(57)【要約】  本開示の一実施形態の光源モジュールは、放熱体と、放熱体の上に配置された複数の発光素子と、複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、複数のレンズから出射されたコリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子と、複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子とを備える。
2018034055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱体と、
前記放熱体の上に配置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子と、
前記複数の第１の光学素子から反射された各光を合波する第２の光学素子と
を備えた光源モジュール。
【請求項２】
前記放熱体と、前記レンズとの熱膨張係数の差は、０以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項３】
前記放熱体は、前記複数の発光素子が設置されている一の面を有し、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光は、前記第１の光学素子によって前記放熱体の前記一の面に対して垂直方向に沿って反射される、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項４】
前記第１の光学素子は、保持冶具によって固定されている、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項５】
前記保持冶具は、前記複数の発光素子から出射される各光の光路上に開口を有する、請求項４に記載の光源モジュール。
【請求項６】
前記放熱体は、第１の面および前記第１の面に接する第２の面を備えた直方形状を有し、
前記第１の面に前記複数の発光素子、前記複数のレンズおよび前記複数の第１の光学素子を固定する保持冶具が設置され
前記第２の面に前記第２の光学素子が設置されている、請求項４に記載の光源モジュール。
【請求項７】
前記保持冶具は、少なくとも前記発光素子の光出射面に対する側面の一部まで延在すると共に、前記保持冶具の上面は、前記複数の発光素子の上面よりも高い、請求項４に記載の光源モジュール。
【請求項８】
前記複数の発光素子は、前記放熱体の上に各々個別に配置されている、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項９】
前記複数の発光素子は、それぞれサブマウントを介して前記放熱体の上に配置されている、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項１０】
前記複数のレンズは、一体化されている、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項１１】
前記複数の発光素子は、互いに異なる波長の光を出射する、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項１２】
前記複数の発光素子は、半導体レーザあるいはスーパールミネッセントダイオードである、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項１３】
前記第２の光学素子は、ダイクロイックプリズムである、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項１４】
前記複数の光源は、前記放熱体の上において２次元的に配置されている
請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項１５】
放熱体の上に複数の発光素子を設置することと、
前記複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズを配置することと、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子を配置することと、
前記複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子を配置することと
を含む光源モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記放熱体の上に前記複数のレンズを固定したのち、前記複数の発光素子をそれぞれアクティブ実装する、請求項１５に記載の光源モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記複数の発光素子をそれぞれアクティブ実装したのち、前記第２の光学素子および前記複数の第１の光学素子を固定する保持冶具をこの順に固定する、請求項１６に記載の光源モジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記複数の発光素子から出射されると共に、前記複数のレンズ、前記複数の第１の光学素子および前記第２の光学素子を介して合波された光のビームプロファイルを観察しながら、前記複数の第１の光学素子の調整を行う、請求項１７に記載の光源モジュールの製造方法。
【請求項１９】
光源モジュールと、前記光源モジュールからの光を投影する投影光学系とを備え、
前記光源モジュールは、
放熱体と、
前記放熱体の上に配置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子と、
前記複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子と
を有する投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子として、例えば半導体レーザを用いた光源モジュールおよびその製造方法ならびにこれを備えた投射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ピコプロジェクタやヘッドアップディスプレイ等の小型の投射型表示装置に用いるＲＧＢレーザモジュールが開発されている。ＲＧＢレーザモジュールは、例えば、光の３原色（赤、緑、青）の半導体レーザ（Laser Diode：ＬＤ）が搭載されており、３原色ＬＤには、一般的に、それぞれメタル缶パッケージされたＬＤが採用されている。このようなＲＧＢレーザモジュールでは、発光点位置の調整は、水平方向をＬＤの設置位置で、高さ方向をレンズで調整している。発光点位置の調整を行ったのち、ＬＤはＵＶ接着剤または湿式硬化剤等によって固定される。しかしながら、ＵＶ接着剤および湿式硬化剤の熱伝導率は、数℃／ｍＫと低い。このため、高温動作時におけるＬＤの出力低下が課題となっている。【０００３】
この課題を解決するため、赤色、緑色および青色のレーザ光をそれぞれ出射する各ＬＤを搭載したキャリアを温調素子上に搭載した三色光光源が、例えば特許文献１に開示されている。この三色光光源では、ＬＤを備えたキャリアが搭載されたＴＥＣ（温調素子）の温度をＡＴＣ（Automatic Temperature Controller）を用いて制御することによって各ＬＤの温度を一定に維持している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１５４１５号公報
