【事件の表示】
　平成　９年特許願第２００９６７号「歪多重量子井戸構造の成長方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月　２日出願公開、特開平１１−　３１８１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成９年７月９日の出願であって、平成１７年１月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年２月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年３月１８日に手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年６月２日付けで審尋がなされ、同年８月１１日に回答書が提出され、平成１９年１２月１０日付けで、平成１７年３月１８日になされた手続補正が却下されるとともに、拒絶理由が通知され、平成２０年２月１５日に手続補正がなされたものであって、「歪多重量子井戸構造の成長方法」に関するものである。
　
２．当審の拒絶理由
　当審において平成１９年１２月１０日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願明細書の記載が不備であるから特許法第３６条第６項第１号及び２号並びに第４項に規定する要件を満たしておらず、また、本願の請求項１及び２に係る発明は、本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物に記載された発明に基いて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものであり、本願明細書の記載不備に関する具体的内容は、以下のとおりである。
「この審判事件に関する出願は、合議の結果、以下の理由によって拒絶をすべきものです。これについて意見がありましたら、この通知書の発送の日から６０日以内に意見書を提出してください 。 
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　理　由 
〈中略〉
第４．拒絶の理由  
　理由１．この出願は、発明の詳細な説明及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。  
　理由２．この出願は、発明の詳細な説明及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。  
　理由３．この出願は、発明の詳細な説明及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。  
〈中略〉
 　　　　　　　　記（引用文献等については引用文献等一覧参照）  
 　  
　理由１．特許法第３６条第６項第１号について  
（１）請求項１ないし４には、成長速度をどのように制御するか、その具体的方法については特定されておらず、任意であり、また、発明の詳細な説明には、成長速度の制御方法について「井戸層８の成長速度はＴＭＩの供給量によって制御した」（００３６段落）及び「障壁層１７の成長速度は、ＴＭＩとＴＥＧの供給量で制御した。」（００４５段落）と記載されているのみである。  
　ところで、通常、成長速度は、その他の成長条件（成長圧力、成長材料、ガス流量、成長炉の形状に依存するガス流の状態等）によっても変化し、原料の供給量以外によっても制御できるものである。また、成長速度が同じであっても、前記その他の成長条件が異なれば、成長する層の表面の状態も当然異なると考えられる。  
　しかし、発明の詳細な説明には、成長する層の組成、成長温度、及び成長速度が同じであれば、前記その他の成長条件によって成長速度を制御した場合にも、全く同じ結果が得られることの裏付けは記載されていない。  
　したがって、任意の方法で成長速度を制御することで成長表面不安定性の発生を抑制する「歪多重量子井戸構造の成長方法」に関する、本願の請求項１ないし４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　  
（２）請求項１ないし４には、成長方法について具体的には特定されておらず、また、発明の詳細な説明の［００４９］段落には、「有機金属気相エピタキシー法により成長させる場合にも適用できる」と記載されている。しかし、発明の詳細な説明には、ＭＯＭＢＥ法を用いて「歪多重量子井戸構造」を成長する際に、井戸層または障壁層の成長速度を、成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制する技術が記載されているのみであり、有機金属気相エピタキシー法または他のエピタキシー法を用いた「歪多重量子井戸構造」の成長においても、請求項１ないし４に係る発明を適用できることの裏付けは何ら記載されていない。  
　したがって、本願の請求項１ないし４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。  
 　  
理由２．特許法第３６条第６項第２号について  
（１）請求項１及び２の記載において、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる」は、どの程度「抑制」された状態を表現しているのか不明である。
　例えば、発明の詳細な説明には、「井戸層８の成長速度が１．７Å／ｓｅｃ．（図５プロットＡ）の時には、全く発光しなかったが、成長速度を２．５Å／ｓｅｃ．（図５プロットＢ）にすると発光が得られた。　【００３７】　しかし、ウエハ面内の均一性が良くなく、発光強度に分布が生じていた。井戸層８の成長速度が３．３Å／ｓｅｃ．（図５プロットＣ）のときには、強いＰＬ発光が得られ、かつウエハ面内の均一性も良くなった。各プロットＢ〜Ｄに付随している縦線の長短はＰＬ発光強度のばらつきの程度を表しており、このことから成長速度が３．３Å／ｓｅｃ．の場合、ウエハ面内のＰＬ強度の均一性が向上していることがわかる。」（００３６段落及び００３７段落）と記載されており、ＰＬ強度が成長表面不安定性を表しているとすると、前記記載から、ウェハ面内に成長表面不安定性の発生が抑制される部分と、抑制されない部分とがあると解されるが、この場合、成長速度が同じであっても、同一ウェハ内に成長表面不安定性の発生が抑制される部分と、抑制されない部分とが含まれることになり、結果として、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる」状態を一義的に特定することができない。 
　また、発明の詳細な説明の段落［００３３］ないし［００４８］に記載された実施例において、図５及び８に示されたＰＬ強度の特性が成長表面不安定性を表しているとすると、プロットＡないしＣ、プロットＥないしＦにかけて、成長速度が高くなるにつれて成長表面不安定性の発生は抑制さると解されるが、プロットＡないしＣ、及びプロットＥないしＦの、どの程度のＰＬ強度が得られた場合に成長表面不安定性の発生が抑制されたことになるのか、請求項１及び２の記載からは、不明である。 
　したがって、本願の請求項１ないし４に係る発明は明確でない。  
 　  
（２）請求項１及び２に記載の「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」は、その記載から、成長表面不安定性の発生が抑制される成長速度であると解される。一方で、発明の詳細な説明には、成長速度が一定の値より高ければ、成長表面不安定性の発生が抑制されることが記載されている。してみると、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」は一定の範囲にわたる値を有するものであり、一に限定される特定の値を有するものではないから、請求項１及び２の「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度よりも高くし」との記載は、「井戸層の成長速度」及び「障壁層の成長速度」の範囲を不明瞭にするものである。  
　また、仮に、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」が、成長表面不安定性が発生しない成長速度の下限であるとしても、補正後の請求項１及び２の記載からは、「井戸層の成長速度」または「障壁層の成長速度」と、従来技術における成長速度との相違が不明であるため、特許を受けようとする発明の範囲が不明である。例えば、井戸層の歪が３次元成長モードの範囲に入る歪多重量子井戸構造の成長において、成長速度を高くしなくても、井戸層の膜厚を臨界膜厚に達しない範囲内とすることによって、成長表面不安定性の発生を抑制することは可能であると考えられるが、その場合、結果として成長表面不安定性は発生しないから、井戸層または障壁層の成長速度は「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度よりも高」い範囲のものとなる。 
　したがって、本願の請求項１ないし４に係る発明は明確でない。  
 　  
