Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオデータを復号するための方法であって、
前記ビデオデータの現在ピクチャのスライスを受信することと、
イントラブロックコピー（ＩＢＣ）モードが前記スライスに有効であると決定するために、ＩＢＣシンタックス要素を解析することと、
ビデオデータの前記スライス用の参照ピクチャリスト内の参照ピクチャの数を示すシンタックス要素を受信することと、
前記参照ピクチャリスト内の参照ピクチャの前記数が０に等しい値であること、前記ＩＢＣモードが前記スライスに有効であるという前記決定、および前記参照ピクチャリストの修正に関連付けられた情報が受信されないという決定に応答して、前記参照ピクチャリスト内の前記第１の項目として、前記スライスを備える前記現在ピクチャを追加することによって、前記ビデオデータの前記スライス用の参照ピクチャリストを構築することと、
を備える、方法。
【請求項２】
シーケンスパラメータセット（ＳＰＳ）内で前記ＩＢＣシンタックス要素を受信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
復号することは、
前記ビデオデータの現在ピクチャの第２のスライスを受信することと、
イントラブロックコピー（ＩＢＣ）モードが前記第２のスライスに有効であると決定するために、ＩＢＣシンタックス要素を解析することと、
前記スライスがＩスライスであると決定するために、前記第２のスライスに関連付けられたスライスタイプシンタックス要素を解析することと、
前記第２のスライスをＩスライスとして復号することと、ここにおいて、前記第２のスライスをＩスライスとして復号することが、少なくとも１つのイントラ予測コーディングモードを使用して、前記第２のスライスのすべてのブロックを復号することを備える、
をさらに備える、請求項に記載の方法。
【請求項４】
前記スライスをＩスライスとして復号することが、イントラ予測のみを使用して前記スライスのブロックを復号することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＩＢＣシンタックス要素がｃｕｒｒ＿ｐｉｃ＿ａｓ＿ｒｅｆ＿ｅｎａｂｌｅｄ＿ｆｌａｇシンタックス要素を備え、前記ＩＢＣモードが前記スライスに有効であると決定するために前記ＩＢＣシンタックス要素を解析することが、前記ｃｕｒｒ＿ｐｉｃ＿ａｓ＿ｒｅｆ＿ｅｎａｂｌｅｄ＿ｆｌａｇシンタックス要素の値が１に等しいと決定することを備える、請求項１または３に記載の方法。
【請求項６】
前記スライスタイプシンタックス要素がｓｌｉｃｅ＿ｔｙｐｅシンタックス要素を備え、前記スライスがＩスライスであると決定するために前記スライスに関連付けられた前記スライスタイプシンタックス要素を解析することが、前記ｓｌｉｃｅ＿ｔｙｐｅシンタックス要素の値が２に等しいと決定することを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ビデオデータの前記第２のスライス用の前記参照ピクチャリスト内の参照ピクチャの前記数を示す前記シンタックス要素が１に等しいことに応答して、および、前記ＩＢＣモードが前記第２のスライスに有効であることに応答して、前記第２のスライス用の前記参照ピクチャリストに対する参照ピクチャリスト修正を無効にすることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
参照ピクチャリスト修正を無効にすることが、
参照ピクチャリスト修正情報を受信せずに、前記参照ピクチャリストを構築することと、
前記参照ピクチャリスト内の第１の項目として、前記第２のスライスを備える現在ピクチャを追加することとを備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ビデオデータを復号するための装置であって、
前記ビデオデータの現在ピクチャのスライスを受信するための手段と、
イントラブロックコピー（ＩＢＣ）モードが前記スライスに有効であると決定するために、ＩＢＣシンタックス要素を解析するための手段と、
前記ビデオデータの前記スライス用の参照ピクチャリスト内の参照ピクチャの数を示すシンタックス要素を受信するための手段と、
前記参照ピクチャリスト内の参照ピクチャの前記数が０に等しい値であること、前記ＩＢＣモードが前記スライスに有効であるという前記決定、および前記参照ピクチャリストの修正に関連付けられた情報が受信されないという決定に応答して、前記ビデオデータの前記スライス用の前記参照ピクチャリスト内の前記第１の項目として、前記スライスを備える前記現在ピクチャを追加することによって、前記参照ピクチャリストを構築するための手段と、
を備える、装置。
【請求項１０】
前記ＩＢＣシンタックス要素がｃｕｒｒ＿ｐｉｃ＿ａｓ＿ｒｅｆ＿ｅｎａｂｌｅｄ＿ｆｌａｇシンタックス要素を備え、前記ＩＢＣモードが前記スライスに有効であると決定するために前記ＩＢＣシンタックス要素を解析するための前記手段が、前記ｃｕｒｒ＿ｐｉｃ＿ａｓ＿ｒｅｆ＿ｅｎａｂｌｅｄ＿ｆｌａｇシンタックス要素の値が１に等しいと決定するための手段を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１１】
前記ビデオデータの現在ピクチャの第２のスライスを受信するための手段と、
イントラブロックコピー（ＩＢＣ）モードが前記第２のスライスに有効であると決定するために、ＩＢＣシンタックス要素を解析するための手段と、
前記スライスがＩスライスであると決定するために、前記第２のスライスに関連付けられたスライスタイプシンタックス要素を解析するための手段と、
前記第２のスライスをＩスライスとして復号するための手段と、ここにおいて、前記第２のスライスをＩスライスとして復号するための手段が、少なくとも１つのイントラ予測コーディングモードを使用して、前記第１のスライスのすべてのブロックを復号するための手段を備える、
をさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記スライスタイプシンタックス要素がｓｌｉｃｅ＿ｔｙｐｅシンタックス要素を備え、前記スライスがＩスライスであると決定するために前記スライスに関連付けられた前記スライスタイプシンタックス要素を解析するための前記手段が、前記ｓｌｉｃｅ＿ｔｙｐｅシンタックス要素の値が２に等しいと決定するための手段を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
１つまたは複数のプロセッサによって実行されると、請求項１〜８のうちの何れか一項の方法を実行することを前記１つまたは複数のプロセッサに行わせる命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月15日(2019.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器によるワイヤレス通信の方法であって、
ワイヤレス通信ネットワークのアクセスポイントと関連づけることと、ここにおいて、前記ワイヤレス通信ネットワークは信頼できないワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）であり、
前記アクセスポイントのエリアに進化されたパケットデータゲートウェイ（ｅＰＤＧｓ）を提供するネットワークのリストと、関連づけられたｅＰＤＧのリストとを備えるｅＰＤＧ情報を前記アクセスポイントから受信することと、
