【事件の表示】
　特願２００３−３１４０５７「窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月１３日出願公開、特開２００４−１４０３３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成１５年　９月　５日
　（優先権主張　　　　　　平成１４年　９月２５日）
　拒絶理由通知書発送　　　平成１７年１２月　６日
　意見書提出　　　　　　　平成１８年　２月　６日
　拒絶査定謄本送達　　　　平成１８年　４月　４日
　審判請求　　　　　　　　平成１８年　５月　８日
　手続補正書提出　　　　　平成１８年　６月　７日
　
II．平成１８年６月７日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１８年６月７日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成１８年６月７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有し、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を有することを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。
【請求項２】ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法であって、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を前記デバイスに形成することを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法。」
を　
「【請求項１】ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有し、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶及びインジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を有し、前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、前記インジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度に比べて１００度程度高くしたことを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。
【請求項２】前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、５４０〜６２０℃としたことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。
【請求項３】ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有し、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を有し、前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、５４０〜６２０℃としたことを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。
【請求項４】ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法であって、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶となる結晶及びインジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を前記デバイスに形成し、前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、前記インジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度に比べて１００度程度高くすることを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法。
【請求項５】前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、５４０〜６２０℃とすることを特徴とする請求項４記載の窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法。
【請求項６】ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法であって、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶となる結晶を前記デバイスに形成し、前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、５４０〜６２０℃とすることを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスの製造方法。」
と補正することを含むものである。
　
２．本件補正を却下すべき理由１ 
（１）本件補正後の請求項２、３、５及び６には、「前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、５４０〜６２０℃とした」ことが記載されているが、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスを製造する際の上記成膜温度の下限値、上限値をそれぞれ「５４０℃」、「６２０℃」と設定することについての記載はない。
　当初明細書等の図４には、ＩｎＮの成膜速度の温度依存性が示されているが、図４が、成膜温度の下限値および上限値をそれぞれ、「５４０℃」、「６２０℃」とすることの理由を示すものであるとは認められない。
（２）本件補正後の請求項１には、窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスが「窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶」及び「インジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶」を有する旨記載されているが、この点についての記載は当初明細書等にない。
　したがって、当然に請求項１の「前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、前記インジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度に比べて１００度程度高くした」点も当初明細書等に記載がない。
