【事件の表示】
　平成　８年特許願第２８８４４９号「一定の偏光方向を有する垂直共振型面発光レーザー」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　６月３０日出願公開、特開平　９−１７２２１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 　  
　本願は、平成８年１０月３０日（パリ条約による優先権主張１９９５年１０月３１日、米国）の出願であって、平成１８年５月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年９月４日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年１０月４日付で手続補正がなされたものである。　  
　  
２．平成１８年１０月４日付の手続補正についての補正却下の決定 　  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１８年１０月４日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。  
　  
［理由］  
（１）補正の内容  
　本件補正は、補正前の請求項１を、下記のように補正することを含むものである。  
　  
「【請求項１】　
　一定の偏光方向を有する光を生成する垂直共振型面発光レーザーであって、　
　第１の導電性ミラー領域と第２の導電性ミラー領域に挟まれた平面状の光生成領域を有し、前記第１の導電性ミラー領域は前記第２の導電性ミラー領域とは逆の導電型を有し、　
　前記第１の導電性ミラー領域は、　
　前記光生成領域にほぼ平行な遠隔面と、　
　前記遠隔面に形成された、ある軸を成す方向に光が発せられる発光ポートを有する電極と、
　前記軸を取り囲み、前記遠隔面から前記発光領域に向かって延びて前記第１の導電性ミラー領域内にコア領域を形成する低導電性領域とを有し、　
　前記コア領域は、前記光生成領域に平行な面内で、相互に直交する方向に第１の寸法および第２の寸法を有し、前記第２の寸法は前記第１の寸法の３０〜８０％であり、前記光の偏光方向が前記第１の寸法の方向に設定されることを特徴とする垂直共振型面発光レーザー。」 　  
　  
　そして、本件補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である、「第２の寸法」について、「前記第２の寸法は前記第１の寸法の３０〜８０％であり」との限定を行うものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。  
　  
（２）引用刊行物記載の事項　  
　原査定の拒絶の理由において引用された特開平６−１９６８０４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。　  
　  
（ア）「【０００２】　
【従来の技術】近年、半導体レーザ素子は光情報機器や光通信機器等の光エレクトロニクスにおける光源として利用されており、活発に研究開発されている。最近、電子デバイスの集積化等の要求に伴って、基板上に半導体層をエピタキシャル成長させ、この基板面に対して垂直な方向からレーザ光を取り出す面発光型半導体レーザ素子が開発されている。斯る半導体レーザ素子は、例えばオーム社発行の「面発光レーザ」（1990年9月25日発行）に記載されている。　
【０００３】斯る面発光半導体レーザ素子は、光共振器を構成するために活性層の上下方向にそれぞれ反射鏡を有している。この反射鏡としては、例えば発振波長に対応するエネルギー（ここで、発振波長に対応するエネルギーとは発振波長をエネルギーに換算したそのエネルギーのことである）より大きなバンドギャップエネルギー（大きなエネルギーのバンドギャップ）を有する半導体層からなる半導体多層膜反射鏡が用いられており、第１半導体層と該第１半導体層に比べてバンドギャップエネルギーが小さい第２半導体層、即ち屈折率差がある第１半導体層と第２半導体層とが交互に積層されて構成されている。　
【０００４】図４に従来のＡｌＧａＡｓ系面発光半導体レーザ素子の断面図を示す。　
【０００５】２１はｎ型ＧａＡｓ基板であり、該ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にはｎ型半導体多層膜反射鏡（ｎ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ第２半導体層／ｎ型ＡｌＡｓ第１半導体層の３０ペア）２２、ｎ型Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層２３、ｐ型ＧａＡｓ活性層２４、ｐ型Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層２５からなるヘテロ接合部２６が形成されている。このヘテロ接合部２６上にはｐ型半導体多層膜反射鏡（ｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ第２半導体層／ｐ型ＡｌＡｓ第１半導体層の２５ペア）２７、ｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓコンタクト層２８がこの順序に構成されている。　
