【事件の表示】
　平成　９年特許願第３１０８２６号「受発光素子とこれを用いた光学ピックアップ及び光ディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月２８日出願公開、特開平１１−１４４３０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許願（以下「本願」という。）は、平成９年11月12日に出願されたものであって、平成18年１月19日付けで拒絶すべきものである旨の査定がされ、これに対して、平成18年２月23日付けで拒絶査定不服審判が請求され、平成18年３月27日付けで手続補正がされたものである。
　
　
II．平成18年３月27日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　〔補正却下の決定の結論〕
　平成18年３月27日付け手続補正を却下する。
　
　〔理由〕
　１．平成18年３月27日付け手続補正の内容
　平成18年３月27日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするものであって、そのうち、特許請求の範囲は、
　−本件補正前−
「【請求項１】　第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に結晶成長面を上にして形成された第一の発光素子と、
　前記第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なる光ビームを出射するように配設された第二の発光素子と、
　これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段と
　を備えていることを特徴とする受発光素子。
【請求項２】　前記光分岐手段が、互いに平行な二面を有し、この二面と交差するように、各発光素子から出射された光ビームが入射する光路分岐面に形成された光ビームを分岐する光分離膜を有する、プリズムであることを特徴とする請求項１に記載の受発光素子。
【請求項３】　前記光分岐手段が、ホログラム素子であることを特徴とする、請求項１に記載の受発光素子。
【請求項４】　受発光素子と、
　この受発光素子の発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを前記受発光素子の受光素子に入射させる光集束手段と
　を含んでおり、
　前記受発光素子が、
　第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に結晶成長面を上にして形成された第一の発光素子と、
　前記第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なる光ビームを出射するように配設された第二の発光素子と、
　これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段と
　を備えていることを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項５】　光ディスクを回転駆動する駆動手段と、
　回転する光ディスクに対して光集束手段を介して光を照射し、光ディスクからの信号記録面からの戻り光を検出する光学ピックアップと、
　前記光集束手段を二軸方向に移動可能に支持する二軸アクチュエータと、
　光学ピックアップからの検出信号に基づいて、再生信号を生成する信号処理回路と、
　光学ピックアップからの検出信号に基づいて、光集束手段を二軸方向に移動させるサーボ回路と
　を含んでおり、
　前記光学ピックアップが、
　受発光素子を備えていて、
　前記光集束手段が、この受発光素子の発光素子から出射された光ビームを回転駆動される光ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを前記受発光素子の受光素子に入射させると共に、
　前記受発光素子が、
　第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に結晶成長面を上にして形成された第一の発光素子と、
　前記第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なる光ビームを出射するように配設された第二の発光素子と、
　これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段と
　を備えていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】　半導体基板上に形成された第一の発光素子と、
　この第一の発光素子の結晶成長面の上に、結晶成長面を下にして搭載された第二の発光素子と、
　を備えており、
　各発光素子が、互いに種類の異なる光ビームをほぼ平行に出射することを特徴とする、発光装置。
【請求項７】　各発光素子が、互いに異なる波長の光ビームを出射することを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】　各発光素子が、同じ波長帯で且つ強度の異なる光ビームを出射することを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】　発光装置と、
　この発光装置の発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを受光素子に入射させる光集束手段と
　を含んでおり、
　前記発光装置が、
　半導体基板上に形成された第一の発光素子と、
　この第一の発光素子の結晶成長面の上に、結晶成長面を下にして搭載された第二の発光素子と、
　を備えており、
　各発光素子が、互いに種類の異なる光ビームをほぼ平行に出射する
