【事件の表示】
　平成１１年特許願第　９７１３７号「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜およびＡｌ合金配線膜形成用ターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月２０日出願公開、特開２０００−２９４５５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年４月５日の出願であって、平成１６年６月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月３０日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１７年８月９日付けで審尋がなされ、その後同年９月２６日に回答書が提出されたものである。
　　
２．平成１６年８月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月３０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、特許請求の範囲を補正すると共に、発明の名称及び明細書の００１０段落ないし００１４段落を補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６（以下、「補正後請求項１」ないし「補正後請求項６」という。）に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のB,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、10at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。
【請求項２】　0.1〜2at％の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のFe,Co,Niの群Ｂから選ばれる一種類以上の添加元素とを、総量で0.5at％以上、8at％以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。
【請求項３】　0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。
【請求項４】　0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のIr,Re,Pt,Os,Pd,Rh,Ruの群Ｄから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、8at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。
【請求項５】　0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のIn,Sn,Sbの群Ｅから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。
【請求項６】　0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上の前記群Ａ、群Ｂ、群Ｃ、群Ｄ、群Ｅから選ばれるいずれか２つ以上群に含まれる元素とを、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。」
　
（２）補正事項の整理
　［補正事項１］
　補正事項１−１
　補正前の請求項１の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のB,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、10at%以下含有し」を、
　補正後の請求項１の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のB,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、10at%以下含有し」と補正すること。
　補正事項１−２
　補正前の請求項１の「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線」を、
　補正後の請求項１の「ドライエッチングされたＡｌ合金配線」と補正すること。
　［補正事項２］
　補正事項２−１
　補正前の請求項２の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のFe,Co,Niの群Ｂから選ばれる一種類以上の添加元素とを、総量で0.5at%以上、8at%以下含有し」を、
　補正後の請求項２の「0.1〜2at％の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のFe,Co,Niの群Ｂから選ばれる一種類以上の添加元素とを、総量で0.5at％以上、8at％以下含有し」と補正すること。
　補正事項２−２
　補正前の請求項２の「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線」を、
　補正後の請求項２の「ドライエッチングされたＡｌ合金配線」と補正すること。
   ［補正事項３］
　補正事項３−１
　補正前の請求項３の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し」を、
　補正後の請求項３の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し」と補正すること。
　補正事項３−２
　補正前の請求項３の「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線」を、
　補正後の請求項３の「ドライエッチングされたＡｌ合金配線」と補正すること。
   ［補正事項４］
　補正事項４−１
　補正前の請求項４の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、0.1at%以上のIr,Re,Pt,Os,Pd,Rh,Ruの群Ｄから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、8at%以下含有し」を、
　補正後の請求項４の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のIr,Re,Pt,Os,Pd,Rh,Ruの群Ｄから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、8at%以下含有し」と補正すること。
　補正事項４−２
　補正前の請求項４の「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線」を、
　補正後の請求項４の「ドライエッチングされたＡｌ合金配線」と補正すること。
   ［補正事項５］
　補正事項５−１
　補正前の請求項５の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、0.1at%以上のIn,Sn,Sbの群Ｅから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し」を、
