(57)【要約】  表面にマークを有するガラス基板であって、前記マークは、識別子、アライメントマーク、またはそれらの一部であり、前記マークは、複数のドットで構成され、各ドットは、複数のレーザ照射痕で構成され、各レーザ照射痕は、前記表面の開口部の直径が５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さが１μｍ〜１０μｍの範囲である、ガラス基板。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にマークを有するガラス基板であって、
前記マークは、識別子、アライメントマーク、またはそれらの一部であり、
前記マークは、複数のドットで構成され、
各ドットは、複数のレーザ照射痕で構成され、
各レーザ照射痕は、前記表面の開口部の直径が５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さが１μｍ〜１０μｍの範囲である、ガラス基板。
【請求項２】
前記ドットの少なくとも一つにおいて、隣接するレーザ照射痕の組の少なくとも一つは、中心間距離が５μｍ〜１５μｍの範囲である、請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
前記ドットの少なくとも一つにおいて、隣接するレーザ照射痕の組の少なくとも一つは、相互に接触しまたは重なっている、請求項１または２に記載のガラス基板。
【請求項４】
前記ドットの少なくとも一つは、前記複数のレーザ照射痕が二重リング状または螺旋状に配置されて構成される、請求項１乃至３のいずれか一つに記載のガラス基板。
【請求項５】
前記表面の面粗さＲａが０．５μｍ未満である、請求項１乃至４のいずれか一つに記載のガラス基板。
【請求項６】
前記表面の面粗さＲａが０．５μｍ以上である、請求項１乃至４のいずれか一つに記載のガラス基板。
【請求項７】
表面にマークを有するガラス基板の製造方法であって、
ガラス板の表面にレーザを照射して、前記表面に複数のレーザ照射痕を形成する工程を有し、
前記レーザは、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲の波長を有し、
前記複数のレーザ照射痕は、ドットを構成し、前記ドットの集合は、マークを形成し、
前記マークは、識別子、アライメントマーク、またはそれらの一部であり、
各レーザ照射痕は、前記表面の開口部の直径が５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さが１μｍ〜１０μｍの範囲である、製造方法。
【請求項８】
前記レーザは、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザである、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
さらに、
前記表面に複数のレーザ照射痕を形成する工程の前に、
前記ガラス板の前記表面に、吸収層を設置する工程
を有する、請求項７または８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ドットの少なくとも一つは、隣接するレーザ照射痕の組の少なくとも一つにおいて、中心間距離が５μｍ〜１５μｍの範囲となるように構成される、請求項７乃至９のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ドットの少なくとも一つは、隣接するレーザ照射痕の組の少なくとも一つにおいて、前記隣接するレーザ照射痕が相互に接触しまたは重なるように構成される、請求項７乃至１０のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ドットの少なくとも一つにおいて、前記複数のレーザ照射痕は、二重リング状または螺旋状に配置されるように形成される、請求項７乃至１１のいずれか一つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マークを有するガラス基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス等の製造技術において、半導体ウェハの識別、管理を容易にするため、半導体ウェハの表面に識別子などのマークを形成することが行われている。また、このマークの形成方法として、レーザを照射する技術が知られている。【０００３】
