【事件の表示】
　平成１０年特許願第５３７６５５号「サブ解像散乱バーを使用した中間ピッチフィーチャのための光学近接補正方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月　３日国際公開、ＷＯ９８／３８５４９、平成１３年　８月２８日国内公表、特表２００１−５１３２２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９８年２月２０日（パリ条約による優先権主張１９９７年２月２８日、米国）を国際出願日とする出願（特願平１０−５３７６５５号）であって、平成１８年１２月２２日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年４月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１９年５月１６日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年５月１６日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年５月１６日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
２−１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１８年８月２８日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１記載の、
「関連する波長λを有する露光源を用いて照らされるようにマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法であって、該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み、前記補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ、０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔、および少なくとも２ｗの隣接する補正フィーチャエッジ間の関連する基準間隔を有し、
　前記方法は、
　２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの各々に隣接するエッジを有し、該隣接する補正フィーチャエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられ、そして、
　前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの前記１つから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられる、方法。」が
　
「波長λを有する露光源を用いてリソグラフィプロセスを使用し、照射されるマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法であって、該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み、前記補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく、前記補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、０．７λより大きく、隣接する補正フィーチャのエッジ間の第２の距離は、少なくとも２ｗであり、
　前記方法は、
　２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一の補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの各々に隣接するエッジを有し、該隣接する補正フィーチャのエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジから、前記リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられ、そして、
　前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの前記１つから、前記リソグラフィプロセスの前記臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられる、方法。」（以下、「本願補正発明」という。）と補正されたもので、以下の各補正からなる。
　
補正１
　補正前の「関連する波長λを有する露光源を用いて照らされるように」が、「波長λを有する露光源を用いてリソグラフィプロセスを使用し、照射される」と補正された。
　
補正２
　補正前の「前記補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ、０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔、および少なくとも２ｗの隣接する補正フィーチャエッジ間の関連する基準間隔を有し」が、「前記補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく、前記補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、０．７λより大きく、隣接する補正フィーチャのエッジ間の第２の距離は、少なくとも２ｗであり」と補正された。
　
補正３
　補正前の「主要なフィーチャエッジ」、「補正フィーチャエッジ」及び「単一補正フィーチャ」が、それぞれ「主要なフィーチャのエッジ」、「補正フィーチャのエッジ」及び「単一の補正フィーチャ」と補正された。
　
補正４
　補正前の「前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられ」が、「前記リソグラフィプロセスの前記臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられ」と補正された。
　
２−２　補正却下の理由
［理由１］新規事項
（１）補正２で「前記補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、０．７λより大きく」と限定した点について。
ア．平成１１年８月２７日付「特許法第１８４条の５第１項の規定による書面に添付された国際出願日における国際特許出願の明細書の翻訳文若しくは図面（図面の中の説明に限る。）の翻訳文、又は、国際出願日における国際特許出願の図面」（以下、「当初明細書」という。）の第１１頁下から２行〜第１２頁３行には、「本発明の概略的なクラウディング方法において、基準幅を有する１本または２本の散乱バーは、それぞれ５ｗ≦ｄ＜７ｗおよび７ｗ＜ｄ＜１０ｗの距離だけ離れた２つのフィーチャーエッジ間にある。散乱バーは、２つのフィーチャーの各エッジから、絶対最小クラウディング距離よりも大きいが基準距離よりも小さい距離だけ離れている。」と記載されている。
