(57)【要約】  有機デバイスの製造方法は、支持基板３上に第１電極層５を形成する第１電極層形成工程と、第１電極層５の少なくとも一部上に有機機能層７を形成する有機機能層形成工程と、有機機能層７の少なくとも一部上に第２電極層９を形成する第２電極層形成工程と、第２電極層８をレーザーＬによりパターニングするパターニング工程と、を含み、第１電極層形成工程では、第２電極層９よりもレーザーＬの出射光の所定の波長において光吸収率が低い材料で第１電極層５を形成し、パターニング工程では、第１電極層５、有機機能層７及び第２電極層９の積層方向において、第２電極層９側から第２電極層９にレーザーを照射して、第２電極層９を除去する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層の少なくとも一部上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層をレーザーによりパターニングするパターニング工程と、を含み、
前記第１電極層形成工程では、前記第２電極層よりも前記レーザーの出射光の所定の波長において光吸収率が低い材料で前記第１電極層を形成し、
前記パターニング工程では、前記第１電極層、前記有機機能層及び前記第２電極層の積層方向において、前記第２電極層側から前記第２電極層に前記レーザーを照射して、前記第２電極層を除去する、有機デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１電極層形成工程では、前記第１電極層として、金属又は金属合金を含む膜、又は、金属又は金属合金を含み、ネットワーク構造を有する導電層を形成する、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２電極層形成工程では、前記第１電極層の２倍以上の光吸収率を有する前記第２電極層を形成する、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１電極層形成工程では、前記レーザーに対して９０％以上の反射率を示す領域を有する前記第１電極層を形成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１電極層形成工程では、銀を含む前記第１電極層を形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２電極層形成工程では、アルミニウムを含む前記第２電極層を形成する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の有機デバイスの製造方法として、第２電極層のパターニングには、一般的に、パルスレーザーが用いられる。例えば、特許文献１に記載の有機デバイスの製造方法では、支持基板上に第１電極層、有機機能層及び第２電極層を形成し、第２電極層の上方からレーザーを第２電極層に照射して、第２電極層をパターニングしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３２０７６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パルスレーザーを用いて第２電極層パターニングする場合、レーザーの照射位置の一部をオーバーラップさせてレーザーを照射し、第２電極層を連続的に除去する。このとき、オーバーラップ部分では第２電極層が除去された箇所にレーザーが照射されるため、第２電極層の下方に形成された第１電極層にレーザーが照射されることがある。この場合、レーザーによって第１電極層にダメージが与えられるおそれがある。第１電極層にダメージが与えられると、第１電極層が電極としての機能を失うことがある。これにより、有機デバイスにおける発光に異常が発生し、その結果、歩留まりが低下するおそれがある。【０００５】
本発明の一側面は、レーザーを用いて電極層をパターニングする場合において、歩留まりの低下を抑制できる有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る有機バイスの製造方法は、支持基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、第１電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、有機機能層の少なくとも一部上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、第２電極層をレーザーによりパターニングするパターニング工程と、を含み、第１電極層形成工程では、第２電極層よりもレーザーの出射光の所定の波長において光吸収率が低い材料で第１電極層を形成し、パターニング工程では、第１電極層、有機機能層及び第２電極層の積層方向において、第２電極層側から第２電極層にレーザーを照射して、第２電極層を除去する。【０００７】
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法では、第２電極層よりもレーザーの所定の波長において光吸収率が低い材料で第１電極層を形成する。パターニング工程では、第２電極層にレーザーを照射して、第２電極層を除去する。これにより、第２電極層をアブレーションするレーザーが第１電極層に照射された場合であっても、第１電極層がレーザーの所定の波長において光吸収率が低い材料で形成されているため、第１電極層にダメージが生じ難い。したがって、第２電極層をパターニングすることができると共に、第１電極層が電極としての機能を失うことを抑制でき、有機デバイスにおける発光に異常が発生することを抑制できる。その結果、有機デバイスの製造方法では、レーザーを用いて電極層をパターニングする場合において、歩留まりの低下を抑制できる。【０００８】
一実施形態においては、第１電極層形成工程では、第１電極層として、金属又は金属合金を含む膜、又は、金属又は金属合金を含み、ネットワーク構造を有する導電層を形成してもよい。第１電極層が金属又は金属合金を含む膜、又は、金属又は金属合金を含み、ネットワーク構造を有する導電層である場合、レーザーが照射されたときに、第１電極層がダメージを受け易い。そのため、レーザーの所定の波長において光吸収率が低い材料で第１電極層を形成する上記製造方法は、第１電極層が金属又は金属合金を含む膜、又は、金属又は金属合金を含み、ネットワーク構造を有する導電層である場合に特に有効である。【０００９】
