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【手続補正書】
【提出日】平成31年4月16日(2019.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品取り扱いシステムであって、
保管および取り出しシステムであって、
物品を保管する複数の保管位置と、
前記複数の保管位置間を移動自在な保管および取り出し装置であって、前記保管位置のうちの１の保管位置から物品を取り出して１の積み替え位置に前記物品を移動させるように動作可能である、前記移動自在な保管および取り出し装置と
を有する、前記保管および取り出しシステムと、
前記積み替え位置に対して、かつ前記積み替え位置から物品を移動させるように動作可能なピッキングシステムであって、このピッキングシステムは、
物品を搬送する複数のピッキング車と、
ループを有し、前記ピッキング車を案内するピッキング軌道と、
前記ピッキング軌道に沿って配置された投入および排出ステーションであって、前記ピッキング車の１つから物品を取り出すことができるように構成されているものである、前記投入および排出ステーションと、
を有し、
前記ピッキング軌道は、前記ピッキング車が前記投入および排出ステーションと前記積み替え位置との間の前記ループに沿って循環できるように構成されており、
各前記ピッキング車は、前記ピッキング軌道に沿って当該ピッキング車を駆動する駆動システムと、この駆動システムを駆動するモーターとを有するものであり、
前記ピッキングシステムは、前記ピッキング車が前記ピッキング軌道に沿って前記積み替え位置に隣接した領域に駆動され、前記ピッキング車と前記積み替え位置にある前記投入および排出ステーションとの間で物品を移動させるように前記ピッキング車の動作を制御するものであり、
前記ピッキングシステムは、前記ピッキング車が前記積み替え位置から前記投入および排出ステーションに駆動され、前記ピッキング車から物品の取り出しが可能となるように前記ピッキング車の動作を制御するものであり、
前記保管および取り出しシステムは、前記移動自在な保管および取り出し装置が前記ピッキング軌道に移動することを阻止するように構成されているものである、
物品取り扱いシステム。
【請求項２】
請求項１記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記移動自在な保管および取り出し装置および前記ピッキング車は、異なる構成を有するものである、物品取り扱いシステム。
【請求項３】
請求項１記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記移動自在な保管および取り出し装置は複数の保管および取り出し車を有し、前記保管および取り出し車は第１のタイプであり、前記ピッキング車は前記第１のタイプとは異なる第２のタイプである、物品取り扱いシステム。
【請求項４】
請求項１記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記移動自在な保管および取り出し装置は複数の保管および取り出し車を有し、前記保管および取り出しシステムは前記保管および取り出し車を案内する保管および取り出し軌道を有し、当該保管および取り出し軌道は前記ピッキング軌道とは独立しているものである、物品取り扱いシステム。
【請求項５】
請求項４記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記保管および取り出し軌道は前記ピッキング軌道から離れて終端するものであり、それにより、前記保管および取り出し車の前記ピッキング軌道への侵入が阻止されるものである、物品取り扱いシステム。
【請求項６】
請求項４記載の物品取り扱いシステムにおいて、当該システムは、前記保管および取り出し車が前記ピッキング軌道上に侵入することを阻止する停止部材を有するものである、物品取り扱いシステム。
【請求項７】
請求項６記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記停止部材は前記ピッキング軌道の壁を有するものである、物品取り扱いシステム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記保管および取り出しシステムは、前記移動自在な保管および取り出し装置が前記ピッキング軌道に移動することを阻止するように構成されているものである、物品取り扱いシステム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の物品取り扱いシステムにおいて、各前記ピッキング車は、略水平な状態に物品を支持する実質的に水平な支持部を有するものである、物品取り扱いシステム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記保管および取り出し装置から前記積み替え位置に物品を移動させる積み替え機構を有するものである、物品取り扱いシステム。
【請求項１１】
請求項１０記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記積み替え機構は、前記ピッキング車のうちの１つに取り付けられるものである、物品取り扱いシステム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の物品取り扱いシステムにおいて、各前記積み替え位置は２つの部分を有し、第１の部分は前記移動自在な保管および取り出し装置から物品を受け取るように構成され、第２の部分は前記ピッキング車から物品を受け取るように構成されているものである、物品取り扱いシステム。
【請求項１３】
請求項１２記載の物品取り扱いシステムにおいて、各前記積み替え位置は前記第１の部分と前記第２の部分との間で物品を搬送するコンベアを有するものである、物品取り扱いシステム。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つに記載の物品取り扱いシステムにおいて、前記保管および取り出しシステムは、前記移動自在な保管および取り出し装置が前記ピッキング車のうちの１つに直接物品を移動させるように構成されているものである、物品取り扱いシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
同様に、小売企業、例えばオンライン小売企業では、顧客に販売される物品を高速かつ正確にピッキングし（ｐｉｃｋｉｎｇ：選び取り）、注文の品が確実かつ迅速に発送されるようにする必要がある。そのようなオンライン企業は、多くの場合、数万の物品を在庫として保管し、それらをすぐに取り出して顧客に配送できるようにしておかなければならない。そのような場合に製品の保管および取り出しを人的作業に頼るシステムでは、必要な製品をピッキングするための時間が長びく傾向があり、過失（すなわち、誤った物品の取り出し）が生じる率も高まる傾向がある。そのため、物品を自動的に保管し取り出して注文フルフィルメント（注文の履行）の効率を改善するように設計された自動システムがますます必要とされている。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２０１４／０１２４３３２号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２０１４／０２７１０６３号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２０１４／００３１９７２号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１０／００７６５９１号明細書
