(57)【要約】素子接合体１は、めっきバンプ１５が配設されている第１の素子１０と、前記めっきバンプ１５と接合されている接合電極２１が配設されている第２の素子２０と、前記第１の素子１０と前記第２の素子２０との間に配設されている、無機材料からなるフィラー３１を含むＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層３０と、を有し、前記めっきバンプ１５の表面が、第１の領域１５Ｓ１と、前記第１の領域１５Ｓ１よりも高さの高い第２の領域１５Ｓ２とを含み、前記第２の領域１５Ｓ２の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域１５Ｓ１の面と交差している。
2018092242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっきバンプが配設されている第１の素子と、
前記めっきバンプと接合されている接合電極が配設されている第２の素子と、
前記第１の素子と前記第２の素子との間に配設されている、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層と、を有し、
前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、
前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差していることを特徴とする素子接合体。
【請求項２】
前記めっきバンプが、下地電極および前記下地電極の一部を覆うパッシベーション層の上に成膜された電気めっき膜からなり、
前記第２の領域の形状が、前記第２の領域の下に配設されている前記パッシベーション層の形状と同じで、かつ、前記第１の領域と前記第２の領域の高さの差が、前記パッシベーション層の厚さと同じであることを特徴とする請求項１に記載の素子接合体。
【請求項３】
前記第２の領域の前記外周部が、環状の前記第１の領域に隙間無く囲まれていることを特徴とする請求項２に記載の素子接合体。
【請求項４】
前記第１の領域が、間に前記第２の領域のある、複数の領域からなることを特徴とする請求項２に記載の素子接合体。
【請求項５】
前記めっきバンプの表面が、略半円形の前記第１の領域と、略半円形の前記第２の領域と、からなる円形であることを特徴とする請求項２に記載の素子接合体。
【請求項６】
前記第２の素子の前記接合電極に第２のバンプが配設されており、
第１のバンプである前記めっきバンプと前記第２のバンプとが、嵌合していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の素子接合体。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の素子接合体と、前記素子接合体と接続されている配線板と、前記配線板と接続されている信号ケーブルと、を有し、前記第１の素子が撮像素子であることを特徴とする撮像モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像モジュールを具備することを特徴とする内視鏡。
【請求項９】
第１の素子にめっきバンプを配設する工程と、
第２の素子に接合電極を配設する工程と、
前記第１の素子の前記めっきバンプと前記第２の素子の前記接合電極とを、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層を介して接合する工程と、を具備し、
前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差していることを特徴とする素子接合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、第１の素子と第２の素子とがめっきバンプを介して接合され、前記第１の素子と前記第２の素子との間にフィラーを含む封止樹脂が充填されている素子接合体、前記素子接合体を有する撮像モジュール、前記撮像モジュールを有する内視鏡、および前記素子接合体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を他の素子等と電気的に接続する技術として、ワイヤボンディング法によるワイヤ配線が行われてきた。しかし、半導体素子の多ピン化および狭ピッチ化に対応するために、フリップチップ法が実用化されている。フリップチップ法では、半導体素子の電極にバンプ（金属突起）を配設して、このバンプを介し他の素子の電極と接合する。接合信頼性を向上するために、接合部には、封止樹脂が配設される。【０００３】
