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　特願２００３−１８７３１８「窒化物系半導体発光装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２７日出願公開、特開２００５−　２６２９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年６月３０日の出願であって、平成１８年１２月２０日付けで手続補正がなされたが、平成１９年１月１２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年３月２２日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１９年３月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１９年３月２２日付けの手続補正を却下する。
　
[理由]
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
（１）「【請求項１】 導電性基板上に形成された窒化物系半導体発光素子チップと、窒化物系半導体発光素子チップを搭載するための支持基体であるマウント部材としてサブマウント、ハンダ、およびステムとを備えた窒化物系半導体発光装置であって、導電性基板表面に窒化物系半導体層、第１の電極が順次形成され、かつ導電性基板裏面に第１の電極と異なる導電型を有する第２の電極が形成されてなる前記窒化物系半導体発光素子チップを、第２の電極側をサブマウントに対向させた状態で第１のハンダ材を介してサブマウント上にマウントし、さらに前記窒化物系半導体発光素子チップがマウントされた前記サブマウントのサブマウント側をステムに対向させた状態で、第２のハンダ材を介してステム上にマウントされて形成され、前記サブマウントがＡｌＮである窒化物系半導体発光装置。」から、　
　
（２）「【請求項１】　導電性基板上に形成された窒化物系半導体発光素子チップと、窒化物系半導体発光素子チップを搭載するための支持基体であるマウント部材としてサブマウント、ハンダ、およびステムとを備えた窒化物系半導体発光装置の製造方法であって、導電性基板表面に窒化物系半導体層、第１の電極が順次形成され、かつ導電性基板裏面に第１の電極と異なる導電型を有する第２の電極が形成されてなる前記窒化物系半導体発光素子チップを、第２の電極側をサブマウントに対向させた状態で第１のハンダ材を介してサブマウント上にマウントし、さらに前記窒化物系半導体発光素子チップがマウントされた前記サブマウントのサブマウント側をステムに対向させた状態で、ＳｎＡｇＣｕ、またはＩｎからなる第２のハンダ材が形成されたテープをステム上にアライメントし、前記テープを介しての超音波振動の照射によりステム上にあらかじめ転写して形成された第２のハンダ材を介して、前記窒化物系半導体発光素子チップがマウントされたサブマウントが、ステム上にマウントされて形成され、前記サブマウントがＡｌＮである窒化物系半導体発光装置の製造方法。」
へと補正された。
　
　上記請求項１に係る補正は、発明のカテゴリーを「物の発明」から「方法の発明」に変更するものであって、これが平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項各号のいずれを目的としたものでもないことは明らかである。
　よって、本件補正は、同法第１７条の２第４項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年３月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１２月２０日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２．（１）に記載のとおりのものである。
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−９４２１５号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
 ａ．「【０００７】図１１は、半導体レーザ素子がサブマウントを介してステムに固定された従来の半導体レーザ装置の構成を示す模式的斜視図である。
【０００８】図１１の半導体レーザ装置においては、銅等により形成されるステム６０の上面に融着剤７１によりサブマウント７２が接着され、サブマウント７２の上面に融着剤７３により半導体レーザ素子６２が接着されている。
【０００９】図１１の例は、ジャンクションアップ組み立てであり、半導体レーザ素子６２の基板６２ａがサブマウント７２に接着されている。
・・・中略・・・
【００１２】一方、図１１に示す半導体レーザ装置のように半導体レーザ素子６２がサブマウント７２を介してステム６０に固定される場合、サブマウント７２には熱伝導率が高く、熱膨張係数が半導体レーザ素子６２に近い材料が選択される。サブマウント７２は、例えばＳｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ダイヤモンドまたはＡｌＮ（窒化アルミニウム）等で形成される。それにより、半導体レーザ素子６２とサブマウント７２との間の熱膨張係数差に起因する特性の劣化を防ぐことができる。
・・・中略・・・
【００１６】窒化物半導体レーザ素子の場合、半導体層は絶縁性のサファイア基板または導電性のＳｉＣ（炭化シリコン）基板上に形成される。