　
イ．当初明細書の第１２頁１５〜１８行には、「本発明の一実施態様において、絶対最小「クラウディング」距離は、露光波長の７５％以上かつ臨界寸法未満である。水銀Ｉライン露光源が、０．３６５ミクロンに等しい波長を有するリソグラフィープロセスにおいて用いられる実施態様においては、この絶対最小距離は０．２７５ミクロンの範囲内である。」と記載されている。
　
ウ．当初明細書の第１２頁２２行〜第１３頁４行には、「図９は、間に散乱バー５６を有する２つのフィーチャー５５を示す。バーは、基準幅よりは小さい幅を有し、フィーチャーエッジから、絶対最小クラウディング距離の範囲内の距離だけ離れている。図１０は、７ｗ＜ｄ＜１０ｗの距離だけ間隔をあけられ、間に散乱バーフィーチャー５８を有する２つのフィーチャー５７を示す。散乱バー５８は、基準幅よりも小さい幅（すなわち、減少幅）を有し、各々、フィーチャーエッジから、絶対最小クラウディング距離の範囲内の距離だけ離れている。減少幅を有する散乱バーは基準散乱バー間隔においてフィーチャー寸法を制御するためにはあまり有効ではないが、減少幅を有する散乱バーは、図９および図１０に示すような非常に近接した設定で用いられる際により有効であると判断された。減少幅を有する散乱バーを用いることにより、フィーチャーはさらに近接することが可能になり、それにより、より広い分離間隔範囲に対する寸法制御を提供する。」と記載されている。
　
エ．ＦＩＧ９及びＦＩＧ１０に「間隔＞７λ／１０」と記載されている。
　
　上記記載事項ア．には、「散乱バーは、２つのフィーチャーの各エッジから、絶対最小クラウディング距離よりも大きいが基準距離よりも小さい距離だけ離れている。」と記載され、記載事項イ．には、「水銀Ｉライン露光源が、０．３６５ミクロンに等しい波長を有するリソグラフィープロセスにおいて用いられる実施態様において、絶対最小「クラウディング」距離は、露光波長の７５％以上かつ臨界寸法未満である。」と記載され、特定の露光源を用いた場合に、散乱バーは、２つのフィーチャーの各エッジから、露光波長の７５％以上（０．７５λ）であることが読み取れる。
　また、ＦＩＧ９及びＦＩＧ１０には、「間隔＞７λ／１０」と記載されているものの、その説明部分である記載事項ウ．では、具体的数値については、記載されていない。
　結局、上記記載事項からは、上記の補正２で限定した点が、当初明細書に記載した事項とはいえない。また、当初明細書の他の部分に、該限定した点が読み取れる記載はない。
　
（２）補正４で「前記リソグラフィプロセスの前記臨界寸法よりも小さい」と限定した点について。
ア．当初明細書の第１１頁２２〜２７行には、「本発明による散乱バーは、リソグラフィープロセスの臨界寸法よりも小さな絶対最小「クラウディング」距離（ａｂｓｏｌｕｔｅ　ｍｉｎｉｍｕｍ”ｃｒｏｗｄｉｎｇ”　ｄｉｓｔａｎｃｅ）でフィーチャーエッジの隣に配置し得る。実際、絶対最小「クラウディング」距離は、露光手段の波長に関連し、米国特許番号５，２４２，７７０号によって開示された、先の基準散乱バー（強度レベリングバー）間隔のような、リソグラフィープロセスの臨界寸法には関連しない。」と記載されている。
　
　上記記載事項ア．には、「本発明による散乱バーは、リソグラフィープロセスの臨界寸法よりも小さな絶対最小「クラウディング」距離でフィーチャーエッジの隣に配置し得る。」と記載されているが、これは、「フィーチャーエッジの隣に配置し得る」距離である「絶対最小「クラウディング」距離」が、「リソグラフィープロセスの臨界寸法よりも小さな」としているだけで、「補正フィーチャの（各）エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ（の前記１つ）から、前記リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さい…距離だけ間隔があけられ」とは、記載されていない。
　結局、上記記載事項からは、上記の補正４で限定した点が、当初明細書に記載した事項とはいえない。また、当初明細書の他の部分に、該限定した点が読み取れる記載はない。
　
（３）むすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　次に、本件補正が、仮に、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものでなく、限定的減縮に該当するとした場合について検討する。
［理由２］独立特許要件違反（記載不備）
（１）請求項１に「前記補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく、」と記載されているが、下限について記載がなく、λ／３より小さいすべての範囲で、本願発明の作用効果を奏するとは考えられず、技術的意義が不明確である。
　
（２）請求項１に係る発明は、「２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含」し、また、「前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含」するものであるが、主要なフィーチャエッジの間隔がどのような場合に、いずれのステップを包含するものであるのかが不明確であり、技術的意義が不明確である。
　
（３）請求項１に「前記補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、０．７λより大きく」の記載と、「該隣接する補正フィーチャのエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジから、前記リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられ」の記載とが、併存し、前者は上限値を限定せず、後者は上限値を限定しているが、両者の関係が不明確である。
　当初明細書の第１２頁１〜３行には、「散乱バーは、２つのフイーチャーの各エッジから、絶対最小クラウディング距離よりも大きいが基準距離よりも小さい距離だけ離れている。」と記載され、同１５、１６行には、「絶対最小クラウディング距離は、露光波長の７５％以上かつ臨界寸法未満である。」と記載されている。これらから、散乱バーは主要なフィーチャと、「露光波長の７５％以上かつ臨界寸法未満である、絶対最小クラウディング距離よりも大きいが基準距離よりも小さい距離だけ離れている。」ということになるが、「基準距離」の定義もなく、請求項１に記載された「リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられ」の記載との関係がまったく不明である。
　なお、「リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さい」は、上記の「［理由１］新規事項」の項で述べたように、新規事項でもある。
