【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　１６２９号「プリント基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月１８日出願公開、特開２０００−２００９５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１月７日の出願であって、その請求項１〜２に係る発明は、平成１７年９月１２日付の手続補正書により請求項の削除を目的として補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
 
「【請求項１】　基板の少なくとも一方の面に設けられた導電膜層を所定の回路パターンに形成するために、前記導電膜層上に上記回路パターンを構成する各線路を太らせたパターン形状のレジスト膜を形成した後にエッチングを行うプリント基板の製造方法であって、
　前記レジスト膜は、線路のピッチが変化する箇所の周辺で、この箇所を中心に太らせる量を変化させたパターン形状であるプリント基板の製造方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された、特開平５−１１０２２６号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面と共に、次の事項が記載されている。 
　
（１）刊行物（特開平５−１１０２２６号公報）
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  プリント基板の導電層を所定のパターンに形成するために、導電層上にエッチングレジストのパターンを、形成すべき導電層のパターンよりも太らせた形状で設けてエッチングする工程を含むプリント基板の製造方法において、エッチングレジストのパターンの太らせる量をパターンコーナー部でコーナー部以外の部分よりも大きくすることを特徴とするプリント基板の製造方法。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プリント基板の導電層に細密なパターンを形成できるようにするプリント基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プリント基板の導電層にパターンを形成する方法としては、基板の全面に銅箔等の導電層を形成し、その導電層上にエッチングレジストを所定のパターンに形成し、次いでエッチングレジストでマスクされなかった部分の導電層をエッチング液を用いてエッチング除去して導電層を所定のパターンに形成する方法がとられている。
【０００３】この場合、エッチング液による導電層のエッチングは、等方性エッチングとなるために導電層の深さ方向だけでなくパターンの幅方向にも進行し、所謂サイドエッチングが生じる。そこで、導電層上に形成するエッチングレジストのパターンは、形成すべき導電層のパターンよりも太らせた形状で設けることがなされている。
・・・
【０００５】さらに、このような導電層のサイドエッチングは、パターンコーナー部では、エッチング液の入れ替わり効率が高いために特に大きく進行し、コーナー部以外の２倍の１００〜２００μｍ程度に達する。このため、図６の（ａ）に示したように、エッチングレジストのパターン幅の太らせ方を他の部分と同様にしてエッチングレジストをパターン形成すると、同図の（ｂ）に示したようにパターンコーナー部においてサイドエッチングが大きく進行し、その部分の導電層２のパターン幅が所定の大きさよりも狭くなり、製品として不良なものとなってしまう。そこで、導電層にこのようなコーナー部を有するパターンを形成する場合には、コーナー部のサイドエチングに合わせてエッチングレジストのパターン幅を１００〜２００μｍ程度太らせておくことがなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の配線の高密度化に伴い、導電層に形成するパターンに対しても細密化の要請が強く、そのパターンギャップは増々狭くされる傾向にある。しかしながら、エッチングレジストのパターン幅をパターンコーナー部のサイドエッチングに合わせて太らせると、細いパターンギャップの解像が不可能になり、結果的に導電層に細密なパターンを形成することができないという問題が生じた。
