【事件の表示】
　特願２００２−２７０５０３「電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日出願公開、特開２００４−１０９３７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１４年９月１７日の出願であって、平成１７年１１月１６日に手続補正がなされ、同年１２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月１０日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正の却下の決定
　
［結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正の内容
　本件補正は、平成１７年１１月１６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲に記載されていた、
　
「【請求項１】　複数の画素部と、前記複数の画素部を駆動する周辺駆動回路と、前記周辺駆動回路の一部を構成すると共に前記複数の画素部に画像信号を供給するサンプリングスイッチとを有するアクティブマトリクス基板と、
　前記アクティブマトリクス基板に枠状のシール材を介して対向配置され、前記複数の画素部からなる表示領域の外周に沿うように金属材料によって形成された遮光膜と、前記遮光膜を覆うように形成された共通電極とを有する対向基板と、
　前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、
　前記サンプリングスイッチは、前記シール材が形成された領域と前記遮光膜が形成された領域との間に設けられており、かつ前記共通電極と重ならないように設けられていることを特徴とする、電気光学装置。」を、
　
「【請求項１】　複数の画素部と、前記複数の画素部を駆動する周辺駆動回路と、前記周辺駆動回路の一部を構成すると共に前記複数の画素部に画像信号を供給するサンプリングスイッチとを有するアクティブマトリクス基板と、
　前記アクティブマトリクス基板に枠状のシール材を介して対向配置され、前記複数の画素部からなる表示領域の外周に沿
って、矩形枠状に
　前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、
　
前記遮光膜は、前記サンプリングスイッチと重なる領域には形成されておらず
　前記サンプリングスイッチは、前記シール材が形成された領域と前記遮光膜が形成された領域との間に設けら
れ、かつ前記共通電極は、前記サンプリングスイッチと重なる部分が除去されており
　
前記サンプリングスイッチは、前記対向基板の基板面と対向してなる
　
　上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１の発明特定事項である「遮光膜」に関し、「矩形枠状に」形成されるとともに「前記サンプリングスイッチと重なる領域には形成されて」いないことを限定し、同じく補正前の請求項１の発明特定事項である「前記サンプリングスイッチは、前記共通電極と重ならないように設けられている」及び「共通電極とを有する対向基板」に関し、「前記サンプリングスイッチは、前記対向基板の基板面と対向してなる」とともに「前記共通電極は、前記サンプリングスイッチと重なる部分が除去されて」いることを限定するものであるから、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成１４年７月５日に頒布された刊行物である特開２００２−１８９２２８号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
ア．「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上における画像表示領域に、複数の画素電極を備えており、
前記第１基板上における前記画像表示領域及び前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記画素電極に信号を供給するための配線を備えており、
前記第２基板上における前記複数の画素電極に対向すると共に前記配線のうち少なくとも前記周辺領域にある配線部分に対向する領域の少なくとも一部には対向電極は形成されないことを特徴とする電気光学装置。
・・・・
【請求項４】
　前記対向電極は、前記周辺領域に全く形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
・・・・
【請求項８】
　前記周辺領域に周辺回路を更に備えており、
前記配線は、前記周辺領域に形成された画像信号を供給するための画像信号線及び該画像信号線と前記周辺回路とを接続する引き出し配線を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
　前記周辺回路は、前記引き出し配線に供給される画像信号をサンプリングするサンプリング回路を含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
・・・・
【請求項１１】
　前記第１及び第２基板は、前記画像表示領域の外側に設けられたシール領域においてシール材により貼り合わされており、
前記対向電極は、前記シール領域内で、前記配線に対向する領域には少なくとも部分的に形成されていないことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