　
（４）むすび
　結局、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載が明確であるとはいえず、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合するものではない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［理由３］独立特許要件違反（容易性）
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−１５８３３号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の点が記載されている。
ア．【０００１】【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体装置の製造において使用される露光用マスク作製装置における走査用データ作成装置及び走査用データの作成方法に関し、より詳しくは、光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction）されたパターンを有する露光用マスクを作製するための露光用マスク作製装置に備えられたラスタ走査方式若しくはベクタ走査方式のパターン描画装置の描画走査を制御するための走査用データの作成装置及び走査用データの作成方法に関する。
【０００２】【従来の技術】
　半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程においては、露光用マスクに形成されたパターンを、露光光を用いて例えばウエハ上に形成されたレジストに転写した後、レジストを現像して、レジストにパターンを形成する。以下、露光用マスクに形成されたパターンをマスクパターンと呼ぶ場合があり、一方、レジストに転写されたパターンをレジストパターンと呼ぶ場合がある。マスクパターンの転写においては、露光における解像限界近傍で、設計パターンであるマスクパターンの寸法や形状とレジストパターンの寸法や形状との間に、光近接効果に起因した乖離（差異）が生じる場合がある。０．５μｍ以上のデザインルールにおいては、半導体装置の製造プロセスでリソグラフィ工程に与えられる寸法許容差（エラーバジェットとも呼ばれる）が大きいので、かかる乖離は左程問題とはならない。然るに、０．３５μｍルール以下のデザインルールにおいては、かかる乖離は、半導体装置の製造プロセスでリソグラフィ工程に与えられる寸法許容差を越える状況となりつつある。
　
イ．【０００４】
　このように、光近接効果は、０．３５μｍルール以下のデザインルールにおいて、通常の露光用マスクと通常の露光法の組み合わせだけでなく、位相シフトマスク法や変形照明法においても、マスクパターンとレジストパターンとの間における寸法や形状の乖離に大きな影響を与えている。それ故、かかる光近接効果に対する補正をマスクパターンに施す光近接効果補正が、近年、注目されている。光近接効果補正の態様には、大きく分けると、以下に示す態様がある。
【０００５】
（１）線幅補正：露光後のレジストパターンにおいて、例えば、孤立したラインの線幅がライン・アンド・スペース部の幅と同一になるように、孤立したラインに相当するマスクパターンの部分の線幅を太くする（図４の（Ａ）参照）。尚、図４の（Ａ）において、線幅補正領域に斜線を付した。
（２）修飾パターンの追加：露光後のレジストパターンの、例えばコンタクトホールのコーナー部の丸まりを抑制するために、コンタクトホールに相当するマスクパターンの部分に修飾パターンを追加する（図４の（Ｂ）参照）。尚、図４の（Ｂ）において、修飾パターンの部分に斜線を付した。
（３）サブレゾルーションパターンの追加：例えば、上記の修飾パターンの追加だけでは光近接効果の補正が行えない場合、解像しない程度の小さなパターンをマスクパターンに更に追加する（図４の（Ｃ）参照）。尚、図４の（Ｃ）において、サブレゾルーションパターンの部分に斜線を付した。
　
ウ．【００３３】
　このような想定されたターゲットパターンと周辺レイアウトの多数の組み合わせのそれぞれにおいて、
ターゲットパターンに対してどのような修飾パターンを追加すべきかを実験やシミュレーションによって予め求めておき、
最適な光近接効果補正を行う
　
　上記記載事項、及び【図４】（Ｃ）から、引用例１には、
「リソグラフィ工程における露光用マスクに形成されたマスクパターンに、光近接効果に対する補正を施す光近接効果補正において、該露光用マスクは、少なくとも２つのマスクパターンを含み、周辺レイアウトを考慮した上で、マスクパターンに対してどのような、解像しない程度の小さなサブレゾルーションパターンを追加すべきかを実験やシミュレーションによって予め求め、光近接効果補正パラメータとしてテーブル化しておく、マスクパターンに単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−１６０００２号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の点が記載されている。
エ．【００９７】
　次にパターンの形成方法について、更に具体的に図１８〜図２２を用いて説明する。即ち、以上説明したように、本発明の目的は、光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いることにより達成できるが、以下説明するようにマスクパターン１０４を工夫することで更に本発明の効果を向上させることができる。
【００９８】
　図２５はマスク１００上に形成する等しいピッチのラインスペースパターンのライン幅（光透過）を変えた時の結像光学系３２００でウエハ２００上に投影された回路パターンのコントラストを示したものである。図２５に示すようにコントラストはライン幅が小さくなると大きくなる。つまりライン幅を小さくするとよい。ここでライン幅を小さくすると光強度は小さくなるため、露光時間を長くする必要がでて来る。そこで、マスク１００上に形成する回路パターンのライン幅は、回路パターンを転写するのに必要なコントラストと露光時間とのかねあいで決定されるものである。
【００９９】
　従って、本発明による露光方法では、マスクパターン１０４を形成するライン幅は一定にすることが望ましい。そのため、幅の広いウエハパターン２０４を形成したい場合は、工夫がいる。ここでこのライン幅が一定にできず広くなった場合、結像面での光強度が周辺のライン幅が一定のパターンに対し大きくなり、レジスト現像後の転写パターンの形状が本来得ようとする回路パターンと大きくかけ離れたものとなってしまう。これは、一部に光強度の大きい回路パターンがあった場合、ここから回り込む光による影響と考えられる。
【０１００】
