【事件の表示】
　特願２００１−　９０６５８「半導体素子の製造方法及び半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　４日出願公開、特開２００２−２８９５３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年３月２７日の出願であって、平成１７年７月２９日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、同年９月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
　上記手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８のうち請求項１を削除するとともに、請求項２〜８を順次繰り上げ、請求項１〜７に変更したものであって、当該補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に規定する請求項の削除を目的としたものに該当する。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、上記手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載の発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。 
　
　「【請求項１】　所定の単結晶基板の平坦な主面上において、前記基板を加工することにより単数又は複数の平坦でない構造を形成した後に、前記加工を施した単結晶基板上に半導体層をＭｇを添加しながら順次形成して、所定の半導体素子を製造することを特徴とする、半導体素子の製造方法において、前記加工した基板上に形成した単数又は複数の平坦でない構造において、その平坦でない構造の部分のひとつの広さを、端から端まで短いところで０．０５から５０μｍまでの幅とし、長い部分については前記基板の大きさによって規定される制限までとし、前記基板の平坦でない構造の部分の、加工する前は平坦であった部分から測定した深さが０．０５μｍから、加工前の前記基板の厚さまでとすることを特徴とする、半導体素子の製造方法。」
　
３．引用刊行物とその摘記事項
　平成１６年３月９日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物１には次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平２０００−１５６５２４号公報（引用文献４）
　
＜刊行物１の摘記事項＞
ａ．「【００７７】（実施の形態８）図１１は、本発明の実施の形態８における半導体基板の断面図である。この基板の作製法を図１２を用いて説明する。
　　【００７８】図１２（ａ）に示す結晶基板１は六方晶のＧａＮ（０、０、０、１）基板であり、筋状の貫通転移が１×１０８ｃｍ−２の密度で表面にまで達している。結晶基板１上にフォトリソグラフィーにより形成したフォトレジストによるマスク１３を設置する（図１２（ｂ））。本実施の形態では、フォトレジストの幅を８μｍ、開口部を１６μｍとする。ＢＣｌ３ガスによる反応性イオンエッチングを用いてマスクの開口部のみを深さ１μｍエッチングすることで、凸部の幅が７μｍ、凹部の幅が１７μｍ、高さ１μｍのストライプ状の周期的な段差を作製する（図１２（ｃ））。凸部の幅が、フォトレジストの幅より狭くなったのは、ＧａＮ基板１がサイドエッチングされたことによる。
　　【００７９】マスク１３を除去した後、この上に段差を被覆するＧａＮ層２５を成長する。成長法は特に限定するものではないが、本実施の形態では有機金属気相成長装置を用い、原料にはトリメチルガリウムとアンモニア、キャリアガスには水素を用いる。トリメチルガリウムとアンモニアのモル供給比がＧａ：Ｎ＝１：５５００となるように原料を流し、１０００℃でＧａＮを成長する。この際の（０、０、０、１）面上の成長速度は毎時２μｍで、３時間成長を行う（図１２（ｄ））。以上の成長によりＧａＮ層２５中の欠陥ａは１筋にまとまり、低欠陥領域ｂが形成されている。
　　【００８０】なお、マスク１３の材料としては、本実施の形態のフォトレジストの他、ＳｉＯ２やＡｕなどが、また、反応性イオンエッチングのガスには本実施の形態のＢＣｌ３の他、Ｃｌ２やＳｉＣｌ４等、塩素を含むガスを用いることができる。」
　
ｂ．「【０１０１】（実施の形態１４）つぎに、本発明の実施の形態１４について説明する。
　　【０１０２】実施の形態８と全く同様にして、六方晶のＧａＮ（０、０、０、１）基板上にストライプ状の周期的な段差を作製する。
