【事件の表示】
　特願２０００−５１０１６０「ＣＶＤ法によってチタンシリサイド及びチタンを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年２月２５日国際公開、ＷＯ９９／０９５８６、平成１５年８月２６日国内公表、特表２００３−５２５５２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 　
　
　本願は、平成１０年８月２１日（パリ条約による優先権主張：１９９７年（平成９年）８月２１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１２年２月１７日付けで国内書面（書誌、明細書（「発明の名称」、「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明」）、図面及び要約）並びに特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書が提出され、平成１５年７月３０日付けで拒絶の理由の通知がなされ、これに対して、平成１６年２月５日付けで手続補正がなされたが、同年４月１６日付けで拒絶査定がなされたところ、これに対して、同年７月２７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年８月２６日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１７年８月９日付けで審尋がなされ、これに応じて、平成１８年２月１６日付けで回答書が提出されているものである。　
 　 
第２　平成１６年８月２６日付けの手続補正についての補正の却下の決定　 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成１６年８月２６日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１　本件補正の内容 
　
（１）平成１６年８月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１１ないし請求項２０を削除するとともに、補正前の特許請求の範囲の請求項１を補正後の特許請求の範囲の請求項１のとおりに補正し、上記請求項１を直接引用する新たな請求項１１及び請求項１２を追加するものである。　
　
（２）本件補正の前・後双方における特許請求の範囲の各請求項の引用・被引用関係をみると、　
　本件補正前の特許請求の範囲においては、　
　請求項１及び請求項１１の２つの請求項のみが独立請求項であって、請求項２ないし請求項５は請求項１を、請求項６は請求項５を、請求項７ないし請求項１０は請求項２を、それぞれ引用するものである一方、請求項１２は、上記独立請求項である請求項１１を、請求項１３ないし請求項２０は、請求項１２を、それぞれ引用するものであって、請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項は請求項２ないし請求項１０以外には存在しないのに対し、
　本件補正後の特許請求の範囲においては、　
　請求項１のみが独立請求項であって、請求項２ないし請求項５は請求項１を、請求項６は請求項５を、請求項７ないし請求項１０は請求項２を、新たに追加した請求項１１及び請求項１２は、前記したとおり、請求項１を、それぞれ引用するものである。　
　そして、本件補正前の独立請求項である請求項１１には「テトラジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）」という文言が含まれているのに対し、本件補正後の請求項１１及び請求項１２のいずれにも「テトラジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）」という文言は含まれていない。　
　したがって、本件補正は、本件補正前に対応する請求項が存在しなかった新たな請求項である特許請求の範囲の「請求項１１」及び「請求項１２」を追加するものである。　
　
（３）本件補正により唯一の独立請求項となった特許請求の範囲の請求項１には、以下のとおり記載されている。 
 「【請求項１】 
　コンタクトホール内に接点を形成する方法であって、　
　
絶縁体内に電気的接点が形成されることになる下方に横たわる重くドープされたシリコン基部層の一部を露出すべくコンタクトホールをエッチング形成する段階と、
