【事件の表示】
　特願２０００−１６１９２８「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月１４日出願公開、特開２００１−３４５３７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１２年５月３１日の出願であって、平成１７年１月３１日付けで平成１６年８月１２日付けの手続補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月７日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年９月２５日付けで審尋がなされ、同年１１月２０日に回答書が提出されたものである。
　 
２．平成１７年４月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年４月７日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
（１）本件補正の内容 
　本件補正は、補正前の請求項３ないし６を削除し、補正前の請求項１を、補正後の請求項１とするものであり、補正後の請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程と、
　前記エッチング工程の後、前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程と、
　前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、その後、前記半導体基板に熱酸化処理を施してトレンチ部を形成する工程と、
　前記半導体基板上に酸化膜を形成して前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程と、
　前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正内容の整理
　本件補正のうち、補正後の請求項１についてなされた補正の内容を、以下に整理する。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１に記載の「前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程」を、「前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程」と補正すること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項１に記載の「前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程」を、「前記エッチング工程の後、前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程」と補正すること。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項１に記載の「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチングし、トレンチ部を形成する工程と」を、「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、その後、前記半導体基板に熱酸化処理を施してトレンチ部を形成する工程」と補正すること。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１に記載の「前記半導体基板上全面に酸化膜を形成し、前記トレンチ部に酸化膜を埋め込む工程」を、「前記半導体基板上に酸化膜を形成して前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程」と補正すること。
　
（３）本件の補正事項についての検討
（３−１）補正の目的について
（３−１−１）補正事項３について
　補正事項３についての補正は、補正前の「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチングし、」の後に、「その後、前記半導体基板に熱酸化処理を施して」を追加するものである。本願の発明の詳細な説明の００４７段落及び００４８段落の「【００４７】　トレンチ角部が露出した状態で、トレンチエッチングを実施すると、プラズマ電界集中により、トレンチ側壁部、および底部に比較して、角部のエッチングが進行する。この効果により、酸化前段階において、良好なテーパ形状が実現可能でとなる。　【００４８】　その後、熱処理によってこのテーパ形状をラウンド形状とする丸め処理が行われる。この処理により、トレンチの角部は第4の実施の形態よりもさらに緩やかなラウンド形状を有するトレンチとなる。この熱処理は1050℃〜1100℃のドライ酸化処理である。」との記載によれば、「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチング」することによって、「トレンチ側壁部、及び底部に比較して、角部のエッチングが進行」し、「テーパ形状」が実現され、「前記半導体基板に熱酸化処理を施」すことにより「テーパ形状をラウンド形状とする丸め処理が行われる」。すなわち、「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチング」することと、「前記半導体基板に熱酸化処理を施」すこととは、それぞれ、半導体基板の形状に対する異なった作用を有し、順次実行されるものである。よって、補正前の「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチングし、」の後に、「前記半導体基板に熱酸化処理を施して」を追加することは、新たな工程を追加することにほかならず、「特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」ではないから、補正事項３についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮には該当しない。
