【事件の表示】
　特願２００４−２９０１０８「グレートーンマスク及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月１３日出願公開、特開２００５−　１０８１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成１２年１２月１９日に出願した特願２０００−３８６０９３号の一部を平成１６年１０月１日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年１０月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１９年１１月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年１２月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成１９年１２月２５日付け手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１９年１２月２５日付け手続補正を却下する。
[理由］独立特許要件違反
　平成１９年１２月２５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）により、本件補正前の請求項１は、
「【請求項１】
遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、
該グレートーン部を通過する光を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものであるＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスクにおいて、
前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有し、
前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含み、
前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含むことを特徴とするグレートーンマスク。」から
「【請求項１】
遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、
該グレートーン部を通過する光を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものであるＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスクであって、
前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有するＴＦＴ形成用グレートーンマスクにおいて、
前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含み、
前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含み、
前記遮光膜及び前記半透光膜は、同一エッチング液で処理される膜である
ことを特徴とするグレートーンマスク。」
に補正された。
　　
　そして、この補正は、補正前の「ＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスクにおいて、前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有し、」を、「ＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスクであって、前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有するＴＦＴ形成用グレートーンマスクにおいて、」と限定し、また、補正前の「遮光膜」及び「半透光膜」に関して、「前記遮光膜及び前記半透光膜は、同一エッチング液で処理される膜である」と限定するものである。
　
　したがって、この補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）本件補正後の本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面からみて、その請求項１に記載されたとおりのものと認める。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願である特願２０００−３８６０９３号の出願前（以下単に「本願の出願前」という。）に頒布された刊行物である特開平９−８０７４０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、「露光マスクおよび半導体装置の製造方法」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項１＞　　　　　　　　　　　　　　　　　　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ用の露光マスク、およびこの露光マスクを用いる半導体装置の製造方法に関するものである。」
＜記載事項２＞
「【００１３】
【実施例】つぎに、本発明に係る露光マスクの実施例を、図面を参照して説明する。
実施例１
図１の断面図に示す露光マスクの構成を、その製造工程とともに説明すると、マスク基板１上に酸化クロム、シリコン窒化物等からなる半透過膜２を成膜後、この半透過膜２上にクロム等の金属からなる遮光膜３を形成してブランクマスクとする。このブランクマスクについて、遮光膜３における溝配線部分に対応する部分をドライエッチングで除去することにより開口部３ｂを形成して半透過膜２を露出させた後、この露出部分のうち溝配線部分に対応する部分をエッチングにより除去して開口部２ｂを形成するとともに、マスク基板１を露出させる。」
＜記載事項３＞
