【事件の表示】
　特願２００６−１６１１４１「液晶表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月２４日出願公開、特開２００６−３１７９６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１０月２２日（優先権主張平成１４年１０月２５日）に出願した特願２００３−３６２２０６号の一部を平成１８年６月９日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年３月１２日に手続補正がなされ、同年５月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年７月２４日に手続補正がなされたものである。
　
　
　
ＩＩ．平成１９年７月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年７月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年７月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。  
「【請求項１】
　基板上にスイッチング素子を形成する第一の工程と、少なくとも有機絶縁膜からなる上層を有する層間絶縁膜で前記スイッチング素子を覆う第二の工程と、前記層間絶縁膜を介して前記スイッチング素子に接続される透明電極を前記層間絶縁膜上に形成する第三の工程と、を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記層間絶縁膜は無機絶縁膜上に前記有機絶縁膜を有する構成であり、
　前記第三の工程は、
　前記有機絶縁膜をパターン形成する工程と、
　前記有機絶縁膜を含む基板にヘリウムプラズマ処理を施す工程と、
　前記無機絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、
　前記層間絶縁膜上に非晶質の透明導電膜を堆積する工程と、
　前記非晶質の透明導電膜をパターニングして透明電極を形成する工程と、
　を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」（以下「本願補正発明」という。）
 　 
 　 
２．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１の「透明導電膜」が「非晶質」であるとの限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められるところ、以下に述べるとおり、本願補正発明は、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるので、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
１〕刊行物記載の発明  
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平６−２４２４３３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。より詳しくは、画素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とが集積的に形成されたアクティブマトリクス基板の平坦化技術に関する。」
（イ）「【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。図１は、本発明にかかるアクティブマトリクス基板の基本的な構成を示す断面図である。図示する様に、アクティブマトリクス基板１は石英ガラス等からなる絶縁基板２を用いて構成されており、その表面には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３が集積的に形成されている。ＴＦＴ３は島状にパタニングされた半導体薄膜４を素子領域として利用している。この半導体薄膜４は例えば第一のポリシリコン（以下、１Ｐｏｌｙと称する）からなる。なお本発明はこれに限られるものではなく、ポリシリコンに代え、単結晶シリコンや非晶質シリコンを用いる事も可能である。半導体薄膜４の上には三層のゲート絶縁膜を介してゲート電極Ｇがパタニング形成されている。このゲート電極Ｇは、例えば第二のポリシリコン（以下２Ｐｏｌｙと称する）からなる。ＴＦＴ３のソース領域Ｓには第一層間絶縁膜５に設けられた第一コンタクトホール６を通じ金属配線パタン７が電気接続している。第一層間絶縁膜５は例えば燐がドーピングされたガラスからなり以下１ＰＳＧと称する。金属配線パタン７は例えばアルミニウムからなり画像信号ラインその他を構成する。一方、ＴＦＴ３のドレイン領域Ｄには第一層間絶縁膜５及び第二層間絶縁膜８を介して設けられた第二コンタクトホール９を通じ、画素電極１０が電気接続している。この第二層間絶縁膜８は金属配線パタン７を被覆する様に成膜されており、同じく燐をドーピングしたガラス等からなり、以下２ＰＳＧと称する。