　この広い回路パターンを正しく形成するには、光強度を周辺のライン幅一定の回路パターンと同じ光強度で形成する必要がある。この広い回路パターンの形成方法を図を用いて説明する。結像光学系３２００を用いて回路パターンを転写する際、結像光学系の分解能より十分小さい回路パターンは解像できず、均一なものとして結像される。上記の広い回路パターンを結像する際は、この現象を利用する。即ち、本光学系の分解能以下の微細パターンを図２０、２１に１０５、１０６、１０８で示すようにマスク１００上に形成することで図１８、１９に示すように広い回路パターンをウエハ２００上に転写することができる。
【０１０１】
　図２６はラインスペースパターンのピッチを変えた時のコントラストを示したものである。図２６のようにコントラストはピッチが小さくなると小さくなる。つまりピッチを小さくするとコントラストがほぼ０になる位置３３１がある。広い回路パターンの全面を白くしたい場合、この３３１の位置のピッチのパターンを用いるとよい。具体的には、解像したいパターンのピッチの１／２程度のパターンが最も良い。このピッチの時、広い回路パターンの光強度が最小パターンの光強度と同程度になる。
【０１０２】
  具体的には、図１８に示したようなウエハパターン２０４を得ようという場合、図２０に示したようなマスクパターンを製作し、ネガレジストを使用するか、図２１に示したようなマスクパターンを製作し、ポジレジストを使用すればよい。この場合、光を透過させたいパターン１０５、１０６、１０７、１０８は、図２２に示したようなピッチの小さいパターンによって形成される。また、これら１０５、１０６、１０７、１０８のように広い範囲にわたって光を透過させたい場合のマスクパターン１０４は、パターン変換部１１０４で自動生成され、必要に応じパターン転写シミュレータ１１０８でシミュレートされる。
　
オ．【図２０】、【図２１】には、結像光学系の分解能より十分小さい回路パターン（本願補正発明の「補正フィーチャ」に相当する。）をライン幅が一定のパターン（本願補正発明の「主要なフィーチャ」に相当する。）間に、２本付加した点が記載されている。
　
（２）対比
　引用発明と本願補正発明とを対比すると、引用発明のリソグラフィ工程においても「波長λを有する露光源を用いて」いることは、自明であるので、引用発明の「リソグラフィ工程における露光用マスク」は、本願補正発明の「波長λを有する露光源を用いてリソグラフィプロセスを使用し、照射されるマスク」に相当し、
　引用発明の「マスクパターンに単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法」は、本願補正発明の「マスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法」に相当し、
　引用発明の「マスクパターン」は、本願補正発明の「主要なフィーチャ」に相当し、
　引用発明の「マスクパターン」と「サブレゾルーションパターン」とが、それぞれエッジを有していることは自明であるので、
　
　引用発明の「リソグラフィ工程における露光用マスクに形成されたマスクパターンに、光近接効果に対する補正を施す光近接効果補正において、該露光用マスクは、少なくとも２つのマスクパターンを含み、・・・マスクパターンに単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法」は、本願補正発明の「波長λを有する露光源を用いてリソグラフィプロセスを使用し、照射されるマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法であって、該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み、・・・２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一の補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの各々に隣接するエッジを有し」に相当する。
　
　引用発明の「解像しない程度の小さなサブレゾルーションパターン」と、本願補正発明の「補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく」とは、「補正フィーチャの幅ｗは、解像しない程度に小さく」の点で一致している。
　
　引用発明の「サブレゾルーションパターン」と「マスクパターン」とは、最適な光近接効果補正を行う（上記記載事項ウ．）のに適した距離とされており、本願補正発明の「補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、０．７λより大きく」とは、「補正フィーチャのエッジと主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、所定の距離であり」の点で一致している。
　
　したがって、引用発明と本願補正発明とは、
「波長λを有する露光源を用いてリソグラフィプロセスを使用し、照射されるマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法であって、該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み、前記補正フィーチャの幅ｗは、解像しない程度に小さく、前記補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、所定の距離であり、
　前記方法は、
　２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一の補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの各々に隣接するエッジを有し、該隣接する補正フィーチャのエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジから、所定の距離だけ間隔があけられる方法。」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
相違点１；
　補正フィーチャの幅ｗが、本願補正発明では、λ／３より小さいのに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
相違点２；
　該隣接する補正フィーチャのエッジと前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジとの間の距離が、本願補正発明では、リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離であるのに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
相違点３；
