【事件の表示】
　平成　８年特許願第３４２７２０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７２９２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１２月６日の出願であって、平成１７年２月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月３０日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年６月２日付けで審尋がなされ、その後同年７月２７日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年３月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年３月３０日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容
　補正前の請求項１を補正後の請求項１とし、なおかつ、明細書の【００１５】及び【００２３】を補正するものであって、補正後の請求項１は以下のとおりである。
「【請求項１】　Ｓｉ基板上に金属膜を形成し、前記Ｓｉ基板と前記金属膜とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程と、
　前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）本件補正の内容の整理
補正事項を整理すると以下のとおりである。
（ａ）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程」を「前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程」と補正すること。
（ｂ）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程」を、「前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程」と補正すること。
（ｃ）補正事項３
　補正前の明細書の【００１５】及び【００２３】を、補正後の明細書の【００１５】及び【００２３】と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
（ａ）補正事項１及び補正事項２について
　補正事項１及び補正事項２についての補正は、補正前の請求項１の「前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子」を「前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子」とする補正であるが、願書に最初に添付した明細書（以下、「出願当初明細書」という。）には、「本願の発明による半導体装置の製造方法は、前記半導体基板としてＳｉ基板を用い、前記径を有する原子として、Ｓｉ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｂの何れかを用いることができる。」（【００１９】）、「また、以上の第１〜第４実施形態では、Ｓｉ基板１１の表面部の非晶質化や混合領域３２の形成のために、Ａｓ、Ｓｉ、Ｓｂを用いているが、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｇｅ等のうちの何れかを用いてもよい。」（【００５６】）と記載されているように、Ｓｉ基板にイオン注入する原子として、Ｓｉは、「Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｂ」と同列に、一つの選択肢としてしか記載されておらず、「前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子」としての概念のみが記載されていると認められ、「Ｓｉ原子の径よりも大きい径を有する原子」という概念が記載或いは示唆されているとは認められないから、補正事項１及び補正事項２についての補正は、出願当初明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（ｂ）補正事項３について
　補正事項３についての補正は、補正事項１及び補正事項２についての補正に対応して、明細書の記載を補正するものであるから、補正事項１及び補正事項２についての補正と同様の理由により、出願当初明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　したがって、補正事項１ないし補正事項３についての補正は、特許法第１７条の２第３項の規定の要件を満たしておらず、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
