【事件の表示】
　特願２００４−２９６５０１「微小可動デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月２６日出願公開、特開２００５−１３４８９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１０月８日（優先権主張平成１５年１０月１０日）の出願であって、平成１８年８月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１０月２０日に手続補正（当該手続補正は、同年１０月３１日付け手続補正指令書（方式）を受けて、平成１８年１１月２日付け手続補正書（方式）により補正された。）がなされたものである。
　
２．平成１８年１１月２日付けの手続補正書（方式）によって補正された平成１８年１０月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年１１月２日付けの手続補正書（方式）によって補正された平成１８年１０月２０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）平成１８年１１月２日付けの手続補正書（方式）によって補正された平成１８年１０月２０日付けの手続補正の内容
　上記手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に、「上記板ばねヒンジの側面と上記基板板面と垂直な面とのなす角が０．６°より大であり１０°程度以下である」との事項（以下「本件補正事項」という。）を追加することを含むものである。
　
（２）本件補正事項が特許法第１７条の２第３項に適合するか否かについての当審の判断
（２−１）願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）における本件補正事項に関連する記載は以下のとおりである。
　
（ア）「【００１１】
　・・・（中略）・・・
　この実施形態ではまた板ばねヒンジ６Ａ〜６Ｄの断面形状は、その両側面がわずか、例えばθ１＝０．５°程度傾斜したテーパ面とされ、基板３１の表面（上面３１ｕ）側の面６ｓ側より内面に近づくに従って、漸次幅が狭くなるようにされていることが好ましい。例えば図４Ａに示すように下の底辺に対し上辺が広い台形状あるいは図４Ｂに示すようにくさび形三角形状とするとよい。」
　
（イ）「【００１４】
　・・・（中略）・・・
　また板ばねヒンジ６Ａ〜６Ｄの両側面がわずかに傾斜したテーパ面とされ、幅が内側程、狭くなる形状とされているため、同等なばね定数を得るためのヒンジ６Ａ〜６Ｄの表面側の幅を、断面が長方形とする場合よりも広くすることができ、それだけフォトリソグラフィが容易になり、作製誤差にも強くなる。
【００１５】
　ばねヒンジ６の断面形状を図６に示すようにその側面テーパの傾斜θ１を一定値（例えば０．５°）として、表面６ｓ側の幅Ｗ１を各種の値とした台形ないし三角状断面ばねヒンジ６と、台形状断面ばねに対してはその幅及び高さをそれぞれ同一とした場合の、また三角形状ばねに対してはその幅を同一とした場合の、長方形断面のばねヒンジについて、ばね定数とヒンジ幅Ｗ１との関係を図７に、ヒンジ幅誤差とばね定数との関係を図８にそれぞれ示す。図７から同一ばね定数の場合、台形、三角形状断面は長方形断面より０．６μｍ以上幅Ｗ１を広くすることができることがわかる。また図８からヒンジ幅Ｗ１の誤差が大きくなるに従って、ばね定数が変化する割合が長方形断面より、台形、三角形断面の方が小さく、それだけ、同一ばね誤差に対し、大きい設計誤差が許されることが理解される。
　以上述べたように板ばね６Ａ〜６Ｄの断面は細長い逆台形あるいは逆２等辺三角形とし、その側面の傾斜角度θ１を０．５°程度とするとよい。しかし板ばね６Ａ〜６Ｄの側面傾斜の形成はミラー面の作製と同時にドライエッチングにより行われる。ミラー面４Ｍの傾斜による光損失は光ビーム径に依存する。光ファイバ３２Ａ〜３２Ｄの各先端コリメーションファイバ部により、光ビームは絞られ、ミラー面４Ｍで最小径（ビームウエスト径）になる。シングルモード光ファイバよりの出射光ビームのウエスト径は２．０〜３０．０μｍ程度である。光スイッチにおける光損失は各種要因に基づく、従ってミラー面４Ｍの傾斜に起因する損失の現実的な許容損失は０．１〜０．３ｄＢ程度である。
　光波長１．５５μｍ、水平方向入射角４５°の場合のミラー面の傾斜による光損失を計算すると、最小ビームウエスト径２．０μｍで最大許容損失０．３ｄＢを与える傾斜角度θ１は５．２５°であり、一方最大ビームウエスト径３０．０μｍで最小の許容損失０．１ｄＢを与える傾斜角度θ１は０．２０°である。これらより、板ばね６Ａ〜６Ｄの側面の現実的な傾斜角度θ１はほぼ０．２°〜５．０°の範囲であり、好ましくはほぼ０．５°である。」
　
（ウ）「【００１８】
  次に例えばＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）によるドライエッチングにより、マスク４５をマスクとしてシリコンデバイス層４３を、図９Ｃに示すように中間絶縁層４１が露出するまで、基板３１の板面に対し、ほぼ垂直にエッチングする。これによりファイバ溝１、ロッド溝３３、ヒンジ用凹部１４、各櫛歯電極の櫛歯などが形成される。このガス反応性ドライエッチングによる深彫り加工は特許文献２に示す対応するドライエッチング工程と同様に行う、その手法において基板板面３１ｕに対し可及的に垂直になるようにする場合に対し、エッチング工程の作用を相対的に強く、ポリマー析出工程の作用を相対的に弱くする。具体的にはポリマー析出時間をわずか短縮したり、エッチング工程時間をわずか増大し、マスク下へのサイドエッチングの作用が適宜行われ、板ばねヒンジ６Ａ〜６Ｄの両側面を所望のテーパ面とする。このようにサイドエッチング作用をわずか利用してヒンジの両側面をテーパ面とすることは、他のエッチング条件、例えば電力、ガス流量、温度、ガス圧などの１つないし複数を調整してもよい。これら条件の設定は目的とするテーパ面の傾斜角度θ１に応じて、実験的に容易に決定することができる。
　
（エ）「【００２０】
　・・・（中略）・・・
　この発明は微小光スイッチのみならず、光スイッチのミラーを光遮蔽板に置換して構成される微小光減衰器、光スイッチのミラーを質量部に置換し、静電アクチュエータのかわりに例えば静電容量型変位センサを設けた微小加速度計など、いずれもばね性のヒンジの柔軟性が要求され、高精度のばね定数仕様をもつセンサやアクチュエータにこの発明を適用することにより、いずれにおいてもフォトリソグラフィ工程による作製が容易になる効果が得られる。従って２つの異なる安定な屈曲状態をもつヒンジに限られるものでなく、また垂直なミラー面をもつ微小可動デバイス以外においてはばね性ヒンジの両側テーパ面の傾斜角θ１は０．５°以上でもよく、例えば１０°程度まで大にすることができ、θ１が大きい程柔軟性があり、しかもヒンジの表面側の幅（厚み）が大きくなり、フォトリソグラフィ工程による作製が容易になる。」
　
（オ）図４には、図１に示した光デバイスに用いた板ばねヒンジの拡大断面図が示されており、図６には、板ばねヒンジの各種幅の拡大断面図が示されている。
　