　補正後の請求項５の「 0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のIn,Sn,Sbの群Ｅから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し」と補正すること。
　補正事項５−２
　補正前の請求項５の「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線」を、
　補正後の請求項５の「ドライエッチングされたＡｌ合金配線」と補正すること。
   ［補正事項６］
　補正事項６−１
　補正前の請求項６の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、0.1at%以上であり前記群Ａ、群Ｂ、群Ｃ、群Ｄ、群Ｅから選ばれるいずれか２つ以上群に含まれる元素とを、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し」を、
　補正後の請求項６の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上の前記群Ａ、群Ｂ、群Ｃ、群Ｄ、群Ｅから選ばれるいずれか２つ以上群に含まれる元素とを、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し」と補正すること。
　補正事項６−２
　補正前の請求項６の「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線」を、
　補正後の請求項６の「ドライエッチングされたＡｌ合金配線」と補正すること。
　［補正事項７］
　発明の名称を補正すること。
　［補正事項８］
　明細書の００１０段落ないし００１４段落を補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
　［補正事項１について］
　補正事項１−１について
　補正前の請求項１の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素0.1at%以上のB,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、10at%以下含有」した、「希土類元素」と「B,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素」との比率について、「原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のB,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素」と限定するものであるから、補正事項１−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　ところで、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、「B,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素」を含む「本願実施例」は、試料Ｎｏ．５ないし１０、５３、５７が（表１）及び（表２）に記載されており、それらの「合金組成」は、「希土類元素」としての「Ｎｄが１．５ａｔ％」で、「群Ａ」の元素が「３ａｔ％」の「Ｂ」、「Ｃ」又は「Ｎ」、「希土類元素」としての「Ｎｄが１．５ａｔ％」で、「群Ａ」の元素が「６ａｔ％」の「Ｂ」、「Ｃ」又は「Ｎ」、「希土類元素」としての「Ｎｄが０．５ａｔ％」で、「群Ａ」の元素が「４ａｔ％」の「Ｂ」、「希土類元素」としての「Ｙが１．５ａｔ％」で、「群Ａ」の元素が「３ａｔ％」の「Ｂ」であって、全ての試料について残部「Ａｌ」である。
　ここで、上記試料について、「希土類元素量」（ＮｄまたはＹ）（α）と、「B,C,Nの群Ａから選ばれる」元素（β）との比率を算出すると、（β／α）＝２（試料No．５、７、９、５７）、４（試料No．６、８、１０）又は８（試料No．５３）であり、仮に全ての試料での比率を含む範囲を最大にとっても、２≦（β／α）≦８　である。
　したがって、補正後請求項１に記載される、「原子量比率で該希土類元素量に対して2.0倍以上のB,C,Nの群Ａから選ばれる一種類以上の元素」において、例えば、希土類元素0.1at%で、希土類元素と群Ａの元素との総量が10at%以下で、群Ａの元素が8at%の場合を含んだ、「希土類元素量に対して」８倍より多くの「B,C,Nの群Ａから選ばれる」元素が含まれる合金組成のＡｌ合金配線膜については、当初明細書等に記載も示唆もされていない。
　よって、補正事項１−１についての補正を含む補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　［補正事項２について］、［補正事項４、５及び６について］
　補正事項２−１、補正事項４−１、５−１及び６−１について
　上記［補正事項１−１について］において検討したと同様な理由により、補正事項２−１、４−１、５−１及び６−１についての補正をそれぞれ含む、補正事項２、４、５および６についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　［補正事項３について］
　補正事項３−１について
　補正前の請求項３の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、10at%以下含有」した、「希土類元素」と「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の元素」との比率について、「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の元素」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　ところで、当初明細書等には、「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の元素」を含む「本願実施例」は、試料Ｎｏ．１７、１９、２１、２３、２５、２７、２９、３１、５５、５６、５９、６３が（表１）及び（表２）に記載されており、それらの「合金組成」は、「希土類元素」としての「Ｎｄが１．５ａｔ％」で、「群Ｃ」の元素が「３ａｔ％」の「Ｚｒ」、「Ｈｆ」、「Ｎｂ」、「Ｍｏ」、「Ｗ」、「Ｔａ」又は「Ｃｒ」、「希土類元素」としての「Ｎｄが１．５ａｔ％」で、「群Ｃ」の元素が「２ａｔ％」の「Ｔｉ」、「希土類元素」としての「Ｎｄが０．５ａｔ％」で、「群Ｃ」の元素が「４ａｔ％」の「Ｚｒ」又は「Ｎｂ」、「希土類元素」としての「Ｙが１．５ａｔ％」で、「群Ｃ」の元素が「３ａｔ％」の「Ｚｒ」、「希土類元素」としての「Ｄｙが１．５ａｔ％」で、「群Ｃ」の元素が「３ａｔ％」の「Ｚｒ」であって、全ての試料について残部「Ａｌ」である。
　ここで、上記試料について、「希土類元素量」（Ｎｄ、ＹまたはＤｙ）（α）と、「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる」元素（β）との比率を算出すると、（β／α）＝１．３（試料No．１９）、２（試料No．１７、２１、２３、２５、２７、２９、３１、５９、６３）又は８（試料No．５５、５６）であり、仮に全ての試料での比率を含む範囲を最大にとっても、１．３≦（β／α）≦８　である。
