(57)【要約】  本開示の一側面によると、チップ抵抗器が提供される。前記チップ抵抗器においては、上面電極は、基板の主面に配置されている。抵抗体は、前記主面に配置され、かつ前記上面電極に導通する。保護層は、前記抵抗体を覆う。保護電極は、前記上面電極に導通する。側面電極は、側部、頂部および底部を有し、かつ前記上面電極に導通する。前記側面電極は、前記側部が前記側面に配置され、平面視において前記頂部および前記底部が前記主面および前記裏面にそれぞれ重なる。中間電極は、前記保護電極および前記側面電極を覆う。外部電極は、前記中間電極を覆う。前記保護電極が前記上面電極および前記保護層の双方に接し、かつ前記上面電極および前記保護層の各々の一部を覆っている。
2018123419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向おいて互いに離間した主面および裏面と、前記主面と前記裏面との間に位置する側面と、を有する基板と、
前記主面に配置された上面電極と、
前記主面に配置され、かつ前記上面電極に導通する抵抗体と、
前記抵抗体を覆う保護層と、
前記上面電極に導通する保護電極と、
側部、頂部および底部を有し、かつ前記上面電極に導通する側面電極であって、前記側部が前記側面に配置され、平面視において前記頂部および前記底部が前記主面および前記裏面にそれぞれ重なる側面電極と、
前記保護電極および前記側面電極を覆う中間電極と、
前記中間電極を覆う外部電極と、を備え、
前記保護電極が前記上面電極および前記保護層の双方に接し、かつ前記上面電極および前記保護層の各々の一部を覆っている、チップ抵抗器。
【請求項２】
前記保護電極は、平面視において前記基板の前記側面に並行する第１端および第２端を有し、
前記第１端が前記保護層に接し、前記第２端が前記上面電極に接している、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
平面視において、前記基板の前記側面と前記保護電極の前記第２端との間に隙間が形成されている、請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記側面電極の前記頂部は、前記保護電極に接している、請求項２または３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記側面電極は、Ｎｉ―Ｃｒ合金から構成される、請求項２ないし４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
前記保護電極は、金属粒子が含有された合成樹脂から構成される、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
前記金属粒子は、Ａｇ粒子を含む、請求項６に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
前記保護電極は、薄片状の炭素粒子が含有された合成樹脂から構成される、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
前記上面電極は、Ａｇ粒子を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
前記基板の前記裏面に配置され、かつ前記側面電極に導通するとともに、導電性粒子が含有された合成樹脂を含む裏面電極をさらに備え、
前記側面電極の前記底部は、前記裏面電極に接し、
前記中間電極は、前記裏面電極を覆っている、請求項１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項１１】
前記裏面電極は、
前記基板の前記裏面に接し、かつ電気絶縁体である合成樹脂から構成される第１層と、
前記第１層に積層され、かつ導電性粒子が含有された合成樹脂から構成される第２層と、を有する、請求項１０に記載のチップ抵抗器。
【請求項１２】
前記導電性粒子は、形状が薄片状であり、かつ金属から構成される、請求項１０または１１に記載のチップ抵抗器。
【請求項１３】
前記金属は、Ａｇである、請求項１２に記載のチップ抵抗器。
【請求項１４】
前記抵抗体は、ＲｕＯ2またはＡｇ―Ｐｄ合金とガラスとを含む、請求項１ないし１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項１５】
前記抵抗体には、前記基板の厚さ方向に貫通するトリミング溝が形成されている、請求項１４に記載のチップ抵抗器。
【請求項１６】
前記保護層は、前記抵抗体に接する下部保護層と、前記下部保護層に積層された上部保護層と、を有し、
前記保護電極の一部が前記上部保護層に接している、請求項１５に記載のチップ抵抗器。
【請求項１７】
前記下部保護層は、ガラスを含む、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
【請求項１８】
前記上部保護層は、エポキシ樹脂から構成される、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
【請求項１９】
前記外部電極は、Ｓｎから構成される、請求項１ないし１８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２０】
前記中間電極は、Ｎｉから構成される、請求項１９に記載のチップ抵抗器。
【請求項２１】
前記基板は、アルミナから構成される、請求項１ないし２０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２２】
厚さ方向において互いに離間した主面および裏面を有するシート状の基材において、前記主面に接し、かつ互いに離間した２つの領域を含む上面電極を形成することと、
抵抗体を形成することであって、前記抵抗体は、前記上面電極に接する第１および第２端を有することと、
前記抵抗体を覆う保護層を形成することと、
前記上面電極および前記保護層の双方に接する保護電極を形成することと、
前記基材を複数の帯状体に分割することであって、前記複数の帯状体は各々、前記主面と前記裏面との間に位置する側面を有することと、
前記複数の帯状体いずれか１つの前記側面に接する側面電極であって、平面視において前記主面および前記裏面に重なる部分をそれぞれ有する側面電極を形成することと、
前記保護電極および前記側面電極を覆う中間電極を形成することと、
前記中間電極を覆う外部電極を形成することと、を備える、チップ抵抗器の製造方法。
【請求項２３】