「【００１４】これにより、マスク基板１のみからなる全透過部１ａと、その外側にマスク基板１と半透過膜２が重なり合う半透過部２ａと、更にその外側にマスク基板１と半透過膜２と遮光膜３が重なり合う遮光部３ａとを形成する。この露光マスクでは、１回の露光と１回のエッチングにより、図３（ａ）に示すように、レジスト１４について溝部１４ａ，１４ｂを同時に形成することが可能となる。
【００１５】なお、遮光膜３のドライエッチングでは、エッチング選択比が大きいため、同時に半透過膜２がエッチングされるのを防ぐことができる。」
　
＜記載事項４＞　
「【００１６】通常用いられるハーフトーンマスクは酸化クロム膜であって、透過度が１０％未満のものであるのに対して、本発明の半透過膜は、透過度が１０％以上、７０％以下の範囲内に設定される。実施例１の露光マスクを使用した場合の透過度（露光量）の分布は、上記説明から明らかなように図２に示すとおりになる。
【００１７】酸化クロム膜であっても、その膜厚や酸化度を適切な値に設定することにより透過度を１０％以上にすることができるが、透過度を３０％以上にするには、シリコン窒化膜を用いるのが好ましい。
【００１８】本発明に係る露光マスクは、結果的に図２に示す形態の透過度分布が得られ、かつ容易に作製できるものであればよく、実施例１の他に、マスク基板の片面側に半透過膜を、反対面側に遮光膜をそれぞれ成膜してブランクマスクとし、このブランクマスクにおける、溝配線部分に対応する部分の半透膜、遮光膜をそれぞれ除去したものとしてもよい。ただし、透過度は図２において、Ａの部分で実質的に１００％、Ｂの部分で１０％〜７０％、Ｃの部分で実質的に０％であることが必要である。」
　そして、記載事項３、４の記載事項、及び図１に図示された露光マスクによって、ポジレジスト１４に深さが異なる溝部１４ａ，１４ｂが図３（ａ）に図示されるように形成され、図２に示す透過度分布が得られていることからみて、半透過部２ａは露光光を１０％〜７０％透過し、また半透過部２ａは、露光光を１０％〜７０％透過させることにより、ポジレジスト１４の厚みが部分的に低減した溝部１４ｂを形成するために用いられ、ことは明らかである。
　
　また、記載事項１の記載から、引用刊行物１に記載されたリソグラフィ用の露光マスクは、半導体装置用露光マスクとも呼べることは明らかである。
　
　したがって、上記記載事項１ないし４及び図面に基づけば、引用刊行物１には、
「遮光部３ａと、全透過部１ａと、露光光を１０％〜７０％透過する半透過部２ａとが形成された露光マスクであって、
該半透過部２ａは、露光光を１０％〜７０％透過させることにより、ポジレジスト１４の厚みが部分的に低減した溝部１４ｂを形成するために用いられる半導体装置用露光マスクであって、
前記遮光部３ａが、マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａであり、
前記半透過部２ａが、マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである
露光マスク。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　　
　本願の出願前の平成１２年１１月２日に頒布された刊行物である特開２０００−３０５１１３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「液晶表示装置とその製造方法」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項５＞
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低コストで広視野角・高画質の大画面アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。」
＜記載事項６＞
「【００５７】（略）透過光量変調ホトマスク（図５０……ホトマスク断面図）（図６０……ホトマスク平面図）を用いてポジレジストを露光すると図６１のような断面形状が得られる。（中略）未露光部のポジレジスト膜厚▲６５▼は１．２〜２．０μｍ程度であり、半透過光量領域の露光領域のポジレジスト膜厚▲６６▼は、０．０５〜０．２μｍ付近を利用する。図６２は、本発明で用いたプロセスフローの図である。（中略）それから薄膜トランジスタ素子のチャネル部分▲６３▼の薄く残ったポジレジストをプラズマアッシング処理により除去してから、チャネル部の金属層とｎ＋層を前と同じウエットエッチングとドライエッチングにより除去する。次にホトレジストをはくりした後バッシベーション膜を局所的に部分堆積してアクティブ素子基板が完成する。」
＜記載事項７＞
「【図面の簡単な説明】
（中略）
【図５９】本発明の透過光量調整ホトマクスの断面図
【図６０】本発明の透過光量調整ホトマクスの平面図
【図６１】本発明の透過光量調整ホトマクスを用いて露光・現像処理したポジレジストの断面図
（中略）
【符号の説明】
（中略）
５９……ホトマスク用石英ガラス基板
６０……半透過ホトマスク領域
６１……ホトマスク金属（ＣｒまたはＭｏ）
（略）」
　
　図５９に示されたホトマスクにおいて、ホトマスク金属６１とガラス基板とからなる部分（右側及び左側の２カ所）は、本願補正発明の遮光部に、半透過ホトマスク領域６０とガラス基板とからなる部分は、本願補正発明のグレートーン部に、ガラス基板のみからなる部分は、透光部に相当する。
　そして、上記ホトマスク金属６１とガラス基板とからなる部分（右側及び左側の２カ所）の、右隣及び左隣は、ガラス基板のみからなる部分である。
　
　すなわち、引用刊行物２には、アクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴ形成用のホトマスクにおいて、遮光部と透光部が隣接する部分を有することが記載されている。
　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２３２４８２号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、「露光用フォトマスク」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項８＞
