【事件の表示】
　平成１０年特許願第５２７６４６号「集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２５日国際公開、ＷＯ９８／２７５８５、平成１２年　８月　８日国内公表、特表２０００−５１０２８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９６年１２月１６日を国際出願日とする出願であって、平成１６年８月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１７年１２月２１日付けで審尋がなされ、これに対し、指定期間内である平成１８年６月２３日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１６年１１月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年１１月１９日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「電子デバイス上にボイドのないシームレスな導体を有する相互接続構造を製作する方法であって、
　基板上に絶縁材料を形成するステップ、
　前記絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するラインまたはバイアあるいはその両方をリソグラフィによって画定し形成するステップ、
　前記絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ、
　銅塩および鉱酸を含む添加剤を含む浴からの電気めっきによって前記導体材料を付着するステップ、および
　得られた構造を、化学機械研磨により平坦化して個々のラインまたはバイアあるいはその両方の電気的分離を実施するステップ、
を含み、
　前記ラインまたはバイアあるいはその両方に充填した前記導体の深さ／幅の比が１以上であることを特徴とする、方法。」と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項としての添加剤を「銅塩および鉱酸を含む添加剤」と限定するとともに、平坦化手段を「化学機械研磨により平坦化」と具体的に限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
　（１）刊行物及び周知例の記載事項
　　（ア）刊行物１：特開平７−５８２０１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用例２として引用された刊行物１には、「多層配線基板の製造方法」（発明の名称）に関して、図１，図２と共に以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　基板表面またはこの上層に形成された第１の配線層上に層間絶縁膜を形成し、これにコンタクトホールを形成する工程と、
前記基板表面全体を導電膜で被覆し、この導電膜を電極として、凹部に厚いめっき膜が得られるような条件下で電気めっきを行い表面を平坦化する工程と、
前記層間絶縁膜上のめっき膜を除去し前記コンタクトホール内のめっき膜を選択的に残留せしめるように前記めっき膜を等方エッチングする工程と、
このめっき膜にコンタクトするように第２の配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。」
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板の製造方法に係り、特に配線が高密度に形成された多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の発達により電子機器の小型化、薄型化、高性能化が進められており、これに伴い回路基板上に半導体チップを高密度に実装することが重要な課題となっている。
【０００３】従って、多層配線基板内の配線も近年高密度化の方向にあり、配線の微細化、多層化が進んでいる。・・・」
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、高密度配線を有する多層配線を実現するためには、コンタクトホールに金属が埋め込まれ平坦化された層間接続が必要となる。しかしながら、いずれの方法によっても、高密度化に際して特性が良好で信頼性の高い多層配線を得ることができないという問題があった。
【００１０】本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高密度化が容易で信頼性の高い多層配線を提供することを目的とする。」
「【００１８】・・・さらに電気めっきによる金属膜の形成に際しては、有機窒素化合物、有機硫黄化合物、ポリエーテル化合物を適量添加することにより、凹凸のある表面に対しては凸部で凹部に比べて有機物が優先的に吸着するため、めっき膜の析出を抑制する。この結果凸部ではめっき膜の析出速度が遅くなり凹部では速くなるため、めっきを続行した場合、結果として表面の凹凸がなくない、表面が平坦化される。　このようにして形成された金属膜は、コンタクトホール部を除き、均一な膜厚となり、一方コンタクトホール部は他の部分に比べて厚くなる。・・・
