【事件の表示】
　特願２００１−３３０３３５「シリコン表面の犠牲材料及び金属汚染物除去方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　６日出願公開、特開２００２−２１９６９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年１０月２９日（パリ条約による優先権主張２０００年１０月２７日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１４年１２月６日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の平成１５年６月１０日付けで意見書の提出とともに明細書について補正がされ、同年８月２１日付けで拒絶をする旨の査定がされ、同年１１月２５日付けで拒絶査定不服審判請求がされたものである。そして、当審において、平成１８年３月２９日付けで拒絶理由を通知したところ、その指定期間内の同年１０月３日付けで意見書の提出とともに明細書について補正がされ、平成１９年３月５日付けで再度、拒絶理由を通知したところ、同年８月９日付けで意見書の提出とともに明細書について補正がされたものである。
　
　そして、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成１９年８月９日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスを単一のチップ上に製造する際にシリコン表面から犠牲材料と金属汚染物とを除去するための方法であって、
　（ａ）反応室を使用してチップの温度を、選ばれたβ−ジケトンとマイクロメカニカルデバイス及びマイクロ電子デバイスの設計とにとって適切な温度に、必要に応じ調整する工程、
　（ｂ）不活性ガスを使用して上記反応室をサイクルパージし雰囲気ガスと痕跡量の水を除去する工程、
　（ｃ）ＨＦ及び上記β−ジケトンを、エッチングすべき基材を少なくとも一つ収容した上記反応室へ反応性混合物として導入する工程であって、希釈剤を上記反応性混合物に加えることを含む工程、
　（ｄ）犠牲材料と金属汚染物が除去されるまで上記基材上に上記反応性混合物を流す工程であって、酸化剤ガスを上記反応性混合物に加えて上記犠牲材料及び金属汚染物の、又は上記金属汚染物の金属種の酸化を促進することを含む工程、
　（ｅ）上記反応性混合物の流れを停止する工程であって、上記犠牲材料及び金属汚染物由来の、又は上記金属汚染物由来の金属酸化物の追加の除去を可能にするために上記希釈剤の流れを続けさせながら最初に上記酸化剤ガスの流れを停止し、次いで上記反応性混合物の流れを停止することを含む工程、及び
　（ｆ）上記反応室をサイクルパージして残留反応性混合物と残留している反応副生物を除去する工程、
を含む、シリコン表面の犠牲材料及び金属汚染物除去方法。」
　
２．刊行物記載の発明（事項）
　これに対し、当審における平成１９年３月５日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である特許第３１０１９７５号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平８−７４０９９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
（１）刊行物１
（１−ａ）特許請求の範囲
「【請求項１】  半導体デバイス製造で使用されるタイプの基材の表面からの、酸化シリコンとこの酸化シリコン中に捕えられた金属含有汚染物質の同時の熱的な蒸気相除去方法であって、効果的な量のクリーニング剤を発生させる５０℃超１２５℃未満の温度で、基材をクリーニング剤と接触させて前記酸化シリコンと前記金属含有汚染物質の揮発性副産物を作り、そして前記表面からこの揮発性副産物を除去することを含み、前記クリーニング剤がフッ化水素と酸素含有化合物の錯体であり、この酸素含有化合物が、１，２−プロパンジオン、及び以下の化学式で表されるβ−ジケトン又はβ−ジケトイミンの１又は複数からなる群より選択されることを特徴とする蒸気相除去方法。
【化１】
（ここで、Ｒ1 及びＲ3 は互いに無関係に、１〜８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキル基、アルケニル基又はアリール基であり、Ｒ2 は水素原子、フッ素原子、又は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基であり、Ｙは、酸素原子又はＮ−Ｒ4 より選択され、ここでＲ4 は１〜１０の炭素原子を持つ非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基、アリール基、アラルキル基若しくはヒドロキシアルキル基であり、又はＹは以下の化学式を持つ。
