(57)【要約】  エキスパンドによって接着剤層を半導体チップに沿って分断する際に用いられる半導体加工用テープであって、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とをこの順で有し、前記基材フィルムは、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値がいずれも５ＭＰａ以上であり、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さがいずれも１０〜３０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、厚さが７０〜１５０μｍであり、前記接着剤層は、厚さが４０μｍ以上であり、２５℃における貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ以下である、半導体加工用テープ。
2018105613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エキスパンドによって接着剤層を半導体チップに沿って分断する際に用いられる半導体加工用テープであって、
基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とをこの順で有し、
前記基材フィルムは、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値がいずれも５ＭＰａ以上であり、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さがいずれも１０〜３０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、厚さが７０〜１５０μｍであり、
前記接着剤層は、厚さが４０μｍ以上であり、２５℃における貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ以下である、
半導体加工用テープ。
【請求項２】
下記工程（ａ）〜（ｈ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハの裏面に前記半導体加工用テープの前記接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分断予定ラインにレーザー光を照射して、前記ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープをエキスパンドすることにより、前記ウエハと前記接着剤層とを前記分断予定ラインに沿って分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）前記エキスパンド後の前記半導体加工用テープにおいて、前記半導体加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記間隔を保持した状態で、前記接着剤層を貼着した前記半導体チップを前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体チップの製造方法に用いられる、請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
前記基材フィルムが熱可塑性架橋樹脂を含み、前記熱可塑性架橋樹脂の融点が８０〜９５℃であり、メルトフローレートが０．５〜５．０ｇ／１０分である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項４】
前記熱可塑性架橋樹脂が亜鉛アイオノマー樹脂であり、前記基材フィルムの曲げ弾性率が２００ＭＰａ以下である請求項３に記載の半導体加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピックアップ性に優れた半導体加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体素子（半導体チップ）の製造は、通常、次の工程によって行われる。すなわち、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、ウエハの裏面に粘着性および伸縮性のある半導体加工用テープを貼り付けた後、ウエハを半導体チップ単位に分断するダイシング工程、半導体加工用テープを拡張（エキスパンド）するエキスパンド工程、分断された半導体チップをピックアップするピックアップ工程、さらにピックアップされた半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する（あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着する）ダイボンディング（マウント）工程である。【０００３】
上記バックグラインド工程の後のダイシング工程からマウント工程までの工程では、基材フィルム上に、粘着剤層と接着剤層とが、この順に積層された半導体加工用テープが使用される。一般に、このような半導体加工用テープを用いる場合は、まず、ウエハの裏面に半導体加工用テープの接着剤層を貼合してウエハを固定し、ダイシングブレードを用いてウエハおよび接着剤層を半導体チップ単位にダイシングする。その後、テープをウエハの径方向に拡張することによって、半導体チップ間の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等による半導体チップの認識性を高める目的がある。また、半導体チップをピックアップする際に、隣接する半導体チップ同士が接触することによって生じる半導体チップの破損を防止する目的がある。その後、半導体チップは、ピックアップ工程にて接着剤層とともに粘着剤層から剥離してピックアップされ、マウント工程にて、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。
このように、半導体加工用テープを用いることにより、接着剤層付きの半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となる。したがって、接着剤の塗布工程や別途各半導体チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。【０００４】
ダイシング工程ではブレードによりウエハのみをダイシングし、エキスパンド工程において、半導体加工用テープを拡張することにより、接着剤層を個々の半導体チップ毎に分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。【０００５】
また、近年、ウエハの切断方法として、レーザー光の照射およびテープの拡張によって、非接触でウエハを切断する方法が提案されている（例えば、特許文献２および特許文献３）。これら特許文献２および特許文献３に記載のウエハの切断方法によれば、ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなくウエハの切断が可能である。また、拡張によって接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。【０００６】
さらに、特許文献４には、エキスパンド後の弛みにより個々の半導体チップ間の間隔を安定に保持できなくなることを防止するため、分断工程後にテープを加熱して収縮緊張させ、半導体チップ間の間隔を保持する方法が提案されている。【０００７】
一方、従来は、裏面研削等によりウエハの厚さを２００〜４００μｍ程度とすることが求められていた。しかし、近年の高密度実装技術の進歩に伴い、半導体チップを小型化する必要が生じ、それに伴い、ウエハの薄膜化も進んでいる。半導体チップの種類によっては、ウエハを１００μｍ程度まで薄くすることが必要となっている。一方で、一度の加工によって製造できる半導体チップの数を多くするために、もとのウエハを大径化する傾向にある。これまでは直径が５インチや６インチのウエハが主流だったのに対し、近年では直径８〜１２インチのウエハを半導体チップ化する加工が主流となっている。
ウエハを薄膜化と同時に大径化する流れは、特に、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型が存在するフラッシュメモリの分野や、揮発性メモリであるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などの分野で顕著である。例えば、直径１２インチのウエハを１５０μｍ以下の厚さまで研削することも珍しくない。【０００８】
これに加え、特に近年、スマートフォンの普及や携帯電話の性能向上および音楽プレーヤの小型化、かつ性能向上などに伴い、耐衝撃性などを考慮した電極付ウエハを用いたフリップチップ実装に用いるウエハについても薄膜化の要求が増えてきている。またバンプ付ウエハについてもウエハ部分を１００μｍ以下の薄膜研削をする必要が出てきている。フリップチップ接続されるためのバンプは、転送速度向上を目的として高密度化されてきており、バンプの高さ（ウエハ表面からの突出高さ）が低くなってきており、それに伴ってバンプ間距離が短くなってきている。また近年ではＤＲＡＭにもフリップチップ接続が実施されてきているためウエハの薄膜化も加速している。【０００９】
フリップチップ実装は、近年の電子機器の小型化、高密度化に対して半導体素子を最小の面積で実装できる方法として注目されてきた。このフリップチップ実装に使用される半導体素子の電極上にはバンプが形成されており、バンプと回路基板上の配線とを電気的に接合する。これらのバンプの組成としては、主に半田や金が使用されている。この半田バンプや金バンプは、蒸着やメッキで、半導体チップの内部配線につながる露出したアルミ端子上などに形成する。【００１０】
しかし、バンプ付ウエハは、その表面に大きな凹凸を有しているため薄膜加工が難しく、通常の粘着テープを用いて裏面研削を行うとウエハ割れが発生してしまったり、ウエハの厚み精度が悪化したりする。そのため、バンプ付ウエハの研削には、特別に設計された表面保護テープを用いて加工がされている（例えば、特許文献５参照）。【００１１】
さらに近年、半導体チップの３次元実装技術の進歩により、様々な用途の半導体チップを１つのパッケージとして製造するマルチチップパッケージが増加しつつある。３次元実装技術の１つとして貫通電極を用いたＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）なども研究されているが、現在のところ製造コストが非常に高いことから多くの製品への展開には至っていない。そこで２．５次元の積層技術を用いた製品の開発競争が加速し、ワイヤボンドした半導体チップの上にさらに半導体チップを積層するパッケージや一部をバンプでつなぐ実装方式が採用されつつある。【００１２】
特に、ワイヤボンドした半導体チップの上にさらに半導体チップを積むためには、半導体チップを一度実装した後に接着剤層を通じてワイヤボンドをしなくてはならない。そこで、通常の接着剤層よりも低貯蔵弾性率で、かつ、厚い接着剤層が使われるようになり、接着剤層の分割が非常に困難になってきている。ブレードダイシング法を用いれば、ある程度接着剤層を容易に分割することはできる。しかし、半導体チップ欠け、接着剤層の巻き上げによるピックアップ不良や半導体チップ破損の問題がある。このため、主に薄膜ウエハの技術領域で使用できるステルス技術を用いた加工が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−５５３０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３８４６７号公報
【特許文献３】特開２００４−２７３８９５号公報
【特許文献４】特開２０１１−２１６５０８号公報
【特許文献５】特開２００１−２０３２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
接着剤層にワイヤを埋め込むため、または接着剤層をバンプウエハに十分に追従させるためには、接着剤層の厚みを厚く、かつ、低弾性化することが考えられる。しかし、このような接着剤層を採用すると、エキスパンドによる接着剤層の分割ではエキスパンドによる力が接着剤層に十分に伝わらず、接着剤層が分割できない、または分割できたとしても半導体チップ間隔が不十分であり再度接着剤層同士がくっついてしまい半導体チップがピックアップできない、といった問題が存在する。
また、接着剤層の再接着を防止するため、分割工程で半導体加工用テープを過剰にエキスパンドし、分割工程後に半導体加工用テープを加熱収縮させる場合もあるが、ＭＤ方向とＴＤ方向で収縮率が異なるため、半導体チップ間の間隔が均一にならないという問題が存在する。
さらに、ピックアップ工程において、粘着剤層から接着剤層が剥離しにくいという問題がある。【００１５】
本発明は、エキスパンドによって接着剤層を分割でき、加熱収縮後に半導体チップ間の間隔を均一にでき、ピックアップ不良を低減できる半導体加工用テープを提供することを課題とする。特に、ワイヤの埋め込みまたはバンプへの追従性確保の目的で、厚みが厚く、かつ、低貯蔵弾性率の接着剤層を備えていても、エキスパンドにおいて接着剤層を分割可能な半導体加工用テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題に鑑み、本発明者らは鋭意検討を行った。その結果、基材フィルムの応力値および引張強さ、ならびに基材フィルムの厚みを特定の値とした半導体加工用テープは、接着剤層を、エキスパンド工程において分割できることを見出した。この半導体加工用テープは、低貯蔵弾性率であり、かつ、厚みのある（例えば、４０μｍ以上）接着剤層を備えていても、分割することができることを見出した。また、この半導体加工用テープを使用すると、加熱収縮後に半導体チップ間の間隔を均一にでき、ピックアップ不良も低減できることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされるに至ったものである。【００１７】
すなわち、上記課題は以下の手段により達成された。
（１）エキスパンドによって接着剤層を半導体チップに沿って分断する際に用いられる半導体加工用テープであって、
基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とをこの順で有し、
前記基材フィルムは、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値がいずれも５ＭＰａ以上であり、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さがいずれも１０〜３０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、厚さが７０〜１５０μｍであり、
前記接着剤層は、厚さが４０μｍ以上であり、２５℃における貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ以下である、
半導体加工用テープ。
