【事件の表示】
　特願２０００−　　６２２３「ジュアルダマシーンコンデンサを備えた集積回路デバイスおよびこれを製造するための関連する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月２８日出願公開、特開２０００−２０８７４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１月１２日（パリ条約による優先権主張　１９９９年１月１２日、米国）の出願であって、平成１６年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年４月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２日に手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年６月２８日付けで審尋がなされ、同年１２月２８日に回答書が提出されたものである。
　　　
２．平成１７年５月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年５月２日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）本件補正の内容
　補正前の請求項１ないし２７を、補正後の請求項１ないし１１と補正するものであり、補正前の請求項１、請求項１０及び請求項１８は、補正後の請求項１、請求項７及び請求項１１に対応し、補正前の請求項２、請求項６，請求項７ないし９、請求項１６及び請求項１７は、一応、補正後の請求項２ないし６、請求項１０及び請求項８に対応しており、補正後の請求項１及び請求項９は以下のとおりである。
　また、補正後の請求項９は、補正前のいずれの請求項にも対応していない。
　
「【請求項１】　半導体基板；
　前記半導体基板に隣接して設けられた、内部に開口部を有する、絶縁層であって、前記絶縁層は、半導体基板に隣接する下側絶縁層部、前記下側絶縁層部上のエッチング停止層と、前記エッチング停止層上の上側絶縁層部とを含み、前記開口部は前記上側絶縁層部と前記エッチング停止層の上側部と前記下側絶縁層部の下側部を有している、絶縁層；および
　積層コンデンサを含み、
　ここで、前記積層されたコンデンサは、
　前記開口部に整合する下側金属電極、
　前期下側金属電極上及び前記開口部内に位置づけられた積層されたコンデンサ絶縁層、ここで、前記積層されたコンデンサは前記下側金属電極上に位置づけられた第１の絶縁層及び前記下側金属電極により還元される前記第１の絶縁層上に位置づけられた第２の絶縁層を含み、前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層と前記下側の金属電極の間の障壁として機能し、前記第２の絶縁層の還元を抑制し、及び
　前記積層されたコンデンサ絶縁層に隣接する上側金属電極を含み、ここで、前記コンデンサは前記絶縁層の上側表面部と隣接する実質的に同一平面を有する実質的に平坦な上側表面を有する、
ことを特徴とする集積回路デバイス。」
「【請求項９】　前記積層されたコンデンサ絶縁層が、更に前記酸化タンタル絶縁層上に位置づけられた第３の金属酸化物絶縁層を含むことを特徴とする請求項７の集積回路デバイス。」
　
　（２）補正内容の検討
　（２−１）補正後の請求項９について
（ａ）補正後の請求項９は、補正前の請求項１０を補正した補正後の請求項７を引用するものである。
（ｂ）補正前の請求項１０を直接又は間接的に引用する、補正前の請求項１１ないし１７は、　
「【請求項１１】前記下側電極の端と前記コンデンサ絶縁層の端が、前記コンデンサの上側表面に終端することを特徴とする請求項１０の集積回路デバイス。
【請求項１２】　前記上側金属電極が、前記コンデンサ絶縁層に隣接して設けられた障壁金属層と、前記金属障壁層に隣接して設けられた銅の層から形成されることを特徴とする請求項１０の集積回路デバイス。
【請求項１３】　前記障壁金属層が窒化タンタルを含むことを特徴とする請求項１２の集積回路デバイス。
【請求項１４】　前記上側金属電極と下側金属電極のおのおのが、窒化タンタルを含むことを特徴とする請求項１０の集積回路デバイス。
【請求項１５】　前記コンデンサ絶縁層が、約２５より大きな誘電定数を有することを特徴とする請求項１０の集積回路デバイス。
【請求項１６】　前記第一と第二の金属酸化膜層のおのおのが、酸化チタンを含むことを特徴とする請求項１０の集積回路デバイス。
