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　平成１１年特許願第１９８１４３号「ＩＣカード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２２９１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年７月１２日の出願であって、平成１６年１０月１４日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月２０日付けで手続補正がなされたが、平成１７年２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２１日付けで手続補正がなされ、当審において、平成１９年１０月３０日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月２６日付けで意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年４月２１日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　
「第１のシート材と第２のシート材との間に反応型ホットメルト接着剤層が介在されてＩＣモジュールが封入されたＩＣカードにおいて、
　カード取り時、前記ＩＣカードから抜き取った反応型ホットメルト接着剤を臭化カリウム錠剤法でフーリエ変換赤外分光測定をし、
　前記反応型ホットメルト樹脂が硬化反応することにより消失するイソシアネート基の第１の吸収ピークを観察し、更に、熱処理後の前記ＩＣカードが空気中の水分を吸収し分岐・架橋反応することにより変化したイソシアネート基の第２の吸収ピークを観察し、
　前記イソシアネート基の第１の吸収ピークの強度と前記第２の吸収ピークの強度の比をとることにより前記反応型ホットメルト接着剤の硬化反応の進行具合を評価したとき、
　前記反応型ホットメルト接着剤層中の未反応イソシアネート基の量が、反応したイソシアネート基の量の５％以下であることを特徴とするＩＣカード。」
　
　ここで、本願発明は「ＩＣカード」に係る「物の発明」であり、請求項１の記載中、「反応型ホットメルト接着剤層中の未反応イソシアネート基の量が、反応したイソシアネート基の量の５％以下であること」（以下、「条件ア」という。）は、「物の発明」としてのＩＣカードの構成を特定する事項である。
　
　しかし、請求項１の記載中、「前記ＩＣカードから抜き取った反応型ホットメルト接着剤を臭化カリウム錠剤法でフーリエ変換赤外分光測定をし、前記反応型ホットメルト樹脂が硬化反応することにより消失するイソシアネート基の第１の吸収ピークを観察し、更に、熱処理後の前記ＩＣカードが空気中の水分を吸収し分岐・架橋反応することにより変化したイソシアネート基の第２の吸収ピークを観察し、前記イソシアネート基の第１の吸収ピークの強度と前記第２の吸収ピークの強度の比をとることにより前記反応型ホットメルト接着剤の硬化反応の進行具合を評価したとき（当審注：改行は省略。）」との特定（以下、「特定事項イ」という。）は、上記条件アが満たされることを確認するための評価手法を特定したものであり、一般に、条件アを満たすＩＣカードであれば、どのような評価手法により条件アを満たすことを確認しても、ＩＣカードの構造自体は変わらないと考えられるから、特定事項イにより、「物の発明」としてのＩＣカードの構成がどのように特定されるのかは、必ずしも明確ではないが、以下では、特定事項イを、本願発明の発明特定事項として検討を行う。
　
　なお、この点に関連し、審判請求人は、平成１９年１２月２６日付けの意見書において、『本願発明は、上記の如く、臨界的効果を奏するものでありますので、その測定方法がより厳密であることが必要であり、従って、当該２〕の如くの測定方法を採用するもの（当審注：当該２〕の如くの測定方法とは、特定事項イにさらに「カード取り時」との限定を加えたもの。）』であるとの主張をしているが、以下で検討するように、本願発明において条件アは臨界的な効果を有するものではないし、また、未反応イソシアネート基の量が「５％以下」との条件は、例えば未反応イソシアネート基の量が「約３％」であっても「約１％」であっても満たされるものであるから、上記審判請求人の主張は当を得ないものであって、上記特定事項イに関する取り扱いは、この審判請求人の主張を採用したことによるものではないことを附言する。
