【事件の表示】
　特願２００１−２５７３７３「スピンデバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２８日出願公開、特開２００３−　６０２１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年８月２８日の出願であって、平成１７年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月１６日付けで手続補正がなされ、当審において、平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、その後同年１０月１０日に回答書が提出されたものである。
　　
２．平成１７年６月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年６月１６日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、特許請求の範囲を補正すると共に、明細書の０００５段落ないし０００７段落を補正するものであって、補正後の請求項１、８及び９に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具え、前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍであり、前記強磁性細線の高さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする、スピンデバイス。」
「【請求項８】　半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具えるスピンデバイスの製造方法であって、
　前記半導体基板上に所定のマスクパターンを形成した後、このマスクパターンを介して強磁性薄膜を形成し、前記マスクパターンをリフトオフすることによって、前記強磁性薄膜から前記強磁性細線を形成し、このとき、前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにすることを特徴とする、スピンデバイスの製造方法。
　【請求項９】　半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具えるスピンデバイスの製造方法であって、
　前記半導体基板上に強磁性薄膜を一様に形成した後、この強磁性薄膜上に所定のマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して前記強磁性薄膜をミリング処理することによって、前記強磁性薄膜から前記強磁性細線を形成し、このとき、前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにすることを特徴とする、スピンデバイスの製造方法。」
（２）補正事項の整理
　補正事項の主なものは以下のとおりである。
　補正事項１　
　補正事項１は、補正前の請求項１の「強磁性細線とを具える」を補正後の請求項１の「強磁性細線とを具え、前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍであり、前記強磁性細線の高さが１０〜１００ｎｍである」と補正するものである。
　補正事項２　
　補正事項２は、補正前の請求項１１の「強磁性細線を形成する」を補正後の請求項８の「強磁性細線を形成し、このとき、前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」と補正するものである。
　補正事項３　
　補正事項３は、補正前の請求項１２の「強磁性細線を形成する」を補正後の請求項９の「強磁性細線を形成し、このとき、前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」と補正するものである。
（３）補正の目的について
　補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１の「強磁性細線」について、「前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　補正事項２及び３について
　補正事項２及び３についての補正は、それぞれ、補正前の請求項１１及び１２の「強磁性細線」について、「前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（４）新規事項の追加の有無について
　補正事項１について　
　本願明細書には、「III−Ｖ族化合物半導体は大きなスピン軌道相互作用を有するために、スピン偏極した電子を注入した際において、前記電子のスピン偏極状態を良好に制御し、維持することができる。」（００１５段落）、「半導体基板１を上述したIII−Ｖ族化合物半導体から構成し、強磁性細線２を上述した強磁性遷移金属から構成する場合においては、強磁性細線２の幅Ｗを０．２〜３μｍ、好ましくは０．５〜２μｍに形成する。これによって、強磁性２細線中に一軸の磁気異方性を簡易に生じさせることができる。　また、強磁性細線２の幅Ｗを上述のように設定した場合において、強磁性細線の長さＬは１〜４０００μｍであることが好ましく、さらには２〜２０μｍであることが好ましい。これによって、強磁性細線２中に一軸の磁気異方性をより簡易に形成することができる。　同様の理由から、強磁性細線２の高さｈは１０〜１００ｎｍであることが好ましく、さらには３０〜５０μｍであることが好ましい。」（００１８段落ないし００２０段落）、「本実施例においては、図１に示すように、半導体基板１上に複数の強磁性細線２が形成されたスピンデバイスを作製した。半導体基板１として（１００）ＩｎＡｓ基板を用い、この基板上にＦｅ薄膜を、ＭＢＥ法を用いて温度２３℃でエピタキシャル成長させることにより、
