【事件の表示】
　特願２００２−　８３９２８「電子源およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８１９９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２５日の出願であって、平成１７年１１月２５日付け（発送日同年１１月２９日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年１２月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１２月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の記載を、補正前の、
　「【請求項１】下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電子源であって、表面電極が、電子通過層に積層された導電性窒化物層と、導電性窒化物層に積層された金属層とからなり、導電性窒化物層が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される導電性窒化物により形成され、金属層が、白金により形成され、導電性窒化物層と金属層とを合わせた厚さが１０ｎｍを超えないように設定され、導電性窒化物層の厚さが４ｎｍを超えないように設定されてなることを特徴とする電子源。」
から、補正後の、
　「【請求項１】下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電子源であって、電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、表面電極が、電子通過層に積層された導電性窒化物層と、導電性窒化物層に積層された金属層とからなり、導電性窒化物層が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される導電性窒化物により形成され、金属層が、白金により形成され、導電性窒化物層と金属層とを合わせた厚さが１０ｎｍを超えないように設定され、導電性窒化物層の厚さが４ｎｍを超えないように設定されてなることを特徴とする電子源。」
に補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「電子通過層」に関して、「電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し」との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、上記補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「補正後第１発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）補正後第１発明を改めて記載する。
　「【請求項１】下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電子源であって、電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、表面電極が、電子通過層に積層された導電性窒化物層と、導電性窒化物層に積層された金属層とからなり、導電性窒化物層が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される導電性窒化物により形成され、金属層が、白金により形成され、導電性窒化物層と金属層とを合わせた厚さが１０ｎｍを超えないように設定され、導電性窒化物層の厚さが４ｎｍを超えないように設定されてなることを特徴とする電子源。」
　
（２）引用例
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１０１９６７号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　（ア）「【請求項２】導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された多孔質材料よりなる強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部は、少なくとも、導電性基板の上記一表面側に形成された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナノメータオーダの微結晶半導体層と、微結晶半導体層の表面に形成され当該微結晶半導体層の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなり、表面電極は、厚み方向に積層された少なくとも二層の薄膜電極層からなり、最上層の薄膜電極層は、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質と、仕事関数がＡｕと同じまたはそれ以下である性質との少なくとも一方の性質を有し、最下層の薄膜電極層は、強電界ドリフト部との密着性が良い性質を有することを特徴とする電界放射型電子源。」（特許請求の範囲）
　　（イ）「【発明の属する技術分野】本発明は、電界放射により電子線を放射するようにした電界放射型電子源に関する」（段落【０００１】）
　　（ウ）「【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に本実施形態の電界放射型電子源１０の概略断面図を、図２（ａ）〜（ｄ）に電界放射型電子源１０の製造方法における主要工程断面図を示す。・・・【００２７】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図１に示すように、導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面（一表面）側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に導電性薄膜よりなる表面電極７が形成されている。また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。」（段落【００２６】〜【００２７】）
