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　特願２００３−１０５８３２「プラズマ処理用ガス」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月　４日出願公開、特開２００４−３１１３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）４月９日の出願（特願２００３−１０５８３２号）であって、平成１９年１１月１４日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年１２月２０日付で拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
 第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年７月２日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された、以下のとおりのものである。
「対向配置された電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成すると共に該プラズマを電極間から吹き出して被処理物の表面をプラズマ処理する際に、上記対向する電極間に導入されるプラズマ処理用ガスであって、窒素に対して酸素が体積比率で０．０１〜０．７％の濃度であることを特徴とするプラズマ処理用ガス。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成１５年４月４日に頒布された刊行物である特開２００３−１００７３３号公報（以下、「引用例１」という）には、図面の記載とともに、次の事項が記載されている。
　
(1)「【００１６】本発明の装置の一例を図で説明する。図１は、本発明のプラズマ放電装置の電圧印加電極２と接地電極３と基材１０の位置を説明するための模式的装置図である。図１において、電圧印加電極２は、電圧印加電極２と基材１０との間隔Ｈ１が、接地電極３と基材１０との間隔Ｈ２より大きくなるようにずらして設置されている。処理ガスは、矢印方向に導入され、電圧印加電極２と接地電極３間に形成される放電空間４でプラズマ化され、基材１０に向かって吹き出される。Ｈ1がＨ2より大きいため、電圧印加電極２からの基材１０に向けてのアーク放電が起きにくい。基材からみた電圧印加電極と接地電極の距離の差である△Ｈ（Ｈ1−Ｈ2）は、放電空間を形成する電極間距離（ギャップ）Ｇより大きいのが好ましく、より好ましくは１．２５Ｇｍｍ〜２０ｍｍであり、特に好ましくは２．５〜１０ｍｍである。△Ｈをこの範囲にすることにより、電圧印加電極２からの基材１０に向けてのアーク放電をより起きにくくする。すなわち、電圧印加電極に発生した小ストリーマは先に接地電極に落ち、基材表面は避雷し、その結果、基材上に形成される薄膜等に及ぼす影響がなくなる利点を有する。」
　
(2)「【００１８】また、本発明のプラズマ処理装置は、主として平行平板型電極間で発生する処理ガスのグロー放電プラズマを放電空間から離れた位置に配置された被処理基材に誘導して接触させて処理する装置であって、電極間にずれを有する装置であるので、放電空間のプラズマ吹き出し口からプラズマを基材に向かって垂直に吹き出させるようにすると、より効果的に基材を処理できる。したがって、放電空間の幅方向に垂直に基材を運搬させる機構を併設することが好ましい。」
　
(3)「【００２９】本発明の放電プラズマ処理装置は、どのような圧力下でも用いることができるが、常圧放電プラズマ処理に用いるとその効果を十分に発揮でき、特に、大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される。
【００３０】上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置が簡便になる９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａの範囲が好ましい。」
　
(4)「【００３３】本発明で用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的により種々のガスを使用できる。
【００３４】上記処理用ガスとして、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素含有化合物ガスを用いることによって、撥水性表面を得ることができる。
【００３５】また、処理用ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、水、空気等の酸素元素含有化合物、Ｎ２、ＮＨ３等の窒素元素含有化合物、ＳＯ２、ＳＯ３等の硫黄元素含有化合物を用いて、基材表面にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積することもできる。
