【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２９４７３号「ＭＩＳトランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７３１７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１２月１０日の出願であって、平成１７年４月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月７日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年６月２８日付けで審尋がなされ、同年８月３０日に回答書が提出されたものである。
　　
２．平成１７年７月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年７月７日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、特許請求の範囲と明細書の０００９段落を補正するものであって、補正後の請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「　【請求項１】
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域と、
　前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォールと、
　前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜と
を備え、
　前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、
　前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含み、
　前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にあるＭＩＳトランジスタ。」
　
（２）主な補正事項
　請求項１についての補正は、補正前の請求項１の「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、」を補正後の請求項１の「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、　前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含み、」と補正するものである。（補正事項１）
　
（３）補正事項の検討
　補正事項１についての補正は、実質的に、補正前の請求項１の「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、」の後に、「前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含み、」を追加するものである。
　そして、「前記ソース／ドレイン領域」は、「前記シリコン基板表面」に含まれるものであるから、「前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含」むことは、補正前の請求項１の「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布」するとの構成について、「前記シリコン基板表面」内の「前記ソース／ドレイン領域」に「窒素原子を分布」させていること、言い換えると、「前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含」むと限定するものであって、補正事項１についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる目的に該当する。　
　
（４）独立特許要件について
　補正後の請求項１に係る発明の独立特許要件について検討する。
（４−１）記載不備について（特許法第３６条第６項について）　
　補正後の請求項１に係る発明は、請求項１に記載される「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」において、「シリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」がどのようにして形成されたか明らかでなく、「前記ソース／ドレイン領域表面」と「シリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」がどのような関係にあるか明確でないから、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
（４−２）発明の容易性について（特許法第２９条第２項について）
（４−２−１）補正発明の認定
　補正後の請求項１に係る発明の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」については、本願明細書の００１１段落ないし００１７段落の記載から、「シリサイド膜」が「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含む」こと及び、「シリサイド膜」が「シリサイド反応」により形成されることは明らかであるから、補正後の請求項１の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」は、「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」の誤記であると認定し、補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものとする。
  「【請求項１】
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域と、
　前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォールと、
　前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜と
を備え、
　前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、
　前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含み、
　前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にあるＭＩＳトランジスタ。」
　
（４−２−２）刊行物に記載された発明
（４−２−２−１）特開平５−９０２９３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願の日前に日本国内で頒布された特開平５−９０２９３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。　
