【事件の表示】
　平成　７年特許願第５１９９１１号「ウェファ基板のキャビティを含む構造とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　８月　３日国際公開、ＷＯ９５／２０８２４、平成　９年　８月２６日国内公表、特表平　９−５０８４９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９５年１月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９４年１月２６日、フランス共和国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年５月２４日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年８月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年９月２８日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成１９年５月１１日付けで審尋がなされ、同年１１月１４日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年９月２８日付けの手続補正について
（１）補正の内容
　平成１７年９月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項２及び３を削除するとともに、補正前の特許請求の範囲の請求項１、４を補正後の特許請求の範囲の請求項１、２と各々補正するものであり、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び４、並びに補正後の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２は以下のとおりである。
（補正前）
「１．　基板（２）と、非導電性材料で作られていて該基板（２）の１つの面（１）に接合された表面薄膜（１６）とを有する構造物を製造する方法にして、前記基板（２）は前記表面薄膜（１６）の下に位置する前記１つの面（１）と同じ面にあるキャビティ（１０）を有している、前記方法において、
　基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階にして、該キャビティ（１０）は該基板（２）の面に、前記表面薄膜（１６）を正しく保持するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している段階と、
　固体部分（１４）、中間層、及び表面薄膜（１６）を有する非導電性材料のウェファ（１２）を、前記表面薄膜（１６）を前記面（１）上に置いて、前記基板（２）の該面（１）に結合する段階と、
　薄い表面部分を得るために前記ウェファ（１２）を薄くする段階にして、該ウェファ（１２）を薄くすることは、薄い表面薄膜を得るために、前記中間層から前記固体部分（１４）と表面薄膜（１６）を分離することによって得られ、前記表面薄膜（１６）と前記固体部分（１４）とを分離している前記中間層は前記ウェファ内にガスを注入することによって得られた微細泡の層（１８）であり、前記表面薄膜（１６）の分離は、前記微細泡の層（１８）によって画定された引き剥がし面に沿って前記ウェファ（１２）を引き剥がすことによって行なわれている段階と、
を含むことを特徴とする方法。」
「４．　キャビティ（１０）は、長手方向の溝である請求の範囲第１項に記載の方法。」
　
（補正後）
「　【請求項１】　基板（２）と、非導性材料で作られていて該基板（２）の１つの面（１）に接合された表面薄膜（１６）とを有する構造物を製造する方法にして、前記基板（２）は前記表面薄膜（１６）の下に位置する前記１つの面（１）と同じ面にあるキャビティ（１０）を有している、前記方法において、
　基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階にして、
　該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している段階と、
　固体部分（１４）、中間層、及び表面薄膜（１６）を有する非導電性材料のウェファ（１２）を、前記表面薄膜（１６）を前記面（１）上に置いて、前記基板（２）の該面（１）に結合する段階と、
　薄い表面部分を得るために前記ウェファ（１２）を薄くする段階にして、該ウェファ（１２）を薄くすることは、薄い表面薄膜を得るために、前記中間層から前記固体部分（１４）と表面薄膜（１６）を分離することによって得られ、前記表面薄膜（１６）と前記固体部分（１４）とを分離している前記中間層は前記ウェファ内にガスを注入することによって得られた微細泡の層（１８）であり、前記表面薄膜（１６）の分離は、前記微細泡の層（１８）によって画定された引き剥がし面に沿って前記ウェファ（１２）を引き剥がすことによって行なわれている段階と、
を含むことを特徴とする方法。
