【事件の表示】
　特願２００１−　８１２７６「高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月２７日出願公開、特開２００２−２８０８０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年３月２１日に出願したものであって、平成１７年１０月１７日付けで拒絶査定がなされたところ、同年１１月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年１２月２３日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　　平成１７年１２月２３日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
１．補正後の本願発明
　平成１７年１２月２３日付けの手続補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、
　「高周波部品が直接取り付けられ当該高周波部品と熱的に結合する第１の導電性ブロックと、
　前記高周波部品に接続されるマイクロストリップラインが形成される誘電体基板と、
　この誘電体基板を挟んで前記第１の導電性ブロックと対向して取り付けられ、当該第１の導電性ブロックと導電性部材を介して接続される第２の導電性ブロックとを具備し、
　　前記第１の導電性ブロックに導波管部を形成し、
　　前記第２の導電性ブロックに、前記マイクロストリップラインに励振された高周波信号を電波に変換するためのバックショート部を形成し、
　前記第１または第２の導電性ブロックのうち少なくとも一方に、全体で前記高周波部品を収容可能なサイズの空間部を形成し、
　前記マイクロストリップラインを挟んで前記導波管部と前記バックショート部とを対向させ、前記空間部に前記高周波部品が収容されるように、前記誘電体基板を前記第１および第２の導電性ブロックで挟持して固定し、
　前記空間部と前記バックショート部とを結合する、前記電波の波長よりも狭いトンネル構造を形成し、
　前記高周波部品を避けるためのスペースを前記誘電体基板に形成し、前記高周波部品と前記誘電体基板とを前記スペース内において同一平面上に重ねたことを特徴とする高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造。」
（以下、「補正発明」という。）に補正された。
　
２．新規事項の有無、補正の目的要件について
　上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合している。
　また、上記補正は、補正前の請求項１に係る発明を、「高周波部品」が「第１の導電性ブロック」に「取り付けられ」るのが「直接」である点、及び、「第１の導電性ブロック」が「当該高周波部品と熱的に結合する」ものである点により限定するものである。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件について
　上記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
３．１　補正発明
　上記「１．補正後の本願発明」の項で認定したとおりである。
　
３．２　引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２４３３０７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　「【００１２】
【実施例】図１は、多層集積回路パッケージ１００を示す図であって、パッケージ１００内の１つの誘電性層の上側１０２を示している。上側１０２は、導電性被膜１０４、例えば貴金属で被膜されている。導電性被膜１０４は選択的にパターン化されていて、パッケージ１００の上側層上にランド領域１０６を形成している。本明細書において使用する「ランド領域」とは、導電性被膜が存在しない領域のことである。第２のランド領域１０８及び付加的なランド領域（図示してない）も、ミリメートル波モノリシック集積回路１１０（ＭＭＩＣ）、または他の信号処理回路を配置できる領域を設けるために、選択的にパターン化することによって形成することができる。例えば、ＭＭＩＣ  １１０に、増幅器、減衰器、スイッチ、またはフィルタの機能を与えることができる。