・・・
【０００９】この発明は以上のような従来技術の課題を解決しようとするものであり、プリント基板の導電層に、パターン幅およびパターンギャップがそれぞれ１５０μｍ以下の細密なパターンを、通常のエッチングレジストを使用して、安価に形成できるようにすることを目的とする。」
　
（１ｃ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明者は、上記の目的が、エッチングレジストのパターンをパターンコーナー部においてのみ大きく太らせ、他の部分はコーナー部以外の通常の太らせ方で形成すれば達成できることを見出し、この発明を完成させるに至った。
【００１１】即ち、この発明は、プリント基板の導電層を所定のパターンに形成するために、導電層上にエッチングレジストのパターンを、形成すべき導電層のパターンよりも太らせた形状で設けてエッチングする工程を含むプリント基板の製造方法において、エッチングレジストのパターンの太らせる量をパターンコーナー部でコーナー部以外の部分よりも大きくすることを特徴とするプリント基板の製造方法を提供する。
【００１２】このように、この発明の製造方法においてはエッチングレジストのパターンをコーナー部で大きく太らせるが、この場合、個々の配線パターンの全てのコーナー部でパターンを太らせる必要はない。コーナー部を有する個々の配線パターンを複数連設する場合には、その全体的なパターンのコーナー部の外側でエチング液の入れ替わり効率が特に高くなり、サイドエッチングが大きく進行するので、外側のパターンのコーナー部でのみパターンを太らせればよい。たとえば、図１に示したようにコーナー角θが９０°のＬ字形状のパターン３ａ、３ｂ、３ｃを連設する場合には、外側にあるパターン３ａのコーナー部でのみパターンを太らせればよい。なお、このようなコーナー部のコーナー角は、通常９０°±３０°である。」
　
３．対比・判断
　刊行物には、上記摘記事項（１ｂ）段落【０００２】の「プリント基板の導電層にパターンを形成する方法としては、基板の全面に銅箔等の導電層を形成し、その導電層上にエッチングレジストを所定のパターンに形成し、次いでエッチングレジストでマスクされなかった部分の導電層をエッチング液を用いてエッチング除去して導電層を所定のパターンに形成する方法がとられている。」という記載から、プリント基板が、基板の全面に導電層を形成してなるものであることが分かる。
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｃ）を総合すると、
「基板の全面に形成された導電層を所定のパターンに形成するために、導電層上にエッチングレジストのパターンを、形成すべき導電層のパターンよりも太らせた形状で設けてエッチングするプリント基板の製造方法であって、エッチングレジストは、パターンコーナー部でコーナー部以外の部分よりも太らせる量を大きくする、プリント基板の製造方法。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「導電層」、「エッチングレジストのパターン」は、本願発明の「導電膜層」、「パターン形状のレジスト膜」にそれぞれ相当する。
　また、刊行物発明の「（基板の）全面に形成」されること、及び「（導電層を）所定のパターンに形成する」ことは、本願発明の「（基板の）一方の面に設けられる」こと、及び「（導電膜層を）所定の回路パターンに形成する」ことに、それぞれ相当する。
　それから、刊行物発明の「（エッチングレジストのパターンを、）形成すべき導電層のパターンよりも太らせた形状で設けてエッチングする」ことは、形成すべき導電層のパターンが回路パターンを構成する各線路を意味していることから、本願発明の「上記回路パターンを構成する各線路を太らせたパターン形状（のレジスト膜）を形成した後エッチングを行う」ことを意味しているといえる。
　そして、刊行物発明の「パターンコーナー部でコーナー部以外の部分よりも太らせる量を大きくする」ことと、本願発明の「線路のピッチが変化する箇所の周辺で、この箇所を中心に太らせる量を変化させた」こととは、各線路を太らせたパターン形状のレジスト膜について、ある箇所を中心として太らせる量を変化させたという点で共通である。
　よって、両者は、
