【事件の表示】
　特願２００２−　２３６８４「熱処理方法、およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月　８日出願公開、特開２００３−２２４０７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１４年１月３１日の出願であって、平成１６年１月１９日付で拒絶理由通知がなされ、平成１６年３月２５日付で意見書、手続補正書が提出され、平成１６年１１月２９日付で最後の拒絶理由通知がなされ、平成１７年２月１４日付で意見書が提出され、平成１８年７月２５日付で平成１８年７月２５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月３１日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２日付の手続補正により、特許請求の範囲は請求項１〜１０に補正されたものである。
　
ＩＩ．平成１８年１０月２日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１０月２日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜１０は次のとおり補正された。
　
　「【請求項１】　シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板に対し熱処理を施すための熱処理室と、該熱処理室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室と、前記搬送室内の水分濃度を測定する装置とを備える熱処理装置を用いて、シリコン単結晶基板に前記熱処理を施すシリコン単結晶基板の熱処理方法において、前記搬送室内に前記熱処理装置外の雰囲気が流入可能となる作業を行った後は、前記水分濃度が監視されている搬送室の内壁を、前記熱処理室で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程を行い、前記搬送室内壁加熱工程を行うことによって前記搬送室の内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該搬送室から排出して前記搬送室内の水分濃度が所定値以下となってから、前記ロードロック室内の前記シリコン単結晶基板を、前記搬送室を介して前記熱処理室に搬送して、該熱処理室で前記熱処理することを特徴とするシリコン単結晶基板の熱処理方法。
　　【請求項２】　前記搬送室内壁加熱工程において、前記搬送室の内壁を、１００℃以上、２００℃以下に加熱することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶基板の熱処理方法。
　 【請求項３】　シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板に対し熱処理を施すための熱処理室と、該熱処理室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室と、前記搬送室内の水分濃度を測定する装置とを備える熱処理装置を用いて、前記ロードロック室に収納した複数枚のシリコン単結晶基板を、順次、水分濃度が監視されている搬送室を介して前記熱処理室に搬送して該熱処理室内で前記熱処理するシリコン単結晶基板の熱処理方法において、前記搬送室の内壁を加熱することによって、該搬送室の内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該搬送室から排出して前記搬送室の水分濃度が所定値以上となったら、前記搬送室の内壁を、前記熱処理室で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱しながら、前記ロードロック室に収納した各シリコン単結晶基板の、前記搬送室を介した前記熱処理室への搬送および該熱処理室内での前記熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の熱処理方法。
　 【請求項４】　前記搬送室の内壁の加熱温度を、１００℃以上、２００℃以下に設定することを特徴とする請求項３に記載のシリコン単結晶基板の熱処理方法。
　 【請求項５】　シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板に対し熱処理を施すための熱処理室と、該熱処理室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室と、前記ロードロック室内の水分濃度を測定する装置と、前記搬送室内の水分濃度を測定する装置とを備える熱処理装置を用いて、前記ロードロック室内に収納したシリコン単結晶基板を、前記搬送室を介して前記熱処理室に搬送して、該熱処理室内で前記熱処理するシリコン単結晶基板の熱処理方法において、前記ロードロック室内の水分濃度が所定値以上となったら、前記ロードロック室内でシリコン単結晶基板を低温加熱し、前記搬送室の水分濃度が所定値以上となったら、前記搬送室の内壁も低温加熱する一方、前記熱処理室内ではシリコン単結晶基板を高温加熱して前記熱処理するに際し、前記ロードロック室内及び前記搬送室内にてシリコン単結晶基板及び搬送室内壁を加熱することによって前記シリコン単結晶基板及び前記搬送室内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該ロードロック室から排出することを特徴とするシリコン単結晶基板の熱処理方法。