　ことを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項１０】　光ディスクを回転駆動する駆動手段と、
　回転する光ディスクに対して光集束手段を介して光を照射し、光ディスクからの信号記録面からの戻り光を検出する光学ピックアップと、
　前記光集束手段を二軸方向に移動可能に支持する二軸アクチュエータと、
　光学ピックアップからの検出信号に基づいて、再生信号を生成する信号処理回路と、
　光学ピックアップからの検出信号に基づいて、光集束手段を二軸方向に移動させるサーボ回路と
　を含んでおり、
　前記光学ピックアップが、
　発光装置を備えていて、
　前記光集束手段が、この発光装置の発光素子から出射された光ビームを回転駆動される光ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを受光素子に入射させると共に、
　前記発光装置が、
　半導体基板上に形成された第一の発光素子と、
　この第一の発光素子の結晶成長面の上に、結晶成長面を下にして搭載された第二の発光素子と、
　を備えており、
　各発光素子が、互いに種類の異なる光ビームをほぼ平行に出射する
 ことを特徴とする光ディスク装置。」
　
　−本件補正−
「【請求項１】　第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に結晶成長面を上にして形成された第一の発光素子と、
　前記第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なるビームを出射するように配設された第二の発光素子と、
　これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に
反射させる
を備え、
　
前記第一及び第二の発光素子から出射される光ビームの前記光分岐手段までの光路及び前記光分岐手段での反射位置はほぼ重なり合う
　ことを特徴とする受発光素子。
【請求項２】　前記光分岐手段が、互いに平行な二面を有し、この二面と交差するように、各発光素子から出射された光ビームが入射する光路分岐面に形成された光ビームを分岐する光分離膜を有する、プリズムであることを特徴とする請求項１に記載の受発光素子。
【請求項３】　前記光分岐手段が、ホログラム素子であることを特徴とする、請求項１に記載の受発光素子。
【請求項４】　受発光素子と、
　この受発光素子の発光素子から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを前記受発光素子の受光素子に入射させる光集束手段と
　を含んでおり、
　前記受発光素子が、
　第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に結晶成長面を上にして形成された第一の発光素子と、
　前記第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なる光ビームを出射するように配設された第二の発光素子と、
　これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段とを
備え、
　
前記第一及び第二の発光素子から出射される光ビームの前記光分岐手段までの光路及び前記光分岐手段での反射位置はほぼ重なり合う
　
こ
【請求項５】　光ディスクを回転駆動する駆動手段と、
　回転する光ディスクに対して光集束手段を介して光を照射し、光ディスクからの信号記録面からの戻り光を検出する光学ピックアップと、
　前記光集束手段を二軸方向に移動可能に支持する二軸アクチュエータと、
　光学ピックアップからの検出信号に基づいて、再生信号を生成する信号処理回路と、
　光学ピックアップからの検出信号に基づいて、光集束手段を二軸方向に移動させるサーボ回路と
　を含んでおり、
　前記光学ピックアップが、
　受発光素子を備えていて、
　前記光集束手段が、この受発光素子の発光素子から出射された光ビームを回転駆動される光ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを前記受発光素子の受光素子に入射させると共に、
　前記受発光素子が、
　第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に結晶成長面を上にして形成された第一の発光素子と、
　前記第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なる光ビームを出射するように配設された第二の発光素子と、
　これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段と
を備え、
　
前記第一及び第二の発光素子から出射される光ビームの前記光分岐手段までの光路及び前記光分岐手段での反射位置はほぼ重なり合う
　
こ
　
　２．補正の適否
　本件補正前の請求項１に係る発明が要件として備える「光分岐手段」についてみると、
「これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段」
とあったところ、本件補正では、
「これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に
反射させる
と、要するに、「光分岐手段」が、両発光素子から出射する光ビームに対して、本件補正前「所定の方向に導く」とされていたところ、補正後「所定の方向に
反射させる
　次に、請求項３に係る発明についてみると、本件補正前と本件補正において、いずれも、
「【請求項３】　前記光分岐手段が、ホログラム素子であることを特徴とする、請求項１に記載の受発光素子。」とあって、形式的に変わるところはない。
