【事件の表示】
　特願２００３−５７７７「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１７日出願公開、特開２００３−２９８００５〕について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１５年１月１４日(優先権主張；平成１４年２月４日)の出願であって、平成１７年８月１９日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年１０月２１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１８年３月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年４月２７日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、法定期間内の平成１８年５月２５日付けで、その明細書についての手続補正書が提出されたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年５月２５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
［１］補正内容
　本件補正は、明細書の特許請求の範囲についてする補正内容として、
　補正前の独立請求項である請求項１の「複数の柱状電極」を、
　「各々が、内部に空隙を有さず、中実に形成された」複数の柱状電極と限定して減縮することを含むものである。
　そして、補正後の請求項１は、
　「【請求項１】一面上に接続パッドを有する少なくとも１つの半導体チップと、前記各半導体チップの一面および周囲面を覆うように設けられた最下層の絶縁膜と、該最下層の絶縁膜の上面に前記各半導体チップの接続パッドに接続されて設けられた複数の最下層の再配線と、前記複数の最下層の再配線上に形成された少なくとも１層の中間絶縁膜と、前記最上層の中間絶縁膜上に形成された複数の最上層の再配線と、前記複数の最上層の再配線上に形成された最上層の絶縁膜と、前記中間絶縁膜中の少なくとも１層中に設けられ当該中間絶縁膜の上下の再配線を接続する、各々が、内部に空隙を有さず、中実に形成された複数の柱状電極と、前記最上層の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記複数の最上層の再配線の各パッド部上に設けられた複数の半田ボールとを備え、前記複数の最下層の再配線のパッド部の少なくとも１つは前記半導体チップの周囲における前記最下層の絶縁膜上に配置されていることを特徴とする半導体装置。」(以下、「本件発明」という)へと限定して減縮された。
　したがって、審判請求人が平成１８年５月２５日付けで明細書の特許請求の範囲についてした手続補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された事項を目的とするものに該当する。
　そこで、本件発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか)について次で検討する。
　　　
［２］引用例１〜３の記載事項
［２-1］引用例１；特開平１１−２３３６７８号公報(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献１である)
　段落【0009】の【発明の実施の形態】に、
(引1a)「以下、本発明をＢＧＡ(Ball Grid Array) パッケージに適用した一実施形態を説明する。まず、図１に基づいてＢＧＡパッケージ２４全体の構造を説明する。ＩＣチップ１１は、パッド１２側の面を上向きにして金属板製のコア材１３の上面中央部に接着剤１４により接着されている。コア材１３上には、ＩＣチップ１１と同じ厚みのエポキシ樹脂の絶縁層１５がＩＣチップ１１を取り巻くように形成されている。ＩＣチップ１１のパッド１２側の面と絶縁層１５の上面とで形成される同一平面上にビルドアップ多層基板１７が形成されている」と記載され、
　段落【0010】に、
(引1b)「ビルドアップ多層基板１７は、各層の絶縁層が感光性樹脂層１８で形成され、各感光性樹脂層１８には、層間を接続するビア導体２０と内層配線パターン２１（配線層）が形成されている。ビルドアップ多層基板１７の表面には、半田バンプ２２（半田ボール）が形成され」と記載され、
　段落【0013】に、
(引1c)「まず、ＩＣチップ１１のパッド１２側の面と絶縁層１５の上面とで形成される同一平面にエポキシ系の感光性樹脂をスピンコーター等で塗布して、９０℃で３０分間、プリベークして感光性樹脂層１８を形成する。この後、感光性樹脂層１８にビアホールをフォトエッチングにより形成するために、・・・更に、１７５℃で２時間加熱して熱硬化させる。これにより、１層目の感光性樹脂層１８を形成する」と記載され、
