(57)【要約】プラズマダイシング方式用であって、薄膜化の程度が大きい裏面研削工程での半導体ウェハのパターン面の保護性、表面保護テープの基材フィルムからのマスク材層の剥離性に優れ、糊残りが少なく、不良チップの発生が少ないマスク一体型表面保護テープを提供する。また、フォトリソグラフィプロセス不要のマスク一体型表面保護テープを提供する。
2018043391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程（ａ）〜（ｄ）を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有し、前記マスク材層を剥離した面の前記基材フィルムの濡れ張力が２０．０ｍＮ／ｍ以上、４８．０ｍＮ／ｍ以下であって、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準拠して測定したときの、前記マスク材層を剥離した面の前記基材フィルムの表面粗さＲａが０．０５μｍ以上、２．０μｍ以下の範囲であることを特徴とするマスク一体型表面保護テープ。（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープの基材フィルムを剥離して前記マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程
【請求項２】
前記マスク一体型表面保護テープのマスク材が放射線硬化型であることを特徴とする請求項１に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項３】
前記マスク材層の純水に対する接触角が、８５°以上、１５０°以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項４】
前記マスク材層の貯蔵弾性率が、２３℃で２．０×１０４Ｐａ以上、１．２×１０５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマスク材一体型表面保護テープ。
【請求項５】
前記マスク材層の貯蔵弾性率が、５０℃で１．０×１０４Ｐａ以上、１．０×１０５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項６】
前記基材フィルムのヤング率が、２．０×１０７Ｐａ以上、７．０×１０９Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項７】
前記基材フィルムのマスク材層とは反対側の面の融点が、８０℃以上、１２０℃以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項８】
前記マスク材層と前記基材フィルム層との密着力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項９】
前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層の厚みが、半導体ウェハのパターン凹凸より大きいことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【請求項１０】
前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせる半導体ウェハのパターン面の凹凸が１０μｍ以上で使用される、請求項１〜９のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、マスク一体型表面保護テープに関する。
【背景技術】
【０００２】  最近の半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましく、特に、メモリカードやスマートカードのような半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードでは薄膜化が要求され、また、ＬＥＤ・ＬＣＤ駆動用デバイスなどでは小チップ化が要求されている。今後これらの需要が増えるにつれ半導体チップの薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。【０００３】  これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化した後、ダイシング工程を経て個々のチップに分割することにより得られる。このダイシング工程においては、ダイシングブレードにより切断されるブレードダイシング方式が用いられてきた。ブレードダイシング方式では切断時にブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかる。このため、この切削抵抗によって半導体チップに微小な欠け（チッピング）が発生することがある。チッピング発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によっては抗折強度不足によるピックアップ時のチップ破損を招き、チップ上の回路パターンまで破損する可能性がある。また、ブレードによる物理的なダイシング工程では、チップ同士の間隔であるカーフ（スクライブライン、ストリートともいう）の幅を厚みのあるブレード幅よりも狭小化することができない。この結果、一枚のウェハから取ることができるチップの数（収率）は少なくなる。さらにウェハの加工時間が長いことも問題であった。【０００４】  ブレードダイシング方式以外にもダイシング工程には様々な方式が利用されている。  例えば、ウェハを薄膜化した後にダイシングを行う難しさに鑑みて、先に所定の厚み分だけウェハに溝を形成しておき、その後に研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行うＤＢＧ（先ダイシング）方式がある。この方式によれば、カーフ幅はブレードダイシング工程と同様だが、チップの抗折強度がアップしチップの破損を抑えることができるというメリットがある。【０００５】  また、ダイシングをレーザーで行うレーザーダイシング方式がある。  レーザーダイシング方式によればカーフ幅を狭くでき、またドライプロセスとなるメリットもある。しかしながら、レーザーによる切断時の昇華物でウェハ表面が汚れるという不都合があり、所定の液状保護材でウェハ表面を保護する前処理を要する場合がある。また、ドライプロセスといっても完全なドライプロセスを実現するには至っていない。なお、レーザーダイシング方式はブレードダイシング方式よりも処理速度を高速化できる。しかしながら、１ラインずつ加工することには変わりはなく、極小チップの製造にはそれなりに時間がかかる。【０００６】  さらに、ダイシングを水圧で行うウオータージェット方式などのウェットプロセスを用いる方式もある。  この方式では、ＭＥＭＳデバイスやＣＭＯＳセンサーなど表面汚染を高度に抑える必要がある材料において問題が起きる可能性がある。また、カーフ幅の狭小化には制約があり、得られるチップの収率も低いものとなる。【０００７】  また、ウェハの厚み方向にレーザーで改質層を形成し、エキスパンドして分断し個片化するステルスダイシング方式も知られている。  この方���は、カーフ幅をゼロにでき、ドライで加工できるというメリットがある。しかしながら、改質層形成時の熱履歴によりチップ抗折強度が低下する傾向があり、また、エキスパンドして分断する際にシリコン屑が発生する場合がある。さらに、隣接チップとのぶつかりが抗折強度不足を引き起こす可能性がある。【０００８】  さらに、ステルスダイシングと先ダイシングを併せた方式として、薄膜化の前に先に所定の厚み分だけ改質層を形成しておき、その後に裏面から研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行う狭スクライブ幅対応チップ個片化方式がある。  この技術は、上記プロセスのデメリットを改善したものであり、ウェハ裏面研削加工中に応力でシリコンの改質層が劈開し個片化するため、カーフ幅がゼロでありチップ収率は高く、抗折強度もアップするというメリットがある。しかしながら、裏面研削加工中に個片化されるため、チップ端面が隣接チップとぶつかってチップコーナーが欠ける現象が見られる場合がある。【０００９】  これに加えて、プラズマダイシング方式がある（例えば、特許文献１参照）。  プラズマダイシング方式は、マスクで覆っていない箇所をプラズマで選択的にエッチングすることで、半導体ウェハを分割する方法である。このダイシング方法を用いると、選択的にチップの分断が可能であり、スクライブラインが曲がっていても問題なく分断できる。また、エッチングレートが非常に高いことから近年ではチップの分断に最適なプロセスの１つとされてきた。【００１０】  プラズマダイシング方式では、六フッ化硫黄（ＳＦ６）や四フッ化炭素（ＣＦ４）など、ウェハとの反応性が非常に高いフッ素系のガスをプラズマ発生用ガスとして用いており、その高いエッチングレートから、エッチングしない面に対してマスクによる保護が必須であり、事前にマスク形成が必要となる。【００１１】  このマスク形成には、特許文献１に記載のように、ウェハの表面にレジストを塗布した後、ストリートに相当する部分をフォトリソグラフィプロセスで除去してマスクとする技術が一般的に用いられてきた。そのため、従来はプラズマダイシング設備以外のフォトリソ工程設備が必要であった。  また、プラズマエッチング後にマスク（レジスト膜）が残った状態であるため、マスク除去のために大量の溶剤を用いる必要があり、それでもマスクを完全に除去できないこともあり、不良チップが生じる場合があった。