【事件の表示】
　平成　６年特許願第１４２３７８号「データ記憶ディスク用データ検索装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　１月１７日出願公開、特開平　７−　１４２４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年６月１日（パリ条約による優先権主張１９９３年６月２日、米国）の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１８年７月３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項２に記載された発明（以下「本願発明という。」）は次のとおりである。
　「【請求項２】　磁気光学媒体上に記憶されたデータを差分検出する方法であって、
　光ビームが前記媒体上の所定の位置に集束され、前記媒体の前記所定の位置から反射された光を受光するステップであって、前記光は、第１および第２の平面に含まれる偏光成分を有する、ステップと、
　前記反射された光によって表されるデータを検出するステップであって、前記検出は、第１の検出器手段によって、前記反射された光からの第１の偏光状態の光を受光し、第２の偏光状態の光を反射し、前記第１の偏光状態の前記受光された光を第１の電子信号に変換し、前記第１の検出器手段によって反射された前記第２の偏光状態の光を第２の検出器手段によって直接受光して、前記第２の偏光状態の光を第２の電子信号に変換するステップと
　を備えて成り、前記第１の検出器手段と前記第２の検出器手段とは同一平面にはなく、前記第１の検出器手段は、前記媒体から反射された光に対し７０度の入射角に配置され、前記第２の検出器手段は、前記第１の検出器手段から反射された光の経路に直交するように配置されている、方法。」
　
第２　特許法２９条の２について
１　先願明細書
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前の他の出願であって、優先権主張日後に出願公開された、特願平４−８９５４２号（特開平５−２５８３８６号公報参照）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、「光ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
光磁気ディスク装置などに設けられ、記録媒体からの戻り光の直交成分をそれぞれ検出することにより情報を再生する光ヘッド
　（イ）「【００１２】
【作用】上記手段では、
発光部材から発光された光は
対物レンズにより記録媒体に集光される
記録媒体の記録面によりカー回転角の偏光を与えられた戻り光は、対物レンズを経て戻り、第１の偏光層
通過し、
波長偏光層に
第２の偏光層により一方の直交成分が取出され第１の受光部材により受光される
第２の偏光層では他方の直交成分が反射され、これが第２の受光部材により受光される
この第１の受光部材による受光出力強度と第２の受光部材による受光出力強度との差を取ることにより、カー回転角の方向が検出され、ＭＯ信号が再生される
　（ウ）「【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例を図面により説明する。図１は本発明による光ヘッドの第１実施例を示す部品構成図、図２（ａ）ないし（ｇ）は図１における各光経路の偏光状態をＰ波成分とＳ波成分との直交座標で示す説明図である。（略）
【００１５】光ヘッド内には板状光学素子１０が設けられている。（略）
発光部材である半導体レーザ１４
【００１６】（略）この反射ならびに透過比率は、
半導体レーザ１４から発せられる光ビーム
【００１７】ガラス基板１１の裏面には、第２の偏光層１６が設けられている。この偏光層１６はガラス基板１１に蒸着された膜状あるいは接着された板状のものである。
この第２の偏光層１６は、戻り光の入射角と層の設計条件に基づき、Ｐ波成分に対する反射光量Ｒｐが小さく、Ｓ波成分に対する反射光量Ｒｓが大きく、またＳ波成分に対する透過光量Ｔｐが大きく、Ｓ波成分に対する透過光量Ｔｓが小さくなるように設定されている
【００１８】前記第２の偏光層１６の裏面には第１の受光部材１７が密着して設けられている。（略）
【００１９】
第１の受光部材１７と第２の受光部材１８の受光光量に基づく検出電流は、