（３−２）独立特許要件について
　上記（３−１）で検討したとおり、上記補正事項１ないし３についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定の要件を満たしていないが、仮に、本件補正に係る請求項１についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当しているとして、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについても、さらに検討する。 
　
（３−２−１）刊行物に記載された発明
　刊行物１．　特開平６−６１１６８号公報
　本願の出願日前に国内において頒布された特開平６−６１１６８号公報には、図１、図３及び図４とともに以下の事項が記載されている。
「【０００９】次に、本発明の電極を製造するまでの一実施例を図３で説明する。マスク１９を被せた半導体基板２０に高エネルギーの半導体の構成元素イオン２１を照射する。これにより、飛程近傍領域２２以外は非晶質領域２３となる。次に、低エネルギーの半導体構成元素イオン２４を照射する。これにより、照射領域は完全な非晶質領域２５となる。非晶質化する時の高エネルギーと低エネルギー照射の順番は順不動である。また、照射時のエネルギーは２種類以上でも構わない。この後、電極形成領域に電極用金属２６を蒸着する。蒸着後、電極用金属もしくは半導体構成元素イオン２７を照射し、界面をミキシングさせミキシング領域２８を形成する。ミキシング後アニールを行い、再結晶化させる。
【００１０】上記の手法を用い、Ｎ型シリコン基板２９にＮＰＮ接合を形成し、電極を取付けるまでの過程を図５で説明する。まず、フォトマスク３０を被せる。その後、Ｎ型シリコン基板２９を冷却し、基板温度を−４０℃とする。基板温度はイオン照射中一定になるように制御する。冷却後、４００ｋｅＶシリコンイオン３１を１×１０16個照射する。これにより飛程近傍領域３２以外は非晶質化領域３３となる。次に、２００ｋｅＶシリコンイオン３４を１×１０16個照射する。この２種類のエネルギーを持つシリコンイオンの照射で、４００ｋｅＶシリコン飛程の近傍で完全に非晶質化していない領域３２が非晶質化する。この後、フォトマスク３０を除去し、新たに、添加物注入領域以外にフォトマスク３５を被せる。その後、４０ｋｅＶボロンイオン３７を１×１０13個注入しＰ層３６を形成する。注入後、フォトマスク３５を除去し、電極形成領域以外新たにフォトマスク３８を被せる。この後モリブデン３９を０.３μｍ 蒸着する。蒸着後、３００ｋｅＶシリコンイオン４０を５×１０15個照射し、モリブデン３９とシリコン基板２９界面にモリブデンシリサイド４１を形成し電極とする。電極形成後、７００℃で１時間アニールし、再結晶化をはかる。」（上記「図５」は「図４」の誤記である。）
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「Ｎ型シリコン基板２９上にモリブデン３９を０．３μｍ蒸着し、Ｎ型シリコン基板２９のＰ層３６上にＮ型シリコン基板２９とモリブデン３９との界面にモリブデンシリサイド４１を形成する半導体素子の形成方法において、モリブデンを蒸着する前に、シリコンイオンをＮ型シリコン基板２９にイオン注入して照射領域を非晶質化する工程と、モリブデンの形成後に、シリコンイオンをＮ型シリコン基板２９にイオン注入して、Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面をミキシングさせる工程とを備える半導体素子の製造方法。」
　
　刊行物２．　特開平７−２２１２９７号公報
　　本願の出願日前に国内において頒布された特開平７−２２１２９７号公報には、図１ないし７とともに、以下の事項が記載されている。
「【００３４】次に、図１に示すバルクＭＯＳトランジスタの製造工程について説明する。まず、シリコン基板１を950 ℃程度のｗｅｔ雰囲気でＬＯＣＯＳ酸化により素子分離酸化膜２を3000Å程度形成し、ＬＯＣＯＳ酸化されなかった領域にゲート絶縁膜３となる酸化膜3aを形成する（図２）。次に、全面にＣＶＤ法によりポリシリコン膜4a、スパッタ法によりタングステンシリサイド膜5a及びＣＶＤ法により酸化膜6aをこの順に形成し（図３）、ゲート電極の形状にパターニングすることによりゲート電極４、タングステンシリサイド膜５、酸化膜６の上面部6bを形成する。次にＮ-ソース／ドレイン注入によりＮ-ソース／ドレイン領域７を形成し（図４）、全面に酸化膜を体積させ、エッチバックすることによりゲート絶縁膜３及び酸化膜６の側壁部6cを形成する（図５）。以後、酸化膜６は上面部6bと側壁部6cから構成されるものとし、上面部6bと側壁部6cの記載は省略する。