【事件の表示】
　特願２００２−２６０６８２「電極およびそれを用いた装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　６２０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、特許法第３０条第１項の適用を適法に申請した特許出願に係り、平成１４年９月５日（優先権主張日：平成１４年４月１９日）の出願であって、平成１８年７月１８日付け（同年７月２６日発送）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年９月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年９月２２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲の記載を補正前の、
「【請求項１】導電性材料と空間電荷を有する膜からなることを特徴とする電極。
【請求項２】前記導電性材料が金属、半導体、グラファイトのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の電極。
【請求項３】前記導電性材料表面が凹凸を有するまたは尖塔状形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】前記導電性材料表面に不定形または繊維状の金属、半導体またはグラファイトが存在することを特徴とする請求項１または２に記載の電極。
【請求項５】前記膜がアモルファス、結晶粒界、不純物原子のいずれかを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項６】前記膜の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項７】前記膜が窒素、炭素、珪素、酸素、ホウ素のいずれかの原子を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電極。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれか１項記載の電極を用いたことを特徴とする電子放出装置。
【請求項９】請求項８記載の電子放出装置を用いたことを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、マイクロ波進行波管、撮像素子、電子ビームを用いた材料評価装置。
【請求項１０】請求項８記載の電子放出装置を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】請求項１０記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置、液晶ディスプレイのバックライト、表示ランプ。
【請求項１２】請求項１ないし７のいずれか１項記載の電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
【請求項１３】請求項１ないし７のいずれか１項記載の電極を用いたことを特徴とする有機発光装置。
【請求項１４】請求項１３記載の有機発光装置を用いたことを特徴とする表示装置。」
を、補正後の、
「【請求項１】導電性材料と空間電荷を有する
窒化ホウ素炭素
【請求項２】前記導電性材料が金属、半導体、グラファイトのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の電極。
【請求項３】前記導電性材料表面が凹凸を有するまたは尖塔状形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】前記導電性材料表面に不定形または繊維状の金属、半導体またはグラファイトが存在することを特徴とする請求項１または２に記載の電極。
【請求項５】前記膜がアモルファス、結晶粒界、不純物原子のいずれかを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項６】前記膜の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項
７
６
【請求項
８
７
【請求項
９
７
【請求項１
０
９
【請求項１
１
６
【請求項１
２
６
【請求項１
３
２
と補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、補正前の旧請求項７を削除し、当該請求項の削除に伴い旧請求項８ないし１４の請求項の番号を繰り上げて新請求項７ないし１３とするとともに、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「空間電荷を有する膜」を、「空間電荷を有する
窒化ホウ素炭素
　そこで、上記補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「補正後第１発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
  
２　独立特許要件について
（１）補正後第１発明を再掲すると、次のとおりである。
　「【請求項１】導電性材料と空間電荷を有する窒化ホウ素炭素膜からなることを特徴とする電極。」
 　 
（２）刊行物 
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１８５０２１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。 