　（エ）「【００２９】図５は本発明の第３実施例を示している。図５に示す第３実施例では、
ガラス基板１１の端面１１ａが斜めに傾斜して形成され
裏面には
第２の偏光層１６を介して第１の受光部材１７が設けられ
前記端面１１ａに、反射防止膜２５を介して第２の受光部材１８が密着して設けられ
【００３０】図６は、図５に示す光ヘッドにおける各光経路（ａ）ないし（ｅ）における偏光状態を示している。図５と図６を対比して説明すると、（ａ）で示すようにカー回転角θｋの偏光が与えられた光は、第１の偏光層１２を透過することにより、（ｂ）で示すように偏波面の回転角度がθｋ１に強調され、１／２波長層１３を透過することにより偏光面が４５度回転させられる（（ｃ）参照）。
第２の偏光層１６では透過率の高いＰ波成分のほとんどが透過して第１の受光部材１７により受光される
【００３１】
第２の偏光層１６では図６（ｅ）に示すＳ波成分Ｓｄ
１
のほとんどが反射され、これが反射防止膜２５を透過してそのまま第２の受光部材１８により受光される
第１の受光部材１７と第２の受光部材１８とでは、戻り光の異なる直交成分が受光されることになる
　（オ）第３実施例を示す部品構成図である図５には、ガラス基板１１の傾斜した端面１１ａに設けられている第２の受光部材１８が第２の偏光層１６で反射された光の経路にほぼ直交している配置が、図示されている。
　
２　対比判断
（１）対比
　本願発明と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書には、上記１に摘示した記載事項（特に上記（ア）（イ）（ウ）（エ）（オ）下線部参照）によれば、
　「光磁気ディスク装置に設けられた光ヘッドによって、記録媒体からの戻り光の直交成分をそれぞれ検出することにより情報を再生する方法であって、
　半導体レーザ等の発光部材から発光された光は、対物レンズにより記録媒体に集光され、記録媒体の記録面によりカー回転角の偏光を与えられた戻り光は、対物レンズを経て戻り、第１の偏光層と波長偏光層を通過し、第２の偏光層により一方の直交成分が取出されて第１の受光部材により受光され、第２の偏光層では他方の直交成分が反射され、これが第２の受光部材により受光され、
　第１の受光部材による受光出力強度と第２の受光部材による受光出力強度との差を取ることにより、カー回転角の方向が検出され、ＭＯ信号が再生され、
　ガラス基板の裏面に第２の偏光層を介して第１の受光部材が設けられ、ガラス基板の端面が斜めに傾斜して形成され、この端面に、反射防止膜を介して第２の受光部材が密着して設けられ、
　第１の受光部材と第２の受光部材とでは、戻り光の異なる直交成分が受光されることになり、
　ガラス基板の傾斜した端面に設けられている第２の受光部材が、第２の偏光層で反射された光の経路にほぼ直交して配置されている、方法。」
　の発明が記載されている。
　
　先願明細書に記載された発明の「光磁気ディスク装置の記録媒体」「情報」「半導体レーザ等の発光部材から発光された光」は、それぞれ本願発明の「磁気光学媒体」「データ」「光ビーム」に相当している。
　先願明細書に記載された発明は、「光磁気ディスク装置に設けられた光ヘッドによって、記録媒体からの戻り光の直交成分をそれぞれ検出することにより情報を再生する方法」であって、「第１の受光部材による受光出力強度と第２の受光部材による受光出力強度との差を取ることにより、カー回転角の方向が検出され、ＭＯ信号が再生され」る方法であるから、先願明細書に記載された発明は、「磁気光学媒体上に記憶されたデータを差分検出する方法」であるといえる。
　先願明細書に記載された発明は、「記録媒体からの戻り光の直交成分をそれぞれ検出することにより情報を再生する方法であって、半導体レーザ等の発光部材から発光された光は、対物レンズにより記録媒体に集光され、記録媒体の記録面によりカー回転角の偏光を与えられた戻り光は、対物レンズを経て戻り、第１の偏光層と波長偏光層を通過し、第２の偏光層により一方の直交成分が取出されて第１の受光部材により受光され、第２の偏光層では他方の直交成分が反射され、これが第２の受光部材により受光され」るので、本願発明の「光ビームが媒体上の所定の位置に集束され、媒体の前記所定の位置から反射された光を受光するステップであって、光は、第１および第２の平面に含まれる偏光成分を有する、ステップ」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明の「第２の偏光層と第１の受光部材」「第２の受光部材」は、それぞれ本願発明の「第１の検出器手段」「第２の検出器手段」に相当している。