（３）発明の詳細な説明の［００３０］段落には、「表面に凹凸がある井戸層の上に障壁層が成長する場合、井戸層の凹凸を埋め戻して平坦になる場合と、凹凸の振幅が増加する場合がある。」と記載されており、同［００３３］段落には「本発明の第２の態様は、障壁層４の成長速度を増加させることにより、成長表面不安定性の発生を抑制するものである。実験の結果、成長速度をある値よりも大きくすると、成長表面４ａの不安定性の発生を抑制することが出来ることを見い出した。」と記載されており、さらに、［００４２］ないし［００４８］段落には、請求項２及び４に係る発明に対応する実施例が記載されている。前記記載より、発明の詳細な説明には、「表面に凹凸がある井戸層の上に障壁層が成長する場合」、「障壁層の成長速度を増加させることにより」、「井戸層の凹凸を埋め戻して平坦に」できること、すなわち、成長表面不安定性が発生した井戸層の上に、障壁層を高い成長速度で成長させることにより、井戸層の凹凸を埋め戻して平坦にできることが記載されていると認められる。 
　ところで、障壁層の成長表面不安定性の発生の抑制は、井戸層の表面に発生した凹凸を埋め戻すか否かによるものであるから、井戸層の表面の状態にも依存するものである。一方、請求項２には、「障壁層の成長速度」について、「成長成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度よりも高くし」と記載されているが、井戸層の表面状態については記載されていない。そのため、請求項２の記載からは、「成長成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」を特定することができない。  
　したがって、本願の請求項２及び４に係る発明は明確でない。  
 　  
理由３．特許法第３６条第４項について  
（１）発明の詳細な説明には、成長速度制御する方法について、［００３６］段落に「井戸層８の成長速度は、ＴＭＩの供給量で制御した。」と記載されており、同［００４５］段落に「障壁層１７の成長速度は、ＴＭＩとＴＥＧの供給量で制御した。」と記載されているのみである。  
　ところで、通常、成長速度は、その他の成長条件（成長圧力、成長材料、ガス流量、成長炉の形状に依存するガス流の状態等）によっても変化し、原料の供給量以外によっても制御できるものである。また、成長速度が同じであっても、前記その他の成長条件が異なれば、成長する層の表面の状態も当然異なると考えられる。  
　しかし、発明の詳細な説明には、成長する層の組成、成長温度、及び成長速度が同じであれば、前記その他の成長条件によって成長速度を制御した場合にも、全く同じ結果が得られることの裏付けは記載されていない。  
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、任意の方法で成長速度を制御することで成長表面不安定性の発生を抑制する、請求項１ないし４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されていない。  
 　 
（２）請求項１及び２の記載において、「歪多重量子井戸構造」を構成する成長層の材料及び成長温度については特定されておらず、また、請求項３及び４に記載の発明においても、井戸層または障壁層のうち一方の材料が特定されているのみであり、他方の材料及び成長温度については特定されていない。しかし、発明の詳細な説明には、特定の組成を有する特定の材料の組み合わせからなる「歪多重量子井戸構造」を特定の成長温度で成長した際の、ＰＬ強度と断面構造の特性に関する実験例が記載されているのみである。そして、前記実験例から得た特性を、他の材料の組み合わせからなる「歪多重量子井戸構造」を任意の成長温度で成長する工程にまで拡張できる根拠となる理論も、他の実験例も記載されていない。 
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、成長層の材料及び成長温度を特定しない、請求項１ないし４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されていない。 
 　  
（３）請求項１ないし４の記載において、成長法について特定されておらず、また、発明の詳細な説明の［００４９］段落には、「有機金属気相エピタキシー法により成長させる場合にも適用できる」と記載されている。しかし、発明の詳細な説明には、ＭＯＭＢＥ法を用いて「歪多重量子井戸構造」を成長する際に、井戸層または障壁層の成長速度を成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制する技術が記載されているのみであり、有機金属気相エピタキシー法または他のエピタキシー法を用いた「歪多重量子井戸構造」の成長においても、請求項１ないし４に係る発明を適用できることの裏付けは何ら記載されていない。  
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、請求項１ないし４に係る発明を実施可能な程度に記載されていない。  
 　  
（４）前記理由２（２）で述べたとおり、請求項１ないし４の記載において、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」は、その範囲が不明であるが、仮に、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」が成長表面不安定性が発生しない成長速度の下限であると解釈しても、発明の詳細な説明からは、「井戸層の成長速度」または「障壁層の成長速度」と、従来技術における成長速度との相違が不明である。例えば、井戸層の歪が３次元成長モードの範囲に入る歪多重量子井戸構造の成長において、成長速度を高くしなくても、井戸層の膜厚を臨界膜厚に達しない範囲内とすることによって、成長表面不安定性の発生を抑制することは可能であると考えられるが、その場合、結果として成長表面不安定性は発生しないから、井戸層または障壁層の成長速度は「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度よりも高」い範囲のものとなる。 
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１ないし４に係る発明の技術的意義を理解可能な程度に記載されていない。  
〈中略〉 　  
（７）発明の詳細な説明の［００３０］段落には、「表面に凹凸がある井戸層の上に障壁層が成長する場合、井戸層の凹凸を埋め戻して平坦になる場合と、凹凸の振幅が増加する場合がある。」と記載されており、同［００３３］段落には「本発明の第２の態様は、障壁層４の成長速度を増加させることにより、成長表面不安定性の発生を抑制するものである。実験の結果、成長速度をある値よりも大きくすると、成長表面４ａの不安定性の発生を抑制することが出来ることを見い出した。」と記載されており、さらに、［００４２］ないし［００４８］段落には、請求項２及び４に係る発明に対応する実施例が記載されている。前記記載より、発明の詳細な説明には、「表面に凹凸がある井戸層の上に障壁層が成長する場合」、「障壁層の成長速度を増加させることにより」、「井戸層の凹凸を埋め戻して平坦に」できること、すなわち、成長表面不安定性が発生した井戸層の上に、障壁層を高い成長速度で成長させることにより、井戸層の凹凸を埋め戻して平坦にできることが記載されていると認められる。  
　ところで、障壁層の成長表面不安定性の発生の抑制は、井戸層の表面に発生した凹凸を埋め戻すか否かによるものであるから、井戸層の表面の状態にも依存するものであるが、発明の詳細な説明には、障壁層の成長成長表面不安定性の発生と井戸層の表面の状態との定量的な関係については記載されていない。そのため、発明の詳細な説明の記載からは、請求項２に記載の「成長成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」を特定することができない。  
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、請求項２及び４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されていない。  
 　  
（８）発明の詳細な説明の［００３３］ないし［００４１］段落には、請求項１及び３に係る発明に対応する実施例が記載されており、図５の「ＰＬ強度」の特性から成長表面不安定性の発生を抑制する成長速度の下限、すなわち、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」を求めている。しかし、図５の特性は、実験値である各プロットの間を線で結んで求めた予測であり、各実験値の間のＰＬ強度の値は、実際に「歪多重量子井戸構造」を成長させない限り不明であるから、成長表面不安定性の発生を抑制する成長速度の下限、すなわち「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」は、発明の詳細な説明の記載からは不明である。  
　また、図５及び図６から、プロットＡよりもプロットＣにおいて成長表面不安定性の発生が抑制されることは理解できるとしても、図５は「ＰＬ強度」の特性でしかないから、実際にプロットＡとプロットＣとの間、及びプロットＣとプロットＤとの間における成長表面不安定性の発生がどうなっているかは不明である。したがって、図５の特性から成長表面不安定性の発生を抑制する成長速度の下限、すなわち「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」を求めることはできない。  
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、請求項１及び３に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されていない。  
