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　特願２００１−２０６１３４「半導体集積回路装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月２４日出願公開、特開２００３−　２３１３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年７月６日の出願であって、平成１８年１月３１日付け拒絶理由通知に対して、同年４月１７日付けで手続補正がされたが、同年５月８日付けで拒絶査定され、これに対し、同年６月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月１８日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年７月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年７月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、補正前の請求項１の発明特定事項である「第１導電層」、「第２導電層」及び「接続部」について、「上記第１導電層および上記第２導電層は、それぞれ、所定の間隔をあけて互いに平行に複数形成され、平面視で、上記第１導電層と上記第２導電層との交差部は複数あり、上記複数の交差部のいずれかに上記接続部が形成され」るとの限定を付す補正事項を含むものであり、特許請求の範囲に係るこの補正事項は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】複数の第１電極を有する第１半導体集積回路チップと、上記第１半導体集積回路チップ上に搭載され、複数の第２電極を有する第２半導体集積回路チップと、上記第１半導体集積回路チップ及び上記第２半導体集積回路チップを封止するパッケージと、上記複数の第１電極に複数の第１導電ワイヤで電気的に接続されたリードフレームとを備えた半導体集積回路装置において、
　上記第１半導体集積回路チップ上に複数の中継電極を設けて、上記複数の中継電極の一端と上記複数の第２電極とを複数の第２導電ワイヤで電気的に接続すると共に、上記複数の中継電極の他端と上記リードフレームとを複数の第３導電ワイヤで電気的に接続していて、上記複数の第２導電ワイヤが互いに交差せず、かつ、上記複数の第３導電ワイヤが互いに交差せず、上記中継電極は、少なくとも２つの表面側の第１導電層と、この第１導電層よりも深い位置にある第２導電層と、上記第１導電層と上記第２導電層とを電気的に接続する接続部とからなり、上記第１導電層および上記第２導電層は、それぞれ、所定の間隔をあけて互いに平行に複数形成され、平面視で、上記第１導電層と上記第２導電層との交差部は複数あり、上記複数の交差部のいずれかに上記接続部が形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
２．引用例及びその摘記事項
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１７７０５０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１〜図４とともに以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関し、特に、２以上の半導体チップを積み重ねて配線板に搭載するＭＣＭ（multi chip module）やstackedＭＣＰ(multi chip package)に関するものである。本発明は、そのワイヤボンディング接続関連の改良に属する。」（【０００１】）
　
〔１ｂ〕「半導体装置１０２においては、電極パッド７から配線電極部２までの距離が長くなる。ゆえに、ボンディングワイヤ９の長さも長くなるので、ボンディングワイヤ９が撓みやすくなり、撓んだボンディングワイヤ９がボンディングワイヤ８や第一の半導体チップ４に接触し電気的にショートしてしまうという問題が起こる。」（【０００５】）
　
〔１ｃ〕「上側となる第二の半導体チップ５ｂの電極パッド７に対応する配線電極部２の位置が整然とせずに、２以上のボンディングワイヤ９を互いに交差せざるを得ない場合や、下側となる第一の半導体チップ４の接続のためのボンディングワイヤ８と、上側となる第二の半導体チップ５ｂの接続のためのボンディングワイヤ９とが、上から見た場合に重合してしまい、ワイヤボンディング接続の外観検査を困難にさせる場合、さらに、下側となる第一の半導体チップ４の電極パッド６のピッチと上側となる第二の半導体チップ５ｂの電極パッド７のピッチとが整合しない場合などが生じる。これらの物理的制約によって、半導体装置の組立を困難又は不可能にさせたり、ワイヤボンディング接続の信頼性維持に支障を来すという問題がある。」（【０００６】）
　