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２０】まず、基板１の表面に絶縁膜２を形成し、この上層に第１層配線膜３として銅薄膜パターンを形成し、この上層に、フォトニースＵＲ−３１４と指称されている東レ社製の感光性ポリイミドを塗布し、露光現像を行い、１辺２０μｍ程度のコンタクトホール９を形成する。こののち、４００℃で３０分程度の熱処理を行い、層間絶縁膜４を形成する（図１(a) ）。ここでポリイミドは熱処理後の膜厚が２０μｍ程度となるように塗布時の膜厚を設定する。また段切れを防ぐため、コンタクトホールの底部と側壁との角度が１００度以上となるように露光現像条件をコントロールする。
【００２１】次いで、スパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）膜５および銅（Ｃｕ）膜６を順次連続的に積層し、全体としての膜厚が１μｍ程度となるようにする。ここで銅膜はめっき陰極として作用するものである。またチタンは高融点金属であり、層間絶縁膜であるポリイミドあるいは第１層配線である銅と、めっき陰極および上層のめっき膜とのとの相互拡散を防止するバリアとして作用する。従って膜厚は薄くて良い。銅とポリイミドが直接接するように形成されると、ポリイミド中の酸素によって銅が酸化され、密着性が低下し、剥離し易くなる。また連続的に形成するのはチタン表面が酸化されやすいためである。このように真空を破ることなく連続的に上層の膜を形成することにより、自然酸化膜が介在することなく低抵抗の膜が形成される。
【００２２】このようにして、基板１を図２に示すように電気めっき装置に設置し、この陰極にめっき陰極として銅膜６を接続する。ここでめっき浴としては、硫酸銅７５ｇ／ｌ，硫酸（比重１．８４）１００ｍｌ／ｌからなる溶液にポリエチレングリコール１００ｍｇ／ｌとチオ尿素１０ｍｇ／ｌを添加したものを用い、液温を２５℃に設定して電流密度５Ａ／ｄｍ２で攪拌しながらめっきを行い膜厚２０μｍ程度の銅めっき膜７を形成する。コンタクトホールによる段差は１μｍ程度であるため、２０μｍ程度のめっき膜を形成するようにすれば十分に平坦な表面を得ることができる（図１(c) ）。
【００２３】この後、図１(d) に示すように基板１表面に形成された銅めっき膜７を、過硫酸アンモニウム、硫酸、エタノールからなる混合溶液でエッチングし、基板表面の銅膜６（めっき陰極）も含めて除去し、コンタクトホール内にのみ残留せしめる。
【００２４】次いで、図１(e) に示すように，基板１主面上のチタン膜５をＥＤＴＡ、アンモニア、過酸化水素水からなるエッチング液でエッチング除去する。
【００２５】このようにして埋め込みを行った基板１に第２配線層としてチタン−銅−チタンの積層薄膜８を形成する（図１(f) ）。」
　さらに、図１には、層間絶縁膜４上に銅（Ｃｕ）膜６が積層されている点が示され、図２には、複数のコンタクトホールと層間絶縁層４に銅膜（めっき陰極）６が設けられた基板１を電気めっきしている様子が示されている。
　以上から、刊行物１には、
「基板１の表面に絶縁膜２を形成し、この上層に第１層配線膜３を形成し、この上層に、感光性ポリイミドを塗布し、露光現像を行い、１辺２０μm 程度のコンタクトホール９を形成し、こののち、熱処理を行い、層間絶縁膜４を形成する工程、ここでポリイミドは熱処理後の膜厚が２０μm 程度となるように塗布時の膜厚を設定しておく、
　次いで、層間絶縁膜４上にめっき陰極として作用する銅（Ｃｕ）膜６を積層する工程、
　次いで、硫酸銅，硫酸からなる溶液にポリエチレングリコールとチオ尿素を添加しためっき浴からの電気めっきによって、膜厚２０μm 程度の銅めっき膜７を形成する工程、
　この後、基板１表面に形成された銅めっき膜７、銅膜６（めっき陰極）をエッチング除去し、コンタクトホール内にのみ残留せしめる工程、
　このようにして埋め込みを行った基板１に第２配線層８を形成する工程を有し、高密度配線を有する多層配線を実現する多層配線基板の製造方法」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　　（イ）周知例１：特開平７−２８３２１９号公報
　周知例１には、図９，図１３と共に以下の事項が記載されている。
「【００５１】（第２実施例）以下、本発明を具体化した第２実施例を図面に従って説明する。尚、本実施例の半導体装置の断面構造は、図１に示す第１実施例と同じである。
【００５２】次に、本実施例の製造方法を図面に従って順次説明する。
工程Ｉ（図２参照）および工程II（図３参照）；第１実施例の工程１および工程２と同じである。
【００５３】工程III（図９参照）；硫酸銅めっき法により、Ｔａ膜８上に銅薄膜９を堆積させる。すなわち、第１実施例ではレジストパターン１０の開口部ＡのＴａ膜８上だけに銅薄膜９を選択的に堆積させたが、本実施例ではコンタクトホール４内を含むウェハの全面のＴａ膜８上に銅薄膜９を堆積させる。」
