【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２６４５３４５号発明「安定な低抵抗コンタクト」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６４５３４５号の請求項８、３６に記載された発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本件特許第２６４５３４５号は、米国において１９８７年２月１９日になされた出願を基礎出願として、パリ条約による優先権を主張し、昭和６３年２月１７日に特許出願され、平成９年５月９日にその請求項１ないし５５に係る発明について特許権の設定登録がなされ、その後、平成１０年２月２４日付けで特許異議の申し立てがなされ、平成１１年３月１２日付けで、請求項１、３、４、７、１０、１５、１９、３５、４９に係る特許を取り消す決定がなされ、同決定が確定した。 
　また、平成１５年１２月１７日付けで、沖電気工業株式会社から、本件請求項４０及び４３に係る特許について無効審判（以下、「第１無効審判」という。）が請求され、平成１７年６月２４日付けで請求項３６、４０及び４６に係る発明についての訂正を認めるとともに、請求項４０及び４３に記載された発明についての特許を無効とするとの審決がなされ、この審決に対しては、知的財産高等裁判所への審決取消訴訟の提起（平成１７年（行ケ）第１０７７７号）並びに最高裁判所への上告及び上告受理申請（平成１９年（行ツ）第１０１号、平成１９年（行ヒ）第９８号）がなされたが、平成１９年６月１９日付けで上告を棄却すると共に上告審として受理しない旨の決定がなされ、第１無効審判の審決が確定している。
　
　そして、本件特許無効審判事件は、平成１７年６月１３日付けで請求人　沖電気工業株式会社（以下、「請求人」という。）から、本件請求項８及び３６に係る特許について無効審判が請求されたものであり、平成１７年８月３１日付けで被請求人　アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレーテッド（以下、「被請求人」という。）より訂正請求書が提出されるとともに、平成１７年１２月２７日付けで答弁書が提出され、その後、平成１９年７月２４日付けで請求人より弁駁書が提出され、平成１９年１１月１５日に請求人及び被請求人より口頭審理陳述要領書がそれぞれ提出されるとともに、同日に口頭審理がなされたものである。
　なお、口頭審理において訂正拒絶理由が告知され、平成１９年１１月１５日付けで手続補正書（訂正明細書）が提出され、その後、平成１９年１１月２６日付けで請求人及び被請求人からそれぞれ上申書が提出され、更に、平成１９年１２月７日付けで被請求人から上申書が提出されている。
　
第２．請求人の主張
　請求人は、審判請求書、弁駁書、及び口頭審理陳述要領書において、
（１）訂正前の請求項８に係る特許発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反し、無効とすべきものである。
（２）請求項８についての訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書きに掲げる事項を目的とするものではなく、又は、実質上特許請求の範囲を拡張もしくは変更するものであって特許法第１３４条の２第５項で準用する平成６年改正前第１２６条第２項に規定する要件に適合しないものであるから、認められるべきではない。（請求人は、「特許法第１３４条の２第１項ただし書きに掲げる事項を目的とするものではなく、又は、実質上特許請求の範囲を拡張もしくは変更するものであって特許法第１３４条の２第５項で準用する特許法第１２６条第４項に規定する要件を充足しない」と主張しているが、本件特許の出願日は平成７年６月３０日以前であるので、上記のように条文を読み替えた。）
（３）仮に、請求項８についての訂正が認められるとしても、訂正後の請求項８に係る特許発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反し、無効とすべきものである。
（４）訂正が確定した請求項３６に係る特許発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反し、無効とすべきものである。
と主張している。
　
証拠方法
甲第１号証：特開昭６１−３５５１７号公報
甲第２号証：G.Higelin, C.Wieczorek, V.Grewal, “A CONTACT FILLING PROCESS WITH CVD-TUNGSTEN FOR MULTILEVEL METALLIZATION SYSTEMS”, １９８６年, PROCEEDINGS THIRD INTERNATIONAL IEEE VLSI MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE, pp．443-449
甲第３号証：K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”, Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, pp.503-506
甲第４号証：Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta, “TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”, Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications, 1986年発行 (1985 Materials Research Society), pp.161-171
甲第５号証：特開昭６１−５１９１７号公報
甲第６号証：特開昭６１−２４８４４２号公報
甲第７号証：特許第２６４５３４５号公報（本件特許掲載公報）
　
第３．被請求人の主張
一方、被請求人は、答弁書及び口頭審理陳述要領書において、
（１）本件の請求項８についての訂正は、訂正要件を充足するのものである。
（２）訂正前及び訂正後の請求項８に係る特許発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、無効とされるべきものではない。
（３）訂正が確定した請求項３６に係る特許発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、無効とされるべきものではない、
と主張している。
　
証拠方法
乙第１号証：E.K.BROADBENT, A.E.MORGAN, J.M.DEBLASI, P.VAN DER PUTTE, A.READER, B,COULMAN, B.J.BURROW, AND  D.K.SADANA “Growth of selective tungsten on self-aligned Ti and PtNi silicides by low pressure chemical vapor deposition”, pp.63-79
乙第２号証：D.C.PAINE, J.C.BRAVMAN, AND K.C.SARASWAT,   “MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF LPCVD TUNGSTEN INTERFACES”,  1985 Materials Research Society, pp.117-123
乙第３号証：David W.WOODRUFF, et al., General Electric Corporate Research and Development, “ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”, 1985 Materials Research Society, pp.173-183
乙第４号証：平成８年８月２０日付けで発送された拒絶理由通知
乙第５号証：優先権主張番号１６４２９号に係る米国特許出願
乙第６号証：伊藤隆司外２名著、“ＶＬＳＩの薄膜技術”、丸善株式会社発行、表紙、１７１頁〜１９１頁、奥付、昭和６１年９月３０日発行、平成４年１０月１０日第３刷発行
（なお、被請求人は、平成１９年１１月２６日付け上申書により、乙第６号証と同内容の“ＶＬＳＩの薄膜技術”の第１刷［昭和６１年９月３０日発行、大阪府立中之島図書館昭和６１年１１月２７日受入］の写しを提出している。）
乙第７号証：丹呉浩侑編、“半導体プロセス技術”、株式会社培風館発行、表紙、５２頁〜５３頁、奥付、１９９８年１１月３０日発行
乙第８号証：M.Iwami, 外２名、“ELS STUDY  ON THE INITIAL STAGE OF Ti-SILICIDE FORMATION ON Si(111) AT ROOM TEMPERATURE”、Solid State Communication、Vol.49, No.5、４５９頁〜４６２頁、１９８４年発行
　
第４．訂正請求について 
　平成１９年１１月１５日付け手続補正書（訂正明細書）により補正された、平成１７年８月３１日付け訂正請求書による訂正の適否について検討する。 
４−１．訂正の内容
　本件の訂正請求書において、被請求人が求める訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、
　訂正前の「【請求項８】　前記タングステン導電材料は、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、請求項７記載のコンタクト。」を
「【請求項８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、請求項７記載のコンタクト。」と訂正するものである。
　そして、本件訂正は、以下の訂正事項に整理される。
（１）訂正事項１ 
　「前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、」との記載を付加すること。 
（２）補正事項２
　「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、」との記載を付加すること。
（３）補正事項３
　訂正前の「前記タングステン導電材料は、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する」を「前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する」に訂正すること。
　
４−２．訂正の適否
（１）訂正事項１について　 
