【事件の表示】
　平成　８年特許願第　６２４１３号「半導体装置，及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　９日出願公開、特開平　９−２３７９４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年３月１９日に出願された特許出願（優先権主張　平成７年１２月２８日）であって、原審において、平成１６年１１月５日付で拒絶理由が通知され、平成１７年１月７日に手続補正がなされたところ、同年６月９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１４日に拒絶査定不服審判が請求されたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　その表面が（００１）面であるｐ型ＩｎＰ基板と、
　該ｐ型ＩｎＰ基板表面上にエピタキシャル成長させた半導体成長層の，〔１１０〕方向に伸びるストライプ状の領域を残すようそれ以外の領域をドライエッチングして形成された、その側面が（１−１０）面である，高さＨｍを有するメサと、
　該メサの上記（１−１０）面からなる側面，及び該メサの側方に残された上記半導体成長層の（００１）面からなる上面上にエピタキシャル成長させた層厚がＤｐであるｐ型ＩｎＰ埋込層，及び該ｐ型ＩｎＰ埋込層の側面，及び上面上にエピタキシャル成長させたｎ型ＩｎＰ埋込層を含む埋込成長層とを備えた半導体装置において、
　（１１１）Ｂ面と（００１）面とのなす角をθ１１１ 、（１−１０）面，及び（００１）面上での上記ｎ型ＩｎＰ埋込層の成長レートをそれぞれＲｇ（１−１０），及びＲｇ（００１）とし、角度θを ｔａｎθ＝Ｒｇ（１−１０）／Ｒｇ（００１） で決まる角度とし、Ｄｎを
【数１】
と定義したとき、上記（００１）面上に成長した上記ｎ型ＩｎＰ埋込層の層厚Ｄが、
　　　　Ｄ≦Ｄｎ
を満たすことを特徴とする半導体装置。」
　なお、面方位について、本願特許請求の範囲などには（１／１０）のように表記されているが、本願発明の認定を含め、以下では、（１−１０）などのように表記することとする。
　
２．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２５４７５０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信装置や情報処理等に利用される半導体レーザに関し、特に活性層を含むメサストライプの側面を、電流狭窄用の半導体層で埋め込んだ構造の半導体レーザに関する。」
　　
　イ．「【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理や光通信の光源として、ＩｎＰ系の材料を用いた半導体レーザ素子が開発されており、その高性能化が望まれている。特に、低閾値特性、温度に対して出力変動の小さい高温度安定性、高信頼性に対する要求は強く、その研究開発が盛んに行われている。低閾値で発振する半導体レーザ素子を実現するには、活性層の幅を狭くして、その両脇を電流狭窄構造により埋めた埋め込み型レーザ構造が用いられている。
【０００３】図１１はｐ型半導体基板上にＭＯＣＶＤ法を用いて形成した従来の半導体レーザを示す断面図である。
　・・・・中略・・・・
【０００４】まずｐ型ＩｎＰ基板１にｐ型ＩｎＰバッファ層２、発光波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｎ型ＩｎＰクラッド層４、ｎ型ＩｎＧａＡｓエッチングダミー層（図示せず）を順次ＭＯＣＶＤ法により成長する。ついで、＜０１１＞方向にＳｉＯ２マスクをストライプ状に形成したのちに、化学エッチングにより高さ３μｍ程度のメサストライプを形成する。次いで、ＳｉＯ２マスクを残したままで、選択的にｐ型ＩｎＰ埋め込み層５、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７を順次ＭＯＣＶＤ法により選択成長する。次いで、ＳｉＯ２マスクとＩｎＧａＡｓエッチングダミー層とを除去した後に、全面にｎ型ＩｎＰクラッド層８、ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９をＭＯＣＶＤ法により成長する。最後に電極１０、１１の形成と基板研磨を行い、個々の半導体レーザチップに劈開して半導体レーザができあがる。
【０００５】この半導体レーザでは、活性層の両脇のｐｎｐｎサイリスタ構造の電流ブロック構造により、効率良く電流が活性層に注入される。また、このレーザでは、リーク電流の少ない良好な素子特性を得るために、活性層の側面がｎ型ＩｎＰに比べ電気抵抗の高いｐ型ＩｎＰで覆われていること、及びｎ型ＩｎＰクラッド層とｎ型ＩｎＰブロック層が分離されていることが重要である。