接合後に封止樹脂を配設する場合には、毛細管現象を使用して接合部の隙間（ギャップ）に液体の樹脂を注入する「注入法」が用いられる。しかし、注入法では、ボイドが発生するおそれがあるとともに、注入に長時間を要するため作業性が良くはなかった。【０００４】
これに対して、ＮＣＦ（Non Conductive Film）と呼ばれるフィルム状の封止材またはＮＣＰ(Non Conductive Paste)と呼ばれる液状の封止材を、接合前に接合面に貼付または塗布し、その後、熱圧着する「先入れ法」が検討されている。先入れ法は注入法よりも作業性が良い。【０００５】
ここで、特開２０１６−１４１７３９号公報に開示されているように、ＮＣＦおよびＮＣＰには、信頼性向上のため、シリカフィラー等の無機材料からなるフィラーが含まれている。【０００６】
一方、特開２００３−２３０２２号公報に開示されているように、めっきバンプの表面の中央部には凹部がある。ＮＣＦまたはＮＣＰを用いてめっきバンプをフリップチップ接合すると、凹部にボイドが形成されたり、接合界面にフィラーが残留する、いわゆる「かみ込み」が多くなったりするため、信頼性が低下するおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１６−１４１７３９号公報
【特許文献２】特開２００３−２３０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の実施形態は、信頼性の高い素子接合体、信頼性の高い撮像モジュール、信頼性の高い内視鏡および信頼性の高い素子接合体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の素子接合体は、めっきバンプが配設されている第１の素子と、前記めっきバンプと接合されている接合電極が配設されている第２の素子と、前記第１の素子と前記第２の素子との間に配設されている、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層と、を有し、前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差している。【００１０】
別の実施形態の撮像モジュールは、素子接合体を有し、前記素子接合体は、めっきバンプが配設されている第１の素子と、前記めっきバンプと接合されている接合電極が配設されている第２の素子と、前記第１の素子と前記第２の素子との間に配設されている、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層と、を有し、前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差している。【００１１】
さらに別の実施形態の内視鏡は、素子接合体と、前記素子接合体と接続されている配線板と、前記配線板と接続されている信号ケーブルと、を有し、前記第１の素子が撮像素子であり、前記素子接合体は、めっきバンプが配設されている第１の素子と、前記めっきバンプと接合されている接合電極が配設されている第２の素子と、前記第１の素子と前記第２の素子との間に配設されている、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層と、を有し、前記めっきバンプの表面が、第１の領域と前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差している。【００１２】
さらに別の実施形態の素子接合体の製造方法は、第１の素子にめっきバンプを配設する工程と、第２の素子に接合電極を配設する工程と、前記第１の素子の前記めっきバンプと前記第２の素子の前記接合電極とを、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層を介して接合する工程と、を具備し、前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施形態によれば、信頼性の高い素子接合体、信頼性の高い撮像モジュール、信頼性の高い内視鏡、および信頼性の高い素子接合体の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の素子接合体の接合部の断面図である。
【図２】第１実施形態の素子接合体の接合部の断面分解図である。
