【事件の表示】
　平成１１年特許願第１４８７５２号「薄膜半導体素子用基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月　５日出願公開、特開２０００−３３５９３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
 　本願は平成１１年５月２７日の出願であって、平成１５年１０月３日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１５年１０月７日）、平成１５年１２月２日付けで意見書・補正書が提出され、平成１６年６月８日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１６年６月１５日）、平成１６年８月１６日付けで意見書・補正書が提出され、平成１６年１１月２５日付けで拒絶査定され（発送日は平成１６年１１月３０日）、その後、平成１７年１月４日に審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明は（以下、「本願第１発明」という。）平成１６年８月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
【請求項１】　基板の表面および裏面および側面に被覆された基板カバー膜を有する薄膜半導体素子用基板において、前記基板の前記基板カバー膜による被覆率が９９％以上であり、かつ前記基板カバー膜の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする薄膜半導体素子用基板。
２．引用文献
２−１．引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開平１０−２６１８０３号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「ガラス基板または石英基板の露呈した外周表面に減圧熱ＣＶＤ法によりブロッキング層を形成する工程と、
　前記ブロッキング層を覆って減圧熱ＣＶＤ法により非晶質珪化膜を成膜する工程と、
　前記ブロッキング層と同じ膜質の絶縁膜を前記珪化膜を覆って減圧熱ＣＶＤ法で成膜する工程と、
　該工程において珪化膜を覆って成膜された絶縁膜をゲイト絶縁膜として薄膜トランジスタを完成させる工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。」（請求項１）
（２）「本発明者らは、ＴＦＴの特性を大きく左右するゲイト絶縁膜に関して、その膜質や不純物の計測を行い、上述したＴＦＴの特性のバラツキとの関係について考察した。・・・・・・・図３に示すのは、コーニング１７３７ガラス基板上に形成されたＴＦＴのゲイト絶縁膜とゲイト電極との界面における不純物の存在に関するデータである。」（【００１３】、【００１４】）
（３）「このことから、図４に示されるバリウムやカルシウムは、利用したガラス基板から回り込んだものであると考えることができる。・・・・・・このガラス基板からの不純物の回り込みは、ゲイト電極の成膜時に基板がスパッタリングされ、その際に当該不純物が雰囲気中に飛び散ることにより発生するものであると考えられる。」（【００２４】、【００２５】）
（４）「本明細書で開示する発明は、上述したような認識に立ち、ガラス基板（またはその他適当な基板）から不純物がＴＦＴ中に回り込むことを防ぐ構成を提供することを課題とする。」（【００２６】
（５）「ブロッキング層としては、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜を挙げることができる。」（【００３１】）
（６）「【発明の実施の形態】図２（Ｃ）に示すように、ガラス基板を酸化珪素膜１０２で包む構造とする。こうすることで、ガラス基板からの不純物の拡散を抑制することができる。」（【００４２】）
（７）「【実施例】・・・・・・次に減圧熱ＣＶＤ法により、ガラス基板１０１の露呈した面に酸化窒化珪素膜１０２を２００ｎｍの厚さに成膜する。（図１（Ｂ））・・・・・・ここでは、原料ガスとしてＳｉＨ4 とＮＯ2 とを利用して、酸化珪素膜１０２（厳密には窒素が含まれたものとなる）を３００ｎｍの厚さのに成膜する。」（【００４５】〜【００５０】）
（８）「この酸化珪素膜１０２は、基板の表面及び裏面、及び側面に成膜される。なお基板を保持するために成膜中において、基板の縁の部分は、基板ホルダーに接しいるため成膜されない。・・・・・・この基板ホルダーに接して成膜がされない領域の面積は全体の表面積の５％以内とすることが重要である。」
