【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２７９２８号「液晶表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月　９日出願公開、特開平１０−１５３７９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成８年１１月２２日に特許出願したものであって、本願の請求項に係る発明は、平成１８年９月６日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】透明絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜、及び半導体層を堆積する工程と、不純物を含んだ半導体層を被着する工程と、ソース電極、及びドレイン電極となる金属を被着する工程と、前記金属と前記不純物を含んだ半導体層とを同時にエッチングしてスイッチング素子とする工程と、紫外線感光性樹脂を主成分とする平坦化樹脂層を全面に塗布する工程と、前記平坦化樹脂層にフォトリソグラフィーによりコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子と接続されるよう、前記平坦化樹脂層の上面に酸化インジュウムから成る透明導電膜を堆積する工程と、前記透明導電膜をエッチングして画素電極を形成する工程とを有し、室温から２００℃の温度で前記酸化インジュウムから成る透明導電膜の成膜を行い、成膜後に、前記成膜時の温度以上で熱処理を行った後、前記透明導電膜をエッチングする液晶表示装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物１：特開平８−１８６２６７号公報には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、樹脂基板（工業用プラスチク基板を含む）等の可撓性（フセキシブルな機械的な性質）を有する基板上に形成された薄膜トランジスタの構成およびその作製方法に関する。また、この薄膜トランジスタを用いて構成されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。」
　
　ｂ．「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発明は、柔軟性を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】液晶表示装置に柔軟性を与える方法としては、基板として透光性を有するプラスチック基板や樹脂基板を用いる方法がある。」
　
　ｃ．「【００２１】
【実施例】
〔実施例１〕本実施例は、Ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｓｔａｇｇｅｒｅｄ型の薄膜トランジスタを有機樹脂基板であるＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板上に形成する例を示す。
【００２２】まず図１（Ａ）に示すように厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム１０１を用意し、
　・・・・（中略）・・・・
【００２４】次にアルミニウムでなるゲイト電極１０３を形成する。このゲイト電極の形成は、スパッタ法によってアルミニウム膜２０００〜５０００Å（ここでは３０００Å）の厚さに成膜し、さらにフォトリソグラフィー工程による公知のパターニングを行うことにより行われる。またパターンの側面はテーパー状になるようにエッチングを行う。（図１（Ａ））
【００２５】次にゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜１０４をスパッタ法で１０００Åの厚さに成膜する。ゲイト絶縁膜としては、酸化珪素膜ではなく窒化珪素膜を用いてもよい。
【００２６】次にプラズマＣＶＤ法を用いて実質的に真正（Ｉ型）の非晶質珪素膜１０５を５００Åの厚さに成膜する。
　・・・・（中略）・・・・
【００２８】さらに後の工程において、エッチングストッパーして機能する酸化珪素膜をスパッタ法で成膜し、パターニングを施すことによりエッチングストッパー１０６を形成する。
【００２９】次にＮ型の非晶質珪素膜１０７を平行平板型のプラズマＣＶＤ法で３００Åの厚さに成膜する。
　・・・・（中略）・・・・
【００３０】こうして図１（Ｃ）に示す状態を得る。その後、Ｎ型の非晶質珪素膜１０７と実質的に真正（Ｉ型）の非晶質珪素膜１０５とに対してドッライエッチングによるパターニングを行う。そしてアルミニウム膜を３０００Åの厚さにスパッタ法で成膜する。さらにこのアルミニウム膜とその下のＮ型の非晶質珪素膜とをエッチングすることにより、ソース電極１０８とドレイン電極１０９を形成する。このエッチング工程において、エッチングストッパー１０６の作用によって、ソース／ドレインの分離が確実に行われる。（図１（Ｄ））
