【事件の表示】
　平成１１年特許願第１８９６４５号「半導体装置のキャパシタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２４４２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年７月２日（優先権主張　１９９８年１０月１６日、韓国）の出願であって、平成１７年５月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１４日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年８月２２日付けで審尋がなされ、その後平成１８年１１月２９日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年９月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年９月１４日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容
　補正前の請求項１及び８を補正後の請求項１及び８とし、なおかつ、【００１３】及び【００１５】を補正するものであって、補正後の請求項１は以下のとおりである。
「【請求項１】　半導体基板上に形成され、その内部に第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターンと、
　前記第１コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグと、
　前記コンタクトプラグ及び前記第１層間絶縁膜上に形成された拡散防止膜パターンと、
　前記拡散防止膜パターン上に、厚さにより酸素の拡散距離を調節し、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターンと、
　前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターンと、
　前記第２コンタクトホールに埋め立てられて前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターンと、
　前記第２導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターンとを含んで成ることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
　
（２）本件補正の内容の整理
補正事項を整理すると以下のとおりである。
（ａ）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記コンタクトプラグ上に形成された拡散防止膜パターン」を、「前記コンタクトプラグ及び前記第１層間絶縁膜上に形成された拡散防止膜パターン」と補正すること。
（ｂ）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記拡散防止膜パターン上に前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」を、「前記拡散防止膜パターン上に、厚さにより酸素の拡散距離を調節し、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
（ａ）補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１の「拡散防止膜パターン」の形成される場所を、「前記コンタクトプラグ上」から「前記コンタクトプラグ及び前記第１層間絶縁膜上」へと限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
　また、本願の図４から明らかであるから、補正事項１についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　（ｂ）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、補正前の請求項１の「前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」を、「厚さにより酸素の拡散距離を調節」するものであることを限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、本願の明細書の【００２５】には、「本発明の半導体装置のキャパシタは拡散防止膜パターン３７上に形成された第１導電膜パターン３９の高さ（厚さ）を調節して酸素の拡散距離が調節できるので、前記第２層間絶縁膜パターン４１の高さ（厚さ）、即ち第２層間絶縁膜パターン４１に形成された第２コンタクトホール４０の高さ（厚さ）を高めなくても良い。」と記載されているから、補正事項２についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　
　したがって、補正事項１及び２についての補正及び請求項８における補正事項１及び２と同じ補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とし、同法同条第３項の規定に適合する。
　
　ここで、補正事項１及び２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合し、かつ同法同条第４項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものであるから、本件補正について、同法同条第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
