【事件の表示】
　平成１０年特許願第３４７６１７号「液晶表示装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月２３日出願公開、特開２０００−１７１８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１０年１２月７日の出願であって、平成１８年１２月２７日に手続補正がなされ、平成１９年２月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年４月１７日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正の却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正の内容  
　本件補正は、請求項１の記載を、
　
「絶縁基板上に一定間隔を隔てて配置された複数のゲート配線、上記ゲート配線に交差する複数のソース配線、上記ゲート配線と上記ソース配線との交差部に設けられた薄膜トランジスタを含み、上記薄膜トランジスタを構成するドレイン電極に接続された画素電極と、上記画素電極との間に絶縁膜を挟むことによって保持容量を形成する保持容量電極線を有するマトリックス型表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板において、上記ソース配線上に絶縁膜を挟んで形成される上記保持容量電極線は、上記ソース配線と上記ゲート配線の配置方向の配線成分を持ったメッシュ状の構造であり、上記ソース配線の配置方向の配線成分は、上記ソース配線を覆うように、上記ソース配線よりも幅広に配置形成され、上記ゲート配線の配置方向の配線成分は、上記ゲート配線と重畳しないように配置形成され、上記画素電極は、上記保持容量電極線の上層に一部が重畳するように配置形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」から、
　
「絶縁基板上に一定間隔を隔てて配置された複数のゲート配線、上記ゲート配線に交差する複数のソース配線、上記ゲート配線と上記ソース配線との交差部に設けられた薄膜トランジスタを含み、上記薄膜トランジスタを構成するドレイン電極に接続された画素電極と、上記画素電極との間に絶縁膜を挟むことによって保持容量を形成する保持容量電極線を有するマトリックス型表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板において、上記ソース配線上に絶縁膜を挟んで形成される上記保持容量電極線は、上記ソース配線と上記ゲート配線の配置方向の配線成分を持った
上下左右の隣接する画素の保持容量線に接続された
、上記重畳する部分で上記保持容量を形成し
　
　上記請求項１に係る補正は、本件補正前の請求項１の発明特定事項である「メッシュ状の構造」について、保持容量電極線は「上下左右の隣接する画素の保持容量線に接続された」ものであるとの限定を付加するとともに、同じく「画素電極」について、「上記重畳する部分で上記保持容量を形成し」ているとの限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下で検討する。
　
２．刊行物記載の発明
  
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−３１８５２３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　
（１）「【請求項１】　
複数のゲート電極と、該ゲート電極と交差する複数のドレイン電極と、その交差部に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース電極に接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板と、液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する対向電極基板とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、
　
（２）「【００１１】