（通常、実験値から求めた特性に基づき特許を請求しようとする場合、当該実験値を用いて数値範囲を定めることが行われる。その場合、当該実験値が有効であるための各種条件も発明特定事項とすることが必要である。）  
　
（９）発明の詳細な説明の［００４２］ないし［００４８］段落には、請求項２及び４に係る発明に対応する実施例が記載されており、図８の「ＰＬ強度」の特性から成長表面不安定性の発生を抑制する成長速度の下限、すなわち、「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」を求めている。しかし、図８の特性は、実験値である各プロットの間を線で結んで求めた予測であり、各実験値の間のＰＬ強度の値は、実際に「歪多重量子井戸構造」を成長させない限り不明であるから、成長表面不安定性の発生を抑制する成長速度の下限、すなわち「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」は、発明の詳細な説明の記載からは不明である。  
　また、図８及び図９から、プロットＥよりもプロットＦにおいて成長表面不安定性の発生が抑制されることは理解できるとしても、図８は「ＰＬ強度」の特性でしかないから、実際にプロットＥとプロットＦとの間、及びプロットＦよりも成長速度が大きい範囲において成長表面不安定性の発生がどうなっているかは、不明である。したがって、図８の特性から成長表面不安定性の発生を抑制する成長速度の下限、すなわち「成長表面不安定性の発生を抑制せしめる成長速度」を求めることはできない。  
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、請求項２及び４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されていない。  
（通常、実験値から求めた特性に基づき特許を請求しようとする場合、当該実験値を用いて数値範囲を定めることが行われる。その場合、当該実験値が有効であるための各種条件も発明特定事項とすることが必要である。）
〈以下省略〉」
　
３．明細書記載事項と請求人の主張
　請求人は、平成２０年２月１５日付けの手続補正で特許請求の範囲及び明細書の００１４段落及び００１５段落を補正しており、補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４は以下のとおりである。
「【請求項１】
井戸層の歪と膜厚が３次元成長モードの範囲に入るＩｎＰ基板上の歪多重量子井戸構造の成長方法において、前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法であって、前記井戸層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の井戸層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法。
【請求項２】
井戸層の歪と膜厚が３次元成長モードの範囲に入るＩｎＰ基板上の歪多重量子井戸構造の成長方法において、、前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法であって、前記井戸層の表面に凹凸がある場合に、前記障壁層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の障壁層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記障壁層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法。
【請求項３】
前記歪多重量子井戸構造が成長される基板がＩｎＰで形成され、前記井戸層がＩｎＡｓＰで形成されていることを特徴とする請求項１記載の歪多重量子井戸構造の成長方法。
【請求項４】
前記歪多重量子井戸構造が成長される基板がＩｎＰで形成され、前記障壁層がＩｎＧａＡｓＰで形成されていることを特徴とする請求項２記載の歪多重量子井戸構造の成長方法。」
　
　また、請求人は平成２０年２月１５日付けの手続補正書と同日に意見書を提出しており、その主張の概要は、以下のとおりである。
「【意見の内容】
【本願発明が特許されるべき理由】
〈中略〉
（３）本願発明が特許されるべき理由
（３−１）理由１：特許法第３６条第６項第１号について
〔１〕本願の請求項１、２に係る発明における「III族原料の供給量を増加させることにより、」成長速度を制御することは、発明の詳細な説明に記載されたものあります(段落００３６、００４５)。
〔２〕本願の請求項１、２に係る発明における「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」は、発明の詳細な説明に記載されたものあります(段落００３４〜００３５、段落００４３〜００４４)。ＭＯＭＢＥ法やＭＯＶＰＥ法などの「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」がIII族供給律速であるためIII族元素の原料ガス供給量の増減により成長速度を増減できることは出願時に当業者に一般的に知られている技術であり、出願時の技術常識であります。（ＭＯＭＢＥについて参考文献１、ＭＯＶＰＥについて参考文献２）。本願発明が「III族原料の供給量を増加させることにより、井戸層又は障壁層の成長速度を所定の成長速度よりも高く」することを特徴とすることを考慮して、出願時の技術常識を参酌すれば、発明の詳細な説明に開示された内容をＭＯＭＢＥ法以外の方法であっても「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」である請求項に係る発明の範囲に一般化することができます。したがって、本願の請求項１、２に係る発明における「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」は、発明の詳細な説明に記載されたものあります。
　以上のように、本願の請求項１、２に係る発明は発明の詳細な説明に記載されており特許法第３６条第６項第１号を満たすものであります。
　 
（３−２）理由２：特許法第３６条第６項第２号について
〔１〕本願の請求項１、２に係る発明は、欠陥の形成を抑制する成長速度が「ＰＬ強度の井戸層（または障壁層）の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層（または障壁層）の成長速度よりも高」いものであるので明確であります。〔２〕本願の請求項１、２に係る発明は、「井戸層の歪と膜厚が３次元成長モードの範囲に入る」成長方法において「井戸層（または障壁層）の成長速度」の範囲が「ＰＬ強度の井戸層（または障壁層）の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層（または障壁層）の成長速度よりも高」いものであるので明確であります。〔３〕本願の請求項２及び４に係る発明は、「前記井戸層の表面に凹凸がある場合」の障壁層の成長に関するものであるので明確であります。
　以上のように、本願の請求項１、２に係る発明は明確であり、特許法第３６条第６項第２号を満たすものであります。
　
（３−３）理由３：特許法第３６条第４項について
〔１〕本願の発明の詳細な説明は、「III族原料の供給量を増加させることにより、」成長速度を制御することで成長表面不安定性の発生を抑制することが記載されているので、本願の請求項１ないし４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されています。
〔２〕本願の発明の詳細な説明は、「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」を用いることが記載されています。これらの原料を用いればＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ等の材料が成長できることは出願時に当業者に一般的に知られている技術であり、出願時の技術常識であります。また、この成長方法に属するＭＯＭＢＥ、ＭＯＶＰＥ等における成長条件を調整して成長速度を決定することは出願時に当業者に一般的に知られている技術であり、出願時の技術常識であります。したがって、実施例に具体的な記載がなくても当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づいて本願発明を実施できるように本願発明を説明でき、本願の請求項１ないし４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されています。
〔３〕ＭＯＭＢＥ法やＭＯＶＰＥ法などの「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」がIII族供給律速であるためIII族元素の原料ガス供給量の増減により成長速度を増減できることは出願時に当業者に一般的に知られている技術であり、出願時の技術常識であります。（ＭＯＭＢＥについて参考文献１、ＭＯＶＰＥについて参考文献２）。本願発明が「III族原料の供給量を増加させることにより、」井戸層又は障壁層の成長速度を所定の成長速度よりも高くすることが特徴であることを考慮すれば、ＭＯＭＢＥ法以外の方法であっても「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」であれば、実施例に具体的な記載がなくても当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づいて本願発明を実施できるように本願発明を説明できます。したがって、本願の請求項１ないし４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されています。