【発明の概要】
【０００５】
ところで、ピコプロジェクタやヘッドアップディスプレイ等の小型の投射型表示装置では、小型化を図るためにも、より簡易に発光点位置の調整が可能な光源モジュールが求められている。
【０００６】
より簡易に複数の発光素子から出射される光の発光点位置の調整が可能な光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置を提供することが望ましい。
【０００７】
本開示の一実施形態の光源モジュールは、放熱体と、放熱体の上に配置された複数の発光素子と、複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、複数のレンズから出射されたコリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子と、複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子とを備えたものである。
【０００８】
本開示の一実施形態の光源モジュールの製造方法は、放熱体の上に複数の発光素子を設置することと、複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズを配置することと、複数のレンズから出射されたコリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子を配置することと、複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子を配置することとを含むものである。
【０００９】
本開示の一実施形態の投射型表示装置は、上記一実施形態の光源モジュールと、光源モジュールからの光を投影する投影光学系とを備えたものである。
【００１０】
本開示の一実施形態の光源モジュールおよび一実施形態の光源モジュールの製造方法ならびに一実施形態の投射型表示装置では、複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、各光を合波する第２の光学素子との間に、各コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子を配置するようにした。これにより、複数の発光素子から出射される各光の光軸方向の調整工程を簡易化することが可能となる。
【００１１】
本開示の一実施形態の光源モジュールおよび一実施形態の光源モジュールの製造方法ならびに一実施形態の投射型表示装置によれば、複数の発光素子から出射される各光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子を用いるようにしたので、各光の光軸方向の調整工程が簡易化される。よって、より簡易に複数の発光素子から出射される光の発光点位置の調整が可能となる。
【００１２】
なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施の形態に係る光源モジュールの構成を表す斜視図である。
【図２】環境温度の変化と膨張による光軸ズレ量との関係を表す特性図である。
【図３】打ち下しミラーの角度の調整を説明する模式図である。
【図４】保持冶具の構造を表す斜視図である。
【図５Ａ】図１に示した光源モジュールの製造工程を説明する斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く斜視図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く斜視図である。
【図６Ａ】図５Ｃに続く斜視図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く斜視図である。
【図７】図１に示した光源モジュールを備えた投射型表示装置（ピコプロジェクタ）の構成を表すブロック図である。
【図８】本開示の変形例１に係る光源モジュールの構成を表す斜視図である。
【図９】本開示の変形例２に係る光源モジュールの構成を表す斜視図である。
【図１０】本開示の変形例３に係る光源モジュールの構成を表す斜視図である。
【図１１】適用例１に係るヘッドアップディスプレイの外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例２に係る投射型キーボードの外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比などについても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．実施の形態（打ち下しミラーを有する光源モジュールを備えたピコプロジェクタ    ）
１−１．光源モジュールの構成
１−２．光源モジュールの製造方法
１−３．ピコプロジェクタの構成
１−４．作用・効果
２．変形例
２−１．変形例１（各半導体レーザに対応するコリメートレンズを個別に設置した例）
２−２．変形例２（ヒートシンク上に直接半導体レーザを実装した例）
２−３．変形例３（１０個の半導体レーザを実装した例）
３．適用例
【００１５】
＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る光源モジュール（光源モジュール１）の構成を模式的に表したものである。光源モジュール１は、例えば、後述するピコプロジェクタ等の小型の投射型表示装置に用いられるものである。本実施の形態の光源モジュール１は、互いに異なる波長の光を発する２種以上の発光素子（例えば、半導体レーザ１３）と、複数の半導体レーザ１３から出射された光（例えば、レーザ光）の光軸をそれぞれ調整して合波する各種光学素子とを備えたものである。
【００１６】
（１−１．光源モジュールの構成）
光源モジュール１は、上記のように、互いに異なる波長の光を発する２種以上の半導体レーザ１３と、各種光学素子とを備えたものである。本実施の形態では、光源モジュール１は、半導体レーザ１３として、例えば赤色光（レーザ光Ｌｒ）を出射する赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色光（レーザ光Ｌｇ）を出射する緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色光（レーザ光Ｌｂ）を出射する青色半導体レーザ１３Ｂを有する。各半導体レーザ１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）は、ヒートシンク１１上に、例えばサブマウント１２を介して実装されている。各種光学素子としては、例えば、コリメートレンズ１４（レンズ）、打ち下しミラー１５（第１の光学素子）およびダイクロイックプリズム１６（第２の光学素子）を有する。これら光学素子は、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂと光学的に結合されている。
【００１７】
