【事件の表示】
　平成　９年特許願第３０７７０８号「プリント基板における底付き穴のレーザ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月２８日出願公開、特開平１１−１４５５８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成９年１１月１０日の出願であって、原審において平成１７年４月２７日付で拒絶理由の通知がなされ、これに対し、平成１７年７月１９日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１７年８月９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年９月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１７年１０月１７日付で手続補正書が提出されたところ、さらに、当審において、平成１９年１２月１０日付で、平成１７年１０月１７日提出の手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付で最後の拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成２０年２月１８日付で意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
II．平成２０年２月１８日付の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２０年２月１８日付の手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のように補正された。
「【請求項１】１個の底付き穴を加工する場合、レーザビームのピーク値を固定しておき、
　第１のパルス巾のレーザビームにより底に達する穴を加工し、
　前記第１のパルス巾よりも巾が狭い第２のパルス巾のレーザビームにより、前記第１のパルス巾で形成された穴の入り口を損傷しないようにして穴底の径を広げ、
　前記第２のパルス巾よりも巾が狭い第３のパルス巾のレーザビームにより、前記第１のパルス巾で形成された穴の入り口を損傷しないようにして穴底の端部を仕上げる
ことを特徴とするプリント基板における底付き穴のレーザ加工方法。」
　
　そこで、上記補正を検討すると、補正後の請求項１は、補正前の請求項１を引用した補正前の請求項４の、「レーザビームのピーク値を固定し、パルスの幅を変化させることによりエネルギを変化させる」構成における、第１〜第３の加工条件のレーザビームの、それぞれのパルス（第１〜第３のパルス）について、「第１のパルス巾よりも巾が狭い第２のパルス巾」、「第２のパルス巾よりも巾が狭い第３のパルス巾」とし、補正前の請求項４の「穴底の径を広げ」ること、及び「穴底の端部を仕上げる」ことについて、「第１のパルス巾で形成された穴の入り口を損傷しないように」することで限定するものであるから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　当審における拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平９−２３９５７３号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平８−３０９５６６号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開平８−１４８７４６号公報（以下、「刊行物３」という。）及び特開平９−２０６９７０号公報（以下、「刊行物４」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
  
（１）刊行物１（特開平９−２３９５７３号公報）
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機フィルム加工方法に関し、特に高密度多層配線や、ＬＳＩのフィルムパッケージの基板として有用なポリイミド・銅箔等の有機絶縁膜／導電層からなるフィルム基板や、プリンタヘッド等に用いられる有機フィルム基板に、微細なビアホールを形成する有機フィルム加工方法に関する。
・・・
【０００７】従って、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、レーザ照射工程のみで有機フィルム加工を可能とし、低コスト、かつウェットプロセスを不要とした有機フィルム加工方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明は、有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板へ、第１の所定時間幅のパルス幅を有する第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前記フィルム基板のビアホール形成部に対して照射し、前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少なくともいずれかの反応を起こさせる工程と、前記絶縁層における前記第１のパルスレーザ光の照射部に、第２の所定時間幅の第２のパルスレーザ光を照射してビアホール底部の残留膜を蒸散除去する工程と、を含む有機フィルム加工形成方法において、前記第２のパルスレーザ光の照射ビーム径を、前記第１のパルスレーザ光のビーム径よりも大とし、前記絶縁層の熱変性した領域を覆う範囲にまで拡大したことを特徴とする有機フィルム加工方法を提供する。
