【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８１０９４号「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月　６日出願公開、特開２０００−２７５６６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１１年３月２５日の出願であって、平成１７年６月２７日に手続補正がなされ、同年８月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月２１日に手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１７年１０月２１日付けの手続補正書についての補正の却下の決定
　
［結論］
　平成１７年１０月２１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正の内容
　本件補正は、平成１７年６月２７日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項２の記載を展開した、
　
「【請求項２】
　液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に複数の画素により構成される画素領域を有し、
　前記画素領域のそれぞれの画素に信号を供給する信号線を形成し、
　前記一方の基板と他方の基板の間に前記画素領域を囲うようにしてシール剤が形成され、
　前記信号線は前記画素領域から前記シール剤を越えて前記一方の基板の端子部まで延在され、
　該シール剤を越えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜によって、前記端子部の周辺に配置された有機樹脂の配置箇所まで被われており、
　各画素には保護膜で被われた薄膜トランジスタを備え、
　前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記保護膜と同一の材料であることを特徴とする液晶表示装置。」を、
　
「【請求項１】
　液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に
保護膜で被われた薄膜トランジスタを備えた
　前記画素領域のそれぞれの画素に信号を供給する信号線を形成し、
　前記一方の基板と他方の基板の間に前記画素領域を囲うようにしてシール剤が形成され、
　前記信号線は前記画素領域から前記シール剤を越えて前記一方の基板の端子部まで延在され、
　該シール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜によって、
前記シール剤の外側であって、前記他方の基板端から前記信号線の延在方向に及んで
おり、
　
前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記薄膜トランジスタを被っている前記保護膜と同一の材料で、前記シール剤の下側から延在されて形成されている
　
　なお、本件補正前の請求項２には「各画素領域には保護膜で被われた薄膜トランジスタを備え、」が記載されているが、本願明細書に画素領域が複数あるとの記載はなく、本願明細書の記載において、薄膜トランジスタを備えているのは画素であるから、上記記載の「各画素領域」は「各画素」の明らかな誤記である。よって、「各画素領域」は「各画素」の誤記であると認め、本件補正前の請求項２に係る発明を上記のように認定した。 
　
　上記補正後の請求項１に係る補正は、補正前の請求項２の発明特定事項である「前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜」に関し、「前記シール剤の下側から延在されて形成されている」ことを限定するものであるから、平成１４年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　
　拒絶査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の平成７年６月２日に頒布された刊行物である特開平７−１４２５３３号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　
　（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成するための薄膜トランジスタ（以降ＴＦＴと呼ぶ）を多数配置した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＦＴアレイの製造方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を用い以下に説明する。
【０００３】まず第１の工程では絶縁性透明基板としてガラス基板１上にアンダーコート膜としてＳｉＯ２膜２を全面形成する。次に第２の工程では前記基板１上にゲート電極３となる第１の金属膜として、例えばＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜をパターン形成する。この時信号入力用引出し電極となる、ゲート側のＴＡＢ実装用電極３ａは前記ゲート配線３の延長端部に引き出され同ゲート材で配置される（図３（ａ）参照）。