（２）下記工程（ａ）〜（ｈ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハの裏面に前記半導体加工用テープの前記接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分断予定ラインにレーザー光を照射して、前記ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープをエキスパンドすることにより、前記ウエハと前記接着剤層とを前記分断予定ラインに沿って分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）前記エキスパンド後の前記半導体加工用テープにおいて、前記半導体加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記間隔を保持した状態で、前記接着剤層を貼着した前記半導体チップを前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体チップの製造方法に用いられる、（１）に記載の半導体加工用テープ。
（３）前記基材フィルムが熱可塑性架橋樹脂を含み、前記熱可塑性架橋樹脂の融点が８０〜９５℃であり、メルトフローレートが０．５〜５．０ｇ／１０分である（１）または（２）に記載の半導体加工用テープ。
（４）前記熱可塑性架橋樹脂が亜鉛アイオノマー樹脂であり、前記基材フィルムの曲げ弾性率が２００ＭＰａ以下である（３）に記載の半導体加工用テープ。
本発明において、「接着剤層を半導体チップに沿って分断する」とは、分断後の接着剤層の底面形状が半導体チップの底面形状と同一形状となるように分断することをいう。なお、「ウエハと接着剤層とを分断予定ラインに沿って分断」する場合にも、分断予定ラインに沿って分断された半導体チップの底面形状と分断予定ラインに沿って分断された接着剤層の底面形状とは同一形状となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の提供する半導体加工用テープは、エキスパンドによる応力が接着剤層へ伝わるため、接着剤層を分割できる。さらに、低貯蔵弾性率で、かつ、厚い接着剤層についても分割できる。また、エキスパンドによる、基材フィルムの変形量が適切であり、半導体チップ間の間隔を均一にでき、ピックアップ不良を低減できる。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、ウエハに、表面保護テープが貼合された状態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態に係る半導体加工用テープに、ウエハとリングフレームとを貼合する工程を説明するための端面図である。
【図４】図４は、ウエハの表面から表面保護テープを剥離する工程を説明する端面図である。
【図５】図５は、レーザー加工によりウエハに改質領域が形成された様子を示す端面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体加工用テープがエキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図である。図６（ｂ）は、半導体加工用テープの拡張により、ウエハを半導体チップに分断する過程を示す断面図である。図６（ｃ）は、拡張後の半導体加工用テープ、接着剤層、および半導体チップを示す端面図である。
【図７】図７は、加熱収縮工程を説明するための端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［半導体加工用テープ］
本発明の半導体加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とを有する。本発明の半導体加工用テープは、エキスパンドにより接着剤層を、半導体チップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能な半導体加工用テープである。本発明の半導体加工用テープは、いわゆるダイシング・ダイボンドテープとして用いられる。
本発明の半導体加工用テープにおいて、基材フィルムは、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値がいずれも５ＭＰａ以上であり、ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さがいずれも１０〜３０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、厚さが７０〜１５０μｍであり、接着剤層は、厚さが４０μｍ以上であり、２５℃における貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ以下である。
本発明の半導体加工用テープは、上記条件を満足する場合に、エキスパンド工程において通常の引き伸ばし量（伸長５〜１０％）にエキスパンドすることにより、接着剤層を半導体チップに沿って分断することができる。エキスパンドは、半導体加工用テープを、半導体加工用テープが貼合されたウエハの外周方向に向かって均一に拡張することにより行われるのが好ましい。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体加工用テープ１０を示す断面図である。この半導体加工用テープ１０は、基材フィルム１１と粘着剤層１２とからなる粘着テープ１５と、粘着剤層１２上に接着剤層１３とを有し、接着剤層１３上にウエハの裏面が貼合されるものである。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明の半導体加工用テープ１０は、ウエハ１枚分毎に切断された形態であってもよいし、ウエハ１枚分毎に切断されたものが複数形成された長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。
【００２１】
本発明において、粘着剤層は、粘着剤組成物の塗工層を意味し、粘着剤に含有される重合体が粘着力または凝集力を発揮している状態にある。粘着剤組成物に後述する化合物（Ｂ）が含有されている場合には、粘着剤組成物中の成分が架橋して、粘着力および凝集力を発揮した状態にある。また、粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、粘着剤層は、後述するエネルギー線照射によって硬化する前の状態にある。エネルギー線照射によって硬化した後の粘着剤層を、硬化粘着剤層という。
本発明において、接着剤層は、接着剤組成物の塗工層を意味し、接着剤に含有される樹脂が粘着力または凝集力を発揮している状態にある。接着剤組成物に後述する熱重合性成分が含有されている場合には、接着剤層は、後述するダイボンド時の加熱によって半硬化する前の状態にある。加熱によって半硬化した後の接着剤層を、半硬化接着剤層という。
【００２２】
以下に、半導体加工用テープ各層の構成について説明する。
【００２３】
〈基材フィルム〉
基材フィルム１１は、半導体加工用テープ１０のエキスパンド工程において引き伸ばし易く、かつ破断しないことが好ましい。また、接着剤層を均一に分断するためエキスパンドによる応力が接着剤層に十分に伝わることが好ましい。これらの観点から、基材フィルム１１のＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値はいずれも５ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは６ＭＰａ以上である。基材フィルムのＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値の上限は特に限定されないが、１００ＭＰａが実際的である。本発明において、ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）とは、基材フィルムの、ロールにしたときの長さの方向をいう。また、ＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）とはＭＤと直交する方向（幅方向）をいう（後述の５％伸長時の引張強さについても同じ）。
ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値の比（ＭＤ／ＴＤ）は０．８〜１であることが好ましい。
【００２４】
基材フィルム１１の５％伸長時のＭＤおよびＴＤの引張強さはいずれも１０〜３０Ｎ／２５ｍｍである。上記引張強さが小さすぎると、分割する力が不足するため、接着剤層の分断が不十分となる場合がある。一方、上記引張強さが大きすぎると、エキスパンダーを用いてもエキスパンドが十分にできず、半導体チップ間の間隔が全く開かない、装置が故障するといった問題が発生する場合がある。基材フィルム１１の５％伸長時のＭＤおよびＴＤの引張強さはいずれも、１５〜２５Ｎ／２５ｍｍが好ましい。
ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さの比（ＭＤ／ＴＤ）は０．８５〜１．１５であることが好ましい。
【００２５】
一方、基材フィルム１１の厚さは７０〜１５０μｍである。基材フィルム１１の厚さが薄すぎると、基材フィルム１１が破断する場合があり、また引張強度が十分に出ないためエキスパンド分断ができない場合がある。基材フィルム１１の厚さが厚すぎると、上記５％伸長時の応力および引張強さが上記範囲内にあっても、エキスパンド分断の際に引き伸ばし量に対して変形量が不十分であり、半導体チップ間の間隔が十分に開かないため、接着剤層を分断できない場合がある。さらに、ピックアップ時に基材フィルム１１が変形しづらく、ピックアップ性が悪化しピックアップ不良や半導体チップ破壊を起こしてしまう場合がある。基材フィルム１１の厚さは、より好ましくは、８０〜１２０μｍである。
【００２６】
後述するとおり、基材フィルムが複数層構造を有する積層体である場合には、積層体が上記のＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値およびＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さを有する。また、前記積層体が上記厚さを有する。
【００２７】
基材フィルム１１の曲げ弾性率は、貼合が容易である点で、２００ＭＰａ以下であることが好ましい。曲げ弾性率は、次の方法で測定することができる。曲げ弾性率（ｆｌｅｘｕｒａｌ ｍｏｄｕｌｕｓ）は、弾性限界内における（弾性モードで測定される）応力の歪みに対する比であり、引張係数（ｔｅｎｓｉｌｅ ｍｏｄｕｌｕｓ）に類似する。この特性は材料の曲げ剛性を示すのに用いられる。曲げ弾性率は、弾性に関する係数であり、曲げテストにおける、応力−歪み曲線の直線部分の傾きを計算して決定される。記録された負荷（Ｆ）と偏差（Ｄ）から曲げ弾性率（ＥＢ）を計算するのに用いられる式は次のものである。
ＥＢ＝（３／４）・（ＦＬ３／ｂｄ３Ｄ）
ここで、
Ｌ＝試料のサポート間のスパン（ｍ）
ｂ＝試料の幅（ｍ）
ｄ＝試料の厚さ（ｍ）である。
曲げ弾性率はＡＳＴＭ  Ｄ７９０標準などに従って測定できる。
上記各特性は、通常の方法により、例えば、基材フィルムの、材料の種類および含有量、厚さ等を調整することにより、上記範囲に設定することができる。
【００２８】
基材フィルム１１の材質については、上記ＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力および引張強さを達成できるものであれば、特に限定されない。基材フィルム１１は、均一かつ等方的な拡張性を有するとエキスパンド工程においてウエハが全方向に偏りなく切断できる点で好ましい。一般に、架橋樹脂は、非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きく、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えた際の収縮応力が大きい。したがって、架橋樹脂は、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去し、テープを緊張させて個々の半導体チップ間の間隔を安定に保持する加熱収縮工程を実施できる点で好ましい。架橋樹脂のなかでも熱可塑性架橋樹脂がより好ましく使用される。一方、非架橋樹脂は、架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が小さい。したがって、−１５〜０℃のような低温領域でのエキスパンド工程後、一度弛緩され、かつ常温に戻されて、ピックアップ工程、マウント工程に向かうときのテープが収縮しにくいため、半導体チップに貼着した接着剤層同士が接触することを防止できる点で好ましい。非架橋樹脂のなかでもオレフィン系の非架橋樹脂がより好ましく使用される。
【００２９】
熱可塑性架橋樹脂としては、金属イオンによる凝集力を利用し高分子を凝集体とした合成樹脂であるアイオノマー樹脂が好ましく、例えば、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が、例示される。これらは、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、かつ架橋によって加熱により強く復元力が働く点で、特に好適である。上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは特に限定されないが、亜鉛イオン、ナトリウムイオン等が挙げられる。亜鉛イオンは溶出性が低く低汚染性の面から好ましい。本発明において、亜鉛イオンを含むアイオノマー樹脂を亜鉛アイオノマー樹脂という。上記３元共重合体の（メタ）アクリル酸アルキルエステルにおいて、アルキル基が炭素数１〜４であると得られる基材フィルムの弾性率（曲げ弾性率）が高くなり、ウエハに対して強い力を伝播できる点で好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げられる。
【００３０】
また、上記アイオノマー樹脂の他に、上述の熱可塑性架橋樹脂としては、比重０．９１０以上０．９３０未満の低密度ポリエチレン、比重０．９１０未満の超低密度ポリエチレン、およびエチレン−酢酸ビニル共重合体から選ばれる樹脂を架橋させたものも好適である。
架橋の方法としては、上記樹脂に対して、電子線等のエネルギー線を照射する方法が挙げられる。このような熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存していることから、一定の均一拡張性を有する。また、加熱によって強く復元力が働くことから、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する上でも好適である。また、このような熱可塑性架橋樹脂は、分子鎖の構成中に塩素原子をほとんど含まないので、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といった塩素化芳香族炭化水素を発生せず、環境負荷も小さい。上記ポリエチレンやエチレン−酢酸ビニル共重合体に対して照射するエネルギー線の量を適宜に調製することで、十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。
