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　特願２０００−２８７３７０「情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２９日出願公開、特開２００２−９２８６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　（１）本願は、平成１２年９月２１日の出願であって、拒絶理由通知に対し平成１６年１２月１３日付けで手続補正がされたが、平成１７年１月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年３月３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月４日付けで手続補正がされたものである。
　（２）当審は、平成１７年４月４日付け手続補正は、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載された事項の範囲内でしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件に違反し、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下の決定を行うとともに、拒絶の理由を通知した。
　（３）請求人は、当審拒絶理由通知に対し意見書を提出したが、拒絶理由通知の応答期間内に新たな補正をしていない。
　
２．当審が通知した拒絶理由
　当審が、平成１９年１１月２２日付けで通知した拒絶理由の概要は以下のとおりである。
　
　平成１７年４月４日付け手続補正は、補正却下の決定がされているので、本願請求項１〜７に係る発明は、平成１６年１２月１３日付け手続補正により補正された請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであるところ、以下の拒絶理由がある。
　
　拒絶理由１
　平成１６年１２月１３日付けでした手続補正のうち請求項１における、「ヘッドスライダー面の面積より小さい領域において測定される周期が２μｍ〜４ｍｍの微小うねりの最大高さ９５％ＰＶ値が３．４ｎｍ以下になるようにしたこと」については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　拒絶理由２
　本願請求項１に係る発明において、製造される「ガラス基板」の微小うねりの周期及び微小うねりの最大高さの測定手段が下記の点で不明確であるから、本件出願は特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　ア．「うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍのものが得られる測定装置」とはいかなる装置か不明である。
　イ．「周期が２μｍ〜４ｍｍの測定点は、白色光をコヒーレントフィルターを等して得られた光を用いて基板面の所定領域を走査し、基板面からの反射光と基準面からの反射光とを合成し、合成点に生じた干渉縞により計算した」とされるうねりの周期及び高さの測定方法（計算方法、計算式）が具体的に記載されていない。
　
３．当審の判断
　
　（１）拒絶理由１について
　
　願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）には、研磨パッド表面の表面粗さと周期が２μｍ〜４ｍｍの微小うねりの最大高さ９５％ＰＶ値との関係について、以下の事項が記載されている。
　
　「【0012】本実施の形態では、上記研磨装置による研磨工程後の情報記録媒体用ガラス基板主表面の微小うねりの値を所定の値にするために、上記研磨工程で用いる研磨パッド表面の表面粗さの値を所定の値にする。すなわち、研磨パッド５３ａ（研磨パッド５３ｂも同じ）は、図３に示されるように、基体５３０ａの上に、基材５３１ａが形成され、その上にＮＡＰ（ナップ）層５３２ａが形成されたものである。このＮＡＰ層５３２ａの表面５３３ａの表面粗さを所定の値にする。これにより、上記研磨装置による研磨工程後の情報記録媒体用ガラス基板主表面の微小うねりの値を所定の値にすることができる。
