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　特願２００２−３６０８８７「埋込型容量性構造を有するＬＴＣＣ基板を含む電子モジュール及び関連する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１８日出願公開、特開２００３−２０３８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月１２日の出願（パリ条約による優先権主張２００１年１２月１３日、米国）であって、平成１７年６月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１９年５月１１日付けで審尋がなされ、これに対し、指定期間内である同年１１月１９日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年９月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年９月６日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１，１６，２９は、
「【請求項１】　電子モジュールを製造する方法であって、
　第一及び第二の非焼結セラミック層とその間の前記少なくとも１つの容量性構造とを並べ、
　前記非焼結セラミック層及び前記少なくとも１つの容量性構造とを加熱し、
　少なくとも１つの電子素子をＬＴＣＣ基板上にマウントし、前記少なくとも１つの埋込型容量性構造に電気的に接続させて前記電子モジュールを形成する、ことによって、少なくとも１つの容量性構造が埋め込まれたＬＴＣＣ基板を形成する工程を有し、
　前記少なくとも１つの容量性構造は、
　　一組の電極層と、
　　前記一組の電極層の間の内部誘電層と、
　　前記電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層とを有し、
　前記少なくとも１つの外部誘電層は、典型的なＬＴＣＣ基板の誘電率に近く、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有し、電気信号を前記ＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする、ことを特徴とする電子モジュール製造方法。」、
「【請求項１６】　電子モジュールを製造する方法であって、
　第一及び第二の非焼結セラミック層とその間の前記少なくとも１つの容量性構造とを並べ、
　前記非焼結セラミック層及び前記少なくとも１つの容量性構造とを加熱し、
　少なくとも１つの電子素子をＬＴＣＣ基板上にマウントし、前記少なくとも１つの埋め込まれた容量性構造に電気的に接続させ、前記電子モジュールを形成する、ことによって、少なくとも１つの容量性構造が埋め込まれたＬＴＣＣ基板を形成する工程を有し、
　前記少なくとも１つの容量性構造は、
　　一組の電極層と、
　　前記一組の電極層の間の内部誘電層と、
　　前記電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する第一の外部誘電層と、該第一の外部誘電層と前記少なくとも１つの電極層との間の第二の外部誘電層とを有し、
　前記内部誘電層は、前記第二の誘電層の誘電率よりも大きい誘電率を有し、
　前記第二の誘電層は、前記第一の誘電層の誘電率より高い誘電率を有し、
　前記第一の誘電層は、典型的なＬＴＣＣ基板の誘電率に近い誘電率を有し、電気信号を前記ＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする、ことを特徴とする電子モジュール製造方法。」、
「【請求項２９】　低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板と、
　該ＬＴＣＣ基板に埋め込まれた少なくとも１つの容量性構造と、
　前記ＬＴＣＣ基板上にマウントされ、前記少なくとも１つの埋め込まれた容量性構造に電気的に接続された少なくとも１つの電子素子と、を有し、
　前記少なくとも１つの容量性構造は、
　　一組の電極層と、
　　前記一組の電極層の間の内部誘電層と、
　　前記電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層とを有し、
　前記少なくとも１つの外部誘電層は、典型的なＬＴＣＣ基板の誘電率に近く、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有し、電気信号を前記ＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする、ことを特徴とする電子モジュール。」と補正された。
　
　２　特許法第１７条の２第４項について
　本件補正は、補正前の請求項１，１６，２９に「電気信号を前記ＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする」という新たな事項を付加する補正を含む補正であって、補正前の請求項１，１６，２９に記載した発明を特定するために必要な事項のいずれの限定とも認められないので、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、さらに、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号、及び第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項をも目的とするものではないので、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　３　独立特許要件について
　仮に、補正前の請求項１，１６，２９に「電気信号を前記ＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする」を付加する補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合、本件補正後の前記請求項２９に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（１）刊行物１に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平９−９２９８３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「セラミック多層基板の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
