(57)【要約】  両面受光型太陽電池セルの製造コストを抑制し、生産性を向上させることを課題とする。  ボロン拡散層３およびリン拡散層７の形成方法において、ボロン化合物を含む材料２を複数の基板Ｗに塗布し、ボロン化合物を含む材料２を塗布した面同士を当接させた状態の一対の基板ＷＧを拡散炉に搬入した後、ボロン化合物を含む材料２と雰囲気ガスとを反応させ、該ボロン化合物を含む材料に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第１のステップと、ボロン拡散層３を前記基板の一方の面側に形成する第２のステップと、前記ボロン拡散層の上にボロンシリケートガラス層４を形成する第３のステップと、リン拡散層７を前記基板の他方の面側に形成する第４のステップと、リン拡散層７の表面を酸化する第５のステップとを同一バッチにて実施する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面受光型太陽電池セルの製造過程におけるボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法であって、
ボロン拡散源としてボロン化合物を含む材料を複数の基板に塗布し、
前記ボロン化合物を含む材料を塗布した面同士を当接させた状態の一対の基板を拡散炉に搬入した後、
前記ボロン化合物を含む材料と雰囲気ガスとを反応させ、該ボロン化合物を含む材料に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第１のステップと、熱拡散処理により前記基板の一方の面側にボロン拡散層を形成する第２のステップと、前記ボロン拡散層の上にボロンシリケートガラス層を形成する第３のステップと、
リン拡散源として原料ガスを供給して前記基板の他方の面側にリン拡散層を形成する第４のステップと、前記リン拡散層の表面を酸化する第５のステップとを同一バッチにて実施する、ボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法。
【請求項２】
前記ボロン化合物を含む材料の塗布をスピンコートにて行い、
前記第４のステップでは、前記リン拡散源の原料ガスとして、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）を用いる、
請求項１に記載のボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法。
【請求項３】
前記第３のステップの処理時間が５〜６０分である、
請求項１又は請求項２に記載のボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法。
【請求項４】
前記第１のステップの処理時間が５分以上である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法。
【請求項５】
複数のシリコン基板を準備する工程と、
前記各シリコン基板の一方の面に、ボロン化合物を含むボロン剤を塗布する工程と、
前記シリコン基板を２枚１組とし、前記ボロン剤の塗布面どうしを当接させた積層体とする工程と、
前記積層体を同一拡散炉内で連続的に処理し、前記各シリコン基板の一方の面側にボロン拡散層を形成し、前記各シリコン基板の他方の面側にリン拡散層を形成する工程と、を含み、
前記ボロン拡散層および前記リン拡散層の形成工程が、
前記積層体を搬入した前記拡散炉内に反応性ガスを導入し、前記ボロン剤中の有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第１のステップと、
前記拡散炉内の温度を上昇させ、前記各シリコン基板の一方の面側内部に前記ボロンを拡散させて、前記ボロン拡散層を形成する第２のステップと、
前記拡散炉内に酸化性ガスを導入し、前記ボロン拡散層より表面側にボロンシリケートガラス層を形成する第３のステップと、
前記拡散炉内にリン拡散用ガスを導入し、前記シリコン基板の他方の面側内部にリンを拡散させて、前記リン拡散層を形成する第４のステップと、
前記拡散炉内に酸化性ガスを導入し、前記リン拡散層より表面側に、リンシリケートガラス層を形成する第５のステップと、
をこの順に含む、
両面受光型太陽電池セル用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、両面受光型太陽電池セルの製造過程で同一バッチにてボロン拡散層およびリン拡散層を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンなエネルギー源として近年需要が高まっており、それに伴い太陽電池セルの需要も高まっている。また、エネルギー効率の観点から、太陽電池セルの実効的発電量ができるだけ高いものが望まれている。そのような太陽電池セルの一つとして、両面受光型太陽電池セルがある。両面受光型太陽電池は、散乱光や反射光をセル裏面から吸収して発電することができ、従来の片面受光太陽電池セルよりも実効的発電量を向上させることができる。【０００３】
