【事件の表示】
　特願２００２−　　６１５０「固体撮像素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月２５日出願公開、特開２００３−２０９２４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１月１５日の出願であって、平成１７年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１９年５月１１日付けで審尋がなされ、その後同年７月１８日に回答書が提出されたものである。
　　
２．平成１７年９月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年９月２９日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容      　
　本件補正は、明細書の０００１段落、００１４段落、００１５段落、００１８段落及び００２２段落を補正するとともに、補正前の請求項１ないし４を削除し、補正前の請求項５ないし７を補正後の請求項１ないし３に補正するものであって、補正後の請求項１ないし３は以下のとおりである。
　「【請求項１】
　(I) 半導体基板と、
　(II)前記半導体基板の一表面に複数行、複数列に亘って行列状に配置され、隣接する行、隣接する列で光電変換素子の位置が半ピッチずれた画素ずらし配置で配列された多数個の光電変換素子と、
　(III) １列の光電変換素子列に１つずつ光電変換素子列の一方の側に配置され、各々が、(i) 前記半導体基板の一表面に形成されて、対応する光電変換素子列に沿って蛇行しつつ、光電変換素子列方向に延在する電荷転送チャネルと、(ii)前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介し配置されて、前記電荷転送チャネルと平面視上交差する複数本の転送電極とを有する電荷転送素子と
を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
　（Ａ）前記半導体基板の一表面に、所定数の前記電荷転送チャネルを形成する工程と、　
　（Ｂ）前記半導体基板の一表面に前記電気的絶縁膜を形成し、その上に第１の導電層を形成する工程と、　
　（Ｃ）前記第１の導電層の上にストッパ層を形成する工程と、
　（Ｄ）前記ストッパ層および前記第１の導電層をパターニングして、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置され、各々が別々の転送電極の一部を構成し、上面上に前記ストッパ層が残った複数の主電極層を形成する工程と、
　（Ｅ）上面上に前記ストッパ層が残った前記主電極層の各々を覆う第２の導電層を形成する工程と、
　（Ｆ）前記第２の導電層を、前記ストッパ層をエッチングストッパとしてエッチングして、前記主電極層それぞれの側面上に副電極層を形成する工程と、
　（Ｇ）前記半導体基板の一表面に、前記電荷転送チャネルの１本に１列ずつ対応させて光電変換素子列を形成する工程と
を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
　さらに、
　（Ｈ）前記電荷転送素子の全てと前記光電変換素子の各々とを平面視上覆い、平坦な上面を有する層間絶縁膜をシリコン酸化物系材料を用いて形成する工程と、
　（Ｉ）前記層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と
を含む請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
　さらに、（Ｊ）前記工程（Ｇ）に続いて、前記転送電極の各々から電気的に分離されて該転送電極の各々を平面視上覆い、前記光電変換素子それぞれの上方に開口部を１つずつ有する光遮蔽膜を形成する工程を含む請求項１または請求項２に記載の固体撮像素子の製造方法。」
　
（２）補正内容の整理（補正後の請求項１に関して）
　補正前の請求項５を補正後の請求項１とする補正については、以下のように整理できる。
　補正事項１
　補正前の請求項５の「（Ｂ）前記半導体基板の一表面に前記電気的絶縁膜を形成し、その上に第１の導電層を形成する工程と、」の後に、補正後の請求項１の「（Ｃ）前記第１の導電層の上にストッパ層を形成する工程と、」を追加すること。
　補正事項２
　補正前の請求項５の「（Ｃ）前記第１の導電層をパターニングして、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置され、各々が別々の転送電極の一部を構成する複数の主電極層を形成する工程」を、補正後の請求項１の「（Ｄ）前記ストッパ層および前記第１の導電層をパターニングして、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置され、各々が別々の転送電極の一部を構成し、上面上に前記ストッパ層が残った複数の主電極層を形成する工程」と補正すること。
　補正事項３
　補正前の請求項５の「（Ｄ）前記主電極層の各々を覆う第２の導電層を形成する工程」を、補正後の請求項１の「（Ｅ）上面上に前記ストッパ層が残った前記主電極層の各々を覆う第２の導電層を形成する工程」と補正すること。
