【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８４８８３号「走査電子顕微鏡」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２０日出願公開、特開２００１−１１０３５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成１１年１０月５日の出願であって、平成１８年２月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１４日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
II．平成１８年４月１４日付けの手続補正について 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年４月１４日付けの手続補正を却下する。 
 　 
［理由］独立特許要件 
１．本願補正発明 
（１）本件補正について 
（ア）平成１８年４月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載の、 
 「電子線を発生する電子源と、前記電子線を集束するための集束レンズと、集束された電子線を細く絞って試料上に照射するために試料側に向かって磁場を漏洩させる対物レンズと、前記電子線を試料上で二次元的に走査するための偏向器と、電子線照射により試料から放出された信号を検出するために前記対物レンズよりも前記電子源側に配置された検出器と、前記検出器により検出された信号を試料像として表示するための表示手段と、
　前記試料に印加される負電圧を制御することで、試料から放出される電子を対物レンズ側に加速させる電界を発生させる電界発生手段と、前記電界発生手段に印加する電圧を制御するための電圧制御手段とを具備し、
　前記対物レンズと試料との間に向かって放出される反射電子が、前記電界によって前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記対物レンズの中心方向に曲げられて前記対物レンズを通過するように前記電界発生手段に印加される電圧が制御され、前記電界と漏洩磁場によって軌道を曲げられ、前記対物レンズを通過した反射電子の軌道上に、前記検出器、或いは前記反射電子の衝突によって二次電子を発生する導体板が配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。」 
　が、 
「電子線を発生する電子源と、前記電子線を集束するための集束レンズと、集束された電子線を細く絞って試料上に照射するために試料側に向かって磁場を漏洩させる対物レンズと、前記電子線を試料上で二次元的に走査するための偏向器と、前記対物レンズよりも前記電子源側にて前記電子線の光軸に対して軸対称な位置に設けられた複数個の第１の検出器と、前記電子線の光軸に沿って設けられた第１の反射板と、前記試料からの反射電子及び前記第１の反射板からの二次電子を検出するために前記第１の検出器よりも前記電子源側に設けられた第２の検出器と、前記複数個の第１の検出器からの検出信号より生成された試料表面の凹凸を示す像と前記第２の検出器からの検出信号より生成された試料像とを表示するための表示手段と、前記試料に印加される負電圧を制御することで試料から放出される電子を対物レンズ側に加速させる電界を発生させる電界発生手段と、前記電界発生手段に印加する電圧を制御するための電圧制御手段と、を具備し、
　前記電界によって、前記対物レンズと試料との間に向かって放出された反射電子が、前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記反射電子は前記対物レンズを通過するように前記対物レンズの中心方向に曲げられ、前記対物レンズを通過した反射電子は前記第１の検出器によって検出されることを特徴とする走査電子顕微鏡。」 
　と補正された。 
　 
（２）請求項１についての本件補正の概略は、
（ア）「検出器」を、「複数の第１の検出器」に補正するとともに、「電子線照射により試料から放出された信号を検出するために前記対物レンズよりも前記電子源側に配置された」ものから「前記対物レンズよりも前記電子源側にて前記電子線の光軸に対して軸対称な位置に設けられた」ものとし、
（イ）所定の「第１の反射板」及び「第２の検出器」を付加し、