　 【請求項６】　前記ロードロック室内において、シリコン単結晶基板ならびに前記搬送室の内壁を、１００℃以上、２００℃以下に加熱することを特徴とする請求項５に記載のシリコン単結晶基板の熱処理方法。
　 【請求項７】　シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるための反応室と、該反応室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と該反応室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室と、前記搬送室内の水分濃度を測定する装置とを備える気相成長装置を用いて、前記気相成長を行うことにより、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記水分濃度が監視されている搬送室内に前記気相成長装置外の雰囲気が流入可能となる作業を行った後は、前記搬送室の内壁を、前記反応室で行う気相成長温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程を行い、前記搬送室内壁加熱工程を行うことによって前記搬送室の内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該搬送室から排出して前記搬送室内の水分濃度が所定値以下となってから、前記ロードロック室内の前記シリコン単結晶基板を、前記搬送室を介して前記反応室に搬送して、該反応室で前記気相成長を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
　　【請求項８】　前記搬送室内壁加熱工程において、前記搬送室の内壁を、１００℃以上、２００℃以下に加熱することを特徴とする請求項７に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
　 【請求項９】　シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるための反応室と、該反応室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と該反応室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室と、前記ロードロック室内の水分濃度を測定する装置と、前記搬送室内の水分濃度を測定する装置とを備える気相成長装置を用いて、前記ロードロック室に収納した複数枚のシリコン単結晶基板を、順次、前記水分濃度が監視されている搬送室を介して前記反応室に搬送して該反応室内で前記気相成長を行うことにより、複数枚のシリコンエピタキシャルウェーハを順次製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記ロードロック室内にてシリコン単結晶基板を加熱することによって該シリコン単結晶基板より蒸発した水分を含む雰囲気を、該ロードロック室から排出して前記ロードロック室内の水分濃度が所定値以上になったら、前記ロードロック室内でシリコン単結晶基板を気相成長温度より低温で加熱し、前記反応室の水分濃度が所定値以上となったなら、前記搬送室の内壁を、前記反応室で行う気相成長温度より低温である１００℃以上、２００℃以下に加熱しながら、前記ロードロック室に収納した各シリコン単結晶基板の、前記搬送室を介した前記反応室への搬送および該反応室内での前記気相成長を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
　 【請求項１０】　前記ロードロック室内において、シリコン単結晶基板を、１００℃以上、２００℃以下に加熱することを特徴とする請求項９に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
　補正後の請求項１は、多数項引用形式請求項である元の請求項３の引用請求項の一部を引用する補正であり、特許請求の範囲の減縮に該当する。　
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　つぎに、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
２．引用刊行物及び周知例とその摘記事項
　平成１６年１１月２９日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物１及び周知例１〜３には次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平４−２７６６２１号公報（上記拒絶理由通知の引用文献　　　　　　５）
　
