【事件の表示】
　特願２００３−　３７６８０「記録再生分離型磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月　２日出願公開、特開２００４−２４７００１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１５年２月１７日の出願であって、当審において拒絶の理由を通知したところ、平成２０年７月７日付けで手続補正がなされたものである。
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年７月７日付け手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　「【請求項１】基板の上に設けられたＮｉＦｅ合金の下部シールド及びＮｉＦｅ合金の上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの前記上部シールドの上にＡｌ２Ｏ３の絶縁膜を介して設けられたＮｉＦｅ合金の下部磁極及びＮｉＦｅ合金の上部磁極の間にＡｌ２Ｏ３のギャップ膜及びホトレジストである層間絶縁膜を介してＣｕのコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、
　前記上部シールドの膜厚は、前記下部磁極の膜厚より薄く、
　前記下部シールドの膜厚は、前記下部磁極の膜厚より薄く、
　前記誘導型薄膜磁気ヘッド及び前記磁気抵抗効果型ヘッドが浮上面突出を生じる環境温度の変化を受けた場合に、前記上部シールドと前記下部シールドと前記下部磁極の浮上面側の領域における突出量は、前記上部磁極の浮上面側の領域における突出量よりも少ないことを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。」
　
２　引用例
（１）　当審の拒絶の理由で引用した特開２００２−１３３６１４号公報（以下「引用例１」という。）には、「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」に関して次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【請求項１】磁気変換機能を有する機能膜と、
　前記機能膜を挟み込むと共に、それぞれ絶縁性を有する第１のギャップ膜および第２のギャップ膜と、
　不要な磁界が前記機能膜に及ぶのを防止するため、前記機能膜を、前記第１のギャップ膜および第２のギャップ膜をそれぞれ介して挟み込む第１のシールド層および第２のシールド層とを備えると共に、
　前記第１のシールド層および前記第２のシールド層の少なくとも一方は、前記機能膜側から順に、内側層と外側層とを有し、前記内側層は、前記外側層よりも高い硬度を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記外側層は、
ニッケル（Ｎｉ）および鉄（Ｆｅ）を含む材料
　（イ）「【０００２】（略）薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子と記す。）を有する再生ヘッドと、誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子は、信号磁界に感応して抵抗変化を示す単層または多層の
磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜とする）
　（ウ）「【００１８】図１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１を備えた回動アーム８の構成を表すものである。この回動アーム８は、例えば、図示しない
ハードディスク装置などで用いられる
薄膜磁気ヘッド１（図２）が形成されたスライダ２を有している
【００１９】図２は、図１に示したスライダ２の構成を表すものである。（略）この磁気媒体３の記録面と対向する面はエアベアリング面（ＡＢＳ）２Ｅと呼ばれ、所定形状のスライダレール２Ａが形成されている。基体２Ｄのエアベアリング面２Ｅに対する一側面（図２においては左側の側面）には、薄膜磁気ヘッド１が設けられている。
【００２０】図３は、薄膜磁気ヘッド１の構成を分解して表すものである。（略）この
薄膜磁気ヘッド１は、磁気媒体３に記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部１Ａと、磁気媒体３に磁気情報を記録する記録ヘッド部１Ｂとが一体に構成されたもの