【０００９】本発明の有機フィルム加工方法は、有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲のパルス幅の第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前記フィルム基板のビアホール形成部に照射し、前記第１のパルスレーザ光の照射による前記絶縁層の温度上昇を介して前記絶縁層の前記第１のパルスレーザ光照射部を熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少なくともいずれかの反応を起こさせる工程と、前記絶縁層における前記第１のパルスレーザ光の照射部に、パルス幅略２００ｎｓ以下、ピークパワー密度略１０ＭＷ／ｃｍ2以上の照射強度の第２のパルスレーザ光を照射して、ビアホール底部の残留膜を蒸散除去する工程と、を含み、前記第２のパルスレーザ光の照射ビーム径を、前記第１のパルスレーザ光のビーム径よりも大とし、前記絶縁層の熱変性した領域を覆う範囲にまで拡大したことを特徴とする。」
　
（１ｂ）「【００１６】
【実施形態１】図１は、本発明の一実施形態に係る加工工程を工程順に模式的に示す図である。
【００１７】被加工基板は、厚さ３０μｍのポリイミド２、厚さ１０μｍの銅３からなる実装用フィルム基板とした。レーザ光照射中は、窒素ガスを１０リットル／分の流量で基板上の照射部に吹き付けて加工を行なった。
【００１８】第１の工程においては、図１（Ａ）に示すように、波長５１５ｎｍのアルゴンレーザ光を超音波変調器で０．３ｍｓのパルス幅にして得た第１のパルスレーザ光１を、照射ビーム径４０μｍ、照射間隔１０ｍｓで２ショット照射した。照射強度は５００ｋＷ／ｃｍ2である。
【００１９】図１（Ｂ）に、第１のパルスレーザ光の照射後の加工形状を断面図にて示す。図１（Ｂ）において、ビアホールは底部径は４０μｍで、上部径は７０μｍであった。ビアホール側壁部には、厚さ３０μｍ程度の分解物４が付着し（「付着物」という）、ビアホール底部にはポリイミドの変性した残留膜７が薄く残っている。
【００２０】続いて第２の工程において、図１（Ｃ）に示すように、ＱｓｗＹＡＧレーザの第２高調波からなる第２のパルスレーザ光５（照射ビーム径７０μｍ、パルス幅１０ｎｓ、照射ピークパワー密度１００ＭＷ／ｃｍ2）を１ショット照射する。
【００２１】図１（Ｄ）に、第２のパルスレーザ光５照射後の加工形状を断面図にて示す。図１（Ｄ）に示すように、ビアホール底部の残留膜と同時にビアホール側壁の付着物も吹き飛ばされ、側壁の滑らかなビアホール６を形成することができた。また電子顕微鏡による観察でも、ビアホール側壁部に付着物の残留は見られなかった。
【００２２】そして、形成したビアホールに電界メッキにより銅を埋め込んだ所、１００％近い歩留まりで、再現性よくきれいにビアホールを埋め込むことができた。このことは、本発明によるビアホールの形状の再現性がよいこと、及び付着物をきれいに除去できていることを示す別の証拠である。
【００２３】一方、比較例として、第２のパルスレーザ光５の照射ビーム径を、第１のパルスレーザ光１と同じ４０μｍにして照射した場合には、低部の残留膜はきれいに除去されるのに対し、ビアホール側壁の付着物は除去できなかった。」
　
（１ｃ）「【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、少ない工程数で微細なビアホールを制御性よく、且つ高いスループットで形成することができるという効果を有すると共に、加工工程中にウェットプロセスが不要とされているため、加工対象をひろくでき、且つ製造コストを大幅に低減できるという効果を有する。」
　
（１ｄ）図１には、銅３とポリイミド２とを積層してなる実装用フィルム基板について、第１のパルスレーザ光により、ポリイミド２に銅３との境界部分にまで達するビアホールを加工し、第２のパルスレーザ光により、ビアホール側壁部の分解物と、ビアホール底部の残留膜とを除去することが示されている。
　
（２）刊行物２（特開平８−３０９５６６号公報）
（２ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度多層配線やＬＳＩのフィルムパッケージの基板として有用なポリイミド・銅箔等の有機絶縁膜／導電層からなるフィルム基板に微細なビアホールを形成するビアホール形成方法及びそのためのレーザ光照射装置に関する。