　【0013】研磨工程後の情報記録媒体用ガラス基板主表面の微小うねりの値が、その研磨工程で用いる研磨パッド表面の表面粗さの値に依存するという現象は、本願発明者らがはじめて発見したものである。すなわち、図４に示したように、研磨パッドの表面粗さを横軸にとり（Ｒｚ＝十点平均粗さ；単位μｍ）、基板主表面の微小うねりの値を縦軸にとる（９５％ＰＶ値；単位μｍ）と、両者は、ほぼ所定の勾配をもつ直線で表される。」
　「【0026】表面粗さを示すパラメータとしてＲｚを採用したとき、研磨パッド表面の表面粗さは、Ｒｚで２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下、さらに好ましくは、１０μｍ以下とすることが望ましい。Ｒｚが２０μｍを超えると研磨後に得られるガラス基板表面の微小うねりが大きくなり好ましくない。研磨パッド表面の表面粗さを低減するには、粒度の細かいサンドペーパーなどによってバフィングを行うことによって達成される。」
　「【0037】次に、本発明の実施例を掲げて本発明をより具体的に説明する。
　実施例１
　この実施例は、（１）粗ラッピング工程、（２）形状加工程、（３）端面研磨工程、（４）精ラッピング工程、（５）第一ポリッシング工程、（６）第二ポリッシング工程、（７）洗浄工程、（８）化学強化工程、（９）洗浄工程、（１０）磁気ディスクの製造工程、の各工程を有する。以下、各工程を詳細に説明する。
　＜中略＞
　【0045】（６）第二ポリッシング工程（ファイナルポリッシング）
　次に、第一ポリッシング工程で使用した両面研磨装置を用い、ポリシャとして硬質ポリシャから軟質ポリシャに変えて第二ポリッシング工程を実施した。使用した軟質ポリシャの表面粗さＲｚを、触針式の表面粗さ計である小型表面粗さ測定機（サーフテストＳＪ−４０１：ミツトヨ社製）で測定したところ、１２．２μｍであった。また、ナップ層は、４８０μｍのものを使用した。
　＜中略＞
　【0049】（９）洗浄工程
　上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行った。このようにして得られたガラス基板表面の表面粗さをＡＦＭで測定したところ、Ｒｍａｘ＝６．１２ｎｍ、Ｒａ＝０．５６ｎｍであり、微小うねりの平均粗さＲａ’は、０．５８ｎｍ、９５％ＰＶ値は、２．７９ｎｍで良好な結果が得られた。
　＜中略＞
　【0051】この得られた磁気ディスクに対しＡＥセンサーを用いたグライド高さ、ＣＳＳ試験（１０万回）、ロードアンロード試験（４０万回）を行ったところ、ヘッド浮上量１７ｎｍまでは、ヘッドー媒体間に接触が発生しないことが確認できた（即ちこの磁気ディスクのグライド高さは７〜８ｎｍであった。）。また、ＣＳＳ試験、ロードアンロード試験においてもクラッシュが発生せずに両試験とも良好な結果が得られた。
　【0052】実施例２〜４（パッド表面粗さＲｚと９５％ＰＶ値との関係）
　次に、上述の実施例１において、第二ポリッシング工程で使用した軟質パッドとして、パッドの表面粗さがＲｚで２２μｍ（実施例２）、１６．５μｍ（実施例３）、９．８μｍ（実施例４）のものを使用した（バフィング処理の条件を適宜調整）以外は、実施例１と同様にして磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクを作製した。
　【0053】得られたガラス基板表面の微小うねりの９５％ＰＶ値と、パッド表面の表面粗さＲｚとの関係を図６に示す。図６に示すように、最終研磨工程で使用する研磨パッド表面（ＮＡＰ層表面）の粗さＲｚと、研磨後得られるガラス基板表面の微小うねりとの間に相関関係があることがわかる。従って、この結果からもわかるように、所定の基板表面の微小うねりを達成するために、良好な研磨パッド表面の表面粗さの研磨パッドを選定することで、微小うねりを正確に制御できることができる。尚、これらの得られた基板表面の表面粗さは、実施例１と同等であった。
　【0054】また、得られた磁気ディスクについて、ＡＥセンサーを用いたグライド高さ、ＣＳＳ試験（１０万回）、ロードアンロード試験（４０万回）を行ったところ、ヘッド浮上量１７ｎｍまでは、ヘッドー媒体間に接触が発生しないことが確認できた（即ちこの磁気ディスクのグライド高さは７〜８ｎｍであった。）。また、ＣＳＳ試験、ロードアンロード試験においてもクラッシュが発生せずに両試験とも良好な結果が得られた。」
　
　しかしながら、当初明細書には「ヘッドスライダー面の面積より小さい領域において測定される周期が２μｍ〜４ｍｍの微小うねりの最大高さ９５％ＰＶ値が３．４ｎｍ以下になるようにしたこと」については記載されていない。
