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　特願２０００−　　６２２４「五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月２８日出願公開、特開２０００−２０８７４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１月１２日の出願（パリ条約に基づく優先権主張　１９９９年１月１２日、米国）であって、平成１６年４月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１７年４月２５日付けで審尋がなされ、同年１０月２７日に回答書が提出されたものであり、更に、当審において、平成１６年７月１５日付けの手続補正は平成１８年９月２６日付けで却下され、同年１０月１６日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の平成１９年４月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成１９年４月１８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ない８に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。　
「【請求項１】集積回路のコンデンサを製造するための方法であって、
　半導体基板上に誘電層を形成するステップ；
　前記誘電層上に第一の金属電極を形成するステップ；
　前記第一の金属電極の上に五酸化タンタル層を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら、形成するステップ；
　前記五酸化タンタル層の少なくとも一度の遠隔プラズマアニールを、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら遂行するステップであって、前記遠隔プラズマアニールは、前記五酸化タンタル層を、純粋な窒素から成る遠隔プラズマに露出し、次いで前記純粋な窒素による遠隔プラズマアニールの後に、前記五酸化タンタル層を、酸素と窒素から成る遠隔プラズマに露出するステップを含み；および
　前記アニーリングのステップの後に、前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら形成するステップを含むことを特徴とする方法。」
　
３．刊行物に記載された発明
　刊行物１：Applied Physics Letters，１９９８年３月１６日，Vol.72, No.11，pp.1308-1310
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に米国内で頒布されたApplied Physics Letters，１９９８年３月１６日，Vol.72, No.11，pp.1308-1310（以下、「刊行物１」という。）には、Fig.1とともに、以下の事項が記載されている。
　ａ．「化学蒸着（ＣＶＤ）及び物理蒸着（ＰＶＤ）により形成されたタンタル酸化物薄膜の漏れ電流が、低温酸素／窒素プラズマ処理により、かなり減少することが報告された。遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入することで、ＣＶＤで形成したタンタル酸化物薄膜の漏れ電流が削減され、また、チャージポンピングにより測定されるトラップ密度も同様に減少することが示された。堆積したままのＣＶＤ薄膜の示す高レベルのフォトルミネッセンスは、プラズマアニール処理による、ミッドギャップ状態密度の減少のため、かなり減少した。１００ｎｍ程度の厚さのＰＶＤにより堆積された薄膜については、窒素をプラズマに導入することによる実質的な改善により、漏れ電流が減少することが分かった。しかしながら、２０ｎｍ程度の厚さのＰＶＤ薄膜では、漏れ電流は比較的大きく、窒素の追加による改善効果が小さいことが分かった。漏れ電流とチャージトラッピングの低減での窒素の役割は、酸化膜での窒素の部分的結合による酸化膜中のバルクトラップ状態密度の削減により生ずると考えられる。低温堆積とアニール処理の両者は、高密度回路の配線の上層レベルに利用することも可能である。」（１３０８頁第９ないし２２行の訳文）
　ｂ．「回路の集積度が上がると、ミクストシグナル回路及びメモリ回路のいずれにおいても高集積容量の要求が高まる。ある応用においては、蓄積容量への接触抵抗を減少するため、または、ミクストシグナル回路基板による高周波（ｒｆ）損失を減少するための処理による上層配線層に組み込んだ容量が必要となる。しかしながら、最初のレベルの配線層形成の後に行われる各処理に許容されるサーマルバジェットは、通常４５０℃より低く制限されているから、低温処理が非常に重要である。化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積された五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を備えたＴｉＮ／Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＮ容量構造での漏れ電流を減少するための、新規な低温遠隔プラズマアニール手法について記載する。プラズマアニールによりタンタル酸化物は稠密となり、フォトルミネッセンスで観測されるミッドギャップ状態密度が減少する。酸素プラズマへの窒素の追加により、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜中のバルクトラップの減少に起因する漏れ電流の減少に対して付加的効果があることを示した。このアニール処理はＣＶＤで堆積した薄膜には必須である。・・・これらの結果から、超ＬＳＩ（ＶＬＳＩ）の配線の上層への単純な組み込みを許容する、容量製造の全工程を４５０℃以下で行う可能性が示された。
