【事件の表示】
　特願２００１−３３３４５８「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月１６日出願公開、特開２００３−１４２５００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月３０日の出願であって、平成１４年４月４日付けで手続補正がなされ、平成１７年９月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年１１月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１１月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するとともに、明細書の００１５段落ないし００１８段落を補正するものであり、請求項１ないし４についての補正は以下のとおりである。
補正事項ａ
　本件補正前の請求項１を、
「【請求項１】
　全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部と、第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部とを備え、当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部がすべて９０度よりも大きな角度で構成された、複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
　前記多層構造のレジストパターン上の全面に電極材料を蒸着法により被着した後、前記多層構造のレジストを除去することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｂ
　本件補正前の請求項２を、
「【請求項２】
　全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部と、第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部とを備え、当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部が円弧状にせしめられた、複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
　前記多層構造のレジストパターン上の全面に電極材料を蒸着法により被着した後、前記多層構造のレジストを除去することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｃ
　本件補正前の請求項３を、
「【請求項３】
　全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部と、第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部とを備え、当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部が開口の内側に凸の階段形状で構成された、複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
　前記多層構造のレジストパターン上の全面に電極材料を蒸着法により被着した後、前記多層構造のレジストを除去することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
補正事項ｄ
　本件補正前の請求項４を、
「【請求項４】
　全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲートゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部と、第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部とを備え、当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部が選択的に多重に露光された、複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
　前記多層構造のレジストパターン上の全面に電極材料を蒸着法により被着した後、前記多層構造のレジストを除去することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａ〜ｄを整理すると、以下のとおりである。
２−１−１　補正事項ａ
　補正事項ａについての補正は、本件補正前の請求項１の「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」を、「全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」と補正（以下、「補正事項ａ−１」という。）し、本件補正前の請求項１の「前記レジストパターン」を、「前記多層構造のレジストパターン」と補正（以下、「補正事項ａ−２」という。）し、本件補正前の請求項１の「電極材料を被着」を、「全面に電極材料を蒸着法により被着」と補正（以下、「補正事項ａ−３」という。）し、本件補正前の請求項１の「被着する」を、「被着した後、前記多層構造のレジストを除去する」と補正（以下、「補正事項ａ−４」という。）したものである。