　したがって、補正後の請求項３に記載される、「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の元素」において、例えば、希土類元素0.1at%で、希土類元素と群Ｃの元素との総量が7at%以下で、群Ｃの元素が6at%の場合を含んだ、「希土類元素量に対して」８倍より多くの「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる」元素が含まれる合金組成Ａｌ合金配線膜については、当初明細書等に記載も示唆もされていない。
　よって、補正事項３−１についての補正を含む補正事項３についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　以下においては、仮に、請求項１ないし６についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、且つ、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとして、補正後の請求項１ないし６に係る発明が、その特許出願の際独立して特許を受けられるか否かについて検討する。
　
（４）独立特許要件の有無の検討
（４−１）補正後の請求項３又は７に係る発明
　本件補正後の請求項３に係る発明は、上記２．（１）に記載された以下のとおりものである。
　「【請求項３】　0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチングされたＡｌ合金配線膜。」（以下、「補正発明３」という。）
　また、補正後の請求項７は、「【請求項７】　請求項１〜６の何れかに記載の組成を有することを特徴とするドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜形成用ターゲット。」であって、請求項３を引用した請求項７に係る発明は、以下のとおりである。
　「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなる組成を有することを特徴とするドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜形成用ターゲット。」（以下、「補正発明７」という。）
　
（４−２）刊行物に記載された発明
（ａ）特開平１０−６０６３６号公報  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平１０−６０６３６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【請求項４】　Ａｌ化合物形成可能元素は、（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂ，希土類元素）の１種ないし２種以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＡｌ系スパッタリング用ターゲット。」
「【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、Ａｌを主体とするＡｌ系スパッタリング用ターゲットに関し、特に液晶ディスプレイ（Liquid Cristal Display 以下ＬＣＤと略す）の薄膜電極、薄膜配線等、あるいは反射膜等を形成するために用いられるＡｌ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法に関するものである。」
「【０００６】また、ターゲットの組成の改良に関する提案も多くなされている。たとえば、純Ａｌ膜では比抵抗は低いが耐熱性に問題があり、ＴＦＴ（Thin-Film-Transister）製造プロセス上不可避である電極膜形成後の加熱工程（250〜400℃程度）等において、ヒロックといわれる微小な突起が表面に生じるという問題点がある。このヒロックはストレスマイグレーション、サーマルマイグレーション等により発生すると考えられ、このヒロックが発生するとＡｌ配線膜上に絶縁膜や保護膜等を形成し、さらに配線膜、電極膜等を形成しようとした場合に電気的短絡（ショート）や、このヒロックを通してエッチング液等が侵入しＡｌ配線膜が腐食してしまうという問題点がある。
【０００７】このため、純Ａｌではなく、これらの問題を解決する目的で高融点の金属を添加する。たとえば、特開平4-323872号ではＭｎ、Ｚｒ、Ｃｒを0.05〜1.0at%添加することが有効であることが述べられている。また、特公平4-48854号では、Ｂを0.002〜0.5ｗｔ％、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗを0.002〜0.7ｗｔ％添加する方法や、さらにＳｉを0.5〜1.5ｗｔ％加える方法が開示されている。また、特開平5-65631号ではＴｉ、Ｚｒ、Ｔａを0.2〜10at%添加することがヒロックの発生の抑制に効果があることが述べられている。さらに特開平7-45555号で述べられているようにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒを0.1〜10at%、また希土類元素を0.05〜15at%添加する方法や、特開平5-335271号のようにＡｌ−Ｓｉ合金にＣｕ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｓｃを0.01〜3ｗｔ％添加する方法が知られている。」
「【００１５】Ａｌ化合物形成可能元素として、好ましくは、（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｂ、希土類元素）の１種または２種以上を適用することが可能である。Ａｌ化合物形成可能元素の添加量は、具体的には５原子％以下、より望ましくは３％以下、０．１％以上とする。」
「【００２８】
【実施例】
（実施例）窒素アトマイズにより製造した市販の平均粒径７０μｍの純Ａｌ粉末と市販の平均粒径２０μｍのＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｙ、Ｚｒの金属粉末を表１に示す組成にＶ型ブレンダーで混合し、鉄製の缶に充填し、１０マイナス４乗Ｐａより真空に引きながら加熱して脱ガス処理を行った後に封止した。なお、原料粉末を充填した缶の大きさは８０mm×３５０mm×３５０mmである。その後５２０℃、１００ＭＰａの圧力で熱間静水圧プレス装置を用いて焼結を行いインゴット製造した。このインゴットを圧延により、８００mm×７００mm×８mmの板材に加工した後、機械加工により６９０mm×５５０mm×６mmのターゲットを製造した。また比較のために、熱間静水圧プレス温度を６２０℃に変更した例を試料１２として示す。また、到達真空度　１０マイナス４乗Ｐａに排気した真空溶解鋳造炉を用いて、Ｔｉを混入させたＡｌ原料を溶解した後、鋳型に注入してＡｌのインゴットを製造し、同様の圧延を行い、ターゲットを製造した比較例を試料１３として示す。」
「【００３２】これらのターゲットを用いてＡｒ圧力0.2Pa、ターゲット印加電力は８Ｗ／cm2として、実験用100×100mmサイズのガラス基板に150nmの膜厚の薄膜を形成した。このとき形成した薄膜上に認められる２μｍ以上の異物をスプラッシュとしてカウントした。その結果を表１に付記した。
