(57)【要約】  露光装置は、基板をＹ軸方向に走査するとともに、マルチビーム光学系の複数のビームの照射位置の変化に関する情報を含む、ビームと同一数のディストーションテーブル（２００ｉ）から得られる補正情報に基づき、複数のビームの照射位置を調整する。特に、複数のビームのＹ軸方向の照射位置を、マルチビーム光学系から基板に照射される複数のビームの照射タイミングを個別に制御することで調整する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを照射してターゲットを露光する露光装置であって、
前記ターゲットを保持して移動するステージと、
複数のビームについて、前記ビームが前記ターゲットに照射される照射状態を個別に設定可能なマルチビーム光学系を有する照射装置と、
前記ステージと前記マルチビーム光学系との相対的な移動を制御するとともに、前記複数のビームのうち少なくとも第１ビームの照射状態に基づいて生じる第２ビームの照射位置の変化に関する情報に基づき、前記ターゲットに対する前記複数のビームの照射位置を調整する制御装置と、
を備える露光装置。
【請求項２】
前記ビームの前記照射状態は、前記ビームが前記ターゲットに照射されるオン状態又は、前記ビームが前記ターゲットに照射されないオフ状態である請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記ビームの前記照射状態は、前記ビームの照射電流量を含む請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２ビームの照射位置の変化に関する情報は、前記第１ビームの照射状態に基づいて予めシミュレーション又は実験を行って得られた情報である請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記複数のビームの前記照射状態の組み合わせのそれぞれについて前記第２ビームの照射位置の変化に関する情報を求めて得られた複数の補正テーブルに基づき、前記複数のビームの照射位置を調整する請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記複数の補正テーブルは、前記複数のビームの前記照射状態を各ビームでそれぞれ変化させたときに生じる前記複数のビームの照射位置の変化に関する情報を含む、前記複数のビームと同一数の補正テーブルを含む請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記ステージを駆動しつつ、前記第２ビームの照射位置の変化に関する情報に基づいて、前記ビームの照射タイミングを制御することで、前記ターゲットに対する前記複数のビームの照射位置を調整する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記複数のビームの配列方向に関する照射位置ずれが平均化されるように、前記配列方向に関する前記複数のビームの照射位置を調整する請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記複数のビームは、複数の開口を有するビーム成形部材の前記複数の開口を通過することにより形成され、前記ビーム成形部材は、前記複数のビームのそれぞれが前記ターゲットを照射する位置が前記複数の開口の配列方向に関して一直線上に位置するように製造段階で前記複数の開口の位置が調整されている請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記照射位置は、前記ビームが照射される照射面上での位置である請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
ターゲットを露光装置で露光して前記ターゲット上にラインアンドスペースパターンを形成することと、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記ラインアンドスペースパターンを構成するラインパターンの切断を行うことと、を含むリソグラフィ方法。
【請求項１２】
荷電粒子ビームを照射してターゲットを露光する露光方法であって、
所定面内で移動するステージ上に前記ターゲットを保持させることと、
複数のビームについて、前記ビームが前記ターゲットに照射される照射状態を、個別に設定可能なマルチビーム光学系を有する照射装置からの前記ターゲットに対するビームの照射制御のため、前記ステージと前記マルチビーム光学系との相対的な移動を制御するとともに、前記複数のビームのうち少なくとも第１ビームの照射状態に基づいて生じる第２ビームの照射位置の変化に関する情報に基づき、前記ターゲットに対する前記複数のビームの照射位置を調整することと、
を含む露光方法。
【請求項１３】
前記ビームの前記照射状態は、前記ビームが前記ターゲットに照射されるオン状態又は、前記ビームが前記ターゲットに照射されないオフ状態である請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１４】
前記ビームの前記照射状態は、前記ビームの照射電流量を含む請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１５】
前記第２ビームの照射位置の変化に関する情報は、前記第１ビームの照射状態に基づいて予めシミュレーション又は実験を行って得られた情報である請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１６】
前記調整することでは、前記複数のビームの前記照射状態の組み合わせのそれぞれについて前記第２ビームの照射位置の変化に関する情報を求めて得られた複数の補正テーブルに基づき、前記複数のビームの照射位置を調整する請求項１５に記載の露光方法。
【請求項１７】
前記複数の補正テーブルは、前記複数のビームの前記照射状態を各ビームでそれぞれ変化させたときに生じる前記複数のビームの照射位置の変化に関する情報を含む、前記複数のビームと同一数の補正テーブルを含む請求項１６に記載の露光方法。
【請求項１８】
前記調整することでは、前記ステージを駆動しつつ、前記第２ビームの照射位置の変化に関する情報に基づいて、前記ビームの照射タイミングを制御することで、前記ターゲットに対する前記複数のビームの照射位置を調整する請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１９】
前記調整することでは、前記複数のビームの配列方向に関する照射位置ずれが平均化されるように、前記配列方向に関する前記複数のビームの照射位置を調整する請求項１８に記載の露光方法。
【請求項２０】
前記複数のビームは、複数の開口を有するビーム成形部材の前記複数の開口を通過することにより形成され、前記ビーム成形部材は、前記複数の開口を通過した前記複数のビームのそれぞれが前記ターゲットを照射する位置が前記配列方向に関して一直線上に位置するように、製造段階で前記複数の開口の位置が調整されている請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２１】
前記照射位置は、前記ビームが照射される照射面上での位置である請求項１２〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
ターゲットを露光装置で露光して前記ターゲット上にラインアンドスペースパターンを形成することと、
請求項１２〜２１のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、前記ラインアンドスペースパターンを構成するラインパターンの切断を行うことと、を含むリソグラフィ方法。
【請求項２３】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１１又は２２に記載のリソグラフィ方法によりターゲットに対する露光が行われるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び露光方法、リソグラフィ方法、並びにデバイス製造方法に係り、特に荷電粒子ビームを照射してターゲットを露光する露光装置及び露光方法、露光装置又は露光方法を用いてラインパターンの切断を行うリソグラフィ方法、並びにリソグラフィ方法によりターゲットに対する露光が行われるリソグラフィ工程を含むデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばＡｒＦ光源を用いた液浸露光技術と、荷電粒子ビーム露光技術（例えば電子ビーム露光技術）とを相補的に利用するコンプリメンタリ・リソグラフィが、提案されている。コンプリメンタリ・リソグラフィでは、例えばＡｒＦ光源を用いた液浸露光においてダブルパターニングなどを利用することで、単純なラインアンドスペースパターン（以下、適宜、Ｌ／Ｓパターンと略記する）を形成する。次いで、電子ビームを用いた露光を通じて、ラインパターンの切断、あるいはビアの形成を行う。【０００３】