２−１−２　補正事項ｂ
　補正事項ｂについての補正は、上記補正事項ａと同様に、本件補正前の請求項２の「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」を、「全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」と補正（以下、「補正事項ｂ−１」という。）し、本件補正前の請求項２の「前記レジストパターン」を、「前記多層構造のレジストパターン」と補正（以下、「補正事項ｂ−２」という。）し、本件補正前の請求項２の「電極材料を被着」を、「全面に電極材料を蒸着法により被着」と補正（以下、「補正事項ｂ−３」という。）し、本件補正前の請求項２の「被着する」を、「被着した後、前記多層構造のレジストを除去する」と補正（以下、「補正事項ｂ−４」という。）したものである。
２−１−３　補正事項ｃ
　補正事項ｃについての補正は、上記補正事項ａ、ｂと同様に、本件補正前の請求項３の「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」を、「全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」と補正（以下、「補正事項ｃ−１」という。）し、本件補正前の請求項３の「前記レジストパターン」を、「前記多層構造のレジストパターン」と補正（以下、「補正事項ｃ−２」という。）し、本件補正前の請求項３の「電極材料を被着」を、「全面に電極材料を蒸着法により被着」と補正（以下、「補正事項ｃ−３」という。）し、本件補正前の請求項３の「被着する」を、「被着した後、前記多層構造のレジストを除去する」と補正（以下、「補正事項ｃ−４」という。）したものである。
２−１−４　補正事項ｄ
　補正事項ｄについての補正は、上記補正事項ａ〜ｃと同様に、本件補正前の請求項４の「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」を、「全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」と補正（以下、「補正事項ｄ−１」という。）し、本件補正前の請求項４の「前記レジストパターン」を、「前記多層構造のレジストパターン」と補正（以下、「補正事項ｄ−２」という。）し、本件補正前の請求項４の「電極材料を被着」を、「全面に電極材料を蒸着法により被着」と補正（以下、「補正事項ｄ−３」という。）し、本件補正前の請求項４の「被着する」を、「被着した後、前記多層構造のレジストを除去する」と補正（以下、「補正事項ｄ−４」という。）したものである。
　
２−２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　以下、補正事項ａないしｄについて検討する。
２−２−１　補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正事項ａ−１ないし補正事項ａ−４からなるので、それぞれ検討する。
・補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１についての補正は、本件補正前の請求項１の「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」を「全面に広がる最下層のレジストに形成され、ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」と限定したものである。
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書の【００２４】段落及び【００２７】段落には、「ストッパ層５の露出した表面上に第１レジスト層１０、第２レジスト層１１、第３レジスト層１２を公知のスピンコート法などによって形成する。」及び、「図２に示す工程によって露出した第１レジスト層１０に対して、電子ビーム露光法を使用してファインゲート部のパターンを露光し、その後、現像処理（さらにはリンス処理など）を実施することにより、ファインゲート部のパターンを形成する。」と記載されているので、第１開口部に相当するファインゲート部のパターンは、最下層のレジストに相当する第１レジスト層１０に形成されており、しかも、第１レジスト層１０を公知のスピンコート法によって形成すると、レジストが全面に広がることは、明らかである。
　したがって、補正事項ａ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正事項ａ−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する要件を満たす。
