(57)【要約】  電磁波の透過度を高めることができ、位置合わせが不要な光学素子、発光素子およびこれらを用いた光学装置、並びにこれらの製造方法を提供する。波長λの電磁波の光学特性を制御するための光学素子10であって、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部２と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部３と、偏光子部２と第１位相差素子部３が形成されると共に、偏光子部２と第１位相差素子部３との間で電磁波を透過可能な基部１と、を具備する光学素子。
2018012523.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長λの電磁波の光学特性を制御するための光学素子であって、
凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、
凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、
前記偏光子部と前記第１位相差素子部が形成されると共に、前記偏光子部と前記第１位相差素子部との間で電磁波を透過可能な基部と、
を具備することを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記偏光子部および前記第１位相差素子部のいずれか一方又は両方を保護する保護部を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
前記第１位相差素子部は、無機化合物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の光学素子。
【請求項４】
前記第１位相差素子部は前記基部と同一の物質からなり一体に形成されるものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光学素子。
【請求項５】
前記第１位相差素子部は、金属又は金属酸化物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の光学素子。
【請求項６】
前記第１位相差素子部は、直線偏光した電磁波を透過させたときの電磁波の楕円率が０．７以上であることを特徴とする請求項５記載の光学素子。
【請求項７】
前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチはλ以下に形成されることを特徴とする請求項５記載の光学素子。
【請求項８】
前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチは０．３５λ以上に形成されることを特徴とする請求項５記載の光学素子。
【請求項９】
前記偏光子部は、波長λの電磁波によって電子が励起する材料からなり、
前記第１位相差素子部は、波長λの電磁波によって電子が励起しない材料からなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の光学素子。
【請求項１０】
前記第１位相差素子部の凹凸構造は、波長λより小さい幅を有するラインアンドスペース状に形成されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の光学素子。
【請求項１１】
前記偏光子部を透過した直線偏光又は前記偏光子部で反射した直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部を更に具備することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の光学素子。
【請求項１２】
前記第１位相差素子部および前記第２位相差素子部の少なくともいずれか一方は、前記偏光子部を透過した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光に変換可能なものであることを特徴とする請求項１１記載の光学素子。
【請求項１３】
前記第１位相差素子部および前記第２位相差素子部の少なくともいずれか一方は、前記偏光子部を透過した電磁波を左円偏光又は左楕円偏光に変換可能なものであることを特徴とする請求項１１記載の光学素子。
【請求項１４】
波長λの電磁波の光学特性を制御するための光学素子であって、
凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を吸収する偏光子部と、
凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、
前記偏光子部と前記第１位相差素子部が形成されると共に、前記偏光子部と前記第１位相差素子部との間で電磁波を透過可能な基部と、
を具備することを特徴とする光学素子。
【請求項１５】
波長λの電磁波を出射する発光層を有する発光素子であって、
凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、
前記発光層に対して前記偏光子部の反対側に設けられ、電磁波を前記偏光子部側に反射するためのミラー部と、
凹凸構造からなり、前記偏光子部で反射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、
を具備することを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
前記偏光子部を保護する保護部を有することを特徴とする請求項１５記載の光学素子。
【請求項１７】
前記第１位相差素子部は、無機化合物からなることを特徴とする請求項１５又は１６記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１位相差素子部は、金属又は金属酸化物からなることを特徴とする請求項１５又は１６記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１位相差素子部は、直線偏光した電磁波を透過させたときの電磁波の楕円率が０．７以上であることを特徴とする請求項１８記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチはλ以下に形成されることを特徴とする請求項１８記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチは０．３５λ以上に形成されることを特徴とする請求項１８記載の発光素子。
【請求項２２】
前記偏光子部は、波長λの電磁波によって電子が励起する材料からなり、
前記第１位相差素子部は、波長λの電磁波によって電子が励起しない材料からなることを特徴とする請求項１５ないし２１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２３】
