【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１６７５２号「配線基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　２日出願公開、特開２０００−３０７２１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　本願は、平成１１年４月２３日の出願であって、平成１６年１０月２０日付で拒絶の理由が通知され、平成１６年１２月２４日に意見書及び手続補正書が提出された。その後、平成１７年６月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年７月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年８月４日付で手続補正書が提出されたものである。
　
II．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１７年８月４日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　外表面に表面配線層（３）が形成された基板（１）と、
　前記表面配線層（３）の表面に形成された銅めっき層（４）とを備え、
　前記銅めっき層（４）は、複数の層から形成されているとともに膜厚が３μｍ以上である配線基板であって、
　前記銅めっき層（４）は、めっき液に前記基板（１）を浸漬し、前記基板（１）をめっき液から引き上げることを繰り返し行って銅めっきを行い、膜厚が３μｍ未満のときに一旦銅めっきを中断して中間熱処理を行い、この中間熱処理後、さらにめっき液に前記基板（１）を浸漬し、前記基板（１）をめっき液から引き上げることを繰り返し行って銅めっきを行うことにより形成されたものであることを特徴とする配線基板。」（以下、「本願発明１」という。）
　
III．刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平１０−１８９８２６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開平１０−１８９８２６号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体素子を搭載する絶縁基体に半導体素子を外部電気回路に接続するための高融点金属メタライズ配線層を被着形成して成るとともに該高融点金属メタライズ配線層表面に下地金属めっき層を介して金めっき層が鍍着されて成る配線基板であって、前記下地金属めっき層が、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成ることを特徴とする配線基板。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基板に関し、より詳細には高周波用半導体素子を収容するのに好適な半導体素子収納用パッケージに使用される配線基板に関するものである。」
　
（１ｃ）「【０００８】本発明の配線基板によれば、高融点金属メタライズ配線層表面に鍍着された銅から成る下地金属めっき層が高融点金属メタライズ配線層と金めっき層との両方に強固に密着することから、金めっき層が銅から成る下地金属めっき層を介してメタライズ配線層に強固に密着し、そのため金めっき層がメタライズ配線層から剥がれることはない。また、銅から成る下地金属めっき層は銅が非磁性体であることからこれが鍍着されたメタライズ配線層のインダクタンスが大きなものとなることはなく、従ってメタライズ配線層によって高速の信号を正確に伝搬させることができる。
【０００９】さらに、本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、銅から成る下地金属めっき層がそれぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成ることから、一層目の銅めっき層が加熱処理によって緻密化するとともに高融点金属メタライズ配線層表面にトラップされていた水分等がこの一層目の銅めっき層の結晶欠陥を介して外部に除去されることにより銅から成る下地金属めっき層と高融点金属メタライズ配線層との密着が極めて強固なものとなる。また、二層目の銅めっき層が加熱処理によって一層目の銅めっき層の結晶欠陥を埋めるとともにこの二層目の銅めっき層の結晶が緻密化することにより、銅から成る下地金属めっき層の表面に金めっき層を強固に密着させることができるとともに、銅から成る下地金属めっき層に含有される銅が金めっき層に拡散することを有効に防止することができるため金めっき層が酸化腐食したりワイヤボンディング性が低下したりすることがない。」
　
（１ｄ）「【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は高融点金属メタライズ配線層である。この絶縁基体１と高融点金属メタライズ配線層２とで半導体素子３を搭載する配線基板４が構成される。
・・・【００１６】また高融点金属メタライズ配線層２の表面には、配線基板４の要部拡大断面図である図２に示すように、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成る下地金属めっき層６及び金めっき層７が順次鍍着されている。
【００１７】この下地金属めっき層６は、この層６がタングステン等の高融点金属から成るメタライズ配線層２と金めっき層７との両方に極めて強固に密着することから、金めっき層７をこの下地金属めっき層６を介して高融点金属メタライズ配線層２に極めて強固に鍍着させることができる。」