　前記コンタクトホールをクリーニングする段階であり、高密度Ａｒ／ＮＦ3プラズマで原位置でのコンタクト・クリーニングを実行することを含む段階と、　
　
前駆体化合物を形成すべく
　
前記コンタクトホールの前記底部における前記シリコン基部層が空乏化されないことを確保すべく充分な量の前記シリコン前駆体を前記前駆体に追加しながら、前記コンタクトホールの底部における露出された基部層上に前記先駆体化合物で化学気相成長法（ＣＶＤ法）によってチタンシリサイドを形成する段階と、
　前記チタンシリサイド上に
窒化チタンから成る
　
前記窒化チタンをアニーリングする段階と、
　前記バリアー層上にプラグ材を形成する段階と、　
の諸段階を含む方法。」　
　（上記下線は、本件補正により、補正された部分である。　
　なお、「前記前駆体」、「前記先駆体化合物」とあるは、両者とも、「前記前駆体化合物」の誤記と認められる。）　
　
２　補正の目的の適否 　
　
（１）前記「１（１）及び（２）」に記載したとおり、本件補正は、新たな請求項１１及び請求項１２を追加する補正、すなわち、請求項の増加を目的とする補正を含む補正であって、特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に規定された請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれの事項をも目的とするものでなく、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。　
　
（２）前記「１（３）」に記載したとおり、本件補正は、補正前の請求項１に「前記窒化チタンをアニーリングする段階」との新たな事項（「段階」）を追加する補正を含む補正であって、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないので、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものとは認められず、さらに、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号、及び第４号に規定された請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項をも目的とするものでなく、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。　
　
３　むすび　
　
　以上、上記「２」のとおりであるから、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　 
第３　本願発明の特許性について　
　
１　本願発明　
　
　前記「第２」のとおり、平成１６年８月２６日付け手続補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項に係る各発明は、平成１６年２月５日付けで手続補正がなされた各請求項に記載された事項により特定されるとおりのものである。　
　そして、その請求項１には、以下のとおり記載されている。　
　
　「【請求項１】　コンタクトホール内に接点を形成する方法であって、　
　前記コンタクトホールをクリーニングする段階であり、高密度Ａｒ／ＮＦ３プラズマで原位置でのコンタクト・クリーニングを実行することを含む段階と、　
　チタン前駆体及びシリコン前駆体を水素（Ｈ２）及び不活性ガスが存在する状態で混合する段階と、　
　露出された基部層上にＣＶＤ法でチタンシリサイドを形成する段階と、　
　前記チタンシリサイド上にバリアー層を形成する段階と、　
　前記バリアー層上にプラグ材を形成する段階と、　
の諸段階を含む方法。」　
　（以下、上記請求項１に係る発明を「本願発明」という。）　
　
２　刊行物に記載された発明　
　
（１）刊行物１の記載事項　
　原査定において拒絶の理由に「引用文献１」として引用された、本願のパリ条約による優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平６−１６３４３５号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のとおり、図１ないし図３とともに、記載されている。　
　