前記偏光子部を透過した直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部を更に具備することを特徴とする請求項１５ないし２２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２４】
前記第１位相差素子部および前記第２位相差素子部の少なくともいずれか一方は、前記偏光子部を透過した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光に変換可能なものであることを特徴とする請求項２３記載の発光素子。
【請求項２５】
前記第１位相差素子部および前記第２位相差素子部の少なくともいずれか一方は、前記偏光子部を透過した電磁波を左円偏光又は左楕円偏光に変換可能なものであることを特徴とする請求項２３記載の発光素子。
【請求項２６】
前記ミラー部は、前記第１位相差素子部と離間して配置されることを特徴とする請求項１５ないし２５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２７】
前記第１位相差素子部は、波長λより小さい幅を有するラインアンドスペース状の凹凸構造からなることを特徴とする請求項１５ないし２６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２８】
波長λの電磁波を照射する発光素子と、
前記電磁波を制御可能な請求項１ないし１４のいずれかに記載の光学素子と、
前記発光素子に対して前記光学素子とは反対側に配置され、電磁波を前記光学素子側に反射するためのミラーと、
を具備することを特徴とする光学装置。
【請求項２９】
請求項１５ないし２２のいずれかに記載の発光素子と、
前記発光素子が照射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換可能な位相差素子と、
を具備することを特徴とする光学装置。
【請求項３０】
前記位相差素子は、前記発光素子が照射した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光に変換可能なものであることを特徴とする請求項２９記載の発光素子。
【請求項３１】
前記位相差素子は、前記発光素子が照射した電磁波を左円偏光又は左楕円偏光に変換可能なものであることを特徴とする請求項２９記載の発光素子。
【請求項３２】
凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を有する光学素子の製造方法であって、
前記第１位相差素子部を形成する第１位相差素子部形成工程と、
前記第１位相差素子部の前記凹凸構造を保護する保護部を形成する保護部形成工程と、
前記偏光子部を形成する偏光子部形成工程と、
を具備することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３３】
凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を有する光学素子の製造方法であって、
前記偏光子部を形成する偏光子部形成工程と、
前記偏光子部の前記凹凸構造を保護する保護部を形成する保護部形成工程と、
前記第１位相差素子部を形成する第１位相差素子部形成工程と、
を具備することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３４】
凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を有する光学素子の製造方法であって、
前記第１位相差素子部を形成する第１位相差素子部形成工程と、
前記偏光子部を形成する偏光子部形成工程と、
前記第１位相差素子部と前記偏光子部を接合する第１接合工程と、
を具備することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３５】
直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部を形成する第２位相差素子部形成工程と、
前記第２位相差素子部と前記偏光子部を接合する第２接合工程と、
を具備することを特徴とする請求項３２ないし３４のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子、発光素子およびこれらを用いた光学装置、並びにこれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電磁波の光学特性を制御するために偏光子や位相差素子が用いられている。例えば、ワイヤグリッド偏光子は、耐熱性、耐環境性が高い、Ｐ偏光の吸収がなく透過度が高い、広範囲の波長域で機能する、色度再現性が高い、薄型化が可能等の利点があり、液晶ディスプレイの偏光子、フォトリソグラフィの偏光照明、光配向用のＵＶ偏光照明などに利用されている。【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２６８２９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなワイヤグリッド偏光子は、反射したＳ偏光を再利用することができれば透過効率を上げることができる。しかしながら、反射したＳ偏光を対向するミラーで単に反射させるだけでは偏光の方向が変わらないため、ワイヤグリッド偏光子を透過させることができない。【０００５】
また、偏光子と位相差素子を組み合わせて電磁波の光学特性を制御することができるが、この場合、偏光子と位相差素子の向きの位置合わせをするのが面倒であるという問題もあった。【０００６】
そこで本発明は、電磁波の透過度を高めることができ、位置合わせが不要な光学素子、発光素子およびこれらを用いた光学装置、並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の光学素子は、波長λの電磁波の光学特性を制御するためのものであって、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、前記偏光子部と前記第１位相差素子部が形成されると共に、前記偏光子部と前記第１位相差素子部との間で電磁波を透過可能な基部と、を具備することを特徴とする。【０００８】
この場合、前記偏光子部および前記第１位相差素子部のいずれか一方又は両方を保護する保護部を有していても良い。【０００９】
前記第１位相差素子部は、例えば、無機化合物で形成できる。また、前記第１位相差素子部は前記基部と同一の物質からなり一体に形成されるものであっても良い。【００１０】
