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　特願２００１−　１５４９９「高周波用パワーアンプ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　２日出願公開、特開２００２−２１７６５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１月２４日の出願であって、平成１７年７月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年９月２１日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　　平成１７年９月２１日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
１．補正後の本願発明
　平成１７年９月２１日付けの手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を、
　「最終段増幅器のトランジスタに直流電力を供給するための電源供給ラインにインダクタを備えた高周波用パワーアンプにおいて、
　前記インダクタを、ストリップ導体と接地導体を有するストリップラインにより構成すると共に、
　前記ストリップ導体を構成するストリップ導体パターンを複数の屈曲部を持つミアンダライン状に構成し、多層基板内部の複数層に分けて同一のストリップ導体パターン形状を複数設定し、前記接地導体を構成する接地電極パターンを、前記多層基板の積層方向で前記複数のストリップ導体パターンの両側の層にそれぞれ設定し、
　前記各層のストリップ導体パターンの始端と終端をそれぞれ短絡し、その一端はスルーホールにより基板の一面のトランジスタに接続される外部端子に電気的に接続されており、もう一方の端部は多層基板の外部に形成された直流電源用の外部端子に直接接続されていることを特徴とする高周波用パワーアンプ。」
という発明（以下、「補正発明」という。）に補正することを含むものである。
　
２．新規事項の有無、補正の目的要件について
　上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合している。
　また、上記補正は、補正前の請求項１における「ストリップ導体を構成するストリップ導体パターン」について、「複数の屈曲部を持つミアンダライン状に構成」するものである旨限定し、かつそれを「複数設定」することに関して「同一のストリップ導体パターン形状」としたものである旨限定するとともに、補正前の請求項１における「外部端子」について「直流電源用の外部端子」と限定するものである。
　更に、上記補正において、補正前の請求項１における「基板の一面のみに電気的に導通させるための引き出し用の端子」を「基板の一面のトランジスタに接続される外部端子」に変更した点は、「端子」の接続先を「トランジスタ」に、位置を「外部」にそれぞれ限定するとともに、接続関係について明りょうでない記載の釈明をするものである。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮、及び、同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件について
　上記補正は特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから、上記補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
３．１　補正発明
　上記「１．補正後の本願発明」の項で認定したとおりである。
　
３．２　引用発明
（１）原審の拒絶の理由に引用された特開平５−９５２３６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項イ〜ホが記載されている。
　
イ．「【請求項１３】　放熱板に半田等を用いて固着されたプリント基板にチップ部品及び電力増幅用半導体を実装した高周波多段電力増幅回路において、プリント基板上に形成したマイクロストリップ線路を用いたバイアス回路の１８０度折り返し部分の線路幅が直線部分の線路幅より太く形成されていることを特徴とする電力用モジュール。」（２頁２欄３４〜４０行）
　
ロ．「【０００２】