前記ｅＰＤＧ情報に基づいてｅＰＤＧを選択することと、
を備える方法。
【請求項２】
前記ｅＰＤＧ情報はさらにネットワークアイデンティティのリストを備える請求項１の方法。
【請求項３】
前記アクセスポイントと相互作用するネットワークのリストを備える認証情報を受信することと、
前記アクセスポイントに接続することと、
前記認証情報を要求することと、
前記ｅＰＤＧ情報を要求することと、
をさらに備える、請求項１の方法。
【請求項４】
前記ｅＰＤＧ情報はさらに前記アクセスポイントと相互作用するネットワークアイデンティティのリストを含む認証情報を備え、前記方法はさらに、
前記アクセスポイントに接続することを備える、請求項１の方法。
【請求項５】
前記認証情報および前記ｅＰＤＧ情報はアクセスネットワーククエリプロトコル（ＡＮＱＰ）要求において要求される、請求項３の方法。
【請求項６】
前記認証情報と前記ｅＰＤＧ情報は前記アクセスポイントにより送信されたアクセスネットワーククエリプロトコル（ＡＮＱＰ）エレメントにおいて受信される、請求項３の方法。
【請求項７】
前記ｅＰＤＧに接続することをさらに備える、請求項１の方法。
【請求項８】
前記ｅＰＤＧに前記接続することは前記ｅＰＤＧとＩＰＳｅｃトンネルを確立することを備える、請求項７の方法。
【請求項９】
アクセスポイントによるワイヤレス通信の方法であって、
ユーザ機器（ＵＥ）と関連づけることと、
ワイヤレス通信ネットワークのアクセスポイントから、前記アクセスポイントのエリアに進化されたパケットデータゲートウェイ（ｅＰＤＧｓ）を提供するネットワークのリストと、関連づけられたｅＰＤＧのリストとを備えるｅＰＤＧ情報を送信することと、ここにおいて、前記ワイヤレス通信ネットワークは信頼できないワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）である、
を備える方法。
【請求項１０】
前記ｅＰＤＧ情報はネットワークアイデンティティのリストを含む、請求項１または９の方法。
【請求項１１】
前記アクセスポイントで認証することができるネットワークのリストを備える認証情報を送信することと、ここにおいて、前記認証情報と前記ｅＰＤＧ情報はアクセスネットワーククエリプロトコル（ＡＮＱＰ）エレメントで送信され、
前記ＵＥに接続することと、
前記認証情報に関する要求を受信することと、ここにおいて、前記認証情報および前記ｅＰＤＧ情報に関する前記要求はＡＮＱＰ要求において受信され、
前記ｅＰＤＧ情報に関する要求を受信することと、
をさらに備える、請求項９の方法。
【請求項１２】
前記ｅＰＤＧ情報はさらに前記アクセスポイントと相互作用するネットワークのリストを含む認証情報を備え、前記方法はさらに、
前記ＵＥに接続することを備える、請求項９の方法。
【請求項１３】
前記ワイヤレス通信ネットワークは非３ＧＰＰアクセスネットワークである、請求項１または９の方法。
【請求項１４】
前記非３ＧＰＰアクセスネットワークはＷＬＡＮまたは信頼できない非３ＧＰＰアクセスネットワークである、請求項１３の方法。
【請求項１５】
メモリと、
前記メモリに結合され、請求項１から１４のいずれか１項の前記方法を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、
を備える、ワイヤレス通信に関する装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をＵＶ放射及び第１の反応性ガスに晒すことであって、前記基板には開口特徴部が画定されており、前記開口特徴部が多孔性低誘電率誘電体層及び導電性材料によって画定されており、前記多孔性低誘電率誘電体層がケイ素及び炭素含有材料であること、並びに
ＵＶアシスト光化学蒸着を用いて、前記開口特徴部において前記多孔性低誘電率誘電体層の露出した表面にポア封止層を選択的に形成すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記ＵＶアシスト光化学蒸着が、
前記多孔性低誘電率誘電体層にＵＶ放射を送達しながら、前記基板を、キャリアガス、並びにケイ素、炭素、及び窒素を含む前駆体化合物に晒すこと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板をケイ素、炭素、及び窒素を含む前記前駆体化合物に晒した後、堆積した前記ポア封止層をＵＶ放射に晒すこと
を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＵＶアシスト光化学蒸着、並びに、前記基板をケイ素、炭素、及び窒素を含む前記前駆体化合物に晒した後に前記堆積したポア封止層をＵＶ放射に晒すことを、前記ポア封止層が所定の厚さに到達するまで繰り返すこと
を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記開口特徴部の前記導電性材料からポア封止残留物を除去するために、前記基板を堆積後の処置プロセスに晒すこと
を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記開口特徴部を第２の導電性材料で充填すること
を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記開口特徴部の前記多孔性低誘電率誘電体層への前記ポア封止層の堆積レートが、前記開口特徴部の前記導電性材料へのポア封止残留物の堆積レートよりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記前駆体化合物が、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、トリシリルアミン、ジメチルアミノトリメチルシラン、シクロトリシラザン、トリメチルトリビニルシクロトリシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ノナメチシクロトリシラザン、又はそれらの組み合わせから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記キャリアガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素、又はそれらの組み合わせから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポア封止層が、各堆積サイクルにおいて、約１オングストロームから約５オングストロームの範囲の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記堆積したポア封止層をＵＶ放射に晒すことが、前記基板が配置されているチャンバに第２の反応性ガスを流入させることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の反応性ガスが、ＮＨ３、Ｈ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２、又はそれらの組み合わせから選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記堆積したポア封止層をＵＶ放射に晒すことが、約６Ｔｏｒｒから約２００Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧力で行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記所定の厚さが約５オングストロームから約２００オングストロームの範囲である、請求項４に記載の方法。
