【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７４８２７号「半導体レーザ素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２９日出願公開、特開平１１−　２６８６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年６月３０日の出願であって、平成１６年４月２８日に手続補正がなされ、平成１８年８月８日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１０月６日に手続補正がなされ、同年１１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年１月１０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月９日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正により、特許請求の範囲は、
「【請求項１】　基板上に第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層が主たる構成要素としてＰを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層であり、かつ該活性層が主たる構成要素としてＡｓを含む半導体レーザ素子において、
　前記Ｐを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記クラッド層より小さいＡｓを主たる構成要素として含むバッファ層を形成した半導体レーザ素子。
　【請求項２】　前記活性層がＩｎ1-x1-y1Ｇａx1Ａｌy1Ａｓ（０≦ｘ１≦１，０≦ｙ１≦１，２．１３２ｙ１＋０．９６４ｘ１−０．０４６ｘ１ｙ１＜１．４４）で構成され、かつ、前記バッファ層がＩｎ1-x2-y2Ｇａx2Ａｌy2Ａｓ（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）で構成され、該活性層と、主たる構成要素としてＡｓを含む前記バッファ層との組成比率が、下記（１）式及び下記（２）式の条件を満たす
　０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜０．３６＋２．５ｙ２＋１．０６４ｘ２−０．１８９ｘ２ｙ２　…（１）
　０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜１．８＋０．３６８ｙ２＋０．１ｘ２−０．１４３ｘ２ｙ２　…（２）
　請求項１記載の半導体レーザ素子。
　【請求項３】　主たる構成要素としてＰを含む前記クラッド層がＩｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）で構成され、かつ前記バッファ層がＩｎ1-x3-y3Ｇａx3Ａｌy3Ａｓ（０≦ｘ３≦１，０≦ｙ３≦１）で構成され、該クラッド層に接して該バッファ層が形成され、両者の組成比率が、下記（３）式及び下記（４）式の条件を満たす
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞１．８＋０．３６８ｙ３＋０．１ｘ３−０．１４３ｘ３ｙ３
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（３）
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞０．３６＋２．５ｙ３＋１．０６４ｘ３−０．１８９ｘ３ｙ３
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（４）
　請求項１記載の半導体レーザ素子。
　【請求項４】　前記バッファ層の層厚ｄが、下記（５）式の条件を満たす
　０．００１μｍ≦ｄ≦０．１２μｍ　…（５）
　請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
　【請求項５】　前記第一導電型のクラッド層及び前記第二導電型のクラッド層がいずれも主たる構成要素としてＰを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層であり、該第一導電型のクラッド層と該活性層との間及び該第二導電型のクラッド層と該活性層との間に、禁制帯幅が該活性層よりも大きく、Ａｓを主たる構成要素として含むバッファ層をそれぞれ形成し、ｐ導電型のクラッド層に接するバッファ層の層厚ｄ１と、ｎ導電型のクラッド層に接するバッファ層の層厚ｄ２の関係が、
下記（６）式の条件を満たす
　ｄ１＜ｄ２　…（６）
　請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
　【請求項６】　請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
　気相成長方法によりＰを主たる構成要素として含むＩｎＧａＡｌＰ系の前記第一導電型のクラッド層の成長後にＡｓを主たる構成要素として含む前記バッファ層を積層する工程を包含し、該工程において、該第一導電型のクラッド層の成長温度Ｔ１と、該バッファ層の成長温度Ｔ２の関係が、下記（７）式の条件を満たす
　Ｔ１＞Ｔ２　…（７）
　半導体レーザ素子の製造方法。」から、
　
「【請求項１】　基板上に第一導電型のクラッド層、
Ｉｎ
１−ｘ１−ｙ１
Ｇａ
ｘ１
Ａｌ
ｙ１
Ａｓ
（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）
Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