・補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２についての補正は、本件補正前の請求項１の「前記レジストパターン」を「前記多層構造のレジストパターン」と補正したものであり、本件補正前の請求項１の「前記レジストパターン」が、単層であるか多層であるかについて、多層から構成されるものであると限定するものである。
　したがって、補正事項ａ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正事項ａ−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する要件を満たす。
・補正事項ａ−３について
　補正事項ａ−３についての補正は、本件補正前の請求項１の「電極材料を被着」を「全面に電極材料を蒸着法により被着」と限定したものである。
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書の【００２８】段落及び【００２９】段落には、「図４に示すように、以上の工程によって形成されたレジストパターンに対してゲート電極材料を被着する。」及び、「本実施形態では、Ｔｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層の三層構造をもっている。各層の詳細は以下の通りである。
Ｔｉ層７−１：　厚み：  １０ｎｍ　成膜方法：蒸着法
Ｐｔ層７−２：　厚み：  ５０ｎｍ　成膜方法：蒸着法
Ａｕ層７−３：　厚み：  400 ｎｍ　成膜方法：蒸着法」と記載されている。また、図４を参照すると、電極材料は、全面に被着されていることが示されている。
　したがって、補正事項ａ−３についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正事項ａ−３についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する要件を満たす。
・補正事項ａ−４について
　補正事項ａ−４についての補正は、本件補正前の請求項１の「被着する」を「被着した後、前記多層構造のレジストを除去する」と補正したものである。
　そして、本件補正後の請求項１の「前記多層構造のレジストを除去する」（工程）という発明を特定するための事項は、本件補正前の請求項１の「被着する」（工程）という発明を特定するための事項に追加されたものであり、工程の追加となっている。
　すると、補正事項ａ−４についての補正は、発明を特定するための事項である工程を追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ａ−４についての補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかであるので、補正事項ａ−４についての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号から第４号に規定する要件を満たさない。
　したがって、補正事項ａ−４についての補正を含む補正事項ａについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
２−２−２　補正事項ｂないしｄについて
　補正事項ｂないしｄについての補正は、検討すべき事項が、上記「２−２−１　補正事項ａについて」と同様であるので、「補正事項ａについて」において検討したと同様の理由により、補正事項ｂ−４、ｃ−４、ｄ−４についての補正を含む補正事項ｂ、ｃ、ｄについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下されるべきものである。
　　
第３　本願発明について
　平成１７年１１月１７日付けの手続補正は上記「第２」のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであり、また、本願の請求項１０に係る発明は、平成１４年４月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１０に記載された事項により特定されるものであり、本願の請求項１ないし１０に係る発明のうち、請求項２に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項２】　ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部と、第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部とを備え、当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部が円弧状にせしめられた、複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターン上に電極材料を被着することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第４　引用刊行物記載の発明
