(57)【要約】  不純物が添加されたＡｌＮ圧電膜を２層以上備えるマルチモルフ構造圧電素子において、２層目以降の圧電層の結晶性、圧電性の劣化を低減し、本来のマルチモルフ構造の目的である感度あるいは駆動力を向上させる。  基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された中間層と、中間層上に形成された上部電極層と、を備え、中間層は、下部電極層と上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする第１圧電体層と、第１圧電体層と上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする第１バッファ層と、第１バッファ層と上部電極層との間に形成された第１中間電極層と、第１中間電極層と上部電極層との間に形成された第２圧電体層と、を有する。
2018135178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下部電極層と、
前記下部電極層上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された上部電極層と、
を備え、
前記中間層は、
前記下部電極層と前記上部電極層との間に形成された、不純物が添加された第１圧電体層と、
前記第１圧電体層と前記上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムからなる第１バッファ層と、
前記第１バッファ層と前記上部電極層との間に形成された第１中間電極層と、
前記第１中間電極層と前記上部電極層との間に形成された不純物が添加された第２圧電体層と、
を有する、圧電素子。
【請求項２】
前記第１圧電体層及び第２圧電体層を構成する窒化アルミニウム結晶は、
スカンジウム原子を含み、前記窒化アルミニウム結晶中における一部のアルミニウム原子が前記スカンジウム原子に置換された構造を有する、
請求項１に記載の圧電素子。
【請求項３】
前記下部電極層、前記第１中間電極層、又は前記上部電極層はモリブデンを主成分とする、
請求項１又は２に記載の圧電素子。
【請求項４】
前記第１圧電体層の膜厚に対する前記第１バッファ層の膜厚の比率は、０．５％以上３０％以下である、請求項１〜３の何れかに記載の圧電素子。
【請求項５】
前記第１バッファ層と前記第１圧電体層との間に、酸素が存在しないことを特徴とする、請求項１〜４の何れかに記載の圧電素子。
【請求項６】
前記第１中間電極層の表面における算術平均粗さが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜５の何れかに記載の圧電素子。
【請求項７】
前記第１バッファ層は、無添加の窒化アルミニウムからなる、請求項１〜６の何れかに記載の圧電素子。
【請求項８】
前記中間層は、
前記第２圧電体層と前記上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムからなる第２バッファ層と、
前記第２バッファ層と前記上部電極層との間に形成された第２中間電極層と、
前記第２中間電極層と前記上部電極層との間に形成された第３圧電体層と、
を有する、
請求項１〜７の何れかに記載の圧電素子。
【請求項９】
前記第２バッファ層は、無添加の窒化アルミニウムからなる、請求項８に記載の圧電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子、及び圧電素子を用いた共振子に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化アルミニウムから成る圧電膜（以下、「ＡｌＮ圧電膜」とも呼ぶ。）は、高い耐熱性を有し、またＱ値や周波数温度係数の特性が良好である。他方で、ＡｌＮ圧電膜は、圧電定数が低い。そのため、ＭＥＭＳデバイス等にＡｌＮ圧電膜を圧電材料として用いる場合、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の他の圧電材料を用いる場合よりも高い動作電圧が必要である。【０００３】
特許文献１には、ＡｌＮ圧電膜の圧電定数を向上させるための技術が開示されている。特許文献１には、ＡｌＮ圧電膜にスカンジウムを適量添加して、ＡｌＮの結晶構造を変化させることで、ＡｌＮ圧電膜の圧電定数を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１０９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、圧電膜を用いたセンサーやアクチュエーター等において、電極層を挟んで圧電膜層を２層以上備えるマルチモルフ構造をとることで、感度や駆動力が向上することが知られている。しかしながら、特許文献１に記載されたＳｃＡｌＮ圧電膜は、スカンジウムの添加によってＡｌＮ結晶構造が歪んでしまったり、表面が荒れてしまう。このような結晶構造の歪みや表面の荒れているＳｃＡｌＮ圧電膜を複数層用いて、マルチモルフ構造とした場合、下層のＳｃＡｌＮ上の電極層や上層のＳｃＡｌＮ層の結晶性が低下してしまう。