（ウ）「表示手段」について、「前記検出器により検出された信号を試料像として表示するための」ものから「前記複数個の第１の検出器からの検出信号より生成された試料表面の凹凸を示す像と前記第２の検出器からの検出信号より生成された試料像とを表示するための」ものとし、
（エ）「前記対物レンズと試料との間に向かって放出される反射電子が、前記電界によって前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記対物レンズの中心方向に曲げられて前記対物レンズを通過するように前記電界発生手段に印加される電圧が制御され、前記電界と漏洩磁場によって軌道を曲げられ、前記対物レンズを通過した反射電子の軌道上に、前記検出器、或いは前記反射電子の衝突によって二次電子を発生する導体板が配置されている」を「前記電界によって、前記対物レンズと試料との間に向かって放出された反射電子が、前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記反射電子は前記対物レンズを通過するように前記対物レンズの中心方向に曲げられ、前記対物レンズを通過した反射電子は前記第１の検出器によって検出される」とするものである。
　
　そして、平成１８年７月１０日に提出された審判請求時の補正の根拠等を説明する書面も参酌すると、上記補正事項のうち、（ア）から（ウ）は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮、及び、同４号の明りょうでない記載の釈明に、また、（エ）は同２号の特許請求の範囲の減縮に、相当するものと解される。
　 
（３）そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同条第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。 
 　 
２．引用例 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１７１７９１号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
 　 
（ア）【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、検査する試料表面に電子ビームを走査することで試料表面の形状あるいは組成等を表す二次元の走査像を得る走査形電子顕微鏡に関し、特に低加速電圧領域で分解能の高い走査像を得るのに好適な走査形電子顕微鏡に関する。
 　 
（イ）【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による走査形電子顕微鏡の実施例の概略図である。電界放出陰極１と引出電極２との間に引出電圧３を印加すると、放出電子４が放出される。放出電子４は、引出電極２と接地電位にある陽極５の間でさらに加速（減速の場合もある）される。陽極５を通過した電子ビームのエネルギー（加速電圧）は電子銃加速電圧６と一致する。本発明では、この陽極５を通過した一次電子ビーム７を、さらに対物レンズ８を貫通して設けられた加速円筒９で後段加速する。対物レンズ８内を通過するときの電子ビームのエネルギーは、電子銃加速電圧６と加速円筒９に印加される後段加速電圧１０の和になる。この後段加速された一次電子ビーム１１を試料１２に印加した負の重畳電圧１３で減速し、所望の加速電圧にする。この方法の実質の加速電圧は後段加速電圧１０に関係なく、電子銃加速電圧６と重畳電圧１３の差になる。
【００１８】陽極５を通過した一次電子ビーム７はコンデンサレンズ１４，上走査偏向器１５，下走査偏向器１６で走査偏向を受けた後、対物レンズ８の通路に設けられた加速円筒９でさらに後段加速電圧１０の加速を受ける。後段加速された一次電子ビーム１１は、対物レンズ８で試料１２上に細く絞られる。対物レンズ８を通過した一次電子ビーム１１は、対物レンズ８と試料１２間に作られた減速電界１７で減速され、試料１２に到達する。
【００１９】この構成によれば、対物レンズ８を通過するときの一次電子の加速電圧は、最終的な加速電圧よりも高くなっている。この結果、最終的な加速電圧の一次電子ビームを対物レンズ８に通す場合に比較すると、対物レンズでの色収差が減少し、より細い電子ビーム（高分解能）が得られる。対物レンズ８の一次電子ビームの開き角は、コンデンサレンズ１４の下方に置かれた絞り１８で決められる。絞り１８のセンタリングは調整つまみ１９で行う。図では機械的な調節を行っているが、絞り１８の前後に静電又は磁界偏向器を設け、電子ビームを偏向させて調整してもよい。