【００３１】そして、酸化珪素膜またはポリイミド等の樹脂材料を用いて層間絶縁層１１０を６０００Åの厚さに形成する。酸化珪素膜を形成する場合には、酸化珪素被膜形成用の塗布液を用いればよい。最後にコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯを用いて画素電極１１１を形成する。以上のようにして、透光性を有する樹脂基板を用いて、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の各画素電極に配置される薄膜トランジスタを得ることができる。（図１（Ｅ））」
　
　ｄ．【図３】及び上記ｃによれば、「アルミニウム膜とその下のＮ型の非晶質珪素膜とをエッチングして、ソース電極１０８とドレイン電極１０９が分離形成されることにより、薄膜トランジスタ３０５が形成されるとともに、該薄膜トランジスタ３０５と画素電極１１１とはコンタクトホールを介して接続される。」点が見て取れる。
　
　ｅ．さらに、【図１】によれば、「層間絶縁膜１１０は平坦である。」点がみてとれる。
　上記ａ〜ｅによれば刊行物１には、
「透光性を有する樹脂基板上にゲイト電極を形成し、次にゲイト絶縁膜を成膜し、次に実質的に真正（Ｉ型）の非晶質珪素膜を成膜し、さらに後の工程において、エッチングストッパーとして機能する酸化珪素膜を成膜し、パターニングを施すことによりエッチングストッパーを形成し、次にＮ型の非晶質珪素膜を成膜し、その後、上記Ｎ型の非晶質珪素膜と実質的に真正（Ｉ型）の非晶質珪素膜とに対してドッライエッチングによるパターニングを行い、そしてアルミニウム膜を成膜し、さらにこのアルミニウム膜とその下のＮ型の非晶質珪素膜とをエッチングすることにより、ソース電極とドレイン電極を分離形成して、薄膜トランジスタとなし、そして、樹脂材料を用いて層間絶縁層を形成し、最後にコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯを用いて画素電極を形成するとともに、上記コンタクトホールを介して薄膜トランジスタと接続する。
　以上の工程からなる液晶表示装置の製造方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と上記引用発明とを対比する。
　ア．引用発明と本願発明とは、ともに「液晶表示装置の製造方法」である。
　また、引用発明の「透光性を有する樹脂基板」、「ゲイト電極」、「ゲイト絶縁膜」、「真正（Ｉ型）の非晶質珪素膜」、「Ｎ型の非晶質珪素膜」及び「アルミニウム膜」は、それぞれ、本願発明の「透明絶縁基板」、「ゲート電極」、「ゲート絶縁膜」、「半導体層」、「不純物を含んだ半導体層」及び「ソース電極、及びドレイン電極となる金属」に相当するから、引用発明は、本願発明の「透明絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜、及び半導体層を堆積する工程と、不純物を含んだ半導体層を被着する工程と、ソース電極、及びドレイン電極となる金属を被着する工程」を有する。
　
　イ．引用発明の「さらにこのアルミニウム膜とその下のＮ型の非晶質珪素膜とをエッチングすることにより、ソース電極とドレイン電極を分離形成して、薄膜トランジスタとなし」との工程は、本願発明の「前記金属と前記不純物を含んだ半導体層とを同時にエッチングしてスイッチング素子とする工程」に相当する。
　
　ウ．引用発明の「樹脂材料を用いて層間絶縁層を形成し、最後にコンタクトホールの形成を行い」なる工程は、樹脂材料を塗布して被膜を形成することが技術常識であることから、「樹脂材料を塗布して層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程」であるということができ、この点において、本願発明の「紫外線感光性樹脂を主成分とする平坦化樹脂層を全面に塗布する工程と、前記平坦化樹脂層にフォトリソグラフィーによりコンタクトホールを形成する工程」と一致する。
　
　エ．引用発明の「ＩＴＯを用いて画素電極を形成するとともに、上記コンタクトホールを介して薄膜トランジスタと接続する」は、ＩＴＯが酸化インジウムを含む透明導電膜であり、通常スパッタリングなどで堆積形成されることが技術常識にすぎないから、「コンタクトホールを介してスイッチング素子と接続されるよう、層間絶縁層の上面に酸化インジュウムから成る透明導電膜を堆積する工程と、前記透明導電膜にて画素電極を形成する工程」であるということができ、この点において、本願発明の「前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子と接続されるよう、前記平坦化樹脂層の上面に酸化インジュウムから成る透明導電膜を堆積する工程と、前記透明導電膜をエッチングして画素電極を形成する工程」と一致する。
