【事件の表示】
　平成　８年特許願第１７９８９２号「ＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月１６日出願公開、特開平１０−　１３０３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯  
　本願は、平成８年６月１９日の出願であって、平成１８年３月１日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成１８年５月１１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１８年５月３１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年７月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。  
　  
II．平成１８年７月５日付の手続補正についての補正却下の決定  
　  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１８年７月５日付の手続補正を却下する。 　  
［理由］  
１．補正後の本願発明  
　以下、平成１８年７月５日付の手続補正により、特許請求の範囲の請求項１，２のうち、請求項１は次のとおりに補正された。  
「【請求項１】　ＩＣを搭載するための開口部および該開口部内にＩＣと電気的に接続されるボンディングパッドが配設されてなるＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法であって、  
　複数の樹脂基板に導体回路を形成する工程と、前記基板にＩＣを搭載するための開口部を形成する工程と、前記基板上に形成された前記導体回路が内外層ともに配置されるように前記基板を積層する工程と、前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工程と、前記積層した基板に無電解めっきを施す工程と、前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する工程と、前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被着することによりスルーホールを形成する工程と、前記めっきレジストを剥離すると共に、前記積層した基板の無電解めっきを除去する工程と、前記開口部の裏面側に導体回路を介してヒートシンクを取り付けて、該ヒートシンクに直接ＩＣを搭載する工程と、を備えることを特徴とするＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法。」  
　  
　上記補正は、補正前の請求項１において、「基板」を、「樹脂基板」と補正し、また、「開口部の裏面側からヒートシンクを取り付けて、」を「開口部の裏面側に導体回路を介してヒートシンクを取り付けて、」と補正するものである。  
　そこで、上記補正を検討すると、前者は、基板の材質を具体的に限定したものであって、また、後者は、ヒートシンクを取り付ける態様を限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。  
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。  
　  
　上記のとおり、特許請求の範囲は減縮されたので、次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。  
　  
２．引用刊行物とその記載事項  
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開平７−９９３９１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。  
　　　  
（１）引用例１（特開平７−９９３９１号公報）　  
（１ａ）「・・・上記絶縁基材は，ガラスエポキシ基板，・・・等を用いる。・・・」（【００１５】）  
（１ｂ）実施例１として、「・・・本発明にかかる電子部品搭載用多層基板の製造方法について，図１〜図１１を用いて説明する。・・・図１に示すごとく，上記積層体９９の外表面に形成された配線回路パターン１は，第二金属メッキ膜４により被覆されている。・・・上記電子部品搭載部９０は，上記搭載用開口部９２０，９３０により囲まれている。電子部品搭載部９０には，・・・，電子部品８２が搭載される。該電子部品８２は，ワイヤー８３により，電子部品搭載部９０の周囲に形成されたボンディングパッド１１と電気的に接続される。・・・。まず，図２に示すごとく，最上層としての絶縁基材９３の表側面に，銅からなる配線回路パターン１を形成する。次いで，絶縁基材９３に搭載用開口部９３０を穿設する。次に，図３に示すごとく，中間層としての絶縁基材９２に，銅からなる配線回路パターン１及びボンディングパッド１１と，搭載用開口部９２０とを形成する。次いで，・・・，最下層としての絶縁基材９１に，銅からなる配線回路パターン１を形成する。次いで，・・・上記絶縁基材９１，９２，９３を積層接合し，積層体９９を形成する。・・・これにより，図１に示す上記電子部品搭載用多層基板９が得られる。」（【００２４】〜【００３２】）」  