「【請求項１】　素子分離領域を有する半導体基板と、この半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極と、このポリシリコンゲート電極に接した酸化膜と、この酸化膜に接して設けられた側壁と、前記ポリシリコンゲート電極に対して自己整合的に設けられたソース・ドレイン領域とを備え、これらソース・ドレイン領域およびポリシリコンゲート電極上に遷移８族の金属のモノシリサイドを形成したことを特徴とする半導体装置。」
「【００１７】また、第１の発明の目的には、側壁下部のソース・ドレイン領域の一部分もシリサイド化することにより、ブリッジングによるショート不良が少なく、ホットキャリア信頼性が高く、さらに寄生抵抗が小さい半導体装置およびその製造方法を提供することもある。」
「【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、第１の発明は、素子分離領域を有する半導体基板と、この半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極と、このポリシリコンゲート電極に接した酸化膜と、この酸化膜に接して設けられた側壁と、前記ポリシリコンゲート電極に対して自己整合的に設けられたソース・ドレイン領域とを備え、これらソース・ドレイン領域およびポリシリコンゲート電極上に遷移８族の金属のモノシリサイドを形成した構造となっている。」
「【００２１】
【作用】上記構造を実現するため、第１の発明は、素子分離領域を有する半導体基板上にゲート電極をパターニングし、素子領域に酸化膜を形成し、エッチバック法によって前記ゲート電極の側部に絶縁膜の側壁を形成し、前記酸化膜をシリコン基板表面が露出するまでエッチング除去し、エッチング除去されたシリコン基板のソース・ドレイン領域および前記ゲート電極上に遷移８族の金属を形成し、前記遷移８族の金属をモノシリサイド化させ、前記酸化膜上の未反応の遷移８族の金属を除去している。」
「【００２４】第１の発明
第１実施例
図１および図２は、第１の発明の第１実施例によるＭＩＳトランジスタの製造工程を示す断面構造図である。
【００２５】まず、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面にｐウエル領域２及び素子分離用のフィールド酸化膜３を形成する（図１（ａ））。
【００２６】次に、シリコン基板１上に例えば５ｎｍのゲート絶縁膜４を成長させる。さらに、ポリシリコンを厚さ３５０ｎｍで全面に堆積した後、ＰＯＣｌ３ を用いてポリシリコンに高濃度のリンを拡散する。この後、異方性エッチングを用いて、ゲート絶縁膜４およびＮ+ 化されたポリシリコン５を加工する。ドライ酸素雰囲気中８５０℃の条件で、ソース・ドレイン上で約１３ｎｍの酸化膜６を形成する（図１（ｂ））。このときゲート電極５上には５００Åの酸化膜６が形成される。
【００２７】次に、ゲート電極５をマスクにＮ型の不純物例えばＰｈｏｓ（リン）をドーズ量７Ｅ１３，加速電圧４０ｋｅＶの条件で基板１に打ち込み、ゲートと自己整合的にＬＤＤＮ− 層を形成する。その後、シリコン窒化膜をＬＰＣＶＤ法で１００ｎｍ堆積し、異方性エッチングによってシリコン窒化膜をゲートの側部にのみ残置させる。これにより、側壁７が形成される（図１（ｃ））。
【００２８】次に、ゲート電極５および側壁７をマスクに、例えばＡｓ（ヒソ）をドーズ量３Ｅ１５，加速電圧５０ｋｅＶの条件でイオン注入し、１０００℃２０″のランプ加熱によって活性化したソース・ドレイン領域８を形成する。この後、例えば１００：３の希ＨＦのエッチング液を用いて、ソース・ドレイン領域８およびゲート電極５上で、シリコン基板１、ゲートポリシリコン５の表面を露出させる（図２（ａ））。
【００２９】さらに、例えばＣＶＤ法により、遷移８族の金属であるＮｉ（図中、付番９）を例えば２００Å堆積させる（図２（ｂ））。
【００３０】次に、５８０℃　１分の熱処理を施し、ゲート電極５、およびソース・ドレイン領域８上のＮｉ膜９をシリコンと反応させて約７００ÅのＮｉＳｉ（図中、付番１０）を形成する。この後、ＨＣｌ：Ｈ２ Ｏ２ ：Ｈ２ Ｏ＝１：１：２の混合比の溶液で１５分の選択エッチングを行い、側壁７上の未反応Ｎｉを除去する（図２（ｃ））。」
「【００３２】以上のように、第１実施例では高融点金属としてＮｉを用いて、ＮｉＳｉによるサリサイド化を行った。ＮｉＳｉによるサリサイド化の際には４００〜７００℃の低温で熱処理できるため、低温プロセスに適している。」
「【００３５】なお、第１実施例では遷移８族の金属としてＮｉを用いたが、これに限らずＣｏを用いても同様にシリサイド化することができる。」
　
　ここで、図１（ｂ）、（ｃ）、００２６段落及び００２７段落の記載より、ゲート電極５は、その側面に接して形成された酸化膜６と、酸化膜の側面に形成されたシリコン窒化膜の側壁を備えていることは明らかである。
　図１（ｃ）、００２７段落及び００２８段落の記載より、ゲート電極５の両側の半導体基板にＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域が形成されることは明らかである。
　図２（ｂ）、（ｃ）、００２９段落及び００３０段落の記載より、ソース・ドレイン領域８の表面にＮｉＳｉ（モノシリサイド）が形成されることは明らかである。
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「シリコン基板と、前記シリコン基板表面にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極と、前記ポリシリコンゲート電極の両側の前記シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域と、前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜に接して設けられたシリコン窒化膜からなる側壁とを備え、さらに、前記ソース・ドレイン領域表面に形成したＮｉＳｉ（モノシリサイド）を備えることを特徴とするＭＩＳトランジスタ。」
　
（４−２−２−２）'Impact of Surface Proximity Gettering and Nitrided Oxide Side-Wall Spacer by Nitrogen Implantation on Sub-Quarter Micron CMOS LDD FETs',S.Shimizu, T.Kuroi, Y.Kawasaki, S.Kusunoki, Y.Okumura, M.Inuishi, H.Miyoshi, International Electron Devices Meeting 1995, 1995.12.10, pp.859-862（以下、「刊行物２」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願の日前に外国で頒布された刊行物２には、図１、図９ないし図１２とともに、以下の事項が記載されている。　
「［要約］
