【事件の表示】
　特願２００２−２３７２２３「ポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物、その製造方法及びそれを有する導電用材料」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　７５８３０、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
I．手続の経緯
　本願は、平成１４年８月１５日の出願であって、平成１７年６月２８日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年９月５日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月１０日付けで最後の拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１８年１月１６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年２月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２９日に手続補正書が提出され、同年７月２４日に審判請求書の手続補正書（方式）が提出されたが、同年９月５日付けで前置報告がなされ、平成１９年１０月１日付けで前置審尋がなされ、同年１２月１０日に回答書が提出され、平成２０年２月２８日に上申書が提出され、同年２月２９日に手続補足書が提出されたものである。
　
II．平成１８年５月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　１．補正却下の決定の結論
　　平成１８年５月２９日付けの手続補正を却下する。
　２．補正却下の決定の理由
　〔１〕手続補正の内容
　平成１８年５月２９日付け手続補正（以下、「本件手続補正」という。）は、以下の補正事項ａ、ｂを含むものである。
ａ．補正前の特許請求の範囲請求項１について、
「【請求項１】　一般式
　　【化１】
　
　（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一であっても異なっていてもよいアルコキシ基を示す）
で表わされ、ｎが１０〜１００００であるポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物。」を
「【請求項１】　一般式
【化１】
　
　（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一であっても異なっていてもよいアルコキシ基を示す）
で表わされ、ｎが１０〜１００００であるポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物からなる高導電性材料。」に変更すること。
ｂ．補正前の特許請求の範囲請求項３について
「【請求項３】　一般式
　　【化２】
　
　（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一であっても異なっていてもよいアルコキシ基を示す）
で表わされるエチニルフェニルアミン誘導体を、貴金属錯体触媒の存在下に、水及び／又は有機溶媒中で溶液重合させ、得られたポリアセチレン系ポリマーにＨＣｌの低級アルコール溶液を用いてドーピングを施すことを特徴とする請求項１記載のポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物の製造方法。」を
「【請求項３】　一般式
【化２】
　
　（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一であっても異なっていてもよいアルコキシ基を示す）
で表わされるエチニルフェニルアミン誘導体を、貴金属錯体触媒の存在下に、水及び／又は有機溶媒中で溶液重合させ、得られたポリアセチレン系ポリマーにＨＣｌの低級アルコール溶液を用いてドーピングを施すことを特徴とする高導電性材料の製造方法。」に変更すること。
　
　〔２〕本件手続補正の目的の適否について
（i）補正事項ａについて
　補正事項ａは、「ポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物」を「ポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物からなる高導電性材料」に変更するものであるが、補正前の特許請求の範囲の請求項７には「請求項１又は２に記載のポリアセチレン系ポリマーのドーピング物を有する
導電用
導電性
　したがって、補正事項ａは、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とするものではない。
　また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的とするものではない。
　よって、補正事項ａは、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項をも目的とするものではない。
　
（ii）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、「ＨＣｌドーピング物の製造方法」を「高導電性材料の製造方法」に変更するものであるが、補正前の特許請求の範囲の請求項３には「ドーピング物」の製造方法については記載されているものの、補正前の特許請求の範囲にはドーピング物からなる「
材料
　したがって、補正事項ｂは、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とするものではない。
　また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的とするものではない。
　よって、補正事項ｂは、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項をも目的とするものではない。
　
　〔３〕むすび
　以上のとおりであるから、補正事項ａ、ｂを含む本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、本件手続補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
　本願についてされた平成１８年５月２９日付けの手続補正は、決定をもって却下された。
　したがって、本願の請求項１〜７に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明７」という。）は、平成１８年１月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されたとおりものであり、請求項１〜７には次のとおり記載されている。
「【請求項１】　一般式
　　【化１】
　
