(57)【要約】透明樹脂基板との優れた密着性を有する金属細線を備える導電性フィルムを得ることができる、導電性フィルムの製造方法を提供する。また、導電性フィルムを提供する。導電性フィルムの製造方法は、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に、透明樹脂基板と接するように、ニッケルを主成分として含有する第一金属膜を形成する工程と、第一金属膜上に、銅を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程と、第二金属膜上に、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程と、開口部内の第二金属膜を除去する工程と、めっき法により、開口部内であって、第一金属膜上に、第三金属膜を形成する工程と、レジスト膜を除去する工程と、第一金属膜上の第二金属膜を除去する工程と、第三金属膜をマスクとして、第一金属膜を除去する工程と、をこの順に有する。
2018155088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂基板と、
前記透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に配置された金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムの製造方法であって、
前記透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に、前記透明樹脂基板と接するように、ニッケルを主成分として含有する第一金属膜を形成する工程と、
前記第一金属膜上に、前記第一金属膜と接するように、銅を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程と、
前記第二金属膜上に、前記金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程と、
前記開口部内の前記第二金属膜を除去する工程と、
めっき法により、前記開口部内であって、前記第一金属膜上に、第三金属膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
前記第一金属膜上の前記第二金属膜を除去する工程と、
前記第三金属膜をマスクとして、前記第一金属膜を除去する工程と、をこの順に有する、導電性フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記開口部の線幅が２．０μｍ以下である、請求項１に記載の導電性フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記開口部の線幅が１．４μｍ以下であり、かつ、前記第二金属膜の厚みが５０ｎｍ未満である、請求項１又は２に記載の導電性フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記第三金属膜の厚みが２００〜１５００ｎｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電性フィルムの製造方法。
【請求項５】
透明樹脂基板と、
前記透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に配置された金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムであって、
前記金属細線が、前記透明樹脂基板側から
ニッケルを主成分として含有する第一金属層と、
銅を主成分として含有する第三金属層と、をこの順に備え、
前記第一金属層と前記透明樹脂基板とが接しており、
前記金属細線の線幅は２．０μｍ以下である、導電性フィルム。
【請求項６】
前記金属細線の線幅のばらつきが１０％以下である、請求項５に記載の導電性フィルム。
【請求項７】
前記第三金属層の厚みが２００〜１５００ｎｍである、請求項５又は６に記載の導電性フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性フィルムの製造方法、及び、導電性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明樹脂基板上に金属細線からなる導電部が配置された導電性フィルムは、種々の用途に使用されている。例えば、近年、携帯電話又は携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用として導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
例えば、タッチパネルを備えるディスプレイを使用する場合、使用者は、ディスプレイから数十ｃｍの距離からディスプレイを見ることになる。このとき、金属細線が使用者から視認されないようにするため、金属細線の線幅をより細くすることが求められている。【０００３】
上記のための技術として、特許文献１には、「（ａ）基板を提供する工程、（ｂ）シード層を基板の表面上に形成する工程、（ｃ）フォトレジスト層をシード層の表面上に形成して、フォトリソグラフィおよびエッチングプロセスを実施し、フォトレジスト層に所定の幅を有する溝を形成する工程、（ｄ）溝に、導電層を充填する工程、（ｅ）フォトレジスト層と、導電層によって覆われてないシード層部分を取り除いて、それにより、金属配線の微細構造が作り出される、工程を備える、金属配線の微細構造を製造する方法。」が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２２５６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、特許文献１に記載された金属配線の微細構造を製造する方法について検討したところ、より細い線幅の金属細線を得ようとした場合、金属細線が基板から脱離してしまうという問題があることを明らかとした。【０００６】
そこで、本発明は、透明樹脂基板との優れた密着性を有する金属細線を備える導電性フィルムを得ることができる、導電性フィルムの製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、導電性フィルムを提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。【０００８】
［１］  透明樹脂基板と、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に配置された金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムの製造方法であって、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に、透明樹脂基板と接するように、ニッケルを主成分として含有する第一金属膜を形成する工程と、第一金属膜上に、第一金属膜と接するように、銅を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程と、第二金属膜上に、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程と、開口部内の第二金属膜を除去する工程と、めっき法により、開口部内であって、第一金属膜上に、第三金属膜を形成する工程と、レジスト膜を除去する工程と、第一金属膜上の第二金属膜を除去する工程と、第三金属膜をマスクとして、第一金属膜を除去する工程と、をこの順に有する、導電性フィルムの製造方法。