【０００４】次に第３の工程では、ゲート絶縁膜４、シリコン半導体層５、及びチャネル保護膜６を成膜する。第４の工程では、ゲ−ト電極３上のチャネル保護膜６をパタ−ニングする（図３（ｂ）参照）。次に第５の工程では、ｎ＋：シリコン膜を形成し、将来ＴＦＴが形成されるように該ｎ＋：シリコン膜及びシリコン半導体層５をパターニングする。
【０００５】第６の工程では、画素電極８として透明導電膜ＩＴＯを成膜しパタ−ン形成する（図３（ｃ）参照）。
【０００６】第７の工程ではソース・ドレイン電極９となる第２の金属膜として例えばＴｉ／Ａｌをパターン形成する。このとき信号入力用引出し電極として、ソース側のＴＡＢ実装用電極は前記ソース配線９の延長端部に引き出され同ソース材で配置される。
【０００７】そして第８の工程では絶縁保護膜１０となるＳｉＮｘ膜を形成することで、前記ゲート側のＴＡＢ実装用電極上３ａには層間絶縁膜４及び絶縁保護膜１０としてのＳｉＮｘ膜が載置され、ソース側のＴＡＢ実装用電極上には絶縁保護膜１０としてのＳｉＮｘ膜が載置される。
【０００８】最後に第９の工程として、該絶縁保護膜１０をパターン形成する。この時、前記層間絶縁膜４及び絶縁保護膜１０としてのＳｉＮｘ膜は、例えばＳＦ６ガスによるドライエッチングにてエッチ除去されることで個々の電極材が露出され、ＴＦＴアレイ基板１１が完成する（図３（ｄ）参照）。
【０００９】そして、ゲートおよびソースの実装電極部にＴＡＢ実装を施し、信号入力用電極を引き出す。ＴＡＢ実装構成を図４（ａ）および（ｂ）に示す。ＴＡＢは有機フィルム１２に印刷されたＴＡＢ電極１３とＴＦＴアレイ基板側の前記実装電極とを接着性異方膜１４中に含有させた導電粒子１５を介して電気的接続をするものである。そしてその後、保護用として例えばシリコン樹脂１６をＴＡＢ実装周囲に塗布、硬化させて完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような従来構成では、図５に示すように、実装電極であるゲートおよびソースの金属膜面を露出させた状態でＴＡＢ実装を施して高温高湿試験にかけたところ、試験環境に曝される部分１７ではＡｌ消失１８が見られ、断線に至るものがあった。それは、ＴＡＢ実装工程までの電極面汚染や、ＴＡＢ実装不備による実装電極保護不良によるものであった。」
　
　（イ）引用例には、段落０００１に「液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成するための薄膜トランジスタ（以降ＴＦＴと呼ぶ）を多数配置した半導体装置」と記載され、この半導体装置は、段落０００８に記載の「ＴＦＴアレイ基板１１」であることが明らかである。
　また、ＴＦＴアレイ基板と液晶のみでは画像表示装置を構成することはできず、他に、ＴＦＴアレイ基板の画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板や、液晶を挟んでＴＦＴアレイ基板と対向基板とを貼り付け液晶を封止するためのシール剤が必要であることが当業者に自明である。
　そうすると、上記記載の「液晶等」とは、「対向電極を備えた対向基板」及び「シール剤」を含む意味であり、「ＴＦＴアレイ基板１１と液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成する」とは、「ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを画素電極と対向電極とが対向するように液晶を挟んで対向させシール剤で両基板を貼り付けて液晶を封止する」ことを含む意味であると解される。
　
　（ウ）引用例の図４の記載から、その延長端部に引き出されているゲート配線３（図４においては３ａ）は、その信号線側から、ゲート絶縁膜４及び絶縁保護膜１０によって、前記ゲート配線３の延在方向に及んでＴＡＢ実装周囲に塗布、硬化させたシリコン樹脂１６配置箇所まで被われていることが見てとれる。
　
　（エ）上記（ア）〜（ウ）によれば、引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。 
　
「基板１上に、Ａｌ膜である第１の導電体層を被着形成し、ゲート電極３、ゲート配線３及び該ゲート配線３の延長端部に引き出され同ゲート材で配置されたゲート側の実装電極３ａをパターン形成し、ゲート絶縁膜４、シリコン半導体層５、及びチャネル保護膜６を成膜し、チャネル保護膜６をパタ−ニングし、ｎ＋：シリコン膜を形成し、該ｎ＋：シリコン膜及びシリコン半導体層５をパターニングし、画素電極８として透明導電膜ＩＴＯを成膜しパタ−ン形成し、ソース・ドレイン電極９となる第２の金属膜をパターン形成し、絶縁保護膜１０を形成することで、前記ゲート側の実装電極３ａ上にはゲート絶縁膜４及び絶縁保護膜１０が載置され、最後に該絶縁保護膜１０をパターン形成して完成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び前記画素電極８が多数配置されているＴＦＴアレイ基板１１と、