　
（１ｅ）「【００１９】本発明の配線基板においてはこの下地金属めっき層６がそれぞれ加熱処理された二層の銅めっき層６ａ及び６ｂが積層されて成ることが特徴であり、これら二層のうち高融点金属メタライズ配線層２の表面に被着される一層目の銅めっき層６ａは、銅から成る下地金属めっき層６と高融点金属メタライズ配線層２とを強固に密着させるためのものであり、加熱処理により一層目の銅めっき層６ａの結晶が高融点金属メタライズ配線層２表面の微小な凹凸に沿って緻密化するとともに、高融点金属メタライズ配線層２表面にトラップされている水分等が一層目の銅めっき層６ａの結晶欠陥を介して外部に除去されることにより一層目の銅めっき層６ａと高融点金属メタライズ配線層２とが強固に密着することとなる。
【００２０】この一層目の銅めっき層６ａの厚みが0.2 μｍ未満であると銅から成る下地金属めっき層６を高融点金属メタライズ配線層２に強固に密着させることが困難となる傾向にあり、他方、一層目の銅めっき層６ａの厚みが３μｍを超えるとこの層６ａの結晶欠陥がこの層６ａ中に埋まってしまい、高融点金属メタライズ配線層２表面にトラップされている水分等を結晶欠陥を介して外部に除去することが困難となり、水分等が高融点金属メタライズ配線層２と一層目の銅めっき層６ａとの間で気化膨張して一層目の銅めっき層６ａに膨れを発生させてしまい易い傾向にある。
【００２１】また、二層目の銅めっき層６ｂは、一層目の銅めっき層６ａの結晶欠陥を埋めるとともに銅から成る下地金属めっき層６と金めっき層７とを強固に密着させる作用を為し、加熱処理によりその結晶が緻密化し、これにより銅から成る下地金属めっき層６の表面に金めっき層７を強固に密着させることができるとともに銅から成る下地金属めっき層６中に含有されている銅が金めっき層７に拡散することを有効に防止することができる。
【００２２】この二層目の銅めっき層６ｂは、その厚みが0.3 μｍ未満では一層目の銅めっき層６ａの結晶欠陥を埋めることが困難となるとともに銅から成る下地金属めっき層６と金めっき層７とを強固に密着させることが困難となる傾向にあり、他方、この層６ｂと一層目の銅めっき層６ａとの合計の厚みが８μｍを超えると銅から成る下地金属めっき層６の成膜に伴う内部応力が大きなものとなって銅から成る下地金属めっき層６が高融点金属メタライズ配線層２から剥離し易いものとなる傾向にある。
【００２３】尚、下地金属めっき層６は、その厚みが0.5 μｍ未満ではこの層６を介して金めっき層７を高融点金属メタライズ配線層２に強固に密着させることが困難となる傾向にあり、他方、その厚みが８μｍを超えると下地金属めっき層６の成膜に伴う内部応力が大きなものとなり、その応力により下地金属めっき層６が高融点金属メタライズ配線層２から剥離し易いものとなる傾向にある。従って、下地金属めっき層６は、その厚みを0.5 〜８μｍの範囲としておくことが好ましい。」
　
（１ｆ）「【００２４】また、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成る下地金属めっき層６の各層は従来周知の電解めっき法や無電解めっき法により鍍着され、高融点金属メタライズ配線層２の表面に一旦0.2 〜３μｍの厚みに第１層目の銅めっき層を鍍着させた後、これを還元雰囲気中、約700 〜1000℃の温度で10〜60分間加熱処理し、更にこの加熱処理した第１層目の銅めっき層の上に0.3 〜５μｍの厚みに第２層目の銅めっき層を鍍着させ、これを再度還元雰囲気中、600 〜1000℃の温度で10〜60分間加熱処理すると、この二層の銅めっき層が積層されて成る下地金属めっき層６と高融点金属メタライズ配線層２との密着が極めて強固なものとなるとともに、下地金属めっき層６に含有される銅が金めっき層７に拡散することを有効に防止することができるため、金めっき層が酸化腐食したりワイヤボンディング性が低下したりすることがないものとなる。
【００２５】従って、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成る下地金属めっき層６は、高融点金属メタライズ配線層２の表面に一旦0.2 〜３μｍの厚みに第１層目の銅めっき層を鍍着させた後、これを還元雰囲気中、約700 〜1000℃の温度で10〜60分間加熱処理し、更にこの加熱処理された第１層目の銅めっき層上に0.3 〜５μｍの厚みに第２層目の銅めっき層を鍍着させ、これを再度還元雰囲気中、600 〜1000℃の温度で10〜60分間加熱処理することが好ましい。
【００２６】高融点金属メタライズ配線層２表面に下地金属めっき層６を介して鍍着された金めっき層７は、この層７を構成する金が耐食性に極めて優れるとともにボンディングワイヤ５や半田との接続性に優れることから、メタライズ配線層２の配線導体が酸化腐食するのを良好に防止するとともにメタライズ配線層２とボンディングワイヤ５との接続及びメタライズ配線層２と外部電気回路基板の配線導体との接続を強固なものとなすことができる。」
　
（１ｇ）「【００３２】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、タングステン等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層の表面に、高融点金属から成るメタライズ配線層と金めっき層との両方に強固に密着する、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成る下地金属めっき層を介して金めっき層が鍍着されていることから、金めっき層が高融点金属メタライズ配線層から剥がれることはなく、高融点金属メタライズ配線層の酸化腐食を極めて良好に防止することができるとともにメタライズ配線層とボンディングワイヤ並びにメタライズ配線層と外部電気回路基板の配線導体とを強固に接続することができる。」