前記保護電極を形成することは、印刷を用いた手法により前記保護電極を形成することを含む、請求項２２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２４】
前記側面電極を形成することは、スパッタリング法により前記側面電極を形成することを含む、請求項２２または２３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２５】
前記側面電極を形成することと、前記中間電極を形成することとの間に、前記帯状体を複数の個片に分割することをさらに備える、請求項２２ないし２４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２６】
前記中間電極を形成することおよび前記外部電極を形成することは、電解めっきにより前記中間電極および前記外部電極を形成することを含む、請求項２５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２７】
前記抵抗体を形成することの前に、前記基材の前記裏面に接し、かつ互いに離間した２つの領域から構成される裏面電極を形成することをさらに備える、請求項２２ないし２６のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２８】
前記抵抗体を形成することは、印刷を用いた手法により前記抵抗体を形成する、請求項２２ないし２７のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２９】
前記抵抗体を形成することは、前記基材の厚さ方向に貫通するトリミング溝を前記抵抗体に形成することを含む、請求項２８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３０】
前記抵抗体を形成することは、前記トリミング溝を形成することの前に、前記抵抗体に接する保護膜を形成することを含む、請求項２９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チップ抵抗器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器の電極の一部を構成する上面電極は、抵抗体に導通し、かつ基板の上面に配置された電極である。上面電極は、Ａｇ粒子を含むことが一般的である。チップ抵抗器が搭載された回路基板の周辺環境において硫化ガス（Ｈ2Ｓ、ＳＯ2など）が存在する場合、当該上面電極に含まれるＡｇ粒子は硫化ガスと化合して黒色の硫化銀（Ａｇ2Ｓ）となる。硫化銀は電気絶縁性を有するため、当該上面電極の硫化が進行するとチップ抵抗器の電極が断線するおそれがある。【０００３】
あるチップ抵抗器は、基板（絶縁基板）と、基板に配置された上面電極（上部端子電極）と、上面電極に導通する抵抗体（抵抗素子）と、抵抗体を覆う保護層（保護コーティング）と、上面電極を覆う中間電極（ニッケルめっき層）を備える。チップ抵抗器の長手方向における基板の両側面と保護層の両端部とには、スパッタリング法により金属層が形成されている。中間電極は、上面電極と、上面電極を覆い、かつ金属層が形成された保護層の端部との双方に接して形成されている。このような構成をとることによって、上面電極との境界に位置する保護層の端部が中間電極によって強固に覆われた状態となるため、硫化ガスが保護層の端部に沿って上面電極に侵入することを防ぐことができる。このため、上面電極の耐硫化性の向上を図ることが可能となる。【０００４】
ここで発明者は、あるチップ抵抗器においては、保護層の両端部に形成された金属層が形成条件によっては剥離する場合があることを発見した。保護層の端部に形成された金属層が剥離した場合、当該金属層に接して形成された中間電極も保護層の端部から剥離する。このような状態になると、硫化ガスが保護層の端部に沿って上面電極に侵入しやすくなる。したがって、保護層の両端部に形成された金属層が剥離した場合、上面電極の耐硫化性が低下することが懸念される。
【発明の概要】
【０００５】
本開示は上記事情に鑑み、耐硫化性の向上を図ったチップ抵抗器およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示の第１の側面によると、チップ抵抗器が提供される。前記チップ抵抗器は、基板と、上面電極と、抵抗体と、保護層と、保護電極と、側面電極と、中間電極と、外部電極と、を備える。前記基板は、厚さ方向おいて互いに離間した主面および裏面と、前記主面と前記裏面との間に位置する側面と、を有する。前記上面電極は、前記主面に配置されている。前記抵抗体は、前記主面に配置され、かつ前記上面電極に導通する。前記保護層は、前記抵抗体を覆う。前記保護電極は、前記上面電極に導通する。前記側面電極は、側部、頂部および底部を有し、かつ前記上面電極に導通する。前記側面電極は、前記側部が前記側面に配置され、平面視において前記頂部および前記底部が前記主面および前記裏面にそれぞれ重なる。前記中間電極は、前記保護電極および前記側面電極を覆う。前記外部電極は、前記中間電極を覆う。前記保護電極が前記上面電極および前記保護層の双方に接し、かつ前記上面電極および前記保護層の各々の一部を覆っている。
【０００７】
本開示の第２の側面によると、チップ抵抗器の製造方法が提供される。前記チップ抵抗器の製造方法は、厚さ方向において互いに離間した主面および裏面を有するシート状の基材において、前記主面に接し、かつ互いに離間した２つの領域を含む上面電極を形成することと、抵抗体を形成することであって、前記抵抗体は、前記上面電極に接する第１および第２端を有することと、前記抵抗体を覆う保護層を形成することと、前記上面電極および前記保護層の双方に接する保護電極を形成することと、前記基材を複数の帯状体に分割することであって、前記複数の帯状体は各々、前記主面と前記裏面との間に位置する側面を有することと、前記複数の帯状体いずれか１つの前記側面に接する側面電極であって、平面視において前記主面および前記裏面に重なる部分をそれぞれ有する側面電極を形成することと、前記保護電極および前記側面電極を覆う中間電極を形成することと、前記中間電極を覆う外部電極を形成することと、を備える。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（中間電極および中間電極を透過）である。
【図２】図１に示すチップ抵抗器の底面図である。
【図３】図１に示すチップ抵抗器の平面図（側面電極、中間電極および外部電極を透過）である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図４の部分拡大図である。