【０００６】活性層側面にこのような構造が実現できる様子を図１２を参照しながら説明する。図１２中の１２は、メサエッチング及び埋め込み選択成長に用いるＳｉＯ２マスクである。まず最初にｐ型ＩｎＰ埋め込み層５を１μｍ程度成長すると（図１２（ａ））、メサ側面に成長速度の遅い（１１１）Ｂ面１３と（２２１）Ｂ面１４が形成される。次にｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６を（２２１）Ｂ面１４が埋まりきらない程度に成長し（図１２（ｂ））、最後にｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７を成長する（図１２（ｃ））。このように成長すると、２層目のｎ型ＩｎＰ層６は１層目のｐ型ＩｎＰ層５に形成された（１１１）Ｂ面１３の上には成長しないので、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６とｎ型ＩｎＰクラッド層８とは連結せずに分離することができる。」
　　
　ウ．「【０００７】このように、ＭＯＣＶＤ法による埋め込み層成長の過程で現れる成長速度の非常に小さい高次の結晶面を利用することで、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層とｎ型ＩｎＰクラッド層とが連結しない埋め込み型の半導体レーザを作製でき、リーク電流の少ない良好な特性の素子を得ることができる。しかし反面、（１１１）Ｂ面は、この上での結晶の成長速度が非常に小さく、このため、メサの両側で平坦な埋め込みが進まなくなるという問題もある。
　・・・・中略・・・・
【０００８】また、図１２（ｂ）のｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６を成長するに際に、長さ約０．５μｍの（２２１）Ｂ面１４が完全に埋まり切ってしまうと、（１１１）Ｂ面１３の上にも結晶が成長するためｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６とｎ型ＩｎＰクラッド層８とを分離できず、素子特性は著しく悪くなってしまう。このため、図１１のような構造では、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６の厚さを比較的小さめにすることが必要となる。ところが、通常ｐｎｐｎ電流ブロック構造の埋め込み型半導体レーザでは、電流ブロック層の厚さが小さいと、高電流注入時や高温時に埋め込み層へのリーク電流が大きくなってしまう。従って、図１１の構造の素子では、高出力動作や高温動作が困難である。」
　　
　エ．「【００４６】図７は、本発明の更に別の実施例に係るｐ基板を用いた埋め込み型半導体レーザの概略構成を示す断面図である。
　・・・・中略・・・・
【００４７】ｐ型ＩｎＰ基板６１上には、ｐ型ＩｎＰバッファ層６２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層６３、ｎ型ＩｎＰクラッド層６４、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層６５、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６６、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層６７、ｎ型ＩｎＰクラッド層６８、ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６９が形成される。コンタクト層６９及び基板６１上にはそれぞれｎ側電極７０、ｐ側電極７１が配設される。」
　
　オ．「【００４８】次に、図８を参照しながら、上記構成の半導体レーザの製造工程と各部の詳細を説明する。
【００４９】まず図８（ａ）に示すように、ｐ型ＩｎＰ基板６１の上に、ＭＯＣＶＤ法でｐ型ＩｎＰバッファ層６２（ｐ＝１×１０１８ｃｍ−３、厚さ１μｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ活性層６３、ｎ型ＩｎＰクラッド層６４（ｎ＝１×１０１８ｃｍ−３、厚さ０．２μｍ）、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングダミー層７３を結晶成長する。