次に、スパッタ法により全面にチタン16を500 Å越えない範囲で堆積させ、ドレイン領域にレジスト20をパターニングし、ソース領域のみにシリコンイオン、酸素イオン又は窒素イオン等の電気的に不活性なイオン（以後、不活性化イオンと称す）を30keV 〜100 keV 、４〜５×1014／cm2 から１×1016／cm2 の条件で30°〜45°の傾斜角度で回転斜め注入し、シリコン層表面に結晶性ダメージを与え、チタン／シリコン界面のミキシングを施し、その後のシリサイド化反応が滑らかに行われるようにする（図６）。次に、２ステップアニール法を用いてソース／ドレイン領域にのみ自己整合的にチタンシリサイド膜を形成する。つまり、レジスト20を除去後、窒素雰囲気で680 ℃、30秒間のアニールを施し、シリコンと接しているチタンを反応させ、準安定化した化合物Ｃ49構造のＴｉX Ｓｉ1-X を形成する。絶縁膜（素子分離酸化膜２及び酸化膜６）上のチタンは硫酸と過酸化水素水の混合液で自己整合的に除去される。その後、再度窒素雰囲気で850 ℃、30秒間のアニールを施し、シリサイド膜を安定な構造のＣ54構造に形成する。このとき、ソース領域は不活性化イオンでミキシングが施されているためドレイン領域に比べてシリサイド化反応が起こりやすく、かつ、反応速度が速いため、ドレイン領域に形成されたシリサイド膜９の膜厚に比べて厚い膜厚のシリサイド膜15が形成される。また、ソース側はチタンとアモルファス化されたシリコン層との反応であるため、ドレイン側のチタンと単結晶シリコン層との反応に比べて反応時に発生する応力が小さく、シリサイド／シリコン界面に発生する結晶欠陥密度も低くなり、均一に反応が進む。次に、Ｎ+ソース／ドレイン注入によりＮ+ソース／ドレイン領域８を形成する。このとき、注入されるイオンのエネルギーは、注入後の活性化により形成されるＰＮ接合面における空乏層内にドレイン領域の結晶欠陥を含まないようなエネルギーに設定しておく必要がある。シリサイド膜とシリコン基板の界面近傍に飛程（ＲP）がくるようにソース／ドレイン領域への不純物の注入エネルギーを選ぶと、理想的なソース／ドレイン領域のＰＮ接合特性を形成できる。ソース側はミキシングにより欠陥の発生が抑制され、ドレイン側は本来シリサイド膜が薄いため、欠陥は発生していない。例えば、ソース側のシリサイド膜厚が500 Åで���る場合、Ｎチャネルトランジスタを形成するためのヒ素イオンであれば50keV 程度、Ｐチャネルトランジスタを形成するためのホウ素イオンであれば40keV 程度がよい（図７）。イオン注入後、850 ℃、30分程度の炉アニールを施し、不純物の活性化を行う。最後に、酸化膜を堆積させて層間絶縁膜10を形成し、ソース／ドレイン領域及びゲート電極への電気的接続を目的としたコンタクトホールを設け、スパッタ法でアルミを形成した後、配線状にパターニングし、水素化処理を施し、図１に示すＭＯＳトランジスタが完成する。」
　
　刊行物３．　特開平８−７８３６１号公報
　本願の出願日前に国内において頒布された特開平８−７８３６１号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００２７】まず、図１（Ａ）に示されるように、Ｐ型単結晶シリコン基板１０１のＰチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタが形成される領域にＮウェル１０２をイオン注入法により形成する。・・・次に、フォトリソグラフィー法とイオン注入法により、低濃度のＮ型不純物拡散層１１７と低濃度のＰ型不純物拡散層１１８を形成する。・・・
【００２８】次に、図１（Ｂ）に示されるように、フォトリソグラフィー法とイオン注入法により、Ｎ型不純物拡散層１０７、Ｐ型不純物拡散層１０８、Ｎ型多結晶シリコンゲート１０９及びＰ型多結晶シリコンゲート１１０を形成する。イオン注入後に、窒素雰囲気中、９００℃、２０分の熱処理により、シリコン結晶の回復と不純物の活性化を行う。かくしてＬＤＤ構造としてＮ型ソース・ドレイン領域１０７とＰ型ソース・ドレイン領域１０８が形成される。この後、本発明に従って、ヒ素イオンを３．０×１０14ｃｍ-2の注入量および３０ｋｅＶの加速電圧でイオン注入法を行い、各ソース・ドレイン領域１０７、１０８および各ゲート１０９、１１０に、深さ３０ｎｍの非晶質シリコン層１１１を形成する。・・・
【００２９】次いで、ゲート電極である多結晶シリコンの表面と半導体基板表面の自然酸化膜を希弗酸により除去し、厚さ３０ｎｍのチタン１１２を４５０℃に加熱した半導体基板上にスパッタ堆積する。このとき、薄いチタン膜厚の制御とチタンとシリコンの非晶質の混合層１１３の厚さを増加するため、チタンの堆積速度は、２ｎｍ／秒以下で行う。このとき、チタンとシリコンの非晶質の混合層１１３は、６ｎｍの厚さ（深さ）に形成される。
【００３０】次に、図１（Ｃ）に示されるように、窒素雰囲気中で６５０℃、３０秒の急速熱処理（ＲＴＡ）することにより、シリコンと接触するチタンのみをシリサイド化し、二珪化チタン１１４を形成する。」
　
