(57)【要約】  窒化アルミニウム膜は、多結晶の窒化アルミニウムを含む。窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶の窒化アルミニウムを含む窒化アルミニウム膜であって、  前記窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧が１００ｋＶ／ｍｍ以上である、窒化アルミニウム膜。
【請求項２】
前記多結晶の窒化アルミニウムは、複数の窒化アルミニウム結晶粒子を有し、  前記窒化アルミニウム膜中の前記複数の窒化アルミニウム結晶粒子の割合は９０体積％以上１００体積％以下である、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項３】
前記複数の窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が３０ｎｍ以下である、請求項２に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項４】
前記絶縁耐圧が２００ｋＶ／ｍｍ以上である、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項５】
前記窒化アルミニウム膜のＸ線回折分析により得られるＸ線回折パターンは、３３．２±１°の回折角２θに位置する回折ピークを有する、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項６】
前記窒化アルミニウム膜のＸ線回折分析により得られるＸ線回折パターンは、３３．２±１°の回折角２θに位置する第１の回折ピークと、４３．５±１°の回折角２θに位置する第２の回折ピークと、を有し、  前記第１の回折ピークの強度に対する前記第２の回折ピークの強度の比が０．０１以上である、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項７】
前記窒化アルミニウム膜のＸ線回折分析により得られるＸ線回折パターンは、窒化アルミニウム結晶に基づく回折ピークを有し、前記窒化アルミニウム結晶に基づく回折ピーク以外の回折ピークを有しない、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項８】
前記多結晶の窒化アルミニウムは、六方晶窒化アルミニウムと立方晶窒化アルミニウムとを含む、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項９】
前記窒化アルミニウム膜の表面粗さＲａが３μｍ以下である、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項１０】
前記窒化アルミニウム膜の膜厚が１μｍ以上である、請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
【請求項１１】
基材と、  前記基材上に設けられた請求項１に記載の窒化アルミニウム膜と、を具備する、高耐圧部品。
【請求項１２】
前記高耐圧部品が半導体素子搭載用基板、ヒータ用部品、または半導体製造装置用部品である、請求項１１に記載の高耐圧部品。
【請求項１３】
窒化アルミニウム粉末を用いて超音速フリージェット物理蒸着法により請求項１に記載の窒化アルミニウム膜を成膜する工程を具備する、窒化アルミニウム膜の製造方法。
【請求項１４】
前記窒化アルミニウム膜は、窒素を含む不活性雰囲気下で成膜される、請求項１３に記載の窒化アルミニウム膜の製造方法。
【請求項１５】
前記不活性雰囲気がヘリウムをさらに含む、請求項１４に記載の窒化アルミニウム膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明の一態様は、窒化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜の製造方法、および高耐圧部品に関する。
【背景技術】
