【事件の表示】
　特願２０００−　４８６８６「ホログラフィック・グレーティング」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月３１日出願公開、特開２００１−２３５６１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、出願日が平成１２年２月２５日である特願２０００−４８６８６号であって、平成１６年２月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年３月１２日付けで審判請求がなされるとともに、平成１６年４月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年４月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］目的要件違反　
　本件補正のうち、特許請求の範囲の補正について検討するに、本件補正により、特許請求の範囲は、
「【請求項１】光学ガラス基板上に設けたホトレジスト層に、所望の回折格子溝深さ以上の溝深さを有するレジストパターンをホログラフィック露光法により刻線し、該レジストパターンが完全に消失するまでレジストに対するエッチング速度が基板に対するそれより大きくなるように調整したフッ素系ガスと酸素との混合ガスから生成されるイオンビームによりエッチングすることにより、光学ガラス基板上に所望の溝深さの回折格子溝を直接刻線してなるホログラフィック・グレーティング。　
【請求項２】エッチングの際のイオンビームを、レジストパターンの刻線方向に垂直で且つ基板の法線方向に対して傾斜した方向から照射することにより作製された請求項１記載のホログラフィック・グレーティング。　
【請求項３】請求項１及び請求項２記載のホログラフィック・グレーティングからの転写により作製されたネガ・グレーティング及びレプリカ・グレーティング。」から、
「【請求項１】光学ガラス基板上に設けたホトレジスト層に、所望の回折格子溝深さ以上の溝深さを有するレジストパターンをホログラフィック露光法により刻線し、該レジストパターンが完全に消失するまでレジストに対してエッチングし、該光学ガラス基板上に所望の溝深さの回折格子溝を直接刻線するホログラフィック・グレーティング製作方法において、
　(a)該ホトレジスト層に対するエッチング速度が該ガラス基板に対する速度より大きくなるようにフッ素系ガスと酸素との混合ガスを調整し、
　(b)該レジストパターンの刻線方向に対して垂直で且つ基板の法線方向に対して傾斜した方向から、該混合ガスから生成されるイオンビームを照射することでエッチングし、
　(c)エッチングする際には、該混合ガス中の酸素が該ホトレジスト層から析出するカーボンと反応し、該レジストの表面から離脱するようにした、
ことを特徴とするホログラフィック・グレーティング製作方法。」と補正され、補正前の請求項のうちの２つの請求項が削除された。
　
まず、補正後の請求項１が補正前の請求項１を補正したとして、当該補正の適否について検討する。　
　補正前の請求項１に係る発明の対象は、請求項１の末尾からみて「ホログラフィック・グレーティング」であり、その発明のカテゴリーは、物である。
　一方、補正後の請求項１に係る発明の対象は、請求項１の末尾からみて「ホログラフィック・グレーティング製作方法」であり、その発明のカテゴリーは、方法である。
　つまり、本件補正により、特許請求の範囲に記載された発明のカテゴリーが変更されたことになる。
　しかしながら、特許請求の範囲に記載された発明のカテゴリーを変更する補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項を目的とする補正ともいえない。
　　
　したがって、この補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　　
　次に、補正後の請求項１が補正前の請求項２または３を補正したとして、当該補正の適否について検討する。　
　補正前の請求項２、３に係る発明の対象は、「ホログラフィック・グレーティング」、「ネガグレーティング及びレプリカ・グレーティング」であり、上記した検討結果と同様に、いずれの場合でも、この補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。　
　　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年４月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年１２月１２日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「光学ガラス基板上に設けたホトレジスト層に、所望の回折格子溝深さ以上の溝深さを有するレジストパターンをホログラフィック露光法により刻線し、該レジストパターンが完全に消失するまでレジストに対するエッチング速度が基板に対するそれより大きくなるように調整したフッ素系ガスと酸素との混合ガスから生成されるイオンビームによりエッチングすることにより、光学ガラス基板上に所望の溝深さの回折格子溝を直接刻線してなるホログラフィック・グレーティング。」　
