【事件の表示】
　平成７年特許願第１８６６８５号「バンプ半導体装置とそのプローブ検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成８年２月２日出願公開、特開平８−２９４５１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　　　本件は、１９９４年７月５日にアメリカ合衆国でされた出願（第２７０８８０号）に基づく優先権を主張して平成７年６月３０日にされた特許出願（平成７年特許願第１８６６８５号。以下「本件出願」という。）につき、拒絶をすべき旨の査定が平成１７年１月２５日付けでされたところ、請求人が「原査定を取り消す、本願は特許をすべきものである」との審決を求めて拒絶査定不服審判を同年７月１１日に請求するとともに同年８月９日に同日付けの手続補正書を提出したものである。
　
第２　補正の却下の決定
　１　補正の却下の決定の結論
　　　平成１７年８月９日付け手続補正書による補正を却下する。
　２　補正の却下の決定の理由
　（１）補正の内容
　　　　平成１７年８月９日付け手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について以下のように補正をするものである。
　　　ア　本件補正後の特許請求の範囲
「【請求項１】　その上に形成された集積回路構成を有する半導体基板；
　前記半導体基板上にあり、パターニングされて複数のボンド・パッドを形成する第１金属層であって、前記複数のボンド・パッドが前記集積回路構成に電気的に接続される第１金属層；
　前記第１金属層上にある絶縁層であって、前記絶縁層は前記絶縁層内に形成された複数の開口部を有して、各開口部が下にあるボンド・パッドの部分を露出する絶縁層；
　前記絶縁層の上にあり、前記複数の開口部を充填して前記複数のボンド・パッドに対する複数の接触を形成する第２金属層であって、前記第２金属層はパターニングされて、これも、前記複数の接触に電気的に接続された複数の試験パッドと、複数のバンプ・パッドと、複数の相互接続とを形成し、このとき各試験パッドは前記複数のバンプ・パッドの対応する１つに対して、前記複数の相互接続の１つにより電気的に接続される第２金属層；および
　前記複数のバンプ・パッド上に形成された複数の導電性バンプ；
　を具備することを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　その上に形成された集積回路構成を有する半導体ダイ；
　前記集積回路構成の一部に電気的に接続されたボンド・パッド；
　前記ボンド・パッドの上にある絶縁層；
　前記ボンド・パッドの一部を露出する前記絶縁層内の開口部；
　前記開口部内に形成され、前記ボンド・パッドに対して電気的接続を行う金属接触；
　前記絶縁層上に形成され前記金属接触に電気的に接続された試験パッド；
　前記絶縁層上に形成された導電性バンプを受け入れるバンプ・パッド；および
　前記絶縁層上に形成され、前記試験パッドおよび前記バンプ・パッドを電気的に接続す
る金属相互接続；
　を具備することを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】　半導体装置をプローブにより検査する方法であって：
　その上に形成された、試験を受ける集積回路構成を有する半導体基板を設ける段階；
　前記基板上にあり、前記回路構成に電気的に接続された複数のボンド・パッドを形成する段階；
　前記複数のボンド・パッド上に絶縁層を付着する段階；
　前記絶縁層内に複数の開口部を形成し、１つの開口部が各ボンド・パッドを覆って、その一部を露出するようにする段階；
　前記絶縁層上と前記複数の開口部内とに金属層を付着して、前記金属層が前記複数のボンド・パッドと電気的接触を行うようにする段階；
　前記金属層をパターニングして、各ボンド・パッドに関連する再配分金属構造を形成する段階であって、関連するボンド・パッドのそれぞれの再配分構造が：
　　前記関連するボンド・パッドに電気的に接続された試験パッド；
　　バンプ・パッド；および
　　前記試験パッドおよびバンプ・パッドを電気的に接続する金属相互接続；
を有する再配分金属構造を形成する段階；および
　各試験パッドをプローブにより検査して前記集積回路構成の機能性を試験する段階；
　を具備することを特徴とする方法。」
　　　イ　本件補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】　その上に形成された集積回路構成を有する半導体基板；
