【事件の表示】
　特願２００１−２９０３６４「高電子移動度トランジスタ及びエピタキシャル成長化合物半導体結晶」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月　４日出願公開、特開２００３−１００７７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年９月２５日の出願であって、平成１７年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明について
　本願の請求項１ないし２に係る発明は、平成１７年７月１１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであるところ、本願の請求項２に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項２】　ｎ型のドーパントをドーピングしたバンドギャップの大きな第１の化合物半導体と、該第１の化合物半導体よりも小さなバンドギャップの第２の化合物半導体とのヘテロ接合を有するように積層成長させたエピタキシャル成長化合物半導体結晶において、
　前記第１の化合物半導体をＡｌＧａＡｓとし、
　前記第１の化合物半導体中の酸素濃度を５×１０１６cm−３以下としたことを特徴とするエピタキシャル成長化合物半導体結晶。」
　
１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平８−６４６１４号公報
　
　本願出願前日本国内において頒布された刊行物１（特開平８−６４６１４号公報）には、図１〜図１４とともに、
「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層及び結晶成長方法」（発明の名称）に関して、
「【請求項１】  固体ソース分子線エピタキシーを用いて形成したｎ−ＡｌＧａＡｓを含むエミッタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記エミッタ層の前記ｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を６×１０17ｃｍ-3以下にしたことを特徴とする、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】  固体ソース分子線エピタキシーを用いて形成したｎ−ＡｌＧａＡｓを含むエミッタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記エミッタ層の前記ｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を３×１０17ｃｍ-3より小さくしたことを特徴とする、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】  固体ソース分子線エピタキシーを用いて形成したｎ−ＡｌＧａＡｓを含むエミッタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記エミッタ層の前記ｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を２×１０17ｃｍ-3より小さくしたことを特徴とする、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項４】  固体ソース分子線エピタキシーによって結晶成長させたＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層において、
含有する酸素の濃度を６×１０17ｃｍ-3以下にしたことを特徴とする、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層。
【請求項５】  固体ソース分子線エピタキシーによって結晶成長させたＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層において、
含有する酸素の濃度を３×１０17ｃｍ-3よりも小さくしたことを特徴とする、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層。
【請求項６】  固体ソース分子線エピタキシーによって結晶成長させたＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層において、
含有する酸素の濃度を２×１０17ｃｍ-3よりも小さくしたことを特徴とする、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層。」（特許請求の範囲）
「【請求項１３】  固体ソース分子線エピタキシーでＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系あるいはＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ疑似整合系高電子移動度トランジスタの電子供給層に用いるｎ−ＡｌＧａＡｓまたはｉ−ＧａＡｓの成長用にＧａＡｓ基板に（３１１）Ａ面または（３１１）Ｂ面のものを用いることを特徴とする、結晶成長方法。」（特許請求の範囲）