【図６】図１に示すチップ抵抗器の裏面電極の部分拡大断面図である。
【図７】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図８】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図９】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図１０】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図１１】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図１２】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図１３】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する平面図である。
【図１４】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する斜視図である。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。
【図１６】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する斜視図である。
【図１８】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する断面図である。
【図１９】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】本開示の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の断面図である。
【図２１】図２０の部分拡大図である。
【図２２】本開示の第３実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（中間電極および中間電極を透過）である。
【図２３】図２２に示すチップ抵抗器の平面図（側面電極、中間電極および外部電極を透過）である。
【図２４】図２２のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図２５】図２４の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。
【００１１】
〔第１実施形態〕
図１〜図６に基づき、本開示の第１実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ１０について説明する。チップ抵抗器Ａ１０は、基板１、抵抗体２、電極３および保護層４を備える。
【００１２】
図１は、チップ抵抗器Ａ１０の平面図である。図２は、チップ抵抗器Ａ１０の底面図である。図１および図２は、理解の便宜上、後述する電極３の中間電極３５および外部電極３６を透過している。図３は、図１に対しさらに後述する電極３の側面電極３４を透過した平面図である。図４は、図１のＩＶ―ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図４の部分拡大図である。図６は、チップ抵抗器Ａ１０の後述する電極３の裏面電極３２の部分拡大断面図である。
【００１３】
これらの図に示すチップ抵抗器Ａ１０は、様々な電子機器の回路基板に表面実装される形式のものである。チップ抵抗器Ａ１０は、いわゆる厚膜（メタルグレーズ皮膜）チップ抵抗器である。図１に示すように、チップ抵抗器Ａ１０の基板１の厚さ方向Ｚ視（以下「平面視」という。）の形状は矩形状である。ここで、説明の便宜上、基板１の厚さ方向Ｚに直交するチップ抵抗器Ａ１０の長辺方向を第１方向Ｘと呼ぶ。また、基板１の厚さ方向Ｚおよび第１方向Ｘの双方に直交するチップ抵抗器Ａ１０の短辺方向を第２方向Ｙと呼ぶ。
【００１４】
基板１は、図１〜図４に示すように、抵抗体２を搭載し、かつチップ抵抗器Ａ１０を回路基板に実装するための部材である。基板１の平面視の形状は矩形状である。また、基板１は電気絶縁体である。本実施形態にかかる基板１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）から構成される。チップ抵抗器Ａ１０の使用時に抵抗体２から発生した熱を外部に放熱しやすくするため、基板１は熱伝導率が高い材料から構成されることが望ましい。基板１は、主面１１、裏面１２および側面１３を有する。
【００１５】
図１〜図４に示すように、主面１１および裏面１２は、基板１の厚さ方向Ｚにおいて互いに離間した面である。主面１１は、図４に示す基板１の上面であり、かつ抵抗体２を搭載する面である。裏面１２は、図４に示す基板１の下面であり、チップ抵抗器Ａ１０を回路基板に実装したとき、当該回路基板に対向する面である。
【００１６】
図１〜図４に示すように、側面１３は、主面１１と裏面１２との間に位置する面である。本実施形態にかかる側面１３は、第１方向Ｘにおいて互いに離間した一対の面である。側面１３を覆うように電極３が配置されている。
【００１７】
抵抗体２は、図１、図３および図４に示すように、基板１の主面１１に配置され、かつ後述する電極３の上面電極３１に導通する素子である。抵抗体２は、電流を制限する、または電流を検出するなどの機能を果たす。本実施形態にかかる抵抗体２の平面視の形状は、第１方向Ｘに延出する帯状である。なお、抵抗体２の形状は、たとえばサーペンタイン状など、チップ抵抗器Ａ１０において設定される抵抗値に対応していずれの形状とすることができる。本実施形態にかかる抵抗体２は、ＲｕＯ2またはＡｇ−Ｐｄ合金とガラスとを含む。
【００１８】
図１、図３および図４に示すように、抵抗体２には、基板１の厚さ方向Ｚに貫通するトリミング溝２１が形成されている。本実施形態にかかるトリミング溝２１は、第１方向Ｘに並行する抵抗体２の端部が開口し、かつ平面視の形状がＬ字状となるように形成されている。
【００１９】
電極３は、図１〜図５に示すように、抵抗体２と導通し、かつチップ抵抗器Ａ１０を回路基板に実装するための導電部材である。本実施形態にかかる電極３は、第１方向Ｘにおいて互いに離間し、かつ抵抗体２を挟んだ両側に配置された一対の部材から構成される。本実施形態にかかる電極３は、上面電極３１、裏面電極３２、保護電極３３、側面電極３４、中間電極３５および外部電極３６を含む。
【００２０】
