(57)【要約】  反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供する。  リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記基板と前記導電膜との間に、応力調整機能を有する中間層を備え、前記中間層と前記導電膜との積層膜の波長５３２ｎｍの光における透過率が２０％以上である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、
前記基板と前記導電膜との間に、応力調整機能を有する中間層を備え、
前記中間層と前記導電膜との積層膜の波長５３２ｎｍの光における透過率が２０％以上であることを特徴とする導電膜付き基板。
【請求項２】
前記中間層は、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とする請求項１に記載の導電膜付き基板。
【請求項３】
前記中間層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢＯ、ＣｒＢＯＮ及びＣｒＢＣＯＮから選択される少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜付き基板。
【請求項４】
前記中間層の膜厚は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の導電膜付き基板。
【請求項５】
前記導電膜は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）及び銅（Ｃｕ）から選択される少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一つに記載の導電膜付き基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の導電膜付き基板の前記導電膜が形成されている側とは反対側の主表面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
【請求項７】
前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項８】
請求項６に記載の多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上、又は請求項７に記載の前記保護膜上に、吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項９】
請求項８に記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされた吸収体パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項１０】
ＥＵＶ光を発する露光光源を有する露光装置に、請求項９に記載の反射型マスクをセットし、被転写基板上に形成されているレジスト膜に転写パターンを転写する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造などに使用される露光用マスクを製造するための導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造における露光装置の光源の種類は、波長４３６ｎｍのｇ線、同３６５ｎｍのｉ線、同２４８ｎｍのＫｒＦレーザ、同１９３ｎｍのＡｒＦレーザと、波長を徐々に短くしながら進化してきており、より微細なパターン転写を実現するため、波長が１３．５ｎｍ近傍の極端紫外線 (ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ)を用いたＥＵＶリソグラフィーが開発されている。ＥＵＶリソグラフィーでは、ＥＵＶ光に対して透明な材料が少ないことから、反射型のマスクが用いられる。この反射型マスクでは、低熱膨張基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、当該多層反射膜を保護するための保護膜の上に、所望の転写用パターンが形成されたマスク構造を基本構造としている。また、転写用パターンの構成から、代表的なものとして、ＥＵＶ光を十分吸収する比較的厚い吸収体パターンからなるバイナリー型反射マスクと、ＥＵＶ光を光吸収により減光させ、且つ多層反射膜からの反射光に対してほぼ位相が反転（約１８０°の位相反転）した反射光を発生させる比較的薄い吸収体パターンからなる位相シフト型反射マスク（ハーフトーン位相シフト型反射マスク）がある。この位相シフト型反射マスク（ハーフトーン位相シフト型反射マスク）は、透過型光位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果によって高い転写光学像コントラストが得られるので解像度向上効果がある。また、位相シフト型反射マスクの吸収体パターン（位相シフトパターン）の膜厚が薄いことから精度良く微細な位相シフトパターンを形成できる。【０００３】
多層反射膜及び吸収体膜の成膜は、スパッタリング等の成膜方法を用いて成膜されることが一般的である。その成膜の際、反射型マスクブランク用基板は、成膜装置内に、支持手段によって支持される。基板の支持手段として、静電チャックが用いられている。そのため、ガラス基板等の絶縁性の反射型マスクブランク用基板の裏面（多層反射膜等が形成される表面とは反対側の面）には、静電チャックによる基板の固定を促進するために、導電膜（裏面導電膜）が形成される。【０００４】
導電膜付き基板の例として、特許文献１には、ＥＵＶリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付き基板であって、前記導電膜はクロム（Ｃｒ）及び窒素（Ｎ）を含有し、前記導電膜におけるＮの平均濃度が０．１ａｔ％以上４０ａｔ％未満であり、前記導電膜の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスであり、前記導電膜の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、前記導電膜は、基板側におけるＮ濃度が低く、表面側におけるＮ濃度が高くなるように、導電膜中のＮ濃度が該導電膜の厚さ方向に沿って変化した傾斜組成膜であることを特徴とする導電膜付き基板が記載されている。【０００５】
特許文献２には、フォトリソグラフィー用の転写用マスクの誤差を補正する方法が記載されている。具体的には、特許文献２には、転写用マスクの基板に対してフェムト秒レーザパルスを局所的に照射することにより、基板表面又は基板内部を改質して、転写用マスクの誤差を補正することが記載されている。特許文献２には、フェムト秒レーザパルスを発生させるレーザとしては、サファイアレーザ（波長８００ｎｍ）及びＮｄ−ＹＡＧレーザ（５３２ｎｍ）等が例示されている。【０００６】
特許文献３には、基板の後面上に堆積させたコーティングを含むフォトリソグラフィーマスクのための基板が記載されている。特許文献３には、コーティングが、少なくとも１つの金属を含む少なくとも１つの第１の層、及び少なくとも１つの金属窒化物を含む少なくとも１つの第２の層を含むことが記載されている。また、少なくとも１つの金属は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ウォルフラム（Ｗ）、インジウム（Ｉｎ）、プラチナ（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び／又は亜鉛（Ｚｎ）、及び／又はこれらの金属のうちの少なくとも２つの混合物を含むことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４９７８６２６号公報
【特許文献２】特許第５８８３２４９号公報
【特許文献３】特許第６１０７８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２には、レーザビームにより、フォトリソグラフィー用のマスクの誤差を補正する方法が記載されている。特許文献２に記載の技術を反射型マスクに適用する際には、基板の第２主表面（裏面）側からレーザビームを照射することが考えられる。しかしながら、反射型マスクの基板の第２主表面には、クロム（Ｃｒ）等を含む材料からなる裏面導電膜（単に「導電膜」という場合がある。）が配置されているので、レーザビームを透過しにくいという問題が生じる。【０００９】
そこで、本発明は、反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを提供することを目的とする。また、本発明は、反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板、多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。【００１１】
（構成１）
リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、
前記基板と前記導電膜との間に、応力調整機能を有する中間層を備え、
前記中間層と前記導電膜との積層膜の波長５３２ｎｍの光における透過率が２０％以上であることを特徴とする導電膜付き基板。【００１２】
（構成２）
前記中間層は、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とする構成１に記載の導電膜付き基板。【００１３】
（構成３）
