(57)【要約】３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層は、レーザ光照射側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜とを有する。第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む。記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む。第３誘電体膜は、酸化ニオブを含む。記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、記録膜は、ｑ≧１２を満足する。
2017159560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、
少なくとも一つの前記情報層は、レーザ光を照射する側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜とを有し、
前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
前記記録膜は、前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生され、
前記記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、前記記録膜は、ｑ≧１２を満足することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの前記情報層にレーザ光を照射する側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜と、第１誘電体膜とを有し、
前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
前記第１誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記記録膜は、前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生され、
前記記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、前記記録膜は、ｑ≧１２を満足し、且つ、前記第１誘電体膜は、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を３つ以上含み、
少なくとも１つの前記情報層を形成する工程は、記録膜を形成する工程と、第１誘電体膜および第２誘電体膜を形成する工程と、第３誘電体膜を形成する工程とを含み、
前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
前記記録膜を形成する前記工程は、Ｗ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する前記工程は、ＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、
前記第３誘電体膜を形成する前記工程は、ＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ(登録商標））がある。これらの媒体においては、記録再生レーザ波長を短くしたり、レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くしたり、トラックピッチをつめることにより高密度化（大容量化）を実現してきた。【０００３】
ＢＤにおいては、ＢＤ−ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のものが製品化されている。このＢＤ−ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層を３層化、また１情報層あたりの記録密度を３３．４ＧＢにすることにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。今後はさらに線密度を高くし、またランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録による３００ＧＢ容量以上のメディア（アーカイバル・ディスク）が提案されている。【０００４】
光学的情報記録媒体の特長として優れた長期保存性が挙げられる。そのため前述した大容量のメディアは、公文書・医療画像・動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアには、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば結晶−アモルファスの相変化を利用したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ（特許文献１参照）や、バブルによりマーク（ピット）を形成するＷ−Ｏ（特許文献２参照）やＧｅ−Ｂｉ−Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３７５２１７７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６１９４１号公報
【特許文献３】特許第３８０２０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
第２世代の５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、片面に設けられる３層ディスクが２５０ＧＢの容量を実現しなければならない。すなわち、１情報層あたりの記録容量を、第１世代の５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増やす必要がある。本開示は、第２世代のアーカイバル・ディスクまたはそれよりも大容量の記録媒体を実現できるように、記録密度を高くすることが可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。【０００７】
光学的情報記録媒体の記録容量を増やす一つの手法として、一つの情報層における記録密度を高くする方法がある。記録容量を高くする手段の一つとして、記録密度を高くすることが挙げられる。記録密度を高くする手段の一つとしては、最短マーク長を短くする方法が挙げられる。マーク長が短くなるほどそれら短マークの周期信号はより高周波数になり、システムノイズの影響を受けてディスクのＳ／Ｎ（Ｓ：信号、Ｎ：雑音）が低下し、信号品質が悪化するという課題が生じる。良好な信号品質を得るためには、光ピックアップに入ってくる再生光量を大きくしてＳ／Ｎを向上させる必要がある。再生光量は情報層の反射率と光ピックアップの再生パワーの積で決まる。本発明者らは、反射率をより大きくすることが可能な情報層の構成を検討した。【０００８】
ここで反射率について詳細を説明する。反射率は各情報層の案内溝（ランド部、グルーブ部）の反射率であり、情報層が積層されていない状態（即ち、単独層）で測定されるものをいう。実際にディスクを組み立てた状態にて、各情報層で測定される反射率は、実効反射率と呼ばれる。片面３層のアーカイバル・ディスクの場合、例えば、レーザ光より最も奥の情報層であるＬ０層の実効反射率は、再生レーザ光をディスクに入射させて、Ｌ０よりレーザ光照射側に位置する情報層のＬ２層とＬ１層を通過させてＬ０層に至った光が反射し、さらにＬ１層とＬ２層を通過して、光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。すなわち、Ｌ０層の実効反射率は、ピックアップを出た再生レーザパワー（１００％）に対する戻ってきた再生レーザパワーの割合を求めることによって測定される。Ｌ１層の実効反射率は、Ｌ２層を通過した光が反射されて、Ｌ２層を通過して光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。Ｌ２層の実効反射率は、他の情報層を通過せずに入射する光が反射されて、他の層を通過することなく光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。【０００９】
アーカイバル・ディスクはランド・アンド・グルーブ記録方式を採用している。この記録方式においては、記録密度を高くすると、クロストークの影響が大きくなる。これを低減するためには、溝深さをより深くすることが望ましいが、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。【００１０】
本開示においては、以上の反射率課題を解決した情報記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本開示における情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜とをこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする。【００１２】
また、情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程と、酸化ニオブ含む第３を形成する工程を含み、記録膜を形成する工程がＷ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第３誘電体膜を形成する工程がＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の情報記録媒体は、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜とをこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とし、高い反射率を得ることができる。【００１４】
