【事件の表示】
　平成　７年特許願第１５９２４２号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　１月１０日出願公開、特開平　９−　　５６９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件審判請求に係る出願は、平成　７年　６月２６日の出願（特願平７−１５９２４２号）であって、平成１６年　５月２６日付けで拒絶理由が通知（発送：平成１６年　６月　１日）され、平成１６年　７月２８日に拒絶理由に対する意見書と補正書が提出され、平成１７年　１月２４日付けで拒絶査定（発送：平成１７年　２月　１日）がなされ、これに対し、平成１７年　３月　３日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年　３月３１日に補正書が提出されたが、この補正は、当審で平成１９年　７月２５日付け（発送：平成１９年　８月　７日）で、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項に規定する要件を満たしていないので、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下した。その後、平成１６年　７月２８日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に係る発明に対して、平成１９年　８月　７日付け（発送：平成１９年　８月１５日）で特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨の拒絶理由を通知し、それに対して、意見書と補正書が平成１９年１０月１５日付けで提出され、さらに、平成１９年１０月１５日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に係る発明に対して、平成１９年１１月２７日付け（発送：平成１９年１２月　４日）で特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨の拒絶理由を通知し、それに対して、意見書と補正書が平成２０年　１月３０日付けで提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２０年　１月３０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　
「基板に対して、高温状態で使用する薬液、精密な温度調節が必要な薬液、または、高濃度の状態で使用する薬液による第１薬液処理を施す少なくとも１つの薬液専用処理槽と、
　基板に水洗処理を施す水洗槽と、
　基板に対して、高温に維持する必要がなく、精密な温度調節が必要なく、かつ、高濃度に維持する必要がない薬液による第２薬液処理と、水洗処理と、乾燥処理と、を施す多機能処理槽と、
　上下動および横行可能に設けられた第１リフタヘッドを有し、前記第１リフタヘッドに保持された基板を前記薬液専用処理槽および水洗槽のそれぞれに浸漬する第１基板浸漬機構と、
　上下動可能な第２リフタヘッドを有し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を前記多機能処理槽に浸漬する第２基板浸漬機構と、
　前記第１および第２基板浸漬機構の上方に、基板を把持しつつ移動可能に設けられており、前記第１および第２基板浸漬機構側に基板を移載するとともに、前記第１および第２基板浸漬機構側から基板を受取る搬送機構と、を備え、
　（ｉ）　前記第１基板浸漬機構の第１リフタヘッドに保持された基板に対して、前記薬液専用処理槽における前記第１薬液処理が施され、かつ前記水洗槽における水洗処理が施され、前記第１リフタヘッドから前記搬送機構に基板を受け渡すとともに、前記搬送機構から前記第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に前記第２薬液処理および水洗処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施すことにより、基板に対して一連の第１処理を施すこと、および
　（ｉｉ）　前記第１基板浸漬機構の第１リフタヘッドに保持された基板に対して、前記薬液専用処理槽における前記第１薬液処理が施され、かつ前記水洗槽における水洗処理が施され、前記第１リフタヘッドから前記搬送機構に基板を受け渡すとともに、前記搬送機構から前記第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に水洗処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施すことにより、基板に対して一連の第２基板処理を施すこと、のそれぞれが可能であることを特徴とする基板処理装置。」
　     　
３．平成１９年１１月２７日付け（発送：平成１９年１２月　４日）拒絶理由で引用した刊行物１〜８及びその記載事項
　
刊行物１：特開平７−１３０６９８号公報（平成７年５月１９日公開）
刊行物２：特開平６−６９１７９号公報
刊行物３：特開平５−２９９４０５号公報
刊行物４：特開平５−１３３９３号公報
刊行物５：特開平７−１３０６９９号公報（平成７年５月１９日公開）
刊行物６：特開平６−１１２１８１号公報
刊行物７：特開平５−３３５４０１号公報
刊行物８：特開平６−１６３４９２号公報
　
（１）刊行物１には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「【産業上の利用分野】　この発明は、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板を薬液及び純水で洗浄処理し、その後に基板表面を乾燥処理するのに使用される基板の表面処理装置に関する。」（第【０００１】段落）
　
イ．「【発明が解決しようとする課題】　・・・・従来の洗浄装置では、最終リンス処理が終わった基板を乾燥し終えるまでの間、基板は大気に曝されることになる。ところが、最終リンス処理された基板の表面が濡れた状態で大気に曝されると、基板表面にパーティクルが付着し易くなり、また炭酸ガス、酸素等のガスが吸着し易くなる。・・・・最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了するまでの間、基板が大気に触れないようにして、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着を無くし、膜汚染による歩留りの低下を防ぐことができる基板の表面処理装置を提供することを目的とする。」（第【０００４】段落〜第【０００６】段落）
　
ウ．「【課題を解決するための手段】　この発明は、所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを一体のリンス・乾燥処理装置により構成したことを要旨とする。・・・・」（第【０００７】段落）