（特許文献５）  米国特許第５，０１８，９２６号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月15日(2019.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソースと、ドレインと、ゲートと、ボディとを有するスイッチトランジスタと、
ゲート制御電圧(Vg)を前記ゲートに印加するように構成される第1の電圧制御源と、
前記スイッチトランジスタがオン状態にあるとき、ボディ制御電圧(Vb)が正のバイアス電圧であるように、前記ボディ制御電圧を前記ボディに印加するように構成される、前記第1の電圧制御源と異なる第2の電圧制御源であって、前記正のバイアス電圧は、前記スイッチトランジスタのpn接合ダイオードに供給するために、前記ボディの内蔵電位よりも高い大きさを有し、前記正のバイアス電圧は、pn接合ダイオードに供給するために、前記ボディを正にバイアスする、第2の電圧制御源と
を備える、RF回路。
【請求項２】
前記第1の電圧制御源が第1のレベルシフタであり、
前記第2の電圧制御源が第2のレベルシフタである、
請求項1に記載のRF回路。
【請求項３】
前記スイッチトランジスタがNチャネルトランジスタである、請求項1に記載のRF回路。
【請求項４】
前記スイッチトランジスタが前記オン状態にあるときの前記正のバイアス電圧(Vb)が0.7ボルトより高い、請求項1に記載のRF回路。
【請求項５】
前記スイッチトランジスタが前記オン状態にあるとき、前記正のバイアス電圧(Vb)が前記RF回路のデバイス線形性を改善する、請求項1に記載のRF回路。
【請求項６】
前記改善されたデバイス線形性が軽減されたハーモニック信号である、請求項5に記載のRF回路。
【請求項７】
前記ハーモニック信号が前記RF回路の基本周波数の3倍にある、請求項6に記載のRF回路。
【請求項８】
前記改善されたデバイス線形性が軽減された相互変調歪みである、請求項7に記載のRF回路。
【請求項９】
RF回路の中のスイッチトランジスタのゲートにゲート制御電圧(Vg)を印加するステップと、
前記スイッチトランジスタのボディにボディ制御電圧(Vb)を印加するステップであって、前記スイッチトランジスタがオン状態にあるとき、前記ボディ制御電圧(Vb)が正のバイアス電圧であり、前記正のバイアス電圧は、前記スイッチトランジスタのpn接合ダイオードに供給するために、前記ボディの内蔵電位よりも高い大きさを有し、前記正のバイアス電圧は、pn接合ダイオードに供給するために、前記ボディを正にバイアスする、ステップと
を含み、
前記ゲート制御電圧(Vg)は、第1の電圧制御源から前記ゲートに印加され、
前記ボディ制御電圧(Vb)は、第2の電圧制御源から前記ボディに印加され、前記第2の電圧制御源が前記第1の電圧制御源と異なる、
方法。
【請求項１０】
前記正のバイアス電圧(Vb)が0.7ボルトより高い、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記スイッチトランジスタが前記オン状態にあるとき、前記正のバイアス電圧(Vb)を前記スイッチトランジスタの前記ボディに印加することによって、前記RF回路のデバイス線形性を改善するステップをさらに備える、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記改善されたデバイス線形性が、前記RF回路の基本周波数の3倍の周波数をもつ軽減されたハーモニック信号である、請求項11に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月8日(2019.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によるネットワークアクセスのための方法であって、
サービングネットワークに対して、初期アタッチメッセージを用いて前記UEを識別するために、国際モバイル加入者識別情報(IMSI)の代わりにプライバシモバイル加入者識別情報(PMSI)を前記UEから送るステップと、
前記サービングネットワークと通信しているサーバによって判定された次のPMSIを含む認証要求を前記サービングネットワークから受信するステップであって、前記次のPMSIは、前記PMSIから導出される、受信するステップと、
前記次のPMSIの受信の肯定応答を前記UEから前記サービングネットワークを介して前記サーバに送るステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記UEによって、初期PMSIに基づいてネットワークアクセスのための前記PMSIを判定するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記サーバへの前記UEの加入者登録中に前記初期PMSIを受信するステップ、または、
前記サーバとの無線通信を介する加入者登録の後に前記初期PMSIをプロビジョニングするステップ
をさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記UEによって、提案されるPMSIを生成するステップと、
前記UEによって、サーバ公開鍵を使用して、前記生成されたPMSIを暗号化するステップであって、前記サーバは、対応するサーバ秘密鍵を維持する、暗号化するステップと、
前記UEにおいて、前記初期PMSIとして前記生成されたPMSIを使用するために前記サーバから肯定応答を受信するステップと
をさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
UEベースの次のPMSIを判定するステップと、
一致があるかどうかを判定するために、前記UEベースの次のPMSIを前記認証要求の一部として受信された前記次のPMSIと比較するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記認証要求を受信する前記ステップは、
匿名鍵を使用して前記認証要求内の前記次のPMSIを暗号化解除するステップであって、前記匿名鍵は、前記UEと前記サーバとの間で共有される秘密鍵から導出される、暗号化解除するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
メモリ、トランシーバ、およびプロセッシング手段を含むユーザ機器（UE）であって、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成される
UE。
【請求項８】
ネットワーク上のサーバとのネットワークアクセスをセットアップするための方法であって、