ヒートシンク１１は、高い放熱性を有することが好ましく、例えば１５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率を有する材料により構成されていることが好ましい。また、ヒートシンク１１は、光源モジュール１を構成する他の部材（サブマウント１２、コリメートレンズ１４、ダイクロイックプリズム１６および保持冶具１７）との熱膨張差が小さいことが好ましい。具体的には、駆動環境下における温度変化（例えば、Δ＝３０℃）時における各部材の膨張による光軸のズレ量が、例えば、０．５μｍ以下となることが好ましい。
【００１８】
図２は、ヒートシンク１１の熱膨張係数を４ｐｐｍ／ｋとし、このヒートシンク１１と、他の部材（例えば、コリメートレンズ１４）との熱膨張係数差における環境温度の変化（℃）と膨張による光軸ズレ量（μｍ）との関係を表したものである。なお、各膨張部材の距離は、２ｍｍで計算している。一般に、例えば、光軸ズレ量が０．５μｍずれると、レンズ（焦点距離ｆ＝１．５ｍｍ）を通したスクリーン（１．５ｍ）上での光軸ズレ量は０．５ｍｍとなる。これに対して、ヒートシンク１１とコリメートレンズ１４との熱膨張係数差が、１０ｐｐｍ／Ｋ以下であれば、駆動環境下における温度変化（例えば、Δ＝３０℃）時における各部材の膨張による光軸のズレ量が、０．５μｍ以下となることが図２からわかる。このことから、ヒートシンク１１とその他の部材（サブマウント１２、コリメートレンズ１４、ダイクロイックプリズム１６および保持冶具１７）との熱膨張係数の差は、例えば０以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲となるように各部材の構成材料を選択することが好ましい。一例として、コリメートレンズ１４の熱膨張係数は、例えば５ｐｐｍ／Ｋ〜１０ｐｐｍ／Ｋである。よって、ヒートシンク１１の熱膨張係数もこれに近い値が好ましい。このような材料としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
【００１９】
本実施の形態では、ヒートシンク１１は、略直方形状を有し、ある一面（第１の面；上面）に台座１１Ａを有する（図４Ａ参照）。この台座１１Ａはヒートシンク１１の上面よりも小さく、例えば、半導体レーザ１３が設置されるものである。台座１１Ａの側面は、例えば、後述するコリメートレンズ１４の設置位置となる。コリメートレンズ１４を台座１１Ａの側面に接して配置することで、台座１１Ａはコリメートレンズ１４の支持部材となる。台座１１Ａの周囲には、台座１１Ａの前面（例えば、半導体レーザ１３の出射面側）および側面を覆うように、後述する保持冶具１７が設置される。ヒートシンク１１のこの一面（上面）に接する他の面（第２の面；側面）には、ダイクロイックプリズム１６が接合される。
【００２０】
サブマウント１２は、絶縁性材料によって構成されている。具体的には、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等が挙げられる。サブマウント１２は、例えば表面および裏面にチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）または金（Ａｕ）等の金属薄膜が形成されており、ヒートシンク１１および半導体レーザ１３と、それぞれ半田を介して接合されている。半田は、例えば、金−スズ（ＡｕＳｎ）半田やスズ−銀（ＳｎＡｇ）半田等を用いることができる。なお、サブマウント１２は、本実施の形態では、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂそれぞれに対して個別に設けられているがこれに限らない。例えば、１つのサブマウント１２上に各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂを設置するようにしてもよい。
【００２１】
赤色半導体レーザ１３Ｒは、赤色のピーク波長（例えば、６３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）を有するレーザ光Ｌｒを出射するレーザダイオード（ＬＤ）である。赤色半導体レーザ１３Ｒは、例えばＧａＡｓ系材料で構成されている。ここで、ＧａＡｓ系材料とはＧａＡｓに格子整合する半導体材料を指し、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ等を含む。赤色半導体レーザ１３Ｒは、ヒートシンク１１の上面（具体的には、台座１１Ａ上）に、例えば、サブマウント１２を介して設置されている。サブマウント１２上には、例えば正極および負極用の電極（Ａｕ−Ｐａｄ（図示せず））が設置されており、一方の電極パッドが赤色半導体レーザ１３Ｒの一方の極性電極と、例えばＡｎＳｎで電気的に接続されている。他方の電極パッドは、サブマウント上の他方の極性電極と、例えばワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００２２】
なお、正極および負極用の電極は、Ａｕ−Ｐａｄに限らず、例えばＡｌ等の他の金属電極膜で形成されていてもよい。また、電極パッドと赤色半導体レーザ１３Ｒの極性電極との接続は、ＡｎＳｎ接続ではなく、Ａｇペースト接続や、Ｉｎ半田等を用いて接続するようにしてもよい。更に、サブマウント１２上の正極および負極用の電極は、外部プローブ等を用いて外部電極と電気的に接続されるため、発光点位置をアクティブに認識しながら実装することができる。実装後は、ワイヤボンディング等で外部電極と接続し、レーザドライバ等で駆動させる。
【００２３】
緑色半導体レーザ１３Ｇは、緑色のピーク波長（例えば、５００ｎｍ〜５５０ｎｍ）を有するレーザ光Ｌｇを出射するＬＤである。緑色半導体レーザ１３Ｇは、例えばＧａＮ系材料で構成されている。緑色半導体レーザ１３Ｇは、赤色半導体レーザ１３Ｒと同様に、ヒートシンク１１の上面に、サブマウント１２を介して設置されている。緑色半導体レーザ１３Ｇの一方の極性は、サブマウント１２と電気的に接続されており、他方の極性はワイヤボンディングにより一方の極性とは絶縁されている領域で電気的に接続されている。
【００２４】
青色半導体レーザ１３Ｂは、青色のピーク波長（例えば、４３０ｎｍ〜４７０ｎｍ）を有するレーザ光Ｌｂを出射するＬＤである。青色半導体レーザ１３Ｂは、例えばＧａＮ系材料で構成されている。青色半導体レーザ１３Ｂは、赤色半導体レーザ１３Ｒおよび緑色半導体レーザ１３Ｇと同様に、ヒートシンク１１の上面に、サブマウント１２を介して設置されている。緑色半導体レーザ１３Ｇの一方の極性は、サブマウント１２と電気的に接続されており、他方の極性はワイヤボンディングにより一方の極性とは絶縁されている領域で電気的に接続されている。
【００２５】
なお、図１では、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、それぞれキャップに覆われた状態を示している。このキャップは、半導体レーザ１３およびサブマウント１２を保持するためのものであり、このような構成とすることにより、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂをアクティブに実装することが可能となる。
