【事件の表示】
　特願２００２−２４７３８６「半導体ブロックのスライス方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１８日出願公開、特開２００４−　８２２８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２７日の出願であって、平成１８年１１月１３日付の手続補正を経て平成１８年１１月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年１月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月１３日付で明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　　本件補正を却下する。
　
【理由】
2.1　補正後の本願発明
2.1.1　補正事項ａ
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１が次のとおり補正された。
＜補正前＞「供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取りながら、前記ワイヤーの上方に配置された角柱状の半導体ブロックをスライスする半導体ブロックのスライス方法において、
　前記半導体ブロックは、その前記ワイヤーと対向する面を、前記半導体ブロックの両側に配設された複数の間隔保持用ローラーの上縁部を結ぶように配置された前記ワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行する前記ワイヤーによって
切り込まれる
＜補正後＞「供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取りながら、前記ワイヤーの上方に配置された角柱状の半導体ブロックをスライスする半導体ブロックのスライス方法において、
　前記半導体ブロックは、その前記ワイヤーと対向する面を、前記半導体ブロックの両側に配設された複数の間隔保持用ローラーの上縁部を結ぶように配置された前記ワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行する前記ワイヤーによって
前記半導体ブロックの角部からスライスが開始される
（なお、下線は補正箇所を明確化する目的で当審にて付したものである。）
　
2.1.2　補正事項ｂ
　本件補正により、発明の詳細な説明の段落【０００９】及び【００２７】が、請求項１の補正に整合するように補正された。
　
　上記補正事項ａは、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「切り込まれる」ことについて、「半導体ブロックの角部からスライスが開始される」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
2.2　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１は次のとおりである。
　
「供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取りながら、前記ワイヤーの上方に配置された角柱状の半導体ブロックをスライスする半導体ブロックのスライス方法において、
　前記半導体ブロックは、その前記ワイヤーと対向する面を、前記半導体ブロックの両側に配設された複数の間隔保持用ローラーの上縁部を結ぶように配置された前記ワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行する前記ワイヤーによって前記半導体ブロックの角部からスライスが開始されることを特徴とする半導体ブロックのスライス方法。」
　
2.3　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開平１０−７９３６１号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
ａ．（特許請求の範囲、【請求項１】）
「第１の支持体と第２の支持体との間に張架されたワイヤを移動することによって少なくとも第１及び第２の半導体ウエハを同時に切断する方法であって、
　前記ワイヤの前記第１の支持体に接触している部分における最も前記第２の支持体に近い位置（Ｐ1 ）と前記ワイヤの前記第２の支持体に接触している部分における最も前記第１の支持体に近い位置（Ｐ2 ）とを結ぶ仮想直線（Ｌ1 ）に沿って前記第１及び第２の半導体ウエハを配置し、且つ前記第１及び第２の半導体ウエハの中間点を通り且つ前記仮想直線に直交している仮想平面（Ｓ1 ）を中心にして前記第１及び第２の半導体ウエハを対称に配置し、且つ前記第１及び第２の半導体ウエハの主面の前記第１及び第２の支持体寄りの端と前記仮想直線との間の最短距離が前記第１及び第２の半導体ウエハの主面の前記第１及び第２の支持体から最も遠い方の端と前記仮想直線との最短距離よりも短くなるように前記第１及び第２の半導体ウエハを傾斜配置し、前記第１及び第２の半導体ウエハの傾斜を前記第１及び第２の支持体間の前記ワイヤの撓みによる傾斜にほぼ一致させた状態で前記ワイヤで前記第１及び第２の半導体ウエハを切断することを特徴とする半導体ウエハの切断方法。」
ｂ．（発明の詳細な説明、段落【００１１】）
「図５に示す第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂは図２に示す積層型半導体ウエハ６と同一に構成されている。積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂを切断するためのワイヤ８は第１、第２及び第３のワイヤ支持体としての第１、第２及び第３のローラ１２、１３、１４に張架されている。第１及び第２のローラ１２、１３は軸１５、１６に回転自在に支持され、第３のローラ１４は駆動軸１７に固着され、この駆動軸１７は正逆転可能なモータ１８に結合されている。従って、第３のローラ１４を図５で時計回り方向に回転させると、第１及び第２のローラ１２、１３も時計回り方向に回転し、ワイヤ８は図５で右から左の方向（第１の方向）に移動し、第３のローラ１４を反時計回り方向に回転させると、第１及び第２のローラ１２、１３もこの方向に回転し、ワイヤ８は左から右の方向（第２の方向）に移動する。積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの切断はワイヤ８の移動方向を交互に変えて進める。」