　前記半導体基板上にあり、パターニングされて複数のボンド・パッドを形成する第１金属層であって、前記複数のボンド・パッドが前記集積回路構成に電気的に接続される第１金属層；
　前記第１金属層上にある絶縁層であって、前記絶縁層はその上に形成された複数の開口部を有して、各開口部が下にあるボンド・パッドの部分を露出する絶縁層；
　前記絶縁層の上にあり、前記複数の開口部を充填して前記複数のボンド・パッドに対する複数の接触を形成する第２金属層であって、前記第２金属層はパターニングされて、これも、前記複数の接触に電気的に接続された複数の試験パッドと、複数のバンプ・パッドと、複数の相互接続とを形成し、このとき各試験パッドは前記複数のバンプ・パッドの対応する１つに対して、前記複数の相互接続の１つにより電気的に接続される第２金属層；および
　前記複数のバンプ・パッド上に形成された複数の導電性バンプ；
　によって構成されることを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　その上に形成された集積回路構成を有する半導体ダイ；
　前記集積回路構成の一部に電気的に接続されたボンド・パッド；
　前記ボンド・パッドの上にある絶縁層；
　前記ボンド・パッドの一部を露出する前記絶縁層内の開口部；
　前記開口部内に形成され、前記ボンド・パッドに対して電気的接続を行う金属接触；
　前記絶縁層上に形成され前記金属接触に電気的に接続された試験パッド；
　前記絶縁層上に形成された導電性バンプを受け入れるバンプ・パッド；および
　前記絶縁層上に形成され、前記試験パッドおよび前記バンプ・パッドを電気的に接続する金属相互接続；
　によって構成されることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】　半導体装置をプローブにより検査する方法であって：
　その上に形成された、試験を受ける集積回路構成を有する半導体基板を設ける段階；
　前記基板上にあり、前記回路構成に電気的に接続された複数のボンド・パッドを形成する段階；
　前記複数のボンド・パッド上に絶縁層を付着する段階；
　前記絶縁層内に複数の開口部を形成し、１つの開口部が各ボンド・パッドを覆って、その一部を露出するようにする段階；
　前記絶縁層上と前記複数の開口部内とに金属層を付着して、前記金属層が前記複数のボンド・パッドと電気的接触を行うようにする段階；
　前記金属層をパターニングして、各ボンド・パッドに関連する再配分金属構造を形成する段階であって、関連するボンド・パッドのそれぞれの再配分構造が：
　前記の被関連ボンド・パッドに電気的に接続された試験パッド；
　　バンプ・パッド；および
　　前記試験パッドおよびバンプ・パッドを電気的に接続する金属相互接続；
　によって構成される再配分構造を形成する段階；および
　各試験パッドをプローブにより検査して前記集積回路構成の機能性を試験する段階；
　によって構成されることを特徴とする方法。」
　（２）本件補正の適否について
　　　　本件補正は、請求項１の「前記絶縁層はその上に形成された複数の開口部を有し」を「前記絶縁層は前記絶縁層内に形成された複数の開口部を有し」と補正し、請求項１から３までの「によって構成される」を「を具備する」と補正し、請求項３の「前記の被関連ボンド・パッドに電気的に接続された試験パッド；・・・によって構成される再配分構造を形成する段階」を「前記関連するボンド・パッドに電気的に接続された試験パッド；・・・を有する再配分金属構造」と補正するものである。
　　　　本件補正は、明りょうでない記載の釈明であって拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものには該当しない。また、本件補正は、発明の構成について限定をするものではなく、特許請求の範囲の減縮にも該当せず、請求項の削除、誤記の訂正のいずれにも該当しない。
　　　　したがって、本件補正は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法１７条の２第３項各号に掲げる事項を目的とするものに該当せず、同項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項において準用する同法５３条の規定により却下しなければならないものである。
　
第３　本件出願に係る発明
　　　本件補正は前記のとおり却下したので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件出願の願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、前記の本件補正前の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
