【事件の表示】
　特願２００５−３１８０８２「電気光学装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　９日出願公開、特開２００６−　６５３５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１５年９月１２日に出願された、特願２００３−３２１７８９号（優先権主張　平成１４年１０月３１日）の一部を新たな特許出願をしたものとして平成１７年１１月１日に出願された特願２００５−３１８０８２号であって、平成１８年６月１２日付けで拒絶理由通知がされ、同年７月３１日付けで手続補正がされ、平成１８年１０月６日付けで拒絶理由通知がされ、同年１２月１２日付けで手続補正がされ、平成１９年２月６日付けで補正却下の決定がなされるとともに拒絶査定がされ、これに対し、同年３月１４日付けで審判請求がされるとともに、同年４月１２日付けで手続補正がされ、平成２０年１月１０日付けで審判審尋がされ、同年２月１２日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年４月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１９年４月１２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前（平成１８年７月３１日付け手続補正書参照）に
「【請求項１】
　基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを備えた電気光学装置であって、
　前記基板上には、前記データ線と前記画素電極に沿うように格子状に設けられたシールド層が配置され、前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造であり、
　前記シールド層は、前記データ線を覆うとともに、前記走査線と前記データ線との交差領域では前記データ線よりも幅広に形成されてなり、且つ固定電位に印加されてなることを特徴とする電気光学装置。
　　【請求項２】
　請求項１の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】
基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを備えた電気光学装置であって、
　前記基板上には、前記データ線と前記画素電極に沿うように格子状に設けられたシールド層が配置され、前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造であり、
　前記シールド層は、前記データ線を覆うとともに前記データ線よりも幅広に形成されてなり、前記走査線と前記データ線との交差領域では、前記薄膜トランジスタを覆うように前記走査線の延在方向に張り出した領域を有してなり、下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層とを有しており、且つ固定電位に印加されてなることを特徴とする電気光学装置。
　　【請求項２】
請求項１の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。」
　
　と補正することを含むものであるところ、その内容は、以下の補正事項１ないし補正事項３のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造」を、補正後の請求項１において「前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造」と補正する。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記シールド層は、前記データ線を覆うとともに、前記走査線と前記データ線との交差領域では前記データ線よりも幅広に形成されてなり」を、補正後の請求項１において「前記シールド層は、前記データ線を覆うとともに前記データ線よりも幅広に形成されてなり、前記走査線と前記データ線との交差領域では、前記薄膜トランジスタを覆うように前記走査線の延在方向に張り出した領域を有してなり」と補正する。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「且つ固定電位に印加されてなる」を、補正後の請求項１において「下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層とを有しており、且つ固定電位に印加されてなる」と補正する。
　
　補正事項１は、「前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造」についてさらに「前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造」と限定するものであり、補正事項２は、「データ線を覆う」「シールド層」が「データ線よりも幅広に形成されて」いると限定するとともに、「データ線よりも幅広に形成され」た「走査線と前記データ線との交差領域」が「薄膜トランジスタを覆うように前記走査線の延在方向に張り出した領域を有して」いると限定するものであり、補正事項３は、「シールド層」が「下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層とを有して」いると限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。 
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。 
　
２．独立特許要件についての検討
２−１．引用例