さらに、レジストによるマスキング工程を経るため、全体の処理プロセスが長くなるという不都合もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−１９３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】  上記のような従来技術では、チップコストが上昇するという問題があり、コスト抑制等の観点から別異の手段が求められるようになってきた。【００１４】  また、半導体チップの厚さは、近年ますます薄くなる傾向にあり、半導体ウェハ裏面をこの様に薄く裏面研削した場合でも、半導体ウェハのパターン面に良好に密着してパターン面を効果的に保護する必要がある。  しかも、マスク一体型表面保護テープでは、半導体ウェハの裏面研削後に、マスク一体型表面保護テープからマスク材（層）のみを半導体ウェハのパターン面上に残すため、粘着剤層とマスク材層との間で剥離するため、この剥離が容易、かつ糊残りなく剥離できなければならない。従来技術では、剥離工程における粘着剤層とマスク材層の剥離を容易にするために、粘着剤層またはマスク材層の高弾性化や密着力を低下させる等、適宜調整する必要が生じていた。  上記の剥離では、マスク材層をウェハ表面に簡単に露出させることができることが必要で、ＳＦ６プラズマによってウェハをチップへとより確実に、高精度にダイシングする必要がある。さらにプラズマダイシング後（ウェハの分割後）においてはＯ２プラズマによってマスク材層のマスク材をより確実に除去し、不良チップの発生を高度に抑える必要がある。【００１５】  しかしながら、上記の剥離工程において、粘着剤層またはマスク材層を高弾性化すると、半導体ウェハ上に形成された回路パターンの凹凸が大きい場合、十分に密着できず、裏面研削時にシリコンの研削屑を含んだ研削水がマスク材一体型表面保護テープと半導体ウェハとの隙間から入り込んで半導体ウェハ回路面を汚染する、いわゆるシーページなどの原因となる可能性がある。また、マスク材層の密着力を低下させて粘着層との剥離を容易にした場合、半導体ウェハとマスク材との密着力も低下してしまい、シーページが発生してしまう可能性が高い。【００１６】  従って、本発明は、プラズマダイシング方式用であって、薄膜化の程度が大きい裏面研削工程での半導体ウェハのパターン面の保護性、表面保護テープの基材フィルムからのマスク材層の剥離性に優れ、糊残りが少なく、不良チップの発生が少ないマスク一体型表面保護テープを提供することを課題とする。また、フォトリソグラフィプロセス不要のマスク一体型表面保護テープを提供することを課題とする。  これに加えて、このようにして、不良チップの発生を高度に抑え、かつ生産性が高く、加工プロセスが短く、安価に半導体チップを製造できることが可能なマスク一体型表面保護テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】  すなわち、本発明によれば以下の手段が提供される。【００１８】〔１〕下記工程（ａ）〜（ｄ）を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有し、前記マスク材層を剥離した面の前記基材フィルムの濡れ張力が２０．０ｍＮ／ｍ以上、４８．０ｍＮ／ｍ以下であって、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準拠して測定したときの、前記マスク材層を剥離した面の前記基材フィルムの表面粗さＲａが０．０５μｍ以上、２．０μｍ以下の範囲であることを特徴とするマスク一体型表面保護テープ。（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープの基材フィルムを剥離して前記マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程〔２〕前記マスク一体型表面保護テープのマスク材が放射線硬化型であることを特徴とする〔１〕に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔３〕前記マスク材層の純水に対する接触角が、８５°以上、１５０°以下であることを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔４〕前記マスク材層の貯蔵弾性率が、２３℃で２．０×１０４Ｐａ以上、１．２×１０５Ｐａ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載のマスク材一体型表面保護テープ。〔５〕前記マスク材層の貯蔵弾性率が、５０℃で１．０×１０４Ｐａ以上、１．０×１０５Ｐａ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔６〕前記基材フィルムのヤング率が、２．０×１０７Ｐａ以上、７．０×１０９Ｐａ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔７〕前記基材フィルムのマスク材層とは反対側の面の融点が、８０℃以上、１２０℃以下であることを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔８〕前記マスク材層と前記基材フィルム層との密着力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔９〕前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層の厚みが、半導体ウェハのパターン凹凸より大きいことを特徴とする〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。〔１０〕前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせる半導体ウェハのパターン面の凹凸が１０μｍ以上で使用される、〔１〕〜〔９〕のいずれか１項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
【発明の効果】
【００１９】  本発明により、プラズマダイシング方式用であって、薄膜化の程度が大きい裏面研削工程での半導体ウェハのパターン面の保護性、基材フィルムからのマスク材層の剥離性に優れ、糊残りが少なく、不良チップの発生が少ないマスク一体型表面保護テープを提供することが可能となった。また、本発明により、フォトリソグラフィプロセス不要のマスク一体型表面保護テープを提供することが可能となった。  これに加えて、このようにして、不良チップの発生を高度に抑え、かつ生産性が高く、加工プロセスが短く、安価に半導体チップを製造できることが可能なマスク一体型表面保護テープを提供することが可能となった。  本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明のマスク一体型表面保護テープの模式的な概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜２（ｃ）は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する半導体ウェハへの表面保護テープ貼合までの工程を説明する概略断面図である。分図２（ａ）はパターン面を有する半導体ウェハを示し、分図２（ｂ）はマスク一体型表面保護テープを貼合する工程を示し、分図２（ｃ）はマスク一体型表面保護テープを貼合した半導体ウェハを示す。
【図３】図３（ａ）〜３（ｃ）は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する半導体ウェハの薄膜化と固定までの工程を説明する概略断面図である。分図３（ａ）は半導体ウェハの薄膜化処理を示し、分図３（ｂ）はウェハ固定テープを貼合する工程を示し、分図３（ｃ）は半導体ウェハをリングフレームに固定した状態を示す。
【図４】図４（ａ）〜４（ｃ）は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用するマスク形成までの工程を説明する概略断面図である。分図４（ａ）はマスク一体型表面保護テープからマスク材層を残して基材フィルムを引き剥がす工程を示し、分図４（ｂ）はマスク一体型表面保護テープのマスク材層が剥き出しになった状態を示し、分図４（ｃ）はレーザーでストリートに相当するマスク材層を切除する工程を示す。
【図５】図５（ａ）〜５（ｃ）は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用するプラズマダイシングとプラズマアッシングの工程を説明する概略断面図である。分図５（ａ）はプラズマダイシングを行う工程を示し、分図５（ｂ）はチップに個片化された状態を示し、分図５（ｃ）はプラズマアッシングを行う工程を示す。
【図６】図６（ａ）及び６（ｂ）は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用するチップをピックアップするまでの工程を説明する概略断面図である。分図６（ａ）はマスク材層が除去された状態を示し、分図６（ｂ）はチップをピックアップする工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】  本発明のマスク一体型表面保護テープは、半導体ウェハをプラズマダイシングにより分割、個別化して半導体チップを得る方法に用いられる。  以下に説明するように、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、プラズマダイシング工程に先立つフォトリソグラフィプロセスが不要となり、半導体チップないし半導体製品の製造コストを大幅に抑えることができる。