【０００９】本発明の特徴事項として、第二層間絶縁膜８と画素電極１０との間に平坦化層１１が介在している。この平坦化層１１はＴＦＴ３や金属配線パタン７の凹凸を埋め平坦化する為に充分な厚みを有している。平坦化層１１の表面は略完全な平面状態にあり、その上に画素電極１０がパタニング形成される。従って、画素電極１０のレベルには何ら凹凸が存在しない。平坦化層１１は一般に無色透明である事が要求される。又、第二コンタクトホール９を設ける必要がある為、微細加工が可能でなければならない。さらに、画素電極１０のエッチング等に薬品を用いる為、所望の耐薬品性が要求される。加えて、後工程で高温にさらされる為、所定の耐熱性を要求される。かかる要求特性を満たす為、所望の有機材料や無機材料が選択される。有機材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂が挙げられる。ポリイミドは耐熱性に優れているが若干着色がある。これに対してアクリル樹脂は略完全に無色透明である。これらの樹脂は、例えばスピンコート法や転写法等により塗布される。・・・（中略）・・・。本実施例では、所定の粘性を有し凹凸を埋めるのに好適なアクリル樹脂を用いている。以上説明した様に、本発明は集積形成されたＴＦＴ３や金属配線パタン７を含む下側領域又は第一領域と、マトリクス状に配列した画素電極１０を含む上側領域又は第二領域との間に、平坦化層１１を介在させた事を特徴とする。個々の画素電極１０は、平坦化層１１を介して設けられた第二コンタクトホール９を通じて対応するＴＦＴ３の半導体薄膜４に電気接続している。
【００１０】かかる構成を有するアクティブマトリクス基板１を用いて液晶表示装置を構成する事ができる。即ち、図１に示す様に、液晶表示装置は所定の間隙を介して互いに対面配置されたアクティブマトリクス基板１と対向基板１２との間に液晶１３を挿入した構成となっている。対向基板１２の内表面には対向電極１４及び配向膜１５が成膜されている。アクティブマトリクス基板１の表面にも配向膜１６が形成されている。これら一対の配向膜１５，１６により、液晶１３の配向制御が行なわれ、例えばツイストネマティックモードが得られる。従来の構造と異なり、配向膜１６は極めて平坦な面を有しており、段差部がない為一様なラビング処理を行なえる。従って、画面全体に渡って均一な配向制御が可能になる。又、画素電極１０の周囲には何ら盛り上がった部分が存在しない。従って液晶１３は対向電極１４と画素電極１０との間に作用する垂直方向の電界によって完全に駆動制御され、横方向の電界の影響を受ける事がない。従来問題となっていたリバースチルトドメインによる表示品位の劣化を有効に改善できる。又、対向基板１２とアクティブマトリクス基板１を互いに精度良く接着でき、シール部からの液晶漏れ等が生じない。
【００１１】次に、図２及び図３を参照して、図１に示したアクティブマトリクス基板の製造方法を詳細に説明する。先ず最初に、図２の工程Ａにおいて、石英等からなる絶縁基板の表面に１ＰｏｌｙをＬＰＣＶＤ法により成膜する。次にＳｉイオン注入を行ない一旦微細化した後固相成長を行ない１Ｐｏｌｙの大粒径化を図る。その後１Ｐｏｌｙを島状にパタニングし素子領域を形成する。さらにその表面を熱酸化しＳｉＯ２としてゲート酸化膜を得る。さらにボロンイオンを所定濃度で注入し、予め閾値電圧の調整を行なう。なお、図示しないが同時に１Ｐｏｌｙをパタニングして補助容量を形成できる様にする。次に工程Ｂにおいて、ＬＰＣＶＤ法によりＳｉＮを成膜しゲート窒化膜とする。このＳｉＮの表面を熱酸化しＳｉＯ２に転換する。この様にしてＳｉＯ２／ＳｉＮ／ＳｉＯ２の三層構造からなる耐圧性に優れたゲート絶縁膜が得られる。次にＬＰＣＶＤ法により２Ｐｏｌｙを堆積する。２Ｐｏｌｙの低抵抗化を図った後、所定の形状にパタニングしゲート電極Ｇを得る。次にゲート電極ＧをマスクとしてセルフアライメントによりＡｓイオンを注入し所謂ＬＤＤ構造とする。続いてＳｉＮを部分的にエッチングで除去した後、Ａｓイオンを高濃度で注入し１Ｐｏｌｙにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを設ける。この様にしてＮチャネル型のＴＦＴが形成される。なお、Ｐチャネル型のＴＦＴを形成する場合にはボロンイオンを注入する。続いて工程ＣにおいてＡＰＣＶＤ法により１ＰＳＧを堆積する。この１ＰＳＧに第一コンタクトホール（１ＣＯＮ）をパタニング形成した後、スパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ）を全面的に成膜する。これを所定の形状にパタニングしてＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタンに加工する。