　
エ．「・・・・洗浄・乾燥処理部１２は、３つの薬液洗浄槽１８、２０、２２、３つの純水洗浄槽２４、２６、２８及びリンス・乾燥処理装置３０を、各薬液洗浄槽１８、２０、２２の後方に隣接して各純水洗浄槽２４、２６、２８がそれぞれ配置され第３番目の純水洗浄槽２８に隣接してリンス・乾燥処理装置３０が配置されるように、一列に連設して構成されている。そして、例えば、第１番目の薬液洗浄槽１８にはアンモニア水及び過酸化水素水の混合溶液が収容され、第２番目の薬液洗浄槽２０にはフッ酸が収容され、第３番目の薬液洗浄槽２２には塩酸及び過酸化水素水の混合溶液が収容されており、また、各純水洗浄槽２４、２６、２８には純水がそれぞれ収容されている。・・・・リンス・乾燥処理装置３０は、リンス槽３６及びこのリンス槽３６の上部外周に設けられた溢流水受け部３８を有しており、それらの上方空間を閉鎖的に包囲するように、密閉可能な開閉蓋４２を有する密閉チャンバ４０を備えている。・・・・密閉チャンバ４０には、有機溶剤の蒸気、例えばイソプロピルアルコールの蒸気を密閉チャンバ４０内へ供給するための蒸気供給口が形設されており、蒸気供給口は蒸気供給用管路を介してアルコール蒸気供給源に流路接続されている。・・・・・さらに、密閉チャンバ４０には、排気口が形設されており、排気口は排気手段、例えば水封式真空ポンプに流路接続されていて、その排気口を通して密閉チャンバ４０内を真空ポンプで排気することにより、密閉チャンバ４０内を減圧することができる。また、図示を省略しているが、密閉チャンバ４０の内部には、基板Ｗを昇降させる基板昇降機構が設けられており、この基板昇降機構により、基板をリンス槽３６の上方位置とリンス槽３６内部位置との間で昇降移動させることができるようになっている。」（第【００１０】段落、第【００１１】段落）
　
オ．「・・・・基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して第１番目の薬液洗浄槽１８内へ送入されて、薬液洗浄槽１８内部の基板保持具に保持される。・・・・薬液洗浄槽１８内の薬液中に基板Ｗが浸漬されることにより、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれる。薬液洗浄槽１８で洗浄処理された複数枚の基板Ｗは、再び基板搬送ロボット１６へ受け渡され、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して第１番目の純水洗浄槽２４内へ送入されて、純水洗浄槽２４内部の基板保持具に保持される。・・・・純水洗浄槽２４内の純水の上昇水流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗの表面が水洗される。同様にして、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗを一括して第２番目の薬液洗浄槽２０、第２番目の純水洗浄槽２６、第３番目の薬液洗浄槽２２、第３番目の純水洗浄槽２８へと順次搬送しながら、薬液による洗浄及び純水による水洗を繰り返す。そして、第３番目の純水洗浄槽２８での水洗が終わった複数枚の基板Ｗは、基板搬送ロボット１６により一括してリンス・乾燥処理装置３０へ搬送される。リンス・乾燥処理装置３０の密閉チャンバ４０内に複数枚の基板Ｗが一括して搬入され、基板昇降機構によって昇降自在に支持された基板保持具へ複数枚の基板Ｗが一括して受け渡されると、開閉蓋４２が閉塞されて密閉チャンバ４０内が密閉される。・・・・リンス槽３６の内部に純水４４の上昇水流が形成されている。複数枚の基板Ｗが一括して基板保持具に保持されると、基板昇降機構を作動させて、基板Ｗを下降させ、リンス槽３６内の純水４４中に基板Ｗを浸漬させ、純水４４の上昇水流中に基板Ｗを所定時間置くことにより基板Ｗを最終的にリンス処理する。これにより、基板Ｗの表面が完全に清浄化される。基板Ｗの最終リンス処理が終了すると、基板昇降機構を作動させて、基板保持具に保持された基板Ｗを上昇させ、基板Ｗをリンス槽３６内の純水４４中から引き上げる。そして、純水４４中から基板Ｗを引き上げ始めるのと同時に、蒸気供給用管路を通して密閉チャンバ４０内へ蒸気供給口からアルコール蒸気を送り込んで、純水４４中から引き上げられている途中の基板Ｗの周囲へアルコール蒸気を供給する。このアルコール蒸気の供給は、少なくとも純水４４中からの基板Ｗの引上げが完全に終了するまで行なう。純水４４中からの基板Ｗの引上げが終了すると、リンス槽３６への純水の供給を停止させ、同時に、リンス槽３６内の純水を排出する。また、リンス槽３６から純水を排出し始めるのと同時に、水封式真空ポンプを作動させて密閉チャンバ４０内を真空排気し、密閉チャンバ４０内を減圧状態にすることにより、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコールを蒸発させて基板Ｗを乾燥させる。」（第【００１３】段落、第【００１４】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物１には、次の発明が記載されている。
　
　基板Ｗに対して、洗浄処理を施す第１番目の薬液洗浄槽１８にはアンモニア水及び過酸化水素水の混合溶液が収容され、第２番目の薬液洗浄槽２０にはフッ酸が収容され、第３番目の薬液洗浄槽２２には塩酸及び過酸化水素水の混合溶液が収容された３つの薬液洗浄槽と、
基板に水洗処理を施す純水洗浄槽２４、２６、２８と、
基板に対して、純水によるリンス処理を行うリンス槽３６と、リンス槽３６の上方空間を閉鎖的に包囲するように、密閉可能な開閉蓋４２を有する密閉チャンバ４０を備えた基板Ｗを乾燥させる密閉チャンバ４０からなるリンス・乾燥処理装置３０と、
上下動および横行可能に設けられた基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して一番目の薬液洗浄槽１８内へ送入されて、薬液洗浄槽１８内部の基板保持具に保持され、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれ、薬液洗浄槽１８で洗浄処理された複数枚の基板Ｗは、再び基板搬送ロボット１６へ受け渡され、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して一番目の純水洗浄槽２４内へ送入されて、純水洗浄槽２４内部の基板保持具に保持され、純水の上昇水流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗの表面が水洗され、同様の処理を三番目まで行う機構と、
上下動可能な基板昇降機構を有し、基板昇降機構の基板保持具に保持された基板をリンス・乾燥処理装置３０のリンス槽３６内の純水４４中に基板Ｗを浸漬し、基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施す機構と、
