【事件の表示】
　平成１１年特許願第　７９６７０号「表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月　６日出願公開、特開２０００−２７７８５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明 
　
（１）手続の経緯
　本願は、平成１１年３月２４日の出願であって、平成１５年８月２５日に手続補正がなされ、平成１７年１２月８日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年２月１３日に手続補正がなされ、同年７月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月１１日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
（２）本件補正の内容
　本件補正は、平成１８年２月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１２の「請求項１２に記載の表面発光型半導体レーザの製造方法。」との記載を「請求項１１に記載の表面発光型半導体レーザの製造方法。」と補正するものである。
　
（３）本件補正の目的
　ここで、平成１８年２月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１２において請求項１２に係る発明を引用する記載は明らかに誤記である。
　また、平成１８年２月１３日付け手続補正は、平成１５年８月２５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲に、（ａ）新たな請求項１０を追加し、（ｂ）補正前の請求項１０を繰り下げて新請求項１１にするとともに追加した新請求項１０も択一的に引用する請求項に加え、（ｃ）補正前の請求項１１を繰り下げて新請求項１２とするとともに引用していた請求項１０を「請求項１２」に補正する内容を含んだものである。
　したがって、上記（ｃ）の補正内容は、平成１５年８月２５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１０を補正した新たな「請求項１１」を引用すべきところ、誤って「請求項１２」と記載したものであることが明らかである。
　また、本件補正は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載の範囲内でなされたものと認められるから、平成１８年改正前特許法１７条の２第３号の規定に適合するものである。
　以上のことから、本件補正は、平成１８年２月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１２において、請求項１１の明らかな誤記である「請求項１２」との記載を「請求項１１」に訂正するものであるから、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項３号の「誤記の訂正」を目的とするものである。よって、本件補正は同法１７条の２第４項に適合するものである。
　
（４）本願発明
　上記（３）のとおり、本件補正は適法な補正であるから、本願の請求項に係る発明は、本件補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
　
「半導体基板上に、下部半導体多層反射膜、活性層、上部半導体多層反射膜、コンタクト層、第１ミラー反射率調整層、及び第２ミラー反射率調整層を有する表面発光型半導体レーザであって、
　第１ミラー反射率調整層が、基板水平面内にコンタクト層を露出させる開口部を有する層であり、
　第２ミラー反射率調整層が、開口部のコンタクト層上の少なくとも一部、及び第１ミラー反射率調整層上の少なくとも一部に積層されてなり、
　コンタクト層と第１ミラー反射率調整層とが、異なる導電型を有することを特徴とする表面発光型半導体レーザ。」（以下「本願発明」という。） 
　
２．刊行物の記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−１１２５８７号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１）「【請求項２】  別々に制御される電流分布および光学モ−ドを有する縦型空洞表面放出レ−ザであって、