　液晶と、
　対向電極を備えた対向基板と、
　シール剤とを組み合わせ、
　前記ＴＦＴアレイ基板１１と前記対向基板とを前記画素電極８と前記対向電極とが対向するように前記液晶を挟んで対向させ前記シール剤で両基板を貼り付けて前記液晶を封止するものであり、
　ゲート側の実装電極３ａ部にＴＡＢ実装を施した後、シリコン樹脂１６をＴＡＢ実装周囲に塗布、硬化させて完成する液晶表示装置であって、
　前記実装電極３ａまで引き出されているゲート配線３は、その信号線側から、ゲート絶縁膜４及び絶縁保護膜１０によって、前記ゲート配線３の延在方向に及んでＴＡＢ実装周囲に塗布、硬化させたシリコン樹脂１６配置箇所まで被われていて、
　実装電極３ａであるＡｌ膜面を露出させた状態でＴＡＢ実装を施して高温高湿環境に曝される部分でＡｌが消失し断線に至るものがあるという課題がある液晶表示装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
　（３）対比 
　 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。 
　 
　（ア）引用発明の「液晶」、「ＴＦＴアレイ基板１１」、「対向電極を備えた対向基板」、「対向させ」、「基板１上」、「絶縁保護膜１０」、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」、「ゲート配線３」、「シール剤」、「ゲート絶縁膜４」、「シリコン半導体層５」、「絶縁保護膜１０」、「実装電極３ａ」、「シリコン樹脂１６」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「液晶」、「一方の基板」、「他方の基板」、「対向配置され」、「液晶側の面」、「保護膜」、「薄膜トランジスタ」、「画素に信号を供給する信号線」、「シール剤」、「『第１絶縁膜』及び『薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜』」、「薄膜トランジスタを構成する半導体層」、「第２絶縁膜」、「端子部」、「有機樹脂」及び「液晶表示装置」に相当する。
　
　（イ）引用発明の「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極８が多数配置されている」それぞれの領域が、本願補正発明の「画素」に相当することが当業者に自明であり、引用発明の「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極８が多数配置されている」領域が、本願補正発明の「画素領域」に相当することも当業者に自明である。
　
　（ウ）引用発明の「前記ＴＦＴアレイ基板１１と前記対向基板とを前記画素電極８と前記対向電極とが対向するように前記液晶を挟んで対向させ前記シール剤で両基板を貼り付けて前記液晶を封止する」際に、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び前記画素電極８が多数配置されている」領域を囲うようにしてシール剤を形成することが当業者に自明であるから、引用発明は、本願補正発明の「前記一方の基板と他方の基板の間に前記画素領域を囲うようにしてシール剤が形成され」る事項を備えている。
　
　（エ）引用発明の「前記実装電極３ａまで引き出されているゲート配線３」は、「ゲート絶縁膜４」によって被われていて、該「ゲート絶縁膜４」は「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」の「ゲート絶縁膜４」と同じ膜であるから、引用発明は、本願補正発明の「前記第１絶縁膜は、薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜と同一の材料で形成されている」事項を備えているといえる。
　
　（オ）引用発明の「ゲート配線３」は、その延長端部に引き出され同ゲート材で「ゲート側の実装電極３ａ」を配置するから、引用発明の「ゲート配線３」と本願補正発明の「信号線」とは「前記画素領域から・・・前記一方の基板の端子部まで延在され」ている点で一致する。
　
　（カ）したがって、両発明は、
「液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に保護膜で被われた薄膜トランジスタを備えた複数の画素により構成される画素領域を有し、
　前記画素領域のそれぞれの画素に信号を供給する信号線を形成し、
　前記一方の基板と他方の基板の間に前記画素領域を囲うようにしてシール剤が形成され、
　前記信号線は前記画素領域から前記一方の基板の端子部まで延在され、
　該延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜及び第２絶縁膜によって、前記信号線の延在方向に及んで前記端子部の周辺に配置された有機樹脂の配置箇所まで被われており、  　
　前記第１絶縁膜は、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜と同一の材料で、延在されて形成されている液晶表示装置。」の点で一致し、次の点で相違している。 
　