両面受光型太陽電池は、一方の面にボロン拡散層、他方の面にリン拡散層を有している。従来のボロン拡散層の形成方法およびリン拡散層の形成方法は以下のとおりであった。以下の説明では、基板を構成する面のうち、ボロン拡散層が形成される側の面を“オモテ面”、リン拡散層が形成される側の面を“ウラ面”とも称する。【０００４】
１）ボロン化合物を含む材料（以下、“ボロン剤”とも称する）を塗布する工程
まず、図１（ａ）に示すようにテクスチャー構造が形成された基板Ｗを用意し、図１（ｂ）に示すように基板Ｗのオモテ面Ｓにボロン剤２を塗布する。【０００５】
２）ボロン拡散工程
ボロン剤２を塗布した２枚の基板Ｗを、図３（ａ）に示すようにウラ面ＢＳ同士を当接させた状態で拡散炉に搬入し、熱処理等を行う。これにより、図１（ｃ）に示すように基板Ｗのオモテ面Ｓ側にボロン拡散層３が形成され、さらにその表面側にはボロンシリケートガラス層４が形成される。このとき、ウラ面ＢＳには意図しないシリコン酸化膜５が形成される。【０００６】
３）ウラ面ＢＳの酸化膜エッチング工程
ボロンシリケートガラス層４は、次工程のリン拡散工程において、ボロン拡散層３へのリンの拡散を防ぐ役割を担う。一方、ウラ面ＢＳ側のシリコン酸化膜５は、リン拡散層の形成を阻害する。このため、基板Ｗを拡散炉から取り出し、図１（ｄ）に示すようにオモテ面Ｓの上にレジスト膜６を形成する。そして、ボロンシリケートガラス層４を保護した状態でウェットエッチングを行い、図１（ｅ）に示すようにウラ面ＢＳ側のシリコン酸化膜５を除去する。その後、図１（ｆ）に示すようにレジスト膜６を除去する。【０００７】
４）リン拡散工程
続いて、図３（ｂ）に示すように基板Ｗを、オモテ面Ｓ同士を当接させた状態で、再び拡散炉に入れ、加熱する。このとき、拡散炉内にオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガスを導入し、リン拡散を行う。これにより、図１（ｇ）に示すようにウラ面ＢＳ側にリン拡散層７が形成される。またさらにその表面を酸化することで、リン拡散層７上にリンシリケートガラス層８も形成される。その後、フッ酸あるいはフッ酸と硝酸等の混合液に基板Ｗを浸漬し、図１（ｉ）に示すようにオモテ面Ｓ側に形成されたボロンシリケートガラス層４、およびウラ面ＢＳ側に形成されたリンシリケートガラス層８を除去する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来のボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法を実施するためには、ボロン拡散炉、レジスト膜形成装置、ウェットエッチング装置、およびリン拡散炉が必要となる。このため、従来の方法では製造工程が複雑になると共に設備費が高くなり、製造コストが高くなっていた。また、複数の設備を使用することは、設備が多い分だけ基板の搬送時間や各設備による処理時間がかかることになり、生産性が低下する要因にもなる。【０００９】
本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、両面受光型太陽電池セルの製造コストを抑制し、生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本開示は、両面受光型太陽電池セルの製造過程におけるボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法であって、ボロン拡散源としてボロン化合物を含む材料を複数の基板に塗布し、前記ボロン化合物を含む材料を塗布した面同士を当接させた状態の一対の基板を拡散炉に搬入した後、前記ボロン化合物を含む材料と雰囲気ガスとを反応させ、該ボロン化合物を含む材料に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第１のステップと、熱拡散処理により前記基板の一方の面側にボロン拡散層を形成する第２のステップと、前記ボロン拡散層の上にボロンシリケートガラス層を形成する第３のステップと、リン拡散源として原料ガスを供給して前記基板の他方の面側にリン拡散層を形成する第４のステップと、前記リン拡散層の表面を酸化する第５のステップとを同一バッチにて実施することを特徴としている。【００１１】