　段落【0015】に、
(引1d)「この後、ドライフィルムの上から電解Ｃｕめっきを施して、ビア導体２０と内層配線パターン２１に対応する部分に電解Ｃｕめっきパターンを形成する。めっき後、アセトンでドライフィルムを剥離した後、電解Ｃｕめっきパターンをエッチングレジスト（マスク）として用いて、無電解Ｃｕめっき被膜の不要部分をエッチングにより取り除く。これにより、感光性樹脂層１８のビアホールにビア導体２０を形成し、このビア導体２０をＩＣチップ１１のパッド１２に導通させると共に、感光性樹脂層１８の上面に内層配線パターン２１を形成する」と記載され、
　段落【0016】に、
(引1e)「以上の工程で、１層目の感光性樹脂層１８の形成、ビアホールの形成及びビア導体２０と内層配線パターン２１の形成を終了し、以後、これらの工程を必要な積層数になるまで順次繰り返して、ＩＣチップ１１上にビルドアップ多層基板１７を形成する」と記載され、
　段落【0017】に、
(引1f)「このようにして、ＩＣチップ１１上にビルドアップ多層基板１７を形成すれば、ＩＣチップ１１のパッド１２に半田（Ｐｂ）バンプを形成しなくても、パッド１２にビア導体２０を直接接続することが可能となり」と記載され、
　段落【0018】に、
(引1g)「ビルドアップ多層基板１７の形成後、ビルドアップ多層基板１７の上面全体に感光性のソルダーレジスト２３をスピンコーター等で塗布し、これを露光、現像して、最上層のビア導体２０の上端部分をビルドアップ多層基板１７の上面のソルダーレジスト２３の被膜から露出させる。そして、ソルダーレジスト２３を熱硬化させた後、最上層のビア導体２０の上端露出部分に半田ペーストをスクリーン印刷し、これをリフローにより溶融させて半田バンプ２２を形成する。以上の工程により、図１に示す構造のＢＧＡパッケージ２４が形成される」と記載され、
　【図１】に、
(引1h)「複数の最下層の内層配線パターン２１と、その一層上の内層配線パターンとを接続するビア導体２０との接続箇所である、前記最下層の内層配線パターンのパッド部の少なくとも１つはＩＣチップ１１の周囲における最下層(１層目)の絶縁層である感光性樹脂層１８上に配置された構造」が示されている。
　　　
［２-2］引用例２；特開２００１−２１７３８１号公報(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献２である)
　段落【0043】に、
(引2a)「次に、各半導体チップの電極面にフォトレジストを形成する。そして、形成されたフォトレジストをエッチングによりパターン化して、電極パッド２４のみを露出させる。次に、図３に示すように、露出した電極パッド２４上に無電解メッキ法により銅ポスト２６を所定の高さに形成する」と記載され、
　段落【0044】に、
(引2b)「各半導体チップの電極２４上に銅ポスト２６を形成した後、図４に示すように、各半導体チップと銅ポスト２６とを封止樹脂２８により封止する。その後、封止樹脂２８の表面に銅ポスト２６が現れるように、封止樹脂２８を化学的機械研磨（ＣＭＰ）により研磨して平坦化する。得られた封止樹脂２８の表面に再配線層１８を形成する」と記載され、
　段落【0045】に、
(引2c)「再配線層１８は既知の半導体製造プロセスを用いて形成される。図５（ｂ）に示すように、再配線層１８は、各半導体チップの銅ポスト２６を接続する配線パターン１８ａと外部に接続するための銅ポスト用ランド１８ｂとを含む」と記載され、
　段落【0046】に、
(引2d)「次に、再配線層１８の表面に露出したランド１８ｂ上に銅ポスト３２を無電解メッキ法により形成する。得られた銅ポスト３２を、封止樹脂２８と同様の封止樹脂３４により封止する。そして、封止樹脂３４の表面をＣＭＰ法により研磨して平坦化する。その後、図６に示されるように、封止樹脂３４の表面に露出した銅ポスト３２上に突起電極としてのハンダボール３６を形成して、半導体装置１０が完成する」と記載され、
　段落【0068】に、
(引2e)「本実施例による半導体装置８０の一層目は、半導体装置１０の搭載治具２２、半導体チップ１２、１４、１６、銅ポスト２６及び封止樹脂２８よりなる構成と同様な方法で形成される。半導体装置８０の二層目は、図１９に示すように、一層目の封止樹脂２８の上に形成された再配線層８４を有する。再配線層８４は、再配線層１８と同様に、配線パターンとランドとを有する。半導体チップ１２、１４及び１６は再配線層８４の配線パターンにより接続される。再配線層８４のランド上には銅ポスト８６が形成され、封止樹脂８８で封止される」と記載され、
　段落【0070】に、
(引2f)「次に、半導体装置８０の三層目が上述のように形成された二層目の上に形成される。三層目は半導体装置１０の再配線層１８、銅ポスト３２、封止樹脂３４、及びハンダボール３６からなる構成と同様であり、その説明は省略する」と記載され、