【請求項１７】　前記上側および下側金属電極層のおのおのが、窒化チタンを含むことを特徴とする請求項１６の集積回路デバイス。」であって、補正後の請求項９の如く、「前記積層されたコンデンサ絶縁層が、更に前記酸化タンタル絶縁層上に位置づけられた第３の金属酸化物絶縁層を含むこと」、言い換えると、「コンデンサ絶縁層」について「第３の金属酸化物絶縁層」を備えるものに限定した、補正前の請求項１０を直接又は間接に引用する請求項は存在しない。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）より、補正後の請求項９に対応する補正前の請求項が存在しないので、補正後の請求項９は、実質的に請求項を追加したものである。
　したがって、補正後の請求項９を追加する補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　（２−２）補正前の請求項１についての補正
（ａ）補正前の請求項１についての補正は、補正前の請求項１の「積層された、前記開口部に整合する下側金属電極、前記下側金属電極に隣接するコンデンサ絶縁層、および前記コンデンサ絶縁層に隣接する上側金属電極から構成されるコンデンサを含む集積回路デバイスであって、前記コンデンサが、前記絶縁層の隣接する上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有する」を補正後の請求項１の「積層コンデンサを含み、　ここで、前記積層されたコンデンサは、　前記開口部に整合する下側金属電極、　前期下側金属電極上及び前記開口部内に位置づけられた積層されたコンデンサ絶縁層、ここで、前記積層されたコンデンサは前記下側金属電極上に位置づけられた第１の絶縁層及び前記下側金属電極により還元される前記第１の絶縁層上に位置づけられた第２の絶縁層を含み、前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層と前記下側の金属電極の間の障壁として機能し、前記第２の絶縁層の還元を抑制し、及び　　前記積層されたコンデンサ絶縁層に隣接する上側金属電極を含み、ここで、前記コンデンサは前記絶縁層の上側表面部と隣接する実質的に同一平面を有する実質的に平坦な上側表面を有する、」と補正するものである。　
（ｂ）補正前の請求項１についての補正は、実質的に、補正前の請求項１に対し、ａ．第１の絶縁層と第２の絶縁層を含む点、ｂ．第１の絶縁層が下側金属電極により還元されるものである点、ｃ．第１の絶縁層が第２の絶縁層の還元を抑制するものである点、を新たに付加するものであり、これらにより補正前の請求項１に係る発明が対象としていない第２の絶縁層の還元の抑制という新たな事項を技術的課題とするものとなったから、補正前の請求項１と補正後の請求項１とは、解決しようとする課題が同一ではないものとなった。
（ｃ）したがって、補正前の請求項１についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するとも言えないから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　（２−３）補正前の請求項１０及び請求項１８についての補正
　　補正前の請求項１０及び請求項１８についての補正は、上記「（２−２）補正前の請求項１についての補正」において検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するとも言えないから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
　（２−４）小むすび
　したがって、補正後のその余の請求項について検討するまでもなく、本件補正は、新たに請求項を追加するものであるとともに、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するとも言えないから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
　以下においては、仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものであって、且つ同条第３項の要件をも満たしているとして、同条第５項で準用する、同法第１２６条第５項に規定する要件（独立特許要件）を満たしているか否かについて検討する。　
　
　（２−５）独立特許要件について
　（２−５−１）補正後の請求項１について
（ａ）補正後の請求項１における「積層コンデンサを含み、　
ここで、前記積層されたコンデンサは
ここで、前記積層されたコンデンサは
（ｂ）補正後の請求項１の「前記積層されたコンデンサは前記下側金属電極上に位置づけられた第１の絶縁層及び前記下側金属電極により還元される前記第１の絶縁層上に位置づけられた第２の絶縁層を含み」とは、言い換えると、補正後の請求項１に係る発明は、「第１の絶縁層」及び「第２の絶縁層」のみを備えた積層コンデンサを備えるものを含むものであるが、明細書又は図面には、積層コンデンサが「第１の絶縁層」及び「第２の絶縁層」のみを含み「第３の絶縁層」を含まない実施例は、記載されていないから、補正後の請求項１に係る発明は、少なくとも上記の構成については、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）の理由により、補正後の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　（２−５−２）補正後の請求項７及び請求項１１について