  我々は、新規な窒素注入技術を用いた、超浅接合で且つ高信頼性のための、高度なサブクォーターミクロンＣＭＯＳ形成プロセスを提案する。窒素原子が砒素原子やボロン原子の拡散経路を専有するばかりでなく、窒素原子のイオン注入により引き起こされる二次的欠陥が表面近傍のゲッタリングサイトとして機能することにより、ＰＭＯＳＦＥＴとＮＭＯＳＦＥＴのソース／ドレインに注入された窒素原子は、不純物（原子）の拡散と漏れ電流を抑制することができる。さらにまた、基板と二酸化シリコンサイドウォールの間の界面への窒素の偏析により、サイドウォールスペーサの下での界面準位の生成を減少できるので、この技術は、ＣＭＯＳ　ＬＤＤ　ＦＥＴのホットキャリアによる劣化を顕著に抑制できる。
　［導入］
　実用的なサブクォーターミクロンＣＭＯＳを形成するための重要な課題は、浅い接合の形成及び信頼性であることは良く知られている。浅い接合では、ＭＯＳＦＥＴの短チャネル効果を抑制することが要求される。しかしながら、イオン注入と低温熱処理により形成された浅い接合は、イオン注入により発生する打ち込み範囲端部での欠陥による大きな漏れ電流を引き起こす傾向にある。さらに、供給電圧をサブクォーターミクロン領域まで減少できるものの、ＭＯＳＦＥＴのホットキャリアによる劣化は、大きな課題の一つである。アンモニア又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）雰囲気中で急速熱処理（RTA)プロセスを利用して、ホットキャリア抵抗を改善するために、窒化酸化膜が集中的に研究されてきた。さらに、我々は、最近、ゲートポリシリコンに窒素をイオン注入することにより形成した、新たな窒化酸化（膜）を提案してきている。しかしながら、主に、サイドウォールスペーサの下での界面トラップ準位生成のために、これらの窒化ゲート酸化膜は、ＬＤＤ構造のホットキャリアによる劣化の抑制には効果的でない。これらの課題を解決するために、われわれは、窒素のイオン注入を用いた、超浅のＮ＋／Ｐ接合形成について前回報告した。この論文では、我々は、単に窒素をソース／ドレイン領域にイオン注入することにより、浅いＮ＋/ＰとＰ＋/Ｎ接合の形成とＬＤＤ構造のホットキャリア抵抗の改善のための、新規で高度なＣＭＯＳ技術を報告する。
［製造］
　高度な窒素のイオン注入技術を用いた、サブクォーターミクロンのＣＭＯＳを製造するための重要なプロセスの手順を図１に図解する。ＬＯＣＯＳとレトログレイドツインウエルの形成の後、６ｎｍのゲート酸化膜をウェット雰囲気中で形成した後、２００ｎｍのアンドープ多結晶シリコン膜を堆積した。電子ビーム直接描画と異方性ドライエッチングにより、ゲート電極を画定した後、ＮＭＯＳＦＥＴとＰＭＯＳＦＥＴ双方のソース／ドレイン領域に窒素イオンを注入した。比較のために、いくつかの試料には、シリコンイオンも注入した。窒素イオン及びシリコンイオンは、ドーズ量４×１０１５/ｃｍ２で注入し、その射程範囲がＮ＋／Ｐ＋ソース／ドレインへの砒素／ボロンイオンとほぼ同じ範囲となるように選択した。低エネルギーイオン注入とＣＶＤ二酸化シリコンのサイドウォールスペーサ形成による、ＬＤＤ形成の後、ゲート電極及びソース／ドレイン領域に同時にイオン注入によりドープされた。イオン注入後のアニールにより、７５０℃より低い温度で浅い接合が形成された。」（第８５９頁左欄第１行ないし右欄第２４行の訳文）
「
ホットキャリア抵抗の改善
　接合漏れ電流及びＬＤＤ抵抗の減少とともに、我々の新規に提案する窒素イオン注入技術により、主にサイドウォールスペーサの下での界面トラップ準位の生成により引き起こされる、ＬＤＤ構造のホットキャリアにより劣化を効果的に抑制することができる。図９は、ソース／ドレインまで窒素をイオン注入した、ＬＤＤ領域での窒素の深さ方向分布を示す。窒素原子は、比較的低温での熱処理においても、基板と二酸化シリコンサイドウォールの界面に偏析できることが分かった。図１０は、窒素をイオン注入しないＭＯＳＦＥＴ、ゲートポリシリコンに窒素をイオン注入したＭＯＳＦＥＴ、及びソース／ドレインに窒素をイオン注入したＭＯＳＦＥＴの、ドレインでのアバランシェホットキャリア注入の下でのドレイン電流の劣化を示した。ソース／ドレインへの窒素イオン注入により、劣化の顕著な抑制が観測された。改善は、基板と二酸化シリコンサイドウォールの界面への窒素の偏析によるものであり、結果として、二酸化シリコンサイドウォールの下での界面準位の生成が抑制できる。さらに、チャネルホットエレクトロンの注入の下でも、劣化は図１１に示されるように抑制できる。図１２は、ＰＭＯＳＦＥＴのソース／ドレインへの窒素のイオン注入「有り」及び「無し」の場合での、ドレインアバランシェホットエレクトロン注入の下で閾値電圧のシフトを示す。ＰＭＯＳＦＥＴのソース／ドレインへの窒素のイオン注入により、シフトは顕著に抑制できることが分かる。」（第８６０頁左欄第３３行ないし同頁右欄第１１行の訳文）
　
（４−２−３）対比・判断     
　補正発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ポリシリコンゲート電極」、「ＬＤＤＮ−層」、「シリコン窒化膜」、「側壁」及び「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、それぞれ補正発明の「ゲート電極」、「ＬＤＤ領域」、「窒化シリコン層」、「サイドウォール」及び「シリサイド膜」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極の両側の前記半導体基板に形成されたＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域」は、補正発明の「前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域」に相当し、刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された」「膜」と、「前記」「膜に接して設けられたシリコン窒化膜からなる側壁」は、補正発明の「前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された」「層と前記」「層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォール」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」がシリサイド膜であること、及び刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域」が「側壁」に隣接していることは明らかであるから、刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域表面に形成したＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、補正発明の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面に」「形成したシリサイド膜」に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物発明とは、
　「シリコン基板と、
　前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域と、
　前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された層と前記層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォールと、