【００２０】対物レンズ８で細く絞られた電子ビームは上走査偏向器１５と下走査偏向器１６で試料１２上を走査されるが、このとき上走査偏向器１５と下走査偏向器１６の偏向方向と強度は、走査した電子ビームが常に対物レンズ８の中央を通るように調整されている。試料１２は重畳電圧１３が印加された試料ホルダ２０の上に固定されている。試料ホルダ２０は絶縁台２１を介して試料ステージ２２に載せられ、水平位置の調整が可能になっている。
【００２１】一次電子ビーム１１が試料１２を照射することで二次電子２３が発生する。対物レンズ８と試料１２間に作られた減速電界１７は二次電子２３に対しては加速電界として働くため、対物レンズ８の通路内に吸引され、対物レンズ８の磁界でレンズ作用を受けながら昇っていく。対物レンズ８内を通過した二次電子２３は対物レンズ８と下走査偏向器１６の間に置かれた吸引電極２４の横方向電界で吸引され、吸引電極２４のメッシュを透過した後、１０ｋＶ（正電位）が印加されたシンチレータ２５で加速され、シンチレータ２５を光らせる。発光した光はライトガイド２６で光電子増倍管２７に導かれ電気信号に変換される。光電子増倍管２７の出力はさらに増幅され、ブラウン管（図示せず）の輝度変調入力になる。
　 
（ウ）【００２４】図２に示す反射板を用いた実施例は、上述の問題を解決し、高効率の検出を可能にする。本実施例では、電子線通路に中央孔２８のある反射板２９を設ける。反射板は、金，銀，白金等、電子照射によって二次電子を発生しやすい材料が表面にコーティングされている。陽極５を通過した一次電子ビーム７は反射板２９の中央孔２８を通過した後、加速円筒９に入る。中央孔２８の径は、走査偏向器１５，１６で偏向した電子ビームが反射板２９に衝突しない大きさに設定される。試料１２で発生し重畳電圧１３で加速された二次電子２３は、対物レンズ８のレンズ作用で発散しながら加速円筒９を通過し、反射板２９の裏面に衝突する。二次電子と軌道は異なるが、試料１２で発生した反射電子も同様に反射板２９の裏面に衝突する。
【００２５】反射板２９の裏面で作られた二次電子３０は吸引電極２４の電界で吸引され、図１と同様にシンチレータ２５，ライトガイド２６，光電子増幅管２７を経て電気信号に変換される。この方式の特長は、試料に印加する重畳電圧１３が高く二次電子２３の加速が高くなっても、検出しているのは加速を受けていない反射板２９で作られた二次電子３０であるため、吸引電極２４に与える電圧が低くてよいことである。そのため、吸引電極２４の発生する電界が陽極５を通過した一次電子ビーム７に与える影響を小さくすることができる。ここでは吸引された二次電子の検出にシンチレータ２５を用いたが、チャンネルプレートやマルチチャンネルプレート等の電子検出増幅器を用いてもよい。
　 
（エ）【００３１】図５は、走査偏向器の上方と下方の両位置に二次信号検出器を設けた実施例である。上走査偏向器１５の上に上検出器３３が、下走査偏向器１６と加速円筒９の間に下検出器３４が設けられている。上検出器３３及び下検出器３４は、図３及び図４に示すように、それぞれ反射板２９ａ，２９ｂ，電界偏向電極３１ａ，３１ｂ，直交磁界偏向コイル３２ａ，３２ｂ，シンチレータ２５ａ，２５ｂ，ライトガイド２６ａ，２６ｂ，光電子増倍管２７ａ，２７ｂを備える。
【００３２】この実施例では、下検出器３４の反射板２９ｂの中央孔２８ｂを通り抜けた二次電子又は反射電子を上検出器３３で検出することができる。上検出器３３で検出される二次信号は試料１２から垂直方向に出射した二次電子と反射電子を多く含むことから、下検出器３４とはコントラストの異なった像が得られる。例えば、半導体素子の製造プロセスにおけるコンタクトホールの検査において、下検出器３４を用いると周囲からコンタクトホールの部分を強調した像が得られ、上検出器３３を用いるとコンタクトホールの底部の精細な像が得られる。また、両検出器３３，３４の信号を演算することにより試料の特徴を強調したコントラストを作ることも可能である。
　