　前記対向電極は、前記シール領域に全く形成されていないことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
・・・・
【請求項１４】
　前記第２基板に、前記画像表示領域の周囲に額縁を規定すると共にアルミニウムを含有した膜からなる導電性の遮光膜を更に備えており、前記額縁を規定する遮光膜上には、前記対向電極が形成されていることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。」
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、該一対の基板における電気光学物質に面する側に設けられた一対の電極を備えた液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】一般にこの種の電気光学装置では、画素電極、これをスイッチング制御する薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）及びこれに接続され画像信号を供給するデータ線や、走査信号を供給する走査線等の配線などが設けられたＴＦＴアレイ基板を備える。更に、このＴＦＴアレイ基板の配線等が配置された側に対向配置されており、カラーフィルタ、遮光膜等の他に、全面に対向電極が設けられた対向基板を備える。これらのＴＦＴアレイ基板及び対向基板間に液晶等の電気光学物質が挟持される。そして、画素電極に対応する画素毎に、画素電極及び対向電極間に駆動電圧を発生させて各電気光学物質部分を駆動する（例えば、液晶の配向状態を変化させる）ことにより、表示動作を行なうように構成されている。
【０００３】
　また、この種の電気光学装置には、画像表示領域の外側の周辺領域に、画像信号をサンプリング回路に供給するための画像信号線等の各種配線や、画像信号線に供給される画像信号をサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、このサンプリング回路駆動信号をサンプリング回路に供給するデータ線駆動回路、データ線に供給された画像信号を画素電極に供給するためにＴＦＴのスイッチング動作を行う走査信号を走査線に供給するための走査線駆動回路などの周辺駆動回路を備えた駆動回路内蔵型のものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の如くＴＦＴアレイ基板上の画像信号線、当該画像信号線からの引き出し配線等の配線と対向基板上の対向電極とが対向配置されていると、両者間の寄生容量により、画像信号の電位変動で対向電極の電位変動が生じる。即ち、図１６において、画像信号線に供給される画像信号ＶＩＤの電位変化が、本来一定電位（但し、反転駆動時における周期的に反転する一定電位も含む）であるべき対向電極電位ＬＣＣＯＭを矢印ａに示すように変動させる。この対向電極電位ＬＣＣＯＭの変動即ち共通配線の電位変動が本来の設定電圧に復帰する前に、次段以降のデータ線の選択動作時に電気光学物質に印加される電位が不測に変化してしまうため、表示画像にゴーストが発生するという問題点がある。
【０００５】
　特に、透過型の電気光学装置の場合には、対向電極は透明電極から形成する必要があるので、このような対向電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から形成するのが一般的である。しかしながら、ＩＴＯ膜の如き比較的高抵抗な導電膜から対向電極を形成すると、上述の如き画像信号線等との寄生容量による電位変動後に対向電極が共通電位になる以前に、画像信号の画素電極への書き込みが終了してしまう。このため、係る寄生容量によるゴーストの発生が顕著となるという問題点がある。
【０００６】
　また、駆動回路内蔵型の場合には特に、電位変動の幅が大きい或いは周波数の高い信号を供給する配線と対向電極とが対向配置されているため、このような寄生容量による対向電極における電位変動が大きくなり、結果としてゴーストの発生がより顕著となるという問題点がある。」
　
ウ．「【００１７】
　或いは本発明の電気光学装置における他の態様では、前記対向電極は、前記周辺領域に全く形成されていない。
【００１８】
　この態様によれば、第１基板上の配線に対向する領域では、対向電極は、周辺領域に全く形成されていない。従って、配線及び対向電極間の寄生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動による対向電極の電位変動を極力低減できる。」
　
エ．「【００３５】
　この態様では更に、前記第２基板に、前記画像表示領域の周囲に額縁を規定すると共に前記配線の一部と前記対向電極とを電気的に接続するための上下導通端子部を含む導電性の遮光膜を更に備えてもよい。
【００３６】
　このように構成すれば、遮光膜が、額縁を規定する機能と上下導通端子部としての機能との両者を果たすことができ有利である。しかも、額縁を規定する遮光膜の隅から延設して上下導通端子部を設ければ、額縁の周辺に位置する周辺領域で上下導通をとる構成が無理なく得られるので大変有利である。尚、本願における“額縁”が形成される領域は、周辺領域のうち画像表示領域の周囲に沿った領域（前述のシール領域と画像表示領域との間にある領域）であり、周辺領域に含まれる。
【００３７】
