【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３３６３９１９号発明「サブストレート上に反応性の膜を付着する装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３６３９１９号の請求項１に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許３３６３９１９号の請求項１及び２に係る発明は、平成４年３月３日（パリ条約による優先権主張平成３年３月４日ドイツ）に特許出願され、平成１４年１０月２５日にその特許の設定登録がなされ、当該特許につき、平成１５年７月８日付けで特許異議の申立てがなされ、平成１７年７月６日付けで本件明細書の訂正請求がなされ、平成１７年７月１３日付けの異議の決定において、当該訂正が容認された上で、請求項１及び２に係る特許が維持されたものである。
　これに対して、株式会社神戸製鋼所（以下、「請求人」という。）から平成１９年２月９日付けで請求項１及び２に係る発明の特許について、無効審判の請求がなされたところ、その後の手続の経緯は、以下のとおりである。
　　手続補正指令書：　　　　　　　　　平成１９年　３月　１日
　　手続補正書：　　　　　　　　　　　平成１９年　３月２３日
　　答弁書：　　　　　　　　　　　　　平成１９年　６月２８日
　　訂正請求書：　　　　　　　　　　　平成１９年　６月２８日
　　職権審理結果通知書：　　　　　　　平成１９年　８月　３日
　　意見書：　　　　　　　　　　　　　平成１９年　８月１５日
　　口頭審理陳述要領書（請求人）：　　平成１９年　８月２４日
　　口頭審理陳述要領書（被請求人）：　平成１９年　９月２５日
　　口頭審理：　　　　　　　　　　　　平成１９年１０月　４日
　
ＩＩ．訂正請求の適否
１．訂正事項
　平成１９年６月２８日付けの訂正請求は、本件明細書及び特許請求の範囲の記載を、その訂正請求書に添付した全文訂正明細書に記載される次のとおりに訂正することを求めるものである。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１における「２つのカソード（５，５ａ）は、付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中に互いに並べて配置され、」を、「２つのカソード（５，５ａ）は、付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中で、前記サブストレートの一方の側に互いに並置され、」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　
２．訂正要件の判断
（１）訂正目的の適否
　上記訂正事項（ａ）は、特許請求の範囲の請求項１において、互いに並置（ないしは互いに並べて配置）される２つのカソードの設置位置につき、「前記サブストレートの一方の側に」との事項を付加するものであり、その並置するところの位置を限定ないしは明確化するものであり、特許請求の範囲の減縮ないしは明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、上記訂正事項（ｂ）は、特許請求の範囲の請求項２を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）新規事項の追加の有無
　上記訂正事項（ａ）によって、２つのカソードの設置位置に関する請求項１の記載は、「２つのカソード（５，５ａ）は、付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中で、前記サブストレートの一方の側に互いに並置され、電気的には互いに分離されて設けられており、該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており」となり、２つのカソードは、サブストレートと対向しており、サブストレートの一方の側に、ほぼ等しい空間的距離を有するように設置されていることとなる。
　この点について、願書に添付された明細書及び図面の記載をみてみると、段落【０００９】には、「【実施例】図１には、例えば二酸化珪素あるいは酸化アルミニウムである酸化物から成る薄膜２，２′，２″をそれぞれ有するサブストレート１，１′，１″が支持体２７上に設けられている。スパッタされるべきターゲット３，３ａはこれらのサブストレート１，１′，１″に対向して設けられている。ターゲット３，３ａはそれぞれカソード体１１，１１ａと接合されており、・・・。」と記載され、その設置構造が図１に示されている。これら記載によれば、願書に添付された明細書及び図面には、２つのカソードがサブストレートに対向し、サブストレートの上方の側に設置されるところの特定の設置位置が示されている。そして、カソードがサブストレートに対向した状態で、サブストレートの上方の側以外の側にあったとしても、機能的に同一となることは、当業者にとって自明な事項である。
　してみれば、上記の「前記サブストレートの一方の側に」との事項を付加することは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　また、上記訂正事項（ｂ）は、請求項を削除するものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
（３）拡張・変更の存否
　上記訂正事項（ａ）及び（ｂ）は、特許請求の範囲を減縮し、又は明りょうでない記載を是正するだけのものであり、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでない。
　
３．訂正の結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＩＩ．本件発明
　本件明細書についての上記訂正請求は、上記「ＩＩ．」で記載したとおり認められたものであり、訂正後の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】１つの交流源（１０）を備えており、前記交流源（１０）は排気可能な付着室（１５，１５ａ）内に設けられた磁石（１９，１９ａ，１９ｂまたは１９ｃ，１９ｄ，１９ｅ）を取囲むカソード（５，５ａ）と接続されており、前記カソードはターゲット（３，３ａ）と電気的に共働し、ターゲット（３，３ａ）がスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室（１５，１５ａ）内へプロセスガスと反応性ガス例えばアルゴンと酸素を供給可能になっている、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置において、
　前記１つの交流源（１０）のアースに接続されていない２つの出力側（１２，１３）を、ターゲット（３，３ａ）を支持するそれぞれ１つのカソード（５，５ａ）に接続し、２つのカソード（５，５ａ）は、付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中で、前記サブストレートの一方の側に互いに並置され、電気的には互いに分離されて設けられており、
　該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、
　前記１つの交流源（１０）の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする、
　サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置。」
　
ＩＶ．請求人の主張と証拠方法
１．請求人の主張
　請求人は、本件発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とするとの審決を求め、証拠方法として、無効審判請求書、平成１９年３月２３日付け手続補正書及び口頭審理（口頭審理陳述要領書を含む）において、下記「２．」に示した証拠を提出して、次に示す無効理由１〜３を主張している。無効理由１〜３について、これまでの主張を整理すると、次のとおりである。
　
（１）無効理由１
　本件発明は、以下に述べるとおり、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　　ア）甲第１号証には、「１つのトランス９を備えており、トランス９は排気可能な容器３内に設けられターゲットを有するマグネトロンである電極５，６と接続されており、電極５，６はターゲットと電気的に共動し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート１上に沈着し容器３内へアルゴン、窒素及び／その他の反応性ガスを供給可能になっている、サブストレート１上に反応性の膜を付着する装置において、１つのトランス９のアースに接続されていない２つの出力側８，１１を、ターゲットを支持するそれぞれ１つの電極に接続し、２つの電極５，６は、容器３中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、２つの電極５，６は、それぞれ対向するサブストレート１に対してほぼ等しい空間距離を有しており、１つのトランス９の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できる周波数に設定される」発明が記載されており、本件発明と甲第１号証に記載の発明を対比すると、本件発明は、磁石を取り囲むカソードを備えるものであるのに対して、甲第１号証の発明は、カソードに磁石を備えるものの、カソードと磁石との関係が明確でない点（相違点１）、本件発明は、反応性の膜が電気絶縁材からなるものであるのに対し、甲第１号証の発明は、反応性の膜が電気絶縁材からなるものかどうかが明確でない点（相違点２）、本件発明は、スパッタ工程の間１つの交流源の周波数が１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚに設定されるのに対して、甲第１号証の発明は、スパッタ工程の間１つの交流源の周波数が５０Ｈｚに設定される点（相違点３）で相違している。
　　そして、相違点１については、甲第１号証の「マグネトロン２７，２８」との記載と図２をみれば、甲第１号証の「マグネトロン２７，２８」が「磁石を取り囲むカソード」であることは、記載されているも同然の事項であり、実質的な相違点といえないし、また、スパッタリング装置において、付着室内に磁石を取り囲むカソードを備えることは、甲第４号証、甲第１０号証、甲第１１号証、及び甲第１７号証の記載から周知の技術であり、磁石を取り囲むカソードを採用することに何ら困難性はない。