【０００２】  窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、高い熱伝導率を活かして例えば半導体素子搭載用基板、ヒータ用部品、半導体製造装置用部品等に用いられる。窒化アルミニウムとしては、例えば熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化アルミニウム焼結体が知られている。上記窒化アルミニウム焼結体は、焼結助剤を添加し、所定の焼結工程を行うことにより高い熱伝導性を有する。上記アルミニウム焼結体は、例えば半導体素子搭載用基板等に用いられている。【０００３】  焼結助剤を添加して焼結された窒化アルミニウム基板の絶縁耐圧は例えば１０ｋＶ／ｍｍ以上２０ｋＶ／ｍｍ以下である。このため、窒化アルミニウム基板の厚さは、通常０．６３５ｍｍ程度である。一方、窒化アルミニウム単相（窒化アルミニウムの単結晶）では、熱伝導率の理論値が３２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり絶縁耐圧の理論値が１１７０ｋＶ／ｍｍ程度である。すなわち、窒化アルミニウム焼結体の絶縁耐圧は、窒化アルミニウム単結晶の１〜２％程度の低い値である。【０００４】  窒化アルミニウムの絶縁耐圧を高める方法としては、例えば超音速フリージェット物理蒸着法（Ｓｕｐｅｒｓｏｎｉｃ  Ｆｒｅｅ  Ｊｅｔ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＳＦＪ−ＰＶＤ法）により高抵抗の窒化アルミニウム膜を形成する方法が挙げられる。ＳＦＪ−ＰＶＤ法により形成される窒化アルミニウム膜は、例えば１３．７×１０１２Ω・ｃｍの体積抵抗率を有する。体積抵抗率とは、材料の電気の通し難さを示す物性値である。【０００５】  一方、上記窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は５０ｋＶ／ｍｍ程度である。絶縁耐圧とは、絶縁状態を維持することができる電圧値である。絶縁耐圧を単に耐圧ともいう。仮に半導体素子搭載用基板において絶縁破壊が起きると、基板の絶縁性を維持することができない。よって半導体装置の故障の原因となる。よって、基板の絶縁性を維持するために窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧の向上が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２１５４６５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２１４０５９号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】日本溶射学会  第９７回（２０１３年度春季）全国講演大会講演論文集  Ｐ．２１〜２２
【発明の概要】
【０００８】  本発明の一態様が解決する課題は、窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧を向上させることである。
【０００９】  本実施形態の窒化アルミニウム膜は、多結晶の窒化アルミニウムを含む。窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】半導体素子搭載用基板の一例を示す図である。
【図２】ヒータ用基板の一例を示す図である。
【図３】半導体製造装置用部品の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】  本実施形態の窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は、１００ｋＶ／ｍｍ以上である。本実施形態の窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は、２００ｋＶ／ｍｍ以上であることが好ましい。絶縁耐圧は、ＪＩＳ−Ｃ−２１１０−１（２０１０）に基づいて測定される。測定条件は、交流絶縁破壊電圧とし、昇圧速度を１００Ｖ／ｓｅｃに設定する。測定用電極の組合せは、（１）直径２５ｍｍの円柱形状の上部電極と直径７５ｍｍの円柱形状の下部電極との組合せ、（２）直径２５ｍｍの円柱形状の上部電極と直径２５ｍｍの円柱形状の下部電極との組合せ、（３）直径２０ｍｍの球状の上部電極と直径２５ｍｍの円板形状の下部電極との組合せ、のいずれかである。窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧を測定するための基材として銅板等の導電性材料が用いられることが好ましい。
【００１２】  本実施形態の窒化アルミニウム膜は、多結晶窒化アルミニウムを主成分として含む。多結晶窒化アルミニウムを主成分として含む窒化アルミニウム膜中の窒化アルミニウム結晶粒子の割合は、９０体積％以上１００体積％以下である。窒化アルミニウム膜の表面に別の膜を有する場合、当該別の膜を除いて窒化アルミニウム結晶粒子の割合が求められる。同様に、窒化アルミニウム膜と基材との間に別の膜を有する場合、当該別の膜を除いて窒化アルミニウム結晶粒子の割合が求められる。