　１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平１０−１４４５８２号公報）には、図１３及び図１４とともに、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、
「【０００２】
【従来の技術】ミリ波等の周波数帯域で動作させる電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）である例えばＨＥＭＴやＭＥＳＦＥＴ等には、ゲートとしていわゆるＴ型ゲートが用いられている。このＴ型ゲートを用いると、ゲート抵抗、ソース抵抗を低減できると共に、ゲート−ソース間容量を低減できるため、ＦＥＴの遮断周波数を向上させることができる。このようなＴ型ゲートを形成する方法は、従来より多数発明されているが、その一例として、感度の異なるレジストを複数層形成し、これら複数のレジスト層を用いてＴ型ゲートを形成する方法がある。例えば３層のレジストを用いてＴ型ゲートを形成する方法の一つに、特開平５−２６５２２３号公報に記載された方法がある。
【０００３】３層レジスト法の適応形態の一つに以下の方法がある。図１３（ａ）に示すように、半導体基板１上に、まず感度が低いレジストにより第１レジスト層２を形成する。そして、この第１レジスト層２上に、第１レジスト層２よりも感度の高いレジストで第２レジスト層３を形成する。更に、この第２レジスト層３上に、第２レジスト層３よりも感度の低いレジストで第３レジスト層４を形成する。この後、第３レジスト層４及び第２レジスト層３の広い範囲を電子線で一括描画（図１３（ａ）にて矢印で示す）してから、一括現像することにより、Ｔ型ゲートの頭部を形成するための開口部５を第２レジスト層３及び第３レジスト層４に形成する（図１３（ｂ）参照）。
【０００４】次に、第１レジスト層２のうちの上記開口部５によって露出した部分の中央部を電子線で描画（図１３（ｂ）にて矢印で示す）してから、現像することにより、Ｔ型ゲートの足部を形成するための開口部６を形成する（図１３（ｃ）参照）。続いて、ゲート用の金属を蒸着した後、レジスト層２、３、４及びレジスト層４上に蒸着された金属層をリフトオフすることにより、Ｔ型ゲートを形成するように構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来構成では、図１４に示すように、第２レジスト層３の現像時、または、その後の工程時に、開口部５の底部において第２レジスト層３の下端部から第１レジスト層２を貫くようなクラック７が発生するという問題点が生じた。このクラック７が発生する原因として、以下のことが考えられる。即ち、レジスト層２、３、４を形成する際のベーキング工程において、半導体基板１とレジスト層２、３、４との熱膨張係数の差により、レジスト層の内部に応力が発生する。そして、第２レジスト層３及び第３レジスト層４の現像時に、開口部５の形状によってクラック７が発生する部分に上記応力が集中するため、クラック７が発生してしまうと考えられるのである。」ことが、記載されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、従来の技術として、以下の発明が記載されている。
「半導体基板１上に、感度が低いレジストにより第１レジスト層２を形成し、前記第１レジスト層２上に、第１レジスト層２よりも感度の高いレジストで第２レジスト層３を形成し、前記第２レジスト層３上に、第２レジスト層３よりも感度の低いレジストで第３レジスト層４を形成して、感度の異なるレジストを複数層形成し、第３レジスト層４及び第２レジスト層３の広い範囲を電子線で一括描画してから、一括現像することにより、Ｔ型ゲートの頭部を形成するための開口部５を第２レジスト層３及び第３レジスト層４に形成し、第１レジスト層２のうちの前記開口部５によって露出した部分の中央部を電子線で描画してから、現像することにより、Ｔ型ゲートの足部を形成するための開口部６を形成し、続いて、ゲート用の金属を蒸着することにより、Ｔ型ゲートを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　２　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平５−１６６８１０号公報）には、図１〜図８とともに、「半導体装置」（発明の名称）に関して、
「【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体装置の一例を示す要部斜視図であり、図において１は半導体素子、２は外部との電気的接続用としてＡｕ等の金属厚膜で半導体素子１上に形成されたバンプである。