　　相違点２については、甲第１号証には、アルゴン、窒素及び／その他の反応性ガスを用いることが示されており、酸素ガスを用いて絶縁性のある膜を蒸着してみようとすることは極めて容易なことであり、また、反応性スパッタリング技術を用いて電気絶縁性の膜を蒸着することは、甲第２号証、甲第３号証、甲第５号証、甲第８号証、甲第１３号証、甲第１４号証、及び甲第１８号証の記載から周知の技術であり、かかる構成を採用することに何ら困難性はない。
　　相違点３については、本件発明の１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚという数値範囲に、イオンが交番電磁界に追従できること以外の臨界的意義は何ら存在せず、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚという数値範囲は、甲第１号証で採用されている５０Ｈｚの延長線上にすぎないから、５０Ｈｚの周波数を若干高い周波数である１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚにすることに何ら困難性はない。さらに、甲第２号証乃至甲第９号証の記載から、スパッタリングにおいて交流源の周波数を１３．５６ＭＨｚ以下で行うこと、及びイオンが追従できるように、より低い周波数でスパッタリングすることは周知であり、交流源の周波数が変更可能な条件であることは広く認識されていたものであるから、甲第１号証の５０Ｈｚの周波数を１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚに設定することに何ら困難性はない。
　　また、本件発明の「前記１つの交流源（１０）のアースに接続されていない２つの出力側（１２，１３）を、ターゲット（３，３ａ）を支持するそれぞれ１つのカソード（５，５ａ）に接続し、」との構成については、その文脈から考察すると、「それぞれ１つのカソード」に接続される「２つの出力側（１２，１３）」が「交流源（１０）のアースに接続されていない」が否かであり、トランス二次巻線（２５）の中点が接地されているか否かは問題とならない。そして、甲第１号証に記載された装置の「トランス９」の「２つの出力側８，１１」が、「ターゲットを支持するそれぞれ１つの電極に接続」されていることから、この点において甲第１号証に記載された発明と本件発明とで何ら差異はない。
　　以上のことから、本件発明は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到しうる程度のものである。（平成１９年３月２３日付け手続補正書第２１頁３１行〜第２２頁９行、第２３頁３２行〜第２４頁６行、第２５頁２９行〜第２９頁２３行、口頭審理陳述要領書第２頁第８行〜第７頁１４行参照）
　　イ）甲第２号証には、「１つの交流源を備えており、前記交流源は排気可能な付着室内に設けられたマグネトロンを有するカソードと接続されており、前記カソードはターゲットと電気的に共働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室内へプロセスガスと反応ガスを供給可能になっている、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜（ＡｌＮ）を付着する装置において、前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、該２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しており、前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、８０ＫＨｚの周波数に設定されていることを特徴とする、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置。」に係る発明が記載されており、本件発明と甲第２号証に記載の発明を対比すると、本件発明は、磁石を取り囲むカソードを備えるものであるのに対して、甲第２号証の発明は、カソードに磁石（マグネトロン）を備えるものの、カソードと磁石との関係が明確でない点（相違点４）で相違している。
　　そして、相違点４については、甲第２号証の「マグネトロン」及び「５×８インチ平面マグネトロンターゲット」という図１の説明をみれば、甲第２号証のカソードが「磁石を取り囲むカソード」であることは、記載されているも同然の事項であり、実質的な相違点といえないし、また、スパッタリング装置において、付着室内に磁石を取り囲むカソードを備えることは、甲第４号証、甲第１０号証、甲第１１号証、及び甲第１７号証の記載から周知の技術であり、磁石を取り囲むカソードを採用することに何ら困難性はない。（平成１９年３月２３日付け手続補正書第２４頁３２行〜第２５頁２１行、第２９頁２４行〜第３０頁３行、口頭審理陳述要領書第７頁１５〜２８行参照）
　　ウ）本件発明のカソードとターゲットの位置関係が、本件明細書に添付された図１に示された態様に限定されると解釈しても、甲第３号証、甲第４号証、甲第１０号証〜甲第１７号証には、「２つのカソードがプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有している」態様が、２つのカソードを平行に並べた態様も含めて、明確に開示されているのであるから、この点においても発明の進歩性はない。（平成１９年３月２３日付け手続補正書第２３頁１３〜２１行参照）
　
（２）無効理由２
　本件特許の請求項１に記載の発明特定事項のうち、「該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、」については、以下に述べるとおり、本件明細書の発明の詳細な説明に何ら記載されておらず、かつ不明瞭であるので、本件特許は、平成６年改正前特許法第３６条第５項第１号及び第２号の規定に違反した特許出願に対してなされたものであり、平成５年改正前特許法第１２３条第１項第３号の規定に該当し、無効とすべきである。
　　エ）本件特許の図１にカソードとサブストレートとの距離として「Ａ１」及び「Ａ２」が僅かに図番として記載されているのみであり、本件明細書の発明の詳細な説明には何ら記載されておらず、どのような技術的意義があるかについても記載されていない。また、「ほぼ等しい」という語句は、その用語自体が非常に不明瞭である。（平成１９年３月２３日付け手続補正書第３２頁２２行〜第３３頁第１４行参照）
　　オ）明細書には、カソードとサブストレートの間の距離をどのように測定するかについて一切記載がない。サブストレートの中心とカソードの距離が等しいと解釈すると、サブストレートの形状が明記されていないので不明瞭である。（口頭審理陳述要領書第９頁第１〜７行）
　　カ）被請求人は、答弁書で「付着しようとする絶縁膜の厚さの精度の要求を満足するならば若干の距離の偏差があってもよいと云う意味」であるとの定義付けを行っているが、この点については明細書に記載されていない。また、その判断基準も使用者の主観任せとなり不明瞭である。（口頭審理陳述要領書第９頁第１６〜２３行）
　
（３）無効理由３
　本件特許の訂正前の請求項２に記載の発明特定事項のうちＳｉＯｘＮｙ、Ｔａ２Ｏ５、ＡｌＮは、本件明細書の発明の詳細な説明に何ら記載されておらず、本件特許は、平成６年改正前特許法第３６条第５項第１号の規定に違反した特許出願に対してなされたものであり、平成５年改正前特許法第１２３条第１項第３号の規定に該当し、無効とすべきである。
　
２．証拠の記載事項
　ここで、無効審判請求書及び平成１９年３月２３日付け手続補正書に添付された「甲第１号証の１」、「甲第２号証の１」、「甲第３号証の１」、「甲第１０号証の１」、「甲第１２号証の１」、「甲第１７号証の１」を、それぞれ「甲第１号証」、「甲第２号証」、「甲第３号証」、「甲第１０号証」、「甲第１２号証」、「甲第１７号証」と示す。また、甲第１号証、甲第１２号証及び甲第１７号証における原文での「ａウムラウト」、「ｏウムラウト」、「ｕウムラウト」との文字は、その代用として「
ａ
ｏ
ｕ
　
（１）甲第１号証（独国特許出願公開第３８０２８５２号明細書）
　甲第１号証には、「Einrichtung f
u
　
（２）甲第２号証（G.ESTE and W.D.WESTWOOD, A quasi-direct-current sputtering technique for the deposition of dielectrics at enhanced rates, the Journal of Vacuum Science and Technology A, 1988, Vol.6, No.3, p.1845-1848）
　甲第２号証には、「A quasi-direct-current sputtering technique for the deposition of dielectrics at enhanced rates」（当審訳「促進された速度での誘電体膜の蒸着のための準直流スパッタリング技術」）に関して、次の事項が記載されている。
　（ａ）「A new sputtering process with particular advantages for the deposition of dielectric films has been developed. Low-frequency power is applied between two conducting targets which are sputtered in a reactive gas. The operation has been demonstrated using Al planar magnetron targets in reactive gases as well as Ar and other noble gases, using a 60-Hz and a 80-500-kHz supply. ... For N2 ambient, the AlN deposition rate at 100 kHz was 80% higher than the value for 13.56 MHz. ... The technique can be applied to different target/substrate geometries to deposit dielectric films at higher rates than in conventional rf sputtering.」（アブストラクト、当審訳「誘電体膜の蒸着に特に有利な新しいスパッタリングプロセスを開発した。反応性気体中でスパッタする２つの導電性ターゲット間に低周波電力を加える。Ａｒおよび他の希ガスと同様に反応ガス中でＡｌ平面マグネトロンターゲットを用い、６０Ｈｚ電源と８０〜５００ｋＨｚ電源とを用いて、動作を実証した。・・・Ｎ２雰囲気、１００ｋＨｚのＡｌＮ蒸着速度は、１３．５６ＭＨｚの蒸着速度より８０％高かった。・・・この技術は、異なるターゲット／サブストレート幾何学構造に適用でき、通常のｒｆスパッタリングより高い速度で誘電体膜を蒸着することができる。」）