基板（３０）；前記基板（３０）上に配置されるミラ−の第１パラレル・スタック（３２）；前記第１パラレル・ミラ−・スタック（３２）上に配置されるアクティブおよびスペ−サ層（３５）；前記アクティブおよびスペ−サ層上に配置される第２パラレル・ミラ−・スタック（３８）であって、前記第２パラレル・ミラ−・スタック（３８）はメサ型領域（４０）を限定するためにエッチングされる第２パラレル・ミラ−・スタック（３８）；および前記メサ型領域（４０）が所定の反射率特性を有するような光学的厚さを有する前記メサ型領域（４０）上に配置される材料（４４，４６）であって、前記材料（４４，４６）は前記レ−ザ内における電流分布を制御するため電気的コンタクト・ウィンドウ（４２）を限定する光学的に透明な電導性材料（４６）を含む前記メサ型領域（４０）上に配置される材料（４４，４６）；から構成されることを特徴とする縦型空洞表面放出レ−ザ。」
　
（２）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は縦型空洞表面放出レ−ザ（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｃａｖｉｔｙ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）に関し、特にその縦型空洞表面放出レ−ザを形成する際に電流分布および光学モ−ドを分離制御する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のエッジ放出半導体レ−ザは、その高い動作効率，小さなサイズおよび変調能力（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  ｃａｐａｂｉｌｉｔｉｅｓ）により、光通信技術の発達において重要な役割を演じている。しかし、動作特性を向上させる必要性，更なる小型化および量産する必要性と共に、これらのデバイスは限界に直面しつつある。
【０００３】現在、縦型空洞表面放出レ−ザと呼ばれる新しい種類のレ−ザ装置が注目を集めている。ＶＣＳＥＬデバイスの利点は、そのデバイスがより小型であること，潜在的に優れた動作特性を有することおよび潜在的により量産生があることである。これらの利点は、エピタキシャル堆積技術における利益から生じるものであり、例えば有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）および分子線エピタキシ（ＭＢＥ）である。
【０００４】しかし、これらの堆積技術の利点をもってしても、製造段階において、レ−ザの動作モ−ドを制御することおよびレ−ザ内の電流分布を制御する際に困難を生じる。一般に、ＶＣＳＥＬは基板上に複数の層を堆積し、その後その層を基板までエッチングすることによって形成される。これらの技術については例えば、１９９１年６月２３日に特許された米国特許５，０３４，０９２”ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”に開示されており、その発明は本発明と同じ譲受人に譲渡され、本発明においても同様な技術が用いられている。
【０００５】ＶＣＳＥＬを形成するメサ（ｍｅｓａ）型エッチング技術は、２つの欠点を有する。そのエッチング工程は表面における結晶にダメ−ジを与え、しきい値電流を増加させ、信頼性を減少させることとなる。そのメサは、屈折率に大きな不連続性を有するウェ−ブガイドを形成し、その不連続性は小さなサイズのデバイスを形成することなしに光学モ−ドを制御することを困難にし、直列抵抗を増加させ、最大の出力パワ−を減少させる。これらは一般に、効率的でないおよび安定していないデバイスになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電流分布および光学モ−ドを分離制御可能な新規で改良されたＶＣＳＥＬを提供することを目的とする。
【０００７】本発明は更に、サイズ，効率，パワ−出力などの特性が最適である、電流分布および光学モ−ドを分離制御可能な新規で改良されたＶＣＳＥＬを提供することを目的とする。」
　
（３）「【００１０】
