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　特願２００２−　７３７０５「半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月　６日出願公開、特開２００２−３５３１５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月１８日（優先権主張　平成１３年３月２１日）の出願であって、平成１７年１１月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１２月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年１月２３日に手続補正がなされたものである。
　
II．平成１８年１月２３日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１月２３日付の手続補正（以下、本件補正という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜３のうち、請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】　反応管内に複数枚の基板を積層して収納し、積層した上記基板の一端側から反応性ガスを供給し、上記基板の他端側から排気して上記基板に膜を形成する半導体デバイスの製造方法において、上記反応性ガスとして成膜ガスであるＳｉＨ４およびドーピングガスであるＢＣｌ３を供給するか、または上記反応性ガスとして成膜ガスであるＳｉＨ４およびＧｅＨ４ならびにドーピングガスであるＢＣｌ３を供給し、ボロンをドーピングしたＳｉエピタキシャル成長膜またはＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１において、「Ｓｉエピタキシャル成長膜またはＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成すること」を、「ボロンをドーピングしたＳｉエピタキシャル成長膜またはＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成すること」と補正するものである。
　そこで、上記補正を検討すると、前者は、エピタキシャル成長膜がボロンをドーピングしたものであることを限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　上記の通り、特許請求の範囲は減縮されたので、次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開２０００−１８２９６７号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平８−１５３６８８号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　　
（１）引用例１（特開２０００−１８２９６７号公報）
（１ａ）「【００１３】図３は、この縦型ＣＶＤ装置の要部の概略断面図を示すもので、・・・、外側チャンバー１３Ａの下端側から排気がなされる構造とされている。」（【００１３】）
（１ｂ）「【００１７】そこで、超高真空度が要求されるＵＨＶ−ＣＶＤ装置においては、図４に示すように、その反応チャンバー１３を、１重構造、いわゆるシングルチューブ構造とする。そして、このようなシングルチューブ構造において、反応チャンバー１３の形状を吊り鐘状、すなわち一端に開口部を有する簡潔の構成とし、しかも反応チャンバー１３内に供給するガスを、良好に循環させて、ボート１７上の多数の基板に対し均一に気相成長が行われるようにするには、図４に示すように、反応チャンバー１３の下方から上方にガス供給管１６を配置して、チャンバー１３上方からガスを供給することが必要となる。・・・
・・・
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この気相成長において、基板１上に、ｐ型不純物としてのホウ素が高濃度にドープされた例えばシリコン半導体層等の気相成長を行う場合、ホウ素の供給原料ガスとしては、通常ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスが用いられる。
・・・
【００２２】そして、本発明者らは、図４で説明した石英製のガス供給管を用いた縦型ＵＨＶ−ＣＶＤ装置によってホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行った。この場合、反応チャンバー１３には、図示しないが、上述の石英管による２本のガス供給管１６を導入した構成とした。・・・そして、チャンバー１３内部を６００℃とし、一方のガス供給管にモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを１０ｓｃｃｍの流量をもって供給し、他方のガス供給管に水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを２４０ｓｃｃｍの流量で導入して、シリコンエピタキシャル成長を行った。