コンプリメンタリ・リソグラフィではマルチビーム光学系を備えた荷電粒子ビーム露光装置を好適に用いることができる（例えば、特許文献１、２参照）。しかしながら、マルチビーム光学系から照射される複数のビーム間には、クーロン力（クーロン相互作用）が働く。これに加え、実際に露光を行う場合、目標パターンに応じて、複数のビームそれぞれのオン・オフ状態が変幻自在かつ時々刻々変化する。この結果、オン状態にあるビーム同士の相互作用も変幻自在かつ時々刻々変化し、複数のビームの照射面上での位置関係が所期の位置関係から変化することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１３３４００号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１５／０２０００７４号明細書
【発明の概要】
【０００５】
第１の態様によれば、荷電粒子ビームを照射してターゲットを露光する露光装置であって、前記ターゲットを保持して移動するステージと、複数のビームについて、前記ビームが前記ターゲットに照射される照射状態を個別に設定可能なマルチビーム光学系を有する照射装置と、前記ステージと前記マルチビーム光学系との相対的な移動を制御するとともに、前記複数のビームのうち少なくとも第１ビームの照射状態に基づいて生じる第２ビームの照射位置の変化に関する情報に基づき、前記ターゲットに対する前記複数のビームの照射位置を調整する制御装置と、を備える露光装置が、提供される。
【０００６】
第２の態様によれば、ターゲットを露光装置で露光して前記ターゲット上にラインアンドスペースパターンを形成することと、第１の態様に係る露光装置を用いて、前記ラインアンドスペースパターンを構成するラインパターンの切断を行うことと、を含むリソグラフィ方法が、提供される。
【０００７】
第３の態様によれば、荷電粒子ビームを照射してターゲットを露光する露光方法であって、所定面内で移動するステージ上に前記ターゲットを保持させることと、複数のビームについて、前記ビームが前記ターゲットに照射される照射状態を、個別に設定可能なマルチビーム光学系を有する照射装置からの前記ターゲットに対するビームの照射制御のため、前記ステージと前記マルチビーム光学系との相対的な移動を制御するとともに、前記複数のビームのうち少なくとも第１ビームの照射状態に基づいて生じる第２ビームの照射位置の変化に関する情報に基づき、前記ターゲットに対する前記複数のビームの照射位置を調整することと、を含む露光方法が、提供される。
【０００８】
第４の態様によれば、ターゲットを露光装置で露光して前記ターゲット上にラインアンドスペースパターンを形成することと、第３の態様に係る露光方法を用いて、前記ラインアンドスペースパターンを構成するラインパターンの切断を行うことと、を含むリソグラフィ方法が、提供される。
【０００９】
第５の態様によれば、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、第２の態様又は第４の態様に係るリソグラフィ方法によりターゲットに対する露光が行われるデバイス製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係る電子ビーム露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１の電子ビーム露光装置が備える露光システムを示す斜視図である。
【図３】電子ビーム照射装置の一部を、ウエハシャトルが装着された粗微動ステージと共に示す図である。
【図４】光学系カラム（マルチビーム光学系）の構成を示す図である。
【図５】図５（Ａ）は、ビーム成形アパーチャプレートを示す平面図、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の円Ｃ内を拡大して示す図である。
【図６】定盤上に載置された粗微動ステージに、ウエハシャトルが装着された状態を示す斜視図である。
【図７】微動ステージからウエハシャトルが取り外された図６の粗微動ステージを示す斜視図である。
【図８】定盤上に載置された微動ステージを拡大して示す図である。
【図９】図７に示される粗微動ステージから微動ステージ及び磁気シールド部材を取り去った状態の粗微動ステージの斜視図を示す図である。
【図１０】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、第１計測系の構成を説明するための図（その１及びその２）である。
【図１１】電子ビーム露光装置の制御系を構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、マルチビーム光学系（光学系カラム）のディストーションの補正の原理について説明するための図である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、マルチビーム光学系（光学系カラム）のディストーションの補正の効果について説明するための図である。
【図１４】デバイス製造方法の一実施形態を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、一実施形態について、図１〜図１３（Ｂ）に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成が概略的に示されている。電子ビーム露光装置１００は、後述するように電子ビーム光学系を備えているので、以下、電子ビーム光学系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で後述する露光時にウエハＷが移動される走査方向をＹ軸方向とし、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向を、それぞれθｘ、θｙ及びθｚ方向として、説明を行う。
【００１２】
本実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１３】
電子ビーム露光装置１００は、真空チャンバ８０と、真空チャンバ８０によって区画された露光室８１の内部に収容された露光システム８２とを備えている。図２には、露光システム８２の斜視図が示されている。
【００１４】
露光システム８２は、図１及び図２に示されるように、ステージ装置８３と、電子ビーム照射装置９２とを備えている。電子ビーム照射装置９２は、図２に示される円筒状の鏡筒９３と、鏡筒９３の内部の電子ビーム光学系とを含む。
【００１５】
ステージ装置８３は、ウエハを保持して移動可能なウエハシャトル１０が着脱自在に装着される粗微動ステージ８５を含む構成であり、電子ビーム照射装置９２は、粗微動ステージ８５に装着されたウエハシャトル１０に保持されたウエハＷに電子ビームを照射して露光する構成である。
【００１６】
ここで、ウエハシャトル１０は、詳しくは後述するが、ウエハを静電吸着して保持する保持部材（あるいはテーブル）である。この保持部材はウエハを保持した状態で搬送され、しかも所定の事前計測が行われる計測室（不図示）を起点として、露光室８１を含む複数の露光室（露光室８１以外の露光室については不図示）との間でシャトルバス（あるいはスペースシャトル）のように繰り返し往復する。そのため、本実施形態では、この保持部材をウエハシャトルと称している。
【００１７】
ステージ装置８３は、図２に示されるように、定盤８４と、定盤８４上で移動する粗微動ステージ８５と、粗微動ステージ８５を駆動する駆動系と、粗微動ステージ８５の位置情報を計測する位置計測系とを備えている。ステージ装置８３の構成等の詳細は、後述する。
【００１８】
電子ビーム照射装置９２の鏡筒９３は、図２に示されるように、外周部に中心角１２０度の間隔で３つの凸部が形成された円環状の板部材から成るメトロロジーフレーム９４によって下方から支持されている。より具体的には、鏡筒９３の最下端部は、その上の部分に比べて直径が小さい小径部となっており、その小径部とその上の部分との境界部分は段部となっている。そして、その小径部が、メトロロジーフレーム９４の円形の開口内に挿入され、段部の底面がメトロロジーフレーム９４の上面に当接した状態で、鏡筒９３が、メトロロジーフレーム９４によって下方から支持されている。メトロロジーフレーム９４は、図２に示されるように、前述の３つの凸部のそれぞれに下端が接続された３つの吊り下げ支持機構９５ａ、９５ｂ、９５ｃ（柔構造の連結部材）を介して、露光室８１を区画する真空チャンバ８０の天板（天井壁）から吊り下げ状態で支持されている（図１参照）。すなわち、このようにして、電子ビーム照射装置９２は、真空チャンバ８０に対して３点で吊り下げ支持されている。
【００１９】
３つの吊り下げ支持機構９５ａ、９５ｂ、９５ｃは、図２中で吊り下げ支持機構９５ａについて代表的に示されるように、それぞれの上端に設けられた受動型の防振パッド９６と、防振パッド（防振部）９６の下端にそれぞれの一端が接続され、他端がメトロロジーフレーム９４に接続された鋼材より成るワイヤ９７とを有する。防振パッド９６は、真空チャンバ８０の天板に固定され、それぞれエアダンパ又はコイルばねを含む。
【００２０】