【実施例】図１は、ＶＣＳＥＬを形成する中間段階における断面図を示す。そのＶＣＳＥＬは基板１０上に形成され、本実施例ではＮド−プ（Ｎ型にド−プされた）ひ化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ）である。更に、他の半導体基板を用いることも可能であることに留意すべきである。
【００１１】複数の交互に積み重なることなる層のエピタキシャル堆積は、ＭＢＥ，ＭＯＣＶＤ等の当該業界で周知の方法によって形成される。これらの技術は様々な材料の比較的薄い層と厚い層のエピタキシャル堆積を可能にし、その材料は例えばアルミニウム・ひ化ガリウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ），ひ化アルミニウム，インジウム燐（ｉｎｄｉｕｍ  ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）等である。ＶＣＳＥＬデバイスを形成する際に、エピタキシャル堆積を広く用いて、デバイスを形成する異なる材料の複数の層を形成することが可能となる。
【００１２】低い（＜１５％）Ｎド−プ・アルミニウム・ひ化ガリウム、高い（＞８０％）のアルミニウム・モル・フラクション（ｍｏｌｅ  ｆｒａｃｔｉｏｎ）の層を交互に堆積すると、反射面すなわちミラ−の第１スタック（ｓｔａｃｋ）１２を形成する。アルミニウム・ひ化ガリウムの積み重なる層の厚さは、ＶＣＳＥＬが動作するように設計される波長の約４分の１に設定される。
【００１３】一般のアクティブおよびスペ−サ層１５は第１ミラ−・スタック１２上にエピタキシャル堆積されるクラッド（ｃｌａｄ）領域を含み、アクティブ（ａｃｔｉｖｅ）層１５の第１主面（ｍａｊｏｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）を形成する。アクティブ領域はクラッド領域上にエピタキシャル堆積され、第２クラッド領域はエピタキシャル堆積され、アクティブおよびスペ−サ層１５の第２主面を形成する。
【００１４】反射面すなわちミラ−の第２スタック１８は、アクティブおよびスペ−サ層１５の第２クラッド領域上にエピタキシャル堆積される。第２ミラ−・スタック１８は、第１ミラ−・スタック１２で用いられるように、交互に積み重なるモル・フラクションと共にＰド−プ・アルミニウム・ひ化ガリウムの交互に積み重なる層から構成される。交互に積み重なる最後の層の厚さは、他の層で用いられているような１波長の４分の１ではなく、４分の１波長の約整数倍である。一般に、ＶＣＳＥＬのしきい電流は、ミラ−・スタック１２，１８において交互に積み重なる層の数を増加させることによって、減少させることが可能である。
【００１５】第１ミラ−・スタック１２，アクティブ層１５および第２ミラ−・スタック１８が形成されると、その構造はパタ−ニングされ、１つ以上の個々のＶＣＳＥＬを形成する。本実施例にあっては、そのパタ−ニングは以下に述べるようにして行われる。第２ミラ−・スタック１８の上部表面が、周知の方法の１つによって、フォトレジスト材料２０の層と共に提供される。フォトレジスト２０を露光し、その材料を除去し、トレンチの配置およびサイズを限定する。そのトレンチは周知の手段によってミラ−・スタック１８をエッチングすることによって形成される。その手段は例えば、イオン・ミリング（ｉｏｎ  ｍｉｌｌｉｎｇ）または米国特許５，０３４，０９２に開示されているエッチ工程である。その米国特許は”Ｐｌａｓｍａ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”と題され、１９９１年６月２３日に特許され、本発明と同じ譲受人に譲渡されている。一般に、そのトレンチは完全に周囲に伸び、一般にメサ型領域を限定し、本実施例では円形の断面を有する。
【００１６】ＶＣＳＥＬの分野では、ミラ−・スタックが基板を介して完全にエッチングされてるとき、そのレ−ザはしばしば「メサ・デバイス」と呼ばれる。またそのエッチングがミラ−・スタックの上部を介して部分的に行われるとき、そのレ−ザはしばしば「リドゥル（ｒｉｄｄｌｅ）・ガイド・デバイス」と呼ばれる。本発明は、何れのエッチングの種類に対しても行うことが可能であり、その結果エッチングされた領域はトレンチを通じて関連し、そのトレンチによって限定された領域はメサ型領域と呼ばれる。しかし、部分的にエッチングされた、上面放出（ｔｏｐ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ）ＶＣＳＥＬは、本発明が最も有用なものであるデバイスとなり、以後の説明で開示されるデバイスは、他のデバイスに適用することも可能である。
