【事件の表示】
　平成１１年特許願第３２７８９４号「セラミックス回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月２５日出願公開、特開２００１−１４４４３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成１１年１１月１８日の出願であって、平成１７年９月２８日付で拒絶理由通知がなされ、同年１０月１３日付で意見書が提出され、平成１７年９月２８日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、平成１８年３月２９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正書が提出され、同年６月１３日付で前置報告がなされ、平成２０年３月１８日付で審尋がなされ、同年３月２６日に回答書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１８年４月１０日付手続補正についての補正却下の決定 
 　　 
＜補正却下の決定の結論＞ 
　平成１８年４月１０日付手続補正を却下する。 
 　　 
＜理由＞ 
［２−１］補正の内容 
　平成１８年４月１０日付手続補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板において、金属板及び／又は接合ろう材に酸素との親和性が大きいＭｇを添加し、接合界面近傍にある接合不良を誘発する酸化物を捕獲除去して、良好な接合状態を得ることを特徴とする耐ヒートサイクル性及び耐熱性に優れたセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項２】Ｍｇが０．０５質量％以上３質量％以下含まれるＡｌ系合金ろう材を使用することを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項３】セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素からなる群より選ばれた１種以上からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミックス回路基板の製造方法。」と補正するものである。
 　　 
［２−２］補正の目的 
　上記手続補正は、特許法第１７条の２第１項第４号に掲げる場合において特許請求の範囲についてする補正であるから、同条第４項各号に掲げる事項を目的とするものか否かについて以下検討する。
　まず、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮という目的に該当するか否かについてみるに、補正後の請求項１〜３についての補正は、補正前の請求項１〜４に記載されていた、
「【請求項１】セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板において、金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にマグネシウム（Ｍｇ）を偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項２】セラミックス基板とろう材層との接合界面或いはその近傍にＭｇを偏在させてなることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。
【請求項３】Ｍｇが０．０５質量％以上３質量％以下含まれるＡｌ系合金ろう材を介して接合されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミックス回路基板。
【請求項４】セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素からなる群より選ばれた１種以上からなることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載のセラミックス回路基板。」の発明を、それらの製造方法に関する「・・・及び／又は接合ろう材に酸素との親和性が大きいＭｇを添加し、接合界面近傍にある接合不良を誘発する酸化物を捕獲除去して、良好な接合状態を得る」等の事項を付加して「セラミックス回路基板の製造方法」の発明に補正しようとするものである。
　しかしながら、補正前において「セラミックス回路基板」という物の発明であったものを、それらの製造方法に関する事項を付加して、「セラミックス回路基板の製造方法」の発明に変更しようとする上記の補正は、補正前の請求項１〜４のいずれかに記載した「セラミックス回路基板」の発明を特定するために必要な事項を限定するものではないので、当該補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮には該当しない。
　次に、その他の目的要件についてみるに、補正前において物の発明であったものを方法の発明に変更する上記の補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除、同項第３号に掲げる誤記の訂正、同項第４号に掲げる、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的とするものにも該当しない。
　　　
［２−３］むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反しているので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
［３］本願発明 
　平成１８年４月１０日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜４に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板において、金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にマグネシウム（Ｍｇ）を偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板。」
　　　 
［４］引用刊行物とその記載事項 
  これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−３６３０５２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、及び、同じく特開平１０−２９８６８６号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　
