【事件の表示】
　特願２００１−３９２７５０「成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　４日出願公開、特開２００２−２８９５４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２５日（優先日：２００１年１月３０日　韓国）の出願であって、平成１６年７月７日付で拒絶理由が通知され、平成１７年１月１３日付で手続補正がなされ、平成１８年２月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年５月２２日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で補正されたものである。
　
ＩＩ．平成１８年５月２２日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年５月２２日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜６は次のとおり補正された。
　
　「【請求項１】　成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法において、
　半導体基板上に選択エッチング層、空間層、選択エッチング層及び誘電体薄膜を、順に形成する第１ステップと、
　前記誘電体薄膜を所定の間隔をおいた２つの矩形に形成すると共に、前記２つの矩形の誘電体薄膜間にブリッジ形状の誘電体薄膜を形成する第２ステップと、
　前記誘電体薄膜をエッチングマスクとして用いて、前記空間層及び前記空間層上に形成された選択エッチング層の一部を湿式選択エッチングすることによって、前記２つの矩形の誘電体薄膜の下に２つの矩形の前記空間層を形成し、前記ブリッジ形状の誘電体薄膜の下の空間層及び選択エッチング層を除去する第３ステップと、
　前記ブリッジ形状の誘電体薄膜を用いて、前記半導体基板上に成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なる前記半導体エピタキシャル層を成長させる第４ステップと
　を備えたことを特徴とする成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。
　 【請求項２】　前記第４ステップは、ＭＯＣＶＤ法を用いることを特徴とする請求項１に記載の成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。
　 【請求項３】　前記第４ステップは、前記ブリッジ形状の誘電体薄膜のブリッジの間隔及び幅を用いて前記エピタキシャル層の成長速度及び厚さを調節することを特徴とする請求項１に記載の成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。
　 【請求項４】　前記誘電体薄膜は、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘであることを特徴とする請求項１に記載の成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。
　 【請求項５】　前記第１ステップの誘電体薄膜は、ＣＶＤ法を介して形成されることを特徴とする請求項１に記載の成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。
　 【請求項６】　前記第２ステップは、ホトリソグラフィを用いることを特徴とする請求項１に記載の成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。」
　
２．補正の適否について
　上記補正の内、請求項１については、補正前の平成１７年１月１３日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１を削除するとともに、補正前の請求項１を引用する請求項２を新たな請求項１としたものであって、さらに、補正前の請求項１に記載された「半導体集積素子を製作するための半導体基板」を「半導体基板」と補正し、「間隔及び幅の調節が可能なブリッジ形の誘電体薄膜」を「ブリッジ形の誘電体薄膜」と補正したものである。
　
　上記補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項の一部である、「半導体集積素子を製作するための」を削除し、「半導体基板」を一般化することにより拡張している。さらに、「間隔及び幅の調節が可能な」を削除し、「ブリッジ形の誘電体薄膜」を一般化することにより拡張しているので、この補正は、補正前の請求項１〜７の限定的減縮を目的としたものには該当しないし、さらに、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、上記請求項１についての補正が特許法第１７条の２第４項各号に規定するいずれの目的にも該当しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１８年５月２２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、特許請求の範囲の請求項１〜７は、平成１７年１月１３日付の手続補正書により補正されたものであり、その請求項１は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】　成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法において、
　半導体集積素子を製作するための半導体基板上にブリッジ形の誘電体薄膜を成長させる第１ステップと、
　間隔及び幅の調節が可能なブリッジ形の誘電体薄膜を用いて、前記半導体基板上に成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なる前記エピタキシャル層を成長させる第２ステップと
　を備えたことを特徴とする成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法。」　
　
