【事件の表示】
　特願２００５−　７０３０４「研磨装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２８日出願公開、特開２００５−２０３８０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件出願は、平成５年８月１０日に出願された特願平５−２１７９８７号の一部を平成１３年８月８日に新たな特許出願とした特願２００１−２４０１９０号の一部を、平成１５年６月５日に新たな特許出願とした特願２００３−１６０２５２号の一部を、さらに平成１７年３月１４日に新たな特許出願としたものである。
　本件出願は、平成１８年８月１１日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１８年１０月２３日付けで意見書の提出とともに明細書について手続補正がされたが、同１８年１２月２１日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１９年１月２５日に本件審判の請求がされた。
　その後、当審において、前記平成１８年１０月２３日付けで補正された請求項１及び６における「ウインドウ」及び「研磨と同時に研磨の終点を検知する」の記載が不明りょうである旨の拒絶理由を平成１９年６月日付けで通知したところ、その指定期間内の同１９年８月６日付けで意見書の提出とともに明細書について手続補正がされたものである。
　
２　本願発明
　本件出願の請求項１乃至８に係る発明は、平成１９年８月６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
研磨布に膜付きウエハを押し付けて研磨する研磨装置において、
　前記膜付きウエハの研磨面に複数の波長からなる光を照射する手段と、
　前記膜付きウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨の最中に研磨の終点を検知する手段とを有し、
　前記ウエハの研磨面に複数の波長からなる光を照射する手段は、前記研磨布に設けられた研磨布窓と、透明窓材あるいは透明定盤と、を通過させて前記ウエハの研磨面に光を照射し、
　前記研磨の終点を検知する手段は、研磨中の前記ウエハ研磨面の光反射状態を、前記研磨布窓と、前記透明窓材あるいは前記透明定盤と、研磨液の膜を通してモニタすることを特徴とする研磨装置。」
　
３　引用刊行物及びその記載内容
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本件出願前に頒布された刊行物である特開昭６０−２４６６３７号公報（以下「刊行物１」という。）、特開平３−２３４４６７号公報（以下「刊行物２」という。）、実願昭６３−１６６２５１号（実開平２−８６１２８号）のマイクロフィルム（以下「刊行物３」という。）、及び特開昭６４−５７１０７号公報（以下「刊行物４」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１
ア　特許請求の範囲（１）
「半導体基板上に分離の絶縁膜とエピタキシャル単結晶層を形成し、上記絶縁膜の厚さを膜厚測定装置により測定しながら、上記単結晶層及び絶縁膜の表面を研磨し、絶縁膜が所要厚さに至ると研磨を停止する半導体装置の製造方法。」
　
イ　第１頁左下欄第１４〜１８行
「〔発明の技術分野〕
　この発明は、半導体基板上の絶縁膜に除去されてあけられた穴部に、エピタキシャル成長形成された単結晶層の表面を研磨し平たんにする半導体装置の製造方法に関する。」
　
ウ　第１頁右下欄第１１〜１５行　　
「この研磨には、研磨液をかけながらグラインダで行う。
　ところが、従来の製造方法は、研磨をするのに、研磨量の制御は時間設定によつており、その制御性に難点があつた。」
　
エ　第２頁左上欄第１１〜１８行
「この発明は、上記従来の方法の欠点をなくするためになされたもので、膜厚測定装置により半導体基板上の絶縁膜の膜厚を測定しながら、単結晶層及び絶縁膜の表面研磨を行い、所要の絶縁膜厚になつたところで研磨をやめるようにし、研磨の制御性がよく、所要の厚さで表面平たんな単結晶層が得られる、半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。」