【従来の技術】電力用モジュールは、トランシーバーや携帯電話等の移動体通信機の送信部に用いられ、その形状や効率等の性能は通信機の大きさや通話可能時間の長さを決定する主要部品である。電力用モジュールはマイクロストリップ線路が形成されたプリント基板上に複数の電力増幅用半導体と抵抗や容量のチップ部品が実装された高周波多段電力増幅回路であり、このプリント基板が電力増幅用半導体の放熱を良くする為に金属の放熱板上に半田付けされると共に、全体が金属キャップで被われているのが一般的である。この場合、特に放熱を必要とする電力増幅用半導体はプリント基板に開口部を形成し、金属の放熱板上に半田等を用いて直接固着される。このプリント基板に形成した開口部の大きさはパッケージの大きさで決ってしまい、この部分はマイクロストリップ線路には使えない領域であり、小型化の大きな障害であった。電力用モジュールは、通常複数段で構成されるが増幅段の前段ほど扱う電力が小さくなるので、前述したようにプリント基板に開口部を形成して放熱する必要性は少くなるが、従来はそのような構成となっていなかった。」（２頁２欄５０行〜３頁３欄２０行）
　
ハ．「【０００６】さらに、電力用モジュールはその高周波出力を１Ｗとした場合に動作時にＭＥＳＦＥＴのドレイン電流として約３００ｍＡから６００ｍＡもの大電流を必要とする。電力用モジュールに用いられるプリント基板上でこれらの直流電流を供給するマイクロストリップ線路は通常０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度の線路幅が使用され、その長さは使用する高周波の波長の約０．２５倍程度である。しかしながら、マイクロストリップ線路幅が細く、長さも例えば２０ｍｍ前後と長く、しかも大電流を流すために、線路の抵抗による電圧降下が無視できず、電力用モジュールのバイアス供給端子の直流電圧に比べ、実際にＭＥＳＦＥＴのドレイン電極に供給される直流電圧が下がるという問題が発生し、所定の高周波出力が得られないという問題も発生していた。」（３頁４欄９〜２２行）
　
ニ．「【００４７】
【実施例】図１は、請求項１記載の発明の電力モジュールの高周波電力増幅回路のプリント基板である。以下、本願の発明の説明において既に説明を加えた図１５、図１６、図１７、図１８、図１９及び図２０と等価な部分については同一の番号を付して示すものとする。図１（ａ）は部品実装前のプリント基板３であり、図１（ｂ）はチップ部品及びトランジスタ実装後のプリント基板３であり、図１（ｃ）は表面実装型前段トランジスタ１９周りのプリント基板３の断面図である。図１（ａ）において、プリント基板３にはプリント基板開口部４が１ケ所のみ形成されており、ここに後段トランジスタ１１が挿入される。他方、前段は表面実装型トランジスタ１９を使用するので、プリント基板開口部４は形成する必要がない。上記後段トランジスタ１１は、電力が例えば１．５Ｗであって発熱量が多いので、プリント基板開口部４を介して放熱板に直接半田付けされることにより、その発生熱を放散し易くして、該後段トランジスタ１１の温度上昇を有効に抑制している。一方、表面実装型前段トランジスタ１９は、電力が例えば２００ｍＷであって発熱量が少量であるので、放熱板に接続されないか、又は図１（ｃ）に示すように１つのスルーホール６を介してプリント基板３裏面に配置した放熱板１に接続される。そして、表面実装型前段トランジスタ１９の下に位置するプリント基板３には、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すようにデバイス下マイクロストリップ線路部２０が形成されている。従って、プリント基板３における表面実装型前段トランジスタ１９の下の領域にもマイクロストリップ線路部２０が形成されているので、プリント基板３の限られた面積を有効に使用することができ、電力用モジュールの小型化が可能となる。」（８頁１３欄２１〜１４欄１行）
　
ホ．「【００６０】図１３は、請求項１３記載の発明の電力用モジュールのプリント板に用いられているマイクロストリップ線路よりなるバイアス供給部である。図１３において、プリント基板３上に外部引出し端子が半田付けされるバイアスパッドＰ５が配置されていると共に、トランジスタのドレイン等の出力側にバイアスを供給する為に、マイクロストリップ線路Ｌが所定の長さに形成されている。マイクロストリップ線路Ｌは、方向を９０度変化させる折曲り部が高周波の良好な伝播を目的として容量の滞積を防止するように、角部を４５度の角度で切取った形状に形成されている。図１３に示すように、マイクロストリップ線路Ｌの方向を１８０度変更する各々の折り返し部分５３の折り返し部線路幅５５は、直線部線路幅５４よりも太く形成されている。