　ここで、誘電体薄膜のブリッジ形の「間隔及び幅の調節が可能」について、本願明細書、００３１段落の、「エピタキシャル成長速度を小さくする領域に誘電体薄膜をブリッジ形態に蒸着することにおいて、蒸着される誘電体薄膜 ブリッジ間の間隔及びブリッジの幅を調節することによって、エピタキシャル層の成長速度及び厚さを調節する・・」の記載から、
　（ブリッジ間の）間隔及び幅の調節が可能とは、蒸着される誘電体薄膜のブリッジ間の間隔及びブリッジの幅を、所望のエピタキシャル層の成長速度及び厚さとなるようにパターン設計時に設定することをいうものと認める。
　（以下、請求項１に係る発明を「本願発明１」という。）
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された下記の刊行物１、及び周知例１、２には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：国際公開第００／７７５４８号（特表２００３−５０２８４４号公報参照）、（引用文献１）
　
　周知例１：特開平１０−１７３２８９号公報
　周知例２：特開平９−１７１１１３号公報
　　　
（１）刊行物１の摘記事項
ａ．「A third technology which reduces coupling losses involves the use of opto-electronic semiconductor devices  having output waveguides with a two-dimensional tapered thickness  profile between the active part of the device and the output facet.」（第１頁第２２行〜第２５行）
（「結合損失を低減する第３の技術は、デバイスの能動部分と出力ファセットとの間で、二次元のテーパの付いた厚さプロファイルを備える、出力導波路を有した光電子半導体デバイスの使用を含む。」）
　
 ｂ．「Yet another epitaxial technique is shadow-mask MOVPE growth using a dielectric mask. In this technique,a patterned dielectric mask is deposited onto a wafer. During MOVPE epitaxial growth, deposition takes place through a window in the shadow mask. The lateral  thickness of the layer deposited underneath the shadow mask may be countrolled by varying  the lateral dimensions of the window, the distance between the mask and the substrate, and   the reactor pressure, This technique involves an additional growth step of growing the dielectric mask and an additional processing step to remove it. It also involves processing step to pattern the mask witch involve considerable delay and may leave the surface contaminated. Although a mechnical shadow mask may be used instead of a dielectric mask, MOVPE growth inevitably results in compositional non-uniformity within the tapered layer due to the unequal diffusion length of the reaction gases in MOVPE growth. This results in refractive index non-uniformity within the tapered layer which adversely affects the guiding of light within that layer. Also, exposure of the wafer to the atmosphere during mask insertion and removal may result  in contamination of the wafer. A further disadvantage is that deposition of material on the  mask itself necessitates mask cleaning or replacement.」（第３頁第１６行〜第３３行） 
（さらに別のエピタキシャル技術は、誘電体マスクを使用する、シャドーマスクＭＯＶＰＥ成長である。この技術では、パターン形成された誘電体マスクが、ウエハ上に堆積される。ＭＯＶＰＥエピタキシャル成長の間は、堆積が、シャドーマスクの窓を介して起こる。シャドーマスクの下に堆積される層の横方向の厚さは、窓の横方向の寸法、マスクと基板との距離、および、反応圧力を変化させることによって制御できる。この技術は、誘電体マスクの成長の追加成長ステップ、および、これを取り除くための追加処理ステップを含む。これは、・・・マスクをパターン形成するための処理ステップも含む。誘電体マスクの代わりに機械的なシャドーマスクが使用できるが、ＭＯＶＰＥ成長は、ＭＯＶＰＥ成長の反応ガスの拡散の寸法が等しくないために、テーパの付いた層内の組成上の不均一を招くことが避けられない。）
　
ｃ．「Referring to Figure 1, there is shown a portion of a vertical section through a gallium arsenide(GaAs) substrate wafer 10.