本実施形態では、外部から真空チャンバ８０に伝達された床振動などの振動のうちで、電子ビーム光学系の光軸に平行なＺ軸方向の振動成分の大部分は防振パッド９６によって吸収されるため、電子ビーム光学系の光軸に平行な方向において高い除振性能が得られる。また、吊り下げ支持機構の固有振動数は、電子ビーム光学系の光軸に平行な方向よりも光軸に垂直な方向で低くなっている。３つの吊り下げ支持機構９５ａ、９５ｂ、９５ｃは光軸に垂直な方向には振り子のように振動するため、光軸に垂直な方向の除振性能（真空チャンバ８０に外部から伝達された床振動などの振動が電子ビーム照射装置９２に伝わるのを防止する能力）が十分に高くなるように３つの吊り下げ支持機構９５ａ、９５ｂ、９５ｃの長さ（ワイヤ９７の長さ）を十分に長く設定している。この構造では高い除振性能が得られるとともに機構部の大幅な軽量化が可能であるが、電子ビーム照射装置９２と真空チャンバ８０との相対位置が比較的低い周波数で変化するおそれがある。そこで、電子ビーム照射装置９２と真空チャンバ８０との相対位置を所定の状態に維持するために、非接触方式の位置決め装置９８（図１及び図２では不図示、図１１参照）が設けられている。この位置決め装置９８は、例えば国際公開第２００７/０７７９２０号などに開示されるように、６軸の加速度センサと、６軸のアクチュエータとを含んで構成することができる。位置決め装置９８は、主制御装置５０によって制御される（図１１参照）。これにより、真空チャンバ８０に対する電子ビーム照射装置９２のＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の相対位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの相対回転角は、一定の状態（所定の状態）に維持される。
【００２１】
図３には、電子ビーム照射装置９２の一部が、シャトル１０が装着された粗微動ステージ８５と共に示されている。図３では、メトロロジーフレーム９４は図示が省略されている。電子ビーム照射装置９２は、鏡筒９３と、該鏡筒９３内にＸＹ平面内でアレイ状に配置されたｍ個（ｍは例えば１００）の光学系カラム２０から構成される電子ビーム光学系を備えている。各光学系カラム２０は、個別にオンオフ可能で、かつ偏向可能なｎ本（ｎは例えば５０００）のビームを照射可能なマルチビーム光学系を含む。以下、便宜上、マルチビーム光学系を、光学系カラムと同一の符号を用いて、マルチビーム光学系２０、光学系カラム（マルチビーム光学系）２０、あるいはマルチビーム光学系（光学系カラム）２０と表記する。
【００２２】
図４には、光学系カラム（マルチビーム光学系）２０の構成が示されている。光学系カラム（マルチビーム光学系）２０は、円筒状の筐体（カラムセル）２１と、該カラムセル２１に収納された電子銃２２及び光学系２３と、を備えている。
【００２３】
光学系２３は、電子銃２２の下方に上から下に順に所定の位置関係で配置された第１アパーチャ板２４、１次ビーム成形板２６、ビーム成形アパーチャプレート２８、ブランカープレート３０及び最終アパーチャ３２を、備えている。このうち、ビーム成形アパーチャプレート２８とブランカープレート３０とは、近接して配置されている。
【００２４】
第１アパーチャ板２４と１次ビーム成形板２６との間には、非対称照明光学系３４が配置されている。また、１次ビーム成形板２６とビーム成形アパーチャプレート２８との間には、電磁レンズ３６Ａ、３６Ｂが、上下方向に所定間隔隔てて配置されている。ブランカープレート３０と最終アパーチャ３２との間には、電磁レンズ３８Ａ、３８Ｂが、上下方向に所定間隔隔てて配置されている。また、最終アパーチャ３２の下方には、電磁レンズ３８Ｃ、３８Ｄが上下方向に所定間隔隔てて配置されている。電磁レンズ３８Ｄの内側には、幾分高い位置に電磁レンズ３８Ｄとほぼ同心で、ステージフィードバック偏向器４０が配置されている。
【００２５】
電子銃２２からは、所定の加速電圧（例えば５０ｋｅＶ）の電子ビームＥＢ０が放出される。電子ビームＥＢ０は、第１アパーチャ板２４の開口２４ａを通過することで、光軸ＡＸ１周りに対称な円形の断面に成形される。
【００２６】
非対称照明光学系３４は、円形の断面に成形された電子ビームＥＢ０を一方向（例えばＸ軸方向）に長く、他方向（例えばＹ軸方向）に短い縦長の断面形状に変形させた電子ビームＥＢ１を生成させる。
【００２７】
非対称照明光学系３４は、例えば光軸ＡＸ１付近に静電四重極場を発生させる静電四重極レンズ群によって構成することができる。非対称照明光学系３４によって発生される静電四重極場を適宜調整することで断面が縦長の電子ビームＥＢ１を成形できる。
【００２８】
電子ビームＥＢ１は、円板状の１次ビーム成形板２６のＹ軸方向の中心部に形成されたＸ軸方向に細長いスリット状の開口２６ａを含む領域に照射される。電子ビームＥＢ１は、１次ビーム成形板２６の開口２６ａを通過することで、細長い電子ビームＥＢ２に成形され、電磁レンズ３６Ａ及び電磁レンズ３６Ｂによって、ビーム成形アパーチャプレート２８上に結像され、ビーム成形アパーチャプレート２８の後述する開口の配置領域に対応するＸ軸方向に延びる照射領域に照射される。
【００２９】
ビーム成形アパーチャプレート２８には、１次ビーム成形板２６の開口２６ａに対応する位置に、複数の開口が設けられている。これをさらに詳述すると、ビーム成形アパーチャプレート２８には、図５（Ａ）の平面図に示されるように、Ｘ軸方向に並んだ複数の開口２８ａの列が形成されている。開口２８ａは、図５（Ａ）の円Ｃ内を拡大した図５（Ｂ）に示されるように所定ピッチ２ｐ（数μｍ（例えば、１μｍ〜４μｍの範囲、好ましくは２μｍ又は３μｍ））で、所定数、例えば５０００個配置されている。開口２８ａは、直径がｐの円形開口である。
【００３０】
図４に戻り、ビーム成形アパーチャプレート２８の下方には、ブランカープレート３０が配置されている。ブランカープレート３０には、ビーム成形アパーチャプレート２８の複数の開口２８ａに対応する部分に開口３０ａがそれぞれ形成されている。各開口３０ａは、開口２８ａよりも大きく形成されており、開口２８ａを通過した電子ビームが通過可能となっている。
【００３１】
そして、各開口３０ａのＹ軸方向の両側に、その開口３０ａから射出される電子ビームＥＢ３を偏向させるための一対のブランキング電極がそれぞれ設けられている。ブランキング電極のそれぞれは、不図示ではあるが、配線及び端子を介して駆動回路に接続されている。なお、ブランキング電極及び配線は、厚さ数μｍ〜数十μｍ程度の導体膜を、ブランカープレート３０の本体の上にパターニングすることで一体的に形成される。ブランキング電極は、電子ビームの照射による損傷を防ぐために、ブランカープレート３０（の本体）の電子ビームの下流側の面に形成することが好ましい。
【００３２】
ブランキング電極へ電圧を印可すると、開口３０ａを通過した電子ビームＥＢ３が大きく曲げられる。その結果、図４に示されるように、ブランキング電極で曲げられた電子ビームＥＢｏｆｆが、ブランカープレート３０の下方に配置された最終アパーチャ３２の円形の開口３２ａの外側に導かれて、最終アパーチャ３２によって阻止される。開口３２ａは、最終アパーチャ３２の光軸付近に形成されている。
【００３３】
一方、ブランキング電極に電圧を印可しない場合には、電子ビームＥＢ３は最終アパーチャ３２の開口３２ａを通過する。すなわち、個々のブランキング電極に対して電圧を印可するか否かによって、個々の電子ビームＥＢ３のオンオフを制御できる。最終アパーチャ３２を挟んで上下に各２つの電磁レンズ、すなわち第１電磁レンズ３８Ａ、第２電磁レンズ３８Ｂ、第３電磁レンズ３８Ｃ及び第４電磁レンズ３８Ｄが配置されている。これらの第１〜第４の電磁レンズ３８Ａ〜３８Ｄが協働することで、ビーム成形アパーチャプレート２８の多数の開口２８ａの像が所定の縮小倍率γで縮小されてウエハＷの表面に結像される。
【００３４】
最終アパーチャ３２の下方に配置されたステージフィードバック偏向器４０は、開口２８ａの列と同じ方向（Ｘ軸方向）から光軸ＡＸ１を挟むように配置された一対の電極板を有する静電偏向器で構成されている。このステージフィードバック偏向器４０により、電子ビームＥＢ３の照射位置をＸ軸方向に微調整できる。なお、本実施形態では、ステージフィードバック偏向器４０を静電偏向器で構成しているが、この構成に限定されない。例えば、少なくとも一対のコイルを光軸を挟むように配置し、これらコイルに電流を流して生じる磁場によりビームを偏向する電磁タイプの偏向器でステージフィードバック偏向器４０を構成しても良い。
【００３５】
これまでに説明した電子銃２２及び光学系２３の構成各部は、主制御装置５０の指示に基づき制御部６４によって制御される（図１１参照）。
【００３６】
また、第４電磁レンズ３８Ｄの下方には、Ｘ軸方向の両側に、一対の反射電子検出装置４２ｘ１、４２ｘ２が設けられている。また、図４では図示が省略されているが、実際には、第４電磁レンズ３８Ｄの下方には、Ｙ軸方向の両側に、一対の反射電子検出装置４２ｙ１、４２ｙ２が設けられている（図１１参照）。これらの反射電子検出装置のそれぞれは、例えば半導体検出器によって構成され、ウエハ上のアライメントマーク、あるいは基準マーク等の検出対象マークから発生する反射成分、ここでは反射電子を検出し、検出した反射電子に対応する検出信号を信号処理装置６２に送る（図１１参照）。信号処理装置６２は、複数の反射電子検出装置４２の検出信号を不図示のアンプにより増幅した後に信号処理を行い、その処理結果を主制御装置５０に送る（図１１参照）。
【００３７】
光学系カラム（マルチビーム光学系）２０の５０００本のマルチビームを全てオン状態（電子ビームがウエハに照射される状態）にしたとき、例えば１００μｍ×２０ｎｍの矩形領域（露光領域）内にビーム成形アパーチャプレート２８の５０００個の開口２８ａの配置に対応する位置関係で設定される５０００点に同時に紫外光露光装置の解像限界よりも小さい電子ビームの円形スポットが形成される。各スポットの大きさは、例えば直径がγ・ｐ＝２０ｎｍである。γは、光学系カラム２０の倍率である。
【００３８】