「【００５９】次に、本実施例の製造方法を図面に従って順次説明する。
工程[1](図２参照），工程[2](図３参照），工程[3](図９参照）；第２実施例の工程Ｉ，工程II，工程III と同じである。
【００６０】工程[4](図１３参照）；コンタクトホール４内の銅薄膜９だけを残して銅プラグ１１を形成するため、化学的機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing ）法により、銅薄膜９，Ｔａ膜８，ＴｉＮ膜７，Ｔｉ膜６から成る積層膜の全面エッチバックを行う。すなわち、ウェハの表面をスラリー状の研磨液で満たした研磨パッドに押しつけ、ウェハ表面に対する研磨パッドの相対移動速度を上げると、段差の大きな凸部から優先的に研磨される。この全面エッチバックは、層間絶縁膜３が露出した時点で終了する。尚、銅薄膜の化学的機械研磨法については、（VLSI Multilevel Interconnection Conference:pp.15-21(1993) ）に詳述されている。」
　
　　（ウ）周知例２：特表平５−５０９１９８号公報
　周知例２には、ＦＩＧ．４Ａ〜ＦＩＧ．４Ｃと共に以下の事項が記載されている。
「層１１８は、通常のスパッタリングまたは真空蒸着によって付着させることができる。しかし、層１１８は、無電解メッキまたは電気メッキによってシード層１１６の上に形成することが好ましい。シード層はすでにコンフォーマルで連続的であるため、その後で、好ましくは銅である厚い層１１８を電気メッキすることは容易である。
　シード層１１６と層１１８はブランケット付着されているので、メタライゼーションが必要でない区域をマスクする必要がないことに留意されたい。不必要なメタライゼーションの除去は、本発明の方法では次の工程で行う。
　次に、過剰なまたは不要の導電性材料、すなわち第２の層１０８を被覆する材料を、平坦化法によって除去する。好ましい平坦化法は、化学機械式研磨および高精度の機械式研磨技術である。これらの平坦化技術は、上記の米国特許第４７０２７９２号ならびに第４９５４１４２号明細書、米国特許出願第４８１９４１号明細書、および上記の米国特許出願明細書に開示されている。得られた平坦化された構造は、第４Ｃ図に示すようなものである。」（６頁右上欄１６行〜左下欄１０行）
　
　　（エ）周知例３：特開平８−２１３３９７号公報
　周知例３には、図２Ａ，Ｂと共に以下の事項が記載されている。
「【００１５】図２のＡでは、導電膜２８が絶緑層２２を覆っている。薄膜２８は、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、還流を伴うＰＶＤ、もしくは電気めっきによって形成されるものでよく、好ましくはアルミニウム、銅、およびこれら２種の金属の合金を少なくとも９０％含有する。更に詳述すれば、薄膜２８は、２つ以上の構成層（ｓｕｂｌａｙｅｒ）、例えば、公称２００ÅのＴｉ基底部構成層、ＣＶＤもしくはＰＶＤによる２００Å〜４００ÅのＴｉＮ構成層、およびＡｌ−０．５％Ｃｕ合金の頂上部構成層を含んで構成される。好ましくは、薄膜２８は、溝２４と２６が導電材料で完全に埋め尽くされる深さまで堆積される。
【００１６】図２のＢは、研磨して薄膜２８の不要部分を除去した後に、溝２４と２６に残っている幅広な嵌入導線３０と幅狭な嵌入導線３２とを、それぞれ示す。研磨は好ましくは化学的機械的精密研磨（ＣＭＰ）によって行われ、基板２０を含むウェーハおよび／または研磨用パッドは回転可能に取り付けられて、回転中に相互に接触するようにされる。・・・」
　
　　（オ）周知例４：特開平３−１３２０８９号公報
　周知例４には、ＦＩＧ．４，ＦＩＧ．５と共に以下の事項が記載されている。
「電気メッキすることができる金属の例は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ及びこれらの合金である。
　好ましい実施態様においては、種層を層３４中のパターン３６のベース中の電気活性物質３２の暴露された表面３８上に堆積させ、その結果として構造体３５の層３４のパターン３６中に無電解メッキされたまたは電気メッキされた導体５０を有する第５図中に示された構造体を生成させる。・・・メッキされた構造体３５は、後続する層の付与に先立って、任意の研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）または研削（ｍｉｌｌｉｎｇ）技術、例えば一般に知られている微小研削技術及びスラリを用いる化学的機械的研磨によって平坦化することができる。電気的に伝導性のパターンの隣合う層は、伝導性バイビアスタッド（ｖｉａ　Ｓｔｕｄｓ）によって相互連結することができる。」（１０頁左上欄３行〜左下欄１行）
　
　（２）本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「層間絶縁膜４」、「コンタクトホール９」、「硫酸銅」、「硫酸」、「銅めっき膜７」は、それぞれ本願補正発明の「絶縁材料」、「バイア」、「銅塩」、「鉱酸」、「導体材料，導体」に相当する。
