【事件の表示】
　特願２００１−３６３１５８「エネルギー分散型半導体Ｘ線検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月　６日出願公開、特開２００３−１６１７１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１１月２８日の出願であって、平成１８年４月２５日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年６月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年７月１０日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１８年７月１０日付けの手続補正についての却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年７月１０日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１８年７月１０日付けの手続補正は、特許請求の範囲の補正を含み、平成１７年１０月１７日付け手続補正書における特許請求の範囲の請求項１
「　【請求項１】　電子線源からの電子線が上部ポールピースと下部ポールピースとの間に設けられた試料に対して照射されたときに当該試料において生ずる特性Ｘ線を前記試料の上方から検出するようにしたエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器において、前記電子線が前記下部ポールピースに衝突したときに生ずるシステムピークの入射を阻止するためシステムピーク入射阻止部を前記下部ポールピース側の位置において突設させてなるコリメータを設けたことを特徴とするエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器。」（以下、「本願発明１」という。）
を
「　【請求項１】　
コリメータと、
薄膜状
ため特性Ｘ線がコリメータを経て入射するＸ線検出素子とを備え
前記コリメータは、前記コリメータの試料により近い下端側から、上方あるいは試料側に突設させてなり、
るシ
有する
と補正するものと認められる。（
下線
　なお、平成１８年７月１０日付けの手続補正書には、「上方あるい試料側に」との記載がなされているが、この記載は「上方あるいは試料側に」の明らかな誤記と認められるので、上記のとおり認定した。
　
　当該補正は、本願発明１の試料を薄膜状試料と補正し、また、本願発明１におけるシステムピーク入射阻止部が、下部ポールピース側の位置において突設させてなるコリメータを設けたとされていたのを、コリメータがコリメータの試料により近い下端側から、上方あるいは試料側に突設させてなるシステムピーク入射阻止部を有すると補正するものであり、いずれも、本願発明１の発明特定事項である試料およびシステムピーク入射阻止部の形状を特定するものであるから、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、昭和５７年１２月１８日に公開された、実願昭５６−８９３１３号（実開昭５７−１９９８４７号公報）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、
「第１図及び第２図は、夫々斯くの如き装置の従来例の要部を示しており、１，２は夫々対物レンズの上磁極片と下磁極片で光軸Ｏに関して対象な形状の電子線通過孔３，４が夫々明けられており、該両磁極片は非磁性体製のスペーサ５により一体化されている。該上磁極片と下磁極片との大略中間には試料６が配置されており、該試料への電子線Ｅの照射により発生したＸ線は、散乱電子或いは不要なＸ線の検出器７への入射を阻止する為に設けられたコリメータ８を介して、半導体から成るエネルギ分散型Ｘ線検出器７によって検出される。尚、該検出器は保護筒９内に配置され、外部の液体窒素が封入された冷却タンク（図示せず）に熱的に接続された冷却棒（図示せず）に取り付けられており、その結果該検出器は冷却され、安定な性能が維持される。そして、該検出器によって検出された信号は多チャンネル波高分析器を含む検出回路（図示せず）に供給されて、エネルギに応じたＸ線スペクトルが得られる。」（明細書第２頁第６行〜第３頁第５行）
との記載が認められる。また、第１図の記載から、試料６が薄膜状であること、エネルギ分散型Ｘ線検出器７が試料６の上方に設けられていることが認められる。そして、第１図に描かれた補助線から、上記エネルギ分散型検出器７は、保護筒９の端部から離れた下磁極片２からのＸ線が入射しない位置に配置されていることが理解できる。
これらの記載によれば、引用例１には、
「上磁極片１と下磁極片２との大略中間に薄膜状の試料６が配置され、該試料への電子線Ｅの照射により発生したＸ線は、散乱電子或いは不要なＸ線の検出器７への入射を阻止する為に設けられたコリメータ８を介して、保護筒９の端部から離れた下磁極片２からのＸ線が入射しない位置に配置され、試料６の上方に設けられた、半導体から成るエネルギ分散型Ｘ線検出器７によって検出される、装置。」
が開示されていると認めることができる。
　
　昭和５２年７月１１日に公開された、実願昭５１−２１６号（実開昭５２−９２７７３号公報）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）には、
「ＸＭＡやＳＥＭにおいて、試料を衝突する電子線が、後方に散乱し、対物レンズ下面から散乱Ｘ線を発生させ、エネルギー分散型Ｘ線検出器（以下ＥＤＸと称する）により検出されてしまう構造を有していた。
