【事件の表示】
　平成　５年特許願第２３６７０９号「半導体デバイス分離構造」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　７月２２日出願公開、特開平　６−２０４３３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年９月２２日（パリ優先権主張：平成４年９月２３日、アメリカ合衆国）に出願された特許出願であって、平成１５年３月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２８日に手続補正がなされ、前置審査において、平成１６年２月１０日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月１３日に手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年１２月２１日付けで審尋がなされ、平成１８年７月４日に回答書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１６年８月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものであって、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　第１と第２の能動領域を互いに電気的に分離する目的で、前記第１と第２の能動領域の間の半導体層中に形成される分離構造であって、前記半導体層が外側表面を有し、前記分離構造が：
　前記外側表面上に形成されたＬＯＣＯＳ構造であって、前記第１の能動領域に横方向に隣接して形成された第１のバーズビーク構造と、前記第２の能動領域に横方向に隣接して形成された第２のバーズビーク構造とを含むＬＯＣＯＳ構造、および
　第１トレンチに配置される第１トレンチプラグと第２トレンチに配置される第２トレンチプラグであって、前記第１トレンチと前記第２トレンチが前記第１と第２のバーズビーク構造間の前記ＬＯＣＯＳ構造を貫通して前記半導体層中に形成され、前記第１トレンチと前記第２トレンチが前記第１と第２のトレンチプラグと前記半導体層との界面を定義する側壁をそれぞれ有している前記第１トレンチプラグと前記第２トレンチプラグ、
を有する分離構造。」
　
３．刊行物記載の発明
　刊行物：特開平３−２６８４４５号公報
　平成１６年２月１０日付けで通知された拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された上記刊行物には、第１図ＡないしＫとともに、以下の事項が記載されている。
（１）「Ｓｉでなり且つ平らな主面１ａを有する半導体基板１を予め用意する。
　そして、その半導体基板１の主面１ａに、半導体基板１を互に分離している半導体素子形成領域８及び９に画成させている後述する溝１０が形成される領域において、その領域を覆い且つ長さ方向の直交する断面でみた両側部２１ａ及び２１ｂがバーズビーク状である比較的厚い厚さを有するＳｉ酸化物でなる膜２１を、それ自体は公知の熱酸化法によって、局部的に形成する（第１図Ｂ）。」（第５頁左上欄第１８行ないし同頁右上欄第９行）
（２）「次に、マスク材層５に、・・・溝１０が形成される領域上の領域において、・・・半導体基板１の溝１０が形成される領域を次に述べる窓２６と共働して外部に臨ませるための窓６を形成し、次で、膜２１に、いま形成したマスク材層５の窓６に連通している窓２６を形成する（第１図Ｄ）。
　次に、・・・半導体基板１に対する、窓６を形成しているマスク材層５をマスクとする反応性イオンエッチング処理によって、半導体基板１に、マスク材層５の窓６及び膜２１の窓２６を通した窓に臨む領域において、半導体基板１を互に分離している半導体素子形成領域８及び９に画成させている溝１０を形成する（第１図Ｅ）。」（第５頁左下欄第１２行ないし同頁右下欄第１３行）
（３）「埋込材層１２を、埋込材層１２の溝１０内の部は上面が窓６’内の高さ位置に位置している埋込材層１２’として残す・・・（第１図Ｉ）。」（第６頁左上欄第２０行ないし同頁右上欄第４行）
（４）「次に・・・熱酸化法によって、埋込材層１２’の上面に、Ｓｉ酸化物でな・・・る膜１３を・・・形成する（第１図Ｊ）。」（第６頁右上欄第５ないし１２行）