本開示によれば、ボロン化合物を含む材料を塗布した面同士が当接した状態で基板が拡散炉内に搬入されるため、基板間にガスが流入し難くなる。本開示ではこの現象を利用することで、拡散炉から基板を搬出せずにリン拡散層の形成を実現することが可能となる。これにより、ボロン拡散層とリン拡散層の形成を同一バッチにて実施することができる。その結果、ボロン拡散層およびリン拡散層を形成する際に従来のような複数の設備を必要とせず、製造工程を簡易化することも可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
両面受光型太陽電池セルの製造コストを抑制し、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｉ）は、太陽電池セルの製造工程（テクスチャー構造形成〜シリケートガラス層エッチング）について、従来の製造工程と本開示に係る製造工程を比較した工程図である。なお、図１（ｃ）〜図１（ｈ）の右方に記載された設備名は、各工程を実施するために使用される設備を示している。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、本開示の一実施形態に係る太陽電池セルの製造工程（反射防止膜形成〜ＰＮ接合分離）を示す工程図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、拡散炉内における基板の配置状態を示す正面図である。
【図４】図４は、本開示の一実施形態に係るボロン拡散層およびリン拡散層の形成工程における各ステップと、拡散炉内の雰囲気と、炉内温度と、の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１５】
本実施形態における太陽電池セルは、図１（ａ），（ｂ），（ｈ），（ｉ）及び図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程を経て製造される。図１（ａ），（ｂ），（ｈ），（ｉ）は、本実施形態における基板へのテクスチャー構造形成〜シリケートガラス層のエッチングまでの製造工程を示しており、図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態における反射防止膜形成〜ＰＮ接合分離までの製造工程を示す。なお、図１（ａ），（ｂ），（ｉ）および図２（ａ）〜（ｄ）は従来と共通する製造工程である。
【００１６】
＜１．基板の準備＞
まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板Ｗ（以下、単に“基板Ｗ”とも称する）を準備する。基板Ｗは特に制限されないが、例えばチョクラルスキー法（ＣＺ法）により作製された結晶性方位（１００）、１５．６ｃｍ角、厚さ１００〜３００μｍ、比抵抗が１〜１４．０Ω・ｃｍのｎ型の平板状のシリコン基板Ｗとすることができる。
【００１７】
＜２．テクスチャー構造の形成＞
次に、必要に応じて基板Ｗの表面にテクスチャー構造を形成する。例えば２ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液に、添加剤（例えばイソプロピルアルコール）を加えた溶液に基板Ｗを浸漬させて、基板Ｗのウェットエッチングを行う。これにより、基板Ｗに含まれるダメージ層が除去され、基板Ｗの表面全体にテクスチャー構造が形成される。その後、基板Ｗを洗浄する。なお、テクスチャー構造の各々の山のサイズは、０．３〜２０μｍ程度であることが好ましい。テクスチャー構造の各々の山のサイズが当該範囲であると、太陽電池セルとした際の光吸収効率を高めることができる。また、テクスチャー構造を形成するためには、上述した方法の他に、例えば酸エッチングやリアクティブ・イオン・エッチング等を実施しても良い。
【００１８】
＜３．ボロン剤塗布＞
次に、図１（ｂ）に示すように基板Ｗのオモテ面Ｓに、ボロン剤２をスピンコート法にて塗布する。なお、塗布の方法は、スピンコート法に限定されず、例えば、スクリーン印刷、インクジェット塗布、スプレー塗布等を用いても良い。ボロン剤２としては、例えば、ポリビニルアルコール等の有機バインダーと、ボロン酸化物（Ｂ２Ｏ３）と、溶媒等と、を含む組成物とすることができる。
【００１９】
＜４．ボロン拡散処理およびリン拡散処理＞
次に、ボロン拡散処理とリン拡散処理を同一バッチ内（同一拡散炉内）で連続的に行う工程について説明する。本工程では、基板Ｗのオモテ面Ｓに塗布されたボロン剤２と雰囲気ガスを反応させ、ボロン剤に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第１のステップと、熱拡散処理により基板Ｗのオモテ面Ｓ側にボロン拡散層３を形成する第２のステップと、ボロン拡散層３の上にボロンシリケートガラス層４を形成する第３のステップと、熱拡散処理により基板Ｗのウラ面ＢＳ側にリン拡散層７を形成する第４のステップと、リン拡散層７の表面を酸化する第５のステップを実施する。