【００３６】さらに、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコラート等の処理用ガスを用いて、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の金属酸化物薄膜を形成させ、基材表面に電気的、光学的機能を与えることができ、ハロゲン系ガスを用いてエッチング処理、ダイシング処理を行ったり、酸素系ガスを用いてレジスト処理や有機物汚染の除去を行ったり、アルゴン、窒素等の不活性ガスによるプラズマで表面クリーニングや表面改質を行うこともできる。
【００３７】経済性及び安全性の観点から、上記処理用ガス単独雰囲気よりも、以下に挙げるような希釈ガスによって希釈された雰囲気中で処理を行うことが好ましい。希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素気体等が挙げられる。これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。また、希釈ガスを用いる場合、処理用ガスの割合は０．０１〜１０体積％であることが好ましい。」
　
(5)「【００４２】実施例２
　図１に示す装置を用い、放電プラズマ処理を行った。対向電極としては、固体誘電体としてチタン酸バリウム０．６ｍｍに重ねてアルミナ０．６ｍｍを溶射コーティングした、長さ１００ｍｍ×高さ４９ｍｍ×厚み１０ｍｍのＳＵＳ製の電圧印加電極と長さ１００ｍｍ×高さ５０ｍｍ×厚み１０ｍｍの接地電極を用い、基材に対して電圧印加電極と接地電極を３ｍｍずらし、２ｍｍの間隔を置いて設置した。基材として、表面に銅箔のついたポリイミド基材を用い、接地電極との間隔を１．５ｍｍとなるようにして、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で搬送できるように設置した。処理ガスとして、乾燥空気を１５Ｌ／ｍｉｎの速度で導入し、電極間にパルス立ち上がり速度５μｓ、電圧１８ｋＶPP、周波数１０ｋＨｚのパルス電界を印加したところ、放電状態は、均一に良好であり、電極部からの落雷は見られず、基材を処理できた。プラズマ処理前後のイオン交換水に対する接触角の変化を測定したところ、銅箔表面の接触角が９０°から２０°に変わって処理がなされたことが確認された。」
　
　上記記載事項(1)〜(5)から、引用例１からは、
・「処理ガスは、矢印方向に導入され、電圧印加電極２と接地電極３間に形成される放電空間４でプラズマ化され、基材１０に向かって吹き出される。」こと、
・放電プラズマ装置は「大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される」こと、
・「電圧印加電極２と接地電極３からなる平行平板型電極」
・「平行平板型電極間で発生する処理ガスのグロー放電プラズマを放電空間から離れた位置に配置された被処理基材に誘導して接触させて処理する装置」
・平行辺板型電極間に導入される処理ガスとしては、「パルス電界を印加することによってプラズマを発生するガス」であること、そして例として「アルゴン、窒素等の不活性ガス」（記載事項(4)）、「乾燥空気」（実施例２）が例示されていること
が記載事項として抽出される。
　
　そして、「アルゴン、窒素等の不活性ガス」のうちの「窒素ガス」は、酸素ガスとの関係についてみれば、窒素ガスに対して酸素ガスが体積比で０％の濃度であるということができ、また、「乾燥空気」については、窒素ガスと酸素ガスの関係についてのみ着目すれば、窒素ガスと酸素ガスの体積比がほぼ４：１であるから、窒素ガスに対して酸素ガスが体積比で約２５％の濃度であるといえるから、引用例１には、
「電圧印加電極２と接地電極３間に形成される放電空間４で、大気圧近傍下の圧力下でパルス電界を印加することによって、プラズマ化されるとともに、電圧印加電極２と接地電極３からなる平行平板型電極間で発生する処理ガスのグロー放電プラズマを放電空間から離れた位置に配置された被処理基材に誘導して接触させて処理するにあたり、上記平行平板型電極間に導入される処理ガスであって、窒素ガスに対して酸素ガスが体積比で０％及び約２５％の濃度の、プラズマを発生する処理ガス。」の発明（以下、「引用発明１」という）が記載されている。
　
２　また、原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−６８０８７号公報（以下、「引用例２」という）には、図面の記載とともに、次の事項が記載されている。
　
(1)「【００４３】そして、以上の構造の放電プラズマ処理装置において、ガス供給装置５及び油回転ポンプ６の操作により、金属製チャンバ１内のガスをガス排出口１２から排出し、次いで、ガス供給装置５からプラズマ雰囲気ガス（例えばアルゴンガス、酸素ガス、二酸化硫黄ガスの混合ガス）を、ガス導入口１１を通じて金属製チャンバ１内に導入して、金属製チャンバ１内を大気圧近傍の圧力下の混合ガス雰囲気とし、この状態で、上部電極２と下部電極３との間（固体誘電体間）にポリオレフィン系樹脂不織布（例えばポリプロピレン不織布Ｆ）を配置し、上部電極２と下部電極３との間にパルス電源４からパルス電圧を印加することによりグロー放電プラズマを発生させることによって、そのポリオレフィン系樹脂不織布の表面に親水化処理を施すことができる。
