【事件の表示】
　特願２００２−３２２１７９「高周波誘導結合プラズマ源および高周波誘導結合プラズマ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月　３日出願公開、特開２００４−１５８２７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯・本願発明の認定
　本願は平成１４年１１月６日の出願であって、平成１９年５月１１日付けで拒絶の理由が通知され、平成１９年７月１２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年８月２３日付けで拒絶の査定がされたため、これを不服として平成１９年９月２６日付けで本件審判請求がされたものである。
　したがって、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年７月１２日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲【請求項１】に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「励起コイルにより形成した交流磁場をプラズマ生成室内に導入し、そのプラズマ生成室内にプラズマを生成する高周波誘導結合プラズマ源において、
　前記プラズマ生成室内に突出し、前記プラズマ生成室内部と外部とを隔てる電気絶縁性隔壁と、
　前記プラズマ生成室内に突出した前記電気絶縁性隔壁とプラズマ生成室内壁との間のリング状空間に、カスプ磁場を形成する磁場形成装置とを設け、
　前記プラズマ生成室内に突出した前記電気絶縁性隔壁を囲むリング状プラズマが形成されるように、前記電気絶縁性隔壁の外側凹部に前記励起コイルを配設したことを特徴とする高周波誘導結合プラズマ源。」　
　
　
第２　当審の判断　
１．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−５０４９６号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の（ア）〜（オ）の記載が図示とともにある。
　
（ア）「【請求項１】  アンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置に於いて、反応室を画成する真空容器の一部を絶縁材として交番電磁界透過窓を形成し、該交番電磁界透過窓を反応室中心に向かって突出する凹形状とし、該交番電磁界透過窓内にプラズマ発生用のアンテナを挿設したことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
（イ）「【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、被処理基板の大型化の要請に対応し、反応室を大型化してもプラズマの均一性を確保し得、更に反応室壁面の温度制御の向上を図るものである。」
　
（ウ）「【００１７】天井、底床を有する略円筒形状をし反応室１９を画成する真空容器２０の天井に窓孔２１を穿設し、該窓孔２１に有底筒体の交番電磁界透過窓２２を嵌入する。該交番電磁界透過窓２２は真空容器２０に対して中心に向かって突出する凹形状となっている。該交番電磁界透過窓２２は石英等絶縁材料から成り、上端周囲に形成したフランジ２３が前記真空容器２０の上面に気密に固着されている。前記交番電磁界透過窓２２内部にはコイル状のアンテナ２４が挿設されており、該アンテナ２４には整合器２５を介して高周波電源２６が接続されている。
【００１８】前記アンテナ２４は被処理基板１１に対して垂直な軸心線を中心として線材をコイル状に巻いて成形したものであり、前記交番電磁界透過窓２２内に挿設することで反応室１９の中心部、或は中心部近傍に位置することができる。又、アンテナ２４を交番電磁界透過窓２２内に挿入する構成であるので、アンテナ２４のコイル径を小さくでき電磁界の有効利用が行える。」
　
（エ）「【００２１】前記反応室１９を図示しない排気ポンプで排気した後、該反応室１９へ図示しない反応ガス供給機構により反応ガスを供給し、図示しない圧力制御機構で反応室１９の圧力を所定の圧力に維持した状態で、前記アンテナ２４に高周波電源２６から整合器２５を介して高周波電力を印加し、前記アンテナ２４により交番電磁界を発生させる。
【００２２】前記交番電磁界透過窓２２を透過し、交番電磁界透過窓２２の側面から下方に発せられた交番電磁界により反応室１９の反応ガスが電離し、プラズマ化される。電離した電子はアンテナ２４により形成された磁界により飛行の軌道が曲げられ飛行距離が伸び、より多くのガス粒子（分子、原子）と衝突しつつ、より多くの粒子の電離を惹起する。従って高濃度のプラズマが生成され、生成されたプラズマにより前記試料台２９上の被処理基板１１が処理される。」
　
（オ）「【００２６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、下記の優れた効果を発揮する。
【００２７】（１）［審決注：丸囲み数字は、表記の都合上、括弧付き数字で表現した。］ 反応室壁面に設ける交番電磁界透過窓を反応室中心に向かって凹形状とすることにより、反応室の外形寸法を大きくしても、前記交番電磁界透過窓の厚みを外形寸法に応じて大きくする必要がなく、アンテナが生成する交番電磁界をプラズマ生成の為に有効に利用することができる。