（オ）【００３７】図７は、単結晶シンチレータを利用して二次信号を検出する実施例である。図７において単結晶シンチレータ４６は、例えば円柱状のＹＡＧ単結晶を斜めに切断し、その切断面に一次電子ビームを通過させるための開口部４７を設けたものであり、その先端部には金属又はカーボン等の導電性薄膜４８がコーティングされ、導電性薄膜４８は接地されている。試料１２から発生した二次電子２３がシンチレータ４６を照射することで発光した光は、斜め部分で反射し、円柱の部分が構成するライトガイドで光電子増倍管２７に導かれ検出，増幅される。なお、本実施例ではシンチレータ４６の発光部とライトガイドを共にＹＡＧ単結晶により構成するものとして説明したが、二次電子を検出する発光部のみをＹＡＧ単結晶あるいは螢光体とし、ライトガイドをガラスや樹脂などの透明体で構成するようにしても良い。
【００３８】図７を用いて二次信号検出を効率的に行う制御法について述べる。二次信号（例えば二次電子）２３は対物レンズ８の磁場内を通過するためレンズ作用を受け、二次電子のクロスオーバ４９が作られる。もし、レンズ作用で二次電子がシンチレータ４６の開口４７に焦点を結ぶと、ほとんどの二次電子が開口４７を通過してしまい検出できなくなる。そこで焦点を反射板前後に結ぶように調整し、検出効率を上げている。実施例では、加速電圧（実質の加速電圧）を変えたときに二次電子の焦点位置を変化させないように、後段加速電圧、試料に印加する重畳電圧を制御している。
【００３９】磁界レンズの焦点距離は、レンズコイルに流す電流をＩ、コイルの巻数をＮ、レンズ磁界を通過するときの電子の加速電圧をＶとして、変数Ｉ・Ｎ／Ｖ1/2 の関数である。一次電子がレンズ磁界を通過するときの加速電圧は、Ｖｏを電子銃加速電圧、Ｖｂを加速円筒に印加する後段加速電圧とするとき、(Ｖｏ＋Ｖｂ)である。試料位置（焦点距離）が一定であることから、Ｉ・Ｎ／(Ｖｏ＋Ｖｂ)1/2は常に一定値（＝ａ）になる。二次電子がレンズ磁界を通過するときの加速電圧は、試料に印加する重畳電圧をＶｒとするとき、（Ｖｒ＋Ｖｂ）で、変数Ｉ・Ｎ／Ｖ1/2は次式で表される。
【００４０】
 　Ｉ・Ｎ／Ｖ1/2＝ａ（Ｖｏ＋Ｖｂ）1/2／（Ｖｒ＋Ｖｂ）1/2
          ＝ａ｛１＋(Ｖｂ/Ｖｏ)｝1/2／｛(Ｖｒ/Ｖｏ)＋(Ｖｂ/Ｖｏ)｝1/2
この式から、Ｖｒ／Ｖｏ，Ｖｂ／Ｖｏ比を一定で制御すれば、二次電子の焦点位置は一定になる。すなわち、Ｖｒ／Ｖｏ，Ｖｂ／Ｖｏ比を一定として後段加速電圧Ｖｂ及び試料の重畳電圧Ｖｒを制御すれば、加速電圧（実質の加速電圧）に依存することなく二次電子の焦点位置を一定に制御できる。
　
（２）（ア）そして、図５には、電界放出電極１と、コンデンサレンズ１４と、対物レンズ８と、上走査偏向器１５及び下走査偏向器１６と、上検出器３３と、下検出器３４と、反射板２９ａと、を有する走査形電子顕微鏡が図示されている。
　
（イ）前記電界放出電極１から一次電子ビーム７が放出されることは、前記図５などからも、明らかである。
　
（ウ）前記コンデンサレンズ１４が前記一次電子ビーム７を集束する作用を有するものであることは自明である。
　
（エ）前記対物レンズ８は、上記（１）（イ）【００１８】に、「後段加速された一次電子ビーム１１は、対物レンズ８で試料１２上に細く絞られる。」との記載から、一次電子ビーム１１（「一次電子ビーム７」と同じ。以下同様。）を細く絞って試料１２上に照射する作用を有するものことが認められる。
　また、前記対物レンズ８は、図７に図示される対物レンズと同じ構造のものであることが認められ、そして、図７には二次信号（例えば二次電子）２３の経路が描かれているとともに、同図に関する説明として、上記（１）（オ）【００３８】に、「二次信号（例えば二次電子）２３は対物レンズ８の磁場内を通過するためレンズ作用を受け、二次電子のクロスオーバ４９が作られる。」との記載があることから、前記対物レンズ８は二次信号２３の経路に磁界を漏洩させており、また、この磁界は一次電子ビーム７に対しても作用しているものと認められる。
　
（オ）前記上走査偏向器１５及び下走査偏向器１６は、上記（１）（イ）【００２０】の「対物レンズ８で細く絞られた電子ビームは上走査偏向器１５と下走査偏向器１６で試料１２上を走査される」との記載などから、前記一次電子ビーム７を試料１２に対して二次元的に走査するように構成されていることとは自明である。
　
（カ）前記下検出器３４は、図５より、対物レンズ８よりも電界放出電極１側に設けられていることは明らかである。
　
（キ）前記反射板２９ａは、図２の反射板２９と同じ構造のものであることが認められ、そして、上記（１）（ウ）【００２４】に、図２に示す反射板２９に関する説明として、「電子線通路に中央孔２８のある反射板２９を設ける。」との記載があることから、前記反射板２９ａは一次電子ビーム７の周囲に設けられていると認められる。