相違点：
　本願補正発明においては、（ａ）前記信号線は「前記シール剤を越えて」延在しており、（ｂ）そのシール剤を超えて延在される信号線を被っている層が「第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜」で、「それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記薄膜トランジスタを被っている前記保護膜と同一の材料」であり、（ｃ）その被われている範囲は「前記シール剤の外側であって、前記他方の基板端から前記信号線の延在方向に及んで」おり、その被っている層すべては「前記シール剤の下側から延在されて形成されている」のに対して、
　引用発明においては、前記延在される信号線を被っている層が「第１絶縁膜及び第２絶縁膜」であり、「半導体膜」では被われていないから上記（ｂ）のようになっておらず、前記シール剤が配置される具体的場所や前記他方の基板がどこまで存在するのかが不明であるから上記（ａ）、（ｃ）のようになっているのか否か不明である点。
　
　（４）判断
　
　上記相違点について検討する。
　
相違点（ａ）について：
　
　（ア）引用発明において、「前記信号線は前記画素領域から前記一方の基板の端子部まで延在され」、かつ「画素領域を囲うようにしてシール剤が形成され」ているから、前記信号線は「前記シール剤を越えて」延在することが明らかである。
　
相違点（ｂ）について：
　
　（イ）「液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタアレイ基板であって、画素領域から基板の端子部まで延在される走査信号線が、その走査信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜によって被われている走査信号線であって、その第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記薄膜トランジスタを被っている保護膜と同一の材料である走査信号線が形成されている薄膜トランジスタアレイ基板」は本願出願前に周知である（例．特開平６−２５０２１１号公報（段落００７７〜００８２及び図２８〜図３１、段落００８３〜００９３及び図３２〜図３５参照。）、特開平７−１２０７８２号公報（段落０００３、段落００３５〜００３６、図１５及び図１６、段落００３７〜００３８、図１５及び図１７、参照。）、特開平９−２３６８２７号公報（段落００２２〜００３１及び図２７〜図３３参照。））。
　
　（ウ）上記（イ）の周知技術は、「走査信号線（ゲート線）に同時にＴＦＴを内蔵させる」こと（上記特開平６−２５０２１１号公報の段落０００８及び０００９、上記特開平７−１２０７８２号公報の段落００５７参照。）、「ゲート絶縁膜が必ず覆うべき部分、すなわちゲート線およびゲート電極も保護膜および半導体で覆い、保護膜をエッチングするときパッド上部の保護膜もエッチングしてパッドが露出され得るようにする」こと（上記特開平９−２３６８２７号公報の段落００１０〜００１３及び００４０参照。）などにより、大幅に工数を低減させることができるから、引用発明の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びゲート配線３の構造として、上記（イ）の周知技術の構造を採用し、大幅に工数を低減させることができる構造のＴＦＴアレイ基板となすことには十分な動機があるといえる。
　そして、上記（イ）の周知技術を採用した結果、そのシール剤を越えて（上記（ア）参照。）延在される信号線を被っている層が「第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜」で、「それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記薄膜トランジスタを被っている前記保護膜と同一の材料」であるものとなることが明らかである。
　
相違点（ｃ）について：
　
　（エ）引用発明は、実装電極３ａであるＡｌ膜面を露出させた状態でＴＡＢ実装を施して高温高湿環境に曝される部分でＡｌが消失し断線に至るものがあるという課題があることを認識しているから、前記信号線が前記画素領域からシール剤を越えて（上記（ア）参照。）一方の基板の端子部まで延在されているとき、実装電極３ａ以外の箇所でも保護膜を無くして高温高湿環境に曝される部分をさらに設けることは避けるべきであることが当業者に自明である。
　また、保護膜で被われた信号線が、「シール剤の外側であって、他方の基板端から前記信号線の延在方向に及んでおり、その被っている層すべては、前記シール剤の下側から延在されて形成されている液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板」は本願出願前に周知である（特開平２−６８５２４号公報（５頁右下欄７〜１８行及び第７図参照。）、特開平７−８４２７０号公報（段落００２０〜００２３、図３、段落００２４〜００３１、図４、段落００３４〜００４３及び図１参照。））。
　
