【事件の表示】
　平成　９年特許願第　　２９３３号「集積型薄膜光電変換装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　７月３１日出願公開、特開平１０−２００１３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明 
　
　本願は、平成９年１月１０日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１４年６月７日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
　
「【請求項１】
　絶縁基板上に順次積層された第１電極層，半導体光電変換層および第２電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜光電変換装置の製造方法であって、
　前記電極層を分離するための電極分離溝の各々は、前記基板を載置するステージとレーザビームを射出するビームヘッドとの少なくとも一方の移動によって生ぜられる前記基板と前記レーザビームのスポットとの間の相対的移動により、間欠的なレーザビームのスポットに対応した孔が連続することによって形成され、
　１つの前記電極分離溝の形成は前記相対的移動の速度が一定状態に達した後に、レーザビームのスポットが前記基板内にある状態で前記レーザビームを遮蔽するシャッタを開けることによって開始され、かつ前記相対的移動速度が一定状態を維持している間に前記シャッタを閉じることによって終了することにより、それらの孔の中心間隔は１つの前記電極分離溝の全域にわたって実質的に等間隔に形成されることを特徴とする製造方法。」（以下、「本願発明」という。） 
 　 
２．刊行物の記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−９７４５３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１）「【請求項１】
　透明絶縁基板上に、透明導電膜、非晶質シリコン層、裏面電極を順次形成した構造を持ち、透明導電膜と裏面電極の間に導通性を持たせた集積化太陽電池モジュールの製造方法において、該非晶質シリコン層と裏面電極を順次形成した後、中心位置に半月形の突起を有する邪魔板を、レーザー光路の途中に配置せしめてなるアーチ形の断面形状を有するパルスレーザー光を連続的に照射せしめて、裏面電極と透明導電膜の電気的な導通を隙間なく生じさせるとともに、該生じせしめた導通部分の重なりをできるだけ押さえるようにすることを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。」、
　
（２）「【００３５】
【実施例】
実施例１
ガラス基板１上に酸化錫からなる透明導電膜２を、減圧プラズマ化学気相蒸着法により厚み１μｍの膜を形成し、１０cm×１０cmのサイズに切り出した後に、基板表面をブラシ洗浄により洗浄し付着の異物を除去した。洗浄した透明導電膜付きのガラス基板を水平ＸＹ軸方向に可動なステージにのせた。レーザーを発振させると同時に、可動ステージを直線的に移動させながらレーザーを連続照射させ、透明導電膜を分離分割させることにより、透明導電膜ユニット21、22、23、24を形成した。この時に用いるレーザーは基板１に対して殆ど吸収のない波長をもつものを選択した。選択される波長の範囲としては、３５０ｎｍから２０００ｎｍであることが望ましい。実施例にあたっては、波長１０６４ｎｍのＱスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザーを用いた。照射レーザーのパルス当たりのエネルギーは１×１０８ Ｊ／cm２ 以上になるように調整し、長焦点レンズにより透明導電膜上に結像するように位置合わせを行い、基板表面に照射幅が４０から５０μｍになるように設定した。Ｑスイッチ周波数は５ｋＨｚとし、可動ステージの移動速度は１００mm/sとした。
【００３６】
　さらに、このようにして透明導電膜の分割形成を行ったガラス基板を、プラズマ化学気相蒸着法により、真空中にてシラン等の水素化珪素系ガスを用いて非晶質シリコン層を２００〜１０００ｎｍの厚みになるように形成した。続いてターゲットにＡｇを用いたスパッタ蒸着法にて、Ａｇ薄膜を３０００Å形成し、さらに同じくスパッタ蒸着法にてＡｌを１０００Å形成することにより、裏面電極を形成した。
【００３７】
