【事件の表示】
　特願２００２−５７２６３７「インサイチュ・キャップ及び集積回路装置用インサイチュ・キャップの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１９日国際公開、ＷＯ０２／７３６９１、平成１６年１２月　２日国内公表、特表２００４−５３５９３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１４年３月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年３月７日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、同１７年９月２６日付で拒絶の理由が通知され、同１８年１月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１８年４月４日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１８年７月１０日に本件審判の請求がされ、同１８年８月９日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載は以下のとおりである。
　
(１)　補正前の請求項１
「マイクロマシン装置用インサイチュ・キャップの製造方法であって、
　完全な犠牲支持層を有する基板上にマイクロマシン素子を形成する段階と、
　前記マイクロマシン素子上にキャップ犠牲支持層を形成する段階と、
　前記マイクロマシン素子を覆う前記犠牲支持層にキャップ構造を形成する段階と、
　前記素子と一体とされたインサイチュ・キャップを残して前記マイクロマシン素子を解放するために前記キャップ構造内の前記犠牲支持層を除去する段階と、
　を含むことを特徴とする方法。」
　
(２)　補正後の請求項１
「マイクロマシン装置用インサイチュ・キャップの製造方法であって、
　完全な犠牲支持層を有する基板上にマイクロマシン素子を形成する段階と、
　前記マイクロマシン素子上にキャップ犠牲支持層を形成する段階と、
　前記マイクロマシン素子を覆う前記犠牲支持層にキャップ構造を形成する段階と、
　前記素子と一体とされたインサイチュ・キャップを残して前記マイクロマシン素子を解放するために前記キャップ構造内の前記犠牲支持層を除去する段階と、
　
流体を前記キャップ構造内に導入する段階と、
　を含むことを特徴とする方法。」
　
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、マイクロマシン装置用インサイチュ・キャップの製造方法が流体をキャップ構造内に導入する段階を含むものであるという限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
(１)　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１の(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
(２)　引用例記載事項
　原査定で引用され、この出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−７０２８７号公報（以下「引用例１」という。）及び特開平８−３２０９０号公報（以下「引用例２」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
ア　引用例１
(ア)　４欄３６行−６欄３６行
「次に、このような振動式トランスデューサの構成要素としての振動ゲージ２２を製造する製造方法について、図２１と図２２に示す製造工程図を用いて説明する。
【００２１】なお、図２２に示す製造工程は、図２１に示す製造工程に連続して続くものであるが、説明の便宜上２つに分割してある。図１８に示す構成では、振動ゲート１６の部分とこれを両端で固定する固定端１４、１５の部分とでは製造工程の過程で生じる断面構造が異なるので、同一工程ではあるが左右に分離してこれらを各別に図示する。
【００２２】左側の図は振動ゲート１６の中央部の断面構造で、右側の図が固定端１４の部分の断面構造である。なお、固定端１５の部分は固定端１４の部分と同一の構造であるので省略する。
【００２３】ステップ１は、ゲート酸化膜形成工程を示す。ｎ形のシリコン単結晶の基板３０の上にゲート酸化膜３１を、例えば５００オングストローム程度の厚さに形成する。この工程では、振動ゲートの中央部と固定端部での断面構造は同一に形成される。この後、ステップ２に移行する。以後、各ステップをステップ番号に従って進行する。