（２−２）当初明細書等には、本件補正事項のうち、「上記板ばねヒンジの側面と上記基板板面と垂直な面とのなす角が０．６°より大であ」ることが明示的に記載されていないことは明らかである。そして、上記各記載事項をみても、当該角が０．６°より大であることが当業者にとって自明であるとはいえない。
　
（２−３）本件補正事項のうち、「上記板ばねヒンジの側面と上記基板板面と垂直な面とのなす角が・・・１０°程度以下である」点について検討するに、本件補正後の請求項１においては、微小可動デバイスが「垂直なミラー面」をもつものであるか否かについては特定されていないから、当該「微小可動デバイス」は「垂直なミラー面」をもつか否かを問わないものと解される。しかしながら、上記記載事項（エ）では、「垂直なミラー面をもつ微小可動デバイス以外においてはばね性ヒンジの両側テーパ面の傾斜角θ１は０．５°以上でもよく、例えば１０°程度まで大にすることができ」るとされているのであって、微小可動デバイスが「垂直なミラー面」をもつか否かを問わず、「上記板ばねヒンジの側面と上記基板板面と垂直な面とのなす角が・・・１０°程度以下である」ことについては、当初明細書等に記載されておらず、また、当業者にとって自明なものでもない。
　
（２−４）してみれば、本件補正事項は、当初明細書等に記載されておらず、また、当業者にとって自明であるともいえない。したがって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反しているものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明という。」）は以下のとおりのものである。
　
「基板上に形成され、その基板板面と平行に変位する可動部と、上記基板上に形成されて固定配置された固定部と、ばね性を有し、上記基板板面と平行に延伸されて両端が上記可動部と上記固定部とに連結され、上記可動部を変位自在に支持するヒンジとを備える微小可動デバイスであって、
　上記ヒンジの上記延伸方向と直交する断面の幅が上記基板の上面に近づく程、小とされていることを特徴とする微小可動デバイス。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特表２００３−５２１７３９号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板（７０）、カバー層（７３）及び電気的に絶縁する中間層（７１）を有するサンドイッチウエーハ（３９）から製造され、その際、それぞれのビームガイドスイッチ（２，１００，１００ａａ−１００ｄｄ；１６６）が、少なくとも１つの可動のスイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１５２；１６５ａ−ｄ）、及び平面内にあるようになった少なくとも２つのビームガイド端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１７０ａ−ｆ）を有し、これらのビームガイド端部が、スイッチ部分（７．１，７．２，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）によってビームガイド端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１５１ａ，１５１ｂ；１７０ａ−ｆ）から生じるビームを、別のガイド端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１５１ａ，１５１ｂ；１７０ａ−ｆ）へのその光経路において遮断可能であり、又はここに反射可能であるように、互いに近くに隣接して配置されている、少なくとも１つのビームガイドスイッチ（２，１００，１００ａａ−１００ｄｄ；１６６）を有するビームガイドスイッチ装置（４，１２０）において、ガイド端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１５１ａ，１５１ｂ；１７０ａ−ｆ）の間においてスイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１５２；１６５ａ−ｄ）を収容する中間空間（５，１３５ａａ−１３５ｄｄ；１５４；１７１）が、所定の屈折率を有するインデックス整合液によって満たされており、かつそれぞれのビームガイド（４９；１６９ａ−ｆ）のビームを案内するコア（８）が、インデックス整合液の屈折率と液体を満たされた空間（５，１３５ａａ−１３５ｄｄ；１５４；１７１）における空いたコアプロファイル（１３）との共同作用において、ビームのコリメーション（１４）を達成できるように、先細に形成されていることを特徴とする、少なくとも１つのビームガイドスイッチ（２，１００，１００ａａ−１００ｄｄ；１６６）を有するビームガイドスイッチ装置（４，１２０）。
　・・・（中略）・・・
【請求項３】  少なくとも１つのビームガイドスイッチ（２，１００，１００ａａ−１００ｄｄ；１６６）を有し、このビームガイドスイッチが、ビームガイド端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１７０ａ−ｆ）の間において可動のスイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）を保持するために保持器（１９，１０３；１６６ａ−ｄ）を有し、それぞれの保持器（１９，１０３；１６６ａ−ｄ）が、この保持器に結合された少なくとも１つの第１のくし形構造部（２３ａ，２３ｂ；１１５，１１６）を有し、第１のくし形構造部（２３ａ，２３ｂ）に整合する第２の定置のくし形構造部（２４ａ，２４ｂ；１１７，１１９）が存在し、このくし形構造部の歯（２４ａ，２４ｂ）が、第１の構造部（３５）に対して互い違いに配置されており、かつ両方のくし形構造部（２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ；１１５，１１６，１１７，１１９）に、静電移動力を発生するために第１及び第２の電圧を加えることができる、装置（４、１２０）において、静電電圧割当てを有する当該のくし形構造部を、したがってスイッチ部分（７．２，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）を安定な位置に保持するために、少なくとも１つのくし形構造（２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ）のそれぞれの歯が、その自由歯端部範囲に横断面広がり部を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の装置（４，１２０）。