従って、折り返し部線路幅５５が直線部線路幅５４よりも太く形成されているので、電力用モジュールの小型化を確保しつつ、１８０度折り返し部分５３の抵抗成分を低減でき、外部から印加される直流バイアス電圧がマイクロストリップ線路Ｌの抵抗によって電圧降下するのを抑えることができ、所定の電圧をトランジスタに供給することができる。このように、バイアス供給線としてのマイクロストリップ線路Ｌのマイクロストリップ線路折り返し部分５３の折り返し部線路幅５５を太くしても電気長はほとんど変化はなく、バイアス供給線として周波数の０．２５倍程度の長さのマイクロストリップ線路に高周波が漏れることは殆どない。むしろ、線路幅を広げて直流抵抗分が下がりトランジスタに直接供給されるバイアス電位の低下のない方が、出力に関してははるかに大きな効果をもたらす。」（１１頁１９欄１９〜４７行）
　
　上記摘記事項ホ．の「マイクロストリップ線路」に関する「バイアス供給線として周波数の０．２５倍程度の長さのマイクロストリップ線路に高周波が漏れることは殆どない。」との記載等から、「マイクロストリップ線路」は、回路素子の特性としてはインダクタであることが明らかであり、更に、「マイクロストリップ線路」はストリップ導体であり、その形状、すなわちストリップ導体パターンは、上記摘記事項ホ．の「折り返し部分」についての記載及び図１３を参照すれば、複数の屈曲部を持つミアンダライン状に構成されたものである。
　また、上記摘記事項ホ．には「プリント基板３上に外部引出し端子が半田付けされるバイアスパッドＰ５が配置されていると共に、トランジスタのドレイン等の出力側にバイアスを供給する為に、マイクロストリップ線路Ｌが所定の長さに形成されている。」との記載もあるところ、「プリント基板３上」はプリント基板の外部であり、ここに配置された端子である「バイアスパッド」から直流バイアス電圧が供給されることが明らかであるから、「バイアスパッド」はプリント基板の外部に形成された直流電源用の外部端子である。そして、図１３を参照すれば、「マイクロストリップ線路」の一方の端部が「バイアスパッド」に直接接続されていることが読み取れるから、「マイクロストリップ線路」の一方の端部がトランジスタに電気的に接続されており、もう一方の端部が当該外部端子に直接接続されているということができる。
　
　したがって、上記引用例１の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記引用例１には、
　「高周波多段電力増幅回路のいずれかのトランジスタに直流バイアス電圧を供給するためのバイアス供給部にインダクタを備えた高周波多段電力増幅回路において、
　前記インダクタを、ストリップ導体からなるマイクロストリップ線路により構成すると共に、
　前記ストリップ導体を構成するストリップ導体パターンを複数の屈曲部を持つミアンダライン状に構成し、折り返し部線路幅が直線部線路幅よりも太く形成され、
　前記ストリップ導体パターンの一端はトランジスタに電気的に接続されており、もう一方の端部はプリント基板の外部に形成された直流電源用の外部端子に直接接続されている高周波多段電力増幅回路。」
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）同じく原審の拒絶の理由に引用された特開２０００−５９１１３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項ヘが記載されている。
　
ヘ．「【００２０】図１および図２に示すように、伝送線路２０において、誘電体層２１ａと２１ｂは誘電体層２１ｃを間に挟んでｙ軸方向に積層されている。また、線路電極２２ａおよび２２ｂは、誘電体層２１ａと２１ｃの層間および誘電体層２１ｂと２１ｃの層間において、その長手方向をｚ軸方向に一致させて伸びて形成され、一定間隔Ｌごとにビアホール２３で接続されている。ここで、ビアホール２３の間隔Ｌは、伝送線路２０の最高使用周波数の信号の波長の１／４以下に設定されている。また、第１のグランド電極２４ａおよび２４ｂは、線路電極２２ａおよび２２ｂに対して誘電体層２１ａおよび２１ｂを隔てて設けられている。
【００２１】このように構成された伝送線路２０は、線路電極２２ａと２２ｂがビアホール２３で接続されていて１つの線路とみなすことができるため、全体としてトリプレート構造のストリップ線路と同等の動作をする。そして、線路電極２２ａと２２ｂが、信号の波長の１／４以下の間隔毎にビアホール２３で接続されているために、線路電極２２ａと２２ｂには同相の信号が流れる。そのために、各線路電極２２ａ、２２ｂの側縁部への電流の集中を緩和し、伝送線路としての損失を小さくすることができる。」（３頁３欄４１〜４欄１２行）
