【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１７６８５号「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　９日出願公開、特開平１１−３１２８４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年４月２８日の出願であって、平成１５年４月１６日付で拒絶理由が通知され、同年６月２３日に手続補正がなされ、平成１６年１１月２４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日に手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１６年１２月２８日付の手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１６年１２月２８日付の手続補正を却下する。
　
[理由]
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、下記のように補正して新たな請求項１とすることを含むものである。
「【請求項１】第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板の第１の主面上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層とが順に積層され、ｐ型窒化物半導体層側にｐ電極が形成され、窒化物半導体基板の第２の主面側にｎ電極が形成されてなる長波長の窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記ｐ型窒化物半導体層には、ｐ側光ガイド層と、そのｐ側光ガイド層の上のｐ側クラッド層と、そのｐ側クラッド層の上にｐ側コンタクト層とを有し、さらにｐ側コンタクト層側から窒化物半導体の一分を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記ｐ側クラッド層の膜厚方向において、下端面からｐ側コンタクト層方向０．２μｍよりも基板側にあり、
該ストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面を含む窒化物半導体層の表面にＺｒＯ
２
よりなる絶縁膜を有し、
　
　本件補正のうち、上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１に記載した発明に「ストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面を含む窒化物半導体層の表面にＺｒＯ２よりなる絶縁膜」（上記下線部）という発明特定事項を付加するものであり、補正前の請求項１の発明特定事項のいずれを限定するものでもないから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　また、上記請求項１に係る補正が、請求項の削除、明りようでない記載の釈明、及び誤記の訂正のいずれにも該当しないことは明らかである。
　したがって、上記請求項１に係る補正は、同法第１７条の２第４項各号のいずれを目的とするものでもない。
　よって、本件補正は、同法第１７条の２第４項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１２月２８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年６月２３日付の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板の第１の主面上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層とが順に積層され、ｐ型窒化物半導体層側にｐ電極が形成され、窒化物半導体基板の第２の主面側にｎ電極が形成されてなる長波長の窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記ｐ型窒化物半導体層には、ｐ側光ガイド層と、そのｐ側光ガイド層の上のｐ側クラッド層と、そのｐ側クラッド層の上にｐ側コンタクト層とを有し、さらにｐ側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記ｐ側クラッド層の膜厚方向において、下端面からｐ側コンタクト層方向０．２μｍよりも基板側にあり、前記ｐ側光ガイド層がＩｎＧａＮを含む超格子層であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
　なお、本願明細書の段落【００１０】には、「一部が除去され」との記載があり、この記載を参照すれば、請求項１の「一分を除去する」は「一部を除去する」の誤記であることが明らかであるので、本願発明を上記のとおり認定した。
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−９３１８６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の上にｎ型層と、活性層と、ｐ型層とを有し、最上層にあるｐ型層の表面にｐ電極が設けられてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記ｐ電極には、ｐ電極と電気的に接続されて、ｐ電極よりも面積が大きいボンディング用のパッド電極が形成されており、前記レーザ素子のｐ電極は、活性層の導波路領域上部に相当するパッド電極の表面と異なるパッド電極の表面でボンディングされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
ｂ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレーザ素子に関する。
