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　特願２００２−３６４７８６「電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１８日出願公開、特開２００４−　８７４５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１４年１２月１７日（パリ条約による優先権主張２００２年８月２４日、米国）の出願であって、平成１８年３月２７日付け（発送日同年４月４日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。なお、平成１８年２月８日付けの手続補正書は、平成１８年３月２７日付けの補正の却下の決定により却下された。
　
　
２．平成１８年７月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
平成１８年７月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
本件補正は、平成１７年８月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の
　
「【請求項１】　下記のステップ：
　（ａ）透明基板を準備するステップ；
　（ｂ）前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペースト層を写真平板法またはスクリーン印刷法によりパターン化して陰極電極層を形成するステップ；
　（ｃ）サンドブラストである砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップ；
　（ｄ）前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップ
からなる電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項２】　前記ステップ（ｂ）において、導電性ペースト層に含まれている金属触媒は遷移金属であることを特徴とする請求項1に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項３】　前記ステップ（ｂ）において、前記導電性ペーストに含まれている金属触媒は鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項４】　前記異性炭素エミッターは炭素ナノチューブ、炭素繊維或いは黒鉛ナノファイバーであることを特徴とする請求項1に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項５】　下記のステップ：
　（ａ）透明基板を準備するステップ；
　（ｂ）前記透明基板の上に写真平板法またはスクリーン印刷法により導電性ペースト層をパターン化して陰極電極層を形成するステップ；
　（ｃ）前記陰極電極層の上部に金属触媒層を形成させるステップ；
　（ｄ）サンドブラストである砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップ；
　（ｅ）前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップ
からなる電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項６】　前記ステップ（ｃ）において、金属触媒は遷移金属であることを特徴とする請求項５に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項７】　前記ステップ（ｃ）において、金属触媒は鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）からなることを特徴とする請求項５に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項８】　前記異性炭素エミッターは炭素ナノチューブ、炭素繊維或いは黒鉛ナノファイバーから作られたことを特徴とする請求項５に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。」
　
を、
　
「【請求項１】　下記のステップ：
　（ａ）透明基板を準備するステップ；
　（ｂ）前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペースト層をスクリーン印刷法によりパターン化して焼結を行うことにより陰極電極層を形成するステップ；
　（ｃ）フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップ；
　（ｄ）前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターをＣＶＤ法により作成するステップ；
　からなる電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項２】　前記ステップ（ｂ）において、導電性ペースト層に含まれている金属触媒は遷移金属であることを特徴とする請求項1に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項３】　前記ステップ（ｂ）において、前記導電性ペーストに含まれている金属触媒は鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項４】　前記異性炭素エミッターは炭素ナノチューブ、炭素繊維或いは黒鉛ナノファイバーであることを特徴とする請求項1に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項５】　下記のステップ：
