【事件の表示】
　特願２００１−２６３８４３「ＧａＰ系半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７８１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年８月３１日に出願したものであって、平成１７年１０月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１１月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１２月１４日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年１２月１４日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１７年１２月１４日の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、請求項１を以下のように補正しようとするものを含むものである。
「【請求項１】ｐ−ｎ接合を有するＧａＰ系の半導体基体と、該半導体基体に発光駆動電圧を印加させるための電極とを有し、
　前記半導体基体のｐ型層側の主面を第一主面、その反対側の主面を第二主面とし、前記半導体基体の第一主面および側面には、外側に凸となる凸曲面が集合した粗面が形成され、かつ、
　前記第二主面は、ラッピングした後、王水でエッチングして形成された、前記半導体基体の内側に凸となる鏡面状の凹曲面が集合した鏡面であり、
　前記凹曲面の粒径は、５μｍ以上１５０μｍ以下であり、かつその内側への深さは、０．５μｍ以上１５μｍ以下であ
り、　前記第二主面に形成された前記凹曲面の粒径が、前記第一主面および前記側面に形成された前記凸曲面の粒径よりも大きい
　
　上記補正は、補正前の請求項１の「第二主面に形成された凹曲面」をさらに限定しようとするものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そこで、本件補正後の請求項１（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物１：特開昭５９−２３５７９号公報には、以下の事項が記載されている。
「第１図は、このような構造をもつ従来のＧａＰ緑色ＬＥＤの断面構造を示す図であり、ｎ型ＧａＰ基板１の上にｎ型ＧａＰエピタキシャル層２が成長させ、さらに、この上にｐ型ＧａＰエピタキシャル層３が成長させるとともに、電極４および５を設けて形成したＧａＰ緑色ＬＥＤ素子をステム等の支持体６へ固着した構造となっている。」（２頁左上欄７〜１３行）、
「第２図は、本発明のＧａＰ緑色系ＬＥＤの一実施例を示す断面図であり、基本的な構造は、第１図で示した従来のものと同じである。
しかしながら、図示するように、ＧａＰ緑色系ＬＥＤ素子の支持体６に接着される側の面であるｎ型面（Ａ面）が凹凸面となっているため、内部で発光した光のうち、ｎ型面で反射する光は、この凹凸によって乱反射されるところとなる。すなわち、ｎ型面で反射される光は、ｐ型面（一方の表面）から外部に放出される光成分Ｙと側面から外部へ放出される光成分Ｚに分かれ、・・・」（２頁右下欄８〜１８行）、
「先ず、ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ならびにｐ型のエピタキシャル層を順次液層成長させる。次いで、このエピタキシャル成長ずみＧａＰ基板のｎ型面側を所定の厚さだけ研磨除去したのち、研磨面のみを露出させ、王水で数分間エッチングする。このエッチング処理により、ｎ型面（Ａ面）は第２図で示したように凹凸面となり、こののち、電極の形成、支持体への素子の接着を経て第２図で示したような構造のＧａＰ緑色系ＬＥＤが形成される。」（３頁左上欄８〜１７行）、
「本発明の構造によれば、発光出力が従来の構造にくらべておよそ２０％大きくなり高発光出力化がはかられている。」（３頁右上欄３〜５行）。
　
　また、上記および第２図の記載から、「下面が凹凸に形成されたｎ型ＧａＰ基板１上にｎ型ならびにｐ型のエピタキシャル層２，３を順次成長させた半導体基体の上面（ｐ型面）及び下面（ｎ型面）にそれぞれ電極が形成されたＧａＰ緑色系ＬＥＤ」がみてとれる。
　
　上記によれば刊行物１には、下記の発明が記載されている。
「ｎ型ＧａＰ基板１上にｎ型ならびにｐ型のエピタキシャル層２，３を順次成長させた半導体基体の上面（ｐ型面）及び下面（ｎ型面）にそれぞれ電極が形成されたＧａＰ緑色系ＬＥＤにおいて、前記下面（ｎ型面）が研磨の後、王水でエッチングされて凹凸面となり、内部で発光した光のうち、前記凹凸面で反射される光は前記上面（ｐ型面）と側面から外部へ放出される、ＧａＰ緑色系ＬＥＤ。」（以下、「引用発明」という。）
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「ＧａＰ緑色系ＬＥＤ」は、「ｎ型ＧａＰ基板１上にｎ型ならびにｐ型のエピタキシャル層２，３を順次成長させた半導体基体」を有するから、引用発明には、本願補正発明の「ｐ−ｎ接合を有するＧａＰ系半導体基体」が備わっている。
　
　（イ）引用発明において、「半導体基体の上面（ｐ型面）及び下面（ｎ型面）にそれぞれ電極が形成され」ているから、本願補正発明の「発光駆動電圧を印加させるための電極」が備わっていることは明らかである。
