【事件の表示】
　特願２００２−３７５８０８「走査形電子顕微鏡」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１８日出願公開、特開２００３−２０３５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年１２月２８日に出願した特願平５−３３４８９４号の一部を新たな特許出願とした特願２０００−３１８２３２号について、更にその一部を平成１４年１２月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年１２月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１９年１月１１日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年２月１３日に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年２月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「電子源と、当該電子源から放出された一次電子線を試料上で走査する走査偏向器と、前記電子線を集束する対物レンズと、前記試料から放出される電子を検出する検出器を備えた走査形電子顕微鏡において、
　前記対物レンズより前記電子源側に、前記試料から放出される電子を、前記一次電子線の軸外に偏向する電界を発生する電界発生器と、当該電界発生器と同じ方向に前記試料から放出される電子を偏向する磁界を発生する磁界発生器を配置し、
　前記電界発生器と磁界発生器より電子源側であって、前記電界発生器と磁界発生器によって偏向される反射電子の軌道上に配置され、前記電界発生器と磁界発生器によって偏向される反射電子の衝突によって二次電子を発生する二次電子変換電極を備え、
　前記検出器は、前記反射電子の偏向軌道より、更に前記一次電子線の軌道より離間した位置に配置され、当該二次電子変換電極で発生した二次電子を電界で偏向して検出することを特徴とする走査形電子顕微鏡。」
　（以下、「本願発明」という。）
　
３．引用例
（１）原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平４−６７５５０号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ア）本発明は、電子ビーム製置及びその画像取得方法に関するものであり、更に詳しく言えば、絶縁保護膜上から電子ビームを照射し、その二次電子及び反射電子の検出信号処理をする装置の機能向上に関するものである。
　（第２頁左上欄第１９行から右上欄第３行）
　
（イ）本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたものであり、二次電子及び反射電子を同一の検出器により検出することなく、その検出方法を工夫して、反射電子を多く検出し、表面形状等を高晴度に取得することが可能となる電子ビーム装置及びその画像取得方法の提供を目的とする。
　（第３頁右上欄第１１行から第１６行）
　
（ウ）第３〜第５図は、本発明の実施例に係る電子ビーム装置及びその画像取得方法を説明する図であり、第３図は、その構成図を示している。
　図において、２１は電子銃であり、被照射対象物１７の一例となる試料ＬＳＩ２７に電子ビーム２１ａを出射するものである。
　２２Ａ〜２２Ｆは偏向駆動手段１２の一実施例となるパルスゲート、偏向コイル、パルスゲートドライバ、偏向器制御回路、ウィンフィルター、フィル制御回路をそれぞれ示している。パルスゲート２２Ａ、偏向コイル２２Ｂ、パルスゲートドライバ２２Ｃ及び偏向器制御回路２２Ｄの機能は、電子銃２１から出射された電子ビーム２１ａをパルス状にして、試料ＬＳＩ２７に偏向照射をするものである。
　また、ウィンフィルター２２Ｅ、フィル制御回路２２Ｆの機能は、電子銃２１から出射された電子ビーム２１ａの偏向照射を損なわずに、試料ＬＳＩ２７からの反射電子１１ｂのみを反射電子検出器２３に導くものである。
　２３は第１の検出手段１３の一実施例となる反射電子検出器であり、ウィンフィルター２２Ｅの上方に設けられている。また、該検出器２３の機能は、試料ＬＳＩ２７の絶縁保護膜上からの反射電子２１ｂを検出するものである。反射電子１１ｂは、電子銃１１からの一次電子２１ａがＬＳＩ２７の絶縁保護膜に直接反射することにより生ずる高エネルギーのものである。