　刊行物４．　特開平５−２９１１７２号公報
　本願の出願日前に国内において頒布された特開平５−２９１１７２号公報には、以下の事項が記載されている。
「【００１４】上記工程において、非晶質化のためにイオン注入を用いているが、イオン注入する元素として考えられるものは、下層配線材料と同一の元素、この場合はＳｉがある。これに加え、低抵抗化するために用いた不純物元素、もしくは、元素周期律表における同族元素が考えられる。すなわち、Ｓｉ半導体をＰ型の低抵抗半導体層とする場合、Ｂ（ボロン）を不純物として用いるが、この場合、非晶質化を行なう元素として、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミ），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ（インジュウム）等が考えられる。一方、Ｎ型の低抵抗半導体層の場合、Ｐ（リン），Ａｓ（ヒ素），Ｓｂ（アンチモン）等が考えられる。さらに、一部の不活性ガス（Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ等）や VII族元素（Ｆ，Ｃｌ等）は、基板の電気的性質を大きくは、変えないものと考えられるため、非晶質化に利用が可能である。」
（３−２−２）対比・判断
　平成１７年３月３０日付けで補正された請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（１）刊行物発明の「半導体素子」は、補正発明の「半導体装置」に相当する。
（２）刊行物発明の「Ｎ型シリコン基板２９」は、補正発明の「Ｓｉ基板」に相当することは明らかである。
（３）刊行物発明は、「モリブデン３９を０．３μｍ蒸着」しており、「モリブデン３９」が「膜」であることは明らかであるから、刊行物発明の「モリブデン３９」は、補正発明の「金属膜」に相当する。
（４）刊行物発明の「Ｐ層」は、補正発明の「拡散層」に相当することは明らかである。
（５）刊行物発明の「モリブデンシリサイド」は、化合物であることは明らかであるから、補正発明の「化合物膜」に相当する。
（６）刊行物発明の「照射領域」は、「Ｎ型シリコン基板２９」の表面にあることは明らかであるから、補正発明の「表面部」に相当する。
（７）刊行物発明の「Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面をミキシングさせる」は、Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面において、シリコン基板２９とモリブデン３９を混合させることを意味していることは明らかである。
　
  　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
　「Ｓｉ基板上に金属膜を形成し、前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記金属膜の形成前に、原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程と、
　前記金属膜の形成後に、原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　補正発明は、「前記Ｓｉ基板と前記金属膜とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成」しているのに対して、刊行物発明は、Ｎ型シリコン基板２９のＰ層３６上にＮ型シリコン基板２９とモリブデン３９との界面にモリブデンシリサイド４１を形成しているものの、モリブデンシリサイドをＮ型シリコン基板２９とモリブデン３９とを反応させて形成することが明らかでない点。
　
相違点２
　補正発明は、「前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程」を備えているのに対して、刊行物発明は、「モリブデンを蒸着する前に、シリコンイオンをＮ型シリコン基板２９にイオン注入して照射領域を非晶質領域２５とする工程」を備えているものの、「Ｓｉ原子の径よりも大きい径を有する原子」ではなく、「シリコンイオン」を注入している点。
　
相違点３
　補正発明は、「前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程」を備えているのに対して、刊行物発明は、「モリブデンの形成後に、シリコンイオンをＮ型シリコン基板２９にイオン注入して、Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面をミキシングさせる工程」を備えているものの、「Ｓｉ原子の径よりも大きい径を有する原子」ではなく、「シリコンイオン」を注入している点。
　
