【事件の表示】
　特願２００１−３３２６３３「スパッタリング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月１４日出願公開、特開２００３−１３８３７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月３０日の出願であって、平成１９年６月２１日付けの拒絶理由通知に対して、平成１９年８月２３日付けで手続補正書が提出され、その後、平成１９年９月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年１０月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成１９年１１月２１日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
ＩＩ．平成１９年１１月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月２１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．平成１９年１１月２１日付けの手続補正の内容
　平成１９年１１月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、補正前の請求項１に記載された
「【請求項１】
　互いに異なる材質の複数のターゲットを同時にスパッタリングして、被成膜体に前記異なる材質の膜を交互に積層させてなる磁性膜を成膜するスパッタリング方法であって、
　前記スパッタリング時には、
　前記被成膜体と前記複数のターゲットとの間を隔てて配設され、部分的に貫通孔が形成された回転シャッタを回転させて、前記各ターゲットと前記被成膜体との間を前記貫通孔を通じて間欠的に連通させるとともに、
　前記回転シャッタの回転速度と前記各ターゲットへの印加電力を制御することにより、前記回転シャッタの１回転当たりに形成される各材質の膜厚を０．４ｎｍに制御することを特徴とするスパッタリング方法。」
から
「【請求項１】
　Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲットを同時にスパッタリングして、被成膜体にＴｂ及びＦｅＣｏ合金の膜を交互に積層させてなる磁性膜を成膜するスパッタリング方法であって、
　前記スパッタリング時には、
　前記被成膜体と前記複数のターゲットとの間を隔てて配設され、部分的に貫通孔が形成された回転シャッタを回転させて、前記各ターゲットと前記被成膜体との間を前記貫通孔を通じて間欠的に連通させるとともに、
　前記回転シャッタの回転速度と前記各ターゲットへの印加電圧を制御することにより、前記回転シャッタの１回転当たりに形成される各材質の膜厚を０．４ｎｍに制御することを特徴とするスパッタリング方法。」に補正された。
　
２．本件補正に対する判断
　本件補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「互いに異なる材質の複数のターゲット」を、「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲット」に限定し、「前記異なる材質の膜」を、「Ｔｂ及びＦｅＣｏ合金の膜」に限定するものであって、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３．引用刊行物及びその記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−２７４７６６公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　（１ａ）「真空容器の内部に、被処理物およびターゲットを互いに対向するように配設し、上記被処理物とターゲットとの間に、放電により飛散するターゲット材料を遮断するシャッタを配設してなるスパッタリング装置において、上記シャッタを円形状を有し一部にスパッタリング材料が通過する孔部を穿設した形状に形成するとともに、このシャッタとほぼ同形状を有し上記シャッタの上記ターゲット側に同軸状に位置する選択板を設け、上記シャッタおよび選択板をそれぞれ独立して回転自在に取付け、上記選択板の孔部を上記ターゲットに対応する位置に回転移動させた後、上記シャッタを回転させて上記シャッタおよび選択板の各孔部が一致した場合にスパッタリング材料を被処理物に付着させるようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。」（特許請求の範囲）
　（１ｂ）「上記真空容器３の下方には、複数（本実施例においては２つ）のターゲット１ａ、１ｂが配置されており」（第２頁右下欄第７〜９行）
　（１ｃ）「各ターゲット１ａ、１ｂに高電圧を印加することによるプラズマ放電により各ターゲット１ａ、１ｂ材料を飛散させて被処理物４の表面に薄膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第１０〜１４行）