　補正事項３についての補正は、また、請求項の削除、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれにも該当しないことも明らかであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものではない。
　
（３−１−２）むすび
　したがって、その他の補正事項について検討するまでもなく、補正事項３についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（３−２）独立特許要件について
　補正事項３についての補正を含む本件補正は、上記「（３−１）補正の目的について」で検討したとおり特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、以下においては、仮に、前記補正事項３についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件補正が同法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものとして、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについても、さらに検討する。
　
（３−２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
「【請求項１】　半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程と、
　前記エッチング工程の後、前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程と、
　前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、その後、前記半導体基板に熱酸化処理を施してトレンチ部を形成する工程と、
　前記半導体基板上に酸化膜を形成して前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程と、
　前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（３−２−２）刊行物記載の発明
（３−２−２−１）刊行物１：特開平１０−３０８４４２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−３０８４４２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図４５ないし４７、図５１ないし５３、図７１ないし７６とともに以下の事項が記載されている。
「【００７３】まず、図４５に示すように、半導体基板１の主表面上に、減圧ＣＶＤ法などを用いて、３００Å程度の膜厚を有するシリコン酸化膜２を形成する。ここで、シリコン酸化膜２の膜厚は、１００Å〜５００Å程度でもよい。このシリコン酸化膜２の上に、減圧ＣＶＤ法などを用い、２０００Å程度の膜厚を有するシリコン窒化膜３を形成する。ここで、シリコン窒化膜の膜厚は、１０００Å〜３０００Å程度でもよい。その後、シリコン窒化膜３の上に、レジストパターン４を形成する。
【００７４】次に、レジストパターン４をマスクとして、ドライエッチングを用いて、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜２とを除去することにより図４６に示す開口部３００を形成する。ここで、上記ドライエッチングにおいては、平行平板型のＲＩＥ装置を用いる。その後、マイクロ波放電型アッシング装置を用いて、レジストパターン４を除去する。
【００７５】次に、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜２とをマスクとしたドライエッチングを用いて、半導体基板１の一部を除去することにより、図４７に示すような溝部６を形成する。ここで、溝部６の側面の傾斜角は８０°程度である。この溝部６の側面の傾斜は、上記ドライエッチングの条件を調整することにより容易に形成が可能である。」（００７３段落ないし００７５段落）
「【００７７】次に、図４９に示すように、素子分離用絶縁膜となるシリコン酸化膜７を、減圧ＣＶＤ法を用いて、溝部６を充填するように形成する。このシリコン酸化膜７を形成するために、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。ここで、図４８に示したように、溝部６の上部の平面積を底部の平面積より大きくすることができるので、溝部６の内部に素子分離用絶縁膜となるシリコン酸化膜７を充填する際、空孔の発生を防止することが可能となり、その結果、分離特性の劣化を防止することができる。」（００７７段落）
「【００８０】図５１〜５３に示す断面構造図は、図４５〜４７に示した実施の形態８による製造工程と同一である。」（００８０段落）
「【００９８】図７１〜７３に示す製造工程は、図５１〜５３に示した実施の形態９による製造工程と同一である。
【００９９】次に、熱リン酸処理、フッ酸処理などの、半導体基板１に対して選択比の高い条件による等方性エッチングを用いて、図７４に示すように、溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部上に位置するシリコン酸化膜２とシリコン窒化膜３とを除去する。
【０１００】次に、スパッタエッチングを用いて、溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部を除去することにより、図７５に示すように、溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する。これにより、上記接合部における電界の集中の発生を防止することが可能となり、その結果、素子分離領域形成後のリーク電流の増大を防止することができる。また、溝部６の上部の平面積を底部の平面積より大きくすることができるので、後の工程において、溝部６の内部に素子分離用絶縁膜を充填する際、空孔の発生を防止することが可能となり、その結果、分離特性の劣化を防止することができる。