　周知例１：特開平１１−２６０７３８号公報（同引用文献２）
　周知例２：特開平１１−２５１２５５号公報（同引用文献４）
　周知例３：特開平２００１−２９１６７１号公報（同引用文献６）
　
（１）刊行物１の摘記事項
　
ａ．「【０００９】
【作用】本発明は、Ｓｉ酸化薄膜の形成を極めて低い水分濃度で、かつ、酸素を窒素等の中性ガスもしくはアルゴン等の不活性ガスで希釈した雰囲気下で実施することにより、Ｓｉ酸化薄膜と基板との界面、およびＳｉ酸化薄膜中の欠陥密度を低減する・・・ＭＯＳ構造素子の電気特性の経時変化特性等の劣化を防止した、再現性の良い、信頼性の高い素子が実現できる
【００１０】。
　　【実施例】実施例として、Ｓｉ基板を用いたＭＯＳダイオード形成工程の内の、ゲート用Ｓｉ酸化薄膜形成工程を例に、本発明の絶縁薄膜の形成方法と形成装置の構成について説明する。・・・
　　【００１１】図１は、本発明に係わるゲート用絶縁薄膜形成装置の１実施例を示す概略構成図である。図１において、１は処理室、２ａ，２ｂは水分除去器、３は加熱部、４は処理室用ガス導入系、５は処理室排気系、６は処理室開閉部、７は基板交換室、８は基板交換室用ガス導入系、９は基板交換室排気系、１０は伸縮管、１１は基板移送用駆動部、１２は基板固定台支持部、１３は基板固定台、１４は基板、１５はベーク用ヒーター線、１６は伸縮方向である。
　　【００１２】処理室１は、処理温度、ガスの種類と流量、ガス中水分濃度、および排気速度が制御できる、加熱部３、処理室用ガス導入系４、水分除去器２ａ、および処理室排気系５を有しており、所要の条件に設定可能な構成になっている。また、その端部には外気の混入防止と室内雰囲気の維持のための処理室開閉部６が設けられており、基板交換室７と気密性を維持して接続されている。この基板交換室７は外部からの基板の出し入れを行うための開閉扉（図示省略）があり、また所要の雰囲気を実現するため、ガスの種類と流量、ガス中水分濃度、および排気速度が制御できる、基板交換室用ガス導入系８、水分除去器２ｂ、および基板交換室排気系９を有する。さらに、これの端部には基板移送のための機構である伸縮管１０、基板移送用駆動部１１、基板固定台支持部１２、および基板固定台１３が接続されている。
すなわち、基板固定台１３に設置された基板１４は基板固定台支持部１２に接続された基板移送用駆動部１１の移動・・・によって基板交換室７と処理室１との間を移動できると共に、基板固定台１３と共に処理室１内に設置できる。この移動の際、伸縮管１０は基板移送用駆動部１１の動きに連れて基板交換室７の雰囲気を壊す事なく伸縮が可能な様になっている。なお、水分除去器２ａ，２ｂは、所要の極めて低い水分濃度・・・のガスが供給できる能力を有する。また、基板交換室７と伸縮管１０の外周には壁内水分加熱除去のためのベーク用ヒーター線１５が設置されている。
　　【００１３】以上述べたように、処理室１および基板交換室７は各々独立に雰囲気を制御でき、特に処理室１は、ゲート用絶縁薄膜形成工程を、全く大気との接触を断ちながら極めて低水分濃度の雰囲気下で進行させることが可能な装置構成になっている。」
　
ｂ．「【００１５】前記パターニングされたＳｉ基板露出部を有した基板１４を、・・・中性ガスもしくは・・・不活性ガスで充満してある基板交換室７内の基板固定台１３に設置した上で、高真空・・・に排気し、かつ、所要の時間ベーク用ヒーター線１５によりその内壁を加熱（例えば約８０〜２００℃）し雰囲気中の水分濃度の低下と清浄性の向上を図る（第１予備工程）。なお処理室１も予め高真空に排気し、かつ加熱部３によりその内壁を加熱（例えば約７００〜１０００℃）し低水分濃度の清浄な雰囲気とする（第２予備工程）。基板交換室７内の残留水分濃度が所要の水分圧以下・・・になった時点で、処理室１での処理雰囲気と同圧になるまで前述の中性ガスもしくは不活性ガスを導入した後、処理室開閉部６を開き基板１４を処理室１へ移送する（第１工程）。なお、処理室１も、基板交換室７の雰囲気と同様な低水分圧になった時点で、所要の温度に、前記中性ガスもしくは不活性ガスを導入した状態・・・にしておく。移送後、処理室開閉部６を閉鎖し、処理室１内に前記中性ガスもしくは不活性ガスを適量導入しながら、場合によっては同時に排気し、処理室１内を所要の圧力・・・に保持すると共に、基板１４を所要の酸化温度（例えば、約７００〜１０００℃）まで加熱する（第２工程）。所要の酸化温度になった時点で、前記処理室１内への導入中性ガスもしくは不活性ガスと共に、同時に酸素を処理室１内に適量導入しながら、場合によっては同時に排気し、処理室１内を所要の圧力・・・に保持することによって、前記Ｓｉ基板面露出部にＳｉ酸化薄膜を熱拡散反応により形成させる（第３工程）。」
　
（２）周知例１の摘記事項
ｃ．「【請求項１】処理対象物を搬入できるように構成された移載室と、
前記移載室に開閉可能なゲートバルブを介して接続された第１のロードロック室と、
前記第１のロードロック室に開閉可能なゲートバルブを介して接続された第２のロードロック室と、
前記第２のロードロック室に接続され、搬入された処理対象物を熱処理できるように構成された熱処理室とを有し、
前記第１、第２のロードロック室は真空排気可能に構成され、
前記第１のロードロック室には、気体を導入できるガス導入管が設けられ、
