【事件の表示】
　特願２００１−４０１８０２「Ｇａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１８日出願公開、特開２００３−２０４０７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯  
　 
　本願は、平成１３年１２月２８日の出願であって、平成１８年７月２４日に手続補正がなされ、同年９月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月１７日に手続補正がなされ、当審において、平成２０年２月２８日付けで審尋がなされたものである。
　
２．平成１８年１１月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定  
　
［補正却下の決定の結論］  
　
　平成１８年１１月１７日付けの手続補正を却下する。  
　
　［理由］  
　  
（１）補正の内容 
　 
　平成１８年１１月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、次の内容を含むものである。
　
ア．本件補正前の請求項１に記載の、
「透光性を有する絶縁性の基板と、この基板上に他の透明電極膜又は他の光電変換素子を介して形成されドーパントとしてガリウムを含み、その上に次の層が積まれる前の表面からＧａ析出層が除去されており、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能するＧａ含有酸化亜鉛膜と、前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に形成された一導電型シリコン系膜と、この一導電型シリコン系膜の上に形成された実質的に真性のｉ型シリコン系膜と、このｉ型シリコン系膜の上に形成された逆導電型シリコン系膜と、この逆導電型シリコン系膜の上に形成された裏面電極膜と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子。」を
「透光性を有する絶縁性の基板と、
この基板上に他の透明電極膜又は他の光電変換素子を介して形成されドーパントとしてガリウムを含
み、導
し、膜厚が１０〜５０ｎｍ、且つガリウム含有量が０．５以上５原子％未満の
前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に形成された一導電型シリコン系膜と、
この一導電型シリコン系膜の上に形成された実質的に真性のｉ型シリコン系膜と、
このｉ型シリコン系膜の上に形成された逆導電型シリコン系膜と、
この逆導電型シリコン系膜の上に形成された裏面電極膜と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子。」に補正する。
　
イ．本件補正前の請求項２に記載の、
「絶縁性の基板と、この基板上に他の金属電極膜又は他の光電変換素子を介して形成されドーパントとしてガリウムを含み、その上に次の層が積まれる前の表面からＧａ析出層が除去されており、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能するＧａ含有酸化亜鉛膜と、前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に形成された一導電型シリコン系膜と、この一導電型シリコン系膜の上に形成された実質的に真性のｉ型シリコン系膜と、このｉ型シリコン系膜の上に形成された逆導電型シリコン系膜と、この逆導電型シリコン系膜の上に形成された透明電極膜と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子。」を、
「絶縁性の基板と、
この基板上に他の金属電極膜又は他の光電変換素子を介して形成されドーパントとしてガリウムを含
み、導
し、膜厚が１０〜５０ｎｍ、且つガリウム含有量が０．５以上５原子％未満の
前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に形成された一導電型シリコン系膜と、
この一導電型シリコン系膜の上に形成された実質的に真性のｉ型シリコン系膜と、
このｉ型シリコン系膜の上に形成された逆導電型シリコン系膜と、
