【事件の表示】
　特願２００２−３２１３８９「類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月　３日出願公開、特開２００４−１５８５５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・補正の内容  
　本願は、平成１４年１１月５日の出願であって、平成１７年５月２日に手続補正がなされ、その後同年８月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月７日に手続補正がなされたものである。 
　 
ＩＩ．平成１７年１２月７日付の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年１２月７日付の手続補正を却下する。 
　　 
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成１７年１２月７日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のように補正し、新たに補正後の請求項１とすることを含むものである。  
　　 
「【請求項１】　類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、 
　透明基板とされ、底表面、中表面と上表面を具えた一体成形凹部構造を具えると共に、発光ダイオードの発射する光線を吸収しない特性を有する、上記透明基板と、 
　発光ダイオードとされ、該透明基板の凹部内に置かれ、フリップチップ型チップの発光方向と同じく該透明基板に向けて発光し、第１導電性を有する第１半導体層と、該第１導電性と電性が反対の第２導電性を有する第２半導体層とを具え、該第２半導体層が該第１半導体層に隣接している、上記発光ダイオードと、 
　第１発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの一つの表面の上に形成されて、電気的に該第１半導体層に連接された、上記第１発光ダイオードボンディングパッドと、 
　第２発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの、該第１発光ダイオードボンディングパッドが形成されたのと同じ表面の上に形成され、電気的に第２半導体層に連接された、上記第２発光ダイオードボンディングパッドと、 
　第１基板電極とされ、該透明基板の該中表面と上表面の上に形成された、上記第１基板電極と、 
　第２基板電極とされ、該透明基板の該中表面と上表面の上に形成された、上記第２基板電極と、 
　第１ボンディングワイヤとされ、電気的に該第１発光ダイオードボンディングパッドと該第１基板電極の間に電気的に連接された、上記第１ボンディングワイヤと、 
　第２ボンディングワイヤとされ、該第２発光ダイオードボンディングパッドと該第２基板電極の間に電気的に連接された、上記第２ボンディングワイヤと、 
　封止樹脂とされ、該発光ダイオード、該第１発光ダイオードボンディングパッド、該第２発光ダイオードボンディングパッド、該第１ボンディングワイヤ、該第２ボンディングワイヤを封止し、並びに発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤ、該中表面に位置する第１及び第２基板電極部分を該凹部構造に封入し、該発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤを該上表面より超過させないようにする、上記封止樹脂と、 
　を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。」 
　　  
　本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「透明基板」の構造について、「凹部を備えた第１表面」を「底表面、中表面と上表面を具えた一体成形凹部構造」に限定し、「第１基板電極」及び「第２基板電極」の形成位置について、「第１表面」を「中表面と上表面」に限定し、「中表面に位置する第１及び第２基板電極部分」が凹部構造に封入されることを付加して限定するとともに、封止の際の「発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤ」を超えさせない面について、「第１表面」を「上表面」と限定するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。  
　　  
２．引用刊行物  
　本願の出願前に頒布された刊行物であって、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−１５１７９４号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。  
　  
　ア．「【請求項１】透光性接着剤を介して透光性支持体上にＬＥＤチップを配し、該ＬＥＤチップの前記透光性接着剤と接した面と対向する面側に有する電極と、前記透光性支持体に設けられた外部電極と、を導電性ワイヤーによって電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。 
【請求項２】前記ＬＥＤチップは透光性絶縁基板に形成された半導体上にそれぞれ正極及び負極の電極を有する請求項１記載の発光装置。 
【請求項３】前記導電性ワイヤーを保護するための保護部材と、該保護部材上の反射部材と、を有する請求項１記載の発光装置。」 