　上記「（２−５−１）請求項１について」において検討したと同様の理由により、補正後の請求項７及び請求項１１に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　　　
　（２−６）むすび
　よって、補正後の請求項１、請求項７、請求項９及び請求項１１に係る発明を含む本件補正は、新たに請求項を追加するものであるとともに、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明とも言えないから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当せず、仮に、本件補正が、同条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものであって、且つ同条第３項の要件をも満たしているとしても、同条第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年５月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２７に係る発明は、平成１６年９月３０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
  「【請求項１】　半導体基板；
　前記半導体基板に隣接して設けられた、内部に開口部を有する、絶縁層であって、前記絶縁層は、半導体基板に隣接する下側絶縁層部、前記下側絶縁層部上のエッチング停止層と、前記エッチング停止層上の上側絶縁層部とを含み、前記開口部は前記上側絶縁層部と前記エッチング停止層の上側部と前記下側絶縁層部の下側部を有している、絶縁層；および
　積層された、前記開口部に整合する下側金属電極、前記下側金属電極に隣接するコンデンサ絶縁層、および前記コンデンサ絶縁層に隣接する上側金属電極から構成されるコンデンサを含む集積回路デバイスであって、前記コンデンサが、前記絶縁層の隣接する上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有することを特徴とする集積回路デバイス。」
　
４．刊行物記載の発明
  （１）刊行物１．　特開平８−１３９２９３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平８−１３９２９３号公報には、図１、図２、図５及び図７とともに以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　半導体基板と、
　この半導体基板上に形成された絶縁層と、
　前記半導体基板に形成されたスイッチング用トランジスタ及び前記絶縁層上に形成された電荷蓄積容量素子とを有するメモリセルと
　を具備する半導体記憶装置において、
　前記絶縁層にはトレンチが形成されており、前記電荷蓄積容量素子は、前記トレンチの内面に下部電極層、誘電体層及び上部電極を順次堆積してなることを特徴とする半導体記憶装置。」
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置及びその製造方法に係り、特に、スイッチング用トランジスタの上方に立体的に形成された電荷蓄積容量素子を有する半導体記憶装置及びその製造方法に関する。」（０００１段落）
「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、貴金属下部電極および高誘電率薄膜を使用した薄膜キャパシタ、特に蓄積電荷量の大きい立体構造の薄膜キャパシタの作成を可能にし、それによって小型化かつ高集積化された半導体記憶装置を提供することにある。」（００１１段落）
「【発明の形態】以下、図面を参照して、本発明の種々の実施例について説明する。
実施例１
図１は、本発明の第１の実施例の半導体記憶装置の断面図である。図１において、第１導電型半導体基板１の、素子間分離酸化膜２により分離された領域には、第２導電型不純物拡散層６ａ，６ｂが形成されているとともに、その表面には、ゲート酸化膜３を介してワード線４が形成され、これらによりメモリセルのトランジスタ部が構成されている。
【００３５】このトランジスタ部の上方には、平坦化絶縁膜９に形成されたトレンチ内に、バリアメタル１２、下部電極１３、高誘電率薄膜１４、上部電極１５が順次形成され、薄膜キャパシタが構成されている。なお、この薄膜キャパシタは、コンタクトプラグを介して第２導電型不純物拡散層６ｂに接続され、一方、ビット線８が第２導電型不純物拡散層６ａに接続されている。参照符号５，７は層間絶縁膜、１０は研磨停止層をそれぞれ示す。