（５）「本発明による半導体集積回路用半導体基板の製法によって製造される半導体集積回路用半導体基板は、・・・溝１０によって互に分離されている半導体素子形成領域８及び９を形成している構成を有し、そして、Ｓｉ酸化物でなる膜１３及び膜２１でなる膜２３が、・・・半導体基板１の溝１０によって画成されている半導体素子形成領域８及び９間に、それらを画成している溝１０をその内面に形成されているＳｉ酸化物でなる膜１１を介して埋めている多結晶Ｓｉまたは非晶質Ｓｉでなる埋込材部１２′によって支持されてている状態で、溝１０を橋架して延長している。」（第６頁左下欄第４行ないし同頁右下欄第１行）
　
　第１図Ｉ及びＪ並びに上記（３）及び（４）の記載を参酌すると、第１図Ｋの段階において、「埋込材部１２′」及び「膜１３」が、「半導体基板１」に形成された「溝１０」及び「膜２１」に形成された「窓２６」に埋め込まれていることは、明らかである。
　
　したがって、刊行物には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「半導体基板１の主面１ａの領域を覆い且つ両側部２１ａ及び２１ｂがバーズビーク状であって、熱酸化法によって局部的に形成されたＳｉ酸化物でなる膜２１と、
　前記Ｓｉ酸化物でなる膜２１に形成された窓２６と、
　前記窓２６をマスクとする反応性イオンエッチング処理によって前記半導体基板１中に形成され、互に分離している半導体素子形成領域８及び９を画成している溝１０と、
　前記窓２６及び前記溝１０に埋め込まれている埋込材部１２′及び膜１３とを有する半導体基板。」
　
４．対比・判断
　本願発明１と刊行物発明とを対比する。
（１）刊行物発明の「半導体基板１」は、本願発明１の「半導体層」に相当し、刊行物発明の「半導体基板１の主面１ａ」は、本願発明１の「半導体層」が有する「外側表面」に相当する。
（２）刊行物発明の「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」は、「熱酸化法によって局部的に形成された」ものであり、「両側部２１ａ及び２１ｂがバーズビーク状」であるから、ＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）法で形成されたものであることは、当業者の技術常識として明らかである。
　したがって、刊行物発明の「熱酸化法によって局部的に形成されたＳｉ酸化物でなる膜２１」は、本願発明１の「ＬＯＣＯＳ構造」に相当する。
（３）第１図Ｋを参酌すると、刊行物発明の「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」の「バーズビーク状」の「両側部２１ａ及び２１ｂ」は、それぞれ「半導体基板１に形成され、互に分離している半導体素子形成領域８及び９」に隣接しているから、刊行物発明の「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」の「バーズビーク状」の「両側部２１ａ及び２１ｂ」は、それぞれ、本願発明１の「第１のバーズビーク構造」及び「第２のバーズビーク構造」に相当し、刊行物発明の「半導体素子形成領域８及び９」は、それぞれ、本願発明１の「第１と第２の能動領域」に相当する。
（４）刊行物発明の「窓２６」及び「溝１０」は、「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」の「両側部２１ａ及び２１ｂ」の間の「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」を貫通して「半導体基板１」中に形成されているから、本願発明１の「前記第１と第２のバーズビーク構造間の前記ＬＯＣＯＳ構造を貫通して前記半導体層中に形成され」た「トレンチ」に相当し、刊行物発明の「埋込材部１２′」及び「膜１３」は、「窓２６」及び「溝１０」に埋め込まれているから、本願発明１の「トレンチに配置される」「トレンチプラグ」に相当する。
　また、刊行物発明において、「窓２６」及び「溝１０」の側壁が、「埋込材部１２′」及び「膜１３」と「半導体基板１」との界面になっていることは明らかであるから、刊行物発明は、本願発明１の「トレンチが」「トレンチプラグと前記半導体層との界面を定義する側壁を」「有している」ことに相当する構成を備えていることも明らかである。
