【事件の表示】
　特願２００１−　２４０３１「耐熱性皮膜、その製造方法および電気電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月１４日出願公開、特開２００２−２２６９８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年１月３１日の出願であって、その請求項１〜８に係る発明は、平成１９年８月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　最表面に厚さＸが０．０５〜２μｍのＳｎまたはＳｎ合金層、その内側に厚さＹが０．０５〜２μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層、更にその内側に厚さＺが０．０１〜１μｍのＮｉまたはＮｉ合金層が形成され、且つ前記金属間化合物を含む合金層と前記ＮｉまたはＮｉ合金層との間に厚さが０．７μｍ以下のＣｕ層を有してなる４５０〜７００℃の温度で４〜２０秒間または３５０〜８００℃の温度で５〜２０秒間リフロー処理された耐熱性皮膜。」
　
２．当審の拒絶理由の概要
　当審において通知した平成１９年６月１２日付け拒絶理由の１つは、平成１７年６月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された発明は、本願出願前に国内において頒布された刊行物である引用文献１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
３．引用文献とその主な記載事項
〔１〕引用文献１：特開平１１−１３５２２６号公報
〔１ａ〕「【特許請求の範囲】
【請求項１】　銅亜鉛合金を母材とする雄部品および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、
(a) 前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも一方の銅亜鉛合金母材の表面にニッケルめっき層を形成するニッケルめっき工程と、
(b) 前記ニッケルめっき層の表面に銅めっき層を形成する銅めっき工程と、
(c) 前記銅めっき層の表面に錫めっき層を形成する錫めっき工程と、
(d) 前記錫めっき層が形成された前記銅亜鉛合金母材に熱処理を行って前記錫めっき層のうち前記銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ6Ｓｎ5に合金化する熱処理工程と、を備えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
【請求項２】　請求項１記載の嵌合型接続端子の製造方法において、
前記熱処理は１５０℃以上１７０℃以下で行うことを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
【請求項３】　請求項１または請求項２記載の嵌合型接続端子の製造方法において、
前記熱処理工程は、前記雄部品または前記雌部品のうちの一方の前記嵌合による摺動部分に０．１μｍ〜０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方の前記嵌合による摺動部分に０．１μｍ以上の厚さの錫めっき層を残留させる工程を含むことを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。」
〔１ｂ〕「【００１０】そこで、本発明者等は、銅または銅合金の母材の表面に錫めっき層を形成した後、熱処理を行い、銅と錫めっき層との界面近傍にＣｕ6Ｓｎ5金属間化合物を生成させることによって端子の見かけの表面硬度を上昇させることにより、端子挿入力を低下させる技術を案出した。この技術によれば、安定した低い接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下させることができる。」
〔１ｃ〕「【００２３】＜Ｂ．嵌合型接続端子の製造方法＞次に、嵌合型接続端子の製造方法について説明する。本実施形態における嵌合型接続端子は、母材として亜鉛を含む銅合金を使用し、例えば丹銅（・・・）、黄銅（・・・）、洋白（・・・）などを使用する。製造工程としては、まず母材となる板状の条材にめっき処理を行った後、その条材を上記形態に加工し、さらに加工後の端子に熱処理を施して嵌合型接続端子を製造する。
　　　　【００２４】＜Ｂ−１．めっき工程＞まず、めっき層の密着性を高めるため、板状の条材表面の・・・前処理を行う。そして、次に、条材の表面にめっき処理を施し、めっき層を形成する。本実施形態でのめっき工程は、
(１)ニッケルめっき
(２)銅めっき
