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　平成　８年特許願第３１２３４３号「複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月　９日出願公開、特開平１０−１５４８７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１１月２２日の出願であって、平成１７年５月２日付け拒絶理由通知に対して、同年７月１１日付けで手続補正がされたが、同年１０月２５日付けで拒絶査定され、これに対し、同年１２月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月２７日に手続補正がされたものである。
　
第２　平成１７年１２月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１７年１２月２７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、補正前に、
　
「【請求項１】基板上に、下部電極層と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成し、その上に別の薄膜コンデンサ又は素子層を積層して成る薄膜コンデンサ内蔵基板において、各薄膜コンデンサ上を覆って表面が滑らかになるように絶縁体層を形成し、絶縁体層を貫通して薄膜コンデンサの上部電極を上層にある別の薄膜コンデンサ又は素子層に垂直に接続するフィルドビアを設けたことを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵基板。
　【請求項２】基板上に、下部電極と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成し、その上に別の薄膜コンデンサまたは素子層を積層して成る薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法において、薄膜コンデンサ上を覆って表面が滑らかになるように絶縁体層を形成した後、薄膜コンデンサの電極をそれの上方に位置する別の薄膜コンデンサまたは素子層に垂直に接続するフィルドビアを形成すべき絶縁体層の部分に孔開けし、絶縁体層の滑らかな表面上に導通層を形成して絶縁体層の孔開けした部分にフィルドビアを形成した後、絶縁体層上の導体層をエッチングにより除去することから成ることを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】基板上に、下部電極と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成し、その上に別の薄膜コンデンサを積層して成る複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法において、薄膜コンデンサ上を覆って表面が滑らかになるように絶縁体層を形成した後、薄膜コンデンサの電極をそれの上方に位置する別の薄膜コンデンサに垂直に接続するフィルドビアを形成すべき絶縁体層の部分に孔開けし、絶縁体層の滑らかな表面上に導通層を形成して絶縁体層の孔開けした部分にフィルドビアを形成した後、絶縁体層上の導体層をエッチングにより除去することから成ることを特徴とする複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法。」
　
　と補正しようとするものである。
　すると、本件補正は、本件補正前の請求項１を削除するとともに、本件補正前の請求項２に「別の薄膜コンデンサまたは素子層を積層して成る」及び「別の薄膜コンデンサまたは素子層に垂直に接続する」とあったところを、それぞれ「別の薄膜コンデンサを積層して成る」及び「別の薄膜コンデンサに垂直に接続する」と限定し、また、本件補正前の請求項２に「・・・積層して成る薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法」及び「・・・成ることを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法」とあったところを、それぞれ「・・・積層して成る複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法」及び「・・・成ることを特徴とする複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　本願補正発明は、平成１７年１２月２７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
