【事件の表示】
　平成１１年特許願第２１２６２７号「ヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月２５日出願公開、特開２０００−　５８５５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年７月２７日（パリ条約による優先権主張１９９８年７月３１日、米国）の出願であって、平成１７年５月２０日に拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、その後当審において、平成１８年８月２２日付けで審尋がなされ、平成１９年２月２３日に回答書が提出されている。
　
第２　平成１７年９月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年９月１５日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１．本件補正の内容      　
　本件補正は、補正前の請求項１ないし１０を、補正後の請求項１ないし１０と補正するものであって、補正後の請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成するステップと、
　前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップとを含むヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法であって、
　前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイルを達成するドーピングステップと、
　前記ベース領域上にエミッタ領域を形成するステップとを含み、前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されていることを特徴とするヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正の内、請求項１についての補正は、以下の補正事項１及び２に整理される。
（補正事項１）
　補正前の請求項１の「さらに、前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムのドーピングプロファイルを達成するドーピングステップ」を、補正後の請求項１の「前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイルを達成するドーピングステップ」と補正すること。
（補正事項２）
　補正前の請求項１の「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されていること」を、補正後の請求項１の「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されていること」と補正すること。
　　
３．本件補正についての検討
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
（補正事項１）
　補正事項１についての補正の内、補正前の「さらに、」を削除することについて検討すると、「前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムのドーピングプロファイルを達成するドーピングステップ」は、その前段に記載される「前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップ」と実質的に同一のステップであって、新たなステップを追加するものではないから、「さらに、」との記載は誤記であって、補正前の「さらに、」を削除することは、誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　補正前の請求項１の「前記インジウムのドーピングプロファイル」を「前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイル」と補正することは、「ドーピングプロファイル」を限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、同法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、本願の願書に最初に添付された明細書の段落【００２３】には、「インジウムをシリコン製基板に注入する間、このインジウムはシリコン製基板内で自然な濃度分散を達成する。」と記載されているから、補正事項１についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たしている。
（補正事項２）
　補正事項２についての補正の内、補正前の請求項１の「前記ドーピングプロファイル」を「前記自然濃度ドーピングプロファイル」と補正することは、上記補正事項１についての検討のとおり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、補正前の請求項１の「維持されていること」を「前記ベースにより維持されていること」と補正することは、後記のとおり、ベース内において維持されていることを意味するものと解釈され、「維持されていること」を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。よって、補正事項２についての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、本願の願書に最初に添付された明細書の段落【００２３】には、「従来技術のデバイスにおける高温のアニールは、本発明では必要はない。そのためベース１２０内のインジウムの自然濃度分布に悪影響を及ぼさない。」と記載されているから、補正事項２についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たしている。
　　
　以上のとおり、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、以下において、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件について検討する。