　先願明細書に記載された発明の「一方の直交成分」「他方の直交成分」は、それぞれ本願発明の「第１の偏光状態の光」「第２の偏光状態の光」に相当し、先願明細書に記載された発明は、「第２の偏光層により一方の直交成分が取出されて第１の受光部材により受光され、第２の偏光層では他方の直交成分が反射され、これが第２の受光部材により受光され」るので、本願発明の「検出は、第１の検出器手段によって、反射された光からの第１の偏光状態の光を受光し、第２の偏光状態の光を反射し、」「第１の検出器手段によって反射された第２の偏光状態の光を第２の検出器手段によって直接受光して、」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明の「第１の受光部材による受光出力強度と第２の受光部材による受光出力強度」について、受光光量に基づく検出電流（上記（ウ）段落１９参照）が例示されているから、先願明細書に記載された発明は、本願発明の「第１の検出器手段によって、」「第１の偏光状態の受光された光を第１の電子信号に変換し」、「第２の検出器手段によって直接受光して、」「第２の偏光状態の光を第２の電子信号に変換するステップ」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明では、「ガラス基板の裏面に第２の偏光層を介して第１の受光部材が設けられ、ガラス基板の端面が斜めに傾斜して形成され、この端面に、反射防止膜を介して第２の受光部材が密着して設けられ」ているから、「第１の受光部材」と「第２の受光部材」とが同一平面にはないことが明らかであるので、先願明細書に記載された発明は、本願発明の「第１の検出器手段と第２の検出器手段とは同一平面にはなく」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明は、「ガラス基板の傾斜した端面に設けられている第２の受光部材が、第２の偏光層で反射された光の経路にほぼ直交して配置されている」ので、本願発明の「第２の検出器手段は、第１の検出器手段から反射された光の経路に直交するように配置されている」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明は、「記録媒体の記録面によりカー回転角の偏光を与えられた戻り光は、対物レンズを経て戻り、第１の偏光層と波長偏光層を通過し、第２の偏光層により一方の直交成分が取出されて第１の受光部材により受光され」るので、「第２の偏光層と第１の受光部材」は媒体から反射された光に対して所定の入射角に配置されているといえる。
　
　してみると、本願発明と先願明細書に記載された発明は、
　「磁気光学媒体上に記憶されたデータを差分検出する方法であって、
　光ビームが前記媒体上の所定の位置に集束され、前記媒体の前記所定の位置から反射された光を受光するステップであって、前記光は、第１および第２の平面に含まれる偏光成分を有する、ステップと、
　前記反射された光によって表されるデータを検出するステップであって、前記検出は、第１の検出器手段によって、前記反射された光からの第１の偏光状態の光を受光し、第２の偏光状態の光を反射し、前記第１の偏光状態の前記受光された光を第１の電子信号に変換し、前記第１の検出器手段によって反射された前記第２の偏光状態の光を第２の検出器手段によって直接受光して、前記第２の偏光状態の光を第２の電子信号に変換するステップと
　を備えて成り、前記第１の検出器手段と前記第２の検出器手段とは同一平面にはなく、前記第１の検出器手段は、前記媒体から反射された光に対し所定の入射角に配置され、前記第２の検出器手段は、前記第１の検出器手段から反射された光の経路に直交するように配置されている、方法。」
　である点で一致している。
　ところで、本願発明では、「入射角」について、「７０度」と特定しているのに対し、先願明細書にはそのような特定がされていない。
　
（２）判断　
　（ア）先願明細書には、入射角について、「この第２の偏光層１６は、戻り光の入射角と層の設計条件に基づき、Ｐ波成分に対する反射光量Ｒｐが小さく、Ｓ波成分に対する反射光量Ｒｓが大きく、またＳ波成分に対する透過光量Ｔｐが大きく、Ｓ波成分に対する透過光量Ｔｓが小さくなるように設定されている。」（上記（ウ）段落１７参照）と記載されている。ここで、「また
