【事件の表示】
　特願２００１−５６７０３０「シリコン鏡面ウェーハの製造方法、シリコン鏡面ウェーハ及び熱処理炉」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２０日国際公開、ＷＯ０１／６９６６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年２月２８日（優先権主張２０００年３月１６日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月８日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、同年３月４日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１８年３月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　平成１８年３月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、特許請求の範囲の補正については、以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１として、
「【請求項１】
　熱処理炉の反応管と非酸化性原料ガスを供給する供給ラインとを接続部によって接続し、該供給ライン及び接続部を介して該反応管内に非酸化性原料ガスを供給し、鏡面研磨されたシリコンウェーハを該熱処理炉内において非酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行う工程を有するシリコンウェーハの製造方法において、前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下とし、前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び／又は前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、前記接続部をフランジ構造とし、かつ前記熱処理中に、前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とすることを特徴とするシリコン鏡面ウェーハの製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｂ
　補正前の請求項６及び７を、削除したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下とし、」を、補正後の請求項１の「前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下とし、」と補正したものである。
　
２−２　補正の目的の適否についての検討
　補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量」について、補正前の請求項１の「３ｐｐｍ以下」を、補正後の請求項１の「１ｐｐｍ以下」と限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正前の請求項６及び７を削除する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
２−３　むすび
　以上のとおり、補正事項ａについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、「第２　１」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
３−１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平１１−１６８１０６号公報
刊行物２．特開平７−２０１７６９号公報
刊行物３．特開平３−１８８６２４号公報
　
３−１−１　  刊行物１．特開平１１−１６８１０６号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１には、図１、図４、図１１とともに、
「半導体基板の処理方法」（発明の名称）に関して、
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の処理方法に係り、特に、デバイス不良に結びつく欠陥を低減する半導体基板の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板には、もともと種々の不純物やそれらに起因する微小な結晶欠陥が内包されている。最近、デバイス不良に結びつく微小結晶欠陥として、グロゥンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥や微小酸素析出物が注目されている。Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥は、ＬＳＴＤ（Laser Scattering Tomography Defect）、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、ＦＰＤ（Flow Pattern Defect）とも呼ばれているが、これらは同一の欠陥であり、内壁に酸化物が存在するＶｏｉｄ性欠陥である。
【０００３】近年、半導体デバイスの集積度の向上に伴い、半導体基板中に基板購入時から存在する微小結晶欠陥に起因するデバイス不良が大きな問題となっている。デバイスの歩留まりを向上するためには、これら欠陥の低減が非常に重要視されている。このような欠陥を低減する従来の技術として、水素アニールを用いる技術や、表面に無欠陥のエピタキシャル層を成長する技術がある。」、
「【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体基板を表面処理して、前記半導体基板表面の酸化膜の膜厚を約２ｎｍ以下にする工程と、窒素を除く不活性ガス雰囲気中の炉内に、前記半導体基板を約３００℃以下の温度に保つように搬入する工程と、所定の外方拡散熱処理温度まで昇温して、前記半導体基板中の不純物を外方拡散する工程とを有することを特徴とする半導体基板の処理方法によって達成される。」、
「【００１２】上述した半導体基板の処理方法において、前記半導体基板を炉内に搬入する工程時の温度から前記所定の外方拡散熱処理温度への昇温は、約３℃／分以上の昇温速度で行うことが望ましい。上述した半導体基板の処理方法において、前記不純物を外方拡散する工程は、不活性ガス中のＯ2濃度が０．１ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うことが望ましい。