【請求項４】  保持器（１９；１０３）に固定的に結合された少なくとも１つの板ばね要素（５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ；１０７，１０９）が設けられており、この板ばね要素に、なるべくそれぞれ第１のくし形構造部（２３ａ，２３ｂ）が配置されており、かつとくにそれぞれの板ばね要素（５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ）が、保持器（１９）の運動方向に対してほぼ垂直に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】  それぞれのスイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）が、ビームガイドのビームに対してミラーとして作用する表面（７４，７４ｂ）を有することを特徴とする、請求項１ないし４の１つに記載の装置（４，１２０）。
　・・・（中略）・・・
【請求項１０】  スイッチ部分（７．１，７．２，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）が、平面内にある少なくとも２つのビームガイド端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１７０ａ−ｆ）の前に可動であり、基板（７０）、カバー層（７３）及び電気的に絶縁する中間層（７１）を有するサンドイッチウエーハ（３９）から製造された、スイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）を有する少なくとも１つのビームガイドスイッチ（２，１００，１００ａａ−１００ｄｄ；１６６）を有するビームガイドスイッチ装置（４，１２０）の製造方法において、サンドイッチウエーハ（７０）から、とりわけスイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）及びビームガイド（４９；１２１ａ−１２１ｄ，１２２ａ−１２２ｄ；１６９ａ−ｆ）又はその端部（６，１３３ａａ−１３３ｄｄ，１３４ａａ−１３４ｄｄ；１７０ａ−ｆ）のための案内通路（１．１ａ−１．１ｄ；１．２ａ−１．２ｄ，１３１）を備えたビームガイドスイッチ装置（４；１２０）が、エッチング過程によって製造され、その際、それぞれ平面に対して垂直に延びたスイッチ部分（７，１０１，１０１ａａ−１０１ｄｄ；１６５ａ−ｄ）の外側（７４ａ，７４ｂ）のすぐ近くに、平面に対して垂直から外れた外側（７４ａ，７４ｂ）の経過を防止するために、それぞれ少なくとも１つの犠牲橋絡片（７５ａ，７５ｂ）が製造されることを特徴とする、請求項１ないし９の１つに記載のビームガイドスイッチ装置（４，１２０）の製造方法。
【請求項１１】  サンドイッチウエーハ（３９）が、大体においてシリコンからなるカバー層（７３）を有し、このカバー層のマスクされない範囲が、イオンエッチング法によって取り除かれ、その際、犠牲橋絡片（７５ａ，７５ｂ）が、＋／−３μｍの厚さ公差を有するほぼ７３μｍのカバー層の厚さの際に、−５μｍから＋２０μｍまでの間隔公差を有するほぼ１０μｍの間隔を有することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。」
　
（イ）「【０００８】
　本発明によるビームガイドスイッチ装置において、ミラーコーティングされたスイッチ部分を備えたビームガイドスイッチも利用される。このようなスイッチ部分を使用する場合、すでに前に暗示したように、一方において中間空間からスイッチ部分を引出した際に、互いに対向するビームガイド端部の間の“ビーム接続”が可能である。中間空間内にスイッチ部分を押込んだ際、このビーム接続は中断されるが；この時、ビームガイドから出たビームは、別のビームガイドに反射される（接続される）。“直線”接続の際、コリメーションされたビームは、１つの導体から出て、かつ対向するものに侵入する。別の場合、コリメーションされたビームは、ミラーによって転向される。このスイッチ動作が最小のビーム損失で機能することができるようにするために、ビームガイド端部及び反射面は、正確に位置決めしなければならない。そのためにスイッチすべきすべてのビームガイド端部は、平面内に置かれる。この時、スイッチ部分の反射面は、この面に対して垂直でなければならない。この時、ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書に記載された方法にしたがって製造された反射スイッチ部分が垂直とは異なった反射面を有し、このことが、この時、２つのガイド端部の間の追加的なビーム損失を生じることがわかった。
【０００９】
　この時、ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書のスイッチ部分の垂直から外れた面がここに記載されたエッチング過程に基づくことがわかった。この時、ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２４８９号明細書とは相違して、スイッチ部分のエッチングによって製造すべきミラー面の前にわずかな間隔を置いて、それぞれ１つの犠牲橋絡片が製造される。それにより製造すべきミラー面の前におけるエッチングイオンを吸収する空間が著しく減少し、それにより斜めのエッチングを阻止することができ、又は大幅に減少される。このようにして製造されたミラー面は、ちょど垂直になっている。
　・・・（中略）・・・
【００１２】
　保持器に少なくとも１つの板ばね要素が固定的に結合されている。板ばね要素は、保持器の運動方向に対してほぼ垂直に延びるように形成されている。
　・・・（中略）・・・
【００１９】
　スイッチ部分を有する少なくとも１つのビームガイドスイッチを有するビームガイドスイッチ装置は、サンドイッチウエーハから製造される。サンドイッチウエーハは、基板、カバー層及び電気的に絶縁する中間層を有する。スイッチ部分は、すでに前に説明したように、平面内にある少なくとも２つのビームガイド端部の前に可動である。とりわけスイッチ部分及びビームガイド又はその端部のための案内通路を備えたビームガイドスイッチ装置は、サンドイッチウエーハからエッチング過程によって製造される。エッチング過程により、それぞれ平面に対して垂直に延びたスイッチ部分の外側のすぐ近くに、平面に対して垂直から外れた外側の経過を防止するために、少なくとも１つの犠牲橋絡片が製造される。
【００２０】
　サンドイッチウエーハは、大体においてシリコンからなるカバー層を有し、このカバー層のマスクされない範囲は、イオンエッチング法によって取り除かれる。それぞれの犠牲橋絡片は、＋／−３μｍの厚さ公差を有するほぼ７３μｍのカバー層の厚さの際に、−５μｍから＋２０μｍまでの間隔公差を有するほぼ１０μｍの間隔を有する。」
　
（ウ）「【００２１】
　次に本発明によるビームガイドスイッチ装置及びその製造方法の例を図面によって詳細に説明する。本発明のその他の利点は次の説明文から明らかである。
【００２２】
　　発明の実施の方法
