(57)【要約】【課題】外来電磁波によるノイズの発生が防止された磁気センサを提供する。【解決手段】基板上に設けられ、グランド配線Ｇと信号配線Ｓとの間に接続された磁気抵抗効果素子１１と、磁気抵抗効果素子１１と隣接するよう基板上に設けられ、グランド配線Ｇに接続された磁性体層２１，２２とを備える。本発明によれば、磁気抵抗効果素子と隣接する磁性体層が信号配線と接することなくグランド配線に接続されていることから、外部から飛来する電磁波によるノイズが信号配線に直接重畳することがない。しかも、磁性体層が電源配線に接続されていることから、電磁波によるノイズを電源配線に逃がすことが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、電源配線と信号配線との間に接続された磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子と隣接するよう前記基板上に設けられ、前記電源配線に接続された磁性体層と、を備えることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記磁性体層と前記電源配線との間に接続され、前記磁気抵抗効果素子よりも抵抗値の低い抵抗素子をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記磁性体層は第１及び第２の磁性体層を含み、
前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間のギャップによって形成される磁路上に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記第１の磁性体層は、前記電源配線に接続され、
前記第２の磁性体層は、前記電源配線及び前記信号配線の両方から絶縁され、
前記第１の磁性体層の面積は、前記第２の磁性体層の面積よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記信号配線と別の電源配線との間に接続された抵抗素子をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記抵抗素子は、別の磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項５に記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記磁性体層は第３の磁性体層をさらに含み、
前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間のギャップによって形成される磁路上、並びに、前記第２の磁性体層と前記第３の磁性体層との間のギャップによって形成される磁路上に配置され、ブリッジ接続された複数の磁気抵抗効果素子からなることを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記第２の磁性体層上に配置された外部磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の磁気センサ。
【請求項９】
前記電源配線は、グランド配線であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気センサに関し、特に、基板上に形成された磁気抵抗効果素子及び磁性体層を含む磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサは、電流計や磁気エンコーダなどに広く用いられており、磁束を磁気抵抗効果素子に収束させるための磁性体層を備えることがある。特許文献１に記載された磁気センサは、２つの磁性体層（薄膜ヨーク）によって形成されるギャップに磁気抵抗効果素子を配置し、これによって所定方向の磁束を磁気抵抗効果素子に効率よく印加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５７６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された磁気センサは、磁性体層を信号配線の一部として利用していることから、外部から飛来する電磁波が磁性体層に入射すると、磁性体層を介して信号配線にノイズが重畳するという問題があった。このような問題を解決するには、磁気抵抗効果素子と磁性体層とを絶縁分離すればよいが、この場合であっても、磁気抵抗効果素子と磁性体層は互いに近接して配置する必要があることから、両者が容量結合し、高周波ノイズが信号配線に重畳することがあった。【０００５】