【００１７】図２は、上面放出ＶＣＳＥＬ２５の断面図である。ＶＣＳＥＬ２５は基板３０上に形成され、基板３０上に形成される低パラレル・ミラ−・スタック３２を含み、パラレル・ミラ−・スタック３２上に形成されるアクティブおよびスペ−サ層３５並びにアクティブおよびスペ−サ層３５上に形成される上部パラレル・ミラ−・スタック３８を含む。上部パラレル・ミラ−・スタック３８はアクティブおよびスペ−サ層３５に対して実質的に縦にエッチングされ、上部パラレル・ミラ−・スタック３８の残留部分（ｒｅｍａｉｎｄｅｒ）を包囲するトレンチ３９を形成する。トレンチ３９によって限定される上部パラレル・ミラ−スタック３８のその残留部分は、メサ型領域４０となる。
【００１８】ＶＣＳＥＬ２５の動作波長（周波数）は、その構成要素（材料など），アクティブおよびスペ−サ層３５の大きさ並びにミラ−・スタック３２，３８によって既に決定されたものとなる。さらに、よく知られているように、ＶＣＳＥＬは最も低い次数のモ−ドで動作することが望まれる。そのモ−ド・サイズすなわち最低次数の動作モ−ドを維持するために用いられる最大堆積は、ミラ−・スタック３２，３８の光学特性によって決定される。メサ型領域４０の直径「ｄ」は、一般に高次の動作モ−ドを含むことなしに最低次数のモ−ドにおける動作を維持する最大の領域である。レ−ザ発振はメサ型領域４０内およびその下でのみ生じるので、トレンチ（または複数のトレンチ）３９をエッチングする構造をマスクすることは重要なことではない。一般に、トレンチ３９の深さは、アクティブおよびスペ−サ層３５とは接触しないように形成されるので、その信頼性は増進する。また、トレンチ３９の幅は重要なものではなく、特定の製品およびその後の製造工程に依存する適切な幅となる。
【００１９】例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）である誘電体材料のスペ−サ４４は、ＶＣＳＥＬ２５の表面全体に堆積され、開口はメサ型領域４０の上部表面上を通じてエッチングされ、一般に光放出領域に一致するものとなり、また光が放出する領域を限定する。透明な金属コンタクト層４６はその放出領域内に堆積され、メサ型領域４０に続き、電気的コンタクト・ウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）４２を限定し、外部電気コンタクトに対して十分な表面を提供する。一般に利用される透明な材料は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ），カドミウム錫酸化物などである。必要であれば、更に従来の金属を層４６上に堆積することも可能である。電気的コンタクト・ウィンドウ４２は、上部パラレル・ミラ−・スタック３８内の電流分布を主として制御する。
【００２０】図２に示されるＶＣＳＥＬ２５は、透明な金属コンタクトおよび注入された電流分布とその光学モ−ドとを別々に制御するメサ型領域に加えて誘電体電流閉じ込め（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）を用いている。本実施例では、ＶＣＳＥＬ２５は、第１堆積ＳｉＮｘ層および開口高コンタクト・ウィンドウによって（パラレル・ミラ−・スタック３２，３８並びにアクティブおよびスペ−サ層３５の基本的な構造から）形成される。透明な金属コンタクトＩＴＯは、その後堆積され、コンタクト・ウィンドウと共に同心円状に（ｄｏｔ  ｃｏｎｃｅｎｔｒｉｃ）パタ−ニングされる。そのＩＴＯ層およびパラレル・ミラ−・スタックはエッチングされ、光学ウェ−ブガイド構造を形成し、ミラ−・スタックを介して部分的にまたは全体的にエッチングされる。誘電体材料の第２の層はその後堆積され、サイドウォ−ルおよびメサ型領域４０以外の領域を被覆し、ＩＴＯの第２の層が堆積され、コンタクト層を形成する。ＶＣＳＥＬ２５はメサ型絶縁エッチおよび背面コンタクト４７を形成する段階と共に終了する。
