(57)【要約】耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを提供する。また、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供する。近赤外線カットフィルタは、所定の銅錯体と、樹脂とを含む樹脂膜を有し、樹脂膜中における銅錯体と樹脂との合計量が６０〜１００質量％であり、樹脂膜中において樹脂が三次元架橋を形成していない。【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅錯体と樹脂とを含む樹脂膜を有する近赤外線カットフィルタであって、
前記銅錯体が、下記式（１）で表される化合物であり、
前記樹脂膜中における前記銅錯体と前記樹脂との合計量が６０〜１００質量％であり、
前記樹脂膜中において前記樹脂が三次元架橋を形成していない、近赤外線カットフィルタ；
Ｃｕ・（Ｌ）n1・（Ｘ）n2        ・・・（１）
式中、Ｌは、配位子であって、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を１個以上有する化合物であり、Ｘは対イオンであり、ｎ１は１〜４の整数を表し、ｎ２は０〜４の整数を表す。
【請求項２】
前記式（１）における配位子Ｌは、波長４００〜６００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有さない化合物である、請求項１に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項３】
前記式（１）における配位子Ｌが、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を合計で２個以上有する化合物である、請求項１または２に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項４】
前記式（１）における配位子Ｌが、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物及びリン酸エステル化合物から選ばれる少なくとも１種である、請求項１または２に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項５】
前記樹脂膜の膜厚が１〜５００μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項６】
前記樹脂膜は前記銅錯体を５質量％以上含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項７】
支持体上に銅錯体と樹脂とを含む樹脂組成物を塗布し、乾燥して樹脂膜を形成する工程を含む近赤外線カットフィルタの製造方法であって、
前記銅錯体が、下記式（１）で表される化合物であり、
前記樹脂が架橋性基を実質的に含まない樹脂であり、
前記樹脂組成物中における前記銅錯体と前記樹脂との合計量が、樹脂組成物の全固形分に対して６０〜１００質量％である、近赤外線カットフィルタの製造方法；
Ｃｕ・（Ｌ）n1・（Ｘ）n2        ・・・（１）
式中、Ｌは、配位子であって、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を１個以上有する化合物であり、Ｘは対イオンであり、ｎ１は１〜４の整数を表し、ｎ２は０〜４の整数を表す。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュール。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタを有する画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外線カットフィルタに関する。更に詳しくは、銅錯体を含む近赤外線カットフィルタに関する。また、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などにはカラー画像の固体撮像素子である、電荷結合素子（ＣＣＤ）や、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）などが用いられている。これら固体撮像素子は、その受光部において近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、近赤外線カットフィルタを用いることが多い。【０００３】
例えば、特許文献１には、樹脂シートを含む光選択透過フィルタであって、樹脂シートは、色素及び樹脂成分を含む樹脂層を有し、色素は、それが有する共役系骨格がノニオン性であり、かつ６００〜８００ｎｍの波長域に吸収極大波長を有し、その少なくとも１つの吸収極大波長が６００〜７１０ｎｍに存在する化合物である光選択透過フィルタについて記載されている。特許文献１では、上記色素としてフタロシアニン色素が用いられている。【０００４】
また、特許文献２には、銅錯体を含む近赤外線吸収性組成物を用いて近赤外線カットフィルタを製造することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２５７５３２号公報
【特許文献２】特開２０１６−００６４７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者の検討によれば、特許文献１に記載された光選択透過フィルタは、可視透明性や、赤外線遮蔽性が不十分であることが分かった。【０００７】
一方、銅錯体を含む近赤外線吸収性組成物を用いて形成した近赤外線カットフィルタは可視透明性や赤外線遮蔽性は優れるものの、耐熱性のさらなる向上が求められている。【０００８】
本発明の目的は、耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを提供することにある。また、本発明の目的は、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者が銅錯体と樹脂とを含む樹脂膜を有する近赤外線カットフィルタについて鋭意検討を行った結果、このような樹脂膜について、銅錯体と架橋成分（例えば架橋性基を含む樹脂など）を含む組成物を用いて形成した場合、耐熱性が低下し易い傾向にあることを見出した。このような組成物を用いて形成した樹脂膜の耐熱性が低下し易い原因についてさらに検討を進めたところ、架橋成分の反応時に発生する副生物などが銅錯体と相互作用したり、樹脂膜中に残存している未反応の架橋成分が銅錯体と相互作用して銅錯体の耐熱性を低下させていると考えた。そして、樹脂として、架橋性基を含まない樹脂を用いて銅錯体を含む樹脂膜を形成したところ、このような樹脂膜は加熱後も着色が生じにくく、優れた可視透明性や赤外線遮蔽性を有していることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下を提供する。
＜１＞  銅錯体と樹脂とを含む樹脂膜を有する近赤外線カットフィルタであって、
銅錯体が、下記式（１）で表される化合物であり、
樹脂膜中における銅錯体と樹脂との合計量が６０〜１００質量％であり、
樹脂膜中において樹脂が三次元架橋を形成していない、近赤外線カットフィルタ；
Ｃｕ・（Ｌ）n1・（Ｘ）n2        ・・・（１）
式中、Ｌは、配位子であって、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を１個以上有する化合物であり、Ｘは対イオンであり、ｎ１は１〜４の整数を表し、ｎ２は０〜４の整数を表す。
＜２＞  式（１）における配位子Ｌは、波長４００〜６００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有さない化合物である、＜１＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜３＞  式（１）における配位子Ｌが、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を合計で２個以上有する化合物である、＜１＞または＜２＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜４＞  式（１）における配位子Ｌが、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物及びリン酸エステル化合物から選ばれる少なくとも１種である、＜１＞または＜２＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜５＞  樹脂膜の膜厚が１〜５００μｍである、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
＜６＞  樹脂膜は銅錯体を５質量％以上含有する、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
＜７＞  支持体上に銅錯体と樹脂とを含む樹脂組成物を塗布し、乾燥して樹脂膜を形成する工程を含む近赤外線カットフィルタの製造方法であって、
銅錯体が、下記式（１）で表される化合物であり、
樹脂が架橋性基を実質的に含まない樹脂であり、
樹脂組成物中における銅錯体と樹脂との合計量が、樹脂組成物の全固形分に対して６０〜１００質量％である、近赤外線カットフィルタの製造方法；
Ｃｕ・（Ｌ）n1・（Ｘ）n2        ・・・（１）
式中、Ｌは、配位子であって、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を１個以上有する化合物であり、Ｘは対イオンであり、ｎ１は１〜４の整数を表し、ｎ２は０〜４の整数を表す。
＜８＞  ＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
＜９＞  ＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュール。
＜１０＞  ＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタを有する画像表示装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを提供することができる。また、耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタの製造方法を提供することができる。また、耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る、近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
【図２】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図３】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図４】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る、近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アリル」は、アリルおよびメタリルを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。
本明細書において、化学式中のＭｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ示す。
本明細書において、近赤外線とは、波長７００〜２５００ｎｍの光（電磁波）をいう。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
【００１３】
＜近赤外線カットフィルタ＞
本発明の近赤外線カットフィルタは、銅錯体と樹脂とを含む樹脂膜を有する近赤外線カットフィルタであって、
銅錯体が、後述する式（１）で表される化合物であり、
樹脂膜中における銅錯体と樹脂との合計量が６０〜１００質量％であり、
樹脂膜中において樹脂が三次元架橋を形成していないことを特徴とする。
【００１４】
本発明の近赤外線カットフィルタは、優れた耐熱性を有しており、加熱後も着色が生じにくく、優れた可視透明性や赤外線遮蔽性を有している。
【００１５】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、樹脂膜中における銅錯体と樹脂との合計量が６０〜１００質量％であり、７０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることがより好ましく、９０〜１００質量％であることが更に好ましい。
【００１６】
樹脂膜中の銅錯体の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、５〜９０質量％であることがより好ましい。下限は１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましく、２０質量％以上が更により好ましい。上限は、７０質量％以下がより好ましく、６０質量％以下が更に好ましく、５０質量％以下が更により好ましい。銅錯体の詳細については後述する。なかでも、銅錯体は、銅に対して４個または５個の配位部位を有する化合物を配位子として有することが好ましい。この態様によれば、近赤外線カットフィルタの可視透明性および赤外線遮蔽性をより向上できる。また、樹脂膜は、銅錯体を２種類以上含むことが好ましい。この態様によれば、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。
【００１７】
樹脂膜中の銅原子の含有量は、０．５質量％以上であることが好ましく、０．５〜２０質量％であることがより好ましい。下限は１質量％以上がより好ましく、２質量％以上が更に好ましく、３質量％以上が更により好ましい。上限は、１５質量％以下がより好ましく、１２質量％以下が更に好ましく、１０質量％以下が更により好ましい。
【００１８】
樹脂膜中の樹脂の含有量は、３０〜９０質量％であることが好ましい。下限は３５質量％以上がより好ましく、４０質量％以上が更に好ましく、５０質量％以上が更により好ましい。上限は、８５質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましく、７０質量％以下が更により好ましい。
【００１９】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、樹脂膜は、銅錯体および樹脂以外の成分として溶剤を含んでいてもよい。溶剤としては、架橋性基を含まない化合物であることが好ましい。また、樹脂膜中における溶剤の含有量としては、５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることが更に好ましい。
【００２０】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、樹脂膜中の架橋性基を含む化合物の含有量が、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、架橋性基を含む化合物を実質的に含有しないことが特に好ましい。架橋性基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、メチロール基およびアルコキシシリル基などが挙げられる。樹脂膜が架橋性基を含む化合物を実質的に含有しないとは、樹脂膜中における架橋性基を含む化合物の含有量が０．１質量％以下であることを意味し、０．０５質量％以下であることが好ましく、含有しないことがより好ましい。
【００２１】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、樹脂膜中の架橋性基を含むモノマー由来の架橋物の含有量が、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、架橋性基を含むモノマー由来の架橋物を実質的に含有しないことが特に好ましい。樹脂膜が架橋性基を含むモノマー由来の架橋物を実質的に含有しないとは、樹脂膜中における架橋性基を含むモノマー由来の架橋物の含有量が０．１質量％以下であることを意味し、０．０５質量％以下であることが好ましく、含有しないことがより好ましい。
【００２２】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの膜面に対して垂直方向から照射した光の透過率の平均値が２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましい。また、本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの全範囲において、近赤外線カットフィルタの膜面に対して垂直方向から照射した光の透過率が２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましい。この態様によれば、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。