【化２】
（ここで、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ7 は互いに無関係に、水素原子、フッ素原子、又は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基であり、Ｒ8 は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキレン基、アルケニレン基、フェニレン基、アルキルフェニレン基又はヒドロキシアルキレン基である。））
【請求項２】  前記酸素含有化合物が２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記酸化シリコンが二酸化シリコンである請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  前記フッ化水素が無水フッ化水素である請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  前記接触を１００ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒ（１３．３３２２Ｐａ〜１０１．３２５ｋＰａ）の圧力で行う請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  前記接触を１００〜２００Ｔｏｒｒ（１３．３３２２〜２６．６６４５ｋＰａ）の圧力で行う請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  シリコンウェハー表面からの、二酸化シリコンとこの二酸化シリコン中に捕えられた金属含有汚染物質の同時の熱的な蒸気相除去方法であって、５０℃超１２５℃未満の温度でシリコンウェハーを効果的な量のクリーニング剤と接触させて前記二酸化シリコンと前記金属含有汚染物質の揮発性副産物を作り、そして前記表面からこの揮発性副産物を除去することを含み、前記クリーニング剤が無水フッ化水素と以下の化学式で表されるβ−ジケトンの錯体であることを特徴とする蒸気相除去方法。
【化３】
（ここで、Ｒ1 及びＲ3 は互いに無関係に、１〜８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキル基、アルケニル基又はアリール基であり、Ｒ2 は水素原子、フッ素原子、又は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基である。）
【請求項８】  前記β−ジケトンが２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンである請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記クリーニング剤が不活性キャリヤーガスを含有する請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】  前記不活性キャリヤーガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、及びそれらの混合物からなる群より選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記クリーニング剤がオキシダントを含有する請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】  前記オキシダントが、空気、亜酸化窒素、酸素、及びそれらの混合物からなる群より選択される請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記温度が９０〜１１０℃、圧力が１８０〜２２０Ｔｏｒｒ（２３．９９８０〜２９．３３０９ｋＰａ）であり、クリーニング剤が窒素キャリヤーガス中に無水フッ化水素と２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンとを含む請求項７〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】  シリコンウェハー表面からの、二酸化シリコンとこの二酸化シリコン中に捕えられた金属含有汚染物質の同時の熱的な蒸気相除去方法であって、５０℃超１２５℃未満の温度と１００〜２００Ｔｏｒｒ（１３．３３２２〜２６．６６４５ｋＰａ）の圧力で、このシリコンウェハーを効果的な量のクリーニング剤と接触させて前記二酸化シリコンと前記金属含有汚染物質の揮発性副産物を作り、そして前記表面からこの揮発性副産物を除去することを含み、このクリーニング剤が、窒素キャリヤーガス中における無水フッ化水素と２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンとの錯体であることを特徴とする蒸気相除去方法。」