【作用】本発明によれば、以上のように薄膜トランジスタ型液晶表示装置を構成したので、ドレイン電極上の電圧信号は遮蔽電極により遮蔽され、画素電極にのらなくなる。その結果、ドレイン配線上の液晶層内にＤＣ成分が入らなくなり、かつ液晶のオン動作がなくなる。また、遮蔽電極と画素電極との間に形成される蓄積容量がゲート電極−ソース電極間寄生容量に起因する画素電極電圧の降下を軽減させる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板の平面図である。図に示すように、ゲート電極１とドレイン電極２が交差する部分に、半導体層３をチャネルとしたトランジスタが形成されており、ソース電極４は第１スルーホール６と第２スルーホール７を通して画素電極５と電気的に接続されている。そして、この画素電極５は両端のドレイン電極パターン上にまでオーバラップしている。一方、ＩＴＯ等の透明電極からなる遮蔽電極は、遮蔽電極開口部８以外は全面に形成されたパターンになっており、開口部８はトランジスタ部と第１、第２スルーホール部を占めている。
【００１３】図２は本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板の一部（図１のＡ−Ａ′）断面図である。本実施例では、ゲート電極１の上にはゲート電極１を陽極酸化することによって形成されるゲート電極陽極酸化膜９が形成されている。ただし、ゲート電極陽極酸化膜９がなくても本発明の効力を失うものではない。そして、所定のパターンを有するゲート電極陽極酸化膜９の上に、ゲート絶縁膜として機能する第１絶縁膜１１が全面に形成されている。
その第１絶縁膜１１の上には、半導体層３、オーミック接合層１０及びドレイン電極−ソース電極が所定のパターンに形成されている。その上には、ソース電極４と画素電極５の電気的接続をとるための第１スルーホール６部以外に全面形成された第２絶縁膜１２があり、その第２絶縁膜１２の上に透明電極からなる遮蔽電極１３がトランジスタ部、スルーホール部以外に形成されており、その上に第１スルーホール６と同じ場所の第２スルーホール７以外全面に第３絶縁膜１３
が形成されている。その上に、透明電極からなる画素電極５が第１、第２スルーホール６，７を通してソース電極４と電気的に接続がなされている形で、所定のパターンに形成されている。この図から画素電極５は、第３絶縁膜１４を介して遮蔽電極１３との間に蓄積容量が形成されている
【００１４】図３は本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板の一部（図１のＢ−Ｂ′）断面図である。図に示すように、ドレイン電極２の上は第２絶縁膜１２に、そしてその上は遮蔽電極１３に覆われた形であるので、ドレイン電極上の電圧信号はこの遮蔽電極１３で遮蔽される。また、画素電極５はドレイン電極上にオーバラップして覆っているが、すぐ下に遮蔽電極１３があるので、同じ理由でドレイン電極上の電圧信号がのらなくなる。したがって、このような構成にすることにより、ドレイン配線上の液晶の動作がなくなり、完全に本来の画素電極に入る信号のみを受けることになる。その結果、ドレイン配線上の液晶層内においてＤＣ成分の生じることがなくなる。また、画素電極５はドレイン電極上にオーバラップして覆っているので、表示装置の開口率が上がることになる。
【００１５】図４は本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板の電気接続系を表すブロック図である。図において、ゲート電極群１５とドレイン電極群１６とがトランジスタアレイを構成している。先に述べた遮蔽電極１３は１枚のベタ電極である。また、カラーフィルタ基板側の対向電極１７も同じ１枚のベタ電極である。ここで、遮蔽電極１３に対向電極１７と同程度の電圧を入力する。本実施例においては、遮蔽電極１３と対向電極１７とを電気的に接続してある。なお、遮蔽電極１３と対向電極１７の電気的接続は、どちらの１枚のベタ電極であるため、きわめて容易に行える。
【００１６】図５は本発明の実施例における薄膜トランジスタ型液晶表示装置の１画素あたりの等価回路図である。図において、ゲート電極１がオンすると、ドレイン電極２上の電圧がトランジスタ２１を介してソース電極４に書き込まれ、ゲート電圧がオフになると、ゲート電極−ソース電極間容量２３によりソース電圧降下が起きるが、その度合いは液晶２２の容量分以外に
