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　特願２００２−５０９０９９「鏡面面取りウェーハ、鏡面面取り用研磨クロス、及び鏡面面取り研磨装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１７日国際公開、ＷＯ０２／０５３３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明
　本願は、２００１年７月６日（優先権主張２０００年７月１０日、日本国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、当審で提出された平成１９年５月２日付けの手続補正書で補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は、次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
「回転するウェーハと研磨クロスとが所定角度傾斜しかつ接触した状態でウェーハの鏡面面取りを行う研磨装置においてオーバーポリッシュ幅を５０μｍ以上４００μｍ以下に抑制し面取り部を鏡面研磨するために用いられる研磨クロスであって、研磨布層と、該研磨布層より硬度の低いスポンジ層の少なくとも２層を貼り合わせた多層構造とし、該研磨布層の硬度をアスカーＣ硬度６５以上かつ該スポンジ層のアスカーＣ硬度を４０以下とし、かつ前記研磨布層の厚さが０．７ｍｍ〜１．３ｍｍかつ前記スポンジ層の厚さが１ｍｍ〜２ｍｍであることを特徴とする鏡面面取り用研磨クロス。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成１９年３月１３日付けの拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前である平成１１年７月１３日に頒布された特開平１１−１８８５９０号公報（以下「引用例１」という。）、同じく本願の優先権主張の日前である平成４年４月３０日に頒布された特開平４−１２９６５６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の発明が記載されている。
２−１　引用例１の記載事項
（１）公報第２頁の段落【０００１】
「【発明が属する技術分野】本発明はウェーハの周縁面取り部を鏡面加工するためのポリッシング装置に関するものである。更に詳しくは、１２インチあるいはそれ以上の大口径のウェーハの周縁面取り部の鏡面加工に対応するポリッシング装置に係る。」
（２）公報第３頁の段落【０００７】
「【課題を解決するための手段】上述の目的は、表面にポリッシング用パッドを貼付した回転ドラムと、ウェーハを回転させながらその端面を前記回転ドラムに一定の角度をもって押し当てるようにしたウェーハ回転装置と、ウェーハとポリッシングパッドの接触部分にポリッシング用研磨液を供給するノズルを具備したウェーハエッジポリッシング装置において、前記ポリッシング用パッドが合成樹脂発泡体、不織布、不織布の樹脂加工品、合成皮革あるいはこれ等の複合品の少なくとも一つからなるシートと弾力性を有するシートとを組み合わせた多層構造のシートであることを特徴とするウェーハエッジポリッシング装置により達成できる。前述の弾力性を有するシートについては特に限定はなく、シートの形状をしていればどのような材料でも使用できるが、特に良好な反発弾性を持ち耐薬品性に優れた合成ゴム、あるいはスポンジのシートであれば好適である。耐薬品性が重視される理由は、ポリッシング液中にアルカリ等の腐食性の成分が含有されるからである。また、両者を組み合わせ多層構造とするにあたってはその手法は特に限定されるものではないが、実使用にあたっては高い機械的な力がかかることから、接着剤を用いたりあるいは熱融着等の手段で積層することが好ましい。」
（３）公報第３頁の段落【０００８】
「【発明の実施の形態】以下図面により本発明の具体例を説明するが、これにより特に限定を受けるものではない。図１は本発明になるウェーハエッジポリッシング装置の側面図であり、図２はそのポリッシングパッド１の部分の構成と加工時のウェーハ３Ａ、３Ｂの周縁面取り部との接触状態を説明する断面図である。図３は従来のウェーハエッジポリッシング装置におけるウェーハ３Ａ、３Ｂとポリッシングパッド１との接触状態を説明する断面説明図である。ここにおいてウェーハ３Ａは２００ｍｍφの標準品で仕上り後の厚さが７５０ミクロンのもの、３Ｂは３００ｍｍφの標準品で仕上り後の厚さ７７５ミクロンのものである。回転ドラム２は回転軸４を中心に毎分１０００〜３０００回程度の高速で回転する構造となっており、ポリッシングパッド１はその外周面に密接して全面をカバーするように貼付されている。ウェーハ３はウェーハ回転装置５に把持され、回転ドラムに対して約４５度の角度で傾斜した状態で回転軸６を中心に高速で回転するとともに上下にトラバースする構造となっている。ウェーハ３とポリッシングパッド１の接触点の上にノズル７を配置し、加工液を定量的に供給するようになっている。」
