【事件の表示】
　特願２００１−３９７３９１「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１１日出願公開、特開２００３−１９８０６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年１２月２７日に特許出願したものであって、平成１８年１１月６日に手続補正がなされ、平成１９年１月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２２日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成１８年１１月６日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものであると認められる。
　
「【請求項１】　第一導電型基板上に、第一導電型下部クラッド層、第一導電型あるいはアンドープの下部光導波層、圧縮歪を有するＩｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３（ただし、０＜ｘ３≦０．４、０≦ｙ３≦０．１）活性層、第二導電型あるいはアンドープの上部光導波層および第二導電型上部クラッド層をこの順に備えた半導体レーザ素子において、
　前記下部および上部クラッド層の組成と、前記下部および上部光導波層の組成とが異なるものであり、
　前記下部光導波層が、前記下部クラッド層側から前記活性層側に向かって次第にバンドギャップが小さくなるＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなり、
　前記上部光導波層が、前記活性層側から前記上部クラッド層側に向かって次第にバンドギャップが大きくなるＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなることを特徴とする半導体レーザ素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００１−１４８５４１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ発光装置およびレーザ装置、特に、内部狭窄構造と屈折率導波機構を備えた半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ発光装置および第二高調波を発するレーザ装置に関するものである。」
イ　「【００５０】次に本発明の第２の実施の形態である半導体レーザ素子について説明し、その半導体レーザ素子の作成過程の断面図を図５に示す。
【００５１】図５ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板６１上に、有機金属気相成長法によりｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ下部クラッド層６２、ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部光導波層６３、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５（０≦ｘ５≦０．３、ｘ５＜０．４９ｙ５）引張り歪障壁層６４、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３圧縮歪量子井戸活性層６５（０＜ｘ３≦０．４、ｘ３＞０．４９ｙ３）、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５（０≦ｘ５≦０．３、ｘ５＜０．４９ｙ５）引張り歪障壁層６６、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７、厚さが例えば２０ｎｍのｐ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層６８（０≦ｘ１≦０．５および０≦ｙ１≦０．８）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ３Ｇａ１−ｚ３）０．５１Ｐ電流狭窄層６９（０＜ｚ１≦ｚ３≦１）、厚さが例えば１０ｎｍのｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐキャップ層７０、厚さが例えば１０ｎｍのｎ−ＧａＡｓキャップ層７１を積層する。この上にＳｉＯ２膜７２を形成し、〈０１１〉方向に通常のリソグラフィにより５０μｍ程度の幅のストライプ領域のＳｉＯ２膜７２を除去する。
【００５２】・・・（略）・・・。
【００５３】次に、図５ｂに示すように、ＳｉＯ２膜７２をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャップ層７１をエッチングし、引き続き、塩酸系エッチャントでｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐキャップ層７０およびｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ３Ｇａ１−ｚ３）０．５１Ｐ電流狭窄層６９をエッチングすることにより、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層６８を露出させる。
【００５４】次に、図５ｃに示すように、ＳｉＯ２膜７２をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き、硫酸系のエッチャントで、ｎ−ＧａＡｓキャップ層７１と溝の底面のＩｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層６８を除去し、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７を露出させる。
【００５５】その後、図５ｄに示すように、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第二光導波層７３、ｐ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ上部クラッド層７４、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７５を形成する。ｐ側電極７６を形成し、その後、基板の研磨を行いｎ側電極７７を形成する。その後、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行い、その後、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
【００５６】本実施の形態において、クラッド層はＡｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ（０．５５≦ｚ２≦０．８）であってもよい。
【００５７】・・・（略）・・・。
【００５８】また、本実施の形態における半導体レーザ素子のストライプ幅を、１μｍ〜５μｍ程度にして、基本横モード発振する半導体レーザ素子を作製することができる。」
　