【０００３】つぎに、図６の（ａ）〜（ｆ）に基づいて上記従来のバンプ２の形成方法について説明する。まず、図６の（ａ）に示すように、半導体素子１上に例えばＴｉ−Ｗ／Ａｕからなる金属膜３を１０００Å被覆する。ついで、図６の（ｂ）に示すように、フォトレジスト４を約２５μｍ被覆する。その後、所望のパターンのフォトマスク（図示せず）を用いて露光現像を行い、図６の（ｃ）に示すように、フォトレジスト４にフォトマスクのパターンと同等の開口部４ａを形成する。この時、開口部４ａは、図７に示すように、矩形形状となっている。さらに、金属膜３を陰極として例えばＡｕの電気めっきを行い、図６の（ｄ）に示すように、フォトレジスト４の開口部４ａの金属膜３上にバンプ２となるＡｕを約２０μｍ析出させる。
【０００４】そこで、図６の（ｅ）に示すように、フォトレジスト４を剥離した後、図６の（ｆ）に示すように、露出している金属膜３を除去し、半導体素子１上に、フォトレジスト４の開口部４ａと同等の形状のＡｕのバンプ２を形成している。」
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以上のように、半導体素子１上に矩形形状のバンプ２を形成していたので、半導体素子１上に形成されたフォトレジスト４の開口部４ａ内にバンプ２を形成する厚膜の金属膜を析出させる際に、金属膜の析出成長がフォトレジスト４の開口部４ａの側壁部分で強制的に阻止されるため、開口部４ａの側壁部分が押されてフォトレジスト４の内部に応力が生じ、この応力が開口部４ａの角部に集中して、図８に示すように、フォトレジスト４にクラック５が発生してしまう。その結果、クラック５に沿って金属膜が成長してバンプ２間がショートしたり、隣接する開口部４ａ間のフォトレジスト４がめっき工程中に剥離するという課題があった。」、
「【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明する。
実施例１．図１はこの発明の実施例１を示す半導体装置の要部斜視図であり、図において図５に示した従来の半導体装置と同一または相当部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図において、６は角部に角度θの面取り６ａが設けられた矩形形状を有し、半導体素子１上に形成されたバンプである。
【００１１】つぎに、上記実施例１の作製方法について説明する。Ｔｉ−Ｗ／Ａｕからなる金属膜３が被覆された半導体素子１上にフォトレジスト４を被覆した後、所望のパターンのフォトマスクを用いて露光現像を行い、図２に示すように、フォトレジスト４の角部に面取り部４ｂを有する矩形形状の開口部４ａを形成する。ついで、金属膜３を陰極としてＡｕの電気メッキを行い、開口部４ａの形状と同等の形状に約２０μｍのＡｕを析出し、その後フォトレジスト４および露出する金属膜３を剥離除去して、半導体素子１上にバンプ６を形成する。
【００１２】ここで、１０μｍ以上の厚膜のバンプ６を析出形成する場合、バンプ６の面取り６ａの角度θを１２０°未満とすると、バンプ６の金属析出成長時に生じるフォトレジスト４の内部応力により、フォトレジスト４の開口部４ａの角部にクラックが発生してしまい、クラック５に沿って金属膜が成長してバンプ６間がショートしたり、隣接する開口部４ａ間のフォトレジスト４がめっき工程中に剥離してしまった。また、バンプ６の面取り６ａの角度θを１２０°以上とすると、バンプ６の金属析出成長時に生じるフォトレジスト４の内部応力の開口部４ａの角部への集中が抑えられ、クラック５の発生を防止できた。
【００１３】このように、上記実施例１によれば、半導体素子１上に形成するバンプ６の形状を、角部に１２０°以上の角度θの面取り６ａを有する矩形形状としているので、１０μｍ厚以上の厚膜のバンプ６形成の際に、フォトレジスト４の開口部４ａの角部への応力集中が低減され、クラック５の発生が抑えられ、バンプ６間のショートや電気メッキ工程中のフォトレジスト４の剥離がなく、安定して厚膜のバンプ６を形成できるという効果がある。
【００１４】実施例２．上記実施例１では、バンプ６の形状を角部に面取り６ａを有する矩形形状とするものとしているが、この実施例２では、図３および図４に示すように、バンプ６の形状を角部に円弧６ｂを有する矩形形状とするものとし、同様の効果を奏する。」、
が、記載されている。
　
第５　当審の判断
　１　対比
　本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１の図１３及びその説明から、レジスト層３を除去した部分の上部にもレジスト層４が形成されることは明らかであり、その形状は「ひさし」と同等の形状であるからも明らかであるから、刊行物１発明の「Ｔ型ゲートの足部を形成するための開口部６」、「Ｔ型ゲートの頭部を形成するための開口部５」は、それぞれ、本願発明２の「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部」、「第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「感度が低いレジストにより第１レジスト層２を形成し、前記第１レジスト層２上に、第１レジスト層２よりも感度の高いレジストで第２レジスト層３を形成し、前記第２レジスト層３上に、第２レジスト層３よりも感度の低いレジストで第３レジスト層４を形成して、感度の異なるレジストを複数層形成し、第３レジスト層４及び第２レジスト層３の広い範囲を電子線で一括描画してから、一括現像することにより、Ｔ型ゲートの頭部を形成するための開口部５を第２レジスト層３及び第３レジスト層４に形成し、第１レジスト層２のうちの前記開口部５によって露出した部分の中央部を電子線で描画してから、現像することにより、Ｔ型ゲートの足部を形成するための開口部６を形成」するとの構成は、第１レジスト層２、第２レジスト層３、第３レジスト層４からなる複数層のレジストを有し、また、現像が２回行われているので、本願発明２の「複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程」に相当する。