基板搬送ロボット１６は、第三の純水洗浄槽２８の処理を終えた基板Ｗを保持し、リンス・乾燥処理装置３０の基板昇降機構側に基板を移載するとともに、基板保持具および基板昇降機構側から基板を受取る機能を有する搬送機構と、を備えた基板の表面処理装置。
　
（２）刊行物２には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「【実施例】　以下に、本発明にかかる実施例を図１に基づいて詳細に説明する。本実施例にかかる高温処理液循環システムは、図１に示すように、例えば１５０〜１７０℃のリン酸等の高温処理液２を収納する処理槽１はその周囲にオーバーフロー槽３を備え、該オーバーフロー槽３の底部はポンプ４、フィルタ５、処理液降温防止用インラインヒータ６を介して処理槽１の底部に接続されて高温処理液循環ライン７を構成している。すなわち、本システムは、リン酸循環温調システムを搭載しているナイトライド除去装置に関するものである。・・・・」（第【０００８】段落）
　
　また、刊行物２には、図１及び符号の説明を参照すると、処理槽１の処理液２によって、ウエハ１３に処理を施す装置が記載されている。
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物２には、次の発明が記載されている。
　
　基板に対して、高温状態で使用する薬液による薬液処理を施す１つの処理槽１を設け、高温の処理液は、リン酸であり、処理槽１から処理液２を導き出し、導き出された処理液２を再び前記処理槽１に導入する処理液２の高温処理液循環ライン７と、前記高温処理液循環ライン７に設けられ、処理液２の温度調整を行う処理液降温防止用インラインヒータ６と、を備える高温処理液循環システム。
　
（３）刊行物３には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「【産業上の利用分野】　本発明はウエットエッチング処理に使用される洗浄装置に関する。更に詳細には、本発明はエッチング洗浄液の液温を設定温度に急速に立ち上げ、該温度に安定化させることのできる洗浄装置に関する。」（第【０００１】段落）
　
イ．「エッチング技術には溶液を用いるウエットエッチング法があるが、これは、レジストによるパターンが形成されている基板をエッチング液中に浸けて、レジストの付いていない部分を化学的に溶解して除く方法である。ウエットエッチングは、エッチングレートの材料選択性が大きく、処理能力も高い。また、装置が安価であるという利点もある。このため、〜０．３μｍ程度までの微細パターン加工に広く用いられている。
　ウエットエッチングでは、エッチングレートを一定に保つために、エッチング洗浄液の液温を一定に保つ必要がある。・・・・」（第【０００３】段落、第【０００４】段落）
　
ウ．「【発明が解決しようとする課題】　プロセスの微細化に伴い、洗浄液によるエッチングレートのマージンが少なくなり、洗浄液の液温の安定が不可欠となってきた。従って、本発明の目的は、実使用条件においては洗浄液温と第１の熱交換器内の液状冷媒の温度差にかかわりなく、洗浄液温を設定温度±０．１℃以内に急速に立ち上げ、安定させることができる洗浄装置を提供することである。
　【課題を解決するための手段】　前記目的を達成するために、本発明では、洗浄液が充填された洗浄槽を有し、該洗浄槽内の洗浄液は第１の熱交換器を通して循環され、第１の熱交換器内に充填された液状冷媒は第２の熱交換器を通して循環されることからなる洗浄装置において、前記洗浄槽内に温度センサを設け、該センサからの温度検出信号を温度制御装置に伝達し、該温度制御装置内に予め設定された設定値と比較し、この結果に基づき、第２の熱交換器を“ＯＮ”／“ＯＦＦ”動作させることを特徴とする洗浄装置を提供する。
　第１の熱交換器内に充填された液状冷媒は水であり、第２の熱交換器は電子冷熱熱交換器であり、温度制御装置はＰＩＤ制御方式の制御装置であることが好ましい。」（第【０００７】段落、第【０００８】段落）
　
エ．「本発明の洗浄装置１は基本的に洗浄槽１０と第１の熱交換器１２と第２の熱交換器１４とから構成されている。本発明の洗浄装置も従来の洗浄装置と同様に間接温調方式により温調される。・・・・」（第【００１１】段落）
　
オ．「【発明の効果】　以上説明したように、本発明の洗浄装置では、洗浄液温を測定し、その結果に基づき、直接電子冷熱熱交換器を駆動させるので、洗浄液温と液状冷媒の温度差の大小にかかわりなく、洗浄液温を設定温度±０．１℃以内に急速に立ち上げ、かつ、安定させることができる。このように、洗浄液温が安定することにより、エッチングレートが安定し、結果的にプロセス歩留りの向上が得られる。」（第【００１４】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物３には、次の発明が記載されている。
　
　基板に対して、洗浄液の液温の安定が不可欠な薬液による薬液処理を施す１つの洗浄槽１０を設け、洗浄液温を設定温度±０．１℃以内に急速に立ち上げ、安定させることができる洗浄装置。
　
（４）刊行物４には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「【産業上の利用分野】　この発明は、半導体基板など被洗浄物の洗浄方法に関するものである。」（第【０００１】段落）
　
イ．「次に、この発明の第３の実施例を図４〜図６を参照して説明する。この第３の実施例は、最初に薬品（濃硝酸）洗浄を行い、次に純水洗浄を行い、最後に液体窒素洗浄を行う。・・・・まず、図４（ａ）に示すように、薬品槽１１は濃硝酸槽であり、この薬品槽１１内には濃硝酸１２が充填されている。・・・・」（第【００１４】段落、第【００１５】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物４には、次の発明が記載されている。
　
　基板に対して、濃硝酸による薬液処理を施す１つの薬品槽１１を設けた洗浄方法。
　
（５）刊行物５には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了するまでの間、基板が大気に触れないようにして、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着を無くし、膜汚染による歩留りの低下を防ぐことができるとともに、洗浄槽の数を増やすことによって装置全体としてのスループットを上げることができ、かつ、省スペース化、低コスト化を図ることができるような構成の基板の表面処理装置を提供することを目的とする。」（第【０００７】段落）
　