また、前記第１位相差素子部は、金属又は金属酸化物で形成しても良い。この場合、前記第１位相差素子部は、直線偏光した電磁波を透過させたときの電磁波の楕円率が０．７以上である方が好ましい。また、前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチはλ以下に形成される方が好ましい。また、前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチは０．３５λ以上に形成される方が好ましい。【００１１】
また、前記偏光子部は、波長λの電磁波によって電子が励起する材料からなり、前記第１位相差素子部は、波長λの電磁波によって電子が励起しない材料からなる方が好ましい。【００１２】
前記第１位相差素子部の凹凸構造は、波長λより小さい幅を有するラインアンドスペース状に形成することができる。【００１３】
また、用途によっては、前記偏光子部を透過した直線偏光又は前記偏光子部で反射した直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部を更に具備しても良い。この場合、前記第１位相差素子部および前記第２位相差素子部の少なくともいずれか一方は、前記偏光子部を透過した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光に変換可能なものであるか、あるいは、左円偏光又は左楕円偏光に変換可能なものである。【００１４】
また、本発明の別の光学素子は、波長λの電磁波の光学特性を制御するためのものであって、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を吸収する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、前記偏光子部と前記第１位相差素子部が形成されると共に、前記偏光子部と前記第１位相差素子部との間で電磁波を透過可能な基部と、を具備することを特徴とする。【００１５】
また、本発明の発光素子は、波長λの電磁波を出射する発光層を有するものであって、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、前記発光層に対して前記偏光子部の反対側に設けられ、電磁波を前記偏光子部側に反射するためのミラー部と、凹凸構造からなり、前記偏光子部で反射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を具備することを特徴とする。【００１６】
この場合、前記偏光子部を保護する保護部を有していても良い。【００１７】
また、前記第１位相差素子部は、無機化合物で形成できる。【００１８】
また、前記第１位相差素子部は、金属又は金属酸化物で形成しても良い。この場合、前記第１位相差素子部は、直線偏光した電磁波を透過させたときの電磁波の楕円率が０．７以上である方が好ましい。また、前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチはλ以下に形成される方が好ましい。また、前記第１位相差素子部の凹凸構造のピッチは０．３５λ以上に形成される方が好ましい。【００１９】
また、前記偏光子部は、波長λの電磁波によって電子が励起する材料からなり、前記第１位相差素子部は、波長λの電磁波によって電子が励起しない材料からなる方が好ましい。【００２０】
また、用途によっては、前記偏光子部を透過した直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部を更に具備しても良い。この場合、前記第１位相差素子部および前記第２位相差素子部の少なくともいずれか一方は、前記偏光子部を透過した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光に変換可能なものであるか、あるいは、左円偏光又は左楕円偏光に変換可能なものである。【００２１】
また、前記ミラー部は、前記第１位相差素子部と離間して配置される方が好ましい。【００２２】
前記第１位相差素子部は、波長λより小さい幅を有するラインアンドスペース状の凹凸構造からなる。【００２３】
また、本発明の光学装置は、波長λの電磁波を照射する発光素子と、前記電磁波を制御可能な請求項１ないし１４のいずれかに記載の光学素子と、前記発光素子に対して前記光学素子とは反対側に配置され、電磁波を前記光学素子側に反射するためのミラーと、を具備することを特徴とする。【００２４】
また、本発明の別の光学装置は、上述した本発明の発光素子と、前記発光素子が照射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換可能な位相差素子と、を具備することを特徴とする。この場合、前記位相差素子は、前記発光素子が照射した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光に変換可能なものであるか、あるいは、左円偏光又は左楕円偏光に変換可能なものである。【００２５】
本発明の光学素子の製造方法は、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を有する光学素子の製造方法であって、前記第１位相差素子部を形成する第１位相差素子部形成工程と、前記第１位相差素子部の前記凹凸構造を保護する保護部を形成する保護部形成工程と、前記偏光子部を形成する偏光子部形成工程と、を具備することを特徴とする。【００２６】
また、本発明の別の光学素子の製造方法は、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を有する光学素子の製造方法であって、前記偏光子部を形成する偏光子部形成工程と、前記偏光子部の前記凹凸構造を保護する保護部を形成する保護部形成工程と、前記第１位相差素子部を形成する第１位相差素子部形成工程と、を具備することを特徴とする
また、本発明の更に別の光学素子の製造方法は、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射する偏光子部と、凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第１位相差素子部と、を有する光学素子の製造方法であって、前記第１位相差素子部を形成する第１位相差素子部形成工程と、前記偏光子部を形成する偏光子部形成工程と、前記第１位相差素子部と前記偏光子部を接合する第１接合工程と、を具備することを特徴とする。【００２７】
これらの場合、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部を形成する第２位相差素子部形成工程と、前記第２位相差素子部と前記偏光子部を接合する第２接合工程と、を更に具備していても良い。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の光学素子、発光素子およびこれらを用いた光学装置は、電磁波を効率的に取り出すことが可能である。また、偏光子と位相差素子の位置合わせが不要である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の光学素子を偏光子部側から示す概略斜視図である。