前記中間層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢＯ、ＣｒＢＯＮ及びＣｒＢＣＯＮから選択される少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とする構成１又は２に記載の導電膜付き基板。【００１４】
（構成４）
前記中間層の膜厚は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする構成１乃至３の何れか一つに記載の導電膜付き基板。【００１５】
（構成５）
前記導電膜は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）及び銅（Ｃｕ）から選択される少なくとも一つを含む材料からなることを特徴とする構成１乃至４の何れか一つに記載の導電膜付き基板。【００１６】
（構成６）
構成１乃至５の何れかに記載の導電膜付き基板の前記導電膜が形成されている側とは反対側の主表面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。【００１７】
（構成７）
前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする構成６に記載の多層反射膜付き基板。【００１８】
（構成８）
構成６に記載の多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上、又は構成７に記載の前記保護膜上に、吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。【００１９】
（構成９）
構成８に記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされた吸収体パターンを有することを特徴とする反射型マスク。【００２０】
（構成１０）
ＥＵＶ光を発する露光光源を有する露光装置に、構成９に記載の反射型マスクをセットし、被転写基板上に形成されているレジスト膜に転写パターンを転写する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の反射型マスクブランクによれば、反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを提供することができる。また、本発明によれば、反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板、多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る導電膜付き基板の構成の一例を示す要部断面模式図である。
【図２】本発明に係る反射型マスクブランクの概略構成を説明するための要部断面模式図である。
【図３】反射型マスクブランクから反射型マスクを作製する工程を要部断面模式図にて示した工程図である。
【図４】実施例１の吸収体膜の厚さと波長１３．５ｎｍの光に対する反射率との関係を示す図である。
【図５】Ｐｔ膜からなる裏面導電膜の各膜厚の透過率スペクトルを示す図である。
【図６】裏面導電膜をＰｔ膜として中間層をＳｉ３Ｎ４膜とした場合の、中間層の膜厚変化に対する透過率変化を示す図である。
【図７】裏面導電膜をＰｔ膜として中間層をＳｉＯ２膜とした場合の、中間層の膜厚変化に対する透過率変化を示す図である。
【図８】裏面導電膜をＰｔ膜として中間層をＴａＢＯ膜とした場合の、中間層の膜厚変化に対する透過率変化を示す図である。
【図９】裏面導電膜をＰｔ膜として中間層をＣｒＯＣＮ膜とした場合の、中間層の膜厚変化に対する透過率変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化する際の一形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。なお、図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
【００２４】
本発明は、マスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板である。マスクブランク用基板の主表面（main surface）のうち、導電膜（「裏面導電膜」ともいう。）が形成される主表面を、「裏面（back surface）」という。また、本発明は、導電膜付き基板の導電膜が形成されていない主表面（「表面（front surface）」という場合がある。）の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板である。
【００２５】
また、本発明は、多層反射膜付き基板の多層反射膜の上に吸収体膜を含むマスクブランク用多層膜を有する反射型マスクブランクである。
【００２６】
図１は、本発明の導電膜付き基板５０の一例を示す模式図である。本発明の導電膜付き基板５０は、マスクブランク用基板１の裏面の上に、裏面導電膜５が形成された構造を有する。なお、本明細書において、導電膜付き基板５０とは、少なくとも基板１の裏面に裏面導電膜５が形成されたものであり、他の主表面の上に多層反射膜２が形成されたもの、及び更に吸収体膜４が形成されたもの（反射型マスクブランク１００）等も、導電膜付き基板５０に含まれる。本明細書では、裏面導電膜５を、単に導電膜５という場合がある。
【００２７】
＜反射型マスクブランクの構成及びその製造方法＞
図２は、本発明に係る反射型マスクブランクの構成を説明するための要部断面模式図である。同図に示されるように、反射型マスクブランク１００は、基板１と、第１主面（表面）側に形成された露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜２と、当該多層反射膜２を保護するために設けられ、後述する吸収体膜４をパターニングする際に使用するエッチャント及び洗浄液に対して耐性を有する材料で形成される保護膜３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４とを有し、これらがこの順で積層されるものである。また、基板１の第２主面（裏面）側には、静電チャック用の裏面導電膜５が形成される。
【００２８】
本明細書において、「マスクブランク用基板１の主表面の上に、多層反射膜２を有する」とは、多層反射膜２が、マスクブランク用基板１の表面に接して配置されることを意味する場合の他、マスクブランク用基板１と、多層反射膜２との間に他の膜を有することを意味する場合も含む。他の膜についても同様である。例えば「膜Ａの上に膜Ｂを有する」とは、膜Ａと膜Ｂとが直接、接するように配置されていることを意味する他、膜Ａと膜Ｂとの間に他の膜を有する場合も含む。また、本明細書において、例えば「膜Ａが膜Ｂの表面に接して配置される」とは、膜Ａと膜Ｂとの間に他の膜を介さずに、膜Ａと膜Ｂとが直接、接するように配置されていることを意味する。
【００２９】
本明細書において、例えば、中間層６は、「ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも一つを含む材料からなる」とは、中間層６が、少なくとも、実質的に、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも一つを含む材料で構成されていることを意味する。また、中間層６が、「ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも一つを含む材料からなる」とは、中間層６が、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも一つを含む材料のみからなることを意味する場合がある。また、いずれの場合も、不可避的に混入する不純物が、中間層６に含まれることを含む。他の膜、例えば導電膜５についても同様である。
【００３０】
以下、各層ごとに説明をする。
＜＜基板＞＞
基板１は、ＥＵＶ光による露光時の熱による吸収体パターンの歪みを防止するため、０±５ｐｐｂ／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。
【００３１】
基板１の転写パターン（後述の吸収体膜がこれを構成する）が形成される側の第１主面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。ＥＵＶ露光の場合、基板１の転写パターンが形成される側の主表面の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．０５μｍ以下、特に好ましくは０．０３μｍ以下である。また、吸収体膜が形成される側と反対側の第２主面は、露光装置にセットするときに静電チャックされる面であって、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．０５μｍ以下、特に好ましくは０．０３μｍ以下である。なお、反射型マスクブランク１００における第２主面側の平坦度は、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．５μｍ以下、特に好ましくは０．３μｍ以下である。
【００３２】
また、基板１の表面平滑度の高さも極めて重要な項目であり、転写用吸収体パターンが形成される基板１の第１主面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１ｎｍ以下であることが好ましい。なお、表面平滑度は、原子間力顕微鏡で測定することができる。
【００３３】
