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　平成　７年特許願第１８９３３７号「３−５族化合物半導体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月　７日出願公開、特開平　９−　３６４２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成　７年　７月２５日
　拒絶理由通知書送付　　　平成１５年　６月　３日
　意見書・手続補正書提出　平成１５年　７月３１日
　拒絶査定送付　　　　　　平成１７年　１月１１日
　審判請求　　　　　　　　平成１７年　２月　９日
　手続補正書提出　　　　　平成１７年　３月　９日
　当該補正の却下の決定　　平成１９年　７月２４日
　拒絶理由通知書送付　　　平成１９年　７月３１日
　意見書提出　　　　　　　平成１９年１０月　１日
　
　以上のとおり、平成１７年３月９日付け手続補正は、平成１９年７月２４日付けで却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年７月３１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される３−５族化合物半導体の第１の層を気相成長し、次に一般式ＩｎuＧａvＡｌwＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の層を気相成長して３−５族化合物半導体を製造する方法において、第１の層を成長した後、第２の層の成長前に３族原料を供給しないで、不活性ガスから選ばれる少なくとも１種のキャリアガスと５族原料を供給する工程を有することを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法。」
　
２．引用刊行物
（１）刊行物１
　当審の拒絶理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−２６８２５７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の記載がある。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子に関する。」
「【０００４】【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子はＭＩＳ構造、ｐ−ｎ接合両面から研究が進められているが、例えばＧａＮのｐ−ｎ接合を用いたホモ構造の発光素子でも発光出力は数μＷ〜数十μＷでしかなく、実用化するには未だ不十分であった。従って本発明はこのような事情を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光出力をさらに向上させることにある。
【０００５】【課題を解決するための手段】我々は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子をｐ−ｎ接合を用いたダブルヘテロ構造とし、さらに、その発光層を特定の膜厚の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた多層膜構造とすることにより上記問題が解決できることを見いだした。即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であることを特徴とする。」
「【０００８】ＩｎXＧａ1-XＮ層は、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層を交互に積層した多層膜層構造とし、その多層膜を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲に調整する必要がある。X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ層を交互に積層することにより、多層膜が量子井戸構造となり、発光出力を増大させると共に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体および、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体との格子定数不整を緩和することができる。また、多層膜とせず単一のＩｎＧａＮ層で形成したものよりも、結晶中の格子欠陥が少なくなり、結晶性が向上する。さらに、ＩｎXＧａ1-XＮ層の膜厚を５オングストローム〜５０オングストロームの範囲に調整することにより、発光出力を向上させることができる。なぜなら、この範囲に膜厚を調整することにより、多層膜を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の格子欠陥を少なくすることができ、結晶性が向上するため、発光出力が増大する。ＩｎXＧａ1-XＮ層の膜厚は、例えばＭＯＣＶＤ法を用いた成長方法であると、原料ガスであるＧａ源の流量を調整したり、また成長時間を調整することにより調整可能である。また、ＩｎXＧａ1-XＮ層の組成比は原料ガスであるＩｎ源のガス流量、または成長温度を調整することにより調整可能である。さらに、ＩｎXＧａ1-XＮ層にｎ型ドーパント、ｐ型ドーパントをドープして成長させてもよいことはいうまでもない。」
