【事件の表示】
　特願２００１−　８９０９２「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　４日出願公開、特開２００２−２８９９２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年３月２７日の出願であって、平成１７年６月１０日付け（発送日：同年６月１４日）で拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされたものであるところ、当審において、平成１９年７月６日付け（発送日：同月１０日）で拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知し、これに対して平成１９年９月１０日付けで意見書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１６年１０月１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるのとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】透明基材と、この透明基材上に、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法及びＭＢＥ法のいずれか一つの方法で形成された、希土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層と、このIII−Ｖ族窒化物半導体層の表面から５ｍｍ以内の距離において、前記III−Ｖ族窒化物半導体層と対向するように設けられた電子線照射源とを具え、
　前記希土類元素は、青色領域の光を発する第１の希土類元素と、緑色領域の光を発する第２の希土類元素と、赤色領域の光を発する第３の希土類元素とを含み、前記電子線照射源より照射された電子線によって前記第１の希土類元素、前記第２の希土類元素及び前記第３の希土類元素を励起し、全体として白色光を生成することを特徴とする、発光素子。」
　
第３　引用例記載の発明
１　引用例１
　当審拒絶理由で引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３３９６８１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
（１）「【００１３】・・・（第１実施例）図１に本発明の蛍光表示板の構成断面図を示す。本発明による蛍光表示板１０は、絶縁基板であるガラス基板１１、ガラス基板１１上に形成された厚さ５ｎｍのニッケルを成分とする導電膜１２、さらに導電膜１２上に形成された厚さ１μｍの３族窒化物半導体からなる蛍光結晶膜１３とから構成される。この蛍光結晶膜１３は、六方晶系に属するＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの多結晶膜であり、六方晶系のｃ軸である＜０００１＞軸と基板法線ｎが平行、すなわち（０００１）面がガラス基板１１に平行に形成されている。」
　
（２）「【００１４】この蛍光結晶膜１３中には、さらに励起電子のドナーとして・・・シリコンＳｉと、励起電子のアクセプタとして・・・亜鉛Ｚｎがド−プされている。」
　
（３）「【００１６】・・・製造には、真空蒸着法、有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法と記す。）等の薄膜技術が使用される。」
　
（４）「【００１９】・・・従って、図４に示す電界放射型素子によって電子線励起された場合、ガラス基板１１の裏面から最大効率で蛍光が発せられる。」
　
（５）「【００２４】この蛍光結晶膜３１、３２、３３は、第１実施例と同じく六方晶系に属するＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの多結晶膜であり、その成分の配合割合Ｘ，Ｙよってその発光色が異なるものである。すなわち、ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合量Ｘ，Ｙを調整することにより禁制帯幅を調整して、それぞれ蛍光結晶膜３１は青色発光を、蛍光結晶膜３２は緑色発光を、蛍光結晶膜３３は赤色発光をするよう調整されている。」
　
（６）「【００３６】上記実施例では、蛍光結晶膜３１、３２、３３にＺｎとＳｉを添加しているが、Ｓｉのみでも良く、Ｚｎの代わりにＣｄやＭｇを用いても良い。又、蛍光結晶膜には、青色、緑色、赤色の３領域を形成しているが、ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合量Ｘ，Ｙを調整することにより黄色や橙色などの他の色の蛍光結晶膜を形成しても良い。」
　
（７）図面の図４には、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に導電膜１２を介して形成された蛍光結晶膜１３と、この蛍光結晶膜１３の表面から所定の距離において、前記蛍光結晶膜１３と対向するように設けられた電界放射型素子（emitter）とを備えた発光素子が描かれている。
　