前記第１のロードロック室に前記気体を充満させた後、前記移載室と前記第１のロードロック室とを接続させられるように構成されたことを特徴とする真空熱処理装置。」
　
ｄ．「【００４６】第１のロードロック室３１にはランプヒータから成る加熱手段２４が設けられており、・・・処理対象物１７及び第１のロードロック室３１の内壁面を加熱し、・・・処理対象物１７に吸着していた水分(及び第１のロードロック室３１内壁面とボード１６に吸着していた水分)を放出させる。
　　【００４７】それとは別に、予め第２のロードロック室３２内を・・・真空排気しておき、上記予備加熱が終了し、第１のロードロック室３１内が第２のロードロック室３２内と同程度の高真空雰囲気まで真空排気された後、・・・ボート１６を第２のロードロック室３２内に搬入する。
　　【００４８】その場合、水分が脱離された状態で第１、第２のロードロック室３１、３２内が接続され、処理対象物１７の搬入が行われるので、第２のロードロック室３２内に水分が侵入することはない。」
　
（３）周知例２の摘記事項
ｅ．「【００３９】搬送室２は、半導体ウエハＷを洗浄室１からウエハ保管室１９へ、ウエハ保管室１９からエピタキシャル成長炉３内へ、及びエピタキシャル成長炉３から洗浄室１へ搬送するためのウエハＷの移動空間であり、半導体ウエハＷを保持するロボットハンド５、該ハンドで保持された半導体ウエハＷを洗浄室１内部とエピタキシャル成長炉内部のサセプタ１４設置位置との間で移動させるロボットアーム４が設けられている。即ち、本実施形態に係る半導体ウエハ製造装置では、一つのロボットハンド５、ロボットアーム４によって、装置内に設けられた洗浄室１、ウエハ保管室１９、エピタキシャル成長炉３の各処理装置間で、半導体ウエハが搬送されるようになっている。・・・
　　【００４０】また、搬送室２には、搬送室２と洗浄室１、搬送室２とエピタキシャル成長炉３、及び搬送室２とウエハ保管室１９との境目を画するように開放及び閉鎖可能なゲート１２ａ，１２ｂ，１２ｃが夫々設けられている。このため、ゲート１２ａ，１２ｂ，１２ｃを開放した状態で、搬送室２と洗浄室１、搬送室２とエピタキシャル成長炉３は夫々連通し、ロボットハンド５に保持された半導体ウエハＷをロボットアーム４によって洗浄室１からウエハ保管室１９へ、及びウエハ保管室１９からエピタキシャル成長炉３内に搬送できるようになっている。」
　
（４）周知例３の摘記事項
ｆ．「【００１５】図１は、本発明の半導体製造方法を実施するための枚葉式のエピタキシャル結晶成長装置を示すものである。該エピタキシャル結晶成長装置は、図１に示すように、内部にシリコン基板Ｗが配置される中空の気密容器である３つの石英製のプロセスチャンバ（反応室）１と、これらプロセスチャンバ１内にシリコン基板Ｗを搬入する際に内部の密閉空間で雰囲気の置換を行う搬送用チャンバ２と、該搬送用チャンバ２にプロセス前のシリコン基板Ｗを搬入する搬入ロードロック室３および搬送用チャンバ２からプロセス後のシリコン基板Ｗを取り出すための搬出ロードロック室４とを備えている。
【００１６】前記各プロセスチャンバ１には、該プロセスチャンバ１に導入されたガスをサンプリングしてガス中に含まれる水分を計測するプロセス用水分計５とプロセスチャンバ１内の圧力を計測する圧力計７とが設けられている。また、搬送用チャンバ２内にも、内部の雰囲気中の水分を計測する搬送系水分計６が設置されている。該搬送系水分計６は、例えば、精度及び応答速度が高い後述する水分計本体１０と同様のものを有するレーザ水分計が望ましいが、アルミナ・コンデンサ等に水分を吸着させてその電気容量の変化を計測する静電容量方式の水分計や質量分析法を用いた水分計等でも構わない。」
　
ｇ．「【００２２】まず、シリコン基板Ｗを搬入ロードロック室３から搬送用チャンバ２内に搬入し、搬送用チャンバ２内の雰囲気をＮ２等の不活性ガスに置換するとともに、搬送系水分計６で雰囲気中の水分を計測し、十分に水分が低減された状態を確認した後に、プロセスチャンバ１内にシリコン基板Ｗを搬送する。」
　
ｈ．「【００２５】このとき、実測されたベーキング中のプロセスチャンバ１内の水分濃度に基づいて、ベーキング条件を調整する。すなわち、ベーキング条件として、基板Ｗの加熱温度、加熱時間又はパージガスの流量の少なくとも一つを調整する。例えば、水分濃度が適正範囲より高くなった場合、水分濃度に基づいて、・・・パージガス流量を大きくする等の調整を行い、ベーキング中に水分濃度を適正範囲内に抑えるように調整される。」
　
３．当審の判断
（１）刊行物１記載の発明
上記摘記事項ａ、ｂをまとめると、刊行物１には、
「Ｓｉ酸化薄膜の形成を極めて低い水分濃度で実施することにより、Ｓｉ酸化薄膜と基板との界面、およびＳｉ酸化薄膜中の欠陥密度を低減した、Ｓｉ基板を用いたＭＯＳダイオード形成工程の内の、ゲート用Ｓｉ酸化薄膜形成装置の形成方法において、
　処理室は、外気の混入防止と室内雰囲気の維持のための処理室開閉部が設けられ、基板交換室と気密性を維持して接続され、
　基板交換室は外部からの基板の出し入れを行うための開閉扉があり、ガスの種類と流量、ガス中水分濃度、および排気速度が制御できる、基板交換室用ガス導入系、水分除去器、および基板交換室排気系を有しており、