　図１に示された本発明によるビームガイドスイッチ装置４のビームガイドスイッチ２は、後に説明する製造方法によって、ＳＯＩウエーハ３９（シリコンオンインシュレータ）からサンドイッチウエーハとして製造されている。ビームガイドスイッチ２は、互いに直角をなして配置された４つのビームガイド押込み通路１．１ａないし１．１ｄを有し、これらのビームガイド押込み通路内に、スイッチの製造後に、尖端を備えかつ後の説明にしたがってファイバ端部に向かって先細になったビームガイド４９が押込み可能である。すべてのビームガイド押込み通路１．１ａないし１．１ｄは、１つの平面内にあり、かつ中央空間５．１に向かって延びており、この中央空間内に、押込み可能に、ここではその側面においてミラーコーティングされて形成されたスイッチ部分７．１が噛み合っている。この時、空間５．１内にスイッチ部分７．１を押込んだ際、押込み通路１．１ａと１．１ｄ及び１．ｂと１．１ｃ内に押込まれたビームガイドの間における信号伝送が行なわれている。スイッチ部分７．１が引出されていると、押込み通路１．１ａと１．１ｃ及び１．１ｂと１．１ｄ内に押込まれたビームガイドの間において通信伝送が可能である。図１において、スイッチ部分７．１は、電圧のない中間位置において示されている。
【００２３】
　スイッチ部分７．１の側壁に並べて、ここではなお２つの犠牲橋絡片３ａ及び３ｂが存在し、これらの犠牲橋絡片は、後に説明するように、ビームガイドスイッチ装置４の動作の前に取り除かれる。ビームガイド４９は、それぞれビームを案内するそれぞれのビームガイドのコアが当該の、ここでは例えばミラーコーティングされたスイッチ部分７．１の側壁のすぐ前にあるように、ビームガイド押込み通路１．１ａないし１．１ｄ内に押込まれる
【００２４】
　ビームガイドスイッチ２のスイッチ部分７．１は、スリット１８．１を通して空間５．１内に押込み可能かつ引出し可能である。エッチングによって製造された凹所は、図１において黒く示されている。スイッチ部分７．１は、精密保持器１９．１に配置されており、この保持器は、スリット１８．１内においてその軸線長手方向に可動である。ビームガイドスイッチ２の次に説明する構成要素は、ここでは簡単に概略だけ説明し、かつ後に図３ａ及び３ｂに拡大して示したビームガイドスイッチ２０において詳細に説明する。スイッチ部分７．１に対向する保持器端部に、かつほぼその中央に、保持器１９．１のその長手軸線に対して垂直に、同様に精密構造を有する両側に延びたそれぞれ１つの支持ビーム片２１．１ａ及び２１．１ｂが配置されている。ビーム長手側に、空間５．１から離れる方に向いた第１のくし形歯２３ａ又は２３ｂを備えたそれぞれ１つのくし形構造部２２．１ａないし２２．１ｂが形成されている。第１のくし形歯２３ａ又は２３ｂに対して互い違いに、第２の定置のくし形歯２４ａ又は２４ｂが配置されている。これらのくし形歯配置は、図４ｃに拡大して示されており、かつその静電力作用は後に説明する。ビームガイドスイッチ２の互いに対向するくし形歯２３ａと２４ａ又は２３ｂと２４ｂは、種々に形成されている。くし形歯２３ａ又は２３ｂは、直線の棒片として、かつ対向するくし形歯２４ａ及び２４ｂは、歯端部範囲において太くなっている。歯端部に向かってこれらのくし形歯は、矢尖端の外観像又はくし形歯列が“並木列”の外観像を生じるように、円錐形に先細に形成されている。支持ビーム片２１．１ａ及び２１．１ｂにおいて保持器１９．１の両側に、それぞれ２つの板ばね要素を有するそれぞれ１つのＵ形の板ばね５１ａ、５１ｂ、５２ａ及び５２ｂが配置されている。
【００２５】
　ビームガイド２は、ボンディングマーク６１ａないし６１ｃを有する２つのカバー層範囲６０及び６５を有し、これらのカバー層範囲は、くし形構造部２２．１ａ及び２２．１ｂに作用する電圧のための電気端子として使われる。カバー層範囲にくし形歯２４ａ及び２４ｂが接続されている。くし形構造部２２．１ｂのくし形歯２３ｂは、板ばね５１ａ及び５１ｂ及び支持ビーム片２１．１ａを介してカバー層範囲６０に接続されている。くし形構造部２２のくし形歯２３ａへの電気的な接続は、支持ビーム片２１．１ａから保持器１９．１及び支持ビーム片を介して行なわれる。スイッチ部分７、保持器１９、支持ビーム片２１ａ及び２１ｂ、後者に配置されたくし形歯配置２３ａ又は２３ｂは、保持器の左及び右に対になって形成されたそれぞれ２つのばね要素５１ａ及び５１ｂ及び５２ａ及び５２ｂを介して、カバー層６０に浮動して保持されている。
【００２６】
　ビームガイド４９として、図２に示すように、なるべく単一モードガイドが利用される。ビームガイド４９は、石英ガラスからなり、そのコア（心）８は、クラッド（被覆）９ａとは相違してドーピングされており、かつその外周面９ｂは、プラスチック保護スリーブである。ビームガイド４９は、１０部の４０％のふっ化アンモニウムを含む１部の４０％のふっ酸及び６０％の水が緩衝された溶液によってエッチングされる。エッチングによって得られたプロファイルは、図２に示されている。１２５μｍの一定の直務を有するコアクラッド９ａは、移行部１１において、ほぼ２５μｍのほぼ一定の直径を有しかつエッチングによって先細にされた細いコアクラッド端部範囲１２に移行している。ほぼ８μｍの太さのコアは、円錐形の尖端１３において終っている。後に説明するように、尖端１３は、尖端１３を囲むインデックス整合液８７とともにコリメータとして作用し、このコリメータは、尖端１３においてコア８から出るビームを平行なビーム１４としてそれぞれ対向するビームガイド４９のコア８に入力結合する。しかしながら先細になったコアクラッド移行部１１において反射されるビームは、なおガイドのコア８内において案内されるために、大きすぎる角度で逆反射される。したがってこのビームは、クラッド（被覆）９ａによって屈折され、かつこのようにして失われ；したがって逆反射は強力に抑圧され、それにより優れた逆流減衰（戻り損失）が達成される。
　・・・（中略）・・・
【００３０】
　両方の配置において−ばね要素、支持ビーム片、くし形構造部５１ａ、５１ｂ、２１ａ、２２ａ及び５２ａ、５２ｂ、２１ｂ、２２ｂ−の間に、保持器１９．１を収容するスリット１８は切り欠き６３を有し、かつそれに対してずらされて保持部１９は節６４を有する。切り欠き６３及び節６４は、保持軸線に対して又はスリット１８．１の中心線に対して対称的に配置されている。保持器軸の左及び右に配置された２つの節６４にわたって測定した総合幅は、スリット１８．１の幅より公差だけしか小さくない。節６４及び切り欠き６３は、スイッチ部分７．１の不動作位置において、ギャップ１８．１の切り欠きのない部分における節６４の大きい方の長さ部分、及びスイッチ過程における保持器運動の長手方向に相当する節部分範囲だけがそれぞれの切り欠きを越えているように、互いに配置されている。この時、カバー層範囲６０とカバー層範囲６５との間に電圧をかけると、前記のように、静電引付け力が、くし形構造部２２．１ａ及び２２．１ｂ及び節及び６４及び“切り欠き構造部”を介して保持器１９．１に作用する。
【００３１】
　ビームガイドスイッチ２の詳細を、図３ａ及び３ｂにおいてビームガイドスイッチ２０によって説明する。ビームガイドスイッチ２０は、ビームガイド２と同様に形成されている。しかしこれは、一方において電気的に、加えられた別の電圧の際に、押込まれた“能動”平衡位置［通路１．１ａないし１．１ｄと同様に形成された通路１．２ｂ／１．２ｃ及び１．２ａ／１．２ｄにおけるビームガイドの間における信号伝送］に、かつ別の位置において、押出された“能動”平衡位置［通路１．２ａ／１．２ｃ及び１．２ｂ／１．２ｄにおけるビームガイドの間の信号伝送］に留まるように構成されている。ビームガイドスイッチ２０は、ビームガイド２の位置に対して、別の１５のビームガイドスイッチとともに後に説明するスイッチチップ１２７内に挿入されるような位置において示されている。ビームガイドスイッチ２及び２０の同様な要素は、同じ参照符号に示されているが、ビームガイド２に対して“．１”によって、かつビームガイド２０に対して“．２”によって目印を付けられている。