　上記摘記事項（１）ないし（７）からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「ガラス基板１１と、ガラス基板１１上にニッケルを成分とする導電膜１２を介して形成された蛍光結晶膜１３であって、ＭＯＣＶＤ法で形成され、ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮの３族窒化物半導体にシリコンＳｉと亜鉛Ｚｎがド−プされた蛍光結晶膜１３と、この蛍光結晶膜１３の表面から所定の距離において、前記蛍光結晶膜１３と対向するように設けられた電界放射型素子とを備え、ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合量Ｘ，Ｙを調整することにより発光色を調整する発光素子。」
　
２　引用例２
　当審拒絶理由で引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−４０８９１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
（１）「（１）　発光層の両面もしくは片面に誘電体層を有する薄膜型エレクトロルネッセンス（当審注：「エレクトロルミネッセンス」の誤記である。）表示素子において、前記発光層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で表されるIIIｂ−Ｖｂ族３元系化合物からなる母材に発光中心となる元素イオンを添加したものから構成されることを特徴とする薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子。　
（２）　発光中心となる元素イオンは、マンガンイオン及びランタニド元素イオンから選ばれる１種又は２種以上のものであることを特徴とする請求項１記載の薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子。」（特許請求の範囲）
　
（２）「ＴＦＥＬの発光機構は数ＭＶ／ｃｍの高電界によって発生したホットエレクトロンが発光材料の母材の結晶中を走行し、母材中に存在する発光中心となる元素イオンを直接衝突励起するか、もしくはホットエレクトロンのエネルギーが母材の結晶格子を介して伝達することにより発光中心となる元素イオンを励起する。前記元素イオンが励起されると、そのイオンの不完全電子殻内でエネルギー遷移が行われ、この時発光現象が現われる。」（１ページ右下欄６行−２ページ左上欄２行）
　
（３）「また、フルカラー表示に必要な青色、緑色、赤色の発光に対しては前記発光機構を前提した場合、Ｔｍ３＋（青色）、Ｔｂ３＋（緑色）、Ｓｍ３＋（赤色）等の３価のランタニド元素イオンが発光中心に用いられるが、母材がＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で表される３価のIIIｂ−Ｖｂ族３元系化合物であるため、３価の元素イオンに電荷補償を行なわずに容易に整合できる。
　従って、発光層の一構成成分としてＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で表されるIIIｂ−Ｖｂ族３元系化合物からなる母材を用いることによって、カラー化に必要な所望の色を効率よく、しかも高輝度で発光することが可能なＴＦＥＬを得ることができる。」（２ページ右下欄１１行−３ページ左上欄４行）
　
（４）「上記各実施例から例えば白色の発光色を得るためには、ランタニド元素に属するプラセオジウムイオン（Ｐｒ３＋）、又はセリウムイオン（Ｃｅ３＋）とユウロピウム（Ｅｕ３＋）の複合体を夫々発光中心として用いることが有効である。」（４ページ右上欄８−１２行）
　
　上記摘記事項（１）ないし（４）によると、引用例２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で表されるIIIｂ−Ｖｂ族３元系化合物からなる母材にランタニド元素に属する元素イオンの複合体を発光中心として添加して白色の発光色を得るようにした薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子。」
　
第４　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　引用発明１の「ガラス基板１１」、「ＭＯＣＶＤ法」、「電界放射型素子」及び「発光素子」が、それぞれ、本願発明の「透明基材」、「ＭＯＣＶＤ法」、「電子線照射源」及び「発光素子」に相当する。
　引用発明１の「ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮの３族窒化物半導体にシリコンＳｉと亜鉛Ｚｎがド−プされた蛍光結晶膜１３」は、引用例１の上記摘記事項（２）に記載されるように、シリコンＳｉ及び亜鉛Ｚｎが、それぞれ励起電子のドナー及びアクセプタとして付加的にドープされているのであって、「ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮの３族窒化物半導体」自体は、本願明細書の発明の詳細な説明に具体的に記載された材料と同一で、「III−Ｖ族窒化物半導体」であるといえるから、本願発明の「III−Ｖ族窒化物半導体層」に相当するものである。
