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　平成１１年特許願第２４７１０７号「セラミックス回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月２３日出願公開、特開２００１−　７７４９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年９月１日の出願であって、平成１７年８月４日付け拒絶理由通知に対して、同年８月１１日付けで手続補正がされたが、同年１０月１３日付けで拒絶査定され、これに対し、同年１０月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の請求項１〜２に係る発明は、平成１７年１０月２４日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】セラミックス基板の表裏面にアルミニウムを主成分とする金属板を接合して、表裏面の金属板のそれぞれを回路と裏板としてなるセラミックス回路基板であって、前記回路側の金属板のアルミニウム純度が少なくとも９９．９９重量％であり、且つ、前記裏板側の金属板のアルミニウム純度が回路側の金属板のアルミニウム純度よりも低いことを特徴とするセラミックス回路基板。」
　
２．引用例
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１２５４６３号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１ａ）「〔産業上の利用分野〕この発明は、軽量にして、熱伝導性（放熱性）にすぐれ、したがって半導体装置の高集積化および大電力化に十分対応することができる半導体装置用基板に関するものである。」（第２頁左上欄第６〜１０行）
　
（１ｂ）「近年の半導体装置の高集積化および大電力化に伴って、装置自体が大型化し、重量化する傾向にあり、したがってこれを構成する部材の軽量化が強く望まれている」（第２頁右上欄第１１〜１４行）
　
（１ｃ）「そこで、本発明者等は、・・・すぐれた熱伝導性をもった上で、さらに軽量の半導体装置用基板を開発すべく研究を行なった結果、ヒートシンク板材および薄板材として、・・・１５０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋの高い熱伝導度を有し、かつＣｕより一段と軽量の純Ａｌや、例えばＡｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金およびＡｌ−１％Ｍｎ合金などのＡｌ合金を用いると共に、絶縁板材として、・・・窒化アルミニウム（以下ＡｌＮで示す）系焼結体を適用し・・・このＡｌ系焼結板材の両面に、Ａｌ−１３％Ｓｉ合金、・・・などのＡｌ−Ｓｉ系合金や、Ａｌ−１５％Ｇｅ合金などのＡｌ−Ｇｅ系合金からなるろう材（以上重量％、以下％は重量％を示す）を箔材、あるいは前記ヒートシンク板材および薄板材の接合面にクラッドした状態で用いて、ヒートシンク板材および薄板材をそれぞれ積層接合し・・・構成部材すべては軽量にして熱伝導性の良好なＡｌまたはＡｌ合金とＡｌＮ系焼結体で構成されることになるから、基板全体が軽量化され、かつ放熱性のすぐれたものになるという研究結果を得るに至ったのである。」（第２頁左下欄第６行〜第３頁左上欄第４行）
　
（１ｄ）「この発明は、上記研究結果にもとづいてなされたものであって、第１図に概略説明図で示されるように、絶縁板材Ｃを、平均膜厚：０．２〜２０μｍの表面酸化層Ｃ−Ｓを有するＡｌＮ系焼結板材Ｃ−Ｂの少なくとも両面に平均膜厚：０．０１〜１０μｍのＳｉＯ２系被覆層Ｃ−Ｃを形成したもので構成し、・・・上記絶縁板材Ｃの一方面にＡｌまたはＡｌ合金からなるヒートシンク板材Ａを、また上記絶縁板材Ｃの他方面に同じくＡｌまたはＡｌ合金からなる回路形成用薄板材Ｂを、それぞれＡｌ−Ｓｉ系合金またはＡｌ−Ｇｅ系合金からなるろう材Ｄを用いて積層接合し、・・・放熱性にすぐれた半導体装置用軽量基板に特徴を有するものである。」（第３頁左上欄第５行〜同頁右上欄第１９行）
　
