【事件の表示】
　平成　９年特許願第２８９１３５号「液晶表示装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２３４９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月６日（パリ条約による優先権主張１９９６年１０月９日、韓国）の出願であって、平成１８年４月２８日付けで手続補正がなされ、同年８月３１日付けで拒絶査定がなされたところ、これに対し、同年１２月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月２８日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正の内容
　ア．本件補正は、補正前の本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】　光透過部分と光非透過部分を有するように画素電極及び対向電極が設けられた第１基板と、第２基板と、そして、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶が注入された横電界方式を有する液晶表示装置において、
　前記第２基板上に集光層が設けられ、前記集光層を通過した光が前記光透過部に集光され、
　前記集光層は、前記第２基板上に形成されたマイクロレンズを含み、
　前記マイクロレンズ上に更に第２配向膜を形成したことを特徴とする液晶表示装置。」から
「【請求項１】　光透過部分と光非透過部分を有するように画素電極及び対向電極が設けられた第１基板と、第２基板と、そして、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶が注入された横電界方式を有する液晶表示装置において、
　前記第２基板上に
カラーフィルター層が形成され、前記カラーフィルター層上にオーバーコート層をパターニングして形成された
分
　前記集光層は、前記第２基板上に形成されたマイクロレンズを含み、
　前記マイクロレンズ上に更に第２配向膜を形成し
、
前記対向電極の上部には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上には前記画素電極および第１配向膜が形成され
とする補正事項を含むものである。
　
　イ．上記請求項１に係る補正は、
　（ａ）「光透過部」を「光透過部
分
　（ｂ）補正前の請求項１の発明特定事項である「第２基板上」に、「カラーフィルター層が形成され」との限定を付加し、「集光層」に、「前記カラーフィルター層上にオーバーコート層をパターニングして形成された」との限定を付加するとともに、「対向電極」に、その「上部には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上には前記画素電極および第１配向膜が形成された」との限定を付加したものである。
　
　ウ．上記イ．（ａ）の補正事項は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第３号の誤記を訂正を目的とするものである。
　
　エ．上記イ．（ｂ）の補正事項は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の限縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平７−３０６４１７号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【請求項１】表示画素が走査信号電極，映像信号電極，画素電極及びアクティブ素子により基板上に構成され、該基板は液晶の配向膜が直接または絶縁層を介して形成されており、
該基板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明基板と対向して配置され、
前記両基板により液晶層が挟持され、
前記各電極は前記液晶層に対し実質的に前記基板と平行な電界が印加できるように構成され、
前記各電極は表示パターンに応じ印加電界を任意に制御できる外部制御手段と接続されており、
前記液晶層の配向状態により光学特性を変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
液晶を駆動するための前記電極が上下二層以上の誘電体層に挟まれる構造であり、液晶の比抵抗が１×１０14Ω・cm以下、１×１０9Ω・cm以上であることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