「基板の一方の面に設けられた導電膜層を所定の回路パターンに形成するために、前記導電膜層上に上記回路パターンを構成する各線路を太らせたパターン形状のレジスト膜を形成した後にエッチングを行うプリント基板の製造方法であって、
　前記レジスト膜は、ある箇所を中心に太らせる量を変化させたパターン形状であるプリント基板の製造方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：各線路を太らせたパターン形状のレジスト膜の、太らせる量を変化させる中心となった、ある箇所について、本願発明では、線路のピッチが変化する箇所の周辺であるのに対し、刊行物発明では、パターンコーナー部である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
　プリント基板において、回路配置設計上、線路のピッチが変化する箇所が存在することは、例えば、特開昭６３−３０５５８９号公報（特に、第３図）、特開平６−２７６３７号公報（特に、図１）、特開平８−１８１４１３号公報（特に、図５、図６）等に示すように知られている。
　また、一般に、フォトレジスト膜を使ってエッチングを行い、線路を形成する技術において、線路のピッチが変化する箇所にエッチングの不均一が生じるため、線路のピッチが変化する箇所を中心として、レジスト膜のパターン形状の太らせる量を変化させることは、例えば、以下の特許文献に示すように周知である。
　
周知例１：特開昭６０−７４６２８号公報
（周１ａ）「２．特許請求の範囲
（１）（イ）絶縁性部材の表面に形成された導体層上にフォトレジスト層を設ける工程と、（ロ）このフォトレジスト層を,所望の配線パターンに対応する部分を除いて露光させる工程と、（ハ）フォトレジスト層の未露光部分を溶解除去して導体層を露出させる工程と、（ニ）露出した導体層をエッチングにより除去する工程と、（ホ）フォトレジスト層の残余の部分を除去する工程とからなる一定幅の配線パターンを形成する方法において、前記フォトレジスト層の所望の配線パターンに対応する露光部分の配線パターンの導体配列間隔が疎の部分を、配線パターンの導体配列間隔が密の部分よりも幅広とすることを特徴とする配線パターンの形成方法。」（第１頁左下欄特許請求の範囲第１項）
（周１ｂ）「３．発明の詳細な説明
［発明の技術分野］
　本発明は、基板上へ導体配列間隔が部分的に著しく異なる配線パターンを、フォトエッチング法により形成せしめる配線パターンの形成方法に関する。」（第２頁左上欄第７〜１２行）
（周１ｃ）「　すなわち導体層を肉厚(厚さ１０〜１５０μｍ）とすると、肉薄（厚さ１０μｍ以下）の場合と比較してエッチングに要する時間が長くなるが、その際、エッチング剤とレジストパターンの流体力学的関係および化学反応時の気泡発生の影響等によってエッチング速度に差が生じ、導体配列間隔が密となる部分がエッチングされるまでに、導体配列間隔が疎となる部分のエッチングがレジスト層で覆われた部分の内側にまで進行してしまうのである。」（第２頁右下欄第３〜１２行）
（周１ｄ）「　なお以上の実施例では、本発明方法をサーモパイルの熱電対接続用の放射状の配線パターンを形成する方法に適用した例について説明したが、本発明方法は上述したような放射状の配線パターンの形成に限定されるものではなく、導体配列間隔が部分的に著しく異なる様々の配線パターンを形成せしめる際に幅広く応用することができる。」（第４頁左上欄第５〜１１行）
（周１ｅ）第４図には、導体配列間隔が部分的に異なる配線を均一に形成するために、導体配列間隔が広くなる箇所のマスクの幅を幅広にしていることが示されている
　
　上記摘記事項（周１ａ）〜（周１ｅ）を総合すると、導体配列間隔が部分的に著しく異なる配線パターンをフォトエッチング法により形成する際に、フォトレジスト層の配線パターンについて、導体配列間隔が疎の部分を、密の部分よりも幅広にしており、周知例１の「導体配列間隔」、「フォトレジスト層の配線パターン」が、本願発明の「線路ピッチ」、「各線路を太らせたパターン形状のレジスト膜」にそれぞれ相当することから、周知例１には、配線ピッチが著しく異なる、すなわち、線路のピッチが変化する箇所において、太らせる量を変化させることが示されていると理解できる。
　
周知例２：特開平８−３２１４５０号公報
