【事件の表示】
　平成　８年特許願第１９０９５０号「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２０日出願公開、特開平１０−　４８６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年７月１９日に出願したものであって、平成１６年１０月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年２月４日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年２月４日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１７年２月４日の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を以下のように補正することを含むものである。
「【請求項１】　絶縁体からなる透明基板上に、複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形態となっており、前記各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電極からなる複数個のトランジスタと、前記各トランジスタのドレイン電極に連結されている複数の画素電極と、前記画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶表示装置において、
　前記電圧維持用コンデンサが、
　基板上に形成されたコンデンサの共通電極と、
　前記コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜と同一に形成される絶縁膜と、
　前記絶縁膜上に形成された導電膜からなるコンデンサの貯蔵電極と、
　前記基板上に積層され、貯蔵電極の上部にコンタクトホールが形成される保護膜と、
　前記保護膜上に形成されてコンタクトホールを介して貯蔵電極と接続される透明電極とからな
り、　前記貯蔵電極に形成されたコンタクトホールは、隣接した他セルのゲート配線に沿って拡張されている
　
（２）補正に対する当審の判断
　　ア．上記補正における「前記貯蔵電極に形成されたコンタクトホール」の補正事項について検討する。
　上記補正事項の記載の直前には、「前記絶縁膜上に形成された導電膜からなるコンデンサの貯蔵電極と、前記基板上に積層され、貯蔵電極の上部にコンタクトホールが形成される保護膜と、前記保護膜上に形成されてコンタクトホールを介して貯蔵電極と接続される透明電極とからなり」と記載されており、コンタクトホールは保護膜に形成されていることは明らかである。
　すなわち、「前記貯蔵電極に形成されたコンタクトホール」の記載より前に、貯蔵電極にコンタクトホールを形成したものはないから、「前記貯蔵電極に形成されたコンタクトホール」が何を指すか明らかではなく、特許を受けようとする発明をむしろ不明確にしている。
　よって、上記補正事項は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　　
　　イ．次に、上記補正事項が、補正前の「貯蔵電極」をさらに限定し、『貯蔵電極にコンタクトホールを形成する』ことを規定しようとするものである場合について検討する。
　この場合において、請求項１を引用する請求項３は、「前記コンデンサの貯蔵電極は、前記トランジスタのドレイン電極物質と同一物質から形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置」と規定されているから、結局、請求項３に係る発明は、「ドレイン電極物質と同一物質から形成されるコンデンサの貯蔵電極にコンタクトホールが形成されている」なる事項を含むこととなった。
　しかしながら、上記「ドレイン電極物質と同一物質から形成されるコンデンサの貯蔵電極にコンタクトホールが形成されている」なる事項は、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、記載されていない。
　
　まず、当初明細書等には、「ドレイン電極物質と同一物質から形成されるコンデンサの貯蔵電極」に関して、下記段落、【００１３】及び【００２１】に次の事項が記載されている。
「【００１３】
  ・・・このようにした後、図１（ｃ）に図示したように、スパッタリング方法によって導電膜を蒸着した後にソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）のパターンを形成する。
【００２１】
  ・・・このようにした後、スパッタリング方法によって導電膜を蒸着した後、ソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）とコンデンサの形成領域に、コンデンサ貯蔵電極の導電層（５２）のパターンを形成する。このソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）とコンデンサの導電層（５２）を形成するための物質は、下部のゲート絶縁膜及びシリコンと蝕刻選択性が大きい物質を使用する。例えば、アルミニウムのような金属をスパッタリングして形成することもでき、ＩＴＯのような物質を使用して形成することもできる。」
　