【図３】第１実施形態の素子接合体の第１の素子のバンプの斜視図である。
【図４Ａ】第１実施形態の素子接合体の第１の素子の製造方法を説明するための接合部の上面図である。
【図４Ｂ】第１実施形態の素子接合体の第１の素子の製造方法を説明するための図４のＩＶ-ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５Ａ】第１実施形態の素子接合体の製造方法を説明するための接合部の断面図である。
【図５Ｂ】第１実施形態の素子接合体の製造方法を説明するための接合部の断面図である。
【図５Ｃ】第１実施形態の素子接合体の製造方法を説明するための接合部の断面図である。
【図５Ｄ】第１実施形態の素子接合体の製造方法を説明するための接合部の断面図である。
【図６Ａ】第１実施形態の変形例１の素子接合体の第１の素子の製造方法を説明するための接合部の上面図である。
【図６Ｂ】第１実施形態の変形例１の素子接合体のバンプの斜視図である。
【図７Ａ】第１実施形態の変形例２の素子接合体のバンプの斜視図である。
【図７Ｂ】第１実施形態の変形例３の素子接合体の接合部の断面分解図である。
【図８】第１実施形態の変形例３の素子接合体の接合部の断面図である。
【図９】第１実施形態の変形例３の素子接合体の断面分解図である。
【図１０】第２実施形態の撮像モジュールの断面図である。
【図１１】第３実施形態の内視鏡の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１実施形態＞
図１および図２に示す様に、本実施形態の素子接合体１は、第１の素子１０と第２の素子２０と封止層３０とを有する。
【００１６】
なお、以下の説明において、各実施形態に基づく図面は、模式的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、夫々の部分の厚さの比率および相対角度などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、一部の構成要素、例えばシード層１８（図５Ａ参照）等の図示を省略する場合がある。
【００１７】
なお、素子接合体１は、複数の第１の素子を含む第１ウエハおよび複数の第２の素子を含む第２ウエハが接合された接合ウエハの切断により作製される。また、第１の素子１０および第２の素子２０は、複数のバンプ１５を介して接合されている。しかし、以下の図では、１つのバンプ接合部だけを図示することがある。
【００１８】
第１の素子１０は、受光面１０ＳＡに受光部１６（図１０参照）を有する半導体からなる撮像素子である。第１の素子１０の受光面１０ＳＡと対向する裏面１０ＳＢには、受光部と貫通配線（不図示）を介して電気的に接続されている複数の下地電極１１が配設されている。下地電極１１には、めっきバンプ１５（以下、「バンプ１５」という。）が配設されている。
【００１９】
一方、第２の素子２０は、信号処理回路を有する半導体素子である。第２の素子２０の第１の素子１０と対向している対向面には、複数の接合電極２１が配設されている。接合電極２１はバンプ１５を介して下地電極１１と接合されている
第１の素子１０と第２の素子２０との間には封止層３０が配設されている。封止層３０は、無機材料からなるフィラー３１を含む封止材であるＮＣＦ（Non Conductive Film）またはＮＣＰ(Non Conductive Paste)からなる。封止層３０は「先入れ法」により第１の素子１０と第２の素子２０との間に配設されている。
【００２０】
そして、図３に示す様に本実施形態の素子接合体１では、第１の素子１０のバンプ１５の表面は、第１の領域１５Ｓ１と、第１の領域１５Ｓ１よりも高さの高い第２の領域１５Ｓ２とを含む。円形の第２の領域１５Ｓ２は、環状の第１の領域１５Ｓ１に隙間無く囲まれている。すなわち、第２の領域１５Ｓ２の外周部は第１の領域１５Ｓ１と接している。より厳密には、第２の領域１５Ｓ２の外周部の側面１５ＳＳ２は、第１の領域１５Ｓ１の表面と交差している。
【００２１】
素子接合体１は、第１の素子１０のバンプ１５と第２の素子２０の接合電極２１とが、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層３０を介して「先入れ法」により接合されている。このため、素子接合体１の作製方法は作業性がよい。また、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層３０はフィラー３１を含んでいるが、素子接合体１は、表面形状に特徴のあるバンプ１５を有する。このため、接合界面に、かみ込まれているフィラー３１が少なく、素子接合体１は、信頼性が高い。