【００２３】このエピタキシャル成長によって、ジボラン（Ｂ2Ｈ6)ガスを供給した石英管によるガス供給管内には反応物が付着していることが観察された。・・・
【００２４】そして、このようなエピタキシャル成長作業を数回繰り返し行ったところ、石英管によるジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを供給したガス供給管が折損するという、成膜装置において致命的ともいえる問題が発生した。
【００２５】このガス供給管の折損の問題は、上述のエピタキシャル成長工程で、約９００℃に加熱がなされたことにより、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを供給したガス供給管の石英管内部に付着したホウ素が石英中に拡散して、石英を軟質化させたことによると考えられる。」（【００１７】〜【００２５】）
（１ｃ）「【００２８】また、本発明による気相成長装置は、・・・、少なくともそのジボラン（Ｂ2Ｈ6）もしくはジボランを含むガスを反応チャンバー内に供給するガス供給管は、少なくともその内外周表面を炭化珪素（以下、ＳｉＣと称する）によって構成する。
【００２９】・・・。また、本発明装置によれば、ガス供給管に破損を来すことなく繰返し作業を行うことができた。
・・・
【００３２】・・・。このように、ＳｉＣの不純物元素の拡散防止機能は、石英に比してすぐれた機能を有する。・・・」（【００２８】〜【００３２】）
（１ｄ）図３，４には、反応チャンバー内に複数枚の基板を上下方向に積層して収納し、基板の下端側から排気することを示す右方向の矢印が付された、気相成長装置が示されている。　
　
（２）引用例２（特開平８−１５３６８８号公報）
（２ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高濃度の浅いソース・ドレイン層を有する半導体装置およびその製造方法を有する半導体装置の製造方法に関する。」
（２ｂ）「【０３０２】また、上記第５〜第１０の実施例では、ボロンを含有するシリコン膜の形成用ガスとしてＳｉ2Ｈ6とＢ2Ｈ6の混合ガス、ボロンを含有するＳｉＧｅ膜の形成用ガスとしてＧｅＨ4およびＢ2Ｈ6の混合ガスを例に取り上げたが、これに限定されるものではない。
【０３０３】すなわち、・・・
【０３０５】また、ｐ型ソース・ドレイン層を形成する場合には、Ｂ2Ｈ6以外に、ＢＦ3や、ＢＣｌ3でも良い。」（【０３０２】〜【０３０５】）
　
３．対比・判断
　引用例１には、摘記事項（１ｂ）によれば、「そこで、超高真空度が要求されるＵＨＶ−ＣＶＤ装置においては、図４に示すように、その反応チャンバー１３を、１重構造、いわゆるシングルチューブ構造とする。そして、このようなシングルチューブ構造において、反応チャンバー１３の形状を吊り鐘状、すなわち一端に開口部を有する簡潔の構成とし、しかも反応チャンバー１３内に供給するガスを、良好に循環させて、ボート１７上の多数の基板に対し均一に気相成長が行われるようにするには、図４に示すように、反応チャンバー１３の下方から上方にガス供給管１６を配置して、チャンバー１３上方からガスを供給することが必要となる。・・・ところで、この気相成長において、基板１上に、ｐ型不純物としてのホウ素が高濃度にドープされた例えばシリコン半導体層等の気相成長を行う場合、ホウ素の供給原料ガスとしては、通常ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスが用いられる。・・・そして、本発明者らは、図４で説明した石英製のガス供給管を用いた縦型ＵＨＶ−ＣＶＤ装置によってホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行った。この場合、反応チャンバー１３には、図示しないが、上述の石英管による２本のガス供給管１６を導入した構成とした。・・・そして、チャンバー１３内部を６００℃とし、一方のガス供給管にモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを１０ｓｃｃｍの流量をもって供給し、他方のガス供給管に水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを２４０ｓｃｃｍの流量で導入して、シリコンエピタキシャル成長を行った。」と記載されているから、