(３)錫めっき
の順に行われ、母材表面に近い側から順にニッケルめっき層、銅めっき層、錫めっき層を形成する。
　　　　【００２５】このときに、ニッケルめっき層の厚さは０．３μｍ以上１．０μｍ以下とし、銅めっき層の厚さは０．３μｍ以上０．８μｍ以下とし、錫めっき層の厚さは０．５μｍ以上２．０μｍ以下としている。ニッケルめっき層の厚さを０．３μｍ以上１．０μｍ以下としているのは、０．３μｍ未満では後述する亜鉛の遮蔽効果が不足し、１．０μｍより大きいとき端子への加工時における加工性が低下するからである。また、銅めっき層の厚さを０．３μｍ以上０．８μｍ以下としているのは、０．３μｍ未満では後述する合金化の制御が困難となり、０．８μｍより大きいとめっき層のき裂が発生して耐食性が低下するおそれがあるからである。さらに、錫めっき層の厚さを０．５μｍ以上２．０μｍ以下としているのは、銅めっき層と同様に、０．５μｍ未満では合金化の制御が困難となり、２．０μｍより大きいとめっき層のき裂が発生して耐食性が低下するおそれがあるからである。」（原文中の数字を囲む○の代わりに(　)を使用している。）
〔１ｄ〕「【００２８】＜Ｂ−２．熱処理工程＞次に、成形後の端子の熱処理を行う。熱処理時の錫めっき層の変化について図３を用いて説明する。
　　　　【００２９】熱処理前においては、図３（ａ）に示す如く、銅亜鉛合金の母材１の表面に近い側から順にニッケルめっき層２、銅めっき層３、錫めっき層４が形成された状態となっている。そして、この状態で１５０℃以上１７０℃以下の温度条件において熱処理を施す。錫中における銅の拡散係数は常温においても比較的大きいが、１５０℃以上１７０℃以下の温度条件ではさらに大きくなり、銅は錫中を容易に拡散して錫めっき層４と銅めっき層３との界面近傍から順にＣｕ6Ｓｎ5層５が生成され、合金化が促進される（図３（ｂ）の状態）。ここで、熱処理の温度条件を１５０℃以上１７０℃以下にしているのは、１５０℃未満では錫中における銅の拡散速度が遅く合金化に長時間を要し、また１７０℃より大きいと錫めっき層４と銅めっき層３との界面近傍からＣｕ3Ｓｎが生成されるからである。
　　　　【００３０】１７０℃よりも大きい温度領域では、低温域あるいは早期にできた金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5が金属間化合物Ｃｕ3Ｓｎに変化して成長するのであるが、この金属間化合物Ｃｕ3Ｓｎ層６は柱状に成長する（図３（ｃ）の状態）。このような状態になると、端子の表面の凹凸が激しくなるため、端子の接触抵抗が上昇する。なお、図３（ｃ）において点線で示しているのは、熱処理前の錫めっき層４の表面である。
　　　　【００３１】これに対して、Ｃｕ6Ｓｎ5層５は錫めっき層４の表面と平行に均一に成長するため、錫めっき層４の表面が凹凸になることもなく、また、錫めっき層４の表面は純錫のみであるため耐食性が低下することもない。
　　　　【００３２】熱処理中、金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5層５は時間とともに成長し、それに従って残留錫めっき層４の厚さが薄くなる。錫めっき層２が完全に金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5層５に変化すると、当該金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5層５は硬度が高いため、端子の接触抵抗が高くなることもある。そこで、本実施形態では、熱処理温度と時間とを調節して錫めっき層４を残留させるとともに、端子挿入力の低下を目的としてその残留厚さを制御している。・・・」
〔１ｅ〕図３（ｂ）には、熱処理された母材１上に順番に、ニッケルめっき層２、銅めっき層３、Ｃｕ6Ｓｎ5層５、錫めっき層４が存在することが示されている。
　
〔２〕引用文献２：特開平６−１９６３４９号公報
〔２ａ〕「【目的】　耐熱剥性が優れ、熱処理後も良好な半田濡れ性を示すタンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材を提供する。
【構成】　本発明に係るタンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材は、洋白からなる基材４と、この基材４上に形成されたニッケルめっき層２と、このニッケルめっき層２上に０．２乃至２．０μｍの厚さで形成された錫及び銅の金属間化合物層３と、この金属間化合物層３上に形成された錫めっき層１（又は、半田めっき層）とを有する。金属間化合物層３は、例えばニッケルめっき層上に０．１乃至１．０μｍの厚さの銅めっき層を形成し、この銅めっき層上に錫若しくは半田めっき層を形成した後リフロー処理を施すか、又は銅めっき層上に溶融錫めっき若しくは溶融半田めっきを施すことにより形成する。」