　
（１−ｂ）第１０欄第３行〜第１３欄第４６行
「【発明が解決しようとする課題】半導体産業は、環境的な影響が比較的小さく、より効率的に所望の物質を除去し、エネルギー入力量、例えばＵＶ又はプラズマ発生装置からのエネルギー入力量がより少なく、結果としてより清浄な基材製品をもたらす方法で、シリコンウェハー及び同様なものから酸化シリコン及び金属汚染物質を同時に除去するという課題に取り組んでいる。本発明は、以下により詳細に示すように、改良された熱的な蒸気相の方法を提供して、基材、例えばシリコンウェハー表面から酸化シリコンと金属汚染物質を同時に除去することによって、従来技術の問題を克服し、そして半導体産業の目的を達成する。
　【課題を解決するための手段】本発明は、半導体デバイス製造で使用されるタイプの基材の表面からの、酸化シリコンと金属含有汚染物質の熱的な蒸気相除去方法であって、効果的な量のクリーニング剤を発生させる適当な高温で基材をクリーニング剤と接触させて酸化シリコンと金属含有汚染物質の揮発性副産物を作り、そして前記表面からこの揮発性副産物を除去することを含み、このクリーニング剤がフッ化水素と酸素含有化合物の錯体であり、この酸素含有化合物が、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、１，２−プロパンジオン、及び以下の化学式で表されるβ−ジケトン又はβ−ジケトイミンの１又は複数からなる群より選択される蒸気相除去方法である。
【化４】
（ここで、Ｒ1 及びＲ3 は互いに無関係に、１〜８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキル基、アルケニル基又はアリール基であり、Ｒ2 は水素原子、フッ素原子、又は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基であり、Ｙは、酸素原子又はＮ−Ｒ4 より選択され、ここでＲ4 は１〜１０の炭素原子を持つ非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基、アリール基、アラルキル基若しくはヒドロキシアルキル基であり、又はＹは以下の化学式を持つ。
【化５】
（ここで、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ7 は互いに無関係に、水素原子、フッ素原子、又は１〜約８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基であり、Ｒ8 は１〜約８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキレン基、アルケニレン基、フェニレン基、アルキルフェニレン基又はヒドロキシアルキレン基である。））
　好ましくは、前記酸素含有化合物は２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンである。
　好ましくは、前記酸化シリコンは二酸化シリコンである。
　好ましくは、前記温度は２５℃超３００℃未満である。
　より好ましくは、前記温度は５０℃超１２５℃未満である。
　好ましくは、前記フッ化水素は無水フッ化水素である。
　好ましくは、前記接触は約１００ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒ（約１３．３３２２Ｐａ〜１０１．３２５ｋＰａ）の圧力で行う。
　より好ましくは、前記接触は約１００〜２００Ｔｏｒｒ（約１３．３３２２〜２６．６６４５ｋＰａ）の圧力で行う。
　更に、本発明はシリコンウェハー表面からの、二酸化シリコンと金属含有汚染物質の熱的な蒸気相除去方法であって、５０℃超１２５℃未満の温度でシリコンウェハーを効果的な量のクリーニング剤と接触させて二酸化シリコンと金属含有汚染物質の揮発性副産物を作り、そして前記表面からこの揮発性副産物を除去することを含み、このクリーニング剤が無水フッ化水素と以下の化学式で表されるβ−ジケトンの錯体である蒸気相除去方法である。
【化６】
（ここで、Ｒ1 及びＲ3 は互いに無関係に、１〜８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキル基、アルケニル基又はアリール基であり、Ｒ2 は水素原子、フッ素原子、又は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基である。）
　好ましくは、前記酸素含有化合物は２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンである。