【００１３】  窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径は、３０ｎｍ以下であることが好ましい。窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が３０ｎｍを超えると、窒化アルミニウム膜中にポアが形成されるおそれがある。ポアが形成されると絶縁破壊の原因になる。また、粒径を小さくすることにより粒界のパスを伸ばすことができる。粒界のパスを伸ばすことにより、絶縁耐圧を向上させることができる。窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径は、２５ｎｍ以下であることがより好ましい。平均粒径の下限値は特に限定されないが、５ｎｍ以上であることが好ましい。平均粒径が５ｎｍ未満であると製造工程の管理が煩雑になるおそれがある。
【００１４】  平均粒径は、Ｘ線回折（Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）分析により求められる六方晶窒化アルミニウム（ＰＤＦ＃２５−１１３３（１００）面）の回折ピークの半値幅からシェラーの式（Ｓｃｈｅｒｒｅｒ  ｅｑｕａｔｉｏｎ）により求められる。シェラーの式は、式τ＝ｋλ／βｃｏｓθで表される。τは平均粒径を表し、ｋは形状因子を表し、λはＸ線の波長を表し、βはピーク半値全幅を表し、θはブラック角を表す。シェラーの式において、Ｘ線の波長λはＣｕターゲット（Ｋα−Ｃｕ）を用いたもの、形状因子ｋは０．９とする。六方晶窒化アルミニウム（ＰＤＦ＃２５−１１３３（１００）面）の回折ピークとしては、３３．２±１°の回折角（２θ）に位置する回折ピークが用いられる。
【００１５】  ＸＲＤ分析は、集中法または薄膜法で行われる。集中法で行う場合、ＸＲＤピーク検出に影響を与えない材料の基材を使用する。上記基材としては、例えばアモルファス基板が挙げられる。窒化アルミニウムの膜厚は、例えば５μｍ以上である。薄膜法で行う場合は、入射角を５°以下、好ましくは１°に設定する。上記方法では、基材の影響を受けずにＸＲＤピークを検出することができる。
【００１６】  本実施形態の窒化アルミニウム膜のＸＲＤ分析により得られる回折パターンは、３３．２±１°の回折角２θに位置する回折ピークを有することが好ましい。また、上記回折パターンは、３３．２±１°の回折角２θに位置する回折ピークＩ３３．２°と、４３．５±１°の回折角２θに位置する回折ピークＩ４３．５°とを有し、回折ピークＩ３３．２°に対する回折ピークＩ４３．５°の強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°が０．０１以上であることが好ましい。さらに、上記回折パターンは、窒化アルミニウム結晶に基づく回折ピークを有し、当該窒化アルミニウム結晶に基づく回折ピーク以外のピークを有していないことが好ましい。ＸＲＤの分析方法としては前述の通り集中法または薄膜法が用いられる。
【００１７】  ３３．２±１°の回折角２θに回折ピークが検出されることは、六方晶窒化アルミニウムが存在することを示す。窒化アルミニウムの結晶構造としては、六方晶系（ウルツ鉱構造）と立方晶系（閃亜鉛鉱構造）が挙げられる。六方晶窒化アルミニウムは熱的に安定である。このため、六方晶窒化アルミニウムを存在させることにより、放熱性や耐プラズマ性を向上させることができる。
【００１８】  回折角（２θ）４３．５±１°に回折ピークが検出されることは、立方晶窒化アルミニウムが存在することを示す。強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°が０．０１以上、さらには０．０５以上であることは六方晶窒化アルミニウムに対して所定量の立方晶窒化アルミニウムが存在することを示す。
【００１９】  Ｘ線のスポット径（またはスリット幅）を１００μｍにしても、強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°が０．１以上であることが好ましい。さらに、窒化アルミニウム膜の任意の箇所をＸＲＤ分析しても、強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°が０．０１以上であることが好ましい。任意の箇所を測定しても、所定の強度比が得られることは六方晶窒化アルミニウムと立方晶窒化アルミニウムが均質に分散していることを示す。六方晶窒化アルミニウムと立方晶窒化アルミニウムが共存することにより、絶縁耐圧を向上させることができる。
