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　特願２０００−　９９９６８「薄膜形成方法、微細構造体の製造方法、薄膜形成用基板及びカラーフィルタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１９日出願公開、特開２００１−２８８５７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年３月３１日の出願であって、平成１７年１２月９日付け拒絶理由通知に対して、平成１８年２月１日付けで手続補正がなされたが、平成１８年２月１７日付けで拒絶査定がなされ、平成１８年３月２０日付けで審判請求がなされるとともに、平成１８年４月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年４月１８日付け手続補正について
　結論
　平成１８年４月１８日付け手続補正を却下する。
　理由
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「基板上に薄膜材料の溶液であるインクを塗布することにより薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　前記基板表面上に、前記インクに対する濡れ性を持たない撥インク部と、前記インクに対する濡れ性を持つ親インク部と、を含む自己組織化膜からなる有機分子膜のパターンを形成し、
　前記有機分子膜のパターンの前記親インク部に対して、前記インクの液滴をインク吐出法により供給し、前記有機分子膜のパターンの前記親インク部に対応して薄膜を形成すること、
　を特徴とする薄膜形成方法。」
　上記補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記有機分子膜のパターンに対して、前記インクをインク吐出法により供給し、前記有機分子膜のパターンに対応した薄膜を形成すること、」を、
「前記有機分子膜のパターンの前記親インク部に対して、前記インクの液滴をインク吐出法により供給し、前記有機分子膜のパターンの前記親インク部に対応して薄膜を形成すること、」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−１６５７７６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ．「問題点を解決するための手段
　本発明は、絶縁基板上にエネルギー線（電子ビーム、イオンビーム、光、Ｘ線等）等により化学反応を生じる感応基を含んだ感応性薄膜を形成し、たとえばエネルギー線をパターン状に照射して前記感応基の一部を選択的に死活又は活性化させたのち、前記感応性薄膜の感応基が残存した部分にのみ後工程で金属を含む化学物質（金属化合物）を結合させて超微細なパターン状の金属膜を形成することを特徴とするものである。さらに、望ましくは前記化学物質として、一端に前記感応基又は、感応基を変性した基と反応する基を持ち、他端に前記感応基と同じ働きをする感応基を持った分子を用い、選択的に化学物質を結合させる工程と金属を含む化学物質を結合させる工程を複数回くり返すことによりパターン状の金属超薄膜の積層体を形成することを特徴とするものである。さらにまた、感応性薄膜を形成する手段として、ラングミュア・ブロジェット法あるいは化学吸着法を用い、エネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるように単分子膜を累積形成しておくことにより、感度向上とともに超微細パターン形成を可能としたものである。」
（第２頁左下欄第１行〜右下欄第３行）
　
ｂ．「実施例
　以下、本発明の方法を第１、２図を用いて説明する。
　例えば、実施例では、ＳｉＯ２の形成された半導体Ｓｉ基板１上へ化学吸着法により、シラン界面活性剤例えば、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−ＳｉＣｌ３（ｎは整数で、１０〜２０が良い）を用い、基板１表面で反応させ、
・・・単分子膜２を形成する。
・・・ここで、シラン界面活性剤のビニル基４は基板表面に並んで成膜され（第１図ｂ）、しかも、電子ビーム照射により、まわりのビニル基間で重合反応が生じるので、次に、第１図ｃに示すように電子ビーム５をパターン状に照射する。すると、第１図ｄに示すように、電子ビーム照射された部分６ｅのビニル基の二重結合は、互に結合し合い選択的に不活性化（死活）される。
　・・・
　その後、さらにアルコールのアルデヒド反応を用い、末端の水酸基７をアルデヒド基（−ＣＨＯ）８に変換後（第１図ｇ）、さらに金属を含む化学物質例えば硝酸銀水溶液（ＡｇＮＯ３）に浸漬する。すると、前記単分子膜２の表面のアルデヒド基によりＡｇＮＯ３が還元されてＡｇ９が選択的に単分子膜上に付着形成される（第１図ｈ）。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁右上欄第４行）
　
ｃ．「なお、上記例では、シラン界面活性剤の−ＳｉＣｌ３と反応して、・・・すなわち、ＳｉＯ２の形成されたＳｉ基板を例にして示したが、その他に無機物では、Ａｌ２Ｏ３、ガラス等、有機物ではポリビニルアルコール等が利用可能である。また、基板表面が撥水性を示す他の物質で被われている場合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表面に全面親水性基を並べるが、Ｏ２プラズマ処理等で基板表面を親水化しておく方法を用いることができる。なお、ラングミュアブロジェット膜では、密着力は劣るが、基板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基板側になるように形成したところで止めれば、表面を完全に親水性化することが可能である。
　また、Ｏ２プラズマ処理を行った場合には、基板表面が酸化され、親水性を示すようになる。」（第３頁左下欄第１５行〜右下欄第１０行）
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２０４５２９号公報には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ｄ．「【請求項１】  インクジェット式記録ヘッドより所定の流動体を基板上に吐出して任意のパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記流動体の吐出前に予め前記基板上に一定の処理を行うステップと、