　（オ）上記（ア）〜（エ）によれば、引用発明において、前記信号線は前記画素領域から前記シール剤を越えて前記一方の基板の端子部まで延在しており、該シール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜によって、前記シール剤の外側であって、前記他方の基板端から前記信号線の延在方向に及んで被われており、前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記薄膜トランジスタを被っている前記保護膜と同一の材料で、前記シール剤の下側から延在されて形成されているようにすることは、引用発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
本願補正発明の効果について：
　
　（カ）本件補正後の明細書に記載されている「第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁層は、各画素を形成する際に並行して形成することができることから、製造工程の増大をもたらすことがない」（段落０００５）という効果は、上記（イ）の周知技術から（上記（ウ）参照。）、当業者が予測できたものである。
　
　（キ）導電膜を被う膜を複数にすることによりピンホールが生じてもその影響を少なくできることは、液晶表示装置の技術分野において周知の技術事項である（例．特開平３−３８６２０号公報（３頁右下欄６行〜４頁左上欄１５行、４頁左下欄１４行〜同頁右下欄７行、５頁右下欄１１行〜６頁右下欄５行、第１図及び第２図参照。）、特開平３−３８６２１号公報（３頁左下欄１３行〜４頁左上欄２行、４頁右上欄９〜１５行、同頁右下欄３行〜６頁左上欄７行、第１図及び第２図）、特開平３−７２３２０号公報（３頁右下欄１６行〜４頁右上欄５行、同頁右下欄１０〜２０行、５頁右下欄１７行〜８頁左上欄３行、第１図及び第２図参照。））。
　
　（ク）本件補正後の明細書に記載の「延在される信号線を第１の絶縁膜、半導体膜、及び第２絶縁膜の順次積層体によって被うことによって、第１の絶縁膜、半導体膜、及び第２絶縁膜のそれぞれにピンホール等の欠陥が生じていても、それらの欠陥の箇所が信号線上において重なりあることは極めて希となる」（段落０００４参照。）といった作用効果は、上記（キ）の周知の技術事項及び上記（イ）の周知技術から当業者が予測できたものである。
　
　（ケ）よって、本願補正発明の効果は、引用発明、及び上記各周知技術及び上記（キ）の周知の技術事項から、当業者が予測することができた程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条４項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
　（１）本願発明
　
　平成１７年１０月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年６月２７日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面に複数の画素により構成される画素領域を有し、
　前記画素領域のそれぞれの画素に信号を供給する信号線を形成し、
　前記一方の基板と他方の基板の間に前記画素領域を囲うようにしてシール剤が形成され、
　前記信号線は前記画素領域から前記シール剤を越えて前記一方の基板の端子部まで延在され、
　該シール剤を越えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜によって、前記端子部の周辺に配置された有機樹脂の配置箇所まで被われていることを特徴とする液晶表示装置。」（以下、「本願発明」という。） 
　 
　（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びそれらの記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
　（３）対比・判断
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜」に関する限定事項である「前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記薄膜トランジスタを被っている前記保護膜と同一の材料で、前記シール剤の下側から延在されて形成されている」との限定を省き、「『シール剤を超えて延在される信号線』が『その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜によって、』『前記端子部の周辺に配置された有機樹脂の配置箇所まで被われて』いる」の限定事項である「前記シール剤の外側であって、前記他方の基板端から前記信号線の延在方向に及んで」との限定を省くとともに、「複数の画素」の限定事項である「保護膜で被われた薄膜トランジスタを備えた」との限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例に記載された発明、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　（４）むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。