【００２１】ＶＣＳＥＬ２５の動作モ−ドは図２の楕円４８で示されており、その注入（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）電流分布（または閉じ込め）は線４９で示されている。
【００２２】誘電体層４４の用いると、２つの目的に対して有効である。第１に、動作電流をメサ型領域４０の中心に閉じ込めると、大きなデバイス（≧２０ミクロン）において基本となる光学モ−ドと共により効率的なオ−バ−ラップを可能にする。第２に、透明な金属層または層４６を組み合わせることによって、誘電体層は上部パラレル・ミラ−・スタック３８の反射率に大きく影響する。例えば、誘電体層４４とコンタクト層４６との和である光学的な全体の厚さ「ｔ」は、ＶＣＳＥＬ放出の半波長の整数倍であり、共振器（メサ型アクティブ領域）の空洞の「Ｑ」は共振器構造そのもののＱから不変であり、本実施例では約３５０である。しかし、誘電体層４４とコンタクト層４６との和である厚さｔは４分の１波長の奇数倍に等しいとき、共振器のＱは最大値の２０％にまで減少する。２つの例の間の厚さの違いは中間損失の差を与える。したがって、メサ型領域４０の上面上に配置された層は、共振器（ミラ−）の損失に激的に影響するので、効率的な横型ウェ−ブガイド上のＶＣＳＥＬ２５の構造では非常に影響が大きい。層４４，４６の厚さを制御することによって、ミラ−反射率は空間的に変化し、メサ型領域４０の直径「ｄ」に依存せずに光学モ−ドを制御する。
【００２３】材料層の光学的厚さは、その材料の屈折率倍された実際の厚さに等しい。例えば、ＩＴＯ材料の屈折率は約２．０ないし２．２である。したがって、１半波長の光学的厚さと共にＩＴＯの実際の層の厚さは、そのデバイスの放出周波数における４分の１波長に等しくなる。
【００２４】図３は、ＶＣＳＥＬ２５に類似するＶＣＳＥＬにおける、ミラ−損失の図形表示または反射率の概略５０を示す。また図４は、図３に対応して配置されたものであり、図３のＶＣＳＥＬにおける反射率の概略５０に対する電流閉じ込めを表したものである。反射率の概略５０は、最も外側の線５２，５３を含み、トレンチ３９に一致し、ミラ−損失は最大になる。各々の線５２，５３の内側端部において、ミラ−損失は急激に降下し、メサ型領域４０の外端部から電気的コンタクト・ウィンドウ４２の外側の限界までを示す。本実施例にあっては、誘電体層４４と最終的なＩＴＯ層４６との結合された光学的厚さは、１半波長の整数倍と４分の１波長の奇数倍との間の変量である。また本実施例では、電気的コンタクト・ウィンドウ４２上の透明な金属コンタクト４６は動作波長の１半波長の整数倍に等しい厚さｔを有する用に構成される。したがって、ミラ−損失は電気的コンタクト・ウィンドウ４２において再び急激に降下し、電気的コンタクト・ウィンドウ４２内の最少ミラ−損失を示す線５９まで降下する。
【００２５】この配置は、２つのウェ−ブガイド領域を有する分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）に類似する。ＶＣＳＥＬの反射率の概略５０は、層４４／４６の厚さを制御することによって調整し、ミラ−反射率を変化させ、メサ・エッジに依存しない光学モ−ドを制御する。ＶＣＳＥＬ２５の反射率を制御することによって、レ−ザの動作容積は、最低次数の動作モ−ドのモ−ドサイズに等しくなり、ＶＣＳＥＬ２５の出力または放出領域は最大になる。ＶＣＳＥＬ２５の放出領域を最大にすることは、その出力パワ−を最大にする。この配置を用いることによって、ゲインの横型オ−バ−ラップ（楕円４８）および光学モ−ドは最も効率のよい動作で最大になり、それは小さな直径のデバイスのしきい値および外部効率を決定する因子を制御することである。これは、デバイス直径ｄが電流の分離よりも大きく、高次の光学モ−ドが光学ゲインについてあまりオ−バ−ラップしない場合に特に正しい。