【００３１】
また、非架橋樹脂としては、例えば、ポリプロピレンと、スチレン系共重合体との混合樹脂が、例示される。
【００３２】
ポリプロピレンとしては、例えばプロピレンの単独重合体、または共重合体、例えば、ブロック型またはランダム型プロピレン−エチレン共重合体を用いることができる。ランダム型プロピレン−エチレン共重合体は剛性が小さく好ましい。プロピレン−エチレン共重合体中のエチレン構成単位の含有率が０．１質量％以上だと、基材フィルムの剛性が小さい点と、混合樹脂中の樹脂同士の相溶性が高い点で、好ましい。基材フィルムの剛性が適切であるとウエハの切断性が向上し、樹脂同士の相溶性が高い場合は押出し吐出量が安定化しやすい。より好ましくは１質量％以上である。また、プロピレン−エチレン共重合体中のエチレン構成単位の含有率が７質量％以下だと、プロピレン−エチレン共重合体を得るための重合反応を安定に行える点で好ましい。より好ましくは５質量％以下である。
【００３３】
スチレン系共重合体とは、共役ジエン化合物と芳香族ビニル化合物との共重合体である。芳香族ビニル化合物としては、例えばスチレン、ｔ−ブチルスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノエチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−第３ブチルスチレンなどが挙げられる。また共役ジエン化合物としては、例えば、ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンなどを挙げることができる。
スチレン系重合体としては水素添加したものを用いてもよく、スチレン−水添イソプレン−スチレン共重合体が好ましい。スチレン系共重合体が水素添加されると、ポリプロピレンとの相溶性が良くかつ主鎖中の二重結合に起因する酸化劣化による、脆化、変色を防止することができる。
また、スチレン系共重合体中のスチレン構成単位の含有率が、５質量％以上であると、スチレン系共重合体を調製する際に安定して重合しやすい点で好ましい。また４０質量％以下では、柔軟で拡張性が高い。より好ましくは２５質量％以下であり、さらに好ましくは１５質量％以下である。
スチレン系共重合体としては、ブロック型共重合体またはランダム型共重合体のいずれも用いることができる。ランダム型共重合体は、スチレン構成単位が均一に分散し、剛性が大きくなりすぎるのを抑制でき、基材フィルムの拡張性が向上することから好ましい。
【００３４】
ポリプロピレンとスチレン系共重合体との混合樹脂中におけるポリプロピレンの含有率が３０質量％以上であると、基材フィルムの厚さムラを抑制できる点で好ましい。基材フィルムの厚さが均一であると、拡張性が等方化しやすい。また、基材フィルムの応力緩和性が大きくなりすぎて、半導体チップ間距離が経時的に小さくなり接着剤層同士が接触して再融着することを防止しやすい。より好ましくは５０質量％以上である。また、ポリプロピレンの含有率が９０質量％以下であると、基材フィルムの剛性を適切に設定できる。基材フィルムの剛性が大きくなりすぎると、基材フィルムを拡張するために必要な力が大きくなるため、装置の負荷が大きくなり、ウエハや接着剤層の分断に十分なエキスパンドができなくなる場合がある。混合樹脂中のスチレン系共重合体の含有率の下限は１０質量％以上が好ましく、装置に適した基材フィルムの剛性に調整しやすい。上限は７０質量％以下だと厚さムラを抑制できる点で好ましく、５０質量％以下がより好ましい。
【００３５】
架橋樹脂および非架橋樹脂の融点の好ましい範囲は８０〜９５℃である。融点が低すぎると、半導体加工用テープ貼合の際の加熱貼合により、貼合ローラーに基材フィルムが接着してしまう。一方、架橋樹脂および非架橋樹脂の融点が高すぎると、後述のエキスパンド分断後の加熱収縮工程での加熱温度では加熱収縮性が不足して、エキスパンド分断の後の加熱収縮させる工程で縮まなくなる。また、架橋樹脂および非架橋樹脂の好ましいメルトフローレート（ＭＦＲ）の範囲は０．５〜５．０ｇ／１０分である。ＭＦＲが低すぎると押出しの際の厚み精度が悪くなり、一部分でピックアップ性が極端に悪化することにつながる。一方、大きすぎると流動性が高すぎるためにへたってしまい十分に収縮しない。ＭＦＲはＪＩＳ  Ｋ  ７２１０‐１９９９に基づき、計測した値とする。ＭＦＲの測定条件は材料によって異なるが、上記ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０‐１９９９の記載に基づき適宜決定される。
【００３６】
基材フィルムが熱可塑性架橋樹脂を含む場合、基材フィルムは熱可塑性架橋樹脂以外の樹脂成分を含んでいてもよいが、熱可塑性架橋樹脂を主成分として含むことが好ましい。ここで、主成分とは、基材フィルムを構成する樹脂成分において最大含有量（好ましくは、５０質量％以上）を占める成分をいう。
基材フィルムの好ましい実施形態は、熱可塑性架橋樹脂を主成分として含み、熱可塑性架橋樹脂の融点が８０〜９５℃であり、メルトフローレートが０．５〜５．０ｇ／１０分である基材フィルムである。
基材フィルムのさらに好ましい実施形態は、前記好ましい実施形態における熱可塑性架橋樹脂がアイオノマー樹脂であり、基材フィルムの曲げ弾性率が２００ＭＰａ以下である基材フィルムである。
【００３７】
なお、図１に示す例では、基材フィルム１１は単層であるが、これに限定されず、複数層でもよい。前記複数層は、樹脂からなる層を２種以上積層させた複数層であってもよいし、１種類の樹脂からなる層を積層させた複数層でもよい。２種以上の樹脂は、架橋樹脂同士または非架橋樹脂同士とされていれば、各々の特性がより増強されて発現する観点から好ましく、架橋樹脂と非架橋樹脂とを組合わせて積層した場合には各々の欠点が補われる点で好ましい。
【００３８】
複数層の基材フィルム１１の製造方法としては、通常の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては通常の接着剤を用いることができる。
【００３９】
〈粘着剤層〉
本発明の半導体加工用テープ１０を構成する粘着剤層１２は、ダイシング工程において接着剤層１３との剥離を生じず、半導体チップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性、エキスパンドによる応力を接着剤層に伝える特性、およびピックアップ時において接着剤層１３との剥離が可能である特性を有するものであれば、特に限定されない。
【００４０】
本発明の半導体加工用テープ１０において、粘着剤層１２を構成する粘着剤は、上記特性を示すものであれば特に限定されないが、エネルギー線硬化性の粘着剤が好ましい。エネルギー線硬化性粘着剤であれば、ダイシング後のピックアップが容易になる。また、硬化後に接着剤層１３との剥離がしやすくなる材料であることが好ましい。なお、ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
【００４１】
粘着剤は、エネルギー線照射硬化性の粘着剤が好ましく、エネルギー線照射により重合反応することが可能な反応性の基を少なくとも１つ有するポリマー（以下、「重合体（Ａ）」という。）を少なくとも１種含むものが好ましい。
上記粘着剤は、重合体（Ａ）を主成分とすることが好ましい。より具体的には、重合体（Ａ）を５０質量％以上含有することが好ましく、８０質量％以上含有することがより好ましく、９０質量％以上含有することがさらに好ましい。
【００４２】
上記のエネルギー線照射で重合反応することが可能な反応性の基としては、エチレン性不飽和基、すなわち、炭素−炭素二重結合を有する基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリルロイルアミノ基などが挙げられる。
【００４３】
上記重合体（Ａ）に特に制限はないが、例えば、（メタ）アクリルポリマー、ポリエステル、エチレンもしくはスチレン共重合体、ポリウレタン等が挙げられる。なお、本発明においては、これら重合体（Ａ）を１種単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
粘着剤層は、重合体（Ａ）として、質量平均分子量１０，０００以上２，０００，０００以下の（メタ）アクリルポリマーを含有することが好ましく、この（メタ）アクリルポリマーは、エチレン性不飽和基、水酸基およびカルボキシ基を有することが好ましい。
【００４５】
前記質量平均分子量１０，０００以上２，０００，０００以下の（メタ）アクリルポリマーは、市販のものを用いてもよく、常法により合成したものを用いてもよい。合成する場合、前記（メタ）アクリルポリマーは、水酸基およびカルボキシ基を有する、エチレン性不飽和基導入前のポリマーと、エチレン性不飽和基を有する化合物とを反応させて得られたポリマーであることが好ましい。この場合、エチレン性不飽和基導入前のポリマーを形成する全モノマー成分中に、（メタ）アクリル酸を１モル％〜１０モル％含むことが好ましい。
【００４６】
本発明において、エチレン性不飽和基を有する化合物として、後述の反応性基が水酸基である化合物に後述の２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートを反応させたものが好ましい。
なお、本発明において、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートの配合量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して１質量部〜２０質量部が好ましく、６質量部〜２０質量部がより好ましい。
【００４７】
上記重合体（Ａ）の合成方法としては、例えば、（ａ）エチレン性不飽和基を有するポリマーである場合、エチレン性不飽和基を有する化合物とポリマーとを反応させて、エチレン性不飽和基が導入されたポリマーを得る方法、（ｂ）エチレン性不飽和基を有するオリゴマー〔例えば、架橋剤の一種であるウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー等〕を利用する方法、が簡便、かつ容易であり、好ましく、なかでも上記（ａ）の方法が好ましい。
上記（ａ）の方法では、エチレン性不飽和基を有する化合物として、当該エチレン性不飽和基とエチレン性不飽和基とは異なる反応性の基（反応性基αと称す）とを有する構造の化合物（以下、エチレン性不飽和基と反応性基αとを有する化合物ともいう）を用い、エチレン性不飽和基が導入されるポリマーとしては、当該エチレン性不飽和基を有する化合物の反応性基αと反応する反応性基βを有する構造のポリマー（以下、「反応性基βを有するポリマー」という。）を用いて、反応性基αとβを反応させる。
【００４８】
このような反応性基αおよびβは、例えば、一方が、求核攻撃する基、他方が、求核攻撃を受ける基もしくは付加反応を受ける基とすることが好ましい。このような反応性基としては、例えば水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシ基、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、環状の酸無水物基、ハロゲン原子、アルコキシもしくはアリールオキシカルボニル基等が挙げられる。
ここで、反応性基αおよびβのいずれか一方が水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシ基である場合、他方の反応性基はエポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、環状の酸無水物基、ハロゲン原子、アルコキシもしくはアリールオキシカルボニル基とすることができる。
【００４９】
エチレン性不飽和基と反応性基αとを有する化合物が有する反応性基αは、求核攻撃を受ける基または付加反応を受ける基であることが好ましく、例えば、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、環状の酸無水物基、ハロゲン原子、アルコキシまたはアリールオキシカルボニル基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、または環状の酸無水物基がより好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、またはイソシアネート基がさらに好ましく、イソシアネート基が特に好ましい。
【００５０】
一方、反応性基βを有するポリマーが有する反応性基βは、求核攻撃する基が好ましく、例えば、水酸基、アミノ基、メルカプト基、またはカルボキシ基が好ましく、水酸基、アミノ基、またはメルカプト基がより好ましく、水酸基、アミノ基、またはカルボキシ基がさらに好ましく、水酸基またはカルボキシ基がさらに好ましく、なかでも水酸基が好ましい。
【００５１】
エチレン性不飽和基と反応性基αとを有する化合物、または、反応性基βを有するポリマーの合成に用いる反応性基βを有するモノマーとしては、以下の化合物が挙げられる。
【００５２】
−反応性基がカルボキシ基である化合物−
（メタ）アクリル酸、桂皮酸、イタコン酸、フマル酸等
【００５３】
−反応性基が水酸基である化合物−
アルコール部に水酸基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート〔例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ（メタ）アクリレート、グリコールモノ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート〕、アミン部に水酸基を有するアルキルアミンの（メタ）アクリルアミド〔例えば、Ｎ−モノ若しくはジ（ヒドロキシアルキル）（メタ）アクリルアミド、具体的にはＮ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ビスメチロール（メタ）アクリルアミド〕、アリルアルコール等
【００５４】
−反応性基がアミノ基である化合物−
アルコール部にアミノ基を有するアミノアルキル（メタ）アクリレート〔例えば、２−（アルキルアミノ）エチル（メタ）アクリレート、３−（アルキルアミノ）プロピル（メタ）アクリレート〕、（メタ）アクリルアミド等
【００５５】
−反応性基が環状の酸無水物である化合物−
無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸等
【００５６】
−反応性基がエポキシ基もしくはオキセタニル基である化合物−
グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン等
【００５７】
−反応性基がイソシアネート基である化合物−