　
３．引用発明
　当審の拒絶理由に引用された刊行物である特開平１１−１３４４６５号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
Ａ．「【００１３】本発明は、対向する第１のシート材と、第２のシート材が接着剤層を介して重ね合わされ、かつ該接着剤層内部にＩＣモジュールが封入されたＩＣカードにおいて、前記接着剤層を構成する接着剤がホットメルト接着剤であることを特徴とし、その１態様として、一方の面に受像層を有する第１のシート材と、第２のシート材を有し、両シート材が該受像層を外側にして接着剤層を介して重ね合わされ、かつ該接着剤層内部にＩＣモジュールが封入されるＩＣカードを挙げることができる。」
　
Ｂ．「【００１５】本発明においてはホットメルト接着剤は反応型が好ましい。該反応型ホットメルト接着剤（以下、反応型接着剤）は樹脂を溶融させて接着した後、湿気を吸収して樹脂が硬化するタイプの接着剤である。その特徴として、通常のホットメルトと比較して接着可能時間が長く、かつ接着後に軟化温度が高くなるため耐久性に富み、低温での塗工に適していることが挙げられる。・・・（中略）・・・反応型接着剤の１例としては、分子末端にイソシアネート基を含有したウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して活性化しさらにプレポリマーと反応して架橋構造を形成するものがある。」
　
Ｃ．「【００４９】図９はプレス圧延方式のＩＣカードの製造装置を示す図である。・・・（中略）・・・
【００５１】接着剤が塗工された第１のシート材８と、第２のシート材９とは離間して対向する状態から接触して搬送路２９に沿って搬送される。第１のシート材８と、第２のシート材９の離間して対向する位置には、ＩＣモジュール１１が挿入される。
・・・（中略）・・・
【００５３】加熱プレス部３０を経た後は切断部にてシート材から所定の大きさにカットし、得られたものをまとめて所望の大きさに打抜いてＩＣカードとしても、又打抜部を配置して所定の大きさに打抜いてＩＣカードとしても良い。尚、反応型接着剤を使用した際は、反応促進のために一定の期間を経た後、打抜部へ搬送することもある。
【００５４】切断部３１は搬送路２９の端部に配置されるカッターからなり、上下動可能に設けられ、シート材を所定の大きさに切断する。この際、打抜部が配置されている場合には切断されたシート材は廃材として扱われ、又逆の場合には切断されたシート材をまとめて打抜部の配置される場所へ搬送された後、所定の大きさのＩＣカードに打ち抜きされる。」
　
　上記Ａに記載されているように、引用文献１には、対向する第１のシート材と、第２のシート材が接着剤層を介して重ね合わされ、かつ該接着剤層内部にＩＣモジュールが封入されたＩＣカードが記載されている。
　
　上記Ｂの記載からみて、引用文献１には、接着剤として、分子末端にイソシアネート基を含有したウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して活性化しさらにプレポリマーと反応して架橋構造を形成する反応型ホットメルト接着剤を用いることの記載がある。
　
　上記Ｃの記載からみて、引用文献１には、反応型ホットメルト接着剤の反応促進のために一定の期間を経た後、所定の大きさのＩＣカードに打ち抜きすることの記載がある。
　
　したがって、上記Ａ−Ｃの記載事項及び関連する図面を参照すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「対向する第１のシート材と、第２のシート材が、分子末端にイソシアネート基を含有したウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して活性化しさらにプレポリマーと反応して架橋構造を形成する反応型ホットメルト接着剤による接着剤層を介して重ね合わされ、かつ該接着剤層内部にＩＣモジュールが封入されたＩＣカードにおいて、
　反応型ホットメルト接着剤の反応促進のために一定の期間を経た後、所定の大きさのＩＣカードに打ち抜きされたことを特徴とするＩＣカード。」