　
（ク）前記上検出器３３は、図５より、下検出器３４よりも電界放出電極１側に設けられていることは明らかである。
　また、上記（１）（エ）【００３３】の「上検出器３３で検出される二次信号は試料１２から垂直方向に出射した二次電子と反射電子を多く含む」との記載、及び、上記（１）（ウ）【００２４】の「反射板は、金，銀，白金等、電子照射によって二次電子を発生しやすい材料が表面にコーティングされている。」との記載から、前記上検出器３３は、試料１２からの反射電子及び反射板２９ａからの二次電子を検出するように構成されていることが認められる。
　
（ケ）上記（１）（イ）【００２１】の「光電子増倍管２７の出力はさらに増幅され、ブラウン管（図示せず）の輝度変調入力になる。」との記載、また、上記（１）（エ）【００３２】の「例えば、半導体素子の製造プロセスにおけるコンタクトホールの検査において、下検出器３４を用いると周囲からコンタクトホールの部分を強調した像が得られ、上検出器３３を用いるとコンタクトホールの底部の精細な像が得られる。」との記載から、図５に示された走査形電子顕微鏡が前記上検出器３３及び下検出器３４からの出力を試料像として表示する表示手段を有することは明らかであり、また、特に、下検出器３４からはコンタクトホールの部分の像が得られることが認められる。
　
（コ）上記（１）（イ）【００１７】の「この後段加速された一次電子ビーム１１を試料１２に印加した負の重畳電圧１３で減速し、所望の加速電圧にする。」との記載、上記（１）（イ）【００２１】の「対物レンズ８と試料１２間に作られた減速電界１７は二次電子２３に対しては加速電界として働くため、対物レンズ８の通路内に吸引され、対物レンズ８の磁界でレンズ作用を受けながら昇っていく。」との記載などから、試料１２に負の重畳電圧１３が印加されることにより、二次信号（例えば二次電子）２３を対物レンズ８側に加速させる電界が発生していることが認められる。
　なお、引用例１における「二次信号２３」とは、例えば、「二次電子又は反射電子」（上記（１）（エ）【００３２】）、「二次信号（例えば二次電子）２３」（上記（１）（オ）【００３８】）などと記載されていることから、試料から発生する電子のことであり、本願補正発明でいう「反射電子」及び「二次電子」を含む概念であると認められる。
　
（サ）図７、及び、上記（１）（オ）【００３８】に、「二次信号（例えば二次電子）２３は対物レンズ８の磁場内を通過するためレンズ作用を受け、二次電子のクロスオーバ４９が作られる。」との記載から、試料から発生した反射電子が、対物レンズ８の磁場によって、対物レンズ８を通過する際に対物レンズの中心方向に曲げられることが認められる。
　また、上記（１）（イ）【００２１】の「対物レンズ８と試料１２間に作られた減速電界１７は二次電子２３に対しては加速電界として働く」との記載から、試料から発生した前記反射電子は、上記（コ）でいう前記電界により、試料１２から対物レンズ８に向かって放出されるものであることが認められる。
　 
（シ）下検出器３４が対物レンズ８を通過した反射電子を検出していることは、図５や上記（１）（エ）【００３２】から、明らかである。
　
（３）以上をまとめると、引用例１には、 
「一次電子ビーム７を放出する電界放出電極１と、
　一次電子ビーム７を集束するコンデンサレンズ１４と、
　集束された一次電子ビーム７を細く絞って試料１２上に照射し、一次電子ビーム７に対して磁場を作用させる対物レンズ８と、
　一次電子ビーム７を試料１２に対して二次元的に走査する上走査偏向器１５及び下走査偏向器１６と、
　対物レンズ８よりも電界放出電極１側に設けられた下検出器３４と、
　一次電子ビーム７の周囲に設けられた反射板２９ａと、
　試料１２からの反射電子及び反射板２９ａからの二次電子を検出するように下検出器３４よりも電界放出電極１側に設けられた上検出器３３と、
　下検出器３４からの出力より形成される試料１２のコンタクトホールの部分を示す像と上検出器３３からの出力より形成される試料像とを表示する表示手段とを具備し、
　試料１２に負の重畳電圧１３を印加することにより、試料から発生する電子を対物レンズ８側に加速させる電界を発生させ、
　前記電界により試料１２から対物レンズ８に向かって放出される反射電子が、対物レンズ８の磁場によって、対物レンズ８を通過する際に対物レンズの中心方向に曲げられ、