　好ましくは、前記クリーニング剤は不活性キャリヤーガスを含有する。
　より好ましくは、前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、及びそれらの混合物からなる群より選択される。
　好ましくは、前記クリーニング剤はオキシダントを含有する。
　より好ましくは、前記オキシダントは、空気、亜酸化窒素、酸素、及びそれらの混合物からなる群より選択する。
　好ましくは、温度は９０〜１１０℃、圧力は１８０〜２２０Ｔｏｒｒ（２３．９９８０〜２９．３３０９ｋＰａ）であり、クリーニング剤は窒素キャリヤーガス中に無水フッ化水素と２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンとを含む。
　より好ましくは、温度は約１００℃、圧力は約２００Ｔｏｒｒ（２６．６６４５ｋＰａ）であり、クリーニング剤は窒素キャリヤーガス中に無水フッ化水素と２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンとを含む。
　随意に本発明は、シリコンウェハー表面からの、二酸化シリコンと金属含有汚染物質の熱的な蒸気相除去方法であって、５０℃超１２５℃未満の温度と約１００〜２００Ｔｏｒｒ（約１３．３３２２〜２６．６６４５ｋＰａ）の圧力で、シリコンウェハーを効果的な量のクリーニング剤と接触させて二酸化シリコンと金属含有汚染物質の揮発性副産物を作り、そして前記表面からこの揮発性副産物を除去することを含み、このクリーニング剤が、窒素キャリヤーガス中の無水フッ化水素と２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンとの錯体である蒸気相除去方法である。
　【発明の実施の形態】マイクロエレクトロニクス産業は、自然に又は化学的に成長した酸化シリコンの除去と金属汚染物質の除去は重要であると考えてきた。最近では、酸化シリコンの除去と金属原子の除去は、別々の工程で行われている。蒸気相プロセスでの酸化物の除去方法は、無水フッ化水素（ＡＨＦ）／Ｈ2 Ｏ化学現象又は同様なＡＨＦ／アルコール化学現象のいずれかを使用してきた。ＡＨＦ／Ｈ2 Ｏ及びＡＨＦ／アルコールのエッチングは、それらの相互作用によって望ましくない酸化シリコンを除去することができるが、存在し得る金属汚染物質を全く除去できない。従って、金属を除去する第２の工程が必要とされる。
　本発明で説明される取り組みは好ましくは、水蒸気又はアルコールの代わりに、β−ジケトン、β−ジケトイミン又は同様な化学的作用をする酸素含有化合物を、無水フッ化水素と共に導入して、酸化シリコンを除去し、且つ表面に存在する任意の金属汚染物質をキレート化する。その後、このキレート化された金属を表面から取り除く。
　ＡＨＦと関連させて使用する本発明の酸素含有化合物は、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、１，２−プロパンジオン、及び以下の化学式で表されるβ−ジケトン又はβ−ジケトイミンの１又は複数から選択される。
【化７】
（ここで、Ｒ1 及びＲ3 は互いに無関係に、１〜８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキル基、アルケニル基又はアリール基であり、Ｒ2 は水素原子、フッ素原子、又は１〜８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基であり、Ｙは酸素原子又はＮ−Ｒ4 より選択され、ここでＲ4 は１〜１０の炭素原子を持つ非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基、アリール基、アラルキル基若しくはヒドロキシアルキル基であり、又はＹは以下の化学式を持つ。
【化８】
（ここで、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ7 は互いに無関係に、水素原子、フッ素原子、又は１〜約８の炭素原子を持つ直鎖の若しくは枝分かれした非フッ化、部分フッ化若しくは完全フッ化アルキル基若しくはアルケニル基であり、Ｒ8 は１〜約８の炭素原子を持つ直鎖の又は枝分かれした非フッ化、部分フッ化又は完全フッ化アルキレン基、アルケニレン基、フェニレン基、アルキルフェニレン基又はヒドロキシアルキレン基である。））」
　
（１−ｃ）第１５欄第２９〜３９行