【００１３】上述した半導体基板の処理方法において、前記不純物を外方拡散する工程は、不活性ガス中のＨ2Ｏ濃度が２ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うことが望ましい。上述した半導体基板の処理方法において、前記不純物を外方拡散する工程の前記不活性ガスはアルゴンガスであることが望ましい。」、
「【００１５】次に、図１に示すように、表面が露出し、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥１２や微小酸素析出物１４を内包するシリコン基板１０をアルゴン雰囲気中で酸素外方拡散熱処理を行う。例えば、アルゴン雰囲気中で、約１０００℃〜１３００℃の範囲内で、約１時間、熱処理を行う。これにより、水素雰囲気中で酸素外方拡散熱処理した場合と同様に、シリコン基板１０の表面近くの欠陥１２、１４が小さくなり、基板表面の欠陥が低減する。」、
「【００２４】図４は、熱処理雰囲気の相違による酸素析出物の消滅状態を示す図である。自然酸化膜が形成された試料２０Ａに対して、窒素雰囲気中、アルゴン雰囲気中、ヘリウム雰囲気中、水素雰囲気中で、約１１５０℃で約２時間、酸素外方拡散熱処理を行った後の断面写真である。基準試料２０Ｒの断面を参考として示す。図４から、窒素雰囲気でも、アルゴン雰囲気でも、ヘリウム雰囲気でも、水素雰囲気の場合と同等に、酸素外方拡散熱処理を行わない場合に比べて、基板表面の酸素析出物の低減効果があることがわかった。アルゴン雰囲気と、ヘリウム雰囲気の場合は、水素雰囲気の場合とほぼ同等の酸素析出物の低減効果があったが、窒素雰囲気の場合は、水素雰囲気の場合よりも深くまで酸素析出物の低減効果が見られた。」、
「【００３１】以上の実験と観測の結果、基板表層の酸素析出物の消滅課程は酸素外方拡散熱処理によってのみ律則されることがわかった。ただし、窒素雰囲気の場合は原子空孔（Vacancy）による促進効果が加わる。また、酸素外方拡散熱処理の効果は、熱処理雰囲気に依存せず、表面酸化膜の有無にのみ依存することがわかった。すなわち、従来から有効であるとする水素雰囲気中の酸素外方拡散熱処理の場合と同等の効果を、他の雰囲気、例えば、窒素雰囲気や、アルゴン雰囲気や、ヘリウム雰囲気等の不活性ガス雰囲気においても実現できることがわかった。」、
「【００３７】このように、熱処理雰囲気中に酸素が混入すると酸素外方拡散が著しく阻害されることがわかった。すなわち、混入する酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下の場合に、基板表層での酸素析出物が有効に消滅することがわかった。熱処理雰囲気中に混入する水分についても同様の実験を行った。その結果、酸素が混入した場合と同様の結果が得られた。熱処理雰囲気中に水が混入すると酸素外方拡散が著しく阻害される。すなわち、混入する水濃度が１ｐｐｍ以下の場合に、基板表層での酸素析出物が有効に消滅することがわかった。」、
「【００４８】図１１から、いずれの雰囲気で熱処理を行った場合にも、ほぼ同等の平坦性を有することがわかった。アルゴン雰囲気中で熱処理を行うと表面平坦性が劣化するとの報告があるが（例えば、D.Graf, U.Lambert,M.Brohl,A.Ehiert,R.Wahlich, and P.Wagner, J.Electrochem.Soc.,142,3189 (1995)を参照）、アルゴン雰囲気中の熱処理によって平坦性が劣化するのは雰囲気中の残留酸素の影響であると考えられる。すなわち、熱処理雰囲気中に残留する酸素や水がシリコン基板と反応して形成されたＳｉＯ2やシリコン基板上に形成されたＳｉＯ2膜が熱処理中に揮発し、これによって表面平坦性が劣化したものと考えられる。本願発明者によれば、半導体基板表面の平坦性は、酸素析出物の消滅と同様に、雰囲気中に混入する酸素濃度を０．０５ｐｐｍ以下に、水濃度を１ｐｐｍ以下にすることによって向上できることがわかった。
【００４９】熱処理雰囲気中に酸素や水分を含んだガスを巻き込むことによる酸化膜の成長や面あれを防ぐためには、例えば横型炉の場合、室温にてウェーハを炉内に挿入し、雰囲気を十分アルゴンに置換した後、所定の昇温、外方拡散熱処理、降温、ウェーハの取り出しを行えばよい。」、
が、記載されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「窒素を除く不活性ガス雰囲気中の横型炉からなる炉内に、シリコン基板を搬入する工程と、所定の外方拡散熱処理温度まで昇温して、前記シリコン基板中のグロゥンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥１２や微小酸素析出物１４からなる不純物を外方拡散する工程とを有し、前記不純物を外方拡散する工程は、前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うか、あるいは、前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うことを特徴とするシリコン基板の処理方法。」、
　
３−１−２　刊行物２．特開平７−２０１７６９号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２には、図１〜図６とともに、
「熱処理装置」（発明の名称）に関して、
「【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において被処理体の熱処理に際しプロセスガスを供給するプロセスチューブを有する熱処理装置の一例として、酸化・拡散装置がある。」、
「【０００５】上記したように、酸化・拡散装置等の熱処理装置においては、当然のことながらプロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給している。この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させるのが慣用手段になっている。」、
「【０００８】上記連結管両端部での連結手段には、図３に示すような、配管の端部にフランジ６を設け、このフランジ６の対向面同士を当接させたうえでクランプ部材７により挟持する構造がある。さらに、図４に示すように、フランジ６に代えて、テーパ嵌合部による連結構造がある。さらにまた、図５に示すような、連結部５を球状および凹球面による嵌合手段がある。さらにまた、図６に示すように、図３に示したフランジ６の対向面にＯリング８を介在させた構造等の手段がある。」、