［２］  開口部の線幅が２．０μｍ以下である、［１］に記載の導電性フィルムの製造方法。
［３］  開口部の線幅が１．４μｍ以下であり、かつ、第二金属層の厚みが５０ｎｍ未満である、［１］又は［２］に記載の導電性フィルムの製造方法。
［４］  第三金属膜の厚みが２００〜１５００ｎｍである、［１］〜［３］のいずれかに記載の導電性フィルムの製造方法。
［５］  透明樹脂基板と、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に配置された金属細線から構成された導電部と、を備える導電性フィルムであって、金属細線が、透明樹脂基板側からニッケルを主成分として含有する第一金属層と、銅を主成分として含有する第三金属層と、をこの順に備え、第一金属層と透明樹脂基板とが接しており、金属細線の線幅は２．０μｍ以下である、導電性フィルム。
［６］金属細線の線幅のばらつきが１０％以下である、［５］に記載の導電性フィルム。［７］第三金属層の厚みが２００〜１５００ｎｍである、［５］又は［６］に記載の導電性フィルム。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、透明樹脂基板との優れた密着性を有する金属細線を備える導電性フィルムを得ることができる、導電性フィルムの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、導電性フィルムを提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第一金属膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図２】第二金属膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図３】レジスト膜形成用組成物層付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図４】レジスト膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図５】開口部の第二金属膜が除去されたレジスト膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図６】第三金属膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図７】レジスト膜が除去された第三金属膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図８】残りの第二金属膜が除去された第三金属膜付き透明樹脂基板の概略断面図である。
【図９】導電性フィルムの一実施形態の概略断面図である。
【図１０】導電性フィルムの一実施形態の上面図である。
【図１１】導電性フィルムの一実施形態の上面図のＡ−Ａ断面図である。
【図１２】導電性フィルム中の導電部の一部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書中における主成分とは、その膜に含有される成分のうち、最も含有量が大きい成分を意図する。
また、本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を含有しないものと共に置換基を含有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を含有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を含有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
また、本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Extreme ultraviolet）、Ｘ線、及び、電子線等を意味する。また本明細書において光とは、活性光線及び放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、遠紫外線、Ｘ線、及び、ＥＵＶ等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も包含する。
また、本明細書中において、「単量体」と「モノマー」とは同義である。単量体は、オリゴマー及びポリマーと区別され、重量平均分子量が２，０００以下の化合物をいう。本明細書中において、重合性化合物とは、重合性基を含有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性基とは、重合反応に関与する基をいう。
【００１２】
［導電性フィルムの製造方法］
上記導電性フィルムの製造方法は、以下の工程をこの順に有する。
（１）透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に、透明樹脂基板と接するように、ニッケルを主成分として含有する第一金属膜を形成する工程（第一金属膜形成工程）
（２）第一金属膜上に、第一金属膜と接するように、銅を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程（第二金属膜形成工程）
（３）第二金属膜上に、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程（レジスト膜形成工程）
（４）開口部内の第二金属膜を除去する工程（第二金属膜除去工程Ａ）
（５）めっき法により、開口部内であって、第一金属膜上に、第三金属膜を形成する工程（第三金属膜形成工程）
（６）レジスト膜を除去する工程（レジスト膜除去工程）
（７）第一金属膜上の第二金属膜を除去する工程（第二金属膜除去工程Ｂ）
（８）第三金属膜をマスクとして、第一金属膜を除去する工程（第一金属膜除去工程）
以下、各工程について詳述する。
【００１３】
第一金属膜形成工程は、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に、透明樹脂基板と接するように、ニッケルを主成分として含有する第一金属膜を形成する工程である。後述するように、第一金属膜がエッチングされると、第一金属層が形成される。
図１は、本工程を経て形成された第一金属膜付き透明樹脂基板１０の概略断面図を表す。本工程は、典型的には、図１に示すとおり、透明樹脂基板１１の一方の主面上に、透明樹脂基板１１と接するように、第一金属膜１２が形成される。
なお、図１では、透明樹脂基板１１の一方の主面上に第一金属膜１２が形成されているが、上記導電性フィルムの製造方法としてはこれに制限されず、透明樹脂基板１１の両方の主面上に、透明樹脂基板１１と接するように、第一金属膜１２が２枚形成されていてもよい。
【００１４】
〔透明樹脂基板〕
透明樹脂基板は、主面を有し、導電部を支持する機能を有する。本明細書において、透明とは、可視光（波長４００〜８００ｎｍ）の光を６０％以上透過することを意図し、８０％以上透過することが好ましく、９０％以上透過することがより好ましく、９５％以上透過することが更に好ましい。なお、透明樹脂基板は無色透明であってもよいし、有色透明であってもよい。
【００１５】
透明樹脂基板を構成する材料としては、例えば、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、及び、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、及び、シクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。なかでも、より優れた光学特性を有する点で、シクロオレフィン系樹脂（ＣＯＰ：Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）が好ましい。