　対物レンズ８を通過した反射電子が下検出器３４により検出される、
　走査形電子顕微鏡。」
　が開示されているものと認められる。（以下、「引用発明」という。） 
 　 
（４）また、原査定の拒絶の理由に引用された特公平６−４３８８５号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。 
 　 
（ア）〔発明の利用分野〕
本発明は電子又はイオン等のビーム走査によつて試料の走査像を表示する荷電粒子マイクロプローブ装置に係り、特に、試料表面の凹凸形状に対する情報を映像信号から抽出するに好適な荷電粒子マイクロプローブ装置に関するものである。
　（第２欄第１１行から第３欄第１行）
　
（イ）〔発明の目的〕
本発明の目的は、これらの問題点を実用的に解決して、試料走査像を形成する二次元映像信号から試料表面の凹凸形状に関する三次元情報を抽出し得る新規な荷電粒子マイクロプローブ装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明では、試料表面の正確な形状情報を得るため、光学軸に対称配置された少くとも一組の検出器を用いて映像信号を差分検出する。上記検出系で差分検出した映像信号を設定可能な正、負の基準レベルと比較して、正、負の矩形波信号に変換する。該矩形波信号の符号及び矩形幅から、それぞれ形状情報としての傾斜方向及び勾配を抽出して試料表面の凹凸形状を決定する。この原理的な説明から分かるように、信号強度と試料傾斜角度との比例関係を利用しないので、映像信号として一般的に高分解能走査像に必要とされる２次電子信号を使用できる。また、従来法における試料物質が種々混在する問題や、上記比例関係と関連した角度範囲の制約を解決できる。
　（第３欄第３２行から第５０行）
　
（ウ）〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を用いて詳細に説明する。
第２図は、本発明を走査形電子顕微鏡を例として示した構成ブロック図である。鏡筒部１では、電子銃、電子レンズ系（図示しない）で細く集束された電子ビーム２は偏向器３により、試料４上を二次元又は一次元走査される。試料より発生する２次電子、反射電子等の映像信号は、光学軸に関して走査方向に対称配置された１組の信号検出器５ａ，５ｂで検出される。図面では省略したが、直交方向に別の１組の検出器が存在する。該映像信号は信号増幅器６ａ，６ｂで所定のレベルに各各増幅され、加算増幅器７を介して表示装置８の輝度変調信号となる。電子ビーム２は偏向信号発生器１０により偏向増幅器９で走査される。同時に、偏向信号発生器１０から表示装置８にも該ビーム走査と同期した偏向信号が供給されており、試料走査像が表示される。以上が走査形電子顕微鏡の基本構成である。本発明による凹凸形状の検知方法は、前記信号検出器６ａ，６ｂの映像信号出力を差動増幅器１２を通して差分信号としたのち、信号処理部１３で試料断面に対応した形状信号に変換するものである。信号処理部１３は、上記差分信号を基準レベルと比較して正、負極性の矩形波信号を得る信号規格回路１４と、該矩形波信号の極性及び信号幅から傾斜方向及び勾配を各々各抽出する傾斜抽出回路１５と、該情報に基づいて凹凸形状を再生する形状再生回路１６とからなる。また、制御部１１により該信号処理部１３は映像信号から傾斜情報を抽出する書込み状態と、該傾斜情報から凹凸形状を再生して表示装置８等に表示する読出し状態とを交互に繰返す。以上が本発明の原理と全体構成である。
　（第４欄第１行から第３０行）
　
３．対比 
（１）本願補正発明と引用発明とを対比する。 
（ア）本願補正発明と引用発明とは、共に、走査電子顕微鏡に係る発明である。
　
（イ）引用発明の「一次電子ビーム７」、「電界放出電極１」は、それぞれ、本願補正発明の「電子線」、「電子源」に相当する。
　そして、引用発明の「電界放出電極１」は、一次電子ビーム７を放出するものであるから、本願補正発明の「電子線を発生する電子源」である。
　
（ウ）引用発明の「コンデンサレンズ１４」は、本願補正発明の「集束レンズ」に相当し、本願補正発明と同様に「電子線を集束するための」ものである。
　
（エ）引用発明の「対物レンズ８」は、本願補正発明の「対物レンズ」に相当し、「集束された一次電子ビーム７を細く絞って試料１２上に照射し、一次電子ビーム７に対して磁場を作用させる」ものであるから、本願補正発明のように「集束された電子線を細く絞って試料上に照射するために試料側に向かって磁場を漏洩させる」ものである。
