【事件の表示】
　平成　９年特許願第２０３８２４号「半導体装置、その製造方法及び実装構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年２月２日出願公開、特開平１１−　３１６９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年７月１４日の出願であって、その請求項１〜１３に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１６年１２月１７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】その主面に電気回路が形成された半導体基板と、
　上記半導体基板上に形成され、上記電気回路に電気的に接続された複数の電極パッドと、
　上記複数の電極パッドを覆うように上記半導体基板上に形成された絶縁層と、
　上記複数の電極パッド上の上記絶縁層にそれぞれ形成された複数の開口部と、
　上記絶縁層上にそれぞれ形成され、上記開口部を介して上記電極パッドに接続されると共にほぼ平坦な主面を有する複数のバリアメタル部と、
　上記複数のバリアメタル部上にそれぞれ形成され、上記バリアメタル部の主面形状に対応した主面形状を有する複数の導電性バンプと、を有し、
　上記開口部の開口面積が上記導電性バンプの主面の面積の１／９以下であり、上記複数の導電性バンプが異方性導電膜を介して対向電極に電気的に接続される半導体装置。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−３２１７１号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、及び、原査定時に新たに周知技術を開示する刊行物として提示された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−１６１７２２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ下記の事項が記載されている。
　　
引用刊行物１：特開平４−３２１７１号公報
（１ａ）「（１）基板上に形成された電極に、ＩＣに設けた金属バンプが導電粒子を含む異方性導電膜を介しフェース・ダウン・ボンディング法により電気的に接続されてなる電子装置において、上記導電粒子の硬度は上記電極及び上記金属バンプの硬度よりも小さいことを特徴とする電子装置。」（特許請求の範囲第１項）、
（１ｂ）［第１の実施例］として、第１図、第２図が示されるとともに、
「液晶表示板２１のガラス基板２２上には所定位置にＩＴＯ配線電極２３が形成されている。一方、液晶駆動用ＩＣ２４に一面には・・・アルミニウム電極２８が形成されている。このアルミニウム電極２８は、液晶駆動用ＩＣ２４の表面全域に亘って形成されたシリコン・ナイトライドなどからなるパッシベーション膜２９によって保護されている。
　更に、アルミニウム電極２８の所定部分はパッシベーション膜２９が穿孔されており、その部分のアルミニウム電極２８上には、例えばチタン、ニッケル、金等がこの順序で構成されたバリヤ・メタル層３０が形成されている。このバリヤ・メタル層３０上には、金バンプ２５がメッキ法などによって形成されている。この場合、金バンプ２５の高さは約２５μｍ、大きさは約１００μｍ角のものが用いられている。
　又、液晶表示板２１と、液晶駆動用ＩＣ２４が、異方性導電膜２６を介しフェース・ダウン・ボンディング法により電気的に接続される。この場合の異方性導電膜２６としては、接着層３１に導電粒子３２が分散されている。導電粒子３２の硬度は、ＩＴＯ配線電極２３及び金バンプ２５の硬度より小さく設定されている。」（第４頁左上欄１行〜右上欄６行）、
（１ｃ）「接続後は、第１図に示すように金バンプ２５と配線電極２３の間の導電粒子３２は加熱しながらの加圧処理により潰れ、接触面積が広くなる、潰れた導電粒子３２は金バンプ２５と配線電極２３のいずれに対しても良く密着し、良好な低抵抗の電気的接続を得ることが出来る。」（第４頁左下欄７〜１２行）、