一実施形態においては、第２電極層形成工程では、第１電極層の２倍以上の光吸収率を有する第２電極層を形成してもよい。言い換えれば、第１電極層形成工程では、第２電極層の１／２の光吸収率を有する第１電極層を形成してもよい。これにより、第２電極層を除去し得るレーザーを採用することにより、第１電極層におけるダメージをより一層軽減できる。【００１０】
一実施形態においては、第１電極層形成工程では、レーザーに対して９０％以上の反射率を示す領域を有する第１電極層を形成してもよい。これにより、第１電極層においてレーザーの光吸収をより一層抑制でき、第１電極層におけるダメージをより一層軽減できる。【００１１】
一実施形態においては、第１電極層形成工程では、銀を含む第１電極層を形成してもよい。【００１２】
一実施形態においては、第２電極層形成工程では、アルミニウムを含む第２電極層を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一側面によれば、レーザーを用いて電極層をパターニングする場合において、歩留まりの低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、一実施形態に係る有機デバイスの製造方法により製造された有機ＥＬ素子の平面図である。
【図２】図２は、図１に示す有機ＥＬ素子の断面図である。
【図３】図３は、ロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法を模式的に示す図である。
【図４】図４は、陽極層の構成を示す図である。
【図５】図５は、有機ＥＬ素子の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、有機ＥＬ素子の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１及び図２に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、有機機能層７と、陰極層（第２電極層）９とを備えている。なお、図１及び図２には示されていないが、陽極層５、有機機能層７及び陰極層９により構成される有機ＥＬ部を封止する封止部材を備えていてもよい。
【００１７】
［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上７００μｍ以下である。支持基板３が樹脂の場合は、ロールツーロール方式の連続時の基板ヨレ、シワ、伸びの観点からは４５μｍ以上、可撓性の観点からは１２５μｍ以下が好ましい。
【００１８】
支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。
【００１９】
支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、又はポリエチレンナフタレートが更に好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
支持基板３の一方の主面３ａ上には、ガスバリア層、或いは、水分バリア層（バリア層）が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板３が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは３０μｍ以上、可撓性の観点からは１００μｍ以下が好ましい。
【００２１】
［陽極層］
陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。本実施形態に用いられる光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属又は金属合金等を含む膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば、金、白金、銀、又は銅等を含む薄膜等が挙げられる。
【００２２】
陽極層５として、金属又は金属合金を含み、ネットワーク構造を有する導電層を用いてもよい。金属又は金属合金を含み、ネットワーク構造を有する導電層は、例えば、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状（格子状）にパターニングした導電層、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている導電層である。
【００２３】
陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２４】
陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、塗布法等を挙げることができる。
【００２５】
［有機機能層］
有機機能層７は、陽極層５の主面（支持基板３に接する面の反対側）及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。有機機能層７は、発光層を含んでいる。有機機能層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層７を構成する有機物としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等の蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料や、下記の発光層用ドーパント材料等を挙げることができる。
【００２６】
（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００２７】
（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
【００２８】
（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
【００２９】
（発光層用ドーパント材料）
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００３０】
有機機能層７の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。有機機能層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着によって形成されてもよい。