【００１２】図３の工程Ｄにおいて、ＡＰＣＶＤ法により、１ＰＳＧに重ねて２ＰＳＧを堆積し、Ａｌからなる配線金属パタンを完全に被覆する。続いて工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化層で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状のアクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後加熱処理を施しアクリル樹脂を硬化させて平坦化層とした。硬化した平坦化層に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施し第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。この２ＣＯＮの底部にはＴＦＴのドレイン領域Ｄが露出している。なお平坦化層、２ＰＳＧ、１ＰＳＧを貫通する２ＣＯＮの形成方法の具体例については後に詳細に説明する。次に工程Ｆにおいてスパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜材料としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯは２ＣＯＮの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後に工程ＧにおいてＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。以上の工程により平坦化されたアクティブマトリクス基板が得られる。
【００１３】図４を参照して、第二コンタクトホール２ＣＯＮの具体的な構成例を幾つか挙げて説明する。・・・（略）・・・。
【００１４】・・・（略）・・・。
【００１５】（Ｃ）に示す第三具体例は、２ＣＯＮの内周壁に平坦化膜端面が露出している事を特徴とする。かかる構造を得る為、平坦化膜及び１ＰＳＧ＋２ＰＳＧを一括してエッチングするか、あるいはセルフアライメントによりエッチングする。この為プロセスが簡略化できるという利点がある。但し、１ＰＳＧ＋２ＰＳＧの層にサイドエッチが生じた場合にはＩＴＯ段切れ等の欠陥が生じる可能性がある。」
（ウ）「【００２３】図１１は、同じく図４の（Ｃ）に示したコンタクトホールの第三具体例につき他の作成方法を示す。図１０に示した方法と異なり、本例では平坦化膜として感光性樹脂を用いている。先ず工程ＡでＰｏｌｙの上にＰＳＧを成膜する。工程Ｂで感光性樹脂を塗布し平坦化膜とする。工程Ｃで平坦化膜の露光、現像、焼成を行なう。ライトアッシングを行なった後、工程Ｄで平坦化膜をマスクとしてセルフアライメトによりＰＳＧをエッチングする。この後ベイキングを行なう。」
（エ）「ＴＦＴ３」は、燐がドーピングされたガラスからなる第一層間絶縁膜５、同じく燐がドーピングされたガラスからなる第二層間絶縁膜８及び有機材料からなる平坦化膜１１で覆われることが、図１〜３から見て取れる。
（オ）「画素電極１０」は、第一層間絶縁膜５、第二層間絶縁膜８及び平坦化膜１１に形成した第二コンタクトホール９を介してＴＦＴ３のドレイン領域に導通され、前記平坦化膜１１上に成膜されること、が図１及び図２から見て取れる。
（カ）第二層間絶縁膜（ＰＳＧ）上に塗布された平坦化膜を露光、現像することにより、該平坦化膜に開口が形成されること、が図１１（Ｃ）から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「絶縁基板の表面にＴＦＴを形成し、燐がドーピングされたガラスからなる第一層間絶縁膜、同じく燐がドーピングされたガラスからなる第二層間絶縁膜及び有機材料からなる平坦化膜で前記ＴＦＴを覆い、前記第一層間絶縁膜、前記第二層間絶縁膜及び前記平坦化膜に形成した第二コンタクトホールを介して前記ＴＦＴのドレイン領域に導通されるＩＴＯからなる画素電極を前記平坦化膜上に成膜する、液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
　前記第二コンタクトホールを介して前記ＴＦＴのドレイン領域に導通される透明導電膜を前記平坦化膜上に成膜する際に、
　前記第二層間絶縁膜上に感光性樹脂を塗布して平坦化膜とし、該平坦化膜を露光、現像、焼成して開口を形成し、
　ライトアッシングを行い、
　前記平坦化膜をマスクとして前記第一層間絶縁膜及び前記第二層間絶縁膜をエッチングして第二コンタクトホールを形成し、
　前記平坦化膜上にＩＴＯからなる透明導電膜を成膜し、
　前記透明導電膜をパタニングして画素電極とすること、
　を含む液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板の製造方法。」
　
　
　また、本願の出願前に頒布され、同じく原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−３３７９７３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（キ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に複数のスイッチング素子を形成する工程と、
該スイッチング素子に信号を印加するための配線を形成する工程と、
該スイッチング素子と該配線とを覆う有機絶縁膜を形成する工程と、
該有機絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
