【事件の表示】
　特願２００２−１０７２９６「気功検出・評価装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月２４日出願公開、特開２００３−３０２３７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１４年４月１０日の出願であって、平成１８年７月２１日付けで拒絶査定がされ、これに対し同年８月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１８年８月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．平成１８年８月８日付け手続補正
　平成１８年８月８日付け手続補正は、平成１８年１月１７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１
「　　【請求項１】　
（ａ）高感度磁界センサーと、
（ｂ）該高感度磁界センサーに接続される磁界波形表示・記録装置と、
（ｃ）前記高感度磁界センサーと並置される水充填容器と、
（ｄ）前記高感度磁界センサーと並置されるＰＢＳ充填容器と、
（ｅ）前記水充填容器に装備されるプローブ付き電気抵抗率計と、
（ｆ）前記ＰＢＳ充填容器に装備されるカルシウムイオン活性検出装置とを具備することを特徴とする気功検出・評価装置。」
を
「　　【請求項１】　
地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成に基づく気功検出・評価装置であって、
アナログ形の
（ｂ）該高感度磁界センサーに接続される磁界波形表示・記録装置と、
（ｃ）前記高感度磁界センサーと並置される水充填容器と、
（ｄ）前記高感度磁界センサーと並置されるＰＢＳ充填容器と、
（ｅ）前記水充填容器に装備されるプローブ付き電気抵抗率計と、
（ｆ）前記ＰＢＳ充填容器に装備されるカルシウムイオン活性検出装置とを具備することを特徴とする気功検出・評価装置。」（以下、「本願補正発明」という。）
と補正するものである。（下線は補正箇所を示す。）
　
２．理由１
　本願当初明細書には、以下の記載がある。
「　　【００１８】
  　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
　　　【００１９】
　図１は本発明の実施例を示す気功検出・評価装置のシステム構成図、図２はその気功検出・評価装置の高感度磁界センサーの構成図である。
　　　【００２０】
　この図において、１は高感度磁界センサー、２はその高感度磁界センサー１に接続される磁界波形観測記録用オシロスコープ、３は純水充填ガラスビン、４は電気抵抗率測定用プローブ、５は電気抵抗率測定用プローブ４に接続される電気抵抗率計、６はその自動記録装置（演算記録装置）、７はＰＢＳ充填ガラスビン、８はＰＢＳ充填ガラスビン７に接続されるカルシウムイオン活性検出装置、９は被験者（気功師）である。」
「　　【００２２】
　この気功検出・評価装置の高感度磁界センサー１は、以下のように構成されている。
　　　【００２３】
　図２に示すように、パルス電圧発生回路Ａは、２個のＣＭＯＳインバータＱ1 ，Ｑ2 とＲとＣからなる方形波電圧発振回路（マルチバイブレータ）１１と、その方形波電圧発振回路１１からの発振電圧をパルス電圧に変換する微分回路（Ｒｄ，Ｃｄ）１２、その微分回路１２からのパルス電圧を整形・増幅するＣＭＯＳインバータＱ3 からなる。発振周波数ｆは、ｆ＝０．１／ＲＣ〔Ｈｚ〕であり、１〜１０Ｈｚを得るためには、Ｒ＝５０ｋΩ、Ｃ＝５〜５０μＦを使用する。
　　　【００２４】
　パルス電圧発生回路Ｂは、２個のＣＭＯＳインバータＱ4 ，Ｑ5 と３ＲとＣからなる方形波電圧発振回路（マルチバイブレータ）１３と、その方形波電圧発振回路１３からの発振電圧を整形・増幅するＣＭＯＳインバータＱ6 からなる、発振周波数が０．５Ｈｚ程度の方形波発振回路であり、その正電圧半周期の出力電圧で、アナログスイッチＡＳ１４を開にしてパルス電圧発生回路Ａのパルス電流を導線コイル（直径１２ｃｍ、１００ターン巻）１５に印加し、ミリガウスのパルス磁界を発生させる。」
　また、【図２】には、本発明の実施例を示す気功検出・評価装置の高感度磁界センサーの構成図として、パルス電圧発生回路Ａ、パルス電圧発生回路Ｂ、アナログスイッチＡＳ１４、抵抗ＲＬ、誘導コイル１５のみからなる回路が示されており、いずれもアナログ回路により形成されていることが開示されている。
　