　本発明の電気光学装置における他の態様では、前記第２基板に、前記画像表示領域の周囲に額縁を規定すると共にアルミニウムを含有した膜からなる導電性の遮光膜を更に備えており、前記額縁を規定する遮光膜上には、前記対向電極が形成されている。
【００３８】
　この態様によれば、アルミニウムを含有した膜からなる遮光膜が、良好な遮光性を有する額縁を規定する機能と、良好な導電性を有する上下導通端子部としての機能との両者を果たすことができ有利である。しかも、係る遮光膜上には、対向電極が形成されており、対向電極をエッチングする際にエッチングに曝されることもない。従って、このような構成を採ると、当該遮光膜を電気的な腐食に強い或いは化学的に安定した材質から形成する必要がなくなり有利である。」
　
オ．「【００４９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５０】
　先ず、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５１】
　図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００５２】
　図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５３】
　シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、両基板間の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００５４】
　シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設けられている。額縁５３はＴＦＴアレイ基板１０側に設けても良いことは言うまでもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また図１に示すように、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１ヶ所（図１では４ヶ所）において、両基板間に上下導通材１０６が配置されており、対向基板２０に形成された対向電極２１のコーナー部が対向基板２０側の上下導通端子として機能する。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において、ＴＦＴアレイ基板１０側の上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５５】
　本実施形態では特に、額縁５３下にあるＴＦＴアレイ基板１０上の領域に、サンプリング回路３０１が設けられている。サンプリング回路３０１は、画像信号線に供給される画像信号をデータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供給するように構成されている。
【００５６】
　次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図３を参照して説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図である。
【００５７】
　図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するための画素ＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該画素ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００５８】
　画像表示領域１０ａ外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するサンプリングＴＦＴ３０２のドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリングＴＦＴ３０２のソースに接続されている。データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、サンプリングＴＦＴ３０２のゲートに接続されている。そして、画像信号線１１５に供給される画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリングＴＦＴ３０２によりサンプリングされて各データ線６ａに画像信号Ｓ１〜Ｓｎが供給されるように構成されている。
【００５９】
　ここで、本実施形態では相隣接する６本のデータ線６ａを同じタイミングで同画像信号を書き込めるように、前記データ線６ａに対応するサンプリングＴＦＴ３０２のゲートに共通のサンプリング回路駆動信号を供給する。外部回路であるシリアル−パラレル変換回路で、シリアルな画像信号を６倍に伸長して、パラレルな画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６にシリアル−パラレル変換して供給する。このように画像信号をデータ線６本毎にシリアル−パラレル変換することにより、画像信号の書き込み時間を６倍にできるだけでなく、データ線駆動回路の駆動周波数を１／６に低減する事ができる。これにより、サンプリングＴＦＴ３０２や画素ＴＦＴ３０の能力が低くても、高速な画像処理が可能になる。尚、シリアル−パラレル変換数が多ければ多いほど画像信号の書き込み時間を伸長することができるが、画像信号線１１５をシリアル−パラレル変換数分だけ設ける必要がある。」
　
カ．「【００６１】