画素電極−遮蔽電極間容量２４があるため
【００１７】また、
ドレイン電極２は、遮蔽電極１３によって覆われているので
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によれば、ドレイン電極上に遮蔽電極を設け、かつその遮蔽電極と画素電極間に蓄積容量をもつ構造としたので、ドレイン電極上の電圧信号は遮蔽電極により遮蔽され、画素電極にのらなくなる。その結果、ドレイン配線上の液晶層内にＤＣ成分が入らなくなり、かつ液晶のオン動作がなくなる。また、ゲート電極−ソース電極間寄生容量による画素電極電圧の降下が軽減される。
【００１９】そして、遮蔽電極が対向電極と同程度の電位に保たれるように構成することにより、ドレイン電極上の電圧信号の遮蔽機能をより高めることができる。さらに、画素電極をドレイン電極上にオーバラップして形成することにより、開口率を高めることができる。したがって、表示品質の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタ型液晶表示装置を実現することができる。」
　
（３）図１には、薄膜トランジスタを構成するゲート電極と複数のゲート電極に共通してゲート信号を供給する配線とが一体のものとして記載され、また、薄膜トランジスタを構成するドレイン電極と複数のドレイン電極に共通して表示画像信号を供給する配線とが一体のものとして記載されていることが当業者に明らかであるが、引用刊行物の記載においては、いずれもこれらの配線も含め「ゲート電極１」及び「ドレイン電極２」と称している。以下では、薄膜トランジスタを構成するゲート電極を「ゲート電極」と、ゲート電極に共通してゲート信号を供給する配線を「ゲート配線」と、薄膜トランジスタを構成するドレイン電極を「ドレイン電極」と、複数のドレイン電極に共通して表示画像信号を供給する配線を「ドレイン配線」と、それぞれ区別して称することとする。
　上記を踏まえ図１の平面図を見ると、薄膜トランジスタ基板には、各薄膜トランジスタのゲート電極と一体となっているゲート配線と、各薄膜トランジスタのドレイン電極と一体となっているドレイン配線とが、それぞれ、一定間隔を隔てて平行に複数設けられていることが見てとれ、図４の電気接続系を表すブロック図から、多数の前記ゲート配線が行方向に延びてゲート電極群１５を構成するとともに、多数の前記ドレイン配線が列方向に延びてドレイン電極群１６を構成していること、さらには、前記ゲート電極群１５及びドレイン電極群１６が全体として行列を構成していることが見てとれる。また、図５の１画素あたりの等価回路図を併せ見れば、前記ゲート電極群１５の各ゲート配線及び前記ドレイン電極群１６の各ドレイン配線は、互いが交差する各交差部において、トランジスタ２１を介して互いに接続されていることが見てとれるから、多数のトランジスタ２１も行列を構成していることが明らかである。
　
（４）図１の薄膜トランジスタ基板の平面図から、遮蔽電極開口部８の形状は、ゲート配線（上記（３）参照。）の延長方向に長く、その長さが異なる２つの長方形が、ドレイン配線（上記（３）参照。）の延長方向に隣接して結合した形状であること、前記２つの長方形の長い方の長方形は前記ゲート配線のうち前記ドレイン配線との交差部を除く部分を覆う遮蔽電極部分をほとんど開放するように配置され、前記２つの長方形の短い方の長方形は、トランジスタ部、第１スルーホール６及び第２スルーホール７を覆う遮蔽電極部分を完全に開放するが、トランジスタのドレイン電極と一体のドレイン配線を覆う遮蔽電極部分はまったく開放することがないように配置されていること、さらに、画素電極５と遮蔽電極１３は遮蔽電極開口部８を除いて重畳していることが見てとれる。また、この平面図には、２つの画素にそれぞれ対応する遮蔽電極開口部８が２つ記載されており、それらの形状及び配置は同じであることから、この薄膜トランジスタ基板における全ての遮蔽電極開口部の形状及び配置は各画素に対して同じに設計されているものであることが当業者に自明である。
　