【００１６】
透明樹脂基板の厚みとしては、特に制限されないが、取り扱い性及び薄型化のバランスの点から、０．０１〜２ｍｍが好ましく、０．０４〜１ｍｍがより好ましい。
また、透明樹脂基板１１は複層構造であってもよく、例えば、その一つの層として機能性フィルムを含有してもよい。なお、透明樹脂基板自体が機能性フィルムであってもよい。
【００１７】
〔第一金属膜〕
第一金属膜は、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に、透明樹脂基板と接するように配置される、ニッケルを主成分として含有する金属膜である。
なお、透明樹脂基板の主面とは、上記透明樹脂基板を構成する面のうち、互いに向かい合う最も面積が大きい面を意図し、基板の厚み方向に対向する面に該当する。
また、上記「接するように」とは、透明樹脂基板の主面の少なくとも一部と、第一金属膜の主面とが接していること意図する。
【００１８】
第一金属膜は、ニッケルを主成分として含有するため、透明樹脂基板との相互作用が強く、結果として透明樹脂基板に対する優れた密着性を有する。この傾向は、特に、透明樹脂基板を構成する材料中に、酸素原子が含有される場合に顕著である。
また、第一金属膜はニッケルを主成分として含有するため、電気抵抗率が低い。第一金属膜上には、後述する第三金属膜形成工程で、めっき法により第三金属膜が形成される。すなわち、第一金属膜はめっき工程において、シード層としても機能する。更に、第一金属膜はニッケルを主成分として含有するため、第三金属膜に対する優れた密着性も有する。
【００１９】
上記導電性フィルムの製造方法によれば、第一金属膜がニッケルを主成分として含有するため、透明樹脂基板との間に、密着性を向上させるための層（以下「密着層」ともいう。）を形成することなく、シード層としての機能を有する第一金属膜を形成することができる。上記によれば、本発明は、透明樹脂基板との優れた密着性を有する金属細線を備える導電性フィルムをより簡便に得ることができる。
【００２０】
第一金属膜は、ニッケルを主成分として含有する。なお、第一金属膜における主成分とは、第一金属膜に含有される材料（典型的には金属）のうち、最も含有量（質量）が大きい金属を意図する。
第一金属膜は、ニッケルを主成分として含有していれば、ニッケルの合金であってもよい。第一金属膜としては、ニッケルからなることが好ましい。
第一金属膜中におけるニッケルの含有量としては特に制限されないが、第一金属膜全質量に対して、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９８質量％以上が更に好ましい。ニッケルの含有量の上限としては特に制限されないが、一般に１００質量％以下が好ましい。
なお、明細書において第一金属膜がニッケルからなる状態とは、第一金属膜がニッケル以外の成分を実質的に含有しないことを意図する。ニッケル以外の成分を実質的に含有しないとは、第一金属膜がニッケルからなる場合、及び、ニッケル以外の成分を意図せず含有する場合（典型的には、ニッケル以外の成分を不純物として含有する場合）を含むものとする。
第一金属膜中におけるニッケル以外の成分としては特に制限されず、例えば、銅、クロム、鉛、金、銀、すず、及び、亜鉛等が挙げられる。
【００２１】
第一金属膜の厚みとしては特に制限されないが、一般に、１０〜２００ｎｍが好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ましい。
第一金属膜の厚みが１０〜２００ｎｍであると、得られる導電性フィルムはより優れた密着性及び面内均一性を有する。なお、本明細書において、面内均一性とは、主に第三金属層の厚みが面内において略均一であることを意図する。
【００２２】
第一金属膜の形成方法としては特に制限されず、公知の形成方法を用いることができる。なかでも、より緻密で、透明樹脂基板との優れた密着性を有する膜を形成することができる点で、スパッタリング法、又は、蒸着法が好ましい。
【００２３】
〔第二金属膜形成工程〕
第二金属膜形成工程は、第一金属膜上に、第一金属膜と接するように、銅を主成分として含有する第二金属膜を形成する工程である。
また、上記「接するように」とは、第一金属膜の主面の少なくとも一部と、第二金属膜の主面とが接していること意図する。
なお、第一金属膜の主面とは、第一金属膜の主面のうち、互いに向かい合う最も面積が大きい面を意図し、第一金属膜の厚み方向に対向する面に該当する。また、第二金属膜の主面についても上記と同様である。
【００２４】
図２は、本工程を経て形成される第二金属膜付き透明樹脂基板２０の概略断面図である。本工程は、典型的には、図２に示すように、透明樹脂基板１１の主面上に形成された、第一金属膜１２上に接するように第二金属膜２２が形成される工程である。
図２では、第二金属膜２２の一方の主面と、第一金属膜１２の主面のうち透明樹脂基板１１と接する主面と反対側の主面とが全部接しているが、第二金属膜形成工程で形成される第二金属膜としては上記形態に制限されない。
すなわち、第二金属膜２２は、第一金属膜１２上に第一金属膜１２に接するように形成されていればよく、第一金属膜１２の主面の少なくとも一部と、第二金属膜２２の主面とが接するように形成されていればよい。
【００２５】
第二金属膜は、第一金属膜の保護膜としての機能を有する。
第一金属膜はニッケルを主成分として含有する。そのため、第一金属膜の表面は酸化されやすい。また、第二金属膜を形成せずにレジスト膜を形成した場合、特に第一金属膜が酸化しやすい。
第一金属膜の表面が酸化された場合、第一金属膜のシード層としての機能が損なわれやすい、すなわち、第一金属膜の表面が酸化された状態で、そこにめっき法によって更に金属膜を形成しようとすると、形成される金属膜と、第一金属膜との密着性が損なわれやすい。
一方、めっき法により金属膜を形成する前に、第一金属膜の酸化被膜を酸処理等によって取り除くこともできる。しかし、第一金属膜の酸化被膜の厚さは経時的に変化していくため、酸処理の条件設定が煩雑となってしまう。
上記導電性フィルムの製造方法では、第一金属膜を形成した後、その上に第二金属膜が接するように形成されるため、第二金属膜によって第一金属膜の酸化が抑制される。第二金属膜は、後述する第三金属膜の形成前に取り除かれ、第一金属膜が酸化する前に、その上に第三金属膜が形成される。従って、上記導電性フィルムの製造方法によれば、透明樹脂基板との優れた密着性を有する金属細線を備える導電性フィルムを得ることができる。
【００２６】
第二金属膜は、銅を主成分として含有する。なお、第二金属膜における主成分とは、第二金属膜中に含有される材料（典型的には金属）のうち、最も含有量（質量）が大きい金属を意図する。
第二金属膜は、銅を主成分として含有していれば、銅の合金であってもよい。第一金属膜としては、銅からなることが好ましい。
第二金属膜中における銅の含有量としては特に制限されないが、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、８５質量％以上が更に好ましい。
第二金属膜中における銅以外の成分としては特に制限されず、例えば、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、クロム、及び、亜鉛等が挙げられる。
