【事件の表示】
　特願２０００−５３９５３０「半導体製造方法及び電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月２４日国際公開、ＷＯ９９／３１７３２、平成１４年　３月２６日国内公表、特表２００２−５０９３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、１９９８年１２月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、１９９７年１２月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年８月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１１月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　 
２．本願発明 
　本願の請求項１ないし４６に係る発明は、平成１６年１１月３０日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４６に記載されたとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
トランジスタのゲートを形成する方法であって、該方法は、
　相対する端部とその間に中央部分とを有するゲートと、中央部分と前記ゲートの両端部と横方向に一致した外側方向に露出した相対する端部とを有するゲート酸化層とを、重合関係に形成する過程と、
　前記ゲートの両端部と一致した両端部を有する前記ゲート酸化層内において、中央部分よりも前記両ゲート端部の少なくとも一方の端部に近い部分の、塩素の不純物濃度を高くする過程と、
　からなることを特徴とするゲートの形成方法。」
　
３．刊行物記載の発明 
（１）米国特許第５６７２５２５号明細書
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に外国において頒布された米国特許第５６７２５２５号明細書（以下、「刊行物１」という。）には、図１Ａないし図１Ｊとともに以下の事項が記載されている。 
「１．発明の属する分野
　本発明は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタデバイスに関するものであって、特に、改善されたホットキャリア耐性を提供するための方法及び設計に関するものである。
２．関連する技術の記載
　従来において、ゲート酸化層中にフッ素を有するトランジスタがホットキャリア耐性を高めるために利用されてきた。しかしながら、ゲート酸化物の厚膜化は望ましくない。」（第１欄第７ないし１４行の訳文）
「ホットキャリア耐性を与える際に生じる問題が、図３、４に示される。その問題は、ＦＥＴデバイスのゲート酸化層中のフッ素はホットキャリアに対する信頼性を改善する一方で、ゲート酸化物の厚膜化は望ましくないことが見いだされることである。」（第１欄第１６ないし２０行の訳文）
「フッ素化したゲート誘電体の不利な点は以下のとおりである：
１．多くのトラップ−Ｐチャネル／ホットエレクトロンはより悪化する。
２．ブレークダウンに達するゲート酸化物の電荷量が減少する。
３．ゲート酸化物のフッ素（Ｆ）は、誘電率を変え、電流駆動能力を減少させる。
４．あまりにフッ素が多いと、ゲート酸化膜の膜厚が増加し、電流駆動能力を低下させる。」（第２欄第５ないし１２行の訳文）
「図１Ａ−１Ｊは、この発明によるＰ型基板又はウェル１２上のＭＯＳＦＥＴトランジスタデバイス１０の製造工程を示す。代わりにＮ型基板又はウェルを用いることもできる。
　図１Ａは、製造工程の初期段階のデバイス１０を示しており、Ｐ型にドープされたシリコン半導体基板１０（又はウェル１０）の表面にはシリコン酸化膜からなるブランケットゲート酸化層１４が形成されている。ゲート酸化層１４は約５０Å〜約１５０Åの厚さを有し、熱酸化処理又は化学的気相成長法により形成される。
　図１Ｂは、ポリシリコンのブランケット層１６（ゲート電極用）がゲート酸化層１４の露出した表面上に形成された後の図１Ａのデバイス１０を示す。層１６は、ヒ素（Ａｓ）又はリン（Ｐ）からなるドーパント１５をエネルギーレベルが約２０ｋｅＶから約５０ｋｅＶでイオン注入することにより不純物濃度が１×１０19atoms/cm3から５×１０21atoms/cm3となるように高くドープされる。代わりに、層１６はポリシリコンと、ジクロロシラン（ＤＣＳ）ＳｉＨ2Ｃｌ2と六フッ化タングステン（ＷＦ6）の反応を含むＣＶＤによって堆積されるタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）からなる積層体であってもよく、ＣＶＤは、ゲート酸化層１４へのフッ素（Ｆ）を導入しない。
