【事件の表示】
　特願２００２−　　　　７４「垂直磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月２６日出願公開、特開２００２−２０８１２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１４年１月４日の出願（パリ条約による優先権主張２００１年１月３日、韓国）であって、平成１７月５月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年８月９日に拒絶査定不服審判が請求されたところ、平成１９年１０月２４日付けで当審の拒絶理由が通知され、これに対し、平成２０年１月３１日付けで手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成２０年１月３１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】基板と垂直磁気記録膜との間に、前記垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜が積層された垂直磁気記録媒体において、前記下地膜と垂直磁気記録膜との間に垂直磁気記録膜の結晶粒の下地膜からの連続的な成長を断絶させる結晶粒成長断絶膜をさらに含み、
　前記下地膜はＰｔ、Ａｕ、Ｐｄよりなる群から選択されるいずれか１種以上の物質からなり、
　前記結晶粒成長断絶膜は膜厚が２０ｎｍ以下であり、Ｔｉ、Ｔａよりなる群から選択されるいずれか１種以上の物質からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
　
２　引用例
（１）当審の拒絶理由で引用した国際公開第９９／２４９７３号（以下「引用例１」という。国際公開１９９９年５月２０日。翻訳文として特表２００１−５２３０３２号を参照。）には、「高度に配向された磁気薄膜、これを用いた記録媒体、変換器、デバイス、および製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【請求項２５】　
基体と
（
０００２）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と
（
ｉ）面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層
（
ｉｉ）前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されて前記磁気記録層中に（０００２）結晶集合組織を誘導する少なくとも１つの第２の下層
を有する第１の下層構造と、
を含む
記録媒体
【請求項２８】　前記
第１の下層がＡｇ
【請求項２９】　前記
第２の下層がＴｉ
　（イ）「一般に、非常に小さいサイズの結晶粒については、保磁力は結晶粒のサイズの増加とともに増加する。しかし、大きい結晶粒はより大きいノイズをもたらす。大きい結晶粒に伴うノイズの増加なしに高い保磁力を達成することが求められている。低ノイズ磁気媒体を得るためには、Ｃｏ合金薄膜は、隣接結晶粒と磁気的に単離することができる結晶粒界を有する均一なサイズの小さい結晶粒を有していなければならない。この種のミクロ構造、配向および結晶学的集合組織は、通常、蒸着工程を操作することにより、基体表面に溝を掘ることにより、コバルト合金組成を変化させることにより、または下層を適正に使用することにより、達成することができる。
　磁性体層の結晶粒の分離、およびこれによる記録された信号のＳＮ比の改良は、磁性体層結晶粒のエピタキシャル結晶成長を誘導することにより促進される。磁気薄膜層の結晶粒サイズおよび配向の質は、その層が蒸着されつつある層の結晶粒サイズおよび集合組織の質に大きく依存する。前の層が第２の層に集合組織を誘導しうる程度は、部分的には、各層の材料の相対サイズまたは格子間隔および結晶構造によって決定される。予測されるように、結晶サイズと層の構造との間に実質的な変動がある場合、結晶学的集合組織は複製されず、層は非晶質構造および／または下層および最低エネルギー状態の代表値、すなわち材料によって異なる最密構造とは無関係な結晶構造の配向で蒸着されるであろう。」（「発明の背景」の項、国際公開公報７頁２６行〜８頁２１行。対応する特表公報の段落１６、１７参照。）