「シングルチューブ構造の反応チャンバー１３の形状を一端に開口部を有する簡潔の構成とし、ボート１７上の多数の基板に対し均一に気相成長が行われるように反応チャンバー１３の下方から上方にガス供給管１６を配置して、チャンバー１３上方から、一方のガス供給管にモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを１０ｓｃｃｍの流量をもって供給し、他方のガス供給管に、ホウ素の供給原料ガスとして水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを供給する石英管による２本のガス供給管１６を導入した構成とした、図４で説明した縦型ＵＨＶ−ＣＶＤ装置によって、基板１上に、ｐ型不純物としてのホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行う、シリコン半導体層の気相成長を行う方法。」が記載されているといえる。
　また、摘記事項（１ｄ）によれば、図４には、反応チャンバー内に複数枚の基板を上下方向に積層して収納し、基板の下端側から排気することを示す右方向の矢印が付された、気相成長装置が示されているから、図４で説明した縦型ＵＨＶ−ＣＶＤ装置は、反応チャンバー内に複数枚の基板を積層して収納し、基板の下端側から排気するものといえる。
　
　よって、摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、引用例１には、
「シングルチューブ構造の反応チャンバー１３の形状を一端に開口部を有する簡潔の構成とし、ボート１７上の多数の基板に対し均一に気相成長が行われるように反応チャンバー１３の下方から上方にガス供給管１６を配置して、反応チャンバー内に複数枚の基板を上下方向に積層して収納し、チャンバー１３上方から、一方のガス供給管にモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを１０ｓｃｃｍの流量をもって供給し、他方のガス供給管に、ホウ素の供給原料ガスとして水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを供給する石英管による２本のガス供給管１６を導入し、基板の下端側から排気した構成とした、縦型ＵＨＶ−ＣＶＤ装置によって、基板１上に、ｐ型不純物としてのホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行う、シリコン半導体層の気相成長を行う方法。」の発明（以下、「引用例１記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明１と引用例１記載発明とを対比する。
　引用例１記載発明の「シングルチューブ構造の反応チャンバー」、「シリコン半導体層の気相成長を行う方法。」は、それぞれ、本願補正発明１の「反応管」、「半導体デバイスの製造方法。」に相当している。
　また、引用例１記載発明の「ｐ型不純物としてのホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行う、シリコン半導体層」、「モノシラン（ＳｉＨ4）ガス」は、それぞれ、本願補正発明１の「ボロンをドーピングしたＳｉエピタキシャル成長膜」、「成膜ガスであるＳｉＨ４」に相当している。
　また、引用例１記載発明の「チャンバー１３上方」は、基板は上下に積層されているから、本願補正発明１の「積層した上記基板の一端側」であるといえ、そうであれば、引用例１記載発明の「基板の下端側」は、本願補正発明１の「上記基板の他端側」である、といえる。
　引用例１記載発明の「ホウ素の供給原料ガスとして水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス」と、本願補正発明１の「ドーピングガスであるＢＣｌ３」とは、ホウ素をドーピングするための供給原料ガスである点で、共通している。
　また、引用例１記載発明の「モノシラン（ＳｉＨ4）ガス」及び「ホウ素の供給原料ガスとして水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス」は、反応チャンバー１３内で、気相成長という反応を行うものであるから、本願補正発明１の「反応性ガス」に対応するものといえる。
　よって、両者は、「反応管内に複数枚の基板を積層して収納し、積層した上記基板の一端側から反応性ガスを供給し、上記基板の他端側から排気して上記基板に膜を形成する半導体デバイスの製造方法において、上記反応性ガスとして成膜ガスであるＳｉＨ４およびドーピングガスを供給し、ボロンをドーピングしたＳｉエピタキシャル成長膜を形成する半導体デバイスの製造方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：ドーピングガスが、本願補正発明１においては、「ＢＣｌ３」であるのに対して、引用例１記載発明では、「水素希釈の１％ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス」である点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