厚さ３０ｎｍ
幅Ｗが２μｍ
　しかしながら、補正後の請求項１に係る発明は、「半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具」える「スピンデバイス」についてのものであり、「強磁性細線」が「強磁性遷移金属から構成」されることは記載されているものの、「半導体基板」が「III−Ｖ族化合物半導体から構成」されることについては何らの限定もなく、「半導体基板」は任意の材料でよいものと解しえる。
　したがって、「半導体基板」が「III−Ｖ族化合物半導体から構成」されない場合については、「前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」ことにより、「強磁性細線」中に「一軸の磁気異方性」を生じさせて、「スピンデバイス」を構成し得ることは、願書に最初に添付した明細書又は図面に実質的に記載されていない。
　よって、補正事項１についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　
　補正事項２及び３について
　前記「補正事項１について」において検討したと同様な理由により、補正事項２及び３についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　
　したがって、補正事項１ないし３についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとしても、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　
（５）独立特許要件の有無の検討　
　以下においては、仮に、補正事項１ないし３についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、且つ、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとして、補正後の請求項１、８及び９に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるか否かについて検討する。　
　
（５−１）特許請求の範囲の記載について（特許法第３６条第６項）
　補正後の請求項１について
　補正後の請求項１に係る発明は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。　
　前記「（４）新規事項の追加の有無について」の「補正事項１について」において検討したとおり、本願明細書には、少なくとも、「幅Ｗを０．２〜３μｍ」とし、「長さＬ」が「１〜４０００μｍである」「強磁性細線２」中に「一軸の磁気異方性」を生じさせて、「スピンデバイス」を構成するためには、「半導体基板１」を「III−Ｖ族化合物半導体から構成」し、「強磁性細線２」を「強磁性遷移金属から構成する」ことが必要であることが記載されている。
　しかしながら、補正後の請求項１に係る発明は、「半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具」える「スピンデバイス」についてのものであり、「強磁性細線」が「強磁性遷移金属から構成」されることは記載されているものの、「半導体基板」が「III−Ｖ族化合物半導体から構成」されることについては何らの限定もなく、「半導体基板」は任意の材料でよいものと解しえる。
　したがって、「半導体基板」が「III−Ｖ族化合物半導体から構成」されない場合については、「前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」ことにより、「強磁性細線」中に「一軸の磁気異方性」を生じさせて、「スピンデバイス」を構成することは、本願の明細書又は図面に実質的に記載されていないから、補正後の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　
　さらに、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の、請求項１を引用する請求項６を引用する請求項７を引用する請求項８を更に引用する請求項９が、補正後の請求項１であるとしても、前記「（４）新規事項の追加の有無について」の「補正事項１について」において検討したとおり、「半導体基板」が「III−Ｖ族化合物半導体から構成」されない場合については、「前記強磁性細線の幅を０．２〜３μｍにし、前記強磁性細線の長さを１〜４０００μｍにし、前記強磁性細線の高さを１０〜１００ｎｍにする」ことにより、強磁性細線中に「一軸の磁気異方性」を生じさせて、「スピンデバイス」を構成することは、願書に最初に添付した明細書又は図面に実質的に記載されていないから、補正後の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　　