・・・
　A  4 μm layer 16 of GaAs is grown over the layer 14 through the apertures in the shadow mask 22. In regions such as 29, close to the edges of the apertures in the mask 22, the growth rate is reduced so that the finished layer 16 has a thickness profile in the region 29 which tapers smoothly from zero to 4 μm over a lateral distance of approximately 1000μm.」（第６頁第５行〜第７頁第１７行） 
（ 図１を参照すると、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板ウエハ１０を通る垂直断面の一部が示される。
　・・・
　ＧａＡｓの４μｍ層１６は、シャドーマスク２２の孔を介して、層１４にわたって成長される。マスク２２の孔の縁に近い２９などの領域において、成長速度は低下し、そのため、完成された層１６は、領域２９において、約１０００μｍの横方向の距離にわたって０から４μｍに滑らかにテーパ付けられた厚さプロファイルを有する。）
　
　
　
（２）周知例１の摘記事項
　「【０００２】
【従来の技術】半導体レーザなどの半導体発光装置においては、近年、多機能化や集積化が要求されている。例えば、半導体レーザと光ファイバとの結合効率を向上させるには、レーザ光出射端でのビームスポット径を拡大する必要がある。そのためにはレーザ活性層の膜厚を光軸方向にテーパ状に変化させる必要がある。
・・・
【００１６】
　 【発明の実施の形態】
　 （実施例１）図１および図２は本発明による手法を用いて、・・・半導体レーザを作製した例である。ここで、図１（ａ）は本発明の一実施例のシャドーマスクの平面図、同図（ｂ）および（ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′およびＢ−Ｂ′断面から見た斜視図である。また、図２は本発明の実施により製造した半導体装置の要部とその部分断面図である。
　 【００１７】はじめに、・・・基板表面に、・・・図１（ａ）に示すようなシャドーマスク１を形成する。ここで、マスクストライプの幅は１００μｍ、ストライプの間隔は９００μｍである。・・・マスク下面に図に示すような・・・直線状の凸部２をそれぞれ中央付近に１本ずつ形成する。さらに、マスクストライプについては、その下面が周辺部よりも５０μｍ程度エッチングにより薄くなっている。
　 ・・・
　 【００１９】次に、この・・・基板３上に、・・・シャドーマスク１を設置する。このとき、図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように、シャドーマスクの凸部２が・・・基板の凹部４にはめ込まれて両者が保持される。・・・
　 【００２０】次に、有機金属気相成長法により・・・バッファ層・・・５,・・・下側光ガイド層・・・６，・・・活性層７，・・・上側光ガイド層・・・８，・・・クラッド層・・・９を順次形成する。・・・この際、シャドーマスクの効果により、シャドーマスク近傍の成長膜厚は図１（ｂ）および（ｃ）に示すようにテーパ状に減少し、シャドーマスクから離れた領域の約１／５となった。・・・次に、シャドーマスクを取り外した後、・・・クラッド層・・・１０，・・・キャップ層・・・１１を順次形成する。」
　また、図１、図３において、シャドーマスクのストライプ状のマスキング部が、基板表面から離れて上に渡されており、ブリッジ形をなしている。
　
（３）周知例２の摘記事項
　「【００６４】＜実施例３＞図１５および図１６を用いて、基板保持具１１を使用せずにシャドウマスクを直接半導体基板上に載置し、実施例２と同様の端面ビームスポット拡大半導体レーザを形成する場合の導波路型半導体光素子の製造方法について説明する。
　 【００６５】図１６（ａ）はシャドウマスク１の上面図であり、本実施例ではストライプ状のマスキング部２の幅は１００μｍ、目空き部３の幅が９００μｍである。図１６（ｂ）は、シャドウマスク１を半導体基板上に載置してＭＯＶＰＥ法により後述する多層膜７０を成長した後における、図１６（ａ）中にＡ−Ａ’線で示した部分の断面斜視図である。ただし、図面上ではマスキング部２は２本しか示していないが、実際には多数のストライプ状のマスキング部２がある。
　 【００６６】・・・Ｓｉ基板表面に・・・熱酸化膜６を形成し、このＳｉ基板を用いて図１６（ａ）に示すようにシャドウマスク１を作製する。このシャドウマスク１は、従来のフォトリソグラフィ技術および・・・異方性ウェットエッチングにより容易に作製できる。・・・本実施例の場合、枠部４とマスキング部２の段差を１μｍとなるようにエッチングしている。
　 【００６７】次に、このシャドウマスク１を・・・半導体基板２１上に載置する。この場合、シャドウマスク１は、図１６（ｂ）に示すように、マスキング部２の最下表面は・・・基板２１より１μｍだけ浮くことになる。なお、シャドウマスク１として、図１５（ａ）の底面図、図１５（ｂ）の断面斜視図に示すように熱酸化膜６を枠部４を除き除去したタイプを使用してもよい。・・・
　 【００６８】続いて、多層膜７０・・・を、ＭＯＶＰＥ法により順次結晶成長を行う。・・・図１６（ｂ）に示すように、シャドウマスク１のマスキング部２の直下の成長膜厚は目空き部３のマスキング部２から十分離れた領域の約１／５に低下していることが判った。」