「好ましい態様では、本発明は２，２，６，６−テトラメチル−３，５−へプタンジオン（ＴＨＤ）と無水フッ化水素（ＡＨＦ）との蒸気相混合物を使用して、シリコンウェハーから二酸化シリコン及び／又は金属汚染物質を除去する方法である。この方法は、シリコンウェハー表面をＴＨＤ、ＡＨＦ及び不活性キャリヤーガス、例えば乾燥窒素の混合物に、クリーニング剤錯体を発生させ維持するのに適当な高温、例えば２５℃超２００℃未満で曝すことによって適用する。ＴＨＤの通常沸点は約２２０℃で、従って室温と大気圧では液体状態であり、すなわちＴＨＤは水よりも揮発性が低い。」
　
（１−ｄ）第１６欄第３８〜４２行
「空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダントを酸化物の除去の間に導入して、処理の間に任意の金属汚染物質を酸化して、金属不純物がキレート化及び最終的な除去をより受け易いようにすることもできる。」
　
（１−ｅ）第１７欄第３３行〜第１８行第１３欄
「［例１］無水ＨＦに曝される全ての金属部品は、使用の前にフッ素不動態化した。反応装置はステンレス鋼で作り、そして厚さ約５０μｍの金の層でコーティングして、化学現象の活性成分が反応装置の表面を攻撃しないようにした。以下は、研究室のために発展させた方法で使用される特定の工程である。
　
１．気化装置を１７０℃に加熱し、そして分解炉を７５０℃に加熱した。
２．シリコン試料を反応容器に挿入した。
３．反応容器を、１０〜３００Ｔｏｒｒ（１．３３３２２〜３９．９９６７ｋＰａ）の圧力で３回、乾燥窒素によって循環パージした。
４．ウェハーを高温にする場合、温度を設定して、所望のウェハー表面温度に適切な加熱要素を加熱する。
５．ＡＨＦ、ＴＨＤ及び窒素のガスを流し始めた。
６．手動で絞り弁を調節して、圧力を所望のレベルに制御した。
７．処理時間が終了したときに、ＴＨＤとＡＨＦの流れを止めたが、窒素を流し続けて反応装置の残留ＴＨＤとＡＨＦをパージした。
８．加熱要素の設定温度を＜１００℃に下げた。
９．１０〜３００Ｔｏｒｒ（１．３３３２２〜３９．９９６７ｋＰａ）の圧力で１０回、窒素と合成空気を使用して設備を循環パージした。この空気の目的は、容器の再加圧工程を促進させて試料を取り除けるようにすることである。これは処理の化学手現象には関わりがない。
１０．ウェハー又はウェハーの一部を冷却して取り扱い可能な温度（典型的に約１５０℃）になったときに、乾燥窒素パージ流れを維持しながら、絞り弁を閉じてそして容器を大気圧にした。
１１．試料を容器から取り出した。」
　
　摘記事項（１−ｅ）の「７．」に記載された「反応装置」は、その記載の前で「３．反応容器を・・・の圧力で３回、乾燥窒素によって循環パージした」と記載されているから、「反応容器」の誤記であることは明らかである。
　また、摘記事項（１−ｄ）の、「酸化物の除去の間」は、「酸化物を除去する工程の最中」といえるから、空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダントを導入するタイミングは、酸化物を除去する工程のいずれでも良いといえる。
　
　そうすると、上記摘記事項（１−ａ）〜（１−ｅ）の記載からみて、刊行物１には、次の発明が記載されていると認める。（以下、「引用発明」という。）
　
「半導体デバイス製造で使用されるタイプの基材の表面からの、二酸化シリコンとこの二酸化シリコン中に捕えられた金属含有汚染物質の同時の熱的な蒸気相除去方法であって、
　（１）乾燥窒素を使用して反応容器を、３回循環パージする工程、
　（２）ウェハーを高温にする場合、所望のウェハー温度になるように加熱要素を加熱する工程、
　（３）シリコンウエハーから二酸化シリコン及び／又は金属汚染物質を除去するために、無水フッ化水素（ＡＨＦ）、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン（ＴＨＤ）及び窒素のガスを流す工程、
　（４）空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダントを酸化物の除去の間に導入して、処理の間に任意の金属汚染物質を酸化して、金属不純物がキレート化及び最終的な除去をより受け易いようにする工程、
　（５）処理時間が終了したとき、ＡＨＦとＴＨＤの流れを止める一方、窒素を流し続けて、反応容器の残留ＴＨＤとＡＨＦをパージする工程、
を含んだ、半導体デバイス製造で使用されるタイプの基材の表面からの、二酸化シリコンとこの二酸化シリコン中に捕えられた金属含有汚染物質の同時の熱的な蒸気相除去方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）刊行物２
（２−ａ）段落０００３