　よって、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　補正後の請求項８及び９について
　補正後の請求項８及び９に係る発明は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　前記「補正後の請求項１について」において検討したと同様の理由により、補正後の請求項８及び９に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（５−２）発明の進歩性について（特許法第２９条第２項）
（５−２−１）補正後の請求項１に係る発明
　補正後の請求項１に係る発明は、前記「２．（１）」に記載した以下のとおりのものである。
  「【請求項１】　半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具え、前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍであり、前記強磁性細線の高さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする、スピンデバイス。」（以下、「補正発明」という。）
（５−２−２）刊行物記載発明について　
　特開平１０−１５０２３２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平１０−１５０２３２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１ないし図５とともに以下の事項が記載されている。
「【００１３】この磁気抵抗効果素子の動作原理を図２〜図４に示すエネルギーバンド図を参照して説明する。図２は無バイアス状態のエネルギーバンド図を示す。この図は、ｎｐｎバイポーラトランジスタのエネルギーバンド図と同様である。
【００１４】図３はベース強磁性層１とベース層２との間にバイアス電圧を印加してベース層２へスピン偏極した小数キャリヤー（この素子の場合には電子）を注入した状態のエネルギーバンド図を示す。この場合、ベース層２へ注入されたスピン偏極電子は、スピン緩和時間程度の時間内はスピン偏極の情報を保ったまま、拡散またはドリフトによってベース層２中を伝搬する。・・・　
【００１５】図４（Ａ）および４（Ｂ）は、ベース層２へスピン偏極電子を注入した図３の状態で、さらにｎｐｎトランジスタのベース接地回路に対応したバイアス電圧を印加した状態のエネルギーバンド図を示す。図４（Ａ）はエミッタ強磁性層５とベース強磁性層１の磁化がいずれもダウンスピンで平行である場合を示す。この場合、エミッタ強磁性層５を通してエミッタ層３からベース層２へ注入された電子は、より高いポテンシャル障壁を越える必要があるため、コレクタ層４へ流れる電流量は少なくなる。一方、図４（Ｂ）はエミッタ強磁性層５とベース強磁性層１の磁化が反平行である場合を示す。この場合、エミッタ強磁性層５を通してエミッタ層３からベース層２へ注入された電子は、低いポテンシャル障壁を越えるだけでよいため、コレクタ層４へ大きな電流が流れる。このようにエミッタ強磁性層５とベース強磁性層１の磁化の相対角度によってコレクタ電流が大きな変化を示すので、磁気抵抗効果素子として利用できる。
【００１６】本発明の磁気抵抗効果素子は、ベース強磁性層からベース層へ注入されるスピン偏極したキャリヤーの非平衡状態（スピン分裂）を利用し、トランジスタの回路動作により電流を直接増幅できるので、大きな信号出力と増幅率を得ることができる。・・・　
【００１７】本発明において、強磁性層としては、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、またはこれらの合金を用いることができる。・・・　
【００１８】本発明では、強磁性層から半導体層へのスピン偏極したキャリヤーの注入効率を高めるために、両者がオーミック接合していることが好ましい。また、２つの強磁性層は互いに、キャリヤーがスピン偏極の情報を保っている範囲内に配置されている必要がある。したがって、２つの強磁性層の間の距離は１μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】本発明において、半導体層の材料としては、ｐ型もしくはｎ型のドーパントを添加したＳｉ、Ｇｅ、化合物半導体（ＧａＡｓ、ＺｎＳｅなど）を用いることができる。」（００１３段落ないし００１９段落）
「実施例１
以下のようにして、図１に示す磁気抵抗効果素子を作製した。絶縁基板（図示せず）上に、保磁力１ｋＯｅのＣｏＰｔからなる厚さ５０ｎｍのベース強磁性層１を形成した。このベース強磁性層１上に、ｐ型ＧａＡｓからなる厚さ２０ｎｍのｐ型ベース層２を形成した。このｐ型ベース層２上に、ｎ型ＧａＡｓからなるそれぞれ厚さ２０ｎｍのｎ型エミッタ層３およびｎ型コレクタ層４を形成した。また、ｎ型エミッタ層３上に、保磁力１０ＯｅのＣｏＦｅからなる厚さ１０ｎｍのエミッタ強磁性層５を形成した。さらに、ｐ型ベース層２を接地し、第１の強磁性層５を通してｎ型エミッタ層３とｐ型ベース層２との間に順方向バイアス電圧を印加する電源６、ｎ型コレクタ層４とｐ型ベース層２に逆方向バイアス電圧を印加する電源７、および第２の強磁性層１を通してｐ型ベース層２へ小数キャリヤーを注入するためのバイアス電圧を印加する電源８を設けた。ベース強磁性層１の磁化の方向は一方向に固定されている。一方、エミッタ強磁性層５の磁化の方向は自由であり、外部磁場の方向に応じて磁化を回転させるようになっている。