【００２３】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの範囲における反射率の平均値が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。また、本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの全範囲において反射率が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。この態様によれば、視野角が広く、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。上記反射率は、Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用い、近赤外線カットフィルタの表面法線方向を０°として、入射角度を５°に設定して測定した値である。
【００２４】
本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線カットフィルタの膜面に対して垂直方向から照射した光の透過率が以下の（１）〜（９）のうちの少なくとも１つの条件を満たすことが好ましく、以下の（１）〜（８）のすべての条件を満たすことがより好ましく、（１）〜（９）のすべての条件を満たすことがさらに好ましい。
（１）波長４００ｎｍの光の透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（２）波長４５０ｎｍの光の透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（３）波長５００ｎｍの光の透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（４）波長５５０ｎｍの光の透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９２％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。
（５）波長７００ｎｍの光の透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（６）波長７５０ｎｍの光の透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（７）波長８００ｎｍの光の透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（８）波長８５０ｎｍの光の透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
（９）波長９００ｎｍの光の透過率は２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。
【００２５】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長４００〜５５０ｎｍの全ての範囲の透過率が８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。可視領域の透過率は高いほど好ましい。
【００２６】
近赤外線カットフィルタにおいて、樹脂膜の厚みは、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２５０μｍ以下が更に好ましく、２００μｍ以下が更により好ましい。樹脂膜の厚みの下限は、例えば、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上が更に好ましく、１μｍ以上が更により好ましい。
【００２７】
本発明の近赤外線カットフィルタは、２００℃で１分間加熱した前後における、下記式で表される波長４５０ｎｍにおける吸光度の変化率が６％以下であることが好ましく、４．５％以下であることがより好ましく、３％以下であることが特に好ましい。また、２００℃で１分間加熱した前後における、下記式で表される波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度の変化率が６％以下であることが好ましく、４．５％以下であることがより好ましく、３％以下であることが特に好ましい。また、下記式で表される波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度の変化率が６％以下であることが好ましく、４．５％以下であることがより好ましく、３％以下であることが特に好ましい。吸光度の変化率が上記範囲であれば、耐熱性に優れ、加熱による着色が抑制された近赤外線カットフィルタとすることができる。
波長４５０ｎｍにおける吸光度の変化率（％）＝｜（加熱前における波長４５０ｎｍの吸光度−加熱後における波長４５０ｎｍの吸光度）／加熱前における波長４５０ｎｍの吸光度｜×１００（％）
波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度の変化率（％）＝｜（加熱前における波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度−加熱後における波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度）／加熱前における波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度｜×１００（％）
波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度の変化率（％）＝｜（加熱前における波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度−加熱後における波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度）／加熱前における波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度｜×１００（％）
【００２８】
本発明の近赤外線カットフィルタは、上述した樹脂膜の他に、誘電体多層膜、紫外線吸収層などの機能層を有していてもよい。これらの機能層は、樹脂膜上に形成されていてもよい。近赤外線カットフィルタが、更に、誘電体多層膜を有することで、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタが得られ易い。また、近赤外線カットフィルタが、更に、紫外線吸収層を有することで、紫外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。紫外線吸収層としては、例えば、国際公開ＷＯ２０１５／０９９０６０号公報の段落番号００４０〜００７０、０１１９〜０１４５に記載の吸収層を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。誘電体多層膜としては、特開２０１４−４１３１８号公報の段落番号０２５５〜０２５９の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００２９】
本発明の近赤外線カットフィルタは、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）などの固体撮像素子や、赤外線センサ、画像表示装置などの各種装置に用いることができる。
【００３０】
＜樹脂組成物＞
次に、本発明の近赤外線カットフィルタにおける樹脂膜の形成に好ましく用いることができる樹脂組成物について説明する。
【００３１】
＜＜銅錯体＞＞
樹脂組成物は、銅錯体として下記式（１）で表される化合物を含有する。
Ｃｕ・（Ｌ）n1・（Ｘ）n2        ・・・（１）
式中、Ｌは、配位子であって、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を１個以上有する化合物であり、Ｘは対イオンであり、ｎ１は１〜４の整数を表し、ｎ２は０〜４の整数を表す。
【００３２】
式（１）で表される化合物（銅錯体）としては、４配位、５配位および６配位の銅錯体が例示され、４配位および５配位の銅錯体がより好ましく、５配位の銅錯体がさらに好ましい。また、式（１）で表される化合物（銅錯体）は、銅と配位子によって、５員環および／または６員環が形成されていることが好ましい。このような銅錯体は、形状が安定であり、錯体安定性に優れる。
【００３３】
式（１）においてＸは、対イオンを表す。式（１）で表される化合物（銅錯体）は、電荷を持たない中性錯体のほか、カチオン錯体、アニオン錯体になることもある。この場合、銅錯体の電荷を中和するよう、必要に応じて対イオンが存在する。
対イオンが負の電荷をもつ対イオン（対アニオン）の場合、例えば、無機陰イオンでもよく、有機陰イオンでもよい。例えば、対イオンとしては、水酸化物イオン、ハロゲン陰イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等）、置換または無置換のアルキルカルボン酸イオン（酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン等）、置換または無置換のアリールカルボン酸イオン（安息香酸イオン等）、置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオン（例えばｐ−トルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸イオン等）、アリールジスルホン酸イオン（例えば１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン等）、アルキル硫酸イオン（例えばメチル硫酸イオン等）、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、ホウ素酸イオン（例えば、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（Ｂ-（Ｃ6Ｆ5）4）等）、スルホネートイオン（例えば、ｐ−トルエンスルホネートイオンなど）、イミドイオン（例えば、スルホンイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオン等）、ホスフェートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が挙げられ、ハロゲン陰イオン、置換もしくは無置換のアルキルカルボン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が好ましい。
また、対アニオンは、低求核性アニオンであることが好ましい。低求核性アニオンとは、一般的に超酸（ｓｕｐｅｒ  ａｃｉｄ）と呼ばれるｐＫａの低い酸がプロトンを解離してなるアニオンである。超酸の定義は、文献によっても異なるがメタンスルホン酸よりｐＫａが低い酸の総称であり、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１１，７６，３９１−３９５    Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ  Ａｃｉｄｉｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｓｕｐｅｒ  ａｃｉｄｓに記載される構造が知られている。低求核性アニオンのｐＫａは、例えば、−１１以下が好ましく、−１１〜−１８が好ましい。ｐＫａは、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１１，７６，３９１−３９５に記載の方法により測定することができる。本明細書におけるｐＫａ値は、特に断りがない場合、１，２−ジクロロエタン中でのｐＫａである。対アニオンが、低求核性アニオンであると、銅錯体や樹脂の分解反応が生じにくく、耐熱性が良好である。低求核性アニオンは、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン（ハロゲン原子やフルオロアルキル基で置換されたアリールを含む）、ヘキサフルオロホスフェートイオン、イミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）がより好ましく、テトラアリールホウ酸イオン（ハロゲン原子やフルオロアルキル基で置換されたアリールを含む）、イミドイオン（スルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（スルホニル基で置換されたメチドを含む）が特に好ましい。
また、対アニオンは、ハロゲン陰イオン、カルボン酸イオン、スルホン酸イオン、ホウ素酸イオン、スルホネートイオン、イミドイオンであることも好ましい。具体例としては、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ホルメートイオン、ホスフェートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ｐ−トルエンスルホネートイオン、テトラフルオロホウ素酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロ−Ｎ−［（トリフルオロメタン）スルホニル］ブタンスルホニルイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオン等が挙げられる。なかでも、トリフルオロ酢酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、テトラフルホウ素酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロ−Ｎ−［（トリフルオロメタン）スルホニル］ブタンスルホニルイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオンが好ましく、トリフルオロ酢酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロ−Ｎ−［（トリフルオロメタン）スルホニル］ブタンスルホニルイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオンがより好ましい。
対イオンが正の電荷をもつ対イオン（対カチオン）の場合、例えば、無機もしくは有機のアンモニウムイオン（例えば、テトラブチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキルアンモニウムイオン、トリエチルベンジルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等）、ホスホニウムイオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオンなどのテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン、トリエチルフェニルホスホニウムイオン等）、アルカリ金属イオン、プロトンなどが挙げられる。
また、対イオンは金属錯体イオン（例えば銅錯体イオンなど）であってもよい。
【００３４】
式（１）において、Ｌは配位子であって、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を１個以上有する化合物を表す。アニオンで配位する配位部位は、解離していてもよく、非解離でも良い。配位子Ｌとしては、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を合計で２個以上有する化合物、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物及びリン酸エステル化合物などが挙げられる。以下、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位と、銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子とをあわせて配位部位ともいう。また、銅原子に対してアニオンで配位する配位部位および銅原子に対して非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる少なくとも１種を合計で２個以上有する化合物を多座配位子ともいう。
【００３５】
カルボン酸化合物としては、下記式（Ｌ−１００）で表される化合物またはその塩が挙げられる。スルホン酸化合物としては、下記式（Ｌ−２００）で表される化合物またはその塩が挙げられる。リン酸エステル化合物としては、式（Ｌ−３００）で表される化合物またはその塩が挙げられる。