　しかしながら、請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明を引用するものであり、請求項１の記載と合わせみると、本件補正の請求項３に係る発明は、実質的に、「前記『これら第一及び第二の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に
反射させる
　
　そこで、願書に最初に添付した明細書又は図面についてみると、
　「ホログラム素子」を採用する事例は、【発明の詳細な説明】又は図面では、本発明による受発光素子の第二の実施形態に記載（【００４６】以下、【図１２】及び【図１３】参照）されている。
　ここでは、「ホログラム素子」は、両発光素子からの光ビームに対しては、「
そのまま透過させ
導く
　しかしながら、両発光素子からの光ビームに対して、所定の方向に「
反射させる
　結局、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものということはできない。
　
　３．本件補正についての結び
　したがって、本件補正は、特許法第17条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第159条第１項の規定において読み替えて準用する同法第53条第１項の規定により却下すべきものである。
　補足：本件補正による請求項３に係る発明が備える「ホログラム素子」は、光分岐手段として、発光素子から出射される光ビームを所定の方向に「
反射させる
　したがって、特許請求の範囲についてする本件補正の目的は、特許法第17条の２第４項各号に規定された目的のいずれにも該当しないものであり、この点においても結局、却下すべきものである。
　
　
III．本願発明について
　１．本願発明
　平成18年３月27日付けの手続補正は、上記II．で却下されたので、本願請求項１〜10に係る各発明は、平成17年６月27日付け手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜10に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記II．〔理由〕１．−本件補正前−の請求項１に記載されたとおりである。
　
　２．刊行物及びその記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−214102号公報（平成３年９月19日公開、以下「刊行物１」という。）、及び、実願平３−7579号（実開平４−105568号）のマイクロフィルム（平成４年９月10日公開、以下「刊行物２」という。）には、それぞれ以下の記載がある。
　(1)刊行物１
　刊行物１には、光ディスクいわゆるレーザーディスク、コンパクトディスク上の記録を読み出す光ピツクアップ等に用いられる光カプラーに係わる発明について、
　 (1-i)「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、例えば光集積回路に対するレーザー光の光カプラー例えばレーザー光によって、光ディスクいわゆるレーザーディスク、コンパクトディスク上の記録を読み出す光ピツクアップ等に用いられる光カプラーに係わる。」（１頁左下欄９〜14行）
　 (1-ii)「（実施例〕
　第１図を参照して本発明による光カプラーを用いて、光ピツクアップに適用する場合について説明する。
　すなわちこの場合、前述したように、光集積回路（光ＩＣ）を有する光ＩＣ基板(1)上に、この光ＩＣ基板(1)に形成されたフォトダイオードＰＤと所要の位置関係を保持して光カプラーを構成するプリズム(2)がマウントされる。また、この光ＩＣ基板(1)上には、半導体チップ(3)がマウントされる。この半導体チップ(3)上には、半導体レーザーＬＤが取着され、また、半導体チップ(3)には、半導体レーザーＬＤよりの光のその例えば後方に向う光を検出してレーザーＬＤのパワー制御を行う例えばＰＩＮ構造によるパワーモニター用のフォトダイオードＰＤＭが形成される。半導体レーザダイオードＬＤから発生させた光はプリズム(2)の光入射面(2a)で反射させてレンズ系(4)を介して、ビット情報を有する光ディスク(5)に照射させ、この情報に応じて変調された反射光をプリズム(2)の光入射面(2a)からプリズム(2)内に導入し、光ＩＣ基板(1)上の複数組のフォトダイオードＰＤに導入、すなわちカップリングさせ、これによって、記録情報変調されたレーザ光を検出して信号の読み出しを行うと共に、トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号等のサーボ信号をとり出すようになされている。」（２頁右下欄７行〜３頁左上欄15行）
　
　以上の摘示記載を、光ディスク、例えばいわゆるコンパクトディスク、レーザーディスク上の記録を読み出す光ピツクアップに適用する場合に着目して整理すると、刊行物１には、以下の発明が記載されているものと認める。
　「光集積回路（光ＩＣ）を有する光ＩＣ基板上に、
　この光ＩＣ基板に形成されたフォトダイオードＰＤと所要の位置関係を保持して光カプラーを構成するプリズムがマウントされ、
　この光ＩＣ基板上には、半導体チップがマウントされ、
　この半導体チップ上には、半導体レーザーＬＤが取着され、
　また、半導体チップには、半導体レーザーＬＤよりの光のその例えば後方に向う光を検出してレーザーＬＤのパワー制御を行う例えばＰＩＮ構造によるパワーモニター用のフォトダイオードＰＤＭが形成され、
　半導体レーザダイオードＬＤから発生させた光はプリズムの光入射面で反射させてレンズ系を介して、ビット情報を有する光ディスクに照射させ、
　この情報に応じて変調された反射光をプリズムの光入射面からプリズム内に導入し、光ＩＣ基板上の複数組のフォトダイオードＰＤに導入させ、