（３−２）独立特許要件の検討
（３−２−１）刊行物に記載された発明
　刊行物１．　特開平１０−１７３１５４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開平１０−１７３１５４号公報には、図１５ないし図１９とともに以下の事項が記載されている。
「【００４５】（第４実施例）図１７乃至図１９は本発明の第４実施例による半導体メモリ装置のキャパシタの製造方法を説明するための断面図である。図１７は第１層間絶縁膜パターン３２０、コンタクトプラグ３３０及び第１拡散防止膜パターン３４０を形成する段階を示す。まず、半導体基板３１０上に前記半導体基板３１０の所定領域を露出させる第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターン３２０を形成する。次いで、前記第１コンタクトホールを充填するように前記第１層間絶縁膜パターン３２０が形成された結果物上に不純物のドーピングされたSi、W 、WNまたはWSixで第１導電膜を形成する。次いで、前記第１層間絶縁膜パターン３２０が露出されるように前記第１導電膜を全面蝕刻して前記第１コンタクトホール内にコンタクトプラグ３３０を形成する。
【００４６】引続き、前記コンタクトプラグ３３０が形成された結果物上にTa、Co、TiN 、(Ti ，Al)N、(Ti ，Si)N、TaN 、(Ta ，Si)N、TiSix 、TaSix またはCoSix で第１拡散防止膜を形成する。ここで、前記第１拡散防止膜は前記コンタクトプラグ３３０と第２拡散防止膜（図１８の３４７）が相互反応することを防止するためのものである。次いで、前記層間絶縁膜パターン３４５が露出されるように前記第１拡散防止膜をパタニングすることにより前記コンタクトプラグ３３０上に第１拡散防止膜パターン３４０を形成する。
【００４７】図１８は第２層間絶縁膜パターン３４５及び第２拡散防止膜パターン３４７を形成する段階を示す。まず、前記第１拡散防止膜パターン３４０が形成された結果物上に第２層間絶縁膜を形成した後、前記第１拡散防止膜パターン３４０が露出されるように前記第２層間絶縁膜をパタニングすることにより第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターン３４５を形成する。
【００４８】次いで、前記第２コンタクトホールを充填するように前記第２層間絶縁膜パターン３４５上にIr、Ru、IrO2またはRuO2で第２拡散防止膜を形成する。ここで、前記第２拡散防止膜は導電膜パターン（図１９の部材番号３５０）との接着力を向上させるためにIr及びIrO2が順次に積層された二重層構造を有するように形成することもできる。
【００４９】次いで、前記第２層間絶縁膜パターン３４５が露出されるように前記第２拡散防止膜を全面蝕刻することにより前記第２コンタクトホール内に第２拡散防止膜パターン３４７を形成する。ここで、前記第２拡散防止膜パターン３４７は前記第１拡散防止膜パターン３４０の酸化を防止するためのものである。図１９は前記コンタクトプラグ３３０、前記第１拡散防止膜パターン３４０、前記第２拡散防止膜パターン３４７及び導電膜パターン３５０よりなる下部電極を完成する段階と、誘電膜３６０及び上部電極３７０を形成することにより本発明によるキャパシタを完成する段階を示す。
【００５０】まず、前記第２拡散防止膜パターン３４７が形成された結果物上にPtよりなる第２導電膜を形成する。次いで、前記第２層間絶縁膜パターン３４５が露出されるように前記第２導電膜をパタニングすることにより前記第２拡散防止膜３４７上に導電膜パターン３５０を形成する。即ち、前記コンタクトプラグ３３０、前記第１拡散防止膜パターン３４０、前記第２拡散防止膜パターン３４７及び前記導電膜パターン３５０よりなる下部電極を完成する。
【００５１】次いで、前記下部電極が完成された結果物上に非晶質誘電膜を形成する。引続き、前記非晶質誘電膜が結晶質に変態されるように前記非晶質誘電膜の形成された結果物を熱処理することによりSrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜３６０を形成する。もちろん、前記下部電極の形成された結果物を熱処理しながらイン−シチュで前記結晶質誘電膜３６０を形成してもよい。以下、前記結晶質誘電膜３６０を「誘電膜３６０」と称する。次いで、前記誘電膜３６０上に上部電極３７０を形成することにより本発明によるキャパシタを完成する。
【００５２】ここで、前記第１拡散防止膜パターン３４０は前記非晶質誘電膜と接しないため、従来とは異なって前記熱処理段階で前記第１拡散防止膜パターン３４０が酸化されることが防止される。もちろん、イン−シチュで前記誘電膜３６０を形成する場合にも前記第１拡散防止膜パターン３４０が酸素雰囲気に露出されないため前記第１拡散防止膜パターン３４０の酸化が防止される。
【００５３】また、前記第２拡散防止膜パターン３４７を形成することにより前記導電膜パターン３５０を通して浸透する酸素と前記第１拡散防止膜パターン３４０が反応することを防止しうる。」
「【００２７】・・・前記障壁物質層１６を形成する物質として前記したようなTiN 以外にも前記半導体基板１０のシリコンと後続工程において使用される下部電極物質、即ちPtの間における相互拡散を防止しうる物質、例えばTiAlN 、TaSiN 、TaAlN 、TiSiN 、TaSi、TiSi、Ta、TaN 、CoSi、Coのような物質を使用しうる。」
