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　特願２０００−　１６６９９「導電性箔粉及び該導電性箔粉含有成形体」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月３１日出願公開、特開２００１−２０６７１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１月２６日の出願であって、平成１７年３月１日に拒絶理由を発送し、平成１７年４月１５日付けで手続補正書および意見書が提出されたが、平成１７年５月１１日付け（発送：平成１７年５月１７日）で拒絶査定がなされ、これに対し平成１７年５月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして本願請求項１に係る発明は平成１７年４月１５日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書及び図面の記載からみてその特許請求の範囲に記載された事項により特定されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基材フィルム上に、
　蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、ゾル−ゲル法、のいずれかの手法により金属酸化物導電性薄膜を積層してなる積層体から、
　前記基材フィルムを剥離、又は溶解により取り除き、
　前記基材フィルムが取り除かれた状態の金属酸化物導電性薄膜を、窒素ガス中、水、アルコール、鉱油、の何れかの媒体中で破砕し、
　これを濾過、乾燥させることにより得られる箔粉であって、
　前記箔粉の厚さが５〜１０００ｎｍ、平均直径が０．５〜５００μｍであり、かつ透明な金属酸化物導電性薄膜の破砕片であること、
　を特徴とする、導電性箔粉。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−１８７８２０号公報（以下、「刊行物１」という。）には次の事項が記載されている。　
２−１．刊行物１
（ア−１）「【請求項２】硬質基板に水溶性樹脂層を設け、その上に酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成した後、この基板を水中に浸漬し酸化物系導電性セラミックスフレークを前記硬質基板から分離させ、ろ過し、その後５００℃以上の温度で１時間以上酸素中もしくは空気中で焼成することを特徴とする酸化物系導電性セラミックスフレークの製造方法。」（特許請求の範囲）
　
（ア−２）「本発明は上記した構成により、ガラスのような硬質基板上に樹脂層を設け、その上にスパッター法等のＰＶＤ法でＳｎＯ2のような酸化物系導電性セラミックスを全面に一旦形成し、この後樹脂層を除去、同時もしくはその後酸素（空気）中で高温焼成することで酸化物系導電性セラミックスフレークを作製するものである。・・・。本発明の方法では蒸着時は樹脂層で製膜応力を緩和できるため薄膜の付着強度が強く、水に浸漬したり、樹脂層を燃やすことで膜厚が０．１μｍ〜数μｍでフレークの平均半径が約５０μｍ以上（膜厚によって平均半径は異なる）で比抵抗が１０-2Ω・ｃｍ程度以下である酸化物系導電性セラミックスだけのフレークを基板全面で完全に回収することができる。」（段落【００１６】）
　
（ア−３）「（実施例１）図１は第一の実施例におけるＳｎＯ2フレークの製造工程図である。図中１１はガラス基板、１２はポリビニルアルコール、１３は水、１４はＳｎＯ2 フレークである。以下各工程について説明する。ガラス基板１１上にポリビニルアルコールＰＶＡ１２（デンカ製デンカポバールＢ−０５）の５ｗｔ％水溶液を塗布、スピンコートし、ガラス上にＰＶＡの樹脂層（膜厚０．４ μｍ）を形成した。
　次に、このＰＶＡの樹脂層が形成されたガラス基板をＥＢ装置に装着し、ＳｎＯ2を蒸着した。蒸着条件は到達真空度が３×１０-4Ｐａ、基板温度は常温、蒸着速度は４００Å／分で３０分間蒸着を行った。
　次に、この基板を５０℃程度の温水中に浸漬した。ＰＶＡ樹脂が直ちに温水に溶け出しフレーク状の導電性セラミックスがガラス基板全面から完全に分離した。この後ＳｎＯ2 フレークを含んだ液を吸引ろ過し、ＳｎＯ2フレークを回収した。」（段落【００２２】−【００２４】）