（ｂ）「Here we report the deposition rates obtained by applying power between two identical planar magnetron targets and varying the supply frequency from dc to 13.56 MHz.」（第１８４５頁左欄第２５〜２７行、当審訳「本研究では、２つの同一の平面マグネトロンターゲットの間に電力を加え、電源周波数を直流から１３．５６ＭＨｚまで変化させることによって得られた蒸着速度を報告する。」）
（ｃ）「II.EXPERIMENTAL
 The deposition system has been described previously.9,10 The cryopumped chamber contains both a multihearth electron beam evaporation gun and three 5×8 in. planar magnetron targets mounted on two sides and the top of the chamber. In this work, the two opposing targets were powered, as shown in Fig.1. The secondary winding of an isolation transformer was connected between the two targets; different transformers were used for 60 Hz, 80-500 kHz, and 13.56 MHz. ... 
 The targets were 99.999% purity Al sheets which were clamped to the water-cooled copper housing of the magnetron assemblies. ...
 Sputtering caused deposition on both the carousel and a quartz crystal microbalance. During the presputter phase, the substrates were rotated 90°away from the target. Upon completion of the presputter phase, the power was reduced, the substrates rotated in front of the target, and the power increased to the deposition level. When the deposition was complete, the power supply was simply turned off.」（第１８４５頁右欄第１〜２０行、当審訳「ＩＩ．実験　蒸着システムについては前報で説明した9,10。クライオポンプを装着したチャンバは、マルチハース電子ビーム蒸着ガンと、チャンバの２側面と天井面に取り付けられた３つの５×８インチの平面マグネトロンターゲットとを備える。本研究では、図１に示すように、２つの対向するターゲットに電力を投入した。絶縁トランスの二次巻線を２つのターゲット間に接続し、６０Ｈｚ、８０〜５００ｋＨｚ、及び１３．５６ＭＨｚの場合に、異なったトランスを用いた。・・・ターゲットは、マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジングに固定された、９９．９９９％純度のＡｌシートである。・・・スパッタすると、回転台と水晶発振子マイクロバランスとの両方に蒸着が起こった。プレスパッタ段階の間、サブストレートを９０°回転させてターゲットから離した。プレスパッタ段階が終了したら電力を低下させ、サブストレートをターゲットの正面に回転させ、電力を蒸着レベルに増加させた。蒸着が完了したら、そのまま電源を遮断した。」）
（ｄ）「Similar results were obtained with Ne and Kr; the normalized deposition rates decreased as the frequency increased (Fig.4) and the values at 13.56 MHz were 〜50% of the dc values. The values for all the noble gases are quite similar; the decrease in relative rate with frequency appears to be independent of the mass of the gas. For frequencies above about 30 kHz, a decreasing proportion of the power supplied to the system appears in the ion flux to the target, and thus in the sputtering rate.」（第１８４７頁左欄第５〜１３行、当審訳「Ｎｅ及びＫｒでも同様の結果が得られ、周波数が増加すると規格化蒸着速度は低下し（図４）、１３．５６ＭＨｚでの値は直流の値の〜５０％になった。すべての希ガスの値は非常によく似ていて、周波数による相対速度の低下は気体の質量に依存しないようである。３０ｋＨｚ以上の周波数では、システムに供給された電力の減少する割合は、ターゲットへのイオン流速、要するにスパッタ速度に現われる。」）
（ｅ）「To determine whether this can be used to obtain increased rates for the sputtering of dielectrics, N2 was substituted for the noble gas as the sputtering ambient. This causes the formation of an AlN layer on the Al target surfaces and the deposition of dielectric AlN films.18 Due to the high resistivity of AlN, dc sputtering was not possible but films were deposited in the 80-500 kHz range and at 13.56 MHz. ... Thus, at 80 kHz, the deposition rate is 80% higher than the 13.56-MHz rate. Initial measurements on these films indicate that the properties such as etch rate, and index of refraction are independent of the frequency. No arcing was observed during sputtering at 80 kHz and there was no evidence of particulates in the films.」（第１８４７頁右欄第３０〜４７行、当審訳「誘電体のスパッタリングでの速度の増加に利用できるかどうか判断するために、スパッタリング雰囲気として希ガスをＮ２に置き換えた。こうすると、Ａｌターゲット表面上にＡｌＮ層が生成し、ＡｌＮ誘電体膜が蒸着する18。ＡｌＮの比抵抗が高いため、直流スパッタリングは可能でなかったが、８０〜５００ｋＨｚ域と１３．５６ＭＨｚとで膜を蒸着させた。・・・従って、８０ｋＨｚでの蒸着速度は、１３．５６ＭＨｚでの速度より８０％大きい。これら膜の初期測定によると、エッチング速度や屈折率などの性質は周波数に依存しないことを示した。８０ｋＨｚでのスパッタリングの間、アーク放電は観察されず、膜中の微粒子の形跡はなかった。」）
（ｆ）「FIG.1.」（第１８４６頁）には、「Schematic of sputter deposition system showing electrical connection of the two Al targets.」（当審訳「２つのＡｌターゲットの電気的接続を示すスパッタ蒸着システムの概念図」）が示され、対向する２つのターゲット間には、ターゲットと対向するようにサブストレート及び回転台が存在すること、及び、トランスの２次巻線の両端が対向する２つのターゲットのそれぞれに接続し、１次巻線が電源に接続していることが窺える。
　
（３）甲第３号証（LEON I.MAISSEL and REINHARD GLANG, Handbook of Thin Film Technology, McGROW-HILL BOOK COMPANY, 1970, p.4-1,p.4-2,p.4-32,p.4-37）
　甲第３号証には、「Application of Sputtering to the Deposition of Films」（第４-１頁、当審訳「膜の蒸着に対するスパッタリングの応用」）に関して、次の事項が記載されている。
　（ａ）「In contract to the asymmetric systems which we have described above, several symmetrical systems have been developed in which the two sputtering electrodes have equal area. ...