【００２０】  強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°を０．０１以上、さらには０．０５以上にすることにより、熱に強く、絶縁耐圧が高い窒化アルミニウム膜を得ることができる。強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°を０．１以上、さらには０．３以上に高めることにより、より絶縁耐圧を向上させることができる。強度比の上限は特に限定されないが、強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°は２．０以下であることが好ましい。強度比が２．０を超えると、六方晶窒化アルミニウムの割合が低下する。六方晶窒化アルミニウムの割合が低下すると、エネルギー的により安定な六方晶の割合が減少するため、耐プラズマ性が低下するおそれがある。
【００２１】  ＸＲＤ分析する際、窒化アルミニウム結晶に基づく回折ピーク以外が検出されないことが好ましい。窒化アルミニウム結晶に基づく回折ピーク以外が検出されないことは、窒化アルミニウム以外の結晶粒子および副相（粒界相）がないことを示す。つまり、窒化アルミニウム結晶粒子のみ（窒化アルミニウム結晶粒子が１００質量％）からなる窒化アルミニウム膜を示す。これにより、さらに絶縁耐圧を向上させることができる。
【００２２】  窒化アルミニウム膜の膜厚は１μｍ以上であることが好ましい。膜厚が１μｍ以上あれば、絶縁性を高めることができる。膜厚は、２μｍ以上であることがより好ましい。膜厚の上限は特に限定されないが１００μｍ以下であることが好ましい。１μｍ以上１００μｍ以下の膜厚を有していれば、例えば後述する半導体素子搭載用基板、ヒータ用部品、半導体製造装置用部品に使用可能である。窒化アルミニウム膜の表面粗さＲａは３μｍ以下、さらには２μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】  以上のように、本実施形態の窒化アルミニウム膜では、絶縁耐圧を１００ｋＶ／ｍｍ以上、さらには２００ｋＶ／ｍｍ以上とすることができる。このような窒化アルミニウム膜は、様々な部品に好適である。本実施形態の高耐圧部品は、基材上に窒化アルミニウム膜を有する。なお、必要に応じて窒化アルミニウム膜と基材との間に別の膜を有していてもよい。同様に、窒化アルミニウム膜の表面に別の膜を有していてもよい。本実施形態の高耐圧部品は、半導体素子搭載用基板、ヒータ用部品、半導体製造装置用部品のいずれか一つであることが好ましい。
【００２４】  図１は半導体素子搭載用基板の一例を示す図である。図１に示す半導体素子搭載用基板１０は、窒化アルミニウム膜１と、基材２と、を具備する。基材２上に窒化アルミニウム膜１が設けられている。
【００２５】  半導体素子搭載用基板１０上には半導体素子３が設けられる、半導体素子３としては、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、パワー半導体素子等が用いられる。近年、半導体素子の小型化、高出力化が進められている。これに伴い発熱量は大きくなっている。例えば、ＳｉＣ素子やＧａＮ素子の動作保証温度（ジャンクション温度）が２００℃を超える可能性がある。
【００２６】  従来の半導体素子搭載用基板では、絶縁耐圧１０〜２０ｋＶ／ｍｍ程度の窒化アルミニウム焼結体が用いられている。アルミナ焼結体基板、窒化珪素焼結体基板などの他のセラミックス基板の絶縁耐圧も同程度である。これに対し、本実施形態の窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上である。このため、窒化アルミニウム膜を薄くすることができる。また、薄い膜で絶縁性を図れるため基材として、セラミックス基板、金属基板、樹脂基板など様々な基板が使用できる。特に、金属基板等の導電性材料を使うことは有益である。