〔４〕本願の発明の詳細な説明は、欠陥の形成を抑制する成長速度が「ＰＬ強度の井戸層（または障壁層）の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層（または障壁層）の成長速度よりも高」いものであることが記載されているので、当業者が本願の請求項１ないし４に係る発明の技術的意義を理解可能な程度に記載されています。
〈中略〉
〔７〕本願の発明の詳細な説明は、「前記井戸層の表面に凹凸がある場合」の障壁層の成長に関して記載されているので、本願の請求項２及び４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されています。
〔８〕本願の発明の詳細な説明は、欠陥の形成を抑制する成長速度が「ＰＬ強度の井戸層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる井戸層の成長速度よりも高」いものであることが記載されているので、本願の請求項１及び３に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されています。
〔９〕本願の発明の詳細な説明は、「ＰＬ強度の障壁層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる障壁層の成長速度よりも高」いものであることが記載されているので、本願の請求項２及び４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されています。
　以上のように、本願の発明の詳細な説明は本願の請求項１ないし４に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されているので、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たすものであります。
〈以下省略〉」
　
４．当審の判断 
４−１．特許法第３６条第６項第１号に規定する要件について 
（１）請求項１に係る発明について 
（ア）請求項１には「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用い・・・る成長方法であって、前記井戸層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、・・・高くし、欠陥の形成を抑制する」と記載されており、請求項１に係る発明は、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方のIII族原料の供給量を増加させることにより、井戸層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制するものである。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００３６段落に「井戸層８の成長速度は、ＴＭＩの供給量で制御した。」と記載されているのみであるとともに、他の段落には、歪多重量子井戸構造の欠陥と原料ガスとの関係について何ら記載されておらず、また、トリエチルガリウムの供給量を増加させることにより、井戸層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制することについても何ら記載されていない。そして、III族供給律速である成長方法においてIII族原料の供給量を増加させることにより成長速度を高くできることが技術常識だとしても、トリエチルガリウムの供給量を増加させることにより、欠陥の形成を抑制できることまでが技術常識であるとはいえない。よって、トリエチルガリウムの供給量を増加させることにより、井戸層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制する請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（イ）請求項１には「前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法であって、前記井戸層の成長速度を、・・・高くし、欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法」と記載されており、請求項１に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、井戸層の成長速度を高くし、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させるものである。 
　ここで、請求項１に記載の成長方法は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いるものであるから、当該成長方法により成長する層は、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層に限られる。しかし、発明の詳細な説明の００３３段落ないし００４８段落には、ＩｎＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓＰからなる歪多重量子井戸構造、及び、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓからなる歪多重量子井戸構造を成長させる成長方法が記載されているのみであり、また、００２６段落及び００２７段落には、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＳｉＧｅ／Ｓｉ系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ系におけるＭＤモードと３Ｄモードの存在を示唆する記載があるものの、井戸層及び障壁層がＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層である歪多重量子井戸構造を成長させること、及び、井戸層の成長速度を高くすることにより欠陥の形成を抑制することは、発明の詳細な説明には記載も示唆もされていない。よって、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、井戸層の成長速度を高くすることにより、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させる請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
（ウ）請求項１には、成長方法について、如何なる方法を用いるか特定されておらず任意である。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００３３段落ないし００４８段落にＭＯＭＢＥ法を用いて欠陥の発生が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させる実施例が記載されているのみであり、有機金属気相エピタキシー法または他のエピタキシー法を用いた歪多重量子井戸構造の成長においても欠陥の発生を抑制できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていないから、成長方法がＭＯＭＢＥ法に特定されない請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
　また、原料としてトリメチルインジウム、トリエチルガリウム、フォスフィン、アルシンを用いる成長方法に、ＭＯＭＢＥ法の他にＡＬＥ法（原子層エピタキシー法）があるが、発明の詳細な説明には、ＡＬＥ法のように原料を交互に供給するものについても、「III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の井戸層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制」できることは記載されておらず、自明でもないから、ＡＬＥ法による成長方法を含む請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。  
（エ）前記４−１．（１）（ア）ないし（ウ）において検討したとおりであるから、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。 
　 
（２）請求項２に係る発明について 