　
　（ウ）引用発明の「上面（ｐ型面）」、「下面（ｎ型面）」は、それぞれ、本願補正発明の「第一主面」、「第二主面」に相当する。
　
　（エ）引用発明の「研磨」は、本願補正発明の「ラッピング」に相当する。
　
　（オ）引用発明の「ＧａＰ緑色系ＬＥＤ」は、本願補正発明の「ＧａＰ系半導体発光素子」に相当する。
　
　よって、両者は、
「ｐ−ｎ接合を有するＧａＰ系の半導体基体と、該半導体基体に発光駆動電圧を印加させるための電極とを有し、前記半導体基体のｐ型層側の主面を第一主面、その反対側の主面を第二主面とし、前記第二主面は、ラッピングした後、王水でエッチングして形成されたＧａＰ系半導体発光素子。」
　で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では、半導体基体の第一主面および側面には、外側に凸となる凸曲面が集合した粗面が形成されているのに対して、引用発明では、これらの面から光が放出されるものの、このような粗面を有しない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、前記第二主面は、前記半導体基体の内側に凸となる鏡面状の凹曲面が集合した鏡面であり、前記凹曲面の粒径は、５μｍ以上１５０μｍ以下であり、かつその内側への深さは、０．５μｍ以上１５μｍ以下であるのに対して、引用発明では、凹凸面となっているが、このような寸法等については不明である点。
　
（相違点３）
　本願補正発明では、前記第二主面に形成された前記凹曲面の粒径が、前記第一主面および前記側面に形成された前記凸曲面の粒径よりも大きいのに対して、引用発明では、この構成を有しない点。
　　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　この種の半導体発光素子において、半導体基体の第一主面および側面に微細な凹凸（凸曲面が集合した粗面）を形成することにより光の取り出し効率を向上させることは、従来周知の技術（例えば、原査定の拒絶理由に引用した刊行物２：特開平２０００−２９９４９４号公報及び刊行物３：特開平２０００−１９６１４１号公報参照。）である。
（なお、この点は、審判請求人も平成１８年１月１８日付手続補正書で補正された審判請求書第２頁下から８〜６行において、「引用文献３（特開２０００−２９９４９４号公報（上記刊行物２と同じ））および引用文献４（特開２０００−１９６１４１号公報（上記刊行物３と同じ））には、ｐ型面（本発明にいう第一主面）および側面に光の全反射を低減させるべく異方性エッチングにより凸曲面が集合した粗面とする発明が開示されています。」として認めているところである。）
　してみると、引用発明において、光取り出し効率を向上させるために、光放出面である半導体基体の上面（ｐ型面）及び側面に、上記従来周知の技術を適用して、本願補正発明の上記相違点１の粗面とすることは当業者が容易に想到し得たものである。
　
（相違点２について）
　本願補正発明の「第二主面」について検討するに、本願明細書には以下の事項が記載されている。
「【０００９】
　第二主面の鏡面化は、該第二主面を王水でエッチングすることにより行なわれる。このように、王水でエッチングすることで、第二主面に、半導体基体の内側に凸となる鏡面状の凹曲面が集合した鏡面を形成することができる。その結果、第二主面における光全反射効果を有効に機能させることができる。また、第二主面をラッピングにて平滑化した後、王水でエッチングした場合、さらに簡便に、第二主面を鏡面状の凹曲面が集合した鏡面とすることが可能である。」
「【００１０】
・・・さらに本発明における、凹曲面の粒径は、５μｍ以上１５０μｍ以下であり、かつその内側への深さは、０．５μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする。凹曲面の粒径が５μｍ未満もしくは、その内側への深さが０．５μｍ未満であると、十分に凹曲面形状が形成されず、その結果、第二主面における光全反射の向上が効果的に機能しない不具合が生じる。他方、粒径が１５０μｍより大きくなると、導電性ペーストとの固着面積を十分に大きくとることができなくなる。同様に、凹曲面の内側への深さが１５μｍより大きくなると、鏡面化が抑制される結果となり、光全反射向上が抑制されることとなる。・・・」
「【００３０】
（比較例１）
　実施例２において、第二主面を王水でエッチングしなかった以外は、実施例２と同条件にてＧａＰ半導体発光素子の形成を行なった。実施例２および比較例１のＧａＰ半導体発光素子に対して、輝度測定を行なった。その結果、実施例２の発光素子の輝度は、比較例１のものよりも、２０％高くなった。」
　
　すなわち、本願明細書の上記記載から、
　i）本願補正発明における「半導体基体の内側に凸となる鏡面状の凹曲面が集合した鏡面」は、第二主面をラッピングにて平滑化した後、王水でエッチングすることにより簡便に形成されたものであること、
　ii）第二主面における光全反射の向上が効果的に機能するには、凹曲面の粒径は、５μｍ以上であり、かつその内側への深さは、０．５μｍ以上１５μｍ以下である必要があること、
　iii)粒径が１５０μｍ以下であれば導電性ペーストとの固着面積を十分にとることができること、また、