（０≦ｘ４≦１，０＜ｙ４≦１）である
　前記
Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
Ｉｎ
１−ｘ２−ｙ２
Ｇａ
ｘ２
Ａｌ
ｙ２
Ａｓ
（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）が前記Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐクラッド層に接して形成されている、
　　【請求項２】　前記
Ｉｎ
１−ｘ１−ｙ１
Ｇａ
ｘ１
Ａｌ
ｙ１
Ａｓ活性層は、
　２．１３２ｙ１＋０．９６４ｘ１−０．０４６ｘ１ｙ１＜１．４４
　
を満足し
、該
、前
　０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜０．３６＋２．５ｙ２＋１．０６４ｘ２−０．１８９ｘ２ｙ２　…（１）
　０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜１．８＋０．３６８ｙ２＋０．１ｘ２−０．１４３ｘ２ｙ２　…（２）
　請求項１記載の半導体レーザ素子。
　　【請求項３】　
前記Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
前記Ｉｎ
１−ｘ２−ｙ２
Ｇａ
ｘ２
Ａｌ
ｙ２
Ａｓ
層の
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞１．８＋０．３６８ｙ
２
２
２
２
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（３）
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞０．３６＋２．５ｙ
２
２
２
２
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（４）
　請求項１記載の半導体レーザ素子。
　【請求項４】　前記バッファ層の層厚ｄが、下記（５）式の条件を満たす
　０．００１μｍ≦ｄ≦０．１２μｍ　…（５）
　請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
　【請求項５】　前記第一導電型のクラッド層及び前記第二導電型のクラッド層がいずれも
Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
前記
より
かつ前記Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐクラッド層より小さいＩｎ
１−ｘ２−ｙ２
Ｇａ
ｘ２
Ａｌ
ｙ２
Ａｓ
（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）を前記各Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐクラッド層に接してそれぞれ
前記
前記
前記
前記
　ｄ１＜ｄ２　…（６）
　請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
　【請求項６】　請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
　気相成長方法によ
り第
前記Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
前記Ｉｎ
１−ｘ２−ｙ２
Ｇａ
ｘ２
Ａｌ
ｙ２
Ａｓ
前記Ｉｎ
１−ｘ４−ｙ４
Ｇａ
ｘ４
Ａｌ
ｙ４
Ｐ
Ｉｎ
１−ｘ２−ｙ２
Ｇａ
ｘ２
Ａｌ
ｙ２
Ａｓ
　Ｔ１＞Ｔ２　…（７）
　半導体レーザ素子の製造方法。」へと補正された（下線は当審で付した。）。
　
（２）上記（１）によれば、本件補正のうち、本件補正前の請求項１に対してなされた補正は、以下のとおりである。
ア　本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「主たる構成要素としてＡｓを含む」「活性層」を「Ｉｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ａｓ活性層（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）」に限定する補正。
イ　本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「主たる構成要素としてＰを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層」を「Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０≦ｘ４≦１，０＜ｙ４≦１）」に限定する補正。
ウ　本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「Ａｓを主たる構成要素として含むバッファ層」を「Ｉｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ａｓバッファ層（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）」に限定する補正。
エ　本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「バッファ層」が「前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層に接して形成されている」ことを限定する補正。
　
２　独立特許要件違反