・・・
【０００８】また、ビアホールの形状が金属層との界面部で小さくなるために、おわん型の形状になり易く、金属層とビアホールの接触面積が小さくなり、このため配線化した際に信頼性が低下しやすいという問題があった。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、絶縁層と導電層を積層したフィルム基板に対し、高いアスペクト比を持ち、且つ金属層との界面に残留絶縁層を残すことがなく、再現性、信頼性に優れるビアホールを形成することを可能とするビアホール形成法及びビアホール形成のためのレーザ光照射装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明は、有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板へ所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光をビアホール形成部に照射し、前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法において、一の照射部に１ショット目のパルスレーザ光照射後所定時間間隔に離間して前記時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光を１ショット以上照射することを特徴とするビアホール形成方法を提供する。
【００１１】本発明においては、ビアホール形成部に最初のレーザパルスの照射後に所定の照射強度を有する所定パルス幅以下の短いパルスレーザ光を照射するようにしてもよい。」
　
（２ｂ）「【００２０】本発明における第１の方法は、最初のレーザパルスの照射により熱分解、及び熱分解に伴うガス発生の反応を起こした後、次のレーザパルスを同じ照射点に照射し、基板底の金属界面部にレーザ光を照射して、界面部に残留する絶縁層の熱分解を促進するものである。最初のレーザパルスの照射により、照射部はポーラスな分解物に覆われているが、この分解物によるレーザ光の吸収は、絶縁膜に覆われている場合に比べ小さいためビアホール底に到達するレーザ光強度は強く、十分な加熱作用を起こし、熱分解を促進する。その結果、底部の残留膜の発生を抑止することができる。」
　
（２ｃ）「【００２３】
【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説明する。
・・・
【００２５】図１を参照して、ポリイミド厚２５μｍ、銅箔１５μｍ厚の２層構造からなるフィルム基板１は、巻き取り器５により１ｃｍ角の照射領域を有するガルバノミラー９と、スキャンレンズ７からなるレーザ照射光学系の照射部上に移動される。
・・・
【００３４】図１に示す装置の動作シーケンスを以下に説明する。
【００３５】最初に、ＣＣＤカメラ１６でフィルム上の位置合わせパターンをモニタしながら、フィルム基板１に設けられた位置合わせマーカ（不図示）が所定位置に来るまでモータ６を回転させる。
【００３６】次に、真空ポンプ４を動作させて、フィルム基板１を真空チャックホルダー３に吸着させる。
【００３７】続いて、フィルム基板１の水平面内の傾き及び中心位置の偏差を制御ユニット１７に記憶させる。
【００３８】上記偏差と照射パターンデータに基づきレーザ照射位置が所望の位置となるようにガルバノミラー９を作動させる。
【００３９】その後、所定の回数レーザパルスを照射し、次の照射点に位置決めするためにガルバノミラー９を動かす。
【００４０】上記工程を繰り返し、チップ１個分のレーザ照射を終了する。
・・・
【００４７】次に、図２（Ａ）に示すように、１箇所当り２ショット以上のレーザ照射を行なった場合の効果を示す。
【００４８】窒素ガス１ｍ／ｓの流速で吹き付けた状態で、照射パルス幅０．５ｍｓのレーザパルスを照射強度１．６Ｗで１ショット照射した場合、超音波洗浄後のビアホール径は平均値で上部径５０μｍ、底径２５μｍで、ビアホール形状は、金属との界面で径が急速に小さくなるおわん型の形状を示すのに対し、１ショット目のパルス照射に続いて５ｍｓ経過した後同じ０．５ｍｓの光パルスを照射することにより、上部径は変わらず、底径が３５μｍに拡大し、おわん型の形状を大幅に改善することができた。
【００４９】また、界面での絶縁膜の残留をほとんどなくすことができた。
【００５０】なお、パルスとパルスの間隔は、最初のパルス光照射によるポリイミドの温度上昇が収まる３ｍｓ程度以上に長くしないと、ビアホール上部径が増えるという問題が発生した。」
　
（３）刊行物３（特開平８−１４８７４６号公報）
（３ａ）「【０００４】従って、微細加工を安定性よく行なうためには、パルスオフ時間を長くして加工に伴って発生した熱により温度上昇した材料を冷却し、また加工部に発生したプラズマを消すことが重要になってくる。
・・・
【０００６】このため、微細加工を行なう時には、加工安定性を求めるために加工速度を極端におとすので加工効率が非常に悪くなってランニングコストのアップにつながるという問題がある。