（メタ）アクリロイルオキシアルキルイソシアネート〔例えば、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート〕、多価イソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を、水酸基もしくはカルボキシ基と、エチレン性不飽和基とを有する化合物でウレタン化したもの〔例えば、２〜１０官能の（メタ）アクリルのウレタンアクリレートオリゴマー〕等
【００５８】
なお、上記のウレタンアクリレートオリゴマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール  トリ（メタ）アクリレート等のアルコール部に水酸基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートと、トルエンジイソシアナート、メチレンビスフェニルジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、ナフタレンジイソシアナート、メチレンビスシクロヘキシルイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等のジイソシアネートや３官能以上のイソシアネートを反応させて得られる、イソシアネート基を少なくとも１つ有するオリゴマーが好ましい。また、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートと多価イソシアネートに加えて、ポリオール化合物、ポリエーテルジオール化合物またはポリエステルジオール化合物を反応させて得られるオリゴマーでもよい。
【００５９】
−反応性基がハロゲン原子である化合物−
２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジクロロ−６−メトキシ−１，３，５−トリアジン等のハロゲン化トリアジン等
【００６０】
上記のエチレン性不飽和基と反応性基αを有する化合物としては、上記の“反応性基がイソシアネート基である化合物”が好ましく、一方、反応性基βを有するポリマーの合成に用いるモノマーとしては上記の“反応性基がカルボキシ基である化合物”または”反応性基が水酸基である化合物“が好ましく、”反応性基が水酸基である化合物“がより好ましい。
【００６１】
前記（ｂ）の方法は、上記ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーを使用するもので（該オリゴマーは後述するように架橋剤の一種でもある）、（メタ）アクリル共重合体とウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーとを共存させてエネルギー線硬化性の粘着剤層を構成することができる。（メタ）アクリル共重合体としては、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルとを重合させて得られるものであることが好ましい。（メタ）アクリル共重合体を構成する（メタ）アクリル酸エステル成分の好ましい形態は、後述する反応性基βを有するポリマーにおける共重合成分として説明したものと同一である。
【００６２】
上記反応性基βを有するポリマーを構成する全モノマー成分に占める、上記反応性基βを有するモノマー成分の割合は、５〜５０モル％が好ましく、２０〜４０モル％がより好ましい。
【００６３】
また、エチレン性不飽和基と反応性基αとを有する化合物と、反応性基βを有するポリマーとを反応させて、反応性基βを有するポリマーにエチレン性不飽和基を導入するに際しては、エチレン性不飽和基と反応性基αとを有する化合物を、反応性基βを有するポリマー１００質量部に対して、１〜４０質量部反応させることが好ましく、１〜３０質量部反応させることがより好ましく、１〜２０質量部反応させることがさらに好ましく、１〜１０質量部反応させることが特に好ましい。
上記の反応性基αとβの反応後において、未反応の反応性基βを残すことにより、後述する架橋剤等で樹脂特性を調節することができる。
【００６４】
上記の反応性基βを有するポリマーは、その構成成分として前記の反応性基βを有するモノマー成分とともに、共重合成分として、（メタ）アクリル酸エステル成分を有することが好ましい。
当該（メタ）アクリル酸エステルとしては、１種または２種以上の（メタ）アクリル酸アルキルが好ましい。当該（メタ）アクリル酸エステルのアルコール部は前記反応性基βを有さない。好ましくは、上記（メタ）アクリル酸エステルのアルコール部は無置換である。
このような（メタ）アクリル酸エステルとしては、アルコール部の炭素数は１〜１２が好ましい。アルコール部の炭素数は、１〜１０がより好ましく、４〜１０がさらに好ましく、なかでもアルコール部が分岐アルキルのものが好ましく、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートが特に好ましい。
【００６５】
また、上記重合体（Ａ）が構成成分として（メタ）アクリル酸エステル成分を複数種含む場合は、当該（メタ）アクリル酸エステル成分には、アルコール部の炭素数が１〜８の（メタ）アクリル酸エステル成分が含まれることが好ましく、なかでも、エチル（メタ）アクリレート成分が含まれることが好ましい。
【００６６】
以下に、上記共重合成分としてポリマー中に組み込まれるモノマーの具体例を挙げる。
【００６７】
−（メタ）アクリル酸のアルキルエステル−
（メタ）アクリル酸のアルキルエステルとしては、アルコール部の炭素数が１〜１２のものが好ましく、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。２種以上を併用することで粘着剤としての種々の機能を発揮させることができ、さらに半導体ウエハ表面の段差への追従性および糊残り防止を含む非汚染性を両立できるようになる。
【００６８】
−（メタ）アクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー−
（メタ）アクリル酸のアルキルエステル以外のモノマーとしては、酢酸ビニル、スチレンや（メタ）アクリル酸アミド、例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリル酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリル酸アミド、Ｎ−イソプロピルアクリル酸アミド、Ｎ−アクリロイルモルホリンなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００６９】
上記反応性基βを有するポリマーを構成する全モノマー成分に占める上記共重合成分の割合は、５〜５０モル％が好ましく、２０〜４０モル％がより好ましい。
【００７０】
また、本発明の半導体加工用テープ１０において、粘着剤層１２を構成する粘着剤は、重合体（Ａ）に加えて、さらに、架橋剤として作用する化合物（Ｂ）を有していてもよい。化合物（Ｂ）としては、例えば、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂が挙げられ、これらは、単独または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）と反応し、その結果できる架橋構造により、粘着剤組成物塗工後に重合体（Ａ）および化合物（Ｂ）を含む粘着剤の凝集力を向上することができる。粘着剤組成物については後述する。
【００７１】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がない。例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができる。市販品としては、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００７２】
化合物（Ｂ）の添加量を、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上とした粘着剤層は凝集力の点で好ましい。より好ましくは０．５質量部以上である。また１５質量部以下とした粘着剤層は、塗工時の急激なゲル化抑制の点で好ましく、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。より好ましくは５質量部以下である。
【００７３】
また、本発明において、粘着剤層１２を構成する粘着剤には、エネルギー線重合開始剤（Ｃ）が含まれていてもよい。粘着剤層１２に含まれるエネルギー線重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができる。これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
エネルギー線重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１質量部以上配合することが好ましく、０．５質量部以上がより好ましい。また、その上限は１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。
【００７４】
粘着剤組成物は、上記粘着剤に、必要に応じて通常用いられる溶剤等を加えて調製することができる。
さらに本発明に用いられる粘着剤組成物には必要に応じて粘着付与剤、粘着調製剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００７５】
粘着剤層１２は、通常の粘着剤層の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤等を含む粘着剤組成物を調製し、上記粘着剤組成物を、基材フィルム１１の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、セパレータ（例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルムまたはシート等）上に塗布して粘着剤層１２を形成した後、該粘着剤層１２を基材フィルム１１の所定の面に転写する方法により、基材フィルム１１上に粘着剤層１２を形成することができる。なお、粘着剤層１２は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。
【００７６】
粘着剤層１２の厚さとしては、特に制限はないが、厚さが２μｍ以上であると、タック力の点で好ましく、５μｍ以上がより好ましい。２０μｍ以下であると、ピックアップ性に好ましく、１５μｍ以下がより好ましい。
【００７７】
〈接着剤層〉
本発明の半導体加工用テープ１０では、接着剤層１３は、ウエハが貼合され、ダイシングされた後、半導体加工用テープのエキスパンドにより、半導体チップに沿って分断され、半導体チップをピックアップする際に、粘着剤層１２から剥離して半導体チップに貼着する（半導体チップ上に残る）。そして、半導体チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用される。
【００７８】
本発明に用いられる接着剤層１３は、接着剤層の厚さが４０μｍ以上であり、かつ、後述する接着剤層の２５℃における貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ以下である。
接着剤層の厚さは、４０〜２００μｍが好ましく、４０〜１００μｍがより好ましい。
接着剤層の２５℃における貯蔵弾性率は、０．１〜１０００ＭＰａが好ましく、０．５〜１００ＭＰａがより好ましい。
本発明のウエハ加工用粘着テープは、厚く低貯蔵弾性率の接着剤層を備えることができる。厚く低貯蔵弾性率の接着剤層とすると、接着剤層中にワイヤを埋め込むこと、または接着剤層をウエハ表面の凹凸（基板の配線回路および／または下層の半導体チップに付設された金ワイヤ等による凹凸）に追従させることがしやすくなる。接着剤層の厚さが薄すぎるとワイヤを埋め込むスペースが確保できない場合がある。一方、接着剤層の２５℃における貯蔵弾性率が大きすぎると、ウエハ上の凹凸に対する追従性が不十分となったり、流動性が発揮できず、ワイヤの埋め込み性が不十分となったりする場合がある。
接着剤層の７０℃における貯蔵弾性率は、１００００〜１０００００Ｐａが好ましく、３００００〜８００００Ｐａがより好ましい。接着剤層の７０℃における貯蔵弾性率が１００００〜１０００００Ｐａの範囲にあると、電極を有するウエハであっても接着剤層を十分に密着させることができる。
接着剤層の２５℃及び７０℃における貯蔵弾性率は、通常の方法により、例えば、接着剤層の、材料の種類及び含有量、厚さ等を調整することにより、上記範囲に設定することができる。
【００７９】
本発明の半導体加工用テープにおいて、接着剤は感圧性であることが好ましく、感圧性であってさらに熱硬化性であることがより好ましい。
本発明の接着剤層１３の接着剤は、熱可塑性樹脂と、熱重合性成分とを含むことが好ましい。熱重合性成分を含む場合、ダイボンディング工程において加熱することにより、熱重合性成分を重合させて、接着力を発揮させるのが好ましい。
【００８０】
本発明の接着剤層１３に用いる熱可塑性樹脂は、熱可塑性を有する樹脂、または未架橋状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂が好ましい。特に制限はないが、一つの態様としては、質量平均分子量が５，０００〜２００，０００かつガラス転移温度が０〜１５０℃である熱可塑性樹脂が挙げられる。また、別な態様としては、質量平均分子量が１００，０００〜１，０００，０００かつガラス転移温度が−５０〜２０℃である熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００８１】
熱可塑性を有する樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられ、なかでもポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂を使用することが好ましい。
未架橋状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂としては、官能基を有する重合体を使用することが好ましい。
【００８２】
ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを通常の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モルまたはほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。このポリアミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整することもできる。ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。
【００８３】
ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限はなく、例えば、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット酸二無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物等を使用することができ、これらの１種または２種以上を併用することもできる。