【図２】本発明の光学素子を第１位相差素子部側から示す概略斜視図である。
【図３】本発明の光学素子を示す概略断面図である。
【図４】本発明の保護部付きの光学素子を示す概略断面図である。
【図５】本発明の光学素子の製造方法を示す概略断面図である。
【図６】本発明の光学素子の別の製造方法を示す概略断面図である。
【図７】本発明の光学素子の更に別の製造方法を示す概略断面図である。
【図８】本発明の光学装置を示す概略断面図である。
【図９】本発明の発光素子を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の別の発光素子を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に、本発明の光学素子10について説明する。本発明の光学素子10は、図１〜図４に示すように、波長λの電磁波の光学特性を制御するためのものであって、基部１と、基部１に形成される偏光子部２および第１位相差素子部３と、で主に構成される。
【００３１】
なお、波長λとは、真空中の波長を意味する。また、ここでいう波長λの大きさには一定の幅があっても良い。
【００３２】
基部１は、偏光子部２と第１位相差素子部３を支持すると共に、偏光子部２と第１位相差素子部３との間で電磁波を透過可能な誘電体からなる。誘電体としては、所望の電磁波を透過可能なものであればどのようなものでも良いが、例えば、石英、無アルカリガラス等の無機化合物を用いることができる。また、樹脂を用いても良い。基部１の形状は、第１位相差素子部３を通過した電磁波を偏光子部２へ、あるいは、偏光子部２を通過した電磁波を第１位相差素子部３へ導けるものであればどのようなものでも良いが、例えば、図１〜図４に示すように、平行な第１の面および第２の面を有する基板状に形成される。
【００３３】
偏光子部２は、基部１上に形成される凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射するものである。ここで、Ｐ偏光とは、予め定められた基準方向に対して垂直な電界の偏光を意味し、Ｓ偏光とは、当該基準方向と平行な電界の偏光を意味する。偏光子部２としては、ワイヤグリッドのように、従来から知られているものを用いれば良い。例えば、基部１の一方の表面上にラインアンドスペース状に互いに平行に形成された複数の金属線（凸部２ａ）を用いることができる。この場合、Ｐ偏光は、凸部２ａのラインに対して垂直な電界の偏光を意味し、Ｓ偏光は、当該凸部２ａのラインと平行な電界の偏光を意味する。
【００３４】
凸部２ａは、複数の材料によって複層構造となっていても良い。また、偏光子部２は、凹凸構造のピッチが狭いほど、アスペクト比が高いほど、広い波長域、特に短波長域に亘り高い消光比が得られる点で好ましい。例えば、液晶ディスプレイにおいては、波長３８０〜８００ｎｍの可視域において良好な消光比が必要であり、凹凸構造のピッチは５０ｎｍ〜３００ｎｍ、凸部２ａの幅は２５ｎｍ〜２００ｎｍ、凸部２ａのアスペクト比は１以上が好ましい。また、凹凸構造の凸部２ａに用いる材料としては、波長λの電磁波によって電子が励起するものが好ましい。例えば、バンドギャップが小さい金属又は金属酸化物が良く、具体的には、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等を用いることができる。
【００３５】
なお、偏光子部２は、金属線（凸部２ａ）同士の間（凹部２ｂ）まで基部１の誘電体が充填されたものでも良い。これにより、強度を高めたり、金属部の腐食を防止したりすることができる。また、用途によっては、偏光子部２として、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を吸収するものを用いることも可能である。
【００３６】
第１位相差素子部３は、基部１上に形成される凹凸構造からなり、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能なものである。第１位相差素子部３による変換後の楕円率は０．６以上、好ましくは０．７以上であることが好ましい。凹凸構造としては、当該構造を透過した電磁波に位相差を与えることができればどのようなものでも良いが、例えば、波長λより小さい幅の凸部３ａおよび凹部３ｂを有するラインアンドスペース状に形成することができる。また、凹凸構造は、図３（ａ）に示すように、基部１と同一の物質で一体に形成しても良いし、図３（ｂ）に示すように、基部１とは異なる物質で形成しても良い。凹凸構造の凸部３ａに用いる材料としては、石英や無アルカリガラス等の無機化合物や、銀、金、アルミニウム、ニッケル、銅等の金属、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の金属酸化物を用いることができる。また、樹脂でも良い。また、当該材料としては、波長λの電磁波によって電子が励起しないものの方が好ましく、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の金属酸化物が該当する。
【００３７】
次に、凹凸構造を基部１とは異なる物質で形成した場合の例として、誘電体からなる基部１上に、複数の金属構造体（凸部３ａ）からなる第１位相差素子部３を形成した場合について説明する。第１位相差素子部３の凹凸構造は、図３（ｂ）に示すように、直線状の金属構造体（凸部３ａ）を平行に複数周期配列したラインアンドスペース状のものである。当該金属構造体は、電磁波の波長λより小さい幅を有するように形成される。また、金属構造体の断面は、直線偏光である所定波長の電磁波をその偏光方向が金属構造体の直線方向に対して４５°の角度となるように入射させた場合に、その透過波の楕円率の絶対値が０．７以上となるものが好ましい。ここで楕円率とは、電磁波の軌跡を電磁波の進行方向に垂直な面に投影した際に、その楕円の長軸の長さａと短軸の長さｂの比ｂ／ａを意味する。この楕円率の絶対値が０．７以上であると、透過波は３ｄＢ以内の円偏光とみなせる。具体的な断面形状としては四角形や三角形、台形のものを用いることができる。
【００３８】
金属としては、例えば、銀、金、アルミニウム、ニッケル、銅等を挙げることができる。勿論、これらに限定されるものではない。
【００３９】
このように形成された金属構造体同士の間を電磁波が通過することにより、電磁波に位相差を与えることができる。
【００４０】