（ア−４）「なお、フレークの平均半径はフレークの膜厚と粉砕によって調整した。最大平均半径としては２ｍｍ程度まで有効であった。一方、膜厚についてはフレークの機械的強度の点から０．１μｍ以上が要求され、生産性およびコストの点から数μｍ以下が望ましい。これらのフレーク形状に対する要求は他の応用分野においても同様であった。」（段落【００３０】）
（ア−５）「本発明の硬質基板とはガラスや石英などのセラミックス基板、アルミやステンレスのような金属基板をさすが、第一の実施例の場合ポリイミドフィルムのような樹脂系のものでも問題はなかった。樹脂層の厚さとしては０．１μｍ〜数μｍ程度が適していた。」（段落【００４８】）
（ア−６）「（実施例２）
　以下に本発明の第二の実施例について図面を参照しながら説明する。図４は第二の実施例におけるＩＴＯフレークの製造工程図である。図中２１は石英基板、２２はポリスチレン、２３はアセトン、２４はＩＴＯフレークである。」（段落【００３４】）
　
３．対比
（１）刊行物１記載事項（ア−１）には「硬質基板に水溶性樹脂層を設け、その上に酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成した後、この基板を水中に浸漬し酸化物系導電性セラミックスフレークを前記硬質基板から分離させ、ろ過」することが記載されている。また刊行物１の記載事項（ア−３）の「（実施例１）・・・次に、このＰＶＡの樹脂層が形成されたガラス基板をＥＢ装置に装着し、ＳｎＯ2 を蒸着した。蒸着条件は到達真空度が３×１０-4Ｐａ、基板温度は常温、蒸着速度は４００Å／分で３０分間蒸着を行った。
　次に、この基板を５０℃程度の温水中に浸漬した。ＰＶＡ樹脂が直ちに温水に溶け出しフレーク状の導電性セラミックスがガラス基板全面から完全に分離した。この後ＳｎＯ2 フレークを含んだ液を吸引ろ過し、ＳｎＯ2フレークを回収した。」との記載から、前記記載事項（ア−１）の「硬質基板に水溶性樹脂層を設け、その上に酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成した後、この基板を水中に浸漬し」、「分離させ、ろ過」することにより「酸化物系導電性セラミックスフレーク」が得られるものといえ、記載事項（ア−５）より「硬質基板」は「ポリイミドフィルム」等を含むものといえる。また刊行物１記載事項（ア−２）には「本発明の方法では蒸着時は樹脂層で製膜応力を緩和できるため薄膜の付着強度が強く、水に浸漬したり、樹脂層を燃やすことで膜厚が０．１μｍ〜数μｍでフレークの平均半径が約５０μｍ以上（膜厚によって平均半径は異なる）で比抵抗が１０-2Ω・ｃｍ程度以下である酸化物系導電性セラミックスだけのフレークを基板全面で完全に回収することができる。」と記載されていることから前記酸化物系導電性セラミックスフレークは「膜厚が０．１μｍ〜数μｍ」、「平均半径が約５０μｍ以上」、「比抵抗が１０-2Ω・ｃｍ程度以下」であるといえる。
　これらの記載を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、刊行物１には、「ポリイミドフィルム等の硬質基板に水溶性樹脂層を設け、その上に酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成した後、この基板を水中に浸漬し前記硬質基板から分離させ、ろ過することにより得られる、膜厚が０．１μｍ〜数μｍ、平均半径が約５０μｍ以上、比抵抗が１０-2Ω・ｃｍ程度以下の酸化物系導電性セラミックスフレーク。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
（２）そこで引用発明１と本願発明とを対比すると、引用発明１の「物理蒸着法」「層」「ろ過」は、本願発明の「蒸着」「薄膜」「濾過」にそれぞれ相当する。また引用発明１の「分離」は、刊行物１記載事項（ア−１）の「硬質基板に水溶性樹脂層を設け、その上に酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成した後、この基板を水中に浸漬し酸化物系導電性セラミックスフレークを前記硬質基板から分離」の記載より、基板上に形成された薄膜が基板から分離するものであり、本願発明の「剥離」に相当する。