【０００２】【従来の技術】紫外〜青色の領域に発光するレーザ素子の材料として窒化物半導体が知られており、本出願人は、最近この材料を用いてパルス電流において、室温での４１０ｎｍのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys. Vol 35 (1996) pp.L74-76）。発表したレーザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子である。図６に窒化物半導体よりなる代表的なレーザ素子の構造を示す。基本的な構造としては、基板１の上にｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型コンタクト層６を順に積層したダブルへテロ構造を有する。最上層にあるｐ型コンタクト層６の表面には、絶縁体より成る電流狭窄層７が形成されており、その電流狭窄層を介して、ｐ電極１０が形成されている。一方、ｎ電極１１は、エッチングにより露出されたｎ型コンタクト層２の表面に形成されている。
【０００３】このような構造のレーザ素子はフェースアップ、あるいはフェースダウンで、支持体にマウントされる。フェースアップでは、それぞれの電極はワイヤーボンディングされ、フェースダウンでは電極は半田、銀ペースト等の導電性材料を介してダイレクトボンディングされることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザ素子をワイヤーボンディング、あるいはダイレクトボンディングする際、チップに数々の衝撃が加わる。特に窒化物半導体のように格子欠陥が多い材料は、ｐ型コンタクト層に形成された電極をボンディングする際には、活性層に衝撃を受けやすく、さらに、活性層の導波路領域は十数μｍ〜１μｍと非常に幅の狭いストライプを有している。そこで、活性層上部にあるｐ型層にワイヤーボンディングすると、熱衝撃あるいは、ボンディング時の応力による衝撃等により、活性層に格子欠陥以外の欠陥が入る可能性がある。活性層に欠陥が入ると、発振時に欠陥が広がり、素子が短時間で死ぬか、あるいは発振しない。
【０００５】従って、本発明の目的とするところは、活性層、特に導波路領域にあたる活性層に歪み、格子欠陥以外の欠陥を入りにくくして、レーザ素子の寿命を向上させることにある。」
　
ｃ．「【００１５】図２は本発明の他の実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式断面図であり、図１と同様に、レーザの共振方向に垂直な方向で素子を切断した際の断面図を示しており、図１と同一符号は同一部分を示している。図１では基板１に絶縁性材料が使用されていることを示しているが、図２ではＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯのような半導体材料が使用されていることを示している。本発明のレーザ素子は、このように導電性の基板を使用した窒化物半導体レーザ素子についても適用可能である。」
　
ｄ．「【００１７】図３も本発明の他の実施例に係るレーザ素子の構造を示す模式断面図であり、図１と同様に、レーザの共振方向に垂直な方向で素子を切断した際の断面図を示しており、図１、図２と同一符号は同一部分を示している。図３のレーザ素子がが図１、図２に示すレーザ素子と異なるところは、パッド電極２０を絶縁膜３０を介してｎ型コンタクト層２の表面にまで形成しており、そのｎ型コンタクト層２の上部にあるパッド電極２０の表面でワイヤーボンディングしているところにある。このようにボンディング位置をｎ型層の上部にまでずらすと、基板とボンディング位置の間には活性層が存在しない。即ち、ボンディングにより歪みを受ける活性層が存在しないために、寿命が最も長くなる。このようにｐ電極に電気的に接続するためのパッド電極のボンディング位置と、基板との間に活性層が存在しないようにするのが本発明の最も好ましい態様である。なお、図３も基板には半導体基板が使用されていることを示しているが、絶縁性の基板も使用できることは言うまでもない。
【００１８】さらに、図３が図１及び図２に示すレーザ素子と異なる点は、パッド電極２０に複数（この図では２箇所）ワイヤーボンディングしているところにある。一般にｐ型窒化物半導体は、ｎ型窒化物半導体に比較して、桁違いに高い抵抗率を有している。そのためレーザ素子とした際に、素子自体の発熱量が大きいために、閾値の順方向電圧（Ｖｆ）が高くなる傾向にある。しかし、この図に示すように同一のｐ層にパッド電極を介して、複数ワイヤーボンディングすると、電流が流れやすくなって発振時のＶｆを低下させることができる。」
　
ｅ．「【００２３】
【実施例】
1)  サファイア（Ｃ面）よりなる基板の上に、
2)  ＧａＮより成るバッファ層を２００オングストローム
3)  Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を４μｍ、
4)  ＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層を５００オングストローム、
5)  Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型光閉じ込め層３を０．５μｍ、6)  Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層を０．２μｍ
7)  ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームと、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で、交互に２層ずつ積層し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造の活性層
8)  Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるキャップ層を３００オングストローム、
9)  Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層を０．２μｍ
10)  Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型光閉じ込め層を０．５μｍ、
11)  Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍ
の膜厚で窒化物半導体を積層する。
【００２４】1)  基板にはサファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性の基板、またＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることもできる。