　また、引用発明は、基板１上の第１層配線膜３と第２配線層８をコンタクトホール９内に埋め込まれた銅めっき膜７で相互に接続するための製造方法であるから、この点は、本願補正発明の「導体を有する相互接続構造を製作する方法」に相当する。
　引用発明の「感光性ポリイミド」は、後で「層間絶縁膜４」になる絶縁材料であるから、引用発明の「感光性ポリイミドを塗布」したことは、本願補正発明の「絶縁材料を形成」したことに相当する。
　引用発明の「銅めっき膜７」は、第１層配線膜３と第２配線層８を相互に接続するためのものなので、本願補正発明の「相互接続導体材料」にも相当し、引用発明においても、コンタクトホール９に銅めっき膜７を付着するので、引用発明の銅めっき膜７を付着するコンタクトホール９は、本願補正発明の「相互接続導体材料を付着するバイア」に相当する。ゆえに、引用発明の「感光性ポリイミドの露光現像を行い、コンタクトホール９を形成」は、本願補正発明の「絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するバイアをリソグラフィによって画定し形成するステップ」に相当する。
　引用発明の「層間絶縁膜４上にめっき陰極として作用する銅（Ｃｕ）膜６を積層する工程」は、本願補正発明の「絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ」に相当する。
　引用発明の「硫酸銅，硫酸からなる溶液にポリエチレングリコールとチオ尿素を添加しためっき浴からの電気めっきによって、銅めっき膜７を形成する工程」は、本願補正発明の「銅塩および鉱酸を含む添加剤を含む浴からの電気めっきによって前記導体材料を付着するステップ」に相当する。
　さらに、本願補正発明の３箇所の「ラインまたはバイアあるいはその両方」は、択一的記載であって「バイア」のみの場合も含まれる。
　したがって、両者は、
「導体を有する相互接続構造を製作する方法であって、
　絶縁材料を形成するステップ、
　前記絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するバイアをリソグラフィによって画定し形成するステップ、
　前記絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ、
　銅塩および鉱酸を含む添加剤を含む浴からの電気めっきによって前記導体材料を付着するステップ、
を含むことを特徴とする、方法。」で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：本願補正発明は、「電子デバイス上に導体を有する相互接続構造を製作する方法」であるのに対して、引用発明は、「多層配線基板の製造方法」である点。
　
相違点２：本願補正発明は、「基板上に絶縁材料を形成」しているのに対して、引用発明は、「基板１の表面に絶縁膜２を形成し、この上層に第１層配線膜３を形成し、この上層に、感光性ポリイミドを塗布」している点。
　
相違点３：本願補正発明は、「ボイドのないシームレスな導体」であるのに対して、引用発明は、そのような明示がない点。
　
相違点４：本願補正発明は、「得られた構造を、化学機械研磨により平坦化」しているのに対して、引用発明は、「基板１表面に形成された銅めっき膜７、銅膜６（めっき陰極）をエッチング除去し、コンタクトホール内にのみ残留せしめる工程」を備えている点。
　
相違点５：本願補正発明は、平坦化に伴って、「個々のバイアの電気的分離を実施」しているのに対して、引用発明は、そのような明示がない点。
　
相違点６：本願補正発明は、「バイアに充填した導体の深さ／幅の比が１以上である」のに対して、引用発明は、そのような明示がない点。
　
　（３）当審の判断
　上記相違点１〜６について、以下に検討する。
　
相違点１：引用発明は、高密度配線を有する多層配線を実現するためのものであり、この高密度な多層配線技術を電子デバイス上に導体を有する相互接続構造に適用することに格別の阻害要因があるとは認められず、高密度配線として類似の技術であるから、適用を考える方が、むしろ自然である。
　そして、引用発明は、コンタクトホールを表面に凹凸なく平坦に埋め込む技術であり、電子デバイス上に導体を有する相互接続構造においても、コンタクトホール（バイア）を表面に凹凸なく平坦に埋め込むことは、当然要求される課題であるから、この課題により引用発明の高密度な多層配線技術を電子デバイス上に導体を有する相互接続構造に適用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点２：本願補正発明の「基板上に絶縁材料を形成」における「基板上」とは、基板表面に直接接して絶縁材料を形成する場合と基板上方に絶縁材料を形成する場合の両者が含まれるので、引用発明も、基板１の上方に感光性ポリイミド（層間絶縁層４）を形成しており、相違点２については、本願補正発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、引用発明において、基板上に絶縁材料を形成することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