　　【請求項２】　キャビティ（１０）は、長手方向の溝である請求の範囲第１項に記載の方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると以下のようになる。
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階にして、該キャビティ（１０）は該基板（２）の面に、前記表面薄膜（１６）を正しく保持するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している段階と」を、補正後の請求項１の「基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階にして、　該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している段階と」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２を削除すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項３を削除すること。
　
（３）新規事項の有無について
　まず、補正事項１についてみると、特許法第１８４条の６第２項の規定により、本願の願書に最初に添付した明細書とみなされる平成８年７月２５日付けの明細書翻訳文、及び同条同項の規定により本願の願書に最初に添付した図面とみなされる国際出願日における図面（以下、「当初明細書等」という。）には、「基板の１面にキャビティをエッチングする段階にして、該キャビティが基板表面の平面内において、表面膜を正しく固定するため、表面膜の厚みの関数である少なくとも１個の寸法を有する段階と、　非導電性材料のウェファを基板の面に接合する段階と、　薄い表面膜を得るためにウェファを薄くする段階とを有している。　接合とは、後続の操作の間に分離することがないように、基板とウェファとの間に適切な接着エネルギーを保証する操作を意味する。例えば、分子間接合を形成させる表面処理操作、接着操作等が考えられる。」（平成８年７月２５日付けの明細書翻訳文第２頁第９行ないし第１６行）、「驚くべきことに、支持基板内にエッチングされたキャビティが、ウェファの薄い部分の正しい固定を阻止することはない。本発明は、引き剥がされるウェファと基板との間に緊密な接触が必須であるという原則が成立しない場合があるという事実を発見したことに基づいている。この特性は、キャビティが各場合において、基板のエッチングされる面の平面内において、形成すべき表面膜の厚さの関数である最大値ｌ0に等しいか、より小さい少なくとも１次元の寸法ｌを有しているときに確認される。」（同翻訳文第３頁第２４行ないし第４頁第１行）と記載されているから、当初明細書等には、補正後の請求項１における「基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階にして、　該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している段階」が記載されているものと認められる。
　したがって、補正事項１についての補正は、当初明細書等の範囲内においてなされたものである。
　次に、補正事項２及び３についての補正は、請求項を削除するものであるから、補正事項２及び３についての補正は、当初明細書等の範囲内においてなされたものである。
　以上、要するに、補正事項１ないし３についての補正は、いずれも当初明細書等の範囲内においてなされたものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第２項において準用する同法第１７条第２項の規定に適合するものである。
　
（４）補正の目的について
　まず、補正事項１についてみると、補正により、「基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階」について、補正前の「該キャビティ（１０）は該基板（２）の面に、前記表面薄膜（１６）を正しく保持するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」という構成要件が、補正後の「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」という構成要件に補正されている。
　そして、これは、「基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階」において、補正前には、「該キャビティ（１０）」のどの部分が「該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」のかが明りょうでなかったものを、補正により、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状」が「該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」ことを明りょうにするとともに、補正前の「該基板（２）の面に、前記表面薄膜（１６）を正しく保持するために、」という構成が、「正しく保持する」がどのようなことを指すのか不明であったため、明りょうでなかったものを、補正により、「該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、」と明りょうにするものであるから、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第３項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　次に、補正事項２および３についての補正は、特許法第１７条の２第３項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当することは明らかである。