本実施形態では、カラムセル２１内の電子銃２２、光学系２３及び反射電子検出装置４２、並びに制御部６４及び信号処理装置６２によって、１つの光学系ユニット７０が構成されている。そして、この光学系ユニット７０が、マルチビーム光学系（光学系カラム）２０と同じ数（１００）設けられている（図１１参照）。
【００３９】
１００個のマルチビーム光学系２０は、例えば３００ｍｍウエハ上に形成された（あるいはショットマップに従ってこれから形成される）例えば１００個のショット領域にほぼ１：１で対応している。電子ビーム露光装置１００では、１００個のマルチビーム光学系２０のそれぞれが、それぞれオン／オフ可能で、かつ偏向可能な多数（ｎ＝５０００）の直径２０ｎｍの電子ビームの円形スポットを矩形（例えば１００μｍ×２０ｎｍ）の露光領域内に配置している。この露光領域に対してウエハＷを所定の走査方向（Ｙ軸方向）に走査しながら、その多数の電子ビームの円形スポットを偏向しながらオン／オフすることで、ウエハ上の１００個のショット領域が露光され、パターンが形成される。したがって、３００ｍｍウエハの場合、露光に際してのウエハの移動ストロークは、多少の余裕を持たせても数十ｍｍ、例えば５０ｍｍあれば十分である。
【００４０】
次にステージ装置８３の構成等について説明する。図６には、ステージ装置８３の粗微動ステージ８５に、ウエハシャトル（以下、シャトルと略記する）１０が装着された状態の斜視図が示されている。図７には、シャトル１０が離脱された（取り外された）状態の図６に示される粗微動ステージ８５の斜視図が示されている。
【００４１】
ステージ装置８３が備える定盤８４は、実際には、露光室８１を区画する真空チャンバ８０の底壁上に設置されている。粗微動ステージ８５は、図６及び図７に示されるように粗動ステージ８５ａと微動ステージ８５ｂと、を備えている。粗動ステージ８５ａはＹ軸方向に所定間隔を隔てて配置され、Ｘ軸方向にそれぞれ延びる一対の四角柱状の部分を含み、定盤８４上でＸ軸方向に所定ストローク、例えば５０ｍｍで移動可能である。微動ステージ８５ｂは、粗動ステージ８５ａに対してＹ軸方向に所定ストローク、例えば５０ｍｍで移動可能で、かつ残りの５自由度方向、すなわちＸ軸方向、Ｚ軸方向、Ｘ軸周りの回転方向（θｘ方向）、Ｙ軸周りの回転方向（θｙ方向）及びＺ軸周りの回転方向（θｚ方向）にＹ軸方向に比べて短いストロークで可動である。なお、図示は省略されているが、粗動ステージ８５ａの一対の四角柱状の部分は、実際には、微動ステージ８５ｂのＹ軸方向の移動を妨げない状態で不図示の連結部材によって連結され、一体化されている。
【００４２】
粗動ステージ８５ａは、粗動ステージ駆動系８６（図１１参照）によって、Ｘ軸方向に所定ストローク（例えば５０ｍｍ）で駆動される（図９のＸ軸方向の長い矢印参照）。粗動ステージ駆動系８６は、本実施形態では磁束漏れが生じない一軸駆動機構、例えばボールねじを用いた送りねじ機構によって構成される。この粗動ステージ駆動系８６は、粗動ステージの一対の四角柱状の部分のうち、一方の四角柱状の部分と定盤８４との間に配置される。例えば、定盤８４にねじ軸が取り付けられ、一方の四角柱状の部分にボール（ナット）が取り付けられる構成である。なお、定盤８４にボールを取り付け、一方の四角柱状の部分にねじ軸を取り付ける構成であっても良い。
【００４３】
また、粗動ステージ８５ａの一対の四角柱状の部分のうち、他方の四角柱状の部分は、定盤８４に設けられた不図示のガイド面に沿って移動する構成である。
【００４４】
ボールねじのねじ軸は、ステッピングモータによって回転駆動される。あるいは、粗動ステージ駆動系８６を、駆動源として超音波モータを備えた一軸駆動機構によって構成しても良い。いずれにしても、磁束漏れに起因する磁場変動が電子ビームの位置決めに影響を与えることはない。粗動ステージ駆動系８６は、主制御装置５０によって制御される（図１１参照）。
【００４５】
微動ステージ８５ｂは、図８の斜視図に拡大して示されるように、Ｙ軸方向に貫通したＸＺ断面矩形枠状の部材から成り、重量キャンセル装置８７によって、定盤８４上でＸＹ平面内で移動可能に支持されている。微動ステージ８５ｂの側壁の外面には、補強用のリブが複数設けられている。
【００４６】
微動ステージ８５ｂの中空部の内部には、ＸＺ断面が矩形枠状でＹ軸方向に延びるヨーク８８ａと、ヨーク８８ａの上下の対向面に固定された一対の磁石ユニット８８ｂとが設けられ、これらヨーク８８ａと一対の磁石ユニット８８ｂによって、微動ステージ８５ｂを駆動するモータの可動子８８が構成されている。
【００４７】
図９には、図７から微動ステージ８５ｂ及び符号９１で示される後述する磁気シールド部材を取り去った状態の粗微動ステージの斜視図が示されている。図９に示されるように、可動子８８に対応して、粗動ステージ８５ａの一対の四角柱部分の相互間には、コイルユニットから成る固定子８９が架設されている。固定子８９と前述の可動子８８とによって、可動子８８を固定子８９に対して、図９に各方向の矢印で示されるように、Ｙ軸方向に所定ストローク、例えば５０ｍｍで移動可能で、かつＸ軸方向、Ｚ軸方向、θｘ方向、θｙ方向及びθｚ方向に微小駆動可能な閉磁界型かつムービングマグネット型のモータ９０が構成されている。本実施形態では、モータ９０によって微動ステージを６自由度方向に駆動する微動ステージ駆動系が構成されている。以下、微動ステージ駆動系をモータと同一の符号を用いて、微動ステージ駆動系９０と表記する。微動ステージ駆動系９０は、主制御装置５０によって制御される（図１１参照）。
【００４８】
粗動ステージ８５ａの一対の四角柱部分の相互間には、例えば図６及び図７などに示されるように、さらに、モータ９０の上面及びＸ軸方向の両側面を覆う状態でＸＺ断面逆Ｕ字状の磁気シールド部材９１が架設されている。すなわち、磁気シールド部材９１は、四角柱部分が延びる方向に交差する方向（Ｙ軸方向）に延びて形成されており、モータ９０の上面に非接触で対向する上面部と、モータ９０の側面に非接触で対向する側面部とを備える。この磁気シールド部材９１は、微動ステージ８５ｂの中空部内に挿入された状態で、側面部のうち、長手方向（Ｙ軸方向）の両端部の下面が粗動ステージ８５ａの一対の四角柱部分の上面に固定されている。また、磁気シールド部材９１の側面部のうち、上記両端部の下面以外は、微動ステージ８５ｂの内壁面のうち、底壁面（下面）に対して、非接触で対向する。すなわち、磁気シールド部材９１は、可動子８８の固定子８９に対する移動を妨げることがない状態で、微動ステージ８５ｂの中空部内に挿入されている。
【００４９】
磁気シールド部材９１としては、所定の空隙（スペース）を隔てて積層された複数層の磁性材料のフィルムによって構成されるラミネートな磁気シールド部材が用いられている。この他、透磁率の異なる２種類の材料のフィルムが交互に積層された構成の磁気シールド部材を用いても良い。磁気シールド部材９１は、モータ９０の上面及び側面を、可動子８８の移動ストロークの全長に渡って覆っており、かつ粗動ステージ８５ａに固定されているので、微動ステージ８５ｂ及び粗動ステージ８５ａの移動範囲の全域で、上方（電子ビーム光学系側）への磁束の漏れをほぼ確実に防止することができる。
【００５０】
重量キャンセル装置８７は、図８に示されるように、微動ステージ８５ｂの下面に上端が接続された金属製のベローズ型空気ばね（以下、空気ばねと略記する）８７ａと、空気ばね８７ａの下端に接続された平板状の板部材から成るベーススライダ８７ｂと、を有している。ベーススライダ８７ｂには、空気ばね８７ａ内部の空気を、定盤８４の上面に噴き出す軸受部（不図示）が設けられ、軸受部から噴出される加圧空気の軸受面と定盤８４上面との間の静圧（隙間内圧力）により、重量キャンセル装置８７、微動ステージ８５ｂ及び可動子８８（シャトル１０が粗微動ステージ８５に装着された場合には、そのシャトル１０等も含む）の自重が支持されている。なお、空気ばね８７ａには、微動ステージ８５ｂに接続された不図示の配管を介して圧縮空気が供給されている。ベーススライダ８７ｂは、一種の差動排気型の空気静圧軸受を介して定盤８４上に非接触で支持され、軸受部から定盤８４に向かって噴出された空気が、周囲に（露光室内に）漏れ出すことが防止されている。
【００５１】
ここで、シャトル１０を粗微動ステージ８５、より正確には微動ステージ８５ｂに着脱自在に装着するための構造について説明する。
【００５２】
微動ステージ８５ｂの上面には、図７に示されるように、３つの三角錐溝部材１２が設けられている。この三角錐溝部材１２は、例えば、平面視でほぼ正三角形の３つの頂点の位置に設けられている。この三角錐溝部材１２には、後述するシャトル１０に設けられた球体又は半球体が係合可能であり、この球体又は半球体とともにキネマティックカップリングを構成する。なお、図７には、３つの板部材によって構成された花弁のような三角錐溝部材１２が示されているが、この三角錐溝部材１２は、球体又半球体にそれぞれ点接触する三角錐溝と同じ役割を有するので、三角錐溝部材と称している。したがって、三角錐溝が形成された単一の部材を、三角錐溝部材１２の代わりに用いても良い。
【００５３】