第４　引用刊行物に記載された発明
　　　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の一部である特開平３−８２１２９号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面とともに以下のような記載がされている。
　１　「〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体チップに係り、特に、フリップチップ方式で実装する半導体チップに関する。コンピュータの高速化に伴い、半導体装置の実装技術も新しい技術が要求されている。従来のパッケージによる実装方法では実装密度及び高速性の点で限界が見えてきた。そこで、パッケージを用いずにベアチップを直接実装するフリップチップ方式が注目されている。フリップチップ方式は、半導体チップの表面にバンプ用パッドを設け、その上に半田バンプを形成し、この半田バンプにより半導体チップを直接実装基板に半田付けする実装方式である。」（１頁右下欄３〜１５行）
　２　「〔発明が解決しようとする課題〕・・・そこで本発明は、フリップチップ方式で実装する半導体チップにおいて、プロービングテストの際の針を立てる対象として、実装の接続に供するバンプ用パッドまたはその上の半田バンプを除外し得るようにすることを目的とする。」（２頁右上欄１〜１２行）
　３　「〔課題を解決するための手段〕上記目的は、実装の接続に供するバンプ用パッドの近傍に、該バンプ用パッドと電気的に接続された試験用パッドを具える本発明の半導体チップによって達成される。」（２頁右上欄１３〜末行）
　４　「〔作　用〕上記試験用パッドが上記バンプ用パッドと電気的に接続されていることから、この試験用パッドに針を立てることにより従来例と同様なプロービングテストを行うことが可能となる。そしてそのようにしてプロービングテストを行えば、バンプ用パッドまたはその上の半田バンプが針を立てる対象から除外されて、バンプ用パッドに傷が付いたりバンプ用パッド上の半田バンプが変形したりすることがなくなり、その傷や変形に起因する信頼性の低下を防止することができる。」（２頁左下欄１〜１１行）
　５　「〔実施例〕以下本発明の実施例について、それを模式的に示す第１図の模式平面図を用いて説明する。同図において、１は半導体チップ、２は回路パターン領域、３はバンプ用パッド、４は試験用パッド、である。回路パターン領域２とバンプ用パッド３または試験用パッド４との間の配線は記載を省略しである。バンプ用パッド３は、従来例のバンプ用パッド１３と同様に、配線金属からなり半導体チップ１の表面に配置されて大きさが２００μｍφ程度であり、配線金属の表面に半田バンプに対するバリアメタルの膜を設けてある。そしてその上に半田バンプが形成されて、フリップチップ方式による実装の接続に供せられる。試験用パッド４は、配線金属からなり半導体チップ１の表面でバンプ用パッド３の近傍に配置され、バンプ用パッド３と配線５で接続されて大きさが８０μｍ角程度であり、表面は金属配線のままである。また、バンプ用パッド３または試験用パッド４の中の回路パターン領域２に近いものが、回路パターン領域２の回路と不図示の配線で接続されている。そして、バンプ用パッド３、試験用パッド４及び配線５は、回路パターン領域２からの配線と同一配線層で形成されている。この半導体チップ１のプロービングテストは、先に述べたように、試験用パッド４に針を立てて行う。こうすることにより、バンプ用パッド３に傷を付けたりバンプ用パッド３上の半田バンブを変形させたりすることなしに、従来例と同様なプロービングテストを行うことが可能である。なお言うまでもなく、バンプ用パッド３及び試験用パッド４の大きさや配列は、実施例で述べた寸法や第１図に示す配列に限定されるものではない。」（２頁左下欄１２行〜右３頁左上欄９行）
　６　「〔発明の効果〕以上説明したように本発明の構成によれば、フリップチップ方式で実装する半導体チップにおいて、プロービングテストの際の針を立てる対象として、実装の接続に供するバンプ用パッドまたはその上の半田バンプを除外し得るようにすることができて、プロービングテストの際にバンプ用パッドに傷が付いたりバンブ用パッド上の半田バンプが変形したりすることがなくなり、その傷や変形に起因する信頼性の低下を防止させる効果がある。」（３頁左上欄１０行〜右上欄１行）
　
第５　本願発明についての当審の判断
