【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８４７７４号「半導体装置の製造方法、光変調素子の製造方法、および薄膜半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月　６日出願公開、特開２０００−２７７５７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年３月２６日の出願であって、平成１８年６月２１日付で拒絶査定がなされ、平成１８年７月２５日付で審判請求がなされ、平成１９年９月１４日付で当審にて拒絶理由が通知され、平成１９年１１月１６日
付で、手続補正がなされたものである
　
２．平成１９年１１月１６日付手続補正について
結論　　
　平成１９年１１月１６日付手続補正を却下する。
理由　
　
（１）補正後の本願発明　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のように補正された。
「基板上に形成した半導体膜の一部に１×１０１７ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３の範囲の濃度の不純物を導入し不純物導入領域を形成する不純物導入工程と、前記不純物導入工程のあと、前記半導体膜にレーザー光を照射して結晶化する結晶化工程と、前記結晶化工程のあと、前記半導体膜上に電極を形成し、前記電極を用いて前記不純物導入領域における電気伝導率を測定する測定工程と、前記測定工程のあと、前記半導体膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　上記補正は、不純物濃度を「１×１０１７ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３の範囲の濃度」とし、「電気特性」の測定を、「電気伝導率」の測定とするものであり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
（２）引用例
　当審の拒絶の理由に引用された、特開平７−８６１６０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
摘記A「【００３３】そこで、先ずそれぞれ石英ガラス板からなる基板上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｂよりなる半導体層を成膜した試料と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｐよりなる半導体層を成膜した試料とを形成し、各半導体層の試料において、その成膜時の不純物ドーピングガスの流量と各試料の半導体層に対してエネルギービーム照射を行って結晶化および活性化アニールを行った後の各多結晶シリコン層におけるキャリア濃度、比抵抗を測定して、目的とする薄膜半導体装置を確実に作製できることの確認を行った。
【００３４】これら各試料において、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｂによる半導体層およびａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｐによる半導体層の成膜条件は次のように選定した。この場合、原料ガスとしてＳｉＨ４ ，Ｈ２の混合ガスを用い、これに不純物ドーピングガスとしてＢ２Ｈ６およびＰＨ３を用い、不純物ドーピングガスの供給量のみを変更した。
【００３５】・・・
【００３６】・・・
【００３７】このようにして成膜した各半導体層に対して図２で説明したＸｅＣｌエキシマレーザによる多段階照射法により最終的に約２１０ mＪ／cm２となるアニールを行った。
【００３８】図３および図６は、それぞれ半導体層（ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｂ）に対してレーザビームアニールを行って多結晶シリコン膜化した半導体層におけるキャリア濃度および抵抗率の、この半導体層成膜時のＢ２Ｈ６不純物ドーピングガスの流量に対する依存性を測定した結果を示したものである。
【００３９】また、図５および図６は、それぞれ半導体層（ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｐ）に対してレーザビームアニールを行って多結晶シリコン膜化した半導体層におけるキャリア濃度および抵抗率の、半導体層成膜時のＰＨ３不純物ドーピングガスの流量に対する依存性を測定した結果を示したものである。この測定は、ホール効果測定装置によって行った。」
　
摘記B「【００４３】この確認は、図７にその平面図を示し、図８にその断面図を示すように、円板状の石英ガラス基板３０上に膜厚１０ｎｍにａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｂによる半導体層３１を全面的に形成して後に、一半部（以下領域Ａという）を残して他半部（以下領域Ｂという）をエッチング除去し、この領域Ｂにおいて基板３０と直接的に接しさらに半導体層３１上に跨がって全面的に膜厚１０ｎｍにａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｐによる半導体層３２を形成し、これの上に全面的に膜厚２０ｎｍに不純物がドープされていないａ−Ｓｉ：Ｈによる半導体層３３を形成した試料３４を作製した。