　
（オ）引用発明の「上走査偏向器１５及び下走査偏向器１６」は、本願補正発明の「偏向器」に相当し、「一次電子ビーム７を試料１２に対して二次元的に走査する」ことから、本願補正発明の「偏向器」と同じく「前記電子線を試料上で二次元的に走査するための」ものである。
　
（カ）引用発明の「下検出器３４」は、本願補正発明の「第１の検出器」に相当し、「対物レンズ８よりも電界放出電極１側に設けられ」ていることから、「対物レンズよりも電子源側に設けられ」ている点において、本願補正発明の「第１の検出器」と共通する。
　
（キ）引用発明の「反射板２９ａ」は、本願補正発明の「第１の反射板」に相当し、「一次電子ビーム７の周囲に設けられ」ていることから、本願補正発明の「第１の反射板」と同じく「電子線の光軸に沿って設けられた」ものである。
　
（ク）引用発明の「上検出器３３」は、本願補正発明の「第２の検出器」に相当し、「試料１２からの反射電子及び反射板２９ａからの二次電子を検出するように下検出器３４よりも電界放出電極１側に設けられ」ていることから、本願補正発明の「第２の検出器」と同じく、「試料からの反射電子及び第１の反射板からの二次電子を検出するために第１の検出器よりも電子源側に設けられた」ものである。
　
（ケ）引用発明において、「試料１２のコンタクトホール」とは試料表面の凹凸に他ならないから、引用発明の「下検出器３４からの出力より形成される試料１２のコンタクトホールの部分を示す像」は本願補正発明の「第１の検出器からの検出信号より生成された試料表面の凹凸を示す像」に相当する。
　また、引用発明の「上検出器３３からの出力より形成される試料像」は本願補正発明の「第２の検出器からの検出信号より生成された試料像」に相当する。
　したがって、引用発明の「下検出器３４からの出力より形成される試料１２のコンタクトホールの部分を示す像と上検出器３３からの出力より形成される試料像とを表示する表示手段」は、本願補正発明の「第１の検出器からの検出信号より生成された試料表面の凹凸を示す像と第２の検出器からの検出信号より生成された試料像とを表示するための表示手段」に相当する。
　
（コ）引用発明の「重畳電圧１３」は、本願補正発明の「電界発生手段」に相当し、「試料１２に負の重畳電圧１３を印加することにより、試料から発生する電子を対物レンズ８側に加速させる電界を発生させ」るとされていることから、本願補正発明の「電界発生手段」とは「前記試料に印加される負電圧を印加することで試料から放出される電子を対物レンズ側に加速させる電界を発生させる」点において共通する。
　
（サ）引用発明では「前記電界により試料１２から対物レンズ８に向かって放出される反射電子が、対物レンズ８の磁場によって、対物レンズ８を通過する際に対物レンズの中心方向に曲げられ」ており、また、二次信号の経路を示した引用例１の図７も合わせて解すれば、引用発明でも、本願補正発明と同様に、「前記電界によって、前記対物レンズと試料との間に向かって放出された反射電子が、前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記反射電子は前記対物レンズを通過するように前記対物レンズの中心方向に曲げられ」ていると認められる。
　
（シ）引用発明では、「対物レンズ８を通過した反射電子が下検出器３４により検出される」とされていることから、引用発明も、本願補正発明と同様に、「前記対物レンズを通過した反射電子は前記第１の検出器によって検出される」ものである。
　 
（２）以上から、本願補正発明と引用発明とは、 
「電子線を発生する電子源と、
　前記電子線を集束するための集束レンズと、
　集束された電子線を細く絞って試料上に照射するために試料側に向かって磁場を漏洩させる対物レンズと、
　前記電子線を試料上で二次元的に走査するための偏向器と、
　前記対物レンズよりも前記電子源側に設けられた第１の検出器と、
　前記電子線の光軸に沿って設けられた第１の反射板と、
　前記試料からの反射電子及び前記第１の反射板からの二次電子を検出するために前記第１の検出器よりも前記電子源側に設けられた第２の検出器と、
　前記第１の検出器からの検出信号より生成された試料表面の凹凸を示す像と前記第２の検出器からの検出信号より生成された試料像とを表示するための表示手段と、
