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　特願２００１−　６３９０６「導体用研磨液及びこれを用いた研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月２０日出願公開、特開２００２−２７０５４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明
　本願は、平成１３年３月７日の出願であって、その請求項１ないし１６に係る発明は、当審での平成１９年４月１３日付けの拒絶の理由に対して提出された平成１９年６月１５日付けの手続補正書の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は、次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
「銅又は銅合金とそのバリア層であるタンタル、窒化タンタル、タンタル合金又はその他のタンタル化合物を含む面の研磨に使用される研磨液であり、
該研磨液は、砥粒濃度０．０５〜３重量％の砥粒、導体の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸及び水を含有し、ｐＨが３以下であり、
前記砥粒が、一次粒子が平均２粒子未満しか凝集していない平均粒径が７０ｎｍ以下、粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以下の２次粒子からなる粒子であることを特徴とする導体用研磨液。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成１９年４月１３日付けの拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成１３年２月２２日に頒布された国際公開第０１／１３４１７号パンフレット （以下「引用例」という。）には、以下の記載がある。
（１）明細書の第８頁第８行〜第１７行。
「本発明のＣＭＰ用研磨剤を用いた研磨に適する導体（半導体を含む）としては、銅、銅合金、酸化銅及びそれらのバリア層（銅原子の拡散を防ぐための層）を構成するタンタル、タンタル合金、タンタル化合物（窒化タンタルなど）といったものが挙げられる。そこで、本発明では、この本発明のＣＭＰ用研磨剤を用いてタンタル、タンタル合金及びタンタル化合物（窒化タンタルなど）を含むバリア層を研磨する研磨方法、ならびに、本発明のＣＭＰ用研磨剤を用いて、配線層（銅、銅合金及び／又はそれらの酸化物）と、そのバリア層（銅原子の拡散を防ぐための層）とを含む面を研磨する研磨方法が提供される。」
（２）明細書の第９頁第１行〜第２３行。
「本発明の研磨剤は、表面に二酸化シリコンの凹部を有する基板上にバリア層及び銅又は銅合金を含む金属膜を形成・充填した基板を研磨対象とする場合に好適である。このような基板は、例えば、図１に示すようにシリコンウエハ１０（図１（ａ））の表面に二酸化シリコン膜１１を形成し（図１（ｂ））、この表面に所定のパターンのレジスト層１２を形成して（図１（ｃ））、ドライエッチングにより二酸化シリコン膜１１に凹部１３を形成してレジスト層１２を除去し（図１（ｄ））、二酸化シリコン膜１１表面とシリコンウエハ１０の露出箇所とを覆うように、蒸着、ＣＶＤなどによりタンタルなどのバリア金属を成膜してバリア層１４を形成し（図１（ｅ））、その表面に銅などの金属を蒸着、めっき又はＣＶＤにより成膜して配線層１５とすることにより得られる（図１（ｆ））。
　この基板を、配線層（銅及び／又は銅合金）／バリア層の研磨速度比が十分大きい銅及び銅合金用研磨剤を用いてＣＭＰすると、基板の凸部（すなわち二酸化シリコン１１が設けられた箇所）のバリア層１４が表面に露出し、凹部に配線層（銅又は銅合金膜）１５が残された所望の導体パターンが得られる（図１（ｇ））。
　この基板を、さらにバリア層１４及び配線層１５を両方研磨することのできるＣＭＰ用研磨剤を用いて研磨すると、図１（ｈ）に示すように、二酸化シリコン１１が表面に露出した半導体基板が得られる。」
（３）明細書の第１１頁第３行〜第１５行。 
 「また、本発明の第２のＣＭＰ用研磨剤は、導体の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸及び水を含有するＣＭＰ用研磨剤であって、さらに平均粒径が５０ｎｍ以下、かつ、粒径分布の標準偏差が５ｎｍより大きい砥粒を含むものである。この第２の研磨剤も、ｐＨが３以下、かつ、導体の酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％になるように調整することが好ましい。必要に応じて、水溶性高分子を添加してもよい。砥粒の平均粒径が３０ｎｍ以下であり、その粒径分布の標準偏差が１０ｎｍより大きい砥粒は、本発明に特に好適である。平均粒径が５０ｎｍを超えて大きいとバリア層膜の研磨速度が小さく二酸化シリコン膜の研磨速度が大きい。また、平均粒径が５０ｎｍ以下であっても、粒径分布の標準偏差が５ｎｍ未満であると二酸化シリコン膜の研磨速度が大きくなる傾向が見られる。」
（４）明細書の第１３頁第２４行〜第１４頁第１０行。
「前述したように、本発明では、ＣＭＰ用研磨剤のｐＨを３より小さくし、低酸化剤濃度とすることにより（酸化剤の濃度が０．１５重量％付近で）、バリア層として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物の研磨速度が極大になること、ｐＨが３より小さいと銅及び銅合金膜のエッチング速度が大きくなるが、酸化剤濃度が十分に低いため保護膜形成剤での抑制が可能であること、二酸化シリコンの研磨速度が小さくなる平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカ、コロイダルアルミナなどの砥粒を用いれば、タンタル又は窒化タンタルと銅（銅合金を含む）との研磨速度比（Ｔａ／Ｃｕ、ＴａＮ／Ｃｕ）を１よりも大きくし、かつ、タンタル又は窒化タンタルと二酸化シリコンとの研磨速度比（Ｔａ／ＳｉＯ２、ＴａＮ／ＳｉＯ２）を１０より大きくすることができる。」