　ｂ．「【００１８】さて、上記手段１の如く横電界方式において、液晶を駆動するための電極を上下二層以上の誘電体層に挟まれる構造にし、液晶の比抵抗が１×１０14Ω・cm以下にすることによって、開口率を大きくすることができる。この作用を以下に述べる。横電界方式では前述のように不透明な電極を用いるため、透明電極を用いる従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置よりどうしても開口率が小さくなるという本質的な問題がある。そこで、横電界方式において開口率を向上させる本質的解決法は電極間ギャップを広げることである。しかしながら、前述のようにここで新たな問題が生ずる。つまり、電極間ギャップを広げると液晶の容量がさらに小さくなるため、静電気によって配向を乱しやすくなる。各画素に補助容量を付与させることは開口率の低下を招き問題の解決にはならない。そこで、液晶の抵抗を小さくすることは静電気によって配向を乱されにくくする有効な手段となる。このことによってスペーサービーズ周りのドメインも改善される。従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、非選択期間にも液晶に十分な電圧が印加されるようにするために、少なくとも１×１０13Ω・cm以上、望ましくは１×１０14Ω・cm以上の高比抵抗値を有する液晶を用いなければならなかった。横電界方式では液晶以外の誘電体、たとえばガラスや絶縁膜などが実駆動に必要な程度の電圧保持率を確保する保持容量として機能する。実験によれば図８に示すように１×１０10Ω・cmの液晶でも９０％以上の高い電圧保持率（フレーム周波数：６０Ｈｚ）を示すことを確認している。ただし、ＴＮ方式などの従来方式に比べ、横電界方式における液晶の容量と保持容量を含めた全容量はその大きさが小さく、静電気の影響を受けやすい。
【００１９】高開口率にするために電極間ギャップを広げることは静電気の問題のみならず駆動電圧の上昇も招く。そこで、手段２及び手段３のように液晶組成物層の誘電異方性（Δε）とツイストの弾性定数（Ｋ2 ）の間にＫ2／Δε＜９.０×１０-8［dyn ］の関係を満たすようにすることが有効であることを見出した。通常の横電界方式では電極の厚みが液晶層より小さいので、液晶層に液晶と配向膜の界面に完全に平行な電界を与えることはできない。この不完全な横電界が液晶を面内でスイッチングする効率を低下させてしまう。そこで、液晶の誘電率εLCが配向膜の誘電率εAFより大きくすることによって、望ましくは２倍のεAFより大きくすることによって、液晶と配向膜の界面に対して、より平行な横電界を液晶に与えることができる。したがって、液晶が面内でスイッチングするために必要な横電界が効率良く液晶に与えられる。そして、ツイストの弾性定数Ｋ2 を小さくして、あるいは液晶の誘電異方性を大きくして、鋭意検討した結果、両者の比が９.０×１０-8［dyn］以下、望ましくは両者の比が７.０×１０-8［dyn］以下であるときに５Ｖ以下の駆動も可能であることが分かった。ここでいう駆動電圧５Ｖとは信号電圧ドライバーの５Ｖ耐圧を使用して表示を行うことができることである。」
　
　ｃ．「【００２９】〔実施例１〕基板として厚みが１.１mm で表面を研磨した透明なガラス基板を２枚用いる。これらの基板のうち一方の基板の上に薄膜トランジスタを形成し、さらにその上の最表面に絶縁膜兼用の配向膜を形成した。本実施例では配向膜としてポリイミドを採用し、その上を液晶を配向させるためのラビング処理をした。他方の基板上にもポリイミドを塗布し同様のラビング処理をした。
・・・・中略・・・・
【００３０】薄膜トランジスタ及び各種電極の構造を図３に示す。図３には基板面に垂直な方向から見た正面図と正面図のＡ−Ａ′，Ｂ−Ｂ′における側断面図を示した。薄膜トランジスタ素子１４は画素電極（ソース電極）４，信号電極（ドレイン電極）３，走査電極（ゲート電極）１２、及びアモルファスシリコン１３から構成される。共通電極（コモン電極）１と走査電極１２、及び信号電極３と画素電極４とはそれぞれ同一の金属層をパターン化して構成した。容量素子１６は、２本の共通電極１の間を結合する領域において画素電極４と共通電極１で絶縁膜２を挟む構造として形成した。画素電極４は正面図において、２本の共通電極１の間に配置されている。画素ピッチは横方向（すなわち信号配線電極間）は６９μｍ，縦方向（すなわち走査配線電極間）は２０７μｍである。電極幅は、複数画素間にまたがる配線電極である走査電極１２，信号電極３，共通電極配線部（走査配線電極に平行（図３で横方向）に延びた部分）を広めにし、線欠陥を回避した。幅はそれぞれ１０μｍである。一方、開口率向上のために１画素単位で独立に形成した画素電極４、及び共通電極１の信号配線電極の長手方向に伸びた部分の幅は若干狭くし、それぞれ５μｍ，８μｍとした。これらの電極の幅を狭くしたことで異物等の混入により断線する可能性が高まるが、この場合１画素の部分的欠落ですみ線欠陥には至らない。加えて、さらにできるだけ高い開口率を実現するために絶縁膜２を介して共通電極と信号電極を若干（１μｍ）重ねた。これにより、信号配線に平行な方向のブラックマトリクスは不要になる。そこで図３に示されているように、走査配線電極方向のみ遮光するブラックマトリクス構造とした。ブラックマトリクス２２は図３のように電極群を付設した基板に設けてもよいし、対向側基板に設けてもよい。このようにして、共通電極と画素電極とのギャップが２０μｍ、開口部の長手方向の長さ１５７μｍとなり、４４.０％ の高開口率が得られた。画素数は３２０本の信号配線電極と１６０本の配線電極とにより３２０×１６０個とした。」