「このようなマイクロマシンは、基本的にＬＳＩの製造と同様にして、フォトリソグラフィを利用した半導体の微細加工技術によって製造されている。すなわち、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) やスパッタリング等の薄膜形成技術、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等の除去加工技術フォトリソグラフィ技術を用いて、薄膜の形成とエッチングとを繰り返して、シリコン基板上に、ロータとステータとを有するモータや軸支されるギア等の立体構造が形成される。ここで、ＬＳＩの製造とマイクロマシンとの製造とで大きく異なる点は、マイクロマシンの場合には、ロータや歯車等の基板に固定されずに可動する部材を有する点にある。そのため、日経エレクトロニクスの１９８９年８月２１日号(No.480)等にも示されるように、マイクロモータのロータ／ステータ間のギャップや軸受等、基板と構造物との間や、可動部品とその支持体との間に、犠牲層と呼ばれる層を形成し、最終的にこの犠牲層をエッチングによって除去することにより部材を可動とする、いわゆる犠牲層エッチングという技術が利用されている。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「半導体デバイス」、「反応容器」、「循環パージ」、「シリコンウエハー」は、前者の「集積されたマイクロ電子デバイス」、「反応室」、「サイクルパージ」、「エッチングすべき基材」に相当する。
　後者の「基板の表面」は、前者の「チップ上」に相当するものであるし、また、「シリコン表面」に相当するものである。
　「二酸化シリコン」は、「二酸化ケイ素」とも呼ばれていることは、明らかである。
　窒素が不活性ガスの一種であることは、明らかである。
　「パージ」が、「雰囲気ガスを除去する」ことを意味することは、明らかである。
　後者の（３）及び（５）の工程で用いられる「窒素」は、「ＡＨＦ」及び「ＴＨＤ」と一緒に用いられているので、前者の「希釈剤」ということができる。
　前者の「ＨＦ」は「フッ化水素」の意味であるから、後者の「無水フッ化水素（ＡＨＦ）」が、前者の「ＨＦ」に含まれることは明らかである。
　後者の「２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン（ＴＨＤ）」は、前者の「β−ジケトン」の一種であることは明らかである。
　そして、後者の「ＡＨＦ」、「ＴＨＤ」は、シリコンウェハーから二酸化シリコン及び／又は金属汚染物質を除去するものであるから、前者の「反応性混合物」ともいえるものである。
　後者の「空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダント」は、前者の「酸化剤ガス」ということができるから、「シリコンウエハーから二酸化シリコン及び／又は金属汚染物を除去するために、無水フッ化水素、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン及び窒素のガスを流す酸化物の除去の間に、空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダントを導入して、処理の間に任意の金属汚染物質を酸化して、金属不純物がキレート化及び最終的な除去をより受け易いようにする工程」は、「金属汚染物が除去されるまで基材上に反応性混合物を流す工程であって、酸化剤ガスを上記反応性混合物に加えて上記金属汚染物の金属種の酸化を促進することを含む工程」ということができる。
　
　以上のとおりであるので、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また以下の点で相違している。
［一致点］
「集積されたマイクロ電子デバイスをチップ上に製造する際にシリコン表面から金属汚染物を除去するための方法であって、
　（ｂ）不活性ガスを使用して反応室をサイクルパージし雰囲気ガスを除去する工程、
　（ｃ）ＨＦ及びβ−ジケトンを、エッチングすべき基材を少なくとも一つ収容した上記反応室へ反応性混合物として導入する工程であって、希釈剤を上記反応性混合物に加えることを含む工程、
　（ｄ）金属汚染物が除去されるまで上記基材上に上記反応性混合物を流す工程であって、酸化剤ガスを上記反応性混合物に加えて金属汚染物の、又は上記金属汚染物の金属種の酸化を促進することを含む工程、
　（ｅ）上記反応性混合物の流れを停止する工程であって、上記金属汚染物由来の金属酸化物の追加の除去を可能にするために上記希釈剤を流し続ける工程、
　（ｆ）反応室をパージして残留反応性混合物を除去する工程、
を含む、シリコン表面の金属汚染物除去方法。」
　
［相違点１］
　本願発明が、「集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスを単一のチップ上に製造する際にシリコン表面から犠牲材料と金属汚染物とを除去するための方法」であり、したがって、除去するものが「犠牲材料と金属汚染物」であるのに対して、引用発明は、「半導体デバイス製造で使用されるタイプの基材の表面からの、二酸化ケイ素とこの二酸化ケイ素中に捕えられた金属含有汚染物質の同時の熱的な蒸気相除去方法」であり、そのため除去するものが「金属汚染物」である点。
