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　平成１１年特許願第１４０２０８号「大口径ウェーハの評価方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月３０日出願公開、特開２０００−３３２０７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年５月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成２０年７月９日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）
　　
「【請求項１】直径３００ｍｍウェーハを作製する工程と、
　上記直径３００ｍｍウェーハから直径２００ｍｍウェーハをカッティングする工程と、
　カッティングされた上記直径２００ｍｍウェーハを、２００ｍｍ加工ラインに通して上記カッティングの加工ダメージを取り去る工程と、
　その後、カッティングで得られた上記直径２００ｍｍウェーハについて評価試験を行う工程とを備えた大口径ウェーハの評価方法。」
　　
［２］刊行物の記載事項
　これに対して、当審において平成２０年５月１６日付けで通知した拒絶理由通知書の拒絶の理由に引用した、本出願前に頒布された刊行物である特開平３−１５５６１０号公報（以下、「刊行物１」という。）、同じく特開平６−７６２８２号公報（以下、「刊行物２」という。）、同じく特開昭５６−４９５３９号公報（以下、「刊行物３」という。）、同じく特開平９−１４８２７５号公報（以下、「刊行物４」という。）には、それぞれ下記の事項が記載されている。
　　
（１）刊行物１：特開平３−１５５６１０号公報
（１ａ）「ウエハプロセス途中でウエハ周辺部を研削してウエハを小型化し、小型化された前記ウエハを用いてウエハプロセスを続行する・・・半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）、
（１ｂ）「広範囲の仕様を実現しうる基本的なウエハプロセスを経た半製品ウエハ、たとえば配線パターン形成プロセス前までのウエハプロセスを経たウエハを量産しておく。そしてユーザーから特定の仕様が提示された段階で、先に用意しておいた半製品ウエハを用いてユーザーの要求に対応した特定の配線パターン形成プロセス等のウエハプロセスを続行し、特定仕様を有するＡＳＩＣを完成させてユーザーに提供する。これを通常エンジニアリングサンプル（ＥＳ）と称し、ユーザーはこのＥＳを商品に組み込んで機能の確認テストを行う。そして、所定の商品機能が得られるまでＡＳＩＣの仕様変更が行われる。そして、その都度、ＥＳが製作され、所定の機能が最終的に確認されて始めて最終的なＡＳＩＣの仕様が決定される。これに基づいて上記半製品ウエハを用いてさらにウエハプロセスを進めてこれを量産しユーザーに供給する。
　従ってＡＳＩＣの供給にあってはまず、ＥＳを出来るだけ短期間で製作しなければならないが、ＥＳは予定通りの機能を有するか否かを試験する目的で用いられるに過ぎないため、信頼性や歩留りはさほど問題とならず、・・・そこで通常は、大口径ウエハ、たとえば６インチ径ウエハを用いて上記の半製品ウエハを量産しておき、ユーザーからＥＳの要求があったときにこの６インチ径ウエハをたとえば４インチ径ウエハにまで小口径化し、これを４インチ径ウエハ用の製造ラインに流してＥＳを製作する。」（第１頁右下欄末行〜第２頁右上欄８行）が記載されている。
　　
（２）刊行物２：特開平６−７６２８２号公報
（２ａ）「【請求項１】磁気記録媒体基板（・・・）として使用される単結晶シリコン製の基板の製造方法において、同基板の口径より十分大きい口径を有する単結晶シリコンウェーハ（・・・）から、複数枚の基板を切り出す・・・磁気記録媒体基板の製造方法。
 【請求項２】基板の回転軸挿入用の中心孔とその外周とが、レーザ光により同心円上に沿って同時に切り出しされる・・・請求項１に記載の磁気記録媒体基板の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項２】）、
