【事件の表示】
　特願２００１−２６６３０７「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２２日出願公開、特開２００２−　８４０３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年７月１１日に出願した特願平８−１８１７９１号の一部を平成１３年９月３日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年４月１７日に手続補正がなされ、同年５月１１日付で拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年７月１８日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年７月１８日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１８年７月１８日付の手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正の内容  
 　平成１８年７月１８日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のように補正することを含むものである。
　
「【請求項１】　基板上に窒化物半導体が積層されて、活性層をｎ型層とｐ型層とで挟む構造の窒化物半導体層が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、
　劈開により前記窒化物半導体層端面に設けられた共振面を有し、
　前記ｐ型層にオーミック接触する正電極が設けられ、
　前記正電極の端面が前記共振面より内側に形成されて、前記窒化物半導体層内に正電極の位置に対応した電流注入の導波路が設けられることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
　上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「正電極の位置に対応した電流注入の導波路」の形成位置を「前記窒化物半導体層内」とする限定を付加するものであって、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすか）否かについて検討する。
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、Jpn.J.Appl.Phys.Part2 35[2B](1996.2)p.L217-L220（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　なお、以下では、文字入力の便宜上、引用例中のミラー指数のうち負の指数に係る文字修飾の上線を「−」と表記する。
　
　ａ．「(１１−２０)方向を有するサファイア基板（Ａ面）がＧａＮの成長に通常用いられる。・・・中略・・・サファイアＡ面上で成長させ（１−１０２）方向に（Ｒ面）劈開したワイドバンドギャップIII−V族窒化物を用いて作られたレーザーダイオードを提供する。」
（L217頁本文左欄下から９行〜下から１行） 
　
　ｂ．「III−V族の層はツーフロー有機金属気相成長法を用いて成長させた。・・・ＩｎＧａＮ多重量子井戸レーザーダイオード（図１）は、５００Åの・・・ＧａＮバッファ層、３μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮ層、０．１μｍのＳｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層、０．４μmのＳｉドープｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ層、０．１μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮ層、・・・２０周期のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ多重量子井戸構造、２００ÅのＭｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、０．１μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層、０．４μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ層、及び０．５μmのＭｇドープｐ型ＧａＮ層からなる。前記０．１μｍのＳｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層は、厚いＡｌＧａＮ層のクラックを防止するためのバッファ層として機能する。」
（L217頁本文右欄２行−２３行）
　
　ｃ．「サファイア基板をＲ面に沿って劈開するためにサファイアＡ面を基板として用いた。結晶成長層と基板の劈開面は図２に示すように鏡面であり、該鏡面はレーザ共振器ミラーとして使用可能である。・・・中略・・・Ｎｉ／Ａｕコンタクトがｐ型ＧａＮ層上に１０μｍのストライプ幅で蒸着され、」（L218頁本文左欄８行−１８行）
　
　ｄ．図１、及び上記ｃ．の記載からは、「Ｎｉ／Ａｕコンタクト」がｐ型ＧａＮ層の上に形成された「ｐ電極」であることが見て取れる。
　
　したがって、上記ａ．〜ｄ．によれば、引用例には、
「サファイア基板Ａ面上に、ｎ型の窒化物半導体層、多重量子井戸構造、及びＭｇドープｐ型ＧａＮ層を有するｐ型の窒化物半導体層を順に成長し、ｐ電極としてのＮｉ／Ａｕコンタクトが前記ｐ型ＧａＮ層上に１０μｍのストライプ幅で蒸着されてなる窒化物半導体レーザーダイオードにおいて、
　前記サファイア基板をＲ面に沿って劈開して得られる前記サファイア基板及び結晶成長層の劈開面を、前記レーザーダイオードのレーザー共振器ミラーとした窒化物半導体レーザーダイオード。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。