　（ａ）透明基板を準備するステップ；
　（ｂ）前記透明基板の上にスクリーン印刷法により導電性ペースト層をパターン化して焼結を行うことで陰極電極層を形成するステップ；
　（ｃ）前記陰極電極層の上部に金属触媒層を形成させるステップ；
　（ｄ）フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップ；
　（ｅ）前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターをＣＶＤ法により作成するステップからなる電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項６】　前記ステップ（ｃ）において、金属触媒は遷移金属であることを特徴とする請求項５に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項７】　前記ステップ（ｃ）において、金属触媒は鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）からなることを特徴とする請求項５に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。
　
　【請求項８】　前記異性炭素エミッターは炭素ナノチューブ、炭素繊維或いは黒鉛ナノファイバーから作られたことを特徴とする請求項５に記載の電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。」
　
と補正することを含むものである。
　
　上記補正は、補正前の請求項１の（ｂ）に記載した発明特定事項の「写真平板法または」を削除し、「焼結を行うことにより」を追加し、
　補正前の請求項１の（ｃ）に記載した発明特定事項の「サンドブラストである砂吹き法または」を削除し、「フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む」を追加し、
　補正前の請求項５の（ｂ）に記載した発明特定事項の「写真平板法または」を削除し、「焼結を行うことで」を追加し、
　補正前の請求項５の（ｄ）に記載した発明特定事項の「サンドブラストである砂吹き法または」を削除し、「フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む」を追加するものであるから、
　平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前である平成１３年５月２５日に頒布された特開２００１−１４３６０１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１−１）「【０００３】例えば、このようなＣＮＴを用いたデバイスとしては、図９に示すような構造のものが知られている（特開平１０−１２１２４号公報参照）。この公報に記載のものは、ガラス基板１００上にアルミニウム層１０１を介してアルミナの陽極酸化皮膜１０２を有し、この陽極酸化皮膜１０２の細孔１０３中にＣＶＤ法でＣＮＴを選択成長させることで、３極管構成の電界放出電子源１０４を形成している。」
　
（１−２）「【００１２】また、前記セラミック材料がアルミナまたはアルミナとシリカの混合物で構成されていることで、電子源の成長温度でデバイス構造にダメージを与えない冷陰極を提供できた。また、前記カソード電極が、ニッケル、コバルト、鉄等の金属触媒を被覆又は混在して構成されていることで、電子源を選択的に成長可能な冷陰極を提供できた。」
　
（１−３）「【００２２】次に、上記第１の実施の形態の冷陰極の製造工程を図３により説明する。まず、図３（ａ）に示すように、支持基板１と、カソード電極（配線）２と、ゲート絶縁層３とを例えば静電接着法により貼り合わせる。ゲート絶縁層３には、予め角形の第２ホール１５ｂが形成されている。支持基板１及びゲート絶縁層３の材質は、５００〜８００℃程度の耐熱性を有するセラミック材料が使用される。５００〜８００℃程度の耐熱性を有するセラミック材料としては、アルミナ、又はアルミナとシリカの混合物の焼成物が好適に使用される。カソード電極２はライン状であり、ライン幅及びラインピッチはＦＥＤの仕様で決定される。例えば、対角が５インチ、画素数が３２０×２４０ドットのＦＥＤ（モノクロ）のラインピッチは３００μｍ程度である。カソード電極２はニッケル、コバルト、鉄、または、それらの合金で形成する。カソード電極２の配線抵抗の設計上、カソード電極２の表面にのみこれらの金属触媒を用いてもよい。
【００２３】次に、図３（ｂ）に示すように、ゲート絶縁層３にゲート電極５を貼り合わせる。ゲート電極５の材料としては、電子源４を選択的にカソード電極２の表面に形成可能な材料であって、例えばモリブデンを使用する。また、この時、ゲート電極５の直下のゲート絶縁層３を一部除去することが望ましい。これは、支持基板１、カソード電極２、ゲート絶縁層３、及びゲート電極５を貼り合わせた後、ゲート電極５の開口部を形成し、ゲート電極５をエッチングマスクとして、ゲート絶縁層３を一部エッチング除去しても形成可能である。しかし、アルミナの粒径が影響してエッチング面が荒れてしまうことがある。そこで本実施の形態においては、ゲート電極５の開口部をエッチングにより形成するのではなく、ゲート絶縁層３で形成した第２ホール１５ｂの径よりも大きい径の開口部８ａを形成したゲート絶縁補助層８をゲート電極５の下層に貼り合わせている。このように、ホール１５の上部の口径、すなわち第１ホール１５ａ及び開口部８ａを第１ホール１５ｂの口径よりも大きくする理由は、電子源４とゲート電極５との短絡防止のためである。