【０１０１】その後、溝部６の内部への素子分離用絶縁膜７の充填、シリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜２の除去などの工程を実施し、図７６に示すような素子分離領域５１を形成する。」（００９８段落ないし０１０１段落）
　
（ア）刊行物１の図７１ないし図７６より、「シリコン窒化膜３」および「シリコン酸化膜２」に形成された「開口部３００」が「溝部６」に対応することが明らかであること、及び、刊行物１の０１０１段落に「その後、溝部６の内部への素子分離用絶縁膜７の充填、シリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜２の除去などの工程を実施し、図７６に示すような素子分離領域５１を形成する。」と記載されていることから、刊行物１に記載の「開口部３００」が「素子分離領域５１」に対応することは明らかである。
（イ）図７４及び図７５から、刊行物１の０１００段落に記載された「スパッタエッチングを用いて、溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部を除去する」工程において、除去される「接合部」が、前記「接合部」上に位置する部分が除去された「シリコン窒化膜３」及び「シリコン酸化膜２」から露出する領域であるることは明らかであるから、刊行物１に記載の「スパッタエッチングを用いて、溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部を除去する」工程において、「溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部上に位置する」部分が除去された「シリコン窒化膜３」及び「シリコン酸化膜２」が「マスク」となることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「半導体基板１の主表面上にシリコン酸化膜２を形成し、前記シリコン酸化膜２の上にシリコン窒化膜３を形成し、前記シリコン窒化膜３の上にレジストパターン４を形成し、前記レジストパターン４をマスクとして、ドライエッチングを用いて前記シリコン窒化膜３と前記シリコン酸化膜２との一部を除去することにより、素子分離領域５１に対応する開口部３００を有するシリコン窒化膜３及びシリコン酸化膜２を形成する工程と、
　前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとしたドライエッチングを用いて、前記半導体基板１の一部を除去することにより溝部６を形成する工程と、
　前記ドライエッチングを用いた工程の後、等方性エッチングを用いて、前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２の、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分を除去する工程と、
　前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとして、スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する工程と、
　前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
　
（３−２−２−２）刊行物２：特開平１１−２３３６１７号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−２３３６１７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１、図２、図４、図６とともに以下の事項が記載されている。
「【００２４】図１は第１の実施形態における製造方法の各工程での半導体装置の断面構造を示す図であり、図２はその製造工程の概略を示すフローチャートである。以下、図２のフローチャートに添って製造工程を図１を参照しながら説明する。・・・・・・（６）ホトレジスト１３を除去した後、パット酸化膜２を５〜４０ｎｍの範囲でエッチング除去して後退させる（図２の工程（１０９）〜（１１０）、図１の（ｆ））。
（７）その後、例えば９００〜１１００℃のドライ酸化雰囲気中でシリコン基板１表面を約３０ｎｍ熱酸化し、溝部分に素子分離熱酸化膜５を形成する（図２の工程（１１１）、図１の（ｇ））。
（８）化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、スパッタ法等でシリコン酸化膜等の絶縁膜を堆積し、埋め込む（以下、埋め込み絶縁膜６）。」（００２４段落及び００２５段落）
「【００３３】しかし、パット酸化膜２を後退させると、シリコン基板１の溝端部の一部が露出する（図４の（ｂ）参照）。この露出した部分においては、酸化初期には成長した酸化膜と上部窒化硅素膜１２とが接触しないため、また、図４の（ａ）を用いて説明したような窒化珪素膜１２の反り変形による圧縮応力の発生もほとんどないことから、酸化は抑制することなく進行する。
【００３４】その結果として溝上端部が丸まり、曲率半径が大きくなる。また、パット酸化膜２を後退させると、後退させたパット酸化膜２の端部近傍ではシリコンが露出する領域とそうでない領域が形成される。露出した領域では酸素の拡散が速いため、酸化が速く進行するが、露出していない領域ではこれに比べ遅くなるため、パット酸化膜２の端部では段差が発生する。」（００３３段落及び００３４段落）
「【００４０】また、この第１の実施形態の（６）工程後に、等方性のエッチング方法により、シリコンエッチングをさらに２ｎｍから３ｎｍ程度加えると、図６に示すように、上端部の鋭利部が除去されるため、酸化量が少なくても、シリコン端部形状に鋭利部をなくすことができる。これにより、さらに曲率半径は大きくなり、さらに少ない酸化量約５ｎｍ（溝形成時のダメージを除去するのに必要な酸化量）で大きな曲率半径の溝上端部を形成することが可能となる。