【００２２】  本発明のマスク一体型表面保護テープ３は、図１に示すように、基材フィルム３ａ上にマスク材層３ｂを積層し、両層が粘着により一体化されたものである。このマスク材層３ｂは、後述するように放射線硬化型マスク材層であることが好ましい。
【００２３】  本発明のマスク一体型表面保護テープは、ダイシング方式が、上記のように、プラズマダイシング方式に使用されるもの、すなわち、プラズマダイシング方式用のマスク一体型表面保護テープである。  より具体的には、半導体ウェハから半導体チップを得るに際し、プラズマダイシングによりウェハを分割、個別化する工程を含む半導体チップの製造で使用される。  しかも、上記のように、フォトリソグラフィプロセス不要のマスク一体型表面保護テープである。
【００２４】  本発明のマスク一体型表面保護テープは、半導体ウェハの加工に用いられ、半導体ウェハの裏面研削の際に、パターン面（表面）を保護するために、当該パターン面に貼り合わせて用いられる。
【００２５】  以下、本発明のマスク一体型表面保護テープを、半導体チップの製造工程（半導体ウェハの加工工程）とともに、詳細に説明する。
【００２６】  本発明のマスク一体型表面保護テープは、さらに好ましくは、少なくとも下記工程（ａ）〜（ｄ）を含む半導体チップの製造に用いられる。  すなわち、本発明のマスク一体型表面保護テープは、下記工程（ａ）〜（ｄ）を含む半導体チップの製造用のマスク一体型表面保護テープである。
【００２７】〔工程（ａ）〜（ｄ）〕（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープの基材フィルムを剥離して前記マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程
【００２８】  本発明のマスク一体型表面保護テープが適用される上記半導体チップの製造方法は、上記工程（ｄ）の後、下記工程（ｅ）を含むことが好ましい。また下記工程（ｅ）を含む場合、この工程（ｅ）の後に、さらに下記工程（ｆ）を含むことが好ましい。（ｅ）ウェハ固定テープから半導体チップをピックアップする工程（ｆ）ピックアップした半導体チップをダイボンディング工程に移行する工程
【００２９】  本発明のマスク一体型表面保護テープの場合、上記工程（ｂ）において、放射線を照射せずに、上記マスク一体型表面保護テープから上記基材フィルムを剥離してマスク材層を表面に露出させる工程を含む。
【００３０】  以下に、本発明のマスク一体型表面保護テープが使用される用途としての半導体チップの製造方法に適用される工程（ａ）〜（ｄ）を含め、詳細に説明する。
【００３１】  本発明のマスク一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法（以下、単に「本発明が適用される製造方法」という。）について、その好ましい実施形態を、図面を参照して以下に説明するが、本発明は、本発明で規定されること以外は下記実施形態に限定されるものではない。また、各図面に示される形態は、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズ、厚み、ないしは相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。
【００３２】  なお、下記の実施形態に用いる装置および材料等は、特に断りのない限り、従来から半導体ウェハの加工に用いられている通常の装置および材料等を使用することができ、その使用条件も通常の使用方法の範囲内で目的に応じて適宜に設定、好適化することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。
【００３３】  本発明マスク一体型表面保護テープが適用される製造方法を図２（ａ）〜図６（ｂ）を参照して説明する。  半導体ウェハ１は、その表面Ｓに半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有している（図２（ａ）参照）。このパターン面２には、基材フィルム３ａにマスク材層３ｂを設けた本発明のマスク一体型表面保護テープ３を図２（ｂ）の矢印方向に貼合し（図２（ｂ）参照）、パターン面２が本発明のマスク一体型表面保護テープ３で被覆された半導体ウェハ１を得る（図２（ｃ）参照）。
【００３４】  次に、半導体ウェハ１の裏面Ｂを図３（ａ）の矢印のようにウェハ研削装置Ｍ１で研削し、半導体ウェハ１の厚みを薄くする（図３（ａ）参照）。その研削した裏面Ｂにはウェハ固定テープ４を図３（ｂ）の矢印方向に貼り合わせて（図３（ｂ）参照）、リングフレームＦに支持固定する（図３（ｃ）参照）。
【００３５】  半導体ウェハ１からマスク一体型表面保護テープ３の基材フィルム３ａを剥離するとともにそのマスク材層３ｂは半導体ウェハ１に残して（図４（ａ）参照）、マスク材層３ｂを剥き出しにする（図４（ｂ）参照）。そして、表面Ｓの側からパターン面２に格子状等に適宜形成された複数のストリート（図示せず）に対してＣＯ２レーザーＬを照射して、マスク材層３ｂのストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する（図４（ｃ）参照）。
【００３６】  次に、表面Ｓ側からＳＦ６ガスのプラズマＰ１による処理を行いストリート部分で剥き出しになった半導体ウェハ１をエッチングし（図５（ａ）参照）、個々のチップ７に分割して個片化する（図５（ｂ）参照）。次いでＯ２ガスのプラズマＰ２によってアッシングを行い（図５（ｃ）参照）、表面Ｓに残ったマスク材層３ｂを取り除く（図６（ａ）参照）。そして最後に個片化されたチップ７をピンＭ２により突き上げコレットＭ３により吸着して図６（ｂ）の矢印方向にピックアップする（図６（ｂ）参照）。図５（ａ）及び（ｃ）の矢印は、各プラズマ照射の方向を示す。
【００３７】  ここで、ＳＦ６ガスを用いた半導体ウェハのＳｉのエッチングプロセスはＢＯＳＣＨプロセスとも呼ばれ、露出したＳｉと、ＳＦ６をプラズマ化して生成したＦ原子とを反応させ、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）として除去するものであり、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とも呼ばれる。一方、Ｏ２プラズマによる除去は、半導体製造プロセス中ではプラズマクリーナーとしても用いられる方法でアッシング（灰化）とも呼ばれ、対有機物除去の手法の一つである。半導体デバイス表面に残った有機物残渣をクリーニングするために行われる。
【００３８】  次に、マスク一体型表面保護テープ３で使用する材料および上記工程で使用する材料について説明する。  なお、マスク一体型表面保護テープ３で使用する材料以外に上記工程で使用する材料は、下記に説明するものに限定されるものではない。
【００３９】  半導体ウェハ１は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有するシリコンウェハなどであり、パターン面２は、半導体素子の回路などが形成された面であって、平面視においてストリートを有する。
【００４０】  本発明のマスク一体型表面保護テープ３は、基材フィルム３ａ上にマスク材層３ｂが設けられた構成を有し、パターン面２に形成された半導体素子を保護する機能を有する。すなわち、後工程のウェハ薄膜化工程（裏面研削工程）ではパターン面２で半導体ウェハ１を支持してウェハの裏面が研削されるために、マスク一体型表面保護テープ３はこの研削時の負荷に耐える必要がある。そのため、マスク一体型表面保護テープ３は単なるレジスト膜等とは異なり、パターン面に形成される素子を被覆するだけの厚みがあって、その押圧抵抗は低く、また研削時のダストや研削水などの浸入が起こらないように素子を密着できるだけの密着性が高いものである。
【００４１】  本発明のマスク一体型表面保護テープ３のうち基材フィルム３ａは、マスク材層３ｂを剥離した面の濡れ張力が２０．０ｍＮ／ｍ以上、４８．０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴としている。上記「濡れ張力」とは、単位面積当たりの表面自由エネルギーを意味する。該「濡れ張力」は表面張力判定試薬｛例えば、テンションチェッカー液（商品名：春日電機（株）社製）｝により測定することができる。また、該「濡れ張力」の試験の規格は「JIS K6768（プラスチック−フィルム及びシート−ぬれ張力試験法）」である。  基材フィルム３ａのマスク材層３ｂを剥離した面の濡れ張力が上記の範囲にあることで、本発明のマスク一体型表面保護テープ３は、基材フィルムからマスク材層を容易に剥離することができる。この観点から、基材フィルム３ａのマスク材層３ｂを剥離した面の濡れ張力は、２０．０ｍＮ／ｍ以上、４８．０ｍＮ／ｍ以下であり、２２．６ｍＮ／ｍ以上、４５．０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、２５．４ｍＮ／ｍ以上、４４．０ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。  上記の濡れ張力が小さすぎると、マスク一体型表面保護テープ３を半導体ウェハ１に貼付する装置内で基材フィルム３ａマスク材層３ｂが剥離してしまう可能性がある。一方、上記の濡れ張力が大きすぎると、基材フィルム３ａとマスク材層３ｂの密着力が高まり過ぎ、剥離せずマスク材のみをウェハ面上に露出させることが困難となる。