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「第１のシート材」、「第２のシート材」、「反応型ホットメルト接着剤による接着剤層」、「ＩＣモジュール」、「所定の大きさのＩＣカードに打ち抜き」は、それぞれ、本願発明の、「第１のシート材」、「第２のシート材」、「反応型ホットメルト接着剤層」、「ＩＣモジュール」、「カード取り」に相当する。
　
　すると、引用発明の「対向する第１のシート材と、第２のシート材が、・・・反応型ホットメルト接着剤による接着剤層を介して重ね合わされ、かつ該接着剤層内部にＩＣモジュールが封入されたＩＣカード」は、本願発明の「第１のシート材と第２のシート材との間に反応型ホットメルト接着剤層が介在されてＩＣモジュールが封入されたＩＣカード」に相当する。
　
　また、引用発明における「反応型ホットメルト接着剤の反応促進のために一定の期間を経た後、所定の大きさのＩＣカードに打ち抜きされた」との特定事項は、カード取り時において、「反応型ホットメルト接着剤の反応促進のために一定の期間を経た後」という、反応型ホットメルト接着剤の反応の進行具合を保証する条件を満たしている必要があることを特定したものである。よって、引用発明の上記特定事項は、本願発明における「カード取り時、前記ＩＣカードから抜き取った反応型ホットメルト接着剤を臭化カリウム錠剤法でフーリエ変換赤外分光測定をし、前記反応型ホットメルト樹脂が硬化反応することにより消失するイソシアネート基の第１の吸収ピークを観察し、更に、熱処理後の前記ＩＣカードが空気中の水分を吸収し分岐・架橋反応することにより変化したイソシアネート基の第２の吸収ピークを観察し、前記イソシアネート基の第１の吸収ピークの強度と前記第２の吸収ピークの強度の比をとることにより前記反応型ホットメルト接着剤の硬化反応の進行具合を評価したとき、前記反応型ホットメルト接着剤層中の未反応イソシアネート基の量が、反応したイソシアネート基の量の５％以下であること（当審注：改行は省略した。）」との特定事項と、カード取り時、反応型ホットメルト接着剤の反応の進行具合を保証する所定の条件を満たしていること、を特定するものである点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「第１のシート材と第２のシート材との間に反応型ホットメルト接着剤層が介在されてＩＣモジュールが封入されたＩＣカードにおいて、
　カード取り時、反応型ホットメルト接着剤の反応の進行具合を保証する所定の条件を満たしていることを特徴とするＩＣカード。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　カード取り時における、反応型ホットメルト接着剤の反応の進行具合を保証する所定の条件が、本願発明では、「前記ＩＣカードから抜き取った反応型ホットメルト接着剤を臭化カリウム錠剤法でフーリエ変換赤外分光測定をし、前記反応型ホットメルト樹脂が硬化反応することにより消失するイソシアネート基の第１の吸収ピークを観察し、更に、熱処理後の前記ＩＣカードが空気中の水分を吸収し分岐・架橋反応することにより変化したイソシアネート基の第２の吸収ピークを観察し、前記イソシアネート基の第１の吸収ピークの強度と前記第２の吸収ピークの強度の比をとることにより前記反応型ホットメルト接着剤の硬化反応の進行具合を評価したとき、前記反応型ホットメルト接着剤層中の未反応イソシアネート基の量が、反応したイソシアネート基の量の５％以下であること（当審注：改行は省略。）」であるのに対し、引用発明では、「反応型ホットメルト接着剤の反応促進のために一定の期間を経た後」である点。
　
５．当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　
　まず、引用発明の「反応型ホットメルト接着剤」は、「イソシアネート基が水分と反応して活性化しさらにプレポリマーと反応して架橋構造を形成する」ものであるから、反応が進めば、反応したイソシアネート基の量が増え、未反応のイソシアネート基の割合が減っていくことは、当業者には明らかであるし、さらに、イソシアネート基の反応によって硬化する樹脂や接着剤において、その硬化度は、未反応のイソシアネート基の量を赤外分光測定により測定することで評価可能であること、未反応のイソシアネート基がなくなった状態が、完全硬化状態であることは、いずれも、本願の出願日前に頒布された刊行物である、