   以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　刊行物１には、「蒸着後、３００ｋｅＶシリコンイオン４０を５×１０15個照射し、モリブデン３９とシリコン基板２９界面にモリブデンシリサイド４１を形成し電極とする。電極形成後、７００℃で１時間アニールし、再結晶化をはかる。」（【００１０】）と記載されており、シリコン基板と蒸着したモリブデンからシリサイドを形成することが明記されており、シリサイドは化合物であるから、シリサイド反応をさせて形成していることは自明である。また、仮に、そうでないとしても、「電極形成後、７００℃で１時間アニール」していることから、この程度の熱処理を行えばシリサイド反応が進むことは技術常識であるから、電極形成後にはシリサイド反応が生じることは自明である。したがって、相違点１は、実質的なものではない。
　仮に、相違点１が実質的なものであったとしても、例えば、刊行物２には、「スパッタ法により全面にチタン16を500 Å越えない範囲で堆積させ、ドレイン領域にレジスト20をパターニングし、ソース領域のみにシリコンイオン、酸素イオン又は窒素イオン等の電気的に不活性なイオン（以後、不活性化イオンと称す）を30keV 〜100 keV 、４〜５×1014／cm2から１×1016／cm2 の条件で30°〜45°の傾斜角度で回転斜め注入し、シリコン層表面に結晶性ダメージを与え、チタン／シリコン界面のミキシングを施し、その後のシリサイド化反応が滑らかに行われるようにする（図６）。次に、２ステップアニール法を用いてソース／ドレイン領域にのみ自己整合的にチタンシリサイド膜を形成する。つまり、レジスト20を除去後、窒素雰囲気で680 ℃、30秒間のアニールを施し、シリコンと接しているチタンを反応させ、準安定化した化合物Ｃ49構造のＴｉX Ｓｉ1-X を形成する。」（【００３４】）と記載されているように、ミキシングを行った後にシリサイド化反応をさせて、シリサイドを形成することは周知の技術にすぎないから、当該周知の技術を採用することにより、補正発明の如く、「前記Ｓｉ基板と前記金属膜とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成」することは当業者が容易になし得たものである。
　
相違点２について
　刊行物３には、「この後、本発明に従って、ヒ素イオンを３．０×１０14ｃｍ-2の注入量および３０ｋｅＶの加速電圧でイオン注入法を行い、各ソース・ドレイン領域１０７、１０８および各ゲート１０９、１１０に、深さ３０ｎｍの非晶質シリコン層１１１を形成する。」（【００２８】）、「次いで、ゲート電極である多結晶シリコンの表面と半導体基板表面の自然酸化膜を希弗酸により除去し、厚さ３０ｎｍのチタン１１２を４５０℃に加熱した半導体基板上にスパッタ堆積する。」（【００２９】）、「次に、図１（Ｃ）に示されるように、窒素雰囲気中で６５０℃、３０秒の急速熱処理（ＲＴＡ）することにより、シリコンと接触するチタンのみをシリサイド化し、二珪化チタン１１４を形成する。」（【００３０】）と記載されており、シリサイドを形成するためのチタン（補正発明の「金属層」に相当する）を形成する前に、シリコン基板に非晶質シリコン層を形成するために、ヒ素をイオン注入することが開示されている。
　また、刊行物４には、「上記工程において、非晶質化のためにイオン注入を用いているが、イオン注入する元素として考えられるものは、下層配線材料と同一の元素、この場合はＳｉがある。これに加え、低抵抗化するために用いた不純物元素、もしくは、元素周期律表における同族元素が考えられる。すなわち、Ｓｉ半導体をＰ型の低抵抗半導体層とする場合、Ｂ（ボロン）を不純物として用いるが、この場合、非晶質化を行なう元素として、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミ），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ（インジュウム）等が考えられる。一方、Ｎ型の低抵抗半導体層の場合、Ｐ（リン），Ａｓ（ヒ素），Ｓｂ（アンチモン）等が考えられる。さらに、一部の不活性ガス（Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ等）や VII族元素（Ｆ，Ｃｌ等）は、基板の電気的性質を大きくは、変えないものと考えられるため、非晶質化に利用が可能である。」（【００１４】）と記載されており、非晶質化のために注入するイオンとして、Ａｒ，Ｋｒ，Ｓｂ，Ａｓが挙げられている。
　そうすると、刊行物３には、シリサイドを形成するための非晶質化をイオン注入により行う際に、ヒ素を用いることが開示されており、また、刊行物４には、Ｓｉ基板を非晶質化するためのイオン注入を行う際に、Ａｒ，Ｋｒ，Ｓｂ，Ａｓを用いることが開示されているから、刊行物発明において、非晶質化のためのイオン注入に用いる原子として、Ａｒ，Ｋｒ，Ｓｂ，Ａｓを採用することにより、補正発明の如く、「前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程」を備えることは当業者が容易になし得たものである。
