【事件の表示】
　特願２００１−５５０７６６「バルク型アモルファス金属磁気部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１２日国際公開、ＷＯ０１／５０４８３、平成１５年　６月２４日国内公表、特表２００３−５１９９０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年１月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１月５日、米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成１７年３月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月１５日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、これに対し、指定期間内である平成１９年２月２日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年７月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年７月１５日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　併せて積層され多角形状部分を形成するアモルファス金属ストリップの実質的に類似の形状の複数の層から成る低損バルク型アモルファス金属磁気部品であって、該低損バルク型アモルファス金属磁気部品が励起周波数“ｆ”をもってピーク誘導レベルＢmaxまで作動された時に“Ｌ”を下回る鉄損を有し、ここにおいて、Ｌが式Ｌ＝０．００７４ｆ（Ｂmax）１．３＋０．０００２８２ｆ１．５（Ｂmax）２．４によって与えられ、該鉄損、該励起周波数及び該ピーク誘導レベルが、夫々、キログラム当たりワット数、ヘルツ及びテスラをもって測定される低損バルク型アモルファス金属磁気部品であって、
　該各アモルファス金属ストリップが７９〜８２原子パーセントＦｅ、１０〜１５原子パーセントＢ及び２〜１０原子パーセントＳｉを含み、但しＢ及びＳｉの全含有量が１８〜２１原子パーセントである、バルク型アモルファス金属磁気部品。」と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「アモルファス金属ストリップ」の組成を「各アモルファス金属ストリップが７９〜８２原子パーセントＦｅ、１０〜１５原子パーセントＢ及び２〜１０原子パーセントＳｉを含み、但しＢ及びＳｉの全含有量が１８〜２１原子パーセントである」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件（特許法第３６条第６項第１号）について
　本願補正発明である補正後の請求項１に記載された「アモルファス金属ストリップが７９〜８２原子パーセントＦｅ、１０〜１５原子パーセントＢ及び２〜１０原子パーセントＳｉを含み、但しＢ及びＳｉの全含有量が１８〜２１原子パーセントである」組成に関する実施例は、「Ｆｅ８０Ｂ１１Ｓｉ９」(実施例１〜４)の一例だけである。
　この組成「Ｆｅ８０Ｂ１１Ｓｉ９」の一実施例のみの結果から、補正後の請求項１に記載されたアモルファス金属ストリップの組成の全範囲において、明細書記載の「低損バルク型アモルファス金属磁気部品が励起周波数“ｆ”をもってピーク誘導レベルＢmaxまで作動された時に“Ｌ”を下回る鉄損を有し、ここにおいて、Ｌが式Ｌ＝０．００７４ｆ（Ｂmax）１．３＋０．０００２８２ｆ１．５（Ｂmax）２．４によって与えられ、該鉄損、該励起周波数及び該ピーク誘導レベルが、夫々、キログラム当たりワット数、ヘルツ及びテスラをもって測定される」との効果を奏するとは認められない。
　ゆえに、出願時の技術常識を参酌しても、発明の詳細な説明に開示された内容を本願補正発明の範囲に拡張ないし一般化することができないので、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとは認められない。