【００２７】  銅の熱伝導率は３９８Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。アルミニウムの熱伝導率は２３６Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。これらの材料の金属基板である基材上に窒化アルミニウム膜を設けることにより、窒化アルミニウム膜による熱抵抗の増加を抑制できる。また、基材上に直接、窒化アルミニウム膜を成膜することができるため、ろう材などの接合材を使用せずに済む。この点からも熱抵抗を低減することができる。また、接合材を使用しないため製造工程を簡素にすることができる。言い換えれば、半導体素子搭載用基板１０に搭載された半導体素子３を備える半導体装置は、放熱性が高く、薄型にすることができる。
【００２８】  図２は、ヒータ用基板の一例を示す図である。図２に示すヒータ用基板２０は、窒化アルミニウム膜１と、基材２と、を具備する。基材２上に窒化アルミニウム膜１が設けられている。また、ヒータ用基板２０上にヒータ用配線４が設けられている。
【００２９】  基材２としては、例えばセラミックス基板、金属基板、樹脂基板等の様々な基板が挙げられる。ヒータ用配線４としては、例えばタングステンなど通電により発熱する材料が用いられる。ヒータ用基板２０は、ヒータ用配線４に通電することにより高温に達する。この熱を効果的に放熱することができる。このため、ヒータ用基板２０上に設けられたヒータ用配線４を有するヒータは、高い放熱性を有し、薄型にすることができる。
【００３０】  図３は、半導体製造装置用部品の一例を示す図である。図３に示す半導体製造装置用部品３０は、窒化アルミニウム膜１と、基材２と、を具備する。基材２上に窒化アルミニウム膜１が設けられている。基材２としては、例えばセラミックス、金属、樹脂など様々な材料が用いられる。基材２の形状は、板状に限らず、球体形状（半球形状含む）、湾曲形状、凹凸形状などの様々な形状であってもよい。
【００３１】  窒化アルミニウム膜１は絶縁性のみならず、放熱性や耐プラズマ性も優れている。このため、半導体製造装置用部品３０は、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、エッチング装置など様々な半導体製造工程に用いることができる。言い換えると、半導体製造装置用部品３０を備える半導体製造装置では、プラズマ雰囲気を使用したとしても、半導体製造装置用部品３０の耐久性が優れている。また、半導体製造装置用部品３０の一例としては、静電チャックが挙げられる。
【００３２】  次に、本実施形態の窒化アルミニウム膜の製造方法について説明する。本実施形態の窒化アルミニウム膜の製造方法は特に限定されないが、効率よく得るための方法として次の方法が挙げられる。
【００３３】  本実施形態の窒化アルミニウム膜の製造方法において、窒化アルミニウム粉末を用いて超音速フリージェット物理蒸着法（Ｓｕｐｅｒｓｏｎｉｃ  Ｆｒｅｅ  Ｊｅｔ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＳＦＪ−ＰＶＤ法）により窒化アルミニウム膜を成膜することが好ましい。また、成膜工程は、窒素を含む不活性雰囲気下で行われることが好ましい。
【００３４】  製造方法は、原料蒸発源にレーザ照射して溶融することにより、平均粒径５００ｎｍ以下のヒュームを形成する工程と、当該ヒュームを冷却して原料粉末とする工程と、当該原料粉末を超音速ガスで真空チャンバ内に搬送して基材上に物理蒸着させる工程、を有することが好ましい。物理蒸着させる工程はＳＦＪ−ＰＶＤ法であることが好ましい。
【００３５】  ＳＦＪ−ＰＶＤ法としては、例えば物理蒸着装置を用いる方法が挙げられる。まず、熱電素子蒸発源にレーザ照射して溶融することにより、平均粒径５００ｎｍ以下のヒュームを形成する工程を行う。ＳＦＪ−ＰＶＤ法では、アルミニウムターゲットまたは窒化アルミニウムターゲットを原料蒸発源とする。また、アルミニウムターゲットまたは窒化アルミニウムターゲットの純度は３Ｎ以上（９９．９質量％以上）であることが好ましい。
【００３６】  成膜工程では、窒素を含む不活性雰囲気下でアルミニウムまたは窒化アルミニウムのヒュームを窒化させながら窒化アルミニウム膜を成膜することができる。レーザ出力を調整することにより、ヒュームの平均粒径を５００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以下まで小さくすることができる。レーザ出力は３．０Ｗ以上５．０Ｗ以下であることが好ましい。
【００３７】  窒素を含む不活性雰囲気は、窒素ガスとヘリウムガスの混合ガス雰囲気であることが好ましい。窒素ガスは、アルミニウムまたは窒化アルミニウムのヒュームを窒化する機能を有する。一方、ヘリウムガスは、流速を速くすることができるため、ナノ粒子の衝突速度を向上させる機能を有する。窒素ガスとヘリウムガスとの混合ガスは、［窒素ガスの流量／（窒素ガスの流量＋ヘリウムガスの流量）］≧０．３の関係を満たすことが好ましい。０．３未満であると、窒素ガスの勢いが足りず、不十分に窒化された原料粉末ができてしまうおそれがある。