　次に、図２の破線で囲ったＣ領域における電気光学装置の詳細構成について、図４を参照して説明する。ここに図４は、この領域の平面図であり、図３の等価回路図を具体的なパターン図として表している。
【００６２】
　図４において、サンプリング回路３０１を構成するサンプリングＴＦＴ３０２は、半導体層３０４のソースに画像信号線から延設された引き出し配線１１６とコンタクトホール３０５ａを介して電気的に接続されている。一方、半導体層３０４のドレインはデータ線６ａとコンタクトホール３０５ｂを介して電気的に接続されている。サンプリングＴＦＴ３０２のゲートはサンプリング回路駆動信号線１１４とコンタクトホール３０５ｃ（当審注：「３０５ｂ」は「３０５ｃ」の誤記であることが明らかなので訂正して摘記した。）を介して電気的に接続されている。データ線６ａは画素電極９ａに画像信号Ｓ１〜Ｓｎを供給している。ここで、隣接するサンプリングＴＦＴ３０２を６個同時に制御できるように、ゲート線３０３が６個のサンプリングＴＦＴ３０のゲートに共通配線として設けられている。
【００６３】
　図３及び図４に示すように、本実施形態では画像信号線１１５とサンプリング回路３０１の間に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０を貼り合わせるためのシール材５２を塗布したシール領域を設けている。これは、サンプリング回路駆動信号線１１４や引き出し配線１１６といった配線領域を有効活用する事により、シール領域を形成している。また、走査線駆動回路１０４が図１に示すように対向基板２０より外側のＴＦＴアレイ基板１０上に形成している場合は、走査線３ａの延設部を有効活用してシール領域としても良い。
【００６４】
　ここで本実施形態では、従来、対向基板２０の全面に形成していたＩＴＯ等の透明性導電膜を、シール材５２が塗布されるシール領域やその付近において、サンプリング回路駆動信号を供給するサンプリング回路駆動信号線１１４や画像信号を供給する引き出し配線１１６に少なくとも部分的に重ならないように対向電極を形成しないように構成する。
【００６５】
　具体的には図４のＡ−Ａ’線の断面図を示した図５において、画像信号を供給する引き出し配線１１６部には、対向基板２０上の対向電極２１を設けないようにする。これにより、引き出し配線１１６と対向電極との間で寄生容量が生じないため、引き出し配線１１６に供給される画像信号の電位変動の影響を受け、対向電極２１に供給される対向電極電位が変動することはない。従って、図１６に示すように、サンプリングＴＦＴ３０２がＯＮしている期間（即ちデータ線６ａの選択期間）において、画像信号ＶＩＤの電位変動の影響を受けることなく常に対向電極電位ＬＣＣＯＭが矢印ｂのように一定であるため、ゴーストが生じる事がない。
・・・・
【００６９】
　図７に示す例では、対向電極２１は平面的に見て、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１の間に設けられた図３で示す画像信号線１１５や当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サンプリング回路駆動信号線１１４等の複数の配線に対向するブロック状の領域４０２を避けるように形成されている。これにより、配線と対向基板２０が重なる領域には少なくともその一部においてブロック状に対向電極２１が形成されていないため、配線及び対向電極２１間の寄生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動による対向電極２１の電位変動を大幅に低減できる。」
　
キ．「【００７１】
　尚、図６から図８に示した具体例では、対向基板２０の４つのコーナー部に延設された対向電極２１部分が夫々、図１に示したＴＦＴアレイ基板１０上の上下導通材１０６と接触する上下導通端子として機能している。ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０上の対向電極２１に対向電極電位を供給する上下導通端子は、対向基板２０の１つ以上のコーナー部に設けてあれば良い。更に、図６から図８に示した具体例では、額縁５３を構成する遮光膜は、対向基板２０上において対向電極２１を構成するＩＴＯ等の透明性導電膜により覆われている。従って、この場合には、その製造中に対向電極２１をエッチングで形成する際に、額縁５３を構成する遮光膜がエッチングに曝されることはない。このため、電気的な腐食に弱く、化学的な安定性の低いＡｌ（アルミニウム）を含有した遮光膜から額縁５３を形成しても問題がない。逆に、Ａｌを含有した遮光膜から額縁５３を形成すれば、良好な遮光性及び良好な導電性が比較的安価にして得られるだけでなく、投射型のライトバルブとして用いる場合には、反射率の高いＡｌにより入射光を反射できるため、電気光学装置表面の温度上昇を防ぐ事ができる。これにより、耐光性寿命を向上する事ができ、有利である。
【００７２】
