【手続補正書】
【提出日】令和1年6月3日(2019.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバであって、
側壁と、
基板支持体と、
前記基板支持体の上方に配置された排気口であって、処理領域が前記排気口と前記基板支持体との間に形成され、前記排気口で前記処理領域に比べて低い圧力を作り出すように構成された排気装置に連結されている排気口と、
ガスリングであって、
前記排気口の下方で環状領域に外接する内面を有する環状形状の本体と、
第１のガスを前記処理領域に供給するように構成されている、第１のガス源に連結するための複数の第１のノズルであって、第１の円形配列で前記環状形状の本体に形成されている複数の第１のノズルと、
第２のガスを前記処理領域に供給するように構成されている、第２のガス源に連結するための複数の第２のノズルであって、第２の円形配列で前記環状形状の本体に形成されている複数の第２のノズルと
を備えるガスリングと
を備える処理チャンバ。
【請求項２】
第１のノズルの前記第１の円形配列及び第２のノズルの前記第２の円形配列が、前記ガスリング周囲に交互のパターンで配置されている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項３】
各第１のノズルが第１の角度で方向付けられ、前記第１の角度が、約２度から約３０度ほど垂直方向からずらされている、請求項２に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
各第２のノズルが第２の角度で方向付けられ、前記第２の角度が、約２度から約３０度ほど前記垂直方向からずらされている、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
前記基板支持体が、中心を有する基板支持面を含み、前記排気口が、前記基板支持面の前記中心に重なっている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項６】
前記排気口が、前記基板支持面に面する排気入口を有し、前記排気入口が、前記基板支持面の面積より小さい面積を覆っている、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
前記ガスリングが、前記基板支持面の面積より大きい面積を取り囲んでいる、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
処理チャンバであって、
側壁と、
前記基板支持体周囲の異なる角位置に配置された複数の基板ホルダを含む基板支持体であって、前記処理チャンバの内部領域周囲を回転可能な基板支持体と、
前記処理チャンバ内で各基板ホルダの上に配置された排気口であって、処理領域が各排気口と前記基板支持体との間に形成され、前記排気口の各々が前記排気口で前記処理領域に比べて低い圧力を作り出すように構成された排気装置に連結されている、排気口と、
ガスリングであって、
環状領域に外接する内面を有する環状形状の本体と、
第１のガスを前記処理領域に供給するように構成されている、第１のガス源に連結するための複数の第１のノズルであって、第１の円形配列で前記環状形状の本体に形成されている複数の第１のノズルと、
第２のガスを前記処理領域に供給するように構成されている、第２のガス源に連結するための複数の第２のノズルであって、第２の円形配列で前記環状形状の本体に形成されている複数の第２のノズルと
を備えるガスリングと
を備える処理チャンバ。
【請求項９】
前記ガスリングが、前記基板支持体の上面の面積より大きい面積を取り囲んでいる、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１０】
第１のノズルの前記第１の円形配列及び第２のノズルの前記第２の円形配列が、前記ガスリング周囲に交互のパターンで配置されている、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
各排気口が、前記基板ホルダのうちの１つの基板支持面に面している排気入口を有し、前記排気入口が、前記基板支持面の面積より小さい面積を覆っている、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１２】
各排気入口がＲＦ源に連結されている、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
各第１のノズルが第１の放射角度で方向付けられ、前記第１の放射角度が、約０．３度から約３０度ほど前記ガスリングの半径からずらされている、請求項８に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
処理チャンバであって、
側壁と、
前記基板支持体周囲の異なる角位置に配置された複数の基板ホルダを含む基板支持体であって、前記処理チャンバの内部領域周囲を回転可能な基板支持体と、
各基板ホルダの上に配置されたシャワーヘッドであって、処理領域が各シャワーヘッドと前記基板支持体との間に形成されており、各シャワーヘッドが、
第１のガス源に連結された複数の第１のオリフィスと、
第２のガス源に連結された複数の第２のオリフィスであって、４以上の第２のオリフィスが各第１のオリフィス周囲に配置されている、複数の第２のオリフィスと、
複数の第３のオリフィスで前記処理領域に比べて低い圧力を作り出すように構成された排気装置に連結された複数の第３のオリフィスであって、４以上の第２のオリフィスが各第３のオリフィス周囲に配置されている、複数の第３のオリフィスと
を備えるシャワーヘッドと