図１および図３〜図５に示すように、上面電極３１は、基板１の主面１１に接して配置された電極３の一部である。上面電極３１は、第１方向Ｘにおいて互いに離間した一対の部材から構成される。上面電極３１の一部が抵抗体２に接しているため、上面電極３１は抵抗体２に導通している。上面電極３１の平面視の形状は矩形状である。本実施形態にかかる上面電極３１は、Ａｇおよびガラスを含む。
【００２１】
図２、図４および図５に示すように、裏面電極３２は、基板１の裏面１２に接して配置され、かつ側面電極３４に導通する電極３の一部である。裏面電極３２は、上面電極３１と同じく第１方向Ｘにおいて互いに離間した一対の部材から構成される。裏面電極３２は、導電性粒子３２０が含有された合成樹脂を含む。本実施形態にかかる裏面電極３２は、導電性粒子３２０が含有された合成樹脂から構成される。当該合成樹脂は、たとえば可とう性エポキシ樹脂である。図６に示すように、本実施形態にかかる導電性粒子３２０は、形状が薄片状であり、かつ金属から構成される。当該金属はＡｇである。導電性粒子３２０の厚さ方向に直交する方向の寸法は、長辺方向で５〜１５μｍ、短辺方向で２〜５μｍである。
【００２２】
図１および図３〜図５に示すように、保護電極３３は、上面電極３１に導通する電極３の一部である。保護電極３３は、各々の上面電極３１に対して配置されている。保護電極３３は、上面電極３１および後述する保護層４の上部保護層４２の双方に接し、かつそれぞれの一部を覆っている。保護電極３３は、平面視において基板１の側面１３に並行する第１端３３１および第２端３３２を有する。第１端３３１が上部保護層４２（保護層４）に接し、第２端３３２が上面電極３１に接している。また、図３および図５に示すように、本実施形態においては、平面視において側面１３と第２端３３２との間に隙間ｄが形成されている。このため、図３に示すように、側面電極３４、中間電極３５および外部電極３６を透視した場合、隙間ｄから上面電極３１が露出した構成となっている。本実施形態にかかる保護電極３３は、金属粒子が含有された合成樹脂から構成される。当該金属粒子は、Ａｇ粒子である。また、当該合成樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。保護電極３３は、当該金属粒子に替えて、薄片状の炭素粒子とすることができる。当該炭素粒子の厚さ方向に直交する方向の寸法は、長辺方向で５〜１５μｍ、短辺方向で２〜５μｍである。
【００２３】
図１、図４および図５に示すように、側面電極３４は、側部３４１、頂部３４２および底部３４３を有し、かつ上面電極３１および裏面電極３２の双方に導通する電極３の一部である。側部３４１は、基板１の側面１３に接して配置された部分である。頂部３４２は、平面視において基板１の主面１１に重なる部分である。本実施形態にかかる頂部３４２は、上面電極３１および保護電極３３に接している。頂部３４２において、隙間ｄに対応する部分が上面電極３１に接し、残りの部分が保護電極３３に接している。底部３４３は、平面視において基板１の裏面１２に重なる部分である。本実施形態にかかる底部３４３は、裏面電極３２に接している。このため、上面電極３１および裏面電極３２は、側面電極３４を介して相互に導通している。本実施形態にかかる側面電極３４は、Ｎｉ―Ｃｒ合金から構成される。なお、保護電極３３を構成する材料は、導電性を有し、かつ硫化し難い特性を有する金属であれば、いずれでもよい。
【００２４】
図４および図５に示すように、中間電極３５は、裏面電極３２、保護電極３３および側面電極３４を覆う電極３の一部である。中間電極３５は、裏面電極３２および保護電極３３のそれぞれ一部ずつと、側面電極３４とに接している。本実施形態にかかる中間電極３５は、Ｎｉから構成される。
【００２５】
図４および図５に示すように、外部電極３６は、中間電極３５を覆う電極３の一部である。本実施形態にかかる外部電極３６は、Ｓｎから構成される。チップ抵抗器Ａ１０を回路基板に実装する場合において、リフローにより外部電極３６が溶融し、回路基板に配置されたクリームはんだと一体化する。
【００２６】
保護層４は、図１、図３および図４に示すように、抵抗体２を覆う部材である。本実施形態にかかる保護層４は、下部保護層４１および上部保護層４２を有する。
【００２７】
図１、図３および図４に示すように、下部保護層４１は、抵抗体２に接する部分である。下部保護層４１には、抵抗体２に形成されているトリミング溝２１と同一形状の溝が基板１の厚さ方向Ｚに貫通して形成されている。また、第１方向Ｘにおける下部保護層４１の両端から抵抗体２の一部がはみ出した構成となっている。本実施形態にかかる下部保護層４１は、ガラスを含む。
【００２８】
図１、図３および図４に示すように、上部保護層４２は、下部保護層４１に積層された部分である。上部保護層４２は、下部保護層４１とともに抵抗体２を覆い、かつ基板１の主面１１および上面電極３１のそれぞれ一部ずつに接している。また、図５に示す上方から保護電極３３の一部が上部保護層４２に接している。本実施形態にかかる上部保護層４２は、エポキシ樹脂から構成される。
【００２９】
次に、図７〜図１９に基づき、チップ抵抗器Ａ１０の製造方法の一例について説明する。
【００３０】
図７〜図１３は、チップ抵抗器Ａ１０の製造工程を説明する平面図である。図１４および図１７は、チップ抵抗器Ａ１０の製造工程を説明する斜視図である。図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。図１６、図１８および図１９は、チップ抵抗器Ａ１０の製造工程を説明する断面図である。図１６、図１８および図１９の断面位置は、図１５の断面位置と同一である。なお、図７〜図１９において示される後述する基材８１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙは、図１〜図５において示される基板１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに対応している。
【００３１】
最初に、図７に示すように、厚さ方向Ｚにおいて互いに離間した主面８１１および裏面８１２を有するシート状の基材８１において、主面８１１に接し、かつ互いに離間した一対の領域から構成される上面電極８３１を形成する。上面電極８３１がチップ抵抗器Ａ１０の上面電極３１に対応する。本実施形態にかかる基材８１は、アルミナから構成されている。図７に示すように、基材８１には、第２方向Ｙに延出する複数の一次溝８１３と、第１方向Ｘに延出する複数の二次溝８１４とが、いずれも主面８１１から窪むように、かつ碁盤目状に形成されている。一次溝８１３と二次溝８１４によって形成される区画が、チップ抵抗器Ａ１０の基板１に対応する領域である。このため、基材８１は基板１の集合体である。上面電極８３１は、主面８１１に接し、かつ一次溝８１３を跨ぐように形成する。上面電極８３１は、印刷を用いた手法により形成される。本実施形態にかかる上面電極８３１は、Ａｇ粒子にガラスフリットを含有させたペーストをシルクスクリーン用いて主面８１１に印刷し、印刷した当該ペーストを焼成することにより形成される。
