(57)【要約】  情報記録媒体は、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、３以上の情報層を含む。３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層である第１情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含む。第１誘電体膜がＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１の酸化物を含む。記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素と、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭが、下記の式（１）：ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）を満たす。
2018155070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、
前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層である第１情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記第１誘電体膜がＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１の酸化物を含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、前記記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体。
【請求項２】
前記式（１）中、ｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たす、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記元素Ｄ１が、Ｎｂ、Ｍｏ、及びＴａより選ばれる少なくとも一つの元素である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記元素Ｍが、Ｎｂ、Ｍｏ、及びＴａより選ばれる少なくとも一つの元素である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記第１情報層が、前記レーザ光照射面から見て最も遠い位置に配置されている、
請求項１から４のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記第２誘電体膜が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２の酸化物を含む、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記元素Ｄ２が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素である、
請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録膜がＺｎをさらに含む、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記第１誘電体膜がＺｒの酸化物をさらに含み、
前記Ｚｒの酸化物の割合が、前記Ｚｒの酸化物と前記元素Ｄ１の酸化物を合わせた量に対して７０ｍｏｌ％以下である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記第１情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、
前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、前記第３誘電体膜、前記第１誘電体膜、および前記記録膜がこの順に配置されている、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記第１情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、
前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、前記第１誘電体膜、前記第３誘電体膜、および前記記録膜がこの順に配置されている、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記第３誘電体膜が、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む、
請求項１０または１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層であって、前記第１情報層とは別の第２情報層が、記録膜を有し、
前記第２情報層の前記記録膜が少なくともＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および酸素を含む、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
基板を含み、前記基板の両側にそれぞれ前記３以上の情報層が配置されている、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
前記３以上の情報層の各々が、凹凸を有し、前記レーザ光照射面から見て近い側の面（グルーブ）および遠い側の面（ランド）の両方に対応する位置に情報を記録する、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１６】
前記第１情報層が前記レーザ光照射面から見て最も遠くに位置し、
前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層であって、前記第１情報層とは別の第２情報層が、レーザ光照射側から見て遠い方から、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜とをこの順に含み、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜がＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む、
請求項１または請求項８に記載の情報記録媒体。
【請求項１７】
前記第１誘電体膜が、少なくともＺｒとＳｉを含み、ＺｒをＳｉより多く含む、
請求項１６に記載の情報記録媒体。
【請求項１８】
レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、
前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜がＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、Ｔｉと、酸素とを含み、前記記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＴｉが、下記の式（２）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＴｉ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （２）
（前記式（２）中、
１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体。
【請求項１９】
前記記録膜が、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む、
請求項１８に記載の情報記録媒体。
【請求項２０】
少なくとも、前記第１誘電体膜、前記第２誘電体膜または第３誘電体膜が、さらにＣを含む、
請求項１、請求項１０、請求項１１または請求項１８に記載の情報記録媒体。
【請求項２１】
情報記録媒体の製造方法であって、前記情報記録媒体が有する３以上の情報層の各々を形成する工程を含み、前記３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を形成する工程が、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、前記元素Ｄ１の酸化物を含む第１誘電体膜を形成する工程と、
少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、少なくとも一つの前記元素Ｍを含む記録膜を形成する工程と、を含み、
前記記録膜を形成する工程で用いる前記ターゲットにおいて、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記式（１）中のｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たす、
請求項２１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
前記記録膜を形成する工程において、酸素を導入する反応性スパッタリング法を用いる、
請求項２１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記記録膜を形成する工程で用いる前記ターゲットは、さらにＺｎを含み、
前記記録膜を形成する工程では、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、前記元素Ｍと、Ｚｎと、酸素とを含む記録膜を形成する、
請求項２１に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
情報記録媒体の記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、
さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、
酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、スパッタリングターゲット。
【請求項２６】
前記式（１）中、ｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たす、
請求項２５に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２７】
前記スパッタリングターゲットがＺｎを含む、
請求項２５に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光学的手段によって情報を記録または再生する大容量な情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インターネットの普及や放送のデジタル化等により、デジタルデータの利用量が年々増加している。光学的情報記録媒体である光ディスクはデータの長期保存に適した信頼性の高い情報記録媒体として、増大する情報量と共に大容量化という進化を続けてきた。【０００３】
ＢＤＸＬ規格（ＢＤ：Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標）  Ｄｉｓｃ）は２０１０年６月に策定された。この規格に準じた３層ディスク（３つの情報層を備える）は、１情報層あたりの記録容量が３３．４ギガバイト（ＧＢ）であり、片面で１００ＧＢという大容量のデータを保存できる。３層ディスクの３つの情報層については、レーザ光の光源から最も遠いものが「Ｌ０層」と呼ばれ、次に遠いものが「Ｌ１層」と呼ばれ、レーザ光の光源に最も近いものが「Ｌ２層」と呼ばれる。このＢＤ−Ｒ  ＸＬディスクを用いて、最大約６３８テラバイト（ＴＢ）の大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献１参照）。【０００４】
ＢＤＸＬ規格の次の規格として、業務用光ディスク規格「アーカイバル・ディスク（Ａｒｃｈｉｖａｌ  Ｄｉｓｃ）」が２０１４年３月に策定された（例えば、非特許文献２参照）。アーカイバル・ディスクは、ＢＤよりも高い信頼性を有し、ランド・アンド・グルーブ記録方式の採用によって、より高い記録密度を有している。さらに、アーカイバル・ディスクは、基板の両面にディスク構造を備えているため、より大容量の記録媒体として提供される。アーカイバル・ディスク規格のロードマップは、ディスク１枚あたりの記録容量を順次増やすように策定されている。このロードマップによれば、具体的には、第１世代として３００ＧＢのシステムを、第２世代として５００ＧＢのシステムを、第３世代として１ＴＢのシステムを開発する計画である。【０００５】
第１世代の３００ＧＢのアーカイバル・ディスクは、１５０ＧＢの情報を保存できる３層ディスクが基板の両面に設けられて、１枚あたり３００ＧＢの情報の記録再生を可能にするものである。すなわち、このアーカイバル・ディスクにおいて、１情報層あたりの記録容量は５０ＧＢである。各情報層は、酸化物誘電体膜で酸化物記録膜を挟んだ簡素な構造である（例えば、特許文献１および２参照）。記録膜にレーザ光を照射すると、記録膜が形状変化を生じて信号が記録される。このディスクを用いて、最大１．９ペタバイト（ＰＢ）という大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１８３２７７号
【特許文献２】特許第４２１０６２０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ−ＤＨ８シリーズカタログ、２０１６年９月
【非特許文献２】Ａｒｃｈｉｖａｌ  Ｄｉｓｃ  Ｗｈｉｔｅ  Ｐａｐｅｒ：Ａｒｃｈｉｖａｌ  Ｄｉｓｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  １ｓｔ  Ｅｄｉｔｉｏｎ  Ｊｕｌｙ  ２０１５
【非特許文献３】パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ−ＤＨ７シリーズカタログ、２０１６年９月
【発明の概要】
【０００８】
第２世代の５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、片面に設けられる３層ディスクが２５０ＧＢの容量を実現しなければならない。すなわち、１情報層あたりの記録容量を、第１世代の５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増やす必要がある。記録容量を増やす一つの手法として、一つの情報層における記録密度を高くする方法がある。本開示は、第２世代のアーカイバル・ディスクまたはそれよりも大容量の記録媒体を実現できるように、記録密度を高くすることが可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００９】
本開示の一態様に係る情報記録媒体は、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層である第１情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
第１誘電体膜がＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１の酸化物を含み、
記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体である。
【００１０】
本開示の別の一態様に係る情報記録媒体は、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、
３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
第１誘電体膜および第２誘電体膜がＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含み、
記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、Ｔｉと、酸素とを含み、記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＴｉが、下記の式（２）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＴｉ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （２）
（式（２）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体。
【００１１】
本開示に係る情報記録媒体の製造方法は、情報記録媒体が有する３以上の情報層の各々を形成する工程を含み、３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を形成する工程が、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄ１の酸化物を含む第１誘電体膜を形成する工程と、
少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成する工程と、を含み、
記録膜を形成する工程で用いるターゲットにおいて、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体の製造方法である。
【００１２】
本開示に係るスパッタリングターゲットは、情報記録媒体の記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、
さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、
酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、スパッタリングターゲットである。
【００１３】
本開示の情報記録媒体は、記録密度を高くしてマーク長を短くしても、比較的高いＳ／Ｎを与え得るので、大容量の情報の記録再生を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の実施の形態１に係る情報記録媒体１００の断面図
【図２】本開示の実施の形態２に係る情報記録媒体２００の断面図
【図３】本開示の実施の形態３に係る情報記録媒体３００の断面図
【図４】本開示の実施の形態４に係る情報記録媒体４００の断面図
【図５】本開示の実施の形態９に係る情報記録媒体５００の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（本開示に係る一実施の形態に至った経緯）
光学的に情報を記録する媒体の記録容量を高くする手段の一つとして、記録密度を高くすることが挙げられる。記録密度を高くする手段の一つとしては、最短マーク長を短くする方法が挙げられる。マーク長が短くなるほど周期信号はより高周波数になり、システムノイズの影響を受けてディスクのＳ／Ｎ（Ｓ：信号、Ｎ：雑音）が低下し、信号品質が悪化するという課題が生じる。良好な信号品質を得るためには、光ピックアップに入ってくる再生光量を大きくしてＳ／Ｎを向上させる必要がある。再生光量は情報層の反射率と光ピックアップの再生パワーの積で決まる。本発明者らは、その積（すなわち、再生光量）をより大きくすることが可能な情報層の構成を検討した。
【００１６】
ここで反射率について詳細を説明する。反射率は各情報層の案内溝（ランド部、グルーブ部）の反射率であり、情報層が積層されていない状態（即ち、単独層）で測定されるものをいう。実際にディスクを組み立てた状態にて、各情報層で測定される反射率は、実効反射率と呼ばれる。片面３層のアーカイバル・ディスクの場合、例えば、Ｌ０層の実効反射率は、再生レーザ光をディスクに入射させて、Ｌ２層とＬ１層を通過させてＬ０層に至った光が反射し、さらにＬ１層とＬ２層を通過して、光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。すなわち、Ｌ０層の実効反射率は、ピックアップを出た再生レーザパワー（１００％）に対する戻ってきた再生レーザパワーの割合を求めることによって測定される。Ｌ１層の実効反射率は、Ｌ２層を通過した光が反射されて、Ｌ２層を通過して光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。Ｌ２層の実効反射率は、他の情報層を通過せずに入射する光が反射されて、他の層を通過することなく光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。
【００１７】
アーカイバル・ディスクはランド・アンド・グルーブ記録方式を採用している。この記録方式においては、記録密度を高くすると、クロストークの影響が大きくなる。これを低減するためには、溝深さをより深くすることが望ましいが、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。
【００１８】
次に再生パワーの定義について説明する。再生パワーは、記録信号に所定のパワーの再生レーザ光を連続照射し、１００万回再生（１００万パス）できる最大パワーとして定義する。より具体的には、最大パワーは、あるパワーで１００万回再生した後の記録信号のチャンネルビットエラーレート値の初期値からの変化量、または１００万回再生後のチャンネルビットエラー値そのもので合否を判断し、合格であれば、さらにパワーを上げて１００万回再生を実施して合否を判断し、不合格になるまでパワーを上げていく方法で求められる。例えば、チャンネルビットエラーレート値が２×Ｅ−３以下であれば、そのパワーは合格であると判断してよい。
【００１９】
再生パワーが高いということは再生耐久性が良いということである。３層ディスクの場合、Ｌ０層の再生耐久性は、Ｌ２層とＬ１層を通過した再生レーザ光を用いて再生パワーを測定することにより評価される。Ｌ１層の再生パワーはＬ２層を通過した再生レーザ光を用いて測定される。Ｌ２層の再生パワーは、他の層を通過しない再生レーザ光を用いて再生パワーが測定される。
【００２０】
実効反射率と再生パワーとから、再生光量を求めることができる。具体的には、各層の実効反射率と再生パワーの積を求め、これを１００で除すことにより（実効反射率Ｒ（％）×再生パワーＰｒ（ｍＷ）／１００）、再生光量を求める。第２世代のアーカイバル・ディスクにおいては、より高い再生光量が必要とされており、例えば４倍速で、≧０．０９が要求されている。一方、第１世代のアーカイバル・ディスクで採用されている記録膜と誘電体膜を用いて、ランド・アンド・グルーブ記録の５００ＧＢのアーカイバル・ディスクを作製すると、再生光量は以下のようになる。
【００２１】
Ｌ０層の再生光量：０．０５６（２．８％×２ｍＷ／１００）
Ｌ１層の再生光量：０．０７７（４．５％×１．７ｍＷ／１００）
Ｌ２層の再生光量：０．０８２（６．３％×１．３ｍＷ／１００）
このように、第１世代のアーカイバル・ディスクで用いられている記録膜と誘電体膜によっては、第２世代のアーカイバル・ディスクで要求される再生光量を確保できないことは明らかである。特にＬ０層の再生光量は必要とされる値よりも相当に小さい。
【００２２】
再生光量を上昇させるためには、１）反射率および再生パワーの両方を上げること、２）再生パワーはほとんど上げられないが、反射率を上げること、３）再生パワーは下がってしまうが、反射率を上げること、４）反射率はほとんど上げられないが、再生パワーを上げること、５）反射率は下がってしまうが、再生パワーを上げること、のいずれかが必要となる。この中では１）の方法が最も好ましいが、２）〜５）の選択肢を選ばざるをえないこともある。上記のとおり、第２世代のアーカイバル・ディスクのＬ０層に必要な再生光量は第１世代のそれよりも大きく、１）〜５）のいずれかの手法で再生光量を上昇させるためには、Ｌ０層の記録膜と誘電体膜の構成を見直す必要があった。
【００２３】
Ｌ０層はレーザ光照射面（またはレーザ光源）から見て遠い方から、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含む。マトリクス法による計算ではＬ０層の反射率を上げる方法として、第１誘電体膜を厚くする方法、第１誘電体膜の屈折率を大きくする方法、および記録膜の屈折率を大きくする方法があることがわかった。
【００２４】
第１誘電体膜を厚くする方法は、計算上からも反射率を上げる効果は小さい。発明者らは、実際に３００ＧＢのＬ０層で採用しているＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３第１誘電体膜の膜厚を厚くして（１１．５ｎｍから１７ｎｍに変更）、反射率の向上を試みた。その結果、実効反射率は相対的に５％だけ向上した。
【００２５】
また、Ｌ１層とＬ２層の透過率を上げて、Ｌ０層に到達するレーザ光を増やしてＬ０層の実効反射率を上げる方法もある。
【００２６】
一方、再生パワーを上げるには、Ｌ０層をより透明にして記録感度を悪化させることが効果的である。より具体的には、Ｌ０層の記録膜をより透明にする、すなわち記録膜の光の吸収率を下げることが効果的である。Ｌ０層の光の吸収率は、記録膜の消衰係数を小さくすることにより低下させることができる。それにより、Ｌ０層の透過率が上がり、吸収率が低下する。
【００２７】
記録膜の消衰係数を小さくする方法としては、記録膜に含まれるＣｕとＭｎの割合を減らす方法が挙げられる。これらの金属は光吸収が大きいことによる。しかしながら、ＣｕとＭｎを減らすと、１）導電性が低下してＤＣスパッタリングが困難になる、２）信号の変調度が下がり信号品質が低下する、等の課題が発生する。
【００２８】
あるいは、Ｌ０層を構成する層の組成を、Ｌ１層およびＬ２層を構成する層の組成とすることによって、Ｌ０層の吸収率を低下させることもできる。しかしながら、Ｌ０層の吸収率が下がると、再生パワーは上がるが、反射率が低下するので、両者が相殺されて再生光量の大幅な増加は達成できない。なお、Ｌ１層を構成する層の組成をＬ０層に適用したときのＬ０層の再生光量は、０．０７７であり、Ｌ２層を構成する層の組成をＬ０層に適用したときのＬ０層の再生光量は、０．０８２である。
【００２９】
第１世代の３００ＧＢで採用している記録膜は、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｎ−Ｏ（Ｏ：酸素）である。各元素の機能を説明する。
【００３０】
記録膜中のＷ−Ｏは透明な酸化物で、レーザ光が記録膜に照射された際に、酸素を発生して記録膜を膨張させる機能を有する。また、Ｗを含むターゲットを用いて記録膜をＤＣスパッタリングで形成する際に、ターゲット中のＷは安定にＤＣスパッタリングを持続させる機能を有する。Ｗが無ければ、記録膜が膨張せず、記録マークの形成が困難になる。Ｗが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｗは、記録膜中ではＷ−Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
【００３１】
記録膜中のＣｕ−Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、記録膜にレーザ光を吸収させる役割を担う。また、ターゲット中のＣｕはターゲットに導電性を付与し、記録膜をＤＣスパッタリングで形成する際に、安定にＤＣスパッタリングを持続させる機能を有する。Ｃｕが無いターゲットを用いると、ＤＣスパッタリングが非常に困難になる。Ｃｕが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｃｕは、記録膜中ではＣｕ−Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物になる。
【００３２】
記録膜中のＺｎ−Ｏは導電性を有する酸化物であり、これを含むターゲットを用いてＤＣスパッタリングにより記録膜を形成すると、ＤＣスパッタリングの持続性がより安定する。また、Ｚｎ−Ｏの量を調整することで、記録膜の透過率や光吸収率を調整することができる。ただし、ターゲット中にＺｎ−Ｏが含まれていなくてもＤＣスパッタリングは可能である。Ｚｎ−Ｏが含まれるターゲットを用いて、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｚｎ−Ｏは記録膜中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
【００３３】
記録膜中のＭｎ−Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、レーザ光が記録膜に照射された際に、酸素を発生して記録膜を膨張させる機能を有する。Ｍｎ−Ｏが多いほど変調度は大きくなり、信号品質は向上する。Ｍｎ−Ｏが無ければ、品質のよい記録マークは形成できない。Ｍｎ−Ｏが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｍｎ−Ｏは記録膜中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
【００３４】
本発明者らは、記録膜の屈折率を上げる方法として、それが存在しなくてもＤＣスパッタリングや記録再生特性に影響しないＺｎ−Ｏを、Ｚｎ−Ｏよりも屈折率が大きい他の酸化物に置き換えることを検討した。
【００３５】
また、本発明者らは、Ｌ０層の再生光量を増加させるには、Ｌ０層の記録膜のみ、または第１誘電体膜のみの組成の調整では足りず、Ｌ０層の記録膜と第１誘電体膜の屈折率をともに適度に大きくし、且つ記録膜の消衰係数を適度に小さくする構成が好ましいと考えた。そして、本発明者らは記録膜と第１誘電体膜の組み合わせを種々検討し、第１誘電体膜の組成および記録膜の組成をそれぞれ特定のものとすることにより、実効反射率および再生パワーの少なくとも一方を高くして、再生光量を比較的大きくし得ることを見出した。
【００３６】
すなわち、本開示の第１の態様は、
レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、
３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層である第１情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
第１誘電体膜がＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１の酸化物を含み、
記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体である。
【００３７】
本開示の第２の態様は、式（１）中、ｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たす、第１の態様の情報記録媒体である。
【００３８】
本開示の第３の態様は、元素Ｄ１が、Ｎｂ、Ｍｏ、及びＴａより選ばれる少なくとも一つの元素である、第１の態様の情報記録媒体である。
【００３９】
本開示の第４の態様は、元素Ｍが、Ｎｂ、Ｍｏ、及びＴａより選ばれる少なくとも一つの元素である、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４０】
本開示の第５の態様は、第１情報層が、レーザ光照射面から見て最も遠い位置に配置されている、第１から第４の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。