　「アナログ形の高感度磁界センサー」とはどのようなセンサーを言うのかについて、本願発明の明細書において特段の定義がされていないが、アナログ出力をするものを一般にアナログ型のセンサーというものと認められる。
　しかしながら、本願当初明細書には、高感度磁界センサー１について、スイッチとしてアナログスイッチＡＳ１４を用いること、パルス電圧発生回路ＡおよびＢがアナログ回路により形成されていることが読み取れるものの、高感度磁界センサー１の検出回路についての記載がなく、高感度磁界センサー１がアナログ形またはデジタル形のいずれであるのかについての開示がされていないし、デジタル形を用いずにアナログ形を用いることが自明であるともいえない。
　よって、高感度磁界センサーを「アナログ形の高感度磁界センサー」とする補正は、本願の出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲においてしたものではないので、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
３．理由２
（１）平成１８年８月８日付けの手続補正の目的
　また、仮に、パルス電圧発生回路等がアナログ型の回路で構成された高感度磁界センサーを「アナログ形の高感度磁界センサー」と称するものとすると、当該補正は、補正前の請求項１に係る発明の高感度磁界センサーに「アナログ形」との限定を付すものである。また、気功検出・評価装置について「地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成に基づく気功検出・評価装置」との限定を付すものである。このため、平成１８年８月８日付けの手続補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物に記載された発明
［引用例１］
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前の平成１２年８月２０日に頒布された、小牧昭一郎ら,「直交３軸センサー配置による生体周辺の磁気の測定・第２報」, サイ科学, Vol.22, No.1, p.6-20 （以下「引用例１」という。）には、以下の記載が認められる。
（ａ）「１・はしがき
　1996年に筆者は昭和大学医学部第１生理学教室で生体周辺の磁気観察実験に立ち会った。ここで生体周辺に発生する磁気を間近に見て以来、この事実を正確に把握することを目標として測定系を準備し、直角座標軸をなす３つの磁気フラックスゲート方式センサーとその測定系を被験者の身体周辺に置き、その磁界の大きさと方向、時間的経過を観察した。これに関して報告する。」（第６頁下から７行目〜下から３行目）
（ｂ）「３・測定システムの選択について
　今までの実験的な事実としての見解であが、測定しようとする磁界は気功に付随するものと見てほぼ間違いない。
　気功に関する各種の物理的な測定結果、要因として、脳波、心電図、脈拍、体外への輻射線、電磁波、遠赤外線、光、音波、電界などについての諸報告があり、その低周波領域に特長を見いだす観測結果が多い。磁気に関してもその周波数成分について分析した事例は少ないが、磁束密度の時間経過を記録したデータはいくつかあり、それらには高い周波数成分（１ＫＨｚ以上）は見られない。もっとも観測系の周波数特性などを明確にしての観測報告がほとんどないためもあるようである。
　反対に低域は地磁気も含めて直流成分まで観察する必要があると見られる。いくつかの事例から磁界の周波数成分は0.01〜10Hz程度であり、上限は100Hz程度まで観察すればとりあえずはよいと判断した。
　測定方式は表題のように磁気フラックスゲート方式とした。図１はその測定ユニットの外観、図２に測定システムのブロックダイアグラムを示す。このユニットにはセンサーが直交３軸（ＸＹＺ軸）方向に配置されている。
　またこのような３軸方向磁界の測定上からもセンサー自身が小さなものが便利である。感度はできれば少なくとも１ｍＧ程度まで測定できることが望ましい。このような事情から磁気フラックスゲート方式のセンサーとなった。採用したセンサーユニットの本体であるコイルは1.7φ×10mmであり、大変小さい。このセンサーからの信号をＡＤ変換し、デジタルデーターとしてコンピューターに記録し、これをグラフにして評価する。」（第７頁第６行〜下から２行目）
（ｃ）「４・測定の状況・方法