【００５０】次に、図８（ｂ）に示すように、＜０１１＞方向に幅４．２μｍのＳｉＯ２ストライプ状マスク７２を形成した後、化学エッチングを施し、図８（ｃ）に示すような高さ３μｍのメサストライプを形成する。このとき、図１１図示の従来例と異なるのはメサストライプ側面の形状を、ＳｉＯ２マスクから約１．５μｍの範囲では基板に対してほぼ垂直で、そこから下側の領域ではメサストライプ幅が徐々に広がる滑らかな形状としたことである。なめらかな曲線部分の局率半径は約１．５μｍ程度である。またこのとき、化学エッチャントとしては臭素と臭化水素酸と水とを混合したエッチャントを用い、エッチングはエッチャント中でウエハを静止した状態で行った。また、図８（ｃ）のようなメサ形状を得るためには、ＩｎＧａＡｓＰエッチングダミー層７３のバンドギャップ波長を１．１〜１．２μｍ程度にするのが望ましい。
【００５１】次に、図８（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２ マスク７２を残したままで、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＩｎＰ埋め込み層６５（ｐ＝１×１０１８ｃｍ−３、厚さ０．５μｍ）、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６６（ｎ＝７×１０１７ｃｍ−３、厚さ１．５μｍ）、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層６７（ｐ＝１×１０１８ｃｍ−３、厚さ１．０μｍ）を結晶成長する。このとき１層のｐ型ＩｎＰ埋め込み層を成長したときのメサストライプ側面には図１２（ａ）と同様に（１１１）Ｂ面と（２２１）Ｂ面が現れるが、（２２１）Ｂ面の断面の長さは、約１μｍ程度と従来構造よりも約２倍長い。従って、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層６６の厚さを１．５μｍと十分厚くしても、メサストライプ側面の（２２１）Ｂ面が消失することはない。」
　
　カ．「【００５２】なおメサストライプ側面の全体形状が基板に対して、ある程度以上直角に近くなると（２２１）Ｂ面が形成されない。従って、メサストライプ側面の基板に対して垂直な部分より下側のなめらかな曲線領域の局率半径は少なくとも１μｍ以上にすることが重要である。最も好ましい形状は、メサストライプの高さの約半分が基板に対して垂直で、残りの約半分がなめらかな曲線になるような形状である。また活性層とｎ型ＩｎＰ電流ブロック層の間のｐ型ＩｎＰ領域は電流のリークパスになるが、このリークパスの幅をできるだけ狭くする必要がある。そこで活性層は、メサストライプのできるだけＳｉＯ２マスクの近くにあることが重要なので、ｎ型ＩｎＰクラッド層６４の厚さを０．２μｍと小さくした。」
　
　これらア〜カの記載によれば、引用例１には、
「ｐ型ＩｎＰ基板と、
　上記ｐ型ＩｎＰ基板表面上に順次ＭＯＣＶＤ法により成長させたｐ型ＩｎＰバッファ層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングダミー層の、〔０１１〕方向に伸びるストライプ状の領域を残すようそれ以外の領域を化学エッチングして形成され、側面の形状を、基板に対してほぼ垂直で、そこから下側の領域ではメサストライプ幅が徐々に広がる滑らかな形状のメサストライプと、
　上記メサストライプの側面、及び該メサストライプの側方に残された上記ｐ型ＩｎＰ基板表面と平行な面からなる上面上にＭＯＣＶＤ法により結晶成長させたｐ型ＩｎＰ埋め込み層、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層とを備えた半導体レーザにおいて、
　上記ｐ型ＩｎＰ埋め込み層を成長したときのメサストライプ側面には（１１１）Ｂ面が現れるが、上記ｐ型ＩｎＰ埋め込み層の上に上記ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層を成長させる際には、上記ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層の層厚は、上記ｎ型ＩｎＰクラッド層と上記ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層とが分離されるように、上記（１１１）Ｂ面上に結晶が成長しないような厚さである半導体レーザ。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認められる。
　なお、方向についての表記は、引用例１では＜＞であるが、上記引用例１発明の認定を含め、以下では、本願発明、引用例２などと統一して〔〕を用いることとする。
　　
　同じく特開平６−２７５９１１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　キ．「【００２３】
【実施例】図１に、本発明の実施例による半導体レーザ装置の構成を概略的に示す。この半導体レーザ装置は、波長１．５５μｍのレーザ光を発射するためのものである。