Ｓ波
Ｐ波
Ｐ波
Ｓ波
　先願明細書に記載された発明において、入射角の具体的値について特段記載がないものの、当該入射角は、上記設定を満足するように設計されているものであり、７０度も実質的に含んでいるといえる。
　（イ）次に、本願発明について検討する。
　本願明細書の発明の詳細な説明の項には、「光検出器３３によるｐ偏光の吸収及びｓ偏光の反射（略）を最適化する光検出器３３（略）の特性について解説する。光検出器３３によるｐ偏光４３の吸収、及び、ｓ偏光の反射を最大にするため、光検出器３３には、保護膜４１がコーティングされている。保護膜４１は、屈折率が約１．１〜３．０の、任意の透明な誘電材料とすることが可能であり、従って、例えば、シリカ、酸化アルミニウム、または、窒化珪素によって、ｓ偏光は反射され、ｐ偏光は吸収される。」（段落２３）、「光検出器３３において、ｐ偏光の吸収及び対応するｓ偏光の反射を最適にする場合、入射光路３８と光検出器３３の法線軸４０との角度θは、保護膜４１の厚さ４５と共に重要である。光検出器３３においてｐ偏光の吸収及びｓ偏光の反射を最大にするためには、角度θは、０゜を超えるか、０゜未満でなければならない。さらに、光検出器３３におけるｐ偏光の吸収及びｓ偏光の反射は、θが７０゜の場合に最大になることが分かった。」（段落２４）、「望ましい実施例の場合、光検出器３３及び３４は、シリコン光検出器である。光検出器３３は、１，８９０オングストロームのシリカ保護膜を有しており、入射角（θ）は、７０゜である。（略）表１から明らかなように、波長λが、８，３１０オングストロームで、角度θが７０゜、保護膜の厚さが１，８９０オングストロームの場合、光検出器３３のｐ偏光を変換する能力が、最大になる。」（段落２６）と記載されている。
　すなわち、これらの記載によれば、入射角は、ｐ偏光の吸収及びｓ偏光の反射を最適にするために、保護膜の厚さと共に重要であり、特に、保護膜が、シリカ保護膜で、入射角が７０度、保護膜の厚さが１，８９０オングストロームの場合、光検出器のｐ偏光を変換する能力が最大になるという作用効果があるということである。本願明細書には、入射角を７０度とすることに基づく作用効果についてそれ以上の記載や示唆がない。
　そうすると、保護膜がシリカ保護膜以外の保護膜（屈折率が異なる）である場合、あるいは保護膜の膜厚が異なる場合については、入射角を７０度に設定したところで、光検出器のｐ偏光を変換する能力が最大になるものではないことが明らかである。７０度という数値は、保護層の種類や厚さが特定の場合に設計的に採用される一例の値にすぎない。また、保護層の種類や厚さの特定されていない本願発明は、入射角を７０度と特定することに基づく作用効果を奏しないというべきである。
　
　なお、Ｐ偏光が透過されＳ偏光が反射される入射角として、７０度前後は周知であり普通に採用されている入射角である。例えば、特開昭６１−１１４２０５号公報（偏光子に関する記載参照）、特開平３−２５２９２８号公報（平板型偏光ビームスプリッタに関する記載参照）、特開平４−３２９５２６号公報（平板偏光ビームスプリッタに関する記載参照）に記載されている。
　
　以上から、先願明細書に記載された発明において、入射角の角度は、Ｓ波成分に対する反射光量Ｒｓが大きく、Ｐ波成分に対する透過光量Ｔｐが大きくなるように、７０度を含む範囲内の所定の値に設計されているものであり、また本願発明において、ｐ偏光の吸収及びｓ偏光の反射を最適にするという作用効果は、入射角を７０度と特定することにより奏する新たな作用効果とはいえない。本願発明は、先願明細書に記載された発明における「入射角」を「７０度」と特定したことにより新たな作用効果を奏するものでないから、課題解決のための具体化手段における微差であるといえ、本願発明は、先願明細書に記載された発明と実質的に同一である。
　
第３　特許法２９条第２項について
１　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平４−１４９８４０号公報（以下「引用例１」という。）には、「光学式情報読取り装置」に関して次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「本発明は、
光磁気等の情報記録媒体の情報を光学的に読み取る