　パターニングされたＳｉ基板露出部を有した基板を、中性ガスもしくは不活性ガスで充満してある基板交換室内に設置した上で、高真空に排気し、かつ、所要の時間ベーク用ヒーター線により基板交換室の内壁を約８０〜２００℃に加熱し、雰囲気中の水分濃度の低下と清浄性の向上を図り、
　処理室も予め高真空に排気し、かつ加熱部によりその内壁を約７００〜１０００℃に加熱し、低水分濃度の清浄な雰囲気とし、
　基板交換室内の残留水分濃度が所要の水分圧以下になった時点で、処理室開閉部を開き基板を処理室へ移送するＳｉ酸化薄膜形成装置の形成方法。」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比・判断
　本願補正発明１と刊行物１発明とを対比する。
　
　上記刊行物１の摘記事項ａによれば、処理室には、外気の混入防止と室内雰囲気の維持のための処理室開閉部が設けられ、基板交換室と気密性を維持して接続されており、また、基板交換室は外部からの基板の出し入れを行うための開閉扉があるから、外部から基板の出し入れをする際には、基板交換室へ外気が流入可能であると認められる。
　
　刊行物１発明の「Ｓｉ基板」、「処理室」、「基板交換室」、「外部から基板の出し入れをする」は、本願補正発明１の「シリコン単結晶基板」、「熱処理室」、「搬送室」、「搬送室内に熱処理装置外の雰囲気が流入可能となる作業」に相当する。
　
　上記刊行物１の摘記事項ｂによれば、基板交換室において、その内壁を、例えば約８０〜２００℃に加熱して、雰囲気中の水分濃度を低下させ、処理室においては、例えば、約７００〜１０００℃まで加熱して、基板を酸化しているから、基板交換室の加熱は、処理室の加熱処理温度に比べて低い温度に加熱している、したがって、刊行物１発明の「基板交換室の内壁を、約８０〜２００℃に加熱する」は、本願補正発明１の「熱処理室で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程」に相当する。
　
　刊行物１発明において、基板交換室では、開閉扉を用いて外部からの基板の出し入れを行い、さらに、基板は、基板交換室７と処理室１との間を移動できるようになっているので、基板は、基板交換室を介して処理室に搬送されていると認められる。
　
　刊行物１発明の「高真空に排気し、かつ基板交換室の内壁を加熱して、雰囲気中の水分濃度の低下と清浄性の向上を図り、基板交換室内の残留水分濃度が所要の水分圧以下になった」は、本願補正発明１の「搬送室内壁加熱工程を行うことによって前記搬送室の内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該搬送室から排出して前記搬送室内の水分濃度が所定値以下となって」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「シリコン単結晶基板に対し熱処理を施すための熱処理室と、熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室とを備える熱処理装置を用いて、シリコン単結晶基板に前記熱処理を施すシリコン単結晶基板の熱処理方法において、前記搬送室内に前記熱処理装置外の雰囲気が流入可能となる作業を行った後は、前記搬送室の内壁を、前記熱処理室で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程を行い、前記搬送室内壁加熱工程を行うことによって前記搬送室の内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該搬送室から排出して前記搬送室内の水分濃度が所定値以下となってから、前記シリコン単結晶基板を、前記搬送室を介して前記熱処理室に搬送して、該熱処理室で前記熱処理するシリコン単結晶基板の熱処理方法」の点で一致するものの次の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明１では、シリコン単結晶基板を搬入する際にシリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室を備え、このロードロック室と熱処理室との間に介在する搬送室により、ロードロック室と熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するものであって、搬送室内の水分濃度が所定値以下となってから、ロードロック室内のシリコン単結晶基板を、搬送室を介して熱処理室に搬送しているのに対し、刊行物１発明は、このようなロードロック室を備えておらず、搬送室の残留水分濃度が所定値以下となった時点で、搬送室内のシリコン単結晶基板を熱処理室へ移送している点。　
　
　相違点２：本願補正発明１では、搬送室内の水分濃度を測定する装置を備え、搬送室の水分濃度が監視されているのに対し、刊行物１発明では、搬送室内の水分濃度を測定する装置の有無が不明な点。
　
　そこで、上記相違点１、２について次に検討する。
　
＜相違点１について＞
　基板を熱処理室へ搬入する際に、基板を収納するロードロック室を備え、搬送室をロードロック室と熱処理室との間に介在させて、ロードロック室と熱処理室との間で基板を搬送するようなことは、以下に示すとおり、周知の技術である。