また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における情報記録媒体の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明者らは、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体において、情報層の反射率を高めることができる記録膜、誘電体膜の材料およびその構成を発明した。具体的には、記録膜にはＷ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)を含み、Ｍｎが記録膜に含まれる金属元素比で１２原子％以上であること、第１および第２誘電体膜の酸化インジウム量が６０ｍｏｌ％以下であること、第３誘電体膜に酸化ニオブを含む誘電体膜を含むこと、またレーザ光照射より第２誘電体膜、記録膜、第３誘電体膜、第１誘電体膜をこの順に含むことを特徴とする。
【００１７】
具体的には、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜をこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満たす。高屈折率材料である酸化ニオブを第３誘電体膜に含むことで、高い反射率向上効果が得られる。
【００１８】
また、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜をこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含んでいる。高屈折率材料である酸化ニオブを第３誘電体膜に含むことで、高い反射率向上効果が得られる。
【００１９】
本開示の構成はレーザ光照射側より最も奥に位置するため反射率が高めにくい、Ｌ０層（第１情報層１０）に適用するのが効果的である。
【００２０】
また、本開示の情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程と、酸化ニオブ含む第３を形成する工程を含み、記録膜を形成する工程がＷ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第３誘電体膜を形成する工程がＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含んでいる。
【００２１】
（実施の形態１）
本開示の実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３００は、情報を記録再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれの３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
【００２２】
情報記録媒体３００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）で貼り合わせた両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
【００２３】
情報記録媒体３００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に記録再生し、例えば１情報層あたりの容量を８３．４ＧＢにすることで、情報記録媒体３００においては６つの情報層に記録再生できるので、５００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
【００２４】
３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより制御できる。
【００２５】
本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。
【００２６】
以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚みについて説明する。
【００２７】
基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、図示した形態において、基板１の厚さが約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、案内溝を基板１に形成した場合、全前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
【００２８】
中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の膜厚は異なる値が好ましい。また、中間分離層２および３などにおいてレーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
【００２９】
カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成する。カバー層４の厚みは、ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである４０μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ〜６５μｍ程度がより好ましい。
【００３０】
貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚みは５μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ〜５０μｍ程度がより好ましい。
【００３１】
ＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとした場合は、中間分離層２と３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。たとえば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
【００３２】
次にまず、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は、本開示の特徴となす情報層であり、基板１上に、第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００３３】
本開示の第１誘電体膜１１には、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
【００３４】
またＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等を含んでいてもよい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜１２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
【００３５】
第１誘電体膜１１の具体的な組成系としては、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２等が挙げられる。
【００３６】
また、第１誘電体膜１１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００３７】
ここで、上記第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する誘電体膜１３、１４、２１、２３、２４、３１、３３、３４にも同様に適用される。
【００３８】
本開示の第３誘電体膜１４には、本開示における酸化ニオブを含む誘電体を用いる。酸化ニオブの屈折率は４０５ｎｍにおいて約２．５と高い屈折率値を有するため、第１情報層１０の反射率を高めることができる。比較としては例えば、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５  ｍｏｌ％の屈折率は約２．１である。
【００３９】
また、第３誘電体膜１４における酸化ニオブは化学量論組成Ｎｂ２Ｏ５であってもよいし、それに対し酸素欠損（ＮｂＯｘと記載した場合、ｘ＜２．５）、酸素多寡（ＮｂＯｘと記載した場合、ｘ＞２．５）であってもよいが、本明細書においては便宜上いずれの組成比であってもＮｂ２Ｏ５と記載する。
【００４０】
また、第３誘電体膜１４には酸化ニオブの他に酸化ジルコニウム等を含んでもよい。具体的には、Ｎｂ２Ｏ５（前述のようにＮｂＯｘでもよい。以下、同様である。）、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２等が挙げられる。これらの材料においては、屈折率または成膜レートの観点からＮｂ２Ｏ５が５０ｍｏｌ％以上含んでいることが好ましい。
【００４１】
また、第３誘電体膜１４の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００４２】
本開示の記録膜１２は、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜１２に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足する必要がある。また記録膜１２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
【００４３】
具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏが挙げられる。
【００４４】
また、記録膜１２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００４５】
ここで、上記記録膜１２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜１２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜２２、３２にも同様に適用される。
【００４６】
本開示の第２誘電体膜１３は、前述した第１誘電体膜１１と同様の材料を用い、膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００４７】