【００４１】上述した補正発明の第１の実施形態においては、パット酸化膜２の後退量を５〜４０ｎｍの範囲に設定しているため、溝分離構造の基板側上端近傍に段差を発生させることなく、さらに曲率半径を３ｎｍよりも十分大きくすることができるので、ゲート電極膜端部近傍の電界集中に起因したトランジスタのリーク電流増加あるいは耐圧特性の低下を防止でき、トランジスタの電気的信頼性を向上できるという効果がある。」（００４０段落及び００４１段落）
　
（３−２−３）対比
　補正発明と刊行物発明とを対比する。
（ア）刊行物発明の「半導体基板１」、「素子分離領域５１」及び「開口部３００」は、補正発明の「半導体基板」、「素子分離領域」及び「開口部」に相当する。
（イ）刊行物発明の「開口部３００を有するシリコン窒化膜３及びシリコン酸化膜２」は、「前記半導体基板１の一部を除去する」「ドライエッチング」において「マスク」として機能するから、補正発明の「マスク層」に相当する。そして、刊行物発明の「半導体基板１の主表面上にシリコン酸化膜２を形成し、前記シリコン酸化膜２の上にシリコン窒化膜３を形成し、前記シリコン窒化膜３の上にレジストパターン４を形成し、前記レジストパターン４をマスクとして、ドライエッチングを用いて前記シリコン窒化膜３と前記シリコン酸化膜２との一部を除去することにより、素子分離領域５１に対応する開口部３００を有するシリコン窒化膜３及びシリコン酸化膜２を形成する工程」は、補正発明の「半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程」に相当する。
（ウ）刊行物発明の「ドライエッチングを用いて、半導体基板１の一部を除去すること」は、補正発明の「前記半導体基板をエッチングする」ことに相当する。また、本願の発明の詳細な説明の００２７段落及び００２８段落の「【００２７】　本実施の形態ではレジスト4およびSiN膜3をマスクとして通常のトレンチのエッチングを行う。このエッチングは第1、第2の実施の形態の第2のエッチング（HBr/O2によるエッチング）と同様の条件で行われる。(図4-B参照)　【００２８】　その後、熱燐酸（H3PO4）、あるいはダウンストリーム型のプラズマエッチングによってSiN膜3の等方向エッチングを行う。この等方向エッチングによってトレンチ近傍のSiN膜は後退する。つまりトレンチ部5を形成した時よりもSiN膜3の開口部が若干拡大する。」との記載、及び００４５段落の「【００４５】　（第5の実施の形態）　図6は本発明第5の実施の形態を示す図である。以下図6を用いて第5の実施の形態について説明する。トレンチ部分を形成した後に熱燐酸（H3PO4）によってSiN膜の等方向エッチングを行う工程までは第3の実施の形態と同様である。」との記載より、補正発明の「前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程」により、「半導体基板」にトレンチが形成され、刊行物発明の「溝部６」がこれに対応することは明らかである。よって、刊行物発明の「前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとしたドライエッチングを用いて、前記半導体基板１の一部を除去することにより溝部６を形成する工程」は、補正発明の「前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程」に相当する。
（エ）刊行物発明において、「前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２の、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分を除去する」ことにより、「開口部３００」が拡大することは明らかであるから、刊行物発明の「ドライエッチングを用いた工程の後、等方性エッチングを用いて、前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２の、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分を除去する工程」は、補正発明の「前記エッチング工程の後、前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程」に相当する。
（オ）刊行物発明の「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」は、補正発明の「前記拡大された開口部を有するマスク層」に相当する。また、刊行物発明の「スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する」ことは、補正発明の「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして半導体基板をエッチング」することに相当する。そして、刊行物発明の「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとして、スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する工程」は、補正発明の「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチング」する工程に相当する。
（カ）刊行物発明の「素子分離用絶縁膜７」と補正発明の「前記酸化膜」とはいずれも絶縁膜であることは明らかであるから、刊行物発明の「溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」は補正発明の絶縁膜を「埋め込む工程」に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物発明とは、
「半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程と、
　前記エッチング工程の後、前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程と、
　前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程と、