　訂正明細書の請求項８に係る発明は、請求項７を引用し、請求項７に係る発明は請求項１を引用しており、引用された請求項１には、「（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成されるバリヤ層」と記載されているから、訂正事項１についての訂正は、請求項１に記載される「バリヤ層」について、「窒化チタンを含む」ものであることを、技術的に限定するものであり、かつ、請求項１に記載される「バリヤ層」について、「浸食およびウォームホールのバリヤ層であ」ることを明りょうにし、或いは、技術的に限定するものである。よって、訂正事項１についての訂正は、特許請求の範囲の減縮、又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、訂正事項１についての訂正は、本件特許明細書の「好ましくは、バリヤ材料は、その優れたバリヤ特性のため、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンまたは窒化硼素を含む。TiNは、ドーパント種ならびにシリコン拡散に対する証明された拡散バリヤであるので、この発明の実施において最も好ましい材料である。」（特許公報第７頁右欄第２２〜２７行）、「析出中に、CVDタングステンプラグ法の場合、浸食およびウォームホール発生の原因となる気体CVDタングステン種は、層18および20があるため下にあるシリコンと決して接触せず、それによってそのようないかなる損傷も防ぐ。」（同第８頁左欄第２０〜２４行）、及び、「浸食およびウォームホールのような問題は、接合部10がバリヤ層20によって保護されているので生じない。」（同第８頁右欄第２０〜２２行）との記載から明らかである。 
　したがって、訂正事項１についての訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正明細書の請求項８に係る発明は、請求項７を引用し、請求項７に係る発明は請求項１を引用しており、引用された請求項１には、「（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層」を備えることが記載されている。そして、訂正事項２についての訂正により、「粘着および接触層」について、「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」なる構成が追加された。
　訂正事項２について、請求人は弁駁書において、『本件訂正８のうち「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、」という訂正事項は、明らかに特許請求の範囲を拡張又は変更するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。訂正前の請求項８は、引用する請求項１の構成要件（ａ）において、「前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層」と記載しており、チタンの粘着および接触層がドープされた領域の部分と接触する構造なのである。これに対し、訂正発明８では、「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」という要件が付加されているのであるから、チタンの粘着および接触層がドープされた領域の部分との間に「ＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド」が存在し、チタンの粘着および接触層がドープされた領域の部分と接触しない構造又はその構造を含むことになるのである。・・・（中略）・・・また、上記被請求人の「粘着及び接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにおいて、ＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られている態様に限定する」という主張を反対解釈すれば、粘着及び接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにおいて、ＴｉＳｉｘ層が得られていない態様も存在することになるが、訂正前の請求項８は、かかるＴｉＳｉｘ層が得られていない態様に限定されていたことになる。　したがって、本件訂正８によって、請求項８に係る発明が実質上特許請求の範囲を変更又は拡張されることは明らかであり、本件訂正８は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。』と主張している。（弁駁書第４頁第１５行〜第５頁第１７行）
　しかしながら、発明の対象となる物の構成を、製造方法と無関係に、物質等により直接的に特定することが、不可能、困難、あるいは何らかの意味で不適切であるときは、その物の製造方法によって物自体を特定することができるから、本件請求項８が請求項７を介して引用する請求項１の「前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層」の記載は、「チタンの粘着および接触層」という材料的・機能的構成に関して、「・・・接触して・・・沿って形成される」という製法的限定を加えたものと解釈することができる。そして、「チタンの粘着および接触層」に関する製法的限定であるとの位置づけにかんがみれば、「前記ドープされた領域の前記部分と接触して・・・形成される」という記載事項をもって、「チタンの粘着および接触層」が「前記ドーブされた領域の前記部分と接触」する界面領域において、何ら化学変化を起こさず、チタンのまま存続し続けるという構造的限定があると、直ちに解釈することはできない。
　さらに、訂正事項２において、請求項７を介して引用する請求項１の「半導体表面のドープされた領域」に関して、その素材を「シリコン基板のドープされた領域」との限定を付加しており、本件特許の優先権主張日の時点において、シリコンとチタンが接触する領域においてシリサイド化が比較的低温で発生することが技術常識であったと認められ、且つ、本件特許明細書においても、「チタンの層18は、約100ないし800Åのオーダの厚さである・・・約800Å以上の厚さは、チタンシリサイドが形成されるため接合から受入れ不可能な量のシリコンを消費することがあり」（本件特許公報第７頁右欄第４〜８行）、及び「Ti/TiN法では、チタンが接合部と接触するTiSixコンタクトシリサイド化が実質的に得られることに注目すべきである。」（同第９頁左欄第２８行〜右欄第１行）と記載されているから、本件特許明細書においては、「粘着および接触層」と位置づけられる「チタン」に関しては、実施例においても一貫してシリコンとの相互反応を生じさせることを前提とした記載となっている。
　したがって、「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」との記載を付加する訂正は、明細書全体からみて、特許発明が当然備えているはずの条件を特許請求の範囲に加入することに相当するものと認められ、請求項１の「前記ドープされた領域の前記部分と接触して・・・形成される」という製法的限定に係る技術的意義を明らかにしたものであって、明りょうでない記載の釈明、又は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、前述のとおり、本件特許明細書には、「Ti/TiN法では、チタンが接合部と接触するTiSixコンタクトシリサイド化が実質的に得られることに注目すべきである。」（本件特許公報第９頁左欄第２８行〜右欄第１行）と記載され、この記載に基づいて、「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」との記載を付加することは、請求項１の「前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層」との製法的限定の記載との間で矛盾や技術的な変更が生ずるものでもないから、訂正事項２についての訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項３について
　「前記タングステン導電材料は、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する」を「前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する」に訂正する訂正事項３についての訂正は、「前記タングステン導電材料」が、「ＣＶＤによって形成され」ることを技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項３についての訂正は、本件特許明細書の「層22は、等角析出可能な導電材料を含む。そのような材料の好ましい例は、CVDまたはバイアススパッタリングされたタングステンまたはモリブデンあるいはその場的にドープされたCVDポリシリコンを含む。」（本件特許公報第７頁右欄第４８行〜第８頁左欄第１行）、及び、「バリヤ層20の析出後、WSixまたはシリコンの任意の層21は、CVDタングステンにとって典型的な態様でCVDによって析出されてもよい。そのような層21の部分は、第1C図（点線）に描かれている。」（同第７頁右欄第４３〜４６行）との記載から明らかである。 
　したがって、訂正事項３についての訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　　 
４−３．まとめ
　したがって、本件訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、本件訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書きの規定に適合し、特許法第１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　 
第５．本件特許発明
　本件訂正は認められるから、請求人が無効を主張する本件特許第２６４５３４５号の請求項８、３６に係る特許発明は、平成１９年１１月１５日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された、平成１７年８月３１日付けの訂正請求書に添付された全文訂正明細書の請求項８、３６に係る特許発明に対応するものである。
　ここで、平成１１年３月１２日付けの「異議の決定」で取り消された請求項１、７、３５に係る発明、訂正された請求項８に係る発明、及び訂正が確定している請求項３６（以下、単に「請求項３６」という。）に係る発明は、以下のとおりである。
「【請求項１】　半導体表面上に、前記半導体表面のドープされた領域の部分まで形成される少なくとも１つの絶縁層を介して、コンタクトホールに形成される安定な低抵抗コンタクトであって、（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層と、（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成されるバリヤ層、および（ｃ）前記バリヤ層上を覆って形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する導電材料を含み、（ｄ）前記導電材料からなるコンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成されるとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料からなる、コンタクト。」  
「【請求項７】　前記導電材料は、タングステン、モリブデンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される、請求項１記載のコンタクト。」  
「【請求項８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、請求項７記載のコンタクト。」　  
「【請求項３５】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成される、方法。」 