「【００４０】図１５は第２層間絶縁膜パターン２４５及び導電膜パターン２５０を形成することにより前記コンタクトプラグ２３０、前記拡散防止膜パターン２４０及び前記導電膜パターン２５０よりなる下部電極を完成する段階を示す。まず、前記拡散防止膜パターン２４０が形成された結果物上に第２層間絶縁膜を形成する。次いで、前記拡散防止膜パターン２４０が露出されるように前記第２層間絶縁膜を蝕刻することにより第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターン２４５を形成する。引続き、前記第２コンタクトホールを充填するように前記第２層間絶縁膜パターン２４５上にPt、Ir、Ru、IrO2またはRuO2で第２導電膜を形成する。
【００４１】次いで、前記第２層間絶縁膜パターン２４５が露出されるように前記第２導電膜をパタニングすることにより前記第２層間絶縁膜パターン２４５上に前記第２コンタクトホールを通して前記拡散防止膜パターン２４０と接触される導電膜パターン２５０を形成する。即ち、前記コンタクトプラグ２３０、前記拡散防止膜パターン２４０及び前記導電膜パターン２５０よりなる下部電極を完成する。」
　そして、図１７ないし１９から、第１拡散防止膜パターン３４０は、第１層間絶縁膜パターン３２０及びコンタクトプラグ３３０上に形成されていることは明らかである。
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板上に前記半導体基板の所定領域を露出させる第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターンと、
第１コンタクトホールを充填するように形成されたコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグ及び第１層間絶縁膜パターン上に形成された第１拡散防止膜パターンと、
前記第１拡散防止膜パターンが形成された結果物上に第２層間絶縁膜を形成した後、前記第１拡散防止膜パターンが露出されるように前記第２層間絶縁膜をパタニングすることにより形成された第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターンと、
前記第２コンタクトホールを充填するように第１拡散防止膜パターン上に形成された第２拡散防止膜パターンと
前記第２拡散防止膜パターンが形成された結果物上にPtよりなる第２導電膜を形成し、次いで、前記第２層間絶縁膜パターンが露出されるように前記第２導電膜をパタニングすることにより前記第２拡散防止膜上に形成された、下部電極となる導電膜パターンと、
前記下部電極が完成された結果物上に形成されたSrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜及び上部電極とからなる半導体メモリ装置のキャパシタ。」
　
　刊行物２．　特開平１０−２４２３９９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開平１０−２４２３９９号公報には、図２とともに以下の事項が記載されている。
「【００１３】図２を参考すると、参照番号２００、２０１及び２０３は各々半導体基板、絶縁膜及び導電性プラグを示し、参照番号２０５はチタニウムシリサイドよりなったオーム層を、２０７はチタニウム窒化膜よりなった障壁層を示す。また、参照番号２０９と２１１は各々酸化防止用犠牲層と下部電極を示し、参照番号２１３及び２１５は各々高誘電膜と上部電極を示す。
【００１４】この時、前記酸化防止用犠牲層２０９は白金族金属、例えばルテニウムより形成できるし、前記ルテニウムは高温の酸素雰囲気で遂行される後続工程で、ルテニウム膜にフローされる酸素と反応して酸化ルテニウムになる。したがって、前記酸化防止用犠牲層２０９は酸素が前記障壁層２０７に流入されることを遮断するので、前記障壁層２０７の酸化が防止される。」
　
（３−２−２）対比・判断
　平成１７年９月１４日付けで補正された請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
　
（１）刊行物発明の「第１のコンタクトホール」は、半導体基板の所定領域を露出させるものであるから、「第１のコンタクトホール」を充填するように形成される「コンタクトプラグ」は、半導体基板に直接接するものであって、半導体基板とは電気的に連結されるものであることは明らかである。したがって、刊行物発明の「第１コンタクトホールを充填するように形成されたコンタクトプラグ」は、補正発明の「前記第１コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグ」に相当する。
（２）補正発明の「拡散防止膜パターン」は、本願明細書の記載によれば、「Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｏ，Ｉｒ，Ｒｕ，ＴａＳｉ，ＣｏＳｉ，ＴｉＳｉｘ，ＷＳｉ，ＴｉＳｉＮ，ＴａＳｉＮ，ＩｒＯ2，ＲｕＯ2，ＷＮ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＴａＡｌＮ又はＴｉＡｌＮより成る」（【００２３】）ものである。また、補正発明の「拡散防止膜パターン」は、「半導体基板又はコンタクトプラグとして使用されるポリシリコン膜と反応するので前記キャパシタ用導電膜とポリシリコン膜との間には相互反応を防止する拡散防止膜・・・必要である。」（【０００２】）と記載されているように、半導体基板又はコンタクトプラグとキャパシタ用導電膜が相互反応することを防止するものである。