なお、本明細書において第二金属膜が銅からなる状態とは、第二金属膜が銅以外の成分を実質的に含有しないことを意図する。銅以外の成分を実質的に含有しないとは、第二金属膜が銅からなる場合、及び、銅以外の成分を意図せず含有する場合（典型的には、銅以外の成分を不純物として含有する場合）を含むものとする。
【００２７】
第二金属膜の厚みとしては特に制限されないが、上限としては、一般に１５０ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましく、５０ｎｍ以下が更に好ましく、５０ｎｍ未満が特に好ましく、４０ｎｍ以下が最も好ましい。下限としては、特に制限されないが、一般に５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましい。第二金属膜の厚みが５〜１５０ｎｍであると、得られる導電性フィルムはより優れた線幅の均一性（金属細線の線幅のばらつきがより少ない状態）を有する。
なかでも、後述するレジスト膜が備える開口部の線幅が１．４μｍ以下であり、かつ、第二金属膜の厚みが５０ｎｍ未満であると、導電性フィルムは更に優れた線幅の均一性を有する。
【００２８】
第二金属膜の厚み（ｎｍ）に対する、後述するレジスト膜が備える開口部の線幅（ｎｍ）の比（開口部の線幅／第二金属膜の厚み）としては特に制限されないが、一般に、下限値としては２以上が好ましく、３以上がより好ましく、６以上が更に好ましく、６を超えることが特に好ましく、７．５以上が最も好ましい。また、上限値としては２００以下が好ましく、１４０以下がより好ましい。
開口部の線幅（ｎｍ）／第二金属膜の厚み（ｎｍ）の比が６を超えて、１４０以下であると、導電性フィルムはより優れた金属細線の線幅の均一性を有する。
【００２９】
後述する第三金属膜の厚み（単位はｎｍ）に対する、第二金属膜の厚み（単位はｎｍ）の比（第二金属膜の厚み／第三金属膜の厚み）としては、特に制限されないが、金属細線の線幅のばらつきがより小さい導電性フィルムが得られる点で、０．１６未満が好ましい。第三金属膜の厚みに対する、第二金属膜の厚みの比としては特に制限されないが、一般に、０．００１以上が好ましい。第三金属膜の厚みに対する、第二金属膜の厚みの比が０．１６未満であると、導電性フィルムはより優れた線幅の均一性を有する。
【００３０】
第二金属膜の形成方法としては特に制限されず、公知の形成方法を用いることができる。なかでも、より緻密で、透明樹脂基板との優れた密着性を有する膜を形成することができる点で、スパッタリング法、又は、蒸着法が好ましい。
【００３１】
〔レジスト膜形成工程〕
レジスト膜形成工程は、金属細線が形成される領域に開口部を備えるレジスト膜を形成する工程である。図４は本工程を経て形成されるレジスト膜付き透明樹脂基板４０の概略断面図を表す。本工程は、典型的には、図４に示すとおり、第二金属膜２２上に開口部Ｇを備えるレジスト膜４１が形成される。
【００３２】
レジスト膜４１は、金属細線が形成される領域に開口部Ｇを備える。
レジスト膜４１中における開口部Ｇの領域は、金属細線を配置したい領域に合わせて適宜調整できる。例えば、メッシュ状に配置された金属細線を形成しようとする場合、メッシュ状の開口部を有するレジスト膜が形成される。なお、通常、開口部は、金属細線に合わせて細線状に形成される。
【００３３】
上記開口部Ｇの線幅Ｗは、特に制限されないが、一般に２．０μｍ以下が好ましく、１．４μｍ以下がより好ましく、１．２μｍ以下であることが更に好ましい。開口部の線幅Ｗが１．４μｍ以下であると、得られる金属細線の線幅がより細くなり、導電性フィルムを、例えば、タッチパネルセンサー等に適用した際、使用者から金属細線がより視認されにくい。なお、上記開口部Ｇの線幅Ｗの下限は特に制限されないが、０．３μｍ以上の場合が多い。
なお、本明細書において開口部Ｇの線幅Ｗとは、開口部Ｇの細線部分の延在方向に直交する方向での細線部の大きさを意図する。後述する各工程を経て、開口部Ｇの線幅Ｗに対応した線幅Ｗを有する金属細線が形成される。
【００３４】
第二金属膜２２上にレジスト膜４１を形成する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜形成方法を用いることができる。典型的には、以下の工程を有する方法が挙げられる。
（ａ）第二金属膜２２上にレジスト膜形成用組成物を塗布し、レジスト膜形成用組成物層３１を形成する工程（図３は（ａ）工程を経て形成されるレジスト膜形成用組成物層付き透明樹脂基板３０の概略断面図を表す。）。
（ｂ）パターン状の開口部を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物層３１を露光する工程。
（ｃ）露光後のレジスト膜形成用組成物層３１を現像し、開口部Ｇを備えるレジスト膜４１を得る工程。
なお、上記工程（ａ）と（ｂ）の間、（ｂ）と（ｃ）の間、及び／又は、（ｃ）の後には、レジスト膜形成用組成物層３１、及び／又は、開口部Ｇを備えるレジスト膜４１を加熱する工程を更に含有してもよい。
【００３５】
・工程（ａ）
レジスト膜形成用組成物としては特に制限されず、公知のレジスト膜形成用組成物を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物の具体例としては、例えば、ポジ型、又は、ネガ型の感放射線性組成物が挙げられる。
【００３６】
第二金属膜上にレジスト膜形成用組成物を塗布する方法としては特に制限されず、公知の塗布方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、及び、浸漬法等が挙げられる。
【００３７】
第二金属膜上にレジスト膜形成用組成物層を形成後、レジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱により、レジスト膜形成用組成物層に残留する不要な溶剤を除去し、レジスト膜形成用組成物層を均一な状態とすることができる。レジスト膜形成用組成物層を加熱する方法としては特に制限されないが、例えば、透明樹脂基板を加熱する方法が挙げられる。上記加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。
【００３８】
レジスト膜形成用組成物層の厚みとしては特に制限されないが、乾燥後の厚みとして、一般に０．５〜２．５μｍが好ましい。
【００３９】
・工程（ｂ）
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては特に制限されず、公知の露光方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては、例えば、パターン状の開口部を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物層に、活性光線、又は、放射線を照射する方法が挙げられる。露光量としては特に制限されないが、一般に１〜１００ｍＷ／ｃｍ２で、０．１〜１０秒間照射することが好ましい。
【００４０】
例えば、レジスト膜形成用組成物がポジ型である場合、工程（ｂ）中で用いられるフォトマスクが備えるパターン状の開口部の線幅Ｗは、一般に２．０μｍ以下が好ましく、１．４μｍ以下がより好ましい。
【００４１】
露光後のレジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。
【００４２】
・工程（ｃ）
露光後のレジスト膜形成用組成物層を現像する方法としては特に制限されず、公知の現像方法を用いることができる。
公知の現像方法としては、例えば、有機溶剤を含有する現像液、又は、アルカリ現像液を用いる方法が挙げられる。