　　 
　イ．「【００１６】（透光性支持体１０１、２０１、３０１、４０１）本願発明に用いられる透光性支持体１０１としては、半導体発光素子であるＬＥＤチップ１０２を積置できると共にＬＥＤチップ１０２からの発光波長の少なくとも一部或いはＬＥＤチップ１０２からの光を利用した発光波長に対して実質的に透光性を有するものである。」 
　　
　ウ．「【００２９】（透光性接着剤１０４、２０４、３０４、４０４）本願発明に用いられる透光性接着剤１０４とは、透光性支持体１０１と発光素子であるＬＥＤチップ１０２とを固定すると共にＬＥＤチップ１０２からの発光波長の少なくとも一部或いはＬＥＤチップ１０２からの光を利用した発光波長に対して実質的に透光性を有するものである。」
　　 
　エ．「【００３４】外部電極１０５は、透光性支持体１０１の形成時に金属板を入れることにより一体形成させることができる。」 
　　 
　オ．「【００３６】（保護部材１０６、４０６）本願発明に用いられる保護部材１０６は、発光素子であるＬＥＤチップ１０２やその電気的接続のための導電性ワイヤー１０３等を外部力、塵芥や水分などから保護するために設けられることが好ましい。」 
　　 
　カ．「【００５０】 
【実施例】（実施例１） 
発光装置としてチップタイプＬＥＤを形成させた。チップタイプＬＥＤには発光ピークが４５０ｎｍのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ半導体を利用したＬＥＤチップを用いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させることにより形成させた。 
【００５１】ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇと、を切り替えることによって所望の導電型を形成させてある。Ｎ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層、クラッド層と、Ｐ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるクラッド層、コンタクト層との間にＩｎＧａＮの活性層を形成しＰＮ接合を形成させた。（なお、サファイヤ基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてある。また、Ｐ型半導体は、成膜後４００℃以上でアニールさせてある。） 
【００５２】エッチングによりＰＮ各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子としてＬＥＤチップを形成させた。 
【００５３】一方、ポリカーボネートを用いトランスファー成形により図１（Ａ）の如くレンズ部を有する透光性支持体を形成させた。形成した透光性支持体には外部電極がインサートされている。この透光性支持体の凹部内にＬＥＤチップのサファイア基板面がレンズ部に向くように光軸を合わせエポキシ樹脂でダイボンディングさせ１５０℃２時間で硬化させた。その後、透光性支持体の外部電極と、ＬＥＤチップの各電極と、をＡｕワイヤーを用いてそれぞれワイヤーボンディングさせた。透光性支持体の凹部内のＬＥＤチップ、Ａｕワイヤーなどを保護するためにシリコン樹脂で封止し保護部材を形成させた。保護部材上にはチタン酸バリウムを含有させたシリコン樹脂を塗布硬化し反射部材を設けることにより発光装置を形成させた。」 
　　 
　キ．図１（Ａ）の記載からは、 
　ａ．透光性支持体１０１には下向きの凹部が形成され、該凹部には、ＬＥＤチップ１０２が搭載される下段表面、外部電極１０５の一端が該凹部内部に露出して形成される中段表面及び外部電極１０５の他端が形成される上段表面が設けられること、
　ｂ．透光性支持体１０１には、レンズ部が設けられる側とは反対側に凹部が設けられること、
　ｃ．ＬＥＤチップ１０２が、該ＬＥＤチップ１０２の電極が形成された表面の反対側の表面と前記下段表面との間に透光性接着剤１０４を介して、透光性支持体１０１の前記下段表面上に置かれること、
　ｄ．２つの外部電極１０５それぞれが、透光性支持体１０１にインサートされ、前記中段表面上と前記上段表面上に形成されること、
　ｅ．２本の導電性ワイヤー１０３により、ＬＥＤチップ１０２の各電極と前記中段表面上に露出した各外部電極１０５とがそれぞれ接続されること、
　ｆ．保護部材１０６が、ＬＥＤチップ１０２、ＬＥＤチップ１０２の両電極、両導電性ワイヤー１０３をシリコン樹脂で封止し、ＬＥＤチップ１０２、両導電性ワイヤー１０３、透光性支持体１０１の凹部の前記中段表面上に露出した両外部電極部分を前記凹部内に封入し、更にＬＥＤチップ１０２、両導電性ワイヤー１０３が前記上段表面より超過しないこと、 
が見てとれる。 
　　 
　また、上記ア〜ウ、オ及び図１（Ａ）より、ＬＥＤチップ１０２は、サファイヤ基板面と下段表面とが対向するように透光性支持体１０１上にダイボンディングされ、前記サファイヤ基板面から前記透光性支持体１０１のレンズ部へ向かう方向に発光する、といえる。
　　
　よって、これらを総合すると、引用刊行物には、 
「ＬＥＤチップを備える発光装置において、 
　レンズ部と、下段表面、中段表面と上段表面を具えた凹部とを具え、ＬＥＤチップからの発光波長に対して実質的に透光性を有する特性を有する透光性支持体と、 
　サファイヤ基板上に形成され、Ｐ型導電性を有するＰ型半導体層と、該Ｐ型導電性と導電性が反対のＮ型導電性を有するＮ型半導体層とを具え、該Ｎ型半導体層が該Ｐ型半導体層に隣接し、該サファイヤ基板面が該透光性支持体の該下段表面と対向するように透光性接着剤でダイボンディングされ、該透光性支持体のレンズ部に向けて発光するＬＥＤチップと、