【００３６】
Ｒ100−ＣＯＯＨ      ・・・式（Ｌ−１００）
Ｒ200−ＳＯ2−ＯＨ    ・・・式（Ｌ−２００）
（ＨＯ）n−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＲ300）3-n    ・・・式（Ｌ−３００）
【００３７】
式（Ｌ−１００）および式（Ｌ−２００）において、Ｒ100およびＲ200は、それぞれ独立して１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびこれらの基が２価の連結基（例えば、直鎖状または分岐状のアルキレン基、環状のアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子あるいはアルキル基）など）を介して結合して形成された基が挙げられる。また、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、カルボキシル基、スルホ基、リン酸エステル基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子などが挙げられる。
【００３８】
式（Ｌ−３００）において、Ｒ300は炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、または炭素数２〜１８のアルケニル基を表すか、−ＯＲ300が、炭素数４〜１００のポリオキシアルキル基、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、または、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基を表し、ｎは１または２を表す。ｎが１のとき、２つのＲ300はそれぞれ同一でもよいし、異なっていてもよい。スルホン酸化合物の詳細については、特開２０１５−４３０６３号公報の段落番号００１０〜００３９の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。リン酸エステル化合物の詳細については特開２０１４−４１３１８号公報の段落００１８〜００４２の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００３９】
配位子Ｌは、銅原子に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）であることが好ましい。また、多座配位子は、銅原子に対する配位部位を３個以上有する化合物であることが好ましく、３〜５個有する化合物であることがより好ましく、４〜５個有する化合物であることが更に好ましい。多座配位子は、銅原子に対し、キレート配位子として働く。すなわち、多座配位子が有する少なくとも２つの配位部位が、銅とキレート配位することにより、銅錯体の構造が歪んで、優れた可視透明性が得られ、更には、赤外線の吸光能力を向上でき、色価も向上すると考えられる。多座配位子は、アニオンで配位する配位部位を１つ以上と非共有電子対で配位する配位原子を１つ以上とを含む化合物、非共有電子対で配位する配位原子を２つ以上有する化合物、アニオンで配位する配位部位を２つ含む化合物等が挙げられる。多座配位子は、非共有電子対で配位する配位原子を含む化合物であることが好ましく、非共有電子対で配位する配位原子として窒素原子を含む化合物であることがより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子として窒素原子を含み、この窒素原子にアルキル基（好ましくはメチル基）が置換されている化合物であることがより好ましい。
【００４０】
また、配位子Ｌは、銅原子に対する配位部位を１個有する化合物（単座配位子）と、銅原子に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）とを併用することも好ましい。単座配位子としては、アニオンで配位する配位部位を１個有する化合物（アニオンで配位する単座配位子ともいう）、非共有電子対で配位する配位原子を１個有する化合物（非共有電子対で配位する単座配位子ともいう）が挙げられる。アニオンで配位する単座配位子としては、ハライドアニオン、ヒドロキシドアニオン、アルコキシドアニオン、フェノキシドアニオン、アミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、イミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたイミドを含む）、アニリドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアニリドを含む）、チオラートアニオン、炭酸水素アニオン、カルボン酸アニオン、チオカルボン酸アニオン、ジチオカルボン酸アニオン、硫酸水素アニオン、スルホン酸アニオン、リン酸二水素アニオン、リン酸ジエステルアニオン、ホスホン酸モノエステルアニオン、ホスホン酸水素アニオン、ホスフィン酸アニオン、含窒素へテロ環アニオン、硝酸アニオン、次亜塩素酸アニオン、シアニドアニオン、シアナートアニオン、イソシアナートアニオン、チオシアナートアニオン、イソチオシアナートアニオン、アジドアニオンなどが挙げられる。非共有電子対で配位する単座配位子としては、水、アルコール、フェノール、エーテル、アミン、アニリン、アミド、イミド、イミン、ニトリル、イソニトリル、チオール、チオエーテル、カルボニル化合物、チオカルボニル化合物、スルホキシド、へテロ環、あるいは、炭酸、カルボン酸、硫酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、硝酸、または、そのエステルが挙げられる。
【００４１】
式（１）において、配位子Ｌは、可視透明性を向上させるために、芳香族などのπ共役系が連続して複数結合していない化合物であることが好ましい。
【００４２】
式（１）で表される化合物は、波長４００〜６００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であることも好ましい。波長４００〜６００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物を配位子とする銅錯体は、可視領域（例えば、４００〜６００ｎｍの波長領域）に吸収を有するため、可視透明性が不十分な場合がある。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物としては、長い共役構造を有し、π−π＊遷移の光の吸収の大きい化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン骨格を有する化合物が挙げられる。
【００４３】
銅錯体は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であることも好ましい。ここで、フタロシアニン銅錯体とは、フタロシアニン骨格を有する化合物を配位子とする銅錯体である。フタロシアニン骨格を有する化合物は、分子全体にπ電子共役系が広がり、平面構造を取る。フタロシアニン銅錯体は、π−π＊遷移で光を吸収する。π−π＊遷移で赤外領域の光を吸収するには、配位子をなす化合物が長い共役構造をとる必要がある。しかしながら、配位子の共役構造を長くすると、可視透明性が低下する傾向にある。このため、フタロシアニン銅錯体は、可視透明性が不十分な場合がある。
【００４４】
式（１）において、配位子Ｌにおけるアニオンとしては、銅原子に配位可能なものであればよく、酸素アニオン、窒素アニオンまたは硫黄アニオンが好ましい。銅原子に対してアニオンで配位する配位部位としては、以下の１価の官能基群（ＡＮ−１）、または、２価の官能基群（ＡＮ−２）から選択される少なくとも１種であることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
【００４５】
群（ＡＮ−１）
【化１】
2018168231.tif 000002
【００４６】
群（ＡＮ−２）
【化２】
2018168231.tif 000003
【００４７】
上記式中、Ｘは、ＮまたはＣＲを表し、Ｒは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ｒが表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキル基の例としては、メチル基が挙げられる。アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としてはハロゲン原子、カルボキシル基、ヘテロ環基が挙げられる。置換基としてのヘテロ環基は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましく、１または２が好ましい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子は、窒素原子が好ましい。アルキル基が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよい。
Ｒが表すアルケニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルケニル基の炭素数は、２〜１０が好ましく、２〜６がより好ましい。アルケニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアルキニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキニル基の炭素数は、２〜１０が好ましく、２〜６がより好ましい。アルキニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
【００４８】
アニオンで配位する配位部位の例として、モノアニオン性配位部位も挙げられる。モノアニオン性配位部位は、１つの負電荷を有する官能基を介して銅原子と配位する部位を表す。例えば、酸解離定数（ｐＫａ）が１２以下の酸基が挙げられる。具体的には、リン原子を含有する酸基（リン酸ジエステル基、ホスホン酸モノエステル基、ホスフィン酸基等）、スルホ基、カルボキシル基、イミド酸基等が挙げられ、スルホ基、カルボキシル基が好ましい。
【００４９】
非共有電子対で配位する配位原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子またはリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子または硫黄原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子である場合、窒素原子に隣接する原子が炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、炭素原子がより好ましい。
【００５０】
非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれるか、または、以下の１価の官能基群（ＵＥ−１）、２価の官能基群（ＵＥ−２）、３価の官能基群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造に含まれることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
群（ＵＥ−１）
【化３】
2018168231.tif 000004
【００５１】
群（ＵＥ−２）
【化４】
2018168231.tif 000005
【００５２】
群（ＵＥ−３）
【化５】
2018168231.tif 000006
【００５３】
群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中、Ｒ1は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ2は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
【００５４】
非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれていてもよい。非共有電子対で配位する配位原子が環に含まれる場合、非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、５〜１２員環が好ましく、５〜７員環がより好ましい。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子、ケイ素原子、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、カルボキシル基等が挙げられる。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよく、置換基としては、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造を含む基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアシル基、ヒドロキシ基などが挙げられる。
【００５５】
群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）のＲ1およびＲ2が表すアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基は、上記群（ＡＮ−１）および群（ＡＮ−２）のＲで説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ2が表すアルコキシ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、３〜９がより好ましい。
Ｒ2が表すアリールオキシ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
Ｒ2が表すヘテロアリールオキシ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールオキシ基を構成するヘテロアリール基は、上述したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ2が表すアルキルチオ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜９がより好ましい。
Ｒ2が表すアリールチオ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
Ｒ2が表すヘテロアリールチオ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールチオ基を構成するヘテロアリール基は、上述したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ2が表すアシル基の炭素数は、２〜１２が好ましく、２〜９がより好ましい。
【００５６】
群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）において、Ｒ1は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基が好ましく、水素原子またはアルキル基がより好ましく、アルキル基が特に好ましい。アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｎ原子上の置換基、すなわちＲ1をアルキル基とすることで、銅錯体の分子軌道への配位子寄与率が向上して、極大吸収波長でのモル吸光係数が向上し、赤外線遮蔽性および可視透明性がより向上する傾向にある。耐熱性と赤外線遮蔽性と可視透明性とのバランスの観点からは、Ｒ1はアルキル基であることが好ましい。
【００５７】
配位子Ｌが、１分子内に、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する場合、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子数は、１〜６個であることが好ましく、１〜３個であることがより好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができ、可視透明性を高めつつ、モル吸光係数を大きくし易い。アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子の種類は、１種または２種以上であってもよい。炭素原子、または、窒素原子が好ましい。
【００５８】