【００３２】
　ビームガイドスイッチ２０のスイッチ部分７．２は、スリット１８．２を通して空間５．２内に押込みかつ引出し可能である。これは、スリット１８．２内に延びた精密保持器１９．２に配置されている。スイッチ部分７．２に対向する保持器端部に及びそのほぼ中央に、保持器１９．２のその長手軸線に対して垂直に、同様に精密構造を有する両側に延びたそれぞれ１つの支持ビーム片２１．２ａ及び２１．２ｂが配置されている。ビーム長手側に、空間５．２から離れた方に向いた第１のくし形歯２３．２ａ及びこの方に向いたくし形歯列２４．２ｂを有するそれぞれ１つのくし形構造部２２．２ａないし２２．２ｂが形成されている。第１のくし形歯２３．２ａ又は２４．２ｂに対して互い違いに、第２の定置のくし形歯２４．２ａ又は２３．２ｂが配置されている。くし形歯２３．２ａ、２３．２ｂ、２４．２ａ及び２４．２ｂは、同一であるが、図４ｄに示すように、互いに対応する対は、互いに鏡像的に形成されている。
【００３３】
　電圧を加えた際にくし形歯列に作用する静電力は異なっており、かつ図４ａないし４ｅに記載されている。
【００３４】
　ばね要素対１０７及び１０９は、保持器１９．２を、したがってスイッチ部分７．２を保持する。図３ａにおいてスイッチ部分７．２は、空間５．２内に押出された位置において示されており、かつ図３ｂにおいて引き戻された位置において示されている。押出された位置において、すでに前に説明したように、スイッチ部分７．２のミラーコーティングされた側面７４ａ及び７４ｂにおけるビーム反射が行なわれる。
【００３５】
　さらにビームガイドスイッチ２０は、４つの電気接点面１１１ないし１１４を有する。接点面１１１は、範囲５０ａにおいて、ばね要素対１０７の一方のばね要素を介して保持器１９．２に、したがって支持ビーム片２１．２ａ及び２１．２ｂに配置された歯２４．２ｂ又は２３．２ａに電気的に接続されている。ここにおいて支持ビーム片２１．１ａ及び２１．１ｂに配置されたビームガイドスイッチ２の歯２３ａ及び２３ｂは、空間５．１から離れた方に向いているが、一方ビームガイドスイッチ２０の支持ビーム片２１．２ａに配置された歯２４．２ｂは、空間５．２の方に向いており、かつ支持ビーム片２１．２ｂに配置された歯２３．２ａはこれから離れた方に向いていることに注意する。
【００３６】
　接点面１１３は、範囲５０ｂにおいて、ばね要素対１０７の別のばね要素を介して保持器１９．２に、したがって歯２３．２ａ及び２４．２ｂに接続されている。保持器１９．２を介して両方の接点面１１１及び１１３は互いに接続されている。
【００３７】
　接点面１１２は、定置の歯２３．２ｂに電気的に接続されている。これらの歯２３．２ｂの自由端は、空間５．２から離れる方に向いている。接点面１１４は、定置の歯２４．２ａに電気的に接続されている。これらの歯列２４．２ａの自由端は、スイッチ部分７．２の方に向いている。
【００３８】
　電圧をかけない状態において、隣接する歯２３．２ｂ／２４．２ｂ及び２１．２ｂ（当審注：「２１．２ｂ」とあるのは、「２３．２ａ」の誤記であると認められる。）／２４．２ａは、くし形構造部２２．２ａ又は２２．２ｂにそれぞれ半分まで重なっている。スイッチ部分７．２は、スイッチ中間位置にある。相応する電圧を加えると、ビームガイドスイッチ２０は、一方において図３ａにかつ一方において図３ｂに示した位置に動かすことができる。接点面１１４に電圧＋Ｖ０が加えられ、かつ接点面１１２に−Ｖ０が加えられており、かつ接点面１１１及び１１３にアース電位（０Ｖ）が加えられているときに、スイッチ部分７．２は、図３ａに示された位置において、かつ図３ｂに示された位置において安定な位置にある。
【００３９】
　スイッチ部分７．２の図３ａに示された位置から図３ｂに示されたものに切換えるために、接点面１１４における電圧は、＋Ｖ０＋ΔＶにΔＶだけ高められる。同時に接点面１１２における電圧は、−Ｖ０＋ΔＶにΔＶだけ高められ、かつ追加的に接点面１１１及び１１３に電圧−ΔＶが加えられ、それにより図３ｂに示された位置への切換えが行なわれる。逆の切換えは、初めに述べた電圧状態を再び占めたときに行なわれる。
　・・・（中略）・・・
【００４９】
　前記のビームガイドスイッチ２又は２０の製造のために、図５に示したＳＯＩウエーハ３９が前提となる。ＳＯＩウエーハ３９は、単結晶シリコン基板７０からなり、その上にアモルファス二酸化シリコン中間層ＳｉＯ２７１が取り付けられている。二酸化シリコン層７１上にシリコンカバー層７３が配置されている。このシリコンカバー層７３は、追加的に後に説明する例外を有する図１及び３ａ／ｂにおいて平面図で示した構造に相応してマスク７２によってマスキングされる。カバー層７３の厚さは、ビームガイド押込み通路１．１ａないし１．１ｄ又は１．２ａないし１．２ｄ内に押込むべきビームガイド４９に相応して選択される。これは、例えば単一モードビームガイドを利用する際、７５μｍである。基板７０とカバー層７３は、電気的に導通するが、一方中間層７１は電気的に絶縁されている。
【００５０】
　マスキングの際の前記の例外は、これを隣接するビームガイドのビームに対してミラーとして使うようにする場合、スイッチ部分７．１又は７．２のエッチングに関する。ビームガイドスイッチ２又は２０のスイッチ状態は、第１のスイッチ状態において、互いに対向するビームガイド端部の間の通過するビームであり、かつ第２のスイッチ状態において、スイッチ部分７．１又は７．２のそれぞれ１つのミラーコーティングされた壁を介した反射によるビームガイドである。これら両方のスイッチ状態を実現できるようにするために、
　＞ビームガイド端部は、１つの平面内になければならず、
　＞互いに対向するビームガイド端部範囲は、互いに一直線上になければならず、
　＞第２のスイッチ状態において信号に関して互いに結合されたビームガイド端部の軸線は、１つの位置においてスイッチ部分の鏡面に当たらなければならず、かつこの位置において垂線に対して共役な角度を持たなければならない。
【００５１】
　これらの条件は、ビーム損失を最小にしたスイッチングを達成するために、できるだけ小さな公差によって満たさなければならない。さらに前記の条件から、ビームガイドの端部範囲の光軸は所定の場所において交差し、かつそれぞれの反射面は、光軸の角度の半分のところに配置されていることが明らかである。さらにそれぞれの反射面は、ビームガイド端部が配置された平面に垂直になっていなければならない。この時、ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書に記載されたエッチング方法を利用すると、スイッチ部分のミラーコーティング面が垂線から外れ、かつその相互間隔が下方に向かって減少することがわかった。減少は、スイッチ部分の側壁範囲におけるエッチングの際に、エッチングイオンによって満たされた比較的大きな空間が存在することによって生じる。
【００５２】