「【請求項３６】　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項35記載の方法。」 
 　 
　そして、訂正された請求項８に係る発明は、請求項７を引用し、請求項７に係る発明は、さらに、請求項１を引用しており、また、請求項３６に係る発明は、請求項３５を引用しているから、訂正された請求項８に係る発明及び請求項３６に係る発明は、以下のとおりであるものと認められる。 
〔訂正された請求項８に係る発明〕
「【請求項８】　半導体表面上に、前記半導体表面のドープされた領域の部分まで形成される少なくとも１つの絶縁層を介して、コンタクトホールに形成される安定な低抵抗コンタクトであって、
（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層と、
（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成されるバリヤ層、および
（ｃ）前記バリヤ層上を覆って形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する導電材料を含み、
（ｄ）前記導電材料からなるコンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成されるとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料からなり、  
　前記導電材料は、タングステン、モリブデンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択され、　　 
　前記バリヤ層は、窒化チタンを含む浸食およびウォームホールのバリヤ層であり、前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ、前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する、コンタクト。」（以下、「本件特許発明１」という。） 
〔請求項３６に係る発明〕
「【請求項３６】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、 
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、 
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、 
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、 
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、 
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ 
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され、 
　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、方法。」（以下、「本件特許発明２」という。） 
　
第６．請求人の提出した証拠方法及びその記載事項
（ａ）刊行物１：特開昭６１−３５５１７号公報（請求人の提出した甲第１号証） 
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１は、「半導体装置の形成方法」（発明の名称）に関するものであって、第５図〜第８図とともに、以下の事項が記載されている。 
「本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体基板上に形成された半導体領域と配線層との間に高い信頼性をもつ微細面積のコンタクトを形成する方法に関する。」（第１頁右下欄第１６〜１９行） 
「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤーメタル）を形成する方法が注目されている。 
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行） 
「本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体層に対しても接合特性を劣化させることなく、配線層と拡散層との間のオーミックコンタクトを低抵抗とすると共に、信頼性を高めることを目的とする。」（第２頁右下欄第３〜７行） 
「アルミニウム層Ａｌ／窒化チタン膜ＴｉＮ／シリコン拡散層Ｓｉからなる多層膜構造では、窒化チタン膜の存在によって、550℃まで、アルミニウム層とシリコン拡散層との相互反応は確実に防止することができ、該窒化チタン膜は熱的および化学的安定性を維持することができることを確認した。」（第２頁右下欄第１１〜１７行）
「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。 
　すなわち、本発明は、拡散層の形成された基板表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコンタクト用の窓明けを行い、この窓内にコンタクト用電極を形成するにあたり、まず、金属膜を形成し、続いて窒化金属膜を形成し、該窒化金属膜の上層にコンタクト用の電極を形成することを特徴とするものである。 
　このように、拡散層と障壁金属としての窒化金属膜との間に金属膜を介在させた場合にも、該窒化金属膜の障壁金属としての特性は変化せず、金属膜の存在によって窒化金属膜の内部応力を緩和できるため密着性が高められると共に、後続する熱処理工程において、該金属膜が、拡散層上に生成される自然酸化膜と反応することにより、拡散層とコンタクト用の電極との電気的接触を良好に保つことが可能となる。 
〔発明の効果〕 
　従って、本発明によれば、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体領域に対しても、障壁金属の存在によって、電極と半導体領域との界面反応が抑制され、また電極形成後の熱処理による接合破壊を確実に防止することができると同時に、低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを形成することが可能となる。」（第３頁左上欄第４行〜同頁右上欄第１２行） 
「まず、第６図に示す如く、Ｐ型シリコン基板３１上に、砒素をイオン注入することによって形成されたＰＮ接合深さＸ＝０．１μｍのＮ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。 
　次いで、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行い、前記Ｐ型シリコン基板表面全体に第７図に示す如く、チタン（Ｔｉ）膜３４を形成する。このとき、基板温度は２０〜３００℃、アルゴンの圧力は３×１０−３Ｔｏｒｒとし、膜厚１００Åのチタン膜３４を得た後、一担、スパッタリングを停止する。 
　続いて、真空を破ることなく、該スパッタリング装置内に窒素ガスを導入し、アルゴンの分圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、窒素の分圧３×１０−４〜６×１０−４Ｔｏｒｒとし、基板温度２０〜３００℃の条件下で、再びスパッタリングを行い、第８図に示す如く膜厚１０００Åの窒化チタン膜３５を形成する。 
　更に、基板表面全体にアルミニウム膜３６を蒸着法によって形成する。そして、このようにして得られたチタン膜３４、窒化チタン膜３５、アルミニウム膜３６からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングする。この後、フォーミングガス雰囲気中で２０分間にわたり、４５０℃の熱処理を行うことにより、第５図に示したようなコンタクト用電極および電極配線層が完成される。」（第４頁左上欄第６行〜同頁右上欄第１３行） 
「前記熱処理によってチタン膜が、Ｎ＋型シリコン拡散層と反応し、ケイ化チタンＴｉＳｉ２が形成される」（第４頁右下欄第４〜６行） 
 　　 
　そして、刊行物１に記載された発明の「チタン膜」及び「窒化チタン膜」は、第７図、第８図及びこれらの図面に関する記載から、コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されていることは明らかである。 
 　 
　よって、刊行物１には、 
「Ｐ型シリコン基板上に、前記シリコン基板に砒素をイオン注入されたＮ＋型シリコン拡散層まで、酸化シリコンの絶縁膜に穿孔したコンタクト用の窓に形成された、低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトであって、 
（ａ）酸化シリコンの絶縁膜を介してかつ前記Ｎ＋型シリコン拡散層の前記コンタクト用の窓に露出する部分と接して、前記コンタクト用の窓の側壁にそって形成されたチタン膜と、 
（ｂ）前記チタン膜上で、コンタクト用の窓の底部のみでなく側壁にも形成された窒化チタン膜と、 
（ｃ）前記窒化チタン膜を含めた前記Ｐ型シリコン基板表面全体に蒸着法により形成されたアルミニウム膜とを含むオーミックコンタクト。」（以下、「刊行物発明１−１」という。」）、　　 
「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、 
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、 
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、 
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、 
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されるとともに、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、 
（ｅ）続いて、窒化チタン膜を形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ 
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成し、 
　前記チタン膜は、１００Åの厚さにスパッタリングにより形成され、前記窒化チタン膜は、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」（以下、「刊行物発明１−２」という。」）
が記載されている。 
 　　 
（ｂ）刊行物２：G.Higelin, C.Wieczorek, V.Grewal, “A CONTACT FILLING PROCESS WITH CVD-TUNGSTEN FOR MULTILEVEL METALLIZATION SYSTEMS”, １９８６年, PROCEEDINGS THIRD INTERNATIONAL IEEE VLSI MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE, pp．443-449　（請求人が提出した甲第２号証）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物２には、図１ａ、図１ｂ、図２及び図３とともに以下の事項が記載されている。 