（ア）請求項２には「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用い・・・る成長方法であって、・・・前記障壁層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、・・・高くし、欠陥の形成を抑制する」と記載されており、請求項２に係る発明は、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方のIII族原料の供給量を増加させることにより、障壁層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制するものである。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００４５段落に「障壁層１７の成長速度は、ＴＭＩとＴＥＧの供給量で制御した。」と記載されているのみであるとともに、他の段落には、歪多重量子井戸構造の欠陥と原料ガスとの関係について何ら記載されておらず、また、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムの一方の供給量を増加させることにより、障壁層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制することについては記載も示唆もされていない。そして、III族供給律速である成長方法においてIII族原料の供給量を増加させることにより成長速度を高くできることが技術常識だとしても、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方の供給量を増加させることにより、欠陥の形成を抑制できることまでが技術常識であるとはいえない。よって、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方のIII族原料の供給量を増加させることにより、障壁層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制する請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（イ）請求項２には「前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法であって、・・・前記障壁層の成長速度を、・・・高くし、欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法」と記載されており、請求項２に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、障壁層の成長速度を高くし、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させるものである。
　ここで、請求項２に記載の成長方法は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いるものであるから、当該成長方法により成長する層は、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層に限られる。しかし、発明の詳細な説明の００３３段落ないし００４８段落には、ＩｎＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓＰからなる歪多重量子井戸構造、及び、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓからなる歪多重量子井戸構造を成長させる成長方法が記載されているのみであり、また、００２６段落及び００２７段落には、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＳｉＧｅ／Ｓｉ系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ系におけるＭＤモードと３Ｄモードの存在を示唆する記載があるものの、井戸層及び障壁層がＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰまたはａＡｓから選択される材料からなる層である歪多重量子井戸構造を成長させること、及び、障壁層の成長速度を高くすることにより欠陥の形成を抑制することは、発明の詳細な説明には記載も示唆もされていない。よって、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、障壁層の成長速度を高くすることにより、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を形成する請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（ウ）請求項２には、成長方法について、如何なる方法を用いるか特定されておらず任意である。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００３３段落ないし００４８段落にＭＯＭＢＥ法を用いて欠陥の発生が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させる実施例が記載されているのみであり、有機金属気相エピタキシー法または他のエピタキシー法を用いた歪多重量子井戸構造の成長においても欠陥の発生を抑制できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていないから、成長方法がＭＯＭＢＥ法に特定されない請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
　また、原料としてトリメチルインジウム、トリエチルガリウム、フォスフィン、アルシンを用いる成長方法に、ＭＯＭＢＥ法の他にＡＬＥ法（原子層エピタキシー法）があるが、発明の詳細な説明には、ＡＬＥ法のように原料を交互に供給するものについても、「III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の障壁層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記障壁層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制」できることは記載されておらず、自明でもないから、ＡＬＥ法による成長方法を含む請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（エ）請求項２には「前記井戸層の表面に凹凸がある場合に、前記障壁層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の障壁層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記障壁層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制する」と記載されており、請求項２に係る発明は、井戸層の表面に凹凸がある場合に、欠陥の形成を抑制するものである。そして、発明の詳細な説明の００２８段落には、井戸層の凹凸と欠陥との関係について、井戸層の表面に発生した凹凸の振幅は、井戸層と障壁層を積層する毎に大きくなり、やがてミスフィット転位以外の欠陥を発生させる旨記載されており、００３０段落ないし００３２段落には、請求項２に係る発明の説明として、障壁層が井戸層の凹凸を埋め戻して平坦になる旨記載されている。 
　しかし、発明の詳細な説明の００４２段落ないし００４８段落に記載の請求項２に係る発明の実施例には、凹凸がある表面を有する井戸層の上に平坦な表面を有する障壁層を成長させることは記載されておらず、また、図９を参照しても、平坦な表面を有する障壁層は、平坦な表面を有する井戸層の上に形成されているのみであり、発明の詳細な説明には、凹凸がある表面を有する井戸層の上に、平坦な表面を有する障壁層を形成することが示されていない。よって、発明の詳細な説明には、井戸層の表面に凹凸がある場合に、欠陥を抑制する請求項２に係る発明は記載されていない。 
（オ）前記４−１．（２）（ア）ないし（エ）において検討したとおりであるから、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。 
　 
（３）請求項３に係る発明について 
（ア）請求項３は請求項１を引用し、基板がＩｎＰで形成され、井戸層がＩｎＡｓＰで形成されることを特定するものであり、請求項３に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、基板がＩｎＰで形成され、井戸層がＩｎＡｓＰで形成されるものである。 
　しかし、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法によりＩｎＡｓＰを成長させる成長方法は、発明の詳細な説明には記載されていない。よって、請求項３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（イ）前記４−１．（１）（ア）及び（ウ）において検討した理由と同様の理由により、請求項３に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（ウ）前記４−１．（３）（ア）及び（イ）において検討したとおりであるから、請求項３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。 
　 
（４）請求項４に係る発明について 
（ア）請求項４は請求項２を引用し、基板がＩｎＰで形成され、障壁層がＩｎＧａＡｓＰで形成されることを特定するものであり、請求項４に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、基板がＩｎＰで形成され、障壁層がＩｎＧａＡｓＰで形成されているものである。 