　
オ　第２頁左上欄第２０行〜右上欄第１０行
「以下、この発明の一実施例による半導体装置の製造方法を、第３図に示すシリコン基板部の要部断面図により説明する。（４）は光学的に薄膜の厚さを測る膜厚測定装置で、シリコン基板（１）上面の絶縁膜（２）の厚さを測定する。選択エピタキシャル成長直後は、第１図と同様に、鎖線で示すように比較的厚い絶縁膜（２）とシリコンの単結晶層（３）が形成されてある。膜厚測定装置（４）により絶縁膜（２）の膜厚を測定しながら、絶縁膜（２）及び単結晶層（３）の表面を研磨し、実線で示すように所要の絶縁膜（２）厚さになつたところで、研磨をやめる。」
　
カ　第３図には、膜厚測定装置４からシリコン基板１に向けた実線の矢印と、シリコン基板１から膜厚測定装置４に向けた破線の矢印が記載されている。
　
　上記カの事項、及び、光学的に薄膜の厚さを測る膜厚測定装置において被測定面に光を照射し被測定面からの反射光により測定を行うことは技術常識であることから、刊行物１において、前記「光学的に薄膜の厚さを測る膜厚測定装置」が、半導体基板の研磨面に光を照射する手段と、半導体基板からの反射光をモニタする手段を備えていることが理解される。
　また、刊行物１には、上記記載事項からみて、膜厚測定装置により半導体基板上の絶縁膜の膜厚を測定しながら、単結晶層及び絶縁膜の表面研磨を行い、所要の絶縁膜厚になったところで研磨をやめるようにした研磨方法が記載されているが、前記所要の絶縁膜厚になったところで研磨をやめる手段を有する研磨装置という発明も記載されているとすることができる。
　
　そこで、上記記載事項及び図面の記載事項を技術常識を勘案しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
［引用発明］
「絶縁膜が形成された半導体基板を研磨する研磨装置において、
　前記半導体基板の研磨面に光を照射する手段と、前記半導体基板からの反射光をモニタする手段を備えた膜厚測定装置を有し、　
　前記膜厚測定装置により前記半導体基板の絶縁膜の膜厚を測定しながら表面研磨を行い、所要の厚さになったところで研磨をやめる手段を有する研磨装置。」
　
（２）刊行物２
ア　第１頁右下欄第１４〜１８行
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、各種の情報信号が記録されたコンパクトディスクや光ディスク等の情報記録盤の複製基板を成形するためのスタンパの研磨に関し、特に該スタンパをプレス用もしくは射出成形用の金型に取り付けるためのスタンパの金型取付面の研磨方法及びその研磨機に関するものである。」
　
イ　第２頁右上欄第２〜１８行
「上記従来の技術では、実際の研磨レートは、研磨クロスの目詰まり度、スタンパの金型取付面の面粗度、各部の温度等の諸条件により研磨のたびに変化するので、あらかじめ経験的に求めておいた研磨レートとは差異が生じてしまう。したがって、研磨時間の計算には誤差を見込む必要があり、研磨を終えるたびにスタンパの厚さの測定をしなければならないという問題点がある。また、スタンパの厚さの測定前には洗浄が必要であり、その洗浄時にあるいは測定時に傷をつけやすいという問題点もある。さらに、繰り返しの研磨、測定に多大の時間がかかるいう問題点がある。」
　
ウ　第３頁左下欄第２〜１２行
「また、該研磨ホルダ７は、前記研磨定盤６の回転中心軸とずれた位置にその回転中心軸があり、研磨定盤６が回転することにより、その回転とは反対回りの回転をする。これにより前記スタンパ１の金型取付面１ａと前記研磨クロス５とが互いに摺擦して研磨される。該研磨に際しては、液体の研磨剤が設定された割合で前記研磨クロス５に滴下される。
　測定面２ａは、前記保護盤２のスタンパ１が被着している面より外側の面に環状に形成されており、前記金型取付面１ａと平行で前記研磨クロス５と対向している。」
　
エ　第３頁左下欄第１３行〜右下欄第５行
「ガラス板４は、前記研磨定盤６に張られた研磨クロス５の表面からわずかに後退してほぼ同一平面を形成するように該研磨定盤６の適宜部位に形成された取付孔６ｂに嵌着されており、その表面は研磨クロス５が張られることなく露出している。
　光学式変位計（例えば、株式会社キーエンス製の光学式変位センサＰＡシリーズ。）３のセンサ３ａは、前記取付孔６ｂの前記ガラス板４より下方に嵌着されており、その測定光３ｄは、該ガラス板４を透過して前記測定面２ａを照射可能である。」