　絶縁膜を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　補正発明は、「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、その後、前記半導体基板に熱酸化処理を施してトレンチ部を形成する工程」を有するのに対し、刊行物発明は、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとして、スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する工程」を有するものの、その後に、補正発明の「前記半導体基板に熱酸化処理を施してトレンチ部を形成する工程」に相当する工程を有さない点。
　
〈相違点２〉
　補正発明は、「前記半導体基板上に酸化膜を形成して前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程」を有するのに対し、刊行物発明は、「前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」を有するものの、「素子分離用絶縁膜７」を「半導体基板１」上に形成するか否かが明らかでなく、「素子分離用絶縁膜７」の材料も具体的に特定されていない点。
　
〈相違点３〉
　補正発明は、「前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程」を有するのに対し、刊行物発明は、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」の上に形成された「素子分離要絶縁膜７」を除去することについて特定されていない点。
　
（３−２−４）相違点の検討
　以下、各相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）刊行物２の００３３段落、００３４段落及び図４（ｂ）から、「シリコン基板１の溝端部の一部」を酸化させることにより、「溝上端部が丸まり、曲率半径が大きくなる」ことは明らかである。刊行物２の００２５段落及び００４０段落から、「（６）工程後に」加えられる「等方性のエッチング方法」による「シリコンエッチング」が、（７）工程である「シリコン基板１表面」を「熱酸化」し、「溝部分に素子分離熱酸化膜５を形成する」工程の前に実行されることは明らかである。また、刊行物２の００４０段落に記載の「酸化量が少なくても」の「酸化量」が、００２５段落に記載の「素子分離熱酸化膜５」の酸化量であることは明らかである。よって、刊行物２には、「溝部分」が形成された「シリコン基板１表面」を「熱酸化」し、前記「溝部分」に「素子分離熱酸化膜５」を形成することによって、「溝上端部」の曲率半径を大きくし、電界集中を抑制すること、その後、絶縁膜を堆積し、埋め込むこと、及び、前記「熱酸化」の前に等方性のエッチング方法によるシリコンエッチングを加えることにより、さらに大きな曲率半径の溝上端部を形成することができること、が記載されている。
（イ）ここで、刊行物２に記載の「熱酸化」、及び「素子分離熱酸化膜５」が形成された「溝部分」は、補正発明の「熱酸化処理」及び「トレンチ部」に相当する。
（ウ）そして、刊行物１の０１００段落に「図７５に示すように、溝部６の側面と半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する。これにより、上記接合部における電界の集中の発生を防止することが可能となり」と記載されているように、刊行物発明もまた、半導体基板の主表面と溝部との接合部をテーパー形状とすることによって電界の集中を防止するものであること、また、刊行物２に記載の、「溝部分」が形成された「シリコン基板１表面」を「熱酸化」し、前記「溝部分」に「素子分離熱酸化膜５」を形成する工程は、シリコンエッチングの後に実行することができるものであることから、刊行物発明において、「スパッタエッチング」によって形成した「テーパー形状」の「半導体基板１の主表面」と「溝部６」との「接合部」を、さらに電界集中が少ない形状とするために、刊行物２に記載の、「溝部分」が形成された「シリコン基板１表面」を「熱酸化」し、「溝上端部」の曲率半径を大きくする工程を適用し、補正発明の如く、「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、その後、前記半導体基板に熱酸化処理を施して、トレンチ部を形成する工程」を有するものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
〈相違点２及び３について〉
（ア）刊行物発明は、「前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」における具体的方法について特定されていないため、「素子分離用絶縁膜７」を「半導体基板１」上に形成するか否かが明らかでなく、「素子分離用絶縁膜７」の材料が具体的に特定されず（相違点２に対応）、また、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」の上に形成された「素子分離要絶縁膜７」を除去することについて特定されない（相違点３に対応）。
（イ）しかし、本願の出願日前、トレンチ部へ絶縁材料を埋込む方法として、トレンチ部を形成するために用いたマスク層が残された半導体基板上に酸化膜を形成し、その後、マスク層上の酸化膜を研磨によって除去することは、以下の周知文献１及び２に記載されるように従来周知である。
（ウ）周知文献１．特開平１１−０７４３４０号公報（０００６段落ないし０００９段落、図１１参照）には、シリコン基板１０１（補正発明の「半導体基板」に相当）に形成した溝１０６（補正発明の「トレンチ部」に相当）に絶縁物を埋め込む方法として、全体にＣＶＤによってシリコン酸化層１０８（補正発明の「酸化膜」に相当）を形成した後、ＣＭＰによってシリコン窒化膜１０３（補正発明の「マスク層」に相当）上のシリコン酸化層１０８を除去する（補正発明の「研磨除去する」に相当）方法が記載されている。