第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、第２誘電体膜１３の具体的な膜厚に関してはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の膜厚により、記録膜１２が未記録状態での反射率や、記録状態および未記録状態での位相差によるグルーブおよびランド間の特性を好適化したりすることが可能である。
【００４８】
また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第１情報層１０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜１４を含まない構成）を適用することができる。
【００４９】
次に本開示の第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、第３誘電体膜２４、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００５０】
第１誘電体膜２１は、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。アクリル系の中間分離層２を用いる場合は、第１誘電体膜２１との作用による再生光劣化を抑制するため、第１誘電体膜１１よりも酸化インジウムの量を少なくすることが好ましい。
【００５１】
また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
【００５２】
またＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等を含んでいてもよい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜２１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜２２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
【００５３】
また、第１誘電体膜２１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００５４】
第３誘電体膜２４は、第３誘電体膜１４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第３誘電体膜２４の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００５５】
記録膜２２は、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜２２に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足する必要がある。また記録膜１２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
【００５６】
具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏが挙げられる。
【００５７】
また、Ｍｎ量が多くなると情報層２０の透過率が低下するため、ｑ≦４５を満足することが好ましい。
【００５８】
また、記録膜２２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００５９】
第２誘電体膜２３は、第１誘電体膜１３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第２誘電体膜２３の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６０】
また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第２情報層２０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜２４を含まない構成）を適用することができる。
【００６１】
次に、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、第３誘電体膜３４、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００６２】
第３情報層３０の構成は基本的には第２情報層２０と同様である。
【００６３】
第１誘電体膜３１は、第１誘電体膜２１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第１誘電体膜３１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６４】
第３誘電体膜３４は、第３誘電体膜２４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第３誘電体膜３４の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６５】
記録膜３２は、記録膜２２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。記録膜３２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００６６】
第２誘電体膜３３は、第２誘電体膜２３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第２誘電体膜３３の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６７】
また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第３情報層３０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜３４を含まない構成）を適用することができる。
【００６８】
また、他の形態として、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜がＴｅ−Ｏ−ＰｄやＧｅ−Ｂｉ−Ｏ等の他の記録膜材料であってもよく、必要に応じ反射膜や誘電体膜を設けてもよい。
【００６９】
あるいは、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本開示の効果は、これらの形態によらず得られる。
【００７０】
また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５もしくは０．９１である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）やＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間分離層とカバー層は５μｍ以下で形成してよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
【００７１】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３００の製造方法について説明する。
【００７２】
まずＡ面情報記録媒体１０１について説明する。
【００７３】
第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
【００７４】
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これは以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。また第１誘電体膜１１は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００７５】
続いて、第１誘電体膜１１上に第３誘電体膜１４を成膜する。第３誘電体膜１４は、第３誘電体膜１４を構成する酸化ニオブを含む誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれの雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することができる。このなかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。または必要に応じ、希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することもできる。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。
【００７６】
また、酸素を欠損させたＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）を含むスパッタリングターゲットを用いて、ＡｒまたはＡｒと酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することも可能である。この酸素を欠損させたＮｂＯｘを含むスパッタリングターゲットは高い導電性を有し、安定してＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを行うことが可能である。
【００７７】
また、金属Ｎｂからなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することも可能である。
【００７８】
また、第３誘電体膜１４は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００７９】
続いて、第３誘電体膜１４上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。このとき記録膜中に多くの酸素を取り入れるため、多量の酸素ガスを混合することが好ましい。また記録膜１２は構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００８０】