　前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面に形成したシリサイド膜と
を備えた
　ＭＩＳトランジスタ。」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　相違点１
　補正発明は、「前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォール」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜に接して設けられたシリコン窒化膜からなる側壁」を備えている点。
　相違点２
　補正発明は、「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記ソース・ドレイン領域表面に形成したＮｉＳｉ（モノシリサイド）」を備えているが、「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」が「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含」むか否か明らかでない点。
　相違点３
　補正発明は、「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、　前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含み、　前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にある」との構成を備えるのに対して、
　刊行物発明は、上記構成を備えていない点。
　
　各相違点について以下で検討する。
　［相違点１について］
（ａ）刊行物２の図９（「Ｓｉ−Ｓｕｂ（シリコン基板）」との記載あり）を参照すると、図１において、レトログレイドウエルが形成される基板がシリコン基板であることは明らかであり、図１（断面図及び製造プロセスフロー図）及びその説明（８５９頁右欄第５ないし２４行）には、
（ｉ）シリコン基板に二酸化シリコンゲート絶縁膜を形成し、（ii）二酸化シリコンゲート絶縁膜上に多結晶シリコンゲート電極を形成し、（iii）多結晶シリコンゲート電極をマスクとして、シリコン基板に窒素イオン及びＬＤＤ領域形成のための不純物をイオン注入し、（iv）多結晶シリコンゲート電極の側面に二酸化シリコンのサイドウォールスペーサーを形成し、（v）多結晶シリコンゲート電極及び二酸化シリコンのサイドウォールスペーサーをマスクとして、ソース／ドレイン領域形成のための不純物をイオン注入し、（vi）ソース／ドレイン領域に注入した不純物の活性化のためのアニールを窒素雰囲気で７５０℃より低い温度で行ない、その後（vii）配線形成を行なうことにより、ＭＯＳＦＥＴを形成する、ＭＯＳＦＥＴ形成のための工程が記載されている。
（ｂ）また、図９及びその説明（第８６０頁左欄第３９ないし４３行）から、上記（iii）工程の窒素イオンのシリコン基板へのイオン注入の後の上記（vi）工程のソース／ドレイン領域に注入した不純物の活性化のためのアニールにより、上記（iii）工程でイオン注入された窒素が、二酸化シリコンゲート絶縁膜と二酸化シリコンゲート絶縁膜に接するシリコン基板の表面に分布していると言える。
（ｃ）上記（ａ）、上記（ｂ）及び、上記（iii）工程［窒素イオン注入工程］及び（iv）工程［ソース／ドレイン領域のアニール工程］から、多結晶シリコンゲート電極の側面に接して形成された二酸化シリコンのサイドウォールスペーサーの下のシリコン基板と二酸化シリコンゲート絶縁膜との界面においても、図９に記載されていると同様に、イオン注入された窒素が、二酸化シリコンゲート絶縁膜と二酸化シリコンゲート絶縁膜に接するシリコン基板の表面に分布していると言える。
（ｄ）また、二酸化シリコンゲート絶縁膜中に窒素が分布した膜、言い換えると、二酸化シリコンゲート絶縁膜中に窒素が含まれた膜は、窒化酸化シリコン膜と言える。
（ｅ）刊行物発明において、従来周知の課題であるホットキャリア耐圧を改善するために、刊行物２に記載されるように、ゲート電極をマスクとして、窒素をイオン注入すること、言い換えると、刊行物発明において、「ポリシリコンゲート電極」をマスクとして、二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」を介して「シリコン基板」に窒素をイオン注入することにより、上記（ｃ）及び（ｄ）で検討したとおり、ソース・ドレイン領域へのイオン注入の後の活性化のためのアニール処理により、「シリコン基板」と二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」との界面の両側の「シリコン基板」と二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」には、イオン注入された窒素が分布することになり、二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」は実質的に窒化酸化シリコン膜となることは明らかである。
（ｆ）一方、本願明細書の、図１ないし図４及び００１２段落ないし００１５段落、特に、「次に、シリコンが露出している領域前面に窒素の注入を行った後、ＬＤＤ領域６を形成する。」（００１３段落）、「このサイドウォール１５は、２層構造を有しており、シリコン基板１に接するように形成されたバッファ層１３と、このバッファ層１３上に形成された窒化シリコン層１４とからなる。」（００１４段落）、「ソース／ドレインが形成されるべき領域に不純物を添加した後に１０００℃前後の温度で３０秒間ＲＴＡを行い、ソース／ドレイン領域８を形成した状態が図３に示されている。この時、ゲート電極５の多結晶シリコン中の窒素およびソース／ドレイン領域８中の窒素がゲート絶縁膜４およびサイドウォール１５のバッファ層１３に入り込み、ゲート絶縁膜４およびサイドウォール１５のバッファ層１３が窒化される。このシリコン基板１の深さ方向の窒素の濃度が図４に示されている。」（００１５段落）との記載から、二酸化シリコン膜からなるバッファ層が窒化されること、言い換えると、イオン注入により半導体基板中に注入された窒素が、ソース／ドレイン領域８形成のための熱処理（１０００℃前後の温度で３０秒間ＲＴＡ）により、シリコン半導体基板に注入されていた窒素が半導体基板上に窒素のイオン注入の後に形成された二酸化シリコン膜からなるバッファ層に拡散することにより、二酸化シリコン膜からなるバッファ層が窒化酸化シリコン層となることは明らかである。