【００２４】（１００）面を有するｎ型ＩｎＰ基板１１ａの上に、〔０１１〕方向に長いメサストライプ１０ａが形成されている。メサストライプ１０ａにおいては、基板１１ａの上にバンドギャップ波長約１．３μｍ、不純物濃度ｎ＝１×１０１７ｃｍ−３、厚さ約０．２μｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２ａがエピタキシャルに形成され、その上にバンドギャップ波長１．５５μｍ、厚さ約０．１μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層１３ａがエピタキシャルに形成されている。
【００２５】さらに、活性層１３ａの上に、不純物濃度ｐ＝５×１０１７ｃｍ−３、厚さ約１．５μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１４ａ、その上にバンドギャップ波長約１．３μｍ、不純物濃度ｐ＝５×１０１７ｃｍ−３、厚さ約０．２μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１７ａが形成されている。
【００２６】このように構成されたメサストライプ１０ａの側面が、少なくとも３種類のＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ埋込み層１、２、３によって埋込まれている。これら高抵抗ＩｎＰ埋込み層１、２、３は、成長時に異なる面方位を有し、成長面方位に依存したドーピングが行なわれている。なお、平坦部においては、第１埋込み層１の厚さが約１．２μｍ、第２埋込み層２の厚さが約０．５μｍ、第３埋込み層３の厚さが約０．３μｍである。
【００２７】コンタクト層１７ａおよび埋込み層３の上に、ｐ側電極２１が形成され、基板１１ａの下面にｎ側電極２２が形成されている。ここで、メサストライプ側面の埋込みについて、図２を参照して考察する。図２において、メサストライプ１０ａは〔０１１〕方向に延在し、その側面に（０１１）面を有する。
【００２８】メサストライプの側面埋込みにおいては、通常メサエッチングに用いたメサストライプ上面のＳｉＯ２等のマスク１８ａを利用し、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によりメサ側面を埋込むエピタキシャル成長を行なう。」
　　
　ク．「【００３０】メサエッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのどちらを用いてもよい。ドライエッチングを用いた場合は、ドライエッチング後、表面の歪層を除去するため、燐酸系溶液等によるライトエッチングを行なうことが望ましい。
【００３１】この時、メサ側面の埋込み成長は、図に示すように、メサ側面と底面において生じるが、成長面は徐々に（１００）平坦面に近付く。すなわち、成長にしたがって、その主たる成長面は（０１１）面から（１１１）Ｂ面を通り、（１００）面に向かう。」
　　
　ケ．図２及び【００３１】からは、メサストライプ１０ａの垂直な側面と平坦部である底面とにおける高抵抗ＩｎＰ埋込み層の成長は、側面（０１−１）と底面（１００）から始まり、（０１−１）面が消失した時点で、（１１１）Ｂ面に成長面が移動することが見て取れる。
　
　これらキ〜ケの記載によれば、引用例２には、
「半導体レーザ装置であって、（１００）面を有するｎ型ＩｎＰ基板の上に、〔０１１〕方向に長いメサストライプを有し、該メサストライプはドライエッチングにより垂直な側面と平坦部である底面とが形成されるとともに、メサストライプの側面は、エピタキシャル成長による高抵抗ＩｎＰ埋込み層により埋込まれており、上記高抵抗ＩｎＰ埋込み層の成長は、上記メサストライプの側面（０１−１）と底面（１００）とから始まり、（０１−１）面が消失した時点で、（１１１）Ｂ面に成長面が移動するものである半導体レーザ装置。」
との発明（以下、「引用例２発明」という。）が開示されていると認められる。
　なお、上記キ、ク及び図２によればメサストライプ１０ａ側面の面方位は（０１１）であるが、メサストライプ１０ａが〔０１１〕方向であること、当該〔０１１〕方向と直交する方向が図２では〔０１−１〕方向であり、メサストライプ１０ａの側面はその〔０１−１〕方向と直交する面であること、面方位と方向とは、同じ数字の組合せ同士であれば、それらは直交する関係にあること、などからみて、メサストライプ１０ａ側面の面方位は（０１−１）が正しい方位であって、上記キ、ク及び図２に記載された（０１１）は誤りであることが明らかである。よって、上記のとおり認定した（上記ケも同じ。）。
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを以下に対比する。