　図９に示す例では、対向電極２１は平面的に見て、シール領域を含めて周辺領域４０４に全く形成されていない。即ち、対向電極２１は、画像表示領域１０ａより若干大きめに形成されている。このように構成すれば、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１の間に設けられた図３で示す画像信号線１１５や当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サンプリング回路駆動信号線１１４等の配線と対向電極２１とが重なる領域がないため、配線及び対向電極２１間の寄生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動による対向電極２１の電位変動が生じないため、ゴーストが発生する事はない。また、本実施形態により、図１におけるシール材５２中に混入されたギャップ材が接触する対向基板２０の表面高さをシール領域の全体に渡って均一にできる。このため、ギャップ材による基板間ギャップの制御を高精度で行える。例えば、対向電極２１を構成するＩＴＯ膜の膜厚は、１００〜２００ｎｍであるので、シール領域内で局所的に対向電極２１を形成しないようにすると、この膜厚に応じて基板間ギャップの制御が不安定となってしまうのである。
【００７３】
　但し、図９のように対向電極２１を小さく形成すると、図６から図８に示した具体例の如く図１に示した上下導通材１０６に接触する上下導通端子として機能させることができなくなる。従って、この場合には、図９に示したように、額縁５３を導電性の遮光膜から形成すると共に、額縁５３を対向基板２０の４つのコーナー部に延設して上下導通端子５３’とすればよい。この場合、額縁５３を形成する導電性の遮光膜と対向電極２１を電気的に接続するのは言うまでもない。
【００７４】
　更に、このように対向電極２１を小さく形成すると、その製造中に対向電極２１をエッチングする際に、その下層に位置する額縁５３を構成する遮光膜もエッチングに曝されることになる。従って、この場合、額縁５３を電気的な腐食に強い或いは化学的に安定した遮光膜から形成するのが好ましい。
【００７５】
　以上図６から図９に示したように、周辺領域において対向電極２１が配線に対向する領域にも全て形成されている場合や更に対向基板２０の全面に対向電極２１が形成されている場合と比較して、本実施形態では、シール領域や額縁領域を含む周辺領域で、対向電極２１が画像信号線１１５や当該画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サンプリング回路駆動信号線１１４等の配線に対向していない分だけ、対向電極２１及び配線間の寄生容量が低減される。この結果、本実施形態によれば、対向電極２１及び配線間の寄生容量に起因した配線上の画像信号等の電位変動による対向電極２１の電位変動を低減できる。」
　
ク．「【０１０４】
　次に、図１４の工程（３）では、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、配線部と重なる領域（例えば、図６の領域４０１）を除く領域にフォトレジスト６００を形成する。
【０１０５】
　次に、図１４の工程（４）では、このフォトレジスト６００を介して、ドライエッチング、ウエットエッチング或いは両者の組み合わせにより、ＩＴＯ膜２１’をエッチングし、対向電極２１を形成する。その後フォトレジスト６００を剥離する。特に、図６から図８に示した具体例を製造する場合には、この工程で、額縁５３がエッチングに曝されることはないため、前述のように額縁を、電気的な腐食に弱いＡｌを含む膜から形成することが可能となる。他方、図８に示した具体例を製造する場合には、この工程で、額縁５３が露出してエッチングに曝されるため、電気的な腐食に強い遮光膜を採用することが望ましい。
」
　
ケ．図１から、シール材５２が枠状に設けられており、額縁５３が矩形枠状であることが見てとれるとともに、図１〜図５から、データ線６ａ、走査線３ａ及びそれらの延設部が画像表示領域１０ａ及び周辺領域にまたがって設けられていることが見てとれる。
　
コ．上記ア．〜ケ．によれば、引用例には、　
　「マトリクス状に形成された複数の画素により構成された画像表示領域１０ａと、画像表示領域１０ａの周辺に広がる周辺領域とに区画されたＴＦＴアレイ基板であって、前記画像表示領域１０ａには、前記複数の画素の夫々に形成された画素電極９ａ及び画素ＴＦＴ３０とが設けられ、前記画像表示領域１０ａ及び前記周辺領域にまたがって、データ線６ａ、走査線３ａ及びそれらの延設部が設けられ、前記周辺領域には、画像信号線１１５、画像信号線から延設された引き出し配線１１６、サンプリング回路駆動信号線１１４等の配線と、半導体層３０４のソースにコンタクトホール３０５ａを介して引き出し線１１６が接続され、半導体層３０４のドレインにコンタクトホール３０５ｂを介してデータ線６ａが接続され、かつ、ゲートにコンタクトホール３０５ｃを介してサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されているサンプリングＴＦＴ３０２から構成されるサンプリング回路３０１と、画像信号Ｓ１〜ＳｎをサンプリングＴＦＴ３０２にサンプリングさせて各データ線６ａに供給するためのサンプリング回路駆動信号を供給するためのデータ線駆動回路１０１と、データ線６ａに供給された画像信号を画素電極９ａに供給するため画素ＴＦＴ３０のスイッチング動作を行う走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路１０４とからなる周辺駆動回路とが設けられＴＦＴアレイ基板１０と、
　このＴＦＴアレイ基板１０の配線等が配置された側に、枠状のシール材５２を介して対向配置され、画像表示領域１０ａの周囲に沿った領域に、遮光性、耐光性寿命において有利であるＡｌからなる遮光膜から矩形枠状に形成した額縁５３と、化学的に安定性の低いＡｌがエッチングする際に曝されることがないように当該額縁５３を覆うＩＴＯの透明性導電膜により構成される対向電極２１とが設けられた対向基板２０と、