初期アタッチメッセージからユーザ機器(UE)を識別するために、介在するサービングネットワーク内の1つまたは複数のネットワーク要素を介して前記UEから、国際モバイル加入者識別情報(IMSI)の代わりにプライバシモバイル加入者識別情報(PMSI)を受信するステップと、
前記サーバによって、前記PMSIに基づいて次のPMSIを判定するステップと、
前記サーバから、前記次のPMSIを含む認証情報を前記サービングネットワークに送信するステップであって、前記次のPMSIは、認証の一部として前記サービングネットワークによって前記UEに中継される、送信するステップと、
前記次のPMSIの確認を含む受信の肯定応答を前記サービングネットワークを介して前記UEから受信するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記サーバによって、初期PMSIに基づいてネットワークアクセスのための前記PMSIを判定するステップ
をさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記UEから、提案される初期PMSIを受信するステップと、
前記サーバによって、前記UEにおいて対応するサーバ公開鍵によって暗号化されたサーバ秘密鍵を使用して前記提案される初期PMSIを暗号化解除するステップと、
前記UEに、前記初期PMSIとして前記提案される初期PMSIの肯定応答を送信するステップと
をさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記サーバと前記UEとの間で共有される秘密鍵から匿名鍵を導出するステップと、
前記導出された匿名鍵を使用して前記認証情報内の前記次のPMSIを暗号化するステップと、
前記肯定応答の一部として、前記次のPMSIを肯定応答する肯定応答トークンを受信するステップと、
前記UEからの後続の初期アタッチメッセージに応答する際の使用のために前記サーバにおいて前記PMSIの代わりに前記次のPMSIを記憶するステップと
をさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
判定する前記ステップは、
前記次のPMSIと異なるUEに関連する別の既存のPMSIとの間の衝突を検出するステップと、
PMSIインデックスを増分し、前記次のPMSIおよび前記増分されたPMSIインデックスに基づいて新しい次のPMSIを判定するステップと
をさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
前記サーバがその上にあるホームネットワークとは別々の前記サービングネットワーク上のモビリティ管理エンティティ(MME)から、前記UEの前記IMSIの要求を受信するステップと、
前記要求に応答して、前記UEの前記IMSIの代わりに前記初期アタッチメッセージ内で使用された前記UEの前記PMSIを送るステップと
をさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１４】
データベース、トランシーバ、およびプロセッシング手段を含むサーバであって、請求項8から13のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成される
サーバ。
【請求項１５】
コンピューティングデバイスのプロセッシング手段によって実行されるとき、請求項1から6および／または8から13のいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信機デバイスにおいてメディアコンテンツの開始時間を管理するための方法であって、
前記受信機デバイスのプロセッサによって、送出デバイスからの送信時間でラベル付けされたメディアコンテンツを受信するステップと、
前記プロセッサによって、前記メディアコンテンツがプロトコルスタックの最上部に到達するのに続いて前記メディアコンテンツに課されることになる前記メディアコンテンツのサービス構築遅延を決定するステップと、
前記プロセッサによって、前記サービス構築遅延に基づいて前記メディアコンテンツの時間オフセットを決定するステップと、
前記時間オフセットを使用して前記サービス構築遅延を調整するステップと、
前記プロセッサによって、前記調整されたサービス構築遅延を使用してストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記プロセッサによって、前記決定された時間オフセットに基づいて前記メディアコンテンツの開始時間を決定するステップ
をさらに含み、
前記プロセッサによって、前記調整されたサービス構築遅延を使用してストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信するステップが、
前記プロセッサによって、前記開始時間に基づいて前記ストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセッサによって、前記受信機デバイスのローカル時間を決定することと、前記プロセッサによって、前記送信時間を前記受信機デバイスの前記ローカル時間と比較することとによって、前記メディアコンテンツのプロトコルスタック遅延を前記プロセッサによって決定するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記メディアコンテンツの前記時間オフセットを決定するステップが、前記プロトコルスタック遅延に基づいて前記時間オフセットを決定するステップを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記プロセッサによって、前記メディアコンテンツの前記サービス構築遅延を決定するステップが、前記メディアコンテンツのトランスポート層プレゼンテーション時間に基づいて前記サービス構築遅延を決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
クライアントアプリケーションからプロトコルスタックのトランスポート層へのメディアコンテンツを求める要求が、前記要求されるメディアコンテンツがトランスポートバッファに完全に存在しないうちに到着することに応答して、前記プロトコルスタックの前記トランスポート層が、前記要求を前記要求されるメディアコンテンツのバイト範囲配信の要求として解釈する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記決定された時間オフセットに基づいて前記メディアコンテンツの前記開始時間を決定するステップが、前記メディアコンテンツの決定されたプロトコルスタック遅延とトランスポート層プレゼンテーション時間の和を決定するステップを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項８】
前記メディアコンテンツの前記プロトコルスタック遅延が、前記受信機デバイスのプロトコルスタックによる前記メディアコンテンツの処理に起因する遅延時間を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項９】
前記メディアコンテンツのプロトコルスタック遅延を決定するステップが、前記メディアコンテンツのメディアコンテンツ部分が前記受信機デバイスのプロトコルスタックのトランスポート層によって処理された後に、前記プロトコルスタック遅延を決定するステップを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項１０】
