(57)【要約】  基材Ａ、感光層Ｂ及び透明電極層Ｃの順に積層がされた積層体を、露光する、第一の露光工程と、前記積層体の表面に、感光性導電ペーストＤを塗布して感光性導電膜Ｄを得る、塗布工程と、前記感光性導電膜Ｄを、露光する、第二の露光工程と、前記積層体及び前記感光性導電膜Ｄを一括して現像して、透明電極パターンＣ及び導電パターンＤの積層パターンを得る、現像工程と、を備え、前記感光層Ｂは、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有し、前記感光性導電ペーストＤは、導電性粒子、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有する、積層パターン形成基材の製造方法。  未露光部の溶解除去における残渣発生を抑制でき、かつ、基材上に形成された導電パターンと感光性樹脂層との密着力を保持し、更には導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、積層パターン形成基材の製造方法を提供する。
2017208842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材Ａ、感光層Ｂ及び透明電極層Ｃの順に積層がされた積層体を、露光する、第一の露光工程と、
前記積層体の表面に、感光性導電ペーストＤを塗布して感光性導電膜Ｄを得る、塗布工程と、
前記感光性導電膜Ｄを、露光する、第二の露光工程と、
前記積層体及び前記感光性導電膜Ｄを一括して現像して、透明電極パターンＣ及び導電パターンＤの積層パターンを得る、現像工程と、を備え、
前記感光層Ｂは、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有し、
前記感光性導電ペーストＤは、導電性粒子、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有する、積層パターン形成基材の製造方法。
【請求項２】
前記第一の露光工程が、フォトマスクを介して露光する工程と、フォトマスクを介することなく酸素存在下で露光する工程とを有する請求項１に記載の積層パターン形成基材の製造方法。
【請求項３】
さらに前記積層パターンを１００〜３００℃で加熱する、キュア工程を備える、請求項１又は２に記載の積層パターン形成基材の製造方法。
【請求項４】
前記透明電極層が、金属ナノワイヤを含有する、請求項１〜３に記載の積層パターン形成基材の製造方法。
【請求項５】
前記金属ナノワイヤとして、銀ナノワイヤを含有する、請求項４に記載の積層パターン形成基材の製造方法。
【請求項６】
前記導電性粒子として、銀粒子を含有する、請求項１〜５のいずれかに記載の積層パターン形成基材の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法に基づく工程を備えることを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電（積層）パターン形成部材（基材）及びタッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量式タッチパネルの表示領域に形成される表示電極は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる透明電極である。そのパターン加工のプロセスとしては、スパッタ等により基材にＩＴＯ等の金属薄膜を膜付けして、その表面にさらに感光性を有する樹脂であるフォトレジストを塗布してフォトマスクを介して露光をし、現像でレジストパターンを形成した後にエッチング及びレジスト除去をするのが一般的である。【０００３】
一方で、基材上に予め感光性樹脂層及び透明電極層を積層したものを用意しておくことで、透明電極のパターンを形成する都度フォトレジストを塗布したり、除去したりすることを省く技術も考案されている（特許文献１及び２）。【０００４】
静電容量式タッチパネルでは表示領域の周辺には、透明電極と接続する周囲配線が形成される。この周囲配線の形成の方法としては、感光性を有する導電ペーストをフォトリソ法で微細加工する方法が知られている（特許文献３〜７）。この導電ペーストを用いて、上記の感光性樹脂層及び透明電極層を積層した基材から形成した透明電極パターンに接続する周囲配線を形成しようとした場合、該基材上に形成された感光性樹脂層及び透明電極層の表面に、導電ペーストを塗布してからその加工をする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１８１５７号公報
【特許文献２】特開２０１４−１９９８１４号公報
【特許文献３】特許第５２７８６３２号公報
【特許文献４】国際公開第２０１３／１０８６９６号
【特許文献５】特許第５３６０２８５号公報
【特許文献６】特許第５４０３１８７号公報
【特許文献７】国際公開第２０１３／１４６１０７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基材上の感光性樹脂層の表面に導電ペーストの塗布膜が形成された部位においては、導電ペースト中の溶剤により感光性樹脂層が膨潤し、そこに導電ペーストに含まれる導電性粒子が埋没することで、導電ペーストをフォトマスクを介して露光した後の現像工程において、未露光部に残渣が発生するばかりでなく、形成された導電パターンと感光性樹脂層間での密着性不良が生じ、更には導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーションが問題視されていた。【０００７】
そこで本発明は、未露光部の溶解除去における残渣発生を抑制でき、かつ、基材上に形成された導電パターンと感光性樹脂層との密着力を保持し、更には導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、積層パターン形成基材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、（１）から（７）に記載した積層パターン形成基材及びタッチパネルの製造方法を提供する。【０００９】