　裏面電極の形成後、レンズによって集光した高密度エネルギーを有したパルスレーザー光の照射によりパターニング加工を行った。パルスレーザーは、透明導電膜の切断の時と同様に直線的に照射パルスが繋がるようにすることにより、隣接ユニットセルとの電気的断絶状態を生じせしめるために行う。用いたレーザーはＱスイッチ付きのＮｄ：ＹＡＧレーザーであり、その波長は、非晶質シリコン層に吸収が高くかつ透明導電膜及びガラス基板に吸収の低い波長である５３２ｎｍを選択した。このパルスレーザーの照射位置は、透明導電膜の照射位置から１００μｍ以上離れた位置で行った。その照射幅は４０μｍから５０μｍの範囲に入るように設定し、長焦点レンズにより透明導電膜上に結像するように位置合わせを行って照射した。本実施例においては、Ｑスイッチ周波数を２ｋＨｚとし、照射レーザーのパルス当たりのエネルギーは１×１０７ Ｊ／cm２ 以上になるように制御し、かつ可動ステージの移動速度は６０mm/sとした。このように、レンズによって集光した高密度エネルギーを有したパルスレーザー光を連続的に照射することにより41a 、42a ，43a に示す分割溝を形成できる。
【００３８】
　引き続いて、裏面電極と透明導電膜の間に導通性を持たせることにより、隣接ユニットセル間の電気的接続状態を形成せしめるために、パルスレーザー光の連続照射を行った。
・・・・（中略）・・・・
【００４１】
　またレーザーを照射させる位置は、図７中、31b 、32b 、33b である。このようにして、31b 、32b 、33b に示すような非晶質シリコン層における斜線部分が、レーザーの照射により改質され、電気的な導通性を持つに至った。このようにして最終的に、図７に示すように複数の分離分割されたユニットセルが構成され、集積型太陽電池素子が形成できる。この時、この太陽電池に光が照射された時に発生する電流は、１つの部分に注目して見れば、33→23→32b →42→32→22→31b →41というように流れ、図７に示す集積型太陽電池素子に関しては、電極41が陽極、電極44が負極に相当する端子に電流電圧測定器を接続することにより、その電流電圧特性を評価することができる。
【００４２】
　実施に当たっては、１２段の分割ユニットセルによって構成される１０cm角サブモジュールを作製した。この太陽電池モジュールをＡＭ１．５のソーラーシュミレーターにて評価した結果、得られた１０cm角太陽電池サブモジュールの変換効率は９．２％であった。また、各ユニットセルの並列抵抗を評価すると、１００〜５００Ω程度の水準にあり、夫々のセルの直列抵抗を評価したところ、夫々０．７〜０．８Ω・cmの範囲にあった。」、
　
（３）図７の記載からみて、「３３及び２３」、「４２、３２及び２２」及び「４１」は、順に並んで隣接する３つのユニットセルの「裏面金属ユニット４３、非晶質シリコン層ユニット３３及び透明導電膜ユニット２３」の下２層、「裏面金属ユニット４２、非晶質シリコン層ユニット３２及び透明導電膜ユニット２２」の３層、及び「裏面金属ユニット４１、非晶質シリコン層ユニット３１及び透明導電膜ユニット２１」の最上層であるから、上記（２）段落【００４１】の「このようにして最終的に、図７に示すように複数の分離分割されたユニットセルが構成され、集積型太陽電池素子が形成できる。この時、この太陽電池に光が照射された時に発生する電流は、１つの部分に注目して見れば、33→23→32b →42→32→22→31b →41というように流れ、」の記載は、図７に示す集積型太陽電池素子が、複数の分離分割されたユニットセルが電気的に直列接続されているものであること意味しているといえる。
　
（４）透明導電膜の分離分割は「可動ステージを直線的に移動させながらレーザーを連続照射させ」て行うものであり（上記（２）段落【００３５】参照。）、隣接ユニットセルとの電気的断絶は「透明導電膜の切断の時と同様に直線的に照射パルスが繋がるようにすることにより」行うものであり（上記（２）段落【００３７】参照。）、図７に示されているのは「複数の分離分割されたユニットセル」であり（上記（２）段落【００４１】参照。）、かつ、図７に記載されている、紙面法線方向に延びていることが明らかな、透明導電膜ユニット21、22、23、24を形成する分離溝と、分割溝41a 、42a、43aとが、延長方向のどこかで交差すると導通してしまい、分離分割されたユニットセルとならないことが明らかであるから、透明導電膜２、非晶質シリコン層３及び裏面電極４は、複数の分離分割されたユニットセルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されているものと認められる。
　
（５）上記（１）〜（４）からみて、引用例には、