　【図４】，【図１９】に、
(引2g)「１層目(最下層)において、電極パッド24と銅ポストを有する半導体チップの表面(一面)、及び該半導体チップの周囲面が封止樹脂28により一体に封止されて覆われている構成」が示されている。
　　　
［２-3］引用例３；特開２００１−３３２６４３号公報(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献３である)
　【図７】や【図12】，【図14】を参照して、段落【0005】に、
(引3a)「再配線５を形成した後には、再配線５上の所定箇所に複数のポスト（柱状電極）６を設ける。ポスト６は、例えば１００〜１５０μｍ程度の厚さでポスト形成用のレジストを塗布硬化させ、レジストパターニングを施し、これにより開口された部分に電解メッキを施すことで形成される。こうして、図１２に図示する構造となったら、図１３に図示するように、ポスト６を覆うように、ウエハ１の回路面側全体をエポキシ等の樹脂材によってモールドし第２の表面側保護膜７を形成する。そして、この第２の表面側保護膜７を硬化させた後、ウエハ１全体を研削加工テーブルに移載し、研削装置にて第２の表面側保護膜７の上面側を研磨してポスト６の端面６ａ（図１４参照）を露出させる」と記載されている。
　　　
［３］対比・判断
［３-1］引用発明
　上記(引1a)の摘記事項；
　「ＩＣチップ１１は、パッド１２側の面を上向きにして金属板製のコア材１３の上面中央部に接着剤１４により接着されている。コア材１３上には、ＩＣチップ１１と同じ厚みのエポキシ樹脂の絶縁層１５がＩＣチップ１１を取り巻くように形成されている」ことから、
　（１）「一面上にパッドを有するＩＣチップと、前記ＩＣチップの周囲面を取り巻くように形成されたエポキシ樹脂の絶縁層と」が開示されている。
　　　
　そして、上記(引1c)，(引1d)の摘記事項；
　「ＩＣチップ１１のパッド１２側の面と絶縁層１５の上面とで形成される同一平面にエポキシ系の感光性樹脂をスピンコーター等で塗布し、感光性樹脂層１８にビアホールをフォトエッチングにより形成する。１７５℃で２時間加熱して熱硬化させる。これにより、１層目の感光性樹脂層１８を形成する」，「感光性樹脂層１８のビアホールにビア導体２０を形成し、このビア導体２０をＩＣチップ１１のパッド１２に導通させると共に、感光性樹脂層１８の上面に内層配線パターン２１を形成する」ことから、
　（２）「ＩＣチップの一面に最下層(１層目)の絶縁膜(感光性樹脂層)を形成し、該絶縁膜の上面に前記ＩＣチップのパッドに導通する複数の最下層(１層目)の内層配線パターンを形成する」ことが開示されている。
　　　
　また、上記(引1e)の摘記事項；
　「以上の工程で、１層目の感光性樹脂層１８の形成、ビアホールの形成及びビア導体２０と内層配線パターン２１の形成を終了し、以後、これらの工程を必要な積層数になるまで順次繰り返して、ＩＣチップ１１上にビルドアップ多層基板１７を形成する」ことから、このビルドアップ層が複数積層されるので、
　（３）「複数の最下層(１層目)の内層配線パターン上に、必要数の中間絶縁膜(感光性樹脂層)及びビア導体並びに該中間絶縁膜上の内層配線パターンが形成され、前記中間絶縁膜の最も上の層、すなわち、最上層の絶縁膜上にも複数の最上層の内層配線パターンが形成された構造となること」が開示されている。
　　　
　さらに、上記(引1b)，(引1g)の摘記事項；
　「ビルドアップ多層基板１７は、各層の絶縁層が感光性樹脂層１８で形成され、各感光性樹脂層１８には、層間を接続するビア導体２０と内層配線パターン２１（配線層）が形成されている。ビルドアップ多層基板１７の表面には、半田バンプ２２（半田ボール）が形成され」，「ビルドアップ多層基板１７の形成後、ビルドアップ多層基板１７の上面全体に感光性のソルダーレジスト２３をスピンコーター等で塗布し、そして、ソルダーレジスト２３を熱硬化させた後、最上層のビア導体２０の上端露出部分に半田ペーストをスクリーン印刷し、これをリフローにより溶融させて半田バンプ２２を形成する。以上の工程により、図１に示す構造のＢＧＡパッケージ２４が形成される」ことから、ソルダーレジストはビルドアップ多層基板の上面に塗布・硬化されるので、
　（４）「複数の最上層の内層配線パターン上に形成された最上層のソルダーレジストと、各層の絶縁膜(感光性樹脂層)中の少なくとも１層中に設けられ当該絶縁膜の上下の内層配線パターンを接続する複数のビア導体と、前記最上層のソルダーレジストに設けられた最上層のビア導体の上端露出部分に複数の半田ボールとを備えたＢＧＡパッケージ」が開示されている。
　　　
　加えて、上記(引1b)，(引1h)の摘記事項；