【００４１】
本開示の第６の態様は、第２誘電体膜が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２の酸化物を含む、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４２】
本開示の第７の態様は、元素Ｄ２が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素である、第６の態様の情報記録媒体である。
【００４３】
本開示の第８の態様は、記録膜がＺｎをさらに含む、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４４】
本開示の第９の態様は、第１誘電体膜がＺｒの酸化物をさらに含み、Ｚｒの酸化物の割合が、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ１の酸化物を合わせた量に対して７０ｍｏｌ％以下である、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４５】
本開示の第１０の態様は、第１情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第３誘電体膜、第１誘電体膜、および記録膜がこの順に配置されている、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４６】
本開示の第１１の態様は、第１情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、第３誘電体膜、および記録膜がこの順に配置されている、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４７】
本開示の第１２の態様は、第３誘電体膜が、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む、第１０または第１１の態様の情報記録媒体である。
【００４８】
本開示の第１３の態様は、３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層であって、第１情報層とは別の第２情報層が、記録膜を有し、第２情報層の記録膜が少なくともＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および酸素を含む、第１の態様の情報記録媒体である。
【００４９】
本開示の第１４の態様は、基板を含み、基板の両側にそれぞれ３以上の情報層が配置されている、第１の態様の情報記録媒体である。
【００５０】
本開示の第１５の態様は、３以上の情報層の各々が、凹凸を有し、レーザ光照射面から見て近い側の面（グルーブ）および遠い側の面（ランド）の両方に対応する位置に情報を記録する、第１の態様の情報記録媒体である。
【００５１】
本開示の第１６の態様は、第１情報層がレーザ光照射面から見て最も遠くに位置し、３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層であって、第１情報層とは別の第２情報層が、レーザ光照射側から見て遠い方から、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜とをこの順に含み、第１誘電体膜および第２誘電体膜がＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む、第１の態様または第８の態様の情報記録媒体である。
【００５２】
本開示の第１７の態様は、第１誘電体膜が、少なくともＺｒとＳｉを含み、ＺｒをＳｉより多く含む、第１６の態様の情報記録媒体である。
【００５３】
本開示の第１８の態様は、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、３以上の情報層を含み、３つ以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
第１誘電体膜および第２誘電体膜がＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含み、
記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、Ｔｉと、酸素とを含み、記録膜において、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＴｉが、下記の式（２）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＴｉ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （２）
（式（２）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体である。
【００５４】
本開示の第１９の態様は、記録膜がＺｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含む、第１８の態様の情報記録媒体である。
【００５５】
本開示の第２０の態様は、少なくとも、第１誘電体膜、第２誘電体膜または第３誘電体膜が、さらにＣを含む、第１の態様、第１０の態様、第１１の態様または第１８の態様の情報記録媒体である。
【００５６】
本開示の第２１の態様は、情報記録媒体の製造方法であって、情報記録媒体が有する３つ以上情報層の各々を形成する工程を含み、３以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を形成する工程が、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄ１の酸化物を含む第１誘電体膜を形成する工程と、
少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成する工程と、を含み、
記録膜を形成する工程で用いるターゲットにおいて、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、情報記録媒体の製造方法である。
【００５７】
本開示の第２２の態様は、式（１）中のｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たす、第２１の態様の情報記録媒体の製造方法である。
【００５８】
本開示の第２３の態様は、記録膜を形成する工程において、酸素を導入する反応性スパッタリング法を用いる、第２１の態様の情報記録媒体の製造方法である。
【００５９】
本開示の第２４の態様は、記録膜を形成する工程に用いるターゲットは、さらにＺｎを含み、記録膜を形成する工程では、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、元素Ｍと、Ｚｎと、酸素とを含む記録膜を形成する、第２１の態様の情報記録媒体の製造方法である。
【００６０】
本開示の第２５の態様は、
情報記録媒体の記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たす、スパッタリングターゲットである。
【００６１】
本開示の第２６の態様は、式（１）中、ｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たす、第２５の態様のスパッタリングターゲットである。
【００６２】
本開示の第２７の態様は、スパッタリングターゲットがＺｎを含む、第２５の態様のスパッタリングターゲットである。
【００６３】
以下、本開示の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本開示は以下の実施の形態に限定されない。
【００６４】
（実施の形態１）
実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれ３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
【００６５】
情報記録媒体１００は、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）にて貼り合わせ層５により貼り合わされている。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２および３などを介して、情報層として順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０を有し、さらに、Ｌ２層３０に接して設けられたカバー層４を有する。Ｌ１層２０およびＬ２層３０は透過型の情報層である。
【００６６】
情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に対応する位置で記録膜に、記録密度を高くして（すなわち、マーク長を短くして）ピットを形成すれば（ランド−グルーブ記録）、１情報層あたりの容量を例えば８３．４ＧＢにすることができる。情報記録媒体１００においては６つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、情報記録媒体１００は５００ＧＢの容量を有するものとして提供できる。案内溝は、後述するとおり、中間分離層２および３にも形成してよい。特に、Ｌ１層２０およびＬ２層３０において、ランド−グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層２および３に案内溝を形成することが好ましい。
【００６７】
３つの情報層の実効反射率は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０の反射率と、Ｌ１層２０およびＬ２層３０の透過率を各々調整することにより制御できる。本明細書中では、上記のとおり、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、反射率Ｒｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、反射率Ｒｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。
【００６８】
本実施の形態では、一例として、Ｌ０層１０の実効反射率Ｒｇが３．４％、実効反射率Ｒｌが３．７％、Ｌ１層２０の実効反射率Ｒｇが４．８％、実効反射率Ｒｌが５．１％、Ｌ２層３０の実効反射率Ｒｇが６．４％、実効反射率Ｒｌが６．８％となるように設計した構成を説明する。
【００６９】
Ｌ２層３０の透過率が７９％、Ｌ１層２０の透過率が７２％である場合、Ｌ０層１０は反射率Ｒｇが１０．５％、反射率Ｒｌが１１．３％、Ｌ１層２０は反射率Ｒｇが７．７％、反射率Ｒｌが８．２％、Ｌ２層３０は反射率Ｒｇが６．４％、反射率Ｒｌが６．８％となるように設計すれば、前述の実効反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。
【００７０】
以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚さについて説明する。
【００７１】
基板１の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。基板１は透明であることが好ましいが、半透明であってもよく、特に透明性は限定されない。また、基板１の形状は特に限定されず、円盤状であってもよい。基板１は、例えば、厚さが約０．５ｍｍであり、直径が約１２０ｍｍである円盤状のものである。
【００７２】
基板１のＬ０層１０側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板１に形成した場合、前述した通り、レーザ光６に近い側の溝（面）を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝（面）を「ランド」と呼ぶ。溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。ランド−グルーブ記録方式を採用し、かつ高い記録密度でする場合、クロストークの影響を低減するために、溝深さはより深く設計してよい。但し、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。クロストークを低減するとともに、反射率を維持できるよう、溝深さは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。実施の形態１ではランド−グルーブ間距離（グルーブの幅方向の中心と、当該グルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離）は、約０．２２５μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００７３】
中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂等からなり、例えばアクリル系樹脂からなる。中間分離層２および３は、記録および再生に用いる波長λのレーザ光に対して光吸収が小さいものであると、レーザ光６を効率よくＬ０層１０およびＬ１層２０に到達させることができる。中間分離層２および３は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０のフォーカス位置を区別するために設けられるものである。したがって、中間分離層２および３の厚さは、例えば、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上としてよい。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、Ｌ１層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の厚さは異なる値としてよい。
【００７４】
中間分離層２および３において、レーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層２および３に設ける案内溝の段差、およびランド−グルーブ間距離は、基板１に設けられる案内溝に関して説明したとおりである。実施の形態１では、溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は３０ｎｍ、ランド−グルーブ間距離は、約０．２２５μｍとしているが、これらに限定されるものではない。
【００７５】
カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。カバー層４は、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいものであってよい。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いて形成してよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４は、シート状や薄板状であってよい。シート状や薄板状のカバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を接着剤として、Ｌ２層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成してよい。カバー層４の厚さは、例えば、ＮＡ＝０．８５で良好な記録および再生が可能な厚さである４０μｍ〜８０μｍ程度としてよく、特に、５０μｍ〜６５μｍ程度としてよい。
【００７６】
貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。貼り合わせ層５の透明性は特に限定されず、透明であっても、半透明であってもよい。貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚さは５μｍ〜８０μｍ程度であってよく、特に２０μｍ〜５０μｍ程度であってよい。
【００７７】
情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格の媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層２および３ならびにカバー層４の厚さの総和は１００μｍに設定してよい。例えば、中間分離層２を約２５μｍ厚、中間分離層３を約１８μｍ厚、カバー層４を約５７μｍ厚に設定してよい。
【００７８】
次に、Ｌ０層１０の構成について説明する。Ｌ０層１０は基板１の表面上に、少なくとも第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００７９】
第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
【００８０】
レーザ光が入射する面（カバー層４の表面）から最も遠い位置にあるＬ０層１０は、その再生光量が最も小さくなる傾向にある。また、本発明者らの知見によれば、記録膜１２の両側に位置する二つの誘電体膜のうち、レーザ光の入射面からより遠い側に位置する第１誘電体膜１１が再生光量により影響を及ぼすことがわかった。
【００８１】
そこで、本実施の形態においては、第１誘電体膜１１を、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１の酸化物を含む膜としている。元素Ｄ１の酸化物は透明な膜を形成できる。元素Ｄ１の酸化物を含む誘電体膜は高い屈折率を有し、Ｌ０層１０の反射率向上に寄与する。
【００８２】
第１誘電体膜１１は、元素Ｄ１の酸化物を一つ含んでよく（一元系であってよく）、その場合、例えば、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、およびＣｅＯ２のいずれか一つを含んでよい。これらは透明な酸化物であって、屈折率はいずれも２．２以上である。より具体的には、分光エリプソメータを用いて実測した屈折率値は、波長４０５ｎｍにおいて、Ｎｂ２Ｏ５が２．４２、ＭｏＯ３が２．２１、Ｔａ２Ｏ５が２．２６、ＷＯ３が２．２５、ＴｉＯ２が２．６２、Ｂｉ２Ｏ３が２．７６、ＣｅＯ２が２．６２である。これらの酸化物はいずれも、Ｌ０層１０の反射率向上に寄与する。
【００８３】
第１誘電体膜１１は、例えばスパッタリングにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第１誘電体膜１１に含まれる酸化物は、スパッタリング中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第１誘電体膜１１に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。
【００８４】
第１誘電体膜１１の導電性がより高くなるよう、ＮｂＯｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ２Ｏ５に相当）やＴｉＯｘ（ｘ＜２、酸素を欠損させたＴｉＯ２に相当）を用いてよい。また、第１誘電体膜１１は、その比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第１誘電体膜２１、３１についても同様である。
【００８５】
第１誘電体膜１１は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。第１誘電体膜１１が元素Ｄ１として２つの金属元素を含む場合（二元系である場合）、その組成は、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３−ＷＯ３、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２等であってよい。ここで、「−」は「混合」を意味する。したがって、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３は、Ｎｂ２Ｏ５およびＭｏＯ３の２つの酸化物が混合されていることを意味する。二元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。
【００８６】
第１誘電体膜１１が元素Ｄ１として３つの金属元素を含む場合（三元系である場合）、その組成は、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２等であってよい。三元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。
【００８７】
第１誘電体膜１１が元素Ｄ１として四つの金属元素を含む場合（四元系である場合）、その組成は、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２等であってよい。四元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。
【００８８】
上記において、例示した一ないし四元系の組成において、Ｎｂ２Ｏ５の代わりにＮｂＯｘを用いてもよく、ＴｉＯ２の代わりにＴｉＯｘを用いてもよい。これは後述する第１誘電体膜２１、３１についても同様である。
【００８９】
第１誘電体膜１１は、元素Ｄ１の酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、元素Ｄ１の酸化物から実質的に成っていてよい。ここで「実質的に」という用語は、第１誘電体膜１１が例えばスパッタリングにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第１誘電体膜１１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、後述するその他の誘電体膜に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
【００９０】
元素Ｄ１の酸化物は、特に、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＴａから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物であってよい。これらの元素の酸化物は４０５ｎｍにおける屈折率が２．２以上であることから、Ｌ０層１０の再生光量をより高くし得る。また、これらの元素の酸化物を含むことにより、高い成膜レートで、第１誘電体膜１１を形成することができる。Ｎｂ、Ｍｏ、およびＴａから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物は、５０ｍｏｌ％以上含まれてよい。あるいは、第１誘電体膜１１は、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＴａから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物から実質的に成っていてよい。
【００９１】
上記で例示した二元系、三元系および四元系の組成において、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＴａから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物が含まれる場合、当該酸化物は５０ｍｏｌ％以上含まれてよい。
【００９２】
第１誘電体膜１１の組成が、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５である場合、混合比は特に限定されず、任意であってよい。第１誘電体膜１１の組成が、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３である場合は、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３（２つの酸化物の混合物）を５０ｍｏｌ％以上含むことが好ましい。第１誘電体膜１１の組成が、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２である場合、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５（３つの酸化物の混合物）を５０ｍｏｌ％以上含むことが好ましい。
【００９３】
第１誘電体膜１１は、さらにＺｒの酸化物を含んでよい。Ｚｒの酸化物は、例えばＺｒＯ２であるが、必ずしも化学量論組成のものでなくてよい。Ｚｒの酸化物は、第１誘電体膜１１の硬さや基板１との密着性等を調整することができ、また、Ｌ０層１０の再生パワーを向上させる。Ｚｒの酸化物が含まれる場合、その割合は、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ１の酸化物を合わせた量に対して７０ｍｏｌ％以下であってよい。Ｚｒの酸化物の割合が大きすぎると、屈折率が下がり、Ｌ０層１０の反射率を高めることができないことがある。
【００９４】
元素Ｄ１の酸化物とＺｒの酸化物を含む第１誘電体膜１１は、例えば、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＷＯ３、ＺｒＯ２−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＣｅＯ２の組成を有する。あるいは、元素Ｄ１の酸化物とＺｒの酸化物を含む第１誘電体膜は、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３−ＷＯ３、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、ＺｒＯ２−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２等の組成を有してよい。ここで例示したＺｒＯ２を含む組成において、Ｎｂ２Ｏ５の代わりにＮｂＯｘを用いてもよく、ＴｉＯ２の代わりにＴｉＯｘを用いてもよい。これは後述する第１誘電体膜２１、３１についても同様である。
【００９５】
第１誘電体膜１１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜１２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。
【００９６】
第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。後述するその他の誘電体膜も同様にこれらの手法でその組成を分析することができる。
【００９７】
記録膜１２は、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む。記録膜１２はＷとＣｕとＭｎと酸素とを含むので、例えば、レーザ光６の照射によってＯが分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜１２を備えたＬ０層は追記型のものとなる。
【００９８】
元素Ｍは、記録膜１２の屈折率や消衰係数を最適化し、それによりＬ０層の再生光量を向上させている。元素Ｍが記録膜１２に含まれると、先に述べた再生光量を上げる１）〜５）の手段のうち、２）〜５）の手段のいずれかで、再生光量を上げることができる。
【００９９】
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉは、記録膜１２において酸化物の形態で存在していてよい。Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉはそれぞれ、酸化数の異なる複数の酸化物を形成し得る。一般に酸素の多い酸化物は透明である。例えば、ＮｂＯ（ニオブ２価）とＮｂＯ２（ニオブ４価）は黒色であるが、Ｎｂ２Ｏ５（ニオブ５価）は無色である。マグネリ相の酸化物Ｎｂ３ｎ＋１Ｏ８ｎ−２も存在する。ＭｏＯ２（モリブデン４価）は黒色であるが、ＭｏＯ３（モリブデン６価）は無色である。ＭｏＯ３を還元して得られる青色のマグネリ相の酸化物も存在する。ＴａＯ２（タンタル４価）は黒色であるが、Ｔａ２Ｏ５（タンタル５価）は無色である。ＴｉＯ（チタン２価）は黒色、Ｔｉ２Ｏ３（チタン３価）は黒紫色であるが、ＴｉＯ２（チタン４価）は無色である。
【０１００】
記録膜１２に含まれる、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍを合わせて１００原子％としたとき、各元素の割合は、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
で表される。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍが上記式を満たす記録膜１２は、Ｌ０層１０の記録再生特性を良好にする。
【０１０１】
式（１）中、ｘ（Ｗの割合）は、１５以上６０以下であることが好ましい。ｘがこの範囲内にあれば記録膜１２を安定なＤＣスパッタリングにより形成でき、良好な記録再生特性を有するＬ０層が得られる。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの各単体ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリングを実施する場合、ｘ≧１５であると、ＤＣスパッタリングを良好に実施できる。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭを混合した合金ターゲットを用いる場合、２０≦ｘ≦５０であると、ＤＣスパッタリングを良好に実施できる。
【０１０２】
ｘが１５未満であると、ＤＣスパッタリングを実施する場合に、スパッタリングが不安定となることがあり、異常放電が生じやすくなる。ｘが６０を超えると、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。
【０１０３】
ｘ／ｚは、０．５以上３．０以下であってよい。ｘ／ｚがこの範囲内にあると、ＤＣスパッタリングを安定して実施できる。ｘ／ｚが０．５未満であると、ＤＣスパッタリングを実施するときにスパッタリングが不安定となり、異常放電が生じやすくなることがある。ｘ／ｚが３．０よりも大きいと、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要になることがある。
【０１０４】
ｙおよびｚは、ｙ≦ｚの関係を満たす。この関係を満たすことにより、記録膜１２の消衰係数が小さくなり、Ｌ０層１０の透過率を高めることが可能となる。ｚは例えばｙの１倍〜１０倍であってよい。ｙ＞ｚであると、記録膜１２の消衰係数が大きくなり、Ｌ０層の１０の透過率が低下して、吸収率が大きくなるため、再生パワーが上げられなくなることがある。また、ｙ＞ｚであると信号品質が低下することがある。
【０１０５】
ｚは０＜ｚ≦４０を満たす。ｚを４０以下とすることにより、記録膜１２の消衰係数（吸収率）を抑え、再生パワーを上げることができる。ｚがより大きいと、Ｌ０層の反射率はより高くなる傾向にある。例えば、２０≦ｚ≦４０を満たす記録膜１２は、Ｌ０層１０の反射率をより向上させる。
【０１０６】
