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　平成　９年特許願第２４２１２６号「薄膜光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月　６日出願公開、特開平１０−１１７００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成９年８月２１日（優先権主張平成８年８月２３日）に特許出願したものであって、平成１８年１月２６日付けで手続補正がなされたが、同年６月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２６日付けで拒絶査定不服審判請求がなされた後、同年８月２３日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
　本件補正は、請求項１を下記のように補正しようとする内容を含むものである。
「　第１と第２の主面を有しかつ実質的に多結晶の光電変換層と、
　前記第２の主面を覆う金属薄膜とを含み、
　前記多結晶光電変換層は実質的に多結晶シリコン薄膜からなりかつ０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さを有し、
　少なくとも前記第１の主面は表面テクスチャ構造を有し、そのテクスチャ構造は前記平均厚さの１／２より小さくかつ実質的に０．０５〜３μｍの範囲内の高低差を有する微細な凹凸を含み、
　前記多結晶光電変換層は体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンであって、その水素含有量が
１
１５
　前記多結晶光電変換層に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は前記厚さの方向に対してずれ角が１５度以下の範囲内でほぼ平行であることを特徴とする薄膜光電変換装置。」
　
　イ　補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１における「水素含有量が０．１原子％以上で３０原子％以下」の数値範囲を「１原子％以上で１５原子％以下」に限定しようとするものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
　ウ　独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（ア）刊行物の記載
　ａ　原査定の拒絶理由に引用した特開平５−１９８８３０号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透光性基板の主面上に透光性導電膜よりなる第一の電極と、該電極上にＰＩＮまたはＰＮ接合を少なくともひとつ有する、光照射により光起電力を発生する非単結晶半導体と、該半導体上に第二の電極（裏面電極）を有する光電変換装置（以下ＰＶＣという）に関する。」、
「【０００４】
【発明の目的】本発明はこの透光性基板の主面に鋸状の凹凸表面を有せしめることにより、その表面積を大きくし、光に対しては長光路となり、キャリア特にホ−ルに対しては実質的に短光路とならしめることにより、光照射光面側の光電変換効率を向上させることを目的としている。」、
「【０００６】・・・透光性基板上の第一の電極を構成する透光性導電膜（以下ＣＴＦという）・・・」、
「【００１２】
　【実施例】図１（審決注；図１は従来の光電変換装置を示すものであることなどからみて、「図２」の誤りと認める。）は本発明方法によって作製されたＰＶＣの一実施例のたて断面図を示している。図面において透光性基板（１）はここではガラスを用いた。さらにこの基板の主面は凸部（１３）、凹部（１４）の鋸状を有し、その角度は７０．５°またはその近傍（±２０°以内）を有している。さらに凸部の先端部または凹部の底部は曲面（断面は円形状、曲率半径２００Å〜２μ）の表面を有している。またこのピッチは０．１〜１０μ（高低差は０．０５〜２μ）を有している。
【００１３】
　さらにこの鋸状の表面にそって第一の電極を構成し、反射防止膜も兼用したＣＴＦ（４）を１５００〜２０００Åの厚さとし、そのＣＴＦの表面は酸化スズを主成分としている。
【００１４】
　さらにこのＣＴＦに密接してＰＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法で得られたＰ型非単結晶半導体例えば約１００Åの厚さのＳｉｘＣ１−Ｘ（０＜ｘ＜１例えばｘ＝０．８）（６）を有し、この上面をホウ素が１０１５〜１０１７ｃｍ−３添加されたＩ型半導体（７）例えばグロ−放電法により作られた珪素またはセミアモルファス珪素半導体を平均厚さ０．４〜０．７μを有し、さらに約１００〜２００Åの厚さのＮ型の多結晶または微結晶の珪素半導体（８）よりなるひとつのＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体（５）を有し、さらにこの上面に第二の電極（９）をＰＣＶＤ法又は電子ビ−ム蒸着法により第二のＣＴＦ（１１）例えばＩＴＯを９００〜１３００Åの平均厚さ好ましくは１０５０Åの厚さに形成し、その上面の反射用電極（１２）はアルミニュームまたは銀を主成分として設けられている。・・・」
