【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７５０５０号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２９日出願公開、特開平１１−　２６５６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成９年６月３０日の出願であって、平成１８年２月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月６日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年３月１１日付けで審尋がなされ、同年５月１６日に回答書が提出されたものである。  
　 
２．平成１８年４月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１８年４月６日付けの手続補正を却下する。  
　 
［理由］  
（１）本件補正の内容  
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するとともに、明細書の段落【０００６】を補正するものであって、補正前後の請求項１ないし３は以下のとおりである。 
　 
補正前 
「【請求項１】　主表面を有する半導体基板と、 
　前記半導体基板の主表面上に設けられた溝と、 
　前記溝の側面上及び底面上に形成され、窒素を０．５〜２原子％含有する酸化シリコン膜と、 
　前記溝内を埋め込むように、前記酸化シリコン膜上に形成された絶縁部材と 
を有する半導体装置。 
【請求項２】　主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程と、 
　少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 
　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において８００〜９００℃で熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程と、 
　前記溝内を絶縁材料で埋め込む工程と 
を有する半導体装置の製造方法。 
【請求項３】　前記窒素を含有させる工程において、前記酸化シリコン膜をＮＯガスまたはＮ2 Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。」 
　 
補正後 
「【請求項１】 
　主表面を有し、該主表面側の表面層にボロンが添加された半導体基板と、　前記半導体基板の主表面上に設けられた溝と、 
　前記溝の側面上及び底面上に形成され、窒素を０．５〜２原子％含有する酸化シリコン膜と、 
　前記溝内を埋め込むように、前記酸化シリコン膜上に形成された絶縁部材と 
を有する半導体装置。 
【請求項２】 
　主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程と、 
　少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 
　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において８００〜９００℃で熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程と、 
　前記溝内を絶縁材料で埋め込む工程と 
を有する半導体装置の製造方法。 
【請求項３】 
　前記窒素を含有させる工程において、前記酸化シリコン膜をＮＯガスまたはＮ2 Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。」 
　 
（２）本件補正の内容の整理  
〈補正事項〉  
　補正前の請求項１の「主表面を有する半導体基板」を補正後の請求項１の「主表面を有し、該主表面側の表面層にボロンが添加された半導体基板」と補正すること。 
　 
（３）本件補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についての検討  
　上記補正事項についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　また、上記補正事項に関する補正が願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。 
　 
（４）独立特許要件  
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるから、ここで、補正後の請求項１により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。 
　 
（４−１）補正後の発明  
　本件補正後の請求項１ないし３に係る発明は、上記「（１）本件補正の内容」の「補正後」の欄の請求項１ないし３に記載したとおりである。  
　 
（４−２）単一性について
（４−２−１）補正後の請求項１に係る発明を特定発明とした場合