　「各層の絶縁層が感光性樹脂層１８で形成され、各感光性樹脂層１８には、層間を接続するビア導体２０と内層配線パターン２１（配線層）が形成されている」，「複数の最下層の内層配線パターン２１と、前記最下層の内層配線パターンのパッド部の少なくとも１つはＩＣチップ１１の周囲における最下層の絶縁層である感光性樹脂層１８上に配置され」ていることから、
　（５）「複数の最下層の内層配線パターンのパッド部の少なくとも１つはＩＣチップの周囲における最下層の絶縁膜(感光性樹脂層)上に配置されていること」が開示されている。
　　　
　以上の（１）〜（５）から、引用例１には、
　「一面上にパッドを有するＩＣチップと、前記ＩＣチップの周囲面を取り巻くように形成されたエポキシ樹脂の絶縁層とＩＣチップの一面に形成された最下層の絶縁膜と、該最下層の絶縁膜の上面に前記ＩＣチップのパッドに導通するよう設けられた複数の最下層の内層配線パターンと、前記複数の最下層の内層配線パターン上に形成された必要数の中間絶縁膜と、前記最上層の中間絶縁膜上に形成された複数の最上層の内層配線パターンと、前記複数の最上層の内層配線パターン上に形成された最上層のソルダーレジストと、前記中間絶縁膜中の少なくとも１層中に設けられ当該中間絶縁膜の上下の内層配線パターンを接続する複数のビア導体と、前記最上層のソルダーレジストに設けられた最上層のビア導体の上端露出部分に設けられた複数の半田ボールとを備え、前記複数の最下層の内層配線パターンのパッド部の少なくとも１つは前記ＩＣチップの周囲における前記最下層の絶縁膜上に配置されているＢＧＡパッケージ」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［３-2］引用例２の開示内容
　上記(引2b)，(引2g)の摘記事項；
　「各半導体チップの電極２４上に銅ポスト２６を形成した後、図４に示すように、各半導体チップと銅ポスト２６とを封止樹脂２８により封止する」，「１層目(最下層)において、電極パッド24と銅ポストを有する半導体チップの表面(一面)、及び該半導体チップの周囲面が封止樹脂28により一体に封止されて覆われている」ことから、
　(引2z)「半導体チップの表面および周囲面を一体に覆うように設けられた最下層の封止樹脂層」があるという技術事項が示されている。
　　　
［３-3］引用例３の開示内容
　上記(引3a)の摘記事項；
　「再配線５を形成した後には、再配線５上の所定箇所に複数のポスト（柱状電極）６を設ける。ポスト６は、例えば１００〜１５０μｍ程度の厚さでポスト形成用のレジストを塗布硬化させ、レジストパターニングを施し、これにより開口された部分に電解メッキを施すことで形成される。・・・研削装置にて第２の表面側保護膜７の上面側を研磨してポスト６の端面６ａ（図１４参照）を露出させる」ことから、
　(引3z)「保護膜中に、各々が、内部に空隙を有さず、中実に形成された複数のポスト(柱状電極)」があるという技術事項が示されている。
　　　
［３-4］本件発明と引用発明との対比
　本件発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「パッド」，「ＩＣチップ」，「導通」，「内層配線パターン」，「必要数の」，「最上層のソルダーレジスト」，「ＢＧＡパッケージ」は、
　本件発明の「接続パッド」，「半導体チップ」，「接続」，「再配線」，「少なくとも１層の」，「最上層の絶縁膜」，「半導体装置」にそれぞれ相当する。
　したがって、本件発明と引用発明とは、
　「一面上に接続パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップの一面を覆うように設けられた最下層の絶縁膜と、該最下層の絶縁膜の上面に前記半導体チップの接続パッドに接続されて設けられた複数の最下層の再配線と、前記複数の最下層の再配線上に形成された少なくとも１層の中間絶縁膜と、前記最上層の中間絶縁膜上に形成された複数の最上層の再配線と、前記複数の最上層の再配線上に形成された最上層の絶縁膜と、前記中間絶縁膜中の少なくとも１層中に設けられ当該中間絶縁膜の上下の再配線を接続する複数の導体と、前記最上層の絶縁膜に設けられた複数の半田ボールとを備え、前記複数の最下層の再配線のパッド部の少なくとも１つは前記半導体チップの周囲における前記最下層の絶縁膜上に配置されている半導体装置」であることで一致する。
　　　
　一方、本件発明では「半導体チップの一面（表面）および周囲面を覆うように最下層の絶縁膜」が設けられているのに対して、引用発明では「ＩＣチップの一面に形成された最下層の絶縁膜と該ＩＣチップの周囲面を取り巻くように形成されたエポキシ樹脂の絶縁層」とが設けられている点(相違点１)と、
　本件発明では「中間絶縁膜の上下の再配線を接続する、各々が、内部に空隙を有さず、中実に形成された複数の柱状電極」を備えるのに対して、引用発明では「中間絶縁膜の上下の内層配線パターン(再配線)を接続する複数のビア導体」を備える点(相違点２)と、