【００３６】次に、図１に示す半導体記憶装置の製造プロセスについて、図２及び図３を参照して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、第１導電型半導体基板１にメモリセルのトランジスタ部およびビット線８を形成した後、平坦化用の絶縁膜９および研磨停止層１０を形成した。絶縁膜９を平坦化するためにエッチバック法を用いても良いし、また化学的機械的研磨法などを用いても良い。研磨停止層１０としては、酸化アルミニウム等の絶縁膜を用い、また平坦化絶縁膜９としては、ホウケイ酸ガラス（ＢＳＧ）を用いた。
【００３７】次に、図２（ｂ）に示すように、薄膜キャパシタを内壁に形成するためのトレンチ部を形成するために、まず公知のフォトリソグラフィーおよびプラズマエッチングにより平坦化用絶縁膜９にコンタクト孔を形成した後、ＬＰＣＶＤ法によりコンタクト孔をポリシリコンで埋め、コンタクトプラグ１１を形成し、埋め込まれたポリシリコンにリンを拡散して１０〜１００Ω／□と低抵抗化した。その後、再び公知のフォトリソグラフィーおよびプラズマエッチングにより、平坦化用絶縁膜９に薄膜キャパシタ形成用トレンチ部を形成した。」（００３４段落ないし００３７段落）
「実施例３
図４及び図５は、本発明の第３の実施例に係る半導体記憶装置の製造工程を示す断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す、トレンチ部を形成するまでの工程は第１の実施例と同様である。次いで、図５（ａ）に示すように、ＴｉＮからなるバリアメタル１２、Ｐｔからなる下部電極１３、Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 からなる高誘電率薄膜１４、Ｐｔからなる上部電極１５および平坦化用導電膜１６を順次形成した。平坦化用導電膜１６としては、ポリシリコンなどの半導体膜にドーピングしたものを用いた。
【００４６】その後、図５（ｂ）に示すように、機械的研磨ないしは化学的機械的研磨により研磨停止層に形成されているバリアメタル、下部電極、高誘電率薄膜、上部電極および平坦化用導電膜を除去し、再び平坦化した。その後、図５（ｃ）に示すように、形成したキャパシタ端部を層間絶縁膜１８で覆うことにより、トレンチ内部に薄膜キャパシタを作成することが出来た。」（００４５段落及び００４６段落）
　ここで、００４５段落の「平坦化用導電膜１６」は、図５（ａ）を参照すると、「平坦化用導電膜１７」の誤記であることは明らかである。
　
　（ａ）薄膜キャパシタ形成用トレンチ部は、平坦化用の絶縁層９のみでなく、実質的に絶縁膜の研磨停止層１０にも形成されていることは明らかである。
　（ｂ）図５及びその説明において、トレンチ部に形成されたＰｔからなる下部電極１３，前記下部電極に接して形成された高誘電率薄膜１４、及び前記高誘電率薄膜１４に接して形成されたＰｔからなる上部電極１５により、キャパシタが形成されることは明らかである。　
　（ｃ）図５（ｂ）及び「図５（ｂ）に示すように、機械的研磨ないしは化学的機械的研磨により研磨停止層に形成されているバリアメタル、下部電極、高誘電率薄膜、Ｐｔからなる上部電極および平坦化用導電膜を除去し、再び平坦化した。」（００４６段落）との記載から、下部電極、高誘電率薄膜、Ｐｔからなる上部電極からなるキャパシタの上側表面と、前記キャパシタに近接する研磨停止層１０の上側表面とが実質的に同一平面となることは明らかである。　
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「半導体基板と、
　前記半導体基板上に形成された、平坦化用の絶縁層９と絶縁膜の研磨停止層１０からなる絶縁層であって、前記絶縁層９と前記研磨停止層１０に形成された薄膜キャパシタ形成用トレンチ部を備えた前記絶縁層と、
　前記トレンチ部に形成されたＰｔからなる下部電極１３，前記下部電極に接して形成された高誘電率薄膜１４、及び前記高誘電率薄膜１４に接して形成されたＰｔからなる上部電極１５からなるキャパシタとを備え、
　前記キャパシタの上側表面と、前記キャパシタに近接する前記研磨停止層１０の上側表面とが実質的に同一平面であることを特徴とする半導体記憶装置。」
　
（２）刊行物２．　特開平９−３２１０４６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平９−３２１０４６号公報には、図７及び図８とともに以下の事項が記載されている。
　「【００４９】実施形態３