（ｇ）上記（ｅ）及び上記（ｆ）で検討したとおり、刊行物２に記載される窒素のイオン注入技術を刊行物発明に用いた際にも、本願明細書に記載されると同様なメカニズム（半導体基板に注入された窒素がソース・ドレイン領域形成のためのアニール処理により、半導体基板表面に形成された二酸化シリコン膜にも窒素が分布することにより、半導体基板上に形成された二酸化シリコン膜は、実質的に、窒化酸化シリコン膜となる）により、窒化酸化シリコン膜が形成されることは明らかであって、刊行物発明に、ホットキャリアによる劣化を抑制するために、刊行物２に記載される如き、ゲート電極をマスクとして半導体基板に窒素をイオン注入する、窒素イオン注入技術を用いて、刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」を実質的に、窒化酸化シリコン膜とすることにより、刊行物発明を、補正発明の如く、「前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォール」を備えたものとすることは当業者が容易になし得たものである。
　
　［相違点２について］
（ａ）刊行物１には、図２（ａ）ないし（ｃ）と共に、「ゲート電極５および側壁７をマスクに、例えばＡｓ（ヒソ）をドーズ量３Ｅ１５，加速電圧５０ｋｅＶの条件でイオン注入し、１０００℃２０″のランプ加熱によって活性化したソース・ドレイン領域８を形成する。この後、例えば１００：３の希ＨＦのエッチング液を用いて、ソース・ドレイン領域８およびゲート電極５上で、シリコン基板１、ゲートポリシリコン５の表面を露出させる（図２（ａ））。　さらに、例えばＣＶＤ法により、遷移８族の金属であるＮｉ（図中、付番９）を例えば２００Å堆積させる（図２（ｂ））。　次に、５８０℃　１分の熱処理を施し、ゲート電極５、およびソース・ドレイン領域８上のＮｉ膜９をシリコンと反応させて約７００ÅのＮｉＳｉ（図中、付番１０）を形成する。この後、ＨＣｌ：Ｈ２ Ｏ２ ：Ｈ２ Ｏ＝１：１：２の混合比の溶液で１５分の選択エッチングを行い、側壁７上の未反応Ｎｉを除去する（図２（ｃ））。」（００２８段落ないし００３０段落）と記載されており、刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域表面に」形成された「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、「ソース・ドレイン領域８上のＮｉ膜９をシリコンと反応させて約７００ÅのＮｉＳｉ」「を形成」している（００３０段落）。
（ｂ）一方、本願明細書には、図５ないし図７とともに「次に、サリサイドプロセスを用いて、ゲート電極５の上に、およびソース／ドレイン領域８上にシリサイド膜が形成される。このサリサイドプロセスにおいて、まず、コバルトＣｏをスパッタ法により堆積する（図５参照）。このミキシングによってシリコン基板１とシリサイド膜１０との界面が平坦化される。ここでは、２段階のＲＴＡを用いて、シリサイド反応を進め、図６にあるように、コバルトシリサイド膜１０を形成する。その後の未反応の金属膜９を除去したときのシリコン基板１の断面が図７に示されている。」（００１５段落）と記載されており、補正発明の「シリサイド膜」は、ソース／ドレイン領域８上に堆積したコバルトＣｏ（９）を熱処理（ＲＴＡ）によりシリサイド反応をさせてシリサイド膜１０を形成しており、また、請求項２に「前記金属は、コバルトもしくはニッケルである、請求項１に記載のＭＩＳトランジスタ」と記載されているから、補正発明の「前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」には、ニッケルのシリサイド膜が含まれることは明らかである。（ｃ）次に、補正発明においては、「シリサイド膜」を「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」と限定しているが、上記（ａ）及び（ｂ）で検討したとおり、刊行物１及び本願明細書のいずれにおいても、ソース・ドレイン領域上に形成したＮｉを、ソース・ドレイン領域の活性化のための熱処理により、「シリサイド膜」を形成している点において共通しており、「前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」について、「シリサイド膜」を構成する「金属」が「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属」であるか否かにより、形成されたＭＩＳトランジスタの特性がどのように異なるか不明であり、また、補正発明には「シリサイド反応」そのもの、例えば、「拡散種となる金属」の種類、シリサイド反応時の温度・時間・雰囲気等の条件等、について何らの限定もないから、刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域表面に形成したＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、補正発明の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」と実質的に同等であると言える。
　したがって、相違点２は、実質的なものではない。
　
　［相違点３について］
（ａ）上記［相違点１について］の（ａ）ないし（ｅ）において検討したとおり、刊行物２に記載される、窒素イオンを二酸化シリコンゲート絶縁膜を介してソース／ドレイン領域に対応するシリコン基板にイオン注入し、その後、ソース／ドレイン領域の活性化のための熱処理を行うことにより、シリコン基板にイオン注入された窒素は、ソース／ドレイン領域であるシリコン基板及びシリコン基板に接する二酸化シリコンゲート絶縁膜に分布すること及び、シリコン基板に接する二酸化シリコンゲート絶縁膜は、実質的に窒化酸化シリコン膜となることは明らかである。
（ｂ）刊行物２の「図９は、ソース／ドレインまで窒素をイオン注入した、ＬＤＤ領域での窒素の深さ方向分布を示す。窒素原子は、比較的低温での熱処理においても、基板と二酸化シリコンサイドウォールの界面に偏析できることが分かった。」（第８６０頁左欄第３９ないし４３行）及び図９より、刊行物２には、窒素原子をシリコン基板にイオン注入し、アニール処理した後において、窒素原子がシリコン基板とシリコン基板上に形成した二酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）との界面において最大値となることが記載されており、上記［相違点１について］の（ｅ）ないし（ｇ）における検討をも併せ考慮すると、刊行物発明に、刊行物２に記載される、窒素のイオン注入技術を用いることにより、刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極の両側の前記シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域と、前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」において、「シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層」、言い換えると、「ソース・ドレイン領域」及び「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」にイオン注入された窒素が分布し、「シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層」と「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」との界面において窒素原子の濃度が最大値となることは明らかである。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）より、刊行物発明に、従来周知の課題である、ホットキャリア耐圧を改善するために、刊行物２に記載される、窒素のイオン注入技術を用いることにより、刊行物発明は、実質的に、補正発明の如く、「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、　前記ソース／ドレイン領域に窒素原子を含み、　前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にある」との構成を備えたものとなることは明らかである。