　２４は第２の検出手段１４の一実施例となる二次電子検出器であり、ウィンフィルター２２Ｅと分析器２８Ａとの間に設けられている。該検出器２４の機能は、試料ＬＳＩ２７の絶縁保護膜上からの二次電子２１ｃを検出するものである。二次電子２１ｃは、絶縁保護膜を介して形成された容量性結合により、該保護膜下の配線電圧の変化を含むものである。これは、該ＬＳＩ２７の内部の試験電圧に依存する低エネルギーのものである。
　（第４頁右上欄第１７行から右下欄第１２行）
　
（エ）このようにして、本発明の実施例に係る装置によれば、試料ＬＳＩ２７からの高、低エネルギー電子２１ｂ、２Ｉｃを検出する反射電子検出器２３、及び二次電子検出器２４とが、例えば、該検出器２４の上方に反射電子検出器２３が設けられれいる。
　このため、電子銃２１から電子ビーム２１ａが出射されると、まず、絶縁保護膜等に覆われたＬＳＩ等の試料ＬＳＩ２７に、該電子ビーム２１ａがパルスゲート２２Ａ、偏向コイル２２Ｂ、パルスゲートドライバ２２Ｃ、偏向器制御回路２２Ｄ等により偏向照射される。この際に、電子ビーム２１ａが直接試料ＬＳＩ２７に反射することにより生ずる高エネルギー電子（反射電子）２１ｂが反射電子検出器２３により検出される。また、反射電子２１ｂはウィンフィルター２２Ｅ、フィル制御回路２２Ｆにより電子銃２１から出射された電子ビーム２１ａの偏向照射を損なわずに、反射電子検出器２３に導かれる。
　また、試料ＬＳＩ２７からの二次電子２１ｃが二次電子検出器２４により検出される。さらに、反射電子、二次電子検出器２３、２４からの第１、第２の検出信号Ｓ１、Ｓ２が反射電子、二次電子信号処理回路２５Ａ、２５Ｂにより、例えば、反射電子に係る第１の画像取得信号Ｓ３１と二次電子に係る第２の画像取得信号Ｓ３２とに変換処理される。
　この変換処理された両信号Ｓ３１、Ｓ３２が演算制御処理装置２６により合成処理される。その後、合成処理に基づいて表示装置２９に試料ＬＳＩ２７の画像が表示される。
　これにより、反射電子２１ｂと二次電子２１ｃとを分離して検出することが可能となる。このことで、反射電子検出器２３により十分に検出された反射電子２１ｂと、個別に、二次電子検出器２４により検出された二次電子２１ｃとに基づいて高解像度のＳＥＭ（Scanning Ele tron Microscope）像を得ることが可能となる。
　（第５頁右上欄第９行から右下欄第４行）
　
（オ）第４図において、例えば、第７図に示すような、絶縁保護膜に覆われた試料ＬＳＩ２７の電圧測定や画像取得等を行う場合、まず、ステップＰ１で、試料ＬＳＩ２７に電子ビーム２１ａの照射処理をする。この際に、電子銃２１から試料ＬＳＩ２７に電子ビーム２１ａが出射され、パルスゲート２２Ａ、偏向コイル２２Ｂ、パルスゲートドライバ２２Ｃ及び偏向器制御回路２２Ｄにより該電子ビーム２１ａがパルス状にされる。
　次いで、ステップＰ２で試料ＬＳＩ２７からの反射電子２１ｂ及び二次電子２１ｃを個別に検出処理する。ここで、第５図において、試料ＬＳＩ２７からの反射電子２１ｂは、分析器２８Ａの対物レンズ２８Ｄ、分析グリッド２８Ｃを通過し、さらに、リフレクタグリッド２４Ｃ及びウィンフィルター２２Ｅを通過して、反射電子検出器２３の一例となる半導体検出器２３Ａに導かれる。
　なお、ウィンフィルター２２Ｅは、電磁偏向器２２Ｇと静電偏向板２２Ｈから成り、均一な電界と均一な磁界とを直交させるものである。これにより、電子銃２１から出射された電子ビーム２１ａの偏向照射を損なわずに、試料ＬＳＩ２７から高速に反射する反射電子２１ｂのみを該検出器２３に導くことができる。
　（第５頁右下欄第１０行から第６頁左上欄第１３行）
　
（２）してみれば、上記記載事項から、引用例１には、
「電子ビーム２１ａを試料ＬＳＩ２７に出射する電子銃２１と、前記電子ビーム２１ａを偏向駆動する偏向コイル２２Ｂと、対物レンズ２８Ｄと、前記試料ＬＳＩ２７からの反射電子２１ｂを検出する反射電子検出器２３を有する、ＳＥＭ像を得るための電子ビーム装置であって、
　前記対物レンズ２８Ｄより前記電子銃２１側に、電磁偏向器２２Ｇと静電偏向板２２Ｈとからなるウィンフィルター２２Ｅを設けた、電子ビーム装置。」
　（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）また、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された実願昭５０−１４７８８号（実開昭５１−９６４９４号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ア）本考案は、試料の発する反射電子を２次電子に変換して試料の組成像を得る電子線分析装置の反射電子検出装置に関する。
　（第１頁第１１行から第１３行）
　