相違点３：本願明細書には、「第７図および第８図に示す第１のケースでは、めっき浴に添加剤を用いることによりフィーチャ１１内の金属付着はフィーチャ１１外部の点１２より速くなり、第８図に示すようにボイドのないシームレスな付着物（超充填（super filling））が得られる。フィーチャ内部での優先的付着は、その場所における添加剤の移動速度が低く、そのためにＣｕ付着の局部的速度が増加するからであろう。特に、内部の隅では添加剤の移動速度が最低で、したがって銅付着速度が最高になる。」（９頁１７〜末行）、「【請求項１５】　銅塩、鉱酸、並びに、水溶性の基を有する有機イオウ化合物、および浴に可溶なポリエーテル化合物からなる群から選択された１種または複数の添加剤を含む、めっき溶液から電気めっきするステップをさらに含む、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の方法。」（なお、出願当初明細書の請求項１５には、「有機窒素化合物」も記載されていた。）と記載され、一方、刊行物１には、「【００１８】・・・さらに電気めっきによる金属膜の形成に際しては、有機窒素化合物、有機硫黄化合物、ポリエーテル化合物を適量添加することにより、凹凸のある表面に対しては凸部で凹部に比べて有機物が優先的に吸着するため、めっき膜の析出を抑制する。この結果凸部ではめっき膜の析出速度が遅くなり凹部では速くなるため、めっきを続行した場合、結果として表面の凹凸がなくない、表面が平坦化される。　このようにして形成された金属膜は、コンタクトホール部を除き、均一な膜厚となり、一方コンタクトホール部は他の部分に比べて厚くなる。・・・」と記載されている。すなわち、両者で使われている添加剤「有機イオウ化合物（有機硫黄化合物）、ポリエーテル化合物」は同等であり、両者の凹部の充填原理も同様なので、引用発明におけるコンタクトホール９内の銅めっき膜７も、本願補正発明と同様に「ボイドのないシームレスな導体」となるはずであり、相違点３については、本願補正発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、ボイドのないシームレスな導体が好ましいことは、当業者に明らかであるから、引用発明において、ボイドのないシームレスな導体とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点４：電気めっきにより銅などの導体をコンタクトホール（バイア）充填後、平坦化の手段として、化学機械研磨を用いることは、周知例１〜４にも示されるように周知技術であり、引用発明のエッチングに替えて、当業者が適宜採用し得たことである。
　
相違点５：刊行物１の図２に、複数のコンタクトホールと層間絶縁層４に銅膜（めっき陰極）６が設けられた基板１を電気めっきしている様子が示されており、銅めっき膜７によるコンタクトホール（バイア）の充填を複数同時に行っている。そして、コンタクトホール（バイア）内のみ導体を残せば、当然個々のコンタクトホール（バイア）の電気的分離を実施したことになるので、相違点５については、本願補正発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、引用発明において、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点６：引用発明は、「１辺２０μm程度のコンタクトホール９、・・・ポリイミドは熱処理後の膜厚が２０μm程度となるように塗布時の膜厚を設定」するものであり、コンタクトホールの１辺２０μm程度が導体の幅に相当し、ポリイミドの膜厚が２０μm程度が導体の深さに相当するので、結局、導体の深さ２０μm程度、幅２０μm程度で、導体の深さ／幅の比がほぼ１程度であり、本願補正発明の「バイアに充填した導体の深さ／幅の比が１以上」に含まれるので、相違点６については、本願補正発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、半導体装置の高密度化に伴ってコンタクトホール（バイア）のアスペクト比を高くすることは当然のことであるから、引用発明において、コンタクトホール（バイア）に充填した導体の深さ／幅の比が１以上の導体を形成することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　（４）独立特許要件についてのむすび
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１６年１１月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年７月１８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「電子デバイス上にボイドのないシームレスな導体を有する相互接続構造を製作する方法であって、
　基板上に絶縁材料を形成するステップ、
　前記絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するラインまたはバイアあるいはその両方をリソグラフィによって画定し形成するステップ、