【００２４】この磁気抵抗効果素子の動作を調べたところ以下のような結果が得られた。すなわち、ベース強磁性層１の磁化方向と平行な１ｋＯｅ以下の外部磁界を印加すると、ベース強磁性層１とエミッタ強磁性層５の磁化方向は平行になり、コレクタ電流が減少した。一方、ベース強磁性層１の磁化方向と反平行な１ｋＯｅ以下の外部磁界を印加すると、ベース強磁性層１とエミッタ強磁性層５の磁化方向は反平行になり、コレクタ電流が増加した。
【００２５】実施例２
以下のようにして、図５に示す磁気抵抗効果素子を作製した。低抵抗のｐ+ 型シリコン基板１１上にｐ型シリコン層１２をエピタキシャル成長させた。次に、ｐ型シリコン層１２内にエミッタ、コレクタとなるｎウェル１３を形成した後、ｎ+ 型エミッタ１４、ｎ+ 型コレクタ１６、およびｐ+ 型ベース１５を形成した。次いで、ｎ+ 型エミッタ１４上にＨｃ＝１０ＯｅのＣｏＦｅからなるエミッタ強磁性層１７を形成し、ｐ+ 型ベース層１５上にＨｃ＝１ｋＯｅのＣｏＦｅからなるベース強磁性層１８を形成した。その後、図の右方向に２ｋＯｅの磁場を印加し、ＣｏＦｅからなるベース強磁性層１８の磁化の向きを右方向へ向けた。」（００２３段落ないし００２５段落）
　
　ここで、（ａ）図１及び００２３段落には、絶縁基板上にベース強磁性層が形成され、ベース強磁性層上にｐ型からなるＧａＡｓ半導体ベース層が形成された素子、及びベース強磁性層の磁化の方向は一方向に固定されていることが記載されていることは明らかである。
（ｂ）図５及び００２５段落には、半導体であるシリコン基板に形成したｐ＋型ベース層１５上にベース強磁性層１８を形成した素子が記載されており、また、図１及び００２３段落には、絶縁基板上にベース強磁性層を形成し、ベース強磁性層上にｐ型からなるＧａＡｓ半導体ベース層を形成した素子が記載されていることを勘案すると、刊行物１には、半導体層とベース強磁性層のいずれを上に形成する場合をも記載されていることは明らかである。
（ｃ）００１７段落には、強磁性層としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを用いることが記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「半導体基板と、半導体基板上に形成された、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉからなる、磁化の方向が一方向に固定された、厚さ５０ｎｍの強磁性層を備えた、素子。」
　
　特開２００１−８４７５６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開２００１−８４７５６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図６とともに以下の事項が記載されている。
「【００７９】図６に示すように、この第３の実施形態による磁化スイッチ素子においては、磁歪が大きく、歪みによって磁気異方性が顕著に変化する歪み敏感磁性薄膜１１を被制御磁性層として用い、この歪み敏感磁性薄膜１１とこれに歪みを与える圧電体からなる歪み付与層１２とが積層されている。これらの歪み敏感磁性薄膜１１および歪み付与層１２はいずれも長方形の形状を有する。一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状は、形状異方性によって長手方向を磁化容易軸とするための手段である。」
　　
（５−２−３）対比
　補正発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比・検討する。　
（ａ）本願明細書の００１７段落には、「強磁性細線２は種々の強磁性体材料から構成することができるが、好ましくは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性遷移金属から構成することが好ましい。」と記載されており、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉが強磁性遷移金属であることは明らかであるから、刊行物発明の「Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉからなる」は、補正発明の「強磁性遷移金属からな」るに相当する。
（ｂ）刊行物発明の「磁化の方向が一方向に固定され」ることは、補正発明の「一軸の磁気異方性を有する」ことに相当する。
（ｃ）刊行物発明の「強磁性層」は、「強磁性」からなる要素である点において、補正発明の「強磁性細線」に対応する。
（ｄ）刊行物発明の「強磁性層」の厚さは５０ｎｍであり、「厚さ」は、補正発明の「高さ」に相当すると共に、５０ｎｍは１０〜１００ｎｍの範囲に含まれることは明らかである。
