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　特願２００５−　９９４２６「レジスト組成物及びパターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１８日出願公開、特開２００５−２２２０７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
 　本願は、平成７年９月２０日に出願された特願平７−２４２０３３号の一部を新たな特許出願としたものであって、平成１８年４月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月３０日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２．平成１８年６月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定 
 ［補正却下の決定の結論］ 
 　平成１８年６月３０日付けの手続補正を却下する。 
 ［理由］ 
 （１）補正後の本願発明 
 　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、 
 「【請求項１】
　アルカリ可溶性の基材樹脂、光酸発生剤及び溶解抑制剤を組み合わせて有する化学増幅型レジスト組成物において、
前記溶解抑制剤が、次式（II）により示される化合物：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（II）
（上式において、
　Ａは、溶解抑止剤分子の母核を構成する環式もしくは非環式構造を完成するのに必要な原子の集まりであり、芳香族基、飽和環式基もしくは鎖式基を表し、
　ＳＩＧは、それぞれ、同一もしくは異なっていてもよく、前記環式もしくは非環式構造Ａに結合基Ｌを介して間接的に結合しかつ酸の作用によりその構造Ａより分離可能な溶解抑止基を表し、そして溶解抑止剤分子中に集中して分布せしめられており、
　Ｌは、３個もしくはそれ以上の前記ＳＩＧを前記構造Ａに付加させることで前記ＳＩＧを溶解抑止剤分子中に集中して分布させる任意の結合基であり、前記ＳＩＧの全部もしくは一部に共通して存在しており、
但し、相隣れるＳＩＧ間に介在する原子の数は４以下であり、
前記Ａの芳香族基に前記ＳＩＧが直接に結合したものは除かれ、そして
　ｎは、前記構造Ａに結合した溶解抑止基ＳＩＧの数であり、３もしくはそれ以上の整数を表す）
であることを特徴とする、化学増幅型レジスト組成物。」
 と補正された。 
 　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「溶解抑制剤を示す式（II）」について「前記Ａの芳香族基に前記ＳＩＧが直接に結合したものは除かれる」との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
 　 
（２）引用例 
・原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２６６１０９号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の記載がある。 
《ア》　
「特許請求の範囲
【請求項１】　（ａ）水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂、
（ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（ｃ）酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物、
（ｄ）（ａ）〜（ｃ）を溶解可能な溶剤、
を含有するポジ型感光性組成物において、
該化合物（ｃ）が、
（ｉ）酸で分解し得る基を少なくとも２個有し、該酸分解性基間の距離が、最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を１０個以上経由する化合物、及び、
（ii）酸で分解し得る基を少なくとも３個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を９個以上経由する化合物、
から選ばれた少なくとも１種であり、
（ｄ）が沸点１３０〜１５５℃の溶剤を、全溶剤中少なくとも３０重量％有することを特徴とするポジ型感光性組成物。」
（特許請求の範囲）、
　　
《イ》
「【発明が解決しようとする課題】
　従って、本発明の目的は、上記問題点を改良し、現像時の膜減りが少なく、高感度、高解像力及び良好なプロファイルを有するポジ型感光性組成物を提供することである。
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記諸特性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤、及び酸分解性基を有する溶解阻止化合物及び溶剤から成るポジ型化学増幅系において、溶解阻止化合物として以下に示す要件を満たす低分子酸分解性溶解阻止化合物を用い、更に溶剤として以下の要件の溶剤を用いることで達成されることを見いだし、本発明に到達した。」（８〜９段落）、
　　
《ウ》