　補正事項４
　補正前の請求項５の「（Ｅ）前記第２の導電層をパターニングして、前記主電極層それぞれの側面上に副電極層を形成する工程」を、補正後の請求項１の「（Ｆ）前記第２の導電層を、前記ストッパ層をエッチングストッパとしてエッチングして、前記主電極層それぞれの側面上に副電極層を形成する工程」と補正すること。
　補正事項５
　補正前の請求項５の「（Ｆ）」を、補正後の請求項１の「（Ｇ）」と補正すること。　　
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否について
　［補正事項１について］
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項５には記載されていない新たな工程である「（Ｃ）前記第１の導電層の上にストッパ層を形成する工程」を追加する補正であり、補正前の請求項５、補正前の請求項５を引用する請求項６及び７には、「ストッパ層」について何ら記載されておらず、且つ、補正事項１についての補正は、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項を下位概念化するためのものであるとも認められないから、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、補正前の請求項５に、新たな工程である「（Ｃ）前記第１の導電層の上にストッパ層を形成する工程」を追加することは、請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　したがって、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれを目的とするものにも該当しない。
　［補正事項２ないし４について］
　補正事項２ないし４についての補正は、補正事項１についての補正により、新たに追加された工程である「（Ｃ）前記第１の導電層の上にストッパ層を形成する工程」を追加することに伴い、補正前の請求項５の（Ｃ）工程、（Ｄ）工程及び（Ｅ）工程に、「ストッパ層」に関する構成を追加するものであって、［補正事項１について］において検討したと同様な理由により、補正事項２ないし４についての補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明いずれを目的とするものにも該当しない。　
　
　（３−２）小むすび
　したがって、補正事項１ないし４についての補正を含む、補正前の請求項５を補正後の請求項１とする補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれを目的とするものにも該当しない。
　
  （４）むすび
　よって、補正前の請求項５を補正後の請求項１とする補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年９月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１７年８月１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
「【請求項１】
　半導体基板と、
　前記半導体基板の一表面に複数行、複数列に亘って行列状に配置され、隣接する行、隣接する列で光電変換素子の位置が半ピッチずれた画素ずらし配置で配列された多数個の光電変換素子と、
　１列の光電変換素子列に１つずつ光電変換素子列の一方の側で前記半導体基板の一表面に形成され、各々が、対応する光電変換素子列に沿って蛇行しつつ、光電変換素子列方向に延在する第１電荷転送チャネルと、
　１行の光電変換素子行に少なくとも１本ずつ対応して前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が、(i) 前記第１電荷転送チャネルの各々と平面視上交差して配置された第１主電極層と、(ii)該第１主電極層の側面上に形成された第１副電極層とを有し、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置された複数本の第１転送電極と、　前記半導体基板の一表面に形成され、前記第１電荷転送チャネルの各々と電気的に接続可能な第２電荷転送チャネルと、
　前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が前記第２電荷転送チャネルと平面視上交差する第２転送電極と
を備えた固体撮像素子。」
　
４．刊行物に記載される発明
（１）特開平９−２２３７８７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平９−２２３７８７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１ないし図３とともに、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　受光部および垂直信号転送部とからなる単位画素が二次元状に配列され、水平シフトレジスタを備えた固体撮像装置において、前記水平シフトレジスタおよび前記垂直信号転送部のそれぞれの転送電極下の信号転送方向とは逆側の部分に電荷に対するポテンシャルを浅くする不純物が導入されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】　水平シフトレジスタおよび垂直信号転送部の転送電極が、単層電極で構成されている請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】　転送電極の側壁に、前記転送電極と電気的に接続されたサイドウォール電極が形成されている請求項２記載の固体撮像装置。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関するものであ・・・る。」