【００１３】マイクロストリップ１１２は誘電性層の上側１０２上に形成されている。ボンディングワイヤまたはリボン１１４を使用し、マイクロストリップをＭＭＩＣ１１０の入力／出力パッドに取付けることができる。更に、マイクロストリップ１１２のインピーダンスを、ボンディングワイヤ１１４を通してＭＭＩＣのインピーダンスに整合させるために、ＭＭＩＣ付近のマイクロストリップ１１２のジオメトリをインピーダンス整合用形状１１６によって変更することができる。付加的なボンディングワイヤ１１８が、ＭＭＩＣ  １１０の入力／出力ポートを別のマイクロストリップ１２２上の第２のインピーダンス整合用形状１２０に接続して、別の処理回路（図示してない）に接続することができる。直流バイアス（または、他の信号）を、ボンディングワイヤ１３０によって、バイア１２８からＭＭＩＣ  １１０に印加することができる。パッケージ１００は、集積された導波管からマイクロストリップへの移行部分１２４（以下「移行部分１２４」という）を更に含む。詳細を後述するように、移行部分１２４の周囲に複数のバイア１２６が配置され、導波管構造の延長を形成している。プローブ１１３（Ｔ字形プローブ、または、一般的にはＥ面プローブ）をマイクロストリップ１１２から移行部分１２４内へ伸ばして、信号をマイクロストリップ１１２に結合することができる。プローブ１１３は、移行部分１２４の中に（その下にグラウンドプレーンが存在しない）金属形状として形成することができる。
【００１４】パッケージ１００の一面を図２に示す。図２は、図１に示した多層集積回路パッケージ１００のＡ−Ａ’矢視断面図である。パッケージ１００は、金属ベース２０２、金属カバー２０４、リングフレーム２０６、及び多層集積回路２０８（以下「回路２９８」という）を含んでいる。回路２０８は、誘電性層２２２−２３０によって分離された導電性層２１０−２２０（例えば、導電性金属で満たすことができる）を含んでいる。直流バイアス及び信号経路を設けるために、どの導電性層も選択的にパターン化できることに注目されたい。好ましい実施例では、回路２０８は低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）から作られた誘電性層から形成されている。回路２０８の導電性層２１０−２２０間の信号経路（ミリメートル波信号、直流電力、接地、及びデータを含む）を設けるために、回路２０８内にバイア２３２が導入されている。パッケージ１００は、図３（図１のＢ−Ｂ’矢視の移行部分１２４の断面図である）を参照して詳細を以下に説明する導波管構造を更に含んでいる。
【００１５】図３に示す導波管構造２３４は、回路２０８の製造プロセスの一部として直接的に製造することができる。それによって回路２０８はハーメチックシールされたままとなり、製造が容易である。導波管構造２３４は、例えば誘電性層２２２−２２６を打ち抜き、適切な位置において導電性層２１０−２１６をスクリーンパターンニングし、打ち抜いた領域の表面上に電磁的に反射性の被膜２３６を沈積させて導波管構造２３４内に信号反射を与えることによって作ることができる。導波管構造２３４は、金属ベース２０２内の開口２３８を通して、例えばフィードホーン（図示してない）のような受信または送信構造に結合される。代替実施例では、導波管構造２３４の内側の反射性被膜２３６の他に、またはその置換として、めっきされた一連のバイアが導波管構造２３４を取り囲む誘電性層２２２−２２６を通して伸びている。
【００１６】誘電性層２２２−２３０の少なくとも１つの誘電性層が導波管の経路内に残されており、マイクロストリップ１１２のための支持体になっている。信号は導波管２３４に沿って走行し、例えば誘電性層２２８−２３０を通過することができる。しかしながら、信号は拘束を受けずに誘電性層２２８−２３０を通って走行するのではない。そうではなく、バイア１２６が、導波管構造２３４の導波管延長を形成している。この目的のために、バイア１２６は、それらを通して金属でめっきしてあり（好ましい実施例では、バイア１２６は金属で完全に満たしてある）、金属リング２０６に接触して接地されている。その結果、信号は導波管２３４、誘電性層２２８−２３０を通って移行部分１２４へ進む。本発明の一実施例では、バイアの直径は 0.010 乃至 0.018 の範囲である。
【００１７】移行部分１２４は、信号をマイクロストリップ１１２に結合する。導波管２３４及び誘電性層２２８−２３０を通過した信号は、金属カバー２０４が被されている金属リング２０６によって反射される。それによって、金属カバー２０４は導波管構造２３４のためのバックショートとして働く。その結果、信号は移行部分１２４の中に閉じ込められ、マイクロストリップ１１２に結合される。更に図３を参照する。マイクロストリップ１１２は誘電性層２３０の上側１０２上に配置され、誘電性層２３０によって完全に支持されているように示されている。しかしながら、導電性層２１８は、導波管構造２３４の上、マイクロストリップ１１２の下、及びマイクロストリップ１２２の下の部分が除去されている。導電性層２１６は、マイクロストリップ１１２及び１２２のためのグラウンドプレーンを形成することができる。従って、信号は誘電性層２２８及び２３０を通って導波管構造２３４を上方へ走行し、移行部分１２４内へ達することができる。誘電性層の数は、動作周波数に依存して調整することができる。金属カバー２０４及び金属リング２０６は、信号を移行部分１２４の内側に閉じ込める。マイクロストリップ１１２が移行部分１２４内に伸び、移行部分１２４内の信号に曝されるので、信号はマイクロストリップ１１２へ結合され、ＭＭＩＣ  １１０によって処理することができる。