したがって２層以上の圧電層を備えたとしても２層目以降の圧電層の結晶性、圧電性が低下し、マルチモルフ構造の利点である感度や駆動力の向上という観点で改善の余地がある。【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、不純物が添加されたＡｌＮ圧電膜を２層以上備えるマルチモルフ構造圧電素子において、２層目以降の圧電層の結晶性、圧電性の劣化を低減し、本来のマルチモルフ構造の目的である感度あるいは駆動力を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る圧電素子は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された中間層と、中間層上に形成された上部電極層と、を備え、中間層は、下部電極層と上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする第１圧電体層と、第１圧電体層と上部電極層との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする第１バッファ層と、第１バッファ層と上部電極層との間に形成された第１中間電極層と、第１中間電極層と上部電極層との間に形成された第２圧電体層と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、不純物が添加されたＡｌＮ圧電膜を２層以上備えるマルチモルフ構造圧電素子において、２層目以降の圧電層の結晶性、圧電性の劣化を低減し、本来のマルチモルフ構造の目的である感度あるいは駆動力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る共振子の構造を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＡＡ´線に沿った断面の模式図である。
【図３】一実施形態に係る圧電素子の効果を検証するために行った各実験の条件を示す表である。
【図４】一実施形態に係る圧電素子の効果を検証するために行った実験の結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［実施形態］
（１．共振子の構成）
以下、添付の図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る圧電素子を用いて形成した共振子１０の一例を概略的に示す平面図である。共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ振動子であり、図１の直交座標系におけるＸＹ平面内で面内振動する。なお、本発明に係る圧電素子が用いられるのは図１に示される厚み広がり振動モードを用いた共振子に限定されず、厚み縦振動モード、ラム波振動モード、屈曲振動モード、表面波振動モードに用いられても良い。これらはタイミングデバイス、ＲＦフィルタ、デュプレクサ、超音波トランスデューサーに応用される。さらに、アクチュエーター機能を持った圧電ミラーや圧電ジャイロ、圧力センサー機能を持った圧電マイクロフォンや超音波振動センサー等に用いられても良い。
【００１１】
図１に示すように、共振子１０は、振動部１２０（圧電素子の一例である。）と、保持部１４０と、保持腕１１０を備えている。
【００１２】
振動部１２０は、ＸＹ平面に沿って平面状に広がる板状の輪郭を有している。振動部１２０は、保持部１４０の内側に設けられており、振動部１２０と保持部１４０との間には、所定の間隔で空間が形成されている。
【００１３】
保持部１４０は、ＸＹ平面に沿って振動部１２０の外側を囲むように、矩形の枠状に形成される。例えば、保持部１４０は、角柱形状の枠体から一体に形成されている。なお、保持部１４０は、振動部１２０の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。
【００１４】
保持腕１１０は、保持部１４０の内側に設けられ、振動部１２０と保持部１４０とを接続する。
【００１５】
（２．振動部の積層構造）
次に、図２を用いて本実施形態に係る振動部１２０の積層構造について説明する。図２は、図１のＡＡ´断面図である。
【００１６】
本実施形態において、振動部１２０は、基板２１上に、Ｔｉ層２２を介して下部電極層３１が積層されて形成される。そして、下部電極層３１の上には下部電極層３１を覆うように下層圧電層（第１圧電体層の一例である。）４１が積層されており、さらに下層圧電層４１の上には、バッファ層（第１バッファ層の一例である。）５１が積層されている。また、バッファ層５１の上には、中間電極層（第１中間電極層の一例である。）３２が積層され、中間電極層３２の上には、再度、上層圧電層（第２圧電体層の一例である。）４２が積層され、上層圧電層４２の上には上部電極層３３が積層されている。
【００１７】