前記メディアコンテンツのプロトコルスタック遅延を決定するステップが、前記受信機デバイスのメモリから、所定のプロトコルスタック遅延値を検索するステップを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項１１】
前記メディアコンテンツの開始時間を決定するステップが、
前記プロセッサによって、前記時間オフセットに基づいて前記メディアコンテンツのメディアプレゼンテーション記述を変更するステップと、
前記プロセッサによって、前記変更されたメディアプレゼンテーション記述に基づいて前記メディアコンテンツの開始時間を決定するステップと
を含む、請求項2に記載の方法。
【請求項１２】
前記メディアコンテンツの開始時間を決定するステップが、
前記プロセッサによって、前記時間オフセットに基づいて前記受信機デバイスのローカル時間を変更するステップと、
前記プロセッサによって、前記変更されたローカル時間に基づいて前記メディアコンテンツの開始時間を決定するステップと
を含む、請求項2に記載の方法。
【請求項１３】
前記プロセッサによって、前記決定された時間オフセットに基づいてタイマーを生成するステップ
をさらに含み、
前記プロセッサによって、前記時間オフセットを使用してストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信するステップが、前記プロセッサによって、前記タイマーの満了に応答して前記ストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信するステップを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
受信機デバイスのプロセッサに動作を実行させるように構成されたプロセッサ実行可能命令を記憶した非一時的プロセッサ可読記憶媒体であって、前記動作が、
送出デバイスからの送信時間でラベル付けされたメディアコンテンツを受信することと、
前記メディアコンテンツがプロトコルスタックの最上部に到達するのに続いて前記メディアコンテンツに課されることになる前記メディアコンテンツのサービス構築遅延を決定することと、
前記サービス構築遅延に基づいて前記メディアコンテンツの時間オフセットを決定することと、
前記時間オフセットを使用して前記サービス構築遅延を調整することと、
前記調整されたサービス構築遅延を使用してストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信することと
を含む、非一時的プロセッサ可読記憶媒体。
【請求項１５】
送出デバイスからの送信時間でラベル付けされたメディアコンテンツを受信するための手段と、
前記メディアコンテンツがプロトコルスタックの最上部に到達するのに続いて前記メディアコンテンツに課されることになる前記メディアコンテンツのサービス構築遅延を決定するための手段と、
前記サービス構築遅延に基づいて前記メディアコンテンツの時間オフセットを決定するための手段と、
前記時間オフセットを使用して前記サービス構築遅延を調整するための手段と、
前記調整されたサービス構築遅延を使用してストリーミングメディアクライアントに前記メディアコンテンツを配信するための手段と
を備える、受信機デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月12日(2019.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｘ，ｙ，ｚ方向に延びており、複数のメモリセルを含むメモリアレイボリュームと、
ｘ方向に前記メモリアレイボリュームの一方の側に沿って延びるとともに、ｙ方向に前記メモリアレイボリュームから延びるように、前記メモリアレイボリュームの一方の側に沿って位置するソケット領域と、
ｘ及びｙ方向に延びる平面内に位置する複数の誘電体層と、
ｘ及びｙ方向に延びる平面内に位置する複数の水平電極と
を備え、
前記複数の水平電極に含まれる複数の水平電極がｚ方向に積層され、
前記複数の水平電極に含まれる隣接する複数の水平電極は、前記複数の誘電体層に含まれる少なくとも１つの誘電体層によってｚ方向で互いに分離されており、
前記ｚ方向に沿って少なくとも第１の方向に移動する前記水平電極は、前記メモリアレイ領域から前記第１のソケット領域までより多く延在して階段構造を形成し、
第１の水平電極と第２の水平電極との間に配置された誘電体層の端部は、第１の水平電極の端部と第２の水平電極の端部との間に位置し、
前記第１のソケット領域内で、前記複数の水平電極の各水平電極は、誘電体層によって覆われていない部分を含み、前記複数の水平電極の各々は、ｚ方向に平行な１つ以上の線に沿ってアクセス可能である
３次元メモリ構造。
【請求項２】
複数の接続導体を更に備え、
前記接続導体の各々は、ｚ方向に沿って延在し、前記ソケット領域内の対応する水平電極の一部と接触している
請求項１に記載の３次元メモリ構造。
【請求項３】
前記複数の接続導体の各々は、前記対応する水平電極に隣接する少なくとも第１の誘電体層の端部の一部と接触している
請求項２に記載の３次元メモリ構造。
【請求項４】
前記対応する水平電極に隣接する少なくとも１つの第１の誘電体層の端部は傾斜している
請求項３に記載の３次元メモリ構造。
【請求項５】
前記複数の接続導体の少なくともいくつかが、前記対応する水平電極の第１の側の前記誘電体層の端部の一部と接触し、前記対応する水平電極の第２の側の前記誘電体の端部の一部と接触している
請求項３に記載の３次元メモリ構造。
【請求項６】
前記複数の接続導体の少なくともいくつかが、前記対応する水平電極の上面および端面の一部と接触している
請求項５に記載の３次元メモリ構造。
【請求項７】
前記複数の誘電体層内の各誘電体層の前記端部は、前記端部がｚ方向に平行にならないように傾斜している
請求項１に記載の３次元メモリ構造。
【請求項８】
複数の接続導体を更に備え、
前記複数の接続増体の各々は、前記対応する水平電極の上面および端面に接触している
請求項７に記載の３次元メモリ構造。
【請求項９】
前記複数の接続導体の少なくともいくつかが、前記誘電体層の少なくとも１つの傾斜した端部と接触している
請求項８に記載の３次元メモリ構造。
【請求項１０】
複数の絶縁層と、
複数の平面電極と
を備えたソケット領域であって、
隣接する複数の平面電極は、前記複数の絶縁層の少なくとも１つによって互いに分離されており、
各前記平面電極の一部が段差を形成するように、各前記平面電極が前記ソケット領域内で異なる距離だけ延在し、
各前記絶縁層の端面の少なくとも一部は、隣接する前記複数の平面電極の端面の間に配置されている
ソケット領域。
【請求項１１】
各前記絶縁層の端面は傾斜している
請求項１０に記載のソケット領域。
【請求項１２】
複数の接続導体を更に備え、
前記複数の接続導体の各々は、前記複数の平面電極のうちの１つに接続されている
請求項１１に記載のソケット領域。
【請求項１３】
前記複数の接続導体の各々は、前記複数の絶縁層の少なくとも１つと接触している