【００４２】  更に、本発明のマスク一体型表面保護テープ３は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準拠して測定したときの、基材フィルム３ａのマスク材層３ｂを剥離した面の表面粗さＲａが０．０５μｍ以上、２．０μｍ以下であることを特徴としている。表面粗さＲａが２．０μｍより大きい場合、基材フィルム３ａとマスク材層３ｂの接地面積が増えることで密着力が高まり過ぎ、剥離が困難となる。逆に表面粗さＲａが０．０５μｍ未満である場合、基材フィルム３ａとマスク材層３ｂの剥離性は向上するが、前述の通りテープを貼合する装置内や、研削中に基材フィルム３ａとマスク材層３ｂが剥離してしまい、ウェハが破損する可能性がある。この観点から、上記表面粗さＲａは、０．０７μｍ以上、１．８μｍ以下であることが好ましく、０．０９μｍ以上、１．７μｍ以下であることがより好ましく、０．１１μｍ以上、１．６μｍ以下であることが特に好ましい。  なお、本発明でいう表面粗さＲａとは、テンコール製のＰ−１０（商品名）により基材フィルム表面の粗さを測定して算出される平均粗さのことである。
【００４３】  本発明のマスク一体型表面保護テープ３は、基材フィルム３ａのマスク材層３ｂを剥離した面が上記の濡れ張力及び表面粗さの両方の条件を満たすことを特徴とする。「基材フィルム３ａのマスク材層３ｂを剥離した面」とは、本発明のマスク一体型表面保護テープにおいて、マスク材層３ｂを剥離した後の、基材フィルム３ａのマスク材層３ｂとの対向面を意味する。上記の濡れ張力及び表面粗さの一方ではなく両方の条件を満たすことにより、マスク材の選択を大幅に広げることができる。基材フィルムの表面粗さが上記の条件を満たすことで、基材フィルムとマスク材との接地面積を物理的に減らすことができ、表面に大きなパターン凹凸を有する半導体ウェハにも十分に密着可能な柔らかいマスク材を選択することができる。  更に、基材フィルムの濡れ張力が上記の条件を満たすことで、半導体ウェハの表面にコーティングされている材料と相性が良い、化学的に極性が高いマスク材を適用しても容易に剥離が可能となる。すなわち、基材フィルムが両方の条件を満たすことにより、半導体ウェハの表面に十分に密着できるマスク材を選択することができ、研削後は、物理的かつ化学的に基材フィルムのみを容易に剥離することができるようになり、ウェハのパターン面の保護性と剥離性を両立可能となる。
【００４４】  また、基材フィルム３ａのヤング率は、２．０×１０７Ｐａ以上、７．０×１０９Ｐａ以下であることが好ましく、２．５×１０７Ｐａ以上、６．０×１０９Ｐａ以下であることがより好ましい。基材フィルムのヤング率がかかる範囲内にあることで、マスク一体型表面保護テープ３が、研削時に適度なクッション性を有することができ、ウェハの破損を大幅に抑制可能となる。
【００４５】  基材フィルム３ａはプラスチックやゴム等からなり、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体等のポリオレフィン樹脂、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体、あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン−もしくはペンテン系共重合体等の単体もしくは２種以上を混合させたもの、さらにこれらにこれら以外の樹脂や充填材、添加剤等が配合された樹脂組成物をその材質として挙げることができ、要求特性に応じて任意に選ぶことができる。
【００４６】  基材フィルム３ａはポリオレフィン樹脂からなる層を有することが好ましい。この場合において、基材フィルム３ａはポリオレフィン樹脂層からなる単層でもよいし、ポリオレフィン樹脂層と他の樹脂層とからなる２層またはそれ以上の複層構造であってもよい。また、低密度ポリエチレンとエチレン酢酸ビニル共重合体の積層体や、ポリプロピレンとポリエチレンテレフタレートの積層体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートは好適な材質の一つである。
【００４７】  基材フィルム３ａが単層またはそれ以上の複層構造である場合、基材フィルムのマスク材層とは反対側の面に配置する樹脂の融点は、８０℃以上、１２０℃以下の範囲が好ましく、９０℃以上、１１０℃以下の範囲であることがより好ましい。かかる融点の範囲にある樹脂を配置することで、剥離フィルムを確実にヒートシールすることができ、容易に剥離することが可能となる。
【００４８】  これらの基材フィルム３ａは、一般的な押出し法を用いて製造できる。基材フィルム３ａを種々の樹脂を積層して得る場合には、共押出し法、ラミネート法などで製造される。この際、通常のラミネートフィルムの製法に於いて普通に行われている様に、樹脂と樹脂の間に接着剤層を設けてもよい。このような基材フィルム３ａの厚さは、強・伸度特性、放射線透過性の観点から２０〜２００μｍが好ましい。
【００４９】  マスク材層３ｂは、パターン面に形成される素子の凹凸を吸収してパターン面との密着性を高め、パターン面を保護する役割を担う。マスク一体型表面保護テープをウェハ薄膜化工程の負荷に耐えるものとするために、マスク材層３ｂは、ウェハ薄膜化工程においては基材フィルム３ａとの密着性が高いことが好ましい。一方、ウェハ薄膜化工程後においては、基材フィルム３から剥離されるために、密着性は低いことが好ましい（剥離性が高いことが好ましい）。かかる特性をより高いレベルで実現するために、本発明のマスク材一体型表面保護テープのマスク材層３ｂのマスク材は粘着性を有しており、放射線硬化型であることが好ましい。マスク材を放射線硬化型とすることにより、放射線照射によって基材フィルム３ａとマスク材層３ｂの密着力が減少するため、マスク材層３ｂを基材フィルム３ａから簡単に剥離することが可能となる。  なお、本発明において「放射線」とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる。本発明では、放射線は紫外線が好ましい。
【００５０】  本発明のマスク一体型表面保護テープにおいて、マスク材層３ｂは（メタ）アクリル系共重合体を含有する。ここで、マスク層３ｂが（メタ）アクリル系共重合体を含有するとは、（メタ）アクリル系共重合体が後述する硬化剤と反応した状態で存在する形態を含む意味である。
【００５１】  ここで、（メタ）アクリル系のように、「（メタ）」の括弧部分は、これがあってもなくてもよいことを意味し、例えば、（メタ）アクリル系は、アクリル系、メタクリル系もしくはこれらを含む場合のいずれでも構わない。
【００５２】  本発明において（メタ）アクリル系共重合体とは、例えば（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体、あるいはこれらの共重合体の混合物等が挙げられる。
【００５３】  これらの重合体の質量平均分子量は、通常は３０万〜１００万程度である。  上記（メタ）アクリル系共重合体の全モノマー成分中、（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は７０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。また、（メタ）アクリル系共重合体の全モノマー成分中、（メタ）アクリル酸エステル成分の割合が１００モル％でない場合、残部のモノマー成分は（メタ）アクリロイル基を重合性基として重合した形態で存在するモノマー成分〔（メタ）アクリル酸等〕であることが好ましい。
【００５４】  また、（メタ）アクリル系共重合体の全モノマー成分中、後述する硬化剤と反応する官能基（例えばヒドロキシ基）を有する（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は、１モル％以上が好ましく、２モル％以上がより好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また当該（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は３５モル％以下が好ましく、２５モル％以下がより好ましい。
【００５５】  上記（メタ）アクリル酸エステル成分は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（アルキル（メタ）アクリレートともいう）であってもよい。この場合、（メタ）アクリル酸アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜１２がさらに好ましい。
【００５６】  マスク材層３ｂ中の（メタ）アクリル系共重合体の含有量（硬化剤と反応する前の状態に換算した含有量）は８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５〜９９．９質量％がより好ましい。
【００５７】  マスク材層３ｂが放射線硬化型粘着剤で構成される場合、アクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを含有してなる粘着剤を好適に用いることができる。  アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体、あるいは（メタ）アクリル系共重合体と硬化剤との混合物である。
