【事件の表示】
　特願２００１−３６１２１７「垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月　６日出願公開、特開２００３−１６２８０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１３年１１月２７日の出願であって、平成１７月６日１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年７月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年８月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　本願の請求項１ないし２６に係る発明は、平成１７年８月１８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１６に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１６】　基板、該基板上に形成された面内硬磁性層、該面内硬磁性層上に設けられた０．５ｎｍ未満の厚さを有する非磁性層、該非磁性層上に設けられた面内軟磁性層、及び該面内軟磁性層上に設けられた垂直磁気記録層を具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平６−２８６５２号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）「【請求項１】
基板と、この基板上に形成された高透磁率磁性膜と、この高透磁率磁性膜上に形成された信号磁化を記録する垂直磁化膜とからなる垂直磁気記録媒体において、少なくとも前記高透磁率磁性膜の基板側の面にバイアス磁界付与膜を形成したことを特徴とする垂直磁気記録媒体
【請求項２】
前記バイアス磁界付与膜と前記高透磁率磁性膜との間に非磁性膜を形成してなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体
【請求項３】（略）
【請求項４】
前記バイアス磁界付与膜は、面内配向性を有する高抗磁力磁性膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の垂直磁気記録媒体
　（イ）「【００１３】図１は、本発明の第１実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を示す縦断面図である。この垂直磁気記録媒体は、アルミ、ガラス等の円環板状のディスクからなる基板１上にＦｅＭｎ、ＮｉＯ等の反強磁性膜からなるバイアス磁界付与膜２が形成され、このバイアス磁界付与膜２上に
パーマロイ、Ｆｅ基軟磁性膜、或いはＺｒ系のアモルファス軟磁性膜等からなる高透磁率磁性膜３
【００１４】バイアス磁界付与膜２は、反強磁性膜の代わりに
ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ等の高抗磁力磁性膜
【００１５】以上のような構成にすることにより、バイアス磁界付与膜２と高透磁率磁性膜３とは、その界面において交換結合し、高透磁率磁性膜３にバイアス磁界が印加されるため、高透磁率磁性膜３内での磁壁の発生が抑制され、スパイク上のバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができる。（略）」
　（ウ）「【００１７】図３は、本発明の第２実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を示す縦断面図である。図３において、基板１上に形成されたバイアス磁界付与膜２と高透磁率磁性膜３との間には、非磁性膜５が設けられている。バイアス磁界付与膜２の種類によって、高透磁率磁性膜３との界面における交換結合の強度が異なるため、高透磁率磁性膜３に加わるバイアス磁界の強度も異なることになる。従って、交換結合が強すぎると高透磁率磁性膜３に対して必要以上のバイアス磁界が加わるため、高透磁率磁性膜３の透磁率μが減少して記録再生効率の劣化を招いてしまう。そこで、非磁性膜５をバイアス磁界付与膜２と高透磁率磁性膜３との間に設けることによって、交換結合の強度を調節することができ、最適な記録再生感度を維持しながらバルクハウゼンノイズを抑制することが可能となる。この非磁性膜５は、バイアス磁界付与膜２及び高透磁率磁性膜３の磁気特性や膜厚等の諸条件に応じてその種類や膜厚を選択すれば良い。」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、特に上記２（ア）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「基板と、この基板上に形成された高透磁率磁性膜と、この高透磁率磁性膜上に形成された信号磁化を記録する垂直磁化膜とからなる垂直磁気記録媒体において、少なくとも前記高透磁率磁性膜の基板側の面にバイアス磁界付与膜を形成した垂直磁気記録媒体であって、
　前記バイアス磁界付与膜と前記高透磁率磁性膜との間に非磁性膜を形成してなり、
　前記バイアス磁界付与膜は、面内配向性を有する高抗磁力磁性膜である、垂直磁気記録媒体。」
　の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「信号磁化を記録する垂直磁化膜」「非磁性膜」「面内配向性を有する高抗磁力磁性膜」は、それぞれ本願発明の「垂直磁気記録層」「非磁性層」「面内硬磁性層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「高透磁率磁性膜」は、面内配向の高抗磁力磁性膜とその界面において交換結合してバイアス磁界が印加されるのである（上記（イ）（ウ）参照）から、本願発明の「面内軟磁性層」に相当している。
　そうすると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「基板、該基板上に形成された面内硬磁性層、該面内硬磁性層上に設けられた非磁性層、該非磁性層上に設けられた面内軟磁性層、及び該面内軟磁性層上に設けられた垂直磁気記録層を具備する垂直磁気記録媒体。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　（相違点）　「非磁性層」について、本願発明では、「０．５ｎｍ未満の厚さを有する」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
　引用例１には、非磁性層の厚さについて、「この非磁性膜５は、バイアス磁界付与膜２及び高透磁率磁性膜３の磁気特性や膜厚等の諸条件に応じてその種類や膜厚を選択すれば良い。」（上記（ウ）参照）と記載され、また非磁性層を設けることによる作用効果について、「交換結合が強すぎると高透磁率磁性膜３に対して必要以上のバイアス磁界が加わるため、高透磁率磁性膜３の透磁率μが減少して記録再生効率の劣化を招いてしまう。そこで、非磁性膜５をバイアス磁界付与膜２と高透磁率磁性膜３との間に設けることによって、交換結合の強度を調節することができ、最適な記録再生感度を維持しながらバルクハウゼンノイズを抑制することが可能となる。」（上記（ウ）参照）と記載されている。そうすると、引用例１に記載された発明において、非磁性層は、直接高透磁率磁性膜を設ける場合に比べ交換結合の強度を弱くするために設けられるので、非磁性層の厚さは、設けない場合である０より大きく、交換結合がなくなる厚さ未満であるべきことが明らかである。そして、交換結合するバイアス磁界付与膜と高透磁率磁性膜の磁気特性や膜厚等の諸条件に応じ、また非磁性膜の種類に応じてその膜厚を最適な値に選択すべきであることが示されているのであるから、引用例１に記載された発明において、その非磁性層の厚さを選定して所定値未満の厚さと特定することは、当業者が適宜なし得ることである。
　ところで、本願発明の「０．５ｎｍ未満」という値について検討する。本願明細層には、非磁性層の厚さについて、Ｒｕの場合は約０〜約０．９ｎｍでさらに約０．５ｎｍ〜約０．９ｎｍが好ましい（段落１０５）、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｈの場合は０．３〜０．５ｎｍが好ましい（段落１２１、１２２）、Ｃｏ含有合金非磁性層の場合は１〜５ｎｍが好ましい（段落１２４、１２７）と記載されていることから、非磁性層の厚さは、０．５ｎｍ未満に限らず、材料の種類により１〜５ｎｍ程度がよい場合もあるのであるから、本願発明の「０．５ｎｍ未満」という数値に格別臨界的意義があるとはいえない。
　してみれば、本願発明のように、「非磁性層」について「０．５ｎｍ未満の厚さを有する」と特定することは、格別臨界的意義があるものでなく当業者が適宜なし得る程度の事項にすぎず、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。