該有機絶縁膜の表面をＮ２ガスを用いてプラズマ処理する工程と、
該プラズマ処理された該有機絶縁膜の表面上に、該コンタクトホールを介して該スイッチング素子と電気的に接続される該絵素電極を形成する工程と、
を包含する、アクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】  前記プラズマ処理工程の前に、前記有機絶縁膜の表面をＯ２ガスを用いてプラズマ処理する工程をさらに包含する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】  前記プラズマ処理工程の前に、前記有機絶縁膜の表面を不活性ガスを用いてプラズマ処理する工程をさらに包含する、請求項１に記載の製造方法。」
（ク）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置などに用いられるアクティブマトリクス基板の製造方法に関する。」
（ケ）「【００２５】（実施形態１）図１、図２および図３を参照しながら、本願発明を好適に適用することができる高開口率型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の構造と製造方法を説明する。・・・（略）・・・。」
（コ）「【００２９】図４に本実施形態１のアクティブマトリクス基板の製造方法のフローを示す。本実施形態の製造方法においても、図７に示す従来の製造方法と同様に、絶縁性基板６上に、ゲート配線１、データ配線２（図４中不図示）、スイッチング素子としてのＴＦＴ３（図４中不図示）、ドレイン電極４、補助容量配線５、ゲート絶縁膜７を形成する（図４（ａ））。
【００３０】その後、これらを覆う層間有機絶縁膜９となる有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、感光性樹脂または非感光性樹脂等が用いられる。感光性樹脂を用いる場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、その後、これを露光、現像してパターニングを行う。さらに熱処理などを施して樹脂を硬化させることにより層間有機絶縁膜９を形成する。また、非感光性樹脂を用いる場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、これを硬化する。その後、フォトリソ工程によりフォトレジストを樹脂上にパターニングする。これにＯ２ガスを用いたドライエッチング（例えばpower=3000W、pressure=10mTorr、SF６/O２=45/300sccm）などを施して樹脂をパターニングし、その後レジストを剥離することにより層間有機絶縁膜９を形成する。感光性樹脂および非感光性樹脂のいずれの樹脂を用いる場合にも、層間絶縁膜となる樹脂のパターニング工程において、コンタクトホール８を同時に形成してもよい（図４（ｂ））。どちらのタイプの樹脂を用いる場合にも、コンタクトホール部の樹脂を完全に取り除くことが重要である。
【００３１】その後、層間有機絶縁膜９の表面に対して、従来のようにＯ２ガスを用いるのではなく、Ｎ２ガスを用いてプラズマ処理を行う（例えばpower=600W、pressure=300mTorr、N２=400sccm、time=240sec）。本実施形態のＮ２プラズマ処理により改質された層間有機絶縁膜９の表面を、Ｎ２プラズマ処理後の樹脂表面層１１として図に示す（図４（ｃ））。
【００３２】その後、Ｎ２プラズマ処理後の樹脂表面層１１上に、絵素電極１０となるＩＴＯ膜１３を成膜する（図４（ｄ））。
【００３３】その後、ＩＴＯ膜１３上にフォトリソ工程によりフォトレジスト１４をパターニングした後、フォトレジスト１４をマスクとしてＩＴＯ膜１３をウェットエッチングすることによって絵素電極１０を形成する。ウェットエッチングのためのエッチャントとしては、ＦｅＣｌ３＋ＨＣｌ等を用いることができる。」
（サ）「【００３８】（実施形態２）本実施形態２の製造方法が実施形態１の製造方法と異なる点は、実施形態１のＮ２プラズマ処理工程の前に、層間有機絶縁膜９の表面に対してＯ２プラズマ処理を行う工程をさらに含んでいる点である。・・・（略）・・・。
【００３９】・・・（略）・・・。
【００４０】Ｎ２プラズマ処理はＯ２プラズマ処理に比べると、樹脂を除去する作用が低いので、実施形態１のように層間有機絶縁膜９に対してＮ２プラズマ処理を行うだけでは、層間有機絶縁膜９のコンタクトホール部での樹脂残りが発生してしまう可能性がある。
【００４１】この問題を解決するために、本実施形態では、コンタクトホール８を形成した後、層間有機絶縁膜９に対してＮ２プラズマ処理を行う前にＯ２プラズマ処理を行う。このＯ２プラズマ処理は従来の処理条件で行ってよい。このＯ２プラズマ処理工程において、コンタクトホール部に残り得る樹脂が取り除かれる。層間有機絶縁膜９の表面は改質され、Ｏ２プラズマ処理後の樹脂表面層１２が形成される（図５（ｃ））。」