【００５８】  硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。  例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレートなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（以下、「エポキシ系硬化剤」ともいう。）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート及びこれらのアダクトタイプなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物（以下、「イソシアネート系硬化剤」ともいう。）、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート、トリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕トリホスファトリアジンなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン化合物（以下、「アジリジン系硬化剤」ともいう。）等が挙げられる。
【００５９】  硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。本発明のマスク一体型表面保護テープのマスク材層において、硬化剤は（メタ）アクリル系共重合体と反応した状態にある。
【００６０】  上記放射線重合性化合物としては、放射線の照射によって三次元網状化しうる、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。  具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等のアクリレート系化合物を広く適用可能である。
【００６１】  また、上記アクリレート系化合物の他に、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。  ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
【００６２】  放射線硬化型マスク材中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが好ましい。この配合比の範囲である場合、マスク材層が適度な弾性率を有し、ウェハ表面の凹凸とマスク材層との密着性を向上させることが可能となる。
【００６３】  また、マスク材層３ｂに用いる放射線硬化型粘着剤として、上記（メタ）アクリル系共重合体自体を放射線重合性とした、放射線重合性（メタ）アクリル系共重合体を用いることも好ましい。  この場合において、放射線硬化型粘着剤は硬化剤を含んでいてもよい。  放射線重合性（メタ）アクリル系共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。  このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基すなわち、炭素−炭素二重結合（エチレン性不飽和結合）を有する基が好ましい。かかる基の例として、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基などが挙げられる。
【００６４】  上記反応性基の共重合体中への導入は、例えば、ヒドロキシ基を有する共重合体と、ヒドロキシ基と反応する基（例えば、イソシアネート基）を有し、かつ上記反応性基を有する化合物〔（代表的には、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート〕とを反応させることにより行うことができる。
【００６５】  本発明のマスク一体型表面保護テープのマスク材層３ｂを構成する、側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中には、炭素数が８〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分が含まれることが好ましい。側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中、炭素数が８〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の割合は、４５〜８５モル％が好ましく、５０〜８０モル％がより好ましい。
【００６６】  また、放射線によりマスク材層３ｂを重合硬化させる場合には、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を用いることが出来る。これらのうち少なくとも１種類をマスク材層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることができる。
【００６７】  上記マスク材層３ｂは、さらに光増感剤、従来公知の粘着付与剤、軟化剤、酸化防止剤等を含有していてもよい。
【００６８】  上記マスク材層３ｂとして、特開２０１４−１９２２０４号公報の段落番号００３６〜００５５に記載されている形態を採用することも好ましい。
【００６９】  マスク材層３ｂの厚さは、パターン面２に形成された素子等の保護能をより高め、またパターン面への密着性をより高める観点から、５〜１００μｍが好ましい。なお、デバイスの種類にもよるが、パターン表面の凹凸は概ね数μｍ〜５０μｍ程度である。
【００７０】  本発明のマスク一体型表面保護テープにおいて、マスク材層の厚みは、半導体ウェハのパターン凹凸よりも大きいことが好ましい。これにより、薄膜化裏面研削した半導体ウェハのパターン面への密着性をより高めることができる。
【００７１】  また、本発明のマスク一体型表面保護テープにおいて、貼り合わせる半導体ウェハのパターン面の凹凸は１０μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましく、２０μｍ以上が更に好ましい。
【００７２】  さらに、本発明のマスク一体型表面保護テープでは、マスク材層表面の耐水性も重要となる。マスク材層表面の耐水性が低い場合は、ウェハ裏面研削加工中に切削水が浸入することによるウェハ汚染や、マスク一体型表面保護テープがウェハエッジ部より剥離しやすくなることからエッジチッピングが誘発される。したがって、本発明のマスク一体型表面保護テープでは、マスク材層表面の耐水性が高いことが望ましく、具体的には、マスク材層表面の純水との接触角が８５°以上であることが好ましい。マスク材の材料特性の観点から、純水との接触角は、通常１５０°以下とする。実用的にはマスク材層表面の純水との接触角は８５〜１２０°程度である。なお、接触角の測定環境は、室温（２５±５℃）、湿度５０±１０％とする。  本発明において、マスク材層表面の純水に対する接触角は、マスク材層表面と純水の接触直後の接触角を意味する。この接触角は、２３℃の温度、５０％の湿度で測定した値である。測定は市販の接触角測定装置を用いて行うことができる。なお、市販の「接触角測定装置」の具体例として、「協和化学工業株式会社製、FACE接触角計CA-S150型（商品名）」を挙げることができる。
【００７３】  また、マスク材層の貯蔵弾性率は、２３℃で２．０×１０４Ｐａ以上、１．２×１０５Ｐａ以下であることが好ましく、２．５×１０４Ｐａ以上、１．０×１０５Ｐａ以下であることがより好ましく、３．０×１０４Ｐａ以上、９．０×１０４Ｐａ以下であることが更に好ましい。このような貯蔵弾性率を有することにより、ウェハ表面の凹凸に十分に追従することができ、研削時の洗浄水が浸入する可能性を低減することができる。  また、貯蔵弾性率には、その測定法によりＧ’（捻り剪断法）とＥ’（引張圧縮法）とがある。放射線硬化型でないマスク材層、または、放射線照射前の放射線硬化型マスク材層の弾性率は捻り剪断法により測定される。放射線照射後の放射線硬化型マスク材層の弾性率は引張圧縮法により測定される。Ｇ’とＥ’とは線型領域では一般に、Ｅ’＝３Ｇ’の関係が成立する。本発明で規定される上記の弾性率は捻り剪断法によるものを意味し、引張圧縮法により測定される場合には、Ｅ’＝３Ｇ’の式により換算された値を示す。
【００７４】  また、マスク材の貯蔵弾性率は５０℃で１．０×１０４Ｐａ以上、１．０×１０５Ｐａ以下であることが好ましい。かかる範囲の貯蔵弾性率を有することでマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハに貼付する際に、よりウェハ表面の凹凸に密着しやすくなり、ウェハの汚染を更に低減すること可能となる。また、温度を２３℃から５０℃に上げることでマスク材がより柔らかくなるため、ウェハ表面の凹凸によりマスク材が追従しやすくなる。
【００７５】  本発明のマスク一体型表面保護テープは、基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力は０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。このような密着力を有することにより、半導体ウェハの裏面研削を良好に行うことができ、裏面研削加工後の薄くなった半導体ウェハから基材フィルム３ａを剥離するとき、ウェハの破損等なく剥離することが可能となる。