　一方、刊行物１には、「前記コンタクトプラグ３３０が形成された結果物上にTa、Co、TiN 、(Ti ，Al)N、(Ti ，Si)N、TaN 、(Ta ，Si)N、TiSix 、TaSix またはCoSix で第１拡散防止膜を形成する。」（【００４６】）と記載されているから、刊行物発明の「第１拡散防止膜パターン」は、具体的には、「Ta、Co、TiN 、(Ti ，Al)N、(Ti ，Si)N、TaN 、(Ta ，Si)N、TiSix 、TaSix またはCoSix 」で形成されるものである。さらに、刊行物１には、「前記障壁物質層１６を形成する物質として前記したようなTiN 以外にも前記半導体基板１０のシリコンと後続工程において使用される下部電極物質、即ちPtの間における相互拡散を防止しうる物質、例えばTiAlN 、TaSiN 、TaAlN 、TiSiN 、TaSi、TiSi、Ta、TaN 、CoSi、Coのような物質を使用しうる。」（【００２７】）と記載されているように、これらの物質が半導体基板のシリコンと下部電極物質のＰｔとの相互拡散、つまり、相互反応を防止しうるものであることは明らかである。
　そうすると、刊行物発明の「第１拡散防止膜パターン」を構成する材料は、全て補正発明の「拡散防止膜パターン」を構成する材料に包含されており、しかも、半導体基板又はコンタクトプラグを構成するシリコンとキャパシタ用導電膜との相互反応を防止するものであるという点で相違するものではない。
　よって、刊行物発明の「第１拡散防止膜パターン」は、補正発明の「拡散防止膜パターン」に相当する。
（３）刊行物１には、「前記第２拡散防止膜パターン３４７は前記第１拡散防止膜パターン３４０の酸化を防止するためのものである。」（【００４９】）、「前記第２拡散防止膜パターン３４７を形成することにより前記導電膜パターン３５０を通して浸透する酸素と前記第１拡散防止膜パターン３４０が反応することを防止しうる。」（【００５３】）と記載されているから、刊行物発明の「第２拡散防止膜パターン」は、補正発明の「前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」に相当する。
（４）刊行物発明の「第２層間絶縁膜パターン」は、「第１層間絶縁膜パターン」及び「第１拡散防止膜パターン」（補正発明の「拡散防止膜パターン」に相当）上に形成されるという意味において、補正発明の「第２層間絶縁膜パターン」に対応する。
（５）刊行物発明の「下部電極となる導電膜パターン」は、補正発明の「下部電極用第２導電膜パターン」に相当することは明らかである。
（６）刊行物発明の「SrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜」は、補正発明の「高誘電体膜」に相当することは明らかである。
（７）刊行物発明の「上部電極」は、補正発明の「上部電極用第３導電膜パターン」に相当することは明らかである。
（８）刊行物発明の「半導体メモリ装置」は、補正発明の「半導体装置」に相当することは明らかである。
　
   　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板上に形成され、その内部に第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターンと、
　前記第１コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグと、
　前記コンタクトプラグ及び前記第１層間絶縁膜上に形成された拡散防止膜パターンと、
　前記拡散防止膜パターン上に、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターンと、
　第２層間絶縁膜パターンと、
　前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターンと、
　順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターンとを含んで成ることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１
　補正発明は、「前記拡散防止膜パターン上に、厚さにより酸素の拡散距離を調節し、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「第１拡散防止膜パターン」（補正発明の「拡散防止膜パターン」に相当）上に「第２拡散防止膜パターン」を備えているものの、「第２拡散防止膜パターン」が、「厚さにより酸素の拡散距離を調節し、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止」している点について明確でない点。
相違点２
　補正発明は、「前記拡散防止膜パターン上に、厚さにより酸素の拡散距離を調節し、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記第２コンタクトホールを充填するように第１拡散防止膜パターン上に形成された第２拡散防止膜パターン」を備えており、「第２拡散防止膜パターン」が「第２コンタクトホールを充填するように」形成されている点。
相違点３