この逆導電型シリコン系膜の上に形成された透明電極膜と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子。」に補正する。
　
ウ．本件補正前の請求項３を削除する。
　
エ．本件補正前の請求項４に記載の、
「導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、その上にｐｉｎ若しくはｎｉｐ構造光電変換部の一導電型層が形成されるＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法であって、他の透明電極膜または他の光電変換素子の上に、気相成長法を用いて酸化亜鉛中にガリウムがドープされたＧａ含有酸化亜鉛膜を形成する工程と、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の表面からガリウムが析出したＧａ析出層をエッチングにより除去する工程と、前記Ｇａ析出層を除去した後のＧａ含有酸化亜鉛膜の上に、一導電型シリコン系膜を形成する工程と、この一導電型シリコン系膜の上に実質的に真性のｉ型シリコン系膜を形成する工程と、このｉ型シリコン系膜の上に逆導電型シリコン系膜を形成する工程と、この逆導電型シリコン系膜の上に裏面電極膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法。」を、
「導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、その上にｐｉｎ若しくはｎｉｐ構造光電変換部の一導電型層が形成されるＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法であって、
他の透明電極膜または他の光電変換素子の上に、気相成長法を用いて酸化亜鉛中にガリウムがドープされたＧａ含有酸化亜鉛膜を形成する工程と、
前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の表面からガリウムが
高濃度に
され
表面
前記Ｇａ析出層を除去した後のＧａ含有酸化亜鉛膜の上に、一導電型シリコン系膜を形成する工程と、
この一導電型シリコン系膜の上に実質的に真性のｉ型シリコン系膜を形成する工程と、このｉ型シリコン系膜の上に逆導電型シリコン系膜を形成する工程と、
この逆導電型シリコン系膜の上に裏面電極膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法。」に補正して、新たな請求項３とする。
　
オ．本件補正前の請求項５に記載の、
「導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、その上にｐｉｎ若しくはｎｉｐ構造光電変換部の一導電型層が形成されるＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法であって、他の金属電極膜または他の光電変換素子の上に、気相成長法を用いて酸化亜鉛中にガリウムがドープされたＧａ含有酸化亜鉛膜を形成する工程と、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の表面からガリウムが析出したＧａ析出層をエッチングにより除去する工程と、前記Ｇａ析出層を除去した後のＧａ含有酸化亜鉛膜の上に、一導電型シリコン系膜を形成する工程と、この一導電型シリコン系膜の上に実質的に真性のｉ型シリコン系膜を形成する工程と、このｉ型シリコン系膜の上に逆導電型シリコン系膜を形成する工程と、この逆導電型シリコン系膜の上に透明電極膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法。」を、
「導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、その上にｐｉｎ若しくはｎｉｐ構造光電変換部の一導電型層が形成されるＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法であって、
他の金属電極膜または他の光電変換素子の上に、気相成長法を用いて酸化亜鉛中にガリウムがドープされたＧａ含有酸化亜鉛膜を形成する工程と、
前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の表面からガリウムが
高濃度に
され
表面
前記Ｇａ析出層を除去した後のＧａ含有酸化亜鉛膜の上に、一導電型シリコン系膜を形成する工程と、