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の全画素読み出しＣＣＤは、前記のように、３層ポリシリコンプロセスの構造をとることから、画素の最大高さがポリシリコン３層分となる。このことにより感度向上のために採用しているオンチップマイクロレンズ効果に大きな影響を及ぼすこととなるフォトダイオード表面とレンズ底部までの距離の縮小化に制約を生じ、この結果、感度の向上に制限を与えることとなる。具体的には、ポリシリコン層を１層増やすと、画素の高さが約０．５μｍ高くなり、このため感度が約２０％減少する。また、３層ポリシリコンプロセスは、２層ポリシリコンプロセスに比較して、歩留まりが約１０〜２０％減少するなどの製造上の問題がある。この問題は、２層目ポリシリコンのエッチング残りとゲート絶縁膜残膜という相反する特性を満足させることの困難性に起因するものと推察されている。
【０００４】本発明は、前記従来の問題を解決するために、電極を単層構造とすることにより、高感度で、その製造効率が高い固体撮像装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、受光部および垂直信号転送部とからなる単位画素が二次元状に配列され、水平シフトレジスタを備えた固体撮像装置において、前記水平シフトレジスタおよび前記垂直信号転送部の転送電極下の信号転送方向とは逆側の部分に電荷に対するポテンシャルを浅くする不純物が導入されているという構成をとる。
【０００６】このように、前記水平シフトレジスタおよび前記垂直信号転送部の転送電極下の信号転送方向とは逆側の部分に電荷に対するポテンシャルを浅くする不純物が導入されると、この部分が、他の電極下の信号と分離するためのバリア領域となる。このため、上記転送電極下において電荷蓄積部となる領域と上記バリア領域とが形成され、電極が単層構造でも、２相駆動可能な全画素読み出しのできる構造となる。すなわち、本発明の固体撮像装置では、単位画素を１つの受光部と２電極単層ＣＣＤで構成することができるため、実効的な素子高さは一層電極と同一となって、この結果、従来において問題であった感度の制限が除かれるようになる。また、単層電極構造にすることができることから、従来の製造上の問題も生じなくなる。
【０００７】そして、本発明の固体撮像装置において、転送効率が改善され低電圧駆動が可能となるという理由から、前記転送電極の側壁に、前記転送電極と電気的に接続されたサイドウォール電極が形成されていることが好ましい。」
「【００１３】
【実施形態１】図１に実施形態１の固体撮像装置を示す。なお、同図（ａ）は、平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ´方向の一部断面図であり、同図（ｃ）は、信号電荷の流れとポテンシャルの関係を示す模式図である。
【００１４】この固体撮像装置は、例えば、つぎのようにして作製される。すなわち、まず、Ｐ形半導体シリコン基板１にＮ形領域２、ゲート絶縁膜３を形成した後、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）と垂直転送信号部（ＶＣＣＤ）の転送電極４、５、６をポリシリコンで電極間隔を０．６μｍとなるよう選択的に形成する。ついで、矢印で示すように、３０〜６０度の傾斜角θ１でかつ水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）および垂直信号転送部（ＶＣＣＤ）のそれぞれの転送電極４、５、６に対し４５度のツイスト角方向θ２からボロンイオンを１０11〜１０12ｃｍ-2注入する。このようにすると、転送電極４、５、６の下のＮ形領域において、信号転送方向とは逆側の部分にバリア領域７が転送電極下に一部潜り込ませた状態で形成される。その後、常法により、フォトダイオード形成ならびに所定の配線を行う。このようにして、図１（ａ）および同図（ｂ）に示すような固体撮像装置を作製することができる。
【００１５】この固体撮像装置における垂直信号転送部（ＶＣＣＤ）の信号電荷の流れとポテンシャルの関係を図１（ｃ）に示す。なお、図１（ｃ）は、位置関係において同図（ｂ）に対応するものである。図示のように、各転送電極５、６下に電荷蓄積部となる領域と他電極下の信号と分離するためのバリア領域７が形成されており、信号電荷は、図において右から左に転送される。そして、バリア領域７の部分においては、電荷に対するポテンシャルが浅くなっていることがわかる。この結果、固体撮像装置の転送電極構造を単層構造にすることができ、かつ２層駆動可能な全画素読み出しのできる構造とすることができる。なお、信号電荷の転送については、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）においても同様であり、転送電極構造を単層構造にすることができ、かつ２相駆動可能な全画素読み出しのできる構造とすることができる。