　
相違点３について
　刊行物２には、「スパッタ法により全面にチタン16を500 Å越えない範囲で堆積させ、ドレイン領域にレジスト20をパターニングし、ソース領域のみにシリコンイオン、酸素イオン又は窒素イオン等の電気的に不活性なイオン（以後、不活性化イオンと称す）を30keV 〜100 keV 、４〜５×1014／cm2から１×1016／cm2 の条件で30°〜45°の傾斜角度で回転斜め注入し、シリコン層表面に結晶性ダメージを与え、チタン／シリコン界面のミキシングを施し、その後のシリサイド化反応が滑らかに行われるようにする（図６）。」（【００３４】）と記載されているように、不活性化イオンによって、チタン（補正発明の「金属膜」に相当）／シリコン界面のミキシングを施し、シリサイド化反応が滑らかに行われるようにすることが開示されている。そして、不活性化イオンとして、具体的には、「シリコンイオン、酸素イオン、窒素イオン」が挙げられており、基板材料であるシリコン以外のイオンを含んでいること、電気的に不活性であればよいことから、通常シリコン基板に打ち込まれる原子として周知のＡｒ、Ｘｅ、Ｋｒやシリコンと同族の半導体材料であるＧｅを用いることは当業者が適宜選択しうる設計的事項にすぎないものである。
　したがって、刊行物発明において、刊行物２の上記記載を参照しつつ、「シリコン」に代えて、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｇｅを採用することにより、補正発明の如く、「前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径よりも大きい径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程」を備えることは当業者が容易になし得たものである。
　
　よって、補正発明は、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３−３）むすび
　よって、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合しないものであり、仮に、同法同条同項の規定に適合し、同法同条第４項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものであるとしても、同法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年３月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１７年１月１７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　Ｓｉ基板上に金属膜を形成し、前記Ｓｉ基板と前記金属膜とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程と、
　前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．刊行物記載の発明
　刊行物１には、上記「２．（３−２−１）刊行物に記載された発明」の「刊行物１．」に記載されるとおりの事項が記載され、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「Ｎ型シリコン基板２９上にモリブデン３９を０．３μｍ蒸着し、Ｎ型シリコン基板２９のＰ層３６上にＮ型シリコン基板２９とモリブデン３９との界面にモリブデンシリサイド４１を形成する半導体素子の形成方法において、モリブデンを蒸着する前に、シリコンイオンをＮ型シリコン基板２９にイオン注入して照射領域を非晶質化する工程と、モリブデンの形成後に、シリコンイオンをＮ型シリコン基板２９にイオン注入して、Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面をミキシングさせる工程とを備える半導体素子の製造方法。」
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比検討する。
（１）刊行物発明の「半導体素子」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
（２）刊行物発明の「Ｎ型シリコン基板２９」は、本願発明の「Ｓｉ基板」に相当することは明らかである。
（３）刊行物発明は、「モリブデン３９を０．３μｍ蒸着」しており、「モリブデン３９」が「膜」であることは明らかであるから、刊行物発明の「モリブデン３９」は、本願発明の「金属膜」に相当する。
（４）刊行物発明の「Ｐ層」は、本願発明の「拡散層」に相当することは明らかである。