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置に使用される露光用フォトマスクに関し、特に、段差を有する半導体基板等の被露光材を露光するのに適合した露光用フォトマスクに関する。」
＜記載事項９＞
「【００３８】図１０は、図１に示す本発明の露光用フォトマスクの製造方法を示す説明図である。まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板２１上にＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２膜２３、クロム膜２４、レジスト２５を順次堆積したものを準備する。ここでＭｏＳｉ系の半透明膜２２は適当な透過率を持つ膜厚に調整しておく。また、クロム膜２４は完全に遮光する膜厚にする。またＳｉＯ２膜２３はマスクを使用する際の露光光に対して透明なものである。
【００３９】次いで、図１０（ｂ）に示すように、レジストパターンを形成し、それをマスクとして、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２までエッチングした後、レジスト２５を剥離すると図１０（ｃ）に示すようになる。
【００４０】次いで、クロム膜２４の上にレジスト２６を塗布し、図１０（ｄ）に示すように、第１の領域のみにレジスト２６が残るようにレジストパターンを形成する。レジスト２６をマスクとしてクロム膜２４のみをエッチングすると、図１０（ｅ）に示すように、本発明の露光用フォトマスクが完成する。ここで、ＳｉＯ２膜２３はエッチングのストッパーとして機能する。この製造方法では、遮光膜をクロム、半透明膜をＭｏＳｉ系の遮光膜で構成しているが、これに限らず適当な遮光性と透過率を持つ膜であればクロムの代わりに使用できる。なお、位相差は半透明膜の厚さによって生じるのでＭｏＳｉ系の半透明膜の厚さと透過率を調整することによって対処する。」
　
　そして、図１０（ｅ）に示された露光用フォトマスクは、ガラス基板の上に、順に半透明膜２２、エッチングストッパとして機能するＳｉＯ２膜２３、クロム膜２４が形成されている。
　
　したがって、記載事項８及び９、並びに図面の記載からみて、引用刊行物３には、露光用フォトマスクにおいて、透明基板上（ガラス基板の上）に、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２のエッチングストッパ膜２３、クロムの遮光膜２４が順次形成された積層部（以下「積層部１」という。）と、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２のエッチングストッパ膜２３が順次形成された積層部（以下「積層部２」という。）を含むことが記載されている。
　そして、積層部１は、本願補正発明の「遮光部」の機能を有し、また、積層部２は、本願補正発明の「グレートーン部」の機能を有すことは明らかである。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
ア　引用発明の「遮光部３ａ」、「全透過部１ａ」、「露光光を１０％〜７０％透過する」、「半透過部２ａ」、「形成された」は、本願補正発明の「遮光部」、「透光部」、「露光光の一部を透過する」、「グレートーン部」、「有する」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「露光マスク」は、半透過部２ａが形成されているので、本願補正発明の「グレートーンマスク」に相当する。
　
イ　引用発明の「該半透過部２ａは、露光光を１０％〜７０％透過させることにより」は本願補正発明の「該グレートーン部を通過する光を低減し」に相当する。
　また、引用発明の「ポジレジスト１４の厚みが部分的に低減した溝部１４ｂを形成するために用いられる」は、本願補正発明の「フォトレジストの膜厚を選択的に変えるものである」に相当する。
　したがって、引用発明の「該半透過部２ａは、露光光を１０％〜７０％透過させることにより、ポジレジスト１４の厚みが部分的に低減した溝部１４ｂを形成するために用いられる」は、本願補正発明の「このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものである」に相当する。
　そして、引用発明の「半導体装置用露光マスク」は半透過部２ａが形成されているので、引用発明の「半導体装置用露光マスク」と本願補正発明の「ＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスク」とは、グレートーンマスクの点で一致する。
　
ウ　引用発明の「酸化クロム膜からなる半透過膜２」、「クロムの金属からなる遮光膜３」は、本願補正発明の「Ｃｒ化合物からなる半透光膜」、「Ｃｒを主成分とする遮光膜」に、それぞれ相当する。
　また、引用刊行物１の記載事項２ないし４に記載された、マスク基板１に、半透過膜２と、遮光膜３を形成する順番からみて、マスク基板１に、半透過膜２と、遮光膜３とが順次形成されていることは明らかである。
　
　したがって、引用発明の「前記遮光部３ａが、マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａであり」と本願補正発明の「前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含み」とは、前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含む点で一致する。
　
エ　引用発明の「前記半透過部２ａが、マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである」と本願補正発明の「前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含み」とは、前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜を含む点で一致する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明の両者は、
「遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、
該グレートーン部を通過する光を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものであるグレートーンマスクであって、
前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含み、
前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜を含むグレートーンマスク。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
[相違点１]
　グレートーンマスクが、本願補正発明は、「ＬＣＤ用又はＰＤＰ用」であるのに対して、引用発明は、「半導体装置用」である点。
[相違点２]
　グレートーンマスクが、本願補正発明は、「前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有するＴＦＴ形成用グレートーンマスク」であるのに対して、引用発明は、そのように限定されていない点。
[相違点３]
　遮光部が、本願補正発明は、「透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含」むのに対して、引用発明は、「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａである」点、すなわち、半透過膜２と遮光膜３との間にエッチングストッパー膜がない点。
[相違点４]
　グレートーン部が、本願補正発明は、「前記透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含」むのに対して、引用発明は、「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである」点、すなわち、マスク基板１上にエッチングストッパー膜がない点。
[相違点５]
　本願補正発明は、「前記遮光膜及び前記半透光膜は、同一エッチング液で処理される膜である」のに対して、引用発明は、そのように限定されていない点。
　　
（４）当審の判断
ア　相違点１について
　本願明細書において提示された先行技術文献である、月刊「ＦＰＤ」Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ、１９９９年５月、ｐ３１−３５に記載されるように、半透過型マスクを用いたハーフトーン露光によりＴＦＴ・ＬＣＤを製造すること、すなわち、グレートーンマスクをＬＣＤのＴＦＴ形成のために用いることは、従来周知の事項である。
　
　したがって、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項は、従来周知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
イ　相違点２について
　上述したように、引用刊行物２には、アクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴ形成用のホトマスクにおいて、遮光部と透光部が隣接する部分を有することが記載されている。
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
　
　なお、請求項１には、「前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有するＴＦＴ形成用グレートーンマスク」と記載されているが、本願の図２に示されるように、この記載が仮に、前記遮光部と前記透光部が隣接する部分を有し、前記透光部が前記遮光部によって囲まれていると解釈できたとして、検討する。
　まず、ＴＦＴ形成用グレートーンマスクの点は、「ア　相違点１について」の項で検討済みである。
　そして、前記透光部等の配置は、本願補正発明のグレートーンマスクによって製造されるＴＦＴのパターン形状、構造に応じて、適宜に決定し得る設計事項であり、格別なものではない。　
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項は、従来周知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
ウ　相違点３、４について
　相違点３、４を併せて検討する。
　
　上述したように、引用刊行物３には、露光用フォトマスクにおいて、透明基板上（ガラス基板の上）に、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２のエッチングストッパ膜２３、クロムの遮光膜２４が順次形成された積層部（以下「積層部１」という。）と、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２のエッチングストッパ膜２３が順次形成された積層部（以下「積層部２」という。）を含むことが記載されている。そして、積層部１は、本願補正発明の「遮光部」の機能を有し、また、積層部２、本願補正発明の「グレートーン部」の機能を有することは、その積層部を構成する各層の機能からみて自明である。
　
　ところで、引用発明は、半透過膜２が酸化クロム膜からなり、また、遮光膜３がクロムの金属からなる。そして、引用刊行物１には、遮光膜３をドライエッチングすることにより、同時に半透過膜２がエッチングされるのを防ぐことができる（記載事項２）。