イ．「すなわち、基板搬送ロボットにより複数枚の基板Ｗが一括して洗浄・乾燥処理槽１０の密閉チャンバ１６内へ送入されて、密閉チャンバ１６内部の基板昇降機構によって昇降自在に支持された基板保持具に基板Ｗが保持され、開閉蓋２０が閉じられて密閉チャンバ１６内が密閉されると、真空ポンプにより密閉チャンバ１６内が真空排気されて減圧パージされ、或いは、密閉チャンバ１６内へ蒸気供給用管路４２を通して窒素ガスが送り込まれて密閉チャンバ１６内がガスパージされる。このとき、洗浄槽１２内には、その底部の給液口２２を通して所要の洗浄用処理液が連続して供給され、洗浄槽１２内部を満たした処理液は、その上部の越流部から溢れ出て溢流液受け部１４内へ流入し、溢流液受け部１４から排液管路３４を通って排液されており、洗浄槽１２の内部に処理液の上昇液流が形成されている。次に、基板昇降機構が作動して、基板保持具に保持され複数枚の基板Ｗが下降し、洗浄槽１２内の処理液中に基板Ｗが浸漬させられ、洗浄槽１２内の処理液の上昇液流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれる。そして、洗浄槽１２内に基板Ｗを配置したまま、その洗浄槽１２内へ供給される洗浄用処理液の種類を変えることにより、基板Ｗに対し複数種の洗浄処理が施され、最終的に純水で基板Ｗに対しリンス処理が施される。最終的にリンス処理された基板Ｗは、基板昇降機構によって上昇させられ、洗浄槽１２内の純水中から引き上げられる。そして、純水中から基板Ｗが引き上げ始められるのと同時に、蒸気供給用管路４２を通して密閉チャンバ１６内へ蒸気供給口４０からアルコール蒸気が送り込まれ、純水中から引き上げられている途中の基板Ｗの周囲へアルコール蒸気が供給される。このアルコール蒸気の供給は、少なくとも純水中からの基板Ｗの引上げが完全に終了するまで行なわれる。純水中からの基板Ｗの引上げが終了すると、洗浄槽１２内への純水の供給を停止させ、同時に、洗浄槽１２内の純水を排出する。また、洗浄槽１２から純水を排出し始めるのと同時に、真空ポンプにより密閉チャンバ１６内が真空排気されて、密閉チャンバ１６内が減圧状態にされることにより、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコールが蒸発させられ、基板Ｗの乾燥処理が終了する。」（第【００１７】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物５には、次の発明が記載されている。
　
　密閉チャンバ１６に洗浄槽１２を設け、基板昇降機構によって基板Ｗを洗浄槽１２に浸漬し、洗浄用処理液の種類を変えることにより、基板Ｗに対し複数種の洗浄処理が施され、最終的に純水で基板Ｗに対しリンス処理が施され、リンス処理された基板Ｗが、基板昇降機構によって上昇させられ、洗浄槽１２内の純水中から引き上げられ、密閉チャンバ１６内へ蒸気供給口４０からアルコール蒸気が送り込まれ、真空ポンプにより密閉チャンバ１６内が真空排気されて、密閉チャンバ１６内が減圧状態にされることにより、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコールが蒸発させられ、基板Ｗに乾燥処理が施される洗浄・乾燥処理槽１０を設けた基板の表面処理装置。
　
（６）刊行物６には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「【産業上の利用分野】　本発明は、例えば半導体基板や液晶用ガラス基板等の薄板状の被処理基板（以下単に基板と称する）を表面洗浄するのに用いられる浸漬型の基板洗浄装置に関するものである。」（第【０００１】段落）
　
イ．「上記浸漬型の洗浄処理部６５は、図４及び図５に示すように、オーバーフロー型の洗浄処理部６５ａと、オーバーフローさせないで酸洗浄を行う酸洗浄処理部６５ｂの２つの別系統の処理部から成る。各洗浄処理部６５ａ・６５ｂの基板洗浄槽１には昇降自在に設けられた基板保持具６６を備え、基板搬送ロボット７５から受け取った複数の基板Ｗを基板保持具６６で保持して洗浄槽１内に浸漬するように構成される。」（第【００１１】段落）
　
ウ．「また、当該洗浄処理部６５の基板洗浄槽１及び基板乾燥部７０のレイアウトに関しては、図４及び図５に示すように、保全用作業域３１に臨む奥側からクリーンルーム作業域３０に臨む前側に向かって、１つの酸洗浄槽１ｂと、２つのオーバーフロー型の基板洗浄槽１ａ・１ａと、乾燥処理部７０とを順番に配置して、当該乾燥処理部７０を前記基板移載部６０に臨ませる。
　通常、酸洗浄処理には昇温した酸を使用するので、酸の蒸気やミストが発生し易いが、本実施例では、この酸洗浄槽１ｂをクリーンルーム作業域３０から最も遠い奥側に配置するため、クリーンルーム作業域３０への悪影響を防止して作業の安全性を確保できる。」（第【００１９】段落）
　
エ．「他方、オーバーフロー型洗浄処理部６５ａでは、洗浄液を基板洗浄槽１ａの上部からオーバーフローさせるように構成するので、基板洗浄槽１ａ内の洗浄液を全部排出せずとも複数種の洗浄処理毎に洗浄液の置換が可能であり、一連の洗浄処理が完了するまで基板Ｗは空気に触れない。このため、基板表面に酸化皮膜が形成されたり、空気中の不純物が付着したりする虞れはない。また、基板洗浄槽１内の洗浄液２を全部排出せずとも基板Ｗの装填や取り出しができる。
　上記オーバーフロー型の洗浄処理部６５ａの洗浄液供給部４は、図１(Ａ)に示すように、各基板洗浄槽１ａの下部に夫々連結した純水供給管３と、各純水供給管４に夫々導入弁連結管１６を介して連結した複数の薬液導入弁８と、各薬液導入弁８に夫々薬液圧送手段２５を介して連結した複数の薬液貯留容器６とを備え、各薬液導入弁８を選択的に開閉制御して所定の薬液を純水供給管３に導入するように構成される。
　上記純水給液管３は、基板処理槽１ａより上流側に向けて順次、給排液切換弁１３、スタティックミキサー１４、導入弁連結管１６及び開閉弁２７などを付設配置して成り、常温の又は所定温度に加熱した純水Ｗを供給する純水の主要通路として構成されている。なお、純水ＤＷは基板の表面酸化を防ぐうえで、脱酸素処理を施したものを用いる方がより好ましい。
　上記給排液切換弁１３は常時純水ＤＷや処理液を基板処理槽１ａへ供給し、必要に応じて基板処理槽１ａ内の処理液を排液管４２を介して排液ドレン４３へ排出するように構成される。
　上記スタティックミキサー１４は、図２に示すように、ミキサー管路１４ａ内に孔あきねじり板１４ｂを固定し、純水ＤＷと薬液ＱＡ〜ＱＥとを均一に混合するように構成される。・・・・」（第【００２２】段落〜第【００２５】段落）
　
オ．「即ち、本実施例では、薬液導入室８１の薬液出口８１ｂと弁座８４ｂとを導入弁連結管１６の管壁１６ａに形成し、その弁座８４ａを弁連結管１６内の純水通路３ａに近接配置し(又は、純水通路内に臨ませても良い)たので、薬液供給後に引き続き純水を供給する際に、純水の純度の低下の問題が無くなり、基板の表面処理品質が向上する。また、薬液ＱＡの液切れが良くなるので、後述するように、圧送ポンプによる各薬液の圧送圧力の制御と併せて、純水ＤＷの供給量に対する薬液ＱＡの供給量を精確に制御して所定の薬液濃度に調合することができる。・・・・」（第【００２９】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物６には、次の発明が記載されている。