　補正後の請求項１に係る発明を特定発明（以下、「特定発明１」という。）とした場合、特定発明１は、「半導体装置」であり、補正後の請求項２に係る発明が「半導体装置の製造方法」である。そして、特定発明１は、「主表面を有し、該主表面側の表面層にボロンが添加された半導体基板」という構成を含んでいるものの、補正後の請求項２においては、「半導体基板」がどのようなものであるのか特定されていないため、補正後の請求項２に係る発明により製造される物は、特定発明１と一致しない。したがって、特定発明１と補正後の請求項２に係る発明とは、特許法第３７条第３号に掲げる要件を満たすものではない。さらに、特定発明１と補正後の請求項２に係る発明とが、特許法第３７条のその余のいずれの号に掲げる要件を満たすものでもないことは明らかである。
　よって、特定発明１と補正後の請求項２に係る発明とは、特許法第３７条１号ないし第５号に掲げるいずれの要件も満たすものではない。
（４−２−２）補正後の請求項２に係る発明を特定発明とした場合
　補正後の請求項２に係る発明を特定発明（以下、「特定発明２」という。）とした場合、特定発明２と補正後の請求項１に係る発明とは、特許法第３７条第１号ないし第５号に掲げるいずれの要件を満たすものでもないことは明らかである。
（４−２−３）補正後の請求項３に係る発明を特定発明とした場合
　補正後の請求項３に係る発明を特定発明（以下、「特定発明３」という。）とした場合、特定発明３と補正後の請求項１に係る発明とは、特許法第３７条第１号ないし第５号に掲げるいずれの要件を満たすものでもないことは明らかである。
　
　したがって、本件補正は、補正後の請求項１に係る発明が、特許法第３７条の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものでないから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。  
　 
（５）むすび  
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 
３．本願発明  
　平成１８年４月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１７年１月４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項２に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項２】 
　主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程と、 
　少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において８００〜９００℃で熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程と、 
　前記溝内を絶縁材料で埋め込む工程と 
を有する半導体装置の製造方法。」
　 
４．特許法第２９条第２項について
（１）刊行物に記載された発明 
刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平７−１１５１２４号公報（以下、「刊行物」という。）には、「集積回路内のトレンチ分離構造および作成方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図１０とともに、以下の事項が記載されている。 
「【０００１】　【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体装置に関し、さらに詳しくは、集積回路内のトレンチ分離構造とその作成方法とに関する。 
【０００２】　【従来の技術】半導体産業は、デバイスの寸法を小さくすることによりデバイスの性能を高め、デバイスの密度を上げる努力を続けている。一定のチップ寸法については、能動デバイスを隔てる水平距離またはデバイス分離幅を小さくすることにより、デバイス密度を大きくすることができる。デバイス分離幅を小さくして、なおかつ隣接する能動デバイス間の必要な電気分離を維持したいという要望が、いくつもの異なる分離法の開発を導いてきた。 
【０００３】高密度の集積回路においてデバイス分離を行うために提案された１つの方法がトレンチ分離である。トレンチ分離により、周囲の能動領域の電界酸化物の侵食がなくなり、そのためにデバイス分離幅を小さくすることができる。残念ながら、既存のトレンチ分離法で作成された集積回路は、早期のゲート酸化物の破壊を起こすことが多く、そのために信頼性が低い。早期破壊の理由の１つは、トレンチのコーナー付近で成長するゲート酸化物が、他の部分で成長するものと比べて破壊電圧（降伏電圧）が低いことである。これは、トレンチのコーナー付近では、ゲートの酸化中は、シリコン基板がより遅い速度で酸化するためで、このことによって、トレンチ・コーナー付近では他の部分で成長する酸化物と比べてゲート酸化物が薄くなる。また、トレンチ・コーナーの表面形状が険しいために、デバイス動作中にトレンチ端付近に高い電界が発生し、この高電界によりさらに、薄くなったゲート酸化物の破壊電圧が低下する。 
【０００４】　【発明が解決しようとする課題】従って、信頼性を改善して高密度の集積回路を作成することができるトレンチ分離構造が必要である。」（第０００１〜０００４段落）、 
