【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２５６３８０９号発明「半導体用窒化アルミニウム基板」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２５６３８０９号の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
（１）　本件特許第２５６３８０９号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、昭和６２年９月２８日に出願され、平成８年９月１９日にその発明についての設定登録がされたものである。
　
（２）　これに対して、請求人は、本件発明の特許を無効とする、との審決を求め、その理由として、本件発明は、本件出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、本件発明は、その明細書の記載が、当業者が容易に実施できる程度に記載されていないものであるから、その特許は無効とされるべきであると主張し、証拠方法として甲第１号証ないし甲第６号証を提出している。
　
（３）　一方、被請求人は、平成１９年９月２５日付で訂正請求書を提出して下記のような訂正を求めた。
訂正事項１、特許請求の範囲の請求項１に記載の「CaO、Y2O3換算で」を「CaO、Y2O3として」に訂正する。
訂正事項２、明細書に記載の「CaO、Y2O3換算で」を「CaO、Y2O3として」に訂正する。
訂正事項９、明細書に記載の「ＣａＯ（換算量）：０．０１重量％、Ｙ２Ｏ３（換算量）：５．０重量％」を「ＣａＯ：０．０１重量％、Ｙ２Ｏ３：５．０重量％」に訂正する。
訂正事項１２、明細書、第１表に記載の「換算量Ｗｔ％」、および、「Ｗｔ％」をそれぞれ「重量％」に訂正する。
　
（４）当審では、平成１９年１０月１２日付で、「上記訂正事項１によると、訂正前は、「ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３換算で」ということからＣａとＹという元素の量をＣａＯ、Ｙ２Ｏ３という化合物を単位として表していたものであるが、訂正後は、ＣａＯとＹ２Ｏ３という化合物自体の量を表すことになる。よって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮とは認められない。また、この訂正は、誤記の訂正とも、不明瞭な記載の釈明とも認められない。 
 　したがって、この訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書き各号のいずれにも該当しないから本件訂正は認められない。」との拒絶理由を通知した。 
　
（５）被請求人は、平成１９年１１月１５日付で、「上記訂正は、特許請求の範囲の減縮」であるから上記訂正は認められるべき旨の意見書を提出した。
　
２．訂正の可否に対する判断
（１）訂正事項１について検討すると、窒化アルミニウム質焼結体の含有成分に関し、訂正前は、「ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３換算で」ということからＣａとＹという元素の量をＣａＯ、Ｙ２Ｏ３という化合物を単位として表しており、成分としてＣａとＹが含まれていたものであるが、訂正後の「ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３として」は、換算量でなくＣａＯとＹ２Ｏ３という化合物自体を表すことになる。したがって、この訂正は、成分量の数値「CaO:4重量％以下」、「Y2O3:12重量％以下」で規定されている含有成分の内容を変更するものである。よって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮とは認められない。また、この訂正は、誤記の訂正とも、不明瞭な記載の釈明とも認められない。
　訂正事項２、９、１２についても、訂正事項１と同様である。
　
　
 （２）以上のとおり、訂正事項１、２、９、１２は、特許請求の範囲の減縮に該当せず、誤記の訂正とも、不明瞭な記載の釈明とも認められないので、そのような訂正事項を含む本件訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書きの規定に違反するものである。よって、当該訂正は認められない。
　
　
３．本件特許発明に対する判断
　（１）訂正が認められないので、本件特許発明は、明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲記載の次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】AlNを主体とし、カルシウム及びイットリウム化合物をCaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含み、かつ焼結体中の全酸素量が0.01〜10重量％の範囲にある窒化アルミニウム質焼結体の表面に、Ti,Cr,Ni−Cr,TaN（窒化タンタル）,Al,Mo,Wのうちの１種以上からなる金属薄膜層が形成されたもので、かつ窒化アルミニウム質焼結体と金属薄膜層間の密着強度が2.5kg/mm2以上であることを特徴とする半導体用窒化アルミニウム基板。