ア　「【０００４】　このようなプロセスは図１に説明する。内部に活性領域１４が形成された基板本体１２から成る半導体ウェファ１０を示す。絶縁材、主としてＢＰＳＧ形状のＳｉＯ2の被覆層１６が基板１２上に形成され、これが適当にエッチングされて、活性領域１４への接触孔１８を形成する。絶縁層１６上にチタンの薄層２０が設置され、活性領域１４に接触する。高温アニール工程を例えばアルゴンのような不活性環境内で実施して、活性部位１４と接触するチタン金属を反応させてＴｉＳｉxを形成し、それによって上記ＴｉＳｉx部位２２を形成する。部位１４と接触しない、層２０の残りの部分はその下方の絶縁性ＳｉＯ2層１６と実質的に不反応性であるので、元素状チタン金属として残留する。」　
　
イ　「【０００５】　例えばタングステンのような接触充填材を典型的にケイ化物領域２２上に設置する。タングステンはＴｉＳｉxに対する接着性が悪い。この問題を克服するために、典型的にＴｉＮの介在層をケイ化物領域２２と被覆タングステン層との間に挿入する。ＴｉＮは一般に金属タングステン層に対する“接着層”と呼ばれる。このような層はウェファ１０をチタン層２０と共に、主として窒素である雰囲気中でアニーリングすることによって形成することができる。このような条件下で、活性部位１４を被覆する層２０の下部はケイ素と反応してＴｉＳｉxを形成し、接触領域１４上のチタン層２０と絶縁材１６上の層２０の残留部分との上部は雰囲気の窒素と反応してＴｉＮを形成する。」　
　
ウ　「【０００７】　デバイスのサイズは縮小し続け、接触孔はより深く、より狭くなるので、接触壁は垂直になり、大部分の金属付着方法は活性領域１４との充分な接触を生ずるために必要な被覆工程を提供することができない。このような工程は図２に説明する。図２には、基板１２ａの活性領域１４ａは図１における活性領域１４よりも有意に小さく示される。これに対応して、活性領域１４への有意に狭い接触孔１８ａが形成され、これによって回路密度は最大化される。図から明らかであるように、接触孔１８ａの幅に対する深さの比は図１の接触孔１８の深さ対幅の比よりも大きい。このような狭い、高アスペクト比の接触孔１８ａは、図示するように、領域１４ａと有意に接触することができない層２０ａを生ずることになる。従って、所望のＴｉＳｉxと電気接点は形成されない。」　
　
エ　「【０００８】　元素状チタンと基板との反応の結果に対立するものとして、ＴｉＳｉxを直接付着させることができる。一つの方法は次式による、四塩化チタンとシランとを用いる低圧化学蒸着方法である：　
ＴｉＣｌ4＋２ＳｉＨ4→ＴｉＳｉ2＋４ＨＣｌ＋２Ｈ2＋副生成物」　
　
オ　「【００１４】　本発明によると、化学蒸着反応器内で半導体ウェファ上にケイ化チタンの相似層を形成する化学蒸着（ＣＶＤ）方法を開示する。この方法は、（ａ）反応器内にウェファを入れる工程；（ｂ）特定量のガス状ハロゲン化チタン、或いは又はこれに加えて、ガス状チタン有機金属先駆体と、式：ＳｉnＨ2n+2［式中、“ｎ”は２以上の整数である］で示されるガス状化合物と、キャリヤーガスとを反応器内に注入する工程；及び（ｃ）ＴｉＣｌ4とＳｉnＨ2n+2とを反応させて、ウェファ上にケイ化チタン含有フィルムを付着させるために効果的である特定圧力と特定温度とに反応器を維持する工程を含み、処理中に高強度の光線の使用を避ける。キャリヤーガス及び／又は希釈ガスも当然、このプロセスに使用可能である。」　
　
カ　「【００２０】　ハロゲン化チタン及び／又はチタン有機金属先駆体対ＳｉnＨ2n+2の広範囲な容量比、例えば１：１００〜１００：１が有用であると考えられる。好ましい容量比は約１：１０〜約１０：１であると考えられる。例えばＳｉ2Ｈ6とＳｉ3Ｈ8との組合せのような、式：ＳｉnＨ2n+2で示されるガス状化合物の混合物も使用可能である。ウェファ全体に付着されるフィルムの良好な均一性を得るために、キャリヤーガス流を供給して、ウェファ表面上のガス分布を制御する。好ましいキャリヤーガスは例えばヘリウム又はアルゴンのような希ガスである。」　
　
キ　「【００２４】　図３は本発明によって処理したウェファ５０を説明する。ウェファ５０は内部に活性領域５４が形成された基板本体５２を含む。主としてＢＰＳＧである絶縁層５６を設けて、エッチングして、一定孔５８を形成する。上記方法によってケイ化チタン層６０が相似的に形成され、領域５４と良好に接触する。」　
　
ク　「 【符号の説明】　
１０．　半導体ウェファ　　　　　　　　　１２．　基板本体　
１４．　活性領域　　　　　　　　　　　　１６．　絶縁層　
１８．　接触孔　　　　　　　　　　　　　２０．　チタン層　
２２．　ケイ化物領域　　　　　　　　　　５０．　ウェファ　