　
　浸漬型の洗浄処理部６５が、オーバーフロー型の洗浄処理部６５ａと、オーバーフローさせないで酸洗浄を行う酸洗浄処理部６５ｂの２つの別系統の処理部から成り、各洗浄処理部６５ａ・６５ｂの基板洗浄槽１には昇降自在に設けられた基板保持具６６を備え、基板搬送ロボット７５から受け取った複数の基板Ｗを基板保持具６６で保持して洗浄槽１内に浸漬するように構成され、昇温した酸を薬液とした１つのオーバーフローさせないで酸洗浄を行う酸洗浄槽１ｂと、温度を昇温したり、精密な温度調節をしていない薬液と、常温又は所定温度に加熱した純水Ｗとを混合した薬液による薬液処理と水洗処理を施すオーバーフロー型の基板洗浄槽１ａを設けた基板洗浄装置。
　
（７）刊行物７には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「本実施例の半導体ウエハ用移送装置１０は、図１、図２に示すように、複数のウエハ１１の各周縁部に係合してこれらのウエハ１１を保持する一対のウエハホルダー１２、１２と、このウエハホルダー１２を複数並設されたウエハ処理槽１３の上方で水平移動させて各ウエハ処理槽１３へウエハホルダー１２を移送するホルダー移送装置１４と、このホルダー移送装置１４によって移送されたウエハホルダー１２に対して昇降し、ウエハホルダー１２で保持されたウエハ１１をウエハ支承部（３本の支承棒）１５１で支承して上記ウエハ処理装置１３内へ移送する昇降装置１５とを備えて構成されている。そして、上記ホルダー移送装置１４及び上記昇降装置１５はいずれも制御装置１６の制御下にある。また、図２において１４１は歯車で、この歯車１４１の回転によってホルダー移送装置１４が複数のウエハ処理槽１３間を移動するように構成されている。尚、１５Ａは従来と同様に構成されて固定型の昇降装置で、ウエハ処理槽１３間を移動できないように構成されている。
　また、図１において、左側のウエハ処理槽１３にはＢＨＦ液Ｅがエッチング液として、また、中央のウエハ処理槽１３には超純水Ｗが洗浄液として満たされており、これら両処理槽でウエハ１１をエッチングするように構成されている。・・・・」（第【００１２】段落、第【００１３】段落）
　
イ．「また、上記昇降装置１５は、上記ウエハ処理槽１３を介して上記ホルダー移送装置１４の反対側に配設され、上記ウエハホルダー１２、１２からウエハ１１を受け取ってウエハ処理槽１３内へ移送するように構成されている。これを更に詳述すると、この昇降装置１５は、ウエハ処理槽１３の下方に配設された昇降駆動機構１５２と、この昇降駆動機構１５２に連結され且つ側面形状が略コ字状に形成されて上記ウエハ処理槽１３も内部に延設されたアーム１５３と、このアーム１５３の延設端に連結され且つ上記ウエハ処理槽１３の一側面から他側面へ延びて複数のウエハ１を支承する複数の溝１５１Ａを有する上記３本の支承棒１５１とを備えている。そして、３本の支承棒１５１は、ウエハ１１の周縁部に係合するように上記アーム１５３から延設され、それぞれの溝１５１Ａは上記ウエハホルダー１２、１２の各溝１２Ａ、１２Ａに対応させた同一間隔で形成されている。
　更にまた、上記昇降装置１５は、その昇降駆動機構１５２のライン方向の面にウエハ処理槽１３の下方に配設されたスライダー１８の溝１８Ａに係合する摺動体１５４と、上記スライダー１８の上面に形成されたラック歯１８Ｂに噛合するピニオン１５５と、このピニオン１５５を回転駆動させるモータ１５６とを備え、このモータ１５６の駆動によってライン方向で往復動するように構成されている。そして、上記モータ１５６は上記制御装置１６の制御下にある。
　次に、動作について説明する。本実施例の半導体ウエハ用移送装置は、上述のように、図１における左側のウエハ処理槽１３でＢＨＦ液によるエッチングを行ない、次いで中央のウエハ処理槽１３で超純水Ｗによる洗浄処理を行なう場合について適用される。そして、左側のウエハ処理槽１３へウエハ１１を供給する場合及び中央のウエハ処理槽１３から他のウエハ処理槽１３へウエハ１１を移送する場合には従来と同様にホルダー移送装置１４を介してウエハ１１を移送するようにしている。従って、ここではホルダー移送装置１４によるウエハ１１の移送については従来と同様であるためその説明は省略する。
　ウエハ１１にエッチングを行なうには、まず従来と同様にホルダー移送装置１４を用いてウエハ処理槽１３内にウエハ１１を収納する。そして、このウエハ処理槽１３でエッチングを終了すれば、昇降装置１５の昇降駆動装置１５２を駆動させてアーム１５３を上昇させてウエハ処理槽１３の上端から例えば３〜５ｃｍ上方の位置でアーム１５３を停止させる。引き続きモータ１５６を駆動させるとピニオン１５５がラック歯１８Ｂに従って回転し、昇降装置１５が摺動体１５４、スライダー１８の溝１８Ａを介して右方向へ移動し、超純水Ｗの入った中央のウエハ処理槽１３の上方の所定位置で停止した後、昇降駆動機構１５２が駆動してアーム１５３を下降させ、支承棒１５１がウエハ処理槽１３の底部に達した位置でアーム１５３の下降動作を停止してウエハ１１を超純水Ｗ内に浸漬した状態でウエハ１１の洗浄が行なわれる。ウエハ１１の洗浄後は、昇降駆動機構１５２が駆動してウエハ処理槽１３からウエハ１１を引き上げ、所定位置でアーム１５３の上昇動作を停止すると、従来と同様、ホルダー移送装置１４が駆動してウエハ１１を昇降装置１５から受け取り、このホルダー移送装置１４を介して他のウエハ処理槽１３へウエハ１１を移送する。」（第【００１５】段落〜第【００１８】段落）
　
ウ．「以上説明したように本実施例によれば、ウエットエッチング用のウエハ処理槽１３から水洗用のウエハ処理槽１３へウエハ１１を移送する間に、ホルダー移送装置１４が介在せず、昇降装置１５によって直接ウエハ１１を移送するようにしたため、その移送に要する時間が従来の場合と比較して２秒程度と短く、従来の１／１０の時間で移送するとができ、この間のエッチングの進行を格段に抑制するとができるため、過度のエッチングを防止して均一なエッチングを行なうことができる。」（第【００２０】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物７には、次の発明が記載されている。
　
　ウエハにＢＨＦ液Ｅによる薬液処理を施す１つのウエハ処理槽１３と、ウエハに超純水Ｗによる水洗処理を施すウエハ処理槽１３と、固定型の昇降装置１５Ａを設けたウエハ処理槽１３と、
上下動可能に、かつ前記薬液処理を施すウエハ処理槽の上方と前記水洗処理を施すウエハ処理槽の上方との間でスライダー１８により横行可能に設けられた支承部１５１を有し、前記支承部１５１に保持されたウエハ１１を前記薬液処理を施すウエハ処理槽および前記水洗処理を施すウエハ処理槽のそれぞれに浸漬する昇降装置１５とスライダー１８からなる機構（以後、「ウエハを保持する支承部１５１と昇降装置１５とスライダー１８からなる機構」を「移動型基板浸漬機構」という。）と、