　また、対物レンズに限らず、試料を装備する試料ステージや、その周囲の試料室の内壁などからの散乱Ｘ線も検出される。」（明細書第１頁第１４行〜第２頁第１行）、
「第２図は対物レンズ６、試料７、ならびに半導体検出器１１の相対位置関係を示したものであるが、前記のように全Ｘ線１５のみが半導体検出器１１に入射すればよいが、試料７から反射した電子が、例えば図示の如く、対物レンズ６の下面に衝突し、この部分から試料７からとは異なったＸ線が発生し、広義には散乱Ｘ線１６となって、半導体検出器１１に入射する。これは分析上では全く不要なＸ線であって、検出されたＸ線信号が、試料から得られたものか、対物レンズなど構成材料から得られたものか、判らなくなる。また対物レンズなどの構成材料は比較的重元素からできている場合が多いので、連続Ｘ線によるＸ線バック・グラウンドは無視できない量になる。第３図はこの欠点を除去するための実施例の一例であるが、シールド（１）：１９を検出器ケース１８の試料側先端に取付け、試料上の分析点に対して半導体検出器１１が張る立体角内のＸ線のみを通過させる開口部を設けておけば、前記の散乱Ｘ線１６は入射しなくなる。第４図は本考案による具体的実施例である。前記のように観察倍率を広くとるため、試料７は電子線３に平行な方向に上下移動が可能となるように構成されている。第４図では比較的高い倍率の場合は、試料７を対物レンズ６に近く置き、低倍率の場合は、試料を７’の位置に下げる。このように試料を上下の位置で、かつ良質なＸ線を得るためには、それぞれの位置で、所用の立体角内のＸ線のみ通過させる孔をシールド（２）：２０に設ければ、図示の如き散乱Ｘ線１６以外の散乱Ｘ線を逓減することが可能となる。第４図のシールド（２）：２０はＰ方向からみると、第５図の如く、それぞれの構造によって定まる位置に、Ｘ線の通過孔２１を設ければ目的が達せられる。以上述べた試料の静止位置は２点であるが、これが３カ所以上となった場合にはそれに対応した数の通過孔を設ければよい。」（明細書第４頁第１１行〜第６頁第７行）
との記載が認められる。
　また、第３図より、「シールド（１）：１９」が、試料７側および全Ｘ線１５の中心方向に突設した形状を有することが認められる。
　これらの記載によれば、引用例２には、
「対物レンズ６の下面等に衝突し、この部分から試料７からとは異なったＸ線が発生し、広義には散乱Ｘ線１６となって、半導体検出器１１に入射するという欠点を除去するために、試料７側および全Ｘ線１５の中心方向に突設した形状を有するシールド（１）：１９を検出器ケース１８の試料側先端に取付け、試料上の分析点に対して半導体検出器１１が測る立体角内のＸ線のみを通過させる試料の静止位置に対応した開口部を設けておくことにより、前記の散乱Ｘ線１６は入射しなくなるように構成されたＸ線の検出器。」
が開示されていると認めることができる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載された発明の「コリメータ８」、「上磁極片１」、「下磁極片２」は、本願補正発明の「コリメータ」、「上部ポールピース」、「下部ポールピース」にそれぞれ相当する。また、引用例１に記載された発明の「薄膜状の試料６」は、上磁極片と下磁極片との大略中間に配置されていることから、本願補正発明の「上部ポールピースと下部ポールピースとの間に設けられた薄膜状試料」に相当し、引用例１に記載された発明には電子線源が明示されていないものの、試料への電子線Ｅの照射により発生したＸ線を検出していることから、本願補正発明と同様に「電子線源からの電子線」が「薄膜試料に対して照射」されているものと認められる。さらに、引用例１に記載された発明の「エネルギ分散型Ｘ線検出器７」は、試料への電子線Ｅの照射により発生したＸ線を、コリメータ８を介して検出するものであり、試料の上方に設けられていることから、本願補正発明の「当該試料において生ずる特性Ｘ線を前記試料の上方から検出するため特性Ｘ線がコリメータを経て入射するＸ線検出素子」に相当する。そして、引用例１に記載された発明のコリメータ８は、不要なＸ線の検出器７への入射を阻止する為に設けられたとされており、不要なＸ線とは試料以外の装置部分から発生するＸ線のことであるから、本願補正発明と同様に、「下部ポールピースに衝突したときに生ずるシステムピークの入射を阻止する」作用を有するものと認められる。
　したがって、両者は、
「コリメータと、電子線源からの電子線が上部ポールピースと下部ポールピースとの間に設けられた薄膜状試料に対して照射されたときに当該試料において生ずる特性Ｘ線を前記試料の上方から検出するため特性Ｘ線がコリメータを経て入射するＸ線検出素子とを備えたエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器において、前記コリメータは、前記電子線が前記下部ポールピースに衝突したときに生ずるシステムピークの入射を阻止するエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点］コリメータが、本願補正発明では、試料により近い下端側から、上方あるいは試料側に突設させてなるシステムピーク入射阻止部を有するのに対し、引用例１に記載された発明では、コリメータ本体が不要なＸ線の入射を阻止するための形状に形成されており、別途突設部を有していない点。
　
（４）判断
　引用例２に示されているように、対物レンズ等の試料以外から発生したＸ線の半導体検出器１１への入射を阻止する目的のために、検出器ケースの試料側先端に試料側および全Ｘ線１５の中心方向に突設した形状を有するシールドを設けることは、当該分野において従来より行われていることである。また、シールドの開口の位置は、分析点からの測定対象のＸ線を透過させるように試料の位置に対応して設けておくとされていることから、シールド自体の形状は散乱Ｘ線を透過しないように散乱Ｘ線の発生位置に対応して設けられているものである。そして、散乱Ｘ線の入射を防止する目的のため、従来知られた様々な手段を組み合わせることによりその効果を高めようとすることは、当業者ならば適宜なし得ることである。
