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　特願２００２−　７２６９２「窒化ガリウム系半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７３４６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成１４年３月１５日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１７年４月１１日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「基板上に、第一のIII族窒化物半導体層と、該第一のIII族窒化物半導体層に接して形成されたｐ型の導電型を有する第二のIII族窒化物半導体層とが、この順で、［x，y，−（x＋y），z］（ｘ、ｙは任意の整数であり、ｚは自然数）で表される結晶軸方向に積層した層構造を有し、
　積層方向と垂直な平面内における第一のIII族窒化物半導体層の平均格子定数が、積層方向と垂直な平面内における第二のIII族窒化物半導体層の平均格子定数よりも大きく、
　第一のIII族窒化物半導体層と第二のIII族窒化物半導体層との界面から上方０．１μｍにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均ｐ型不純物密度をＮ１、前記界面から上方０．０１μｍにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均ｐ型不純物密度をＮ２としたときにＮ１＜Ｎ２であることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物の記載事項
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１７７１７５号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
「【００６３】
【実施例】以下、図１、図２を元に本発明の実施例を詳説する。図２は図１のレーザ素子の形状を示す斜視図である。
【００６４】［実施例１］サファイア（Ｃ面）よりなる基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を介してＧａＮよりなる単結晶を５０μｍの膜厚で成長させたＧａＮ基板１０を用意する。このＧａＮ基板１０を反応容器内にセットし、温度を１０５０℃まで上げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）、不純物ガスとしてシランガスを用い、ＧａＮ基板１０上にＳｉを１×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなるｎ側バッファ層１１を４μｍの膜厚で成長させる。このバッファ層は、図１のような構造の発光素子を作製した場合にはｎ電極を形成するためのコンタクト層としても作用する。さらに、このｎ側バッファ層は高温で成長させるバッファ層であり、例えばサファイア、ＳｉＣ、スピネルのように窒化物半導体体と異なる材料よりなる基板の上に、９００℃以下の低温において、ＧａＮ、ＡｌＮ等を、０．５μｍ以下の膜厚で直接成長させるバッファ層とは区別される。
【００６５】（ｎ側クラッド層１２＝超格子層）続いて、１０５０℃でＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、Ｓｉを１×１０１９／ｃｍ３ドープしたｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第１の層を４０オングストロームの膜厚で成長させ、続いてシランガス、ＴＭＡを止め、アンドープのＧａＮよりなる第２の層を４０オングストロームの膜厚で成長させる。そして第１層＋第２層＋第１層＋第２層＋・・・というように超格子層を構成し、それぞれ１００層ずつ交互に積層し、総膜厚０．８μｍの超格子よりなるｎ側クラッド層１２を成長させる。
【００６６】（ｎ側光ガイド層１３）続いて、シランガスを止め、１０５０℃でアンドープＧａＮよりなるｎ側光ガイド層１３を０．１μｍの膜厚で成長させる。このｎ側光ガイド層は、活性層の光ガイド層として作用し、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを成長させることが望ましく、通常１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましい。またこの層をアンドープの超格子層とすることもできる。超格子層とする場合にはバンドギャップエネルギーは活性層より大きく、ｎ側クラッド層のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりも小さくする。
【００６７】（活性層１４）次に、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いて活性層１４を成長させる。活性層１４は温度を８００℃に保持して、アンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度で、アンドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９５Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層を成長させる。活性層は本実施例のようにアンドープでもよいし、またｎ型不純物及び／又はｐ型不純物をドープしても良い。不純物は井戸層、障壁層両方にドープしても良く、いずれか一方にドープしてもよい。
【００６８】（ｐ側キャップ層１５）次に、温度を１０５０℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、ｐ側光ガイド層１６よりもバンドギャップエネルギーが大きい、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるｐ側キャップ層１５を３００オングストロームの膜厚で成長させる。このｐ型キャップ層１５は前に述べたように、０．１μｍ以下の巻く厚保で形成し、膜厚の下限は特に限定しないが、１０オングストローム以上の膜厚で形成することが望ましい。
【００６９】（ｐ側光ガイド層１６）続いてＣｐ２Ｍｇ、ＴＭＡを止め、１０５０℃で、バンドギャップエネルギーがｐ側キャップ層１５よりも小さい、アンドープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１６を０．１μｍの膜厚で成長させる。この層は、活性層の光ガイド層として作用し、ｎ型光ガイド層１３と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで成長させることが望ましい。なお、このｐ側光ガイド層をアンドープの窒化物半導体、不純物をドープした窒化物半導体よりなる超格子層とすることもできる。超格子層とする場合にはバンドギャップエネルギーは活性層の井戸層より大きく、ｐ側クラッド層のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりも小さくする。」（審決注；段落００６８に記載の「ｐ側キャップ層１７」は「ｐ側キャップ層１５」の明らかな誤記であるから、訂正したうえで摘記した。）
　
（２）これらの記載から、引用例には、
　