　（１ｄ）「まず、一方のターゲット１ａの材料を付着させる場合は、選択板８を回転させて選択板８の円形孔９を該ターゲット１ａに対応する位置に移動させ、その後、シャッタ２を回転させてシャッタ２の円形孔９を上記選択板８の円形孔９に一致させる。この状態で、数秒間上記ターゲット１ａの材料を、各円形孔９，９を通過させて被処理物４に付着させた後、上記シャッタ２を上記一致させた時と同一方向に回転させ、シャッタ２を閉じるようにしている。そのため、被処理物４の位置に対する円形孔９の開口時間が均一となり、均一な膜形成を行なうことができる。また、続いて、上記選択板８を回転させて選択板８の円形孔９を他方のターゲット１ｂに対応する位置に移動させ、その後、シャッタ２を回転させてシャッタ２の円形孔９を上記選択板８の円形孔９に一致させる。この状態で、所定時間スパッタリングを行なった後、同様にシャッタ２を同一方向に回転させ、シャッタ２を閉じるようにしている。この動作を所定回数くり返すことにより、被処理物４の表面に複数層の膜を形成することができる。」（第３頁左上欄第２０行〜右上欄第２０行）
　（１ｅ）「各ターゲット１ａ、１ｂの材料を別材料にしてもあるいは同一材料にしてもよい。」（第３頁左下欄第１８〜２０行）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−６５４２５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
　（２ａ）「スパッタガスとして純Ｋｒを用い、主成分がＴｂあるいはＤｙ元素からなるターゲットと主成分が遷移金属元素からなるターゲットを用い、コスパッタ法によりＴｂあるいはＤｙ元素と遷移金属寝素とを交互に積層し非晶質膜を成膜する。
　Ａｒよりも重い元素であるＫｒを使ってＴｂあるいはＤｙとＦｅＣｏターゲットをコスパッタすることにより、スパッタ原子（Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏ）のエネルギー分布が高エネルギー側にシフトする。その結果として非晶質膜の短距離秩序に変化が生じ、磁性膜の異方性分散が変化することにより記録磁界感度が向上する。この現象は、実験的に新たに発見されたものである。」（段落【００１１】〜【００１２】）
　（２ｂ）「実施例１における光磁気記録媒体は、ポリカーボネイト基板上に、順次、ＳｉＮ膜を１０００オングストローム、Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜を２００オングストローム、ＳｉＮ膜を４００オングストローム、Ａｌ反射膜を４００オングストローム成膜した。この時のＴｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜におけるＴｂ層厚は４オングストロームであり、ＦｅＣｏ層厚は６オングストロームである。・・・実施例１におけるＴｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜はＴｂターゲットとＦｅ９０Ｃｏ１０ターゲットを用い、基板回転数は２０ｒｐｍに固定し、純Ｋｒガスを用いてスパッタ時真空度８．０×１０−２ＰａにおいてＤＣマグネトロン・コスパッタ法で作製した。」（段落【００１４】）
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２９８２５８号公報（以下、「引用文献３」という。）には、次の事項が記載されている。
　（３ａ）「第１図は、本実施例で用いた二元マグネトロンスパッタ装置内部の概略図であり、１１はＴｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏターゲット、１２はＢｉ-Ｔｉ-Ｏターゲット、１３はシャッター、１４はアパーチャー、１５は基体、１６は基体加熱用ヒーターを示す。・・・ターゲットの前方には回転するシャッター１３があり、その中に設けられたアパーチャー１４の回転をパルスモーターで制御することにより、Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ→Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏ→Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ→Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏ→Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏのサイクルでスパッタ蒸着が行なうことができる。Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜、Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏ膜の積層の様子を概念的に第２図に示す。第２図において、２１はＴｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜、２２はＢｉ-Ｔｉ-Ｏ膜を示す。ターゲット１１，１２への入力電力、Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-ＯおよびＢｉ-Ｔｉ-Ｏのスパッタ時間を制御することにより、基体１５上に蒸着するＴｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜２１、Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜２２の膜厚を変えることができる。」（第３頁左下欄第７行〜右下欄８行）