【００２０】
‐第１のステップ‐
まず、図３（ｂ）に示すように、２枚の基板Ｗのオモテ面Ｓ同士を当接させた状態、即ちボロン剤塗布面同士を当接させた状態の一対の基板ＷＧとし、これをウエハボートの所定の位置に載せる。その後、例えば８００℃に加熱した拡散炉にウエハボートを搬入する。そして、拡散炉内に導入された雰囲気ガス（反応性ガス）に曝した状態で、一対の基板ＷＧ（基板Ｗ）を所定の時間放置し、基板Ｗに塗布されたボロン剤２と拡散炉内の雰囲気ガスとを反応させる。これにより、ボロン剤２に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化が進行する。その結果、後述の第２のステップにおいて、ボロンを均一に拡散させることが可能となる。つまり、ボロン拡散層３をより均一に形成することが可能となり、基板Ｗの外周部と中心部におけるシート抵抗のバラつきを抑えることができる。第１のステップを設けない場合や、ボロン剤中の有機物の灰化およびボロンの酸化が不十分な場合には、シート抵抗の基板面内均一性が低下しやすくなる。
【００２１】
なお、第１のステップで用いる“雰囲気ガス”とは、ボロン剤２中の有機物と反応し、有機物を基板Ｗのオモテ面Ｓ側から除去可能であり、さらにボロン剤２中のボロンを酸化可能なガスであればよく、例えば、窒素と酸素を主成分とするガスとすることができる。第１のステップで拡散炉内に充填する雰囲気ガスの窒素と酸素の流量比は、９９．５：０．５〜８０：２０であることが好ましい。窒素と酸素との流量比が当該範囲であると、有機物の灰化およびボロンの酸化を効率良く行うことが可能となる。また、第１のステップの処理時間、即ちボロン剤２と雰囲気ガスとを反応させる時間は５分以上であることが好ましい。これにより、後述の第２のステップにおいて、ボロン拡散層３を基板Ｗのオモテ面Ｓ側全体に更に均一に形成することができる。
【００２２】
‐第２のステップ‐
次に、拡散炉内内の温度を上昇、例えば９８０℃まで昇温させ、ボロンを基板Ｗ内に拡散させる。これにより、図１（ｈ）に示すように基板Ｗのオモテ面Ｓ側にボロン拡散層３が形成される。なお、図１（ｈ）では、説明の都合上、一枚の基板Ｗのみを表しているが、実際は、図３（ｂ）に示すように、２枚の基板Ｗのオモテ面Ｓ同士を当接させた状態のまま、第２のステップを行う。ここで、第２ステップの処理温度は９００〜１０５０℃であることが好ましい。処理温度が当該範囲であると、効率良くボロンを基板Ｗ内に拡散させることが可能となり、ボロン拡散層３が均一に形成されやすくなる。また、第２のステップは、窒素と酸素の流量比が１００：０〜８０：２０となる雰囲気下で行うことが好ましい。また、第２のステップの処理時間は５〜１２０分間であることが好ましい。これにより、適度な厚みのボロン拡散層３を形成することが可能となる。
【００２３】
‐第３のステップ‐
次に、酸素やオゾン、亜酸化窒素等の酸化性ガスを拡散炉に導入して、図１（ｈ）に示すようにボロン拡散層３より基板Ｗのオモテ面Ｓの表面側に、ボロンシリケートガラス層４を形成する。第３のステップも、図３（ｂ）に示すように、２枚の基板Ｗのオモテ面Ｓ同士を当接させた状態のままを行う。
【００２４】
ボロンシリケートガラス層４は、後述の第４のステップのリン拡散工程において、リンがボロン拡散層３に拡散されるのを防ぐ役割を担う。第３のステップで拡散炉内に導入する雰囲気ガスは酸素１００％であることが好ましい。これにより、基板Ｗのオモテ面Ｓに十分な厚みのボロンシリケートガラス層４が形成されやすくなる。また、第３のステップの処理温度はボロン拡散層３を十分に酸化させることができる程度の温度であれば良く、例えば９００℃以上の温度にすることが好ましい。
【００２５】
なお、本実施形態では、図３（ｂ）に示すようにボロン剤２の塗布面同士が当接した状態で拡散炉内に基板Ｗが搬入されているため、ボロンシリケートガラス層４の形成を促進させようとすると、ウラ面ＢＳ側のシリコン酸化膜５も厚くなり、ウラ面ＢＳ側へのリンの拡散が阻害されるおそれがある。したがって、ボロンシリケートガラス層４の形成と例えば図１（ｄ）に示すシリコン酸化膜５の形成のバランスをとることが好ましい。このため、第３のステップの処理時間は５〜６０分であることが好ましい。これにより、ボロン拡散層３へのリンの拡散を防ぐために十分なボロンシリケートガラス層４を形成しつつ、ウラ面（ＢＳ）に形成されるシリコン酸化膜５の厚みが厚くなることを抑えることが可能となる。第３のステップの処理時間が５分未満の場合にはボロンシリケートガラス層４の形成が十分でない場合があり、第４のステップ（リン拡散工程）において、ボロン拡散層３にリンが拡散し、リバースカレントが高くなるおそれがある。一方、第３のステップの処理時間が６０分を超える場合には、基板Ｗのウラ面ＢＳ側のシリコン酸化膜５が厚くなりすぎる場合があり、第４のステップにおいて、ウラ面ＢＳ側にリンが拡散し難くなるおそれがある。