【請求項１５】
前記開口特徴部が、トレンチ、ビア、孔、開口、ライン、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月29日(2019.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
パワー半導体モジュールにおける、ばね要素によって接続されなければならないそれぞれのコンタクトの第１コンタクト領域と第２コンタクト領域とを電気的に接続するために第１部品が設けられるように、第１コンタクト部分は、第２コンタクト部分の反対側に位置することが好ましい。これは、第１部品が第１コンタクト部分と第２コンタクト部分との間、すなわち、ばね要素が作用状態である場合の第１コンタクト領域と第２コンタクト領域との間に導電性経路を備えるので、特に可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
さらに、コンタクト部分２６、２８および押付け部分２０、２２の両方は、実質的に楕円形状を有し、互いに触れ合ってその楕円形状を続けていることが好ましいことがわかる。楕円形状は、ばね力ＦＳに対して実質的に垂直である楕円形状のまっすぐな部分を形成するコンタクト１６、１８と、まっすぐな部分に続いて、すなわち、まっすぐな部分に隣接して設けられる２つの半円形部分１７、１９とを含む。楕円形状は、変形部分２４に向かう方向に、それぞれ開口部２１、２３によって開口しており、第２部品１４がその開口部を通って続く。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像に対する深度マップを決定するための装置であって、
第１画像を、第１画像の少なくとも一部の画素に対する第１深度値を有する関連深度マップとともに提供するための画像ユニットと、
画像の少なくとも一部の画素に対する確率値を有する前記第１画像に対する確率マップを決定するための確率ユニットであって、画素に対する確率値は画素がテキスト画像オブジェクトに属する確率を示す、確率ユニットと、
前記第１画像に対する修正深度マップを生成するための深度ユニットであって、少なくとも第１画素に対する修正深度値を、前記第１画素に対する関連深度マップの第１深度値と複数の画素に対して同じであるテキスト画像オブジェクト深度値との重み付き組み合わせとして決定するように構成され、重みは前記第１画素に対する確率値に依存する、深度ユニットと
を有する装置。
【請求項２】
前記確率ユニットが前記第１画像に対する画素グループを決定するように構成され、各画素グループは複数の画素を有し、前記確率ユニットが画素グループに対し確率値を決定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記深度ユニットが、前記第１画素が属する画素グループに対する第１確率値と、隣接画素グループに対する第２確率値とに応じて前記重み付き組み合わせの重みを決定するように構成され、前記第１確率値と前記第２確率値の重み付けは前記第１画素が属する画素グループにおける前記第１画素の位置に依存する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記確率ユニットが画像の画素グループに対し確率値を決定するように構成され、各画素グループが少なくとも１つの画素を有し、前記確率ユニットが、前記画素グループがテキスト画像オブジェクトに属する又はテキスト画像オブジェクトに属さないものとして指定されるかどうかを示す前記画素グループに対する値を有する分類マップをまず決定し、前記分類マップのフィルタリングに応じて前記確率マップを生成するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記分類マップが前記画素グループに対するバイナリ値を有し、各バイナリ値は画素グループがテキスト画像オブジェクトに属するものとして指定されること、又は画素グループがテキスト画像オブジェクトに属さないものとして指定されることのいずれかを示す、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記フィルタリングが前記分類マップに適用されるバイナリ膨張フィルタリングを有する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１画像が時系列画像の一部であり、前記フィルタリングが時間ローパスフィルタリングを有する、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
画素グループがテキスト画像オブジェクトに属する確率を増加させるための時定数が、画素グループがテキスト画像オブジェクトに属する確率を減少させるための時定数と異なるように、前記時間フィルタリングが非対称である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記フィルタリングが空間フィルタリングを有する、請求項４に記載の装置。
【請求項１０】
前記空間フィルタリングが最大出力値限界を持つフィルタであるソフトマックスフィルタを有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記空間フィルタリングが少なくとも２つの順次空間ソフトマックスフィルタを有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１深度値が、前記第１画像のシーンに対する異なるビュー方向に対応する複数の画像における画像オブジェクトに対する視差に対応する、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記確率値の増加する値に対して、前記テキスト画像オブジェクト深度の重みが増加され、前記第１深度値の重みが削減される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
画像に対する深度マップを決定する方法であって、
第１画像を、第１画像の少なくとも一部の画素に対する第１深度値を有する関連深度マップとともに提供するステップと、
画像の少なくとも一部の画素に対する確率値を有する前記第１画像に対する確率マップを決定するステップであって、画素に対する確率値は画素がテキスト画像オブジェクトに属する確率を示す、ステップと、
前記第１画像に対する修正深度マップを生成するステップであって、少なくとも第１画素に対する修正深度値を、前記第１画素に対する前記関連深度マップの第１深度値と複数の画素に対して同じであるテキスト画像オブジェクト深度値との重み付き組み合わせとして決定するステップを含み、重みは前記第１画素に対する確率値に依存する、ステップと
を有する方法。
【請求項１５】
プログラムがコンピュータ上で実行されるときに請求項１４に記載の全ステップを前記コンピュータに実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッド投影マトリクスであって、
前記マトリクスは、光透過性の固体支持体中に、少なくとも２種類の異なる粒子であって相乗的な組み合わせの粒子を含み、
第１の粒子は、１つ又は２つの光子を非線形的に吸収して可視光を放出するナノ発光粒子を含み、