「ガラス基板上に透明導電膜を形成し、１０cm×１０cmのサイズに切り出した後に、水平ＸＹ軸方向に可動なステージにのせ、基板表面に照射幅が４０から５０μｍになるように設定したＱスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザーを用い、Ｑスイッチ周波数は５ｋＨｚ、可動ステージの移動速度は１００mm/sとして、レーザーを発振させると同時に、可動ステージを直線的に移動させながら直線的に照射パルスが繋がるようにレーザーを連続照射させ、透明導電膜を分離分割させることにより、透明導電膜ユニットを形成し、このようにして透明導電膜の分割形成を行ったガラス基板に、非晶質シリコン層を形成し、続いて、Ａｇ薄膜を３０００Å、Ａｌを１０００Å形成することにより裏面電極を形成した後、Ｑスイッチ周波数を２ｋＨｚ、可動ステージの移動速度は６０mm/s、その照射幅は４０μｍから５０μｍの範囲に入るように設定し、直線的に照射パルスが繋がるようにすることにより、隣接ユニットセルとの電気的断絶状態を生じせしめるために、パルスレーザー光を連続的に照射して分割溝を形成してパターニング加工を行い、引き続いて、裏面電極と透明導電膜の間に導通性を持たせることにより隣接ユニットセル間の電気的接続状態を形成せしめるために、パルスレーザー光の連続照射を行って、複数の分離分割されたユニットセルが電気的に直列接続された集積化太陽電池モジュールの製造方法であって、
　前記透明導電膜、前記非晶質シリコン層及び前記裏面電極は、複数の分離分割されたユニットセルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されている集積化太陽電池モジュールの製造方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
 （１）引用発明の「ガラス基板」、「透明導電膜」、「非晶質シリコン層」、「裏面電極」、「分離分割されたユニットセル」、「複数の分離分割されたユニットセルが電気的に直列接続された」、「集積化太陽電池モジュール」、「水平ＸＹ軸方向に可動なステージ」及び「集積化太陽電池モジュールの製造方法」は、それぞれ、本願発明の「絶縁基板」、「第１電極層」、「半導体光電変換層」、「第２電極層」、「光電変換セル」、「複数のセルが電気的に直列接続された」、「集積型薄膜光電変換装置」、「基板を載置するステージ」及び「集積型薄膜光電変換装置の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明の「前記透明導電膜、前記非晶質シリコン層及び前記裏面電極は、複数の分離分割されたユニットセルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されている」点が、本願発明の「第１電極層，半導体光電変換層および第２電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離され」に相当する。
　
（３）引用発明において、透明導電膜を形成した後切り出したガラス基板における透明導電膜の分離分割は、「水平ＸＹ軸方向に可動なステージにのせ、基板表面に照射幅が４０から５０μｍになるように設定したＱスイッチ付きＮｄ：ＹＡＧレーザーを用い、Ｑスイッチ周波数は５ｋＨｚ、可動ステージの移動速度は１００mm/sとして、レーザーを発振させると同時に、可動ステージを直線的に移動させながら直線的に照射パルスが繋がるようにレーザーを連続照射させ」ることによりなされており、その後ガラス基板は、非晶質シリコン層、続いて裏面電極を形成した後、「Ｑスイッチ周波数を２ｋＨｚ、可動ステージの移動速度は６０mm/s、その照射幅は４０μｍから５０μｍの範囲に入るように設定し、直線的に照射パルスが繋がるようにすることにより、隣接ユニットセルとの電気的断絶状態を生じせしめるために、パルスレーザー光を連続的に照射して分割溝を形成してパターニング加工を行」っていることから、引用発明において、透明導電膜を分離するための分離溝及び裏面電極を分離するための分離溝の各々は、前記基板と前記レーザビームのスポットとの間の相対的移動により、間欠的なレーザビームのスポットに対応した孔が連続することによって形成されているといえる。よって、引用発明は、本願発明の「前記電極層を分離するための電極分離溝の各々は、前記基板を載置するステージの移動によって生ぜられる前記基板と前記レーザビームのスポットとの間の相対的移動により、間欠的なレーザビームのスポットに対応した孔が連続することによって形成され」の事項を備えている。
　
（４）よって、本願発明と引用発明とは、
「絶縁基板上に順次積層された第１電極層，半導体光電変換層および第２電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜光電変換装置の製造方法であって、
　前記電極層を分離するための電極分離溝の各々は、前記基板を載置するステージの移動によって生ぜられる前記基板と前記レーザビームのスポットとの間の相対的移動により、間欠的なレーザビームのスポットに対応した孔が連続することによって形成される製造方法。」
の点で一致し、次の点で相違する。 
　
相違点：
　