【００２２】
＜素子接合体の製造方法＞
次に、素子接合体１の製造方法について説明する。
【００２３】
図示しないが、複数の第１の素子１０を含む第１ウエハ１０Ｗはシリコンからなり、受光面１０ＳＡに複数の受光部が形成されている。受光部はＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサ等である。第１ウエハ１０Ｗは、ゲルマニウムまたはガリウム砒素等の半導体からなっていてもよい。そして、受光部に替えて、ＣＰＵ、メモリ、または各種センサ等が形成されていてもよい。
【００２４】
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第１ウエハ１０Ｗの受光面１０ＳＡと対向する裏面１０ＳＢに、下地電極１１が配設される。アルミニウム等の導体からなる下地電極１１は、図示しない貫通配線を介して受光面１０ＳＡの受光部と電気的に接続されている。
【００２５】
そして、下地電極１１の一部である外周部を覆うようにパッシベーション層１２が配設される。酸化シリコン等の絶縁体からなるパッシベーション層１２の厚さは、１〜５μｍである。
【００２６】
素子接合体１では、パッシベーション層１２の円形の開口の内部にも、下地電極１１の一部を覆うように円形のパッシベーション層１２Ａが配設されている。パッシベーション層１２とパッシベーション層１２Ａとは、同時に例えば、ＣＶＤ法により成膜され、パターニングされることで、分離している。
【００２７】
例えば、円形のパッシベーション層１２Ａの外径は１５μｍであり、パッシベーション層１２Ａを囲んでいる、パッシベーション層１２の円形の開口の外径は４０μｍである。
【００２８】
次に、図５Ａに示す様に、第１ウエハ１０Ｗ（第１の素子１０）の全表面、すなわち、下地電極１１、パッシベーション層１２およびパッシベーション層１２Ａを覆うように、シード層１８が配設される。例えば、厚さ０．１μｍの金層がスパッタ法により成膜される。シード層１８は電気めっきのための導電下地層である。シード層１８のバンプ配設部の表面は、円形のパッシベーション層１２Ａのために、中央部１２Ｓが外周部１１Ｓよりも高い凸となっている。
【００２９】
そして、バンプ１５の外径に応じた内径の開口のある、めっきマスク層１９がフォトグラフィ法により配設される。例えば、フォトレジストの塗布またはフィルムレジストの貼付の後に、露光処理および現像処理が行われ、開口が形成される。めっきマスク層１９の厚さは、バンプ１５の高さ以上である。
【００３０】
次に、図５Ｂに示す様に、電気めっき法により、例えば、金からなるバンプ１５が配設される。金めっき膜は等方成長するため、電気めっき膜（バンプ１５）の表面形状は、シード層１８の表面形状と同じである。
【００３１】
すなわち、すでに説明したように、バンプ１５は、表面が、第１の領域１５Ｓ１と、第１の領域１５Ｓ１よりも高さの高い第２の領域１５Ｓ２とを含み、円形の第２の領域１５Ｓ２は、環状の第１の領域１５Ｓ１に隙間無く囲まれている。
【００３２】
そして、第２の領域１５Ｓ２の形状が、第２の領域１５Ｓ２の下に配設されているパッシベーション層１２Ａの形状と略同じで、かつ、第１の領域１５Ｓ１と第２の領域１５Ｓ２の高さの差が、パッシベーション層１２Ａの厚さと略同じである。
【００３３】
バンプ１５は、等方成長する電気めっき膜であれば、例えば、銅めっき膜もしくはニッケルめっき膜でもよいし、銅／金の２層めっき膜でもよい。
【００３４】
図５Ｃに示す様に、めっきマスク層１９が溶剤等により除去され、さらに、バンプ１５の周囲のシード層１８がエッチング法またはイオンミリング法により除去される。
【００３５】
別途、複数の第２の素子２０を含む第２ウエハ２０Ｗが作製される。第２の素子２０は、例えば、信号処理回路を有する半導体素子である。第２の素子２０には、第１の素子１０の下地電極１１（バンプ１５）と接合される接合電極２１が配設されている。接合電極２１は、めっき法またはスパッタ法等により配設された、金または銅等の導電性パターンである。
【００３６】
なお、第２の素子２０は、半導体素子に限られるものではなく、例えば、セラミック配線板であってもよい。
【００３７】