［４−１］引用刊行物１：特開平４−３６３０５２号公報 
（１ａ）「【請求項１】表面に半導体装置が実装されるセラミックス基板と、このセラミックス基板の裏面にアルミニウム系ろう材を介して接合されたアルミニウム製またはアルミニウム合金製の放熱フィンと、を有する・・・半導体装置実装用基板。
・・・・・・
【請求項４】上記セラミックス基板の裏面に上記アルミニウム系ろう材を介して接合されたアルミニウム板と、このアルミニウム板の裏面にアルミニウム系ろう材またははんだを介して接合されたアルミニウム−シリコン合金製の放熱フィンと、を有する・・・請求項１・・・に記載の半導体装置実装用基板。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項４】）、
（１ｂ）「【００１４】・・・本発明の第１実施例について図１を参照して説明する。
【００１５】この図に示すように、窒化アルミニウム系焼結体である窒化アルミニウム基板１１の上面には例えばアルミニウム製の回路形成用薄板１０がろう材１４により接着されている。・・・窒化アルミニウム基板１１の下面にはアルミニウム製の放熱フィン１３がろう材１４により接着されている。
【００１６】詳しくは、窒化アルミニウム基板１１の表面は酸化処理されてアルミナ層が形成され、さらにこのアルミナ層の表面に二酸化珪素（ＳｉＯ２）の層が形成されている。そして、この二酸化珪素層の表面にはろう材１４、例えば・・・Ａｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金、・・・が被着される。さらに、このろう材層１４により放熱フィン１３が接着されている。
【００１７】この放熱フィン１３としては、純アルミニウムの他にも、例えばＡｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金・・・等を用いることができる。
【００１８】・・・窒化アルミニウム系焼結体としては、窒化アルミニウム基板をそのまま（Ｙ２Ｏ３を焼結助剤として５〜１０％含むもの）使用することもでき、また、窒化アルミニウムの表面を酸化処理したのみのもの・・・などをも使用することができる。さらに、このようなセラミックス基板としては９６％のアルミナ基板を使用することもできる。」（段落【００１４】〜【００１８】）、
（１ｃ）「【００１９】次に、本発明の第２実施例について図２を参照して説明する。
【００２０】この図に示すように、９６％アルミナ基板１６の裏面に上記アルミニウム系ろう材１４を介してアルミニウム板１７が接合されている。・・・その他の構成および作用は、第１実施例と同じである。」（段落【００１９】、【００２０】）、
（１ｄ）「【００２２】【発明の効果】本発明によれば、基板の製造工数を低減することができ、基板全体としての重量を軽減することができるとともに、基板と放熱フィンとの密着性を高めることができた。」（段落【００２２】）が記載されている。
（１ｅ）図１、図２には、上記第１実施例、第２実施例の半導体装置実装用のセラミックス基板の上面にアルミニウム製の回路用薄板を、裏面にアルミニウム製またはアルミニウム合金製の放熱フィンのベース板を、それぞれアルミニウム系ろう材により接合していることが示されている。
　　
［４−２］引用刊行物２：特開平１０−２９８６８６号公報
（２ａ）「【請求項１】Ａｌ−Ｍｎ−Ｃｕ系合金からなる心材の片面または両面に、犠牲陽極効果を有するＡｌ−Ｍｎ系合金からなる中間材を被覆し、さらに両面をＡｌ−Ｓｉ系またはＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金からなるろう材で被覆し、ろう付け接合されるアルミニウム合金クラッドブレージングシートであって、心材のマトリックスが再結晶組織であり中間材のマトリックスが加工組織である・・・耐食性に優れたアルミニウム合金多層ブレージングシート。
・・・・・・
【請求項３】心材がＭｎ:0.4〜2.0 ％、Ｃｕ:0.1〜0.7 ％を含有し、さらに、Ｍｇ:0.6％以下（０％を含まず、以下同じ）、Ｆｅ:1％以下、Ｓｉ:1％以下、Ｔｉ:0.3％以下のうちの１種または２種以上を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなるＡｌ−Ｍｎ−Ｃｕ系合金、中間材がＭｎ:0.4〜2.0 ％を含有し、さらにＭｇ:1.5％以下、Ｆｅ:0.5％以下、Ｓｉ:1％以下、Ｚｎ:5％以下、Ｉｎ:0.2％以下、Ｓｎ:0.2％以下、Ｚｒ:0.3％以下、Ｃｒ:0.3％以下、Ｔｉ:0.3％以下のうちの１種または２種以上を含有し、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなり、該中間材は厚さが５０μｍ以上で且つ心材厚さの１／２以下の厚さをそなえている・・・請求項１記載の耐食性に優れたアルミニウム合金多層ブレージングシート。」
（【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項３】）、
（２ｂ）「【００１８】Ｍｇは、心材の強度を向上させ、Ｃｕと共存して心材の耐食性を改善する。好ましい含有量は0.5 ％以下（0 ％を除く、以下同じ）の範囲であり、0.5 ％を越えるとＭｇの偏在が生じて耐食性が低下するとともに、ろう付け時にろうの浸透が生じ易くなる。Ｍｇのさらに好ましい含有範囲は0.1 〜0.3 ％である。」（段落【００１８】）、
（２ｃ）「【００２３】Ｍｇは中間材の強度を高める。好ましい含有量は1.5 ％以下の範囲であり、1.5 ％を越えるとＭｇの偏在が生じて耐食性が低下し、ろう付け時にろうの浸透が生じ易くなる。Ｍｇのさらに好ましい含有範囲は0.1 〜0.5 ％の範囲である。」（段落【００２３】）が記載されている。
　　
［５］対比・判断
［５−１］引用刊行物１に記載された発明
　上記摘記（１ａ）によれば、引用刊行物１には、表面に半導体装置が実装されるセラミックス基板と、このセラミックス基板の裏面に、アルミニウム系ろう材を介して接合されたアルミニウム製またはアルミニウム合金製の放熱フィン、或いは同じく接合されたアルミニウム板と、を有する半導体装置実装用基板が記載されている。
　また、上記摘記（１ｂ）によれば、上記セラミックス基板の上面にはアルミニウム製の回路形成用薄板が、裏面の上記アルミニウム系ろう材（ろう材１４）と同様のろう材（ろう材１４）により接着され、該アルミニウム系ろう材としては、Ａｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金が用いられ、上記放熱フィン材としては、純アルミニウムの他、Ａｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金が用いられている。
