Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月25日(2019.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンナビジオール (CBD)と、少なくとも1つのコレステロールエポキシドヒドロラーゼ／抗エストロゲン結合部位 (ChEH/AEBS)阻害剤化合物との相乗的な組合せを含む組成物であって、ChEH/AEBS阻害剤化合物が選択的エストロゲン受容体モジュレーター (SERM)ではない、組成物。
【請求項２】
前記ChEH/AEBS阻害剤化合物がChEH/AEBSの選択的阻害剤であり、具体的には、前記ChEH/AEBSの選択的阻害剤がPBPE又はテスミリフェン (DPPE)から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ChEH/AEBS阻害剤がコレステロール生合成阻害剤であり、具体的には、前記コレステロール生合成阻害剤がトリパラノール、テルビナフィン若しくはU-18666A、又はそれらの組合せから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記ChEH/AEBS阻害剤化合物がB環オキシステロールであり、具体的には、前記B環オキシステロールが6-ケトコレスタノール、7-ケトコレスタノール、7-ケトコレステロール及びコレスタン-3b,5a,6b-トリオール(CT)、又はそれらの組合せから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記ChEH/AEBS阻害剤化合物が不飽和脂肪酸であり、具体的には、前記不飽和脂肪酸がオレイン酸、アラキドン酸 (ARA)若しくはドコサヘキサエン酸 (DHA)、又はそれらの組合せから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
医薬的に許容される担体を更に含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
がんの治療をする方法における使用のための、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記がんが、血液又は骨髄関連がん、胆管のがん、膀胱のがん、骨のがん、腸のがん (結腸のがん及び直腸のがんを含む)、脳のがん、膠芽細胞腫、胸のがん、神経内分泌系のがん (一般的にカルチノイドとして知られる)、子宮頸部のがん、目のがん、食道のがん、頭部及び頸部のがん (このグループとしては、口、鼻、喉、耳、又は舌を覆う表層、の裏地を形成する細胞において始まる上皮性悪性腫瘍が挙げられる)、カポジ肉腫、腎臓のがん、喉頭のがん、白血病、急性白血病、慢性リンパ性白血病、肝臓のがん、肺のがん、リンパ節のがん、ホジキンリンパ腫、非ホジキンリンパ腫、黒色腫、中皮腫、骨髄腫、 卵巣のがん、膵臓のがん、陰茎のがん、前立腺のがん、皮膚がん、軟部組織肉腫、脊髄のがん、胃のがん、精巣がん、甲状腺のがん、膣のがん、外陰部のがん及び子宮のがんである、がんの治療をする方法における使用のための、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、カンナビジオール (CBD)と、少なくとも1つのChEH/AEBS阻害剤化合物との相乗的な組合せを含む、組成物であって、具体的には、前記ChEH/AEBS阻害剤化合物がChEH/AEBSの選択的阻害剤であり、より具体的には、前記ChEH/AEBSの選択的阻害剤がPBPE又はテスミリフェン (DPPE)から選択される、組成物。
【請求項１０】
前記ChEH/AEBS阻害剤がコレステロール生合成阻害剤であり、具体的には、前記コレステロール生合成阻害剤がトリパラノール、テルビナフィン若しくはU-18666A、又はそれらの組合せから選択される、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記ChEH/AEBS阻害剤化合物がB環オキシステロールであり、具体的には、前記B環オキシステロールが6-ケトコレスタノール、7-ケトコレスタノール、7-ケトコレステロール及びコレスタン-3b,5a,6b-トリオール(CT)、又はそれらの組合せから選択される、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項９に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ChEH/AEBS阻害剤化合物が不飽和脂肪酸であり、具体的には、前記不飽和脂肪酸がオレイン酸、アラキドン酸 (ARA)若しくはドコサヘキサエン酸 (DHA)、又はそれらの組合せから選択される、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項９に記載の組成物。
【請求項１３】
医薬的に許容される担体を更に含む、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
前記ChEH/AEBS阻害剤化合物が、カチオン性アミノエトキシ側鎖を含む選択的エストロゲン受容体モジュレーター (SERM)であり、具体的には、前記SERMがクロミフェン、タモキシフェン、4-ヒドロキシ-タモキシフェン、ラロキシフェン、又はそれらの組合せから選択される、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項９に記載の組成物。
【請求項１５】
前記SERMがトリフェニルエチレン (TPE)若しくはカチオン性アミノエトキシ側鎖を含むその誘導体、又はそれらの組合せから選択される、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記がんが、胆管のがん、膀胱のがん、骨のがん、腸のがん、脳のがん、胸のがん、神経内分泌系のがん、子宮頸部のがん、目のがん、食道のがん、頭部及び頸部のがん、カポジ肉腫、腎臓のがん、喉頭のがん、白血病：急性白血病、慢性リンパ性白血病、肝臓のがん、肺のがん、リンパ節のがん、ホジキンリンパ腫、非ホジキンリンパ腫、黒色腫、中皮腫、骨髄腫、卵巣のがん、膵臓のがん、陰茎のがん、前立腺のがん、皮膚がん、軟部組織肉腫、脊髄のがん、胃のがん、精巣がん、甲状腺のがん、膣のがん、外陰部のがん及び子宮のがんである、エストロゲン受容体陰性がんの治療をする方法における使用のための、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
カンナビジオール (CBD)と、少なくとも1つのナフトキノン又はその誘導体との相乗的な組合せを含む、組成物であって、具体的には、前記ナフトキノン又はその誘導体がメナジオンである、組成物。
【請求項１８】
医薬的に許容される担体を更に含む、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
がんの治療をする方法における使用のための、請求項１７及び１８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２０】
前記がんが、血液又は骨髄関連がん、胆管のがん、膀胱のがん、骨のがん、腸のがん、脳のがん、膠芽細胞腫、胸のがん、神経内分泌系のがん、子宮頸部のがん、目のがん、食道のがん、頭部及び頸部のがん、カポジ肉腫、腎臓のがん、喉頭のがん、白血病、急性白血病、慢性リンパ性白血病、肝臓のがん、肺のがん、リンパ節のがん、ホジキンリンパ腫、非ホジキンリンパ腫、黒色腫、中皮腫、骨髄腫、卵巣のがん、膵臓のがん、陰茎のがん、前立腺のがん、皮膚がん、軟部組織肉腫、脊髄のがん、胃のがん、精巣がん、甲状腺のがん、膣のがん、外陰部のがん及び子宮のがんから選択される、がんの治療をする方法における使用のための、請求項１７及び１８のいずれか一項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月12日(2019.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
