【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造体の製造方法であって、該方法は、
塩化水素蒸気、塩化物蒸気、あるいはそれらの組み合わせを含む周囲雰囲気において、シリコン・オン・インシュレータ基板のシリコン層をエッチングすることと、
ここで、シリコン・オン・インシュレータ基板は、
（ｉ）単結晶半導体ハンドル層であって、一方が単結晶半導体ハンドル層の表面であり、他方が単結晶半導体ハンドル層の裏面である２つの主要な略平行面と、単結晶半導体ハンドル層の表面と裏面とを接合する周縁部と、単結晶半導体ハンドル層の表面と裏面との間の、表面と裏面に対して平行な中央面と、中央面に対して垂直な中心軸と、単結晶半導体ハンドル層の表面と裏面との間のバルク領域とを含む、単結晶半導体ハンドル層と、
（ｉｉ）単結晶半導体ハンドル層の表面と界面接触している誘電体層と、
（ｉｉｉ）誘電体層と界面接触している上記シリコン層であって、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約４ナノメートルとの間の厚さにエッチングされ、さらにエッチングされたシリコン層は、水素化物終端表面を含む、シリコン層と、を含む、
エッチングされたシリコン層にゲルマニウムを含む第１層を堆積することと、
エッチングされたシリコン層を含むシリコン・オン・インシュレータ基板およびゲルマニウムを含む第１層を、第１層からエッチングされたシリコン層へゲルマニウムを相互拡散させるのに十分な温度および時間でアニールすることであって、これにより、ＳｉｘＧｅ１−ｘの化学式を有する、ここでｘがモル比で約０．２と約０．８との間である、シリコンおよびゲルマニウムを含む第２層を生成する、アニールすることと、
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層を、シリコンおよびゲルマニウムを含む第２層にエピタキシャル堆積によって堆積することであって、シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層がＳｉｙＧｅ１−ｙの化学式を有する、ここでｙがモル比で約０と約０．９との間である、堆積することと、
を備えた方法。
【請求項２】
各ステップは、１つの反応チャンバで行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
シリコン層は、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約２ナノメートルとの間の厚さにエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
シリコン層は、中心軸に沿った測定において約１ナノメートルと約２ナノメートルとの間の厚さにエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
シリコン層は、約８００℃以上の初期温度でエッチングされ、さらにエッチング温度がシリコン層のエッチングステップ中に約５００℃まで低下する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ゲルマニウムを含む第１層は、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約４ナノメートルとの間の堆積厚を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ゲルマニウムを含む第１層は、中心軸に沿った測定において約１ナノメートルと約２ナノメートルとの間の堆積厚を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ゲルマニウムを含む第１層は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ４、ＧｅＣｌ４、ＧｅＣｌ２、ＧｅＦ２、ＧｅＦ４、ＧｅＩ２、ＧｅＩ４、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択されるゲルマニウム前駆体を用いて堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第２層は、中心軸に沿った測定において約１ナノメートルと約８ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
アニールは、ゲルマニウムを含む第１層全体を費やして、シリコンおよびゲルマニウムを含む第２層を得るのに十分な温度および時間で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、化学式ＳｉｙＧｅ１−ｙを有し、化学式中、ｙがモル比で約０．２と約０．４との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、化学式ＳｉｙＧｅ１−ｙを有し、化学式中、ｙがモル比で約０．３と約０．９との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、中心軸に沿った測定において約２ナノメートルと約５０００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、中心軸に沿った測定において約２ナノメートルと約５００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、中心軸に沿った測定において約２ナノメートルと約１００ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層は、中心軸に沿った測定において約４ナノメートルと約４０ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
エッチングされたシリコン層にゲルマニウムを含む第１層が堆積される前に、ヒ素、アンチモン、テルル、およびそれらの任意の組合せからなる群から選択された界面活性物質原子が堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