本実施形態では、３つの三角錐溝部材１２に対応して、図６に示されるように、シャトル１０に３つの球体又は半球体（本実施形態ではボール）１４が設けられている。シャトル１０は、平面視で正三角形の各頂点を切り落としたような六角形状で形成されている。これをさらに詳述すると、シャトル１０には、平面視で３つの斜辺それぞれの中央部に切り欠き部１０ａ、１０ｂ、１０ｃが形成され、切り欠き部１０ａ、１０ｂ、１０ｃをそれぞれ外側から覆う状態で、板ばね１６がそれぞれ取り付けられている。各板ばね１６の長手方向の中央部にボール１４がそれぞれ固定されている。三角錐溝部材１２に係合される前の状態では、各ボール１４は、外力を受けた場合、シャトル１０の中心（図６に示されるウエハＷの中心にほぼ一致）を中心とする半径方向にのみ微小移動する。
【００５４】
微動ステージ８５ｂの上方で３つの三角錐溝部材１２に３つのボール１４がそれぞれほぼ対向する位置に、シャトル１０を移動させた後、シャトル１０を降下させることにより、３つのボール１４のそれぞれが、３つの三角錐溝部材１２に個別に係合し、シャトル１０が微動ステージ８５ｂに装着される。この装着時に、シャトル１０の微動ステージ８５ｂに対する位置が所望の位置からずれていたとしても、ボール１４が三角錐溝部材１２に係合する際にその三角錐溝部材１２から外力を受けて前述の如く半径方向に移動する。その結果、３つのボール１４は対応する三角錐溝部材１２に、常に同じ状態で係合する。一方、シャトル１０を上方に移動させて、ボール１４と三角錐溝部材１２との係合を解除するだけで、シャトル１０を微動ステージ８５ｂから簡単に取り外す（離脱させる）ことができる。すなわち、本実施形態では３組のボール１４と三角錐溝部材１２との組によって、キネマティックカップリングが構成され、このキネマティックカップリングによって、シャトル１０の微動ステージ８５ｂに対する取り付け状態を常にほぼ同一状態に設定することができるようになっている。したがって、何度、取り外しても、再度、シャトル１０をキネマティックカップリング（３組のボール１４と三角錐溝部材１２との組）を介して微動ステージ８５ｂに装着するだけで、シャトル１０と微動ステージ８５ｂとの一定の位置関係を、再現することができる。
【００５５】
シャトル１０の上面には、例えば図６に示されるように、中央にウエハＷより僅かに直径が大きな円形の凹部が形成され、該凹部内に不図示の静電チャックが設けられ、該静電チャックによってウエハＷが静電吸着され保持されている。このウエハＷの保持状態では、ウエハＷの表面は、シャトル１０の上面とほぼ同一面となっている。
【００５６】
次に、粗微動ステージ８５の位置情報を計測する位置計測系について説明する。この位置計測系は、シャトル１０が微動ステージ８５ｂに前述したキネマティックカップリングを介して装着された状態で、シャトル１０の位置情報を計測する第１計測系５２と、微動ステージ８５ｂの位置情報を直接計測する第２計測系５４とを含む（図１１参照）。
【００５７】
まず、第１計測系５２について説明する。シャトル１０の前述の３つの斜辺を除く３つの辺それぞれの近傍には、図６に示されるように、グレーティングプレート７２ａ、７２ｂ、７２ｃがそれぞれ設けられている。グレーティングプレート７２ａ、７２ｂ、７２ｃのそれぞれには、シャトル１０の中心（本実施形態では円形の凹部の中心に一致）を中心とする半径方向とこれに直交する方向のそれぞれを周期方向とする２次元格子がそれぞれ形成されている。例えば、グレーティングプレート７２ａには、Ｙ軸方向及びＸ軸方向を周期方向とする２次元格子が形成されている。また、グレーティングプレート７２ｂには、シャトル１０の中心に関してＹ軸に対して−１２０度を成す方向（以下、α方向と称する）及びこれに直交する方向を周期方向とする２次元格子が形成され、グレーティングプレート７２ｃには、シャトル１０の中心に関してＹ軸に対して＋１２０度を成す方向（以下、β方向と称する）及びこれに直交する方向を周期方向とする２次元格子が形成されている。２次元格子としては、それぞれの周期方向について、ピッチが例えば１μｍの反射型の回折格子が用いられている。
【００５８】
図１０（Ａ）に示されるように、メトロロジーフレーム９４の下面（−Ｚ側の面）には、３つのグレーティングプレート７２ａ、７２ｂ、７２ｃのそれぞれに個別に対向可能な位置に、３つのヘッド部７４ａ、７４ｂ、７４ｃが固定されている。３つのヘッド部７４ａ、７４ｂ、７４ｃのそれぞれには、図１０（Ｂ）中に各４本の矢印で示される計測軸を有する４軸エンコーダヘッドが設けられている。
【００５９】
これをさらに詳述すると、ヘッド部７４ａは、同一の筐体の内部に収容された、Ｘ軸方向及びＺ軸方向を計測方向とする第１ヘッドと、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を計測方向とする第２ヘッドとを含む。第１ヘッド（より正確には、第１ヘッドが発する計測ビームのグレーティングプレート７２ａ上の照射点）と、第２ヘッド（より正確には、第２ヘッドが発する計測ビームのグレーティングプレート７２ａ上の照射点）とは、同一のＸ軸に平行な直線上に配置されている。ヘッド部７４ａの第１ヘッド及び第２ヘッドは、それぞれグレーティングプレート７２ａを用いて、シャトル１０のＸ軸方向及びＺ軸方向の位置情報を計測する２軸リニアエンコーダ、及びＹ軸方向及びＺ軸方向の位置情報を計測する２軸リニアエンコーダを構成する。
【００６０】
残りのヘッド部７４ｂ、７４ｃは、それぞれのメトロロジーフレーム９４に対する向きが異なる（ＸＹ平面内における計測方向が異なる）が、第１ヘッドと第２ヘッドとを含んでヘッド部７４ａと同様に構成されている。ヘッド部７４ｂの第１ヘッド及び第２ヘッドは、それぞれグレーティングプレート７２ｂを用いて、シャトル１０のα方向にＸＹ平面内で直交する方向及びＺ軸方向の位置情報を計測する２軸リニアエンコーダ、及びα方向及びＺ軸方向の位置情報を計測する２軸リニアエンコーダを構成する。ヘッド部７４ｃの第１ヘッド及び第２ヘッドは、それぞれグレーティングプレート７２ｃを用いて、シャトル１０のβ方向にＸＹ平面内で直交する方向及びＺ軸方向の位置情報を計測する２軸リニアエンコーダ、及びβ方向及びＺ軸方向の位置情報を計測する２軸リニアエンコーダを構成する。
【００６１】
ヘッド部７４ａ、７４ｂ、７４ｃそれぞれが有する第１ヘッド及び第２ヘッドのそれぞれとしては、例えば米国特許第７，５６１，２８０号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のエンコーダヘッドを用いることができる。
【００６２】
上述した３組、合計６つの２軸エンコーダ、すなわち３つのグレーティングプレート７２ａ、７２ｂ、７２ｃをそれぞれ用いてシャトル１０の位置情報を計測する３つのヘッド部７４ａ、７４ｂ、７４ｃによって、エンコーダシステムが構成され、このエンコーダシステムによって第１計測系５２（図１１参照）が構成されている。第１計測系５２で計測される位置情報は、主制御装置５０に供給される。
【００６３】
第１計測系５２は、３つのヘッド部７４ａ、７４ｂ、７４ｃがそれぞれ４つの計測自由度（計測軸）を有しているので、合計１２自由度の計測が可能である。すなわち、３次元空間内では、自由度は最大で６であるから、実際には、６自由度方向のそれぞれについて、冗長計測が行われ、各２つの位置情報が得られることになる。
【００６４】
したがって、主制御装置５０は、第１計測系５２で計測された位置情報に基づいて、それぞれの自由度について各２つの位置情報の平均値を、それぞれの方向の計測結果とする。これにより、平均化効果により、６自由度の全ての方向について、シャトル１０及び微動ステージ８５ｂの位置情報を、高精度に求めることが可能になる。
【００６５】
次に、第２計測系５４について説明する。第２計測系５４は、シャトル１０が微動ステージ８５ｂに装着されているか否かを問わず、微動ステージ８５ｂの６自由度方向の位置情報の計測が可能である。第２計測系５４は、例えば微動ステージ８５ｂの側壁の外面に設けられた反射面にビームを照射し、その反射光を受光して微動ステージ８５ｂの６自由度方向の位置情報を計測する干渉計システムによって構成することができる。干渉計システムの各干渉計は、メトロロジーフレーム９４に不図示の支持部材を介して吊り下げ支持しても良いし、あるいは定盤８４に固定しても良い。第２計測系５４は、露光室８１内（真空空間内）に設けられるので、空気揺らぎに起因する計測精度の低下のおそれがない。また、第２計測系５４は、本実施形態では、シャトル１０が微動ステージ８５ｂに装着されていないとき、すなわちウエハの露光が行われないときに、主として、微動ステージ８５ｂの位置、姿勢を所望の状態に維持するために用いられるので、第１計測系５２に比べて計測精度は低くても良い。第２計測系５４で計測される位置情報は、主制御装置５０に供給される（図１１参照）。なお、干渉計システムに限らず、エンコーダシステムにより、あるいはエンコーダシステムと干渉計システムとの組み合わせによって、第２計測系を構成しても良い。後者の場合、微動ステージの８５ｂのＸＹ平面内の３自由度方向の位置情報をエンコーダシステムで計測し、残りの３自由度方向の位置情報を干渉計システムで計測しても良い。
【００６６】
第１計測系５２及び第２計測系５４による計測情報は、主制御装置５０に送られ、主制御装置５０は、第１計測系５２及び／又は第２計測系５４による計測情報に基づいて、粗微動ステージ８５を制御する。また、主制御装置５０は、第１計測系５２による計測情報を、露光システム８２の電子ビーム照射装置９２が有する複数のマルチビーム光学系２０それぞれのステージフィードバック偏向器４０の制御にも用いる。
【００６７】