　ａ．引用例１発明の「ｐ型ＩｎＰ基板」は、本願発明の「ｐ型ＩｎＰ基板」に相当し、同様に「ｐ型ＩｎＰ基板表面上に順次ＭＯＣＶＤ法により成長させたｐ型ＩｎＰバッファ層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングダミー層」は、「ｐ型ＩｎＰ基板表面上にエピタキシャル成長させた半導体成長層」に、「メサストライプ」は、「メサ」に、「ｐ型ＩｎＰ埋め込み層」は、「ｐ型ＩｎＰ埋込層」に、「ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層」は、「ｎ型ＩｎＰ埋込層」に、「半導体レーザ」は、「半導体装置」に相当する。
　
　ｂ．面方位等について対比するに、引用例１発明のメサは〔０１１〕方向に伸びており、上記引用例２発明のｎ型ＩｎＰ基板のメサストライプと同じ伸長方向であるから、ｐ型ＩｎＰ基板表面、メサ側面も上記引用例２発明のｎ型ＩｎＰ基板におけるのと同様に、それぞれ（１００）面、（０１−１）面であることが理解できる。
　そして、ＩｎＰ単結晶が閃亜鉛鉱型構造の立方晶であること、それゆえ、メサの〔０１１〕方向が、〔１１０〕方向と、当該結晶表面の（１００）面が（００１）面と、また、メサ側面の（０１−１）面が（１−１０）面とそれぞれ等価であること、が技術常識であるから、引用例１発明の「〔０１１〕方向に伸びるストライプ状の領域」、「ｐ型ＩｎＰ基板表面」、「メサストライプの側面」は、それぞれ本願発明の「〔１１０〕方向に伸びるストライプ状の領域」、「その表面が（００１）面であるｐ型ＩｎＰ基板」、「メサの上記（１−１０）面からなる側面」に相当する。
　さらに、引用例１発明の「（１１１）Ｂ面」が、本願発明の「（１１１）Ｂ面」に相当することは明らかである。
　
　ｃ．引用例１発明の「化学エッチング」は、「エッチング」である点で本願発明の「ドライエッチング」と一致する。
　
　したがって、両者は、                                         
「その表面が（００１）面であるｐ型ＩｎＰ基板と、
　該ｐ型ＩｎＰ基板表面上にエピタキシャル成長させた半導体成長層の，〔１１０〕方向に伸びるストライプ状の領域を残すようそれ以外の領域をエッチングして形成された、その側面が（１−１０）面であるメサと、
　該メサの上記（１−１０）面からなる側面，及び該メサの側方に残された上記半導体成長層の（００１）面からなる上面上にエピタキシャル成長させたｐ型ＩｎＰ埋込層，及び該ｐ型ＩｎＰ埋込層の側面，及び上面上にエピタキシャル成長させたｎ型ＩｎＰ埋込層を含む埋込成長層とを備えた半導体装置。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点１］本願発明のメサの形成は、「ドライエッチング」により行われるのに対して、引用例１発明では「化学エッチング」である点。
　　
［相違点２］本願発明のｎ型ＩｎＰ埋込層の層厚Ｄは、
【数１】
　　（但し、Ｈｍ：メサの高さ、Ｄｐ：ｐ型ＩｎＰ埋込層の層厚、θ１１１：（１１１）Ｂ面と（００１）面とのなす角、θ：（１−１０）面，及び（００１）面上での上記ｎ型ＩｎＰ埋込層の成長レートをそれぞれＲｇ（１−１０），及びＲｇ（００１）としたとき、ｔａｎθ＝Ｒｇ（１−１０）／Ｒｇ（００１） で決まる角度）と定義したとき
　　　　Ｄ≦Ｄｎ
を満たすのに対して、引用例１発明のｎ型ＩｎＰ埋込層の層厚は、ｎ型ＩｎＰクラッド層と上記ｎ型ＩｎＰ埋込層とが分離されるように、上記（１１１）Ｂ面上に結晶が成長しないような厚さであるものの、数式１で求められるＤｎ以下であるか不明である点。
　　
４．判断
［相違点１］について
　ＩｎＰ基板上にドライエッチングあるいはウェットエッチングのいずれかでメサを形成することは従来周知である。
　例えば、上記引用例２の段落【００３０】には、「
メサエッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチングのどちらを用いてもよい
ドライエッチング法、ウエットエッチング法のごとき適当なエッチング手段を介してｎ−ＩｎＰ基板１上の各層２、３、４ａをメサストライプに加工する
１）ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰクラッド層２、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４を順次積層する。
２）次いで、ＳｉＯ２をマスクにして、フォトリソグラフィおよびケミカルエッチングにより、活性層３までエッチングを行い、メサを形成する。
　・・・・中略・・・・
また、
エッチング工程はケミカルエッチングとは限らず、ドライエッチングを用いてもよい
　
　上記周知技術に照らせば、引用例１発明において、化学（ウエット）エッチングに代えてドライエッチングを採用することは容易である。