表１の試料１〜１１に示すように、本発明のターゲットは、比較例のターゲットに比較して、欠陥が少なくスプラッシュの発生が少ないことがわかる。・・・【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、スプラッシュの発生が大きな問題であった0.3m2以上スパッタ平面積を有するＬＣＤ用Ａｌ系ターゲットに対して、ヒロック防止のためにターゲットに添加する元素を金属状態もしくは元素単体状態で組織中に残留させることにより、空隙を少なくでき、結果としてスプラッシュを抑制することが可能となった。したがって、本発明は今後さらに大型化が求められるＬＣＤ等に対応するターゲットとして、ＬＣＤ等の品質向上を達成する上で極めて有効である。」
　
　また、【００２９】段落の【表１】には、「試料Ｎｏ９」として「ターゲット組成（ａｔ％）」が「Ａｌ−１．０Ｚｒ−０．５Ｎｄ」が「本発明例」として記載されており、欠陥数：０．０８（ケ／０．０１ｍ２）である。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
   「組成（ａｔ％）が１．０ａｔ％のＺｒと、０．５ａｔ％のＮｄと、残部Ａｌである、Ａｌ系スパッタリング用ターゲット。」（以下、「刊行物発明１」という。）
　
（ｂ）特開平１０−２８４４９３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平１０−２８４４９３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１ないし６及び図１１とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【請求項１】　希土類元素のうちの１種または２種以上とＴｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの１種または２種以上とを含有するＡｌ合金薄膜からなることを特徴とする配線。
【請求項２】　ＮｄとＴｉとを含有するＡｌ合金薄膜からなることを特徴とする配線。
【請求項３】　請求項２記載の発明において、Ｎｄ含有率とＴｉ含有率の合計は３．５ａｔ％程度以下であることを特徴とする配線。」（請求項１ないし３）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は配線及びそれを用いた表示装置に関する。」
「【０００４】ところで、ゲート電極Ｇを含む走査ライン１からなる配線の材料としては、Ｔｉ等の高融点金属を含有するＡｌ合金を用いることが知られている（例えば、特開平４−１３０７７６号公報参照）。この場合、ＡｌにＴｉ等の高融点金属を含有させるのは、Ａｌ単体の耐熱性が十分でなく、後工程の加熱工程においてヒロックが発生するのを抑制するためである。」
「【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、希土類元素のうちの１種または２種以上とＴｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの１種または２種以上とを含有するＡｌ合金薄膜によって配線を形成したものである。
【００１２】この発明によれば、配線を例えばＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜によって形成すると、抵抗率をＡｌ−Ｔｉ合金薄膜の場合と同程度以下とすることができる上、ヒロック及びピンホールの発生を抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明者は、図１に示すこの発明の一実施形態のように、スパッタリング法や蒸着法により、基板温度を室温として、ガラス基板（透明絶縁基板）２１上に成膜したＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜（配線）２２について、いくつかの実験を行った。まず、上記のように基板温度を室温として成膜したＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜の抵抗率のＮｄ含有率及びＴｉ含有率依存性について調べたところ、図２に示す結果が得られた。ただし、Ｎｄ含有率及びＴｉ含有率の最小値は共に０．１ａｔ％とした。この図において、抵抗率は、領域Ａ1で１０μΩｃｍ以下であり、領域Ａ2で１０〜２０μΩｃｍであり、領域Ａ3で２０〜３０μΩｃｍであり、領域Ａ4で３０〜４０μΩｃｍであり、領域Ａ5で４０〜５０μΩｃｍであり、領域Ａ6で５０〜６０μΩｃｍであり、領域Ａ7で６０〜７０μΩｃｍである。図２から明らかなように、Ｎｄ含有率及びＴｉ含有率が増加するほど、抵抗率が高くなることが分かる。また、基板温度を室温として成膜したＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜の抵抗率を１０μΩｃｍ程度以下とする場合には、Ｎｄ含有率及びＴｉ含有率を領域Ａ1から適宜に選択すれば良いことが分かる。なお、同抵抗率を２０μΩｃｍ程度以下とする場合には、Ｎｄ含有率及びＴｉ含有率を領域Ａ1及びＡ2から適宜に選択すれば良いことも分かる。
【００１４】次に、Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜の耐ヒロック特性のＮｄ含有率及びＴｉ含有率依存性について調べたところ、図３に示す結果が得られた。この図において、ヒロック発生温度は、領域Ｂ1で２４０〜２７０℃であり、領域Ｂ2で２７０〜３００℃であり、領域Ｂ3で３００〜３３０℃であり、領域Ｂ4で３３０〜３６０℃である。図３から明らかなように、熱処理温度が２４０〜２７０℃の場合には、領域Ｂ1においてヒロックの発生は抑制されることが分かる。」
「【００１６】ここで、一例として、Ｎｄ含有率を０．７５ａｔ％とし、Ｔｉ含有率を０．５ａｔ％とすると、図３では領域Ｂ1と領域Ｂ2との境界部分であり、図４では領域Ｃ1と領域2との境界部分であり、したがって熱処理温度を２４０〜２７０℃とすると、ヒロック及びピンホールの発生は抑制されることになる。しかも、
Ｎｄ含有率を０．７５ａｔ％とし、Ｔｉ含有率を０．５ａｔ％とする
ただし、Ｎｄ含有率及びＴｉ含有率は共に０．１ａｔ％以上）とする
「【００１９】ところで、Ａｌ−Ｔｉ合金薄膜の場合には、図５及び図６に示すように、低抵抗化と耐ヒロック特性（熱処理温度２５０℃）を考慮すると、Ｔｉ含有率は２．９ａｔ％程度が好ましい。一方、Ａｌ−Ｎｄ合金薄膜の場合には、図７及び図９に示すように、低抵抗化と耐ピンホール特性（熱処理温度２５０℃）を考慮すると、Ｎｄ含有率は４ａｔ％程度が好ましい。これに対して、Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜の場合には、上述したように、ＮｄとＴｉの合計含有率を１．５ａｔ％程度以下とすることができる。したがって、Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜の場合には、Ｔｉ単体またはＮｄ単体を含有するＡｌ合金薄膜と比較して、高価なＮｄ及びＴｉの含有率を少なくすることができ、ひいてはコストの低減を図ることもできる。