（【００５３】〜【００５４】）
（９）「ガラス基板を酸化珪素膜でもって覆うことで、ガラス基板中からの不純物の放出をさらに抑制することができる。」（【００６３】）
　
　ここで、上記（１）〜（９）の記載事項について検討する。
（あ）上記（６）、（７）及び（８）の「酸化珪素膜」並びに上記（７）の「酸化窒化珪素膜」は、共に、上記（５）の記載をみると「ブロッキング層」である。
（い）上記「酸化窒化珪素膜１０２」と「酸化珪素膜１０２（厳密には窒素が含まれたものとなる）」は、部材番号「１０２」で同じであること、上記（あ）から共に「ブロッキング層」とみることができることから、以下の検討に当たり区別をしない。
（う）上記（い）の検討を踏まえ、上記（７）の番号１０２で表される膜の厚みが２００ｎｍと３００ｎｍと一致しないが、以下の検討では「２００ｎｍまたは３００ｎｍ」とする。
（え）上記（６）の「ガラス基板」上には、上記（１）を参照すると、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されるから、上記（１）の「半導体装置の作製方法」により「薄膜トランジスタが形成されるガラス基板」が作製されているとみることができる。
　
２−２．引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開平７−２４３０４７号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「基板に、複数層の薄膜を形成する」方法に関し（【０００２】）、以下の事項が記載されている。
（１０）「図７は基板２の基板ホルダー３で支持されている部分の概略を拡大して示したもので、１１がＮｉＰの下地層、１２がＣｒの第２下地層、１３がＣｏ合金による磁性層である。これらの層をスパッタリング法で成膜を行う場合、基板ホルダー３の溝壁３３ａが基板２の基板縁部２ａに対して影となり、スパッタリングによる成膜が行なわれない。基板ホルダー３が支持スプリング１０による掛止型とした場合も、支持スプリング１０と基板２の間で同様の状況となっている。」（【０００７】）
　
３．対比・判断
　上記（１）〜（８）の記載事項を上記（あ）〜（え）の検討を踏まえ、本願第１発明の記載ぶりに則して記載すると、
　「ガラス基板の露呈した面にブロッキング層を２００ｎｍまたは３００ｎｍの厚さに成膜し、成膜されない領域の面積が全体の表面積の５％以内とする薄膜トランジスタが形成されるガラス基板」の発明（以下、「引用第１発明」という。）が記載されているといえる。
　ここで、本願第１発明と引用第１発明とを対比する。
（か）引用第１発明において、「薄膜トランジスタを形成されるガラス基板」は、「薄膜トランジスタ」が「薄膜半導体素子」の一つであるから、「薄膜半導体素子用基板」とみることができる。
（き）引用第１発明の「ガラス基板の露呈した面」にある「ブロッキング層」は、上記（６）及び（８）の記載事項から、「ガラス基板の表面及び裏面及び側面」にあるといえる。
（く）引用第１発明の「ブロッキング層」たる「酸化珪素膜」は、上記（６）及び（９）によれば「ガラス基板からの不純物の拡散を抑制する」ものであるから、本願第１発明の「基板カバー膜」といえる。
（け）引用第１発明の「成膜されていない領域の面積が全体の面積の５％以内」ということは、「成膜されている領域の面積が全体の面積の９５％以上」であることに他ならないから、本願第１発明の特定事項である「被覆率」を用いて表すと「成膜されている領域の被覆率は９５％以上」といえる。
（こ）引用第１発明の「ガラス基板」、「成膜」は、それぞれ、本願第１発明の「基板」、「被覆」に相当する。
　
　そうすると、本願第１発明と引用第１発明は、共に、
「基板の表面および裏面および側面に被覆された基板カバー膜を有する薄膜半導体素子用基板」である点で一致し、
（Ａ）基板カバー膜の被覆率につき、本願第１発明が９９％以上であるのに対し、引用第１発明は９５％以上である点、
（Ｂ）基板カバー膜の膜厚につき、本願第１発明が１００ｎｍ以上であるのに対し、引用第１発明は２００ｎｍまたは３００ｎｍである点、
で相違している。
　
　そこで、これらの相違点について検討する。
・相違点（Ａ）について
　この相違点の検討に当たり、まず、本願第１発明について本願明細書の記載を詳細にみてみると、本願第１発明は「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の薄膜半導体素子を形成するための基板、 特にガラス製の基板からの不純物汚染を抑制する為の基板カバー膜を有する基板」（【０００１】）に関するものであり、従来技術の無アルカリガラス中の酸化物が「ウェット洗浄工程やＣＶＤ、スパッタ等の熱工程を通ることでガラス基板表面から洗浄薬液中に溶出したり基板表面からポリシリコンＴＦＴへ拡散する」（【０００３】）という問題を解決したものである。