【００２１】図３および図５に示したように、
再生ヘッド部１Ａは、基体２Ｄの上に
第１シールド層１２，第１ギャップ膜１３，第２ギャップ膜１４，第２シールド層１５および絶縁層１６がこの順に積層された構造を有している
【００２２】
第１シールド層１２および第２シールド層１５は、例えば、厚さがそれぞれ１μｍ〜３μｍであり、透磁率の高い磁性材料により構成されている
【００２３】図６に示したように、
第１シールド層１２および第２シールド層１５は、それぞれ第１ギャップ膜１３および第２ギャップ膜１４を介して、ＭＲ膜２０を挟み込んでいる
【００２４】
第１シールド層１２の外側層１２Ａおよび第２シールド層１５の外側層１５Ａは、特に透磁率が高い磁性材料、例えばＮｉＦｅ（ニッケル鉄合金）により構成されている
【００２５】第１シールド層１２の内側層１２Ｂおよび第２シールド層１５の内側層１５Ｂは、外側層１２Ａおよび外側層１５Ａよりもそれぞれ硬度が高い磁性材料により構成されている。例えば、外側層１２Ａおよび外側層１５ＡをＮｉ８０Ｆｅ２０により構成した場合、そのビッカース硬度Ｈｖは約２５０であるため、内側層１２Ｂおよび内側層１５Ｂは、ビッカース硬度Ｈｖが２５０よりも高い磁性材料により構成される。（略）
【００２６】内側層１２Ｂおよび内側層１５Ｂは、例えば、ＮｉＦｅＶ、ＮｉＦｅＢ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＮｉＡｌＳｉ、ＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＺｒＣ、ＦｅＺｒＢＮ　、またはＦｅＴａＮなどにより形成することが好ましい。磁性を有しており、かつ、ビッカース硬度が高いからである。（略）」（発明の実施の形態の項）
　（エ）「【００２９】第１ギャップ膜１３および第２ギャップ膜１４は、例えば、厚さがそれぞれ１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＮ（チッ化アルミニウム）によりそれぞれ構成されている。この第１ギャップ膜１３および第２ギャップ膜１４は、後述するＭＲ膜２０と第１シールド層１２および第２シールド層１５とを電気的に絶縁するためのものである。
絶縁層１６は
Ａｌ
２
Ｏ
３
【００３０】第１ギャップ膜１３と第２ギャップ膜１４との間には、スピンバルブ膜であるＭＲ膜２０を含むＭＲ素子１Ｃが埋設されている。この再生ヘッド部１Ａは、磁気媒体３の信号磁界に応じてＭＲ膜２０の電気抵抗が変化することを利用して、磁気媒体３に記録された情報を読み出すようになっている。（略）」（発明の実施の形態の項）
　（オ）「【００３９】（略）例えばＴａよりなる
リード層３３Ａ，３３Ｂがそれぞれ設けられている
リード層３３Ａ，３３Ｂを介してＭＲ膜２０に電流を流す
　（カ）「【００４０】
記録ヘッド部１Ｂは
再生ヘッド部１Ａの絶縁層１６の上に、ＮｉＦｅなどの磁性材料よりなる厚さ０．５μｍ〜３μｍの下部磁極４１を有している
下部磁極４１の上には、Ａｌ
２
Ｏ
３
などよりなる
記録ギャップ膜４２が形成されている
薄膜コイル４４，４６
薄膜コイル４４およびこれを覆うフォトレジスト層４５
薄膜コイル４６およびこれを覆うフォトレジスト層４７がそれぞれ形成され
【００４１】
記録ギャップ膜４２，絶縁層４３およびフォトレジスト層４５，４７の上には
ＮｉＦｅ
などの高飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる
上部磁極４８が形成されている
　（キ）「【００６６】［実施例１］（略）まず、Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ製の基体２Ｄの上に、（略）めっき法により、
Ｎｉ
８０
Ｆｅ
２０
を用いて厚さ２μｍの第１シールド層１２の外側層１２Ａを形成した
【００６７】（略）
【００６８】（略）図６に示した
形状のＭＲ膜２０を形成し、そのＭＲ膜２０の両側に
リード層３３Ａ，３３Ｂを所定の形状に形成した
【００６９】（略）次いで、この第２ギャップ膜１４の上に、スパッタリング法により、Ｆｅ８４Ｚｒ８Ｎ８を用いて第２シールド層１５の内側層１５Ｂを成膜した。この内側層１５Ｂの厚さは、５ｎｍから５０ｎｍまで５ｎｍおきに変化させた。続いて、この内側層１２Ｂの上に、スパッタリング法により、Ｎｉ８０Ｆｅ２０を用いて、外側層１２Ａのうち厚さ３０ｎｍの部分を形成した。次いで、この外側層１２Ａにおける厚さ３０ｎｍの部分を電極膜として利用して、めっき法により、