　ア　「【請求項１】導体または半導体基板上に電気的に接続してホウ素（組成比ｘ）、炭素（組成比ｙ）、窒素（組成比ｚ）を含む組成比が０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０≦ｚ＜１の領域が少なくとも１層以上あり、表面に露出して組成比が０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１の薄膜があり、前記薄膜に電気的に絶縁して第１の金属体が設けられ、前記薄膜に対向して前記第１の金属体と空間をもって第２の金属体を設けたことを特徴とする電子放出装置。
・・・
【請求項３】前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域と前記表面に露出した薄膜が組成比の異なる多層構造になっていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。
【請求項４】前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域と前記表面に露出した薄膜の組成比を徐々に変化させて形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。」（【特許請求の範囲】）
　
　イ　「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、半導体からの電子放出を利用する電子放出装置に関するものである。」（段落【０００１】）
　
　ウ　「【００２５】【実施例１】図１は、本発明に係る電子放出装置の実施例１を示す断面図である。実施例１の電子放出装置は、シリコン基板１、窒化ホウ素炭素膜２，３、ＳｉＯ２薄膜４、引き出し電極５、カソード電極６およびアノード電極７で構成される。
【００２６】シリコン基板１は、ｎ型のシリコン半導体の基板である。窒化ホウ素炭素薄膜２，３は、ホウ素、炭素、窒素を含む組成比がそれぞれ異なる薄膜である。窒化ホウ素炭素薄膜２は、シリコン基板１と電気的に接続されている。引き出し電極５は、ＳｉＯ２薄膜４によって、電気的に絶縁された第１の金属体である。また、アノード電極７は、引き出し電極５と空間をもって設けられた第２の金属体である。
【００２７】この構成の電子放出装置を次に示す手順で作製した。つまり、図２（Ａ）に示すシリコン基板１上に、三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスとを用いて、プラズマアシスト化学気相合成法によって、図２（Ｂ）に示すように窒化ホウ素炭素薄膜２を１００［ｎｍ］堆積した。このとき、窒化ホウ素炭素薄膜２の組成比を、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４にした。さらに、窒化ホウ素炭素薄膜２の上に、窒化ホウ素炭素薄膜２と組成の異なる窒化ホウ素炭素薄膜３を２００［ｎｍ］堆積した（図２（Ｂ））。このときの窒化ホウ素炭素薄膜３の組成比を、ホウ素０．５、炭素０．０、窒素０．５にした。窒化ホウ素炭素薄膜２，３には、イオウ原子を１×１０１８［ｃｍ−３］の濃度に添加した。
【００２９】その後、フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極５用金属およびＳｉＯ２薄膜４をウェットエッチングにより除去した。これによって、直径５［μｍ］の窓５Ａが形成された（図２（Ｄ））。窓５Ａの中に露出した窒化ホウ素炭素薄膜３の表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極７となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜３に対向させて配置した（図２（Ｄ））。このとき、窒化ホウ素炭素薄膜３とアノード電極７との間隔を１２５［μｍ］とした。
【００３０】前記構成の電子放出装置は、次のようにして用いられる。つまり、引き出し電極５を接地し（図１）、カソード電極６に電源１１を接続し、アノード電極７に電源１２を接続する。これによって、カソード電極６とアノード電極７に各々バイアスが加えられる。さらに、８×１０−７［Ｔｏｒｒ］以下の真空度で、アノード電極７に向かって流れる電流（以下、放出電流という）を測定した。このとき、アノード電圧を５００［Ｖ］と一定にし、カソード電圧を変化させた。この結果、図３に示すように、カソード電圧４０［Ｖ］で０．１［ｍＡ］の高い放出電流が得られた。
【００３１】なお、実施例１では、イオウ不純物を添加した窒化ホウ素炭素薄膜２，３を用いたが、ドナー不純物となるリチウム、酸素、シリコン等の原子を添加した窒化ホウ素炭素薄膜を、窒化ホウ素炭素薄膜２，３の代わりに用いることもできる。無添加窒化ホウ素炭素薄膜を用いて前記と同様の電子放出装置を作製した結果、ターンオン電圧が３０［％］程度増加し、電子放出特性の劣化が見られ、不純物添加の有効性が確認できた。
【００３２】また、シリコン基板１の基板材料として、シリコン以外の様々な導体および半導体を用いても作製できる。半導体基板を用いる場合には、オーミック電極形成可能な材料であれば、どのような金属でもカソード電極６用金属として用いることができる。導体基板を用いる場合には、基板自身をカソード電極として用いることができる。」（段落【００２５】〜【００３２】）
　