　
IV．当審の判断
１．刊行物１記載の発明
　上記摘記事項（１ａ）、（１ｆ）を中心にして、上記摘記事項（１ａ）乃至（１ｇ）を総合すると、刊行物１には、
　
「絶縁基体に高融点金属メタライズ配線層を被着形成して成るとともに、該高融点金属メタライズ配線層表面に銅めっき層が鍍着され、
前記銅めっき層は二層の銅めっき層が積層され、０．５〜８μｍの厚さである配線基板であって、
　前記銅めっき層は、無電解めっき法により鍍着され、膜厚が０．２〜３μｍの厚みに第１層目の銅めっき層を鍍着させた後、加熱処理を行い、さらに、無電解めっき法により銅めっき層が積層されて成る配線基板」（以下、「刊行物１記載発明」という。）
　
が記載されているといえる。
　
２．本願発明１と刊行物１記載発明との対比
（１）刊行物１記載発明における「絶縁基体」、「高融点メタライズ配線層」、「加熱処理」は、それぞれ本願発明１の「基板」、「表面配線層」、「中間熱処理」に相当する。
（２）刊行物１記載発明においては、銅めっき層を無電解めっき法により鍍着していることから、めっき液に絶縁基体を浸漬し、絶縁基体をめっき液から引き上げることを行っていると言える。
（３）刊行物１記載発明においては、銅めっき層の厚さは０．５〜８μｍであり、本願発明１においては、３μｍ以上であることから、数値範囲の重複を考慮すると、３〜８μｍの厚さで、両者は重複していると言える。
（４）刊行物１記載発明において、加熱処理前の無電解めっき法により鍍着される膜厚は０．２〜３μｍの厚みであり、厚みが３μｍ未満の態様を含んでいる。
　
　以上（１）乃至（４）を考慮すると、本願発明１と刊行物１記載発明とは、　
「外表面に表面配線層が形成された基板と、
　前記表面配線層の表面に形成された銅めっき層とを備え、
　前記銅めっき層は、複数の層から形成されているとともに膜厚が３〜８μｍ以上である配線基板であって、
　前記銅めっき層は、めっき液に前記基板を浸漬し、前記基板をめっき液から引き上げて銅めっきを行い、膜厚が３μｍ未満のときに一旦銅めっきを中断して中間熱処理を行い、この中間熱処理後、さらにめっき液に前記基板を浸漬し、前記基板をめっき液から引き上げて銅めっきを行うことにより形成されたものであることを特徴とする配線基板。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点：本願発明１においては、中間熱処理の前後の各々の銅めっきについて、「めっき液に前記基板を浸漬し、前記基板をめっき液から引き上げることを繰り返し行って」銅めっきを行うのに対し、刊行物１記載発明においては、当該銅めっきを繰り返し行っているか否か記載がない点。
　
３．相違点についての判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　下記周知例１乃至３に記載されているように、めっきにおいて、耐食性を向上させることを目的として、ピンホールを防止するためにめっきを複数回に分けて行い、めっき層を複数層にすることは本願出願前に周知の技術的事項である。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
周知例１：特開平６−１１６７４８号公報
（周１ａ）「【００１２】本発明のめっき金属材は、基体金属表面の一部または全面に、下記１〜４のうちの少なくとも一つの群の合金元素を含有するAl合金めっき層を２層以上有している。このようにAl合金めっきを多層化することにより、各めっき層にピンホール、ひび等のめっき欠陥があっても、皮膜の全厚みにおける欠陥とはならず、単層のAl合金めっきと比べて耐食性等の諸特性が向上する。さらに、各層の合金元素を変えることにより、他の様々な機能をめっき皮膜に付与することもできる。例えば、１に示す元素を添加することにより摺動性、加工性が向上し、２に示す元素を添加することによりめっき皮膜が卑になり犠牲防食性が向上し、３に示す元素を添加することによりめっき皮膜の融点が上昇しスポット溶接の連続打点性が向上し、４に示すMnを添加することによりめっき外観が向上する。」（丸数字については、例えば「１」と表記した。）
　
周知例２：特開平６−３０２７５６号公報
（周２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  アルミまたはアルミ合金からなるリードフレーム芯材の表面の少なくともアウターリード部の外部回路接続端子に貴金属めっきをしたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。」
（周２ｂ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いられるリードフレームに関する。」
（周２ｃ）「【０００８】・・・貴金属めっきの一例である金めっきでリードフレーム１０の全表面にめっきして、金めっき層１４を形成する。この場合の金めっきは経済性を考慮すれば厚み０．１５μｍ以下の薄めっきをするのが好ましいが、めっき条件あるいはアルミ合金心材の材質によっては、金めっき層に生ずるピンホール等が内部を腐食し易い場合には、一層の厚めっき、複数層の金めっき・・・を行うのが好ましい（以下の実施例においても同様）。」
　