　同様に、本件補正後の請求項４の「窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶となる結晶及びインジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を前記デバイスに形成し」との事項及び「前記窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度を、前記インジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶の成膜温度に比べて１００度程度高くする」との事項も当初明細書等に記載がない。
　当初明細書等の図４及び段落【００１０】には、成膜温度とＩｎＮの成膜速度に関して記載されているが、この記載は、単にＮ極性のＩｎＮがＩｎ極性のＩｎＮよりも１００度程度高い温度まで成膜可能であることを一般的な特性として示すだけであって、窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス中の「窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶」の成膜温度を、同じ窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス中の「インジウム極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶」の成膜温度に比べて１００度程度高くすることを記載するものではない。　
（３）以上（１）及び（２）で指摘したとおり、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものとはいえない。
 　 
３．本件補正を却下すべき理由２
　本件補正は、請求項の数を２から６に増加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 　
　　
III．本願発明について
１．本願発明
　上記のとおり、平成１８年６月７日付け手続補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１は、次のとおりである。
「ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有し、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を有することを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．本願発明が特許を受けることができない理由１
（１）先願明細書等１
　本願の優先権主張日前の平成１４年６月１２日の特許出願であって、本願出願とは発明者及び出願人が異なり、本願出願後に出願公開がされた特願２００２−１７１１３７号（特開２００４−２２５６３号）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「先願明細書等１」という。）には次の記載がある（下線は、当審で付与したものである。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、Ｇａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層の成膜方法に関し、更に詳細には優れた光学的特性を備え、かつバンドギャップエネルギーが正確に特定できるＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層の成膜方法に関するものである。」
「【０００５】
【課題を解決するための手段】
　本発明者は、結晶性及び光学的特性に優れたＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層をエピタキシャル成長させる方法を確立するために、種々の実験を行った結果、ＭＢＥ法によりサファイア基板上に成長温度２００℃から４５０℃の範囲で窒素プラズマ及びＩｎ金属の分子線ビームを照射することにより、約７０ｎｍ／時間の成長速度で厚さ３０ｎｍ程度のＩｎＮ層を低温成長バッファ層として設けて表面の極性を窒素極性に制御する。次いで窒素プラズマ及びＩｎ金属の分子線ビームの照射をシャッタの閉止により停止して５５０℃の温度でアニーリングすることにより、低温ＩｎＮバッファ層の表面を原子層オーダで平坦化する。
　次いで、アニール処理した低温ＩｎＮバッファ層上に５５０℃でＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層をＭＢＥ法により成長させることにより、本発明で規定した算出式でＩｎｘ　Ｎ混晶半導体のバンドギャップエピタキシャルＥＧａＩｎＮ　を特定できる良好な結晶性及び優れた光学的特性を有するＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層を形成できることを見い出した。」
「【００１５】
　上述の実験では、窒素プラズマを用いて低温ＩｎＮバッファ層を低成長速度で成長させることにより、低温ＩｎＮバッファ層の表面極性を窒素極性に制御し、続くアニール処理により表面の平坦化を行うことにより、Ｉｎ組成Ｘが大きく、結晶性の良好なＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体、或いはＩｎＮ層をエピタキシャル成長させることができた。
　サファイア基板上に直接ＩｎＮ層又はＧａＩｎＮ層を成長させたとき、その極性は、通常、３族元素、例えばＧａ、Ｉｎ等の極性になり易い。表面極性が３族元素の極性を有している場合、高いＩｎ組成のＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層又はＩｎＮ層をエピタキシャル成長させる際には、蒸気圧の高いＩｎを多く取り込むために、低い成長温度でＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体層又はＩｎＮ層を成長させることが必要になる。
　この結果、Ｇａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体又はＩｎＮの結晶性が低下する。
【００１６】
　本実験のように窒素プラズマを用いて低成長速度で低温ＩｎＮバッファ層を成長させ、
低温ＩｎＮバッファ層上にＧａ
１−ｘ
　Ｉｎ
ｘ
　Ｎ混晶半導体又はＩｎＮ層を成長させ、その表面を窒素極性にすることにより、高温でのエピタキシャル成長が可能となり、Ｉｎ組成が高く、かつ結晶性の良好なＧａ
１−ｘ
　Ｉｎ
ｘ
　Ｎ混晶半導体又はＩｎＮを成長させることができる。
　また、低温ＩｎＮバッファ層をアニール処理することにより、表面を平坦化し、続いて成長させるＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体又はＩｎＮ層との界面に発生する結晶欠陥を抑制することができる。