（１）基材Ａ、感光層Ｂ及び透明電極層Ｃの順に積層がされた積層体を、露光する、第一の露光工程と、前記積層体の表面に、感光性導電ペーストＤを塗布して感光性導電膜Ｄを得る、塗布工程と、前記感光性導電膜Ｄを露光する、第二の露光工程と、前記積層体及び前記感光性導電膜Ｄを一括して現像して、透明電極パターンＣ及び導電パターンＤの積層パターンを得る、現像工程と、を備え、前記感光層Ｂは、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有し、前記感光性導電ペーストＤは、導電性粒子、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有する、積層パターン形成基材の製造方法。【００１０】
（２）前記第一の露光工程が、フォトマスクを介して露光する工程と、フォトマスクを介することなく酸素存在下で露光する工程とを有する上記（１）に記載の積層パターン形成基材の製造方法。【００１１】
（３）さらに前記積層パターンを１００〜３００℃で加熱する、キュア工程を備える、上記（１）又は（２）に記載の積層パターン形成基材の製造方法。【００１２】
（４）前記透明電極層が、金属ナノワイヤを含有する、上記（１）〜（３）に記載の積層パターン形成基材の製造方法。【００１３】
（５）前記金属ナノワイヤとして、銀ナノワイヤを含有する、上記（４）に記載の積層パターン形成基材の製造方法。【００１４】
（６）前記導電性粒子として、銀粒子を含有する、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の積層パターン形成基材の製造方法。【００１５】
（７）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の製造方法に基づく工程を備えることを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の製造方法によれば、未露光部の溶解除去における残渣発生を抑制でき、かつ、基材上に形成された導電パターンと感光性樹脂層との密着力を保持し、更には導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、積層パターン形成基材を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】積層パターン形成基材の模式図である。
【図２】残渣評価、密着性評価に用いた導電パターンの模式図である。
【図３】イオンマイグレーション耐性の評価に用いた導電パターンの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に具体例を挙げつつ、本発明について詳細に説明する。
【００１９】
本発明の積層パターン形成基材の製造方法は、基材Ａ、感光層Ｂ及び透明電極層Ｃの順に積層がされた積層体を、露光する、第一の露光工程と、前記積層体の表面に、感光性導電ペーストＤを塗布して感光性導電膜Ｄを得る、塗布工程と、前記感光性導電膜Ｄを、露光する、第二の露光工程と、前記積層体及び前記感光性導電膜Ｄを一括して現像して、透明電極パターンＣ及び導電パターンＤの積層パターンを得る、現像工程と、を備え、前記感光層Ｂは、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有し、前記感光性導電ペーストＤは、導電性粒子、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有する、積層パターン形成基材の製造方法である。
【００２０】
本発明において基材Aとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、アラミドフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板が挙げられるがこれらに限定されない。
【００２１】
本発明において感光層Ｂを構成する感光性樹脂としては、分子鎖中にカルボキシル基を有するものであればよく、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物、ポリアミック酸、アルカリ可溶性のシロキサンポリマーが挙げられ、可視光透過性の観点からアルカリ可溶性のアクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物が好ましい。
【００２２】
アクリル系共重合体は不飽和二重結合を有するアクリルモノマーを共重合させることで得られ、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体はアクリルモノマーに不飽和カルボン酸等の不飽和酸を用いることにより得られる。不飽和酸としては、例えば、アクリル酸（以下、「ＡＡ」）、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。
【００２３】
アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート（以下、「ＢＡ」）、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート若しくはベンジルメルカプタンアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート若しくはトリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート若しくはジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド若しくはＮ−イソブトキシメチルアクリルアミド、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマー又はγ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、あるいは、それらのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられるが、可視光透過性の観点から脂肪鎖もしくは脂環式構造を有するものが好ましい。
【００２４】
本発明における感光層Ｂに含まれる光重合開始剤としては、例えば、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、エタノン−１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、Ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン又はメチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。
【００２５】