【００４４】・・・半導体層３１および３２の成膜においては、上述の原料ガスとともに、それぞれＢ２Ｈ６およびＰＨ３の各一方をそれぞれ８sccm供給して行った。
【００４５】そして、この試料３４に対して図２で説明したＸｅＣｌエキシマレーザによる多段階照射法により最終的に約２１０ mＪ／cm２となるアニールを行った。
【００４６】このアニール後の試料３４のおける各領域ＡおよびＢの各特性を測定した結果を表１に示す。
【００４７】・・・
【００４８】表１をみて明らかなように、領域ＡとＢとでは異なる導電型を呈することがわかる。つまり、２種の導電型の積層による領域Ａにおいては、下層の半導体層３１の導電型を示す構成とすることができることがわかる。
【００４９】したがって本発明によれば、上述した現象を用いて共通の基板上に互いに異なる半導体領域を平面的に形成する薄膜半導体装置を製造する。
【００５０】・・・共通の基板１０上に互いに導電型を異にする第１および第２の領域１１および１２を形成し、これら領域１１および１２において、ｐ−ＭＯＳとｎ−ＭＯＳとを形成してＣＭＯＳ薄膜半導体装置を製造する場合の例である。
【００５１】この場合、図９Ａに示すように、基板１０例えば石英ガラス基板上に、先ず全面的にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｂによるｐ型の第１の半導体層２１をプラズマＣＶＤによって形成する。そして、この第１の半導体層２１に対し例えばフォトリソグラフィによるパターンエッチングを行って、最終的に第１の領域１１すなわちｐ−ＭＯＳの形成部を残して少なくとも最終的に第２の領域１２すなわちｎ−ＭＯＳ形成部をエッチング除去する。以下最終的に第１の領域１１を形成する部分をｐ−ＭＯＳの形成部といい、最終的に第２の領域１２を形成する部分をｎ−ＭＯＳ形成部という。」
　
摘記C「【００６１】そして、図１０Ｂに示すように、例えばＳｉＯ２ゲート絶縁層１６を形成し、これに対する各ソース領域１１ｓ，１２ｓおよびドレイン領域１１ｄ，１２ｄ上でのコンタクトホールの穿設を行う。そして、これらコンタクトホールを通じて各ソース領域１１ｓ，１２ｓおよびドレイン領域１１ｄ，１２ｄに対して各電極１７ｓ，１８ｓおよび１７ｄ，１８ｄのオーミックコンタクトと、更にチャネル形成領域１５上のゲート電極１７ｇおよび１８ｇの形成を例えばＡｌ層の形成およびフォトリソグラフィによるパターンエッチングによって形成する。」
　
摘記D「【００９３】上述したところから明らかなように、本発明によれば、最終的に得る結晶性半導体領域を１０１５〜１０２０cm−３の不純物濃度に選定できることから、そのソースおよびドレイン領域を例えば前述の図１３〜図１５で説明したチャネル形成領域に隣接する部分を低濃度のソースおよびドレイン領域とし、しかもその外側においては充分高濃度すなわち低比抵抗を有するＬＤＤ型のＭＯＳＦＥＴを構成することができる。」
　
　同じく、当審の拒絶の理由に引用された、特開平６−２４４２５５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
摘記E　「【００２７】実施例２
・・・この場合においても、プラズマＣＶＤを用いて基板４上に作製した水素化アモルファスより成る半導体３に対し、ＸｅＣｌガスレーザによりアモルファス化をその電気伝導率の変化によってモニタする。
【００２８】図３に示すように、石英ガラス等より成る基板４上に例えばリンドープ・水素化アモルファスシリコンより成る半導体３を例えば厚さを２０ｎｍとして成膜した後、例えば幅及び長さが約１ｍｍ×３ｍｍのストライプ状にパターニングして、その上にアルミニウム等より成る電極６を、蒸着とパターニングにより電極の間隔を例えば１ｍｍとして、半導体３に跨るように形成する。
【００２９】そして、この電極６の間の水素化アモルファスシリコン薄膜にＸｅＣｌエキシマレーザ１からのレーザビームを例えば、その表面に垂直な方向から照射する。このとき電極６に電源から例えば５０Ωの抵抗Ｒを介して所定の電圧Ｖを印加して、電極６の間の半導体３の電気伝導率の変化をオシロスコープ７によりモニタする。」
　
（３）対比
　上記記載より、引用例１には、摘記Aにおいて、成膜時に不純物ドーピングを行った半導体層に対してエネルギービーム照射を行って結晶化を行った後、形成された多結晶シリコン層における比抵抗を測定し、目的とする薄膜半導体装置を確実に作製できることの確認を行うこと、および、摘記Bに、アニール後の試料の各特性を測定した後、共通の基板上に互いに異なる半導体領域を平面的に形成する薄膜半導体装置を製造することが記載されており、その薄膜半導体装置の例として、ＣＭＯＳ薄膜半導体装置の例が記載されている。摘記C記載には、表面にＳｉＯ２ゲート絶縁膜を形成することが記載されている。
　よって、引用例１には、