　ビームガイドスイッチ２又は２０の製造のために真空室内においてこの時、カバー層のマスクされていない部分は、深い異方性反応イオンエッチング法［ディープアンイソトロピックリアクティブイオンエッチング］によって取り除かれる。２．６Ｐａの圧力、−９５°Ｃの温度、及び電極とＳＯＩウエーハとの間の−７０Ｖの電圧（ＤＣバイアス）において加工された。さらに１３．５ＭＨｚの高周波、２００ｃｍ＊３（当審注：「ｃｍ３」を意味するものと解される。以下同じ。）／ｍｉｎを有するＳＦ６、１６ｃｍ＊３／ｍｉｎを有するＯ２及び１０ｃｍ＊３／ｍｉｎを有するＣＨＦのガス流が利用される。イオン源として誘導結合されたプラズマが利用される。
【００５３】
　この材料取り除き過程は、図６に横断面図で示すように、中間層７１にまでマスクされないカバー層材料が取り除かれるまで継続する。
【００５４】
　垂線とは異なった側壁７４ａ及び７４ｂの生じることを達成するために、この時、それぞれのスイッチ部分側壁７４ａ及び７４ｂの前に小さな間隔を置いて、それぞれ１つの犠牲橋絡片７５ａ及び７５ｂが配置されている。犠牲橋絡片７５ａ及び７５ｂは、図１、５及び６に認めることができる。この時に正確に垂直な側壁７４ａ及び７４ｂを有するスイッチ部分７．１を製造した後に、犠牲橋絡片７５ａ及び７５ｂは取り除かれる。取り除きは、後に説明する方法にしたがって、そのすべての保持部が失われかつ脱落するようにするためにふっ酸による中間層７１のアンダカットにより、又は中間層７１に沿ってエッチングが達成されるようにエッチングパラメータを変更することによって、後に説明するプラズマエッチング装置において直接アンダカットすることによって行なうことができる。犠牲橋絡片７５ａ及び７５ｂを取り除く第３の可能性は、これらの犠牲橋絡片を後続の酸化ステップにおいて（粗さを減少するために）酸化シリコンに変換し、かつそれからふっ酸における中間層７１の部分的なアンダカットの際に溶解するように薄く形成することにある。
【００５５】
　この時、次の方法ステップにおいて、室温で４８％のふっ酸により、図６に示す細い橋絡片７７の下の中間層範囲７１は、これらが浮動するまでアンダカットされる。幅広い橋絡片７９の下の中間層範囲７１は、首状にエッチングされるだけである。しかし両方の橋絡片７９は、図７に示すように残ったままである。
【００５６】
　細い橋絡片７７は、この時、図１及び図３ａ／ｂに示した精密部分である。スイッチ部分（ミラー）７．１又は７．２、保持器１９．１又は１９．２、支持ビーム片２１．１ａ及び２１．１ｂ又は２１．２ａ及び２１．２ｂ、弾性片１６及びばね要素５１ａ／ｂ及び５２ａ／ｂ又は１０７及び１０９、及びその橋絡片５７は、機械的な要求にしたがって必要であるかぎり、細い幅を有する要素だけから精密組織として構成されているので、これらは、“遊離エッチング”される。同様なことは、くし形構造部によって行なわれる。
【００５７】
　すべての構造部の製造の後に、スイッチ部分７．１又は７．２の側壁７４ａ及び７４ｂは、光学的反射コーティングによって蒸着することができる。
【００５８】
　続いて４つのビームガイド４９が、相応するビームガイド押込み通路１．１ａないし１．１ｄ又は１．２ａないし１．２ｄ内に押込まれる。押込みは、顕微鏡の下で行なわれる。
【００５９】
　ビームガイドが相応するビームガイド押込み通路内に押込まれた後に、これらは、スイッチ装置の縁範囲においてカバー板に接着される。接着剤が不注意な取扱いの際にも決して精密部分にまで進むことがないようにするために、ビームガイド押込み通路１ａ及び１ｂは、過剰の接着剤を収容することができる接着剤収容通路９０に結合されている。」
　
（エ）図３ａ、図３ｂ及び上記（ウ）の【００４９】の記載からみて、板ばね要素（１０７，１０９）が、単結晶シリコン基板７０上に形成されて固定配置された固定部（図３ａにおける図面番号５０ａ及び５０ｂで示された領域）に連結されていることが明らかである。
　
（オ）引用例に記載された板ばね要素１０７，１０９がどのような形状となるか以下に検討する。
（ａ）上記各記載事項及び図面によれば、引用例には以下のことが開示されていると認められる。
（ａ−１）ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書に記載されたエッチング方法を利用すると、スイッチ部分のミラーコーティング面が垂線から外れ、かつその相互間隔が下方に向かって減少すること（上記（イ）の【０００８】、【０００９】及び上記（ウ）の【００５１】）。
（ａ−２）当該減少は、スイッチ部分の側壁範囲におけるエッチングの際に、エッチングイオンによって満たされた比較的大きな空間が存在することによって生じること（上記（ウ）の【００５１】）。
（ａ−３）ビーム損失を最小にしたスイッチングを達成するために、反射面は、ビームガイド端部が配置された平面に垂直になっていなければならないこと（上記（イ）の【０００８】、上記（ウ）の【００５１】）。
（ａ−４）スイッチ部分のミラーコーティング面が垂線から外れることを防止するために、スイッチ部分の側壁のすぐ外側に犠牲橋絡片が配置されること（上記（イ）の【００１９】、【００２０】及び上記（ウ）の【００５４】）。
（ａ−５）犠牲橋絡片は、スイッチ部分の製造後、取り除かれること（上記（ウ）の【００２３】、【００５４】）。
（ａ−６）スイッチ部分は電圧のない中間位置と、空間内にスイッチ部分を押し込んだ位置と、空間からスイッチ部分が引き出された位置とを占め、中間位置において、隣接する歯（２３．２ａと２４．２ａ、及び、２３．２ｂと２４．２ｂ）は、それぞれ半分まで重なっていること（上記（ウ）の【００２２】、【００３１】、【００３８】、図３ａ、図３ｂ）。
（ａ−７）エッチングは、電圧のない中間位置に相当する形状のマスクにより行われること（上記（ウ）の【００２２】の「図１において、スイッチ部分７．１は、電圧のない中間位置において示されている。」との部分、【００２３】の「スイッチ部分７．１の側壁に並べて、ここではなお２つの犠牲橋絡片３ａ及び３ｂが存在し、これらの犠牲橋絡片は、後に説明するように、ビームガイドスイッチ装置４の動作の前に取り除かれる。」との部分、同【００２４】の「エッチングによって製造された凹所は、図１において黒く示されている。」との部分、【００４９】の「シリコンカバー層７３は、追加的に後に説明する例外を有する図１及び３ａ／ｂにおいて平面図で示した構造に相応してマスク７２によってマスキングされる。」との部分、図１の犠牲橋絡片３ａ、３ｂ）。
　なお、【００４９】には、「このシリコンカバー層７３は、追加的に後に説明する例外を有する図・・・３ａ／ｂにおいて平面図で示した構造に相応してマスク７２によってマスキングされる。」と記載されており、図３ａ、図３ｂに相当する状態はともに中間位置ではなく電圧印加時の状態であるが（【００３８】及び【００３９】）、図３ａ及び図３ｂには、図１の犠牲橋絡片３ａ及び３ｂのような（上記（ａ−５）のとおりその後取り除かれる）犠牲橋絡片に相当する構成を見て取ることができないことに照らせば、図３ａ及び図３ｂはマスクの形状を示したものではないと解される。