　
　また、図２には、透光性導電膜４は、透光性基板３の表面と同様の凹凸形状を有している様子、及び、Ｐ型非単結晶半導体６の下面は透光性導電膜４の表面の凹凸形状に沿った凹凸を有している様子が示されている。
　
　ｂ　原査定の拒絶理由に引用した特開平７−１２２７６４号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
「【００２０】また、薄膜太陽電池の例としてはアモルファス Si 系についてのみ示したが、このような凹凸形状上に形成できる薄膜半導体であれば何れでも良い。例えば、多結晶 Si や他のIV族元素、また、CdS などのII‐VI族化合物などを挙げることができる。」
　
　ｃ　原査定の拒絶理由に引用した特開平４−３３４０６９号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
「【００２１】次にこれらの太陽電池用基板１００を用いて製造される太陽電池の構成について述べる。これらの太陽電池は太陽電池用基板１００と逆方向から光を入射させるタイプで、波長６００ｎｍ以上に感度を持つ薄膜太陽電池に適用される。そのような太陽電池の例としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）・・・等の非晶質半導体、あるいは多結晶シリコン、あるいはＣｄＳ、ＣｄＴｅ等のII−VI族半導体、あるいはＣｕＩｎＳｅ２等のI-III-VI２族の化合物半導体を用いたものが挙げられる。ＰＮ接合あるいはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有し、光入射側に透明導電膜を有する。したがって、半導体層を透過してきた長波長光が、基板側で高い反射率で反射し散乱されることによって、太陽電池の短絡電流（ＪＳＣ）が増大し光電変換効率が向上する。
【００２２】以下、太陽電池用基板１００の製造方法について述べる。
【００２３】まず、支持体１０１として前述の材料を用い、支持体１０１上に、光を散乱する凹凸形状を有する光散乱層１０２を形成する。
【００２４】・・・次に、凹凸形状を被覆する反射率の高い金属からなる金属被覆１０３を加熱蒸着法あるいはスパッタ法によって蒸着する。・・・
【００２５】また、太陽電池の半導体層は非晶質半導体、あるいは多結晶Ｓｉの場合はプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの各種ＣＶＤ法によって、II−VI族、あるいはI-III-VI２族の化合物半導体の場合は蒸着法、スパッタ法、スプレー法、印刷法などによって、形成される。」
　
　（イ）引用発明
　上記（ア）ａによれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ピッチ０．１〜１０μ、高低差０．０５〜２μの凸部１３及び凹部１４を表面に有する透光性基板１と、この表面に沿って凹凸形状を有するように形成された透光性導電膜４と、該透光性導電膜４に密接する面が透光性導電膜４の表面に沿った凹凸を有しＳｉｘＣ１−ＸであるＰ型非単結晶半導体６、珪素またはセミアモルファス珪素半導体であるＩ型半導体７及びＮ型の多結晶または微結晶の珪素半導体８よりなるＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体５と、該非単結晶半導体５の上面に設けられた、ＣＴＦ１１及びその上面に形成されたアルミニュームまたは銀を主成分とする反射用電極１２からなる裏面電極９と、を含む光電変換装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（ウ）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ａ　引用発明の「ＳｉｘＣ１−ＸであるＰ型非単結晶半導体６、珪素またはセミアモルファス珪素半導体であるＩ型半導体７及びＮ型の多結晶または微結晶の珪素半導体８よりなるＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体５」は、シリコン薄膜からなる半導体であるから、本願補正発明の「シリコン薄膜からな」る「光電変換層」に相当し、引用発明の「光電変換装置」は、本願補正発明の「薄膜光電変換装置」に相当する。
　
　ｂ　引用発明の「ＣＴＦ１１及びその上面に形成されたアルミニュ−ムまたは銀を主成分とする反射用電極１２からなる裏面電極９」は、本願補正発明の「金属薄膜」に相当し、引用発明の「裏面電極９」が設けられた側の「非単結晶半導体５」の面は、本願補正発明の「第２の主面」に相当する。