　（イ）「本発明は、上記目的を達成するため光検出手段上に設けたビームスプリッタと、半導体レーザと、該半導体レーザからの放射光を光磁気記録媒体上に結像する対物レンズと、少なくとも偏光膜を施した面を２面有し、光磁気記録媒体からの反射光を半導体レーザから対物レンズに至る光路から分離するビームスプリッタと、該ビームスプリッタを経由した光磁気記録媒体からの反射光を受光する上記光検出手段を有する光学式情報読取り装置において、上記ビームスプリッタは半導体レーザからの放射光の一部を反射し、かつ、光磁気記録媒体で反射され対物レンズを透過した光束の一部を透過させる第１の偏光膜を施した第１の面と、該第１の面を透過した透過光に対しＰ偏光またはＳ偏光が生じるように傾いており、前記透過光の偏光方向に対しＰ偏光方向またはＳ偏光方向がほぼ４５度の角度を有するように形成された第２の偏光膜を施した第２の面を有し、第２の偏光膜を透過した光と第２の面で反射した光を前記光検出手段で受光するようにした光学式情報読取り装置としたものである。
　このように構成することにより、簡素な構成でありながら光磁気ディスクからのＣ／Ｎの劣化の少ない光磁気情報の検知が可能となる。」（公報３頁左上欄１８行〜左下欄１行、課題を解決するための手段および作用の項）
　（ウ）「第１図は、本発明の第１実施例を示したものである（Ａ図は平面図、Ｂ図はｘ方向から見た図、Ｃ図はｙ方向から見た図）。
半導体レーザ１から放射された光は、半導体基板上に設けられたビームスプリッタ２の傾斜面３に入射する
半導体レーザ１からの光束は、傾斜面３で反射し、対物レンズを経て光磁気ディスクへ達するようになっている。光磁気ディスクで反射された光束は、再び対物レンズを経てビームスプリッタ２の傾斜面３に達する
傾斜面３を透過した光はビームスプリッタ２に入りビームスプリッタ２下面に施された偏光多層膜５に達する
偏光多層膜５に達した光は、その一部が透過し半導体基板６表面に形成された第１の信号検知用フォトディテクタ７により受光される
偏光多層膜５を透過しないで反射した光は、ビームスプリッタ２の上面で内面反射され、第１の信号検知用フォトディテクタ７と同様に半導体基板６表面に形成された第２の信号検知用フォトディテクタ８により受光される
第１の信号検知用フォトディテクタ７と第２の信号検知用フォトディテクタ８の検知光量から、光磁気ディスクに記録された信号の差動検知を行う
　半導体レーザ１及びビームスプリッタ２は、次の条件を満たすように構成されている。つまりビームスプリッタ２の傾斜面３への入射光の偏光方向が、Ｐ偏光方向またはＳ偏光方向と４５°の角度を成すように構成されている。（略）
　（略）この光束は、対物レンズを経て光磁気ディスクに入射するようになっている。
光磁気ディスク面での反射光は、光磁気ディスクの反射率とカー効果の影響で光磁気デスク上の磁化の向きによりθｋ、−θｋの方向に旋光され
光束は、
偏光多層膜５に入射する
この偏光多層膜５は
偏光多層膜５の分光比はＲｐ＝０％（Ｔｐ＝１００％）、Ｒｓ＝ｌ００％（Ｔｓ＝０％）となるように形成してある。
　このように本実施例によれば第１、第２の信号検知用フォトディテクタ７、８の入射光のノイズの強度がほぼ同一となるため
差動検出
　なお、「この偏光多層膜５は、Ｐ偏光反射率
１００
０
１００
０
　
２　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記「第３の１」に摘示した記載事項（特に上記（ア）（ウ）下線部参照）によれば、
　「光磁気等の情報記録媒体の情報を光学的に読み取る光学式情報読取り方法であって、
　半導体レーザからの光束は、ビームスプリッタの傾斜面で反射され、対物レンズを経て光磁気ディスクへ達し、光磁気ディスクで反射された光束は、再び対物レンズを経てビームスプリッタの傾斜面に達し、
　傾斜面を透過した光はビームスプリッタ下面に施された偏光多層膜に達し、偏光多層膜に達した光は、その一部が透過し半導体基板表面に形成された第１の信号検知用フォトディテクタにより受光され、
　偏光多層膜を透過しないで反射した光は、ビームスプリッタの上面で内面反射され、第１の信号検知用フォトディテクタと同様に半導体基板表面に形成された第２の信号検知用フォトディテクタにより受光され、
　第１の信号検知用フォトディテクタと第２の信号検知用フォトディテクタの検知光量から、光磁気ディスクに記録された信号の差動検知を行うものであり、