感光層Ｂに含まれる光重合開始剤の添加量としては、感光性樹脂１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましく、より好ましくは２．０〜４質量部である。感光性樹脂１００質量部に対する添加量が０．０１質量部以上、より好ましくは２．０質量部以上であると、露光部の硬化密度が増加し、現像後の残膜率を高くすることができる。一方で、感光性樹脂１００質量部に対する添加量が５質量部以上、より好ましくは４質量部以下であると、感光層Ｂ上での、光重合開始剤による過剰な光吸収が抑制される。その結果、製造された透明電極パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。
【００２６】
本発明における感光層Ｂは全光線透過率が８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。なお感光層Ｂの全光線透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７３６１−１（１９９７年）に準拠して測定することができる。全光線透過率が８０％以上であればタッチパネルのようなディスプレイ製品に使用することができ、９０％以上であればディスプレイの発光効率を高め、消費電力を抑えることができる。
【００２７】
本発明における透明電極層Ｃは導電成分を含み、導電成分としては、インジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、タングステン、からなる群より選択される少なくとも１種の金属の金属酸化物が用いられる。当該金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記郡に示された金属原子を含んでいてもよい。例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化インジウム−酸化亜鉛複合酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、フッ素亜鉛酸化物、フッ素インジウム酸化物、アンチモンスズ酸化物、フッ素スズ酸化物等を用いることができる。その他導電成分としては、カーボンナノチューブ、金、銀、白金などの金属繊維（ナノワイヤ）を用いることができる。導電性、可視光透過性、価格などの観点からＩＴＯ、銀の金属繊維（ナノワイヤ）が好ましく、導電パターンＤとの接続信頼性の観点から銀の金属繊維（ナノワイヤ）がより好ましい。
【００２８】
透明電極層Ｃの形成方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。具体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、コーティング法等による透明電極層Ｃの形成方法を例示できる。また、必要とする膜厚に応じて適宜の方法を採用することもできる。
【００２９】
透明電極層Ｃの厚みは特に制限されないが、良好な導電性を有する連続被膜とするには０．０１μｍ以上が好ましく、耐傷性の観点から０．２μｍ以上がより好ましい。可視光透過性の観点からは１．５μｍ以下が好ましく、より好ましくは１．０μｍ以下である。
【００３０】
本発明における透明電極層Ｃは全光線透過率が８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。可視光透過率が８０％以上であればタッチパネルのようなディスプレイ製品に使用することができ、９０％以上であればディスプレイの発光効率を高め、消費電力を抑えることができる。
【００３１】
本発明における感光性導電ペーストＤに含まれる導電性粒子としては、銀（以下、「Ａｇ」）、金（以下、「Ａｕ」）、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン若しくはインジウム又はこれら金属の合金が挙げられるが、導電性の観点からＡｇ、Ａｕ又は銅が好ましく、コスト及び安定性の観点からＡｇがより好ましい。また、形状としては、長軸長を短軸長で除した値であるアスペクト比が、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがより好ましい。導電性粒子のアスペクト比が１．０以上であると、導電性粒子同士の接触確率が、より高まることになる。一方で、導電性粒子のアスペクト比が２．０以下であると、後述する露光工程において露光光が遮蔽されにくく、現像マージンが広くなる場合がある。導電性粒子のアスペクト比は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で導電性粒子を観察し、無作為に１００個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの長軸長及び短軸長を測定し、両者の平均値からアスペクト比を求めることで決定することができる。
【００３２】
導電性粒子の粒径は、３．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましい。
粒径が３．０μｍ以下であれば導電パターンの直進性を高くすることができ、２．０μｍ以下であればより直進性を高くすることができる。導電性粒子の粒径は、電子顕微鏡（ＳＥＭ又はＴＥＭ）で導電性粒子を観察し、無作為に２０個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの最大幅を測定し、それらの平均値を求めることで算出することができる。また、感光性導電ペーストＤが含有する導電性粒子に占める粒径３．０μｍ以下の粒子の割合は、電子顕微鏡（ＳＥＭ又はＴＥＭ）で導電性粒子を観察し、無作為に１００個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの最大幅を測定し、最大幅が３．０μｍ以下であった一次粒子の割合から決定することができる。
【００３３】
また、感光性導電ペーストＤが含有する導電性粒子の粒径は、採取した感光性導電ペーストＤをテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」）に溶解し、沈降した導電性粒子を回収し、ボックスオーブンを用いて７０℃で１０分間乾燥をしたものについて、上記と同様に算出することができる。
【００３４】