　　　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　　　刊行物１に記載された「試験用パッド」（４）、「バンプ用パッド」（１３）、「配線」（５）及び「半田バンプ」は、それぞれ本願発明の「試験パッド」、「バンプ・パッド」、「相互接続」及び「導電性バンプ」に相当する。刊行物１に記載された「半導体チップ」（１）は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　　　そうすると、本願発明と刊行物１に記載された発明とは、以下の一致点で一致し、以下の相違点１及び２で相違する。
　　　一致点　本願発明と刊行物１に記載された発明とが「第２金属層であって、前記第２金属層はパターニングされて」、「複数の試験パッドと、複数のバンプ・パッドと、複数の相互接続とを形成し、このとき各試験パッドは前記複数のバンプ・パッドの対応する１つに対して、前記複数の相互接続の１つにより電気的に接続される第２金属層；および前記複数のバンプ・パッド上に形成された複数の導電性バンプ；によって構成される」「半導体装置」である点。
　　　相違点１　本願発明では、「その上に形成された集積回路構成を有する半導体基板」を有し、各層が「半導体基板上に」あるのに対し、刊行物１にはこのような記載がされていない点。
　　　相違点２　本願発明では、「パターニングされて複数のボンド・パッドを形成する第１金属層であって、前記複数のボンド・パッドが前記集積回路構成に電気的に接続される第１金属層；前記第１金属層上にある絶縁層であって、前記絶縁層はその上に形成された複数の開口部を有して、各開口部が下にあるボンド・パッドの部分を露出する絶縁層」を有し、第２金属層が「前記絶縁層の上にあり、前記複数の開口部を充填して前記複数のボンド・パッドに対する複数の接触を形成」し、試験パッドが「前記複数の接触に電気的に接続された」ものであるのに対し、刊行物１にはこのような記載がされていない点。
　　　相違点１について検討すると、刊行物１には「集積回路」、「半導体基板」という記載がされていないが、刊行物１にはフリップチップ方式で実装する半導体チップが記載されており、このような半導体チップでは半導体基板上に集積回路構成を設け、また基板上に種々の層を設けることが通常行われており、相違点１は、実質的な相違点ということはできない。
　　　相違点２について検討すると、基板上に形成された出力パッドの金属層、出力パッドの部分を露出する絶縁層、絶縁層の上にあり、ボンド用出力パッドに対する接触を形成し、出力端子に電気的に接続された金属層を有する半導体装置は、例えば特開昭６３−７２１４３号公報にも記載され、周知であり、また、本件出願明細書の【従来の技術および発明が解決しようとする課題】欄にも「半導体の製造者が認識している別の利点は、フリップチップ用の既存の半導体ダイ設計に大きな変更を加えずに、Ｃ４またはその他のバンプ構造を製品上に作ることができるということである。たとえば、バックエンド製造工程の変更、特に再配分金属被覆過程を追加するだけで、ワイヤ・ボンディングまたはＴＡＢボンディングされた構造に用いることのできる既存の製品をＣ４構造に変形することができる。半導体ダイ上にボンド・パッドを形成する時点までのダイ作成は、Ｃ４構造でできる製品でも、ワイヤ・ボンディングまたはＴＡＢボンディング構造でできる製品でも同じである。ボンド・パッドが形成された後で、ワイヤ・ボンディングおよびＴＡＢボンディング装置は最終的なパッシベーションに進み、Ｃ４装置は再配分金属被覆過程を受ける。再配分金属被覆過程には、追加の金属層を付着する段階と、その金属層をパターニングしてボンド・パッドをパターニングされたＣ４バンプ・パッドに接続する相互接続部を形成する段階とが含まれる。」と記載されており、前記事項が半導体の製造者に認識されている技術であることを請求人自身も認めているところであって、刊行物１に記載された発明にこのような周知の技術手段を適用し、相違点２のようにすることは、当業者が適宜に行い得ることである。
　　　本願発明の奏する効果についてみても、刊行物１に記載された発明及び周知の技術手段から予測し得る範囲内のものであり、格別のものではない。
　　　したがって、本願発明は、当業者が刊行物１に記載された発明及び周知の技術手段に基いて容易に発明をすることができたものである。
　
第６　まとめ
　　　以上のとおりであるから、本件出願の請求項１に係る発明である本願発明は特許法２９条２項の規定により特許をすることができないものであり、その余の請求項に係る発明についての判断を示すまでもなく、本件出願は、拒絶をすべきものである。
　　　よって、結論のとおり審決する。