【００３１】
［陰極層］
陰極層９は、有機機能層７の主面（陽極層５又は支持基板３に接する面の反対側）及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
【００３２】
また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、及びＩＺＯ等を挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、後述の電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。
【００３３】
陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３４】
陰極層９の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法及び塗布法等を挙げることができる。
【００３５】
［有機ＥＬ素子の製造方法］
続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。
【００３６】
支持基板３が可撓性を有し、長手方向に延在する基板である形態では、図３に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール３０Ａと巻取りロール３０Ｂとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ロール３１で搬送しながら、各層を支持基板３側から順に形成する。
【００３７】
有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。その後、乾燥された支持基板３上に、陽極層５を形成する（陽極層形成工程（第１電極層形成工程）Ｓ０２）。本実施形態では、図４に示されるように、ネットワーク構造を有する陽極層５を形成する。陽極層５は、金属配線５ａと、透明樹脂充填材５ｂと、を有している。
【００３８】
金属配線５ａは、導電体であり、ネットワーク構造を構成している。金属配線５ａは、陰極層９よりも後述のレーザーＬの出射光の所定の波長において光吸収率が低い材料で形成する。より具体的には、金属配線５ａ（陽極層５）は、レーザーＬの出射光の所定の波長に対して９０％以上の反射率を有する材料で形成する。本実施形態では、金属配線５ａは、例えば、銀を含む材料で形成する。
【００３９】
金属配線５ａは、複数の開口部６を有する格子状のパターン（所定のパターン）で形成されている。格子状のパターンの場合、複数の開口部６は、網目に対応する。網目の形状は、例えば、長方形又は正方形のような四角形、三角形、及び、六角形を含む。所定パターンは、金属配線５ａがネットワーク構造を有すればその形態は限定されない。
【００４０】
複数の開口部６のそれぞれには、透明樹脂充填材５ｂが充填されていてもよい。透明樹脂充填材５ｂの厚さは、金属配線５ａの厚さとほぼ同じである。透明樹脂充填材５ｂの材料は、例えば、特開２００８−６５３１９号公報に記載の重合性樹脂化合物を好適に用いることができる。
【００４１】
次に、陽極層５上に有機機能層７を形成する（有機機能層形成工程Ｓ０３）。有機機能層７は、有機機能層７の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。
【００４２】
続いて、図５に示されるように、陽極層５及び有機機能層７上に陰極層９を形成する（陰極層形成工程（第２電極層形成工程）Ｓ０４）。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。陰極層９は、陽極層５の一部を露出させ、且つ、有機機能層７を覆うように形成する。陰極層９は、陽極層５よりも後述のレーザーＬの出射光の所定の波長において光吸収率が高い材料で形成する。陰極層９は、陽極層５よりも２倍以上の光吸収率を有する。本実施形態では、陰極層９は、例えば、アルミニウムを含む材料で形成する。
【００４３】
続いて、陰極層９をパターニングする（パターニング工程Ｓ０５）。図５及び図６に示されるように、パターニングは、パターニング予定線Ａに沿って、レーザーＬを陰極層９に照射する。詳細には、陽極層５、有機機能層７及び陰極層９の積層方向（図５の上下方向）において、陰極層９側から陰極層９にレーザーＬを照射する。レーザーＬは、パルスレーザーである。レーザーＬの波長は、例えば、５３２ｎｍ、又は１０６４ｎｍである。パターニング工程Ｓ０５では、レーザーＬの照射位置の一部をオーバーラップさせてレーザーＬを照射し、陰極層９を連続的に除去する。図１に示す例では、有機機能層７及び陰極層９が除去されている。これにより、陽極層５及び陰極層９が電気的に絶縁される。以上により、有機ＥＬ素子１が製造される。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、陰極層９よりもレーザーＬの所定の波長において光吸収率が低い材料で陽極層５を形成する。パターニング工程Ｓ０５では、陰極層９にレーザーＬを照射して、陰極層９をパターニングする。これにより、陰極層９をアブレーションするレーザーＬが陽極層５に照射された場合であっても、陽極層５がレーザーＬの所定の波長において光吸収率が低い材料で形成されているため、陽極層５にダメージが生じることを抑制できる。したがって、陰極層９をパターニングすることができると共に、陽極層５が電極としての機能を失うことを抑制できる。したがって、有機ＥＬ素子１における発光に異常が発生することを抑制できる。その結果、有機ＥＬ素子１の製造方法では、レーザーＬを用いて電極層をパターニングする場合において、歩留まりの低下を抑制できる。
【００４５】
従来の有機ＥＬ素子の製造方法では、陰極層と陽極層との間に、陰極層よりも融点の低い材料からなる保護層を形成し、レーザーによる他の層へのダメージを抑制している。しかしながら、従来の製造方法では、保護層を形成する工程が必要となるため、製造コストが増大すると共に、歩留りが低下する。これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護層を形成する工程を必要としないため、製造コストの増大を抑制できると共に、歩留りの低下を抑制できる。