ｘ＋ｙ＋ｚは６０以上９８以下である。６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８であると、Ｌ０層１０の記録再生特性が良好なものとなる。また、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８であると、記録膜１２の屈折率と消衰係数が最適化されて、Ｌ０層１０の反射率を上げるとともに、吸収率を小さくして再生パワーを上げることができる。ｘ＋ｙ＋ｚが６０未満であると、元素Ｍが多くなりすぎて、記録膜１２の消衰係数が小さくなり、透過率が過度に高くなり、吸収率が小さくなることがある。その結果、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要になることがあり、また、高速記録も困難になることがある。また、ｘ＋ｙ＋ｚが９８を超えると、Ｍの割合が少なくなって、記録膜１２の屈折率を高くできないことがある。
【０１０７】
記録膜１２の元素Ｍは、Ｎｂ、Ｍｏ、及びＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であることがより好ましい。これらの元素のいずれかが元素Ｍとして記録膜１２に含まれると、記録膜１２の屈折率を高くして、Ｌ０層の反射率を向上させることができるとともに、スパッタリング速度をより速くして、良好な生産性で記録膜１２を形成することができる。
【０１０８】
記録膜１２はさらにＺｎを含んでもよい。Ｚｎを含ませることにより、記録膜１２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げたり、Ａｒガスを少なくしたりしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。Ｚｎの含有量は、記録膜１２の屈折率や消衰係数に影響しないよう、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素ＭおよびＺｎの原子数を合わせて１００としたときに、２０原子％以下であってよい。
【０１０９】
記録膜１２の組成は、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｏ（Ｏ：酸素）、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ等であってよい。
【０１１０】
記録膜１２中のＷは、透明性の高いＷＯ３の形態で存在していてよい。記録膜１２には、金属Ｗ、ＷＯ２、ＷＯ２とＷＯ３の中間の酸化物（Ｗ１８Ｏ４９、Ｗ２０Ｏ５８、Ｗ５０Ｏ１４８、Ｗ４０Ｏ１１９など）、またはマグネリ相（ＷｎＯ３ｎー１）が含まれていてもよい。
【０１１１】
記録膜１２中のＣｕは、ＣｕＯまたはＣｕ２Ｏの形態で存在していてよい。記録膜１２には、金属Ｃｕが含まれていてもよい。
【０１１２】
記録膜１２の膜中のＭｎは、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ３、およびＭｎＯ２から選ばれる少なくとも一つの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜１２には、金属Ｍｎが含まれていてもよい。
【０１１３】
記録膜１２中のＮｂは、無色のＮｂ２Ｏ５またはＮｂＯｘの形態で存在していてよい。Ｎｂ２Ｏ５とＮｂＯｘが混在していてもよい。記録膜１２には、ＮｂＯ、ＮｂＯ２、またはマグネリ相（Ｎｂ３ｎ＋１Ｏ８ｎ−２）が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｎｂが含まれていてもよい。
【０１１４】
記録膜１２中のＭｏは、無色のＭｏＯ３の形態で存在していてよい。記録膜１２には、ＭｏＯ２、ＭｏＯ２とＭｏＯ３の中間の酸化物（Ｍｏ３Ｏ８、Ｍｏ４Ｏ１１、Ｍｏ５Ｏ１４、Ｍｏ８Ｏ２３、Ｍｏ９Ｏ２６、Ｍｏ１７Ｏ４７など）、またはマグネリ相（ＭｏｎＯ３ｎ−２）が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｍｏが含まれていてもよい。
【０１１５】
記録膜１２中のＴａは、無色のＴａ２Ｏ５の形態で存在していてよい。記録膜１２には、ＴａＯ２が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｔａが含まれていてもよい。
【０１１６】
記録膜１２中のＴｉは、無色のＴｉＯ２またはＴｉＯｘの形態で存在していてよい。ＴｉＯ２とＴｉＯｘが混在していてもよい。記録膜１２には、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、またはマグネリ相（ＴｉｎＯ２ｎ−１）が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｔｉが含まれていてもよい。
【０１１７】
記録膜１２中には、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素ＭおよびＺｎから選択される２以上の金属を含む複合酸化物が存在してもよい。
【０１１８】
記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ２Ｏ５、およびＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ−Ｎｂ２Ｏ５のいずれかである可能性が高い。ここに示した系において、Ｎｂ２Ｏ５に代えてＮｂＯｘが存在していてもよく、Ｎｂ２Ｏ５およびＮｂＯｘが混在していてもよい。
【０１１９】
記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ２−ＭｏＯ３、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ３Ｏ４−ＭｏＯ３、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＭｏＯ３、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ２−ＭｏＯ３、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ２Ｏ３−ＭｏＯ３、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ３Ｏ４−ＭｏＯ３、およびＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ−ＭｏＯ３のいずれかである可能性が高い。
【０１２０】
記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ２Ｏ５、およびＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ−Ｔａ２Ｏ５のいずれかである可能性が高い。
【０１２１】
記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ２−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ２−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯ２、およびＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ−ＴｉＯ２のいずれかである可能性が高い。ＴｉＯ２に代えてＴｉＯｘが存在していてもよく、ＴｉＯ２およびＴｉＯｘが混在していてもよい。
【０１２２】
上記したいずれの系も、Ｚｎを含んでよく、その場合、ＺｎはＺｎＯの形態で含まれるものと考えられる。
【０１２３】
このように、記録膜１２が複数の酸化物を含み、酸素以外の元素であるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）で表され、式中、ｘ、ｙおよびｚが、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８を満たし、好ましくは０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たせば、大容量（例えば、１ディスクあたり５００ＧＢ）の情報の記録再生に必要なＳ／Ｎを確保できる再生光量が得られる。
【０１２４】
記録膜１２に含まれる酸素の割合は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ、酸素、および含まれる場合にはＺｎの原子数の合計を１００％としたときに、例えば、６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６３原子％以上７３原子％以下であってよい。酸素の割合が６０原子％未満であると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。酸素の割合が８０原子％を超えると、記録感度が悪くなりすぎて、記録に大きなパワーが必要になり、高速記録も困難になる。
【０１２５】
記録膜１２は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ、酸素、および含まれる場合にはＺｎから実質的になっていてよい。ここで、「実質的に」という用語は、記録膜１２が例えばスパッタリングにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は記録膜１２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、後述する他の記録膜に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
【０１２６】
記録膜１２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下としてよい。記録膜１２の厚さが１０ｎｍ未満であると、記録膜１２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないことがあり、その結果、チャンネルビットエラーレートが悪化する。記録膜１２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜１２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜１２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０１２７】
記録膜１２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。
【０１２８】
第２誘電体膜１３は第１誘電体膜１１と同様に、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を制御する働きを有する。また、第２誘電体膜１３は、中間分離層２側からの記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第２誘電体膜１３はまた、中間分離層２から記録膜１２への有機物の混入を抑制したり、Ｌ０層１０と中間分離層２との密着性を確保したりする機能も併せ持つ。
【０１２９】
第２誘電体膜１３は、第１誘電体膜１１と同様に元素Ｄ１の酸化物を含むものであってよく、他の組成のものであってよい。前述のとおり、第２誘電体膜１３の組成がＬ０層１０の再生光量に及ぼす影響は、第１誘電体膜１１のそれよりも小さいため、第２誘電体膜１３の組成は特に限定されない。第２誘電体膜１３は、例えば、第１世代のアーカイバル・ディスクの誘電体膜で採用されている誘電体膜と同じ組成のものであってよい。
【０１３０】
第２誘電体膜１３は、例えば、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２の酸化物を含むものであってよい。元素Ｄ２のうち、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、及びＣｅは、上記元素Ｄ１に相当する。したがって、第２誘電体膜１３がこれらの元素の酸化物を含む場合には、Ｌ０層１０の反射率が高くなり、再生光量が増加する傾向にある。Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉの酸化物は、第２誘電体膜１３と中間分離層２との密着性を高めることができる。
【０１３１】
第２誘電体膜１３は、元素Ｄ２の酸化物を一つ含んでよく（一元系であってよく）、その場合、例えば、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、およびＳｉＯ２のいずれかを含んでよい。これらは透明な酸化物であり、また、中間分離層２と良好に密着する。
【０１３２】
第２誘電体膜１３は、例えばスパッタリングにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第２誘電体膜１３に含まれる酸化物は、スパッタリング中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第２誘電体膜１３に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、前述のとおり、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。
【０１３３】
第２誘電体膜１３が導電性を有するものとなるよう、ＮｂＯｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ２Ｏ５に相当）やＴｉＯｘ（ｘ＜２、酸素を欠損させたＴｉＯ２に相当）を用いてよい。また、第２誘電体膜１３は、その比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第２誘電体膜２３、３３についても同様である。
【０１３４】
第２誘電体膜１３は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。第２誘電体膜１３が元素Ｄ２として２つの金属元素を含む場合（二元系である場合）、その組成は、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３−ＷＯ３、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＺｒＯ２、ＭｏＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＷＯ３−ＺｒＯ２、ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３−ＳｎＯ２、ＷＯ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＴｉＯ２−ＺｒＯ２、ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＳｎＯ２、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等あってよい。二元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。
【０１３５】
第２誘電体膜１３が元素Ｄ２として３つの金属元素を含む場合（三元系である場合）、その組成は、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＺｒＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−ＷＯ３−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−ＺｒＯ２、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＺｒＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＷＯ３−ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＷＯ３−ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３−ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、ＷＯ３−ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、ＷＯ３−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、ＷＯ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＷＯ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ｓｉ
Ｏ２、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、ＴｉＯ２−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２−ＺｒＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＣｅＯ２−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等であってよい。三元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。
【０１３６】
上記において、例示した一から三元系の組成において、Ｎｂ２Ｏ５の代わりにＮｂＯｘを用いてもよく、ＴｉＯ２の代わりにＴｉＯｘを用いてもよい。これは後述する第２誘電体膜２３、３３についても同様である。
【０１３７】
第２誘電体膜１３は、元素Ｄ２の酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、元素Ｄ２の酸化物から実質的に成っていてよい。「実質的に」という用語の意味は、先に第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりである。元素Ｄ２の酸化物の割合が少なすぎると、反射率を高めることができず、再生光量を高めることができないことがあり、あるいは第２誘電体膜１３と中間分離層２との密着性が低下することがある。
【０１３８】
元素Ｄ２の酸化物は、特にＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物であってよい。これらの元素の酸化物はＬ０層１０の反射率をより高めることができ、ならびに／あるいは第２誘電体膜１３と中間分離層２との密着性を高くし得る。Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物は、５０ｍｏｌ％以上含まれていてよい。あるいは、第２誘電体膜１３は、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物から実質的に成っていてよい。
【０１３９】
上記で例示した二元系および三元系の組成において、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物が含まれる場合、当該酸化物は５０ｍｏｌ％以上含まれてよい。
【０１４０】
第２誘電体膜１３の組成が、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、またはＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２である場合は、混合比は特に限定されず、任意であってよい。第２誘電体膜１３の組成が、例えば、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３である場合、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３（２つの酸化物の混合物）を５０ｍｏｌ％以上含むことが好ましい。
【０１４１】
第１誘電体膜１１および／または第２誘電体膜１３がＺｒＯ２を含む場合、当該ＺｒＯ２として安定化ジルコニア（ＺｒＯ２にＹ２Ｏ３、ＭｇＯまたはＣａＯを１０％以下でドープしたもの）を用いてもよい。これは後述する第１誘電体膜２１、３１、第２誘電体膜２３、３３についても同様である。
【０１４２】
第２誘電体膜１３の厚さは、例えば、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。厚さが５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜１２への水分の侵入を抑制できないことがある。厚さが３０ｎｍより大きいと、Ｌ０層１０の反射率が下がる。
【０１４３】
第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１２が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部−未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。
【０１４４】
次にＬ１層２０の構成について説明する。Ｌ１層２０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜２１、記録膜２２、および第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
【０１４５】
第１誘電体膜２１の機能は、前述したＬ０層１０の第１誘電体膜１１のそれと同様である。また、第１誘電体膜２１は、中間分離層２とＬ１層２０とを密着させる役割も有する。第１誘電体膜２１の組成は、第１誘電体膜１１のように限定されない。これは、Ｌ１層２０は、Ｌ０層１０よりもレーザ光６の入射面に近い側にあるため、第１誘電体膜２１の組成を特定のものとしなくても、Ｌ１層２０の実効反射率および再生光量を確保しやすいことによる。したがって、第１誘電体膜２１は、第１誘電体膜１１または第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成してよく、あるいは、第１誘電体膜２１は、他の材料、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料を用いて形成してよい。
【０１４６】
第１誘電体膜２１の組成は、例えば、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等であってよい。ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、およびＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の膜は、ＤＣスパッタリングにより形成可能である。
【０１４７】
また、第１誘電体膜２１に含まれるＺｒ量をＳｉ量よりも多くすることにより、より高い再生パワー得ることができる。これは、Ｚｒ量をＳｉ量よりも多くすることで、中間分離層２から脱離する有機物や水分が第１誘電体膜２１に及ぼす悪影響を緩和でき、再生耐久性の悪化を抑制することができるためである。
【０１４８】
第１誘電体膜２１の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層２との密着性が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜２１の厚さが５０ｎｍを超えると、第１誘電体膜２１の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０１４９】
記録膜２２の機能は、前述したＬ０層１０の記録膜１２のそれと同様である。上記のとおり、Ｌ１層２０はＬ０層１０よりも概して高い実効反射率および再生光量を与えやすいので、記録膜２２の組成は、記録膜１２のように限定されない。したがって、記録膜２２は、記録膜１２に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成してよく、あるいは他の材料、例えば、Ｗ、Ｃｕ及びＭｎを含むが、元素Ｍを含まない材料を用いて形成してよい。記録膜２２はさらにＺｎを含んでよい。
【０１５０】
より具体的には、記録膜２２は、記録膜１２と同様に、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、元素Ｍと、酸素とを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）（式中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）で表される材料で形成してよい。その場合、Ｌ１層２０の透過率を高めることができ、Ｌ０層１０の反射率を向上させる、すなわちＬ０層１０の再生光量を大きくすることができる。
【０１５１】
Ｌ１層２０はＬ０層１０よりもレーザ光６に近い位置にあるので、その実効反射率を高くしやすい。そのため、記録膜２２は、高い透過率を確保することを優先して、Ｌ０層１０の記録膜１２よりもｚの値（Ｍｎ量）が小さい材料で形成してよい。上記式において、ｚは例えば１０≦ｚ≦３０を満たしてよい。ｚを減らした分だけ、ｘの値（Ｗ量）を増やしてもよい。
【０１５２】
あるいはまた、記録膜２２は、第１世代のアーカイバル・ディスクの記録膜と同じ材料で形成してよい。その場合には、第１世代のアーカイバル・ディスクの製造に用いるスパッタリングターゲットを本実施の形態の情報記録媒体の製造に兼用できるので、生産性の向上、またはコストの低下が可能となることがある。より具体的には、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｚｎ―Ｏで記録膜２２を形成してよい。
【０１５３】
記録膜２２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６５原子％以上７５原子％以下であってよい。
【０１５４】
記録膜２２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜２２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜２２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜２２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０１５５】
第２誘電体膜２３の機能は、前述したＬ０層１０の第２誘電体膜１３のそれと同様である。第２誘電体膜２３の組成は、特に限定されない。これは、Ｌ１層２０は、Ｌ０層１０よりもレーザ光６の入射面に近い側にあるため、第２誘電体膜２３の組成を特定のものとしなくても、その実効反射率および再生光量を確保しやすいことによる。第１誘電体膜１１または第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成することができる。あるいは、第２誘電体膜２３は、他の材料、例えば第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料を用いて形成してよい。
【０１５６】
第２誘電体膜２３の組成は、例えば、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等であってよい。ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、およびＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の膜、ＤＣスパッタリングにより形成可能である。
【０１５７】
第２誘電体膜２３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が下がることがある。
【０１５８】
次にＬ２層３０の構成について説明する。Ｌ２層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
【０１５９】
Ｌ２層３０の構成は基本的にはＬ１層２０と同様である。第１誘電体膜３１は、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１と同様の機能を有し、したがって、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１と同様の機能を有する。また、第１誘電体膜３１は、中間分離層３とＬ２層３０とを密着させる役割をも有する。また、第１誘電体膜３１は、第１誘電体膜２１と同様、その組成は特に限定されない。Ｌ２層３０は最も外側に位置するため、第１誘電体膜３１の組成を特定のものとしなくても、Ｌ２層３０の実効反射率および再生光量を確保しやすいことによる。したがって、第１誘電体膜３１は、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料を用いて形成してよい。第１誘電体膜３１は、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料で形成してよい。その場合、第１誘電体膜３１は、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１に関連して説明した材料で形成してよい。
【０１６０】
第１誘電体膜３１の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層３との密着性が低下して、記録膜３２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜３１の厚さが５０ｎｍを超えると、第１誘電体膜３１の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０１６１】
記録膜３２の機能は、Ｌ１層２０の記録膜２２のそれと同様であり、したがって、Ｌ０層１０の記録膜１２のそれと同様である。上記のとおり、Ｌ２層３０は最も外側に位置していて、Ｌ１層２０およびＬ０層１０よりも高い再生光量を与えやすいので、記録膜３２の組成は、記録膜１２のように限定されない。したがって、記録膜３２は、記録膜２２と同様、Ｌ０層１０の記録膜１２に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料、例えば、Ｗ、Ｃｕ及びＭｎを含むが、元素Ｍを含まない材料を用いて形成してよい。記録膜３２はさらにＺｎを含んでよい。
【０１６２】
より具体的には、記録膜３２は、記録膜１２と同様に、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、元素Ｍと、酸素とを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）（式中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）で表される材料で形成してよい。その場合、Ｌ２層３０の透過率を高めることができ、Ｌ０層１０の反射率を向上させる、すなわちＬ０層１０の再生光量を大きくすることができる。
【０１６３】
Ｌ２層３０はレーザ光６に最も近い位置にあるので、その実効反射率を大きくしやすい。よって、記録膜３２は、高い透過率を確保することを優先して、Ｌ０層１０の記録膜１２およびＬ１層２０の記録膜２２よりもｚの値（Ｍｎ量）が小さい材料で形成してよい。上記式において、ｚは例えば５≦ｚ≦３０を満たしてよい。ｚを減らした分だけ、ｘの値（Ｗ量）を増やしてもよい。
【０１６４】
あるいはまた、記録膜３２は、第１世代のアーカイバル・ディスクの記録膜と同じ材料で形成してよい。その場合には、第１世代のアーカイバル・ディスクの製造に用いるスパッタリングターゲットを本実施の形態の情報記録媒体の製造に兼用できるので、生産性の向上、またはコストの低下が可能となることがある。より具体的には、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｚｎ―Ｏで記録膜３２を形成してよい。