基板２１は、例えば、厚さ１０μｍ程度の縮退したｎ形Ｓｉ（シリコン）半導体から形成されている。ｎ型ドーパントとしてＰ（リン）やＡｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）などを含むことができる。なお、基板２１は縮退したＳｉを主成分とする基板であることが好ましいがこれに限定されない。例えば基板２１は、非縮退のＳｉや、サファイア等の単結晶から形成されてもよいし、ガラスや酸化膜付きのＳｉといった非晶質な材料から形成されても良い。また、基板２１は圧電素子を形成した後にドライエッチング等により除去し、電極と圧電層の積層体からなるメンブレン構造としてもよい。
【００１８】
下部電極層３１は、例えばＴｉ層とＭｏ（モリブデン）やＡｌ（アルミニウム）、Ｒｕ（ルテチウム）、Ａｕ（金）、Ｗ(タングステン)、Ｐｔ（プラチナ）等の金属層から形成される。また、中間電極層３２、及び上部電極層３３は、例えばＭｏ（モリブデン）やＡｌ（アルミニウム）、Ａu（金）、Ｗ(タングステン)、Ｐｔ（プラチナ）等を用いて形成される。
【００１９】
下層圧電層４１、及び上層圧電層４２は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜である。下層圧電層４１、及び上層圧電層４２は、下部電極層３１や、中間電極層３２、上部電極層３３によって下層圧電層４１や、上層圧電層４２に印加される電界に応じて、ＸＹ平面の面内方向に伸縮する。この下層圧電層４１、及び上層圧電層４２の伸縮によって、振動部１２０は、Ｙ軸方向に輪郭振動する。
【００２０】
下層圧電層４１、及び上層圧電層４２の成分について説明する。下層圧電層４１、及び上層圧電層４２は、ウルツ鉱構造を有するＡｌＮ（窒化アルミニウム）結晶からなる。下層圧電層４１、及び上層圧電層４２におけるＡｌＮ結晶は、Ｓｃ（スカンジウム）原子を含み、ＡｌＮ結晶中における一部のＡｌ原子がＳｃ原子に置換された構造を有する。より具体的には、下層圧電層４１、及び上層圧電層４２を構成するＡｌＮ結晶において、Ａｌ原子の位置にＳｃ原子が存在する。なお、下層圧電層４１、及び上層圧電層４２はＳｃの代わりに、Ｍｇ及びＮｂを含む構成でもよい。この場合、ＡｌＮ結晶中のＡｌ原子はＭｇ又はＮｂ原子に置換される。ＡｌＮ結晶中のＡｌ原子がＳｃ原子やＭｇ原子、Ｎｂ原子に置換されることによって、下層圧電層４１や、上層圧電層４２の圧電特性が向上する。また、その他の元素の組み合わせ、例えばＭｇとＨｆ、ＭｇとＺｒ、を含む構成でもよい。
【００２１】
本実施形態において、下層圧電層４１、上層圧電層４２におけるＡｌ原子の数と、Ｓｃ原子の数との総量に対する、Ｓｃ原子の数の割合（以下、「Ａｌに対するＳｃの組成比）とも呼ぶ。）は、０ａｔ％より大きく５０ａｔ％以下であり、より好ましくは、３５ａｔ％以上４５ａｔ％以下である。この場合、下層圧電層４１、上層圧電層４２は、圧電定数をより向上させることができる。
【００２２】
バッファ層５１はウルツ鉱構造を有するＡｌＮ結晶から成る。バッファ層５１において、ＡｌＮ結晶にはＳｃ等は添加されていないことが好ましい。バッファ層５１が下層圧電層４１と中間電極層３２との間に形成されることによって、上層圧電層４２の結晶性や圧電性を向上させることができる。具体的には、圧電体素子がバッファ層５１を有することで、下層圧電層４１の表面粗さを吸収し、中間電極層３２の結晶性の劣化を低減することができる。これによって、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させることができる。また、バッファ層５１により下層圧電層４１の表面汚染、具体的には酸素や炭素による汚染を被覆し、その上層に形成される中間電極層３２の結晶性劣化を低減することができる。これによって、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させることができる。さらに、添加元素により歪んだ結晶構造をバッファ層により修正しその上層に形成される中間電極層３２の結晶性劣化を低減することができる。これによって、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させることができる。
【００２３】
なお、図２にでは一例としてバイモルフ構造における積層構造を示したが、本実施形態に係る圧電素子の積層構造はこれに限定されない。例えば上層圧電層４２と上部電極層３３との間に、さらに圧電層（第３圧電体層の一例である。）、バッファ層（第２バッファ層の一例である。）、及び中間電極層（第２中間電極層の一例である。）を備えるマルチモルフ構造でもよい。なお、マルチモルフ構造は圧電体層の層数が３層の構造に限定されず、３層以上の任意の層数でもよい。
【００２４】
（３．検証結果）
図３、４を参照し、本実施形態に係る圧電素子の効果について検証した実験結果について説明する。検証にあたって、比較例及び実験例についてそれぞれ圧電素子を形成し、形成した圧電素子における表面粗さと結晶性と圧電特性とをそれぞれ測定した。下層圧電層４１、バッファ層５１、上層圧電層４２の形成にあたって、所定の組成の合金ターゲットに基づき、基板２１上にスパッタリングを実施した。この検証では、下層圧電層４１、上層圧電層４２には、Ｓｃ、又はＭｇ及びＮｂが添加されたＡｌＮを用いた。また、バッファ層５１にはＡｌＮを用いている。