上下動可能な固定型の昇降装置１５Ａを有し、前記昇降装置１５Ａの支承部に保持されたウエハ１１をウエハ処理槽１３に浸漬する固定型の昇降装置１５Ａからなる機構（以後、「ウエハを保持する支承部と固定型の昇降装置１５Ａからなる機構」を「固定型基板浸漬機構」という。）と、
前記移動型基板浸漬機構の上方と前記固定型基板浸漬機構の上方との間でウエハを把持しつつ水平移動可能に設けられており、前記移動型基板浸漬機構側および固定型基板浸漬機構側に基板を移載するとともに、前記移動型基板浸漬機構側および固定型基板浸漬機構側からウエハを受取るホルダー移送装置１４と、を備えた半導体ウエハ用移送装置。
　
（８）刊行物８には、図面とともに特に次の記載がある。
　
ア．「本発明は・・・・湿式自動洗浄システムを提供することにある。」（第【０００６】段落）
　
イ．「【実施例】　以下本発明の実施例を図１，図２に基づいて説明する。まず、図１において、１はウエットステーションのローダ部、２はアンローダ部であり、ローダ部１とアンローダ部２との間には、ローダ部側から順にアンモニア薬液槽３，純水槽４，フッ酸薬液槽５，純水槽６，硫酸薬液槽７，純水槽８，乾燥槽９が一列に並んで配備されている。また、これら洗浄槽の配列に沿ってその上方には搬送ロボット１０が装備されている。この搬送ロボット１０はウェーハ１１，ないしウェーハを収容したキャリアを把持するメカニカルハンド１０ａを搭載しており、各洗浄槽の並ぶ方向に沿って移動しつつ、メカニカルハンド１０を昇降操作してウェーハ１１の槽間搬送を行う直角座標形ロボットであり、制御部１２からの指令に基づいて洗浄プロセスを遂行するようにウェーハの槽間搬送を行う。
　また、図２は前記制御部１２の構成を表す図であり、シーケンサ１３，位置決めモジュール１４，サーボアンプ１５，およびシーケンサ１３に対して洗浄プロセスフローのパターン，槽間の各搬送ポジションにおける移動速度などのプログラムデータの入力，並びに運転指令などを与える操作盤（コンピュータ）１６などから構成されている。・・・・また純水槽４，あるいは６から硫酸薬液槽７への槽間搬送ポジションでは、純水槽４，６からのウェーハ引上げ速度が低速度ＶL に設定されている。」（第【００１０】段落〜第【００１２】段落）
　
　以上の記載及び図面を参照すると、刊行物８には、次の発明が記載されている。
　
　洗浄のシーケンスをシーケンサ１３により、純水槽４から直接硫酸薬液槽７へ搬送する場合と、純水槽４からフッ酸薬液槽５および純水槽６による処理を行った後に硫酸薬液槽７へ搬送する場合のそれぞれが可能な、硫酸で半導体基板を処理する工程を有する湿式自動洗浄システム。
　
４．対比・判断
　本願発明（以下、「前者」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「後者」という。）を対比する。
　後者の「基板Ｗ」、「純水洗浄槽」及び「基板の表面処理装置」は、前者の「基板」、「水洗槽」及び「基板処理装置」に相当する。
　後者の「薬液洗浄槽」は、洗浄用の薬液を入れた専用の処理槽であるから、前者の「薬液専用処理槽」に相当する。
　後者の発明では、薬液洗浄槽は３つ設けられているが、本願発明では「第１薬液処理を施す少なくとも１つの薬液専用処理槽」を設けたものである。ところが、「少なくとも１つ」とは、１つ以上であればよいのであるから、後者の３つの薬液洗浄槽は、前者の「少なくとも１つの薬液専用処理槽」に相当する。
　後者の基板Ｗを純水によるリンス処理と、乾燥処理を行うリンス・乾燥処理装置３０は、多機能処理装置であり、前者の「多機能処理槽」は多機能の処理装置であるので、後者の「リンス・乾燥処理装置３０」は、前者の「多機能処理槽」が「多機能処理装置」であるという観点において相当する。（後者の「装置」と前者の「槽」の相違については、後に相違点として検討する。）
　後者の基板を搬送する「基板搬送ロボット」は、前者の基板を搬送する「搬送機構」に相当する。
　そうすると、本願発明と刊行物１に記載された発明は次の一致点で一致し、相違点で相違する。
　
［一致点］
　基板に対して、薬液処理を施す少なくとも１つの薬液専用処理槽と、基板に水洗処理を施す水洗槽と、基板に対して複数の処理を施す多機能処理装置と、基板を搬送する搬送機構とからなる基板処理装置。
　
［相違点１］
　第１薬液処理を施す薬液専用処理槽の薬液の種類について、本願発明は、「高温状態で使用する薬液、精密な温度調節が必要な薬液、または、高濃度の状態で使用する薬液」であるが、刊行物１に記載された発明では、「第１番目の薬液洗浄槽１８にはアンモニア水及び過酸化水素水の混合溶液が収容され、第２番目の薬液洗浄槽２０フッ酸が収容され、第３番目の薬液洗浄槽２２には塩酸及び過酸化水素水の混合溶液」である点。
　
［相違点２］
　多機能処理装置の構成と処理工程と薬液について、本願発明は、「高温に維持する必要がなく、精密な温度調節が必要なく、かつ、高濃度に維持する必要がない薬液による第２薬液処理と、水洗処理と、乾燥処理と、を施す多機能処理槽」であるが、刊行物１に記載された発明では、「純水によるリンス処理を行うリンス槽３６と、リンス槽３６の上方空間を閉鎖的に包囲するように、密閉可能な開閉蓋４２を有する密閉チャンバ４０を備えた基板Ｗを乾燥させる密閉チャンバ４０からなるリンス・乾燥処理装置３０」である点。
　
［相違点３］
　基板を移動・搬送する構成について、本願発明は、「上下動および横行可能に設けられた第１リフタヘッドを有し、前記第１リフタヘッドに保持された基板を薬液専用処理槽および水洗槽のそれぞれに浸漬する第１基板浸漬機構と、
　上下動可能な第２リフタヘッドを有し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を多機能処理槽に浸漬する第２基板浸漬機構と、
　前記第１および第２基板浸漬機構の上方に、基板を把持しつつ移動可能に設けられており、前記第１および第２基板浸漬機構側に基板を移載するとともに、前記第１および第２基板浸漬機構側から基板を受取る搬送機構」であるが、刊行物１に記載された発明では、「上下動および横行可能に設けられた基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して一番目の薬液洗浄槽１８内へ送入されて、薬液洗浄槽１８内部の基板保持具に保持され、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれ、薬液洗浄槽１８で洗浄処理された複数枚の基板Ｗが、再び基板搬送ロボット１６へ受け渡され、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して一番目の純水洗浄槽２４内へ送入されて、純水洗浄槽２４内部の基板保持具に保持され、純水の上昇水流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗの表面が水洗され、同様の処理を三番目まで行う機構と、