相違点１について
　ドーピングガスはボロンの供給源として供給するものであるから、ボロンを供給できるガスであれば、公知の他のガス種に変更することは、設計的事項である。
　また、以下の理由で、引用例１には、ドーピングガス種の変更が示唆されている。
　引用例１は、摘記事項（１ｂ）によれば、「図４で説明した石英製のガス供給管を用いた縦型ＵＨＶ−ＣＶＤ装置によってホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行った・・・場合、ガス供給管が折損するという、・・・問題が発生し・・・このガス供給管の折損の問題は、上述のエピタキシャル成長工程で、・・・ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを供給したガス供給管の石英管内部に付着したホウ素が石英中に拡散して、石英を軟質化させたことによると考えられる。」と記載されている。よって、石英製のガス供給管を用い、Ｂ2Ｈ6ガスを供給して、ホウ素（Ｂ）をドーピングしたシリコンエピタキシャル成長を行った引用例１記載発明においても、ガス供給管の折損という問題が生じる、ことになる。
　また、摘記事項（１ｃ）によれば、「ＳｉＣの不純物元素の拡散防止機能は、石英に比してすぐれた機能を有する」ものであり、「ジボラン（Ｂ2Ｈ6）・・・を含むガスを反応チャンバー内に供給するガス供給管は、少なくともその内外周表面を炭化珪素（以下、ＳｉＣと称する）によって構成する・・・本発明装置によれば、ガス供給管に破損を来すことなく繰返し作業を行うことができた。」と記載されている。よって、引用例１には、Ｂ2Ｈ6ガスと、ガス供給管を構成する石英との拡散反応による、ガス供給管の折損という問題を、一方側（ガス拡散管）の材質を、他の材料に変更することで、解決したという事項が記載されている、といえる。
　上記事項は、引用例１記載発明において、他方側（ドーピングガス）の材質を、Ｂ２Ｈ６から、他の材料に変更することの示唆となるものである。
　
　次に、Ｂ２Ｈ６以外のドーピングガス種について検討する。
　引用例２は、摘記事項（２ａ）によれば、「ソース・ドレイン層を有する半導体装置・・・の製造方法に関する」ものであるから、引用例１記載発明とは、半導体デバイスの製造方法に関する点で共通し、かつ、摘記事項（２ｂ）によれば、「ボロンを含有するシリコン膜の形成用ガスとしてＳｉ2Ｈ6とＢ2Ｈ6の混合ガス・・・に限定されるものではない。・・・ｐ型ソース・ドレイン層を形成する場合には、Ｂ2Ｈ6以外に、ＢＦ3や、ＢＣｌ3でも良い。」と記載されており、ボロンを含有するシリコン膜を形成するＢ2Ｈ6以外のガスとして、ＢＣｌ3があることが記載されている。
　また、下記周知例１，２には、半導体材料用ガスであるＢ２Ｈ６に、反応が活発である点に基づく問題があること及び、ボロンを含有する膜を形成するＢ2Ｈ6以外のガスとして、ＢＣｌ3が例示されている。
　
周知例１：及川紀久雄ら「半導体材料用ガスについて」大気汚染学会誌 Vol.23、No.2、P.73-84（1988）
（周１−１）「本稿では・・・「半導体材料用ガス」の実態，その使われ方などについて概括的な解説を行う。
2.2　種類
　極く稀にしか使われないような物質は除き，一般的なガスを整理した形で公式にまとめられたものとしては，1985年8月に制定された「特殊材料ガス災害防止自主基準」の中で示されている表がある（Table3）。・・・
・・・
2.4　性質
・・・化学的性質においてはＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６，Ｐ２Ｈ３など一部の水素化物は空気中に漏れた場合自然発火するので，安全上特に注意を要する。・・・
2.7　用途と使われ方の特徴
Table6に示すようにその用途は・・・」（７８頁左欄１３行〜８０頁左欄下から１４行）
（周１−２）「Table3　半導体材料用ガス」の「IV.ホウ素系」の段には、「ジボラン　Ｂ２Ｈ６」、及び「三塩化ホウ素　ＢＣｌ３」が記載され、また、「Table6　半導材料用ガスの種類と用途」において、用途「不純物拡散」に対応するガスとして、「ジボラン（Ｂ２Ｈ６）」、及び「三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）」が記載されている。
（周１−１）〜（周１−２）には、ホウ素系であり、不純物拡散を用途とする半導体材料用ガスとして、「ジボラン　Ｂ２Ｈ６」の他に「三塩化ホウ素　ＢＣｌ３」が例示され、かつ、Ｂ２Ｈ６は空気中に漏れた場合自然発火するので，安全上特に注意を要することが、記載されている。
　
周知例２：特開平２−４９７３号公報
（周２−１）「（従来の技術）