　エ　「【００５２】以上、実施例１〜４について説明した。実施例１〜４において、電子放出部の材料として窒化ホウ素薄膜を用いたが、この薄膜内の各元素の組成比は実施例１〜４に示した場合に限定されることなく、様々な組成の窒化ホウ素薄膜を使用することができる。また、２つ以上の電子放出部を同一基板上に作製し、アレーを実現することができる。
【００５３】また、尖塔形状を有する所謂スピント型電子放出素子に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜をコーティングする方法も使用でき、その効果は非常に大きいと考えられる。」（段落【００５２】〜【００５３】）
　
　上記ウから、シリコン基板１がｎ型シリコン半導体基板１であることが読み取れ、窒化ホウ素炭素薄膜２，３が、不純物となるイオウ原子を添加したものであることが読み取れる。同じく、上記ウから、実施例１の電子放出装置は、引き出し電極５を接地し、カソード電極６に電源１１を接続し、アノード電極７に電源１２を接続して用いられるのであるから、電子を放出する側の電極として、ｎ型シリコン半導体基板１と窒化ホウ素炭素薄膜２，３からなる電子放出装置の電極が読み取れる。
　
　したがって、刊行物１には次のとおりの発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
【刊行物発明】
　「ｎ型シリコン半導体基板１と、不純物となるイオウ原子を添加した窒化ホウ素炭素薄膜２，３からなる電子放出装置の電極。」
　
（３）対比
　補正後第１発明と刊行物発明を対比する。
　　ア　刊行物発明の「ｎ型シリコン半導体基板１」は、補正後第１発明の「導電性材料」に相当する。
　　イ　刊行物発明の「窒化ホウ素炭素薄膜２，３」は、補正後第１発明の「窒化ホウ素炭素膜」に相当する。
　　ウ　刊行物発明の「電子放出装置の電極」は、補正後第１発明の「電極」に相当する。
　
　したがって、以上ア〜ウの考察から、両者は、
【一致点】 
　「導電性材料と窒化ホウ素炭素膜からなる電極。」
である点で一致し、以下の相違点で一応相違する。
【相違点】 
　窒化ホウ素炭素膜が、補正後第１発明では、「空間電荷を有する」と規定しているのに対して、刊行物発明では、「不純物となるイオウ原子を添加した」と規定する点。
 　
（４）判断 
　上記一応の相違点について検討する。
　補正後第１発明の「空間電荷を有する」点に関して、本願明細書の発明の詳細な説明の欄には、次のように記載されている。
　「【０００７】【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するための本発明の電極はキャリアを供給するための導電性材料上に膜があり、前記膜内に空間電荷を含むことをことを特徴とする。本発明の電極で電子を放出または注入する場合には膜内に正の空間電荷が用いられ、正孔を注入する場合には膜内に負の空間電荷が用いられる。」（段落【０００７】）
　「【００２５】（実施例１）図１は本発明の第１実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。実施例１の電子放出装置は基板１、窒化ホウ素薄膜２、ＳｉＯｘ膜３、引き出し電極４、アノード電極５、電源６、７、カソード電極８で構成されている。
【００２６】基板１としてここではシリコンを用いた。その上に三塩化ホウ素と窒素ガスを用いたプラズマアシスト化学気相合成（ＣＶＤ）法によって窒化ホウ素薄膜２を１０ｎｍ堆積した。窒化ホウ素薄膜２にはイオウ原子を１×１０１８ｃｍ−３の濃度に添加した。」（段落【００２５】〜【００２６】）
　「【００３１】（実施例２）図２は本発明の第２実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。シリコン基板１上にスピント型尖塔形状が形成され、本発明の窒化ホウ素炭素膜が設けられた電子放出装置であり、基板２１、窒化ホウ素炭素薄膜２２、ＳｉＯｘ膜２３、引き出し電極２４、アノード電極２５、電源２６、２７、カソード電極２８、尖塔形状２９で構成されている。
【００３２】　取り出し電極２４を持つ尖塔形状２９が作製されたｎ型シリコン基板１（１１１）を用い、尖塔形状部２９に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜２２を形成する。・・・窒化ホウ素炭素薄膜２２にはイオウ原子を１×１０１８ｃｍ−３の濃度に添加した。」（段落【００３１】〜【００３２】）
　
　同じく、補正後第１発明の「空間電荷を有する」点について、平成１８年１１月１０日付け手続補正により補正された審判請求書の請求の理由において、請求人は次のように主張している。
　「（４）本発明と引用文献との対比
１．（拒絶理由Ａ、Ｂ）−１について
　旧請求項１の「膜」を、新請求項１において「窒化ホウ素炭素膜」と減縮する補正を行うことにより解消したと思料いたします。