【００１８】ＭＭＩＣ  １１０（及び、一般的に他の処理回路）は、典型的に、動作中に熱を発生する。従って、ＭＭＩＣ  １１０を保護するために回路２０８内にヒートシンクを設けることができる。ヒートシンクは、例えばＭＭＩＣ  １１０から熱を引出し、それによりＭＭＩＣ  １１０を誤動作から防ぐために使用することができる。ヒートシンクを実現するために使用できる１つの構造は、ＭＭＩＣ  １１０の下側に配置したバイア構造３０４である。このバイア構造３０４は、スルーめっきされた、または金属を満たしたバイアを密にパックした領域を使用し、高濃度の金属を有する領域を形成している。金属は、典型的に高い熱伝導経路を提供するので、バイア構造３０４はＭＭＩＣ  １１０から回路２０８の領域まで熱を引出し、その熱を例えば金属ベース２０２において効果的に消散させるように働く。
【００１９】図４に示す金属ベース２０２、回路２０８、及び金属リング２０６は、回路モジュール４０２の部分を構成している。回路２０８は、金属ベース２０２と金属リング２０６との間に配置される。金属カバー（図示してない）は、例えばレーザ溶接によって金属リング２０６の上側に接続され、導波管空洞のためのバックショートを含む完成した回路モジュール４０２の一実施例を形成している。回路モジュール４０２の一実施例では、金属ベース２０２は銅・タングステンで形成され、金属リング２０６はＬＴＣＣ回路２０８と両立可能な熱膨張係数を有するろう付けされた金属リングとして形成されている。金属ベース２０２、回路２０８、金属リング２０６、及び金属カバー２０４は、好ましくはハーメチックシールされたパッケージを形成する。ＭＭＩＣ  １１０への、及び、例えばパターン化された導電性層２２０への直流バイアスは、金属ベース２０２内の孔４０４、回路２０８内のバイア２３２を通して送ることができる。それによって、直流バイアス（または他の信号）は、バイア１２８からボンディングワイヤ１３０によってＭＭＩＣ  １１０へ接続することができる。代替として、直流バイアスはパッケージ２０８の側から、パターン化された導電性層２１０−２２０の何れかを通して外部源へ接続することができる。」（５頁７欄３行〜６頁１０欄６行）
　
　上記摘記事項及び図面について、以下のことが指摘できる。
　段落【００１８】の「バイア構造３０４はＭＭＩＣ  １１０から回路２０８の領域まで熱を引出し、その熱を例えば金属ベース２０２において効果的に消散させるように働く。」との記載から、金属ベースはＭＭＩＣと熱的に結合しているといえる。
　段落【００１３】には「マイクロストリップ１１２は誘電性層の上側１０２上に形成されている」との記載があるところ、図３からみて、マイクロストリップ１１２は誘電性層２２８−２３０の上に形成されているということができる。
　段落【００１５】の「導波管構造２３４は、金属ベース２０２内の開口２３８を通して、例えばフィードホーン（図示してない）のような受信または送信構造に結合される。」との記載、
段落【００１６】の「バイア１２６が、導波管構造２３４の導波管延長を形成している。この目的のために、バイア１２６は、それらを通して金属でめっきしてあり（好ましい実施例では、バイア１２６は金属で完全に満たしてある）、金属リング２０６に接触して接地されている。その結果、信号は導波管２３４、誘電性層２２８−２３０を通って移行部分１２４へ進む。」との記載、
及び、段落【００１９】の「金属カバー（図示してない）は、例えばレーザ溶接によって金属リング２０６の上側に接続され、導波管空洞のためのバックショートを含む完成した回路モジュール４０２の一実施例を形成している。」との記載、
並びに図３からみて、金属リングはバイア１２６を介して金属ベースと電気的に接続され、金属カバーは金属リングに電気的に接続されていることが、それぞれ明らかである。
　段落【００１７】の「移行部分１２４は、信号をマイクロストリップ１１２に結合する。導波管２３４及び誘電性層２２８−２３０を通過した信号は、金属カバー２０４が被されている金属リング２０６によって反射される。それによって、金属カバー２０４は導波管構造２３４のためのバックショートとして働く。」との記載における「バックショート」は、マイクロストリップに励振された高周波信号を電波に変換するためのものである。
　図３から、ＭＭＩＣは、誘電性層２２２−２２６を介して金属ベースに取り付けられていること、
金属リングは、誘電性層２２８−２３０及び誘電性層２２２−２２６を挟んで金属ベースと対向して取り付けられていること、
マイクロストリップを挟んで導波管構造とバックショートとが対向していること、
誘電性層２２８−２３０及び誘電性層２２２−２２６が金属ベースおよび金属リングで挟持固定されていること、
及び、ＭＭＩＣを避けるためのスペースを誘電性層２２８−２３０に形成し、ＭＭＩＣと誘電性層２２８−２３０とを前記スペース内において略同一平面上に重ねていることが、それぞれ読み取れる。
　更に、図３からは、金属リングの内側における誘電性層２２８−２３０と金属カバーとの間に空間があることが読み取れるから、金属リング及び金属カバーからなる構造物に空間部が形成されているということができる。
