【事件の表示】
　特願２００１−２６８４１４「発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７８１６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成１３年　９月　５日
　拒絶理由通知書送付　　　平成１７年　９月２０日
　意見書・手続補正書提出　平成１７年１１月２１日
　拒絶査定送付　　　　　　平成１８年　４月１１日
　審判請求　　　　　　　　平成１８年　５月１１日
　
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１１月２１日提出の手続補正書により補正された明細書の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「一つの素子内に複数の発光部分を有するモノリシック・アレイ型の発光素子であって、
　前記各発光部分が、ｎ型のＧａＡｓ基板上にｎ型のＧａＡｓバッファ層、ｎ型でＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓのペアからなる多重反射膜、ｎ型のＡｌＧａＡｓ下クラッド層、ｐ型またはアンドープのＡｌＧａＡｓ活性層、ｐ型のＡｌＧａＡｓ上クラッド層、およびｐ型のＧａＡｓコンタクト層が順次エピタキシーされた積層構造の発光ダイオードから構成され、
　前記多重反射膜が、ＡｌX1Ｇａ1-X1ＡｓとＡｌX2Ｇａ1-X2Ａｓのヘテロ接合からなる多層膜（Ａｌ組成比Ｘ１（０＜Ｘ１＜１）＜Ｘ２（０＜Ｘ２＜１）、それぞれの屈折率ｎ１＞ｎ２）からなり、活性層のＡｌXＧａ1-XＡｓのＡｌ組成比Ｘに対して、Ｘ１≧Ｘ、且つＸ２≧Ｘで、前記ＡｌX1Ｇａ1-X1Ａｓ層のバンドギャップエネルギー（ＥｇX1）が発光波長のエネルギー（Ｅλ）とＥｇX1≧Ｅλの関係にあることを特徴とする発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物
（１）引用刊行物
　これに対し、原査定の拒絶理由に引用された特開平１１−４６０１６号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【００７９】第３の実施形態
図１３は本発明の第３の実施形態に係る端面発光型発光ダイオードアレイチップの構造を示す断面図であり、図１３は前記図１の発光ダイオードアレイの出射方向のＡ−Ａ′矢視断面図である。また、図１４はこの発光ダイオードアレイの発光部の平面拡大図である。本実施形態に係る発光ダイオードアレイの構造の説明にあたり前記図１〜図３と同一構成部分には同一符号を付している。
【００８０】本実施形態に係るアレイ構造は、前記第１、第２実施形態と同様で、ｎ型ＧａＡｓ基板上に発光アレイが形成されている。この発光アレイの各素子の積層構造は、図１３及び図１４に示される。
【００８１】本実施形態の構造もダブルヘテロ構造、電流狭窄構造及び反射斜面を含んでいる。前記第１、第２の実施形態との構造的な差は、電流狭窄構造及び活性層の下部に、屈折率が異なる半導体層からなる多重反射膜３４０が設置されている点である。
【００８２】電流狭窄構造をつくるためのＡｌＡｓ層２２０は、多層反射膜３４０の最上部層のＡｌＡｓ層を利用している。
【００８３】上記多重反射層３４０の構造について具体的に説明する。
【００８４】感光対ドラムの感度特性を考慮し、発光ダイオードの発光波長は、最も感度高い領域の波長を選択することが望ましい。第１の実施形態で説明したように、発光波長として７６０ｎｍになるように、活性層をＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓとしている。多重反射層３４０は、屈折率の異なる２層を１組として、多数組積層することにより特定の波長領域で反射率を高くすることができるようにしたものである。
【００８５】本実施形態では、多層反射層３４０で吸収が起きないように、かつ積層膜厚をなるべく薄くすることができるようにするために、屈折率の異なる半導体層として、ＡｌＡｓとＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓを用いた。７６０ｎｍでのＡｌＡｓ及びＡ0.2Ｇａ0.8Ａｓ屈折率は、それぞれ約３．１及び３．６である。
【００８６】図１５は多層反射膜（組層数Ｎ＝１０，１５）の反射率の波長依存性を示す図であり、屈折率から、ＡｌＡｓ及びＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓのそれぞれの膜厚を６１ｍ及び５４ｎｍした場合の、１０層組及び１５層組の場合の多層反射膜の反射スペクトルの計算結果を示す。
【００８７】図１５に示すように、略７６０ｎｍで最大になり、１５層組では９０％を超える反射率が得られることがわかる。また、発光ダイオードの駆動電圧（例えば、３ｍＡ／ドット流れるときの電圧）を下げるために、多層反射層３４０を形成しているＡｌＡｓ層とＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層は、ｎ型でキャリア濃度を５×１０17〜１×１０18／ｃｍ3になるようにした。