　
　この点について、請求人は、当初明細書の段落［0026］には、「表面粗さを示すパラメータとしてＲｚを採用したとき、研磨パッド表面の表面粗さは、Ｒｚで２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下、さらに好ましくは、１０μｍ以下とすることが望ましい。Ｒｚが２０μｍを超えると研磨後に得られるガラス基板表面の微小うねりが大きくなり好ましくない。・・・」と記載されており、図６に示されている通り、「Ｒｚ」と「９５％ＰＶ値」との関係は、正の勾配を有する直線関係にあることは極めて明確であって、「Ｒｚ」が２０μｍのときの「９５％ＰＶ値」が「３．４」であることを明確に読み取ることができる旨主張している。
　
　しかし、実施例１〜４から得られたパッド表面粗さＲｚと９５％ＰＶ値との関係を示す図６において、Ｒｚが１６．５μｍである実施例３の点は直線の上側に、Ｒｚが２２μである実施例２の点は直線の下側にはずれているから、「Ｒｚ」と「９５％ＰＶ値」とは、必ずしも直線関係にあるということはできない。図６の直線は、一つの近似として便宜的に挿入されたものにすぎない。しかも、「Ｒｚ」が２０μｍのときの「９５％ＰＶ値」は明細書には記載されていないから、図６から「Ｒｚ」が２０μｍのときの「９５％ＰＶ値」が「３．４」であると読み取ることはできない。
　また、仮に、近似直線から、Ｒｚと９５％Ｐｖ値との関係を読み取れるとしても、それぞれの上限値を画定する根拠は何ら示されていないから、「Ｒｚ」を２０μｍ以下、「９５％ＰＶ値」を「３．４ｎｍ」以下とすることが当初明細書及び図面に記載した事項の範囲内であるとすることはできない。
　さらに、「Ｒｚが２０μｍを超えると研磨後に得られるガラス基板表面の微小うねりが大きくなり好ましくない。」と段落［0026］に記載されているが、図６をみるとＲｚが２２μｍである実施例２のものの微小うねりは３．５ｎｍを超えておらず、Ｒｚが１６．５μｍである実施例３と比べて特に大きくなっているということはできないから、段落[0026]の記載事項は図６の記載事項と整合しない。しかも、実施例２のディスクは１６．５μｍである実施例３や９．８μｍである実施例４、Ｒｚが１２．２μｍで９５％ＰＶ値が２．７９ｎｍである実施例１のものと同様に良好な結果が得られたことが記載されているからみても（段落［0051］〜［0054］参照）、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
　したがって、平成１６年１２月１３日付けでした手続補正のうち請求項１における、「ヘッドスライダー面の面積より小さい領域において測定される周期が２μｍ〜４ｍｍの微小うねりの最大高さ９５％ＰＶ値が３．４ｎｍ以下になるようにしたこと」については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、平成１６年１２月１３日付けでした手続補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　（２）理由２について
　
　本願請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下の事項により特定されるものである。
　「【請求項１】軟質ポリッシャの研磨パッドを貼り付けた上下定盤の間に情報記録用ガラス基板をセットして両主表面を研磨する研磨工程を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
　前記研磨工程で用いる研磨パッド表面の表面粗さRzが20μｍ以下のものを選定することによって、前記研磨工程後の情報記録媒体用ガラス基板主表面の記録再生領域における、ヘッドスライダー面の面積より小さい領域において測定される周期が2μｍ〜4ｍｍの微小うねりの最大高さ95％ＰＶ値が3.4ｎｍ以下になるようにしたことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
ただし、前記表面粗さRzは、触針式の表面粗さ計を用いて測定した十点平均粗さであって、前記微小うねりの最大高さ95％ＰＶ値は、うねりの周期が2μｍ〜4ｍｍのものが得られる測定装置によって測定された全部の測定点について、測定値を横軸に、その測定値が得られた測定個数を縦軸に表したヒストグラムをとった時に、その分布曲線において、測定値を最小値から次第に大きくしていきながら各測定値に対応する測定の個数を累積していった時、その累積個数が全個数の95％になったときの測定値であって、前記、周期が2μｍ〜4ｍｍの測定点は、白色光をコヒーレントフィルターを等して得られた光を用いて基板面の所定領域を走査し、基板面からの反射光と基準面からの反射光とを合成し、合成点に生じた干渉縞により計算したものである。」