〔１ｄ〕「本発明は・・・配線板上に複数の半導体チップを積み重ねて搭載する場合に、組立可能な半導体チップの組み合わせを多様にすることができ、汎用の半導体チップを適用して様々な需要に低コストで応えることのできる半導体装置を提供することを課題とする。」（【０００７】）
　
〔１ｅ〕「実施の形態１・・・図１は本発明の実施の形態１の半導体装置を示す半身断面図（ａ）及び半身平面図（ｂ）である。・・・図１に示すように、実施の形態１の半導体装置は、基板１上に第一の半導体チップ４がダイボンドされ、さらに、第一の半導体チップ４の主面上に第二の半導体チップ５ｂが積み重ねられてダイボンディングされている。このとき、第二の半導体チップ５ｂは、第一の半導体チップ４の主面上の縁部に形成された電極パッド６を含む一定の領域を除く第一の半導体チップ４の主面上の領域に接合しており、電極パッド６を含む一定の領域が露出している。第二の半導体チップ５ｂもワイヤボンディング用の電極パッド７を縁部に有する。電極パッド６は基板１上に形成された配線の電極部たる配線電極部２にボンディングワイヤ８によって電気的に接続される。配線電極部２は、基板１上に形成された配線及び、基板１内に形成された多層配線層によって外部端子たる半田ボール３と導通している。・・・しかし、実施の形態１の半導体装置には、電極パッド６と電極パッド７との間に延在する第二の半導体チップ５ｂの外縁３０と、電極パッド６との間の第一の半導体チップ４の主面上に絶縁テープ材１０を介して第一の半導体チップ４と絶縁された導電部材１１が設置されている。すなわち、上面に導電部材１１が形成された絶縁テープ材１０が第一の半導体チップ４の主面上に貼付されている。そして、電極パッド７と導電部材１１との間にボンディングワイヤ９ａが接続され、導電部材１１と配線電極部２との間にボンディングワイヤ９ｂが接続されている。すなわち、第二の半導体チップ５ｂの電極パッド７はボンディングワイヤ９ａ、９ｂと導電部材１１によって、基板１上の配線電極部２に電気的に接続されている。したがって、実施の形態１の半導体装置は、１本のボンディングワイヤによるワイヤボンディングの許容限度を超えて第二の半導体チップ５ｂの電極パッド７が配線電極部２から遠距離に配置されているが、導電部材１１によってボンディングワイヤが中継され、２本のボンディングワイヤ９ａ、９ｂ及び導電部材１１によって第二の半導体チップ５ｂのワイヤボンディングを可能にしている。実施の形態１の半導体装置によれば、２本のボンディングワイヤ９ａ、９ｂに分割したことにより、ボンディングワイヤの長さを短くしたので、ボンディングワイヤの撓みを抑え、撓んだボンディングワイヤがボンディングワイヤ８や第一の半導体チップ４に接触し電気的にショートしてしまうということがない。・・・なお、絶縁テープ材としてはポリイミドテープ等を用い、テープ上に導電部材として銅箔パターン等を形成することにより実施可能である。」（【００２７】〜【００３１】）
　
〔１ｆ〕「実施の形態３の半導体装置の基本構成は実施の形態１の半導体装置と同じであるが、図３に示すように、その導電部材の形状が異なる。」（【００３６】）
　
〔１ｇ〕「実施の形態４
　次ぎに本発明の実施の形態４の半導体装置につき図４を参照して説明する。図４は本発明の実施の形態４の半導体装置を示す半身平面図である。・・・実施の形態３の半導体装置においては、絶縁テープ材１０は第一の半導体チップ４と絶縁するための一層とされ、その上に導電部材を一層に形成していた。しかし、上述のような配線経路の入れ替えを多数行う場合には、導電部材同士の絶縁を一層上で確保することが難しくなる。そこで、実施の形態４の半導体装置では、図４に示すように、絶縁テープ材２０を２層とした。そして、第一の半導体チップ４と絶縁するための一層目のテープ上に導電部材１４ａ、１４ｂ、１４ｃを形成し、この上に２層目のテープを貼付し、さらにこの２層目のテープ上に導電部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃを形成した。図４に示すように、例えば、導電部材１５ａを２層目のテープを介して下層に位置する導電部材１４ａ、１４ｂ、１４ｃと立体交差させている。例えば、導電部材１４ｃを２層目のテープを介して上層に位置する導電部材１５ａ、１５ｂ、１５ｃと立体交差させている。なお、導電部材１４ａ、１４ｂ、１４ｃのボンディングパッド部分は、２層目のテープを開口することにより露出させている。・・・以上のように実施の形態４の半導体装置によれば、導電部材を立体交差させるので、ボンディングワイヤの中継手段たる導電部材の引き回しの自由度が増加し、組立可能な半導体チップの組み合わせの幅が広がるのである。なお、必要に応じ、絶縁テープ材２０を３層以上とすることにより、導電部材を３層以上に形成しても良い。」（【００３９】〜【００４１】）
　
〔１ｈ〕図４には、第一の半導体チップ４及び第二の半導体チップ５ｂが、それぞれ複数の電極パッド６、７を有しており、上記電極パッド７の各々と、上記第一の半導体チップ４上に設けられた中継手段たる導電部材の一端とを電気的に接続するボンディングワイヤ同士が互いに交差せず、かつ上記導電部材の他端と配線電極部２とを電気的に接続するボンディングワイヤ同士も互いに交差しない態様が図示されている。