　以上、要するに、本件補正は、特許法第１７条の２第３項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
（５）手続補正についてのむすび
　以上、検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第２項において準用する同法第１７条第２項の規定に適合するものであり、かつ、特許法第１７条の２第３項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、適法になされたものである。
　
３．本願発明
　平成１７年９月２８日付けの手続補正は、上記のとおり適法になされたものであるから、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１７年９月２８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであり、その内、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は上記２．（１）の「（補正後）」の部分に記載したとおりである。
　ここにおいて、請求項１における「非導性材料」は、「非導電性材料」の誤記であると認められるので、「非導性材料」を「非導電性材料」とみなして、以下に検討を進める。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された特開平５−１６７０８３号公報刊行物（以下、「引用刊行物１」という。）には、図１ないし図７とともに、以下の事項が記載されている。
「【請求項７】  第１のシリコン基板の表面に沿って絶縁層を形成し、絶縁層の１部を除去して空洞領域とし、第１のシリコン基板の絶縁層上に第２の単結晶シリコン基板を接着し、第１または第２の単結晶シリコン基板を研磨して薄膜とすることを特徴とする空洞領域内蔵半導体基板の製造方法。」（請求項７）
「【０００８】本発明の第１の目的は、従来技術の半導体基板における前述の問題点を解消するために、第１の単結晶シリコン基板の表面に空洞領域を形成し、この表面に第２の単結晶シリコン基板を接着し、第１または第２の単結晶シリコン基板を研磨して薄膜にすることで、長時間におよぶエッチング作業を不要とし、作業能率を高めた半導体基板の提供にある。」（０００８段落）
「【００３２】
【実施例】本発明の実施例を図面に従い説明する。
【００３３】図１〜７は、本発明の第１実施例の半導体基板及びその製作手順を示す拡大断面図である。
【００３４】この実施例においては、積層された半導体基板が第１の単結晶シリコン基板１及び第２の単結晶シリコン基板５からなり、第２の単結晶シリコン基板５が薄膜層となっている。この薄膜がダイアフラムとして作用するように空洞領域が形成されている。また、前記薄膜の厚さを３ミクロン以下とすれば、この層は可視光線に対して半透明、ないしは透明であるので、予め形成した空洞領域３の位置を表面から確認し、ダイアフラム領域と電気回路の位置を整合させることができる。
【００３５】第１の単結晶シリコン基板１に形成された空洞領域３の側壁面をゆるやかな斜面とすることで、第２の単結晶シリコン基板５を薄膜層に研磨する際の加工応力の集中を防いでいる。
【００３６】以下に第１実施例の空洞領域内臓半導体基板の製造方法を説明する。
【００３７】図２に示すように、第１の単結晶シリコン基板１の表面に、ダイアフラムとなる領域にフォトレジスト膜６を予め形成しておき、その上に膜厚２５００オームストロングの窒化シリコン層７を形成し、該フォトレジスト膜６の上の窒化シリコン層７をリフトオフすることで除去を容易にし、図３に示すように、窒化シリコン層７に開口部４を形成する。
【００３８】水蒸気を含む１０００℃の酸素雰囲気において第１の単結晶シリコン基板１を加熱し、図４に示すように、第１の単結晶シリコン基板１の開口部４から酸化膜８を成長させ、この酸化膜８の領域の端部で鳥の嘴（バーズビーク）構造を形成する。言い換えると酸化膜８は第１の単結晶シリコン基板１と窒化シリコン層７の間に中厚先細状に拡張し、開口部４を中心として周辺の窒化シリコン層７を隆起させる。酸化膜８の厚さは中心部で６０００オームストロングである。