第１の部分と、第２の部分とを含む静電チャックと、
前記静電チャックを取り囲む処理キットとを備え、前記処理キットは、
前記静電チャックの前記第２の部分の表面上に配置され、前記静電チャックの第１の部分を取り囲むサポートリングと、
前記サポートリング上に配置され、前記サポートリングに対して独立して移動可能なエッジリングと、
前記エッジリングを取り囲むカバーリングとを備える、基板を処理するための装置。
【請求項２】
前記エッジリングを上昇させるように動作可能で、前記エッジリングを上昇させる間、前記エッジリングの下面に係合するように動作可能な１つ以上のプッシュピンを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記カバーリング及び前記１つ以上のプッシュピンは石英から製造される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上のプッシュピンの前記高さを制御するように動作可能な１つ以上のステッピングモータを更に備える、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
絶縁プレートと、前記絶縁プレート上に配置されたスリーブとを備え、前記サポートリングと前記スリーブとの間に隙間が形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
基板サポートアセンブリであって、
第１の表面を有する第１の部分と、第２の表面を有する第２の部分と、第３の表面を有する第３の部分とを含む静電チャックと、
処理キットであって、
前記静電チャックの前記第３の部分の前記第３の表面上に配置され、前記静電チャックの前記第２の部分を取り囲むサポートリングと、
前記静電チャックの前記第２の部分の前記第２の表面上に配置されたエッジリングと、
前記サポートリング上に配置され、前記エッジリングを取り囲むカバーリングを含む処理キットと、
前記エッジリングを上昇させるように配置された１つ以上のプッシュピンと、
前記１つ以上のプッシュピンに結合され、前記１つ以上のプッシュピンの高さを制御するように動作可能な１つ以上のアクチュエータとを備える、基板サポートアセンブリ。
【請求項７】
前記エッジリングは、
第１の表面と、
前記第１の表面に対向する第２の表面と、
前記１つ以上のプッシュピンに係合するために前記第２の表面に形成された１つ以上のキャビティと、
実質的に円形である外側エッジと、
第１の部分は実質的に円形であり、第２の部分は実質的に直線状である、前記第１の部分及び前記第２の部分を有する内側エッジとを備える、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項８】
前記サポートリングは、
内側エッジと、
外側エッジと、
前記内側エッジと前記外側エッジとの間に形成された１つ以上の開口部とを備えた、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項９】
前記エッジリングは、シリコン又は炭化ケイ素から製造される、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１０】
前記カバーリングは、上面と、前記上面に対向する第４の表面と、前記上面に対向する第５の表面と、前記上面に対向する第６の表面とを備え、前記第４の表面は前記サポートリングに接触して支持される、請求項６に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１１】
絶縁プレートと絶縁プレート上に配置されるスリーブを備え、前記第５の表面と前記スリーブとの間に間隙が形成され、前記第６の表面と前記スリーブとの間に間隙が形成される、請求項１０に記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１２】
処理チャンバ内の第１の位置にエッジリングを維持している間に第１の基板数を処理するステップであり、ここで前記第１の基板数の第１の基板を処理する際、前記第１の基板は前記静電チャックの第１の部分の第１の表面上に配置され、前記エッジリングは前記静電チャックの第２の部分の第２の表面上に配置され、サポートリング上に配置されたカバーリングによって取り囲まれ、前記サポートリングは前記静電チャックの第３の部分の第３の表面上に配置されるステップと、
前記エッジリングを前記第１の位置から第２の位置に上昇させるステップと、
前記第１の基板数の全てが前記処理チャンバから除去された後に、ロボットによって前記処理チャンバから前記エッジリングを取り外すステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記エッジリングを前記第２の位置に上昇させる前に、前記エッジリングを前記エッジリングの腐食量に応じて選択される第３の位置に上昇させるステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エッジリングの腐食量を検出するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エッジリングを上昇させるステップであって、
前記エッジリングの下面を前記１つ以上のプッシュピンと接触させるステップと、
１つ以上のプッシュピンをアクチュエータで上昇させるステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月27日(2019.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リークを検出する方法において、
ＤＣ高電圧を伴うＡＣ電圧を用いて、薬品、食品、およびその他の製品が充填されている、アンプル、バイアル、シリンジ、パウチ、フランジ、アルミパウチのような容器、および、任意の他の容器を検査し、容器におけるピンホール、亀裂のような欠陥を検出し、または内容物がなく密封された容器の密封不全を検出することを特徴とする方法。
【請求項２】
ＤＣ高電圧オフセットを伴う交流電圧を用いるリーク検出装置において、
高電圧整流器に電気的に接続された検査電極であって、上記高電圧整流器は、高電圧パルス自動変換器、または、ＤＣ高電圧オフセットを伴うＡＣ電圧を生成する他の手段に電気的に接続される、上記検査電極と、
上記高電圧パルス自動変換器に電気的に接続された第１のＤＣ電圧電源であって、上記高電圧パルス自動変換器はさらに高電圧制御ボードに電気的に接続された、上記第１のＤＣ電圧電源と、
上記高電圧制御ボード、検出ボード、プログラマブルロジックコントローラ、およびディスプレイに電気的に接続されてこれらに電力を供給する第２のＤＣ電圧電源と、
上記検出ボードに電気的に接続された検出電極であって、上記検出ボードはさらに上記プログラマブルロジックコントローラに電気的に接続され、上記プログラマブルロジックコントローラはさらに上記ディスプレイに電気的に接続される、上記検出電極とを有し、
上記検出電極および上記検査電極の間にパッケージがフィットするように上記検出電極および上記検査電極が配置され、ＤＣ高電圧オフセットを有するＡＶ高電圧が上記検査電極を通じて印加されることを特徴とするリーク検出装置。
【請求項３】
上記高電圧制御ボードは、これに限定されないが、マイクロプロセッサとＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴとの組み合わせであり、