〔２ｂ〕「【特許請求の範囲】
【請求項１】　洋白からなる基材と、この基材上に形成されたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層の上に０．２乃至２．０μｍの厚さで形成された錫及び銅の金属間化合物層と、この金属間化合物層の上に形成された錫又は半田からなるめっき層とを有することを特徴とするタンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材。
【請求項２】　洋白からなる基材の表面上にニッケルめっき層を形成する工程と、このニッケルめっき層上に０．１乃至１．０μｍの厚さの銅めっき層を形成する工程と、この銅めっき層上に錫又は半田めっき層を形成する工程と、リフロー処理により前記錫又は半田めっき層と前記ニッケルめっき層との間に０．２乃至２．０μｍの厚さの錫及び銅の金属間化合物層を形成する工程とを有することを特徴とするタンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材の製造方法。」
　
〔３〕引用文献３：特開平１１−１４０５６９号公報
〔３ａ〕「【課題】　Ｓｎメッキ銅合金薄板およびその薄板で製造したコネクタを提供する。
【解決手段】　銅合金薄板１、銅合金薄板１の上に形成されたＣｕ下地層８、Ｃｕ下地層８の上に形成されたＣｕとＳｎを主成分とする拡散合金層２、この拡散合金層２の上に形成されたＳｎまたはＳｎ合金メッキ仕上げ層３からなり、前記拡散合金層２は、ＳｎまたはＳｎ合金メッキ仕上げ層３に接する側が溝４により粒状区画５に区切られた構造を有する。」
〔３ｂ〕「【０００７】この発明のＳｎまたはＳｎ合金メッキ銅合金薄板を構成する銅合金薄板は、通常のコネクタを作るためのＳｎまたはＳｎ合金メッキ銅合金薄板に使用するＣｕ−Ｚｎ合金（例えば、Ｃ２６００）、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ合金（例えば、Ｃ５１９１）、Ｍｇ：０．３〜２重量％、Ｐ：０．００１〜０．１重量％を含有し、残りがＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄板などいかなる種類の銅合金薄板も使用することができるが、特に、Ｎｉ：０．５〜３重量％、Ｓｉ：０．０８〜０．７重量％、Ｓｎ：０．１〜０．９重量％、Ｚｎ：０．１〜３重量％、Ｆｅ：０．００７〜０．２５重量％、Ｐ：０．００１〜０．２重量％、Ｍｇ：０．０００３〜０．２重量％、Ｐｂ：０．００１〜０．０１重量％を含有し、さらにＣｒ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｈおよびＩｒのうちの１種または２種以上を合計で０．０００２〜０．０５重量％を含有し、残りがＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる銅合金薄板を使用すると、熱的安定性に優れたＳｎまたはＳｎ合金メッキ銅合金薄板が得られ一層好ましい。」
〔３ｃ〕「【００１０】この発明のＳｎまたはＳｎ合金メッキ銅合金薄板のＳｎまたはＳｎ合金メッキ仕上げ層側の溝により区画された粒状区画を有する拡散合金層は、銅合金薄板、銅合金薄板の上に形成されたＣｕ下地層またはＮｉ下地層の上にＳｎまたはＳｎ合金メッキ仕上げ層を電気メッキ法により形成し、ついで、通常より高い温度でリフロー処理を施すことにより製造することができる。前記Ｓｎ合金メッキ仕上げ層のＳｎ合金は、いかなる組成のＳｎ合金であってもよいが、Ｐｂ：３〜５０重量％を含有し、残りがＳｎおよび不可避不純物からなるＳｎハンダ、またはＣｕ：１〜１０重量％を含有し、残りがＳｎおよび不可避不純物からなるＳｎハンダであることが好ましい。メッキ仕上げ層がＳｎである場合、拡散合金層は二元系のＣｕ−Ｓｎ合金または二元系のＮｉ−Ｓｎ合金で構成されるが、メッキ仕上げ層がＳｎ合金である場合、ＣｕとＳｎまたはＮｉとＳｎを主成分とする三元系以上の合金で構成される。この銅合金薄板、銅合金薄板の上に形成されたＣｕ下地層またはＮｉ下地層とＳｎまたはＳｎ合金メッキ仕上げメッキ層との間に形成された拡散合金層は、通常、ＳｎまたはＳｎ合金メッキ仕上げメッキ層よりも硬く、挿入力を低める意味からコネクタ用ＳｎまたはＳｎ合金メッキ銅合金薄板に欠くことのできない構成である。」
〔３ｄ〕「【００２０】実施例１