【０００６】前記ｐ型半導体多層膜反射鏡２７には、その中央部と上部側を除いてＨ+イオン（水素イオン）が注入されてなるＨ+イオン注入電流ブロック部２９が形成されている。前記ｐ型コンタクト層２８の上面には光取り出し口となる中央部を除いてｐ型側オーミック電極３０が形成され、前記ｎ型ＧａＡｓ基板２１の下面全域にはｎ型側オーミック電極３１が形成されている。」　  
　  
　上記（ア）によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。　　  
　  
「ＡｌＧａＡｓ系面発光半導体レーザ素子において、
　ｎ型ＧａＡｓ基板上にはｎ型半導体多層膜反射鏡（ｎ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ第２半導体層／ｎ型ＡｌＡｓ第１半導体層の３０ペア）、ｎ型Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層、ｐ型ＧａＡｓ活性層、ｐ型Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層からなるヘテロ接合部が形成され、　
　このヘテロ接合部上にはｐ型半導体多層膜反射鏡（ｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓ第２半導体層／ｐ型ＡｌＡｓ第１半導体層の２５ペア）、ｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓコンタクト層がこの順序に構成され、　
　前記ｐ型半導体多層膜反射鏡には、その中央部と上部側を除いてＨ+イオン（水素イオン）が注入されてなるＨ+イオン注入電流ブロック部が形成され、　
　前記ｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ａｓコンタクト層の上面には光取り出し口となる中央部を除いてｐ型側オーミック電極が形成され、前記ｎ型ＧａＡｓ基板の下面全域にはｎ型側オーミック電極が形成されているＡｌＧａＡｓ系面発光半導体レーザ素子」
　　  
　また、同じく原査定の拒絶の理由において引用された特開平４−１４４１８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。　
　
（イ）「２．特許請求の範囲　
（１）半導体基板上に活性層を含む垂直型光共振器を有する面発光型半導体レーザにおいて、前記半導体基板に対して垂直方向から見た時の前記垂直型光共振器の断面形状が長軸及び短軸を具備することを特徴とする面発光型半導体レーザ。」（１頁左欄４行〜９行）　
　
（ウ）「［産業上の利用分野］　
本発明は、光情報処理や並列光通信に利用される面発光型半導体レーザの構造に関する。」（１頁左欄１３行〜１５行）　
　
（エ）「［発明が解決しようとする課題］　
　しかし、従来の面発光型半導体レーザの光共振器は、設計上、円柱形を有しているため、レーザ光の偏光方向が安定な１方向に決まらないか、製造上発生する膜厚のむらや、エツチングのむらのため非対称性が発生し、素子間でのレーザ光の偏光方向のばらつきや、同一素子でも注入電流値により偏光方向の変化があるという問題点を有していた。　
　そこで本発明では、従来のこのような問題点を解決するため、レーザ光の偏光が直線偏光であり、偏光方向を任意の１方向に決定することができる面発光型半導体レーザを作ることを目的としている。」（１頁右欄１０行〜２頁左上欄１行〜３行）　
　
（オ）「［実施例］　
　以下に、本発明の第１の実施例を図面に基づいて説明する。第１図（ａ）は本発明の面発光型半導体レーザの構造断面図を示す。主構造として、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にＮ型下部反射鏡１０２、Ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層１０３、ＧａＡｓ活性層１０４、Ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層１０５、Ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流通路層１０６、Ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓコンタクト層１０７が形成されている。Ｎ型下部反射鏡１０２は、Ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層とＮ型Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ層を１ペアとし、その多層膜で形成されており、それぞれの層の屈折率をｎ1、ｎ2とすると一層分の膜厚はそれぞれλ／（４・ｎ1）、λ／（４・ｎ2）となっている。ここでλは高反射率にしたい光の波長、且つ活性層の発光波長である８８０ｎｍとし、多層膜のペア数は反射率９８％以上が得られるよう３０ペアとした。埋め込み層はＰ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層１０８、Ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋め込み層１０９で構成されており、ＧａＡｓ活性層１０４の周りを完全に埋め込んでいる。誘電体多層膜で形成されている上部反射鏡１１０は、ＧａＡｓ活性層１０４を完全におおうように形成されており、同時に蒸着された誘電体多層膜の一部は、電流ブロック層１１４として使用されている。ｎ側電極１１１はｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面に形成し、ｐ側電極１１２はＰ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓコンタクト層１０７上部、且つ電流ブロック層１１４上部で上部反射鏡１１０の周りに形成した。レーザ光１１３は、上部反射鏡１１０からｎ型ＧａＡｓ基板１０１に対して垂直方向に出射される。　