　また本願発明の「基材フィルム」は本願明細書【０００９】の「金属酸化物導電性薄膜の形成に先立って離型層、下塗り層等を施」したものを含むものと解される。また引用発明１の「硬質基板」は「ポリイミドフィルム」を含むものであり、さらに引用発明１の「水溶性樹脂層」は、刊行物１記載事項（ア−３）の「このＰＶＡの樹脂層が形成されたガラス基板をＥＢ装置に装着し、ＳｎＯ2を蒸着した。・・・。次に、この基板を５０℃程度の温水中に浸漬した。ＰＶＡ樹脂が直ちに温水に溶け出しフレーク状の導電性セラミックスがガラス基板全面から完全に分離した。」の記載から「硬質基板」から「酸化物系導電性セラミックスフレーク」を分離する作用を有するものである。したがって引用発明１の「水溶性樹脂層」を有する「ポリイミドフィルム等の硬質基板」は、本願発明の「基材フィルム」に含まれるものといえる。
　また、本願発明の「導電性」はその数値等規定のないことから、引用発明１の「比抵抗が１０-2Ω・ｃｍ程度以下」のものを包含するものであり引用発明１の「導電性」に相当する。
　また一般に「箔」は広辞苑　第五版には、「金・銀・銅・錫・真鍮などをたたいて、紙のように薄く平らに延ばしたもの」と記載されていることから、本願発明の「箔粉」は、薄く平らな形状の粉体と解される。また「フレーク」は広辞苑　第五版より、「薄片」を指すものであり、さらに刊行物１記載事項（ア−１）の「硬質基板に水溶性樹脂層を設け、その上に酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成した後、この基板を水中に浸漬し酸化物系導電性セラミックスフレークを前記硬質基板から分離」の記載より、セラミックスフレークは「導電性セラミックス層」が基板から分離し得られるものであり、引用発明１の「フレーク」は厚さを有する薄片状粉体、すなわち平板状粉体といえることから、引用発明１の「フレーク」は本願発明の「箔粉」に相当する。さらに引用発明１「フレーク」は「膜厚が０．１μｍ〜数μｍ」、本願発明の「箔粉」は「厚さが５〜１０００ｎｍ」であることから、「１００〜１０００ｎｍ」の厚さの点で重複するといえる。
　また引用発明１は基材上に「酸化物系導電性セラミックス層を物理的蒸着法で形成」するものであるから、基材と「酸化物系導電性セラミックス」とは「積層体」であることは明らかである。
　そうすると、本願発明と引用発明１とは、「基材フィルム上に、蒸着法により酸化物薄膜を積層してなる積層体から、前記基材フィルムを剥離し、これを濾過することにより得られる厚さが１００〜１０００ｎｍであり、酸化物である導電性箔粉」の点で一致し以下の（ａ）−（ｄ）の点で相違する。
（ａ）本願発明は「基材フィルムが取り除かれた状態の酸化物導電性薄膜を、窒素ガス中、水、アルコール、鉱油、のいずれかの媒体中で破砕」するのに対して、引用発明１はかかる限定の付されていない点。
（ｂ）本願発明は「平均直径が０．５〜５００μｍ」に対して、引用発明１は「平均半径が約５０μｍ以上」である点。
（ｃ）本願発明は濾過後「乾燥」するのに対し、引用発明１はかかる工程が記載されていない点。
（ｄ）本願発明は「透明な金属酸化物」であるのに対して引用発明１は「酸化物系導電性セラミック」である点。
　
４．当審の判断
　相違点（ａ）−（ｄ）について検討するに当たって、本願の出願前の技術水準を検討する。
（従来技術１：特開平７−６９６３１号公報）
上記従来技術１には（イ−１）−（イ−３）の事項が記載されている。
（イ−１）「【請求項１】アルミニウムを亜鉛原子１モル当り０．０００１〜０．３モル含有してなる平均厚みが０．１〜２μｍ、平均粒径が１〜１００μｍで、アスペクト比が３〜１００の薄片状酸化亜鉛表面に、アンチモン、インジウム、セリウム、ガリウム、錫、ジルコニウム及びチタンから選ばれた金属酸化物の少なくとも１種を、亜鉛原子１モル当り０．００００５〜０．０５モル被着してなる薄片状導電性酸化亜鉛。
【請求項２】薄片の比抵抗が１×１０3 Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の薄片状導電性酸化亜鉛。」（特許請求の範囲）
（イ−２）「以上詳述した本発明によれば操作が容易でかつ、薄片の比抵抗が２．０×１０2Ω・ｃｍ未満の高導電性で、且つ高強度の白色系の薄片状酸化亜鉛の提供を可能としたもので、絶縁性の各種樹脂や塗料に対して導電性付与材として例えば、帯電防止を要求されるＩＣトレー用、包材用、塗料用その他のプラスチック用途に、或いは、静電記録、通電記録、放電記録によるファクシミリ記録紙及び一般記録紙等の情報紙用途に、更には、繊維及び布等の帯電防止用途に好適に利用できるので、その工業的価値は頗る大である。」（段落【００２５】）