この一導電型シリコン系膜の上に実質的に真性のｉ型シリコン系膜を形成する工程と、
このｉ型シリコン系膜の上に逆導電型シリコン系膜を形成する工程と、
この逆導電型シリコン系膜の上に透明電極膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法。」に補正して、新たな請求項４とする。
　
カ．本件補正前の請求項６を削除する。
　
キ．本件補正前の請求項７及び請求項８にそれぞれ記載の「請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の」を、上記エ、オ及びカの補正内容に整合させるため、「請求項３又は４に記載の」に補正したうえで、請求項７を新たな請求項５と、また、請求項８を新たな請求項６とする。
　
キ．本件補正前の請求項９を削除する。
　
ク．本件補正前の段落０００８に記載の、
「【課題を解決するための手段】
　本発明に係るＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子は、絶縁性の透明基板又は不透明基板と、この基板上に直接、又は透明電極膜又は金属電極膜からなる他の導電膜又は他の光電変換素子を介して形成され、ドーパントとしてガリウムを含み、その上に次の層が積まれる前の表面から高濃度ガリウムのＧａ析出層が除去されており、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極膜として機能するＧａ含有酸化亜鉛膜と、前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に形成された一導電型シリコン系膜と、この一導電型シリコン系膜の上に形成された実質的に真性のｉ型シリコン系膜と、このｉ型シリコン系膜の上に形成された逆導電型シリコン系膜と、この逆導電型シリコン系膜の上に形成された裏面電極膜又は透明電極膜と、を具備することを特徴とする。」を、
「【課題を解決するための手段】
　本発明に係るＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子は、絶縁性の透明基板又は不透明基板と、この基板上
に透
み、導
」に補正する。
　
ケ．本件補正前の段落０００９に記載の、
「上記のＧａ含有酸化亜鉛膜は、０.５〜５原子％のガリウム（Ｇａ）を含有することが好ましい。ガリウム含有量が０.５原子％を下回ると導電性を高める効果が実質的に無くなるからであり、ガリウム含有量が５原子％を上回ると高濃度Ｇａ析出層の膜厚が過剰になりエッチング除去することが困難になるからである。」を、
「上記のＧａ含有酸化亜鉛膜は、０．５〜５原子％のガリウム（Ｇａ）を含有
する。
　
コ．段落００１０を削除する。
　
サ．本件補正前の段落００１１に記載の、
「また、上記のＧａ含有酸化亜鉛膜の膜厚は他の導電膜又は他の光電変換素子上に形成する場合には１０〜３００ｎｍの範囲とすることが好ましい。この膜厚が１０ｎｍを下回ると抵抗が増大して透明導電膜としての基本的な機能が損なわれるからであり、一方、膜厚が３００ｎｍを上回ると透過光量が少なくなり効率が低下するからである。」を、
「また、上記のＧａ含有酸化亜鉛膜の膜厚は他の導電膜又は他の光電変換素子上に形成する場合には１０〜
５０
る。
ある。
　
シ．本件補正前の段落００１２に記載の、
「本発明に係るＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法は、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、その上にｐｉｎ若しくはｎｉｐ構造光電変換部の一導電型半導体層が形成されるＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法であって、絶縁性基板上、又は透明電極膜又は金属電極膜からなる他の導電膜または他の光電変換素子のいずれかの上に、気相成長法を用いて酸化亜鉛中にガリウムがドープされたＧａ含有酸化亜鉛膜を形成する工程と、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の表面から高濃度ガリウムが析出したＧａ析出層をエッチングにより除去する工程と、前記Ｇａ析出層を除去した後のＧａ含有酸化亜鉛膜の上に、一導電型シリコン膜を形成する工程と、この一導電型シリコン膜の上に実質的に真性のｉ型シリコン膜を形成する工程と、このｉ型シリコン膜の上に逆導電型シリコン膜を形成する工程と、この逆導電型シリコン膜の上に裏面電極膜又は透明電極膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする。」を、