【００２０】なお、上記説明では、この発明の配線を表示装置に適用した場合について説明したが、表示装置以外の配線にも幅広く適用することができる。また、薄膜トランジスタのゲート電極を含む走査ラインに限らず、ソース電極、ドレイン電極及びデータラインにも適用することができる。この場合、図１１を参照して説明すると、ゲート絶縁膜４上にＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜からなるデータライン等をパターン形成するとき、ＩＴＯからなる画素電極１１がＡｌエッチング液によって侵されるのを防止するために、ゲート絶縁膜４上にｎ+シリコン層やクロム層等を形成し、その上にデータライン等を形成するためのＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜を形成するようにしてもよい。さらに、Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜に限らず、希土類元素のうちの１種または２種以上とＴｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの１種または２種以上とを含有するＡｌ合金薄膜によって配線を形成するようにしてもよい。」
　
　したがって、刊行物２には、以下の発明が記載されている。
　「希土類元素のＮｄと、Ｔｉとを含有し、０．１ａｔ％以上のＮｄと０．１ａｔ％以上のＴｉを含み、Ｎｄ含有率とＴｉ含有率の合計が３．５ａｔ％程度以下であるＡｌ合金薄膜からなることを特徴とする配線。」
　
（４−３）対比・判断
（４−３−１）補正発明７と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明１」という。）とを対比・検討する。
（ａ）刊行物発明１の「0.5at%のＮｄ」、「Ｚｒ」は、それぞれ、補正発明７の「0.1〜2at%の」「希土類元素」、「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる」「添加元素」に相当する。
（ｂ）補正発明７においては、「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素」と「1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素」とが「総量で0.5at%以上、7at%以下含有」されるから、「群Ｃ」から選ばれる「添加元素」は、約0.29at%ないし6.9at%含有され、一方、刊行物発明１は、「0.5at%のＮｄ」と「1.0at%のＺｒ」とを合計で1.5at%含んでおり、その「希土類元素」（α）と「添加元素」（β）との比（β／α）は、２となり、補正発明７における、「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素」と約0.29at%ないし6.9at%の「添加元素」との比（β／α）が1.3倍以上という範囲、及び、「希土類元素」と「添加元素」の総量で「0.5at%以上、7at%以下含有」するとの範囲のいずれにも含まれている。
（ｃ）刊行物発明１の「残部Ａｌ」は、補正発明７の「残部実質的にＡｌ」に相当し、刊行物１の（０００１）段落には、「本発明は、Ａｌを主体とするＡｌ系スパッタリング用ターゲットに関し、特に液晶ディスプレイ・・・の薄膜電極、薄膜配線等、あるいは反射膜等を形成するために用いられるＡｌ系スパッタリング用ターゲット・・・に関するものである。」と記載されているから、刊行物発明１の「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」は、補正発明７の「Ａｌ合金配線膜形成用ターゲット」に相当する。
　
　したがって、刊行物発明１と補正発明７とは、
「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなる組成を有することを特徴とするＡｌ合金配線膜形成用ターゲット。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
　相違点
　補正発明７が「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜形成用ターゲット」であるのに対して、刊行物発明が上記特性を備えた「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」であるか否か明らかでない点。
　
　相違点の検討
　以下において、相違点について検討する。
（ｄ）刊行物１には、「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」を用いて形成したＡｌ薄膜からどのようにして「Ａｌ配線」を形成するかは明確には記載されていないが、ヒロックが発生した場合に、ヒロックを通してエッチング液等が侵入してＡｌ配線膜が腐食してしまうという問題点があることは指摘されており（０００６段落）、また、Ａｌ薄膜からＡｌ配線膜を形成する際に、用いる「エッチング」方法として、「ウェットエッチング」とともに「ドライエッチング」も用いられることは、例えば、「ＷＯ９７/１３８８５」（「微量の金属元素を含有するＡｌ配線膜においては、Ａｌの拡散やＩＴＯ電極との電気化学反応等は抑制されるものの、生成した金属間化合物や添加した金属元素がＡｌ配線のエッチング性やスパッタ特性等に対して悪影響を及ぼすという問題が生じている。・・・
Ａｌ配線膜に対してＣＤＥ・・・やＲＩＥ・・・等のドライエッチング
（ｅ）ここで、刊行物発明の「希土類元素」の組成（at%）、「添加元素」の組成（at%）、それらの比率（「添加元素」／「希土類元素」）及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量（at%）は、いずれも、補正発明７の「希土類元素」の組成（at%）、「添加元素」の組成（at%）、それらの比率（「添加元素」／「希土類元素」）及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量（at%）のそれぞれの数値範囲に含まれており、本願の明細書において、補正発明７は、「希土類元素」の組成（at%）、「添加元素」の組成（at%）、それらの比率（「添加元素」／「希土類元素」）及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量（at%）が、補正後の請求項７に記載されるそれぞれの「元素」の組成（at%）及び「総量」（at%）の数値範囲に含まれることを根拠として、補正発明７の組成の「Ａｌ合金配線膜形成用ターゲット」が「ドライエッチング性に優れ」るとしているのであるから、補正発明７の、「希土類元素」の組成（at%）、「添加元素」の組成（at%）、それらの比率（「添加元素」／「希土類元素」）及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量（at%）のそれぞれの数値範囲に、対応する構成要素の数値が含まれる刊行物発明も、補正発明７と同様に、「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」により形成されたＡｌ配線膜が「ドライエッチング性に優れ」るとの特質を備えるものである。