　本実験では、窒素プラズマを用いて低温バッファ層を成長させているが、その理由は、低温バッファ層が成長するような低温でも効率的に成長に寄与できる原子状の活性窒素を供給するためである。ＭＯＣＶＤ法で使われる窒素源であるアンモニア（ＮＨ３　）は、５００℃以下のような低温では、分解効率が著しく低下するために、ＭＯＣＶＤ法を用いることができない。」
「【００２６】
【発明の効果】
　本発明方法によれば、基板上に窒素プラズマを用いて低成長速度で低温ＩｎＮバッファ層を成長させることで、その表面を窒素極性にすることができ、アニール処理を施して表面を平坦化した後、ＧａＩｎＮ層を成長させることにより、本発明方法で特定したバンドギャップエネルギーを有する、優れた光学的特性のＧａＩｎＮ層を成膜することができる。
　
本発明方法により成膜したＧａＩｎＮ層を発光層に用いることにより、３６０ｎｍから１．５９μｍまでの広い波長領域をカバーする半導体発光素子を実現することができる。
　また、
本発明方法によって成膜したＧａＩｎＮ層を電界効果トランジスタのチャネル層に用いることによりバリア層とのバンドギャップエネルギー差を大きくとることができるので、電流増幅率の高い電子デバイスを実現することができる。
　
（２）判断
　先願明細書等１の段落【００２６】には、先願明細書等１に記載の発明方法により成膜したＧａＩｎＮ層を発光層に用いた半導体発光素子及び先願明細書等１に記載の発明方法により成膜したＧａＩｎＮ層をチャネル層に用いた電子デバイスが記載されており、これらの半導体発光素子や電子デバイスが窒化物系ヘテロ構造を有するデバイスであることは、当業者に明らかである。
　そして、この先願明細書等１に記載の発明方法により成膜したＧａＩｎＮ層は、その段落【００１６】に記載されているように、表面が窒素極性とされた、Ｉｎ組成が高く、かつ結晶性の良好なＧａ１−ｘ　Ｉｎｘ　Ｎ混晶半導体又はＩｎＮである。
　してみれば、先願明細書等１には、「ＩｎＮそれ自体又はＩｎＮを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有し、窒素極性表面となる結晶を有する窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。」の発明が記載されているものと認められ、これは、本願発明と格別異なるものではない。
　したがって、本願発明は、先願明細書等１に記載された発明と同一である。　
　
３．本願発明が特許を受けることができない理由２
（１）先願明細書等２
　本願の優先権主張日前の平成１４年９月１７日を優先権主張日とする特許出願であって、本願出願とは発明者及び出願人が異なり、本願出願後に出願公開がされた特願２００３−３２１５８０号（特開２００４−１３３４３７号）が優先権主張の基礎とする特願２００２−２６９７２９号の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「先願明細書等２」という。）には次の記載がある（下線は、当審で付与したものである。また、これらの記載内容は、上記特開２００４−１３３４３７号公報にも記載されている。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、例えば、伝送媒体にガラスファイバを用いた波長１．３〜１．５μｍ帯の光通信に用いられる光導波路型の半導体光変調器及び光変調器付きレーザに関する。」
「【００１４】
【課題を解決するための手段】
　
本発明に係る半導体光変調器は、基板上に形成された第１導電形の下部クラッド層と、この下部クラッド層の上に形成され、量子井戸層及び障壁層から構成された多重量子井戸構造の光吸収層と、この光吸収層上に形成された第２導電形の上部クラッド層とを少なくとも備え、量子井戸層は、Ｉｎ
1-X-Y
Ｇａ
X
Ａｌ
Y
Ｎ（０≦Ｘ，Ｙ≦１，０≦Ｘ＋Ｙ≦１）から構成され、障壁層は、Ｉｎ
1-X'-Y'
Ｇａ
X'
Ａｌ
Y'
Ｎ（０≦Ｘ’，Ｙ’≦１，０≦Ｘ’＋Ｙ’≦１）から構成され、下部クラッド層，光吸収層，及び上部クラッド層により光導波路が構成されているものである。
　この半導体光変調器では、光吸収層を構成している多重量子井戸構造において自然分極が発生し、バイアス電圧を印加しない状態であっても光吸収層において電界が発生し、光吸収層を構成している量子井戸層のバンドが傾いている。
【００１５】
　
上記半導体光変調器において、例えば、量子井戸層は、ＩｎＮの結晶から構成され
「【００５５】
　ここで、上述した多重量子井戸構造（光吸収層１０５）におけるバンド構造と分極効果において重要となる結晶の極性について述べる。光吸収層１０５を構成する障壁層１５１のＧａＮは、単結晶基板１０１の方向から、窒素原子，ガリウム原子，窒素原子，ガリウム原子の順、すなわち、Ｖ族原子，ＩＩＩ族原子，Ｖ族原子，ＩＩＩ族原子の順に成長する。この原子の積層順は、一般に＋（プラス）極性と呼ばれている。
【００５６】
　ＭＯＶＰＥやＭＢＥなどの結晶成長方法では、良質の結晶が得られるときは、上記極性での成長が支配的である。結晶成長を開始した時点で＋極性と逆方向の−（マイナス）極性と＋極性が混在していても、良質な結晶が得られる成長条件では、＋極性の成長モードが支配的であり、ある程度の膜厚に成長すると全て＋極性となる。＋極性で結晶を成長させた場合、多重量子井戸構造のバンド構造は、図２に示すようになる。
なお、基板を選択することで、−極性で各結晶層を成長することもでき、この場合、バンド構造の勾配が図２に示す状態とは逆になる。
　
（２）判断
　先願明細書等２に記載される半導体光変調器が本願発明と同様に「窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス」であることは明らかである。
　また、上記半導体光変調器が備える量子井戸層は、段落【００１５】に記載されているように、ＩｎＮの結晶から構成されているから、この半導体光変調器が本願発明と同様に「ＩｎＮそれ自体」をその構造として有するものであることも明らかである。
　さらに、先願明細書等２には、この半導体光変調器について、段落【００５６】に「−極性で各結晶層を成長することもでき」ると記載されており、ここで、「−極性」とは本願発明でいう「窒素極性」のことに外ならないから、先願明細書等２の半導体光変調器において、各結晶層を−極性で成長させたものは、本願発明と同じく、窒素極性表面となる結晶を有していることになる。
　してみれば、先願明細書等２記載の半導体光変調器において、各結晶層を−極性で成長させたものと本願発明の間に格別相違するところはなく、本願発明は、先願明細書等２に記載された発明と同一である。　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記先願明細書等１に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　また、上記先願明細書等２に記載された発明については、特許法第４１条第３項の規定により特許法第２９条の２の規定が適用されるところ、本願発明は、上記先願明細書等２に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。