【００１６】
【実施形態２】実施形態２の固体撮像装置は、実施形態１の固体撮像装置において、転送電極の側壁に前記転送電極に電気的に接続されたサイドウォールを形成した例である。
【００１７】すなわち、図２（ａ）に示すように、実施形態１と同様にして、イオン注入（矢印）を行いバリア領域７を形成する。そして、図２（ｂ）に示すように、転送電極５、６の側壁にサイドウォール８を形成する。この形成は、サイドウォール材料膜を形成した後、全面異方性エッチングすることにより行うことができる。また、上記サイドウォールの形成材料としてはポリシリコンを用い、またその厚みは約０．２μｍとした。そして、実施形態１と同様に、常法により、フォトダイオード形成ならびに所定の配線を行う。なお、図２において、図１と同一部分には同一符号を付している。
【００１８】このようにして得られた固体撮像装置では、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）および垂直信号転送部（ＶＣＣＤ）において、ともに単層の転送電極で実効電極間距離が約０．２μｍの２相駆動可能な全画素読み出しのできる構造とすることができる。これにより、転送電極間隔を０．６μｍから０．２μｍに縮小できるため、実施形態１の固体撮像装置と比較して転送効率が改善され低電圧駆動が可能となる。
【００１９】このように、実施形態１および実施形態２の固体撮像装置では、転送電極構造を単層構造とすることができる。この結果、これら固体撮像装置において、転送電極により決定される素子高さは、従来のものに比べ、約１／３の高さとなり、マイクロレンズの最適設計、例えば、カメラレンズの絞り値依存性を少なくすることが可能となる。
【００２０】なお、本発明の固体撮像装置の場合、単位画素の信号電荷蓄積領域は一つの転送電極下のバリア領域を除く領域となるが、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、バリア領域が選択的に形成した電極間距離とすることが可能であるため、電荷蓄積に寄与するＣＣＤの電極面積において、従来の３電極３相駆動と同等以上とすることが可能であり実用上充分な信号電荷を蓄積できる。具体的にいうと、例えば、単位画素の垂直寸法を５μｍとすると、従来例（図３参照）の信号電荷蓄積の実効電極長は５μｍ÷３の値が約１．６μｍであるのに対し、本発明の固体撮像装置では、（５μｍ−（０．６×２））÷２の値が約１．９μｍとなり、従来例の１８％増となる。なお、信号転送時は、図１に示すように、交互の電極にハイ（Ｈ）、ロー（Ｌ）の２値のパルスを印加することにより行うことができる。
【００２１】また、実施形態１および実施形態２では、出発基板をＰ形半導体シリコン基板としたが、本発明はこれに限定するものではなく。Ｐ形ウェルとしても同様の効果が得られる。また、電極、サイドウォール材料はポリシリコンとしたが、高融点材料等（例えば、ＷＳｉ、Ｍｏ、Ｗおよびそれらとポリシリコンとの多層膜）を用いても同様の効果が得られる。そして、不純物として、ボロンイオンを用いたが、この他に、アルミイオンを使用することができるが、ボロンイオンを用いることが好ましい。また、イオン注入は半導体分野における常法により行うことができ、イオン注入角度は、前述の範囲であるが、好ましい範囲は、傾斜角度が４０〜５０度の範囲であり、ツイスト角度が４２〜４８度の範囲である。
【００２２】前記サイドウォールの厚みは、転送電極間の距離等により適宜決定されるが、通常、０．１〜０．３μｍ、好ましくは０．１〜０．２μｍである。なお、サイドウォールを形成しなくても、転送電極間距離を０．３μｍ以下にすることにより、低電圧駆動が可能となるが、バリア領域を全て電極下に形成できるという理由から、サイドウォール形成を行ったほうが好ましい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明の固体撮像装置は、水平シフトレジタおよび垂直信号転送部のそれぞれの転送電極を単層構造とすることができ、かつ２相駆動可能な全画素読み出しのできるものである。このため、構造的に素子高さが抑制可能となり高解像度および高感度を同時に満足できるものとなる。さらに、前記転送電極の側壁にサイドウォールを形成することにより、低電圧駆動が可能となる。また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、２層目ポリシリコンのエッチング残りとゲート絶縁膜残膜という相反する特性を満足させる必要がないことから、高い歩留まりを実現できるものである。」
「【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は発明の固体撮像装置の一実施形態の平面図であり、（ｂ）は前記平面図のＡ−Ａ´方向の一部断面図であり、（ｃ）は信号電荷のポテンシャルを示す模式図である。