「本発明に係るＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法は、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、その上にｐｉｎ若しくはｎｉｐ構造光電変換部の一導電型半導体層が形成されるＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子の製造方法であっ
て、透
らガ
高濃度に
され
表面
　
（２）補正の根拠についての当審の判断
　
　ア．上記（１）のア、イ、サの補正内容は、請求項１、２に記載の各発明の「Ｇａ含有酸化亜鉛膜」の膜厚について、「
１０〜５０ｎｍ
５０
る。
ある。
　
　イ．本願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「当初明細書」という。）には、次の記載がある。
ａ．「【００１０】また、上記のＧａ含有酸化亜鉛膜の膜厚は絶縁性の基板上に直接形成する場合には３００〜１５００ｎｍの範囲とすることが好ましい。この膜厚が３００ｎｍを下回ると抵抗が増大して透明導電膜としての基本的な機能が損なわれるからであり、一方、膜厚が１５００ｎｍを上回ると透過光量が少なくなり効率が低下するからである。
【００１１】また、上記のＧａ含有酸化亜鉛膜の膜厚は他の導電膜又は他の光電変換素子上に形成する場合には１０〜３００ｎｍの範囲とすることが好ましい。この膜厚が１０ｎｍを下回ると抵抗が増大して透明導電膜としての基本的な機能が損なわれるからであり、一方、膜厚が３００ｎｍを上回ると透過光量が少なくなり効率が低下するからである。」
ｂ．「【００２９】光電変換素子２０Ａの透明電極膜は基板２上にごく薄い二酸化珪素膜（ＳｉＯ２）を介して積まれた酸化錫膜３（ＳｎＯ２）とその上に積まれたＧａ含有酸化亜鉛膜８との上下二層からなり、上層のＧａ含有酸化亜鉛膜８はｐ層４を形成する時に下層の酸化錫膜３が還元されるのを防止する機能を有する。ごく薄い二酸化珪素膜はガラス基板２に含まれる不純物が酸化錫膜３に侵入するのを防止する機能を有するものである。二層の透明電極膜は図示しない外部負荷の負極に接続される。なお、二酸化珪素膜の膜厚は５０ｎｍ、酸化錫膜３の膜厚は６００ｎｍ、Ｇａ含有酸化亜鉛膜８の膜厚は５０ｎｍである。また、Ｇａ含有酸化亜鉛膜８のガリウム含有率は２原子％である。なお、ガラス基板上にＧａ含有酸化亜鉛膜を直接形成し、透明電極膜をＧａ含有酸化亜鉛膜のみで構成しても良く、その膜厚は６００ｎｍである。」、
ｃ．「【００４５】（実施例２）次に、実施例２の光電変換素子について図１及び図３を参照して説明する。実施例２の光電変換素子２０Ｂは、ガラス基板２の上に反射膜としての金属電極膜９を備え、光は基板２とは反対側の透明電極膜２３の側から入射する。
【００４６】光電変換素子２０Ｂは、ガラス基板２の上に金属電極膜９（Ａｌ）又はＡｇ、Ｇａ含有酸化亜鉛膜８（Ｇａ:ＺｎＯ）、ｎ型シリコン膜６（ｎ層）、実質的に真性のｉ型シリコン膜５（ｉ層）、ｐ型シリコン膜４（ｐ層）、電極膜２３（ＩＴＯ）集電電極２５がこの順に積層されてなる逆入射型のシリコン太陽電池である。
【００４７】Ｇａ含有酸化亜鉛膜８のガリウム含有率は２原子％であり、膜厚は５０ｎｍである。
・・・・
【００５１】金属電極膜９は、アルミニウム（Ａｌ）、又は銀（Ａｇ）からなり、膜厚は０.５μｍである。
【００５２】・・・Ｇａ含有酸化亜鉛膜８の膜厚は５０ｎｍである。・・・」、
ｄ．「【００６４】（実施例３）実施例３の光電変換素子２０Ｃについて図１の（ｃ）を参照して説明する。実施例３の光電変換素子２０Ｃは、ガラス基板２の上に透明電極膜３（ＳｎＯ２）、ｐ型シリコン膜４（p-Si）、実質的に真性のｉ型シリコン膜５（i-Si）、ｎ型シリコン膜６（n-Si）からなる第１の光電変換素子７が順次積層され、その上にさらにＧａ含有酸化亜鉛膜８（Ｇａ：ＺｎＯ）を介してｐ型シリコン膜１１（p-Si）、実質的に真性のｉ型シリコン膜１２（i-Si）、ｎ型シリコン膜１３（n-Si）、裏面電極膜１４からなる第２の光電変換素子１０が順次積層されてなるタンデム型シリコン太陽電池である。すなわち、Ｇａ含有酸化亜鉛膜８（Ｇａ：ＺｎＯ）は、第１の光電変換素子７と第２の光電変換素子１０との間に形成されている。