　上記１（２）の補正は平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、本件補正後の請求項１に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）特許法第３６条第６項第２号違反
　本件補正後の請求項１に係る発明においては、Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層のｘ４及びｙ４が、０≦ｘ４≦１，０＜ｙ４≦１を満足することとされているところ、ｘ４＝１の場合のＩｎの含有量が、ｙ４＞０であるために負になってしまうから、当該請求項１の特定事項は技術的に明確でない。
　したがって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、当該請求項に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（２）新規性欠如
ア　本願補正発明
　本件補正後の請求項１には、「Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０≦ｘ４≦１，０＜ｙ４≦１）」について、上記（１）のとおり明確でないところがある。そこで、本願の明細書（本件補正後のもの。）に記載された発明の実施の形態において「Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層」に相当する層の材料をみると、実施の形態１ではＩｎ０．５Ｇａ０．２Ａｌ０．３Ｐ及びＩｎ０．５Ｇａ０．３５Ａｌ０．１５が（【００３４】）、実施の形態２ではＩｎ０．５Ｇａ０．３Ａｌ０．２Ｐが（【００６２】、【００６３】）、実施の形態３ではＩｎ０．５Ｇａ０．２Ａｌ０．３Ｐが（【００７７】）、それぞれ用いられていると認められる。そうすると、当該請求項１の「０≦ｘ４≦１，０＜ｙ４≦１」との事項は、少なくとも、「０＜ｘ４＜１，０＜ｙ４＜１」の場合を含むものと解される。
　以上によれば、当該請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は次のとおりのものを含むと認められる。
　
「基板上に第一導電型のクラッド層、Ｉｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ａｓ活性層（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層がＩｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０＜ｘ４＜１，０＜ｙ４＜１）である半導体レーザ素子において、
　前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層より小さいＩｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ａｓバッファ層（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）が前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層に接して形成されている、半導体レーザ素子。」
　
イ　引用例
（ア）本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−２２７１３号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
「【００１４】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づいて説明する。図１は本発明の発光半導体ダイオードの第１実施態様を示す断面図である。尚図は模式図であり、縮尺により描いていない。厚さ方向の寸法は明確化のために特に誇張してある。種々の例において対応する部分には一般に同じ参照符号を付す。同じ導伝率型の半導体領域は一般に同方向にハッチングしている。
【００１５】半導体ダイオードは、ここではｎ−導電率型であるが、第１の基板を有する半導体本体１０からなり、この例では単結晶ヒ化ゲリウムから形成されており、導電性層（接続導体）８を備えている。半導体層構造はこの上に形成されており、とりわけ、ここではｎ−導電率型である第１の第１クラッド層２、スペクトルの可視領域にて放出する活性層、及びここではｐ−導電率型である第２の第２クラッド層４からなる。本発明では活性層３ＡはＡｌx Ｇａ1-x Ａｓからなり、クラッド層２，４はＡｌy Ｇａw Ｉｎ1-y-w Ｐからなり、一方、活性層３Ａはフォトルミネッセンス放出の波長が約７７０と６９０ｎｍの間にあるようなアルミニウム含有量（ｘ）及び厚さ（ｄ）を有する。結果として、本発明のダイオードはスペクトルの可視領域における重要なすきまをカバーする。この例では、活性層のアルミニウム含有量（ｘ）は少なくとも５原子％及び多くても２０原子％であり、この場合、８原子％であり、活性層３Ａは約４ｎｍの量子井戸層の厚さを有する量子井戸構造である。この場合活性層３Ａはこの場合約４０原子％のアルミニウム含有量（ｚ）及び約４．５ｎｍの厚さを有するＡｌZ Ｇａ1-Z Ａｓのバリヤ層により互いに離隔される４の量子井戸層からなる。