「【００１０】すなわち、この種、熱処理装置では、定期的にプロセスチューブおよび配管をクリーニングすることでウエハ上にパーティクル等の不純物が混入付着するのを防止している。このため、上記した連結部も洗浄対象となるが、例えば、この洗浄に用いられる薬液によって連結部での接合面の平面性が損われてしまい、これによって、接合面での気密性が悪化することがある。一例を挙げると、洗浄液としてフッ酸系溶剤を用いた場合には、石英管の表面が腐食されることで粗くなり、連結面での平面性が損ねられて気密性が悪化する。
【００１１】したがって、気密性が悪化すると、熱処理装置内での熱処理に用いられるプロセスガスの漏洩が発生しやすくなったり、また、外部からの不純物、特に酸素の浸入を許容してしまうことがある。このため、酸化処理の場合でいうと、所定の厚さの酸化膜を形成するために設定されている水蒸気の量が変化してしまったり、外部からの酸素の巻き込みにより所望する膜質が得られなくなってしまう場合がある。ちなみに、外部から酸素を巻き込んだ場合には、燃焼筒から供給される水蒸気に含まれる酸素のみで生成される被処理体上での酸化膜の膜質が変化してしまうことになる。しかも、酸素を巻き込んだりあるいは巻き込まなかったりという事態が発生すると、被処理体の酸化膜の性質が被処理体毎で変化してしまうことになり、被処理体の歩留りが悪化する。」、
「【００１３】このような気密性の悪化は、直接、石英同士を接触させたフラットなフランジあるいは球状連結部において顕著である。
【００１４】そこで、このように連結面が直接接触する構造での問題を解消するために、図６に示すような連結部の接合面間にＯリングを介在させて気密性を確保する場合には、Ｏリングの耐熱性あるいは耐腐食性が低いと気密性を損ねることがある。」、
「【００３０】
【実施例】以下、本発明装置を縦型酸化処理装置に適用した実施例を詳細に説明する。
【００３１】まず、酸化処理装置の構成を図２を参照して説明する。
【００３２】外周に図示しない円筒状加熱源が設けられ、この加熱源内に耐熱性材料、例えば、石英製の有天円筒状石英製のプロセスチューブ１が設けられ、このチューブ１の下方側壁部に一体に取付け、例えば融着されれた耐熱性材料、例えば、石英製の配管２と、この配管２の中間部に設けられた中継配管３とこの配管３を介して配管２に接続されて酸素と水素とを燃焼化合させる燃焼筒４とが設けられて縦型酸化処理装置が構成されている。」、
「【００３４】一方、前記燃焼筒４は、外周に図示しない燃焼化合を呈する温度を発生する円筒状熱源を備え、この熱源内に耐熱性材料、例えば、石英製のチューブが設けられて構成されており、このチューブの内部に連通する配管１０および前記配管２を中継配管３により接続することで、プロセスチューブ１内への酸化用気体の供給源として機能する。燃焼筒４では、燃焼化合温度に設定されている状態で水素および酸素あるいは反応ガスが導入されると燃焼化合することで水蒸気を生成し、この水蒸気が前記配管１０、３、２、間隙７を経てプロセスチューブ１内に導入される。そして、上記各配管１０、３、２は、各管端部に設けられたフランジ等の連結部１１、１２を介してそれぞれ気密に接続されている。
【００３５】図１は、図２に示した配管に用いられる石英管のうち、連結部１２を拡大して示すものであり、プロセスチューブ１に装備されているプロセスガス供給用石英管２に相当する導入用石英管１００と中継用石英管３に相当する石英管１１２とを連結する場合を対象として示してある。
【００３６】すなわち、石英管１００および石英管１１２のそれぞれ対向する端部には、外側に凸の石英管１００、１１２と一体のフランジ１１０Ａ、１１２Ａが設けられている。そして、このフランジ１１０Ａ、１１２Ａの少なくとも１１０Ａには、赤外線透過防止手段が設けられている。この赤外線透過防止手段の機能としては、例えば、反射機能、拡散機能、断熱機能等である。」、
「【００３９】一方、フランジ１１０Ａ、１１２Ａの対向面間には、シール部材１１４が配置されている。このシール部材１１４は、フランジ１１０Ａ、１１２Ａの径方向において、フランジの中心側に相当する内周面側に配置された、例えば、不純物の発生がきわめて少ない材質であるフッ素系樹脂からなる耐腐食性部材１１６とこの耐腐食性部材１１６の外周側に嵌合するコイル状金属ばね等で構成された弾性部材１１８とで構成されている。耐腐食性部材１１６は、例えば、断面形状がＵ字状に形成され、溝部内に弾性部材１１８を嵌入させることができるようになっている。」、
「【００４２】一方、フランジ１１０Ａ、１１２Ａの径方向における耐腐食性部材１１６のさらに内側には、石英管１００、１１２の内径に一致する内径が設定された筒状ガイド１２０が配置されている。この筒状ガイド１２０は、フランジ１１０Ａ、１１２Ａの対向面間の隙間を塞ぐことができる大きさに設定されているとともにフランジ１１０Ａ、１１２Ａの内周面に形成された段部１１０Ｂ、１１２Ｂで構成されている凹部１２２に嵌合可能な円筒部材である。そして、筒状ガイド１２０とシール部材１１４の耐腐食性部材１１６とは、耐腐食性部材１１６の内周面が筒状ガイド１２０の外周面に当接する関係で位置決めされている。このガイド１２０によって、酸化工程の際に石英管１００、１１２内を通過する水蒸気や塩素ガスあるいは拡散工程の際に石英管１００、１１２内を通過する不純物化合物からの蒸発気体が直接シール部材１１４の対腐食性樹脂１１６に接触しにくくされている。」、
「【００４４】また、フランジ１１０Ａ、１１２Ａの外周部には、フランジ同士を結合保持するための機構が設けられている。」、
「【００４７】また、フランジ１１０Ａ、１１２Ａの外周縁には、これらフランジ１１０Ａ、１１２Ａの対向面間に位置する隙間に入り込むことができる内向き突起１３２Ａを有するリング状の位置決めガイド１３２が配置されている。この位置決めガイド１３２は、内向き突起１３２Ａの幅、つまり、対向面間の隙間に沿った長さがシール部材１１４における耐腐食性部材１１６の幅よりも狭くなっており、内向き突起１３２Ａの面にフランジ１１０Ａ、１１２Ａが当接すると、これらフランジ面が平行に維持されることになる」、
「【００６６】また、上記実施例ではプロセスガス供給管の連結部について説明したが、パージガス供給管でも、また、フランジ部であれば、図２においてウエハボート６の搬入出口１３のフランジ部１４の部分に適用することも可能である。さらに、本発明は、酸化処理装置に限らず、熱処理装置であれば、拡散装置、ＣＶＤ、エッチャ等、何れにでも適用することが可能である。」、