 Two embodiments of these ideas are shown in Fig.31. In Fig.31a a disk electrode is placed concentrically inside an annular electrode of equal area and a single dielectric disk is shared by both.134 In Fig.31b, the electrodes may be sputtered directly or they may be used as backing plates for insulator targets.135 Note that it is common practice to ground the electrical center of the rf power supply in such a system for safety reasons.」（第４-３７頁第７〜２０行、当審訳「上述した非対称のシステムとは異なり、２つのスパッタリング電極が等しいエリアを有するいくつかの対称なシステムが開発されてきた。・・・これらのアイデアの２つの実施例が図３１に示される。図３１ａにおいて、円環状の電極の内側に等しく空間を空けて円盤状の電極が同心的に配置されており、単一の誘電体ディスクが両方によって共有されている134。図３１ｂは、電極が直接スパッタされてもよく、また、絶縁体ターゲットのバッキングプレートとして使用されてもよい135。このようなシステムのｒｆ電源の電気的中心は、安全のために、接地されることが一般的であることに留意すべきである。」）
　（ｂ）「Fig.31」（第４-３７頁）には、「Symmetrical rf sputtering system.」（当審訳「対称ｒｆスパッタリングシステム」）が示されている。
　
（４）甲第４号証（特開昭６１−１７９８６４号公報）
　甲第４号証には、「磁性薄膜作成に好適な、基板上に一様な磁場を印加しながら薄膜を作成するスパッタ装置」（第１頁右下欄第３〜５行）に関しての記載がなされている。
　
（５）甲第５号証（特開平１−１９５２７２号公報）
　甲第５号証には、「スパッタリング装置」に関して、次の事項が記載されている。
　（ａ）「本発明では、プラズマ中のアルゴンイオンが基板に印加した電圧波形に追従して空間を移動可能なことを特徴としている。一般におよそ５ＭＨｚ以上の周波数を電極に印加すると、空間に存在する電子はこの５ＭＨｚの周波数に対して追従するが、アルゴンイオンはその重量が大きいために追従できないので、その電極で放電が発生する。従って本発明ではアルゴンイオンを電圧波形に追従させるために、基板に印加する電圧波形の繰り返し周波数を１ＭＨｚ以下、即ち波形の繰り返し周期は１μ秒以上とする。」（第５頁左下欄第１８行〜右下欄第８行）
　
（６）甲第６号証（特開昭６２−３６７３０号公報）
　甲第６号証には、「柱状構造を有する強磁性金属薄膜を通電状態に保持して、プラズマ重合膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。」（特許請求の範囲）に関しての記載がなされている。
　
（７）甲第７号証（特開昭６３−１４００７７号公報）
　甲第７号証には、「直流電源と、その直流電源の出力端子とターゲット接続端子の間に直列接続されたフィルタ回路と、高周波電源と、その高周波電源の出力端子とターゲット接続端子の間に直列接続されたインピーダンスマッチング回路を備えた、誘電体薄膜の製造に使用する装置。」（特許請求の範囲第２項）に関しての記載がなされている。
　
（８）甲第８号証（特開平１−２７９７５３号公報）
　甲第８号証には、「真空容器内に被加工物を保持し、真空容器内に位置するスパッタガンから生じたスパッタ粒子にて被加工物に薄膜を形成するスパッタリング装置において、スパッタガンへ周波数が異なる２つの電力を印加することを特徴とするスパッタリング装置。」（特許請求の範囲第１項）に関しての記載がなされている。
　
（９）甲第９号証（特開昭６３−１９７３２７号公報）
　甲第９号証には、「マイクロ波、電子サイクロトロン共鳴吸収を利用したプラズマ分解によるプラズマ処理装置において、処理を行う基板またはその近傍に、プラズマ分解によって生じたイオン粒子に運動エネルギーを与えることが可能な周波数の交流電界を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。」（特許請求の範囲第１項）に関しての記載がなされている。
　
（１０）甲第１０号証（米国特許第４９８１５６６号明細書）
　甲第１０号証には、次の事項が記載されている。
　（ａ）「FIG.1 shows substrates 1, 2 which are disposed on substrate holders 41, 42 which can be moved on rollers and are to be provided with thin layers. The targets 3, 4 to be sputtered are disposed opposite these substrates 1, 2. These targets 3, 4 are connected to electrodes 7, 8 via elements 5, 6 which have a U-shaped cross section; the electrodes each rest on a yoke 9, 10. These yokes and the elements 5, 6 enclose three permanent magnets 11, 12, 13 and 14, 15, 16, respectively. The polarities of the poles of the three permanent magnets which are directed toward each target 3, 4 alternate such that together with the north pole of the center permanent magnet 12 and 15, the south poles of the two outer permanent magnets 11, 13 and 14, 16 form approximately circular arc-like magnetic fields across each target 3, 4. These magnetic fields condense the plasma before the targets 3, 4 such that the greatest density occurs where the maximum of the circular arc of the magnetic field is. ... The negative poles of direct voltage sources 17, 18 are connected via two inductors 19, 20 and 21, 22 respectively, to the electrodes 7 and 8, respectively.」（第２欄第２９〜５２行、当審訳「図１は、ローラーにより移動可能なサブストレートホルダー４１、４２上に配置され、薄膜が形成されるサブストレート１、２を示す。スパッタされるターゲット３、４は、これらサブストレート１、２に向かい合って配置される。これらのターゲット３、４は、横断面がＵ字形状の構成部材５、６を経由して電極７、８に接続され、電極７、８はそれぞれヨークに支持されている。これらヨーク及び構成部材５、６は、３つの永久磁石１１、１２、１３及び１４、１５、１６をそれぞれ取り囲む。３つの永久磁石の極性は、中央の永久磁石１２、１５のＮ極と、２つの外側の永久磁石１１、１３、１４、１６のＳ極とが、共にターゲット３、４それぞれを横断する略円弧状の磁場を形成するように、それぞれターゲット３、４に向けて互い違いになっている。これら磁場は、ターゲット３、４の前方であって、磁場の円弧の最大の部分で最も密度が高くなるように、プラズマを濃縮する。・・・直流電圧源１７、１８の負極は、それぞれ２つのインダクタンスコイル１９、２０、２１、２２を経由して、それぞれ電極７、８に接続される。」）