　前記絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ、
　添加剤を含む浴からの電気めっきによって前記導体材料を付着するステップ、および
　得られた構造を平坦化して個々のラインまたはバイアあるいはその両方の電気的分離を実施するステップ、
を含み、
　前記ラインまたはバイアあるいはその両方に充填した前記導体の深さと幅の比が１と等しいかまたはこれより大きいことを特徴とする、方法。」
　
　２　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１、その記載事項、及び引用発明は、前記「第２　２（１）（ア）」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「層間絶縁膜４」、「コンタクトホール９」、「銅めっき膜７」は、それぞれ本願発明の「絶縁材料」、「バイア」、「導体材料，導体」に相当する。
　また、引用発明は、基板１上の第１層配線膜３と第２配線層８をコンタクトホール９内に埋め込まれた銅めっき膜７で相互に接続するための製造方法であるから、この点は、本願発明の「導体を有する相互接続構造を製作する方法」に相当する。
　引用発明の「感光性ポリイミド」は、後で「層間絶縁膜４」になる絶縁材料であるから、引用発明の「感光性ポリイミドを塗布」したことは、本願発明の「絶縁材料を形成」したことに相当する。
　引用発明の「銅めっき膜７」は、第１層配線膜３と第２配線層８を相互に接続するためのものなので、本願発明の「相互接続導体材料」にも相当し、引用発明においても、コンタクトホール９に銅めっき膜７を付着するので、引用発明の銅めっき膜７を付着するコンタクトホール９は、本願発明の「相互接続導体材料を付着するバイア」に相当する。ゆえに、引用発明の「感光性ポリイミドの露光現像を行い、コンタクトホール９を形成」は、本願発明の「絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するバイアをリソグラフィによって画定し形成するステップ」に相当する。
　引用発明の「層間絶縁膜４上にめっき陰極として作用する銅（Ｃｕ）膜６を積層する工程」は、本願発明の「絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ」に相当する。
　引用発明の「硫酸銅，硫酸からなる溶液にポリエチレングリコールとチオ尿素を添加しためっき浴からの電気めっきによって、銅めっき膜７を形成する工程」は、本願発明の「添加剤を含む浴からの電気めっきによって前記導体材料を付着するステップ」に相当する。
　引用発明の「基板１表面に形成された銅めっき膜７、銅膜６（めっき陰極）をエッチング除去し、コンタクトホール内にのみ残留せしめる工程」は、本願発明の「得られた構造を、平坦化」「するステップ」に相当する。
　さらに、本願発明の３箇所の「ラインまたはバイアあるいはその両方」は、択一的記載であって「バイア」のみの場合も含まれる。
　したがって、両者は、
「導体を有する相互接続構造を製作する方法であって、
　絶縁材料を形成するステップ、
　前記絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するバイアをリソグラフィによって画定し形成するステップ、
　前記絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ、
　添加剤を含む浴からの電気めっきによって前記導体材料を付着するステップ、および
　得られた構造を、平坦化するステップ、
を含むことを特徴とする、方法。」で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：本願発明は、「電子デバイス上に導体を有する相互接続構造を製作する方法」であるのに対して、引用発明は、「多層配線基板の製造方法」である点。
　
相違点２：本願発明は、「基板上に絶縁材料を形成」しているのに対して、引用発明は、「基板１の表面に絶縁膜２を形成し、この上層に第１層配線膜３を形成し、この上層に、感光性ポリイミドを塗布」している点。
　
相違点３：本願発明は、「ボイドのないシームレスな導体」であるのに対して、引用発明は、そのような明示がない点。
　
相違点４：本願発明は、平坦化に伴って、「個々のバイアの電気的分離を実施」しているのに対して、引用発明は、そのような明示がない点。
　
相違点５：本願発明は、「バイアに充填した導体の深さと幅の比が１と等しいかまたはこれより大きい」のに対して、引用発明は、そのような明示がない点。
　
　４　当審の判断
　上記相違点１〜５について、以下に検討する。
　
相違点１：引用発明は、高密度配線を有する多層配線を実現するためのものであり、この高密度な多層配線技術を電子デバイス上に導体を有する相互接続構造に適用することに格別の阻害要因があるとは認められず、高密度配線として類似の技術であるから、適用を考える方が、むしろ自然である。