（ｅ）刊行物発明の「素子」は、補正発明の「デバイス」に相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性から成る要素とを具え、前記強磁性から成る要素の高さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする、デバイス。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　補正発明は、「一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具える」のに対して、
　刊行物発明は、「磁化の方向が一方向に固定された強磁性層」を備える点。
　相違点２
　補正発明は、「前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍであ」るとの構成を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「強磁性層」を備えているが、その幅及び長さが明らかでない点。　
　相違点３
　補正発明は、「スピンデバイス」であるのに対して、
　刊行物発明は、「素子」である点。
　
（５−２−４）相違点の検討　
　相違点１について
（ａ）刊行物２の００７９段落には、「図６に示すように、この第３の実施形態による磁化スイッチ素子においては、磁歪が大きく、歪みによって磁気異方性が顕著に変化する歪み敏感磁性薄膜１１を被制御磁性層として用い、この歪み敏感磁性薄膜１１とこれに歪みを与える圧電体からなる歪み付与層１２とが積層されている。これらの歪み敏感磁性薄膜１１および歪み付与層１２はいずれも長方形の形状を有する。一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状は、形状異方性によって長手方向を磁化容易軸とするための手段である。」と記載されている。
（ｂ）磁化の向きを単一方向に固定する方法として、強磁性層と反強磁性層を積層すること、または上記（ａ）の刊行物２に記載されるように、一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状による形状異方性を利用することは、従来周知である。
（ｃ）補正発明において、仮に、「前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍ」であることに意義があるとしても、強磁性細線は、例えば幅を２μｍ、長さを２μｍとなる正方形のものも含んでいるから、補正発明の強磁性細線における「細線」とは、高々一辺が他方の辺より長い、長方形の形状とする程度の意味と解釈せざるを得ない。
（ｄ）したがって、刊行物発明の強磁性層の磁化の方向を一方向に固定するために、長方形の形状であって、一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状、言い換えると、長方形又は細長い線形の形状による形状異方性を利用することにより、刊行物発明の「強磁性層」を、補正発明の如く、「強磁性細線」とすることは、上記従来周知の技術を用いることにより、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　
　相違点２について
　本願明細書において、「前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍであ」るとの強磁性細線の幅、長さについての数値の範囲は、前記「２．（４）新規事項の追加の有無について」において検討したとおり、半導体基板がIII−Ｖ族化合物半導体で、且つ強磁性細線が強磁性遷移金属である場合との前提においては、００１８段落ないし００２０段落に記載はあるが、強磁性細線の幅、長さについての数値の範囲の根拠となる何らの実験結果も本願明細書に記載がなく、その数値範囲の臨界的意義も不明であり、また、仮に、「前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍ」であることに意義があるとしても、強磁性細線は、例えば幅を２μｍ、長さを２μｍとなる正方形も含んでいるから、デバイスの求める特性に応じて、刊行物発明の強磁性層の幅及び長さを適宜設定することにより、補正発明の如く、幅を「０．２〜３μｍ」で、長さを「１〜４０００μｍ」とすることは、当業者が何らの困難性もなくなし得たものである。
 　
　相違点３について
　刊行物１には、「図３はベース強磁性層１とベース層２との間にバイアス電圧を印加してベース層２へスピン偏極した小数キャリヤー（この素子の場合には電子）を注入した状態のエネルギーバンド図を示す。」（００１４段落）と記載されているから、刊行物１に記載される素子は、ベース強磁性層から半導体からなるベース層にスピン偏極した電子を注入するものであり、一方、「スピンデバイス」の具体的構造が本願明細書には記載されていないから、「スピンデバイス」がどのような構成を具えるか必ずしも明確ではないが、本願明細書には、「【発明の属する技術分野】本発明は、スピンデバイス及びその製造方法に関し、詳しくはスピンメモリデバイス、スピントランジスタ、磁気センサ、及び光アイソレータなどに好適に用いることのできるスピンデバイス及びその製造方法に関する。　