　光磁気ディスク面での反射光は、光磁気ディスクの反射率とカー効果の影響で光磁気ディスク上の磁化の向きによりθｋ、−θｋの方向に旋光されており、
　偏光多層膜は、その分光比がＰ偏光反射率が０％（Ｐ偏光透過率が１００％）、Ｓ偏光反射率が１００％（Ｓ偏光透過率が０％）となるように形成されている、方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「光磁気等の情報記録媒体」「情報」「光束」「偏光多層膜と第１の信号検知用フォトディテクタ」「第２の信号検知用フォトディテクタ」は、それぞれ本願発明の「磁気光学媒体」「データ」「光ビーム」「第１の検出器手段」「第２の検出器手段」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「光磁気等の情報記録媒体の情報を光学的に読み取る光学式情報読取り方法」は、「第１の信号検知用フォトディテクタと第２の信号検知用フォトディテクタの検知光量から、光磁気ディスクに記録された信号の差動検知を行う」ものであるから、「磁気光学媒体上に記憶されたデータを差分検出する方法」に実質的に相当している。
　引用例１に記載された発明は、「半導体レーザからの光束は、ビームスプリッタの傾斜面で反射され、対物レンズを経て光磁気ディスクへ達し、光磁気ディスクで反射された光束は、再び対物レンズを経てビームスプリッタの傾斜面に達し、傾斜面を透過した光はビームスプリッタ下面に施された偏光多層膜に達し、偏光多層膜に達した光は、その一部が透過し半導体基板表面に形成された第１の信号検知用フォトディテクタにより受光され」る構成を含み、光はＳ偏光成分とＰ偏光成分からなるので、本願発明の「光ビームが媒体上の所定の位置に集束され、媒体の前記所定の位置から反射された光を受光するステップであって、光は、第１および第２の平面に含まれる偏光成分を有する、ステップ」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明では、「偏光多層膜」は、「その分光比がＰ偏光反射率が０％（Ｐ偏光透過率が１００％）、Ｓ偏光反射率が１００％（Ｓ偏光透過率が０％）となるように形成され」ている。引用例１に記載された発明の「Ｐ偏光」「Ｓ偏光」が、それぞれ本願発明の「第１の偏光状態の光」「第２の偏光状態の光」に相当しているところ、引用例１に記載された発明は、「傾斜面を透過した光はビームスプリッタ下面に施された偏光多層膜に達し、偏光多層膜に達した光は、その一部が透過し半導体基板表面に形成された第１の信号検知用フォトディテクタにより受光され、偏光多層膜を透過しないで反射した光は、ビームスプリッタの上面で内面反射され、第１の信号検知用フォトディテクタと同様に半導体基板表面に形成された第２の信号検知用フォトディテクタにより受光され、第１の信号検知用フォトディテクタと第２の信号検知用フォトディテクタの検知光量から、光磁気ディスクに記録された信号の差動検知を行う」ので、本願発明の「反射された光によって表されるデータを検出するステップであって、検出は、第１の検出器手段によって、前記反射された光からの第１の偏光状態の光を受光し、第２の偏光状態の光を反射し、前記第１の偏光状態の前記受光された光を第１の電子信号に変換し、前記第１の検出器手段によって反射された前記第２の偏光状態の光を第２の検出器手段によって」「受光して、前記第２の偏光状態の光を第２の電子信号に変換するステップ」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明は、「傾斜面を透過した光はビームスプリッタ下面に施された偏光多層膜に達し、偏光多層膜に達した光は、その一部が透過し半導体基板表面に形成された第１の信号検知用フォトディテクタにより受光され」るので、「偏光多層膜と第１の信号検知用フォトディテクタ」は媒体から反射された光に対して所定の入射角に配置されているといえる。
　
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「磁気光学媒体上に記憶されたデータを差分検出する方法であって、
　光ビームが前記媒体上の所定の位置に集束され、前記媒体の前記所定の位置から反射された光を受光するステップであって、前記光は、第１および第２の平面に含まれる偏光成分を有する、ステップと、