第２の粒子は、ナノ発光粒子による１つ又は２つの光子の非線形吸収及び可視光の放出を高め、ナノ発光粒子により放出される光を増強及び／又は修正する少なくとも１つの添加剤を含み、
前記少なくとも１つの添加剤は、金ナノ粒子、銀ナノ粒子、半導体ナノ粒子、ナノセルロース、カーボンナノチューブ、二次元材料、グラフェン、又は、導電性及び／又は半導電性ポリマーを含む、ハイブリッド投影マトリクス。
【請求項２】
前記光透過性の固体支持体は、ポリマー支持体を含む、請求項１に記載のマトリクス。
【請求項３】
前記ポリマー支持体は、ポリメチルメタクリレートを含む、請求項２に記載のマトリクス。
【請求項４】
前記ナノ発光粒子は、量子ドット、量子ワイヤ若しくはロッド、量子井戸、量子リング、ナノ結晶、ナノプレート、蛍光分子、フルオロフォア、及び／又は蛍光体を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマトリクス。
【請求項５】
前記ナノ結晶は、コア／シェルナノ結晶又はヘテロ構造ナノ結晶である、請求項４に記載のマトリクス。
【請求項６】
前記マトリクスが、２〜５ｍｍの厚さを有するシート形状である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のマトリクス。
【請求項７】
前記シートが研磨された表面を有し、約１μｍの仕上げを有する、請求項６に記載のマトリクス。
【請求項８】
体積的３次元（３Ｄ）画像投影のためのハイブリッド投影マトリクスを製造する方法であって、以下の工程：
ａ）ナノ発光粒子を含む第１の所定量の第１の粒子と、少なくとも１つの添加剤を含む第２の所定量の第２の粒子とを、光透過性の固体支持体を合成可能な溶液中で混合する工程；及び
ｂ）得られた混合液を固化してマトリクスを得る工程、
を含む方法。
【請求項９】
前記光透過性の固体支持体を合成するための溶液が、一度重合されると光透過性ポリマー支持体を形成するモノマーを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
以下の工程：
ａ１）ポリマー支持体の合成のための前記モノマーの溶液と、ナノ発光粒子を含む第１の所定量の前記第１の粒子と、少なくとも１つの添加剤を含む第２の所定量の前記第２の粒子とを混合する工程：
ａ２）混合物に重合開始剤を入れる工程；及び
ｂ１）得られた混合物を重合してマトリクスを得る工程、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリマー支持体は、ポリメチルメタクリレートを含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ナノ発光粒子は、量子ドット、量子ワイヤ若しくはロッド、量子井戸、量子リング、ナノ結晶、ナノプレート、蛍光分子、フルオロフォア、及び／又は蛍光体を含む、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの添加剤が、金ナノ粒子、銀ナノ粒子、半導体ナノ粒子、ナノセルロース、カーボンナノチューブ、二次元材料、グラフェン、又は、導電性及び／又は半導電性ポリマーを含む、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記マトリクスは、２μl/ml〜８μl/mlの濃度で量子ドットを含む量子ドット溶液、及び０．０１mg/ml〜０．２mg/mlの濃度で銀ナノ粒子を含む銀ナノ粒子溶液を用いて得られる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記マトリクスは、２μl/ml〜８μl/mlの濃度で量子ドットを含む量子ドット溶液、及び０．０００１mg/ml〜０．０１mg/mlの濃度でカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ溶液を用いて得られる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
重合後に得られた前記マトリクスを平面シートの形状に切断する工程と、各々のスライドでナノ粒子の濃度が同程度になるように、隣接するスライドを選択する工程とをさらに含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
３次元（３Ｄ）画像体積投影システムであって、
前記システムは、
光子放射源と、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のハイブリッド投影マトリクスと、を備え、
前記マトリクスは、前記放射源の下流に配置され、前記放射源から光子を受け取り、可視光を放出して３次元画像を形成する、システム。
【請求項１８】
前記光子放射源は、不可視の赤外光を放出するレーザである、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記レーザは、画像の各横断面に対してレーザビームの焦点を位置決めするためのＸ−Ｙスキャンを行う、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記レーザは、前記画像の各奥行き平面に対してレーザビームの焦点を位置決めするためのＺスキャンを行う、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記レーザは、ボクセルを満たすスキャンを行う、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
前記レーザは、３部構成に切り離されたスキャンを行うことにより前記システムの全リフレッシュレートを増加させ、
前記スキャンは、
画像の各横断面に対してビームの焦点を位置決めするための第１のＸＹスキャンと、
前記画像の各奥行き面に対して前記ビームの焦点を位置決めするための第２のＺスキャンと、
前記画像を完成させてボクセルを満たす第３のスキャンと、
を含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のハイブリッド投影マトリクス上に光子を投影する３次元（３Ｄ）画像体積投影方法であって、
前記マトリクスは、可視光を発して３次元画像を形成する、方法。
【請求項２４】
前記光子は、レーザによって放出される赤外線である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記レーザは、画像の各横断面に対してレーザビームの焦点を位置決めするためのＸＹスキャンを行う、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記レーザは、画像の各奥行き平面に対してレーザビームの焦点を位置決めするためのＺスキャンを行う、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記レーザは、ボクセルを満たすスキャンを行う、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記レーザは、３部構成に切り離されたスキャンを行うことにより前記システムの全リフレッシュレートを増加させ、
前記スキャンは、
画像の各横断面に対してビームの焦点を位置決めするための第１のＸＹスキャンと、
前記画像の各奥行き面に対して前記ビームの焦点を位置決めするための第２のＺスキャンと、
前記画像を完成させてボクセルを満たす第３のスキャンと、