（１）原審の審査官が、平成１８年１０月６日付けの拒絶理由の通知において引用した、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−９０７２１号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置用素子基板及びそれを用いた電気光学装置に関し、特に、画素電極の隅部の遮光性能を高めたものである。」
　
（ｂ）「【００９６】（第５の実施形態）図１２と図１３は本発明の第５の実施形態の電気光学装置用素子基板の構造を示す図であり、図１２は一つの画素電極９ａの隅部にＴＦＴ３０が設けられ、画素電極９ａの周囲にデータ線６ａ、走査線３ａが形成された、本発明の第５の実施形態の電気光学装置用素子基板の一部分を拡大して示した平面図である。図１３は図１２の線Ｅ−Ｅ’に沿った断面図を示す。本第５の実施形態が先の第１から第４の実施形態と異なる点は、断面構造においてＴＦＴ３０直上のデータ線６ａより上部の液晶層５０側に新たな遮光膜４２１を設け、該遮光膜４２１によって画素電極の隅部の遮蔽を行っている点である。
【００９７】先ず、図１２に基づいて、本発明の電気光学装置用素子基板１００の画素部（画像表示領域）内の平面構造について詳細に説明する。
【００９８】図１２に示すように、電気光学装置用素子基板１００は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部内に、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（鎖線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａが設けられている。また、走査線３ａと平行して容量線３００が設けられている。データ線６ａに沿った各画素電極９ａの隅部には、画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００９９】データ線６ａは、コンタクトホール８２を介して半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されており、画素電極９ａは、画素電極９ａの走査線３ａに沿った辺に設けられたコンタクトホール８４を介してドレイン電極３０２に電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’（図１中左上りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極としても機能する。
【０１００】容量線３００は、走査線３ａに平行して画素電極９ａの境界に沿って紙面左右方向に伸び、さらにデータ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って紙面で上方向に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線６ａに重なって延設された領域）が設けられている。容量線３００は、絶縁膜を介して対向配置された走査線３ａに平行にほぼ直線状に伸びるドレイン電極３０２とデータ線沿いに延びるドレイン電極３０２の紙面上方に突出した部分（図中細線で示されている）とともに、蓄積容量７０を形成している。画素電極９ａの中心部及び画素電極９ａの走査線３ａに沿った辺に設けられたコンタクトホール８４を除いた部分、すなわち画素電極９ａの隅部、走査線３ａ及びデーター線６ａの部分には、遮光膜４２１が設けてある（図中波線で輪郭を示している）。遮光膜４２１は各画素の開口領域を狭めないように画素の隅部を斜めに覆うように形成する。また、コンタクトホール形成部は避けて形成する。遮光膜４２１は後述のようにＴＦＴ３０直上のデータ線６ａより上方の液晶層に近い位置に設ける。
【０１０１】この新たに設けた遮光膜４２１によって紙面垂直方向から入射する光、特に画素電極９ａの隅部からＴＦＴに向かって斜め方向に進入する光を効果的に遮蔽することができ、ＴＦＴでの光リーク電流の発生を防ぐことが可能となる。
【０１０２】次に、図１３に基づいて、電気光学装置用素子基板１００の画素部内の断面構造について説明する。先の実施形態と同様に、本実施形態の電気光学装置用素子基板１００は光透過性の例えばガラス基板や石英基板からなるＴＦＴアレイ基板１０を備えており、ＴＦＴアレイ基板１０には、遮光膜４２０、画素電極９ａ及び画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。」
　
（ｃ）「【０１０７】本実施形態では、断面構造でＴＦＴ３０直上のデータ線６ａと液晶層５０との間の位置にＴＦＴ３０を上側から覆うように遮光性の金属薄膜からなる遮光膜４２１が形成されているので、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの光の入射を効果的に防ぐことが出来る。
【０１０８】走査線３ａ、ゲート絶縁膜２、容量線３００及び絶縁膜１２の上には、層間絶縁膜４が形成されており、層間絶縁膜４にはコンタクトホール８２及びコンタクトホール８４が各々形成されている。コンタクトホール８２を介してデータ線６ａが半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続され、また、コンタクトホール８４を介して画素電極９ａが半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【０１０９】層間絶縁膜４の上には、データ線６ａが形成されている。データ線６ａは好ましくは不透明なＡｌ又はＡｌ合金あるいは高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成する。