５２．　基板本体　　　　　　　　　　　　５４．　活性領域　
５６．　絶縁層　　　　　　　　　　　　　５８．　接触孔　
６０．　ケイ化チタン層　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」　
　
（２）刊行物１に記載された発明　
　以下に、上記「（１）刊行物１の記載事項」を整理し、刊行物１に記載された発明を抽出する。　
　
ア　段落「０００４」の、「このようなプロセスは図１に説明する。内部に活性領域１４が形成された基板本体１２から成る半導体ウェファ１０を示す。絶縁材、主としてＢＰＳＧ形状のＳｉＯ2の被覆層１６が基板１２上に形成され、これが適当にエッチングされて、活性領域１４への接触孔１８を形成する。」との記載及び段落「００２４」の、「図３は本発明によって処理したウェファ５０を説明する。ウェファ５０は内部に活性領域５４が形成された基板本体５２を含む。主としてＢＰＳＧである絶縁層５６を設けて、エッチングして、一定孔５８を形成する。上記方法によってケイ化チタン層６０が相似的に形成され、領域５４と良好に接触する。」との記載を参照すると、刊行物１には、図３において、　
　「半導体基板本体５２上に形成された絶縁層５６の接触孔５８内及び前記絶縁層５６上にケイ化チタン層６０を形成する工程」が記載されていると言える。　
　
イ　段落「００１４」には、「本発明によると、化学蒸着反応器内で半導体ウェファ上にケイ化チタンの相似層を形成する化学蒸着（ＣＶＤ）方法を開示する。この方法は、・・・（ｂ）特定量のガス状ハロゲン化チタン、或いは又はこれに加えて、ガス状チタン有機金属先駆体と、式：ＳｉnＨ2n+2［式中、“ｎ”は２以上の整数である］で示されるガス状化合物と、キャリヤーガスとを反応器内に注入する工程；及び（ｃ）ＴｉＣｌ4とＳｉnＨ2n+2とを反応させて、ウェファ上にケイ化チタン含有フィルムを付着させる」「工程」及び前記工程において「希釈ガス」を用いることが記載され、　
　また、段落「００２０」には、「キャリヤーガス流を供給して・・・好ましいキャリヤーガスは例えばヘリウム又はアルゴンのような希ガスである。」と記載されており、刊行物１には、　
　「半導体ウェファ上に、ＴｉＣｌ4とＳｉnＨ2n+2 ［式中、“ｎ”は２以上の整数である］を、希釈ガス及び希ガスをキャリヤーガスとして用いて、ＣＶＤ法により、反応させて、ケイ化チタン層を形成する工程」が記載されていると言える。　
　
ウ 　段落「０００５」の、「例えばタングステンのような接触充填材を典型的にケイ化物領域２２上に設置する。タングステンはＴｉＳｉxに対する接着性が悪い。この問題を克服するために、典型的にＴｉＮの介在層をケイ化物領域２２と被覆タングステン層との間に挿入する。ＴｉＮは一般に金属タングステン層に対する“接着層”と呼ばれる。」との記載から、図３及びその説明に記載される方法においても、　
　「ケイ化物領域上にＴｉＮを、ＴｉＮ上にタングステンのような接触充填材を設置すること」が実質的に記載されていると言える。　
　
エ　段落「０００７」の記載及び図２から、刊行物１に記載された発明が、図２での「活性領域１４ａ」と「層２０ａ」との「電気接点」を形成することを意図していることを参照すると、図３及びその説明箇所である段落「００２４」の記載においても、「活性領域５４」と「ケイ化チタン層」との「電気接点」を形成することを意図していることは明らかである。　
　
オ　上記「ア」ないし「エ」を総合すると、刊行物１には、　
　「接触孔５８内に電気接点を形成する方法であって、　
　前記接触孔５８内で、半導体ウェファ上に、ＴｉＣｌ4とＳｉnＨ2n+2 ［式中、“ｎ”は２以上の整数である］を、希釈ガス及び希ガスをキャリヤーガスとして用いて、ＣＶＤ法により、反応させて、ケイ化チタン層を形成する工程と、　
　前記ケイ化チタン層上にＴｉＮを、前記ＴｉＮ上にタングステンのような接触充填材を形成する工程と、　
　を含む方法。」　
　（以下「刊行物１発明」という。）が記載されている。　
　
（３）刊行物２の記載事項　
　原査定において拒絶の理由に「引用文献６」として引用された、本願のパリ条約による優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平９−７９６９号公報（以下「刊行物２」という。）には、次のとおり記載されている。　
　