（４）公報第３頁の段落【００１０】〜【００１１】
「【実施例及び比較例】以下、実施例及び比較例をあげて本発明になるウェーハエッジポリッシング装置を具体的に説明する。
実施例１
ポリッシングパッドとして、ロデール・ニッタ社製のシートＳＵＢＡ４００の１．２７ｍｍ厚みのものを用い、このパッドと、ゴム硬度５０をもつ合成ゴムで１ｍｍ厚みのシートとを組み合わせ積層し２層構造のポリッシングパッドとしてドラムに貼付して使用した。ウェーハＡおよびＢとも加工中のパッドへの沈み込みは十分であり加工後のエッジ面取り部分は全域において鏡面状態になっており、未加工で残った部分は見られなかった。
実施例２
ゴム硬度３０で２ｍｍ厚みのスポンジシートを合成ゴムシートの代わりに使用する以外は、実施例１と同様にして行なった。ウェーハＡ、Ｂいずれの場合も未加工部分は残らず、エッジ面取り部分の全面に亘って良好な鏡面仕上げが行なわれ申し分なかったが、実施例１に比較すると、実用の範囲内ではあるが、パッドがやや損耗しやすい傾向が見られた。」
（５）公報第４頁の【符号の説明】
「・・・１１　ポリッシング用シート　　　１２　シート」
（６）ここで、摘記事項（２）から、ポリッシング用シートとスポンジ等の弾力性を有するシートとは、接着剤や熱融着等の手段で積層されていることから、２つのシートは貼り合わせたものであることが理解できる。また、ポリッシング用シートと弾力性を有するシートとを組み合わせたものであるので、弾力性を有するシートはポリッシング用シートよりも硬度が低いことは明らかである。摘記事項（４）の実施例２では、ゴム硬度３０で２ｍｍ厚みのスポンジシートを合成ゴムシートの代わりに使用する以外は、実施例１と同じであるとしていることから、実施例２として、ロデール・ニッタ社製のシートＳＵＢＡ４００の１．２７ｍｍ厚みのポリッシング用シート１１と、ゴム硬度３０で２ｍｍ厚みのスポンジシート１２とを積層したポリッシングパッド１が実質的に記載されている。
　以上（１）〜（５）の記載、及び（６）の認定事項から、引用例１には、「回転するウェーハ３とポリッシングパッド１とが約４５度の角度で傾斜しかつ接触した状態でウェーハ３の周縁面取り部を鏡面加工するポリッシング装置において用いられるポリッシングパッド１であって、ポリッシング用シート１１と、スポンジシート１２の２層を貼り合わせた２層構造とし、ポリッシング用シート１１の硬度に比較してスポンジシート１２の硬度をゴム硬度３０の低いものとし、ポリッシング用シート１１の厚さが１．２７ｍｍでスポンジシート１２の厚さが２ｍｍであるポリッシングパッド１。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
２−２　引用例２の記載事項
（７）公報第１頁左下欄第１７行〜第１８行
「本発明は、半導体用ウエハの面取加工装置に関するものである。」
（８）公報第２頁左上欄第６行〜第１３行
「本発明は、半導体ウエハ周辺部を研磨して面取加工する装置において、半導体ウエハを回転自在に保持する保持具と、一対の回転体回転軸に、側面を研磨面とし、該研磨面の向きが互いに反転した一対以上の円錐台状の回転研磨体と、さらに側面を研磨面とする円柱状の一対の回転研磨体とが固設された回転式研磨装置と、を備えることを特徴とする半導体ウエハの面取加工装置である。」
（９）公報第２頁左上欄第１７行〜右上欄第２行
「円錐状の回転研磨体６、７の側面の研磨面３、４にポリシング用パッド（例えばＲｏｄｅｌ製ＳＵＢＡ　５００）を貼り、これを一対の円錐台状の回転研磨体６ａ、６ｂおよび７ａ、７ｂを研磨面の向きを互いに反転した形で一対の回転体回転軸９ａ、９ｂに保持される。」
　以上の点から、引用例２には、「半導体ウエハの面取加工装置において、円錐状の回転研摩体６、７の側面の研磨面３、４にＲｏｄｅｌ製ＳＵＢＡ　５００からなるポリシング用パッドを貼った半導体ウエハの面取加工装置。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「ウェーハ３」、「ポリッシングパッド１」、「ポリッシング装置」、「ポリッシング用シート１１」、「スポンジシート１２」は、それぞれ、本願発明の「ウェーハ」、「研磨クロス」、「研磨装置」、「研磨布層」、「スポンジ層」に相当する。また、引用発明１の「約４５度の角度」は、「所定角度」とも言い得るものである。引用発明１の「ウェーハ３の周縁面取り部を鏡面加工する」ことは、本願発明の「ウェーハの鏡面面取りを行う」ことに相当する。引用発明１の「２層」は明らかに「多層」である。引用発明１の「ポリッシング用シート１１の厚さ１．２７ｍｍ」は、本願発明の「研磨布層の厚さ０．７ｍｍ〜１．３ｍｍ」に含まれるものであり、引用発明１の「スポンジシート１２の厚さ２ｍｍ」は、本願発明の「スポンジ層の厚さ１ｍｍ〜２ｍｍ」に含まれるものである。以上の点から、両者は、以下の一致点を有し、また、相違点を有している。