ｃ．（発明の詳細な説明、段落【００１３】）
「第１及び第２の傾斜板２３、２４の傾きを図５で鎖線で示す仮想直線Ｌ1 と仮想平面Ｓ1 とを使用して説明する。ワイヤ８の第１のローラ１２に接触している部分の最も第２のローラ１３側の位置（第１の位置）Ｐ1 とワイヤ８の第２のローラ１３に接触している部分の最も第１のローラ１２側の位置（第２の位置）Ｐ2 とを結ぶ仮想直線Ｌ1 に対して保持台７は平行に配置されている。また、保持台７の図５で水平方向の中心は第１及び第２の位置Ｐ1 、Ｐ2 の中間点に一致している。また、保持台９上に配置された第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの相互の中間点は第１及び第２の位置Ｐ1 、Ｐ2 の中間点に一致している。仮想平面Ｓ1 は第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの中間点を通り且つ仮想直線Ｌ1 に直交している。従って、第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂ、第１及び第２の保持具９ａ、９ｂ、第１及び第２のガラスベース１０ａ、１０ｂ、支持台７の左半分と右半分、第１及び第２の傾斜板２３、２４は仮想平面Ｓ1 を中心にそれぞれ対称に配置されている。仮想直線Ｌ1 に対して平行な底面を有する凹部１９、２０に収容されている第１及び第２の傾斜板２３、２４は、仮想平面Ｓ1 を基準にして互いに逆向きの傾斜を有する。即ち、第１の傾斜板２３は仮想平面Ｓ1 側の端が最も厚く、第１のローラ１２側の端が最も薄くなるように形成され、左下りの傾斜上面を有する。第２の傾斜板２４は仮想平面Ｓ1 側の端が最も厚く、第２のローラ１３側の端が最も薄くなるように傾斜され、右下りの傾斜上面を有する。保持具９ａ、９ｂ、ガラスベース１０ａ、１０ｂ、積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂは図４と同様にそれぞれの対向する一対の主面が平行になるように形成されているので、第１及び第２の傾斜板２３、２４の上に保持具９ａ、９ｂ、ガラスベース１０ａ、１０ｂを介して配置された積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂは、これ等の主面の第１及び第２のローラ１２、１３寄りの端と仮想直線Ｌ1 との間の最短距離がこれ等の主面の第１及び第２のローラ１２、１３から最も遠い方の端と仮想直線Ｌ1 との間の最短距離よりも短くなるように傾斜している。即ち、第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの主面は第１及び第２の傾斜面２３、２４の傾斜上面と平行となるように傾斜している。第１及び第２の傾斜板２３、２４及び第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの傾斜角は、ワイヤ８の撓みによって生じる傾斜角（約１〜２度）とほぼ同一に設定されている。」
ｄ．（発明の詳細な説明、段落【００１５】）
「図５には第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの切断の終了時点が示されているが、切断を開始する時には、上下動装置１１によって第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの上面位置を図５よりも下方に位置決めし、第１及び第２の積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂの上面にワイヤ８を接触させ、ワイヤ８を移動させる。その後、切断の進行に従って上下動装置１１によって第１及び第２の半導体ウエハ６ａ、６ｂを徐々に上昇させる。」
ｅ．（図５）
　積層型半導体ウエハ６ａ、６ｂは、これ等の主面の第１及び第２のローラ１２、１３から最も遠い方の端が、最も高い位置にあることが看取される。
　
　摘記事項ｃ及びｅから、仮想直線Ｌ1 はローラ１２，１３の下縁部を結ぶように配置されて、切断開始前のワイヤが無負荷の状態にあっては、ワイヤがこの仮想直線Ｌ1 上に位置することは、当業者が容易に理解するところである。そして摘記事項ｄも勘案すると、切断開始時には、仮想直線Ｌ1上のワイヤが半導体ウエハの最高点、すなわち半導体ウエハのローラ１２，１３から最も遠い方の端である角部に最初に当接することも、当業者であれば容易に理解し得るものである。
　そうしてみると、上記摘記事項を本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物には、
「ワイヤを複数のローラ間に配置して巻き取りながら、前記ワイヤの下方に配置された積層型半導体ウエハを切断する積層型半導体ウエハの切断方法において、
　前記積層型半導体ウエハは、その前記ワイヤと対向する面を、前記積層型半導体ウエハの両側に配設された複数のローラの下縁部を結ぶように配置された仮想直線上のワイヤに対して所定角度傾斜させた状態で、走行する前記ワイヤによって前記積層型半導体ウエハの切断が開始される積層型半導体ウエハの切断方法。」の発明（以下、「刊行物記載の発明」という。）
が記載されていると認められる。
　
2.4　対比
　そこで、本件補正発明と刊行物記載の発明とを比較すると、後者の「ワイヤ」及び「ローラ」が、前者の「ワイヤー」及び「ローラー」にそれぞれ相当することは明白であり、また、後者の「切断」及び「切断方法」は、被加工材を一定の幅に切断するものであるから、前者の「スライス」及び「スライス方法」にそれぞれ相当するというべきである。そして、後者の「積層型半導体ウエハ」は、ワイヤーによって切断される半導体材料である限りにおいて、前者の「角柱状の半導体ブロック」に相当するということができる。
　そうしてみると、両者は次の点において一致及び相違するものと認められる。
【一致点】
「ワイヤーを複数のローラ間に配置して巻き取りながら、半導体材料をスライスする半導体材料のスライス方法において、
　前記半導体材料は、その前記ワイヤーと対向する面を、前記半導体材料の両側に配設された複数のローラの縁部を結ぶように配置されたワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行する前記ワイヤーによって前記半導体材料のスライスが開始される半導体材料のスライス方法。」である点。