【図２】（ａ）は本発明の固体撮像装置のその他の実施形態において、イオン注入を行う状態を示す断面図であり、（ｂ）はサイドウォールを形成する状態を示す断面図である。【図３】（ａ）は従来の固体撮像装置の構成を示す平面図であり、（ｂ）は前記平面図のＢ−Ｂ´方向の一部断面図であり、（ｃ）は信号電荷のポテンシャルを示す模式図である。」
　
　「受光部および垂直信号転送部とからなる単位画素」が半導体シリコン基板上に形成されることは明らかである。
　また、図１及び「Ｐ形半導体シリコン基板１にＮ形領域２、ゲート絶縁膜３を形成した後、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）と垂直転送信号部（ＶＣＣＤ）の転送電極４、５、６をポリシリコンで電極間隔を０．６μｍとなるよう選択的に形成する。」（００１４段落）との記載より、転送電極４，５，６が半導体シリコン基板にゲート絶縁膜３を介して形成されていることは明らかである。
　また、図１（ａ）及びその説明（００１４段落）から、水平シフトレジスタに転送電極４が形成され、垂直転送信号部に転送電極５，６が形成されていることは明らかである。　
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「半導体シリコン基板と、前記半導体シリコン基板上に受光部および垂直信号転送部とからなり、二次元状に配列される単位画素と、水平シフトレジスタとを備えた固体撮像装置において、
　前記垂直転送部は、前記半導体シリコン基板上にゲート絶縁膜３を介して形成された転送電極５，６を備え、前記転送電極の側壁に、前記転送電極５，６と電気的に接続されたサイドウォール電極８が形成されるとともに、
　前記水平シフトレジスタは、前記半導体シリコン基板上に前記ゲート絶縁膜３を介して形成された転送電極４を備えていることを特徴とする固体撮像装置。」
　
５．当審の判断
（１）対比　
　本願発明と、刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）を対比する。　
（ａ）刊行物発明の「半導体シリコン基板」、「受光部および垂直信号転送部とからなる単位画素」、「二次元状に配列され」ること及び「固体撮像装置」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「光電変換素子」、「複数行、複数列に亘って行列状に配置され」ること及び「固体撮像素子」に相当する。
（ｂ）また、刊行物発明において、固体撮像装置が多数個の単位画素を備えることは明らかであるから、刊行物発明の「半導体シリコン基板と、前記半導体シリコン基板上に受光部および垂直信号転送部とからなり、二次元状に配列される単位画素」「を備えた固体撮像装置」は、本願発明の「半導体基板と、　前記半導体基板の一表面に複数行、複数列に亘って行列状に配置され」「た多数個の光電変換素子」「を備えた固体撮像素子」に相当する。
（ｃ）刊行物１の図２及び「図２（ｂ）に示すように、転送電極５、６の側壁にサイドウォール８を形成する。・・・上記サイドウォールの形成材料としてはポリシリコンを用い、またその厚みは約０．２μｍとした。・・・このようにして得られた固体撮像装置では、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）および垂直信号転送部（ＶＣＣＤ）において、ともに単層の転送電極で実効電極間距離が約０．２μｍの２相駆動可能な全画素読み出しのできる構造とすることができる。」（００１７段落及び００１８段落）から刊行物発明の「サイドウォール電極８」を備えた「転送電極５，６」が隣り合うもの同士が間隔をあけて配置されていることは明らかであって、刊行物発明の「転送電極５，６」及び「サイドウォール電極８」は、それぞれ、本願発明の「第１主電極層」及び「該第１主電極層の側面上に形成された第１副電極層」に相当し、さらに、刊行物発明の「前記垂直転送部は、前記半導体シリコン基板上にゲート絶縁膜３を介して形成された転送電極５，６を備え、前記転送電極の側壁に、前記転送電極５，６と電気的に接続されたサイドウォール電極８が形成されていること」は、本願発明の「前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が、」「第１主電極層と、(ii)該第１主電極層の側面上に形成された第１副電極層とを有し、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置された複数本の第１転送電極を備え」ることに相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体基板と、
　前記半導体基板の一表面に複数行、複数列に亘って行列状に配置された多数個の光電変換素子と、
　前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が、第１主電極層と、(ii)該第１主電極層の側面上に形成された第１副電極層とを有し、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置された複数本の第１転送電極と　
を備えた固体撮像素子。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