・・・中略・・・
【００２８】5)  ｎ型光閉じ込め層はキャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層としてのクラッド層として作用し、Ａｌを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＡｌＧａＮを、０．１μｍ以上、２μｍ以下の膜厚で成長させることが望ましい。
・・・中略・・・
【００３０】7)  活性層はＩｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層を含むように構成し、好ましくは三元混晶のＩｎＧａＮよりなる井戸層が望ましい。三元混晶のＩｎＧａＮは四元混晶のものに比べて結晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上する。その中でも、特に好ましくは活性層をＩｎＧａＮよりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャッブの大きい窒化物半導体よりなる障壁層とを積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi‐quantum-well）とする。障壁層も同様に三元混晶のＩｎX'Ｇａ1-X'Ｎ（０≦X’＜１、X’＜X）が好ましく、井戸＋障壁＋井戸＋・・・十障壁＋井戸（その逆でも可）となるように積層してＭＱＷを構成する。このように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭＱＷとすると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間での高出力なＬＤを実現することができる。
・・・中略・・・
【００３３】10)  ｐ型光閉じ込め層は、ｎ型光閉じ込め層４と同じく、キャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層としてのクラッド層として作用し、ＡＩを含む窒化物半導体、好ましくはＡＩＧａＮを０．５μｍ以上、２μｍ以下の膜厚で成長させることが望ましい。
【００３４】11)  ｐ型コンタクト層はｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮとすると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、ｐ電極と良好なオーミック接触が得られ、閾値電流を低下させることができる。ｐ電極の材料としてはＮｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕事関数の高い金属又は合金がオーミックが得られやすい。
【００３５】以下、図４及び、図５を参照して本発明のレーザ素子を説明する。サファイア基板の上に窒化物半導体層を積層した後、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置にて、ｎ型コンタクト層の平面が露出するまでエッチングを行う。このエッチングによりｎ型コンタクト層より上部に積層されている窒化物半導体層が５０μｍのストライプ幅を有するストライプ形状で露出される。
【００３６】次に露出したｎ型コンタクト層の全面と、最上層のストライプ状のｐ型コンタクト層の一部にマスクを形成して、ｐ型コンタクト層及びｐ型光閉じ込め層を２μｍのストライプ幅でエッチングして、リッジ形状とする。これらのエッチング工程により、ｎ電極を形成すべきストライプ状のｎ型コンタクト層の平面と、ｐ電極を形成すべき２μｍ幅のストライプ状のｐ型コンタクト層が露出される。」
　
ｆ．図３の記載から、基板１の上面に、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型コンタクト層６とが順に積層され、前記ｐ型コンタクト層６上にｐ電極１０が形成され、前記基板１の下面側にｎ電極１１が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記ｐ型コンタクト層６、前記ｐ型クラッド層５、前記活性層４、及び前記ｎ型クラッド層３とがストライプ形状に形成され、当該ストライプ形状に形成された部分の両側面と連続した平面が前記ｎ型コンタクト層２の表面である点が見て取れる。
　
ｇ．図３のレーザ素子の「ｎ型コンタクト層２の表面」（上記ｄ．参照）は、図６のレーザ素子の「ｎ型コンタクト層２の表面」と同様に「エッチングにより露出された」もの（上記ｂ．参照）であることは当業者に自明である。その際「エッチング」は、ｐ側コンタクト層側から窒化物半導体層の一部を除去するものであって、その結果、図４及び図５に記載の実施例（上記ｅ．参照）と同様に、ｎ型コンタクト層２より上部に積層されている窒化物半導体層がストライプ幅を有するストライプ形状で露出されるものであることも明らかである。
　
ｈ．上記ｅ．の記載（特に、段落【００３３】）からみて、「10)  ｐ型光閉じ込め層」（段落【００２３】参照）は、「クラッド層」であるから、前記「10)  ｐ型光閉じ込め層」は、図３の実施例においては「ｐ型クラッド層５」に相当することが明らかである。
　
　上記ａ．〜ｈ．からみて、引用例には、次の発明が記載されていると認められる。（以下、「引用発明」という。）
　
「ＧａＮ等の半導体基板１の上面に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２、ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型光閉じ込め層３、導波路領域にあたる活性層４、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層５、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層６とが順に積層され、前記ｐ型コンタクト層６上にｐ電極１０が形成され、前記基板１の下面にｎ電極１１が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記ｐ型コンタクト層６の表面から、前記ｎ型コンタクト層２の平面が露出するまでエッチングを行うことにより、前記ｎ型コンタクト層２より上部に積層されている窒化物半導体層がストライプ幅を有するストライプ形状で露出されてなり、当該ストライプ形状に形成された部分の両側面と連続した平面が前記ｎ型コンタクト層２の表面である、約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間での高出力が実現可能な窒化物半導体レーザ素子。」