請求項１２に記載のソケット領域。
【請求項１４】
前記複数の接続導体の各々は、少なくとも平面電極の端面に接続されている
請求項１３に記載のソケット領域。
【請求項１５】
前記複数の接続導体の少なくとも１つは、前記絶縁層の２つと接触している
請求項１２に記載のソケット領域。
【請求項１６】
前記複数の平面電極は、前記ソケット領域から３次元メモリ構造に伸びている
請求項１０ないし請求項１５のいずれか一項に記載のソケット領域。
【請求項１７】
階段型コンタクトソケット領域を形成する方法であって、
複数の平面電極および複数の絶縁層を含むスタックを提供する工程であって、隣接する複数の平面電極が絶縁層によって互いに分離される工程と、
前記スタック上にマスクを配置する工程と、
前記マスクの下にない前記複数の絶縁層内の第１の絶縁層の第１の部分をエッチングして、前記複数の平面電極内の第１の平面電極の第１の部分を露出させる工程と、
マスクをプルバックする工程と、
マスクをプルバックした後、マスクをプルバックすることによって露出した第１の絶縁層の第２の部分をエッチングし、第１の平面電極の第１の部分の一部をエッチングし、複数の絶縁層に含まれる第２の絶縁層の第１の部分をエッチングする工程と
を含み、
エッチングにより形成された第２の絶縁層の端部が傾斜しており、第１の平面電極の端部から、第１の平面電極の端部と第２の平面電極の端部との間に延びている
階段型コンタクトソケット領域を形成する方法。
【請求項１８】
前記第１の絶縁層の端部は傾斜している
請求項１７に記載の階段型コンタクトソケット領域を形成する方法。
【請求項１９】
前記第１および第２の平面電極の端部は垂直である
請求項１７または請求項１８に記載の階段型コンタクトソケット領域を形成する方法。
【請求項２０】
各接続導体は、平面電極の上面および端面に電気的に接続されている
請求項１７ないし請求項１９のいずれか一項に記載の階段型コンタクトソケット領域を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）２５ｎｍ〜１５０ｎｍのメジアン粒子サイズ及び３００ｎｍ以上の粒子サイズ分布を有する湿式セリア粒子であり、前記湿式セリア粒子が、三座ヒドロキシル基を含む表面を有し、２．０×１０−５モル／ｍ２以上である三座ヒドロキシル基の表面被覆率を有する湿式セリア粒子；及び（ｂ）水性担体を含む、化学機械的研磨組成物。
【請求項２】
前記湿式セリア粒子が、４０ｎｍ〜１００ｎｍのメジアン粒子サイズを有する、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項３】
前記湿式セリア粒子が、６０ｎｍ〜８０ｎｍのメジアン粒子サイズを有する、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項４】
前記湿式セリア粒子が、３５０ｎｍ以上の粒子サイズ分布を有する、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項５】
前記湿式セリア粒子が、３７５ｎｍ以上の粒子サイズ分布を有する、請求項４に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項６】
前記湿式セリア粒子が、２．０×１０−５モル／ｍ２及び６．０×１０−５モル／ｍ２である三座ヒドロキシル基の表面被覆率を有する、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項７】
前記湿式セリア粒子が２．３×１０−５モル／ｍ２以上の三座ヒドロキシル基の表面被覆率を有する、請求項６に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項８】
前記湿式セリア粒子のラマンスペクトルは、４５８ｃｍ−１におけるピーク及び５８３ｃｍ−１におけるピークを含み、前記４５８ｃｍ−１におけるピークの強度対５８３ｃｍ−１におけるピークの強度の比が、１００以下である、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項９】
４５８ｃｍ−１におけるピークの強度対５８３ｃｍ−１におけるピークの強度の比が、６５以下である、請求項８に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１０】
前記湿式セリア粒子が、前記研磨組成物中に、０．１重量％〜１重量％の濃度で存在する、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１１】
前記湿式セリア粒子が、前記研磨組成物中に、０．２重量％〜０．６重量％の濃度で存在する、請求項１０に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１２】
ｐＨ調節剤をさらに含む、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１３】
前記ｐＨ調節剤が、アルキルアミン、アルコールアミン、第４級アミンヒドロキシド、アンモニア、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項１２に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１４】
前記ｐＨ調節剤が、トリエタノールアミンである、請求項１２に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１５】
前記研磨組成物のｐＨが、１〜６である、請求項１に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１６】
前記研磨組成物のｐＨが、３．５〜５である、請求項１５に記載の化学機械的研磨組成物。
【請求項１７】
（ｉ）基板を提供するステップ；
（ｉｉ）研磨パッドを提供するステップ；
（ｉｉｉ）請求項１に記載の化学機械的研磨組成物を提供するステップ：
（ｉｖ）前記基板を前記研磨パッド及び前記化学機械的研磨組成物と接触させるステップ；及び
（ｖ）前記研磨パッド及び前記化学機械的研磨組成物を前記基板に対して移動させて、前記基板の少なくとも一部分を研磨して前記基板を研磨するステップを含む、基板の研磨方法。
【請求項１８】
（ｉ）基板を提供するステップであって、前記基板がシリコン層を含むものであるステップ；
（ｉｉ）研磨パッドを提供するステップ；
（ｉｉｉ）請求項１に記載の化学機械的研磨組成物を提供するステップ：
（ｉｖ）前記基板を前記研磨パッド及び前記化学機械的研磨組成物と接触させるステップ；及び
（ｖ）前記基板に対して前記研磨パッド及び前記化学機械的研磨組成物を移動させて、前記基板の表面上の前記シリコン層の少なくとも一部分を研磨して前記基板を研磨するステップを含む基板の研磨方法。
【請求項１９】
前記シリコン層が、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層、ポリシリコン層、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記シリコン層が、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層である、請求項１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配設された埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層と、