　被験者はクライアントを前にしてクライアントの両手に手を軽く当て、指先の方から掌の方へと軽く触って行く。その途中でツボがあると彼は「ここにある」と表現する。両手の間には簡易測定器を置き（図４、４ページ参照）、その指針が激しく動いたりするのがそばで見ているスタッフにはわかり、磁気が発生したということがはっきりわかる。このような状況下で図１のセンサーユニットを被験者の手の近く、右手側に置き測定する。その出力信号をＡＤコンバーターに導き、さらにその出力信号をパソコンに導入して記憶させ、測定を一端終了させて表計算ソフトなどでグラフを作成し記録結果を確認する、という方法となった。
　ＡＤコンバーターでのデーターサンプリング速度は今回は約2.3ms（約430Hz）程度となった。記録速度はこの程度で十分と思われる。」（第８頁第２３〜３２行）
（ｄ）「５．２　結果概略
1)図11,12,51,62を見てわかるように 各軸の波形はいろいろな姿をしており、発生磁気の方向と大きさ、ともに一様な方向を保っているということはない。異常磁気（地磁気成分を除く）の磁束密度は図12のＹ軸でピーク約0.48Ｇ、図62 Ｚ軸で約0.18Ｇに達した。」（第９頁下から７行目〜下から４行目）
　これらの記載によると、引用例１には
「生体周辺に発生する磁気を正確に把握し、気功に付随する磁界を測定し、グラフにして評価するものであり、周波数成分は0.01〜10Hz程度であり少なくとも１ｍＧ程度までの磁界が測定できることが望ましいセンサーと、出力信号を導入して記憶させグラフを作成し記録結果を確認するパソコンを配置した測定システム。」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されているものと認められる。
　
［引用例２］
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前の平成１３年１２月３日に頒布された、毛利佳年雄ら, 「ミリガウスパルス磁界トリガによる水の電気抵抗率の漸減現象とリン酸緩衝液の生体効果」, 電気学会研究会資料, MAG-01-190〜199, p.7-10 （以下、「引用例２」という。）には、以下の記載が認められる。
（ａ）「１．はじめに
　著者らは、生体の生命活動の場を形成している水分子が微小磁界によって活性化されることを予見し、今回超純水の電気抵抗率が、高さがミリガウス、周波数が数ヘルツの微弱パルス磁界を数秒間印加した後、数時間、数日に亙ってゆっくり減少していく新しい現象を見出した。」（第７頁左欄第１８〜２４行）
（ｂ）「さらに、ミリガウスパルス磁界を人体の体液と等価なリン酸緩衝液（ＰＢＳ）に印加した後数時間経過すると、ＰＢＳ内における白血球（好中球）の異物貪食能および細胞内へのカルシウムイオン（Ｃａ２＋）取り込み能（Ｃａ２＋ウェーブ）が、磁界を印加しないＰＢＳの場合に比して約３倍向上し、免疫力及び生命活性が顕著に高まることが分かった。」（第７頁左欄第３３〜３９行）
（ｃ）「２．ミリガウスパルス磁界と水の電気抵抗率変化
　１回の測定には常に比較測定のために２本の３００ｍｌ試料ビンを用意し、超純水製造装置（オルガノ（株）ピューリックＦＰＣ−０５００，１８．１ＭΩ・ｍ）から十分溢れさせて充填した後密栓して数時間磁気シールドボックス内に静置する。その後２本のビンにそれぞれガラス電極形水素イオン濃度指示計（東亜ディーケーケー（株）ｐＨ／ＥＣｍｅｔｅｒＷＭ−２２ＥＰ）のプローブを挿入してビン口をサランラップで密閉する（図１（ａ））。電気抵抗率計の値がほぼ定常に達した時点で、１本のビンを磁気シールドボックスから取り出しヘルムホルツコイル内で垂直にミリガウスパルス磁界を印加（図１（ｂ））した後、再び磁気シールドボックス内に戻し、電気抵抗率を測定する。２本の試料ビンは、必要に応じて磁気シールドボックス内に設置したものを高温高湿装置内に設置し、環境設定を行う。
　図２は、各２本の超純水試料ビンのうち１本にミリガウスパルス磁界を印加した後の電気抵抗率の時間変化特性を測定した結果である。水分子の状態は、水温、環境空気気温、気圧、湿度などによって敏感に変化するので、測定年月日、水温、気温も同時に記録した。５、７、８、９月の測定例を示す。いずれも、微小パルス磁界を印加した後、電気抵抗率は約３０分で１０％、３時間で２０−３０％、１０−２０時間で４０−５０％のゆっくりした減少率を示した。一方、磁界を印加しない超純水試料（Control）の電気抵抗率は、時間とともにわずかに増加した後一定になるか、減少する場合でもその減少率はわずかである。」（第７頁右欄第１〜２８行）
　これらの記載によると、引用例２には、
「ミリガウスパルス磁界を数秒間印加した後、超純水試料ビンの電気抵抗率がゆっくりした減少率を示し、ＰＢＳ内における白血球の細胞内へのカルシウムイオン取り込み能が向上する現象が生じること。」が開示されているものと認められる。