【００２６】図５は、ＶＣＳＥＬ２５に類似する他のＶＣＳＥＬに対するミラ−損失または反射率の概略７０の図形表示である。反射率のグラフ７０はトレンチ３９に対応する最も外側の線７２，７３を含み、ミラ−損失は最大となる。各々の線７２，７３の内側の端部において、ミラ−損失は急激に降下し、これはメサ型領域４０の始まりを示す。線７６，７７は、そのミラ−損失の鋭いたち下がりから、すぐに内部に戻り、これはメサ型領域４０の外側の端部から電気的コンタクト・ウィンドウ４２の外部境界までのミラ−損失を示す。本実施例では、誘電体層４４と最終的なＩＴＯ層４６との結合された光学的厚さは、１半波長の整数倍に等しく、線７６，７７で示されるミラ−損失は最少となる。本実施例ではまた、金属コンタクト４６は、１半波長の整数倍と４分の１波長の奇数倍との間の変量に等しい厚さｔを有するように構成される。したがって、ミラ−損失は電気的コンタクト・ウィンドウ４２において、最小値より大きい電気的コンタクト・ウィンドウ４２におけるミラ−損失を示す線７９まで急瞬に増加する。」
　
（４）上記（１）〜（３）からみて、引用例には、
「Ｎド−プひ化ガリウム半導体基板上に、各層の厚さが波長の約４分の１である、低いＮドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＮドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第１スタックを形成し、
　該第１スタック上に第１クラッド領域、アクティブ領域および第２クラッド領域を順に堆積してアクティブおよびスペーサ層を形成し、
　該第２のクラッド領域上に、最後の層以外の各層の厚さが波長の約４分の１であり、最後の層の厚さだけは４分の１波長の約整数倍である、低いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第２スタックを形成し、
　前記Ｐドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの最後の層上に、誘電体材料の第１の誘電体層（第１堆積ＳｉＮＸ層、スペーサ４４）を堆積し、この第１の誘電体層を前記最後の層表面上を通じてエッチングして光放出領域に一致する開口を形成し、その後、外部電気コンタクトに対して十分な表面を提供する透明な金属コンタクトＩＴＯを堆積し、前記光放出領域内に堆積された金属コンタクトＩＴＯの層４６は前記第２スタック内の電流分布を主として制御する電気的コンタクト・ウィンドウ４２を限定して、誘電体電流閉じ込めとし、該金属コンタクトＩＴＯの層および前記第２スタックがエッチングされ、前記透明な金属コンタクトＩＴＯの層４６は前記電気的コンタクト・ウィンドウ４２と共に同心円状にパターニングされ光学ウェーブガイド構造をなすメサ型領域４０を形成し、
　該メサ型領域４０のサイドウォールおよびメサ型領域４０以外の領域を第２の誘電体層で被覆し、ＩＴＯの第２の層４６を堆積してコンタクト層４６を形成し、
　背面コンタクト４７を形成した縦型空洞表面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）２５において、
　前記第１の誘電体層４４は、動作電流を前記メサ型領域４０の中心に閉じ込める第１の目的に対して有効であり、
　前記第１の誘電体層４４は、前記コンタクト層４６を組み合わせ、前記第１の誘電体層４４及び前記コンタクト層４６の全体の光学的厚さを１半波長の整数倍と４分の１波長の奇数倍との間の変量とし、この厚さを制御することによって、この部分でミラー損失が、メサ型領域４０の外側のミラー損失が最大であるトレンチ３９部分から急激に降下（反射率は上昇）するように第２のスタックの反射率を空間的に変化させ、
　前記電気的コンタクト・ウィンドウ４２上の前記コンタクト層４６の厚さを動作波長の１半波長の整数倍に等しい厚さとなし、該電気的コンタクト・ウィンドウ４２においてミラー損失が再び急激に降下（反射率は上昇）して最小ミラー損失となるようにし、
　メサ型領域４０の直径に依存せずに光学モードを制御する第２の目的に対しても有効である縦型空洞表面放出レーザ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．本願発明と引用発明との対比・判断
　