　
　ｃ　引用発明の「凹凸を有し」「透光性導電膜４に密接する」「Ｐ型非単結晶半導体６」側の「非単結晶半導体５」の面は、本願補正発明の「微細な凹凸を含」む「表面テクスチャ構造」を有する「第１の主面」に相当する。
　
　ｄ　引用発明の「凹凸」は、「透光性導電膜４の表面に沿った凹凸」であって、「透光性導電膜４」は、「透光性基板１」の表面に沿った凹凸形状を有するものであるところ、透光性基板１の表面は、高低差０．０５〜２μの凸部１３及び凹部１４を有するものであるから、引用発明の「凹凸」も高低差０．０５〜２μないしこれに近い高低差を有するものと認められる。
　そうすると、引用発明の「凹凸」は、本願補正発明の「実質的に０．０５〜３μｍの範囲内の高低差を有する微細な凹凸」に相当する。
　
　ｅ　以上によれば、両者は、
「第１と第２の主面を有する光電変換層と、
　前記第２の主面を覆う金属薄膜とを含み、
　前記光電変換層は、シリコン薄膜からなり、
　前記第１の主面は表面テクスチャ構造を有し、そのテクスチャ構造は実質的に０．０５〜３μｍの範囲内の高低差を有する微細な凹凸を含む薄膜光電変換装置。」
である点で一致し、下記（ａ）（ｂ）の点で相違するものと認められる。
　
（ａ）本願補正発明では、光電変換層が、実質的に多結晶シリコン薄膜からなりかつ０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さを有し、体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンであって、その水素含有量が１原子％以上で１５原子％以下であり、前記多結晶光電変換層に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は前記厚さの方向に対してずれ角が１５度以下の範囲内でほぼ平行であるのに対して、引用発明では、光電変換層が、シリコン薄膜からなる非単結晶半導体である点（以下「相違点１」という。）。
　
（ｂ）表面テクスチャ構造に含まれる凹凸が、本願補正発明では、光電変換層の平均厚さの１／２より小さくかつ実質的に０．０５〜３μｍの範囲内の高低差を有するのに対して、引用発明では、実質的に０．０５〜３μｍの範囲内に含まれる高低差を有するものの平均厚さとの関係については不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
（エ）相違点についての判断
　ａ　相違点１について
（ａ）前記（ア）ｂ及びｃによれば、刊行物２及び刊行物３には、太陽電池において、凹凸形状の層の上に形成する半導体層として多結晶シリコンを用いる技術が記載されているものと認められる。そして、太陽電池が光電変換装置であることは明らかである。
　そうすると、引用発明における光電変換層として、シリコン薄膜からなる非単結晶半導体に代えて、太陽電池ないし光起電力素子に用いられる周知の多結晶シリコンのうち適宜のものを多結晶シリコン薄膜として用いることは、当業者が適宜設計的になし得る程度のことである。
　しかるところ、主として＜１１０＞方向に延びる柱状多結晶粒子を有する多結晶シリコン薄膜を太陽電池ないし光起電力素子に用いることは、従来周知である（例えば、特開平７−３１５８２６号公報の【請求項１】、特開平６−３４２９２３号公報の図１、特開平７−２９７４２８号公報の【請求項１】を参照。）から、引用発明における光電変換層に、主として＜１１０＞方向に延びる柱状多結晶粒子を有する多結晶シリコン薄膜を用いることは、当業者が適宜設計的になし得る程度のことであって、その結果として、本願補正発明の「光電変換層が、実質的に多結晶シリコン薄膜からなり」、「前記多結晶光電変換層に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は前記厚さの方向に対してずれ角が１５度以下の範囲内でほぼ平行である」との構成に到るものと認められる。
　そして光電変換層の厚さ、多結晶シリコンの結晶化の程度については、設計上当然決定されるべき事項である。
　また、多結晶シリコン薄膜には通常水素が含有されており（例えば、特開平４−１９２３２１号公報の２頁左上欄２行〜１３行参照）、膜中の水素含有量を適宜の範囲とすることも、設計上当然考慮されるべき事項というべきである（なお、同公報の３頁右上欄末行〜左下欄下から３行、特開平３−１４５７６９号公報の３頁左上欄２行〜４行も参照。）。
　
（ｂ）他方、本件補正後の本願明細書（以下「本願補正明細書」という。）には、相違点１に係る構成に関して、以下の記載がある。
　
（ｂ）−１
「【００１５】
　実質的に多結晶の光電変換層４は、プラズマＣＶＤ法によって形成され得る。