　
　ｄ．「【００４４】〔実施例６〕本実施例は以下を除いて実施例１と同じ構成である。
【００４５】薄膜トランジスタ及び各種電極の構造を図４に示す。図４には基板面に垂直な方向から見た正面図と正面図のＡ−Ａ′，Ｂ−Ｂ′における側断面図を表す。薄膜トランジスタ素子１４は画素電極（ソース電極）４，信号電極(ドレイン電極)３，走査電極（ゲート電極）１２、及びアモルファスシリコン１３から構成される。共通電極１と走査電極１２、及び信号電極３と画素電極４とはそれぞれ同一の金属層をパターン化して構成した。容量素子１６は、２本の共通電極１の間を結合する領域において画素電極４と共通電極１で絶縁保護膜２を挟む構造として形成した。画素電極は正面図において、３本の共通電極１の間に配置されている。画素ピッチは横方向（すなわち信号配線電極間）は１００μｍ、縦方向（すなわち走査配線電極間）は３００μｍである。電極幅は、複数画素間にまたがる配線電極である走査電極１２，信号電極３，共通電極配線部（走査配線電極に平行（図３で横方向）に延びた部分）を広めにし、線欠陥を回避した。幅はそれぞれ１０μｍ，８μｍ，８μｍである。一方、１画素単位で独立に形成した画素電極４、及び共通電極１の信号配線電極の長手方向に伸びた部分の幅は若干狭くし、それぞれ５μｍ，６μｍとした。これらの電極の幅を狭くしたことで異物等の混入により断線する可能性が高まるが、この場合１画素の部分的欠落ですみ線欠陥には至らない。信号電極３と共通電極１は絶縁膜２５を介して２μｍの間隙を設けた。ブラックマトリクスは対向基板側にカラーフィルターと共に図５に示すような構造とした。このようにして、共通電極１と画素電極４とのギャップが１５μｍ、開口部の長手方向の長さ２５０μｍとなり、５０％の高開口率が得られた。画素数は６４０本の信号配線電極と４８０本の配線電極とにより６４０×４８０個とした。」
　　
　ｅ．「基板として厚みが１.１mm で表面を研磨した透明なガラス基板を２枚用いる。これらの基板のうち一方の基板の上に薄膜トランジスタを形成し、さらにその上の最表面に絶縁膜兼用の配向膜を形成した。」（上記ｃ．参照。）、「容量素子１６は、２本の共通電極１の間を結合する領域において画素電極４と共通電極１で絶縁膜２（絶縁保護膜２）を挟む構造として形成した。」（上記ｃ．およびｄ．参照。）、図１、図３および図４から、基板上の共通電極１の上に絶縁膜２（絶縁保護膜２）が形成され、その上に画素電極４が形成されていることが把握できる。
　
　上記ａ．〜ｅ．によれば、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。 
　「表示画素が走査信号電極，映像信号電極，画素電極及びアクティブ素子により透明な基板上に構成され、
　該基板は液晶の配向膜が形成されており、
　該基板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明基板と対向して配置され、
　前記両基板により液晶層が挟持され、
　該基板上の共通電極の上に絶縁膜が形成され、その上に画素電極が形成され、
　前記もう一方の透明基板側に、ブラックマトリクスと共にカラーフィルターを備え、
　開口率向上のために、１画素単位で独立に形成した画素電極及び共通電極の信号配線電極の長手方向に伸びた部分の幅を若干狭くした、
　不透明な電極を用いる横電界方式の液晶表示装置。」（以下「引用発明１」という。）
　
　（２−２）本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−９４８２６号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「［問題を解決するための手段］
　本発明の液晶画像表示装置は、・・・・中略・・・・マイクロレンズを対向基板上にマトリツクス状に形成したことを特徴とする。さらに上記マイクロレンズを色分解フイルター上に形成したことを特徴とする。
　［　作用　］
　本発明の作用を第１図にもとづいて説明する。本発明の上記構造によれば、マイクロレンズ３の働きにより入射光８が画素電極７の部分に集光され、能動スイツチング素子や配線部およびストライプ状電極間領域に実質上光があたらないため、入射してきた光がすべて画素電極上で制御できる。