　窒化ホウ素炭素膜は引用文献１（当審注：後記する「引用例１」に同じ。）に記載された窒化ホウ素膜と比較し、電極を構成する膜として使用し、係る電極を電子放出装置として用いた場合に、より低い電圧で動作が可能な優れた材料であります。このことは、本願明細書における実施例１［００２６］で窒化ホウ素膜を用いた電子放出装置が３０Ｖの印加で０．１ｍＡの放出電流を得たのに対し、実施例２［００３２］で、窒化ホウ素炭素膜を用いた電子放出装置が２０Ｖの印加で０．１ｍＡの放出電流を得たという記載からも明らかであります。空間電荷を有する窒化ホウ素炭素膜を用いた電極については、本願以前に開示を行った文献はなく、本願の新請求項１は、新規性、進歩性を持つものであります。また、審査官殿は、「引用文献１に明記されていないものの窒化ホウ素電子放出素子表面層が空間電荷を有することは当業者には明らかである」と主張されておりますが、窒化ホウ素膜や窒化ホウ素炭素膜が空間電荷を持つのはイオウなどの不純物を含んでいるからであり、窒化ホウ素を用いたというだけで空間電荷が形成されるものではありません。本願明細書における実施例１［００２９］において、不純物として、イオウ、リチウム、酸素、シリコンを添加した窒化ホウ素膜、実施例２［００３２］において、不純物としてイオウを添加した窒化ホウ素炭素膜について記載されております。引用文献１には、空間電荷の記載も不純物の記載もありません。空間電荷を有する窒化ホウ素炭素膜からなる電極は公知のものではなく、本願の新請求項１は、新規性、進歩性を持つものであります。」
　
　上記本願明細書の記載及び請求の理由の主張によれば、補正後第１発明の窒化ホウ素炭素膜が空間電荷を有するのは、窒化ホウ素炭素膜にイオウ原子が添加されたことによるものと解される。
　そうすると、刊行物発明の窒化ホウ素炭素薄膜２、３は、「不純物となるイオウ原子を添加した」ものであることが規定されているから、刊行物発明の「不純物となるイオウ原子を添加した」窒化ホウ素炭素薄膜２、３も、補正後第１発明の窒化ホウ素炭素膜と同じく空間電荷を有するものであると解される。
　したがって、上記一応の相違点は実質的な相違点であるとはいえず、補正後第１発明は、刊行物発明であるというべきであり、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、平成１８年１１月１０日付けで手続補正された審判請求書の請求の理由（１）において、
　「なお、その後さらに検討しました結果、上記拒絶理由６に示された請求項５の「アモルファス、結晶粒界を含む膜」については、審査官殿が指摘された通り、十分な開示がなされていないとの結論に至りました。また、上記拒絶理由７に示された請求項９（補正後の請求項８）の「マイクロ波進行波管、撮像素子」については、審査官殿が指摘された通り、他の選択肢である「フィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、電子ビームを用いた材料評価装置」と類似の性質又は機能を有していないとの結論に至りました。これらの装置についての記載を請求項から削除したいと存じます。従いまして、別紙１記載の通りに特許請求の範囲を補正するための機会を与えていただきたくお願い申し上げます。」
と主張し、以下のとおりの希望補正案を提示している。
　「（希望補正案）
【特許請求の範囲】
【請求項１】導電性材料と空間電荷を有する窒化ホウ素炭素膜からなることを特徴とする電極。
【請求項２】前記導電性材料が金属、半導体、グラファイトのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の電極。
【請求項３】前記導電性材料表面が凹凸を有するまたは尖塔状形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】前記導電性材料表面に不定形または繊維状の金属、半導体またはグラファイトが存在することを特徴とする請求項１または２に記載の電極。
【請求項５】前記膜が不純物原子を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項６】前記膜の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれか１項記載の電極を用いたことを特徴とする電子放出装置
【請求項８】請求項７記載の電子放出装置を用いたことを特徴とするフィールドエミッションディスプレイ、電子ビーム露光装置、または、電子ビームを用いた材料評価装置。
【請求項９】請求項７記載の電子放出装置を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】請求項９記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置、液晶ディスプレイのバックライト、または、表示ランプ。
【請求項１１】請求項１ないし６のいずれか１項記載の電極を放電セルの電極として用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
【請求項１２】請求項１ないし６のいずれか１項記載の電極を用いたことを特徴とする有機発光装置。
【請求項１３】請求項１２記載の有機発光装置を用いたことを特徴とする表示装置。」
　
　しかしながら、上記希望補正案は、原査定の拒絶理由Ｃ（３６条６項１号及び２号違反）の対象とされた請求項５、請求項９及び請求項１１に対応する希望補正案の請求項５、請求項８及び請求項１０の記載については、拒絶理由Ｃ（３６条６項１号及び２号違反）は解消すると判断されるものの、当該希望補正案の請求項１の記載は、平成１８年９月２２日付けの手続補正書の請求項１の記載と同じであるから、希望補正案のとおりに補正したとしても、上記「第２」の「２独立特許要件について」で記載した理由と同じ理由により希望補正案の請求項１に記載されている事項により特定される発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができないものである。したがって、請求人の提示した希望補正案のごとく補正する補正の機会を与えたとしても上記結論に変わりはないので、補正の機会を与える必要はない。