　また、引用発明１において「ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合量Ｘ，Ｙを調整することにより発光色を調整する」ことと、本願発明において「前記希土類元素は、青色領域の光を発する第１の希土類元素と、緑色領域の光を発する第２の希土類元素と、赤色領域の光を発する第３の希土類元素とを含み、前記電子線照射源より照射された電子線によって前記第１の希土類元素、前記第２の希土類元素及び前記第３の希土類元素を励起し、全体として白色光を生成する」ことは、共に、「III−Ｖ族窒化物半導体層の材料を調整して発光色を調整する」点で共通する。
　
　したがって、両者は、
　「透明基材と、この透明基材上に、ＭＯＣＶＤ法で形成されたIII−Ｖ族窒化物半導体層と、このIII−Ｖ族窒化物半導体層の表面から所定の距離において、前記III−Ｖ族窒化物半導体層と対向するように設けられた電子線照射源とを具え、
　III−Ｖ族窒化物半導体層の材料を調整して発光色を調整する発光素子。」
　である点で一致し、次の相違点１及び２で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明が、III−Ｖ族窒化物半導体層の表面から５ｍｍ以内の距離において対向するように電子線照射源が設けられるのに対し、引用発明１では、蛍光結晶膜１３と電界放射型素子の間の距離が不明である点。
　
＜相違点２＞
　本願発明のIII−Ｖ族窒化物半導体層は希土類元素を含み、「前記希土類元素は、青色領域の光を発する第１の希土類元素と、緑色領域の光を発する第２の希土類元素と、赤色領域の光を発する第３の希土類元素とを含み、前記電子線照射源より照射された電子線によって前記第１の希土類元素、前記第２の希土類元素及び前記第３の希土類元素を励起し、全体として白色光を生成する」のに対し、引用発明１のIII−Ｖ族窒化物半導体層は、ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮ：Ｚｎ，Ｓｉの配合量Ｘ，Ｙを調整する、すなわち、インジウム、ガリウム及びアルミニウムの配合比を調整して色を調整することが記載されているのみであって、上記第１乃至第３の希土類元素を含み、全体として白色光を生成する点についての記載がない点。
　
第５　当審の判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　
１　＜相違点１＞について
　発光素子の薄型化は、例えば、特開平１０−２８９６７６号公報の段落【００１３】に「薄型化された冷陰極発光素子を得ることを目的とする。」と記載されるごとく、当業者にとって周知の技術課題であり、当該周知の技術課題に基づき引用発明１の蛍光結晶膜１３（「III−Ｖ族窒化物半導体層」に相当。）と電界放射素子（「電子線照射源」に相当。）との間隔を最適化し、その上限を適宜設定することは当業者にとって通常の創作能力発揮にすぎず、５ｍｍ以内の距離とすることも格別の推考力を要しない。
　
２　＜相違点２＞について
（１）引用例２の１ページ右下欄６行−２ページ左上欄２行に「ＴＦＥＬの発光機構は数ＭＶ／ｃｍの高電界によって発生したホットエレクトロンが発光材料の母材の結晶中を走行し、母材中に存在する発光中心となる元素イオンを直接衝突励起するか、もしくはホットエレクトロンのエネルギーが母材の結晶格子を介して伝達することにより発光中心となる元素イオンを励起する。前記元素イオンが励起されると、そのイオンの不完全電子殻内でエネルギー遷移が行われ、この時発光現象が現われる。」（引用例２の上記摘記事項（２）参照。）と記載されるように、引用発明２における薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子は、ホットエレクトロンの衝突により発光するものであり、一方、引用発明１の発光素子は電界放射型素子から放出された電子が蛍光結晶膜に衝突することにより発光するのであるから、電子の衝突により発光が得られる点において両者の発光原理は共通している。
（２）例えば、特開平１１−１８６５９３号公報の段落【００１５】に、「この半導体発光装置は、発光強度の非常に高い蛍光体として機能するため、電子線や光に対する蛍光板や、蛍光ランプ、蛍光表示管、ブラウン管ディスプレイ（ＣＲＴ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）を始めとする蛍光を用いた発光素子、表示装置に広く用いることができる。」と記載され、特開平８−８８０８５号公報の段落【００１４】−【００２１】に、「（実施例２）次に、酸化物発光材料ＺｎＥｕ２Ｏ４を用いたＥＬ素子について図３を用いて説明する。・・・ここでは発光材料はＺｎＥｕ２Ｏ４としたが、ＺｎＥｕ２Ｏ４に限らず組成式ＭＥｕ２Ｏ４で表される材料であればよい。ここでＭは２価の金属元素であり、例えば亜鉛（Ｚｎ）以外に、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）がある。・・・ここでは交流薄膜型のＥＬ素子における例を示したが、直流薄膜ＥＬ素子、交流分散ＥＬ素子または直流分散ＥＬ素子に応用することも可能である。（実施例３）図４を参照して、酸化物発光材料ＣｄＥｕ２Ｏ４を用いた蛍光表示管について説明する。