「【０００６】　【実施例】図１ないし図１０は、トレンチ分離構造が集積回路内に形成される本発明のある実施例による工程段階を示す。図１には、半導体基板１２と、バッファ層１４と、エッチ・ストップ層１６とにより構成される集積回路構造の部分１０が示される。半導体基板１２は、単結晶シリコン基板であることが好ましい。あるいは、半導体基板１２は、絶縁体上シリコン（silicon on insulator）基板、サファイヤ上シリコン（silicon on sapphire ）基板などでもよい。半導体基板１２は、好ましくは熱酸化されて、バッファ層１４を形成し、バッファ層１４の厚みは１０ないし１００ナノメータである。あるいはバッファ層１４は、化学蒸着された二酸化シリコンでもよい。バッファ層１４の形成後に、エッチ・ストップ層１６がバッファ層１４上に形成される。本発明の好適な実施例では、エッチ・ストップ層１６は化学蒸着された窒化シリコンであることが好ましく、その厚みは５０ないし２００ナノメータである。あるいは、エッチ・ストップ層１６は、窒化ホウ素や酸窒化シリコンなどの他の材料でもよい。 
【０００７】図２では、エッチ・ストップ層１６の部分の上にあるフォトレジスト・マスク１８を用いてエッチ・ストップ層１６と下にあるバッファ層１４とをパターニングして、半導体基板１２の第１部分２０が露出される。フォトレジスト・マスク１８は、標準的なフォトリソグラフィック・パターニング工程を用いて形成され、エッチ・ストップ層１６とバッファ層１４とは、標準的なエッチング技術を用いてパターニングされる。 
【０００８】図３では、半導体基板１２の第１部分２０が標準的なエッチング技術を用いて異方性エッチングされて、トレンチ２２を形成する。トレンチ２２は、図３に示されるように半導体基板１２の第２部分内に能動領域２３をも規定する。トレンチ２２は、側壁２４とトレンチ底２６とを有し、能動領域２３はトレンチ側壁２４と隣接する。トレンチ２２が形成されると、フォトレジスト・マスク１８が標準的なフォトレジスト除去技術を用いて除去される。 
【０００９】次に図４においては、トレンチ・ライナー２８がトレンチ側壁２４とトレンチ底２６に隣接して形成される。トレンチ・ライナー２８の厚みは、トレンチ２２を充填するには不充分である。好適な実施例においては、トレンチ・ライナー２８は、熱二酸化シリコンの層で、５ないし１００ナノメータの厚みを持ち、トレンチ側壁２４とトレンチ底２６とを熱酸化することにより形成される。あるいは、トレンチ・ライナー２８は、酸窒化シリコンなどの他の誘電性材料でもよい。また、図４に示されるように、トレンチ底２６の下にあるシリコン基板１２の部分にはイオンが注入されて、トレンチ底２６に隣接してチャンネル・ストップ領域３０が形成されることもある。チャンネル・ストップ領域３０は、トレンチ・ライナー２８の作成前に形成しても後に作成してもよい。 
【００１０】次に図５において、エッチ・ストップ層１６とトレンチ・ライナー２８との上にトレンチ充填材３２が形成されて、トレンチ２２は実質的に充填される。好適な実施例においては、トレンチ充填材３２は化学蒸着された二酸化シリコンであり、オゾンとテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）をソース・ガスとして用いて付着される。あるいはトレンチ充填材３２は、酸化ゲルマニウム，スピン・オン・ガラスなどの他の誘電性材料や、多結晶シリコン，二酸化シリコンなどの他の材料を組み合わせたものでもよい。またトレンチ充填材３２は、プラズマ強化化学蒸着，電子サイクロトロン共鳴付着（electron cyclotron resonance deposition ），スピン・オン付着などの他の技術を用いて形成してもよい。 
【００１１】次に図６で、トレンチ充填材３２の一部が選択的に除去されて、エッチ・ストップ層１６を露出し、トレンチ２２を実質的に充填するトレンチ・プラグ３４を形成する。図６に示されるように、トレンチ・プラグ３４はトレンチ２２内にあり、トレンチ・ライナー２８に隣接する。好適な実施例においては、化学機械的研磨を用いてトレンチ・プラグ材料３２の部分を選択的に除去して、トレンチ・プラグ３４を形成する。あるいは、標準的な湿式またはプラズマ・エッチング技術を用いてトレンチ・プラグ３４を形成することもでき、また化学機械的研磨と標準的なエッチング技術とを組み合わせて用いてトレンチ・プラグ３４を形成してもよい。 
【００１２】次に図７で、エッチ・ストップ層１６とバッファ層１４とが除去されて、能動領域２３の表面部分３６が露出され、半導体基板１２内にトレンチ分離領域４０が形成される。このときトレンチ分離領域４０は、トレンチ２２と、トレンチ・ライナー２８と、トレンチ・プラグ３４とによって構成される。図７に示されるように、能動領域２３はトレンチ分離領域４０と境界を接する。エッチ・ストップ層１６とバッファ層１４とがそれぞれ窒化シリコンと二酸化シリコンである好適な実施例では、エッチ・ストップ層１６はリン酸内で除去され、バッファ層１４は緩衝フッ化水素酸内で除去される。あるいは、エッチ・ストップ層１６も標準の乾式エッチング技術を用いて除去することもできる。 