　しかし、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法によりＩｎＧａＡｓＰを成長させる成長方法は、発明の詳細な説明には記載されていない。よって、請求項４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（イ）前記４−１．（２）（ア）、（ウ）及び（エ）において検討した理由と同様の理由により、請求項４に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
（ウ）前記４−１．（４）（ア）及び（イ）において検討したとおりであるから、請求項４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。 
　 
（５）小むすび
　したがって、前記４−１．（１）ないし（４）において検討したとおり、請求項１ないし４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本願は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさず、特許を受けることができるものではない。
　 
４−２．特許法第３６条第６項第２号に規定する要件について 
（１）請求項１に係る発明について 
（ア）請求項１には「井戸層の歪と膜厚が３次元成長モードの範囲に入るＩｎＰ基板上の歪多重量子井戸構造の成長方法において、・・・欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法。」と記載されている。ここで、発明の詳細な説明の００２４段落及び００２５段落に記載の「・・・膜厚が増加し、凹凸の振幅が大きくなると、凸部２ｂでは、弾性的な歪の緩和が起こり、凹部２ｃでは、応力の集中が起こる・・・以上説明した歪緩和の２つの過程を本明細書では、便宜的に、前者（２次元的な成長の場合）をミスフィット転位モード（以下、ＭＤモードと略記する）、後者（３次元的な成長の場合）を３次元成長モード（以下、３Ｄモードと略記する）と名付け、以下、説明する。」との記載を考慮すれば、請求項１に記載の「３次元成長モードの範囲に入る」とは、３次元成長により凹凸の振幅が大きくなる状態になることを意味すると解される。また、発明の詳細な説明の００２１段落及び００２２段落の「井戸層の歪を大きくして行くと、ある値より大きな歪では、井戸層の成長態様が、２次元的な成長から３次元的な成長に変化する・・・３次元的な成長では、成長を始めてからの数原子層は１原子層毎の成長が起るが、その後、成長表面が不安定になる。　【００２２】そのため、成長表面に凹凸が生じる。すなわち、膜厚がある臨界値を越えると、成長界面の不安定性が発生する。」との記載を考慮すれば、請求項１に記載の「井戸層の歪と膜厚が３次元成長モードの範囲に入る」とは、井戸層の歪と膜厚が臨界値よりも大きくなることにより、井戸層の表面の凹凸の振幅が大きくなることを意味すると解される。一方、請求項１には「欠陥の形成を抑制することを特徴とする」とも記載されているから、結局、請求項１に係る発明は、井戸層の表面の凹凸の振幅が大きくなる状態で、欠陥の形成を抑制するものである。 
　しかし、発明の詳細な説明の００４１段落には、請求項１に係る発明の実施例として「井戸層８とその上に成長した障壁層９との界面は平坦であり、（１１１面）に沿う欠陥は見られなかった。井戸層８の成長において表面に凹凸が発生しなかったため、井戸層８とその上に成長した障壁層９との界面が平坦になったものと考えられる。」と記載されており、井戸層の成長速度を高くすることにより欠陥の形成が抑制されるためには、井戸層の表面の凹凸の発生が抑制されることが必要であることは明らかである。よって、請求項１の「井戸層の歪と膜厚が３次元成長モードの範囲に入るＩｎＰ基板上の歪多重量子井戸構造の成長方法において、・・・欠陥の形成を抑制する」との記載は矛盾するため、請求項１に係る発明は明確でない。 
（イ）請求項１には「ＩｎＰ基板上の歪多重量子井戸構造の成長方法において、前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」と記載され、請求項１に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法によりＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる歪多重量子井戸構造をＩｎＰ基板上に成長させる方法と解されるが、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓからどの材料を選択してＩｎＰ基板上に成長すれば歪多重量子井戸構造が形成できるのか、また、その場合に欠陥の発生を抑制することができるのかは、発明の詳細な説明を参酌しても不明である。よって、請求項１に係る発明は明確でない。 
（ウ）請求項１には、「前記井戸層の成長速度を、・・・高くし、欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法。」と記載されており、また、発明の詳細な説明の００２９段落には「井戸層の成長速度を増加させることにより、成長表面不安定性の発生を抑制するものである。すなわち、成長表面に凹凸が発生する臨界膜厚を大きくすることである。実験の結果、成長速度をある値よりも大きくすると成長表面不安定性の発生を抑制することが出来、凹凸が発生する臨界膜厚を大きくすることが出来ることを見い出した。」と記載されている。上記記載によれば、凹凸が発生する臨界膜厚は成長速度により変化し、成長速度が高くなると臨界膜厚も大きくなり、逆に、成長速度が低くなると臨界膜厚も小さくなる関係があり、請求項１に係る発明は、凹凸が発生する臨界膜厚を大きくするものと解される。
　ところで、発明の詳細な説明の００２３段落及び００２４段落には「図１に歪単層膜における歪緩和機構を模式的に示した。基板１の上に歪をもつ井戸層２が成長する場合、初めの内は、図１（ａ）に示す様に、平坦な成長表面２ａを保ちながら成長する。・・・３次元的な成長の場合には、図１（ｃ）に示す様に、膜厚が増加しある臨界値（３次元成長の臨界膜厚）を越えると、成長表面２ａに凹凸が発生する。膜厚が増加し、凹凸の振幅が大きくなると、凸部２ｂでは、弾性的な歪の緩和が起こり、凹部２ｃでは、応力の集中が起こる。そのため、図１（ｄ）に示す様に、凹部２ｃに欠陥が発生する。」と記載されており、歪が大きくても、膜厚が臨界値を超えなければ３次元成長すなわち凹凸が発生せず、欠陥も発生しないことが、従来技術としてあげられている。他方、前記発明の詳細な説明の００２９段落の記載によれば、成長速度が低くなると臨界膜厚も小さくなり、井戸層の膜厚は一定でも３次元成長すなわち凹凸が発生するのであるから、発明の詳細な説明に従来技術として記載された、３次元成長すなわち凹凸が発生しない、膜厚が臨界膜厚よりも小さい井戸層も、３次元成長すなわち凹凸が発生する成長速度よりも高い成長速度で成長されたものであると認められる。よって、発明の詳細な説明で従来技術としてあげられた、３次元成長すなわち凹凸が発生しない薄い膜厚で井戸層が成長された歪多重量子井戸構造の成長方法も、請求項１に係る発明に該当するから、請求項１に係る発明は、従来技術との差異が不明であり、結果として、発明が明確でない。 
（エ）前記４−２．（１）（ア）ないし（ウ）において検討したとおりであるから、請求項１に係る発明は明確ではなく、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさない。 
　 
（２）請求項２に係る発明について 
　請求項２には「ＩｎＰ基板上の歪多重量子井戸構造の成長方法において、、前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法」と記載され、請求項２に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法によりＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる歪多重量子井戸構造をＩｎＰ基板上に成長させる方法と解されるが、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓからどの材料を選択してＩｎＰ基板上に成長すれば歪多重量子井戸構造が形成できるのか、また、その場合に欠陥の発生を抑制することができるのかは、発明の詳細な説明を参酌しても不明である。 
　したがって、請求項２に係る発明は明確ではなく、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさない。 
　 
（３）請求項３に係る発明について 
（ア）請求項３は請求項１を引用し、基板がＩｎＰで形成され、井戸層がＩｎＡｓＰで形成されることを特定するものであり、請求項３に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、基板がＩｎＰで形成され、井戸層がＩｎＡｓＰで形成されるものである。 
　しかし、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法によっては、ＩｎＡｓＰが成長できないから、請求項１を引用する請求項３の記載は矛盾する。よって、請求項３に係る発明は明確ではない。 
（イ）上記４−２．（１）（ア）及び（ウ）において検討した理由と同様の理由により、請求項３に係る発明は明確ではない。 