【００２６】
赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、それぞれ、ヒートシンク１１の上に、例えばＸ軸方向に沿って配置され、互いに平行方向（例えば、Ｚ軸方向）にレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを出射する。なお、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、ダイクロイックプリズム１６での透過／反射損失の少ない設計とすることが望ましい。具体的には、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂは、波長順に並べることが好ましく、図１に示したように、赤色半導体レーザ１３Ｒ、青色半導体レーザ１３Ｂおよび緑色半導体レーザ１３Ｇの順、あるいはその逆（緑色半導体レーザ１３Ｇ、青色半導体レーザ１３Ｂおよび赤色半導体レーザ１３Ｒの順）に設置することが好ましい。なお、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂの実装形態は、ジャンクションアップ実装でもよいし、ジャンクションダウン実装でもよい。
【００２７】
また、本実施の形態では、発光素子としてレーザダイオード（ＬＤ）を用いたがこれに限らず、例えば、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）を用いてもよい。ＳＬＤを用いる場合には、上記半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｇと同様に、ＳＬＤの一方の極性は、サブマウント１２と電気的に接続されており、他方の極性はワイヤボンディングにより一方の極性とは絶縁されている領域で電気的に接続される。また、ＳＬＤでは、フロント側およびリア側は端面コートされており、任意の反射率で設計することができる。一例として、フロント側の反射率は１０％以下、リア側の反射率は９９％以上に設計される。なお、この端面コートは、ＬＤにも適用することができる。
【００２８】
更に、本実施の形態では、複数の発光素子として、赤色光、緑色光および青色光をそれぞれ出射する３種の半導体レーザ１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）を用いたが、これに限らず、紫外あるいは赤外等の他の波長の光を出射する発光素子を用いてもよい。あるいは、同一波長の光を出射する発光素子を複数用いてもよい。
【００２９】
コリメートレンズ１４は、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂから出射されたレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂをそれぞれコリメート光に変換して出射するものである。コリメートレンズ１４は、発光素子（半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）の個数に対応したレンズ設計となっている。赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂに対応するレンズは、発光点中心が全て同一の高さであってもよく、また、互いに異なる位置となっていてもよい。この発光点位置は、半導体レーザ１３とコリメートレンズ１４との設計によって決定される。本実施の形態のコリメートレンズ１４は、図１に示したように、例えば、３つのレンズが一体化されたアレイレンズとして構成されており、例えば、台座１１Ａの側面に沿って設置されている。コリメートレンズ１４は、例えば銀（Ａｇ）ペーストあるいはＵＶ接着剤等の接合剤によりヒートシンク１１に接合されている。
【００３０】
打ち下しミラー１５は、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂからそれぞれ出射され、コリメートレンズ１４にてそれぞれコリメート光に変換され、出射されたレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを、例えば、ヒートシンク１１の上面に対して垂直方向（Ｙ軸方向）に反射してダイクロイックプリズム１６へ入射させるものである。打ち下しミラー１５は、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂごとに設けられており、それぞれ、各波長に合った膜設計がなされている。打ち下しミラー１５は、ＲＧＢの全ての波長に対応する反射コート膜を用いてもよいし、個々に合った反射ミラーを用いてもよい。また、打ち下しミラー１５は、全反射型ミラーでもよいし、一部透過型ミラーでもよい。一部透過型ミラーを用いる場合には、後方（光入射側とは反対側）にフォトディテクタを設置してもよい。フォトディテクタを設置して光出力をモニタすることで、光出力のフィードバック制御が可能となる。フォトディテクタは、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂごとに設置する各々独立したものでもよいし、本実施の形態におけるコリメートレンズ１４のように、一体化されたアレイ型でもよい。
【００３１】
打ち下しミラー１５は、例えば図１に示したように、ヒートシンク１１上に設置された保持冶具１７によって保持されている。本実施の形態では、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｇから出射されたレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの高さ方向（Ｙ軸方向）の調整がこの打ち下しミラー１５によって行われる。図３は、例えば赤色半導体レーザ１３Ｒから出射されたレーザ光Ｌｒの光路と、打ち下しミラー１５の断面とを表したものである。本実施の形態では、レーザ光（例えば、レーザ光Ｌｒ）に対する打ち下しミラー１５の角度θを調整することで、レーザ光の高さ方向を容易に調整することが可能となる。レーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの高さは、例えば、打ち下しミラー１５をレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂに対して平行にθ回転させることによって調整することが望ましい。この際、ダイクロイックプリズム１６によって合波されたレーザ光Ｌｗのビームスポットをビームプロファイラ等でモニタし、位置決めするようにしてもよい。打ち下しミラー１５は、この調整後に、例えばＵＶ硬化樹脂を用いて保持冶具１７に固定される。
【００３２】
なお、レーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの高さ方向の調整は、打ち下しミラー１５の角度θのみで行ってもよいが、角度θに加えて、Ｙ軸方向およびＺ軸方向における打ち下しミラー１５の設置位置によって調整するようにしてもよい。但し、打ち下しミラー１５の設置位置をＹ軸方向に調整する場合には、打ち下しミラー１５の上部が保持冶具１７の上面よりも突出する場合があるため、Ｚ軸方向で調整することが好ましい。