【００１３】次に図８において、２０ナノメータ未満の厚みを有する第１誘電層４２が能動領域２３上に形成される。好適な実施例においては、第１誘電層４２は熱二酸化シリコンであり、露出された表面部分３６を熱酸化することにより形成される。あるいは、第１誘電層４２は酸窒化シリコンなどの他の誘電性材料でもよく、熱二酸化シリコンの層を、アンモニア（ＮＨ3 ），亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ），または一酸化窒素（ＮＯ）を含む雰囲気中で熱窒化することにより形成することができる。あるいは、露出された表面３６を、前述の気体のうち１つを含む雰囲気中で直接窒化することにより酸窒化シリコン層を形成してもよい。また、薄い熱酸化物の犠牲層を露出された表面上に形成して、その後で取り除いてから第１誘電層４２を形成することもできる。 
【００１４】次に図９では、第２誘電層４４が第１誘電層４２，能動領域２３およびトレンチ分離領域４０の上に形成される。さらに、第２誘電層４４と第１誘電層４２は、合わせて２０ナノメータ未満の厚みを有する。好適な実施例においては、第２誘電層４４は化学蒸着された二酸化シリコンで、これは窒素と酸素とを含む雰囲気中で約３０分間、摂氏約１０００度の温度で付着されて、密度を高める。あるいは、第２の付着された誘電層４４は、酸窒化シリコンなどの他の材料でもよく、これは化学蒸着された二酸化シリコンの層を、アンモニア（ＮＨ3 ），亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）または一酸化窒素（ＮＯ）を含む雰囲気中で熱窒化することにより形成される。次に導電層が付着およびパターニングされて、トランジスタ・ゲート電極４６が形成されるが、このとき第１誘電層４２と第２誘電層４４とはトランジスタ・ゲート電極４６の下にある複合ゲート誘電体を形成する。図９に示されるように、第２誘電層４４がトレンチ・コーナーにおいてゲート誘電体の全体の厚みを大きくする。また、第２誘電層４４は同形に付着されるので、トレンチ・コーナーに隣接するゲート誘電体の全体の厚みは、基本的に第２誘電層４４の厚みの２倍の量だけ増える。これは、トレンチ・プラグとトレンチ・コーナーとの間の領域が第２誘電層４４により充填される、すなわち塞がれるためである。そのために、トレンチ・コーナーと上のトランジスタ・ゲート電極との間にあるゲート誘電体の破壊電圧が大きくなる。好適な実施例においては、第１トランジスタ・ゲート電極４６は多結晶シリコンで構成される。あるいは、トランジスタ・ゲート電極３６は、金属、または多結晶シリコンとケイ化金属との複合体、または多結晶シリコンと窒化金属との複合体でもよい。図９に示されるように、トランジスタ・ゲート電極４６は第２の付着された誘電層４４と、能動領域２３と、トレンチ分離領域４０との上にある。
【００１５】直線１０−１０で切断した図９の断面図を図１０に示す。」（第０００４〜００１５段落） 
　 
　第０００１段落の「半導体装置に関し、さらに詳しくは、集積回路内のトレンチ分離構造とその作成方法とに関する。」、第０００６段落の「図１ないし図１０は、トレンチ分離構造が集積回路内に形成される本発明のある実施例による工程段階を示す。」、第０００８段落の「図３では、半導体基板１２の第１部分２０が標準的なエッチング技術を用いて異方性エッチングされて、トレンチ２２を形成する。トレンチ２２は、側壁２４とトレンチ底２６とを有し、能動領域２３はトレンチ側壁２４と隣接する。」、第０００９段落の「次に図４においては、トレンチ・ライナー２８がトレンチ側壁２４とトレンチ底２６に隣接して形成される。トレンチ・ライナー２８の厚みは、トレンチ２２を充填するには不充分である。好適な実施例においては、トレンチ・ライナー２８は、熱二酸化シリコンの層で、５ないし１００ナノメータの厚みを持ち、トレンチ側壁２４とトレンチ底２６とを熱酸化することにより形成される。あるいは、トレンチ・ライナー２８は、酸窒化シリコンなどの他の誘電性材料でもよい。」、第００１０段落の「次に図５において、エッチ・ストップ層１６とトレンチ・ライナー２８との上にトレンチ充填材３２が形成されて、トレンチ２２は実質的に充填される。好適な実施例においては、トレンチ充填材３２は化学蒸着された二酸化シリコンであり、オゾンとテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）をソース・ガスとして用いて付着される。」との記載および図１ないし１０から、「半導体装置」「の作成方法」の各「工程」であって、「半導体基板１２の第１部分２０が」「異方性エッチングされて、トレンチ２２を形成し」、「トレンチ２２は、側壁２４とトレンチ底２６とを有し、」「トレンチ・ライナー２８がトレンチ側壁２４とトレンチ底２６に隣接して形成され、「トレンチ・ライナー２８は、」「酸窒化シリコン」で、「トレンチ２２は」「充填され」、「トレンチ充填材３２は」「二酸化シリコンで」ある「半導体装置」「の作成方法」が記載されていることは明らかである。 
　 
　したがって、刊行物には、以下の発明が記載されている。 
　「半導体基板１２の第１部分２０を異方性エッチングし、トレンチ２２を形成する工程と、
　トレンチ側壁２４とトレンチ底２６に隣接して形成される酸窒化シリコンのトレンチライナー２８を形成する工程と、
　トレンチ２２を二酸化シリコンのトレンチ充填材３２で充填する工程と
を有する半導体装置の作成方法。」（以下、「刊行物発明」という。） 
　 
（２）対比 
　本願発明と刊行物発明とを対比する。 