（１ｄ）「又、図示しないが、ガラス基板２２上に他のＩＴＯ配線電極が形成されており、液晶駆動用ＩＣ２４が他のＩＴＯ配線電極と対面している構造の場合、即ち、第２図に示される２つの金バンプ２５の間に他のＩＴＯ配線電極が形成されている場合でも、この液晶表示装置は、液晶駆動用ＩＣ２４下で異方性導電膜２６に起因したショートなどの不具合が発生することはなかった。」（第５頁左上欄１〜８行）が記載されている。
（１ｅ）第１図には、アルミニウム電極２８の所定部分はパッシベーション膜２９が穿孔されており、その部分のアルミニウム電極２８上には、バリヤ・メタル層３０がアルミニウム電極２８上に平坦に形成されており、バリヤ・メタル層３０上には、金バンプ２５がほぼ均一な厚みで形成されており、金バンプ２５の平坦な上面とＩＴＯ配線電極２３面の間で異方性導電膜２６の導電粒子が潰れている点が示されている。
　第２図には、液晶表示板２１のガラス基板２２と液晶駆動用ＩＣ２４とが、ガラス基板２２の２つのＩＴＯ配線電極２３と液晶駆動用ＩＣ２４の２つの金バンプ２５間で、異方性導電膜２６を介しフェース・ダウン・ボンディング法により電気的に接続されている点が示されている。
　　
引用刊行物２：特開平７−１６１７２２号公報
（２ａ）［実施例２］として、「図２を用いて説明する。第一の実施例と同様な方法にて、２層目の金属電極（４）までを形成して、その上部にバンプ高さ寸法（１０〜３０μｍ程度）の１／２〜１／４以下（すなわち５〜１０μｍ□程度）の開口（９）を設けた表面絶縁膜（５）を形成する。その上部に電解メッキ法によってバンプ（７）を形成する。バンプ（７）は、成長過程において電解集中などによって表面絶縁膜（５）に生じていた凹みは埋まり、上面はほぼ平坦に仕上る。・・・」（段落【００１１】）、
（２ｂ）【発明の効果】として、「・・・本発明は、半導体装置の多層の配線間の絶縁膜にバンプ高さに対して十分に小さいサイズの開口部を設けたことによって、バンプの表面の凹凸を小さくできるという効果を有する。また、バンプ表面が平坦化されることによって、ＴＡＢやＣＯＧなどの実装を行う際に、ボンディング応力を軽減し、実装プロセスに起因するコンタト不良、半導体装置やガラス基板などの破壊をなくすことができるという効果を有する。」（段落【００１２】）が記載されている。
（２ｃ）図２には、絶縁膜上に形成され、該絶縁膜の開口（９）を介して金属電極（４）に接続されるバリアメタル（６）上に、バンプ（７）が、バリアメタル（６）の主面形状に対応した平坦な上面形状で形成されていること、及び、開口（９）は、バンプ（７）の上面とほぼ同じ広さのバリアメタル（６）の主面領域に１６個設けられていることが示されている。
　　
［３］当審の判断
［３−１］引用刊行物１に記載された発明
　引用刊行物１には、摘記（１ａ）によれば、基板上に形成された電極に、ＩＣに設けた金属バンプが導電粒子を含む異方性導電膜を介しフェース・ダウン・ボンディング法により電気的に接続されてなる電子装置が記載されており、そして、該電子装置のＩＣに相当する液晶駆動用ＩＣについて、摘記（１ｂ）〜（１ｅ）のとおりに記載されている。
　即ち、摘記（１ｂ）によれば、液晶駆動用ＩＣを液晶表示板のガラス基板上のＩＴＯ配線電極に異方性導電膜を介して電気的に接続するために、該液晶駆動用ＩＣの一面にアルミニウム電極が形成されており、該アルミニウム電極は、液晶駆動用ＩＣの表面全域に亘って形成されたパッシベーション膜によって保護されており、該アルミニウム電極の所定部分のパッシベーション膜が穿孔されており、その穿孔部分のアルミニウム電極上には、バリヤ・メタル層が平坦に形成されており、該バリヤ・メタル層上には、金バンプがメッキ法等によって形成されている。
　また、摘記（１ｄ）（１ｅ）によれば、ガラス基板の２つのＩＴＯ配線電極と液晶駆動用ＩＣの２つの金バンプ間で電気的に接続されているので、液晶駆動用ＩＣのアルミニウム電極、該アルミニウム電極を保護するパッシベーション膜の穿孔部分、該穿孔部分に形成されたバリヤ・メタル層、該バリヤ・メタル層上に形成された金バンプは、いずれも複数であるといえる。
　また、摘記（１ｅ）によれば、パッシベーション膜の穿孔部分のアルミニウム電極上に、バリヤ・メタル層が該アルミニウム電極の上面に沿って平坦に形成されていて、該バリヤ・メタル層はパッシベーション膜の穿孔部分においてアルミニウム電極と接続されており、該バリヤ・メタル層の平坦な上面に、金バンプがほぼ均一な厚みで形成されていて、該金バンプは平坦な上面を有している。