　
　上記摘記事項ヘ．の「誘電体層２１ａと２１ｂは誘電体層２１ｃを間に挟んでｙ軸方向に積層されている。」との記載から、「誘電体層２１ａ」ないし「２１ｃ」を全体として多層基板ということができる。
　また、「線路電極２２ａおよび２２ｂ」は、多層基板内部の複数層に分けて導体パターン形状が複数設定された構成ということができ、図１および図２を参照するに、それらは事実上、同一の導体パターン形状である。
　
　したがって、上記引用例２の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記引用例２には、
　「線路電極とグランド電極を有するストリップ線路において、前記線路電極を構成する導体パターンを多層基板内部の複数層に分けて同一の導体パターン形状を複数設定し、前記グランド電極を構成する電極パターンを、前記多層基板の積層方向で前記複数の導体パターンの両側の層にそれぞれ設定した、ストリップ線路。」
の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．３　対比・判断
　補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「直流バイアス電圧を供給する」ことは直流電力を供給することであり、同「バイアス供給部」はマイクロストリップ線路を備えているから、全体として電源供給ラインであるということができ、同「高周波多段電力増幅回路」は高周波用パワーアンプであり、同「マイクロストリップ線路」はストリップラインであり、同「プリント基板」は基板の一形態である。
　したがって、両者は、
　「トランジスタに直流電力を供給するための電源供給ラインにインダクタを備えた高周波用パワーアンプにおいて、
　前記インダクタを、ストリップ導体を有するストリップラインにより構成すると共に、
　前記ストリップ導体を構成するストリップ導体パターンを複数の屈曲部を持つミアンダライン状に構成し、
　前記ストリップ導体パターンの一端はトランジスタに電気的に接続されており、もう一方の端部は基板の外部に形成された直流電源用の外部端子に直接接続されている高周波用パワーアンプ。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　「トランジスタ」に関し、補正発明では「最終段増幅器」のものであるのに対して、引用例１発明では「高周波多段電力増幅回路」のいずれの段のものであるかが不明な点。
　
（相違点２）
　補正発明の「ストリップライン」は「接地導体」を有するとともに、
　「多層基板内部の複数層に分けて同一のストリップ導体パターン形状を複数設定し、前記接地導体を構成する接地電極パターンを、前記多層基板の積層方向で前記複数のストリップ導体パターンの両側の層にそれぞれ設定し」た構成を備えており、更に、
　「ストリップ導体パターン」が、「前記各層のストリップ導体パターンの始端と終端をそれぞれ短絡し」た構成を備えているのに対して、
　引用例１発明の「ストリップライン」は、「ストリップ導体パターン」の「折り返し部線路幅が直線部線路幅よりも太く形成され」たものである点。
　
（相違点３）
　「ストリップ導体パターン」の「一端」と「トランジスタ」との電気的な接続に関し、補正発明は「スルーホールにより基板の一面のトランジスタに接続される外部端子に」接続されているのに対して、引用例１発明ではそのような構成を有していない点。
　
　そこで、各相違点について以下に検討する。
　
（相違点１について）
　上記引用例１の摘記事項ハ．の記載から、電力用モジュールの高周波出力が大きいほど電圧降下の問題が顕著になること、また、同ニ．の記載から、前段トランジスタより後段トランジスタの出力が大きいことが理解できるから、上記電圧降下の課題を解決する引用例１発明において、「ストリップ導体パターン」の「折り返し部線路幅が直線部線路幅よりも太く形成され」た構成を、「高周波多段電力増幅回路」のうちの最終段増幅器に適用することは、当業者であれば容易に想到しうることである。
　
（相違点２、３について）