　また、上記摘記（１ｃ）によれば、第２実施例として、９６％アルミナ基板の裏面に上記アルミニウム系ろう材を介してアルミニウム板が接合されている。
　また、上記摘記（１ｄ）によれば、セラミックス基板とアルミニウム製またはアルミニウム合金製の放熱フィンとが、アルミニウム系ろう材を介して密着性良く接合されている。
　　
　上記の事項を踏まえ、上記摘記（１ａ）〜（１ｅ）の事項を総合すると、引用刊行物１には、
「セラミックス基板の上面にアルミニウム製の回路形成用薄板を、該基板の裏面にアルミニウム製またはＡｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金製の放熱フィンのベース板、或いはアルミニウム板を、それぞれＡｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金のアルミニウム系ろう材を介して密着性良く接合した半導体装置実装用基板」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　　
［５−２］本願発明１と引用発明１との対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、
（ア）引用発明１における「セラミックス基板の上面」、「該基板の裏面」は、どちらも本願発明１における「セラミックス基板の一主面」に相当する。
（イ）引用発明１における「アルミニウム製の回路形成用薄板」、「アルミニウム製またはＡｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金製の放熱フィンのベース板」、「アルミニウム板」は、いずれも本願発明１における「アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属板」に相当する。
（ウ）引用発明１における「セラミックス基板の上面にアルミニウム製の回路形成用薄板を・・・接合した半導体装置実装用基板」は、セラミックス回路基板に他ならない。
　してみると、両発明は、「セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点１：本願発明１では、金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にマグネシウム（Ｍｇ）を偏在させてなるのに対し、引用発明１では、それが明らかでない点。
　　
［５−３］相違点についての検討
（１）相違点１について
　引用刊行物２には、アルミニウム合金の心材、中間材、ろう材を重ねたアルミニウム合金多層ブレージングシートにおいて、該心材のＭｇ含有量が「０．５％を越えるとＭｇの偏在が生じて耐食性が低下するとともに、ろう付け時にろうの浸透が生じ易くなる。」、該中間材のＭｇの「好ましい含有量は１．５％以下の範囲であり、１．５％を越えるとＭｇの偏在が生じて耐食性が低下し、ろう付け時にろうの浸透が生じ易くなる。」と記載されており（摘記（２ｂ）（２ｃ）参照）、同記載によれば、アルミニウム合金材のＭｇ含有量が０．５％、または１．５％を越えると、Ｍｇの偏在が生じてろう付け時にろうの浸透が生じ易くなるのであるから、ろう付け時にろうの浸透を生じ易くするようなＭｇの偏在が、少なくとも該アルミニウム合金材とろう材の接合界面或いはその近傍に生じるものと解し得る。
　そうであれば、引用発明１の半導体装置実装用基板の、Ａｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金製の放熱フィンのベース板、またはＡｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金のアルミニウム系ろう材層においても、ろう付け時にそれらの界面或いはその近傍にＭｇの偏在が生じることは、当業者が普通に予測し得ることである。また、引用発明１では、Ａｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金製のアルミニウム合金材やＡｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金のアルミニウム系ろう材を用いて、それらを密着性良く接合できるのであるから、該アルミニウム合金材やアルミニウム系ろう材層に上記のＭｇの偏在が生じるにしても、それらを密着性良くろう付け接合できることは、当業者が普通に予測し得ることである。
　そうすると、引用発明１において、Ａｌ−２．５％Ｍｇ−０．２％Ｃｒ合金製のアルミニウム合金材やＡｌ−９．５％Ｓｉ−１％Ｍｇ合金のアルミニウム系ろう材を用い、通常のろう付け条件で、それらのＭｇの偏在を伴ってセラミックス基板の上面または裏面にろう付け接合することは、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　　
　そして、上記相違点１に係る本願発明１の効果も、引用刊行物１、２に記載された発明から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　
　なお、請求人は、意見書、審判請求書、回答書において、引用刊行物２に記載されたアルミニウム合金多層ブレージングシートは、セラミックス回路基板とは用途分野が異なり、Ｍｇの偏在は、耐食性の低下、ろうの浸透をもたらし、好ましくないとしているのであるから、本願発明に関して阻害事由が存在する旨主張している。
　しかしながら、Ｍｇを含有するアルミニウム合金材において、そのＭｇ含有量によってＭｇの偏在が生じることは、Ｍｇを含有するアルミニウム合金材に共通することといえる。
　また、アルミニウム合金多層ブレージングシートにおいて、Ｍｇの偏在が耐食性の低下やろうの浸透をもたらし、好ましくないとしても、使用条件、使用環境等が異なるセラミックス回路基板において、同様の耐食性の低下やろうの浸透が起こり、好ましくないとは限らないので、引用刊行物２のアルミニウム合金多層ブレージングシートのＭｇの偏在についての記載から直ちに、引用刊行物１に記載された半導体装置実装用基板のアルミニウム合金材やアルミニウム系ろう材において、Ｍｇの偏在を生じさせることが好ましくないとはいえない。
　よって、上記の請求人の主張は採用できない。
　　
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。