　この記載を当業者がみれば、引用刊行物１には、ドライエッチングとは別異のウエットエッチングを用いて遮光膜をエッチングする場合、半透過膜２もエッチングされてしまうという問題が示唆されているといえる。そこで、その対策として、引用刊行物３に記載されているような、エッチングストッパ膜を、遮光膜３と半透過膜２との間に介在させることは、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　したがって、相違点３の遮光部について、引用発明の「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａであり」に代えて、本願補正発明の「透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含」むようにすることは、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　また、相違点４のグレートーン部について、引用発明の「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである」に代えて、本願補正発明の「透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含」むようにすることは、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　よって、相違点３、４に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
　
エ　相違点５について
　引用発明において、半透過膜２は、酸化クロム膜からなるものであり、また、遮光膜３は、クロムの金属からなるものである。そして、酸化クロム及びクロムの金属は、硝酸第２セリウムアンモニウムと加塩素酸水との混合液によりエッチングされるから（特開平１１−３２７１６６号公報の段落【００３０】、【００３１】）、引用発明の半透過膜及び遮光膜は、同一のエッチング液で処理され得るものである。
　
　したがって、相違点５に係る本願補正発明の発明特定事項は、格別なものではない。
　　　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用刊行物１ないし３の記載、及び従来周知の事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１ないし３に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　よって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　
（５）まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明について
　平成１９年１２月２５日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年９月２１付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載されたとおりのものと認める。（前記「２」の項参照。）
　
４　引用刊行物
　引用刊行物１、３に記載された事項は、前記「２（２）」に記載されたとおりである。
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　ア　引用発明の「遮光部３ａ」、「全透過部１ａ」、「露光光を１０％〜７０％透過する」、「半透過部２ａ」、「形成された」は、本願発明の「遮光部」、「透光部」、「露光光の一部を透過する」、「グレートーン部」、「有する」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「露光マスク」は、半透過部２ａが形成されているので、本願発明の「グレートーンマスク」に相当する。
　
イ　引用発明の「該半透過部２ａは、露光光を１０％〜７０％透過させることにより」は本願発明の「該グレートーン部を通過する光を低減し」に相当する。
　また、引用発明の「ポジレジスト１４の厚みが部分的に低減した溝部１４ｂを形成するために用いられる」は、本願発明の「フォトレジストの膜厚を選択的に変えるものである」に相当する。
　したがって、引用発明の「該半透過部２ａは、露光光を１０％〜７０％透過させることにより、ポジレジスト１４の厚みが部分的に低減した溝部１４ｂを形成するために用いられる」は、本願発明の「このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものである」に相当する。
　そして、引用発明の「半導体装置用露光マスク」と本願発明の「ＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスク」とは、グレートーンマスクの点で一致する。
　
ウ　引用発明の「酸化クロム膜からなる半透過膜２」、「クロムの金属からなる遮光膜３」は、本願発明の「Ｃｒ化合物からなる半透光膜」、「Ｃｒを主成分とする遮光膜」に、それぞれ相当する。
　また、引用刊行物１の記載事項２ないし４に記載された、マスク基板１に、半透過膜２と、遮光膜３を形成する順番からみて、マスク基板１に、半透過膜２と、遮光膜３とが順次形成されていることは明らかである。
　
　したがって、引用発明の「前記遮光部３ａが、マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａであり」と本願発明の「前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含み」とは、前記遮光部が、透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含む点で一致する。
　
エ　引用発明の「前記半透過部２ａが、マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである」と本願発明の「前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含み」とは、前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜を含む点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明の両者は、
「遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、