・・・
【０００９】この発明の目的は、以上のような従来の技術に着目してなされたものであり、高速加工に適した高い周波数と、安定加工に適した長いパルスオフ時間の二つを同時に満足させるパルス波形を供給できるレーザ電源のパルス制御方法を提供することにある。」
　
（３ｂ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１による発明のレーザ電源のパルス制御方法は、上記の目的を達成するために、レーザ光を出力すべく高周波電源に指令するパルスオン信号と出力を停止すべく高周波電源に指令するパルスオフ信号から構成されるレーザ加工用パルス列を用いて行なうレーザ電源の制御方法であって、前記パルス列を周波数の低い第一パルスオン信号と第一パルスオフ信号から構成し、さらに前記第一パルスオン信号を複数の周波数の高い第二パルスオン信号と第二パルスオフ信号から構成することを特徴とするものである。
【００１１】請求項２による発明のレーザ電源のパルス制御方法は、上記の目的を達成するために、請求項１記載の第二パルスオン信号を１つの第一パルスオン信号内において段階的に短くすることを特徴とするものである。
・・・
【００１３】請求項４による発明のレーザ電源のパルス制御方法は、上記の目的を達成するために、請求項１記載の第二パルスオン信号を１つの第一パルスオン信号内において段階的に短くするとともに請求項１記載の第二パルスオフ信号を１つの第一パルスオン信号内において段階的に長くすることを特徴とするものである。」
　
（３ｃ）「【００２９】図１（Ｂ）にはこの発明に係るレーザ電源のパルス制御方法に用いるパルス波形の第二実施例が示されており、請求項２に係る発明に該当する。このパルスも前述の第一実施例と同様に、二つのパルス群からなっていると考えられるが、周波数の高い第二パルスに相当するパルスオン時間が段階的に短くなるように制御するタウオン（τon）制御である点が異なる。平均出力は通常のパルスと同じになるように設定されている。
【００３０】このパルス波形では、１つの第一パルスオン時間内において第二パルスオン時間は徐々に短くなるが、第二パルスオフ時間は一定であり、パルスオフ時間は第一パルスオンと第二パルスオフの二段階で変化するようになっている。すなわち、τoff2をτoff1と同じ幅にすれば冷却や消プラズマは十分行えるが、加工速度が著しく低下してしまうため、τoff2〜τoff5はτoff1よりも小さく設定されている。
・・・
【００３２】このようなパルスを用いると、τoff1で材料の冷却及び加工部の消プラズマが十分に行われるので、τon1 の幅を大きくできる。このため、この部分においては加工速度が大きくできる。
【００３３】また、τoff2によって、τon1 で発生した熱を冷却し、プラズマを消滅させることができるが、その効果は前述のτoff1よりも小さい。従って、次のτon2 は、τon1 より短くすることにより単位パルス幅当たりの加工効率を低下させないようにする。このとき、τon2 をτon1 と同様の幅とすると、材料の熱と加工部のプラズマにより加工効率が低下するばかりでなく、加工に対して、例えばエッジ部の溶け落ちやバーニング現象等の悪影響を及ぼすこととなるからである。
【００３４】同様にして、τon3 ，τon4 ，τon5 と段階的に短くしていくことにより、パルス幅当たりの加工効率を低下させることなく加工を行なうことが可能になる。そして、τoff6において第一パルスオフとなるので再び材料の冷却及び加工部の消プラズマを十分行うことができ、安定した加工をすることができる。
・・・
【００３７】図１（Ｄ）及び（Ｅ）にはこの発明に係るレーザ電源のパルス制御方法に用いるパルス波形の第四、五実施例が示されており、・・・第二パルスオン時間を段階的に短くするとともに第二パルスオフ時間を段階的に長くするものである。・・・これらの場合は、超微細加工に適する。」
　
（３ｄ）図１（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｅ）には、パルスの高さを一定にして、パルスオン時間を段階的に短くすることが示されている。
　
（４）刊行物４（特開平９−２０６９７０号公報）
（４ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー加工方法及びレーザー加工装置に関する。」
　
（４ｂ）「【００１３】本発明は、レーザー出力エネルギー及び出力パターンを、被加工物の加工部に盛り上がり部やクラック等を生ぜしめることのないように、最適な状態に調節することのできる、レーザー加工方法であり、また該加工方法を実現できる機構を備えたレーザー加工装置である。」
　
（４ｃ）「【００２７】本発明のレーザー加工方法を実際の加工に適用するに当たっては、前記したように、所定のパルス電圧の条件下にパルスの経時的パターンを被加工物の材質、形状、厚み等の条件に相応した波形となるようにパルス群の波形を設定する。こうして得られるパルス群の波形としては、例えば図４のようなパターンのものが挙げられる。