（１ｃ）実施例２として、「・・・，上記電子部品搭載用多層基板の製造方法について，図１３〜図１５を用いて説明する。まず，前記実施例１と同様に３枚の絶縁基材９１〜９３を積層接合し，積層体９９を得た後，該積層体９９を貫通する貫通穴９５を穿設する（図６参照）。次に，・・・搭載用開口部９２０，９３０を含めて，上記積層体９９の全表面に無電解金属メッキ膜５を施す。次に，・・・上記搭載用開口部９２０，９３０及び放熱穴９１１をそれぞれ閉塞部材７１，７２により閉塞する。・・・次いで，上記積層体９９をメッキ液中に浸漬し，貫通穴９５内の無電解銅メッキ膜５を第一金属メッキ膜３により被覆する。次に，図１５に示すごとく，上記閉塞部材７１，７２を積層体９９から除去する。次いで，上記第一金属メッキ膜３により覆われていない無電解銅メッキ膜５を除去する。・・・これにより，図１２に示す上記電子部品搭載用多層基板９が得られる。その他は，前記実施例１と同様である。・・・」（【００３６】〜【００３９】）  
（１ｄ）「次に，本例の作用効果について説明する。本例においては，図８に示すごとく，搭載用開口部９２０，９３０及び放熱穴９１１を閉塞部材７１，７２により閉塞した状態で，貫通穴９５内に第一金属メッキ膜３を形成している。そのため，上記搭載用開口部及び放熱穴には，金属メッキ膜が形成されない。」（【００３３】）  
（１ｅ）実施例３として、「実施例３　本例の電子部品搭載用多層基板においては，・・・，図１６に示すごとく，該放熱穴９１２の裏側面には，放熱材としての放熱板８１が接合されている。その他は，前記実施例１と同様である。・・・」（【００４０】、【００４１】）  
（１ｆ）図１には、絶縁基材９１の下面、即ち、積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０に対する裏面側に、配線回路パターン１を形成することが示され、また、図１６には、放熱穴９１２の裏側面を含む、積層体９９の裏面側に配線回路パターン１を介して放熱板６１を取り付けることが、それぞれ示されている。　  
　  
３．対比・判断
　摘記事項（１ｃ）には、実施例２につき、「まず，・・・３枚の絶縁基材９１〜９３を積層接合し，積層体９９を得た後，該積層体９９を貫通する貫通穴９５を穿設する（・・・）。次に，・・・搭載用開口部９２０，９３０を含めて，上記積層体９９の全表面に無電解金属メッキ膜５を施す。次に，・・・上記搭載用開口部９２０，９３０及び放熱穴９１１をそれぞれ閉塞部材７１，７２により閉塞する。・・・次いで，上記積層体９９をメッキ液中に浸漬し，貫通穴９５内の無電解銅メッキ膜５を第一金属メッキ膜３により被覆する。次に，・・・上記閉塞部材７１，７２を積層体９９から除去する。次いで，上記第一金属メッキ膜３により覆われていない無電解銅メッキ膜５を除去する。・・・これにより，図１２に示す上記電子部品搭載用多層基板９が得られる。」と記載されているから、「上記絶縁基材９１、９２、９３を積層接合し、積層体９９を形成する工程と、次に、該積層体９９を貫通する貫通穴９５を穿設する工程と、次に、搭載用開口部９２０、９３０を含めて、上記積層体９９の全表面に無電解金属メッキ膜５を施す工程と、次に、上記搭載用開口部９２０，９３０及び放熱穴９１１を閉塞部材７１，７２により閉塞する工程と、次に、貫通穴９５内の無電解銅メッキ膜５を第一金属メッキ膜３により被覆する工程と、次に、上記閉塞部材７１、７２を積層体９９から除去する工程と、次に、上記第一金属メッキ膜３により覆われていない無電解銅メッキ膜５を除去する工程、とを具備する、電子部品搭載用多層基板の製造方法」が記載されている。 
　摘記事項（１ａ）には、「上記絶縁基材は，ガラスエポキシ基板，・・・等を用いる。」と記載されているから、実施例２においても、「ガラスエポキシ基板を用いる絶縁基材につき，」行うものといえる。  