更に、基板１は、その上に形成される膜（多層反射膜２など）の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。
【００３４】
＜＜多層反射膜＞＞
多層反射膜２は、反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する機能を付与するものであり、屈折率の異なる元素を主成分とする各層が周期的に積層された多層膜の構成となっている。
【００３５】
一般的には、高屈折率材料である軽元素又はその化合物の薄膜（高屈折率層）と、低屈折率材料である重元素又はその化合物の薄膜（低屈折率層）とが交互に４０から６０周期程度積層された多層膜が、多層反射膜２として用いられる。多層膜は、基板１側から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層した高屈折率層／低屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層してもよいし、基板１側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層した低屈折率層／高屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層してもよい。なお、多層反射膜２の最表面の層、即ち多層反射膜２の基板１と反対側の表面層は、高屈折率層とすることが好ましい。上述の多層膜において、基板１から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層した高屈折率層／低屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層する場合は最上層が低屈折率層となる。この場合、低屈折率層が多層反射膜２の最表面を構成すると容易に酸化されてしまい反射型マスクの反射率が減少する。そのため、最上層の低屈折率層上に高屈折率層を更に形成して多層反射膜２とすることが好ましい。一方、上述の多層膜において、基板１側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層した低屈折率層／高屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層する場合は、最上層が高屈折率層となるので、そのままでよい。
【００３６】
本実施形態において、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）を含む層が採用される。Ｓｉを含む材料としては、Ｓｉ単体の他に、Ｓｉに、ボロン（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、及び酸素（Ｏ）を含むＳｉ化合物でもよい。Ｓｉを含む層を高屈折率層として使用することによって、ＥＵＶ光の反射率に優れたＥＵＶリソグラフィー用反射型マスクが得られる。また、本実施形態において基板１としてはガラス基板が好ましく用いられる。Ｓｉはガラス基板との密着性においても優れている。また、低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び白金（Ｐｔ）から選ばれる金属単体、又はこれらの合金が用いられる。例えば波長１３ｎｍから１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜２としては、好ましくはＭｏ膜とＳｉ膜を交互に４０から６０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が用いられる。なお、多層反射膜２の最上層である高屈折率層をケイ素（Ｓｉ）で形成し、当該最上層（Ｓｉ）とＲｕ系保護膜３との間に、ケイ素と酸素とを含むケイ素酸化物層を形成するようにしてもよい。これにより、マスク洗浄耐性を向上させることができる。
【００３７】
このような多層反射膜２の単独での反射率は通常６５％以上であり、上限は通常７３％である。なお、多層反射膜２の各構成層の厚み、周期は、露光波長により適宜選択すればよく、ブラッグ反射の法則を満たすように選択される。多層反射膜２において高屈折率層及び低屈折率層はそれぞれ複数存在するが、高屈折率層同士、そして低屈折率層同士の厚みが同じでなくてもよい。また、多層反射膜２の最表面のＳｉ層の膜厚は、反射率を低下させない範囲で調整することができる。最表面のＳｉ（高屈折率層）の膜厚は、３ｎｍから１０ｎｍとすることができる。
【００３８】
多層反射膜２の形成方法は当該技術分野において公知である。例えばイオンビームスパッタリング法により、多層反射膜２の各層を成膜することで形成できる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタリング法により、先ずＳｉターゲットを用いて厚さ４ｎｍ程度のＳｉ膜を基板１上に成膜し、その後Ｍｏターゲットを用いて厚さ３ｎｍ程度のＭｏ膜を成膜し、これを１周期として、４０から６０周期積層して、多層反射膜２を形成する（最表面の層はＳｉ層とする）。また、多層反射膜２の成膜の際に、イオン源からクリプトン（Ｋｒ）イオン粒子を供給して、イオンビームスパッタリングを行うことにより多層反射膜２を形成することが好ましい。
【００３９】
＜＜保護膜＞＞
保護膜３は、後述する反射型マスクの製造工程におけるドライエッチング及び洗浄から多層反射膜２を保護するために、多層反射膜２の上に形成される。また、電子線（ＥＢ）を用いた吸収体パターンの黒欠陥修正の際の多層反射膜２の保護も兼ね備える。ここで、図２では保護膜３が１層の場合を示しているが、３層以上の積層構造とすることもできる。例えば、最下層と最上層を、上記Ｒｕを含有する物質からなる層とし、最下層と最上層との間に、Ｒｕ以外の金属、若しくは合金を介在させた保護膜３としても構わない。例えば、保護膜３は、ルテニウムを主成分として含む材料により構成されることができる。すなわち、保護膜３の材料は、Ｒｕ金属単体でもよいし、Ｒｕにチタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、ランタン（Ｌａ）、コバルト（Ｃｏ）、及びレニウム（Ｒｅ）などから選択される少なくとも１種の金属を含有したＲｕ合金であってよく、窒素を含んでいても構わない。このような保護膜３は、特に、吸収体膜４をＣｏ−Ｘアモルファス金属又はＮｉ−Ｘアモルファス金属材料とし、Ｃｌ系ガスのドライエッチングで当該吸収体膜４をパターニングする場合に有効である。
【００４０】
このＲｕ合金のＲｕ含有比率は５０原子％以上１００原子％未満、好ましくは８０原子％以上１００原子％未満、更に好ましくは９５原子％以上１００原子％未満である。特に、Ｒｕ合金のＲｕ含有比率が９５原子％以上１００原子％未満の場合は、保護膜への多層反射膜構成元素（ケイ素）の拡散を抑えつつ、ＥＵＶ光の反射率を十分確保しながら、マスク洗浄耐性、吸収体膜をエッチング加工したときのエッチングストッパ機能、及び多層反射膜経時変化防止の保護膜機能を兼ね備えることが可能となる。
【００４１】
ＥＵＶリソグラフィーでは、露光光に対して透明な物質が少ないので、マスクパターン面への異物付着を防止するＥＵＶペリクルが技術的に簡単ではない。このことから、ペリクルを用いないペリクルレス運用が主流となっている。また、ＥＵＶリソグラフィーでは、ＥＵＶ露光によってマスクにカーボン膜が堆積したり、酸化膜が成長したりするといった露光コンタミネーションが起こる。そのため、ＥＵＶ反射型マスクを半導体装置の製造に使用している段階で、度々洗浄を行ってマスク上の異物やコンタミネーションを除去する必要がある。このため、ＥＵＶ反射型マスクでは、光リソグラフィー用の透過型マスクに比べて桁違いのマスク洗浄耐性が要求されている。Ｔｉを含有したＲｕ系保護膜を用いると、硫酸、硫酸過水（ＳＰＭ）、アンモニア、アンモニア過水（ＡＰＭ）、ＯＨラジカル洗浄水あるいは濃度が１０ｐｐｍ以下のオゾン水などの洗浄液に対する洗浄耐性が特に高く、マスク洗浄耐性の要求を満たすことが可能となる。
【００４２】
このようなＲｕ又はその合金などにより構成される保護膜３の厚みは、その保護膜としての機能を果たすことができる限り特に制限されない。ＥＵＶ光の反射率の観点から、保護膜３の厚みは、好ましくは、１．０ｎｍから８．０ｎｍ、より好ましくは、１．５ｎｍから６．０ｎｍである。
【００４３】
保護膜３の形成方法としては、公知の膜形成方法と同様のものを特に制限なく採用することができる。具体例としては、スパッタリング法及びイオンビームスパッタリング法が挙げられる。
【００４４】
＜＜吸収体膜＞＞
反射型マスクブランク１００は、上述の多層反射膜付き基板の上に、吸収体膜４を有する。すなわち、吸収体膜４は、多層反射膜２の上（保護膜３が形成されている場合には、保護膜３の上）に形成される。
【００４５】
吸収体膜４の材料としては、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、エッチング等により加工が可能（好ましくは塩素（Ｃｌ）及びフッ素（Ｆ）系ガスのドライエッチングでエッチング可能）である限り、特に限定されない。そのような機能を有するものとして、タンタル（Ｔａ）単体又はＴａを含む材料を用いることができる。
【００４６】
Ｔａを含む材料としては、例えば、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢと、Ｏ及びＮのうち少なくとも１つとを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、ＴａとＰｄを含む材料、ＴａとＲｕを含む材料、及びＴａとＴｉを含む材料等を挙げることができる。