　図１Ｃは、ゲート電極マスク１７が層１６上に形成され、マスク１７によって保護されていない部分をエッチングすることによりゲート電極１６及びゲート酸化層１４をパターニングする時に使用された後の図１Ｂのデバイス１０を示す。層１４と層１６が除去された基板１２の表面部分が露出される。
　図１Ｄは、薄いブランケットシリコン酸化誘電層１８が、約２００Åから約４００Åの厚さを有し、ＬＰＣＶＤ（低圧化学的気相成長法）又は熱処理によって形成された後の図１Ｃのデバイス１０を示す。
　誘電層１８を形成する処理のパラメータは、ＬＰＣＶＤでは約６００℃から約７５０℃の範囲であり、熱処理では約８５０℃から約９２０℃の範囲である。
　図１Ｅは、層１８に急速熱処理である熱酸化及びフッ素化（つまり、フッ素処理）を施した結果、フッ素化した（つまり、結合してフッ素を有する）層１８′となった後の図１Ｄのデバイス１０を示す。
　フッ素化及び酸化工程は、最初に内部が排気され、次に酸素ガス（Ｏ2）及び三フッ化窒素ガス（ＮＦ3）で満たされたチャンバー内で、約９００℃から約１０５０℃の温度で、約１０秒から約５０秒間おこなわれ、シリコン酸化層１８を酸化シリコンとフッ素からなる層１８′へ変換する。得られるフッ素（Ｆ）濃度は、約５×１０20atoms/cm3から約１×１０22atoms/cm3である。層１８′は約２００Åから約４００Åの厚さを有し、フッ素化する前の層１８の厚さであった。
　酸素ガス（Ｏ2）及び三フッ化窒素ガス（ＮＦ3）雰囲気中でのフッ素化及び酸化処理は、層１８′への変換の際には酸化層１８の厚さを変化させないことに留意すべきである。オーバーラップキャパシタンスの減少は、主に誘電率の変化に起因する。
　得られたフッ素を有するシリコン酸化層１８′は、基板１２上のゲート電極１６外縁にあるゲート酸化層１４の部分１４′及び１４″を含んでいる。層１４内にあるフッ素は、ゲート電極１６の側壁から約１００Åから約５００Åまで広がっており、部分１４′及び１４″のゲート電極１６下面の下まで広がっている。
　図１Ｆは、軽くドープされたドレインＮ−ドープ領域２０、２０′がイオン２５のイオン注入によって、ゲート電極１６のどちらの側にも形成された図１Ｅのデバイス１０を示す。ＬＤＤ領域２０，２０′は、セルフアラインドーピングプロセスにおいて、これらの領域に軽くドープされ、濃度が約１×１０17atoms/cm3から約５×１０18atoms/cm3で、リン（Ｐ）又はヒ素（Ａｓ）からなるドーパント２５を有し、約２５ｋｅＶから約８０ｋｅＶのエネルギーでイオン注入することで形成される。
　図１Ｇは、デバイス１０を覆い、約５００Åから約１５００Åの厚さを有するブランケットシリコン二酸化スペーサ層４０′が、デバイス１０上に形成された後の図１Ｆのデバイス１０を示す。
　次に、図１Ｈを参照すると、図１Ｇのデバイス１０上にあるスペーサ層４０′は図１Ｈ−１Ｊに見えるスペーサ４０を与えるためにスペーサエッチバックを受ける。スペーサ４０の形成に加えて、スペーサエッチングプロセスは、軽くドープされたドレインＮ−ドープ領域２０、２０′の部分の上にあるスペーサ４０に隣接する層１８′の部分を基板１２の表面までエッチング除去する。
　図１Ｉは、ソース／ドレインＮ領域２０，２２′が、セルフアラインドーピングプロセスにおいて多くドープされ、濃度が約５×１０19atoms/cm3から約１×１０21atoms/cm3で、ヒ素（Ａｓ）からなるドーパント２７を有し、約２５ｋｅＶから約８０ｋｅＶのエネルギーでイオン注入することで形成された図１Ｈのデバイス１０を示す。
　図１Ｊは、この発明のとおりにプロセスを完了した後の図１Ｉの生産物である。」（第４欄第４２行ないし第６欄第２行の訳文）
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「ＭＯＳＦＥＴトランジスタデバイスの製造方法であって、Ｐ型にドープされたシリコン半導体基板１０（又はウェル１０）の表面にシリコン酸化膜からなるブランケットゲート酸化層１４を形成し、ポリシリコンのブランケット層１６（ゲート電極用）をゲート酸化層１４の露出した表面上に形成した後、ゲート電極マスク１７を層１６上に形成し、マスク１７によって保護されていない部分をエッチングすることによりゲート電極１６及びゲート酸化層１４をパターニングする工程と、