　これによって、記録情報変調されたレーザ光を検出して信号の読み出しを行うと共に、トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号等のサーボ信号をとり出すようになされている光ピックアップ。」
　　
　（２）刊行物２
　刊行物２には、光情報機器において、光ディスクの記録密度を向上させるために、複数本のレーザビームを出射するマルチビーム半導体レーザのビーム間隔を狭くすることが要求されていることに対応してなされ、さらにビーム間隔を狭くすることができるマルチビーム半導体レーザ装置に関する発明について、以下の記載がある。
　 (2-i)「【構成】夫々同一導電型の半導体基板上に活性層を含む発振層が形成された２つの半導体レーザチップを、各々のチップから出射されるレーザビームの軸を合わせて、各々の発振層側表面で互いに固着する。」（第１頁左下欄の【要約】）
　 (2-ii)「【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】夫々同一導電型の半導体基板上に活性層を含む発振層が形成された２つの半導体レーザチップを、各々の発振層側表面で互いに固着したことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。」（第２頁左上欄）
　 (2-iii)「【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本考案は、上記課題を解決するため、夫々同一導電型の半導体基板上に活性層を含む発振層が形成された２つの半導体レーザチップを、各々の発振層側表面で互いに固着したことを特徴とする。
【０００８】
　【作用】
　通常、基板上に活性層を含む発振層を形成した半導体レーザチップにおいては、活性層から発振層側のチップ表面までの距離は数μｍと薄い。従って、２つの半導体レーザチップを各々の発振層側で互いに固着することによって、２つの半導体レーザチップの活性層の間隔、即ちビーム間隔を、従来に比べより狭くすることができる。
【０００９】
　【実施例】
　図１に本考案装置の一実施例を示す。
【００１０】
　図において、（1a）は第１の半導体レーザチップ、（1b）は第２の半導体レーザチップで、本実施例装置においては、夫々同じレーザ構成を有する。以下にそのレーザ構成を説明する。
【００１１】
　（２）はｐ型GaAsからなる基板、（３）は基板（２）の一主面（2a）上に形成されたｎ型GaAsからなるブロック層で、ブロック層（３）にはレーザ共振器方向（図面垂直方向）に沿って、基板（２）まで達する深さのストライプ状のＶ字溝（４）が形成されている。
【００１２】
　（５）はＶ字溝（４）内を含んでブロック層（３）上に形成されたｐ型GaAlAsからなるｐ型クラツド層、（６）はｐ型クラツド層（５）上に形成されたアンドープGaAlAsからなる活性層、（７）は活性層（６）上に形成されたｎ型GaA1Asからなるｎ型クラツド層、（８）はｎ型クラツド層（７）上に形成されたｎ型GaAsからなるキャップ層である。
【００１３】
　（９）はキャップ層（８）上に形成されたｎ側電極、（10）は基板（３）の他主面（2b）上に形成されたｐ側電極である。
【００１４】
　（11）はInからなる融着材で、半導体レーザチップ（1a）（1b）は斯かる融着材（11）を介して各々のｎ側電極（９）（９）側、即ち発振層側で互いに固着されている。このとき、各チップはＶ字溝（４）を揃えて固着される。また、半導体レーザチップ（1a）は半導体レーザチップ（1b）に比してチップ幅を大きくし、後述するボンディングワイヤのボンディング領域を確保している。
【００１５】
　（12）はSiからなるヒートシンク、（13）はヒートシンク（12）上に設けられたInからなる融着村で、半導体レーザチップ（1a）はそのｐ側電極（10）側で融着材（13）を介してヒートシンク（12）上に固着される。
【００１６】
　（14）は半導体レーザチップ（1a）のｎ側電極（９）上にボンディングされたAuからなる共通ワイヤ、（15）は融着材（13）上にボンディングされたAuからなる第１独立ワイヤ、（16）は半導体レーザチップ（1b）のｐ側電極（10）上にボンディングされたAuからなる第２独立ワイヤである。
【００１７】
　而して、本実施例装置では、共通ワイヤ（14）と第１独立ワイヤ（15）との間、あるいは共通ワイヤ（14）と第２独立ワイヤ（16）との間に順バイアスを印加することによって、各チップを独立に駆動することができる。」
　 (2-iv)「【００２０】
　以上、本実施例においては、同じ構成の半導体レーザチツプを用いたが、異なるチップ、例えば縦モードがシングルモードのチップとマルチモードチップ、あるいは波長の異なるチップを組み合わせても良い。」
　
　上記摘示事項の記載を【図１】を参照し、波長の異なるチップを組み合わせたものに着目して整理すると、刊行物２には、以下の発明が記載されているものと認める。
　「Siからなるヒートシンク上に、第１の半導体レーザチップの基板面側を下に、活性層を含む発振層側を上にして固着すると共に、第１の半導体レーザチップの発振層側表面の上に、第１の半導体レーザチップと波長の異なる第２の半導体レーザチップを活性層を含む発振層側を下に、基板面側を上にして、各々のチップから出射されるレーザビームの軸を合わせて固着し、波長の異なる２つの半導体レーザチップを、各々の発振層側表面で互いに固着したマルチビーム半導体レーザ装置。」
　
　３．対比・判断
　(1)対比
　 本願発明と刊行物１記載の発明とを対比する。
　 a．刊行物１記載の発明におけるフォトダイオードＰＤ及び半導体レーザーＬＤが、それぞれ、本願発明における「受光素子」及び「発光素子」に相当することは明らかである。