　上記引用例に記載されたものは、ＭＭＩＣ及び、マイクロストリップと導波管構造との高周波伝送路変換回路を一体化した構造であるということができる。
　
　したがって、上記引用例の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記引用例には、
　「ＭＭＩＣが誘電性層２２２−２２６を介して取り付けられ当該ＭＭＩＣと熱的に結合する金属ベースと、
　前記ＭＭＩＣに接続されるマイクロストリップが形成される誘電性層２２８−２３０と、
　この誘電性層２２８−２３０及び誘電性層２２２−２２６を挟んで前記金属ベースと対向して取り付けられ、当該金属ベースとバイア１２６を介して接続される金属リングとを具備し、
　　前記金属ベースに導波管構造を形成し、
　　前記金属カバーに、前記マイクロストリップに励振された高周波信号を電波に変換するためのバックショートを形成し、
　前記金属リング及び金属カバーからなる構造物に、空間部を形成し、
　前記マイクロストリップを挟んで前記導波管構造と前記バックショートとを対向させ、前記誘電性層２２８−２３０及び誘電性層２２２−２２６を前記金属ベースおよび金属リングで挟持して固定し、
　前記ＭＭＩＣを避けるためのスペースを前記誘電性層２２８−２３０に形成し、前記ＭＭＩＣと前記誘電性層２２８−２３０とを前記スペース内において略同一平面上に重ねた、ＭＭＩＣ及び高周波伝送路変換回路の一体化構造。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．３　対比・判断
　補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明において、「ＭＭＩＣ」は高周波部品の一種であり、「金属ベース」は導電性ブロックであるから、これを「第１の導電性ブロック」と呼ぶことができ、「マイクロストリップ」はマイクロストリップラインであり、「バイア１２６」は導電性部材であり、「導波管構造」は導波管部であり、「バックショート」はバックショート部である。
　引用発明の「誘電性層２２８−２３０」と、補正発明の「誘電体基板」とは、ともに「誘電体」である点で一致する。
　引用発明の「金属リング」及び「金属カバー」からなる構造物と、補正発明の「第２の導電性ブロック」とは、ともに「導電性構造物」である点で一致する。
　
　したがって、両者は、
　「高周波部品が取り付けられ当該高周波部品と熱的に結合する第１の導電性ブロックと、
　前記高周波部品に接続されるマイクロストリップラインが形成される誘電体と、
　この誘電体を挟んで前記第１の導電性ブロックと対向して取り付けられ、当該第１の導電性ブロックと導電性部材を介して接続される導電性構造物とを具備し、
　　前記第１の導電性ブロックに導波管部を形成し、
　　前記導電性構造物に、前記マイクロストリップラインに励振された高周波信号を電波に変換するためのバックショート部を形成し、
　前記導電性構造物に、空間部を形成し、
　前記マイクロストリップラインを挟んで前記導波管部と前記バックショート部とを対向させ、前記誘電体を前記第１の導電性ブロックおよび導電性構造物で挟持して固定し、
　前記高周波部品を避けるためのスペースを前記誘電体に形成し、前記高周波部品と前記誘電体とを前記スペース内において重ねたことを特徴とする高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　「高周波部品」が「第１の導電性ブロック」に「取り付けられ」る構成に関して、補正発明は「直接」であるのに対して、引用発明は「誘電性層２２２−２２６を介して」である点。それに伴い、「第１の導電性ブロック」と「導電性構造物」との間に「挟んで」おり、かつ両者が「挟持して固定して」いるものが、補正発明では「誘電体基板」であるのに対して、引用発明では「誘電体」及び「誘電性層２２２−２２６」である点。
　
（相違点２）
　「誘電体」に関して、補正発明は「誘電体基板」であるのに対して、引用発明は「誘電性層２２８−２３０」である点。
　
（相違点３）
　「導電性構造物」に関して、補正発明は「第２の導電性ブロック」であるのに対して、引用発明は「金属リング」及び「金属カバー」からなるものである点。
　
（相違点４）
　「空間部」のサイズに関して、補正発明は「全体で前記高周波部品を収容可能なサイズ」であるのに対して、引用発明はそのサイズが特定されていない点。それに伴い、「導電性ブロックおよび導電性構造物で挟持して固定」することに関して、補正発明は「前記空間部に前記高周波部品が収容されるように」であるのに対して、引用発明はそのような特定がない点。
　
（相違点５）
　補正発明は、「前記空間部と前記バックショート部とを結合する、前記電波の波長よりも狭いトンネル構造を形成し」たものであるのに対して、引用発明はそのような構成を有しない点。
　
（相違点６）
　「高周波部品」と「誘電体」とを「スペース内において重ねた」配置に関して、補正発明は「同一平面上」であるのに対して、引用発明は「略同一平面上」である点。
　
　そこで、各相違点について以下に検討する。
　