（５）図６の従来の薄膜トランジスタ基板の一部断面図から、ゲート電極３２が最も下層になっているＴＦＴ構造が基板３１の上面に直接設けられている薄膜トランジスタ基板が見てとれる。また、同図の記載から、この薄膜トランジスタ基板の基板３１の上面に、ＴＦＴ構造の最も下層のゲート電極が直接形成されることが見てとれるところ、この基板３１は、ゲート電極３２が他の導電性パターンなどとショートしないよう絶縁性基板となっていることが当業者に自明である。同様にして、本発明の実施例における薄膜トランジスタ基板の一部の断面図である図２及び図３の記載から、ゲート電極が最も下層になっているＴＦＴ構造が見てとれるところ、このＴＦＴ構造の最も下層のゲート電極が直接形成されるところの上面を有する絶縁性基板を、当該薄膜トランジスタ基板が備えていることは当業者に自明である。
　
（６）上記（１）ないし（５）から、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　
「絶縁性基板の上面に直接形成されたゲート電極と一体となっているゲート配線が一定間隔を隔てて平行に複数設けられ、各薄膜トランジスタのドレイン電極と一体となっているドレイン配線が一定間隔を隔てて平行に複数設けられ、多数の前記ゲート配線が行方向に延びてゲート電極群を構成するとともに、多数の前記ドレイン配線が列方向に延びてドレイン電極群を構成し、前記ゲート電極群及びドレイン電極群が全体として行列を構成するとともに、前記各ゲート配線及び前記各ドレイン配線は、互いが交差する各交差部において、前記薄膜トランジスタを介して互いに接続されていて、多数の前記薄膜トランジスタも行列を構成しており、各薄膜トランジスタのソース電極には画素電極が接続されている薄膜トランジスタ基板と、液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する対向電極基板とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、
　前記ドレイン電極、前記ドレイン配線及び前記ソース電極の上には、第１の絶縁膜（第２絶縁膜１２）があり、その第１の絶縁膜の上に遮蔽電極が形成されており、その上に第２の絶縁膜（第３絶縁膜１４）が形成されており、その上に前記画素電極が形成されていて、該画素電極は前記第２の絶縁膜を介して前記遮蔽電極との間に蓄積容量が形成されており、前記遮蔽電極には遮蔽電極開口部が形成されており、該遮蔽電極開口部の形状は、前記ゲート配線の延長方向に長く、その長さが異なる２つの長方形が、前記ドレイン配線の延長方向に隣接して結合した形状であるとともに、前記２つの長方形の長い方の長方形は前記ゲート配線のうち前記ドレイン配線との交差部を除く部分を覆う遮蔽電極部分をほとんど開放するように配置され、前記２つの長方形の短い方の長方形は、トランジスタ部、第１及び第２の絶縁膜に形成されたスルーホールを覆う遮蔽電極部分を完全に開放するが、前記ドレイン配線を覆う遮蔽電極部分はまったく開放することがないように配置されていて、前記画素電極と前記遮蔽電極は遮蔽電極開口部を除いて重畳して前記蓄積容量を形成し、各画素に対して遮蔽電極開口部の形状及び配置は全て同じに設計されている薄膜トランジスタ型液晶表示装置。」
　
３．対比・判断
　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「絶縁性基板の上面」、「ゲート配線」、「ドレイン配線」、「交差部」、「薄膜トランジスタ」、「ソース電極」、「画素電極」、「第２の絶縁膜」、「薄膜トランジスタ基板」、「薄膜トランジスタ型液晶表示装置」、「第１の絶縁膜」、「画素」及び「蓄積容量」は、それぞれ、本願補正発明の「絶縁基板上」、「ゲート配線」、「ソース配線」、「交差部」、「薄膜トランジスタ」、「ドレイン電極」、「画素電極」、「『保持容量電極線』が『画素電極との間に』『挟むことによって保持容量を形成』する『絶縁膜』」、「薄膜トランジスタアレイ基板」、「液晶表示装置」、「『ソース配線上』の『絶縁膜』」、「画素」及び「保持容量」に相当する。 
　
（２）引用発明の薄膜トランジスタ基板は、そのゲート電極群及びドレイン電極群が全体として行列を構成するとともに、各ゲート配線及び各ドレイン配線の交差部に配置され、画素電極が接続されている薄膜トランジスタも行列を構成しているから、マトリックス型表示装置用のものであることが当業者に自明である。よって、引用発明の「薄膜トランジスタ基板」と本願補正発明の「薄膜トランジスタアレイ基板」とは「マトリックス型表示装置用の」ものである点で一致する。
　