　　
（２）独立特許要件について
（２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記「１．本件補正の内容」に記載したとおりである。
　　　
（２−２）刊行物に記載された発明
（ａ）刊行物１：特開平９−１８１０９１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前である平成９年７月１１日に日本国内において頒布された特開平９−１８１０９１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図１３とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は強調のため、本審決において付加した。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベース層がシリコン−ゲルマニウム合金からなるシリコン
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
「【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、急速熱エピタキシ（rapid thermal epitaxy：ＲＴＥ）の技術を用いて、高レベルの集積が可能となる新規でより平面上の構造体を有するＨＢＴを形成した。」
「【０００８】図示しない
シリコン基板の上に少なくとも１つのｎ＋サブコレクタ領域１０が形成される。ｎ型コレクタ領域２０は、領域１０の一部分の上に形成され、
【０００９】
薄いシリコンの核となる層４０，５０が、
領域２０および３０の上に形成される。
内側領域部分５０は、デバイスのコレクタの一部として機能する
【００１０】内側領域ベース６０は、部分５０の上に形成される。内側領域ベースは、典型的には５％〜５０％の範囲、好ましくは３０％のゲルマニウム分子の割合を有するエピタキシャルＳｉＧｅ合金からなる。・・・」
「【００２５】トランジスタは、半導体層のシーケンスを成長させることにより形成される。これらは、限定反応処理として知られる成長モードを使用して急速熱エピタキシ（ＲＴＥ）により成長させられる。・・・ＲＴＥは、成長温度の高速調節のために大きな放射熱を使用する化学気相成長法によるエピタキシャル成長である。
【００２６】先ず、酸化物層２００が、サブコレクタ１０の上に通常の方法で形成される。次に、図４および５に示されているように、ウィンドウ２１０が通常の方法で層２００中にあけられ、コレクタ２０がサブコレクタ１０上のウィンドウにおいて本来の場所での砒素ドーピングと共に選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）により成長させられる。この成長は、典型的には８００℃〜１０００℃、好ましくは９５０℃において、ジクロロシラン、塩化水素、および砒化水素の混合物の流れ中で実行される。・・・　
【００２７】図６に示されているように、シリコン層２３０が、次のＳｉＧｅベースおよびエミッタの成長を容易にするために成長させられる。層２３０は、シランから成長させられる。層２３０の部分２３１（即ち外側領域部分）は、酸化物の上に成長させられ、多結晶層として形成される。層２３０の部分２３２（即ち内側領域部分）は、単結晶シリコンの上に成長させられ、エピタキシャル層として形成される。次に、図７に示されているように、
ＳｉＧｅベース層２４０が成長させられる。この層は、ジクロロシラン、ジャーマイン、およびホウ素ドーピングのためのジボランから成長させられる
層２４０は
先の層の部分２３２の上に横たわる内側領域部分２４２においてエピタキシャルに形成される。
【００２８】次に、
シリコン層２５０が、図８に示されているように成長させられる。この層（エミッタとなるべき内側領域部分）は、ジクロロシランおよび砒化水素により
成長させられる
その内側領域部分２５２においてエピタキシャルである。
【００２９】次に、図９に示されているように、好ましくは３００ｎｍの厚さの二酸化珪素層２６０が、典型的にはＰＥＴＥＯＳ反応炉中で、ＴＥＯＳからプラズマ強化化学気相成長法により形成される。図１０に示されているように、エミッタウィンドウ２７０は、反応イオンエッチングにより層２６０中にあけられ、多結晶シリコン層２８０が堆積されて、このウィンドウ２７０を埋める。ＲＴＥ反応炉において層２８０を形成することが好都合であることがわかった。エミッタ下側コンタクト層１１０（図１参照）となるべき層２８０は、シランおよび砒化水素（本来の場所のドーピングのため）から好ましい成長温度７００℃において好ましい厚さ１４０ｎｍに成長させられる。
【００３０】次に、図１１に示されているように、層２６０および２８０が、レジスト処理およびその後のエッチングによりパターン化される。これは、図１にも示されているようにエミッタ下側コンタクト１１０およびスペーサ１００を形成することになる。レジスト２８５を存在させたままで、以下に説明するように外側領域ベース注入が実行される。そして、デバイスが、さらなるリソグラフィパターン化ステップの実行により、その後の層２３０，２４０および２５０のエッチングにより絶縁される。得られる構造が、図１２に示されている。
【００３１】図１１および１２において、外側ベース領域２９０が、上述したように、ホウ素およびボロンジフルオライドの層２３０，２４０および２５０へのイオン注入により形成される。この注入の間、スペーサ１００は、これらの層の内側領域部分にイオンが注入されることを阻止する。・・・
【００３３】次に、図１３に示されているように、エミッタ上側コンタクト層１２０およびベースコンタクト層１３０が、２つのステップ、好ましくは６４０℃で６０秒、および次に８００℃において４０秒行われる急速熱アニーリングプロセスで、チタニウムジシリサイド層を成長させることにより自己整合的に形成される。このアニールは、好ましくは大気圧において５リットル／分の流れで窒素中で実行される。この熱サイクルは、外側領域ベース中の注入されたホウ素ドーパントを活性化するためにも有効である。