また、金属構造体同士のピッチＰは、直線偏光である電磁波をその偏光方向が金属構造体の直線方向に対して４５°の角度で入射させた場合に、その透過波の楕円率の絶対値が０．７以上となるものが好ましい。
【００４１】
また、金属構造体の幅や高さも、直線偏光である電磁波をその偏光方向が金属構造体の直線方向に対して４５°の角度で入射させた場合に、その透過波の楕円率の絶対値が０．７以上となるものが好ましい。なお、金属構造体の幅や高さによって電磁波の透過率を調節することも可能である。
【００４２】
また、第１位相差素子部３は、金属構造体（凸部）同士の間（凹部）まで基部１の誘電体が充填されたものでも良い。これにより、強度を高めたり、金属部の腐食を防止したりすることができる。
【００４３】
また、偏光子部２や第１位相差素子部３は、図３（ｃ）、図３（ｄ）に示すように、表面を覆い凹凸構造を保護する保護部４を有していても良い。これにより、製造時や使用時に偏光子部２や第１位相差素子部３の凹凸構造が破損したり汚染されたりするのを防止又は抑制することができる。保護部の材料としては、所望の電磁波を透過可能なものであればどのようなものでも良いが、例えば、石英、無アルカリガラス等の無機化合物を用いることができる。また、樹脂を用いても良い。
【００４４】
また、保護部４を形成する場合、偏光子部２の凹凸構造の凸部２ａ間に空隙を形成する方が好ましい。これにより、凸部２ａ間に誘電率が１に近い空気等の気体を備えるため、凸部２ａ間に保護部４の材料が充填されている場合と比べて、偏光子部２における光の透過率を向上することができる。当該空隙には、空気等の気体が充填されていれば良い。また、空隙部は、真空状態であっても良い。
【００４５】
また、従来から植物の成長は、光の質によって大きく異なり、例えば、右円偏光を照射して栽培すると成長が促進され、左円偏光を照射して栽培すると成長が抑制されることが知られている。したがって、偏光子部２を透過した直線偏光又は偏光子部２で反射した直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部５を更に有していても良い。これにより、第１位相差素子部３および第２位相差素子部５の少なくともいずれか一方は、偏光子部２を透過した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光、あるいは、左円偏光又は左楕円偏光に変換することができる。
【００４６】
第２位相差素子部５は、図４（ａ）に示すように、偏光子２上に第２位相差素子部５を支持する第２の基部６を設け、当該基部６上に、上述した第１位相差素子部３と同様の凹凸構造を形成すれば良い。基部６は、電磁波を透過可能な誘電体からなる。誘電体としては、所望の電磁波を透過可能なものであればどのようなものでも良いが、例えば、例えば、石英、無アルカリガラス等の無機化合物を用いることができる。また、樹脂を用いても良い。基部６の形状は、第２位相差素子部５を通過した電磁波を偏光子部２へ、あるいは、偏光子部２を通過した電磁波を第２位相差素子部５へ導けるものであればどのようなものでも良いが、例えば、平行な第１の面および第２の面を有する基板状に形成される。なお、当該基部６は、偏光子２の表面を覆い偏光子２の凹凸構造を保護する保護部としても機能する。また、図４（ｂ）に示すように、第２位相差素子部５の表面を覆い第２位相差素子部５の凹凸構造を保護する保護部４を有していても良い。
【００４７】
また、第２位相差素子部５の別の形態としては、図４（ｃ）に示すように、偏光子２の凹凸構造上に、延伸による高分子の配向によって生じる複屈折を利用した位相差フィルム７を配置したものであっても良い。
【００４８】
次に、上述した本発明の光学素子の製造方法について説明する。本発明の光学素子の第１の製造方法は、図５又は図６に示すように、第１位相差素子部３を形成する第１位相差素子部形成工程と、第１位相差素子部３の表面を保護する保護部４を形成する保護部形成工程と、偏光子部２を形成する偏光子部形成工程と、で主に構成される。
【００４９】
第１位相差素子部形成工程は、上述した本発明の第１位相差素子部３を形成するものである。第１位相差素子部３を形成できれば従来から知られている方法を用いることができる。例えば、ガラス等の基部１に第１位相差素子部３の凹凸構造を形成するためのマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、当該マスクパターンに基づいて基部１に第１位相差素子部３の凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程からなる。
【００５０】
マスクパターン形成工程は、例えば、図５（ａ）、図６（ａ）に示すようにガラス等の基部１にクロム等の金属膜31を形成する金属膜形成工程と、図示しないが当該金属膜31の表面にレジストを塗布するレジスト膜形成工程と、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、インプリント技術やフォトリソグラフィ技術等を用いて、当該レジスト膜に第１位相差素子部３の凹凸構造を形成するためのレジストパターン32を形成するレジストパターン形成工程と、図５（ｃ）、図６（ｃ）に示すように、当該レジストパターン32に基づいて金属膜31に金属パターン33（マスクパターン）を形成する金属パターン形成工程と、で構成すれば良い。
【００５１】
凹凸構造形成工程では、図５（ｄ）、図６（ｄ）に示すように、マスクパターンをマスクとして基部１にエッチングを行い、図５（ｅ）、図６（ｅ）に示すように、残った金属パターン33を除去して、基部１に凸部３ａを有する凹凸構造を形成すれば良い。
【００５２】
保護部形成工程は、図５（ｆ）、図６（ｆ）に示すように、第１位相差素子部形成工程で形成された第１位相差素子部３の凹凸構造を保護するための保護部４を形成するものである。保護部４としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる膜を凹凸構造の表面に成膜すれば良い。これにより、図５（ｇ）、図６（ｇ）に示すように、偏光子部形成工程において第１位相差素子を下にして偏光子部２を形成する際に、第１位相差素子部３の凹凸構造が損傷等するのを防止又は抑制することができる。二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる膜の形成方法は、従来から知られている方法を用いれば良く、例えば、電子ビーム蒸着等を用いれば良い。なお、凹凸構造の凸部２ａ間に空隙を形成したい場合には、スパッタリング法や蒸着法のような段差被覆性の低い成膜方法で形成し、凹凸構造の凸部２ａ間に空隙を形成する方が好ましい。
【００５３】