（周２ａ）「【０００６】また、レジストパターンをマスクとして下地をエッチングする際には、レジストパターンの疎密によりエッチングシフト量が異なる現象、いわゆるエッチング疎密効果が生ずるといった問題があった。従って、エッチング後に形成される最終的なパターン線幅は、光近接効果とエッチング疎密効果の両者の影響を受けて設計パターンから乖離することになる。しかしながら、従来は、このような寸法乖離をどのように補正すべきかといった方法論がなく、定性的、定量的な補正は行われなかったため、デバイスの特性歩留りを劣化するといった問題があった。
【０００７】本発明の目的は、光近接効果やエッチング疎密効果による寸法乖離を抑制するためのマスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスクを提供することにある。」
（周２ｂ）「【００４３】・・・次に、このようにして形成したレジストパターンをマスクとして下地の多結晶シリコン膜をエッチングし、光近接効果とエッチング疎密効果による寸法乖離を測定した。
【００４４】図７に示すように、寸法乖離は図５に示すレジストパターン幅よりも大きくなっている。即ち、光近接効果によって細くなったパターン線幅が、エッチングの際のエッチングシフトにより更に相対的に細くなっている。また、ピッチが小さくなるにつれてエッチングシフト量は相対的に細くなる方向に大きくなっており、エッチング疎密効果が生じていることが判る。」
（周２ｃ）「【００５１】・・・図１１は、補正後のマスクパターンを示したものである。本実施例によるマスクパターン補正方法では、領域を３つに分割し、それぞれの領域で異なるオフセットを設けた。
【００５２】即ち、パターン間が０．４５μｍである第１の領域３６では、寸法乖離によって生ずる０．０１７μｍの線幅の細りを防ぐべく、パターンが隣接する辺においてそれぞれ０．０１７μｍづつのオフセットを設けた。パターン間が１．２５μｍである第２の領域３８では、寸法乖離によって生ずる０．００４μｍの線幅の細りを防ぐべく、パターンが隣接する辺においてそれぞれ０．００４μｍづつのオフセットを設けた。
【００５３】また、パターン間が０．４５μｍから１．２５μｍに変化する第３の領域４０では、その領域の平均パターン距離である０．８５μｍに対応した寸法乖離量である０．０１１μｍのオフセットを設けた。このようにしてマスクパターンに補正をかけることにより、ウェーハ上には図１１に点線で示すようなパターンが形成され、光近接効果とエッチング疎密効果を抑制したパターン形成を行うことができる。
・・・
【００５８】また、上記実施例では、光近接効果とエッチング疎密効果の両方を考慮してマスクパターンの補正を行ったが、光近接効果又はエッチング疎密効果のいずれか一方のみを考慮した補正を行ってもよい。・・・」
　
　上記摘記事項（周２ａ）〜（周２ｃ）を総合すると、エッチング疎密効果による寸法乖離を抑制するためのマスクパターン補正方法において、パターン間が異なる箇所毎に、オフセットの大きさを異ならせることが示されており、周知例２の「パターン間」、「オフセットの大きさ」は、本願発明の「線路のピッチ」、「（パターン形状のレジスト膜の）太らせる量」にそれぞれ相当することから、周知例２に、線路のピッチが変化する箇所において、太らせる量を変化させていることが示されていると云える。
　
　
　更に、上記摘記事項（１ｃ）段落【００１２】において、「・・・コーナー部を有する個々の配線パターンを複数連設する場合には、その全体的なパターンのコーナー部の外側でエチング液の入れ替わり効率が特に高くなり、サイドエッチングが大きく進行するので、外側のパターンのコーナー部でのみパターンを太らせればよい。・・・」と記載されているように、刊行物発明では、サイドエッチングが大きく進行する部分において、レジスト膜のパターン形状の太らせる量を変化させることを基本的な技術思想としていることが分かる。
　してみると、刊行物発明において、パターンコーナー部に限らず、エッチング後の線路幅が不均一になりやすい箇所として周知の、線路のピッチが変化する箇所についても、レジスト膜のパターン形状の太らせる量を変化させようとすることは、当業者にとって格別困難なこととはいえない。
　
　そして、上記相違点に係る本願発明の作用効果も、格別なものは見当たらない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。