　
オ　第３頁右下欄第６行〜第４頁左上欄第１行
「前記測定光３ｄは、研磨定盤６の回転に伴って移動し、１回転する間に前記測定面２ａと２回交差するので、その交差のたびに該測定面２ａを照射することになる。
　前記センサ３ａはコード３ｃおよび不図示のスリップリング等を介して前記光学式変位計３の演算部３ｂに接続されている。
　該演算部３ｂは、前記センサ３ａの測定信号に基づいて前記金型取付面１ａに垂直な方向の前記測定面２ａの変位量の測定値を常時演算して求め、制御ユニット８に入力するものである。
　本体に設けられた該制御ユニット８は、ひとつの研磨代寸法を設定でき、かつ前記測定値が該研磨代寸法に達したときに前記駆動部９を停止させて研磨を終了させる機能を有する公知のものである。」
　
　第１図の記載によれば、測定面２ａに照射され反射された測定光３ｄがガラス板４を通してセンサ３ａに受光されることが看取できる。
　また、上記摘記事項エ及び第１図の記載からみて、ガラス板４が設けられ、研磨クロスが張られていない研磨クロス５の部分は、「研磨クロスに設けられた窓」ということができる。
　さらに、刊行物２は研磨液を使用するものであり、前記ガラス板４は研磨クロス５の表面からわずかに後退してほぼ同一平面を形成するようになっているから、ガラス板４の表面には研磨液の膜が存在することが明らかである。
　したがって、刊行物２において、光学式変位計３のセンサ３ａは、研磨クロスに設けられた窓とガラス板４とを通過させて測定光３ｄを照射し、前記窓と、ガラス板４と、研磨液の膜を通して測定面２ａに照射され反射された測定光３ｄをモニタするものであるということができる。
　
　以上のとおりであるから、刊行物２には、次の事項が記載されていると認められる。
「研磨クロス５にスタンパ１を押し付けて研磨する研磨機において、スタンパ１が被着される保護盤２の測定面２ａに測定光３ｄを照射するセンサ３ａと、測定面２ａから反射する測定光３ｄをモニタすることにより研磨を終了させる手段を有し、
　前記測定面２ａに測定光３ｄを照射するセンサ３ａは、研磨クロスに設けられた窓とガラス板４とを通過させて測定光３ｄを照射し、前記研磨を終了させる手段は、前記窓と、ガラス板４と、研磨液の膜を通して測定面２ａに照射され反射された測定光３ｄをモニタする研磨機。」
　
（３）刊行物３
ア　実用新案登録請求の範囲（１）
「上面に研磨クロスを張設した固定定盤と、該固定定盤における研磨クロスにウエハを回転しながら押圧するホルダーから成るウエハ研磨装置において、前記固定定盤及び研磨クロスに、前記ウエハにおける研磨表面にのぞむ検査孔を穿設し、この検査孔内に前記ウエハにおける研磨表面に対して光を照射するための投光用光ファイバーと、前記ウエハにおける研磨表面からの反射光を受光するための受光用光ファイバーとを挿入したことを特徴とするウエハ研磨装置における研磨検査装置。」
　
イ　明細書第１頁第１７行〜第２頁第１行
「〔産業上の利用分野〕
　本考案は、半導体チップの製造に際して使用するウエハの表面を研磨するためのウエハ用研磨機において、前記ウエハの研磨の進行状態を検査するための装置に関するものである。」
　
ウ　同第５頁第３〜１６行
「以下、本考案の実施例を図面について説明すると、図において符号１は、上面に研磨ホロス２を張設した固定定盤を、符号３は、該固定定盤１の上部に上下動可能に配設したホルダーを各々示し、前記ホルダー３は、その下面にワックス５又は真空吸着等によって固着したウェハ４、を前記固定定盤１の上面における研磨クロス２に対して押圧した状態で回転するように構成され、このホルダー３の回転にて、前記ウェハ４の表面を前記研磨クロス２に擦り付けることにより研磨する。
　前記固定定盤１には、その上面における研磨クロス２に供給した研磨液を排出するためのドレイン孔６が複数個穿設され、この各ドレイン孔６には、研磨液の排出管７が接続されている。」
　
エ　同第５頁第１７行〜第６頁第１０行