　摘記事項（１ｃ）には、実施例２につき、「その他は，前記実施例１と同様である。」と記載されており、また、摘記事項（１ｂ）には、実施例１につき、「まず，・・・最上層としての絶縁基材９３の表側面に，銅からなる配線回路パターン１を形成する。次いで，絶縁基材９３に搭載用開口部９３０を穿設する。次に，・・・中間層としての絶縁基材９２に，銅からなる配線回路パターン１及びボンディングパッド１１と，搭載用開口部９２０とを形成する。次いで，・・・，最下層としての絶縁基材９１に，銅からなる配線回路パターン１を形成する。次いで，・・・上記絶縁基材９１，９２，９３を積層接合し，積層体９９を形成する。」と記載されているから、実施例２においても、「まず、最上層としての絶縁基材９３の表側面に、銅からなる配線回路パターン１を形成する工程と、次に、絶縁基材９３に搭載用開口部９３０を穿設する工程と、次に、中間層としての絶縁基材９２に、銅からなる配線回路パターン１及びボンディングパッド１１と、搭載用開口部９２０とを形成する工程と、次に、最下層としての絶縁基材９１に、銅からなる配線回路パターン１を形成する工程と、次に、上記絶縁基材９１、９２、９３を積層接合し、積層体９９を形成する工程と、次に、該積層体９９を貫通する貫通穴９５を穿設する工程」を有することが理解できる。 
　摘記事項（１ｂ）には、「上記電子部品搭載部９０は，上記搭載用開口部９２０，９３０により囲まれている。電子部品搭載部９０には，・・・，電子部品８２が搭載される。該電子部品８２は，ワイヤー８３により，電子部品搭載部９０の周囲に形成されたボンディングパッド１１と電気的に接続される。」と記載されているから、実施例２においても、「積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０に電子部品８２を搭載する工程」を具備すること及び「搭載用開口部９２０，９３０に形成されたボンディングパッド１１とワイヤー８３により電気的に接続された電子部品８２を搭載する」ことが理解できる。 
　摘記事項（１ｄ）には、「搭載用開口部９２０，９３０及び放熱穴９１１を閉塞部材７１，７２により閉塞した状態で，貫通穴９５内に第一金属メッキ膜３を形成している。そのため，上記搭載用開口部及び放熱穴には，金属メッキ膜が形成されない。」と記載されているから、実施例２における、閉塞部材７１，７２により閉塞する工程は、「貫通穴９５内に第一金属メッキ膜３を形成するときに搭載用開口部には金属メッキ膜が形成されないように、」するものといえる。 
　摘記事項（１ｅ）には、「本例の電子部品搭載用多層基板においては，・・・，図１６に示すごとく，該放熱穴９１２の裏側面には，放熱材としての放熱板８１が接合されている。その他は，前記実施例１と同様である。・・・」と記載されており、また、摘記事項（１ｆ）には、図１には絶縁基材９１の下面、即ち、積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０に対する裏面側に、配線回路パターン１を形成することが示され、また、図１６には、放熱穴９１２の裏側面を含む、積層体９９の裏面側に配線回路パターン１を介して放熱板６１を取り付けることが、それぞれ示されているから、「積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０からみた裏面側に配線回路パターン１を介して放熱板６１を取り付ける工程」を具備することが理解できる。 
　
　よって、摘記事項（１ｃ）に記載された実施例２の「電子部品搭載用多層基板の製造方法」を中心に、摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）を総合すると、引用例１には、  
「ガラスエポキシ基板を用いる絶縁基材につき，まず、最上層としての絶縁基材９３の表側面に、銅からなる配線回路パターン１を形成する工程と、次に、絶縁基材９３に搭載用開口部９３０を穿設する工程と、次に、中間層としての絶縁基材９２に、銅からなる配線回路パターン１及びボンディングパッド１１と、搭載用開口部９２０とを形成する工程と、次に、最下層としての絶縁基材９１に、銅からなる配線回路パターン１を形成する工程と、次に、上記絶縁基材９１、９２、９３を積層接合し、積層体９９を形成する工程と、次に、該積層体９９を貫通する貫通穴９５を穿設する工程と、次に、搭載用開口部９２０、９３０を含めて、上記積層体９９の全表面に無電解金属メッキ膜５を施す工程と、次に、貫通穴９５内に第一金属メッキ膜３を形成するときに搭載用開口部には金属メッキ膜が形成されないように、上記搭載用開口部９２０，９３０及び放熱穴９１１を閉塞部材７１，７２により閉塞する工程と、次に、貫通穴９５内の無電解銅メッキ膜５を第一金属メッキ膜３により被覆する工程と、次に、上記閉塞部材７１、７２を積層体９９から除去する工程と、次に、上記第一金属メッキ膜３により覆われていない無電解銅メッキ膜５を除去する工程と、次に、積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０からみた裏面側に配線回路パターン１を介して放熱板６１を取り付ける工程と、積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０に電子部品８２を搭載する工程とを具備する、搭載用開口部９２０，９３０に形成されたボンディングパッド１１とワイヤー８３により電気的に接続された電子部品８２を搭載する、電子部品搭載用多層基板の製造方法」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。 