「従来のＡｌスパッタ技術は、ステップカバレッジ（段差被覆性）が劣っていたので、サブミクロンサイズの信頼できるコンタクト電極形成には十分ではないであろう。・・・ 
　Ｈ２によるＷＦ６の還元によって形成されるＣＶＤタングステン膜は、低い堆積温度、コンフォーマルなステップカバレッジ（均一な段差被覆性）、低いコンタクト抵抗および高いエレクトロマイグレーションの安定性という非常に適した特性を有し、最も期待されているプロセスである。非選択的なＷ（タングステン）堆積およびエッチバックによるＷ（タングステン）プラグをコンタクトホールに充填することができる。この非選択方法は、タングステンを選択的に堆積させる場合のような浸食効果やウォームホールに関連する問題が何もないことが示された。」（第４４３頁第１３〜２５行の訳文）
「優れた流動性を有し、ステップアングルが４５°以上の非常に高い平坦化を提供するＢＰＳＧ（４％Ｂ、４％Ｐ）によって素子分離酸化物が形成された。側壁の角度が約８５°の異方性のコンタクトが開口された。レジスト剥離後、ポリマーを除去するためにＮＦ３処理が行われた。タングステンの堆積前のＨＦ浸漬は、タングステン層のコンタクト抵抗および接着性を向上させる。ＷＳｉｘ（Ｘ≧２．２）およびＷの二重層が、４５０℃のコールドウォールＬＰＣＶＤリアクタ中で次の化学反応で堆積された。 
　　　 ＷＦ６＋２．５ＳｉＨ４ →　ＷＳｉ2.5＋６ＨＦ＋２Ｈ２　（１）
および ＷＦ６＋　３Ｈ２　　　 →　Ｗ　　　 ＋６ＨＦ． 　　　（２）
　ＷＳｉｘの厚さは１０００Åであり、Ｗは８０００Åであった。 
　・・・Ｗ／ＷＳｉｘのエッチバックは、マグネトロンシステムにおけるＳＦ６／Ｏ２プラズマ方法によって行われた。・・・エッチバックした後のタングステンプラグの形状は図１ｂに示されている。ＡｌＳｉがスパッタされる前にＷ表面から酸化膜を洗浄する様々な工程が行われた。」（第４４３頁第２９行〜第４４４頁第１７行の訳文）
「ＷＳｉｘ／Ｗ堆積とエッチバックによるコンタクト充填工程は、非常に好適な平坦な特性を持つ。ＷＳｉｘは優れた接合部の特性及びＳｉに対する低コンタクト抵抗を有し、ＷはＡｌスパイクを防止する拡散バリヤとして機能しうる。」（第４４５頁第２２〜２６行の訳文）
「図２：Ｗプラグで充填されたコンタクトホール上のＡｌＳｉ配線」（第４４７頁　図２の説明の訳文）
「図３：ＡｌＳｉ金属層形成及び４５０℃アニーリング後のボロン注入Ｓ／Ｄ領域へのコンタクトのＴＥＭ断面写真」（第４４８頁　図３の説明の訳文）
 　 
（ｃ）刊行物３：K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”, Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, pp.503-506　（請求人が提出した甲第３号証） 
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物３には、以下の事項が記載されている。 
「加熱したサセプタのあるＬＰＣＶＤ［低圧ＣＶＤ］コールドウォールリアクタ中で、選択的及び非選択的にタングステンまたはタングステンシリサイドを堆積した。サンプルは装置に配置する前の最後に１％のＨＦ溶液に浸した。下記のような４種類の反応を行なった。 
 　　　2WF６ + 3Si　 →　2W + 3SiF４　　　　　(1) 
 　　　2WF６ + 3H２　→　2W + 6HF　　　 　  　(2) 
 　　　WF６  + 3/2SiH４ → W + 3/2SiF４ + H２　 (3) 
 　　　WF６  + 2SiH４　→ WSi２ + 6HF + H２　 　(4) 
　堆積はすべて３６０〜５００℃の基板温度で行った。充填のプロセスは図１に示してある。最初にＬＰＣＶＤでポリシリコンを堆積し、RIEでエッチバックを行うことにより深いホールの内部に３００〜１０００Åのポリシリコンの側壁を形成した。二番目に、反応（１）により５００Åのタングステンを選択的に堆積した。三番目に、密着性を上げるために反応（４）により７００〜８００ÅのＷ−Ｓｉ合金を堆積した。最後に反応（２）又は（３）により約１μｍのブランケットタングステンを成膜した。・・・ 
　高温でのアニールができるように、タングステンとシリコンの間に反応障壁層としてＴｉＮ／ＴｉＳｉ２を形成した。」（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第２２行の訳文） 
「タングステンは６５０℃以上ではシリコンと反応してタングステンシリサイドを生成することが知られている。タングステンシリサイドの生成を抑えるために、タングステンとシリコンの間にＴｉＮ／ＴｉＳｉ２障壁層を入れた。窒化による自由エネルギーの減少はタングステンよりもチタンの方が大きいので、Ｗ／ＴｉＮ界面は安定となる。」（第５０４頁左欄第２７〜３２行の訳文） 
「障壁層を用いた時の反応速度はＷ／Ｓｉ系の速度よりも２〜２．５桁低い。図８は、９００℃で３０分アニールした後のＷ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＢのＳＩＭＳ［二次イオン質量分析法］による深度プロフィールを示してある。タングステン層にはシリコン原子は見られなく、タングステンのシリサイド生成が起こっていないことを意味している。ボロンの外への拡散も又ＴｉＮ層によって抑制されている。アニール後のシリコン表面のボロン濃度０．９〜１．０×１０２０ｃｍ−３は変化していなかった。
　図９には、接触抵抗のアニール温度依存性が示してある。反応障壁がない場合には、ＷとＳｉ間の接触抵抗は８００℃以上で突然上昇しており、これは高度にドープされたシリコン層の急速な消耗による。ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２層を使用することにより、シリコン輸送は抑制されており、９００℃、３０分のアニールによっても、接触抵抗は１×１０−５Ωｃｍ２以下の値が得られた。」（第５０５頁左欄第２３〜３２行の訳文）
 　　 
（ｄ）刊行物４：Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta, “TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”, Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications, 1986年発行 (1985 Materials Research Society), pp.161-171　（請求人が提出した甲第４号証）
　本件特許の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物４には、図１及び図２とともに以下の事項が記載されている。 
「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。ブランケットの抵抗率は、８〜１２μΩｃｍの範囲（使用されるスキーム［成膜条件］による）であり、それはアルミニウムの抵抗率の３〜４倍である。ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。サンプル・シミュレーションによれば、これらのコンタクト形状においては、スパッタされたＡｌＳｉのステップ・カバレッジが非常に劣っており、一方ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文） 
「他の方法は、コールドウォールリアクタを用いてブランケットタングステンを堆積する。１２００〜１８００ÅのＷＳｉｘの接着性薄膜がタングステンの酸化物に対する接着性を高めるために使用される。・・・これらの堆積は全てコールドウォールGenus8402型ＣＶＤシステムによって行われた。」（第１６５頁第１８〜２３行の訳文）　 
 　　 
（ｅ）刊行物５：特開昭６１−５１９１７号公報（請求人が提出した甲第５号証） 
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物５には、第２図（ａ）〜（ｆ）とともに以下の事項が記載されている。 
「本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシリコン基板面のコンタクトホールに形成する接続配線に関する。」（第１頁左下欄第１１〜１３行） 
「近年、半導体集積回路のパターンの緻密化に伴い、コンタクトホールの形状が微小になり、このコンタクトホールの底部にある導電性基板からの接続配線として、通常アルミニウムの配線がなされているが、このアルミニウムがコンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあり、これに関する改善が要望されている。」（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行） 
「第２図（ａ）はシリコン基板１０の表面に形成されたｎの拡散層１１と、このｎの拡散層１１とＰ−Ｎ接続されるｐ＋の拡散層１２があり、又同一基板上に、ｎ＋の拡散層１３があり、フィールド酸化物１４があって、絶縁物である燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）１５がそれぞれの領域を絶縁しており、ゲート酸化膜１６の上にはポリシリコンゲート１７が形成され、コンタクトホール１８があるものとする。 
　第２図（ｂ）は、このシリコン基板面に白金又はパラジウムの金属膜１９を形成したものであり、第２図（ｃ）はこの白金又はパラジュームの膜を形成したシリコン基板を熱処理してコンタクトホール１８の底部に白金シリサイド又はパラジウムシリサイド等のシリサイド膜２０を形成する。
　ＰＳＧ１５の表面の白金又はパラジュームの膜はシリコンが無いのでシリサイドは形成されない。 
　第２図（ｄ）はＰＳＧ１５の表面の白金又はパラジュームの膜をエッチングによって除去した状態であり、第２図（ｅ）はこのコンタクトホールの部分のみにタングステン２１を選択的にＣＶＤ方法により、コンタクトホールの深さが埋まる程度の厚みで埋め込み行ったものである。」（第２頁左下欄第３行〜同頁右下欄第４行）　 
「第２図（ｆ）はアルミニウムの配線２２を行ったものである。」（第２頁右下欄第１０〜１１行）　 
 　　 
（ｆ）刊行物６：特開昭６１−２４８４４２号公報（請求人が提出した甲第６号証）　　 
　本件特許の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物６には、第１図、第２図及び第３図とともに以下の事項が記載されている。 
「本発明は半導体素子用の電極配線に係り、特に微小接続孔を有する半導体素子に好適な電極配線に関する。」（第１頁左下欄第１３〜１５行） 
「第２図に示すようにＳｉ基板１の表面に酸化膜６，拡散層２を形成した後、絶縁膜層３を形成し、パターンニングしたフオトレジスト層４をマスクとして、絶縁膜層３に接続孔７をエツチングにより開孔させた。フオトレジストパターン４を残したまま、基板上にＴｉ膜を電子ビーム加熱蒸着法により３０ｎｍ厚被着させ、リフトオフ法により、レジスト上のＴｉ膜を除去して、接続孔７の内部にのみＴｉ膜５′を残した。この基板にＷをCVD法により選択的に被着させ接続孔７の内部にのみＷ層８を形成した後、Ａｌ層９を設けた（第１図）。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第８行） 