なお、最近では、Ｓｉに代わる次世代の半導体素子として、ＳｉＣが注目されており、このため、ＳｉＣウェハにおいても、表面にレーザを照射してマークを形成することが提案されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８３５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体製造プロセスにおいて、半導体ウェハやガラス基板などを支持するウェハおよび支持基板のような部材に、ガラス基板を使用することが検討されている。ガラス基板は、剛性を有し、平滑な表面に加工することが比較的容易である。従って、そのような部材にガラス基板を使用した場合、積層体の剛性を高め、位置精度を高めることが可能になる。【０００６】
ただし、半導体製造プロセスにおいてガラス基板が使用されるようになると、ＳｉウェハおよびＳｉＣウェハ等と同様、ガラス基板に対しても、識別子のようなマークを付与する必要性が生じる。【０００７】
しかしながら、通常ガラスは透明であり、このため、ＳｉやＳｉＣのような不透明・半透明な材料に比べて、マークの視認性が比較的劣る傾向にある。また、ガラス基板の表面に、従来のＳｉＣウェハに対するレーザマーキングのような方法でマークを形成した場合、材料固有の吸収特性の違いから従来の方法では十分な凹部が形成できず、マークの視認性が悪くなる可能性がある。その一方で、マークの視認性を高めるため、レーザの出力を高めようとすると、今度はガラス基板にクラックが生じる可能性が高まってしまう。【０００８】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、視認性の良いマークを有し、クラックが有意に抑制されたガラス基板を提供することを目的とする。また、本発明では、そのようなガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、表面にマークを有するガラス基板であって、
前記マークは、識別子、アライメントマーク、またはそれらの一部であり、
前記マークは、複数のドットで構成され、
各ドットは、複数のレーザ照射痕で構成され、
各レーザ照射痕は、前記表面の開口部の直径が５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さが１μｍ〜１０μｍの範囲である、ガラス基板が提供される。【００１０】
また、本発明では、表面にマークを有するガラス基板の製造方法であって、
ガラス板の表面にレーザを照射して、前記表面に複数のレーザ照射痕を形成する工程を有し、
前記レーザは、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲の波長を有し、
前記複数のレーザ照射痕は、ドットを構成し、前記ドットの集合は、マークを形成し、
前記マークは、識別子、アライメントマーク、またはそれらの一部であり、
各レーザ照射痕は、前記表面の開口部の直径が５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さが１μｍ〜１０μｍの範囲である、製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、視認性の良いマークを有し、クラックが有意に抑制されたガラス基板を提供することができる。また、本発明では、そのようなガラス基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態によるガラス基板の斜視図を模式的に示した図である。
【図２】本発明の一実施形態によるガラス基板に形成されるマークの一例を模式的に示した図である。
【図３】マークを構成するマーク素子の一つ（数字の「３」）を拡大して示した模式図である。
【図４】マーク素子を構成する一つのドットの模式的な拡大図である。
【図５】マーク素子を構成するドットの別の態様を模式的に示した拡大図である。
【図６】マーク素子を構成するドットのさらに別の態様を模式的に示した拡大図である。
【図７】マーク素子を構成するドットのさらに別の態様を模式的に示した拡大図である。
【図８】マーク素子を構成するドットのさらに別の態様を模式的に示した拡大図である。
【図９】マーク素子を構成するドットのさらに別の態様を模式的に示した拡大図である。
【図１０】隣接する２つのレーザ照射痕の断面を模式的に示した図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるガラス基板の製造方法のフローの一例を模式的に示した図である。
【図１２】例１において、複数のレーザ照射痕の配列により得られた一つのドットを示した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