（５）明細書の第１４頁第１１行〜第１７行。
「本発明のＣＭＰ用研磨剤の砥粒としては、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、炭化珪素等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒のいずれでもよいが、研磨剤中での分散安定性がよく、ＣＭＰにより発生する研磨傷（スクラッチ）の発生数の少ない、平均粒径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナが好ましい。」
（６）明細書の第１７頁第４行〜第１５行。
「（１）化学機械研磨用研磨剤の調製
　表１に示すように、酸０．４重量％、砥粒（ただし実施例１は添加せず、実施例２〜９は１重量部、実施例１０〜１３は１重量％）、水溶性高分子０．０５重量部（ただし実施例４，６，７のみ）、及び、保護膜形成剤（ＢＴＡ）０．２重量％に、水（実施例１〜９では９８．８５重量部、実施例１０〜１３では９７．９重量％）を加えて溶解し、さらに導体の酸化剤として過酸化水素水（試薬特級、３０％水溶液）を加えて得られたものをＣＭＰ用研磨剤とした。なお、砥粒は、テトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した平均粒径２０〜６０ｎｍのコロイダルシリカを添加した。また、使用したリンゴ酸及びグリコール酸のｐＫａはそれぞれ３．２である。」
（７）明細書の第１８頁の表１及び第２１頁の表２。
　表１には、その実施例１３として、酸にリンゴ酸を用い、過酸化水素濃度を０．１５重量％、ｐＨ２．５１、砥粒の粒径を３０ｎｍ、粒度分布標準偏差を５ｎｍ、水溶性高分子なしの研磨剤が記載され、表２には、実施例１３のＣＭＰ研磨速度において、銅２３．４ｎｍ／分、タンタル３０．４ｎｍ／分、窒化タンタル５７．７ｎｍ／分、二酸化シリコン９．５ｎｍ／分であることが記載されている。
　以上（１）〜（７）の記載事項から、引用例には、実施例１３として、以下の発明が記載されている。（以下、「引用発明」という。）
「銅又は銅合金とそのバリア層であるタンタル、窒化タンタル、タンタル合金又はその他のタンタル化合物を含む面の研磨に使用される研磨剤であり、
該研磨剤は、砥粒濃度１重量％の砥粒、導体の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸及び水を含有し、ｐＨが２．５１であり、
前記砥粒が、研磨液中での分散安定性がよく、平均粒径が３０ｎｍ、粒度分布の標準偏差が５ｎｍの粒子からなる粒子である、ＣＭＰ用研磨剤。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「研磨剤」は、本願発明の「研磨液」に相当する。また、引用発明は、銅又は銅合金とそのバリア層の研磨に用いられる研磨剤であることから、引用発明の「ＣＭＰ用研磨剤」は、本願発明の「導体用研磨液」に相当する。
　さらに、引用発明の「砥粒濃度１重量％」、「ｐＨ２．５１」、「粒度分布の標準偏差が５ｎｍ」は、それぞれ、本願発明の「砥粒濃度０．０５〜３重量％」、「ｐＨ３以下」、「粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以下」に含まれるものである。
　引用発明の「研磨液中での分散安定性がよく、平均粒径が３０ｎｍ、粒度分布の標準偏差が５ｎｍの粒子からなる粒子」は、比較的凝集が少なく、粒度分布も小さいものであることから、本願発明の「平均粒径が７０ｎｍ以下の２次粒子」に含まれることは明らかである。
　以上の点から、両者は「銅又は銅合金とそのバリア層であるタンタル、窒化タンタル、タンタル合金又はその他のタンタル化合物を含む面の研磨に使用される研磨液であり、
該研磨液は、砥粒濃度０．０５〜３重量％の砥粒、導体の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸及び水を含有し、ｐＨが３以下であり、
前記砥粒が、平均粒径が７０ｎｍ以下、粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以下の２次粒子からなる粒子である導体用研磨液。」で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点＞
　砥粒が、本願発明では、一次粒子が平均２粒子未満しか凝集していない２次粒子であるとしているのに対し、引用発明では、研磨液中での分散安定性がよいとはしているものの、どのくらい凝集しているのか不明な点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明においても、砥粒は研磨剤中の分散安定性がよいものであることから、凝集しにくいものである。また、一般に、研磨液に含まれる砥粒の分散性を良好にすること、すなわち、砥粒を凝集しないものとすることは、例えば、特開平１１−１５６７１８号公報（段落【００２０】、及び【００３３】参照。）、特開平１１−３１６７５号公報（段落【００１８】〜【００１９】参照。）、特開平９−３０６８８０号公報（段落【００２４】参照。）に記載されているように周知の事項であること、以上の点からすれば、引用発明においても、その砥粒を凝集していないものとすることは、当業者が容易になし得たものである。そして、砥粒が凝集していないのであるから、二次粒子中に凝集している一次粒子の数が平均２粒子未満であることは、明らかである。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願の請求項２ないし１６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。