　薄いブランケットシリコン酸化誘電層１８を形成し、層１８に急速熱処理である熱酸化及びフッ素化を施すことによって、フッ素化した層１８′を形成する工程であって、ゲート電極外縁にあるゲート酸化層１４の部分１４′及び１４″にフッ素が広がる工程を備えたＭＯＳＦＥＴトランジスタデバイスの製造方法。」
　
（２）特開平４−６２９７４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平４−６２９７４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「【産業上の利用分野】
　本発明は、ホットエレクトロンによる動作特性の悪化を防止したＭＯＳ型電界効果トランジスタおよびその製造方法に関するものである。」（第１頁左下欄第１３ないし１６行）
「（３）第１図（ハ）の工程
　塩素ガスＣｌ２と酸素Ｏ２と窒素Ｎ２との混合ガス雰囲気下で、約６０分間熱処理する。
　この熱処理により、塩素がゲート電極６の両側方に位置するゲート酸化膜３の上面から入り込み、ゲート酸化膜３中を拡散して行く。そして、ゲート酸化膜３とシリコン基板１との境界付近の界面準位シリコン原子７と結合する。その結果、結合相手が居なかったシリコン原子の結合対は塩素で終端され、塩素終端シリコン原子１５となる。第１図では、小さなΔ印で表されている。」（第３頁左下欄第３ないし１３行）
「なお、上例で塩素Ｃｌを用いたのは、シリコン原子Ｓｉとの結合力が水素Ｈの場合より強力であるためであるが、同様に強力な元素であれば、他の元素を用いてもよい。そのような元素としては、例えば、フッ素（Ｆ２）、臭素（Ｂｒ２）、沃素（Ｉ２）といった他のハロゲン元素（７族元素）がある。」（第４頁左上欄第５ないし１１行）
　
４．対比 
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。 
（ａ）刊行物発明の「ＭＯＳＦＥＴトランジスタデバイス」は、本願発明の「トランジスタ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明は、「ゲート電極１６」を形成しており、ゲートを形成する方法を含んでいることは明らかであり、上記（ａ）を考慮すれば、刊行物発明の「ＭＯＳＦＥＴトランジスタデバイスの製造方法」は、本願発明の「トランジスタのゲート形成方法」に相当する。
（ｃ）刊行物発明は、「Ｐ型にドープされたシリコン半導体基板１０（又はウェル１０）の表面にシリコン酸化膜からなるブランケットゲート酸化層１４を形成」した後に、ゲート酸化層１４の露出した表面上にポリシリコンのブランケット層１６（ゲート電極用）を形成し、マスク１７によって保護されていないブランケットゲート酸化層１４及びポリシリコンのブランケット層１６（ゲート電極用）をエッチングしているのであるから、刊行物発明の「ゲート電極１６」は、「ゲート酸化層１４」の表面上に形成されている。したがって、刊行物発明の「ゲート電極１６」及び「ゲート酸化層１４」は重ね合わせの関係、つまり、重合関係にあることは明らかである。
（ｄ）刊行物発明の「ゲート電極１６」及び「ゲート酸化層１４」は、マスク１７によって保護されていない部分をエッチングすることにより形成されるから、「ゲート電極１６」及び「ゲート酸化層１４」はともに外側方向に露出した相対する端部とその端部間にある中央部を有することは明らかであり、また、同じマスク１７によってパターニングされるのであるから、「ゲート電極１６」及び「ゲート酸化層１４」の両端部は一致していることも明らかである。
（ｅ）上記（ｂ）ないし上記（ｄ）により、刊行物発明の「Ｐ型にドープされたシリコン半導体基板１０（又はウェル１０）の表面にシリコン酸化膜からなるブランケットゲート酸化層１４を形成し、ポリシリコンのブランケット層１６（ゲート電極用）をゲート酸化層１４の露出した表面上に形成した後、ゲート電極マスク１７を層１６上に形成し、マスク１７によって保護されていない部分をエッチングすることによりゲート電極１６及びゲート酸化層１４をパターニングする工程」は、本願発明の「相対する端部とその間に中央部分とを有するゲートと、中央部分と前記ゲートの両端部と横方向に一致した外側方向に露出した相対する端部とを有するゲート酸化層とを、重合関係に形成する過程」に相当する。