・特開平８−５８０１３号公報（反応性ホットメルト接着剤を用いたフレキシブル包装用ラミネートについて開示するものであり、段落【０１１７】には、「なお、２５℃−相対湿度５０％の条件でキュアを行った湿気硬化型の接着剤については資料が厚い分長い時間を要したが、これらについては反応が終了し、遊離イソシアネート基がないことを赤外分光分析により確認した。」との記載がある。）、及び、
・特開平１１−５００３６号公報（二液型ドライラミネート用接着剤組成物について開示するものであり、段落【００４８】には、「［硬化速度］資料を４０℃の養生槽に入れ、作成直後，３，５，７，２４及び７２時間後のイソシアネート基の吸収強度（２３００ｃｍ−１）を赤外分光計にて測定し、次の計算式から反応率を求めた。より短時間に反応率が高くなるほど硬化速度が速いことを示す。
反応率（％）＝（１−Ｎ／Ｎ０）×１００
Ｎ０：フィルムを貼り合わせた直後のイソシアネート基に基づくＩＲ吸収強度（高さ）
Ｎ：各経過時間毎のイソシアネート基に基づくＩＲ吸収強度（高さ）」との記載があり、【表３】にその評価結果が記載されている。）
に記載されているように、当業者には周知である。
　
　そして、未反応の基の割合を、反応後の基の量と、未反応の基の量の比から求めることも、例えば、本願の出願日前に頒布された刊行物である
・特開平３−１２８３７号公報（未反応のラジカル重合性基の残存量を低減する光ディスク基板の製造法について開示するものであり、４頁右上欄１１行〜同頁左下欄５行には、「光ディスク基板の表面反応性は、赤外吸収スペクトル分析における多重反射法（ＡＴＲ−ＦＴ法）を用て（Ｄｉｇｉｌａｂ社製ＦＴＳ−１５Ｃ　ＦＴＩＲ装置ＫＲＳ−５反射板）、スペクトル中の炭素−炭素二重結合に由来するピークの変化より、その反応度を見積った。
　炭素−炭素二重結合の減少率（α）は、下式より求めた。
　α＝１００Ｘ（１−γ１／γ０）
γ０及びγ１は、各々上記二重結合の照射及び照射後の残存率を示す。γ１／γ０は、各々の赤外吸収スペクトルにおける上記二重結合に由来する吸収ピーク（８１０ｃｍ−１）とカルボキシル基に由来する吸収ピーク（１７３０ｃｍ−１）の吸収強度比より算出することができる。」との記載がある。）
にみられるように、当業者が通常行う手法である。
　
　また、赤外分光測定の一種として、フーリエ変換赤外分光測定（ＦＴ−ＩＲ）は周知であり、臭化カリウム錠剤法を用いたものも周知（「岩波理化学辞典」，第４版，株式会社岩波書店，１９８７年１０月１２日，ｐ．６０６の「錠剤法」の項、及び、「化学大辞典」，第１版，株式会社東京化学同人，１９８９年１０月２０日，ｐ．１１１８の「錠剤法」の項参照。）である。
　
　したがって、引用発明において、以上の周知技術等を考慮し、カード取り時における、反応型ホットメルト接着剤の反応の進行具合を保証する所定の条件を、「反応型ホットメルト接着剤の反応促進のために一定の期間を経た後」という時間的条件に代えて、赤外分光測定により測定される未反応イソシアネート基の割合に基づくものとし、本願発明と同様に、ＩＣカードから抜き取った反応型ホットメルト接着剤を臭化カリウム錠剤法でフーリエ変換赤外分光測定をし、前記反応型ホットメルト樹脂が硬化反応することにより消失するイソシアネート基の第１の吸収ピークを観察し、更に、熱処理後の前記ＩＣカードが空気中の水分を吸収し分岐・架橋反応することにより変化したイソシアネート基の第２の吸収ピークを観察し、前記イソシアネート基の第１の吸収ピークの強度と前記第２の吸収ピークの強度の比をとることにより前記反応型ホットメルト接着剤の硬化反応の進行具合を評価したとき、前記反応型ホットメルト接着剤層中の未反応イソシアネート基の量が、反応したイソシアネート基の量の、完全硬化に近い所定の割合以下であること、とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、上記完全硬化に近い所定の割合について「５％以下」と数値限定することについて、本願明細書の発明の詳細な説明を参照しても、何ら臨界的意義は認められないから、上記未反応イソシアネート基の量の所定の割合を５％以下と定めることに、格別の点は認められない。
　
　なお、この点に関連し、審判請求人は、平成１９年１２月２６日付けの意見書において、