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された特開平１−１６１３０２号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の点が記載されている。　
［記載事項１］
「本発明は、耐久性に優れたホログラフィックグレーティング（以下ＨＧと云う）の製作方法に関する。」
（第１ページ左下欄第１４〜１６行目）
　　
［記載事項２］　
「レジストに形成されているパターンを基板に転写する方法として、レジストと基板のエッチンググレートを、所望の振幅形状になるようにエツチング用イオンガスを選択して使用することにより、エッチングはフォトレジスト層が消滅した後、露出した基板層を一定の速さで進行し、フォトレジスト層表面に最初に形成された波形は、エッチングの進行によって波形のピッチが変化することなく、かつ、基板１とフォトレジスト２のエッチンググレートの相違により任意の増幅率（縦即ち振幅のみが変化する）でもって基板ｌに移される。従って、基板層までエッチングを進行させると、フォトレジスト層表面に最初に形成された形状は波形のピッチを変更させることなく、かつ、振幅を任意に変更させて転写することができるので、フォトレジスト層のパターンがより効果的に基板に転写されることになる。」
（第２ページ左上欄第１０行目〜右上欄第６行目）
　
［記載事項３］　
「第１図において、１は基板で表面にフォトレジスト２をスピンナーで０．３μｍの厚さにコーティングしたものである。このレジスト２にホログラフィック露光法を用いて正弦波状のレジスト回折格子パターンを第２図に示すように記録する。次にパターンが記録されたレジスト２の上からＡｒガス等でイオンビームエツチングを行う。
フォトレジスト層がエッチングによりなくなると、基板で露出した部分が一定速度でエッチングされるため、フォトレジスト層に最初に形成された凹凸はピッチ間隔をそのまま保った状態で基板層に転移されることになり、エッチングによりレジスト２上に形成されているパターンは凹凸のピッチ間隔を変化させることなく第３図のように基板１に移動されてくる。イオンビームエッチングを第４図に示すようにレジスト２上のパターンが基板１に完全に移動した時点で終了する。」　
（第２頁右上欄第１０行目〜左下欄第６行目）　
　
［記載事項４］
「またエッチングガスとして酸素を使用すれば、基板１がフォトレジスト２よりエッチンググレートが小さいので波形の凹凸が小さく転写される。即ち、振幅が縮小されて転写される。逆にエッチングガスとしてフッソ系ガス（例：　ＣＨＦ３　、ＣＦ４　）を使用すれば、基板１はフォトレジスト２よりエッチンググレートが大きいので波形の凹凸が大きく転写される。即ち、振幅が拡大されて転写される。このようにフォトレジスト上に形成された波形を波形のピッチを変化させないが、振幅はエッチングガス或は基板、フォトレジストの材質を変更することにより任意に変化させて基板に転写することができる。」
（第２ページ左下欄第２０行目〜右下欄第１３行目）
　
　［記載事項３］及び第１図〜第４図より、イオンビームエッチングにより、フォトレジスト２上に形成されているパターンが直接基板１上に転移されることがわかる。また、イオンビームエッチングは、フォトレジスト２上に記録されたパターンの上から行われ、パターンが記録されたフォトレジスト２がなくなり、パターンが基板１に完全に移動する時点で終了することがわかる。　
　［記載事項２］及び［記載事項４］から、基板とフォトレジストのエッチングレート（記載事項中の「エッチンググレート」は誤記である）の相違によって、任意の増幅率でパターンを基板に転写させるために、エッチング用イオンガスを選択して使用することがわかる。
　
　したがって、上記記載事項、及び第１図〜第４図も参照すれば、引用例１には、
「基板１上に設けたフォトレジスト２に、正弦波状のレジスト回折格子パターンをホログラフィック露光法を用いて記録し、該パターンが記録されたレジストがなくなり、パターンが基板１に完全に移動する時点まで、選択したエッチングガスから生成されるイオンビームによりエッチングすることにより、基板上に任意の増幅率でフォトレジスト２の回折格子パターンを直接転写してなるホログラフィック・グレーティング。」（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開平７−１０８６１２号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の点が記載されている。
［記載事項５］　
「【０００５】上記の問題を解決し、信頼性の高いレリーフ型回折格子を得るためには、格子パターンを無機材料基板に形成することが望まれる。しかしながら、光学材料として用いられる無機材料（一般にはガラス）は、熱軟化温度がプラスチック材料のそれと比較して非常に高いため、上記のような金型を用いる成形は、一般には困難である。」　
　
［記載事項６］　
「【００１３】また、図１Ｃにおいて、ＲＩＥの反応ガスとしては、例えばＣＦ4 を主成分とする混合ガスを用いることができる。また、転写用のレリーフパターン３を構成する紫外線硬化型樹脂と、レリーフパターン２を形成するガラスとのエッチング速度の比（選択比）は、反応ガスの組成によって異なるので、反応ガスの組成を適宜調整することにより、レリーフパターン３を、レリーフ構造の深さ方向に対して所望の倍率でガラス基板２１に転写することができる。
【００１４】ここで、選択比ｒは、レリーフパターン３の深さをｄ、レリーフパターン２の深さをＤとすると、