【００３３】
ダイクロイックプリズム１６は、上記のように、ヒートシンク１１の側面に接合されており、打ち下しミラー１５で反射されたレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを合波して合波光（白色のレーザ光Ｌｗ）を出射するものである。
【００３４】
ダイクロイックプリズム１６は、レーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの一部を一方向（例えば、Ｘ軸方向）に反射して出射すると共に、残りを透過するものである。ダイクロイックプリズム１６は、斜面１６ａ、底面１６ｂおよび側面１６ｃを有する、例えば直角三角形状をレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂごとに有している。即ち、ダイクロイックプリズム１６は、レーザ光Ｌｗの光軸が延伸する方向に対して傾斜する斜面１６ａを有する。ダイクロイックプリズム１６は、コリメートレンズ１４と同様に、例えば銀（Ａｇ）ペーストあるいはＵＶ接着剤等の接合剤によりヒートシンク１１に接合されている。
【００３５】
保持冶具１７は、上記のようにヒートシンク１１の上面に設置されており、打ち下しミラーを保持する保持部１７Ｘと、この保持部１７Ｘを支持する張り出し部１７Ｙとから構成されている。保持部１７Ｘには、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂに対応する打ち下しミラーを設置する複数の窪み１７Ａが設けられている。保持冶具１７は、図３に示したように、赤色半導体レーザ１３Ｒ、緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂから出射されるレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの光路上にそれぞれ開口１７Ｈを有する。開口１７Ｈは、例えば、円形状あるいは楕円形状であり、半導体レーザ１３のビームスポット形状と同等であることが望ましい。開口１７Ｈの大きさは、半導体レーザ１３のビームスポットサイズに対して同等あるいは、少し大きいことが好ましい。例えば、ビームスポット形状がφ１．０ｍｍのときの開口１７Ｈの大きさは、両端に０．１ｍｍほどの余裕をとってφ１．２ｍｍとなる。
【００３６】
保持冶具１７の高さｈ２（図６Ｂ参照）は、ヒートシンク１１の上面から半導体レーザ１３の上面までの高さｈ１（図６Ａ参照）よりも高いことが好ましい。これにより、半導体レーザ１３の上面を保護することが可能となる。また、張り出し部１７Ｙの長さｌは特に限定されないが、半導体レーザ１３側面を覆うように延在していることが好ましい。これにより、半導体レーザ１３の側面を保護することが可能となる。具体的には、保持冶具１７の安定性の観点からも、例えば、張り出し部１７Ｙの先端が、図１に示したように、例えば、ヒートシンク１１の背面（半導体レーザ１３の光出射方向とは反対側の側面）と同一面を形成するように延在していることが好ましい。
【００３７】
保持冶具１７は、上述したように、駆動時の温度変化を考慮して、ヒートシンク１１を構成する材料の熱膨張係数との差が小さい材料を用いて構成されていることが好ましい。そのような材料としては、例えば、ＳｉＣ等のセラミックやＡｌ等の金属および合金等が挙げられる。保持冶具１７は、例えば銀（Ａｇ）ペーストあるいはＵＶ接着剤等の接合剤によりヒートシンク１１に接合されている。
【００３８】
（１−２．光源モジュールの製造方法）
次に、本実施の形態の光源モジュール１の製造方法について図５Ａ〜図６Ｂに示した斜視図を用いて説明する。
【００３９】
まず、図５Ａに示したように、直方形状を有すると共に、一面（上面）に台座１１Ａを有するヒートシンク１１を用意する。続いて、図５Ｂに示したように、コリメートレンズ１４を、例えば台座１１Ａの側面に沿って配置し、接合剤として、例えばＡｇペーストを用いてヒートシンク１１上に固定する。コリメートレンズ１４の固定方法は、次の半導体レーザ１３の固定方法と同じ、もしくは、それ以上の耐熱性を有していることが好ましい。半導体レーザ１３を固定する際に、コリメートレンズ１４の固定位置が変化することを防ぐためである。
【００４０】
なお、接合剤は、放熱性の観点から、高い熱伝導率を有する材料を用いることが好ましい。また、半導体レーザ１３とコリメートレンズ１４とは、同じ接合剤を用いて固定することが好ましい。これは、駆動環境時と実装環境時との間に温度差が生じた場合に発生する接着剤の部材膨張差を小さくするためである。膨張差を小さくすることで、温度差によるビームスポット位置の変化等のビーム品質の変化を抑えることができる。
【００４１】
次に、図５Ｃに示したように、各半導体レーザ１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）を１つずつアクティブ実装する。まず、予めサブマウント１２上に実装した半導体レーザ１３（例えば、赤色半導体レーザ１３Ｒ）を用意する。続いて、台座１１Ａ上に接合剤として、例えばＡｇペーストを塗布する。次に、半導体レーザ１３Ｒにプローブで通電して発光（発振）させ、コリメートレンズ１４を透過したレーザ光Ｌｒをビームプロファイラ等で観察しながら、半導体レーザ１３Ｒの設置位置を調整する。具体的には、例えば、コリメートレンズ１４の焦点位置とレーザ光Ｌｒの発光点とが一致するように調整する。調整後に、赤色半導体レーザ１３Ｒを固定する。緑色半導体レーザ１３Ｇおよび青色半導体レーザ１３Ｂについても同様の方法を用いてヒートシンク１１上に実装する。
【００４２】
なお、コリメートレンズ１４は、半導体レーザ１３の実装前にヒートシンク１１に接合することが望ましいが、実装フローの観点から、一度、ヒートシンク１１上に固定したのち、半導体レーザ１３の調整後に取り外して再度固定するようにしてもよい。
【００４３】
次に、図６Ａに示したように、ダイクロイックプリズム１６を固定する。なお、ダイクロイックプリズム１６の接合剤は、ダイクロイックプリズム１６自体は発熱することはないため、必ずしも高放熱材料を用いる必要はない。続いて、図６Ｂに示したように、ヒートシンク１１上に保持冶具１７を設置し、固定する。
【００４４】
最後に、保持冶具１７の窪み１７Ａの位置に、打ち下しミラー１５を固定する。まず、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂを発光（発振）させてレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを出射させる。続いて、打ち下しミラー１５で反射され、ダイクロイックプリズム１６によって合波されたレーザ光Ｌｗのビームプロファイルを観察しながら、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの打ち下しミラー１５の角度θを調整する。調整後に、例えばＵＶ硬化樹脂を用いて保持冶具１７に打ち下しミラー１５をそれぞれ固定する。これにより、図１に示した光源モジュール１が完成する。