　補正発明は、「前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「第２層間絶縁膜パターン」を備えているものの、「第２層間絶縁膜パターン」が、「前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホール」を備えていない点。
相違点４
　補正発明は、「前記第２コンタクトホールに埋め立てられて前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「下部電極となる導電膜パターン」を備えているものの、第２コンタクトホールに埋め立てられていない点。
相違点５
　補正発明は、「前記第２導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「SrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜及び上部電極」を備えているものの、「結晶質誘電膜及び上部電極」が、「下部電極となる導電膜パターン」を取り囲むように順次形成されていることが明確でない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　刊行物１には、「前記第２拡散防止膜パターン３４７は前記第１拡散防止膜パターン３４０の酸化を防止するためのものである。」（【００４９】）、「前記第２拡散防止膜パターン３４７を形成することにより前記導電膜パターン３５０を通して浸透する酸素と前記第１拡散防止膜パターン３４０が反応することを防止しうる。」（【００５３】）と記載されているから、刊行物発明の「第２拡散防止膜パターン」は、「第１拡散防止膜パターン」が酸化されないように「第１拡散防止膜パターン」にまで酸素が達するのを防止しているものである。したがって、「第２拡散防止膜パターン」は、酸素が浸透して「第１拡散防止膜パターン」に達するようなことがない厚みを有していることは明らかであるから、刊行物発明においても、「第１拡散防止膜パターン」は、厚さにより酸素の拡散距離を調節し、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止しているものである。
　よって、相違点１は実質的なものではない。
　
相違点２ないし相違点４について
　刊行物２には、「絶縁膜２０１」及び「導電性プラグ２０３」上に、「障壁層２０７」、「酸化防止用犠牲層２０９」及び「下部電極２１１」の積層構造が開示されている。（【００１２】ないし【００１４】及び図２参照）さらに、刊行物２には、「前記酸化防止用犠牲層２０９は酸素が前記障壁層２０７に流入されることを遮断するので、前記障壁層２０７の酸化が防止される。」（【００１４】）と記載されているから、「酸化防止用犠牲層２０９」は、補正発明の「第１導電膜パターン」に相当するものである。そして、刊行物２の図２から、「酸化防止用犠牲層２０９」は、「障壁層２０７」上面を覆うように形成されていることは明らかである。
　また、刊行物１には、図１５とともに、「前記拡散防止膜パターン２４０が形成された結果物上に第２層間絶縁膜を形成する。次いで、前記拡散防止膜パターン２４０が露出されるように前記第２層間絶縁膜を蝕刻することにより第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターン２４５を形成する。引続き、前記第２コンタクトホールを充填するように前記第２層間絶縁膜パターン２４５上にPt、Ir、Ru、IrO2またはRuO2で第２導電膜を形成する。」（【００４０】）、「次いで、前記第２層間絶縁膜パターン２４５が露出されるように前記第２導電膜をパタニングすることにより前記第２層間絶縁膜パターン２４５上に前記第２コンタクトホールを通して前記拡散防止膜パターン２４０と接触される導電膜パターン２５０を形成する。即ち、前記コンタクトプラグ２３０、前記拡散防止膜パターン２４０及び前記導電膜パターン２５０よりなる下部電極を完成する。」（【００４１】）との記載がある。そうすると、刊行物１には、下部電極となる導電膜パターンが電気的に接続される層である拡散防止膜パターン上の第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、第２コンタクトホールを形成し、さらに、第２コンタクトホールを充填するように、なおかつ、前記第２層間絶縁膜パターン２４５上に前記第２コンタクトホールを通して前記拡散防止膜パターン２４０と接触するように「導電膜パターン」を形成すること、言い換えると、下部電極となる導電膜パターンが接続される導電膜（刊行物１で言えば、「拡散防止膜パターン」）上に層間絶縁膜を形成し、その後当該層間絶縁膜をパターニングして、コンタクトホールを形成し、コンタクトホールを充填するように下部電極となる導電膜パターンを形成することが示されている。
　したがって、刊行物発明において、「第２拡散防止膜パターン」を設ける場所として、「第２コンタクトホール」内に充填することに代えて、刊行物２に示されているように、「第１拡散防止膜パターン」上面を覆うように形成し、なおかつ、「第２拡散防止膜パターン」に「導電膜パターン」をコンタクトさせるために「第２コンタクトホール」を第２層間絶縁膜に設け、下部電極となる「導電膜パターン」を「第２コンタクトホール」を充填するように設けることにより、補正発明の如く、「前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターンと、前記第２コンタクトホールに埋め立てられて前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターンと」を備えることは、当業者が容易になし得たものである。