「符号８は、投光用光ファイバー９と、受光用光ファイバー１０との二本の光ファイバーを内蔵した検査用ケーブルを示し、該検査用ケーブル８の一端を、前記排出管７に対して着脱自在に接続すると共に、その内部における投光用光ファイバー９と受光用光ファイバー１０との両方を、前記ドレイン孔６内に、投光用光ファイバー９から前記ウエハ４の表面に向かって照射した光をウエハ４の表面で反射させ、その反射光を受光用光ファイバー１０にて受光するように挿入する一方、前記検査用ケーブル８の他端を、前記投光用光ファイバー９に対するレーザー等の発光素子１２と、前記受光用光ファイバー１０に対する受光素子１３とを備えた検査回路１１に接続する。」
　
オ　同第６頁第１５行〜第７頁第９行
「前記検査回路１１における発光素子１２で発光した光は、投光用光ファイバー９を介して、固定定盤１における研磨クロス２にホルダー３によって押圧されたウエハ４の表面に照射され、その反射光は、受光用光ファイバー１０を介して、前記検査回路１１における受光素子１３によって受光される。
　この場合において、ウエハ４における表面からの反射光は、ウエハの表面が粗いとき、つまり、研磨を開始した当初は弱く、ウエハ４の表面が研磨の進行により滑らかになるに伴って次第に強くなるものであるから、受光素子１３における出力により、ウエハ４における表面の平滑度、つまり、研磨の進行の状態を検出することができるのである。」
　
　上記記載事項及び図面の記載からみて、刊行物３には次の事項が記載されていると認められる。
「研磨クロスにウエハを回転しながら押圧するホルダーから成るウエハ研磨装置において、固定定盤及び研磨クロスに、ウエハにおける研磨表面にのぞむ検査孔を穿設し、この検査孔内に前記ウエハにおける研磨表面に対して光を照射するための投光用光ファイバーと、前記ウエハにおける研磨表面からの反射光を受光するための受光用光ファイバーとを設けることにより研磨の進行の状態を検出すること。」
　
（４）刊行物４
ア　特許請求の範囲１
「多波長発振可干渉性光源からの光を、２次元的に分布した被測定膜に照射し、膜内干渉によって生じた２次元干渉パターンをＮ個の波長成分に波長分離してそれぞれを別個に検出し、検出されたＮ個の波長成分に関する２次元干渉パターンの強度分布を、上記Ｎ個の波長をパラメータとしてあらかじめ導出しておいた、膜厚と干渉パターン強度との関係に照合し、被測定膜の２次元的な膜厚分布を求めることを特徴とする膜厚分布測定方法。」
　
イ　第２頁左上欄第５〜９行
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、ホトレジスト等の膜厚測定装置に係り、特にサブミクロンオーダの微小領域における膜厚の分布を高速・高精度に測定できる膜厚分布測定方法及び装置に関する。」
　
ウ　第３頁左上欄第９〜１７行
「本発明の実施例を、実際のパターン付ウェハ上のレジスト膜厚分布測定を例にとり、第１図〜第14図により説明する。
　具体的な説明の前に、本発明の基本原理について簡単に触れる。本発明は、基本的には第１図に示すように、入射光３に対する膜２（以下ではホトレジストとする）の表面からの反射光４と、膜２・下地基板１（デポ膜に相当する）界面からの反射光５との干渉を利用するものである。」
　
　上記記載事項及び図面の記載からみて、刊行物４には次の事項が記載されていると認められる。
「ウエハに形成された膜に複数の波長を有する光を照射することにより膜厚分布を求めること。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「絶縁膜が形成された半導体基板」は本願発明における「膜付きウエハ」に相当する。　
　また、引用発明における「膜厚測定装置により半導体基板の絶縁膜の膜厚を測定しながら表面研磨を行い、所要の厚さになったところで研磨をやめる手段」は、膜付きウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨の終点を検知する手段という限りで、本願発明における「膜付きウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨の最中に研磨の終点を検知する手段」と共通している。
　したがって、両者の一致点と相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「膜付きウエハを研磨する研磨装置において、
　前記膜付きウエハの研磨面に光を照射する手段と、
　前記膜付きウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨の終点を検知する手段とを有する研磨装置。」である点。