　上記引用例２発明は、再掲すると「線路電極とグランド電極を有するストリップ線路において、前記線路電極を構成する導体パターンを多層基板内部の複数層に分けて同一の導体パターン形状を複数設定し、前記グランド電極を構成する電極パターンを、前記多層基板の積層方向で前記複数の導体パターンの両側の層にそれぞれ設定した、ストリップ線路。」であり、当該発明において、「線路電極」、「グランド電極」、「ストリップ線路」はそれぞれストリップ導体、接地導体、ストリップラインであり、「線路電極を構成する導体パターン」、「電極パターン」はそれぞれストリップ導体を構成するストリップ導体パターン、接地電極パターンであるということができる。
　よって、引用例２発明は、「ストリップ導体と接地導体を有するストリップ線路において、前記ストリップ導体を構成するストリップ導体パターンを多層基板内部の複数層に分けて同一のストリップ導体パターン形状を複数設定し、前記接地電極を構成する接地電極パターンを、前記多層基板の積層方向で前記複数のストリップ導体パターンの両側の層にそれぞれ設定した、ストリップライン。」の発明である。
　また、引用例２発明において、複数設定されたストリップ導体パターンは互いに並列接続されたものとみることができ、単独のストリップ導体パターンよりも単位長当たりの抵抗値が小さいことが明らかであるから、電圧降下が比較的小さいことは自明である。更に、複数の回路素子の並列接続において、その始端と終端をそれぞれ短絡することは技術常識である。
　してみれば、「ストリップ導体パターン」の「折り返し部線路幅が直線部線路幅よりも太く形成され」た構成により電圧降下の課題を解決する引用例１発明の「ストリップライン」に、当該構成に代えて、上記課題を解決しうる上記引用例２発明の構成を適用すること、かつその際に、多層基板の各層のストリップ導体パターンの始端と終端をそれぞれ短絡することは、当業者であれば容易に想到しうることである。
　更に、トランジスタを基板の一面に実装することは、例えば上記引用例１の図１に示されているように周知技術であり、多層基板内部のストリップ導体をスルーホールにより基板の一面の外部端子に電気的に接続することも、例えば上記引用例２の図７に示されているように周知技術であるから、引用例１発明のトランジスタを基板の一面に実装することや、当該トランジスタと引用例２発明の複数設定されたストリップ導体パターンの一端との接続に、スルーホール及び基板の一面の外部端子を用いることに、何ら困難性はない。
　
　そして、補正発明の作用効果も、引用例１発明及び引用例２発明並びに周知技術から、当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
　したがって、補正発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件手続補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１７年９月２１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、同年６月２３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「最終段増幅器のトランジスタに直流電力を供給するための電源供給ラインにインダクタを備えた高周波用パワーアンプにおいて、
　前記インダクタを、ストリップ導体と接地導体を有するストリップラインにより構成すると共に、
　前記ストリップ導体を構成するストリップ導体パターンを、多層基板内部の複数層に分けて複数設定し、前記接地導体を構成する接地電極パターンを、前記多層基板の積層方向で前記複数のストリップ導体パターンの両側の層にそれぞれ設定し、
　前記各層のストリップ導体パターンの始端と終端をそれぞれ短絡し、その一端はスルーホールにより基板の一面のみに電気的に導通させるための引き出し用の端子に接続されており、もう一方の端部は多層基板の外部に形成された外部端子に直接接続されていることを特徴とする高周波用パワーアンプ。」
　
２．引用発明
　引用発明は、上記「第２　補正却下の決定」の「３．２　引用発明」の項で認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　補正却下の決定」で検討した補正発明に係る限定をすべて削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加又は限定した補正発明が、上記「第２　補正却下の決定」の「３．３　対比・判断」の項に記載したとおり、引用例１及び引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。