を含む、請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月15日(2019.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般的な分子構造式を有し、
【化１】
2018520503.tif 000001
そのうち、Ｃｏｒは、π−π相互作用によって柱状超分子スタックを形成する主に平面多環式分子系であり、前記平面多環式分子系が、トルキセン、デカシクレン、アンタンスレン、ヘキサベンゾトリフェニレン、１．２，３，４，５，６，７，８−テトラ−（ペリ−ナフチレン）アントラセン、ジベンゾオクタセン、テトラベンゾヘプタセン、ペルピレン、ヘキサベンゾコロネンの組から選択された平面縮合多環式炭化水素を含み、かつ構造７〜１７の組から選択される一般構造式を有し、
【表１】
2018520503.tif 000002
2018520503.tif 000003
Ｐは極化ユニットであり、前記極化ユニットが、ドープされたオリゴアニリンおよびｐ‐オリゴ−フェニレンの組から選択されるか、または構造式２６〜３２の組から選択される一般構造式を有する導電性オリゴマーを含み、ただし、Ｘ＝２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１または１２であり、
【表２】
2018520503.tif 000004
2018520503.tif 000005
Ｉは高耐圧絶縁置換基であり、ｎは１，２，３，４，５，６，７または８であり、ｍは１，２，３，４，５，６，７または８であり、前記高耐圧絶縁置換基の少なくとも１つが、‐（ＣＨ２）ｎ‐ＣＨ３、‐ＣＨ（（ＣＨ２）ｎＣＨ３）２）（ｎ＝１…．５０）、アルキル、アリール、置換アルキル、置換アリール、分枝アルキル、分枝アリール、およびそれらの任意の組合せから選択され、アルキル基はメチル、エチル、プロピル、ブチル、Ｉ‐ブチル基およびｔ‐ブチル基から選択され、アリール基は、フェニル、ベンジルおよびナフチル基から選択される
ことを特徴とするエネルギー蓄積分子材料。
【請求項２】
請求項１に記載のエネルギー蓄積分子材料において、
前記ドープされたオリゴアニリンが、アニリンのフェニル環上にＳＯ３‐基またはＣＯＯ‐基を有する自己ドープされたオリゴアニリンである。
【請求項３】
請求項１に記載のエネルギー蓄積分子材料において、
前記ドープされたオリゴアニリンが、酸化状態のオリゴアニリンと混合された、アルキル‐ＳＯ３Ｈ酸またはアルキル‐ＣＯＯの組から選択される酸化合物によって混合ドープされる。
【請求項４】
請求項１に記載のエネルギー蓄積分子材料において、
主に平面状の多環式分子系（Ｃｏｒ）と極化ユニット（Ｐ）を接続する、構造３３〜４２から選択される少なくとも１つのリンカーユニットをさらに含む。
【表３】
2018520503.tif 000006
2018520503.tif 000007
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のエネルギー蓄積分子材料を含む
ことを特徴とする結晶誘電体層。
【請求項６】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された結晶誘電体層と、
を含み、
前記結晶誘電体層が、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエネルギー蓄積分子材料を含む
ことを特徴とするコンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月30日(2019.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路であって、
少なくとも１つのリード部を有する導電性クリップであって、前記回路における少なくとも１つの構成要素に結合される、前記導電性クリップと、
前記導電性クリップの端部に位置する少なくとも１つのリード部と、
前記少なくとも１つのリード部を受け取るように寸法付けられる少なくとも１つの開口を有する第１のリードフレームと、
を含み、
前記少なくとも１つのリード部が、前記少なくとも１つの開口において受け取られ、前記少なくとも１つのリード部が、前記回路の外部導体である、回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路であって、
前記導電性クリップが、第２のリードフレームの少なくとも一部である、回路。
【請求項３】
請求項２に記載の回路であって、
前記第１のリードフレームが少なくとも部分的に第１の平面上にあり、前記第２のリードフレームが少なくとも部分的に第２の平面上にある、回路。
【請求項４】
請求項１に記載の回路であって、
前記少なくとも１つのリード部が、スエージプロセスにより前記少なくとも１つの開口内に固定される、回路。
【請求項５】
請求項１に記載の回路であって、
前記少なくとも１つのリード部が、接合化合物により前記少なくとも１つの開口内に固定される、回路。
【請求項６】
請求項１に記載の回路であって、
前記少なくとも１つの開口の境界を画定する複数のタブを更に含む、回路。
【請求項７】
請求項６に記載の回路であって、
前記タブが、組み立ての間に拡張された部分を有し、前記拡張された部分が、組み立ての間に押し込まれ、前記押し込むことが、前記少なくとも１つの開口において前記少なくとも１つのリード部を固定する、回路。
【請求項８】
請求項６に記載の回路であって、
前記少なくとも１つの開口において前記少なくとも１つのリード部を固定するために前記タブがスエージされる、回路。
【請求項９】
請求項６に記載の回路であって、
前記少なくとも１つの開口において前記少なくとも１つのリード部を固定するために前記タブが接合材料で接合される、回路。
【請求項１０】
請求項１に記載の回路であって、
前記導電性クリップが、少なくとも１つのトランジスタの第１のノードに結合される、回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路であって、
前記第１のリードフレームが、前記少なくとも１つのトランジスタの第２のノードに結合される、回路。
【請求項１２】
請求項１に記載の回路であって、
第１のトランジスタのソースと第２のトランジスタのドレインとが、前記導電性クリップ上に組み立てられる、回路。
【請求項１３】
請求項１２に記載の回路であって、
前記第２のトランジスタの前記ドレインと前記第１のトランジスタの前記ソースとが、前記第１のリードフレーム上に組み立てられる、回路。
【請求項１４】
請求項１２に記載の回路であって、
前記第１のトランジスタのゲートが、前記導電性クリップに結合される、回路。
【請求項１５】
回路であって、
トランジスタの少なくとも第１のノードに結合される導電性クリップと、
前記導電性クリップの端部に位置し、前記導電性クリップと一体的に形成される、少なくとも１つのリード部と、
前記少なくとも１つのリード部を受け取るように寸法付けられる少なくとも１つの開口を有するリードフレームと、
を含み、
前記トランジスタの第２のノードが前記リードフレームに結合され、前記少なくとも１つのリード部が前記少なくとも１つの開口において受け取られ、前記少なくとも１つのリード部が前記回路の外部導体である、回路。
【請求項１６】
回路を製造する方法であって、
第１のリードフレームの一部と第２のリードフレームの一部との間に少なくとも１つの電子構成要素を載置することであって、前記第１のリードフレームがリード部を有し、前記リード部が転移により前記第１のリードフレームよりも異なる平面に存在し、前記第２のリードフレームが前記第２のリードフレームと同じ平面上に少なくとも１つの導電性クリップを有する、前記載置することと、