　（ウ）「下層と磁性体層との間に中間層を組み込むことにより磁性体層の構造のさらなる改良が認められた。また、下層と基体との間に種晶層を組み込んで、下層の構造をさらに制御し、膜の粗さを制御し、基体不純物による下層の汚染を防止することができる。」（「発明の背景」の項、国際公開公報１１頁２５行〜３３行。対応する特表公報の段落２５参照。）
　（エ）「特に、
ｆｃｃ構造を有するある種の金属、例えばＡｇ
Ａｕ
　（オ）「図２（ｂ）に示されるように、下層構造はまた、基体１２上に、または下層構造中の任意の場所に配置されている種晶層および／または湿潤層１８、追加の下層２０および磁性体層構造に隣接した下層１４上に配置されている中間層２２を含むことができる。磁性体層１６は、上層２４、続いて保護被膜２６および有機潤滑剤２８を含む上層構造で被覆されていてもよい。
湿潤層１８は、非晶質材料、または結晶構造を発達させるには薄すぎる膜、またはその集合組織が後に生ずる層について全体的格子不整合を与える膜であること
　（カ）「
湿潤層および／または種晶層１８を、媒体１０中の種々の層の間に配置して、湿潤または種晶層が用いられるかに依存して、それぞれ前の膜の集合組織を破壊するか、またはその上で次の層がエピタキシャル成長するであろう異なる集合組織を提供すること
　（キ）「本発明においては、
ｆｃｃ構造の下層としてＡｇまたはＡｇ合金が一般に好ましいが、ｆｃｃ構造を有する他の適当な材料としては、Ａｇ、
Ａｕ
　（ク）「
垂直磁気記録媒体において用いるための高度に配向された（０００２）垂直Ｃｏ層を製造すること
　（０００２）配向は、最密原子表面を与え、ｈｃｐ構造の最低エネルギー状態である。したがって、Ｃｏ系材料は、材料上に異なる配向（集合組織）を誘導するエピタキシャル界面がない場合には、弱い（０００２）集合組織で自然に成長する傾向にある。Ｔｉを用いてＣｏ層により質の高い（０００２）集合組織を誘導しようという試みが研究されてきた。しかし、ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／ガラスおよびＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／酸化−ＳｉのそれぞれのＸ線回折パターンに示されるように（図２１（ａ）および２１（ｂ））、Ｔｉ層は一般によく配向しない。したがって、
Ｔｉは種晶層として作用せず、本質的に基体またはＣｏ系層の下に先に蒸着された層の配向の影響を排除する湿潤層として作用する
　（ケ）「
本出願人らは、中間ｈｃｐテンプレートの使用により、（１１１）ｆｃｃをテンプレートとして用いて、非常によく配向した（０００２）Ｃｏ系層をエピタキシャル成長させうること
Ｔｉを（１１１）Ａｇ上に蒸着すると
Ｔｉはｆｃｃ（１１１）配向と類似する原子面格子を有する（０００２）配向をとるであろう
Ｔｉの（０００２）配向はＣｏ系層が（０００２）配向でエピタキシャル成長することを著しく改良して、ほぼ理想的に垂直に配向した記録層を有する記録媒体を生成する
　（コ）「多くの試験を実施して、（０００２）Ｃｏ系磁性体層の特徴を評価した。
Ｓｉを製造し、Ａｇ、Ｔｉ、およびＣｏ
６８
Ｃｒ
２０
Ｐｔ
１２
薄膜を
垂直磁気記録
　
ＨＦ−Ｓｉ（１１１）上で成長させた代表的なＣｏＣｒＰｔ（５０ｎｍ）／Ｔｉ（５０ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）膜の
膜の配向が良好である
　図２４は、
ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／Ａｇ／ＨＦ−Ｓｉ試料
　（サ）「表ＩＩに掲げられるように、ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／Ａｇ／ＨＦ−Ｓｉ（１１１）試料の磁気特性を４つの他の試料の磁気特性と比較する。膜平面に垂直に印加された磁界を用いて保磁力（Ｈｃ⊥）を測定した。」（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４７頁１７行〜２１行。対応する特表公報の段落１１７参照。）
　（シ）表ＩＩには、ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／Ａｇ／ＨＦ−Ｓｉ（１１１）試料（Ｄ）として、
試料ＣｏＣｒＰｔ５０ｎｍ／Ｔｉ５０ｎｍ／Ａｇ１２ｎｍ、基体ＨＦ−Ｓｉ（１１１）
　（ス）「図２５（ａ１−ｅ１）および（ａ２−ｅ２）は、それぞれ試料Ａ−Ｅの垂直（容易軸）および平面内（困難軸）ヒステリシスループを示す。（略）