（１ｅ）「〔実施例〕つぎに、この発明の半導体装置用基板を実施例により具体的に説明する。まず、・・・これら原料粉末をそれぞれ第１表に示される配合組成に配合し、・・・実質的に配合組成と同一の成分組成を有し、かつ幅：５０ｍｍ×厚さ：０．６３ｍｍ×長さ：７５ｍｍの寸法をもったＡｌＮ系焼結板材を形成し、ついで、・・・することにより絶縁板材Ａ〜Ｖをそれぞれ製造した。さらに、ヒートシンク板材として、いずれも幅・・・の寸法を有し、また薄板材として、いずれも幅・・・を有し、かつ（ａ）純Ａｌ、・・・（ｃ）Ａｌ−１％Ｍｎ合金（以下、Ａｌ−Ｍｎ合金という）、・・・以上（ａ）〜（ｅ）のうちのいずれかからなる板材を用意し、またろう材として・・・（ｂ）Ａｌ−７．５％Ｓｉ合金、・・・以上（ａ）〜（ｃ）のうちのいずれかからなる箔材を用意し、・・・ついでこれらの構成部材を第２表に示される組合せで第１図に示される状態に積み重ね、この状態で真空中、４３０〜６１０℃に１０分間保持の条件でろう付けして積層接合体とし、・・・形成することにより本発明基板１〜２２をそれぞれ製造した。」（第４頁左下欄第７行〜第５頁右下欄第９行）
　
（１ｆ）「ついで、本発明基板１〜２２および従来基板について、一般に半導体装置用基板の評価試験として採用されている試験、すなわち温度：１２５℃に加熱後、−５５℃に冷却を１サイクルとする繰り返し加熱試験を行い、絶縁板材に割れが発生するに至るまでのサイクル数を２０サイクル毎に観察して測定し、またレーザ・フラッシュ法による熱伝導度の測定、および絶縁板材とヒートシンク板材の接合強度の測定を行ない、さらに本発明基板１〜２２の重量を測定し、従来基板の重量を１とし、これに対する相対比を求めた。これらの結果を第２表に示した。」（第７頁左上欄第５〜１６行）
　
（１ｇ）第１表には、絶縁板材の種別Ａとして、Ｙ２Ｏ３を０．１重量％含有し残部をＡｌＮとした配合組成を有しかつその表面に平均層厚が０．５μｍの表面酸化層を有するＡｌＮ系焼結板材に、ＺｒＯ２を４０．３重量％含有し残部をＳｉＯ２とした成分組成を有しかつ平均層厚が０．２μｍのＳｉＯ２系被覆層を形成したものが示されている。
　
（１ｈ）第２表には、本発明基板の種別１として、種別Ａの絶縁板材、Ａｌ−Ｍｎ合金のヒートシンク板材、純Ａｌの薄板材、Ａｌ−７．５％Ｓｉ合金の箔材からなるろう材をそれぞれ用いたものが示されており、該基板が、２００サイクルの繰り返し加熱試験後も割れを生じることがなく、１４８Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導度、２ｋｇ／ｍｍ２以上の接合強度、及び０．３５３の重量相対比を有するものであることが示されている。
　
（２）また、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−６５０７５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
（２ａ）「【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関する。更に詳しくは半導体チップ等の発熱体から発生する熱を放散させるヒートシンクを有するセラミック回路基板に関するものである。」（【０００１】）
　
（２ｂ）「【発明の実施の形態】・・・第１及び第２アルミニウム板はＡｌ純度が９９．９８％以上の高純度のＡｌ合金により形成され、・・・図１に示すようにセラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着するには、・・・積層接着後、第２アルミニウム板１２はエッチング法により所定のパターン回路となる。」（【０００９】）
　
（２ｃ）「【実施例】・・・＜実施例１＞図１に示すように、・・・のＡｌＮにより形成されたセラミック基板１３と、・・・のＡｌ合金により形成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と、・・・ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンク１４と、・・・第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％であり、・・・ヒートシンク付セラミック回路基板１０を得た。」（【００１６】〜【００１７】）
　
（３）上記引用例１記載事項及び第１図を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「Ｙ２Ｏ３を０．１重量％含有し残部をＡｌＮとした配合組成を有しかつその表面に平均層厚が０．５μｍの表面酸化層を有する厚さ０．６３ｍｍのＡｌＮ系焼結板材の少なくとも両面に、ＺｒＯ２を４０．３重量％含有し残部をＳｉＯ２とした成分組成を有しかつ平均層厚が０．２μｍのＳｉＯ２系被覆層を形成したもので構成した絶縁板材に対して、その一方面にＡｌ−１重量％Ｍｎ合金からなるヒートシンク板材を、他方面に純Ａｌからなる回路形成用薄板材を、Ａｌ−７．５重量％Ｓｉ合金の箔材からなるろう材を用いてそれぞれ接合した半導体装置用基板。」