　（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一であっても異なっていてもよいアルコキシ基を示す）
で表わされ、ｎが１０〜１００００であるポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物。
　【請求項２】　アルコキシ基がブトキシ基である請求項１記載のポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物。
　【請求項３】　一般式
　　【化２】
　
　（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一であっても異なっていてもよいアルコキシ基を示す）
で表わされるエチニルフェニルアミン誘導体を、貴金属錯体触媒の存在下に、水及び／又は有機溶媒中で溶液重合させ、得られたポリアセチレン系ポリマーにＨＣｌの低級アルコール溶液を用いてドーピングを施すことを特徴とする請求項１記載のポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物の製造方法。
　【請求項４】　貴金属錯体触媒がロジウム錯体である請求項３記載の製造方法。
　【請求項５】　ロジウム錯体がロジウム‐ノルボルナジエンハライドである請求項４記載の製造方法。
　【請求項６】　有機溶媒がアルコール、トリエチルアミン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン及びクロロホルムの中から選ばれた少なくとも１種である請求項３、４又は５記載の製造方法。
　【請求項７】　請求項１又は２に記載のポリアセチレン系ポリマーのドーピング物を有する導電用材料。」
　
IV．原査定の拒絶理由の概要
　原審において拒絶査定の理由とされた平成１７年１１月１０日付けで通知された拒絶理由の概要は、以下のとおりである。 
　理由：
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　　　　　 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１〜８
・引用文献等　１
　
　　　　　　　　　引用文献等一覧
　
１．特願２００１−３４１５２８号（特開２００３−１４２２６６号公報）
２．特開昭６１−１１８４５４号公報
３．特開平２−１１９００８号公報
４．実用プラスチック辞典　材料編，産業調査会，１９９３年５月１日，６　　７７−６７８頁
　
［なお、請求項１〜８は、拒絶理由通知時の特許請求の範囲に記載された請求項を意味する。］
　
V．引用例の記載事項及び引用例に記載の発明
１．特願２００１−３４１５２８号の願書に最初に添付された明細書（以下、「先願明細書」という。）に記載された事項
　原審において平成１７年１１月１０日付けで通知された拒絶理由に引用された先願明細書には、以下の事項が記載されている。
ア．
「【請求項１】  一対の電極間に、有機化合物により構成される一層又は複数層の有機化合物層を有する発光素子において、前記有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式［１］で表されるポリアセチレン誘導体を構成成分とすることを特徴とする発光素子。
　
(式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、アリール基又は複素環基、アルコキシ基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基を表し、Ｒ2は置換又は未置換の芳香族アミンを表す。ｎは２以上である。)
【請求項２】  一般式［１］において、Ｒ2は２個の芳香族アミンの芳香環が互いに単結合で直接結合した構造をもつ芳香族ジアミンである請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】  有機化合物層に電子受容性アクセプタが含まれている請求項１又は２に記載の発光素子。」（特許請求の範囲請求項１〜３）
イ．
「ポリ[ビス−(４−ブトキシフェニル)−(４−エチニルフェニル)アミン(p−TPA)の合成：乾燥トリエチルアミン（ＴＥＡ）にビス−（ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミン、ビシクロ[２.２.１]ヘプタ−２，５−ジエンロジウム塩化物二量体（Ｘ）を加え、真空脱気後、−５℃で２時間重合した。生成したポリマーをメタノールで洗浄し、乾燥させて、下記式に示されるポリ[ビス−(４−ブトキシフェニル)−(４−エチニルフェニル)アミン(p−TPA)の橙色の物質を得た。・・・・・
　
」（明細書段落【００３３】）
ウ．
　実施例１及び２には、ビス−（ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミンをトリエチルアミン及びビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエンロジウム塩化物二量体（ロジウム−ノルボルナジエンハライドに相当）の存在下重合させ、ポリ［ビス−（４−ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミンを製造すること、そして、このポリ［ビス−（４−ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミンにトリス（４−ブロモフェニル）アンモニウムヘキサクロロアンチモネートを混合し、透明支持基板上に成膜して共蒸着させ発光素子を作成することが記載されている。（明細書段落【００３４】〜【００３５】）
エ．
　明細書段落【００３０】には、ポリアセチレン誘導体を構成成分とする有機化合物層に電子受容性アクセプタをドーピングできることが記載され、さらに電子受容性アクセプタとしては、例えば、ハロゲン、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、有機金属化合物等の中から選ばれた少なくとも一種類であることが好ましいこと、前記ハロゲン、ハロゲン化金属、ルイス酸の例としては、I2、Br2、SbF5、AsF5等が挙げられること、前記有機酸の例としては、スルホン酸基、リン酸基、ホウ酸基等の官能基をもつ有機化合物が挙げられ、具体的には、スルホン酸ポリスチレン等が挙げられること、前記有機金属化合物の例としては、トリス(４−ブロモフェニル)アンモニウムヘキサクロロアンチモネート、ビス（ジチオベンジル）ニッケル、ビス（テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）、ビス（１，３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジチオラト）亜鉛錯体、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、ビス（１，３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジチオラト）ニッケル（III）錯体等が挙げられることがそれぞれ記載されている。