　前記反射された光によって表されるデータを検出するステップであって、前記検出は、第１の検出器手段によって、前記反射された光からの第１の偏光状態の光を受光し、第２の偏光状態の光を反射し、前記第１の偏光状態の前記受光された光を第１の電子信号に変換し、前記第１の検出器手段によって反射された前記第２の偏光状態の光を第２の検出器手段によって受光して、前記第２の偏光状態の光を第２の電子信号に変換するステップと
　を備えて成り、前記第１の検出器手段は、前記媒体から反射された光に対し所定の入射角に配置されている、方法。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
　（相違点１）　「入射角」について、本願発明では、「７０度」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　（相違点２）　「第２の検出器手段」について、本願発明では、第１の検出器手段によって反射された第２の偏光状態の光を「直接」受光すると特定し、「第１の検出器手段と第２の検出器手段とは同一平面にはなく」、「第２の検出器手段は、第１の検出器手段から反射された光の経路に直交するように配置されている」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
　（２）相違点についての判断
　（ア）相違点１について
　引用例１には、入射角の値について具体的な記載はないが、所定の入射角で光が入射する偏光多層膜を表面に備える第１の信号検知用フォトディテクタについて、該偏光多層膜は、その分光比がＰ偏光反射率が０％（Ｐ偏光透過率が１００％）、Ｓ偏光反射率が１００％（Ｓ偏光透過率が０％）となるように、膜の種類や入射角等の諸条件が適宜選定されていることが明らかである。
　本願発明については、上記「第２の２の（２）（イ）」に述べたとおりであって、保護膜がシリカ保護膜以外の保護膜（屈折率が異なる）である場合、あるいは保護膜の膜厚が異なる場合については、入射角を７０度に設定したところで、光検出器のｐ偏光を変換する能力が最大になるものではないことが明らかであり、７０度という数値は、保護層の種類や厚さが特定の場合に設計的に採用される一例の値にすぎず、保護層の種類や厚さの特定されていない本願発明は、入射角を７０度と特定することに基づく作用効果を奏していないというべきである。
　なお、上記「第２の２の（２）」で述べたとおり、Ｐ偏光が透過されＳ偏光が反射される入射角として、７０度前後は周知であり普通に採用されている入射角である。
　よって、引用例１に記載された発明において、その入射角を７０度に特定することは、当業者が必要に応じ適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　
　（イ）相違点２について
　光検出器手段を入射する光の経路に直交するように配置することは常套手段であって、引用例１に記載された、第２の検出器手段と第１の検出器手段が同一面となる配置に換え、光検出器への入射効率を考慮して、第２の検出器手段を、第１の検出器手段から反射された光の経路に直交するように配置し、直接受光するようにし、第１の検出器手段と第２の検出器手段とは同一平面にはない配置とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　なお、請求人は、引用例１に記載された発明は、第１の検出器手段と第２の検出器手段が同一平面に並べられているので、第１の検出器手段から反射した光が第２の検出器手段に垂直に入射させるようにすることはできないと主張している。しかしながら、引用例１に記載された発明には、第１の検出器手段と第２の検出器手段が同一半導体基板上に形成されていることが示されているものの、複数の検出器手段をそれぞれ異なる基板上に形成することは従来から普通の技術であるから、引用例１に記載された発明において、第２の検出器手段を第１の検出器手段と別基板で形成して同一平面にない配置とすることは、当業者が適宜なし得ることであって、特に阻害要因はないというべきである。よって、請求人の主張は採用できない。
　
　そして、上記相違点を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　 
第４　むすび
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明は、本願の優先権主張日前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。