【００３９】次に、燐酸溶液により窒化シリコン層７をエッチング除去して、図５に示すような状態とした後、緩衝ＨＦ溶液により酸化膜８をエッチング除去して、図６に示すような状態とする。そして、第１の単結晶シリコン基板１の表面に第２の単結晶シリコン基板５を１０００℃の真空中で接触させて接着し、第２の単結晶シリコン基板５を研磨加工して、図１に示すような厚さ１ミクロンの単結晶シリコン薄膜とした。」（００３２段落し００３９段落）
「【００４５】そして、酸化膜８により空洞領域の側壁部を緩やかな傾斜とすることで、応力の集中をなくし、この部分の損傷を未然に防止できる。空洞領域の端部において、その研磨等の加工工程で加わる変位のための応力の集中が緩和され、亀裂や切断等の欠陥を生ずるのが防止されるからである。」（００４５段落）
　ここにおいて、図１における「第１の単結晶シリコン基板１」は、その表面に接着された「単結晶シリコン薄膜」を有しているとともに、「単結晶シリコン薄膜」の下に位置する「第１の単結晶シリコン基板１」の表面と同じ面にある「空洞領域３」を有していることは明らかである。
　したがって、引用刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「第１のシリコン単結晶基板１と、単結晶シリコンで作られていて、前記第１のシリコン単結晶基板１の表面に接着された単結晶シリコン薄膜とを有する空洞領域内蔵半導体基板を製造する方法にして、前記第１のシリコン単結晶基板１は前記単結晶シリコン薄膜の下に位置する前記表面と同じ面にある空洞領域３を有している、前記方法において、
　前記第１の単結晶シリコン基板１に前記空洞領域３をエッチングする段階と、
　第２の単結晶シリコン基板５を前記第１の単結晶シリコン基板１の前記表面に接着する段階と、
　薄い単結晶シリコン薄膜を得るために、前記第２の単結晶シリコン基板５を研磨加工する段階と、
　を含む方法。」
　
５．対比
　刊行物発明１における「第１の単結晶シリコン基板１」、「単結晶シリコン」、「単結晶シリコン薄膜」、「第１の単結晶シリコン基板の表面」、「空洞領域内蔵半導体基板」、「空洞領域３」、「第２の単結晶シリコン基板５」が、各々、本願発明における「基板（２）」、「非導電性材料」、「表面薄膜（１６）」、「基板（２）の１つの面（１）」、「構造物」、「キャビティ（１０）」、「ウェファ（１２）」に相当する。
　また、刊行物発明１における「接着された」が、本願発明における「接合された」に相当する。
　したがって、本件発明と刊行物発明１とを比較すると、両者は、
「　基板（２）と、非導電性材料で作られていて該基板（２）の１つの面（１）に接合された表面薄膜（１６）とを有する構造物を製造する方法にして、前記基板（２）は前記表面薄膜（１６）の下に位置する前記１つの面（１）と同じ面にあるキャビティ（１０）を有している、前記方法において、
　基板（２）の１つの面（１）にキャビティ（１０）をエッチングする段階と、
　非導電性材料のウェファ（１２）を前記基板（２）の該面（１）に結合する段階と、
　薄い表面部分を得るために前記ウェファ（１２）を薄くする段階と、
　を含むことを特徴とする方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」のに対して、刊行物発明１は、「空洞領域３」の寸法について特定されていない点。
（相違点２）
　本願発明は、「固体部分（１４）、中間層、及び表面薄膜（１６）を有する非導電性材料のウェファ（１２）を、前記表面薄膜（１６）を前記面（１）上に置いて、前記基板（２）の該面（１）に結合する段階」を含み、かつ、「該ウェファ（１２）を薄くすることは、薄い表面薄膜を得るために、前記中間層から前記固体部分（１４）と表面薄膜（１６）を分離することによって得られ、前記表面薄膜（１６）と前記固体部分（１４）とを分離している前記中間層は前記ウェファ内にガスを注入することによって得られた微細泡の層（１８）であり、前記表面薄膜（１６）の分離は、前記微細泡の層（１８）によって画定された引き剥がし面に沿って前記ウェファ（１２）を引き剥がすことによって行なわれている」のに対して、刊行物発明１は、「第２の単結晶シリコン基板５」が、「固体部分（１４）」、「中間層」、「表面薄膜（１６）」を有しておらず、「第２の単結晶シリコン基板５を前記第１の単結晶シリコン基板１の前記表面に接着」しており、かつ、「第２の単結晶シリコン基板５」を薄くすることは、薄い表面薄膜を得るために、「前記第２の単結晶シリコン基板５」を「研磨加工」している点。
　
６．判断
（１）相違点１について
（１−１）本願発明の「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」という構成における「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、」「該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」という部分について検討すると、「関数」がどのようなものであるのかが特定されておらず、当該「関数」には、定数関数やランダム関数（すなわち、「該表面薄膜（１６）の厚さ」にかかわらず一定の値をとる関数や、「該表面薄膜（１６）の厚さ」により、ランダムな値を取る関数）も含め、全ての関数が包含されることに加え、「少なくとも一次元の寸法」が、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状」におけるどの箇所の寸法であるかについても特定されていないから、当該部分は、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状」の寸法について、何らかの具体的な限定を行うための記載ではなく、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、」「該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証する」ものであることの確認的記載にすぎないものと認められる。