現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、及び、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
【００４３】
また、現像後のレジスト膜を、リンス液を用いて洗浄してもよい。リンス液としては特に制限されず、公知のリンス液を用いることができる。リンス液としては、有機溶剤、及び、水等が挙げられる。
【００４４】
〔第二金属膜除去工程Ａ〕
第二金属膜除去工程Ａは、レジスト膜が備える開口部内の第二金属膜を除去する工程である。即ち、開口部によって露出した第二金属膜を除去する工程である。図５は本工程を経て形成される、開口部の第二金属膜が除去されたレジスト膜付き透明樹脂基板５０の概略断面図を表す。本工程は、典型的には、図５に示すように、レジスト膜４１の開口部Ｇ内の第二金属膜２２が除去される工程である。
レジスト膜４１の開口部Ｇ内の第二金属膜２２を除去する方法としては特に制限されないが、レジスト膜４１をマスクとして、第二金属膜２２を、エッチング液を用いて除去する方法等が挙げられる。
【００４５】
エッチング液としては、第二金属膜２２を溶解して除去することができれば特に制限されず、公知のエッチング液を用いることができ、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アンモニアアルカリ溶液、硫酸−過酸化水素混合液、及び、リン酸−過酸化水素混合液等が挙げられる。
【００４６】
上記導電性フィルムの製造方法において、第一金属膜と、その保護膜としての機能を有する第二金属膜は互いに異なる金属（ニッケル、及び、銅）を主成分としている。ニッケル、及び、銅はエッチング液に対する溶解性が大きく異なる。従って、第二金属膜除去工程Ａにおいて、エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートと、エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートとを調整することによって、第一金属膜を損傷せずに、第二金属膜のみを除去することができる。なお、以下では、第二金属膜除去工程Ａにおいて用いられるエッチング液を第二エッチング液という。
【００４７】
第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートとしては特に制限されないが、透明樹脂基板への密着性がより優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる点で、第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートとしては、毎分３００ｎｍ（以降、毎分Ａｎｍは「Ａｎｍ／ｍｉｎ」と表記する。）以下が好ましく、２００ｎｍ／ｍｉｎ以下がより好ましい。
第二金属膜に対するエッチングレートの下限値としては特に制限されないが、一般に３０ｎｍ／ｍｉｎ以上が好ましい。
第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレートは、第二エッチング液の濃度、及び、温度等を調整することにより、調整することができる。
なお、本明細書において、各エッチング液の各金属膜のエッチングレートとは、以下の方法により測定したエッチングレートを意図する。
【００４８】
（エッチングレート測定方法）
各エッチング液による各金属膜に対するエッチングレートの測定は、以下の方法により行う。
まず、シリコンウェハ上に１０μｍの厚みで対象とする金属膜を形成したモデル基板を準備する。次に、上記モデル基板を、対象とするエッチング液に５分間浸漬した後の金属膜の厚みを測定し、浸漬前後で減少した金属膜の厚みを算出し、これを５（分）で除して、エッチングレートを算出する。
なお、厚みの測定には、表面形状測定装置Ｄｅｋｔａｋ６Ｍ（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いる。
【００４９】
第二エッチング液の第二金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ２）に対する、第二エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ１）の比（第一金属膜に対するエッチングレート／第二金属膜に対するエッチングレート、ＥＲ１／ＥＲ２）としては、特に制限されないが、第二エッチング液が第一金属膜を溶解しにくい（選択的に第二金属膜を溶解する）点で、０．０１以下が好ましく、０．００２以下がより好ましく、０．０００５未満が更に好ましい。
上記比の下限値としては特に制限されないが、一般に０以上が好ましい。
なお、上記比が０である場合とは、第二エッチング液が第一金属膜を実質的に溶解しない場合を意図する。
第二エッチング液のＥＲ１／ＥＲ２が０．０００５未満であると、透明樹脂基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる。
【００５０】
第二エッチング液を用いて第二金属膜をエッチングする方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。
【００５１】
〔第三金属膜形成工程〕
第三金属膜形成工程は、めっき法により、レジスト膜の開口部Ｇ内であって、第一金属膜上に、第三金属膜を形成する工程である。図６は、本工程を経て形成される、第三金属膜付き透明樹脂基板６０の概略断面図を表す。本工程は、典型的には、図６に示すように、レジスト膜４１が備える開口部Ｇを埋めるように、第一金属膜１２上に第三金属膜６１が形成される。後述するように、第三金属膜６１は、所定の処理後、金属細線中の第三金属層となる。
【００５２】
第三金属膜は、めっき法により形成される。
めっき法としては、公知のめっき法を用いることができる。具体的には、電解めっき法及び無電解めっき法が挙げられ、生産性の点から、電解めっき法が好ましい。
【００５３】
第三金属膜に含有される金属としては特に制限されず、公知の金属を用いることができる。第三金属膜は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び、亜鉛等の金属、並びに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
また、エッチング液に対する溶解性が異なる点で、第三金属膜の主成分と、第一金属膜の主成分とは異なることが好ましい。
なかでも、後述する処理後に形成される第三金属層がより優れた導電性を有する点で、第三金属膜は主成分として銅を含有することが好ましい。
第三金属膜が主成分として銅を含有する場合、第三金属膜は、銅を主成分として含有していれば、銅の合金であってもよい。第三金属膜としては、銅からなることが好ましい。
なお、上記主成分とは、第三金属膜中に含まれる金属のうち、最も含有量（質量）が大きい金属を意図する。第三金属膜中の主成分を構成する金属の含有量としては特に制限されないが、一般に、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。
なお、本明細書において第三金属膜が銅からなる状態とは、第三金属膜が銅以外の成分を実質的に含有しないことを意図する。銅以外の成分を実質的に含有しないとは、第三金属膜が銅からなる場合、及び、銅以外の成分を意図せず含有する場合（典型的には、銅以外の成分を不純物として含有する場合）を含むものとする。
【００５４】
第三金属膜の厚みとしては特に制限されないが、１００〜２０００ｎｍが好ましく、２００〜１５００ｎｍがより好ましい。第三金属膜の厚みが２００〜１５００ｎｍであると、導電性フィルムとして有用な抵抗値を有し、一方で配線倒れが起きにくい。