（イ）以下本考案の一実施例を、第２図以下によつて詳述する。１は電子線走査型分析装置の対物レンズで、２は試料である。３は、通常この種の装置に附加されている電子線検出器で、試料２の側方にあつて、２次電子、反射電子、透過電子等を検出できるものであつて、２次電子の検出のためには同検出器前に下記ターゲツトに対して正電圧が印加されている。４，４’はリング状のターゲツトで、対物レンズ１に開口下面に同心的に取付取外し自在に設置されており、反射面は２次電子が発生し易いように金メツキされている。このターゲツトは検出器３のある方向と直交する直径部分で４と４’に２分割され、検出器３に近い４の側に相対的に浅い負電圧が、そして４’の側により深い負電圧が印加されている。５はこの電圧分配のための抵抗器である。また試料２には同試料からの２次電子が検出器３に進入しないように検出器に対し小許の正電圧が与えられ、さらに試料からの反射電子が直接検出器３に到達しないように、検出器３は試料面より低い位置に置かれる。
　（第２頁第７行から第３頁第６行）
　
（ウ）本考案は以上のごとく、試料からの反射電子を直接検出せず、リング状のターゲツトに入射させて反射電子における試料の形状による情報成分を除去して後、２次電子により反射電子量を検出するものであつて、２次電子検出器は既設のものをそのまゝ利用でき簡便な構造で試料の組成情報のみを確実に検出しうる点に利点を有する。
　（第４頁第６行から第１２行）
　
（４）また、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された実願昭４９−７８０１７号（実開昭５１−２１５５２号）のマイクロフィルム（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ア）本考案は電子線を試料に当て、試料による反射電子線を検出して試料観察、分析を行う装置に関する。この種の装置としては走査型電子顕微鏡がある。
　（第１頁第１２行から第１５行）
　
（イ）第３図で１は入射電子線、２は最下段電子レンズの下面、３が試料である。試料３は筒状のシールドケース７内に表面を傾けて挿入され、シールドケース７が試料保持台５上に載置される。シールドケース７には側方に窓８があり、ケース７の外で窓８の下に二次電子発生用ターゲート９が配置される。ターゲツト９はシールドケース７と一体的に結合してある。
　試料３の表面に入射した電子線１の低角度反射電子線４ａはシールドケース７の窓８を通ってターゲツト９に当り、ターゲツトから二次電子線４’を発生させる。６は二次電子検出器でターゲツト９から発生した二次電子を検出する。シールドケース７は試料３から出る低角度反射電子以外の種々な方向に出る電子線から検出器６やターゲツト９を遮断するためのものである。ターゲツト表面は二次電子発生率が良く安定なものとして金メツキした面が用いられる。
　（第３頁第１５行から第４頁第１２行）
　
（ウ）本考案装置は上述したような構成で試料の斜下側方にターゲツトを置き、ターゲツトから発生する二次電子を検出するので、試料から発生する低角度反射電子線のみを選択的に補足でき、しかも検出器は二次電子を検出するものであるから任意に都合のよい場所に設置でき、例えば第３図の実施例では検出器６はシールドケースを用いない場合そのまゝの位置で試料からの二次電子検出に用いることができるものであり、ターゲツトは電子線検出器と異り表面だけあればよいので小さなものでよく、試料ホルダ上に設けるにしても邪魔にならない。
　（第４頁第１９行から第５頁第１０行）
　
４．対比 
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明は「ＳＥＭ像を得るための電子ビーム装置」に係るものであり、これは本願発明の「走査形電子顕微鏡」に相当する。
　
（イ）引用発明の「電子ビーム２１ａ」、「試料ＬＳＩ２７」、「電子銃２１」、「偏向コイル２２Ｂ」、「対物レンズ２８Ｄ」、「反射電子検出器２３」は、それぞれ、本願発明の「一次電子線」、「試料」、「電子源」、「走査偏向器」、「対物レンズ」、「検出器」に相当する。
　
（ウ）引用例１の上記「３．（１）（オ）」の記載（「ウィンフィルター２２Ｅは、電磁偏向器２２Ｇと静電偏向板２２Ｈから成り、均一な電界と均一な磁界とを直交させるものである。これにより、電子銃２１から出射された電子ビーム２１ａの偏向照射を損なわずに、試料ＬＳＩ２７から高速に反射する反射電子２１ｂのみを該検出器２３に導くことができる。」）より、引用発明の「ウィンフィルター２２Ｅ」は、本願発明の「電界発生器」及び「磁界発生器」と同等の機能を有することが認められる。
　
（２）そうすると、本願発明と引用発明とは、