　本願補正発明では、「隣接する補正フィーチャのエッジ間の第２の距離は、少なくとも２ｗであり」、「２つの隣接する主要なフィーチャのエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの前記１つから、前記リソグラフィプロセスの前記臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられる」のに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
（３）判断
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　まず、本願補正発明の「補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく」の技術的意義について見てみる。
　当初明細書の第４頁７〜１０行には、「基準幅の単散乱バーは、・・・２つのフィーチャーの間に配置される。ある実施形態では、基準幅はλ／４からλ／３の範囲内に規則される。」と記載されている。
　また、同第１１頁１７〜２０行には、「本発明は、上述したフィーチャー分離の場合における、フィーチャーの寸法制御のロスを低減する方法である。この方法は、分解できないサイズの散乱バーによって、分解可能なフィーチャ設計規則とは異なる設計規則を散乱バーに適用し得るという実験的観察に基づく。」と記載されている。
　また、従来技術の説明部分である、当初明細書の第７頁２３行〜第８頁６行には、「米国特許第５，２４２，７７０号によると、散乱バーは基準／好適幅を有し、この技術によるとこの幅は、リソグラフプロセスの臨界寸法の５分の１に経験的に測定され、臨界寸法（明確なフィールドマスクのための寸法）の１．１倍のエッジ（または経験的にも決定される）からの好適な間隔である。引き続き経験的な試験において、最大許容散乱バー幅は、露光源の波長の３分の１におおよそ等しいと測定されてきた。ある例として、現在リソグラフ技術において用いられる水銀Ｉ−ライン照射露光源の３６５ナノメータ（または０．３６５ミクロン）波長を用いると、基準散乱バー幅は０．１ミクロンに選択される。しかし、散乱バーが未解像のままであるような最大許容散乱バー幅は０．１２５ミクロンまで、もしくはその近くまで大きくなり得る。この散乱バー幅設定が露光源波長に関係することから、以下のように規則される：
基準散乱バー幅＝ｗ
ここで、ｗ≦１／３露光源波長（λ）」と記載されている。
　
　従来技術の記載部分から、最大許容散乱バー幅は、露光源の波長の３分の１におおよそ等しいと測定されてきたのであり、λ／３に格別臨界的意義があるとは認められない。そして、請求項１の記載では、「λ／３より小さく」とのみ限定され、下限は限定されておらず実施形態の範囲に限定してもいない。また、本願補正発明においても、フィーチャーの寸法制御のロスを低減する方法は、「実験的観察に基づく」とされており、上記数値限定も、実験的観察に基づいて決定されたことが伺える。
　
　ここで、引用発明を見てみると、引用発明も、マスクパターン間にサブレゾルーションパターンを追加する意義は、最適な光近接効果補正を行うためのものである。
　してみれば、上記、検討した本願補正発明の「補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく」の技術的意義が格別のものでないこと、及び実験的観察に基づいて決定されたことも考慮すると、引用発明も、最適な光近接効果補正を行うため実験やシミュレーションによって求められるものであり、引用発明の、マスクパターン間の距離に応じて、サブレゾルーションパターンの幅を適宜決定し、上記相違点１の構成を得ることは、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
相違点２について
　まず、本願補正発明の「リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離」の技術的意義について見てみる。
　当初明細書の第１２頁１〜３行には、「散乱バーは、２つのフィーチャーの各エッジから、絶対最小クラウディング距離よりも大きいが基準距離よりも小さい距離だけ離れている。」と記載されている。
　また、同第１２頁１５〜１８行には、「本発明の一実施態様において、絶対最小「クラウディング」距離は、露光波長の７５％以上かつ臨界寸法未満である。水銀Ｉライン露光源が、０．３６５ミクロンに等しい波長を有するリソグラフィープロセスにおいて用いられる実施態様においては、この絶対最小距離は０．２７５ミクロンの範囲内である。」と記載されている。
　図９，図１０には、「間隔＞７λ／１０」と記載されているものの、上記各記載事項からは、「０．７λより大きい」の限定が、技術的意義を持った発明思想として、当初明細書に記載されていたとは認められず、格別の臨界的意義も認められない。また、「リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さい」についても、光近接効果補正を必要とすることを意味するのみで、格別の技術的意義も認められない。
　
　ここで、引用発明を見てみると、引用発明も、マスクパターン間にサブレゾルーションパターンを追加する意義は、最適な光近接効果補正を行うため、実験やシミュレーションによって求められるものである。
　してみれば、上記、検討した本願補正発明の「リソグラフィプロセスの臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離」に格別、臨界的あるいは技術的意義がないことも考慮すると、引用発明の、マスクパターン間の距離に応じて、サブレゾルーションパターンとマスクパターンとの間隔を適宜決定し、上記相違点２の構成を得ることは、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
相違点３について
　相違点３に係る構成の内、「２つの解像不可能な補正フィーチャを付加する」点は、引用例２の上記記載事項オ．に記載されている。引用例２のものも、マスク回路パターンの補正に関するものであり、引用発明と組み合わせることは、当業者にとって困難性はない。
　そして、その際、２つの結像光学系の分解能より十分小さい回路パターン（本願発明の「補正フィーチャ」に相当。）間の間隔をどのようにするかは、ライン幅が一定のパターン（本願発明の「主要なフィーチャ」に相当。）の間隔等により、当業者が適宜決定し得る設計事項である。
　また、「前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャのエッジの前記１つから、前記リソグラフィプロセスの前記臨界寸法よりも小さいが０．７λより大きい距離だけ間隔があけられる」点は、上記相違点２で検討したのと同様な理由で、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
　してみれば、引用発明に、引用例２に記載された発明を適用し、上記相違点２の構成を得ることは、当業者にとって容易である。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、上記引用発明、引用例２に記載された発明から当業者が予測し得る程度のものである。 