配位子Ｌが、１分子内に、非共有電子対で配位する配位原子を２個以上有する場合、非共有電子対で配位する配位原子を３個以上有していることが好ましく、３〜５個有していることがより好ましく、３個または４個有していることが更に好ましく、４個有していることが特に好ましい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子数は、１〜６個であることが好ましく、１〜３個であることがより好ましく、２〜３個であることが更に好ましく、３個であることが特に好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができる。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、炭素原子が好ましい。
【００５９】
多座配位子は、下記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）で表される化合物であることが好ましい。例えば、配位子が４つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）、（ＩＶ−１２）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−１２）で表される化合物がより好ましい。また、例えば、配位子が５つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−４）、（ＩＶ−８）〜（ＩＶ−１１）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−９）〜（ＩＶ−１０）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物がより好ましく、（ＩＶ−１３）で表される化合物が特に好ましい。
【化６】
2018168231.tif 000007
【００６０】
式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）中、Ｘ1〜Ｘ59はそれぞれ独立して、配位部位を表し、Ｌ1〜Ｌ25はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｌ26〜Ｌ32はそれぞれ独立して３価の連結基を表し、Ｌ33〜Ｌ34はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。
Ｘ1〜Ｘ42はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−１）、または、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ43〜Ｘ56はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−２）、または、群（ＵＥ−２）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ57〜Ｘ59はそれぞれ独立して、上述した群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｌ1〜Ｌ25はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数６〜１２のアリーレン基、−ＳＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ2−または、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、−ＳＯ2−またはこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。
Ｌ26〜Ｌ32はそれぞれ独立して３価の連結基を表す。３価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
Ｌ33〜Ｌ34はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。４価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
【００６１】
配位子をなす化合物の具体例としては、以下に示す化合物、後述する多座配位子の好ましい具体例として示す化合物、および、これらの化合物の塩が挙げられる。塩を構成する原子または原子団としては、金属原子、テトラブチルアンモニウムなどが挙げられる。金属原子としては、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子がより好ましい。アルカリ金属原子としては、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属原子としては、カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【００６２】
【化７】
2018168231.tif 000008
【化８】
2018168231.tif 000009
【化９】
2018168231.tif 000010
【００６３】
銅錯体としては、例えば、以下の（１）〜（５）の態様が好ましい例として挙げられ、（２）〜（５）がより好ましく、（３）〜（５）が更に好ましく、（４）または（５）が一層好ましい。
（１）２つの配位部位を有する化合物の１つまたは２つを配位子Ｌとして有する銅錯体。
（２）３つの配位部位を有する化合物を配位子Ｌとして有する銅錯体。
（３）３つの配位部位を有する化合物と２つの配位部位を有する化合物とを配位子Ｌとして有する銅錯体。
（４）４つの配位部位を有する化合物を配位子Ｌとして有する銅錯体。
（５）５つの配位部位を有する化合物を配位子Ｌとして有する銅錯体。
【００６４】
上記（１）の態様において、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物、または、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物の２つを配位子として有する場合、配位子の化合物は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、（１）の態様において、銅錯体は、単座配位子を配位子Ｌとして更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１〜３個とすることもできる。２つの配位部位を有する化合物が非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物の場合は、単座配位子としては、配位力が強いという理由からアニオンで配位する配位部位を１個有する化合物であることが好ましい。２つの配位部位を有する化合物がアニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物の場合は、単座配位子としては、非共有電子対で配位する配位原子を１個有する化合物であることが好ましい。
【００６５】
上記（２）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を３つ有する化合物が更に好ましい。また、（２）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもできる。また、１個以上とすることもでき、１〜３個以上がより好ましく、１〜２個がさらに好ましく、２個が一層好ましい。単座配位子の種類としては、上述した理由によりアニオンで配位する配位部位を１個有する化合物が好ましい。
【００６６】
上記（３）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、アニオンで配位する配位部位と、非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましく、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物が更に好ましい。さらに、この２つのアニオンで配位する配位部位が異なっていることが特に好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物が更に好ましい。なかでも、３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物であり、２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物である組み合わせが、特に好ましい。また、（３）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。単座配位子の数は、０個がより好ましい。
【００６７】
上記（４）の態様において、４つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を４つ有する化合物が更に好ましい。また、（４）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもでき、２個以上とすることもできる。単座配位子の数は、１個が好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する配位部位を１個有する化合物、非共有電子対で配位する配位原子を１個有する化合物のいずれも好ましい。
【００６８】
上記（５）の態様において、５つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を５つ有する化合物が更に好ましい。また、（５）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。単座配位子の数は０個が好ましい。
【００６９】
多座配位子は、上述した配位子の具体例で説明した化合物のうち、配位部位を２以上有する化合物や、以下に示す化合物が挙げられる。
【化１０】
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【化１１】
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【００７０】
銅錯体中における銅以外の金属の含有量としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、異物欠陥の抑制された樹脂膜を形成し易い。また、銅錯体のリチウム含有量は１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、銅錯体のカリウム含有量は３０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。銅錯体中における銅以外の金属の含有量を低減させる方法としては、再沈殿、再結晶、カラムクロマトグラフィー、昇華精製などの方法で、銅錯体を精製する方法が挙げられる。また、銅錯体を溶剤に溶解させた後にフィルタでろ過して精製する方法を用いることもできる。銅錯体中における銅以外の金属の含有量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法にて測定することができる。
【００７１】
銅錯体の水分量としては、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、樹脂組成物の経時安定性を高めることができる。
【００７２】
銅錯体中の遊離したハロゲン陰イオンおよびハロゲン化合物の合計量としては、銅錯体の全固形分に対して５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、樹脂組成物の経時安定性を高めることができる。
【００７３】
式（１）で表される銅錯体は、例えば銅成分（銅または銅を含む化合物）に対して、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）を混合・反応等させて得ることができる。銅成分は、２価の銅を含む化合物が好ましい。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。銅成分としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、例えば、カルボン酸銅（例えば、酢酸銅、エチルアセト酢酸銅、ギ酸銅、安息香酸銅、ステアリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅など）、スルホン酸銅（例えば、メタンスルホン酸銅など）、リン酸銅、リン酸エステル銅、ホスホン酸銅、ホスホン酸エステル銅、ホスフィン酸銅、アミド銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、メチド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、硫酸銅、硝酸銅、過塩素酸銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅が好ましく、カルボン酸銅、スルホン酸銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、フッ化銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅がより好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、フェノキシ銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅が更に好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、塩化銅、硫酸銅が特に好ましい。銅成分はメタノールで希釈するかまたは溶解させたのち、ろ過してから使用することが好ましい。ろ過に用いるろ紙やフィルタの孔径は１μｍ以下であることが好ましい。
【００７４】
銅と配位子とが、銅：配位子＝１：ｐのモル比で量論的に配位するような配位子に関しては、銅錯体合成において銅成分と配位子の反応のモル比を１：ｑ（ただし、ｑ≧ｐであり、ｑは任意の数である）とすることが好ましい。ｑ＜ｐとなる場合は原料である銅成分が銅錯体中に残存しやすく、可視透明性が低下したり、異物欠陥の要因となる。銅錯体中における原材料である銅成分の残存率（配位子と配位していない銅成分の含有量）としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。また、銅錯体中に配位子が過剰に残存していると可視透明性が低下したり、異物欠陥数が増加したり、組成物の熱安定性が低下することがあるので、ｐ≦ｑ≦２ｐであることが好ましく、ｐ≦ｑ≦１．５ｐであることがより好ましく、ｐ≦ｑ≦１．２ｐであることが更に好ましい。銅錯体中における配位子の残存率（銅と配位していない配位子の含有量）としては銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。また、銅錯体の製造にあたり、複数回の晶析工程を設けることが好ましい。晶析の際は、良溶媒は貧溶媒より少ないことが好ましい。また、複数回晶析工程を設ける場合は、銅錯体の固形分を８０質量％としてから次の晶析工程に移ることが好ましい。
【００７５】
樹脂組成物において、銅錯体の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して５〜９５質量％であることが好ましい。下限は１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましく、２０質量％以上が更により好ましい。上限は、７０質量％以下がより好ましく、６０質量％以下が更に好ましく、５０質量％以下が更により好ましい。銅錯体は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用することもできる。銅錯体を２種以上併用することが好ましい。銅錯体を２種以上併用する場合は、それらの合計量が上記範囲であることが好ましい。
【００７６】
＜＜他の赤外線吸収剤＞＞
樹脂組成物は、銅錯体以外の赤外線吸収剤（他の赤外線吸収剤ともいう）を含有することができる。他の赤外線吸収剤としては、シアニン化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ジイミニウム化合物、チオール錯体化合物、遷移金属酸化物、クアテリレン化合物、クロコニウム化合物等が挙げられる。
【００７７】