【００２４】ステップ２は、イオン注入工程を示す。ここでは、ｐ形不純物としてボロンを所定領域にイオン注入する。これにより、振動ゲートの中央部ではチャネルＣＣＮを形成する予定の所定間隔ＷＮをおいてｐ形のソース部３２（図１８のＷＳに対応）とドレイン部３３（図１８のＷＤに対応）とを形成し、固定端部ではｐ形のゲートリード部３４（図１８のＷＧに対応）を形成する。
【００２５】ステップ３は、チャネル形成工程を示す。ここでは、振動ゲートの中央部においてチャネルＣＣＮを形成する予定の所定間隔ＷＮのチャネル部３４（ＣＣＮ２）にボロンを浅い深さでイオン注入する。これによって、ソース・ドレイン間の抵抗を所定値に制御することができる。この場合、固定端部では変化がない。
【００２６】ステップ４は、窒化膜形成工程を示す。この工程では、後工程で使用する弗化水素酸（ＨＦ）に対する、ゲート酸化膜３１の保護のために、弗化水素酸に対して耐性が強い絶縁膜３５として、例えばＳｉＣｘＮｙ膜を、ほぼ１０００オングストローム程度の厚さで、ゲート酸化膜３１の上に成膜する。
【００２７】ステップ５は、第１犠牲層酸化膜形成工程を示す。この工程は、先ず、最終的に振動ゲート１６の周囲に空隙を形成するための下側の犠牲層としてＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法により５０００オングストローム程度の厚さに絶縁膜３５の上に酸化膜３６を形成する。
【００２８】次に、固定端部に対しては、フオトリソグラフイ技術により固定端１４が形成される予定の部分のゲート酸化膜３１、絶縁膜３５、及び酸化膜３６の部分を開口部３７として開口する。
【００２９】ステップ６は、ポリシリコン成膜工程を示す。この工程は最終的に振動ゲート１６と固定端１４とを形成するための前工程である。先ず、酸化膜３６と開口部３７の上にポリシリコン３８を例えば１μｍ程度の厚さで成膜する。この後、導電性を付与するためにボロンをドープする。
【００３０】次に、フオトリソグラフイ技術により振動ゲート１６に対応する部分と開口部３７に対応する部分にマスクをしてから、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によりポリシリコン３８を所定の形状にエッチングして最終的に振動ゲートとなる板状の梁３９と、開口部３７にＹ形の支柱４０を形成する。
【００３１】ステップ７は、第２犠牲層酸化膜形成工程を示す。この工程は、最終的に振動ゲート１６の周囲に空隙を形成するための、下側を除く部分の犠牲層としてＣＶＤ法により５０００オングストローム程度の厚さに酸化膜３６、梁３９、及び支柱４０の上に酸化膜４１を形成する。
【００３２】ステップ８は、酸化膜エッチング工程を示す。まず、フオトリソグラフイ技術により振動ゲートの中央部では梁３９の近傍を、固定端部では支柱４０の近傍と支柱４０のＹ字中央部４２を除く部分をマスクしてから、これらの周囲の酸化膜３６と４１を弗化水素酸でエッチングして間隙対応部４３、４４を形成する。
【００３３】ステップ９は、ギャップ対応成膜工程を示す。この工程は、後工程で用いられるエッチング液を導入するための犠牲層としての酸化膜４５を、ほぼ５００オングストローム程度の厚さで絶縁膜３５と間隙対応部４３、４４の上を含んで全面にＣＶＤ法により形成する。この後、フオトリソグラフイ技術を用いてＹ字中央部４２の上の酸化膜４５をエッチングして除去する。
【００３４】ステップ１０は、シエル対応部形成工程を示す。ステップ９で形成された酸化膜４５などの上に１μｍ程度の厚さになるようにポリシリコン４６を成膜する。この後、ＲＴＡ（Rapid Thermal Aneal）によりシエル及び振動ゲートのポリシリコンに残存するストレスを短時間熱処理して除去し、これらが変形するのを防止する。
【００３５】この後、フオトリソグラフイ技術を用いてマスクし、ＲＩＥによりポリシリコン４６をエッチングして振動ゲートを覆う大きさの範囲にシエル対応部４７を形成する。
【００３６】ステップ１１は、エッチングギャップ形成工程を示す。この工程は、振動ゲートとシエルとを形成するために、弗化水素酸を用いて酸化膜４５をエッチングしながらこれを除去して導入孔４８を形成し、ついでこの導入孔４８を介して間隙対応部４３、４４をも除去する。このようにして、振動ゲート１６、固定端１４、及びシエル４９を形成する。」
　
(イ)　７欄１０−１３行
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様な、微細加工技術（マイクロマシーニング）を用いて、半導体基板上に形成された構造型トランスデューサにおいては、以下のような問題がある。」
　
　また、上記摘記事項(ア)中の
「【００２３】ステップ１は、・・・基板３０の上にゲート酸化膜３１を、・・・形成する。・・・
【００２６】ステップ４は、・・・絶縁膜３５として、・・・ゲート酸化膜３１の上に成膜する。
【００２７】ステップ５は・・・絶縁膜３５の上に酸化膜３６を形成する。