　ＣＶＤで堆積したタンタル酸化物薄膜には、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）チャンバーで金属有機物プリカーサー（前駆体）を用いた。堆積温度は、上部電極及び下部電極のＴｉＮ電極のＰＶＤでの堆積では、３５０℃から４５０℃まで変化させた。アニールなしの薄膜の漏れ電流はFig１に示すように非常に大きい。最も一般的なＣＶＤ堆積薄膜の漏れ電流を減少する方法として、５００℃又はそれ以上の温度での急速熱アニールが用いられてきた。しかしながら、この温度は、最初の配線層形成後の処理としては許容できる温度範囲を超えている。代替手段として、漏れ電流を減少するために、高周波（ｒｆ）により発生させた酸素プラズマ又はオゾンに曝すことが行われ、時には、熱アニールと共に用いられてきた。これらの実験において、我々は、より高密のプラズマでより効率的なアニールであって、高周波により形成されるプラズマと比較してダメージが極めて少なく、より効率よく酸素及び窒素ラディカルを生成できる、遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源を用いた。ガソニクス・インターナショナル３５１０を、１−３Torrの圧力範囲でのプラズマ源として用いた。また、漏れ電流はかなり減少することが分かったので、Fig.１に示すように２回目の熱処理は不要である。異なる温度で堆積した薄膜は全て、プラズマアニール処理後と同様な漏れ電流の挙動を示しており、ポストアニールが、堆積したままの薄膜の不完全性を補償することを示している。プラズマアニールでの追加的改善は、酸素プラズマに５０％の窒素を添加した時観測された。この窒素の有利な効果は、少量の窒素を薄膜に添加した時の、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜の誘電特性の改善についての以前の報告と合致する。われわれは、酸素のみのプラズマに対して、窒素／酸素プラズマを使ったときの、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性の非対称性の減少も観察している。ここで検討した構造は、容量構造の下部電極及び上部電極の両者にＴｉＮを使用しており、このようにして、非対称性に起因して生ずる可能性のある仕事関数の差異を除去した。これらの構造の容量は、９ｎｍの五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）薄膜で、予想どおり、２０−２５ｆＦ・μｍ２であり、プラズマアニール後に多少の容量の増加があった。」（１３０８頁左欄第１行ないし１３０９頁左欄第２９行の訳文）
　ｃ．「ＣＶＤ形成のタンタル酸化物薄膜の低温プラズマ処理により、高温熱アニールで得られる漏れ電流と同等の漏れ電流が得られる。しかし、サーマルバジェットは配線層形成後の処理と同等である。」（１３１０頁右欄第２２行ないし第２６行の訳文）
　また、FIG．１には、ｄ．「ＰＶＤ堆積のＴｉＮからなる上部電極及び下部電極を備えた、９ｎｍのタンタル酸化膜の漏れ電流挙動。酸素の遠隔マイクロ波プラズマへ５０％の窒素を添加したとき、漏れ電流が１０−１０程度にまで減少した。」（訳文）との説明が記載されている。
　
　ここで、（ａ）記載事項ｂ．の「化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積された五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を備えたＴｉＮ／Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＮ容量構造での漏れ電流を減少するための、新規な低温遠隔プラズマアニール手法について記載する。」との記載より、容量構造を形成するために、ＴｉＮ電極、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜及び、ＴｉＮ電極を順次形成する工程を備えた容量の製造方法が実質的に記載されていることは明らかである。
（ｂ）記載事項ｂ．の「堆積温度は、上部電極及び下部電極のＴｉＮ電極のＰＶＤでの堆積では、３５０℃から４５０℃まで変化させた。」及び「これらの結果から、超ＬＳＩ（ＶＬＳＩ）の配線の上層への単純な組み込みを許容する、容量製造の全工程を４５０℃以下で行う可能性が示された。」との記載より、ＴｉＮ電極、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜及び、ＴｉＮ電極を順次形成する工程はいずれも４５０℃以下で行われたことは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「集積回路の容量を製造する方法であって、
　下部電極としてのＴｉＮ電極を形成する工程と、
　前記下部電極としてのＴｉＮ電極上に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を４５０℃以下の温度で形成する工程と、
　前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜上に上部電極としてのＴｉＮ電極を４５０℃以下の温度で形成する工程とを備えるとともに、
　前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成する工程において、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成した後に、遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理することを特徴とする方法。」