【００７６】  本発明において「密着力」（単位：Ｎ／２５ｍｍ）は、テンシロンテスター〔（株）島津製作所製ＡＧ−１０ｋＮＩ（商品名）〕を使用して、マスク一体型表面保護テープをカッターで５ｍｍ幅の切り込みを入れた後、マスク材層をピール速度３００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°方向に引っ張って引き剥がし、その際の応力（ピール強度）を測ることで求められる。  上記密着力の測定において、紫外線照射条件は、紫外線を積算照射量５００ｍＪ／ｃｍ２となるように、マスク一体型表面保護テープ全体に、該テープの基材フィルム側から照射することをいう。紫外線照射には高圧水銀灯を用いる。
【００７７】  ウェハ固定テープ４は、半導体ウェハ１を保持し、プラズマダイシング工程にさらされても耐えうるプラズマ耐性が必要である。またピックアップ工程においては良好なピックアップ性や場合によってはエキスパンド性等も要求されるものである。  こうしたウェハ固定テープ４には、上記基材フィルム３ａと同様のテープを用いることができる。また一般的にダイシングテープと称される従来のプラズマダイシング方式で利用される公知のダイシングテープを用いることができる。また、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層と基材フィルムとの間にダイボンディング用接着剤を積層したダイシングダイボンディングテープを用いることもできる。
【００７８】  マスク材層３ｂを切断するレーザー照射には、紫外線または赤外線のレーザー光を照射するレーザー照射装置を用いることができる。このレーザー光照射装置は、半導体ウェハ１のストリートに沿って移動自在にレーザー照射部が配設されており、マスク材層３ｂを除去するために適切に制御された出力のレーザーを照射できる。なかでもＣＯ２レーザーは数Ｗ〜数十Ｗの大出力を得ることが可能であり、本発明に好適に利用できる。
【００７９】  プラズマダイシングおよびプラズマアッシングを行うにはプラズマエッチング装置を用いることができる。プラズマエッチング装置は、半導体ウェハ１に対してドライエッチングを行い得る装置であって、真空チャンバ内に密閉処理空間をつくり、高周波側電極に半導体ウェハ１が載置され、その高周波側電極に対向して設けられたガス供給電極側からプラズマ発生用ガスが供給されるものである。高周波側電極に高周波電圧が印加されればガス供給電極と高周波側電極との間にプラズマが発生するため、このプラズマを利用する。発熱する高周波電極内には冷媒を循環させて、プラズマの熱による半導体ウェハ１の昇温を防止している。
【００８０】  上記半導体チップの製造方法（半導体ウェハの処理方法）によれば、パターン面を保護する本発明のマスク一体型表面保護テープにプラズマダイシングにおけるマスク機能を持たせたことで、従来のプラズマダイシングプロセスで用いられていたレジストを設けるためのフォトリソ工程等が不要となる。特に本発明のマスク一体型表面保護テープを用いると、マスクの形成に印刷や転写等の高度な位置合わせが要求される技術が不要で簡単に半導体ウェハ表面に貼合でき、レーザー装置により簡単にマスクを精度よく形成できる。
【００８１】  また、マスク材層３ｂをＯ２プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面２側（表面Ｓ側）からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。
【００８２】  これらの理由から設備を簡易化でき、プロセスコストを大幅に抑えることができる。
【実施例】
【００８３】  以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００８４】［実施例１］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  メタクリル酸１ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート７８ｍｏｌ％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２１ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより質量平均分子量７０万の（メタ）アクリル系共重合体溶液を得た。  得られた（メタ）アクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名：カレンズＭＯＩ、昭和電工株式会社製）を付加することで以下の物性の（メタ）アクリル系共重合体を得た。（質量平均分子量：７０万、二重結合量：０．９０ｍｅｑ／ｇ、水酸基価：３３．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：５．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：−６８℃）  なお、O2アッシングの時間は、10分から20分であった。  このエチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対し、硬化剤としてコロネートＬ（商品名：日本ポリウレタン工業株式会社製、イソシアネート系硬化剤）を０．２質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（商品名：ＢＡＳＦ社製）を５質量部配合し、マスク材組成物Ａを得た。【００８５】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５４１）を用いて、前記マスク材組成物Ａを張り合わせる面の表面粗さＲａが１．１μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が２２．６ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【００８６】  上記マスク材組成物Ａを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。【００８７】＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング��度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【００８８】  上記実施例１において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、２２．６Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは１．１μｍであることを確認した。【００８９】［実施例２］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  実施例１で作製したマスク材組成物ＡのコロネートＬを４質量部にした以外は同様にして、マスク材組成物Ｂを得た。【００９０】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５３０）を用いて、前記マスク材組成物Ｂを張り合わせる面の表面粗さＲａが０．９μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が４８．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【００９１】  上記マスク材組成物Ｂを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【００９２】  上記実施例２において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、４８．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは０．９μｍであることを確認した。【００９３】［実施例３］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護��ープの作製＞  メタクリル酸１ｍｏｌ％、ブチルアクリレート２３ｍｏｌ％、ラウリルアクリレート６８ｍｏｌ％、２−ヒドロキシエチルアクリレート８ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより、質量平均分子量６５万、酸価５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ−１０℃の（メタ）アクリル系共重合体溶液を得た。  得られた（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対し紫外線反応性樹脂として５官能で分子量が１５００であるウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業（株）社製〕を１００質量部および３官能のウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業（株）社製〕を５０質量部、硬化剤としてコロネートＬを３質量部、Ｔｅｔｒａｄ  Ｃ〔商品名：三菱瓦斯化学（株）社製；１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサノン〕を２質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（商品名：ＢＡＳＦ社製）を１０質量部配合し、マスク材組成物Ｃを得た。