Ｎｉ
８０
Ｆｅ
２０
を用いて厚さ２μｍの外側層１５Ａを形成した
【００７０】
第２シールド層１５の上には
絶縁層１６，下部磁極４１，記録ギャップ膜４２，絶縁層４３，薄膜コイル４４，フォトレジスト層４５，薄膜コイル４６，フォトレジスト層４７，上部磁極４８
　
（２）同じく引用した特開昭５１−１４８４１１号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気変換器」に関して次の事項が記載されている。
　（サ）「（１）磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の対向する平坦面に隣接して配置された複数の相対的に薄い磁気シールド層と、該磁気シールドのほぼ平らな外面に隣接して配置された相対的に厚い高透磁率磁性材とを備えた磁気媒体上の磁気情報を読取るための磁気変換器。 
（２）上記相対的に厚い高透磁率磁性材は記録用磁気変換器の書込み用コア脚部を構成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気変換器。」（公報１頁左下欄、特許請求の範囲） 
　（シ）「誘導型書込兼ＭＲ素子読取式ヘッド構造への本発明の利用の仕方が第２図に示されている。フェライト基体２２と誘導型書込ヘッド２４との間に、薄いシールドを両側に置いたＭＲ素子１０が配置されている。（略）薄いシールド１６及び１８は磁気媒体上への磁気遷移の形成中に発生される磁界からＭＲ素子１０を更に磁気的にシールドする。基体２２はフェライトブロックから形成され、他方薄いシールド１６及び１８並びに書込脚部２６及び２８はパーマロイ材料から形成される。」（公報４頁左上欄１２行〜右上欄１８行、２図参照。）
　
（３）同じく引用した特開２００３−６８１９号公報（平成１５年１月１０日出願公開。以下「引用例３」という。）には、「磁気ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置と磁気ヘッドの製造方法」に関して次の事項が記載されている。
　（タ）「【請求項１】記録ヘッドと磁気抵抗素子を構成要素とする再生ヘッドとが積層された記録再生磁気ヘッドであって、前記再生ヘッドの磁気抵抗素子と前記記録ヘッド間に、前記磁気抵抗素子の上部シールド膜層と、非磁性金属層と、前記記録ヘッドの下部磁気コア層とを順次積層した積層構造体を配設したことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】上記磁気ヘッドの積層構造体を構成する各層は、めっき膜であり、上部シールド膜層の厚さが０．３〜３．０μｍであり、非磁性金属層の厚さが０．１〜１．０μｍであり、下部磁気コア層の厚さが０．５〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 
【請求項７】上記上部シールド膜層および／もしくは下部磁気コア層が、Ｎｉ−Ｆｅ合金及びＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金の少なくとも１種を含有してなる軟磁性合金であることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の磁気ヘッド。」（特許請求の範囲の請求項１、２、７）
　（チ）「【００４６】（略）ＧＭＲセンサの
下部シールド３を２μｍの
【００４７】【００４８】（略）
【００４９】（略）磁気抵抗素子の一方の
シールド膜層（上部シールド層）１０６となるパーマロイ合金を１．５μｍの厚さ
【００５０】【００５１】（略）
【００５２】次いで、非磁性金属層１０７の上に、記録ヘッドの一方の磁気コア層（下部磁気コア層）１０８となる
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅの３元合金めっきを３．５μｍの厚さに形成
　
（４）同じく引用した特表２００２−５３２８１４号公報（以下「引用例４」という。）には、「磁気書込みヘッド」に関して次の事項が記載されている。
　（ナ）「【０００９】（略）
書込みヘッドの材料の膨張係数が異なるので、熱は、空気ベアリング表面で、突出の問題を生じる