「また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物は、…本発明の好ましい実施態様においては、…より具体的には、一般式［Ｉ］〜［ＸＶＩ］で表される化合物が挙げられる。
（一般式［Ｉ］〜［ＸＶＩ］の転記を省略。）
好ましい化合物骨格の具体例を以下に示す。
（式（１）〜（１３）、（１５）〜（６３）の転記を省略。：当審注）
化合物（１）〜（６３）中のＲは、水素原子、…、−ＣＯＯ−ｔＢｕ　もしくは…を表す。（「−ｔＢｕ」は、ターシャリーブチル基を表す。以下同様。：当審注）
但し、少なくとも２個、もしくは構造により３個は水素原子以外の基であり、各置換基Ｒは同一の基でなくても良い。」（１７〜６３段落）、
　　
《エ》
【実施例】欄の１１３〜１１９段落には、
α,α',α',α,α−ヘキサキス（４−ヒドロキシフェニル）−１,３,５−トリエチルベンゼンなどの合成原料をもとに、６つの−ＯＲ基がすべて酸分解性基（−Ｏ−ＣＨ２−ＣＯＯ−ｔＢｕ）である溶解阻止剤化合物（６２）を合成する合成例５、
α,α',α−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１,３,５−トリイソプロピ
ルベンゼンなどの合成原料をもとに、３つの−ＯＲ基のうち２つが酸分解性基（−Ｏ−ＣＯＯ−ｔＢｕ）で残りの１つが−ＯＨである溶解阻止剤化合物（３１）を合成する合成例６、
など、溶解阻止剤化合物（１）〜（６３）のうちの７種類について具体的で詳細な合成製造事例が示されている。
　　
《オ》
【実施例】欄の１２０　〜１３８段落には、
・ｍ−クレゾール４０ｇ、ｐ−クレゾール６０ｇ、３７％ホルマリン水溶液４９ｇを出発物質として合成されたノボラック樹脂（ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗ＝７，１００）１．５ｇ、
・スルホニウム塩系光酸発生剤　０．０５ｇ、
・合成例−６で得られた、３つの−ＯＲ基のうち２つが酸分解性基（−Ｏ−ＣＯＯ−ｔＢｕ）で残りの１つが−ＯＨである溶解阻止剤化合物（３１）０．５５ｇ、
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤　６ｇ　
からなるレジスト溶液を作成。
　このレジスト溶液を、スピンコーターでシリコンウエハー上に塗布、１１０℃６０秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚１．０μｍのレジスト膜を得た。
　このレジスト膜に、２４８ｎｍＫｒＦエキシマレーザーステツパー（ＮＡ＝０．４２）を用いて露光。
露光後９５℃の真空吸着型ホットプレートで６０秒間加熱、
ただちにテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸漬して現像、３０秒間水でリンスして乾燥。
このようにして得られたシリコンウエハー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観察、レジストのプロファイルを評価すると、相対感度　１．８、現像膜減り　２％、解像力　０．２８μｍで、現像による膜減りが少なく、高感度、高解像力及び良好なプロファイルを有しているとの実施例１８、
など、
数種類のアルカリ可溶性基材樹脂、光酸発生剤と、（１）、（１０）、（１８）、（６２）等の数種類の溶解阻止剤化合物を組み合わせて乳酸エチルなど数種類の溶剤に溶解して１９種類の化学増幅型レジスト組成物を調製して、半導体製造工程に適用して、現像による膜減りが少なく、高感度、高解像力及び良好なプロファイルを有していることを確認する１〜１９の具体的で詳細な実施例が示されている。
　　　
（３）対比 ・判断
・引用例１には、
ポジ型化学増幅系レジスト組成物に好適な、酸分解性の溶解阻止剤を求めて種々探索・検討し、レジスト組成物にして現像実験した結果、特に好ましい溶解阻止剤として、（１）〜（６３）の骨格構造であって、酸分解性基−ＯＲが、−ＯＣＯＯ−ｔＢｕ等であるものが選定された旨詳細に記載されているので（前掲《ア》〜《オ》参照）、
その中から、式（１４）の骨格構造であって、酸分解性基−ＯＲが、−ＯＣＯＯ−ｔＢｕである溶解阻止剤（前掲《ウ》参照）（以下、「溶解阻止剤（１４）」と略記する。）、アルカリ可溶性基材樹脂、光酸発生剤からなる化学増幅型レジスト組成物を、具体的な対比の事例として取り上げる。
・本願補正発明と溶解阻止剤（１４）を使用する引用例１記載の発明とを対比すると、
引用例１の「溶解阻止剤（１４）」は、本願補正発明の「溶解抑止剤」に相当し、
引用例１の「溶解阻止剤（１４）」の中央の芳香族基　−ＣＨ−Ｃ６Ｈ５　は、本願補正発明の「溶解抑止剤」の式（II）の「Ａ、溶解抑止剤分子の母核を構成する環式もしくは非環式構造を完成するのに必要な原子の集まり」に相当し、
引用例１の「溶解阻止剤（１４）」の酸分解性基−ＯＣＯＯ−ｔＢｕは、本願補正発明の「ＳＩＧ、前記環式もしくは非環式構造Ａに結合基Ｌを介して間接的に結合しかつ酸の作用によりその構造Ａより分離可能な溶解抑止基」に相当し、
引用例１の「溶解阻止剤（１４）」の中央の芳香族基　−ＣＨ−Ｃ６Ｈ５　から延びる、２つの結合基　−Ｃ６Ｈ(-ＣＯＣＨ３)−　は、それぞれ、全部で６個ある酸分解性基−ＯＣＯＯ−ｔＢｕの内の３個ずつに共通する結合基であり、本願補正発明の「溶解抑止剤」の式（II）の「Ｌ、３個もしくはそれ以上の前記ＳＩＧを前記構造Ａに付加させることで前記ＳＩＧを溶解抑止剤分子中に集中して分布させる任意の結合基であって、ＳＩＧの全部もしくは一部に共通して存在するもの」に相当しており、