　したがって、相違点３については、当業者が刊行物１及び２に記載された発明に基づいて何らの困難性もなくなし得たものである。
　
　よって、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
（４−３）むすび
　よって、補正発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、また、仮に、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしているとしても、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年７月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明について検討するに、平成１７年３月３０日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の補正後の請求項１に係る発明の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」について、本願明細書の００１１段落ないし００１７段落の記載から、「シリサイド膜」が「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含む」こと及び、「シリサイド膜」が「シリサイド反応」により形成されることは明らかであるから、上記補正後の請求項１の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含むシリサイド膜」は、「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」の誤記であると認定し、上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものとする。
　
  「【請求項１】
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域と、
　前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォールと、
　前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜と
を備え、
　前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にあるＭＩＳトランジスタ。」
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１及び刊行物２に記載された事項は、「２．（４−２−２）刊行物に記載された発明」の「（４−２−２−１）」及び「（４−２−２−２）」に記載されたとおりであり、さらに、刊行物１に記載された発明は、以下のとおりである。　
「シリコン基板と、前記シリコン基板表面にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極と、前記ポリシリコンゲート電極の両側の前記シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域と、前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜に接して設けられたシリコン窒化膜からなる側壁とを備え、さらに、前記ソース・ドレイン領域表面に形成したＮｉＳｉ（モノシリサイド）を備えることを特徴とするＭＩＳトランジスタ。」　
　
５．対比・検討
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比・検討する。
（ａ）刊行物発明の「ポリシリコンゲート電極」、「ＬＤＤＮ−層」、「シリコン窒化膜」、「側壁」及び「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、それぞれ本願発明の「ゲート電極」、「ＬＤＤ領域」、「窒化シリコン層」、「サイドウォール」及び「シリサイド膜」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極の両側の前記半導体基板に形成されたＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域」は、本願発明の「前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域」に相当し、刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された」「膜」と、「前記」「膜に接して設けられたシリコン窒化膜からなる側壁」は、本願発明の「前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された」「層と前記」「層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォール」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」がシリサイド膜であること、及び刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域」が「側壁」に隣接していることは明らかであるから、刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域表面にＮｉＳｉ（モノシリサイド）を形成したこと」は、本願発明の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面に」形成された「シリサイド膜」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
　「シリコン基板と、
　前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板に形成されたＬＤＤ領域及びソース／ドレイン領域と、
　前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された層と前記層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォールと、
　前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面に形成したシリサイド膜と