　相違点１
　本願発明は、「前記半導体基板の一表面に複数行、複数列に亘って行列状に配置され、隣接する行、隣接する列で光電変換素子の位置が半ピッチずれた画素ずらし配置で配列された多数個の光電変換素子」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「半導体シリコン基板と、前記半導体シリコン基板上に受光部および垂直信号転送部とからなり、二次元状に配列される単位画素と、水平シフトレジスタとを備えた固体撮像装置」である点。
　相違点２
　本願発明は、「１列の光電変換素子列に１つずつ光電変換素子列の一方の側で前記半導体基板の一表面に形成され、各々が、対応する光電変換素子列に沿って蛇行しつつ、光電変換素子列方向に延在する第１電荷転送チャネル」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、上記構成を備えているか否か明らかでない点。
　相違点３
　本願発明は、「１行の光電変換素子行に少なくとも１本ずつ対応して前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が、(i) 前記第１電荷転送チャネルの各々と平面視上交差して配置された第１主電極層と、(ii)該第１主電極層の側面上に形成された第１副電極層とを有し、隣り合うもの同士が互いに間隔をあけて配置された複数本の第１転送電極」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「前記垂直転送部は、前記半導体シリコン基板上にゲート絶縁膜３を介して形成された転送電極５，６を備え、前記転送電極の側壁に、前記転送電極５，６と電気的に接続されたサイドウォール電極８が形成される」との構成を備えている点。
　相違点４
　本願発明は、「前記半導体基板の一表面に形成され、前記第１電荷転送チャネルの各々と電気的に接続可能な第２電荷転送チャネルと、　前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が前記第２電荷転送チャネルと平面視上交差する第２転送電極」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「前記水平シフトレジスタは、前記半導体シリコン基板上に前記ゲート絶縁膜３を介して形成された転送電極４を備えている」点。
　
（２）相違点の検討
　上記各相違点について以下で検討する。
　相違点１について
（ａ）以下の周知文献１ないし３に記載されるように、固体撮像装置において、半導体基板の表面に光電変換素子を複数行、複数列に亘って行列状（二次元状）に配置し、隣接する行、隣接する列で光電変換素子の位置が半ピッチずれて配列された多数個の光電変換素子を備えたものとすることは、従来周知の技術事項である。
　周知文献１．特開平７−７４３３２号公報
　特開平７−７４３３２号公報には、図１０及び図１１とともに、「【００３６】　第２実施例　図１０は本発明の第２実施例により配列された画素のレイアウト図であり、図１１は前記図１０のレイアウトの各画素上にマイクロレンズ形成のためのマスクパターン１５を追加させたレイアウト図である。前記図１０および図１１に示したレイアウトを参照すれば、光ダイオード１０部位は前記図８のような形（全体的に蜂の巣の形）に配置され、それに対応してマイクロレンズ形成のためのマスクパターン１５も前記図９のような形に配置されることが判る。　【００３７】第２実施例は、前記光ダイオード１０部位が六角形に変形され、これにより垂直伝送ＣＣＤを構成する垂直伝送チャネル形成のためのマスクパターン１１もジグザグ形に変形される点において前記第１実施例と異なる。」と記載されている。
　周知文献２．特開２００１−７７３４４号公報
　特開２００１−７７３４４号公報には、図１及び図２とともに、「【００７４】図２は、図１に示した感光部１０の一部を拡大して示す平面図である。・・・　【００７５】図２に示したように、感光部１０に形成されている光電変換素子列２０の各々においては、所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）が所定方向ＤV ・・・に一定のピッチＰ1 で形成されている。また、光電変換素子行２１の各々においては、所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）が所定方向ＤH・・・に一定のピッチＰ2 で形成されている。　【００７６】偶数番目の光電変換素子列２０を構成する光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）の各々は、奇数番目の光電変換素子列２０を構成する所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）に対し、前記ピッチＰ1 の約１／２、列方向（方向ＤV ）にずれている（図２参照）。同様に、偶数番目の光電変換素子行２１を構成する光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）の各々は、奇数番目の光電変換素子行２１を構成する所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）に対し、前記ピッチＰ2 の約１／２、行方向（方向ＤH ）にずれている（図２参照）。」と記載されている。