【００６５】Ｇａ含有酸化亜鉛膜８のガリウム含有率は２原子％であり、膜厚は５０ｎｍである。
【００６６】ｐ層４は膜厚１０ｎｍ、ボロン（Ｂ）ドープ量が１×１０２０原子／ｃｍ３のｐ型非晶質シリコン膜であり、ｐ層１１は膜厚２０ｎｍ、ボロン（Ｂ）ドープ量が１×１０２０原子／ｃｍ３のｐ型薄膜結晶系シリコン膜である。
【００６７】実質的に真性のｉ層５は、膜厚が３００ｎｍの非晶質シリコン膜であり、ｉ層１２は膜厚が２.０μｍの薄膜結晶系シリコン膜である。
【００６８】ｎ層６は、膜厚が２０ｎｍ、リン（Ｐ）ドープ量が１×１０２０原子／ｃｍ３のｎ型非晶質シリコン膜、ｎ層１３は膜厚が３０ｎｍ、リン（Ｐ）ドープ量１×１０２０原子／ｃｍ３のｎ型薄膜結晶系シリコン膜である。
【００６９】・・・・酸化錫膜３の膜厚は０.６μｍである。」
　
　ウ．上記イａの記載から、Ｇａ含有酸化亜鉛膜は、単独で用いると、その膜厚が３００ｎｍを下回ると抵抗が増大して透明導電膜としての基本的な機能が損なわれるが、他の導電膜とともに多層膜として用いたりすると、多層膜としての総膜厚が十分あればＧａ含有酸化亜鉛膜の膜厚は１０ｎｍまで薄くしても透明導電膜として必要な低い抵抗値を確保できること、一方、単独で用いると、その膜厚が１５００ｎｍまで必要な透過光量が確保でき効率を維持できるが、他の導電膜とともに多層膜として用いたりすると、多層膜としての総膜厚が厚くなり透過光量が少なくなって効率が低下するから、Ｇａ含有酸化亜鉛膜の膜厚が３００ｎｍ以下が好ましいとの技術事項が把握される。
　
　エ．上記ウの技術事項を踏まえると、上記イｂ〜ｃには、基板上に「膜厚６００ｎｍの酸化錫膜３」、「膜厚０.５μｍの金属電極膜９（Ａｌ又はＡｇ）」又は「膜厚０．６μｍの透明電極膜３、膜厚１０ｎｍＮＯｐ層４、膜厚３００ｎｍのｉ層５及び膜厚２０ｎｍのｎ層６」を介してＧａ含有酸化亜鉛膜８を「膜厚５０ｎｍ」で形成する事項が記載されているものと認められる。しかし、基板上に他の層を介してＧａ含有酸化亜鉛膜８を「膜厚１０ｎｍ」で形成する実施例は記載されていない。
　
　オ．上記ウ〜エからみて、上記イのａ〜ｄの記載からは、Ｇａ含有酸化亜鉛膜の膜厚の範囲を「１０〜５０ｎｍ」とする根拠は見いだされない。また、当初明細書の他の記載からも、Ｇａ含有酸化亜鉛膜の膜厚の範囲を「１０〜５０ｎｍ」とする根拠は見いだされない
　
　カ．したがって、上記アの補正内容を含む本件補正は、当初明細書の範囲内でしたものではないから、本件補正は平成１８年改正前特許法１７条の２第３項の規定に違反してなされたものである。
　
（３）独立特許要件についての当審の判断
　
　ア．上記（１）のア、イの補正内容は、請求項１、２に記載の各発明の発明特定事項である「Ｇａ含有酸化亜鉛膜」のガリウム含有量について、「０．５以上５原子％未満」であると限定する補正内容を含んでいる。そして、この補正内容は、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正後の請求項１、２に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
　イ．本件補正後の請求項１、２には、それぞれ「前記Ｇａ析出層が除去された」との記載があるが、各々の請求項の記載中、この記載の前に「Ｇａ析出層」の記載は存在しない。してみると、上記「前記Ｇａ析出層が除去された」の記載における「前記」がどの記載を指しているのか不明である。
　念のため、この「前記Ｇａ析出層が除去された」が「Ｇａ析出層が除去された」の誤記であると仮定して検討しても、本件補正後の請求項１、２に係る各発明に関し、「ドーパントとしてガリウムを含み、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能し、膜厚が１０〜５０ｎｍ、且つガリウム含有量が０．５以上５原子％未満のＧａ含有酸化亜鉛膜」が、「Ｇａ析出層」を、備えているものか、元来備えていないものか、元来備えていたが既に除去されたものかが特定されていないことから、「Ｇａ析出層が除去された」なる事項の技術的な意味内容が不明確になっている。
　したがって、本件補正後の請求項１、２の記載では、各々の特許を受けようとする発明が明確でない。
　