【００２５】
図３は各比較例、及び各実験例の条件を示す表である。上部電極層３３及び中間電極層３２として、比較例１、２及び実験例１、２では１００ｎｍのＲｕ（ルテニウム）電極を用いており実験例３〜１７では１００ｎｍのＭｏ（モリブデン）電極を用いた。また、下部電極層３１として、比較例１、２及び実験例１、２では１０ｎｍのＴｉ層と１００ｎｍのＲｕ（ルテニウム）電極とを用いており、実験例３〜１７では１０ｎｍのＴｉ層と１００ｎｍのＭｏ（モリブデン）電極とを用いた。
【００２６】
下層圧電層４１、上層圧電層４２として、比較例１及び実験例１では８００ｎｍのＭｇ及びＮｂが添加されたＡｌＮを用いており、比較例２及び実験例２〜１７では８００ｎｍのＳｃが添加されたＡｌＮを用いている。また、バッファ層５１について、比較例１、２ではバッファ層５１を形成せず、実験例１〜３では２ｎｍのＡｌＮを用いており（下層圧電層４１の膜厚に対するバッファ層５１の膜厚比率（以下、単に「膜厚比率」ともいう。）：０．３％）、実験例４では５ｎｍのＡｌＮを（膜厚比率：０．６％）、実験例５では１０ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：１．３％）を、実験例６では２０ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：２．５％）を、実験例７では５０ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：６．３％）を、実験例８では１００ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：１２．５％）を、実験例９では２００ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：２５．０％）を、実験例１０では２５０ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：３１．３％）を、実験例１１では３００ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：３７．５％）を、実験例１２〜１７では３０ｎｍのＡｌＮ（膜厚比率：３．８％）を、それぞれ用いている。
【００２７】
また、バッファ層５１の成膜にあたり、ターゲットに与えた電力は、比較例１、２及び実験例１〜１２では１．５ｋＷであり、実験例１３では１．０ｋＷ、実験例１４では０．５ｋＷ、実験例１５では０．２ｋＷ、実験例１６及び１７では０．１ｋＷである。これによって、実験例１２〜１６において、バッファ層５１の表面粗さを変化させて検証を行った。また、バッファ層５１の成膜前において、実験例１７のみＡｒエッチングにより前処理を行い、バッファ層５１と下層圧電層４１との間において、酸素が含まれないようにした。なお、バッファ層５１と下層圧電層４１との間において、酸素が含まれないようにするには、バッファ層５１と下層圧電層４１を真空一貫プロセスにより成膜するとより効果的である。
【００２８】
以上の条件で形成された圧電素子において、中間電極層３２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）［ｎｍ］と、下層圧電層４１、上層圧電層４２及び中間電極層３２の結晶性（ＸＲＤ強度）［ｃｐｓ］と、圧電特性（圧電定数ｄ33,f）［ｐｍ／Ｖ］を測定した。中間電極層３２の表面の算術平均粗さは、中間電極層３２を成膜後、その一部を抜き出して、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により測定した。また、下層圧電層４１の結晶性は、下層圧電層４１を成膜後にＸ線回折測定により行った。同様に、中間電極層３２の結晶性は中間電極層３２の成膜後に、上層圧電層４２の結晶性は上層圧電層４２の成膜後に、それぞれＸ線回折測定により行った。なお、上層圧電層４２の結晶性については下層（中間電極層３２までの分）の影響を受けるため、下層分の結晶性を差し引いた値で検証を行った。さらに、圧電特性の検証は、圧電素子の形成後に、ＡＩＸＡＣＣＴ社製ａｉｘＤＢＬＩ  ｒｅｓｅａｃｈ ｌｉｎｅ（ＴＦ  Ａｎａｌｙｚｅｒ  ２０００ｅ）を用いて、圧電定数ｄ33,fを測定することによって行った。
【００２９】
図４は、検証結果を示す表である。実験例１（バッファ層５１あり）と比較例１（バッファ層５１なし）との結果を比較すると、実験例１の圧電素子の方が各層の結晶性が高く、また、圧電定数が高いことが分かる。また、比較例１，実験例１と比較例２、実験例２との結果を比較すると、この効果は、下層圧電層４１、上層圧電層４２にＳｃＡｌＮを用いた場合の方がより高いことが分かる。さらに、比較例１、２，実験例１、２と実験例３との結果を比較すると、下部電極層３１、中間電極層３２、上部電極層３３としてＭｏを用いた方が好ましいことが分かる。
【００３０】