　
　刊行物２．特開平０７−２０２０１９号公報
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された特開平０７−２０２０１９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。    
「【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
【００１３】図１は、本発明の半導体集積回路装置の第１の実施例の工程断面図である。図１（ａ）に示しているように、メモリセルを構成するＭＯＳトランジスタ１をシリコン基板２上に作製する。ＭＯＳトランジスタはソース、ドレインとなる拡散層３とゲート電極４から構成され、隣合うゲート電極あるいはトランジスタの拡散層とは、素子分離層５で電気的に絶縁されている。また、ゲート電極側面にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなる側壁６が設けられている。さらに、トランジスタは、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜７で覆われ、本実施例の場合には図１（ａ）のように、層間絶縁膜表面が平坦化されている。平坦化には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）や化学機械研磨（ＣＭＰ）によるエッチバックを用いている。・・・
【００１４】次に、図１（ｂ）に示しているように、層間絶縁膜に通常のフォトリソグラフィーと酸化膜ＲＩＥによって、直径０．２５μｍのコンタクトホール８を形成する。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示しているように、全面にコンタクト金属（Ｔｉ）をコリメートスパッタにより、コンタクトホール底に充分な膜厚が堆積するように堆積し、下地のＳｉと反応させチタンシリサイドを形成する。つづいて、電極金属として窒化チタン膜を５０ｎｍの膜厚だけ堆積する。窒化チタンの堆積には、テトラジエチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ）あるいは、テトラジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）を原料とした有機金属ソース化学的気相成長（ＭＯＣＶＤ）を用いる。次に、ＴｉＮの上に容量絶縁膜として５酸化タンタル（Ｔａ２ Ｏ５ ）をＣＶＤ法で膜厚１０ｎｍだけ堆積する。
【００１６】次に、図２（ａ）に示しているように、再び、ＴＤＥＡＴあるいはＴＤＭＡＴを用いたＭＯＣＶＤで容量絶縁膜を上部電極金属（ＴｉＮ）１２を堆積する。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示しているように、周知のフォトリソグラフィーとＲＩＥを用いて上部電極金属１２、容量絶縁膜１１、電極金属１０、コンタクト金属を加工してパターンを形成する。
【００１８】このようにしてできた本発明の第１の半導体集積回路装置の実施例はＤＲＡＭのメモリセルとして使用する。
【００１９】ここで述べた実施例においては、コンタクト金属９としてＴｉを用いた例を示しているが、ＴｉのかわりにＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ等を用いてもよい。さらに、チタンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイド、モリブテンシリサイド、白金シリサイドＣｏＳｉ、ＮｉＳｉ等のシリサイドでも良い。
【００２０】また、ここで述べた実施例においては電極金属１０として、ＴｉＮを用いているが、ＴｉＮのかわりに窒化タングステン（ＷＮ）、窒化モリブテン（ＭｏＮ）等の金属窒化物、チタンタングステン（ＴｉＷ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などの合金やそれらの窒化物であるＴｉＷＮ、ＷＳｉＮ等を用いても良い。
【００２１】また、ここで述べた実施例においては、容量絶縁膜１１としてＴａ２ Ｏ５ を用いているが、ルチル（ＴｉＯ２ ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３ ）、ジルコニウム・チタン酸鉛（ＰＺＴ）等を用いても良い。・・・
【００２２】本実施例で形成した容量は、Ｔａ２ Ｏ５ の誘電率が従来のシリコン酸化膜の約６倍であることから、コンタクトホール内のみで約１０ｆＦである。ルチルを用いる場合には、同じくコンタクトホール内のみで約５０ｆＦとなり、この場合には、コンタクトホール内のみでメモリセルに必要な容量は満たされる。」
　
　刊行物３．特開平０９−２４６４７７号公報
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された特開平０９−２４６４７７号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図１ないし図３とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１８】［実施例］図１乃至図３は本発明の望ましい実施例に応じて半導体装置のキャパシタ製造方法を説明するための断面図である。