が、記載されている。
　
３−１−３　刊行物３．特開平３−１８８６２４号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物３には、第１図〜第３図とともに、
「熱処理装置」（発明の名称）に関して、
「（産業上の利用分野）
　本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を熱処理するための熱処理装置に関する。
　　（従来の技術）
　第２図は、半導体ウエハに酸化膜を形成するための熱処理装置の従来例を示す概略説明図である。
　同図に示す例においては、ウエハを酸化処理するための縦型熱処理部１０への反応ガスとして酸化処理ガスである水蒸気を発生させるための外部燃焼部２０を配置させ、両者を連結部３０によって連結している。」（第１頁右下欄第１〜１１行）、
「（発明が解決しようとする課題）
　第２図に示す縦型熱処理部１０を有する熱処理装置においては、以下のような問題を有する。」（第２頁左上欄第１４〜１６行）、
「ボールジョイント３８ａ，３８ｂは、その接合部が石英のすり合せであるため、完全なシールができず、若干のリークの発生が起きる欠点がある。
　本発明の目的とするところは、上述した従来の問題点を解決し、苛酷な高温状態であっても優れた耐久性を有し、ジョイント部分におけるガス漏れ等の事故を生じることがなく、さらに温度変化に伴う伸縮を吸収することができ連結状態を長期にわたって良好な状態で保つことができる熱処理装置を提供することにある。」（第２頁右上欄第８〜１８行）、
「（実施例）
　以下、本発明を半導体ウエハの酸化熱処理装置に適用した一実施例について、第１図を参照して具体的に説明する。第１図は、本発明の要部を示す概略説明図である。
　本実施例においては、連結部７０は、中空筒状の硬質ケイ素化合物例えば石英製のスパイラル状連結管７２と、このスパイラル状連結管７２の両端に形成されたジョイント部７４，７６とから構成されている。」（第２頁右下欄第１〜１０行）、
「前記ジョイント部７４は、前記スパイラル状連結管７２の一端においてこれと一体的に形成されたフランジ部７４ａと、図示しない外部燃焼部に連通するガス供給管２４の先端においてこれと一体的に形成されたフランジ部７４ｂとを、テフロン製パッキン７４ｃを介して突き合わせ、両者をネジ止めすることによって構成されている。また、前記ジョイント部７６も前記ジョイント部７４と同様の構成をしており、スパイラル状連結管７２の他端においてこれと一体的に形成されたフランジ部７６ａと、図示しない縦型熱処理部に連通するガス導入管１８ａの先端においてこれと一体的に形成されたフランジ部７６ｂとを、パッキン７６ｃを介してネジ止めすることにより構成されている。
　本実施例を酸化熱処理装置に適用した一実施例を第３図に示す。なお、熱処理部ならびに外部燃焼部については、第２図に示す縦型熱処理部１０および外部燃焼部２０と同様の構成を有するため、その詳細な説明を省略する。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１６行）、
「例えば、第１図に示した実施例においては、熱処理部として縦型熱処理部を用いた例を説明したが、これに限定されず横型熱処理部についても同様に適用することができる。
　さらに、前記実施例においては、ガス供給部として酸化膜形成用の外部燃焼部を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されず、他の処理ガス、例えば腐蝕性の高いＨｃｌ等のエッチングガス等を供給するためのガス供給部を用いてもよい。」（第３頁右上欄第１５行〜同頁左下欄第３行）、
が、記載されている。
　
３−２　本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「横型炉からなる炉」は、「外方拡散熱処理」を行う炉であるから、本願補正発明の「熱処理炉」に相当し、また、引用発明の「横型炉からなる炉」が、本願補正発明の「反応管」を有することは、明らかである。
（２）引用発明の「窒素を除く不活性ガス」は、本願補正発明の「非酸化性原料ガス」に相当する。そして、引用発明の「横型炉からなる炉」には、引用発明の「窒素を除く不活性ガス」が供給されるから、引用発明の「窒素を除く不活性ガス」は、本願補正発明の「前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガス」に相当する。
（３）引用発明の「シリコン基板」は、刊行物１の「半導体基板中に基板購入時から存在する微小結晶欠陥に起因するデバイス不良が大きな問題となっている。」（【０００３】段落）という記載からみて、購入した「シリコン基板」であり、その表面が鏡面に加工されていることは明らかであるから、引用発明の「シリコン基板」は、本願補正発明の「鏡面研磨されたシリコンウェーハ」、「シリコンウェーハ」及び「シリコン鏡面ウェーハ」に相当する。
（４）引用発明の「不活性ガス中の酸素」と「不活性ガス中の水」は、いずれも、本願補正発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物」に相当し、引用発明の「酸素濃度」と「水濃度」は、いずれも、本願補正発明の「不純物の含有量」に相当する。
（５）引用発明の「シリコン基板の処理方法」は、本願補正発明の「シリコンウェーハの製造方法」、及び「シリコン鏡面ウェーハの製造方法」に相当する。
（６）本願補正発明の「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び／又は前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、」との構成は、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物であり、」と、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、」と、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、」との三通りの構成からなり、その内に、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物であり、」が含まれることは明らかである。