ゲルマニウムを含む第１層は、中心軸に沿った測定において約１ナノメートルと約４ナノメートルとの間の厚さを有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
シリコンおよびゲルマニウムを含む第３層に、シリコンを含む第４層を堆積することをさらに備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
シリコンを含む第４層は、前記中心軸に沿った測定において約０．１ナノメートルと約４ナノメートルとの間の厚さである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
シリコンを含む第４層は、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約２ナノメートルとの間の厚さである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
多層構造体の製造方法であって、該方法は、
塩化水素蒸気、塩化物蒸気、あるいはそれらの組み合わせを含む周囲雰囲気において、シリコン・オン・インシュレータ基板のシリコン層をエッチングすることと、
ここで、シリコン・オン・インシュレータ基板は、
（ｉ）単結晶半導体ハンドル層であって、一方が単結晶半導体ハンドル層の表面であり、他方が単結晶半導体ハンドル層の裏面である２つの主要な略平行面と、単結晶半導体ハンドル層の表面と裏面とを接合する周縁部と、単結晶半導体ハンドル層の表面と裏面との間の、表面と裏面に対して平行な中央面と、中央面に対して垂直な中心軸と、単結晶半導体ハンドル層の表面と裏面との間のバルク領域とを含む、単結晶半導体ハンドル層と、
（ｉｉ）単結晶半導体ハンドル層の表面と界面接触している誘電体層と、
（ｉｉｉ）誘電体層と界面接触している上記シリコン層であって、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約４ナノメートルとの間の厚さにエッチングされ、さらにエッチングされたシリコン層は、水素化物終端表面を含む、シリコン層と、を含む、
誘電体層とシリコン層との間の界面にホウ素原子を拡散させるのに十分な温度および時間で、エッチングされたシリコン層にホウ素を堆積することと、
シリコンおよびゲルマニウムを含む層を、エッチングされたシリコン層にエピタキシャル堆積によって堆積することと、
を備えた、方法。
【請求項２３】
各ステップは、１つの反応チャンバで行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
シリコン層は、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約２ナノメートルとの間の厚さにエッチングされる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
シリコン層は、中心軸に沿った測定において約１ナノメートルと約２ナノメートルとの間の厚さにエッチングされる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
シリコン層は、約８００℃以上の初期温度でエッチングされ、さらにエッチング温度がシリコン層のエッチングステップ中に約５００℃まで低下する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
ホウ素が、Ｂ２Ｈ６、トリメチルホウ素、トリエチルホウ素、およびそれらの任意の組合せからなる群から選択されるホウ素前駆体からの堆積される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
ホウ素原子が、水素化ホウ素として誘電体層とシリコン層との間の界面に拡散する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
シリコンおよびゲルマニウムを含む層が化学式ＳｉｙＧｅ１−ｙを有し、化学式中、ｙがモル比で約０〜約０．９である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
シリコンおよびゲルマニウムを含む層が化学式ＳｉｙＧｅ１−ｙを有し、化学式中、ｙがモル比で約０．２〜約０．９である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
シリコンおよびゲルマニウムを含む層が化学式ＳｉｙＧｅ１−ｙを有し、化学式中、ｙがモル比で約０．２〜約０．４である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
シリコンおよびゲルマニウムを含む層が化学式ＳｉｙＧｅ１−ｙを有し、化学式中、ｙがモル比で約０．３〜約０．９である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
シリコンおよびゲルマニウムを含む層に、シリコンを含む層を堆積することをさらに備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項３４】
シリコンを含む層が、中心軸に沿った測定において約０．１ナノメートルと約４ナノメートルとの間の厚さである、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
シリコンを含む層が、中心軸に沿った測定において約０．５ナノメートルと約２ナノメートルとの間の厚さである、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
塩化水素蒸気、塩化物蒸気、あるいはそれらの組み合わせを含む周囲雰囲気は、さらに水素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
塩化水素蒸気、塩化物蒸気、あるいはそれらの組み合わせを含む周囲雰囲気は、さらに水素を含む、請求項２２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層構造体の製造方法