【０１６５】
記録膜３２に含まれる酸素の割合は、記録膜２２のそれと同様、金属元素と酸素の原子数の合計を１００％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６５原子％以上７５下原子％以下であってよい。
【０１６６】
記録膜３２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜３２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜３２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜３２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０１６７】
第２誘電体膜３３は、Ｌ１層２０の第２誘電体膜２３と同様の機能を有し、したがって、Ｌ０層１０の第２誘電体膜１３と同様の機能を有する。また、第２誘電体膜３３は、第２誘電体膜２３と同様、その組成は特に限定されない。Ｌ２層３０は最も外側に位置するため、Ｌ１層２０およびＬ０層１０よりも高い再生光量を与えやすく、第２誘電体膜３３の組成を特定のものとしなくても、その実効反射率および再生光量を確保しやすいからである。したがって、第２誘電体膜３３は、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料を用いて形成してよい。第２誘電体膜３３は、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料で形成してよい。その場合、第２誘電体膜３３は、Ｌ１層２０の第２誘電体膜２３に関連して説明した材料で形成してよい。
【０１６８】
第２誘電体膜３３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜３２への水分の侵入を抑制できないことがある。３０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。
【０１６９】
第１誘電体膜１１、２１、３１、記録膜１２、２２、３２、および第２誘電体膜１３、２３，３３は、これらを構成する酸化物を混合したスパッタリングターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタリングにより形成してよい。あるいは、これらの膜は、酸素を含まない合金スパッタリングターゲットを用いて、酸素導入下でのＲＦスパッタリング、または酸素導入下でのＤＣスパッタリングにより形成してよい。あるいはまた、各酸化物のスパッタリングターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、同時にＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタリングに付す方法で、これらの膜を形成してよい（マルチスパッタリング法）。ＲＦスパッタリングとＤＣスパッタリングは同時に実施してもよい。さらに別の膜形成方法としては、金属の単体もしくは合金からなるスパッタリングターゲット、または酸化物のスパッタリングターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、必要に応じて酸素を導入しなら同時にＲＦスパッタリングする方法や、同時にＤＣスパッタリングする方法が挙げられる。あるいは、金属と酸化物を混合してなるスパッタリングターゲットを用い、酸素を導入しながら、ＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタする方法で、これらの膜を形成してよい。
【０１７０】
実施の形態１の変形例においては、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜が、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄまたはＧｅ−Ｂｉ−Ｏ等の他の記録膜、すなわちＷ−Ｏ系記録膜以外の記録膜であってもよい。あるいは、他の変形例においては、必要に応じて、反射膜および上記において例示していない材料から成る誘電体膜を設けてもよい。本開示に係る技術の効果は、これらの変形例においても達成される。
【０１７１】
さらに別の変形例においては、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせが、Ｌ０層に加えて又はＬ０層に代えて、別の情報層で実現されていてよい。特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせは、再生光量が低下しやすいＬ０層の再生光量を向上させるのに効果的であるが、他の情報層で用いられる場合には当該他の情報層の再生光量を向上させることができる。
【０１７２】
また、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせをＬ１層またはＬ２層に用いると、Ｌ１層またはＬ２層の透過率を上げることができるので、Ｌ０層に到達するレーザ光６の量が増え、Ｌ０層の実効反射率を向上させることができ、ひいてはＬ０層の再生光量を向上させることができる。すなわち、Ｌ１層およびＬ２層に特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜を適用することによっても、Ｌ０層に記録した短いマークのＳ／Ｎ比を高くすることができる。
【０１７３】
情報記録媒体１００の記録方式は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ  ＣＬＶおよびＺｏｎｅｄ  ＣＡＶのいずれであってよい。使用できるデータビット長は５１．３ｎｍである。
【０１７４】
本実施の形態の情報記録媒体１００への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数ＮＡが０．９１である光学系で実施してよく、あるいはＮＡ＞１の光学系で実施してよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）、またはＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用してもよい。この場合、中間分離層２および３、ならびにカバー層４は５μｍ以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
【０１７５】
（実施の形態２）
実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２００は、Ａ面情報記録媒体２０１およびＢ面情報記録媒体２０２を有し、Ｌ０層１０ａにおいて、第３誘電体膜１４ａが、第１誘電体膜１１と基板１との間に設けられている点でのみ、実施の形態１と異なる。
【０１７６】
Ｌ０層１０ａは、レーザ光６照射側から見て遠い方から、第３誘電体膜１４ａ、第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３をこの順に含んでよい。
【０１７７】
第３誘電体膜１４ａは、Ｌ０層１０ａの再生耐久性を改善して、再生パワーを上げるために設けられる。また、第３誘電体膜１４ａは、第１誘電体膜１１と良好に密着して、基板１とＬ０層１０との密着性を向上させる機能も有する。
【０１７８】
第１誘電体膜１１の組成を前述のように選択して、Ｌ０層１０の反射率を向上させることができるものの、再生パワーがほとんど上昇しない、または再生パワーが下がる場合に、第３誘電体膜１４ａを必要に応じて設けてよい。また、Ｌ０層に記録した信号を再生するために、所定のパワーのレーザ光６を連続照射すると、基板１と第１誘電体膜１１との間で剥離や原子拡散が生じる可能性がある。第３誘電体膜１４ａは、そのような剥離や原子拡散を抑制して、基板１とＬ０層との間で良好な密着性を確保するために設けてよい。
【０１７９】
第３誘電体膜１４ａは、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む。第３誘電体膜１４ａの組成は、例えば、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２であってよい。二ないし三元系の酸化物の混合物について、酸化物の混合比は特に限定されない。第３誘電体膜１４ａは、２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。また、実施の形態１のＬ０層１０の第１誘電体膜１１と同様、元素Ｄ３の酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。
【０１８０】
第３誘電体膜１４ａは、元素Ｄ３の酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、元素Ｄ３の酸化物から実質的に成っていてよい。「実質的に」という用語の意味は、実施の形態１において第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりである。
【０１８１】
また、第３誘電体膜１４ａ／第１誘電体膜１１の組み合わせは、例えば、ＺｒＯ２（第３誘電体膜１４ａ）／Ｎｂ２Ｏ５（第１誘電体膜１１）、ＺｒＯ２／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２／Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２／ＮｂＯｘ、ＳｉＯ２／ＭｏＯ３、ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３／Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３／ＮｂＯｘ、Ｉｎ２Ｏ３／ＭｏＯ３、Ｉｎ２Ｏ３／Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２／ＮｂＯｘ、ＳｎＯ２／ＭｏＯ３、ＳｎＯ２／Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＷＯ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＴｉＯｘ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２／Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２／ＮｂＯｘ、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２／ＭｏＯ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＮｂＯｘ、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＭｏＯ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＷＯ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＴｉＯｘ、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／Ｂｉ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＣｅＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／ＮｂＯｘ、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／ＭｏＯ３、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＷＯ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＴｉＯｘ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２／Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／ＮｂＯｘ、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／ＭｏＯ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５であってよい。
【０１８２】
特に、第３誘電体膜１４ａ／第１誘電体膜１１の組み合わせは、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３／ＮｂＯｘ、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／Ｎｂ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２／ＮｂＯｘであってよい。これらの組み合わせは、第３誘電体膜１４ａと第１誘電体膜１１がともにＤＣスパッタリングにより形成可能である組み合わせである。よって、これらの組み合わせを用いれば、ＤＣスパッタリングによって、良好な生産性で情報記録媒体２００を製造することが可能となる。
【０１８３】
第１誘電体膜１１が、先に例示した二元系、三元系、または四元系の組成である場合でも、第３誘電体膜１４ａを設けてよい。
【０１８４】
第３誘電体膜１４ａの厚さは、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下であってよい。３ｎｍ未満であると、基板１と第１誘電体膜１１との密着性を十分に向上させ得ないことがある。３５ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。
【０１８５】
第３誘電体膜１４ａ以外の膜および層の構成は実施の形態１で説明したものと同一であるから、ここではその説明を省略する。
【０１８６】
なお、実施の形態２では、第３誘電体膜１４ａを基板１と第１誘電体膜１１との間に形成したが、変形例として、第３誘電体膜１４ａを、中間分離層２と第１誘電体膜２１との間、または中間分離層３と第１誘電体膜３１との間に形成してもよい。即ち、図１に示す情報記録媒体１００において、中間分離層２と第１誘電体膜２１との間、または中間分離層３と第１誘電体膜３１との間に、第３誘電体膜１４ａを形成することができる。
【０１８７】
（実施の形態３）
実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態３として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図３に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３００は、Ａ面情報記録媒体３０１およびＢ面情報記録媒体３０２を有し、Ｌ０層１０ｂにおいて、第３誘電体膜１４ｂが、第１誘電体膜１１と記録膜１２との間に設けられている点でのみ、実施の形態１と異なるものである。
【０１８８】
Ｌ０層１０ｂは、レーザ光６照射側から見て遠い方から、第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４ｂ、記録膜１２、および第２誘電体膜１３をこの順に含んでよい。第３誘電体膜１４ｂは、Ｌ０層１０ｂの再生耐久性を改善して、再生パワーを上げるために設けられる。
【０１８９】
第１誘電体膜１１の組成を前述のように選択して、Ｌ０層１０の反射率を向上させることができるものの、再生パワーがほとんど上昇しない、または再生パワーが下がる場合に、第３誘電体膜１４ｂを必要に応じて設けてよい。また、Ｌ０層に記録した信号を再生するために、所定のパワーのレーザ光６を連続照射すると、第１誘電体膜１１と記録膜１２との間で剥離や原子拡散が生じる可能性がある。第３誘電体膜１４ｂはそのような剥離や原子拡散を抑制して、第１誘電体膜１１と記録膜１２との間で良好な密着性を確保するために設けてよい。
【０１９０】
第３誘電体膜１４ｂを構成する材料の例は、実施の形態２で説明した第３誘電体膜１４ａの材料の例と同じである。また、第３誘電体膜１４ｂ／第１誘電体膜１１の組み合わせの例は、実施の形態２で説明した第３誘電体膜１４ａ／第１誘電体膜１１の組み合わせの例と同じである。
【０１９１】
第３誘電体膜１４ｂの厚さは、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下であってよい。３ｎｍ未満であると、第１誘電体膜１１と記録膜１２との密着性を十分に向上させ得ないことがある。３５ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。
【０１９２】
第３誘電体膜１４ｂのその他の構成は、先に実施の形態２で説明した第３誘電体膜１４ａと同一であるから、ここではその説明を省略する。第３誘電体膜１４ｂ以外の膜および層の構成は実施の形態１で説明したものと同一であるから、ここではその説明を省略する。
【０１９３】
（実施の形態４）
実施の形態４として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態４として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図４に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体４００は、３つの情報層であるＬ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０に加えて、さらに別の情報層としてのＬ３層４０を有する点で、実施の形態１とは異なっている。Ｌ３層４０とＬ２層３０との間には中間分離層７が設けられている。Ａ面情報記録媒体４０１およびＢ面情報記録媒体４０２はともに四つの情報層を有するので、この情報記録媒体４００は合わせて八つの情報層を有している。
【０１９４】
Ｌ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０は、実施の形態１で説明したものと同じであるから、ここではその説明を省略する。中間分離層７の機能および形状、ならびに材料は、中間分離層２および３のそれらと同じであるから、ここではその説明を省略する。中間分離層７の厚さは、中間分離層２および３とは異なる値としてよい。
【０１９５】
Ｌ３層の構成について説明する。Ｌ３層４０は、中間分離層７の表面上に、少なくとも第１誘電体膜４１、記録膜４２、および第２誘電体膜４３がこの順に積層されることにより形成されている。Ｌ３層４０の構成は基本的にはＬ１層（およびＬ１層と同様の構成であるＬ２層）と同一である。
【０１９６】
第１誘電体膜４１は、実施の形態１で説明したＬ１層２０の第１誘電体膜２１と同様の機能を有する。また、第１誘電体膜４１は、中間分離層７とＬ３層４０とを密着させる役割も有する。また、第１誘電体膜４１は、第１誘電体膜２１と同様、その組成は特に限定されない。Ｌ３層４０は最も外側に位置するため、第１誘電体膜４１の組成を特定のものとしなくても、Ｌ３層４０の実効反射率および再生光量を確保しやすいことによる。したがって、第１誘電体膜４１は、実施の形態１のＬ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料を用いて形成してよい。第１誘電体膜４１は、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料を用いて形成してよい。その場合、第１誘電体膜４１は、実施の形態１のＬ１層２０の第１誘電体膜２１に関連して説明した材料で形成してよい。
【０１９７】
第１誘電体膜４１の厚さは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層７との密着性が低下して、記録膜４２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ３層４０の反射率が低下することがある。
【０１９８】
記録膜４２の機能は、実施の形態１で説明したＬ１層２０の記録膜２２のそれと同様であり、したがって、Ｌ０層１０の記録膜１２のそれと同様である。上記の通り、Ｌ３層４０は最も外側に位置していて、Ｌ０層１０ないしＬ２層３０よりも高い再生光量を与えやすいので、記録膜４２の組成は、実施の形態１のＬ０層１０の記録膜１２のように限定されない。したがって、記録膜４２は、実施の形態１の記録膜２２と同様、実施の形態１のＬ０層１０の記録膜１２に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料、例えば、Ｗ、Ｃｕ及びＭｎを含むが、元素Ｍを含まない材料を用いて形成してよい。記録膜４２はさらにＺｎを含んでよい。
【０１９９】
より具体的には、記録膜４２は、実施の形態１の記録膜１２と同様に、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、元素Ｍと、酸素とを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）（式中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）で表される材料で形成してよい。その場合、Ｌ３層４０の透過率を高めることができ、Ｌ０層１０の反射率を向上させる、すなわちＬ０層１０の再生光量を大きくすることができる。
【０２００】
Ｌ３層４０はレーザ光６に最も近い位置にあるので、その実効反射率を大きくしやすい。よって、記録膜４２は、高い透過率を確保することを優先して、Ｌ０層１０の記録膜１２、Ｌ１層２０の記録膜２２およびＬ２層３０の記録膜３２よりもｚの値（Ｍｎ量）が小さい材料で形成してよい。上記式において、ｚは例えば５≦ｚ≦３０を満たしてよい。ｚを減らした分だけ、ｘの値（Ｗ量）を増やしてもよい。
【０２０１】
あるいはまた、記録膜４２は、第１世代のアーカイバル・ディスクの記録膜と同じ材料で形成してよい。その場合には、第１世代のアーカイバル・ディスクの製造に用いるスパッタリングターゲットを本実施の形態の情報記録媒体の製造に兼用できるので、生産性の向上、またはコストの低下が可能となることがある。より具体的には、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｚｎ―Ｏで記録膜４２を形成してよい。
【０２０２】
記録膜４２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６５原子％以上７５下原子％以下であってよい。
【０２０３】
記録膜４２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜４２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜４２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜４２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０２０４】
第２誘電体膜４３は、実施の形態１で説明したＬ１層２０の第２誘電体膜２３と同様の機能を有し、したがって、Ｌ０層１０の第２誘電体膜１３と同様の機能を有する。また、第２誘電体膜４３は、第２誘電体膜２３と同様、その組成は特に限定されない。Ｌ３層４０は最も外側に位置するため、Ｌ２層３０ないしＬ０層１０よりも高い再生光量を与えやすく、第２誘電体膜４３の組成を特定のものとしなくても、その実効反射率および再生光量を確保しやすいからである。したがって、第２誘電体膜４３は、実施の形態１のＬ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料を用いて形成してよい。第２誘電体膜４３は、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料で形成してよい。その場合、第２誘電体膜４３は、実施の形態１のＬ１層２０の第２誘電体膜２３に関連して説明した材料で形成してよい。
【０２０５】
第２誘電体膜４３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜４２への水分の侵入を抑制できないことがある。３０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。
【０２０６】
情報記録媒体４００の変形例においては、上記特定組成の第１誘電体膜と上記特定組成の記録膜の組み合わせが、Ｌ０層に加えて又はＬ０層に代えて、別の情報層で実現されていてよい。特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせは、再生光量が低下しやすいＬ０層の再生光量を向上させるのに効果的であるが、他の情報層で用いられる場合には当該他の情報層の再生光量を向上させることができる。例えば、Ｌ１層、Ｌ２層、またはＬ３層のいずれかでのみ、上記特定組成の第１誘電体膜と上記特定組成の記録膜の組み合わせを採用してよい。
【０２０７】
また、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせをＬ１層からＬ３層のいずれかに用いると、当該情報層の透過率を上げることができるので、Ｌ０層に到達するレーザ光６の量が増え、Ｌ０層の実効反射率を向上させることができ、ひいてはＬ０層の再生光量を向上させることができる。すなわち、Ｌ１層からＬ３層のいずれかに特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜を適用することによっても、Ｌ０層に記録した短いマークのＳ／Ｎ比を高くすることができる。
【０２０８】
情報記録媒体４００の別の変形例においては、基板１または中間分離層２、３、７と、上記特定組成の第１誘電体膜１１、２１、３１、４１との間に第３誘電体膜１４ａが設けられていてよい。あるいは、さらに別の変形例においては、上記特定組成の第１誘電体膜１１、２１、３１、４１と特定組成の記録膜１２、２２、３２、４２との間に第３誘電体膜１４ｂが設けられてよい。第３誘電体膜１４ａ、１４ｂの機能、形状および材料は、先に実施の形態２および３で説明したとおりである。
【０２０９】
（実施の形態５）
次に、実施の形態１で説明した情報記録媒体１００の製造方法を、実施の形態５として説明する。
【０２１０】
Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。
【０２１１】
まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
【０２１２】
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に螺旋状の案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、得ようとする組成に応じて、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｂｉ、およびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含むターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。希ガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタリングの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタリングについてもあてはまる。
【０２１３】
スパッタリングターゲットは、元素Ｄ１を酸化物の形態で含んでよく、あるいは単体金属または合金の形態で含んでよい。金属（合金含む）からなるターゲットを使用する場合には、酸素ガスを含む雰囲気中で実施する反応性スパッタリングにより酸化物を形成してよい。
【０２１４】
導電性を有する（比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である）スパッタリングターゲットを用いて、ＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを実施すると、ＲＦスパッタリングを実施する場合と比較して、より高い成膜レートを達成できる。
【０２１５】
具体的には、スパッタリングターゲットの組成は、
ＮｂＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯｘ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、
ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、ＮｂＯｘ−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３、ＮｂＯｘ−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、ＮｂＯｘ−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＮｂＯｘ−ＣｅＯ２、ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３−ＷＯ３、ＭｏＯ３−ＴｉＯｘ、ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＴｉＯｘ、ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＷＯ３−ＣｅＯ２、ＴｉＯｘ−Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯｘ−ＣｅＯ２、ＴｉＯ２−ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２、
ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＣｅＯ２、ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、
ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２、
ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＷＯ３、ＺｒＯ２−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−ＷＯ３、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−ＴｉＯｘ、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯｘ、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＮｂＯｘ−ＣｅＯ２、ＺｒＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２等であってよい。
【０２１６】
これらのスパッタリングターゲットを用いると、スパッタリングターゲットと略同じ組成の薄膜を形成することができる。また、ＮｂＯｘおよび／またはＴｉＯｘを含む組成のスパッタリングターゲットは、導電性が高く、ＤＣスパッタリングによって安定的に第１誘電体膜１１を形成することを可能とする。よって、ＮｂＯｘおよび／またはＴｉＯｘを含む組成のスパッタリングターゲットを用いると、第１誘電体膜１１の形成時に高い成膜レートを期待できる。