（ｂ）「FIG.1」には、記載事項（ａ）に関した「コーティング装置」が示されている。
　
（１１）甲第１１号証（特開昭６２−３３７６４号公報）
　甲第１１号証には、「真空処理室内に陰極電位のターゲットと被着基板とを設置し、スパッタリングによる成膜を行なう装置において、ターゲットを有するカソードを２個以上設置し、該カソードを長円形または長方形とし、かつ被着基板に対し一定の角度に傾斜させて配置し、複数の被着基板に均一に膜付けできるようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。」（特許請求の範囲第１項）に関しての記載がなされている。
　
（１２）甲第１２号証（独国特許出願公開第３５４１６２１号のフロントページ）
　甲第１２号証には、「Die Abscheidung erfolgt durch Hf-Kathodenzerst
a
a
u
o
u
u
o
　
（１３）甲第１３号証（実願昭５６−２３４４７号（実開昭５７−１３８９７６号）のマイクロフィルム）
　甲第１３号証には、「真空容器、ターゲット電極、基板電極、および、高周波電源を有したスパッタリング装置において、上記ターゲット電極はマグネットアセンブリを有しており、該アセンブリに内蔵されている少なく共２個の永久磁石は近接する他の永久磁石と互いに極性を逆にする如く配置せしめてなることを特徴とするスパッタリング装置。」（実用新案登録請求の範囲）に関しての記載がなされている。
　
（１４）甲第１４号証（特開平３−３９４７０号公報）
　甲第１４号証には、「高周波電源を供給した複数ターゲットからスパッタリングにより薄膜の製造する方法であって、前記複数ターゲット間に、磁性材料の遮蔽板を介在させたことを特徴とする薄膜製造方法。」（特許請求の範囲第１項）に関しての記載がなされている。
　
（１５）甲第１５号証（特開平２−１５６０８２号公報）
　甲第１５号証には、「高周波電源からの高周波電圧を、マッチングボックスを含む伝送路を介して、真空容器内に配されたターゲットに印加して、前記真空容器内の被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものにおいて、複数のターゲットが前記真空容器内に配され、各ターゲットと他のターゲットとの相互間に一方のターゲットから出て他方のターゲットに入る磁力線を有する磁場を形成するための手段が設けられ、前記各ターゲットへの各印加電圧が互いに位相差をもつように前記高周波電源または前記伝送路が構成されていることを特徴とするスパッタ装置。」（特許請求の範囲第１項）に関しての記載がなされている。
　
（１６）甲第１６号証（特開平２−１５６０８３号公報）
　甲第１６号証には、「高周波電源からの高周波電圧を、マッチングボックスを含む伝送路を介して、真空容器内に配されたターゲットに印加して、前記真空容器内に配されたホルダに支持された被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものにおいて、前記真空容器と前記被処理物を支持したホルダとの間に、この両者間のストレーキャパシタと組合わされて前記高周波電圧の周波数においてほぼ共振周波数を有する並列共振回路を形成するインダクタが接続されていることを特徴とするスパッタ装置。」（特許請求の範囲第１項）に関しての記載がなされている。
　
（１７）甲第１７号証（東独国特許公開第２５２２０５号明細書）
　甲第１７号証には、「Zerst
a
　（ａ）「1. Zerst
a
u
a
　（ｂ）「5. Zerst
a
　（ｃ）「6. Zerst
a
u
　（ｄ）「Diese bestehen im Prinzip aus dem Magnetsystem mit dem dar
u
a
U
　（ｅ）「Auf eine Lichtbogenunterdr
u
a
a
a
　（ｆ）「Die Zerst
a
u
a
a
　（ｇ）「Fig.1」には、記載事項（ｂ）に関しての「スパッタリング装置」が示され、２つの電極（２、３）が１つの平面に並べて配置されていることが窺える。
　
（１８）甲第１８号証（逢坂哲彌、二瓶公志編、最新機能成膜プロセス技術、株式会社広信社、１９８７年、第６５３〜６５７頁）
　甲第１８号証には、「反応性スパッタリング」に関して、「金属のターゲットを用いた反応性スパッタリングは、化合物薄膜形成法として非常に有効な方法である。・・・普通、反応性スパッタリングに使われる反応性のガスは、Ａｒガス中に１〜５０％程度まぜられることが多い。」（第６５６頁右欄２３〜３３行）と記載されている。
　
（１９）甲第１９号証（特開昭５５−１６１０６７号公報）
　甲第１９号証には、「リアクティブ・スパッタ装置」（第１頁右下欄第１１〜１２行）に関して、「実施例１、２においてはスパッタ法のちがいについて述べたものであり、ターゲットとしてはＴａ金属板を用い、Ａｒ＋Ｎ２ガスでＴａ−Ｎ膜を得る場合であったが、本発明はＴａ−Ｎ膜に限らず金属ターゲットとしては、Ｔａ以外にＴａ−Ａｌ、Ｔａ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｔａ−Ａｌ−Ｔｉ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ａｌ等、一元素系の金属ないし混合多元素ないし合金で少なくてもターゲットの抵抗が、１０ｋΩ以下のものであればすべて前述の実施例１、２に用いた装置で形成された。又、反応ガスとしては、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２、等、常温で気体のガスについても同様に実現され、良好な被膜が形成された。」（第４頁左下欄第７〜１９行）と記載されている。
　
（２０）甲第２０号証（異議２００３−７１７２５事件の審理において本件被請求人の提出した平成１７年７月６日付け訂正請求書）
　
（２１）甲第２１号証（異議２００３−７１７２５事件の審理において本件被請求人の提出した平成１６年５月７日付け特許異議意見書）
　
（２２）甲第２２号証（異議２００３−７１７２５事件の異議の決定）
　
Ｖ．被請求人の反論と証拠方法
１．被請求人の反論
　被請求人は、請求人の主張に対して、答弁書、及び口頭審理（口頭審理陳述要領書を含む）を整理すると、甲第１号証〜甲第１９号証から本件発明を当業者が容易に想到できるものでなく、特許法第２９条２項の規定に違反しておらず、また、特許法第３６条第５項１号及び第２号に違反していないと反論し、主に次の点を主張している。
　
（１）無効理由１に対する反論
　　あ）甲第１号証には、磁石を取囲むカソードの構成、電気絶縁材からなる反応性膜をスパッタすること、カソードがサブストレートの一方側に並置されること、及び動作周波数が１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚであることが記載されておらず、また、交流電源の出力側をアースに接続して作動させることが教示している。甲第２号証には、磁石を取囲むカソードの構成、及びカソードがサブストレートの一方側に並置されることが記載されていない。そして、甲第２号証〜甲第１９号証の記載をみても、甲第１号証〜甲第１７号証から本件発明を当業者が容易に想到できたものでない。（答弁書第３頁第４行〜第１０頁６行参照）
　　い）甲第１号証及び甲第２号証では、２つのカソードの中間にサブストレートが介在しており、プラズマ点火の障害となる。これに対して、本件発明では、２つのカソードを対向するサブストレートの一方側に並置することによって解決される。したがって、甲第１号証及び甲第２号証から本件発明を容易に想到できない。（口頭審理陳述要領書第６頁第１〜４行、第８頁第２〜７行参照）