【００４５】
（１−３．ピコプロジェクタの構成）
図７は、本実施の形態における光源モジュール１を備えた投射型表示装置（ピコプロジェクタ２）の主な構成例を示したブロック図である。ピコプロジェクタ２は、無線ＬＡＮ部品やバッテリ等を組み合わせることで、スマートフォンやタブレット等の映像を壁や机等の平面や曲面に対して、フォーカスフリーで投射することが可能な小型プロジェクタである。
【００４６】
ピコプロジェクタ２は、例えば、ビデオプロセッサ１１０と、レーザドライバ１２０と、レーザ出力部および各種光学素子から構成される光源モジュール１およびＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラー１３１を備えた光学エンジン１３０と、ＭＥＭＳドライバ１４０とから構成されている。
【００４７】
ビデオプロセッサ１１０は、制御部（図示せず）から供給される画像を保持したり、その画像に対して必要な画像処理を行ったりするものである。ビデオプロセッサ１１０は、投影する画像をレーザドライバ１２０やＭＥＭＳドライバ１４０に供給する。
【００４８】
レーザドライバ１２０は、ビデオプロセッサ１１０から供給される画像を投影するために光源モジュール１を制御するものである。
【００４９】
光源モジュール１は、上記のように、レーザ出力部として、例えば各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂを有し、これら半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂから出射される赤色、緑色および青色等のレーザ光を、各種光学素子（例えば、コリメートレンズ１４、打ち下しミラー１５およびダイクロイックプリズム１６）を介して合波してＭＥＭＳミラー１３１に誘導するものである。
【００５０】
ＭＥＭＳドライバ１４０は、ビデオプロセッサ１１０から供給される画像を投影するために、ＭＥＭＳミラー１３１のミラーの駆動を制御するためのものである。ＭＥＭＳミラー１３１は、ＭＥＭＳドライバ１４０の制御に従って、ＭＥＭＳ上に取り付けられたミラー（鏡）を駆動することにより各色のレーザ光を走査する。このレーザ光は、投射口から装置外部に出力され、スクリーン（図示せず）に照射される。これにより、ビデオプロセッサ１１０から供給される画像がスクリーンに投影される。
【００５１】
（１−４．作用・効果）
近年、ピコプロジェクタやヘッドアップディスプレイ等の小型の投射型表示装置に用いる様々なレーザモジュールが開発されている。一般的なレーザモジュールでは、発光点位置の調整は、前述したように、メタル缶パッケージされたＬＤの設置位置によって水平方向の調整を、レンズによって高さ方向の調整を行っている。発光点調整を行ったのち、ＬＤは、ＵＶ接着剤または湿式硬化剤等によって固定されるが、これらＵＶ接着剤および湿式硬化剤の熱伝導率の低さが、高温動作時におけるＬＤの出力低下の原因となっている。
【００５２】
この問題を解決する方法としては、基板上にＬＤをそのまま実装する方法がある。一例としては、赤色、緑色および青色のレーザ光をそれぞれ出射する各ＬＤを搭載したキャリアを、温調素子上に搭載した三色光光源がある。この三色光光源では、ＬＤを備えたキャリアが搭載された温調素子の温度を、ＡＴＣを用いて制御することによって各ＬＤの温度を一定に維持している。しかしながら、この方法では、ＬＤごとにコリメート光に変換するレンズを配置するスペースが必要になる。また、このレンズによって発光点位置の３軸（ＸＹＺ方向）の調整を行うこととなり、調整工程が非常に煩雑になる。
【００５３】
この他、複数のブロック上にそれぞれＬＤを実装し、各ＬＤから出射されるレーザ光の方向が所定の同一方向になるように、ステム上に各ブロックを配置した波長レーザ装置が開発されている。この波長レーザ装置では、発光点位置を略同一にすることができるものの、発光点位置を近くすることにも限界があり、小型の投射型表示装置の光源モジュールとして用いることは難しい。また、小型化していくとブロックが小さくなるため放熱性が低下することが考えられる。
【００５４】
更に、アレイ型半導体レーザ、アレイレンズおよびアレイミラーを備えた光通信モジュールが開発されている。アレイ型半導体レーザは、互いに異なる波長の光を出射する半導体レーザを一体化したものであり、アレイレンズは、アレイ型半導体レーザから出射された光をそれぞれ平行光に変換するものである。アレイミラーは、アレイ型半導体レーザから出射された光をそれぞれ選択的に反射する複数のミラーを一体化したものである。この光通信モジュールでは、安価な製造および小型化が可能であるが、半導体レーザのウエハ厚みの出来栄えによって発光点位置が上下し、アレイレンズと発光点の相対位置がずれる虞がある。
【００５５】
このように、様々なレーザモジュールが開発されているが、より高精細且つ高解像度な小型の投射型表示装置を実現するためには、より簡易に精度よく発光点位置の調整が可能な光源モジュールが求められる。
【００５６】
ＬＤ側で発光点位置、特に高さ方向を調整するためには、各ＬＤのウエハ膜厚を調整することが求められる。更に、ＬＤを実装する際に用いられるサブマウントの膜厚も考慮することが求められる。ＬＤを固定するＡｇペースト等の膜厚で調整する方法もあるが、ミクロンオーダでの塗布膜厚の制御は難しい。また、Ａｇペースト等の硬化材料は、硬化時の収縮量も考慮することが求められる。
【００５７】
例えば、レンズの焦点距離が１．５ｍｍ、スクリーンの位置がレンズから１．５ｍのピコプロジェクタでは、発光点位置が１μｍずれると、スクリーン上ではビームスポットが１ｍｍずれることになる。この１ｍｍのビームスポットのズレは、ビームスポット径が１ｍｍのレーザ走査型のピコプロジェクタでは、１ライン分ずれることになる。ピコプロジェクタでは、少なくともビームスポットが半分重なっていることが望ましく、具体的には、ビームスポットのズレは０．５ｍｍ以下であることが望ましい。このため、ビームスポットのズレ量はサブミクロン以下であることが望ましく、上記のようにＬＤのウエハ膜厚の調整等によってＬＤの発光点位置の高さ方向を調整することは非常に困難である。
【００５８】
これに対して、本実施の形態では、コリメートレンズ１４とダイクロイックプリズム１６との間に打ち下しミラー１５を設置し、この打ち下しミラー１５のレーザ光（例えばレーザ光Ｌｒ）に対する角度θを調整することで、レーザ光の高さ方向（Ｙ軸方向）の調整を行うようにした。なお、水平方向（ＸＺ方向）の調整は、半導体レーザ１３の設置位置を調整することで対応する。これにより、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂから出射されるレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの光軸方向の調整工程を簡易化することが可能となる。
【００５９】