　（ニ）「【００１７】（略）読取りヘッド部分は、ＭＲまたはスピン・バルブ・センサ７４を使用する。（略）」
　
（５）同じく引用した国際公開第２００２／０３７４８０号パンフレット（以下「引用例５」という。）には、「磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク装置」に関して次の事項が記載されている。
　（ハ）「（略）近年、磁気ディスクに対するスライダの浮上量は３０ｎｍ以下と小さくなっており、磁気ディスク面の微小突起と磁気ヘッド素子（単に、ヘッド素子ともいう）との衝突確率が高くなっている。
ヘッド素子が微小突起に衝突すると、磁気抵抗効果型ヘッドの場合、素子が発熱し、サーマルアスペリティ(以後、ＴＡと略す)による異常信号が発生する
　
特開平１０−２６９５２７号公報では、磁気ヘッド素子構造部を前部スライダに対して凹となるような段差を設けることにより、磁気ディスク上の微小突起と素子の衝突を回避し、磁気抵抗効果型ヘッドのサーマルアスペリティ（ＴＡ）による信号異常を防止する手段が述べられている
　磁気信号を記録再生するとき、磁気ヘッド素子に電流が流れるので、ヘッド素子が発熱し、温度が上昇する。また、スピンドルモータなどの発熱により、磁気ディスク筐体全体の温度が上昇し、その上昇温度が６０℃まで達することもある。一方、ヘッド素子部において、一般的に磁気ヘッド素子はニッケル系合金及びコバルト系合金により形成され、絶縁膜はアルミナなどのセラミックスにより形成される。ニッケル系合金及びコバルト系合金の熱膨張係数が絶縁膜のセラミックスより大きくなり、温度が上昇するとき、素子の熱膨張量が絶縁膜のセラミックスより大きいので、素子がスライダの厚み方向、すなわち、ディスク面の方向に突出する。
　以下は一つの例として、素子の突出量を計算する。素子材料はＮｉ−Ｆｅ合金で、線熱膨張係数δｌ／ｌは１.４５×１０−５／Ｋとする。素子のスライダ厚み方向の長さは０．０５ｍｍとする。絶縁膜はアルミナで、線熱膨張係数δｌ／ｌは７.５×１０−６／Ｋ とする。ここで、温度上昇は２０Ｋとし、素子とアルミナが独立に膨張すると仮定すると、素子の突出量δｌは７ｎｍ（＝７.０×１０−６／Ｋ×２０×０.０５×１０６）になる。
　特開平１０−２６９５２７号公報に記載の技術では、ヘッド素子部と前方スライダ部の段差が小さいと、温度が大きく上昇する場合、熱膨張による素子の突出により、例えばスライダの浮上時には、素子部は浮上最下点（ディスク面への最接近点）となる。そのため、磁気ディスク面上の微小突起と衝突する確率が大きくなり、素子の損傷やサーマルアスペリティによる信号異常が生じるという問題点が生じる。（略）
　本発明の課題は、磁気ヘッドスライダ及びそれを用いた磁気ディスク装置において、温度の上昇があっても、ヘッド素子と磁気ディスク面上の微小突起との衝突を防止し、また、ヘッド素子の損傷やサーマルアスペリティを低減できる磁気ディスク装置を提供することにある。また、
磁気ディスク装置内部の温度や外気温等の環境温度の変化
　（ヒ）「第６図は、電気伝導膜が形成されていない従来型磁気ヘッドスライダにおいて、環境温度を変化させて測定した、ヘッド素子３の（スライダ厚み方向の）ディスク面に対する変形量の測定結果の一例である。第６図に示す変位量は環境温度２５℃を基準として規格化した。第６図より、
環境温度を８〜６０℃に変化させた場合、ヘッド素子の変形量（ディスク面方向への突出量）は５ｎｍ以上に達する
　（フ）「また、
環境温度の上昇もしくは素子自体の発熱によりヘッド素子部３の温度が高い場合、
突出したヘッド素子
ヘッド素子の使用温度の範囲で、温度による素子の変形で、一定の磁気スペーシングを保つことができなく、低温時記録再生エラーになったり、高温時素子の損傷やサーマルアスペリティになったりする
　
（６）同じく引用した特開平１０−２６９５２７号公報（以下「引用例６」という。）には、「磁気抵抗効果型ヘッド及びこれを有する磁気ディスク装置」に関して次の事項が記載されている。
　（マ）「【０００２】（略）近年の高密度記録化に伴って磁気抵抗効果型ヘッドの磁気ディスクに対する浮上量が小さくなっている。浮上量が小さくなると、サーマルアスペリティによる信号異常の程度が大きくなり易くなるため、これに対する解決を図ることが重要となる。」（発明の属する技術分野の項）
　（ミ）「【００４０】〔第３実施例〕（略）磁気抵抗効果型ヘッド３０Ｂは、膜状素子構造部３４の熱膨張を考慮した構成である。
