【手続補正書】
【提出日】令和1年6月28日(2019.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
第１の厚さ領域及び第２の厚さ領域を備える単結晶圧電層であって、前記第１の厚さ領域の厚さは前記第２の厚さ領域の厚さと異なる、単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内での横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に波長λを有する横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造の各導波閉じ込め構造は、５λより小さい厚さを備え、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造は、１λ〜５λの範囲内の厚さを有する高速波伝搬層を備える、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極は、第１の複数の電極であって、前記第１の厚さ領域上にまたは前記第１の厚さ領域に隣接して配置され、前記第１の厚さ領域内で波長λ１を有する第１の横音響波の変換のために構成される第１の複数の電極を備え、第２の複数の電極であって、前記第２の厚さ領域上にまたは前記第２の厚さ領域に隣接して配置され、前記第２の厚さ領域内で波長λ２を有する第２の横音響波の変換のために構成される第２の複数の電極を備え、λ２はλ１と異なる、
ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２】
前記単結晶圧電層と前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造との間に配置される少なくとも１つの低速波伝搬層を更に備える、請求項１に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に波長λを有する横励起波を閉じ込めるように構成され、前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造の各導波閉じ込め構造は、５λより小さい厚さを備え、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造は高速波伝搬層を含む、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極は、第１の極性の第１の電極の群及び前記第１の極性と反対の第２の極性の第２の電極の群を含むインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、
前記単結晶圧電層は複数の凹部領域を含み、
前記第２の電極の群は、前記第２の電極の群が前記第１の電極の群に関して非共面的であるように前記複数の凹部領域内に配置される、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項４】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を備える単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に波長λを有する横励起波を閉じ込めるように構成され、前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造の各導波閉じ込め構造は、５λより小さい厚さを備え、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造は高速波伝搬層を含む、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
当該ＭＥＭＳ導波デバイスは、次の特徴の少なくとも１つを備える
（ｉ）前記複数の電極は、前記第１の表面上に配置される第１のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、また、前記第２の表面上に配置される第２のＩＤＴを備える
（ｉｉ）前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造は、前記第１の表面に近接する第１の導波閉じ込め構造と、前記第２の表面に近接する第２の導波閉じ込め構造と、を備える
ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項５】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を備える単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に波長λを有する横励起波を閉じ込めるように構成され、前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造の各導波閉じ込め構造は、５λより小さい厚さを備え、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造は高速波伝搬層を含む、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極及び前記単結晶圧電層は、結合して、周期分極反転変換器を備え、前記周期分極反転変換器において、前記単結晶圧電層は、異なる極性の複数の横交互領域を備え、前記複数の電極は、前記第１の表面上に配置される第１の固体金属電極を備え、また、前記第２の表面上に配置される第２の固体金属電極を備え、
少なくとも１つの低速波伝搬層は、前記周期分極反転変換器と前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造との間に存在する、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項６】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
区分化単結晶圧電層と、
前記区分化単結晶圧電層内にまたは前記区分化単結晶圧電層上に配置され、前記区分化単結晶圧電層内での横音響波の変換のために構成される複数の電極であって、該複数の電極は、第１の電極の区分化層を備え、また、第２の電極の実質的に連続の層を備える、複数の電極と、
前記区分化単結晶圧電層に近接して配置され、前記区分化単結晶圧電層内に波長λを有する横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造の各導波閉じ込め構造は、５λより小さい厚さを備え、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造は高速波伝搬層を備える、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記区分化単結晶圧電層は、前記区分化単結晶圧電層の区分が、第１の電極の前記区分化層の区分に実質的に位置合せされた状態で、第１の電極の前記区分化層と前記第２の電極の実質的に連続の層との間に配置される、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項７】
第１の電極の前記区分化層の区分の間にギャップを備え、前記ギャップは、低速波伝搬材料で少なくとも部分的に充填される、請求項６に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項８】
前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造は、第１の導波閉じ込め構造及び第２の導波閉じ込め構造を備え、
第１の電極の前記区分化層の区分の間のギャップ及び前記区分化単結晶圧電層の区分の間のギャップは低速波伝搬材料で充填され、
前記複数の電極、前記区分化単結晶圧電層、及び前記低速波伝搬材料は、前記第１の導波閉じ込め構造と前記第２の導波閉じ込め構造との間に配置される、請求項６に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項９】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