（シ）「【００４５】（実施形態３）本実施形態３の製造方法が実施形態１の製造方法と異なる点は、実施形態１のＮ２プラズマ処理工程の前に、層間有機絶縁膜９の表面に対してＨｅ等の不活性ガス（希ガス）を用いたプラズマ処理を行う工程をさらに含んでいる点である。・・・（略）・・・。
【００４６】実施形態２において説明したように、層間有機絶縁膜９に対して、Ｎ２プラズマ処理を行う前にＯ２プラズマ処理を行うことで、コンタクトホール部における不要な樹脂を取り除くことができる。しかしＯ２プラズマ処理は、有機絶縁膜の結合を切りやすいので、層間有機絶縁膜９の表面に悪影響を及ぼす場合がある。層間有機絶縁膜９の表面がＯ２プラズマによって過度に荒されると、その上に配設されるＩＴＯ膜１３との密着性が低下してしまう場合がある。また、絵素電極１０を形成するためにＩＴＯ膜１３をウェットエッチングした時に、パターン制御性が低下してしまうこともある。
【００４７】この問題を解決するために、本実施形態では層間有機絶縁膜９に対してＮ２プラズマ処理を行う前にＨｅプラズマ処理を行う。このＨｅプラズマ処理工程において、コンタクトホール部に残り得る樹脂が取り除かれる。層間有機絶縁膜９の表面は改質され、Ｈｅプラズマ処理後の樹脂表面層１５が形成される（図６（ｃ））。・・・（略）・・・。」
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「絶縁性基板上にＴＦＴを形成し、該ＴＦＴを有機絶縁膜で覆い、該有機絶縁膜にコンタクトホールを形成し、該有機絶縁膜に対してＯ２プラズマ処理さらにＮ２プラズマ処理を行い、その後該プラズマ処理された有機絶縁膜表面上に、前記コンタクトホールを介して該ＴＦＴと電気的に接続されるＩＴＯ膜からなる絵素電極を形成する、液晶表示装置用アクティブマトリクス基板の製造方法において、前記有機絶縁膜表面上に形成されるＩＴＯ膜と該有機絶縁膜との密着性が低下しないように、前記Ｏ２プラズマ処理に代えてＨｅプラズマ処理を行うようにしたもの。」
　
　
２〕対比
  本願補正発明と引用発明１を対比する。
ａ）引用発明１の「絶縁基板の表面」、「ＴＦＴ」、「（有機材料からなる）平坦化膜」、「（ＩＴＯからなる）画素電極」、「液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板の製造方法」及び「パタニング」は、それぞれ本願補正発明の「基板上」、「スイッチング素子」、「有機絶縁膜」、「透明電極」、「液晶表示装置の製造方法」及び「パターニング」に相当する。
ｂ）引用発明１の「燐がドーピングされたガラスからなる第一層間絶縁膜、同じく燐がドーピングされたガラスからなる第二層間絶縁膜及び有機材料からなる平坦化膜」が、本願補正発明の「少なくとも有機絶縁膜からなる上層を有する層間絶縁膜」に相当するといえ、また、本願補正発明の該「層間絶縁膜」は「無機絶縁膜上に前記有機絶縁膜を有する構成であ」る、といえる。
ｃ）引用発明１の「絶縁基板の表面にＴＦＴを形成し」なる事項は、本願補正発明の「基板上にスイッチング素子を形成する第一の工程」に相当する。
ｄ）引用発明１の「燐がドーピングされたガラスからなる第一層間絶縁膜、同じく燐がドーピングされたガラスからなる第二層間絶縁膜及び有機材料からなる平坦化膜で前記ＴＦＴを覆い」なる事項は、本願補正発明の「少なくとも有機絶縁膜からなる上層を有する層間絶縁膜で前記スイッチング素子を覆う第二の工程」に相当する。
ｅ）引用発明１の「（前記第一層間絶縁膜、前記第二層間絶縁膜及び前記平坦化膜に形成した）第二コンタクトホールを介して前記ＴＦＴのドレイン領域に導通されるＩＴＯからなる画素電極を前記平坦化膜上に成膜する（際）」なる事項は、本願補正発明の「前記層間絶縁膜を介して前記スイッチング素子に接続される透明電極を前記層間絶縁膜上に形成する第三の工程」に相当する。
ｆ）引用発明１の「前記第二層間絶縁膜上に感光性樹脂を塗布して平坦化膜とし、該平坦化膜を露光、現像、焼成して開口を形成し」なる事項は、本願補正発明の「前記有機絶縁膜をパターン形成する工程」に相当する。
ｇ）引用発明１の「前記平坦化膜をマスクとして前記第一層間絶縁膜及び前記第二層間絶縁膜をエッチングして第二コンタクトホールを形成し」なる事項は、本願補正発明の「前記無機絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程」に相当する。
ｈ）引用発明１の「前記平坦化膜上に透明導電膜を成膜し」なる事項は、本願補正発明の「前記層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程」に相当する。
ｉ）引用発明１の「前記透明導電膜をパタニングして画素電極とすること」は、本願補正発明の「前記透明導電膜をパターニングして透明電極を形成する工程」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
 「基板上にスイッチング素子を形成する第一の工程と、少なくとも有機絶縁膜からなる上層を有する層間絶縁膜で前記スイッチング素子を覆う第二の工程と、前記層間絶縁膜を介して前記スイッチング素子に接続される透明電極を前記層間絶縁膜上に形成する第三の工程と、を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記層間絶縁膜は無機絶縁膜上に前記有機絶縁膜を有する構成であり、