　したがって、本願補正発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないので、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　なお、「Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｂ９Ｓｉ１３．５」(実施例５)は、本願補正発明の上記組成範囲外である。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１７年７月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１７年１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　併せて積層され多角形状部分を形成するアモルファス金属ストリップの実質的に類似の形状の複数の層から成る低損バルク型アモルファス金属磁気部品であって、該低損バルク型アモルファス金属磁気部品が励起周波数“ｆ”をもってピーク誘導レベルＢｍａｘまで作動された時に“Ｌ”を下回る鉄損を有し、ここにおいて、Ｌが式Ｌ＝０．００７４ｆ（Ｂｍａｘ）１．３＋０．０００２８２ｆ１．５（Ｂｍａｘ）２．４によって与えられ、該鉄損、該励起周波数及び該ピーク誘導レベルが、夫々、キログラム当たりワット数、ヘルツ及びテスラをもって測定される低損バルク型アモルファス金属磁気部品。
【請求項２】　該各バルク型アモルファス金属磁気部品が本質的に式Ｍ７０−８５Ｙ５−２０Ｚ０−２０、添え字は原子パーセント、をもって定められる組成物を有し、この式において“Ｍ”は少なくともＦｅ、Ｎｉ及びＣｏの内の１つであり、“Ｙ”は少なくともＢ、Ｃ及びＰの内の１つであり、及び“Ｚ”は少なくともＳｉ、Ａｌ及びＧｅの内の１つであり；但し、（ｉ）部品“Ｍ”の最大１０原子パーセントが少なくとも金属種Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷの内の１つをもって代替でき、（ｉｉ）部品（Ｙ＋Ｚ）の最大１０原子パーセントが非金属種Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＰｂの内の１つをもって代替でき、並びに（ｉｉｉ）部品（Ｍ＋Ｙ＋Ｚ）の最大約１原子パーセントが付帯的不純物であり得る請求項１に記載のバルク型アモルファス金属磁気部品。
【請求項３】　該各アモルファス金属ストリップが少なくとも７０原子パーセントＦｅ、少なくとも５原子パーセントＢ及び少なくとも５原子パーセントＳｉを含み、但しＢ及びＳｉの全含有量が少なくとも１５原子パーセントである、請求項２に記載のバルク型アモルファス金属磁気部品。
【請求項４】　該各アモルファス金属ストリップが本質的に構造式Ｆｅ８０Ｂ１１Ｓｉ９によって定められる組成物を有する請求項３に記載のバルク型アモルファス金属磁気部品。
【請求項５】　該アモルファス金属ストリップがその中にナノ結晶性微細構造を形成するように処理される請求項２に記載のバルク型アモルファス金属磁気部品。
【請求項６】　該各アモルファス金属ストリップが本質的に式Ｆｅ１００−ｕ−ｘ−ｙ−ｚ−ｗＲｕＴｘＯｙＢｚＳｉｗによって定められる組成物を有し、この式において、Ｒは少なくともＮｉ及びＣｏの内の１つであり、Ｔは少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷの内の１つであり、Ｑは少なくともＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ及びＰｔの内の１つであり、ｕは０乃至約１０に亘り、ｘは約３乃至１２に亘り、ｙは０乃至約４に亘り、ｚは約５乃至１２に亘り、及びｗは０乃至約８を下回るものである、請求項５に記載の低損バルク型アモルファス金属部品。
【請求項７】　該各アモルファス金属ストリップが本質的に式Ｆｅ１００−ｕ−ｘ−ｙ−ｗＲｕＴｘＯｙＢｚＳｉｗによって定められる組成物を有し、この式において、Ｒは少なくともＮｉ及びＣｏの内の１つであり、Ｔは少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷの内の１つであり、Ｑは少なくともＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ及びＰｔの内の１つであり、ｕは０乃至約１０に亘り、ｘは約１乃至５に亘り、ｙは０乃至約３に亘り、ｚは約５乃至１２に亘り、及びｗは約８乃至１８に亘るものである、請求項５に記載の低損バルク型アモルファス金属部品。
【請求項８】　該磁気部品が約６０Ｈｚの周波数で及び約１．４Ｔの磁束密度で作動される時にアモルファス金属材料のキログラム当たり１ワットより少ないか又はこれに略ぼ等しい鉄損を有する請求項１に記載のバルク型アモルファス金属磁気部品。
【請求項９】　該磁気部品が約１，０００Ｈｚの周波数で及び約１．０Ｔの磁束密度で作動される時にアモルファス金属材料のキログラム当たり１２ワットより少ないか又はこれに略ぼ等しい鉄損を有する請求項１に記載のバルク型アモルファス金属磁気部品。」
　
　２　特許法第３６条第６項第１号について