　上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｎ型ＧａＡｓ基板６１上に、ｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ下部クラッド層６２、ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部光導波層６３、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３圧縮歪量子井戸活性層６５（０＜ｘ３≦０．４、ｘ３＞０．４９ｙ３）、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７およびｐ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ上部クラッド層７４をこの順に備えた半導体レーザ素子。」
　
　
　また、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−７５２１０号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ウ　「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は可視光半導体レーザに関し、特に活性層への電流注入効率を向上でき、高出力で発振できる可視光半導体レーザ及びその製造方法に関するものである。」
エ　「【０００９】
【作用】この発明における可視光半導体レーザは、ＧａＩｎＰ活性層近傍のｐ型，ｎ型クラッド層の結晶の原子配列が活性層に向かって徐々に秩序化している構成としたから、クラッド層の活性層近傍におけるバンドギャップ構造が活性層に向かって徐々に窪んだすりばち状となり、活性層への電流注入効率を向上でき、低しきい値化できる。」
オ　「【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１は本発明の一実施例による可視光半導体レーザを示す断面図であり、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓバッファ層である。３は同一温度で成長した厚さ約１μｍのｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層、４は成長温度を徐々に低下させて成長したｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層３と同じ組成の厚さ約０．２μｍのｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層であり、これら３，４の層で第１クラッド層１９が構成される。５は厚さ約０．０５μｍのＧａＩｎＰ活性層である。６は成長温度を徐々に上げて成長した厚さ約０．２μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、７は同一温度で成長した６と同じ組成のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層であり、これら６，７の層で第２クラッド層２０が構成される。８はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層７と同一温度で成長したｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層、９はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層７と同一温度で成長したｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層である。１０はｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層、１１はｐ型ＧａＡｓ層、１２は選択成長により形成したｎ型ＧａＡｓブロック層、１３はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１４はｎ側電極、１５はｐ側電極である。」
カ　「【００１３】図３はｎ型ＧａＡｓバッファ層２〜ｐ型ＧａＡｓ層１１の結晶成長時の成長温度シーケンスを示す図であり、図において、横軸に時間、縦軸に温度をとっている。まず、成長温度７００℃でｎ型ＧａＡｓバッファ層２を成長し、続いて同一温度でｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１９の活性層近傍以外の部分、即ち、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層３を成長し、この後成長温度を７００℃から６５０℃に徐々に低下させながらｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１９の活性層近傍部、即ち、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４を結晶成長する。ＡｌＧａＩｎＰやＧａＩｎＰは低温で結晶成長させることにより原子配列が秩序化し、これにより図２に示すように禁制帯幅が小さくなる。７００℃で結晶成長した時と６５０℃で結晶成長した時とでは図２に示すように５０ｍｅＶの禁制帯幅の差が生ずる。従って、上述のように成長温度を徐々に低下させながら結晶成長することにより、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１９の活性層近傍部のバンドギャップは活性層に向かって徐々に小さくなるプロファイルを持って形成される。
【００１４】ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１９に続いて、成長温度６５０℃でＧａＩｎＰ活性層５を成長した後、今度は、成長温度を６５０℃から７００℃に徐々に上昇させながら、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０の活性層近傍部、即ち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層６を結晶成長し、成長温度７００℃でｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０の活性層近傍以外の部分、即ち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層７を成長する。これに続いて、同一温度でｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層８，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層９，ｐ型ＧａＩｎＰ層１０，及びｐ型ＧａＡｓ層１１を結晶成長して１回目のエピタキシャル成長工程を終了する。上述のように成長温度を徐々に上昇させながら結晶成長することにより、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０の活性層近傍部のバンドギャップは活性層側から徐々に大きくなるプロファイルを持って形成される。」
キ　「【００１６】次に動作について説明する。動作機構は従来の可視光半導体レーザとほぼ同様である。本実施例では、活性層を挟む上下のクラッド層を図３に示すような成長温度シーケンスで成長することにより、活性層近傍部におけるクラッド層の結晶の原子配列を活性層に近いほど秩序化したことにより、図４に示すようなすりばち状の禁制帯幅のプロファイルが得られ、活性層への電流注入の効率が向上し、低しきい値化する。さらに、クラッド層をこのようなすりばち状の禁制帯幅のプロファイルとすることにより、光の閉じ込めが弱まり、活性層内の光密度が低減されるため、高出力化できる。」
　