ここで、「実質的に多結晶」とは、完全な多結晶体を意味するのみならず、少量のアモルファスを含む多結晶体をも含むことを意味している。たとえば、光電変換層４は、体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンで形成され得る。多結晶光電変換層４として、ｎ型層４ｎ、ｉ型層４ｉ、およびｐ型層４ｐが順次堆積される。プラズマＣＶＤ条件としては、たとえば、０．０１〜５Ｔｏｒｒの圧力と５０〜５５０℃の温度の範囲を利用することができる。また、ｎ型層４ｎは、たとえばホスフィン、シラン、および水素を含む混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成され得る。次に、実質的に真性の半導体であるｉ型層４ｉは、導電型不純物を含まないシランガスと水素との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって堆積される。さらにｐ型半導体層４ｐは、ジボラン、シラン、および水素を含む混合ガスを用いるプラズマＣＶＤ法によって堆積される。
【００１６】
　このように形成された多結晶光電変換層４に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は、その光電変換層の厚さ方向に対してずれ角が約１５度以下の範囲内でほぼ平行になっている。
【００１７】
　多結晶光電変換層４は約０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さに成長させられ、その自由表面４Ｓは微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造を有している。これらの凹凸４Ｓは、Ｖ字状の溝または角錐を含み、光電変換層４の平均厚さの１／２より小さな範囲内で約０．０５〜３μｍの高低差を有している。」、
　
（ｂ）−２
「【００２８】
　なお、図１に示されているような構造を有する薄膜光電変換装置において、プラズマＣＶＤ法で形成された多結晶光電変換層４が０．１原子％以上で３０原子％以下の範囲内の水素を含有するとき、０．４５Ｖ以上の開放電圧が得られ、１原子％以上で１５原子％以下の範囲内の水素を含むときには０．５Ｖ以上の開放端電圧を得ることが可能である。これは、多結晶光電変換層が水素原子を含むことによって、光電変換層内の欠陥が低減させられ得ることによるものと考えられる。水素原子の含有量は、２次イオン質量分析法によって評価することができる。」
　
（ｃ）上記（ｂ）−１によれば、本願補正明細書には、光電変換層４は、体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンで形成され得ること、段落【００１５】記載のプラズマＣＶＤ法によって形成された多結晶光電変換層４に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は、その光電変換層の厚さ方向に対してずれ角が約１５度以下の範囲内でほぼ平行になっていること、多結晶光電変換層４は約０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さに成長させられることが記載されているものの、上記（ｂ）−１の記載からは、多結晶光電変換層としてそのような多結晶シリコンが用いられることが理解できるにとどまり、本願補正発明における、「光電変換層が、実質的に多結晶シリコン薄膜からなりかつ０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さを有し、体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンであって、・・・前記多結晶光電変換層に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は前記厚さの方向に対してずれ角が１５度以下の範囲内でほぼ平行である」との構成により生じる特有の作用効果等、かかる構成の技術的意義について何ら触れるところがない。
　そうすると、本願補正発明において、当該構成を採用したことにつき、当業者が適宜なし得る設計的事項以上のものということは到底できない。
　また、上記（ｂ）−２によれば、本願補正明細書には、プラズマＣＶＤ法で形成された多結晶光電変換層４が０．１原子％以上で３０原子％以下の範囲内の水素を含有するとき、０．４５Ｖ以上の開放電圧が得られ、１原子％以上で１５原子％以下の範囲内の水素を含むときには０．５Ｖ以上の開放電圧を得ることが可能であることが記載されているものの、水素含有量につき１原子％以上で１５原子％以下の範囲内に特定したことに格別の臨界的意義があるものとはいえず（なお、本願補正明細書には、１原子％以上で１５原子％以下の範囲内の水素を含むときには０．５Ｖ以上の開放電圧を得ることが可能であることの根拠も示されていない。）、特開平４−１９２３２１号公報の３頁右上欄末行〜左下欄下から３行に、水素含有量として２原子％ないし１５原子％との値が挙げられること、特開平３−１４５７６９号公報の３頁左上欄２行〜４行に、同じく０．１〜１５％との値が挙げられることにも照らせば、結局のところ、本願補正発明における水素含有量は、通常採用される程度の値につき設計的に適宜の範囲を定めたにとどまるものという他はないのであって、本願補正発明において、多結晶シリコンの水素含有量が１原子％以上で１５原子％以下であると特定した点につき、当業者が適宜なし得る設計的事項以上のものということはできない。