［相違点２］
　本願発明が、「反応室を使用してチップの温度を、選ばれたβ−ジケトンとマイクロメカニカルデバイス及びマイクロ電子デバイスの設計とにとって適切な温度に、必要に応じ調整する工程」であるのに対して、引用発明は、「ウェハーを高温にする場合、所望のウェハー温度になるように加熱要素を加熱する工程」である点。
［相違点３］
　不活性ガスを使用して上記反応室をサイクルパージする際に本願発明では、「雰囲気ガス」と「痕跡量の水」との両方を除去しているのに対し、引用発明では、「痕跡量の水」は除去していない点。
［相違点４］
　本願発明が、「犠牲材料及び金属汚染物由来の、又は金属汚染物由来の金属酸化物の追加の除去を可能」にしているのに対し、引用発明では、「金属汚染物由来の金属酸化物の追加の除去を可能」にしている点。
［相違点５］
　反応性混合物の流れを停止する工程が、本願発明では、「希釈剤の流れを続けさせながら最初に酸化剤ガスの流れを停止し、次いで反応性混合物の流れを停止する」のに対し、引用発明では、「窒素を流し続ける」としているだけで、酸化剤ガスや反応性混合物の流出を、いつ停止するか不明な点。
［相違点６］
　本願発明が、「反応室をサイクルパージして残留反応性混合物と残留している反応副生物を除去する工程」であるのに対し、引用発明では、「反応容器をパージして残留ＴＨＤとＡＨＦを除去する工程」である点。
　
４．判断
　上記相違点１〜６について検討する。
［相違点１について］
　刊行物２はマイクロマシンに関する発明であって、段落【０００３】に「このようなマイクロマシンは、基本的にＬＳＩの製造と同様にして、フォトリソグラフィを利用した半導体の微細加工技術によって製造されている。・・・除去加工技術フォトリソグラフィ技術を用いて、薄膜の形成とエッチングとを繰り返して、シリコン基板上に、ロータとステータとを有するモータや軸支されるギア等の立体構造が形成される。ここで、ＬＳＩの製造とマイクロマシンとの製造とで大きく異なる点は、マイクロマシンの場合には、ロータや歯車等の基板に固定されずに可動する部材を有する点にある。・・・マイクロモータのロータ／ステータ間のギャップや軸受等、基板と構造物との間や、可動部品とその支持体との間に、犠牲層と呼ばれる層を形成し、最終的にこの犠牲層をエッチングによって除去することにより部材を可動とする、いわゆる犠牲層エッチングという技術が利用されている。」と記載されている。
　また、集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスを単一のチップ上に製造することは、例えば、特開平７−８６５５１号公報（以下、「刊行物３」という。）の段落００１７、特開平１０−２７９１６号公報（以下、「刊行物４」という。）の段落０００２〜０００４、特開平４−３１７５７１号公報（以下、「刊行物５」という。）の請求項１、第６欄第２８行〜第７欄第８行等に示すように、周知の事項である。
　よって、マイクロマシンの製造とＬＳＩの製造とが、同様のフォトリソグラフィを利用した半導体の微細加工技術によって製造できること、及びマイクロマシンの可動部を製造する際は犠牲層エッチングを行うことが刊行物２に記載されているように周知の事項であることからすれば、刊行物１に記載の発明に、刊行物３〜５に記載されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスを単一のチップ上に製造するという周知の事項を適用し、その結果、金属汚染物の除去に加えて、犠牲材料も除去することは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
　また、請求人は、平成１９年８月９日付け意見書の第３ページ第２８行〜最下行において、「上記の補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」ともいう）は、・・・を提供するものであり、即ち、集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスの両方を一緒に単一のチップ上に製造することに関するものです。」と主張し、第６ページ第４〜６行において、「「集積されたマイクロメカニカルデバイスをマイクロ電子デバイスと共に単一のチップ上に製造すること」・・・について開示も示唆もなく」と主張し、さらに、同第１８〜１９行において、「「集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスの両方を一緒に単一のチップ上に製造すること」・・・について何らの記載も示唆も無く」と主張する。