【００１４】
図１には、本発明の一実施形態によるガラス基板（以下、「第１のガラス基板」と称する）の斜視図を模式的に示す。
【００１５】
図１に示すように、第１のガラス基板１１０は、相互に対向する第１の表面１１２および第２の表面１１４を有する。なお、第１のガラス基板１１０は、略円形の形状を有する。ただし、これは単なる一例であって、第１のガラス基板１１０の形状は、特に限られない。例えば、第１のガラス基板１１０の形状は、略円形状または略矩形状（略正方形状を含む）等であっても良い。また、第１のガラス基板１１０は、ノッチ、オリエンテーションフラット、およびコーナーカット等を有していてもよい。第１のガラス基板１１０のサイズは、特に限定されないが、略円形状の場合は直径（φ）１００ｍｍ〜４５０ｍｍが挙げられる。第１の基板１１０のサイズは、略矩形状の場合は１００ｍｍ×１００ｍｍ〜２ｍ×２ｍが挙げられる。
【００１６】
第１のガラス基板１１０において、第１の表面１１２にはマーク１３０が形成されている。
【００１７】
ここで、本願では、マーク１３０を有するガラス基板（例えば第１のガラス基板１１０）の区別を明確にするため、第１の表面１１２にマーク１３０が形成される前のガラスを、特に「ガラス板」と称することにする。この表記に従えば、ガラス板の第１の表面にマークを形成することにより、前記第１の表面にマーク１３０を有する第１のガラス基板が得られる。
【００１８】
マーク１３０は、例えば、数字、文字および図形の少なくとも一つで構成された識別子であっても良い。また、数字、文字および図形の各々は、一つであっても、複数であっても良い。そのような識別子は、例えば、第１のガラス基板１１０の識別および／または管理に利用することができる。
【００１９】
あるいは、マーク１３０は、例えば、アライメントマークであっても良い。そのようなアライメントマークは、第１のガラス基板１１０のハンドリング、切断、面取りおよび貼り合わせ等の加工の際の位置や方向合わせ等に利用することができる。
【００２０】
なお、以降、マーク１３０を構成する一つの数字、文字および図形を、特に「マーク素子」と称することにする。
【００２１】
図２には、マーク１３０の一例を模式的に示す。
【００２２】
図２に示すように、この例では、マーク１３０は、１２個のマーク素子１３２が直線状に一列に配列されて構成された識別子として示されている。
【００２３】
ただし、マーク１３０は、このような態様に限られるものではない。例えば、マーク１３０は、それぞれのマーク素子１３２が非直線状に配列されて構成されても良い。また、マーク１３０は、それぞれのマーク素子１３２が直線状または非直線状に、２列以上配列されて構成されても良い。
【００２４】
マーク１３０の全体寸法は、特に限られないが、例えば、図２に示すようなマーク素子１３２の直線状配列の場合、横の長さＬ１は、１６．４３±０．０２５ｍｍの範囲であり、縦の長さＬ２は、１．６２４±０．０２５ｍｍであっても良い。なお、マーク１３０がマーク素子１３２の非直線状配列で構成される場合、マーク１３０の横の長さＬ１および縦の長さＬ２は、それぞれ、マーク１３０を含む最小矩形を想定した際の、該最小矩形の第１の辺の長さおよび第２の辺の長さとして、規定される。
【００２５】
マーク１３０を構成する各マーク素子１３２は、複数のドットで構成される。換言すれば、複数のドットにより、一つのマーク素子１３２が形成される。以下、図３を参照して、このドットについて説明する。
【００２６】
図３には、マーク１３０を構成するマーク素子１３２の一つを拡大して示した模式図である。この例では、マーク素子１３２は、数字の「３」として視認される。
【００２７】
図３から明らかなように、マーク素子１３２は、合計１７個のドット１４０の組み合わせで形成される。なお、数字の「３」以外のマーク素子１３２についても、複数のドット１４０を縦横に配列することにより、形成することができる。
【００２８】
このようなドット１４０は、ガラス板の表面に、レーザを照射することにより形成することができる。レーザは、パルスレーザを使用してもよく、連続波レーザを使用してもよい。連続波レーザを使用する場合は、断続的に発振（パルス的発振）させることが好ましい。
【００２９】
図４には、マーク素子１３２を構成する一つのドット１４０の模式的な拡大図を示す。
【００３０】
図４に示すように、ドット１４０は、複数のレーザ照射痕１５０を組み合わせることにより形成される。
【００３１】