上記マイクロプロセッサは、所定のデュレーションおよびデューティサイクルのパルスを発生することにより、上記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴをオン・オフに切り替え、上記ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴが上記第１のＤＣ電源から上記高電圧パルス自動変換器を通じて流れる電流のオン・オフを切り替え、
上記高電圧パルス自動変換器を通じた電流のオン・オフの切り替えが、上記高電圧パルス自動変換器の出力端にＡＣ高電圧を生成し、
上記高電圧制御ボードは、上記マイクロプロセッサにより生成される上記パルスの上記デュレーションおよび上記デューティサイクルを変更することにより、上記生成されたＡＣ高電圧の振幅を調整する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
上記検出電極は電流を検出して上記電流を上記検出回路に伝達し、
上記検出回路は上記電流を処理し、上記処理された信号を上記プログラマブルロジックコントローラに送り、
上記プログラマブルロジックコントローラは、測定された電流と非欠陥の電流との間の変化を処理し、
上記プログラマブルロジックコントローラは、電流における上記変化によって容器内のリークを識別し、
試験の結果を上記ディスプレイに表示する、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
上記電流における上記変化ΔＩは、ΔＩ＝ＩＤ−ＩＷＤで計算され、ここで、ＩＤは欠陥のある容器の電流であり、ＩＷＤは欠陥のない容器の電流である請求項４に記載の装置。
【数８】
2019505006.tif 000001
【請求項６】
ホルダをさらに有し、
上記ホルダは、試験中に検査電極と検出電極との間にパッケージを固定する、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
上記ホルダは、試験中に上記パッケージを軸に沿って回転させる、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
上記検査電極および上記検出電極は、試験中に上記パッケージの長さに沿って移動可能である、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
パルス変換器および上記高電圧整流器は、上記パルス自動変換器および上記高電圧整流器に替えて、用いられ、上記ＤＣ高電圧オフセットを伴う上記ＡＣ高電圧を生成する、請求項２に記載の装置。
【請求項１０】
コンベアシステムをさらに有し、複数のパッケージが、ユーザの作業なしに、上記検査電極および上記検出電極の間においてパッケージを自動的に移動させるコンベアによって試験される、請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
リーク検出試験によるオゾンの生成を減少させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
１８．５ｋＶＰｋが５分の間だけ印加されるとき、０．００４ｐｐｍのオゾンが生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記容器の内部の物質に印加される電圧の量を減少させることをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
−１８．５ｋＶの全高電圧が印加されたときに、非欠陥の容器の内部の製品に３００ＶＰｋしか印加されない、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
電流の測定された変化の感度を増加させることをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
シールに欠陥のある容器およびシールに欠陥のない容器に対する信号レベルの比が、１０ｋＶの総合高電圧が印加されたときに７．７Ｖ／２．２Ｖ＝３．５である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月1日(2019.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インビトロ診断（ＩＶＤ）環境における臨床分析装置内の一体型放射状移送アームにおいて、
細長い剛性部材であって、
上面と、
下面と、
旋回端と、
構成要素端とを有する細長い剛性部材を備えた移送アーム。
【請求項２】
前記旋回端が、シャフトを前記細長い剛性部材に結合する取付けクランプを前記細長い剛性部材に固定するように構成された少なくとも１つの放射状構成取付け位置を有する、請求項１に記載の移送アーム。
【請求項３】
前記旋回端が、前記旋回端における旋回軸と前記構成要素端における取付けプローブとの間の様々な半径方向距離を許容する複数の放射状構成取付け位置を有する、請求項１または２に記載の移送アーム。
【請求項４】
前記構成要素端が、構成要素を前記移送アームに固定するための取付け位置を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項５】
前記構成要素が、プローブ、クラッシュ検出機構、混合装置、ピックアンドプレース装置、回路基板及びバルブのうちの１つ以上を備えた、請求項４に記載の移送アーム。
【請求項６】
前記下面の少なくとも一部分に１つ以上電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽物質を更に備え、前記下面の少なくとも一部分に接地材料を更に備えた、請求項１から５のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項７】
前記細長い剛性部材が、射出成形された、請求項１から６のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項８】
インビトロ診断（ＩＶＤ）環境における臨床分析装置内の一体型放射状移送アームにおいて、
細長い剛性部材であって、
上面と、
前記上面の下側部分を含む下面と、
前記上面から延在し、前記下面のための少なくとも部分的に取り囲む包囲体を形成するように構成された側壁と、
旋回端と、
構成要素端とを有する細長い剛性部材を備えた、移送アーム。
【請求項９】
前記旋回端が、シャフトを前記細長い剛性部材に結合する取付けクランプを前記細長い剛性部材に固定するように構成された少なくとも１つの放射状構成取付け位置を有する、請求項８に記載の移送アーム。
【請求項１０】
前記細長い剛性部材が、水平方向に延在し、前記シャフトが、前記細長い剛性部材に対して実質的に垂直に向けられた、請求項９に記載の移送アーム。
【請求項１１】
前記旋回端が、前記旋回端における旋回軸と前記構成要素端における取付けプローブとの間の様々な半径方向距離を許容する複数の放射状構成取付け位置を有する、請求項８から１０のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項１２】
前記構成要素端が、構成要素を前記移送アームに固定するための取付け位置を有する、請求項８から１１のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項１３】
前記取付け位置が、（ｉ）前記上面と前記下面を貫通する１つ以上のアクセスホールと、（ｉｉ）前記下面上の内部構成要素取付け位置との１つ以上を含む、請求項１２に記載の移送アーム。
【請求項１４】
前記構成要素が、プローブ、クラッシュ検出機構、混合装置、ピックアンドプレース装置、回路基板及びバルブの１つ以上を有する、請求項１２または１３に記載の移送アーム。