　この場合、ドライエッチングにより垂直に切られたメサ側面と底面とは非連続な面で接続されることになるが、かかる非連続な面において、埋込層のエピタキシャル成長がいかなる態様で可能であるのか引用例１発明には何ら教示がない。しかしながら、上記引用例２発明には、「メサストライプはドライエッチングにより垂直な側面と平坦部である底面とが形成されるとともに、メサストライプの側面は、エピタキシャル成長による高抵抗ＩｎＰ埋込み層により埋込まれており、上記高抵抗ＩｎＰ埋込み層の成長は、上記メサストライプの側面（０１−１）と底面（１００）とから始まり、（０１−１）面が消失した時点で、（１１１）Ｂ面に成長面が移動するものである」ことが開示されており、上記非連続な面にあっても、引用例１発明におけるようなＩｎＰ埋込層を形成可能であることが示唆されている、といえる。
　
　したがって、上記相違点１は、引用例１発明、引用例２発明、及び上記周知技術に基づき容易に想到し得たものである。
　　
［相違点２］について
　本願発明において、上記相違点２の事項を採用する技術上の意義は、本願明細書の記載によれば以下のとおりである。
「【００１７】（００１）面上に成長したｎ型ＩｎＰ層７の層厚をＤとし、このｎ型ＩｎＰ層７表面の（００１）面と（１１１）Ｂ面とが連続した状態におけるＤをＤｎとすると、ＤがＤｎより小さい場合と、Ｄｎより大きい場合とでは、ｎ型ＩｎＰ層７の成長形態が大きく異なる。キャリア濃度が一定という条件のもとで、このｎ型ＩｎＰ層７の成長形態がその層厚Ｄに依存して変化する様子を示したのが図３（ａ）−（ｃ）であり、Ｄ＜Ｄｎの場合は、図（３ａ）に示すように、メサの側面には（１１１）Ｂ面と（１／１０）面が現れており、メサ側方の結晶面上に現れている（００１）面は（１１１）Ｂ面とは連続していないが、層厚Ｄが厚くなり、Ｄ＝Ｄｎとなると、図３（ｂ）に示すように、（１／１０）面が消滅し、（００１）面は（１１１）Ｂ面と連続する面となる。さらに、Ｄ＞Ｄｎとなるまで成長を続けると、図３（ｃ）に示すように、ｐ型ＩｎＰ埋込層６表面の（１１１）Ｂ面上にもｎ型ＩｎＰ層７が成長する。半導体レーザを作製するためには、電流ブロック層として機能するｎ型ＩｎＰ層７上にｐ型の電流ブロック層を埋め込み成長させ、さらに上記ＳｉＯ２膜５を除去した後、全面に第２クラッド層及びコンタクト層を成長させるが、この際上記のようにｐ型ＩｎＰ埋込層６の（１１１）Ｂ面上にｎ型ＩｎＰ層７が成長していると、ｎ型ＩｎＰ層７とｎ型ＩｎＰ第１クラッド層４との接触、いわゆるｎつながりが発生し、これによりレーザ特性が著しく劣化する。
【００１８】この発明は以上述べた知見に基づいてなされたものであり、図４に示すように、ドライエッチングによって形成された高さＨｍを有するメサ２１を、厚さＤｐであるｐ型ＩｎＰ埋込層６，及びｎ型ＩｎＰ埋込層（電流ブロック層）７を順次成長させて埋め込む際に、ｐ型ＩｎＰ埋込層６表面の（１１１）Ｂ面上にｎ型ＩｎＰ層７が成長しないように、このｎ型ＩｎＰ層７の（００１）面上の厚さＤを、Ｄ≦Ｄｎとしたものである。」
　
　上記によれば、ｎ型ＩｎＰ層７の（００１）面上の厚さＤを、Ｄ≦Ｄｎとした理由は、Ｄ＞Ｄｎとなるまで成長を続けると、ｐ型ＩｎＰ埋込層６表面の（１１１）Ｂ面上にもｎ型ＩｎＰ層７が成長してしまい、その結果、ｎ型ＩｎＰ層７とｎ型ＩｎＰ第１クラッド層４との接触が生じ、レーザ特性を劣化させることになるから、それを防止するためであることが理解できる。
　そうすると、引用例１発明にも、本願発明におけるのと同様な理由でｎ型ＩｎＰ埋込層の層厚を規制する点、すなわち、
「上記ｐ型ＩｎＰ埋め込み層を成長したときのメサストライプ側面には（１１１）Ｂ面が現れるが、上記ｐ型ＩｎＰ埋め込み層の上に上記ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層を成長させる際には、上記ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層の層厚は、上記ｎ型ＩｎＰクラッド層と上記ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層とが分離されるように、上記（１１１）Ｂ面上に結晶が成長しないような厚さである」
との構成が備わっているのであるから、結局、引用例１発明におけるｎ型ＩｎＰ埋込層の層厚は、上記相違点２にかかる本願発明の構成を満足するものといえる。
　したがって、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
　
　また、本願発明の効果も引用例発明及び周知技術から予測される程度のことであって、格別とはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。