コンデンサを内蔵するセラミック多層基板を低温焼成して製造するセラミック多層基板の製造方法に関する
「【００５３】［
第２の実施形態
【００５４】そこで、図２及び図３に示す本発明の第２の実施形態では、コンデンサ１９の外周端部が加圧力で変形しないように、コンデンサ１９を形成する層に、誘電体層１２の形成領域を区画する開口２１を形成したスペーサ用の絶縁体グリーンシート２２を積層している。このスペーサ用の絶縁体グリーンシート２２も、
他の層の絶縁体グリーンシート１１（絶縁体層）と同じ低温焼成セラミック絶縁体材料を用い
【００５５】次に、図２及び図３に基づいて製造方法を説明する。ここでは、第１の実施形態と異なる部分を主に説明し、図２及び図３において第１の実施形態と同じ部分には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５６】まず、
コンデンサ１９を形成する下層の絶縁体グリーンシート１１上に、電極用導体ペースト１５を用いてコンデンサ１９の下面電極をスクリーン印刷
【００５７】この後、図２（ｂ）に示すように、スペーサ用の絶縁体グリーンシート２２の
開口２１に低温焼成セラミック誘電体材料１２を充填して誘電体層を形成する。ここで使用する低温焼成セラミック誘電体材料１２は、第１の実施形態と同じくＰｂペロブスカイト化合物、ＳｒＴｉＯ
３
系化合物等を用いれば良い
【００５８】この後、図２（ｃ）に示すように、
誘電体層１２の上面とその周辺部に電極用導体ペースト１５を用いてコンデンサ１９の上面電極をスクリーン印刷する
コンデンサ１９の上に、絶縁体グリーンシート１１を積層して基板用積層体を作り
【００５９】この後、図３に示すように、基板用積層体の両面に未焼成のダミーグリーンシート１３（アルミナグリーンシート）を積層し、上述と同様の方法で加熱圧着する。そして、この積層体を、２ｋｇｆ／ｃｍ２乃至２０ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲内の圧力で加圧しながら
基板焼結温度である８００〜１０００℃で焼成し、コンデンサ１９を内蔵したセラミック多層基板を同時焼成する
【００６０】焼成後、基板両面に付着したダミーグリーンシート１３（アルミナ粉体）を研磨等により除去した後、
基板表面に表層用導体ペースト２０を用いて配線パターンをスクリーン印刷
コンデンサ１９を内蔵したセラミック多層基板
【００６１】本発明者は、このような製造方法により次の表５に示す実施例１〜４の構造のセラミック多層基板を作製してコンデンサ１９のショート発生率を評価した。」
「【００７４】また、請求項６では、
誘電体層をＰｂペロブスカイト化合物により形成するので、誘電体層の誘電率を高めることができて、コンデンサの容量増大と小型・薄型化とを両立させることができる
【００７５】また、請求項７では、
低温焼成セラミック絶縁体材料として、ＣａＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系又はＭｇＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系のガラス粉末とＡｌ
２
Ｏ
３
粉末との混合物を用いるようにしたので、絶縁体層を低誘電率化することができ、デジタル信号処理の高速化を実現することができる
　【００３６】の【表１】には、［第１の実施形態］の実施例１，３，４として、「
絶縁体グリーンシート組成：ＣａＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系ガラス＋Ａｌ
２
Ｏ
３
、コンデンサ誘電体組成：Ｐｂペロブスカイト化合物、コンデンサ誘電体層誘電率：２５００，４０００，３０００、絶縁体層誘電率：７．７
　【００６２】の【表５】には、［第２の実施形態］の実施例１として、「
絶縁体グリーンシート組成：ＣａＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系ガラス＋Ａｌ
２
Ｏ
３
、コンデンサ誘電体材料：Ｐｂペロブスカイト化合物
　さらに、【図３】（ｂ）には、「
コンデンサ１９の上下面電極１５にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシート１１及び多層基板の上下表面に設けられた絶縁体グリーンシート１１を有し、さらに、多層基板に内蔵されたコンデンサ１９の右斜め下側と左斜め下側であって、多層基板の下表面に設けられた絶縁体グリーンシートとコンデンサの下面電極に隣接した絶縁体グリーンシート間に配線用導体ペースト１６が形成された、コンデンサを内蔵するセラミック多層基板
　
　以上、特に【図３】（ｂ）の構造の［第２の実施形態］の実施例１に注目すると、刊行物１には、「低温焼成セラミック絶縁体材料（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス＋Ａｌ２Ｏ３）の絶縁体グリーンシートからなるセラミック多層基板と、セラミック多層基板に内蔵されたコンデンサとを有し、コンデンサは、上下面電極と、上下面電極の間の低温焼成セラミック誘電体材料（Ｐｂペロブスカイト化合物）の誘電体層とを有し、セラミック多層基板は、コンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシート及び多層基板の上下表面に設けられた絶縁体グリーンシートを有し、さらに、多層基板に内蔵されたコンデンサの右斜め下側と左斜め下側であって、多層基板の下表面に設けられた絶縁体グリーンシートとコンデンサの下面電極に隣接した絶縁体グリーンシート間に配線用導体ペーストが形成された、コンデンサを内蔵するセラミック多層基板」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「低温焼成セラミック絶縁体材料（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス＋Ａｌ２Ｏ３）の絶縁体グリーンシートからなるセラミック多層基板」、「セラミック多層基板に内蔵されたコンデンサ」、「上下面電極」、「上下面電極の間の低温焼成セラミック誘電体材料（Ｐｂペロブスカイト化合物）の誘電体層」、「コンデンサを内蔵するセラミック多層基板」は、それぞれ本願補正発明の「低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板」、「ＬＴＣＣ基板に埋め込まれた少なくとも１つの容量性構造」、「一組の電極層」、「一組の電極層の間の内部誘電層」、「電子モジュール」に相当する。