　そして、本願第１発明において、基板カバーの被覆率を９９％以上とする理由について、本願明細書には、
（Ｉ）「基板面が露出している面積が多いとそれだけ基板面からガラス成分元素が洗浄時に洗浄薬液中に溶出後基板に再付着したり、熱プロセス工程で基板の成分元素が半導体膜上やデバイス表面上に拡散する」（【０００７】）こと、
（ＩＩ）「ガラス基板露出面積（基板カバー膜非被覆面積）が基板総面積で５％でかつ膜厚が３００ｎｍ の基板カバー膜を堆積させた無アルカリガラス基板に対してＲＣＡ洗浄処理を行い、基板を構成している元素の酸溶液中への溶出量を調べた。その結果例えばアルミニウムについては、７０ｐｐｂ以上の溶出を確認した」（【０００９】）こと、
が記載され、基板の露出面積が多いと、ガラス成分元素の再付着や拡散が起こり、露出面積が基板の総面積の５％では満足する結果を与えないことが開示されている。
　これに対して、引用文献１には、上記（１）〜（４）及び（９）を参照すると、本願第１発明と同じく、ＣＶＤ成膜時にガラス基板の不純物がＴＦＴ中に回り込むことを防止することを課題としており、この課題を解決するために、ガラス基板をブロッキング層たる酸化珪素膜（すなわち、「基板カバー膜」）で覆うことが記載されてる。
　また、引用文献１の上記（８）及び引用文献２の上記（１０）には、それぞれ、ガラス基板の基板ホルダーに接している部分は成膜されないことが記載されていることからみて、ガラス基板の露出面（すなわち、「基板の表面および裏面および側面」）全てに成膜することは困難であること（すなわち、基板膜被覆率は１００％未満であること）は明らかであるところ、引用文献１では、上記（８）に成膜されない領域は５％以内、すなわち、「基板カバー膜被覆率が９５％以上」とすることが記載されており、この引用文献１に接した当業者は、
不純物は少なければ少ないほどよいこと、許容される不純物の量は最終製品に至るまでの製造工程や最終製品に要求される品質等によって決まるという技術常識を考慮して、
基板カバー膜の被覆率の下限値を９５％以上１００％未満の最適な値とするという教示を当然に得るから、引用第１発明において基板カバー膜の被覆率を９９％以上とすることは適宜なし得ることある。
　そして、本願明細書・図面のいずれの箇所にもこの被覆率を９９％以上とすることに臨界的意義があることを認めるに足りる記載は見当たらない。
　
・相違点（Ｂ）について
　本願第１発明の基板カバー膜の膜厚は１００ｎｍ以上であるから、引用第１発明の膜厚である２００ｎｍまたは３００ｎｍを含むといえ、この相違点は文言上のものであって実質的なものではない。
　
　なお、審判請求人は、平成１７年２月１日付けで補正された審判請求書の「請求の理由」において、
（ア）「非被覆領域を１％以内（すなわち、基板カバー膜の被覆率が９９％以上）とすることは基板カバー膜の膜厚との関係で実現できる」
（イ）「非被覆領域を１％以内（すなわち、基板カバー膜の被覆率が９９％以上）とすることは成膜時間との関係や基盤（すなわち、基板）ホルダーの構造の設計を考慮した上で初めて実現できるもので、例え従来において基板ホルダーに起因する非被覆領域をできる限り小さく設定することが示唆されていたとしても、実際にそれを実現することは困難である」
（ウ）「引用文献１では非被覆領域が５％と１％（すなわち、基板カバー膜の被覆率が９５％と９９％）とでは、ガラス基板の成分が溶液中への溶出量に顕著な差が生じることは一切認識していない」
旨を主張している。
　そこで、これら主張について順に検討する。
（ア）について
　本願明細書には、基板カバー膜の被覆率が９９％以上であることと基板カバー膜の膜厚との相互の定性・定量的関係を直接記載している箇所は見当たらず、基板カバー膜の被覆率と膜厚の両方に言及がある【００２１】、【００５３】に、それぞれ、
・「基板カバー膜厚１００ｎｍで被覆率９９％の基板は基板面からの不純物防止効果を持つことを検証し、 半導体装置を形成できることを確認した」（【００２１】）
・「基板カバー膜の被覆率を９９％以上とすることで、基板カバー膜の膜厚が１００ｎｍと薄くしてもガラス基板からの不純物拡散防止効果を充分に持たせることができ、薄膜半導体素子用ガラス基板製作の生産性の向上ができ、薄膜半導体装置、 液晶表示装置用薄膜半導体素子、密着イメージセンサ装置用への応用とそれらの装置の製造コストの低減ができる。」（【００５３】）