【請求項１５】
前記下面の少なくとも一部分に電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽材料を更に有する、請求項８から１４のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項１６】
前記下面の少なくとも一部分に接地材料を更に有する、請求項８から１５のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項１７】
前記下面に形成された構造リブを更に有し、前記構造リブが、前記細長い剛性部材の構造支持を提供するように構成された、請求項８から１６のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項１８】
前記細長い剛性部材が、射出成形された、請求項８から１７のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項１９】
前記細長い剛性部材が、ガラス充填ナイロン材料を有する、請求項８から１８のいずれか１項に記載の移送アーム。
【請求項２０】
前記側壁の外側部分に形成された１つ以上のアライメントリブを更に有する、請求項８から１９のいずれか１項に記載の移送アーム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月31日(2019.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するように構成され、半径ｒ０を有する支持テーブルであって、
ベース面と、
中心領域と、
前記中心領域の半径方向外側にある中間領域と、
前記中間領域の半径方向外側にある外側領域と、
前記支持テーブルのエッジの周りにある第１シールと、
前記中間領域に形成され、前記ベース面と前記基板の間のギャップからガスを抽出するように構成された複数のガス流開口と、
前記中間領域における前記複数のガス流開口と流体連通している流路と、を備え、
前記複数のガス流開口は前記支持テーブルの中心から半径距離ｒ２に配置され、前記複数のガス流開口は、ｒ２：ｒ０が０．５と０．８の間になるように配置される、支持テーブル。
【請求項２】
前記複数のガス流開口は、ｒ２：ｒ０が０．６くらいになるように配置される、請求項１に記載の支持テーブル。
【請求項３】
二重シールを形成するように、前記外側領域において前記第１シールの半径方向内側に第２シールをさらに備える、請求項１又は２に記載の支持テーブル。
【請求項４】
前記第１シールと前記第２シールの間に液体抽出開口をさらに備える、請求項３に記載の支持テーブル。
【請求項５】
前記中間領域の圧力を感知するように構成された圧力センサをさらに備える、請求項１から４のいずれかに記載の支持テーブル。
【請求項６】
前記圧力センサは、前記流路の前記圧力を感知するように構成される、請求項５に記載の支持テーブル。
【請求項７】
前記中心領域に複数のガス流開口をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の支持テーブル。
【請求項８】
前記中心領域における前記複数のガス流開口は、前記支持テーブルの前記中心から半径距離ｒ１に配置され、前記中心領域における前記複数のガス流開口は、ｒ１：ｒ０が０．２と０．５の間になるように配置される、請求項７に記載の支持テーブル。
【請求項９】
前記外側領域に複数のガス流開口をさらに備える、請求項１から８のいずれかに記載の支持テーブル。
【請求項１０】
前記外側領域における前記複数のガス流開口は、前記支持テーブルの前記中心から半径距離ｒ３に配置され、前記外側領域における前記複数のガス流開口は、ｒ３：ｒ０が０．５と０．９５の間になるように配置される、請求項９に記載の支持テーブル。
【請求項１１】
前記基板が前記支持テーブル上にロードされるとき、
ロードの第１の段階において、前記ガスは、前記中心領域における少なくとも１つのガス流開口から抽出され、前記中間領域におけるガス流開口及び前記外側領域におけるガス流開口から抽出されず、
ロードの第２の段階において、前記ガスは、前記中心領域における少なくとも１つのガス流開口及び前記中間領域における少なくとも１つのガス流開口から抽出され、前記外側領域におけるガス流開口から抽出されず、
ロードの第３の段階において、前記ガスは、前記中心領域における少なくとも１つのガス流開口、前記中間領域における少なくとも１つのガス流開口、及び前記外側領域における少なくとも１つのガス流開口から抽出される、請求項９又は１０に記載の支持テーブル。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の支持テーブルを備える、リソグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月2日(2019.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリマー、無機蓄積性蛍光体材料および銅フタロシアニン青色色素を含む無機蓄積性蛍光体層を含む、独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、
前記無機蓄積性蛍光体層は、前記少なくとも１つのポリマー、無機蓄積性蛍光体材料および銅フタロシアニン青色色素を溶融混合して溶融物を形成し、溶融物を溶融押出し、射出成形又はホットプレスすることにより形成され、
前記パネルを引き裂くのに必要とされるピークトルク（Ｔｐ）が、０．０４ニュートンメートル以上０．２ニュートンメートル以下であることを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【請求項２】
請求項１に記載の独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、前記少なくとも１つのポリマーが、熱可塑性ポリオレフィンであり、
前記無機蓄積性蛍光体材料は、粒子を含み、前記粒子の９５％が直径６．８μｍ以下でありかつ前記粒子の９５％が直径１．０μｍ以上であることを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【請求項３】
請求項１に記載の独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、光吸収材料を含むまたは含まない、少なくとも１つのポリマーを含む支持体をさらに含むことを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【請求項４】
請求項１に記載の独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、前記熱可塑性ポリオレフィンが、ポリエチレンであることを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【請求項５】
請求項１に記載の独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、前記パネルが、１ミリメートルあたり１５ラインペア（ｌＰ／ｍｍ）の解像度を有することを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【請求項６】
無機蓄積性蛍光体パネルを製造する方法であって、
少なくとも１つのポリマー、無機蓄積性蛍光体材料および銅フタロシアニン青色色素を溶融混合して溶融物を形成するステップと、
前記溶融物を、溶融押出、射出成形またはホットプレスして、製造無機蓄積性蛍光体パネルを形成するステップと、を含み、