（ウ）前記４−２．（３）（ア）及び（イ）において検討したとおりであるから、請求項３に係る発明は明確ではなく、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさない。 
　 
（４）請求項４に係る発明について 
　上記４−２．（２）において検討した理由と同様の理由により、請求項４に係る発明は明確ではなく、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさない。 
　 
（５）小むすび
　したがって、前記４−２．（１）ないし（４）において検討したとおり、請求項１ないし４に係る発明は明確ではないから、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさず、特許を受けることができるものではない。 
　 
４−３．特許法第３６条第４項に規定する要件について 
（１）請求項１に係る発明について 
（ア）請求項１には「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用い・・・る成長方法であって、前記井戸層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、・・・高くし、欠陥の形成を抑制する」と記載されており、請求項１に係る発明は、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方のIII族原料の供給量を増加させることにより、井戸層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制するものである。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００３６段落に「井戸層８の成長速度は、ＴＭＩの供給量で制御した。」と記載されているのみであるとともに、他の段落には、歪多重量子井戸構造の欠陥と原料ガスとの関係について何ら記載されておらず、また、トリエチルガリウムの供給量を増加させることにより、井戸層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制することについては記載も示唆もされていない。そして、III族供給律速である成長方法においてIII族原料の供給量を増加させることにより成長速度を高くできることが技術常識だとしても、トリエチルガリウムの供給量を増加させることにより、欠陥の形成を抑制できることまでが技術常識であるとはいえない。よって、発明の詳細な説明は、トリエチルガリウムの供給量を増加させることにより、井戸層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制できることの理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
（イ）請求項１には「前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法であって、前記井戸層の成長速度を、・・・高くし、欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法」と記載されており、請求項１に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、井戸層の成長速度を高くし、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させるものである。
　ここで、請求項１に記載の成長方法は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いるものであるから、当該成長方法により成長する層は、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層に限られる。しかし、発明の詳細な説明の００３３段落ないし００４８段落には、ＩｎＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓＰからなる歪多重量子井戸構造、及び、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓからなる歪多重量子井戸構造を成長させる成長方法が記載されているのみであり、また、００２６段落及び００２７段落には、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＳｉＧｅ／Ｓｉ系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ系におけるＭＤモードと３Ｄモードの存在を示唆する記載があるものの、井戸層及び障壁層がＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる歪多重量子井戸構造をどのように成長させるか、さらに、井戸層の成長速度を高くすることにより欠陥の形成を抑制できるかについては、発明の詳細な説明には記載も示唆もされていない。よって、発明の詳細な説明には、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用い、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
（ウ）請求項１には、成長方法について、如何なる方法を用いるか特定されておらず任意である。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００３３段落ないし００４８段落にＭＯＭＢＥ法を用いて欠陥の発生が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させる実施例が記載されているのみであり、有機金属気相エピタキシー法または他のエピタキシー法を用いた歪多重量子井戸構造の成長においても欠陥の発生を抑制できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
　また、原料としてトリメチルインジウム、トリエチルガリウム、フォスフィン、アルシンを用いる成長方法に、ＭＯＭＢＥ法の他にＡＬＥ法（原子層エピタキシ法ー）があるが、発明の詳細な説明には、ＡＬＥ法のように原料を交互に供給するものについても、「III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の井戸層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制」できることの理論的、実験的な根拠は記載されていない。  
（エ）前記４−３．（１）（ア）ないし（ウ）において検討したとおりであるから、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、請求項１に係る発明を、請求項１に係る発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されておらず、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない。 
　 
（２）請求項２に係る発明について 
（ア）請求項２には「III族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用い・・・る成長方法であって、・・・前記障壁層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、・・・高くし、欠陥の形成を抑制する」と記載されており、請求項２に係る発明は、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方のIII族原料の供給量を増加させることにより、障壁層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制するものである。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００４５段落に「障壁層１７の成長速度は、ＴＭＩとＴＥＧの供給量で制御した。」と記載されているのみであるとともに、他の段落には、歪多重量子井戸構造の欠陥と原料ガスとの関係について何ら記載されておらず、また、III族供給律速である成長方法においてIII族原料の供給量を増加させることにより成長速度を高くできることが技術常識だとしても、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方の供給量を増加させることにより、欠陥の形成を抑制できることまでが技術常識であるとはいえない。よって、発明の詳細な説明は、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムの一方の供給量を増加させることにより、障壁層の成長速度を高くするとともに、欠陥の形成を抑制できることの、理論的、実験的根拠は記載されていない。 
（イ）請求項２には「前記歪多重量子井戸構造の成長方法がIII族原料にトリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムを用いＶ族原料にフォスフィンまたはアルシンを用いる成長方法であって、・・・前記障壁層の成長速度を、・・・高くし、・・・欠陥の形成を抑制することを特徴とする歪多重量子井戸構造の成長方法」と記載されており、請求項２に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、障壁層の成長速度を高くし、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させる成長方法である。