　すなわち、当初明細書等の記載によれば、コンデンサの貯蔵電極が、アルミニウムのような金属などで、ソース電極及びドレイン電極を構成する材料と同じ材料で構成されている態様は、明細書の実施形態２（図６参照）に対応するものであることが明らかである。そして、この実施形態２については、【００２２】に「・・・全体の表面に保護膜（３１）を化学気相法によって蒸着した後、写真蝕刻方法で保護膜の所定部位を蝕刻して、画素電極とドレイン電極を接触させるためのコンタクトホール（３２）を開き、コンデンサの貯蔵電極上にコンデンサ用画素電極部位をオープンする。・・・」と記載されており、『貯蔵電極にコンタクトホールを形成する』ことは記載がない。
　
　以上のとおり、上記補正事項は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反してなされたものであり、そうでないとしても、上記補正事項は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、同法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであり、何れにしても、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年２月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年７月２７日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　絶縁体からなる透明基板上に、複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形態となっており、前記各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電極からなる複数個のトランジスタと、前記各トランジスタのドレイン電極に連結されている複数の画素電極と、前記画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶表示装置において、
　前記電圧維持用コンデンサが、
　基板上に形成されたコンデンサの共通電極と、
　前記コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜と同一に形成される絶縁膜と、
　前記絶縁膜上に形成された導電膜からなるコンデンサの貯蔵電極と、
　前記基板上に積層され、貯蔵電極の上部にコンタクトホールが形成される保護膜と、
　前記保護膜上に形成されてコンタクトホールを介して貯蔵電極と接続される透明電極とからなることを特徴とする液晶表示装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原審における拒絶理由に引用した刊行物１：特開平８−１０６１０７号公報には、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】以下で、従来例に係る薄膜トランジスタマトリクスの製造方法について図面を参照しながら説明する。図７〜図９は、液晶表示装置などに用いられる薄膜トランジスタマトリクスの製造方法を示す断面図、図１０は薄膜トランジスタマトリクスの上面図である。なお、図９（ｃ）は図１０のＡ−Ａ線断面図である。
【０００３】
　まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板２１上にＡｌ／Ｔｉ膜を成膜した後、パターニングして、ゲート電極２２Ａとストレージキャパシタバスライン（蓄積容量バスライン）２２Ｂとを同時に形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法（Ｐ−ＣＶＤ法）により、ゲート絶縁膜となるＳｉＮ膜２３を４００nmの厚さに形成し、次いでアモルファスシリコン膜（以下ａ−Ｓｉ膜と称する）２４を１０nmの厚さに形成し、・・・
　
【０００５】
　次いで、同図（ｅ）に示すように、ｎ+型アモルファスシリコン層（以下、ｎ+ａ−Ｓｉ層と称する）２７及びＣｒ膜２８を順次形成する。続いて、全面にレジスト膜を形成して露光・現像することにより、図８（ａ）に示すように、必要な領域にレジストマスク２９を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、各レジストマスク２９により、Ｃｒ膜２８、ｎ+ａ−Ｓｉ膜２７，ａ−Ｓｉ膜２４を、プラズマエッチングにより順次エッチング・除去する。
【０００６】
　これにより、ａ−Ｓｉ膜からなる動作半導体層２４Ａと、ドレインコンタクト層２７Ａ／ドレイン電極２８Ａと、ソースコンタクト層２７Ｂ／ソース電極２８Ｂを形成し、かつａ−Ｓｉ膜２４Ｄ／ａ−Ｓｉ膜２７Ｄ／Ｃｒ膜２８Ｄからなるドレインバスライン１０２と、ａ−Ｓｉ膜２４Ｃ／ａ−Ｓｉ膜２７Ｃ／Ｃｒ膜２８Ｃからなる蓄積容量１０１Ａと隣接する画素領域のａ−Ｓｉ膜２４Ｅ／ａ−Ｓｉ膜２７Ｅ／Ｃｒ膜２８Ｅからなる蓄積容量１０１Ｂとを同時に形成する。
【０００７】
　次いで、同図（ｃ）に示すようにＰ−ＣＶＤ法により保護膜となるＳｉＮ膜３０を２００nmの厚さで全面に形成する。次に、全面にフォトレジストを塗布した後、露光・現像し、同図（ｄ）に示すように、ソース電極２８Ｂ上及び蓄積容量１０１Ａ上に開口を有するレジストマスク３１を形成する。
【０００８】