【００２８】図４において実線はパルス群の波形を表わす。パルス群の波形を図４に示すような波形とすることも、いわゆるパルスシェイピング（波形制御）の範疇に含まれるが、本発明方法において行なわれるパルスシェイピングは上記したように、パルス電圧を一定としてパルス幅とパルス間隔とを変えて適当な値に設定することによって行なうものである。この方法によってシェイピングされて得られたパルス群（１回の加工に要する時間内に供給される複数のパルスからなる群）をフラッシュランプに供給すれば、これに相応した波形のレーザー光（レーザーエネルギー）がフラッシュランプから得られる。そして、このレーザー光が加工部に照射されれば、加工部の温度は図４の点線で模式的に示すような変遷を辿る。
【００２９】図３或いは図４に示すパルス群の波形を得るためには、このような周期で電気的接続及び遮断を繰り返すことのできるスイッチング機構を用いる。該スイッチング機構としては従来公知のものを適用可能である。」
　
（４ｄ）図４には、パルス電圧を一定としてパルス幅が徐々に小さくなるパルスシェイピングにより、加工部温度が下がっていることが示されている。
　
３．対比・判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１ｂ）段落【００１９】の「・・・図１（Ｂ）において、ビアホールは底部径は４０μｍで、上部径は７０μｍであった。ビアホール側壁部には、厚さ３０μｍ程度の分解物４が付着し（・・・）、ビアホール底部にはポリイミドの変性した残留膜７が薄く残っている。」という記載、及び上記摘記事項（１ｄ）から、底部を有するビアホールを加工していることがわかる。
　また、上記摘記事項（１ｂ）段落【００１９】の「・・・第１のパルスレーザ光の照射後の加工形状を断面図にて示す。・・・ビアホールは底部径は４０μｍで、上部径は７０μｍであった。・・・」という記載、段落【００２０】の「続いて第２の工程において、・・・第２のパルスレーザ光５（照射ビーム径７０μｍ、パルス幅１０ｎｓ、照射ピークパワー密度１００ＭＷ／ｃｍ2）を１ショット照射する。」という記載、及び段落【００２１】の「・・・第２のパルスレーザ光５照射後の加工形状を断面図にて示す。・・・ビアホール底部の残留膜と同時にビアホール側壁の付着物も吹き飛ばされ、側壁の滑らかなビアホール６を形成することができた。・・・」という記載より、第１のパルスレーザ光の照射後におけるビアホールの底部径が４０μｍであって、第２のパルスレーザ光の照射ビーム径が７０μｍであり、第２のパルスレーザ光の照射ビーム径がビアホールの底部径よりも大きいこと、かつ、第２のパルスレーザ光の照射後にはビアホール側壁の付着物が無くなっていることから、第２のパルスレーザ光により、ビアホール底部径が広がるものと理解でき、また、ビアホール底部の残留膜を除去し、側壁の滑らかなビアホールを形成することができたことから、第２のパルスレーザ光により、ビアホール底部の端部が仕上げられたものといえる。
　
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物１には、
「銅とポリイミドとを積層してなる実装用フィルム基板において、底部を有するビアホールを加工する際に、パルス幅０．３ｍｓの第１のパルスレーザ光で、ポリイミドに銅との境界部分にまで達するビアホールを加工し、
　パルス幅１０ｎｓの第２のパルスレーザ光で、ビアホール底部径を広げ、かつ、ビアホール底部の端部を仕上げる、実装用フィルム基板における底部を有するビアホールの加工方法。」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比する。
(i)刊行物１発明の「銅とポリイミドとを積層してなる実装用フィルム基板」、「底部を有するビアホール」、「第１のパルスレーザ光」、「ビアホール底部」は、本願補正発明の「プリント基板」、「１個の底付き穴」、「第１のパルス巾のレーザビーム」、「穴底」にそれぞれ相当する。
(ii)刊行物１発明の「ポリイミドに銅との境界部分にまで達する」ことは、本願補正発明の「底に達する」ことに相当する。
(iii)刊行物１発明の（パルス幅１０ｎｓの）「第２のパルスレーザ光」は、パルス幅０．３ｍｓの第１のパルスレーザ光よりもパルス幅が狭いから、刊行物１発明の「第２のパルスレーザ光」により加工することと、本願補正発明の「第２のパルス巾のレーザビーム」により加工することとは、第１のパルス巾のレーザビームよりも巾が狭いパルス巾のレーザビームにより、穴底の径を広げている点で共通していると云える。
(iv)また、刊行物１発明の「第２のパルスレーザ光」により加工することと、本願補正発明の「第３のパルス巾のレーザビーム」により加工することとは、穴底の端部を仕上げていることで共通しているとも云える。
(v)刊行物１発明の「実装用フィルム基板における底部を有するビアホールの加工方法」は、レーザビームによる加工方法であるから、本願補正発明の「プリント基板における底付き穴のレーザ加工方法」に外ならない。