　
　そして、本願明細書において、微小うねりの測定については以下の事項が記載されている。
　
「【0014】本実施の形態にかかる情報記録媒体用ガラス基板の微小うねりは、フェイス・シフトテクノロジー社製の多機能表面解析装置（ＭｉｃｒｏＸＡＭ）などによって測定したもので規定される。従来の触針式の表面粗さ計とは異なり、白色光をコヒーレントフィルターを等して得られた光（波長：５５２．８ｎｍ）を用いて基板面の所定領域を走査し、基板面からの反射光と基準面からの反射光とを合成し、合成点に生じた干渉縞より、微小うねりを計算して得られる。図５は多機能表面解析装置の測定原理説明図である。図５に示されるように、干渉計の原理により、光波を二つに分け、その後に合成するもので、干渉縞は、Ａ→Ｂの光路と、Ｃ→Ｄの光路の光路差によって現れる。なお、その測定の原理を逸脱しない範囲で測定に使用する光を変えることもできる。
　【0015】多機能表面解析装置の微小うねりの測定は、基板の任意の領域（記録再生領域）、好ましくは中心部又は、端部から所定距離だけ離間した領域に５０μｍ□〜４ｍｍ□の範囲内の中から適宜矩形領域を選択する。例えば、ヘッドスライダーのスライダー面の面積よりも小さい領域であって、約500μｍ×約600μｍの矩形領域（約250,000ピクセル）を選択する。この装置によって測定されるうねりの周期（山と山、又は谷と谷との距離）は、２μｍ〜４ｍｍ程度のもので、微小うねりは下記式によって得られる。
　【0016】　【数３】＜式は省略＞
　ここで、Ｒａ’は、中心線から測定曲線までの偏差の絶対値の平均の差、ｘｉは、測定ポイントにおける測定ポイント値（測定ポイントにおいてある基準線から測定曲線までの高さ）、ｘは、上記測定ポイント値の平均値ｎは、測定ポイント数とする。
　【0017】また、微小うねりの最大高さｗａは、測定エリアにおいて全測定ポイントにおける測定曲線の最高点と最低点の高さとの差の値である。しかし、基板表面には、基板自体の表面状態を直接的には関係のないパーティクルなど異常突起が含まれることがあり、微小うねりの測定の際には、このような異常突起の点を含むかたちで測定されることがあるので、それを最大高さｗａとしてしまうと大きな誤差が生じてしまう。
　【0018】このような、異常突起の測定値を除外する手法として、全部の測定点について、測定値を横軸に、その測定値が得られた測定個数を縦軸に表したヒストグラム（測定値とその対応個数との関係を示す分布図であり、通常は正規分布曲線となる）をとったときに、その分布曲線において、測定値を最小値から次第に大きくしていきながら各測定値に対応する測定の個数を累積していったとき、その累積個数が全個数の９５％になったときの測定値を有効な測定値の最大値とする手法を用いる。この手法による最大値を「９５％ＰＶ値」とし、この「９５％ＰＶ値」を最大高さｗａとし、この最大高さｗａを微小うねりと表現することもできる。尚、上述のＲａ’と９５％ＰＶ値には、相関関係があることもわかっている（詳しくは、特願２０００−９９７２０号明細書参照）。」
　
　ア．の点について
　請求人は、意見書において「本願の実施例における微小うねりの値は、「多機能表面解析装置」として当業者間で著名な「フェイス・シフトテクノロジー社製の商品名ＭｉｃｒｏＸＡＭ」という装置によって測定したものです。＜中略＞したがって、本願明細書の段落［0014］〜［0016］の記載をみれば、当業者が「うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍのものが得られる測定装置」がいかなる装置であるかは、極めて明確に把握できると思います。」と主張している。
　
　しかし、フェイス・シフトテクノロジー社製の多機能表面解析装置（ＭｉｃｒｏＸＡＭ）によってうねりの周期が２μｍ〜４ｍｍのものが測定でき、当該装置が当業者の間で広く使われているものであるとしても、いかなる装置が「うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍのものが得られる測定装置」に該当するのか、本願明細書には明記されていない。