　ウ．本件補正後の請求項１、２に記載された発明は明確でないから、本件補正後のこの出願は特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。よって、本件補正後の請求項１、２に記載された発明は出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび  
　
　上記（３）のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであるから、また上記（２）のとおり、本件補正は、同法１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　
　上記のとおり本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年７月２４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「２（１）ア」において本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２）刊行物記載の発明  
　 
　原審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２８４６１１号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】 表面にエッチングにより凹凸が形成された透明導電膜上に内部に半導体接合を有する非晶質薄膜半導体層と裏面金属膜とがこの順序で形成された光起電力装置であって、前記透明導電膜は、前記半導体層と接する側から透明導電膜層とエッチングストッパとなる薄膜金属層と透明導電膜層との多層構造で形成されていることを特徴とする光起電力装置。
【請求項２】 前記薄膜金属層の膜厚は１００Å以下２５Å以上であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力装置。
【請求項３】 前記エッチングは酸を用いたウェットエッチング又はハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光起電力装置。」
　
「【００１５】このため、この発明では、光起電力装置の光入射側に用いる透明導電膜２として、表面にエッチングにより凹凸を形成するための出発透明導電膜が、少なくとも半導体と接する側から第１の透明導電膜層２１、薄膜金属層２２、第２の透明導電膜層２３の多層積層膜で構成する。そして、この多層積層膜をエッチングすると、エッチングが薄膜金属層２２により停止する。この結果、最表面の第１の透明導電膜２１の膜厚により深さ方向の凹凸の大きさが制御される。
【００１６】次に、この発明にかかる透明導電膜の具体的製造方法につき説明する。図１（ａ）に示すように、まず、５ｗｔ％のＧａドープＺｎＯをターゲットに用いてＤＣスパッタリング法により、１００℃、２００Ｗ、６６．５Ｐａの条件でＡｒガスを用いてガラス基板１上に第２透明導電膜層２３として、膜厚５００ÅのＺｎＯ：Ｇａ膜を堆積する。そして、その上に同じくスパッタリング法にて、１００℃、２００Ｗ、６６．５Ｐａの条件で、Ａｒガスを用いて薄膜金属層２２として膜厚５０ÅのＡｇ膜を堆積する。最後に最表面の第１透明導電膜層２１として、１００℃、２００Ｗ、６６．５Ｐａの条件で形成した膜厚５０００ÅのＺｎＯ：Ｇａ膜を堆積する。
【００１７】その後、０．５％のＨＣｌ水溶液を用いて室温にて２０秒間エッチングする。このエッチング処理により、図１（ｂ）の如く、Ａｇ膜からなる薄膜金属層２２近傍でエッチングが停止し、凹凸の山と谷の高低差が約±５％と極めて良好な範囲でおさまることが確認された。
・・・・・・
【００２２】次に、上記した方法により透明導電膜が形成された基板を用いて図３に示す非晶質太陽電池装置を形成した。ガラス基板１上に形成されたこの発明の特徴とする透明導電膜２上に膜厚１００Åのｐ型の非晶質シリコンカーバイトからなる第１の非晶質薄膜半導体層３、膜厚２５００Åのｉ型の非晶質シリコン膜からなる第２の非晶質薄膜半導体層４、膜厚２００Åのｎ型の非晶質シリコン膜からなる第３の非晶質薄膜半導体層５がプラズマＣＶＤ法により順次積層されて設けられる。そして、この上にアルミ（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等からなる裏面金属膜６がスパッタ法により形成される。」