　（ａ）引用発明の「サファイア基板」、「ｎ型の窒化物半導体層」、「多重量子井戸構造」、「ｐ型の窒化物半導体層」、「ｐ電極としてのＮｉ／Ａｕコンタクト」、「結晶成長層」、「レーザー共振器ミラー」及び「窒化物半導体レーザーダイオード」が、それぞれ本願補正発明の「基板」、「ｎ型層」、「活性層」、「ｐ型層」、「正電極」、「窒化物半導体層」、「共振面」及び「窒化物半導体レーザ素子」に相当する。　
　
　（ｂ）引用発明における「多重量子井戸構造」は、ｎ型層とｐ型層とに挟まれているのであるから、引用発明が、本願補正発明の「活性層をｎ型層とｐ型層とで挟む構造の窒化物半導体層が設けられた」との事項を備えていることは明らかである。
　
　（ｃ）引用発明の「レーザー共振器ミラー」は、「サファイア基板をＲ面に沿って劈開して得られる前記サファイア基板及び結晶成長層の劈開面」を用いたものであるから、引用発明は、本願補正発明の「劈開により前記窒化物半導体層端面に設けられた共振面」を備えていることは明らかである。
　
　（ｄ）引用発明の「ｐ電極としてのＮｉ／Ａｕコンタクト」は「Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層」上に形成されているのであるから、引用発明が、本願補正発明の「ｐ型層にオーミック接触する正電極」を有しているといえる。（必要ならば、本願明細書の段落【００２４】参照。）
　
　以上（ａ）〜（ｄ）によれば、本願補正発明と引用発明とは、
「基板上に窒化物半導体が積層されて、活性層をｎ型層とｐ型層とで挟む構造の窒化物半導体層が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、
　劈開により前記窒化物半導体層端面に設けられた共振面を有し、
　前記ｐ型層にオーミック接触する正電極が設けられてなる窒化物半導体レーザ素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点]
　本願補正発明では、正電極の端面が前記共振面より内側に形成されて、窒化物半導体層内に正電極の位置に対応した電流注入の導波路が設けられているのに対し、引用発明は、そのような構成を有しない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
[相違点について]
　（ａ）半導体レーザ素子の製造方法において、半導体レーザ素子の反射面を劈開によって形成する際に、電極が剥がれたり、垂れ下がったりすることによって電気的短絡が発生するという技術課題を解決するために、レーザ共振器の端面となる部分付近の半導体層上に電極を設けないという技術は周知である。（例えば、特開昭５０−７９２８７号公報（第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第１４行、第２図参照。）、及び特開平７−５８４１０号公報（第２頁第１欄第１３行〜同欄第２６行参照。））
　
　（ｂ）上記電極の剥がれや垂れ下がりが、半導体層と金属材料からなる電極との展延性の差に起因するものであることも周知である（（上記特開昭５０−７９２８７号公報（第２頁左上欄第１行〜第５行参照。）及び特開昭６０−２１７６８５号公報（第１頁右下欄第１９行〜第２頁右上欄第１２行参照。））。
　
　（ｃ）さらに、ヘテロエピタキシャル成長によって得られた窒化物半導体は、硬度が非常に大きく、サファイア基板とともに切断する場合にはクラックやチッピング等の損傷が発生しやすいことは公知（例えば、特開平７−１４２７６３号公報（段落【０００３】参照。））である。
　
　（ｄ）上記（ｂ）及び（ｃ）によれば、サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長した、硬度の非常に大きい窒化物半導体を展延性に富む電極とともに劈開する時には、その衝撃によって劈開面端面の上に形成されている電極が剥がれ、ひいては、電極間ショートが発生する傾向（本願明細書の段落【０００４】〜【０００５】に記載の課題と同旨。）がより一層強くなることは当業者の想像に難くない。
　してみれば、上記（ａ）の技術課題が、
半導体層が窒化物半導体からなる
　
　（ｅ）したがって、引用発明において、上記課題を解決するために、上記（ａ）の周知技術を採用し、正電極の端面が共振面より内側に形成することは当業者が容易に想到し得たことであり、その結果、窒化物半導体層内において電流が注入される領域、すなわち、「電流注入の導波路」が「正電極の位置に対応し」て形成されることは当業者において自明である。
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用発明及び上記周知技術から予測し得るものにすぎない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年７月１８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年４月１７日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　
「【請求項１】　基板上に窒化物半導体が積層されて、活性層をｎ型層とｐ型層とで挟む構造の窒化物半導体層が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、
　劈開により前記窒化物半導体層端面に設けられた共振面を有し、
　前記ｐ型層にオーミック接触する正電極が設けられ、
　前記正電極の端面が前記共振面より内側に形成されて、正電極の位置に対応した電流注入の導波路が設けられることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記「２．（４）」で検討した本願補正発明の「正電極の位置に対応した電流注入の導波路」の形成位置についての「前記窒化物半導体層内」との限定を削除したものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに上記「前記窒化物半導体層内」との限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。