「【００１０】【作用】例えば、ｎ型ＧａＮ層と、膜厚１００オングストロームのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層と、ｐ型ＧａＮ層とを順に積層したダブルヘテロ構造の発光素子の場合、ＧａＮの格子定数はおよそ３．１９オングストローム、ＩｎＮの格子定数はおよそ３．５４オングストロームであり、この構造の発光素子では、ＧａＮ層とＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層との界面の格子定数不整が２．２％近くもある。このため、ＧａＮ層とＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層との界面でミスフィットによる格子欠陥が発生し、発光層であるＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層の結晶性が悪くなるため、発光出力が低下する原因となる。
【００１１】しかしここで、本発明のようにＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を、例えば井戸層として膜厚２０オングストロームのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層３層と、障壁層として膜厚２０オングストロームのＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層２層とを交互に積層し、発光層の総膜厚１００オングストロームの量子井戸構造の多層膜とした場合（つまり、ｎ型ＧａＮ層＋井戸層＋障壁層＋井戸層＋障壁層＋井戸層＋ｐ型ＧａＮ層の発光素子構造）、発光層であるＩｎXＧａ1-XＮ層は平均の組成としてＩｎ0.12Ｇａ0.88Ｎ層となり、ＧａＮ層との界面の格子定数不整は約１．３％となり緩和される。しかも、井戸層であるＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層のところで発光するため、発光波長はほとんど変わらない。したがって、多層膜全体を一つの発光層とした場合に、格子定数不整が緩和されるため、その分、発光層の結晶性が向上し、全体として格子欠陥の少ないＩｎＧａＮ層を発光層とできるため、発光出力が増大する。」
「【００１３】【実施例】以下有機金属気相成長法により、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法を述べる。
【００１４】［実施例１］サファイア基板１を反応容器内に配置し、サファイア基板１のクリーニングを行った後、成長温度を５１０℃にセットし、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００１５】バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧとアンモニアガス、ドーパントガスにシランガスを用い、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層４を４μｍ成長させる。
【００１６】ｎ型ＧａＮ層４成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニアを用い、井戸層としてＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を２０オングストローム成長させる。次に、ＴＭＩの流量を１／５に減らすことにより、障壁層としてＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’を２０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を繰り返し、各２０オングストロームの膜厚で第１にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４、第２にＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’、第３にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４、第４にＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’、第５にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を交互に積層した総膜厚１００オングストロームの多層膜を成長する。
【００１７】次に、原料ガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴＭＧとアンモニア、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを用い、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層５を０．８μｍ成長させる。
【００１８】ｐ型ＧａＮ層５成長後、基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００℃で２０分間アニーリングを行い、最上層のｐ型ＧａＮ層をさらに低抵抗化する。以上のようにして得られた発光素子の構造を示す断面図を図１に示す。
【００１９】以上のようにして得られたウエハーのｐ型ＧａＮ層５と多層膜層の一部をエッチングにより取り除き、ｎ型ＧａＮ層３を露出させ、ｐ型ＧａＮ層と、ｎ型ＧａＮ層とにオーミック電極を設け、５００μｍ角のチップにカットした後、常法に従い発光ダイオードとしたところ、発光出力は２０ｍＡにおいて８００μＷ、発光波長４１０ｎｍと、十分実用レベルに達していた。」
　
　上記記載、特に
「【００１１】しかしここで、本発明のようにＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を、例えば井戸層として膜厚２０オングストロームのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層３層と、障壁層として膜厚２０オングストロームのＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層２層とを交互に積層し、発光層の総膜厚１００オングストロームの