　前記ＴＦＴアレイ基板１０及び前記対向基板２０間に挟持されている液晶等の電気光学物質とを備えた駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、
　前記額縁５３は前記シール材５２が配置された内側に並行して前記対向基板に設けられ、前記額縁５３下にある前記ＴＦＴアレイ基板１０上の領域に、サンプリングＴＦＴ３０２が設けられ、
　前記対向電極２１は、平面的に見て、画像信号線１１５、引き出し配線１１６、サンプリング回路駆動信号線１１４等の複数の配線に対向するブロック状の領域４０２のＩＴＯ膜２１’をエッチングして該ブロック状の領域４０２を避けるように形成して、引き出し配線１１６に少なくとも部分的に重ならないようにされている液晶装置。」の発明（以下「第１引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
サ．また、上記第１引用発明においては、サンプリングＴＦＴ３０２が、ＩＴＯの透明性導電膜により構成される対向電極２１に覆われている額縁５３下にある前記ＴＦＴアレイ基板１０上の領域に設けられていることから、「対向電極２１」は、該サンプリングＴＦＴ３０２に接続されている「引き出し配線１１６」と部分的に重なっている構成となるのに対して、
　上記ア．〜ケ．（特に、引用例の請求項４、請求項４を引用する請求項８，９，１４、段落００１７，００１８，００６５，００７２，００７４及び００７５参照。）によれば、第１引用発明における上記構成とは異なり、「対向電極２１を、引き出し配線１１６部には設けず、引き出し配線１１６と重なる領域がないようにすることにより、引き出し配線１１６等の配線及び対向電極２１間の寄生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動による対向電極２１の電位変動が生じず、ゴーストが発生しない」ようにした発明（以下「第２引用発明」という。）も記載されているものと認められる。
　
（３）対比 
　 
　そこで、本願補正発明と第１引用発明とを対比する。
　
ア．第１引用発明の「マトリクス状に形成された複数の画素」、「半導体層３０４のソースにコンタクトホール３０５ａを介して引き出し線１１６が接続され、半導体層３０４のドレインにコンタクトホール３０５ｂを介してデータ線６ａが接続され、かつ、ゲートにコンタクトホール３０５ｃを介してサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されているサンプリングＴＦＴ３０２から構成されるサンプリング回路３０１と、画像信号Ｓ１〜ＳｎをサンプリングＴＦＴ３０２にサンプリングさせて各データ線６ａに供給するためのサンプリング回路駆動信号を供給するためのデータ線駆動回路１０１と、データ線６ａに供給された画像信号を画素電極９ａに供給するため画素ＴＦＴ３０のスイッチング動作を行う走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路１０４とからなる周辺駆動回路」、「画像信号Ｓ１〜Ｓｎ」、「サンプリングＴＦＴ３０２」、「ＴＦＴアレイ基板１０」、「枠状のシール材５２」、「複数の画素により構成された画像表示領域１０ａ」、「Ａｌ」、「画像表示領域１０ａの周囲に沿った領域に矩形枠状にＡｌを含有した遮光膜から形成した額縁５３」、「当該額縁５３を覆うＩＴＯの透明性導電膜により構成される対向電極２１」、「対向基板２０」、「前記ＴＦＴアレイ基板１０及び前記対向基板２０間に挟持されている液晶等の電気光学物質」及び「液晶装置」は、それぞれ、本願補正発明の「複数の画素部」、「前記複数の画素部を駆動する周辺駆動回路」、「画像信号」、「前記周辺駆動回路の一部を構成すると共に前記複数の画素部に画像信号を供給するサンプリングスイッチ」、「アクティブマトリクス基板」、「枠状のシール材」、「前記複数の画素部からなる表示領域」、「金属材料」、「表示領域の外周に沿って、矩形枠状に金属材料によって形成された遮光膜」、「前記遮光膜を覆うように形成された共通電極」、「対向基板」、「前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層」及び「電気光学装置」に相当する。
　
イ．第１引用発明のサンプリングＴＦＴ３０２は、対向基板に設けられた額縁５３下にあるＴＦＴアレイ基板１０上の領域に設けられているから、第１引用発明は、本願補正発明の「前記サンプリングスイッチは、前記対向基板の基板面と対向してなる」点を有している。
　
ウ．したがって、両発明は、
「複数の画素部と、前記複数の画素部を駆動する周辺駆動回路と、前記周辺駆動回路の一部を構成すると共に前記複数の画素部に画像信号を供給するサンプリングスイッチとを有するアクティブマトリクス基板と、
　前記アクティブマトリクス基板に枠状のシール材を介して対向配置され、前記複数の画素部からなる表示領域の外周に沿って、矩形枠状に金属材料によって形成された遮光膜と、前記遮光膜を覆うように形成された共通電極とを有する対向基板と、
　前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、
　前記サンプリングスイッチは、前記対向基板の基板面と対向してなる、電気光学装置。」の点で一致し、次の点で相違している。 
　
相違点：