　本願発明は「１つの前記電極分離溝の形成は前記相対的移動の速度が一定状態に達した後に、レーザビームのスポットが前記基板内にある状態で前記レーザビームを遮蔽するシャッタを開けることによって開始され、かつ前記相対的移動速度が一定状態を維持している間に前記シャッタを閉じることによって終了することにより、それらの孔の中心間隔は１つの前記電極分離溝の全域にわたって実質的に等間隔に形成され」るものであるのに対して、引用発明はそのようになっていない点。
　
４．判断 
　
　上記相違点について検討する。
　
（１）「ワークにパルスレーザを照射して加工するパルスレーザ加工方法において、加工は、ワークとレーザビームのスポットとの間の相対的移動の速度が一定状態に達した後に、レーザビームのスポットが前記ワーク内にある状態で開始され、それらの加工の中心間隔は１つの前記ワークの加工領域の全域にわたって実質的に等間隔に加工するパルスレーザ加工方法」は本願出願前に周知である（例．特開平５−２７７７６５号公報（段落０００２、０００３、００１６、００１９、００２７、００２８、図１、図２、図３及び図５参照。）、特開平８−３９２７１号公報（段落０００４、００２７〜００２９、図１、図２、図３及び図５参照。））。
　
（２）また、上記（１）の周知のレーザ加工方法において、ワークとレーザビームのスポットとの間の相対的移動の速度が一定状態において加工を行う理由は、前記ワークの加工領域の全域にわたって実質的に等間隔に加工するためであるから、前記相対的移動速度が一定状態を維持している間に前記加工を終了すべきであることは当業者に自明である。
　
（３）一方、ワーク上へのレーザビームの照射のＯＮ／ＯＦＦをレーザビームを遮蔽するシャッタの開閉により行うパルスレーザ加工装置は本願出願前に周知である（例．上記特開平５−２７７７６５号公報（段落０００３、００１９及び図２参照。）、特開平５−２６１５７５号公報（段落０００３、００１７及び図２参照。））。
　
（４）引用発明は、基板を載置するステージの移動によって生ぜられる前記基板と前記レーザビームのスポットとの間の相対的移動により、間欠的なレーザビームのスポットに対応した孔が連続することによって、電極層を分離するための電極分離溝の各々を形成するものであるが、このようなパルスレーザ加工においては、ステージの移動開始後の加速時あるいは停止前の減速時において前記相対的移動の速度が設定された一定の相対速度よりも遅いため、連続する孔の間隔が目標とする孔の間隔よりも短くなってパルスレーザの密度が濃くなる結果、分離溝の幅（切断幅）が大きくなって加工精度が低下するといった課題があることが当業者に自明である（上記特開平５−２６１５７５号公報の段落０００４及び０００５参照。）。
　
（５）上記（１）〜（４）からみて、引用発明を実施するに際し、パルスレーザ加工装置として、ワーク上へのレーザビームの照射のＯＮ／ＯＦＦをレーザビームを遮蔽するシャッタの開閉により行う周知のもの（上記（３）参照。）を用い、加工精度が低下しないようにする（上記（４）参照。）といった動機で上記（１）で述べた「ワークにパルスレーザを照射して加工するパルスレーザ加工方法において、加工は、ワークとレーザビームのスポットとの間の相対的移動の速度が一定状態に達した後に、レーザビームのスポットが前記ワーク内にある状態で開始され、それらの孔の中心間隔は１つの前記ワークの加工領域の全域にわたって実質的に等間隔に加工するパルスレーザ加工方法」を採用するとともに、前記相対的移動速度が一定状態を維持している間に前記加工を終了させる（上記（２）参照。）ことは、当業者が容易に想到することができたものである。そして、その結果、引用発明の電極分離溝の形成は、前記相対的移動の速度が一定状態に達した後に、レーザビームのスポットが前記基板内にある状態で前記レーザビームを遮蔽するシャッタを開けることによって開始され、かつ前記相対的移動速度が一定状態を維持している間に前記シャッタを閉じることによって終了することにより、それらの孔の中心間隔は１つの前記電極分離溝の全域にわたって実質的に等間隔に形成されて、「連続する孔の間隔が目標とする孔の間隔よりも短くなってパルスレーザの密度が濃くなる結果、分離溝の幅（切断幅）が大きくなって加工精度が低下する」といった問題が防止されるのは明らかである。
　
（６）したがって、上記相違点は引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
（７）本願発明の効果は、引用発明の効果及び上記周知技術の効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
（８）以上のことから、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび 
　
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 
 　よって、結論のとおり審決する。