　
　よって、両者は、
「１個の底付き穴を加工する場合、
　第１のパルス巾のレーザビームにより底に達する穴を加工し、
　前記第１のパルス巾よりも巾が狭いパルス巾のレーザビームにより、穴底の径を広げ、穴底の端部を仕上げる、プリント基板における底付き穴のレーザ加工方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：穴底の径を広げ、穴底の端部を仕上げることについて、本願補正発明では第２のパルス巾のレーザビームと、前記第２のパルス巾よりも巾が狭い第３のパルス巾のレーザビームの２回に分けているのに対し、刊行物１発明では、第１のパルス巾のレーザビームよりも巾が狭いパルス巾のレーザビームの１回により行っている点。
　
　相違点２：複数のレーザビームのピーク値について、本願補正発明では、ピーク値が固定されているのに対し、刊行物１発明では、そのようになっていない点。
　
　相違点３：第１のパルス巾のレーザビームにより底に達する穴を加工した後のレーザビーム加工において、本願補正発明では、前記第１のパルス巾で形成された穴の入り口を損傷しないようにしているのに対し、刊行物１発明では、そのような記載がない点。
　
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
［相違点１、２について］
　刊行物２には、上記摘記事項（２ａ）段落【００１０】の「・・・本発明は、有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板へ所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光をビアホール形成部に照射し、前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、・・・一の照射部に１ショット目のパルスレーザ光照射後所定時間間隔に離間して前記時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光を１ショット以上照射することを特徴とするビアホール形成方法を提供する。」という記載、及び上記摘記事項（２ｂ）段落【００２０】の「・・・最初のレーザパルスの照射により熱分解、及び熱分解に伴うガス発生の反応を起こした後、次のレーザパルスを同じ照射点に照射し、基板底の金属界面部にレーザ光を照射して、界面部に残留する絶縁層の熱分解を促進するものである。」という記載から、付着物である、界面部に残留する絶縁層の熱分解を促進するために、フィルム基板のビアホール形成部に、本件補正発明の「第１のパルス巾のレーザビーム」に相当する最初のパルスレーザ光を照射した後、最初のパルスレーザ光照射部に次のパルスレーザ光を１ショット以上照射することが記載されており、次のパルスレーザ光（レーザビーム）を２回照射することを示唆していることが分かる。
　そして、レーザビームのピーク値を固定し、第１のパルス巾のレーザビームを照射後に、徐々にパルス巾を狭くしたレーザービームを複数回照射することは、レーザビーム加工の分野において、刊行物３、４に記載されているように、本願出願前に周知である。
　
（刊行物３、４の記載事項）
　刊行物３には、上記摘記事項（３ａ）〜（３ｄ）を総合すると、微細加工の際の高速加工と安定加工のために、パルスの高さを一定にして、パルスオン時間を段階的に短くするレーザ電源の制御方法が記載されており、パルスの高さを一定することは「レーザビームのピーク値を固定」することに対応し、パルスオン時間を段階的に短くすることは、「第１のパルス巾のレーザビーム」照射後に照射されるレーザビームのパルス巾を段階的に小さくすることに対応するから、結局、刊行物３には、レーザビームのピーク値を固定し、第１のパルス巾のレーザビームを照射後に、段階的にパルス巾を狭くしたレーザビームを照射することが示されているといえる。
　また、刊行物４には、上記摘記事項（４ａ）〜（４ｄ）を総合すると、加工部温度を制御するために、パルス電圧を一定としてパルス幅を徐々に小さくするパルスシェイピングが示されており、パルス電圧を一定とすることは「レーザビームのピーク値を固定」することは「レーザビームのピーク値を固定」することに対応し、パルス幅を徐々に小さくすることは、「第１のパルス巾のレーザビーム」照射後に照射されるレーザビームのパルス巾を段階的に小さくすることに対応するから、刊行物４にも、レーザビームのピーク値を固定し、第１のパルス巾のレーザビームを照射後に、徐々にパルス巾を狭くしたレーザビームを照射することが示されていると理解できる。
　
　そうすると、刊行物１発明における第１のパルス巾のレーザビームの照射の後のレーザビームの照射について、刊行物２に記載の、付着物等の除去の促進等のために、第２、第３と２回に分けること、及び、刊行物３、４に記載の、徐々にパルス巾を狭くすることを採用することは、当業者にとって容易に想到できたことである。
　
［相違点３について］