　　う）甲第２号証には、絶縁トランスの２次巻線は、２つの対向するターゲットに接続したと記載されているが、その一方の端子がアースされているかいないかについて全く詳しく記載されておらず、不明である。（口頭審理陳述要領書第７頁第２２〜２９行参照）
　　え）甲第１０号証の図１において、磁石は、ヨークとＵ字型の横断面部材とで取囲んでおり、本件発明の構成要件とするカソード電極自体が磁石を取囲んでいない。（口頭審理陳述要領書第６頁第５〜１０行参照）
　　お）甲第１７号証には、磁石を取囲むカソードの構成も記載されておらず、本件発明のその他の構成要件も示されていない。甲第１７号証では、問題を解決するために電極に５０Ｈｚの低い正弦波交流電圧を印加することを提案しているに過ぎず、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚより極めて低い周波数を開示しているだけである。（答弁書第７頁第２４〜２９行参照）
　
（２）無効理由２に対する反論
　　か）距離Ａ１、Ａ２をほぼ等しくしてあるのは図の実施例から明確である。また、「ほぼ等しい」との表現は、スパッタリング業界で当業者が適正に認識できる距離が等しければスパッタされた膜厚も等しくなり、ほぼ等しい距離は膜厚の許容変化により生じる距離であり、用語自体不明瞭ではない。（答弁書第１０頁第７〜２２行、口頭審理陳述要領書第８頁第８〜２３行参照）
　
（３）無効理由３に対する反論
　　き）請求項２を削除したので無効理由３は存在しない。
　
ＶＩ．当審の判断
１．無効理由１について
（一）甲第２号証に記載された発明についてみてみると、甲第２号証には、記載事項（ｃ）によれば、「クライオポンプを装着したチャンバの２側面と２つの平面マグネトロンターゲットとを備え、絶縁トランスの二次巻線を２つの対向するターゲット間に接続し、２つの対向するターゲットに６０Ｈｚ、８０〜５００ｋＨｚ、及び１３．５６ＭＨｚの電力を投入する蒸着システム」が記載されている。そして、「平面マグネトロンターゲット」は、記載事項（ｃ）によれば、「マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジングに固定されたＡｌターゲット」であるといえ、「２つの対向するターゲット」は、記載事項（ｂ）によれば、「同一の平面マグネトロンターゲット」であるといえる。また、記載事項（ｆ）によれば、「絶縁トランス」の「２次巻線の両端が対向する２つのターゲットにそれぞれ接続し、１次巻線が電源に接続している」といえ、「２つの対向するターゲット」は、「サブストレート及び回転台」を挟んで対向して配置されているといえる。また、記載事項（ｃ）によれば、「サブストレート」はターゲットの正面に位置させて、サブストレート上に蒸着しているといえる。さらに、上記「蒸着システム」は、記載事項（ａ）によれば、「誘電体膜の蒸着に特に有利な新しいスパッタリングプロセス」のためのシステムであるといえる。また、記載事項（ｅ）には、上記「蒸着システム」によって、「スパッタ雰囲気として希ガスをＮ２ガスに置き換えることでＡｌＮ誘電体膜を蒸着でき、８０ｋＨｚでの蒸着速度は、１３．５６ＭＨｚでの速度より８０％大きく、８０ｋＨｚでのスパッタリングの間、アーク放電は観察されず、膜中の微粒子の形跡がない」ことが記載されている。
　これら記載事項を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、甲第２号証には、「クライオポンプを装着したチャンバの２側面と２つの同一の平面マグネトロンターゲットとを備え、平面マグネトロンターゲットは、マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジングに固定されたＡｌターゲットからなり、スパッタ雰囲気として希ガスをＮ２ガスに置き換えることでサブストレート上にＡｌＮ誘電体膜をスパッタリングにより蒸着する誘電体膜の蒸着システムであって、１次巻線に電源が接続された絶縁トランスの２次巻線の両端を２つのターゲットにそれぞれ接続し、２つのターゲットはサブストレート及び回転台を挟んで対向して配置されており、サブストレートは２つのターゲットの正面に位置し、２つの対向するターゲットに８０ｋＨｚの電力を投入する誘電体膜の蒸着システム」の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。
　
（二）そこで、本件発明と甲２発明とを対比すると、甲２発明の「クライオポンプを装着したチャンバ」は、クライオポンプによりチャンバ内を排気できることから、本件発明の「排気可能な付着室」に相当し、甲２発明では、Ａｌターゲットを用い、雰囲気ガスをＮ２ガスとし、ＡｌＮ誘電体膜を蒸着していることから、甲２発明の「Ｎ２ガス」、「サブストレート上にＡｌＮ誘電体膜を蒸着する誘電体膜の蒸着システム」は、それぞれ、本件発明の「反応ガス」、「サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置」に相当し、また、甲２発明の「希ガスをＮ２ガスに置き換える」ようにすることは、本件発明の「プロセスガスと反応性ガスを供給可能になっている」ことに相当する。
　また、甲２発明の「平面マグネトロンターゲット」の「マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジング」は、ターゲットに電力を供給する機能を有する「カソード」に相当するものであるから、甲２発明の「マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジング」と本件発明の「磁石を取囲むカソード」とは、「磁石を有するカソード」である点で共通している。そして、甲２発明では、「マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジング」を介してターゲットに電力を投入しているといえるから、甲２発明の「平面マグネトロンターゲットは、マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジングに固定されたＡｌターゲットからなり」、「ターゲットに電力を供給」して、「ＡｌＮ誘電体膜をスパッタリングにより蒸着する」ことは、本件発明の「前記カソードはターゲットと電気的に共働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着」することに相当する。
　さらに、甲２発明の「電源」は、ターゲットに８０ｋＨｚの電力が投入されていることから、本件発明の「交流源」に相当し、甲２発明の「１次巻線に電源が接続された絶縁トランスの２次巻線」は、本件発明の「１つの交流源の出力側」に相当する。そして、甲２発明の「２次巻線の両端を、２つのターゲットにそれぞれ接続」することは、甲第２号証において、２次巻線をターゲット以外に接続されることが示されておらず、２次巻線をアースに接続しなくともターゲット間のプラズマを生じうる電位差を印加できることが明らかであるから、本件発明の「アースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続」することに相当する。
　また、甲２発明の「マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジングに固定されたＡｌターゲット」からなる「平面マグネトロンターゲット」も、本件発明の「カソード」も、「付着室」内に設けられている点で共通している。
　そして、複数のターゲットやサブストレートを用いて蒸着膜を形成する場合に、形成される蒸着膜が均一となるとように条件を揃えることは、技術常識であるから、甲２発明の「サブストレートは各ターゲットの正面に位置」することは、「サブストレート」と各「ターゲット」及び「マグネトロンアセンブリの水冷式銅ハウジング」との距離がほぼ等しくなっていることを含むことは明らかである。