【０１１０】データ線６ａ及び層間絶縁膜４の上には、絶縁膜７に挟まれた遮光膜４２１が形成されており、遮光膜４２１上の絶縁膜７の上には画素電極９ａ又は配向膜１６が形成されている。遮光膜４２１は、好ましくは不透明な金属であるＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうち少なくとも一つの金属単体、合金もしくは金属シリサイドから構成するのが好ましい。
【０１１１】このように遮光膜４２１はＴＦＴ３０上のＴＦＴ３０と液晶層５０の間の位置に配置する。ＴＦＴ３０より上の液晶層側に配置することにより、液晶層方向（紙面の上方向）から入射する光がＴＦＴ３０に当たらないようにすることができる。また、遮光膜４２１は平面的に各画素の隅部を覆うように構成されているので、各画素の隅部からＴＦＴ３０方向に斜め方向に入射する光を効果的に遮蔽することが可能となる。このように構成された電気光学装置用素子基板と対向基板とを微小間隔を保って貼り合わせ、空間に液晶層を挟んで液晶表示用パネルとする。」
　
　また、図１２を参照すると、遮光膜４２１は、データ線６ａを覆うとともに、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域ではデータ線６ａよりも幅広に形成されてなり、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域では、ＴＦＴ３０を覆うように走査線３ａの延在方向に張り出した領域を有していることが示されている。
　さらに、図１３を参照すると、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、遮光膜４２１及び画素電極９ａがこの順に積層された構造が示されている。
　
　上記引用例１記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（鎖線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａが設けられ、各画素電極９ａの隅部にＴＦＴ３０が設けられ、画素電極９ａは、画素電極９ａの走査線３ａに沿った辺に設けられたコンタクトホール８４を介してドレイン電極３０２に電気的に接続されている電気光学装置用素子基板１００を用いた電気光学装置であって、
　前記電気光学装置用素子基板１００には、画素電極９ａの隅部、走査線３ａ及びデーター線６ａの部分に遮光膜４２１が設けられ、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、遮光膜４２１及び画素電極９ａがこの順に積層された構造であり、
　前記遮光膜４２１は、データ線６ａを覆うとともに、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域ではデータ線６ａよりも幅広に形成されてなり、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域では、ＴＦＴ３０を覆うように走査線３ａの延在方向に張り出した領域を有してなり、不透明な金属であるＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうち少なくとも一つの金属単体、合金もしくは金属シリサイドから構成されている電気光学装置。」
　　
（２）原審の審査官が、平成１８年１０月６日付けの拒絶理由の通知において引用した、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平６−１４８６８４号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス型液晶表示素子に関する。」
　
（ｂ）「【００１２】透明電極ａは液晶駆動用電極であり、容量絶縁膜を介して透明電極ｂとの間に蓄積容量が形成される。容量絶縁膜に１００ｎｍ厚のシリコン窒化膜を用い、３０×３０μｍ2 の画素で透明電極ａが２４×２４μｍ2 、開口率６４％の場合には、蓄積容量として０．４ｐＦが得られる。透明電極ｂはブラックマトリックスと呼ばれるアルミニウム遮光膜５に接続される。遮光膜の電位は通常グランドレベルに固定されている。」
　
（ｃ）「【００１７】図４に本発明の第３の実施例を示す。基本的構成は図１のものと同じであるが、この場合には、ドレイン線４がＴＦＴの活性領域、すなわちゲート電極３を含む領域を被っている。これにより、ＴＦＴは遮光膜５とドレイン線４により２重に光源から遮蔽される。光の反射率の高いＡｌを用いた場合、完全な遮光性を得るためには単層の場合０．５μｍ以上の厚みが必要である。このとき、Ａｌの段差により、液晶面の平坦性が損なわれる。この厚みは遮光を２重にすることにより、０．２５μｍ以下にすることが可能であり、平坦化に有利となる。
【００１８】ＨＤＴＶでは５０階調以上が必要となる。画素寸法が小さくなり、ドレイン線と画素電極（透明電極Ｉ）が接近するとカップリング容量が大きくなり、ドレイン線の信号によって画素電極電位が変調を受け、階調が得られなくなる。例えば、画素電極電位の変動を３０ｍＶ以下に抑えようとすると、蓄積容量が０．２ｐＦの場合、カップリング容量は０．６ｆＦ以下でなければならない。本発明の構造は、ドレイン線と画素電極が遮光膜および容量電極によってシールドされるため、カップリング容量を極めて小さくできる。従って、画素電極を広げ開口率を大きくしても階調が低下することはない。」
　
（３）原審の審査官が、平成１８年１０月６日付けの拒絶理由の通知において引用した、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１０−３９３３６号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マトリクス状に配列された各画素電極毎にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transister、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を備えたアクティブマトリクス型液晶示装置に関する。」