【００２８】次に、固定端部に対しては、フオトリソグラフイ技術により固定端１４が形成される予定の部分のゲート酸化膜３１、絶縁膜３５、及び酸化膜３６の部分を開口部３７として開口する。
【００２９】ステップ６は、・・・最終的に振動ゲート１６と固定端１４とを形成するための前工程である。先ず、酸化膜３６と開口部３７の上にポリシリコン３８を例えば１μｍ程度の厚さで成膜する。・・・
【００３０】次に、・・・ポリシリコン３８を所定の形状にエッチングして最終的に振動ゲートとなる板状の梁３９と、開口部３７にＹ形の支柱４０を形成する。」
より、図２１を参照しつつみると、振動ゲートとなる板状の梁３９と両端のＹ形の支柱４０とは、一体に形成されており、該Ｙ形の支柱４０は、基板３０上に形成されているのであるから、基板３０上に振動ゲートが形成されていることが明らかである。
　
　同じく、摘記事項(ア)中の
「【００３２】ステップ８は、・・・振動ゲートの中央部では梁３９の近傍を、固定端部では支柱４０の近傍と支柱４０のＹ字中央部４２を除く部分をマスクしてから、これらの周囲の酸化膜３６と４１を弗化水素酸でエッチングして間隙対応部４３、４４を形成する。
【００３３】ステップ９は、・・・後工程で用いられるエッチング液を導入するための犠牲層としての酸化膜４５を、・・・絶縁膜３５と間隙対応部４３、４４の上を含んで全面にＣＶＤ法により形成する。この後、・・・Ｙ字中央部４２の上の酸化膜４５をエッチングして除去する。
【００３４】ステップ１０は、・・・ステップ９で形成された酸化膜４５などの上に・・・ポリシリコン４６を成膜する。・・・
【００３５】この後、・・・ポリシリコン４６をエッチングして振動ゲートを覆う大きさの範囲にシエル対応部４７を形成する。
【００３６】ステップ１１は、・・・振動ゲートとシエルとを形成するために、弗化水素酸を用いて酸化膜４５をエッチングしながらこれを除去して導入孔４８を形成し、ついでこの導入孔４８を介して間隙対応部４３、４４をも除去する。このようにして、振動ゲート１６、固定端１４、及びシエル４９を形成する。」
より、シェル対応部４７は、支柱４０のＹ字中央部４２に固定されており、そして、上記のとおり、振動ゲート１６となる板状の梁３９と両端のＹ形の支柱４０とが一体に形成されているのであるから、シェル対応部４７が振動ゲート１６と一体とされていることは明らかである。
　
　さらに、シェル対応部４７内の酸化膜３６，４１，４５の除去は、シェル対応部４７を残して振動ゲートを解放するために行われるものであることは、技術常識より明らかである。
　
　以上のとおりであるので、引用例１には、次の事項が記載されていると認める。
「微細加工技術（マイクロマシーニング）を用いて振動式トランスデューサを製造するとともに、その製造工程中に振動式トランスデューサの振動ゲート１６、シェル対応部４７を製造する方法であって、
　酸化膜３６を有する基板３０上に振動ゲート１６を形成する段階と、
　前記振動ゲート１６上に酸化膜４１，４５を形成する段階と、
　前記振動ゲート１６を覆う前記酸化膜４１，４５にシェル対応部４７を形成する段階と、
　前記振動ゲート１６と一体とされたシェル対応部４７を残して前記振動ゲート１６を解放するために前記シェル対応部４７内の前記酸化膜３６，４１，４５を除去する段階と、
　を含む方法。」（以下「引用例１記載の発明」という。）
　
イ　引用例２
(ア)　７欄１１−１５行
「【課題を解決するための手段】この発明は、あらかじめ基板とウエハとを接合したものから慣性力センサを構成する素子をエッチングを用いて作る技術（バルクマイクロマシニンング技術）を利用して製造した慣性力センサに関するものである。」
　
(イ)　１５欄４２行−１６欄３３行
「【００７０】図３に実施例１の加速度センサの製造方法について説明する。図３において、１８および１９は酸化膜、２０は単結晶シリコンからなり結晶面が（１１０）面を有するデバイスウエハ、２１はエッチング溝、２２および２３は酸化膜または窒化膜などからなるパッシベーション膜、２４はｐ型またはｎ型の不純物拡散層、２５は加速度を検出するための検出回路ＩＣ、２６は検出回路ＩＣ２５を組み込むためのシリコンＩＣ基板、２７はボンディングワイヤーである。まず、デバイスウエハ２０上に厚さ３μｍ程度の酸化膜１８を堆積した後、半導体リソグラフィー技術を用いて酸化膜１８上にパターンを形成する。その後ドライエッチングまたはウエットエッチングにより酸化膜１８表面から２μｍから３μｍ程度の深さをもつエッチング溝２１を形成する。また、エッチング溝２１は完成後の質量体４および梁３を自由に振動させるためのものであるから、基板９上の酸化膜１９の上にエッチング溝２１を設けてもよい。その後、このデバイスウエハ２０と酸化膜１９を堆積した基板９を融合接合（ヒュージョンボンディング）技術を用いて両者を接合する（図３（ａ））。