　該ＬＥＤチップの該サファイヤ基板面とは反対側の表面上に形成されて、電気的に該Ｐ型半導体層に連接された第１の電極と、 
　該ＬＥＤチップの前記反対側の表面と同じ側の表面上に形成されて、電気的に該Ｎ型半導体層に連接された第２の電極と、 
　該透光性支持体の該中段表面と該上段表面の上に形成された第１の外部電極と、 
　該透光性支持体の該中段表面と該上段表面の上に形成された第２の外部電極と、 
　第１の電極と第１の外部電極の間に電気的に接続された第１の導電性ワイヤーと、 
　第２の電極と第２の外部電極の間に電気的に接続された第２の導電性ワイヤーと、 
　該ＬＥＤチップ、該第１及び第２の電極、該第１及び第２の導電性ワイヤーをシリコン樹脂で封止し、ＬＥＤチップ、第１及び第２の導電性ワイヤー、該中段表面に位置する第１及び第２の外部電極部分を該凹部に封入し、該ＬＥＤチップ、該第１及び第２の導電性ワイヤーを該上段表面より超過させないようにする、シリコン樹脂からなる保護部材と、
　を具え、
　該透光性支持体の該レンズ部及び該凹部、並びに該第１及び第２の外部電極がトランスファー成形により一体形成されたものである、
　発光装置。」 
との発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。 
　　 
３．対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。 
　ａ．本願補正発明を特定するために必要な事項である「類似フリップチップ型」は、本願明細書の発明の詳細な説明【０００９】等の記載を参酌するに、ボンディングワイヤによって基板と電気的に接続され、かつ「フリップチップダイの発光方向と同じように、下向きに透明基板に向けて発光」するものを「類似フリップチップ型」と定義しているもの解される。また、本願補正発明でいう「フリップチップ型チップの発光方向」とは、上記記載からみて、「下向きに透明基板に向けて発光」する方向である、といえる。
　そうすると、引用発明の「ＬＥＤチップを備える発光装置」は、ＬＥＤチップのサファイヤ基板面とは反対側の表面上に形成された電極が導電性ワイヤーによって外部電極と電気的に接続されるとともに、前記サファイヤ基板面が透光性支持体の下段表面と対向するようにダイボンディングされ、前記ＬＥＤチップから前記透光性支持体に向けて発光するものであるから、本願補正発明の「類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ」に相当する。 
　　 
　ｂ．引用発明の「ＬＥＤチップ」、「透光性支持体」及び「シリコン樹脂からなる保護部材」は、それぞれ本願補正発明の「発光ダイオード」、「透明基板」及び「封止樹脂」に相当する。 
　　 
　ｃ．引用発明の「下段表面」、「中段表面」、「上段表面」及び「凹部」は、それぞれ本願補正発明の「底表面」、「中表面」、「上表面」及び「凹部構造」に相当する。そして、引用発明の「透光性支持体」は、レンズ部と凹部がトランスファー成形により一体形成されるものであるから、本願補正発明の「底表面、中表面と上表面を具えた一体成形凹部構造」を備えるものである。 
　　 
　ｄ．引用発明の「ＬＥＤチップからの発光波長に対して実質的に透光性を有する」は、本願補正発明の「発光ダイオードの発射する光線を吸収しない」に一致する。 
　　 
　ｅ．引用発明の「Ｐ型導電性」、「Ｎ型導電性」は、本願補正発明の「第１導電性」、「第２導電性」の一方及び他方に相当する。そして、引用発明の「Ｐ型半導体層（Ｎ型半導体層）」、「第１の電極（第２の電極）」、「第１の外部電極（第２の外部電極）」及び「第１の導電性ワイヤー（第２の導電性ワイヤー）」は、本願補正発明の「第１半導体層（第２半導体層）」、「第１発光ダイオードボンディングパッド（第１発光ダイオードボンディングパッド）」、「第１基板電極（第２基板電極）」及び「第１ボンディングワイヤ（第２ボンディングワイヤ）」にそれぞれ相当する。 
　　 
　したがって、両者は、 
「類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、 
　透明基板とされ、底表面、中表面と上表面を具えた一体成形凹部構造を具えると共に、発光ダイオードの発射する光線を吸収しない特性を有する、上記透明基板と、 
　発光ダイオードとされ、該透明基板の凹部内に置かれ、フリップチップ型チップの発光方向と同じく該透明基板に向けて発光し、第１導電性を有する第１半導体層と、該第１導電性と電性が反対の第２導電性を有する第２半導体層とを具え、該第２半導体層が該第１半導体層に隣接している、上記発光ダイオードと、 
　第１発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの一つの表面の上に形成されて、電気的に該第１半導体層に連接された、上記第１発光ダイオードボンディングパッドと、 
　第２発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの、該第１発光ダイオードボンディングパッドが形成されたのと同じ表面の上に形成され、電気的に第２半導体層に連接された、上記第２発光ダイオードボンディングパッドと、 
　第１基板電極とされ、該透明基板の該中表面と上表面の上に形成された、上記第１基板電極と、 
　第２基板電極とされ、該透明基板の該中表面と上表面の上に形成された、上記第２基板電極と、 