【００１６】活性層３Ａは、ここでは約４０原子％のアルミニウム含有量（ｚ）を有し、約５〜１５０ｎｍの間の厚さであり、ここでは９ｎｍの厚さであるＡｌZ Ｇａ1-ZＡｓからなる分離クラッド層３Ｂによってクラッド層２，４から離隔される。幾分これらの分離クラッド層のために、この例のダイオードは特に大きな光出力を供給でき、このことは多くの適用に対して重要な利点である。これらの比較的厚いＡｌＧａＡｓ層３Ｂはアルミニウム含有量にかかわりなくＧａＡｓ基板１と実質的に同じ格子定数を有するので分離クラッド層３Ｂがクラッド層のＩｎＡｌＧａＰの代わりにＡｌＧａＡｓからなるという事実は製造において更に重要な利点をもたらす。このことはＩｎＧａＡｌＰからなる層と対照的である。この例におけるダイオードのフォトルミネンス波長は約７４０ｎｍである。ここではダイオードはレーザダイオードとして構成され、レーザ放出の波長は約７５０ｎｍである。レーザダイオードは前記波長領域内で前述の適用に対して高度に適しているので、本例におけるような、レーザ構造は特に有益である。約５０原子％インジウムを有するＩｎＧａＰの薄い中間層５及びＰ−型ＧａＡｓの接触層６は第２クラッド層４上にある。この例では、クラッド層２と４はＩｎ0.5 Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｐからなる。
【００１７】約２５μの幅を有する細長い形状の開口がある絶縁層９（ここでは二酸化ケイ素）は接触層６上にある。この上に、導電性層７が拡がり、この上に連結導体（図示せず）を備える。このような連結導体は基板１上に設けられた離れた導電性層８上にもある。約２０原子％のアルミニウム含有量（ｔ）を有するＡｌt Ｇａ1-t Ａｓの緩衝層１１は基板１と第１クラッド層２の間にある。半導体本体１０内には線状領域１２があり、ここにはｐｎ−接合が位置する。ｐｎ−接合は、順方向に十分な電流強度を与えると、ダイオードの図面上の前面及び後面はミラー面として構成されているので、電磁放射（この場合はレーザ放射）の放出を生じる。
【００１８】以下の組成、ドーピングレベル及び厚さを、この実施例において種々の半導体層について使用した。
【表１】
【００１９】この例では、基板１上の導電性層８は約１０００Åの厚さを有する金−ゲルマニウム−ニッケル層である。この例では導電性層７は、各々約１０００、約５００及び約２５００Åの厚さを有する白金、タンタル及び金層からなる。前記発光半導体ダイオードは本発明に従って次の通りに製造される（図１参照）。この方法は単結晶ｎ型ヒ化ガリウムの（００１）基板１から始まる。（００１）配向を有する面の研磨及び蝕刻の後、その上に次の半導体層構造（先ずはＡｌＧａＡｓの緩衝層１１）を、例えばＯＭＶＰＥ（＝Organo Metallic Vapour Phase Epitaxy（有機金属蒸気層エピタキシー））を用いた気相から７６０℃の成長温度にて形成する。その後、ＩｎＡｌＧａＰの第１クラッド層２、ＡｌＧａＡｓの分離クラッド層３Ｂ、ＡｌＧａＡｓの３のバリヤ層により互いに分離された４のＡｌＧａＡｓ量子井戸層を有する活性層３、再びＡｌＧａＡｓの分離クラッド層３Ｂ、ＩｎＡｌＧａＰの第２クラッド層４、ＩｎＧａＰの中間層５及びＧａＡｓの接触層６を形成する。選択した組成、導電率型、ドーピング濃度、厚さ及び半導体層のバンドギャップについて、前記表及び図１の説明を参照する。成長装置から構造物を除去した後、その上に二酸化ケイ素の０．１μｍの厚さの絶縁層９を、例えばスパッタリングにより形成する。ここに、２５μｍの幅で、図１の図面の平面に垂直な縦軸を有する線状開口を、フォトリソグラフィ及び蝕刻を用いて形成する。構造物を洗浄した後、導電性層７及び８を、例えばスパッタリングにより形成する。洗浄後、分離発光ダイオード（この場合、ゲインガイド型のレーザダイオード）は最終取付けに利用される。
【００２０】図２において、光出力を、本発明の発光半導体ダイオード（ここでは本実施例のレーザダイオード）の電流に対してプロットし（曲線２１）、及び同様の特性を、活性層及びＡｌＧａＡｓのクラッド層を有する従来のダイオードについて得る（曲線２２）。本発明のレーザダイオードは７５０ｎｍにて放出し、また従来のダイオードをレーザとして構成したものは約７６０ｎｍにて放出する。曲線を、６０℃でＣＷモード（＝連続作動）において測定した。本発明の（レーザ）ダイオード（曲線２１）は０．４ｋＡ／ｃｍ2 の始動電流密度に対応した非常に近い始動電流（６０℃において５０ｍＡ）を有する。従来のレーザダイオード（曲線２２）は１．６ｋＡ／ｃｍ2 の始動電流密度に対応した６０℃において２００ｍＡより高い始動電流を有する。従来のレーザダイオードが本発明のレーザのように、約７５０ｎｍにて放出する場合、従来のレーザダイオードは約２倍高い始動電流及び始動電流密度を有するだろう。本発明のダイオードとは違うこのようなダイオードは、認識している適用についての使用には実際的ではていであろう。本発明のダイオードは７７０〜６９０ｎｍの範囲の放出波長をもち得るが、比較的低い始動電流及び比較的高い発生出力は結果として上記適用について実際的なダイオードをもたらすことをこれらの測定値は示している。本発明の範囲内で、当業者には多くの改良、変形が可能であるから、本発明は示した例に限定されない。故に実施例において述べた組成以外の選択した半導体材料の組成を使用できる。また、導電率型は反対のものによってすべて（同時に）置き換えることができる。またリッジ構造のような別の構造を使用することもできる。適用に応じて、本発明の発光半導体ダイオードのＬＥＤ構造又はレーザ構造を選び得る。レーザダイオード構造では、ゲインガイド構造及びインデックスガイド構造の両方を使用できる。結局、この例における半導体層を形成する方法はＭＯＶＰＥ技術以外の方法でもよいということである。ＭＯＶＰＥの代わりに、ＭＯＭＢＥ（＝Metal Organic Molecrlar Beam Epitaxy（金属有機分子線エピタキシー））、ＭＢＥ（＝Molecular Beam Epitaxy（分子線エピタキシー））、ＶＰＥ（＝Vapour Phase Epitaxy（蒸気相エピタキシー））又はＬＰＥ（＝Liquid Phase Epitaxy（液相エピタキシー））もまた使用できる。」
　