前記パネルを引き裂くのに必要とされるピークトルク（Ｔｐ）が、０．０４ニュートンメートル以上０．２ニュートンメートル以下であることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記少なくとも１つのポリマーが、熱可塑性ポリオレフィンであり、
前記無機蓄積性蛍光体材料は、粒子を含み、前記粒子の９５％が直径６．８μｍ以下でありかつ前記粒子の９５％が直径１．０μｍ以上であることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、光吸収材料を含むまたは含まない、少なくとも１つのポリマーを含む支持体をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、前記銅フタロシアニン青色色素は、１×１０２〜２×１０２ｐｐｍ（百万分率）であることを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【請求項１０】
請求項１に記載の独立型無機蓄積性蛍光体パネルであって、前記無機蓄積性蛍光体パネルは、１５ｌＰ／ｍｍの画像解像度を有することを特徴とする独立型無機蓄積性蛍光体パネル。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月13日(2019.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨工具（６）により光学面（２）を研磨する方法であって、
自由曲面として具現された前記光学面（２）と、該光学面（２）の側方に隣接する区域（３）とにわたって、前記研磨工具（６）の研磨面（７）を動かすことにより、前記光学面（２）を研磨するステップを含み、前記区域（３）の各場所（Ｐ）で研磨基準（Δｚ）の閾値（ΔｚＳ）を超えないように、前記区域（３）の形状を前記研磨工具（６）に、特に該研磨工具（６）の前記研磨面（７）の形状に適合させ、前記研磨基準（Δｚ）は、前記光学面（２）に隣接する前記区域（３）にわたって前記研磨工具（６）を動かすことにより作製された前記光学面（２）における研磨誤差の尺度を表す、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記研磨工具（６）の前記研磨面（７）は、前記光学面（２）及び前記区域（３）にわたる運動中に回転軸（８）に関して回転運動を行う方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記区域（３）の各場所（Ｐ）での局所非点収差（Δｚ）を研磨基準として選択する方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記区域（３）の各場所（Ｐ）での前記局所非点収差Δｚを、
Δｚ＝（ｋｍａｘ−ｋｍｉｎ）／８Ｄ２
により求め、式中、Ｄは前記研磨工具（６）の前記研磨面（７）の直径を示し、ｋｍｉｎは前記区域（３）の各場所（Ｐ）での最小局所曲率を示し、ｋｍａｘは前記区域（３）の各場所（Ｐ）での最大局所曲率を示す方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法であって、前記研磨工具（６）の前記研磨面（７）は平面を形成する方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法であって、前記光学面（２）の形状及び前記側方隣接区域（３）の形状を、前記光学面（２）及び前記側方隣接区域（３）の両方の面（ｚ（ｘ，ｙ））の解析的表現に基づいて求める方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記光学面（２）の形状を求める際に、前記側方隣接区域（３）の前記研磨基準（Δｚ）の閾値（ΔｚＳ）を考慮に入れる方法。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法であって、前記区域（３）の形状を、該区域（３）の面の解析的表現を用いずに求める方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法であって、前記研磨するステップの前のステップにおいて、
研磨対象の前記光学面（２）及び前記側方隣接区域（３）を作製するために基板（１）を機械加工するステップ
をさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記基板（１）の機械加工及び研磨中に代用形状を有する光学面（２）を作製し、前記代用形状は、前記光学面（２）の目標形状から逸脱しており、前記光学面（２）の目標形状を、前記研磨の後の補正プロセスで前記代用形状から作る方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法であって、前記研磨基準（Δｚ）の前記閾値（ΔｚＳ）を、前記光学面（２）での前記研磨誤差が少なくとも１つの後続の補正プロセスで補正可能であるように選択する方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記後続の補正プロセスは、イオンビーム加工及び磁気粘性研磨を含む群から選択される方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサに実装された方法であって、
互いにリンクされた品目のセットを含む製品リンケージ及び所定のビジネスルールに対して定義されたランク付けの基準を受け取る、１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記品目に対して定義された前記ランク付けの基準に基づいて、前記製品リンケージ内の前記品目をランク付けする、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記所定のビジネスルールに基づいて、ある品目の小売価格を、前記ランク順に、前記製品リンケージ内の関係づけられた品目の小売価格と比較する、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記品目の小売価格許容限界を、比較に際しての前記品目及びリンクされた品目の間のセービングレンジに基づいて算出する、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記製品リンケージ内の前記品目の前記小売価格を、算出された小売価格許容限界に基づいて更新する、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップとを含む
方法。
【請求項２】
前記ランク付けの基準は、ＫＶＩ（重要値指標）、ブランドタイプ、サイズ、色、フォント及び感度のうち少なくとも１つを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記セービングレンジは、前記製品リンケージ内の前記品目及びリンクされた品目の間のサイズリンク及びブランドリンクの少なくとも１つにより推薦される、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記製品リンケージ内の前記品目の前記小売価格を、算出された前記小売価格許容限界に基づいて更新するステップは、
サイズリンクされた第１の品目及び第２の品目の間の第１の小売価格許容限界と、ブランドリンクされた第２の品目及び第３の品目の間の第２の小売価格許容限界を、第１の品目の前記ランク付けが前記第２の品目への小売変更を動作させ、前記第２の品目が前記第３の品目と補助リンクによりリンクされ、かつ前記第３の品目が小売変更を受けた時に、計算するステップと、