【００３２】
次いで、図８に示すように、基材８１の裏面８１２に接し、かつ互いに離間した一対の領域から構成される裏面電極８３２を形成する。裏面電極８３２がチップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２に対応する。図８に示すように、基材８１には、複数の一次溝８１３および二次溝８１４が、いずれも裏面８１２から窪むように、かつ主面８１１において形成された複数の一次溝８１３および二次溝８１４の位置に対応して形成されている。裏面電極８３２は、裏面８１２に接し、かつ一次溝８１３を跨ぐように形成する。裏面電極８３２は、印刷を用いた手法により形成される。本実施形態にかかる裏面電極８３２は、薄片状のＡｇ粒子を含有し、かつ可とう性エポキシ樹脂を主剤としたペーストをシルクスクリーン用いて裏面８１２に印刷し、印刷した当該ペーストを硬化させることにより形成される。裏面電極８３２は、先に主面８１１において形成した上面電極８３１の位置に対応して形成される。
【００３３】
次いで、図９に示すように、第１方向Ｘにおける両端が一対の領域から構成される上面電極８３１に接する抵抗体８２を形成する。抵抗体８２がチップ抵抗器Ａ１０の抵抗体２に対応する。抵抗体８２は、印刷を用いた手法により形成される。本実施形態にかかる抵抗体８２は、ＲｕＯ2またはＡｇ−Ｐｄ合金などの金属粒子にガラスフリットを含有させたペーストをシルクスクリーン用いて主面８１１に印刷し、印刷した当該ペーストを焼成することにより形成される。
【００３４】
次いで、図１０に示すように、抵抗体８２に接する保護膜８４１を形成する。保護膜８４１がチップ抵抗器Ａ１０の下部保護層４１に対応する。本実施形態にかかる保護膜８４１は、ガラスペーストをシルクスクリーン用いて抵抗体８２に印刷し、印刷した当該ペーストを焼成することにより形成される。
【００３５】
次いで、図１１に示すように、基材８１の厚さ方向Ｚに貫通するトリミング溝８２１を抵抗体８２に形成する。トリミング溝８２１がチップ抵抗器Ａ１０のトリミング溝２１に対応する。トリミング溝８２１は、レーザトリミング装置により形成される。トリミング溝８２１は、次の手順により形成される。最初に、トリミング溝８２１の形成対象となる抵抗体８２の第１方向Ｘにおける両端に、抵抗値測定用のプローブを接触させる。次いで、当該プローブを接触させた状態の下、第１方向Ｘに並行する抵抗体８２の一方の端部から他方の端部に向かって、第２方向Ｙに沿ってトリミング溝８２１を形成する。次いで、抵抗体８２の抵抗値が所定の値（チップ抵抗器Ａ１０の抵抗値）に近い値まで上昇した後、そのまま向きを９０°転換して第１方向Ｘに沿ってトリミング溝８２１を形成する。抵抗体８２の抵抗値が所定の値になったとき、トリミング溝８２１の形成を終了する。当該工程によって、平面視の形状がＬ字状のトリミング溝８２１が抵抗体８２に形成される。このとき、保護膜８４１においても、基材８１の厚さ方向Ｚに貫通し、かつトリミング溝８２１と同一形状の溝が形成される。
【００３６】
次いで、図１２に示すように、抵抗体８２を覆う保護層８４２を形成する。保護層８４２がチップ抵抗器Ａ１０の上部保護層４２に対応する。本実施形態にかかる保護層８４２は、エポキシ樹脂を主剤としたペーストをシルクスクリーン用いて抵抗体８２および保護膜８４１を完全に覆うように印刷し、印刷した当該ペーストを硬化させることにより形成される。また、本実施形態にかかる保護層８４２は、第２方向Ｙに延出し、かつ基材８１の二次溝８１４を跨ぐ複数の帯状に形成される。このとき、第１方向Ｘにおける保護層８４２の両端から一対の上面電極８３１の一部がはみ出した状態となる。なお、保護層８４２は、図１０に示す保護膜８４１と同様に、抵抗体８２ごとに各々が分離された状態となるように形成してもよい。
【００３７】
次いで、図１３に示すように、上面電極８３１および保護層８４２の双方に接する保護電極８３３を形成する。保護電極８３３がチップ抵抗器Ａ１０の保護電極３３に対応する。保護電極８３３は、印刷を用いた手法により形成される。本実施形態にかかる保護電極８３３は、Ａｇ粒子を含有し、かつエポキシ樹脂を主剤としたペーストをシルクスクリーン用いて上面電極８３１を覆う保護膜８４１の端部を覆うように印刷し、印刷した当該ペーストを硬化させることにより形成される。また、本実施形態にかかる保護電極８３３は、第２方向Ｙに延出する複数の帯状に形成される。このとき、二つの保護電極８３３により挟まれた領域のうち、上面電極８３１の一部が露出する領域においては、上面電極８３１とともに一次溝８１３の一部が露出する。なお、保護電極８３３の材料となるペーストにおいては、Ａｇ粒子に替えて薄片状の炭素粒子とすることができる。
【００３８】
次いで、図１４に示すように、一次溝８１３において基材８１を切断することによって、基材８１を複数の帯状体８５に分割する。このとき、帯状体８５には、主面８１１と裏面８１２との間に位置する側面８５１が第１方向Ｘにおける帯状体８５の両端に現れる。側面８５１においては、たとえばイオンビームエッチングにより下地処理を行ってもよい。当該下地処理を行うことによって、側面８５１が粗面となり後述する側面電極８３４との密着性が向上する。なお、図１５は、帯状体８５の側面８５１を含めた部分の断面を示している。
【００３９】
次いで、図１６に示すように、帯状体８５において、側面８５１に接し、かつ平面視において主面８１１および裏面８１２に重なる部分をそれぞれ有する側面電極８３４を形成する。側面電極８３４がチップ抵抗器Ａ１０の側面電極３４に対応する。側面電極３４は、スパッタリング法により形成される。本実施形態にかかる側面電極３４は、Ｎｉ−Ｃｒ合金を成膜することにより形成される。また、本実施形態においては、側面８５１の向きが揃うように帯状体８５を重ねて並べた状態の下で、側面電極８３４が形成される。このとき、側面８５１の全面が側面電極８３４に覆われる。あわせて、帯状体８５から露出した主面８１１および上面電極８３１と、保護電極８３３の一部とが平面視において主面８１１に重なる側面電極８３４の部分に覆われる。また、帯状体８５から露出した裏面８１２と、裏面電極８３２の一部とが平面視において裏面８１２に重なる側面電極８３４の部分に覆われる。