　すると、本願補正発明と引用発明とは、
「熱処理炉の反応管内に非酸化性原料ガスを供給し、鏡面研磨されたシリコンウェーハを該熱処理炉内において非酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行う工程を有するシリコンウェーハの製造方法において、前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を所定値以下とし、前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び／又は前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であることを特徴とするシリコン鏡面ウェーハの製造方法。」である点で一致し、
本願補正発明は、「熱処理炉の反応管と非酸化性原料ガスを供給する供給ラインとを接続部によって接続し、該供給ライン及び接続部を介して該反応管内に非酸化性原料ガスを供給」するとの構成を有するのに対して、引用発明は、このような構成を有するかどうか定かではない点（以下、「相違点１」という。）、
本願補正発明は、「前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下とし」ているのに対して、引用発明は、「前記不純物を外方拡散する工程は、前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うか、あるいは、前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下の雰囲気中で行う」点（以下、「相違点２」という。）、
本願補正発明は、「前記接続部をフランジ構造とし」ているのに対して、引用発明は、「接続部」を有するかどうか定かではなく、また、フランジ構造も有していない点（以下、「相違点３」という。）、
本願補正発明は、「前記熱処理中に、前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とする」のに対して、引用発明は、「窒素を除く不活性ガス」を供給するものの、「窒素を除く不活性ガス」の「供給量」は定かではない点（以下、「相違点４」という。）で相違している。
　
　そこで、上記相違点１ないし４について検討する。
ａ．相違点１及び相違点３について
　刊行物２には、「上記したように、酸化・拡散装置等の熱処理装置においては、当然のことながらプロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給している。この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させるのが慣用手段になっている。」（【０００５】段落）ことが、記載されている。そして、刊行物２の図２には、「外周に図示しない円筒状加熱源が設けられ、この加熱源内に耐熱性材料、例えば、石英製の有天円筒状石英製のプロセスチューブ１が設けられ、このチューブ１の下方側壁部に一体に取付け、例えば融着されれた耐熱性材料、例えば、石英製の配管２と、この配管２の中間部に設けられた中継配管３とこの配管３を介して配管２に接続されて酸素と水素とを燃焼化合させる燃焼筒４とが設けられて縦型酸化処理装置が構成されている。」（【００３２】段落）ことが、記載されており、また、「本発明は、酸化処理装置に限らず、熱処理装置であれば、拡散装置、ＣＶＤ、エッチャ等、何れにでも適用することが可能である。」（【００６６】段落）ことも、記載されている。
　また、刊行物３には、第３図に、「縦型熱処理部１０および外部燃焼部２０」を備えた「酸化熱処理装置」が記載されており、「外部燃焼部２０」の「石英製ガス供給管２４」と「縦型熱処理部１０」の「ガス導入管１８ａ」とを、「連結配管部７０」によって連結している。また、刊行物３には、「熱処理部として縦型熱処理部を用いた例を説明したが、これに限定されず横型熱処理部についても同様に適用することができる」（第３頁右上欄第１５〜１８行）こと、「前記実施例においては、ガス供給部として酸化膜形成用の外部燃焼部を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されず、他の処理ガス、例えば腐蝕性の高いＨｃｌ等のエッチングガス等を供給するためのガス供給部を用いてもよい。」（第３頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第３行）ことが、記載されている。
　すると、刊行物２の記載から、「熱処理装置において」は、本願補正発明の「熱処理炉の反応管」に相当する「プロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給し」、「この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させるのが慣用手段になっている」のであり、かつ、このような慣用技術は、刊行物２、又は３の記載によれば、いかなる「熱処理装置において」も、適用できるものであるから、引用発明の「窒素を除く不活性ガス雰囲気中の横型炉からなる炉」に、刊行物２、又は３に記載の、上記の技術思想を適用して、本願補正発明のごとく、「熱処理炉の反応管と非酸化性原料ガスを供給する供給ラインとを接続部によって接続し、該供給ライン及び接続部を介して該反応管内に非酸化性原料ガスを供給」するようになすことは、当業者が適宜なしえた程度のことと認められる。
　また、刊行物２には、「連結面での平面性が損ねられて気密性が悪化する。」（【００１０】段落）こと、「したがって、気密性が悪化すると、熱処理装置内での熱処理に用いられるプロセスガスの漏洩が発生しやすくなったり、また、外部からの不純物、特に酸素の浸入を許容してしまうことがある。」（【００１１】段落）ことが、記載されており、そのために、刊行物２の【０００５】段落に記載されている、「熱処理装置において」、「慣用手段になっている」、「プロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給し」、「この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させる」際に、「連結管を中継させて連結させる」ための「連結部」が、図１、図３、図６に記載のように、いずれも、フランジを備えており、また、刊行物３には、第３図に、「縦型熱処理部１０および外部燃焼部２０」を備えた「酸化熱処理装置」が記載されており、「外部燃焼部２０」の「石英製ガス供給管２４」と「縦型熱処理部１０」の「ガス導入管１８ａ」とを、「連結配管部７０」によって連結しているが、この連結する部分である「ジョイント部７４，７６」は、いずれも、フランジ部を備えている。