　
（２）上記引用例１の摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｈ〕及び図１〜図４を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板１上に第一の半導体チップ４がダイボンドされ、さらに第一の半導体チップ４の主面上に第二の半導体チップ５ｂが積み重ねられてダイボンディングされてなる半導体装置において、上記第一の半導体チップ４の主面上の縁部に形成された複数の電極パッド６と、上記第二の半導体チップ５ｂの縁部に形成された複数のボンディング用の電極パッド７と、上記基板１上に形成された配線の電極部たる配線電極部２と、上記第一の半導体チップ４上に設けられた一層目の絶縁テープ材、導電部材１４ａ〜１４ｃ、２層目の絶縁テープ材及び上記導電部材１４ａ〜１４ｃと立体交差させて形成された導電部材１５ａ〜１５ｃからなる中継手段とをそれぞれ有し、上記複数の電極パッド６と上記配線電極部２とがボンディングワイヤ８によって電気的に接続され、上記複数の電極パッド７と上記中継手段における導電部材１４ａ〜１４ｃ及び１５ａ〜１５ｃの一端とがボンディングワイヤ９ａによって電気的に接続され、かつ上記導電部材１４ａ〜１４ｃ及び１５ａ〜１５ｃの他端と上記配線電極部２とがボンディングワイヤ９ｂによって電気的に接続されており、しかも、上記ボンディングワイヤ９ａ同士は互いに交差せず、上記ボンディングワイヤ９ｂ同士も互いに交差しない、半導体装置。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「第一の半導体チップ４」、「第二の半導体チップ５ｂ」、「半導体装置」、「複数の電極パッド６」、「複数のボンディング用の電極パッド７」、中継手段を構成する「導電部材１４ａ〜１４ｃ」、同じく中継手段を構成する「導電部材１５ａ〜１５ｃ」、「ボンディングワイヤ８」、「ボンディングワイヤ９ａ」及び「ボンディングワイヤ９ｂ」は、それぞれ本願補正発明の「第１半導体集積回路チップ」、「第２半導体集積回路チップ」、「半導体集積回路装置」、「複数の第１電極」、「複数の第２電極」、「中継電極」を構成する「第２導電層」、同じく「中継電極」を構成する「第１導電層」、「複数の第１導電ワイヤ」、「複数の第２導電ワイヤ」及び「複数の第３導電ワイヤ」に相当する。
　そして、引用発明において、第一の半導体チップ４の主面上に第二の半導体チップ５ｂが積み重ねられてダイボンディングされる点は、本願補正発明において、第１半導体集積回路チップ上に第２半導体集積回路チップが搭載される点に相当する。
　また、引用発明の「配線電極部２」と、本願補正発明の「リードフレーム」とは、複数の第１電極に複数の第１導電ワイヤで電気的に接続される導電部材である点で一致している。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「複数の第１電極を有する第１半導体集積回路チップと、上記第１半導体集積回路チップ上に搭載され、複数の第２電極を有する第２半導体集積回路チップと、上記複数の第１電極に複数の第１導電ワイヤで電気的に接続された導電部材とを備えた半導体集積回路装置において、上記第１半導体集積回路チップ上に複数の中継電極を設けて、上記複数の中継電極の一端と上記複数の第２電極とを複数の第２導電ワイヤで電気的に接続すると共に、上記複数の中継電極の他端と上記導電部材とを複数の第３導電ワイヤで電気的に接続していて、上記複数の第２導電ワイヤが互いに交差せず、かつ、上記複数の第３導電ワイヤが互いに交差せず、上記中継電極は、少なくとも２つの表面側の第１導電層と、この第１導電層よりも深い位置にある第２導電層とを有する半導体集積回路装置。」
　
　一方で、両者は次の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明は、「第１半導体集積回路チップ及び第２半導体集積回路チップを封止するパッケージ」を備えているのに対して、引用発明は、チップを封止するパッケージを備えているか否か不明な点。
　
＜相違点２＞
　複数の第１電極に複数の第１導電ワイヤで電気的に接続される導電部材が、本願補正発明では、リードフレームであるのに対して、引用発明では、基板上に形成された配線電極部である点。
　
＜相違点３＞
　中継電極について、本願補正発明は、第１導電層および第２導電層がそれぞれ所定の間隔をあけて互いに平行に複数形成され、平面視で、上記第１導電層と上記第２導電層との交差部は複数あり、上記複数の交差部のいずれかに上記第１導電層と上記第２導電層とを電気的に接続する接続部が形成されているのに対して、引用発明では、少なくとも２つの表面側の第１導電層とこの第１導電層よりも深い位置にある第２導電層とを有してはいるものの、これらが本願補正発明のような具体的構成を有していない点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　