「【０００６】・・・・・・このような問題が生じない素子分離構造として、シリコン基板に溝（trench）を形成してその中に絶縁物又は多結晶シリコンを埋め込むものが知られている。この方法は、従来、深い素子分離を必要とするバイポーラトランジスタＬＳＩに適用されてきたが、バーズビーク、シニングがともに生じないことから、ＭＯＳトランジスタＬＳＩへの適用も進んでいる。
【０００７】ＭＯＳトランジスタＬＳＩでは、バイポーラトランジスタＬＳＩほどの深い素子分離は必要としないために、深さ１μｍ程度の比較的浅い溝で素子分離を行うＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）と呼ばれる構造が用いられている。次に、ＳＴＩを用いた素子分離方法を説明する。まず、図１１(a) に示すように、シリコン基板101 上に第一の熱酸化層102 を１０nmの厚さに形成した後に、その上にシリコン窒化層103 をＣＶＤにより１５０nmの厚さに形成する。続いて、レジストマスク104 の窓105 により素子分離領域Ｓを確定する。
【０００８】その後に、図１１(b) に示すように、窓105 の下のシリコン窒化層103 、第一の熱酸化層102 をエッチングして開口部103aを形成するとともに、その下のシリコン基板101 に０．５μｍ程度の深さの溝106 をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によって形成する。次に、図１１(c) に示すように、レジストマスク104 を剥離した後に、溝106の内壁を熱酸化して、その内壁に沿って層厚５０nmの第二の熱酸化層107 を形成する。そして、全体にＣＶＤによってシリコン酸化層108 を１μｍの厚さに形成して、溝106 の中をそのシリコン酸化層108 によって充填する。
【０００９】適当な熱処理を施した後に、図１１(d) に示すように、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing) 又はＲＩＥ法によってシリコン窒化層103 上のシリコン酸化層108 を除去して、そのシリコン酸化層108 を溝106 の内部とその上にだけ残すようにする。この場合、シリコン窒化層103 をＣＭＰストッパ層として機能させる。」
（エ）周知文献２．特開平１０−３０３２８９号公報（００４８段落ないし００５０段落、図９ないし１１参照）には、「溝４ａ」（補正発明の「トレンチ部」に相当）が形成された半導体基板１（補正発明の「半導体基板」に相当）の主面上に酸化シリコン膜７（補正発明の「酸化膜」に相当）を堆積した後、窒化シリコン膜３（補正発明の「マスク層」に相当）をストッパに用いた化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により酸化シリコン膜７（補正発明の「酸化膜」に相当）を研磨する（補正発明の「研磨除去」に相当）、素子分離溝４の形成方法が記載されている。
「【００４８】次に、図９に示すように、半導体基板１の主面上にＣＶＤ法で酸化シリコン膜７を堆積することにより、溝４ａの内部に酸化シリコン膜７を埋め込む。酸化シリコン膜７は、例えばオゾン（Ｏ3)とテトラエトキシシラン((Ｃ2 Ｈ5)4 Ｓｉ)とを使って成膜される酸化シリコン膜のように、流動性の良好な酸化シリコン材料を使用する。このとき、酸化シリコン膜７を堆積する工程に先立って、図８に示すように、溝４ａの内壁にＣＶＤ法で窒化シリコン膜６を薄く堆積してもよい。この窒化シリコン膜６は、後の工程で溝４ａに埋め込んだ酸化シリコン膜７をシンタリング（焼き締め）する際に、溝４ａの内壁の酸化シリコン膜５が活性領域側に成長するのを抑制するので、酸化シリコン膜５が活性領域の半導体基板１にストレスを及ぼしてリークパスを形成する不具合を抑制することができる。
【００４９】次に、半導体基板１を１０００℃以下の温度、例えば８５０℃で湿式酸化することにより、溝４ａに埋め込んだ酸化シリコン膜７の膜質を改善するためのシンタリング（焼き締め）を行う。
【００５０】次に、図１０に示すように、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて酸化シリコン膜７を研磨し、その表面を平坦化する。この研磨は、活性領域を覆う窒化シリコン膜３をストッパに用い、溝４ａの内部のみに酸化シリコン膜７が残るようにする。これにより、酸化シリコン膜７を埋め込んだ素子分離溝４が完成する。その後、図１１に示すように、活性領域を覆う窒化シリコン膜３を熱リン酸などのエッチング液を用いて除去する。」
（オ）さらに、刊行物１には、刊行物発明が記載された００９８段落ないし０１０１段落には「素子分離用絶縁膜７」の材料について記載がないものの、００７７段落には「素子分離用絶縁膜」として「シリコン酸化膜７」を用いることが記載されている。
（カ）してみると、刊行物発明の「前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」の具体的方法として、上記周知技術である、トレンチ部を形成するために用いたマスク層が残された半導体基板上に酸化膜を形成し、その後、マスク層上の酸化膜を研磨によって除去する方法を採用し、「酸化膜」を「半導体基板１」上に形成し（相違点２に対応）、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」の上に形成された「素子分離用絶縁膜７」を除去すること（相違点３に対応）、すなわち、補正発明の如く、「前記半導体基板上に酸化膜を形成して前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程と、前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程とを有する」ものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　以上のとおりであるから、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明並びに上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