【００３８】  次に、上記ヒュームを冷却して原料粉末とする工程を行う。前述のヘリウムガスは、原料粉末のナノ粒子化を行うと共に、ヒュームを冷却する効果を有する。冷却工程により、ナノ粒子の窒化アルミニウム粉末を得ることができる。ヒュームは冷却するまでの間に窒化する。
【００３９】  次に、原料粉末を超音速ガスで真空チャンバ内に搬送して基材上に物理蒸着させる。まず、真空チャンバ内に基材を配置する。真空度は１．３×１０−３Ｐａ（１×１０−５Ｔｏｒｒ）以下、さらには１．３×１０−７Ｐａ以下が好ましい。真空度を制御することにより、原料粉末（窒化アルミニウム粉末）を真空チャンバ内に高速で搬送することができる。これにより基材上に窒化アルミニウム結晶粒子を成膜することができる。
【実施例】
【００４０】（実施例１〜７、比較例１〜２）  ＳＦＪ−ＰＶＤ法により窒化アルミニウム膜を成膜した。基材としては、板厚０．３ｍｍの銅板を用いた。原料蒸発源としては、アルミニウムターゲットまたは窒化アルミニウムターゲットを用いた。ターゲットの純度はそれぞれ９９．９質量％（３Ｎ）以上であった。原料蒸発源にレーザ照射するチャンバ内の窒素（Ｎ２）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガスの流量は、表１に示す比を満たすように調整した。また、レーザ出力は表１に示す条件で行った。また、真空チャンバ内の圧力は１．３×１０−３Ｐａ以下にした。その結果を表１に示す。【００４１】
【表１】
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【００４２】  比較例１および比較例２では、［窒素ガスの流量／（窒素ガスの流量＋ヘリウムガスの流量）］が０．３未満である。実施例および比較例にかかる窒化アルミニウム膜に関して、絶縁耐圧、平均粒径、ＸＲＤ分析による強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°を求めた。絶縁耐圧の測定は、ＪＩＳ−Ｃ−２１１０−１（２０１０）に基づいて行った。また、交流絶縁破壊電圧とし、昇圧速度１００Ｖ／ｓｅｃで行った。また、球状の上部電極と円板形状の下部電極との組合せを使用した。【００４３】  平均粒径およびＸＲＤ分析による回折ピークの測定は、入射角度を１°以下にして薄膜法で行った。ＸＲＤの測定条件としては、Ｃｕターゲット（Ｋα−Ｃｕ）、管電圧４５ｋＶ、管電流２００ｍＡとした。ＸＲＤ分析の結果から、回折ピークＩ３３．２°に対する回折ピークＩ４３．５°の強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°を求めた。また、平均粒径は、六方晶窒化アルミニウム（ＰＤＦ＃２５−１１３３（１００）面）の回折ピークの半値幅からシェラーの式により算出した。また、シェラーの式における形状因子ｋは０．９とした。その結果を表２に示す。【００４４】
【表２】
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【００４５】  表から分かる通り、実施例にかかる窒化アルミニウム膜の絶縁耐圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であった。また、実施例にかかる窒化アルミニウム膜は、強度比Ｉ４３．５°／Ｉ３３．２°が０．０１以上であると絶縁耐圧を１７０ｋＶ／ｍｍ以上に高くすることができた。このように、実施例にかかる窒化アルミニウム膜の膜厚が薄くても、優れた絶縁耐圧性を得ることができた。このため、半導体素子搭載用基板、ヒータ用基板、半導体製造装置用部品など様々な分野の部品に使用可能である。【００４６】  比較例１は少量ではあるが金属アルミニウムが形成されていたため絶縁耐圧が低下した。これは、原料蒸発源にレーザ照射する際に窒素ガスを使っていないため、原料の窒化が不十分になったためと考えられる。また、比較例２は窒素ガス流量が不足したため、窒化処理が不均質になったためである。【００４７】  以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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