前記第２の品目の小売価格を、第１の小売価格許容限界及び第２の小売価格許容限界の間の重畳許容限界に基づいて更新するステップとを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記重畳許容限界は前記第１の小売価格許容限界及び第２の小売価格許容限界における最小及び最大の値に基づいて獲得される、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
方法はさらに、
ある品目の小売価格の少なくとも１つが、関係づけられたリンクされた品目と比較される、関係づけられた小売価格許容限界を超えていて、かつ前記品目の前記小売価格が新しい小売価格である時に、品目の前記サイズリンク及び前記ブランドリンクにより推薦されたセービングレンジの少なくとも１つを更新するステップを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項７】
１つ以上のメモリと、
前記１つ以上のメモリが結合された１つ以上のハードウェアプロセッサとを含み、
前記１つ以上のハードウェアプロセッサは前記１つ以上のメモリに格納されたプログラム命令を実行して、
互いにリンクされた品目のセットを含む製品リンケージ及び所定のビジネスルールに対して定義されたランク付けの基準を受け取り、
前記品目に対して定義された前記ランク付けの基準に基づいて、前記製品リンケージ内の前記品目をランク付けし、
前記所定のビジネスルールに基づいて、ある品目の小売価格を、前記ランク順に、前記製品リンケージ内の関係づけられた品目の小売価格と比較し、
前記品目の小売価格許容限界を、比較に際しての前記品目及びリンクされた品目の間のセービングレンジに基づいて算出し、
前記製品リンケージ内の前記品目の前記小売価格を、算出された小売価格許容限界に基づいて更新する
ことが可能な、
システム。
【請求項８】
前記ランク付けの基準は、ＫＶＩ（重要値指標）、ブランドタイプ、サイズ、色、フォント及び感度のうち少なくとも１つを含む、
請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記セービングレンジは、前記製品リンケージ内の前記品目及びリンクされた品目の間のサイズリンク及びブランドリンクの少なくとも１つにより推薦される、
請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記１つ以上のハードウェアプロセッサは、プログラム命令を実行して、
サイズリンクされた第１の品目及び第２の品目の間の第１の小売価格許容限界と、ブランドリンクされた第２の品目及び第３の品目の間の第２の小売価格許容限界を、第１の品目の前記ランク付けが前記第２の品目への小売変更を動作させ、前記第２の品目が前記第３の品目と補助リンクによりリンクされ、かつ前記第３の品目が小売変更を受けた時に、計算し、
前記第２の品目の小売価格を、第１の小売価格許容限界及び第２の小売価格許容限界の間の重畳許容限界に基づいて更新することが可能な、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記重畳許容限界は前記第１の小売価格許容限界及び第２の小売価格許容限界における最小及び最大の値に基づいて獲得される、
請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記１つ以上のハードウェアプロセッサはさらに、
ある品目の小売価格の少なくとも１つが、関係づけられたリンクされた品目と比較される、関係づけられた小売価格許容限界を超えていて、かつ前記品目の前記小売価格が新しい小売価格である時に、品目の前記サイズリンク及び前記ブランドリンクにより推薦されたセービングレンジの少なくとも１つを更新することが可能な、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
ｅメールのメタデータ特徴からのアクティビティ検出のための方法を実行するためのコンピュータプログラムが具体化された、１つ以上の非一過性コンピュータ読み取り可能情報媒体であって、前記方法は、
互いにリンクされた品目のセットを含む製品リンケージ及び所定のビジネスルールに対して定義されたランク付けの基準を受け取る、１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記品目に対して定義された前記ランク付けの基準に基づいて、前記製品リンケージ内の前記品目をランク付けする、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記所定のビジネスルールに基づいて、ある品目の小売価格を、前記ランク順に、前記製品リンケージ内の関係づけられた品目の小売価格と比較する、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記品目の小売価格許容限界を、比較に際しての前記品目及びリンクされた品目の間のセービングレンジに基づいて算出する、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップと、
前記製品リンケージ内の前記品目の前記小売価格を、算出された小売価格許容限界に基づいて更新する、前記１つ以上のハードウェアプロセッサによるステップとを含む、
情報媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本出願は、順に２０１６年１月８日及び２０１７年１月６日に受理された印国仮出願第２０１６２１０００８３１号及びＰＣＴ出願第ＰＣＴ／ＩＢ２０１７／０５００５４号に基づく優先権を主張し、それらの全体は参照により本明細書に組み込まれる。
本明細書の実施形態は、概ね製品リンケージに関し、特に製品リンケージ内のランキング及び順序に基づいた小売価格決定に関する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月6日(2019.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンベヤ測定システムであって、
コンベヤと、少なくとも１の固定測定回路とを備え、
前記コンベヤが、
搬送方向に前進可能な複数の物品積載搬送体と、
前記搬送体のセンサ位置に配置され、前記搬送体の撓みをそれぞれ検知する複数の撓みセンサと、
複数のカプラであって、各々が前記撓みセンサの関連する１つに接続された複数のカプラとを含み、
前記カプラの各々が、第１のプレートおよび第２のプレートを含み、それらプレートがともに関連する前記撓みセンサと直列に接続されており、
前記少なくとも１の固定測定回路が、前記搬送体の外部にあり、前記少なくとも１の固定測定回路が、
固定カプラであって、その近傍を前記搬送体の関連するカプラが通過するときに、接触することなく、前記少なくとも１の固定測定回路を前記搬送体の複数の撓みセンサに結合する固定カプラを含み、
前記固定カプラが、前記固定カプラの近傍を前記カプラが通過するときに、前記カプラの第１のプレートと第１の結合キャパシタを形成する第１のプレートと、前記カプラの第２のプレートと第２の結合キャパシタを形成する第２のプレートと、を含み、
前記少なくとも１の固定測定回路が、前記撓みセンサの各々によって検知された前記搬送体の撓みを測定することを特徴とするコンベヤ測定システム。
【請求項２】
請求項１に記載のコンベヤ測定システムにおいて、
前記撓みセンサの各々が、前記搬送体の撓みに応じてキャパシタンスが変化する可変キャパシタを備え、
前記可変キャパシタに関連するカプラが、第１のプレートと第２のプレートとを含み、それらプレートがともに前記可変キャパシタと直列に接続されており、
前記固定カプラが、前記可変キャパシタに関連するカプラの第１のプレートと第１の結合キャパシタを形成する第１のプレートと、前記可変キャパシタに関連するカプラの第２のプレートと第２の結合キャパシタを形成する接地された第２のプレートとを含み、