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（Heterojunction Bipolar Transistor、以下ＨＢＴという。）に関し、特に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系ＨＢＴに関するものである。また、この発明は、固体ソース分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy、以下ＭＢＥという。）によるＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層に関し、特に、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル成長層中の酸素濃度に関するものである。また、この発明は、固体ソース分子線エピタキシーによるＡｌＧａＡｓの結晶成長方法に関し、特に、ＨＢＴのエミッタ層に用いるｎ−ＡｌＧａＡｓの結晶成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、ＨＢＴの断面の構成を示す模式図である。図において、LEC GaAs Sub.は（１００）面を有するガリウム砒素基板、Buffer2及びBuffer1はガリウム砒素基板LEC GaAs Sub.上に形成されたバッファ層、Sub Collectorはバッファ層Buffer2の上に形成されたサブコレクタ層、Collectorはサブコレクタ層Sub Collector上に形成されたコレクタ層、Baseはコレクタ層Collector上に形成されたベース層、Emitterはベース層Baseの上に形成されたエミッタ層、Emitter Cont.2及びEmitter Cont.1はエミッタ層Emitterとの電気的接続のために設けられた層である。
【０００３】そして、それぞれの層の構成を表１に、また、一般的な成長条件を表２に示す。
【０００４】
【表１】
【０００５】
【表２】
」
「【００３３】以上の計算方法を用いることで電流増幅率βの各要素を概算できる。その結果、固体ソースＭＢＥで成長した結晶で構成されたＨＢＴに於ける電流増幅率βの決定要因を３つに分類した場合、数１２の関係が成り立つ。但し、この関係は後述するようにβBrbがｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層中酸素濃度に依存するので、１／βBrs＞１／βBrbとなる場合もあり得る。」
「【００３５】エミッタ層Ａｌ組成ｘによって決定する理想的な電流増幅率β（βBh）は実測値からは得られず、現状のＨＢＴ結晶ではベース層内再結合電流成分βBrb及びエミッタ・ベース接合部での再結合電流成分βBrsの寄与が支配的である。ベース層内での再結合電流成分βBrbはβの最も支配的な決定要因ではあるが、エピタキシャル層構造（ベース濃度やベース層厚）に大きく依存する。
【００３６】次に、実際に酸素が、ＨＢＴ結晶中にどのように含まれているかを２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて調べた結果を図１３に示す。ＭＯＣＶＤで成長した試料には全領域で酸素は検出限界以下であり（ＡｌＧａＡｓの検出限界は１／１０17ｃｍ-3より大きい範囲，ＧａＡｓの検出限界は１×１０16ｃｍ-3より大きい範囲である。これらの検出限界の違いはマトリクスの違いによる。）、電流増幅率βは５２．６０が得られた。これに対してＭＢＥで成長した結晶にはＡｌＧａＡｓで形成されているエミッタ層全域に酸素が１０18ｃｍ-3程度検出された。
【００３７】特に、エミッタ・ベース接合部に著しい偏析が観察された。電流増幅率βはＡｌＧａＡｓの組成で決まる真性要因のように大きな差はなく、これらのＤＣ測定結果を結晶中混入酸素量と対比させたものを表３にまとめる。結晶中酸素濃度と電流増幅率βについて相対関係があることが以下の表から類推される。
【００３８】
【表３】
」
「【００４６】また、高電子移動度トランジスタにおいて、電子供給層のキャリアの活性化率を向上させ、シートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴う、相互コンダクタンスｇｍの増化、雑音指数ＮＦの低減、出力特性等の改善を目的とする。」
「【００７２】第１３の発明におけるＧａＡｓ基板に（３１１）Ａ面または（３１１）Ｂ面は、成長したＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系あるいはＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ疑似整合系高電子移動度トランジスタの電子供給層に用いるｎ−ＡｌＧａＡｓの酸素の含有量を小さく抑える。」
「【００９７】以上の実験結果より、成長速度を現状の０．３μｍ／ｈから０．７μｍ／ｈまで増大させることで、再結合に寄与する成分の低減化が可能であると推測できる。この成長条件の寄与をＨＢＴの成長条件に適用し、電流増幅率βとの対応を調べた。
【００９８】成長速度０．３μｍ／ｈと０．５μｍ／ｈで成長したＨＢＴ結晶中酸素濃度の深さ方向プロファイルを図８に示す。同様な結晶でＨＢＴを試作し、ＤＣ測定の結果と対応付けた結果を表４にまとめる。
【００９９】
【表４】
【０１００】ＨＢＴ結晶の成長速度を上げることで結晶中混入酸素濃度が低減され、電流増幅率βも向上していることが分かる。
【０１０１】なお、上記第１実施例では、成長速度を変えることによって結晶中の酸素濃度を変化させたが、他の要素、例えば、成長温度やＶ／III比等を変えて結晶中の酸素濃度を変化させても良く上記実施例と同様の効果を奏する。」