ここで、「レーザ照射痕（１５０）」とは、ガラス板にレーザを照射した際に、ガラス板の表面に生じる凹部を意味する。
【００３２】
図４の例では、ドット１４０は、内側リング１５２および外側リング１５４を有する、略二重リングとして構成される。また、内側リング１５２および外側リング１５４は、それぞれ、複数のレーザ照射痕１５０を円形に配列することにより構成される。
【００３３】
なお、示された例では、内側リング１５２および外側リング１５４のそれぞれにおいて、隣り合うレーザ照射痕１５０同士は、相互に接するように配置されている。
【００３４】
しかしながら、ドット１４０を構成するレーザ照射痕１５０の配置態様は、これに限られるものではない。例えば、図４に示した「二重リング状」配列において、内側リング１５２または外側リング１５４内の隣り合うレーザ照射痕１５０同士は、相互に非接触であっても、一部が重なり合っていても良い。あるいは、一部の隣り合うレーザ照射痕１５０同士は、相互に非接触であり、他の一部の隣り合うレーザ照射痕１５０同士は、相互に重なり合っており、さらに別の隣り合うレーザ照射痕１５０同士は、相互に接触していても良い。また、ドット１４０に隣り合うレーザ照射痕１５０同士が相互に非接触のものが複数ある場合、非接触の間隔は同じであっても良く、異なっていても良い。この他にも各種態様があり得る。
【００３５】
なお、ドット１４０は、レーザ照射痕１５０の略二重リング状配列以外の配列で構成されても良い。
【００３６】
図５〜図９には、ドットの別の態様を模式的に示す。
【００３７】
図５の例では、ドット１４０は、複数のレーザ照射痕１５０を丸の螺旋状（渦巻状）に配列することにより形成される。この例においても、隣接するレーザ照射痕１５０同士は、相互に接触していても、一部が重なっていても、あるいは非接触であっても良い。
【００３８】
図６の例では、ドット１４０は、複数のレーザ照射痕１５０が四角の渦巻状に配列されて構成される。図７の例では、ドット１４０は、複数のレーザ照射痕１５０がます記号状に配列されて構成される。図８の例では、ドット１４０は、複数のレーザ照射痕１５０が四角枠状に配列されて構成される。また、図９の例では、ドット１４０は、複数のレーザ照射痕１５０が二重四角状に配列されて構成される。ドットの態様は特に限定されず、丸や四角以外の多角形状であっても良い。また、ドットは内部がレーザ照射痕で塗りつぶされたような態様であっても良い。
【００３９】
なお、一つのドット１４０の寸法は、例えば、５０μｍ×５０μｍの範囲であっても良く、１００μｍ×１００μｍの範囲であっても良く、２００μｍ×２００μｍの範囲であっても良い。一つのドット１４０の寸法は、Ｘ軸方向の寸法とＹ軸方向の寸法が異なっていてもよい。
【００４０】
また、マーク素子１３２を構成する複数のドット１４０の寸法は、それぞれ相互に異なっていても良いし、同様の値であってもよい。
【００４１】
図１０には、図４または図５に示したドット１４０において、相互に隣接する１組のレーザ照射痕の断面を模式的に示したものである。図１０には、相互に隣接する第１のレーザ照射痕１５０Ａおよび第２のレーザ照射痕１５０Ｂが示されている。
【００４２】
図１０に示すように、第１のレーザ照射痕１５０Ａは、第１の表面１１２に形成された第１の開口１６０Ａおよび深さｄ１を有する。第１の開口１６０Ａは、第１の表面１１２の上から見て略円形であり、直径φ１を有する。また、第２のレーザ照射痕１５０Ｂは、第１の表面１１２に形成された第２の開口１６０Ｂおよび深さｄ２を有する。第２の開口１６０Ｂは、第１の表面１１２の上から見て略円形であり、直径φ２を有する。
【００４３】
なお、直径φ１と直径φ２は、相互に異なっていても、同様の値であっても良い。同様に、深さｄ１と深さｄ２は、相互に異なっていても、同様の値であっても良い。
【００４４】
第１のレーザ照射痕１５０Ａの第１の開口１６０Ａの中心と、第２のレーザ照射痕１５０Ｂの第２の開口１６０Ｂの中心との間の距離、すなわち、レーザ照射痕１５０のピッチＰは、例えば、３μｍ〜２０μｍの範囲であっても良く、５μｍ〜１５μｍの範囲であっても良い。ただし、一つのドット１４０において、ピッチＰは、必ずしも一定である必要はなく、場所によって変化しても良い。
【００４５】
ここで、第１のレーザ照射痕１５０Ａにおいて、第１の開口１６０Ａの直径φ１は、５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さｄ１は、１μｍ〜１０μｍの範囲である。同様に、第２のレーザ照射痕１５０Ｂにおいて、第２の開口１６０Ｂの直径φ２は、５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さｄ２は、１μｍ〜１０μｍの範囲である。