【数１】ｒ＝Ｄ／ｄ            ・・・（１）
で表されるが、この実施例では、好適には、
【数２】ｒ＜１                ・・・（２）
に設定する。
【００１５】このように選択比ｒを設定すれば、レリーフパターン３の形状誤差、すなわち金型１１を製造する工程で生じるレリーフパターン１の形状誤差は、ガラス基板２１に縮小転写されることになるので、目的とする回折型レンズのレリーフパターン２の形状誤差を相対的に小さくすることができる。」　
　
［記載事項７］　
「【００１７】さらに、選択比を変更する場合には、ＣＦ4 に適当なガスを添加すればよい。具体的には、Ｈ2 やＣ2 Ｈ4 等を添加することにより選択比を増加させることができ、またＯ2 を添加することにより選択比を低下させることができる。」　
　
（３）対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「フォトレジスト２」は、本願発明の「ホトレジスト層」に相当し、同様に、「ホログラフィック露光法を用いて記録」は「ホログラフィック露光法により刻線」に、「任意の増幅率で」は「所望の溝深さの」に、「フォトレジスト２の回折格子パターン」は「回折格子溝」に、「直接写し」は「直接刻線し」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明の「基板」も、本願発明の「光学ガラス基板」も、共に基板である点で一致する。同様に引用発明の「正弦波状のレジスト回折格子パターン」も、本願発明の「所望の回折格子溝深さ以上の溝深さを有するレジストパターン」も、共に回折格子のレジストパターンである点で一致し、引用発明の「選択したエッチングガス」も、本願発明の「フッソ系ガスと酸素との混合ガス」も、共にエッチングガスである点で一致する。
　また、引用発明の「パターンが記録されたレジストがなくなり、パターンが基板１に完全に移動する時点まで」は、レジストパターンがガラス基板に完全に刻線される時点である、本願発明の「レジストパターンが完全に消失するまで」と実質的に同義である。
　したがって、本願発明と引用発明とは、　
「基板上に設けたホトレジスト層に、回折格子のレジストパターンをホログラフィック露光法により刻線し、該レジストパターンが完全に消失するまでエッチングガスから生成されるイオンビームによりエッチングすることにより、基板上に所望の溝深さの回折格子溝を直接刻線してなるホログラフィック・グレーティング。」である点で一致し、以下の各点で相違している。
　
［相違点１］
　「基板」が、本願発明では「光学ガラス基板」であるのに対し、引用発明ではその材質が光学ガラスとは限定されていない点。
  　
［相違点２］
　「回折格子のレジストパターン」が、本願発明では、「所望の回折格子溝深さ以上の溝深さを有する」ものであるのに対し、引用発明ではそのような限定がない点。
  　
［相違点３］
　「エッチングガス」が、本願発明では「レジストに対するエッチング速度が基板に対するそれより大きくなるように調整したフッソ系ガスと酸素との混合ガス」であるのに対し、引用発明では単に「選択したガス」である点。　
　
（４）判断
［相違点１］について
　引用例２の［記載事項５］に記載されているように、ホログラフィックグレーティングの製造に使用される基板として光学ガラス基板を使用することは周知技術である。
　したがって、相違点１に係る発明特定事項は格別なものではない。
　
［相違点２］について
　引用例２の［記載事項６］には、レジストに相当する紫外線硬化型樹脂と、基板に相当するガラスとのエッチング速度の比（選択比）ｒは、回折格子のレジストパターンに相当する紫外線硬化型樹脂のレリーフパターン３の深さをｄ、所望の回折格子溝に相当するガラスのレリーフパターン２の深さをＤとすると、ｒ＝Ｄ／ｄで表されること、及びパターンの形状誤差を相対的に小さくするために、好適には、選択比ｒをｒ＜１とすることが記載されている。
　ここで、選択比ｒ＜１ということは、Ｄ／ｄ＜１ということであって、このことは回折格子のレジストパターンの溝深さｄが、所望の回折格子溝深さＤ以上の溝深さを有する、ということに他ならない。　
　したがって、相違点２に係る発明特定事項は、当業者が引用例１及び引用例２に基づき容易に想到し得るものである。
　
［相違点３］について
　引用例２の［記載事項６］には、（引用発明のフォトレジストに相当する）紫外線硬化型樹脂と（引用発明の基板に相当する）ガラスとのエッチング速度の比である選択比ｒが、ｒ＜１となるような値、言い換えれば、紫外線硬化型樹脂に対するエッチング速度がガラスに対するエッチング速度より大きくなるように、エッチングガスを適宜調整することが記載されている。そして、同じく引用例２の［記載事項７］には、フッソ系ガスであるＣＦ4にＯ2 を添加することにより選択比を低下させることが記載されている。したがって、フォトレジストに対するエッチング速度が基板に対するエッチング速度より大きくなるように、引用発明のエッチングガスとして、引用例２に記載の、ＣＦ4にＯ2 を添加したものを用いて相違点３に係る発明特定事項を導くことは、当業者にとって容易である。
　
　そして、本願発明の作用・効果も、引用例１及び引用例２に記載された発明、並びに周知技術から予測される範囲内のもので格別のものとは言えない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。