上下動可能な基板昇降機構を有し、基板昇降機構に保持された基板をリンス・乾燥処理装置３０のリンス槽３６内の純水４４中に基板Ｗを浸漬し、基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施する機構と、
基板搬送ロボット１６が、第三の純水洗浄槽２８の処理を終えた基板Ｗを保持し、リンス・乾燥処理装置３０の基板昇降機構側に基板を移載するとともに、基板保持具および基板昇降機構側から基板を受取る機能を有する搬送機構」である点。
　
［相違点４］
　基板を保持、移送する構成及び処理工程について、本願発明が、「（ｉ）　第１基板浸漬機構の第１リフタヘッドに保持された基板に対して、前記薬液専用処理槽における前記第１薬液処理が施され、かつ前記水洗槽における水洗処理が施され、前記第１リフタヘッドから前記搬送機構に基板を受け渡すとともに、前記搬送機構から前記第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に前記第２薬液処理および水洗処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施すことにより、基板に対して一連の第１処理を施すこと、および
　（ｉｉ）　前記第１基板浸漬機構の第１リフタヘッドに保持された基板に対して、前記薬液専用処理槽における前記第１薬液処理が施され、かつ前記水洗槽における水洗処理が施され、前記第１リフタヘッドから前記搬送機構に基板を受け渡すとともに、前記搬送機構から前記第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に水洗処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施すことにより、基板に対して一連の第２基板処理を施すこと、のそれぞれが可能である」のに対して、
刊行物１に記載された発明では、
基板を保持、移送する構成が、「上下動および横行可能に設けられた基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して一番目の薬液洗浄槽１８内へ送入されて、薬液洗浄槽１８内部の基板保持具に保持され、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれ、薬液洗浄槽１８で洗浄処理された複数枚の基板Ｗは、再び基板搬送ロボット１６へ受け渡され、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して一番目の純水洗浄槽２４内へ送入されて、純水洗浄槽２４内部の基板保持具に保持され、純水の上昇水流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗの表面が水洗され、同様の処理を三番目まで行う機構と、上下動可能な基板昇降機構を有し、基板昇降機構の基板保持具に保持された基板をリンス・乾燥処理装置３０のリンス槽３６内の純水４４中に基板Ｗを浸漬し、基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施す機構」であり、
処理工程が、リンス・乾燥処理装置の薬液処理を含めない、水洗処理と乾燥処理の処理工程であることは記載されているが、多機能処理の処理工程として、薬液処理工程を含めた処理工程と、含めない処理工程のそれぞれが可能であることまでは、具備していない点。
　
　上記相違点について検討する。
（１）［相違点１、２］について
ア．専用処理槽の薬液の選択について
　刊行物２には、基板に対して、高温状態で使用する薬液による薬液処理を施す１つの薬液専用処理槽を設ける発明が記載され、
刊行物３には、基板に対して、精密な温度調節が必要な薬液による薬液処理を施すために、洗浄液温を設定温度±０．１℃以内に急速に立ち上げ、安定させることができる、１つの薬液専用処理槽を設ける発明が記載され、
刊行物４には、高濃度の状態で使用する薬液による薬液処理を施す１つの薬液専用処理槽を設ける発明が記載されている。
　そして、刊行物１〜４は同様の技術分野に関する発明が記載された刊行物であるので、刊行物１に記載された発明の薬液専用処理槽の薬液として刊行物２〜４に記載された発明を必要に応じ選択して使用する程度のことは、当業者であれば適宜できたというべきである。 
　
イ．多機能処理装置の薬液の選択と、多機能処理装置の構成について
　刊行物５には、基板に対して、洗浄用処理液の種類を変えることにより、基板Ｗに対し複数種の洗浄処理が施され、最終的に純水で基板Ｗに対しリンス処理が施され、第２薬液処理と、水洗処理と、乾燥処理と、を施す洗浄・乾燥処理槽の発明が記載されている。
　そして、刊行物５に記載された洗浄・乾燥処理槽は、多機能の処理槽であるから、本願発明の多機能処理槽に相当するので、刊行物５に記載された発明は相違点２における本願発明の構成に相当する。
　また、刊行物１、５は同様の技術分野に関する発明が記載された刊行物である。
　したがって、刊行物１に記載された、発明の純水によるリンス処理と乾燥処理を行う多機能処理装置を、刊行物５に記載された、薬液処理工程を付加し、リンス処理と乾燥処理を行う多機能処理槽に変更することは、当業者が必要に応じ容易にできたというべきである。
　
ウ．専用処理槽と多機能処理槽の薬液の選択について
　刊行物６には、オーバーフローさせないで昇温した酸を薬液とした１つの酸洗浄槽１ｂと、温度を昇温したり、精密な温度調節をしていない薬液と、常温又は所定温度に加熱した純水Ｗとを混合した薬液による薬液処理と水洗処理を施すオーバーフロー型の基板洗浄槽１ａと、を設けた基板洗浄装置の発明が記載されている。そして、温度を昇温したり、精密な温度調節をしていない薬液と、常温又は所定温度に加熱した純水Ｗとを混合した薬液による薬液処理と水洗処理を施すオーバーフロー型の基板洗浄槽１ａは、薬液処理と水洗処理を行うので、多機能処理槽である。
　また、刊行物１と刊行物２〜６は同様の技術分野に属する発明が記載された刊行物である。
　したがって、専用処理槽と多機能処理槽の薬液を選択する際に、刊行物６に記載された発明を適用して、刊行物１に記載された専用処理槽には、昇温した酸等を処理液として選択し、多機能処理槽には、処理液として、精密な調節の必要のない薬液と水洗処理を行う純水を選択することは、当業者が容易にできたというべきである。
　
エ．まとめ
　よって、相違点１、２は、刊行物１に記載された発明の多機能処理装置を刊行物５に記載された発明の多機能処理槽に変更し、刊行物１に記載された発明の処理槽で使用する処理液として、専用処理槽で使用する薬液を刊行物２〜４に記載されたものから、また、多機能処理槽で使用する薬液を刊行物５に記載されたものから、刊行物６に記載された発明を適用して、処理槽の機能に適した薬液を選択することにより、当業者が容易に想到できたというべきである。