次に、膜厚比率を０．５％程度から４０％程度まで変化させて検証を行った実験例４〜１１の結果を参照すると、膜厚比率０．５％から３０％程度までの範囲である実験例４〜９においては圧電特性が徐々に向上しているのに対し、膜厚比率が３０％を超えた実験例１０、１１では圧電特性が劣化し始めている。この結果から、膜厚比率は０．５％程度以上３０％以下程度であることが好ましいことが分かる。これは圧電性の低いバッファ層５１の割合が下層圧電層、上層圧電層に対し大きくなったためである。
【００３１】
次に、中間電極層３２の表面粗さを変化させて検証を行った実験例１２〜１６の結果を参照すると、表面の算術平均粗さが２．０ｎｍ以下である実験例１４〜１６において、上層圧電層４２及び中間電極層３２の結晶性が著しく向上している。この結果から、中間電極層３２の表面の算術平均粗さは２．０ｎｍ以下が好ましいことが分かる。
【００３２】
さらに、バッファ層５１と下層圧電層４１との間における酸素の有無による効果を検証した実験例１６（酸素あり）、実験例１７（酸素なし）の結果を参照すると、酸素がない場合の方が、中間電極層３２と上層圧電層４２の結晶性、及び圧電特性がより向上していることが分かる。この結果から、バッファ層５１と下層圧電層４１との間には酸素がない方が好ましいことが分かる。
【００３３】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の一実施形態に係る圧電素子は、基板２１と、基板２１上に形成された下部電極層３１と、下部電極層３１上に形成された中間層と、中間層上に形成された上部電極層３３と、を備え、中間層は、下部電極層３１と上部電極層３３との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする下層圧電層４１と、下層圧電層４１と上部電極層３３との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とするバッファ層５１と、バッファ層５１と上部電極層３３との間に形成された中間電極層３２と、中間電極層３２と上部電極層３３との間に形成された上層圧電層４２と、を有する。圧電体素子がバッファ層５１を有することで、下層圧電層４１の表面粗さを吸収し、中間電極層３２の結晶性の劣化を低減することができる。これによって、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させることができる。
【００３４】
また、下層圧電層４１及び上層圧電層４２を構成する窒化アルミニウム結晶は、スカンジウム原子を含み、窒化アルミニウム結晶中における一部のアルミニウム原子がスカンジウム原子に置換された構造を有することが好ましい。この好ましい態様では、下層圧電層４１及び上層圧電層４２の圧電特性を向上させることができる。
【００３５】
また、下部電極層３１、中間電極層３２、又は上部電極層３３はモリブデンを主成分とすることが好ましい。この好ましい態様では、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させる効果を向上させることができる。
【００３６】
また、下層圧電層４１の膜厚に対するバッファ層５１の膜厚の比率は、０．５％以上３０％以下であることが好ましい。また、バッファ層５１と下層圧電層４１との間に、酸素が存在しないことも好ましい。また、中間電極層３２の表面における算術平均粗さが２．０ｎｍ以下であることも好ましい。この好ましい態様では、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させる効果を向上させることができる。
【００３７】
また、中間層は、上層圧電層４２と上部電極層３３との間に形成された、窒化アルミニウムを主成分とする他のバッファ層と、当該他のバッファ層と上部電極層３３との間に形成された他の中間電極層と、当該他の中間電極層と上部電極層３３との間に形成された他の圧電層と、を有することも好ましい。この好ましい態様では、マルチモルフ構造においても、中間電極層３２の表面に形成される上層圧電層４２の結晶性の劣化や圧電性の低下を低減させることができる。さらに、バッファ層５１や他のバッファ層は無添加の窒化アルミニウムからなることが好ましい。
【００３８】
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００３９】
１０  共振子
２１  基板
２２  層
３１  下部電極層
３２  中間電極層
３３  上部電極層
４１  下層圧電層
４２  上層圧電層
５１  バッファ層
１１０  保持腕
１２０  振動部
１４０  保持部
【図１】
2018135178.tif 000003
【図２】
2018135178.tif 000004
【図３】
2018135178.tif 000005
【図４】
2018135178.tif 000006
【国際調査報告】
2018135178.tif 000007
2018135178.tif 000008
2018135178.tif 000009
2018135178.tif 000010