感光性導電ペーストＤの固形分に占める導電性粒子の割合は、６０〜９５質量％が好ましく、より好ましくは７０〜８５質量％である。導電性粒子の割合が６０質量％以上であると、導電性粒子同士の接触確率が高まり、得られる感光性導電パターンＤの抵抗値を安定化し、７０質量％以上であればその効果がより高まる。一方で、導電性粒子の割合が９５質量％以下であると、後述する露光工程において露光光が遮蔽されにくく、現像マージンが広くなり、８５質量％以下であればその効果がより高まる。ここで固形分とは、溶剤を除く、感光性導電ペーストＤの全成分をいう。
【００３５】
本発明の感光性導電ペーストＤに含まれる感光性樹脂としては二重結合とカルボキシル基とを有するアクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物などが挙げられる。密着性の観点からはエポキシカルボキシレート化合物が好ましい。
【００３６】
二重結合とカルボキシル基を有するアクリル系共重合体はカルボキシル基と不飽和二重結合を有する不飽和酸をアクリルモノマーとして共重合させることで得られる。不飽和酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。
【００３７】
アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート若しくはベンジルメルカプタンアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート若しくはトリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート若しくはジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド若しくはＮ−イソブトキシメチルアクリルアミド、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマー又はγ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、あるいは、それらのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられる。
【００３８】
また、上記アクリル系共重合体が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、側鎖に反応性の不飽和二重結合を付与することができ、不飽和二重結合量を調整することができる。
【００３９】
エポキシカルボキシレート化合物とは、エポキシ化合物と、不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物と、を出発原料として合成することができる化合物をいう。出発原料となり得るエポキシ化合物としては、例えば、グリシジルエーテル類、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル類、グリシジルアミン類又はエポキシ樹脂が挙げられるが、より具体的には、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル、ビフェノールジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート又はｔｅｒｔ−ブチルグリシジルアミンが挙げられる。また、不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、桂皮酸又はα−シアノ桂皮酸が挙げられる。
【００４０】
エポキシカルボキシレート化合物と多塩基酸無水物とを反応させて、エポキシカルボキシレート化合物の酸価を調整しても構わない。多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水イタコン酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルーヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸又は無水マレイン酸が挙げられる。
【００４１】
上記多塩基酸無水物と反応させたエポキシカルボキシレート化合物が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、エポキシカルボキシレート化合物が有する反応性の不飽和二重結合の量を調整しても構わない。
【００４２】
エポキシカルボキシレート化合物が有するヒドロキシ基と、ジイソシアネート化合物を反応させることにより、ウレタン化をさせても構わない。ジイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、トリデンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、アリルシアンジイソシアネート又はノルボルナンジイソシアネートが挙げられる。
【００４３】
本発明における感光性導電ペーストＤに含まれる光重合開始剤としては、例えば、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、エタノン−１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、Ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン又はメチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられるが、光感度の高い、オキシムエステル系化合物が好ましい。
【００４４】
感光性導電ペーストＤに含まれる光重合開始剤の添加量は、感光性樹脂１００質量部に対して０．０５〜３０質量部が好ましく２〜１０質量部がより好ましい。感光性樹脂１００質量部に対する添加量が０．０５質量部以上であると、露光部の硬化密度が増加し、現像後の残膜率を高くすることができ、２質量部以上であれば露光時間を短くすることができる。一方で、感光性樹脂１００質量部に対する添加量が３０質量部以下であると、感光性導電ペーストＤを塗布して得られた塗布膜上部での、光重合開始剤による過剰な光吸収が抑制される。その結果、製造された導電パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制され、１０質量部以下であればその効果はより高まる。
【００４５】
本発明における感光性導電ペーストＤは光重合開始剤と共に、増感剤を含有しても構わない。
【００４６】