「【０１１７】実施例３．次に、この発明の第３実施例を図について説明する。実施例１にもあるように、ＰＬ蛍光寿命の長短は酸素混入による再結合準位の形成と深い係わりがある。従って蛍光寿命の長い状態をＨＢＴの結晶成長に適用することが高い電流増幅率βを得ることにつながり、その寿命を一定にすることが電流増幅率βを安定にすることを意味する。
【０１１８】図１１にＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ａｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ単一量子井戸（ＳＱＷ）からのＰＬ蛍光寿命の成長基板面方位依存性を示す。
【０１１９】図１１から実施例１で用いている結晶成長用の（１００）面基板に対して、（３１１）Ａ面基板を用いると、蛍光寿命が約３倍と長くなることがわかる。そのことから、各成長速度でのｎ−ＡｌＧａＡｓ中酸素濃度は約１／４に低減されることがわかる。
【０１２０】この（３１１）Ａ面基板を用いてＨＢＴを成長した場合、成長速度が０．３μｍ／ｈの場合で酸素濃度は、エミッタ層中平均値で２×１０17ｃｍ-3以下になる。この場合電流増幅率βはベース層内での再結合電流成分βBrbで決定される領域に至り、電流増幅率βで４０程度の値が得られる。成長速度が０．５μｍ／ｈの場合には酸素濃度がＡｌＧａＡｓ層中で１×１０17ｃｍ-3以下に至り、同様に電流増幅率βで４０の値が得られる。
【０１２１】上記のように（３１１）Ａ面上にＨＢＴを成長することで少数キャリアの寿命が（１００）面上に成長した場合に比較して長くなることで、電流増幅率βで４０とベース層内での再結合電流成分βBrbによって決まる値に安定する。これはｎ−ＡｌＧａＡｓ中混入酸素量を低減できたことに起因する。
【０１２２】（３１１）Ｂ面上においても（１００）面上に成長した場合に比較して電流増幅率βが改善される。
【０１２３】実施例４．次に、この発明の第４実施例による高電子移動度トランジスタの製造方法について説明する。図１４は、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系疑似整合系高電子移動度トランジスタの構造を示す断面図である。図において、１０１はソース、１０２はゲート、１０３はドレイン、１０４はソース１０１の下に形成されたｎ+−ＧａＡｓ層、１０５はドレイン１０５の下に形成されたｎ+−ＧａＡｓ層、１０６はゲート１０２及びｎ+−ＧａＡｓ層１０４，１０５の下に形成され電子供給層として働くｎ−ＡｌＧａＡｓ層、１０７はｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０６から電子の供給を受けるアンドープＩｎＧａＡｓ層、１０８はアンドープＩｎＧａＡｓ層１０７中に形成される２次元電子ガス層、１０９はアンドープＩｎＧａＡｓ層１０７の下に形成されたアンドープＧａＡｓ層、１１０はアンドープＧａＡｓ層１０９の下に形成された半絶縁性のＧａＡｓ基板である。
【０１２４】半絶縁性のＧａＡｓ基板１１０の（３１１）Ａ面上に高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor、以下ＨＥＭＴという）を成長した場合にも、次のような効果が期待される。
【０１２５】ＨＥＭＴのキャリアはｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層からアンドープＩｎＧａＡｓ層に供給される。固体ソースＭＢＥを用いて形成したキャリア供給層であるｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０７中に酸素が混入されている。しかし、（３１１）Ａ面上に成長することで酸素が低減され、キャリアの活性化率が向上し、素子特性（シートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴い、相互コンダクタンスｇｍが増化，雑音指数ＮＦが低くなる。またシートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴い出力特性等の向上が期待される。）も向上する。
【０１２６】なお、半絶縁性のＧａＡｓ基板として（３１１）Ｂ面を有するものを用い、その（３１１）Ｂ面上にエピタキシャル成長層を形成する場合においても同様の効果を奏する。
【０１２７】
【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタによれば、エミッタ層のｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を６×１０17ｃｍ-3以下にしたので、エミッタ・ベース接合部での再結合電流成分の影響を減らすことができ、固体ソース分子線エピタキシーを用いて、高い電流増幅率βを安定に得ることができるという効果がある。
【０１２８】請求項２記載の発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタによれば、エミッタ層のｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を３×１０17ｃｍ-3より小さくしたので、ＶBEのベース層内での再結合電流成分に比べてエミッタ・ベース接合部での再結合電流成分の影響を無視できる程度に小さくすることができ、固体ソース分子線エピタキシーを用いて、高い電流増幅率βを安定に得ることができるという効果がある。