前記少なくとも１の固定測定回路が、
交流駆動波形を生成する発振器と、
前記発振器、前記第２の結合キャパシタおよび前記可変キャパシタと直列に前記第１の結合キャパシタの第１のプレートに接続された抵抗と、
前記抵抗と前記第１の結合キャパシタとの接合点に接続されて、前記接合点で交流電圧を整流する整流器と、
前記整流器に接続され、振幅が前記可変キャパシタのキャパシタンスと反比例して変化する直流電圧を生成するローパスフィルタとを含むことを特徴とするコンベヤ測定システム。
【請求項３】
請求項２に記載のコンベヤ測定システムにおいて、
前記発振器が、正弦波、三角波または方形波である交流駆動波形を生成することを特徴とするコンベヤ測定システム。
【請求項４】
コンベヤ測定システムであって、
コンベヤと、少なくとも１の固定測定回路とを備え、
前記コンベヤが、
搬送方向に前進可能な複数の物品積載搬送体と、
前記搬送体のセンサ位置に配置された複数の可変キャパシタであって、その各々のキャパシタンスが、前記搬送体に影響を及ぼす条件によって変化する複数の可変キャパシタと、
前記可変キャパシタの各々に直列に接続された第１のプレートおよび第２のプレートとを含み、
前記少なくとも１の固定測定回路が、前記搬送体の外部にあり、前記少なくとも１の  固定測定回路が、
前記搬送体のセンサ位置が前記固定測定回路の近傍を通過するときに、前記搬送体の第１のプレートと第１の結合キャパシタを形成する第１の固定プレート、および前記搬送体の第２のプレートと第２の結合キャパシタを形成する接地された第２の固定プレートと、
交流駆動波形を生成する発振器と、
前記発振器、前記第２の結合キャパシタおよび前記可変キャパシタと直列に前記第１の結合キャパシタの第１の固定プレートに接続された抵抗と、
前記抵抗と前記第１の結合キャパシタとの接合点に接続されて、前記接合点で交流電圧を整流する整流器と、
前記整流器に接続され、振幅が前記可変キャパシタのキャパシタンスと反比例して変化する直流電圧を生成するローパスフィルタとを含むことを特徴とするコンベヤ測定システム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月6日(2019.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の内燃機関の排気システムのための熱シールドアセンブリであって、
前記内燃機関の動作の間に排気部品からの熱を受容および保持するための、ならびに、前記内燃機関の動作が停止した後に熱を前記排気部品に戻すように伝えるための、前記排気部品と直接係合可能であり、第１の熱容量および第１の熱伝導率を有する非セラミック材料からなる、最内層と、
前記排気部品および前記最内層を別の車両部品から断熱するための、前記最内層を囲み、前記第１の熱容量よりも低い第２の熱容量および前記第１の熱伝導率よりも低い第２の熱伝導率を有する材料からなる、断熱層とを備える、熱シールドアセンブリ。
【請求項２】
前記最内層は、２つの片から作製される、請求項１に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項３】
前記断熱層は、２つの片から作製される、請求項１に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項４】
前記最内層および前記断熱層を保護するための、前記最内層および前記断熱層を囲む外側シェルをさらに含む、請求項１に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項５】
前記外側シェルは、２つの片から作製される、請求項４に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項６】
前記外側シェルの前記２つの片は、溶接継目でともに接合される、請求項５に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項７】
前記溶接継目は、前記外側シェルの前記片上の径方向に延在するフランジで、前記外側シェルの前記２つの片をともに接合する、請求項６に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項８】
前記外側シェルは、両長手方向において前記最内層および前記断熱層を超えて長手方向に延在する、請求項４に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項９】
各長手方向軸に隣接して、前記外側シェルは、前記排気部品に直接接触するために径方向内側に先細っている、請求項８に記載の熱シールドアセンブリ。
【請求項１０】
車両用の排気アセンブリであって、
排気部品と、
最内層、断熱層を含む熱シールドアセンブリとを備え、
前記最内層は、内燃機関の動作の間に前記排気部品からの熱を受容および保持するために、ならびに、前記内燃機関の動作が停止した後に熱を前記排気部品に戻すように伝えるために、前記排気部品と直接係合し、第１の熱容量および第１の熱伝導率を有する非セラミック材料からなり、前記排気アセンブリはさらに、
前記排気部品および前記最内層を別の車両部品から断熱するための、前記最内層を囲み、前記第１の熱容量よりも低い第２の熱容量および前記第１の熱伝導率よりも低い第２の熱伝導率を有する材料からなる、断熱層を備える、排気アセンブリ。
【請求項１１】
前記排気部品は排気管である、請求項１０に記載の排気アセンブリ。
【請求項１２】
前記最内層および前記断熱層を保護するための、前記最内層および前記断熱層を囲む外側シェルをさらに含む、請求項１０に記載の排気アセンブリ。
【請求項１３】
前記外側シェルは、２つの片から作製される、請求項１２に記載の排気アセンブリ。
【請求項１４】
前記外側シェルの前記２つの片は、溶接継目でともに接合される、請求項１３に記載の排気アセンブリ。
【請求項１５】
前記外側シェルは、両長手方向において前記最内層および前記断熱層を超えて長手方向に延在する、請求項１２に記載の排気アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月16日(2019.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体マトリックス中のインシュリンまたはインシュリン類似体の定量化および検出のための方法であって、以下の工程：
ｉ．安定同位体によって既知の量のインシュリンまたはインシュリン類似体を標識し、標識化インシュリンまたはインシュリン類似体を形成すること；
ｉｉ．生体マトリックスに標識化インシュリンまたはインシュリン類似体を導入すること；
および
ｉｉｉ．液相クロマトグラフィータンデムマススペクトロメトリー（ＬＣ−ＭＳ／ＭＳ）によってインタクトなインシュリンまたはインシュリン類似体に関して生体マトリックスを分析すること
を含む、前記方法。
【請求項２】
標識化インシュリン類似体が、ＩＮ−１０５であり、以下の構造を有する、請求項１に記載の方法。
【化１】
2019505786.tif 000001
【請求項３】
安定同位体によって既知の量のインシュリンまたはインシュリン類似体を標識し、標識化インシュリンまたはインシュリン類似体を形成する工程が、発酵プロセスの間にプロインシュリンまたはプロインシュリン類似体の発現をコードする遺伝子を担持するPichia pastorisの組換え株を含む培養培地を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
同位体が、窒素（１５Ｎ）、硫黄（３４Ｓ）、酸素（１８Ｏ）、水素（２Ｈ）、および炭素（１３Ｃ）のうちの少なくとも１つである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