　
（ｂ）「【００１５】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、信号線の上方に信号線と平行にシールド電極を配置して、信号線と画素電極との間に固定電位のシールド電極を介在させているので、画素電極を、その周縁部が信号線の一部と重なり合う様に配置しても、カップリング容量の増加を小さく抑えることができる。
【００１６】シールド電極の幅は、信号線の幅よりも狭くても、後述する様に、ある程度のシールド効果を示す。また、シールド電極の幅を、信号線の幅よりも広くして、シールド電極が信号線の上方を覆って信号線の両縁から幅方向に張出す様に形成すると、カップリング容量は、後述する様に、信号線と画素電極の重なり合う幅に依存せず、透明絶縁基板からの電界の回り込みによって形成される容量のみとなり、非常に小さい値にまで抑えられ、顕著なシールド効果が得られる。」
　
（４）本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平８−３０６９０２号公報（以下、「引用例４」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
「【００１５】
【実施例】次に実施例について説明する。図１は本発明に係る固体撮像装置の第１実施例を示す概略断面図である。図１において、１はＣＭＤ受光素子３からなる受光素子アレイ領域、２はスイッチ用ｎＭＯＳＦＥＴ７等からなる周辺回路領域を示している。ＣＭＤ受光素子３はｎ+ 拡散層（ソース）４，ｎ+ 拡散層（ドレイン）５，ポリシリコンゲート６で構成されており、ＣＭＤ受光素子３からの出力は図示していない配線によって、周辺回路のｎＭＯＳＦＥＴ７の一方のｎ+ 拡散層８に入力されるようになっている。そしてｎＭＯＳＦＥＴ７からは、ポリシリコンゲート９の所定の電位により他方のｎ+ 拡散層10から、アルミニウムからなるコンタクトホール11を介して第１アルミニウム層12へ、更にビアホール13を介して第２アルミニウム層14へ、更にビアホール15を介して遮光膜及び信号配線となる第３アルミニウム層16へ出力される。以上の第１，第２及び第３アルミニウム層は、シリコンとアルミニウムの合金スパイクの発生を防止するために、いずれもシリコンを含有しており、したがって、このままでは信号配線となる第３アルミニウム層16中にはシリコンノジュールが析出するため、光を通してしまう。そこで、本実施例においては、第３アルミニウム層16上に、反応性スパッタ法により窒化チタン層17を、約500 Å〜5000Å，好ましくは約2000Åの厚さで形成し、遮光すべき受光素子領域の上方領域及び信号配線領域の窒化チタン層17を、フォト／エッチングにより残存させ、窒化チタン層17と第３アルミニウム層16の積層膜18を形成する。なお、19は層間膜、20はパッシベーション膜を示している。」
　
２−２．対比
　本件補正発明を、引用発明と対比する。
　引用発明における「画素電極９ａ」は、本件補正発明における「画素電極」に相当する。
　引用発明における「電気光学装置用素子基板１００」は、本件補正発明における「基板」に相当する。
　引用発明における「マトリクス状に」設けられた「画素電極９ａの縦横の境界に各々沿って」設けられた「データ線６ａ、走査線３ａ」は、本件補正発明における「第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線」に相当する。
　引用発明における「画素電極９ａの隅部」に設けられた「ＴＦＴ３０」は、本件補正発明における「データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタ」に相当する。
　引用発明における「画素電極９ａ」が「画素電極９ａの走査線３ａに沿った辺に設けられたコンタクトホール８４を介してドレイン電極３０２に電気的に接続されている」ことは、本件補正発明における「画素電極」が「薄膜トランジスタに接続され」ていることに相当する。
　引用発明における「画素電極９ａ」、「データ線６ａ」、「走査線３ａ」、「ＴＦＴ３０」が設けられている「電気光学装置用素子基板１００」を用いた電気光学装置」は、本件補正発明における「基板上」に「データ線」、「走査線」、「薄膜トランジスタ」及び「画素電極とを備えた電気光学装置」に相当する。
　引用発明における「不透明な金属であるＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうち少なくとも一つの金属単体、合金もしくは金属シリサイドから構成されている」「遮光膜４２１」と、本件補正発明の「下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層とを有し」た「シールド層」とは、アルミニウムは不透明な金属であるので、アルミニウムからなる層を有する遮光性の膜であるという点で一致する。
　引用発明における「画素電極９ａの隅部、走査線３ａ及びデーター線６ａの部分」に「遮光膜４２１」が設けられていることと、本件補正発明における「データ線と前記画素電極に沿うように格子状に設けられたシールド層が配置され」ていることとは、データ線と画素電極に沿うように格子状に設けられた遮光性の膜が配置されているという点で一致する。
　引用発明における「ＴＦＴ３０、データ線６ａ、遮光膜４２１及び画素電極９ａがこの順に積層され」ていることと、本件補正発明の「薄膜トランジスタ、前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層され」ていることとは、薄膜トランジスタ、データ線、遮光性の膜及び画素電極がこの順に積層されているという点で一致する。
