【事件の表示】
　特願２００２−５０５６８０「半導体チップおよび電子部品用のシステム支持体ならびにシステム支持体および電子部品の製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月　３日国際公開、ＷＯ０２／０１６３４、平成１６年　１月２２日国内公表、特表２００４−５０２３０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、２００１年（平成１３年）６月７日を国際出願日（優先日：２０００年６月２７日　ドイツ）とする出願であって、平成１７年９月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１２月５日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２８日付の手続補正により、特許請求の範囲は請求項１〜５６に補正されたものである。
　
ＩＩ．平成１７年１２月２８日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１２月２８日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜５６のうち、請求項３１は次のとおり補正された。
　
　「【請求項３１】　複数の外部接触素子であって、該複数の外部接触素子のうちの少なくとも１つはリベットヘッド領域とリベットシャフト領域とリベット脚領域を含むリベット形状の断面を有する、複数の外部接触素子と、
　樹脂化合物と、
　該複数の外部接触素子に接続された接触領域を有する半導体チップと
　を備え、
　該半導体チップは、該樹脂化合物の中にハウジングとして入れられており、該少なくとも１つの外部接触素子は、該樹脂化合物の中に該リベットヘッド領域が固定されており、
　該リベットシャフト領域は、該リベット脚領域から該リベットヘッド領域にかけて次第に細くなる、電子機器。」
　
　なお、補正後の上記請求項３１に記載された「リベットシャンク領域」及び「該樹脂化合物の中の該リベットヘッド領域に固定されている」の内、前者は、明細書において、「リベットシャフト領域」と記載されているから、「リベットシャフト領域」の誤記であると認められ、また後者は、段落００１７の「この外部接触素子はリベット形状の断面を有し、この断面であるために、樹脂化合物にしっかりと固定され」の記載、段落００２８の「リベットヘッド領域を有する外部接触素子は、樹脂化合物内で固定される。」の記載、及び段落００５８の「外部接触素子６はリベット形状であるために、樹脂化合物４に確実に固定される。」の記載などからみて、「該樹脂化合物の中に該リベットヘッド領域が固定されている」の誤記であると認められ、それぞれ上記のとおり認定した。
　
２．補正後の請求項３１について
　上記請求項３１の補正は、当該補正前の平成１７年２月３日付の手続補正書の請求項３１において、「固定されている、電子機器。」を「固定されており、該リベットシャフト領域は、該リベット脚領域から該リベットヘッド領域にかけて次第に細くなる、電子機器。」と補正したものである。
　上記補正は、「固定されている、電子機器。」に対して、「該リベットシャフト領域は、該リベット脚領域から該リベットヘッド領域にかけて次第に細くなる」点を限定事項として付加したものであって、当該補正前の請求項３１の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　
　次に、上記補正による補正後の請求項３１に係る発明（以下、「本願補正発明３１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
（１）引用刊行物と周知例、及びその摘記事項
　平成１６年７月２９日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物１と周知例１、２には次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１−１７９３３４号公報（拒絶理由通知の引用文献１）
　周知例１：特開昭５９−１６１８４２号公報
　周知例２：特表平５−５０７１７４号公報
　
（１−１）刊行物１の摘記事項
ａ．「〔発明の目的〕
　本発明の目的は・・・リード部の厚さが十分薄く、微細ピッチでありながらも比較的強固なリード構造を有し、半導体素子の多ピン化に対応できる高密度実装に適した超小型・超薄型パッケージの実装方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
　・・・本発明の半導体素子の実装方法においては、金属等のベース基板上に半導体素子電極の外部接続用リードパターンを形成し、その上に半導体素子ベアチップをフェイスダウンボンディング等の方法でボンディングした後、この半導体素子を樹脂等の封止材により封止する。
　次にリードパターンを形成したベース基板のみをエツチング或はピーリング等により除去することで、封止材とリードパターンとが一体化したパッケージを形成させる。」（２頁右上欄１〜１８行）
　
ｂ．「第３図はベース基板除去を容易にするために剥離層を設け、また封止材によってリードパターンを強固に保持させる構造にする実施例を示した工程断面図である。
　まず第３図（ａ）に示すようにベース基板１０上に剥離層３０を形成する。剥離層３０は後工程で形成する導体リードパターン１２と剥離し易い材料、例えば導体リードパターン１２を銅メッキで形成させる場合、銅との密着力が弱い材料としてのチタニウムを用いて蒸着、スパッタリング等により・・・形成する。更に第３図（ｂ）に示すように剥離層３０上にメッキのレジスト１１を形成させ、メッキのレジスト１１の開口部に導体リードパターン１２を頭部が・・・横方向に突き出た形状になるように・・・メッキ形成する。メッキのレジスト１１を除去した後、第３図（ｃ）に示すように半導体素子１４を導体リードパターン１２上に導電接合材１３を用いて接合する。続いて第３図（ｄ）に示すように、半導体素子１４全体を覆うように封止材１５で封止する。