　・・・（中略）・・・　
　第１図（ｂ）に、レーザ出射面側から見た光共振器の透過断面図を示す。光共振器の断面形状は楕円形をしており、点線で示すように２枚の対称面１１５、１１６を持っている。垂直光共振器構造を有する面発光型半導体レーザのレーザ光は直線偏光であることは知られているが、従来のように、光共振器の断面形状が真円である場合には、安定な偏光方向が定まらず、製造上の膜厚のむらにより偏光方向が決定されていたり、注入電流値により偏光方向が変化していた。本発明の面発光型半導体レーザは、対称面１１５に平行な方向に直線偏光したレーザ光を出射することができる。」（２頁左上欄１４行〜右下欄１６行）　
　
（カ）「［発明の効果］　
　本発明の面発光型半導体レーザは、以上説明したように、光共振器の形状をレーザ光の出射方向から見たとき長軸及び短軸を具備することにより、偏光方向を任意の１方向、すなわち長軸に平行な方向に直線偏光したレーザ光を出射することができ、更にそのレーザ光は注入電流値に対して、偏光方向の変化が無いため、光の偏光を利用した光ディスクのピックアップとして、さらには、光の偏光を利用した光情報処理や、光通信の基本素子として利用できるといった効果を有する。」（３頁左下欄８行〜１８行）　
　
　上記（イ）〜（カ）によれば、引用例２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。　　  
　
「半導体基板上に活性層を含む垂直型光共振器を有する面発光型半導体レーザにおいて、前記半導体基板に対して垂直方向から見た時の前記垂直型光共振器の断面形状が長軸及び短軸を具備することにより、　
　偏光方向を任意の１方向、すなわち長軸に平行な方向に直線偏光したレーザ光を出射することができ、更にそのレーザ光は注入電流値に対して、偏光方向の変化が無いため、光の偏光を利用した光ディスクのピックアップとして、さらには、光の偏光を利用した光情報処理や、光通信の基本素子として利用できる面発光型半導体レーザ」　
　
（３）対比　  
　
本願補正発明と引用発明１を対比する。　  
　  
（ａ）引用発明１の「ｎ型半導体多層膜反射鏡」、「ｐ型半導体多層膜反射鏡」、「ｐ型ＧａＡｓ活性層」、「ｐ型側オーミック電極」、「光取り出し口」及び「面発光半導体レーザ素子」が、本願補正発明の「第２の導電性ミラー領域」、「第１の導電性ミラー領域」、「光生成領域」（または「発光領域」。「光生成領域」と「発光領域」は同義と解される。）、「電極」、「発光ポート」及び「垂直共振型面発光レーザー」に相当することは明らかである。　  
　  
（ｂ）引用発明１の「ｐ型半導体多層膜反射鏡」は、「ｐ型ＧａＡｓ活性層」上に積層され、垂直共振器として機能するわけであるから、「ｐ型ＧａＡｓ活性層」にほぼ平行な面を有することは自明であり、また、「ｐ型半導体多層膜反射鏡」上の「ｐ型コンタクト層上面には光取り出し口となる中央部を除いてｐ型側オーミック電極が形成され」ているわけであるから、引用発明１の「ｐ型コンタクト層」の上面が本願補正発明の「遠隔面」に相当し、引用発明１は本願補正発明の「前記第１の導電性ミラー領域は、前記光生成領域にほぼ平行な遠隔面と、前記遠隔面に形成された、ある軸を成す方向に光が発せられる発光ポートを有する電極と」を有しているということができる。　 
　 
（ｃ）引用発明１の「Ｈ+イオン注入電流ブロック部」は電流の流れを遮るものであるので、本願補正発明の「低導電性領域」に相当し、引用発明１において「ｐ型半導体多層膜反射鏡には、その中央部と上部側を除いてＨ+イオン（水素イオン）が注入されてなるＨ+イオン注入電流ブロック部が形成され」ているわけであるから、引用発明１は、本願補正発明の「前記軸を取り囲み、前記遠隔面から前記発光領域に向かって延びて前記第１の導電性ミラー領域内にコア領域を形成する低導電性領域とを有し」との技術事項を有しているということができる。　 
　 
したがって、両者は、　  
「垂直共振型面発光レーザーであって、　
　第１の導電性ミラー領域と第２の導電性ミラー領域に挟まれた平面状の光生成領域を有し、前記第１の導電性ミラー領域は前記第２の導電性ミラー領域とは逆の導電型を有し、　
　前記第１の導電性ミラー領域は、　
　前記光生成領域にほぼ平行な遠隔面と、　
　前記遠隔面に形成された、ある軸を成す方向に光が発せられる発光ポートを有する電極と、　
　前記軸を取り囲み、前記遠隔面から前記発光領域に向かって延びて前記第１の導電性ミラー領域内にコア領域を形成する低導電性領域とを有している垂直共振型面発光レーザー」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　  
　  
相違点：　  
　本願補正発明は、「一定の偏光方向を有する光を生成する垂直共振型面発光レーザーであって」「コア領域は、前記光生成領域に平行な面内で、相互に直交する方向に第１の寸法および第２の寸法を有し、前記第２の寸法は前記第１の寸法の３０〜８０％であり、前記光の偏光方向が前記第１の寸法の方向に設定される」のに対し、引用発明１は一定の偏光方向を有する光を生成しているのか、及び「コア領域」の形状がどのようなものであるのか、明らかでない点。  