　なお、これに関して付言すれば、本願の発明の詳細な説明には、「キャビティの寸法ｌは、キャビティが円筒形か半円筒形の場合はその直径を、他の場合には幅か長さを意味している。キャビティが溝形の場合には、寸法ｌは溝の幅である。ウェファがシリコンのときは、ｌ0は表面膜の厚みｅ0に比例して、ｌ0＝１０ｅ0、すなわち、ｌ≦ｌ0＝１０ｅ0になるように選択される。」（明細書第４頁第２行ないし第５行）と、キャビティが円筒形、半円筒形、又は溝形の場合におけるキャビティの直径又は溝の幅と表面膜の厚さとの関係について記載されている。しかしながら、本願発明においては、キャビティの形状も関数も特定されていないのであるから、発明の詳細な説明の記載を参酌したとしても、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状」が「該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」という記載が、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状」の寸法について、何ら具体的な限定を行うものではないことが明らかである。
　したがって、本願発明における「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」とは、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証する」ものとなっていることを意味するものと認められる。
　
（１−２）引用刊行物１には、「第１の単結晶シリコン基板１に形成された空洞領域３の側壁面をゆるやかな斜面とすることで、第２の単結晶シリコン基板５を薄膜層に研磨する際の加工応力の集中を防いでいる。」（００３５段落）と記載されており、刊行物発明１において、「空洞領域３」を作成する際には、後続の操作である「薄い単結晶シリコン薄膜を得るために、前記第２の単結晶シリコン基板５を研磨加工する」際の加工応力の集中を防ぐよう配慮することが記載されている。そして、引用刊行物１の「・・・応力の集中をなくし、この部分の損傷を未然に防止できる。空洞領域の端部において、その研磨等の加工工程で加わる変位のための応力の集中が緩和され、亀裂や切断等の欠陥を生ずるのが防止されるからである。」（００４５段落）という記載から、加工応力の集中を防ぐ理由は、亀裂や切断等の欠陥を生ずるのを防止するためであることが明らかであるから、刊行物発明１において、「空洞領域３」を作成する際に、後続の操作において欠陥が生じないように配慮することは、当業者が当然になし得た事項である。
　そして、刊行物発明１は、そもそも、「第２の単結晶シリコン基板５」を研磨してできた「単結晶シリコン薄膜」が「第１の単結晶シリコン基板１」の上に接着されてなる「空洞領域内蔵半導体基板」を作成するための製造方法であり、一旦接着した「第１の単結晶シリコン基板１」と「第２の単結晶シリコン」とが、後続する工程において分離するようなことがあれば、甚大な欠陥を生ずることは当業者にとって自明であるから、刊行物発明１において、「空洞領域３」を作成する際に、「第１の単結晶シリコン基板１」の表面内の形状も含めた「空洞領域３」の形状を、後続の操作の間に「第１の単結晶シリコン基板１」と「第２の単結晶シリコン基板５」とが分離することがないようなものとすることは、当業者にとって自明である。
　そして、「第１の単結晶シリコン基板１」と「第２の単結晶シリコン基板５」とが分離することがないようにすることと、分離することがないような、「第１の単結晶シリコン基板１」と「第２の単結晶シリコン基板５」との間の接着エネルギーを保証することとは技術的にみて同義であると解されるから、刊行物発明１において、「空洞領域３」の「第１の単結晶シリコン基板１」の表面内の形状を、「単結晶シリコン薄膜」が「第１の単結晶シリコン基板１」の表面に接着された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、「第１の単結晶シリコン基板１」と「第２の単結晶シリコン基板５」との間の接着エネルギーを保証するものとすること、すなわち、刊行物発明１において、本願発明のように「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」ようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（１−３）さらにいえば、本願の発明の詳細な説明には、「キャビティの寸法ｌは、キャビティが円筒形か半円筒形の場合はその直径を、他の場合には幅か長さを意味している。