【００２８】（２）［審決注：丸囲み数字は、表記の都合上、括弧付き数字で表現した。］ 反応室に設ける交番電磁界透過窓を反応室中心に向かって凹形状とし、交番電磁界透過窓内にアンテナを挿設したので、アンテナが生成する交番電磁界の殆どが交番電磁界透過窓を透過するので交番電磁界をプラズマ生成の為に有効に利用することができる。」
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−６６８２６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の（カ）〜（ク）の記載が図示とともにある。
　
（カ）「高周波でプラズマを生成するプラズマ室と高周波電流を供給する高周波電源および前記プラズマ室からイオンを引き出すイオン引き出し装置とその電源から構成される高周波イオン源」（第１頁左欄第５〜８行）
　
（キ）「第１図は、高周波イオン源応用装置の一実施例である。高周波によりプラズマを生成するためのプラズマ室１、プラズマ室１からイオンを引き出すための引き出し電極２，３および引き出されたイオンにより材料表面層を加工するための加工室４より構成され、加工室４は排気通路５から図示しない排気装置に結合されており、プラズマ室１には、ガス導入口６から図示しないガス供給装置へ連結されている。プラズマ室１及び加工室４よりなる装置内空間は、真空排気装置により１０−８Ｔｏｒｒ以下の圧力まで排気された後、試料ガスを１０−４〜１０−８Ｔｏｒｒに充填し、高周波電源７から整合回路８を径て、コイル９に高周波電力を供給、プラズマを生成する。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第６行）
　
（ク）「第５図、第６図は、高周波イオン源応用装置の他の実施例である。この実施例では、プラズマ室１の外側に永久磁石３０を放射状に配置にしたものである。磁石３０は、第５図［審決注：「第６図」の明らかな誤記である。］に示したように、偶数個の永久磁石をその極性が半径方向となるように、また、隣接する磁石の極性が反対方向となるように配置したものである。このような磁石配置によりプラズマ室１の内壁面近くに隣り合う磁界の極性が反対向きの磁界が形成される。プラズマ室の壁面近傍にこの様な磁界が存在すると、高周波コイル９によって生成されたプラズマは、壁面に逃げにくくなるので、プラズマ密度が向上、さらに、プラズマ室内での密度分布が均一化され、イオン引き出し装置で加工室４へ引き出されたイオンビームを均質で、かつ、電流密度の大きいものにできる。」（第３頁右下欄第１７行〜第４頁左上欄第１２行）
　
２．引用例１記載の発明の認定
　引用例１の上記記載（エ）及び図１から、コイル状のアンテナにより発生された交番電磁界のうち交番電磁界透過窓の側面から発せられた交番電磁界により生成されるプラズマは、交番電磁界透過窓の側面と反応室を画成する真空容器とにより形成される空間部分に生成されており、かかるプラズマの形状は、交番電磁界透過窓の側面と反応室を画成する真空容器とにより形成される空間と同じ形状であって、リング状であると認められる。
　したがって、引用例１には次のような発明が記載されていると認めることができる。
　
「コイル状のアンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して前記反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置に於いて、前記反応室を画成する真空容器の一部を絶縁材として交番電磁界透過窓を形成し、前記交番電磁界透過窓を前記反応室中心に向かって突出する凹形状とし、前記交番電磁界透過窓内にプラズマ発生用の前記コイル状のアンテナを挿設し、前記コイル状のアンテナにより発生された交番電磁界が前記交番電磁界透過窓を透過し、前記交番電磁界透過窓の側面から下方に発せられた交番電磁界により前記反応室の反応ガスを電離させて、前記交番電磁界透過窓の側面と前記反応室を画成する前記真空容器とにより形成される空間部分にリング状のプラズマを生成するプラズマ処理装置。」（以下、「引用発明１」という。）
　
３．本願発明と引用発明１の一致点及び相違点の認定
（ア）引用発明１の「コイル状のアンテナ」、「交番電磁界」は、それぞれ、本願発明の「励起コイル」、「交流磁場」に相当する。また、引用発明１の「プラズマ処理装置」は「反応室にプラズマを生成する」から、引用発明１の「反応室」が本願発明の「プラズマ生成室」に相当する。さらに、引用発明１の「前記コイル状のアンテナにより発生された交番電磁界が交番電磁界透過窓を透過」して「反応室に交番電磁界を生成」することは、本願発明の「励起コイルにより形成した交流磁場をプラズマ生成室内に導入」することに相当する。
　そして、引用発明１の「プラズマ処理装置」は「コイル状のアンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成する」という原理でプラズマを生成しているから、引用発明１の「プラズマ処理装置」で生成されるプラズマは高周波誘導結合プラズマである。
　したがって、引用発明１の「プラズマ処理装置」において「コイル状のアンテナに高周波電力を印加」し、「前記コイル状のアンテナにより発生された交番電磁界が交番電磁界透過窓を透過」して、「反応室に交番電磁界を生成して前記反応室にプラズマを生成する」ことは、本願発明の「励起コイルにより形成した交流磁場をプラズマ生成室内に導入し、そのプラズマ生成室内にプラズマを生成する高周波誘導結合プラズマ源」に相当する。
　