偏光子部形成工程は、上述した本発明の偏光子部２を形成するものである。偏光子部２を形成できれば従来から知られている方法を用いることができる。例えば、偏光子部２となる材料の膜を成膜する偏光子材料成膜工程と、当該膜に偏光子部２の凹凸構造を形成するためのマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、当該マスクパターンに基づいて膜に偏光子部２の凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程からなる。
【００５４】
偏光子材料成膜工程では、例えば、図５（ａ）に示すように、ガラス等の基部１にアルミニウム等の金属膜21を成膜し、その表面に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる膜22を成膜すれば良い。なお、偏光子材料成膜工程は、図６（ｇ）に示すように、第１位相差素子部３を形成した後に形成しても良い。
【００５５】
マスクパターン形成工程は、例えば、膜22の表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程（図示せず）と、図５（ｈ）、図６（ｈ）に示すように、インプリント技術やフォトリソグラフィ技術等を用いて、当該レジストの膜に偏光子部の凹凸構造を形成するためのレジストパターン23を形成するレジストパターン形成工程と、で構成すれば良い。
【００５６】
凹凸構造形成工程では、図５（ｉ）、図６（ｉ）に示すように、レジストパターン23をマスクとして金属膜21と二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる膜22にエッチングを行い、図５（ｊ）、図６（ｊ）に示すように、残ったレジストを除去し、基部１に凸部２ａを有する凹凸構造を形成すれば良い。
【００５７】
なお、上記説明では、第１位相差素子部３を先に形成し、その後偏光子部２を形成する場合について説明したが、偏光子部２を先に形成し、その後第１位相差素子部３を形成することも勿論可能である。この場合には、偏光子部２の凹凸構造を保護するために、保護部４を偏光子部２の凹凸構造の表面に形成すれば良い。
【００５８】
また、本発明の光学素子の第２の製造方法は、第１位相差素子部３と偏光子部２をそれぞれ別々に作成し、その後接合するものである。具体的には、図７（ａ）〜（ｅ）に示すように、第１位相差素子部３を形成する第１位相差素子部形成工程と、図７（ｆ）〜（ｉ）に示すように、偏光子部２を形成する偏光子部形成工程と、図７（ｊ）、（ｋ）に示すように、第１位相差素子部３と偏光子部２を接合する第１接合工程と、で主に構成される。
【００５９】
なお、第１位相差素子部形成工程と、偏光子部形成工程は、上述した第１の製造方法の第１位相差素子部形成工程、偏光子部形成工程と同様であるため、同一部分には同一符号を伏して説明は省略する。
【００６０】
第１接合工程は、第１位相差素子部３と偏光子部２を接合できれば従来から知られている方法を用いることができる。例えば、第１位相差素子部３と偏光子部２を、接着剤等を用いて貼り合わせれば良い。
【００６１】
なお、上述した光学素子の第１の製造方法又は第２の製造方法においては、直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部５を形成する第２位相差素子部形成工程と、第２位相差素子部５と偏光子部２を接合する第２接合工程と、を更に有していても良い。第２位相差素子部の形成方法は、上述した第１位相差素子部３の形成と同様に行うことができる。第２接合工程は、第２位相差素子部５と偏光子部２を接合できれば従来から知られている方法を用いることができる。例えば、図７（ｌ）に示すように、第２位相差素子部５と偏光子部２を、接着剤等を用いて貼り合わせれば良い。
【００６２】
次に、このように構成された光学素子10を用いた光学装置100について図８を用いて説明する。本発明の光学装置100は、上述した本発明の光学素子10と、発光素子20と、ミラー30と、で主に構成される。
【００６３】
発光素子20は、波長λの電磁波を照射するものであればどのようなものでも良いが、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）や有機エレクトロルミネッセンス（ＯＥＬ）等が該当する。なお、波長λの大きさには一定の幅があっても良い。
【００６４】
ミラー30は、発光素子20に対して光学素子10とは反対側に配置され、電磁波を光学素子10側に反射するものである。ミラー30としては、電磁波を光学素子10側に反射できればどのようなものでも良く、従来から知られているものを用いれば良い。
【００６５】
本発明の光学装置100の原理を以下に説明する。
【００６６】
発光素子20から照射された電磁波は、光学素子10の偏光子部２でＰ波が透過しＳ波が反射される。反射された電磁波は第１位相差素子部３で円偏光（又は楕円偏光）に変換される。続いて当該電磁波がミラー30で反射されると、反射前とは逆回転の円偏光（又は楕円偏光）になる。この電磁波が再度第１位相差素子部３を通過すると、Ｓ波とは角度の異なる線偏光となる。この電磁波は再び偏光子部２でＰ波が透過しＳ波が反射される。これを繰り返すことにより、発光素子20から照射された電磁波は、Ｐ波として効率良く取り出すことができる。特に、第１位相差素子部３で付与される位相差が１／４波長である場合、ミラーによる一回の反射でほとんどの電磁波をＰ波に変換して偏光子部２を透過させることができるため、吸収による損失を最小限に抑えることができる。
【００６７】
ただし、この場合には、第１位相差素子部３の凹凸構造のアスペクト比は比較的大きく、加工の難易度は高くなる。そこで、第１位相差素子部３で付与される位相差を１／４ｎ波長にしても良い（ｎは２以上の自然数）。この場合、電磁波をＰ波に変換するためにはミラー30による反射の回数がｎ回必要となるが、第１位相差素子部３の凹凸構造のアスペクト比は、位相差を１／４波長与える凹凸構造に比べて１／ｎに小さくすることができ、加工が容易となる。例えば、第１位相差素子部３で付与される位相差を１／８波長にすると、ミラー30による反射の回数は２回必要になるが、第１位相差素子部３の凹凸構造のアスペクト比は、位相差を１／４波長与える凹凸構造に比べて半分にすることができる。なお、第１位相差素子部３で付与される位相差の誤差は、１／４波長又は１／４ｎ波長に対してプラスマイナス１０％以下が良く、更に好ましくは５％以下が良い。
【００６８】
なお、光学素子10が第２位相差素子部５を有する場合には、偏光子部２を透過したＰ波は第２位相差素子部５によって右回転又は左回転の円偏光又は楕円偏光に変換されることになる。
【００６９】