　図８（Ｃ）は、本発明の半導体装置の一実施形態の素子断面図である。また図７及び図８は、本実施形態の半導体装置の製造方法を素子断面図により表した製造工程図である。本実施形態の半導体装置は、まず図７（Ａ）に示すように、シリコン基板（３０１）上に第１のシリコン酸化膜（３０２）を形成した後、第１の窒化膜（３５１）を約０．１μｍの厚さで形成する。その上に、第１の配線としてアルミからなる厚さ０．５μｍの配線Ａ（３０３）を所定の形状で形成し、次いで第２のシリコン酸化膜（３０４）を約１．３μｍの厚さで全面に成膜する。
【００５０】次に、図７（Ｂ）に示すように、ＣＭＰによって第２のシリコン酸化膜の表面が平坦になるまで研磨する。研磨量は、配線Ａ上におけるシリコン酸化膜の厚さが約０．７μｍとなるようにする。
【００５１】上記の平坦化した表面の全面に第２の窒化膜（３５２）を０．１μｍの厚さで形成し、さらに第３のシリコン酸化膜（３５３）を約０．５μｍの厚さで形成する（図７（Ｃ））。
【００５２】続いて、通常のフォトリソグラフィー技術で形成されたフォトレジスト（３０５）をマスクとして、第３のシリコン酸化膜（３５３）、第２の窒化膜（３５２）及び第２のシリコン酸化膜（３０４）からなる積層絶縁膜を約１．５μｍの深さまで異方性エッチングし、孔状開口部（３２０）及び第２の溝状開口部（３２１）を形成する（図８（Ａ））。このとき、孔状開口部（３２０）は配線Ａ上に位置するため深さが約１．３μｍとなる。第２の溝状開口部（３２１）は下に配線Ａが無いため深さが約１．５μｍとなる。なお、上記の積層絶縁膜をエッチングする際には、シリコン酸化膜と窒化膜とでエッチングガス等のエッチング条件を変えて行ってもよい。
【００５３】フォトレジスト（３０５）を除去した後、同様のフォトリソグラフィー技術で溝状開口部を有するフォトレジスト（３０６）を形成する。なお、孔状開口部（３２０）は十分に深いので底部にレジストが残存していてもよい。
【００５４】このフォトレジスト（３０６）をマスクとして、第３のシリコン酸化膜、第２の窒化膜および第２のシリコン酸化膜からなる積層膜を約０．５μｍの深さまで異方性エッチングし、第１の溝状開口部（３１１、３１２）を形成する（図８（Ｂ））。この異方性エッチングの際に、シリコン酸化膜のエッチング速度に比べて窒化膜のエッチング速度が十分に小さくなるような条件を用いることが重要である。すなわち窒化膜は溝エッチング時のエッチングストッパーとなるため、溝の深さは窒化膜の位置である約０．５μｍとなる。
【００５５】フォトレジスト（３０６）の除去後、金属としてアルミを全面に形成し、次いでＣＭＰによりアルミ表面と第３のシリコン酸化膜表面とが同一平面になるまで研磨する。この結果、図８（Ｃ）に示すように、積層絶縁膜に開けられた開口部をアルミが埋めることになる。
【００５６】配線Ａはビアホール（３４１）内のアルミを介して配線Ｂ（３３１）と接続している。配線Ｂ（３３１）及び配線Ｃ（３３２）は厚さが約０．５μｍであり、二層目配線として機能する。配線Ｄ（３３３）は厚さが約１．０μｍであり、同様に二層目配線として機能する。」（００４９段落ないし００５６段落）
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（ａ）刊行物発明の「薄膜キャパシタ形成用トレンチ部」、「Ｐｔからなる下部電極１３」、「高誘電率薄膜１４」、「Ｐｔからなる上部電極１５」、「キャパシタ」及び「半導体記憶装置」は、それぞれ、本願発明の「開口部」、「下側金属電極」、「コンデンサ絶縁層」、「上側金属電極」、「コンデンサ」及び「集積回路デバイス」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「前記半導体基板上に形成された」「絶縁層」は、「半導体基板」に隣接して設けられていることは明らかであるから、刊行物発明の「前記半導体基板上に形成された」「絶縁層」は、本願発明の「半導体基板に隣接して設けられた」「絶縁層」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「薄膜キャパシタ形成用トレンチ部」も、本願発明の「開口部」もいずれも、内部に、「キャパシタ」（刊行物発明）又は「コンデンサ」（本願発明）を形成するものであることは明らかであるから、刊行物発明の「薄膜キャパシタ形成用トレンチ部を備えた前記絶縁層」は、本願発明の「内部に開口部を有する、絶縁層」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「前記キャパシタの上側表面と」、「前記研磨停止層１０の上側表面とが実質的に同一平面であること」は、本願発明の「コンデンサが、前記絶縁層の」「上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有する」ことに相当する。