　表ＩＩにおいては、試料ＡおよびＢは、それぞれガラス基体、および天然酸化物により被覆されたＳｉ（１１１）ウェーハー上に蒸着されたＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ膜である。試料のＸＲＤスペクトル（図２１（ａ）および２１（ｂ））は、先に議論したように、いずれの試料においてもＴｉ結晶集合組織を示さない。また、試料ＡおよびＢの保磁力は弱く、これはおそらく、Ｃｏ層は（０００２）配向でエピタキシャル成長しなかったが、膜が厚くなるにつれてある種の（０００２）集合組織を自然にゆっくり発達させ、このためｃ軸配向で分散が生じたためであろう。より不十分な配向はまた、図２５（ａ１−ｂ１）および（ａ２−ｂ２）に示されるヒステリシスループの形状によっても表される。より高い保磁力およびより理想的なヒステリシスループの形状は、試料ＣおよびＤで得られ（図２５（ｃ１−ｄ１）および（ｃ２−ｄ２））、ここでは、配向された膜はＨＦ−エッチングＳｉ（１１１）上で成長した。このことは図２３（ａ−ｂ）に示される試料ＣおよびＤのＸＲＤスペクトルと一致する。
　先に議論したように、試料Ｄにおいて
Ｔｉ層の蒸着の前に導入された１２ｎｍ厚さのＡｇ層は、ＴｉおよびＣｏ合金の配向を改良する
　ヒステリシスカーブは、試料ＡからＤの保磁力は、膜の配向の質が高くなるにつれて増加することを示す。高い程度の配向と一致して、より厚いＡｇ層について同様の保磁力の結果が得られた。
　試料Ｅは、ＨＦ−Ｓｉ（１１１）上の５０ｎｍＡｇ下層上に５０ｎｍＣｏＣｒＰｔ膜を直接蒸着することにより製造し、ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／Ａｇ／Ｓｉ膜との比較を試験した。試料Ｅのヒステリシスカーブは図２５（ｅ１およびｅ２）に示される。ＸＲＤスペクトル（図２３（ｃ））は、ＣｏＣｒＰｔ膜について非常に強い結晶集合組織を示す。しかし、試料Ｅの保磁力はＡｇありまたはなしでＴｉ上で成長した試料と比べて低く、このことはＣｏ相がおそらくｆｃｃ構造として存在することを示す。」（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４８頁３行〜５０頁４行。対応する特表公報の段落１１９〜１２３参照。）
　（セ）「例えば、
ＣｏＣｒＰｔＴａ（０００２）／Ｔｉ（０００２）／Ａｇ（１１１）／ＮｉＦｅ（１１１）／Ｃｕ（１１１）／Ａｇ（１１１）／ＨＦ−Ｓｉ（１１１）
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（ア）（エ）（キ）（ケ）（コ）（シ）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「基体と、
　（０００２）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と、
　面心立方構造を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている第１の下層と、
　前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されて前記磁気記録層中に（０００２）結晶集合組織を誘導する第２の下層と、
　を有する第１の下層構造とを含む記録媒体であって、
　面心立方構造を有する第１の下層とは、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＡｕであり、
　例えば、第１の下層がＡｇからなり、第２の下層がＴｉからなる、記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「磁気記録層」は、垂直に配向した記録層（上記（ケ）（コ）参照）であるから、本願発明の「垂直磁気記録膜」に相当し、そして、引用例１に記載された発明の「記録媒体」は、本願発明の「垂直磁気記録媒体」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「基体」「第１の下層」は、それぞれ本願発明の「基板」「下地膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第１の下層」は、磁気記録層の配向性を誘導するように材料が選択されているもの（上記（エ）（キ）参照）であり、「（１１１）ｆｃｃをテンプレートとして用いて」Ｃｏ系磁気記録層を配向させる（上記（ケ）参照）と説明されているように、垂直配向性を誘導している層であるといえるので、本願発明の「垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明の「第２の下層」は、「第１の下層」と「磁気記録層」との間に配置されていて、磁気記録層は、第１の下層である面心立方構造のＡｇから連続的に成長しておらず、第２の下層であるＴｉ層が、第１の下層のＡｇとは異なる材料で異なる結晶構造を備えているから、本願発明の「下地膜と垂直磁気記録膜との間に垂直磁気記録膜の結晶粒の下地膜からの連続的な成長を断絶させる結晶粒成長断絶膜」に実質的に相当している。
　
  そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）「基板と垂直磁気記録膜との間に、前記垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜が積層された垂直磁気記録媒体において、前記下地膜と垂直磁気記録膜との間に垂直磁気記録膜の結晶粒の下地膜からの連続的な成長を断絶させる結晶粒成長断絶膜をさらに含み、
　前記結晶粒成長断絶膜はＴｉからなる垂直磁気記録媒体。」
　
　（相違点１）本願発明は、「下地膜」が「Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄよりなる群から選択されるいずれか１種以上の物質からなり」、「結晶粒成長断絶膜」が「膜厚２０ｎｍ以下」であると特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　
（２）相違点１についての判断
　引用例１に記載された発明では、「第１の下層」（本願発明の「下地膜」に相当）について、Ａｇが好ましい実施例として例示されるとともに、Ａｇと同様Ａｕが面心立方構造を有する材料として列挙されている（上記（エ）（キ）参照）のであるから、引用例１に記載された発明において、Ａｇに換えてＡｕを採用することは、引用例１に記載されているに等しいといえ、上に設けられるＴｉ層との組み合わせで用いることは当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　また、引用例１に記載された発明において、面心立方構造の例として列挙されてはいないものの面心立方構造であることが明らかであるＰｔやＰｄについても、垂直磁気記録媒体において垂直配向性を誘導する下地膜としてＡｇ、Ａｕとともに周知であるから、Ａｇに換えて採用することは当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。なお、垂直磁気記録媒体において垂直配向性を誘導する下地膜としてＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄが周知であることは、当審の拒絶理由で引用した特開昭６２−２３６１３１号公報（請求項４、５等）、特開平５−６７３２２号公報（段落１３）、特表平１１−５０１７５５号公報（請求項１）等に記載されている。また、請求人が「垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜」として「Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ」がいずれも周知である根拠として提出している参考資料２（平成１７年４月１５日提出。Low　noise　Co／Pd　multilayer　perpendicular　media　with　granular　seed　layer，Ohmori，H．，Maesaka，A．，IEEE　Transactions　on　Magnetics，Volume：36，Issue：5，Sept　2000　Pages：2384−2386）には、貴金属（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ）シード層が列挙されており、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔが垂直磁気記録媒体における下地膜（シード層）として適宜採用されることが、上記参考資料２にも示されている。
　次にＴｉからなる結晶粒成長断絶膜の膜厚について以下検討する。