【００４６】
なお、図には示さないが、図４および図５に示したその他のレーザ照射痕１５０も、第１および第２のレーザ照射痕１５０Ａ、１５０Ｂとほぼ同様の断面形態を有する。
【００４７】
従って、より一般的には、第１のガラス基板１１０は、例えば図４または図５に示したようなドット１４０において、各レーザ照射痕１５０の第１の表面１１２における開口１６０の直径φが５μｍ〜１５μｍの範囲であり、深さｄが１μｍ〜１０μｍの範囲であるという特徴を有する。
【００４８】
レーザ照射痕１５０の開口１６０の直径φは、６μｍ〜１２μｍの範囲であることが好ましく、９μｍ〜１１μｍの範囲であることがより好ましい。
【００４９】
また、レーザ照射痕１５０の深さｄは、２μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ましく、５μｍ〜１１μｍがより好ましい。
【００５０】
レーザ照射痕１５０の寸法がこのような範囲に含まれるようにして、第１の表面１１２にレーザ照射痕１５０を形成した場合、レーザ照射痕１５０の近傍にクラックが生じる危険性を有意に抑制することができる。
【００５１】
また、レーザ照射痕１５０をこのような寸法で形成した場合、ドット１４０の視認性が高まり、その結果、良好な視認性を有するマーク１３０を得ることができる。
【００５２】
このような効果により、本発明の一実施形態では、クラックの発生を有意に抑制した状態で、良好な視認性を有するマークが第１の表面に配置されたガラス基板を提供することができる。
【００５３】
このような特徴を有する第１のガラス基板１１０は、例えば、半導体デバイス製造用部材（例えば支持基板）、およびイメージセンサ用カバーガラス等に適用することができる。
【００５４】
第１のガラス基板１１０は、例えばウェアラブル機器、例えばプロジェクター付きメガネ、眼鏡型やゴーグル型ディスプレイ、仮想現実拡張現実表示装置、虚像表示装置などに用いられるガラス（ウェアラブル機器用導光ガラスともいう）等に適用することができる。その他、第１のガラス基板１１０は、車載用カメラ、ロボット用視覚センサーなどの用途に、小型で撮像画角の広い撮像ガラスレンズ（レンズ用ガラスともいう）等に適用することができる。
【００５５】
（本発明の一実施形態によるガラス基板の製造方法）
次に、図１１を参照して、本発明の一実施形態によるガラス基板の製造方法の一例について説明する。
【００５６】
図１１には、本発明の一実施形態によるガラス基板の製造方法（以下、「第１の製造方法」と称する）のフローを模式的に示す。
【００５７】
図１１に示すように、第１の製造方法は、
（ｉ）ガラス板を準備する工程（工程Ｓ１１０）と、
（ｉｉ）前記ガラス板の表面にレーザを照射して、前記表面に複数のレーザ照射痕を形成する工程（工程Ｓ１２０）と、
を有する。
【００５８】
以下、各工程について説明する。
【００５９】
（工程Ｓ１１０）
まず、ガラス板が準備される。ガラス板は、第１の表面を有する。
【００６０】
ガラス板の種類は、特に限られない。ガラス板は、例えば、石英ガラスまたは強化ガラス（化学強化ガラスも含む）であっても良い。また、本明細書におけるガラス板（ガラス基板）は、ガラス構造を取るものに限られず、一般名称的にガラスと呼ばれるものであっても良い。例えば、サファイアガラスであっても良い。
【００６１】
（工程Ｓ１２０）
次に、ガラス板の第１の表面にレーザが照射される。
【００６２】
なお、このレーザ照射工程の前に、ガラス板の第１の表面に、吸収層が設置されても良い。
【００６３】
吸収層は、ガラス板の第１の表面が比較的平滑な場合、例えば第１の表面の算術平均粗さＲａが約０．５μｍ未満の場合、設置されることが好ましい。
【００６４】
そのような「平滑な」第１の表面を有するガラス板では、次工程Ｓ１２０で照射されるパルスレーザからのエネルギーが十分に吸収されない傾向があるためである。ガラス板の第１の表面に吸収層を設置することにより、パルスレーザのエネルギーを効率良く吸収することができる。
【００６５】
吸収層の材料は、特に限られない。吸収層は、例えば、無機材料で形成されても良く、有機材料で形成されても良い。例えば、有機材料としては、合成樹脂インクおよびカーボンブラック等を含む顔料が挙げられる。無機材料としては、アルミニウムなどの金属材料が挙げられる。
【００６６】
吸収層は、例えばスプレーコート法やインクジェット法などにより、ガラス基板の第１の表面に設置される。
【００６７】