前記ＢＯＸ層上に配設された半導体層とを備え、前記半導体層は光カプラと光導波路とを含み、動作中、前記光カプラは光信号を前記光導波路内に結合し、
前記半導体層上に配設された、半波長板を含むアイソレータと、
前記アイソレータ上に配設され、レンズを含む光源とを備え、前記光源の出力と前記光カプラの入力ファセットとは、前記レンズのそれぞれの共役像を形成し、前記レンズの位置および前記レンズの倍率は、前記光源の像を前記光カプラの光学モードサイズに一致させるように選択され、動作中、前記光源は前記アイソレータに向かって伝播する光信号を生成し、前記レンズは、前記半波長板の底面の数マイクロメートル下方に前記光信号を収束させ、
動作中、前記アイソレータは、前記光源に向かう前記光信号の後方反射を減少させる、集積回路。
【請求項２】
前記光カプラはグレーティングカプラを含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記アイソレータは、
動作中、前記光信号の通常軸および異常軸に沿った偏光成分間のπ位相変化を生成し、前記光信号の偏光面を、前記半波長板の光軸と前記光信号の入力偏光との間の角度の２倍だけ回転させる前記半波長板と、
ファラデー回転子と、
偏光子と、
を含む、請求項１または２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記光源から前記光カプラに向かって伝播する前記光信号の偏光が前記偏光子を通過するように、前記偏光子は前記光源と一直線に並べられている、請求項３に記載の集積回路。
【請求項５】
前記偏光子は前記半波長板と一直線に並べられている、請求項３または４に記載の集積回路。
【請求項６】
前記ファラデー回転子は、前記光信号の水平偏光成分と垂直偏光成分との間の４５度位相変化を生成する、請求項３〜５のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項７】
前記ファラデー回転子は前記偏光子上に配設されており、前記半波長板は前記ファラデー回転子上に配設されている、請求項３〜６のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項８】
前記光源は、平面に前記光信号を生成し、前記光源のミラーは前記光信号を前記平面に対してある角度で反射し、
前記ある角度は９０度以外の角度である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項９】
動作中、前記光信号が前記アイソレータを通って前記光カプラまで伝播するように、前記レンズは前記光カプラの場所から水平方向にずらされている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記光源はレーザーを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１１】
プロセッサと、
前記プロセッサに結合されて、動作中、前記プロセッサによって実行されるプログラムモジュールを格納するメモリと、
集積回路とを備え、前記集積回路は、
基板と、
前記基板上に配設された埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層と、
前記ＢＯＸ層上に配設された半導体層とを備え、前記半導体層は光カプラと光導波路とを含み、動作中、前記光カプラは光信号を前記光導波路内に結合し、
前記半導体層上に配設され、半波長板を含むアイソレータと、
前記アイソレータ上に配設され、レンズを含む光源とを備え、前記光源の出力と前記光カプラの入力ファセットとは、前記レンズのそれぞれの共役像を形成し、前記レンズの位置および前記レンズの倍率は、前記光源の像を前記光カプラの光学モードサイズに一致させるように選択され、動作中、前記光源は前記アイソレータに向かって伝播する光信号を生成し、前記レンズは前記半波長板の底面の数マイクロメートル下方に前記光信号を収束させ、
動作中、前記アイソレータは、前記光源に向かう前記光信号の後方反射を減少させる、システム。
【請求項１２】
前記光カプラはグレーティングカプラを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記アイソレータは、
動作中、前記光信号の通常軸および異常軸に沿った偏光成分間のπ位相変化を生成し、前記光信号の偏光面を、前記半波長板の光軸と前記光信号の入力偏光との間の角度の２倍
だけ回転させる前記半波長板と、
ファラデー回転子と、
偏光子と、
を含む、請求項１１または１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記光源から前記光カプラに向かって伝播する前記光信号の偏光が前記偏光子を通過するように、前記偏光子は前記光源と一直線に並べられている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記偏光子は前記半波長板と一直線に並べられている、請求項１３または１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ファラデー回転子は、前記光信号の水平偏光成分と垂直偏光成分との間の４５度位相変化を生成する、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ファラデー回転子は前記偏光子上に配設されており、前記半波長板は前記ファラデー回転子上に配設されている、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記光源は、平面に前記光信号を生成し、前記光源のミラーは前記光信号を前記平面に対してある角度で反射し、
前記ある角度は９０度以外の角度である、請求項１１〜１７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１９】
動作中、前記光信号が前記アイソレータを通って前記光カプラまで伝播するように、前記レンズは前記光カプラの場所から水平方向にずらされている、請求項１１〜１８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項２０】
光信号を光導波路内に光学的に結合するための方法であって、
前記光信号をレンズを含む光源の平面に生成することと、
ミラーを使用して、前記光信号を前記平面に対してある角度で反射することと、
前記光信号を半波長板の底面の数マイクロメートル下方に収束することと、
前記光信号の前記光源に向かう後方反射を減少させるアイソレータを通じて、前記光信号を伝播することとを備え、前記光源は、前記アイソレータ上に配設されており、前記アイソレータは前記半波長板を含み、前記方法はさらに、