と記載されており、基板カバー膜の被覆率を９９％以上としたことにより基板カバー膜の膜厚を１００ｎｍに薄くできるともとれる記載がされている。
　しかし、本願第１発明に特定される基板カバーの膜厚は「１００ｎｍのみ」ではなく、「１００ｎｍ以上」であって、前記相違点（Ｂ）の検討のところで述べたように引用第１発明の膜厚である２００ｎｍまたは３００ｎｍを含むものであって、本願第１発明は、基板カバー膜の被覆率を９９％以上として基板カバー膜の厚みを「１００ｎｍ」と薄くしたものとはいえず、また、この被覆率が９９％及び厚みが１００ｎｍという下限値に臨界的意義があることも記載されていないから、審判請求人のこの主張は本願第１発明の発明特定事項及び本願明細書の記載に基づくものではなく、採用することはできない。
（イ）について
（さ）基板カバー膜の被覆率を９９％以上とすることと成膜時間について
　基板カバー膜の被覆率が９９％以上とすることと成膜時間との関係に言及する記載は本願明細書には何等見当たらず、審判請求人の主張は本願明細書の記載に基づくものではない。
　ただし、成膜時間につき、【００１５】に、基板カバー膜の膜厚が１００ｎｍのときの成膜時間が４時間であることが記載されており、一方、【０００８】、に膜厚３００ｎｍのときの成膜時間が６時間であることが記載されているから、膜厚が１００ｎｍのときは成膜時間が短くなっていることが本願明細書には記載されているとはいえる。
　仮に、この主張は、膜厚が１００ｎｍのときの成膜時間が短くなるというものと解すると、上記（ア）の検討のところで述べたように、本願第１発明に特定される基板カバーの膜厚は「１００ｎｍのみ」ではなく、「１００ｎｍ以上」であるから、例えば、２００ｎｍまたは３００ｎｍの場合を含むものであって、成膜時間は６時間以上の場合を含むと解され成膜時間は必ずしも短くならない。
（し）基板カバー膜の被覆率を９９％以上とすることと基板ホルダーの構造について
　本願第１発明は基板ホルダーの構造を何ら規定しておらず、被覆領域を９９％以上とする手段について特定はなされていないところ、本願明細書【００１８】には、基板ホルダーの構造に関し「９９％以上の被覆率になれば接地面の形状はいかなる構成であってもよい」との記載がなされているから、当業者ならば基板ホルダーの構造は適宜決定できるといえ、一方、上記相違点（Ａ）の検討のところで述べたように引用文献１の記載に基づいて上記被覆率を９９％とすることは困難とはいえない。
　そうすると、上記（さ）及び（し）に係る審判請求人のいずれの主張も本願第１発明の発明特定事項及び本願明細書の記載に基づくものとはいえず、採用することはできない。
（ウ）について
　審判請求人の主張は、本願明細書【０００９】、【００１９】に記載されているＲＣＡ洗浄を行い基板成分の溶出量を基板カバー膜の被覆率が９５％と９９％のものを比較すると、洗浄液中のアルミニウムの濃度につき、前者が７０ｐｐｂ以上、後者が１ｐｐｂ以下であるような差について引用文献１には教示するするものは何等見当たらないということであると解される。
　そこで、この主張について検討すると、
　基板カバー膜による被覆率が高くなればなるほど、基板成分の溶出量が少なくなることは明らかであって、引用文献１にはＲＣＡ洗浄を行った結果が示されていなくても、上記のようにＲＣＡ洗浄時の溶出量の差（すなわち、濃度差）が定性的に現れることは当業者ならば当然に予想できることである。
　そして、７０ｐｐｂ以上、１ｐｐｂ以下という濃度の定量的な差の評価は、洗浄液の量等の洗浄条件や洗浄に続くＴＦＴの製造工程を考慮しなければ直ちに評価できるものではない。すなわち、大量の洗浄液を用いて洗浄すれば、同じ溶出量であっても洗浄液により希釈され、洗浄液中の溶出濃度は相対的に小さくなっていくから、７０ｐｐｂ以上と１ｐｐｂ以下という溶出濃度差に自体に普遍的・絶対的な差を直ちに認めることができない。さらに、ＴＦＴ製造においてＲＣＡ洗浄はごく普通に行われていると認められるところ、この差が定量的にＴＦＴ製造においてどのような影響を与え、他の工程（ＴＦＴ製造工程の他の工程）によってこの差をどの程度補償できるのか、その程度等が本願明細書に説明がなされていない以上、この濃度差を顕著な差として認めることはできない。
　そうすると、審判請求人の主張は直ちに採用することはできない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願第１発明は引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。