磁気抵抗効果型ヘッド３０Ｂの使用中に膜状素子構造部３４の温度が上昇する場合がある。膜状素子構造部３４の温度が上昇すると、図７（Ｂ）に示すように膜状素子構造部３４が熱膨張し、端面５１が盛り上がるように変形する
【００４１】
端面５１のうち磁気抵抗効果素子４３の部位の盛り上がり変形量は、Ｎｈである
【００４２】この磁気抵抗効果型ヘッド３０Ｂによれば、
使用中に膜状素子構造部３４の温度が上昇した場合にも、磁気抵抗効果素子４３は、図７（Ｂ）に示すように、仮想面５５近くまでは突き出すけれども、それ以上には突き出さない。よって、膜状素子構造部３４が変形しても磁気ディスク２０の微小突起が磁気抵抗効果素子４３を直撃することは起きず、サーマルアスペリティによる信号異常も発生しにくい
【００４３】この磁気抵抗効果型ヘッド３０Ｂは、使用される環境が温度の高い環境である場合に有効である。（略）」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（ア）（イ）（ウ）（エ）（オ）（カ）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「磁気媒体に記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部と、磁気媒体に磁気情報を記録する記録ヘッド部とが一体に構成された薄膜磁気ヘッドであって、
　再生ヘッド部は、基体の上に、第１シールド層、第１ギャップ膜、第２ギャップ膜、第２シールド層および絶縁層がこの順に積層された構造を有し、
　上記絶縁層はＡｌ２Ｏ３であり、
　第１シールド層および第２シールド層は、例えば、厚さがそれぞれ１μｍ〜３μｍであり、透磁率の高い磁性材料により構成され、
　第１シールド層および第２シールド層は、それぞれ第１ギャップ膜および第２ギャップ膜を介して、磁気抵抗効果膜を挟み込んでいて、
　磁気抵抗効果膜に電流を流すためのリード層を備え、
　記録ヘッド部は、再生ヘッド部の上記絶縁層の上に、ＮｉＦｅなどの磁性材料よりなる厚さ０．５μｍ〜３μｍの下部磁極を有し、下部磁極の上に、Ａｌ２Ｏ３などよりなる記録ギャップ膜が形成され、薄膜コイルおよびこれを覆うフォトレジスト層が形成されており、
　記録ギャップ膜およびフォトレジスト層の上には、ＮｉＦｅなどの高飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる上部磁極が形成されてなる、ハードディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「薄膜磁気ヘッド」は、「再生ヘッド部」と「記録ヘッド部」とからなるから、本願発明の「記録再生分離型磁気ヘッド」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「基体」「第１シールド層」「第２シールド層」「絶縁層」「リード層」は、それぞれ本願発明の「基板」「下部シールド」「上部シールド」「絶縁膜」「電極」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「再生ヘッド部」は、「第１シールド層および第２シールド層は、それぞれ第１ギャップ膜および第２ギャップ膜を介して、磁気抵抗効果膜を挟み込んでいて、磁気抵抗効果膜に電流を流すためのリード層を備え」ているから、本願発明の「磁気抵抗効果型ヘッド」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第１シールド層」及び「第２シールド層」は、少なくとも一方が、内側層と外側層からなり（上記（ア）参照）、内側層が、膜厚５０ｎｍ以下のより高い硬度のＮｉＦｅＶ、ＮｉＦｅＢ、ＦｅＺｒＮ等の透磁率の高い磁性材料により形成され、一方、外側層が、膜厚２μｍ程度でＮｉＦｅ（ニッケル鉄合金）等の透磁率が高い磁性材料で形成されることが例示されている（上記（ウ）（キ）参照）ので、引用例１に記載された発明の「第１シールド層」及び「第２シールド層」は、シールド層の全て又は主要な材料がＮｉＦｅ合金であるといえる。
　引用例１に記載された発明の「記録ヘッド部」「記録ギャップ膜」「フォトレジスト層」は、それぞれ本願発明の「誘導型薄膜磁気ヘッド」「ギャップ膜」「ホトレジストである層間絶縁膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「薄膜コイル」について、その材料が明記されていないが、Ｃｕであることが技術常識である。
　そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「基板の上に設けられたＮｉＦｅ合金の下部シールド及びＮｉＦｅ合金の上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの前記上部シールドの上にＡｌ２Ｏ３の絶縁膜を介して設けられたＮｉＦｅ合金の下部磁極及びＮｉＦｅ合金の上部磁極の間にＡｌ２Ｏ３のギャップ膜及びホトレジストである層間絶縁膜を介してＣｕのコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備する記録再生分離型磁気ヘッド。」
　である点で一致しており、以下の点で一応相違している。
　
　（相違点１）　上部シールドの膜厚と下部シールドの膜厚について、本願発明は、「下部磁極の膜厚より薄く」と特定しているのに対し、引用例１に記載された発明はそのように特定していない点。
　（相違点２）　本願発明は、「誘導型薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型ヘッドが浮上面突出を生じる環境温度の変化を受けた場合に、上部シールドと下部シールドと下部磁極の浮上面側の領域における突出量は、上部磁極の浮上面側の領域における突出量よりも少ない」と特定しているのに対し、引用例１に記載された発明はそのように特定していない点。
　
（２）相違点についての判断
（相違点１について）
　引用例１に記載された発明における磁極の膜厚及びシールド層の膜厚は、当業者が磁気ヘッドの構成材料、磁気特性、各寸法に応じて、適宜選定すべき事項であり、シールド層の膜厚は磁気シールド機能を満たせば足りるものといえ、従来より、シールド層の膜厚を下部磁極に対して薄くすることは、引用例２や３に記載されているように知られているところであるから、相違点１は、当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　
（相違点２について）
　磁気抵抗効果素子を備えるハードディスク装置用の薄膜磁気ヘッドにおいて、動作時や環境温度における熱膨張により、浮上面から薄膜磁気ヘッドが突出する問題点は、引用例４乃至６に記載されている。また、薄膜磁気ヘッドの誘導型の磁極部分及び磁気抵抗効果素子部分のいずれも突出量が少ないことが望ましく、いずれの突出量をより少なくするかは適宜なしうることであり、磁気抵抗効果素子部分が媒体に衝突しないことが望ましいことは引用例５、６に記載されているから、引用例１に記載された発明において、磁気抵抗効果素子部分の近傍での突出量をより小とするように相違点２のように特定することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、上記相違点を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１乃至６に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　なお、請求人は、意見書で、引用例６の図７の図示からは「上部磁極側の突出量の方が多い」とは推論できないので容易ではないと主張している。
　しかしながら、引用例６の記載（上記（マ）（ミ）、図７参照）から、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子部分を媒体の微少突起が直撃することを防止し、記録ヘッド部分と媒体との接触は許容する技術思想が読み取れる。また、引用例５（上記（ハ）参照）において、磁気ヘッド素子構造部をスライダに対して凹となるような段差を設けることにより、磁気抵抗効果型ヘッドのサーマルアスペリティ（ＴＡ）による信号異常を防止する技術として、引用例６が紹介されているように、引用例６には、磁気抵抗効果素子部分の突出量を、それ以外の突出量より小とすることが示唆されているといえる。してみれば、磁気抵抗効果素子部分の近傍が突出しないことが望ましいことが引用例５，６に示唆されているのであるから、相違点２のように特定することは当業者が容易に想到しうることである。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１乃至６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。