【請求項２】半導体用窒化アルミニウム基板が、その金属薄膜層の上に導体層を有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体用窒化アルミニウム基板。
【請求項３】金属薄膜層の厚みが、20μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の半導体用窒化アルミニウム基板。
【請求項４】導体層が、Ni,Co,Cu,Au,Ag,Pd,Ptのうちの１種以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の半導体用窒化アルミニウム基板。」（以下、「本件特許発明１〜４」という。）
　
　　
（２）請求人の提出した甲第１号証ないし甲第６号証
　甲第１号証（Waltraud Werdecker et al. ,High Performance Aluminum Nitride Substrate by Tape Casting Technology.1985 Electric Conponents Conference 、1985 . pp26-31)
には、以下の事項が記載されている。
　
摘記ａ．「　Ｔｈｅ　ｓｐｅｃｔｒｏｇｒａｐｈｉｃ　ａｎａｌｙｓｉｓ（Ｔａｂ１ｅ　４）ｅｘｈｉｂｉｔｓ　ａ　ｈｉｇｈ　ｐｕｒｉｔｙ　ｍａｔｅｒｉａｌ．Ｔｈｅ　ｍｉｎｕｓ　ｖａｌｕｅｓ　ｍｅａｎ　ｔｈａｔ　ａｎ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｗａｓ　ｃｏｎｄｕｃｔｅｄ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｅｌｅｍｅｎｔ　ｂｕｔ　ｉｔ　ｗａｓ　ｅｉｔｈｅｒ　ｎｏｔ　ｐｒｅｓｅｎｔ　ｏｒ　ｐｒｅｓｅｎｔ　ｉｎ　ａｎ　ａｍｏｕｎｔ　ｂｅｌｏｗ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ．Ｔｈｅ　ｉｎｄｉｃａｔｅｄ　ｖａｌｕｅ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｍｉｎｉｍｕｍ　ｄｅｔｅｃｔａｂｌｅ　ｑｕａｎｔｉｔｙ．
　
　　　　　　　　　
Ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：
　　　　　　　　　Ｒａ　：０．７２μｍ
　　　　　　　　　ＲＺ　：４．０８μｍ
　
　　　　　　　　　
Ｃａｍｂｅｒ：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　
Ｄｅｎｓｉｔｙ　ｂｙ　ｗａｔｅｒ　ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ：
　
　Ｔａｂｌｅ　３：　Ｄａｔａ　ｏｎ　ｔａｐｅ　ａｓ　ｆｉｒｅｄ
　
　
　Ｉｎ　Ｔａｂｌｅ　５　ｔｙｐｉｃａｌ　ｇａｓ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｖａｌｕｅｓ　ａｒｅ　ｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｎｅｗｌｙ　ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ　ｔａｐｅ．」（第２７頁、右欄、第１８行〜第２６行）
　
（部分訳「スペクトル分析（表４）は、高純度材料であることを示す。マイナスの値は、分析はその元素に対して行われたが存在しなかったか存在していたか要するに検出限界以下であることを意味する。示された値は、検出可能な最低量である。
　　　＜表３（省略）＞
　表５には、新規に開発したテープの代表的なガス分析値がまとめられている。」）
　
摘記ｂ．「
　　　　
　　　ＥＬＥＭＥＮＴ　　　　　　　　％　ＢＹ　ＷＴ　　　
　　　　　　　　　Ｃｒ　　　　　　　　　　　　．０１０
　　　　　　　　　Ｆｅ　　　　　　　　　　　　．２４０
　　　　　　　　　Ｍｇ　　　　　　　　　　　−．００５
　　　　　　　　　Ｔｉ　　　　　　　　　　　　．００５
　　　　　　　　　Ｚｒ　　　　　　　　　　　−．００５
　　　　　　　　　Ｃａ　　　　　　　　　　　−．００５
　　　　　　　　　Ｃｏ　　　　　　　　　　　　．０１０
　　　　　　　　　Ｃｕ　　　　　　　　　　　−．００１
　　　　　　　　　Ｖ　　　　　　　　　　　　　．００５
　　　　　　　　　Ｓｉ　　　　　　　　　　　　．０３０
Ｔａｂｌｅ　４：　Ｐｌａｓｍａ　ｓｐｅｃｔｒｏｇｒａｐｈｉｃ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ＡｌＮ
　
　
　　　　
　　　Ｎ（％）　　　　　Ｏ％　　　　　　Ｃ（ｐｐｍ）　　
　　　　　　３０．６　　　　　　１．７　　　　　１２５