「サファイア（Ｃ面）よりなる基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を介してＧａＮよりなる単結晶を５０μｍの膜厚で成長させたＧａＮ基板１０上に、ｎ側バッファ層１１を４μｍの膜厚で成長させ、総膜厚０．８μｍの超格子よりなるｎ側クラッド層１２を成長させ、アンドープＧａＮよりなるｎ側光ガイド層１３を０．１μｍの膜厚で成長させ、アンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、次に、アンドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９５Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させ、この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層を成長させ、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるｐ側キャップ層１５を３００オングストロームの膜厚で成長させ、アンドープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１６を０．１μｍの膜厚で成長させたレーザ素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「サファイア（Ｃ面）よりなる基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を介してＧａＮよりなる単結晶を５０μｍの膜厚で成長させたＧａＮ基板１０」は、本願発明の「基板」に相当する。
（２）引用発明のレーザ素子は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮなどの「III族窒化物半導体」を積層したものであるから、引用発明の「レーザ素子」は、本願発明の「III族窒化物半導体素子」に相当する。
（３）引用発明の「アンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、次に、アンドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９５Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させ、この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層」は、本願発明の「第一のIII族窒化物半導体層」に相当する。
（４）引用発明の「『ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるｐ側キャップ層１５』及び『アンドープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１６』」は、本願発明の「ｐ型の導電型を有する第二のIII族窒化物半導体層」に相当する。
（５）引用発明において、「アンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、次に、アンドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９５Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させ、この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層」及び「ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるｐ側キャップ層１５及びアンドープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１６」は、この順で、「サファイア（Ｃ面）よりなる基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を介してＧａＮよりなる単結晶を５０μｍの膜厚で成長させたＧａＮ基板１０」上に成長させた層であるから、これらの層は、基板上に［０，０，０，１］で表される結晶軸方向に積層した層構造であるといえる。
　よって、引用発明の層構造は、本願発明の「［x，y，−（x＋y），z］（ｘ、ｙは任意の整数であり、ｚは自然数）で表される結晶軸方向に積層した層構造」と、「［０，０，０，１］で表される結晶軸方向に積層した層構造」の点で一致している。
（６）本願明細書の段落００２２に「上記発明において、格子定数の小さい半導体層の材料としてＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）を選択し、格子定数の大きい半導体層の材料として・・（中略）・・ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）を選択することができる。」と記載されているように、ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ≦１）の格子定数はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）やＧａＮの格子定数よりも大きいから、引用発明の「アンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、次に、アンドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９５Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させ、この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層」の「積層方向と垂直な平面内における平均格子定数」は、引用発明の「ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるｐ側キャップ層１５及びアンドープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１６」の「積層方向と垂直な平面内における平均格子定数」よりも大きいことが明らかである。
（７）引用発明において、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層の上に成長させたｐ側キャップ層１５は、その膜厚が３００オングストローム（＝０．０３μｍ）であり、かつ、Ｍｇが１×１０２０／ｃｍ３ドープされており、また、その上に成長させたｐ側光ガイド層１６は、その膜厚が０．１μｍであり、かつ、アンドープであるから、前記活性層と前記「ｐ側キャップ層１５及びｐ側光ガイド層１６」との界面から上方０．１μｍにわたる前記「ｐ側キャップ層１５及びｐ側光ガイド層１６」中の領域における平均ｐ型不純物密度をＮ１、前記界面から上方０．０１μｍにわたる前記「ｐ側キャップ層１５及びｐ側光ガイド層１６」中の領域における平均ｐ型不純物密度をＮ２としたときにＮ１＜Ｎ２であることは明らかである。
　
　以上のとおりであるから、本願発明と引用発明とは、
「基板上に、第一のIII族窒化物半導体層と、該第一のIII族窒化物半導体層に接して形成されたｐ型の導電型を有する第二のIII族窒化物半導体層とが、この順で、［０，０，０，１］で表される結晶軸方向に積層した層構造を有し、
　積層方向と垂直な平面内における第一のIII族窒化物半導体層の平均格子定数が、積層方向と垂直な平面内における第二のIII族窒化物半導体層の平均格子定数よりも大きく、
　第一のIII族窒化物半導体層と第二のIII族窒化物半導体層との界面から上方０．１μｍにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均ｐ型不純物密度をＮ１、前記界面から上方０．０１μｍにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均ｐ型不純物密度をＮ２としたときにＮ１＜Ｎ２であるIII族窒化物半導体素子。」
である点で一致し、相違する点はない。
　
　よって、引用発明と本願発明とは同一の発明であるから、本願発明は引用例に記載された発明である。
　
　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法２９条１項３号に該当するというものではないが、審判請求人は、審判請求書において、本願発明と上記引用例とを対比し、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。
　
 ５．むすび 
　
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。