ピロロピロール化合物としては、例えば、特開２００９−２６３６１４号公報の段落番号００１６〜００５８に記載の化合物、特開２０１１−６８７３１号公報の段落番号００３７〜００５２に記載の化合物などが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。スクアリリウム化合物としては、例えば、特開２０１１−２０８１０１号公報の段落番号００４４〜００４９に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。シアニン化合物としては、例えば、特開２００９−１０８２６７号公報の段落番号００４４〜００４５に記載の化合物、特開２００２−１９４０４０号公報の段落番号００２６〜００３０に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。ジイミニウム化合物としては、例えば、特表２００８−５２８７０６号公報に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。フタロシアニン化合物としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物、特開２００６−３４３６３１号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニン、特開２０１３−１９５４８０号公報の段落番号００１３〜００２９に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。ナフタロシアニン化合物としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ジイミニウム化合物、スクアリリウム化合物及びクロコニウム化合物は、特開２０１０−１１１７５０号公報の段落番号００１０〜００８１に記載の化合物を使用してもよく、この内容は本明細書に組み込まれる。また、シアニン系化合物は、例えば、「機能性色素、大河原信／松岡賢／北尾悌次郎／平嶋恒亮・著、講談社サイエンティフィック」を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、他の赤外線吸収剤としては、特開２０１６−１４６６１９号公報、特開２０１７−０３１３９４号公報、特開２０１６−２００７７１号公報および特開２０１６−１４２８９１号公報に記載された化合物を用いることもでき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、他の赤外線吸収剤としては、下記構造の化合物を用いることもできる。
【化１２】
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【００７８】
また、他の赤外線吸収剤として、無機粒子を用いることもできる。無機粒子は、赤外線遮蔽性がより優れる点で、金属酸化物粒子または金属粒子であることが好ましい。金属酸化物粒子としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子、Ａｌドープ酸化亜鉛（ＡｌドープＺｎＯ）粒子、フッ素ドープ二酸化スズ（ＦドープＳｎＯ2）粒子、ニオブドープ二酸化チタン（ＮｂドープＴｉＯ2）粒子などが挙げられる。金属粒子としては、例えば、銀（Ａｇ）粒子、金（Ａｕ）粒子、銅（Ｃｕ）粒子、ニッケル（Ｎｉ）粒子などが挙げられる。また、無機粒子としては酸化タングステン系化合物を用いることもできる。酸化タングステン系化合物は、セシウム酸化タングステンであることが好ましい。酸化タングステン系化合物の詳細については、特開２０１６−００６４７６号公報の段落番号００８０を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。無機粒子の形状は特に制限されず、球状、非球状を問わず、シート状、ワイヤー状、チューブ状であってもよい。
【００７９】
無機粒子の平均粒子径は、８００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下が更に好ましい。無機粒子の平均粒子径が８００ｎｍ以下であれば、可視透明性が良好である。無機粒子の平均粒子径は小さいほど好ましいが、取り扱い性などの観点から、無機粒子の平均粒子径は、１ｎｍ以上であることが好ましい。
【００８０】
樹脂組成物が他の赤外線吸収剤を含有する場合、他の赤外線吸収剤の含有量は、銅錯体１００質量部に対し、０．１〜５０質量部が好ましい。下限は０．５質量部以上がより好ましく、１質量部以上が更に好ましい。上限は、４５質量部以下がより好ましく、４０質量部以下が更に好ましく、３５質量部以下が更により好ましい。
【００８１】
＜＜樹脂＞＞
樹脂組成物は、樹脂を含有する。本発明においては、樹脂として架橋性基を実質的に有さない樹脂を用いる。架橋性基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、メチロール基およびアルコキシシリル基などが挙げられる。すなわち、本発明では、樹脂として、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、メチロール基およびアルコキシシリル基から選ばれる架橋性基を実質的に有さない樹脂を用いることが好ましい。なお、本発明において、架橋性基を実質的に有さない樹脂とは、加熱後において樹脂が３次元架橋を形成しない樹脂であることを意味する。より具体的には、架橋性基を実質的に有さない樹脂は、１００℃に加熱した後も樹脂が３次元架橋を形成しない樹脂であることが好ましい。樹脂が３次元架橋を形成しているかどうかは、ＮＭＲ（核磁気共鳴）による分子構造解析、熱重量測定、示差熱分析または示差走査熱量測定による熱物性解析、ヤング率または破断伸び等の物理的物性解析等の方法により解析できる。これらのいずれかの方法において、加熱前後でプロファイルの大きな変化がない場合は、その樹脂は３次元架橋を形成していないといえる。すなわち、その樹脂は、架橋性基を実質的に有さない樹脂であるといえる。
また、樹脂中の架橋性基量は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）解析での検出限界値未満であることが好ましい。また、樹脂は架橋性基を有さないことがより好ましい。
【００８２】
樹脂の種類としては、架橋性基を実質的に有さないものであれば特に限定は無い。樹脂は透明性の高い樹脂が好ましい。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、カルボキシル化ポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、シクロオレフィンポリマー等のポリオレフィン樹脂；ポリスチレン樹脂；（メタ）アクリル酸エステル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂等の（メタ）アクリル樹脂；酢酸ビニル樹脂；ハロゲン化ビニル樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；ポリアミド樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリアリレート（ＰＡＲ）等のポリエステル樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリマレイミド樹脂；ポリウレア樹脂；ポリビニルブチラール樹脂等のポリビニルアセタール樹脂等が挙げられる。なかでも、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリマレイミド樹脂、ポリウレア樹脂が好ましく、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂がより好ましい。樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００，０００が好ましい。下限は、２０００以上がより好ましく、３０００以上がさらに好ましい。上限は、１００，０００以下がより好ましく、５０，０００以下がさらに好ましい。樹脂の数平均分子量は、５００〜２００，０００が好ましい。下限は、１０００以上がより好ましく、２，０００以上がさらに好ましい。上限は、１５０，０００以下がより好ましく、１００，０００以下がさらに好ましい。
【００８３】
樹脂は、下記式（Ａ１−１）〜（Ａ１−７）で表される繰り返し単位の少なくとも１種を有する樹脂であることも好ましい。
【化１３】
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式中、Ｒ1は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ1〜Ｌ4はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ10〜Ｒ13はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ14およびＲ15は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【００８４】
Ｒ1が表すアルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ1は、水素原子またはメチル基が好ましい。
【００８５】
Ｌ1〜Ｌ4が表す２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲa−（Ｒaは水素原子あるいはアルキル基を表す）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。
【００８６】
Ｒ10〜Ｒ13が表すアルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキル基は置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。Ｒ10〜Ｒ13が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。
Ｒ10は、直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアリール基であることが好ましく、直鎖もしくは分岐のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して直鎖または分岐のアルキル基であることが好ましく、直鎖のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ13は、直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアリール基であることが好ましい。
【００８７】
Ｒ14およびＲ15が表す置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ヘテロアリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、−ＮＲa1Ｒa2、−ＣＯＲa3、−ＣＯＯＲa4、−ＯＣＯＲa5、−ＮＨＣＯＲa6、−ＣＯＮＲa7Ｒa8、−ＮＨＣＯＮＲa9Ｒa10、−ＮＨＣＯＯＲa11、−ＳＯ2Ｒa12、−ＳＯ2ＯＲa13、−ＮＨＳＯ2Ｒa14または−ＳＯ2ＮＲa15Ｒa16が挙げられる。Ｒa1〜Ｒa16は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。なかでも、Ｒ14およびＲ15の少なくとも一方は、シアノ基または−ＣＯＯＲa4を表すことが好ましい。Ｒa4は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表すことが好ましい。
【００８８】
式（Ａ１−７）で表される繰り返し単位を有する樹脂の市販品としては、ＡＲＴＯＮ  Ｆ４５２０（ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。また、式（Ａ１−７）で表される繰り返し単位を有する樹脂の詳細については、特開２０１１−１０００８４号公報の段落番号００５３〜００７５、０１２７〜０１３０の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００８９】
樹脂としては、式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましく、式（Ａ１−１）で表される繰り返し単位と、式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位とを有する樹脂であることがより好ましい。この態様によれば、樹脂膜の耐熱衝撃性が向上する傾向にある。更には、銅錯体と樹脂との相溶性が向上し、析出物などの少ない樹脂膜が得られやすい。
【００９０】
樹脂は、上述した繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位を構成する成分については、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の段落番号０１１２〜０１１８）の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【００９１】
樹脂組成物において、樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、３０〜９０質量％が好ましい。下限は、３５質量％以上がより好ましく、４０質量％以上が更に好ましく、５０質量％以上が更により好ましい。上限は、８５質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。また、銅錯体と樹脂の合計量は、樹脂組成物の全固形分に対して、６０〜１００質量％であり、７０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることがより好ましく、９０〜１００質量％であることが更に好ましい。
【００９２】
＜＜溶剤＞＞
樹脂組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤は、特に制限はなく、各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、水、有機溶剤を用いることができる。有機溶剤としては、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、溶剤は、架橋性基を含まない化合物であることが好ましい。アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開２０１２−１９４５３４号公報の段落０１３６等に記載の溶剤が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落０４９７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の段落番号０６０９）に記載の溶剤が挙げられる。また、溶剤としては、環状アルキル基が置換したエステル系溶剤、環状アルキル基が置換したケトン系溶剤を用いることもできる。溶剤の具体例としては、酢酸−ｎ−アミル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、硫酸メチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、１−メトキシ−２−プロパノール、酢酸シクロヘキシル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリアセチン、３−メトキシブタノール、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１，４−ブタンジオールジアセテート、シクロヘキサノールアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、１，３−ブチレングリコールジアセテート、１，６−ヘキサンジオールジアセテートなどが挙げられる。これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９３】
また、溶剤としては、沸点が１５０℃以下（好ましくは沸点が３０〜１４５℃、より好ましくは５０〜１４０℃）の溶剤（以下、低沸点溶剤ともいう）を単独で使用してもよく、沸点が１５０℃以上（好ましくは沸点が１５５〜３００℃、より好ましくは１６０〜２５０℃）の溶剤（以下、高沸点溶剤ともいう）を単独で使用してもよく、低沸点溶剤と高沸点溶剤とを併用してもよい。高沸点溶剤を用いることで、樹脂組成物中の溶剤の蒸発速度が遅くなり、乾燥の安定化と残渣の析出を抑制しやすい。特に、樹脂組成物の固形分濃度が低い場合（例えば、固形分濃度が３５質量％以下の場合など）においては、乾燥の安定化と残渣の析出の観点から、溶剤として高沸点溶剤と低沸点溶剤をと併用することが好ましい。また、高沸点溶剤と低沸点溶剤をと併用する場合、高沸点溶剤の沸点と、低沸点溶剤の沸点の差は２０〜２５０℃であることが好ましく、５０〜１５０℃であることがより好ましい。また、高沸点溶剤と、低沸点溶剤との質量比は特に限定はないが、高沸点溶剤：低沸点溶剤＝９９：１〜５５：４５であることが好ましく、９５：５〜７０：３０であることがより好ましい。