【００３４】図１において、酸化物層１７０は、好ましくはＰＥＴＥＯＳプロセスにより３００ｎｍの厚さに形成され、電極のためのコンタクトホールを作るために従来の方法によりパターン化される。電極１４０，１５０および１６０が、通常の金属堆積、およびその後のパターン化された３レベルレジストによる反応イオンエッチングにより形成される。・・・」
　　
　よって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。　
「シリコン基板の上にｎ＋サブコレクタ領域１０を形成し、前記領域１０の一部分の上にｎ型コレクタ領域２０を形成し、その上に薄いシリコンの核となる層４０，５０（層２３０の部分２３１，２３２）を形成する工程と、
　次に、ＳｉＧｅベース層２４０を成長し、前記層２４０を先の層の部分２３２の上に横たわる内側領域部分２４２においてエピタキシャルに形成する工程とを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法であって、
　前記ＳｉＧｅベース層２４０を、ジクロロシラン、ジャーマイン、およびホウ素ドーピングのためのジボランから成長する工程と、
　前記ＳｉＧｅベース層２４０上に、エミッタとなるべき内側領域部分２５２を含むシリコン層２５０を、ジクロロシランおよび砒化水素により成長する工程とを含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。」
　
（ｂ）刊行物２：特開平９−１８６１７１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前である平成９年７月１５日に日本国内において頒布された特開平９−１８６１７１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「バイポーラトランジスタの製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図５とともに以下の事項が記載されている。
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、バイポーラ技術でもってより高速でより高いコレクター電流を有しながら、初期電圧とパンチスルーの性能劣化のない素子を提供することである。」
「【０００６】
【発明の実施の形態】図１において、ｐ型基板１１の上にｎ＋領域１３とｎ−エピタキシャル領域１５が堆積される。一方、フィールド酸化物１７が形成され、その下にｐ型ウェル１９と２１がそれぞれ形成される。・・・
【０００７】図２において、インジウム２３でもってイオン注入し、そのときのエネルギは２０Ｋｅｖ〜２００Ｋｅｖで、ドーズ量は、１０12〜１０15ｃｍ-2である。このインジウムドーパントが、ベース領域２５を形成する。以下に説明するように、インジウムをドーピングしてできたベースは、高速且つ狭いベースを有するトランジスタとなる。さらにまた、インジウムドーパントの不完全なイオン化により、高いコレクタ電流と初期電圧とベースパンチスルーの性能劣化のない素子の形成が可能となる。・・・
【０００８】図３においてブランケット酸化物層が形成され、パターン化されて、酸化物セグメント２７，２９が残る。その後ポリシリコン製のブランケット層が１０００〜３０００オングストロームの厚さで堆積される。その後このポリシリコン層をパターン化してエミッタコンタクト３１を形成する。次にエミッタコンタクト３１に砒素または燐で通常５０〜１００Ｋｅｖのエネルギで１０16ｃｍ-2のドーズ量でもって注入する。
【０００９】次に図４において、急速熱アニール（rapid thermal anneal（ＲＴＡ））あるいは炉内ドライブイン（furnace drive-in）を実行する。ポリシリコン製のエミッタコンタクト３１からの砒素あるいは燐のドーパントが導出されて、ｎ+ 領域３３を形成する。かくして、エミッタ３３，ベース領域２５，コネクタ１５を有するバイポーラトランジスタが形成される。このトランジスタのベース幅は、図４でＷb で示される。」
「【００１６】
【発明の効果】インジウムをｎｐｎバイポーラトランジスタのｐベース領域に対し、アクセプタドーパントとして用いると、以下のような利点がある。
（１）インジウムは、ボロン（従来のベースドーパント）よりもはるかに遅く、拡散するので狭いベース幅（ＷB）と、より改良されたベース移動位相時間とｆtを有するトランジスタを形成できる。
（２）ボロンに比較してインジウムは、より深いアクセプタレベルを有する。このインジウムの特性を用いて、疑似中立ベースのガンメル数を減少させることができるが、一方ベースは、パンチスルーをすることがない。その理由は、インジウムアクセプタ状態の完全なイオン化がディプレーション領域（空乏領域）で達成されるからである。その結果、ボロンをドープしたベースの構造体に対し、より改良されたｈfe×ＶA （ゲイン−初期電圧の積）が得られる。」
　　
（２−３）対比
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」は、補正発明の「ヘテロ構造バイポーラトランジスタ」に相当する。
（ｂ）本願明細書には、「図１には、本発明により構成されたヘテロ構造ｎｐｎバイポーラトランジスタ１００の断面図を示す。・・・同図に示した実施例のヘテロ構造ｎｐｎバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）１００は、コレクタ１１０と・・・を有する。この実施例は、さらにｐ型基板１４０とｎ＋基板領域１５０と・・・を有する。このｐ型基板１４０は、シリコン製ウェハの上部表面である。このｐ型基板１４０は、その上に形成された少なくとも１つのｎ＋サブコレクタ領域１５０を有する。」（段落【００１５】）と記載され、更に、「このコレクタ領域１１０は、ＣＶＤにより形成される。」（段落【００１７】）と、実施例について記載されているから、補正発明における「半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成する」ことは、半導体基板の上に、ｎ＋サブコレクタ領域１５０を形成し、ＣＶＤによりコレクタ領域１１０を形成することを含むものである。