　前記試料に印加される負電圧を印加することで試料から放出される電子を対物レンズ側に加速させる電界を発生させる電界発生手段とを具備し、
　前記電界によって、前記対物レンズと試料との間に向かって放出された反射電子が、前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記反射電子は前記対物レンズを通過するように前記対物レンズの中心方向に曲げられ、前記対物レンズを通過した反射電子は前記第１の検出器によって検出されることを特徴とする走査電子顕微鏡。」 
　である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
［相違点１］第１の検出器が、本願補正発明では、電子線の光軸に対して軸対称な位置に複数個設けられているのに対して、引用発明では１つである点、
　 
［相違点２］本願補正発明では、「電界発生手段に印加する電圧を制御するための電圧制御手段」を有し、その電圧を試料に印加するのに対して、引用発明において試料１２に印加する重畳電圧１３は一定電圧であると認められる点。
　 
４．判断 
（１）［相違点１］について 
　走査形電子顕微鏡において１組の信号検出器を光学軸に対して対称配置することは引用例２に開示されており、引用発明においてもこれを採用することには、当業者にとって何らの困難性もない。
　 
（２）［相違点２］について 
　引用発明における試料１２に印加する重畳電圧１３は、鮮明な走査像が得られるように適宜設定されるものであると解される。
　こうした所望の電圧を設定するために、ＣＰＵなどの電圧制御手段を用いることは周知慣用の技術であることから、引用発明においても同手段を採用することは当業者が容易に想到できたといえるものである。
　 
（３）また、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び引用例２の記載事項から当業者が予測できる範囲内のものである。 
 　 
（４）したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
 　 
５．まとめ 
　そうすると、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　 
III．本願発明について 
１．本願補正 
　本件補正は、以上のとおり、却下されたので、本願の請求項１に係る発明は平成１７年１月３１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。 
 　 
「電子線を発生する電子源と、前記電子線を集束するための集束レンズと、集束された電子線を細く絞って試料上に照射するために試料側に向かって磁場を漏洩させる対物レンズと、前記電子線を試料上で二次元的に走査するための偏向器と、電子線照射により試料から放出された信号を検出するために前記対物レンズよりも前記電子源側に配置された検出器と、前記検出器により検出された信号を試料像として表示するための表示手段と、
　前記試料に印加される負電圧を制御することで、試料から放出される電子を対物レンズ側に加速させる電界を発生させる電界発生手段と、前記電界発生手段に印加する電圧を制御するための電圧制御手段とを具備し、
　前記対物レンズと試料との間に向かって放出される反射電子が、前記電界によって前記対物レンズ側に曲げられ、前記対物レンズの漏洩磁場によって、前記対物レンズの中心方向に曲げられて前記対物レンズを通過するように前記電界発生手段に印加される電圧が制御され、前記電界と漏洩磁場によって軌道を曲げられ、前記対物レンズを通過した反射電子の軌道上に、前記検出器、或いは前記反射電子の衝突によって二次電子を発生する導体板が配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。」 
（以下、「本願発明」という。） 
 　 
２．引用例 
　引用例１及び引用例２は、上記「II．２」のとおりである。 
 　 
３．対比・判断 
　本願発明は、前記「II．１」のとおり、これを限定的に減縮して本願補正発明としたものであり、したがって、本願補正発明の上位概念に当たるものである。 
　してみれば、本願発明は、上記「II．４」と同様の理由により、引用発明及び引用例２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって結論のとおり審決する。