【００２４】最後に、図３（ｃ）に示すように、電子源４をホール１５の底部に選択成長させる。電子源４としては、カーボンナノチューブ、グラファイト、ダイアモンド、ダイヤモンドライクカーボン、アモルファスカーボン等の炭素材料が動作真空度の低減及び耐イオン衝撃性の点で好ましい。本実施の形態においては、ニッケルをコートしたカソード電極２上に選択成長した。原料ガスは、プロピレンガスを用い、成長温度は８００〜９００℃程度にすると、ニッケル表面にカーボンナノチューブが成長し、ゲート電極５上には成長しなかった。カーボンナノチューブの成長温度は、プラズマアシストすると５００〜６００℃程度まで低減可能である。
【００２５】以上のように、本実施の形態では、支持基板１、カソード電極２、ゲート絶縁層３、及びゲート電極５をそれぞれ貼り合わせることで、冷陰極Ａを形成したが、従来のパネルプロセスのように、支持基板１にカソード電極２をスクリーン印刷し、ゲート絶縁層３を堆積した後、ゲート電極２をスクリーン印刷し、最後にホール１５を形成するようにしてもよい。」
　
（１−４）「【００２９】最後に、図４（ｃ）に示すように、電子源４をホール１５の底部に選択成長させる。第１の実施の形態で説明したように、ニッケル存在下、ＣＶＤ法でカーボンナノチューブを成長させると、カーボンナノチューブはカソード電極２の面に対して垂直方向に成長し、その成長終点部分がホール１５の中心部で交わる。」
　
が記載されている。
　
　したがって、これらの記載事項によると、引用例１には、次のとおりの発明、
　
「下記のステップ：
　（ａ）セラミック材料からなる支持基板１を準備するステップ；
　（ｂ）前記セラミック材料からなる支持基板１の上に金属触媒を混在したカソード電極２をスクリーン印刷してカソード電極２を形成するステップ；
　（ｃ）貼り合わせにより前記カソード電極２と前記セラミック材料からなる支持基板１上にゲート電極５を作成するステップ；
　（ｄ）前記カソード電極２上部にカーボンナノチューブ電子源４をＣＶＤ法により作成するステップ；　
　からなる冷陰極の製造方法。」（以下、これを「引用例１に記載の発明」という。）
　
が記載されていると認める。
　　
（２）対比・判断
　本件補正発明１と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１に記載の発明における「支持基板１」、「金属触媒を混在したカソード電極２」、「スクリーン印刷して」、「カソード電極２」、「ゲート電極５」、「カーボンナノチューブ電子源４」、「ＣＶＤ法」、「冷陰極の製造方法」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「基板」、「金属触媒を含有する導電性ペースト層」、「スクリーン印刷法によりパターン化して」、「陰極電極層」、「ゲート構造」、「異性炭素エミッター」、「ＣＶＤ法」、「電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法」に相当する。
　
したがって、両者は、
　
【一致点】
「下記のステップ：
　（ａ）基板を準備するステップ；
　（ｂ）前記基板の上に金属触媒を含有する導電性ペースト層をスクリーン印刷法によりパターン化して陰極電極層を形成するステップ；
　（ｃ）前記陰極電極層と前記基板上にゲート構造を作成するステップ；
　（ｄ）前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターをＣＶＤ法により作成するステップ；　からなる電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。」
で一致し、
　
【相違点１】
　「本件補正発明１では、基板が、透明であるのに対して、
　引用例１に記載の発明では、支持基板１（基板に相当。）が、セラミック材料からなっており透明かどうかか不明である点」
　
【相違点２】
　「本件補正発明１では、金属触媒を含有する導電性ペースト層を、焼結しているのに対して、
　引用例１に記載の発明では、金属触媒を混在したカソード電極２（金属触媒を含有する導電性ペースト層に相当。）を、焼結しているかどうか不明である点」
　
【相違点３】
　「本件補正発明１では、ゲート構造を、フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む写真平板法プロセスにより作成しているのに対して、
　引用例１に記載の発明では、ゲート電極５（ゲート構造に相当。）を、貼り合わせにより作成している点」
　
で相違する。
　　
　そこで、上記【相違点１】について検討する。
　基板を、ガラス材料で構成することは、周知であるから（例えば、上記（１−１）参照。）、
　引用例１に記載の発明において、その支持基板１を、ガラス材料により構成して透明とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　次に、上記【相違点２】について検討する。
　 導電性ペーストを、焼結して電極を構成することは、周知であるから
［例えば、
　特開平２−１５８１１９号公報の
「Ａｇ電極の導電性ペーストをスクリーン印刷などで塗布し、乾燥したのち電極を電気炉中で焼付ける。」（１頁右欄４行〜６行）の記載、
　特開平４−９４１０３号公報の
「銀導電性ペーストをスクリーン印刷し、６００℃で５分間焼成して電極を形成し、」（２頁右下欄２０行〜３頁左上欄２行）の記載、
参照。］、
　引用例１に記載の発明において、その金属触媒を混在したカソード電極２を、焼結することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　さらに、上記【相違点３】について検討する。
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前である平成１４年２月２２日に頒布された特開２００２−５６７７０号公報（以下、「引用例２」という。）における、
　