　また、摘記（１ｃ）（１ｅ）によれば、金バンプとＩＴＯ配線電極間に介在する異方性導電膜の導電粒子は、加熱しながらの加圧処理により潰れ、接触面積が広くなり、潰れた導電粒子は金バンプとＩＴＯ配線電極のいずれに対しても良く密着し、該金バンプとＩＴＯ配線電極間において良好な低抵抗の電気的接続が得られている。
　これらの事項及び摘記（１ａ）〜（１ｅ）の記載事項を総合すると、引用刊行物１には、
「液晶駆動用ＩＣの一面に、複数のアルミニウム電極が形成されており、該複数のアルミニウム電極は、液晶駆動用ＩＣの表面全域に亘って形成されたパッシベーション膜によって保護されており、該複数のアルミニウム電極上の所定部分のパッシベーション膜がそれぞれ穿孔されており、該穿孔部分のアルミニウム電極上に、複数のバリヤ・メタル層が、該穿孔部分において該アルミニウム電極と接続されるとともに平坦に形成されており、該バリヤ・メタル層上に、複数の金バンプが、平坦な上面形状を有するように形成されており、該複数の金バンプが異方性導電膜を介してＩＴＯ配線電極に電気的に接続される液晶駆動用ＩＣ」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［３−２］本願発明１と引用発明との対比
　引用発明における「液晶駆動用ＩＣの一面に、複数のアルミニウム電極が形成されており、」とは、液晶駆動用ＩＣの電気回路が形成された基板の主面に、該電気回路に電気的に接続された複数のアルミニウム電極が形成されていること、即ち、該液晶駆動用ＩＣが、その主面に電気回路が形成された基板と、該基板上に形成され、該電気回路に電気的に接続された複数のアルミニウム電極とを有していることに他ならず、上記「液晶駆動用ＩＣの電気回路が形成された基板」は、半導体基板に該当する。
　また、引用発明において、「バリヤ・メタル層が・・・平坦に形成されて」いるのであるから、該「バリヤ・メタル層」は、ほぼ平坦な主面を有しているといえる。
　また、引用発明における「アルミニウム電極」は、本願発明１の「電極パッド」に相当し、以下同様に、「パッシベーション膜」は「絶縁層」に、「穿孔部分」は「開口部」に、「バリヤ・メタル層」は「バリアメタル部」に、「金バンプ」は「導電性バンプ」に、「（金バンプの）上面形状」は「（導電性バンプの）主面形状」に、「ＩＴＯ配線電極」は「対向電極」に、「液晶駆動用ＩＣ」は「半導体装置」に相当する。
　してみると、両者は、
「その主面に電気回路が形成された半導体基板と、
　上記半導体基板上に形成され、上記電気回路に電気的に接続された複数の電極パッドと、
　上記複数の電極パッドを覆うように上記半導体基板上に形成された絶縁層と、
　上記複数の電極パッド上の上記絶縁層にそれぞれ形成された複数の開口部と、
　上記電極パッドに接続されると共にほぼ平坦な主面を有する複数のバリアメタル部と、
　上記複数のバリアメタル部上にそれぞれ形成された複数の導電性バンプと、を有し、
上記複数の導電性バンプが異方性導電膜を介して対向電極に電気的に接続される半導体装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
（イ）本願発明１では、複数のバリアメタル部が、絶縁層上にそれぞれ形成され、該絶縁層の開口部を介して電極パッドに接続されており、複数の導電性バンプが、該バリアメタル部の主面形状に対応した主面形状を有しており、上記開口部の開口面積が上記導電性バンプの主面の面積の１／９以下であるのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
［３−３］相違点（イ）の検討
　引用発明では、バリヤ・メタル層（バリアメタル部）を、パッシベーション膜（絶縁層）の穿孔部分（開口部）のアルミニウム電極（電極パッド）上に、該アルミニウム電極の上面に沿って平坦に形成し、該バリヤ・メタル層上に、金バンプ（導電性バンプ）をほぼ均一な厚みで形成することにより、該金バンプの上面（主面）形状を平坦な形状とし、該金バンプの平坦な上面により異方性導電膜の導電粒子を押し潰し、該上面に良く密着させてＩＴＯ配線電極（対向電極）との良好な低抵抗の電気的接続を得ているのであるから、引用発明では、金バンプとＩＴＯ配線電極との良好な低抵抗の電気的接続を得るべく、該金バンプの上面形状（主面形状）を平坦に形成しているものと理解できる。