　
相違点５について
　刊行物１の図１９から、下部電極である導電膜パターン３５０の側面にも結晶質誘電膜３６０及び上部電極３７０が形成されていることは明らかである。そして、半導体メモリ装置のキャパシタの容量を大きくすることは周知の技術的課題であるから、下部電極である導電膜パターンの側面にも結晶質誘電膜３６０及び上部電極３７０を形成するに際し、「結晶質誘電膜及び上部電極」を、「下部電極となる導電膜パターン」を取り囲むように順次形成することで、補正発明の如く、「前記第２導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターン」を備えることは当業者が容易になし得たものである。
　よって、補正発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（３−３）むすび
　よって、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年９月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２０に係る発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板上に形成され、その内部に第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターンと、
　前記第１コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグと、
　前記コンタクトプラグ上に形成された拡散防止膜パターンと、
　前記拡散防止膜パターン上に前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターンと、
　前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターンと、
　前記第２コンタクトホールに埋め立てられて前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターンと、
　前記第２導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターンとを含んで成ることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
　
４．刊行物記載の発明
　刊行物１には、上記「２．（３−２−１）刊行物に記載された発明」の「刊行物１．」に記載されるとおりの事項が記載され、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板上に前記半導体基板の所定領域を露出させる第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターンと、
第１コンタクトホールを充填するように形成されたコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグ及び第１層間絶縁膜パターン上に形成された第１拡散防止膜パターンと、
前記第１拡散防止膜パターンが形成された結果物上に第２層間絶縁膜を形成した後、前記第１拡散防止膜パターンが露出されるように前記第２層間絶縁膜をパタニングすることにより形成された第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターンと、
前記第２コンタクトホールを充填するように第１拡散防止膜パターン上に形成された第２拡散防止膜パターンと
前記第２拡散防止膜パターンが形成された結果物上にPtよりなる第２導電膜を形成し、次いで、前記第２層間絶縁膜パターンが露出されるように前記第２導電膜をパタニングすることにより前記第２拡散防止膜上に形成された、下部電極となる導電膜パターンと、
前記下部電極が完成された結果物上に形成されたSrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜及び上部電極とからなる半導体メモリ装置のキャパシタ。」
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比検討する。
（１）刊行物発明の「第１のコンタクトホール」は、半導体基板の所定領域を露出させるものであるから、「第１のコンタクトホール」を充填するように形成される「コンタクトプラグ」は、半導体基板に直接接するものであって、半導体基板とは電気的に連結されるものであることは明らかである。したがって、刊行物発明の「第１コンタクトホールを充填するように形成されたコンタクトプラグ」は、本願発明の「前記第１コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグ」に相当する。
（２）本願発明の「拡散防止膜パターン」は、本願明細書の記載によれば、「Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｏ，Ｉｒ，Ｒｕ，ＴａＳｉ，ＣｏＳｉ，ＴｉＳｉｘ，ＷＳｉ，ＴｉＳｉＮ，ＴａＳｉＮ，ＩｒＯ2，ＲｕＯ2，ＷＮ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＴａＡｌＮ又はＴｉＡｌＮより成る」（【００２３】）ものである。また、本願発明の「拡散防止膜パターン」は、「半導体基板又はコンタクトプラグとして使用されるポリシリコン膜と反応するので前記キャパシタ用導電膜とポリシリコン膜との間には相互反応を防止する拡散防止膜・・・必要である。」（【０００２】）と記載されているように、半導体基板又はコンタクトプラグとキャパシタ用導電膜が相互反応することを防止するものである。