　　（エ）「表面電極７は、厚み方向に積層された二層の薄膜電極層７ｂ，７ａからなり、最上層の薄膜電極層７ａは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を有し、最下層の薄膜電極層７ｂは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低くかつ強電界ドリフト部６との密着性が良い性質を有している。なお、放出される電子は、強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される電子である。」（段落【００３０】）
　　（オ）「最上層の薄膜電極層７ａとしては金（Ａｕ）を用いており、最下層の薄膜電極層７ｂとしては、クロム（Ｃｒ）を用いているが、最下層の薄膜電極層７ｂとしてはクロムの代わりに、・・・、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、・・・、ハフニウム（Ｈｆ）、・・・のいずれかあるいはそれらの酸化物を用いてもよい。最下層の薄膜電極層７ｂとして、・・・、チタン、ジルコニウム、・・・、ハフニウム、・・・のいずれかあるいはそれらの酸化物を用いることにより、最下層の薄膜電極層７ｂの材料コストを比較的安価にすることができる。」（段落【００３３】）
　　（カ）「上述の最上層の薄膜電極層７ａの膜厚は、当該薄膜電極層７ａの成膜時に島状の結晶核が合体して平坦な連続膜となる膜厚（臨界膜厚）以上に設定してあるので、薄膜電極層７ａにおける断線の発生を抑制することができるとともに、電子放出効率および耐熱性を向上させることができる。なお、最上層の薄膜電極層７ａとして金よりも被覆性の良い材料を用いることにより、最上層の薄膜電極層７ａの膜厚を薄くすることができるので、表面電極７の膜厚を薄くすることができ、電子放出効率を向上させることができる。」（段落【００３４】）
　　（キ）「一方、上述の最下層の薄膜電極層７ｂは、最上層の薄膜電極層７ａから強電界ドリフト部６中への拡散を防止する拡散防止層としての機能を有しており、最上層の薄膜電極層７ａから強電界ドリフト部６へ金が拡散するのを防止することができ、耐熱性および経時安定性が向上する。ここにおいて、最下層の薄膜電極層７ｂの膜厚を、該薄膜電極層７ｂ上の薄膜電極層（本実施形態では、最上層の薄膜電極層７ａ）から強電界ドリフト部６への金の拡散を防止できる膜厚に設定することにより、最下層の薄膜電極層７ｂの膜厚を制御するだけの簡単な管理で最上層の薄膜電極層７ａから強電界ドリフト部６への金の拡散を確実に防止することができる。また、上述の最下層の薄膜電極層７ｂとしてＡｕよりも昇華エンタルピーの高い材料を用いることにより、耐熱性および経時安定性が向上し、最下層の薄膜電極層７ｂの膜厚を薄くすることができて表面電極７の膜厚を薄くすることができるから、電子放出効率を向上させることができる。」（段落【００３５】）
　　（ク）「なお、強電界ドリフト部６は、図４に示すように、少なくとも、柱状の半導体結晶である多結晶シリコン５１（グレイン）と、多結晶シリコン５１の表面に形成された薄い絶縁膜であるシリコン酸化膜５２と、多結晶シリコン５１間に介在するナノメータオーダの微結晶半導体層である微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成されると考えられる。すなわち、強電界ドリフト部６は、各グレインの表面が多孔質化し各グレインの中心部分では結晶状態が維持されていると考えられる。したがって、電界ドリフト部６に印加された電界はほとんどシリコン酸化膜６４にかかるから、注入された電子はシリコン酸化膜６４にかかっている強電界により加速され多結晶シリコン５１間を表面に向かって図４中の矢印Ａの向きへ（図４中の上方向へ向かって）ドリフトするので、電子放出効率を向上させることができる。」（段落【００３７】）
　　（ケ）「（実施例）実施形態１にて図２を参照しながら説明した電界放射型電子源１０の製造方法で以下の条件により図１の電界放射型電子源１０を作成した。・・・表面電極７は電子ビーム蒸着法によって形成し、膜厚を１２ｎｍとした。ここにおいて、最下層の薄膜電極層７ｂとしてはクロムを用い、最上層の薄膜電極層７ａとしては金を用いた。なお、最下層の薄膜電極層７ｂの膜厚は２ｎｍ、最上層の薄膜電極層７ａの膜厚は１０ｎｍとした。」（段落【００４８】〜【００５１】)
　　（コ）「最上層の薄膜電極層の膜厚を薄くすることができて表面電極の膜厚を薄くすることができるから、電子放出効率が向上するという効果がある。」（段落【００６９】）
　
　したがって、引用例１には次のとおりの発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
【引用発明】
　「オーミック電極２と、表面電極７と、オーミック電極２と表面電極７との間に介在し電子が通過する強電界ドリフト部６とを備え、強電界ドリフト部６を通過した電子が表面電極７を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部６が、ナノメータオーダの多数の微結晶シリコン層６３と、各微結晶シリコン層６３それぞれの表面に形成され微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜６４とを有し、表面電極７が、強電界ドリフト部６に積層された最下層の薄膜電極層７ｂと、最下層の薄膜電極層７ｂに積層された最上層の薄膜電極層７ａとからなり、最下層の薄膜電極層７ｂが、クロムにより形成され、最上層の薄膜電極層７ａが、金により形成され、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂと金よりなる最上層の薄膜電極層７ａとを合わせた厚さが１２ｎｍ、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂの厚さが２ｎｍに設定されてなる電界放射型電子源。」
　
　　イ　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第００／０７４０９８号（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　（ア）「本発明は、電極−絶縁体−電極あるいは電極−半導体−絶縁体−電極の積層構造を有し、真空中に電子を放出する薄膜型電子源・・・に関する。」（明細書１頁４〜６行）