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア．引用発明の「Ｎド−プひ化ガリウム半導体基板」、「各層の厚さが波長の約４分の１である、低いＮドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＮドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第１スタック」、「アクティブ領域」、「『低いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第２スタック』の『各層の厚さが波長の約４分の１であ』る『最後の層以外の』層」及び「縦型空洞表面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「下部半導体多層反射膜」、「活性層」、「上部半導体多層反射膜」及び「表面発光型半導体レーザ」に相当する。
　
イ．引用発明の「誘電体材料の第１の誘電体層（第１堆積ＳｉＮＸ層、スペーサ４４）」、即ち「第１の誘電体層４４」は、前記コンタクト層４６を組み合わせ、「前記第１の誘電体層４４及び前記コンタクト層４６の全体の光学的厚さを１半波長の整数倍と４分の１波長の奇数倍との間の変量とし、この厚さを制御することによって、この部分でミラー損失が、メサ型領域４０の外側のミラー損失が最大であるトレンチ３９部分から急激に降下（反射率は上昇）するように第２のスタックの反射率を空間的に変化させ」るものであるから、「ミラー反射率調整層」であるといえる。よって、引用発明の「誘電体材料の第１の誘電体層（第１堆積ＳｉＮＸ層、スペーサ４４）」は、本願発明の「第１ミラー反射率調整層」に相当する。
　
ウ．引用発明の「コンタクト層４６」は、前記電気的コンタクト・ウィンドウ４２上では、その厚さを「動作波長の１半波長の整数倍に等しい厚さとなし、該電気的コンタクト・ウィンドウ４２においてミラー損失が再び急激に降下（反射率は上昇）して最小ミラー損失となるようにし」、前記第１の誘電体層４４に重なる部分では、「前記第１の誘電体層４４及び前記コンタクト層４６の全体の光学的厚さを１半波長の整数倍と４分の１波長の奇数倍との間の変量とし、この厚さを制御することによって、この部分でミラー損失が、メサ型領域４０の外側のミラー損失が最大であるトレンチ３９部分から急激に降下（反射率は上昇）するように第２のスタックの反射率を空間的に変化させ」るものであるから、「ミラー反射率調整層」であるといえる。よって、引用発明の「コンタクト層４６」は本願発明の「第２ミラー反射率調整層」に相当する。
　
エ．引用発明の「透明な金属コンタクトＩＴＯ」は、「外部電気コンタクトに対して十分な表面を提供する」ものであるから、レーザ等半導体発光素子の技術分野において一般に「電極」と呼ばれるものであるといえる。
　また、レーザ等半導体発光素子の技術分野において「コンタクト層」とは、一般に、電極と半導体との電気接続を行う半導体層について用いられている用語であり、本願発明の「コンタクト層」も、本願の発明の詳細な説明及び図面の記載からみて、電極（ｐ側電極９）と半導体との電気接続を行う半導体層であるとの技術的意味を有しているものと解される。
　そうすると、引用発明の「『低いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第２スタック』の『厚さ』が『４分の１波長の約整数倍である』『最後の層』」は、その上に、第１の誘電体層の開口を介して、透明な金属コンタクトＩＴＯ、即ち「電極」が直接堆積されるものであるから、本願発明の「コンタクト層」に相当する。
　
オ．引用発明の「開口」は、第１の誘電体層（本願発明の「第１ミラー反射率調整層」に相当する。）を前記最後の層表面上を通じてエッチングして形成したものであり、その「第１の誘電体層」は、第２スタックの最後の層（本願発明の「コンタクト層」に相当する。）上に堆積された層であって、その最後の層表面は明らかに基板に水平な面であり、かつ、その後堆積される透明な金属コンタクトＩＴＯは、「開口」が一致する前記光放出領域内に堆積されるのであるから、基板水平面内に最後の層（本願発明の「コンタクト層」に相当。）を露出させる開口部であるといえる。よって、引用発明の「開口」は、本願発明における、「基板水平面内にコンタクト層を露出させる」開口部であり、かつ、「第１ミラー反射率調整層が有する」開口部であるところの、「開口部」に相当する。
　
カ．よって、本願発明と引用発明とは、
「半導体基板上に、下部半導体多層反射膜、活性層、上部半導体多層反射膜、コンタクト層、第１ミラー反射率調整層、及び第２ミラー反射率調整層を有する表面発光型半導体レーザであって、
　第１ミラー反射率調整層が、基板水平面内にコンタクト層を露出させる開口部を有する層であり、