 　 
（５）むすび 
　以上のとおりであるから、補正後第１発明は、刊行物発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１８年９月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】導電性材料と空間電荷を有する膜からなることを特徴とする電極。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２０８６１８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　１　「【請求項２】電子を放出するエミッタ部を備えた電子放出素子において、前記エミッタ部表面層の主成分が３族元素と窒素との化合物により構成されていることを特長とする電子放出素子。」（【特許請求の範囲】）
　２　「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型ディスプレイ装置に用いる高い電子放出特性ならびに表面安定性を有する電子放出素子、およびその製造方法に関するものである。」（段落【０００１】）
　３　「【００２５】（実施の形態２）図３は、本発明に係わる先端が平面である電子放出素子の概略構成図である。図３において、２１は基板、２２は絶縁層、２３は引き出し電極層、２４は電子を放出するエミッタ部を構成する電子放出素子表面層である。この電子放出素子を陰極とし、対向側には、基板上に透明電極、蛍光体薄膜からなる陽極基板を配置し、陰極と陽極との間に所定の電圧を印加すると、電子エミッタ部の先端から真空中に電子が放出され、加速された電子は蛍光体薄膜に到達し、電子が蛍光体薄膜に衝突することにより、蛍光体薄膜が発光するものである。」（段落【００２５】）
　４　「【００３６】（実施例２）図６は、本発明による先端が平面である電子放出素子の実施例２の構成図である。電子放出素子６０は電子を放出するための窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４を有する。厚さ１０ｎｍの電子放出素子表面層６４は、シリコン（Ｓｉ）基板６１上にアイランド状に形成されている。シリコン基板６１上には厚さ５００ｎｍの酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜６２、さらに厚さ２００ｎｍでφ０．５μｍのモリブデン（Ｍｏ）引き出し電極６３が形成されている。
【００３７】窒化ホウ素電子放出素子表面層６４は、シリコン表面に均一に形成されているが、フォトマスクを利用することによって、アスペクト比（底辺に対する高さの割合）の大きい微小円柱形状とすることが可能であり、より効果的である。
【００３８】窒化ホウ素は低仕事関数材料であり、しかも機械的に高強度であり、また、熱的に安定なため、シリコン表面に形成することにより、安定に電子を放出するという効果を発揮する。電子放出素子表面層は窒化ホウ素の他に、３族元素と窒素との化合物の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、でも同様の効果が得られる。」（段落【００３６】〜【００３８】）
　
　上記３によれば電子放出素子は陰極に用いられ、上記４によれば窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４から電子が放出されることから、シリコン（Ｓｉ）基板６１と窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４からなる陰極が読み取れる。
　したがって、引用例１には次のとおりの発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
【引用発明】
　「シリコン（Ｓｉ）基板６１と該基板６１上にアイランド状に形成された厚さ１０ｎｍの窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４からなる陰極。」
　
第５　対比
　本願第１発明と引用発明とを対比する。
　１　引用発明の「シリコン（Ｓｉ）基板６１」は、本願第１発明の「導電性材料」に相当する。
　２　本願第１発明の「膜」について、本願明細書には、実施例２として、「【００３１】（実施例２）図２は本発明の第２実施例に係る電子放出装置の断面概略図を示す。シリコン基板１上にスピント型尖塔形状が形成され、本発明の窒化ホウ素炭素膜が設けられた電子放出装置であり、基板２１、窒化ホウ素炭素薄膜２２、ＳｉＯｘ膜２３、引き出し電極２４、アノード電極２５、電源２６、２７、カソード電極２８、尖塔形状２９で構成されている。【００３２】取り出し電極２４を持つ尖塔形状２９が作製されたｎ型シリコン基板１（１１１）を用い、尖塔形状部２９に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜２２を形成する。プラズマアシスト化学気相合成法により三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスを用いて窒化ホウ素炭素薄膜２２（組成比、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４）を１０ｎｍ堆積した。」と記載されていることから、本願第１発明の「膜」は、シリコン基板１上の全面に窒化ホウ素炭素薄膜が設けられたもの以外にも、シリコン基板１の一部に形成された尖塔形状２９の部分にのみ窒化ホウ素炭素薄膜２２を形成したものをも含むと解される。したがって、引用発明の「基板６１上にアイランド状に形成された厚さ１０ｎｍの窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４」は、本願第１発明の「膜」に相当する。