したがって、本発明は、基板上に形成された磁気抵抗効果素子及び磁性体層を含む磁気センサにおいて、外部から飛来する電磁波によるノイズが信号配線に重畳することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による磁気センサは、基板と、前記基板上に設けられ、電源配線と信号配線との間に接続された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と隣接するよう前記基板上に設けられ、前記電源配線に接続された磁性体層とを備えることを特徴とする。【０００７】
本発明によれば、磁気抵抗効果素子と隣接する磁性体層が電源配線に接続されていることから、外部から飛来する電磁波によるノイズが信号配線に直接重畳することがない。しかも、磁性体層が電源配線に接続されていることから、電磁波によるノイズを電源配線に逃がすことが可能となる。さらに、磁性体層と磁気抵抗効果素子は互いに同じ電源配線に接続されていることから、配線本数の増大を最小限に抑えることができる。【０００８】
本発明による磁気センサは、前記磁性体層と前記電源配線との間に接続され、前記磁気抵抗効果素子よりも抵抗値の低い抵抗素子をさらに備えていても構わない。このように、磁性体層は電源配線に直接接続されている必要はなく、磁気抵抗効果素子よりも抵抗値の低い抵抗素子を介して接続されていても構わない。【０００９】
本発明において、前記磁性体層は第１及び第２の磁性体層を含み、前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間のギャップによって形成される磁路上に配置されていることが好ましい。これによれば、２つの磁性体層によって効果的な集磁を行うことができるとともに、高い指向性を持たせることが可能となる。【００１０】
この場合、前記第１の磁性体層は、前記電源配線に接続され、前記第２の磁性体層は、前記電源配線及び前記信号配線の両方から絶縁され、前記第１の磁性体層の面積は、前記第２の磁性体層の面積よりも大きい構成であっても構わない。このように、面積の小さい磁性体層は、外来電磁波の影響を受けにくいため、このような磁性体層については電源配線から分離しても構わない。これによれば、配線本数の増大を抑制することが可能となる。【００１１】
本発明による磁気センサは、前記信号配線と別の電源配線との間に接続された抵抗素子をさらに備えることが好ましい。これによれば、磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を電圧の変化として取り出すことが可能となる。【００１２】
この場合、前記抵抗素子は別の磁気抵抗効果素子であっても構わない。これによれば、出力信号の振幅を拡大することが可能となる。さらにこの場合、前記磁性体層は第３の磁性体層をさらに含み、前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間のギャップによって形成される磁路上、並びに、前記第２の磁性体層と前記第３の磁性体層との間のギャップによって形成される磁路上に配置され、ブリッジ接続された複数の磁気抵抗効果素子からなることが好ましい。これによれば、出力信号の振幅をさらに拡大することが可能となる。【００１３】
この場合、前記第２の磁性体層上に配置された外部磁性体をさらに備えることが好ましい。これによれば、基板に対して垂直方向の磁束を効率よく集磁することができるとともに、ブリッジ接続された複数の磁気抵抗効果素子に対して磁束を分配することが可能となる。【００１４】
本発明において、前記電源配線はグランド配線であることが好ましい。これによれば、磁性体層の電位を確実に安定させることができるとともに、予期せぬショート不良の発生などを防止することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明によれば、基板上に形成された磁気抵抗効果素子及び磁性体層を含む磁気センサにおいて、外部から飛来する電磁波によるノイズが信号配線に重畳することを効果的に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０Ａの構成を説明するための略平面図である。
【図２】図２は、図１に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂの構成を説明するための略平面図である。
【図４】図４は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ１０Ｃの構成を説明するための略平面図である。
【図５】図５は、本発明の第４の実施形態による磁気センサ１０Ｄの構成を説明するための略平面図である。
【図６】図６は、本発明の第５の実施形態による磁気センサ１０Ｅの構成を説明するための略平面図である。
【図７】図７は、本発明の第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆの構成を説明するための略平面図である。