を備える処理チャンバ。
【請求項１５】
４つの第２のオリフィスが、正方形のパターンで各第１のオリフィス周囲に配置されている、請求項１４に記載の処理チャンバ。
【請求項１６】
処理チャンバであって、
側壁と、
基板支持体と、
前記基板支持体の上方に配置された排気口であって、処理領域が前記排気口と前記基板支持体との間に形成され、前記排気口で前記処理領域に比べて低い圧力を作り出すように構成された排気装置に連結されている排気口と、
前記基板支持体と前記排気口の間に配置されたガスリングであって、
環状領域に外接する内面を有する環状形状の本体と、
前記環状形状の本体の周囲に整列して配置されている、前記処理領域に一又は複数のガスを供給するように構成された複数のノズルと
を備えるガスリングと
を備える、処理チャンバ。
【請求項１７】
各ノズルが、前記一又は複数のガスが、前記基板支持体の中心の上方で前記処理領域の中心部に向かって内向きに渦を巻くように、第１の角度で方向付けられる、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項１８】
前記第１の角度がさらに、前記一又は複数のガスを前記基板支持体に向かって下向きに渦を巻かせるようなものである、請求項１７に記載の処理チャンバ。
【請求項１９】
各ノズルが第１の放射角度で方向付けられ、前記第１の放射角度が、約０．３度から約３０度ほど前記ガスリングの半径からずらされている、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項２０】
各ノズルが第１の垂直角度で方向付けられ、前記第１の垂直角度が、約２度から約３０度ほど垂直方向からずらされている、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項２１】
前記基板支持体が、中心を有する基板支持面を含み、前記排気口が、前記基板支持面の前記中心に重なっている、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項２２】
前記排気口が、前記基板支持面に面する排気入口を有し、前記排気入口が、前記基板支持面の面積より小さい面積を覆っている、請求項２１に記載の処理チャンバ。
【請求項２３】
前記ガスリングが、前記基板支持面の面積より大きい面積を取り囲んでいる、請求項２１に記載の処理チャンバ。
【請求項２４】
前記排気入口がＲＦ源に連結されている、請求項２２に記載の処理チャンバ。
【請求項２５】
処理チャンバであって、
側壁と、
前記基板支持体周囲の異なる角位置に配置された複数の基板ホルダを含む基板支持体と、
各基板ホルダの上に配置された排気口であって、処理領域が各排気口と前記基板支持体との間に形成され、前記排気口の各々が前記排気口で前記処理領域に比べて低い圧力を作り出すように構成された排気装置に連結されている、排気口と、
前記基板支持体と前記排気口の間に配置されたガスリングであって、
環状領域に外接する内面を有する環状形状の本体と、
前記環状形状の本体の周囲に整列して配置されている、前記処理領域に一又は複数のガスを供給するように構成された複数のノズルと
を備えるガスリングと
を備える、処理チャンバ。
【請求項２６】
各ノズルが、前記一又は複数のガスが、前記基板支持体の中心の上方で前記処理領域の中心部に向かって内向きに渦を巻くように、第１の角度で方向付けられる、請求項２５に記載の処理チャンバ。
【請求項２７】
前記第１の角度がさらに、前記一又は複数のガスを前記基板支持体に向かって下向きに渦を巻かせるようなものである、請求項２６に記載の処理チャンバ。
【請求項２８】
前記ガスリングが、前記基板支持体の上面の面積より大きい面積を取り囲んでいる、請求項２５に記載の処理チャンバ。
【請求項２９】
各ノズルが第１の垂直角度で方向付けられ、前記第１の垂直角度が、約２度から約３０度ほど垂直方向からずらされている、請求項２５に記載の処理チャンバ。
【請求項３０】
各排気口が、前記基板ホルダのうちの１つの基板支持面に面している排気入口を有し、前記排気入口が、前記基板支持面の面積より小さい面積を覆っている、請求項２５に記載の処理チャンバ。
【請求項３１】
各排気入口がＲＦ源に連結されている、請求項３０に記載の処理チャンバ。
【請求項３２】
各ノズルが第１の放射角度で方向付けられ、前記第１の放射角度が、約０．３度から約３０度ほど前記ガスリングの半径からずらされている、請求項２５に記載の処理チャンバ。
【請求項３３】
処理チャンバであって、
側壁と、
前記基板支持体周囲の異なる角位置に配置された複数の基板ホルダを含む基板支持体であって、前記処理チャンバの内部領域周囲を回転可能な基板支持体と、
各基板ホルダの上に配置されたシャワーヘッドであって、処理領域が各シャワーヘッドと前記基板支持体との間に形成されており、各シャワーヘッドが、
第１のガス源に連結された複数の第１のオリフィスと、
第２のガス源に連結された複数の第２のオリフィスであって、４以上の第２のオリフィスが各第１のオリフィス周囲に配置されている、複数の第２のオリフィスと、
複数の第３のオリフィスで前記処理領域に比べて低い圧力を作り出すように構成された排気装置に連結された複数の第３のオリフィスであって、４以上の第２のオリフィスが各第３のオリフィス周囲に配置されている、複数の第３のオリフィスと
を備えるシャワーヘッドと
を備える処理チャンバ。
【請求項３４】
４つの第２のオリフィスが、正方形のパターンで各第１のオリフィス周囲に配置されている、請求項３３に記載の処理チャンバ。
【請求項３５】
６つの第２のオリフィスが、正方形のパターンで各第３のオリフィス周囲に配置されている、請求項３４に記載の処理チャンバ。