【従来の技術】スピントランジスタやスピンメモリデバイスなどの新規なスピンデバイスが提案されている。このスピンデバイスは、基本的には半導体基板上に強磁性薄膜が形成された構造を呈しており、前記強磁性体薄膜から前記半導体基板へスピン偏極した電子を注入し、そのスピン状態を利用して記憶あるいは増幅を行うものである。」（０００１段落及び０００２段落）、「本発明者らは、実用に供することのできる新規なスピンデバイスを得るべく鋭意検討を行った。その結果、半導体基板上に、従来のような強磁性薄膜ではなく、上述した本発明の第１の製造方法あるいは第２の製造方法に従って、強磁性細線を所定の大きさに形成することにより、前記強磁性細線が一軸の磁気異方性を有するようになることを見出した。　したがって、前記強磁性細線から前記半導体基板へのスピン偏極した電子の注入を実際に行うことができるようになり、その結果、実用に供することのできるスピンデバイスの提供を可能としたものである。」（０００８段落及び０００９段落）と記載されているから、「スピンデバイス」が「前記強磁性体薄膜から前記半導体基板へスピン偏極した電子を注入」するものであることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「素子」と補正発明の「スピンデバイス」とは、半導体基板に強磁性体薄膜層（強磁性体層）からスピン偏極した電子を注入するものである点で一致しているから、刊行物発明の「素子」は、補正発明の「スピンデバイス」に相当しており、相違点３は、実質的なものではない。
　
　よって、補正発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　（５−３）小むすび
　したがって、仮に、補正前の請求項１、１１及び１２についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、且つ、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるとしても、補正前の請求項１、１１及び１２に対応する補正後の請求項１、８及び９に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができず、また、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　（６）むすび
　よって、補正事項１ないし３についての補正を含む本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしているとしても、補正前の請求項１、１１及び１２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであって、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年６月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成１７年２月２１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
「【請求項１】　半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具えることを特徴とする、スピンデバイス。」
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１の特開平１０−１５０２３２号公報に記載された事項は、前記「２．（５−２−２）刊行物記載発明について」の特開平１０−１５０２３２号公報に記載されるとおりであり、また、刊行物２の特開２００１−８４７５６号公報に記載された事項は、前記「２．（５−２−２）刊行物記載発明について」の特開２００１−８４７５６号公報に記載されるとおりである。
　また、刊行物１記載される発明（以下、「刊行物発明２」という。）は、以下のとおりである。
　「半導体基板と、半導体基板上に形成された、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉからなる、磁化の方向が一方向に固定された強磁性層を備えた、素子。」
　
５．対比
　本願発明と刊行物発明２とを対比・検討する。
（ａ）本願明細書の００１７段落には、「強磁性細線２は種々の強磁性体材料から構成することができるが、好ましくは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性遷移金属から構成することが好ましい。」と記載されており、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉが強磁性遷移金属であることは明らかであるから、刊行物発明２の「Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉからなる」は、本願発明の「強磁性遷移金属からな」るに相当する。
（ｂ）刊行物発明２の「磁化の方向が一方向に固定され」ることは、本願発明の「一軸の磁気異方性を有する」ことに相当する。
（ｃ）刊行物発明２の「強磁性層」は、「強磁性」からなる要素である点において、本願発明の「強磁性細線」に対応する。