【０２１７】
また、第１誘電体膜１１を複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから誘電体材料を同時に堆積させるマルチスパッタリングを実施してよい。マルチスパッタリングにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜において所望の組成比を得ることができる。
【０２１８】
例えば、第１誘電体膜１１として、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３からなる薄膜を形成する場合、スパッタリングターゲットの組み合わせとして、（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３）を用いることができる。同様にして、以下に挙げる二元系ないし四元系の薄膜を、それぞれ以下に示すスパッタリングターゲットの組み合わせ（括弧内に記載された複数の酸化物がターゲットの組み合わせに相当する）で形成することができる。
・Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５：（ＮｂＯｘ、Ｔａ２Ｏ５）または（Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３：（ＮｂＯｘ、ＷＯ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２：（ＮｂＯｘ、ＴｉＯ２）、（ＮｂＯｘ、ＴｉＯｘ）、（Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯｘ）
・Ｎｂ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３：（ＮｂＯｘ、Ｂｉ２Ｏ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＣｅＯ２：（ＮｂＯｘ、ＣｅＯ２）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２）
・ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５：（ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５）
・ＭｏＯ３−ＷＯ３：（ＭｏＯ３、ＷＯ３）
・ＭｏＯ３−ＴｉＯ２：（ＭｏＯ３、ＴｉＯｘ）または（ＭｏＯ３、ＴｉＯ２）
・ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３：（ＭｏＯ３、Ｂｉ２Ｏ３）
・ＭｏＯ３−ＣｅＯ２：（ＭｏＯ３、ＣｅＯ２）
・Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３：（Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３）
・Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２：（Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯｘ）または（Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２）
・Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３：（Ｔａ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３）
・Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２：（Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２）
・ＷＯ３−ＴｉＯ２：（ＷＯ３−ＴｉＯｘ）または（ＷＯ３、ＴｉＯ２）
・ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３：（ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３）
・ＷＯ３−ＣｅＯ２：（ＷＯ３、ＣｅＯ２）
・ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３：（ＴｉＯｘ、Ｂｉ２Ｏ３）または（ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３）
・ＴｉＯ２−ＣｅＯ２：（ＴｉＯｘ、ＣｅＯ２）または（ＴｉＯ２、ＣｅＯ２）
・Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２：（Ｂｉ２Ｏ３−ＣｅＯ２）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｔａ２Ｏ５：（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＷＯ３：（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３、ＷＯ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＴｉＯ２：（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３、ＴｉＯ２）、（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３、ＴｉＯｘ）、（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＴｉＯｘ）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＴｉＯ２）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−Ｂｉ２Ｏ３：（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３、Ｂｉ２Ｏ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｂｉ２Ｏ３）
・Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３−ＣｅＯ２：（ＮｂＯｘ、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２）または（Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２）
・Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＷＯ３：（ＮｂＯｘ、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３）、
・Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２：（ＮｂＯｘ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２）、（ＮｂＯｘ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯｘ）、（Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯｘ）または（Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２）、
・Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３：（ＮｂＯｘ、Ｔａ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３）または（Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３）
・ＮｂＯｘ−Ｔａ２Ｏ５−ＣｅＯ２：（Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２）、（ＮｂＯｘ、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２）
続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、金属合金または金属−酸化物の混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングを実施することにより形成できる。記録膜１２の厚さが第１誘電体膜１１などの誘電体膜より厚いので、生産性を考慮し、記録膜１２は、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いて成膜することが好ましい。記録膜１２中に多くの酸素を含有させるため、雰囲気ガス中に多量の酸素ガスを混合することが好ましい。
【０２１９】
スパッタリングターゲットは、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍを含み、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍが下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たすものであってよい。特に、上記式（１）中のｘおよびｚが、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たすスパッタリングターゲットを用いてよい。
【０２２０】
スパッタリングターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍを合わせた原子数を１００％としたときに、Ｗの含有量が１５原子％よりも少ないと、ＤＣまたはパルスＤＣスパッタリングが不安定になり、異常放電が生じやすくなる。形成しようとする記録膜１２に含まれるＷの含有量が２０原子％よりも少ない場合には、記録膜１２を構成する各金属の単体またはその酸化物からなるターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリングを実施してよい。マルチスパッタリングにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜において所望の組成比を得ることができる。
【０２２１】
具体的には、記録膜１２の成膜に際して合金ターゲットまたは混合物ターゲットを用いる場合、ターゲットの組成は、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｚｎ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−Ｔａ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−Ｔａ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｍｏ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔａ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｔａ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｔａ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔａ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−Ｔａ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｎｂ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＮｂＯｘ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔａ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔａ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔａ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｏ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔａ−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔｉ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯｘ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−Ｔｉ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯｘ−ＺｎＯ等であってよい。
【０２２２】
またマルチスパッタリングにより、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｏからなる薄膜を記録膜１２として形成する場合、スパッタリングターゲットの組み合わせとして、（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ）または（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＮｂＯｘ）等を用いることができる。放電をより安定にし、高い生産性を得るためには、金属からなる単体ターゲットを用いることが好ましい。同様にして、以下に挙げる組成の薄膜を、それぞれ以下に示すスパッタリングターゲットの組み合わせ（括弧内に記載された複数の金属がターゲットの組み合わせに相当する）で形成することができる。
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔａ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｔａ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｔｉ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏには（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｎ）
続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３の組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。また、第２誘電体膜１３を複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、マルチスパッタリングを実施してよい。
【０２２３】
第２誘電体膜１３の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、前述した第１誘電体膜１１を形成するスパッタリングターゲットを用いてよい。あるいは、第２誘電体膜１３の形成に用いるスパッタリングターゲットの組成は、ＮｂＯｘ−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、ＮｂＯｘ−ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｎＯ２、ＮｂＯｘ−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３−ＳｎＯ２、ＭｏＯ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＷＯ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３−ＳｎＯ２、ＷＯ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯｘ−Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２−ＳｎＯ２、ＴｉＯｘ−ＳｎＯ２、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、ＴｉＯｘ−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＣｅＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＣｅＯ２−ＳｎＯ２、ＣｅＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＮｂＯｘ−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＭｏＯ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＷＯ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＴｉＯｘ−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＣｅＯ２−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等であってもよい。
【０２２４】
続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂（例えばアクリル系樹脂）をＬ０層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。また、中間分離層２は二段階で形成してよく、具体的には、厚みの大部分を占める部分を先にスピンコート法で形成し、次に案内溝を有する部分を、スピンコート法と転写用基板による転写との組み合わせにより形成してよい。
【０２２５】
続いて、Ｌ１層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を中間分離層２の上に形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
【０２２６】
続いて、Ｌ２層３０を形成する。Ｌ２層３０は、基本的には前述したＬ１層２０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。
【０２２７】
いずれの誘電体膜および記録膜も、スパッタリング時の供給電力を１０Ｗ〜１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとして形成してよい。
【０２２８】
続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板を貼り合わせる方法で形成してよい。具体的には、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、塗布した樹脂に基板を密着させた状態でスピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層４を形成できる。
【０２２９】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【０２３０】
このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。また必要に応じ、基板１およびＬ０層１０に、ディスクの識別コード（例えば、ＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ））が含まれるようにしてもよい。例えば、ポリカーボネート製の基板１に識別コードを付ける場合、基板１を成形した後に、ＣＯ２レーザなどを用いて、ポリカーボネートを溶解・気化することにより、識別コードを付けることができる。また、Ｌ０層１０に識別コードを付ける場合、半導体レーザなどを用いて、記録膜１２に記録を行う、または記録膜１２を分解することによって、識別コードを付けることができる。Ｌ０層１０に識別コードを付ける工程は、第２誘電体膜１３の形成後、中間分離層２の形成後、カバー層４の形成後、または後述する貼り合わせ層５の形成後に実施してよい。
【０２３１】
同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１に案内溝を設ける場合、螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝のそれと逆向きでもよいし、または同じ向きでもよい。
【０２３２】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層５を形成する。あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂をＡ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層５を形成してもよい。このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。
【０２３３】
（実施の形態６）
実施の形態２で説明した光学的情報記録媒体２００の製造方法を、実施の形態６として説明する。光学的情報記録媒体２００の製造方法は、第３誘電体膜１４ａを形成すること以外は、実施の形態５で説明した製造方法と同様である。以下、第３誘電体膜１４ａの形成方法を説明する。
【０２３４】
第３誘電体膜１４ａは基板１上に形成する。第３誘電体膜１４ａは、得ようとする組成に応じて、単一の誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。導電性を有する（比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である）スパッタリングターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを実施すると、ＲＦスパッタリングを実施する場合と比較して、より高い成膜レートを達成できる。
【０２３５】
具体的には、スパッタリングターゲットの組成は、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等であってよい。
【０２３６】
また、第３誘電体膜１４ａを複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから誘電体材料を同時に堆積させるマルチスパッタリングを実施してよい。マルチスパッタリングにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜において所望の組成比を得ることができる。
【０２３７】
第３誘電体膜１４ａを形成した後、第１誘電体膜１１等を、実施の形態５で説明した方法により形成して、実施の形態２に係る情報記録媒体２００を製造することができる。
【０２３８】
なお、実施の形態２の変形例として説明した、中間分離層２と第１誘電体膜２１との間、または中間分離層３と第１誘電体膜３１との間に、第３誘電体膜１４ａを形成する情報記録媒体についても、中間分離層２、３上に第３誘電体膜１４ａを形成することにより製造できる。
【０２３９】
（実施の形態７）
実施の形態３で説明した光学的情報記録媒体の製造方法を、実施の形態７として説明する。光学的情報記録媒体３００の製造方法は、第３誘電体膜１４ｂを形成すること以外は、実施の形態５で説明した製造方法と同様である。以下、第３誘電体膜１４ｂの形成方法を説明する。
【０２４０】
第３誘電体膜１４ｂは第１誘電体膜１１上に形成する。第１誘電体膜１１の形成方法は実施の形態５で説明したとおりである。第３誘電体膜１４ｂは、得ようとする組成に応じて、単一の誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。導電性を有する（比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である）スパッタリングターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを実施すると、ＲＦスパッタリングを実施する場合と比較して、より高い成膜レートを達成できる。
【０２４１】
具体的には、スパッタリングターゲットの組成は、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＳｉＯ２等であってよい。
【０２４２】
また、第３誘電体膜１４ｂを複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから誘電体材料を同時に堆積させるマルチスパッタリングを実施してよい。マルチスパッタリングにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜において所望の組成比を得ることができる。
【０２４３】
第３誘電体膜１４ｂを形成した後、記録膜１２等を、実施の形態５で説明した方法により形成して、実施の形態３に係る情報記録媒体３００を製造することができる。
【０２４４】
（実施の形態８）
実施の形態８として、実施の形態１で説明した記録膜１２を形成するためのスパッタリングターゲットを説明する。本実施の形態のスパッタリングターゲットは、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含み、酸素を除いたＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍが、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （１）
（式（１）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
を満たすターゲットである。式（１）中、ｘおよびｚは、０．５≦（ｘ／ｚ）≦３．０を満たしてよい。
【０２４５】
本実施の形態のターゲットは、粉末を、高温および高圧下で焼結させた焼結体であってよい。その充填率（密度）は９０％以上であってよく、特に９５％以上であってよい。
【０２４６】
元素ＭとしてＮｂを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍの組成がＷｘＣｕｙＭｎｚＮｂ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）で表されるターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、金属Ｗ、金属Ｃｕ、金属Ｍｎ、金属Ｎｂからなる合金ターゲットであってよい。
【０２４７】
このターゲットにおいて、Ｗは、金属Ｗ粉末、ＷＯ３粉末、ＷＯ２粉末、ＷＯ２とＷＯ３の中間の酸化物の粉末、およびマグネリ相（ＷｎＯ３ｎー１）の粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｗは、特に、金属Ｗ粉末およびＷＯ３粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末の形態で含まれてよい。金属Ｗの融点は３４００℃、ＷＯ３の融点は１４７３℃であるので（岩波理化学辞典第五版等参照、以下に同じ）、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２４８】
このターゲットにおいて、Ｃｕは、金属Ｃｕ粉末、ＣｕＯ粉末、およびＣｕ２Ｏ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｃｕは、特に、金属Ｃｕ粉末およびＣｕ２Ｏ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末の形態で含まれてよい。金属Ｃｕの融点は１０８３℃、Ｃｕ２Ｏの融点は１２３０℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２４９】
このターゲットにおいて、Ｍｎは、金属Ｍｎ粉末、ＭｎＯ粉末、Ｍｎ３Ｏ４粉末、Ｍｎ２Ｏ３粉末、およびＭｎＯ２粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｍｎは、特に、金属Ｍｎ粉末、ＭｎＯ粉末、およびＭｎ３Ｏ４粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末の形態で含まれてよい。金属Ｍｎの融点は１２４０℃、ＭｎＯの融点は１８４０℃、Ｍｎ３Ｏ４の融点は１７００℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２５０】
このターゲットにおいて、Ｎｂは、金属Ｎｂ粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、およびＮｂＯｘ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ｎｂの融点は２４７０℃、Ｎｂ２Ｏ５の融点は１４８５℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２５１】
元素ＭとしてＭｏを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍの組成がＷｘＣｕｙＭｎｚＭｏ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）で表されるターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、金属Ｗ、金属Ｃｕ、金属Ｍｎ、金属Ｍｏからなる合金ターゲットであってよい。
【０２５２】
このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、およびＭｎの形態は、先に元素ＭとしてＮｂを含むターゲットに関連して説明したとおりであるので、説明を省略する。
【０２５３】
このターゲットにおいて、Ｍｏは、金属Ｍｏ粉末、およびＭｏＯ３粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｍｏは、特に、金属Ｍｏ粉末の形態で含まれてよい。金属Ｍｏの融点は２６２０℃であるので、その粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２５４】
元素ＭとしてＴａを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍの組成がＷｘＣｕｙＭｎｚＴａ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）で表されるターゲットは、金属および／または酸化物で焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、金属Ｗ、金属Ｃｕ、金属Ｍｎ、金属Ｔａの合金ターゲットであってよい。
【０２５５】
このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、およびＭｎの形態は、先に元素ＭとしてＮｂを含むターゲットに関連して説明したとおりであるので、説明を省略する。