周知例３：特開平７−１７３６８０号公報
（周３ａ）「【要約】
【目的】  耐蝕性が良好であり、かつ美観に秀れた自動車用装飾体を提供する。
【構成】  合成樹脂から構成される自動車用装飾体に不導体めっきの技法を用いて表面を銅及びニッケルめっきを施し、その上にＡｕ−Ｃｕ合金又はＡｕ−Ａｇ合金で下地電気めっきを施し、その上に下地金合金めっき層とは組成が異なるＡｕとＮｉ，Ｃｏ，Ｉｎ，Ｐｄ，Ｃｕ及びＡｇから選ばれた１種又はそれ以上との合金で仕上げ金めっきを施す工程を含む自動車用金めっき装飾体の製造方法。」
（周３ｂ）「【００１０】本発明の二重構造の金めっきは、更に各層中に出来る微細なピンホールが図１に示されるように二重構造により貫通を防止している。」
　
　また、下記周知例４乃至６に記載されているように、配線基板のめっきにおいて、めっきを複数回に分けて行うことも周知の技術的事項である。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
周知例４：特開平９−３０７２０１号公報
（周４ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  片面または両面のプリント配線板において、銅張り積層板に当初から銅張りされている通常の銅箔厚み３５μｍあるいは７０μｍのみの第１の回路パターンと中電流や大電流を流すための回路パターンおよび回路抵抗値として低抵抗が所望される回路パターンを金属めっきで回路導体の総厚みを１００〜３００μｍに形成した第２の回路パターンとを同一のプリント配線板内に形成することを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】  請求項１において、金属めっきで回路導体の厚みを厚くする手段として、同一の金属めっきを数回に分けて行なうことにより第２の回路パターンを形成し、３種類以上の回路導体の厚みの異なる回路パターンを同一のプリント配線板内に有していることを特徴とするプリント配線板。」
　
周知例５：特開平４−３０２４９７号公報
（周５ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】仮基板上に布線用接着剤層を設け、絶縁被覆電線を布線用接着剤層上に布線し所定の配線パターンを形成し、表面に第一の無電解めっき層を形成し、第一の無電解めっき層の面を絶縁基板に面するようにして仮基板と絶縁基板とを積層一体化し、仮基板、布線用接着剤層を除去し、第一の無電解めっき層の面に第二の無電解めっき層を形成し第一及び第二の無電解めっき層により絶縁被覆電線を層内に埋め込む平面状の導体層を形成することを含むことを特徴とする配線板の製造法。」
（周５ｂ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の配線パターンに絶縁被覆電線を使用した配線板の製造法に関する。」
（周５ｃ）「【０００９】・・・平面状の導体層の形成は、無電解めっきに電気めっきを併用しても良い。また複数回めっきをするようにしても良い。めっきの金属も同種のものでも異種のものでも良い。・・・」
　
周知例６：特開平１０−１０７３９５号公報
（周６ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  導体の化合物からなるセラミック基板（１）と、このセラミック基板（１）の表面に形成された回路パターンとを有する回路基板において、前記回路パターンが、所定のパターンに従ってセラミック基板（１）を還元することにより析出した導体からなる表面パターン（２）と、この表面パターン（２）の上に形成されたメッキ膜からなるメッキ膜パターン（３）とにより形成されていることを特徴とする回路基板。」
（周６ｂ）「【００１６】・・・セラミック基板１をメッキ浴に入れ、前記表面パターン２の上にメッキを施す。これにより、図１（ｃ）及び図２（ｃ）に示すように、前記表面パターン２の上にメッキ膜からなるメッキ膜パターン３が形成される。回路パターンは、これら表面パターン２とメッキ膜パターン３とにより構成され、これにより回路部品を搭載してない前の状態の回路基板が完成する。
【００１７】このメッキは無電解メッキ法でも電解メッキ法でも、何れであってもよい。例えば、無電解メッキを行うときは、金、銅、ニッケル等のメッキ浴により、温度６０〜９０℃にて２〜３時間のメッキ処理を行う。これにより、膜厚１０〜１５μｍのメッキ膜パターン３が形成される。・・・
【００１８】メッキ膜パターン３は、複数回のメッキにより形成してもよい。・・・」
　
　そうすると、刊行物１記載発明においても、耐食性をさらに向上させることは当然の課題であり、めっきを複数回行うことによりピンホールが防止され、耐食性が向上することが周知であり、さらに、刊行物１記載発明と同様の技術分野である配線基板の製造において、めっきを複数回行うことも周知であるから、刊行物１記載発明において、中間熱処理の前後の各々の銅めっきについて、「めっき液に前記基板を浸漬し、前記基板をめっき液から引き上げることを繰り返し行って」銅めっきを行うことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
　そして、本願発明１による効果も刊行物１の記載及び上記周知技術から予測できる程度のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　
　従って、本願発明１は、刊行物１に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。