　前記第三の工程は、
　前記有機絶縁膜をパターン形成する工程と、
　前記無機絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、
　前記層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、
　前記透明導電膜をパターニングして透明電極を形成する工程と、
　を含む液晶表示装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
〔相違点１〕：有機絶縁膜をパターン形成する工程と、無機絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程の間に、本願補正発明は、有機絶縁膜を含む基板にヘリウムプラズマ処理を施すのに対し、引用発明１はライトアッシングを行う点。
〔相違点２〕：本願補正発明は、層間絶縁膜上に堆積する透明導電膜が非晶質であり、該非晶質の透明導電膜をパターニングして透明電極を形成するのに対し、引用発明は、当該透明導電膜が非晶質かどうか不明な点。
　
３〕判断  
　上記相違点につき検討する。
〔相違点１〕について
　フォトレジストの残渣を除去するために行うライトアッシングとして、酸素プラズマ処理を行うことはこの分野では広く慣用されている事項であるところ（必要なら、特開２０００−３０７１８４号公報（【００２４】）、特開２０００−１１４３７２号公報（【００４２】）、特開平８−１５７３１号公報（【００１０】）、特開平４−３２９６３５号公報（【０００８】）、特開昭６３−２９２６５１号公報（第２頁右下欄第１８〜２０行）等参照。）、引用発明２は、有機絶縁膜表面上に配設されるＩＴＯ膜との密着性が低下するのを防ぐために、該有機絶縁膜をＯ２プラズマ処理する代わりにＨｅプラズマ処理を行う技術を開示するものといえるから、引用発明１のライトアッシングとしてＨｅプラズマ処理を採用して、上記〔相違点１〕に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
〔相違点２〕について
　基板上や絶縁膜上に非晶質の透明導電膜を堆積し、これをパターニングして透明電極を形成することは本願の優先日前に周知であり（例えば、特開平４−４８５１６号公報（特許請求の範囲（１））、特開２００２−１８４２４２号公報（【０００３】、【０００４】）、特開２００２−１１６４５５号公報（【００４２】）、特開平８−１６０４５７号公報（【００２６】、【００２７】、【００３０】）等参照。）、この周知技術を引用発明１に適用して、上記〔相違点２〕に係る本願補正発明の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４〕むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年７月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年３月１２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたものであるところ、その請求項１は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項１】
　基板上にスイッチング素子を形成する第一の工程と、少なくとも有機絶縁膜からなる上層を有する層間絶縁膜で前記スイッチング素子を覆う第二の工程と、前記層間絶縁膜を介して前記スイッチング素子に接続される透明電極を前記層間絶縁膜上に形成する第三の工程と、を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記層間絶縁膜は無機絶縁膜上に前記有機絶縁膜を有する構成であり、
　前記第三の工程は、
　前記有機絶縁膜をパターン形成する工程と、
　前記有機絶縁膜を含む基板にヘリウムプラズマ処理を施す工程と、
　前記無機絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、
　前記層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、
　前記透明導電膜をパターニングして透明電極を形成する工程と、
　を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、前記ＩＩ．２．１〕において記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩ．で検討した本願補正発明において、「透明導電膜」が「非晶質」であるとの限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ．２．で検討したとおり、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。