　なお、【００１８】の【表１】における３Ａの記号が付された層半導体の「Ａｌ０．０８Ｇａ０．０９２Ａｓ」との記載は、【００１５】に、「この例では、活性層のアルミニウム含有量（ｘ）は少なくとも５原子％多くても２０原子％であり、この場合、８原子％であり、・・・」と記載されていることに照らせば、「Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ａｓ」の誤記であることが明らかである。
　
（イ）上記（ア）によれば、引用例１には、
「Ｎ型ＧａＡｓ基板１と、Ｎ型Ａｌ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ緩衝層１１と、Ｎ型Ｉｎ０．５０Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第１クラッド層２（バンドギャップ２．３ｅＶ）と、Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ（バンドギャップ１．９ｅＶ、厚さ０．００９μｍ）と、３のＡｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓバリヤ層により互いに分離された４のＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ａｓ活性層３Ａ（バンドギャップ１．５ｅＶ）と、Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ（バンドギャップ１．９ｅＶ、厚さ０．００９μｍ）と、Ｐ型Ｉｎ０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第２クラッド層４（バンドギャップ２．３ｅＶ）と、Ｐ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ中間層５と、Ｐ型ＧａＡｓ接触層６とを順次備えたレーザダイオード。」の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ウ　対比・判断
（ア）本願補正発明と引用例１発明とを以下に対比する。
ａ　引用例１発明の「Ｎ型ＧａＡｓ基板１」、「Ｎ型Ｉｎ０．５０Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第１クラッド層２」、「Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ａｓ活性層３Ａ」、「Ｐ型Ｉｎ０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第２クラッド層４」、「レーザダイオード」及び「バンドギャップ」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「第一導電型のクラッド層」、「Ｉｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ａｓ活性層（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）」、「第二導電型のクラッド層」、「半導体レーザ素子」及び「禁制帯幅」に相当する。
　
ｂ　引用例１発明の「レーザダイオード」（本願発明の「半導体レーザ素子」に相当。）が、「基板上に第一導電型のクラッド層、Ｉｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ａｓ活性層（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され」ていることは明らかである。
　
ｃ　引用例１発明の「Ｎ型Ｉｎ０．５０Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第１クラッド層２」と「Ｐ型Ｉｎ０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第２クラッド層４」は、ともに、本願補正発明の「Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０＜ｘ４＜１，０＜ｙ４＜１）」に相当する。そうすると、引用例１発明は、本願補正発明の「該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層がＩｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０＜ｘ４＜１，０＜ｙ４＜１）である」との事項を備えていることになる。
　
ｄ　引用例１発明においては、上記ａ〜ｃに照らし、「前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層と、前記活性層との間に、」「Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ」が「前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層に接して形成されている」といえる。
　そして、引用例１発明の「Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ」の「Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ」は、本願補正発明の「Ｉｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ａｓ」「（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）」に相当する。