さらに、
引用例１の「溶解阻止剤（１４）」の相隣れるＳＩＧ間に介在する原子数は２であって、本願補正発明の「溶解抑止剤」でいう「相隣れるＳＩＧ間に介在する原子の数は４以下」に該当し、
引用例１の「溶解阻止剤（１４）」の酸分解性基−ＯＲの数は６であって
本願補正発明でいう「Ａに結合した溶解抑止基ＳＩＧの数ｎは３もしくはそれ以上の整数」にも該当し、しかも、「Ａの芳香族基に前記ＳＩＧが直接に結合したものは除かれる」との除外規定には当てはまらないので、
結局、両者は、「アルカリ可溶性の基材樹脂、光酸発生剤及び溶解抑止剤を組み合わせて有する化学増幅型レジスト組成物において、前記溶解抑止剤が、次式（II）により表される化合物：
　　式（II）
（本願補正発明の式（II）である。）（転記を省略。：当審注）
　（上式において、Ａは、溶解抑止剤分子の母核を構成する環式もしくは非環式構造を完成するのに必要な原子の集まりであり、芳香族基、飽和環式基もしくは鎖式基を表し、
　ＳＩＧは、それぞれ、同一もしくは異なっていてもよく、前記環式もしくは非環式構造Ａに結合基Ｌを介して間接的に結合しかつ酸の作用によりその構造Ａより分離可能な溶解抑止基を表し、そして溶解抑止剤分子中に集中して分布せしめられており、
　Ｌは、３個もしくはそれ以上の前記ＳＩＧを前記構造Ａに付加させることで前記ＳＩＧを溶解抑止剤分子中に集中して分布させる任意の結合基であり、前記ＳＩＧの全部もしくは一部に共通して存在しており、但し、相隣れるＳＩＧ間に介在する原子の数は４以下であり、
　前記Ａの芳香族基に前記ＳＩＧが直接に結合したものは除かれ、そしてｎは、前記構造Ａに結合した溶解抑止基ＳＩＧの数であり、３もしくはそれ以上の整数を表す）であることを特徴とする、化学増幅型レジスト組成物。」のすべての構成において一致し、相違する点は無い。
・してみると、本願補正発明は、引用例１に記載されたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　　　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　 
３．本願発明について 
　平成１８年６月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至請求項５に係る発明は、平成１７年３月３０日付けで手続補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項７に記載された事項により特定されるとおりのものであり、特に請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。 
 　 
 「【請求項１】
　アルカリ可溶性の基材樹脂、光酸発生剤及び溶解抑止剤を組み合わせて有する化学増幅型レジスト組成物において、
　前記溶解抑止剤が、次式（II）により表される化合物：
　　式（II）（転記を省略。：当審注）
　（上式において、Ａは、溶解抑止剤分子の母核を構成する環式もしくは非環式構造を完成するのに必要な原子の集まりであり、芳香族基、飽和環式基もしくは鎖式基を表し、
　ＳＩＧは、それぞれ、同一もしくは異なっていてもよく、前記環式もしくは非環式構造Ａに結合基Ｌを介して間接的に結合しかつ酸の作用によりその構造Ａより分離可能な溶解抑止基を表し、そして溶解抑止剤分子中に集中して分布せしめられており、
　Ｌは、３個もしくはそれ以上の前記ＳＩＧを前記構造Ａに付加させることで前記ＳＩＧを溶解抑止剤分子中に集中して分布させる任意の結合基であり、前記ＳＩＧの全部もしくは一部に共通して存在しており、但し、相隣れるＳＩＧ間に介在する原子の数は４以下であり、
そして
　ｎは、前記構造Ａに結合した溶解抑止基ＳＩＧの数であり、３もしくはそれ以上の整数を表す）であることを特徴とする、化学増幅型レジスト組成物。」（以下、「本願発明１」という。） 
 　 
（１）引用例 
 　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。　 
 　 
（２）対比・判断 
 　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明の「溶解抑止剤を示す式（II）」の規定事項「Ａの芳香族基に前記ＳＩＧが直接に結合したものは除かれる」を外したものに相当する。
してみると、本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明であるから、本願発明１も、同様の理由により、引用例１に記載された発明である。　 
 　 
（３）むすび 
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。 
 　そして、請求項１に係る発明が特許を受けることができないものである以上、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、この特許出願は拒絶すべきものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。