　　　　　　３１．９　　　　　　１．８　　　　　１７７
　
Ｔａｂｌｅ　５：Ｔｙｐｉｃａｌ　ｇａｓ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ｆｉｒｅｄ　ｔａｐｅ」（第２８頁、左欄、表５）
　
摘記ｃ．
「ＴＨＩＮ　ＦＩＬＭ　ＭＥＴＡＬＬＩＺＡＴＩＯＮ
　Ａ　ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｐｒｏｖｅｎ　ｔｏ　ｗｏｒｋ　ｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｉｌｙ　ｏｎ　ＡｌＮ（１１）．Ｔｈｅｓｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ａｐｐｌｉｅｄ　ｏｎ　ｅｉｔｈｅｒ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ｓｕｒｆａｃｅｓ　ｎｏｒｍａｌｌｙ　ｕｓｅｄ　ｆｏｒ　ｔｈｉｃｋ　ｆｉｌｍ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ａｓ　ｗｅｌｌ　ａｓ　ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ｓｕｒｆａｃｅｓ．Ｉｆ　ａｄｈｅｓｉｏｎ（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ　ｐａｄ）ｉｓ　ｔｈｅ　ｍａｉｎ　ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔ，ａ　ｌａｐｐｅｄ　ｓｕｅｆａｃｅ　ｉｓ　ｓｕｆｆｉｃｉｅｎｔ；　ｉｆ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ　ａｒｅ　ｐｒｅｄｏｍｉｎａｎｔ　ａ　ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｉｓ　ｒｅｃｏｍｍｅｎｄｅｄ． Ｔａｂｌｅ　１１，　ａ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ　ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ　ｃｈａｒｔ，　ｓｕｍｍａｒｉｚｅｓ　ｔｈｅ　ｒａｎｇｅ　ｏｆ　ｓｕｆａｃｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｎｏｒｍａｌｌｙ　ｕｓｅｄ　ｆｏｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　ｍｏｒｅｏｖｅｒ　ｏｆｆｅｒｓ　ａ　ｔｏｏｌ　ｆｏｒ　ｒｏｕｇｈｌｙ　ｃｏｎｖｅｒｔｉｎｇ　ｕｎｉｔｓ．
　・・・
　Ｆｉｇ．１２　ｓｈｏｗｓ　ｔｙｐｉｃａｌ　ＡｌＮ　ｈｅａｔ　ｓｉｎｋｓ　ｆｏｒ　ｌａｓｅｒ　ｄｉｏｄｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ　ｂｙ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．　Ｔｈｅ　ｐａｒｔｓ　ａｒｅ　３　×　３ｍｍ，ｄｉｃｅｄ　ｏｎ　ａ　ｃａｒｒｉｅｒ　ｆｏｉｌ．　Ｆｏｒ　ｔｈｉｓ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ａ　Ａｕ　ｔｏｐ　ｌａｙｅｒ　ｉｓ　ｐｒｅｆｅｒｒｅｄ．　Ｔｈｅ　ａｄｈｅｓｉｏｎ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｂｙ　ｎａｉｌｈｅａｄ　ｔｅｓｔ　ｉｓ　ｉｎ　ｅｘｃｅｓｓ　ｏｆ　４３　Ｎ／ｍｍ２　ｏｎ　ａ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ｓｕｒｆａｃｅ；　ｉｎ　ｔｈｅ　ｏｒｄｅｒ　ｏｆ　２０　Ｎ／ｍｍ２　ｏｎ　ｈｉｇｈｌｙ　ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ．　Ｔｈｅ　ｂｏｎｄｉｎｇ　ｂｅｈａｖｉｏｒ　ｉｓ　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ　ｗｉｔｈ　ｔｈｉｎ　Ａｕ　ｗｉｒｅ　ｏｎ　ｂｏｔｈ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ（Ｔａｂｌｅ　１２）．」（第３０頁、右欄、第１行ないし下から６行）
　
（訳「薄膜メタライゼーション
　多数の薄膜メタライゼーションが、ＡｌＮ上に満足に行なえることが証明された（１１）。これらの薄膜メタライゼーションは、研磨した表面と同様に、厚膜用途に通常用いられる標準表面にも適用された。もし密着性（半田用パッド）が主な要求であれば、ラップ仕上げの表面で十分であり、一方、もし電気的な要求が支配的であれば、研磨仕上げの表面が推奨される。表１１は、表面粗さ比較表であり、異なる用途に通常用いられる表面の質の範囲をまとめたものであり、さらにおおよその換算単位の目安を提供するものである。