　
「【００３０】次に、第２透明導電膜層２３、最表面の第１透明導電膜層２１であるＺｎＯ：Ｇａの膜厚を５００Å、４０００Åにそれぞれ固定し、薄膜金属層２２であるＡｇ膜を１００℃、２００Ｗ、６６．５Ｐａの条件にて、膜厚を２５Å、５０Å、１００Å、２００Åと変化させて形成する。そして、これら膜を、０．５％のＨＣｌ水溶液を用いて室温にて２０秒間エッチングした。このようにして形成したこの発明にかかる透明導電膜を有するガラス基板を用いて太陽電池装置を形成した。この太陽電池装置の規格化Ｉ−Ｖパラメータを表３に示す。規格化は従来標準的に用いられている熱ＣＶＤにより形成した膜厚７０００ÅのＳｎＯ２基板を用いた場合の各パラメータにより行った。
・・・・・・
【００３２】表３より、薄膜金属層膜２２の膜厚が２５Åから２００Åのいずれの場合も、薄膜金属層がエッチング停止層として極めて有効であり、凹凸の大きさ、分布が１５００Å±１％の極めて良好な範囲であることが確認された。しかし、薄膜金属層が１００Å以上では急激に短絡電流が低下している。これはＡｇ層の吸収、光干渉パターンの変化によると思われる。」
　
　以上の記載から、引用例には、
「ガラス基板１上に、膜厚５００Åの第２の透明導電膜層２３、膜厚２５Å又は５０Åのエッチングストッパとなる薄膜金属層２２及び膜厚４０００ÅのＺｎＯ：Ｇａからなる第１の透明導電膜層２１を、この順で形成して多層積層膜で透明導電膜２を構成し、該多層積層膜をエッチングし、前記薄膜金属層２２近傍でエッチングを停止させることにより、表面に、山と谷の高低差が１５００Åであり、かつ、その高低差の分布が±１％である凹凸を形成し、その後、前記透明導電膜２上に、ｐ型の非晶質シリコンカーバイトからなる第１の非晶質薄膜半導体層３、ｉ型の非晶質シリコン膜からなる第２の非晶質薄膜半導体層４、及び、ｎ型の非晶質シリコン膜からなる第３の非晶質薄膜半導体層５を順次積層し、そして、この上に裏面金属膜６を形成した光起電力装置。」の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
　
（３）対比 
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　ア．引用発明の「ガラス基板１」、「『透明導電膜２を構成』する『多層積層膜』の一部である『第２の透明導電膜層２３』及び『膜厚２５Å又は５０Åのエッチングストッパとなる薄膜金属層２２』」、「膜厚４０００ÅのＺｎＯ：Ｇａからなる第１の透明導電膜層２１」、「ｐ型の非晶質シリコンカーバイトからなる第１の非晶質薄膜半導体層３」、「ｉ型の非晶質シリコン膜からなる第２の非晶質薄膜半導体層４」、「ｎ型の非晶質シリコン膜からなる第３の非晶質薄膜半導体層５」、「裏面金属膜６」及び「光起電力装置」は、それぞれ、本願発明の「透光性を有する絶縁性の基板」、「他の透明電極膜」、「『ドーパントとしてガリウムを含』んだ『導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能するＧａ含有酸化亜鉛膜』」、「一導電型シリコン系膜」、「実質的に真性のｉ型シリコン系膜」、「逆導電型シリコン系膜」、「裏面電極膜」及び「光電変換素子」に相当する。
　
　イ．引用発明の「光起電力装置」は、「ＺｎＯ：Ｇａからなる第１の透明導電膜層２１」を有しているから、「Ｇａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子」に相当する。
　
　ウ．よって、引用発明と本願発明とは、「透光性を有する絶縁性の基板と、この基板上に他の透明電極膜を介して形成されドーパントとしてガリウムを含み、導電性と透明性とを兼ね備えた透明電極として機能するＧａ含有酸化亜鉛膜と、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に形成された一導電型シリコン系膜と、この一導電型シリコン系膜の上に形成された実質的に真性のｉ型シリコン系膜と、このｉ型シリコン系膜の上に形成された逆導電型シリコン系膜と、この逆導電型シリコン系膜の上に形成された裏面電極膜と、を具備するＧａ含有酸化亜鉛膜を有する光電変換素子。」の点で一致し、次の点で一応相違する。
　
［一応の相違点］