量子井戸構造
「【００１３】【実施例】以下
有機金属気相成長法により
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法
「【００１６】ｎ型ＧａＮ層４成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、
キャリアガスを窒素に切り替え
原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニア
井戸層としてＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ層４
障壁層としてＩｎ
0.04
Ｇａ
0.96
Ｎ層４’
「キャリアガスを窒素とし、原料ガスとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニアを用い、井戸層としてＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を２０オングストローム成長させ、次に、ＴＭＩの流量を１／５に減らすことにより、障壁層としてＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’を２０オングストロームの膜厚で成長させる工程を有する有機金属気相成長法により井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
（刊行物２）
　同じく当審の拒絶理由に引用された、本願出願より前の平成７年４月７日に頒布された刊行物である特開平７−９４４３０号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の記載がある。
「【請求項１】井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、
井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする化合物半導体層の成長方法。」
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体のエピタキシャル成長方法、特に、発光素子あるいは受光素子等に適用し得る、単一量子井戸（ＳＱＷ，Single Quantum Well）構造あるいは多重量子井戸（ＭＱＷ，Multiple Quantum Well）構造のような規則的多層結晶層構造を有する化合物半導体層のエピタキシャル成長方法に関する。」
「【００２９】従って、本発明の第１の目的は、量子井戸構造を有する化合物半導体層の結晶成長において、限りなく急峻で平坦な界面を得ることができる化合物半導体成長方法を提供することにある。
【００３０】更に、本発明の第２の目的は、例えば選択ドーピングヘテロ構造を有する化合物半導体薄膜積層構造の結晶成長において、限りなく急峻で平坦な界面を得ることができる化合物半導体成長方法を提供することにある。
【００３１】【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成するための本発明の化合物半導体層の成長方法は、井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする。」
「【００３６】【作用】本発明の化合物半導体層の成長方法においては、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させる。これによって、井戸層の表面の平坦化が改善され、安定した光学特性を有する化合物半導体層を得ることができる。」
「【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【００４０】（実施例１）実施例１は、本発明の化合物半導体層の成長方法、及び本発明の第２の態様に係る化合物半導体薄膜積層構造の形成方法に関する。図３に、実施例１を実施するのに必要な化合物半導体成長装置であるＭＯＣＶＤ装置を示す。有機金属原料１０と水素化物ガス原料１２はキャリアガス精製装置１４から供給されるキャリアガスにより反応器１６に導入される。これによって、化合物半導体層が、加熱されたサセプタ１８上に保持された半導体基板２０上で成長する。尚、参照番号２２はマスフローコントローラであり、黒丸は閉状態のバルブを示し、白丸は開状態のバルブを示す。
【００４１】このようなＭＯＣＶＤ装置を用いて、本発明の化合物半導体層の成長方法あるいは本発明の第２の態様に係る化合物半導体薄膜積層構造の形成方法を実施することにより、例えば、Ｇａ1-xＩｎxＡｓ／ＧａＡｓから成る量子井戸構造を有する規則的多層結晶層をエピタキシャル成長させることができる。以下、図１及び図２を参照して、実施例１の化合物半導体層の成長方法を説明する。尚、図１に、原料ガスの供給の様子を示す結晶層成長シーケンスを示す。また、図２に、或る時間における結晶層の状態を模式的に示す。結晶層成長シーケンスに於いて、「ＯＮ」は反応器内に原料ガスが供給されている状態であり、「ＯＦＦ」は反応器内への原料ガスの供給が中断されている状態である。
【００４２】［工程−１００］先ず、反応器１６内に保持された例えばＧａＡｓから成る化合物半導体基板２０を結晶成長開始直前まで加熱した状態で保持しておく。Ｖ族原料、例えばＡｓＨ3を反応器１６内に供給し続けておく。その理由は、Ｖ族原料は飽和蒸気圧が高く、Ｖ族原料を反応器１６内に供給し続けておかないと、形成された結晶層の表面からＶ族元素が蒸発してしまうからである。