前記処理をした基板上に前記インクジェット式記録ヘッドより前記流動体を吐出するステップと、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
・・・
【請求項１１】  前記処理は、前記基板のうち前記パターン形成領域の周囲を前記流動体に対し非親和性に表面改質する処理である請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】  前記処理は、前記基板のうち前記パターン形成領域を前記流動体に対し親和性に表面改質する処理である請求項１に記載のパターン形成方法。」
　
ｅ．「【００７４】上記実施形態３によれば、インクジェット式記録ヘッド２からの流動体の吐出に先行して表面改質されたパターン形成領域７０３に親和性を示す膜が形成されるので、パターン形成領域に着弾した液滴１２が広がり過ぎたり分離したりするおそれが少なくなる。」
　
（３）対比・判断
　摘記ａにおいて、「感応性薄膜を形成する手段として、ラングミュア・ブロジェット法」を用いること、「絶縁基板上にエネルギー線（電子ビーム、イオンビーム、光、Ｘ線等）等により化学反応を生じる感応基を含んだ感応性薄膜を形成」することが記載され、摘記ｃにおいて、「ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表面に全面親水性基を並べる」ことが記載されている。
　
　引用例１には以下の事項（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
「基板表面が撥水性を示す物質で被われている絶縁基板上に、単分子膜のラングミュア・ブロジェット膜を形成して基板表面の全面に感応性薄膜である親水性基を並べ、化学反応を生じる感応基を含んだ感応性薄膜を、エネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるように累積形成し、エネルギー線（電子ビーム、イオンビーム、光、Ｘ線等）をパターン状に照射して前記感応基の一部を選択的に死活又は活性化させ、感応性薄膜の感応基が残存した部分にのみ後工程で金属を含む化学物質（金属化合物）を結合させて超微細なパターン状の金属膜を形成する超微細パターン形成を可能とした薄膜形成方法。」
　
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「ラングミュアブロジェット膜」、「撥水性」、「親水性」、「超微細パターン」、「金属を含む化学物質」は、本願補正発明の「有機分子膜」、「濡れ性を持たない」、「濡れ性」、「パターン」、「薄膜材料の溶液であるインク」にそれぞれ相当する。
　よって、両者は、「基板に薄膜材料の溶液であるインクを用いて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　前記基板表面上に、前記インクに対する濡れ性を持たない撥インク部と、前記インクに対する濡れ性を持つ親インク部と、を含む有機分子膜のパターンを形成し、前記有機分子膜のパターンの前記親インク部に対して、前記インクを供給し、前記有機分子膜のパターンの前記親インク部に対応して薄膜を形成する薄膜形成方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　インクの供給方法について、本願補正発明が、インクの液滴をインク吐出法により塗布して行うのに対し、引用例１発明では、金属を含む化学物質（金属化合物）を結合させている点。
　
相違点２
　本願補正発明では、有機分子膜が自己組織化膜からなるのに対し、引用例１発明では、自己組織化膜からなるか否か不明な点。
　
判断
　相違点１について
　引用例２において、パターン形成領域の周囲を前記流動体に対し非親和性に表面改質する処理を行った基板に対して、パターンを形成領域である親水性領域に、インクジェット式記録ヘッドより流動体の液滴を吐出する塗布方法が記載されている。引用例１発明の親水性領域にインクを塗布するに当たって、引用例２に記載のインクの液滴をインク吐出法により供給する方法を適用することは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　相違点２について
　ラングミュアブロジェット膜は、エネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるように単分子膜を累積形成しているので、一種の自己組織化膜であると認められる。また、自己組織化膜単分子膜としては周知であり、適宜用いることは容易である。
　
（４）むすび
　よって、本願補正発明は、引用例１及び引用例２に記載の発明に基づいて、当業者が容易に為し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年４月１８日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年２月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「基板上に薄膜材料の溶液であるインクを塗布することにより薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記基板表面上に、前記インクに対する濡れ性を持たない撥インク部と、前記インクに対する濡れ性を持つ親インク部と、を含む自己組織化膜からなる有機分子膜のパターンを形成し、
　前記有機分子膜のパターンに対して、前記インクをインク吐出法により供給し、前記有機分子膜のパターンに対応した薄膜を形成すること、
　を特徴とする薄膜形成方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、２、およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「前記有機分子膜のパターンに対して、前記インクをインク吐出法により供給し、前記有機分子膜のパターンに対応した薄膜を形成すること、」の限定事項である「前記親インク部に対して、前記インクの液滴を」、「前記親インク部に」、との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１、引用例２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１、引用例２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。