（ｆ）したがって、相違点は実質的なものではない。仮に、相違点が実質的なものであるとしても、上記（ｄ）において検討したように、刊行物発明１のＡｌ系スパッタリングターゲットは、Ａｌ配線膜を形成するために用いられることは明らかであり、また、Ａｌ配線膜を形成する際にドライエッチング法を用いることは、当業者には通常知られていることであるから、刊行物発明１のＡｌ系スパッタリングターゲットで形成したＡｌ膜をドライエッチング法によりパターニングして配線とすることは当業者が容易になし得るものであって、そのような場合において、従来のＡｌ合金膜に比してドライエッチング特性が優れたものであることは、ドライエッチング法を利用する以上、実験をしてみれば容易に判明することである。したがって、刊行物発明１であるＡｌ系スパッタリングターゲットをドライエッチング特性の優れたＡｌ系スパッタリングターゲットとすることは当業者が容易になし得たものである。
　よって、補正発明７は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができず、また、補正発明７は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４−３−２）補正発明３と刊行物２に記載された発明（以下、「刊行物発明２」という。）とを対比・検討する。
（ｇ）刊行物発明２において、添加する元素としてＴｉは0.1at%以上含まれているから、刊行物発明２の、希土類元素としてＮｄは0.1at%以上含まれることは、補正発明３が「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素」を含むことに相当し、また、刊行物発明２の、Ｎｄ含有率とＴｉ含有率の合計が0.2at%以上で、3.5at%程度以下であることは、「希土類元素」と「添加元素」とを「総量で0.5at%以上、3.5at%以下含有」する範囲において、補正発明３の「希土類元素」と「添加元素」とを「総量で0.5at%以上、7at%以下含有」することに相当する。　
（ｈ）刊行物発明２において、ＮｄとＴｉ以外の成分が実質的にＡｌであることは明らかであるから、補正発明３の「残部実質的にＡｌよりなること」は、刊行物発明２も実質的に構成として備えている。
　
　したがって、補正発明３と刊行物発明２とは、
  「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするＡｌ合金配線膜。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　補正発明３が、「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素」を含有するのに対して、
　刊行物発明２は、上記構成を備えているか否か明らかでない点。
　相違点２
　補正発明３が、「ドライエッチングされたＡｌ合金配線膜」であるのに対して、
　刊行物発明２が、「Ａｌ合金薄膜からなることを特徴とする配線」であるが、「ドライエッチング」された「配線膜」であるか否か明らかでない点。
　
　以下において、各相違点について検討する。
　相違点１について
（ｉ）補正発明３においては、「添加元素」として、「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上」の元素を含有するが、発明の詳細な説明に記載された「本発明」（表１及び表２）を参照すると、「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の元素」を含む「本願実施例」として、試料Ｎｏ．１７、１９、２１、２３、２５、２７、２９、３１、５５、５６、５９、６３が（表１）及び（表２）に記載されており、それらの「合金組成」は、「希土類元素」としての「Ｎｄが1.5at%」で、「群Ｃ」の元素が「3at%」の「Ｚｒ」、「Ｈｆ」、「Ｎｂ」、「Ｍｏ」、「Ｗ」、「Ｔａ」又は「Ｃｒ」、「希土類元素」としての「Ｎｄが1.5at%」で、「群Ｃ」の元素が「2at%」の「Ｔｉ」、「希土類元素」としての「Ｎｄが0.5at%」で、「群Ｃ」の元素が「4at%」の「Ｚｒ」又は「Ｎｂ」、「希土類元素」としての「Ｙが1.5at%」で、「群Ｃ」の元素が「3at%」の「Ｚｒ」、「希土類元素」としての「Ｄｙが1.5at%」で、「群Ｃ」の元素が「3at%」の「Ｚｒ」であって、全ての試料について残部「Ａｌ」である。
　ここで、上記試料について、「希土類元素量」（Ｎｄ、ＹまたはＤｙ）（α）と、「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる」元素（β）との比率を算出すると、（β／α）＝１．３（試料No．１９）、２（試料No．１７、２１、２３、２５、２７、２９、３１、５９、６３）又は８（試料No．５５、５６）である。
（ｊ）ところで、補正発明３には、「希土類元素」と「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有」することが記載されているのみであり、ここで、「希土類元素」が「0.1at%」以上であるが「0.5at%」より少ない「0.2at%」を含有し、その「1.3倍」以上の添加元素、例えば、「Ｔｉ」が、「0.3at%」含有された場合の「Ａｌ合金配線膜」（「場合１」）と、当初明細書等に記載された、「群Ｃ」を「添加元素」に用いた上記「本願実施例」とが、「Ａｌ合金配線膜」として同等な特性を備えるか否かについて何らの根拠も当初明細書等に記載されていない。
（ｋ）また、「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素」を含有した「Ａｌ合金配線膜」と「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍」以下（例えば、0.6倍、1.0倍等）の「Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素」を含有した「Ａｌ合金配線膜」とにおいてどの程度「Ａｌ合金配線膜」の特性が異なるかは、当初明細書等に何ら記載がなく、上記倍率について比較できる「比較例」が記載されておらず、上記（β／α）が「1.3倍」より小さい場合（例えば、0.6倍、1.0倍等）と比較してどの程度顕著な効果が奏せられるか不明であるから、「1.3倍以上」との数値に臨界的意義はない。
（ｌ）上記（ｊ）及び（ｋ）で検討したとおり、補正発明３の「原子量比率で該希土類元素量に対して1.3倍以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素」を含有する点については、本願の実施例での「希土類元素」及び「添加元素」の含有量(at%)においては、形成された「Ａｌ合金配線膜」が明細書に記載される特性を備えることは確認できるものの、実施例で支持されていない「含有量」の範囲においては、「Ａｌ合金配線膜」が明細書に記載される特性を備えるか否か明らかでない。
（ｍ）結局、刊行物２に記載された（図２）「Ｎｄ」及び「Ｔｉ」の含有率(at%)の範囲において、どの部分を選択するかは、当業者が「Ａｌ合金配線膜」の求められる特性に応じて適宜なし得るものであるから、補正発明３に記載される如く、「希土類元素」（Ｎｄ）と「添加元素」（Ｔｉ）の含有率の比の範囲を、「1.3倍以上」に選択することは、当業者にとって何ら困難性はない。
　
　相違点２について