【００４０】
次いで、図１７に示すように、二次溝８１４において基材８１を切断することによって、帯状体８５を複数の個片８６に分割する。
【００４１】
次いで、図１８に示すように、個片８６から露出した裏面電極８３２、保護電極８３３および側面電極８３４を覆う中間電極８３５を形成する。中間電極８３５がチップ抵抗器Ａ１０の中間電極３５に対応する。中間電極８３５は、電解めっきにより形成される。本実施形態にかかる中間電極８３５は、電解バレルめっきでＮｉを析出させることにより形成される。
【００４２】
最後に、図１９に示すように、中間電極８３５を覆う外部電極８３６を形成する。外部電極８３６がチップ抵抗器Ａ１０の外部電極３６に対応する。外部電極８３６は、中間電極８３５と同じく電解めっきにより形成される。本実施形態にかかる外部電極８３６は、電解バレルめっきでＳｎを析出させることにより形成される。このときの個片８６がチップ抵抗器Ａ１０となる。以上の工程を経ることによって、チップ抵抗器Ａ１０が製造される。
【００４３】
チップ抵抗器Ａ１０は、基板１の主面１１に配置され、かつ抵抗体２に導通する上面電極３１と、抵抗体２を覆う保護層４（上部保護層４２）と、上面電極３１に導通する保護電極３３を備える。あわせて、チップ抵抗器Ａ１０は、上面電極３１に導通し、かつ平面視において基板１の主面１１に重なる頂部３４２を有する側面電極３４と、保護電極３３および側面電極３４を覆う中間電極３５を備える。この場合において、保護電極３３は、上面電極３１および保護層４の双方に接している。このような構成をとることによって、側面電極３４の頂部３４２は、保護層４に完全に接しない構成となるか、万一、保護層４に接した場合であっても、その接触面積を小さく抑えることができる。また、保護層４に接した頂部３４２が剥離した場合であっても、平面視において保護層４との境界に位置する保護電極３３の端部（第１端３３１）で剥離が停止するため、保護電極３３により上面電極３１への硫化ガスの侵入が防止される。さらに、保護電極３３は中間電極３５に覆われるため、保護電極３３および中間電極３５によって構成される二重遮へい構造により上面電極３１への硫化ガスの侵入を防ぐことができる。したがって、チップ抵抗器Ａ１０によれば、耐硫化性の向上を図ることが可能となる。
【００４４】
ここで、チップ抵抗器Ａ１０の製造方法によれば、側面電極８３４は、スパッタリング法により形成される。側面電極８３４を形成する前に、保護電極８３３が形成されることから、側面電極８３４を形成したとき、保護電極８３３により金属粒子の飛散が制御される。このため、側面電極８３４は、保護層８４２に完全に接しない構成となるか、万一、保護層８４２に接した場合であっても、その接触面積を小さく抑えることができる。したがって、チップ抵抗器Ａ１０において、先述した側面電極３４の頂部３４２の構成を実現することができる。
【００４５】
一方、Ａｇ粒子が含有された合成樹脂から構成される保護電極３３とすることによって、保護電極３３と保護層４との密着性が十分に確保される。このため、保護電極３３と保護層４との界面からの硫化ガスの侵入を防ぐことができる。また、万一、中間電極３５と保護層４との界面から硫化ガスが侵入した場合、上面電極３１に含まれるＡｇ粒子よりも保護電極３３に含まれるＡｇ粒子が先に硫化する。チップ抵抗器Ａ１０の構成上、保護電極３３は犠牲電極の扱いとなるため、Ａｇ粒子の硫化により仮に保護電極３３の導電性が低下した場合であっても、電極３が断線する事態は生じない。
【００４６】
他方、薄片状の炭素粒子が含有された合成樹脂から構成される保護電極３３とすることによって、保護電極３３と保護層４との密着性が十分確保されるとともに、保護電極３３自体の耐硫化性が向上する。炭素粒子は耐硫化性を有するＰｄ粒子などよりも安価な材料であるため、耐硫化性を向上させた保護電極３３の製造コストを低く抑えることができる。また、炭素粒子の形状を薄片状とすることによって、投錨効果（アンカー効果）により保護電極３３と中間電極３５との密着性が向上するため、チップ抵抗器Ａ１０の耐硫化性がさらに向上する。
【００４７】
平面視において、基板１の側面１３と保護電極３３の第２端３３２との間に隙間ｄが形成されている。このような構成をとることによって、チップ抵抗器Ａ１０の製造において、保護電極８３３が一次溝８１３を跨がないように形成されるため、基材８１を容易に複数の帯状体８５に分割することができる。
【００４８】
Ｎｉ−Ｃｒ合金から構成される側面電極３４とすることによって、側面電極３４は硫化しなくなる。このことは、チップ抵抗器Ａ１０の耐硫化性の向上に寄与する。
【００４９】
基板１の裏面１２に配置される裏面電極３２は、導電性粒子３２０が含有された合成樹脂から構成される。導電性粒子３２０は、形状が薄片状であるＡｇ粒子である。ここで、チップ抵抗器Ａ１０の使用において、チップ抵抗器Ａ１０から発生する熱に起因した熱応力が、チップ抵抗器Ａ１０と回路基板との間に介在するはんだに発生する。当該熱応力が繰り返し発生することによって、当該はんだに亀裂が発生し、断線するおそれがある。このような裏面電極３２の構成をとることによって、裏面電極３２が熱による膨張・収縮に追随しやすくなるため、当該熱応力が緩和される。したがって、裏面電極３２によって、当該はんだに亀裂が発生することを抑制できる。また、導電性粒子３２０の形状を薄片状とすることによって、投錨効果により裏面電極３２と中間電極３５との密着性が向上するため、中間電極３５による裏面電極３２の保護効果がより大きくなる。
【００５０】
〔第２実施形態〕
図２０および図２１に基づき、本開示の第２実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ２０について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００５１】
図２０は、チップ抵抗器Ａ２０の断面図である。図２０の断面位置および範囲は、図４に示すチップ抵抗器Ａ１０の断面図に対応している。図２１は、図２０の部分拡大図である。チップ抵抗器Ａ２０の平面視の形状および大きさは、チップ抵抗器Ａ１０と同一である。
【００５２】
チップ抵抗器Ａ２０においては、裏面電極３２の構成がチップ抵抗器Ａ１０と異なる。
【００５３】