　一方、刊行物１には、「コレクタ２０がサブコレクタ１０上のウィンドウにおいて・・・選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）により成長させられる。」（段落【００２６】）及び「一般に、核となる層の内側領域部分５０は、デバイスのコレクタの一部として機能することになる。」（段落【０００９】）と記載されているから、刊行物発明の少なくとも、「ｎ型コレクタ領域２０」及び「層５０」が、補正発明の「ｎ型にドーピングされたコレクタ領域」に相当する。また、刊行物発明の「シリコン基板」は、補正発明の「半導体基板」に相当する。
　よって、刊行物発明の「シリコン基板の上にｎ＋サブコレクタ領域１０を形成し、前記領域１０の一部分の上にｎ型コレクタ領域２０を形成し、その上に薄いシリコンの核となる層４０，５０（層２３０の部分２３１，２３２）を形成する工程」は、補正発明の「半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成するステップ」に相当する。
（ｃ）刊行物発明において、「層の部分２３２」は「層５０」のことであるから、上記（ｂ）での検討を参照すると、刊行物発明の「先の層の部分２３２の上に横たわる」は、補正発明の「前記コレクタ領域上」に相当する。また、刊行物発明の「ＳｉＧｅベース層２４０」の「内側領域部分２４２」は、補正発明の「ＳｉＧｅを含むベース領域」に相当する。そして、刊行物発明の「エピタキシャルに形成」と、補正発明の「エピタキシャル的に形成」とは、実質的に同等であるから、刊行物発明の「次に、ＳｉＧｅベース層２４０を成長し、前記層２４０を先の層の部分２３２の上に横たわる内側領域部分２４２においてエピタキシャルに形成する工程」は、補正発明の「前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明は、「ＳｉＧｅベース層２４０を、ジクロロシラン、ジャーマイン、およびホウ素ドーピングのためのジボランから成長」しており、上記（ｃ）を参照すると、この結果として、「前記層２４０を先の層の部分２３２の上に横たわる内側領域部分２４２においてエピタキシャルに形成する」のであるから、このベース層２４０の成長工程は、ＳｉＧｅベース層２４０の内側領域部分２４２にアクセプタドーパントである「ホウ素」を「エピタキシャル的にドーピング」していると言える。そして、刊行物発明の「ホウ素」は、「アクセプタドーパント」であることにおいて、補正発明の「インジウム」に対応している。
　よって、刊行物発明の「前記ＳｉＧｅベース層２４０を、ジクロロシラン、ジャーマイン、およびホウ素ドーピングのためのジボランから成長する工程」は、補正発明の「前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域に」アクセプタドーパントを「エピタキシャル的にドーピング」する「ドーピングステップ」に対応する。
（ｅ）後述するように、補正発明において「エミッタ領域」の定義は明確ではないが、刊行物発明のシリコン層２５０の「エミッタとなるべき内側領域部分２５２」は、少なくとも、補正発明の「エミッタ領域」の一部に対応するから、刊行物発明の「前記ＳｉＧｅベース層２４０上に、エミッタとなるべき内側領域部分２５２を含むシリコン層２５０を、ジクロロシランおよび砒化水素により成長する工程」は、補正発明の「前記ベース領域上にエミッタ領域を形成するステップ」に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成するステップと、
　前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップとを含むヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法であって、
　前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にアクセプタドーパントをエピタキシャル的にドーピングするドーピングステップと、
　前記ベース領域上にエミッタ領域を形成するステップとを含むことを特徴とするヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法。」
である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピング」しているのに対し、刊行物発明は、ベース層２４０をホウ素ドーピングのためのジボランを用いて成長している点。
（相違点２）
　補正発明は、ドーピングステップにおいて「前記ベース中に前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイルを達成」しているのに対し、刊行物発明は、このことが記載されていない点。
（相違点３）
　補正発明は、「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」のに対し、刊行物発明は、このことが記載されていない点。
　
（２−４）判断
　以下、各相違点について検討する。
（相違点１について）
（ａ）刊行物２には、ｎｐｎバイポーラトランジスタにおいて、インジウムをｐ型ベース領域のアクセプタドーパントとして用いることにより、「高いコレクタ電流と初期電圧とベースパンチスルーの性能劣化のない素子の形成が可能となる」（段落【０００７】）ことが記載されている。（なお、刊行物２の「初期電圧」は、本願明細書における「アーリー電圧」と同じものであると認められる。）
　刊行物２に記載のものは、シリコンからなるバイポーラトランジスタに、インジウムをイオン注入してベース領域を形成したものであるが、刊行物２には、インジウムをベースのドーパントとして用いたものと、ボロンをベースのドーパントとして用いたものとの２個のバイポーラトランジスタの特性を、理論式に基づいて導出・比較して、ｐ型ベース領域にインジウムをアクセプタドーパントとして用いることの利点が開示されている。そして、この利点は、「インジウムのアクセプタ状態は、価電子帯よりも高い１５６ｍｅＶであり、室温では完全にはイオン化されないからである」（段落【００１４】）というインジウムの物性に基づくものであるから、半導体材料がＳｉＧｅであってもほぼ同様に成立することは当業者にとって明らかであり、刊行物２の記載に基づいて、ＳｉＧｅヘテロ構造バイポーラトランジスタのベース領域のドーパントとしてインジウムを用いることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