該増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール又は１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾール等が挙げられる。
【００４７】
該増感剤の添加量は、感光性樹脂１００質量部に対して０．０５〜１０質量部が好ましい。感光性樹脂１００質量部に対する添加量が０．０５質量部以上であると、光感度が向上する。一方で、感光性樹脂１００質量部に対する添加量が１０質量部以下であると、感光性導電ペーストＤを塗布して得られた塗布膜上部での、過剰な光吸収が抑制される。その結果、製造された導電パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される傾向にある。
【００４８】
本発明の感光性導電ペーストＤはエポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としてはエチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂などが挙げられ、基材への密着性の観点からビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、露光光に対する透過性の観点から水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂がより好ましい。
【００４９】
エポキシ樹脂の添加量は、感光性樹脂１００質量部に対して０．０５〜５０質量部が好ましい。感光性樹脂１００質量部に対する添加量が０．０５質量部以上であると、透明電極層Ｃとの密着性を高めることができる。一方で、感光性樹脂１００質量部に対する添加量が５０質量部以下であると、感光性導電ペーストＤの現像液に対する溶解性を良好に保つことができる。
【００５０】
本発明において基材Ａ、感光層Ｂ及び透明電極層Ｃの順に積層がされた積層体を、露光する第一の露光工程は、フォトマスクを介して露光する工程と、フォトマスクを介することなく酸素存在下で全面露光する工程とに別れる。酸素存在下で露光すると露光部の最表層は酸素阻害により硬化が進まず、現像液への溶解性が高くなる傾向にある。第一の露光工程では高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、ＬＥＤなどのｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）又はｇ線（４３６ｎｍ）を発する光源を使用し、真空吸着露光、プロキシ露光、プロジェクション露光、直描露光などの各種露光方法が行われる。酸素存在下で露光する際の露光量は１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。露光量を１００ｍＪ／ｃｍ２以上にすることで感光層Ｂと導電パターンＣとの密着性を高めることができ、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下より好ましくは８００ｍＪ／ｃｍ２以下にすることで感光層Ｂの最表面では硬化反応が進まず現像液への溶解性が高く維持され、膜深部は硬化反応が進み現像液への溶解性が低下するため、最表面と膜深部との溶解度差を大きくすることができる。この状態では現像時に最表面だけが現像液に溶解するため、この上に積層された感光性導電膜Ｄも一緒に現像液に流されるため、後記する感光性導電ペーストＤの残渣の発生を抑制することができる。
【００５１】
本発明における感光性導電ペーストＤを塗布して、感光性導電膜Ｄを得る塗布工程としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いた塗布方法が挙げられる。なお、膜厚は、例えばサーフコム（登録商標）１４００（（株）東京精密製）のような触針式段差計を用いて測定することができる。より具体的には、ランダムな３つの位置の膜厚を触針式段差計（測長：１ｍｍ、走査速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ）でそれぞれ測定し、その平均値を膜厚とすることができる。
【００５２】
本発明において感光性導電膜Ｄを露光する第二の露光工程としては、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、ＬＥＤなどのｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）又はｇ線（４３６ｎｍ）を発する光源を使用し、真空吸着露光、プロキシ露光、プロジェクション露光、直描露光などの各種露光方法が行われる。
【００５３】
本発明における積層体及び感光性導電膜Ｄを一括して現像して、透明電極パターンＣ及び導電パターンＤの積層パターンを得る現像工程は、アルカリ現像液を用いて現像し、未露光部を溶解除去して、所望のパターンを得る工程である。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられるが、これらの水溶液に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類又は界面活性剤を添加しても構わない。
【００５４】
有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶媒又はこれら極性溶媒とメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶液が挙げられる。
【００５５】
現像の方法としては、例えば、基板を静置又は回転させながら現像液を塗布膜面にスプレーする方法、現像液を吐出するノズルが多数配置された現像槽をコンベアで通過する方法、現像液中に浸漬する方法、又は、基板を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法等が挙げられる。大面積を均一に現像するという観点からは現像槽をコンベアで通過する現像が好ましく、現像液を吐出する際の現像圧力は、０．０２〜０．２ＭＰａが好ましい。現像圧力が０．０２ＭＰａ以上であれば打力により積層体および塗布膜Ｄの未露光部を一括して除去しやすくなり、残渣の発生を抑えることができる。現像液の圧力が０．２ＭＰａ以下であれば導電パターンＤの透明電極パターンＣに対する密着性を悪化させない。
【００５６】
一括現像により得られた積層パターンは、未露光部が一括して除去されているため、感光層Ｂの未露光部が存在せず、感光層Ｂの未露光部での導電性粒子の残渣をなくすことが出来る。