　さらに、引用例１発明の各層の禁制帯幅は、Ｎ（またはＰ）型Ｉｎ０．５０Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ第１（または２）クラッド層２（または４）（本願補正発明の「Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０＜ｘ４＜１，０＜ｙ４＜１）」に相当。）が２．３ｅＶであり、Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ａｓ活性層３Ａ（本願補正発明の「Ｉｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ａｓ活性層（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）」に相当。）が１．５ｅＶであり、「Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ」が１．９ｅＶである。そうすると、引用例１発明の「Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ」の禁制帯幅は、「該活性層より大きく、かつ前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層より小さい」ことになる。
　以上に照らせば、引用例１発明の「Ａｌ０．４０Ｇａ０．６０Ａｓ分離クラッド層３Ｂ」は、本願補正発明の「Ｉｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ａｓバッファ層（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）」に相当し、引用例１発明は、本願補正発明の「前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層より小さいＩｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ａｓバッファ層（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）が前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層に接して形成されている」との事項を備えていることになる。
　
（イ）上記（ア）によれば、本願補正発明と引用発明とは、
「基板上に第一導電型のクラッド層、Ｉｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ａｓ活性層（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層がＩｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層（０＜ｘ４＜１，０＜ｙ４＜１）である半導体レーザ素子において、
　前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層より小さいＩｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ａｓバッファ層（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）が前記Ｉｎ１−ｘ４−ｙ４Ｇａｘ４Ａｌｙ４Ｐクラッド層に接して形成されている、半導体レーザ素子。」である点で一致するから、両者の間に相違するところはない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３　まとめ
　上記２（１）及び２（２）によれば、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年２月９日付けの手続補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年１０月６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであって、上記第２の１（１）において、本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−７４４２５号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と異なる格子定数を有する歪量子井戸型活性層を持ち、かつストライプ状の発光領域に電流を狭窄する構造を持つダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、前記発光ストライプを＜−１１０＞方向としたことを特徴とする歪量子井戸型半導体レーザ。
【請求項２】  ＧａＡｓを基板とし、歪量子井戸活性層をＩｎx Ｇａ1 - xＡｓ、またはＩｎx Ｇａ1 - x Ａｓy Ｐ1 - y 、またはＡｌz Ｉｎx Ｇａ1 - z- x Ａｓ、（０＜ｘ，ｙ，ｚ＜１）としたことを特徴とする請求項１記載の歪量子井戸型半導体レーザ。」
　
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信及び光情報処理用光源として有用な高信頼な歪量子井戸型半導体レーザに関するものである。」
　