　　（イ）「本発明の目的は、薄膜電子源の電子放出効率を高めることにある。電子放出効率が低い理由は、第２図に関連して述べたように、ホットエレクトロンが絶縁層および上部電極中で散乱され、エネルギーを失うためである。絶縁層と上部電極が散乱にいかなる割合で寄与しているかは、薄膜電子源の構成材料、絶縁層および上部電極の膜厚など種々の条件に依存するので一概には評価できないが、いずれにせよ上部電極中での散乱が電子放出効率にかなり寄与していることは確かである。したがって、ホットエレクトロンの散乱が小さい上部電極材料を用いれば電子放出効率は向上する。我々は、ホットエレクトロンの散乱の度合いが、電極材料の状態密度関数と関連していることを種々の研究から見い出した。すなわち、フェルミ準位近傍の状態密度が小さい材料ほどホットエレクトロン散乱の割合が小さく、それを用いた薄膜電子源の電子放出効率が高くなる。」（明細書２頁１８行〜３頁５行）
　　（ウ）「われわれは、薄膜電子源の上部電極材料に最適な材料として、以下の材料を見いだした。すなわち、Ｓｉよりも禁制帯幅が広い材料である。一方、上部電極は、ダイオード電流を流すため抵抗が低くなければならない。このような材料として、特に導電性酸化物がある。中でも、透明導電膜と呼ばれる一群の材料は、・・・導電性が高いので、薄膜電子源の上部電極に適している。・・・その他の最適材料としては、ＧａＮ、ＳｉＣなどのいわゆるワイドバンドギャップ(ｗｉｄｅ−ｂａｎｄｇａｐ)半導体がある。・・・上記以外の透明導電膜として、導電性ホウ化物および導電性窒化物がある。具体的には、導電性ホウ化物としてはＬａＢ６があり、導電性窒化物としてはＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮなどがある。・・・また、用途によって、さらに抵抗率を下げたい場合には、上述のような禁制帯幅がＳｉの禁制帯幅よりも広い材料の上に、ＡｕやＰｔなどフェルミ準位近傍の状態密度が小さい金属を積層しても良い。・・・ＡｕやＰｔなどはフェルミ準位近傍の状態密度が小さいため、ホットエレクトロンの散乱が少ないが、一方、昇華エンタルピーが小さいので、絶縁層内に金属原子が拡散しやすく、薄膜型電子源の寿命が短くなる。本発明の構成では、絶縁層に接するのは、禁制帯幅がＳｉの禁制帯幅よりも広い材料であって、ＡｕやＰｔは接しないので、この問題も発生しない。」（明細書４頁１２行〜６頁７行）
　　（エ）「本発明の薄膜型電子源、薄膜型電子源応用表示装置および薄膜型電子源応用機器は、以下の構成により上記課題を解決する。（１）・・・（１２）下部電極、絶縁層、上部電極をこの順に積層した構造を有し、前記下部電極と前記上部電極の間に、真空中において前記下部電極に対して前記上部電極が正電圧になる極性の電圧を印加した際に、前記上部電極の表面から電子を放出する薄膜型電子源において、前記上部電極として、導電性酸化物膜、導電性ホウ化物膜、導電性窒化物膜および金属膜からなる群の中から選ばれた複数の膜の積層膜を有している薄膜型電子源。」（明細書７頁６行〜９頁５行）
　
　したがって、引用例２には、下部電極、絶縁層、上部電極をこの順に積層した構造を有し、前記下部電極と前記上部電極の間に、真空中において前記下部電極に対して前記上部電極が正電圧になる極性の電圧を印加した際に、前記上部電極の表面から電子を放出する薄膜型電子源において、前記上部電極を、導電性窒化物膜および金属膜からなる複数の積層膜とし、前記導電性窒化物膜はＴｉＮ（窒化チタン）、ＺｒＮ（窒化ジルコニウム）、ＨｆＮ（窒化ハフニウム）から選択される導電性窒化物により形成し、前記金属層はＰｔ（白金）により形成したものが記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　補正後第１発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「オーミック電極２」、「表面電極７」、「強電界ドリフト部６」、「電界放射型電子源」は、それぞれ、補正後第１発明の「下部電極」、「表面電極」、「電子通過層」、「電子源」に相当する。
　イ　引用発明の「微結晶シリコン層６３」、「シリコン酸化膜６４」は、それぞれ、補正後第１発明の「シリコン微結晶」、「絶縁膜」に相当する。
　ウ　引用発明の「最下層の薄膜電極層７ｂ」と、補正後第１発明の「導電性窒化物層」とは、共に「下層の導電性層」である点で共通する。また、引用発明の「最上層の薄膜電極層７ａ」が、「金」すなわち金属により形成されているから、引用発明の「最上層の薄膜電極層７ａ」は、補正後第１発明の「金属層」に相当する。
　エ　引用発明においては、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂと金よりなる最上層の薄膜電極層７ａとを合わせた厚さが１２ｎｍ、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂの厚さが２ｎｍに設定されている。
　
　以上ア〜エの考察から、両者は、次の一致点及び相違点を有する。
　【一致点】
　「下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電子源であって、電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し、表面電極が、電子通過層に積層された下層の導電層と、下層の導電層に積層された金属層とからなり、下層の導電層が所定の材料により形成され、金属層が所定の金属により形成され、下層の導電層と金属層とを合わせた厚さが所定の厚さに設定され、下層の導電層の厚さが所定の厚さに設定されてなる電子源。」
　【相違点】
　下層の電極層が所定の材料により形成され、金属層が所定の金属により形成され、下層の電極層と金属層とを合わせた厚さが所定の厚さに設定され、下層の導電層の厚さ所定の厚さに設定されてなる点に関して、補正後第１発明では、導電性窒化物層が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される導電性窒化物により形成され、金属層は白金により形成され、導電性窒化物層と金属層とを合わせた厚さが１０ｎｍを超えないように設定され、導電性窒化物層の厚さが４ｎｍを超えないように設定されてなるのに対して、引用発明では、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂと金よりなる最上層の薄膜電極層７ａとを合わせた厚さが１２ｎｍ、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂの厚さが２ｎｍに設定されてなる点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、電子通過層として機能している絶縁層の上部に積層される上部電極を導電性窒化物層と該導電性窒化物層に積層された金属層により構成し、かつ、導電性窒化物層は窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムから選択される導電性窒化物により形成し、前記金属層は白金により形成することが記載されている。