　また、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）において、シャドーマスクのストライプ状のマスキング部が、基板表面から離れて上に渡されており、ブリッジ形をなしている。
　　
３．当審の判断
（１）刊行物１に記載の発明　　
　上記摘記事項ａ〜ｃをまとめると、刊行物１には、「光電子半導体デバイスの製造において、パターン形成された誘電体マスクが、ウエハ上に堆積され、ウエハ上にテーパの付いたＧａＡｓのエピタキシャル層を成長させるＭＯＶＰＥエピタキシャル成長の間、堆積が、シャドーマスクの窓を介して起こり、シャドーマスクの下に堆積される層の横方向の厚さは、窓の横方向の寸法、マスクと基板との距離、および、反応圧力を変化させることによって制御できる、誘電体マスクを使用するシャドーマスクＭＯＶＰＥ成長法」に関する発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていることになる。
　
（２）対比・判断
　本願発明１と上記引用発明とを対比すると、引用発明では、ＧａＡｓのエピタキシャル層を成長させており、ＧａＡｓ層は半導体層であるから、「エピタキシャル層」は、本願発明１の「半導体エピタキシャル層」に相当する。また、「ウエハ」、及び「誘電体シャドーマスク」は、本願発明１の「半導体基板」、及び「誘電体薄膜」に相当する。
　
　また、摘記事項ａの第１１段落の、「パターン形成された誘電体マスクが、ウエハ上に堆積される。ＭＯＶＰＥエピタキシャル成長の間は、堆積が、シャドーマスクの窓を介して起こる。シャドーマスクの下に堆積される層の横方向の厚さは、窓の横方向の寸法、マスクと基板との距離、・・・を変化させることによって制御できる」の記載からシャドーマスクは、基板上に成長、保持されていると認められる。
　さらに、シャドーマスクの下に堆積される層の横方向の厚さは・・・制御できるとの記載から、成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させているものである。
　
　さらに、摘記事項ａの第４段落には、「 結合損失を低減する第３の技術は、デバイスの能動部分と出力ファセットとの間で、二次元のテーパの付いた厚さプロファイルを備える、出力導波路を有した光電子半導体デバイスの使用を含む。出力導波路のこのテーパは、光電子半導体デバイスの能動部分からの、時には高度に非対称なこともある比較的小さい（０．５μｍから２．０μｍ）光モードを、光ファイバによって維持されるさらに大きい（６μｍから１０μｍ）円形状の対称な光モードに、厳密に整合することを可能にする。」と記載されており、この光電子半導体デバイスは、能動部分と出力導波路とを含むから、本願発明１の「半導体集積素子」に相当するものである。
　
　そうすると、両者は、「成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法において、半導体集積素子を製作するための半導体基板上に誘電体薄膜を成長させる第１ステップと、誘電体薄膜を用いて、前記半導体基板上に成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なる前記エピタキシャル層を成長させる第２ステップとを備えた、成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：シャドーマスクとしての誘電体薄膜が、本願発明１では「間隔及び幅の調節が可能なブリッジ形」であるのに対し、引用発明では、「間隔及び幅の調節が可能なブリッジ形」であるか否かが不明である点。
　　
　そこで、上記相違点１について、以下検討する。
　
ａ．相違点１について
　周知例１には、基板表面に、マスクストライプの幅は１００μｍ、ストライプの間隔は９００μｍであるブリッジ形のシャドーマスク１を形成し、有機金属気相成長法によりバッファ層等を順次形成し、この際、シャドーマスクの効果により、シャドーマスク近傍の成長膜厚は図１（ｂ）および（ｃ）に示すようにテーパ状に減少することが記載されており、成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる発明が、記載されている。
　周知例２には、枠部４とマスキング部２の段差を１μｍとなるようにエッチングしたブリッジ形のシャドウマスク１を用いてＭＯＶＰＥ法により順次結晶成長を行い、シャドウマスク１のマスキング部２の直下の成長膜厚が目空き部３のマスキング部２から十分離れた領域の約１／５に低下させることが記載されており、成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させている。
　また、シャドーマスクのマスクストライプの幅、及び、ストライプの間隔は適宜決めうるものであるから、ブリッジ形の間隔及び幅の調節が可能なことに相当する。
　よって、周知例１、２より、間隔及び幅の調節が可能なブリッジ形状のシャドーマスクにより、成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させることは、周知である。
　そうすると、引用発明の、ウエハ上に堆積するシャドーマスクとしての誘電体薄膜に、上記周知のブリッジ形状を採用することにより、誘電体薄膜の下に堆積される半導体エピタキシャル層の横方向の厚さを変化させることは容易に想到することができたものである。
　
　そして、本願発明１の上記相違点１には、格別の作用効果も認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜７に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。