【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性領域を含む光起電力デバイスであって、前記光活性領域は一般式（Ｉ）：
Ａ１−ｘＡ’ｘＢＸ３−ｙＸ’ｙ                  （Ｉ）
のペロブスカイト材料を含み、
式中、Ａはホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）であり、Ａ’はセシウムカチオン（Ｃｓ＋）であり、Ｂは少なくとも１の２価無機カチオンであり、Ｘはヨウ化物であり、且つＸ’は臭化物であり；及び
０＜ｘ≦０．４且つ０＜ｙ≦３である、
光起電力デバイス。
【請求項２】
前記ペロブスカイト材料のバンドギャップが１．６０ｅＶ〜２．３０ｅＶであり、及び好ましくは１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶである、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項３】
ＢがＰｂ２＋及びＳｎ２＋から選択される少なくとも１の無機カチオンであり、及び好ましくはＰｂ２＋である、請求項１又は２に記載の光起電力デバイス。
【請求項４】
前記ペロブスカイト材料が、次の式
ＦＡ１−ｘＣｓｘＰｂＩ３−ｙＢｒｙ                  （ＩＩ）
を有し、式中、ＦＡはホルムアミジニウムカチオン（（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）であり、Ｃｓはセシウムカチオン（Ｃｓ＋）であり、Ｐｂは鉛（ＩＩ）カチオン（Ｐｂ２＋）であり、Ｉはヨウ化物（Ｉ−）であり、及びＢｒは臭化物（Ｂｒ−）である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光起電力デバイス。
【請求項５】
０．０５≦ｘ≦０．２５であり、及び好ましくはｘが０．０５，０．１０，０．１５，０．２０及び０．２５のいずれかに等しい、請求項４に記載の光起電力デバイス。
【請求項６】
０＜ｙ＜１．５，０＜ｙ≦１．０，０≦ｙ≦０．６であり、及び好ましくはｙが０．６である、請求項４又は５のいずれかに記載の光起電力デバイス。
【請求項７】
前記光活性領域が、
少なくとも１のｎ型層を含むｎ型領域と、
前記ｎ型領域に接している前記ペロブスカイト材料の層と、
を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光起電力デバイス。
【請求項８】
前記光活性領域が、
少なくとも１のｎ型層を含むｎ型領域と、
少なくとも１つｐ型層を含むｐ型領域と、
前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置された前記ペロブスカイト材料の層と、
を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光起電力デバイス。
【請求項９】
当該光起電力デバイスが、第２のサブセル上に配置された第１のサブセルを含むマルチ接合構造を有し、前記第１のサブセルが、前記ペロブスカイト材料を含む前記光活性領域を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光起電力デバイス。
【請求項１０】
当該光起電力デバイスがモノリシックに集積された構造を有する、請求項９に記載の光起電力デバイス。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の、且つ、前記第１のサブセルと前記第２のサブセルとを接続する中間領域をさらに含む、光起電力デバイスであって、前記中間領域は１以上のインターコネクト層を含む、光起電力デバイス。
【請求項１２】
前記第２のサブセルが、第２のペロブスカイト材料、結晶性シリコン、ＣｄＴｅ、ＣｕＺｎＳｎＳＳｅ、ＣｕＺｎＳｎＳ、又はＣｕＩｎＧａＳｅ（ＣＩＧＳ）のいずれかを含む、請求項９に記載の光起電力デバイス。
【請求項１３】
光活性材料を含む光起電力デバイスを製造する方法であって、前記光活性材料は一般式（Ｉ）：
Ａ１−ｘＡ’ｘＢＸ３−ｙＸ’ｙ                  （Ｉ）
式中、Ａはホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）であり、Ａ’はセシウムカチオン（Ｃｓ＋）であり、Ｂは少なくとも１の２価無機カチオンであり、Ｘはヨウ化物であり、且つＸ’は臭化物であり；及び
０＜ｘ≦０．４且つ０＜ｙ≦３である、
のペロブスカイトを含み、当該方法は、
（ａ）第１の領域の上に第２の領域を配置するステップであって、前記第２の領域は前記光活性材料の層を含む、ステップ、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記第１の領域は、少なくとも１のｎ型層を含むｎ型領域である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の、且つ、
（ｂ）前記第２の領域の上に第３の領域を配置するステップ、
をさらに含む、方法であって、
前記第１の領域は少なくとも１のｎ型層を含むｎ型領域であり、且つ、前記第３の領域は少なくとも１のｐ型層を含むｐ型領域であり；又は、
前記第１の領域は少なくとも１のｐ型層を含むｐ型領域であり、且つ、前記第３の領域は少なくとも１のｎ型層を含むｎ型領域である；
方法。
【請求項１６】
第１の領域の上に第２の領域を配置する前記ステップ（ａ）は、
化学溶液堆積によって前記ペロブスカイト材料の固体層を生成するステップ、
を含む、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
化学溶液堆積によって前記ペロブスカイト材料の固体層を生成する前記ステップが、
（ｉ）溶媒系に溶解した前記ペロブスカイト材料の前駆体を含む前駆体溶液を形成するステップと；
（ｉｉ）前記前駆体溶液の層を配置／堆積させるステップと；