（５）刊行物発明の「モリブデンシリサイド」は、化合物であることは明らかであるから、本願発明の「化合物膜」に相当する。
（６）本願発明の「前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子」は、シリコンを含むことは明らかであるから、刊行物発明の「シリコンイオン」は、本願発明の「前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子」に相当する。
（７）刊行物発明の「照射領域」は、「Ｎ型シリコン基板２９」の表面にあることは明らかであるから、本願発明の「表面部」に相当する。
（８）刊行物発明の「Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面をミキシングさせる」は、Ｎ型シリコン基板２９とモリブデン３９の界面において、シリコン基板２９とモリブデン３９を混合させることを意味していることは明らかである。
　
  したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「Ｓｉ基板上に金属膜を形成し、前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記金属膜の形成前に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板の表面部を非晶質化する工程と、
　前記金属膜の形成後に、前記Ｓｉ基板を構成しているＳｉ原子の径以上の径を有する原子を前記Ｓｉ基板にイオン注入して、このＳｉ基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　本願発明は、「前記Ｓｉ基板と前記金属膜とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成」しているのに対して、刊行物発明は、Ｎ型シリコン基板２９のＰ層３６上にＮ型シリコン基板２９とモリブデン３９との界面にモリブデンシリサイド４１を形成しているものの、モリブデンシリサイドをＮ型シリコン基板２９とモリブデン３９とを反応させて形成することが明らかでない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　刊行物１には、「蒸着後、３００ｋｅＶシリコンイオン４０を５×１０15個照射し、モリブデン３９とシリコン基板２９界面にモリブデンシリサイド４１を形成し電極とする。電極形成後、７００℃で１時間アニールし、再結晶化をはかる。」（【００１０】）と記載されており、シリコン基板と蒸着したモリブデンからシリサイドを形成することが明記されており、シリサイドは化合物であるから、シリサイド反応をさせて形成していることは自明である。また、仮に、そうでないとしても、「電極形成後、７００℃で１時間アニール」していることから、この程度の熱処理を行えばシリサイド反応が進むことは技術常識であるから、電極形成後にはシリサイド反応が生じることは自明である。したがって、相違点１は、実質的なものではない。
　仮に、相違点１が実質的なものであったとしても、例えば、刊行物２には、「スパッタ法により全面にチタン16を500 Å越えない範囲で堆積させ、ドレイン領域にレジスト20をパターニングし、ソース領域のみにシリコンイオン、酸素イオン又は窒素イオン等の電気的に不活性なイオン（以後、不活性化イオンと称す）を30keV 〜100 keV 、４〜５×1014／cm2から１×1016／cm2 の条件で30°〜45°の傾斜角度で回転斜め注入し、シリコン層表面に結晶性ダメージを与え、チタン／シリコン界面のミキシングを施し、その後のシリサイド化反応が滑らかに行われるようにする（図６）。次に、２ステップアニール法を用いてソース／ドレイン領域にのみ自己整合的にチタンシリサイド膜を形成する。つまり、レジスト20を除去後、窒素雰囲気で680 ℃、30秒間のアニールを施し、シリコンと接しているチタンを反応させ、準安定化した化合物Ｃ49構造のＴｉX Ｓｉ1-X を形成する。」（【００３４】）と記載されているように、ミキシングを行った後にシリサイド化反応をさせて、シリサイドを形成することは周知の技術にすぎないから、当該周知の技術を採用することにより、本願発明の如く、「前記Ｓｉ基板と前記金属膜とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物膜を形成」することは当業者が容易になし得たものである。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は、実質的に相違せず、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。仮に、実質的に相違したとしても、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。