【０１２９】請求項３記載の発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタによれば、エミッタ層のｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を２×１０17ｃｍ-3より小さくしたので、温度依存係数φを低く抑えることができ、固体ソース分子線エピタキシーを用いて、高出力ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高性能化を図ることができるという効果がある。」
「【０１３９】請求項１３記載の発明の結晶成長方法によれば、ｎ−ＡｌＧａＡｓまたはｉ−ＧａＡｓの成長用にＧａＡｓ基板に（３１１）Ａ面または（３１１）Ｂ面のものを用いるので、高電子移動度トランジスタにおいてシートキャリア濃度Ｎｓを向上して、相互コンダクタンスｇｍの向上、ノイズ指数ＮＦの低減化、出力特性の向上等が改良できるという効果がある。」
が、記載されている。
　
　ここで、高電子移動度トランジスタについては、実施例４として、「図１４は、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系疑似整合系高電子移動度トランジスタの構造を示す断面図である。図において、１０１はソース、１０２はゲート、１０３はドレイン、１０４はソース１０１の下に形成されたｎ+−ＧａＡｓ層、１０５はドレイン１０５の下に形成されたｎ+−ＧａＡｓ層、１０６はゲート１０２及びｎ+−ＧａＡｓ層１０４，１０５の下に形成され電子供給層として働くｎ−ＡｌＧａＡｓ層、１０７はｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０６から電子の供給を受けるアンドープＩｎＧａＡｓ層、１０８はアンドープＩｎＧａＡｓ層１０７中に形成される２次元電子ガス層、１０９はアンドープＩｎＧａＡｓ層１０７の下に形成されたアンドープＧａＡｓ層、１１０はアンドープＧａＡｓ層１０９の下に形成された半絶縁性のＧａＡｓ基板である。」（【０１２３】段落）と記載されており、「半絶縁性のＧａＡｓ基板１１０の（３１１）Ａ面上に」「固体ソースＭＢＥ」（固体ソースＭＢＥは、固体ソース分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy）のことである。）を用いて「エピタキシャル成長層を形成」したものであり、「固体ソースＭＢＥを用いて形成したキャリア供給層であるｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０７中に酸素が混入されている。しかし、（３１１）Ａ面上に成長することで酸素が低減され、キャリアの活性化率が向上し、素子特性（シートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴い、相互コンダクタンスｇｍが増化，雑音指数ＮＦが低くなる。またシートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴い出力特性等の向上が期待される。）も向上する。」ものである。
　そして、「（３１１）Ａ面上に成長することで酸素が低減され」ることについては、実施例３に、「（３１１）Ａ面基板を用いると、蛍光寿命が約３倍と長くなることがわかる。そのことから、各成長速度でのｎ−ＡｌＧａＡｓ中酸素濃度は約１／４に低減されることがわかる。」（【０１１９】段落）、「この（３１１）Ａ面基板を用いてＨＢＴを成長した場合、成長速度が０．３μｍ／ｈの場合で酸素濃度は、エミッタ層中平均値で２×１０17ｃｍ-3以下になる。・・・成長速度が０．５μｍ／ｈの場合には酸素濃度がＡｌＧａＡｓ層中で１×１０17ｃｍ-3以下に至り、・・・。」（【０１２０】段落）と記載されており、エミッタ層は、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層であるので、高電子移動度トランジスタにおいても、酸素濃度が電子供給層として働くｎ−ＡｌＧａＡｓ層中で２×１０17ｃｍ-3以下、あるいは、１×１０17ｃｍ-3以下になっていることが、推定される。
　また、実施例４の高電子移動度トランジスタにおいては、アンドープＩｎＧａＡｓ層１０７とｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０６の接合、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０６とｎ+−ＧａＡｓ層１０４の接合、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０６とｎ+−ＧａＡｓ層１０５の接合は、それぞれヘテロ接合を有しており、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０６のバンドギャップが最も大きい。
　また、この固体ソースＭＢＥを用いたエピタキシャル成長したｎ−ＡｌＧａＡｓ層、アンドープＩｎＧａＡｓ層等の各層からなる化合物半導体は、例えば、「固体ソースＭＢＥで成長した結晶」（【００３３】段落）、「エピタキシャル成長させた結晶」（【００７７】段落）という記載からもわかるように、化合物半導体結晶である。