【００５５】
〔レジスト膜除去工程〕
レジスト膜除去工程は、レジスト膜を除去する工程である。図７は、本工程を経て形成されるレジスト膜が除去された第三金属膜付き透明樹脂基板７０の概略断面図である。本工程は、典型的には、図６、及び、図７に示すように、レジスト膜４１が除去され、透明樹脂基板１１上に第一金属膜１２を備え、第一金属膜１２上の金属細線が形成される部分には第三金属膜６１を、それ以外の部分には、第二金属膜１３を備える積層体が得られる。
【００５６】
レジスト膜を除去する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜除去液を用いてレジスト膜を除去する方法が挙げられる。
レジスト膜除去液としては例えば、有機溶剤、及び、アルカリ溶液等が挙げられる。
レジスト膜除去液をレジスト膜に接触させる方法としては特に制限されないが、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、及び、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
【００５７】
〔第二金属膜除去工程Ｂ〕
第二金属膜除去工程Ｂは、第一金属膜上の第二金属膜を除去する工程である。図８は、残りの第二金属膜が除去された第三金属膜付き透明樹脂基板８０の概略断面図を表す。本工程は、典型的には、図７、及び、図８に示すように、第一金属膜１２上の第二金属膜２２を、エッチング液で選択的に除去することで、透明樹脂基板１１と、第一金属膜１２と、第三金属膜６１と、をこの順に備える積層体が得られる。
【００５８】
第二金属膜を除去する方法としては特に制限されないが、第二金属膜除去工程Ａとして説明した方法が好ましい。すなわち、第二金属膜を除去する一方、第一金属膜を損傷しないよう、エッチング液が選択されることが好ましい。エッチング液の好適形態については既に説明したとおりである。
第一金属膜と第二金属膜はエッチング液に対する溶解性の異なる金属をそれぞれの主成分としているため、本工程において第二金属膜を選択的に除去することができる。
【００５９】
〔第一金属膜除去工程〕
第一金属膜除去工程は、第三金属膜をマスクとして、第一金属膜を除去する工程である。図９は、本工程を経て形成される、透明樹脂基板上に形成された金属細線の概略断面図を表す。本工程を実施することにより、直上に第三金属膜が配置されていない領域の第一金属膜が除去され、金属細線が得られる。図９の導電性フィルム９０は、透明樹脂基板１１と、金属細線９１とを備える。金属細線９１は、透明樹脂基板１１側から順に、第一金属層９２、及び、第三金属層９３を備える。
【００６０】
第三金属膜をマスクとして、第一金属膜を除去する方法としては特に制限されないが、エッチング液を用いて第一金属膜を除去する方法等が挙げられる。
エッチング液としては、第一金属膜を溶解して除去することができれば特に制限されず、公知のエッチング液を用いることができる。
【００６１】
上記導電性フィルムの製造方法において、第三金属膜と、第一金属膜とは互いに異なる金属（ニッケル、及び、銅）を主成分としている。ニッケル、及び、銅はエッチング液に対する溶解性が大きく異なる。従って、第一金属膜除去において、エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートと、エッチング液の第三金属膜に対するエッチングレートとを調整することによって、第三金属膜を損傷せずに、第一金属膜のみを除去することができる。なお、以下では、第一金属膜除去工程において用いられるエッチング液を第一エッチング液という。
【００６２】
第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートとしては特に制限されないが、透明樹脂基板への密着性がより優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる点で、第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートとしては、毎分３００ｎｍ（以降、毎分Ａｎｍは「Ａｎｍ／ｍｉｎ」と表記する。）以下が好ましく、２００ｎｍ／ｍｉｎ以下がより好ましい。
第一金属膜に対するエッチングレートの下限値としては特に制限されないが、一般に３０ｎｍ／ｍｉｎ以上が好ましい。
第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレートは、第一エッチング液の濃度、及び、温度等を調整することにより、調整することができる。
なお、本明細書において、各エッチング液の各金属膜のエッチングレートとは、上述した方法により測定したエッチングレートを意図する。
【００６３】
第一エッチング液の第一金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ１）に対する、第一エッチング液の第三金属膜に対するエッチングレート（ＥＲ３）の比（第三金属膜に対するエッチングレート／第一金属膜に対するエッチングレート、ＥＲ３／ＥＲ１）としては、特に制限されないが、第一エッチング液が第三金属膜を溶解しにくい（選択的に第一金属膜を溶解する）点で、０．０１以下が好ましく、０．００２以下がより好ましく、０．０００５未満が更に好ましい。
上記比の下限値としては特に制限されないが、一般に０以上が好ましい。
なお、上記比が０である場合とは、第一エッチング液が第三金属膜を実質的に溶解しない場合を意図する。
第一エッチング液のＥＲ３／ＥＲ１が０．０００５未満であると、透明樹脂基板への密着性により優れた金属細線を備える導電性フィルムがより簡便に得られる。
【００６４】
第一エッチング液を用いて第一金属膜をエッチングする方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。
【００６５】
［導電性フィルム］
上述した手順によって、本発明の実施形態に係る導電性フィルムが製造される。
本発明の実施形態に係る導電性フィルムは、透明樹脂基板と、透明樹脂基板の少なくとも一方の主面上に配置された金属細線から構成された導電部とを備える。導電性フィルムにおいて、導電部は、通常、複数の金属細線により構成される。なお、例えば、導電性フィルムをタッチパネルセンサー用として用いる場合には、導電部を透明電極及び／又は引き出し配線として用いることができる。
【００６６】
図１０は、上記導電性フィルムの一実施形態の上面図であり、図１１はそのＡ−Ａ断面図である。図１２は、導電性フィルム中の導電部の一部拡大図である。
図１０、及び、図１１に示すように、導電性フィルム９０は、透明樹脂基板１１、及び、透明樹脂基板１１の一方の主面上に配置された導電部１０１を含有する。
【００６７】
なお、図１０、及び、図１１においては、平面状の形状を有する導電性フィルムの形態を示したが、導電性フィルムとしては上記に制限されない。導電性フィルムは３次元形状（立体形状）を有していてもよい。３次元形状としては、例えば、曲面を含有する３次元形状が挙げられ、３次元形状としては、より具体的には、半球状、かまぼこ形状、波形状、凸凹形状、及び、円柱状等が挙げられる。
また、図１０、及び、図１１には、導電部１０１は透明樹脂基板１１の一方の主面上に配置されているが、この形態には制限されない。例えば、透明樹脂基板１１の両方の主面上に導電部１０１が配置されていてもよい。
また、図１０、及び、図１１には、導電部１０１は、６本ストライプ状に配置されているが、この形態には制限されず、どのような配置パターンであってもよい。
【００６８】