　周知文献３．特開２００１−１０２５６０号公報
　特開２００１−１０２５６０号公報には、図１及び図２とともに、「【００７０】図２は、図１に示した感光部１０の一部を拡大して示す平面図である。・・・【００７１】図２に示したように、感光部１０に形成されている光電変換素子列２０の各々においては、所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）が所定方向ＤV ・・・に一定のピッチＰ1 で形成されている。また、光電変換素子行２１の各々においては、所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）が所定方向ＤH ・・・に一定のピッチＰ2 で形成されている。【００７２】偶数番目の光電変換素子列２０を構成する光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）の各々は、奇数番目の光電変換素子列２０を構成する所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）に対し、前記ピッチＰ1 の約１／２、列方向（方向ＤV ）にずれている（図２参照）。同様に、偶数番目の光電変換素子行２１を構成する光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）の各々は、奇数番目の光電変換素子行２１を構成する所定個の光電変換素子２２（信号電荷蓄積領域）に対し、前記ピッチＰ2 の約１／２、行方向（方向ＤH ）にずれている（図２参照）。」と記載されている。
（ｂ）したがって、刊行物発明において、「前記半導体シリコン基板上に受光部および垂直信号転送部とからなる単位画素が二次元状に配列され」た単位画素の配置を従来周知のように、行方向及び列方向のそれぞれにおいて、単位画素を行方向及び列方向の配列間隔の約１／２ずらすことにより、本願発明の如く、「前記半導体基板の一表面に複数行、複数列に亘って行列状に配置され、隣接する行、隣接する列で光電変換素子の位置が半ピッチずれた画素ずらし配置で配列された多数個の光電変換素子」を備えたものとすることは当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。
　　
　相違点２について       
（ｃ）刊行物１の「この固体撮像装置は、例えば、つぎのようにして作製される。すなわち、まず、Ｐ形半導体シリコン基板１にＮ形領域２、ゲート絶縁膜３を形成した後、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）と垂直転送信号部（ＶＣＣＤ）の転送電極４、５、６をポリシリコンで電極間隔を０．６μｍとなるよう選択的に形成する。」（００１４段落）の記載及び図１（ａ）を参照すると、刊行物１には、垂直転送信号部（ＶＣＣＤ）の転送電極５，６が、水平ＣＣＤ即ち水平レジスタ（ＨＣＣＤ）の転送方向に直交する方向に配列され、また、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）の転送電極４が垂直転送信号部（ＶＣＣＤ）の転送方向に直交する方向に配列されるから、単位画素に対する転送電極が、二次元的に配列されていることは明らかである。　
（ｄ）また、固体撮像装置においては、転送電極の配列される下に位置する半導体シリコン基板に電荷転送チャネルが形成されることは技術常識であるから、刊行物発明の固体撮像装置においても、単位画素が配列される行方向及び列方向に沿った電荷転送チャネルを備えていることは、当業者にとって明らかである。
（ｅ）［相違点１について］における検討をも考慮し、上記（ｃ）及び（ｄ）を参照すると、上記（ａ）で示した従来周知の技術的事項を用いることにより、刊行物発明の固体撮像装置が実質的に備えることとなる電荷転送チャネルの水平方向及び垂直方向の配列は直線的でなく、周知文献１ないし３に記載されたように、直線から左右に交互のずれたものとなることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明において、本願発明の如く、「１列の光電変換素子列に１つずつ光電変換素子列の一方の側で前記半導体基板の一表面に形成され、各々が、対応する光電変換素子列に沿って蛇行しつつ、光電変換素子列方向に延在する第１電荷転送チャネル」を備えたものとすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。　　
　
　相違点３について
（ｆ）刊行物１の図１（ａ）ないし（ｃ）及び「図１（ｃ）は、位置関係において同図（ｂ）に対応するものである。図示のように、各転送電極５、６下に電荷蓄積部となる領域と他電極下の信号と分離するためのバリア領域７が形成されており、信号電荷は、図において右から左に転送される。」（００１５段落）との記載を参照すると、信号電荷は転送電極５，６が延長されている方向（図１（ａ）の上下方向）と直交する方向（図１（ａ）の左右方向）に転送されることは明らかであり、また、垂直転送部のそれぞれの電荷転送チャネルが水平シフトレジスタの１つの転送電極に対応することも実質的に記載されている。