　
（ｄ）以上によれば、引用発明において、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、刊行物２並びに刊行物３記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が適宜設計的になし得る程度のことである。
　
　ｂ　相違点２について
　上記ａ（ａ）で検討したとおり、光電変換層の厚さは設計上当然決定されるべき事項であるところ、刊行物１に「透光性基板の主面に鋸状の凹凸表面を有せしめることにより、その表面積を大きくし、光に対しては長光路となり、キャリア特にホ−ルに対しては実質的に短光路とならしめることにより、光照射光面側の光電変換効率を向上させる」（段落【０００４】）との記載があることに鑑みれば、引用発明においても、光電変換層内において所望の光路長を確保するために光電変換層の厚さを相応のものとすることは、当業者が設計上当然考慮する程度の事項というべきであり、その結果として、表面テクスチャ構造に含まれる凹凸が、本願補正発明では、光電変換層の平均厚さの１／２より小さくなることも十分想定し得る。
　他方、本願補正明細書には、単に、凹凸４Ｓが、光電変換層４の平均厚さの１／２より小さな範囲内で約０．０５〜３μｍの高低差を有していることが記載される（上記ａ（ｂ）−１、段落【００１７】）にとどまり、凹凸の高低差と光電変換層の平均厚さとの関係について特定したことにより生じる特有の作用効果等、かかる特定の技術的意義について何ら触れるところがない。
　そうすると、本願補正発明において、相違点２のごとく凹凸の高低差と光電変換層の平均厚さとの関係について特定したことにつき、当業者が適宜なし得る設計的事項以上のものということは到底できない。
　したがって、引用発明において、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得る程度のことである。
　
（オ）小括
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明、刊行物２並びに刊行物３記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１月２６日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１１に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「第１と第２の主面を有しかつ実質的に多結晶の光電変換層と、
　前記第２の主面を覆う金属薄膜とを含み、
　前記多結晶光電変換層は実質的に多結晶シリコン薄膜からなりかつ０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さを有し、
　少なくとも前記第１の主面は表面テクスチャ構造を有し、そのテクスチャ構造は前記平均厚さの１／２より小さくかつ実質的に０．０５〜３μｍの範囲内の高低差を有する微細な凹凸を含み、
　前記多結晶光電変換層は体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンであって、その水素含有量が０．１原子％以上で３０原子％以下であり、
　前記多結晶光電変換層に含まれる多くの結晶粒の＜１１０＞方向は前記厚さの方向に対してずれ角が１５度以下の範囲内でほぼ平行であることを特徴とする薄膜光電変換装置。」（以下「本願発明」という。）
　
（２）判断
　本願発明は、本願補正発明における、「水素含有量が１原子％以上で１５原子％以下であり」の数値範囲を「０．１原子％以上で３０原子％以下」としたものであって、本件補正は、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものと認められる。
　しかるところ、上記２（２）ウで検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、引用発明、刊行物２並びに刊行物３記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用発明、刊行物２並びに刊行物３記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、刊行物１ないし刊行物３にそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。