　 b．刊行物１記載の発明における光集積回路（光ＩＣ）を有する光ＩＣ基板が、半導体基板で構成されることは自明である。また、刊行物１記載の発明における光ＩＣ基板上には半導体チップがマウントされ、更に半導体チップ上に半導体レーザーＬＤ及びパワーモニター用のフォトダイオードＰＤＭが取着されている。さらに、半導体チップが、半導体レーザーＬＤ及びパワーモニター用のフォトダイオードＰＤＭに対して、基板となっていることは明らかである。
　したがって、刊行物１記載の発明における光ＩＣ基板及び半導体チップが、それぞれ、本願発明における「第一の半導体基板」及び「第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板」に相当していることは明らかである。
　 c．刊行物１記載の発明におけるプリズムは、半導体レーザダイオードＬＤから発生させた光をプリズムの光入射面で反射させてレンズ系を介して、ビット情報を有する光ディスクに照射させ、光ディスクからの反射光をプリズムの光入射面からプリズム内に導入し、光ＩＣ基板上の複数組のフォトダイオードＰＤに導入させるものであるから、光ビームを出射する発光素子の数はともかく、本願発明における発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを受光素子に導く光分岐手段に相当していることは明らかである。
　
　結局、本願発明と刊行物１記載の発明との［一致点］及び［相違点］は以下のとおりである。
　［一致点］
「第一の半導体基板上に形成された受光素子と、
　前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に形成された第一の発光素子と、
　第一の発光素子から出射する光ビームを、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段と
　を備えていることを特徴とする受発光素子。」
　
　［相違点］
　イ．発光素子について、本願発明が種類の異なる光ビームを出射する２つの発光素子を備え、第一の発光素子をその結晶成長面を上にして第二の半導体基板上に形成し、第二の発光素子は、第一の発光素子上に結晶成長面を下にして搭載され且つ第一の発光素子とほぼ平行に種類の異なる光ビームを出射するように配設しているのに対して、刊行物１記載の発明では、発光素子は１つであって、第二の発光素子を考慮していない点。
　ロ．光分岐手段について、本願発明が第一の発光素子から出射する光ビームと同様に第二の発光素子が出射する光ビームについて、所定の方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビームを受光素子に導いているのに対して、刊行物１記載の発明では、第二の発光素子を考慮していない点。
　
　(2)判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　相違点イ．について
　光ディスクを用いた光情報機器において、複数本のレーザビームのビーム間隔を狭くするためになされた、
「Siからなるヒートシンク上に、第１の半導体レーザチップの基板面側を下に、活性層を含む発振層側を上にして固着すると共に、第１の半導体レーザチップの発振層側表面の上に、第１の半導体レーザチップと波長の異なる第２の半導体レーザチップを活性層を含む発振層側を下に、基板面側を上にして、各々のチップから出射されるレーザビームの軸を合わせて固着し、波長の異なる２つの半導体レーザチップを、各々の発振層側表面で互いに固着したマルチビーム半導体レーザ装置。」
という２つの半導体レーザチップの配置及び固着に関する発明が、刊行物２に記載（上記２．（２）刊行物２の記載 参照）されている。
　各々のチップから出射されるレーザビームの軸を合わせて固着していることから、レーザビーム同志は、ほぼ平行であることは明らかである。
　ここで、半導体レーザチップの発振層側表面とは、本願発明における発光素子の結晶成長面側の面であることは自明である。
　そして、光ディスク装置において、異なる規格又は種類の複数の光ディスクに対応し得るように、それぞれの光ディスクに対応して、例えば、波長が異なる、種類の異なる光ビームを出射する２つの発光素子を、同じ光学系を共通して使用できるように設けることは、周知（例：実願平２−405172号（実開平４−93922号）のマイクロフィルム，特開平８−17069号公報（【図11】【図12】【図14】等参照），特開平９−120568号公報（原査定の拒絶の理由での提示文献）等参照）であることから、刊行物１記載の発明でも、異なる規格又は種類の複数の光ディスクに対応し得るように、波長が異なる２つの発光素子を採用し、刊行物２記載のように配置・固着することは、当業者が格別の発明力を要すことなく、必要に応じて、適宜に採用し得る範囲内のことと認める。
　
　相違点ロ．について
　種類の異なる光ビームを出射する第二の発光素子を設ける場合、第二の発光素子が出射する光ビームに対しても、第一の発光素子が出射する光ビームに対すると同様に、所定の方向に導くと共に、戻り光ビームを同じ受光素子に導くことは、光分岐手段の機能として当然に採用し得る事項である（上記周知例参照）。
　
　結局、本願発明は、刊行物１，刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　また、上記での対比・判断で直接的に触れていないが、本願請求項６に係る発明（上記II．〔理由〕１．−本件補正前−の請求項６）は、上記III．２．（２）刊行物２に記載の発明と特段の相違はなく、当業者が、容易に発明し得たものと認める。
　
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明については、特許法第29条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。