「石英ガラス板からなる基板上に、その成膜時の不純物ドーピングガスの流量と各試料の半導体層に対してＸｅＣｌエキシマレーザ照射を行って結晶化および活性化アニールを行った後、各多結晶シリコン層におけるキャリア濃度、比抵抗を測定して、目的とする薄膜半導体装置を確実に作製できることの確認を行い、
　最終的に１０１５〜１０２０cm−３の不純物濃度に選定できる結晶性半導体領域を、領域ＡとＢとでは異なる導電型を呈する現象を用いて共通の基板上に互いに異なる半導体領域を平面的に形成し、ＳｉＯ２ゲート絶縁層１６に、コンタクトホールを通じて各ソース領域およびドレイン領域に対して各電極を形成するＣＭＯＳ薄膜半導体装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　本願補正発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「半導体層」、「ＸｅＣｌエキシマレーザ」、「ＳｉＯ２ ゲート絶縁層」が、本願補正発明の「半導体膜」、「レーザー光」、「絶縁膜」にそれぞれ相当する。引用発明の「不純物ドーピングガスを流して半導体層を成膜」する工程が、本願補正発明の「不純物導入工程」に該当し、引用発明の「ＸｅＣｌエキシマレーザ照射を行って結晶化」することが、本願補正発明の「結晶化工程」に該当し、引用発明の「ＳｉＯ２ゲート絶縁層」を形成することが、本願補正発明の「絶縁膜形成工程」に該当する。
　また、不純物濃度の範囲は、最終的に得る結晶性半導体領域が１０１５〜１０２０cm−３　であるから、半導体層に導入される不純物において、本願発明の不純物濃度範囲は、引用例１に記載の範囲に含まれていると認められる。
　よって、両者は、「基板上に１×１０１７ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３の範囲の濃度の不純物を導入した半導体膜を形成する不純物導入工程と、前記不純物導入工程のあと、前記半導体膜にレーザー光を照射して結晶化する結晶化工程と、前記結晶化工程のあと、前記不純物導入領域における電気伝導率を測定する測定工程と、測定工程のあと、前記半導体膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点１
　本願発明では、不純物導入工程が、基板上に形成した半導体膜の一部に不純物を導入し不純物導入領域を形成するのに対し、引用発明では、成膜時に不純物ドーピングガスを流して半導体層を形成している点。
　
相違点２
　本願発明では結晶化工程のあと、前記半導体膜上に電極を形成し、前記電極を用いて前記不純物導入領域における電気伝導率を測定する測定工程を有するのに対し、引用発明では、結晶化工程のあと、比抵抗を測定する点は記載されているが、電気伝導率を測定するための電極について記載されていない点。
　
（４）判断
相違点１について
　基板上に形成した半導体膜の一部に不純物を導入し不純物導入領域を形成することは、必要に応じて適宜成しうることである。
　
相違点２について
　電極を形成して電気伝導率を測定することは、引用例２の摘記Eに記載されている。引用発明の比抵抗の測定において、引用例２に記載の電極を設けて測定する手段を用いることは当業者が容易になし得るものである。なお、電気伝導率の逆数が比抵抗に相当する。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について　
　平成１９年１１月１６日付手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年２月１３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されて事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板上に形成した半導体膜の一部に不純物を導入し不純物導入領域を形成する不純物導入工程と、
　前記不純物導入工程のあと、前記半導体膜にレーザー光を照射して結晶化する結晶化工程と、
　前記結晶化工程のあと、前記半導体膜上に電極を形成し、前記電極を用いて前記不純物導入領域の電気特性を測定する測定工程と
　前記測定工程のあと、前記半導体膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（１）引用例
　当審の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記２．に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、不純物濃度の限定事項である不純物濃度を「１×１０１７ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３の範囲の濃度」との構成を省き、さらに、「電気伝導率」の測定を、「電気特性」の測定としたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．に記載したとおり、引用例１、引用例２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用例１、引用例２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。