　
　したがって、本願補正発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
３−１　本願発明
　平成１９年５月１６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１から請求項２５に係る発明は、平成１８年８月２８日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「関連する波長λを有する露光源を用いて照らされるようにマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法であって、該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み、前記補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ、０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔、および少なくとも２ｗの隣接する補正フィーチャエッジ間の関連する基準間隔を有し、
　前記方法は、
　２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの各々に隣接するエッジを有し、該隣接する補正フィーチャエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられ、そして、
　前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの前記１つから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられる、方法。」
　
３−２　拒絶の理由
［理由１］記載不備
　請求項１の記載について
ア．「関連する」の用語が、複数箇所で用いられているが、何とどう関連するのかが、不明確である。
　
イ．「所定の最小距離」の用語が、用いられているが、具体的にどのような距離であるのか特定できず、不明確である。
　
ウ．「λ／３より小さいｗ」の用語が、用いられているが、「ｗ」が何を表すか不明確で、補正フィーチャの幅としても、下限について記載がなく、λ／３より小さいすべての範囲で、本願発明１の作用効果を奏するとは考えられず、技術的意義が不明確である。
　
エ．「基準間隔」の用語が、異なる部材間の間隔を表す用語として用いられているが、具体的にどのような間隔であるのか特定できず、不明確である。それぞれ、「０．７λより大きい」、「少なくとも２ｗ」を指すとしても、上限について記載がなく、技術的意義が不明確である。
　
オ．「少なくとも２ｗ」の用語が、用いられているが、「ｗ」が何を表すか不明確で、補正フィーチャ間の距離としても、上限について記載がなく、２ｗ以上のすべての範囲で、本願発明１の作用効果を奏するとは考えられず、技術的意義が不明確である。
　
カ．請求項１に係る発明は、「２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含」し、また、「前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含」するものであるが、どのような場合に、いずれのステップを包含するものであるのかが不明確である。
　
キ．「前記補正フィーチャは、・・・０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」の記載と、「該隣接する補正フィーチャエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられ」の記載とが、併存し、前者は上限値を限定せず、後者は上限値、この上限値自体、上述（上記イ．）のように不明確ではあるが、を限定しているが、両者の関係が不明確である。
　
　したがって、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
［理由２］容易性
（１）引用例
　各引用例の記載事項は、上記「２−２　補正却下の理由  ［理由３］独立特許要件違反（容易性）（１）引用例」の項に記載したとおりである。
　
（２）対比
　引用発明は、上記「２−２　補正却下の理由［理由３］独立特許要件違反（容易性）
（１）引用例」で、記載したとおりの「リソグラフィ工程における露光用マスクに形成されたマスクパターンに、光近接効果に対する補正を施す光近接効果補正において、該露光用マスクは、少なくとも２つのマスクパターンを含み、周辺レイアウトを考慮した上で、マスクパターンに対してどのような、解像しない程度の小さなサブレゾルーションパターンを追加すべきかを実験やシミュレーションによって予め求め、光近接効果補正パラメータとしてテーブル化しておく、マスクパターンに単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法。」の発明である。
　
　引用発明と本願発明とを対比すると、引用発明のリソグラフィ工程においても「波長λを有する露光源を用いて照らされ」ていることは、自明であり、引用発明の「マスクパターンに単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法」は、本願発明の「マスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法」に相当するので、引用発明の「リソグラフィ工程における露光用マスクに形成されたマスクパターンに、光近接効果に対する補正を施す光近接効果補正において、・・・マスクパターンに、単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法。」は、本願発明の「関連する波長λを有する露光源を用いて照らされるようにマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法」に相当する。
　
　引用発明の「マスクパターン」は、本願補正発明の「主要なフィーチャ」に相当し、引用発明の「マスクパターン」と「サブレゾルーションパターン」とが、それぞれエッジを有していることは自明であるので、引用発明の「該露光用マスクは、少なくとも２つのマスクパターンを含み」は、本願発明の「該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み」に相当する。
　
　引用発明は、「該露光用マスクは、少なくとも２つのマスクパターンを含み、・・・マスクパターンに単一のサブレゾルーションパターンを追加する方法」であるので、引用発明が、本願補正発明の「２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの各々に隣接するエッジを有し」の構成を有していることは明らかである。
　