＜一致点＞
「回転するウェーハと研磨クロスとが所定角度傾斜しかつ接触した状態でウェーハの鏡面面取りを行う研磨装置において面取り部を鏡面研磨するために用いられる研磨クロスであって、研磨布層と、該研磨布層より硬度の低いスポンジ層の少なくとも２層を貼り合わせた多層構造とし、前記研磨布層の厚さが０．７ｍｍ〜１．３ｍｍかつ前記スポンジ層の厚さが１ｍｍ〜２ｍｍである鏡面面取り用研磨クロス。」
＜相違点１＞
　オーバーポリッシュ幅につき、本願発明では、「５０μｍ以上４００μｍ以下に抑制」するとしているのに対し、引用発明１では、オーバーポリッシュ幅について、なんら考慮していない点。
＜相違点２＞
　研磨布層とスポンジ層との硬度につき、本願発明では、「研磨布層の硬度をアスカーＣ硬度６５以上かつスポンジ層のアスカーＣ硬度を４０以下」としているのに対し、引用発明１では、研磨布層に相当するポリッシング用シート１１の硬度に比較してスポンジ層に相当するスポンジシート１２の硬度が低いものの、それらのアスカーＣ硬度がどのくらいかは不明な点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　ウェーハにおいて、有効利用できる表面積をできるだけ広くするために、オーバーポリッシュ幅をできるだけ小さくすべきことは本件出願の審査における平成１６年１２月９日付けの拒絶理由の引用文献として提示されている特開平９−１６８９５３号公報（同公報の第３頁段落【０００１】、【００１１】等参照。）に記載されているように、すでに公知の技術的課題である。そして、オーバーポリッシュ幅を、特に「５０μｍ以上４００μｍ以下」と特定しても、そのことによる臨界的意義は存在していない。してみると、引用発明１において、オーバーポリッシュ幅を５０μｍ以上４００μｍ以下に抑制すると特定することは、当業者が容易に設定し得た事項に過ぎないものである。
＜相違点２＞について
　本願発明では、研磨布層の硬度をアスカーＣ硬度６５以上かつスポンジ層のアスカーＣ硬度を４０以下と限定しているが、具体的な材料につき、本件出願の明細書の段落【００３７】の表１、及び段落【００４０】の表２に、実施例として、研磨布層に「Ｓｕｂａ４００Ｈ」、「Ｓｕｂａ６００」、「Ｓｕｂａ８００」を用い、スポンジ層に「スポンジ材」を用いることが記載されている。
　ところで、引用発明２には、半導体ウエハの面取加工装置において、円錐状の回転研摩体６、７の側面の研磨面３、４にＳｕｂａ４００Ｈよりも硬度が高いＲｏｄｅｌ製ＳＵＢＡ５００からなるポリシング用パッドを貼ったものが示されている。また、一般的にウェーハの研磨布として、Ｓｕｂａ６００を用いたり、アスカーＣ硬度が６５以上のものを用いることは、例えば、特開２０００−８０３５０号公報（同公報の第２頁段落【０００１】及び第５頁段落【００２３】には、シリコンウェーハのエッジ部分のポリッシング加工にＳＵＢＡ６００からなる研磨布を用いることが実質的に記載されている。）、特開平９−１３２７７０号公報（同公報の第２頁段落【０００１】及び第５頁段落【００２４】には、シリコンウエーハの研磨加工にＳＵＢＡ６００を用いることが実質的に記載されている。）、特開平１１−２７７４０８号公報（同公報の第２頁段落【０００１】、第６頁段落【００４５】、段落【００４７】及び第７頁段落【００５３】には、半導体ウエーハの鏡面研磨にアスカーＣ硬度７６以上の研磨布を用いること、及びＳＵＢＡ６００からなる研磨布を用いることが実質的に記載されている。）に記載されているように周知の事項である。
　してみると、オーバーポリッシュ幅をできるだけ小さくすることが望まれていることが＜相違点１＞について、で述べたように公知の技術的課題であった状況、及び、引用発明１においては、スポンジシート１２は、ポリッシング用シート１１よりも硬度の低いものとしているものであることを合わせて検討すると、引用発明１に用いられているポリッシング用シート１１として、引用発明１で用いられているものよりもより硬度の高いもの、すなわち、ＳＵＢＡ４００に代えてＳＵＢＡ５００やＳＵＢＡ６００を用い、また、スポンジシート１２の材料として、より硬度の低いものを用いようと試みることは、当業者が容易に想定し得たものと考えざるを得ない。そして、研磨布層の硬度をアスカーＣ硬度６５以上かつスポンジ層のアスカーＣ硬度を４０以下と数値的に特定したことによる臨界的な意義も特段存在しない。以上の事項を総合すると、引用発明１において、研磨布層であるポリッシング用シート１１のアスカーＣ硬度を６５以上とし、スポンジ層に相当するスポンジシート１２のアスカーＣ硬度を４０以下とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明並びに上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願の請求項２ないし３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。