（ｎ）刊行物２には、「上記説明では、この発明の配線を表示装置に適用した場合について説明したが、表示装置以外の配線にも幅広く適用することができる。また、薄膜トランジスタのゲート電極を含む走査ラインに限らず、ソース電極、ドレイン電極及びデータラインにも適用することができる。この場合、図１１を参照して説明すると、ゲート絶縁膜４上にＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜からなるデータライン等をパターン形成するとき、ＩＴＯからなる画素電極１１がＡｌエッチング液によって侵されるのを防止するために、ゲート絶縁膜４上にｎ+シリコン層やクロム層等を形成し、その上にデータライン等を形成するためのＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜を形成するようにしてもよい。」（００２０段落参照）と、「Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜」のパターニングをエッチング液により行うことが記載されているが、Ａｌ薄膜からＡｌ配線膜を形成する際に用いる「エッチング」方法として、「ウェットエッチング」とともに「ドライエッチング」も用いられることは、例えば、「ＷＯ９７/１３８８５」（「微量の金属元素を含有するＡｌ配線膜においては、Ａｌの拡散やＩＴＯ電極との電気化学反応等は抑制されるものの、生成した金属間化合物や添加した金属元素がＡｌ配線のエッチング性やスパッタ特性等に対して悪影響を及ぼすという問題が生じている。・・・Ａｌ配線膜に対して
ＣＤＥ・・・やＲＩＥ・・・等のドライエッチング
（ｏ）したがって、刊行物発明２のＡｌ合金薄膜からなる配線の形成方法として、半導体の技術分野において従来周知のドライエッチング法を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　よって、補正発明３は、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　（４−４）小むすび
　したがって、補正事項１ないし６についての補正を含む本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、仮に、請求項１ないし６についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、且つ、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとしても、補正発明３及び７を含む本件補正は、特許法第２９条第１項第３号又は同法同条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　（５）むすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年８月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１５年７月７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであり、その請求項３及び７に係る発明は、その請求項３及び７に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
　「【請求項３】0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜。」（以下、「本願発明３」という。）　
　「【請求項７】請求項１〜６の何れかに記載の組成を有することを特徴とするドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜形成用ターゲット。」
　ここで、「請求項３」を引用する請求項７は、以下のとおりである。
　「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有する組成を有することを特徴とするドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜形成用ターゲット。」（以下、「本願発明７」という。）
      
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１の特開平１０−６０６３６号公報に記載された事項は、「２．（４−２）刊行物に記載された発明」（ａ）に記載されるとおりであり、また、刊行物２の特開平１０−２８４４９３号公報に記載された事項は、「２．（４−２）刊行物に記載された発明」（ｂ）に記載されるとおりである。
　また、刊行物１及び２に記載される発明は、それぞれ、以下のとおりである。
　
　「組成（ａｔ％）が１．０ａｔ％のＺｒと、０．５ａｔ％のＮｄと、残部Ａｌである、Ａｌ系スパッタリング用ターゲット。」（「刊行物発明１」）
　「希土類元素のＮｄと、Ｔｉとを含有し、０．１ａｔ％以上のＮｄと０．１ａｔ％以上のＴｉを含み、Ｎｄ含有率とＴｉ含有率の合計が３．５ａｔ％程度以下であるＡｌ合金薄膜からなることを特徴とする配線。」（「刊行物発明２」）
　
５．対比・判断
５−１．本願発明７と刊行物１に記載された発明（「刊行物発明１」）とを対比する。
（ａ）刊行物発明１の「0.5at%のＮｄ」、「1.0at%のＺｒ」は、それぞれ、本願発明７の「0.1〜2at%の」「希土類元素」、「0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる」「添加元素」に相当する。
（ｂ）刊行物発明１は、「0.5at%のＮｄ」と「1.0at%のＺｒ」とを合計で1.5at%含んでおり、本願発明７における、「希土類元素」と「添加元素」の総量で「0.5at%以上、7at%以下含有」するとの範囲に含まれている。
（ｃ）刊行物発明１の「残部Ａｌ」は、本願発明７の「残部実質的にＡｌ」に相当し、刊行物１の（０００１）段落には、「本発明は、Ａｌを主体とするＡｌ系スパッタリング用ターゲットに関し、特に液晶ディスプレイ・・・の薄膜電極、薄膜配線等、あるいは反射膜等を形成するために用いられるＡｌ系スパッタリング用ターゲット・・・に関するものである。」と記載されているから、刊行物発明１の「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」は、本願発明７の「Ａｌ合金配線膜形成用ターゲット」に相当する。
　
　したがって、刊行物発明１と本願発明７とは、
「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と、0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなる組成を有することを特徴とするＡｌ合金配線膜形成用ターゲット。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　                         
　相違点
　本願発明７が「ドライエッチング性に優れた」Ａｌ合金配線膜形成用ターゲット」であるのに対して、刊行物発明が上記特性を備えた「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」であるか否か明らかでない点。
　
５−２．当審の判断
　以下において、相違点について検討する。