　
４．対比
　引用文献１には、記載事項（１ａ）によれば、「真空容器の内部に、被処理物およびターゲットを互いに対向するように配設し、上記被処理物とターゲットとの間に」、「スパッタリング材料が通過する孔部を穿設した」「シャッタ」、及び「このシャッタとほぼ同形状を有し上記シャッタの上記ターゲット側に同軸状に位置する選択板を設け」、「上記選択板の孔部を上記ターゲットに対応する位置に回転移動させた後、上記シャッタを回転させて上記シャッタおよび選択板の各孔部が一致した場合にスパッタリング材料を被処理物に付着させるようにした」「スパッタリング装置」が記載されているといえる。そして、記載事項（１ｂ）によれば、「ターゲット」は、「２つのターゲット１ａ、１ｂ」であるといえ、また、記載事項（１ｅ）によれば、この「２つのターゲット１ａ、１ｂ」は「別材料」であるといえる。
　そして、記載事項（１ｃ）によれば、この「スパッタリング装置」の「各ターゲット１ａ、１ｂに高電圧を印加することによるプラズマ放電により各ターゲット１ａ、１ｂ材料を飛散させて被処理物４の表面に薄膜を形成」しているといえ、さらに、記載事項（１ｄ）によれば、「選択板８を回転させて選択板８の円形孔９を該ターゲット１ａに対応する位置に移動させ、その後、シャッタ２を回転させてシャッタ２の円形孔９を上記選択板８の円形孔９に一致させ」、「この状態で、数秒間上記ターゲット１ａの材料を、各円形孔９，９を通過させて被処理物４に」、「一方のターゲット１ａの材料を付着させ」、「上記シャッタ２を上記一致させた時と同一方向に回転させ、シャッタ２を閉じるようにして」、「均一な膜形成を行な」い、「続いて、上記選択板８を回転させて選択板８の円形孔９を他方のターゲット１ｂに対応する位置に移動させ、その後、シャッタ２を回転させてシャッタ２の円形孔９を上記選択板８の円形孔９に一致させ」、「この状態で、所定時間スパッタリングを行なった後、同様にシャッタ２を同一方向に回転させ、シャッタ２を閉じるようにし」、「この動作を所定回数くり返すことにより、被処理物４の表面に複数層の膜を形成」しているといえる。
　これら記載事項を本願補正発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「別材料の２つのターゲット１ａ、１ｂに高電圧を印加することによるプラズマ放電により各ターゲット１ａ、１ｂ材料を飛散させて、被処理物の表面に薄膜を形成する方法であって、上記被処理物とターゲット１ａ、１ｂとの間に、スパッタリング材料が通過する孔部を穿設したシャッタ、及び、このシャッタとほぼ同形状を有し上記シャッタの上記ターゲット側に同軸状に位置する選択板を設け、上記選択板の孔部を上記ターゲット１ａに対応する位置に回転移動させた後、上記シャッタを回転させて上記シャッタおよび選択板の各孔部が一致した場合にターゲット１ａの材料を被処理物に付着させ、シャッタを同一方向に回転させてシャッタを閉じ、続いて、上記選択板の孔部を上記ターゲット１ｂに対応する位置に回動移動させた後、上記シャッタを回転させて上記シャッタおよび選択板の各孔部が一致した場合にターゲット１ｂの材料を被処理物に付着させ、シャッタを同一方向に回転させてシャッタを閉じ、この動作を所定回数くり返すことにより、被処理物の表面にターゲット１ａの材料とターゲット１ｂの材料からなる複数層の膜を形成するスパッタリング方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　本願補正発明の「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲット」、あるいは、引用発明１の「別材料の２つのターゲット１ａ、１ｂ」は、異なる材料からなっており、材料が異なることは材質も異なっているといえるから、本願補正発明の「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲット」と、引用発明１の「別材料の２つのターゲット１ａ、１ｂ」は、「互いに材質の異なる２つのターゲット」である点で共通している。
　引用発明１の「別材料の２つのターゲット１ａ、１ｂに高電圧を印加することによるプラズマ放電により各ターゲット１ａ、１ｂ材料を飛散させ」ることは、プラズマ放電により各ターゲット１ａ、１ｂ材料を同時に飛散させるスパッタリングといえるから、本願補正発明の「同時にスパッタリング」することに相当する。
　引用発明１の「ターゲット１ａの材料とターゲット１ｂの材料からなる複数層の膜」は、「別材料の２つのターゲット１ａ、１ｂ」を用いて、「ターゲット１ａの材料を被処理物に付着させ」ることと「ターゲット１ｂの材料を被処理物に付着させ」ることを「所定回数くり返す」ことにより得られることから、「別材料」の膜が交互に積層されてなる「複数層」といえ、また、上述したとおり、材料が異なることは材質も異なっているといえるから、本願補正発明の「Ｔｂ及びＦｅＣｏ合金の膜を交互に積層させてなる磁性膜」と、引用発明１の「ターゲット１ａの材料とターゲット１ｂの材料からなる複数層の膜」は、「互いに異なる材質の膜を交互に積層させてなる膜」である点で共通している。