【００８４】
また、ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式（１）で表されるジアミノポリシロキサン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サンテクノケミカル株式会社製ジェファーミンＤ−２３０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６００，ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン等を使用することができ、これらの１種または２種以上を併用することもできる。上記ポリイミド樹脂のガラス転移温度としては、０〜２００℃であることが好ましく、質量平均分子量としては、１０，０００〜２００，０００であることが好ましい。
【００８５】
【化１】
2018105613.tif 000003
【００８６】
（式中、Ｒ１およびＲ２は炭素原子数１〜３０の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３およびＲ４は一価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｍは１以上の整数である）
【００８７】
フェノキシ樹脂は、各種のビスフェノールとエピクロルヒドリンとを反応させる方法、または、液状エポキシ樹脂とビスフェノールとを反応させる方法により得られる樹脂が好ましく、ビスフェノールとしては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳが挙げられる。フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似していることからエポキシ樹脂との相溶性がよく、接着剤に良好な接着性を付与するのに好適である。
【００８８】
本発明で使用するフェノキシ樹脂としては、例えば下記一般式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。
【００８９】
【化２】
2018105613.tif 000004
【００９０】
上記一般式（２）において、Ｘは単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ２−が挙げられる。ここで、アルキレン基は、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましく、−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−がより好ましい。Ｒ５、Ｒ６は水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基としては炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基が好ましく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、イソオクチル、２−エチルヘキシル、１，３，３−トリメチルブチル等が挙げられる。また、該アルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよく、例えば、トリフルオロメチル基が挙げられる。Ｘは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、フルオレン基または−ＳＯ２−が好ましく、アルキレン基、−ＳＯ２−がより好ましい。なかでも、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２−、−ＳＯ２−が好ましく、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２−がより好ましく、−Ｃ（ＣＨ３）２−が特に好ましい。
【００９１】
上記一般式（２）で表される繰り返し単位を有するフェノキシ樹脂は、上記一般式（２）のＸが異なった繰り返し単位を複数有する樹脂であっても、Ｘが同一の繰り返し単位のみから構成されている樹脂であってもよい。本発明においては、Ｘが同一の繰り返し単位のみから構成されている樹脂が好ましい。
【００９２】
また、上記一般式（２）で表されるフェノキシ樹脂に、水酸基、カルボキシ基等の極性置換基を含有させると、熱重合性成分との相溶性が向上し、均一な外観や特性を付与することができる。
【００９３】
フェノキシ樹脂の質量平均分子量が５，０００以上であるとフィルム形成性の点で好ましい。より好ましくは１０，０００以上であり、さらに好ましくは３０，０００以上である。また、質量平均分子量が１５０，０００以下であると、ウエハへの加熱圧着時の流動性や他の樹脂との相溶性の点で好ましい。より好ましくは１００，０００以下である。また、ガラス転移温度が−５０℃以上であると、フィルム形成性の点で好ましく、より好ましくは０℃以上であり、さらに好ましくは５０℃以上である。ガラス転移温度が１５０℃以下であると、ダイボンディング時の接着剤層１３の接着力が高いため好ましく、より好ましくは１２０℃以下、さらに好ましくは１１０℃以下である。
【００９４】
一方、上記官能基を有する重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシ基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、なかでもグリジシル基が好ましい。
【００９５】
上記官能基を有する重合体としては、例えば、グリシジル基、水酸基、カルボキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリル共重合体等が挙げられる。
上記官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とするゴムでありブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムが好ましい。
上記官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の官能基として、グリシジル基を有する場合、グリシジル基含有繰り返し単位の量は、０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。グリシジル基含有繰り返し単位とは、グリシジル基を有する（メタ）アクリル共重合体の構成モノマーのことであり、具体的にはグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートである。グリシジル基含有繰り返し単位の量がこの範囲にあると、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
【００９６】
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の、上記官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の構成モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートおよび／またはエチルメタクリレートを示す。
上述の官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の構成モノマー（以下、官能性モノマーともいう）とその他の構成モノマーとを組み合わせて使用する場合の官能性モノマーとその他の構成モノマーとの混合比率は、官能基を有する（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定すればよい。ガラス転移温度を−５０℃以上にすると、フィルム形成性が高く、常温での過剰なタックを抑制できる点で好ましい。常温でのタック力が過剰であると、接着剤層の取扱いが困難になる。より好ましくは−２０℃以上であり、さらに好ましくは０℃以上である。また、ガラス転移温度を３０℃以下にすると、ダイボンディング時の接着剤層の接着力の点で好ましく、より好ましくは２０℃以下である。
【００９７】
上記官能性モノマーおよびその他の構成モノマーを重合させて、官能基を有する重合体を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができ、なかでもパール重合が好ましい。
【００９８】
本発明において、官能基を有する重合体の質量平均分子量が１００，０００以上であると、フィルム形成性の点で好ましく、より好ましくは２００，０００以上である。また、質量平均分子量を２，０００，０００以下で調整すると、ダイボンディング工程における接着剤層の加熱流動性が向上する点で好ましい。ダイボンディング工程における接着剤層の加熱流動性が向上すると、接着剤層と被着体の密着が良好になり接着力を向上させることができる、また被着体の凹凸を埋めボイドを抑制しやすくなる。より好ましくは１，０００，０００以下であり、さらに好ましくは８００，０００以下であり、５００，０００以下にすると、さらに大きな効果を得ることができる。
【００９９】
また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限はなく、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシ基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物とトリガー材料が挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。接着剤層としての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を、トリガー材料として硬化剤および／または硬化促進剤とともに含有することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、および信頼性の高い接着剤層が得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。
【０１００】
上記のエポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はなく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【０１０１】
上記のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製エピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、および新日鉄住金化学株式会社製、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。
上記のフェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。
上記のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７や、新日鉄住金化学株式会社製、ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。
上記の多官能エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のＥｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。
上記のグリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のエピコート６０４、東都化成株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−ＸおよびＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学工業株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。
上記の複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
【０１０２】
上記熱硬化性樹脂を硬化させるために、適宜添加剤を加えることができる。このような添加剤としては、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒等が挙げられ、触媒を添加する場合は助触媒を必要に応じて使用することができる。
【０１０３】
上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂硬化剤または硬化促進剤を使用することが好ましく、これらを併用することがより好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、ジシアンジアミド、三フッ化ホウ素錯化合物、有機ヒドラジッド化合物、アミン類、ポリアミド樹脂、イミダゾール化合物、尿素またはチオ尿素化合物、ポリメルカプタン化合物、メルカプト基を末端に有するポリスルフィド樹脂、酸無水物が挙げられる。これらは単独で、または２種以上を併用して用いることができる。
このうち、三フッ化ホウ素錯化合物としては、種々のアミン化合物（好ましくは１級アミン化合物）との三フッ化ホウ素−アミン錯体が挙げられ、有機ヒドラジッド化合物としては、イソフタル酸ジヒドラジドが挙げられる。
【０１０４】
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。なかでも分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物の樹脂が好ましい。
【０１０５】
上記分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物の樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。さらにこれらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましく、接続信頼性を向上させることができる。
【０１０６】
アミン類としては、鎖状脂肪族アミン（ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピルアミン、ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノ）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ｍ−キシレンジアミン等）、環状脂肪族アミン（Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス（３−メチル−４−アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メンセンジアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン等）、ヘテロ環アミン（ピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、トリエチレンジアミン、メラミン、グアナミン等）、芳香族アミン（メタフェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノ、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン等）が挙げられる。