培養培地中の同位体窒素（１５Ｎ）源が、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、水酸化アンモニウム、メチルアミン、および尿素の少なくとも一つである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
培養培地中の同位体炭素（１３Ｃ）源が、メタノール、グリセロール、グルコース、およびソルビトールの少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
培養培地中の同位体硫黄（３４Ｓ）源が、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウムおよび硫酸カリウムの少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
発酵プロセスが、二相であり、第１の相が、炭素源としてグリセロールを含むことにより細胞量を増加させるためのバッチ相であり、および、第２の相が、標識化インシュリンまたはインシュリン類似体の前駆体の分泌を誘発するためのメタノール、および発現される標識化インシュリンまたはインシュリン類似体中への封入のための同位体ソースを使用するフィードされたバッチ相である、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
標識化インシュリンまたはインシュリン類似体の前駆体を、トリプシンおよびカルボキシペプチダーゼＢによって処置して、標識化インシュリンまたはインシュリン類似体を形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
生体マトリックスが、全血、血清、血漿、尿、発酵ブロス、または緩衝液である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
生体マトリックスが、ジカリウムまたはトリカリウムＥＤＴＡと結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
生体マトリックスが、−２０℃または−８０℃で保存されるか、または、サイクルごとに新たに調製される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
保存期間が、１日から２５０日間までである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｉｉ）が、オフライン固相抽出（ＳＰＥ）を使用する試料処理、続く９６ウェル形成におけるオンラインＳＰＥをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
標識化インシュリンまたはインシュリン類似体が、外部から送達されたインシュリン類似体を内因性のインシュリンから見分けるために使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
生体マトリックス中で、０．２００ｎｇ／ｍＬから５０ｎｇ／ｍＬまでの範囲の同位体標識化インシュリンまたはインシュリン類似体の濃度を決定する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
インシュリンまたはインシュリン類似体の少なくとも１つの追加のタイプを含む生体マトリックス中のＩＮ−１０５インシュリンの安定性を決定するための方法であって、以下：
ｉ）窒素の安定同位体によって既知の量のＩＮ−１０５を標識して、標識化ＩＮ−１０５を形成すること；
ｉｉ）標識化ＩＮ−１０５を、少なくとも１つの追加のインシュリンまたはインシュリン類似体を備える生体マトリックスに導入すること；
ｉｉｉ）工程ｉｉ）から得られた溶液を、オフライン固相抽出（ＳＰＥ）、続いて９６オンラインＳＰＥウェル形成を使用する、混在モード陰イオン交換逆相固相抽出プロセスに付すこと；
ｉｖ）インタクトな標識化ＩＮ−１０５を、液相クロマトグラフィータンデムマススペクトロメトリー（ＬＣ−ＭＳ／ＭＳ）によって、インシュリンまたはインシュリン類似体の少なくとも１つの追加のタイプのそれと比較して分析すること
を含む、前記方法。
【請求項１８】
標識化ＩＮ−１０５が、室温で２４時間安定である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ＩＮ−１０５が、以下の構造を有する、請求項１７に記載の方法。
【化２】
2019505786.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月27日(2019.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
車両上に又は車両内に配置される被試験装置の自動車用途におけるオーバー・ジ・エア無線通信性能を測定するための機器であって、
内部に内部容積を画定する室と、
前記車両を支持するためのプラットフォームであって、前記室が前記プラットフォームを囲うように構成され、前記プラットフォームは前記車両を回転させることができる回転プラットフォームである、プラットフォームと、
前記内部容積内に設けられた少なくとも１つの室アンテナと、
前記被試験装置と前記室アンテナとの間の伝送を測定する通信システム試験器具とを備え、
前記室アンテナがアンテナ素子からなる水平の直線アレイを有するアレイアンテナであり、前記室アンテナは前記車両が位置する近距離場内に平面波を提供する、機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記室アンテナが、複数の重なる水平な列を成して配置されるアンテナ素子を有し、前記アンテナは平面の二次元アレイであり、２ポート平面アレイである、請求項１又は２に記載の機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記室アンテナが反射鏡を更に備え、前記反射鏡は、水平方向では直線であり、垂直方向では弧の形に、放物曲線状に配置され、前記水平の直線アレイは前記反射鏡の焦線内に配置される、請求項１又は２に記載の機器。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記室アンテナが前記室内で移動可能であり、車輪を備え、その動きを助ける、請求項１〜４のいずれか一項に記載の機器。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車両への無線通信を試験するための機器
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【図１】本発明の別の実施形態による、ランダムＬＯＳ室機器の内部を示す概略的平面図である。
【図２】図１の機器内で使用される例示的な水平の直線アレイアンテナの概略的側面図である。
【図３】図１の機器内で使用可能な垂直の平面アレイアンテナの代替的実施形態の概略的側面図である。
【図４ａ】図１の機器内で使用可能なアンテナの別の代替的実施形態の側面図である。
【図４ｂ】図１の機器内で使用可能なアンテナの別の代替的実施形態の正面図である。
【図５】図４のアンテナ内で使用される放物状の弧の形をした反射鏡を概略的に示す縦断側面図である。
【図６ａ】図１の機器内で使用可能なアンテナの別の代替的実施形態の或る視点の図である。
【図６ｂ】図１の機器内で使用可能なアンテナの別の代替的実施形態の或る視点の図である。
【図６ｃ】図１の機器内で使用可能なアンテナの別の代替的実施形態の或る視点の図である。
【図７】直線アレイアンテナを示す図である。
【図８】平面アレイアンテナを示す図である。