　引用発明１の「選択板」は、「シャッタ」と共に、飛散する各ターゲット１ａ、１ｂ材料を遮断する機能を有し、回動することから、引用発明１の「シャッタ」及び「選択板」は、本願補正発明の「回転シャッタ」に相当する。
　引用発明１の「被処理物」、「孔部」は、本願補正発明の「被処理体」、「貫通孔」にそれぞれ相当する。
　そして、引用発明１の「上記選択板の孔部を上記ターゲット１ａに対応する位置に回転移動させた後、上記シャッタを回転させて上記シャッタおよび選択板の各孔部が一致した場合にターゲット１ａの材料を被処理物に付着させ、シャッタを同一方向に回転させてシャッタを閉じ」ること、及び「上記選択板の孔部を上記ターゲット１ｂに対応する位置に回動移動させた後、上記シャッタを回転させて上記シャッタおよび選択板の各孔部が一致した場合にターゲット１ｂの材料を被処理物に付着させ、シャッタを同一方向に回転させてシャッタを閉じ」ることは、選択板及びシャッタの各孔部が一致したときに、ターゲット材料を被処理物に付着させ、その後にシャッタを閉じていることから、本願補正発明の「貫通孔を通じて間欠的に連通させる」ことに相当する。
　したがって、本願補正発明と引用発明１とは、「互いに材質の異なる２つのターゲットを同時にスパッタリングして、被成膜体に互いに異なる材質の膜を交互に積層させてなる膜を成膜するスパッタリング方法であって、前記スパッタリング時には、前記被成膜体と前記複数のターゲットとの間を隔てて配設され、部分的に貫通孔が形成された回転シャッタを回転させて、前記各ターゲットと前記被成膜体との間を前記貫通孔を通じて間欠的に連通させるスパッタリング方法」で一致し、以下の点で相違している。
　（ア）本願補正発明では、「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲット」を用いて「Ｔｂ及びＦｅＣｏ合金の膜を交互に積層させてなる磁性膜」を成膜しているのに対して、引用発明１では、「互いに材質の異なる２つのターゲット」及び「互いに異なる材質の膜を交互に積層させてなる膜」の材質について限定されておらず、また、「積層させてなる膜」が「磁性膜」であることも限定されていない点（以下、「相違点ア」という。）。
　（イ）本願補正発明では、「前記回転シャッタの回転速度と前記各ターゲットへの印加電圧を制御することにより、前記回転シャッタの１回転当たりに形成される各材質の膜厚を０．４ｎｍに制御する」のに対して、引用発明１ではかかる限定が付されていない点（以下、「相違点イ」という。）。
　
５．判断
（１）相違点アの検討
　引用文献２には、記載事項（２ｂ）によれば、「ＴｂターゲットとＦｅ９０Ｃｏ１０ターゲットを用い」た「ＤＣマグネトロン・コスパッタ法」により、「Ｔｂ層厚は４オングストロームであり、ＦｅＣｏ層厚は６オングストロームである」「Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜」を「作製」することが記載されているといえ、さらに、この「Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜」は、記載事項（２ａ）に「コスパッタ法によりＴｂあるいはＤｙ元素と遷移金属寝素とを交互に積層し非晶質膜を成膜する。・・・非晶質膜の短距離秩序に変化が生じ、磁性膜の異方性分散が変化することにより記録磁界感度が向上する。」と記載されていることから、「磁性膜」であるといえる。
　したがって、引用文献２には、「ＴｂターゲットとＦｅ９０Ｃｏ１０ターゲットを用いたＤＣマグネトロン・コスパッタ法により、Ｔｂ層厚は４オングストロームであり、ＦｅＣｏ層厚は６オングストロームである、Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜からなる磁性膜を作製する方法」が記載されているといえる。
　そして、引用文献２に記載された「Ｆｅ９０Ｃｏ１０ターゲット」及び「Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜からなる磁性膜」は、それぞれ本願補正発明の「ＦｅＣｏ合金ターゲット」、「Ｔｂ及びＦｅＣｏ合金の膜を交互に積層させてなる磁性膜」を示しているといえる。
　したがって、上記引用文献２の記載事項から、「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲットを同時にスパッタリングして、被成膜体にＴｂ及びＦｅＣｏ合金の膜を交互に積層させてなる磁性膜を成膜するスパッタリング方法」は、公知の技術といえる。
　そして、引用発明１と引用文献２に記載された「方法」とは、ともに「互いに材質の異なる２つのターゲットを同時にスパッタリングして、被成膜体に互いに異なる材質の膜を交互に積層させてなる膜を成膜するスパッタリング方法」である点で、同一の技術分野に属するものである。