　
２．先願明細書に記載された発明
　先願明細書には、摘示記載ア．〜エ．からみて「ポリ［ビス−（４−ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミンのトリス（４−ブロモフェニル）アンモニウムヘキサクロロアンチモネートドーピング物」の発明（以下、「先願明細書に記載された発明」という。）が記載されているといえる。
　なお、実施例において記載されている重合反応式では、出発物質であるビス−（ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミンのパラ位に置換されているブトキシ基が、重合後の生成物ではメタ位に置換されたものとなっているが、実施例は「ポリ［ビス−（４−ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミン（p-TPA）の合成であること、及び実施例に記載されている重合条件ではブトキシ基の転移は起こらないものと認められるから、重合生成物の化学式（ブトキシ基の置換位置がメタ位）におけるブトキシ基の置換位置はパラ位の誤記と認められる。
　
３．特開昭６１−１１８４５４号公報に記載された事項
あ．
「１、ドーパントを含有する高配向ポリアセチレンを包含することを特徴とする電気的異方性を有する導電性高分子材料。」（特許請求の範囲第１項）
い．
「本発明において用いられる電子供与性物質の例には、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウム等のアルカリ金属がある。他方、電子受容性物質の例には、ハロゲン（例えばフッ素、塩素、臭素及びヨウ素等）、ルイス酸（例えば五フッ化リン、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモン、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、塩化第二鉄、塩化アルミニウム及び三塩化硫黄等）、及びプロトン酸（例えばフッ酸、塩酸、臭化水素、過塩素酸、硫酸及び硝酸等）が挙げられる。以下、これら処理剤をドーパントと総称する。」（２頁左下欄９行〜２０行）
　
４．特開平２−１１９００８号公報に記載された事項
う．
「１．ポリアセチレン膜を電子受容性物質で処理して得られる導電性ポリアセチレン膜の製造において、上記ポリアセチレン膜を−２０℃以下で液晶状態となる液晶物質中で合成することを特徴とする導電性ポリアセチレン膜の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
え．
「本発明においてポリアセチレン膜にドーピングされる電子受容性物質としてはハロゲン（例えば塩素、臭素及びヨウ素等）、ルイス酸（例えば、五フッ化リン、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモン、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、塩化第二鉄等）、プロトン酸（例えば、フッ酸、塩酸、臭化水素、過塩素酸、硫酸、硝酸等）が挙げられる。」（４頁左上欄３行〜９行）
　
５．「実用プラスチック辞典　材料編，産業調査会，１９９３年５月１日，６７７−６７８頁」に記載された事項
お．
「２．材料
　これまで合成されている代表的な導電性高分子の構造を図６−１−１に示した。・・・ポリアセチレンはもっとも簡単な構造であり、理論的な取扱いが容易である点から、非常に研究が進んでいる。・・・一方、導電性を発現するために、電子供与性分子、あるいは電子受容性分子（これらはドーパントと呼ばれている）との錯体化（ドーピング）が必要であることも特徴としてあげられる。代表的なドーパントとドーピング法について表６−１−１にまとめた。」（６７７頁左欄下から２行〜右欄１８行）
　表６−１−１には、ドーパントの例として「プロトン酸：ＨＣｌＯ4」が記載されている。
　
VI．対比・判断
（本願発明１、２について）
　本願発明１、２と先願明細書に記載された発明とを対比すると、
両者は「ポリ［ビス−（４−ブトキシフェニル）−（４−エチニルフェニル）アミンのドーピング物」という点では一致するものの、ドーパント（電子受容性アクセプター）が本願発明は「ＨＣｌ」であるのに対し、先願明細書に記載された発明は「トリス（４−ブロモフェニル）アンモニウムヘキサクロロアンチモネート」である点で相違する。
　この相違点について検討する。
　先願明細書全体（特に、摘示記載エ．）をみても、先願明細書に記載された発明において、電子受容性アクセプターとして「ＨＣｌ」が用いられることは一切記載されていない。
　この点について、原審では、平成１７年１１月１０日付け拒絶理由通知書及び平成１８年２月２２日付け拒絶査定で、「電子受容性アクセプターとしてＨＣｌ等のプロトン酸は周知（引用文献２〜４）であるから、ＨＣｌを用いた点は単なる周知事項の転換に過ぎない」旨述べているが、先願明細書には無機系のプロトン酸が用いられることについて何等記載されていないし、また、ＨＣｌは無機系の電子受容性アクセプターであり、トリス（４−ブロモフェニル）アンモニウムヘキサクロロアンチモネートは有機系の電子受容性アクセプターであることを勘案すると、両者が直ちに転換可能な電子受容性アクセプターであるといえるものではない。
　そして、本願明細書の実施例６において、ＨＣｌドーピング物は着色性が低減され、淡色化、さらには透明性に優れるという効果を奏するものであることが明示されている。
　そうすると、先願明細書には、本願発明１、２が採用する構成である「ポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物」については何ら記載がされていないのであり、また、この点が周知事項の単なる転換といえるものではないから、本願発明１、２は、先願明細書に記載された発明と同一であるということはできない。
　なお、摘示記載あ．〜お．からみて、引用文献２〜４には、ポリアセチレン系ポリマーのドーパントとしてＨＣｌ、ＨＣｌＯ4が用いられることは記載されているものの、本願発明１、２の一般式で示される繰り返し単位からなるポリアセチレン系ポリマーのＨＣｌドーピング物については一切記載されていない。
　
（本願発明３〜７について）
　本願発明３〜７は、本願発明１、２を直接的又は間接的に引用し更に限定するものであるから、本願発明１、２が先願明細書に記載された発明と同一であるといえない以上、本願発明３〜７も（本願発明１、２について）で示した理由と同様の理由により、先願明細書に記載された発明と同一であるということはできない。
　
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。