（３）引用発明のゲート配線は、絶縁性基板の上面に、一定間隔を隔てて平行に複数設けられているから、本願補正発明のゲート配線と、「絶縁基板上に一定間隔を隔てて配置された」点及び「複数」である点で一致する。
　
（４）引用発明において、各ゲート配線及び各ドレイン配線は、互いが交差するから、引用発明のドレイン配線は、本願補正発明のソース配線と、「ゲート配線に交差する」点及び「複数」である点で一致する。
　
（５）上記（１）のとおり、引用発明のゲート配線及びドレイン配線が、それぞれ、本願補正発明のゲート配線及びソース配線に相当するから、引用発明の「交差部」は、本願補正発明の「交差部」と「ゲート配線とソース配線との」交差部である点で一致し、また、当該交差部においてゲート配線とドレイン配線とを互いに接続するところの引用発明の「薄膜トランジスタ」は、当該交差部に設けられることが明らかであるから、本願補正発明の「薄膜トランジスタ」と、「交差部に設けられた」点で一致する。
　
（６）上記（１）のとおり、引用発明のソース電極が本願補正発明のドレイン電極に相当するから、引用発明の薄膜トランジスタのソース電極に接続されている「画素電極」は、本願補正発明の「画素電極」と、「薄膜トランジスタを構成するドレイン電極に接続された」点で一致する。
　
（７）上記（１）のとおり、引用発明の「蓄積容量」及び「第２の絶縁膜」が本願補正発明の「保持容量」及び「絶縁膜」に相当しており、また、引用発明において、画素電極は遮蔽電極の上に形成されている第２の絶縁膜の上に形成されていて、第２の絶縁膜を介して遮蔽電極との間に蓄積容量が形成されているから、引用発明の「遮蔽電極」は「保持容量電極」といえ、かつ、引用発明において、画素電極と遮蔽電極は、遮蔽電極開口部を除いて重畳して蓄積容量を形成しているから「一部が重畳」しているといえる。よって、引用発明の「遮蔽電極」と本願補正発明の「保持容量電極線」とは、「画素電極との間に絶縁膜を挟むことによって保持容量を形成する保持容量電極」である点で一致するとともに、引用発明の画素電極と本願補正発明の画素電極とは、「保持容量電極の上層に一部が重畳するように配置され、上記重畳する部分で上記保持容量を形成している」点で一致している。
　
（８）引用発明において、ドレイン電極、ドレイン配線及びソース電極の上には、第１の絶縁膜があり、その第１の絶縁膜の上に遮蔽電極が形成されているから、引用発明の遮蔽電極は、ドレイン配線上に絶縁膜を挟んで形成されているものである。そして、上記（１）のとおり引用発明のドレイン配線は本願補正発明のソース配線に相当するから、引用発明の「遮蔽電極」と本願補正発明の「保持容量電極線」とは、「ソース配線上に絶縁膜を挟んで形成される」点でも一致する。
　
（９）引用発明の遮蔽電極には、同じ形状の遮蔽電極開口部が各画素に対して同じ配置で形成されている。また、引用発明の薄膜トランジスタ基板は「マトリックス型表示装置用の」ものである（上記（２）参照。）から、その画素も同様に、行列を構成するように多数配置されていることが当業者に自明である。よって、引用発明の遮蔽電極は、行方向の多数の線と列方向の多数の線と各方向の多数の線の各交差部分に配置された遮蔽電極開口部とから構成される形状であり、この様な形状はメッシュ状の構造であるといえる。さらに、その各方向の多数の線に注目すれば、保持容量電極（上記（７）参照。）といえる引用発明の遮蔽電極は、結局、「保持容量電極線」であるといえる。
　
（１０）引用発明において、ゲート配線は行方向に延びており、ドレイン配線（本願補正発明の「ソース配線」に相当している。）は列方向に延びているから、上記（９）に照らせば、引用発明の「保持容量電極線を構成する行方向の多数の線」は、本願補正発明の「ゲート配線の配置方向の配線成分」を持ち、引用発明の「保持容量電極線を構成する列方向の多数の線」は、本願補正発明の「ソース配線の配置方向の配線成分」を持っており、引用発明の「保持容量電極線を構成する行方向の線」は「ソース配線の配置方向の配線成分」により上下の隣接する画素の「保持容量電極線を構成する行方向の線」に接続され、引用発明の「保持容量電極線を構成する列方向の線」は「ゲート配線の配置方向の配線成分」により左右の隣接する画素の「保持容量電極線を構成する列方向の線」に接続された形状である。してみると、引用発明の「保持容量電極線を構成する行方向の線」及び「保持容量電極線を構成する列方向の線」は、本願補正発明の「保持容量線」に相当し、引用発明の「遮蔽電極」と本願補正発明の「保持容量電極線」とは、「上記ソース配線と上記ゲート配線の配置方向の配線成分を持った上下左右の隣接する画素の保持容量線に接続されたメッシュ状の構造であ」る点で一致する。
