【事件の表示】
　特願２０００−　　１４２９「半導体投光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　７日出願公開、特開２０００−３１０６７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１月７日の出願であって、原審において、平成１７年４月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、手続補正がなされ、その後、特許法第１６２条の規定による審査（以下、「前置審査」という。）において同年７月２７日付で拒絶理由が通知されたものであり、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のもの（以下、「本願発明」という。）である。
　
「【請求項１】複数個の半導体発光素子と、
　これら複数個の半導体発光素子のそれぞれに対して設けられ所定の投光領域に対して発光光を導く複数の光学装置とを備え、
　前記複数の光学装置を、前記複数個の半導体発光素子から発せられる光を集光した状態で一つの投光領域に投光するように光軸を調整した状態に構成すると共に、
　電源に対して前記複数個の半導体発光素子を直列に接続した状態で給電する給電経路を構成したことを特徴とする半導体投光装置。」
　
２．引用例記載の発明
　前置審査における拒絶理由通知において引用された実願昭６２−１４０５２９号（実開昭６４−４９３６８号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「（Ａ．産業上の利用分野）
　本考案はビーム照射装置、特に複数の半導体レーザから出射されたレーザビームを１点に集中してハンダ付けのためあるいはスポット溶接等のための加熱を行うビーム照射装置に関する。」（第２頁第４行〜第８行）
　
　ｂ．「そして、半導体レーザは電気・光変換効率が１５％程度と高い。従って、半導体レーザをレーザ光発振器として用いることは得策といえる。しかし、元来半導体レーザの１個の出力は非常に小さく、従って、ただ単に１個の半導体レーザをレーザ光発振器として用いることによってはハンダ付けの実現が難かしい。」（第４頁第５行〜第１１行）
　
　ｃ．第７図からは、複数の半導体レーザＬＤのそれぞれに対して、集光レンズｌを含む複数の収束ビーム照射モジュールＭが設けられ、前記複数個の半導体レーザＬＤから発せられるビームが１点を照射するように前記複数の収束ビーム照射モジュールＭのそれぞれの光軸が方向づけられている点が見て取れる。
　
　したがって、上記ａ．〜ｃ．によれば、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる（以下、「引用例１発明」という。）。
「半導体レーザの１個の出力は非常に小さく、ただ単に１個の半導体レーザをレーザ光発振器として用いることによってはハンダ付けの実現が難しかったところ、複数の半導体レーザから出射されたレーザビームを１点に集中して加熱を行うようにしたビーム照射装置において、
　前記複数の半導体レーザのそれぞれに対して、集光レンズを含む複数の収束ビーム照射モジュールが設けられ、前記複数の半導体レーザから発せられるビームが１点を照射するように前記複数の収束ビーム照射モジュールのそれぞれの光軸が方向づけられているビーム照射装置。」
　
　同じく、前置審査における拒絶理由通知において引用された特開昭５８−１３８０８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
　ｄ．「[発明の技術分野]
　本発明は、複数の発光ダイオードチップを直列接続してなる発光ダイオード装置に関する。」（第１頁右下欄第２行〜同欄第４行）
　
　ｅ．「[発明の目的]
　本発明の目的は、発光出力の増大化をはかり得ると共に、ファイバへの結合効率の向上に寄与し得る発光ダイオード装置を提供することにある。
[発明の概要]
　本発明は、Ｐ−Ｎ接合からなる発光ダイオードチップを複数個該チップのＮ型層及びＰ型層を交互に下にしてステム上にマウントすると共に、これらの発光ダイオードチップを直列接続するようにしたものである。
[発明の効果]
　本発明によれば、複数の発光ダイオードチップを直列接続しているので、同じ電流水準で従来装置と比較すると、その発光出力を大幅に増大することができる。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第１１行）
　
　したがって、上記ｄ．〜ｅ．によれば、引用例２には、
「発光出力の増大化をはかり得ると共に、ファイバへの結合効率の向上に寄与し得る発光ダイオード装置を提供することを目的とした、複数の発光ダイオードチップを直列接続してなる発光ダイオード装置において、
　前記複数の発光ダイオードチップを直列接続しているので、同じ電流水準で従来装置と比較すると、その発光出力を大幅に増大することができる発光ダイオード装置。」の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを以下に対比する。
　ア．引用例１発明の「（レーザ）ビーム」、「複数の半導体レーザ」及び「複数の収束ビーム照射モジュール」は、それぞれ本願発明の「光」、「複数個の半導体発光素子」及び「複数の光学装置」に相当する。
　
　イ．引用例１発明の「ビーム照射装置」は、半導体発光素子から出射された光を１点に照射するものであるから、本願発明の「半導体投光装置」に相当する。
　
　ウ．引用例１発明の「１点」が、単なる幾何学的な点ではなく、ある一定の面積を有する領域を意味することは、引用例１発明の「ビーム照射装置」がハンダ付け用の装置であることから明らかであるから、引用例１発明の「１点」及び「複数の半導体レーザから発せられるビームが１点を照射するように前記複数の収束ビーム照射モジュールのそれぞれの光軸が方向づけられている」は、それぞれ本願発明の「一つの投光領域」及び「複数個の半導体発光素子から発せられる光を集光した状態で一つの投光領域に投光するように光軸を調整した状態に構成する」に相当する。
　
　エ．引用例１発明の「複数の収束ビーム照射モジュール」は、「複数の半導体レーザのそれぞれに対して」設けられており、当該複数の収束ビーム照射モジュールは、その光軸調整前において、半導体レーザからのビームをいずれかの領域を照射するように導く機能を有することは明らかであるから、引用例１発明は、本願発明の「複数個の半導体発光素子のそれぞれに対して設けられ所定の投光領域に対して発光光を導く複数の光学装置」を備えているといえる。
　
　したがって、両者は、
「複数個の半導体発光素子と、
　これら複数個の半導体発光素子のそれぞれに対して設けられ所定の投光領域に対して発光光を導く複数の光学装置とを備え、
　前記複数個の半導体発光素子から発せられる光を集光した状態で一つの投光領域に投光するように光軸を調整した状態に構成する半導体投光装置。」である点で一致し、次の点で相違している。
　
[相違点]
　本願発明が、電源に対して複数個の半導体発光素子を直列に接続した状態で給電する給電経路を構成しているのに対して、引用発明では、そのような構成を有しているか否か明らかでない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２発明の「複数の発光ダイオードチップ」及び「複数の発光ダイオードチップを直列接続している」が、それぞれ本願発明の「複数個の半導体発光素子」及び「電源に対して複数個の半導体発光素子を直列に接続した状態で給電する給電経路を構成している」に相当することは明らかである。
　そして、引用例２発明と引用例１発明とは、半導体発光装置という共通の技術分野に属し、ともに高出力の半導体発光装置を提供することを目的としていることに照らせば、引用例１発明において、高出力化のために、引用例２発明を採用し、本願発明のようにすることができるから、上記相違点は当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明の効果は、引用例１乃至２に記載された発明から予測できる程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び引用例２に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。