単結晶圧電層であって、第１の厚さ領域及び第２の厚さ領域を備え、前記第１の厚さ領域の厚さは前記第２の厚さ領域の厚さと異なる、単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの低速波伝搬層と、
前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造はブラッグミラーを備え、前記ブラッグミラーは、前記少なくとも１つの低速波伝搬層の１つの低速波伝搬層によって前記単結晶圧電層から分離される、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極は、前記第１の厚さ領域上にまたは前記第１の厚さ領域に隣接して配置され、前記第１の厚さ領域内で波長λ１を有する第１の横音響波の変換のために構成される第１の複数の電極を備え、また、前記第２の厚さ領域上にまたは前記第２の厚さ領域に隣接して配置され、前記第２の厚さ領域内で波長λ２を有する第２の横音響波の変換のために構成される第２の複数の電極を備え、λ２はλ１と異なる、
ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１０】
前記ブラッグミラーは、少なくとも１つの低インピーダンス層及び少なくとも１つの高インピーダンス層の少なくとも１つの群を含み、前記少なくとも１つの低インピーダンス層は、前記少なくとも１つの群内で前記少なくとも１つの高インピーダンス層とシーケンシャルに配置される、請求項９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１１】
前記単結晶圧電層とデバイスの少なくとも１つの下地層との間に結合界面を備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの下地層は、（ｉ）前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造の１つの導波閉じ込め構造または（ｉｉ）前記単結晶圧電層と前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造の１つの導波閉じ込め構造との間に配置される任意に設けられる低速波伝搬層の少なくとも一方を備える、請求項１１に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１３】
前記単結晶圧電層は、第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を備え、
前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造は、前記第１の表面に近接する第１の導波閉じ込め構造を備え、また、前記第２の表面に近接する第２の導波閉じ込め構造を備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１４】
前記第１の導波閉じ込め構造は前記高速波伝搬層を備え、前記第２の導波閉じ込め構造は別の高速波伝搬層を備える、請求項１３に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１５】
前記第１の導波閉じ込め構造は第１のブラッグミラーを備え、前記第２の導波閉じ込め構造は第２のブラッグミラーを備える、請求項１３に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１６】
前記第１の導波閉じ込め構造または前記第２の導波閉じ込め構造の一方は前記ブラッグミラーを備え、前記第１の導波閉じ込め構造または前記第２の導波閉じ込め構造の他方は高速波伝搬層を備える、請求項１３に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの低速波伝搬層は、第１の低速波伝搬層及び第２の低速波伝搬層を備え、前記第１の低速波伝搬層は前記第１の表面と前記第１の導波閉じ込め構造との間に配置され、前記第２の低速波伝搬層は前記第２の表面と前記第２の導波閉じ込め構造との間に配置される、請求項９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１８】
前記複数の電極、前記単結晶圧電層、及び前記少なくとも１つの低速波伝搬層は、前記第１の導波閉じ込め構造と前記第２の導波閉じ込め構造との間に配置される、請求項１３に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項１９】
前記複数の電極は、前記少なくとも１つの低速波伝搬層内に配置されかつ前記単結晶圧電層と接触状態で配置される複数の電極を含む、請求項２又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２０】
前記複数の電極は、第１の極性の第１の電極の群及び前記第１の極性と反対の第２の極性の第２の電極の群を備えるインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を含み、
前記第２の電極の群は、前記第１の電極の群に関して非共面的である、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２１】
前記複数の電極を少なくとも部分的に覆う少なくとも１つの機能層を更に備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。 
【請求項２２】
前記複数の電極は、前記単結晶圧電層内に少なくとも部分的に埋め込まれたインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２３】
前記単結晶圧電層は、第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を備え、
前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造は、少なくとも１つの高速波伝搬層を含む第１の導波閉じ込め構造を備え、また、少なくとも１つのブラッグミラーを含む第２の導波閉じ込め構造を備え、
以下の特徴（ｉ）及び（ｉｉ）、
（ｉ）前記第１の導波閉じ込め構造は前記第１の表面に近接して配置され、前記第２の導波閉じ込め構造は前記第２の表面に近接して配置される
または（ｉｉ）前記第１の導波閉じ込め構造は前記第２の表面に近接して配置され、前記第２の導波閉じ込め構造は前記第１の表面に近接して配置される
の一方を含む、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２４】
前記第１の複数の電極は第１のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、前記第２の複数の電極は第２のＩＤＴを備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造と前記単結晶圧電層の少なくとも一部分との間に温度補償層を更に備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２６】
前記温度補償層は、前記第１の厚さ領域に近接して第１の温度補償層厚を含み、また、前記第２の厚さ領域に近接して第２の温度補償層厚を含む、請求項２５に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２７】
前記第１の複数の電極は前記第２の複数の電極に関して非共面的である、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２８】
５λより大きい厚さを備えるキャリア基板を更に備え、前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造の１つの導波閉じ込め構造は、前記キャリア基板と前記単結晶圧電層との間に配置される、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項２９】