　そして、外部接続用の導電性バンプを半導体基板に形成する半導体装置において、絶縁層上に形成され、該絶縁層の開口部を介して電極パッドに接続されるバリアメタル部上に、上記導電性バンプを、該バリアメタル部の主面形状に対応した平坦な主面形状で形成できるように、上記開口部の開口面積を、上記導電性バンプの主面の面積の１／９以下とすることは、引用刊行物２に、ＴＡＢやＣＯＧなどの実装を行う半導体装置において、バンプを同様に形成するために、絶縁膜の開口の各開口面積を、バンプ上面を１６分割した面積より小さくし、バンプ上面の面積の１／９以下とすることが記載されている（摘記（２ａ）〜（２ｃ）参照）他、次の周知例１〜３にもそれぞれ、下記のとおり記載されているように、本願出願前周知の技術であると認められる。
　　
周知例１：特開昭５７−２５４８号公報
（周１ａ）「ＩＣのＡｌ電極面に突起電極を形成するＩＣ電極構造に於て、該電極のパッシベーション膜開口部内に、パッシベーション膜残留部を設けたことを特徴とするＩＣ電極構造」（特許請求の範囲）、
（周１ｂ）「ＩＣのＡｌ電極面にパッシベーション残留部をパッシベーション開口部の形成と同時に設けることにより、Ａｕメッキ層形成後のボンデイング面を出来るだけ平滑化し、・・・」（第２頁右上欄２０行〜左下欄４行）、
（周１ｃ）「パッシベーション膜３の形成時にパッシベーション開口部３ａ内に・・・格子状のパッシベーション残留部１０を形成し、ＩＣの電極部を形成している。」（第２頁左下欄１４〜１８行）が記載されている。
（周１ｄ）第２図には、パッシベーション開口部３ａが断面においてパッシベーション残留部１０により３分割され、Ａｕメッキ層６’（突起電極）が平滑化されていることが示されている。
　そして、上記第２図の各パッシベーション開口部３ａが、格子状のパッシベーション残留部１０（周１ｃ）により縦横２方向で分割されているので（周１ｄ）、各パッシベーション開口部３ａの面積が突起電極の上面の面積の１／９以下であることは明らかである。
　　
周知例２：特開平６−３３３９２９号公報
（周２ａ）「【０００７】・・・この金属配線の一部が金属電極３としてバンプ形成箇所に設けられる。この金属電極３を含む半導体基板の表面上には酸化膜或いは窒化膜等の保護絶縁膜４を被着し、かつ前記金属電極３上の保護絶縁膜４には微細な開口部５を開設する。この開口部５は、ここではバンプ形成箇所の中央位置に１個だけ設けた矩形の穴として形成しており、その対角線に沿う平面寸法は、詳細を後述するように、形成しようとするバンプの厚さ寸法と同程度の寸法、或いはそれよりも小さい寸法とする。
【０００８】その上で、前記開口部５を含む半導体基板１の全面にチタン・チタンタングステン、或いはチタン・白金等の多層金属膜の薄いバリアメタル６を形成し、・・・所要厚さのバンプ７を形成する。その後、レジストを除去し、これにより露呈されたバリアメタルを形成されたバンプをマスクとしてエッチング除去し、図１の構造が完成される。・・・」（段落【０００７】【０００８】）、
（周２ｂ）「【００１１】ところで、開口部５の寸法は小さいほどバンプ７の表面の平坦化には有利であるが、その反面でバンプ７と金属電極３との接触面積が低減され、電気抵抗が大きくなる。したがって、開口部の寸法はこれら両者の兼ね合いで決定する必要がある。この問題を解消したのが、次に説明する第２実施例の構造である。図３は本発明の第２実施例を示し、・・・この実施例では、金属電極とバンプとの接触抵抗を下げるために、開口部５を多数個配設した例である。即ち、金属電極３を覆うように形成した保護絶縁膜４に、第１実施例と同様な開口部５を縦横それぞれ３×３で配列し、これら開口部５を含むバンプ形成箇所の保護絶縁膜４上にバリアメタル６を形成し、その上で第１実施例と同様にバンプ７を成長してバンプを形成している。