【００２６】
‐第４のステップ‐
次に、拡散炉内に、リンの拡散源となる原料ガスおよび例えば窒素、酸素を導入し、図１（ｈ）に示すように基板Ｗのウラ面ＢＳ側にリン拡散層７を形成する。第４のステップも、図３（ｂ）に示すように、２枚の基板Ｗのオモテ面Ｓ同士を当接させた状態のままを行う。原料ガスは例えば、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガスである。上述のように、本実施形態では、図３（ｂ）に示すようにボロン剤塗布面同士が当接した状態で拡散炉内に基板Ｗが搬入されているため、リン拡散源となる原料ガスは２枚の基板Ｗの間に流入し難い。したがって、ボロン拡散層３にリンが拡散し難く、同一バッチ内にて、ボロン拡散層３とリン拡散層７とを形成することが可能となる。
【００２７】
なお、第４のステップで拡散炉内に導入するリン拡散用ガスにおける、窒素と酸素の流量比は９９．５：０．５〜８０：２０であることが好ましい。またこのとき、窒素および酸素の合計流量とＰＯＣｌ３バブリング窒素（原料ガス）の流量比が９０：１０〜６０：４０であることが好ましい。このような比率でガスを導入することで、リン拡散層７を十分に形成することが可能となる。なお、第４のステップの処理時間は、５〜２０分であることが好ましい。また、第４のステップの処理温度は８００〜９００℃であることが好ましい。第４のステップの処理温度が９００℃を超える場合、基板Ｗへのボロン拡散が進行し、オモテ面Ｓ側に形成されているボロン拡散層３が厚くなり、所望のシート抵抗が得られなくなってしまうおそれがある。
【００２８】
ところで、第３のステップの処理時間が６０分を超え、リンが拡散され難くなったウラ面ＢＳに対して十分にリンを拡散させるためには、第４のステップにおいて処理温度を９００℃以上とし、リンの拡散を促進させる必要がある。しかし、第４のステップの処理温度が９００℃を超える場合には、基板Ｗへのボロン拡散が進行し、オモテ面Ｓ側に形成されているボロン拡散層３が厚くなり、所望のシート抵抗が得られなくなってしまうおそれがある。したがって、前述の通り、第３のステップの処理時間は６０分以下とすることが好ましく、これにより第４のステップの処理温度を９００℃以下にしやすくなり、良質なボロン拡散層およびリン拡散層を得ることができる。
【００２９】
‐第５のステップ‐
次に、拡散炉内の温度を上昇させ、例えば８７０℃まで昇温させ、さらに拡散炉内に酸素やオゾン、亜酸化窒素等の酸化性ガスを導入してリン拡散層７の表面を酸化する。これにより、図１（ｈ）に示すようにリン拡散層７の上にリンシリケートガラス層８が形成される。第５のステップも、図３（ｂ）に示すように、２枚の基板Ｗのオモテ面Ｓ同士を当接させた状態のままを行う。第５のステップの処理時間は５〜６０分であることが好ましい。酸化性ガスの窒素：酸素の流量比は５０：５０〜０：１００であることが好ましい。これにより、十分な量のリンシリケートガラス層８が形成される。
【００３０】
＜５．ボロンシリケートガラス層およびリンシリケートガラス層の除去＞
その後、図１（ｉ）に示すように、基板Ｗのオモテ面Ｓ側に形成されたボロンシリケートガラス層４と基板Ｗのウラ面ＢＳ側に形成されたリンシリケートガラス層８をフッ酸あるいはフッ酸と硝酸等の混合液に浸漬させて除去する。
【００３１】
このように、本実施形態に係るボロン拡散層３およびリン拡散層７の形成方法は、従来方法のようなボロン拡散層３の形成後に基板Ｗを一度拡散炉内から搬出し、その後リン拡散層７の形成のために再度基板Ｗを拡散炉内に搬入するといったことをせずにボロン拡散層３およびリン拡散層７を形成することができる。
【００３２】
＜６．反射防止膜の形成＞
次に、図２（ａ）に示すようにプラズマＣＶＤ装置により、基板Ｗのオモテ面Ｓ側もしくはウラ面ＢＳ側に形成されたボロン拡散層３およびリン拡散層７を覆うようにシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）である反射防止膜９を形成する。なお、反射防止膜９は、リモートプラズマＣＶＤ法、塗布法、真空蒸着法等を用いて形成してもよい。ただし、品質的かつ経済的な観点からは、シリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法により形成することが好ましい。また、反射防止膜上にトータルの反射率が最も小さくなるように、例えば二フッ化マグネシウム膜といった屈折率が１〜２の間である膜を形成することが好ましい。これにより、反射率の低減が促進され、光生成電流密度を高くすることができる。また、基板Ｗと反射防止膜９との間にパッシベーション用絶縁膜を形成しても良い。