（イ−３）「上記方法の熟成処理により得られた薄片状塩基性硫酸亜鉛の前駆体は常法により乾燥する。一般的には、固液分離後の湿潤ケークを有機溶剤及び／又は水に界面活性剤と共に分散し、スプレードライヤーやドラムドライヤー等で乾燥される。」（【００１８】）
　ここで従来技術１について検討すると、従来技術１の記載事項（イ−１）−（イ−２）より、従来技術１には、平均厚みが０．１〜２μｍ、平均粒径が１〜１００μｍで、アスペクト比が３〜１００の薄片状酸化亜鉛表面に、アンチモン、インジウム、セリウム、ガリウム、錫、ジルコニウム及びチタンから選ばれた金属酸化物の少なくとも１種を、亜鉛原子１モル当り０．００００５〜０．０５モル被着してなる薄片状導電性酸化亜鉛において、該薄片の比抵抗が１×１０3 Ω・ｃｍ以下のものが記載されている。さらに該薄片状酸化亜鉛は、各種樹脂や塗料に対して導電性付与材となることが記載されているといえる。
　さらに（イ−３）には固液分離により得られる薄片状粉体を乾燥することが記載されている。
　
（従来技術２：特公昭３０−４７３１号公報）
上記従来技術２には（ウ−１）−（ウ−２）の事項が記載されている。
（ウ−１）「硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、酸化アンチモン又は三塩化アンチモンの如き光輝物質の皮膜を下磁膜上に形成しこの下地膜を溶媒で消失し又は消失することなく該光輝被膜を３／１０００〜１０／１００ｍｍ程度の大きさに細分せしめることを特徴とする真珠顔料の製法」（特許請求の範囲）
（ウ−２）「６．光輝物質の薄膜を付着せしめた下地膜を溶媒中に投じて激しく撹拌するか或いは超音波で細分するか又は裁断機で細分する特許請求範囲記載の方法。」（第３頁右欄第１８−２１行）
　ここで従来技術２について検討すると、従来技術２の記載事項（ウ−１）−（ウ−２）より、金属酸化物等の光輝物質を下地膜上に形成し、該光輝物質の薄膜を附着せしめた下地膜を溶媒中に投じて撹拌し、細分する方法が記載されているといえる。また該方法の細断により光輝被膜が３／１０００〜１０／１００ｍｍ程度の大きさに調整されるものといえる。
　
（従来技術３：特開昭６２−２４７８３４号公報）
　上記従来技術３には（エ−１）−（エ−２）の事項が記載されている。
（エ−１）「１）液状の金属化合物、金属化合物溶液及び金属化合物ゾルから選ばれた原液を、走行する平滑面を有する基材上に一旦塗布し、その後該塗膜の厚みを調整して薄膜とし、次いで薄膜を固形化処理して薄片状物質となし、該薄片状物質を該基材より剥離することよりなる、薄片状物質の製造方法。」（特許請求の範囲）
（エ−２）「基材上にできた薄片状物質の基材よりの剥離方法としては、スクレーパーなどで機械的に掻きとる剥離法、超音波を用いる剥離法、基材が柔軟性のあるときは基材を屈曲させて剥離する方法、等があげられる。」（第９頁右下欄第１５−１９行）
　ここで従来技術３について検討すると、従来技術３の記載事項（エ−１）、（エ−２）より、基板上に形成された薄片状物質を機械的に掻きとる、超音波を用いる等により剥離することが記載されているといえる。
　
相違点（ａ）について
　刊行物１記載事項（ア−４）の「フレークの平均半径はフレークの膜厚を粉砕によって調整した」の記載から、引用発明１の「酸化物系導電性セラミックスフレーク」は用途に応じて粒径を調整するものといえる。また従来技術２に見られるように薄片状金属酸化物の粒径を調整する際に、溶媒中に分散させ撹拌し、粉砕する方法は周知の技術的事項であることから引用発明１において、従来技術２に見られるように薄片状金属酸化物を溶媒中に分散させ撹拌し、粉砕する方法を用いて粒径を調整する方法を付加することは当業者が容易に想到し得ることである。また該構成を付加することによる効果も予想し得る程度のものである。
　
相違点（ｂ）について
　引用発明１の「平均半径」、本願発明の「平均直径」は規定もなく、通常の測定方法により測定し得られるものと認められることから、「平均半径」を２倍した長さが、「平均直径」相当するものと解される。してみると引用発明１の「平均半径が約５０μｍ以上」は本願発明の「平均直径０．５〜５００μｍ」と重複する範囲を含むものといえ、引用発明１と本願発明とでは相違点（ｂ）で実質的に相違するものともいえない。
　
相違点（ｃ）について
　従来技術１に見られるように薄片状粉体等の粉体を固液分離した後に乾燥することは周知の技術的事項であり、引用発明１において該周知技術を付加して本願発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得ることである。また該発明特定事項の付加による効果も予想しうる程度のものである。