　図１２は、スパッタリング技術でメタライズされたレーザーダイオード用途のための典型的なＡｌＮヒートシンクを示している。この部品は３×３ｍｍであり、キャリア箔上で切断された。この用途には、金の最表面層が好ましい。
ネイルヘッドテストにより測定された密着性は、標準の表面で４３Ｎ／ｍｍ２を超えており、一方、高度に研磨した基板では２０Ｎ／ｍｍ２程度である。どちらの表面でも細いＡｕワイヤを用いたボンディングの挙動は非常に優れている（表１２）ワイヤ引張テストにおける密着力の値は、仕様の値を大きく上回っている。」）　　
　
摘記ｄ．「
　　　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　　　　　　：　ＡｌＮ
　　　Ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　　　　　　：　Ｔｉ　０．２μｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｐｔ　０．１μｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ａｕ　１−１．５μｍ
　　　・・・　　　　　　　　　　　　　・・・
Ｔａｂｌｅ１２：Ａｕ　ｔｈｉｎ　ｗｉｒｅ　ｂｏｎｄｉｎｇ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　Ａｕ　ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ　ＡｌＮ」
　（第３１頁、左欄、表１２）
　
摘記ｅ．「INTRODUCTION
　Since　AlN　can　be　produced　in　dense　sintered　shapes　with　high　purity,AlN　is　accepted　in  the　electronic　market　as　a　thermally　high　performance　ceramic　substrate.」
（訳「序文
ＡｌＮが、高純度で、稠密な焼結体として製造できるようになって以来、ＡｌＮは、熱的に高性能なセラミック基板として電機業界に受け入れられている。」）（第２６頁、左欄、第３３行〜第３７行）
　
　甲第２号証（特開昭６２−１６７２７７号公報）
　甲第２号証には、酸素含有率が１．８重量％以下の窒化アルミニウム原料粉末に、イットリウムのアルコキシド溶液をＹ換算で０．１〜１０重量％を添加し、混合・分解した後成形し、常圧焼結した窒化アルミニウム焼結体及びこの焼結体の上に金属アルミニウムの博捜を形成し、さらにその上にニッケルまたは金の金属化層を形成した半導体基板或いはヒートシンクとして用いられる、金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体が記載されている。
　
　甲第３号証（平成１９年５月２５日付実験成績証明書）
　甲第３号証は、窒化アルミニウム質焼結体中のカルシウム化合物及びイットリウム化合物の含有量による、窒化アルミニウム質焼結体と金属薄膜層間の密着強度への影響について検討したものである。
　
　甲第４号証（特開昭６２−４１７６６号公報）
　甲第４号証には、電子機器、電子回路基板、放熱材料、絶縁材料として工業的に有用な窒化アルミニウム焼結体に関し、イットリウム化合物をＹ２Ｏ３換算で、０．１５〜１．６０重量％、カルシウム化合物をＣａＯ換算で０．０２〜０．０９重量％および酸素を０．１２〜０．５９重量％で含有する窒化アルミニウム焼結体が記載されている。
　
　甲第５号証（NEC　Res．＆Devlop、Ｎｏ．８５　April　１９８７、ｐ１５−２１）
　甲第５号証には、薄膜メタライゼーション技術によって、Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ等の金属薄膜層がメタライズされた窒化アルミニウム焼結体であるＡｌＮ基板が記載されており、このうちＴｉ−Ｐｄ−ＡｕおよびＮｉＣｒ−Ｐｄ−Ａｕの金属薄層の接着強度が２．５ｋｇ／ｍｍ２であったことが記載されている。
　
　甲第６号証（Waltraud Werdecker,  METALLIZING OF ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES,5th EUROPEAN HYBRIDE MICROELECTRONICS CONFERENCE , STRESA-
ITALY,May 22,23,24,1985 Proceedings 472-489）、
　甲第６号証には、以下の事項が記載されている。
　