（ｉｉｉ）前記ペロブスカイト材料の固体層を生成するため、前記溶媒系を除去するステップと；
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ペロブスカイト材料の前駆体が、
ホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）（Ａ）及び第１のハロゲン化物アニオンを含む第１の前駆体化合物；
前記セシウムカチオン（Ｃｓ＋）（Ａ’）及び前記第１のハロゲン化物アニオンもしくは第２のハロゲン化物アニオンのいずれかを含む第２の前駆体化合物；及び
前記２価無機カチオン（Ｂ）及び前記第２のハロゲン化物アニオンを含む第３の前駆体化合物；
を含み、
前記第１のハロゲン化物アニオンがヨウ化物（Ｘ）及び臭化物（Ｘ’）の一方であり、且つ、前記第２のハロゲン化物がヨウ化物（Ｘ）及び臭化物（Ｘ’）の他方である、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ペロブスカイト材料の前記前駆体が、前記２価無機カチオン（Ｂ）及び前記第１のハロゲン化物アニオンを含む第４の前駆体化合物をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ペロブスカイト材料の前記前駆体が、
前記ホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）（Ａ）及び第１のハロゲン化物アニオンを含む第１の前駆体化合物と；
前記ホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）（Ａ）及び犠牲有機アニオン（Ｙ）を含む第２の前駆体化合物と；
前記セシウムカチオン（Ｃｓ＋）（Ａ’）及び前記第１のハロゲン化物アニオン又は第２のハロゲン化物アニオンのいずれかを含む第３の前駆体化合物と；
前記２価無機カチオン（Ｂ）及び第２のハロゲン化物アニオンを含む第４の前駆体化合物と；
を含み、
前記第１のハロゲン化物アニオンはヨウ化物（Ｘ）及び臭化物（Ｘ’）のうちの一方であり、且つ、前記第２のハロゲン化物はヨウ化物（Ｘ）及びヨウ化物（Ｘ）の他方である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記犠牲有機アニオン（Ｙ）が、式ＲＣＯＯ−、ＲＯＣＯＯ−、ＲＳＯ３−、ＲＯＰ（Ｏ）（ＯＨ）Ｏ−又はＲＯ−の有機アニオンであり、ここで、ＲはＨ、置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル、置換もしくは非置換Ｃ２−１０アルケニル、置換もしくは非置換Ｃ２−１０アルキニル、置換もしくは非置換Ｃ３−１０シクロアルキル、置換もしくは非置換Ｃ３−１０ヘテロシクリル、又は置換もしくは非置換アリールである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
化学溶液堆積法による前記ペロブスカイト材料の固体層を製造する前記ステップが、
（ｉ）第１の溶媒系に溶解した前記ペロブスカイト材料の１以上の前駆体を含む第１の前駆体溶液を形成するステップと；
（ｉｉ）前記第１の前駆体溶液の層を配置し／堆積させるステップと；
（ｉｉｉ）前記１以上の前駆体の固体層を形成するため、前記第１の溶媒系を除去するステップと；
（ｉｉｉ）第２の溶媒系に溶解した前記ペロブスカイト材料の１以上のさらなる前駆体を含む第２の前駆体溶液を形成するステップと；
（ｉｖ）前記１以上の前駆体の前記固体層を前記第２の前駆体溶液で処理し、及びそれによって前記ペロブスカイト材料の固体層を生成するため、前記１以上の前駆体及び前記１以上のさらなる前駆体を反応させるステップと；
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記光起電力デバイスが、第１のサブセルと１以上のさらなるサブセルとを含むマルチ接合構造を有し、前記第１のサブセルが一般式（Ｉ）のペロブスカイトを含む前記光活性材料の前記層を含む、請求項１３〜２２のいずれか一項に記載の方法であって、当該方法は、
さらなるサブセルを提供するステップと、
前記さらなるサブセル上に中間領域を配置するステップと、
前記中間領域上に前記第１のサブセルを形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２４】
一般式（Ｉ）： 
Ａ１−ｘＡ’ｘＢＸ３−ｙＸ’ｙ                  （Ｉ）
のペロブスカイト材料であって、
式中、Ａはホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ）２）２＋）であり、Ａ’はセシウムカチオン（Ｃｓ＋）であり、Ｂは少なくとも１の２価無機カチオンであり、Ｘはヨウ化物であり、且つＸ’は臭化物であり；及び
０＜ｘ≦０．４且つ０＜ｙ≦３である、
ペロブスカイト材料。
【請求項２５】
請求項２〜６のいずれか一項に記載の特徴を有する、請求項２４に記載のペロブスカイト材料。
【請求項２６】
請求項２４又は２５に記載のペロブスカイト材料を含む光電子デバイス。
【請求項２７】
当該デバイスが発光デバイスである、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項２８】
請求項２４〜２７のいずれか一項に記載のペロブスカイト材料を製造する方法であって、
前記ペロブスカイト材料が固体層の形態であり、
当該方法は化学溶液堆積法を含み、且つ、以下のステップ： 
（ｉ）溶媒系に溶解した前記ペロブスカイト材料の前駆体を含む前駆体溶液を形成するステップと；
（ｉｉ）前記前駆体溶液の層を配置／堆積するステップと；
（ｉｉ）前記ペロブスカイト材料の固体層を製造するために前記溶媒系を除去するステップと；
を含む、方法。
【請求項２９】
請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の特徴をさらに含む、請求項２８に記載の方法。