（イ）引用発明１の「前記反応室を画成する真空容器の一部を絶縁材として交番電磁界透過窓を形成し、前記交番電磁界透過窓を前記反応室中心に向かって突出する凹形状」としたものは、本願発明の「前記プラズマ生成室内に突出し、前記プラズマ生成室内部と外部とを隔てる電気絶縁性隔壁」に相当する。
　
（ウ）引用発明１の「前記交番電磁界透過窓を前記反応室中心に向かって突出する凹形状とし、前記交番電磁界透過窓内にプラズマ発生用の前記コイル状のアンテナを挿設」すること及び「前記交番電磁界透過窓の側面から下方に発せられた交番電磁界により前記反応室の反応ガスを電離させて、前記交番電磁界透過窓の側面と前記反応室を画成する前記真空容器とにより形成される空間部分にリング状のプラズマを生成する」ことは、本願発明の「前記プラズマ生成室内に突出した前記電気絶縁性隔壁を囲むリング状プラズマが形成されるように、前記電気絶縁性隔壁の外側凹部に前記励起コイルを配設したこと」に相当する。
　
（エ）したがって、本願発明と引用発明１とは、
「励起コイルにより形成した交流磁場をプラズマ生成室内に導入し、そのプラズマ生成室内にプラズマを生成する高周波誘導結合プラズマ源において、
　前記プラズマ生成室内に突出し、前記プラズマ生成室内部と外部とを隔てる電気絶縁性隔壁と、
　前記プラズマ生成室内に突出した前記電気絶縁性隔壁を囲むリング状プラズマが形成されるように、前記電気絶縁性隔壁の外側凹部に前記励起コイルを配設したことを特徴とする高周波誘導結合プラズマ源。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点〉
　本願発明の「高周波誘導結合プラズマ源」は「前記プラズマ生成室内に突出した前記電気絶縁性隔壁とプラズマ生成室内壁との間のリング状空間に、カスプ磁場を形成する磁場形成装置」を設けたのに対し、引用発明１の「コイル状のアンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置」は前記「カスプ磁場を形成する磁場形成装置」を設けていない点。
　
４．相違点についての判断
（１）引用例２の「高周波イオン源応用装置」では、偶数個の磁石をその極性が半径方向となるように、また、隣接する磁石の極性が反対方向となるように配置し、このような磁石配置により隣り合う磁界の極性が反対向きの磁界が形成される（引用例２の上記記載（ク）及び第６図を参照。）。そして、かかる磁石配置により形成される磁界は一般にカスプ磁場と呼ばれるから（一例として、特開昭６２−７１１４６号公報（第２頁右上欄第４〜１０行、第２図）を参照。）、引用例２の磁石配置によって形成される磁界はカスプ磁場である。また、引用例２の前記磁石配置により形成される磁界であって一般にカスプ磁場と呼ばれる磁場は、生成されたプラズマがプラズマ室の壁面に逃げにくくなるようにしてプラズマ密度を向上させるために形成されるから、引用例２の前記磁石配置により形成される磁界であって一般にカスプ磁場と呼ばれる磁場は、プラズマ室のうちプラズマが生成される空間であって、かつ、プラズマ室の壁面近傍に形成される（引用例２の上記記載（ク）及び第５図を参照。）。
　そして、引用例２に記載されたプラズマ密度の向上という課題はプラズマ源が有する自明の課題であるから、引用例２に記載されたプラズマ密度の向上という課題は引用発明１の「コイル状のアンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置」にも存在する課題であることは当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明１の「コイル状のアンテナに高周波電力を印加し反応室に交番電磁界を生成して反応室にプラズマを生成するプラズマ処理装置」において、引用発明１において生成されたプラズマが真空容器の壁面に逃げないようにして上記課題を解決するために、引用例２の前記磁石配置により形成される磁界であって一般にカスプ磁場と呼ばれる磁場を形成する磁石を設けることは当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、前記相違点に係る本願発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　また、本願発明の効果は、引用発明１及び引用例２に記載された発明から予測し得る程度のものである。
　
（２）なお、本願発明における「カスプ磁場を形成する磁場形成装置」を本願の図２の実施例のように配置された磁石であると限定的に解釈したとしても、プラズマ源の分野では、かかる磁石の配置は本願出願時において周知の技術であるから（原査定に引用された特開平２−１２３６４０号公報（第３頁左上欄第１５〜１９行、第１ｂ図、第２図）を参照。）、かように限定的に解釈された本願発明も当業者にとって想到容易である。
　また、本願明細書の段落【００１６】の記載に基づいて、本願発明の「磁場形成装置」により形成される「カスプ磁場」はプラズマ中の電子をトラップしてプラズマの生成を促進するという作用を有する磁場であると限定的に解釈したとしても、プラズマ源の分野では、かかる作用を有するカスプ磁場は本願出願時において周知の技術であるから（特開平３−４０３４２号公報（第３頁左上欄第１５行〜第３頁右上欄第６行、第１図）、特開昭６４−５０４２４号公報（第３頁右上欄第３〜９行、第１図）を参照。）、かように限定的に解釈された本願発明も当業者にとって想到容易である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。 
　よって、結論のとおり審決する。