表１に示される銅合金板Ａ〜Ｈをアルカリ脱脂、電解脱脂および酸洗いした後、下記の条件により、表３〜表４に示される厚さのＣｕ下地メッキを行い、さらに表３〜表４に示される厚さのＳｎ仕上げメッキまたは９０％Ｓｎ−１０％Ｐｂ仕上げメッキを行い、ついで還元雰囲気中、表３〜表４に示される条件のリフロー処理を行うことにより、表３〜表４に示される平均粒径を有する粒状区画および平均厚さからなる拡散合金層を形成した本発明Ｓｎメッキ銅合金薄板（以下、本発明薄板という）１〜１１および比較Ｓｎメッキ銅合金薄板（以下、比較薄板という）１〜２を作製した。」
〔３ｅ〕表３には、実施例の本発明薄板種別２について、銅合金板がＡであり、Ｃｕ下地メッキの平均厚さが０．２６μｍであり、Ｓｎ仕上げメッキ層の平均厚さが０．７１μｍであり、リフロー処理条件が７００℃、７秒であり、拡散合金層の平均厚さが０．２５μｍであり、拡散合金層の粒状区画の平均粒径が０．４μｍである旨が記載されている。
〔３ｆ〕表３には、実施例の本発明薄板種別１〜４、６、８〜１１について、リフロー処理条件が７００〜８００℃、５〜９秒間である旨が記載されている。
〔３ｇ〕図１には、リフロー処理されたＳｎメッキ銅合金薄板は、銅合金薄板１上に順番に、Ｃｕ下地層８、ＣｕとＳｎを主成分とする拡散合金層２、Ｓｎメッキ仕上げ層３を有する旨が示されている。
　
〔４〕引用文献４：特開平１０−６０６６６号公報
〔４ａ〕「【課題】　自動車用の多極端子の挿入力を低減し、自動車を組み立てる際の作業者の疲労、作業性の低下を少なくする。
【解決手段】　厚さが０．１〜０．４μｍの銅と錫の金属間化合物又はニッケルと錫の金属間化合物からなる第１層と、さらにその上に、０．１〜１．２μｍの錫又は錫合金めっき層を有し、かつ、これらの同材の間の動摩擦係数が０．３以下であることを特徴とする多極端子用錫又は錫合金めっき銅合金。このめっき材から得られた端子は摩擦係数が小さく、端子の挿入力が低減できる。」
〔４ｂ〕「【特許請求の範囲】
【請求項１】　・・・
【請求項２】　
【請求項３】　銅合金上に０．０５〜０．２μｍの銅めっき、又は０．０８〜０．２５μｍのニッケルめっきを施し、さらに、その上に錫又は錫合金めっきを施した後に、リフロー処理を行うことによって、銅めっき又はニッケルめっきを全て銅と錫の金属間化合物又はニッケルと錫の金属間化合物に変化させることを特徴とする請求項２に記載された多極端子用錫又は錫合金めっき銅合金の製造方法。」
〔４ｃ〕「【０００７】・・・多極端子用錫又は錫合金めっき銅合金は、板又は条等の形の銅合金上に０．０５〜０．２μｍの銅めっき、又は０．０８〜０．２５μｍのニッケルめっきを施し、さらに、その上に錫又は錫合金めっきを施した後に、リフロー処理（錫又は錫合金めっき層をその融点以上で溶解させる）を行うことによって、銅めっき又はニッケルめっきを全て銅と錫の金属間化合物又はニッケルと錫の金属間化合物に変化させる・・・」
　
４．当審の判断
４−１．引用文献１を主引例として
（１）引用文献１記載の発明
(ア)引用文献１の摘示〔１ａ〕の請求項１には、めっき層を形成するめっき工程、めっき層の熱処理工程等を含む接続端子の製造方法が記載されているから、引用文献１には、そのような製造方法により製造された「めっき皮膜」も記載されているといえる。
(イ)摘示〔１ａ〕の請求項２には、上記熱処理は、１５０℃以上１７０℃以下で行うことが、同請求項３には、０．１μｍ〜０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させることが、それぞれ記載されている。
(ウ)摘示〔１ｃ〕には、該めっき工程について、「ニッケルめっき層の厚さは０．３μｍ以上１．０μｍ以下とし、銅めっき層の厚さは０．３μｍ以上０．８μｍ以下とし、錫めっき層の厚さは０．５μｍ以上２．０μｍ以下」とすることが記載されている。
(エ)図３には、摘示〔１ｅ〕のとおり、熱処理された母材１上に順番に、ニッケルめっき層２、銅めっき層３、Ｃｕ6Ｓｎ5層５、錫めっき層４が存在することが示されている。
　
　以上の（ア）〜（エ）の事項を考慮し、摘示〔１ａ〕〜〔１ｅ〕の記載を整理すると、引用文献１には、次の「めっき皮膜」の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　　　引用文献１発明：「銅亜鉛合金の母材上に順番に、０．３〜１．０μｍ厚のニッケルめっき層、０．３〜０．８μｍ厚の銅めっき層、０．５〜２．０μｍ厚の錫めっき層を形成し、めっき層が形成された母材に１５０℃以上１７０℃以下の熱処理を行って前記錫めっき層のうち前記銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ6Ｓｎ5に合金化して形成されためっき皮膜であって、母材上に順番に、ニッケルめっき層、銅めっき層、Ｃｕ6Ｓｎ5層、０．１〜０．３μｍ厚の錫めっき層を有するめっき皮膜。」