【相違点１】
　ワイヤーは、前者では供給リールから供給され、複数の間隔保持用ローラー間に配置し、巻き取りリールで巻き取るのに対し、後者ではこのような特定がない点。
【相違点２】
　前者はワイヤーの上方に配置された角柱状の半導体ブロックを、間隔保持用ローラーの上縁部を結ぶように配置されたワイヤーでスライスするのに対し、後者ではワイヤーの下方に配置された積層型半導体ウエハをローラーの下縁部を結ぶように配置されたワイヤーでスライスする点。
【相違点３】
　前者では半導体材料のワイヤーと対向する面をワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行するワイヤーによって前記半導体材料の角部からスライスを開始するのに対し、後者では角部からスライスを開始するのか不明確である点。
　
2.5　判断　
　以下、上記相違点について検討する。
　
2.5.1【相違点１】について
　半導体材料をワイヤーにてスライスする方法において、ワイヤーを供給リールから供給して、複数の間隔保持用ローラー間に配置し、巻き取りリールで巻き取ることは、例えば特開平７−３１４４３６号公報、特開平８−３２３７４１号公報、特開平１１−２１６６５６号公報等に示されるように従来周知の技術であるから、刊行物記載の発明においても同様の構成を採用することは当業者が容易に想到し得るものである。
　
2.5.2【相違点２】について
　半導体材料をワイヤーにてスライスする方法において、ワイヤーの上方に配置された半導体ブロックを、間隔保持用ローラーの上縁部を結ぶように配置されたワイヤーでスライスすることは、例えば特開平１０−２４９６９９号公報、特開平１１−２１６６７２号公報、特開２０００−１４１２２０号公報、特開２０００−３０９０１６号公報等に示されるように従来周知の技術であるから、刊行物記載の発明においても同様の構成を採用することは当業者が容易に想到し得るものである。この際、半導体材料を角柱状の半導体ブロックとすることは、刊行物記載の発明においても積層型半導体ウエハの切断面形状が長方形であって角柱状の被加工材のそれと違わないことから、当業者にとっては単なる設計上の事項に過ぎない。
　
　なお、審判請求人は平成２０年３月３１日付回答書において、「本願の請求項１に係る発明においては、ワイヤーの上方に配置された半導体ブロックを下から上に切断するようにしたことから、例えば本願の図１に示すように、ワイヤー６の直下に半導体ブロック３と対向するようにしてディップ槽７を配置しておくことにより、切断時の摩擦等によって高温となった半導体ウエハーを切断後すぐにディップ槽７に浸漬して良好に冷却することができます。このことは本願発明の如く半導体ブロックを比較的短時間でスライスできるような方法を採用する場合には特に有効な効果と云えます。」と主張し、半導体ブロックを短時間でスライスしようとする場合に半導体ブロックに対してワイヤーを如何なる方向から当てるかということは単なる設計的事項ではない旨主張している。しかしながら、上記のとおり、ワイヤーの上方に配置された半導体ブロックを下から上に切断することは従来周知であって、スライスされたウエハーをディップ槽に浸漬して冷却することは従来より可能であったと認められる。また、「ディップ槽７」の役割について、願書に添付した明細書及び図面には記載がなく、記載された事項より自明とも認めることはできない。したがって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　
2.5.3【相違点３】について
　半導体材料をワイヤーにてスライスする方法において、半導体材料のワイヤーと対向する面をワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行するワイヤーによって前記半導体材料の角部からスライスを開始することは、例えば特開平７−３１４４３６号公報、特開平１０−２４９６９９号公報等に示されるように従来周知の技術であり、刊行物記載の発明においても同様の構成を採用することは当業者が容易に想到し得るものである。
　
2.6　まとめ
　本件補正発明には、刊行物記載の発明及び従来周知の技術に基いて普通に予測される範囲を超える格別の作用効果を見出すこともできないため、本件補正発明は刊行物記載の発明及び従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
3.1　本願発明
　平成１９年２月１３日付の明細書を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１８年１１月１３日付手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取りながら、前記ワイヤーの上方に配置された角柱状の半導体ブロックをスライスする半導体ブロックのスライス方法において、
　前記半導体ブロックは、その前記ワイヤーと対向する面を、前記半導体ブロックの両側に配設された複数の間隔保持用ローラーの上縁部を結ぶように配置された前記ワイヤーに対して所定角度傾斜させた状態で、走行する前記ワイヤーによって切り込まれることを特徴とする半導体ブロックのスライス方法。」
　
3.2　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項は、前記「2.3」に記載したとおりである。
　
3.3　対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本件補正発明から、発明特定事項である「切り込まれる」ことについて、「半導体ブロックの角部からスライスが開始される」との限定を除いたものに該当する。
　そうすると、本願発明の構成を全て含む本件補正発明が、前記「2.6」に記載したとおり、刊行物記載の発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同じ理由により、刊行物記載の発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
3.4　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２ないし４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。