　本願補正発明においては、「前記遮光膜は、前記サンプリングスイッチと重なる領域には形成されておらず、前記サンプリングスイッチは、前記シール材が形成された領域と前記遮光膜が形成された領域との間に設けられ、かつ前記共通電極は、前記サンプリングスイッチと重なる部分が除去されて」いるのに対して、
　第１引用発明においては、「前記遮光膜（額縁）は前記シール材が配置された内側に並行して前記対向基板に設けられ、前記遮光膜下にある前記アクティブマトリクス基板（ＴＦＴアレイ基板）上の領域に、サンプリングスイッチ（サンプリングＴＦＴ）が設けられ」ている点。
　
（４）判断
　
　上記相違点について検討する。
　
ア．引用例には、第１引用発明の他に、「対向電極２１を、引き出し配線１１６部には設けず、引き出し配線１１６と重なる領域がないようにすることにより、引き出し配線１１６等の配線及び対向電極２１間の寄生容量に起因した配線に供給される信号の電位変動による対向電極２１の電位変動が生じず、ゴーストが発生しない」ようにした第２引用発明も記載されている。
　よって、第１引用発明を、「遮光性、耐光性寿命において有利である」ところの「Ａｌからなる遮光膜」を額縁５３に用いたまま、かつ、「化学的に安定性の低いＡｌがエッチングする際に曝されることがないように、額縁５３をＩＴＯの透明性導電膜により覆った」まま、第２引用発明のように「ゴーストが発生しない」ようにするために、第１引用発明において、「サンプリングＴＦＴ３０２に接続されている引き出し配線１１６に、額縁５３を覆うＩＴＯの透明性導電膜により構成される対向電極２１がまったく重ならいように」することには十分な動機付けがある。そして、第１引用発明に、第２引用発明を採用し、「サンプリングＴＦＴ３０２に接続されている引き出し配線１１６に、額縁５３を覆うＩＴＯの透明性導電膜により構成される対向電極２１がまったく重ならいように」することに、それらの要素の配置の変更を必要とするところ、引用例の記載によれば、第１引用発明において、サンプリングＴＦＴ３０２を、「額縁５３下にあるＴＦＴアレイ基板１０上の領域」に設けなけらばならない特段の事情も認められないから、そのような配置の変更は、当業者が適宜設計的になし得る程度のことというべきであり、格別困難なことではない。
　
イ．したがって、第１引用発明に第２引用発明を採用し、第１引用発明において、「サンプリングＴＦＴ３０２に接続されている引き出し配線１１６に、額縁５３を覆うＩＴＯの透明性導電膜により構成される対向電極２１がまったく重ならいように」することは、第１引用発明及び第２引用発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものである。そして、その結果、「額縁５３は、引き出し線１１６が接続されているサンプリングＴＦＴ３０２と重なる領域には形成されず、引き出し線１１６が接続されているサンプリングＴＦＴ３０２は、シール材５２が配置された領域と額縁５３が形成された領域との間に設けられることとなり、かつ、対向電極２１は、引き出し線１１６が接続されているサンプリングＴＦＴ３０２と重なる部分が全て含まれることとなるブロック状の領域のＩＴＯ膜２１’をエッチングして該ブロック状の領域を避けるように形成して、引き出し配線１１６にまったく重ならないようにされ」る、すなわち、「前記遮光膜は、前記サンプリングスイッチと重なる領域には形成されておらず、前記サンプリングスイッチは、前記シール材が形成された領域と前記遮光膜が形成された領域との間に設けられ、かつ前記共通電極は、前記サンプリングスイッチと重なる部分が除去されて」いるとの構成に至るのであるから、上記相違点は、第１引用発明及び第２引用発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものである。
　
ウ．また、本願補正発明の効果は、第１引用発明、及び第２引用発明から、当業者が予測することができた程度のものである。
　
エ．以上から、本願補正発明は、引用例に記載された第１引用発明及び第２引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１１月１６日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「２．［理由］（１）」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びそれらの記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「遮光膜」に関する限定事項である「矩形枠状に」形成されるとともに「前記サンプリングスイッチと重なる領域には形成されて」いないとの限定を省き、同じく「前記サンプリングスイッチは、前記共通電極と重ならないように設けられている」及び「共通電極とを有する対向基板」に関する限定事項である「前記サンプリングスイッチは、前記対向基板の基板面と対向してなる」とともに「前記共通電極は、前記サンプリングスイッチと重なる部分が除去されて」いるとの限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例に記載された第１引用発明及び第２引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された第１引用発明及び第２引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。