以上、本実施の形態の光源モジュール１では、コリメートレンズ１４とダイクロイックプリズム１６との間に、上記打ち下しミラー１５を設置するようにした。これにより、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂから出射されるレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの高さ方向の調整をこの打ち下しミラー１５の角度（角度θ）を制御することで調整することが可能となり、容易にレーザ光Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂの発光点位置を調整することが可能となる。
【００６０】
また、本実施の形態では、ヒートシンク１１とその他の部材、具体的には、サブマウント１２、コリメートレンズ１４、ダイクロイックプリズム１６および保持冶具１７との、熱膨張係数差が０以上１０ｐｐｍ以下の範囲となるようにした。これにより、動作時の温度変化の影響を受けにくい光源モジュール１を提供することが可能となる。
【００６１】
更に、本実施の形態では、コリメートレンズ１４として、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂに対応するレンズを一体化したアレイレンズを用いるようにした。これにより、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂに対応するコリメートレンズのコバ部を小さくすることができ、光源モジュール１の小型化を図ることが可能となる。
【００６２】
更にまた、本実施の形態では、打ち下しミラー１５を固定する保持冶具１７に、アパーチャとなる開口１７Ｈを設けるようにした。これにより、高いビーム品質を有する光源モジュール１を提供することが可能となる。
【００６３】
更に、ヒートシンク１１上に設置した際の保持冶具１７の上面が、半導体レーザ１３の上面よりも高くなるようにすることで、ピコプロジェクタ２等の組み立て時等における半導体レーザ１３の損傷を防ぐことが可能となる。よって、耐久性および信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。
【００６４】
＜２．変形例＞
次に、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。なお、上記実施の形態の光源モジュール１に対応する構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６５】
（２−１．変形例１）
図８は、上記実施の形態の変形例（変形例１）に係る光源モジュール（光源モジュール３）の構成を模式的に表したものである。光源モジュール３は、上記実施の形態と同様に、上述したピコプロジェクタ等の投射型表示装置に用いられるものである。本変形例の光源モジュール３は、赤色のレーザ光Ｌｒ、緑色のレーザ光Ｌｇおよび青色のレーザ光Ｌｂをそれぞれ出射する半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂと、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂに対応するコリメートレンズ２４、打ち下しミラー１５およびダイクロイックプリズム１６を備えたものである。本開示の光源モジュールは、この光源モジュール３のように、コリメートレンズ２４を各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂごとに個別に設置するようにしてもよい。
【００６６】
（２−２．変形例２）
図９は、上記実施の形態の変形例（変形例２）に係る光源モジュール（光源モジュール４）の構成を模式的に表したものである。光源モジュール４は、上記実施の形態と同様に、上述したピコプロジェクタ等の投射型表示装置に用いられるものである。本変形例の光源モジュール４は、赤色のレーザ光Ｌｒ、緑色のレーザ光Ｌｇおよび青色のレーザ光Ｌｂをそれぞれ出射する半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂと、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂに対応するコリメートレンズ１４、打ち下しミラー１５およびダイクロイックプリズム１６を備えたものである。この光源モジュール４は、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが、ヒートシンク３１上に各々個別に直接実装されている点が、上記実施の形態とは異なる。
【００６７】
ヒートシンク３１が、絶縁性を有する材料によって構成されている場合には、本変形例のように、各半導体レーザ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂをヒートシンク３１上に直接実装することが可能となる。絶縁性を有する材料としては、例えば、ＡｌＮセラミックス、ＳｉＮ、アルミナ系の高放熱性、且つ、絶縁性セラミックス等が挙げられる。
【００６８】
（２−３．変形例３）
図１０は、上記実施の形態の変形例（変形例３）に係る光源モジュール（光源モジュール５）の構成を模式的に表したものである。光源モジュール５は、上記実施の形態と同様に、上述したピコプロジェクタ等の投射型表示装置に用いられるものである。本変形例の光源モジュール５は、発光素子として、１０個の半導体レーザ４３（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ，４３Ｇ，４３Ｈ，４３Ｉ，４３Ｊ）をヒートシンク１１上に実装したものである。１０個の半導体レーザ４３Ａ〜４３ｊは、互いに異なるピーク波長を有する１０種類の半導体レーザでもよいし、同じピーク波長を有する半導体レーザを複数組み合わせた構成としてもよい。
【００６９】
このように、本開示の光源モジュールは、任意の数の発光素子を搭載することができる。また、図１０では、各半導体レーザ４３Ａ〜４３ｊを、例えばＸ軸方向に１列に配置した例を示したが、これに限らず、２次元的に配置してもよく、例えば、各半導体レーザ４３Ａ〜４３ｊが互いに前後するように交互に配置するようにしてもよい。
【００７０】
＜３．適用例＞
本開示の光源モジュール１（または光源モジュール３〜５）を備えたピコプロジェクタ２は、例えばヘッドアップディスプレイ等のウェアラブルディスプレイや持ち運び可能なポータブルディスプレイ、あるいは上記のようにスマートフォンやタブレット等の投射機能を有するあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。一例として、ヘッドアップディスプレイ６（図１１）および投射型キーボード７（図１２）の概略構成を説明する。
【００７１】
図１１は、ヘッドアップディスプレイの外観を表したものである。このヘッドアップディスプレイ６は、利用者の視野に直接情報を映し出すものであり、例えば車両等に搭載することによって、前方の視界を遮ることなくナビゲーション情報等を表示することができる。このヘッドアップディスプレイ６は、例えば、光出射部２１０と、スクリーン部２２０と、凹面ハーフミラー２３０とを有する。
【００７２】
光出射部２１０は、本開示のピコプロジェクタ２を含み、凹面ハーフミラー２３０に表示するナビゲーション情報等を投影するものである。スクリーン部２２０は、光出射部２１０から投影された情報を反射して、凹面ハーフミラー２３０に表示するものである。凹面ハーフミラー２３０は、ナビゲーション情報等を表示するものである。