２．引用例
（１）本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５７−１１２０６８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（１ａ）「本発明は能動素子が搭載されるコンデンサと他の素子が同一基板上に含まれる受動回路基板上の上記コンデンサの信頼性を従来の工程に手を加えずに最少のコストで向上させる回路装置の製造方法に関するものである。」（第１頁右欄第３〜７行）
　
（１ｂ）「第１図（ｂ）に示すように、インダクタ，コンデンサ下部電極となるＡｕ，Ｃｒ−Ｐｔ−Ａｕ，Ｃｒ−Ａｕ等の金属を被着しパターニングしてインダクタ３，コンデンサ下部電極４を形成し、これらを第１図（ｃ）に示すようにメッキで厚くする。次に、第１図（ｄ）に示すように、コンデンサの絶縁基板となるＳｉＯ２等を被着して被膜５’を形成する。次に、第１図（ｅ）に示すように、コンデンサの上部電極となるＡｕ，Ｃｒ−Ｐｔ−Ａｕ，Ｃｒ−Ａｕ等の金属を被着し、Ａｕメッキの後パターニングしてコンデンサ上部電極６を形成する。」（第２頁左上欄第２〜１２行）
　
（１ｃ）「ところで、本回路装置は受動回路部のみであるため、能動素子であるトランジスタを貼り付けるが、一電源でこの回路装置を用いる場合はコンデンサにより直流的にはトランジスタの一端子を浮かし、交流的にはコンデンサによりアースに落されるようにする。この際トランジスタをコンデンサに貼り付けることになる。」（第２頁右上欄第２〜８行）
　
（１ｄ）「本発明は、・・・従来の工程に手を加えずかつマスクも増やさずに必要部分のメッキ厚のみを厚くすることのできる低コストの回路装置の製造方法を提供することを目的としている。」（第２頁右下欄第５〜９行）
　
（１ｅ）「第３図（ａ）は基板２１上にインダクタ（回路素子）２２，コンデンサ下部電極２３，２３，絶縁基板２４，上部電極２５，２５を形成した状態を示すもので、これ迄の工程は従来の第１図（ａ）〜（ｆ）迄の工程と同様である。２６は整合用コンデンサ、２７は一電源にするためにトランジスタを搭載する一電源用コンデンサである。本発明では、この後次の手順により回路装置を製造する。
　まず、第３図（ｂ）に示すように、従来と同様に感光樹脂２８を塗布してコンタクトホール２９，３０，３１をパターンニングする。次に、第３図（ｃ）に示すように、Ａｕ，Ｃｒ−Ｐｔ−Ａｕ，Ｃｒ−Ａｕ等の金属膜３２を被着し、さらに感光樹脂３３を塗布，パターンニングする。
　次に、第３図（ｄ）に示すように、選択メッキによりコンタクトホール２９，３０を結ぶブリッジ配線３４を形成するが、このときトランジスタが搭載される一電源用コンデンサ２７の上部電極２５上のコンタクトホール３１の部分にも同時にメッキ層３５を被着する。このメッキ層３５は、上部電極２５の上面の全面でも一部でもよく、要はトランジスタの底面の面積より大きければよい。
　次に、第３図（ｅ）に示すように、感光樹脂２８と金属膜３２等をはく離剤やイオンエッチングにより除去してメッキ層３５上にトランジスタ（能動素子）３６を搭載して基本的な工程を完了する。」（第２頁右下欄第１２行〜第３頁左上欄第１８行）
　
（２）また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−３０２５８号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（２ａ）「【産業上の利用分野】本発明は、キャパシタ内蔵配線基板とその製造方法に関し、特に複数のＩＣを搭載するマルチチップモジュール基板に好適に利用され得る。」（【０００１】）
　
（２ｂ）「【００１９】【実施例】−好適な実施例−［キャパシタ内蔵多層配線基板の構造］本発明キャパシタ内蔵多層配線基板の実施例を図面を用いて説明する。図１は、キャパシタ内蔵多層配線基板１の厚み方向断面図である。【００２０】キャパシタ内蔵多層配線基板１は、アルミナセラミック基板２上に複数の配線層が積層されて多層配線層３を構成している多層配線基板であり、セラミック基板２は、本例ではそれ自体が内部配線を有する多層配線基板であるが、内部配線を有しない単板であってもよい。【００２１】多層配線層３は、セラミック基板２のすぐ上に存在するキャパシタ部４及びさらにその上の信号配線部５に分けられる。キャパシタ部４は、セラミック基板２に近い側より、Ｃｒ及びＣｕの２層よりなる面積８１ｃｍ２の下側電極４１、厚さ１μｍ，面積１００ｃｍ２のＴａ２Ｏ５薄膜よりなる誘電体層４２及び下側電極４１と同質で１個当たりの面積１０ｃｍ２の８個の小電極４３ａ・・・４３ｈよりなる上側電極４３にて構成されている。信号配線部５は、ポリイミド等の有機高分子の絶縁膜５１とＣｒ及びＣｕの２層よりなる導体膜５２とが交互に積層されてなる。導体膜５２は、その大部分が信号配線であり、絶縁膜５１の所々に設けられた導電ビア５３にて三次元的に層間接続している。但し、キャパシタ部４のすぐ上の絶縁膜５１には、各々の小電極につながる導電ビア４４が設けられ、その絶縁膜５１上の導体膜４５にて結線されている。従って、信号配線部５のうち、キャパシタ部４に最も近い絶縁膜５１上には、信号配線の他に小電極を結線するための接続配線（導体膜４５）を有する。」（【００１９】〜【００２１】）