「第４図は電極部にＴｉＳｉ層１１を設けたものであるが、上記と全く同様にして、Ｗ層８を形成することができた。」（第２頁右上欄第７〜９行） 
　なお、ＴｉＳｉ層１１を形成した本発明の実施例を記載した図面は、第３図のみであるから、上記「第４図」は「第３図」の明らかな誤記であって、第３図には、Ｓｉ基板１に高濃度拡散層２を形成し、高濃度拡散層２の上面に接してＴｉＳｉ層１１を形成し、ＴｉＳｉ層１１上に形成された絶縁膜３の接続孔のＴｉＳｉ層１１に接する面と接続孔の内部に形成されたＴｉ蒸着膜５′と、Ｔｉ蒸着膜５′に接して接続孔に埋め込まれたＣＶＤＷ層８とＣＶＤＷ層８に接続されたＡｌ配線層９が記載されている。 
 　
第７．対比・判断
７−１．本件特許発明１について
本件特許発明１と刊行物発明１−１とを対比する。 
（ア）本件特許発明１は、「安定な低抵抗コンタクト」に関するものであるが、本件特許明細書には、「安定」及び「低抵抗」を、例えば抵抗値等を用いて定義した記載はない。そうすると、本件特許発明１における「安定」及び「低抵抗」は、具体的に安定性及び抵抗値が特定されるようなものではなく、コンタクトとして十分実用に供することができるだけの安定性及び抵抗値を有するという程度の、単なるコンタクトの特性を表したものと理解せざるを得ない。
　一方、刊行物１によれば、刊行物発明１−１は「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを形成する」（第３頁右上欄第１０〜１２行）ものであるから、刊行物発明１−１によって形成されたコンタクトも、十分に実用に供することができる程度の安定性及び抵抗値を有するものと認められる。
　よって、刊行物発明１−１の「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクト」は、本件特許発明１の「安定な低抵抗コンタクト」に相当する。 
（イ）刊行物発明１−１の「Ｐ型シリコン基板」、「酸化シリコンの絶縁膜」は、それぞれ本件特許発明１の「半導体」、「少なくとも１つの絶縁層」に相当する。 
（ウ）刊行物発明１−１の「前記シリコン基板に砒素をイオン注入されたＮ＋型シリコン拡散層」は、シリコン基板に砒素をドープすることにより設けられた領域であることは明らかであるから、刊行物発明１−１の「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、本件特許発明１の「ドープされた領域」に相当する。 
（エ）本件特許明細書の「コンタクトホール16（すなわちバイア）は、パターン化されかつドープされた領域およびポリシリコンゲートまで下方にエッチングされる。」（本件特許公報第７頁左欄第３５〜３７行）及び第１Ｃ図の記載から、「コンタクトホール」は、「絶縁層」に形成されていると認められ、一方、刊行物発明１−１の「コンタクト用の窓」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の選択された領域の部分を露出し、かつ、「絶縁膜」の壁によって規定されることは明らかである。 
　したがって、刊行物発明１−１の「コンタクト用の窓」は、本件特許発明１の「コンタクトホール」に相当する。 
（オ）刊行物発明１−１の「チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。 
　また、刊行物１には、「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第４〜８行）と記載されている。 
　一方、本件特許明細書には、「この発明に従って、チタンの薄い層18は、コンタクトホール16に形成され、次の層が、下にあるドープされた領域および／またはポリシリコンに良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証する。次にバリヤ材料からなる幾分厚い層20は、粘着及び接触層18上を覆って形成される。」（本件特許公報第７頁左欄第４７行〜同頁右欄第２行）、「適当なバリヤ材料の例は、・・・窒化チタン・・・を含む。」（同第７頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、両者は同様の層構造となっているから、刊行物発明１−１の「チタン膜」は、次の層である「窒化チタン膜」が、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証することは明らかである。
　よって、刊行物発明１−１の「チタン膜」は、本件特許発明１の「チタンの粘着および接触層」に相当し、また、刊行物発明１−１の「酸化シリコンの絶縁膜を介してかつ前記Ｎ＋型シリコン拡散層の前記コンタクト用の窓に露出する部分と接して、前記コンタクト用の窓の側壁にそって形成されたチタン膜」は、本件特許発明１の「前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層」に相当する。
（カ）刊行物１には、「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤ−メタル）を形成する方法が注目されている。　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)から(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）と記載されているから、刊行物発明１−１の「窒化チタン膜」が、バリヤ層として機能することは明らかである。 
　また、刊行物発明１−１の「窒化チタン膜」は、刊行物１の第８図の記載から、「チタン膜」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。 
　よって、刊行物発明１−１の「窒化チタン膜」は、本件特許発明１の「窒化チタンを含む」「バリヤ層」に相当する。 
（キ）刊行物１の第５図には、刊行物発明１−１の「アルミニウム膜」が、コンタクト用の窓を実質的に充填することが示唆されており、また、同第５図の記載から、刊行物発明１−１の「アルミニウム膜」は、窒化チタン膜に接触していることは明らかであるから、刊行物発明１−１の「前記窒化チタン膜を含めた前記Ｐ型シリコン基板表面全体に蒸着法によって形成されたアルミニウム膜」のうち、コンタクト用の窓を実質的に充填する部分は、本件特許発明１の「前記バリヤ層上を覆って形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する導電材料」に相当する。 
 　　 
　したがって、両者は、 
「半導体表面上に、前記半導体表面のドープされた領域の部分まで形成される少なくとも１つの絶縁層を介して、コンタクトホールに形成される安定な低抵抗コンタクトであって、
（ａ）前記少なくとも１つの絶縁層を介してかつ前記ドープされた領域の前記部分と接触して、少なくとも前記コンタクトホールの壁に沿って形成されるチタンの粘着および接触層と、 
（ｂ）前記粘着および接触層上を覆って形成されるバリヤ層、および 
（ｃ）前記バリヤ層上を覆って形成されかつ少なくとも実質的に前記コンタクトホールを充填する導電材料を含み、 
　前記バリヤ層は、窒化チタンを含むバリヤ層である、コンタクト。」の点で一致し、以下の各点で相違する。 
 　 
（相違点１） 
　本件特許発明１が、「（ｄ）前記導電材料からなるコンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成されるとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料からな」り、「前記導電材料は、タングステン、モリブデンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択され」、「前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する」のに対して、刊行物発明１−１は、「前記窒化チタン膜を含めた前記Ｐ型シリコン基板表面全体に蒸着法により形成されたアルミニウム膜」を備えている点。 
（相違点２） 
　本件特許発明１が、「前記バリヤ層」は、「浸食およびウォームホールのバリヤ層であ」るのに対して、刊行物発明１−１は、窒化チタン膜が上記作用・効果を奏するか否か明らかでない点。 
（相違点３） 
　本件特許発明１が、「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」るのに対して、刊行物発明１−１は、上記構成を備えるか否か明らかでない点。　 
　 
　以下各相違点について検討する。 
（相違点１について） 
　刊行物５（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行参照）には、コンタクトホールの形状が微小になると、アルミニウムの配線は、コンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあることが記載されており、また、刊行物４には、「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。・・・ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。サンプル・シミュレーションによれば、これらのコンタクト形状においては、スパッタされたＡｌＳｉのステップ・カバレッジが非常に劣っており、一方ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文参照）との記載があって、アルミニウム系統の金属材料による電極において、径１μｍ、アスペクト比１のコンタクトのステップカバレッジが非常に劣っていること、これに対し、アルミニウム電極をＣＶＤタングステンに置き換えた場合には、ステップカバレッジの点において優れたものとなることが示されている。
　これらの記載によれば、本件特許発明の優先権主張日（１９８７年（昭和６２年）２月１９日）当時、アルミニウム系統の電極の配線技術において、コンタクトの径が微小となり、アスペクト比が大きくなると、ステップカバレッジが悪化することは、周知の技術課題であったものと認めることができ、当業者が、上記周知の技術課題を前提として刊行物１に接すれば、刊行物発明１−１が、ステップカバレッジの悪化という課題を内在するものと認識することができたと言え、刊行物４に、アルミニウム系統の電極をＣＶＤタングステンに置き換えた場合にステップカバレッジの点において優れたものとなることが示されていることを勘案すれば、「ステップカバレッジを良くする」ことを動機付けとして、刊行物発明１−１のアルミニウム膜をタングステンに置き換えようとすることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　そして、刊行物２には、「Ｈ２によるＷＦ６の還元によって形成されるＣＶＤタングステン膜は、低い堆積温度、コンフォーマルなステップカバレッジ（均一な段差被覆性）、低いコンタクト抵抗および高いエレクトロマイグレーションの安定性という非常に適した特性を有し、最も期待されているプロセスである。非選択的なＷ（タングステン）堆積およびエッチバックによるＷ（タングステン）プラグをコンタクトホールに充填することができる。この非選択方法は、タングステンを選択的に堆積させる場合のような浸食効果やウォームホールに関連する問題が何もないことが示された。」（第４４３頁第１８〜２５行の訳文）、「優れた流動性を有し、ステップアングルが４５°以上の非常に高い平坦化を提供するＢＰＳＧ（４％Ｂ、４％Ｐ）によって素子分離酸化物が形成された。側壁の角度が約８５°の異方性のコンタクトが開口された。・・・ＷＳｉｘ（Ｘ≧２．２）およびＷの二重層が、４５０℃のコールドウォールＬＰＣＶＤリアクタ中で次の化学反応で堆積された。