キャビティが溝形の場合には、寸法ｌは溝の幅である。ウェファがシリコンのときは、ｌ0は表面膜の厚みｅ0に比例して、ｌ0＝１０ｅ0、すなわち、ｌ≦ｌ0＝１０ｅ0になるように選択される。」（明細書第４頁第２行ないし第５行）と記載されているが、一般に、溝を有する基板と、当該基板に接合された表面薄膜とを有する構造物を製造する方法において、溝の幅ｌと表面薄膜の厚さｅ0との関係が、ｌ≦ｌ0＝１０ｅ0という関係を満たすように、ｌとｅ0とを選択することは、例えば、本願の優先権主張の日前に頒布された特開平１−１２０８５０号公報刊行物における「〔実施例〕　以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。　第１図は本発明の一実施例の工程を説明するための要部断面図であって、例えばシリコン単結晶から成る半導体基板（シリコンウェハ）１の表面を公知の熱酸化方法により酸化して厚さ約６０００Åの酸化（ＳｉＯ２）層２を絶縁層として形成する。〔第１図（ａ）および（ｂ）参照〕　一方、支持基板３として、例えばシリコン単結晶ウェハを用意し、公知のシリコンエッチング方法を用いて、その一表面に幅（Ｗ）が約２０μｍ、深さ（Ｄ）が約０．５μｍの溝４（凹部）を形成する。」（第２頁右下欄第７行ないし第１９行）、「上記のようにして接着された半導体基板１の表面を、公知のシリコンエッチングまたは機械研磨により選択的に除去し、所定厚さの半導体層１’を残す。半導体層１’の厚さは以後の工程によって異なるが、例えば１〜２μｍである。」（第３頁左上欄第１８行ないし右上欄第３行）という記載において、「溝４」の幅を２０μｍ、「半導体層１’」の厚さを２μｍとすれば、ｌ＝１０ｅ0となり、本願の発明の詳細な説明に記載された「ｌ≦ｌ0＝１０ｅ0」という条件に合致することからも明らかなように、本願の優先権主張の日前に当業者において周知であったと認められるから（以下、「周知技術」という。）、この点からみても、本願発明のように、「該キャビティ（１０）の前記１つの面（１）内における形状が、該表面薄膜（１６）が該基板（２）の面（１）に結合されて保持された場合に、後続の操作の間に分離することがないような、該基板（２）と該表面薄膜（１６）との間の接着エネルギーを保証するために、該表面薄膜（１６）の厚さの関数である少なくとも一次元の寸法を有している」ようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　以上検討したとおり、相違点１についての相違は、上記周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎない。
　
（２）相違点２について
（２−１）原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された特開平５−２１１１２８号公報刊行物（以下、「引用刊行物２」という。）には、図１ないし図４とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、選択される半導体とは種類の異なった初期基板も、非常に多い注入線量も、エッチストップをも必要とせずに前述した欠点を克服し得、且つ更に均質で調整された厚さを有するフィルムの製造を可能とする薄い半導体材料フィルムの製造方法に関する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この薄いフィルムの製造方法は、半導体材料が完全に単結晶質の場合にはその面が主要結晶面と実質的に平行であり、材料が多結晶質の場合にはその面が全ての粒子に対して同一指数の主要結晶面に対して僅かに傾斜している半導体材料ウェーハを、以下の３つの段階：基板のバルクを構成する下方区域６と薄いフィルムを構成する上方区域５とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層３をイオンの平均進入深さに近い深さの前記ウェーハの容積部に生じる、イオンにより行われる前記ウェーハ１の面４へのボンバード２による注入の第１段階であって、イオンは水素ガスイオン又は稀ガスイオンの中から選択され、注入中のウェーハ温度は、注入イオンにより発生されたガスが拡散により半導体から放出し得る温度より低く維持されている第１段階と、前記ウェーハの平面４を、少なくとも１つの剛性材料層からなる補剛材７と密着させる第２段階と、イオンボンバード２が実施される温度よりも高く、且つこの段階中に前記補剛材と前記ウェーハの平面とは密着させたままで、ウェーハ１中の結晶の再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルム５と基板６のバルクとを分離させるのに適した温度で前記ウェーハ１と前記補剛材７とのアセンブリを熱処理する第３段階とで処理することを包含することを特徴とする。」（００１３段落及び００１４段落）