　
（２ｃ）「【００２２】［キャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法］このようなキャパシタ内蔵多層配線基板の製造方法を説明する。・・・【００２３】次に、セラミック基板２の主面を表面粗度Ｒａ０．０５μｍ以下となるまで研磨し、その面にＣｒ０．０５μｍ及びＣｕ０．５μｍを順にスパッタリングした後、フォトレジストを塗布する。次いで、下側電極パターンが形成されたフォトマスクをその上方に設置し、露光し、下側電極パターンとなる部分のフォトレジストを現像液にて除去する。更に、フォトレジストが除去された部分に５μｍ程度のＣｕ鍍金を施した後、フォトレジストを溶剤にて除去し、不要部分（Ｃｕ鍍金されていない部分）のＣｕ及びＣｒをエッチング液にて除去することにより下側電極４１を形成する。その上に、Ｔａ２Ｏ５薄膜の誘電体層をスパッタリングにて形成する。そして、セラミック基板２中の内部配線と多層配線層３中の信号配線とを接続する導電ビアをフォトリソグラフィー工程にて設ける。続いてＣｒを厚さ０．０５μｍ、続いてＣｕを厚さ０．５μｍとなるようにスパッタリングした後、下側電極パターンに代えて上側電極パターンとする以外は下側電極の場合と同様のフォトリソグラフィー工程にて小電極４３ａ・・・４３ｈを形成する。これにてキャパシタ部４を設けた。・・・【００２５】次にポリイミドを主成分とし感光性乳剤をも含有する感光性絶縁ペーストを塗布する。所定パターンを有するフォトマスクを通じて露光し、導電ビア４４，５３となる部分の感光性絶縁ペーストを現像液にて除去する。そして、３５０℃程度の温度で硬化し、絶縁膜５１を形成した。絶縁膜５１の上に上側電極パターンに代えて信号配線パターンとする以外は、上側電極４３と同様の操作を行うことによって、信号配線を形成した。これにて配線層を設けた。このように絶縁膜５１の形成工程と信号配線のための導体膜の形成工程を繰り返すことで、信号配線部５を完成した。」（【００２２】〜【００２５】）
　
（２ｄ）「上記実施例では、キャパシタを１層しか設けていないが、複数層設けても良い。」（【００２９】）
　
（３）ここで、上記引用例１記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板上に、コンデンサ下部電極とＳｉＯ２等を被着して形成された絶縁基板とコンデンサ上部電極とから成る一電源用コンデンサを形成し、その上にトランジスタを積層して成る回路装置の製造方法において、上記一電源用コンデンサを覆って感光樹脂を塗布した後、上記一電源用コンデンサのコンデンサ上部電極とそれの上方に位置するトランジスタとの間に形成されるメッキ層を形成すべき上記感光樹脂の部分にコンタクトホールを形成し、上記感光樹脂の表面に金属膜を形成して上記コンタクトホールに上記メッキ層を形成した後、上記感光樹脂表面の金属膜をエッチングにより除去することから成る回路装置の製造方法。」
　
３．対比・判断
　本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明における「基板」、「コンデンサ下部電極」及び「コンデンサ上部電極」は、本願補正発明の「基板」、「下部電極」及び「上部電極」に相当し、同じく引用例１発明における「絶縁基板」は、ＳｉＯ２等を被着して形成された薄膜層状のものと認められるので、本願補正発明の「誘電体層」に相当する。
　また、引用例１発明における「一電源用コンデンサ」は、その構成要素である「コンデンサ下部電極」、「絶縁基板」及び「コンデンサ下部電極」のいずれもが薄膜層状に形成されたものであることから、本願補正発明の「薄膜コンデンサ」に相当し、引用例１発明における「回路装置」は、基板上に薄膜コンデンサが形成されていることから、本願補正発明の「薄膜コンデンサ内蔵基板」に相当し、さらに、引用例１発明における「感光樹脂」は、薄膜コンデンサを覆うように塗布により形成されその表面が滑らかになった絶縁性のものと認められることから、本願補正発明の「絶縁体層」に相当する。