上記に加えて、エポキシ樹脂硬化剤の例としては、例えば、ポリアミド樹脂（ポリアミドアミンが好ましく、ダイマー酸とポリアミンの縮合物等）、イミダゾール化合物（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−ｎ−ヘプタデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウム・トリメリテート、エポキシ・イミダゾール付加体等）、尿素またはチオ尿素化合物（Ｎ，Ｎ−ジアルキル尿素化合物、Ｎ，Ｎ−ジアルキルチオ尿素化合物等）、ポリメルカプタン化合物、メルカプト基を末端に有するポリスルフィド樹脂、酸無水物（テトラヒドロ無水フタル酸等）が例示される。
【０１０７】
上記硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。
イミダゾール類としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチル−５−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【０１０８】
エポキシ樹脂用硬化剤または硬化促進剤の接着剤層中の含有量は、特に限定されず、最適な含有量は硬化剤または硬化促進剤の種類によって異なる。
【０１０９】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好ましい。より好ましくは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、接着剤層の特性が劣化し易くなるからである。
その他の熱硬化性樹脂と硬化剤は、一実施態様において、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、硬化剤が０．５〜２０質量部であり、他の実施態様においては、硬化剤が１〜１０質量部である。硬化促進剤の含有量は、硬化剤の含有量より少ない方が好ましく、熱硬化性樹脂１００質量部に対して硬化促進剤０．００１〜１．５質量部が好ましく、０．０１〜０．９５質量部がさらに好ましい。前記範囲内に調整することで、十分な硬化反応の進行を補助することができる。触媒の含有量は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、０．００１〜１．５質量部が好ましく、０．０１〜１．０質量部がさらに好ましい。
【０１１０】
また、本発明の接着剤層１３は、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。これにより、未硬化の状態における接着剤層のダイシング性の向上、取扱い性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、さらに、硬化状態の接着剤層における熱伝導性の付与、接着力の向上を図ることが可能となる。
本発明で用いるフィラーとしては、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミニウムウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが使用できる。また、これらは単体あるいは２種類以上を混合して使用することもできる。
【０１１１】
また、上記の無機フィラーのうち、熱伝導性向上の観点からは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。
【０１１２】
フィラーの含有割合が、接着剤１００質量％中、３０質量％以上であると、ワイヤボンディング性の点で好ましい。ワイヤボンディング時には、ワイヤを打つ半導体チップを接着している接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で２０〜１０００ＭＰａの範囲に調整されていることが好ましい。フィラーの含有割合が３０質量％以上であると接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率をこの範囲に調整しやすい。
また、フィラーの含有割合が７５質量％以下であると、フィルム形成性、ダイボンディング時の接着剤層の加熱流動性に好ましい。ダイボンディング時の接着剤層の加熱流動性が向上すると、接着剤層と被着体の密着が良好になり接着力を向上させることができる、また被着体の凹凸を埋めボイドを抑制しやすくなる。より好ましくは７０質量％以下であり、さらに好ましくは６０質量％以下である。
【０１１３】
本発明の接着剤層は、上記フィラーとして、平均粒径が異なる２種以上のフィラーを含むことができる。この場合、単一のフィラーを使用した場合に比べ、フィルム化前の原料混合物において、フィラーの含有割合が高い場合の粘度上昇またはフィラーの含有割合が低い場合の粘度低下を防止しやすくなり、良好なフィルム形成性が得られやすくなる、未硬化の接着剤層の流動性を最適に制御できる、とともに接着剤層の硬化後には所望の接着力を得られやすくなる。
【０１１４】
また、本発明の接着剤層は、フィラーの平均粒径が２．０μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍであることがより好ましい。フィラーの平均粒径が２．０μｍ以下であると接着剤層の薄膜化に適する。ここで薄膜とは、例えば２０μｍ以下の厚さを示唆する。また、フィラーの平均粒径が０．０１μｍ以上であると分散性が良好である。
さらに、フィルム化前の接着剤組成物の粘度上昇または低下を防止する、未硬化の接着剤層の流動性を最適に制御する、および／または接着剤層の硬化後の接着力を向上させる観点から、２種のフィラーを組み合わせて使用するのが好ましい。すなわち、平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にある第１のフィラー、および、一次粒子の平均粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にある第２のフィラーを含むことが好ましい。平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にあり、かつ、９９％以上の粒子が粒径０．１〜１．０μｍの範囲内に分布する第１のフィラー、および、一次粒子の平均粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にあり、かつ、９９％以上の粒子が粒径０．００５〜０．１μｍの範囲内に分布する第２のフィラーを含むことがより好ましい。
本発明における平均粒径は、５０体積％の粒子がこの値より小さな直径を有する、累積体積分布曲線のＤ５０値を意味する。本発明において、平均粒径またはＤ５０値はレーザー回折法により、例えばＭａｌｖｅｒｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製のＭａｌｖｅｒｎ  Ｍａｓｔｅｒｓｉｚｅｒ  ２０００を用いて測定される。この技術において、分散液中の粒子の大きさは、フラウンホーファーまたはミー理論のいずれかの応用に基づき、レーザー光線の回折を用いて測定される。本発明においては、ミー理論または非球状粒子に対する修正ミー理論を利用し、平均粒径またはＤ５０値は入射するレーザー光線に対して０．０２〜１３５°での散乱計測に関する。
【０１１５】
本発明において、１つの態様では、接着剤層１３を構成する接着剤１００質量％中、１０〜４０質量％の質量平均分子量が５，０００〜２００，０００の熱可塑性樹脂と、１０〜４０質量％の熱重合性成分と、３０〜７５質量％のフィラーを含んでもよい。この実施形態では、フィラーの含有量は３０〜６０質量％でもよく、４０〜６０質量％でもよい。また、熱可塑性樹脂の質量平均分子量は５，０００〜１５０，０００でもよく、１０，０００〜１００，０００でもよい。
別の態様では、接着剤層１３を構成する接着剤１００質量％中、１０〜２０質量％の質量平均分子量が２００，０００〜２，０００，０００の熱可塑性樹脂と、２０〜５０質量％の熱重合性成分と、３０〜７０質量％のフィラーを含んでもよい。この実施形態では、フィラーの含有量は３０〜６０質量％でもよく、３０〜５０質量％でもよい。また、熱可塑性樹脂の質量平均分子量は２００，０００〜１，０００，０００でもよく、２００，０００〜８００，０００でもよい。
配合比率を調整することで、接着剤層１３の硬化後の貯蔵弾性率および流動性の最適化ができ、また高温での耐熱性も充分に得られる傾向にある。
【０１１６】
接着剤層は、通常の接着剤層の形成方法を利用して形成することができる。例えば、接着剤組成物を調製し、接着剤組成物を塗布および乾燥（例えば、加熱乾燥）して形成することができる。
接着剤組成物は、上記接着剤に、必要に応じて通常用いられる溶剤等を加えて調製することができる。
【０１１７】
本発明の半導体加工用テープ１０において、接着剤層１３は、予めフィルム化されたもの（以下、接着フィルムという）を、基材フィルム１１上に直接または間接的にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲とし、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、接着フィルムは、剥離フィルム上に接着剤層１３が形成されたものであってもよく、その場合、接着フィルムを粘着剤層上にラミネート後に剥離フィルムを剥離してもよく、あるいは、剥離フィルムをそのまま半導体加工用テープ１０のカバーフィルムとして使用し、ウエハを貼合する際に剥離フィルムを剥離してもよい。
【０１１８】
前記接着フィルムは、粘着剤層１２の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを粘着剤層１２に積層してもよい。このように、ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、図３に示すように、ウエハＷが貼合される部分には接着剤層１３があり、リングフレーム２０が貼合される部分には接着剤層１３がなく粘着剤層１２のみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０は粘着剤層１２と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
【０１１９】
〈用途〉
本発明の半導体加工用テープ１０は、少なくとも「エキスパンド（拡張）によって接着剤層１３を半導体チップに沿って分断する工程（エキスパンド工程）」、好ましくはエキスパンド工程を含む半導体チップの製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体チップの製造方法（Ａ）〜（Ｅ）において好適に使用できる。
上記エキスパンド工程は、例えば、下記製造方法（Ａ）〜（Ｅ）の工程（ｆ）に相当する。
ここで、半導体チップ（半導体素子）とは、半導体のウエハ上に、配線等を形成して電気回路を形成したものであり、その例としては、集積回路、トランジスタ、ＮＡＮＤ型等のフラッシュメモリ、ＤＲＡＭなどの半導体による素子が挙げられる。
【０１２０】
半導体チップの製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分断予定ラインにレーザー光を照射し、前記ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープをエキスパンドすることにより、前記ウエハと前記接着剤層とを分断予定ラインに沿って分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）エキスパンド後の前記半導体加工用テープにおいて、前記半導体加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記間隔を保持した状態で、前記接着剤層を貼着した前記半導体チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む半導体チップの製造方法。
【０１２１】
半導体チップの製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面の分断予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハを半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記半導体加工用テープの、前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層を貼着した前記半導体チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体チップの製造方法。
【０１２２】
半導体チップの製造方法（Ｃ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記ウエハを分断予定ラインに沿って切削し、半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記半導体加工用テープの、前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層を貼着した前記半導体チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体チップの製造方法。
【０１２３】
半導体チップの製造方法（Ｄ）
（ａ）回路パタ−ンが形成されたウエハ裏面にダイシングテープを貼合し、ダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記ダイシングテープを剥がし、前記ウエハ裏面を研削して半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップに分断された前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体チップに分断された前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記半導体加工用テープの、前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層を貼着した前記半導体チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む半導体チップの製造方法。