（２ｂ）「【００１９】・・・レーザ光により、ウェーハ２からドーナツ状の円板３（・・・）を切り出す（ステップ１０３）。・・・次に、円板３の中心孔４と外周５の砥石による面取りが行われる（ステップ１０４）。」（段落【００１９】）が記載されている。
　　
（３）刊行物３：特開昭５６−４９５３９号公報
（３ａ）「半導体ウェーハ上に配列されたペレットを、その外周に沿いレーザ光を照射して切り抜く半導体装置の製造方法において、前記ペレットと、該ペレット以外の前記半導体ウェハとの間の電気抵抗を測定して、該半導体ウェハから該ペレットが切り抜かれたことを検出する・・・半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　　
（４）刊行物４：特開平９−１４８２７５号公報
（４ａ）「【０００２】・・・半導体ウェーハをダイシングしてＩＣ等のチップに分割するには、・・・８インチ径のウェーハをダイシングする場合は、８インチ用のチャックテーブルが配設されたダイシング装置が用いられていた。
【０００３】・・・半導体ウェーハの径は、生産性の向上を目指す上で年々大口径化が進み、昨今では１２インチになろうとしている。この傾向は今後も続き更に大口径になることが予想される。」（段落【０００２】、【０００３】）が記載されている。
　　
［３］当審の判断
［３−１］刊行物１に記載された発明
（１）摘記（１ａ）、（１ｂ）の記載事項を総合すると、刊行物１には、次の「半導体装置の製造方法」の発明（以下、「刊行物１記載発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「大口径ウエハ、たとえば６インチ径ウエハを用いて基本的なウエハプロセスを経た半製品ウエハを量産しておき、該半製品ウエハのウエハ周辺部を研削してたとえば４インチ径ウエハまで小口径化し、これを小口径ウエハ用の製造ラインに流して小口径ウエハのウエハプロセスを続行し、エンジニアリングサンプル（ＥＳ）を製作してその機能の確認テストを行う、半導体装置の製造方法。」
　　
［３−２］本願発明と刊行物１記載発明との対比
（ア）刊行物１記載発明における「大口径ウエハ」と、本願発明における「直径３００ｍｍウェーハ」とは、それぞれの発明において、他のウエハ又はウェーハに比して、大口径である点で共通する。
　また、刊行物１記載発明における「小口径ウエハ」と、本願発明における「直径２００ｍｍウェーハ」とは、それぞれの発明において、他のウエハ又はウェーハに比して、小口径である点で共通する。
（イ）刊行物１記載発明における「大口径ウエハ、たとえば６インチ径ウエハを用いて基本的なウエハプロセスを経た半製品ウエハを量産しておき、」と、本願発明における「直径３００ｍｍウェーハを作製する工程」とは、大口径ウェーハを作製する工程である点で共通する。
（ウ）刊行物１記載発明における「該半製品ウエハのウエハ周辺部を研削してたとえば４インチ径ウエハまで小口径化し、」と、本願発明における「上記直径３００ｍｍウェーハから直径２００ｍｍウェーハをカッティングする工程」とは、大口径ウェーハから小口径ウェーハを加工する工程である点で共通する。
（エ）刊行物１記載発明における「これを小口径ウエハ用の製造ラインに流して小口径ウエハのウエハプロセスを続行し、エンジニアリングサンプル（ＥＳ）を製作してその機能の確認テストを行う、」と、本願発明における「カッティングされた上記直径２００ｍｍウェーハを、２００ｍｍ加工ラインに通して・・・、その後、カッティングで得られた上記直径２００ｍｍウェーハについて評価試験を行う工程」とは、小口径ウェーハを、小口径加工ラインに通して、その後、評価試験を行う工程である点で共通する。
（オ）刊行物１記載発明における「大口径ウエハ、たとえば６インチ径ウエハを用いて基本的なウエハプロセスを経た半製品ウエハ・・・を・・・小口径化し、・・・エンジニアリングサンプル（ＥＳ）を製作してその機能の確認テストを行う・・・方法」は、大口径ウエハを小口径化し、その小口径ウエハにウエハプロセスを続行してエンジニアリングサンプルを製作し、該エンジニアリングサンプルのテストを行うことにより、大口径ウエハに同様のウエハプロセスを施した場合の、該大口径ウエハに形成される半導体装置を評価するものであり、この評価は、半導体装置の特性も含んで評価しているので、基板であるウエハも評価しているものであり、「大口径ウェーハの評価方法」といえる。