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用発明とを以下に対比する。
ア．引用発明の「ＧａＮ等の半導体基板１」、「上面」、「下面」、「ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２、ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型光閉じ込め層３」、「活性層４」、「ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層」、「ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層６」、「ｐ電極１０」、「ｎ電極１１」及び「ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層６」は、それぞれ本願発明の「窒化物半導体基板」、「第１の主面」、「第２の主面」、「ｎ型窒化物半導体層」、「活性層」、「ｐ側クラッド層」、「ｐ側コンタクト層」、「ｐ電極」、「ｎ電極」及び「ｐ型窒化物半導体層」に相当する。
　
イ．引用発明の「窒化物半導体レーザ素子」と、本願発明の「長波長の窒化物半導体レーザ素子」とは、「窒化物半導体レーザ素子」である点で一致する。
　
ウ．引用発明の「ストライプ形状で露出され」た「ｎ型コンタクト層２より上部に積層されている窒化物半導体層」は、導波路領域にあたる活性層４を含んでおり、「ｐ型コンタクト層６の表面から、前記ｎ型コンタクト層２の平面が露出するまでエッチングを行うことにより」形成されたものであるから、引用発明が、本願発明の「ｐ側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され」との構成を有することは明らかである。
　
エ．引用発明の「ｎ型コンタクト層２の表面」は、「ストライプ形状に形成された」部分の両側面と連続した平面であり、ｎ型コンタクト層が「ｎ型ＧａＮよりなる」ものであるから、本願発明の「ストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面」に相当する。そして、引用発明の窒化物半導体レーザ素子の各層の積層順からみて、引用発明の「ｎ型コンタクト層２の表面」が、本願発明の「ｐ側クラッド層の膜厚方向において、下端面からｐ側コンタクト層方向０．２μｍよりも基板側にあり」との事項を備えていることは明らかである。
　
オ．引用発明の「ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層」と、本願発明の「ＩｎＧａＮを含む超格子層」よりなる「ｐ側光ガイド層」とは、窒化物半導体を含むｐ側光ガイド層である点で一致する。
　
　したがって、両者は、
「窒化物半導体基板の第１の主面に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層、ｐ側コンタクト層とが順に積層され、前記ｐ側コンタクト層上にｐ電極が形成され、前記基板の第２の主面にｎ電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、
　前記ｐ側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記ｐ側クラッド層の膜厚方向において、下端面から前記ｐ側コンタクト層方向０．２μｍよりも前記基板側にあり、前記ｐ側光ガイド層が窒化物半導体を含む層である窒化物半導体レーザ素子」である点で一致し、次の点で相違している。
　
[相違点１]
　窒化物半導体レーザ素子の発振波長が、本願発明では「長波長」と限定されているのに対して、引用発明では「約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間」とされている点。
　
[相違点２]
　ｐ側光ガイド層が、本願発明では「ＩｎＧａＮを含む超格子層」であるのに対して、引用発明では「ｐ型ＧａＮよりなる」層である点。
　
（４）判断
上記相違点について検討する。
[相違点１について]
　本願発明の「長波長」を波長で表した場合、その数値範囲は、本願明細書の段落【００１９】及び【００２３】の「長波長の４３０〜５５０ｎｍ」との記載からみて、４３０〜５５０ｎｍの範囲を含んでいることが明らかであるから、引用発明において高出力が実現可能とされる約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間のうち、４３０〜５５０ｎｍの範囲の波長で発光するレーザ素子となすことは当業者が容易になし得た設計上の事項に過ぎない。また、当該範囲内の波長で発光するレーザ素子としたことによる予想外の効果も認められない。
　よって、上記４３０〜５５０ｎｍの範囲を含んでいることが明らかな「長波長」とすることは、引用発明に基いて当業者が容易になし得たことである。
　
[相違点２について]　
　窒化物半導体レーザ素子において、ＩｎＧａＮを含む超格子構造を有する光導波層（本願発明の「ｐ側光ガイド層」に相当）を設けることで、正孔キャリア濃度を高くし、素子の低抵抗化及び低動作電圧化を図ることは周知技術である（例えば、特開平９−２３２６７５号公報（段落【０００８】〜【０００９】、【００１７】〜【００１８】）、及び特開平９−２９８３４１号公報（請求項１、実施例１〜３）参照）。
　したがって、引用発明の窒化物半導体レーザ素子の低抵抗化及び低動作電圧化を実現するために、上記周知技術を採用して相違点２の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明の効果は、引用発明及び上記周知技術から予測し得る程度のものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。