（ｂ）また、インジウムを半導体のアクセプタドーパントとして利用する際に、インジウムをトリメチルインジウム等のインジウム系化合物として供給し、半導体内に導入することは、例えば、特開昭５９−２１８７２７号公報（「ドーパント不純物としてほう素またはりんを用いた場合について説明したが、・・・トリメチルインジウム・・・などの有機金属のガスを真空容器に導入し、グロー放電を行えば・・・インジウム・・・などの不純物を含む半導体領域を母材半導体基体中に形成される。」［第４頁左上欄第８行〜第１６行］）に記載されるように、従来からよく知られていることであるから、バイポーラトランジスタのベース層をドーパントを含むガスとともにエピタキシャル成長する際に、インジウムをインジウム系有機金属化合物ガスとして供給し、ベース層にインジウムをドーピングすることは、当業者が何の困難もなくなし得ることである。
（ｃ）よって、刊行物発明において、ＳｉＧｅベース層２４０を成長させる際に、ホウ素ドーピングのためのジボランに代えて、インジウム系有機金属化合物ガスを供給してインジウムをドーピングすること、即ち、補正発明のごとく、「ベース領域の形成中に、前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピング」することは、当業者が容易になし得ることである。
　　
（相違点２について）
（ａ）補正発明の「前記ベース中に前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイルを達成」することについて検討すると、本願の明細書には、「自然濃度ドーピングプロファイル」について明確な定義が無く、発明の詳細な説明に以下の関連する記載があるのみである。
（ア）「インジウムをシリコン製基板に注入する間、このインジウムはシリコン製基板内で自然な濃度分散を達成する。しかし、インジウム原子はシリコン結晶構造体を損傷させ、そのため、この損傷をアニール処理で除去しなければならない。しかし高温におけるアニールはインジウムの自然濃度分散に悪影響を及ぼす。」（段落【０００９】）
（イ）「インジウムをシリコン製基板に注入する間、このインジウムはシリコン製基板内で自然な濃度分散を達成する。インジウムはベース１２０がエピタキシャル成長するのと同時に注入されるためにシリコン結晶構造体に何等の損傷を与えない。かくして、トランジスタデバイスをアニールする必要はない。したがって、従来技術のデバイスにおける高温のアニールは、本発明では必要はない。そのためベース１２０内のインジウムの自然濃度分布に悪影響を及ぼさない。」（段落【００２３】）
　ここで、上記（ア）、（イ）の記載及び半導体分野の技術常識から判断して、上記の「自然な濃度分散」、「自然濃度分散」、及び「自然濃度分布」が、補正発明の「自然濃度ドーピングプロファイル」に相当するものと解される。
（ｂ）インジウムをイオン注入で導入する場合について記述した上記（ア）において、「インジウムをシリコン製基板に注入する間、このインジウムはシリコン製基板内で自然な濃度分散を達成する。」と記載されており、また、インジウムをエピタキシャル成長と同時に導入する場合について記述した上記（イ）においても、「インジウムをシリコン製基板に注入する間、このインジウムはシリコン製基板内で自然な濃度分散を達成する。」と記載されていることから、「自然な濃度分散」（即ち、「自然濃度ドーピングプロファイル」）は、インジウムをイオン注入で導入することによっても、エピタキシャル成長と同時に導入することによっても、格別な処理を行うことなく、直ちに達成されることが明らかである。
　また、上記（ア）の「高温におけるアニールはインジウムの自然濃度分散に悪影響を及ぼす。」との記載から、「自然濃度分散」は、高温のアニールにより、何らかの変化を生じることが明らかである。
　したがって、これらの記載から、補正発明の「自然濃度ドーピングプロファイル」（「自然濃度分散」又は「自然濃度分布」）とは、半導体基板にインジウムを導入したままの状態であって、「高温のアニールを受ける前の半導体基板内におけるドーパント（補正発明においてはインジウム）の分散状態」を意味するものと解釈する他はない。
（ｃ）刊行物発明も、ＳｉＧｅベース層をドーピングガスとともにエピタキシャル成長するものであって、補正発明のごとく、ベース領域の形成中に、前記ベース領域にアクセプタドーパントをエピタキシャル的にドーピングするものであるから、上記（ｂ）の解釈に基づけば、アクセプタドーパントの元素こそ異なるものの、刊行物発明においても、ベース中に、アクセプタドーパントの「自然濃度ドーピングプロファイル」が結果的に達成されることは、当然のことである。
（ｄ）そして、上記（相違点１について）での検討を併せ考慮すれば、刊行物発明において、アクセプタドーパントとしてインジウムを用い、補正発明のごとく、ドーピングステップにおいて「前記ベース中に前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイルを達成」することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（相違点３について）
（ａ）まず、補正発明の「前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」ことについて検討すると、上記（相違点２について）で検討したとおり、補正発明は、インジウムをドーピングして、「前記ベース中に前記インジウムの自然濃度ドーピングプロファイルを達成」するものであること、及び、請求人が平成１９年２月２３日付けの回答書において、『第２の認識は、「ベース層内のインジウムの自然濃度は、ベース層上にエミッタ領域を形成している間そのままに保たれる」ということです。』と、本願の発明について説明していることから、補正発明の「前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」ことは、「前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベース内において維持されている」ことを意味するものと解釈される。