　したがって、引用発明１の「スパッタリング方法」において、引用文献２に記載されているように、「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲット」を用いて、「Ｔｂ及びＦｅＣｏ合金の膜を交互に積層させてなる磁性膜」を形成することは、当業者であれば容易になし得たものである。
　そして、相違点アに係る本願補正発明の構成とすることによって奏する作用効果も、引用文献１及び２に記載された事項から、当業者が容易に予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
（２）相違点イの検討
　まず、上記相違点イの「前記回転シャッタの回転速度と前記各ターゲットへの印加電圧を制御することにより、前記回転シャッタの１回転当たりに形成される各材質の膜厚を制御する」点について検討する。
　引用文献３には、記載事項（３ａ）によれば、「Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏターゲット」、「Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏターゲット」を有する「二元マグネトロンスパッタ装置」を用いて、「ターゲットの前方」の「回転するシャッター」の「アパーチャー１４の回転をパルスモータ−で制御することにより」、「Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜、Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏ膜の積層」を「スパッタ蒸着」する方法において、「ターゲット１１，１２への入力電力、Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-ＯおよびＢｉ-Ｔｉ-Ｏのスパッタ時間を制御することにより」、「Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜」、「Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏ膜」の「膜厚を変えることができる」ことが記載されているといえる。
　そして、引用文献３に記載された「Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏターゲット」と「Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏターゲット」は、互いに材料が異なっており、その材質も異なることから、「互いに材質の異なる２つのターゲット」とみることができ、また、「Ｔｌ-Ｂａ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ膜、Ｂｉ-Ｔｉ-Ｏ膜の積層」は、「互いに異なる材質の膜を交互に積層させてなる膜」とみることができる。また、「スパッタ時間を制御」することは、シャッターのアパーチャーの回転をパルスモータで制御することによるものであるから、「シャッターの回転速度を制御する」こととみることができる。また、引用文献３に記載された「回転するシャッター」、「アパーチャー」は、本願補正発明の「回転シャッタ」、「貫通孔」にそれぞれ相当する。
　したがって、上記引用文献３の記載事項から、「互いに材質の異なる２つのターゲットを有する二元マグネトロンスパッタ装置を用いて、ターゲットの前方の回転シャッタの貫通孔を回転させ、互いに異なる材質の膜を交互に積層させてなる膜をスパッタ蒸着する方法において、２つのターゲットへの入力電力、互いに材質の異なる２つのターゲットのスパッタ時間、すなわち、回転シャッタの回転速度を制御することにより、各材質の膜厚を制御する」ことは、公知の技術といえる。
　してみると、上記引用文献３と同一の技術分野に属する引用発明１において、「回転シャッタの回転速度と各ターゲットへの印加電圧を制御して、回転シャッタの１回転当たりに形成される各材質の膜厚を制御する」ことは、上記引用文献３に記載された公知技術を参酌して当業者が容易に想到し得るものである。
　次に、上記相違点イの「各材質の膜厚を０．４ｎｍに制御する」点について検討する。
　本願明細書には、「各材質の膜厚を０．４ｎｍに制御する」ことに関して、段落【００２６】に「図８は、回転シャッタ７の１回転当たりに形成される膜厚（すなわち、マルチレイヤー構造における一層の膜厚）と、磁気特性との関係を示す。同一飽和磁化Ｍｓにおける保磁力Ｈｃを比べると、１回転当たりの膜厚が０．４ｎｍのときが、０．０４ｎｍ、４ｎｍのときに比べ３倍以上と高い値を示し、最も磁気特性に優れていることがわかる。また、回転シャッタ７を取り外して成膜された、各原子が不規則に混ざり合った膜（この膜の飽和磁化Ｍｓを□で示し、保磁力Ｈｃを○で示す）との比較では、１回転当たりの膜厚が０．４ｎｍのときの方が１．５倍の高い保磁力Ｈｃを示しており、従来の回転シャッタ７を用いないスパッタリングに比べ磁気特性の優れた膜を成膜できることがわかる。回転シャッタ７の回転速度と各ターゲットＡ、Ｂに印加する電力を制御することで１回転当たりに成膜される膜厚（すなわち、マルチレイヤー構造における一層の膜厚）を０．４ｎｍに制御できる。なお、１回転当たりに成膜される膜厚が０．４ｎｍのときに優れた磁気特性が得られるのは、原子１個の直径がほぼ０．４ｎｍであることに起因していると考えられる。」と記載されるとともに、図８には、「回転シャッタの１回転当たり形成されるＴｂ膜の膜厚と、磁気特性との関係を示すグラフ」が記載され、１回転当たりの膜厚が０．４ｎｍのＨｃが、０．０４ｎｍまたは４ｎｍのＨｃより大きいことが窺える。