　　
 　そうすると、両者は、
「大口径ウェーハを作製する工程と、上記大口径ウェーハから小口径ウェーハを加工する工程と、上記小口径ウェーハを、小口径加工ラインに通して、その後、評価試験を行う工程とを備えた大口径ウェーハの評価方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点１：本願発明では、大口径ウェーハが直径３００ｍｍウェーハであり、小口径ウェーハが直径２００ｍｍウェーハであり、小口径加工ラインが２００ｍｍ加工ラインであるのに対し、刊行物１記載発明では、大口径ウエハがたとえば６インチ径であり、小口径ウエハがたとえば４インチ径であり、小口径加工ラインが小口径ウエハ用の製造ラインである点。
　　
相違点２：大口径ウェーハから小口径ウェーハを加工する手段が、本願発明では、カッティングによるのに対し、刊行物１記載発明では、ウエハ周辺部の研削による点。
　　
相違点３：本願発明では、２００ｍｍ加工ラインでカッティングの加工ダメージを取り去る工程を備えているのに対し、刊行物１記載発明では、そのような工程を備えていない点。
　　
相違点４： 本願発明では、カッティングで得られた小口径ウェーハについて評価試験を行うのに対し、刊行物１記載発明では、小口径ウエハについて評価試験を行うとしていない点。
　　
［３−３］相違点の検討
（１）相違点１について
  刊行物４の「半導体ウェーハをダイシングしてＩＣ等のチップに分割するには、・・・８インチ径のウェーハをダイシングする場合は、８インチ用のチャックテーブルが配設されたダイシング装置が用いられていた。・・・半導体ウェーハの径は、生産性の向上を目指す上で年々大口径化が進み、昨今では１２インチになろうとしている。この傾向は今後も続き更に大口径になることが予想される。」（摘記（４ａ）参照）との記載によれば、本出願時において、８インチ径、即ち直径２００ｍｍの半導体ウェーハは、同口径用の加工装置を用いて普通に加工されており、また、１２インチ径、即ち直径３００ｍｍの半導体ウェーハも既に、大口径ウェーハとして格別なものとはいえない。
　してみると、刊行物１記載発明の大口径ウエハ、小口径ウエハ、小口径ウエハ用の製造ラインを、それぞれ直径３００ｍｍウエハ、直径２００ｍｍウエハ、２００ｍｍ加工ラインとすることは、当業者が適宜に設定し得たものと認められる。
　　
（２）相違点２について
　大口径ウエハを小口径にカッティングすることは、刊行物２、刊行物３にも記載されるように本出願前周知の技術であるから（摘記（２ａ）（３ａ）参照）、刊行物１記載発明におけるウエハを小口径化する手段として、ウエハ周辺部の研削に代えてカッティングを採用することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
（３）相違点３について
  刊行物２に、切り出したウエハの外周を面取りすることについて、「ウェーハ２からドーナツ状の円板３（・・・）を切り出す（ステップ１０３）。・・・次に、円板３の中心孔４と外周５の砥石による面取りが行われる」（摘記（２ｂ）参照）と記載される他、次の周知例１〜４にもそれぞれ以下のとおり記載されるように、切り出したウエハの外周を面取りすること、ウエハの切り出しや面取りにより、ウエハの外周に加工ダメージが生じ、該加工ダメージを取り去るべきであること、及び、面取りやエッチング等により該加工ダメージを取り去ることは、いずれも本出願前周知の事項と認められる。
　　
周知例１：特開昭５５−１５２１７号公報
（周１ａ）「基板となる半導体ウェーハの周辺部が直角のままになっていると、・・・気相成長層２からクラウンと呼ばれる突出部３が生じる。この突出部分はその後の工程（・・・）におけるパターンぼけや、フォトマスクに傷を付けたりする原因になるので・・・周辺部に面取りを施す必要がある。また、・・・その製造工程中のウェーハの自動移送工程やハンドリング中に周辺部に微細なカケやチップが生じやすく、これらは前記フォトレジスト工程中に重大な欠陥を招くため、ウェーハの面取りは一層必要である。・・・機械的面取り加工を施したことにより、周辺部に歪層が生じ、この歪が後の各工程でスリップ等の欠陥が発生する原因となり、新たな問題が生じる。・・・エッチングのみで面取りを行えば良い・・・機械的面取り後、エッチングを施すことによって歪層の除去が行われ、実際の使用に供されて来た。・・・スリップが発生しにくい面取りウェーハを得る為には、１）ウェーハ周辺部の機械的ダメージ、つまり歪層を最小限にすること、２）エッチングにより歪層を最大限除去することが肝要である。」（第１頁右下欄８行〜第２頁右上欄１０行）と記載されている。