（３−３）まとめ
　よって、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、仮に、本件補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．本願発明
　平成１７年４月７日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成１６年８月１２日付けの手続補正も既に却下されているので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１５年１２月１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程と、
　前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程と、
　前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチングし、トレンチ部を形成する工程と、
　前記半導体基板上全面に酸化膜を形成し、前記トレンチ部に酸化膜を埋め込む工程と、
　前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
５．刊行物に記載の発明
　刊行物１に記載される事項は、「２．（３−２−２−１）刊行物１：特開平１０−３０８４４２号公報」に記載したとおりであり、刊行物１には、「２．（３−２−２−１）刊行物１：特開平１０−３０８４４２号公報」に記載した刊行物発明が記載されている。
　
６．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ア）刊行物発明の「半導体基板１」、「素子分離領域５１」及び「開口部３００」は、本願発明の「半導体基板」、「素子分離領域」及び「開口部」に相当する。
（イ）刊行物発明の「開口部３００を有するシリコン窒化膜３及びシリコン酸化膜２」は、「前記半導体基板１の一部を除去する」「ドライエッチング」において「マスク」として機能するから、本願発明の「マスク層」に相当する。そして、刊行物発明の「半導体基板１の主表面上にシリコン酸化膜２を形成し、前記シリコン酸化膜２の上にシリコン窒化膜３を形成し、前記シリコン窒化膜３の上にレジストパターン４を形成し、前記レジストパターン４をマスクとして、ドライエッチングを用いて前記シリコン窒化膜３と前記シリコン酸化膜２との一部を除去することにより、素子分離領域５１に対応する開口部３００を有するシリコン窒化膜３及びシリコン酸化膜２を形成する工程」は、本願発明の「半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程」に相当する。
（ウ）刊行物発明の「ドライエッチングを用いて、半導体基板１の一部を除去すること」は、本願発明の「前記半導体基板をエッチングする工程」に相当する。また、本願の発明の詳細な説明の００２７段落及び００２８段落の「【００２７】　本実施の形態ではレジスト4およびSiN膜3をマスクとして通常のトレンチのエッチングを行う。このエッチングは第1、第2の実施の形態の第2のエッチング（HBr/O2によるエッチング）と同様の条件で行われる。(図4-B参照)　【００２８】　その後、熱燐酸（H3PO4）、あるいはダウンストリーム型のプラズマエッチングによってSiN膜3の等方向エッチングを行う。この等方向エッチングによってトレンチ近傍のSiN膜は後退する。つまりトレンチ部5を形成した時よりもSiN膜3の開口部が若干拡大する。」との記載、及び００４５段落の「【００４５】　（第5の実施の形態）　図6は本発明第5の実施の形態を示す図である。以下図6を用いて第5の実施の形態について説明する。トレンチ部分を形成した後に熱燐酸（H3PO4）によってSiN膜の等方向エッチングを行う工程までは第3の実施の形態と同様である。」との記載より、本願発明の「前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程」により、「半導体基板」にトレンチが形成され、刊行物発明の「溝部６」がこれに対応することは明らかである。よって、刊行物発明の「前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとしたドライエッチングを用いて、前記半導体基板１の一部を除去することにより溝部６を形成する工程」は、本願発明の「前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程」に相当する。
（エ）刊行物発明において、「前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２の、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分を除去する」ことにより、「開口部３００」が拡大することは明らかであるから、刊行物発明の「ドライエッチングを用いた工程の後、前記半導体基板１に対して選択比の高い条件による等方性エッチングを用いて、前記開口部３００を有する前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２の、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分を除去する工程」は、本願発明の「前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程」に相当する。
（オ）刊行物発明の「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」は、本願発明の「前記拡大された開口部を有するマスク層」に相当する。また、刊行物発明の「スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する」ことは、本願発明の「半導体基板をエッチング」することに相当する。