【００７３】
図１２は、投射型キーボード７の外観を表したものである。この投射型キーボード７は、プロジェクタとセンサが一体になったものであり、例えば、投射部３１０と、赤外線投射部３２０と、読み取り部３３０とを有する。
【００７４】
投射部３１０は、本開示のピコプロジェクタ２を含み、図１２に示したように、キーボードイメージを机等に投影するものである。赤外線投射部３２０は、目に見えない光面を形成し、測定対象物（例えば、指）の位置を検知するためのものである。読み取り部３３０は、受光素子を備えたものであり、指から反射された赤外線を感知し、押されたキーや動きを読み取るものである。
【００７５】
以上、実施の形態および変形例（変形例１〜３）を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、第２の光学素子の一例としてダイクロイックプリズム１６を例に示したが、例えば、偏光ビームスプリッタを用いてもよい。更に、上記実施の形態では、本開示の光源モジュール１を備えた投射型表示装置としてピコプロジェクタ等の小型を挙げて説明したが、これに限定されず、例えば、ホームシアター等にも用いることができる。この他、レーザビームポインタ等にも用いることができる。
【００７６】
なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００７７】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
放熱体と、
前記放熱体の上に配置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子と、
前記複数の第１の光学素子から反射された各光を合波する第２の光学素子と
を備えた光源モジュール。
（２）
前記放熱体と、前記レンズとの熱膨張係数の差は、０以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下である、前記（１）に記載の光源モジュール。
（３）
前記放熱体は、前記複数の発光素子が設置されている一の面を有し、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光は、前記第１の光学素子によって前記放熱体の前記一の面に対して垂直方向に沿って反射される、前記（１）または（２）に記載の光源モジュール。
（４）
前記第１の光学素子は、保持冶具によって固定されている、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（５）
前記保持冶具は、前記複数の発光素子から出射される各光の光路上に開口を有する、前記（４）に記載の光源モジュール。
（６）
前記放熱体は、第１の面および前記第１の面に接する第２の面を備えた直方形状を有し、
前記第１の面に前記複数の発光素子、前記複数のレンズおよび前記複数の第１の光学素子を固定する保持冶具が設置され
前記第２の面に前記第２の光学素子が設置されている、前記（４）または（５）に記載の光源モジュール。
（７）
前記保持冶具は、少なくとも前記発光素子の光出射面に対する側面の一部まで延在すると共に、前記保持冶具の上面は、前記複数の発光素子の上面よりも高い、前記（４）乃至（６）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（８）
前記複数の発光素子は、前記放熱体の上に各々個別に配置されている、前記（１）乃至（７）のうちのいずれか記載の光源モジュール。
（９）
前記複数の発光素子は、それぞれサブマウントを介して前記放熱体の上に配置されている、前記（１）乃至（８）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（１０）
前記複数のレンズは、一体化されている、前記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（１１）
前記複数の発光素子は、互いに異なる波長の光を出射する、前記（１）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（１２）
前記複数の発光素子は、半導体レーザあるいはスーパールミネッセントダイオードである、前記（１）乃至（１１）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（１３）
前記第２の光学素子は、ダイクロイックプリズムである、前記（１）乃至（１２）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（１４）
前記複数の光源は、前記放熱体の上において２次元的に配置されている
前記（１）乃至（１３）のうちのいずれかに記載の光源モジュール。
（１５）
放熱体の上に複数の発光素子を設置する工程と、
前記複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズを配置する工程と、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子を配置する工程と、
前記複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子を配置する工程と
を含む光源モジュールの製造方法。
（１６）
前記放熱体の上に前記複数のレンズを固定したのち、前記複数の発光素子をそれぞれアクティブ実装する、前記（１５）に記載の光源モジュールの製造方法。
（１７）
前記複数の発光素子をそれぞれアクティブ実装したのち、前記第２の光学素子および前記複数の第１の光学素子を固定する保持冶具をこの順に固定する、前記（１６）に記載の光源モジュールの製造方法。
（１８）
前記複数の発光素子から出射されると共に、前記複数のレンズ、前記複数の第１の光学素子および前記第２の光学素子を介して合波された光のビームプロファイルを観察しながら、前記複数の第１の光学素子の調整を行う、前記（１７）に記載の光源モジュールの製造方法。
（１９）
光源モジュールと、前記光源モジュールからの光を投影する投影光学系とを備え、
前記光源モジュールは、
放熱体と、
前記放熱体の上に配置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子から出射された各光をコリメート光に変換して出射する複数のレンズと、
前記複数のレンズから出射された前記コリメート光の光軸方向を調整して反射する複数の第１の光学素子と、
前記複数の第１の光学素子によって反射された各光を合波する第２の光学素子と
を有する投射型表示装置。
【００７８】
本出願は、日本国特許庁において２０１６年８月１９日に出願された日本特許出願番号２０１６−１６１１４３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００７９】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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