　
［引用例３］
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前の平成１４年４月１日に頒布された、蔡長梅ら, 「正帰還回路によるアモルファスワイヤCMOS ICスイッチ形MI磁界センサ」, 日本応用磁気学会誌, Vol.26, No.4, 2002, p.551-554（以下、「引用例３」という。）には、下記の記載が認められる。
「３．正帰還回路によるスイッチ形MI磁界センサ
　Fig.2は，MIチップとCMOSマルチバイブレータで構成した正帰還スイッチ形MI磁界センサ回路を示す．CMOSインバータマルチバイブレータからの方形波出力電圧を微分回路を通じてパルス電圧に変換し，別のCMOSインバータで成形した後アモルファスワイヤに高さ約13mA，立ち上がり時間約10nsのパルス電流を通電している．このワイヤの円周方向磁束変化（・・・）をピックアップコイルでパルス電圧ｅｐとして検出し，アナログスイッチとピークホールド回路で同期検波し，アンプで増幅してセンサ出力Ｅoutとしている．この回路で正帰還は出力電圧に比例した磁界Ｈｆを外部印加磁界Ｈｅｘと同方向に発生させることであり，アモルファスワイヤの帰還巻線（巻回数Ｎｆ）に巻線のインピーダンスより十分大きな帰還抵抗Ｒｆを介してＥoutに比例する電流Ｉｆ＝Ｅout／Ｒｆを通電し，Ｈｆ＝ＮｆＥout／ＩＲｆとしている．Fig.3で，ＥＰはΔＨがＨｐより小さい範囲ではΔＨに直線的に比例し，Ｈｐ以上では勾配が負になることが分かる．このMIチップの折線特性により，交流磁界に対するスイッチ動作は安定であり，ジッタは発生しない．」（第５５２頁左欄第２０行〜同頁右欄第９行）
　この記載によると、引用例３には、
「CMOSインバータマルチバイブレータを有し、アナログスイッチとピークホールド回路で同期検波し、アンプで増幅してセンサ出力Ｅoutとするスイッチ形MI磁界センサ。」が開示されているものと認められる。
　
［引用例４］
　特開２０００−２５８５１７号公報（以下、「引用例４」という。）には、下記の記載が認められる。
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小磁界を温度安定性が高く、かつ、高感度・高速応答で検出する磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサに関するものである。」
（ｂ）「【００２１】図１は本発明の第１実施例を示す磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩ）センサ回路の構成図である。
【００２２】この図において、１は０磁歪アモルファスワイヤ、２はＭＩ素子、３はＱ1 ，Ｑ2 ，Ｑ3 ，Ｑ4 ，Ｑ5 ，Ｑ6 （例えば、７４ＡＣ０４）のＣ−ＭＯＳインバータとＣＲ微分回路からなる電源回路、４はアナログスイッチ（例えば、７４ＨＣ４０６６）、５は０磁歪アモルファスワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル、６はアンプ（例えば、ＡＤ５２４）、７は帰還コイル、Ｒ1 は５１０ｋΩ、Ｒ2は３ｋΩ、Ｒ3 は２００ｋΩ、Ｒ4 は１Ω、Ｒ5 は５．１ｋΩ、Ｒ6 は２ｋΩ、Ｒ7 は２ｋΩ、Ｒ8 は３ｋΩ、Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 は１００ｐＦである。
【００２３】この図に示すように、この実施例の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩセンサ）回路は、２ｍｍ長、３０μｍ径の０磁歪アモルファスワイヤ１の両端に半田付けで電極を形成したＭＩ素子２をヘッドとし、ＣＭＯＳマルチバイブレータとＣＲ微分回路からなる電源回路３で発生させた立ち上がり時間約５ｎｓのパルス電流をＭＩ素子２に印加し、このＭＩ素子２の周回方向に巻回された４０ターンのコイル５の誘起電圧を検出するように構成している。
【００２４】上記０磁歪アモルファスワイヤ１は、厳密にはわずかに負の磁歪（−１０-7）を持ち、張力アニールによって円周方向に異方性が誘導されているワイヤである。したがって、ワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈexが０の場合は、ワイヤ１の通電パルス電流による磁束の変化は円周方向のみであって、ワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル５との鎖交磁束が０であり、このコイル５の誘起電圧は０である。