　また、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいても、固体ソースＭＢＥを用いて、エピタキシャル成長をしている。そして、図１２と表１を参照すると、ベース層が、ｐ−ＧａＡｓであり、エミッタ層が、ｎ−ＡｌＧａＡｓであるので、このｐ−ＧａＡｓベース層とｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層とは、ヘテロ接合を有しており、そのバンドギャップは、ｎ−ＡｌＧａＡｓとｐ−ＧａＡｓでは、ｎ−ＡｌＧａＡｓの方が大きい。そして、「前記エミッタ層の前記ｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を２×１０17ｃｍ-3より小さくした」（請求項３）ことが、記載されており、表４には、成長速度０．５μｍ／ｈでＭＢＥ法で成長したＥｍｉｔｔｅｒ（エミッタ）層での酸素濃度が、３．８×１０17ｃｍ-3の例が、記載されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、「ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体と、アンドープＩｎＧａＡｓ、ｎ+−ＧａＡｓ又はｐ−ＧａＡｓからなる化合物半導体とのヘテロ接合を有するようにエピタキシャル成長させた化合物半導体結晶において、
　前記ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体中の酸素濃度を２×１０１７cm−３より小さくしたことを特徴とするエピタキシャル成長させた化合物半導体結晶。」が、示されている。
　
２　対比・判断
２−１　本願の請求項２に係る発明について
　本願の請求項２に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明における「ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体」と「アンドープＩｎＧａＡｓ、ｎ+−ＧａＡｓ又はｐ−ＧａＡｓからなる化合物半導体」の各化合物半導体のバンドギャップについて比較すると、「ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体」のバンドギャップが最も大きい。そして、刊行物１に記載された発明における「ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体」は、ｎ型のドーパントをドーピングした化合物半導体であるので、刊行物１に記載された発明の「ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体」は、本願の請求項２に係る発明の「ｎ型のドーパントをドーピングしたバンドギャップの大きな第１の化合物半導体」に相当し、かつ、本願の請求項２に係る発明の「前記第１の化合物半導体をＡｌＧａＡｓとし」たことに相当する。また、刊行物１に記載された発明における「アンドープＩｎＧａＡｓ、ｎ+−ＧａＡｓ又はｐ−ＧａＡｓからなる化合物半導体」は、本願の請求項２に係る発明の「該第１の化合物半導体よりも小さなバンドギャップの第２の化合物半導体」に相当する。
　また、刊行物１に記載された発明における「ヘテロ接合を有するようにエピタキシャル成長させた化合物半導体結晶」は、「ヘテロ接合を有するようにエピタキシャル成長させ」ると、積層成長することは、明らかであり、また、「エピタキシャル成長させた化合物半導体結晶」は、本願の請求項２に係る発明の「エピタキシャル成長化合物半導体結晶」に相当するので、刊行物１に記載された発明における「ヘテロ接合を有するようにエピタキシャル成長させた化合物半導体結晶」は、本願の請求項２に係る発明の「ヘテロ接合を有するように積層成長させたエピタキシャル成長化合物半導体結晶」に相当する。
　してみると、本願の請求項２に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
「ｎ型のドーパントをドーピングしたバンドギャップの大きな第１の化合物半導体と、該第１の化合物半導体よりも小さなバンドギャップの第２の化合物半導体とのヘテロ接合を有するように積層成長させたエピタキシャル成長化合物半導体結晶において、
　前記第１の化合物半導体をＡｌＧａＡｓとしたことを特徴とするエピタキシャル成長化合物半導体結晶。」の点で一致し、
本願の請求項２に係る発明は、「第１の化合物半導体中の酸素濃度を５×１０１６cm−３以下とし」ているのに対して、刊行物１に記載された発明は、「ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる化合物半導体中の酸素濃度を２×１０１７cm−３より小さくし」ている点（以下、「相違点」という。）で相違している。
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物１に記載された発明においては、
（１）高電子移動度トランジスタでは、「キャリアはｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層からアンドープＩｎＧａＡｓ層に供給され」、「固体ソースＭＢＥを用いて形成したキャリア供給層であるｎ−ＡｌＧａＡｓ層１０７中に酸素が混入」（【０１２５】段落）しているが、「酸素濃度」を「低減」すると、「キャリアの活性化率が向上し、素子特性（シートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴い、相互コンダクタンスｇｍが増化，雑音指数ＮＦが低くなる。またシートキャリア濃度Ｎｓの増化に伴い出力特性等の向上が期待される。）も向上する」（【０１２５】段落）という効果があり、