　本願発明においては、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜は、「その上に次の層が積まれる前の表面からＧａ析出層が除去されており」、前記一導電型シリコン系膜、前記ｉ型シリコン系膜、前記逆導電型シリコン系膜及び前記裏面電極膜は、「前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に」形成されているのに対して、引用発明においては、多層積層膜をエッチングし（即ち、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜をエッチングし）、薄膜金属層２２近傍（即ち、前記他の透明電極膜近傍）でエッチングを停止させることにより、表面（即ち、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜表面）に、山と谷の高低差が１５００Åであり、かつ、その高低差の分布が±１％である凹凸を形成し、前記一導電型シリコン系膜、前記ｉ型シリコン系膜、前記逆導電型シリコン系膜及び前記裏面電極膜は、エッチングされた透明導電膜２上に（即ち、エッチングされた前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に）形成されているが、「Ｇａ析出層」が存在するのか否かが不明である点。
　
（４）判断
　
　上記一応の相違点について検討する。
　
　ア．本願発明は、「その上に次の層が積まれる前の表面からＧａ析出層が除去され」たＧａ含有酸化亜鉛膜の上に、一導電型シリコン系膜、ｉ型シリコン系膜、逆導電型シリコン系膜及び裏面電極膜を形成したものであり、本願発明は「物の発明」である。よって、本願発明は、光電変換素子の構成としてのＧａ析出層を備えていない。つまり、上記一応の相違点は実質的な相違点ではない。
　
　イ．念のため、引用発明においてエッチング前のＧａ含有酸化亜鉛膜の表面に「Ｇａ析出層」が形成されているか否かについても以下に検討しておく。
（ア）本願明細書の段落０００６には次の記載がある。
「酸化亜鉛膜にＧａをドープすると、膜の表面にＧａが優先的に析出し、高濃度のガリウムを含むＧａ析出層（Ｇａリッチ層）が表面に形成される。」
（イ）引用発明のエッチングされる前のＧａ含有酸化亜鉛膜は、上記（ア）の記載からみて、そのＧａ含有酸化亜鉛膜の表面に「Ｇａ析出層」が形成されていることが明らかである。
（ウ）引用発明は、Ｇａ含有酸化亜鉛膜をエッチングし、他の透明電極膜近傍でエッチングを停止させるから、エッチングされ凹凸が形成されたＧａ含有酸化亜鉛膜の谷の部分の膜厚はほとんど無く、同じく山の部分の膜厚は、１５００Åの１％は１５Åであるから、１５００±１５Åである。
（エ）また、引用発明は、エッチングされる前の膜厚が４０００Åであるから、Ｇａ含有酸化亜鉛膜がエッチングされる深さは、谷の部分で４０００Å、山の部分で２５００±１５Åである。
（オ）上記（ア）〜（エ）からして、「引用発明において、エッチング前のＧａ含有酸化亜鉛膜の表面にはＧａ析出層が形成されていることが明らかであり、このＧａ析出層は、Ｇａ含有酸化亜鉛膜が深さ２４８５Å〜４０００Åエッチングされた後には、除去されている。」ことが明らかである。
（カ）したがって、引用発明においても、前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜は、「その上に次の層が積まれる前の表面からＧａ析出層が除去されており」、前記一導電型シリコン系膜、前記ｉ型シリコン系膜、前記逆導電型シリコン系膜及び前記裏面電極膜は、「前記Ｇａ析出層が除去された前記Ｇａ含有酸化亜鉛膜の上に」形成されていることが明らかであるから、上記一応の相違点は実質的な相違ではない。
　
　ウ．よって、本願発明と引用発明とは同一の発明であるから、本願発明は引用例に記載された発明である。
　
　なお、本件請求人は平成１８年１２月２６日付けの手続補正書によって補正された審判請求書の請求の理由にて、できれば本願明細書の再度の補正の機会を与えて欲しい旨希望しているが、明細書の補正は、特許法上拒絶査定不服の審判の請求の日から３０日以内になされるべきであって、それ以上の補正の機会を与えることは法律の想定するところではない。しかも、補正を希望する内容をみても、審決の結論を左右するものではないから、あらためて拒絶理由通知を行うことはしない。
　
（５）むすび  
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。