［相違点１］
　本願発明では、研磨布に膜付きウエハを押し付けて研磨する研磨装置であって、前記膜付きウエハの研磨面に複数の波長からなる光を照射し、前記膜付きウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨の最中に研磨の終点を検知するのに対し、引用発明では、膜付きウエハの膜厚を測定しながら研磨し所要の厚さになったところで研磨をやめるものであるが、ウエハの研磨をどのように行うか明らかでない点。
［相違点２］
　本願発明では、ウエハの研磨面に光を照射する手段は、前記研磨布に設けられた研磨布窓と、透明窓材あるいは透明定盤と、を通過させて前記ウエハの研磨面に光を照射し、前記研磨の終点を検知する手段は、研磨中の前記ウエハ研磨面の光反射状態を、前記研磨布窓と、前記透明窓材あるいは前記透明定盤と、研磨液の膜を通してモニタするのに対し、引用発明では、そのように特定されていない点。
　
４　相違点についての検討
ア　相違点１について
　研磨布にウエハを押し付けて研磨する研磨装置は、例えば、刊行物３にも記載されているように従来周知の事項である。
　刊行物３には、さらに、上記２（３）に示したとおり、ウエハにおける研磨表面に対して光を照射するための投光用光ファイバーと、前記ウエハにおける研磨表面からの反射光を受光するための受光用光ファイバーとを設けることにより研磨の進行の状態を検出することが記載されている。そして、前記研磨の進行の状態の検出は研磨の最中に行われることが明らかであるとともに、研磨の進行が所定の状態となったときに研磨を終了させることも当然なされる事項である。
　また、基板等に形成される薄膜の膜厚を測定するために複数の波長からなる光を照射しすることも、例えば、上記刊行物４に記載されているほか、特開昭６３−５０７０３号公報、特開昭５９−６０２０３号公報にも記載されているように従来周知の事項にすぎない。
　してみると、引用発明に、刊行物３に記載された事項及び上記従来周知の事項を適用して相違点１に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
イ　相違点２について
　刊行物２には、上記２（２）に示したとおりの事項が記載されている。
　刊行物２は、スタンパ１が被着される保護盤２の測定面２ａに測定光３ｄを照射し測定面２ａからの反射光をモニタするものであるが、測定面２ａに測定光３ｄを照射するセンサ３ａは、研磨クロスに設けられた窓とガラス板４とを通過させて測定光３ｄを照射し、前記研磨を終了させる手段は、前記窓と、ガラス板４と、研磨液の膜を通して測定面２ａに照射され反射された測定光３ｄをモニタするものである。刊行物２における「研磨クロスに設けられた窓」及び「ガラス板４」は、それぞれ「研磨布に設けられた研磨布窓」及び「透明窓材」ということができるものである。
　したがって、刊行物２には、測定面に光を照射する手段が、前記研磨布に設けられた研磨布窓と、透明窓材と、を通過させて測定面に光を照射し、前記研磨を終了させる手段は、前記測定面の光反射状態を、前記研磨布窓と、前記透明窓材と、研磨液の膜を通してモニタすることが記載されているとすることができる。
　そして、引用発明及び刊行物２に記載された事項は、研磨装置における研磨の終点を検知する技術という共通の技術分野に属するものであるから、引用発明における測定面であるウエハの研磨面に光を照射する手段及びウエハからの反射光をモニタする手段として刊行物２に記載された事項を採用し、相違点２に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　本願発明の奏する作用効果についてみても、引用発明、刊行物２乃至３に記載された事項及び従来周知の事項から当業者が十分予測しうる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物２乃至３に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおりであり、本件出願の請求項１に係る発明は、引用発明、刊行物２乃至３に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。