　さらに、引用発明における「コンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシート」は、コンデンサの誘電体層に対向しているので、本願補正発明の「電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層」に相当する。
　なお、本願補正発明では、「容量性構造は、・・・外部誘電層とを有し」と、外部誘電層は容量性構造の一部として記載されているのに対して、引用発明の「コンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシート」は、コンデンサの一部であるとの記載はない。
　しかし、外部誘電層を容量性構造の一部と見るか、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板の一部と見るかは、見方が違うだけで、どちらも実際の物の構成としては、「電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層」であることに変わりはなく、区別できないものである。
　そして、刊行物１の【００３６】の【表１】には、［第１の実施形態］の実施例１，３，４として、「
絶縁体グリーンシート組成：ＣａＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系ガラス＋Ａｌ
２
Ｏ
３
、コンデンサ誘電体組成：Ｐｂペロブスカイト化合物、コンデンサ誘電体層誘電率：２５００，４０００，３０００、絶縁体層誘電率：７．７
　そうすると、引用発明のコンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシートの誘電率（７．７）は、コンデンサの誘電体層の誘電率（２５００，４０００，３０００程度）よりも小さいことは明らかであるから、この点は、本願補正発明の「外部誘電層は、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有」することに相当する。
　また、本願補正発明の明細書には「【００１８】各容量性構造１１は、更に、電極層１６のそれぞれに隣接し、個々の内部誘電層１７に対向する第一の外部誘電層１８をそれぞれ有し得る。内部誘電層１７の誘電率は、第一の外部誘電層１８のそれよりも大きいことが好ましい。例えば、
第一の外部誘電層１８の誘電率は、
このような誘電率は、典型的なＬＴＣＣのそれ（すなわち、〜８）に密接に合致する
　さらに、引用発明のコンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシートは、多層基板の上下表面に設けられた絶縁体グリーンシートと同じ材料なので、当然同じ誘電率であるから、引用発明のコンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシートの誘電率も、本願補正発明の外部誘電層と同様に「典型的なＬＴＣＣ基板の誘電率に近」いものである。
　
　ゆえに、両者は、
「低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板と、
　該ＬＴＣＣ基板に埋め込まれた少なくとも１つの容量性構造と、を有し、
　前記少なくとも１つの容量性構造は、
　　一組の電極層と、
　　前記一組の電極層の間の内部誘電層と、
　　前記電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層とを有し、
　前記少なくとも１つの外部誘電層は、典型的なＬＴＣＣ基板の誘電率に近く、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有する、ことを特徴とする電子モジュール。」である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願補正発明では、「ＬＴＣＣ基板上にマウントされ、少なくとも１つの埋め込まれた容量性構造に電気的に接続された少なくとも１つの電子素子」を備えているのに対して、引用発明では、そのような構成を備えていない点。
［相違点２］本願補正発明では、「電気信号をＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする」構成を備えているのに対して、引用発明ではそのような記載がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　引用発明においても、多層基板に内蔵されたコンデンサの上下面電極は、多層基板の上表面に引き出されており、さらに多層基板上に電子素子を配置することは、周知技術であるから、引用発明において、多層基板上に電子素子を配置し、多層基板に内蔵されたコンデンサに電気的に接続することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
［相違点２］
　引用発明においても、刊行物１の図３（ｂ）から明らかなように、多層基板に内蔵されたコンデンサの右斜め下側と左斜め下側であって、多層基板の下表面に設けられた絶縁体グリーンシートとコンデンサの下面電極に隣接した絶縁体グリーンシート間に配線用導体ペーストが形成されており、この構成は、本願補正発明の「電気信号をＬＴＣＣ基板を通るようにルーティングする」構成に相当するので、相違点２は実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、刊行物１には、「【００７５】また、請求項７では、低温焼成セラミック絶縁体材料として、ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系又はＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系のガラス粉末とＡｌ２Ｏ３粉末との混合物を用いるようにしたので、
絶縁体層を低誘電率化することができ、デジタル信号処理の高速化を実現することができる