【００１２】この実施例においても、各開口部５の平面寸法をバンプ７の厚さよりも小さく設定することにより、電解メッキ法でバンプを成長する際に、各開口部５の直上に生じる凹部を埋設し、完成されるバンプの表面を平坦にすることができる。」（段落【００１１】【００１２】）が記載されている。
　そして、上記開口部５を縦横それぞれ３×３で配列した場合（周２ｂ）の各開口部５の開口面積がバンプ７表面の面積の１／９以下であることは明らかである。また、上記開口部５をバンプ形成箇所の中央位置に１個だけ設ける場合も（周２ａ）、同様の開口面積であるといえる。
　　
周知例３：特開平７−５８１１３号公報
（周３ａ）「【０００９】・・・シリコン基板１１の表面上には電極パッド１２が設けられ、この電極パッド１２及びシリコン基板１１の上にはパッシベ−ション膜１３が設けられる。このパッシベ−ション膜１３には前記電極パッド１２の上に位置する開孔部１３ａが設けられる。・・・
【００１０】・・・四角形の開孔の内側の一部にパッシベ−ション膜１３を残した形状としているため、バリアメタル１４の上面に従来品のような窪みが生じることない。即ち、バリアメタル１４の上面を平坦化することができる。この結果、このバリアメタル１４の上に設けられたバンプ１５の上面においても窪みが生じることがなく、このバンプ１５の上面を平坦化することができる。・・・
【００１１】また、バンプ１５の上面を平坦化することにより、バンプ１５の上面における高さのばらつきが少なくなるため、ＩＬＢ後のバンプつぶれ量が一定となり、バンプつぶれ量のばらつきを少なくすることができる。」（段落【０００９】〜【００１１】）、
（周３ｂ）「【００１３】図３は、この発明の第２の実施例による半導体装置を示す平面図であり、図４は、図３に示す３−３線に沿った断面図である。・・・
【００１４】パッシベ−ション膜１３には電極パッド１２の上に位置する九つの開孔部１３ａが設けられる。これら開孔部１３ａの平面形状は四角形とされている。上記第２の実施例においても第１の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００１５】尚、上記第２の実施例では、パッシベ−ション膜１３に九つの開孔部１３ａを設けているが、パッシベ−ション膜１３に九つ未満又は十以上の開孔部１３ａを設けることも可能である。」（段落【００１３】〜【００１５】）が記載されている。
　そして、上記「九つの開孔部１３ａ」（周３ｂ）の各開孔面積がバンプ１５の上面の面積の１／９以下であることは明らかである。
　　
　また、上記導電性バンプの主面の面積に対する上記開口面積の数値限定は、１／９以下という上限のみの限定であり、該上限での格別な臨界的意義は見出せないので、当業者が設計上適宜に設定できたものと認められる。
　そうすると、引用発明の液晶駆動用ＩＣにおいて、各金バンプ（導電性バンプ）とＩＴＯ配線電極（対向電極）との良好な低抵抗の電気的接続を得るべく、パッシベーション膜（絶縁層）の各穿孔部分（開口部）のアルミニウム電極（電極パッド）上に平坦なバリヤ・メタル層（バリアメタル部）をそれぞれ形成し、該バリヤ・メタル層上に金バンプをほぼ均一な厚みでそれぞれ形成することに代えて、該パッシベーション膜上に該パッシベーション膜の穿孔部分を介してアルミニウム電極に接続されるバリヤ・メタル層をそれぞれ形成し、該バリヤ・メタル層上に上記金バンプを、該バリヤ・メタル層の主面形状に対応した平坦な上面形状（主面形状）でそれぞれ形成できるように、上記各穿孔部分の穿孔面積（開口面積）を上記金バンプの上面の面積の１／９以下とすること、即ち、半導体装置において、その半導体基板の絶縁層の各開口部の開口面積を導電性バンプの主面の面積の１／９以下とし、複数の導電性バンプをそれぞれ、該絶縁層上にそれぞれ形成され、該開口部を介して電極パッドに接続されるバリアメタル部の主面形状に対応した主面形状を有するように形成することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
　また、相違点（イ）に係る本願発明１の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物１の記載、及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。