　本願発明の「補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ」は、意味不明であるが、上記の却下となった平成１９年５月１６日付の手続補正等から、「補正フィーチャの幅ｗは、λ／３より小さく」の意味と解するなら、引用発明の「解像しない程度の小さなサブレゾルーションパターン」と、本願発明の「補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ」とは、「補正フィーチャの幅ｗは、解像しない程度に小さく」の点で一致している。
　
　本願発明の「０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」は、意味不明であるが、上記の却下となった平成１９年５月１６日付の手続補正等から、「補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャのエッジとの間の第１の距離は、０．７λより大きく」の意味と解するなら、引用発明の「サブレゾルーションパターン」と「マスクパターン」とは、最適な光近接効果補正を行う（上記記載事項ウ．）のに適した距離とされており、本願発明の「０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」とは、「補正フィーチャのエッジと主要なフィーチャエッジとの間の第１の距離は、所定の距離であり」の点で一致している。
　
　したがって、引用発明と本願発明とは、
「関連する波長λを有する露光源を用いて照らされるようにマスク上に解像不可能な補正フィーチャを提供する方法であって、該マスクは、各エッジを有する少なくとも２つの主要なフィーチャを含み、前記補正フィーチャの幅ｗは、解像しない程度に小さく、前記補正フィーチャのエッジと前記主要なフィーチャエッジとの間の第１の距離は、所定の距離であり、
　前記方法は、
　２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、単一の解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、該単一補正フィーチャが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの各々に隣接するエッジを有し、該隣接する補正フィーチャエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジから、所定の距離だけ間隔があけられる方法。」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
相違点１；
　補正フィーチャの幅ｗが、本願発明では、λ／３より小さいのに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
相違点２；
　該隣接する補正フィーチャエッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジから、間隔があけられる所定の距離が、本願発明では、基準間隔よりも小さいが所定の最小距離（この「所定の最小距離」と、請求項１の第１段落の「０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」との関係が不明確ではあるが。）よりも大きい距離であるのに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
相違点３；
　本願発明では、「少なくとも２ｗの隣接する補正フィーチャエッジ間の関連する基準間隔を有し」、「前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジ間に、少なくとも２ｗ離れた２つの解像不可能な補正フィーチャを付加するステップを包含し、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの前記１つから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離（この「所定の最小距離」と、請求項１の第１段落の「０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」との関係が不明確ではあるが。）よりも大きい距離だけ間隔があけられる」のに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
（３）判断
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　まず、本願発明の「補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ」の技術的意義について見てみる。
　当初明細書の第４頁７〜１０行には、「基準幅の散乱バーは、・・・２つのフィーチャーの間には位置される。ある実施形態では、基準幅はλ／４からλ／３の範囲内に規則される。」と記載されている。
　また、同第１１頁１７〜２０行には、「本発明は、上述したフィーチャー分離の場合における、フィーチャーの寸法制御のロスを低減する方法である。この方法は、分解できないサイズの散乱バーによって、分解可能なフィーチャ設計規則とは異なる設計規則を散乱バーに適用し得るという実験的観察に基づく。」と記載されている。
　また、従来技術の説明部分である、当初明細書の第７頁２３行〜第８頁６行には、「米国特許第５，２４２，７７０号によると、散乱バーは基準／好適幅を有し、この技術によるとこの幅は、リソグラフプロセスの臨界寸法の５分の１に経験的に測定され、臨界寸法（明確なフィールドマスクのための寸法）の１．１倍のエッジ（または経験的にも決定される）からの好適な間隔である。引き続き経験的な試験において、最大許容散乱バー幅は、露光源の波長の３分の１におおよそ等しいと測定されてきた。ある例として、現在リソグラフ技術において用いられる水銀Ｉ−ライン照射露光源の３６５ナノメータ（または０．３６５ミクロン）波長を用いると、基準散乱バー幅は０．１ミクロンに選択される。しかし、散乱バーが未解像のままであるような最大許容散乱バー幅は０．１２５ミクロンまで、もしくはその近くまで大きくなり得る。この散乱バー幅設定が露光源波長に関係することから、以下のように規則される：
基準散乱バー幅＝ｗ
ここで、ｗ≦１／３露光源波長（λ）」と記載されている。
　
　従来技術の記載部分から、最大許容散乱バー幅は、露光源の波長の３分の１におおよそ等しいと測定されてきたのであり、λ／３に格別臨界的意義があるとは認められない。そして、請求項１の記載では、「λ／３より小さい」とのみ限定され、下限は限定されておらず実施形態の範囲に限定してもいない。また、本願発明においても、フィーチャーの寸法制御のロスを低減する方法は、「実験的観察に基づく」とされており、上記数値限定も、実験的観察に基づいて決定されたことが伺える。
　