＜実施例１＞　図１に示す処理装置において、Ａｌ２ Ｏ３ の溶射膜２１、３１が１．５ｍｍコートしてある上部電極２（ステンレス（ＳＵＳ３０４）製、大きさ＝１５０ｍｍ×１００ｍｍ）と、下部電極３（ステンレス（ＳＵＳ３０４）製、大きさ＝１５０ｍｍ×１００ｍｍ）との電極間距離を２ｍｍとし、その下部電極３上にポリプロピレン不織布Ｆを配置した。次いで、油回転ポンプ６により金属製チャンバ１の内圧が１Ｔｏｒｒになるまで排気を行った後、アルゴンガスと酸素ガスとを７０：３０の体積比で混合したガスを、ガス導入口１１から金属製チャンバ１内に、内圧が７６０Ｔｏｒｒになるまで導入した。
【００４４】そして、パルス電源４（ハイデン研究所製、半導体素子＝ＩＸＹＳ社製、型式ＴＯ−２４７ＡＤ）より、上部電極２と下部電極３との間に、立ち上がり時間５μｓ、パルス幅１００μｓ、周波数１０ｋＨｚ、電圧±５ｋＶの交流パルス電界を印加して大気圧放電プラズマを発生させ、ポリプロピレン不織布Ｆにプラズマ処理を行った。
＜実施例２＞実施例１において、アルゴンガスと酸素ガスとの体積比を８０：２０としたこと以外は、実施例１を同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例３＞実施例１において、プラズマ雰囲気ガスを、窒素ガスと酸素ガスとを９６．９：３．１の体積比で混合した混合ガスとしたこと以外は、実施例１と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例４＞実施例３において、窒素ガスと酸素ガスとの体積比を９９．５：０．５としたこと以外は、実施例３と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例５＞　実施例３において、窒素ガスと酸素ガスとの体積比を９４．０：６．０としたこと以外は、実施例３と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例６＞　実施例３において、窒素ガスと酸素ガスとの体積比を９０．０：１０．０としたこと以外は、実施例３と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例７＞　実施例１において、プラズマ雰囲気ガスを、アルゴンガス、酸素ガス、二酸化硫黄ガスを７０：３０：１の体積比で混合した混合ガスとしたこと以外は、実施例１を同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例８＞　実施例７において、アルゴンガス、酸素ガス、二酸化硫黄ガスの体積比を７０：３０：３としたこと以外は、実施例７と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例９＞実施例７において、アルゴンガス、酸素ガス、二酸化硫黄ガスの体積比を８０：２０：３としたこと以外は、実施例７と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜実施例１０＞実施例７において、アルゴンガスを窒素ガスに変更し、その窒素ガス、酸素ガス、二酸化硫黄ガスの体積比を９０：１０：１とし、さらに、パルス電源４（ハイデン研究所製、半導体素子＝ＩＸＹＳ社製、型式ＴＯ−２４７ＡＤ）より、上部電極２と下部電極３との間に、立ち上がり時間５μｓ、パルス幅１００μｓ、周波数５kHz 、電圧±１０ｋＶの交流パルス電界を印加してプラズマ放電を発生させて、ポリプロピレン不織布に３０秒間のプラズマ放電処理を行った。
＜比較例１＞実施例１において、プラズマ雰囲気ガスに酸素ガスを混合せず、アルゴンガス単独の雰囲気ガスとしたこと以外は、実施例１と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ放電処理を行った。
＜比較例２＞　実施例１０において、プラズマ雰囲気ガスに、酸素ガス及び二酸化硫黄ガスを混合せず、窒素ガス単独の雰囲気ガスとしたこと以外は、実施例１０と同じとして、ポリプロピレン不織布にプラズマ処理を行った。」
　
　上記記載からみて、引用例２には、大気圧近傍の圧力下で、交流パルス電界により、グロー放電プラズマを発生させる放電プラズマ処理装置において、プラズマ雰囲気ガスとして、窒素ガスと酸素ガスとの体積比を９９．５：０．５としたガスを用いる発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
第４　対比
　引用発明１と本願発明を対比すると、引用発明１における「電圧印加電極２と接地電極３間に形成される放電空間４で、大気圧近傍下の圧力下で、パルス電界を印加することによって、プラズマ化される」ことは、本願発明における「対向配置された電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成する」ことに相当する。