『その具体的な効果は、本願実施例に示すとおりであり、特に、段落番号（００５２）〜（００５７）に記載の様に、本願発明に係る３〕の構成の「５％」という閾値を境にして、大きくICカードの製造上での特性が改善されることを明らかにしたものであり、特定的ないし臨界的な効果を示すものであります。
　つまり、特に、段落番号（００５２）、（００５３）に記載の様に、残存イソシアネート量が２０％でカード厚み比（中央部に対する端部の比）は８５％、同１０％のとき９０％（９４％まで復帰）、同５％以下で９５％（９７％まで復帰）とあります様に、この改善効果の定量的な変化については、これらをグラフ上にプロットして見れば明らかな様に線形的な変化ではなく、臨界的な効果を奏するものであります。
　すなわち、段落番号（００５７）の「このように、実施例１、２によれば、残存イソシアネート基の量が既反応イソシアネート基の０〜２％や０〜５％に低下した状態は、単位時間当たりの硬化のスピードはかなり低下する。従って、シート材１やシート材４との界面の応力変化が非常に減るので、シート材にシワを発生させる（又はカード表面に凹部、凸部を形成）可能性が極めて低いことになり、本発明の目的が達成される。」と記載があります様に、当該３〕の構成を上記の様に有することにより、「反応型ホットメルト接着剤層中のイソシアネート基の硬化反応が安定した、しかも、カード表面に支障なく接触印字記録ができるＩＣカードを提供できるものであり、こうした効果は上記のとおり臨界的なものであります。』
として、「５％」という閾値により臨界的な効果を奏する旨の主張をしている。
　
　しかしながら、本願明細書の段落【００５１】〜【００５３】には、残存イソシアネート基が５８％の場合、２０％の場合、１０％の場合、５％以下の場合について記載されており、５％よりも大きい場合については、複数のデータが示されているが、５％以下の場合については、単に「５％以下のとき」として、単一のデータが与えられているだけであって、５％の「前後」で、カードの特性がどのように変わるかを判断できるデータは示されていないから、審判請求人の主張するように、『「５％」という閾値を境にして、大きくICカードの製造上での特性が改善される』ことが示されているとは言えない。
　
　また、本願明細書の段落【００５１】〜【００５３】に示された具体的な数値を見ても、カード集合体の中央部の厚みに対するカード端部の厚みは、残存イソシアネート基が１０％のときに９０％、残存イソシアネート基が５％のときに９５％というものであり、残存イソシアネート基が５％の付近で、臨界的な効果と言えるほどの大幅な特性の改善が見られるとは認められない。
　
　さらに、本願明細書の段落【００５１】〜【００５３】に示されたデータは、接着剤としてＨｅｎｋｅｌ社製のＭａｃｒｏｐｌａｓｔ　ＱＲ　３４６０という特定の製品を使用した場合のデータのみであって、反応型ホットメルト接着剤一般について、残存イソシアネート基が「５％」という閾値についての臨界的意義を明らかにするには不十分である。
　
　加うるに、本願明細書の段落【００５７】には、「このように、実施例１、２によれば、残存イソシアネート基の量が既反応イソシアネート基の０〜２％や０〜５％に低下した状態は、単位時間当たりの硬化のスピードはかなり低下する。従って、シート材１やシート材４との界面の応力変化が非常に減るので、シート材にシワを発生させる（又はカード表面に凹部、凸部を形成）可能性が極めて低いことになり、本発明の目的が達成される。」との記載があるが、「０〜２％や０〜５％」との選択的記載であること、及び、「かなり低下」との説明は低下の程度が曖昧である上、比較の対象も不明確であることから、「５％」という閾値についての臨界的意義を示す根拠とは認められない。
　
　また、本願の特許請求の範囲の請求項２においては、未反応イソシアネート基の量が、反応したイソシアネート基の量の「２％以下」との特定がなされていることを見ても、「５％」という閾値が臨界的意義を有するとの審判請求人の主張は受け入れ難いものであり、以上の点からみて、上記意見書における出願人の主張は採用できない。
　
　さらに、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用発明及び周知技術から当業者ならば容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
　よって、結論のとおり審決する。