・・・・中略・・・・
該カラーフイルター上に透明なメタクリレート系ネガレジストをスピンコートし、写真製版技術を用いて露光・現像し、上記ネガレジストをオーバーエツチングすることによりマイクロレンズ３をマトリツクス状に形成した。」（第２頁右上欄第２行〜同頁左下欄第１８行）
　
　ｂ．「［発明の効果］
　以上述べたように、本発明によれば、マイクロレンズを形成したことにより、光の透過率が向上し、表示画像が大巾に明るくなると共に、コントラストも向上した。またカラーフイルター上にマイクロレンズを形成した場合、従来に比べてより精細なフルカラーの画像を得ることができる。」（第３頁左下欄第３〜９行）
　
　上記ａ．およびｂ．によれば、引用例２には、次の発明が記載されていると認められる。
　「カラーフイルター上に、ネガレジストをスピンコートし、写真製版技術を用いて露光・現像し、オーバーエツチングすることによりマイクロレンズ形成したものであって、対向基板上の該マイクロレンズの働きにより入射光を集光し、能動スイツチング素子や配線部およびストライプ状電極間領域に光があたらず、光の透過率が向上した液晶画像表示装置」（以下「引用発明２」という。）。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。 
　ア．引用発明１の「画素電極」、「基板」、「液晶の配向膜」、「もう一方の透明基板」、「『もう一方の透明基板』に形成した『液晶の配向膜』」、「共通電極」、「絶縁膜」、「カラーフィルター」、「横電界方式」および「液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「画素電極」、「第１基板」、「第１配向膜」、「第２基板」、「第２配向膜」、「対向電極」、「絶縁膜」、「カラーフィルター層」、「横電界方式」および「液晶表示装置」に相当する。
　
　イ．引用発明１は「不透明な電極を用いる横電界方式の液晶表示装置」であるから、引用発明１における基板上の「画素電極」および「共通電極」は不透明であり光が透過せず、これらの間は光が透過する。したがって、引用発明１と本願補正発明とは、「第１基板」が、「光透過部分と光非透過部分を有するように画素電極及び対向電極が設けられた」ものである点でも一致する。
　
　ウ．引用発明１における「『両基板』により挟持された『液晶層』」は、本願補正発明における「『前記第１基板と前記第２基板の間』に注入された『液晶』」に相当する。
　
　エ．引用発明１における「基板」に形成された「液晶の配向膜」は、「絶縁膜」より液晶側、すなわち、「絶縁膜」の上に形成されるのは明らかである。したがって、引用発明１において、絶縁膜上に画素電極および第１配向膜が形成されていると認められ、引用発明１と本願補正発明とは、「対向電極の上部には絶縁膜が形成され、絶縁膜上には画素電極および第１配向膜が形成された」ものである点においても一致する。
　
　カ．すると、本願補正発明と引用発明１とは、 
　「光透過部分と光非透過部分を有するように画素電極及び対向電極が設けられた第１基板と、第２基板と、そして、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶が注入された横電界方式を有する液晶表示装置において、
　前記第２基板上にカラーフィルター層が形成され、
　前記第２基板上に第２配向膜を有し、
　前記対向電極の上部には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上には前記画素電極および第１配向膜が形成された液晶表示装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。 
　
＜相違点＞
　本願補正発明は、「カラーフィルター層上にオーバーコート層をパターニングして形成された集光層が設けられ、前記集光層を通過した光が光透過部分に集光され、前記集光層は、第２基板上に形成されたマイクロレンズを含み、マイクロレンズ上に更に第２配向膜を形成」しているのに対し、引用発明１は、そのようになっていない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　本願補正発明と引用発明２を対比すると、引用発明２の「カラーフイルター」、「『ネガレジストをスピンコートし、写真製版技術を用いて露光・現像し、オーバーエツチングすることにより』形成」、「マイクロレンズ」、「対向基板」および「液晶画像表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「カラーフィルター層」、「オーバーコート層をパターニングして形成」、「『マイクロレンズ』を含む『集光層』」、「第２基板」および「液晶表示装置」に相当する。
　