＜相違点１、２について＞
　いわゆるチップ・オン・チップ構造の半導体装置において、複数のチップを封止してパッケージ化することは、下記の周知例１、２に記載されるように、本願出願時既に周知の事項にすぎず、引用発明において、チップを封止するパッケージを備えたものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　また、同じく、チップ・オン・チップ構造の半導体装置において、チップ上のパッドと電気的に接続する導電部材としてリードフレームを用いることも、下記の周知例１、２に記載されるように、本願出願時既に周知の事項にすぎず、引用発明において、基板１上に形成された配線電極部を用いているのに替えてリードフレームを用いることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
周知例１：特開平５−１１４６９３号公報
〔周１ａ〕「【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム上へのマルチチップ実装を達成する１パッケージ化された半導体装置に関する。」（【０００１】）
　
〔周１ｂ〕「【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する。図１はこの発明に係るマルチチップ実装の半導体装置の構成を示す封止前の斜視図である。ＩＣチップの上に、このＩＣチップよりも小さい半導体チップや半導体素子が複数搭載されたチップ・オン・チップの構造である。・・・リードフレームのベッド１上にＩＣチップ２が固着されている。・・・ボンディングワイヤ１４−３はチップ２の電極パッドからリードフレームのリード１５に繋がるボンディングワイヤである。・・・これらＩＣチップ２及び半導体チップ５ 〜１２は、各々結線に必要なボンディングワイヤが形成され、図２に示す断面図のように、ベッド１とリード１５の一方端を含んで例えば樹脂２１により封止された１パッケージ化された半導体装置となる。」（【０００９】〜【００１３】、図１、図２参照）
　
周知例２：実願昭５６−１５７９号（実開昭５７−１１５２５５号）のマイクロフィルム
〔周２ａ〕「一般に樹脂封止型半導体装置の構造は次の通りである。第１図は従来の金属リボン１の斜視図で、２はダイパッド、５は外部リード、８はステッチ部である。第２図の従来の金属リボンに複数個の半導体素子３，３’，３’’を融着又は接着してダイパッド２上に搭置し、各半導体素子のボンディングパッド４と内部リードのステッチ部８とを金属細線でボンディングした斜視図である。第３図は第２図のＡ−Ａ’断面図で、積層半導体素子を中心に外部リードを除いた部分が樹脂７にて保護されている。」（第１頁第１４行〜第２頁７行、第１図〜第３図参照）
　
＜相違点３について＞
　半導体基板上に形成される多層配線部の構造として、所定の間隔をあけて互いに平行に複数形成された第２導電層と、該第２導電層上に絶縁層を介して形成され、かつ所定の間隔をあけて互いに平行に複数形成された第１導電層とを有し、平面視で上記第１導電層と上記第２導電層とが複数の交差部を有すると共に、上記複数の交差部のいずれかに上記第１導電層と上記第２導電層とを電気的に接続する接続部が形成された構造は、下記の周知例３、４に記載されるように、本願出願時既に周知の事項である。
　そして、このような周知の多層配線部の構造を、引用発明において、第１導電層及び第２導電層を含む多層配線部から構成される中継電極に適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
周知例３：特開平５−９０４１９号公報
〔周３ａ〕「【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の配線接続方法に関する。」（【０００１】）
　
〔周３ｂ〕「図３はこの発明の第２実施例を示す。・・・図３に示すように、この第２実施例においては、ｍ本の第１のアルミニウム配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…、Ｌｍ−１、Ｌｍとｎ本の第２のアルミニウム配線Ｌ１´、Ｌ２´、Ｌ３´、Ｌ４´、…、Ｌｎ−１´、Ｌｎ´とが第１実施例の絶縁膜３と同様な絶縁膜（図示せず）を介して互いに交差して形成されている。図示は省略するが、これらの第１のアルミニウム配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…、Ｌｍ−１、Ｌｍと第２のアルミニウム配線Ｌ１´、Ｌ２´、Ｌ３´、Ｌ４´、…、Ｌｎ−１´、Ｌｎ´との各交差部の断面構造は図２と同様である。