ア　「【０００１】　【発明の属する技術分野】本発明は、基板上の絶縁膜に基板下地の一部を露出させるために設けた微細孔を、金属の選択ＣＶＤにより穴埋めする方法に係り、特に十分な選択性の確保と、良好な導通特性を両立して微細孔を金属で穴埋めするのに好適な金属穴埋め方法に関する。」　
　
イ　「【００１４】　【課題を解決するための手段】上記目的は、Ｗの選択ＣＶＤによるスルーホールやコンタクトホールの穴埋め法において、・・・２−（１）  基板上の絶縁膜表面の活性化を伴わない微細孔底部下地表面の清浄化処理（表面酸化物層等の除去処理）・・・の処理を・・・行うことにより達成される。」　
　
ウ　「【００１７】さらに、上記・・・２−（１）に関しては、・・・ＮＦ3・・・等のハロゲン系のケミカルエッチング用ガスの単独或いはＡｒ等の不活性ガスとの混合ガスのプラズマ処理により、絶縁膜表面の活性化を伴うことなく微細孔底部の下地表面酸化膜の除去を行うことができる。」　
　
エ　「【００２９】Ａｒガス単独のプラズマであるＡｒスパッタエッチングと、これに少量のＮＦ3ガス・・・を添加した混合プラズマと比較すると、同一圧力下でも添加した場合の方がＡｒガス単独よりもエッチングレートが大きくなる。これは、物理的な効果に加えて化学的な効果が作用しているためと考えられる。特に、ＮＦ3を添加したＡｒ／ＮＦ3混合プラズマ・・・では、Ａｒスパッタエッチングの約６倍とエッチングレートが大きくなり、化学的な効果（ケミカルエッチング）が支配的に作用していることがわかる。」　
　
オ　「【００３１】・・・本発明で用いる微細孔下地とは、・・・ノンドープ及びドーピングされたＳｉ層、・・・ＴｉＳｉ2・・・層で、・・・下地全てを指している。」　
　
３　対比　
　
（１）以下に、刊行物１発明と本願発明とを対比する。　
　
ア　刊行物１発明の「電気接点」は、本願発明の「接点」に相当する。　 
　
イ　刊行物１発明の「ケイ化チタン」は、本願発明の「チタンシリサイド」の別称呼であって、両者は同じものである。　 
　 
ウ　刊行物１発明の「接触孔５８」は、「接触孔５８内に電気接点」を「形成する」ものであること及びこの「接触孔５８内で、半導体ウェファ上に」「ケイ化チタン層を形成する」ものであるから、本願発明の「コンタクトホール」に相当する。　 
　 
エ　「ＴｉＮ」は、「バリアメタル」の代表的なものであるから、刊行物１発明の「ケイ化チタン層上」の「ＴｉＮ」は、本願発明の「バリアー層」に相当し、また、刊行物１発明の「ケイ化チタン層上」の「タングステンのような接触充填材」は、本願発明の「プラグ材」に相当する。 
　
オ　上記「イ」を前提にすると、刊行物１発明の「ケイ化チタン層を形成する工程」は、本願発明の「チタンシリサイドを形成する段階」に相当し、また、さらに、上記「エ」をも前提にすると、刊行物１発明の「前記ケイ化チタン層上にＴｉＮを、ＴｉＮ上にタングステンのような接触充填材を形成する工程」は、本願発明の「前記チタンシリサイド上にバリアー層を形成する段階」及び「前記バリアー層上にプラグ材を形成する段階」とに相当する。　 
　
（２）上記（１）の「ア」から「オ」の結果を参酌しつつ、本願発明と刊行物１発明とを対比すると、 
　両者は、　 
　「コンタクトホール内に接点を形成する方法であって、　 
　ＣＶＤ法でチタンシリサイドを形成する段階と、　 
　前記チタンシリサイド上にバリアー層を形成する段階と、　 
　前記バリアー層上にプラグ材を形成する段階と、　 
の諸段階を含む方法。」　 
　である点で一致し、 
　以下の３点において相違している。 
　 
ア　本願発明は、「前記コンタクトホールをクリーニングする段階であり、高密度Ａｒ／ＮＦ３プラズマで原位置でのコンタクト・クリーニングを実行することを含む段階」を含んでいるのに対し、　 
　刊行物１発明は、この段階を含んでいない点。　 
　 
イ　本願発明は、「チタン前駆体及びシリコン前駆体を水素（Ｈ２）及び不活性ガスが存在する状態で混合する段階」を含んでいるのに対し、　 
　刊行物１発明は、「ＴｉＣｌ4とＳｉnＨ2n+2 ［式中、“ｎ”は２以上の整数である］を、希釈ガス及び希ガスをキャリヤーガスとして用いて、ＣＶＤ法により、反応させ」る「工程」を含んでいる点。　 
　 
ウ　本願発明は、「露出された基部層上にＣＶＤ法でチタンシリサイドを形成する段階」を含んでいるのに対し、　 
　刊行物１発明は、「前記接触孔５８内で、半導体ウェファ上に」「ケイ化チタン層を形成する工程」を含んでいる点。　 
　
４　当審の判断　
　
（１）前記「３（２）」における相違点「ア」について　
　