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物１に記載された発明及び周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさず、仮に特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしているとしても、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１７年９月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項２９に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年５月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項２９に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項２９】　低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板と、
　該ＬＴＣＣ基板に埋め込まれた少なくとも１つの容量性構造と、
　前記ＬＴＣＣ基板上にマウントされ、前記少なくとも１つの埋め込まれた容量性構造に電気的に接続された少なくとも１つの電子素子と、を有し、
　前記少なくとも１つの容量性構造は、
　　一組の電極層と、
　　前記一組の電極層の間の内部誘電層と、
　　前記電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層とを有し、
　前記少なくとも１つの外部誘電層は、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有する、ことを特徴とする電子モジュール。」
　
　２　刊行物１に記載された発明
　前記「第２　３（１）」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「低温焼成セラミック絶縁体材料（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス＋Ａｌ２Ｏ３）の絶縁体グリーンシートからなるセラミック多層基板」、「セラミック多層基板に内蔵されたコンデンサ」、「上下面電極」、「上下面電極の間の低温焼成セラミック誘電体材料（Ｐｂペロブスカイト化合物）の誘電体層」、「コンデンサを内蔵するセラミック多層基板」は、それぞれ本願発明の「低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板」、「ＬＴＣＣ基板に埋め込まれた少なくとも１つの容量性構造」、「一組の電極層」、「一組の電極層の間の内部誘電層」、「電子モジュール」に相当する。
　さらに、引用発明における「コンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシート」は、コンデンサの誘電体層に対向しているので、本願発明の「電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層」に相当する。
　なお、本願発明では、「容量性構造は、・・・外部誘電層とを有し」と、外部誘電層は容量性構造の一部として記載されているのに対して、引用発明の「コンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシート」は、コンデンサの一部であるとの記載はない。
　しかし、外部誘電層を容量性構造の一部と見るか、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板の一部と見るかは、見方が違うだけで、どちらも実際の物の構成としては、「電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層」であることに変わりはなく、区別できないものである。
　そして、刊行物１の【００３６】の【表１】には、［第１の実施形態］の実施例１，３，４として、「
絶縁体グリーンシート組成：ＣａＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
−Ｂ
２
Ｏ
３
系ガラス＋Ａｌ
２
Ｏ
３
、コンデンサ誘電体組成：Ｐｂペロブスカイト化合物、コンデンサ誘電体層誘電率：２５００，４０００，３０００、絶縁体層誘電率：７．７
　そうすると、引用発明のコンデンサの上下面電極にそれぞれ隣接した絶縁体グリーンシートの誘電率（７．７）は、コンデンサの誘電体層の誘電率（２５００，４０００，３０００程度）よりも小さいことは明らかであるから、この点は、本願発明の「外部誘電層は、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有する」ことに相当する。
　
　ゆえに、両者は、
「低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板と、
　該ＬＴＣＣ基板に埋め込まれた少なくとも１つの容量性構造と、を有し、
　前記少なくとも１つの容量性構造は、
　　一組の電極層と、
　　前記一組の電極層の間の内部誘電層と、
　　前記電極層の少なくとも一方に隣接し、前記内部誘電層に対向する少なくとも１つの外部誘電層とを有し、
　前記少なくとも１つの外部誘電層は、前記内部誘電層の誘電率よりも小さい誘電率を有する、ことを特徴とする電子モジュール。」である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願発明では、「ＬＴＣＣ基板上にマウントされ、少なくとも１つの埋め込まれた容量性構造に電気的に接続された少なくとも１つの電子素子」を備えているのに対して、引用発明では、そのような構成を備えていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　引用発明においても、多層基板に内蔵されたコンデンサの上下面電極は、多層基板の上表面に引き出されており、さらに多層基板上に電子素子を配置することは、周知技術であるから、引用発明において、多層基板上に電子素子を配置し、多層基板に内蔵されたコンデンサに電気的に接続することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物１に記載された発明及び周知技術から予測された範囲内のものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。