ウ　「【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳しく説明する。図１は、本発明のひとつの実施例を示す斜視図である。まずｎ−ＧａＡｓ基板上にＭＯＶＰＥ又はＭＢＥの気相成長法を用いてｎ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐ又はｎ−Ａｌx Ｇａ1 - xＡｓクラッド層２、Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸−ＳＣＨ活性層３、ｐ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐ又はｐ−Ａｌx Ｇａ1 - x Ａｓクラッド層４及びｐ−ＧａＡｓ電極層６を順次積層する。Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸層は、ｐ，ｎ−クラッド層２，４と歪量子井戸層との中間のバンドギャップを有する光ガイド層に挟まれており、ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造となっている。Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸層厚は、格子不整による転位の増殖を抑えるため、Ｉｎ組成応じてＦｏｒｃｅＢａｌａｎｃｅ  Ｍｏｄｅｌの臨界膜厚以下に設定する。」
（審決注：「ｎ−ＧａＡｓ基板状に」は「ｎ−ＧａＡｓ基板上に」の、「バンドジャップ」は「バンドギャップ」の、それぞれ明らかな誤記であると認められるから、上記のとおり誤記を正して摘記した。）
　
（２）上記（１）によれば、引用例２には、
「ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層２、Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸−ＳＣＨ活性層（０＜ｘ＜１）３、ｐ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層４を順次積層した半導体レーザ素子であって、Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸層（０＜ｘ＜１）は、ｐ，ｎ−クラッド層２，４と歪量子井戸層との中間のバンドギャップを有する光ガイド層に挟まれており、ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造となっている半導体レーザ。」の発明（以下「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比・判断
（１）本願発明と引用例２発明とを以下に対比する。
ア　引用例２発明の「ｎ−ＧａＡｓ基板」、「ｎ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層２」、「Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸層（０＜ｘ＜１）」、「ｐ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層４」及び「半導体レーザ」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「第一導電型のクラッド層」、「活性層」、「第二導電型のクラッド層」及び「半導体レーザ素子」に相当する。
　
イ　上記アに照らせば、引用例２発明の「半導体レーザ素子」が、本願発明の「基板上に第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され」るとの事項を備えていることは明らかである。
　
ウ（ア）本願発明の「ＩｎＧａＡｌＰ系」との事項の意味について検討するに、本願の明細書（本件補正前のもの。）には以下の記載がある。
　
ａ　「　　【請求項３】
　主たる構成要素としてＰを含む前記クラッド層がＩｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）で構成され、かつ前記バッファ層がＩｎ1-x3-y3Ｇａx3Ａｌy3Ａｓ（０≦ｘ３≦１，０≦ｙ３≦１）で構成され、該クラッド層に接して該バッファ層が形成され、両者の組成比率が、下記（３）式及び下記（４）式の条件を満たす
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞１．８＋０．３６８ｙ３＋０．１ｘ３−０．１４３ｘ３ｙ３
　…（３）
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞０．３６＋２．５ｙ３＋１．０６４ｘ３−０．１８９ｘ３ｙ３
　…（４）
　請求項１記載の半導体レーザ素子。」
　
ｂ　「　　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体レーザ素子は、基板上に第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層が主たる構成要素としてＰを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層であり、かつ該活性層が主たる構成要素としてＡｓを含む半導体レーザ素子において、前記Ｐを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記クラッド層より小さいＡｓを主たる構成要素として含むバッファ層を形成してなり、そのことにより、上記目的が達成される。
　・・・（中略）・・・
　　【００１４】
　また、好ましくは、主たる構成要素としてＰを含む前記クラッド層がＩｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）で構成され、かつ前記バッファ層がＩｎ1-x3-y3Ｇａx3Ａｌy3Ａｓ（０≦ｘ３≦１，０≦ｙ３≦１）で構成され、該クラッド層に接して該バッファ層が形成され、両者の組成比率が、下記（３）式及び下記（４）式の条件を満たす
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞１．８＋０．３６８ｙ３＋０．１ｘ３−０．１４３ｘ３ｙ３
　…（３）
　１．３５１＋２．２３ｙ４＋０．６４３ｘ４＋０．７８６ｘ４×ｘ４＋０．７８６ｘ４ｙ４＞０．３６＋２．５ｙ３＋１．０６４ｘ３−０．１８９ｘ３ｙ３