　
　したがって、両者は、
「透明絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜、及び半導体層を堆積する工程と、不純物を含んだ半導体層を被着する工程と、ソース電極、及びドレイン電極となる金属を被着する工程と、前記金属と前記不純物を含んだ半導体層とを同時にエッチングしてスイッチング素子とする工程と、樹脂材料を塗布して層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子と接続されるよう、前記層間絶縁層の上面に酸化インジュウムから成る透明導電膜を堆積する工程と、前記透明導電膜にて画素電極を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。」
　で一致し、以下の点で相違する。
　
　[相違点１]
　層間絶縁膜が、本願発明では、「紫外線感光性樹脂を主成分とする平坦化樹脂層を全面に塗布する工程と、前記平坦化樹脂層にフォトリソグラフィーによりコンタクトホールを形成する工程」により形成されるのに対して、引用発明では、「樹脂材料を塗布して層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程」を有するものの、層間絶縁膜が紫外線感光性樹脂を主成分とする平坦化樹脂層であるか、コンタクトホールをフォトリソグラフィーにより形成するのかは、明らかでない点。
　
　[相違点２]
　酸化インジュウムから成る透明導電膜の形成方法に関し、本願発明では、「透明導電膜をエッチングして画素電極を形成する工程」を有し、「室温から２００℃の温度で前記酸化インジュウムから成る透明導電膜の成膜を行い、成膜後に、前記成膜時の温度以上で熱処理を行った後、前記透明導電膜をエッチングする」のに対して、引用発明では、透明導電膜の形成方法及び画素電極のパターニング方法が明らかではない点。
　
４．判断
　[相違点１]について
　紫外線感光性樹脂を主成分とする平坦化樹脂層を全面に塗布する工程と、前記平坦化樹脂層にフォトリソグラフィーによりコンタクトホールを形成する工程とからなる層間絶縁膜の形成工程は従来周知の技術である。
　必要であれば、特開平７−２０９６５９号公報（【００１１】，【図３】）及び特開平７−２０９６７０号公報（【０００６】〜【０００８】，【図１】）等を参照されたい。
　
　そして、引用発明は層間絶縁膜の上に画素電極を形成するものであって、刊行物１の図面には、層間絶縁膜１１０が平坦に描かれており（上記ｅ）、また層間絶縁膜上に形成される画素電極が平坦であるほうが望ましいことは当該分野における技術常識でもあるから、引用発明の層間絶縁膜を形成するにあたって、上記従来周知の紫外線感光性樹脂を主成分とする平坦化樹脂層を採用し、該平坦化樹脂層にフォトリソグラフィーによりコンタクトホールを形成する工程を施すことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　[相違点２]について　
　合成樹脂製の基板など、熱変形の虞がある素材上に酸化インジュウムから成る透明導電膜を形成するに際して、室温から２００℃程度の比較的低い成膜温度で酸化インジュウムから成る透明導電膜の成膜を行い、成膜後に上記成膜時の温度以上で熱処理を行なうこと、及び、その後、上記透明導電膜をエッチングして透明電極膜をパターン形成することは従来周知の技術である。
　必要であれば、特開平５−３４６５７５号公報（【００１５】〜【００１８】）、特開平６−１６０８７６号公報（【００２９】〜【００３８】）等を参照されたい。
　
　そして、引用発明は透光性を有する樹脂基板を用い、その上にＩＴＯを用いて画素電極を形成する工程を有するのであるから、引用発明が樹脂基板など、熱変形の虞がある素材上に適用するに適した上記周知技術を採用すべき動機は十分にあるというべきである。
　したがって、引用発明の酸化インジュウムから成る透明導電膜を形成するにあたって、上記従来周知の成膜法を採用し、その後、透明導電膜をエッチングして画素電極となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　また、本願発明によってもたらされる効果は、刊行物１に記載された事項及び従来周知の技術から予測し得る程度のものであって、格別とはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。