　
（１１）引用発明の遮蔽電極には、ゲート配線のうちドレイン配線との交差部を除く部分を覆う遮蔽電極部分をほとんど開放するように遮蔽電極開口部（の長い方の長方形）が配置されているから、上記（９）及び（１０）に照らせば、引用発明の「保持容量電極線」の「ゲート配線の配置方向の配線成分」は、本願補正発明の「保持容量電極線」の「ゲート配線の配置方向の配線成分」と、「上記ゲート配線と重畳しないように配置形成され」る点で一致する。
　
（１２）引用発明の遮蔽電極には、ドレイン配線（本願補正発明の「ソース配線」に相当している。）を覆う遮蔽電極部分はまったく開放することがないように遮蔽電極開口部の短い方の長方形が配置され、かつ、遮蔽電極開口部の長い方の長方形が完全に開放する遮蔽電極部分からは、ドレイン配線との交差部が除かれているから、上記（９）及び（１０）に照らせば、引用発明の「保持容量電極線」の「ソース配線の配置方向の配線成分」は、本願補正発明の「保持容量電極線」の「ソース配線の配置方向の配線成分」と、「上記ソース配線を覆うように、上記ソース配線よりも幅広に配置形成され」る点で一致することが明らかである。
　
（１３）したがって、本願補正発明と引用発明とは、
「絶縁基板上に一定間隔を隔てて配置された複数のゲート配線、上記ゲート配線に交差する複数のソース配線、上記ゲート配線と上記ソース配線との交差部に設けられた薄膜トランジスタを含み、上記薄膜トランジスタを構成するドレイン電極に接続された画素電極と、上記画素電極との間に絶縁膜を挟むことによって保持容量を形成する保持容量電極線を有するマトリックス型表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板において、上記ソース配線上に絶縁膜を挟んで形成される上記保持容量電極線は、上記ソース配線と上記ゲート配線の配置方向の配線成分を持った上下左右の隣接する画素の保持容量線に接続されたメッシュ状の構造であり、上記ソース配線の配置方向の配線成分は、上記ソース配線を覆うように、上記ソース配線よりも幅広に配置形成され、上記ゲート配線の配置方向の配線成分は、上記ゲート配線と重畳しないように配置形成され、上記画素電極は、上記保持容量電極線の上層に一部が重畳するように配置形成され、上記重畳する部分で上記保持容量を形成している液晶表示装置。」 の点で一致し、相違するところはない。
　
　よって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
　
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１２月２７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１」で、本件補正前の請求項１として記載されたとおりのものである。
　
２．刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物及びその記載事項は、前記「第２［理由］２」において記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、前記第２で検討した本願補正発明から、「メッシュ状の構造」についての保持容量電極線が「上下左右の隣接する画素の保持容量線に接続された」ものであるとの限定を解除するとともに、同じく「画素電極」についての「上記重畳する部分で上記保持容量を形成し」ているとの限定を解除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２［理由］３」で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明であるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明である。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。