（ｄ）刊行物１には、「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」を用いて形成したＡｌ薄膜からどのようにして「Ａｌ配線」を形成するかは明確には記載されていないが、ヒロックが発生した場合に、ヒロックを通してエッチング液等が侵入してＡｌ配線膜が腐食してしまうという問題点があることは指摘されており（０００６段落）、また、Ａｌ薄膜からＡｌ配線膜を形成する際に、用いる「エッチング」方法として、「ウェットエッチング」とともに「ドライエッチング」も用いられることは、例えば、「ＷＯ９７/１３８８５」（「微量の金属元素を含有するＡｌ配線膜においては、Ａｌの拡散やＩＴＯ電極との電気化学反応等は抑制されるものの、生成した金属間化合物や添加した金属元素がＡｌ配線のエッチング性やスパッタ特性等に対して悪影響を及ぼすという問題が生じている。・・・
Ａｌ配線膜に対してＣＤＥ・・・やＲＩＥ・・・等のドライエッチング
（ｅ）ここで、刊行物発明の「希土類元素」の組成(at%)、「添加元素」の組成(at%)及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量(at%)は、いずれも、本願発明７の「希土類元素」の組成(at%)、「添加元素」の組成(at%)及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量(at%)の数値範囲に含まれており、本願の明細書において、本願発明７は、「希土類元素」の組成(at%)、「添加元素」の組成(at%)及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量(at%)が、請求項７に記載される数値範囲に含まれることを根拠として、本願発明７の組成の「Ａｌ合金配線膜形成用ターゲット」が「ドライエッチング性に優れ」るとしているのであるから、本願発明７の、「希土類元素」の組成(at%)、「添加元素」の組成(at%)及び、「希土類元素」と「添加元素」との総量(at%)のそれぞれの数値範囲に、対応する元素の組成(at%)または総量(at%)が含まれる刊行物発明も、本願発明７と同様に、「Ａｌ系スパッタリング用ターゲット」により形成されたＡｌ配線膜が「ドライエッチング性に優れ」るとの特質を備えるものである。
（ｆ）したがって、相違点は実質的なものではない。仮に、相違点が実質的なものであるとしても、上記（ｄ）において検討したように、刊行物発明１のＡｌ系スパッタリングターゲットは、Ａｌ配線膜を形成するために用いられることは明らかであり、また、Ａｌ配線膜を形成する際にドライエッチング法を用いることは、当業者には通常知られていることであるから、刊行物発明１のＡｌ系スパッタリングターゲットで形成したＡｌ膜をドライエッチング法によりパターニングして配線とすることは当業者が容易になし得るものであって、そのような場合において、従来のＡｌ合金膜に比してドライエッチング特性が優れたものであることは、ドライエッチング法を利用する以上、実験をしてみれば容易に判明することである。したがって、刊行物発明１であるＡｌ系スパッタリングターゲットをドライエッチング特性の優れたＡｌ系スパッタリングターゲットとすることは当業者が容易になし得たものである。　
　よって、本願発明７は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができず、また、本願発明７は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５−３．本願発明３と刊行物２に記載された発明（「刊行物発明２」）とを対比する。
（ｇ）刊行物発明２において、添加する元素としてのＴｉは0.1at%以上含まれているから、刊行物発明２の、希土類元素としてＮｄが0.1at%以上含まれることは、本願発明３の「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素」に相当し、また、刊行物発明２の、Ｎｄ含有率とＴｉ含有率の合計が0.2at%以上で、3.5at%程度以下であることは、「希土類元素」と「添加元素」とを「総量で0.5at%以上、3.5at%以下含有」する範囲において、本願発明３の「希土類元素」と「添加元素」とを「総量で0.5at%以上、7at%以下含有」することに相当する。　
（ｈ）刊行物発明２において、ＮｄとＴｉ以外の成分が実質的にＡｌであることは明らかであるから、本願発明３の「残部実質的にＡｌよりなること」は、刊行物発明２も実質的に備える構成である。
　
　したがって、本願発明３と刊行物発明２とは、
 「0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のZr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群Ｃから選ばれる一種類以上の添加元素を、総量で0.5at%以上、7at%以下含有し、残部実質的にＡｌよりなることを特徴とするＡｌ合金配線膜。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明３が、「ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜」であるのに対して、
　刊行物発明２が、「Ａｌ合金薄膜からなることを特徴とする配線」であって、「ドライエッチング」された「配線膜」であるか否か明らかでない点。
　
５−４．当審の判断
　以下において、相違点について検討する。
（ｉ）なるほど、刊行物２には、「上記説明では、この発明の配線を表示装置に適用した場合について説明したが、表示装置以外の配線にも幅広く適用することができる。また、薄膜トランジスタのゲート電極を含む走査ラインに限らず、ソース電極、ドレイン電極及びデータラインにも適用することができる。この場合、図１１を参照して説明すると、ゲート絶縁膜４上にＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜からなるデータライン等をパターン形成するとき、ＩＴＯからなる画素電極１１がＡｌエッチング液によって侵されるのを防止するために、ゲート絶縁膜４上にｎ+シリコン層やクロム層等を形成し、その上にデータライン等を形成するためのＡｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜を形成するようにしてもよい。」（００２０段落参照）と、「Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜」のパターニングをエッチング液により行うことが記載されているが、また、Ａｌ薄膜からＡｌ配線膜を形成する際に用いる「エッチング」方法として、「ウェットエッチング」とともに「ドライエッチング」も用いられることは、例えば、「ＷＯ９７/１３８８５」（「微量の金属元素を含有するＡｌ配線膜においては、Ａｌの拡散やＩＴＯ電極との電気化学反応等は抑制されるものの、生成した金属間化合物や添加した金属元素がＡｌ配線のエッチング性やスパッタ特性等に対して悪影響を及ぼすという問題が生じている。・・・Ａｌ配線膜に対して
ＣＤＥ・・・やＲＩＥ・・・等のドライエッチング
（ｊ）したがって、刊行物発明２のＡｌ合金薄膜からなる配線の形成方法として、半導体の技術分野において従来周知のドライエッチング法を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　　
　よって、本願発明３は、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１、２、４ないし６に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。