高沸点溶剤としては、例えば、３−メトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリアセチン、３−メトキシブタノール、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１，４−ブタンジオールジアセテート、シクロヘキサノールアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、１，３−ブチレングリコールジアセテート、１，６−ヘキサンジオールジアセテートなどが挙げられる。
低沸点溶剤としては、例えば、シクロペンタノン、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメテルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメテルエーテルなどが挙げられる。
【００９４】
本発明において、金属含有量の少ない溶剤を用いることが好ましく、溶剤の金属含有量は、例えば１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であることが好ましい。必要に応じて質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｔｒｉｌｌｉｏｎ）レベルの溶剤を用いてもよく、そのような高純度溶剤は例えば東洋合成社が提供している（化学工業日報、２０１５年１１月１３日）。
【００９５】
溶剤から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、蒸留（分子蒸留や薄膜蒸留等）やフィルタを用いたろ過を挙げることができる。ろ過に用いるフィルタのフィルタ孔径としては、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下が更に好ましい。フィルタの材質は、ポリテトラフロロエチレン、ポリエチレンまたはナイロンが好ましい。
【００９６】
溶剤は、異性体（同じ原子数で異なる構造の化合物）が含まれていてもよい。また、異性体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。
【００９７】
溶剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分が５〜８０質量％となる量が好ましい。下限は、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましく、３０質量％以上が更により好ましく、５０質量％以上がより一層好ましく、５５質量％以上が更に一層好ましく、６０質量％以上が特に好ましい。上限は、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。樹脂組成物の固形分濃度（全固形分）を高めることで、一回の塗布で厚みのある樹脂層を形成することができる。例えば、樹脂組成物の全固形分を５０質量％以上とすることで、一回の塗布で５〜４０μｍの厚みの樹脂層を形成することができる。また、樹脂組成物の全固形分が８０質量％以下であれば、樹脂組成物中の成分の溶解性が良好である。溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。また、環境面等の理由により、組成物は、溶剤としての芳香族炭化水素類（ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等）を含有しないことが好ましい場合もある。
【００９８】
＜＜ラジカルトラップ剤＞＞
樹脂組成物は、ラジカルトラップ剤を含有することもできる。ラジカルトラップ剤としてはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカオプトマーＮ−１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２−１４０５２号公報に記載の光重合開始剤２）等を用いることができる。
【００９９】
また、オキシム化合物として、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報に記載の化合物、特表２０１４−５００８５２号公報に記載の化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報に記載の化合物（Ｃ−３）などが挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１００】
また、オキシム化合物として、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることができる。ニトロ基を有するオキシム化合物は、二量体とすることも好ましい。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３−１１４２４９号公報の段落番号００３１〜００４７、特開２０１４−１３７４６６号公報の段落番号０００８〜００１２、００７０〜００７９に記載されている化合物、特許４２２３０７１号公報の段落番号０００７〜００２５に記載されている化合物、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）が挙げられる。
【０１０１】
また、オキシム化合物として、フルオレン環を有するオキシム化合物を用いることもできる。フルオレン環を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１４−１３７４６６号公報に記載の化合物が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１０２】
また、オキシム化合物として、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。具体例としては、国際公開ＷＯ２０１５／０３６９１０号公報に記載されている化合物ＯＥ−０１〜ＯＥ−７５が挙げられる。
【０１０３】
ラジカルトラップ剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上がより好ましい。上限は、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。
【０１０４】
＜＜界面活性剤＞＞
樹脂組成物は、界面活性剤を含有することもできる。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０００１〜５質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましい。上限は、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。樹脂組成物に界面活性剤を含有させることで、例えば、樹脂組成物を塗り重ねて樹脂層を形成する場合において、樹脂組成物の濡れ性を高めることができる。
【０１０５】
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用でき、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤がより好ましい。フッ素系界面活性剤におけるフッ素含有率は、３〜４０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上がより好ましく、７質量％以上が更に好ましい。上限は、３０質量％以下がより好ましく、２５質量％以下が更に好ましい。フッ素系界面活性剤におけるフッ素含有率が上述した範囲であれば、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的である。
【０１０６】
フッ素系界面活性剤としては、特開２０１４−４１３１８号公報の段落番号００６０〜００６４（対応する国際公開２０１４／１７６６９号公報の段落番号００６０〜００６４）に記載の界面活性剤、特開２０１１−１３２５０３号公報の段落番号０１１７〜０１３２に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファックＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１７７、Ｆ１４１、Ｆ１４２、Ｆ１４３、Ｆ１４４、Ｒ３０、Ｆ４３７、Ｆ４７５、Ｆ４７９、Ｆ４８２、Ｆ５５４、Ｆ７８０（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１、ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０６８、ＳＣ−３８１、ＳＣ−３８３、Ｓ−３９３、ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰｏｌｙＦｏｘ  ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（以上、ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。
【０１０７】
また、フッ素系界面活性剤としては、フッ素原子を含有する官能基を持つ分子構造を有し、熱を加えるとフッ素原子を含有する官能基の部分が切断されてフッ素原子が揮発するアクリル系化合物も好適に使用できる。このようなフッ素系界面活性剤としては、ＤＩＣ（株）製のメガファックＤＳシリーズ（化学工業日報、２０１６年２月２２日および日経産業新聞、２０１６年２月２３日）、例えばメガファックＤＳ−２１が挙げられ、これらを用いることができる。
【０１０８】
フッ素系界面活性剤としては、ブロックポリマーを用いることもできる。例えば、特開２０１１−８９０９０号公報に記載された化合物が挙げられる。フッ素系界面活性剤としては、フッ素原子を有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、アルキレンオキシ基（好ましくはエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基）を２以上（好ましくは５以上）有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、を含む含フッ素高分子化合物も好ましく用いることができる。下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。
【化１４】
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上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００〜５０，０００であり、例えば、１４，０００である。上記の化合物中、繰り返し単位の割合を示す％はモル％である。
【０１０９】
また、フッ素系界面活性剤としては、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体を用いることもできる。具体例としては、特開２０１０−１６４９６５号公報の段落番号００５０〜００９０および段落番号０２８９〜０２９５に記載された化合物、例えばＤＩＣ（株）製のメガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−７１８Ｋ、ＲＳ−７２−Ｋ等が挙げられる。フッ素系界面活性剤としては、特開２０１５−１１７３２７号公報の段落番号００１５〜０１５８に記載の化合物を用いることもできる。
【０１１０】
ノニオン系界面活性剤としては、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落番号０５５３（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の段落番号０６７９）に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。カチオン系界面活性剤としては、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落番号０５５４（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の段落番号０６８０）に記載のカチオン系界面活性剤が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。アニオン系界面活性剤としては、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）製）等が挙げられる。シリコーン系界面活性剤としては、例えば、ＫＦ６００１（信越シリコーン製）や、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落番号０５５６（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の段落番号０６８２）に記載のシリコーン系界面活性剤が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１１１】
＜＜紫外線吸収剤＞＞
樹脂組成物は、紫外線吸収剤を含有することができる。紫外線吸収剤としては、共役ジエン化合物、アミノジエン化合物、サリシレート化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、アクリロニトリル化合物、ヒドロキシフェニルトリアジン化合物などを用いることができる。なかでも、銅化合物との相溶性が良好であり、更には銅化合物と吸収波長が適し、優れた可視透明性を維持しつつ、紫外線の遮蔽性を高めることができるという理由から、ベンゾトリアゾール化合物およびヒドロキシフェニルトリアジン化合物が好ましい。これらの詳細については、特開２０１２−２０８３７４号公報の段落番号００５２〜００７２、特開２０１３−６８８１４号公報の段落番号０３１７〜０３３４の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。ベンゾトリアゾール化合物の市販品としては、ＴＩＮＵＶＩＮ  ＰＳ、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９９−２、ＴＩＮＵＶＩＮ  ３８４−２、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９００、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９２８、ＴＩＮＵＶＩＮ  １１３０（以上、ＢＡＳＦ社製）などが挙げられる。また、ベンゾトリアゾール化合物としてはミヨシ油脂製のＭＹＵＡシリーズ（化学工業日報、２０１６年２月１日）を用いてもよい。紫外線吸収剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜５質量％がより好ましい。
【０１１２】
＜＜その他の成分＞＞
【０１１３】
樹脂組成物は、さらに、分散剤、増感剤、フィラー、熱重合禁止剤、可塑剤、密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を含んでいてもよい。これらの成分は、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０４、０１０７〜０１０９等の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、酸化防止剤としては、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物などが挙げられる。分子量５００以上のフェノール化合物、分子量５００以上の亜リン酸エステル化合物又は分子量５００以上のチオエーテル化合物がより好ましい。これらは２種以上を混合して使用してもよい。フェノール化合物としては、フェノール系酸化防止剤として知られる任意のフェノール化合物を使用することができる。好ましいフェノール化合物としては、ヒンダードフェノール化合物が挙げられる。特に、フェノール性水酸基に隣接する部位（オルト位）に置換基を有する化合物が好ましい。前述の置換基としては炭素数１〜２２の置換又は無置換のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルへキシル基がより好ましい。また、同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する化合物（酸化防止剤）も好ましい。また、酸化防止剤は、リン系酸化防止剤も好適に使用することができる。リン系酸化防止剤としてはトリス［２−［［２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−６−イル］オキシ］エチル］アミン、トリス［２−［（４，６，９，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−２−イル）オキシ］エチル］アミン、および亜リン酸エチルビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。これらは、市販品として容易に入手可能であり、アデカスタブＡＯ−２０、アデカスタブＡＯ−３０、アデカスタブＡＯ−４０、アデカスタブＡＯ−５０、アデカスタブＡＯ−５０Ｆ、アデカスタブＡＯ−６０、アデカスタブＡＯ−６０Ｇ、アデカスタブＡＯ−８０、アデカスタブＡＯ−３３０（（株）ＡＤＥＫＡ）などが挙げられる。酸化防止剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．３〜１５質量％であることがより好ましい。酸化防止剤は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１１４】