　一方、引用発明の最上層の薄膜電極層７ａに関して、引用例１には、「最上層の薄膜電極層は、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質と、仕事関数がＡｕと同じまたはそれ以下である性質との少なくとも一方の性質を有」すること（上記摘記事項（ア）参照）が記載されており、白金が金と同じ程度の仕事関数の小さな金属であることは技術常識（例えば、特開２０００−１００３１６号公報（「上記実施形態においては、金属薄膜として金薄膜７を用いているが、金属薄膜の材料は金に限定されるものではなく、仕事関数の小さな金属であればよく、例えば、・・・、白金などを用いてもよい。」（段落【００４５】）参照））であるから、引用発明の金に代えて引用例２記載の白金を採用することに困難性はない。同じく、引用発明の最下層の薄膜電極層７ｂに関して、引用例１には、「最下層の薄膜電極層７ｂとしてはクロムの代わりに、・・・、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、・・・、ハフニウム（Ｈｆ）、・・・のいずれかあるいはそれらの酸化物を用いてもよい。・・・、チタン、ジルコニウム、・・・、ハフニウム、・・・のいずれかあるいはそれらの酸化物を用いることにより、最下層の薄膜電極層７ｂの材料コストを比較的安価にすることができる。」（上記摘記事項（オ）参照）と記載されていることから、引用発明のクロムに代えて、引用例２記載の窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムから選択される導電性窒化物を採用することに困難性はない。
　さらに、引用発明では、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂと金よりなる最上層の薄膜電極層７ａとを合わせた厚さが１２ｎｍ、クロムよりなる最下層の薄膜電極層７ｂの厚さが２ｎｍに設定されているが、これらの値は例示的に示された値であって、この値に限定する記載でもなく、「２ｎｍ」は、補正後第１発明の「４ｎｍを超えない」数値範囲に含まれ、「１２ｎｍ」は、補正後第１発明の「１０ｎｍを超えない」数値範囲に接近した値であって、しかも、引用例１には「最上層の薄膜電極層の膜厚を薄くすることができて表面電極の膜厚を薄くすることができるから、電子放出効率が向上するという効果がある。」（上記摘記事項（コ）参照）と記載されていることからすれば、引用発明の「クロム」及び「金」に代えて、引用例２記載の「窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムから選択される導電性窒化物」及び「白金」を採用する際に、導電性窒化物と白金とを合わせた厚さが１０ｎｍを超えないように設定し、導電性窒化物の厚さが４ｎｍを超えないように設定して補正後第１発明のごとく構成することは当業者が容易になし得たものである。
　
　そして、補正後第１発明の奏する作用効果についても、上記引用例１及び２に記載された事項から当業者が予測できる範囲内のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、補正後第１発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１７年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成１６年８月２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電子源であって、表面電極が、電子通過層に積層された導電性窒化物層と、導電性窒化物層に積層された金属層とからなり、導電性窒化物層が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される導電性窒化物により形成され、金属層が、白金により形成され、導電性窒化物層と金属層とを合わせた厚さが１０ｎｍを超えないように設定され、導電性窒化物層の厚さが４ｎｍを超えないように設定されてなることを特徴とする電子源。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１（特開２００１−１０１９６７号公報）及び引用例２（国際公開第００／０７４０９８号）、並びに、その記載事項は、上記「第２」の「２（２）引用例」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願第１発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討した補正後第１発明の発明特定事項から、発明を特定するために必要な事項である「電子通過層」に関して、「電子通過層が、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶と、各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜とを有し」との限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願第１発明の発明特定事項を全て含みさらに他の限定事項を付加したものに相当する補正後第１発明が、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討したとおり引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願第１発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜１０に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する 。