ただし、吸収層の設置は任意である。吸収層は、レーザ照射工程後に適宜除去すればよい。吸収層は、例えば、スクラブ洗浄（スポンジおよびブラシを用いた物理的な洗浄）、熱処理（アニール）、および研磨や薬品を用いた溶解により除去することができる。
【００６８】
次に、ガラス板の第１の表面（吸収層がある場合は、吸収層）にレーザが照射される。
【００６９】
レーザの照射条件は、得られるレーザ照射痕において、
・第１の表面における開口の直径φが５μｍ〜１５μｍの範囲となり、
・深さｄが１μｍ〜１０μｍの範囲となる
ように選定される。
【００７０】
前述のように、第１の表面におけるレーザ照射痕の開口の直径φは、６μｍ〜１２μｍの範囲であることが好ましい。また、レーザ照射痕の深さｄは、２μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ましい。
【００７１】
そのようなレーザ照射痕を効率的に形成するため、レーザは、６００ｎｍ以下の波長を有することが好ましく、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの波長範囲を有することがより好ましい。例えば、波長が５３２ｎｍ（緑色）のＹＡＧレーザ（第２高調波）を使用しても良い。
【００７２】
なお、レーザ照射痕は、必ずしもパルスレーザの１回の照射により形成される必要はない。すなわち、同一位置に複数回パルスレーザを照射することにより、一つのレーザ照射痕が形成されても良い。連続波レーザを使用する場合は、断続的な発振のうち、１回の照射による形成に限定されない。同一に複数回連続波レーザを照射し、一つのレーザ照射痕が形成されても良い。
【００７３】
このような方法を用いて、第１の表面に複数のレーザ照射痕を所定の配置で形成することにより、ドットが構成される。また、複数のドットを組み合わせることにより、マーク素子を構成することができ、さらに複数のマーク素子を組み合わせることにより、識別子またはアライメントマークのようなマークを得ることができる。
【００７４】
このような第１の製造方法では、パルスレーザの照射の際に、レーザ照射痕およびその近傍にクラックが生じる危険性を有意に抑制することができる。また、第１の製造方法では、レーザ照射痕によって構成されるドットの視認性が高まり、その結果、良好な視認性を有するマークを得ることができる。
【００７５】
なお、ガラス基板にマークを形成するタイミングは特に限定されない。例えば、（１）工程Ｓ１１０で準備されるガラス板は、ガラス素板から所望の形状に切断され、面取り、研削、研磨、洗浄などの工程を経たものであって、所望の品質が得られたガラス板に対し工程Ｓ１２０のようにマークを形成してもよい。（２）工程Ｓ１１０で準備されるガラス板は、所望の形状に切断されたものであって、工程Ｓ１２０でマークが形成された後に、面取りなどの各種工程が行われてもよい。（３）工程Ｓ１２０は、面取り、研削、研磨、洗浄などの工程の途中で行われてもよい。また、所望の形状に切断される工程がなく、最初から所望の形状を有するガラス板を準備してもよい。（１）の例のように、面取り、研削、研磨および洗浄などの工程を経た後にマークを形成すると、マークの品質が劣化しない（マークが形成された主表面が研削や研磨されることで視認性が悪化するなど）ため好ましい。さらに、（１）の例の場合は、工程Ｓ１２０の前の工程までを通常の雰囲気で行い、工程Ｓ１２０のマーク形成をクリーンルームで行うと、ガラス基板の品質（表面状態など）が保たれるため好ましい。
【実施例】
【００７６】
次に、実施例について説明する。なお、以下の説明において、例１〜例４は、実施例であり、例５〜例６は、比較例である。【００７７】
（例１）
以下の方法により、マークを有するガラス基板を製造した。【００７８】
まず、直径３００ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの略円形状の無アルカリガラス製のガラス板（ＥＮ−Ａ１：旭硝子株式会社製）を準備した。【００７９】
被レーザ照射表面（第１の表面）の表面粗さ（Ｒａ）は、約０．４５ｎｍであった。【００８０】
次に、ガラス板の第１の表面のマークが形成される位置に、吸収層を設置した。吸収層は、油性アクリルラッカー（Ｈ６２−８８０８  ６５）とし、スプレー塗布により、ガラス板に設置した。【００８１】
次に、ガラス板の第１の表面の吸収層にパルスレーザを照射し、レーザ照射痕を形成した。また、複数のレーザ照射痕の組み合わせにより、ドットを構成した。【００８２】