５λより大きい厚さを備えるキャリア基板がなく、前記導波デバイスは板波デバイスを備える、請求項１又は９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３０】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの低速波伝搬層と、
前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造はブラッグミラーを備え、前記ブラッグミラーは、前記少なくとも１つの低速波伝搬層の１つの低速波伝搬層によって前記単結晶圧電層から分離される、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極は、第１の極性の第１の電極の群及び前記第１の極性と反対の第２の極性の第２の電極の群を含むインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、
前記単結晶圧電層は複数の凹部領域を含み、
前記第２の電極の群は、前記第２の電極の群が前記第１の電極の群に関して非共面的であるように前記複数の凹部領域内に配置される、請求項２９に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を備える単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの低速波伝搬層と、
前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造はブラッグミラーを備え、前記ブラッグミラーは、前記少なくとも１つの低速波伝搬層の１つの低速波伝搬層によって前記単結晶圧電層から分離される、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極は、前記第１の表面上に配置される第１のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、また、前記第２の表面上に配置される第２のＩＤＴを備える、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を備える単結晶圧電層と、
前記単結晶圧電層内にまたは前記単結晶圧電層上に配置され、前記単結晶圧電層内で横音響波の変換のために構成される複数の電極と、
少なくとも１つの低速波伝搬層と、
前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記単結晶圧電層内に横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造はブラッグミラーを備え、前記ブラッグミラーは、前記少なくとも１つの低速波伝搬層の１つの低速波伝搬層によって前記単結晶圧電層から分離される、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記複数の電極及び前記単結晶圧電層は、結合して、周期分極反転変換器を備え、前記周期分極反転変換器において、前記単結晶圧電層は、異なる極性の複数の横交互領域を備え、前記複数の電極は、前記第１の表面上に配置される第１の固体金属電極を備え、また、前記第２の表面上に配置される第２の固体金属電極を備え、
少なくとも１つの低速波伝搬層は、前記周期分極反転変換器と前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造との間に存在する、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
区分化単結晶圧電層と、
前記区分化単結晶圧電層内にまたは前記区分化単結晶圧電層上に配置され、前記区分化単結晶圧電層内での横音響波の変換のために構成される複数の電極であって、該複数の電極は、第１の電極の区分化層を備え、また、第２の電極の実質的に連続の層を備える、複数の電極と、
前記区分化単結晶圧電層に近接して配置され、前記区分化単結晶圧電層内に横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造であって、該少なくとも１つの導波閉じ込め構造はブラッグミラーを備え、前記ブラッグミラーは、前記少なくとも１つの低速波伝搬層の１つの低速波伝搬層によって前記単結晶圧電層から分離される、少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記区分化単結晶圧電層は、前記区分化単結晶圧電層の区分が、第１の電極の前記区分化層の区分に実質的に位置合せされた状態で、第１の電極の前記区分化層と前記第２の電極の実質的に連続の層との間に配置される、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３４】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
区分化単結晶圧電層と、
前記区分化単結晶圧電層内にまたは前記区分化単結晶圧電層上に配置され、前記区分化単結晶圧電層内での波長λを有する横音響波の変換のために構成される複数の電極であって、第１の電極の区分化層を備える、前記複数の電極と、
前記区分化単結晶圧電層に近接して配置され、前記区分化単結晶圧電層内に横励起波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記区分化単結晶圧電層の区分は、第１の電極の前記区分化層の区分に実質的に位置合せされる、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３５】
第１の電極の前記区分化層の区分の間にギャップを備え、前記ギャップは、低速波伝搬材料で少なくとも部分的に充填される、請求項３３又は３４に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３６】
前記少なくとも１つの導波閉じ込め構造は、第１の導波閉じ込め構造及び第２の導波閉じ込め構造を備え、
第１の電極の前記区分化層の区分の間のギャップ及び前記区分化単結晶圧電層の区分の間のギャップは低速波伝搬材料で充填され、
前記複数の電極、前記区分化単結晶圧電層、及び前記低速波伝搬材料は、前記第１の導波閉じ込め構造と前記第２の導波閉じ込め構造との間に配置される、請求項３３又は３４に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３７】
（ｉ）第１の電極の前記区分化層と（ｉｉ）前記第１の導波閉じ込め構造または前記第２の導波閉じ込め構造の少なくとも一方との間に、少なくとも１つの低速波伝搬材料を更に含む、請求項３６に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３８】
（ｉ）第１の電極の前記区分化層と（ｉｉ）前記導波閉じ込め構造との間に、少なくとも１つの低速波伝搬材料を更に含む、請求項３３又は３４に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項３９】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）導波デバイスであって、
第１の厚さ領域及び第２の厚さ領域を備える単結晶圧電層であって、前記第１の厚さ領域の厚さは前記第２の厚さ領域の厚さと異なる、前記単結晶圧電層と、
前記第１の厚さ領域上にまたは前記第１の厚さ領域に隣接して配置され、前記第１の厚さ領域内で波長λ１を有する第１の横音響波の変換のために構成される第１の複数の電極と、
前記第２の厚さ領域上にまたは前記第２の厚さ領域に隣接して配置され、前記第２の厚さ領域内で波長λ２を有する第２の横音響波の変換のために構成される第２の複数の電極であって、λ２はλ１と異なる、前記第２の複数の電極と、
前記単結晶圧電層に近接して配置され、前記第１の厚さ領域内に前記第１の横音響波を閉じ込めるように構成され、前記第２の厚さ領域内に前記第２の横音響波を閉じ込めるように構成される少なくとも１つの導波閉じ込め構造と、を備え、
前記第１の複数の電極は前記第２の複数の電極に関して非共面的である、ＭＥＭＳ導波デバイス。
【請求項４０】
前記単結晶圧電層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの少なくとも一方を含む、請求項１，３〜６，９，３０〜３４，３９の何れか１項に記載のＭＥＭＳ導波デバイス。