　第１ボンディングワイヤとされ、電気的に該第１発光ダイオードボンディングパッドと該第１基板電極の間に電気的に連接された、上記第１ボンディングワイヤと、 
　第２ボンディングワイヤとされ、該第２発光ダイオードボンディングパッドと該第２基板電極の間に電気的に連接された、上記第２ボンディングワイヤと、 
　封止樹脂とされ、該発光ダイオード、該第１発光ダイオードボンディングパッド、該第２発光ダイオードボンディングパッド、該第１ボンディングワイヤ、該第２ボンディングワイヤを封止し、並びに発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤ、該中表面に位置する第１及び第２基板電極部分を該凹部構造に封入し、該発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤを該上表面より超過させないようにする、上記封止樹脂と、 
　を具えた類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。」 
である点で一致し、相違する点はない。 
　　 
　したがって、本願補正発明は、上記引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　　 
４．まとめ　　  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　　 
　　 
ＩＩＩ．  
１．本願発明  
　平成１７年１２月７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年５月２日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。  
　　 
「【請求項１】　類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、 
　透明基板とされ、凹部を具えた第１表面を具えると共に発光ダイオードの発射する光線を吸収しない特性を有する、上記透明基板と、 
　発光ダイオードとされ、該透明基板の凹部内に置かれ、フリップチップ型チップの発光方向と同じく該透明基板に向けて発光し、第１導電性を有する第１半導体層と、該第１導電性と電性が反対の第２導電性を有する第２半導体層とを具え、該第２半導体層が該第１半導体層に隣接している、上記発光ダイオードと、 
　第１発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの一つの表面の上に形成されて、電気的に該第１半導体層に連接された、上記第１発光ダイオードボンディングパッドと、 
　第２発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの、該第１発光ダイオードボンディングパッドが形成されたのと同じ表面の上に形成され、電気的に第２半導体層に連接された、上記第２発光ダイオードボンディングパッドと、 
　第１基板電極とされ、該透明基板の該第１表面の上に形成された、上記第１基板電極と、　第２基板電極とされ、該透明基板の該第１表面の上に形成された、上記第２基板電極と、　第１ボンディングワイヤとされ、電気的に該第１発光ダイオードボンディングパッドと該第１基板電極の間に電気的に連接された、上記第１ボンディングワイヤと、 
　第２ボンディングワイヤとされ、該第２発光ダイオードボンディングパッドと該第２基板電極の間に電気的に連接された、上記第２ボンディングワイヤと、 
　封止樹脂とされ、該発光ダイオード、該第１発光ダイオードボンディングパッド、該第２発光ダイオードボンディングパッド、該第１ボンディングワイヤ、該第２ボンディングワイヤを封止し、並びに発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤを該凹部に封入し、該発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤを該第１表面より超過させないようにする、上記封止樹脂と、 
　を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。」（以下、「本願発明」という。） 
　　 
２．引用刊行物  
　原査定の理由で引用された引用刊行物及びその記載事項は、上記ＩＩ．２に記載したとおりである。
　　 
３．対比
　本願発明は、前記ＩＩ．３で検討した本願補正発明において、「透明基板」の構造について、「凹部を備えた第１表面」を「底表面、中表面と上表面を具えた一体成形凹部構造」とする限定、「第１基板電極」及び「第２基板電極」の形成位置について、「第１表面」を「中表面と上表面」とする限定、「中表面に位置する第１及び第２基板電極部分」が凹部構造に封入されることを付加する限定、封止の際の「発光ダイオード、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤ」を超えさせない面について、「第１表面」を「上表面」とする限定、を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、かつ限定を付加した本願補正発明が、上記ＩＩ．３に記載したとおり、上記引用刊行物に記載された発明であるから、本願発明も同様の理由により、上記引用刊行物に記載された発明である。 
　　 
４．まとめ 
　したがって、本願発明は、上記引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。 
　　 
　よって、結論のとおり審決する。