【００１９】図１は下部電極１５を形成する段階を示す。具体的に説明すると、絶縁膜１３で覆われた半導体基板１１の上にキャパシタの下部電極１５を形成する。前記下部電極１５としては・・・Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａ窒化膜、Ｔｉ窒化膜及びＭｏ窒化膜からなる群から選ばれるいずれか一つで構成される単一膜またはその組み合わせによる多重膜で構成されることができる。次いで、前記下部電極１５の上に形成された自然酸化膜の除去及び下部電極１５の欠陥を取り除くための前処理によれば、前記下部電極１５は窒素及び酸素を含有するガスによるプラズマ１６で処理される。このため、前記下部電極１５の上に窒素を含有するガス及び酸素を含有するガスを順次に又は同時に連続的に供給する。窒素を含有するガスとしては、ＮＨ３ 、Ｎ２ Ｏ、Ｎ２ などを用い、酸素を含有するガスとしては、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２ 、−ＯＨ基含有ガスなどを用いることができる。具体的に、前記下部電極１５を前処理するため、ｐ−ＮＨ３ 処理とプラズマＯ２ （以下、“ｐ−Ｏ２ ”という）処理を順次に又は同時に行うか、あるいは、プラズマＮ２ Ｏ（以下、“ｐ−Ｎ２ Ｏ”という）処理のみを行うことができる。
【００２０】本発明によるプラズマ処理条件としては、プラズマ出力パワーは１０〜５０Ｗ、プラズマ処理時間は５〜５００秒、プラズマ処理圧力は１００ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒ、プラズマ処理温度は２００〜５００℃とする。
【００２１】図２は誘電体膜１７を形成する段階を示す。ここで、前記プラズマ処理された下部電極１５に、例えば・・・Ｔａ２ Ｏ５ 膜またはＴｉＯ２ 膜からなる誘電体膜１７を約９０Åの厚さで蒸着する。・・・その後、前記誘電体膜１７をＯ３ 雰囲気で約３００℃の温度で約１５分間１次のアニーリングを行った後、Ｏ２ 雰囲気で約８００℃の温度で約３０分間２次のアニーリングを行う。
【００２２】図３は上部電極１９を形成する段階を示す。具体的には、前記誘電体膜１７の上に・・・Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａ、窒化膜、Ｔｉ窒化膜、Ｍｏ窒化膜からなる群から選ばれるいずれか一つによる単一膜またはその組み合わせによる多重膜で構成される上部電極１９を形成する。」
　　
４．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（ａ）刊行物発明の、「容量」、「下部電極としてのＴｉＮ電極」、「五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜」、「上部電極としてのＴｉＮ電極」及び「遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素を導入したプラズマ」は、それぞれ、本願発明の、「コンデンサ」、「第一の金属電極」、「五酸化タンタル層」、「第二の電極」及び「酸素と窒素から成る遠隔プラズマ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明において、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素を導入したプラズマ」により「プラズマでアニール」処理する際に、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜がプラズマに曝されることは明らかであるから、刊行物発明の、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理すること」は、本願発明の、「前記五酸化タンタル層を、酸素と窒素から成る遠隔プラズマに露出するステップ」に相当する。
（ｃ）刊行物発明においては、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成する工程において、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成した後に、前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理する」のであるから、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜上に上部電極としてのＴｉＮ電極を」「形成する工程」は、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理する」、言い換えると、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜」をアニール処理した後に、行われるのは明らかである。
（ｄ）刊行物発明の「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜上に上部電極としてのＴｉＮ電極」を「形成する工程」は、本願発明の「前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極」を「形成するステップ」に相当する。
　
  したがって、本願発明と刊行物発明は、
「集積回路のコンデンサを製造するための方法であって、
　第一の金属電極を形成するステップ；
　前記第一の金属電極の上に五酸化タンタル層を形成するステップ；
　前記五酸化タンタル層を、酸素と窒素から成る遠隔プラズマに露出するステップを含み；および
　前記アニーリングのステップの後に、前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極を形成するステップを含むことを特徴とする方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「半導体基板上に誘電層を形成するステップ」を備えるのに対して、刊行物発明は、上記工程を備えるか否か明らかでない点。
　相違点２