　本願請求項１に係る発明は、アモルファス金属ストリップの組成に限定がなく、請求項２に係る発明は、「各バルク型アモルファス金属磁気部品が本質的に式Ｍ７０−８５Ｙ５−２０Ｚ０−２０、添え字は原子パーセント、をもって定められる組成物を有し、この式において“Ｍ”は少なくともＦｅ、Ｎｉ及びＣｏの内の１つであり、“Ｙ”は少なくともＢ、Ｃ及びＰの内の１つであり、及び“Ｚ”は少なくともＳｉ、Ａｌ及びＧｅの内の１つであり；但し、（ｉ）部品“Ｍ”の最大１０原子パーセントが少なくとも金属種Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷの内の１つをもって代替でき、（ｉｉ）部品（Ｙ＋Ｚ）の最大１０原子パーセントが非金属種Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ及びＰｂの内の１つをもって代替でき、並びに（ｉｉｉ）部品（Ｍ＋Ｙ＋Ｚ）の最大約１原子パーセントが付帯的不純物であり得る」組成の全範囲を含み、請求項３に係る発明は、「該各アモルファス金属ストリップが少なくとも７０原子パーセントＦｅ、少なくとも５原子パーセントＢ及び少なくとも５原子パーセントＳｉを含み、但しＢ及びＳｉの全含有量が少なくとも１５原子パーセントである」組成の全範囲を含み、請求項６に係る発明は、「該各アモルファス金属ストリップが本質的に式Ｆｅ１００−ｕ−ｘ−ｙ−ｚ−ｗＲｕＴｘＯｙＢｚＳｉｗによって定められる組成物を有し、この式において、Ｒは少なくともＮｉ及びＣｏの内の１つであり、Ｔは少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷの内の１つであり、Ｑは少なくともＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ及びＰｔの内の１つであり、ｕは０乃至約１０に亘り、ｘは約３乃至１２に亘り、ｙは０乃至約４に亘り、ｚは約５乃至１２に亘り、及びｗは０乃至約８を下回るものである」組成の全範囲を含み、請求項７に係る発明は、「該各アモルファス金属ストリップが本質的に式Ｆｅ１００−ｕ−ｘ−ｙ−ｗＲｕＴｘＯｙＢｚＳｉｗによって定められる組成物を有し、この式において、Ｒは少なくともＮｉ及びＣｏの内の１つであり、Ｔは少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷの内の１つであり、Ｑは少なくともＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ及びＰｔの内の１つであり、ｕは０乃至約１０に亘り、ｘは約１乃至５に亘り、ｙは０乃至約３に亘り、ｚは約５乃至１２に亘り、及びｗは約８乃至１８に亘るものである」組成の全範囲を含むものであり、さらに、請求項５に係る発明は、請求項２を引用し、請求項８，９に係る発明は、請求項１を引用している。
　しかし、アモルファス金属の組成に関する実施例は、「Ｆｅ８０Ｂ１１Ｓｉ９」(実施例１〜４)と「Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｂ９Ｓｉ１３．５」(実施例５)の２例だけである。
　この組成「Ｆｅ８０Ｂ１１Ｓｉ９」と「Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｂ９Ｓｉ１３．５」の２実施例のみの結果から、本願請求項１，８，９に係る発明のようにアモルファス金属ストリップの組成に関係なく全範囲において、また、請求項２，３，５，６，７に係る発明のアモルファス金属ストリップの組成の全範囲において、明細書記載の「低損バルク型アモルファス金属磁気部品が励起周波数“ｆ”をもってピーク誘導レベルＢmaxまで作動された時に“Ｌ”を下回る鉄損を有し、ここにおいて、Ｌが式Ｌ＝０．００７４ｆ（Ｂmax）１．３＋０．０００２８２ｆ１．５（Ｂmax）２．４によって与えられ、該鉄損、該励起周波数及び該ピーク誘導レベルが、夫々、キログラム当たりワット数、ヘルツ及びテスラをもって測定される」との効果を奏するとは認められない。
　したがって、出願時の技術常識を参酌しても、発明の詳細な説明に開示された内容を本願請求項１〜３，５〜９に係る発明の範囲に拡張ないし一般化することができないので、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとは認められず、本願請求項１〜３，５〜９に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本願請求項１〜３，５〜９に係る発明は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとは認められず、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないので、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。