該グレートーン部を通過する光を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものであるグレートーンマスクにおいて、
前記遮光部が、透明基板上に順次形成された半透光膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含み、
前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜を含むグレートーンマスク。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
[相違点１]
　グレートーンマスクが、本願発明は、「ＬＣＤ用又はＰＤＰ用」であるのに対して、引用発明は、「半導体装置用」である点。
[相違点２]
　グレートーンマスクが、本願発明は、「前記遮光部と、前記透光部が隣接する部分を有」するのに対して、引用発明は、そのように限定されていない点。
[相違点３]
　遮光部が、本願発明は、「透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含」むのに対して、引用発明は、「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａである」点、すなわち、半透過膜２と遮光膜３との間にエッチングストッパー膜がない点。
 [相違点４]
　グレートーン部が、本願発明は、「透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含」むのに対して、引用発明は、「マスク基板１と半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである」点、すなわち、マスク基板１上にエッチングストッパー膜がない点。
　
６　判断　
（１）相違点１について
　本願明細書において提示された先行技術文献である、月刊「ＦＰＤ」Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ、１９９９年５月、ｐ３１−３５に記載されるように、半透過型マスクを用いたハーフトーン露光によりＬＣＤを製造すること、すなわち、ＬＣＤ用のグレートーンマスクは、従来周知の事項である。
　
　したがって、相違点１に係る本願発明の発明特定事項は、従来周知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
（２）相違点２について
　本願発明のＬＣＤ用又はＰＤＰ用グレートーンマスクにおける遮光部と透光部の配置は、本願発明のグレートーンマスクによって製造されるＬＣＤ又はＰＤＰを構成するＴＦＴ等のパターン形状、構造に応じて、適宜に決定し得る設計事項であり、本願発明の「前記遮光部と前記透光部が隣接する部分を有し」という事項は、格別なものではない。
　
　したがって、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、格別なものではない。
　
（３）相違点３、４について
　相違点３、４を併せて検討する。
　
　上述したように、引用刊行物３には、露光用フォトマスクにおいて、透明基板上（ガラス基板の上）に、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２のエッチングストッパ膜２３、クロムの遮光膜２４が順次形成された積層部（以下「積層部１」という。）と、ＭｏＳｉ系の半透明膜２２、ＳｉＯ２のエッチングストッパ膜２３が順次形成された積層部（以下「積層部２」という。）を含むことが記載されている。そして、積層部１は、本願発明の「遮光部」の機能を有し、また、積層部２、本願発明の「グレートーン部」の機能を有することは、その積層部を構成する各層の機能からみて自明である。
　
　ところで、引用発明は、半透過膜２が酸化クロム膜からなり、また、遮光膜３がクロムの金属からなる。そして、引用刊行物１には、遮光膜３をドライエッチングすることにより、同時に半透過膜２がエッチングされるのを防ぐことができる（記載事項２）。
　この記載を当業者がみれば、引用刊行物１には、ドライエッチングとは別異のウエットエッチングを用いて遮光膜をエッチングする場合、半透過膜２もエッチングされてしまうという問題が示唆されているといえる。そこで、その対策として、引用刊行物３に記載されているような、エッチングストッパ膜を、遮光膜３と半透過膜２との間に介在させることは、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　したがって、相違点３の遮光部について、引用発明の「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２とクロムの金属からなる遮光膜３が重なり合う遮光部３ａであり」に代えて、本願発明の「透明基板上に順次形成されたＣｒ化合物からなる半透光膜、エッチングストッパー膜、Ｃｒを主成分とする遮光膜を含」むようにすることは、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　また、相違点４のグレートーン部について、引用発明の「マスク基板１と酸化クロム膜からなる半透過膜２が重なり合う半透過部２ａである」に代えて、本願発明の「透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含」むようにすることは、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　よって、相違点３、４に係る本願発明の発明特定事項は、引用刊行物１、３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用刊行物１、３の記載、及び従来周知の事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、３に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、３に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。