　引用発明における「遮光膜４２１」が「データ線６ａを覆うとともに、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域ではデータ線６ａよりも幅広に形成されてなり、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域では、ＴＦＴ３０を覆うように走査線３ａの延在方向に張り出した領域を有して」いることと、本件補正発明の「シールド層」が「データ線を覆うとともに前記データ線よりも幅広に形成されてなり、前記走査線と前記データ線との交差領域では、前記薄膜トランジスタを覆うように前記走査線の延在方向に張り出した領域を有して」いることとは、遮光性の膜がデータ線を覆うとともに、走査線とデータ線との交差領域ではデータ線よりも幅広に形成されてなり、走査線とデータ線との交差領域では、薄膜トランジスタを覆うように走査線の延在方向に張り出した領域を有しているという点で一致する。
　
　すると、本件補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
　
「基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを備えた電気光学装置であって、
　前記基板上には、前記データ線と前記画素電極に沿うように格子状に設けられた遮光性の膜が配置され、前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記遮光性の膜及び前記画素電極がこの順に積層された構造であり、
　前記遮光性の膜は、前記データ線を覆うとともに前記データ線よりも幅広に形成されてなり、前記走査線と前記データ線との交差領域では、前記薄膜トランジスタを覆うように前記走査線の延在方向に張り出した領域を有してなり、アルミニウムからなる層を有している電気光学装置。」
　
　一方で、両者は、次の相違点で相違する
　
（１）本件補正発明においては、シールド層は、固定電位に印加されているのに対して、引用発明においては、「遮光膜４２１」は、固定電位に印加されるものではない点。（以下、相違点（１）という）
　
（２）本件補正発明においては、シールド層は、下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層を有しているのに対して、引用発明においては、「遮光膜４２１」は、アルミニウムからなる層を有するのみである点。（以下、相違点（２）という）
　　
２−３．判断
　上記相違点（１）について検討する。
　引用例２には、アルミニウムを用いた遮光膜がドレイン線と画素電極をシールドすること、及び、アルミニウムを用いた遮光膜の電位がグランドレベルに固定されていることが記載されており、引用例３には、信号線と画素電極が固定電位のシールド電極によってシールドされることが記載されているので、引用発明においても、アルミニウムを用いた遮光膜に固定電位を印加して信号線と画素電極をシールドすることは当業者が容易に想到しうることである。
　
　上記相違点（２）について検討する。
　引用例４には、遮光膜となるアルミニウム層に窒化チタン層を積層することが記載されており、窒化チタン膜が水分の浸入を抑制することは例えば特開平１１−８７４９８号公報（段落【００１３】）及び特開平１０−２４２２６８号公報（段落【００２１】、【００２２】）に記載されるように周知であるので、引用発明においても、遮光膜を、アルミニウム層に窒化チタン層を積層した構造、すなわち、下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層を有した構造とすることは当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、本件補正発明の作用効果が引用発明、引用例２乃至４に記載された発明及び周知技術から予期し得ない格別のものであるとも認められない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用発明、引用例２乃至４に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１９年４月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、「第２［理由］１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２［理由］２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２［理由］２．」で検討した本件補正発明から、「前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記シールド層及び前記画素電極がこの順に積層された構造」について、「データ線」、「シールド層」及び「画素電極」に対する「薄膜トランジスタ」の積層順序についての限定を削除し、「データ線を覆う」「シールド層」について「データ線よりも幅広に形成されて」いるという限定を削除し、「データ線よりも幅広に形成され」た「走査線と前記データ線との交差領域」について「薄膜トランジスタを覆うように前記走査線の延在方向に張り出した領域を有して」いるという限定を削除し、「シールド層」について「下層にアルミニウムからなる層と上層に窒化チタンからなる層とを有して」いるという限定を削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２［理由］２．」に記載したとおり、引用発明、引用例２乃至４に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２乃至４に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結審のとおり審決する。