「【００２１】密着という用語は、例えば静電圧力及び／又は付着接触によって補剛材をウェーハ上に押圧することによって得られる接触を意味する。」（００２１段落）
「【００２６】
【実施例】添付図面を参照して本発明の非制限的実施例を更に詳細に説明する。
【００２７】これから添付図面を参照して説明する実施例は、Ｈ+イオン注入による単結晶質シリコンウェーハ内での薄いフィルムの製造に関する。
【００２８】その表面が主要結晶面、例えば（１，０，０）面に相当する単結晶質シリコンウェーハに１５０ｋｅＶでＨ+イオン（プロトン）を注入すると、注入線量が少ない（＜１０16ｃｍ-2）場合には、図１に示すように深さＲｐで最大濃度を有する深さＰに対する水素濃度プロフィールＣが得られる。シリコン内へのプロトン注入の場合には、Ｒｐは約１．２５マイクロメータである。
【００２９】約１０16ｃｍ-2の線量では、注入水素原子は気泡を形成し始め、これらの気泡は表面に平行な面の付近に配分されている。表面の面は主要結晶面に相当し、また結果的に劈開面となる微小気泡面についても同様である。
【００３０】１０16ｃｍ-2を超える（例えば５・１０16ｃｍ-2）注入線量では、シリコンを２つの部分に劈開させる気泡と、厚さが１．２マイクロメータの上方フィルム（薄いフィルム）と、基板のバックとの融合を加熱により開始させることが可能である。
【００３１】水素注入は有利な例である。何故ならば、シリコン中でのイオンの制動プロセスは事実上イオン化（電子制動）だからである。原子移動による原子核型制動は飛程の最後にのみ生じる。それ故シリコンの表面層では非常に僅かな欠陥だけが生じ、限定された厚さにわたり、気泡が深さＲｐ（最大濃度の深さ）の付近に集中されている。これにより、穏当な注入線量（５・１０16ｃｍ-2）で方法の必要な効率、及び表面層の分離後には粗度の限定された表面を得ることが可能となる。
【００３２】本発明方法を使用すると、注入エネルギを選択することにより広い厚さ範囲内で薄いフィルムの厚さを選択することが可能となる。この特性は、注入イオンの原子番号ｚが小さいだけに一層重要である。例えば以下の表は、Ｈ+イオン（ｚ＝１）の異なる注入エネルギに対して得られ得るフィルムの厚さを示している。
【００３３】
Ｈ+イオンのエネルギ（ｋｅＶ）　10   50   100   150   200   500   1000　
フィルムの厚さ（μｍ）　　　　 0.1  0.5  0.9  1.2  1.6  4.7  13.5　
図２は封入層１０で任意に被覆された半導体ウェーハ１を示し、該層は、主要結晶面に平行な平面４を通してのＨ+イオンのイオンボンバード２を受けている。面４に平行に微小気泡層３を認めることができる。層３及び面４は薄いフィルム５を限定している。半導体基板６の他の部分は、基板のバルクを構成している。
【００３４】図３は、半導体ウェーハ１の面４と密着された補剛材７を示している。本発明の有利な実施例では、材料へのイオン注入は高温酸化シリコン封入層１０を通じて行われ、補剛材７は少なくとも１つの誘電層によって被覆されたシリコンウェーハからなっている。
【００３５】他の実施例は、半導体材料に補剛材を固定するために静電圧力を使用している。この場合、例えば５０００Ａ厚さの酸化シリコン層を有するシリコン補剛材が選択される。ウェーハの平面は補剛材の酸化物と接触させられ、ウェーハと補剛材との間には数十ボルトの電位差が適用される。ここで得られる圧力は数１０5〜１０6パスカルである。
【００３６】図４は、基板６のバルクから空間８によって離隔された、補剛材７に結合されたフィルム５を示している。」
　
（２−２）ここにおいて、「ウェーハ１中の結晶の再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルム５と基板６のバルクとを分離させるのに適した温度で前記ウェーハ１と前記補剛材７とのアセンブリを熱処理する第３段階」（００１４段落）、及び「表面の面は主要結晶面に相当し、また結果的に劈開面となる微小気泡面についても同様である。」（００２９段落）という記載より、「微小気泡層３」の「劈開面」、すなわち、「微少気泡層３」によって画定された引き剥がし面に沿ってウェーハ１を引き剥がし、薄いフィルム５を得ていることは明らかである。
　また、当該「第３段階」が、薄い表面部分を得るためのプロセスであることは自明である。
　さらに、図２及び０００３段落の「図２は封入層１０で任意に被覆された半導体ウェーハ１を示し、該層は、主要結晶面に平行な平面４を通してのＨ+イオンのイオンボンバード２を受けている。面４に平行に微小気泡層３を認めることができる。層３及び面４は薄いフィルム５を限定している。」の記載から、「ウェーハ１」の「平面４」とは、「ウェーハ１」における「フィルム５」が存在する部分の面を意味するものであることが明らかである。
　したがって、引用刊行物２には、以下の発明（以下、「刊行物発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　「薄い半導体材料フィルムの製造方法において、基板のバルクを構成する下方区域６、微小気泡層３、フィルム５を有する単結晶質シリコンのウェーハ１の前記フィルム５と補剛材７とを密着させる段階と、