　本件発明では「最上層の絶縁膜に設けられた開口部を介して複数の最上層の再配線の各パッド部上に」半田ボールを備えるのに対して、引用発明では「最上層のソルダーレジスト(絶縁膜)に設けられた最上層のビア導体の上端露出部分に」半田ボールを備える点(相違点３)とで、両者は相違する。
　　　
［３-5］相違点１〜３の判断
（１）相違点１について、
　相違点１について考察するに、
　上記(引2z)の如く、「半導体チップの表面および周囲面を一体に覆うように設けられた最下層の封止樹脂層」は引用例２に示されている。
　本件発明のようにするか、引用発明のようにするかは、当業者が適宜選択できたものといえる。
　したがって、この相違点１は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
（２）相違点２について、
　相違点２について考察するに、
　上記(引3z)の如く、「保護膜中に、各々が、内部に空隙を有さず、中実に形成された複数のポスト(柱状電極)」があるということは引用例３に示されている。
　そして、引用発明のビア導体を、引用例３開示の「中実の柱状電極」に換えることに格別な困難があるとはいえない。
　したがって、この相違点２は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
（３）相違点３について、
　引用発明のこの点に関する構造に関して、
　まず、「最上層のソルダーレジスト(絶縁膜)に設けられた最上層のビア導体」は、「最上層の絶縁膜にビア導体の開口部」があるといえる。
　そして、ビア導体の下端は下層の配線に接続されていることは自明であるから、この下層配線のビア導体との接続部が配線のパッド部である。
　また、半田ボールは最終端子であるから、そのすぐ下の配線は最上層の配線である。
　さらに、半導体チップには複数の電極端子(接続パッド)があるので、再配線して半田ボールを付与するときには、その配線および半田ボールは複数存在する。
　すなわち、この引用発明の構造は、最上層の絶縁膜に形成した開口部を介して複数の最上層の再配線の各パッド部の上に半田ボールを設けた構造である。
　したがって、この相違点３は、実質的な相違ではないと認められる。
　　　
［４］まとめ
　以上のとおり、本件発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１８年５月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１７年１０月２１日の手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
　「【請求項１】一面上に接続パッドを有する少なくとも１つの半導体チップと、前記各半導体チップの一面および周囲面を覆うように設けられた最下層の絶縁膜と、該最下層の絶縁膜の上面に前記各半導体チップの接続パッドに接続されて設けられた複数の最下層の再配線と、前記複数の最下層の再配線上に形成された少なくとも１層の中間絶縁膜と、前記最上層の中間絶縁膜上に形成された複数の最上層の再配線と、前記複数の最上層の再配線上に形成された最上層の絶縁膜と、前記中間絶縁膜中の少なくとも１層中に設けられ当該中間絶縁膜の上下の再配線を接続する複数の柱状電極と、前記最上層の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記複数の最上層の再配線の各パッド部上に設けられた複数の半田ボールとを備え、前記複数の最下層の再配線のパッド部の少なくとも１つは前記半導体チップの周囲における前記最下層の絶縁膜上に配置されていることを特徴とする半導体装置。」である。
　　　
　また、この本願発明(請求項１に係る発明)は、出願当初の請求項６に対応するものであるところ、当該請求項６については、「理由　２(特許法第２９条第２項)　・請求項６、１７(削除されている)　・引用例１−３」という拒絶理由が通知されており、その内容と同様の理由で、本願発明について特許を受けることができないとして、本願に対して拒絶査定がなされているから、原審の手続は適正である。
　　　
【４】当審の判断
　本願発明は、【２】段落の「補正却下の決定」中で特定した本件発明と比較すると、
　「複数の柱状電極」に関して、本件発明の「各々が、内部に空隙を有さず、中実に形成された」という限定を除き、その余の発明特定事項が本件発明とすべて共通・同一のものである。
　そして、引用例１〜３及びその記載事項は、【２】段落の［２］に記載したとおりである。
　そうすると、本願発明は、同段落の［３］対比・判断に記載したのと同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項１に係る発明)は、上記の引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。