（ｅ）刊行物発明の「Ｐｔからなる下部電極１３，前記下部電極に接して形成された高誘電率薄膜１４、及び前記高誘電率薄膜１４に接して形成されたＰｔからなる上部電極１５からなるキャパシタ」は、本願発明の「下側金属電極、前記下側金属電極に隣接するコンデンサ絶縁層、および前記コンデンサ絶縁層に隣接する上側金属電極から構成されるコンデンサ」に相当する。
（ｆ）刊行物発明において、「Ｐｔからなる下部電極１３，前記下部電極に接して形成された高誘電率薄膜１４、及び前記高誘電率薄膜１４に接して形成されたＰｔからなる上部電極１５」が積層されていることは明らかである。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
  「半導体基板；
　前記半導体基板に隣接して設けられた、絶縁層；および
　積層された、下側金属電極、前記下側金属電極に隣接するコンデンサ絶縁層、および前記コンデンサ絶縁層に隣接する上側金属電極から構成されるコンデンサを含む集積回路デバイスであって、前記コンデンサが、前記絶縁層の上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有することを特徴とする集積回路デバイス。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明が、「内部に開口部を有する、絶縁層であって、前記絶縁層は、半導体基板に隣接する下側絶縁層部、前記下側絶縁層部上のエッチング停止層と、前記エッチング停止層上の上側絶縁層部とを含み、前記開口部は前記上側絶縁層部と前記エッチング停止層の上側部と前記下側絶縁層部の下側部を有している、絶縁層」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「平坦化用の絶縁層９と絶縁膜の研磨停止層１０からなる絶縁層であって、前記絶縁層９と前記研磨停止層１０に形成された薄膜キャパシタ形成用トレンチ部を備えた前記絶縁層」を備えている点。
　相違点２
　本願発明が、「前記開口部に整合する下側金属電極」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「前記トレンチ部に形成されたＰｔからなる下部電極１３」を備えている点。
　相違点３
　本願発明が、「前記コンデンサが、前記絶縁層の隣接する上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有する」のに対して、
　刊行物発明は、「前記キャパシタの上側表面と、前記キャパシタに近接する前記研磨停止層１０の上側表面とが実質的に同一平面である」点。
　　
６．当審の判断
　以下、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
（ａ）刊行物２の図７，図８及び００４９段落ないし００５６段落には、導電層であるビアホール３４１及び配線３３１ないし３３３形成用の開口部３１１、３１２を形成するために、シリコン基板３０１上に、第２のシリコン酸化膜３０４、第２の窒化膜３５２及び第３のシリコン酸化膜３５３を順次積層して形成することが記載されるとともに、前記第２の窒化膜は、溝エッチング時のエッチングストッパーとなることも記載されている（００５４段落）。
　したがって、刊行物２には、「シリコン基板３０１上に、第２のシリコン酸化膜３０４、エッチングストッパーの第２の窒化膜３５２及び第３のシリコン酸化膜３５３を順次積層した構成であって、前記第２のシリコン酸化膜３０４、前記第２の窒化膜３５２及び前記第３のシリコン酸化膜３５３に開口部３１１及び３１２を形成した構成」が記載されている。
（ｂ）刊行物２に記載された「積層した構成」と、本願発明の「絶縁層」を対比すると、刊行物２の「積層した構成」の構成要素の「第２のシリコン酸化膜３０４、第２の窒化膜３５２及び第３のシリコン酸化膜３５３」はいずれも絶縁層であるから、刊行物２の「積層した構成」は、実質的に「絶縁層」であり、刊行物２の「エッチングストッパーの第２の窒化膜３５２」がエッチング停止層であることは明らかであって、さらに、「第２のシリコン酸化膜３０４」、「第２の窒化膜３５２」及び「第３のシリコン酸化膜３５３」がこの順に積層していることも明らかであるから、刊行物２の「第２のシリコン酸化膜３０４」、「第２の窒化膜３５２」、「第３のシリコン酸化膜３５３」、「開口部３１１」及び「積層した構成」は、それぞれ、本願発明の「下側絶縁層部」、「エッチング停止層」、「上側絶縁層部」、「開口部」及び「絶縁層」に相当する。
（ｃ）ここで、刊行物発明の「平坦化用の絶縁層９と絶縁膜の研磨停止層１０からなる絶縁層」に代えて、刊行物２に記載される「第２のシリコン酸化膜３０４、第２の窒化膜３５２及び第３のシリコン酸化膜３５３を順次積層して形成した」積層膜である「絶縁膜」を用いる際には、刊行物発明の「前記キャパシタの上側表面」と「実質的に同一平面」となるのは、刊行物２に記載される「絶縁層」の最も上に位置する「第３のシリコン酸化膜３５３」の上側表面であることは、当業者にとって明らかである。　