樹脂組成物は、架橋性基を含むモノマーの含有量が、樹脂組成物の全固形分に対して１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、架橋性基を含むモノマーを実質的に含有しないことが特に好ましい。樹脂組成物が架橋性基を含むモノマーを実質的に含有しないとは、架橋性基を含むモノマーの含有量が、樹脂組成物の全固形分に対して０．１質量％以下であることを意味し、０．０５質量％以下であることが好ましく、含有しないことがより好ましい。架橋性基を含むモノマーとしては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、メチロール基およびアルコキシシリル基から選ばれる少なくとも１種を有するモノマーが挙げられる。
【０１１５】
樹脂組成物中における銅以外の金属の含有量としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、異物欠陥の抑制された樹脂膜を形成し易い。また、樹脂組成物中におけるリチウム含有量は１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、樹脂組成物中におけるカリウム含有量は３０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。樹脂組成物中における銅以外の金属の含有量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法にて測定することができる。
【０１１６】
樹脂組成物中における水の含有量としては、銅錯体の固形分に対して５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。
【０１１７】
樹脂組成物中における遊離したハロゲン陰イオンおよびハロゲン化合物の合計量としては、銅錯体の全固形分に対して５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。
【０１１８】
樹脂組成物中における銅錯体の原材料である銅成分の残存率（配位子と配位していない銅成分の含有量）としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。また、樹脂組成物中における銅錯体の原料である配位子の残存率（銅と配位していない配位子の含有量）としては銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。
【０１１９】
樹脂組成物の粘度は、塗布により樹脂膜を形成する場合は、１〜３０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。下限は、１０ｍＰａ・ｓ以上がより好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上が更に好ましい。上限は、２０００ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、１５００ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましい。
【０１２０】
＜樹脂組成物の調製方法＞
上記の樹脂組成物は、各成分を混合して調製できる。樹脂組成物の製造に際しては、内壁が金属でコーティングされた釜を用いることが好ましい。樹脂組成物の調製に際しては、樹脂組成物を構成する各成分を一括配合してもよいし、各成分を溶剤に溶解および／または分散した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約を受けないが、高粘度の成分を最後に添加することが、撹拌性確保の点から好ましい。また、樹脂組成物の調製の際は、揮発防止のため閉鎖系で行うことが好ましい。また、樹脂組成物は、乾燥された空気または窒素ガス（好ましくは窒素ガス）の雰囲気下で調製することが好ましい。
【０１２１】
また、樹脂組成物が粒子を含む場合は、粒子を分散させるプロセスを含むことが好ましい。粒子を分散させるプロセスにおいて、粒子の分散に用いる機械力としては、圧縮、圧搾、衝撃、剪断、キャビテーションなどが挙げられる。これらプロセスの具体例としては、ビーズミル、サンドミル、ロールミル、ボールミル、ペイントシェーカー、マイクロフルイダイザー、高速インペラー、サンドグラインダー、フロージェットミキサー、高圧湿式微粒化、超音波分散などが挙げられる。またサンドミル（ビーズミル）における粒子の粉砕においては、径の小さいビーズを使用する、ビーズの充填率を大きくする事等により粉砕効率を高めた条件で処理することが好ましい。また、粉砕処理後にろ過、遠心分離などで粗粒子を除去することが好ましい。また、粒子を分散させるプロセスおよび分散機は、「分散技術大全、株式会社情報機構発行、２００５年７月１５日」や「サスペンション（固／液分散系）を中心とした分散技術と工業的応用の実際、総合資料集、経営開発センター出版部発行、１９７８年１０月１０日」、特開２０１５−１５７８９３号公報の段落番号００２２に記載のプロセス及び分散機を好適に使用出来る。また粒子を分散させるプロセスにおいては、ソルトミリング工程にて粒子の微細化処理を行ってもよい。ソルトミリング工程に用いられる素材、機器、処理条件等は、例えば特開２０１５−１９４５２１号公報、特開２０１２−０４６６２９号公報の記載を参酌できる。
【０１２２】
樹脂組成物の調製において、異物の除去や欠陥の低減などの目的で、樹脂組成物をフィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ナイロン（例えばナイロン−６、ナイロン−６，６）等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量のポリオレフィン樹脂を含む）等の素材を用いたフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。フィルタの孔径は、０．０１〜７．０μｍ程度が適しており、好ましくは０．０１〜３．０μｍ程度、さらに好ましくは０．０５〜０．５μｍ程度である。フィルタの厚さとしては、２５．４ｍｍ以上であることが好ましく、５０．８ｍｍ以上であることがより好ましい。また、ファイバ状のろ材を用いることも好ましく、ろ材としては例えばポリプロピレンファイバ、ナイロンファイバ、グラスファイバ等が挙げられ、具体的にはロキテクノ社製のＳＢＰタイプシリーズ（ＳＢＰ００８など）、ＴＰＲタイプシリーズ（ＴＰＲ００２、ＴＰＲ００５など）、ＳＨＰＸタイプシリーズ（ＳＨＰＸ００３など）のフィルタカートリッジを用いることができる。
【０１２３】
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたものを使用することができる。第２のフィルタの孔径は、０．２〜１０．０μｍが好ましく、０．２〜７．０μｍがより好ましく、０．３〜６．０μｍが更に好ましい。
【０１２４】
樹脂組成物を収容容器に充填するに当たり、収容容器内で樹脂組成物と水分との接触を避けることを目的に、収容容器への樹脂組成物の充填率としては７０〜１００％であることが好ましい。また、収容容器内の空隙は乾燥空気または乾燥窒素とすることも好ましい。樹脂組成物の収容容器としては、特に限定はなく、公知の収容容器を用いることができる。例えば、ポリプロピレンなどの各種樹脂で構成された容器を用いることができる。また、収容容器として、原材料や樹脂組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を６種６層の樹脂で構成する多層ボトルや６種の樹脂を７層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開２０１５−１２３３５１号公報に記載の容器が挙げられる。
【０１２５】
＜近赤外線カットフィルタの製造方法＞
次に、本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法について説明する。本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法は、支持体上に銅錯体と樹脂とを含む樹脂組成物を塗布し、乾燥して樹脂膜を形成する工程を含む近赤外線カットフィルタの製造方法であって、
銅錯体が、上述した式（１）で表される化合物であり、
樹脂が架橋性基を実質的に含まない樹脂であり、
樹脂組成物中における銅錯体と樹脂との合計量が、樹脂組成物の全固形分に対して６０〜１００質量％である樹脂組成物を用いる。樹脂組成物の詳細については、上述した樹脂組成物が挙げられる。
【０１２６】
支持体の種類としては、特に限定はされない。例えば、支持体の材質としては、一般的なガラスの他、サファイアガラス、ゴリラガラスなどの強化ガラス、透明なセラミック、プラスチックなどが挙げられる。また、支持体として固体撮像素子を用いてもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた別の基板を支持体として用いることもできる。また、固体撮像素子の受光側に設けられた平坦化層等の層を支持体として用いることもできる。また、支持体から樹脂膜を剥離して用いる場合においては、支持体としては透明性を有さない基板を用いることもできる。たとえば、金属基板、樹脂基板、シリコン基板などが挙げられる。また、支持体から樹脂膜を剥離して用いる場合においては、樹脂膜を支持体から剥離しやすくするため、支持体の表面には離型層が形成されていることも好ましい。
【０１２７】
樹脂組成物の塗布方法としては、公知の方法を用いることができる。滴下法（ドロップキャスト）；スリットコート法；スプレー法；ロールコート法；回転塗布法（スピンコーティング）；流延塗布法；スリットアンドスピン法；プリウェット法（たとえば、特開２００９−１４５３９５号公報に記載されている方法）；インクジェット（例えばオンデマンド方式、ピエゾ方式、サーマル方式）、ノズルジェット等の吐出系印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転オフセット印刷、メタルマスク印刷法などの各種印刷法；金型等を用いた転写法；ナノインプリント法；ブレードコート法；バーコート法；アプリケーター塗布法などが挙げられる。インクジェットによる適用方法としては、組成物を吐出可能な方法であれば特に限定されず、例えば「広がる・使えるインクジェット−特許に見る無限の可能性−、２００５年２月発行、住べテクノリサーチ」に示された特許公報に記載の方法（特に１１５ページ〜１３３ページ）や、特開２００３−２６２７１６号公報、特開２００３−１８５８３１号公報、特開２００３−２６１８２７号公報、特開２０１２−１２６８３０号公報、特開２００６−１６９３２５号公報などに記載の方法を用いることができる。なかでも、生産性の観点から流延塗布法が好ましい。
【０１２８】
支持体に塗布した樹脂組成物（樹脂組成物層）の乾燥条件としては、樹脂組成物に含まれる各成分の種類や含有量等によっても異なる。例えば、乾燥温度としては、４０〜１５０℃が好ましい。下限は５０℃以上がより好ましく、５５℃以上が更に好ましい。上限は１３０℃以下がより好ましく、１１０℃以下が更に好ましい。加熱時間としては、１分〜１００時間が好ましい。下限は５分以上がより好ましく、１０分以上が更に好ましい。上限は５０時間以下がより好ましく、２５時間以下が更に好ましく、２０時間以下が更により好ましい。また、室温（例えば２５℃）から一定の昇温速度で所定の乾燥温度まで昇温し、その温度保持して乾燥する方法も挙げられる。昇温速度としては、０．５〜１０℃／分が好ましく、１．０〜５℃／分がより好ましい。
【０１２９】
また、乾燥後の樹脂組成物層に対してエージングを行ってもよい。エージングにおいては、樹脂組成物層を高温高湿処理することが好ましい。エージング温度としては、６０〜１５０℃が好ましい。下限は７０℃以上がより好ましく、８０℃以上が更に好ましい。上限は１４０℃以下がより好ましく、１３０℃以下が更に好ましい。湿度としては、３０〜１００％が好ましい。下限は４０％以上がより好ましく、５０％以上が更に好ましい。上限は９５％以下がより好ましく、９０％以下が更に好ましい。エージング時間としては、０．５〜１００時間が好ましい。下限は１時間以上がより好ましく、２時間以上が更に好ましい。上限は５０時間以下がより好ましく、２５時間以下が更に好ましい。これらの範囲の条件であれば、上述した機械物性を有する樹脂膜が得られやすい。エージング装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、高温高湿炉などが挙げられる。
【０１３０】
＜固体撮像素子、カメラモジュール＞
本発明の固体撮像素子は、本発明の近赤外線カットフィルタを含む。また、本発明のカメラモジュールは、本発明の近赤外線カットフィルタを含む。
【０１３１】
図１は、本発明の実施形態に係る近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。図１に示すカメラモジュール１０は、固体撮像素子１１と、固体撮像素子の主面側（受光側）に設けられた平坦化層１２と、近赤外線カットフィルタ１３と、近赤外線カットフィルタの上方に配置され内部空間に撮像レンズ１４を有するレンズホルダー１５と、を備える。カメラモジュール１０は、外部からの入射光が、撮像レンズ１４、近赤外線カットフィルタ１３、平坦化層１２を順次透過した後、固体撮像素子１１の撮像素子部に到達するようになっている。近赤外線カットフィルタ１３としては、上述した物性の樹脂膜のみを用いてもよく、樹脂膜と支持体との積層体を用いてもよい。支持体の材質としては、一般的なガラスの他、サファイアガラス、ゴリラガラスなどの強化ガラス、透明なセラミック、プラスチックなどが挙げられる。撮像レンズ１４の材質としては、一般的なガラスの他、サファイアガラス、ゴリラガラスなどの強化ガラス、透明なセラミック、プラスチックなどが挙げられる。
【０１３２】
固体撮像素子１１は、例えば、基板１６の主面に、フォトダイオード、層間絶縁膜（図示せず）、ベース層（図示せず）、カラーフィルタ１７、オーバーコート（図示せず）、マイクロレンズ１８をこの順に備えている。カラーフィルタ１７（赤色のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタ、青色のカラーフィルタ）やマイクロレンズ１８は、固体撮像素子１１に対応するように、それぞれ配置されている。なお、平坦化層１２の表面に近赤外線カットフィルタ１３が設けられる代わりに、マイクロレンズ１８の表面、ベース層とカラーフィルタ１７との間、または、カラーフィルタ１７とオーバーコートとの間に、近赤外線カットフィルタ１３が設けられる形態であってもよい。例えば、近赤外線カットフィルタ１３は、マイクロレンズ表面から２ｍｍ以内（より好ましくは１ｍｍ以内）の位置に設けられていてもよい。この位置に近赤外線カットフィルタ１３を設けると、近赤外線カットフィルタを形成する工程が簡略化できる。更には、マイクロレンズへの不要な近赤外線の入射を十分にカットすることができ、赤外線遮蔽性をより高めることができる。また、図１において、撮像レンズ１４は１枚であるが、撮像レンズ１４は２枚以上であってもよい。
【０１３３】
本発明の近赤外線カットフィルタは、耐熱性に優れるため、半田リフロー工程に供することができる。半田リフロー工程によりカメラモジュールを製造することによって、半田付けを行うことが必要な電子部品実装基板等の自動実装化が可能となり、半田リフロー工程を用いない場合と比較して、生産性を格段に向上することができる。更に、自動で行うことができるため、低コスト化を図ることもできる。半田リフロー工程に供される場合、２５０〜２７０℃程度の温度に曝されることとなるため、近赤外線カットフィルタは、半田リフロー工程に耐え得る耐熱性（以下、「耐半田リフロー性」ともいう。）を有することが好ましい。本明細書中で、「耐半田リフロー性を有する」とは、１８０℃で１分間の加熱を行った後にも近赤外線カットフィルタとしての特性を保持することをいう。より好ましくは、２３０℃で１０分間の加熱を行った後にも特性を保持することである。更に好ましくは、２５０℃で３分間の加熱を行った後にも特性を保持することである。耐半田リフロー性を有しない場合には、上記条件で加熱した場合に、近赤外線カットフィルタの赤外線遮蔽性が低下したり、膜としての機能が不十分となる場合がある。