　本願発明は、「前記誘電層上に第一の金属電極を形成するステップ」を備えるのに対して、刊行物発明は、「下部電極としてのＴｉＮ電極を形成する工程」を備えているが、「下部電極としてのＴｉＮ電極」をどこに形成するか明らかでない点。
　相違点３
　本願発明は、「前記第一の金属電極の上に五酸化タンタル層を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら、形成するステップ」を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記下部電極としてのＴｉＮ電極上に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を４５０℃以下の温度で形成する工程」を備えている点。
　相違点４
　本願発明は、「前記五酸化タンタル層の少なくとも一度の遠隔プラズマアニールを、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら遂行するステップであって、前記遠隔プラズマアニールは、前記五酸化タンタル層を、純粋な窒素から成る遠隔プラズマに露出し、次いで前記純粋な窒素による遠隔プラズマアニールの後に、前記五酸化タンタル層を、酸素と窒素から成る遠隔プラズマに露出するステップを含」むとの構成を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成する工程において、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成した後に、前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理すること」との構成を備えている点。
　相違点５
　本願発明は、「前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら形成するステップを含む」との構成を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜上に上部電極としてのＴｉＮ電極を４５０℃以下の温度で形成する工程」を備えている点。
　
５．当審の判断
　相違点について以下で検討する。
　［相違点１及び相違点２について］
　半導体基板上に形成した誘電体膜上にキャパシタの下部電極を形成することは、例えば、刊行物２（シリコン基板２、層間絶縁膜７（本願発明の「誘電層」に相当）、容量電極金属１０（本願発明の「下部電極」に相当）、図１、図２及び００１３段落ないし００１７段落参照）及び刊行物３（半導体基板１１、絶縁膜１３（本願発明の「誘電層」に相当）、下部電極１５、図１ないし図３及び００１９段落ないし００２２段落参照）に記載されるように、従来周知である。
　したがって、刊行物発明においても、「半導体基板上に誘電層を形成する」工程を備えたものとすると共に、刊行物発明の「下部電極としてのＴｉＮ電極」を、従来周知の如く、半導体基板上に形成した誘電体膜上に形成することは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　
　［相違点３について］
（ａ）刊行物１には、記載事項ｂ．の「最初のレベルの配線層形成の後に行われる各処理に許容されるサーマルバジェットは、通常４５０℃より低く制限されているから、低温処理が非常に重要である。化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積された五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を備えたＴｉＮ／Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＮ容量構造での漏れ電流を減少するための、新規な低温遠隔プラズマアニール手法について記載する。」、「これらの結果から、超ＬＳＩ（ＶＬＳＩ）の配線の上層への単純な組み込みを許容する、容量製造の全工程を４５０℃以下で行う可能性が示された。　ＣＶＤで堆積したタンタル酸化物薄膜には、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）チャンバーで金属有機物プリカーサー（前駆体）を用いた。堆積温度は、上部電極及び下部電極のＴｉＮ電極のＰＶＤでの堆積では、３５０℃から４５０℃まで変化させた。」こと及び、記載事項ｃ．の「ＣＶＤ形成のタンタル酸化物薄膜の低温プラズマ処理により、高温熱アニールで得られる漏れ電流と同等の漏れ電流が得られる。しかし、サーマルバジェットは配線層形成後の処理と同等である。」ことが記載されている。
　したがって、「五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を備えたＴｉＮ／Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＮ容量構造」の形成において、「五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜」は、４５０℃以下で金属有機物プリカーサー（前駆体）を用いて化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積されたものであること、「下部電極としてのＴｉＮ電極」薄膜及び「上部電極としてのＴｉＮ電極」薄膜が３５０℃から４５０℃の範囲の温度で形成されたものであることは明らかである。