【０２５６】
このターゲットにおいて、Ｔａは、金属Ｔａ粉末、およびＴａ２Ｏ５粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｔａの融点は２９９０℃、Ｔａ２Ｏ５の融点は１８７０℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２５７】
元素ＭとしてＴｉを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍの組成がＷｘＣｕｙＭｎｚＴｉ１００−ｘ−ｙ−ｚ（ｍｏｌ％）で表されるターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、金属Ｗ、金属Ｃｕ、金属Ｍｎ、金属Ｔｉの合金ターゲットであってよい。
【０２５８】
このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、およびＭｎの形態は、先に元素ＭとしてＮｂを含むターゲットに関連して説明したとおりであるので、説明を省略する。
【０２５９】
このターゲットにおいて、Ｔｉは、金属Ｔｉ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＴｉＯｘ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｔｉの融点は１６６０℃、ＴｉＯ２の融点は１８４０℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。
【０２６０】
いずれも、ｘ、ｙおよびｚが上記の関係を満たすように、単体金属の粉末および／または酸化物の粉末を厳密に秤量して焼結に付して、所望の組成比のターゲットが得られるようにする。
【０２６１】
上記した組成のターゲットはいずれも、製造が可能であれば、溶融ターゲットであってもよい。ターゲットの形状は特に限定されず、例えば、円盤形、矩形、または円筒形であってよい。ターゲットは、例えば、直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円盤状のターゲットであってよい。また、ターゲットは、バッキングプレートと呼ばれる銅を主成分とした板に、ＩｎやＩｎ−Ｓｎによって貼り付けて用いてよい。バッキングプレートに貼り付けた状態のターゲットを用いたスパッタリングは、スパッタリング装置内でバッキングプレートを直接的または間接的に水冷しながら実施してよい。
【０２６２】
本実施の形態のターゲットは、ＤＣスパッタリングを可能とするものであってよい。そのようなターゲットは、例えば、１×１０−２Ω・ｃｍ未満の比抵抗値を有し、特に５×１０−３Ω・ｃｍ以下の比抵抗値を有する。
【０２６３】
（実施の形態９）
実施の形態９として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態９として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図５に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体５００は、図５に示すように、Ａ面情報記録媒体５０１、貼り合わせ層５およびＢ面情報記録媒体５０２により構成される。また、Ａ面情報記録媒体５０１およびＢ面情報記録媒体５０２は、Ｌ０層６０、Ｌ１層７０およびＬ２層８０を有し、これらを構成する誘電体膜や記録膜が実施の形態１と異なるものの、その他、基板１、中間分離層２、３、カバー層４、貼り合わせ層５などは実施の形態１と同様である。
【０２６４】
Ｌ０層６０の構成について説明する。Ｌ０層１０は基板１の表面上に、第１誘電体膜６１、記録膜６２、および第２誘電体膜６３がこの順に積層されることにより形成されている。
【０２６５】
第１誘電体膜６１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜６１は、記録膜６２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜６２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
【０２６６】
第１誘電体膜１１は、Ｚｒ、Ｉｎ、ＳｎおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む膜である。また、第１誘電体膜は、その比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第１誘電体膜７１、８１についても同様である。第１誘電体膜６１は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。その組成は、例えば、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ５−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３等であってよい。
【０２６７】
第１誘電体膜６１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜６２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ０層６０の反射率が低下することがある。
【０２６８】
記録膜６２は、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、Ｔｉと、酸素とを含む。Ｔｉの酸化物は高い屈折率と低い消衰係数を有し、反射率を上げることができ、それによりＬ０層の再生光量を向上することができる。
【０２６９】
記録膜６２に含まれる、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＴｉを合わせて１００原子％としたとき、各元素の割合は、下記の式（２）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＴｉ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）          （２）
（式（２）中、１５≦ｘ≦６０、ｙ≦ｚ、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９８）
で表される。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＴｉが上記式（２）を満たす記録膜６２は、Ｌ０層６０の記録再生特性を良好にする。
【０２７０】
記録膜６２はさらにＺｎを含んでもよい。Ｚｎを含ませることにより、記録膜６２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げたり、Ａｒガスを少なくしたりしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。Ｚｎの含有量は、記録膜６２の屈折率や消衰係数に影響しないよう、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素ＭおよびＺｎの原子数を合わせて１００としたときに、３０原子％以下であってよい。
【０２７１】
記録膜６２の組成は、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−ＯやＷ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏであってよい。記録膜６２中には、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＴｉを含む複合酸化物が存在してもよい。
【０２７２】
記録膜６２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｔｉ−Ｏである場合、記録膜６２の系は、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ２−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＣｕＯ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯ２、ＷＯ３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ２−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−Ｍｎ３Ｏ４−ＴｉＯ２、およびＷＯ３−Ｃｕ２Ｏ−ＭｎＯ−ＴｉＯ２のいずれかである可能性が高い。ＴｉＯ２に代えてＴｉＯｘが存在していてもよく、ＴｉＯ２およびＴｉＯｘが混在していてもよい。上記したいずれの系も、Ｚｎを含んでよく、その場合、ＺｎはＺｎＯの形態で含まれるものと考えられる。
【０２７３】
記録膜６２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下としてよい。記録膜６２の厚さが１０ｎｍ未満であると、記録膜６２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないことがあり、その結果、チャンネルビットエラーレートが悪化する。記録膜６２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜６２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜６２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０２７４】
第２誘電体膜６３は第１誘電体膜６１と同様に、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を制御する働きを有する。また、第２誘電体膜６３は、中間分離層２側からの記録膜６２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜６２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第２誘電体膜６３はまた、中間分離層２から記録膜６２への有機物の混入を抑制したり、Ｌ０層６０と中間分離層２との密着性を確保したりする機能も併せ持つ。
【０２７５】
第２誘電体膜６３は、第１誘電体膜６１と同様の組成のものであってよい。前述のとおり、第２誘電体膜６３の組成がＬ０層６０の再生光量に及ぼす影響は、第１誘電体膜６１のそれよりも小さいため、第２誘電体膜６３の組成は特に限定されない。第２誘電体膜６３は、例えば、第１世代のアーカイバル・ディスクの誘電体膜で採用されている誘電体膜と同じ組成のものであってよい。
【０２７６】
第２誘電体膜６３は、Ｚｒ、Ｉｎ、ＳｎおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３の酸化物を含む膜である。また、第２誘電体膜は、その比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第２誘電体膜７３、８３についても同様である。
【０２７７】
第２誘電体膜６３は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。その組成は、例えば、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ５−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３等であってよい。
【０２７８】
第２誘電体膜６３の厚さは、例えば、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。厚さが５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜６２への水分の侵入を抑制できないことがある。厚さが３０ｎｍより大きいと、Ｌ０層６０の反射率が下がる。
【０２７９】
第１誘電体膜６１、記録膜６２、および第２誘電体膜６３の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜６２が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部−未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。
【０２８０】
次にＬ１層７０の構成について説明する。Ｌ１層７０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜７１、記録膜７２、および第２誘電体膜７３がこの順に積層されることにより形成されている。
【０２８１】
第１誘電体膜７１の機能および組成は、前述したＬ０層６０の第１誘電体膜６１のそれと同様である。また、第１誘電体膜７１は、中間分離層２とＬ１層７０とを密着させる役割をも有する。また第１誘電体膜７１に含まれるＺｒ量をＳｉ量よりも多くすることにより、より高い再生パワー得ることができる。これは、Ｚｒ量をＳｉ量よりも多くすることで、中間分離層２から脱離する有機物や水分が第１誘電体膜７１に及ぼす悪影響を緩和でき、再生耐久性の悪化を抑制することができるためである。
【０２８２】
第１誘電体膜７１の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層２との密着性が低下して、記録膜７２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ１層７０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜７１の厚さが５０ｎｍを超えると、第１誘電体膜７１の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０２８３】
記録膜７２の機能および組成は、前述したＬ０層６０の記録膜６２のそれと同様である。記録膜７２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜７２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜７２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜７２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０２８４】
第２誘電体膜７３の機能および組成は、前述したＬ０層６０の第２誘電体膜６３のそれと同様である。第２誘電体膜７３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜７２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ１層７０の反射率が下がることがある。
【０２８５】
次にＬ２層８０の構成について説明する。Ｌ２層８０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜８１、記録膜８２、および第２誘電体膜８３がこの順に積層されることにより形成されている。Ｌ２層８０の構成は基本的にはＬ１層７０と同様である。
【０２８６】
第１誘電体膜８１は、Ｌ１層７０の第１誘電体膜７１と同様の機能および組成を有し、したがって、Ｌ０層６０の第１誘電体膜６１と同様の機能および組成を有する。また、第１誘電体膜８１は、中間分離層３とＬ２層８０とを密着させる役割をも有する。
【０２８７】
第１誘電体膜８１の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層３との密着性が低下して、記録膜８２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ２層８０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜８１の厚さが５０ｎｍを超えると、第１誘電体膜８１の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０２８８】
記録膜８２の機能および組成は、Ｌ１層７０の記録膜７２のそれと同様であり、したがって、Ｌ０層６０の記録膜６２のそれと同様である。
【０２８９】
記録膜８２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜８２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜８２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜８２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。
【０２９０】
第２誘電体膜８３は、Ｌ１層７０の第２誘電体膜７３と同様の機能および組成を有し、したがって、Ｌ０層６０の第２誘電体膜６３と同様の機能および組成を有する。
【０２９１】
第２誘電体膜８３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜８２への水分の侵入を抑制できないことがある。３０ｎｍを超えると、Ｌ２層８０の反射率が低下することがある。
【０２９２】
第１誘電体膜６１、７１、８１、記録膜６２、７２、８２、および第２誘電体膜６３、７３，８３は、これらを構成する酸化物を混合したスパッタリングターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタリングにより形成してよい。あるいは、これらの膜は、酸素を含まない合金スパッタリングターゲットを用いて、酸素導入下でのＲＦスパッタリング、または酸素導入下でのＤＣスパッタリングにより形成してよい。あるいはまた、各酸化物のスパッタリングターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、同時にＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタリングに付す方法で、これらの膜を形成してよい（マルチスパッタリング法）。ＲＦスパッタリングとＤＣスパッタリングは同時に実施してもよい。さらに別の膜形成方法としては、金属の単体もしくは合金からなるスパッタリングターゲット、または酸化物のスパッタリングターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、必要に応じて酸素を導入しなら同時にＲＦスパッタリングする方法や、同時にＤＣスパッタリングする方法が挙げられる。あるいは、金属と酸化物を混合してなるスパッタリングターゲットを用い、酸素を導入しながら、ＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタする方法で、これらの膜を形成してよい。
【０２９３】
以上のように、本開示に係る技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
【０２９４】
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必要な必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面または詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０２９５】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【０２９６】
また、本開示における情報記録媒体は、記録マークの有無を１ビットに相当する０、１のデータとして記録再生する方式に加え、記録マークの情報を２ビットに相当する４値や３ビットに相当する８値のように多値化し、容量を２倍、３倍に高めることができる多値記録方式にも使用することができる。
【０２９７】
次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。
【実施例】
【０２９８】
（実施例１−１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１７ｎｍの表１および表２に示す組成の誘電体膜、記録膜１２として厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの表１および表２に示す組成の膜、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０２９９】
第１誘電体膜１１には実施の形態に記載のように基板１から脱離した有機物由来のＣが含まれていてもよいが、本明細書においては第１誘電体膜１１の組成へのＣの記載は省略する。以降の第１誘電体膜１１に関しても同様である。【０３００】
また、Ｃが含まれる場合は膜の付きはじめとなる基板１に近いところで、Ｃが多く含まれる傾向にもある。【０３０１】
ここで記録膜の組成は、元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記し、以降についても同様に表記する。例えば、Ｗ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６（原子％）の酸化物であればＷ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６−Ｏと表記する。但し、表中では理解の容易のため、金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記している。【０３０２】
波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．０〜１５．０％、反射率Ｒｌ≒７．５〜１６．０％である。【０３０３】
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。金属元素を合わせて１００原子％としたときにＷ量が２０〜５０原子％である組成の記録膜１２は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。それ以外の組成の記録膜１２は、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３０４】
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０３０５】
中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ１７ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍのＷ３３Ｃｕ１６Ｚｎ３４Ｍｎ１７−Ｏを、第２誘電体膜２３として厚さ７ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０３０６】
第１誘電体膜２１には実施の形態に記載のように中間分離層２から脱離した有機物由来のＣが含まれていてもよいが、本明細書においては第１誘電体膜２１の組成へのＣの記載は省略する。以降の第１誘電体膜２１に関しても同様である。【０３０７】
また、Ｃが含まれる場合は膜の付きはじめとなる中間分離層２に近いところで、Ｃが多く含まれる傾向にもある。【０３０８】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．７％、反射率Ｒｌ≒８．２％となり、透過率が約７２％となるように膜厚を決定する。【０３０９】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３１０】
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層３の厚さは約１８μｍである。【０３１１】
中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として厚さ１９ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３８ｎｍのＷ３８Ｃｕ１０Ｚｎ３８Ｍｎ１４−Ｏを、第２誘電体膜３３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０３１２】
第１誘電体膜３１には実施の形態に記載のように中間分離層３から脱離した有機物由来のＣが含まれていてもよいが、本明細書においては第１誘電体膜３１の組成へのＣの記載は省略する。以降の第１誘電体膜３１に関しても同様である。【０３１３】
また、Ｃが含まれる場合は膜の付きはじめとなる中間分離層３に近いところで、Ｃが多く含まれる傾向にもある。【０３１４】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒６．４％、反射率Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７９％となるように膜厚を決定する。【０３１５】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３１６】
その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了する。【０３１７】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０３１８】
その基板１上に、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成とし、同じ方法で形成する。【０３１９】
但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。また、波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、Ａ面情報記録媒体１０１のそれと同様、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．０〜１５．０％、反射率Ｒｌ≒７．５〜１６．０％である。【０３２０】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する（ディスクＮｏ．１−１０１〜１１２）。【０３２１】
（比較例１）
Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜１１を、厚さ１７ｎｍの（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）とし、記録膜１２を、厚さ３１ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｍｎ３６Ｚｎ２０−Ｏとすること以外は、実施例１−１と同じ構成の情報記録媒体を作製する（ディスクＮｏ．１−００１）。【０３２２】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ０層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。その結果を表１および表２に示す。【０３２３】
片面三層構造のディスクについて、反射率等は以下の方法で評価した。反射率は、反射率評価装置（パルステック製、商品名ＯＤＵ−１０００）を用いて測定する。反射率の測定には、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５であるレーザ光源を用いる。【０３２４】
信号評価のための評価装置（パルステック製、商品名ＯＤＵ−１０００）のレーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行う。記録の線速度は１３．５４ｍ／ｓ（５００ＧＢ−６倍速）および再生の線速度は９．０３ｍ／ｓ（５００ＧＢ−４倍速）とする。データビット長を５１．３ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢの情報を記録する。また再生時のパワーはＬ０層１０およびＬ１層２０に対しては１．６ｍＷ、Ｌ２層３０に対しては１．２ｍＷとする。再生光として、２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いる。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質はｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ  ｂｉｔ  ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）として評価する。本実施例においては参考値として２×Ｅ−３を信号品質の良否の基準とした。ｃ−ｂＥＲが２×Ｅ−３以下であれば信号品質は良好であると判断した。【０３２５】
また再生耐久性は、再生パワー（再生時のレーザ光のパワーの上限）の大小で評価する。具体的には、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを、線速度９．０３ｍ／ｓにて、１００万回再生し、ｃ−ｂＥＲを測定する。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを、再生時のパワーを変えて測定し、ｃ−ｂＥＲが２×Ｅ−３となるパワーを再生パワーとする。グルーブはランドよりも高い光吸収率を示し、グルーブの再生耐久性はランドのそれよりも悪くなるため、ランド再生ではなくグルーブ再生により評価を行っている。再生パワーは、絶対値ではなく、ある一つのディスクの再生パワーを基準値（１．００）とし、その基準値で規格化した値（すなわち、基準値の何倍であるか）によって評価する。本実施例では、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値としている。Ｎｏ．１−００１における再生光量（反射率Ｒ×再生パワーＰｒ）が０．０３０であるが、この再生光量では良好な再生信号品質を得られない。【０３２６】
反射率、再生耐久性および信号品質を測定した後、下記の基準により、各ディスクを総合的に評価した。評価基準は以下のとおりである。
◎：再生パワーが比較例のディスクのそれと同じか、またはそれを上回り、再生光量（Ｒ×Ｐｒ）が比較例のディスクのそれを上回り、かつｃ−ｂＥＲが１．０×Ｅ−３未満である。
○：再生パワーが比較例のディスクのそれを下回り、再生光量（Ｒ×Ｐｒ）が比較例のディスクのそれを上回る。またはｃ−ｂＥＲが１．０×Ｅ−３以上２．０×Ｅ−３以下である。
×：再生光量（Ｒ×Ｐｒ）が比較例のディスクのそれと同じか、またはそれを下回る。またはｃ−ｂＥＲが２．０×Ｅ−３よりも大きい。【０３２７】
本実施例で、総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。【０３２８】
【表１】
2018155070.tif 000003
【０３２９】
【表２】
2018155070.tif 000004
【０３３０】
ディスクＮｏ．１−１０１〜１０４とディスクＮｏ．１−００１との比較より、第１誘電体膜１１をＮｂ２Ｏ５とし、記録膜１２をＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍを含むものとすることで、Ｌ０層１０の反射率が向上し、再生光量（Ｒ×Ｐｒ）が向上することがわかる。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様にＬ０層１０の再生光量の向上が見られる。【０３３１】