（２−１）刊行物発明の「半導体基板１２」、「トレンチ２２」は、本願発明の「半導体基板」、「溝」に、それぞれ、相当する。 
（２−２）刊行物発明の「半導体基板１２の第１部分２０」は、「半導体基板１２」の「主表面」であることは明らかであるから、刊行物発明の「半導体基板１２の第１部分２０を異方性エッチングし、トレンチ２２を形成する工程」は、本願発明の「主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程」に相当する。 
（２−３）刊行物発明の「二酸化シリコン」は、絶縁材料であり、そして、刊行物発明の「充填」は、埋め込むことであるから、刊行物発明の「トレンチ２２を二酸化シリコンのトレンチ充填材３２で充填する工程」は、本願発明の「溝内を絶縁材料で埋め込む工程」に相当する。 
（２−４）刊行物発明の「半導体装置の作成方法」は、本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。 
　 
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、 
「主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程と、 
　前記溝内を絶縁材料で埋め込む工程と 
を有する半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
相違点 
　本願発明は、「少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において８００〜９００℃で熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程」を有するのに対し、刊行物発明は、「トレンチ側壁２４とトレンチ底２６に隣接して形成される酸窒化シリコンのトレンチライナー２８を形成する工程」を有する点。 
　
（３）当審の判断（その１）　 
相違点について以下で検討する。 
（３−１）半導体装置の製造方法において、酸窒化シリコン膜を形成する手段として、酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において９００℃程度で熱処理し、酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程とを用いることは、例えば、以下の周知文献１、２において記載されているように、従来周知である。 
（３−２）周知文献１．特開平５−６７６７５号（発明の名称「半導体装置の製造方法」）の第００２９段落には、「熱酸化法によりＳｉ溝４０４内に３０ｎｍのＳｉＯ2を形成する。次にアンモニア(ＮＨ3)雰囲気中で９００℃，３０分の熱処理を行ないＳｉ基板４０１表面及びＳｉ溝４０４内表面のＳｉＯ2 を熱酸窒化膜（オキシナイトライド）４０２，４０５に変換する。周知のように、Ｓｉ基板上の薄いＳｉＯ2 をアンモニア雰囲気中で熱処理すると酸窒化膜が得られる。」との記載があり、Ｓｉ溝４０４内にＳｉＯ2を形成し、次にアンモニア雰囲気中で９００℃の熱処理を行ないＳｉ基板４０１表面及びＳｉ溝４０４内表面のＳｉＯ2 を熱酸窒化膜に変換し、酸窒化膜を得る技術が、記載されていることが明らかである。
（３−３）周知文献２．特開平５−２１８４０５号（発明の名称「半導体装置及びその製造方法」）の第００２１段落には、「シリコン基板１上にシリコン酸化膜を、例えば５０オングストロ−ム形成後、さらにアンモニア（またはＮ2 Ｏ，Ｎ2 ，ＮＦ3 ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ4 ，ＮＯガス）雰囲気中でのランプ加熱（ＲＴＮ：Rapid Thermal Nitridation ）を、例えば９００℃で１０秒間行ない、且つ同温、同時間の酸素雰囲気中での再酸化（ＲＴＯ：Rapid Thermal Oxidation ）を行なうことにより、シリコン基板１との界面より１０オングストロームの範囲における窒素原子の濃度（原子濃度）が平均で１atom・％以内の範囲にあるゲート絶縁膜４を形成する（図１（ａ））。」との記載があり、シリコン基板１上にシリコン酸化膜を形成後、さらにアンモニア（またはＮ2 Ｏ，Ｎ2 ，ＮＦ3 ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ4 ，ＮＯガス）雰囲気中での加熱を９００℃で行うことにより、窒素原子の濃度が平均で１atom・％以内の範囲にある絶縁膜を形成する技術が、記載されていることが明らかである。
（３−４）したがって、刊行物発明において、「トレンチ側壁２４とトレンチ底２６に隣接して形成される酸窒化シリコンのトレンチライナー２８を形成する工程」の「酸窒化シリコン」を形成する手段として、周知文献１、２に記載された周知の技術を適用し、本願発明の如く「少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において８００〜９００℃で熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程」とすることは、当業者が容易になし得るものである。
（３−５）よって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
５．特許法第２９条の２について