（ｂ）一方、本願明細書には、五酸化タンタル層の形成及び形成時の温度に関して、「ブロック４８において、五酸化タンタル層３３が、コンデンサ絶縁層として形成される。勿論、五酸化タンタルは、半導体の製造において用いられている他の従来の絶縁材と比較して相対的に高い誘電定数を有するという点で、コンデンサに対する絶縁層として、非常に望ましい。五酸化タンタル層３３は、当業者においては周知のように、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５と酸素の混合を伴うＣＶＤプロセスによって形成される。」（００１８段落）、「本発明によると、堆積温度は、第一の金属層の酸化温度より低く維持される。より詳細には、温度は、好ましくは、約５００℃より低く維持され、より好ましくは、約４００℃より低く維持される。当業者においては容易に理解できるように、五酸化タンタル層３３のＣＶＤ堆積に対する時間期間は、通常は、用いられる装置によって決まるが、プロセスの良好な制御のためには、堆積時間は、典型的には、１〜１０分の範囲とされる。ただし、高速熱処理（ＲＴＰ）の場合のように、これより短時間とすることもできる。加えて、比較的低温にて十分に高い堆積速度（成膜速度）を達成するために、圧力は、好ましくは、約３トル（Torr）より大きく、例えば、約３〜１５トルの範囲とされる。」（００１９段落）と記載されている。
　したがって、「五酸化タンタル層３３」は「Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５と酸素の混合を伴うＣＶＤプロセスによって形成される。」（００１８段落）と共に、五酸化タンタル層の「堆積温度は、第一の金属層の酸化温度より低く維持される。より詳細には、温度は、好ましくは、約５００℃より低く維持され、より好ましくは、約４００℃より低く維持される。」（００１９段落）ものである。
（ｃ）ここで、刊行物１及び本願明細書のいずれにおいても、「五酸化タンタル層」又は「五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜」は、有機化合物原料を用いたＣＶＤで形成されると共に、刊行物１においては、４５０℃以下の温度で、本願明細書においては、約５００℃より低く、より好ましくは、約４００℃より低い温度で形成されると記載されているから、刊行物発明及び本願発明のいずれの方法においても、「五酸化タンタル層」又は「五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜」の形成時において、それぞれの下に位置する電極である、「第一の金属電極」又は「下部電極としてのＴｉＮ電極」は酸化していないものと解しえる。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）から、刊行物発明の「前記下部電極としてのＴｉＮ電極上に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を４５０℃以下の温度で形成する工程」においても、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成する時に、「下部電極としてのＴｉＮ電極」は酸化温度より低く維持されていることは明らかであるから、刊行物発明も、本願発明の如く、「前記第一の金属電極の上に五酸化タンタル層を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら、形成するステップ」を実質的に備えていることは明らかである。
　よって、相違点３は、実質的なものではない。
　
　［相違点４について］      
　相違点４について、本願発明は、「前記五酸化タンタル層の少なくとも一度の遠隔プラズマアニールを、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら遂行するステップであ」るとの構成を備えるのに対して、刊行物発明は上記構成を備えているか否か明らかでない点（相違点４−１）と、本願発明は、「前記遠隔プラズマアニールは、前記五酸化タンタル層を、純粋な窒素から成る遠隔プラズマに露出し、次いで前記純粋な窒素による遠隔プラズマアニールの後に、前記五酸化タンタル層を、酸素と窒素から成る遠隔プラズマに露出するステップを含」むとの構成を備えているのに対して、刊行物発明は、「五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を形成した後に、前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理すること」との構成を備えている点（相違点４−２）に区分して検討する。
　［相違点４−１について］
（ａ）刊行物１には、記載事項ｂ．の「最初のレベルの配線層形成の後に行われる各処理に許容されるサーマルバジェットは、通常４５０℃より低く制限されているから、低温処理が非常に重要である。」こと、「これらの実験において、我々は、より高密のプラズマでより効率的なアニールであって、高周波により形成されるプラズマと比較してダメージが極めて少なく、より効率よく酸素及び窒素ラディカルを生成できる、遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源を用いた。」こと及び、記載事項ｃ．の「ＣＶＤ形成のタンタル酸化物薄膜の低温プラズマ処理により、高温熱アニールで得られる漏れ電流と同等の漏れ電流が得られる。しかし、サーマルバジェットは配線層形成後の処理と同等である。」ことが記載されている。
　したがって、刊行物１に記載される容量構造の形成における、マイクロ波によるプラズマアニールは、４５０℃より低く、且つ、最初の配線層形成後に許容される温度で行われたことは明らかである。
（ｂ）また、［相違点３について］（ａ）ないし（ｃ）で検討したように、下部電極としてのＴｉＮ電極は、４５０℃では酸化されないことは明らかである。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）より、刊行物発明においても、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理する」際に、下部電極としてのＴｉＮ電極が酸化されない温度で行うことは明らかである。