　
　上記周知例１には、第２のロードロック室（搬送室に相当する。）を介して、第１のロードロック室と熱処理室との間で処理対象物を搬送することが記載されている。
　上記周知例２には、搬送室を介して、ウエハ保管室（ロードロック室に相当する。）とエピタキシャル成長炉との間でウエハを搬送することが記載されている。
　上記周知例３には、プロセスチャンバ内にシリコン基板を搬入する搬送用チャンバを介して、搬入ロードロック室からプロセス前のシリコン基板を搬入することが記載されている。
　
　そして、刊行物１発明においても、外部から搬送室へ基板の出し入れをする場合に、このような周知のロードロック室を設けて、このロードロック室と熱処理室との間に介在する搬送室により、ロードロック室と熱処理室との間で基板を搬送するようにすることは当業者が容易に想到することができるものである。
　また、本願発明は、熱処理室（反応室）への水分の持ち込み量を低減することができる熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする（【０００５】）ものであり、刊行物１発明は、Ｓｉ酸化薄膜の形成を極めて低い水分濃度で実施することにより、Ｓｉ酸化薄膜と基板との界面、およびＳｉ酸化薄膜中の欠陥密度を低減するものであるから、熱処理室（反応室）の水分を減らす点で本願発明の目的と共通している。即ち、熱処理室（反応室）への水分の持ち込み量を低減するために、刊行物１発明において、熱処理室へ基板を搬送する際に、搬送室（基板交換室内）の残留水分濃度が所要の水分圧以下になった時点で、処理室開閉部を開き基板を処理室へ移送しているものであるから、刊行物１発明にロードロック室を付加した場合、搬送室内の水分濃度が所定値以下となってから、ロードロック室内のシリコン単結晶基板を搬送室を介して熱処理室に搬送するようにすることは、搬送の一手段として当業者が適宜選択しうることである。
　
＜相違点２について＞
　摘記事項ｂによれば、基板交換室内の基板固定台に基板を設置した上で、所要の時間ベーク用ヒーター線によりその内壁を加熱し雰囲気中の水分濃度の低下と清浄性の向上を図り、基板交換室内の残留水分濃度が所要の水分圧以下になった時点で、基板交換室内の基板を処理室へ移送しているから、刊行物１発明の搬送室の残留水分濃度が所要の水分圧以下になった時点を把握するために、例えば、周知例３に記載された水分計を用いて残留水分濃度の測定をすることは当業者が容易になしうることである。
　
　そして、本願補正発明１は、相違点１、２の点で格別顕著な効果は認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
１．本願発明
　平成１８年１０月２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２０のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年３月２５日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板に対し熱処理を施すための熱処理室と、該熱処理室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室と、前記搬送室内の水分濃度を測定する装置とを備える熱処理装置を用いて、シリコン単結晶基板に前記熱処理を施すシリコン単結晶基板の熱処理方法において、前記搬送室内に前記熱処理装置外の雰囲気が流入可能となる作業を行った後は、前記水分濃度が監視されている搬送室の内壁を、前記熱処理室で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程を行い、前記搬送室内の水分濃度が所定値以下となってから、前記ロードロック室内の前記シリコン単結晶基板を、前記搬送室を介して前記熱処理室に搬送して、該熱処理室で前記熱処理することを特徴とするシリコン単結晶基板の熱処理方法。」
　
２．引用刊行物及び周知例とその摘記事項
　平成１６年１１月２９日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物１及び周知例とその摘記事項は、上記「ＩＩ．２．引用刊行物及び周知例とその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記本願補正発明１の限定事項である、「前記搬送室内壁加熱工程を行うことによって前記搬送室の内壁より蒸発した水分を含む雰囲気を、該搬送室から排出して」の点を削除したものである。
　
　そうすると、本願発明１の特定発明事項を全て含み、さらに他の特定発明事項である上記限定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「ＩＩ．３．（２）対比・判断」に記載したとおり、刊行物１発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項２０に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。