　薄い表面部分を得るために、前記ウェーハ１を薄くする段階にして、前記ウェーハ１を薄くすることは、薄いフィルム５を得るために、前記微小気泡層３から前記基板のバルクを構成する前記下方区域６と前記フィルム５を分離することによって得られ、前記フィルム５と前記基板のバルクを構成する前記下方区域６とを分離している前記微小気泡層３は前記ウェーハ１内にＨ＋イオンを注入することによって得られた微小気泡の層であり、前記フィルム５の分離は、前記微小気泡層３によって画定された引き剥がし面に沿って前記ウェーハ１を引き剥がすことによって行われる段階と、
　を含む方法。」
　
（２−３）刊行物発明２の「補剛材７」、「フィルム５」、「ウェーハ１」は、各々刊行物発明１の「第１のシリコン単結晶基板１」、「単結晶シリコン薄膜」、「第２の単結晶シリコン基板５」に相当するものである。
　そして、刊行物発明２の技術分野と刊行物発明１の技術分野は、共に半導体薄膜の製造に関する分野であって、両者は共通しており、また、引用刊行物２の００１３段落に記載された「更に均質で調整された厚さを有するフィルムの製造を可能とする」という刊行物発明２の技術課題は、半導体薄膜の製造の分野に携わる者が常に念頭に置いている課題であると認められるから、刊行物発明１と刊行物発明２とを組み合わせ、刊行物発明１における「第２の単結晶シリコン基板５を前記第１の単結晶シリコン基板１の前記表面に接着する段階と、　薄い単結晶シリコン薄膜を得るために、前記第２の単結晶シリコン基板５を研磨加工する段階」に替え、「基板のバルクを構成する下方区域６、微小気泡層３、フィルム５を有する単結晶質シリコンのウェーハ１の前記フィルム５と補剛材７とを密着させる段階と、　薄い表面部分を得るために、前記ウェーハ１を薄くする段階にして、前記ウェーハ１を薄くすることは、薄いフィルム５を得るために、前記微小気泡層３から前記基板のバルクを構成する前記下方区域６と前記フィルム５を分離することによって得られ、前記フィルム５と前記基板のバルクを構成する前記下方区域６とを分離している前記微小気泡層３は前記ウェーハ１内にＨ＋イオンを注入することによって得られた微小気泡の層であり、前記フィルム５の分離は、前記微小気泡層３によって画定された引き剥がし面に沿って前記ウェーハ１を引き剥がすことによって行われる段階」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　ここにおいて、「基板のバルクを構成する下方区域６、微小気泡層３、フィルム５を有する単結晶質シリコンのウェーハ１の前記フィルム５と補剛材７とを密着させる」に際して、「ウェーハ１」を、「フィルム５」を「補剛材７」の面上に置いて、「補剛材７」の面と「密着させる」か、「補剛材７」の面を、「ウェーハ１」の「フィルム５」上に置いて、「フィルム５」と「密着させる」かは、当業者が適宜選択できる設計的事項であるから、「基板のバルクを構成する下方区域６、微小気泡層３、フィルム５を有する単結晶質シリコンのウェーハ１の前記フィルム５と補剛材７とを密着させる」に際して、「ウェーハ１」を、「フィルム５」を「補剛材７」の面上に置いて、「補剛材７」の面と「密着させる」ようにすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　また、刊行物発明２の「基板のバルクを構成する下方区域６」、「微小気泡層３」、「フィルム５」、「単結晶質シリコン」、「ウェーハ１」、「補剛材７」、「Ｈ＋イオン」、「微少気泡」は、各々本願発明の「固体部分（１４）」、「中間層」、「表面薄膜（１６）」、「非導電性材料」、「ウェファ（１２）」、「基板（２）」、「ガス」、「微細泡」に相当するものであり、また、刊行物発明２の「Ｈ＋イオンを注入する」、「密着させる」は、各々本願発明の「ガスを注入する」、「結合する」に相当するものである。
　したがって、これらの検討結果を勘案すると、刊行物発明１において、本願発明のように、「固体部分（１４）、中間層、及び表面薄膜（１６）を有する非導電性材料のウェファ（１２）を、前記表面薄膜（１６）を前記面（１）上に置いて、前記基板（２）の該面（１）に結合する段階」を含み、かつ、「該ウェファ（１２）を薄くすることは、薄い表面薄膜を得るために、前記中間層から前記固体部分（１４）と表面薄膜（１６）を分離することによって得られ、前記表面薄膜（１６）と前記固体部分（１４）とを分離している前記中間層は前記ウェファ内にガスを注入することによって得られた微細泡の層（１８）であり、前記表面薄膜（１６）の分離は、前記微細泡の層（１８）によって画定された引き剥がし面に沿って前記ウェファ（１２）を引き剥がすことによって行なわれている」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　したがって、相違点２についての相違は、刊行物発明２を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎない。
　
　以上検討したとおり、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。