そして、図５Ｄに示す様に、複数の第１の素子１０を含む第１ウエハ１０Ｗと、複数の第２の素子２０を含む第２ウエハ２０Ｗとが、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層３０を介して「先入れ法」により接合される。すなわち、第１のウエハ１０Ｗの下地電極１１（バンプ１５）と第２のウエハ２０Ｗの下地電極１１とが位置合わせされ、封止層３０（３０Ｗ）を介して、圧着され、熱処理が行われる。
【００３８】
封止層３０がＮＣＰの場合には、例えば第２ウエハ２０Ｗの表面にスピンコートまたはスプレーコートにより、封止層３０が配設される。
【００３９】
例えば、バンプ１５および接合電極２１の表面が金からなる場合には、超音波接合により、両者は強固に接合される、
封止層３０の樹脂成分は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂である。
【００４０】
一方、フィラー３１は、第１の素子１０と第２の素子２０との接着界面での熱膨張率の差を緩和し、素子接合体１の信頼性を向上する。例えば、フィラー３１は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等からなる。なお、フィラー３１の形状は特に限定されず、球状、不定形、りん片形状等のいずれの形状であってもよい。
【００４１】
フィラー３１は、粒径０．０１〜２０μｍである。粒径は、最大粒径の算術平均値であり、顕微鏡、ＳＥＭまたはＴＥＭを用いた画像解析法により測定される。フィラー３１の形状が球形以外の場合、平均粒径は最大寸法を意味する。フィラー３１の含有量は、３０〜７０重量％である。
【００４２】
封止層３０の厚さは、バンプ１５の高さと略同じである。
【００４３】
接合時に、バンプ１５と接合電極２１とにはさまれている封止層３０は、変形しながらバンプ１５の周辺に広がっていく。バンプ１５の表面は第１の領域１５Ｓ１のため、凸となっている。このため、バンプ１５の第１の領域１５Ｓ１と接合電極２１との間には、フィラー３１が残留しにくい。
【００４４】
なお、例えば、バンプ１５は高さ（第２の領域１５Ｓ２）が５〜５０μｍ、外径（第１の領域１５Ｓ１）が２０〜１００μｍである。第２の領域１５Ｓ２の外径は、第１の領域１５Ｓ１の外径の３０〜７０％である。すなわち、第１の領域１５Ｓ１の面積は、第２の領域の面積の９１％〜５０％である。第１の領域１５Ｓ１の面積が前記範囲内であれば、バンプ１５の下地電極１１との密着強度および導電性を担保できる。
【００４５】
例えば、第１の領域１５Ｓ１の外径が４０μｍであり、第２の領域１５Ｓ２の外径が１５μｍの場合、バンプ１５の上面の面積は、１２５６μｍ２である。一方、パッシベーション層１２Ａで覆われておらず下地電極１１と（シード層１８を介して）接触している、ドーナツ状の第１の領域１５Ｓ１の面積は、１０７９μｍ２である。すなわち、第１の領域１５Ｓ１の面積は、第２の領域の面積の８６％である。
【００４６】
なお、第１の領域１５Ｓ１と第２の領域との高さの差は、バンプ１５の高さの５〜１０％の１〜５μｍが好ましい。高さの差が、前記範囲内であれば、フィラー３１が残留しにくく、信頼性が担保できる。
【００４７】
複数の第１の素子１０を含む第１ウエハ１０Ｗと、複数の第２の素子２０を含む第２ウエハ２０Ｗとが接合された接合ウエハ１Ｗが切断され、図１に示す素子接合体１が作製される。
【００４８】
なお、第２の領域１５Ｓ２の表面は平坦であるが、凸形状であることが、より好ましい。さらに、第２の領域１５Ｓ２は、外周部の全てが第１の領域１５Ｓ１と接している。すなわち第２の領域１５Ｓ２の、外周部の全ての側面１５ＳＳ２が、第１の領域１５Ｓ１の面と交差しているが、少なくとも一部が交差していれば、フィラー３１のかみこみを抑制できる。また、バンプ１５は接合面が円形であるが、矩形でもよい。
【００４９】
以上の説明のように、本実施形態の素子接合体の製造方法は、第１の素子１０（第１ウエハ１０Ｗ）にめっきバンプ１５を配設する工程と、第２の素子２０（第２ウエハ２０Ｗ）に接合電極２１を配設する工程と、前記第１の素子１０（第１ウエハ１０Ｗ）の前記めっきバンプ１５と前記第２の素子２０（第２ウエハ２０Ｗ）の前記接合電極２１とを、無機材料からなるフィラー３１を含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層３０（３０Ｗ）を介して接合する工程と、を具備し、前記めっきバンプ１５の表面が、第１の領域１５Ｓ１と前記第１の領域１５Ｓ１よりも高さの高い第２の領域１５Ｓ２とを含み、前記第２の領域１５Ｓ２の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域１５Ｓ１と交差している。