　引用例１には、Ｔｉ層の膜厚が５０ｎｍである例（上記（コ）参照）が記載されている。引用例１に記載されたＴｉ層の膜厚の５０ｎｍは、１つの例示にすぎず、当業者であれば、引用例１に記載された発明の具体化にあたり、磁気記録媒体の他層の材料・結晶構造・膜厚等に応じて、膜厚を最適化するよう設計すべきものであり、また結晶粒をより小さいサイズにすることが望まれ（上記（イ）参照）、結晶粒の微細化のために１層の厚さを薄くすることが周知の事項（当審の拒絶理由で引用した特開平８−１７０３１号公報（段落１８、５２等）、特開２０００−２８５４３１号公報（段落１５、２０）等参照）であるから、引用例１に記載された発明において、そのＴｉ層の膜厚を５０ｎｍより小さい２０ｎｍ程度やそれ以下のものとすることは当業者が適宜なし得ることである。
　ところで、本願発明で「２０ｎｍ以下」と特定する臨界的意義について、本願の明細書には、「下地膜の垂直磁気配向特性をＰＭＲ膜に伝達できる２０ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が２０ｎｍを超えれば、下地膜の垂直磁気配向特性をＰＭＲ膜まで伝達できないといった問題点があるために望ましくない。」（段落２１）と記載されている。しかしながら、引用例１における５０ｎｍの実施例において、Ａｇ層はＴｉ層およびＣｏ合金の配向を改良する旨（上記（ス）参照）記載され、Ａｇ層のみでＴｉ層のない例や、Ｔｉ層のみでＡｇ層のない例に比較して、良好な垂直磁気配向特性を備えていることが示されている（上記（コ）（サ）（シ）（ス）表ＩＩ参照）のであるから、引用例１に記載された発明においても、Ａｇ層の配向特性はＣｏ合金層に伝達されているといえ、磁気特性においても優れている。よって、膜厚の上限を２０ｎｍ以下と特定することに格別意義があるものでなく、適宜なし得る程度の値にすぎない。 
  なお、請求人は、意見書や請求の理由の記載において、Ｔｉ結晶粒成長断絶膜は、５ｎｍのような超薄膜で形成することにより、部分的に非晶質構造を有すると主張し、本願発明のＴｉ結晶粒成長断絶膜は２０nm以下であり、下地膜の垂直配向特性をPMR膜に伝達でき、かつ下地膜からの結晶粒が連続的に成長してPMR膜でつながることを防止する作用効果があると主張している。
　しかしながら、「５ｎｍのような超薄膜で形成することにより、部分的に非晶質構造を有する」ことは出願当初から明細書には記載がないことであって、出願当初の明細書には、「５ｎｍの膜厚に塗布する」との記載があっただけである。これに関して、請求人は、５ｎｍに蒸着されたＴｉが部分的に非晶質構造を有することが、明白な科学的事実に該当するとして、参考資料４（平成１７年９月９日提出。C．L．Plat，“Structural　and　magnetic　properties　of　CoCrPt　perpendicular　media　grown　on　different　buffer layers，”Journal　of　Magnetism　and　Magnetic　Materials　247　（2002）153−158）を根拠に主張している。
　しかし、上記参考資料４は、本願の出願後の文献であって、また、本願と媒体の構造も異なるのであるから、本願発明の磁気記録媒体の構造におけるＴｉ膜が部分的に非晶質構造を有する根拠には何らならないものであって、請求人の主張は採用できない。また、本願発明におけるＴｉ結晶粒成長断絶膜は、５ｎｍに特定されているものではなく、「２０ｎｍ以下」のものであるから、請求人の、「２０ｎｍ以下」であるので引用例１に記載された発明と異なるという主張は、ましてや根拠がないものであり、採用できない。
　もっとも、Ｔｉ層自体の特徴として、引用例１には、Ｔｉは種晶層（シード層）として作用せず、本質的に先に蒸着された層の配向の影響を排除する湿潤層として作用すると推論できる（上記（ク）参照）と示されている。湿潤層は、非晶質材料、または結晶構造を発達させるには薄すぎる膜、またはその集合組織が後に生ずる層について全体的格子不整合を与える膜である（上記（オ）参照）、また湿潤層は前の膜の集合組織を破壊する（上記（カ）参照）と引用例１において説明されている。これらの説明によれば、引用例１においてもＴｉ層の特性が本願発明と同様のものとして示唆されているといえ、本願発明の「膜厚２０ｎｍ以下」に格別の意義があるものではない。
　
　そして、上記相違点を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。