　　　　ＷＦ６＋２．５ＳｉＨ４ →　ＷＳｉ2.5＋６ＨＦ＋２Ｈ２ （１）
および　ＷＦ６＋　３Ｈ２　　　 →　Ｗ　　　 ＋６ＨＦ． 　　　（２）
　ＷＳｉｘの厚さは１０００Åであり、Ｗは８０００Åであった。 
 　・・・Ｗ／ＷＳｉｘのエッチバックは、マグネトロンシステムにおけるＳＦ６／Ｏ２プラズマ方法によって行われた。・・・ エッチバックした後のタングステンプラグの形状は図１ｂに示されている。ＡｌＳｉがスパッタされる前にＷ表面から酸化膜を洗浄する様々な工程が行われた。」（第４４３頁第２９行〜第４４４頁第１７行の訳文）、「ＷＳｉｘ／Ｗ堆積とエッチバックによるコンタクト充填工程は、平坦化構造のために非常に適切なものである。ＷＳｉｘは、インターフェース構造として非常に優れたものであり、ＳｉとＷの低い接続抵抗は、Ａｌスパイクを防ぐための拡散バリヤとして作用する。」（第４４５頁第２２〜２６行の訳文）と記載され、また、刊行物４には、「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。・・・ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。・・・ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文）、及び、「他の方法は、コールドウォールリアクタを用いてブランケットタングステンを堆積する。１２００〜１８００ÅのＷＳｉｘの接着性薄膜がタングステンの酸化物に対する接着性を高めるために使用される。・・・これらの堆積は全てコールドウォールGenus8402型ＣＶＤシステムによって行われた。」（第１６５頁第１８〜２３行の訳文）と記載されており、基板上の絶縁膜に形成したコンタクトホールをＣＶＤによるＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造により充填することは、タングステンによる充填法を更に改良するものとして公知の技術である。
　なお、当業者が、刊行物発明１−１のアルミニウム膜をＣＶＤタングステン或いはＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造に置き換えることを検討した場合には、窒化チタン膜までが形成された上にＣＶＤタングステン或いはＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造を形成することが最初の検討対象となるはずであり、仮に、チタン膜や窒化チタン膜を残した上でＣＶＤタングステン或いはＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造を形成することに何らかの不都合がある等として、チタン膜や窒化チタン膜を除去することを検討するのは、次位以下の検討事項であるが、チタン膜や窒化チタン膜を除去する理由（チタン膜や窒化チタン膜を残した場合の不都合等）の有無についても一応検討する。
　刊行物１に記載の発明において、コンタクトの径（１辺の寸法）が１．０〜２．０μｍであることは、刊行物１の第９図及びその説明から明らかであり、刊行物１（第４頁左上欄第１６〜１７行）には、その実施例２に係るチタン膜の膜厚が１００Åであることが記載されている。そうすると上記刊行物４の図１(A)に記載の「ＡＬ−１％ＳＩ」の場合と比較しても、刊行物発明１−１のチタン膜の膜厚は、コンタクトの径に対して十分に薄く、ステップカバレッジの悪化を生じさせないものと認められるから、これがスパッタリングによって形成されているからといってチタン膜を除去する理由になるということはできない。
　次に、窒化チタン膜について、特に、窒化チタン膜上にＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造を形成することについて検討すると、刊行物１の窒化チタン膜３５は、「窒化チタン膜は熱的および化学的安定性を維持することができる」（第２頁右下欄第１６〜１７行）及び「本発明によれば、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体領域に対しても、障壁金属の存在によって、電極と半導体領域との界面反応が抑制され、また電極形成後の熱処理による接合破壊を確実に防止することができる」（第３頁右上欄第６〜１０行）という記載によれば、熱的および化学的に安定であり、電極と半導体領域との界面反応や熱処理による接合破壊を防止する効果を有するものである。よって、当業者は、刊行物発明１−１のアルミニウム膜をＷＳｉｘ層とタングステン層の２層構造に置換することを検討した場合に、窒化チタン膜３５のこれらの効果を期待して、窒化チタン膜３５上に、ＷＳｉｘ層を形成する構成を容易に想到するものと認められる。
　また、刊行物３（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第６行の訳文参照）には、半導体装置のホールを充填する製造工程において、タングステンをＣＶＤ反応によってブランケット析出させる際に、タングステンとシリコンの間に反応障壁層として、TiN/TiSi2を形成することが記載されており、この反応障壁層は、タングステンシリサイドの生成を抑えるために設けられたものであるが、刊行物３の「ボロンの外への拡散も又ＴｉＮ層によって抑制されている」（第５０５頁左欄第２９〜３０行）という記載によれば、窒化チタン膜は、シリコン拡散層中のドーパントであるボロンの拡散を抑制する機能も有しているのであるから、当業者は、刊行物発明１−１のアルミニウム膜をＷＳｉｘ層とタングステン層の２層構造に置換することを検討した場合に、ドーパントの拡散を抑制するという窒化チタン膜３５の機能を期待して、窒化チタン膜３５上に、ＷＳｉｘ層を形成する構成を容易に想到するものと認められる。更に付言すれば、刊行物３において、反応障壁層によってタングステンシリサイドの生成を抑えたのは、コンタクト構造にタングステンシリサイドを適用することそれ自体を否定するものではなく、予定していないタングステンシリサイドが生成されることにより、拡散層中のシリコンがタングステンに移動して、高ドープシリコン層が消費され、接触抵抗が上昇することを防止するものであるから、刊行物３のＴｉＮ層の機能は、窒化チタン膜上にタングステンシリサイドを生成させることを阻害するものではない。
　よって、アルミニウム膜をＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造に置き換えることを検討した場合に、チタン膜及び窒化チタン膜を除去する理由を見出すことはできない。
　したがって、刊行物発明１−１において、コンタクト用電極および配線層のステップカバレッジを良くするために、窒化チタン膜上に蒸着法によって形成するアルミニウム膜に代えて、窒化チタン膜上にＣＶＤ反応によってブランケット析出したＷＳｉｘ層とタングステン層の２層構造を採用すること、即ち、本件特許発明１のごとく、「前記導電材料は、タングステン、モリブデンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択され」、「前記タングステン導電材料は、ＣＶＤによって形成され、前記バリヤ層上に形成される付加的なＣＶＤタングステンシリサイド層上に位置する」ようにすることは、当業者であれば容易になし得ることである。 
　さらに、刊行物６には、「本発明は半導体素子用の電極配線に係り、特に微小接続孔を有する半導体素子に好適な電極配線に関する。」（第１頁左下欄第１３〜１５行）、及び、「第２図に示すようにＳｉ基板１の表面に酸化膜６，拡散層２を形成した後、絶縁膜層３を形成し、・・・絶縁膜層３に接続孔７をエツチングにより開孔させた。・・・接続孔７の内部にのみＴｉ膜５′を残した。この基板にＷをCVD法により選択的に被着させ接続孔７の内部にのみＷ層８を形成した後、Ａｌ層９を設けた（第１図）。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第８行）と記載され、刊行物５には、「本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシリコン基板面のコンタクトホールに形成する接続配線に関する。」（第１頁左下欄第１１〜１３行）、「第２図（ａ）はシリコン基板１０の表面に形成されたｎの拡散層１１と、このｎの拡散層１１とＰ−Ｎ接続されるｐ＋の拡散層１２があり、又同一基板上に、ｎ＋の拡散層１３があり、フィールド酸化物１４があって、絶縁物である燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）１５がそれぞれの領域を絶縁しており、ゲート酸化膜１６の上にはポリシリコンゲート１７が形成され、コンタクトホール１８があるものとする。・・・第２図（ｃ）はこの白金又はパラジュームの膜を形成したシリコン基板を熱処理してコンタクトホール１８の底部に白金シリサイド又はパラジウムシリサイド等のシリサイド膜２０を形成する。・・・第２図（ｅ）はこのコンタクトホールの部分のみにタングステン２１を選択的にＣＶＤ方法により、コンタクトホールの深さが埋まる程度の厚みで埋め込み行ったものである。」（第２頁左下欄第３行〜同頁右下欄第４行）、及び、「第２図（ｆ）はアルミニウムの配線２２を行ったものである。」（第２頁右下欄第１０〜１１行）と記載されており、また、刊行物２には、図２及び図３として、「Ｗプラグで充填されたコンタクトホール上のＡｌＳｉ配線」が開示されており、コンタクトホールのみにタングステン等の導電材料を充填してコンタクトプラグとするとともに、コンタクトホールに充填した導電材料と異なる導電材料により導電配線を形成することは従来より周知であるから、本件特許発明１の「（ｄ）前記導電材料からなるコンタクトプラグは、前記コンタクトホール内にのみ形成されるとともに前記コンタクトプラグに接触するパターニングされた導電配線とは異なる材料からな」るものとすることは、コンタクトホール内の導電材料として上記のＣＶＤ反応によってブランケット析出したＷＳｉｘ層とタングステン層の２層構造を採用することに伴って、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計的事項に過ぎない。
 　　 
（相違点２について）　 