【０１２４】
半導体チップの製造方法（Ｅ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハの分断予定ラインにレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記半導体加工用テープの前記接着剤層とを分断予定ラインに沿って分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記半導体加工用テープの、前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記半導体チップ間の間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層を貼着した前記半導体チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体チップの製造方法。
【０１２５】
上記製造方法（Ａ）〜（Ｅ）において、ピックアップ工程の前（例えば、上記製造方法（Ａ）の工程（ｇ）と工程（ｈ）の間）に、半導体加工用テープをエキスパンドする工程（ｇｈ１）を含むことが好ましい。エキスパンドして半導体チップの間隔を広げることにより、ピックアップがしやすくなる。
さらに、粘着剤がエネルギー線硬化性である場合、ピックアップ工程の前（例えば、上記製造方法（Ａ）の工程（ｇ）と工程（ｈ）の間）に、粘着剤層にエネルギー線を照射する工程（ｇｈ２）を含むことが好ましい。粘着剤を工程（ｇｈ２）により硬化させて硬化粘着剤とすると、粘着力が低下して粘着剤層が接着剤層から剥離しやすくなる。
上述の、ウエハの裏面に半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程（例えば、製造方法（Ａ）における工程（ｃ））における、ウエハの加熱温度は、接着剤層が柔らかくなってウエハへの貼合が可能となる温度であれば、特に限定されない。上記温度は、７０〜８０℃が好ましい。
【０１２６】
〈使用方法〉
本発明の半導体加工用テープ１０を、上記半導体チップの製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。まず、図２に示すように、回路パターンが形成されたウエハＷの表面に、紫外線硬化性成分を粘着剤に含む、回路パターン保護用の表面保護テープ１４を貼合し、ウエハＷの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
【０１２７】
バックグラインド工程の終了後、図３に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル２５上に、表面側を下にしてウエハＷを載置した後、ウエハＷの裏面に半導体加工用テープ１０を貼合する。ここで使用する半導体加工用テープ１０は、貼合するウエハＷに応じた形状に予め切断（プリカット）された接着フィルムを積層したものであり、ウエハＷと貼合する面においては、接着剤層１３が露出した領域の周囲に粘着剤層１２が露出している。この半導体加工用テープ１０の接着剤層１３が露出した部分とウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層１３の周囲の粘着剤層１２が露出した部分とリングフレーム２０を貼り合わせる。このとき、ヒーターテーブル２５は７０〜８０℃に設定されており、これにより７０〜８０℃にウエハが加熱され、加熱貼合が実施される。この加熱により、接着剤層１３が柔らかくなり、ウエハＷに張り合わされる。なお、上記説明においては、基材フィルム１１と基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２とからなる粘着テープ１５と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有する半導体加工用テープ１０を用いるようにしたが、粘着テープとフィルム状接着剤とをそれぞれ用いるようにしてもよい。この場合、まず、ウエハの裏面にフィルム状接着剤を貼合して接着剤層を形成し、この接着剤層に粘着テープの粘着剤層を貼り合わせる。このとき、粘着テープとして本発明による粘着テープ１５を用いる。
【０１２８】
次に、半導体加工用テープ１０が貼合されたウエハＷをヒーターテーブル２５上から搬出し、図４に示すように、半導体加工用テープ１０側を下にして吸着テーブル２６上へ載置する。そして、吸着テーブル２６に吸着固定されたウエハＷの上方から、エネルギー線光源２７を用いて、例えば１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を表面保護テープ１４の基材フィルム面側に照射し、表面保護テープ１４のウエハＷに対する接着力を低下させ、ウエハＷ表面から表面保護テープ１４を剥離する。
【０１２９】
次に、図５に示すように、ウエハＷの分断予定ライン（図示せず）にレーザー光を照射して、ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域３２を形成する。
【０１３０】
次に、図６（ａ）に示すように、ウエハＷおよびリングフレーム２０が貼り合わされた半導体加工用テープ１０を、基材フィルム１１側を下にして、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。
【０１３１】
次に、図６（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材２２を上昇させ、半導体加工用テープ１０を拡張（エキスパンド）する。拡張条件としては、エキスパンド速度が、例えば５〜５００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば５〜２５ｍｍである。このように半導体加工用テープ１０がウエハＷの径方向に引き伸ばされることで、ウエハＷが、前記改質領域３２を起点として半導体チップ３４単位に分断される。分断時に、接着剤層１３は、ウエハＷの裏面に接着している部分では拡張による伸び（変形）が抑制されるが、半導体チップ３４間の位置では、テープの拡張による張力が集中する。したがって、図６（ｃ）に示すように、ウエハＷとともに接着剤層１３も半導体チップ３４間の位置で分断されることになる。これにより、接着剤層１３を貼着した複数の半導体チップ３４を得ることができる。
本発明の半導体加工用テープは、基材フィルムが特定の応力値および引張強さ、ならびに特定の厚みを有しているため、エキスパンドによる応力が接着剤層に十分に伝わり、厚みが厚く、かつ低貯蔵弾性率の接着剤層であっても分割することができる。
【０１３２】
次に、図７に示すように、突き上げ部材２２を元の位置に戻し、先のエキスパンド工程において発生した半導体加工用テープ１０の弛みを除去して、半導体チップ３４間の間隔を安定に保持するための工程を行う。この工程では、例えば、半導体加工用テープ１０における半導体チップ３４が存在する領域と、リングフレーム２０との間の円環状の加熱収縮領域２８に、温風ノズル２９を用いて９０〜１２０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、半導体加工用テープ１０をピンと張った状態にさせる。
本発明の半導体加工用テープは、基材フィルムが特定の応力値および引張強さ、ならびに特定の厚みを有しているため、引っ張った状態が保持されることになり、加熱収縮後に半導体チップ間の間隔を均等に保持することができる。
【０１３３】
その後、粘着剤層１２にエネルギー線硬化処理等を施し、粘着剤層１２の接着剤層１３に対する粘着力を弱めた後、半導体チップ３４をピックアップする。
さらに、ピックアップされた半導体チップの接着剤層を基板等の被着体に貼り合せ、１００〜１５０℃で接着剤層中の熱可塑性樹脂と熱重合性成分とを重合して、半硬化接着剤層とするダイボンディングを行うことができる。ダイボンド後にパッケージングを行うことができ、この際、２００〜３００℃で加熱して最終的に接着剤層を硬化させる。
なお、前述したとおり、エキスパンド処理を行う前にエネルギー線硬化処理を行うことも可能である。
【実施例】
【０１３４】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。【０１３５】
〔半導体加工用テープの作製〕
図１に示す構造の半導体加工用テープを下記の手順で作製した。
（１）基材フィルムの作製
下記の材料を使用した。
アイオノマー樹脂Ａ：エチレン−メタアクリル酸共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂（商品名：ハイミラン１７０６、三井・デュポンケミカル株式会社製、融点：８８℃、ＭＦＲ：０．９ｇ／１０分（１９０℃、２．１６ｋｇ））
アイオノマー樹脂Ｂ：エチレン−メタアクリル酸共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂（商品名：ハイミラン１８５５、三井・デュポンケミカル株式会社製、融点：８６℃、ＭＦＲ：１．０ｇ／１０分（１９０℃、２．１６ｋｇ））
アイオノマー樹脂Ｃ：エチレン−メタアクリル酸共重合体のナトリウムアイオノマー樹脂（商品名：ハイミラン１７０７、三井・デュポンケミカル株式会社製、融点：８９℃、ＭＦＲ：０．９ｇ／１０分（１９０℃、２．１６ｋｇ））
アイオノマー樹脂Ｄ：エチレン−メタアクリル酸共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂（商品名：ハイミランＡＭ７３２６、三井・デュポンケミカル株式会社製、融点：１０１℃、ＭＦＲ：１．１ｇ／１０分（１９０℃、２．１６ｋｇ））
非架橋樹脂Ａ：スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）（クラレ社製、商品名：セプトンＫＦ−２１０４、融点：なし、ＭＦＲ：０．４ｇ／１０分（２３０℃、２．１６ｋｇ））とホモポリプロピレン（ＰＰ）（プライムポリマー社製、商品名：Ｊ−１０５Ｇ、融点：１６０℃、ＭＦＲ：９．０ｇ／１０分（２３０℃、２．１６ｋｇ））を、ＳＥＰＳ：ＰＰ＝３５：６５（質量比）で混合した混合樹脂
非架橋樹脂Ｂ：上記ＳＥＰＳおよび上記ＰＰをＳＥＰＳ：ＰＰ＝４５：５５（質量比）で混合した混合樹脂
非架橋樹脂Ｃ：上記ＳＥＰＳおよび上記ＰＰをＳＥＰＳ：ＰＰ＝１０：９０（質量比）で混合した混合樹脂
熱可塑性架橋樹脂Ｄ：エチレン−メタアクリル酸共重合体の樹脂（商品名：ニュクレルＡＮ４２１４Ｃ、三井・デュポンケミカル株式会社製、融点：９２℃、ＭＦＲ：７．０ｇ／１０分（１９０℃、２．１６ｋｇ））【０１３６】
＜基材フィルム１＞
３層押出機にて、アイオノマー樹脂Ａ、アイオノマー樹脂Ｂ、およびアイオノマー樹脂Ａの各樹脂ビーズをそれぞれ約１５０℃で溶融し、アイオノマー樹脂Ａからなる層、アイオノマー樹脂Ｂからなる層、およびアイオノマー樹脂Ａからなる層がこの順で積層されるように押出して、厚さ８０μｍの基材フィルム１を得た。基材フィルム１の層構成は、アイオノマー樹脂Ａからなる層：アイオノマー樹脂Ｂからなる層：アイオノマー樹脂Ａからなる層＝１０μｍ：６０μｍ：１０μｍとなった。
＜基材フィルム２＞
３層押出機にて、非架橋樹脂Ｂ、非架橋樹脂Ａ、および非架橋樹脂Ｃを、約２００℃でフィルム押出成形し、厚さ１５０μｍの基材フィルム２を得た。基材フィルム２の層構成は、非架橋樹脂Ｂからなる層：非架橋樹脂Ａからなる層：非架橋樹脂Ｃからなる層＝２０μｍ：１１０μｍ：２０μｍとなった。
＜基材フィルム３＞
３層押出機にて、アイオノマー樹脂Ａ、アイオノマー樹脂Ｂ、およびアイオノマー樹脂Ａの各樹脂ビーズをそれぞれ約１５０℃で溶融し、アイオノマー樹脂Ａからなる層、アイオノマー樹脂Ｂからなる層、およびアイオノマー樹脂Ａからなる層がこの順で積層されるように押出し、厚さ１００μｍの基材フィルム３を得た。基材フィルム３の層構成はアイオノマー樹脂Ａからなる層：アイオノマー樹脂Ｂからなる層：アイオノマー樹脂Ａからなる層＝１０μｍ：７０μｍ：２０μｍとなった。
＜基材フィルム４＞
３層押出機にて、アイオノマー樹脂Ｃ、アイオノマー樹脂Ｂ、およびアイオノマー樹脂Ｃの各樹脂ビーズをそれぞれ約１５０℃で溶融し、アイオノマー樹脂Ｃからなる層、アイオノマー樹脂Ｂからなる層、およびアイオノマー樹脂Ｃからなる層がこの順で積層されるように押出し、厚さ１５０μｍの基材フィルム４を得た。基材フィルム４の層構成は、アイオノマー樹脂Ｃからなる層：アイオノマー樹脂Ｂからなる層：アイオノマー樹脂Ｃからなる層＝１５μｍ：１２０μｍ：１５μｍとなった。
＜基材フィルム５＞
３層押出機にて、熱可塑性架橋樹脂Ｄ、アイオノマー樹脂Ｄ、および熱可塑性架橋樹脂Ｄの各樹脂ビーズをそれぞれ約１７０℃で溶融し、熱可塑性架橋樹脂Ｄからなる層、アイオノマー樹脂Ｄからなる層、および熱可塑性架橋樹脂Ｄからなる層がこの順で積層されるように押出し、厚さ８０μｍの基材フィルム５を得た。基材フィルム５の層構成は、熱可塑性架橋樹脂Ｄからなる層：アイオノマー樹脂Ｄからなる層：熱可塑性架橋樹脂Ｄからなる層＝８μｍ：６４μｍ：８μｍとした。
＜基材フィルム６＞
アイオノマー樹脂Ｂの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、単層押出機を用いて厚さ５０μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム６を得た。
＜基材フィルム７＞
アイオノマー樹脂Ｂの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、単層押出機を用いて厚さ１７０μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルム７を得た。【０１３７】
（２）粘着剤組成物の調製
２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、２−エチルヘキシルアクリレートの比率が７８モル％、２−ヒドロキシエチルアクリレートの比率が２１モル％、およびメタクリル酸の比率が１モル％の、質量平均分子量７５０，０００の（メタ）アクリル系共重合体を調製した。次に、得られた（メタ）アクリル系共重合体に、二重結合量が１．０ｍｅｑ／ｇとなるように２−イソシアナトエチルメタクリレートを混合して、ガラス転移温度−６４℃、水酸基価３４ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価６ｍｇＫＯＨ／ｇの重合体（Ａ）を調製した。
重合体（Ａ）１００質量部に対して、化合物（Ｂ）のポリイソシアネート類としてＰ３０１−７５Ｅ（旭化成ケミカルズ社製）を３質量部、およびエネルギー線重合開始剤（Ｃ）としてＥｓａｃｕｒｅ  ＫＩＰ  １５０（Ｌａｍｂｅｒｔｉ社製）を３質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して、粘着剤組成物を調製した。【０１３８】
（３）接着剤組成物の調製