【００７１】次に、デバイスウエハ２０の表面を研磨しデバイスウエハ２０の厚さを所望する厚さに調節する（図３（ｂ））。」
　
(ウ)　１８欄４５行−１９欄１８行
「【００７８】または、上述のように加速度を検出するための検出回路をＩＣ化した検出回路ＩＣ２５を組み込んだシリコンＩＣ基板２６を別に用意するのではなく、デバイスウエハ２０にあらかじめ検出回路ＩＣ２５を組み込んでおくのでもよい。組み込みの方法として、図３（ｂ）工程の終了後デバイスウエハ２０の上に検出回路ＩＣ２５を鏡面化された面に作り込めばよい。または、初めからデバイスウエハ２０にＩＣ化された検出回路ＩＣ２５を組込んでおくのでもよい。上述のように図３（ｂ）工程、つまりデバイスウエハ２０の表面を研磨し、デバイスウエハ２０の厚さを所望する厚さに調節した後、デバイスウエハ２０の上に検出回路ＩＣ２５を鏡面化された面に組み込み、パッシベーション膜２２を堆積し、加速度センサのパターンを形成し、異方性エッチングにより振動体、固定電極６、固定電極７、およびシリコンＩＣ基板２６を形成する。その後、パッシベーション膜２２を除去し、異方性エッチングにより外気にさらされた酸化膜１８をエッチングにより除去することにより梁３と質量体４とを解放する。その後、金属電極８を形成し、ボンディングワイヤー２７を用いて構造体および検出回路ＩＣ２５の上の金属電極８を配線する（図３（ｆ））。このような方法を用いると検出回路ＩＣ２５を組み込んだシリコンＩＣ基板２６を基板９に接合する工程を省略することができる。」
　
(エ)　２０欄１０−２７行
「【００８２】次に上述したいずれかの方法により製造された加速度センサをパッケージ収納した状態の平面図と側面図（図６及び図７）を示す。図６および図７において、２９はリードピン、３０はステム、３１はキャップ、３２は接着剤である。図示したものは、検出回路ＩＣ２５を組み込んだシリコンＩＣ基板２６が加速度センサ素子１４の上に接合された加速度センサをパッケージしたもの（図６）、および検出回路ＩＣ２５をデバイスウエハ２０に組み込んで製造した加速度センサをパッケージ（図７）したものである。検出回路をＩＣ化していない場合は、ハイブリッドＩＣ用のセラミック基板上に検出回路ＩＣ２５を除いた加速度センサの構成部分と、検出回路を構成するディスクリート電子部品からなる検出回路とをマウントしこれをパッケージしてもよい（図示せず）。キャップ３１内には、センサの周波数特性を調整する場合、必要に応じて圧力媒体（例えば、ある特定圧力の空気、窒素またはＡｒ等の不活性ガス）や液体（例えば、シリコンオイルなど）を封入すればよい。」
　
　以上のとおりであるので、引用例２には、次の事項が記載されていると認める。
「周波数特性の調整のため、マイクロマシニンング技術を用いて製造した加速度センサのキャップ３１内に流体を封入すること。」（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）
　
(３)　対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比する。
　引用例１記載の発明の「振動式トランスデューサ」は、微細加工技術（マイクロマシーニング）を用いて製造されたものであるので、補正発明の「マイクロマシン装置」に相当しており、同様に、「振動ゲート１６」は「マイクロマシン素子」に相当している。
　引用例１記載の発明の「振動ゲート１６」及び「シェル対応部４７」は、振動式トランスデューサの製造工程中に製造されるものであるので、補正発明の「インサイチュ・キャップ」に相当しており、同様に、「シェル対応部４７」は、「インサイチュ・キャップ」の一部をなす「キャップ構造」に相当している。
　さらに、補正発明の「完全な犠牲支持層」の「完全な」とは、平成１８年１月４日に提出された意見書の［４］「理由４に対して」の（１）の記載より、犠牲支持層は、それが解放される時点よりも前には完全な状態、すなわち、剥離剤で除去されるまでは、完全な状態にあるという意味であり、これは、出願当初明細書で説明されているように、また当業者によく知られているように、キャップ犠牲支持層として機能し、剥離剤で除去することが可能なタイプの層のことを意味するものである。そして、この意味において、引用例１記載の発明の「酸化膜３６」も「完全な」ものであるので、引用例１記載の発明の「酸化膜３６」は、補正発明の「完全な犠牲支持層」に相当している。
　また、引用例１記載の発明の振動ゲート上に形成される「酸化膜４１，４５」、振動ゲートを覆う「酸化膜４１，４５」及び振動ゲートを解放するために除去される「酸化膜３６，４１，４５」は、補正発明のマイクロマシン素子上に形成される「キャップ犠牲支持層」、マイクロマシン素子を覆う「犠牲支持層」及びマイクロマシン素子を解放するために除去される「犠牲支持層」に、それぞれ相当している。