【図８】図８は、本発明の第７の実施形態による磁気センサ１０Ｇの構成を説明するための略平面図である。
【図９】図９は、本発明の第８の実施形態による磁気センサ１０Ｈの構成を説明するための略平面図である。
【図１０】図１０は、図９に示すＤ−Ｄ線に沿った略断面図である。
【図１１】図１１は、磁気センサ１０Ｈの第１の変形例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、磁気センサ１０Ｈの第２の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、磁気センサ１０Ｈの第３の変形例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第９の実施形態による磁気センサ１０Ｉの構成を説明するための略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０Ａの構成を説明するための略平面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、ｘ方向に配列された第１及び第２の磁性体層２１，２２と、平面視で（ｚ方向から見て）第１及び第２の磁性体層２１，２２との間に設けられたギャップと重なる位置に配置された磁気抵抗効果素子１１とを備えている。磁気抵抗効果素子１１は、磁界の向き及び強さに応じて電気抵抗が変化する素子である。本実施形態においては、磁気抵抗効果素子１１の長手方向がｙ方向であり、感度方向（固定磁化方向）は図１及び図２の矢印Ｂが示す方向（ｘ方向におけるプラス側）である。
【００２０】
第１及び第２の磁性体層２１，２２は、検出すべき磁束を集磁し、磁束の向きを揃え、これを磁気抵抗効果素子１１に印加する役割を果たす。第１及び第２の磁性体層２１，２２としては、樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、ニッケル又はパーマロイなどの軟磁性材料からなる薄膜もしくは箔であっても構わないし、フェライトなどからなる薄膜又はバルクシートであっても構わない。
【００２１】
磁気抵抗効果素子１１と第１及び第２の磁性体層２１，２２は、いずれも基板３０上に設けられる。図２に示す例では、基板３０の表面に薄い絶縁層３１が形成され、絶縁層３１の表面に磁気抵抗効果素子１１が形成される。磁気抵抗効果素子１１は別の絶縁層３２で覆われ、絶縁層３２の表面に第１及び第２の磁性体層２１，２２が形成されている。但し、絶縁層３２を省略し、絶縁層３１の表面に磁気抵抗効果素子１１と第１及び第２の磁性体層２１，２２を形成しても構わない。
【００２２】
磁気抵抗効果素子１１と第１及び第２の磁性体層２１，２２は、ｘ方向に隣接するように配置されている。このため、ｘ方向の磁界を受けると、第１の磁性体層２１から第２の磁性体層２２（或いは、第２の磁性体層２２から第１の磁性体層２１）への磁束が発生し、その際に磁気抵抗効果素子１１を磁束がｘ方向に横切ることになる。これにより、磁気抵抗効果素子１１の抵抗値が磁束の向き及び強さによって変化することになる。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態においては、磁気抵抗効果素子１１のｙ方向における一端がグランド配線Ｇに接続され、他端が信号配線Ｓに接続されている。グランド配線Ｇは、グランド電位ＧＮＤが供給される電源配線である。また、電源電位Ｖｃｃが供給される電源配線Ｐと信号配線Ｓとの間には、抵抗素子Ｒが接続されている。これにより、信号配線Ｓに現れる出力信号ＯＵＴは、磁気抵抗効果素子１１の抵抗値によって変化することになり、磁界の向き及び強さを検出することが可能となる。抵抗素子Ｒは、抵抗値がほぼ一定である金属皮膜抵抗であっても構わないし、磁気抵抗効果素子のように抵抗値が変化するものであっても構わない。当然ながら、第１及び第２の磁性体層２１，２２と信号配線Ｓは、直接接続されないよう分離しておく必要がある。
【００２４】
さらに、本実施形態においては、第１及び第２の磁性体層２１，２２がグランド配線Ｇに接続されており、これにより第１及び第２の磁性体層２１，２２がグランド電位ＧＮＤに固定されている。このため、外部から飛来する電磁波を受けても第１及び第２の磁性体層２１，２２の電位がほとんど変化しないため、外来電磁波によって出力信号ＯＵＴにノイズが発生することがない。
【００２５】
このように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、磁気抵抗効果素子１１に隣接して設けられた第１及び第２の磁性体層２１，２２がグランド電位ＧＮＤに固定されていることから、外来電磁波に起因するノイズを抑制することが可能となる。尚、本実施形態においては第１及び第２の磁性体層２１，２２にグランド電位ＧＮＤを与えているが、本発明がこれに限定されるものではなく、固定電位であればグランド電位ＧＮＤに限定されるものではない。したがって、グランド電位ＧＮＤを与える代わりに、電源配線Ｐを介して電源電位Ｖｃｃを与えても構わない。しかしながら、本発明による効果を高めるためには、よりインピーダンスの低い電源配線に接続することが有効であるため、グランド電位ＧＮＤを与えることが最も好ましい。