ディスクＮｏ．１−１０５〜１１２は、第１誘電体膜１１に含まれる元素Ｄ１の酸化物の種類および割合を変化させたものである。ディスクＮｏ．１−００１との比較より、元素Ｄ１の酸化物を含むことにより、Ｌ０層１０の反射率が向上し、それにより再生光量も向上することが分かる。第１誘電体膜１１がＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、またはＣｅＯ２を含む場合は、再生パワーが低下する傾向にあった。第１誘電体膜１１がＮｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、およびＴａ２Ｏ５を含む場合、ディスクＮｏ．１−００１と比較して再生パワーの低下は見られない。これらの傾向はＢ面情報記録媒体１０２のＬ０層１０でも見られる。【０３３２】
（実施例１−２）
第１誘電体膜１１を厚さ１７ｎｍのＮｂ２Ｏ５、記録膜１２を厚さ３１〜３４ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｍｎ３６Ｍｏ２０−Ｏ、第２誘電体膜１３を厚さ９ｎｍの表３に示す組成の誘電体膜としたことを除いては、実施例１−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．１−１１３〜１２２）を作製する。これらのディスクについて、Ｌ０層１０のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．１−１１３〜１２２の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。結果を表３に示す。【０３３３】
【表３】
2018155070.tif 000005
【０３３４】
第２誘電体膜１３が元素Ｄ２の酸化物を含むディスクはいずれも、ディスクＮｏ．１−００１と比較して、反射率が高く、それにより再生光量も高かった。特に、第２誘電体膜１３が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉの酸化物を含む場合には、ディスクＮｏ．１−００１と比較して再生パワーの低下が無く、より高い再生光量が得られる。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様にＬ０層１０の再生光量の向上が見られる。【０３３５】
（実施例１−３）
第１誘電体膜１１を厚さ１７ｎｍの表４および表５に示す組成の誘電体膜とし、記録膜１２を厚さ３１〜３４ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｍｎ３６Ｍｏ２０−Ｏとすること以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．１−１２３〜１３３）を作製する。これらのディスクについて、Ｌ０層１０のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．１−１２３〜１３３の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。結果を表４および表５に示す。【０３３６】
【表４】
2018155070.tif 000006
【０３３７】
【表５】
2018155070.tif 000007
【０３３８】
ディスクＮｏ．１−１２３〜１２９と、ディスクＮｏ．１−１０５、１０７〜１１２（表２参照）との比較から、第１誘電体膜１１が元素Ｄ１の酸化物に加えて、Ｚｒの酸化物を含むと、元素Ｄ１の酸化物のみを含む場合と比較して、Ｌ０層１０の再生パワーの向上が見られる。また、ディスクＮｏ．１−１３０〜１３３の評価結果より、Ｚｒの酸化物の割合が大きくなるほど、反射率が低下しやすいものの、ディスクＮｏ．１−００１よりも大きい反射率および再生パワーが得られた。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様にＬ０層１０の再生パワーの向上が見られる。【０３３９】
（実施例１−４）
本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。図２の情報記録媒体２００は、基板１と第１誘電体膜１１との間に、これらに接して第３誘電体膜１４ａが設けられたＬ０層１０ａを有する情報記録媒体である。【０３４０】
本実施例では、第３誘電体膜１４ａとして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍのＮｂ２Ｏ５を、記録膜１２として厚さ３１〜３４ｎｍの表６に示す組成の膜を形成すること以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．１−１３４〜１４５、１７１〜１７３）を作製する。第３誘電体膜１４ａの成膜は、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ２雰囲気中で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３４１】
第３誘電体膜１４ａには実施の形態に記載のように基板１から脱離した有機物由来のＣが含まれていてもよいが、本明細書においては第３誘電体膜１４ａの組成へのＣの記載は省略する。以降の第３誘電体膜１４ａに関しても同様である。【０３４２】
また、Ｃが含まれる場合は膜の付きはじめとなる基板１に近いところで、Ｃが多く含まれる傾向にもある。【０３４３】
実施例および比較例のディスクについて、Ｌ０層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．１−１３４〜１４５、１７１〜１７３の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。結果を表６に示す。【０３４４】
【表６】
2018155070.tif 000008
【０３４５】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。また、ディスクＮｏ．１−１３４〜１３６と、ディスクＮｏ．１−１０１〜１０３（表１参照）との比較により、第３誘電体膜１４ａを設けることにより、再生パワー（再生耐久性）がより高くなり、再生光量が向上することが分かる。Ｂ面情報記録媒体２０２についても同様にＬ０層１０ａの再生パワーの向上が見られる。【０３４６】
（実施例１−５）
本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。図２の情報記録媒体２００は、基板１と第１誘電体膜１１との間に、これらに接して第３誘電体膜１４ａが設けられたＬ０層１０ａを有する情報記録媒体である。【０３４７】
本実施例では、第３誘電体膜１４ａとして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍのＮｂ２Ｏ５、記録膜１２として厚さ３１〜３４ｎｍの表７に示す組成の膜を形成すること以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体２００（ディスクＮｏ．１−１４６〜１６３）を作製する。第３誘電体膜１４ａの成膜は、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ２雰囲気中で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。これらのディスクについて、Ｌ０層１０ａのグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．１−１４６〜１６３の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。結果を表７に示す。【０３４８】
【表７】
2018155070.tif 000009
【０３４９】
本実施例では、記録膜１２の組成を変化させたときの反射率、再生パワー、再生光量、および信号品質を評価している。ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００−ｘ−ｙ−ｚ（原子％）で表される式（１）において、ｘが１５未満である（ディスクＮｏ．１−１４８）、又は６０を超えると（ディスクＮｏ．１−１５３）、信号品質が低下する。また、ｙがｚよりも大きくなる場合には（ディスクＮｏ．１−１５６、１−１６３）、再生パワーの低下または信号品質の低下が見られる。ｚが４０を超える場合には（ディスクＮｏ．１−１５９）、再生パワーの低下が見られる。ｘ＋ｙ＋ｚが９８を超える場合には（ディスクＮｏ．１−１６１）、再生パワーの低下および再生光量の低下が見られる。Ｂ面情報記録媒体２０２のＬ０層１０ａについても同様の傾向が見られる。【０３５０】
（実施例１−６）
本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。図２の情報記録媒体２００は、基板１と第１誘電体膜１１との間に、これらに接して第３誘電体膜１４ａが設けられたＬ０層１０ａを有する情報記録媒体である。【０３５１】
本実施例では、第３誘電体膜１４ａとして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍのＮｂ２Ｏ５、記録膜１２として厚さ３１〜３４ｎｍの表８に示す組成の膜を形成すること以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体２００（ディスクＮｏ．１−１７４〜１８５）を作製する。第３誘電体膜１４ａの成膜は、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ２雰囲気中で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。これらのディスクについて、Ｌ０層１０ａのグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．１−１７４〜１８５の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。結果を表８に示す。【０３５２】
【表８】
2018155070.tif 000010
【０３５３】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。Ｂ面情報記録媒体２０２についても同様にＬ０層１０ａの再生耐久性および再生光量の向上が見られる。【０３５４】
（実施例１−７）
本実施例では図３に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。図３の情報記録媒体３００は、第１誘電体膜１１と記録膜１２との間に、これらに接して第３誘電体膜１４ｂが設けられたＬ０層１０ｂを有する情報記録媒体である。【０３５５】
本実施例では、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍの表９に示す組成の誘電体膜を、第３誘電体膜１４ｂとして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、記録膜１２として厚さ３１〜３４ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｍｎ３６Ｍｏ２０−Ｏを形成すること以外は実施例１−１と同様にして情報記録媒体を３００（ディスクＮｏ．１−１６４〜１７０）を作製する。第３誘電体膜１４ｂの成膜は、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ２雰囲気中で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。これらのディスクについて、Ｌ０層１０ｂのグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．１−１６４〜１７０の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。結果を表９に示す。【０３５６】
【表９】
2018155070.tif 000011
【０３５７】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。Ｂ面情報記録媒体３０２についても同様にＬ０層１０ｂの再生耐久性および再生光量の向上が見られる。【０３５８】
（実施例２−１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１７ｎｍのＮｂ２Ｏ５、記録膜１２として厚さ３１ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６−Ｏ、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒１１．５％、反射率Ｒｌ≒１２．３％である。【０３５９】
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源を用いて、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３６０】
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０３６１】
中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ１７ｎｍの表１０に示す組成の誘電体膜を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍの表１０に示す組成の膜を、第２誘電体膜２３として厚さ７ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０３６２】
４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．０〜１０．０％、反射率Ｒｌ≒７．５〜１１．０％であり、透過率は６５〜７７％である。【０３６３】
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。金属元素を合わせて１００原子％としたときにＷ量が２０〜５０原子％である組成の記録膜２２は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。それ以外の組成の記録膜２２は、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３６４】
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層３の厚さは約１８μｍである。【０３６５】
中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として厚さ１９ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３８ｎｍのＷ３８Ｃｕ１０Ｚｎ３８Ｍｎ１４−Ｏを、第２誘電体膜３３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０３６６】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒６．４％、反射率Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７９％となるように膜厚を決定する。【０３６７】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３６８】
その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了する。【０３６９】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０３７０】
その基板１上に、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成である。但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。【０３７１】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する（ディスクＮｏ．２−１０１〜１０４）。【０３７２】
（比較例２）
Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１を、厚さ１７ｎｍの（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）とし、記録膜２２を、厚さ３５ｎｍのＷ３３Ｃｕ１６Ｍｎ１７Ｚｎ３４−Ｏとすること以外は、実施例２−１と同じ構成の情報記録媒体を作製する（ディスクＮｏ．２−００１）。【０３７３】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ１層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。ディスクＮｏ．２−１０１〜１０４の再生パワーは、ディスクＮｏ．２−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．２−００１である。Ｎｏ．２−００１における再生光量（反射率Ｒ×再生パワーＰｒ）が０．０４８であるが、この再生光量では良好な再生信号品質を得られない。その結果を表１０に示す。【０３７４】
【表１０】
2018155070.tif 000012
【０３７５】
ディスクＮｏ．２−１０１〜１０４とディスクＮｏ．２−００１との比較より、第１誘電体膜２１を元素Ｄ１の酸化物を含むものとし、記録膜２２をＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍを含むものとすることで、反射率が向上し、再生光量が向上することが分かる。すなわち、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせをＬ１層２０に適用した場合には、Ｌ１層２０の再生光量を向上させ得ることが確認される。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様にＬ１層２０の再生光量の向上等が見られる。【０３７６】
（実施例２−２）
本実施例では、実施の形態２の変形例として説明したように、中間分離層２と第１誘電体膜２１との間に、これらに接して第３誘電体膜を形成した構成の情報記録媒体を説明する。【０３７７】
本実施例では、第３誘電体膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜２１として厚さ１７ｎｍの表１に示す組成の誘電体膜を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍの表１１に示す組成の膜を形成すること以外は、実施例２−１と同様にして情報記録媒体（ディスクＮｏ．２−１１３〜１２４）を作製する。第３誘電体膜の成膜は、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ２雰囲気中で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３７８】
第３誘電体膜には実施の形態に記載のように中間分離層２から脱離した有機物由来のＣが含まれていてもよいが、本明細書においては第３誘電体膜の組成へのＣの記載は省略する。以降の第３誘電体膜に関しても同様である。【０３７９】
また、Ｃが含まれる場合は膜の付きはじめとなる中間分離層２に近いところで、Ｃが多く含まれる傾向にもある。【０３８０】
これらのディスクについて、Ｌ１層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．２−１１３〜１２４の再生パワーは、ディスクＮｏ．２−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．２−００１である。結果を表１１に示す。【０３８１】
【表１１】
2018155070.tif 000013
【０３８２】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。また、ディスクＮｏ．２−１０１〜１０４（表１０参照）と、ディスクＮｏ．２−１１３〜１１６との比較により、第３誘電体膜を設けることにより、反射率および再生パワー（再生耐久性）がより高くなり、再生光量が向上することが分かる。また、ディスクＮｏ．２−１１３〜１１８と、ディスクＮｏ．２−１１９〜１２４との比較より、記録膜２２において、ＣｕおよびＭｎがより多く含まれることにより、反射率が向上することが分かる。Ｂ面情報記録媒体についても同様にＬ１層の反射率および再生パワーの向上が見られる。【０３８３】
（実施例２−３）
本実施例では、図２に示す情報記録媒体２００一例を説明する。まずＡ面情報記録媒体２０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第３誘電体膜１４ａして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍのＮｂ２Ｏ５を、記録膜１２として厚さ３１ｎｍのＷ２５Ｃｕ２１Ｍｎ２８Ｔａ２１Ｚｎ５−Ｏを、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０ａの反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒１０．０％、反射率Ｒｌ≒１１．０％である。【０３８４】
第３誘電体膜１４ａおよび第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３８５】
続けて、Ｌ０層１０ａ上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０３８６】
中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ２０ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍの表１２に示す組成の膜を、第２誘電体膜２３として厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒５．５〜８．０％、反射率Ｒｌ≒６．０〜８．５％であり、透過率は６７〜７８％である。【０３８７】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。金属元素を合わせて１００原子％としたときにＷ量が２０〜５０原子％である組成の記録膜２２は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。それ以外の組成の記録膜２２は、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。【０３８８】
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層３の厚さは約１８μｍである。【０３８９】
中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として厚さ２１ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３４ｎｍのＷ３１Ｃｕ１８Ｍｎ１９Ｔａ２１Ｚｎ１１−Ｏを、第２誘電体膜３３として厚さ１９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０３９０】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒５．８％、反射率Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７９％となるように膜厚を決定する。【０３９１】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０３９２】
その後、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体２０１の作製を完了する。【０３９３】
次にＢ面情報記録媒体２０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体２０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０３９４】
その基板１上に、Ｌ０層１０ａ、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体２０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体２０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体２０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体２０１のそれらと同じ構成である。但し、Ｂ面情報記録媒体２０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体２０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。【０３９５】
最後に、Ａ面情報記録媒体２０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体２０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体２００を作製する（ディスクＮｏ．２−１２５〜１３８）。【０３９６】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ１層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。ディスクＮｏ．２−１２５〜１３８の再生パワーは、ディスクＮｏ．２−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．２−００１である。その結果を表１２に示す。【０３９７】
【表１２】
2018155070.tif 000014
【０３９８】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。Ｂ面情報記録媒体２０２についても同様にＬ１層２０の再生光量の向上等が見られる。【０３９９】
（実施例２−４）
本実施例では、図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。本実施例では、Ｌ１層２０における第１誘電体膜２１として厚さ２０ｎｍの表１３に示す膜を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍのＷ３１Ｃｕ１８Ｍｎ１９Ｔａ２１Ｚｎ１１−Ｏを形成すること以外は、実施例２−３と同様にして情報記録媒体２００（ディスクＮｏ．２−１３９〜１５０）を作製する。【０４００】
これらのディスクについて、Ｌ１層２０のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．２−１３９〜１５０の再生パワーは、ディスクＮｏ．２−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．２−００１である。結果を表１３に示す。【０４０１】
【表１３】
2018155070.tif 000015
【０４０２】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。また、ディスクＮｏ．２−１３９と、ディスクＮｏ．２−１４０〜１４４との比較により、第１誘電体膜２１において同じＩｎ２Ｏ３量でもＺｒＯ２量が多くなると再生パワーが向上している。これにより、第１誘電体膜２１のＺｒ量がＳｉ量よりも多くすることで、より高い再生パワー（再生耐久性）を有するＬ１層２０を得ることができる。【０４０３】
（実施例３−１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１７ｎｍのＮｂ２Ｏ５、記録膜１２として厚さ３１ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６−Ｏ、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒１１．５％、反射率Ｒｌ≒１２．３％である。【０４０４】
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源を用いて、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４０５】
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０４０６】
中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ１７ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍのＷ３３Ｃｕ１６Ｚｎ３４Ｍｎ１７−Ｏを、第２誘電体膜２３として厚さ７ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。【０４０７】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．８％、反射率Ｒｌ≒８．２％となり、透過率は７２％となるように膜厚を決定する。【０４０８】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて、合金ターゲットを使用して成膜する。【０４０９】
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層の厚さは約１８μｍである。【０４１０】
中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として厚さ１９ｎｍの表１４示す組成の誘電体膜を、記録膜３２として厚さ３８ｎｍの表１４に示す組成の膜を、第２誘電体膜３３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒５．０〜９．０％、反射率Ｒｌ≒５．５〜９．０％であり、透過率は約６８〜８３％である。【０４１１】
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。金属元素を合わせて１００原子％としたときにＷ量が２０〜５０原子％である組成の記録膜３２は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。それ以外の組成の記録膜３２は、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４１２】
その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了する。【０４１３】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０４１４】
その基板１上に、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成である。但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。【０４１５】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する（ディスクＮｏ．３−１０１〜１０４）。【０４１６】