　半導体デバイスを製造する場合、半導体ウェハ等からなる基体上に、ＣＶＤ（・・・）やエピタキシャル成長の技術を用いて薄膜の形成を行っている。・・・しかしながら、ホウ素含有薄膜の形成方法では、ホウ素の原料ガスとして、分解温度の低いジボランを用いている。このため、ホットウォール式の減圧ＣＶＤ法で薄膜を形成する際、ジボランを反応管内に導入すると同時にホウ素と水素に分解してしまう。その結果、ホウ素が薄膜中に入らず、所望の成膜を行うことができないという問題がある。
　また、ジボランは、分解し易く、貯蔵中にも分解を起こしていくため、その濃度管理が困難である。このため、形成する薄膜のホウ素濃度を所望の値に保つことが困難である。
　また、ホウ素の原料ガスとして例えば三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を用いることも考えられている。しかし、三塩化ホウ素は、吸湿性が高いため、膜質の良好な膜を形成することが困難である。また、三塩化ホウ素は、毒性が高いため、危険性も高くなる問題がある。
　本発明は、上記点に対処してなされたもので、ホウ素が均一な濃度で分布し、かつ、均一な膜厚を有する高品質のホウ素含有薄膜を容易に形成することができる膜形成方法を提供するものである。・・・本発明は、・・・、少なくとも三フッ化ホウ素（ＢＦ３）を含むガスを用いることを特徴とする」（１頁左下欄１４行〜２頁右上欄５行）
（周２−２）「三フッ化ホウ素ガスは、ジボランに較べて安定であり、分解温度も高い。したがって、その濃度管理が容易であり、膜のホウ素濃度を所望の値とすることができ・・・る。」（２頁右下欄４〜１０行）
（周２−３）「（実施例）
　・・・この結果、・・・ホウ素含有薄膜をウェハ（８）上に形成することができた。
　この場合、リン及びホウ素の濃度は、１枚の半導体ウェハ（８）の中心部に、中心で十字に直交する直線上であって半導体ウェハ（８）の周辺から約２１ｍｍの各４点で測定した値の１００枚分（５００点分）の平均値である。・・・・リン濃度のばらつきは・・・ホウ素濃度のならつきは、２．８重量％〜３．５重量％であった。」（２頁右下欄１２行〜３頁左下欄９行）
　（周２−１）〜（周２−３）には、半導体ウェハ等の基体上にエピタキシャル成長の技術を用いてホウ素を含む薄膜を形成する場合、ホウ素の原料ガスとして、分解温度の低いジボランを用いているため、分解してしまう結果、所望の成膜を行うことができないという問題があり、ホウ素の原料ガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を用いることも考えられているが、毒性が高いため、危険性も高くなる等の問題があるので、ジボランに較べて安定であり、分解温度も高いＢＦ３を用いて、半導体ウェハの周辺で測定したホウ素濃度のばらつきにより評価される均一な濃度で、分布する高品質のホウ素含有薄膜を形成することが記載されている。
　ここで、ＢＣｌ３は、ＢＦ３と同じくボロンのハロゲン化物であるが、毒性などの理由で採用されなかったものであるから、ホウ素を含む薄膜を形成する場合、ＢＦ３と同様に、ＢＣｌ３は、分解温度の低いジボランに代わる、ホウ素の原料ガスであると、考えられる。
　
　よって、引用例１記載発明のドーピングガス種を、Ｂ２Ｈ６以外のホウ素をドーピングするためのガスとして、引用例１に記載され、また、周知の材料ともいえる、ＢＣｌ３に変更することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明１による効果も引用例１、２の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明１
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１７年１０月２１日付手続補正書の特許請求の範囲１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　反応管内に複数枚の基板を積層して収納し、積層した上記基板の一端側から反応性ガスを供給し、上記基板の他端側から排気して上記基板に膜を形成する半導体デバイスの製造方法において、上記反応性ガスとして成膜ガスであるＳｉＨ４およびドーピングガスであるＢＣｌ３を供給するか、または上記反応性ガスとして成膜ガスであるＳｉＨ４およびＧｅＨ４ならびにドーピングガスであるＢＣｌ３を供給し、Ｓｉエピタキシャル成長膜またはＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用した引用例１、２及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１の、エピタキシャル成長膜が「ボロンをドーピングした」もの、という具体的限定事項とを省いたものである。　
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加して限定したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。