【００５０】
なお、素子接合体１の封止層が、先入れ法により作製されたものか、接合後に注入法により作製されたものかを判断することは、適切な測定および解析の手段が存在していないため、およそ実際的ではない。
【００５１】
＜第１実施形態の変形例＞
次に第１実施形態の変形例について説明する。変形例の素子接合体は第１実施形態の素子接合体１と類似し、同じ効果を有しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００５２】
＜変形例１＞
図６Ａに示す様に変形例１の素子接合体１Ａでは、パッシベーション層１２Ａと周囲のパッシベーション層１２とが、つながっている。このため、図６Ｂに示す様に、バンプ１５Ａの第１の領域１５Ｓ１は、間に第２の領域１５Ｓ２のある４つの領域からなる。すなわち、第２の領域１５Ｓ２の外周部の側面１５ＳＳ２の４箇所が、第１の領域１５Ｓ１の面と交差している。
【００５３】
バンプ１５Ａは、バンプ１５よりも下地電極１１との接触面積が広い。また、パッシベーション層１２Ａは外周部の４箇所が周囲のパッシベーション層１２と、つながっているため、パッシベーション層１２Ａが剥離しにくい。バンプ１５Ａの接合強度が高いため、素子接合体１Ａは素子接合体１よりも信頼性が高い。
【００５４】
＜変形例２＞
図７Ａに示す様に、変形例２の素子接合体１Ｂのバンプ１５Ｂの表面は、略半円形の第１の領域１５Ｓ１と、略半円形の第２の領域１５Ｓ２と、からなる円形である。すなわち、略半円形の第２の領域１５Ｓ２の外周部の弦（chord）の部分の側面１５ＳＳ２が、第１の領域１５Ｓ１の面と交差している。第１の領域１５Ｓ１の面積は、第２の領域の面積の５０％である。
【００５５】
第１実施形態、変形例１および変形例２のバンプ１５、１５Ａ、１５Ｂは、いずれも第２の領域１５Ｓ２の外周部の側面の少なくとも一部が、第１の領域１５Ｓ１の面と交差している。このため、バンプ１５、１５Ａ、１５Ｂの第１の領域１５Ｓ１と接合電極２１との間には、フィラー３１が残留しにくい。
【００５６】
なお、第２の領域１５Ｓ２の外周部の少なくとも一部が、第１の領域１５Ｓ１と接していれば、第１の領域１５Ｓ１および第２の領域１５Ｓ２の形状は、バンプ１５、１５Ａ、１５Ｂに例示した形状に限られるものではなく、適宜、選択可能である。
【００５７】
＜変形例３＞
図７Ｂ〜図９に示す変形例の素子接合体１Ｃでは、第２の素子２０の接合電極２１にもパッシベーション層１２Ｂおよび第２のバンプ２５Ｂが配設されている。第２のバンプ２５Ｂの構成は、図７Ａに示したバンプ１５Ｂと略同じである。
【００５８】
そして、第１のバンプ１５Ｂと第２のバンプ２５Ｂとが嵌合することで、第１ウエハ１０Ｗ（第１素子１０）と、第２ウエハ２０Ｗ（第２素子２０）との位置決めが自動的に行われる。
【００５９】
素子接合体１Ｃは、接合ウエハ１ＷＣを作製するときの位置合わせが容易である。
【００６０】
なお、変形例１〜３の素子接合体１Ａ〜１Ｃにおいて、第１の素子１０が撮像素子であってもよいことは言うまでも無い。
【００６１】
＜第２実施形態＞
図１０に示す様に第２実施形態の撮像モジュール２は、第１の素子１０が撮像素子である素子接合体１と、素子接合体１と接続されている配線板４１と、配線板４１と接続されている信号ケーブル４２と、を有する。
【００６２】
第１の素子１０の受光面１０ＳＡには受光部１６が形成されている。受光部１６が出力する信号は、貫通配線（不図示）、下地電極１１およびバンプ１５を介して、第２素子２０の接合電極２１に伝送される。接合電極２１は、第２素子２０の貫通配線（不図示）を介して、裏面に接合されている配線板４１に伝送され、さらに信号ケーブル４２まで伝送される。
【００６３】
撮像モジュール２は、第１素子（撮像素子）と第２素子２０との間が、特徴あるバンプ１５、１５Ａ、１５Ｂを介してフリップチップ法により接合されている。このため、撮像モジュール２は、製造が容易で、かつ、ＮＣＦまたはＮＣＰを用いた先入れ法による封止層３０を具備しており、信頼性が高い。
【００６４】
＜第３実施形態＞
図１１に示す様に第３実施形態の内視鏡９は撮像モジュール２を具備する。すなわち、内視鏡９は、撮像モジュール２が硬性先端部９Ａに収容された挿入部９Ｂと、挿入部９Ｂの後部に配設された把持部９Ｃと、把持部９Ｃから延出するユニバーサルコード９Ｄと、を具備する。ユニバーサルコード９Ｄには、撮像モジュール２と接続されている信号ケーブル４２が挿通している。
【００６５】