（相違点１及び２について）
　高周波部品と高周波伝送路変換回路とを一体化した構造において、マイクロストリップラインを単層の誘電体基板に形成すること、及び、高周波部品を導波管のための導電性ブロックに直接取り付けることは、例えば、特開平１０−６５０３８号公報、特開２０００−２４４２１１号公報に開示されているように周知であり、直接取り付けることによって引用発明における高周波部品と第１の導電性ブロックの熱的な結合を阻害するとも認められない。してみると、引用発明において、誘電体（誘電性層２２８−２３０）及び誘電性層２２２−２２６の全体（すなわち、多層基板）を単層の誘電体基板とし、高周波部品を第１の導電性ブロックに直接取り付けるとともに、当該誘電体基板を、第１の導電性ブロックと導電性構造物とが挟み、かつ両者が挟持して固定するようにすることは、構成の簡素化ないし単純化であって、適宜なしうる程度のことである。
　
（相違点３について）
　種々の構造物を一体の部材から形成するか、複数の別体の部材から形成するかは、単なる設計的事項であり、引用発明において前者を採用し、「金属リング」及び「金属カバー」を一体のものとして第２の導電性ブロックとすることは、適宜なしうる程度のことである。
　
（相違点４について）
　引用例の図３に示されたものでは、高周波部品は空間部に突出していないものの、電子部品の高さはその種類等により異なっていることは常識であるから、高周波部品の一部が空間部に突出する場合に、空間部を「全体で前記高周波部品を収容可能なサイズ」とするとともに、「前記空間部に前記高周波部品が収容される」ものとすることは、高周波部品の形状に応じて適宜行う、単なる設計的事項の域を出ない。
　
（相違点５について）
　マイクロストリップラインと導波管とを相互に変換するため構造において、バックショートの付近のマイクロストリップラインの周囲に、導波管の高周波信号をしゃ断しうるほど十分に幅や高さが小さいトンネル構造を設けることは、例えば、上記特開２０００−２４４２１１号公報、実願昭５９−２４８５６号（実開昭６０−１３６５０８号）のマイクロフィルムに開示されているように周知であり、引用発明に当該トンネル構造を適用することは当業者が容易に想到しうることであり、その寸法を「電波の波長よりも狭い」ものとすることも、しゃ断の程度等に応じて適宜なしうる設計的事項にすぎないものと認める。
　
（相違点６について）
　回路基板に対する電子部品の実装において、ボンディング性向上等のために回路基板に設けたスペース内に電子部品を回路基板と同一平面上に重ねた配置とすることは技術常識であり、引用発明に適用することは適宜なしうる程度のことである。
　
　また、補正発明の作用効果についても、引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測できる程度のものである。
　
　したがって、補正発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１２月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「高周波部品が取り付けられる第１の導電性ブロックと、
　前記高周波部品に接続されるマイクロストリップラインが形成される誘電体基板と、
　この誘電体基板を挟んで前記第１の導電性ブロックと対向して取り付けられ、当該第１の導電性ブロックと導電性部材を介して接続される第２の導電性ブロックとを具備し、
　　前記第１の導電性ブロックに導波管部を形成し、
　　前記第２の導電性ブロックに、前記マイクロストリップラインに励振された高周波信号を電波に変換するためのバックショート部を形成し、
　前記第１または第２の導電性ブロックのうち少なくとも一方に、全体で前記高周波部品を収容可能なサイズの空間部を形成し、
　前記マイクロストリップラインを挟んで前記導波管部と前記バックショート部とを対向させ、前記空間部に前記高周波部品が収容されるように、前記誘電体基板を前記第１および第２の導電性ブロックで挟持して固定し、
　前記空間部と前記バックショート部とを結合する、前記電波の波長よりも狭いトンネル構造を形成し、
　前記高周波部品を避けるためのスペースを前記誘電体基板に形成し、前記高周波部品と前記誘電体基板とを前記スペース内において同一平面上に重ねたことを特徴とする高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造。」
　
２．引用発明
　引用発明は、上記「第２　補正却下の決定」の「３．２　引用発明」の項で認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　補正却下の決定」で検討した補正発明に係る限定を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加又は限定した補正発明が、上記「第２　補正却下の決定」の「３．３　対比・判断」の項に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。