　さらに、引用例１発明における「コンタクトホール」は、薄膜コンデンサの電極とその上に形成されたトランジスタとの間の上記絶縁体層に設けられた開口部であり、また、引用例１発明における「メッキ層」は、上記開口部に充填されて上記薄膜コンデンサの電極とその上に形成されたトランジスタとの間を接続するように形成されているので、それぞれ本願補正発明の「絶縁体層の孔開けした部分」及び「フィルドビア」に相当する。
　また、引用例１発明における「金属膜」は、絶縁体層の滑らかな表面上に形成され、孔開けされた後にエッチング除去されているので、本願補正発明の「導通層」及び「導体層」に相当する。
　
　してみると、本願補正発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「基板上に、下部電極と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成し、その上に別の素子を積層して成る薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法において、薄膜コンデンサ上を覆って表面が滑らかになるように絶縁体層を形成した後、薄膜コンデンサの電極をそれの上方に位置する別の素子との間を接続するフィルドビアを形成すべき絶縁体層の部分に孔開けし、絶縁体層の滑らかな表面上に導通層を形成して絶縁体層の孔開けした部分に上記薄膜コンデンサの電極をそれの上方に位置する別の素子との間を接続するフィルドビアを形成した後、絶縁体層上の導体層をエッチングにより除去することから成る薄膜コンデンサ内蔵基板の製造法。」
　
　一方で、両者は、以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明は、薄膜コンデンサの上に積層される「別の素子」が、「別の薄膜コンデンサ」であり、全体として「複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板」を構成するのに対し、引用例１発明は、上記「別の素子」が「トランジスタ」であり、全体として「複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板」を構成しない点。
　
＜相違点２＞
　薄膜コンデンサの電極とその上方に位置する別の素子との間を接続するフィルドビアについて、本願補正発明は、薄膜コンデンサの電極とその上方に位置する別の素子とを「垂直に接続する」ものであるとするのに対し、引用例１発明は、「垂直に接続する」ものか否か不明な点。
　
　上記相違点について、以下検討する。
　
＜相違点１＞について
　引用例２の摘記事項（２ｃ）、（２ｄ）を総合すると、引用例２には、薄膜コンデンサ内蔵基板において、一の薄膜コンデンサ上に別の薄膜コンデンサを積層し、全体として「複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板」を構成することが記載されていると認められ、この公知技術を引用例１発明に適用することにより、その薄膜コンデンサ上に積層された「トランジスタ」を「薄膜コンデンサ」に替え、全体として「複数階層の薄膜コンデンサ内蔵基板」を構成するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
＜相違点２＞について
　複数の配線層間を層間接続するためのビアを上記配線層の延在する面に垂直な方向に向くように構成することは、本願出願当時既に周知・慣用の技術にすぎない。したがって、引用例１発明における薄膜コンデンサとその上の別の素子との間に形成されるフィルドビアについても、これを上下の層を垂直に接続する構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計的事項にすぎず、これによる効果も予測される範囲を越えるものではない。
　