　したがって、相違点４−１については、刊行物発明と本願発明は、実質的に相違しない。
　［相違点４−２について]
（ａ）刊行物１には、記載事項ａ．の「化学蒸着（ＣＶＤ）及び物理蒸着（ＰＶＤ）により形成されたタンタル酸化物薄膜の漏れ電流が、低温酸素／窒素プラズマ処理により、非常に減少することが報告された。」こと、「漏れ電流とチャージトラッピングの低減での窒素の役割は、酸化膜での窒素の部分的結合による酸化膜中のバルクトラップ状態密度の削減により生ずると考えられる。」こと、記載事項ｂ．の「これらの実験において、我々は、より高密のプラズマでより効率的なアニールであって、高周波により形成されるプラズマと比較してダメージが極めて少なく、より効率よく酸素及び窒素ラディカルを生成できる、遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源を用いた。・・・また、漏れ電流は非常に減少することが分かったので、Fig１に示すように２回目の熱処理は不要である。」こと及び、記載事項ｄ．の「ＰＶＤ堆積のＴｉＮからなる上部電極及び下部電極を備えた、９ｎｍのタンタル酸化膜の漏れ電流挙動。酸素の遠隔マイクロ波プラズマへ５０％の窒素を添加したとき、漏れ電流が１０−１０程度にまで減少した。」ことが記載されている。
（ｂ）一方、本願明細書には、請求項の記載に対応する記載である「課題を解決するための手段」の０００８段落ないし００１３段落を除くと、遠隔プラズマアニールについては、「ブロック５０において、五酸化タンタル層３３が、好ましくは、遠隔プラズマを用いてアニールされる。遠隔プラズマは、漏れ電流が低いという点で、高品質の五酸化タンタル層を与える。遠隔プラズマは、２つの別個のアニールから構成され、当業者においては周知のように、第一のアニールは、純粋な窒素内で遂行され、第二のアニールは、酸素と窒素内で遂行される。これらアニールの際の圧力は、約１〜５トルとされる。勿論、ここでも、温度は、好ましくは、第一の電極の金属の酸化温度、例えば、約５００℃より低く、より好ましくは、約４００℃より低く、維持される。」（００２０段落）との記載があるのみであって、窒素又は窒素と酸素を用いたプラズマアニールの作用効果については何らの記載もない。
（ｃ）五酸化タンタル層（薄膜）形成後、酸素欠損を補填するために酸素雰囲気でアニール処理を行うことは、例えば、刊行物３（特に、「下部電極１５に・・・Ｔａ２ Ｏ５ 膜・・・からなる誘電体膜１７を約９０Åの厚さで蒸着する。・・・その後、前記誘電体膜１７をＯ３ 雰囲気で約３００℃の温度で約１５分間１次のアニーリングを行った後、Ｏ２ 雰囲気で約８００℃の温度で約３０分間２次のアニーリングを行う。」（００２１段落）参照）に記載されるように従来周知である。
（ｄ）上記（ａ）で検討したとおり、刊行物１には、「漏れ電流とチャージトラッピングの低減での窒素の役割は、酸化膜での窒素の部分的結合による酸化膜中のバルクトラップ状態密度の削減により生ずると考えられる。」と記載されると共に、「化学蒸着（ＣＶＤ）及び物理蒸着（ＰＶＤ）により形成されたタンタル酸化物薄膜の漏れ電流が、低温酸素／窒素プラズマ処理により、かなり減少する」から、「２回目の熱処理は不要であ」ることが記載され、また、上記（ｃ）で検討したとおり、五酸化タンタル層（薄膜）形成後、五酸化タンタル層（薄膜）の酸素欠損を補填するために酸素雰囲気でアニール処理を行うことは従来周知であって、五酸化タンタル層（薄膜）の酸素欠損を補填するための処理がその上に形成する薄膜形成工程の直前に実施されることが必要であることは明らかである。
（ｅ）したがって、刊行物１に記載される実験（実施例）においては、酸素の５０％の窒素を添加することにより、かなりの「漏れ電流とチャージトラッピングの低減」効果が得られているが、刊行物１に記載される、「前記五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜を遠隔ダウンストリームマイクロ波プラズマ源に窒素と酸素とを導入したプラズマでアニール処理すること」の「窒素」の導入量が比較的少なく、刊行物１に記載される、「窒素」の導入による効果（酸化膜中のバルクトラップ状態密度の削減の効果）が不十分である場合には、刊行物１に記載される「窒素及び酸素」を導入したプラズマ処理の前に、「窒素」の導入量の不足を補うために、最初の段階として「窒素」を導入したプラズマ処理を行い、次の段落として、実質的に、五酸化タンタル層（薄膜）への酸素欠損を補填する工程でもある、窒素及び酸素を含むアニール処理を行うことにより、刊行物発明が、本願発明の如く、「前記五酸化タンタル層を、純粋な窒素から成る遠隔プラズマに露出し、次いで前記純粋な窒素による遠隔プラズマアニールの後に、前記五酸化タンタル層を、酸素と窒素から成る遠隔プラズマに露出する」工程を備えたものとすることは、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が、何ら困難性なくなし得たものである。
　　
　［相違点５について］
　［相違点３について］において検討したと同様の理由により、刊行物発明も、本願発明の如く、「前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら形成するステップを含む」との構成を実質的に備えていることは明らかである。
　したがって、相違点５は、実質的なものではない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし８について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。