【００４７】
吸収体膜４は、例えば、Ｎｉ単体、Ｎｉを含む材料、Ｃｒ単体、Ｃｒを含む材料、Ｒｕ単体、Ｒｕを含む材料、Ｐｄ単体、Ｐｄを含む材料、Ｍｏ単体、及び、Ｍｏを含有する材料からなる群から選択される少なくとも１つを含む材料により形成することができる。
【００４８】
また、ＥＵＶリソグラフィーでは、光透過率の関係から多数の反射鏡からなる投影光学系が用いられている。そして、反射型マスクに対してＥＵＶ光を斜めから入射させて、これらの複数の反射鏡が投影光（露光光）を遮らないようにしている。入射角度は、現在、反射型マスク基板垂直面に対して６°とすることが主流である。投影光学系の開口数（ＮＡ）の向上とともに８°程度のより斜入射となる角度にする方向で検討が進められている。
【００４９】
ＥＵＶリソグラフィーでは、露光光が斜めから入射されるため、シャドーイング効果と呼ばれる固有の問題がある。シャドーイング効果とは、立体構造を持つ吸収体パターンへ露光光が斜めから入射されることにより影ができ、転写形成されるパターンの寸法や位置が変わる現象のことである。吸収体パターンの立体構造が壁となって日陰側に影ができ、転写形成されるパターンの寸法や位置が変わる。例えば、配置される吸収体パターンの向きが斜入射光の方向と平行となる場合と垂直となる場合とで、両者の転写パターンの寸法と位置に差が生じ、転写精度を低下させる。
【００５０】
パターンを微細にするほど、及びパターン寸法やパターン位置の精度を高めるほど半導体装置の電気特性性能が上がり、また、集積度向上やチップサイズを低減できるため、ＥＵＶリソグラフィーには従来よりも一段高い高精度微細寸法パターン転写性能が求められている。現在では、ｈｐ１６ｎｍ（ｈａｌｆ  ｐｉｔｃｈ  １６ｎｍ）世代対応の超微細高精度パターン形成が要求されている。このような要求に対し、シャドーイング効果を小さくするために、更なる薄膜化が求められている。特に、ＥＵＶ露光の場合において、吸収体膜（位相シフト膜）４の膜厚を６０ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ以下とすることが要求されている。
【００５１】
反射型マスクブランク１００の吸収体膜（位相シフト膜）４を形成する材料としてＴａが用いられてきた。しかし、ＥＵＶ光（例えば、波長１３．５ｎｍ）におけるＴａの屈折率ｎが約０．９４３であり、その位相シフト効果を利用しても、Ｔａのみで形成される吸収体膜（位相シフト膜）４の薄膜化は６０ｎｍが限界である。より薄膜化を行うためには、例えば、バイナリー型反射型マスクブランクの吸収体膜４としては、消衰係数ｋが高い（吸収効果が高い）金属材料を用いることができる。波長１３．５ｎｍにおける消衰係数ｋが大きい金属材料としては、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）がある。しかし、Ｃｏ及びＮｉは磁性を有するため、これらの材料を用いて成膜された吸収体膜上のレジスト膜に対して電子線描画を行うと、設計値通りのパターンが描画できない可能性が懸念される。
【００５２】
そこで、上記の点に鑑み、反射型マスクのシャドーイング効果をより低減するとともに、微細で高精度な位相シフトパターンを形成できる反射型マスクブランク１００を得るために、吸収体膜４を以下の構成とすることができる。すなわち、吸収体膜４は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、ドライエッチングにより加工が可能な材料として、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも１以上の元素を含有するアモルファス金属を含む材料からなる。吸収体膜４をコバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）を含む構成とすることにより、消衰係数ｋを０．０３５以上とすることができ、吸収体膜４の薄膜化が可能となる。また、吸収体膜４をアモルファス金属とすることにより、エッチング速度を速めたり、パターン形状を良好にしたり加工特性を向上させることが可能となる。
【００５３】
アモルファス金属としては、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも１以上の元素に、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イットリウム（Ｙ）及びリン（Ｐ）のうち少なくとも１以上の元素（Ｘ）を添加したものが挙げられる。
【００５４】
これらの添加元素（Ｘ）のうち、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹは、非磁性金属材料である。そのため、Ｃｏ又はＮｉに添加してＣｏ−Ｘ合金又はＮｉ−Ｘ合金とすることによって、軟磁性のアモルファス金属とすることができ、吸収体膜４を構成する材料の磁性を抑制することが可能となる。これにより、電子線描画の際に影響を及ぼすことなく、良好なパターン描画を行うことができる。
【００５５】
添加元素（Ｘ）がＺｒ、Ｈｆ及びＹの場合、Ｃｏ−Ｘ合金又はＮｉ−Ｘ合金における添加元素（Ｘ）の含有比率は３原子％以上が好ましく、１０原子％以上がより好ましい。Ｚｒ、Ｈｆ及びＹの含有比率が３原子％未満の場合には、Ｃｏ−Ｘ合金又はＮｉ−Ｘ合金がアモルファス化しにくい。
【００５６】
また、添加元素（Ｘ）がＷ、Ｎｂ、Ｔａ及びＴｉの場合には、Ｃｏ−Ｘ合金又はＮｉ−Ｘ合金における添加元素（Ｘ）の含有比率は１０原子％以上が好ましく、１５原子％以上がより好ましい。Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ及びＴｉの含有比率が１０原子％未満の場合には、Ｃｏ−Ｘ合金又はＮｉ−Ｘ合金がアモルファス化しにくい。
【００５７】
添加元素（Ｘ）がＰの場合、ＮｉＰにおけるＰの含有比率は９原子％以上、より好ましくは１９原子％以上とすることにより、非磁性のアモルファス金属とすることができ、吸収体膜を構成する材料の磁性をなくすことが可能となる。Ｐの含有比率が９原子％未満の場合には、ＮｉＰは磁性を有し、アモルファス化しにくい。
【００５８】
また、Ｃｏ−Ｘ合金又はＮｉ−Ｘ合金における添加元素（Ｘ）の含有比率は、波長１３．５ｎｍにおける消衰係数ｋが０．０３５未満とならないように調整される。したがって、添加元素（Ｘ）の含有比率は、９７原子％以下が好ましく、５０原子％以下がより好ましく、２４原子％以下が更に好ましい。特に、単体での消衰係数ｋが約０．０３５未満であるＮｂ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＹは、２４原子％以下が好ましい。
【００５９】
また、上記添加元素（Ｘ）の他に、屈折率及び消衰係数に大きく影響を与えない範囲で、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）又はホウ素（Ｂ）等の他の元素を含んでもよい。
【００６０】
このようなアモルファス金属からなる吸収体膜４は、ＤＣスパッタリング法及びＲＦスパッタリング法などのマグネトロンスパッタリング法といった公知の方法で形成することができる。また、ターゲットは、Ｃｏ−Ｘ金属ターゲット又はＮｉ−Ｘ金属ターゲットを用いてもよいし、Ｃｏターゲット又はＮｉターゲットと、添加元素（Ｘ）のターゲットとを用いたコースパッタリングとすることもできる。
【００６１】
吸収体膜４は、バイナリー型の反射型マスクブランクとしてＥＵＶ光の吸収を目的とした吸収体膜４であっても良いし、位相シフト型の反射型マスクブランクとしてＥＵＶ光の位相差も考慮した位相シフト機能を有する吸収体膜４であっても良い。
【００６２】
ＥＵＶ光の吸収を目的とした吸収体膜４の場合、吸収体膜４に対するＥＵＶ光の反射率が２％以下、好ましくは１％以下となるように、膜厚が設定される。また、シャドーイング効果を抑制するために、吸収体膜の膜厚は、６０ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ以下とすることが求められる。例えば、図４に点線で示すように、吸収体膜４をＮｉＴａ合金膜で形成した場合、膜厚を３９．８ｎｍとすることで、１３．５ｎｍでの反射率を０．１１％とすることができる。
【００６３】
位相シフト機能を有する吸収体膜４の場合、吸収体膜４が形成されている部分では、ＥＵＶ光を吸収して減光しつつパターン転写に悪影響がないレベルで一部の光を反射させて、保護膜３を介して多層反射膜２から反射してくるフィールド部からの反射光と所望の位相差を形成するものである。吸収体膜４は、吸収体膜４からの反射光と、多層反射膜２からの反射光との位相差が、１６０°から２００°となるように形成される。１８０°近傍の反転した位相差の光同士がパターンエッジ部で干渉し合うことにより、投影光学像の像コントラストが向上する。その像コントラストの向上にともなって解像度が上がり、露光量裕度、焦点裕度等の露光に関する各種裕度が拡がる。パターンや露光条件にもよるが、一般的には、この位相シフト効果を十分得るための吸収体膜４の反射率の目安は、絶対反射率で１％以上であり、多層反射膜（保護膜付き）に対する反射比で２％以上である。
【００６４】