エポキシ樹脂「１００２」（三菱化学社製、固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量６００）６．２質量部、フェノール樹脂「ＭＥＨ−７８５１ＳＳ」（明和化成社製、商品名、ビフェニルノボラックフェノール樹脂、水酸基当量２０１）５１．８質量部、エポキシ樹脂「８０６」（三菱化学社製、商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６０、比重１．２０）４１．９質量部、シリカフィラー「ＳＯ−Ｃ２」（アドマファイン社製、商品名、平均粒径０．５μｍ）８１．５質量部、および、シリカフィラー「アエロジルＲ９７２」（日本アエロジル社製、商品名、一次粒子の平均粒径０．０１６μｍ）２．９質量部にＭＥＫを加え、攪拌混合し、組成物とした。
得られた組成物に、官能基を有する重合体として、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を、３質量％含む（メタ）アクリル共重合体（質量平均分子量２６０，０００）２３．０質量部、カップリング剤として「ＫＢＭ−８０２」（信越シリコーン社製、商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．６質量部、および、硬化促進剤としての「キュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ」（四国化成社製、商品名、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度２３０℃）０．１質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。さらにこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物（ｂ−１）を得た。【０１３９】
＜実施例１＞
片面を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーの離型処理面に粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で２分間乾燥させた後、基材フィルム１と貼り合わせ、基材フィルム１上に粘着剤層が形成された粘着シートを作成した。
次に、片面を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる別の剥離ライナーの離型処理面に、接着剤組成物（ｂ−１）を、乾燥後の厚さが６０μｍになるように塗工し、１３０℃で３分間乾燥させて、剥離ライナー上に接着剤層が形成された接着フィルムを作成した。
次に、粘着シートを、リングフレームの開口部を覆うようにリングフレームに貼り合せることができる大きさの円形に裁断した。また、接着フィルムを、ウエハの裏面を覆うことができる大きさの円形に裁断した。そして、粘着シートの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを、同心円状に貼り合せ、接着剤層の周囲に、粘着剤層が露出する部分を有する、半導体加工用テープ１を作成した。【０１４０】
＜実施例２＞
基材フィルムとして基材フィルム２を使用し、それ以外は実施例１と同じ材料、方法にて半導体加工用テープ２を作成した。基材フィルム２の非架橋樹脂Ｂからなる層を乾燥した粘着剤組成物に貼り合わせた。
＜実施例３＞
基材フィルムとして基材フィルム３を使用し、それ以外は実施例１と同じ材料、方法にて半導体加工用テープ３を作成した。基材フィルム３のアイオノマー樹脂Ａからなる２つの層の内、１０μｍの方の層を、粘着剤層に貼り合わせた。
＜実施例４＞
基材フィルムとして基材フィルム４を使用し、それ以外は実施例１と同じ材料、方法にて半導体加工用テープ４を作成した。【０１４１】
＜比較例１＞
基材フィルムとして基材フィルム５を使用し、それ以外は実施例１と同じ材料、方法にて半導体加工用テープ５を作成した。
＜比較例２＞
基材フィルムとして基材フィルム６を使用し、それ以外は実施例１と同じ材料、方法にて半導体加工用テープ６を作成した。
＜比較例３＞
基材フィルムとして基材フィルム７を使用し、それ以外は実施例１と同じ材料、方法にて半導体加工用テープ７を作成した。【０１４２】
（５％伸長時の応力値）
基材フィルム１〜７のＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値は、以下のように測定した。基材フィルム１〜７を用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１２７：１９９９に記載の試験片および試験速度ＪＩＳ  Ｋ７１２７／２／３００に従い、試験片長さがそれぞれＭＤ方向およびＴＤ方向に沿う試験片を各基材フィルムから切り出して引張試験を実施した。ＭＤ方向の変位量が５％の時の応力値をＭＤの５％伸長時の応力、ＴＤ方向の変位量が５％の時の応力値をＴＤの５％伸長時の応力とした。
（５％伸長時の引張強さ）
基材フィルム１〜７のＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さは、上記５％伸長時の応力値と同様の方法にてＪＩＳ  Ｋ７１２７／２／３００に従い、測定を行った。
（貯蔵弾性率）
接着剤層の２５℃における貯蔵弾性率は、以下のように測定した。
接着剤組成物を離型フィルム上に乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工して、接着剤層を形成した。同様にして接着剤層付離型フィルムを複数準備し、接着剤層を離型フィルムから剥離して総厚さが約２ｍｍになるように重ね合わせ、試験サンプルを作製した。その試験サンプルを直径８ｍｍの円盤状に打ち抜き、パラレルプレートで挟み込み、粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製、商品名ＡＲＥＳ）を用い、下記の条件で測定した。
測定温度：２５℃
測定周波数：６．３ｒａｄ／ｓ
また、接着剤層の７０℃における貯蔵弾性率は、測定温度を７０℃とした以外は、上記と同様にして測定した。【０１４３】
＜試験例１＞
分断性の評価
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各半導体加工用テープについて、下記の半導体加工工程における分断性を評価した。
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ（１２インチウエハ）表面に表面保護テープを貼合した。
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程を行った。研削後のウエハの厚さは５０μmであった。
（ｃ）ウエハを７０℃に加熱した状態で、前記半導体加工用テープから剥離ライナーを剥離し、前記ウエハの裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合し、ウエハ加工用リングフレームを、前記半導体加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合した。（図３参照）
（ｄ）前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離した。
（ｅ）前記ウエハの分断予定ラインにレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成した。（図５参照）
（ｆ）前記半導体加工用テープを、前記ウエハの外周方向に１０％エキスパンドすることにより、前記ウエハと前記接着剤層とを分断予定ラインに沿って分断し、前記接着剤層を貼着した複数の半導体チップを得た。半導体チップの底面形状のサイズは５ｍｍ×５ｍｍとした。（図６参照）
（ｇ）前記半導体加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分（半導体チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域）を１２０℃に加熱、収縮させることで（ｆ）のエキスパンド工程において生じた弛みを除去し、該半導体チップ間の間隔を保持した。（図７参照）
なお、（ｆ）工程では、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００で、半導体加工用テープに貼合されたダイシング用リングフレームを、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００のエキスパンドリングにより押し下げ、半導体加工用テープのウエハ貼合部位外周の、ウエハに重ならない部分を円形の突き上げ部材に押し付けることでエキスパンドを実施した。また、（ｆ）工程の条件としては、エキスパンド速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、エキスパンド量（突き上げ量）２０ｍｍとした。ここで、エキスパンド量とは、押下げ前と押下げ後のリングフレームと突き上げ部材の相対位置の変化量をいう。
前記（ａ）〜（ｇ）の工程後、接着剤層が分断されているか確認を行った。
―――評価基準―――
○：接着剤層がすべて分断予定ラインに沿って分断されたもの（底面形状と同一形状）
×：接着剤層の一部またはすべてが分断予定ラインに沿って分断されなかったもの【０１４４】
＜試験例２＞
半導体チップ間隔の平均値および均一性の評価
半導体チップ間隔の平均値および均一性については、次のとおりの方法、基準で評価を行った。
前記（ａ）〜（ｇ）の工程後、得られた有効半導体チップ（目的の大きさのチップ）の内、ウエハ上の最上部、最下部、中央部、最左部、最右部の５か所（ノッチを下にして、ウエハの中心から１２時方向（最上部）、６時方向（最下部）、３時方向（最右部）、９時方向（最左部）、中央の５か所）に位置する半導体チップをそれぞれ１つ選択した。選択した半導体チップとその半導体チップとＭＤ方向に隣接する有効半導体チップとの間の間隔をこれらの半導体チップが隣接している側面の中央１点で測定し、ＭＤの半導体チップ間隔とした。また、選択した半導体チップとその半導体チップとＴＤ方向に隣接する有効半導体チップとの間の間隔をこれらの半導体チップが隣接している側面の中央１点で測定し、ＴＤの半導体チップ間隔とした。
上記５か所で測定されたＭＤの半導体チップ間隔およびＴＤの半導体チップ間隔の測定値について、最小測定値および平均値を求めた。また、下記の式により、半導体チップ間隔の均一性値を求めた。さらに、下記の評価基準により、半導体チップ間隔の平均値および半導体チップ間隔の均一性値を評価した。
半導体チップ間隔の均一性値  ＝  （５か所の中の最小測定値−平均値）／平均値
―――評価基準―――
○：半導体チップ間隔の平均値が２０μｍ以上であり、かつ、半導体チップ間隔の均一性値が０〜−０．５
×：半導体チップ間隔の平均値が２０μｍ以上であり、かつ、半導体チップ間隔の均一性値が−０．５未満、または半導体チップ間隔の平均値が２０μｍ未満【０１４５】
＜試験例３＞
ピックアップ性の評価
前記（ａ）〜（ｇ）の工程後、以下の工程にてピックアップ性の評価を実施した。
（ｇｈ１）半導体加工用テープを１０％エキスパンドすることによりチップの分割を行った。
（ｈ）前記間隔を保持した状態で、接着剤層を貼着した前記半導体チップを半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップした。
具体的には、任意の半導体チップ１００個についてダイスピッカー装置（キヤノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ試験を行い、粘着剤層から剥離した接着剤層が半導体チップ上に保持されているもの（半導体チップの接着剤層との接着面全面に接着剤層が保持されているもの）をピックアップが成功したものとしてピックアップ成功率を算出し、ピックアップ性を評価した。
ピン突き上げ高さは２００μｍ、ピン数は５ピン（中心１ピン、周囲に７．５ｍｍ  で４ピン）、コレットサイズは７．５ｍｍ×７．５ｍｍ、ピンの先端形状は３５０μｍＲ、突き上げ速度は１０ｍｍ／ｓとした。
―――評価基準―――
○：ピックアップ成功率が９５〜１００％のもの
×：ピックアップ成功率が９５％未満のもの【０１４６】
実施例１〜４、比較例１〜３における分断性、半導体チップ間隔の均一性の評価、ピックアップ性を表に示す。【０１４７】
【表１】
2018105613.tif 000005
【０１４８】
＜評価結果＞
比較例１は、基材フィルムのＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値および引張強さが小さすぎるため、接着剤層の分断性が劣っていた。
比較例２は、基材フィルムのＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さが小さすぎ、また厚さが薄すぎるため、接着剤層の分断性、半導体チップ間隔の平均値および均一性、およびピックアップ性のいずれも劣っていた。
比較例３は、基材フィルムのＭＤおよびＴＤの５％伸長時の引張強さが大きすぎ、また厚さが厚すぎるため、半導体チップ間隔の平均値および均一性およびピックアップ性が劣っていた。
所定のＭＤおよびＴＤの５％伸長時の応力値および引張強さ、ならびに厚さを有する基材フィルムを有する実施例１〜４の半導体加工用テープは、４０μｍ以上の厚さで２０００ＭＰａ以下の低貯蔵弾性率の接着剤層を備えていても、上記試験例１〜３のいずれにも優れていた。すなわち、上記半導体加工用テープは、上記接着剤層を分断可能であり、半導体チップ間隔も、ダイスピッカー装置が半導体チップを認識できる間隔を有し、ＭＤおよびＴＤに均一に広がっており、また、良好なピックアップ性を示した。【０１４９】
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。【０１５０】
本願は、２０１６年１２月７日に日本国で特許出願された特願２０１６−２３８０２０に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
【符号の説明】
【０１５１】
１０：半導体加工用テープ
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１４：表面保護テープ
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：突き上げ部材
２５：ヒーターテーブル
２６：吸着テーブル
２７：エネルギー線光源
２８：加熱収縮領域
２９：温風ノズル
３２：改質領域
３４：半導体チップ
Ｗ：ウエハ
【図１】
2018105613.tif 000006
【図２】
2018105613.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018105613.tif 000012
【国際調査報告】
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2018105613.tif 000014
2018105613.tif 000015
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