　
（２）［相違点３］について
　処理槽がどのような処理を行う処理槽であるかについては、上記［相違点１、２］で検討したとおりであるので、本願発明の相違点３に係る基板を移動・搬送する構成と、刊行物７に記載された発明の基板を移動・搬送する構成を対比すると、刊行物７に記載された発明の「ウエハ１１」、「ウエハを保持して上下動および横行可能に昇降装置１５に設けたウエハ支承部１５１」、「移動型基板浸漬機構」、「ウエハを保持して上下動可能に固定型の昇降装置に設けたウエハ支承部」および「固定型基板浸漬機構」は、本願発明の相違点３に係る構成の「基板」、「上下動および横行可能に設けた基板を保持する第１リフタヘッド」、「第１基板浸漬機構」、「基板を保持して上下動可能に第２基板浸漬機構に設けた第２リフタヘッド」および「第２基板浸漬機構」にそれぞれ相当する。
　そして、基板を移動・搬送する構成において、第２基板浸漬機構に設けた「槽」として、刊行物７に記載された発明の「処理槽」は、本願発明の相違点３に係る構成の「多機能処理槽」に相当する。
　そうすると、刊行物７に記載された発明において、基板を移動・搬送する構成は、「上下動および横行可能に設けられた第１リフタヘッドを有し、前記第１リフタヘッドに保持された基板を薬液専用処理槽および水洗槽のそれぞれに浸漬する第１基板浸漬機構と、上下動可能な第２リフタヘッドを有し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を多機能処理槽に浸漬する第２基板浸漬機構と、前記第１および第２基板浸漬機構の上方に、基板を把持しつつ移動可能に設けられており、前記第１および第２基板浸漬機構側に基板を移載するとともに、前記第１および第２基板浸漬機構側から基板を受取る搬送機構」となり、本願発明の相違点３に係る基板を移動・搬送する構成に相当する。
　したがって、相違点３は、刊行物１に記載された発明の
処理槽の構成に刊行物２〜６に記載された発明の処理槽の構成を、
基板を移動・搬送する構成に刊行物７に記載された発明の基板を移動・搬送する構成を
それぞれ適用することにより、当業者が容易に想到できたというべきである。
　
（３）［相違点４］について
　本願発明の相違点４に係る構成について、基板を移動・搬送する構成と、基板を処理する工程について検討する。
　
ア．基板を移動・搬送する構成について
　本願発明の相違点４に係る基板を移動・搬送する構成と、刊行物７に記載された発明の基板を移動・搬送する構成を対比すると、刊行物７に記載された発明の構成要素と、本願発明の相違点４に係る構成要素の相当部分については、上記［相違点３］で記載したとおりであるから、刊行物７に記載された発明における基板を移動・搬送する構成は、「第１基板浸漬機構の第１リフタヘッドに保持された基板に対して、前記薬液専用処理槽における前記第１薬液処理が施され、かつ前記水洗槽における水洗処理が施され、前記第１リフタヘッドから前記搬送機構に基板を受け渡すとともに、前記搬送機構から前記第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に前記第２薬液処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を引き上げること」となり、本願発明の相違点４に係る構成における基板を移動・搬送する構成に相当する。
　したがって、本願発明の相違点４に係る基板を移動・搬送する構成は、刊行物１に記載された発明の基板を移動・搬送する構成に刊行物７に記載された発明の基板を移動・搬送する構成を適用することにより、当業者が容易に想到できたというべきである。
　
イ．基板を処理する工程について
　本願発明の相違点４に係る基板を処理する構成のうちで、（ｉ）と（ｉｉ）で共通する「基板に対して、薬液専用処理槽における前記第１薬液処理が施され、かつ水洗槽における水洗処理が施される」処理工程は、刊行物７に記載された発明の「移動型基板浸漬機構」が基板を処理する工程に相当する。
　本願発明の相違点４に係る基板を処理する構成のうちで、多機能処理槽の処理工程について、「（ｉ）・・・・第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に前記第２薬液処理および水洗処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施すことにより、基板に対して一連の第１処理を施すこと」は、刊行物５に記載された多機能処理槽で行う処理工程に相当し、
「（ｉｉ）　・・・・第２基板浸漬機構の第２リフタヘッドに受け渡された基板を前記多機能処理槽に浸漬させつつ、基板に水洗処理を施し、前記第２リフタヘッドに保持された基板を純水から引き上げる際に基板に乾燥処理を施すことにより、基板に対して一連の第２基板処理を施すこと」は、刊行物１に記載されたリンス・乾燥処理装置で行う処理工程に相当する。
　そして、処理工程について、刊行物８には、ウエハの洗浄システムについて、１つの工程を含める工程と含めない工程を設け、それぞれが可能である装置の発明が記載されている。
　したがって、相違点４の基板を処理する工程の構成は、刊行物１に記載された発明の基板を処理する構成に、刊行物５、７に記載された発明の基板を処理する構成、および刊行物８に記載された発明の基板を処理する工程について、１つの処理工程を含める一連の処理工程と、１つの処理工程を含めない一連の処理工程を設けて、それぞれの一連の処理工程が可能であるようにした構成を適用することにより、当業者が容易に想到できたというべきである。
　
ウ．まとめ
　よって、相違点４は、刊行物１に記載された発明の基板を移動・搬送する構成と基板を処理する工程の構成に、刊行物５、７、８に記載された発明の基板を移動・搬送する構成と基板を処理する工程の構成をそれぞれ適用することにより当業者が容易に想到できたというべきである。
　
（４）［作用効果］について
　そして、本願発明の奏する作用効果も、刊行物１記載された発明に刊行物２〜８に記載された発明をそれぞれ適用することにより生じる作用効果として、当業者が予測できる範囲内のものである。
　
（５）まとめ
　したがって、本願発明は、上記刊行物１に記載された発明に、
刊行物２〜８に記載された発明の
処理槽の構成と、
基板を移動・搬送する構成と、
一連の処理工程を２つ設け、それぞれが可能である構成と、
をそれぞれ適用し、寄せ集めることにより、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載の発明に刊行物２〜８に記載された発明を適用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものであるから、結論のとおり審決する。