【００５７】
また、前記積層パターンは、導電パターンＤの全面で透明電極パターンＣと接続するため、高い接続安定性を得ることができ、パターン間の接触抵抗を低く抑えることが出来る。
【００５８】
一括現像により得られた積層パターンは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を加えた水溶液が挙げられる。
【００５９】
本発明において積層パターンをキュアするキュア工程の温度は１００〜３００℃である。キュアの温度は、１２０〜１８０℃がより好ましい。キュア温度が１００℃未満であると、樹脂成分の体積収縮量が大きくならず、比抵抗が十分に低くならない場合がある。一方で、キュア温度が３００℃を超えると、耐熱性が低い基板等の材料上に、導電パターンを製造することができない場合がある。
【００６０】
得られた積層パターンをキュアする方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、紫外線ランプ、赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター若しくはキセノンフラッシュランプ等の電磁波、又は、マイクロ波による加熱乾燥、あるいは、真空乾燥が挙げられる。加熱により、製造される積層パターンの硬度が高まり、他の部材との接触による欠けや剥がれ等を抑制することができ、さらには透明電極パターンＣと導電パターンＤとの密着性を向上させることができる。
【００６１】
本発明の積層パターン形成基材の製造方法により製造される積層パターン形成基材は、タッチパネル用の周囲配線として好適に用いられる。タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜式、光学式、電磁誘導式又は静電容量式が挙げられるが、静電容量式タッチパネルは特に微細な配線が求められることから、本発明の積層パターン形成基材の製造方法により製造される積層パターン形成基材がより好適に用いられる。
【００６２】
本発明の積層パターン形成基材の製造方法に基づく工程を備えることを特徴とするタッチパネルの製造方法により製造された積層パターンをその周囲配線として備え、かつ該周囲配線が５０μｍピッチ（配線幅＋配線間幅）以下であるタッチパネルにおいては、額縁幅を細くでき、ビューエリアを広くすることができる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００６４】
各実施例及び比較例で用いた材料は、以下のとおりである。【００６５】
［感光層Ｂを形成する感光層樹脂（b）］
（合成例１）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／メタクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２−ＥＨＭＡ」）／ＢＡ／Ｎ−メチロールアクリルアミド（以下、「ＭＡＡ」）／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５。【００６６】
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、５ｇのＭＡＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、感光性樹脂（ｂ−１）を得た。【００６７】
（合成例２）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／ＭＡＡ／ＡＡ＝２０／２０／２０／１５／２５。【００６８】
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、２０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、５ｇのＭＡＡ、２５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、感光性樹脂（ｂ−２）を得た。【００６９】
（合成例３）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／ＭＡＡ／ＡＡ＝３０／２０／１０／２５／１５。【００７０】
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、３０ｇのＥＡ、２０ｇの２−ＥＨＭＡ、１０ｇのＢＡ、２５ｇのＭＡＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、感光性樹脂（ｂ−３）を得た。【００７１】
［感光性導電ペーストＤに含まれる感光性樹脂（ｄ）］
（合成例４）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／スチレン（以下、「Ｓｔ」）／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）／ＡＡ＝２０／４０／２５／５／１０。【００７２】
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２５ｇのＳｔ、１０ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、感光性樹脂（ｄ−１）を得た。【００７３】
（合成例５）
共重合比率（質量基準）：エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＦＡ−３２４Ａ；日立化成工業（株）製）／ＥＡ／ＧＭＡ／ＡＡ＝６０／２０／５／１５。【００７４】
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、６０ｇのエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、２０ｇのＥＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、感光性樹脂（ｄ−２）を得た。【００７５】
（合成例６）