　このため、不要なＸ線の入射を防止するよう構成された引用例１に記載された発明において、引用例２に記載された発明のシールドを設けてその効果を高めることは、当業者が容易に想到しうることである。そして、シールドは検出器ケースの試料側先端に設けるものであるから、試料側先端にコリメータを備えた引用例１に記載された発明にシールドを採用する際には、先端のコリメータにシールドを備える構成とすることは、当業者が普通に採用することであり、また、シールドの形状は散乱Ｘ線の発生位置に対応して設けるものであるから、引用例１に記載された発明のように下磁極片が散乱Ｘ線の発生位置として想定される場合に、シールドの形状を下端側から突設させ、全Ｘ線の中心方向つまり上方に突設するような形状とすることは、当業者が適宜設計しうることである。そして、本願補正発明によってもたらされる効果は引用例１および引用例２に記載された発明から予測される範囲内のものであって、格別のものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用例１および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、平成１８年７月１０日付けの手続補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明の認定
　平成１８年７月１０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２に係る発明は、平成１７年１０月１７日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項２に係る発明は以下のとおりのものである。
「　【請求項２】　電子線源からの電子線が上部ポールピースと下部ポールピースとの間に設けられた試料に対して照射されたときに当該試料において生ずる特性Ｘ線を前記試料の上方からＸ線透過窓を介して検出するようにしたエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器において、前記電子線が前記下部ポールピースに衝突したときに生じ、前記Ｘ線透過窓を透過したシステムピークが入射しないようにＸ線検出素子を前記Ｘ線透過窓から離れた位置に設けたことを特徴とするエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器。」（以下、「本願発明２」という。）
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比
　本願発明２と引用例１に記載された発明とを比較すると、引用例１に記載された発明の「上磁極片１」、「下磁極片２」は、本願発明２の「上部ポールピース」、「下部ポールピース」にそれぞれ相当する。また、引用例１に記載された発明の「試料６」は、上磁極片と下磁極片との大略中間に配置されていることから、本願発明２の「上部ポールピースと下部ポールピースとの間に設けられた試料」に相当し、引用例１に記載された発明には電子線源が明示されていないものの、試料への電子線Ｅの照射により発生したＸ線を検出していることから、本願発明２と同様に「電子線源からの電子線」が「試料に対して照射」されているものと認められる。さらに、引用例１に記載された発明の「エネルギ分散型Ｘ線検出器７」は、試料への電子線Ｅの照射により発生したＸ線を検出するものであり、試料の上方に設けられていることから、本願発明２の「当該試料において生ずる特性Ｘ線を前記試料の上方から」検出する「Ｘ線検出素子」に相当する。そして、このエネルギ分散型Ｘ線検出器７は、保護筒９の端部から離れた下磁極片２からのＸ線が入射しない位置に配置されていることから、本願発明２と同様に、「電子線が下部ポールピースに衝突したときに生」ずる「システムピークが入射しない」位置に設けられているものと認められる。
　したがって、両者は、
「電子線源からの電子線が上部ポールピースと下部ポールピースとの間に設けられた試料に対して照射されたときに当該試料において生ずる特性Ｘ線を前記試料の上方から検出するようにしたエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器において、前記電子線が前記下部ポールピースに衝突したときに生じ、システムピークが入射しないようにＸ線検出素子を設けたエネルギー分散型半導体Ｘ線検出器。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
［相違点］エネルギー分散型半導体Ｘ線検出器が、本願発明２ではＸ線透過窓を介して検出するようにされており、Ｘ線透過窓から離れた位置に設けられているのに対し、引用例１にはＸ線透過窓についての記載がない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討すると、
　引用例１に記載された発明の保護筒９の試料側端部には、Ｘ線透過窓という用語が用いられていないが、検出するためのＸ線を透過していることから、その保護筒９の試料側端部がＸ線を透過する窓として作用するものであることは当業者にとって自明である。したがって、上記相違点は、実質的な相違点ではない。
　
（５）むすび
　したがって、本願発明２は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。