（ｃ）刊行物１の「Ｔ型ゲートの足部を形成するための開口部６を形成する（図１３（ｃ）参照）。続いて、ゲート用の金属を蒸着した後、レジスト層２、３、４及びレジスト層４上に蒸着された金属層をリフトオフすることにより、Ｔ型ゲートを形成するように構成されている。」（０００４段落）の記載から、刊行物１において、ゲート用の金属は、レジスト層４の上にも蒸着することは明らかであるから、刊行物１発明の「ゲート用の金属を蒸着することにより、Ｔ型ゲートを形成する」との構成は、本願発明２の「前記レジストパターン上に電極材料を被着することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程」に相当する。
　
　したがって、本願発明２と刊行物１発明とは、
「ゲート電極のファインゲート部に相当する第１開口部と、第１開口部上に位置しファインゲート部よりも広いオーバーゲート部に相当し且つその断面形状が庇形状をなす第２開口部とを備え、複数回の現像工程がなされる多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターン上に電極材料を被着することで前記ファインゲート部とオーバーゲート部を備えるゲート電極を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」という点で一致し、以下の点で相違している。
　相違点１
　本願発明２は、「当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部が円弧状にせしめられた」「レジストパターンを形成」する工程を備えているのに対して、刊行物１発明は、このようなレジストパターンを形成する工程を備えていない点。
　
　２　判断
　そこで、上記相違点１について検討する。
（ａ）刊行物２には、「半導体素子１上に形成されたフォトレジスト４の開口部４ａ内にバンプ２を形成する厚膜の金属膜を析出させる際に、金属膜の析出成長がフォトレジスト４の開口部４ａの側壁部分で強制的に阻止されるため、開口部４ａの側壁部分が押されてフォトレジスト４の内部に応力が生じ、この応力が開口部４ａの角部に集中して、図８に示すように、フォトレジスト４にクラック５が発生してしまう。」（【０００６】段落）という課題の記載があり、その解決のために、「露光現像を行い、図２に示すように、フォトレジスト４の角部に面取り部４ｂを有する矩形形状の開口部４ａを形成する。」（【００１１】段落）こと、「実施例２．上記実施例１では、バンプ６の形状を角部に面取り６ａを有する矩形形状とするものとしているが、この実施例２では、図３および図４に示すように、バンプ６の形状を角部に円弧６ｂを有する矩形形状とするものとし、同様の効果を奏する。」（【００１４】段落）ことが記載されている。そして、上記【００１４】段落に記載の実施例２においては、図４を参照すると、フォトレジスト４の角部に円弧を有する矩形形状の開口部４ａを形成していることが示されている。
（ｂ）ところで、本願発明２の課題は、「図１０から明らかなように、レジスト層の最上層である第３レジスト層１２が、ゲート電極の先端部の角部において割れていることがわかる。このレジスト割れは、第１レジスト層１０のパターン（ファインゲート部）を現像あるいはその後のリンス工程において発生しており、これら工程において、第１レジスト層１０が（さらには、第２あるいは第３レジスト層をも含み）急激に膨張・収縮が起きた結果、発生していると思われる。なお、第３レジスト層１２のレジスト割れは、第２レジスト層１１がサイドエッチングされた領域、すなわち、庇（ひさし）状になった領域だけでなく、その下部の第２レジスト層１１や第１レジスト層１０が積層された領域にも進行している。」（本願明細書【００１１】段落）ことであり、レジスト割れは、「第１レジスト層１０が（さらには、第２あるいは第３レジスト層をも含み）急激に膨張・収縮が起きた結果、発生している」ので、膨張・収縮によるストレス（応力に相当）が生じることにより、レジスト割れが発生していることが、理解できる。