　  
　そこで、本願補正発明１と引用例１発明とを対比する。 
　引用例１発明の「ガラスエポキシ基板を用いる絶縁基材９１，９２，９３」、「電子部品」、「搭載用開口部９２０，９３０」、「搭載用開口部９２０，９３０に形成されたボンディングパッド１１とワイヤー８３により電気的に接続された」こと、「電子部品搭載用多層基板の製造方法」は、それぞれ、本願補正発明１の「複数の樹脂基板」、「ＩＣ」、「ＩＣを搭載するための開口部」、「開口部内にＩＣと電気的に接続されるボンディングパッドが配設されてなる」こと、「ＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法」に相当する。 
　引用例１発明の「絶縁基材９３の表側面に、銅からなる配線回路パターン１を形成する工程と、次に、絶縁基材９３に搭載用開口部９３０を穿設する工程と、次に、中間層としての絶縁基材９２に、銅からなる配線回路パターン１及びボンディングパッド１１と、搭載用開口部９２０とを形成する工程」は、２枚の絶縁基材に配線回路パターン及び搭載用開口部を形成しているから、本願補正発明１の「複数の樹脂基板に導体回路を形成する工程、前記基板にＩＣを搭載するための開口部を形成する工程」に相当する。 
　引用例１発明においては、最上層としての絶縁基材９３の表側面にも、中間層としての絶縁基材９２にも、配線回路パターン１が形成されているから、引用例１発明の「上記絶縁基材９１、９２、９３を積層接合し、積層体９９を形成する工程」は、本願補正発明１の「前記基板上に形成された前記導体回路が内外層ともに配置されるように前記基板を積層する工程」に相当する。 
　引用例１発明の「該積層体９９を貫通する貫通穴９５を穿設する工程」、「貫通穴９５内の無電解銅メッキ膜５を第一金属メッキ膜３により被覆する工程」、「上記積層体９９の全表面に無電解金属メッキ膜５を施す工程」、「無電解銅メッキ膜５を除去する工程」は、それぞれ、本願補正発明１の「前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工程」、「前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被着することによりスルーホールを形成する工程」、「前記積層した基板に無電解めっきを施す工程」、「前記積層した基板の無電解めっきを除去する工程」に相当する。 
　引用例１発明の「搭載用開口部には金属メッキ膜が形成されない」こととは、「搭載用開口部９２０，９３０に形成されたボンディングパッド１１」へのめっきを防止することともいえるから、引用例１発明の「上記搭載用開口部９２０、９３０をそれぞれ閉塞部材７１、７２により閉塞する工程」、「上記閉塞部材７１、７２を積層体９９から除去する工程」は、それぞれ、本願補正発明１の「前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する工程」、「前記めっきレジストを剥離する」工程に相当する。 
　引用例１発明の「積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０からみた裏面側に配線回路パターン１を介して放熱板６１を取り付ける工程」は、本願補正発明１の「前記開口部の裏面側に導体回路を介してヒートシンクを取り付け」る工程に相当する。 
　 
　よって、両者は、「ＩＣを搭載するための開口部および該開口部内にＩＣと電気的に接続されるボンディングパッドが配設されてなるＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法であって、  
　複数の樹脂基板に導体回路を形成する工程と、前記基板にＩＣを搭載するための開口部を形成する工程と、前記基板上に形成された前記導体回路が内外層ともに配置されるように前記基板を積層する工程と、前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工程と、前記積層した基板に無電解めっきを施す工程と、前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する工程と、前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被着することによりスルーホールを形成する工程と、前記めっきレジストを剥離すると共に、前記積層した基板の無電解めっきを除去する工程と、前記開口部の裏面側に導体回路を介してヒートシンクを取り付ける工程と、を備えるＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。　  
　  
　相違点：本願補正発明１が、ヒートシンクに直接ＩＣを搭載するのに対して、引用例１発明では、積層体９９の搭載用開口部９２０，９３０に電子部品８２を搭載し、電子部品搭載部９０からみた裏面側に放熱板６１を取り付ける点。  
　　  
　そこで、上記相違点について次に検討する。  
　下記周知例に示すように、ＩＣ搭載用開口部を有する多層プリント配線板において、開口部の裏面側にヒートシンクを取り付けて、該ヒートシンクに直接ＩＣを搭載することは周知の事項である。  
　  
周知例１：特開平７−２７３４６３号公報、  
（周１−１）図５には、多層プリント配線板の積層方向から見て、開口部に対する裏面側に、ヒートシンク１４を取り付けて、該ヒートシンク１４に直接ＩＣ１７を搭載することが示されている。  
　  
周知例２：特開平８−７８８５１号公報  
（周２−１）図１には、多層プリント配線板７の積層方向から見て、電子部品搭載用凹部７５に対する裏面側に表面導体層１１を介して放熱板６１を取り付けて、該放熱板６１に直接電子部品８を搭載することが示されている。 放熱板が本願補正発明１のヒートシンクに相当する。
　
周知例３：特開平７−３０７５６９号公報  
（周３−１）図１には、４層に積層された電子部品搭載用基板２の積層方向から見て、電子部品搭載穴２０に対する裏面側に信号用パターン５０を介してヒートシンク６１を取り付けて、該ヒートシンク６１に直接電子部品３を搭載することが示されている。  
　  
　ここで、ヒートシンクを取り付ける形態は、ＩＣの発熱量等を考慮して決定される設計的事項といえ、かつ上記周知の事項のようにヒートシンクにＩＣを直接搭載すれば、ＩＣの熱が直接ヒートシンクに伝わるので、より放熱効率が良く、放熱性に優れることは明らかであるから、ＩＣの発熱量を考慮して、ヒートシンクにＩＣを直接搭載することは、当業者が容易に想到しうることである。  
　そして、本願補正発明１による効果も引用例１の記載、及び上記周知の事項から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。　  
　したがって、本願補正発明１は、引用例１に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　  
　  
４．むすび  
　以上のとおり、平成１８年７月５日付の手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
　  
III．本願発明について  
１．本願発明１  
　平成１８年７月５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１，２に係る発明は、平成１８年５月１１日付手続補正書の特許請求の範囲１，２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。  
　「【請求項１】　ＩＣを搭載するための開口部および該開口部内にＩＣと電気的に接続されるボンディングパッドが配設されてなるＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法であって、  
　複数の基板に導体回路を形成する工程と、前記基板にＩＣを搭載するための開口部を形成する工程と、前記基板上に形成された前記導体回路が内外層ともに配置されるように前記基板を積層する工程と、前記積層した基板にスルーホール用貫通孔を削孔する工程と、前記積層した基板に無電解めっきを施す工程と、前記積層した基板の開口部にめっきレジストを形成する工程と、前記スルーホール用貫通孔内壁に導体被膜を被着することによりスルーホールを形成する工程と、前記めっきレジストを剥離すると共に、前記積層した基板の無電解めっきを除去する工程と、前記開口部の裏面側からヒートシンクを取り付けて、該ヒートシンクに直接ＩＣを搭載する工程と、を備えることを特徴とするＩＣ搭載用多層プリント配線板の製造方法。」  
　  
２．引用刊行物とその記載事項  
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。  
　  
３．対比・判断  
　本願発明１は、本願補正発明１の、基板が「樹脂基板」であること、ヒートシンクの接続が「導体回路を介して」いること、という具体的限定事項とを省いたものである。　  
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加して限定したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、引用例１に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用例１に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
４．むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。