【００４３】［工程−１１０］次いで、結晶成長を開始させる。即ち、反応器１６内に、ガリウム原料として例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を供給する。これによって、化合物半導体基板２０上にＧａＡｓ層３０の成長が開始する。このＧａＡｓ層３０は、化合物半導体基板２０が素子の能動層となる結晶層（井戸層）へ与える悪影響を極力緩和する目的で形成されるバッファ層の役割を有し、且つ、実施例１においては、井戸層に対する障壁層としての役割も兼ねている。この工程の最終段階における結晶層の状態を図２の（Ａ）に模式的に示す。
【００４４】［工程−１２０］その後、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を供給し続けると共に、更にインジウムの原料として例えばトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を供給する。即ち、井戸層を形成するための原料は、障壁層を形成するための原料（この場合、Ｇａ及びＡｓ）に、バンドギャップが狭くなるような材料（この場合Ｉｎ）を加えて成る。これによって、反応器１６内にはガリウムとインジウム原料が供給され、Ｇａ1-xＩｎxＡｓ層３２がＧａＡｓ層３０上に連続して成長する。このＧａ1-xＩｎxＡｓ層３２が井戸層となる。この工程の最終段階における結晶層の状態を図２の（Ｂ）に模式的に示す。この時点においては、Ｇａ1-xＩｎxＡｓ層３２の表面の平坦性は余り良くない。
【００４５】［工程−１３０］次に、意図的にトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とトリメチルインジウム（ＴＭＩ）の反応器１６への供給を中断することによって、一定期間（成長中断時間ｔinterruption）の間、結晶成長を中断する。この際のＴＭＧとＴＭＩの成長中断時間ｔinterruptionは、ｔmin以上ｔmax以下とする。この工程の最終段階における結晶層の状態を図２の（Ｃ）に模式的に示す。
【００４６】成長中断時間ｔinterruptionの経過後、再度トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の反応器１６への供給を再開することによりＧａＡｓ層の結晶成長を再開し、障壁層３０Ａを形成する。即ち、Ｇａ1-xＩｎxＡｓ層３２を［工程−１２０］においてエピタキシャル成長させた後、ＡｌyＧａ1-yＡｓ層（実施例１においてはｙ＝０、即ちＧａＡｓ層）３０Ａを形成するための原料の一部の供給を［工程−１３０］において中断して、一定期間（成長中断時間ｔinterruption）の間、ＡｌyＧａ1-yＡｓ層３２（但し、ｙ＝０）のエピタキシャル成長を停止させる。
【００４７】このように、［工程−１１０］〜［工程−１３０］を所望の回数だけ繰り返し、Ｇａ1-xＩｎxＡｓ層（井戸層）／ＧａＡｓ（障壁層）の規則的多層結晶層構造を形成する。第２回目の［工程−１１０］及び［工程−１２０］の最終段階における結晶層の状態を図２の（Ｄ）及び（Ｅ）に模式的に示す。
【００４８】［工程−１３０］において原料ガスの一部の化合物半導体基板への供給を中断することによって、井戸層最表面付近に存在する不安定要因（急峻性及び平坦性の不良）が取り除かれる。その結果、良好なヘテロ界面が形成される。尚、結晶層の状態を模式的に示す図２において、黒点は急峻性及び平坦性の不良状態を表わす。」
「【００７２】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。井戸層のバンドギャップを、障壁層のバンドギャップよりも狭くするために、障壁層をＡｌyＧａ1-yＡｓから構成し、井戸層をＧａ1-xＩｎxＡｓから構成することもできる。あるいは又、障壁層をＧａＰから構成し、井戸層をＧａ1-xＩｎxＰから構成することもできる。この場合、水素化物としてホスフィンを用いる。また、井戸層は１層であっても複数層でもよい。ＧａＩｎＰ等から成るショットキ層を形成することもできる。」
　
３．対比・判断
　本願発明と刊行物１発明を対比するに、刊行物１発明は、有機金属気相成長法により窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法の発明であるから、本願発明と同じく気相成長による３−５族化合物半導体の製造方法の発明であって、刊行物１発明の「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４」及び「Ｉｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’」がそれぞれ本願発明の「一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される３−５族化合物半導体の第１の層」及び「一般式ＩｎuＧａvＡｌwＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の層」に相当する。
　また、刊行物１発明のキャリアガスは、窒素であって、本願発明の「不活性ガス」に相当するから、両者はともに、
「一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される３−５族化合物半導体の第１の層を気相成長し、次に一般式ＩｎuＧａvＡｌwＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の層を気相成長する３−５族化合物半導体の製造方法。」の発明である点で一致する。
　
　一方、本願発明は、「第１の層を成長した後、第２の層の成長前に３族原料を供給しないで、不活性ガスから選ばれる少なくとも１種のキャリアガスと５族原料を供給する工程を有する」のに対し、刊行物１発明は、この工程を有していない点で相違する。
　