　なお、出願人は、本願補正発明が、「配線密度すなわち面積を小さくすることができ、そして、凹凸や段差による導通不良や導通遮断の発生がなく、階層間結合用のフィルドビアを容易にかつ確実に形成することができ、製品の歩留まりが良くなる」という格別の効果を奏する旨主張しているが、本願補正発明は、絶縁体層の滑らかな表面上に形成された導通層が上記フィルドビアの形成に何ら関与しないものである場合も含んでいるため、上記の効果を本願補正発明の奏する効果と認めることはできず、よって、上記の主張は採用することができない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１２月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１、２に係る発明は、平成１７年７月１１日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、「第２〔理由〕１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例２及びその記載事項は、前記「第２〔理由〕２．（２）」に記載したとおりである。そして、上記引用例２の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例２には、次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「セラミック基板上に、下側電極と、スパッタリングにて形成された誘電体層と、上側電極とから成るキャパシタ部を形成してなるキャパシタ内蔵多層配線基板において、上記キャパシタ部の上にポリイミドを主成分とし感光性乳剤を含有する感光性絶縁ペーストを塗布・硬化させて絶縁膜を形成し、上記絶縁膜を貫通して上記キャパシタ部の上側電極に接続する導電ビアを設けたキャパシタ内蔵多層配線基板。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例２発明とを対比すると、引用例２発明における「セラミック基板」、「下側電極」、「誘電体層」、「上側電極」、「絶縁膜」及び「導電ビア」は、それぞれ本願発明の「基板」、「下部電極層」、「誘電体層」、「上部電極」、「絶縁体層」及び「フィルドビア」に相当する。
　また、引用例２発明における「キャパシタ部」は、スパッタリングにて形成された薄膜状の誘電体層を含んでいることから、本願発明の「薄膜コンデンサ」に相当し、同様に、引用例２発明における「キャパシタ内蔵多層配線基板」は、本願発明の「薄膜コンデンサ内蔵基板」に相当する。
　してみると、本願発明と引用例２発明とは次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「基板上に、下部電極層と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成してなる薄膜コンデンサ内蔵基板において、各薄膜コンデンサ上を覆って絶縁体層を形成し、絶縁体層を貫通して薄膜コンデンサの上部電極に接続するフィルドビアを設けた薄膜コンデンサ内蔵基板。」
　
　一方で、両者は、以下の点で相違する。
　
＜相違点Ａ＞
　本願発明は、少なくとも一つの薄膜コンデンサの上に、別の薄膜コンデンサ又は素子層を積層しているのに対し、引用例２発明は、上記別の薄膜コンデンサ又は素子層を積層していない点。
　
＜相違点Ｂ＞
　各薄膜コンデンサを覆う絶縁体層について、本願発明は、表面がなめらかになるように形成されているのに対し、引用例２発明は、表面がなめらかになっているか否か不明な点。
　
＜相違点Ｃ＞
　絶縁体層を貫通して形成されるフィルドビアについて、本願発明は、上下の層を垂直に接続するのに対し、引用例２発明は、上下の層を垂直に接続しているか否か不明な点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　
＜相違点Ａ＞について
　引用例２には、一の薄膜コンデンサの上に別の薄膜コンデンサを設けてもよいことが示唆されていると認められるので［引用例２の摘記事項（２ｄ）］、当該示唆に基づいて、引用例２発明の一の薄膜コンデンサの上に別の薄膜コンデンサを積層するように付加することは、当業者が必要に応じて適宜なし得た事項である。
　
＜相違点Ｂ＞について
　引用例２発明における絶縁体層は、ポリイミドを主成分とし感光性乳剤を含有する感光性絶縁ペーストを塗布・硬化させて形成されていることから、その表面がなめらかになっていると認められるので、上記相違点は、実質的なものではない。
　
＜相違点Ｃ＞について
　複数の配線層間を層間接続するためのビアを上記配線層の延在する面に垂直な方向に向くよう構成することは、本願出願当時既に周知・慣用の技術にすぎない。したがって、引用例２発明におけるフィルドビアについても、これを上下の層を垂直に接続する構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計的事項にすぎず、これによる効果も予測される範囲を越えるものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用例２に記載された発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。