（ｂ）刊行物１には、「次に、シリコン層２５０が、図８に示されているように成長させられる。この層（エミッタとなるべき内側領域部分）は、ジクロロシランおよび砒化水素により、好ましい厚さ１５０ｎｍに、好ましい温度８００℃において、好ましいドーピングレベル３×１０18ｃｍ-3で成長させられる。層２４０にドープされるホウ素の移動を防止するために、約８２５℃よりも低い成長温度を層２５０の成長において保つことが望ましい。」（段落【００２８】）と記載されているから、刊行物発明も、バイポーラトランジスタの実質的なエミッタとなる内側領域部分２５２を含むシリコン層２５０を形成する間は、「層２４０にドープされるホウ素の移動を防止する」こと、即ち、ベースにおけるアクセプタドーパントの分散状態が変化しないようにしていることは明らかであり、これは、アクセプタドーパントの元素こそ異なるものの、補正発明の「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」ことに実質的に相当する。
（ｃ）この点について、請求人は、審判請求の理由において、刊行物１（引用例２）は、『エミッタ下部コンタクトの形成後であるがエミッタ上部コンタクトの形成前のホウ素注入ステップを教示している。このホウ素注入ステップはゲートの外側部分におけるドーピングプロファイルの修正をもたらすものである。』と指摘し、『これら引用例は、単独あるいは組み合わせによって、本願発明を自明とするものではあり得ない。』と主張している。
（ｄ）請求人の上記指摘について検討すると、刊行物１において、エミッタ下側コンタクト層１１０は「多結晶シリコン層２８０」から構成されるものであり（段落【００２９】、【００３０】参照）、また、エミッタ上側コンタクト層１２０は「チタニウムジシリサイド層」を成長させることにより形成されるものであるから（段落【００３３】参照）、これらはエミッタに接続する導電層として認識されるべきものであって、刊行物１のバイポーラトランジスタの実質的な「エミッタ」は、シリコン層２４０のうちのエピタキシャルに形成された「内側領域部分２５２」である。
　よって、刊行物発明の「内側領域部分２５２」が、補正発明の「エミッタ領域」に実質的に相当するから、刊行物発明も、補正発明の「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」構成を実質的に備えている。
　したがって、請求人の上記主張は失当である。
　なお、刊行物１に記載のものにおいて、シリコンで形成された「エミッタ下側コンタクト層１１０」をエミッタ領域に含めるとしても、上記「エミッタ下側コンタクト層１１０」はＲＴＥ（rapid thermal epitaxy）反応炉において好ましい成長温度７００℃において成長させられるものであり、この温度ではアクセプタドーパントの移動はほとんど起こらないから、この場合も、刊行物発明は、補正発明の「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」構成を実質的に備えていると言える。
（ｅ）補正発明において、「エミッタ領域」がどの部分を特定するものであるか明確ではないが、更に、刊行物１の「エミッタ上側コンタクト層１２０」をも含めて、補正発明の「エミッタ領域」に相当するとしても、刊行物１記載のものにおいて、外側ベース領域２９０を形成するためのホウ素等のイオン注入は、酸化物層１７０の形成前の任意の時点において適宜なし得るから、「エミッタ上側コンタクト層１２０」を低温処理で形成するとともに、「エミッタ上側コンタクト層１２０」形成後に外側ベース領域２９０を形成することにより、刊行物発明において、「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」ようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
（ｆ）以上のとおりであるから、上記（相違点１について）での検討を併せ考慮すれば、刊行物発明において、補正発明のごとく「前記エミッタ領域の形成中に前記自然濃度ドーピングプロファイルが前記ベースにより維持されている」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、補正発明が奏する効果も、刊行物１及び２に記載されたものから、当業者が容易に予測し得る程度のものである。
　
　したがって、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないから、特許法第１７条の２第５項により準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４．むすび　
　以上のとおりであるから、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項により準用する同法第１２６条第５項の規定に適合せず、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明　
　平成１７年９月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成１６年９月１４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ない１０に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
「【請求項１】　半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成するステップと、
　前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップとを含むヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法であって、