【００２５】外部磁界Ｈexが印加されると、ワイヤ１の磁化ベクトルがワイヤ軸方向に傾斜し、通電パルス電流による円周方向の磁界によって磁化ベクトルが円周方向に回転する。この時の磁束変化のワイヤ軸方向成分がコイル５と鎖交し、コイル５に誘起電圧が発生する。このコイル５の誘起電圧の符号は外部磁界Ｈexの符号と逆になる。ワイヤ１は表皮効果のため磁壁の移動が抑制され、磁化ベクトルの回転のみが生じる。この磁化動作のため、この回路構成におけるコイル５の誘起電圧は、従来のようにバイアス磁界を印加することなく、外部磁界Ｈexに比例した電圧となり、リニア磁界センサの特性を表す。
【００２６】しかし、急峻なパルス電流による鎖交磁束の急激な変化のため、誘起電圧波形は純粋なパルス電圧波形でなく、コイル５の浮遊容量によるＬＣ振動波形となる。この振動波形の第１パルス波形のみが外部磁界Ｈexに比例して高感度に変化するため、高感度磁界センサを構成するためには、第１のパルス波形のみを抽出する必要がある。ここでは、アナログスイッチ４によって、第１のパルス波形のみを抽出する。」
　これらの記載によると、引用例４には、
「Ｃ−ＭＯＳインバータとＣＲ微分回路からなる電源回路、アナログスイッチにより構成され、リニア磁界センサの特性を表す、高感度・高速応答で検出する磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ。」が開示されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「センサー」は、少なくとも１ｍＧ程度まで測定できるものであるから本願補正発明の「高感度磁界センサー」に相当する。また、引用例１発明の「パソコン」は、出力信号を導入して記憶させ、グラフを作成し記録結果を確認するものであるから、本願補正発明の「高感度磁界センサーに接続される磁界波形表示・記録装置」に相当する。さらに、引用例１発明の測定システムは、生体周辺に発生する磁気を正確に把握し、気功に付随する磁界を測定し、グラフにして評価するものであるから、本願補正発明の「気功検出・評価装置」に相当するものである。
　したがって、両者は、
「（ａ）高感度磁界センサーと、
（ｂ）該高感度磁界センサーに接続される磁界波形表示・記録装置と、
を具備する気功検出・評価装置。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］気功・評価装置が、本願補正発明は、「地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成に基づく」とされているのに対し、引用例１発明ではどのような原理に基づいているのか特定されていない点。
［相違点２］高感度磁界センサーが、本願補正発明ではアナログ形であるのに対し、引用例１発明ではアナログ形と記載されていない点。
［相違点３］本願補正発明は、（ｃ）前記高感度磁界センサーと並置される水充填容器と、（ｄ）前記高感度磁界センサーと並置されるＰＢＳ充填容器と、（ｅ）前記水充填容器に装備されるプローブ付き電気抵抗率計と、（ｆ）前記ＰＢＳ充填容器に装備されるカルシウムイオン活性検出装置とを具備するのに対し、引用例１発明はこれらの構成を具備していない点。
　
（４）検討
［相違点１］について
　まず、「地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成」とは、一般に知られた現象ではないため、どのような現象を示すものであるかについて検討すると、本願明細書段落【００１３】において、「本発明は、上記した状況を鑑みて、生命効果に関する気功の本質は、ミリガウスオーダーのパルス状の磁界による水分子や生命イオン等への改質効果（地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成）にあるとの知見に基づいて、気功の検出と評価を的確に行うことができる気功の検出・評価装置を提供することを目的とする。」と説明されている。この記載によれば、「地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成」は、ミリガウスオーダーのパルス状の磁界による水分子や生命イオン等への改質効果のことを示し、気功の本質を表す現象である。そうすると、地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成に基づく気功検出・評価装置」とは、気功の本質を表す現象に基づく気功検出・評価装置を意味するものと解釈できる。してみると、引用例１発明は、気功を磁気を測定することにより検出・評価する装置であるから、両者は共に気功の本質を表す現象に基づく気功・評価装置であると言える。