図２０および図２１に示すように、本実施形態にかかる裏面電極３２は、第１層３２１および第２層３２２を有する。第１層３２１は、基板１の裏面１２に接し、かつ電気絶縁体である合成樹脂から構成される。当該合成樹脂は、たとえば可とう性エポキシ樹脂である。第２層３２２は、第１層３２１に積層され、かつ導電性粒子３２０が含有された合成樹脂から構成される。第２層３２２の構成は、チップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２の構成と同一である。したがって、本実施形態にかかる導電性粒子３２０は、形状が薄片状であり、かつＡｇから構成される。
【００５４】
チップ抵抗器Ａ２０は、チップ抵抗器Ａ１０と同一の構成をとる上面電極３１、保護層４（上部保護層４２）、保護電極３３、側面電極３４および中間電極３５を備える。この場合において、保護電極３３は、上面電極３１および保護層４の双方に接し、かつそれぞれの一部を覆っている。このため、チップ抵抗器Ａ２０においても、側面電極３４の頂部３４２は、保護層４に完全に接しない構成となるか、万一、保護層４に接した場合であっても、その接触面積を小さく抑えることができる。また、保護層４に接した頂部３４２が剥離した場合であっても、平面視において保護層４との境界に位置する保護電極３３の端部（第１端３３１）で剥離が停止するため、保護電極３３により上面電極３１への硫化ガスの侵入が防止される。あわせて、保護電極３３は中間電極３５に覆われるため、保護電極３３および中間電極３５によって構成される二重遮へい構造により上面電極３１への硫化ガスの侵入を防ぐことができる。したがって、チップ抵抗器Ａ２０によっても、耐硫化性の向上を図ることが可能となる。
【００５５】
本実施形態にかかる裏面電極３２は、基板１の裏面１２に接する第１層３２１と、第１層３２１に積層された第２層３２２を有する。第１層３２１は、電気絶縁体である合成樹脂から構成される。また、第２層３２２は、導電性粒子３２０が含有された合成樹脂から構成される。導電性粒子３２０は、形状が薄片状であるＡｇ粒子である。このような構成をとることによって、第１層３２１により基板１と裏面電極３２との密着性の向上を図ることができる。また、第２層３２２により裏面電極３２と中間電極３５との密着性の向上を図ることができる。したがって、基板１および中間電極３５の双方との密着性が高い裏面電極３２とすることができるため、回路基板に対するチップ抵抗器Ａ２０の実装強度がより向上する。
【００５６】
〔第３実施形態〕
図２２〜図２５に基づき、本開示の第３実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ３０について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００５７】
図２２は、チップ抵抗器Ａ３０の平面図であり、理解の便宜上、電極３の中間電極３５および外部電極３６を透過している。図２３は、図２２に対しさらに電極３の側面電極３４を透過した平面図である。図２４は、図２２のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。図２５は、図２４の部分拡大図である。
【００５８】
チップ抵抗器Ａ３０においては、保護電極３３および上部保護層４２の構成がチップ抵抗器Ａ１０と異なる。
【００５９】
図２２〜図２５に示すように、基板１の厚さ方向Ｚにおいて保護電極３３は、上面電極３１と側面電極３４および上部保護層４２とに挟まれた構成となっている。また、図２５に示すように、保護電極３３の第１端３３１が上部保護層４２に接し、保護電極３３の第２端３３２が側面電極３４に接している。本実施形態においても、平面視において基板１の側面１３と第２端３３２との間に隙間ｄが形成され、図２３に示すように、側面電極３４、中間電極３５および外部電極３６を透視した場合、隙間ｄから上面電極３１が露出した構成となっている。本実施形態にかかる保護電極３３は、薄片状の炭素粒子が含有された合成樹脂から構成される。当該合成樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。また、当該炭素粒子の厚さ方向に直交する方向の寸法は、長辺方向で５〜１５μｍ、短辺方向で２〜５μｍである。
【００６０】
図２５に示すように、第１方向Ｘにおける上部保護層４２の両端は、ともに保護電極３３の一部を覆う構成となっている。
【００６１】
チップ抵抗器Ａ３０は、チップ抵抗器Ａ１０と同様の構成をとる上面電極３１、側面電極３４および中間電極３５を備える。基板１の厚さ方向Ｚにおいて保護電極３３は、上面電極３１と側面電極３４および保護層４（上部保護層４２）とに挟まれた構成となっている。このような構成をとることによって、仮に側面電極３４の頂部３４２が保護層４に接する場合であっても、頂部３４２は保護電極３３にも接する構成となるため、頂部３４２が保護層４から剥離しても、頂部３４２が保護電極３３から剥離しない。このため、チップ抵抗器Ａ３０においても、保護電極３３および中間電極３５によって構成される二重遮へい構造により上面電極３１への硫化ガスの侵入を防ぐことができる。したがって、チップ抵抗器Ａ３０によっても、耐硫化性の向上を図ることが可能となる。
【００６２】
また、薄片状の炭素粒子が含有された合成樹脂から構成される保護電極３３とすることによって、保護電極３３自体の耐硫化性の向上を図ることができる。炭素粒子は耐硫化性を有するＰｄ粒子よりも安価な材料であるため、耐硫化性の向上を図った保護電極３３の製造コストを低く抑えることができる。また、炭素粒子の形状を薄片状とすることによって、投錨効果（アンカー効果）により保護電極３３と中間電極３５との密着性が向上するため、チップ抵抗器Ａ３０の耐硫化性がさらに向上する。
【００６３】
本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００６４】
本開示は、以下の付記にかかる実施形態を含む。
［付記１］
厚さ方向おいて互いに離間した主面および裏面と、前記主面と前記裏面との間に位置する側面と、を有する基板と、
前記主面に配置された上面電極と、
前記主面に配置され、かつ前記上面電極に導通する抵抗体と、
前記抵抗体を覆う保護層と、
前記上面電極に導通する保護電極と、
側部、頂部および底部を有し、かつ前記上面電極に導通する側面電極であって、前記側部が前記側面に配置され、平面視において前記頂部および前記底部が前記主面および前記裏面にそれぞれ重なる側面電極と、
前記保護電極および前記側面電極を覆う中間電極と、
前記中間電極を覆う外部電極と、を備え、
前記保護電極が前記上面電極および前記保護層の双方に接し、かつ前記上面電極および前記保護層の各々の一部を覆っている、チップ抵抗器。
［付記２］
前記保護電極は、平面視において前記基板の前記側面に並行する第１端および第２端を有し、