　したがって、上記相違点における「カラーフィルター層上にオーバーコート層をパターニングして形成された集光層が設けられ、前記集光層を通過した光が光透過部分に集光され、前記集光層は、第２基板上に形成されたマイクロレンズを含」む構成は、引用発明２が備えている。
　
　そして、引用発明１および引用発明２はいずれも、液晶表示装置において透過光を多くすることを課題としており、引用発明１の開口率向上のための構成に換えて、引用発明２が備える上記構成を採用し、その際、第２配向膜をその機能が失われないようにマイクロレンズより液晶側、すなわち、マイクロレンズ上に形成し、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になしうることである。
　
　また、本願補正発明の効果は、引用発明１および引用発明２から当業者が予測しうる程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　平成１８年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年４月２８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１８に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。 
　
　「【請求項１】　光透過部分と光非透過部分を有するように画素電極及び対向電極が設けられた第１基板と、第２基板と、そして、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶が注入された横電界方式を有する液晶表示装置において、
　前記第２基板上に集光層が設けられ、前記集光層を通過した光が前記光透過部に集光され、
　前記集光層は、前記第２基板上に形成されたマイクロレンズを含み、
　前記マイクロレンズ上に更に第２配向膜を形成したことを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
（２）引用例 
 　引用例及びその記載事項は、前記「２．［理由］（２）」に記載したとおりである。 
　
（３）対比・判断 
　本願発明と引用発明１とを対比する。 
　ア．引用発明１の「画素電極」、「基板」、「もう一方の透明基板」、「『もう一方の透明基板』に形成した『液晶の配向膜』」、「共通電極」、「横電界方式」および「液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「画素電極」、「第１基板」、「第２基板」、「第２配向膜」、「対向電極」、「横電界方式」および「液晶表示装置」に相当する。
　
　イ．そのほかは、上記２．［理由］（３）イ．およびウ．において、本願補正発明と引用発明１を対比したのと同様である。
　
　すると、本願発明と引用発明１は、
　「光透過部分と光非透過部分を有するように画素電極及び対向電極が設けられた第１基板と、第２基板と、そして、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶が注入された横電界方式を有する液晶表示装置において、
　前記第２基板上第２配向膜を形成した液晶表示装置。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明が、「第２基板上に集光層が設けられ、前記集光層を通過した光が光透過部に集光され、前記集光層は、前記第２基板上に形成されたマイクロレンズを含み、前記マイクロレンズ上に更に第２配向膜を形成」したのに対し、引用発明１は、そのようになっていない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　「液晶表示装置の分野において、マイクロレンズを含む集光層を基板上に設け、集光層を通過した光を光透過部に集光し、光の透過率を向上する技術」は、本願優先日前に周知である（例：引用例２（上記２．［理由］（２）（２−２）参照。）、特開昭６２−２０３１２６号公報（第２図参照。）、特開平４−１１６５１９号公報（第２頁右下欄第１〜４行、第２図参照。））。
　
　そして、引用発明１に、上記周知技術を採用し、その際、第２配向膜をその機能が失われないようにマイクロレンズより液晶側、すなわち、マイクロレンズ上に形成し、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になしうることである。
　
　また、本願発明の効果は、引用発明１および上記周知技術から当業者が予測しうる程度のものである。
　
（５）．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載の発明および上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。