（ｃ）すると、刊行物２の記載の「金属膜の析出成長」により「フォトレジスト４の開口部４ａ」の「側壁部分が押されてフォトレジスト４の内部に」生じる「応力」と、本願発明２の「第１レジスト層１０のパターン（ファインゲート部）を現像あるいはその後のリンス工程において」、「第１レジスト層１０が（さらには、第２あるいは第３レジスト層をも含み）急激に膨張・収縮が起きた結果、発生している」ストレス（応力に相当）とは、応力の原因は、違うものの、「各角部におけるストレス」を「分散」する（本願明細書【００１５】段落）ため、あるいは「角部への応力の集中を緩和する」（刊行物２【０００９】段落）ために、応力に対して、割れ、あるいはクラックが発生しないようなレジストパターンの形状にしたいという点では、課題が共通である。
（ｄ）また、刊行物１には、「上記従来構成では、図１４に示すように、第２レジスト層３の現像時、または、その後の工程時に、開口部５の底部において第２レジスト層３の下端部から第１レジスト層２を貫くようなクラック７が発生するという問題点が生じた。このクラック７が発生する原因として、以下のことが考えられる。即ち、レジスト層２、３、４を形成する際のベーキング工程において、半導体基板１とレジスト層２、３、４との熱膨張係数の差により、レジスト層の内部に応力が発生する。そして、第２レジスト層３及び第３レジスト層４の現像時に、開口部５の形状によってクラック７が発生する部分に上記応力が集中するため、クラック７が発生してしまう」（【０００６】段落）という課題の記載があり、複数層のレジスト層中のクラック７が発生する場所は異なるものの、応力によりレジスト層にクラック７が発生するという点では、本願発明２及び刊行物２の記載と課題が共通である。
（ｅ）さらに、例えば、以下の周知文献１又は２に記載されているように、レジストパターンを形成するにあたり、応力の集中を緩和するために、レジストパターンの必要な角部を円弧状にすることは、周知技術である。
（ｅ−１）周知文献１．特開平１０−１５４６５１号公報（原審の拒絶理由通知で提示した先行技術文献）には、図４及び図１０とともに、以下の事項が記載されている。　
「【０００５】　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来構成では、図１０に示すように、第２レジスト層３の現像時、または、その後の工程時に、開口部５の底部において第２レジスト層３の下端部から第１レジスト層２を貫くようなクラック７が発生するという問題点が生じた。このクラック７が発生する原因として、以下のことが考えられる。まず、第２レジスト層３及び第３レジスト層４を電子線で描画するときに、第１レジスト層２がある程度電子線に被曝することにより、第２レジスト層３及び第３レジスト層４を現像するときに第１レジスト層２が現像液に溶解し易くなることである。
【０００６】また、レジスト層２、３、４を形成する際のベーキング工程において、半導体基板１とレジスト層２、３、４との熱膨張係数の差により、レジスト層の内部に応力が発生する。そして、第２レジスト層３及び第３レジスト層４の現像時に、開口部５の形状によってクラック７が発生する部分に上記応力が集中することである。そして、これら２つの要因が加わることによって、上記クラック７が発生してしまうと考えられるのである。」　
「【００３０】これにより、上記露光後現像したときにレジスト層２５、２６に形成される電極形成用開口部２７の形状は、該電極形成用開口部２７の左右の端部の下部に位置する隅部２７ａが丸みを帯びた形状となる（図４（ｃ）参照）。」　　　　
「【００３２】更に、上記構成では、電極形成用開口部２７の内底部の隅部２７ａが丸みを帯びた形状であるので、現像時またはその後の工程において、下地構造２３と複数のレジスト層２４、２５、２６との熱膨張係数の差により発生する応力の集中を緩和することができる。
【００３３】これにより、上記実施例の場合、第１レジスト層２４のうちの電極形成用開口部２７の内底部端部において、クラック（レジストクラック）が発生し難くなる。」　
（ｅ−２）周知文献２．特開２０００−３０６９５８号公報（原審の拒絶理由通知で提示した先行技術文献）には、図１〜図５とともに、以下の事項が記載されている。　
「【０００８】・・・ベースフィルム６の上面にはフォトソルダーレジスト１１が配設されている。このフォトソルダーレジスト１１は、従来ではデバイスホール７を囲繞するように矩形枠状形状（図３参照）に形成されていた。また、このフォトソルダーレジスト１１は通常ベースフィルム６よりも硬質な絶縁性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂）により形成されており、配線パターン８の上部を覆うことにより、この配線パターン８を保護する機能を奏している。・・・
【０００９】・・・前記のように、フォトソルダーレジスト１１は、配線パターン８の保護及び絶縁性の確保を図るためベースフィルム６と異なる樹脂を用いており、よってフォトソルダーレジスト１１の熱線膨張率とベースフィルム６の熱線膨張率は異なっている。」　　
「【００１１】　【発明が解決しようとする課題】・・・上記した従来構成の半導体装置１において、この加熱処理により急激な温度変化等の熱ストレスが印加されると、フォトソルダーレジスト１１とベースフィルム６の熱線膨張率差に起因してＴＡＢテープ３内には応力が発生する。