　
相違点（ｄ）について
　刊行物１記載事項（ア−３）、及び同（ア−６）には「酸化物系導電性セラミック」として、それぞれ「ＳｎＯ2」、「ＩＴＯ」の実施例が記載されていることから、引用発明１の「酸化物系導電性セラミックス」は「ＳｎＯ2」「ＩＴＯ」等の金属酸化物を含むものといえる。また錫酸化物薄膜、インジウム−錫酸化物薄膜が透明導電性を有することは周知の技術的事項であり、引用発明１に用いられる錫酸化物薄膜、インジウム−錫酸化物薄膜が透明であることを本願発明特定事項として記載することは当業者が容易に想到得ることである。また該発明特定事項による効果も予想しうる程度のものである。
　
　また請求人は平成１７年５月３１日付け審判請求書請求の理由で「１）本願発明は、箔粉を製造するにあたり、基材としてプラスチックフィルムを用いているのに対し、引用刊行物１に記載されたフレークを製造するにあたり、基材としてガラスを用いている」（以下「請求人の主張１」という）「２）本願発明は、箔粉を製造するにあたり決して焼成することは行わないのに対し、引用刊行物１に記載されたフレークを製造するにあたり積極的に焼成を行うこととしている」（以下「請求人の主張２」）点で相違する旨主張する。
・請求人の主張１について　
　３．（１）に記載したように引用発明１の「硬質基材」はポリイミドフィルム等のフィルムを含み、ポリイミドは樹脂であり、材質の面でも引用発明１と本願発明とは相違するものとも認められない。よって請求人の主張１は採用できない。
　
・請求人の主張２について
　請求人は「引用刊行物１に記載されたフレークは「ガラス基板から分離させたフレークを５００℃以上１時間以上、酸素中若しくは空気中で焼成すること」により得られるものであることを最大の特徴として」いる点（以下「（請求人の主張２−１）」という」、「本願発明では得られた薄膜を破砕する手段としては溶媒中で破砕することとしているのに対し、引用文献１においては焼成することとなって」いる点（以下「（請求人の主張２−２）」という）を主張するものと解される。
・（請求人の主張２−１）について
　引用発明１は焼成する段階を有さない「酸化物系導電性フレーク」であることから、（請求人の主張２−１）は採用できない。
　また仮に刊行物１に焼成することが記載されているとしても、従来技術１に見られるように比抵抗が１×１０3 Ω・ｃｍ以下の薄片状金属酸化物粉末を樹脂や塗料に対して導電性付与材として用いることは周知の技術的事項であり、形状、比抵抗等の点で従来技術１と重複する焼成を用いていない引用発明１を導電性付与材として用いることに何ら格別な困難性は認められない。よって（請求人の主張２−１）は採用できない。
・（請求人の主張２−２）について
　引用発明１は、記載事項（ア−３）の「基板を水中に浸漬し酸化物系導電性セラミックスフレークを前記硬質基板から分離させ」の記載のように、水中に浸漬することにより硬質基材上に形成された「酸化物系導電性セラミックス層」から、薄片である「酸化物系導電性セラミックスフレーク」として回収するものであり、引用発明１は焼成により破砕するものではないことから、（請求人の主張２−２）は採用できない。
　
　さらに請求人は平成１７年５月３１日付け審判請求書請求の理由で「尚、本願発明において焼成という手法を一切用いない理由は、本願発明における５〜５００ｎｍという、いわゆるナノサイズと呼ばれる範囲において（この範囲をナノサイズと呼ぶのは当業者であれば周知の事実であって、５０００ｎｍもの厚みのものをナノサイズと呼ぶことは決してないことを付言しておきます。）焼成しようとすると、ナノサイズに特有のメゾスコッピク現象による融点降下が生じ、ひいては溶融凝集してしまうか消失してしまうため、本願発明に係る箔粉を得られない、要すれば本願発明に係るサイズのものに対して焼成をしてしまうと、溶融凝集が生じて所望の大きさの箔粉を得られない、もしくは薄膜が消失してしまって箔粉を得られない、という現象が発生していることを知得していたからに他なりません。」と主張するが、本願発明は「箔粉の厚さが５〜１０００ｎｍ、平均直径が０．５〜５００μｍ」であって、前記主張の「５〜５００ｎｍ」よりも大きいサイズを含むものであり、また引用発明１は「５〜５００ｎｍ」よりも大きいサイズの部分でも本願発明と重複するものであるから該出願人の主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。