　　【０１０３】この上に段差を被覆するＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層２５が６μｍ成長する。Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層２５の成長の際、原料にＳｉあるいはＳｅあるいはＭｇあるいはＺｎを含む原料を導入することで、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層２５中に不純物を導入した。本実施の形態では、実施の形態１と同様有機金属気相成長装置を用い、不純物を含む原料としてそれぞれ、モノシラン（ＳｉＨ４）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ５Ｈ５）２Ｍｇ）、ジメチルジンク（（ＣＨ３）２Ｚｎ）を用いる。
　　【０１０４】Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層２５中の不純物濃度と段差上の表面状態との関係を調べた結果、いずれの不純物の場合も不純物濃度を１×１０２１ｃｍ−３より大きくすると、段差上の表面に数１００ｎｍオーダーの凹凸が発生することが判明した。このような表面の凹凸により、基板上に半導体装置を形成した場合の膜の平坦性が悪く、所望の特性が得られないという問題が起こる。そこで、半導体装置などに用いる基板の製造方法としては、不純物密度１×１０２１ｃｍ−３以下とする必要がある。
　　【０１０５】なお、不純物を含む原料は本実施の形態で用いた原料に限らない。また、不純物に関しても、本実施の形態のＳｉの他に、Ｇｅ等の他のＩＶ族元素を用いた場合や、本実施の形態のＳｅの他に、ＯやＳ等の他のＶＩ元素を用いた場合や、本実施の形態のＭｇやＺｎの他に、Ｃｄ等の他のＩＩ族あるいは金属元素を用いた場合も同様の結果が得られる。なお、本実施の形態では半導体層２５はＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎであるが、任意の組成のＡｌＧａＮやＧａＮやＡｌＮを用いても同様の結果が得られる。」
　
（２）対比・判断
　上記刊行物１の摘記事項ａ、ｂ（実施の形態８、１４）の記載をまとめると、刊行物１には、「ＧａＮ基板上に、ＧａＮ基板をエッチングすることにより、凸部の幅が７μｍ、凹部の幅が１７μｍ、高さが１μｍのストライプ状の周期的な段差を作製した後、この段差を被覆するＡｌＧａＮ層を成長することにより、低欠陥領域を形成するとともに、ＡｌＧａＮ層を成長させる際には、Ｍｇを含む原料を導入することで、ＡｌＧａＮ層中に不純物を導入する、半導体基板の作製方法」に関する発明が記載されている。
　そこで、本願発明１と刊行物１に記載の半導体基板の作製方法の発明とを対比すると、刊行物１に記載の「ＧａＮ基板」、「周期的な段差」は、本願発明１の「所定の単結晶基板」、「複数の平坦でない構造」に相当する。
　また、刊行物１に記載のように、ＡｌＧａＮ層を成長させる際に、Ｍｇを含む原料を導入する点は、ＡｌＧａＮ層の原料とともに、Ｍｇを導入することにより、ＡｌＧａＮ層を成長させるということであるから、この点は、本願発明１の、「単結晶基板上に半導体層をＭｇを添加しながら順次形成」することに相当するものである。
　そうすると、両者は、「所定の単結晶基板の平坦な主面上において、基板を加工することにより複数の平坦でない構造を形成した後に、加工を施した単結晶基板上に半導体層をＭｇを添加しながら順次形成して、所定の半導体素子を製造する、半導体素子の製造方法」の点で一致する。
　次に、本願発明１では、加工した基板上に形成した複数の平坦でない構造において、その平坦でない構造の部分のひとつの広さを、端から端まで短いところで０．０５から５０μｍまでの幅とし、長い部分については前記基板の大きさによって規定される制限までとし、基板の平坦でない構造の部分の、加工する前は平坦であった部分から測定した深さが０．０５μｍから、加工前の基板の厚さまでとしているので、刊行物１に記載のストライプ状の周期的な段差について次に検討する。
　
　刊行物１に記載の、ＧａＮ基板に形成したストライプ状の周期的な段差の一つに注目すると、段差の凹部の幅が１７μｍであり、これは、本願発明１の平坦でない構造の部分のひとつの広さを、「端から端まで短いところで０．０５から５０μｍまでの幅」とする範囲に含まれることになる。
　また、長い部分については前記基板の大きさによって規定される制限までとすることは、適宜なし得ることであり、あるいは、刊行物１に記載の段差の長さ方向については格別限定はされていないから、ＧａＮ基板のストライプ状の段差方向の長さとすることができるので、本願発明１の、「長い部分については基板の大きさによって規定される制限まで」とする範囲に含まれることになる。
　さらに、刊行物１に記載の段差の高さ、すなわち深さは１μｍとしているから、本願発明１の基板の平坦でない構造の部分の、「加工する前は平坦であった部分から測定した深さが０．０５μｍから、加工前の基板の厚さまで」とする範囲に含まれることになる。
　
　したがって、本願発明１と刊行物１に記載の半導体基板の作製方法の発明との間に相違は認められない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。