　　
周知例２：特開昭６２−１３２３２４号公報
（周２ａ）「（１）面取り研削したウェハーをワックスにより適当枚数貼り付け、・・・上記ウェハーバルクをエッチャント中に浸漬し、回転させながらウェハーの外周部のみをエッチングすることによりウェハーの面取り研削ダメージ層を除去するウェハーの面取り研削ダメージ層の除去方法。」（特許請求の範囲第１項）と記載されている。
　　
周知例３：特開昭５３−１４５５１号公報
（周３ａ）「スライシングされた半導体ウエーハ又はラッピングを施された半導体ウエーハを用意する。この半導体ウエーハ１の表層部には斜線で示すように加工変質層（加工歪層）２が存在する。また、この半導体ウエーハ１における加工変質層２は周縁にあつてはそのバラツキが大きい。・・・そこで・・・所望の状態の面取用加工変質層３を形成する。つぎに、・・・エツチング液４を入れたエツチング槽５内に半導体ウエーハ１を一定時間入れて前記加工変質層２及び面取用加工変質層３を除去することにより、・・・寸法形状の一定化した歪のない半導体ウエーハ１を形成する。」（第２頁左上欄１７行〜右上欄１９行）と記載されている。
　　
周知例４：実願昭５７−１８４１０８号（実開昭５９−９０５６１号）のマイクロフイルム
（周４ａ）「従来の半導体ウエハの外周側面の研摩は、ウエハを真空吸着保持して回転させ、回転する成形砥石をウエハの外周側面に押しつけて成形研削を行い、所定の面取り形状を得るものであった。このように砥石による研削では、砥石の粒子による傷や凹凸等の欠陥が残存していた。・・・本考案は・・・へき開性の強いウエハにおいてへき開割れの原因となる傷や凹凸が外周側面部に存在しないよう平滑な面取り鏡面に研摩し得るようにする」（第２頁１〜１５行）と記載されている。
　　
　してみると、刊行物１記載発明において、ウエハ周辺部を研削して小口径化し、小口径ウエハ用の製造ラインに流してウエハプロセスを行う際に、該ウエハプロセスにウエハ周辺部の加工ダメージを取り去る面取り工程や、面取り工程の後に加工ダメージを取り去る工程を設けることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
（４）相違点４について
　ウエハプロセスの途中で、半導体ウエハ上に形成されつつある半導体装置の特性を試験し、形成される半導体装置を早期に評価することは、次の周知例５、６にもそれぞれ以下のとおり記載されるように、本出願前周知の事項であり、ウエハプロセスの途中で、ウエハについて評価試験を行い、ウエハプロセスの進行を監視、制御することは、当業者により普通に行われていることといえる。
　　
周知例５：特開平５−５５３３７号公報
（周５ａ）「【０００５】本発明は・・・ウエハプロセスの最終工程が完了する以前の途中工程でＭＯＳトランジスタの電気特性をチェックし、異常を早期に発見できるようにした」（段落【０００５】）と記載されている。
　　
周知例６：特開平９−１８１１３５号公報
（周６ａ）「【０００８】・・・半導体装置の酸化膜絶縁耐圧のスクリーニングを組み立て前のウエハプロセス中で実施して、コストダウン及び信頼性の向上を図れる半導体装置の試験装置及びその試験方法」（段落【０００８】）と記載されている。
　　
　してみると、刊行物１記載発明において、「小口径ウエハ用の製造ライン」の途中のウエハプロセス中に、該小口径ウエハについて検査して評価することは、当業者が適宜に行えたものと認められる。 
　　
　また、本願発明の特定事項によってもたらされる効果も、刊行物１〜４の記載、及び上記周知の事項から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　
　したがって、本願発明は、刊行物１記載発明、刊行物２〜４に記載された発明、及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。