を備えたＭＩＳトランジスタ。」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォール」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜に接して設けられたシリコン窒化膜からなる側壁」を備えている点。
　相違点２
　本願発明は、「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記ソース・ドレイン領域表面にＮｉＳｉ（モノシリサイド）を形成したこと」との構成を備えている点。
　相違点３
　本願発明は、「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、　前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にある」との構成を備えるのに対して、
　刊行物発明は、上記構成を備えていない点。
　
６．当審の判断
　各相違点について以下で検討する。
　［相違点１について］
（ａ）刊行物２の図９（「Ｓｉ−Ｓｕｂ（シリコン基板）」との記載あり）を参照すると、図１において、レトログレイドウエルが形成される基板がシリコン基板であることは明らかであり、図１（断面図及び製造プロセスフロー図）及びその説明（第８５９頁右欄第５ないし２４行）には、
（ｉ）シリコン基板に二酸化シリコンゲート絶縁膜を形成し、（ii）二酸化シリコンゲート絶縁膜上に多結晶シリコンゲート電極を形成し、（iii）多結晶シリコンゲート電極をマスクとして、シリコン基板に窒素イオン及びＬＤＤ領域形成のための不純物をイオン注入し、（iv）多結晶シリコンゲート電極の側面に二酸化シリコンのサイドウォールスペーサーを形成し、（v）多結晶シリコンゲート電極及び二酸化シリコンのサイドウォールスペーサーをマスクとして、ソース／ドレイン領域形成のための不純物をイオン注入し、（vi）ソース／ドレイン領域に注入した不純物の活性化のためのアニールを窒素雰囲気で７５０℃より低い温度で行ない、その後（vii）配線形成を行なうことにより、ＭＯＳＦＥＴを形成する、ＭＯＳＦＥＴ形成のための工程が記載されている。
（ｂ）また、図９及びその説明（８６０頁左欄第３９ないし４３行）から、上記（iii）工程の窒素イオンのシリコン基板へのイオン注入の後の上記（vi）工程のソース／ドレイン領域に注入した不純物の活性化のためのアニールにより、上記（iii）工程でイオン注入された窒素が、二酸化シリコンゲート絶縁膜と二酸化シリコンゲート絶縁膜に接するシリコン基板の表面に分布していると言える。
（ｃ）上記（ａ）、上記（ｂ）及び、上記（iii）工程［窒素イオン注入工程］及び（iv）工程［ソース／ドレイン領域のアニール工程］から、多結晶シリコンゲート電極の側面に接して形成された二酸化シリコンのサイドウォールスペーサーの下のシリコン基板と二酸化シリコンゲート絶縁膜との界面においても、図９に記載されていると同様に、イオン注入された窒素が、二酸化シリコンゲート絶縁膜と二酸化シリコンゲート絶縁膜に接するシリコン基板の表面に分布していると言える。
（ｄ）また、二酸化シリコンゲート絶縁膜中に窒素が分布した膜、言い換えると、二酸化シリコンゲート絶縁膜中に窒素が含まれた膜は、窒化酸化シリコン膜と言える。
（ｅ）刊行物発明において、従来周知の課題であるホットキャリア耐圧を改善するために、刊行物２に記載されるように、ゲート電極をマスクとして、窒素をイオン注入すること、言い換えると、刊行物発明において、「ポリシリコンゲート電極」をマスクとして、二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」を介して「シリコン基板」に窒素をイオン注入することにより、上記（ｃ）及び（ｄ）で検討したとおり、ソース・ドレイン領域へのイオン注入の後の活性化のためのアニール処理により、「シリコン基板」と二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」との界面の両側の「シリコン基板」と二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」には、イオン注入された窒素が分布することになり、二酸化シリコン「ゲート絶縁膜」は実質的に窒化酸化シリコン膜となることは明らかである。
（ｆ）一方、本願明細書の、図１ないし図４及び００１２段落ないし００１５段落、特に、「次に、シリコンが露出している領域前面に窒素の注入を行った後、ＬＤＤ領域６を形成する。」（００１３段落）、「このサイドウォール１５は、２層構造を有しており、シリコン基板１に接するように形成されたバッファ層１３と、このバッファ層１３上に形成された窒化シリコン層１４とからなる。」（００１４段落）、「ソース／ドレインが形成されるべき領域に不純物を添加した後に１０００℃前後の温度で３０秒間ＲＴＡを行い、ソース／ドレイン領域８を形成した状態が図３に示されている。この時、ゲート電極５の多結晶シリコン中の窒素およびソース／ドレイン領域８中の窒素がゲート絶縁膜４およびサイドウォール１５のバッファ層１３に入り込み、ゲート絶縁膜４およびサイドウォール１５のバッファ層１３が窒化される。このシリコン基板１の深さ方向の窒素の濃度が図４に示されている。」（００１５段落）との記載から、二酸化シリコン膜からなるバッファ層が窒化されること、言い換えると、イオン注入により半導体基板中に注入された窒素が、ソース／ドレイン領域８形成のための熱処理（１０００℃前後の温度で３０秒間ＲＴＡ）により、シリコン半導体基板に注入されていた窒素が半導体基板上に窒素のイオン注入の後に形成された二酸化シリコン膜からなるバッファ層に拡散することにより、二酸化シリコン膜からなるバッファ層が窒化酸化シリコン層となることは明らかである。
（ｇ）上記（ｅ）及び上記（ｆ）で検討したとおり、刊行物２に記載される窒素のイオン注入技術を刊行物発明に用いた際にも、本願明細書に記載されると同様なメカニズム（半導体基板に注入された窒素がソース・ドレイン領域形成のためのアニール処理により、半導体基板表面に形成された二酸化シリコン膜にも窒素が分布することにより、半導体基板上に形成された二酸化シリコン膜は、実質的に、窒化酸化シリコン膜となる）により、窒化酸化シリコン膜が形成されることは明らかであって、刊行物発明に、ホットキャリアによる劣化を抑制ため、刊行物２に記載される如き、ゲート電極をマスクとして半導体基板に窒素をイオン注入する、窒素イオン注入技術を用いて、刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」を実質的に、窒化酸化シリコン膜とすることにより、刊行物発明を、本願発明の如く、「前記ゲート電極側面に隣接し前記ＬＤＤ領域上に接して形成された窒化酸化シリコン層と前記窒化酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層とを有するサイドウォール」を備えたものとすることは当業者が容易になし得たものである。
　
　［相違点２について］