次に、本発明の発光素子200について説明する。本発明の発光素子200は、発光素子200の構造の中に偏光子部202と第１位相差素子部203を形成し、単独で上述した光学装置100として機能するようにしたものである。当該発光素子200は、波長λの電磁波を出射する発光層84と、偏光子部202と、第１位相差素子部203と、ミラー部90と、で主に構成される。なお、発光層84が出射する電磁波の波長λの大きさには、一定の幅があっても良い。
【００７０】
まず、一般的な発光素子200の構成を説明する。発光素子200は、発光層94を含む複数の半導体層８と、基板70とで主に構成される。
【００７１】
半導体層８は、例えば図９に示すように、サファイア基板70上に形成されたIII族窒化物半導体層からなる。図９に示す発光素子200は、サファイア基板70側（以下、光取り出し側という）から光を取り出すものであるが、サファイア基板70とは反対側から光を取り出すものでも良い。III族窒化物半導体層は、例えば、バッファ層82、ｎ型ＧａＮ層83、発光層84（多重量子井戸活性層）、電子ブロック層85、ｐ型ＧａＮ層86からなり、サファイア基板70側からこの順に形成される。また、ｐ型ＧａＮ層86上にはｐ側電極91が形成され、ｎ型ＧａＮ層83上にはｎ側電極92が形成される。
【００７２】
バッファ層82は、サファイア基板70上に形成され、ＡｌＮで構成されている。バッファ層82は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法やスパッタリング法により形成すれば良い。第１導電型層としてのｎ型ＧａＮ層83は、バッファ層82上に形成され、ｎ−ＧａＮで構成されている。発光層84（多重量子井戸活性層）は、ｎ型ＧａＮ層83上に形成され、ＧａｌｎＮ／ＧａＮで構成され、電子及び正孔の注入により光を発する。
【００７３】
電子ブロック層85は、発光層84上に形成され、ｐ―ＡＩＧａＮで構成されている。第２導電型層としてのｐ型ＧａＮ層86は、電子ブロック層85上に形成され、ｐ−ＧａＮで構成されている。ｎ型ＧａＮ層83からｐ型ＧａＮ層86までは、III族窒化物半導体のエピタキシャル成長により形成される。なお、少なくとも第１導電型層、活性層及び第２導電型層を有し、第１導電型層及び第２導電型層に電圧が印加されると、電子及び正孔の再結合により活性層にて光が発せられるものであれば、半導体層８の構成は他のものでも良い。
【００７４】
ｐ側電極91は、ｐ型ＧａＮ層86上に形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な材料からなる。ｐ側電極91は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成すれば良い。
【００７５】
ｎ側電極92は、ｐ型ＧａＮ層86からｎ型ＧａＮ層83をエッチングして、露出したｎ型ＧａＮ層83上に形成される。ｎ側電極92は、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕから構成され、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成すれば良い。
【００７６】
偏光子部202は、凹凸構造からなり、入射する電磁波のＰ偏光を透過させＳ偏光を反射するものである。偏光子部202は、入射する電磁波のＰ偏光を外部に出射できる位置であればどこに設けても良いが、例えば、図９（ａ）,（ｂ）に示すように、発光素子200の最表面（図中最上部側）に配置すれば良い。偏光子部202としては、ワイヤグリッドのように、従来から知られている構造を適用すれば良い。例えば、発光素子200の最表面上にラインアンドスペース状に互いに平行に形成された複数の金属線（凸部202a）を用いることができる。また、当該凸部202aは、複数の材料によって複層構造となっていても良い。また、偏光子部202は、凹凸構造のピッチが狭いほど、アスペクト比が高いほど、広い波長域、特に短波長域に亘り高い消光比が得られる点で好ましい。例えば、液晶ディスプレイにおいては、波長３８０〜８００ｎｍの可視域において良好な消光比が必要であり、凹凸構造のピッチは５０ｎｍ〜３００ｎｍ、凸部の幅は２５ｎｍ〜２００ｎｍ、凸部２ａのアスペクト比は１以上が好ましい。また、凹凸構造の凸部202aに用いる材料としては、波長λの電磁波によって電子が励起するものが好ましい。例えば、バンドギャップが小さい金属又は金属酸化物が良く、具体的には、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等を用いることができる。
【００７７】
偏光子部202は、例えば、上述した偏光子部形成工程と同様の方法によって、サファイア基板70形成すれば良い。また、偏光子部202を形成しておいて、サファイア基板70等に接合することも可能である。また、偏光子部202は、製造時や使用時に偏光子部を保護する保護部を有していても良い。
【００７８】
なお、偏光子部202は、金属線（凸部202a）同士の間（凹部202b）が誘電体で充填されたものでも良い。これにより、強度を高めたり、金属部の腐食を防止したりすることができる。
【００７９】
第１位相差素子部203は、凹凸構造からなり、偏光子部202で反射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換可能なものである。第１位相差素子部203は、偏光子部202で反射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換できる位置であればどこに設けても良いが、例えば、図９（ａ）に示すように、サファイア基板70と偏光子部202の間に配置するか、あるいは、図９（ｂ）に示すように、ｐ側電極91とミラー部90の間に配置すれば良い。第１位相差素子部203による変換後の楕円率は０．６以上、好ましくは０．７以上であることが好ましい。凹凸構造としては、当該構造を透過した電磁波に位相差を与えることができればどのようなものでも良いが、例えば、波長λより小さい幅の凸部203aおよび凹部203bを有するラインアンドスペース状に形成することができる。また、凹凸構造は、図９（ａ）に示すように、基部203cと同一の物質で一体に形成しても良いし、図示しないが、基部203cとは異なる物質で形成しても良い。また、基部203cはなくても良い。凹凸構造の凸部203aに用いる材料としては、石英や無アルカリガラス等の無機化合物や、銀、金、アルミニウム、ニッケル、銅等の金属、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の金属酸化物を用いることができる。また、樹脂でも良い。また、当該材料としては、波長λの電磁波によって電子が励起しないものの方が好ましく、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の金属酸化物が該当する。また、凹凸構造の凹部203bに用いる材料としては、少なくとも凸部203aに用いる材料と屈折率差を有する材料であれば良く、例えば、空気を用いることができる。