（ａ−８）エッチングは、すべての構造に対して同時に行われること（上記（ウ）の【００４９】の「シリコンカバー層７３は、追加的に後に説明する例外を有する図１及び３ａ／ｂにおいて平面図で示した構造に相応してマスク７２によってマスキングされる。」との部分、【００５１】の「この時、ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書に記載されたエッチング方法を利用すると、スイッチ部分のミラーコーティング面が垂線から外れ、かつその相互間隔が下方に向かって減少することがわかった。減少は、スイッチ部分の側壁範囲におけるエッチングの際に、エッチングイオンによって満たされた比較的大きな空間が存在することによって生じる。」との部分、【００５３】、図５、図６）。
　
（ｂ）上記（ａ−１）において、「上記ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書に記載されたエッチング方法」とは、当該ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書の内容に照らせば、その第７頁第２５行〜第３４行に記載された方法を意味しているものと解されるところ、その内容は以下のとおりである。
「真空チャンバー内において、コート層４３のマスクされていない部分が、深堀り反応性イオンエッチングプロセスで除去される。このステップは、２．６Ｐａの圧力、−９５℃（−１３９°Ｆ）の温度及び電極とＳＩＯウェハとの間に−７０Ｖ（ＤＣバイアス）の電圧において行われる。さらに、１３．５ＭＨｚの高周波、２００ｃｃｍ（当審注：「ｃｍ３」を意味するものと解される。以下同じ。）／ｍｉｎのＳＦ６のガス流、１６ｃｃｍ／ｍｉｎのＯ２のガス流、１０ｃｃｍ／ｍｉｎのＣＨＦのガス流が使用される。イオン源は、誘導結合プラズマが使用される。」（当審訳）
　
　そうすると、「上記ＰＣＴ第ＷＯ９８／１２５８９号明細書に記載されたエッチング方法」は、上記（ウ）の【００５２】に記載された深い異方性反応イオンエッチング方法（ＤＲＩＥ法）、すなわち、引用例の特許請求の範囲に記載されたビームガイドスイッチ装置を製造する際に用いられるエッチング方法と同一である。
　
（ｃ）上記（ａ−４）のとおり、犠牲橋絡片はスイッチ部分の側壁のすぐ外側に配置されているところ、図１には、犠牲橋絡片として３ａ、３ｂしか記載されていないこと、犠牲橋絡片の配置目的が上記（ａ−３）、（ａ−４）のとおり、ビーム損失を最小にしたスイッチングを達成するために、スイッチ部分のミラーコーティング面が垂線から外れることを防止することにあること、上記（ウ）の【００５０】には、「マスキングの際の前記の例外は、これを隣接するビームガイドのビームに対してミラーとして使うようにする場合、スイッチ部分７．１又は７．２のエッチングに関する。」と記載されていることに照らせば、引用例における犠牲橋絡片は、スイッチ部分の側壁のすぐ外側のみに配置されており、板ばね要素のすぐ外側には配置されていないものと認められる。
　
（ｄ）上記（ａ−７）のとおり、エッチングは、電圧のない中間位置に相当する形状のマスクにより行われるところ、板ばね要素（１０７，１０９）は、保持器（１９）に固定的に結合されており（上記（ア）の【請求項４】など）、当該保持器にスイッチ部分が保持されているのである（上記（ア）の【請求項３】など）から、上記（ａ−６）に照らせば、板ばね要素は、スイッチ部分を押し込んだ位置に相当する状態（図３ａ）と、スイッチ部分が引き出された位置に相当する状態（図３ｂ）の双方を占めることができなければならないことが明らかである。そうすると、エッチングの際、板ばね要素の周囲には相応の大きさの溝が存在するようにしなければならないことが明らかである。このことは、図３ａ及び図３ｂから中間位置を想定することにより読み取ることができる内容と整合する。
　また、スイッチ部分を押し込んだ位置とスイッチ部分が引き出された位置との間において、スイッチ部分が移動する距離は、ＭＥＭＳの光スイッチに関する本願優先日当時の技術水準を示す「W.-H.Juan et al.,“High-Aspect-Ratio Si Vertical Micromirror Arrays for Optical Switching”,JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL.7, NO.2, JUNE 1998,p.207-p.213」（特に、第２１０頁左欄第１０行〜第１３行の「すでに示したとおり、光シグナルを１チャネルから他のチャネルに効果的にスイッチするためには、典型的なビームサイズ１０μｍにおいて、最小限のミラーの移動距離３０μｍが必要とされる。」（当審訳）との部分）、特表２００３−５０６７５５号公報（特に、【００１４】）及び「Cornel Marxer, et al., “Vertical Mirrors Fabricated by Deep Reactive Ion Etching for Fiber-Optic Switching Applications”, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL.6, NO.3, SEPTEMBER 1997, p.277-p.285」（特に、第２８２頁左欄第１行〜第９行及びＦｉｇ．１０）に照らせば、おおむね２０μｍまたはそれ以上であるものと推認できる。
　
（ｅ）上記（ａ−６）及び（ａ−７）によれば、エッチングを行う際、隣接する歯（２３．２ａと２４．２ａ、及び、２３．２ｂと２４．２ｂ）は、それぞれ半分まで重なっていることになるところ、隣接する歯同士の間隔は、ＭＥＭＳの光スイッチに関する本願優先日当時の技術水準を示す米国特許第６３０３８８５号明細書（特に、第５欄第６４行〜第６５行）、上記特表２００３−５０６７５５号公報（特に、請求項２７、【００１５】）及び上記「W.-H.Juan et al.,“High-Aspect-Ratio Si Vertical Micromirror Arrays for Optical Switching”,JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL.7, NO.2, JUNE 1998,p.207-p.213」（特に、第２０９頁右欄第２６行〜第２８行）によれば、おおむね、３〜４μｍ程度であると推認できる。
　
（ｆ）上記（ｄ）及び（ｅ）によれば、エッチングの際に存在するようにしなければならない板ばね要素の周囲の溝の大きさは、それと同時にエッチングされる隣接する歯同士の間隔よりも相当程度大きいことになる。このことは、図３ａ及び図３ｂから見て取ることができる内容と整合する。
　
（ｇ）上記（ｆ）の条件でＤＲＩＥ法によりエッチングを行うとどのようになるか検討する。
　本願優先日当時の技術水準を示す上記「Cornel Marxer, et al., “Vertical Mirrors Fabricated by Deep Reactive Ion Etching for Fiber-Optic Switching Applications”, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL.6, NO.3, SEPTEMBER 1997, p.277-p.285」には、以下のように記載されている。