　そして、刊行物２に記載の「連結部」と刊行物３に記載の「ジョイント部」は、いずれも、本願補正発明の「接続部」に相当し、刊行物２に記載の「連結部」と刊行物３に記載の「ジョイント部」は、いずれも、フランジ構造であるから、引用発明において、本願補正発明のごとく、「前記接続部をフランジ構造」とすることは、当業者が、適宜設定できた程度のことと認められる。
　
ｂ．相違点２について
　引用発明は、「前記不純物を外方拡散する工程は、前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うか、あるいは、前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下の雰囲気中で行う」ものであるが、上記したように、引用発明の「不活性ガス中の酸素」と「不活性ガス中の水」は、いずれも、本願補正発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物」に相当するので、引用発明の「前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下」の場合には、本願補正発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下」としたものと数値範囲が重なり、同様に、引用発明の「前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下」の場合にも、本願補正発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下」としたものと数値範囲が重なるので、引用発明と本願補正発明とは、相違しないことになる。
　また、仮に、引用発明において、酸素と水以外に、他の不純物を含むとしても、不純物が少ない方が良いことは、明らかであり、また、本願補正発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下」としたことに、格別な臨界的意義も認められないので、引用発明において、本願補正発明のごとく、「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を１ｐｐｍ以下」とすることは、当業者が、容易になしえたことと認められる。
　
ｃ．相違点４について
　引用発明は、「横型炉からなる炉」を用いているので、「窒素を除く不活性ガス」が、「外方拡散熱処理」を行う炉の反応管に供給されるものである。
　そして、「窒素を除く不活性ガス」が、反応管に供給されると、少なくとも、反応管の炉口部側からの外気の侵入を、ある程度は防止できるものである。
　また、本願補正発明は、「前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上」としているが、本来、反応管の炉口部側からの外気の侵入を防止するためには、非酸化性原料ガスの供給量ではなく、非酸化性原料ガスが反応管の炉口部に作用する圧力で定義するべきであり、ガスの出口面積により、圧力が大幅に変化する（例えば、非酸化性原料ガスの供給量が同じでも、本願の図３の蓋体１８を取り除いた場合には、非酸化性原料ガスの炉口部に作用する圧力が、非常に低くなると考えられるが、図４では、出口面積が１６ｃｍ２以上の場合については、測定していないので、不明である。）。
　また、ガスの出口面積一定下において、非酸化性原料ガスの供給量を増やせば、当然ながら、外気の侵入が減るのは、明らかなことである。
　さらに、「非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とする」ことには、格別な臨界的意義が認められない。
　そうすると、引用発明において、本願補正発明のごとく「前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とする」ことは、当業者が、適宜設定できた程度のことと認められ、格別に特徴のある構成とは認められない。
　
　よって、補正後の請求項１に係る発明は、その優先権主張日前に国内において頒布された上記刊行物１ないし３に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−３　独立特許要件についてのむすび
　以上のとおり、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　まとめ
　よって、補正後の請求項１を含む本件補正は、上記の「第２　３　３−３」に記載の理由により、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年３月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年８月１８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　熱処理炉の反応管と非酸化性原料ガスを供給する供給ラインとを接続部によって接続し、該供給ライン及び接続部を介して該反応管内に非酸化性原料ガスを供給し、鏡面研磨されたシリコンウェーハを該熱処理炉内において非酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行う工程を有するシリコンウェーハの製造方法において、前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下とし、前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び／又は前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、前記接続部をフランジ構造とし、かつ前記熱処理中に、前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とすることを特徴とするシリコン鏡面ウェーハの製造方法。」
　
第４　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１ないし３の記載事項及び刊行物１に記載された発明は、上記の「第２　３　３−１」に記載したとおりである。
　