（比較例３）
Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１を、厚さ１９ｎｍの（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）とし、記録膜３２を、厚さ３８ｎｍのＷ３３Ｃｕ１６Ｍｎ１７Ｚｎ３４−Ｏとすること以外は、実施例３−１と同じ構成の情報記録媒体を作製する（ディスクＮｏ．３−００１）。【０４１７】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ２層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。ディスクＮｏ．３−１０１〜１０４の再生パワーは、ディスクＮｏ．３−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．３−００１である。Ｎｏ．３−００１における再生光量（反射率Ｒ×再生パワーＰｒ）が０．０６０であるが、この再生光量では良好な再生信号品質を得られない。その結果を表１４に示す。【０４１８】
【表１４】
2018155070.tif 000016
【０４１９】
ディスクＮｏ．３−１０１〜１０４とディスクＮｏ．３−００１との比較より、第１誘電体膜３１を元素Ｄ１の酸化物を含むものとし、記録膜３２をＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍを含むものとすることで、反射率が向上し、再生光量が向上することが分かる。すなわち、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせをＬ２層３０に適用した場合には、Ｌ２層３０の再生光量を向上させ得ることが確認される。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様にＬ２層３０の再生光量の向上等が見られる。【０４２０】
（実施例３−２）
本実施例では、実施の形態２の変形例として説明したように、中間分離層３と第１誘電体膜３１との間に、これらに接して第３誘電体膜を形成した構成の情報記録媒体を説明する。【０４２１】
本実施例では、第３誘電体膜として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜３１として厚さ１７ｎｍの表１５に示す組成の誘電体膜を、記録膜３２として厚さ３５ｎｍの表１５に示す組成の膜を形成すること以外は、実施例３−１と同様にして情報記録媒体（ディスクＮｏ．３−１１３〜１２４）を作製する。第３誘電体膜の成膜は、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ２雰囲気中でＤＣ電源、パルスＤＣ電源を用いて行う。【０４２２】
第３誘電体膜には実施の形態に記載のように中間分離層３から脱離した有機物由来のＣが含まれていてもよいが、本明細書においては第３誘電体膜の組成へのＣの記載は省略する。以降の第３誘電体膜に関しても同様である。【０４２３】
また、Ｃが含まれる場合は膜の付きはじめとなる中間分離層３に近いところで、Ｃが多く含まれる傾向にもある。【０４２４】
これらのディスクについて、Ｌ２層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．３−１１３〜１２４の再生パワーは、ディスクＮｏ．３−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．３−００１である。結果を表１５に示す。【０４２５】
【表１５】
2018155070.tif 000017
【０４２６】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。また、ディスクＮｏ．３−１１３〜１１６と、ディスクＮｏ．３−１０１〜１０４との比較により、第３誘電体膜を設けることにより、再生パワー（再生耐久性）がより高くなり、再生光量が向上することが分かる。また、ディスクＮｏ．３−１１３〜１１８と、ディスクＮｏ．３−１１９〜１２４との比較より、記録膜３２において、ＣｕおよびＭｎがより多く含まれることにより、反射率が向上することが分かる。Ｂ面情報記録媒体についても同様にＬ２層の再生パワーの向上等が見られる。【０４２７】
（実施例３−３）
本実施例では、図２に示す情報記録媒体２００一例を説明する。まずＡ面情報記録媒体２０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第３誘電体膜１４ａして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍのＮｂ２Ｏ５を、記録膜１２として厚さ３１ｎｍのＷ２５Ｃｕ２１Ｍｎ２８Ｔａ２１Ｚｎ５−Ｏを、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０ａの反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒１０．０％、反射率Ｒｌ≒１１．０％である。【０４２８】
第３誘電体膜１４ａおよび第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４２９】
続けて、Ｌ０層１０ａ上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０４３０】
中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ２０ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍのＷ３１Ｃｕ１８Ｍｎ１９Ｔａ２１Ｚｎ１１−Ｏを、第２誘電体膜２３として厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒６．８％、反射率Ｒｌ≒７．５％であり、透過率は約７５％である。【０４３１】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４３２】
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層３の厚さは約１８μｍである。【０４３３】
中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として厚さ２１ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３４ｎｍの表１６示す組成の膜を、第２誘電体膜３３として厚さ１３ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒５．０〜７．０％、反射率Ｒｌ≒５．５〜７．５％、透過率が７０〜８０％となるように膜厚を決定する。【０４３４】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。金属元素を合わせて１００原子％としたときにＷ量が２０〜５０原子％である組成の記録膜２２は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。それ以外の組成の記録膜３２は、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。【０４３５】
その後、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体２０１の作製を完了する。【０４３６】
次にＢ面情報記録媒体２０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体２０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０４３７】
その基板１上に、Ｌ０層１０ａ、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体２０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体２０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体２０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体２０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体２０１のそれらと同じ構成である。但し、Ｂ面情報記録媒体２０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体２０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。【０４３８】
最後に、Ａ面情報記録媒体２０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体２０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体２００を作製する（ディスクＮｏ．３−１２５〜１３８）。【０４３９】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ２層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。ディスクＮｏ．３−１２５〜１３８の再生パワーは、ディスクＮｏ．３−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．３−００１である。その結果を表１６に示す。【０４４０】
【表１６】
2018155070.tif 000018
【０４４１】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。Ｂ面情報記録媒体２０２についても同様にＬ２層３０の再生光量の向上等が見られる。【０４４２】
（実施例３−４）
本実施例では、図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。本実施例では、Ｌ２層３０における第１誘電体膜３１として厚さ２０ｎｍの表１７に示す膜を、記録膜３２として厚さ３４ｎｍのＷ３１Ｃｕ１８Ｍｎ１９Ｔａ２１Ｚｎ１１−Ｏを形成すること以外は、実施例３−３と同様にして情報記録媒体２００（ディスクＮｏ．３−１３９〜１５０）を作製する。【０４４３】
これらのディスクについて、Ｌ２層３０のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質を評価する。ディスクＮｏ．３−１３９〜１５０の再生パワーは、ディスクＮｏ．３−００１の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．３−００１である。結果を表１７に示す。【０４４４】
【表１７】
2018155070.tif 000019
【０４４５】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。また、ディスクＮｏ．３−１３９と、ディスクＮｏ．３−１４０〜１４４との比較により、第１誘電体膜３１において同じＩｎ２Ｏ３量でもＺｒＯ２量が多くなると再生パワーが向上している。これにより、第１誘電体膜２１のＺｒ量がＳｉ量よりも多くすることで、より高い再生パワー（再生耐久性）を有するＬ２層３０を得ることができる。【０４４６】
（実施例４）
本実施例では図４に示す情報記録媒体４００の変形例として、基板１と第１誘電体膜１１との間に、これらに接して第３誘電体膜１４ａを形成した構成の情報記録媒体を説明する。【０４４７】
まずＡ面情報記録媒体の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第３誘電体膜１４ａとして厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍの表１８に示す組成の誘電体膜、記録膜１２として厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの表１８に示す組成の膜、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０がない場合のＬ０層の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．０〜１４．０％、反射率Ｒｌ≒７．５〜１５．０％である。【０４４８】
第３誘電体膜１４ａの成膜は、Ａｒ雰囲気または、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気または、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。金属元素を合わせて１００原子％としたときにＷ量が２０〜５０原子％である組成の記録膜１２は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。それ以外の組成の記録膜１２は、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリング（共スパッタリング）により成膜する。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４４９】
続けて、Ｌ０層上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０４５０】
中間分離層２上にＬ１層２０を形成する。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ１５ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３５ｎｍのＷ３８Ｃｕ１０Ｚｎ３８Ｍｎ１４−Ｏを、第２誘電体膜２３として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０およびＬ３層４０がない場合のＬ１層２０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒８．２％、反射率Ｒｌ≒８．７％となり、透過率が約７９％となるように膜厚を決定する。【０４５１】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４５２】
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層３の厚さは約１３μｍである。【０４５３】
中間分離層３上にＬ２層３０を形成する。第１誘電体膜３１として厚さ１７ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３５ｎｍのＷ４２Ｃｕ６Ｚｎ４２Ｍｎ１０−Ｏを、第２誘電体膜３３として厚さ７ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ３層４０がない場合のＬ２層３０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒６．８％、反射率Ｒｌ≒７．２％、透過率が約８３％となるように膜厚を決定する。【０４５４】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリングにより行う。【０４５５】
続けてＬ２層３０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層７を形成する。中間分離層７は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層７の厚さは約１８μｍである。【０４５６】
中間分離層７上にＬ３層４０を形成する。第１誘電体膜４１として厚さ１７ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜４２として厚さ３５ｎｍのＷ４５Ｃｕ３Ｚｎ４５Ｍｎ７−Ｏを、第２誘電体膜４３として厚さ７ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。第１誘電体膜４１および第２誘電体膜４３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ３層４０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒６．０％、反射率Ｒｌ≒６．３％となり、透過率が約８６％となるように膜厚を決定する。【０４５７】
また、第１誘電体膜４１および第２誘電体膜４３の成膜は、Ａｒ雰囲気で、ＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜４２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて、構成元素それぞれの金属ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリングにより行う。【０４５８】
その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜４３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体の作製を完了する。【０４５９】
次にＢ面情報記録媒体の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０４６０】
その基板１上に、Ｌ０層１０ａ、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０、中間分離層７、Ｌ３層４０、およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２、３および７も、Ａ面情報記録媒体のそれらと同じ構成である。【０４６１】
但し、Ｂ面情報記録媒体において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。また、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０およびＬ３層４０がない場合のＬ０層１０ａの反射率は、Ａ面情報記録媒体のそれと同様、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．０〜１４．０％、反射率Ｒｌ≒７．５〜１５．０％である。【０４６２】
最後に、Ａ面情報記録媒体の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体を作製する（ディスクＮｏ．４−１０１〜１０９）。【０４６３】
（比較例４）
Ａ面情報記録媒体とＢ面情報記録媒体の第１誘電体膜１１を、厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）とし、記録膜１２を、厚さ３１ｎｍのＷ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６−Ｏとすること、および第３誘電体膜を形成しないこと以外は、実施例４と同じ構成の情報記録媒体４００を作製する（ディスクＮｏ．４−００１）。【０４６４】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ０層のグルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。その結果を表１８に示す。【０４６５】
片面四層構造のディスクについて、反射率等は以下の方法で評価した。反射率は、反射率評価装置（パルステック製、商品名ＯＤＵ−１０００）を用いて測定する。反射率の測定には、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５であるレーザ光源を用いる。【０４６６】
信号評価のための評価装置（パルステック製、商品名ＯＤＵ−１０００）のレーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行う。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（５００ＧＢ−６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（５００ＧＢ−４倍速）とする。データビット長を５１．３ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢの情報を記録する。また再生時のパワーはＬ０層１０、Ｌ１層２０、Ｌ２層３０に対しては２．０ｍＷ、Ｌ３層４０に対しては１．５ｍＷとする。再生光として、２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いる。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質はｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ  ｂｉｔ  ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）として評価する。本実施例においては参考値として２×Ｅ−３を信号品質の良否の基準とした。ｃ−ｂＥＲが２×Ｅ−３以下であれば信号品質を良好とした。【０４６７】
また再生耐久性は、再生パワー（再生時のレーザ光のパワーの上限）の大小で評価する。具体的には、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを、線速度８．８５ｍ／ｓにて、１００万回再生し、ｃ−ｂＥＲを測定する。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを、再生時のパワーを変えて測定し、ｃ−ｂＥＲが２×Ｅ−３となるパワーを再生パワーとする。グルーブはランドよりも高い光吸収率を示し、グルーブの再生耐久性はランドのそれよりも悪くなるため、ランド再生ではなくグルーブ再生により評価を行っている。再生パワーは、絶対値ではなく、ある一つのディスクの再生パワーを基準値（１．００）とし、その基準値で規格化した値（すなわち、基準値の何倍であるか）によって評価する。本実施例では、ディスクＮｏ．４−００１の再生パワーを基準値としている。【０４６８】
総合評価は実施例１−１と同様にして実施した。ただし、総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．４−００１である。【０４６９】
【表１８】
2018155070.tif 000020
【０４７０】
ディスクＮｏ．４−１０１〜１０９とディスクＮｏ．４−００１との比較より、第１誘電体膜１１をＮｂ２Ｏ５とし、記録膜１２をＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍを含むものとすることで、再生パワーが向上し、再生光量が向上することがわかる。また、記録膜１２の組成をＣｕ量およびＭｎ量がより少なくなるように変化させると、反射率はやや低下するものの、再生パワーが向上し、結果的に再生光量を向上させることができる。Ｂ面情報記録媒体についても同様にＬ０層の再生光量の向上等が見られる。【０４７１】
（実施例５）
本実施例では、図５に示す情報記録媒体５００の一例を説明する。まずＡ面情報記録媒体５０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第１誘電体膜６１して厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、記録膜６２として厚さ３１ｎｍの表１９に示す組成の膜を、第２誘電体膜６３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層７０およびＬ２層８０がない場合のＬ０層６０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒８．０〜１４．０％、反射率Ｒｌ≒９．０〜１５．０％である。【０４７２】
第１誘電体膜６１および第２誘電体膜６３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜６２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４７３】
続けて、Ｌ０層６０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成する。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成する。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成する。中間分離層２の厚さは約２５μｍである。【０４７４】
中間分離層２上にＬ１層７０を形成する。具体的には、Ｌ１層７０の第１誘電体膜７１として厚さ２０ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜７２として厚さ３５ｎｍのＷ３１Ｃｕ１８Ｍｎ１９Ｔａ２１Ｚｎ１１−Ｏを、第２誘電体膜７３として厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層８０がない場合のＬ１層７０の反射率は、未記録状態で反射率Ｒｇ≒７．０％、反射率Ｒｌ≒７．５％であり、透過率は約７５％である。【０４７５】
第１誘電体膜７１および第２誘電体膜７３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜７２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４７６】
続けて、Ｌ１層７０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成する。中間分離層３の厚さは約１８μｍである。【０４７７】
中間分離層３上にＬ２層８０を形成する。第１誘電体膜８１として厚さ２１ｎｍの（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を、記録膜８２として厚さ３４ｎｍのＷ３１Ｃｕ１８Ｍｎ１９Ｔａ２１Ｚｎ１１−Ｏを、第２誘電体膜８３として厚さ１９ｎｍの（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜する。第１誘電体膜８１および第２誘電体膜８３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層８０の反射率が、未記録状態で反射率Ｒｇ≒５．８％、反射率Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７９％となるように膜厚を決定する。【０４７８】
また、第１誘電体膜８１および第２誘電体膜８３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行う。記録膜８２の成膜は、構成元素をすべて含む合金ターゲットを使用して、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。【０４７９】
その後、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜８３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成する。これにより、Ａ面情報記録媒体５０１の作製を完了する。【０４８０】
次にＢ面情報記録媒体５０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体５０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。【０４８１】
その基板１上に、Ｌ０層６０、中間分離層２、Ｌ１層７０、中間分離層３、Ｌ２層８０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体５０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体５０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体５０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体５０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体５０１のそれらと同じ構成である。但し、Ｂ面情報記録媒体５０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体５０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。【０４８２】
最後に、Ａ面情報記録媒体５０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体５０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体５００を作製する（ディスクＮｏ．５−１０１〜１０６）。【０４８３】
実施例および比較例の情報記録媒体のＬ０層グルーブ反射率、再生耐久性および信号品質の評価を行う。ディスクＮｏ．５−１０１〜１０６の再生パワーは、ディスクＮｏ．１−００１（比較例１）の再生パワーを基準値として規格化した値である。総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。その結果を表１９に示す。【０４８４】
【表１９】
2018155070.tif 000021
【０４８５】
実施例のディスクはいずれも、比較例のディスクよりも高い再生光量を与えた。Ｂ面情報記録媒体５０２についても同様にＬ０層６０の再生光量の向上等が見られる。
【産業上の利用可能性】
【０４８６】
本開示の情報記録媒体とその製造方法は、より高い再生光量を与える示す情報層を有するように構成されるので、高記録密度で情報を記録するのに適しており、大容量のコンテンツを記録する光ディスクに有用である。具体的にはアーカイバル・ディスク規格に準じて両面に３層ないし４層の情報層を備える、次世代の光ディスク（例えば、記録容量５００ＧＢ）に有用である。
【符号の説明】
【０４８７】
１００，２００，３００，４００，５００  情報記録媒体
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１  Ａ面情報記録媒体
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２  Ｂ面情報記録媒体
１０，１０ａ，１０ｂ，６０  Ｌ０層
２０，７０  Ｌ１層
３０，８０  Ｌ２層
４０  Ｌ３層
１２，２２，３２，４２，６２，７２，８２  記録膜
１１，２１，３１，４１，６１，７１，８１  第１誘電体膜
１３，２３，３３，４３，６３，７３，８３  第２誘電体膜
１４ａ，１４ｂ  第３誘電体膜
１  基板
２，３，７  中間分離層
４  カバー層
５  貼り合わせ層
６  レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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