　第２ミラー反射率調整層が、開口部のコンタクト層上の少なくとも一部、及び第１ミラー反射率調整層上の少なくとも一部に積層されてなる表面発光型半導体レーザ。」の点で一致し、次の点で相違する。 
　
（相違点）
　本願発明においては「コンタクト層と第１ミラー反射率調整層とが、異なる導電型を有する」のに対して、引用発明のコンタクト層は「低いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第２スタック」の最後の層であるからその導電型は「Ｐ型」であり、引用発明の第１ミラー反射率調整層は「誘電体材料の第１の誘電体層（第１堆積ＳｉＮＸ層、スペーサ４４）」であるから導電型のない誘電体材料であり、結局、引用発明においては「コンタクト層と第１ミラー反射率調整層とが、異なる導電型を有する」ものではない点。
　
（２）判断
　
　上記（相違点）について検討する。
　
ア．「基板上に、第１のｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層及びｐ型コンタクト層をこの順で積層し、前記ｐ型コンタクト層の上に開口部を有する第２のｎ型半導体層を積層し、前記開口部により露出した前記ｐ型コンタクト層の上及び前記第２のｎ型半導体層の上にｐ側電極を形成した構造となし、前記開口部を有する第２のｎ型半導体層を前記ｐ型コンタクト層とによるｐ−ｎ接合を用いた電流阻止層として機能させることにより、電流狭窄効果を良好にする半導体レーザ等の発光素子」は、本願出願前に周知である（例．特開平７−２５４６９５号公報、特開昭５３−１３８６８９号公報、特開昭５０−１２０２８２号公報、特公昭５６−３８０７４号公報）。
　
イ．開口部を有する第２のｎ型半導体層をｐ型コンタクト層の上に形成し、そのｐ−ｎ接合を用いた電流阻止層により電流狭窄を行う上記周知技術を、垂直発光型のものに適用することができることは、当業者に自明である（上記特開昭５３−１３８６８９号公報の９頁右下欄１４行〜１０頁左上欄１行の記載参照。）。
　
ウ．引用発明は、動作電流を閉じ込める目的、即ち電流狭窄の目的のため、開口を形成した第１の誘電体層を用いているが、引用発明において、開口を形成した第１の誘電体層に代えて、開口部を有する第２のｎ型半導体層をｐ型コンタクト層の上に形成する上記周知技術によっても、そのｐ−ｎ接合を用いた電流阻止層により、良好に電流狭窄ができることは、当業者に自明である。
　
エ．引用発明は、「前記コンタクト層４６を組み合わせ、前記第１の誘電体層４４及び前記コンタクト層４６の全体の光学的厚さを１半波長の整数倍と４分の１波長の奇数倍との間の変量とし、この厚さを制御することによって、この部分でミラー損失が、メサ型領域４０の外側のミラー損失が最大であるトレンチ３９部分から急激に降下（反射率は上昇）するように第２のスタックの反射率を空間的に変化させ」る目的のため、第１の誘電体層を用いているが、引用発明において、「前記コンタクト層４６を組み合わせ、前記第１の誘電体層４４及び前記コンタクト層４６の全体の光学的厚さ」を制御することには「誘電体」である必要はないこと、および、その制御は上記周知技術の第２のｎ型半導体層のような「ｎ型半導体層」であってもできることは、当業者に自明である。
　
オ．したがって、引用発明に上記周知技術を採用し、引用発明の第１ミラー反射率調整層（開口を形成した第１の誘電体層）に代えて、開口部を有する第２のｎ型半導体層を、引用発明のコンタクト層（低いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムと高いＰドープ・アルミニウム・ひ化ガリウムの層を交互に堆積してミラーの第２スタックの最後の層）の上に形成し、その第２のｎ型半導体層と引用発明の第２ミラー反射率調整層（コンタクト層４６）との和である光学的全体の厚さを制御する「第１ミラー反射率調整層」となすこと、即ち上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者にとって容易なことである。
　
カ．また、本願発明の効果は、引用発明の効果及び上記周知技術の効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　
 　よって、結論のとおり審決する。