光カプラを使用して、前記光信号を前記光導波路内に光学的に結合させることを備え、前記アイソレータは、前記光カプラと前記光導波路とを含む半導体層上に配設され、前記光源の出力と前記光カプラの入力ファセットとは、前記レンズのそれぞれの共役像を形成し、前記レンズの位置および前記レンズの倍率は、前記光源の像を前記光カプラの光学モードサイズに一致させるように選択され、
前記半導体層は埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層上に配設され、
前記ＢＯＸ層は基板上に配設されている、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月12日(2019.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材から第２の基材への複数の半導体ダイの直接転写を実行するシステムであって、前記システムは、
前記第１の基材を搬送する第１の搬送機構と、
前記第２の基材を搬送する第２の搬送機構と、
前記第１の搬送機構に隣接して配置されて、前記直接転写を実施する転写機構と、
前記第１の搬送機構、前記第２の搬送機構、及び前記転写機構と通信可能に接続された１以上のプロセッサを含むコントローラであって、前記コントローラは、実行されたときに前記１以上のプロセッサに、
少なくとも部分的にマップデータに基づいて前記複数の半導体ダイの位置を決定することとであって、前記マップデータは、半導体ウェハの前記複数の半導体ダイの前記位置を記述する、ことと、
前記第１の基材、前記第２の基材、及び前記転写機構が、直接転写位置内にあるように、前記第１の基材又は前記第２の基材の少なくとも１つを搬送することと、
前記転写機構を作動させて、前記複数の半導体ダイの前記直接転写を実行することと、
を含む処理を実行させる実行可能な命令を有する、コントローラと、
を備える、システム。
【請求項２】
前記半導体ウェハは、未分類のダイウェハであり、前記直接転写が実行される前の未分類の状態のままで置かれた多数の半導体デバイスダイを形成するように賽の目に刻まれた半導体ウェハである
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記マップデータは、前記半導体ダイウェハ上の各半導体ダイの品質及び位置に関する情報を含む
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記処理は、転写プロセスデータを受信すること、及び、少なくとも部分的に前記半導体ダイの品質に基づいて前記複数の半導体ダイを転写することを決定すること、をさらに含む
請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記転写機構は、前記第１の基材を押圧して、前記複数の半導体ダイのうちの少なくとも１つの半導体ダイを前記第２の基材に転写するニードルを含む
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記転写機構と通信可能に接続されたセンサであって、前記センサは、前記転写機構に対する前記第２の基材の位置を決定するように構成されている、センサをさらに含む
請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記搬送することは、前記第１の基材又は前記第２の基材の少なくとも１つを搬送して、前記第２の基材の位置を前記転写機構に整列させること、をさらに含む
請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記搬送することは、少なくとも部分的に前記複数の半導体ダイの前記品質及び位置にそれぞれ基づいている、
請求項３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腫瘍と関連するバイオマーカーに関して核酸を分析する方法であって、
患者の腫瘍試料に由来する核酸を配列決定することによって生成される腫瘍配列リードを提供するステップと、
前記患者の正常試料に由来する核酸を配列決定することによって生成される正常配列リードを提供するステップと、
前記腫瘍配列リードと前記正常配列リードとを比較するステップと、
前記比較に基づいて前記腫瘍配列リードをフィルタリングするステップと、
フィルタリングした前記配列リードにおける腫瘍特異的変異を特定するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記提供するステップの前に、前記腫瘍試料および前記正常試料に由来する前記核酸を配列決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記比較するステップが、前記腫瘍配列リードおよび前記正常配列リードを基準に対してアラインメントすることと、アラインメントした前記正常配列リードをアラインメントした前記腫瘍配列リードと比較することとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記比較するステップが、前記腫瘍配列リードに基づく腫瘍コンティグおよび前記正常配列リードに基づく正常コンティグを作成することと、前記正常コンティグを前記腫瘍コンティグと比較することとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
フィルタリングした前記配列リードを基準と比較するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基準が、腫瘍基準および正常基準からなる群より選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記配列リードをサンガー配列基準と比較するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記腫瘍配列リードおよび前記正常配列リードが、がんと関連することが既知の遺伝子パネルに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記腫瘍配列リードおよび前記正常配列リードが、コード領域に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記腫瘍配列リードおよび前記正常配列リードが、イントロン領域に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
フィルタリングステップが、閾値に満たない遺伝子座を除外することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記腫瘍試料が、生検標本および循環腫瘍ＤＮＡを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記正常試料が、リンパ球、唾液試料、および口腔試料からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記バイオマーカーに基づいて前記患者の予後を決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記バイオマーカーに基づいて前記患者の治療レジメンを設計するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記腫瘍配列リードを変異のライブラリーと比較して、初期の対処可能な変異のリストを決定するステップと、