「　Ａ　ｎｕｍｂｅｒ　ｏｆ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｔｈｉｎ　ｆiｌｍ　ｍｅｔａｉｌｌｚａｔｉｏｎｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｔｅｓｔｅｄ　ｏｎ　ＡｌＮ．　Ｔｈｅ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｗｏｒｋ　ｓｈｏｗｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｃｌａｓｓｉ１ｃａｌ　ｓｅｑｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｌａｙｅｒｓ　ｉｓ　ｆｏｒ　ＡｌＮ　ａｐｐｌｉｃａｂｌｅ　ａｓ　ｗｅｌｌ．　Ｆｏｒ　ａｄｈｅｓｉｏｎ　ａ　ｔｈｉｎ　ｌａｙｅｒ　ｏｆ　ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ　０．１　μｍ　ｏｆ　ａ　ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ　ｍｅｔａｌ　ｌｉｋｅ　Ｔｉ，Ｃｒ，ＣｒＮｉ　ｅｔｃ．　ｉｓ　ａｐｐｌｉｅｄ．
Ａｓ　ａ　ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　ｂａｒｒｉｅｒ　ａｎ　ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　ｌａｙｅｒ　ｏｆ　ａ　ｎｏｂ１ｅ　ｍｅｔａｌ，　ｐｒｅｆｅｒａｂｌｙ　Ｐｔ　ｏｒ　Ｐｄ　ｗｉｔｈ　ａ　ｃｏａｔｉｎｇ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｏｆ　０．１　−　０．２　μｍ，　ｉｓ　ｕｓｅｄ．　Ｔｈｅ　ｃｈｏｉｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｏｐ　ｌａｙｅｒ　ｄｅｐｅｎｄｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔｈｅ　ｃｏａｔｅｄ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｉｓ　ｕｓｅｄ　ｆｏｒ，　ｗｈｅｔｈｅｒ　ｉｔ　ｈａｓ　ｔｏ　ｂｅ　ｒｅｓｉｓｔａｎｔ　ｔｏ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ，　ｎｏｎ　ｍａｇｎｅｔｉｃ，　ｈｉｇｈｌｙ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｏｒ　ｗｉｒｅ　ｂｏｎｄａｂｌｅ．
Ａｄｈｅｓｉｏｎ　ｔｅｓｔｓ　ｏｎ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｓ　ａｒｅ　ｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ　ｉｎ　ｔａｂ１ｅ　１１．」（第４８３頁、第１行〜第１３行）
　
（訳　　「５．薄膜メタライズ層
　数多くのマグネトロンスパッタされた薄膜メタライズ層がＡｌＮ上で試験された。実験の結果、従来の処理工程を経た層がＡｌＮにも形成できることが示されている。接着に対してはＴｉ、Ｃｒ、ＣｒＮｉの如き耐火金属の約０．１μｍの薄い層が用いられる。
　拡散防止バリアとして、皮膜厚さ０.１〜０．２μｍの好ましくはＰｔまたはＰｄである貴金属中間層が用いられる。上層の選択は、コーティング基板が適用される用途、すなわち、それが耐酸化性であるか、非磁性であるか、高導電性であるか、またはワイヤを接着し得るか、に依存する。異なる薄膜メタライズ層についての接着力試験の結果は表−１１に要約されている。」（４８３頁１〜１３行）
　
　
「TABLE 11: NAILHEAD ADHESION TEST ON DIFFERENT THIN FILM METALLIZATION
　　　　　Substrate       : AlN
　　　　　Solder         : SnPb37
　　　　　Flux           : Castolin 157
　　　　　Cleaning       : H2O + US
　　　　　Test           : Nailhead,Cu-pin 0.3 mm
　　　　　Metallization    : Thin Film
METAL 　　　COATING THICKNESS　　　 ADHESION　　　　　 MODE OF
　　　　　　　　　　(μm)　　　　　　N/mm
2
 　　　　　　　　FAILURE
Cr-N-Au　　　　0.5-2-0.5　　　　　　　　　43　　　　　　　　　  
Mo-Pd 　　　　　2-2　　　　　　　　　　　43　　　　　　　　　  
NiCr20-Ni　　　　2-2　　　　　　　　　　　43　　　　　　　　　 
Ti-AgCu28 　　　　0.2-6　　　　　　　　　　43　　　　　　　　　 
Ti-AgCu28　　　0.5-6　　　　　　　　　　　43　　　　　　　　　 
Ti-AgCu28　　　　2-2　　　　　　　　　　　43 　　　　　　　　　 
Ti-Pt-Au　　　　0.2-0.1-1 * 　　　　　　　　　43 　　　　　　　　　  
Ti-Pt-Au　　　　0.2-0.1-1 ** 　　　　　　　　　20 　　　　　　metallization
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 failed
                          