図１１には、電子ビーム露光装置１００の制御系を主として構成する主制御装置５０の入出力関係がブロック図にて示されている。主制御装置５０は、マイクロコンピュータ等を含み、図１１に示される各部を含む電子ビーム露光装置１００の構成各部を統括的に制御する。
【００６８】
次に、本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００で行われる、電子ビーム光学系を構成する各マルチビーム光学系（光学系カラム）２０のディストーションの補正の原理について、図１２（Ａ）〜図１３（Ｂ）に基づいて説明する。ここで、マルチビーム光学系２０のビーム成形アパーチャプレート２８には、複数（例えば５０００個）の開口２８ａが、Ｘ軸に平行な一直線上に並んで形成されている（図５（Ａ）参照）。また、マルチビーム光学系２０では、その複数の開口２８ａの像が像面上でＸ軸に平行な一直線上に並んで形成される、すなわち複数の開口２８ａをそれぞれ通過したビームの照射位置が照射面上でＸ軸に平行な一直線上に並ぶように設計されている。しかしながら、実際には、ビーム成形アパーチャプレート２８の複数（例えば５０００）の開口２８ａをそれぞれ通過し像面上に照射されるビームは、他のビームとの間に働くクーロン力（クーロン相互作用）によって照射面上での照射位置（各開口２８ａの像の形成位置）がずれる。この像の形成位置のずれは、複数の開口２８ａをそれぞれ通過するビームのオン・オフ状態に応じて異なる。上記の像の形成位置のずれが生じる現象は、レンズを介したパターン像が、レンズの歪曲収差に起因して歪む現象と同様であるため、本明細書では、上記の像の形成位置のずれを、各マルチビーム光学系（光学系カラム）２０のディストーション、又は開口像のディストーションと称している。
【００６９】
ここでは、説明をわかり易くするために、図１２（Ａ）に示されるように、１０個の開口２９ａ１〜２９ａ１０が同一のＸ軸方向の直線上に等間隔で形成された開口部材２９を用いて説明を行う。開口部材２９は、前述したビーム成形アパーチャプレート２８と、ブランカープレート３０とが一体化された物に相当する。この場合、白色で示される開口２９ａｉ（ｉ＝１〜１０）は、通過するビームがオン状態となる開口（対応するブランキング電極に電圧が印加されず、開口３２ａを介してターゲット面上に照射されるビームが通過する開口２８ａ（及び開口３０ａ））を示し、黒色で示される開口２９ａｉは、通過するビームがオフ状態となる開口（対応するブランキング電極に電圧が印加され、通過するビームが最終アパーチャ３２によって阻止される開口２８ａ（及び開口３０ａ））を示す。
【００７０】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）では、左側に開口部材２９の各開口２９ａｉの色（白又は黒）を用いて、各開口２９ａｉを通過するビームのオン・オフ状態が示され、白矢印を挟んで右側に、対応するディストーションテーブル２００が示されている。各ディストーションテーブル２００において、黒丸は、ビームの照射位置（すなわち、開口２８ａの像の形成位置）を示す。
【００７１】
図１２（Ａ）の左側に示される開口部材２９のように、全ての開口２９ａ１〜２９ａ１０をそれぞれ通過するビームがオン状態のときに、図１２（Ａ）の右側のディストーションテーブル２０００に示されるように複数の開口像にはディストーションが発生しない（複数のビームに照射位置ずれが生じない）ように設計値通りに、マルチビーム光学系（光学系カラム）２０が製造されているものとする。開口２９ａ１〜２９ａ１０のそれぞれを通過するビームのそれぞれは、他のビームとの間に働くクーロン力（クーロン相互作用）を受けており、その結果、ディストーションテーブル２０００で示されるように、全てのビームが一直線上に等間隔で照射されているものとする。なお、実際には、ビーム成形アパーチャプレート全ての開口２９a１〜２９ａ１０をそれぞれ通過するビームがオン状態のときに、複数のビームに照射位置ずれが生じる場合もあり得るが、このような場合であっても、複数のビームの照射位置の位置関係が所望の関係となる（例えばＸ軸に平行な直線上に等間隔で配置される）ように、ビーム成形アパーチャプレート２８の複数の開口２８ａの位置関係が製造段階で調整されているものとする。
【００７２】
しかるに、いずれかのビームがオフ状態になると、ビーム相互間のクーロン力が変化し、他のビームの照射位置が変化する（照射位置がずれる）。照射位置のずれ方は、どのビームがオフ状態となるかによって変化する。したがって、複数の開口２９ａｉをそれぞれ通過した複数のビームの照射状態、ここではオン・オフ状態が開口２９ａｉごとにそれぞれ変化したときに生じる複数のビームの照射位置の変化に関する情報を含む、図１２（Ｂ）に示されるような複数の開口像のディストーションテーブル（以下、ディストーションテーブルと略称する）２００１〜２００１０を、そのまま開口像のディストーションの補正テーブルとして用いることができる。
【００７３】
図１２（Ｂ）の一番上に示される開口部材２９のように複数の開口２９ａｉのうちの１つ、例えば左から１番目の開口２９ａ１を通過するビームのみをオフ状態にした場合に生じる開口像のディストーションを、シミュレーション又は実験（例えば実際の露光）で取得する。この結果、右側に示されるようなディストーションテーブル２００１が得られたものとする。
【００７４】
同様に、図１２（Ｂ）の上から２番目以下にそれぞれ示される開口部材２９のように左からｉ番目（ｉ＝２〜１０）の開口２９ａｉを通過するビームのみをオフ状態にした場合に生じる開口像のディストーション（多数のビームの照射位置ずれ）を、シミュレーション又は実験（例えば実際の露光）で取得する。この結果、右側に示されるディストーションテーブル２００２〜２００１０が得られたものとする。
【００７５】
この場合、実際の露光では、オフ状態とされるビームは、目標パターンに応じて変幻自在に時々刻々変化するが、上記の左からｉ番目の開口２９ａｉを通過するビームのみをオフにしたときのディストーションテーブル２００１〜２００１０のそれぞれに含まれる情報（オン・オフ状態が開口ごとにそれぞれ変化したときに生じる複数のビームの照射位置の変化に関する情報）の重ね合わせから得られる開口像のディストーションが、実際には生じるものと考えられる。
【００７６】
例えば、左から１番目、２番目、７番目、１０番目のビームがオフで他のビームがオンである場合、図１２（Ｂ）に示される４つのディストーションテーブル２００１、２００２、２００７、２００１０のそれぞれに含まれる情報の重ね合わせから、その場合の開口像のディストーションの情報、すなわちディストーションの補正情報が求められる。
【００７７】
例えば、ある特定の開口２９ａｉを通過するオン状態の第１のビームが、第１の条件（第１のビームとは異なる第２のビームのみがオフ状態となる条件）下でＸ軸方向に関してΔｘ１かつＹ軸方向に関してΔｙ１位置ずれし、第２の条件（第１のビーム及び第２のビームとは異なる第３のビームのみがオフ状態となる条件）下でＸ軸方向に関してΔｘ２かつＹ軸方向に関してΔｙ２位置ずれする場合、第１の条件と第２条件とが組み合わされた第３の条件下では、その第１のビームは、Ｙ軸方向に関してΔｙ３＝（Δｙ１＋Δｙ２）だけ位置ずれし、Ｘ軸方向に関してΔｘ３＝（Δｘ１＋Δｘ２）だけ位置ずれすると考える。例えば、第１のビームが、第１の条件下でＸＹ直交座標系上で（Δｘ、Δｙ）位置ずれし、第２の条件下でＸＹ直交座標系上で（−Δｘ、−Δｙ）位置ずれする場合、第３の条件下では、その第１のビームは、Ｙ軸方向に関してΔｙ３＝｛Δｙ＋（−Δｙ）｝＝０だけ位置ずれし、Ｘ軸方向に関してΔｘ３＝｛Δｘ＋（−Δｘ）｝＝０だけ位置ずれする、すなわちＸＹ座標系上で位置ずれは生じないと考える。
【００７８】
かかる重ね合わせの手法によれば、ｍ個（１００個）のマルチビーム光学系２０のそれぞれについて、ビーム成形アパーチャプレート２８のｎ個（５０００個）の開口２８ａについて、第１番目から第ｎ番目の開口のうちの１つの開口を通過するビームのみがオフ状態となる条件下のディストーションテーブル２００１〜２００ｎを、対応するｎの異なる条件について、シミュレーション又は実験により予め求めて、主制御装置５０の内部の記憶装置に記憶しておく。
【００７９】
そして、例えば実際のコンプリメンタリ・リソグラフィにおいて、ウエハＷ上に形成されたＸ軸方向を周期方向とするラインアンドスペースパターンに対するカットパターンを各マルチビーム光学系２０から射出される多数のビーム（電子ビーム）を用いて形成する際に、ウエハＷ（微動ステージ８５ｂ）をＹ軸方向に走査しつつ、ｎ（＝５０００）のディストーションテーブル２００１〜２００ｎのうち、オフ状態となるビームに対応するディストーションテーブルに含まれる情報の重ね合わせから求めた開口像のディストーション（マルチビーム光学系２０のディストーション）、すなわちそのディストーションの補正情報に基づいて、各ビームの照射タイミング（オン・オフ）を制御する。
【００８０】