・・・中略・・・
【００１８】導電性のＳｉＣ基板を用いると、ＳｉＣ基板の裏面に電極を形成してジャンクションダウン組み立てにすることができるが、半導体層のｐｎ接合近傍に融着剤が存在するため、組み立て歩留りが悪くなる。」
　
 ｂ．上記ａ．及び図１１から、次のことが理解できる。
　ｂ−１．半導体レーザ素子６２がチップ状であること。
　ｂ−２．サブマウントはサブマウント側をステムに対向させた状態でステム上に接着されていること。
　
　上記ａないしｂによれば、引用例には、
「ステムの上面に融着剤７１によりサブマウントが接着され、当該サブマウントの上面に融着剤７３により窒化物半導体レーザ素子がジャンクションアップで接着されてなる半導体レーザ装置において、
　前記窒化物半導体レーザ素子はチップ状であり、半導体層がＳｉＣ基板上に形成され、該ＳｉＣ基板の裏面に電極が形成されたものであり、
　前記サブマウントがＡｌＮで形成されてなり、
　前記サブマウントはサブマウント側をステムに対向させた状態でステム上に接着されている、半導体レーザ装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　ア．引用発明の「ステム」、「サブマウント」、「接着」及び「ＳｉＣ基板」は、それぞれ本願発明の「ステム」、「サブマウント」、「マウント」及び「導電性基板」に相当し、引用発明の「半導体レーザ装置」は、窒化物半導体レーザ素子を備えていることから、本願発明の「窒化物系半導体発光装置」に相当する。
　
　イ．引用発明の「サブマウント」、「融着剤７１」、「融着剤７３」及び「ステム」がいずれも窒化物半導体レーザ素子をマウントするための部材であること、及び上記アによれば、引用発明が、本願発明の「窒化物系半導体発光素子チップを搭載するための支持基体であるマウント部材としてサブマウント、ハンダ、およびステムとを備えた」との事項を有することは明らかである。
　
　ウ．引用発明の「窒化物半導体レーザ素子」は、「チップ状」であって、半導体層がＳｉＣ基板上に形成され、該ＳｉＣ基板の裏面に電極が形成されたものであり、半導体レーザ素子である以上、半導体層のＳｉＣ基板と反対側の面に前記電極と異なる導電型のもう一方の電極を備えていることは当業者に自明である。この場合、上記もう一方の電極が、本願発明の「第２の電極」に相当する。
　したがって、引用発明は、本願発明の「導電性基板表面に窒化物系半導体層、第１の電極が順次形成され、かつ導電性基板裏面に第１の電極と異なる導電型を有する第２の電極が形成されてなる前記窒化物系半導体発光素子チップ」を備えているといえる。
　
　エ．引用発明では、サブマウントの上面に融着剤７３により窒化物半導体レーザ素子がジャンクションアップで接着され、サブマウントはサブマウント側をステムに対向させた状態で融着剤７１によりステムの上面に接着され、さらに、サブマウントはＡｌＮで形成されているのであるから、上記ウも併せ考慮すると、引用発明は、本願発明の「窒化物系半導体発光素子チップを、第２の電極側をサブマウントに対向させた状態で・・・サブマウント上にマウントし、さらに前記窒化物系半導体発光素子チップがマウントされた前記サブマウントのサブマウント側をステムに対向させた状態で、ステム上にマウントされて形成され、前記サブマウントがＡｌＮである」との事項を備えているといえる。
　
　以上ア〜エによれば、両者は、
「導電性基板上に形成された窒化物系半導体発光素子チップと、窒化物系半導体発光素子チップを搭載するための支持基体であるマウント部材としてサブマウント、ハンダ、およびステムとを備えた窒化物系半導体発光装置であって、導電性基板表面に窒化物系半導体層、第１の電極が順次形成され、かつ導電性基板裏面に第１の電極と異なる導電型を有する第２の電極が形成されてなる前記窒化物系半導体発光素子チップを、第２の電極側をサブマウントに対向させた状態でサブマウント上にマウントし、さらに前記窒化物系半導体発光素子チップがマウントされた前記サブマウントのサブマウント側をステムに対向させた状態でステム上にマウントされて形成され、前記サブマウントがＡｌＮである窒化物系半導体発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点]
　窒化物系半導体発光素子チップとサブマウント、及びサブマウントとステムとのマウントを、本願発明では、それぞれ「第１のハンダ材」及び「第２のハンダ材」を介して行っているのに対して、引用発明では、「融着剤７３」及び「融着剤７１」を介して行っており、これらの融着剤がどのような材料であるのかが明らかでない点。
　
　そこで、上記相違点について検討するに、半導体レーザ素子（本願発明の「半導体発光素子チップ」に相当。）をサブマウントを介してステムに固定する半導体レーザ装置における、半導体レーザ素子とサブマウント、及びサブマウントとステムとの固定をともにハンダを介して行うことは、本願出願時において周知（例えば、特開２００３−１０１１１３号公報（【００４３】、【００４５】）、及び特開２００３−６０２７６号公報（【００１３】参照。）であるから、引用発明における「融着剤７１」及び「融着剤７３」として上記周知のハンダを用いて、相違点に係る構成となすことは当業者にとって格別困難なことではない。
　
　そして、本願発明の効果は、引用発明及び上記周知技術から予測し得る程度のものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。