第５　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「横型炉からなる炉」は、「外方拡散熱処理」を行う炉であるから、本願発明の「熱処理炉」に相当し、また、引用発明の「横型炉からなる炉」が、本願発明の「反応管」を有することは、明らかである。
（２）引用発明の「窒素を除く不活性ガス」は、本願発明の「非酸化性原料ガス」に相当する。そして、引用発明の「横型炉からなる炉」には、引用発明の「窒素を除く不活性ガス」が供給されるから、引用発明の「窒素を除く不活性ガス」は、本願発明の「前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガス」に相当する。
（３）引用発明の「シリコン基板」は、刊行物１の「半導体基板中に基板購入時から存在する微小結晶欠陥に起因するデバイス不良が大きな問題となっている。」（【０００３】段落）という記載からみて、購入した「シリコン基板」であり、その表面が鏡面に加工されていることは明らかであるから、引用発明の「シリコン基板」は、本願発明の「鏡面研磨されたシリコンウェーハ」、「シリコンウェーハ」及び「シリコン鏡面ウェーハ」に相当する。
（４）引用発明の「不活性ガス中の酸素」と「不活性ガス中の水」は、いずれも、本願発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物」に相当し、引用発明の「酸素濃度」と「水濃度」は、いずれも、本願発明の「不純物の含有量」に相当する。
（５）引用発明の「シリコン基板の処理方法」は、本願発明の「シリコンウェーハの製造方法」、及び「シリコン鏡面ウェーハの製造方法」に相当する。
（６）本願発明の「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び／又は前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、」との構成は、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物であり、」と、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、」と、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であり、」との三通りの構成からなり、その内に、「前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物であり、」が含まれることは明らかである。
　すると、本願発明と引用発明とは、
「熱処理炉の反応管内に非酸化性原料ガスを供給し、鏡面研磨されたシリコンウェーハを該熱処理炉内において非酸化性ガス雰囲気下で熱処理を行う工程を有するシリコンウェーハの製造方法において、前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を所定値以下とし、前記非酸化性原料ガスに含まれる不純物が、前記非酸化性原料ガス中に含まれる不純物及び／又は前記接続部から前記反応管内に侵入する外気であることを特徴とするシリコン鏡面ウェーハの製造方法。」である点で一致し、
本願発明は、「熱処理炉の反応管と非酸化性原料ガスを供給する供給ラインとを接続部によって接続し、該供給ライン及び接続部を介して該反応管内に非酸化性原料ガスを供給」するとの構成を有するのに対して、引用発明は、このような構成を有するかどうか定かではない点（以下、「相違点５」という。）、
本願発明は、「前記熱処理を行う熱処理炉の反応管内に供給される非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下とし」ているのに対して、引用発明は、「前記不純物を外方拡散する工程は、前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うか、あるいは、前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下の雰囲気中で行う」点（以下、「相違点６」という。）、
本願発明は、「前記接続部をフランジ構造とし」ているのに対して、引用発明は、「接続部」を有するかどうか定かではなく、また、フランジ構造も有していない点（以下、「相違点７」という。）、
本願発明は、「前記熱処理中に、前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とする」のに対して、引用発明は、「窒素を除く不活性ガス」を供給するものの、「窒素を除く不活性ガス」の「供給量」は定かではない点（以下、「相違点８」という。）で相違している。
　
　そこで、上記相違点５ないし８について検討する。
ｄ．相違点５及び相違点７について
　刊行物２には、「上記したように、酸化・拡散装置等の熱処理装置においては、当然のことながらプロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給している。この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させるのが慣用手段になっている。」（【０００５】段落）ことが、記載されている。そして、刊行物２の図２には、「外周に図示しない円筒状加熱源が設けられ、この加熱源内に耐熱性材料、例えば、石英製の有天円筒状石英製のプロセスチューブ１が設けられ、このチューブ１の下方側壁部に一体に取付け、例えば融着されれた耐熱性材料、例えば、石英製の配管２と、この配管２の中間部に設けられた中継配管３とこの配管３を介して配管２に接続されて酸素と水素とを燃焼化合させる燃焼筒４とが設けられて縦型酸化処理装置が構成されている。」（【００３２】段落）ことが、記載されており、また、「本発明は、酸化処理装置に限らず、熱処理装置であれば、拡散装置、ＣＶＤ、エッチャ等、何れにでも適用することが可能である。」（【００６６】段落）ことも、記載されている。
　また、刊行物３には、第３図に、「縦型熱処理部１０および外部燃焼部２０」を備えた「酸化熱処理装置」が記載されており、「外部燃焼部２０」の「石英製ガス供給管２４」と「縦型熱処理部１０」の「ガス導入管１８ａ」とを、「連結配管部７０」によって連結している。また、刊行物３には、「熱処理部として縦型熱処理部を用いた例を説明したが、これに限定されず横型熱処理部についても同様に適用することができる」（第３頁右上欄第１５〜１８行）こと、「前記実施例においては、ガス供給部として酸化膜形成用の外部燃焼部を用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されず、他の処理ガス、例えば腐蝕性の高いＨｃｌ等のエッチングガス等を供給するためのガス供給部を用いてもよい。」（第３頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第３行）ことが、記載されている。