前記第１端が前記保護層に接し、前記第２端が前記上面電極に接している、付記１に記載のチップ抵抗器。
［付記３］
平面視において、前記基板の前記側面と前記保護電極の前記第２端との間に隙間が形成されている、付記２に記載のチップ抵抗器。
［付記４］
前記側面電極の前記頂部は、前記保護電極に接している、付記２または３に記載のチップ抵抗器。
［付記５］
前記側面電極は、Ｎｉ―Ｃｒ合金から構成される、付記２ないし４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記６］
前記保護電極は、金属粒子が含有された合成樹脂から構成される、付記１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記７］
前記金属粒子は、Ａｇ粒子を含む、付記６に記載のチップ抵抗器。
［付記８］
前記保護電極は、薄片状の炭素粒子が含有された合成樹脂から構成される、付記１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記９］
前記上面電極は、Ａｇ粒子を含む、付記１ないし８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１０］
前記基板の前記裏面に配置され、かつ前記側面電極に導通するとともに、導電性粒子が含有された合成樹脂を含む裏面電極をさらに備え、
前記側面電極の前記底部は、前記裏面電極に接し、
前記中間電極は、前記裏面電極を覆っている、付記１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１１］
前記裏面電極は、
前記基板の前記裏面に接し、かつ電気絶縁体である合成樹脂から構成される第１層と、
前記第１層に積層され、かつ導電性粒子が含有された合成樹脂から構成される第２層と、を有する、付記１０に記載のチップ抵抗器。
［付記１２］
前記導電性粒子は、形状が薄片状であり、かつ金属から構成される、付記１０または１１に記載のチップ抵抗器。
［付記１３］
前記金属は、Ａｇである、付記１２に記載のチップ抵抗器。
［付記１４］
前記抵抗体は、ＲｕＯ2またはＡｇ―Ｐｄ合金とガラスとを含む、付記１ないし１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１５］
前記抵抗体には、前記基板の厚さ方向に貫通するトリミング溝が形成されている、付記１４に記載のチップ抵抗器。
［付記１６］
前記保護層は、前記抵抗体に接する下部保護層と、前記下部保護層に積層された上部保護層と、を有し、
前記保護電極の一部が前記上部保護層に接している、付記１５に記載のチップ抵抗器。
［付記１７］
前記下部保護層は、ガラスを含む、付記１６に記載のチップ抵抗器。
［付記１８］
前記上部保護層は、エポキシ樹脂から構成される、付記１６に記載のチップ抵抗器。
［付記１９］
前記外部電極は、Ｓｎから構成される、付記１ないし１８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記２０］
前記中間電極は、Ｎｉから構成される、付記１９に記載のチップ抵抗器。
［付記２１］
前記基板は、アルミナから構成される、付記１ないし２０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記２２］
厚さ方向において互いに離間した主面および裏面を有するシート状の基材において、前記主面に接し、かつ互いに離間した２つの領域を含む上面電極を形成することと、
抵抗体を形成することであって、前記抵抗体は、前記上面電極に接する第１および第２端を有することと、
前記抵抗体を覆う保護層を形成することと、
前記上面電極および前記保護層の双方に接する保護電極を形成することと、
前記基材を複数の帯状体に分割することであって、前記複数の帯状体は各々、前記主面と前記裏面との間に位置する側面を有することと、
前記複数の帯状体いずれか１つの前記側面に接する側面電極であって、平面視において前記主面および前記裏面に重なる部分をそれぞれ有する側面電極を形成することと、
前記保護電極および前記側面電極を覆う中間電極を形成することと、
前記中間電極を覆う外部電極を形成することと、を備える、チップ抵抗器の製造方法。
［付記２３］
前記保護電極を形成することは、印刷を用いた手法により前記保護電極を形成することを含む、付記２２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２４］
前記側面電極を形成することは、スパッタリング法により前記側面電極を形成することを含む、付記２２または２３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２５］
前記側面電極を形成することと、前記中間電極を形成することとの間に、前記帯状体を複数の個片に分割することをさらに備える、付記２２ないし２４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２６］
前記中間電極を形成することおよび前記外部電極を形成することは、電解めっきにより前記中間電極および前記外部電極を形成することを含む、付記２５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２７］
前記抵抗体を形成することの前に、前記基材の前記裏面に接し、かつ互いに離間した２つの領域から構成される裏面電極を形成することをさらに備える、付記２２ないし２６のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２８］
前記抵抗体を形成することは、印刷を用いた手法により前記抵抗体を形成する、付記２２ないし２７のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２９］
前記抵抗体を形成することは、前記基材の厚さ方向に貫通するトリミング溝を前記抵抗体に形成することを含む、付記２８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記３０］
前記抵抗体を形成することは、前記トリミング溝を形成することの前に、前記抵抗体に接する保護膜を形成することを含む、付記２９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【国際調査報告】
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