・・・上記の例では発光層１４としてＣｄＥｕ２Ｏ４を用いたが、ＺｎＥｕ２Ｏ４であってもよく、一般に、蛍光表示管の発光材料として組成式ＭＥｕ２Ｏ４で表される材料であればよい。ここでＭは２価の金属元素であり、例えば亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）以外にも、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）がある。このように、組成式ＭＥｕ２Ｏ４で表される発光材料を用いることによって発光特性の経時変化が少なく、発光輝度の高い蛍光表示管を得ることができる。・・・以上の実施例では、本発明に係る発光材料をＥＬ素子、蛍光表示管に応用した例を示したが、これに限らず、紫外線励起の蛍光ランプに適用することも可能である。」と記載され、国際公開第９６／０９３５３号の明細書２２ページ２２行−２３ページ８行に、「そこで、これら表面被覆蛍光体を用いて低抵抗値の蛍光膜が好ましい粉末型のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と蛍光表示管の蛍光膜としての適用を試みた。粉末ＥＬでは、ガラス基板上に透明電極を形成した後このＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ表面被覆蛍光体を含んだ有機バインダーを均一に塗布して乾燥させた。その後、金属電極としてＡｌ薄膜を形成し電極間に電圧を印加した。これにより、緑色のＥＬ発光を観測することが確認できた。特に、寿命安定性に優れ１万時間以上の半減期を有していることが確認できた。また、同様に蛍光表示管用の蛍光膜として、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ表面被覆低抵抗蛍光体を適用した。これでは、従来問題となる硫黄成分の脱離によるカソードの劣化が低減され、安定性に優れた青色発光が得られた。このように自ら光を提供する発光型の表示装置への蛍光膜あるいは活性層として本発明による表面被覆蛍光体の一部を適用することは有効である。」と記載されるごとく、同種の発光材料を、蛍光表示管及びエレクトロルミネッセンス素子を含む複数の用途に適用することは従来周知である。
（３）引用発明２の「ランタニド元素」は希土類元素に含まれる元素群であって、これらのランタニド元素は、例えば、特開昭６２−１６７２６０号公報の特許請求の範囲の第１項に「電子線下で発光中心となる元素を含むことを特徴とする窒化アルミニウム焼結体」と記載され、同第３項に「発光中心となる元素の化合物」として「Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｈｏ」のランタニド元素が列記されているように、III−Ｖ族窒化物材料のひとつである窒化アルミニウムの母体中において、発光中心として電子線の照射によって発光することが、従来周知である。
（４）引用発明１の「ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮの３族窒化物半導体」と、引用発明２の「ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で表されるIIIｂ−Ｖｂ族３元系化合物」は、共にIII−Ｖ族窒化物半導体であるから、引用発明１の発光材料と引用発明２の発光材料は、母材の材料が共通している。
　上記（１）ないし（４）の事項によると、引用発明２の発光材料についての技術を引用発明１の発光材料に適用することに困難性はなく、引用発明１の「ＩｎＸＧａＹＡｌ１−Ｘ−ＹＮの３族窒化物半導体」において、インジウム，ガリウム及びアルミニウムの配合比を調整して色を調整することに代えて、引用発明２のごとく、ランタニド元素の複合体を発光中心として添加して白色の発光色を得るものとすることに困難性はない。
　また、引用例２には、「フルカラー表示に必要な青色、緑色、赤色の発光に対しては前記発光機構を前提した場合、Ｔｍ３＋（青色）、Ｔｂ３＋（緑色）、Ｓｍ３＋（赤色）等の３価のランタニド元素イオンが発光中心に用いられる」（引用例２の上記摘記事項（３）参照。）と記載されており、３原色の組み合わせにより白色の発光色が得られることは技術常識であり、白色光を得るためのランタニド元素の組み合わせは当業者であれば任意のものを選択できるのであるから、引用発明２を適用して白色の発光色を得るにあたり、上記ランタニド元素の複合体を、３原色それぞれの発光色を有する上記ランタニド元素を含むものとして、上記相違点２に係る構成とすることも、当業者であれば容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明の奏する効果も、引用例１，２の記載並びに周知事項に基づいて当業者が予測可能な範囲内のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用発明２並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は、当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。