特定された前記腫瘍特異的変異を前記初期の対処可能な変異のリストと比較するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
特定された前記腫瘍特異的変異と前記初期の対処可能な変異のリストとの間の前記比較に基づいて、前記腫瘍配列にスコアを割り当てるステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記スコアに基づいて前記初期の対処可能な変異のリストを受容するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月18日(2019.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
第1のトランスポートブロック(TB)の1つまたは複数のコードブロックにおけるサービング基地局からの低レイテンシ通信によるバースト干渉またはパンクチャリングを識別するステップと、
TBにおけるバースト干渉またはパンクチャリングに対処するために前記TBに適用するために、前記識別されたバースト干渉またはパンクチャリングに少なくとも部分的に基づいて保護方式を決定するステップと、
バースト干渉またはパンクチャリングの存在下で、前記TBのコードブロックの時間インターリービングおよび周波数インターリービングを前記保護方式として適用するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
バースト干渉またはパンクチャリングを識別するステップが、
基地局の分析およびシグナリングを介して、あるいはユーザ機器(UE)検出を介してバースト干渉またはパンクチャリングを識別するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
同じサービング基地局のミッションクリティカルな低レイテンシユーザからのバースト性パンクチャリングに応答して、またはネイバー基地局もしくはネイバー共有スペクトルワイヤレスネットワークのミッションクリティカルな低レイテンシユーザからのバースト干渉に応答して、TBのコードブロックの時間インターリービングおよび周波数インターリービングを前記保護方式として適用するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
非バースト干渉またはパンクチャリング環境においてTBに適用される変調およびコーディング方式(MCS)とコーディングレートとの第1の組合せとは異なるMCSとコーディングレートとの第2の組合せを、前記保護方式として、前記TBに適用するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記TBの送信においてユニバーサル低密度パリティチェック(LDPC)コードを前記保護方式として使用するステップであって、前記LDPCコードのビットのコード化されたパターンがターボコードのシステマティックビットよりもパンクチャリングの影響を受けにくい、ステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第1のTBの第1の送信に関連付けられたチャネル状態情報(CSI)をサービング基地局に提供するステップであって、前記CSIが、少なくともスペクトル効率、もしくはバースト性パンクチャリングデューティサイクル、もしくは干渉レベル、またはそれらの組合せを含む、ステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第1のTBの第1の送信に関連付けられたチャネル状態情報(CSI)をユーザ機器(UE)から受信するステップであって、前記CSIが、少なくともスペクトル効率、もしくはバースト性パンクチャリングデューティサイクル、もしくは干渉レベル、またはそれらの組合せを含む、ステップと、
前記CSIに少なくとも部分的に基づいて、前記第1のTBに適用される変調およびコーディング方式(MCS)とコーディングレートとの第1の組合せとは異なるMCSとコーディングレートとの第2の組合せを前記TBの第2またはそれ以降の送信に適用するステップであって、前記保護方式が、MCSとコーディングレートとの前記第2の組合せを含む、ステップと、
前記第1のTBの送信に関連付けられた前記CSIに少なくとも部分的に基づいて、瞬間のCSIデータを生成するステップと、
前記第1のTBの前記第1の送信に関連付けられた前記瞬間のCSIデータに少なくとも部分的に基づいて、MCSとコーディングレートとの前記第2の組合せを後続の再送のTBに適用するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
バースト干渉またはパンクチャリングの不在下で前記TBに適用される変調およびコーディング方式(MCS)とコーディングレートとの第1の組合せとは異なるMCSとコーディングレートとの第2の組合せを、前記保護方式として、バースト干渉またはパンクチャリングの存在下で前記TBに適用するステップであって、前記第2の組合せの変調が、前記第1の組合せの変調よりも高次であり、前記第2の組合せの前記コーディングレートが、前記第1の組合せのコーディングレートよりも低い、ステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
バースト干渉またはパンクチャリングの不在下で前記TBに適用される第1のランクインデックス(RI)とは異なる第2のRIを、前記保護方式として、バースト干渉またはパンクチャリングの存在下で前記TBに適用するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
バースト干渉またはパンクチャリングの不在下で前記TBに適用される第1のプリコーディング行列インジケータ(PMI)とは異なる第2のPMIを、前記保護方式として、バースト干渉またはパンクチャリングの存在下で前記TBに適用するステップであって、前記第2のPMIが、1つまたは複数の後続のTBにおけるバースト干渉またはパンクチャリングの存在下でより高い全体的な公称のデータスペクトル効率をもたらす、ステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
大規模なバースト干渉またはパンクチャリングによる損失を補償するために、再送の間、前記第1のTBの前記1つまたは複数のコードブロックを保護するために、前記保護方式を使用するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
小規模のバースト干渉またはパンクチャリングを補償するために、前記第1のTBのすべてよりも少ないものを再送するステップ
をさらに含む、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
請求項1から12のいずれか一項に記載の方法を実行するための手段を含む、ワイヤレス通信のための装置。
【請求項１４】
請求項1から12のいずれか一項に記載の方法の全てのステップを実行するためのコンピュータ実行可能プログラム命令を含む、コンピュータプログラム。