（カ）さらに、刊行物発明の「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部」が「テーパー形状となるように形成」された「溝部６」が溝形状であることは明らかであるから、刊行物発明の「スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成」した後の「溝部６」は、本願発明の「トレンチ部」に相当する。
（キ）そして、刊行物発明の「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２をマスクとして、スパッタエッチングを用いて前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部を除去し、前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部をほぼテーパー形状となるように形成する工程」は、本願発明の「前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチングし、トレンチ部を形成する工程」に相当する。
（ク）刊行物発明の「素子分離用絶縁膜７」と本願発明の「前記酸化膜」とはいずれも絶縁膜であることは明らかであるから、刊行物発明の「溝部６の内部へ素子分離膜７を充填する工程」は本願発明の「前記トレンチ部に」酸化膜を「埋め込む工程」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程と、
　前記マスク層を等方性エッチングし、前記マスク層の開口部を拡大する工程と、
　前記拡大された開口部を有するマスク層をマスクとして、前記半導体基板をエッチングし、トレンチ部を形成する工程と、
前記トレンチ部に絶縁膜を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願発明は、「前記半導体基板上全面に酸化膜を形成し、前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程」を有するのに対し、刊行物発明は、「前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」を有するものの、「素子分離用絶縁膜７」を「半導体基板１」上に形成するか否かが明らかでなく、「素子分離用絶縁膜７」の材料も具体的に特定されていない点。
　
〈相違点２〉
　本願発明は、「前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程」を有するのに対し、刊行物発明は、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」の上に形成された「素子分離用絶縁膜７」を除去することについて特定されていない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
〈相違点１及び２について〉
（ア）刊行物発明は、「前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」における具体的方法について特定されていないため、「素子分離用絶縁膜７」を「半導体基板１」上に形成するか否かが明らかでなく、「素子分離用絶縁膜７」の材料が具体的に特定されず（相違点１に対応）、また、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」の上に形成された「素子分離用絶縁膜７」を除去することについて特定されない（相違点２に対応）ものである。
（イ）しかし、本願の出願日前、トレンチ部へ絶縁材料を埋込む方法として、トレンチ部を形成するために用いたマスク層が残された半導体基板上に酸化膜を形成し、その後、マスク層上の酸化膜を研磨によって除去することは、（３−２−４）〈相違点２及び３について〉（ウ）に記載した周知文献１及び２に記載されるように従来周知である。
（ウ）前記周知文献１には、シリコン基板１０１（本願発明の「半導体基板」に相当）に形成した溝１０６（本願発明の「トレンチ部」に相当）に絶縁物を埋め込む方法として、全体にＣＶＤによってシリコン酸化層１０８（本願発明の「酸化膜」に相当）を形成した後、ＣＭＰによってシリコン窒化膜１０３（本願発明の「マスク層」に相当）上のシリコン酸化層１０８を除去する（本願発明の「研磨除去する」に相当）方法が記載されている。
（エ）前記周知文献２には、「溝４ａ」（本願発明の「トレンチ部」に相当）が形成された半導体基板１（本願発明の「半導体基板」に相当）の主面上に酸化シリコン膜７（本願発明の「酸化膜」に相当）を堆積した後、窒化シリコン膜３（本願発明の「マスク層」に相当）をストッパに用いた化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により酸化シリコン膜７（本願発明の「酸化膜」に相当）を研磨する（本願発明の「研磨除去」に相当）、素子分離溝４の形成方法が記載されている。
（オ）さらに、刊行物１には、刊行物発明が記載された００９８段落ないし０１０１段落には「素子分離用絶縁膜７」の材料について記載がないものの、００７７段落には「素子分離用絶縁膜」として「シリコン酸化膜７」を用いることが記載されている。
（カ）してみると、刊行物発明の「前記溝部６の内部へ素子分離用絶縁膜７を充填する工程」の具体的方法として、上記周知技術である、トレンチ部を形成するために用いたマスク層が残された半導体基板上に酸化膜を形成し、その後、マスク層上の酸化膜を研磨によって除去する方法を採用し、「酸化膜」を「半導体基板１」上全面に形成し（相違点１に対応）、「前記溝部６の側面と前記半導体基板１の主表面との接合部上に位置する部分が除去された、前記シリコン窒化膜３及び前記シリコン酸化膜２」の上に形成された「素子分離用絶縁膜７」を除去すること（相違点２に対応）、すなわち、本願発明の如く、「前記半導体基板上に酸化膜を形成し、前記トレンチ部に前記酸化膜を埋め込む工程と、前記マスク層上に形成された前記酸化膜を研磨除去する工程とを有する」ものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。