位相シフト機能を有する吸収体膜（位相シフト膜）４の材料としては、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むＴａＴｉ系材料が好ましい。ＴａＴｉ系材料は、ＴａＴｉ合金、並びに、該ＴａＴｉ合金に酸素、窒素、炭素及びホウ素のうち少なくとも一つを含有したＴａＴｉ化合物が挙げられる。ＴａＴｉ化合物としては、例えば、ＴａＴｉＮ、ＴａＴｉＯ、ＴａＴｉＯＮ、ＴａＴｉＣＯＮ、ＴａＴｉＢ、ＴａＴｉＢＮ、ＴａＴｉＢＯ、ＴａＴｉＢＯＮ、及びＴａＴｉＢＣＯＮなどを適用することができる。ＴｉはＴａに比べて消衰係数が小さいため、位相効果を得る上で十分な反射率を得ることができる。例えば、ＴａＴｉＮ膜の１３．５ｎｍにおける屈折率ｎは約０．９３７、消衰係数ｋは約０．０３０である。位相シフト膜（吸収体膜４）は、反射率及び位相差が所望の値となる膜厚を設定することができる。具体的には、位相シフト膜の膜厚を６０ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ以下とすることができる。位相シフト膜（吸収体膜４）をＴａＴｉＮ膜で形成した場合、膜厚が４６．７ｎｍで、多層反射膜（保護膜付き）に対する相対反射率が５．４％、位相差が約１６９°となり、膜厚が５１．９ｎｍで、多層反射膜（保護膜付き）に対する相対反射率が６．６％、位相差が約１８０°となる。なお、相対反射率とは、ＥＵＶ光が多層反射膜（保護膜付き）に直接入射して反射した場合の絶対反射率を基準としたときの位相シフト膜のＥＵＶ光に対する反射率のことである。
【００６５】
また、ＴａＴｉ系材料は、実質的に酸素を含まない塩素（Ｃｌ）系ガスでドライエッチングすることが可能な材料である。上述したように、位相シフト効果が得られる材料として例えばＲｕが挙げられるが、Ｒｕはエッチングレートが低く、加工や修正が困難であるため、ＴａＲｕ合金を含む材料で位相シフト膜を形成した場合、加工性に問題が生じる場合がある。
【００６６】
ＴａＴｉ系材料のＴａとＴｉとの比率は、４：１〜１：４が好ましい。
【００６７】
このようなＴａＴｉ系材料からなる位相シフト膜（吸収体膜４）は、ＤＣスパッタリング法やＲＦスパッタリング法などのマグネトロンスパッタリング法といった公知の方法で形成することができる。また、ターゲットは、ＴａＴｉ合金ターゲットを用いてもよいし、ＴａターゲットとＴｉターゲットを用いたコースパッタリングとすることもできる。
【００６８】
吸収体膜４は単層の膜であっても良いし、２層以上の複数の膜からなる多層膜であっても良い。単層膜の場合は、マスクブランク製造時の工程数を削減できて生産効率が上がるという特徴がある。多層膜の場合には、上層膜が、光を用いたマスクパターン検査時の反射防止膜になるように、その光学定数と膜厚を適当に設定する。このことにより、光を用いたマスクパターン検査時の検査感度が向上する。このように、多層膜にすることによって様々な機能を付加させることが可能となる。吸収体膜４が位相シフト機能を有する吸収体膜４の場合には、多層膜にすることによって光学面での調整の範囲が拡がり、所望の反射率が得やすくなる。吸収体膜４が２層以上の多層膜の場合、多層膜のうちの１層をＣｏ−Ｘアモルファス金属又はＮｉ−Ｘアモルファス金属としてもよい。
【００６９】
また、２層構造の吸収体膜４の場合、上層膜と下層膜とのエッチングガスを異なるものとしてもよい。例えば、上層膜のエッチングガスは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ３Ｆ８、ＳＦ６、及びＦ２等のフッ素系のガス、並びにフッ素系ガスとＯ２とを所定の割合で含む混合ガス等から選択したものを用いることができる。また、下層膜のエッチングガスは、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、及びＣＨＣｌ３等の塩素系のガス、塩素系ガスとＯ２とを所定の割合で含む混合ガス、塩素系ガスとＨｅとを所定の割合で含む混合ガス、並びに塩素系ガスとＡｒとを所定の割合で含む混合ガスから選択したものを用いることができる。ここで、エッチングの最終段階でエッチングガスに酸素が含まれていると、Ｒｕ系保護膜３に表面荒れが生じる。このため、Ｒｕ系保護膜３がエッチングに曝されるオーバーエッチング段階では、酸素が含まれていないエッチングガスを用いることが好ましい。
【００７０】
吸収体膜４上にはエッチングマスク膜を形成してもよい。エッチングマスク膜の材料としては、エッチングマスク膜に対する吸収体膜４のエッチング選択比が高い材料を用いる。ここで、「Ａに対するＢのエッチング選択比」とは、エッチングを行いたくない層（マスクとなる層）であるＡとエッチングを行いたい層であるＢとのエッチングレートの比をいう。具体的には「Ａに対するＢのエッチング選択比＝Ｂのエッチング速度／Ａのエッチング速度」の式によって特定される。また、「選択比が高い」とは、比較対象に対して、上記定義の選択比の値が大きいことをいう。エッチングマスク膜に対する吸収体膜４のエッチング選択比は、１．５以上が好ましく、３以上が更に好ましい。
【００７１】
エッチングマスク膜に対する吸収体膜４のエッチング選択比が高い材料としては、クロムやクロム化合物の材料が挙げられる。したがって、吸収体膜４をフッ素系ガスでエッチングする場合には、クロムやクロム化合物の材料を使用することができる。クロム化合物としては、ＣｒとＮ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料が挙げられる。また、吸収体膜４を、実質的に酸素を含まない塩素系ガスでエッチングする場合には、ケイ素やケイ素化合物の材料を使用することができる。ケイ素化合物としては、ＳｉとＮ、Ｏ、Ｃ及びＨから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料、並びに、ケイ素又はケイ素化合物に金属を含む金属ケイ素（金属シリサイド）又は金属ケイ素化合物（金属シリサイド化合物）などの材料が挙げられる。金属ケイ素化合物としては、金属及びＳｉとＮ、Ｏ、Ｃ及びＨから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料が挙げられる。
【００７２】
エッチングマスク膜の膜厚は、転写パターンを精度よく吸収体膜４に形成するエッチングマスクとしての機能を得る観点から、３ｎｍ以上であることが望ましい。また、エッチングマスク膜の膜厚は、レジスト膜の膜厚を薄くする観点から、１５ｎｍ以下であることが望ましい。
【００７３】
＜＜裏面導電膜＞＞
次に、本発明の導電膜付き基板５０について、説明する。図１に示すように、マスクブランク用基板１の主表面上の一方の表面に、所定の裏面導電膜５を形成することによって、本発明の導電膜付き基板５０を得ることができる。また、多層反射膜付き基板において、基板１の多層反射膜２と接する面と反対側の面に、所定の裏面導電膜５を形成することによって、本発明の導電膜付き基板５０を得ることもできる。
【００７４】
本発明の導電膜付き基板５０は、リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板１の主表面上の一方の表面（裏面）に、導電膜５（裏面導電膜５）が形成される。基板１と導電膜５との間には、応力調整機能を有する中間層６を備える。
【００７５】
静電チャック用の裏面導電膜５に求められる電気的特性（シート抵抗）は通常１００Ω／□（Ω／Square）以下である。裏面導電膜５の形成方法は、例えばマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法により、裏面導電膜５の材料である金属や合金のターゲットを使用して形成することができる。
【００７６】
裏面導電膜５の材料は、少なくとも５３２ｎｍの波長の光に対する透過率が２０％以上である材料を用いて形成する。
【００７７】
このような透過率の高い裏面導電膜（透明導電膜）５の材料としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）又はアンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）を用いることが好ましい。透明導電膜の膜厚を５０ｎｍ以上とすることにより、静電チャック用の裏面導電膜５に求められる電気的特性（シート抵抗）を１００Ω／□以下とすることができる。例えば、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜は、５３２ｎｍの波長に対する透過率は約７９．１％であり、シート抵抗は５０Ω／□である。
【００７８】
また、透過率の高い裏面導電膜（透明導電膜）５の材料としては、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）の金属単体を用いることが好ましい。また、所望の透過率及び電気的特性を満たす範囲内で、該金属にホウ素、窒素、酸素及び炭素の少なくとも一つを含有した金属化合物を用いることができる。これらの金属膜は、上記ＩＴＯ等と比較して電気伝導率が高いため薄膜化が可能となる。金属膜の膜厚は、透過率の観点からは５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。また、膜厚が薄すぎるとシート抵抗が急激に増加する傾向にあること、及び成膜の際の安定性の観点から、金属膜の膜厚は２ｎｍ以上が好ましい。例えば、膜厚１０．１ｎｍのＰｔ膜は、５３２ｎｍの波長に対する透過率は２０．３％であり、シート抵抗は２５．３Ω／□である。
【００７９】