　しかし、本願発明には、「集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスの両方を
一緒に（すなわち同時に）
一緒に（すなわち同時に）
（下線及び下線部の括弧、括弧内の記載は、当審で付したものである。）
　よって、請求人の主張を採用できない。
　
［相違点２について］
　反応を促進させるために、試料や薬液の温度を、反応が促進する温度まで高くすることは、慣用手段である。そして、引用発明も、「ウェハーを高温にする場合、所望のウェハー温度になるように加熱要素を加熱する」ものであるから、引用発明において、基材の温度をβ−ジケトンにとって適切な温度に必要に応じ調整することは、当業者が必要に応じて行う設計事項といえる。
　
［相違点３について］
　引用発明の「乾燥窒素を使用して反応容器を、３回循環パージする工程」によって、痕跡量の水が存在していても、乾燥窒素によって痕跡量の水が蒸発し、除去できるといえる。
　よって、乾燥窒素によって循環パージを行うと、反応容器内を乾燥窒素に置換すると同時に、痕跡量の水を除去しているといえる。
　
［相違点４について］
　マイクロマシンの製造において、可動部を得るために犠牲材料を使用することは、［相違点１について］で述べたとおり、周知の事項である。そして、犠牲層の材料として、二酸化ケイ素を使用することは、例えば刊行物２の段落０００５、特開平６−３４３２７２号公報の段落０００９〜００１０等に示すように、周知の事項である。
　そうすると、引用発明において、マイクロメカニカルデバイスも一緒に形成された半導体デバイスを製造する際に、二酸化ケイ素からなる犠牲材料も除去することは、当業者が容易になし得たものである。
　
［相違点５について］
　摘記事項（１−ｄ）に記載された「空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダントを酸化物の除去の間に導入して、処理の間に任意の金属汚染物質を酸化して、金属不純物がキレート化及び最終的な除去をより受け易いようにすることもできる。」は、空気、亜酸化窒素、又は他のオキシダントを酸化物の除去の間に導入して、金属汚染物質を酸化することにより、除去を行いやすいようにしているものである。
　そして、除去を行いやすいように酸化された金属汚染物質を、反応性混合物によって除去するのであるから、反応性混合物の流れを先に止めてしまうと、金属汚染物質の完全な除去ができなくなる可能性があるから、金属汚染物質の完全な除去を行うために、先に酸化剤ガスを止めてから、反応性混合物の流れを停止することは、当業者が容易になし得たものである。
　
［相違点６について］
　サイクルパージは、例えば特開平４−３６０５３０号公報の段落００１２、特開平８−１８１１１２号公報の請求項１、段落００２４〜００２５、特開２０００−５８５４３号公報の段落００２５等に示すように、周知の事項であり、サイクルパージすれば、残留反応性混合物を、それだけ完全に除去できることは自明の事項であるから、引用発明の方法においても、反応室をサイクルパージして、残留反応性混合物を完全除去することは、当業者が容易になし得たものである。
　
　さらに、請求人は、平成１９年８月９日付け意見書の第４ページ第９〜１１行において、「スティクションを生じることなくそしてそこでのレリースエッチングがマイクロメカニカルデバイス及びマイクロ電子デバイスにとって有害となることなしに製造することを容易にするという、格別に優れた効果を奏するものです。」と主張する。
　しかし、国際公開第９９／４９５０６号の第１ページ第１１〜２４行に、液体ＨＦによってエッチングすると、スティクション発生の可能性が大きいことが記載されており、さらに、気体によるエッチングによってスティクションを防止することは、特表平１１−５０９９５３号の第６ページ第１９〜２５行（国際公開第９７／４４５１号の第３ページ第２４行〜第４ページ第４行）、特開平８−２５０７７９号の段落００１９等に示すように、周知の事項である。
　したがって、スティクションを生じないために、液体でなく気体によってエッチングを行うことが本願優先日前に周知であったことから、本願発明の上記効果は、自明であるといえる。
　よって、請求人の上記主張を採用できない。
　
　そして、本件発明によってもたらされる効果も、引用発明、刊行物２に記載された事項及び上記周知の事項から当業者であれば十分予測できる範囲内であって格別なものではない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用発明、刊行物２に記載された事項及び上記周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。