【００８０】
第１位相差素子部203は、例えば、上述した第１位相差素子部形成工程と同様の方法によって、サファイア基板70又はｐ側電極91に形成すれば良い。また、第１位相差素子部203を形成しておいて、サファイア基板70又はｐ側電極91に接合することも可能である。
【００８１】
次に、誘電体からなる基部203c上に、複数の金属構造体（凸部203a）からなる第１位相差素子部203を形成した場合について説明する。第１位相差素子部203の凹凸構造は、直線状の金属構造体（凸部203a）を平行に複数周期配列したラインアンドスペース状のものである。当該金属構造体は、電磁波の波長λより小さい幅を有するように形成される。また、金属構造体の断面は、直線偏光である所定波長の電磁波をその偏光方向が金属構造体の直線方向に対して４５°の角度となるように入射させた場合に、その透過波の楕円率の絶対値が０．７以上となるものであればどのようなものでも良い。例えば、断面が四角形や三角形、台形のものを用いることができる。
【００８２】
金属としては、例えば、銀、金、アルミニウム、ニッケル、銅等を挙げることができる。勿論、これらに限定されるものではない。
【００８３】
このように形成された金属構造体同士の間を電磁波が通過することにより、電磁波に位相差を与えることができる。
【００８４】
また、金属構造体同士のピッチＰは、直線偏光である電磁波をその偏光方向が金属構造体の直線方向に対して４５°の角度で入射させた場合に、その透過波の楕円率の絶対値が０．７以上となるものであればどのようなものでも良い。ここで楕円率とは、電磁波の軌跡を電磁波の進行方向に垂直な面に投影した際に、その楕円の長軸の長さａと短軸の長さｂの比ｂ／ａを意味する。この楕円率の絶対値が０．７以上であると、透過波は３ｄＢ以内の円偏光とみなせる。
【００８５】
また、金属構造体の幅や高さも、直線偏光である電磁波をその偏光方向が金属構造体の直線方向に対して４５°の角度で入射させた場合に、その透過波の楕円率の絶対値が０．７以上となるものであればどのようなものでも良い。なお、金属構造体の幅や高さによって電磁波の透過率を調節することも可能である。
【００８６】
また、第１位相差素子部203は、金属構造体（凸部）同士の間（凹部）まで基部１の誘電体が充填されたものでも良い。これにより、強度を高めたり、金属部の腐食を防止したりすることができる。
【００８７】
なお、第１位相差素子部203を複数の金属構造体で構成する場合には、ミラー部90と第１位相差素子部203が接触していると光の取り出し効率が低くなる。したがって、ミラー部90は、第１位相差素子部と離間して配置される方が好ましい。
【００８８】
ミラー部90は、発光層84に対して偏光子部202の反対側に設けられ、電磁波を偏光子部202側に反射するためのものである。ミラー部90は、例えば図９（ａ）に示すように、ｐ側電極91やｎ側電極92の表面（図中下側）にＡｌ等からなる反射膜を形成しても良い。また、図９（ｂ）に示すように、ｐ側電極91の表面（図中下側）に第１位相差素子部203が設けられている場合には、当該第１位相差素子部203の表面（図中下側）に形成しても良い。また、ミラー部90は、発光素子200の側面等も覆うように形成しても良い。
【００８９】
また、上述したように、従来から植物の成長は、光の質によって大きく異なり、例えば、右円偏光を照射して栽培すると成長が促進され、左円偏光を照射して栽培すると成長が抑制されることが知られている。したがって、本発明の発光素子200は、偏光子部202を透過して外部側に出射する直線偏光を円偏光又は楕円偏光に変換可能な第２位相差素子部205を更に有していても良い。これにより、第２位相差素子部５は、偏光子部202を透過した電磁波を右円偏光又は右楕円偏光、あるいは、左円偏光又は左楕円偏光に変換することができる。
【００９０】
第２位相差素子部205は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、偏光子部202上に第２位相差素子部205を支持する第２の基部205cを設け、当該基部205c上に、上述した第１位相差素子部203と同様の凹凸構造を形成すれば良い。基部205cは、電磁波を透過可能な誘電体からなる。誘電体としては、所望の電磁波を透過可能なものであればどのようなものでも良いが、例えば、石英、無アルカリガラス等の無機化合物を用いることができる。また、樹脂を用いても良い。基部205cの形状は、偏光子部202を通過した電磁波を第２位相差素子部205へ導けるものであればどのようなものでも良いが、例えば、平行な第１の面および第２の面を有する基板状に形成される。なお、当該基部205cは、偏光子202の表面を覆い偏光子202の凹凸構造を保護する保護部としても機能する。また、図示しないが、第２位相差素子部205の表面を覆い第２位相差素子部205の凹凸構造を保護する保護部を更に有していても良い。
【００９１】
また、第２位相差素子部205の別の形態としては、図示しないが、偏光子202の凹凸構造上に、延伸による高分子の配向によって生じる複屈折を利用した位相差フィルム７を配置したものであっても良い。この場合も、当該位相差フィルム７は、偏光子202の表面を覆い偏光子202の凹凸構造を保護する保護部として機能する。
【００９２】
なお、上記では、発光素子200としてＬＥＤの構成について説明したが、波長λの電磁波を出射する発光層を有するものであればこれに限られるものではなく、例えば、有機ＥＬ等に適用しても良い。
【００９３】
また、第２位相差素子部を有さない本発明の発光素子200と、発光素子200が照射した電磁波を円偏光又は楕円偏光に変換可能な位相差素子とを組み合わせて光学装置を構成することも可能である。当該位相差素子としては、従来から知られているものを用いることができる。例えば、透過した電磁波に位相差を与えることができる凹凸構造を有するものや、延伸による高分子の配向によって生じる複屈折を利用した位相差フィルム等を用いれば良い。
【符号の説明】
【００９４】
１  基部
２  偏光子部
３  第１位相差素子部
４  保護部
５  第２位相差素子部
10  光学素子
20  発光素子
30  ミラー
90  ミラー部
100  光学装置
200  発光素子
202  偏光子部
203  第１位相差素子部
205  第２位相差素子部
【図１】
2018012523.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018012523.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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