　
（三）そうしてみると、本件発明と甲２発明とは、「１つの交流源を備えており、前記交流源は排気可能な付着室内に設けられた磁石を有するカソードと接続されており、前記カソードはターゲットと電気的に共働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室内へプロセスガスと反応性ガスを供給可能になっている、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置において、前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中に配置されており、該２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しており、前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、８０ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置。」で一致し、次の点で相違している。
（相違点Ａ）
　本件発明の「磁石を有するカソード」は、「磁石を囲むカソード」であるのに対して、甲２発明では、磁石を囲んでいることは明示されていない点。
（相違点Ｂ）
　本件発明では、付着室に配置された２つのカソードは、「付着室中のプラズマ空間の中で、前記サブストレートの一方の側に互いに並置され、電気的には互いに分離されて設けられ」ているのに対して、甲２発明では、「サブストレート及び回転台を挟んで対向して配置されて」いる点。
（相違点Ｃ）
　本件発明では、周波数の設定が「イオンが交番電磁界に追従できるよう」になされているのに対して、甲２発明では、その点ついて明示されていない点。
　
（四）相違点Ａについて検討する。
　甲第１０号証には、記載事項（ａ）及び（ｂ）によれば、「薄膜が形成されるサブストレートと、スパッタされるターゲットとが、向かい合って配置されたコーティング装置」が記載されているといえ、さらに、「ターゲットは、横断面がＵ字形状の構成部材を経由して電極に接続」すること、「構成部材が、永久磁石をそれぞれ取り囲む」こと、及び「直流電圧源の負極は電極に接続される」ことが記載されているといえる。そして、前記「Ｕ字形状の構成部材」は、ターゲットを電極に接続するものであり、この電極は、直流電圧源の負極に接続されていることから、「Ｕ字形状の構成部材」は、直流電圧源の負極に接続された電極の一部として機能するものといえる。また、直流電圧源の負極に接続された電極は、当該技術分野において、「カソード」と呼ばれることは自明な事項である。
　してみると、甲第１０号証には、「薄膜が形成されるサブストレートと、スパッタされるターゲットとが、向かい合って配置されたコーティング装置のカソードの一部として機能するＵ字形状の構成部材が、永久磁石を取り囲んでいる」ことが記載されているといえる。
　そうしてみると、マグネトロンスパッタリング装置のカソードとして、磁石を取り囲むカソードを用いることは、当該技術分野において、周知の技術といえるから、甲２発明の「カソード」を「磁石を囲むカソード」とすることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
（五）相違点Ｂのうち、「２つのカソードが、付着室中のプラズマ空間の中で、電気的には互いに分離されて設けられている」点について検討する。
　甲第１０号証の記載事項（ａ）に「These magnetic fields condense the plasma before the targets 3, 4 such that the greatest density occurs where the maximum of the circular arc of the magnetic field is.（当審訳「これら磁場は、ターゲット３、４の前方であって、磁場の円弧の最大の部分で最も密度が高くなるように、プラズマを濃縮する。」）」と記載されているように、マグネトロンスパッタ装置において、マグネトロンターゲットの表面にプラズマ領域が形成されることは、周知の技術である。
　そして、甲２発明では、２つの平面マグネトロンターゲットは、同一のものを用いており、マグネトロンターゲットの磁石の磁極も同様に配置されていることは明らかである。しかも、甲第２号証には、２つの平面マグネトロンターゲットの間を連結するプラズマが発生するような磁界を形成するための特別な磁石配置とすることは、記載も示唆もなされていない。
　してみると、上記周知技術として示したように、甲２発明では、２つの平面マグネトロンターゲットの表面のそれぞれに、プラズマが発生するように磁石が配置されているといえ、２つの平面マグネトロンターゲットは、プラズマを介して電気的に接続していない状態といえる。
　したがって、甲２発明においても、２つのカソードが、付着室中のプラズマ空間の中で、電気的には互いに分離されて設けられているといえるから、この点については実質的な相違点といえない。
　
（六）次に、相違点Ｂのうち、「２つのカソードが、前記サブストレートの一方の側に互いに並置されている」点について検討する。
　甲第１７号証には、記載事項（ａ）によれば、「磁気システムとその上に配置された２つの電極からなるスパッタリング装置において、該電極がスパッタリングされる材料からなり、及び、これら電極が、交互に放電のカソードとアノードになるように電気的に接続されていることを特徴とするスパッタリング装置」が記載されているといえ、記載事項（ｅ）によれば、該「スパッタリング装置」によって、アーク放電を抑制できるといえる。
　そして、この「２つの電極」の配置に関して、記載事項（ｂ）及び（ｇ）によれば、「２つの電極」は「１つの平面に並べて配置されている」といえる。また、記載事項（ｄ）に「
U
　また、記載事項（ｃ）によれば、「２つの電極」は、「対になって対向している」といえ、記載事項（ｆ）によれば、サブストレートの両側にコーティングするための構成といえるから、「２つの電極」は、サブストレートを挟んで両側に対向して配置されているといえる。
　以上のことから、甲第１７号証には、「磁気システムとその上に配置された２つの電極からなるスパッタリング装置において、該電極がスパッタリングされる材料からなり、及び、これら電極が、交互に放電のカソードとアノードになるように電気的に接続されていることを特徴とするスパッタリング装置」において、「２つの電極」は、「サブストレートに対向して一方の側に、１つの平面に並べて配置される」場合と、「サブストレートを挟んで両側に対向して配置される」場合とが記載され、両方の場合でアーク放電を抑制できることが記載されているといえる。
　そうしてみると、当該「スパッタリング装置」においては、「交互に放電のカソードとアノードになるように電気的に接続された２つの電極」を「サブストレートに対向して一方の側に、１つの平面に並べて配置」することと、「サブストレートを挟んで両側に対向して配置」することは、置換可能な技術であり、当業者にとって周知の技術といえる。
　一方、甲２発明の「蒸着システム」も、「１次巻線に電源が接続された絶縁トランスの２次巻線の両端を、２つの平面マグネトロンターゲットにそれぞれ接続」して「２つの対向する平面マグネトロンターゲットに８０ｋＨｚの電力を投入」するものであり、甲第１７号証に記載された「スパッタリング装置」と同じように、２つの平面マグネトロンターゲットが交互に放電のカソードとアノードになるように電気的に接続されている。
　そして、甲第２号証の記載事項（ａ）によれば、甲２発明は、「異なるターゲット／サブストレート幾何学構造に適用」できるといえるから、甲２発明において、平面マグネトロンターゲットが、「サブストレート及び回転台を挟んで対向して配置」されることに代えて、「サブストレートの一方の側に互いに並置」することは、当業者が適宜なし得る単なる設計的事項にすぎない。