（１）先願明細書に記載された発明 
先願明細書 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前の他の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願平９−１３８９８９号（特開平１０−３３５４４２号公報参照）（以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。 
「【００１７】　【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため、本発明の半導体装置では、素子領域と素子分離領域との境界に、窒素を含む酸化シリコン膜が存在する構成を採用した。ここで、素子領域及び素子分離領域が半導体基板上にある場合、その半導体基板にシリコン基板を用いることもできる。また、素子分離領域の成分を主に酸化シリコンとすることもできる。また、窒素を含む酸化シリコン膜の中の窒素濃度を、窒素対酸素の比で５分の１以下とするのが好適である。また、ここでの半導体装置は、ＭＯＳ型ＦＥＴを含む構成とすることもでき　る。さらに、素子分離領域の形成方法については、半導体基板をエッチングし、溝部を形成する工程と、この溝部を絶縁膜にて埋める工程とを含む方法を採用することもできる。一方、本発明の製造方法では、半導体基板表面の素子領域を形成する部分にマスク材を形成する工程と、マスク材を用いて半導体基板をエッチングして素子分離領域となる溝部を形成する工程と、溝部に窒素を含む酸化シリコン膜を形成する工程と、溝部を絶縁膜にて埋める工程とを具備する。ここで、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程を、窒素化合物を含む雰囲気中で加熱する工程によって行うこともできる。その場合、窒素化合物として、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3、ＮＯなどを用いることもできる。また、この窒素化合物を含む雰囲気中で加熱する工程においては、加熱温度を７００〜１２００℃とするのが好適である。また、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程においては、形成する窒素を含む酸化シリコン膜厚を３〜１５ｎｍとするのが好適である。また、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程を、酸化シリコン膜を形成し、窒素化合物を含む雰囲気中で加熱する工程によって行うこともできる。その場合、窒素化合物として、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3、ＮＯなどを用いることもできる。また、酸化シリコン膜を形成し、窒素化合物を含む雰囲気中で加熱する工程においては、加熱温度を４００〜１２００℃とするのが好適である。また、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程においては、形成する酸化シリコン膜厚を３〜１５ｎｍとするのが好適である。また、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程を、酸化シリコン膜を形成し、窒素イオンを注入する工程によって行うこともできる。その場合、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程においては、形成する酸化シリコン膜厚を３〜１５ｎｍとするのが好適である。また、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程を、酸化シリコン膜を形成し、窒素化合物イオンを注入する工程によって行うこともできる。その場合、窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程においては、形成する酸化シリコン膜厚を３〜１５ｎｍとするのが好適である。また、酸化シリコン膜の形成工程を、熱酸化工程によって行うこともできる。また、酸化シリコン膜の形成工程を、ＣＶＤによる工程によって行うこともできる。」（第００１７段落） 
　 
　第００１７段落の「本発明の半導体装置では、素子領域と素子分離領域との境界に、窒素を含む酸化シリコン膜が存在する構成を採用した。」、「本発明の製造方法では、半導体基板表面の素子領域を形成する部分にマスク材を形成する工程と、マスク材を用いて半導体基板をエッチングして素子分離領域となる溝部を形成する工程と、溝部に窒素を含む酸化シリコン膜を形成する工程と、溝部を絶縁膜にて埋める工程とを具備する。」、「窒素を含む酸化シリコン膜の形成工程を、酸化シリコン膜を形成し、窒素化合物を含む雰囲気中で加熱する工程によって行うこともできる。」、「酸化シリコン膜を形成し、窒素化合物を含む雰囲気中で加熱する工程においては、加熱温度を４００〜１２００℃とするのが好適である。」との記載から、先願明細書には、以下の発明が記載されている。 
　「半導体基板表面の素子領域を形成する部分にマスク材を形成し、マスク材を用いて半導体基板をエッチングして溝部を形成する工程と、
　酸化シリコン膜を形成する工程と、