図１２は、導電部１０１の一部拡大上面図であり、導電部１０１は、複数の金属細線９１により構成され、交差する金属細線９１による複数の開口部１０２を含有するメッシュ状のパターンを含有する。
金属細線９１の線幅は、２．０μｍ以下であり、１．４μｍ以下がより好ましく、１．２μｍ以下が更に好ましい。
金属細線９１の線幅の下限値としては特に制限されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
金属細線９１の線幅が２．０μｍ以下であると、例えば、導電性フィルムをタッチパネルセンサーに適用した際、タッチパネルの使用者が、金属細線をより視認しにくい。
【００６９】
なお、本明細書において、金属細線９１の線幅とは、金属細線９１の幅方向の断面（金属細線の延在方向と直交する断面）において、後述する、第一金属層、及び、第三金属層の線幅のうち最大の線幅を意図する。すなわち、第一金属層、及び、第三金属層の線幅は、金属細線９１の線幅以下となる。
なお、各金属層の形態、及び、線幅の測定方法については後述する。
【００７０】
金属細線９１の厚みとしては、特に制限されないが、一般に０．１〜５．０μｍが好ましく、導電性の観点から、０．２〜２．０μｍが好ましい。
開口部１０２の一辺の長さＸは、２０〜２５０μｍが好ましい。
【００７１】
なお、図１２においては、開口部１０２は、略ひし形の形状を有している。但し、その他、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する２辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する２辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
なお、図１２においては、導電部１０１はメッシュ状のパターンを有するが、この形態には制限されない。
【００７２】
本実施形態に係る導電性フィルムの金属細線の線幅のばらつきは特に制限されないが、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましい。
なお、本明細書において、金属細線の線幅、及び、線幅のばらつきは、以下の方法により測定される線幅、及び、線幅のばらつきを意図する。
まず、導電性フィルムを、透明樹脂基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製  Ｓ−５５００型）を用いて観察する。観察範囲３ｃｍ×３ｃｍで２０点ランダムに金属細線の線幅を測定し、測定された値の平均値を算出し、平均値に対する線幅の標準偏差を百分率で表し、ばらつきとする。つまり、線幅のばらつき（％）は、｛（線幅の標準偏差）／平均値×１００｝にて算出される。
【００７３】
金属細線９１の断面図としては、例えば図９に示すように、金属細線９１は、透明樹脂基板側１１から順に、第一金属層９２、及び、第三金属層９３を備える構造がある。なお、第一金属層９２、及び、第三金属層９３の形状はいずれも、金属細線９１の形状に対応した細線状である。
【００７４】
〔第一金属層〕
第一金属層９２は、導電性を有すると共に、その上に配置される第三金属層９３を透明樹脂基板上に保持する作用（密着性向上作用）を有する。上述したように、第一金属層９２は、第一金属膜にエッチング処理を施すことにより形成される。
第一金属層９２に含まれる金属の種類は、上述した第一金属膜に含まれる金属の種類と同じである。
また、第一金属層９２の厚みの好適範囲は、上述した第一金属膜の厚みの好適範囲と同じである。なお、導電性フィルム中の第一金属層の厚みは、後述する、第一金属層の線幅の測定の際に、合わせて測定することもできる。
【００７５】
第一金属層９２の線幅としては、２．０μｍ以下が好ましく、１．４μｍ以下がより好ましく、１．２μｍ以下が更に好ましい。
なお、第一金属層９２の線幅は、金属細線９１を透明樹脂基板１１ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製  Ｓ−５５００型）を用いて観察して、測定される線幅を意図する。また、後述する第三金属層９３の線幅も同様である。
【００７６】
〔第三金属層〕
第三金属層９３は、導電性を有し、金属細線の導通を確保する作用を有する。
第三金属層９３に含まれる金属の種類は、上述した第三金属膜に含まれる金属の種類と同じである。
また、第三金属層９３の厚みの好適範囲は、上述した第三金属膜の厚みの好適範囲と同じである。なお、導電性フィルム中の第三金属層の厚みは、上述した、第一金属層の線幅の測定の際に、合わせて測定することもできる。
【００７７】
第三金属層９３の線幅としては、２．０μｍ以下が好ましく、１．４μｍ以下がより好ましく、１．２μｍ以下が更に好ましい。
【００７８】
上記の製造方法により製造された導電性フィルムは、種々の用途に用いることができる。例えば、各種電極フィルム、発熱シート、及び、プリント配線基板が挙げられる。なかでも、導電性フィルムは、タッチパネルセンサーに用いられることが好ましく、静電容量方式のタッチパネルセンサーに用いられることがより好ましい。上記導電性フィルムをタッチパネルセンサーとして含むタッチパネルでは、金属細線が視認しづらい。
なお、タッチパネルの構成としては、例えば、特開２０１５−１９５００４号公報の００２０〜００２７段落に記載のタッチパネルモジュール等が挙げられ、上記内容は本明細書に組み込まれる。
【実施例】
【００７９】
以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。【００８０】
〔実施例１：導電性フィルムの作製〕
ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ−ｏｌｅｆｉｎ  ｐｏｌｙｍｅｒ）フィルム（透明基板に該当する、厚み８０μｍ）上に、スパッタ装置を用いて第一金属膜（シード層）としてＮｉを５０ｎｍ成膜し、引き続き第二金属膜としてＣｕを２０ｎｍ成膜して、第二金属膜付き基板を得た。次に、第二金属膜付き基板の第二金属膜上に、レジスト組成物（ポジ型レジスト、ローム・アンド・ハース電子材料社製、商品名「ＭＣＰＲ１２４ＭＧ」）を乾燥後の厚みが１μｍとなるようにスピンコーターにて塗布し、９０℃で１０ｍｉｎ乾燥させてレジスト膜形成用組成物層付き基板を得た。次に、レジスト膜形成用組成物層付き基板に対し、平行露光機を用いてフォトマスクを介して３６５ｎｍの波長の光（露光量は１３ｍＷ／ｃｍ２だった。）を２秒照射し、次に、０．１５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で現像し、開口部を備えるレジスト膜が形成された基板を得た（開口部の線幅は１．２μｍ±０．１μｍだった。）。なお、この開口部には、後の工程で金属細線が形成される。
次に、後の剥離のために、レジスト膜の全面を露光した（１３ｍＷ／ｃｍ２で３秒間照射した。）。次に、Ｃｕエッチング液（和光純薬工業株式会社製、商品名「Ｃｕエッチャント」）を用いて、レジスト膜付き基板上の開口部内の第二金属膜（Ｃｕ層）を除去して、開口部の第二金属膜が除去された基板を得た。次に、開口部内の第二金属膜が除去された基板に対して、硫酸銅ハイスロー浴（添加剤として「トップルチナＨＴ−Ａ」と「トップルチナＨＴ−Ｂ」を含有する。いずれも奥野製薬工業社製）を用いて電気めっき（電流密度：３Ａ／ｄｍ２）し、開口部内に銅めっき膜（第三金属膜に該当する。厚み３００ｎｍ）を形成し、第三金属膜付き基板を得た。次に、第三金属膜付き基板から、０．１５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジスト膜を剥離し、次に、Ｃｕエッチング液（和光純薬工業株式会社製、商品名「Ｃｕエッチャント」）を用いて残りの第二金属膜（Ｃｕ層）を除去し、次に、Ｎｉエッチング液（日本化学産業社製、商品名「ＮＣ−Ａ」及び「ＮＣ−Ｂ」）を用い、第三金属膜をマスクとして第一金属膜（Ｎｉ層）を除去し、金属細線を備える導電性フィルムを得た。得られた導電性フィルムにおける、第三金属層の厚みは２７０ｎｍだった。【００８１】