　さらに、前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムのドーピングプロファイルを達成するドーピングステップと、
　前記ベース領域上にエミッタ領域を形成するステップとを含み、前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている
ことを特徴とするヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　刊行物１及び刊行物２に記載される事項は、「第２　３．（２）（２−２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりであり、刊行物１には、先に記載した「刊行物発明」が記載されている。
　
第５　対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」は、本願発明の「ヘテロ構造バイポーラトランジスタ」に相当する。
（ｂ）前記「第２　３．（２）（２−３）対比」の（ｂ）で検討したとおり、刊行物発明の「シリコン基板の上にｎ＋サブコレクタ領域１０を形成し、前記領域１０の一部分の上にｎ型コレクタ領域２０を形成し、その上に薄いシリコンの核となる層４０，５０（層２３０の部分２３１，２３２）を形成する工程」は、本願発明の「半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成するステップ」に相当する。
（ｃ）刊行物発明において、「層の部分２３２」は「層５０」のことであるから、刊行物発明の「先の層の部分２３２の上に横たわる」は、本願発明の「前記コレクタ領域上」に相当する。また、刊行物発明の「ＳｉＧｅベース層２４０」の「内側領域部分２４２」は、本願発明の「ＳｉＧｅを含むベース領域」に相当する。そして、刊行物発明の「エピタキシャルに形成」と、本願発明の「エピタキシャル的に形成」とは、実質的に同等であるから、刊行物発明の「次に、ＳｉＧｅベース層２４０を成長し、前記層２４０を先の層の部分２３２の上に横たわる内側領域部分２４２においてエピタキシャルに形成する工程」は、本願発明の「前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明は、「ＳｉＧｅベース層２４０を、ジクロロシラン、ジャーマイン、およびホウ素ドーピングのためのジボランから成長」しており、上記（ｃ）を参照すると、この結果として、「前記層２４０を先の層の部分２３２の上に横たわる内側領域部分２４２においてエピタキシャルに形成する」のであるから、このベース層２４０の成長工程は、ＳｉＧｅベース層２４０の内側領域部分２４２にアクセプタドーパントである「ホウ素」を「エピタキシャル的にドーピング」していると言える。
　また、この工程において、ベース層２４０にホウ素が分散するから、ベース層２４０中に、ホウ素のドーピングプロファイルが形成されることは明らかである。
　そして、刊行物発明の「ホウ素」は、「アクセプタドーパント」であることにおいて、本願発明の「インジウム」に対応している。
　よって、刊行物発明の「前記ＳｉＧｅベース層２４０を、ジクロロシラン、ジャーマイン、およびホウ素ドーピングのためのジボランから成長する工程」は、本願発明の「前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域に」アクセプタドーパントを「エピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に」前記アクセプタドーパントの「ドーピングプロファイルを達成するドーピングステップ」に対応する。
（ｅ）刊行物発明のシリコン層２５０の「エミッタとなるべき内側領域部分２５２」は、少なくとも、本願発明の「エミッタ領域」の一部に対応するから、刊行物発明の「前記ＳｉＧｅベース層２４０上に、エミッタとなるべき内側領域部分２５２を含むシリコン層２５０を、ジクロロシランおよび砒化水素により成長する工程」は、本願発明の「前記ベース領域上にエミッタ領域を形成するステップ」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板内にｎ型にドーピングされたコレクタ領域を形成するステップと、
　前記コレクタ領域上にＳｉＧｅを含むベース領域をエピタキシャル的に形成するステップとを含むヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法であって、
　さらに、前記ベース領域の形成中に、前記ベース領域にアクセプタドーパントをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記アクセプタドーパントのドーピングプロファイルを達成するドーピングステップと、
　前記ベース領域上にエミッタ領域を形成するステップとを含むことを特徴とするヘテロ構造バイポーラトランジスタの製造方法。」
である点で一致し、以下の各点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムのドーピングプロファイルを達成する」のに対し、刊行物発明は、ベース層２４０をホウ素ドーピングのためのジボランを用いて成長している点。
（相違点２）
　本願発明は、「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている」のに対し、刊行物発明は、このことが記載されていない点。
　
第６　当審の判断
　以下、各相違点について検討する。
（相違点１について）
（ａ）刊行物２には、ｎｐｎバイポーラトランジスタにおいて、インジウムをｐ型ベース領域のアクセプタドーパントとして用いることにより、「高いコレクタ電流と初期電圧とベースパンチスルーの性能劣化のない素子の形成が可能となる」（段落【０００７】）ことが記載されている。（なお、刊行物２の「初期電圧」は、本願明細書における「アーリー電圧」と同じものであると認められる。）