　そして、引用発明は、コンタクトホールを表面に凹凸なく平坦に埋め込む技術であり、電子デバイス上に導体を有する相互接続構造においても、コンタクトホール（バイア）を表面に凹凸なく平坦に埋め込むことは、当然要求される課題であるから、この課題により引用発明の高密度な多層配線技術を電子デバイス上に導体を有する相互接続構造に適用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点２：本願発明の「基板上に絶縁材料を形成」における「基板上」とは、基板表面に直接接して絶縁材料を形成する場合と基板上方に絶縁材料を形成する場合の両者が含まれるので、引用発明も、基板１の上方に感光性ポリイミド（層間絶縁層４）を形成しており、相違点２については、本願発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、引用発明において、基板上に絶縁材料を形成することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
相違点３：本願明細書には、「第７図および第８図に示す第１のケースでは、めっき浴に添加剤を用いることによりフィーチャ１１内の金属付着はフィーチャ１１外部の点１２より速くなり、第８図に示すようにボイドのないシームレスな付着物（超充填（super filling））が得られる。フィーチャ内部での優先的付着は、その場所における添加剤の移動速度が低く、そのためにＣｕ付着の局部的速度が増加するからであろう。特に、内部の隅では添加剤の移動速度が最低で、したがって銅付着速度が最高になる。」（９頁１７〜末行）、「【請求項１５】　銅塩、鉱酸、並びに、水溶性の基を有する有機イオウ化合物、および浴に可溶なポリエーテル化合物からなる群から選択された１種または複数の添加剤を含む、めっき溶液から電気めっきするステップをさらに含む、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の方法。」（なお、出願当初明細書の請求項１５には、「有機窒素化合物」も記載されていた。）と記載され、一方、刊行物１には、「【００１８】・・・さらに電気めっきによる金属膜の形成に際しては、有機窒素化合物、有機硫黄化合物、ポリエーテル化合物を適量添加することにより、凹凸のある表面に対しては凸部で凹部に比べて有機物が優先的に吸着するため、めっき膜の析出を抑制する。この結果凸部ではめっき膜の析出速度が遅くなり凹部では速くなるため、めっきを続行した場合、結果として表面の凹凸がなくない、表面が平坦化される。　このようにして形成された金属膜は、コンタクトホール部を除き、均一な膜厚となり、一方コンタクトホール部は他の部分に比べて厚くなる。・・・」と記載されている。すなわち、両者で使われている添加剤「有機イオウ化合物（有機硫黄化合物）、ポリエーテル化合物」は同等であり、両者の凹部の充填原理も同様なので、引用発明におけるコンタクトホール９内の銅めっき膜７も、本願発明と同様に「ボイドのないシームレスな導体」となるはずであり、相違点３については、本願発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、ボイドのないシームレスな導体が好ましいことは、当業者に明らかであるから、引用発明において、ボイドのないシームレスな導体とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点４：刊行物１の図２に、複数のコンタクトホールと層間絶縁層４に銅膜（めっき陰極）６が設けられた基板１を電気めっきしている様子が示されており、銅めっき膜７によるコンタクトホール（バイア）の充填を複数同時に行っている。そして、コンタクトホール（バイア）内のみ導体を残せば、当然個々のコンタクトホール（バイア）の電気的分離を実施したことになるので、相違点４については、本願発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、引用発明において、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点５：引用発明は、「１辺２０μm程度のコンタクトホール９、・・・ポリイミドは熱処理後の膜厚が２０μm程度となるように塗布時の膜厚を設定」するものであり、コンタクトホールの１辺２０μm程度が導体の幅に相当し、ポリイミドの膜厚が２０μm程度が導体の深さに相当するので、結局、導体の深さ２０μm程度、幅２０μm程度で、導体の深さ／幅の比がほぼ１程度であり、本願発明の「バイアに充填した導体の深さと幅の比が１と等しいかまたはこれより大きい」に含まれるので、相違点５については、本願発明と引用発明は、実質的には、相違していない。
　仮に、相違しているとしても、半導体装置の高密度化に伴ってコンタクトホール（バイア）のアスペクト比を高くすることは当然のことであるから、引用発明において、コンタクトホール（バイア）に充填した導体の深さと幅の比が１と等しいかまたはこれより大きく形成することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。