　このとき先に形成した導体リードパターン１２の横方向に突き出た頭部の下側にも封止材１５が回り込み導体リードパターン１２はより強固に封止材１５と一体化保持されることになる。更にベース基板１０及び剥離層３０を封止材１５と剥離層３０との界面から除去し、第３図（ｅ）に示すようにパッケージを完成する。ベース基板１０及び剥離層３０の除去方法は、機械的ピーリング、・・・湿式エッチングやリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）等による乾式エッチングなどどの様な方法でもよい。」（３頁左下欄３行〜右下欄１５行）
　
ｃ．また、第３図において、外部接続用リードパターンは、レジストの開口部に円柱状部（以下、「軸部」という。）が形成され、その上部には、横方向に突き出た頭部が形成され、全体としてリベット状の断面を有する導体リードパターンが形成されている。
　
（１−２）周知例１の摘記事項
ａ．「第１図（ｃ）に示されるように、第１の金属層３はその径が所望の大きさ、たとえば第２の金属層４の径よりも小さい径になるまでエッチングされる。
　それにより、高さが高く、しかも径の小さい接合電極構造が得られる。
　その後、・・・第１および第２の金属層３、４の上に半田５または金−錫合金等をディッピング等で被着することにより、所望の高さの高い接合電極６が得られる（第１図（ｄ）参照）。」（２頁右上欄１７行〜左下欄６行）
　
ｂ．「第３図は本発明による接合電極の実施例２を示す部分断面図である。
　この場合には、第２の金属層４は半田５の被着が可能であるが、第１の金属層３は半田５の被着不能な金属材料で作られている。」（２頁右下欄２〜６行）
　
（１−３）周知例２の摘記事項
　「図８は封止層のない、リフロー前の第２のはんだ塊２６を示す、本発明にしたがって作成された細長いはんだ塊の実施例の側面図である。・・・図８に示す封止層８８は第１はんだ塊１６を部分的に封止するが、この部分的な封止によっても、以降のはんだ塊の形成は依然可能であるし、また第１はんだ塊１６の変形も防止できる。
　　図９ははんだ塊５６を形成する、リフロー後の第２はんだ塊２６を示す細長いはんだ塊の側面図である。図示のように、はんだ塊５６は封止層を有しておらず、図のような形状をとる。
　　図１０は基板５０のバッド５４に接続した後の図９のはんだ塊５６を示す細長い相互接続の側面図である。上述のように、はんだ塊５６は封止層を有しておらず、したがって、縦横比がさらに低くなっており、図１０に示すようなはんだ塊５８を形成している。封止層を有するはんだ塊が図７に示すような従来技術で使用されていた相互接続に比較して細長い相互接続を形成することが明かである。
　・・・第１はんだ塊はキャリア、たとえば、・・・シリコン・ウェハに付着され、封止バリア層は実質的に第１はんだ塊状に形成される。第１はんだ塊と同じあるいはこれよりも低い融点の第２はんだ塊がバリア層状に蒸着ないし付着され、これによって、デカールを形成する。・・・付着されたはんだ塊はデカールから、チップや基板などの電子部品に転移される。はんだ塊がリフローによって電子部品へ転移された後、キャリアは第１はんだ塊から除去ないし分離される。」（１０頁右下欄２行〜１１頁左上欄６行）
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載の発明
　上記刊行物１の摘記事項ａには、ベース基板上に外部接続用リードパターンを形成し、その上に半導体素子ベアチップをボンディングした後、この半導体素子を樹脂等の封止材により封止したパッケージが記載され、同じく摘記事項ｂには、ベース基板上の剥離層に形成したレジストの開口部に、リードパターンを頭部が横方向に突き出た形状になるようにメッキ形成し、このレジストを除去した後、半導体素子をリードパターン上に接合してから、半導体素子全体を覆うように封止材で封止すること、また、リードパターンの横方向に突き出た頭部の下側にも封止材が回り込みリードパターンはより強固に封止材と一体化保持されることが記載されている。
　また、摘記事項ｂ、および、ｃによれば、外部接続用リードパターンの上部には、横方向に突き出た頭部が形成され、その頭部の下部には、レジストの開口部に円柱状部（以下、「軸部」という。）が形成され、しかも、この軸部は剥離層に面して下面が形成されているから、この外部接続用リードパターンは、全体としてリベット状の断面を有するリードパターンである。
　そして、封止材がリードパターンの横方向に突き出た頭部の下側に回り込み、リードパターンは、封止材と一体化して強固に保持されるようになることは明らかである。
　さらに、第３図によれば、半導体素子と接合する外部接続用リードパターンはベース基板上に複数形成されていることも明らかである。
　
　そこで、上記刊行物１の摘記事項ａ〜ｃをまとめると、刊行物１には、「複数の外部接続用リードパターンであって、頭部と、軸部と、軸部の下面とからなるリベット状の断面を有する複数の外部接続用リードパターンと、封止材と、複数の外部接続用リードパターンに接合する半導体素子とを備え、半導体素子は、半導体素子全体を覆うように封止材の中に封止されており、複数の外部接続用リードパターンの頭部は、封止材の中に一体化して保持されている、半導体装置」に関する発明が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
　本願補正発明３１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の発明の「外部接続用リードパターン」、「頭部」、「軸部」、「下面」、及び「封止材」は、本願補正発明３１の「外部接触素子」、「リベットヘッド領域」、「リベットシャフト領域」、「リベット脚領域」、及び「樹脂化合物」に相当する。