【００９４】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５３０）を用いて、前記マスク材組成物Ｃを張り合わせる面の表面粗さＲａが０．０６μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が３８．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【００９５】  上記マスク材組成物Ｃを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【００９６】  上記実施例３において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測��したところ、３８．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは０．０６μｍであることを確認した。【００９７】［実施例４］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  メタクリル酸１ｍｏｌ％、メタクリル酸メチル３５ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート６２ｍｏｌ％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより質量平均分子量２０万、酸価６．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ−３０℃の（メタ）アクリル系共重合体溶液を得た。  得られた（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対し紫外線反応性樹脂として５官能で分子量が１５００であるウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業（株）社製〕を１００質量部および３官能のウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業（株）社製〕を５０質量部、硬化剤としてコロネートＬを５質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（商品名：ＢＡＳＦ社製）を５質量部配合し、マスク材組成物Ｄを得た。【００９８】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５３０）を用いて、前記マスク材組成物Ｄを張り合わせる面の表面粗さＲａが１．９μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が３８．０Ｎ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【００９９】  上記マスク材組成物Ｂを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【０１��０】  上記実施例４において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、３８．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは１．９μｍであることを確認した。【０１０１】［実施例５］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  アクリル酸２０ｍｏｌ％、ブチルアクリレート７０ｍｏｌ％、メチルアクリレート１０ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することによりアクリル系共重合体（質量平均分子量：４０万、水酸基価：０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：９．８ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：−２３℃）を合成した。  得られたアクリル系共重合体１００質量部に対し、硬化剤としてＴｅｔｒａｄ  Ｃ〔商品名：三菱瓦斯化学（株）社製；１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサノン〕を２質量部配合し、マスク材組成物Ｅを得た。【０１０２】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン６３１）を用いて、前記マスク材組成物Ｅを張り合わせる面の表面粗さＲａが０．９μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が３８．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【０１０３】  上記マスク材組成物Ｅを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【０１０４】  上記実施例５において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、３８．０Ｎ／ｍであることを確��した。また、同じ面の表面粗さＲａは０．９μｍであることを確認した。【０１０５】［比較例１］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  メタクリル酸１ｍｏｌ％、ラウリルアクリレート５０ｍｏｌ％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート２０ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより質量平均分子量３０万の（メタ）アクリル系共重合体溶液を得た。  得られた（メタ）アクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名：カレンズＭＯＩ、昭和電工株式会社製）を付加することで以下の物性の（メタ）アクリル系共重合体を得た。（質量平均分子量：３０万、二重結合量０．５９ｍｅｑ／ｇ、水酸基価５５．６ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価５．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：−２０℃）  このエチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対し、硬化剤としてコロネートＬ（商品名：日本ポリウレタン工業株式会社製）を８質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（商品名：ＢＡＳＦ社製）を５質量部配合し、マスク材組成物Ｆを得た。【０１０６】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン６４０）を用いて、前記マスク材組成物Ｆを張り合わせる面の表面粗さＲａが０．９μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が５４．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【０１０７】  上記マスク材組成物Ｆを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【０１０８】  上記比較例１において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、５４．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは０．９μｍであることを確認した。【０１０９】［比較例２］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  比較例１で作製したマスク材組成物ＦのコロネートＬを１０質量部にした以外は同様にして、マスク材組成物Ｇを得た。【０１１０】  低密度ポリエチレン（東ソー社製、商品名：ペトロセン２２５）を用いて、前記マスク材組成物Ｇを張り合わせる面の表面粗さＲａが２．３μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が４８．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【０１１１】  上記マスク材組成物Ｇを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【０１１２】  上記比較例２において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、４８．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは２．３μｍであることを確認した。【０１１３】［比較例３］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５３０）を用いて、実施例１で用いた���と同じ前記マスク材組成物Ａを張り合わせる面の表面粗さＲａが０．０２μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が４８．