい。
【００９２】
また、シールド電極は、第２封止部材４の他主面４１２に形成されるシールド電極４３１以外に、図１３に示すように、第１封止部材３の一主面３１１に形成されるシールド電極３７３を設けてもよい。シールド電極３７３は、ＩＣチップ５による電位変動を防止するものであり、ＩＣチップ５の搭載領域のうち、電極パターン３７１，３７２の存在しない領域を覆うように配置されている。また、シールド電極３７３は、電極パターン３７１のうちの一つ、具体的にはＩＣチップ５にＧＮＤ電位を与えるための電極パターン３７１と接続されている。これにより、シールド電極３７３には、常にＧＮＤ電位が与えられる。
【００９３】
本実施の形態にかかる水晶発振器１０１は、複数のチップを一つのパッケージ内に封止するＳｉＰモジュールにおいて好適に使用できる。図１４は、水晶発振器１０１を用いたＳｉＰモジュール５００の概略構造を示す断面図である。
【００９４】
図１４に示すＳｉＰモジュール５００では、複数のチップが同一の回路基板５０１に搭載されており、その中のチップの一つとして水晶発振器１０１が搭載されている。また、図１４の例では、水晶発振器１０１以外に、ＬＳＩチップ１０２，１０３がＳｉＰモジュール５００に搭載されている。ＬＳＩチップ１０２，１０３は、例えば、プロセッサやメモリチップである。無論、ＳｉＰモジュール５００に搭載されるチップの数は特に限定されるものではない。また、回路基板５０１は、多層配線基板であってもよい。
【００９５】
ＳｉＰモジュール５００において、搭載される複数のチップは、全て同一の実装方法が用いられることが好ましい。チップの実装方法を揃えることで回路基板５０１へのチップ実装工程が煩雑化することを防止できる。ＳｉＰでは、内蔵される各種デバイスはワイヤボンディングによって回路基板に実装されることが多い。水晶発振器１０１はワイヤボンディング実装端子を有していることにより、ＳｉＰへの適用が好適となっている。
【００９６】
ＳｉＰモジュール５００において、水晶発振器１０１およびＬＳＩチップ１０２，１０３は、チップ裏面を回路基板５０１に対して接着剤等で接着され、チップ上面のワイヤボンディング実装端子と回路基板５０１の配線とがワイヤ接続される。そして、回路基板５０１におけるチップ実装面全体が封止樹脂５０２によって封止される。すなわち、水晶発振器１０１およびＬＳＩチップ１０２，１０３が一つのパッケージ内に封止される。
【００９７】
尚、ＳｉＰモジュール５００において、回路基板５０１に搭載されるのが水晶発振器１０１ではなく水晶振動子である場合には、該水晶振動子と共に発振器を構成するＩＣチップも水晶振動子とは別チップとして回路基板５０１上に搭載される。そして、水晶振動子とＩＣチップとのそれぞれが回路基板５０１にワイヤボンディング実装されることで、水晶振動子とＩＣチップとが接続されて発振器として機能する。
【００９８】
上記形態では、第１封止部材３及び第２封止部材４にガラスを用いているが、これに限定されるものではなく、水晶を用いてもよい。また、圧電振動板にＡＴカット水晶板を用いているが、これに限定されるものではなく、ＡＴカット水晶以外の水晶を用いてもよい。圧電振動板は、圧電材料であれば他の材料であってもよく、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等であってもよい。
【００９９】
尚、第１封止部材３及び第２封止部材４を水晶で構成することによって、水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４の熱膨張率が同一となり、水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４の熱膨張差に起因するパッケージ１２の変形を抑制できるので、水晶振動板２の振動部２２を気密封止した内部空間１３の気密性を向上させることが可能になる。また、パッケージ１２の変形による歪は、連結部２４を介して第１励振電極２２１及び第２励振電極２２２に伝達され、周波数変動の要因となる可能性があるが、水晶振動板２、第１封止部材３、及び第２封止部材４を全て水晶で構成することによって、そのような周波数変動を抑制することができる。
【０１００】
また、上記形態では、第１封止部材３と水晶振動板２との接合、及び水晶振動板２と第２封止部材４との接合をＡｕ−Ａｕの拡散接合にて行っているが、これに限定されるものではなく、ろう材を用いた接合であってもよい。
【０１０１】
今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【０１０２】
１０１    水晶発振器（圧電振動デバイス）
１０２，１０３    ＬＳＩチップ
２    水晶振動板（圧電振動板）
３    第１封止部材
４    第２封止部材
５    ＩＣチップ
１２    パッケージ
１３    内部空間
１１１〜１４４    接続用接合パターン
１５１〜１５６    第１〜第６貫通孔
２２    振動部
２３    外枠部（枠体）
２４    連結部
２２１    第１励振電極
２２２    第２励振電極
３７１，３７２    電極パターン
４３１    シールド電極
５００    ＳｉＰモジュール
５０１    回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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