窒素雰囲気の反応溶液中に、４９２．１ｇのカルビトールアセテート、８６０．０ｇのＥＯＣＮ−１０３Ｓ（日本化薬（株）製；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；エポキシ当量：２１５．０ｇ／当量）、２８８．３ｇのＡＡ、４．９２ｇの２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール及び４．９２ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ以下になるまで反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。引き続き、この反応液に１６９．８ｇのカルビトールアセテート及び２０１．６ｇのテトラヒドロ無水フタル酸を仕込み、９５℃で４時間反応させ、感光性樹脂（ｄ−３）を得た。【００７６】
（合成例７）
窒素雰囲気の反応容器中に、３６８．０ｇのＲＥ−３１０Ｓ（日本化薬（株）製；エポキシ当量：１８４．０ｇ／当量）、１４１．２ｇのＡＡ、１．０２ｇのハイドロキノンモノメチルエーテル及び１．５３ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になるまで反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。その後、この反応溶液に７５５．５ｇのカルビトールアセテート、２６８．３ｇの２，２−ビス（ジメチロール）−プロピオン酸、１．０８ｇの２−メチルハイドロキノン及び１４０．３ｇのスピログリコールを加え、４５℃に昇温した。この溶液に４８５．２ｇのトリメチルヘキサメチレンジイソシアネートを、反応温度が６５℃を超えないように徐々に滴下した。滴下終了後、反応温度を８０℃に上昇させ、赤外吸収スペクトル測定法により、２２５０ｃｍ−１付近の吸収がなくなるまで６時間反応させ、感光性樹脂（ｄ−４）を得た。【００７７】
［光重合開始剤］
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＯＸＥ−０１（以下、「ＯＸＥ−０１」；チバジャパン（株）製）
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９（以下、「ＩＣ−３６９」；チバジャパン（株）製）。【００７８】
［モノマー］
・ライトアクリレートＭＰＤ−Ａ（以下、「ＭＰＤ−Ａ」；共栄社化学（株）製）。【００７９】
［アルコール系溶剤］
・ジエチレングリコール（以下、「ＤＥＧ」）。【００８０】
［エポキシ樹脂］
・ｊＥＲ（登録商標）８２８（以下、「８２８」；三菱化学（株）製）
・ｊＥＲ（登録商標）ＹＸ−８０００（以下、「ＹＸ−８０００」；三菱化学（株）製）。【００８１】
［透明電極材料］
・銀繊維（線径５ｎｍ、線長５μｍ）
・ＩＴＯ（酸化インジウム９７質量％、酸化スズ３質量％）。【００８２】
（実施例１）
＜感光層Ｂの形成＞
基材Ａとして、厚さ３０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを用意した。基材Ａの片面に、感光性樹脂（ｂ−１）、ＭＰＤ−Ａ及びＩＣ−３６９がそれぞれ１００：５０：１の割合で混合された組成物Ｂ１を塗布し、熱処理及び乾燥をして、厚さが４μｍの感光層Ｂ１を形成した。【００８３】
＜透明電極層Ｃの形成＞
銀繊維の水分散液（固形分０．２質量％）を感光層Ｂ１上に塗布し、１００℃で５分間乾燥し、厚さ１．０μｍからなる銀繊維（ナノワイヤ）薄膜である透明電極層Ｃ１を形成した。【００８４】
＜第１の露光＞
透明電極層Ｃ１にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で感光層Ｂ及び透明電極層Ｃを露光し、さらにフォトマスクを介すことなく、２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で感光層Ｂ１及び透明電極層Ｃ１を全面露光した。【００８５】
＜感光性導電ペーストＤの調製＞
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの感光性樹脂（ｄ−１）、２．０ｇのＩＣ−３６９及び５．０ｇのジエチエングリコールを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合して、１７．０ｇの樹脂溶液Ｄ１（固形分７０．１質量％）を得た。【００８６】
得られた１７．０ｇの樹脂溶液Ｄ１、６８．０ｇの銀粒子を混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０：ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、８５．０ｇの感光性導電ペーストＤ１を得た。【００８７】
＜感光性導電膜Ｄの形成＞
感光層Ｂ１及び露光された透明電極層Ｃ１の表面に、感光性導電ペーストＤ１をスクリーン印刷機で膜厚が５μｍになるように塗布後、７０℃で１０分間乾燥し、感光性導電膜Ｄ１を得た。【００８８】
＜第２の露光＞
感光性導電膜Ｄ１にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で３００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した。【００８９】
＜積層パターンの形成＞
透明電極層Ｃ１及び感光性導電膜Ｄ１から成る積層基材に１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像した後、１４０℃で６０分間キュアを行い、透明電極パターンＣ１及び導電パターンＤ１から成る積層パターン形成基材を製造した。【００９０】
＜残渣の評価方法＞
図２に示す導電パターンを形成し、未露光部分の全光線透過率と第１の露光領域のみの部分の全光線透過率を測定し、導電ペーストＤ塗布前の全光線透過率と比較し、低下率が１０％以下であれば良、１０％よりも大きいものは不良と判定した。なお、全光線透過率は日本電色工業（株）製ＮＤＨ−７０００ＳＰを用い、ＪＩＳ  Ｋ７３６１−１（１９９７年）に準じて、入射光強度に対する透過率光強度の割合として求めた。【００９１】
＜密着性評価方法＞
図２に示す導電パターンを形成し、第１の露光領域と第２の露光領域が重なる部分および第２の露光領域のみの部分に、カッターガイドとカッターを用いて導電パターンＤに１ｍｍ角が１００個できるように切れ込みを入れ、その上に粘着テープ（ＣＴ４０５ＡＰ−２４、ニチバン株式会社製）を貼り、粘着テープを一気に引き剥がし、透明電極層Ｃから剥がれた導電パターンＤの個数をカウントして密着性を評価した。【００９２】
＜イオンマイグレーション耐性の評価＞