（ａ）刊行物１には、図２（ａ）ないし（ｃ）と共に、「ゲート電極５および側壁７をマスクに、例えばＡｓ（ヒソ）をドーズ量３Ｅ１５，加速電圧５０ｋｅＶの条件でイオン注入し、１０００℃２０″のランプ加熱によって活性化したソース・ドレイン領域８を形成する。この後、例えば１００：３の希ＨＦのエッチング液を用いて、ソース・ドレイン領域８およびゲート電極５上で、シリコン基板１、ゲートポリシリコン５の表面を露出させる（図２（ａ））。　さらに、例えばＣＶＤ法により、遷移８族の金属であるＮｉ（図中、付番９）を例えば２００Å堆積させる（図２（ｂ））。　次に、５８０℃　１分の熱処理を施し、ゲート電極５、およびソース・ドレイン領域８上のＮｉ膜９をシリコンと反応させて約７００ÅのＮｉＳｉ（図中、付番１０）を形成する。この後、ＨＣｌ：Ｈ２ Ｏ２ ：Ｈ２ Ｏ＝１：１：２の混合比の溶液で１５分の選択エッチングを行い、側壁７上の未反応Ｎｉを除去する（図２（ｃ））。」（００２８段落ないし００３０段落）と記載されており、刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域表面に」形成された「ＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、「ソース・ドレイン領域８上のＮｉ膜９をシリコンと反応させて約７００ÅのＮｉＳｉ」「を形成」している（００３０段落）。
（ｂ）一方、本願明細書には、図５ないし図７とともに「次に、サリサイドプロセスを用いて、ゲート電極５の上に、およびソース／ドレイン領域８上にシリサイド膜が形成される。このサリサイドプロセスにおいて、まず、コバルトＣｏをスパッタ法により堆積する（図５参照）。このミキシングによってシリコン基板１とシリサイド膜１０との界面が平坦化される。ここでは、２段階のＲＴＡを用いて、シリサイド反応を進め、図６にあるように、コバルトシリサイド膜１０を形成する。その後の未反応の金属膜９を除去したときのシリコン基板１の断面が図７に示されている。」（００１５段落）と記載されており、本願発明の「シリサイド膜」は、ソース／ドレイン領域８上に堆積したコバルトＣｏ（９）を熱処理（ＲＴＡ）によりシリサイド反応をさせてシリサイド膜１０を形成しており、また、請求項２に「前記金属は、コバルトもしくはニッケルである、請求項１に記載のＭＩＳトランジスタ」と記載されているから、本願発明の「前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」には、ニッケルのシリサイド膜が含まれることは明らかである。（ｃ）次に、本願発明においては、「シリサイド膜」を「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」と限定しているが、上記（ａ）及び（ｂ）で検討したとおり、刊行物１及び本願明細書のいずれにおいても、ソース・ドレイン領域上に形成したＮｉを、ソース・ドレイン領域の活性化のための熱処理により、「シリサイド膜」を形成している点において共通しており、「前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」について、「シリサイド膜」を構成する「金属」が「シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属」であるか否かにより、形成されたＭＩＳトランジスタの特性がどのように異なるか不明であり、また、本願発明には「シリサイド反応」そのもの、例えば、「拡散種となる金属」の種類、シリサイド反応時の温度・時間・雰囲気等の条件等、について何らの限定もないから、刊行物発明の「前記ソース・ドレイン領域表面に形成したＮｉＳｉ（モノシリサイド）」は、本願発明の「前記サイドウォールに隣接し前記ソース／ドレイン領域表面にシリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を含み、前記シリサイド反応で形成したシリサイド膜」と実質的に同等であると言える。
　したがって、相違点２は、実質的なものではない。
　
　［相違点３について］
（ａ）上記［相違点１について］の（ａ）ないし（ｅ）において検討したとおり、刊行物２に記載される、窒素イオンを二酸化シリコンゲート絶縁膜を介してソース／ドレイン領域に対応するシリコン基板にイオン注入し、その後、ソース／ドレイン領域の活性化のための熱処理を行うことにより、シリコン基板にイオン注入された窒素は、ソース／ドレイン領域であるシリコン基板及びシリコン基板に接する二酸化シリコンゲート絶縁膜に分布すること及び、シリコン基板に接する二酸化シリコンゲート絶縁膜は、実質的に窒化酸化シリコン膜となることは明らかである。
（ｂ）刊行物２の「図９は、ソース／ドレインまで窒素をイオン注入した、ＬＤＤ領域での窒素の深さ方向分布を示す。窒素原子は、比較的低温での熱処理においても、基板と二酸化シリコンサイドウォールの界面に偏析できることが分かった。」（第８６０頁左欄第３９ないし４３行）及び図９より、刊行物２には、窒素原子をシリコン基板にイオン注入し、アニール処理した後において、窒素原子がシリコン基板とシリコン基板上に形成した二酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）との界面において最大値となることが記載されており、上記［相違点１について］の（ｅ）ないし（ｇ）における検討をも併せ考慮すると、刊行物発明に、刊行物２に記載される、窒素のイオン注入技術を用いることにより、刊行物発明の「前記ポリシリコンゲート電極の両側の前記シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層及びソース・ドレイン領域と、前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」において、「シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層」言い換えると、シリコン基板の表面、及び「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」にイオン注入された窒素が分布し、「シリコン基板に形成されたＬＤＤＮ−層」、言い換えると、シリコン半導体基板の表面と「前記ポリシリコンゲート電極に接し、前記ＬＤＤＮ−層上に形成された酸化膜」との界面において窒素原子の濃度が最大値となることは明らかである。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）より、刊行物発明に、従来周知の課題である、ホットキャリア耐圧を改善するために、刊行物２に記載される、窒素のイオン注入技術を用いることにより、刊行物発明は、実質的に、本願発明の如く、「前記シリコン基板表面から前記窒化酸化シリコン層に窒素原子が分布し、　　前記窒素原子の濃度ピークが前記シリコン基板と前記窒化酸化シリコン層との界面にある」との構成を備えたものとなることは明らかである。
　したがって、相違点３については、当業者が刊行物１及び２に記載された発明に基づいて何らの困難性もなくなし得たものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし５について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。　よって、結論のとおり審決する。