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、表面に平均層厚が０．５μｍの表面酸化層を有する「ＡｌＮ系焼結板材」は、その大部分が厚さ０．６３ｍｍの焼結体から成っているので、本願発明の「セラミックス基板」に相当する。
　また、引用発明における「Ａｌ−１重量％Ｍｎ合金からなるヒートシンク板材」は、上記セラミックス基板の一方の面にＳｉＯ２系被覆層及びろう材を介して接合されたものであるが、上記一方の面を裏面と解すると、本願発明の、セラミックス基板の裏面に接合された「裏板」としての「アルミニウムを主成分とする金属板」に相当し、一方、引用発明における「純Ａｌからなる回路形成用薄板材」は、上記セラミックス基板の他方の面にＳｉＯ２系被覆層及びろう材を介して接合されたものであるが、上記他方の面を表面と解すると、本願発明の、セラミックス基板の表面に接合された「回路」としての「アルミニウムを主成分とする金属板」に相当する。
　そして、引用発明における上記「裏板」としての「アルミニウムを主成分とする金属板」は、「Ａｌ−１重量％Ｍｎ合金」からなり、同じく引用発明における上記「回路」としての「アルミニウムを主成分とする金属板」は、「純Ａｌ」からなるものであるが、「純Ａｌ」とは、不可避的に混入する不純物成分を除いてほぼ純粋な高純度のアルミニウムであって、「Ａｌ−１重量％Ｍｎ合金」よりも、アルミニウム純度が高いものを意味していることは明らかであるので、引用発明の「裏板側のアルミニウムを主成分とする金属板」と、「回路側のアルミニウムを主成分とする金属板」とのアルミニウム純度を比較した場合、本願発明と同様に、裏面側の金属板の方が低くなっている。
　さらに、引用発明における「半導体装置用基板」は、その構成要素である絶縁板材がセラミックス基板を含むものであり、かつ該絶縁板材の表面に回路形成用のアルミニウムを主成分とする金属板を設けるものであることから、本願発明の「セラミックス回路基板」に相当する。
　
　すると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
＜一致点＞
　セラミックス基板の表裏面にアルミニウムを主成分とする金属板を接合して、表裏面の金属板のそれぞれを回路と裏板としてなるセラミックス回路基板であって、裏板側の金属板のアルミニウム純度が回路側の金属板のアルミニウム純度よりも低いセラミックス回路基板。
　
　一方で、両者は次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明では、回路側の金属板のアルミニウム純度が「少なくとも９９．９９重量％」であるのに対して、引用発明では、回路側の金属板について、「純Ａｌ」からなると規定されるのみで、重量％で表現した具体的なアルミニウム純度が不明な点。
　
４．判断
　以下、上記＜相違点＞について検討する。
　「３．対比」で述べたように、引用発明における「純Ａｌ」が、不可避的に混入する不純物成分を除いてほぼ純粋な高純度のアルミニウムを意味するものと解されるところ、引用例２の摘記事項（２ｃ）や、以下の周知例の記載事項からみて、Ａｌ純度が９９．９９重量％や９９．９９９重量％のアルミニウム板自体は、本願出願前既に周知のものにすぎず、してみると、引用発明における「純Ａｌ」の純度を「少なくとも９９．９９重量％」と数値的に規定することに特段の困難性を見いだせない。
　
周知例：特開平１０−６５２９６号公報
　
（周ａ）「第１及び第２アルミニウム板１１，１２はＡｌの純度が９９．９８重量％以上の高純度のＡｌ合金により形成され、」（【０００７】）
　
（周ｂ）「＜実施例１＞・・・第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌの純度はともに９９．９９９重量％であり、」（【０００９】）
　
（周ｃ）「＜実施例２＞第１及び第２アルミニウム板が９９．９９重量％のＡｌと、０．００３重量％のＳｉと、０．００３重量％のＦｅと、０．００３重量％のＣｕとを含むことを除いて、実施例１のセラミック回路基板と同一に構成されたセラミック回路基板を実施例２とした。」（【００１０】）
　
　また、本願発明において、回路側の金属板のアルミニウム純度を「少なくとも９９．９９重量％」と限定することによって格別の効果が奏されるとは認められない。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。