　窒素化合物を含む雰囲気中で、加熱温度を４００〜１２００℃として加熱することにより、溝部に窒素を含む酸化シリコン膜を形成する工程と、
　溝部を絶縁膜にて埋める工程とを具備する半導体装置の製造方法。」（以下、「先願発明」という。） 
　 
（２）対比 
　補正前の請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）と先願発明とを対比する。 　
（２−１）先願発明の「溝部」は、本願発明の「溝」に相当する。 
（２−２）先願発明の「半導体基板表面」は、「素子領域を形成する」面、すなわち、主表面であることが明らかであるから、先願発明の「半導体基板表面の素子領域を形成する部分にマスク材を形成し、マスク材を用いて半導体基板をエッチングして溝部を形成する工程」は、本願発明の「主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程」に相当する。 
（２−３）先願発明の「溝部に」「窒素を含む酸化シリコン膜」を形成することから、「酸化シリコン膜」は、「溝部」における側面上及び底面上に形成することは明らかである。そして、「窒素化合物を含む雰囲気中で、加熱」することは、「窒化雰囲気中において熱処理」することに他ならないから、刊行物発明の「酸化シリコン膜を形成する工程と、窒素化合物を含む雰囲気中で、加熱することにより、溝部に窒素を含む酸化シリコン膜を形成する工程」は、本願発明の「少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程」に相当する。 
　 
　したがって、本願発明と先願発明とは、 
「主表面を有する半導体基板の該主表面上に溝を形成する工程と、 
　少なくとも前記溝の側面上及び底面上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 
　前記酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において熱処理し、該酸化シリコン膜中に窒素を含有させる工程と、 
　前記溝内を絶縁材料で埋め込む工程と 
を有する半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
相違点 
　窒化雰囲気中において熱処理する際の温度が、本願発明では「８００〜９００℃」であるのに対し、先願発明では「４００〜１２００℃」である点。
　
（３）当審の判断（その２）　
相違点について以下で検討する。 
（３−１）先願発明に記載の「４００〜１２００℃」は、本願発明に記載の「８００〜９００℃」を包含しており、温度範囲として重複部分を有している。
（３−２）さらに、半導体装置の製造方法の技術分野において、酸化シリコン膜を、窒化雰囲気中において熱処理し、酸化シリコン膜中に窒素を含有させる際に、該熱処理の温度を９００℃程度の温度とすることは、例えば、前記４．（３）において提示した以下の周知文献１、２においても記載されているように、本願出願前において当業者の技術常識である。
（３−３）周知文献１．特開平５−６７６７５号の第００２９段落には、「熱酸化法によりＳｉ溝４０４内に３０ｎｍのＳｉＯ2を形成する。次にアンモニア(ＮＨ3)雰囲気中で９００℃，３０分の熱処理を行ないＳｉ基板４０１表面及びＳｉ溝４０４内表面のＳｉＯ2 を熱酸窒化膜（オキシナイトライド）４０２，４０５に変換する。」と記載されている。
（３−４）周知文献２．特開平５−２１８４０５号の第００２１段落には、「シリコン基板１上にシリコン酸化膜を、例えば５０オングストロ−ム形成後、さらにアンモニア（またはＮ2 Ｏ，Ｎ2 ，ＮＦ3 ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ4 ，ＮＯガス）雰囲気中でのランプ加熱（ＲＴＮ：Rapid Thermal Nitridation ）を、例えば９００℃で１０秒間行ない、且つ同温、同時間の酸素雰囲気中での再酸化（ＲＴＯ：Rapid Thermal Oxidation ）を行なうことにより、シリコン基板１との界面より１０オングストロームの範囲における窒素原子の濃度（原子濃度）が平均で１atom・％以内の範囲にあるゲート絶縁膜４を形成する」と記載されている。 
（３−５）加えて、本願明細書の第００３０段落には「熱処理温度は８００℃に限定されない。ただし、熱処理温度が低すぎると所望の含有量を得るまでの処理時間が長くなり、高すぎると制御が困難になる。このため熱処理温度を８００〜９００℃程度とすることが好ましい。」と記載されているものの、これら「処理時間」や「制御」の困難性は、酸化シリコン膜中に含有させる窒素の濃度などの条件に依存することは明らかであることから、それらが特定されていない本願発明において、「８００〜９００℃」という温度の範囲に臨界的意義が認められない。 
（３−６）上記（３−１）ないし（３−５）における検討から、上記相違点は実質的なものではない。　
（３−７）よって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
　
６．むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１及び３について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。よって、結論のとおり審決する。