　この点について検討するに、刊行物２の【請求項１】に記載されるように「井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法において、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする化合物半導体層の成長方法。」の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が本願出願当時に知られているから、井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる発明である刊行物１発明に、当該刊行物２発明を適用することは当業者が容易に想到し得ることであり、刊行物２発明において、供給を中断する原料の一部とは、実際には刊行物２の段落【００４５】に記載されるように、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とトリメチルインジウム（ＴＭＩ）であるから、刊行物１発明に刊行物２発明を適用した場合にも、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＴＭＩ（トリメチルインジウム）の供給を停止することが当然に想到されるところであり、このとき、障壁層のエピタキシャル成長を停止させる一定期間の間に供給されるガスは、キャリアガスの窒素と５族原料のアンモニアとなる。
　そして、この窒素とアンモニアは、本願発明の上記相違点に係る「不活性ガスから選ばれる少なくとも１種のキャリアガスと５族原料」に外ならないから、上記相違点に係る事項は、刊行物１発明に刊行物２発明を適用することにより、当業者が容易に実現しうるものである。
　
　刊行物１発明に刊行物２発明を適用することについて、請求人は、「刊行物２は、全体として、いわゆるＧａＡｓ系３−５族化合物半導体という特定の半導体に関するもの」であり、「参考文献に記載のとおり、本願出願時において、窒化物半導体の成長は、これまでのＶ族がリン、ヒ素およびアンチモン系半導体の成長と比べて、かなり特異な成長系であることが知られていましたから、当業者であれば、ＧａＡｓ系３−５族化合物半導体に関する刊行物２の記載を、窒化物半導体の成長に関する刊行物１の記載に結び付けようとはいたしません。」と主張する。
　この点について検討するに、刊行物２の段落【００７２】には、「障壁層をＧａＰから構成し、井戸層をＧａ1-xＩｎxＰから構成することもできる。」と記載されているように、刊行物２発明がＧａＡｓ系３−５族化合物半導体に限られるものでないことは明らかであり、また、そもそも、刊行物２発明は、「井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層」についての発明であって、材料を特定するものではなく、段落【０００１】に「【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体のエピタキシャル成長方法、特に、発光素子あるいは受光素子等に適用し得る、単一量子井戸（ＳＱＷ，Single Quantum Well）構造あるいは多重量子井戸（ＭＱＷ，Multiple Quantum Well）構造のような規則的多層結晶層構造を有する化合物半導体層のエピタキシャル成長方法に関する。」と記載されるものであり、「井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする」ものであるから、同じく、有機金属気相成長法により井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法の発明である刊行物１発明において、その井戸層と障壁層の成長に対し刊行物２発明の適用を試みる理由はありこそすれ、適用しないとする理由はない。
　そして、刊行物２発明の作用効果は、その段落【００３６】に「【作用】本発明の化合物半導体層の成長方法においては、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させる。これによって、井戸層の表面の平坦化が改善され、安定した光学特性を有する化合物半導体層を得ることができる。」と記載されるものであるから、刊行物１発明に刊行物２発明を適用した場合に、刊行物１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子においても、井戸層の表面の平坦化が改善され、安定した光学特性を有するＧａＮ系３−５族化合物半導体層を期待できるであろうことは当業者に明らかであり、本願発明が奏するとする効果についても、上記刊行物１及び２から当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
　なお、本願発明の効果について、請求人は、試料１ないし３の実験成績証明書を提出して、試料１の蛍光強度が試料２や３に比べて大きいことを根拠に「本願発明は、刊行物１、２からは全く予想し得ない効果を奏する」旨の主張をしているが、試料１ないし３は、それぞれの成長中断時に供給するガスを、窒素とアンモニア、窒素とアンモニアと水素、窒素のみとするものであるところ、刊行物１発明に刊行物２発明を適用した場合、成長中断時に供給されるガスは、上述のとおり、キャリアガスの窒素と５族原料のアンモニアとなるのであって、これは、実験成績証明書の試料１の製造工程に相当するものであり、試料２や試料３の製造工程とは異なるから、試料１の蛍光強度が試料２や３の蛍光強度より大きいことをもって、本願発明が刊行物１、２からは全く予想し得ない効果を奏するということはできない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された発明を適用することにより当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、審決のとおり結論する。