（ｄ）したがって、刊行物発明の「平坦化用の絶縁層９と絶縁膜の研磨停止層１０からなる絶縁層」に代えて、刊行物２に記載される「第２のシリコン酸化膜３０４、第２の窒化膜３５２及び第３のシリコン酸化膜３５３を順次積層して形成した」積層膜を用いることにより、本願発明の如く、「内部に開口部を有する、絶縁層であって、前記絶縁層は、半導体基板に隣接する下側絶縁層部、前記下側絶縁層部上のエッチング停止層と、前記エッチング停止層上の上側絶縁層部とを含み、前記開口部は前記上側絶縁層部と前記エッチング停止層の上側部と前記下側絶縁層部の下側部を有している、絶縁層」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
（ｅ）さらに、刊行物２に記載される、第２のシリコン酸化膜３０４、第２の窒化膜３５２及び第３のシリコン酸化膜３５３からなる積層構造の絶縁層を刊行物発明に用いることにより、刊行物２に記載される構成の「第２の窒化膜」がエッチングストッパーとして機能することも明らかである。
　
  ［相違点２について］
（ａ）本願の図６及び「図５に示すように、第二の絶縁層３８内の、第一の開口５６によって区切られる境界内に、少なくとも第二の開口６０がエッチングされる。・・・次に、図６に示すように、例えば、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステンなどの障壁金属を堆積することで、下側電極４４を形成される。」（００２８段落及び００２９段落）には、下部電極４４は、直接開口部５６，６０に形成することが記載されている。
　一方、刊行物１においては、図５及びその説明において「図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す、トレンチ部を形成するまでの工程は第１の実施例と同様である。次いで、図５（ａ）に示すように、ＴｉＮからなるバリアメタル１２、Ｐｔからなる下部電極１３、Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 からなる高誘電率薄膜１４、Ｐｔからなる上部電極１５および平坦化用導電膜１６を順次形成した。」（００４５段落）こと、言い換えると、「トレンチ部」にバリアメタル１２を介して下部電極１３を形成することが記載されている。
（ｂ）刊行物１の図５及びその説明に記載される、「トレンチ部」と「Ｐｔからなる下部電極１３」の間に形成される「バリアメタル」は、バリアメタルが導電接続する層との関係で必要であるか否かが決まるものであるから、「下部電極１３」等の材質を適宜選択すれば、「バリアメタル」を不要とすることができることは、当業者に取って明らかである。
（ｃ）したがって、刊行物発明の「前記トレンチ部に形成されたＰｔからなる下部電極１３」において、「バリアメタル」が不要であれば、「トレンチ部」に直接「Ｐｔからなる下部電極１３」を形成することにより、本願発明の如く、「前記開口部に整合する下側金属電極」との構成を備えるものとすることは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
（ｄ）さらに、見方を変えると、刊行物１の（００４５）段落等には、「トレンチ部」と「Ｐｔからなる下部電極１３」の間に形成される「バリアメタル」が「ＴｉＮ」で形成されると記載されており、「ＴｉＮ」が導電層であることは明らかであるから、ＴｉＮからなる「バリアメタル」と「Ｐｔからなる下部電極１３」とからなる２層膜による「下部電極」が構成されているとすると、２層膜による「下部電極」は、「トレンチ部」に直接接して形成されていると言える。
　したがって、刊行物発明の２層膜による「下部電極」は「トレンチ部」に「整合」したものであるから、本願発明と刊行物発明は、相違点２については、実質的に相違していない。
　
  ［相違点３について］
（ａ）上記［相違点２について］において検討したとおり、「トレンチ部」と「下部電極１３」の間に形成される「バリアメタル」を形成するか否かは、「バリアメタル」に直接接する「導電材料」等との関連で決定するものである。
（ｂ）したがって、刊行物発明の「前記トレンチ部に形成された下部電極１３」において、「バリアメタル」が不要であれば、刊行物発明において、「キャパシタ」と「研磨停止層１０」とを含む「絶縁層」が「近接する」のみでなく「隣接する」ようにすることは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。　
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし２７に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。