（ｇ）したがって、刊行物発明において、本願発明の如く、「１行の光電変換素子行に少なくとも１本ずつ対応して前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が、(i) 前記第１電荷転送チャネルの各々と平面視上交差して配置された第１主電極層」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　相違点４について  　
（ｈ）固体撮像装置において、水平シフトレジスタとは、水平シフトレジスタを構成する電荷転送素子に発生した電荷を水平シフトレジスタの延長する方向に電荷を転送するものであって、電荷を転送するための転送電極は、電荷を転送する方向に配列され、水平シフトレジスタの長さ方向と直交する方向に伸びた平面形状を備えることは、例えば、周知文献４．特開平５−１３０５１７号公報（図１，２及び「上述した実施例のように構成した固体撮像素子において、電荷転送素子（垂直シフトレジスタ２、水平シフトレジスタ４）下に発生した電荷は、光電変換素子（フォトダイオード１）、電荷転送素子、およびＮ型半導体基板２１のうち、最も電界の強い側に吸収されるようになる。」（００４５段落）参照）及び周知文献５．特開平７−７４３３５号公報（図１，２及び「水平シフトレジスタ３は、図２に示すように、例えばＮ形のシリコン基板１１の表面に形成されたＰ形のウェル領域１２に導入されたＮ形不純物（例えばリン（Ｐ））の拡散領域によるチャネル領域１３と、このチャネル領域１３上に形成された１層目の多結晶シリコン層による第１の転送電極１４と２層目の多結晶シリコン層による第２の転送電極１５とから構成されている。」（００２８段落）参照）に記載されるように、従来周知である。
（ｉ）垂直転送信号部の電荷転送チャネルの各々と、水平シフトレジスタの電荷転送チャネルとが電気的に接続されていることは、技術常識である。
（ｊ）上記（ｈ）及び刊行物１の図１（ａ）及び「図示のように、各転送電極５、６下に電荷蓄積部となる領域と他電極下の信号と分離するためのバリア領域７が形成されており、信号電荷は、図において右から左に転送される。・・・なお、信号電荷の転送については、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）においても同様であ（る）」（００１５段落）の記載を参照すると、水平シフトレジスタにおいても、水平方向に電荷を転送するための電荷転送チャネルは水平シフトレジスタの延長方向に伸びているとともに、水平方向に電荷を転送するための転送電極は、水平方向と交差する方向の長さが、水平方向の長さより長く形成された形状であることは明らかである。
（ｋ）したがって、刊行物発明において、本願発明の如く、「前記半導体基板の一表面に形成され、前記第１電荷転送チャネルの各々と電気的に接続可能な第２電荷転送チャネルと、　前記半導体基板の一表面上に電気的絶縁膜を介して配置され、各々が前記第２電荷転送チャネルと平面視上交差する第２転送電極」を備えているものとすることは当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　
（ｍ）さらに、刊行物１には、「このようにして得られた固体撮像装置では、水平シフトレジスタ（ＨＣＣＤ）および垂直信号転送部（ＶＣＣＤ）において、ともに単層の転送電極で実効電極間距離が約０．２μｍの２相駆動可能な全画素読み出しのできる構造とすることができる。これにより、転送電極間隔を０．６μｍから０．２μｍに縮小できるため、実施形態１の固体撮像装置と比較して転送効率が改善され低電圧駆動が可能となる。・・・実施形態１および実施形態２の固体撮像装置では、転送電極構造を単層構造とすることができる。この結果、これら固体撮像装置において、転送電極により決定される素子高さは、従来のものに比べ、約１／３の高さとなり、マイクロレンズの最適設計、例えば、カメラレンズの絞り値依存性を少なくすることが可能となる。」（００１８段落及び００１９段落）と記載されている。
（ｎ）一方、本願の発明の詳細な説明には、「本発明によれば、比較的低い製造コストの下に、小さなピッチで複数の信号線を半導体基板上に形成することが容易になる。比較的低い製造コストの下に半導体装置の集積度を向上させることが可能になる。　また、この信号線を電荷転送素子の転送電極として利用すれば、個々の光電変換素子の上方にマイクロレンズが１つずつ配置されたＣＣＤ型の固体撮像素子でのマイクロレンズと光電変換素子との距離を比較的低い製造コストの下に短くすることが容易になる。ＣＣＤ型の固体撮像素子の感度の低下を抑制しつつ、解像度を向上させることが容易になる。」（０１８８段落）及び（０１８９段落）と記載されている。
（ｏ）上記（ｍ）及び（ｎ）から、刊行物発明の効果は、本願発明の効果とほぼ同等であり、本願発明の効果は、当業者が容易に予測しえる程度のものに過ぎない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし７について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。　よって、結論のとおり審決する。