「いわゆるＲＩＥラグまたはマイクロローディング効果により、小さな溝は、より大きな溝よりも遅くエッチングされる。我々のデバイスは、櫛形駆動アクチュエータと同様に、光学ファイバのための１２５μｍ幅の溝を要求する。エッチングが、その小さな溝を開き続けている間、より大きなファイバ溝においては、シリコン酸化層に既に到達する。この領域においてはエッチングの化学的反応が変化する。なぜなら、取り除かれるべきシリコンがもはや存在せず、イオンは、埋められた酸化物によって吸収されないからである。これは、特に狭い溝において、相当なアンダーエッチングを引き起こす。」（第２７９頁右欄第２０行〜第２９行の記載内容についての当審訳）
　
「Ｃ．ミラーの垂直性
　図８は、エッチされたミラーの詳細な図を示す。このＳＥＭ顕微鏡写真から、側壁の垂直性は８９．３°であると推定されうる。小さな溝の垂直性はよりよいものである。・・・ＤＲＩＥ技術は、よりよい垂直性をもって、ミラーを製造することを許容する。しかしながら、ＲＩＥラグ効果により、垂直性は溝の広さに依存する。もし、プロセスがファイバ配置溝の大きな溝におけるスイッチングミラーのための最適な垂直性を得るために最適化されているならば、櫛構造の小さな溝におけるプロファイルはポジティブになりすぎ、これらの溝の封鎖をもたらす。」（第２８１頁左欄第１行〜第１５行の記載内容についての当審訳）
　
　以上の内容と上記（ａ−２）に照らせば、ＤＲＩＥ法によって小さな溝を形成するにあたっては、いわゆるＲＩＥラグ効果により、より小さい溝はより大きな溝よりも遅くエッチングされるため、より大きな溝においては、より小さい溝が形成される前にシリコン酸化層に到達してしまい、その領域においては、エッチングイオンが酸化物によって吸収されないため、エッチングイオンによって満たされることになり、その結果、垂直性は溝の大きさに依存し、より大きな溝は下に行くほど幅が広くなることになることが明らかである。
　
（ｈ）上記（ｂ）〜（ｇ）に照らせば、引用例においては、ＤＲＩＥ法によってエッチングを行っているから、隣接する歯の間隔に対応する部分がシリコン酸化層に到達する前に、板ばね要素の周囲の溝の部分はシリコン酸化層に到達してしまうことになり、板ばね要素の周囲の溝は下に行くほど幅が大きくなることになって、板ばね要素は、下に行くほど幅が小さくなると推認できる。
　
　
　上記各記載事項によれば、引用例には、
「基板、カバー層及び電気的に絶縁する中間層を有するサンドイッチウエーハから製造され、その際、それぞれのビームガイドスイッチが、少なくとも１つの可動のスイッチ部分、及び平面内にあるようになった少なくとも２つのビームガイド端部を有し、これらのビームガイド端部が、スイッチ部分によってビームガイド端部から生じるビームを、別のガイド端部へのその光経路において遮断可能であり、又はここに反射可能であるように、互いに近くに隣接して配置されている、少なくとも１つのビームガイドスイッチを有するビームガイドスイッチ装置において、ガイド端部の間においてスイッチ部分を収容する中間空間が、所定の屈折率を有するインデックス整合液によって満たされており、かつそれぞれのビームガイドのビームを案内するコアが、インデックス整合液の屈折率と液体を満たされた空間における空いたコアプロファイルとの共同作用において、ビームのコリメーションを達成できるように、先細に形成されていることを特徴とする、少なくとも１つのビームガイドスイッチを有するビームガイドスイッチ装置であって、
　少なくとも１つのビームガイドスイッチが、ビームガイド端部の間において可動のスイッチ部分を保持するために保持器を有し、それぞれの保持器が、この保持器に結合された少なくとも１つの第１のくし形構造部を有し、第１のくし形構造部に整合する第２の定置のくし形構造部が存在し、このくし形構造部の歯が、第１の構造部に対して互い違いに配置されており、かつ両方のくし形構造部に、静電移動力を発生するために第１及び第２の電圧を加えることができる、装置において、静電電圧割当てを有する当該のくし形構造部を、したがってスイッチ部分を安定な位置に保持するために、少なくとも１つのくし形構造のそれぞれの歯が、その自由歯端部範囲に横断面広がり部を有するようにしており、
　保持器に固定的に結合された少なくとも１つの板ばね要素が設けられており、この板ばね要素に、それぞれ第１のくし形構造部が配置されており、かつそれぞれの板ばね要素が、保持器の運動方向に対してほぼ垂直に延びるように形成されており、
　スイッチ部分は、ビームガイドのビームに対してミラーとして作用する表面を有し、
　スイッチ部分、保持器及び板ばね要素、くし形構造部は、下の中間層範囲が、これらが浮動するまでアンダカットされ、
　板ばね要素が、基板上に形成されて固定配置された固定部に連結されており、
　板ばね要素は、下に行くほど幅が小さくなる、ビームガイドスイッチ装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比・判断
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　
（ア）引用発明の「基板」、「固定部」及び「ビームガイドスイッチ装置」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「固定部」及び「微小可動デバイス」に相当する。
　
（イ）引用発明の「スイッチ部分」は可動であり、「保持器」は「スイッチ部分を保持するため」のものであるから、引用発明の「保持器」は、本願発明の「可動部」に相当する。
　そして、引用発明の「保持器」は、「基板、カバー層及び電気的に絶縁する中間層を有するサンドイッチウエーハから製造され」たものであるから、「基板上に形成され」たものであり、また、「その基板板面と平行に変位する」ことが明らかである。
　
（ウ）引用発明の「板ばね要素」は、「ばね性を有」することが明らかであって、「保持器」（本願発明の「可動部」に相当。）に「固定的に結合され」、「基板上に形成されて固定配置された固定部」に連結されており、「保持器の運動方向に対してほぼ垂直に延びるように形成されて」いて、さらに、その「下の中間層範囲が、これらが浮動するまでアンダカットされ」ており、「下に行くほど幅が小さくなる」ものであるから、引用発明は「ばね性を有し、上記基板板面と平行に延伸されて両端が上記可動部と上記固定部とに連結され、上記可動部を変位自在に支持するヒンジ」を備えており、「上記ヒンジの上記延伸方向と直交する断面の幅が上記基板の上面に近づく程、小とされている」ものであることが明らかである。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、
「基板上に形成され、その基板板面と平行に変位する可動部と、上記基板上に形成されて固定配置された固定部と、ばね性を有し、上記基板板面と平行に延伸されて両端が上記可動部と上記固定部とに連結され、上記可動部を変位自在に支持するヒンジとを備える微小可動デバイスであって、
　上記ヒンジの上記延伸方向と直交する断面の幅が上記基板の上面に近づく程、小とされている微小可動デバイス。」である点で一致し、相違点はない。
　
　したがって、本願発明は引用例に記載された発明である。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。