これにより、ディストーションの補正をしなかった場合、例えば図１３（Ａ）に概念的に示されるように、Ｌ／Ｓパターン（のラインパターン）上の各ビームの照射位置が、Ｙ軸方向に位置ずれしている場合であっても、上記の各ビームの照射タイミング（オン・オフ）制御を行なうことで、図１３（Ｂ）に概念的に示されるように、前述のディストーションの影響を受けることなく、ラインパターン上の所望の位置にカットパターンを形成（ビームを照射）することが可能になる。また、ビームの設計上の照射位置からのＸ軸方向に関する位置ずれは、ステージフィードバック偏向器４０を制御（電極に印加する電圧を変更して調整）して低減する。ここで、オン状態となるビームが複数ある条件下では、その複数のオン状態となるビームの全体について、Ｘ軸方向に関する位置ずれが平均化されるように、ステージフィードバック偏向器４０を制御する。あるいは、Ｘ軸方向（コンプリメンタリ・リソグラフィにおけるラインパターンのカットの対象であるラインアンドスペースパターンの周期方向）は、Ｙ軸方向（スキャン方向）に比べて要求が緩いため、必ずしもビームの照射位置ずれの補正をしなくても良い。
【００８１】
本実施形態における、ウエハに対する処理の流れは、次の通りである。
【００８２】
まず、電子線レジストが塗布された露光前のウエハ（便宜上、ウエハＷ１と表記する）が、計測室（不図示）内で、シャトル（便宜上、シャトル１０１と表記する）に載置され、シャトル１０１の静電チャックによって吸着される。そして、そのウエハＷ１に対して、シャトル１０１に対する概略（ラフ）位置計測、フラットネス計測などの事前計測が、計測室内の計測システム（不図示）によって行われる。
【００８３】
次いで、ウエハＷ１を保持したシャトル１０１が、例えば搬送システム（不図示）によって、チャンバ８０に設けられたロードロック室を介して露光室８１内に搬入され、露光室８１内の搬送系（不図示）によって所定の第１待機位置（例えば不図示のシャトルストッカの複数段の収納棚のうちの１つ）に搬送される。
【００８４】
次いで、露光室８１においては、シャトル交換動作、すなわちシャトルと一体でのウエハの交換動作が以下のようにして行われる。
【００８５】
シャトル１０１の搬入時に露光が行われていたウエハ（便宜上、ウエハＷ０と表記する）の露光が終了すると、搬送系により、露光済みのウエハＷ０を保持するシャトル（便宜上、シャトル１００と表記する）が、微動ステージ８５ｂから取り外され、所定の第２待機位置に搬送される。第２待機位置は、前述したシャトルストッカの複数段の収納棚のうちの別の１つであるものとする。
【００８６】
なお、微動ステージ８５ｂからシャトル１００が取り外されるのに先立って、第２計測系５４（図１１参照）の計測情報に基づく、微動ステージ８５ｂの６自由度方向の位置、姿勢のフィードバック制御が、主制御装置５０によって開始され、次に第１計測系５２（図１１参照）の計測情報に基づく、シャトル１０１と一体の微動ステージ８５ｂの位置制御が開始されるまでの間、微動ステージ８５ｂの６自由度方向の位置、姿勢は所定の基準状態に維持される。
【００８７】
次いで、露光室８１内の搬送系により、シャトル１０１が粗微動ステージ８５の上方に向かって搬送され、微動ステージ８５ｂに装着される。このとき、前述の如く、微動ステージ８５ｂの６自由度方向の位置、姿勢は基準状態に維持されているので、シャトル１０１を、キネマティックカップリングを介して微動ステージ８５ｂに装着するだけで、電子ビーム照射装置９２（電子ビーム光学系）とシャトル１０１との位置関係が所望の位置関係となる。そして、予め計測室内で行われている、ウエハＷ１のシャトル１０に対する概略位置計測、すなわちシャトル１０（基準マーク）に対するウエハＷ１の相対位置情報の計測の結果を考慮して、微動ステージの８５ｂの位置を微調整することで、微動ステージ８５ｂに装着されたシャトル１０１上のウエハＷ１に形成された１００個のショット領域のそれぞれに対応してスクライブライン（ストリートライン）に形成された少なくとも各１つのアライメントマークに対して、電子ビーム光学系から電子ビームを確実に照射することが可能となる。したがって、少なくとも各１つのアライメントマークからの反射電子が反射電子検出装置４２ｘ１、４２ｘ２、４２ｙ１、４２ｙ２の少なくとも１つで検出され、ウエハＷ１の全点アライメント計測が行われ、この全点アライメント計測の結果に基づいて、ウエハＷ１上の複数のショット領域に対し、電子ビーム照射装置９２を用いた露光が開始される。
【００８８】
上記の全点アライメント計測及び露光と並行して、第２待機位置にあるシャトル１００の露光室８１からの搬出及び前述の計測室への搬送が行われる。これについての詳細説明は省略する。
【００８９】
露光室８１内では、ウエハＷ１に対する露光が行われている間に、事前計測が終了した次の露光対象のウエハを保持するシャトル１０が露光室内に搬入され、前述の第１待機位置で待機する。そして、ウエハＷ１に対する露光が終了すると、前述のシャトルと一体でのウエハの交換動作が行われ、以下、上述と同様の処理が繰り返される。
【００９０】
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、ウエハＷを保持するシャトル１０と、該シャトル１０が装着される粗微動ステージ８５と、微動ステージ駆動系９０及び粗動ステージ駆動系８６とによって、ターゲットであるウエハＷを保持して移動するステージが構成されている。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００によると、実際のウエハの露光時には、主制御装置５０は、電子ビーム照射装置９２（電子ビーム光学系）に対する、ウエハを保持するシャトル１０が装着された微動ステージ８５ｂのＹ軸方向の走査（移動）を微動ステージ駆動系９０及び粗動ステージ駆動系８６を介して制御する。これと並行して、主制御装置５０は、ｍ個（例えば１００個）の光学系カラム（マルチビーム光学系）２０のそれぞれについて、ビーム成形アパーチャプレート２８のｎ個（例えば５０００個）の開口２８ａをそれぞれ通過したｎ本のビームの照射状態（オン状態とオフ状態）を開口２８ａごとにそれぞれ変化させたときに生じる複数のビームの照射位置の変化に関する情報を含む、開口２８ａ（又は複数のビーム）と同一数のディストーションテーブル（補正テーブル）２００１〜２００ｎに基づき、複数のビームの照射位置を調整する。特に、複数のビームのＹ軸方向の照射位置を、１００個のマルチビーム光学系２０のそれぞれからウエハに照射される複数のビームの照射タイミングを個別に制御することで調整する。これにより、例えばＡｒＦ液浸露光装置を用いたダブルパターニングなどによりウエハ上の例えば１００個のショット領域のそれぞれに予め形成されたＸ軸方向を周期方向とする微細なラインアンドスペースパターンに対して所望の位置にカットパターンを形成する（図１３（Ｂ）参照）ことが可能になり、高精度かつ高スループットな露光が可能になる。
【００９２】
なお、上記実施形態では、テーブルデータ形式のディストーションの補正情報、すなわち前述のディストーションテーブルを、ビーム成形アパーチャプレート２８の開口２８ａの数（ｎ）だけ用意し、実際の露光時には、ビームのオン・オフに応じて、オフ状態とされたビームに対応するディストーションテーブルに含まれる情報の重ね合わせにより、マルチビーム光学系２０のディストーション（開口像のディストーション）の補正情報を算出する場合について説明した。しかしながら、ディストーションテーブルは、１本のビームのみをオフにするものに限らず、同時に複数本のビームをオフにし、かつオフにするビームの組み合わせが異なるディストーションテーブルなどを組み合わせて用意しても良い。かかる場合には、実際の露光時にはその用意した複数のディストーションテーブルの中から、設定すべきビームのオン・オフ状態に応じてディストーションテーブルの組み合わせを選択し、その選択したディストーションテーブルに含まれる情報の重ね合わせにより、マルチビーム光学系２０のディストーション（開口像のディストーション）の補正情報を算出することとしても良い。あるいはその選択した複数のディストーションテーブルの組み合わせに対応する連立方程式を解くことによって、個々のビームの影響を算出することとしても良い。このようにしても、実際の露光時には、ビームのオン・オフに応じたマルチビーム光学系のディストーション（開口像のディストーション）の補正情報を算出することができる。
【００９３】
また、テーブルデータ形式のディストーションテーブルに代えて、ディストーション補正情報を、関数によって表現しても良い。例えば、j番目の開口を通過する単位電流のビームが、i番目の開口を通過するビームの照射位置にもたらすＹ軸方向のずれをΔＹ(i,j)、j番目の開口を通過するビームの電流量をI(j)としたとき、j=1から成形ビームの総数（例えば５０００）まで{ΔＹ(i,j)・I(j)}の総和をとると、i番目の開口を通過するビームのトータルのＹ軸方向の照射位置ずれを表すことができる。さらに、単なる線形結合だけでなく、I(j)の２乗に比例する成分や、j番目のビームの電流量I(j)とk番目のビームの電流量I(k)のクロスする成分を考慮しても良い。勿論、i番目の開口を通過するビームのトータルのＸ軸方向の照射位置ずれを、上記と同様にして求めても良い。
【００９４】
実際の露光時には、オン状態とされるビームのそれぞれについて、上述のようにして、トータルのＹ軸方向（及びＸ軸方向）の照射位置ずれを求め、その照射位置ずれを補正すべく、走査露光時の各ビームの照射タイミングを調整し、必要に応じてステージフィードバック偏向器４０を制御すれば良い。
【００９５】