更に、裏面導電膜５は、単層膜又は２層以上の積層構造としてもよい。静電チャックを行う際の機械的耐久性を向上させたり、洗浄耐性を向上させたりするためには、最上層をＣｒＯ、ＴａＯ又はＳｉＯ２とすることが好ましい。また、最上層を、上記金属膜の酸化膜、即ちＰｔＯ、ＡｕＯ、ＡｌＯ又はＣｕＯとしてもよい。最上層の厚さは、１ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上、更には１０ｎｍ以上であるとより好ましい。裏面導電膜５の材料及び膜厚は、裏面導電膜５の透過率が２０％以上を満たすように選択される。
【００８０】
上述した通り、裏面導電膜５には、電気的特性（シート抵抗）及び裏面からレーザビームを照射する場合には透過率を所望の値にすることが求められるが、これらの要求を満たすために裏面導電膜５の膜厚を薄くすると、別の問題が生じる場合がある。通常、多層反射膜２は高い圧縮応力を有しているため、基板１の第１主面側が凸形状となり、第２主面（裏面）側が凹形状となる。一方、多層反射膜２のアニール（加熱処理）や、裏面導電膜５の成膜によって応力調整がなされ、全体として平坦又は第２主面側が若干凹形状の反射型マスクブランクが得られるように調整されている。しかし、裏面導電膜５の膜厚が薄いとこのバランスがくずれ、第２主面（裏面）側の凹形状が大きくなり過ぎてしまう。この場合、静電チャックを行った際に、基板周縁部（特にコーナー部）にスクラッチが生じ、膜剥がれやパーティクル発生の問題が生じることがある。
【００８１】
そこで、本発明の多層反射膜付き基板は、第２主表面（裏面）側が平坦又は凸形状とし、平坦度を３００ｎｍ以下とすることが好ましい。なお、本発明における凸形状とは、例えば、基板の主表面の中心を含む所定領域におけるある面の表面形状を光の干渉を利用した平坦度測定装置により測定したときに、測定面から最小自乗法で算出される焦平面を基準面とした測定面の高さ分布が、基板の中心又は略中心から周縁（外周）に向かって減少傾向を示す表面形状をいう。また、平坦度は、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ ＩｎｄｉｃａｔｅｄＲｅａｄｉｎｇ）で表される表面の反り（変形量）を表す値で、次のように定義される。すなわち、基板表面を基に最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、次にこの焦平面を基準として焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との間にある高低差の絶対値を平坦度と定義した。本発明においては１４２×１４２ｍｍのエリア内の測定値をもって平坦度とする。
【００８２】
裏面導電膜（透明導電膜）５の膜厚が薄い場合に生じる上記問題を解決するために、裏面導電膜５の基板側に中間層６を設けることが好ましい。中間層６は、応力調整機能を有し、かつ透明導電膜と組み合わせたときに所望の透過率（例えば、波長５３２ｎｍで２０％以上）が得られるものとすることができる。
【００８３】
中間層６の材料は、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２を挙げることができる。Ｓｉ３Ｎ４は、波長５３２ｎｍに対する透過率が高いため、他の材料と比べて膜厚の制限が少ない。例えば、Ｓｉ３Ｎ４の中間層６の場合には、膜厚１〜２００ｎｍの範囲で応力調整を行うことが可能である。図６は、基板１の裏面上の裏面導電膜５を膜厚１０ｎｍのＰｔ膜とし、中間層６をＳｉ３Ｎ４膜とした場合であって、裏面導電膜５側から波長５３２ｎｍの光を照射したときの、中間層６の膜厚変化に対する透過率変化を調べたものである。これによると、中間層６は少なくとも膜厚が１００ｎｍまでの範囲で、中間層６及び裏面導電膜５の積層膜が透過率２０％以上となるので、この範囲において応力調整を行うことが可能である。図７は、裏面導電膜５を膜厚１０ｎｍのＰｔ膜とし、中間層６をＳｉＯ２膜とした場合の、中間層６の膜厚変化に対する透過率変化を調べたものである。これによると、中間層６は少なくとも膜厚が１００ｎｍまでの範囲で、中間層６及び裏面導電膜５の積層膜が透過率２０％以上となるので、この範囲において応力調整を行うことが可能である。
【００８４】
中間層６の材料をＳｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２とした場合には、導電性の確保及び透過率の観点から、金属膜からなる裏面導電膜５の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、中間層６と裏面導電膜５との積層膜の膜厚は、６ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましい。
【００８５】
また、中間層６の材料として、消衰係数の小さいＴａ系酸化膜やＣｒ系酸化膜を用いることができる。中間層６の材料は、波長５３２ｎｍにおける消衰係数が１．３以下であることが好ましい。Ｔａ系酸化膜は、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、及びＴａＢＣＯＮ等を挙げることができる。中間層６がＴａ系酸化膜の場合、酸素（Ｏ）含有量は、２０〜７０原子％であることが好ましい。Ｃｒ系酸化膜は、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢＯ、ＣｒＢＯＮ、及びＣｒＢＯＣＮ等を挙げることができる。中間層６がＣｒ系酸化膜の場合、酸素（Ｏ）含有量は、２５〜７５原子％であることが好ましい。更に、中間層の材料は、上記裏面導電膜５の金属膜の酸化膜、即ちＰｔＯ、ＡｕＯ、ＡｌＯ又はＣｕＯとしてもよい。
【００８６】
図８は、裏面導電膜５を膜厚５ｎｍのＰｔ膜とし、中間層６をＴａＢＯ膜とした場合の、中間層６の膜厚変化に対する透過率変化を調べたものである。これによると、中間層６は膜厚が５８ｎｍまでの範囲で、中間層６及び裏面導電膜５の積層膜が透過率２０％以上となるので、この範囲において応力調整を行うことが可能である。図９は、裏面導電膜５を膜厚５ｎｍのＰｔ膜とし、中間層６をＣｒＯＣＮ膜とした場合の、中間層６の膜厚変化に対する透過率変化を調べたものである。これによると、中間層６は少なくとも膜厚が１００ｎｍまでの範囲で、中間層６及び裏面導電膜５の積層膜が透過率２０％以上となるので、この範囲において応力調整を行うことが可能である。
【００８７】
中間層６の材料をＴａ系酸化膜やＣｒ系酸化膜等の金属酸化膜とした場合には、導電性の確保及び透過率の観点から、金属膜からなる裏面導電膜５の膜厚は２ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましい。また、Ｔａ系酸化膜を含む中間層６と裏面導電膜５との積層膜の膜厚は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下がより好ましい。Ｃｒ系酸化膜を含む中間層６と裏面導電膜５との積層膜の膜厚は、３ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。
【００８８】
また、裏面導電膜５の膜厚が薄い場合に生じる上記問題を解決するためには、裏面導電膜５が形成された導電膜付き基板の第２主面（裏面）側を凸形状にすることが好ましい。導電膜付き基板の第２主面（裏面）側を凸形状にする第１の方法としては、裏面導電膜５を成膜する前の基板１の第２主面側の形状を凸形状にするとよい。予め基板１の第２主面を凸形状とすることにより、膜厚が１０ｎｍ程度のＰｔ膜等からなる膜応力の小さい裏面導電膜５を成膜し、高い圧縮応力を有する多層反射膜２を成膜しても、第２主面側の形状を凸形状とすることができる。
【００８９】
また、導電膜付き基板の第２主面（裏面）側を凸形状にする第２の方法としては、多層反射膜２成膜後に１５０℃〜３００℃でアニール（加熱処理）する方法が挙げられる。特に２１０℃以上の高温でアニールすることが好ましい。多層反射膜２はアニールすることにより、多層反射膜の膜応力を小さくすることができるが、アニール温度と多層反射膜の反射率とはトレードオフの関係にある。多層反射膜２の成膜の際に、イオン源からアルゴン（Ａｒ）イオン粒子を供給する従来のＡｒスパッタリングの場合には、高温でアニールすると所望の反射率が得られない。一方、イオン源からクリプトン（Ｋｒ）イオン粒子を供給するＫｒスパッタリングを行うことにより、多層反射膜２のアニール耐性を向上させることが可能となり、高温でアニールしても高い反射率を維持できる。したがって、Ｋｒスパッタリングで多層反射膜２を成膜後に１５０℃〜３００℃でアニールすることにより、多層反射膜２の膜応力を小さくできる。この場合、膜厚が１０ｎｍ程度のＰｔ膜等からなる膜応力の小さい裏面導電膜５を成膜しても、第２主面側の形状を凸形状とすることができる。
【００９０】
更に、上記第１の方法と第２の方法とを組み合わせてもよい。なお、裏面導電膜をＩＴＯ膜等の透明導電膜とする場合には、膜厚を厚くすることが可能である。そのため、電気的特性を満たす範囲で厚膜化することにより、導電膜付き基板の第２主面（裏面）側を凸形状とすることができる。
【００９１】
このように導電膜付き基板の第２主面（裏面）側を凸形状とすることにより、静電チャックを行った際に、基板周縁部（特にコーナー部）にスクラッチが生じるのを防止することが可能となる。
【００９２】