　 
（２）本願発明１と引用文献１発明との対比
　本願発明１と引用文献１発明を対比すると、
(カ)引用文献１発明における「錫めっき層」は、本願発明１における「Ｓｎ層」に相当し、以下同様に、「Ｃｕ6Ｓｎ5層」は「Ｃｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層」に、「ニッケルめっき層」は「Ｎｉ層」に、「銅めっき層」は「Ｃｕ層」に、それぞれ相当するといえる。
(キ)本願発明１における「リフロー処理」は、「熱処理」の１種と認められる。
　
　以上の（カ）、（キ）の事項を考慮すると、両者は、
「最表面に厚さＸが０．１〜０．３μｍのＳｎ層、その内側にＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層、更にその内側にＮｉ層が形成され、且つ前記金属間化合物を含む合金層と前記Ｎｉ層との間にＣｕ層を有してなる熱処理された皮膜。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　　相違点１：本願発明１では、Ｃｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層、Ｎｉ層、Ｃｕ層の厚さが、それぞれ「０．０５〜２μｍ」、「０．０１〜１μｍ」、「０．７μｍ以下」であるのに対し、引用文献１発明では、それらの厚さが不明である点
　
　　　相違点２：熱処理が、本願発明１では、「４５０〜７００℃の温度で４〜２０秒間または３５０〜８００℃の温度で５〜２０秒間」の「リフロー処理」であるのに対し、引用文献１発明では、「１５０℃以上１７０℃以下」の熱処理である点
　
　　　相違点３：本願発明１では、皮膜が「耐熱性」であるのに対し、引用文献１発明では、皮膜が「耐熱性」であるか否か不明である点
　 
（３）相違点についての検討
(i)相違点１について
　引用文献１発明においては、熱処理により「錫めっき層のうち前記銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ6Ｓｎ5に合金化」するのであるから、該熱処理により、「Ｓｎ層」の一部と「Ｃｕ層」の一部の厚さが減少して、その減少分が「Ｃｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層」（以下、単に「Ｃｕ−Ｓｎ合金層」ということがある。）となり、「Ｎｉ層」は格別に変化しないといえる。そして、熱処理前のＳｎ層、Ｃｕ層、Ｎｉ層の厚さが、それぞれ、「０．５〜２．０μｍ」、「０．３〜０．８μｍ」、「０．３〜１．０μｍ」であり、熱処理後のＳｎ層の厚さが「０．１〜０．３μｍ」であることを勘案すると、引用文献１発明は、Ｃｕ−Ｓｎ合金層、Ｎｉ層、Ｃｕ層の厚さが、それぞれ「０．０５〜２μｍ」、「０．０１〜１μｍ」、「０．７μｍ以下」である旨の本願発明１の特定事項を満足するものと認められる。したがって、上記相違点１は、実質的な相違とはいえない。
　
(ii)相違点２について
　まず、熱処理を行う理由について検討するに、本願発明１において、熱処理の１種としての「リフロー処理」は、次の摘示Ａ等の記載からみて、最表面のＳｎを溶融させるリフロー処理と兼ねて、中間めっきのＣｕと最表面のＳｎを拡散させ、所定厚さのＣｕ−Ｓｎ合金層（Ｃｕ−Ｓｎ拡散層）を得るためのものであると認められる。また、該Ｃｕ−Ｓｎ合金層は、次の摘示Ｂ、Ｃの記載からみて、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ４Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５等のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物を含み、挿入力の低減効果等を奏するものであり、表面粗さを増大するため、厚さを２μｍ以下にしたものと認められる。してみると、本願発明１における熱処理の１種としての「リフロー処理」は、挿入力の低減等の効果を奏するＣｕ−Ｓｎ合金層を所定の厚さに形成するためのものといえる。
　