【００２６】
また、本実施形態においては、磁気抵抗効果素子１１と第１及び第２の磁性体層２１，２２を同じ電源配線（グランド配線Ｇ）に接続しているが、本発明においてこの点は必須でない。したがって、例えば、磁気抵抗効果素子１１をグランド配線Ｇに接続し、第１及び第２の磁性体層２１，２２を電源配線Ｐに接続しても構わない。しかしながら、本実施形態のように磁気抵抗効果素子１１と第１及び第２の磁性体層２１，２２を同じ電源配線に接続すれば、予期せぬショート不良などを防止することができるとともに、必要な配線の本数を低減することが可能となる。
【００２７】
＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂの構成を説明するための略平面図である。
【００２８】
本実施形態による磁気センサ１０Ｂは、第１及び第２の磁性体層２１，２２とグランド配線Ｇとの間に抵抗素子Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ接続されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２９】
本実施形態が例示するように、本発明において第１及び第２の磁性体層２１，２２をグランド配線Ｇに直接接続することは必須でなく、両者間に抵抗素子Ｒ１，Ｒ２が介在していても構わない。このような抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を介在させれば、外来電磁波に起因するノイズがグランド配線Ｇを介して磁気抵抗効果素子１１に回り込みにくくなるという利点がある。尚、外来電磁波の影響を十分に低減するためには、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値は磁気抵抗効果素子１１の抵抗値よりも低いことが好ましい。
【００３０】
＜第３の実施形態＞
図４は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ１０Ｃの構成を説明するための略平面図である。
【００３１】
本実施形態による磁気センサ１０Ｃは、磁気抵抗効果素子１１が２つの磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂに分割されているとともに、磁気抵抗効果素子１１ａと磁気抵抗効果素子１１ｂとの間に別の磁性体層２０が配置されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３２】
図４に示すように、磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂはいずれもｙ方向に延在しており、両者の端部が配線Ｌを介して互いに接続されている。これにより、１個の磁気抵抗効果素子１１を用いる場合と比べて、磁界による抵抗値の変化をより大きくすることができる。また、磁性体層２０もｙ方向に延在する細長い磁性体であり、第１及び第２の磁性体層２１，２２と同じ材料によって構成される。このような磁性体層２０を追加することによって、第１の磁性体層２１と第２の磁性体層２２との間の磁気抵抗を低減することが可能となる。
【００３３】
本実施形態においては磁性体層２０がいずれの配線にも接続されておらず、電気的にフローティング状態であるが、グランド配線Ｇを介してグランド電位ＧＮＤを与えても構わない。また、磁気抵抗効果素子１１を２つの磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂに分割するのではなく、磁気抵抗効果素子１１自体をＵ字型に折り返しても構わない。
【００３４】
＜第４の実施形態＞
図５は、本発明の第４の実施形態による磁気センサ１０Ｄの構成を説明するための略平面図である。
【００３５】
本実施形態による磁気センサ１０Ｄは、第２の磁性体層２２の面積が第１の磁性体層２１の面積よりも小さく、且つ、第２の磁性体層２２が電気的にフローティング状態である点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３６】
このように、第２の磁性体層２２の面積が小さい場合には、外来電磁波の影響も小さくなるため、第２の磁性体層２２をいずれの配線にも接続せずフローティング状態としても構わない。これによれば、基板３０上における配線本数を削減することが可能となる。
【００３７】
＜第５の実施形態＞
図６は、本発明の第５の実施形態による磁気センサ１０Ｅの構成を説明するための略平面図である。