パルスレーザの照射には、刻印装置（ＭＬ９５００Ａ：株式会社アマダミヤチ製）を用い、レーザは、波長５３２ｎｍのＹＧＡレーザ（第２高調波）とした。レーザ出力の電流値は、１３．０Ａとした。レーザ照射痕は、第１の表面の同一箇所に、パルスレーザを４回照射することにより形成した。以下、この同一箇所のレーザ照射回数を、「繰り返し回数」と称する。レーザ照射痕のピッチＰは、１１μｍを目標とした。【００８３】
図１２には、レーザ照射痕の組み合わせにより得られたドットの一例を示す。このドットは、レーザ照射痕の二重リング配列で構成されている。【００８４】
内側リングの寸法（一つのレーザ照射痕の略中心位置から、内側リングの中心点を通り対向する位置にあるレーザ照射痕の略中心位置までの寸法）は、約４２．８μｍであり、外側リングの寸法（一つのレーザ照射痕の略中心位置から、外側リングの中心点を通り対向する位置にあるレーザ照射痕の略中心位置までの寸法）は、約９７．９μｍであった。【００８５】
なお、内側リングの寸法は、０時、２時および４時の方向における３点の平均値である。同様に、外側リングの寸法は、０時、２時および４時の方向における３点の平均値である。【００８６】
一つのドットの縦横寸法は、約１００μｍ×約１００μｍであった。【００８７】
このような方法でレーザ照射を繰り返し行い、１２個のマーク素子からなるマーク（図２参照）を形成した。【００８８】
得られたマークにおいて、横の長さＬ１は、約１６．４ｍｍであり、縦の長さＬ２は、約１．６２ｍｍであった。【００８９】
以上の方法により、マークを有するガラス基板が製造された。【００９０】
（評価）
得られたガラス基板に対して、以下の評価を実施した。【００９１】
（レーザ照射痕の測定）
得られたガラス基板において、各レーザ照射痕の開口の直径φおよび深さｄを測定した。【００９２】
レーザ照射痕の開口の直径は、以下のように測定した。【００９３】
顕微鏡またはレーザ顕微鏡でレーザ照射痕を観察し、画像上でレーザ照射痕の直径を測定した。なお、相互に最近接のレーザ照射痕同士が重なっている場合は、非重複部分で直径を測定した。【００９４】
測定の結果、開口の直径の最小値φｍｉｎは、８μｍであり、最大値φｍａｘは、１２μｍであった。【００９５】
一方、レーザ照射痕の深さの測定には、レーザ顕微鏡装置（ＶＫ９５１０：Ｋｅｙｅｎｃｅ社製）を使用した。この装置では、ガラス基板の表面側から、レーザ照射痕の深さを非破壊式に測定することができる。【００９６】
マークを構成する全てのレーザ照射痕の深さｄを測定し、得られた結果から、最大の深さｄｍａｘを求めた。【００９７】
（クラックの測定）
得られたガラス基板において、第１の表面の各マーク素子の近傍に生じたクラックの数（総数）を評価した。評価は、１０倍レンズ顕微鏡を用いた目視での観察により行った。【００９８】
（マークの視認性評価）
ガラス基板の第１の表面に形成されたマークを、目視で観察した。その結果、全てのマーク素子が視認できる場合を○と判定し、マーク素子が一部でも視認できない場合を×と判定した。【００９９】
（例２〜例６）
例１と同様の方法により、マークを有するガラス基板を製造した。【０１００】
ただし、これらの例２〜例６では、パルスレーザの照射条件（電流値および繰り返し回数）を、例１の場合とは変化させた。【０１０１】
得られたガラス基板を用いて、例１の場合と同様の評価を実施した。【０１０２】
各例におけるレーザの照射条件および評価結果を、まとめて以下の表１に示す。【０１０３】
【表１】
2018150759.tif 000003
表１に示すように、例１〜例６のガラス基板では、いずれもマークの視認性は良好であることがわかった。しかしながら、例５〜例６では、マーク部分にクラックが生じていることが観測された。これに対して、例１〜例４では、クラックが生じていないことがわかった。【０１０４】
本願は、２０１７年２月１５日に出願した日本国特許出願２０１７−０２６４６４号に基づく優先権を主張するものであり同日本国出願の全内容を本願に参照により援用する。
【符号の説明】
【０１０５】
１１０      ガラス基板
１１２      第１の表面
１１４      第２の表面
１３０      マーク
１３２      マーク素子
１４０      ドット
１５０、１５０Ａ、１５０Ｂ  レーザ照射痕
１５２      内側リング
１５４      外側リング
１６０Ａ、１６０Ｂ      開口
【図１】
2018150759.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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