　本願明細書のこれら記載をみると、回転シャッタの１回転当たりに形成される膜厚が０．４ｎｍである場合に、磁気特性が優れることは、オーダーの異なる０．０４ｎｍまたは４ｎｍと比較して示されているだけであり、０．４ｎｍ近傍の同じオーダーである膜厚（例えば、０．５ｎｍや０．３ｎｍ）と比較して顕著に磁気特性が優れることは、本願明細書には記載も示唆もなされていない。してみると、「０．４ｎｍ」なる値に臨界的意義を有するといえない。
　そして、引用文献２には、上記（１）で検討したとおり、「Ｔｂ層厚は４オングストロームであり、ＦｅＣｏ層厚は６オングストロームである、Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜からなる磁性膜を作製する方法」が記載されている。
　また、本願の出願前の技術水準をみると、例えば、特開平４−２５５９３９号公報に「本発明は、光磁気記録媒体に係わる。」（段落【０００１】）、及び「記録層１３は、Ｔｂによる厚さ３．４Åの希土類金属層４０ＲＥと、Ｆｅ８５Ｃｏ１５による厚さ４．７Åの遷移金属層４０ＴＭの繰返し積層構造とし、全体としてその組成が、Ｔｂ２５（Ｆｅ８５Ｃｏ１５）７５、厚さが４００Åの磁性層となるようにする。」（段落【００３９】）と記載されているように、光磁気記録媒体の記録層である繰返し積層構造のＴｂ希土類金属層及びＦｅＣｏ遷移金属層を、０．４ｎｍ前後の厚さとすることは、周知の技術といえる。
　したがって、引用発明１の「スパッタリング方法」において、引用文献２に記載されているように、「Ｔｂ／ＦｅＣｏ周期多層膜からなる磁性膜」を形成するに際して、「Ｔｂ層厚」及び「ＦｅＣｏ層厚」を０．４ｎｍ程度とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項といえる。
　そして、相違点イに係る本願補正発明の構成とすることによって奏する作用効果も、引用文献１乃至３に記載された事項及び周知技術から、当業者が容易に予測し得る程度のことであり、格別のものとはいえない。
　
（３）まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用文献１乃至３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
　平成１９年１１月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、その請求項１乃至２に係る発明は、平成１９年８月２３日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された事項により特定されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　互いに異なる材質の複数のターゲットを同時にスパッタリングして、被成膜体に前記異なる材質の膜を交互に積層させてなる磁性膜を成膜するスパッタリング方法であって、
　前記スパッタリング時には、
　前記被成膜体と前記複数のターゲットとの間を隔てて配設され、部分的に貫通孔が形成された回転シャッタを回転させて、前記各ターゲットと前記被成膜体との間を前記貫通孔を通じて間欠的に連通させるとともに、
　前記回転シャッタの回転速度と前記各ターゲットへの印加電力を制御することにより、前記回転シャッタの１回転当たりに形成される各材質の膜厚を０．４ｎｍに制御することを特徴とするスパッタリング方法。」
　
ＩＶ．引用刊行物及びその記載事項
　引用刊行物、並びにそれら記載事項は、前記「ＩＩ．」の「３．引用刊行物及びその記載事項」に記載したとおりである。
　
Ｖ．対比・判断
　本願発明１は，前記「ＩＩ．」で検討した本願補正発明から「互いに異なる材質の複数のターゲット」の限定事項である「Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金ターゲット」を省き、「前記異なる材質の膜」の限定事項である「Ｔｂ及びＦｅＣｏ合金の膜」を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「ＩＩ．」の「４．対比」及び「５．判断」に記載したとおり、引用文献１乃至３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も同様の理由により、引用文献１乃至３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
ＶＩ．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用文献１乃至３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。