　刊行物２には、上記摘記事項（２ｃ）段落【００４８】の「・・・１ショット目のパルス照射に続いて５ｍｓ経過した後同じ０．５ｍｓの光パルスを照射することにより、上部径は変わらず、底径が３５μｍに拡大し、おわん型の形状を大幅に改善することができた。」という記載から、１ショット目のパルス照射、即ち、第１のパルス巾のレーザビームの照射の後のレーザビームの照射において、本願補正発明の「穴の入り口」に相当する上部径が変わらないことが記載されていると云える。
　更に、プリント基板のレーザ加工方法の分野において、レーザビームのパルス発振のデューティを小さくする、つまり、レーザビームのパルス巾を狭くすると、穴の内壁面での付着物を低減させ、穴形状を損なうことがないことは、例えば、次の特許文献に記載されているように本願出願前に周知である。
　
周知例：特開平４−１７６１８４号公報
（周１ａ）「２．特許請求の範囲
（１）レーザを用いてプリント配線板にスルーホール用の穿孔を行うプリント配線板のレーザ孔加工法において、上記レーザの発振形態をパルス発振とし、その発振のデューティを２パーセント以下としたことを特徴とするプリント配線板のレーザ孔加工法。」（第１頁右欄特許請求の範囲）
（周１ｂ）「【作用】
　このようにデューティを小さく設定すると、レーザ発振の時間が極端に短くなり、インターバルが長く、１パルスにおける穿孔部分における溶融物質の飛散が少なく、これによるレーザの通過を妨げることがなく、また、その溶融個所の周辺における温度上昇、雰囲気の温度上昇を避けることができ、放熱効果が十分となり、その結果、孔の内壁面での凹凸の発生、炭化変質物の付着を低減することができる。このため、積層素材の相違により孔形状が損なわれることがない。」（第２頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第６行）
　
　そうすると、レーザビームのパルス巾が狭ければ穴形状への影響が小さくなることが云えるから、刊行物１発明における第１のパルス巾のレーザビームの照射の後のレーザビームの照射について、第２、第３と２回に分け、パルス巾が徐々に狭くなる構成を採用することにより、穴の入り口を損傷しないようになることは自明の事項といえるため、当業者にとって格別なものとはいえない。
　
　そして、本願補正発明による効果も、刊行物１〜４の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１〜４に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
III．本願発明について 
１．本願発明
　平成２０年２月１８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１７年７月１９日付手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１、４に係る発明（以下、「本願発明１」、「本願発明４」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　第１の加工条件で底に達する穴を加工し、第２の加工条件で穴底の径を広げ、第３の加工条件で穴底の端部を仕上げることを特徴とするプリント基板の穴明け加工方法。」
　
「【請求項４】　レーザビームのピーク値を固定し、パルスの幅を変化させることによりレーザビームのエネルギを変化させることを特徴とする請求項１ないし請求項３に記載のプリント基板の穴明け加工方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物１〜４及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。 
　
３．対比・判断
　請求項１を引用した本願発明４は、前記「II．平成２０年２月１８日付の手続補正についての補正却下の決定」で検討した本願補正発明の第１〜第３のパルス巾のレーザビームについて、「第１のパルス巾よりも巾が狭い第２のパルス巾」、「第２のパルス巾よりも巾が狭い第３のパルス巾」という事項で限定する構成を省き、更に、「穴底の径を広げ」ること、及び「穴底の端部を仕上げる」ことについて、「第１のパルス巾で形成された穴の入り口を損傷しないように」するという事項で限定する構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明４の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１〜４に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明４も、同様の理由により、刊行物１〜４に記載された発明、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明４は、刊行物１〜４に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。