【００３８】
本実施形態による磁気センサ１０Ｅは、第２の磁性体層２２が削除されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３９】
本実施形態が例示するように、本発明において磁気抵抗効果素子１１を２つの磁性体層２１，２２によって挟み込むことは必須でなく、少なくとも１つの磁性体層２１が磁気抵抗効果素子１１と隣接するように配置されていれば足りる。
【００４０】
＜第６の実施形態＞
図７は、本発明の第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆの構成を説明するための略平面図である。
【００４１】
本実施形態による磁気センサ１０Ｆは、抵抗素子Ｒの代わりに磁気抵抗効果素子１２が設けられている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４２】
磁気抵抗効果素子１２は、磁気抵抗効果素子１１と同様、第１の磁性体層２１と第２の磁性体層２２との間のギャップと重なる位置に配置されている。磁気抵抗効果素子１１の感度方向（固定磁化方向）は、図７の矢印Ｃが示す方向（ｘ方向におけるマイナス側）である。つまり、磁気抵抗効果素子１１と磁気抵抗効果素子１２の固定磁化方向は、互いに１８０°相違している。
【００４３】
このような構成によれば、磁気抵抗効果素子１１の抵抗値の変化と磁気抵抗効果素子１２の抵抗値の変化が相補的となることから、ｘ方向におけるプラス側の磁界及びマイナス側の磁界の両方を検出することができるとともに、より高い検出感度を得ることが可能となる。
【００４４】
＜第７の実施形態＞
図８は、本発明の第７の実施形態による磁気センサ１０Ｇの構成を説明するための略平面図である。
【００４５】
本実施形態による磁気センサ１０Ｇは、第１の磁性体層２１が２つの磁性体層２１ａ，２１ｂに分割されており、第２の磁性体層２２が２つの磁性体層２２ａ，２２ｂに分割されている点において、第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆと相違している。その他の構成は第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４６】
本実施形態においても、磁性体層２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂは全てグランド配線Ｇに接続されている。このため、第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆと同様の効果を得ることが可能となる。しかも、第１及び第２の磁性体層２１，２２がいずれもｙ方向に分断されているため、ｙ方向における磁気抵抗が高くなる。その結果、検出対象外であるｙ方向の磁界の影響を受けにくくなり、指向性が高められる。
【００４７】
＜第８の実施形態＞
図９は、本発明の第８の実施形態による磁気センサ１０Ｈの構成を説明するための略平面図である。図１０は、図９に示すＤ−Ｄ線に沿った略断面図である。
【００４８】
本実施形態による磁気センサ１０Ｈは、磁気抵抗効果素子１３，１４と第３の磁性体層２３が追加されている点において、第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆと相違している。第３の磁性体層２３は、第１及び第２の磁性体層２１，２２と同様、グランド配線Ｇに接続されている。磁気抵抗効果素子１３，１４は、第２の磁性体層２２と第３の磁性体層２３との間のギャップと重なる位置に配置されている。これら４つの磁気抵抗効果素子１１〜１４の感度方向（固定磁化方向）は、いずれも図９の矢印Ｂが示す方向（ｘ方向におけるプラス側）であり、図９に示すようにブリッジ接続されている。つまり、磁気抵抗効果素子１４，１１が直列に接続され、その接点である信号配線Ｓ１から出力信号ＯＵＴ１が出力されるとともに、磁気抵抗効果素子１２，１３が直列に接続され、その接点である信号配線Ｓ２から出力信号ＯＵＴ２が出力される。
【００４９】
また、第２の磁性体層２２上には外部磁性体４０が配置されており、基板３０のｘ方向における両端には外部磁性体４１，４２が配置されている。外部磁性体４０〜４２は、フェライトなど透磁率の高い軟磁性材料からなるブロックである。その他の構成は第６の実施形態による磁気センサ１０Ｆと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５０】