　また、引用発明１における「電圧印加電極２と接地電極３からなる平行平板型電極間で発生する処理ガスのグロー放電プラズマを放電空間から離れた位置に配置された被処理基材に誘導して接触させて処理するにあたり」は、本願発明における「プラズマを電極間から吹き出して被処理物の表面をプラズマ処理する際に」に相当する。
　また、引用発明１の「処理ガス」及び「プラズマを発生する処理ガス」は、本願発明の「プラズマ処理用ガス」に相当するから、引用発明１の「上記平行平板型電極間に導入される処理ガス」は、本願発明の「上記対向する電極間に導入されるプラズマ処理用ガス」に相当する。
　引用発明１の「窒素ガスに対して酸素ガスが体積比で０％及び約２５％の濃度の、プラズマを発生する処理ガス」と、本願発明の「窒素に対して酸素が体積比率で０．０１〜０．７％の濃度であることを特徴とするプラズマ処理用ガス」とは、窒素に対して酸素がある体積比率であるプラズマ処理用ガスの点で一致する。
　
　よって、両者は、
「対向配置された電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成すると共に該プラズマを電極間から吹き出して被処理物の表面をプラズマ処理する際に、上記対向する電極間に導入されるプラズマ処理用ガスであって、窒素に対して酸素がある体積比率であるプラズマ処理用ガス。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点；
　プラズマ処理用ガスの窒素と酸素の関係に関し、本願発明が「窒素に対して酸素が体積比率で０．０１〜０．７％の濃度である」のに対して、引用発明は「窒素ガスに対して酸素ガスが体積比で０％及び約２５％の濃度である」点。
　
第５　当審の判断
　以下、上記の相違点について検討する。
　
　本願発明の「プラズマ処理用ガスであって、窒素に対して酸素が体積比率で０．０１〜０．７％の濃度であること」の意味は、体積比率との記載から、プラズマ処理用ガスであって、プラズマ処理用ガス中の窒素ガスに対して酸素ガスが体積比率で０．０１〜０．７％の濃度である、と解釈できることは明らかである。
　そこで、上記の解釈を踏まえて上記相違点を検討する。
　上述したように、引用例２には、大気圧近傍の圧力下で、交流パルス電界により、グロー放電プラズマを発生させる放電プラズマ処理装置において、プラズマ雰囲気ガスとして、窒素ガスと酸素ガスとの体積比を９９．５：０．５としたガスを用いる発明（引用発明２）が記載されている。
　そして、引用発明１も引用発明２も、大気圧近傍の圧力下で、交流パルス電界により、グロー放電プラズマを発生させる放電プラズマ処理装置という技術分野に属する発明であるから、引用発明２を引用発明１に適用すること、すなわち、プラズマ処理用ガスであって、プラズマ処理用ガス中の窒素ガスに対して酸素ガスが体積比率で０．５％の濃度であるとすることに困難性は認められない。
　そして、本願明細書において【従来の技術】の項に引用された
・「大気圧プラズマによるＬＣＤ洗浄技術」湯浅基和、第５０回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集（２００３．３．神奈川大学）には、
「Fig2は、プラズマ用ガスとして窒素と酸素との混合比を変化させてＬＣＤガラス基板をプラズマ処理した場合の接触角変化を示す。窒素ガスのみでも、均一なプラズマが維持でき、接触角が低下する。窒素ガスに酸素３％程度までは数秒の短時間で接触角が低下し、光洗浄に比べ数倍以上の処理速度が得られている。しかしながら、酸素３％以上では、処理能力が低下した。」
と記載されていることからも窺えるように、大気圧下のプラズマ処理ガスにおける窒素ガスと酸素ガスの混合比は、酸素の窒素に対する体積比を０％から３％程度までは、洗浄速度が早い、すなわち、プラズマ処理の処理能力が高いことは、周知の事項であるということができる。
　してみれば、窒素に対する酸素の体積比率を、上記周知事項の０％から３％程度の範囲で、どの程度とするかは、プラズマ処理の目的に応じて当業者が試行錯誤により種々設定し得るものであり、窒素に対する酸素の濃度（混合比）を、引用発明２の「０．５％」を含む「０．０１〜０．７％」に限定することは、引用発明１及び引用発明２、並びに周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　そして、上記の濃度の設定による効果、すなわち、本願発明によってもたらされる効果は、上記引用例１に記載された発明及び上記引用例２に記載された発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び上記引用例２に記載された発明、並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第６　むすび
　以上より、本願発明は、引用例１に記載された発明及び上記引用例２に記載された発明、並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。