「電子源と、当該電子源から放出された一次電子線を試料上で走査する走査偏向器と、前記電子線を集束する対物レンズと、前記試料から放出される電子を検出する検出器を備えた走査形電子顕微鏡において、
　前記対物レンズより前記電子源側に、前記試料から放出される電子を、前記一次電子線の軸外に偏向する電界を発生する電界発生器と、当該電界発生器と同じ方向に前記試料から放出される電子を偏向する磁界を発生する磁界発生器を配置した走査形電子顕微鏡。」
　
　である点で一致し、
　
（ア）本願発明は「前記電界発生器と磁界発生器より電子源側であって、前記電界発生器と磁界発生器によって偏向される反射電子の軌道上に配置され、前記電界発生器と磁界発生器によって偏向される反射電子の衝突によって二次電子を発生する二次電子変換電極を備え」ているのに対して、引用発明は、二次電子変換電極を備えていない点（以下、「相違点１」という。）、
　
（イ）本願発明は「前記検出器は、前記反射電子の偏向軌道より、更に前記一次電子線の軌道より離間した位置に配置され、当該二次電子変換電極で発生した二次電子を電界で偏向して検出する」のに対して、引用発明では、検出器は、前記反射電子の偏向軌道より離間した位置に配置され、反射電子を検出する点（以下、「相違点２」という。）、
　
　において、相違するものと認められる。
　
５．判断
（１）上記相違点１について検討する。
　引用発明は上記「４．対比（１）（ア）」のとおり、走査形電子顕微鏡に係る発明であり、また、引用例１には、検出方法を工夫して、反射電子を多く検出することを目的の１つとしていることが記載されている（「３．引用例（１）（イ）を参照」）。
　そして、走査形電子顕微鏡において反射電子を検出するための一手段として、試料からの反射電子を直接検出はせず、金メツキをしたターゲツトを用いて、該ターゲツトに入射した反射電子によって発生した２次電子を検出するようなものがあることは、上記「３．引用例（３）及び（４）」に記載のとおり、引用例２及び引用例３に開示されている。
　したがって、引用発明において、反射電子検出器２３の位置に引用例２ないし３のターゲツト、すなわち、本願発明でいう「反射電子の衝突によって二次電子を発生する二次電子変換電極」を配置することは、当業者であれば容易に想到できたといえる。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　上記（１）のように、引用発明における反射電子検出器２３の位置に二次電子変換電極を配置した場合、反射電子の衝突によって発生した二次電子を検出する検出器を、反射電子の偏向軌道より一次電子線の軌道に対して離間した位置に配置するであろうことは、引用例２ないし３から容易に推測される。
　また、検出器に入射する二次電子を電界で偏向することは、走査形電子顕微鏡における周知の技術であることが認められる（例えば、引用例１の記載（「試料ＬＳＩ２７からの反射電子２１ｂは、…リフレクタグリッド２４Ｃ及びウィンフィルター２２Ｅを通過して、…半導体検出器２３Ａに導かれる。」（「３．引用例（１）（オ）」））、引用例２の記載（「３は、…電子線検出器で、…２次電子の検出のためには同検出器前面に下記ターゲットに対して正電圧に印加されている」（「３．引用例（３）（イ）」））などを参照。）。
　
（３）ところで、請求人は審判請求書において、本願発明は、反射電子の偏向軌道上に、検出器ではなく、強電界が印加されることのない二次電子変換電極を配置したことにより、一次電子線の光軸が分散されることがなく、色収差が低減できるという、引用例からは予想できない作用効果を奏するものであり、したがって、進歩性を有するという旨の主張をしている。
　しかし、前記のような色収差の問題は、分割出願である本願の原出願（特願２０００−３１８２３２号）の更に原出願である特願平５−３３４８９４号の出願当初の明細書及び図面では言及されていなかった事項である。（そして、この点については、本願の原出願についての拒絶査定不服審判事件２００２−２３３２６の審決（「３．対比／当審の判断」）においても判示されているとおりである。）
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
（４）以上を勘案すれば、本願発明は、引用発明及び引用例２ないし３の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといる。
　
６．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２ないし３の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。