　次いで、プラズマエッチングにより、レジストマスク３１を介してＳｉＮ膜３０をエッチング・除去し、コンタクトホール３０Ａ，３０Ｂを形成する。その後、図９（ａ）に示すように、スパッタ法により全面にＩＴＯ（IndiumTinOxide）膜３２を８０nmの厚さに成膜する。次に、同図（ｂ）に示すように、フォトレジストを全面に塗布し、パターニングしてレジストマスク３３を形成する。
【０００９】
　次いで、同図（ｃ）に示すように、レジストマスクン３３を介して、塩化第二鉄などをエッチャントとするウエットエッチングによりＩＴＯ膜３２をエッチング・除去して、画素領域毎に分離された画素電極３２Ａ，３２Ｂを形成する。」
　また、図７〜図９の記載から、「ガラス基板２１上にゲート電極２２Ａ及び蓄積容量バスライン２２Ｂを形成し、その上にゲート絶縁膜２３を形成したものにおいて、蓄積容量部が、前記蓄積容量バスライン２２Ｂと、前記蓄積容量バスライン２２Ｂ上に形成されたゲート絶縁膜２３と、該ゲート絶縁膜上に形成されたａ−Ｓｉ膜２４Ｃ、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２７Ｃ及びＣｒ膜２８Ｃからなる蓄積容量１０１Ａと、前記ガラス基板２１上に積層され、蓄積容量１０１Ａの上部にコンタクトホール３０Ｂが形成される保護膜３０と、前記保護膜３０上に形成されて前記コンタクトホール３０Ｂを介して蓄積容量１０１Ａと接続されるＩＴＯ膜３２とからなり、前記ＩＴＯ膜３２は、画素領域毎に分離されて画素電極３２Ａ、３２Ｂを形成し、該画素電極３２Ａ、３２Ｂは薄膜トランジスタのソース電極２８Ｂに接続されてなる液晶表示装置用薄膜トランジスタマトリクス。」がみてとれる。
　さらにまた、図１０の記載から、「ガラス基板上に複数のゲートバスライン及びドレインバスラインがマトリクス状に配置され、前記各バスラインの交差点にゲート電極、ドレイン電極２８Ａ、ソース電極２８Ｂからなる複数の薄膜トランジスタと、前記ソース電極２８Ｂと連結されている複数の画素電極３２Ａ、３２Ｂと、蓄積容量バスライン２２Ｂとを有する薄膜トランジスタマトリクス。」がみてとれる。
　
　したがって、上記記載事項によれば、刊行物１には以下の発明が記載されているものと認められる。
　「ガラス基板上に複数のゲートバスライン及びドレインバスラインがマトリクス状に配置され、前記各バスラインの交差点にゲート電極、ドレイン電極２８Ａ、ソース電極２８Ｂからなる複数の薄膜トランジスタと、前記ソース電極２８Ｂと連結されている複数の画素電極３２Ａ、３２Ｂと、蓄積容量バスライン２２Ｂとを有する薄膜トランジスタマトリクスにおいて、
　蓄積容量部が、前記蓄積容量バスライン２２Ｂと、前記蓄積容量バスライン２２Ｂ上に形成されたゲート絶縁膜２３と、該ゲート絶縁膜上に形成されたａ−Ｓｉ膜２４Ｃ、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２７Ｃ及びＣｒ膜２８Ｃからなる蓄積容量１０１Ａと、前記ガラス基板２１上に積層され、蓄積容量１０１Ａの上部にコンタクトホール３０Ｂが形成される保護膜３０と、前記保護膜３０上に形成されて前記コンタクトホール３０Ｂを介して蓄積容量１０１Ａと接続されるＩＴＯ膜３２とからなり、前記ＩＴＯ膜３２は、画素領域毎に分離されて画素電極３２Ａ、３２Ｂを形成し、該画素電極３２Ａ、３２Ｂは薄膜トランジスタのソース電極２８Ｂに接続されてなる液晶表示装置用薄膜トランジスタマトリクス。」
　
（３）対比・判断
　本願発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比する。
　（ア）刊行物１記載の「ガラス基板２１」、「ゲートバスライン」、「ドレインバスライン」、「ゲート電極、ドレイン電極２８Ａ、ソース電極２８Ｂ」、「薄膜トランジスタ」は、それぞれ、本願発明の「絶縁体からなる透明基板」、「ゲート配線」、「データ配線」、「ゲート、ソース、ドレイン電極」、「トランジスタ」に相当する。
　（イ）刊行物１記載の「蓄積容量部」、「蓄積容量バスライン２２Ｂ」は、それぞれ、本願発明の「電圧維持用コンデンサ」、「コンデンサの共通電極」に相当する。
　（ウ）刊行物１記載の「蓄積容量バスライン２２Ｂ上に形成されたゲート絶縁膜２３」は、ゲート電極２２Ａ上にも形成されているから、本願発明の「コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜と同一に形成される絶縁膜」に相当することは明らかである。
　（エ）刊行物１記載の「蓄積容量１０１Ａ」は、「Ｃｒ膜２８Ｃ」を備えているから、本願発明の「導電膜からなるコンデンサの貯蔵電極」に相当することは明らかである。
　（オ）刊行物１記載の「蓄積容量１０１Ａの上部にコンタクトホール３０Ｂが形成される保護膜３０」は、本願発明の「貯蔵電極の上部にコンタクトホールが形成される保護膜」に相当し、刊行物１記載の「ＩＴＯ膜３２」は、本願発明の「透明電極」に相当する。
　以上のとおり、刊行物１には、本願発明が実質的に全て記載されている。
　　
　なお、請求人は、意見書、審判請求書等において、上記刊行物１（拒絶理由に引用した引用文献３と同じ。）の記載事項を検討し、それと本願発明の相違点について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含めて検討していることは明らかである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。