【００８８】このような多層反射層３４０の設計の設計を行い、図１３に示すように、発光層である活性層２４０の下方で、バッファ層２１０の直上にこの多層反射層３４０を設置することにより、基板２００側に出射した光３００-1は、多重反射膜３４０で殆ど反射することができ、上面方向の光３００-2となる。反射光３００-2は、更に光反射斜面１１０ｂで反射され、出射端面１１０ａ方向の光３００-3となる。
【００８９】本実施形態では、第１、第２の実施形態に比べて、上面方向の反射斜面１１０ｂで反射された光３１０（前記図２及び図９）と上述した多層反射膜３４０と反射斜面１１０ｂとで反射された光３００-3の両方の光が出射することができるために、出射端面１１０ａから、より高い光出力を得ることができる。
【００９０】以上説明したように、第３の実施形態に係る発光ダイオードアレイは、多重反射層３４０を形成したため、上面方向に出射する光３００に加えて、基板裏面方向に出射する光３００-1も、多重反射膜３４０で上面方向に反射させることができるため、出射端面１１０ａから得られる光出力は、多層反射膜がない構造に比較して約２倍にできるというメリットがあり、上記各実施形態の効果をより一層高めることができる。
【００９１】なお、上記各実施形態の発光ダイオードアレイにおいて、Ｎ型をＰ型とし、Ρ型をＮ型とした構造であってもよい。また、分離溝はＡｌＡｓ層２２０を残してエッチングする構造となっているが、ＡｌＡｓ層２２０を残さない構造であってもなんら問題はない。基本的には、各発光部１１０が少なくとも、それぞれ電気的に分離されていればよい。
【００９２】また、上記各実施形態では、電流狭窄構造を作製する方法としてＡｌＡｓ膜を選択的に酸化し、電流が流れない領域を形成する方法を示しているが、これに限らず、例えば、ＡｌＡｓ層を選択的にフッ酸などによりエッチングすることで、電流狭窄構造を形成することもできる。」　
「【符号の説明】
１００  発光ダイオードアレイチップ、１１０  発光部、１１０-1〜１１０-192  各発光部、１２０  電極配線、１２０-1〜１２０-192  各電極配線、１３０-1〜１３０-192  接続電極、１１０ａ  光出射端面、１１０ｂ  光反射端面、２００  ＧａＡｓ基板、２１０  ｎ型ＧａＡｓバッファ層、２２０-1  選択酸化層、２２０-2  非酸化層ｎ型ＡｌＡｓ層、２３０  ｎ型Αｌ0.4Ｇａ0.6ΑＳクラッド層、２４０  ｐ型Αｌ0.15Ｇａ0.85Αｓ活性層、２５０  ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Αｓクラッド層（上部クラッド層）、２６０  ｐ型ＧａＡｓオーミック層、２７０  上部電極、３４０  多重反射膜」　
　
　以上の記載及び図（特に図１３）によれば、引用刊行物には、
「各発光部分が、ｎ型ＧａＡｓ基板２００上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２１０、ＡｌＡｓとＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓを１組として多数組積層した多重反射膜３４０、ｎ型Αｌ0.4Ｇａ0.6Αｓクラッド層２３０、ｐ型Αｌ0.15Ｇａ0.85Αｓ活性層２４０、ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Αｓクラッド層（上部クラッド層）２５０、及びｐ型ＧａＡｓオーミック層２６０が順次エピタキシーされた積層構造の発光ダイオードから構成された発光ダイオードアレイチップ。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）周知刊行物
　また、本願発明と引用発明の相違点に係る技術内容が記載された刊行物として、本願出願前に頒布された次のものを挙げることができる。（下線は当審で付与。）
　
ａ．特開２００１−１６８４６１号公報（平成１３年６月２２日発行）の第４頁第５欄第３９〜４５行に「【００２９】ｎ型ＧａＡｓ傾斜基板１０上には、詳細には図示しないがｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）をドーピングした厚さλ／（４ｎr ）（λ：発振波長、ｎr ：媒質の屈折率）の
ｎ型Ａｌ
0.9
 Ｇａ
0.1
 Ａｓ膜
ｎ型Ａｌ
0.3
Ｇａ
0.7
 Ａｓ膜
反射ミラー層
　
ｂ．特開２００１−１５６３９５号公報第４頁第５欄第２６〜３０行に「【００２１】…ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ＭＯＣＶＤ法で厚み４０nmのｎ型
Ａｌ
0.2
Ｇａ
0.8
Ａｓ
Ａｌ
0.9
Ｇａ
0.1
Ａｓ
反射鏡層
　
ｃ．特開２００１−９４２０８号公報第２頁第１欄第４２〜５０行に「【０００２】…一般にＡｌＧａＡｓのＡｌ組成が大きくなるにしたがって屈折率は小さくなる。本明細書では、Ａｌ組成の小さい層（この場合
Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ａｓ
Ａｌ
0.95
Ｇａ
0.05
Ａｓ
ＤＢＲ(Distributes Bragg Reflector）ミラー
　
ｄ．特開２００１−８５７８８号公報第２頁第１欄第３５〜３７行に「【０００３】…２５対のｎ型
Ａｌ
0.2
Ｇａ
0.8
Ａｓ
Ａｌ
0.9
Ｇａ
0.1
Ａｓ
反射鏡層構造
　
ｅ．特開２０００−２７７８５２号公報の第４頁第６欄第３１〜３３行に「【００２３】下部半導体
多層反射膜
Ａｌ
0.9
 Ｇａ
0.1
 Ａｓ
Ａｌ
0.3
Ｇａ
0.7
 Ａｓ
　
ｆ．特開２０００−２６９５９８号公報の第６頁第１０欄第１０〜１１行に「【００４１】…ｎ型
Ａｌ
0.3
Ｇａ
0.7
Ａｓ／Ａｌ
0.9
Ｇａ
0.1
ＡｓＤＢＲミラー
　
３．本願発明と引用発明の比較
　本願発明と引用発明を比較する。
　引用発明の「発光ダイオードアレイチップ」が「一つの素子内に複数の発光部分を有するモノリシック・アレイ型の発光素子」であることは、引用刊行物の記載からみて明らかである。
　そして、引用発明の「ｎ型ＧａＡｓ基板２００」、「ｎ型ＧａＡｓバッファ層２１０」、「多重反射膜３４０」、「ｎ型Αｌ0.4Ｇａ0.6Αｓクラッド層２３０」、「ｐ型Αｌ0.15Ｇａ0.85Αｓ活性層２４０」、「ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Αｓクラッド層（上部クラッド層）２５０」及び「ｐ型ＧａＡｓオーミック層２６０」が本願発明の「ｎ型のＧａＡｓ基板」、「ｎ型のＧａＡｓバッファ層」、「多重反射膜」、「ｎ型のＡｌＧａＡｓ下クラッド層」、「ｐ型またはアンドープのＡｌＧａＡｓ活性層」、「ｐ型のＡｌＧａＡｓ上クラッド層」及び「ｐ型のＧａＡｓコンタクト層」にそれぞれ相当しているものと認められる。
　ここで、引用発明の多重反射膜３４０がｎ型であることは技術的に明らかであり、また、そのＡｌＡｓは、Ａｌ組成比が１でＧａ組成比が０であるＡｌＧａＡｓであるということができる。
　また、ＡｌＧａＡｓにおいてＡｌ組成比の大きいものがＡｌ組成比の小さいものよりその屈折率が小さいことは周知の技術事項である。
　さらに、引用発明のｐ型Αｌ0.15Ｇａ0.85Αｓ活性層２４０のＡｌ組成比は、０．１５であるから、多重反射膜３４０を構成するＡｌＡｓ及びＡｌ0.2Ｇａ0.8ＡｓのいずれのＡｌ組成比よりも小さくなっており、活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる発光波長のエネルギーは、多重反射膜のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓのエネルギーギャップより小さい。
　
　以上のことから、両者はともに
「一つの素子内に複数の発光部分を有するモノリシック・アレイ型の発光素子であって、
　前記各発光部分が、ｎ型のＧａＡｓ基板上にｎ型のＧａＡｓバッファ層、ｎ型でＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓのペアからなる多重反射膜、ｎ型のＡｌＧａＡｓ下クラッド層、ｐ型またはアンドープのＡｌＧａＡｓ活性層、ｐ型のＡｌＧａＡｓ上クラッド層、およびｐ型のＧａＡｓコンタクト層が順次エピタキシーされた積層構造の発光ダイオードから構成され、
　前記多重反射膜が、ＡｌX1Ｇａ1-X1ＡｓとＡｌX2Ｇａ1-X2Ａｓのヘテロ接合からなる多層膜（Ａｌ組成比Ｘ１（０＜Ｘ１＜１）＜Ｘ２（０＜Ｘ２≦１）、それぞれの屈折率ｎ１＞ｎ２）からなり、活性層のＡｌXＧａ1-XＡｓのＡｌ組成比Ｘに対して、Ｘ１≧Ｘ、且つＸ２≧Ｘで、前記ＡｌX1Ｇａ1-X1Ａｓ層のバンドギャップエネルギー（ＥｇX1）が発光波長のエネルギー（Ｅλ）とＥｇX1≧Ｅλの関係にある発光素子。」の発明である点で一致する。
　
　一方、引用発明はＸ２＝１であるのに対し、本願発明はＸ２＜１である点で相違する。
　言い換えれば、引用発明は多重反射膜の低屈折率層がＡｌＡｓであるのに対し、本願発明は多重反射膜の低屈折率層がＧａを含むＡｌＧａＡｓである点で相違する。
　
４．相違点についての判断
　上記相違点について検討するに、引用発明において、多重反射膜の低屈折率層がＡｌＡｓでなければならないとする格別の理由を認めることはできず、また、屈折率の異なるＡｌＧａＡｓをペアとした多重反射膜において、低屈折率層をＧａを含むＡｌＧａＡｓとしたものは、上記２．（２）で周知刊行物として挙げた各刊行物に記載されているように周知であるから、引用発明における多重反射膜のＡｌＡｓを本願発明のごとくＧａを含むＡｌＧａＡｓとすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本願発明により奏されるとする効果についても、上記引用刊行物及び上記周知技術に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用刊行物に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。