スエージすることにより前記第１のリードフレームの前記リード部を前記第２のリードフレームの少なくとも１つの導電性クリップに取り付けることと、
前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとから個々の構成要素をシンギュレートすることと、
を含み、
前記リード部がシンギュレートした後の前記電子構成要素のリードである、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記シンギュレートすることが、前記少なくとも１つの導電性クリップと前記第１のリードフレームとの間のいかなる電気的コンタクトを切断する、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
シンギュレーションの前に少なくとも前記リード部をモールド化合物に入れることを更に含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記リード部の前記少なくとも一部が、シンギュレーションの後に前記モールド化合物から露出される、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、
前記スエージすることが、前記第１のリードフレームのリード部を固定するために前記第１のリードフレームのリード部を前記第２のリードフレームの少なくとも１つの導電性クリップ内に押し込むことを含む、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
モールディングに関連する圧力が前記第１のリードフレームと前記第２のリードイフレームとに印加されるときに前記第１のリードフレームのリード部が移動しない、方法。
【請求項２２】
請求項１６に記載の方法であって、
前記スエージすることが、前記第１のリードフレームのリード部分を固定するために前記第１のリードフレームのリード部を前記第２のリードフレームの少なくとも１つの導電性クリップ内に変形させる、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
モールディングに関連する圧力が前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとに印加されるときに前記第１のリードフレームのリード部が移動しない、方法。
【請求項２４】
請求項１６に記載の方法であって、
前記シンギュレートすることが、前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間のいかなる電気的コンタクトを切断する、方法。
【請求項２５】
請求項１６に記載の方法であって、
前記電子構成要素がデュアル電界効果トランジスタ（ｄｕａｌ  ＦＥＴ）回路である、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月14日(2019.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
加えて、ノード４０１は感知または測定データを生成するセンサー４０７を含んでよく、感知または測定データはプロセッサ４０３へ提供される、および／またはメモリー４０５に保管される。前記に加えて、あるいは前記の代わりに、ノード４０１はアクチュエータ（例えばモーター、弁等）を、あるいはプロセッサ４０３によって制御される他の出力装置（例えばディスプレイ）を、含んでよい。ノード４０１は、ネットワーク（例えば無線メッシュネットワーク）上で他のノード１０１やＡＰ１０３との通信を可能にするトランシーバ４０２をさらに含む。図４Ａに見られるように、トランシーバ４０２はアンテナへ接続され無線通信用に構成された無線トランシーバ４０２であるが、別の実施形態において、トランシーバ４０２は有線トランシーバであってもよい。ノード４０１の様々な構成品は（例えばバスやその他の通信線によって）互いに通信自在に接続され、作動電力を受け取るため電源４０９へ電気的に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
上述したように、メモリー４０５はプロセッサ４０３によって実行される命令を保管でき、プロセッサ４０３によって命令が実行されると、ノード４０１は、通常の無線メッシュノード（例えばノード１０１）として、瞬きモードで作動する無線メッシュノード（例えばノード１０１’）として、あるいは通常モードと瞬きモードのいずれか一方で作動するよう構成された無線メッシュノードとして、機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図４Ａおよび４Ｂにはノード４０１とＡＰ４１１の中にあるセンサー４０７および４１９が図示されている。一般的に、センサー４０７および４１９はノード４０１やＡＰ４１１の外にあってもよいが、ノード４０１やＡＰ４１１へセンサーデータを伝えるため、ノード４０１やＡＰ４１１に接続されてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
第1のワイヤレス通信デバイスにおいて、進行中のデータセッションのデータに比べてより遅延を許容しない低待ち時間データが利用可能であると判定するステップと、
第1の送信時間間隔(TTI)の第1のシンボル期間の間に送信されるようにスケジューリングされるパイロットシンボルまたは制御シンボルの少なくとも一方の代わりに、前記第1のワイヤレス通信デバイスから、前記第1のシンボル期間の間に前記低待ち時間データを送信するステップと、
前記第1のTTIの第2のシンボル期間の間に送信されるようにスケジューリングされる前記進行中のデータセッションのデータシンボルの代わりに、前記第1のワイヤレス通信デバイスから、前記第2のシンボル期間の間に前記少なくとも1つのパイロットシンボルまたは制御シンボルを送信するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第2のシンボル期間の間に前記少なくとも1つのパイロットシンボルまたは制御シンボルが送信されるという情報を送信するステップ
をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1のシンボル期間の間に、前記少なくとも1つの制御シンボルまたはパイロットシンボルの代わりに、前記低待ち時間データが送信されるべきであると判定するステップ
をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記データシンボルが1つまたは複数のコードブロックを含む請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記第1のTTIの前記第2のシンボル期間の間に前記1つまたは複数のコードブロックの第1のサブセットを送信するステップを含む前記データシンボルを送信するステップをさらに含む請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記第1のワイヤレス通信デバイスから、前記第1のTTIの前記第2のシンボル期間の後続のシンボル期間の間に、前記データシンボルの前記1つまたは複数のコードブロックの第2のサブセットを送信するステップをさらに含む請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記第1のTTIの前記第2のシンボル期間の間に、前記1つまたは複数のコードブロックの前記第1のサブセットが送信されるという第1の通知メッセージを送信するステップと、