　したがって、両者の表現は異なるものの、この点において実質的な差異があるとは認められない。
　
［相違点２］について
　引用例１発明において用いられるセンサーは、少なくとも１ｍＧ程度まで測定できるものであればよく、デジタル形またはアナログ形という形式に依存するものではない。そして、引用例３および引用例４に開示されているように、パルス電圧発生回路等がアナログ型の回路で構成された高感度磁界センサーは従来より周知であるから、引用例１発明のセンサーとして、周知のアナログ形センサーを採用することは、当業者が適宜選択しうることである。
　
［相違点３］について
　引用例２に開示されているように、ミリガウスパルス磁界の印加により、超純水試料ビンの電気抵抗率および、ＰＢＳ内の白血球のカルシウムイオン取り込み能が変化することは本願出願前にすでに知られていたことである。気功に付随する磁界を測定しようとする引用例１発明において、気功を磁気として観測する際の磁界の周波数成分は0.01〜10Hz程度であり、感度は１ｍＧ程度まで測定できることが望ましいこと、つまり気功により発生する磁界がミリガウスパルスであることが示されているのであるから、ミリガウスパルス磁界の印加により生じることが知られている現象を、気功の磁気の測定に利用しようとすることは当業者ならば容易に想到しうることである。
　したがって、引用例１発明において、気功により発生する磁界を測定するために、ミリガウスパルス磁界により生じる超純水試料ビンの電気抵抗率の変化および、ＰＢＳ内の白血球のカルシウムイオン取り込み能の変化を測定するために必要である、水充填容器、ＰＢＳ充填容器、プローブ付き電気抵抗率計、カルシウムイオン活性検出装置を並置して用いることは、当業者が容易になしうることである。
　
４．むすび
　以上のとおり、１８年８月８日付けの手続補正書による補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第３項に規定に違反するか、または平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
１．本願発明の認定
　平成１８年８月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されることとなったので、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年１月１７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「　　【請求項１】　
（ａ）高感度磁界センサーと、
（ｂ）該高感度磁界センサーに接続される磁界波形表示・記録装置と、
（ｃ）前記高感度磁界センサーと並置される水充填容器と、
（ｄ）前記高感度磁界センサーと並置されるＰＢＳ充填容器と、
（ｅ）前記水充填容器に装備されるプローブ付き電気抵抗率計と、
（ｆ）前記ＰＢＳ充填容器に装備されるカルシウムイオン活性検出装置とを具備することを特徴とする気功検出・評価装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物と、その記載事項は、前記II．３．（２）に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明における高感度磁界センサーについての「アナログ形」とする限定および、気功検出・評価装置についての「地磁気中サイクロトロン共振による水分子クラスターの長距離プロトントランスポートの増殖的形成に基づく」とする限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記II．３．（３）、（４）に記載したとおり、引用例１，２に記載された発明および引用例３，４に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び引用例３，４に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明についての判断を示すまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。