また、上記実施形態では、マルチビーム光学系の各ビームの照射状態として、ビームの照射電流量は一定であることを前提として、オン状態とオフ状態とを例示したが、これに限らず、マルチビーム光学系の各ビームの照射状態としてビームの照射電流量を含めても良い。すなわち、複数のビームについて、オン・オフの状態が同一であっても、照射電流量が異なれば、複数のビーム相互間に働くクーロン力（クーロン相互作用）が異なるので、照射電流量に応じて、前述のディストーションテーブルを用意しておいても良い。勿論、ディストーションテーブルに限らず、関数で表されるディストーションの情報を、補正情報として、異なる照射電流量について用意しておいても良い。
【００９６】
各ビームの照射電流量を変更する方法としては、例えば、ビーム成形アパーチャプレート２８の各開口２８ａの電子銃２２側に静電レンズを設ける方法がある。かかる場合には、それぞれの静電レンズに印加する電圧の大小により静電レンズの収束作用を増減させ、開口２８ａを通過する照射電流量を増減することが可能となる。すなわち静電レンズに電圧を印加しないときは、静電レンズの中心を通過する電子及び静電レンズの中心以外を通過する電子も直進する。その一方、静電レンズに電圧を印加したときは、静電レンズの中心を通過する電子は直進するが、静電レンズの中心以外を通過する電子は静電レンズの作用により進行方向が変化する。そこで開口２８ａを通過する電子の数、つまり照射電流量を調整することができる。
【００９７】
また、上記実施形態では、ウエハＷをシャトル１０を介して保持する微動ステージ８５ｂが電子ビーム照射装置９２（電子ビーム光学系）に対して走査方向（Ｙ軸方向）に移動しつつ、電子ビームによるウエハＷの走査露光が行われる場合について説明したが、電子ビーム照射装置９２（電子ビーム光学系）を、所定方向、例えばＹ軸方向に移動可能に構成する場合には、ウエハが静止している状態で、電子ビーム照射装置（電子ビーム光学系）をＹ軸方向に移動させつつ、電子ビームによるウエハＷの走査露光を行なっても良い。あるいは、ウエハＷと電子ビーム照射装置とを互いに逆向きに移動させつつ、電子ビームによるウエハＷの走査露光を行なっても良い。
【００９８】
要は、主制御装置５０が、微動ステージ８５ｂと電子ビーム光学系（マルチビーム光学系２０を複数含むマルチカラム光学系）との相対的な移動を制御するとともに、各マルチビーム光学系２０について、複数のビームのうち少なくとも１つのビーム（第１ビーム）の前述の照射状態に基づいて生じる別のビーム（第２ビーム）の照射位置の変化に関する情報に基づいて、ウエハＷに対する複数のビームの照射位置を調整することとすれば良い。
【００９９】
なお、上記実施形態では、Ｘ軸方向の所定幅の帯状領域内に一列に配置されたｎ（５０００）個の開口２８ａが形成されたビーム成形アパーチャプレート２８を用いる場合について説明したが、このビーム成形アパーチャプレート２８に代えて、Ｘ軸方向に並んだ所定数の開口の列から成る２列の開口が、開口同士がＹ軸方向に重ならないように、各列がＸ軸方向にずれて配置されたビーム成形アパーチャプレートを用いても良い。また、ビーム成形アパーチャプレート上の複数の開口は、必ずしも帯状の領域内に配列されていなくても良い。ただし、開口同士がＹ軸方向に重ならないように、Ｘ軸方向に関して、互いの位置がずれていることが望ましい。
【０１００】
また、上記実施形態では、電子ビーム照射装置９２が備える電子ビーム光学系がマルチビーム光学系から成るｍ本の光学系カラム２０によって構成される場合について説明したが、これに限らず、電子ビーム光学系は、シングルカラムタイプのマルチビーム光学系であっても良い。
【０１０１】
また、上記実施形態では、ウエハＷがシャトル１０に保持された状態で搬送されるタイプの電子ビーム露光装置について説明したが、これに限らず、ウエハＷが単独で露光用のステージ（又はテーブル）上に搬送され、そのウエハを保持するステージ（又はテーブル）を走査方向に移動しつつ、電子ビーム照射装置（電子ビーム光学系）からウエハＷにビームを照射して露光を行う、通常のタイプの電子ビーム露光装置であっても良い。かかる電子ビーム露光装置であっても、マルチビーム光学系から成る電子ビーム光学系を備えている限り、前述したマルチビーム光学系の像面上に形成されるビーム成形アパーチャプレートの多数の開口の像のディストーション（照射面上での各ビームの照射位置ずれ）の補正方法は、好適に適用することができる。
【０１０２】
また、上記実施形態では、微動ステージ８５ｂが、粗動ステージ８５ａに対して６自由度方向に移動可能な場合について説明したが、これに限らず、微動ステージはＸＹ平面内でのみ移動可能であっても良い。この場合、微動ステージの位置情報を計測する第１計測系５２及び第２計測系５４も、ＸＹ平面内の３自由度方向に関する位置情報を計測可能であっても良い。
【０１０３】
なお、上記実施形態では、第１計測系５２を、エンコーダシステムで構成する場合について説明したが、これに限らず、第１計測系５２を、干渉計システムによって構成しても良い。
【０１０４】
なお、上記実施形態では、電子ビーム照射装置９２がメトロロジーフレーム９４と一体で、３つの吊り下げ支持機構９５ａ、９５ｂ、９５ｃを介して真空チャンバの天板（天井壁）から吊り下げ支持されるものとしたが、これに限らず、電子ビーム照射装置９２は、床置きタイプのボディによって支持されても良い。また、上記実施形態では、真空チャンバ８０の内部に、露光システム８２の全体が収容された場合について説明したが、これに限らず、露光システム８２のうち、電子ビーム照射装置９２の鏡筒９３の下端部を除く部分を、真空チャンバ８０の外部に露出させても良い。
【０１０５】
なお、上記実施形態では、ターゲットが半導体素子製造用のウエハである場合について説明したが、本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００は、ガラス基板上に微細なパターンを形成してマスクを製造する際にも好適に適用できる。また、上記実施形態では、荷電粒子ビームとして電子ビームを使用する電子ビーム露光装置について説明したが、露光用の荷電粒子ビームとしてイオンビーム等を用いる露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
【０１０６】
また、コンプリメンタリ・リソグラフィを構成する露光技術は、ＡｒＦ光源を用いた液浸露光技術と、荷電粒子ビーム露光技術との組み合わせに限られず、例えば、ラインアンドスペースパターンをＡｒＦ光源やＫｒＦ等のその他の光源を用いたドライ露光技術で形成しても良い。
【０１０７】
半導体素子などの電子デバイス（マイクロデバイス）は、図１４に示されるように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成するウエハ処理ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。ウエハ処理ステップは、リソグラフィステップ（ウエハ上にレジスト（感応材）を塗布する工程、前述した実施形態に係る電子ビーム露光装置及びその露光方法によりウエハに対する露光（設計されたパターンデータに従ったパターンの描画）を行う工程、露光されたウエハを現像する工程を含む）、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップなどを含む。ウエハ処理ステップは、リソグラフィステップに先立って、前工程の処理（酸化ステップ、ＣＶＤステップ、電極形成ステップ、イオン打ち込みステップなどをさらに含んでいても良い。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の電子ビーム露光装置１００を用いて前述の露光方法を実行することで、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のマイクロデバイスを生産性良く（歩留まり良く）製造することができる。特に、リソグラフィステップ（露光を行う工程）で、前述したコンプリメンタリ・リソグラフィを行い、その際に上記実施形態の電子ビーム露光装置１００を用いて前述の露光方法を実行することで、より高集積度の高いマイクロデバイスを製造することが可能になる。
【０１０８】
なお、上記実施形態で引用した露光装置などに関する国際公開、及び米国特許米国特許明細書などの開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上説明したように、本発明に係る露光装置及び露光方法、リソグラフィ方法、並びにデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。
【符号の説明】
【０１１０】
Ｗ…ウエハ、１００…電子ビーム露光装置、８５ｂ…微動ステージ、２８…ビーム成形アパーチャプレート、２８ａ…開口、２０…マルチビーム光学系、９２…電子ビーム照射装置、５０…主制御装置、２００１〜２００１０…ディストーションテーブル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2017159693.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2017159693.tif 000015
【図１４】
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【国際調査報告】
2017159693.tif 000017
2017159693.tif 000018
2017159693.tif 000019
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