（１−１）前記刊行物２における、　
　前記「２　（３）」での記載、特に、「基板下地の一部を露出させるために設けた微細孔を、・・・穴埋めする方法に係り、特に・・・良好な導通特性を両立して微細孔を金属で穴埋めする・・・金属穴埋め方法」（ア）、「コンタクトホールの穴埋め法において、・・・微細孔底部下地表面の清浄化処理（表面酸化物層等の除去処理）・・・の処理を・・・行う」（イ）、「ＮＦ3・・・等のハロゲン系のケミカルエッチング用ガスの・・・Ａｒ等の不活性ガスとの混合ガスのプラズマ処理により、・・・微細孔底部の下地表面酸化膜の除去を行うことができる」（ウ）、「ＮＦ3を添加したＡｒ／ＮＦ3混合プラズマ・・・では、・・・エッチングレートが大きく」（エ）「本発明で用いる微細孔下地とは、・・・ノンドープ及びドーピングされたＳｉ層、・・・ＴｉＳｉ2・・・層で、・・・下地全てを指している。」（オ）との記載からすれば、　
　「下地表面の清浄化処理（表面酸化物層等の除去処理）」、「下地表面酸化膜の除去」とも、「クリーニング」に相当するから、刊行物２には、　
　「基板下地の一部を露出させるために設けた微細孔を、金属で穴埋めする金属穴埋め方法において、ＮＦ3を添加したＡｒ／ＮＦ3混合プラズマを用いて、微細孔底部下地表面の清浄化処理（表面酸化物層等の除去処理）を行う工程」が記載されている。　
　　
（１−２）上記（１−１）の認定事項をも前提にして判断すると、刊行物１発明においてコンタクトホールをクリーニングすることが必要な場合、そのクリーニングが必要とされる程度に応じてＡｒ／ＮＦ3プラズマの密度を適宜調整しつつ、上記刊行物２記載の清浄化処理を行う工程を刊行物１発明に付加することにより、本願発明のように、「前記コンタクトホールをクリーニングする段階であり、高密度Ａｒ／ＮＦ３プラズマで原位置でのコンタクト・クリーニングを実行することを含む段階」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。　
　
（２）前記「３（２）」における相違点「イ」について　
　
（２−１）混合する段階について　
　
ア　刊行物１発明は、前記のとおり、「ＴｉＣｌ4とＳｉnＨ2n+2 ［式中、“ｎ”は２以上の整数である］を、希釈ガス及び希ガスをキャリヤーガスとして用いて、ＣＶＤ法により、反応させ」る「工程」を含んでいる。　
　
イ　前記ＴｉＣｌ4及び前記ＳｉnＨ2n+2 は、ＣＶＤ法、すなわち化学気相成長法による生成物質であるケイ化チタンの構成元素を含む化合物であるから、双方とも、ＣＶＤ法における化学反応を生じさせる反応室内に導入された時にはガス状態にあることは明らかである。　
　
ウ　また、前記希釈ガス及び前記希ガスは、ＣＶＤ法における、前記ＴｉＣｌ4及び前記ＳｉnＨ2n+2 の「キャリヤー（キャリア）」ガス、すなわちこれらを運搬・供給するためのガスであるから、上記ＴｉＣｌ4及び上記ＳｉnＨ2n+2 と一緒に、ＣＶＤ法における化学反応を生じさせる室内に導入されるものである。　
　
エ　上記「イ」及び「ウ」からすると、ＣＶＤ法における化学反応を生じさせる反応室内で、ケイ化チタンの層を形成する化学反応が生じるよりも前に、この化学反応が生じ得る前提として、前記ＴｉＣｌ4のガス及び前記ＳｉnＨ2n+2のガス並びに前記希釈ガス及び希ガスが、混合された状態にあるということになる。　
　
オ　「ＴｉＣｌ4」は「チタン前駆体」に、「ＳｉnＨ2n+2 ［式中、“ｎ”は２以上の整数である］」は「シリコン前駆体」に、「希ガス」は「不活性ガス」に、それぞれ含まれる。　
　
カ　以上「ア」ないし「オ」からすると、刊行物１発明は、「チタン前駆体及びシリコン前駆体を不活性ガスが存在する状態で混合する段階」を実質的に備えているものである。　
　
（２−２）コンタクトホールに接点を形成する方法において、チタン前駆体のほかに水素（Ｈ２）を含んだ状態で混合する段階を含む技術は、例えば、以下の「ア」から「ウ」の文献に記載されているように、本願の優先権主張日には、周知である。　
　
ア　特開平５−２４３１７９号公報（拒絶査定時に示されている刊行物。特に、段落番号「００２５」には、「ＴｉＳｉX層１６を、ＥＣＲ  ＣＶＤ法にて以下の条件で形成した。ＴｉＳｉX層１６の厚さは、開口部１４の底部において１０ｎｍとした。　ＴｉＣｌ4／ＳｉＨ4／Ｈ2／Ａｒ＝１０／３０／５０／５sccm　　マイクロ波パワー　   ３ｋＷ　　温度　６００°Ｃ　　圧力　０．１Ｐａ　尚、Ｈ2及びＡｒは電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ化される。」と記載されている。）。　