　上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、同一温度で成長させたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層３、成長温度を徐々に低下させて成長させたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４、ＧａＩｎＰ活性層５、成長温度を徐々に上げて成長させたｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層６および同一温度で成長させたｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層７を形成することにより、前記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４が前記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層３側から前記ＧａＩｎＰ活性層５側に向かって徐々にバンドギャップが小さくなるようにするとともに、前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層６が前記ＧａＩｎＰ活性層５側から前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層７側に向かって徐々にバンドギャップが大きくなるようにした可視光半導体レーザ。」
　
　
３．対比、判断
　本願発明と引用発明１を対比する。
ａ）引用発明１の「ｎ型ＧａＡｓ基板６１」、「ｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ下部クラッド層６２」、「ｐ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ上部クラッド層７４」及び「半導体レーザ素子」は、それぞれ本願発明の「第一導電型基板」、「第一導電型下部クラッド層」、「第二導電型上部クラッド層」及び「半導体レーザ素子」に相当する。
ｂ）引用発明１の「ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部光導波層６３」は、本願発明の「第一導電型あるいはアンドープの下部光導波層」と、ｎ型（第一導電型）である点で一致する。
ｃ）引用発明１の「Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３圧縮歪量子井戸活性層６５（０＜ｘ３≦０．４、ｘ３＞０．４９ｙ３）」は、ｙ３の範囲が、０＜ｙ３＜ｘ３／０．４９≦０．４／０．４９≒０．８１６であるから、本願発明の「圧縮歪を有するＩｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３（ただし、０＜ｘ３≦０．４、０≦ｙ３≦０．１）活性層」と一致する。
ｄ）引用発明１の「ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７」は、本願発明の「第二導電型あるいはアンドープの上部光導波層」と、ｐ型（第二導電型）である点で一致する。
ｅ）引用発明１の「ｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ下部クラッド層６２」および「ｐ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ上部クラッド層７４」の組成と、「ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部光導波層６３」および「ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７」の組成とは異なるものであるから、引用発明１は、本願発明の「前記下部および上部クラッド層の組成と、前記下部および上部光導波層の組成とが異なる」なる事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「第一導電型基板上に、第一導電型下部クラッド層、第一導電型あるいはアンドープの下部光導波層、圧縮歪を有するＩｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３（ただし、０＜ｘ３≦０．４、０≦ｙ３≦０．１）活性層、第二導電型あるいはアンドープの上部光導波層および第二導電型上部クラッド層をこの順に備えた半導体レーザ素子において、
　前記下部および上部クラッド層の組成と、前記下部および上部光導波層の組成とが異なるものであり、
　前記下部光導波層がＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなり、
　前記上部光導波層がＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなる半導体レーザ素子。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
［相違点］：本願補正発明は、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなる下部光導波層が、下部クラッド層側から活性層側に向かって次第にバンドギャップが小さくなり、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなる上部光導波層が、前記活性層側から上部クラッド層側に向かって次第にバンドギャップが大きくなるのに対し、引用発明１は、下部光導波層、上部光導波層のバンドギャップが次第に小さくあるいは大きくなっているのかどうか不明な点。
 　 
　上記［相違点］につき検討する。
　活性層への電流注入効率の向上、低しきい値化、高出力化及び高信頼化（長寿命化）を図るために、「ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４がｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層３側からＧａＩｎＰ活性層５側に向かって徐々にバンドギャップが小さくなるようにするとともに、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層６が前記ＧａＩｎＰ活性層５側からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層７側に向かって徐々にバンドギャップが大きくなるようにした可視光半導体レーザ」の発明（引用発明２）は引用刊行物２に記載されており、さらに、引用刊行物２には、「ＧａＩｎＰは低温で結晶成長させることにより原子配列が秩序化し、これにより・・・禁制帯幅が小さくなる」ことも記載されている（上記摘記事項カ【００１３】）から、上記引用発明２を引用発明１に適用し、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなる下部光導波層が、下部クラッド層側から活性層側に向かって次第にバンドギャップが小さくなり、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐからなる上部光導波層が、前記活性層側から上部クラッド層側に向かって次第にバンドギャップが大きくなるようになすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、上記引用発明１、２から当業者が予測し得る程度以上のものとはいえない。
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明１、２から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。