　刊行物２に記載のものは、シリコンからなるバイポーラトランジスタに、インジウムをイオン注入してベース領域を形成したものであるが、刊行物２には、インジウムをベースのドーパントとして用いたものと、ボロンをベースのドーパントとして用いたものとの２個のバイポーラトランジスタの特性を、理論式に基づいて導出・比較して、ｐ型ベース領域にインジウムをアクセプタドーパントとして用いることの利点が開示されている。そして、この利点は、「インジウムのアクセプタ状態は、価電子帯よりも高い１５６ｍｅＶであり、室温では完全にはイオン化されないからである」（段落【００１４】）というインジウムの物性に基づくものであるから、半導体材料がＳｉＧｅであってもほぼ同様に成立することは当業者にとって明らかであり、刊行物２の記載に基づいて、ＳｉＧｅヘテロ構造バイポーラトランジスタのベース領域のドーパントとしてインジウムを用いることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
（ｂ）また、インジウムを半導体のアクセプタドーパントとして利用する際に、インジウムをトリメチルインジウム等のインジウム系化合物として供給し、半導体内に導入することは、例えば、特開昭５９−２１８７２７号公報（「ドーパント不純物としてほう素またはりんを用いた場合について説明したが、・・・トリメチルインジウム・・・などの有機金属のガスを真空容器に導入し、グロー放電を行えば・・・インジウム・・・などの不純物を含む半導体領域を母材半導体基体中に形成される。」［第４頁左上欄第８行〜第１６行］）に記載されるように、従来からよく知られていることであるから、バイポーラトランジスタのベース層をドーパントを含むガスとともにエピタキシャル成長する際に、インジウムをインジウム系有機金属化合物ガスとして供給し、ベース層にインジウムをドーピングすることは、当業者が何の困難もなくなし得ることである。そして、このとき、インジウムのドーピングプロファイルが達成されることは、当然の結果にすぎない。
（ｃ）よって、刊行物発明において、ＳｉＧｅベース層２４０を成長させる際に、ホウ素ドーピングのためのジボランに代えて、インジウム系有機金属化合物ガスを供給してインジウムをドーピングすること、即ち、本願発明のごとく、「前記ベース領域にインジウムをエピタキシャル的にドーピングし、前記ベース中に前記インジウムのドーピングプロファイルを達成する」ことは、当業者が容易になし得ることである。
　　
（相違点２について）
（ａ）刊行物１には、「次に、シリコン層２５０が、図８に示されているように成長させられる。この層（エミッタとなるべき内側領域部分）は、ジクロロシランおよび砒化水素により、好ましい厚さ１５０ｎｍに、好ましい温度８００℃において、好ましいドーピングレベル３×１０18ｃｍ-3で成長させられる。層２４０にドープされるホウ素の移動を防止するために、約８２５℃よりも低い成長温度を層２５０の成長において保つことが望ましい。」（段落【００２８】）と記載されているから、刊行物発明も、バイポーラトランジスタの実質的なエミッタとなる内側領域部分２５２を含むシリコン層２５０を形成する間は、「層２４０にドープされるホウ素の移動を防止する」こと、即ち、ベースにおけるアクセプタドーパントの分散状態が変化しないようにしていることは明らかであり、これは、アクセプタドーパントの元素こそ異なるものの、本願発明の「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている」ことに実質的に相当する。
（ｂ）この点について、請求人は、審判請求の理由において、刊行物１（引用例２）は、『エミッタ下部コンタクトの形成後であるがエミッタ上部コンタクトの形成前のホウ素注入ステップを教示している。このホウ素注入ステップはゲートの外側部分におけるドーピングプロファイルの修正をもたらすものである。』と指摘し、『これら引用例は、単独あるいは組み合わせによって、本願発明を自明とするものではあり得ない。』と主張しているが、前記「第２　３．（２）（２−４）判断」の（相違点３について）で検討したとおり、刊行物１のバイポーラトランジスタの実質的な「エミッタ」は、シリコン層２４０のうちのエピタキシャルに形成された「内側領域部分２５２」であるから、刊行物発明の「内側領域部分２５２」が、本願発明の「エミッタ領域」に実質的に相当し、刊行物発明も、本願発明の「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている」構成を実質的に備えている。
　また、刊行物１に記載のものにおいて、シリコンで形成された「エミッタ下側コンタクト層１１０」をエミッタ領域に含めるとしても、刊行物発明は、本願発明の「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている」構成を実質的に備えていると言え、更に、刊行物１の「エミッタ上側コンタクト層１２０」をも含めて、本願発明の「エミッタ領域」に相当するとしても、刊行物１記載のものにおいて、外側ベース領域２９０を形成するためのホウ素等のイオン注入は、酸化物層１７０の形成前の任意の時点において適宜なし得るから、「エミッタ上側コンタクト層１２０」を低温処理で形成するとともに、「エミッタ上側コンタクト層１２０」形成後に外側ベース領域２９０を形成することにより、刊行物発明において、「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている」ようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
（ｃ）以上のとおりであるから、上記（相違点１について）での検討を併せ考慮すれば、刊行物発明において、本願発明のごとく「前記エミッタ領域の形成中に前記ドーピングプロファイルが維持されている」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明が奏する効果も、刊行物１及び２に記載されたものから、当業者が容易に予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定するにより特許を受けることができない。
　
第７　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項１０に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。