（２）ヘテロ接合バイポーラトランジスタでは、「エミッタ層のｎ−ＡｌＧａＡｓ中の酸素濃度を」低減すると、「高い電流増幅率βを安定に得ることができ」（【０１２７】、【０１２８】段落）、「温度依存係数φを低く抑えることができ」、「高出力ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高性能化を図ることができるという効果があ」り（【０１２９】段落）、
いずれの素子においても、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層の酸素濃度を低減すると、トランジスタの素子特性が向上するものである。
　そして、刊行物１には、ＡｌＧａＡｓ層の酸素濃度として、ヘテロ接合バイポーラトランジスタについて、「酸素濃度がＡｌＧａＡｓ層中で１×１０17ｃｍ-3以下」（【０１２０】段落）の記載もある。
　一方、本願の請求項２に係る発明は、高電子移動度トランジスタでも、ヘテロ接合バイポーラトランジスタでもなく、エピタキシャル成長化合物半導体結晶である。このエピタキシャル成長化合物半導体結晶でも、ＡｌＧａＡｓの酸素濃度を低減すると、結晶の質が良くなるであろうと想像することができるが、本願の願書に最初に添付した明細書には、
「【００１７】　ここで、図２は、本実施形態に係るp-HEMT構造のエピタキシャルウエハにおけるＡｌＧａＡｓ層中の酸素濃度と２次元電子ガス濃度の関係を示すグラフである。
　図２のグラフによれば、酸素濃度が高くなるにつれて、２次元電子ガス濃度が低くなっており、酸素濃度が低くなるに従って２次元電子ガス濃度が高くなっていることが判る。そして、酸素濃度が約５×１０16ｃｍ-3程度となる辺りで、２次元電子ガス濃度は略一定となっていることが判る。
【００１８】　これにより、電子供給層中の酸素濃度を、この２次元電子ガス濃度が飽和する領域となるように制御すれば、同一成長条件（ドーピング濃度一定）で、安定した２次元電子ガス濃度が得られるとの知見を得た。
　本実施形態では、AlGaAs/InGaAs系のp-HEMT構造を示したが、格子整合系のAlGaAs/GaAs系やInP基板上のInAlAs/InGaAs等でも同様の条件が成り立つものと考えられる。」
と、高電子移動度トランジスタの「ＡｌＧａＡｓ層中の酸素濃度と２次元電子ガス濃度の関係」についての記載、及び、
「【００２１】
【発明の効果】　本発明によれば、ｎ型のドーパントをドーピングしたバンドギャップの大きな第１の化合物半導体と、該第１の化合物半導体よりも小さなバンドギャップの第２の化合物半導体のヘテロ接合により、前記第１の化合物半導体を電子供給層とし、前記第２の化合物半導体中に電子を２次元的に閉じ込め、前記第２の化合物半導体をチャネルとした構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記第１の化合物半導体中の酸素濃度を５×１０16ｃｍ-3以下としたことにより、２次元電子ガスの濃度を安定させ、HEMTの特性を安定化させることができる。」
と、高電子移動度トランジスタの発明の効果の記載があるだけであり、エピタキシャル成長化合物半導体結晶において、ｎ型のドーパントをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の酸素濃度がどの程度低減されるとどのような作用効果があるのかについては、明示されていない。
　してみると、ヘテロ接合を用いた半導体デバイスではない、本願の請求項２に係る発明の「エピタキシャル成長化合物半導体結晶」は、ｎ型のドーパントをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層「中の酸素濃度を５×１０16ｃｍ-3以下としたことにより、２次元電子ガスの濃度を安定させ、HEMTの特性を安定化させることができる」という高電子移動度トランジスタの発明の効果を奏することはなく、また、本願の請求項２に係る発明の「エピタキシャル成長化合物半導体結晶」は、高電子移動度トランジスタ用であるという用途の特定もないのであるから、ｎ型のドーパントをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層中の酸素濃度を５×１０16ｃｍ-3以下としたことには、酸素濃度を低減したという以外の格別な意味がなく、刊行物１に記載された「エピタキシャル成長させた化合物半導体結晶」のように、ｎ型のドーパントをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層中の酸素濃度を、２×１０１７cm−３以下とするか、本願の請求項２に係る発明のように、２×１０１７cm−３以下の数値範囲においてさらに酸素濃度を低減した、５×１０16ｃｍ-3以下とするかにより作用効果に顕著な差異が生ずるものとは認められないから、いずれの数値を選択するかは、当業者が必要により適宜設定できた程度の事項と認められる。
　
　したがって、本願の請求項２に係る発明は、その出願前に国内において頒布された刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。