【００１２】前記のようにベースフィルム６に対しフォトソルダーレジスト１１は硬度が高いため、この応力は主にフォトソルダーレジスト１１側に発生する。また、応力の発生は断面積の変化が急激な箇所に集中する特性がある（応力集中）。よって、前記のように矩形枠状形状を有したフォトソルダーレジスト１１では、特にデバイスホール７のコーナー部と対向する位置（図３に矢印Ｂで示す位置）に応力は集中する。
【００１３】このため従来構成の半導体装置１では、図１に示すように、加熱処理時においてフォトソルダーレジスト１１のデバイスホール７のコーナー部と対向する位置にクラック１５や割れが発生してしまうという問題点があった。」　
「【００２９】　【発明の実施の形態】　次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図４及び図５は、本発明の第１実施例である半導体装置２０Ａを示している。図４は半導体装置２０ＡのＴＡＢテープ２３が切断される前の状態を示す平面図であり、図５は半導体装置２０Ａのデバイスホール２７の近傍を拡大して示す平面図である。」　
「【００３７】ここで、フォトソルダーレジスト３１の形成状に注目する。本実施例では、フォトソルダーレジスト３１のデバイスホール１７のコーナー部と対向する位置に湾曲形状を有した面取り部３５を形成したことを特徴としている。尚、ここで言う“対向”とは、ベースフィルム２６上において、平面方向に対し対峙した状態をいう。
【００３８】この面取り部３５は、半径Ｒの円弧形状とされている。・・・ところで、前記のようにフォトソルダーレジスト３１とベースフィルム２６との間に熱膨張差があると、熱印加時においてＴＡＢテープ２３の内部に応力が発生する。また、ポリイミドよりなるベースフィルム２６に対してエポキシ系樹脂よりなるフォトソルダーレジスト３１の方が硬度が高いため、この応力は主にフォトソルダーレジスト３１側に発生し、また断面積の変化が急激なデバイスホール２７のコーナー部と対向する位置に集中する特性（応力集中）があることも前述した通りである。
【００３９】本実施例では、この応力が集中しやすいフォトソルダーレジスト３１のデバイスホール２７のコーナー部と対向する位置に面取り部３５を形成している。このように面取り部３５を形成することにより、図１に示される従来のような直角な形状に比べ、フォトソルダーレジスト３１のデバイスホール２７のコーナー部と対向する位置における断面積の変化を緩やかにすることができ、よって応力集中の発生を有効に防止することが可能となる。即ち、面取り部３５は、フォトソルダーレジスト３１内に発生する内部残留応力を緩和する応力緩和部として機能する。
【００４０】このように、フォトソルダーレジスト３１内に発生する内部残留応力を緩和する応力緩和部として機能する面取り部３５を、応力集中が発生し易い箇所に配設することにより、ベースフィルム２６とフォトソルダーレジスト３１との熱膨張差に起因して発生する応力が上記のコーナー部に集中することを防止でき、よって応力集中によりフォトソルダーレジスト３１にクラックが発生することを防止することができる。これにより、クラックの発生により配線パターン２８が切断されることもなくなり、半導体装置２０Ａの信頼性を向上させることができる。」　
（ｆ）すると、上記周知技術によれば、レジストパターンを形成するにあたり、応力の集中を緩和するために、レジストパターンの必要な角部を円弧状にすることは、周知であるから、上記周知技術と同様に、フォトレジスト４の角部に円弧を有する矩形形状の開口部４ａを形成している刊行物２に記載されている技術を、本願発明２及び刊行物２の課題と課題が共通である、刊行物１発明の複数層のレジスト層に適用することは、当業者が容易になしえたものである。
（ｇ）応力の集中を緩和するためにレジストパターンの必要な角部を円弧状にするとの従来周知の技術を刊行物１発明の複数のレジスト層に適用する際に、第１レジスト層２に適用することは、Ｔ型ゲートの足部を形成するための開口部６が細長く微細な構造であるために、応力を緩和する効果がほとんどなく、庇形状の下側の第２レジスト層３に適用することは、第２レジスト層３は、現像液等による横方向エッチングによって、ある程度角部が円弧になるものであるから、適用する必要が少なく、本願発明２の庇形状をなす第２の開口部に相当する部分に相当する、刊行物１発明の複数層のレジスト層の第３レジスト層４に適用することは、最も効果が高いものであることは容易に予想できるものと認められるから、レジストパターンの必要な角部を円弧状にするとの構成を第３レジスト層４に用いることは、当業者が適宜なしえたものである。
（ｈ）したがって、刊行物１発明の「第３のレジスト層４」に、刊行物２に記載の、フォトレジスト４の角部に円弧を有する矩形形状の開口部４ａを形成しているものを適用し、本願発明２のごとく、「当該第２開口部の前記オーバーゲート部の先端に位置する角部が円弧状にせしめられた」ようにすることは、当業者が容易になしえたものと認められる。
（ｉ）よって、本願の請求項２に係る発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。