・摘示Ａ：「【００１１】・・・次に、中間めっきのＣｕと最表面のＳｎを拡散させ、Ｃｕ−Ｓｎ拡散層を得る。この処理は、最表面のＳｎを溶融させるリフロー処理と兼ねることが望ましい。具体的には、リフロー処理時のヒートパターンを適正にすることにより、所望の厚さのＳｎとＣｕ−Ｓｎ拡散層が得られる。ただし、中間のＣｕめっきは、Ｃｕ―Ｓｎ拡散層を形成するための厚さであればよく、反応で残された余剰な厚さとしては必要ない。具体的にはＣｕとして残る厚さは０．７μｍ以下、更に０．３μｍ以下が望ましい。余剰なＣｕは、長期加熱により拡散し、Ｃｕ−Ｓｎ拡散層を成長させ、最表層部のＳｎ厚さを減少し、接触抵抗やはんだ付け性を低下させる。リフロー処理条件は、３００〜９００℃の温度、１〜３００秒間の条件が望ましい。３００℃より低い温度や９００℃を越える温度では、リフローと拡散の両方を同時に制御しにくい。・・・主なリフロー方式は、バーナー方式、熱風循環方式、赤外線方式、ジュール熱方式があるが、いずれの方式を用いてもよい。ただし、それらの方法によって加熱時間が異なるが、１秒未満では充分な拡散層が得られず、且つ３００秒を超える時間では効果が飽和し、コスト的にも不利になる。」
・摘示Ｂ：「【０００４】
【課題を解決するための手段】・・・Ｃｕ−Ｓｎ合金層（Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ４Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５等のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物を含む合金層や下地のＮｉが熱拡散したＣｕ−Ｓｎ−Ｎｉ等の合金層等）・・・」
・摘示Ｃ：「【０００７】・・・Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物を含む合金層は、熱処理によって下地Ｃｕ被覆例えばＣｕめっきからのＣｕの拡散を利用し、表面に被覆したＳｎと合金化することを利用して形成させるのが好ましい。したがって反応後に残るＣｕを含むものとする。ただし、Ｃｕとして残るめっき厚さは０．７μｍ以下、更に０．３μｍ以下が望ましい。余剰なＣｕは、長期加熱により拡散し、Ｃｕ−Ｓｎ拡散層を成長させ、最表層部のＳｎ厚さを減少し、接触抵抗やはんだ付け性を低下させる。このようにして得られたＣｕ―Ｓｎ金属間化合物を含む合金層は、更にその内側（下地側）からのＮｉの拡散を効果的に抑制し、表面にＮｉ−Ｓｎの合金層やその酸化物の形成を効果的に抑制する。これにより、長期加熱後の接触抵抗の増大を抑制することができる。更に、硬質なＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物を含む合金層は挿入力の低減効果にも寄与する。このような効果を効率的に発現させるためには０．０５μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上の厚さが必要である。しかしながら、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物を含む合金層が厚すぎると、加工性が著しく低下する。また、拡散によって生じたＣｕ−Ｓｎ拡散層は表面粗さを増大するため、最表層部のＳｎ被覆を調整しても、外観の荒れや挿入力に悪影響を及ぼしやすい。したがって、好ましいＣｕ−Ｓｎ厚さは２μｍ以下、更に好ましくは１μｍ以下とする。・・・」
　
　これに対し、引用文献１発明においては、摘示〔１ｂ〕等の記載からみて、熱処理により、銅と錫めっき層との界面近傍にＣｕ6Ｓｎ5金属間化合物（すなわち、Ｃｕ−Ｓｎ合金層）を生成させることによって端子の見かけの表面硬度を上昇させ、端子挿入力を低下させるのであるから、両者の熱処理は、挿入力の低減等の効果を奏するＣｕ−Ｓｎ合金層を形成するためのものである点で共通しているといえる。
　
　次に、Ｃｕ−Ｓｎ合金層と熱処理条件について検討するに、本願発明１では、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の金属間化合物として、Ｃｕ６Ｓｎ５だけでなくＣｕ３Ｓｎ等の生成をも許容するものであり、そのための熱処理条件は、「４５０〜７００℃の温度で４〜２０秒間または３５０〜８００℃の温度で５〜２０秒間」であるのに対し、引用文献１発明では、摘示〔１ｄ〕の記載からみて、熱処理温度が１７０℃より大きいと、金属間化合物としてＣｕ3Ｓｎ層が生成し、柱状に成長して、端子の表面の凹凸を激しくし、端子の接触抵抗を上昇させるので、金属間化合物として、錫めっき層の表面と平行に均一に成長し、錫めっき層の表面を荒らさないＣｕ6Ｓｎ5層が生成するように、熱処理条件を１５０℃以上１７０℃以下にしたものと認められる。
　そして、引用文献３の摘示〔３ａ〕〜〔３ｆ〕や引用文献４の摘示〔４ａ〕〜〔４ｃ〕の記載にみられるように、銅合金上に形成されたＣｕ層（Ｃｕ下地層、銅めっき）とＳｎ層（Ｓｎメッキ仕上げ層、錫めっき）をリフロー処理して挿入力低減効果を奏するＣｕ−Ｓｎ合金層（拡散合金層、銅と錫の金属間化合物）を生成する際に、リフロー処理条件を、７００〜８００℃、５〜９秒間とすること、及び、Ｓｎ層の融点以上とすることが知られていること、本願発明１において、Ｃｕ−Ｓｎ合金層は、表面粗さを増大させるものと認識されていること（上記摘示Ｃ参照）を併せ考慮すると、引用文献１発明において、熱処理条件を１５０℃以上１７０℃以下にしたのは、表面粗さをより低減しようとしたものといえる。