・・・今、一例として、第１のアルミニウム配線Ｌ１と第２のアルミニウム配線Ｌ１´との間、第１のアルミニウム配線Ｌ２と第２のアルミニウム配線Ｌ３´との間、第１のアルミニウム配線Ｌ３と第２のアルミニウム配線Ｌｎ−１´との間、第１のアルミニウム配線Ｌｍと第２のアルミニウム配線Ｌｎ−１´との間をそれぞれ電気的に接続する必要が生じた場合を考える。このためには、第１のアルミニウム配線Ｌ１と第２のアルミニウム配線Ｌ１´との間、第１のアルミニウム配線Ｌ２と第２のアルミニウム配線Ｌ３´との間、第１のアルミニウム配線Ｌ３と第２のアルミニウム配線Ｌｎ−１´との間、第１のアルミニウム配線Ｌｍと第２のアルミニウム配線Ｌｎ−１´との間にそれぞれ十分に高い電圧を印加してそれらの交差部のＭＩＭ構造の絶縁破壊を起こさせればよい。なお、図３において、絶縁破壊が起きた配線交差部に○印を付した。・・・この第２実施例によれば、第１のアルミニウム配線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…、Ｌｍ−１、Ｌｍと第２のアルミニウム配線Ｌ１´、Ｌ２´、Ｌ３´、Ｌ４´、…、Ｌｎ−１´、Ｌｎ´とから成るマトリクス状の配線網における任意の交点で上下の配線を容易に電気的に接続することができる。」（【００１６】〜【００１９】、図３参照）
　
〔周３ｃ〕「【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、回路の変更や冗長回路への切り替えなどを容易に行うことができる。」（【００２３】）
　
周知例４：特開昭６１−１４０１４９号公報
〔周４ａ〕「〔実施例〕第１図および第２図は本発明をゲートアレイに適用した実施例を示し、特に配線部のみを示す平面図と断面図である。すなわち、図外の素子パターンを形成した半導体基板１の主面上にはＳｉＯ２、ＰＳＧ等の絶縁膜２を形成し、その上に第１Ａｌ層５、パッシベーション膜６を順次形成して２層の配線構造を形成する。そして、第１Ａｌ層３を第２Ａｌ層５の相互接続を行なうため、両Ａｌ層の交差部位において層間絶縁膜４にスルーホール７を開設し、このスルーホール７を通して第２Ａｌ層５を第１Ａｌ層３に直接接続させている。・・・第３図にこれまでの配線構造を比較図示するように（対応する部位には添字ａを付した同一符号を付している）、同一の配線幅、配線ピッチで配線を構成しても、拡幅部５２、５４、３３を形成したことによりスルーホール７１、７２の面積を従来スルーホール７１ａ、７２ａよりも大きくすることができる。」（第２頁右上欄第１７行〜第３頁左上欄第３行、第１図〜第３図参照）
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用発明及び上記周知事項から予測可能な範囲のものであって、格別顕著なものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年７月１８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１８年４月１７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】複数の第１電極を有する第１半導体集積回路チップと、上記第１半導体集積回路チップ上に搭載され、複数の第２電極を有する第２半導体集積回路チップと、上記第１半導体集積回路チップ及び上記第２半導体集積回路チップを封止するパッケージと、上記複数の第１電極に複数の第１導電ワイヤで電気的に接続されたリードフレームとを備えた半導体集積回路装置において、
　上記第１半導体集積回路チップ上に複数の中継電極を設けて、上記複数の中継電極の一端と上記複数の第２電極とを複数の第２導電ワイヤで電気的に接続すると共に、上記複数の中継電極の他端と上記リードフレームとを複数の第３導電ワイヤで電気的に接続していて、上記複数の第２導電ワイヤが互いに交差せず、かつ、上記複数の第３導電ワイヤが互いに交差せず、上記中継電極は、少なくとも２つの表面側の第１導電層と、この第１導電層よりも深い位置にある第２導電層と、上記第１導電層と上記第２導電層とを電気的に接続する接続部とからなることを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
２．引用例及びその摘記事項
  原査定の拒絶の理由で引用された引用例１及びその記載事項は、前記「第２　〔理由」２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明から、「上記第１導電層および上記第２導電層は、それぞれ、所定の間隔をあけて互いに平行に複数形成され、平面視で、上記第１導電層と上記第２導電層との交差部は複数あり、上記複数の交差部のいずれかに上記接続部が形成される」との限定を解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　〔理由〕３．」に記載したとおり、引用発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。