図１０に示すように、外部磁性体４０はｚ方向（基板３０の主面に対して垂直方向）の磁束φを集め、これを第２の磁性体層２２を介して左右に分配する役割を果たす。つまり、外部磁性体４０によって集められたｚ方向の磁束φは、半分が磁気抵抗効果素子１１，１２を介して第１の磁性体層２１側に曲げられるとともに、残りの半分が磁気抵抗効果素子１３，１４を介して第３の磁性体層２３側に曲げられる。磁束を曲げる力は、外部磁性体４１，４２を用いることによって強められる。そして、これら磁気抵抗効果素子１１〜１４がブリッジ接続されていることから、出力信号ＯＵＴ１と出力信号ＯＵＴ２との間には、磁束φの密度に応じた電位差が生じることになる。
【００５１】
このように、本実施形態による磁気センサ１０Ｈは、外部磁性体４０を備えるとともに４つの磁気抵抗効果素子１１〜１４がブリッジ接続されていることから、ｚ方向の磁束φを高感度に検出することが可能となる。
【００５２】
尚、図１０に示すように、磁気抵抗効果素子１１〜１４は下層の絶縁層３１上に形成され、磁性体層２１〜２３は上層の絶縁層３２上に形成されているため、磁気抵抗効果素子１１〜１４と磁性体層２１〜２３のｚ方向における位置は僅かに相違する。このため、磁気抵抗効果素子１１〜１４は、磁性体層２１〜２３によって形成されるギャップに対してｚ方向に僅かにオフセットした位置に配置されることになるが、ギャップの存在によって形成される磁路上に位置していることから、一方の磁性体層から他方の磁性体層へ流れる磁束を受けることができる。このように、磁気抵抗効果素子を設ける位置は、２つの磁性体層によって形成されるギャップから僅かにずれていても構わない。このように、磁気抵抗効果素子１１〜１４と磁性体層２１〜２３を異なる層に形成する場合、図１１に示すように、磁気抵抗効果素子１１〜１４のｘ方向における幅を２つの磁性体層によって形成されるギャップのｘ方向における幅よりも大きくしても構わない。
【００５３】
また、図１２に示すように、３つの絶縁層３１〜３３を用いることによって、２つの磁性体層によって形成されるギャップをｚ方向に形成しても構わない。つまり、ギャップは平面的なものである必要はない。図１２に示す例では、磁性体層２１と磁性体層２２の重なりによって形成されるギャップに磁気抵抗効果素子１１が配置され、磁性体層２２と磁性体層２３の重なりによって形成されるギャップに磁気抵抗効果素子１３が配置されている。
【００５４】
さらに、図１３に示すように、磁性体層２１，２３と磁性体層２２が互いに異なる平面に形成され、且つ、互いに重なりを有していない構成であっても構わない。この場合、２つの磁性体層によって形成されるギャップは斜め方向となる。図１３に示す例では、磁性体層２１のエッジと磁性体層２２のエッジとの間に形成される斜め方向のギャップに磁気抵抗効果素子１１が配置され、磁性体層２２のエッジと磁性体層２３のエッジとの間に形成される斜め方向のギャップに磁気抵抗効果素子１３が配置されている。
【００５５】
図１０〜図１３が例示するように、２つの磁性体層によって形成されるギャップは、平面的なものであっても構わないし、立体的なものであっても構わない。また、磁気抵抗効果素子は、厳密にギャップ内に位置している必要はなく、ギャップの存在によって形成される磁路上に位置していれば足りる。
【００５６】
＜第９の実施形態＞
図１４は、本発明の第９の実施形態による磁気センサ１０Ｉの構成を説明するための略平面図である。
【００５７】
本実施形態による磁気センサ１０Ｉは、第２及び第３の磁性体層２２，２３がグランド配線Ｇに直接接続されているのではなく、第１の磁性体層２１を介してグランド配線Ｇに接続されている点において、第８の実施形態による磁気センサ１０Ｈと相違している。その他の構成は第８の実施形態による磁気センサ１０Ｈと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５８】
本実施形態が例示するように、本発明において全ての磁性体層がグランド配線Ｇなどの電源配線に直接接続されていることは必須でなく、一部の磁性体層が他の磁性体層を介して電源配線に接続されていても構わない。これによれば、グランド配線Ｇなどの電源配線の引き回しが容易となるため、設計自由度が高められる。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６０】
１０Ａ〜１０Ｉ    磁気センサ
１１〜１４，１１ａ，１１ｂ    磁気抵抗効果素子
２０〜２３，２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ    磁性体層
３０    基板
３１〜３３    絶縁層
４０〜４２    外部磁性体
Ｇ    グランド配線
Ｌ    配線
Ｐ    電源配線
Ｒ，Ｒ１，Ｒ２    抵抗素子
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２    信号配線
φ    磁束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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