前記第2のシンボル期間の後続の前記シンボル期間の間に、前記1つまたは複数のコードブロックの前記第2のサブセットが送信されるという第2の通知メッセージを送信するステップと
をさらに含む請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記第1の通知メッセージを送信するステップが、前記1つまたは複数のコードブロックの前記第1のサブセットの送信が遅延している、前記第1のシンボル期間と前記第2のシンボル期間との間の、いくつかのシンボル期間を含む、通知メッセージを送信するステップを含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
第2のTTIにおける第1のシンボル期間の間、制御シンボルおよび/またはパイロットシンボルを送信するステップであって、前記第2のTTIにおける前記第1のシンボル期間は、前記第2のTTIにおける前記後続のシンボル期間に先行する、ステップをさらに含む請求項6に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1のワイヤレス通信デバイスにおいて、前記少なくとも1つのパイロットシンボルまたは制御シンボルの送信のための前記第2のシンボル期間を識別するステップと、
前記第1のワイヤレス通信デバイスから、前記第2のシンボル期間の間に前記少なくとも1つのパイロットシンボルまたは制御シンボルが送信されるという通知メッセージを送信するステップと
をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記通知メッセージを送信する前記ステップが、制御チャネルを介して前記通知メッセージを送信するステップを含む請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
前記通知メッセージを送信する前記ステップが、前記少なくとも1つのパイロットシンボルまたは制御シンボルの送信が遅延される、前記第1のシンボル期間と前記第2のシンボル期間との間のいくつかのシンボル期間を含む前記通知メッセージを送信するステップを含む請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
前記低待ち時間データを送信する前記ステップが、データチャネルを介して前記低待ち時間データを送信するステップを含み、
前記通知メッセージを送信する前記ステップが、制御チャネルを介して前記通知メッセージを送信するステップを含む請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
前記第1のシンボル期間の間に送信されるようにスケジューリングされる前記少なくとも1つの制御シンボルまたはパイロットシンボルの代わりに、前記第1のシンボル期間の間に前記低待ち時間データが送信されるべきであると判定するステップ
をさらに含む請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
送信機と、
電子メモリと、
前記送信機および前記電子メモリに結合されたプロセッサであって、
進行中のデータセッションのデータに比べてより遅延を許容しない低待ち時間データが送信のために利用可能であると判定し、
第1の送信時間間隔(TTI)の第1のシンボル期間の間に送信されるようにスケジューリングされるパイロットシンボルおよび/または制御シンボルの代わりに、前記第1のシンボル期間の間に前記低待ち時間データを送信し、
前記第1のTTIの第2のシンボル期間の間に送信されるようにスケジューリングされる前記進行中のデータセッションのデータシンボルの代わりに、前記第2のシンボル期間の間に前記パイロットシンボルおよび/または制御シンボルを送信する
ように構成されたプロセッサと
を備えるワイヤレス通信デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月22日(2019.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局（ＢＳ）によるワイヤレス通信のための方法であって、
ユーザ機器（ＵＥ）から、前記ＵＥのカテゴリを示すインジケーションを受信することと、ここにおいて、前記ＵＥの前記カテゴリは、前記ＵＥによってサポートされる最大スループットまたは前記ＵＥによってサポートされるレイヤの数のうちの少なくとも１つを示す、
前記ＵＥにおける前記受信機の数を示すシグナリングを受信することと、ここにおいて、前記インジケーションは、チャネル状態フィードバック（ＣＳＦ）、ＵＥ識別情報（ＵＥ ＩＤ）、ＵＥ能力シグナリング、およびＣＱＩ値のうちの１つに含まれる、
前記受信されたシグナリングに基づいて、１つまたは複数の送信パラメータを決定することと、
前記１つまたは複数の送信パラメータにしたがって、前記ＵＥと通信することと
を備える方法。
【請求項２】
前記ＵＥから、前記ＵＥによって用いられるレイヤの数を示すインジケーションを受信することをさらに備え、前記レイヤの数は、前記ＵＥの前記カテゴリによって示される前記レイヤの数とは異なる、
前記１つまたは複数の送信パラメータを決定することは、前記ＵＥによって用いられる前記示されたレイヤの数にさらに基づく、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つまたは複数の送信パラメータを決定することは、前記インジケーションに基づいて、トランスポートブロック（ＴＢ）のサイズに対するチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）のマッピングを調節することを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定された１つまたは複数の送信パラメータにしたがって、１つまたは複数のデータまたは制御チャネルを送信することをさらに備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つまたは複数の送信パラメータを決定することは、前記１つまたは複数のデータまたは制御チャネルの送信を繰り返す回数を決定することを備える、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のデータまたは制御チャネルの送信を繰り返す前記回数を決定することは、前記ＵＥにおける前記示された受信機の数が１である場合、前記ＵＥにおける前記示された受信機の数が１より大きい場合より頻繁に送信を繰り返すことを決定することを備える、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記１つまたは複数の送信パラメータを決定することは、前記繰り返される送信を送信するための１つまたは複数の特定のサブフレームを決定することをさらに備える、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数の送信パラメータを決定することは、前記１つまたは複数のデータまたは制御チャネルの送信のために使用する伝送電力レベルを決定することを備える、