図３に示す導電パターンＤ１を形成した積層パターン形成基材１を、８５℃、８５％ＲＨの高温高湿槽に投入し、端子部からＤＣ５Ｖの電圧を印加して、急激に抵抗値が３桁低下する短絡時間を確認した。計１０個の積層パターン形成基材１で同評価を繰り返し、それらの平均値を、イオンマイグレーション耐性の値とした。結果を表２に示す。【００９３】
（実施例２〜１８）
透明電極層ＣがＩＴＯの場合は下記方法により形成したこと以外は、表１に示す条件の積層パターンを実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。【００９４】
＜透明電極層Ｃの形成＞
感光層Ｂの表面に、ＩＴＯの焼結体ターゲットを備えたスパッタ装置を用いて、ＩＴＯからなる厚さ２２ｎｍのＩＴＯ薄膜である透明電極層Ｃ２を形成した。【００９５】
（比較例１）
第１の露光以降の工程において積層パターンの形成を下記方法により形成したこと以外は、表１に示す条件の積層パターンを実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。【００９６】
＜透明電極パターンＣの形成＞
透明電極層Ｃ１にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で感光層Ｂ及び透明電極層Ｃを露光し、さらにフォトマスクを介すことなく、２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で感光層Ｂ１及び透明電極層Ｃ１を全面露光した露光後、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で３０秒間スプレー現像し、感光層Ｂ２上に透明電極パターンＣ２を形成した。【００９７】
＜感光性導電ペーストＤの調製＞
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの感光性樹脂（ｄ−２）、１．０ｇのＯＸＥ−０１及び５．０ｇのジエチエングリコールを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合して、１７．０ｇの樹脂溶液Ｄ２（固形分７０．１質量％）を得た。【００９８】
得られた１７．０ｇの樹脂溶液Ｄ２、６８．０ｇの銀粒子を混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、８５．０ｇの感光性導電ペーストＤ２を得た。【００９９】
＜感光性導電膜Ｄの形成＞
感光層Ｂ２及び透明電極パターンＣ２の表面に、感光性導電ペーストＤ２をスクリーン印刷機で膜厚が５μｍになるように塗布後、７０℃で１０分間乾燥し、感光性導電膜Ｄ２を得た。【０１００】
＜積層パターンの形成＞
所定のフォトマスクを介して超高圧水銀ランプを有する露光機で３００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光し、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像した後、１４０℃で６０分間キュアを行い、透明電極パターンＣ２及び導電パターンＤ２から成る積層パターン形成基材を製造した。【０１０１】
（比較例２）
第１の露光以降の工程において積層パターンの形成を下記方法により形成した以外は、表１に示す条件の積層パターンを実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。【０１０２】
＜第１の露光＞
フォトマスクを介すことなく、２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で感光層Ｂ３及び透明電極層Ｃ３を全面露光した。【０１０３】
＜感光性導電ペーストＤの調製＞
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの感光性樹脂（ｄ−３）、２．０ｇのＯＸＥ−０１及び５．０ｇのジエチエングリコールを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合して、１７．０ｇの樹脂溶液Ｄ３（固形分７０．１質量％）を得た。【０１０４】
得られた１７．０ｇの樹脂溶液Ｄ３、６８．０ｇの銀粒子を混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、８５．０ｇの感光性導電ペーストＤ３を得た。【０１０５】
＜感光性導電膜Ｄの形成＞
感光層Ｂ３及び透明電極層Ｃ３の表面に、感光性導電ペーストＤ３をスクリーン印刷機で膜厚が５μｍになるように塗布後、７０℃で１０分間乾燥し、感光性導電膜Ｄ３を得た。
＜第２の露光＞
感光性導電膜Ｄ３にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で３００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した。【０１０６】
＜積層パターンの形成＞
透明電極層Ｃ３及び感光性導電膜Ｄ３から成る積層基材に１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像した後、１４０℃で６０分間キュアを行い、透明電極パターンＣ３及び導電パターンＤ３から成る積層パターン形成基材を製造した。【０１０７】
表２より、実施例１〜１８においては、いずれも残渣が十分に抑制され、密着性及びイオンマイグレーション耐性に優れる積層パターン形成基材を製造できていることが判る。【０１０８】
【表１】
2017208842.tif 000003
【０１０９】
【表２】
2017208842.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、未露光部での残渣発生を抑制でき、かつ、基材上に形成された導電パターンと感光性樹脂層との密着力を保持し、更には導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れるタッチパネルの製造に利用できる。
【符号の説明】
【０１１１】
１  導電パターンＤ
２  透明電極層Ｃ
３  感光層Ｂ
４  基材Ａ
５  感光性導電ペーストＤの印刷エリア
６  感光性導電膜Ｄの未露光部エリア
７  感光性導電膜Ｄの露光エリア
８  端子部
【図１】
2017208842.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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