（２−１）「【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施の形態を示す図であって、電界放出カソードを含む表示装置（ＦＥＤ）の部分断面図、図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ），（ｂ）は図１の表示装置における電界放出カソードの作製手順を示す部分断面図、図４は本発明の第２実施の形態を示す図であって、電界放出カソードを含む表示装置（ＦＥＤ）の部分断面図、図５（ａ）〜（ｃ）及び図６（ａ），（ｂ）は図４の表示装置における電界放出カソードの作製手順を示す部分断面図である。
【００１７】以下に説明する各実施の形態は、電界放出カソードの構成が図７に示す従来の表示装置と相違するものである。なお、陽極基板側の構成に関しては同一なので、同一の構成要素には同一番号を付して説明する。
【００１８】まず、図１〜図３に基づいて本発明の第１実施の形態の構成を、その作製手順に沿って説明する。なお、アノード基板側の作製手順については従来と同様の手法により行われるので、その説明を省略する。
【００１９】最初に絶縁性を有するガラス基板からなるカソード基板１上にカソード電極２を形成する。カソード電極２は、例えば膜厚０．２μｍのＮｂ膜がスパッタ法により形成される。次に、カソード電極２の上に触媒金属層８を積層形成する。触媒金属層８は、数１００ｎｍ（例えば１５０ｎｍ）の膜厚のＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ等の金属膜としてスパッタ法や電子線蒸着法により形成される。そして、レジスト→光露光→現像→エッチング→レジスト除去の工程を経て、カソード電極２と触媒金属層８を所定の形状にパターニングする。
【００２０】次に、触媒金属層８の上に絶縁層４を積層形成する。絶縁層４は、例えば膜厚０．５μｍのＳｉＯ2-x （１＞ｘ≧０）膜としてスパッタ法又はＣＶＤ法により形成される。次に、絶縁層４の上にゲート電極５を積層形成する。ゲート電極５は、後工程で形成されるカーボン薄膜９よりも高く位置して空間的かつ電気的に絶縁された状態で絶縁層４の上に形成されるものであり、例えば膜厚０．４μｍのＴｉ膜としてスパッタ法又はＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法により形成される。
【００２１】次に、触媒金属層８をエッチストップ層として利用し、触媒金属層８の表面が露出するように、絶縁層４及びゲート電極５に例えば丸、角、ストライプ形状のエミッタ穴６をエッチング加工する。このエッチング穴６は、フォトリソ法とエッチングの時間制御により所望の大きさに形成される。具体的に、エミッタ穴６は、蛍光体１画素に対して複数個設けられ、１μｍ〜数百μｍ（好ましくは１μｍ〜数１０μｍ）の外径で形成される。その後、ゲート電極５を所定の形状にパターニングする。」
　
の記載にみられるように、
「ゲート構造（ゲート電極５）を、フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む写真平板法プロセス（フォトリソ法）により作成すること」は、公知である。
　
　したがって、引用例１に記載の発明において、そのゲート電極５を、フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む写真平板法プロセスにより作成することは、当業者が容易になし得ることである。
　　　
　そして、本件補正発明１の効果は、引用例１、２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が予測可能な範囲のものである。
　
　したがって、本件補正発明１は、引用例１、２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１８年７月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１７年８月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　下記のステップ：
　（ａ）透明基板を準備するステップ；
　（ｂ）前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペースト層を写真平板法またはスクリーン印刷法によりパターン化して陰極電極層を形成するステップ；
　（ｃ）サンドブラストである砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップ；
　（ｄ）前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップ
からなる電界放射ディスプレイの三極構造の製造方法。」
　
（１）引用例記載の発明
　引用例に記載の発明は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明１は、前記「２．」で検討した本件補正発明１から「焼結を行うことにより」、「フォトマスクによるパターンの定義と露光と現像を含む」の発明特定事項を省き、「写真平板法または」、「サンドブラストである砂吹き法または」を追加したものである。
　そうすると、本願発明１の構成を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明１が、前記「２．（２）」に記載したとおり引用例１、２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本件補正発明１についての判断で示したのと同様の理由により、引用例１、２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１、２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。