　iv)第二主面を王水でエッチングした場合は、しなかった場合に比べて、発光素子の輝度が２０％高くなること、
が把握できる。
　
　一方、引用発明において、「凹凸面」は、「半導体基体の下面（ｎ型面）が研磨の後、王水でエッチングされ」て形成されており、しかも、刊行物１には、前掲のとおり、「本発明の構造によれば、発光出力が従来の構造にくらべておよそ２０％大きくなり高発光出力化がはかられている。」（３頁右上欄３〜５行）と記載されている。
　
　してみると、引用発明の半導体基体の下面（ｎ型面）は、本願補正発明の第二主面と全く同じ方法（上記i））で形成され、その方法でエッチングした場合は、しなかった場合に比べて、発光素子の輝度が２０％高くなるという効果も同じ（上記iv））であり、しかも、当該効果は、本願補正発明の場合、上記ii）の凹曲面の寸法により得られるのであるから、引用発明の王水処理面の形状・寸法も、本願補正発明の第二主面の形状・寸法とほぼ同様であると解するのが相当である。
　すなわち、引用発明には、本願補正発明の上記相違点２のうち「第二主面は、前記半導体基体の内側に凸となる鏡面状の凹曲面が集合した鏡面であり、前記凹曲面の粒径は、５μｍ以上であり、かつその内側への深さは、０．５μｍ以上１５μｍ以下である」点が実質的に備わっているということができる。
　また、引用発明の凹凸面は、平坦な面に比べて導電性ペーストなどの接着剤との接触面積が大きくなることは自明の事項であるから、必要とされる接着力に応じて粒径等の寸法を１５０μｍ以下に規定すること（上記iii）、は当業者が適宜なし得る設計事項に過ぎない。
　
（相違点３について）
　本願補正発明において、半導体基体の第一主面および側面に形成された凸曲面が集合した粗面が、光の全反射を低減させ、取り出し効率を向上させるものであり、第二主面が、光全反射の向上を図るものである以上、「第二主面に形成された前記凹曲面の粒径が、前記第一主面および前記側面に形成された前記凸曲面の粒径よりも大きい」と規定することは、技術的に当然のことを文言で表現したに過ぎない。（ちなみに、上記刊行物３の【００２３】には、光放出面に関して、「微細な凹凸粒径は、０．３μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。・・・微細な凹凸の粒径が３μｍを越える場合は、上記光の波長に対しては凹凸が緩やかすぎて局部的な鏡面として作用する。」と記載されており、一般に、光取り出し面の微細な凹凸粒径は、鏡面（反射面）として作用するものの粒径より小さいことが示唆されている。）
　したがって、上記（相違点１について）で検討したように、光取り出し効率を向上するために、引用発明の光取り出し面である半導体基体の上面（ｐ型面）と側面に上記従来周知の技術を適用して粗面にする場合に、その粒径を半導体基体の下面（ｎ型面）の凹凸の粒径より小さくし、本願補正発明の上記相違点３の構成となすことは、それぞれの面が果たすべき機能から見て、当業者が当然採用すべき事項に過ぎない。
　
　また、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記従来周知の技術から予測し得る程度のものであって、格別とはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年１２月１４日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年８月９日の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるとおりものであるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】　ｐ−ｎ接合を有するＧａＰ系の半導体基体と、該半導体基体に発光駆動電圧を印加させるための電極とを有し、
　前記半導体基体のｐ型層側の主面を第一主面、その反対側の主面を第二主面とし、前記半導体基体の第一主面および側面には、外側に凸となる凸曲面が集合した粗面が形成され、かつ、
　前記第二主面は、ラッピングした後、王水でエッチングして形成された、前記半導体基体の内側に凸となる鏡面状の凹曲面が集合した鏡面であり、
　前記凹曲面の粒径は、５μｍ以上１５０μｍ以下であり、かつその内側への深さは、０．５μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とするＧａＰ系半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の事項
　原審における拒絶理由に引用した刊行物１：特開昭５９−２３５７９号公報には、上記２．（２）に摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明に比べて、「前記第二主面に形成された前記凹曲面の粒径が、前記第一主面および前記側面に形成された前記凸曲面の粒径よりも大きい」（本願補正発明と引用発明との相違点３と同じ。）なる発明特定事項を欠くものである。
　そうしてみると、本願発明は、上記本願補正発明と引用発明との相違点３に関する記載を除き、上記２．（３）、（４）に述べたと同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。