　本件特許明細書には、「導電材料のプラグが、コンタクトを充填するために用いられてもよい。これがなされ得る方法の１つは、ＣＶＤによってコンタクト領域にタングステンを選択的に成長させることである。この方法に関連するいくつかの問題・・・酸化物／シリコン境界面での浸食および下にあるシリコンへのウォームホール損傷がある。」（本件特許公報第５頁右欄第３３〜４４行）、「この発明の利点は、析出中に、ＣＶＤタングステンプラグ法の場合、浸食およびウォームホール発生の原因となる気体ＣＶＤタングステン種は、層１８および２０があるため下にあるシリコンと決して接触せず、それによってそのようないかなる損傷も防ぐ。これはこの発明の重要な技術上の利点である。」（本件特許公報第８頁左欄第２０〜２５行）、「従来の選択タングステン法を越えるこの方法の利点は、タングステン析出反応は、下にあるシリコン１０がバリヤ層２０によって遮蔽されているので、シリコン１０と直接接触して生じないということである。したがって、浸食およびウォームホールのような共通の問題は、接合部１０がバリヤ層２０によって保護されているので生じない。」（本件特許公報第８頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、本件特許発明１において、窒化チタンからなるバリヤ層を「浸食およびウォームホールのバリヤ層」とするために、格別の改良・改変を行うものではなく、タングステンの析出中に、浸食およびウォームホール発生の原因となる気体ＣＶＤタングステン種が、下にあるシリコンと接触をしない条件を満足すれば、「浸食およびウォームホールのバリヤ層」としての機能を有するものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「バリヤ層20は、好ましくは約250ないし2,000Åの厚さに形成され、かつ反応性スパッタリング、CVD又は反応性アニールによって都合良く形成される。・・・約250Å以下の厚さのピンホールのないバリヤを形成するのは困難であり、かつ約2,000Å以上の厚さを使用しても、ほとんどそれ以上の保護とならない。」（本件特許公報第７頁右欄第２８〜３７行）と記載されているから、この条件を満たす窒化チタンからなるバリヤ層は、タングステンの析出中に、浸食およびウォームホールの発生を防止できるものと認められる。
　一方、刊行物１においては、本件特許発明１の「コンタクトホール」に相当する、シリコン基板上の酸化シリコン絶縁膜に形成した「コンタクト用の窓」にチタン膜および窒化チタン膜を介してアルミニウム膜を形成しており、窒素ガスを導入したスパッタリング（即ち、反応性スパッタリング）により、「第８図に示す如く膜厚１０００Åの窒化チタン膜３５を形成する。」（第４頁右上欄第３〜４行）と記載されているから、刊行物発明１−１の窒化チタン膜は、本件特許発明１の窒化チタンと、ほぼ同等の構造・特性を有するものである。
　したがって、刊行物発明１−１において、窒化チタン膜上に形成されるアルミニウム膜に代えて、ＣＶＤタングステン或いはＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造を窒化チタン膜上に形成した構成において、窒化チタン膜が、浸食およびウォームホールの発生を防止でき、「浸食およびウォームホールのバリヤ層」となることは、当業者が容易に予測できることである。
 　　 
（相違点３について）  
　本件特許発明１の構成である「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」ることに関して、本件特許明細書には、「チタンの層18は、約100ないし800Åのオーダの厚さである。約100Å以下の厚さは、コンタクトホールの底部での十分なカバレッジを保証せず、一方約800Å以上の厚さは、チタンシリサイドが形成されるため接合から受入れ不可能な量のシリコンを消費することがあり、その結果接合漏れ電流が増加する。」（本件特許公報第７頁右欄第４〜９行）及び「Ti/TiN法では、チタンが接合部と接触するTiSixコンタクトシリサイド化が実質的に得られるということに注目すべきである。」（本件特許公報第９頁左欄第２８行〜同頁右欄第１行）に記載されている。 
　一方、刊行物１には、「前記熱処理によってチタン膜が、Ｎ＋型シリコン拡散層と反応し、ケイ化チタンＴｉＳｉ２が形成される」（第４頁右下欄第４〜６行）と記載されている。 
　したがって、刊行物発明１−１においても、「酸化シリコンの絶縁膜を介してかつ前記Ｎ＋型シリコン拡散層の前記コンタクト用の窓に露出する部分と接して、前記コンタクト用の窓の側壁にそって形成されたチタン膜」と「Ｎ＋型シリコン拡散層」の接する面においても熱処理によりＴｉＳｉ２が形成されているから、相違点３は、実質的な相違点ではない。 
　仮に、相違点であるとしても、本件特許発明１において、Ｔｉからなる粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド層を形成すること、即ち、「前記粘着および接触層がシリコン基板のドープされた領域と接触するところにＴｉＳｉｘコンタクトシリサイド化が実質的に得られ」るものとすることは、当業者が、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が何ら困難性なくなし得たものである。　　 
 　　 
　したがって、本件特許発明１は、刊行物１ないし６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
  　　　　　 
７−２．本件特許発明２について 
　本件特許発明２と刊行物発明１−２とを対比する。 
（ア）本件特許発明２は、「安定な低抵抗コンタクト作製する方法」に関するものであるが、本件特許明細書には、「安定」及び「低抵抗」を、例えば抵抗値等を用いて定義した記載はない。そうすると、本件特許発明２における「安定」及び「低抵抗」は、具体的に安定性及び抵抗値が特定されるようなものではなく、コンタクトとして十分実用に供することができるだけの安定性及び抵抗値を有するという程度の、単なるコンタクトの特性を表したものと理解せざるを得ない。
　一方、刊行物１によれば、刊行物発明１−２は「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを形成する」（第３頁右上欄第１０〜１２行）ものであるから、刊行物発明１−２によって形成されたコンタクトも、十分に実用に供することができる程度の安定性及び抵抗値を有するものと認められる。
　よって、刊行物発明１−２の「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクト」は、本件特許発明２の「安定な低抵抗コンタクト」に相当する。
（イ）刊行物１には、「ところで集積回路の高速化と高集積化は素子の微細化によって実現される。」（第２頁左上欄第７〜８行）と記載されているから、刊行物発明１−２の「半導体装置」が、「集積回路」に用いられることは明らかである。　 
　よって、刊行物発明１−２の「半導体装置」は、本件特許発明２の「集積半導体回路」に相当する。 
（ウ）刊行物発明１−２の「Ｐ型シリコン基板」、「酸化シリコンの絶縁膜」は、それぞれ本件特許発明２の「シリコン基板」、「二酸化シリコンの絶縁層」に相当する。 
（エ）刊行物発明１−２の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによって」形成された「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、シリコン基板に砒素をドープすることにより設けられた領域であることは明らかであるから、刊行物発明１−２の「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、本件特許発明２の「ドープされた領域」に相当し、また、刊行物発明１−２の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成」することは、本件特許発明２の「シリコン基板にドープされた領域を設け」ることに相当する。 
（オ）刊行物発明１−２の「酸化シリコンの絶縁膜」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の周囲の基板も覆っていることは明らかである。　 
　よって、刊行物発明１−２の「前記Ｎ＋型シリコン拡散層の全体表面を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し」は、本件特許発明２の「周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し」に相当する。 
（カ）本件特許明細書の「コンタクトホール16（すなわちバイア）は、パターン化されかつドープされた領域およびポリシリコンゲートまで下方にエッチングされる。」（本件特許公報第７頁左欄第３５〜３７行）及び第１Ｃ図の記載から、「コンタクトホール」は、「二酸化シリコンの絶縁層」に形成されていると認められるから、本件特許発明２の「前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することは、「前記二酸化シリコンの絶縁層に実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することを意味するものである。
　そして、刊行物発明１−２の「コンタクト用の窓」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の選択された領域の部分を露出し、かつ、「絶縁膜」の壁によって規定されることは明らかである。 
　また、刊行物１の「Ｎ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。」（第４頁左上欄第８〜１１行）及び第６図の記載から、刊行物発明１−２の「コンタクト用の窓」は、実質的に均一な大きさになっていると認められる。
　よって、刊行物発明１−２の「コンタクト用の窓」は、本件特許発明２の「コンタクトホール」に相当し、また、刊行物発明１−２の「前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し」は、本件特許発明２の「前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは絶縁層の壁によって規定され」に相当する。 
（キ）刊行物発明１−２の「チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。 
　また、刊行物１には、「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第４〜８行）と記載されている。 
　一方、本件特許明細書には、「この発明に従って、チタンの薄い層18は、コンタクトホール16に形成され、次の層が、下にあるドープされた領域および／またはポリシリコンに良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証する。次にバリヤ材料からなる幾分厚い層20は、粘着及び接触層18上を被って形成される。」（本件特許公報第７頁左欄第４７行〜同頁右欄第２行）、「適当なバリヤ材料の例は、・・・窒化チタン・・・を含む。」（同第７頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、両者は同様の層構造となっているから、刊行物発明１−２の「チタン膜」は、次の層である「窒化チタン膜」が、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証することは明らかである。