（ｄ）刊行物発明２の「素子」は、本願発明の「デバイス」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明２とは、
　「半導体基板と、この半導体基板上に形成された、強磁性遷移金属からなり、一軸の磁気異方性を有する強磁性から成る要素とを具えることを特徴とする、デバイス。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「一軸の磁気異方性を有する強磁性細線とを具える」のに対して、
　刊行物発明は、「磁化の方向が一方向に固定された強磁性層」を備える点。
　 相違点２
　本願発明は、「スピンデバイス」であるのに対して、
　刊行物発明は、「素子」である点。　
　
６．当審の判断
　以下のおいて、各相違点について検討する。
　相違点１について
（１）刊行物２の００７９段落には、「図６に示すように、この第３の実施形態による磁化スイッチ素子においては、磁歪が大きく、歪みによって磁気異方性が顕著に変化する歪み敏感磁性薄膜１１を被制御磁性層として用い、この歪み敏感磁性薄膜１１とこれに歪みを与える圧電体からなる歪み付与層１２とが積層されている。これらの歪み敏感磁性薄膜１１および歪み付与層１２はいずれも長方形の形状を有する。一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状は、形状異方性によって長手方向を磁化容易軸とするための手段である。」と記載されている。
（ｂ）磁化の向きを単一方向に固定する方法として、強磁性層と反強磁性層を積層すること、または上記（ａ）の刊行物２に記載されるように、一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状による形状異方性を利用することは、従来周知である。
（ｃ）本願発明において、仮に、「前記強磁性細線の幅が０．２〜３μｍであり、前記強磁性細線の長さが１〜４０００μｍ」であることに意義があるとしても、強磁性細線は、例えば幅を２μｍ、長さを２μｍとなる正方形も含んでいるから、本願発明の強磁性細線における「細線」とは、高々一辺が他方の辺より長い、長方形の形状とする程度の意味と解釈せざるを得ない。
（ｄ）したがって、刊行物発明２の強磁性層の磁化の方向を一方向に固定するために、長方形の形状であって、一方向に長く、それと垂直方向に狭い細長い形状、言い換えると、長方形又は細長い線形の形状による形状異方性を利用することにより、刊行物発明２の「強磁性層」を、本願発明の如く、「強磁性細線」とすることは、上記従来周知の技術を用いることにより、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　 　
　相違点２について
　刊行物１には、「図３はベース強磁性層１とベース層２との間にバイアス電圧を印加してベース層２へスピン偏極した小数キャリヤー（この素子の場合には電子）を注入した状態のエネルギーバンド図を示す。」（００１４段落）と記載されているから、刊行物１に記載される素子は、ベース強磁性層から半導体からなるベース層にスピン偏極した電子を注入するものであり、一方、「スピンデバイス」の具体的構造が本願明細書には記載されていないから、「スピンデバイス」がどのような構成を具えるか必ずしも明確ではないが、本願明細書には、「【発明の属する技術分野】本発明は、スピンデバイス及びその製造方法に関し、詳しくはスピンメモリデバイス、スピントランジスタ、磁気センサ、及び光アイソレータなどに好適に用いることのできるスピンデバイス及びその製造方法に関する。　【従来の技術】スピントランジスタやスピンメモリデバイスなどの新規なスピンデバイスが提案されている。このスピンデバイスは、基本的には半導体基板上に強磁性薄膜が形成された構造を呈しており、前記強磁性体薄膜から前記半導体基板へスピン偏極した電子を注入し、そのスピン状態を利用して記憶あるいは増幅を行うものである。」（０００１段落及び０００２段落）、「本発明者らは、実用に供することのできる新規なスピンデバイスを得るべく鋭意検討を行った。その結果、半導体基板上に、従来のような強磁性薄膜ではなく、上述した本発明の第１の製造方法あるいは第２の製造方法に従って、強磁性細線を所定の大きさに形成することにより、前記強磁性細線が一軸の磁気異方性を有するようになることを見出した。　したがって、前記強磁性細線から前記半導体基板へのスピン偏極した電子の注入を実際に行うことができるようになり、その結果、実用に供することのできるスピンデバイスの提供を可能としたものである。」（０００８段落及び０００９段落）と記載されているから、「スピンデバイス」が「前記強磁性体薄膜から前記半導体基板へスピン偏極した電子を注入」するものであることは明らかである。
　したがって、刊行物発明２の「素子」と本願発明の「スピンデバイス」とは、半導体基板に強磁性体薄膜層（強磁性体層）からスピン偏極した電子を注入するものである点で一致しているから、刊行物発明２の「素子」は、本願発明の「スピンデバイス」に相当しており、相違点２は、実質的なものではない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１９係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。