【００４６】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、陽極層形成工程Ｓ０２において、ネットワーク構造を有する陽極層５を形成する。陽極層５がネットワーク構造を有する場合、レーザーＬが照射されたときに、陽極層５がダメージを受け易い。そのため、レーザーＬの所定の波長において光吸収率が低い材料で陽極層５を形成する本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法は、陽極層５がネットワーク構造を有する場合に特に有効である。
【００４７】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、陰極層形成工程Ｓ０４では、陽極層５よりも２倍以上の光吸収率を有する陰極層９を形成する。これにより、陰極層９を除去し得るレーザーＬを採用することにより、陽極層５におけるダメージをより一層軽減できる。
【００４８】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、陽極層形成工程Ｓ０２では、レーザーＬに対して９０％以上の反射率を有する陽極層５を形成する。これにより、陽極層５においてレーザーＬの光吸収をより一層抑制でき、陽極層５におけるダメージをより一層軽減できる。
【００４９】
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層を含む有機機能層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層７の構成はこれに限定されない。有機機能層７は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。
【００５０】
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層７と同様に塗布法により形成できる。
【００５１】
ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機ＥＬ素子１の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜であることが好ましく、その厚さは、例えば、０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、２ｎｍ〜７ｎｍであることが好ましい。また、電子注入層は、例えば、引出電極９ａと陰極層９の間に形成されていてもよい。
【００５２】
有機ＥＬ素子１は、単層の有機機能層７を有していてもよいし、２層以上の有機機能層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層
【００５３】
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。
【００５４】
また、「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層
【００５５】
記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
【００５６】
電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。
【００５７】
上記実施形態では、第１電極層として陽極層５、第２電極層として陰極層９を形成する形態を一例に説明した。しかし、第１電極層として陰極層、第２電極層として陽極層を形成してもよい。
【００５８】
上記実施形態では、図１に示されるように、レーザーＬにより有機機能層７及び陰極層９が完全に除去された形態を一例に説明した。しかし、パターニング工程では、少なくとも陰極層９が除去されればよい（陽極層５と陰極層９とが電気的に絶縁されればよい）。
【００５９】
上記実施形態では、有機ＥＬ素子１の製造方法において、ネットワーク構造を有する陽極層５を形成する形態を一例に説明した。しかし、陽極層５は、金属又は合金を含む膜であってもよい。
【００６０】
上記実施形態では、有機ＥＬ素子１の製造方法において、パターニング工程Ｓ０５においてレーザーＬを照射するパターニング予定線Ａが直線状である形態を一例に説明した。しかし、パターニング予定線、すなわちレーザーＬにより除去する形状は、直線状に限定されない。また、上記実施形態では、レーザーＬの波長が５３２ｎｍ又は１０６４ｎｍである形態を一例に説明した。しかし、レーザーＬの波長は、特に限定されず、例えば、５３２ｎｍ〜１０６４ｎｍであってもよい。
【００６１】
上記実施形態では、有機ＥＬ素子１の製造方法において、ロールツーロール方式を用いる形態を一例に説明した。しかし、有機ＥＬ素子１の製造方法は、他の方式を採用してもよい。
【００６２】
上記実施形態では、基板乾燥工程Ｓ０１を実施する形態を一例に説明したが、基板乾燥工程Ｓ０１は実施されなくてもよい。
【００６３】
上記実施形態では、図１に示されるように、陽極層５の一部が露出するように有機機能層７を形成する形態を一例に説明したが、有機機能層７は陽極層５の少なくとも一部上に形成されていればよい。すなわち、有機機能層７は、陽極層５の一部又は全部を覆うように形成されていればよい。有機機能層７が陽極層５の全部を覆うように形成されている場合、陽極層５と電気的に接続される引出電極が形成されていればよい。
【００６４】
上記実施形態では、図１に示されるように、有機機能層７の全部を覆うように陰極層９を形成する形態を一例に説明したが、陰極層９は有機機能層７の少なくとも一部上に形成されていればよい。すなわち、陰極層９は、有機機能層７の一部又は全部を覆うように形成されていればよい。
【００６５】
上記実施形態に加えて、陰極層９は、光反射層を含んでいてもよい。これにより、支持基板３の他の主面３ｂから光を良好に発光できる。
【００６６】
上記実施形態では、有機デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１…有機ＥＬ素子（有機デバイス）、３…支持基板、５…陽極層（第１電極層）、７…有機機能層、９…陰極層（第２電極層）、Ｌ…レーザー、Ｓ０２…陽極層形成工程（第１電極層形成工程）、Ｓ０３…有機機能層形成工程、Ｓ０４…陰極層形成工程（第２電極層形成工程）、Ｓ０５…パターニング工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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