本発明のカメラモジュールは、更に、紫外線吸収層を有することもできる。この態様によれば、紫外線遮蔽性を高めることができる。紫外線吸収層は、例えば、国際公開ＷＯ２０１５／０９９０６０号公報の段落番号００４０〜００７０、０１１９〜０１４５の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれることする。
【０１３４】
図２〜４は、カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタの周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【０１３５】
図２に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、平坦化層１２と、紫外・赤外光反射膜１９と、透明基材２０と、近赤外線カットフィルタ２１と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。紫外・赤外光反射膜１９は、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落番号００３３〜００３９、国際公開ＷＯ２０１５／０９９０６０号公報の段落番号０１１０〜０１１４を参酌することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。透明基材２０は、可視領域の波長の光を透過するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落番号００２６〜００３２を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。反射防止層２２は、近赤外線カットフィルタ２１に入射する光の反射を防止することにより透過率を向上させ、効率よく入射光を利用する機能を有するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落番号００４０の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１３６】
図３に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線カットフィルタ２１と、反射防止層２２と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、紫外・赤外光反射膜１９とをこの順に有していてもよい。
【０１３７】
図４に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線カットフィルタ２１と、紫外・赤外光反射膜１９と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。
【０１３８】
図５に本発明のカメラモジュールの他の実施形態を示す。このカメラモジュールは、図１に示したカメラモジュールにおいて、近赤外線カットフィルタ１３がレンズホルダー１５の外側に配置されている点が、図１に示したカメラモジュールと相違している。すなわち、図５に示したカメラモジュールにおいては、近赤外線カットフィルタ１３が撮像レンズ１４よりも外部からの入射光側に配置されている。このカメラモジュールにおいては、外部からの入射光が、近赤外線カットフィルタ１３、撮像レンズ１４、平坦化層１２を順次透過した後、固体撮像素子１１の撮像素子部に到達するようになっている。近赤外線カットフィルタ１３を撮像レンズ１４よりも外部からの入射光側に配置した場合においては、近赤外線カットフィルタ１３と受光部との距離が離れることにより、近赤外線カットフィルタに欠陥があっても、これらの欠陥がぼやけて、これらの欠陥による画像への影響を小さくできる。
また、図５では、近赤外線カットフィルタ１３がレンズホルダー１５の外側に配置されているが、レンズホルダー１５内に配置されていてもよい。また、図５では、撮像レンズ１４の表面から所定の間隔をおいて近赤外線カットフィルタ１３が配置されているが、撮像レンズ１４の表面に近赤外線カットフィルタ１３が直接形成されていてもよい。
また、図５では、撮像レンズ１４は１枚であるが、撮像レンズ１４は２枚以上であってもよい。また、撮像レンズ１４を２枚以上有する場合においては、最も外側（入射光側）に配置された撮像レンズ１４よりも外側（入射光側）に近赤外線カットフィルタ１３が配置されていてもよく、撮像レンズ間に近赤外線カットフィルタ１３が配置されていてもよい。例えば撮像レンズ１４を２枚有する場合においては、入射光側から順に、近赤外線カットフィルタ、撮像レンズ、撮像レンズの順にそれぞれが配置されていてもよく、撮像レンズ、近赤外線カットフィルタ、撮像レンズの順にそれぞれが配置されていてもよい。
【０１３９】
＜画像表示装置＞
本発明の画像表示装置は、本発明の近赤外線カットフィルタを有する。本発明の近赤外線カットフィルタは、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置などの画像表示装置に用いることもできる。表示装置の定義や各表示装置の詳細については、例えば「電子ディスプレイデバイス（佐々木  昭夫著、（株）工業調査会  １９９０年発行）」、「ディスプレイデバイス（伊吹  順章著、産業図書（株）平成元年発行）」などに記載されている。また、液晶表示装置については、例えば「次世代液晶ディスプレイ技術（内田  龍男編集、（株）工業調査会  １９９４年発行）」に記載されている。本発明が適用できる液晶表示装置に特に制限はなく、例えば、上記の「次世代液晶ディスプレイ技術」に記載されている色々な方式の液晶表示装置に適用できる。
【０１４０】
画像表示装置は、白色有機ＥＬ素子を有するものであってもよい。白色有機ＥＬ素子としては、タンデム構造であることが好ましい。有機ＥＬ素子のタンデム構造については、特開２００３−４５６７６号公報、三上明義監修、「有機ＥＬ技術開発の最前線−高輝度・高精度・長寿命化・ノウハウ集−」、技術情報協会、３２６−３２８ページ、２００８年などに記載されている。有機ＥＬ素子が発光する白色光のスペクトルは、青色領域（４３０ｎｍ−４８５ｎｍ）、緑色領域（５３０ｎｍ−５８０ｎｍ）及び黄色領域（５８０ｎｍ−６２０ｎｍ）に強い極大発光ピークを有するものが好ましい。これらの発光ピークに加え更に赤色領域（６５０ｎｍ−７００ｎｍ）に極大発光ピークを有するものがより好ましい。
【実施例】
【０１４１】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は、質量基準である。【０１４２】
＜重量平均分子量（Ｍｗ）＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）にて測定した。
装置：ＨＬＣ−８２２０  ＧＰＣ（東ソー株式会社製）
検出器：ＲＩ（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｉｎｄｅｘ）検出器
カラム：ガードカラム  ＨＺ−Ｌと、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺＭ−Ｍと、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ４０００と、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ３０００と、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ２０００（東ソー株式会社製）とを連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（安定剤含有）
カラム温度：４０℃
注入量：１０μＬ
分析時間：２６ｍｉｎ．
流量（流速）：０．３５ｍＬ／ｍｉｎ．（サンプルポンプ）  ０．２０ｍＬ／ｍｉｎ．（リファレンスポンプ）
検量線ベース樹脂：ポリスチレン【０１４３】
＜樹脂組成物の調製＞
下記の表に示す材料を下記の表に示す配合量（質量部）で混合して、下記表に記載の固形分濃度の樹脂組成物を調製した。なお、樹脂組成物の固形分濃度は溶剤の配合量を調整して行った。【０１４４】
【表１】
2018168231.tif 000016
【０１４５】
表に記載の原料は以下である。以下に示す樹脂において、主鎖に付記した数値はモル比である。【０１４６】
（赤外線吸収剤）
Ａ−１〜Ａ−４：下記構造の銅錯体
【化１５】
2018168231.tif 000017
Ａ−５：下記化合物を配位子として有する銅錯体
【化１６】
2018168231.tif 000018
Ａ−６：下記化合物を配位子として有する銅錯体
【化１７】
2018168231.tif 000019
Ａ−７：下記化合物を配位子として有する銅錯体
【化１８】
2018168231.tif 000020
Ａ−１２：特開２０１６−２００７７１号公報の段落番号００５９の表１に記載の化合物ｓ−１（スクアリリウム化合物）
Ａ−１３：特開２０１６−２００７７１号公報の段落番号００５９の表１に記載の化合物ｓ−５（スクアリリウム化合物）【０１４７】
（樹脂）
Ｂ−１：下記構造の樹脂（Ｍｗ＝８，０００）
Ｂ−２：下記構造の樹脂（Ｍｗ＝１２，０００）
Ｂ−３：  次の方法で合成した樹脂を用いた。８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−３−エン１００質量部、１−ヘキセン１８質量部およびトルエン３００質量部を、窒素置換した反応容器に入れ、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（濃度０．６ｍｏｌ／リットル）０．２質量部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９質量部とを添加し、得られた溶液を８０℃で３時間加熱攪拌することにより開環重合反応させて開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。このようにして得られた開環重合体溶液１，０００質量部をオートクレーブに入れ、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］3を０．１２質量部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。この反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、樹脂Ｂ−３を得た。樹脂Ｂ−３は、数平均分子量（Ｍｎ）が３２，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１３７，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６５℃であった。樹脂Ｂ−３は、架橋性基を含まない樹脂であった。
Ｂ−４：下記構造の樹脂（Ｍｗ＝１０，０００）
【化１９】
2018168231.tif 000021
【０１４８】
（界面活性剤）
Ｗ−１：下記化合物（重量平均分子量＝１４，０００。繰り返し単位の割合を示す％はモル％である。）
【化２０】
2018168231.tif 000022
【０１４９】
（溶剤）
ＣＰ：シクロペンタノン
ＣＨ：シクロヘキサノン
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート【０１５０】
＜近赤外線カットフィルタの作製＞
（実施例１〜１３、１５〜１７、比較例１）
ガラス基材上に、下記表に記載の樹脂組成物を流延塗布して、樹脂組成物層を形成した。次いで、ホットプレートを用いて樹脂組成物層を６０℃で１２時間乾燥して、厚さ１００μｍの樹脂膜（近赤外線カットフィルタ）を作製した。【０１５１】
（実施例１４）
ガラス基材上に、下記表に記載の樹脂組成物を流延塗布して、樹脂組成物層を形成した。次いで、ホットプレートを用いて樹脂組成物層を４０℃で２４時間乾燥して、厚さ１００μｍの樹脂膜（近赤外線カットフィルタ）を作製した。【０１５２】
＜耐熱性の評価＞
（耐熱試験前後の可視透明性の変化の評価）
近赤外線カットフィルタを２００℃で１分間加熱した。加熱前後の近赤外線カットフィルタの波長４５０ｎｍにおける吸光度に基づき、下記式から波長４５０ｎｍにおける吸光度の変化率を算出し、耐熱試験前後の可視透明性の変化を評価した。
波長４５０ｎｍにおける吸光度の変化率（％）＝｜（加熱前における波長４５０ｎｍの吸光度−加熱後における波長４５０ｎｍの吸光度）／加熱前における波長４５０ｎｍの吸光度｜×１００（％）
Ａ：吸光度の変化率が３％以下である
Ｂ：吸光度の変化率が３％より大きく４．５％以下である
Ｃ：吸光度の変化率が４．５％より大きく６％以下である
Ｄ：吸光度の変化率が６％より大きい【０１５３】
（耐熱試験前後の赤外線遮蔽性１（耐熱後の波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の光の遮蔽性）の変化の評価）
近赤外線カットフィルタを２００℃で１分間加熱した。加熱前後の近赤外線カットフィルタの波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度に基づき、下記式から波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度の変化率を算出し、耐熱試験前後の赤外線遮蔽性１の変化を評価した。
波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度の変化率（％）＝｜（加熱前における波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度−加熱後における波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度）／加熱前における波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の平均吸光度｜×１００（％）
Ａ：吸光度の変化率が３％以下である
Ｂ：吸光度の変化率が３％より大きく４．５％以下である
Ｃ：吸光度の変化率が４．５％より大きく６％以下である
Ｄ：吸光度の変化率が６％より大きい【０１５４】
（耐熱試験前後の赤外線遮蔽性２（耐熱後の波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の光の遮蔽性）の変化の評価）
近赤外線カットフィルタを２００℃で１分間加熱した。加熱前後の近赤外線カットフィルタの波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度に基づき、下記式から波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度の変化率を算出し、耐熱試験前後の赤外線遮蔽性２の変化を評価した。
波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度の変化率（％）＝｜（加熱前における波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度−加熱後における波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度）／加熱前における波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の平均吸光度｜×１００（％）
Ａ：吸光度の変化率が３％以下である
Ｂ：吸光度の変化率が３％より大きく４．５％以下である
Ｃ：吸光度の変化率が４．５％より大きく６％以下である
Ｄ：吸光度の変化率が６％より大きい【０１５５】
【表２】
2018168231.tif 000023
【表３】
2018168231.tif 000024
【０１５６】
上記表から明らかなとおり、実施例の近赤外線カットフィルタは、耐熱性に優れており、加熱後も優れた可視透明性および赤外線遮蔽性を有していた。
【符号の説明】
【０１５７】
１０  カメラモジュール、１１  固体撮像素子、１２  平坦化層、１３  近赤外線カットフィルタ、１４  撮像レンズ、１５  レンズホルダー、１６  シリコン基板、１７  カラーフィルタ、１８  マイクロレンズ、１９  紫外・赤外光反射膜、２０  透明基材、２１
近赤外線カットフィルタ、２２  反射防止層
【図１】
2018168231.tif 000025
【図２】
2018168231.tif 000026
【図３】
2018168231.tif 000027
【図４】
2018168231.tif 000028
【図５】
2018168231.tif 000029
【国際調査報告】
2018168231.tif 000030
2018168231.tif 000031
2018168231.tif 000032
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