【００３３】
＜７．電極印刷＞
続いて、図２（ｂ）に示すように、スクリーン印刷機を用いて基板Ｗのウラ面ＢＳ側の反射防止膜９上にＡｇを含む導電性ペースト１０を所定のパターンで印刷し、その後、乾燥を行う。同様に、基板Ｗのオモテ面Ｓ側の反射防止膜９上にも導電性ペースト１０を印刷し、乾燥を行う。導電ペースト１０の印刷は、いずれの面を先に行ってもよい。
【００３４】
＜８．電極焼成＞
次に、焼成炉において７００℃以上の温度で導電性ペースト１０を焼成する。これにより、図２（ｃ）に示すように導電性ペースト１０と基板Ｗとが電気的に導通し、Ａｇグリッド電極１１が形成される。
【００３５】
＜９．ＰＮ接合分離＞
次に、レーザーを用いて、図２（ｄ）に示すように基板Ｗの周縁部１２のＰＮ接合分離を行う。これにより、基板Ｗのオモテ面側およびウラ面側が電気的に分離される。その後、検査工程等を経て、太陽電池製造工程は終了する。
【００３６】
以上の通り、両面受光型太陽電池セルの製造過程において、本実施形態のようなボロン拡散層３およびリン拡散層７の形成方法を実施すれば、従来のような多くの設備を用いることなく、ボロン拡散層３およびリン拡散層７を形成することができる。これにより、太陽電池セルの製造コストを抑えることができる。また、従来実施されていたレジスト膜形成工程などの一部の工程を省略することができるため、生産性を向上させることもできる。
【００３７】
なお、本開示は上記実施形態で説明したものに限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【実施例】
【００３８】
発明を実施するための形態に記述してきた手順に従い、図１（ａ）、（ｈ）および（ｉ）に示す本開示に係るボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法を用いて製造した太陽電池セルの性能を評価した。ボロン拡散源には、スピンコート材料として東京応化工業株式会社製のＰＷ−１とＤＳ−２を用い、リンの拡散源の原料ガスには、オキシ塩化リン(ＰＯＣｌ３）を用いた。また、上述の各ステップで、拡散炉内に充填するガス（例えば雰囲気ガス）には、窒素や酸素を用いた。ボロン拡散層およびリン拡散層の形成工程における各ステップと、拡散炉内の雰囲気と、炉内温度と、の関係（レシピパターン）を図４に示す。一方、比較例として、図１に示す従来のボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法を用いて製造した。本開示の方法でボロン拡散層およびリン拡散層を形成した太陽電池セル、および従来の方法でボロン拡散層およびリン拡散層を形成した太陽電池セルの性能を評価した。それらの比較結果を下記表１に示す。【００３９】
【表１】
2018043523.tif 000003
【００４０】
表１の結果によれば、本開示に係る方法で得られた太陽電池セルの変換効率（Eff）が従来方法で得られた太陽電池セルの変換効率（Eff）に比べ、やや高い数値であることがわかる。したがって、本開示に係るボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法によれば、従来方法に対して太陽電池セルの製造コストを抑え、かつ、生産性を向上させることができると共に、太陽電池セルの性能を同程度あるいは向上させることが可能となる。【００４１】
本出願は、２０１６年８月３１日出願の特願２０１６−１６８８３８号に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本開示は、両面受光型太陽電池セルの製造過程におけるボロン拡散層の形成およびリン拡散層の形成に適用することができる。
【符号の説明】
【００４３】
２  ボロン剤
３  ボロン拡散層
４  ボロンシリケートガラス層
５  シリコン酸化膜
６  レジスト膜
７  リン拡散層
８  リンシリケートガラス層
９  反射防止膜
１０  導電性ペースト
１１  グリッド電極
１２  基板周縁部
ＢＳ  ウラ面
Ｓ  オモテ面
Ｗ  基板
ＷＧ  一対の基板
【図１】
2018043523.tif 000004
【図２】
2018043523.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
2018043523.tif 000008
2018043523.tif 000009
2018043523.tif 000010
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