　
イ　特開平７−２２６３７８号公報（原査定において拒絶の理由に「引用文献４」として引用された刊行物。特に、【要約】の【構成】には、「 ヘリコン波プラズマ装置のベルジャ１を窒化シリコンを用いて構成し、この装置内でＴｉＣｌ4 ／Ｈ2 混合ガス、およびＴｉＣｌ4 ／Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスを用いてＴｉ／ＴｉＮ積層膜を連続成膜する。」と記載されている。）。　
　
ウ　特開平８−２５５７７０号公報（原査定において拒絶の理由に「引用文献３」として引用された刊行物。特に、段落番号「０００３」には、「ＥＣＲ  ＣＶＤ法とは、・・・方法であり、この場合ＴｉＣｌ4 Ｈ2 プラズマで分解することによりＴｉの堆積を行うものである。」と、段落番号「００２７」には、「コンタクトホール１１を開口形成したこの基板を・・・ＥＣＲ  ＣＶＤ装置に導入し、基板温度を６００℃にしてＨ2 を１０ｓｃｃｍ，Ａｒを３０ｓｃｃｍ流して得られた混合ガスからなるプラズマによりコンタクト底部のクリーニングを行った後、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）をＨ2 プラズマで分解することにより、チタン膜６を膜厚２ｎｍ堆積させる。」と、記載されている。）。　
　
（２−３）上記（２−１）の検討結果及び上記（２−２）の周知技術をも前提にして判断すると、刊行物１発明が実質的に備えている、本願発明の「チタン前駆体及びシリコン前駆体を不活性ガスが存在する状態で混合する段階」に、「チタン前駆体のほかに水素（Ｈ２）を含んだ状態で混合する」上記周知技術を適用して、本願発明のように、「チタン前駆体及びシリコン前駆体を水素（Ｈ２）及び不活性ガスが存在する状態で混合する段階」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。　
　
（３）前記「３（２）」における相違点「ウ」について　
　
ア　刊行物１の段落「００２４」には、「図３は本発明によって処理したウェファ５０を説明する。ウェファ５０は内部に活性領域５４が形成された基板本体５２を含む。主としてＢＰＳＧである絶縁層５６を設けて、エッチングして、一定孔５８を形成する。上記方法によってケイ化チタン層６０が相似的に形成され、領域５４と良好に接触する。」と記載されていることから、「ウェファ５０」は「基板本体５２」を含み、そして、「基板本体５２」の内部には「活性領域５４」が形成されている。　
　さらに、刊行物１の前記「【符号の説明】」を参酌しつつ、刊行物１の図３をみると、上記「活性領域５４」は上記「基板本体５２」表面に露出する部分を有しており、この露出する部分が上記「ケイ化チタン層６０」を介して「接触孔５８」に通じている。　
　
イ　上記「ア」の、「活性領域５４」が「基板本体５２」表面に露出する部分を有しており、この露出する部分が「ケイ化チタン層６０」（本願発明の「チタンシリサイド」に相当）を介して「接触孔５８」（本願発明の「コンタクトホール」に相当）に通じていることからすれば、刊行物１における「活性領域５４」の「ケイ化チタン層６０」に接する部分（「露出する部分」）は、本願発明の「露出された基部層」に相当する。　
　
ウ　また、刊行物１発明の「ケイ化チタン層を形成する工程」は、前記「２　（２）オ」のとおり、ＣＶＤ法によるものであるから、刊行物１発明における「ケイ化チタン層を形成する工程」は、本願発明における「ＣＶＤ法でチタンシリサイドを形成する段階」に相当する。　
　
エ　以上「ア」ないし「ウ」からすると、前記「３（２）」における相違点「ウ」は、実質的な相違点ではない。　
　
（４）むすび　
　以上（１）から（３）のとおりであるから、本願発明は、パリ条約による優先権主張日前に日本国内で頒布された、刊行物１及び刊行物２に各記載された各発明並びに同日前周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができない。　
　
第４　むすび 
 　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項２０に係る各発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　
　
　よって、結論のとおり審決する。