　３　引用発明の「陰極」は、本願第１発明の「電極」に相当する。
　
　したがって、以上１〜３の考察から、両者は、次の一致点及び相違点を有する。
【一致点】 
　「導電性材料と膜からなる電極。」
【相違点】 
　膜が、本願第１発明では、「空間電荷を有する」のに対して、引用発明では、空間電荷を有するか不明である点。
　
第６　判断
　上記相違点について検討する。
　例えば、電子を放出する側の電極を構成する膜に関して、特表平１１−５０４７５１号公報（原査定において他の請求項について拒絶の理由に引用された。以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　「本発明においては、超小型電子デバイスに特に有用な冷陰極を形成するための材料として、窒化ホウ素が使用される。」（明細書６頁２１〜２２行）、
　「次に図１を参照すると、シリコン基板２２を有する超小型電子デバイス２０が示されており、シリコン基板２２上にはｎ形ダイヤモンド層２４が配置されている。このダイヤモンド層２４上には、電子エミッタとして機能するｎ形窒化ホウ素層２６が設けられている。電極２８は窒化ホウ素層２６とオーム接触している。電極３０は主表面３２から所定距離の位置に配置され、ギャップ３４を形成する。」（明細書６頁２８行〜７頁５行）、
　「この特定の実施態様では、デバイス２０は真空ダイオードであり、したがって様々な層によって気密封止チャンバ３８が形成されている。デバイス２０を形成するために利用する薄膜形成技術は、本明細書の教示に基づいて当業者により理解されるであろうし、新規な冷陰極構造を形成することが窒化ホウ素を用いることであることも理解されるべきである。三極管、五極管、マグネトロン、フラットパネルディスプレイおよび電圧調整装置、光電子増倍管などのような陰極を利用する他の多くの超小型電子デバイスが、本発明の教示に基づいて陰極材料としてｎ形窒化ホウ素を使用して形成されることが意図されている。したがって、１つの態様の本発明は、冷陰極としてｎ形窒化ホウ素を発見したことに基づくあらゆる種類の電子デバイスに適用される。」（明細書７頁１０〜１９行）、
　「再び図１を参照すると、電極２８（負極）と３０（正極）との間に適切な電圧を印加すると、ｎ形窒化ホウ素層２６は、ギャップ３４を介して電極３０へ電子を放出し、回路を完成する。」（明細書７頁２０〜２２行）、
　「窒化ホウ素層２６は、本発明の多くの利点、すなわち低い引出電圧および周囲温度における高電流発生をもたらす。したがって、窒化ホウ素層２６、ダイヤモンド層２４およびシリコン支持層２２の３層全部が設けられることが好ましいが、用途によっては、シリコン層２２、ダイヤモンド層２４またはそのいずれも設けられない方が適していることもある。また、異なる支持層を使用することが適していることもあり、また用途によっては、例えば窒化ホウ素を自立陰極として形成すべく適切なエッチング材または微細加工技術を用いて全ての支持層を除去することが適していることもある。デバイス２０においては、窒化ホウ素層２６は、厚さが約０．００１ないし約１５００ミクロンであることが好ましく、厚さが約０．１ないし約１０ミクロンであることがより好ましい。窒化ホウ素層のサイズは、特定の用途によって部分的に決定される。窒化ホウ素層２６は、約１０１６ｃｍ３ないし約１０２２ｃｍ３の濃度まで、より好ましくは約１０１８ｃｍ３ないし約１０２０ｃｍ３の濃度までｎ形不純物が添加される。適切なｎ形ドーパントは炭素、リチウムおよび硫黄である。」（明細書８頁１８行〜９頁４行）
　
　これらの記載によれば、電子を放出する側の電極である窒化ホウ素層２６にｎ形不純物を添加すること、及び、添加するｎ型不純物は炭素、リチウム及び硫黄が適切であることが読み取れるから、電子を放出する側の電極、すなわち、陰極を構成する窒化ホウ素層にｎ型不純物を添加することは周知技術であると認められる。
　したがって、引用発明の窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４に、引用例２記載の窒化ホウ素層にｎ型不純物を添加する周知技術を適用することは当業者が容易になし得るものであり、引用発明の窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４にｎ型不純物を添加すれば空間電荷を有することになることは、明らかである。
　よって、引用発明の窒化ホウ素（ＢＮ）電子放出素子表面層６４に、引用例２記載の周知技術を適用することにより、本願第１発明のごとく空間電荷を有する膜とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願第１発明の奏する効果は、引用例１及び２の記載事項から、当業者であれば予測し得る範囲内のものにすぎず、格別なものとはいえない。
　
第７　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用発明及び引用例２記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜１４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。