　ここで、引用発明を見てみると、引用発明も、マスクパターン間にサブレゾルーションパターンを追加する意義は、最適な光近接効果補正を行うためのものである。
　してみれば、上記、検討した本願発明の「補正フィーチャは、関連する基準幅、λ／３より小さいｗ」の技術的意義が格別のものでないこと、及び実験的観察に基づいて決定されたことも考慮すると、引用発明も、最適な光近接効果補正を行うため実験やシミュレーションによって求められるものであり、引用発明の、マスクパターン間の距離に応じて、サブレゾルーションパターンの幅を適宜決定し、上記相違点１の構成を得ることは、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
相違点２について
　まず、本願発明の「基準間隔よりも小さいが所定の最小距離（この「所定の最小距離」と、請求項１の第１段落の「０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」との関係が不明確ではあるが。）よりも大きい距離」の技術的意義について見てみる。
　当初明細書の第１２頁１〜３行には、「散乱バーは、２つのフィーチャーの各エッジから、絶対最小クラウディング距離よりも大きいが基準距離よりも小さい距離だけ離れている。」と記載されている。
　また、同第１２頁１５〜１８行には、「本発明の一実施態様において、絶対最小「クラウディング」距離は、露光波長の７５％以上かつ臨界寸法未満である。水銀Ｉライン露光源が、０．３６５ミクロンに等しい波長を有するリソグラフィープロセスにおいて用いられる実施態様においては、この絶対最小距離は０．２７５ミクロンの範囲内である。」と記載されている。
　図９，図１０には、「間隔＞７λ／１０」と記載されているものの、上記各記載事項からは、「０．７λより大きい」の限定が、技術的意義を持った発明思想として、当初明細書に記載されていたとは認められず、格別の臨界的意義も認められず、ましてや、「基準間隔」、「所定の最小距離」なども明確に定義されておらず、格別の技術的意義は認められない。
　
　ここで、引用発明を見てみると、引用発明も、マスクパターン間にサブレゾルーションパターンを追加する意義は、最適な光近接効果補正を行うため、実験やシミュレーションによって求められるものである。
　してみれば、上記、検討した本願発明の「基準間隔よりも小さいが所定の最小距離（この「所定の最小距離」と、請求項１の第１段落の「０．７λより大きい所定の主要なフィーチャエッジからの関連する基準間隔」との関係が不明確ではあるが。）よりも大きい距離」に格別、臨界的あるいは技術的意義がないことも考慮すると、引用発明の、マスクパターン間の距離に応じて、サブレゾルーションパターンとマスクパターンとの間隔を適宜決定し、上記相違点２の構成を得ることは、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
相違点３について
　相違点３に係る構成の内、「２つの解像不可能な補正フィーチャを付加する」点は、引用例２の上記記載事項オ．に記載されている。引用例２のものも、マスク回路パターンの補正に関するものであり、引用発明と組み合わせることは、当業者にとって困難性はない。
　そして、その際、２つの結像光学系の分解能より十分小さい回路パターン（本願発明の「補正フィーチャ」に相当。）間の間隔をどのようにするかは、ライン幅が一定のパターン（本願発明の「主要なフィーチャ」に相当。）の間隔等により、当業者が適宜決定し得る設計事項である。
　また、「前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの１つに隣接する前記補正フィーチャの各エッジが、前記２つの隣接する主要なフィーチャエッジの前記１つから、前記基準間隔よりも小さいが所定の最小距離よりも大きい距離だけ間隔があけられる」点は、上記相違点２で検討したのと同様な理由で、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
　してみれば、引用発明に、引用例２に記載された発明を適用し、上記相違点３の構成を得ることは、当業者にとって容易である。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、上記引用発明、引用例２に記載された発明から当業者が予測し得る程度のものである。 
　
　したがって、本願発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−３　むすび
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、また、本願発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
　
　なお、当審からの平成１９年８月６日付審尋に対する、平成１９年１０月９日付回答書についても、以下のように付言する。
１．回答（２）３Ｉ，４Ｅについてで、「従来技術では、孤立したフィーチャに隣接して散乱バーを配置しているのに対し、本出願では、孤立していない二つのフィーチャの間に散乱バーを配置する方法を提供している。」と、また、回答（８）２Ｅについてで、「従来技術では、密にパッキングされたフィーチャ間の距離よりも長く、且つ孤立したフィーチャ間の距離よりも短い距離（本明細書では、中間距離と称している。）にある二つのフィーチャの間に散乱バーを配置する方法を考慮していない。」と、また、回答（１０）３Ｄについてで、「従来技術は、散乱バーを用いることで、孤立したフィーチャの幅を制御することができるが、孤立していない距離にあるフィーチャの幅を制御する方法を提供するものではない」と、回答しているが、「密にパッキングされた」、「孤立した」の定義も不明確であるが、例えば、引用例１の【図４】（Ｃ）のライン間にサブレゾルーションパターンを配置したケースは、孤立していない、相互に影響し合う距離にある、二つのフィーチャの間に散乱バーを配置したものと認められ、回答は失当である。
　
２．回答（１４）１２Ｅ，１２Ｆについてで、「フィーチャから最適距離よりも短い距離だけ離れた位置にある、減少された幅を有する散乱バーは、フィーチャから最適距離だけ離れた位置にある、最適幅を有する散乱バーほど効果的でないことを意味している。」と回答しているが、「最適距離」、「最適幅」の定義も不明確で、意味するところがまったく不明である。
　
３．回答（３４）１０Ｄについてで、「「中間分離距離（０．３ミクロン〜１．０ミクロン）内のフィーチャは、近接補正なしでは、間隔のせまいフィーチャおよび隔離されたフィーチャの両方よりもかなり小さい」は、図６の曲線Ａ（０．３ミクロン〜１．０ミクロン）を表現している。この文章の「小さい」の主語は、「フィーチャの臨界寸法」であると考えられる。」と、回答しているが、「間隔のせまい」、「隔離された」の定義も不明であるが、「中間分離距離（０．３ミクロン〜１．０ミクロン）」との比較とすると、図６には、フィーチャ分離の下限は、０．３ミクロンで、それ以下の分離に対しては不明であり、失当である。