（５）刊行物発明の「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」、「窓２６」、「溝１０」、「埋込材部１２′」及び「膜１３」は、「半導体素子形成領域８及び９」を「互に分離」する目的で「半導体素子形成領域８及び９」の間の「半導体基板１」中に形成されることは明らかであるから、本願発明１の「分離構造」に相当し、刊行物発明は、本願発明１の「第１と第２の能動領域を互いに電気的に分離する目的で、前記第１と第２の能動領域の間の半導体層中に形成される分離構造」に相当する構成を備えている。
（６）上記（５）において検討したとおり、刊行物発明の「半導体基板１」は、「Ｓｉ酸化物でなる膜２１」、「窓２６」、「溝１０」、「埋込材部１２′」及び「膜１３」を有しているから、本願発明１の「分離構造」に相当する構成を備えている。
　
　したがって、本願発明１と刊行物発明は
「第１と第２の能動領域を互いに電気的に分離する目的で、前記第１と第２の能動領域の間の半導体層中に形成される分離構造であって、前記半導体層が外側表面を有し、前記分離構造が：
　前記外側表面上に形成されたＬＯＣＯＳ構造であって、前記第１の能動領域に横方向に隣接して形成された第１のバーズビーク構造と、前記第２の能動領域に横方向に隣接して形成された第２のバーズビーク構造とを含むＬＯＣＯＳ構造、および
　トレンチに配置されるトレンチプラグであって、前記トレンチが前記第１と第２のバーズビーク構造間の前記ＬＯＣＯＳ構造を貫通して前記半導体層中に形成され、前記トレンチが前記トレンチプラグと前記半導体層との界面を定義する側壁を有している前記トレンチプラグ、
を有する分離構造。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　本願発明１は、「第１トレンチに配置される第１トレンチプラグと第２トレンチに配置される第２トレンチプラグであって、前記第１トレンチと前記第２トレンチが前記第１と第２のバーズビーク構造間の前記ＬＯＣＯＳ構造を貫通して前記半導体層中に形成され、前記第１トレンチと前記第２トレンチが前記第１と第２のトレンチプラグと前記半導体層との界面を定義する側壁をそれぞれ有している前記第１トレンチプラグと前記第２トレンチプラグ、を有する」のに対して、刊行物発明は、「前記Ｓｉ酸化物でなる膜２１に形成された窓２６と、前記窓２６をマスクとする反応性イオンエッチング処理によって前記半導体基板１中に形成され、互に分離している半導体素子形成領域８及び９を画成している溝１０と、前記窓２６及び前記溝１０を埋めている埋込材部１２′とを有する」点。
　
　上記相違点について検討する。
　上記相違点を言い換えて整理すると、上記一致点における「トレンチに配置されるトレンチプラグであって、前記トレンチが前記第１と第２のバーズビーク構造間の前記ＬＯＣＯＳ構造を貫通して前記半導体層中に形成され、前記トレンチが前記トレンチプラグと前記半導体層との界面を定義する側壁を有している前記トレンチプラグ」に関して、本願発明１は「第１」及び「第２」の２つの上記「トレンチプラグ」を有するのに対して、刊行物発明は上記「トレンチプラグ」に相当する構成を１つ有している点で両者は実質的に相違している。
　しかし、素子形成領域を電気的に分離する素子分離技術において、ＬＯＣＯＳ酸化膜と複数の素子分離用溝とを併用する技術は、例えば、原査定において拒絶の理由に引用された特開平３−２３４０４２号公報（特に、第１図及び第３頁左上欄第１１行ないし第４頁左上欄第１０行の記載（特に、酸化膜１７、素子分離溝１５ａ、１５ｂ）を参照。）や、特開平３−１０１２４９号公報（特に、第１図（ａ）ないし（ｆ）及び第２頁右下欄第１０行ないし第３頁右上欄第１１行の記載（特に、厚い熱酸化膜５、第２熱酸化膜８、第２堆積酸化膜９）を参照。）及び特開昭６３−９９４８号公報（特に、第２図及び第２頁左下欄第８行ないし同頁右下欄第１行の記載（特に、フィールド酸化膜３、溝状構造１、熱酸化膜１０、ＢＰＳＧ２）を参照。）にも記載されているように当業者に従来周知の技術にすぎないから、刊行物発明において、「窓２６」、「溝１０」、「埋込材部１２′」及び「膜１３」からなる素子分離用の溝構造を「両側部２１ａ及び２１ｂがバーズビーク状であって、熱酸化法によって局部的に形成されたＳｉ酸化物でなる膜２１」に２つ形成することは、必要とする素子分離性能に応じて当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願発明１は刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。