　
　そして、表面粗さは、製品の用途、使用態様等を勘案して、適宜決定される程度のものであるし、前述のようなリフロー処理条件が知られていることを考慮すると、引用文献１発明において、表面粗さとして従来程度のものを許容し、それに合わせて、リフロー処理条件を「４５０〜７００℃の温度で４〜２０秒間または３５０〜８００℃の温度で５〜２０秒間」の範囲内のものとすることは、引用文献３、４の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
(iii)相違点３について
　本願明細書の次の摘示Ｄ、Ｅなどの記載からみて、本願発明１の皮膜における耐熱性は、Ｎｉ層（乃至Ｎｉ層とＣｕ−Ｓｎ合金層）によるものと認められるところ、引用文献１発明は、前述のとおり、Ｎｉ層（乃至Ｎｉ層とＣｕ−Ｓｎ合金層）を有するから、引用文献１発明の皮膜も同様の耐熱性を有すると認められる。
　また、引用文献３の摘示〔３ｂ〕には、銅合金母材（銅合金薄板）の組成を所定のものとすることにより、熱的安定性に優れたＳｎメッキ銅合金薄板が得られる旨が記載されているし、熱的安定性（耐熱性）は、当業者が適宜配慮する程度の課題であるから、引用文献１発明において、銅合金母材の組成を調整することにより、皮膜を耐熱性のものとすることは、引用文献３の前記記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものでもある。
　したがって、この相違点３は、実質的な相違といえないか、当業者が容易に想到し得たものである。
　
・摘示Ｄ：「【０００７】・・・ＮｉまたはＮｉ合金層は、素材に銅または銅合金を利用した際のＣｕの拡散を効果的に抑制するばかりでなく、銅合金中の添加元素の拡散を効果的に抑制し、接触抵抗やはんだ付け性、更には皮膜の耐熱密着性の低下を効果的に防止する。例えば、黄銅中のＺｎ、りん青銅中のＰ等である。また、このＮｉまたはＮｉ合金層は、その上のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物を含む合金層と相まって、挿入力抵抗、耐熱性、耐食性等を向上する効果がある。・・・」
・摘示Ｅ：「【００１８】・・・Ｎｉ層の無いＮｏ．９、１０は摩擦係数が大きく、且つ加熱後の接触抵抗や変色の点で劣っている。・・・」
　
(iv)相違点検討のまとめ
　上記(i)〜(iii)の相違点検討のとおり、上記相違点１乃至３は、実質的な相違でないか、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本願発明１は、引用文献１、３、４の記載から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　よって、本願発明１は、引用文献１、３、４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４−２．引用文献３を主引例として
（１）引用文献３記載の発明
　引用文献３の摘示〔３ｄ〕、〔３ｅ〕には、メッキ後リフロー処理したＳｎメッキ銅合金薄板が記載されており、また、図１には、摘示〔３ｇ〕のとおり、リフロー処理されたＳｎメッキ銅合金薄板は、銅合金薄板上に順番に、Ｃｕ下地層、ＣｕとＳｎを主成分とする拡散合金層、Ｓｎメッキ仕上げ層を有する旨が示されているから、メッキ皮膜に着目して、それらの事項を整理すると、引用文献３には、次の「メッキ皮膜」の発明（以下、「引用文献３発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　　　引用文献３発明：「銅合金板Ａをアルカリ脱脂、電解脱脂及び酸洗いした後、平均厚さが０．２６μｍのＣｕ下地メッキを行い、さらに平均厚さが０．７１μｍのＳｎ仕上げメッキを行い、ついで還元雰囲気中、７００℃、７秒のリフロー処理を行うことにより、０．４μｍの平均粒径を有する粒状区画及び０．２５μｍの平均厚さからなる拡散合金層を形成したメッキ皮膜であって、銅合金薄板上に順番に、Ｃｕ下地層、ＣｕとＳｎを主成分とする拡散合金層、Ｓｎメッキ仕上げ層を有するメッキ皮膜。」
　
（２）本願発明１と引用文献３発明との対比
　本願発明１と引用文献３発明を対比すると、引用文献３発明における「Ｓｎメッキ仕上げ層」は、本願発明１における「Ｓｎ層」に相当し、以下同様に、「ＣｕとＳｎを主成分とする拡散合金層」は「Ｃｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層」に、「Ｃｕ下地層」は「Ｃｕ層」に、それぞれ相当するといえるから、両者は、