〔実施例２〜５：導電性フィルムの作製〕
第二金属膜の厚さを表１に記載したとおりとしたこと以外は実施例１の導電性フィルムと同様にして、実施例２〜５の導電性フィルム２〜５を作製した。得られた導電性フィルムにおける第三金属層の厚みはそれぞれ導電性フィルム２から順に、２８０ｎｍ、２５０ｎｍ、２４０ｎｍ、及び、２７５ｎｍだった。【００８２】
〔比較例１〕
ＣＯＰフィルム上に、スパッタ装置を用いて第一金属膜（シード層）としてＣｕを５０ｎｍ成膜した。第二金属膜を形成せず、第一金属膜上に、レジスト組成物（ポジ型レジスト、ローム・アンド・ハース電子材料社製、商品名「ＭＣＰＲ１２４ＭＧ」）を乾燥後の厚みが１μｍとなるようにスピンコーターにて塗布した。９０℃で１０ｍｉｎ乾燥させてレジスト膜形成用組成物層付き基板を得た。次に、レジスト膜形成用組成物層付き基板に対し、平行露光機を用いてフォトマスクを介して３６５ｎｍの波長の光（露光量は１３ｍＷ／ｃｍ２だった。）を２秒照射し、次に、０．１５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で現像し、開口部を備えるレジスト膜が形成された基板を得た（開口部の線幅は１．２μｍ±０．１μｍだった。）。次に、後の剥離のために、レジスト膜の全面を露光した（１３ｍＷ／ｃｍ２で３秒間照射した。）。次に、開口部を備えるレジスト膜が形成された基板に、硫酸銅ハイスロー浴（添加剤として「トップルチナＨＴ−Ａ」と「トップルチナＨＴ−Ｂ」を含有する。いずれも奥野製薬工業社製）を用いて電気めっき（電流密度３Ａ／ｄｍ２）し、開口部内に銅めっき膜（第三金属膜に該当する、厚み３００ｎｍ）を形成し、第三金属膜付き基板を得た。次に、第三金属膜付き基板から、０．１５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを剥離し、次に、Ｃｕエッチング液（和光純薬工業社製、商品名「Ｃｕエッチャント」）を用いて、第三金属膜をマスクとして、第一金属膜（Ｃｕ層）を除去し、金属細線を備える導電性フィルムを得た。【００８３】
〔比較例２〕
ＣＯＰフィルム上に、スパッタ装置を用いて第一金属膜（シード層）としてＮｉを４０ｎｍ成膜した。第二金属膜を形成せず、第一金属膜上に、レジスト組成物（ポジ型レジスト、ローム・アンド・ハース電子材料社製、商品名「ＭＣＰＲ１２４ＭＧ」）を乾燥後の厚みが１μｍとなるようにスピンコーターにて塗布した。９０℃で１０ｍｉｎ乾燥させてレジスト膜形成用組成物層付き基板を得た。次に、レジスト膜形成用組成物層付き基板に対し、平行露光機を用いてフォトマスクを介して３６５ｎｍの波長の光（露光量は１３ｍＷ／ｃｍ２だった。）を２秒照射し、次に、０．１５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で現像し、開口部を備えるレジスト膜が形成された基板を得た（開口部の線幅は１．２μｍ±０．１μｍだった。）。次に、後の剥離のために、レジスト全面を露光した（１３ｍＷ／ｃｍ２で３秒間照射した。）。次に硫酸銅ハイスロー浴（添加剤として「トップルチナＨＴ−Ａ」と「トップルチナＨＴ−Ｂ」を含有する。いずれも奥野製薬工業社製）を用いて電気めっき（電流密度３Ａ／ｄｍ２）し、開口部内に銅めっき膜（第三金属膜に該当する、厚み３００ｎｍ）を形成し、第三金属膜付き基板を得た。次に、第三金属膜付き基板から、０．１５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを剥離したが、その際に開口部内に形成された第三金属膜も第一金属膜（Ｎｉ層）上から剥離してしまい、金属細線を備える導電性フィルムは得られなかった。【００８４】
各導電性フィルムは、以下の方法で評価した。
〔金属細線の形成性〕
上記の方法で作製した各導電性フィルムを用い、金属細線を備える側の基板主面に対し、セロハンテープフィルム（「ＣＴ２４」ニチバン社製）を指の腹で押圧して密着させた後、セロハンテープを剥離した。その後、基板上の金属細線の剥離を目視で確認した。
結果は以下の基準により評価し、評価結果を表１に示した。尚、表１中の「‐」は金属細線が形成されなかったことを表す。【００８５】
Ａ：金属細線が形成され、上記試験において、金属細線の剥離も観察されなかった。
Ｂ：金属細線が形成されたが、上記試験において、金属細線の剥離が観察された。【００８６】
〔金属細線の線幅のばらつき〕
実施例および比較例の導電性フィルムについて、金属細線の線幅のばらつきを以下の方法により測定した。
まず、導電性フィルムを、透明樹脂基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製  Ｓ−５５０型）を用いて観察した。観察範囲３ｃｍ×３ｃｍで２０点ランダムに金属細線の線幅を測定し、測定された値の平均値を算出し、平均値に対する線幅の標準偏差を百分率で表し、ばらつきとした。結果は以下の基準により評価し、表１に示した。
評価基準
Ａ：金属細線の線幅のばらつきが１０％以下だった。
Ｂ：金属細線の線幅のばらつきが１０％を超えた。【００８７】
【表１】
2018155088.tif 000003
【００８８】
なお、表１中、金属細線の線幅のばらつき欄に記載した「−」は、金属細線が得られなかったことを表す。【００８９】
表１に記載した結果から本発明の実施形態に係る導電性フィルムの製造方法によって得られる導電性フィルムは、透明樹脂基板との優れた密着性を有する金属細線を備えていた。
一方、比較例１に記載した導電性フィルムは、第一金属層が銅を主成分として含有するため、透明樹脂基板との密着性が十分ではなく、金属細線の形成性が悪かった。また、第一金属膜の除去の際に、銅めっき層（第三金属膜に対応する）の一部（特に銅めっき層の側面部）も除去されてしまい、金属細線の線幅のばらつきが大きかった。
比較例２に記載した導電性フィルムは、金属細線を形成できなかった。これは、第一金属膜上に、第二金属膜を形成しなかったため、第一金属膜中のＮｉが酸化してしまい、めっき層との密着性が悪くなったためと推測される。
また、レジスト膜の開口部の線幅が１．４μｍ以下であり、かつ、第二金属膜の厚みが５０ｎｍ未満である、実施例１〜３の導電性フィルムは、実施例４の導電性フィルムと比較して金属細線の線幅のばらつきがより小さかった。
【符号の説明】
【００９０】
１０  第一金属膜付き透明樹脂基板
１１  透明樹脂基板
１２  第一金属膜
２０  第二金属膜付き透明樹脂基板
２２  第二金属膜
３０  レジスト膜形成用組成物層付き透明樹脂基板
３１  レジスト膜形成用組成物層
４０  レジスト膜付き透明樹脂基板
４１  レジスト膜
５０  開口部の第二金属膜が除去されたレジスト膜付き透明樹脂基板
６０  第三金属膜付き透明樹脂基板
６１  第三金属膜
７０  レジスト膜が除去された第三金属膜付き透明樹脂基板
８０  残りの第二金属膜が除去された第三金属膜付き透明樹脂基板
９０  導電性フィルム
９１  金属細線
９２  第一金属層
９３  第三金属層
１０１  導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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