*   standard surface
**  polished」
　
　
（訳「表１１：異なる薄膜メタライゼーションについてのネイルヘッド接着試験
基質　　　　　　　　　：　　　ＡｌＮ
ハンダ　　　　　　　　：　　　ＳｎＰｄ３７
融剤　　　　　　　　　：　　　Ｃａｓｔｏｌｌｎ　１５７
洗滌　　　　　　　　　：　　　Ｈ２Ｏ　+　ＵＳ
試験　　　　　　　　　：　　　ネイルヘッド　Ｃｕ−ピンφ３ｍｍ
メタライゼーション　　：　　　薄膜
　
金属　　　　　　　　被覆厚み（μｍ）　　接着力Ｎ／ｍｍ
２
　　破損の形
Ｃｒ−Ｎｉ−Ａｕ　　　０．５−２−０．５　　＞４３　　　　Ｃｕ破損
Ｍｏ−Ｐｄ　　　　　　２−２　　　　　　　　＞４３　　　　Ｃｕ破損
ＮｉＣｒ２０−Ｎｉ　　　２−２　　　　　　　＞４３　　　　　Ｃｕ破損
Ｔｉ−ＡｇＣｕ２８　　　０．２−６　　　　　＞４３　　　　　Ｃｕ破損
Ｔｉ−ＡｇＣｕ２８　　　０．５−６　　　　　＞４３　　　　　Ｃｕ破損
Ｔｉ−ＡｇＣｕ２８　　　２−２　　　　　　　＞４３　　　　　Ｃｕ破損
Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ　　　０．２−０．１−１＊　＞４３　　　　　Ｃｕ破損
Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ　　　０．２−０．１−１＊＊　　２０　　メタライゼー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ション破損
   ＊　　　標準面
   ＊＊    研磨面　）　
　
　
（３）対比・判断
（３−１）本件特許発明１について
　甲第１号証記載の密着性の４３Ｎ／ｍｍ２ の値は、換算により、４．４ｋｇ／ｍｍ２　の密着強度に相当する。
　甲第１号証の表５には、ＡｌＮの酸素濃度が１．７％であることが記載されており、この値は、本件特許発明１の酸素濃度の範囲内である。
　甲第１号証には、スパッタリング技術でメタライズされたレーザーダイオード用途のための典型的なＡｌＮヒートシンクを形成することが記載されており、レーザーダイオードは半導体素子であるから、半導体素子用のＡｌＮヒートシンク即ち半導体用窒化アルミニウム基板が記載されている。また、ＡｌＮは、窒化アルミニウム質焼結体基板の形で製造されている。
　スパッタリング技術でメタライズされた薄膜メタライゼーション層は、金属薄膜層に相当する。
　甲第１号証の表１２において、「Ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ」即ち、金属薄膜層として、Ｔｉ　０．２μｍ、Ｐｔ　０．１μｍ、Ａｕ　１−１．５μｍの厚さの各層を形成することが記載されている。
　
　よって、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
　「ＡｌＮの酸素濃度が１．７％であり、ＡｌＮ上の標準表面に、Ｔｉ　０．２μｍ、Ｐｔ　０．１μｍ、Ａｕ　１−１．５μｍ厚の金属薄膜層が、形成され、密着強度が、標準表面で４．４ｋｇ／ｍｍ２を超えている、半導体用窒化アルミニウム焼結体基板。」
　
　本件特許発明１と、甲１発明とを対比する。
　
　ここで、被請求人は、答弁書において密着強度測定時の表面状態の違いについて主張している。しかし、本件特許明細書において、窒化アルミニウム基板の表面状態について記載はなく、その実施例の記載においても、
「 その後、前記脱脂済み圧粉体をカーボン型中に収納し、窒素ガス雰囲気中、1800℃で0.5時間常圧焼結した。
  得られた窒化アルミニウム質焼結体からなる基板は、その組成が第１表、試料番号１に示すとおり、ＣａＯ（換算量）:0.01重量％、Ｙ２Ｏ３（換算量）5.0重量％、全酸素量:2.8重量％のものであった。
  次いでこの基板の表面に、スパッタリング法により薄膜Ti金属層を0.1μｍの厚さで形成した。
  試験の結果、この金属の密着強度は5.3kg/ｍｍ２であって、非常に高い密着強度のものであることが判った。」（本件特許明細書、第３頁左欄、第４行〜第１４行）と記載されているのみで、ポリシングや研磨については何も記載がない。明細書の記載から判断する限り、焼結した表面に、次の工程でスパッタリング法等により金属層を設けており、甲第１号証記載の標準表面に金属層を設けたものと製造工程的に変わりはなく、少なくとも、特許請求の範囲の請求項の記載において、標準表面のデータを排除する理由はない。
　この主張は、明細書の記載に基づかない主張である。
　甲１発明の「標準表面」も基板の「表面」であるから、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
　
一致点
「AlNを主体とし、かつ焼結体中の全酸素量が１．７重量％の範囲にある窒化アルミニウム質焼結体の表面に、Ｔｉからなる金属薄膜層が形成されたもので、かつ窒化アルミニウム質焼結体と金属薄膜層間の密着強度が４．４kg/mm2以上であることを特徴とする半導体用窒化アルミニウム基板。」
　
相違点