　
　以上のとおりであるので、両者は、次の「方法」で一致している。
「マイクロマシン装置用インサイチュ・キャップの製造方法であって、
　完全な犠牲支持層を有する基板上にマイクロマシン素子を形成する段階と、
　前記マイクロマシン素子上にキャップ犠牲支持層を形成する段階と、
　前記マイクロマシン素子を覆う前記犠牲支持層にキャップ構造を形成する段階と、
　前記素子と一体とされたインサイチュ・キャップを残して前記マイクロマシン素子を解放するために前記キャップ構造内の前記犠牲支持層を除去する段階と、
　を含む方法。」
　
　そして、両者は、次の点で相違している。
　補正発明では、「流体をキャップ構造内に導入する段階」を含むものであるのに対し、引用例１記載の発明では、そのような段階を含むものではない点。
　
(４)　相違点の検討
　そこで、上記相違している点について検討すると、上記引用例２には、上記(２)のイのとおりの技術的事項が記載されており、引用例２記載の技術的事項の「加速度センサ」は、マイクロマシニング技術を用いて製造されることから、引用例１記載の発明の「振動式トランスデューサ」と同様に「マイクロマシン装置」であり、両者はマイクロマシン装置に関する点で技術分野が一致する。
　そして、引用例１記載の発明においても、振動特性の調整が好ましいことは明らかであるから、引用例２記載の技術的事項を採用して、キャップ構造内に流体を導入することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　また、補正発明が奏する作用効果は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術的事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
　なお、審判請求人は、平成１８年１月４日に提出された意見書の［２］「理由２及び３に対して」の（２）「対比」欄、及び平成１８年８月９日に提出された手続補正書（方式）４頁１１−１９行において、キャップが犠牲層の上側に形成され、マイクロマシン素子も犠牲層の上側に形成される引用例１記載の発明に対し、補正発明は、キャップが犠牲層の内部に形成され、マイクロマシン素子が基板上に形成される点で、引用例１記載の発明と相違するものである旨主張している。
　しかし、上記(２)のアにおける引用例１記載の発明の認定のとおり、引用例１記載の発明においてもマイクロマシン素子は基板上に形成されている。
　また、キャップが犠牲層の内部に形成される点は、請求項１に明記されている事項ではないので、請求項１に記載された事項に基づく主張ではない。仮に、この点が請求項１に記載された事項より読み取れることであるとしても、引用例１の図２１のステップ１０の右側の図に示されているようにシェル対応部４７（キャップ）が犠牲層の内部の支柱４０に形成されているので、キャップが犠牲層の内部に形成される点は、引用例１にも記載されている事項である。
　したがって、上記主張は採用できない。
　
　よって、補正発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、改正前特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１乃至６２に係る発明は、願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１の(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
　
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、上記第２の２の(２)に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で述べたとおり、補正発明の特定事項から、上記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、上記第２の２の(４)で検討したように、補正発明と引用例１記載の発明とは、上記限定事項でのみ相違しており、その他の事項で一致しているので、相違点であるところの限定事項が省かれた本願発明と引用例１記載の発明とは、同一発明となる。
　同一発明である以上、本願発明は、引用例１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもある。
　
４　むすび
　以上のとおりであるので、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２乃至６２に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。