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【０１１４】  上記マスク材組成物Ａを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【０１１５】  上記比較例３において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、４８．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは０．０２μｍであることを確認した。【０１１６】［比較例４］  マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造＜マスク一体型表面保護テープの作製＞  メタクリル酸２ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート２０ｍｏｌ％、ブチルアクリレート７０ｍｏｌ％、メチルアクリレート８ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより（メタ）アクリル系共重合体（質量平均分子量：４０万、水酸基価：０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：１６．１ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：−３５℃）を合成した。  この（メタ）アクリル系共重合体の溶液に、該共重合体１００質量部に対して、硬化剤としてＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（商品名：三菱ガス化学株式会社製、エポキシ系硬化剤）を２質量部配合し、マスク材組成物Ｈ（マスク材）を得た。【０１１７】  エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー社製、商品名：ウルトラセン６３１）を用いて、前記マスク材組成物Ｈを張り合わせる面の表面粗さＲａが０．０４μｍとなるシボロールで形成され、濡れ張力が５４．０ｍＮ／ｍとなるようコロナ処理された厚さ１００μｍの基材フィルム３ａをＴダイ法により作製した。【０１１８】  上記マスク材組成物Ｈを剥離ライナー上に塗工してマスク材層３ｂを形成し、基材フィルム３ａと貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型マスク一体型表面保護テープ３を得た。＜半導体チップの製造＞  ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。  その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ−２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで基材フィルム３ａとマスク材層３ｂとの間の密着力を落とし、基材フィルム３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク材を除去し、スクライブラインを開口した。  その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。【０１１９】  上記比較例４において、基材フィルム３ａのマスク材３ｂを剥離した面の濡れ張力を測定したところ、５４．０Ｎ／ｍであることを確認した。また、同じ面の表面粗さＲａは０．０４μｍであることを確認した。【０１２０】［試験例１］  基材フィルムの濡れ張力評価  上記各実施例および比較例に係るマスク一体型表面保護テープから幅２００ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取した。  脱脂綿にテンションチェッカー液（商品名：春日電機（株）社製）を浸み込ませ、サンプル基材フィルムに塗布し、２秒後の塗布液面を観察し、使用したテンションチェッカー液の濡れ具合を判定した。【０１２１】［試験例２］  マスク材の貯蔵弾性率評価  紫外線照射前に基材フィルムから剥離したマスク材のＧ’（捻り剪断法）を、試験片：８ｍｍφ×３ｍｍの円柱測定器：ＤＹＮＡＭＩＣ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ  ＲＤＡ  ＩＩ（商品名：ＲＥＯＭＥＴＲＩＣ社製）、測定周波数：１Ｈｚの条件で測定した。【０１２２】  上記各実施例および比較例の＜半導体チップの製造＞において、マスク一体型表面保護テープにおける、基材フィルムとマスク材層とを剥離した際に要した力（剥離性）を下記評価基準により評価した。なお、上記剥離はＲＡＤ−２７００Ｆ〔商品名：リンテック��株）社製〕を用いて行った。【０１２３】−基材フィルム−マスク材層間の剥離力（密着力）の評価基準−  上記各実施例および比較例に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取した。ＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚み２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に、各試験片を２ｋｇのゴムローラを３往復かけて圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験機を用いて２３℃での密着力を測定した。測定は、１８０度引きはがし法によるものとし、この時の引張速さは３００ｍｍ／ｍｉｎとした。【０１２４】［試験例３］  Ｏ２プラズマアッシングによるマスク材層の除去性評価  上記各実施例及び比較例の＜半導体チップの製造＞において、Ｏ２プラズマアッシング（１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシング）後のマスク材の残留の有無を、レーザー顕微鏡を用いて調べた。【０１２５】−マスク材層の除去性の評価基準−  ○：マスク材層の残留が無い。  ×：マスク材層の残留が有る。【０１２６】［試験例４］  研削水の浸入性の評価  上記各実施例および比較例の＜半導体チップの製造＞において、基材フィルムを剥離する前に、基材フィルム越しにウェハ表面を顕微鏡で観察し、研削水の浸入の有無を調べた。【０１２７】−研削水の浸入の評価基準（裏面研削時の密着性評価基準）−  ○：裏面研削後に基材フィルムを剥離し、目視でマスク材層と半導体ウェハとの間に研削水の浸入がないことを確認できた。  △：裏面研削後に基材フィルムを剥離し、目視でマスク材層と半導体ウェハとの間に研削水が浸入していることが確認された。  ×：裏面研削後に基材フィルムを剥離し、目視でマスク材層と半導体ウェハとの間に研削水が浸入しており、半導体ウェハに割れが確認された。【０１２８】  試験例１〜４で得られた結果を、下記表１及び２にまとめて示す。【０１２９】
【表１】
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【０１３０】
【表２】
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【０１３１】  上記各試験例の結果から、プラズマダイシング方式で半導体ウェハを加工して半導体チップを製造するに際し、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、半導体ウェハのパターン面にマスク一体型表面保護テープを貼り付け、この貼り付けたマスク一体型表面保護テープから基材フィルムを剥離するだけで、糊残りを生じずに簡単にマスクを形成することができることがわかった。また、裏面研削の間、基材フィルムとマスク材層との剥離が無く、パターン面の汚染や半導体ウェハの破損が無かった。すなわち、裏面研削時の半導体ウェハのパターン面の保護性が高く、良好な薄膜化裏面研削ができた。また、裏面研削後の基材フィルムとマスク材層との剥離で糊残りが無く、良好にマスク材層を露出させることができた。さらに、このマスク材はストリートに相当する部分をレーザーによって確実に除去して、パターン面に対するマスクを精度よく形成することができた。さらに、パターン面上のマスク材はＯ２プラズマによってより確実に除去することができ、不良チップの発生を高度に抑制できることがわかった。すなわち、パターン面に対するマスク形成及び除去の処理を段階的に精度よく確実にでき、パターン面の汚染などが抑えられ、不良チップの発生を高度に抑制することができた。【０１３２】  本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。【０１３３】  本願は、２０１６年８月２９日に日本国で特許出願された特願２０１６−１６７１４８に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
【符号の説明】
【０１３４】  １  半導体ウェハ  ２  パターン面  ３  マスク一体型表面保護テープ    ３ａ  基材フィルム    ３ｂ  マスク材層  ４  ウェハ固定テープ  ７  チップ  Ｓ  表面  Ｂ  裏面  Ｍ１  ウェハ研削装置  Ｍ２  ピン  Ｍ３  コレット  Ｆ  リングフレーム  Ｌ  レーザー（ＣＯ２レーザー）  Ｐ１  ＳＦ６ガスのプラズマ  Ｐ２  Ｏ２ガスのプラズマ  Ｐ２  Ｏ２ガスのプラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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