　本件特許発明１では、窒化アルミニウム質焼結体が、カルシウム及びイットリウム化合物をCaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含んでいるのに対し、甲１発明では、カルシウム及びイットリウム化合物をCaO:4重量％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含んでいない点。　
　
　上記相違点について検討する。
　甲第１号証において、カルシウムは、摘記ｂ（Table　4の記載）より測定限界以下であり、イットリウムは含まれていないと認められるが、甲１発明において、密着強度が４３Ｎ／ｍｍ２（換算で、４．４ｋｇ／ｍｍ２の密着強度）という密着力を得ている。
　本件特許発明１において、窒化アルミニウム焼結体に、カルシウムとイットリウムを含有させる意義は、金属層との密着強度を高めるためのものである。しかし、カルシウムとイットリウムを含有していなくとも、甲第１発明においては、本件特許発明１の２．５ｋｇ／ｍｍ２以上の密着力を得ている。
　また、本願特許公報に記載された特開昭６１−１１９０５１号公報において、カルシウムもイットリウムも含有していない窒化アルミニウム焼結体において、表面接着力が、２．５ｋｇ／ｍｍ２という値を実現している（同公報、第４頁左上欄、第９ないし１０行）。同様に、甲第６号証に記載の発明においてもカルシウムやイットリウムの含有量が、本件特許発明１の条件を満たしていなくとも、４３Ｎ／ｍｍ２ （４．４ｋｇ／ｍｍ２） という密着強度を実現できることが記載されている。
　よって、本件特許発明１において、カルシウムやイットリウムを含有させること、及びその量を限定することによる効果は認められず、この点は単なる限定にすぎない。
　そして、窒化アルミニウムに、カルシウムとイットリウムの両方を含ませることも、文献１：特開昭６２−１９７３７５号公報には、「・・・焼結助剤を用いる・・・これらは一種以上で用いることができる。」（第２頁、左下欄、第６行〜第１４行）、と記載されている。
　さらに、文献２：特開昭６１−１１７１６０号公報には、「・・・焼結助剤として・・・同時に使用すると・・・」（第２頁、右上欄第１７行〜左下欄第２行）、及び、「実施例１　不純物としての酸素を３．６重量％含有し、・・・ＡｌＮ粉末に、・・・ＣａＣＯ３及びＹ２Ｏ３の混合粉末（重量比３：２）を３重量％添加し・・・」（第３頁、右下欄、第１４行〜第１８行）と記載されている。
　よって、焼結助剤として、カルシウムとイットリウムの両方を添加することは周知であり、さらに、その量を、CaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含ませることは文献２に記載されているようにすでに行われていることであるから、カルシウム及びイットリウム化合物の量を適宜調整し、CaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含ませることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　よって、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明、甲第６号証に記載された発明、および、公知の文献に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（３−２）本件特許発明２〜４について
　甲第１号証の表１２において、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕを積層することおよび各層の厚みが以下のように記載されている。
　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　　　　　　：　ＡｌＮ
　Ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　　　　　　：　Ｔｉ　０．２μｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｐｔ　０．１μｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ａｕ　１−１．５μｍ
　金属層は、金属薄膜層であると認められ、導体層であると認められる。また、導体層を、回路パターン等にすることは、当業者が、適宜成しうることである。
　
　よって、本件特許発明２〜４は、甲第１号証に記載された発明、甲第６号証に記載された発明、および、公知の文献に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件特許発明１〜４は、甲第１号証に記載された発明、甲第６号証に記載された発明、および、公知の文献に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許法第３６条の無効理由を検討するまでもなく同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。