　 
（４）判断　　  
　上記相違点につき検討する。　
　引用例１及び引用例２に記載された事項は、ともに光情報機器や光通信機器の光源に利用される垂直共振型面発光レーザーに関するものであり、光エレクトロニクスの光源として光の偏光を利用することは光ディスクのピックアップなどにおいて通常行われていること（例えば、上記引用例２参照）であるから、その際に安定した偏光特性が必要となることは自明な課題であるといえる。　
　そして、引用発明２は、垂直共振型面発光レーザーにおいて、垂直型光共振器の断面形状が長軸及び短軸を具備する面発光レーザーを構成することにより、レーザ光の偏光方向を任意の１方向、すなわち長軸に平行な方向に直線偏光したレーザ光を出射するようにし、光情報処理や光通信の基本素子として利用できるようにするものである。　
　したがって、安定した偏光特性を有する光源を提供するという自明の課題に基づいて、引用発明２を引用発明１に適用することにより、引用発明１の「Ｈ+イオン注入電流ブロック部」が形成されていない「ｐ型半導体多層膜反射鏡」の「中央部」の形状を引用発明２の「垂直型光共振器の断面形状」と同じ形状とし、本願補正発明の「コア領域は、前記光生成領域に平行な面内で、相互に直交する方向に第１の寸法および第２の寸法を有し、前記第２の寸法は前記第１の寸法の３０〜８０％であり、前記光の偏光方向が前記第１の寸法の方向に設定される」ようにすることは当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない。　
　なお、「前記第２の寸法は前記第１の寸法の３０〜８０％」とすることがレーザ光の偏光方向を長軸に平行な方向にすることであれば、引用例２に記載された事項が本願補正発明と同じく一定の偏光方向を有する垂直共振型面発光レーザーを提供することを目的とするものであることを斟酌すれば、引用例２においても、上記数値範囲の断面形状を排除すべき合理的理由はなく当然に含み得ると推認できる。したがって、上記数値限定は実質的な差異ではないと見ることが相当である。　
　また、仮に、差異であるとしても、本願明細書の記載からは、その数値範囲の臨界的意義が明らかでなく、その程度の数値限定は、当業者が必要に応じて適宜選択し得る設計事項にすぎないというべきである。 
　　 
　しかも、本願補正発明によってもたされる効果は、引用発明１、引用発明２、及び引用例１、２に記載された事項に基づいて、当業者が予測し得る程度のものにすぎない。　  
　  
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２、及び引用例１、２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　  
　  
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　  
　  
３．本願発明について  
（１）本願発明 　  
　平成１８年１０月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１０月６日付の手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。  
　  
「【請求項１】　
　一定の偏光方向を有する光を生成する垂直共振型面発光レーザーであって、
　第１の導電性ミラー領域と第２の導電性ミラー領域に挟まれた平面状の光生成領域を有し、前記第１の導電性ミラー領域は前記第２の導電性ミラー領域とは逆の導電型を有し、　
　前記第１の導電性ミラー領域は、　
　前記光生成領域にほぼ平行な遠隔面と、　
　前記遠隔面に形成された、ある軸を成す方向に光が発せられる発光ポートを有する電極と、　
　前記軸を取り囲み、前記遠隔面から前記発光領域に向かって延びて前記第１の導電性ミラー領域内にコア領域を形成する低導電性領域とを有し、　
前記コア領域は、前記光生成領域に平行な面内で、相互に直交する方向に第１の寸法および第２の寸法を有し、前記第１の寸法は前記第２の寸法より大きく、前記光の偏光方向が前記第１の寸法の方向に設定することを特徴とする垂直共振型面発光レーザー。」（以下、「本願発明」という。）  
　  
（２）引用刊行物記載の事項　  
　原査定の拒絶理由に引用された刊行物の記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。　 
　  
（３）対比・判断 　  
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「第２の寸法」について、「前記第２の寸法は前記第１の寸法の３０〜８０％であり」との限定を省いたものである。  
　そうすると、本願発明の発明特定事項の全てが含まれる本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、上記引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、上記引用発明１、引用発明２、及び引用例１、２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　  
（４）むすび 　  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用発明２、及び引用例１、２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。