　よって、刊行物発明１−２の「チタン膜」は、本件特許発明２の「チタンの粘着および接触層」に相当し、また、刊行物発明１−２の「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されるとともに、」は、本件特許発明２の「下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし」に相当する。 
（ク）刊行物１には、「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤ−メタル）を形成する方法が注目されている。　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）と記載されているから、刊行物発明１−２の「窒化チタン膜」が、バリヤ層として機能することは明らかである。 
　また、刊行物発明１−２の「窒化チタン膜」は、刊行物１の第８図の記載から、「チタン膜」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。 
　よって、刊行物発明１−２の「窒化チタン膜」は、本件特許発明２の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」に相当し、また、刊行物発明１−２の「続いて、窒化チタン膜を形成し」は、本件特許発明２の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し」に相当する。 
（ケ）刊行物１の第５図には、刊行物発明１−２の「アルミニウム膜」が、コンタクト用の窓を実質的に充填することが示唆されており、また、同第５図の記載から、刊行物発明１−２の「アルミニウム膜」は、窒化チタン膜に接触していることは明らかであるから、刊行物発明１−２の「アルミニウム膜」のうち、コンタクト用の窓を実質的に充填する部分は、本件特許発明２の「コンタクトホールを実質的に充填しかつバリヤ層と接触する導電材料」に相当し、また、刊行物発明１−２の「更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」することは、本件特許発明２の「前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料」「を形成」することに相当する。 
（コ）刊行物発明１−２の「チタン膜」は、「スパッタリングにより形成され」ること、及び、刊行物１の第７図の記載から、「コンタクト用の窓」内を含む「酸化シリコンの絶縁膜」上の全面に析出されること、すなわち、ブランケット析出されることは明らかである。 
　また、刊行物発明１−２の「チタン膜」の膜厚「１００Å」は、本件特許発明２の「チタン粘着および接触層」の膜厚「約100ないし800Å」と重複している。 
　よって、刊行物発明１−２の「前記チタン膜は、１００Åの厚さにスパッタリングにより形成され」は、本件特許発明２の「前記チタン粘着および接着層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され」に相当する。
（サ）本件特許発明２には、「前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」と記載されているが、「コンタクトプラグ」については、本件特許発明２において、さらに、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘとを含み」とも記載されているから、「コンタクトプラグ」が、「ドープされたポリシリコンからなる」「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成は、本件特許発明２には含まれず、本件特許発明２は、実質的に、「前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成を備えるものである。 
 　　 
　したがって、両者は、 
「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を形成し、　 
　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
（相違点） 
　本件特許発明２が、「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンの間に存在」しているのに対し、刊行物発明１−２は、「窒化チタン膜を形成し」、「更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」している点。 
　 
　以下、上記相違点について検討する。 
　刊行物５（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行参照）には、コンタクトホールの形状が微小になると、アルミニウムの配線は、コンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあることが記載されており、また、刊行物４には、「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。・・・ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。サンプル・シミュレーションによれば、これらのコンタクト形状においては、スパッタされたＡｌＳｉのステップ・カバレッジが非常に劣っており、一方ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文参照）との記載があって、アルミニウム系統の金属材料による電極において、径１μｍ、アスペクト比１のコンタクトのステップカバレッジが非常に劣っていること、これに対し、アルミニウム電極をＣＶＤタングステンに置き換えた場合には、ステップカバレッジの点において優れたものとなることが示されている。
　これらの記載によれば、本件特許発明の優先権主張日（１９８７年（昭和６２年）２月１９日）当時、アルミニウム系統の電極の配線技術において、コンタクトの径が微小となり、アスペクト比が大きくなると、ステップカバレッジが悪化することは、周知の技術課題であったものと認めることができ、当業者が、上記周知の技術課題を前提として刊行物１に接すれば、刊行物発明１−２が、ステップカバレッジの悪化という課題を内在するものと認識することができたと言え、刊行物４に、アルミニウム系統の電極をＣＶＤタングステンに置き換えた場合にステップカバレッジの点において優れたものとなることが示されていることを勘案すれば、「ステップカバレッジを良くする」ことを動機付けとして、刊行物発明１−２のアルミニウム膜をタングステンに置き換えようとすることは、当業者が直ちに想到し得ることである。
　そして、刊行物２には、「Ｈ２によるＷＦ６の還元によって形成されるＣＶＤタングステン膜は、低い堆積温度、コンフォーマルなステップカバレッジ（均一な段差被覆性）、低いコンタクト抵抗および高いエレクトロマイグレーションの安定性という非常に適した特性を有し、最も期待されているプロセスである。非選択的なＷ（タングステン）堆積およびエッチバックによるＷ（タングステン）プラグをコンタクトホールに充填することができる。この非選択方法は、タングステンを選択的に堆積させる場合のような浸食効果やウォームホールに関連する問題が何もないことが示された。」（第４４３頁第１８〜２５行の訳文）、「優れた流動性を有し、ステップアングルが４５°以上の非常に高い平坦化を提供するＢＰＳＧ（４％Ｂ、４％Ｐ）によって素子分離酸化物が形成された。側壁の角度が約８５°の異方性のコンタクトが開口された。・・・ＷＳｉｘ（Ｘ≧２．２）およびＷの二重層が、４５０℃のコールドウォールＬＰＣＶＤリアクタ中で次の化学反応で堆積された。
　　　 ＷＦ６＋２．５ＳｉＨ４ →　ＷＳｉ2.5＋６ＨＦ＋２Ｈ２　（１）
および ＷＦ６＋　３Ｈ２　　　 →　Ｗ　　　 ＋６ＨＦ． 　　　（２）
　ＷＳｉｘの厚さは１０００Åであり、Ｗは８０００Åであった。 
 　・・・Ｗ／ＷＳｉｘのエッチバックは、マグネトロンシステムにおけるＳＦ６／Ｏ２プラズマ方法によって行われた。・・・ エッチバックした後のタングステンプラグの形状は図１ｂに示されている。ＡｌＳｉがスパッタされる前にＷ表面から酸化膜を洗浄する様々な工程が行われた。」（第４４３頁第２７行〜第４４４頁第１７行の訳文）、「ＷＳｉｘ／Ｗ堆積とエッチバックによるコンタクト充填工程は、平坦化構造のために非常に適切なものである。ＷＳｉｘは、インターフェース構造として非常に優れたものであり、ＳｉとＷの低い接続抵抗は、Ａｌスパイクを防ぐための拡散バリヤとして作用する。」（第４４５頁第２２〜２６行の訳文）と記載され、また、刊行物４には、「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。・・・ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。・・・ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文）、及び、「他の方法は、コールドウォールリアクタを用いてブランケットタングステンを堆積する。１２００〜１８００ÅのＷＳｉｘの接着性薄膜がタングステンの酸化物に対する接着性を高めるために使用される。・・・これらの堆積は全てコールドウォールGenus8402型ＣＶＤシステムによって行われた。」（第１６５頁第１８〜２３行の訳文）と記載されており、基板上の絶縁膜に形成したコンタクトホールをＣＶＤによるＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造により充填することは、タングステンによる充填法を更に改良するものとして公知の技術である。
　また、当業者が、刊行物発明１−２のアルミニウム膜をＷＳｉｘ層とＣＶＤタングステン層の積層構造に置き換えることを検討した場合に、刊行物３のＴｉＮ層の機能は、窒化チタン膜上にタングステンシリサイドを生成させることを阻害するものではなく、チタン膜及び窒化チタン膜を除去する理由を見出すことができないことは、本件特許発明１の相違点１において検討したとおりである。
　したがって、刊行物発明１−２において、コンタクト用電極および配線層のステップカバレッジを良くするために、窒化チタン膜上に蒸着法によって形成するアルミニウム膜に代えて、窒化チタン膜上にＣＶＤ反応によってブランケット析出したＷＳｉｘ層とタングステン層の２層構造を採用すること、即ち、本件特許発明２のごとく、「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンの間に存在」するようにすることは、当業者であれば容易になし得ることである。 
　　 
　よって、本件特許発明２は、上記刊行物１ないし６に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　 
第８．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項８及び３６に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。 
　審判に関する費用については、特許法１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。