請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数のデータまたは制御チャネルの送信のために使用する伝送電力レベルを決定することは、前記ＵＥにおける前記示された受信機の数が１である場合、前記ＵＥにおける前記示された受信機の数が１より大きい場合より高い伝送電力レベルを使用すると決定することを備える、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の送信パラメータを決定することは、前記１つまたは複数のデータまたは制御チャネルの送信のために使用するアグリゲーションレベルを決定することを備える、
請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
ユーザ機器（ＵＥ）によるワイヤレス通信のための方法であって、
前記ＵＥのカテゴリを示すインジケーションを基地局（ＢＳ）に送ることと、ここにおいて、前記ＵＥの前記カテゴリは、前記ＵＥによってサポートされる最大スループットまたは前記ＵＥによってサポートされるレイヤの数のうちの少なくとも１つを示す、
前記ＵＥにおける前記受信機の数の別のインジケーションを前記ＢＳに送ることと、ここにおいて、前記インジケーションは、チャネル状態フィードバック（ＣＳＦ）、ＵＥ識別情報（ＵＥ ＩＤ）、ＵＥ能力シグナリング、およびＣＱＩ値のうちの１つに含まれる、
前記ＢＳによる、前記ＵＥにおける受信機の数の仮定に基づいて決定された１つまたは複数の送信パラメータにしたがって送信された１つまたは複数の送信を前記ＢＳから受信することと
を備える方法。
【請求項１２】
前記インジケーションを前記送ることに基づいて、前記１つまたは複数の送信パラメータを仮定することと、
前記１つまたは複数の送信パラメータにしたがって、前記１つまたは複数の送信をモニタすることと
をさらに備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項１３】
前記インジケーションに確認応答するシグナリングを前記ＢＳから受信することと、
前記ＢＳからの前記インジケーションに基づいて、前記１つまたは複数の送信パラメータにしたがって、前記１つまたは複数の送信をモニタすることと
をさらに備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項１４】
基地局（ＢＳ）によるワイヤレス通信のための装置であって、
ユーザ機器（ＵＥ）から、前記ＵＥのカテゴリを示すインジケーションを受信するための手段と、ここにおいて、前記ＵＥの前記カテゴリは、前記ＵＥによってサポートされる最大スループットまたは前記ＵＥによってサポートされるレイヤの数のうちの少なくとも１つを示す、
前記ＵＥにおける前記受信機の数を示すシグナリングを受信するための手段と、ここにおいて、前記インジケーションは、チャネル状態フィードバック（ＣＳＦ）、ＵＥ識別情報（ＵＥ ＩＤ）、ＵＥ能力シグナリング、およびＣＱＩ値のうちの１つに含まれる、
前記受信されたシグナリングに基づいて、１つまたは複数の送信パラメータを決定するための手段と、
前記１つまたは複数の送信パラメータにしたがって、前記ＵＥと通信するための手段と
を備える装置。
【請求項１５】
ユーザ機器（ＵＥ）によるワイヤレス通信のための装置であって、
前記ＵＥのカテゴリを示すインジケーションを基地局（ＢＳ）に送るための手段と、ここにおいて、前記ＵＥの前記カテゴリは、前記ＵＥによってサポートされる最大スループットまたは前記ＵＥによってサポートされるレイヤの数のうちの少なくとも１つを示す、
前記ＵＥにおける前記受信機の数の別のインジケーションを前記ＢＳに送るための手段と、ここにおいて、前記インジケーションは、チャネル状態フィードバック（ＣＳＦ）、ＵＥ識別情報（ＵＥ ＩＤ）、ＵＥ能力シグナリング、およびＣＱＩ値のうちの１つに含まれる、
前記ＢＳによる、前記ＵＥにおける受信機の数の仮定に基づいて決定された１つまたは複数の送信パラメータにしたがって送信された１つまたは複数の送信を前記ＢＳから受信するための手段と
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月19日(2019.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．少なくとも１つの支持担体と、
Ｂ．２成分ポリウレタンコーティング組成物の少なくとも１つのトップコート層であって、前記２成分ポリウレタンコーティング組成物が、
ａ）ヒドロキシル基を有する少なくとも１種の材料、および
ｂ）遊離のイソシアネート基を有する少なくとも１種のポリイソシアネート架橋剤
を含む、少なくとも１つのトップコート層と、
を含む、防水膜。
【請求項２】
建築物または建築物の一部を防水するための防水膜の製造方法であって、
少なくとも１つの支持担体を提供する工程であって、前記支持担体は、単一層または複数層から構成され得る工程と、
前記支持担体の一方又は両方の面に、ヒドロキシル官能基を有する少なくとも一種の化合物と、遊離のイソシアネート基を有する少なくとも一種のポリイソシアネート架橋剤と、を含むコーティング組成物の層を塗布する工程と、
前記コーティング組成物の層を、５０℃〜１６０℃の範囲の温度で硬化させ、架橋された防水膜を形成する工程と、
前記防水膜を、建築物又は建築物の一部に適用する工程と、
を備え、
前記防水膜は、少なくとも１つの支持担体と、少なくとも１層の架橋されたポリウレタンコーティング組成物の層を有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
各セクションを平衡に達するようにさせ、その後、トップコーティングの混合物の塗布を進行させて、オーブン中で硬化させた。
また、本発明は、以下の事項を含んでいると捉えることもできる。
（付記１）
Ａ．少なくとも１つの支持担体と、
Ｂ．トップコート層であって、
ａ）ヒドロキシル基を有する少なくとも１種の材料、および
ｂ）遊離ノイソシアネート基を有する少なくとも１種のポリイソシアネート架橋剤
を含む２成分ポリウレタンコーティング組成物の少なくとも１つのトップコート層と
を含む、防水膜。
（付記２）
前記少なくとも１つの支持担体が、不織布または織布である、付記１に記載の防水膜。
（付記３）
前記少なくとも１つの支持担体が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、もしくはポリアミドポリマー、またはそれらの組合せもしくは混合ポリマーから作られている、付記１に記載の防水膜。
（付記４）
前記少なくとも１つの支持担体が、鉱物織布または不織布から作られている、付記１に記載の防水膜。
（付記５）
前記支持担体が、前記支持担体と前記トップコート層との間の接着を与えるプレコーティングでコーティングされている、付記１に記載の防水膜。
（付記６）
前記トップコート組成物が、成分ａ）のヒドロキシル基と成分ｂ）のイソシアネート基との間の硬化反応のための触媒をさらに含む、付記５に記載の防水膜。
（付記７）
付記１〜６のいずれか一項に記載の防水膜を含む、建築物用途のための防水システム。
（付記８）
以下の層：プライマー層、接着剤の層、防水膜とは異なるエラストマー膜、およびトップ仕上げ層の少なくとも１つをさらに含む、付記７に記載の防水システム。
（付記９）
前記プライマー層が、２成分ポリウレタンに基づくプライマー層であり、かつ前記接着剤が、液体ポリウレタン接着剤である、付記８に記載の防水システム。