「最表面にＳｎ層、その内側に厚さＹが０．２５μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物を含む合金層が形成され、更にその内側にＣｕ層を有してなる７００℃の温度で７秒間リフロー処理された皮膜。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　　相違点１：本願発明１では、Ｓｎ層、Ｃｕ層の厚さが、それぞれ「０．０５〜２μｍ」、「０．７μｍ以下」であるのに対し、引用文献３発明では、それらの厚さが不明である点
　
　　　相違点２：本願発明１では、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の内側であって、更にＣｕ層の内側に「厚さＺが０．０１〜１μｍのＮｉまたはＮｉ合金層」が形成されているのに対し、引用文献３発明では、そのような「ＮｉまたはＮｉ合金層」が存在しない点
　
　　　相違点３：本願発明１では、皮膜が「耐熱性」であるのに対し、引用文献３発明では、皮膜が「耐熱性」であるか否か不明である点
　 
（３）相違点についての検討
(i)相違点１について
　引用文献３発明において、Ｃｕ−Ｓｎ合金層は、リフロー処理によりＳｎ層のＳｎとＣｕ層のＣｕが拡散して形成されると認められ、しかも、リフロー処理前のＳｎ層、Ｃｕ層の厚さが、それぞれ、「０．７１μｍ」、「０．２６μｍ」であり、リフロー処理後のＣｕ−Ｓｎ合金層の厚さが「０．２５μｍ」であることを勘案すると、引用文献３発明は、Ｓｎ層、Ｃｕ層の厚さが、それぞれ「０．０５〜２μｍ」、「０．７μｍ以下」である旨の本願発明１の特定事項を満足するものと認められる。
　
(ii)相違点２について
　引用文献１の摘示〔１ｃ〕などには、銅合金（銅亜鉛合金）の母材上に、Ｃｕめっき層（銅めっき層）、Ｓｎめっき層（錫めっき層）を形成し、めっき層が形成された母材に熱処理を行ってＣｕ−Ｓｎ合金層を形成する際に、その合金化を制御するためや母材中の亜鉛を遮蔽するために、０．３〜１．０μｍのＮｉ層（ニッケル層）を形成する旨が記載されている。
　また、引用文献２の摘示〔２ａ〕、〔２ｂ〕には、銅合金（洋白）からなる基材上に形成されたＣｕめっき層（銅めっき層）、Ｓｎめっき層（錫めっき層）を形成した後リフロー処理を施し、Ｃｕ−Ｓｎ合金層（錫及び銅の金属間化合物層）を形成する際に、母材とＣｕめっき層（銅めっき層）との間にＮｉ層（ニッケルめっき層）を形成する旨が記載されている。
　してみれば、引用文献３発明において、銅合金母材上にＣｕめっき層、Ｓｎめっき層を形成し、めっき層が形成された母材にリフロー処理を行ってＣｕ−Ｓｎ合金層を形成する際に、その合金化の制御や母材中の亜鉛の遮蔽等を課題として、０．３〜１．０μｍ程度のＮｉ層を形成することは、引用文献１乃至２の前記記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
(iii)相違点３について
　引用文献３の摘示〔３ｂ〕には、銅合金母材（銅合金薄板）の組成を所定のものとすることにより、熱的安定性に優れたＳｎメッキ銅合金薄板が得られる旨が記載されているし、熱的安定性（耐熱性）は、当業者が適宜配慮する程度の課題であるから、引用文献３発明において、銅合金母材の組成を調整することにより、皮膜を耐熱性のものとすることは、引用文献３の前記記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　また、本願発明１の皮膜における耐熱性が、本願明細書の上記摘示Ｄ、Ｅなどの記載にみられるように、Ｎｉ層（乃至Ｎｉ層とＣｕ−Ｓｎ合金層）によるものとしても、引用文献３発明は、Ｃｕ−Ｓｎ合金層を有するし、また、上記「(ii)相違点２について」で検討したように、引用文献３発明において、Ｎｉ層を形成することは、当業者が容易に想到し得たことであるから、この相違点３も同様に当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
(iv)相違点検討のまとめ
　上記(i)〜(iii)の相違点検討のとおり、上記相違点１乃至３は、実質的な相違でないか、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本願発明１は、引用文献１〜３の記載から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　よって、本願発明１は、引用文献１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。