また、中間層６は、基板１と裏面導電膜５との密着性を向上させたり、基板１からの裏面導電膜５への水素の侵入を抑制したりする機能を持たせることができる。また、中間層６は、露光源としてＥＵＶ光を用いた場合のアウトオブバンド光と呼ばれる真空紫外光及び紫外光（波長：１３０〜４００ｎｍ）が基板１を透過して裏面導電膜５によって反射されるのを抑制する機能を持たせることができる。中間層６の材料としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＯＮ、ＳｉＢＯ、ＳｉＢＯＮ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＣＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＣＯＮ、ＴａＯ及びＴａＯＮ等を挙げることができる。中間層６の厚さは、１ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上、更には１０ｎｍ以上であるとより好ましい。なお、中間層６の材料及び膜厚は、中間層６と裏面導電膜５とを積層した積層膜の透過率が２０％以上を満たすように選択する必要がある。
【００９３】
また、中間層６は、単層膜又は２層以上の積層構造としてもよい。中間層６を積層構造にした場合には、応力調整機能と、水素侵入抑制機能及び／又はアウトオブバンド光抑制機能とに分けて各層に持たせることも可能である。
【００９４】
＜反射型マスク及びその製造方法＞
本実施形態の反射型マスクブランク１００を使用して、反射型マスク２００を製造する。ここでは概要説明のみを行い、後に実施例において図面を参照しながら詳細に説明する。
【００９５】
反射型マスクブランク１００を準備して、その第１主面の吸収体膜４に、レジスト膜を形成し（反射型マスクブランク１００としてレジスト膜を備えている場合は不要）、このレジスト膜に所望のパターンを描画（露光）し、更に現像、リンスすることによって所定のレジストパターンを形成する。
【００９６】
反射型マスクブランク１００の場合は、このレジストパターンをマスクとして吸収体膜４をエッチングして吸収体パターンを形成し、レジストパターンをアッシングやレジスト剥離液などで除去することにより、吸収体パターンが形成される。最後に、酸性やアルカリ性の水溶液を用いたウェット洗浄を行う。
【００９７】
ここで、吸収体膜４のエッチングガスとしては、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＣＨＣｌ３、及びＣＣｌ４等の塩素系のガス、塩素系ガス及びＨｅを所定の割合で含む混合ガス、塩素系ガス及びＡｒを所定の割合で含む混合ガス等が用いられる。吸収体膜４のエッチングにおいて、エッチングガスに実質的に酸素が含まれていないので、Ｒｕ系保護膜に表面荒れが生じることがない。この酸素を実質的に含まれていないガスとしては、ガス中の酸素の含有量が５原子％以下であるものが該当する。
【００９８】
以上の工程により、シャドーイング効果が少なく、且つ側壁ラフネスの少ない高精度微細パターンを有する反射型マスクが得られる。
【００９９】
＜半導体装置の製造方法＞
上記本実施形態の反射型マスク２００を使用してＥＵＶ露光を行うことにより、半導体基板上に反射型マスク２００上の吸収体パターンに基づく所望の転写パターンを、シャドーイング効果による転写寸法精度の低下を抑えて形成することができる。また、吸収体パターンが、側壁ラフネスの少ない微細で高精度なパターンであるため、高い寸法精度で所望のパターンを半導体基板上に形成できる。このリソグラフィー工程に加え、被加工膜のエッチング、絶縁膜及び導電膜の形成、ドーパントの導入、並びにアニールなど種々の工程を経ることで、所望の電子回路が形成された半導体装置を製造することができる。
【０１００】
より詳しく説明すると、ＥＵＶ露光装置は、ＥＵＶ光を発生するレーザプラズマ光源、照明光学系、マスクステージ系、縮小投影光学系、ウエハステージ系、及び真空設備等から構成される。光源にはデブリトラップ機能と露光光以外の長波長の光をカットするカットフィルタ及び真空差動排気用の設備等が備えられている。照明光学系と縮小投影光学系は反射型ミラーから構成される。ＥＵＶ露光用反射型マスク２００は、その第２主面に形成された裏面導電膜５により静電吸着されてマスクステージに載置される。
【０１０１】
ＥＵＶ光源の光は、照明光学系を介して反射型マスク垂直面に対して６°から８°傾けた角度で反射型マスク２００に照射される。この入射光に対する反射型マスク２００からの反射光は、入射とは逆方向にかつ入射角度と同じ角度で反射（正反射）し、通常１／４の縮小比を持つ反射型投影光学系に導かれ、ウエハステージ上に載置されたウエハ（半導体基板）上のレジストへの露光が行われる。この間、少なくともＥＵＶ光が通る場所は真空排気される。また、この露光にあたっては、マスクステージとウエハステージを縮小投影光学系の縮小比に応じた速度で同期させてスキャンし、スリットを介して露光を行うスキャン露光が主流となっている。そして、この露光済レジスト膜を現像することによって、半導体基板上にレジストパターンを形成することができる。本発明では、シャドーイング効果の小さな薄膜で、しかも側壁ラフネスの少ない高精度な吸収体パターンを持つマスクが用いられている。このため、半導体基板上に形成されたレジストパターンは高い寸法精度を持つ所望のものとなる。そして、このレジストパターンをマスクとして使用してエッチング等を実施することにより、例えば半導体基板上に所定の配線パターンを形成することができる。このような露光工程や被加工膜加工工程、絶縁膜や導電膜の形成工程、ドーパント導入工程、あるいはアニール工程等その他の必要な工程を経ることで、半導体装置が製造される。
【実施例】
【０１０２】
以下、実施例について図面を参照しつつ説明する。なお、実施例において同様の構成要素については同一の符号を使用し、説明を簡略化若しくは省略する。【０１０３】
[実施例１]
図３は、反射型マスクブランク１００から反射型マスク２００を作製する工程を示す要部断面模式図である。【０１０４】
反射型マスクブランク１００は、裏面導電膜５と、基板１と、多層反射膜２と、保護膜３と、吸収体膜４とを有する。吸収体膜４はＮｉＴａのアモルファス合金を含む材料からなる。そして、図３（ａ）に示されるように、吸収体膜４上にレジスト膜１１を形成する。【０１０５】
先ず、反射型マスクブランク１００について説明する。【０１０６】
第１主面及び第２主面の両主表面が研磨された６０２５サイズ（約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）の低熱膨張ガラス基板であるＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板を準備し基板１とした。平坦で平滑な主表面となるように、粗研磨加工工程、精密研磨加工工程、局所加工工程、及びタッチ研磨加工工程よりなる研磨を行った。【０１０７】
ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板１の第２主面（裏面）に、Ａｒガス雰囲気中でＰｔターゲットを使用したＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＰｔ膜からなる裏面導電膜５を５．２ｎｍ、１０．１ｎｍ、１５．２ｎｍ、及び２０．０ｎｍの膜厚で各々成膜し、４枚の導電膜付き基板を作製した。【０１０８】
作製された４枚の導電膜付き基板の第２主面（裏面）から波長５３２ｎｍの光を照射して透過率を測定した。図５に示すように、４枚の導電膜付き基板の透過率は各々３９．８％、２０．３％、１０．９％、及び６．５％であった。すなわち、膜厚が５．２ｎｍ及び１０．１ｎｍの導電膜付き基板が透過率２０％以上との条件を満たすものであった。また、裏面導電膜５のシート抵抗を４端子測定法により測定したところ、シート抵抗は、各々５７．８Ω／□、２５．３Ω／□、１５．５Ω／□、及び１１．２Ω／□であった。したがって、何れの裏面導電膜５も１００Ω／□以下との条件を満たすものであった。【０１０９】
次に、透過率が２０％以上となる膜厚が５．２ｎｍ及び１０．１ｎｍの各導電膜付き基板について、裏面導電膜５が形成された側と反対側の基板１の主表面（第１主面）上に、多層反射膜２を形成した。基板１上に形成される多層反射膜２は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に適した多層反射膜とするために、ＭｏとＳｉからなる周期多層反射膜とした。多層反射膜２は、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、Ａｒガス雰囲気中でイオンビームスパッタリング法により基板１上にＭｏ層及びＳｉ層を交互に積層して形成した。先ず、Ｓｉ膜を４．２ｎｍの厚みで成膜し、続いて、Ｍｏ膜を２．８ｎｍの厚みで成膜した。これを１周期とし、同様にして４０周期積層し、最後にＳｉ膜を４．０ｎｍの厚みで成膜し、多層反射膜２を形成した。ここでは４０周期としたが、これに限るものではなく、例えば６０周期でも良い。６０周期とした場合、４０周期よりも工程数は増えるが、ＥＵＶ光に対する反射率を高めることができる。【０１１０】
引き続き、Ａｒガス雰囲気中で、Ｒｕターゲットを使用したイオンビームスパッタリング法によりＲｕ膜からなる保護膜３を２．５ｎｍの厚みで成膜した。【０１１１】
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、ＮｉＴａ膜からなる吸収体膜４を形成した。ＮｉＴａ膜は、ＮｉＴａターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気にて反応性スパッタリングで、３９．８ｎｍの膜厚で成膜した。【０１１２】
ＮｉＴａ膜の元素比率はＮｉが８０原子％、Ｔａが２０原子％であった。また、ＮｉＴａ膜の結晶構造をＸ線回折装置（ＸＲＤ）により測定したところ、アモルファス構造であった。また、ＮｉＴａ膜の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎは約０．９４７、消衰係数ｋは約０．０６３であった。【０１１３】