　そうすると、両者は、「複数の外部接触素子であって、該複数の外部接触素子のうちの少なくとも１つはリベットヘッド領域とリベットシャフト領域とリベット脚領域を含むリベット形状の断面を有する、複数の外部接触素子と、樹脂化合物と、該複数の外部接触素子に接続された接触領域を有する半導体チップとを備え、該半導体チップは、該樹脂化合物の中にハウジングとして入れられており、該少なくとも１つの外部接触素子は、該樹脂化合物の中に該リベットヘッド領域が固定されている、電子機器」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：リベットシャフト領域について、本願補正発明３１は、「リベット脚領域からリベットヘッド領域にかけて次第に細くなる」のに対し、刊行物１に記載の発明の軸部はそのようなものではない点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　
　リベット状の断面を有する外部接続用リードパターンの軸部を、基板側から頭部側に向かって次第に細くするようなことは、上記周知例１の第１図（ｃ）、第３図に記載された第１の金属層３が、基板１側から第２の金属層４に向かって先細り形状である点、また、上記周知例２の第９、１０図に記載された第１はんだ塊１６が、基板１２側から第２はんだ塊５６、５８に向かって先細り状である点からみて、周知の技術である。
　そして、周知例１、２のように、基板上に半導体チップを載置する場合、外部接続端子を含めて半導体チップを樹脂封止することは、通常、普通に行われていることである。
　そうすると、刊行物１に記載の外部接続用リードパターンの軸部を、周知例１、２に記載のように、その頭部に向かって次第に細くなるように形成して樹脂封止することは、当業者であれば容易に想到することができるものである。
　
　そして、外部接続用リードパターンの軸部を、その頭部に向かって次第に細くなるように形成して樹脂封止することにより、結果的に、外部接続用リードパターンの頭部の下面に封止材が回り込む量が増加して、外部接続用リードパターンはより強固に封止材と一体化し、確実に保持されることとなるから、本願補正発明３１の上記相違点には格別顕著な作用効果は認められない。
　
　したがって、本願補正発明３１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
１．本願発明
　平成１７年１２月２８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５６のうち、請求項３１に係る発明（以下、「本願発明３１」という。）は、平成１７年２月３日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項３１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項３１】　複数の外部接触素子であって、該複数の外部接触素子のうちの少なくとも１つはリベットヘッド領域とリベットシャフト領域とリベット脚領域を含むリベット形状の断面を有する、複数の外部接触素子と、
　樹脂化合物と、
　該複数の外部接触素子に接続された接触領域を有する半導体チップと
　を備え、
　該半導体チップは、該樹脂化合物の中にハウジングとして入れられており、該少なくとも１つの外部接触素子は、該樹脂化合物の中に該リベットヘッド領域が固定されている、電子機器。」
　
　なお、上記請求項３１に記載された「リベットシャンク領域」及び「該樹脂化合物の中の該リベットヘッド領域に固定されている」の内、前者は、明細書において、「リベットシャフト領域」と記載されているから、「リベットシャフト領域」の誤記であると認められ、また後者は、段落００１７の「この外部接触素子はリベット形状の断面を有し、この断面であるために、樹脂化合物にしっかりと固定され」の記載、段落００２８の「リベットヘッド領域を有する外部接触素子は、樹脂化合物内で固定される。」の記載、及び段落００５８の「外部接触素子６はリベット形状であるために、樹脂化合物４に確実に固定される。」の記載などからみて、「該樹脂化合物の中に該リベットヘッド領域が固定されている」の誤記であると認められ、それぞれ上記のとおり認定した。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　平成１６年７月２９日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物１と周知例１、２、及びその摘記事項は、上記「ＩＩ．（１）引用刊行物と周知例、及びその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明３１は、上記本願補正発明３１の限定事項である、リベットシャフト領域が、「リベット脚領域からリベットヘッド領域にかけて次第に細くなる」点を削除して、「固定されている、電子機器。」としたものである。
　
　そうすると、本願発明３１を特定するために必要と認める事項（以下、「特定発明事項」という。）を全て含み、さらに他の特定発明事項である上記限定事項を付加したものに相当する本願補正発明３１が、前記「ＩＩ．（２−２）対比・判断」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明３１の刊行物１との相違点である上記限定事項が削除された本願発明３１は、刊行物１に記載された発明との相違点はないものとなり、刊行物１に記載された発明となる。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項３１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。