　
（七）相違点Ｃについて検討する。
　甲第５号証の記載事項（ａ）に「一般におよそ５ＭＨｚ以上の周波数を電極に印加すると、空間に存在する電子はこの５ＭＨｚの周波数に対して追従するが、アルゴンイオンはその重量が大きいために追従できない・・・アルゴンイオンを電圧波形に追従させるために、基板に印加する電圧波形の繰り返し周波数を１ＭＨｚ以下・・・とする。」と記載されているように、アルゴンイオンが１ＭＨｚ以下の繰り返し周波数に対して追従することは、周知の技術である。
　また、甲第２号証の記載事項（ｄ）によれば、「Ｎｅ及びＫｒでも同様の結果が得られ、周波数が増加すると規格化蒸着速度は低下し、１３．５６ＭＨｚでの値は直流の値の〜５０％になった。すべての希ガスの値は非常によく似ていて、周波数による相対速度の低下は気体の質量に依存しないようである。３０ｋＨｚ以上の周波数では、システムに供給された電力の減少する割合は、ターゲットへのイオン流速、要するにスパッタ速度に現われる。」と記載され、甲第２号証には、小さな周波数では、イオンが周波数に追従していることが示唆されているといえる。
　してみると、甲２発明では、交流源の周波数は８０ＫＨｚに設定されていることから、アルゴンイオンや、アルゴンイオンより軽い窒素イオン等のイオンが上記周波数に追従していることは明らかであり、甲２発明では、交流源の周波数は、イオンが交番電磁界に追従できるように設定されているといえる。
　したがって、上記相違点３は、実質的な相違点といえない。
　
（八）また、本件発明の明細書に記載された「反応性ガスに対して比較的親和性の高い物質のスパッタのための、均一で安定したプロセスが可能でかつ作動時間が長い場合であっても障害が生じたりとりわけフラッシュオーバが生じたりすることなく作動し、・・・絶縁膜を形成する場合、この膜をサブストレート上に確実に付着する装置を提供することにある。」（段落【０００６】）との課題についてみてみると、甲第２号証の記載事項（ｅ）に「８０ｋＨｚでのスパッタリングの間、アーク放電は観察されず、膜中の微粒子の形跡はなかった。」と記載されているように、甲２発明においても、スパッタリング中にアーク放電が発生することなく成膜できることが示され、均一で安定したプロセスが可能であるといえる。
　したがって、本件発明の作用効果は、甲第２号証に記載された事項及び周知技術から当業者であれば容易に予測可能なものといえる。
　
（九）そして、被請求人の主張についてみてみると、被請求人は「甲第２号証では、２つのカソードの中間にサブストレートが介在しており、プラズマ点火の障害となる。これに対して、本件発明では、２つのカソードを対向するサブストレートの一方側に並置することによって解決される。したがって、甲第１号証及び甲第２号証から本件発明を容易に想到できない。」（被請求人の主張い）参照）と主張しているが、甲第１７号証に記載されているように、２つのカソードの中間にサブストレートを介在させて対向配置することも、２つのカソードを対向するサブストレートの一方側に並置することも、同等の配置方法として取り扱えることは明らかであり、また、当該主張は、本件明細書の記載に基づくものでもない。
　また、被請求人は「甲第２号証には、絶縁トランスの２次巻線は、その一方の端子がアースされているかいないかについて全く詳しく記載されておらず、不明である。」（請求人の主張う）参照）と主張しているが、上記（一）で示したように、甲第２号証には、２次巻線がアースに接続されていることは示されておらず、また、２端子の一方がアースに接続されていなくでもスパッタリング装置として機能することは明らかであるから、甲第２号証が不明瞭であるとはいえない。
　さらに、被請求人は「甲第１０号証の図１において、磁石は、ヨークとＵ字型の横断面部材とで取囲んでおり、本件発明の構成要件とするカソード電極自体が磁石を取囲んでいない。」（請求人の主張え）参照）と主張しているが、上記（四）で示したように、Ｕ字形状の構成部材は、電極の一部として機能するものであり、Ｕ字形状の構成部材は、カソードの一部であるといえる。
　したがって、被請求人の主張は採用できない。
　
（十）以上のとおり、本件発明は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
２．無効理由２について
（一）請求人は、「本件特許の請求項１に記載の発明特定事項のうち、「該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、」について、本件特許の図１にカソードとサブストレートとの距離として「Ａ１」及び「Ａ２」が僅かに図番として記載されているのみであり、本件明細書の発明の詳細な説明には何ら記載されておらず、どのような技術的意義があるかについても記載されていない。また、「ほぼ等しい」という語句は、その用語自体が非常に不明瞭である。」（請求人の主張エ）参照）と主張している。
　
（二）これについて検討すると、複数のターゲットやサブストレートを用いて蒸着膜を形成する場合に、形成される蒸着膜が均一となるとように、ターゲットとサブストレート間の空間的距離を含めた蒸着条件を揃えることは、技術常識である。そうすると、本件明細書の発明の詳細な説明の段落【０００７】に「この課題は、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、該２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しており、前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置により解決される。」と記載され、また、図１にカソードとサブストレートとの距離として「Ａ１」及び「Ａ２」が図番として記載され、図１中で、これら「Ａ１」及び「Ａ２」がほぼ等距離に記載されていることから、上記技術常識を加味すれば、請求項１の「該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、」との発明特定事項は、本件明細書の発明の詳細な説明に実質的に記載されているとみることができる。
　また、この点に関して、請求人は、「明細書には、カソードとサブストレートの間の距離をどのように測定するかについて一切記載がない。サブストレートの中心とカソードの距離が等しいと解釈すると、サブストレートの形状が明記されていないので不明瞭である。」（請求人の主張オ）参照）と主張しているが、カソードの表面とサブストレートの表面との空間的距離を示していることは、技術常識から明らかであるから、この主張は認められない。
　
（三）そして、「ほぼ等しい」という語句は、空間的距離（Ａ１またはＡ２）が等しいことの誤差を示したものと認められる。そして、この誤差は技術分野において定まるものであるから、当該記載が不明瞭であるとはいえない。
　この点に関して、請求人は、「判断基準が使用者の主観任せとなり不明瞭である」（請求人の主張カ）参照）と主張しているが、上述したように、この誤差の範囲は技術分野において自ずと決まるものであるから、この主張は認められない。
　
（四）したがって、本件訂正後の請求項１は、特許法第３６条の規定を満足しているから、無効理由があるとはいえない。
　
３．無効理由３について
　無効理由３の対象となる請求項２は、上記「ＩＩ．」で記載したとおり、訂正により削除された。したがって、対象となる請求項２が存在しないから、無効理由があるとはいえない。
　
ＶＩＩ．結び
　以上のとおりであるから、本件訂正後の請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術により当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきである。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきとする。
　よって、結論のとおり審決する。