内視鏡９は、信頼性の高い撮像モジュール２を具備するため、信頼性が高い。
【００６６】
本発明は上述した実施形態または変形例等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。
【符号の説明】
【００６７】
１、１Ａ〜１Ｃ…素子接合体
１Ｗ…接合ウエハ
２…撮像モジュール
９…内視鏡
１０…第１の素子
１０Ｗ…第１のウエハ
１１…下地電極
１２…パッシベーション層
１２Ａ…パッシベーション層
１５…バンプ
１５Ｓ１…第１の領域
１５Ｓ２…第２の領域
１６…受光部
１８…シード層
１８…シード層
１９…マスク層
２０…第２の素子
２０Ｗ…第２のウエハ
３０…封止層
３１…フィラー
４１…配線板
４２…信号ケーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年3月24日(2017.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっきバンプが配設されている第１の素子と、
前記めっきバンプと接合されている接合電極が配設されている第２の素子と、
前記第１の素子と前記第２の素子との間に配設されている、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層と、を有し、
前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、
前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差しており、
前記めっきバンプが、下地電極および前記下地電極の一部を覆うパッシベーション層の上に成膜された電気めっき膜からなり、
前記第２の領域の形状が、前記第２の領域の下に配設されている前記パッシベーション層の形状と同じで、かつ、前記第１の領域と前記第２の領域の高さの差が、前記パッシベーション層の厚さと同じであることを特徴とする素子接合体。
【請求項２】
前記第２の領域の前記外周部が、環状の前記第１の領域に隙間無く囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の素子接合体。
【請求項３】
前記第１の領域が、間に前記第２の領域のある、複数の領域からなることを特徴とする請求項１に記載の素子接合体。
【請求項４】
前記めっきバンプの表面が、略半円形の前記第１の領域と、略半円形の前記第２の領域と、からなる円形であることを特徴とする請求項１に記載の素子接合体。
【請求項５】
前記第２の素子の前記接合電極に第２のバンプが配設されており、
第１のバンプである前記めっきバンプと前記第２のバンプとが、嵌合していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の素子接合体。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の素子接合体と、前記素子接合体と接続されている配線板と、前記配線板と接続されている信号ケーブルと、を有し、前記第１の素子が撮像素子であることを特徴とする撮像モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像モジュールを具備することを特徴とする内視鏡。
【請求項８】
第１の素子の下地電極および前記下地電極の一部を覆うパッシベーション層の上に電気めっき膜からなるめっきバンプを配設する工程と、
第２の素子に接合電極を配設する工程と、
前記第１の素子の前記めっきバンプと前記第２の素子の前記接合電極とを、無機材料からなるフィラーを含む、ＮＣＦまたはＮＣＰからなる封止層を介して接合する工程と、を具備し、
前記めっきバンプの表面が、第１の領域と、前記第１の領域よりも高さの高い第２の領域とを含み、前記第２の領域の形状が、前記第２の領域の下に配設されている前記パッシベーション層の形状と同じで、かつ、前記第１の領域と前記第２の領域の高さの差が、前記パッシベーション層の厚さと同じで、前記第２の領域の外周部の側面の少なくとも一部が、前記第１の領域の面と交差していることを特徴とする素子接合体の製造方法。
【請求項９】
（削除）
【国際調査報告】
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2018092242.tif 000021
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