　一方、刊行物１には、「前記コンタクトプラグ３３０が形成された結果物上にTa、Co、TiN 、(Ti ，Al)N、(Ti ，Si)N、TaN 、(Ta ，Si)N、TiSix 、TaSix またはCoSix で第１拡散防止膜を形成する。」（【００４６】）と記載されているから、刊行物発明の「第１拡散防止膜パターン」は、具体的には、「Ta、Co、TiN 、(Ti ，Al)N、(Ti ，Si)N、TaN 、(Ta ，Si)N、TiSix 、TaSix またはCoSix 」で形成されるものである。さらに、刊行物１には、「前記障壁物質層１６を形成する物質として前記したようなTiN 以外にも前記半導体基板１０のシリコンと後続工程において使用される下部電極物質、即ちPtの間における相互拡散を防止しうる物質、例えばTiAlN 、TaSiN 、TaAlN 、TiSiN 、TaSi、TiSi、Ta、TaN 、CoSi、Coのような物質を使用しうる。」（【００２７】）と記載されているように、これらの物質が半導体基板のシリコンと下部電極物質のＰｔとの相互拡散、つまり、相互反応を防止しうるものであることは明らかである。
　そうすると、刊行物発明の「第１拡散防止膜パターン」を構成する材料は、全て本願発明の「拡散防止膜パターン」を構成する材料に包含されており、しかも、半導体基板又はコンタクトプラグを構成するシリコンとキャパシタ用導電膜との相互反応を防止するものであるという点で相違するものではない。
　よって、刊行物発明の「第１拡散防止膜パターン」は、本願発明の「拡散防止膜パターン」に相当する。
（３）刊行物１には、「前記第２拡散防止膜パターン３４７は前記第１拡散防止膜パターン３４０の酸化を防止するためのものである。」（【００４９】）、「前記第２拡散防止膜パターン３４７を形成することにより前記導電膜パターン３５０を通して浸透する酸素と前記第１拡散防止膜パターン３４０が反応することを防止しうる。」（【００５３】）と記載されているから、刊行物発明の「第２拡散防止膜パターン」は、本願発明の「前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」に相当する。
（４）刊行物発明の「第２層間絶縁膜パターン」は、「第１層間絶縁膜パターン」及び「第１拡散防止膜パターン」（本願発明の「拡散防止膜パターン」に相当）上に形成されるという意味において、本願発明の「第２層間絶縁膜パターン」に対応する。
（５）刊行物発明の「下部電極となる導電膜パターン」は、本願発明の「下部電極用第２導電膜パターン」に相当することは明らかである。
（６）刊行物発明の「SrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜」は、本願発明の「高誘電体膜」に相当することは明らかである。
（７）刊行物発明の「上部電極」は、本願発明の「上部電極用第３導電膜パターン」に相当することは明らかである。
（８）刊行物発明の「半導体メモリ装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当することは明らかである。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体基板上に形成され、その内部に第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜パターンと、
　前記第１コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグと、
　前記コンタクトプラグ上に形成された拡散防止膜パターンと、
　前記拡散防止膜パターン上に前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターンと、
　第２層間絶縁膜パターンと、
　前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターンと、
　順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターンとを含んで成ることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１
　本願発明は、「前記拡散防止膜パターン上に、前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第１導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記第２コンタクトホールを充填するように第１拡散防止膜パターン上に形成された第２拡散防止膜パターン」を備えており、「第２拡散防止膜パターン」が「第２コンタクトホールを充填するように」形成されている点。
相違点２
　本願発明は、「前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「第２層間絶縁膜パターン」を備えているものの、「第２層間絶縁膜パターン」が、「前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホール」を備えていない点。