　ここで、請求項２に記載の成長方法は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いるものであるから、当該成長方法により成長する層は、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層に限られる。しかし、発明の詳細な説明の００３３段落ないし００４８段落には、ＩｎＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓＰからなる歪多重量子井戸構造、及び、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡｓからなる歪多重量子井戸構造を成長させる成長方法が記載されているのみであり、また、００２６段落及び００２７段落には、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＳｉＧｅ／Ｓｉ系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ系におけるＭＤモードと３Ｄモードの存在を示唆する記載があるものの、井戸層及び障壁層がＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる歪多重量子井戸構造をどのように成長させるか、さらに、障壁層の成長速度を高くすることにより欠陥の形成を抑制できるかについては、発明の詳細な説明には記載も示唆もされていない。よって、発明の詳細な説明には、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用い、障壁層の成長速度を高くし、欠陥の形成が抑制された歪多重量子井戸構造を成長できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
（ウ）請求項２には、成長方法について、如何なる方法を用いるか特定されておらず任意である。 
　しかし、発明の詳細な説明には、００３３段落ないし００４８段落にＭＯＭＢＥ法を用いて欠陥の発生が抑制された歪多重量子井戸構造を成長させる実施例が記載されているのみであり、有機金属気相エピタキシー法または他のエピタキシー法を用いた歪多重量子井戸構造の成長においても欠陥の発生を抑制できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
　また、原料としてトリメチルインジウム、トリエチルガリウム、フォスフィン、アルシンを用いる成長方法に、ＭＯＭＢＥ法の他にＡＬＥ法（原子層エピタキシ法ー）があるが、発明の詳細な説明には、ＡＬＥ法のように原料を交互に供給するものについても、「III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の井戸層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記井戸層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制」できることの理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
（エ）請求項２には「前記井戸層の表面に凹凸がある場合に、前記障壁層の成長速度を、III族原料の供給量を増加させることにより、ＰＬ強度の障壁層の成長速度依存性においてＰＬ強度が増加した後に一定の値となる前記障壁層の成長速度よりも高くし、欠陥の形成を抑制する」と記載されており、請求項２に係る発明は、井戸層の表面に凹凸がある場合に、欠陥の形成を抑制するものである。そして、発明の詳細な説明の００２８段落には、井戸層の凹凸と欠陥との関係について、井戸層の表面に発生した凹凸の振幅は、井戸層と障壁層を積層する毎に大きくなり、やがてミスフィット転位以外の欠陥を発生させる旨記載されており、００３０段落ないし００３２段落には、請求項２に係る発明の説明として、障壁層が井戸層の凹凸を埋め戻して平坦になる旨記載されている。 
　しかし、発明の詳細な説明の００４２段落ないし００４８段落に記載の実施例には、凹凸がある表面を有する井戸層の上に平坦な表面を有する障壁層を成長させることは記載されておらず、また、図９を参照しても、平坦な表面を有する障壁層は、平坦な表面を有する井戸層の上に形成されているのみであり、凹凸がある表面を有する井戸層の上に、平坦な表面を有する障壁層を形成することは示されていない。よって、発明の詳細な説明には、井戸層の表面に凹凸がある場合に、欠陥を抑制できることについて、理論的、実験的な根拠は記載されていない。 
（オ）前記４−３．（２）（ア）ないし（エ）において検討したとおりであるから、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、請求項２に係る発明を、請求項２に係る発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されておらず、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない。 
　 
（３）請求項３に係る発明について 
（ア）請求項３は請求項１を引用し、基板がＩｎＰで形成され、井戸層がＩｎＡｓＰで形成されることを特定するものであり、請求項３に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、基板がＩｎＰで形成され、井戸層がＩｎＡｓＰで形成されるものである。 
　しかし、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法により成長される層は、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層に限られ、ＩｎＡｓＰからなる層は成長できない。 
（イ）前記４−３．（１）（ア）及び（ウ）において検討した理由と同様の理由により、発明の詳細な説明は、請求項３に係る発明により所期の所期の課題を解決できることについて、理論的、実験的な根拠が記載されていない。 
（ウ）前記４−３．（３）（ア）及び（イ）において検討したとおりであるから、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、請求項３に係る発明を、請求項３に係る発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されておらず、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない。 
　 
（４）請求項４に係る発明について 
（ア）請求項４は請求項２を引用し、基板がＩｎＰで形成され、障壁層がＩｎＧａＡｓＰで形成されることを特定するものであり、請求項４に係る発明は、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法であって、基板がＩｎＰで形成され、障壁層がＩｎＧａＡｓＰで形成されるものである。 
　しかし、原料として、トリメチルインジウムまたはトリエチルガリウムのいずれか一方と、フォスフィンまたはアルシンのいずれか一方とを組み合わせて用いる成長方法により成長される層は、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ及びＧａＡｓから選択される材料からなる層に限られ、ＩｎＡｓＰからなる層は成長できない。 
（イ）前記４−３．（２）（ア）、（ウ）及び（エ）において検討した理由と同様の理由により、発明の詳細な説明は、請求項４に係る発明により所期の所期の課題を解決できることについて、理論的、実験的な根拠が記載されていない。 
（ウ）前記４−３．（４）（ア）及び（イ）において検討したとおりであるから、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、請求項４に係る発明を、請求項４に係る発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されておらず、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない。 
　 
（５）小むすび
　したがって、前記４−３．（１）ないし（４）において検討したとおり、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、請求項１ないし４に係る発明を、請求項１ないし４に係る発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されておらず、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない。 
　 
５．むすび 
　よって、以上のとおり、本願は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号並びに同法第３６条第４項に規定する要件を満たさないものであるから、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。