（ｆ）刊行物発明は、「ゲート電極１６」の外縁にある「部分１４′及び１４″」に「フッ素」を広げる工程を備えているから、「部分１４′及び１４″」は「ゲート酸化層１４」の両端部に近い部分であることは明らかであり、「部分１４′及び１４″」以外の「ゲート酸化層１４」、言い換えると、「ゲート酸化層１４」の中央部には、「フッ素」が広がっていない。したがって、刊行物発明の「薄いブランケットシリコン酸化誘電層１８を形成し、層１８に急速熱処理である熱酸化及びフッ素化を施すことによって、フッ素化した層１８′を形成する工程であって、ゲート電極外縁にあるゲート酸化層１４の部分１４′及び１４″にフッ素が広がる工程」は、本願発明の「前記ゲートの両端部と一致した両端部を有する前記ゲート酸化層内において、中央部分よりも前記両ゲート端部の少なくとも一方の端部に近い部分の、」「不純物濃度を高くする過程」に対応する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、 
　「トランジスタのゲートを形成する方法であって、該方法は、相対する端部とその間に中央部分とを有するゲートと、中央部分と前記ゲートの両端部と横方向に一致した外側方向に露出した相対する端部とを有するゲート酸化層とを、重合関係に形成する過程と、
　前記ゲートの両端部と一致した両端部を有する前記ゲート酸化層内において、中央部分よりも前記両ゲート端部の少なくとも一方の端部に近い部分の、不純物濃度を高くする過程と、
　からなることを特徴とするゲートの形成方法。」である点で一致し、以下の各点で相違する。 
　 
　相違点
　本願発明は、「前記ゲートの両端部と一致した両端部を有する前記ゲート酸化層内において、中央部分よりも前記両ゲート端部の少なくとも一方の端部に近い部分の、塩素の不純物濃度を高くする過程」を備えているのに対して、刊行物発明は、「薄いブランケットシリコン酸化誘電層１８を形成し、層１８に急速熱処理である熱酸化及びフッ素化を施すことによって、フッ素化した層１８′を形成する工程であって、ゲート電極外縁にあるゲート酸化層１４の部分１４′及び１４″にフッ素が広がる工程」を備えているものの、不純物が塩素ではなく、フッ素である点。
　
５．当審の判断 
　［相違点について］
　刊行物２は、「ホットエレクトロンによる動作特性の悪化を防止したＭＯＳ型電界効果トランジスタおよびその製造方法」（第１頁左下欄第１４ないし第１６行）を開示しており、「塩素ガスＣｌ２と酸素Ｏ２と窒素Ｎ２との混合ガス雰囲気下で、約６０分間熱処理する。この熱処理により、塩素がゲート電極６の両側方に位置するゲート酸化膜３の上面から入り込み、ゲート酸化膜３中を拡散して行く。そして、ゲート酸化膜３とシリコン基板１との境界付近の界面準位シリコン原子７と結合する。その結果、結合相手が居なかったシリコン原子の結合対は塩素で終端され、塩素終端シリコン原子１５となる。」（第３頁左下欄第３ないし１２行）との記載から、ゲート酸化膜中に塩素を拡散させることでホットエレクトロンによる動作特性の悪化を防止することが開示されている。そして、刊行物２には、「上例で塩素Ｃｌを用いたのは、シリコン原子Ｓｉとの結合力が水素Ｈの場合より強力であるためであるが、同様に強力な元素であれば、他の元素を用いてもよい。そのような元素としては、例えば、フッ素（Ｆ２）、臭素（Ｂｒ２）、沃素（Ｉ２）といった他のハロゲン元素（７族元素）がある。」（第４頁左上欄第５ないし１１行）との記載もあり、塩素の他にフッ素等のハロゲン元素も同等の効果を奏するものであることが開示されているから、刊行物２には、ホットエレクトロンによる動作特性の悪化を防止する手段として、ゲート酸化膜に塩素、フッ素等のハロゲン元素を拡散させることが開示されていることになる。
　一方、刊行物１には、「従来において、ゲート酸化層中にフッ素を有するトランジスタがホットキャリア耐性を高めるために利用されてきた。」（第１欄第７ないし１４行の訳文）と記載されており、フッ素を含有させる目的として、ホットキャリア耐性を高めることが開示されている。そして、刊行物２の「ホットエレクトロンによる動作特性の悪化を防止」することは、すなわち、ホットキャリア耐性を高めることに他ならないから、刊行物発明において、「フッ素」に代えて「塩素」を採用することにより、刊行物発明を、本願発明の如く、「前記ゲートの両端部と一致した両端部を有する前記ゲート酸化層内において、中央部分よりも前記両ゲート端部の少なくとも一方の端部に近い部分の、塩素の不純物濃度を高くする過程」を備えるものとすることは当業者が容易になし得たものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
６．むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし４６に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。