相違点３
　本願発明は、「前記第２コンタクトホールに埋め立てられて前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「下部電極となる導電膜パターン」を備えているものの、第２コンタクトホールに埋め立てられていない点。
相違点４
　本願発明は、「前記第２導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターン」を備えているのに対して、刊行物発明は、「SrTiO3、(Ba ，Sr)TiO3 、(Pb ，Zr)TiO3 または(Pb，Zr)(Ti，La)TiO3よりなる結晶質誘電膜及び上部電極」を備えているものの、「結晶質誘電膜及び上部電極」が、「下部電極となる導電膜パターン」を取り囲むように順次形成されていることが明確でない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
相違点１ないし相違点３について
　刊行物２には、「絶縁膜２０１」及び「導電性プラグ２０３」上に、「障壁層２０７」、「酸化防止用犠牲層２０９」及び「下部電極２１１」の積層構造が開示されている。（【００１２】ないし【００１４】及び図２参照）さらに、刊行物２には、「前記酸化防止用犠牲層２０９は酸素が前記障壁層２０７に流入されることを遮断するので、前記障壁層２０７の酸化が防止される。」（【００１４】）と記載されているから、「酸化防止用犠牲層２０９」は、補正発明の「第１導電膜パターン」に相当するものである。そして、刊行物２の図２から、「酸化防止用犠牲層２０９」は、「障壁層２０７」上面を覆うように形成されていることは明らかである。
　また、刊行物１には、図１５とともに、「前記拡散防止膜パターン２４０が形成された結果物上に第２層間絶縁膜を形成する。次いで、前記拡散防止膜パターン２４０が露出されるように前記第２層間絶縁膜を蝕刻することにより第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターン２４５を形成する。引続き、前記第２コンタクトホールを充填するように前記第２層間絶縁膜パターン２４５上にPt、Ir、Ru、IrO2またはRuO2で第２導電膜を形成する。」（【００４０】）、「次いで、前記第２層間絶縁膜パターン２４５が露出されるように前記第２導電膜をパタニングすることにより前記第２層間絶縁膜パターン２４５上に前記第２コンタクトホールを通して前記拡散防止膜パターン２４０と接触される導電膜パターン２５０を形成する。即ち、前記コンタクトプラグ２３０、前記拡散防止膜パターン２４０及び前記導電膜パターン２５０よりなる下部電極を完成する。」（【００４１】）との記載がある。そうすると、刊行物１には、下部電極となる導電膜パターンが電気的に接続される層である拡散防止膜パターン上の第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、第２コンタクトホールを形成し、さらに、第２コンタクトホールを充填するように、なおかつ、前記第２層間絶縁膜パターン２４５上に前記第２コンタクトホールを通して前記拡散防止膜パターン２４０と接触するように「導電膜パターン」を形成すること、言い換えると、下部電極となる導電膜パターンが接続される導電膜（刊行物１で言えば、「拡散防止膜パターン」）上に層間絶縁膜を形成し、その後当該層間絶縁膜をパターニングして、コンタクトホールを形成し、コンタクトホールを充填するように下部電極となる導電膜パターンを形成することが示されている。
　したがって、刊行物発明において、「第２拡散防止膜パターン」を設ける場所として、「第２コンタクトホール」内に充填することに代えて、刊行物２に示されているように、「第１拡散防止膜パターン」上面を覆うように形成し、なおかつ、「第２拡散防止膜パターン」に「導電膜パターン」をコンタクトさせるために「第２コンタクトホール」を第２層間絶縁膜に設け、下部電極となる「導電膜パターン」を「第２コンタクトホール」を充填するように設けることにより、本願発明の如く、「前記第１層間絶縁膜パターン及び前記第１導電膜パターン上に前記第１導電膜パターンの表面を露出する第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜パターンと、前記第２コンタクトホールに埋め立てられて前記第１導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第２導電膜パターンと」を備えることは、当業者が容易になし得たものである。
相違点４について
　刊行物１の図１９から、下部電極である導電膜パターン３５０の側面にも結晶質誘電膜３６０及び上部電極３７０が形成されていることは明らかである。そして、半導体メモリ装置のキャパシタの容量を大きくすることは周知の技術的課題であるから、下部電極である導電膜パターンの側面にも結晶質誘電膜３６０及び上部電極３７０を形成するに際し、「結晶質誘電膜及び上部電極」を、「下部電極となる導電膜パターン」を取り囲むように順次形成することで、本願発明の如く、「前記第２導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第３導電膜パターン」を備えることは当業者が容易になし得たものである。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし２０に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。