　
　本願明細書の段落[0015]には、「この装置によって測定されるうねりの周期（山と山、又は谷と谷との距離）は、２μｍ〜４ｍｍ程度のもの」と記載されていることからみて、「うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍのものが得られる測定装置」とは、「ＭｉｃｒｏＸＡＭ」を示すとも解されるが、段落［0014］には、「従来の触針式の表面粗さ計とは異なり」と記載されていることからみて、従来の触針式のものではなく、干渉光を使用する光学式の測定器を意味するものとも解釈しうる。
　そして、特開平１１−１０４９２号公報には触針式のTencor社製のTenor P12で磁気ディスクの表面粗さ及びうねりを測定したことが記載されており（段落[0013]）、ＩＤＥＭＡ　ＪＡＰＡＮ　ＮＥＷＳ　1999年３・４月号（通巻29号）の６〜９頁（以下、「参考文献１」という。）には、測定された磁気ディスクの表面形状（図３）からフィルターを使用して所定の波長（周期）のうねり波形を25〜250ｎｍ、250〜2500ｎｍ、2500ｎｍ以上とに分離し（図４）、算術平均うねり（Ｗａ）を得たことが記載されていることからみて、触針式の測定装置によってもフィルターの選択により、周期が２μｍ〜４ｍｍのうねりを測定することは可能であると解される。
　さらに、本願明細書に「このようにして得られたガラス基板表面の表面粗さを
ＡＦＭで測定したところ
９５％ＰＶ値は、２．７９ｎｍ
下線
　そうすると、請求項１における「うねりの周期が２μｍ〜４ｍｍのものが得られる測定装置」とは、「ＭｉｃｒｏＸＡＭ」のような特定の装置を意味するのか、所望の測定値が得られる装置であればいずれの装置でもよいことを意味するのか、明確でない。
　
　イ．の点について
　請求人は、商品名「ＭｉｃｒｏＸＡＭ」のカタログを添付し、「『うねりの周期及び高さ』は、上述の『多機能表面解析装置』の通常使用方法によって直ちに測定して表示／出力される値であって、測定後にその計測値を特別な式等に代入して計算によって求めるような性格のものではありません。したがって、仮に、上記記載における『計算した』とある計算式が不明であったとしても、本願発明の実施をする上でも発明を特定する上でもなんらの障害になるものでもありませんし、実施の際に知る必要も全くないものであります。上記計算は、『多機能表面解析装置』の通常の機能を実行するために装置内に備わっているプロセッサー等により所定のステップを踏んで自動的に行われるにすぎないものであります。……それゆえ、「・・・干渉縞により、微小うねりを計算して得られる。」とあるのは、「多機能表面解析装置」内で、所定の光学系によって得られた所定の光学的物理量に基づいて自動的に計算もしくは演算されることで微小うねり等が装置内で求められて出力されることを説明しているに過ぎません。本願発明の内容や実施要件とは直接には関係ないものです。」と主張している。
　
　しかし、特許法第３６条第５項は、特許請求の範囲には「特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載しなければならない」と規定しており、特許請求の範囲に記載した事項について、「本願発明の内容や実施要件とは直接には関係ない」との主張を採用することはできない。
　
　「
周期が２μｍ〜４ｍｍの測定点
周期が２μｍ〜４ｍｍの測定点
　また、「ヘッドスライダー面の面積より小さい領域」である「約500μｍ×約600μｍの矩形領域」から、例えば周期１〜４mm程度のうねりがどのようにして測定できるのかも不明である。
　
　したがって、本願は特許請求の範囲に記載された特許を受けようとする発明が明確でなく、発明の詳細な説明が当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願について平成１６年１２月１３日付けでした手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしておらず、また、明細書の記載が不備であるから特許法第３６条第４項及び同条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本願は特許法第４９条第１号及び第４号の規定に該当するから拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。