上記のＮｉＴａ膜からなる吸収体膜４の波長１３．５ｎｍにおける反射率は、膜厚を３９．８ｎｍにしたため、０．１１％であった（図４）。【０１１４】
次に、上記反射型マスクブランク１００を用いて、反射型マスク２００を製造した。【０１１５】
前述のように、反射型マスクブランク１００の吸収体膜４の上に、レジスト膜１１を１００ｎｍの厚さで形成した（図３（ａ））。そして、このレジスト膜１１に所望のパターンを描画（露光）し、更に現像、リンスすることによって所定のレジストパターン１１ａを形成した（図３（ｂ））。次に、レジストパターン１１ａをマスクにして、ＮｉＴａ膜（吸収体膜４）のドライエッチングを、Ｃｌ２ガスを用いて行うことで、吸収体パターン４ａを形成した（図３（ｃ））。【０１１６】
その後、レジストパターン１１ａをアッシングやレジスト剥離液などで除去した。最後に純水（ＤＩＷ）を用いたウェット洗浄を行って、反射型マスク２００を製造した（図３（ｄ））。なお、必要に応じてウェット洗浄後マスク欠陥検査を行い、マスク欠陥修正を適宜行うことができる。【０１１７】
本実施例の反射型マスク２００では、ＮｉＴａ膜上のレジスト膜１１に対して電子線描画を行っても、設計値通りのパターンが描画できることが確認できた。また、ＮｉＴａ膜がアモルファス合金であるため、塩素系ガスでの加工性が良く、高い精度で吸収体パターン４ａを形成することができた。また、吸収体パターン４ａの膜厚は３９．８ｎｍであり、従来のＴａ系材料で形成された吸収体膜よりも薄くすることができ、シャドーイング効果を低減することができた。また、作製された反射型マスク２００の基板１の第２主面（裏面）側から波長５３２ｎｍのＮｄ−ＹＡＧレーザのレーザビームを照射したところ、裏面導電膜５が透過率の高いＰｔ膜で形成されているため、反射型マスク２００の位置合わせ誤差を修正することができた。【０１１８】
本実施例で作製した反射型マスクをＥＵＶスキャナにセットし、半導体基板上に被加工膜とレジスト膜が形成されたウエハに対してＥＵＶ露光を行った。そして、この露光済レジスト膜を現像することによって、被加工膜が形成された半導体基板上にレジストパターンを形成した。【０１１９】
このレジストパターンをエッチングにより被加工膜に転写し、また、絶縁膜、導電膜の形成、ドーパントの導入、あるいはアニールなど種々の工程を経ることで、所望の特性を有する半導体装置を製造することができた。
[実施例２]【０１２０】
実施例２は、裏面導電膜５のＰｔ膜を１０ｎｍとし、基板１とＰｔ膜の間にＳｉ３Ｎ４膜からなる中間層６を設けた場合の実施例であって、それ以外は実施例１と同じである。【０１２１】
即ち、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板１の第２主面（裏面）に、Ｓｉターゲットを用いて、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガス雰囲気にて反応性スパッタリング（ＲＦスパッタリング）で、Ｓｉ３Ｎ４膜からなる中間層を９０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、Ａｒガス雰囲気中でＰｔターゲットを使用したＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＰｔ膜からなる裏面導電膜５を１０ｎｍの膜厚で成膜し、導電膜付き基板を作製した。【０１２２】
作製された導電膜付き基板の第２主面（裏面）から波長５３２ｎｍの光を照射して透過率を測定したところ、２１％であった。また、シート抵抗は、４端子測定法により測定したところ、２５Ω／□であった。【０１２３】
Ｓｉ３Ｎ４膜とＰｔ膜が積層された導電膜付き基板について、実施例１と同様の方法で反射型マスクブランク１００を作製した。光干渉を利用した平坦度測定装置により反射型マスクブランク１００の裏面の平坦度を測定した結果、凸形状で９５ｎｍの平坦度を有していることを確認した。【０１２４】
なお、Ｓｉ３Ｎ４膜からなる中間層６を設けずに、膜厚１０ｎｍのＰｔ膜の裏面導電膜５とした場合の反射型マスクブランクの裏面の平坦度を測定したところ、凹形状で４０１ｎｍの平坦度であり、Ｓｉ３Ｎ４膜が応力調整機能を有していることが確認できた。【０１２５】
その後、反射型マスク２００を作製した。作製された反射型マスク２００の基板１の第２主面（裏面）側から波長５３２ｎｍのＮｄ−ＹＡＧレーザのレーザビームを照射したところ、中間層６及び裏面導電膜５が透過率の高いＳｉ３Ｎ４膜及びＰｔ膜で形成されているため、反射型マスク２００の位置合わせ誤差を修正することができた。
[実施例３]【０１２６】
実施例３は、中間層６をＴａＢＯ膜とし、裏面導電膜５の膜厚を５ｎｍにした場合の実施例であって、それ以外は実施例２と同じである。【０１２７】
即ち、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板１の第２主面（裏面）に、ＴａＢ混合焼結ターゲットを用いて、Ａｒガス及びＯ２ガスの混合ガス雰囲気による反応性スパッタリングで、ＴａＢＯ膜からなる中間層６を５０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、Ａｒガス雰囲気中でＰｔターゲットを使用したＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＰｔ膜からなる裏面導電膜５を５ｎｍの膜厚で成膜し、導電膜付き基板を作製した。【０１２８】
ＴａＢＯ膜の組成は、Ｔａ：Ｂ：Ｏ＝４０．７：６．３：５３．０であった。また、作製された導電膜付き基板の第２主面（裏面）から波長５３２ｎｍの光を照射して透過率を測定したところ、２２％であった。【０１２９】
ＴａＢＯ膜とＰｔ膜が積層された導電膜付き基板について、実施例１と同様の方法で反射型マスクブランク１００を作製した。光干渉を利用した平坦度測定装置により反射型マスクブランク１００の裏面の平坦度を測定した結果、凸形状で２２０ｎｍの平坦度を有していることを確認した。【０１３０】
その後、反射型マスク２００を作製した。作製された反射型マスク２００の基板１の第２主面（裏面）側から波長５３２ｎｍのＮｄ−ＹＡＧレーザのレーザビームを照射したところ、中間層６及び裏面導電膜５が透過率の高いＴａＢＯ膜及びＰｔ膜で形成されているため、反射型マスク２００の位置合わせ誤差を修正することができた。
[比較例１]【０１３１】
比較例では、吸収体膜４として単層のＴａＢＮ膜を、裏面導電膜５としてＣｒＮを用いた以外、実施例１と同様の構造と方法で、反射型マスクブランク、反射型マスクを製造し、また、実施例１と同様の方法で半導体装置を製造した。【０１３２】
ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板１の第２主面（裏面）に、ＣｒＮ膜からなる裏面導電膜５をマグネトロンスパッタリング（反応性スパッタリング）法により下記の条件にて形成した。【０１３３】
裏面導電膜形成条件：Ｃｒターゲット、ＡｒとＮ２の混合ガス雰囲気（Ａｒ：９０％、Ｎ：１０％）、膜厚２０ｎｍ。【０１３４】
単層のＴａＢＮ膜は、実施例１のマスクブランク構造の保護膜３の上に、ＮｉＴａ膜に代えて形成した。ＴａＢＮ膜は、ＴａＢ混合焼結ターゲットを用いて、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガス雰囲気にて反応性スパッタリングで、６２ｎｍの膜厚で成膜した。【０１３５】
ＴａＢＮ膜の元素比率は、Ｔａが７５原子％、Ｂが１２原子％、Ｎが１３原子％であった。ＴａＢＮ膜の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎは約０．９４９、消衰係数ｋは約０．０３０であった。【０１３６】
上記の単層のＴａＢＮ膜からなる吸収体膜の波長１３．５ｎｍにおける反射率は、１．４％であった。また、作製された導電膜付き基板の第２主面（裏面）から波長５３２ｎｍの光を照射して透過率を測定したところ、５．８％であった。【０１３７】
その後、実施例１と同様の方法で、レジスト膜をＴａＢＮ膜からなる吸収体膜上に形成し、所望のパターン描画（露光）及び現像、リンスを行ってレジストパターンを形成した。そして、このレジストパターンをマスクにして、ＴａＢＮ膜からなる吸収体膜を、塩素ガスを用いたドライエッチングして、吸収体パターンを形成した。レジストパターン除去やマスク洗浄なども実施例１と同じ方法で行い、反射型マスクを製造した。【０１３８】
吸収体パターンの膜厚は６２ｎｍであり、シャドーイング効果を低減することができなかった。また、作製された反射型マスクの基板１の第２主面（裏面）側から波長５３２ｎｍのＮｄ−ＹＡＧレーザのレーザビームを照射したところ、裏面導電膜５の透過率が低いため、反射型マスクの位置合わせ誤差を修正することができなかった。
【符号の説明】
【０１３９】
１  基板
２  多層反射膜
３  保護膜
４  吸収体膜
４ａ  吸収体パターン
５  裏面導電膜
６  中間層
１１  レジスト膜
１１ａ  レジストパターン
５０  導電膜付き基板
１００  反射型マスクブランク
２００  反射型マスク
【図１】
2018135468.tif 000003
【図２】
2018135468.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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