　すると、刊行物２の記載から、「熱処理装置において」は、本願発明の「熱処理炉の反応管」に相当する「プロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給し」、「この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させるのが慣用手段になっている」のであり、かつ、このような慣用技術は、刊行物２、又は３の記載によれば、いかなる「熱処理装置において」も、適用できるものであるから、引用発明の「窒素を除く不活性ガス雰囲気中の横型炉からなる炉」に、刊行物２、又は３に記載の、上記の技術思想を適用して、本願発明のごとく、「熱処理炉の反応管と非酸化性原料ガスを供給する供給ラインとを接続部によって接続し、該供給ライン及び接続部を介して該反応管内に非酸化性原料ガスを供給」するようになすことは、当業者が適宜なしえた程度のことと認められる。
　また、刊行物２には、「連結面での平面性が損ねられて気密性が悪化する。」（【００１０】段落）こと、「したがって、気密性が悪化すると、熱処理装置内での熱処理に用いられるプロセスガスの漏洩が発生しやすくなったり、また、外部からの不純物、特に酸素の浸入を許容してしまうことがある。」（【００１１】段落）ことが、記載されており、そのために、刊行物２の【０００５】段落に記載されている、「熱処理装置において」、「慣用手段になっている」、「プロセスチューブに対して供給源からプロセスガスを供給するための供給用石英管により供給し」、「この石英管はプロセスチューブに取着された短い取出管と、供給源に取着された短い取出管を連結管を中継させて連結させる」際に、「連結管を中継させて連結させる」ための「連結部」が、図１、図３、図６に記載のように、いずれも、フランジを備えており、また、刊行物３には、第３図に、「縦型熱処理部１０および外部燃焼部２０」を備えた「酸化熱処理装置」が記載されており、「外部燃焼部２０」の「石英製ガス供給管２４」と「縦型熱処理部１０」の「ガス導入管１８ａ」とを、「連結配管部７０」によって連結しているが、この連結する部分である「ジョイント部７４，７６」は、いずれも、フランジ部を備えている。
　そして、刊行物２に記載の「連結部」と刊行物３に記載の「ジョイント部」は、いずれも、本願発明の「接続部」に相当し、刊行物２に記載の「連結部」と刊行物３に記載の「ジョイント部」は、いずれも、フランジ構造であるから、引用発明において、本願発明のごとく、「前記接続部をフランジ構造」とすることは、当業者が、適宜設定できた程度のことと認められる。
　
ｅ．相違点６について
　引用発明は、「前記不純物を外方拡散する工程は、前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うか、あるいは、前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下の雰囲気中で行う」ものであるが、上記したように、引用発明の「不活性ガス中の酸素」と「不活性ガス中の水」は、いずれも、本願発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物」に相当するので、引用発明の「前記不活性ガス中の酸素濃度が０．０５ｐｐｍ以下」の場合には、本願発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下」としたものと数値範囲が重なり、同様に、引用発明の「前記不活性ガス中の水濃度が１ｐｐｍ以下」の場合にも、本願発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下」としたものと数値範囲が重なるので、引用発明と本願発明とは、相違しないことになる。
　また、仮に、引用発明において、酸素と水以外に、他の不純物を含むとしても、不純物が少ない方が良いことは、明らかであり、また、本願発明の「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下」としたことに、格別な臨界的意義も認められないので、引用発明において、本願発明のごとく、「非酸化性原料ガスに含まれる不純物の含有量を３ｐｐｍ以下」とすることは、当業者が、容易になしえたことと認められる。
　
ｆ．相違点８について
　引用発明は、「横型炉からなる炉」を用いているので、「窒素を除く不活性ガス」が、「外方拡散熱処理」を行う炉の反応管に供給されるものである。
　そして、「窒素を除く不活性ガス」が、反応管に供給されると、少なくとも、反応管の炉口部側からの外気の侵入を、ある程度は防止できるものである。
　また、本願発明は、「前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上」としているが、本来、反応管の炉口部側からの外気の侵入を防止するためには、非酸化性原料ガスの供給量ではなく、非酸化性原料ガスが反応管の炉口部に作用する圧力で定義するべきであり、ガスの出口面積により、圧力が大幅に変化する（例えば、非酸化性原料ガスの供給量が同じでも、本願の図３の蓋体１８を取り除いた場合には、非酸化性原料ガスの炉口部に作用する圧力が、非常に低くなると考えられるが、図４では、出口面積が１６ｃｍ２以上の場合については、測定していないので、不明である。）。
　また、ガスの出口面積一定下において、非酸化性原料ガスの供給量を増やせば、当然ながら、外気の侵入が減るのは、明らかなことである。
　さらに、「非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とする」ことには、格別な臨界的意義が認められない。
　そうすると、引用発明において、本願発明のごとく「前記非酸化性原料ガスの供給量を１５リットル／ｍｉｎ以上とする」ことは、当業者が、適宜設定できた程度のことと認められ、格別に特徴のある構成とは認められない。
　
　よって、本願の請求項１に係る発明は、その優先権主張日前に日本国内において頒布された上記刊行物１ないし３に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。