　…（４）
　構成とする。」
　
（イ）上記（ア）によれば、
ａ　本願発明に係る請求項１を引用する請求項３においては、主たる構成要素としてＰを含む前記クラッド層が、Ｉｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）で構成されるとされており（上記（ア）ａ）、
ｂ　主たる構成要素としてＰを含む前記クラッド層が、好ましくは、Ｉｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）で構成されるとされている（上記（ア）ｂの【００１４】）。
　そうすると、本願発明の「ＩｎＧａＡｌＰ系」とは、少なくとも「Ｉｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）」を含むものと解される。
　
（ウ）上記（イ）によれば、引用例２発明の「ｎ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層２」と「ｐ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層４」は、ともに、「ＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層」に相当するといえる。
　そして、引用例２発明の「ｎ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層２」と「ｐ−Ｇａ0 . 5 Ｉｎ0 . 5 Ｐクラッド層４」は、ともに、「主たる構成要素としてＰを含む」といえる。
　以上によれば、引用例２発明は、本願発明の「該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層が主たる構成要素としてＰを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層であ」るとの事項を備えている。
　
ウ　引用例２発明の「活性層」は「Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸層（０＜ｘ＜１）」であるから、引用例２発明は、本願発明の「該活性層が主たる構成要素としてＡｓを含む」との事項を備えている。
　
エ（ア）引用例２発明においては、「Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ歪量子井戸層（０＜ｘ＜１）は、ｐ，ｎ−クラッド層２，４と歪量子井戸層との中間のバンドギャップを有する光ガイド層に挟まれており、ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造となっている」から、引用例２発明は、「前記Ｐを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記クラッド層より小さい」光ガイド層を備えており、ＳＣＨ構造となっているものである。
（イ）本願出願前において、Ｉｎx Ｇａ1 - x Ａｓ量子井戸層（０＜ｘ＜１）がＧａＡｓ層に挟まれてＳＣＨ構造となっている半導体レーザ素子は技術常識である（たとえば、引用例２の【０００３】において引用されている「M. Ohkubo, et al., “High power 1.017-μm strained-layer quantum well lasers grown by metalorganic chemical-vapor deposition”, Applied Physics Letters, Vol.60, No.12, p.1413-p.1414, 23 March 1992」の第１頁左欄第１行〜右欄第１行の記載（特に「(iii)a 60-Å-thick In0.25Ga0.75As undoped SLSQW centered in a 0.1-μm-thick GaAs confinement layer」の箇所。）、特開平７−１４２８０９号公報の【００２４】、【００２９】、【００３４】〜【００３６】の各記載を参照。）。
　そうすると、当業者であれば、引用例２発明の「光ガイド層」として、ＧａＡｓ層を把握することができるというべきであるから、引用例２発明は、本願発明の「Ａｓを主たる構成要素として含むバッファ層を形成した」との事項を備えているといえる。
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用例２発明は、本願発明の「前記Ｐを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記クラッド層より小さいＡｓを主たる構成要素として含むバッファ層を形成した」との事項を備えている。
　
（２）上記（１）によれば、本願発明と引用例２発明とは、
「基板上に第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層が主たる構成要素としてＰを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層であり、かつ該活性層が主たる構成要素としてＡｓを含む半導体レーザ素子において、
　前記Ｐを含むＩｎＧａＡｌＰ系のクラッド層と、前記活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ前記クラッド層より小さいＡｓを主たる構成要素として含むバッファ層を形成した半導体レーザ素子。」である点で一致するから、両者の間に相違するところはない。
　
　よって、本願発明は、引用例２に記載された発明である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。