続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また第２誘電体膜１３は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００８１】
続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお中間分離層２に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された中間分離層２が形成できる。
【００８２】
続いて、第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の形成にはまず第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
【００８３】
続いて、第１誘電体膜２１上に第３誘電体膜２４を形成する。第３誘電体膜２４は、酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１４と同様の方法で形成できる。
【００８４】
続いて、第３誘電体膜２４上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、Ｗ−Ｍｎ−Ｍ３またはＷ−Ｍｎ−Ｍ３−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
【００８５】
続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
【００８６】
続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
【００８７】
続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０の形成方法は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。
【００８８】
まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜２１と同様の方法で形成できる。
【００８９】
続いて、第１誘電体膜３１上に第３誘電体膜３４を形成する。第３誘電体膜３４は、前述した第３誘電体膜２４と同様の方法で形成できる。
【００９０】
続いて、第３誘電体膜３４上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜２２と同様の方法で形成できる。
【００９１】
続けて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜２３と同様の方法で形成できる。
【００９２】
供給電力はずれも１００Ｗ〜１０ｋＷであり、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとした。
【００９３】
続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
【００９４】
各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げ、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下で成膜することが好ましく、５秒以下であれば尚好ましい。
【００９５】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【００９６】
このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。
【００９７】
同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
【００９８】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝と反対面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体の基板１の案内溝と反対面と合わせ、樹脂を硬化させることで貼り合わせ層５を形成する。尚、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を用いて、Ａ面情報記録媒体１０１に光硬化型樹脂を均一に塗布した後に光を当て、その後Ｂ面情報記録媒体を合わせ貼り合わせ層５を形成してもよい。
【００９９】
このようにして、実施の形態１の両面に情報層を有する情報記録媒体３００を製造することができる。
【０１００】
（実施例１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体３００の製造方法である。
【０１０１】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
【０１０２】
次に、第３誘電体膜１４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
【０１０３】
次に記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ２０−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ２９−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−ＯおよびＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３０ｎｍ〜３５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクを、ディスクＮｏ．１−６０１〜１−６０４とする。また、比較例として、第３誘電体膜１４を設けず、記録膜１２にＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ適用したディスクを作製した。
【０１０４】
次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を９ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
【０１０５】
また、第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１０６】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例では第２情報層２０における第３誘電体膜２４は設けていない。
【０１０７】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
【０１０８】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１０９】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例では第３情報層３０における第３誘電体膜３４は設けていない。
【０１１０】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。
【０１１１】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１１２】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
【０１１３】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
【０１１４】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は全述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
【０１１５】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝と逆面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と逆面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
【０１１６】
このようにして本実施例の情報記録媒体３００を作製した。
【０１１７】
情報記録媒体３００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける反射率の評価を行った。
【０１１８】
反射率の測定は評価機（パルステック製ＯＤＵ−１０００）を用い、波長は４０５ｎｍのレーザ光６により、グルーブおよびランドの反射率測定を行った。
【０１１９】
評価結果を表１に示す。
【０１２０】
【表１】
2017159560.tif 000003
【０１２１】
ディスクＮｏ．１−６０１〜１−６０４において良好な結果が得られた。
【０１２２】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表１と同等の結果が得られた。
【０１２３】
（実施例２）
本実施例では図１に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体３００の製造方法である。
【０１２４】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第３誘電体膜１４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ２７Ｃｕ１８Ｚｎ２９Ｍｎ２６−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を９ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１２５】
次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒１０．５％、Ｒｌ≒１１．０％となるように各膜の膜厚を決定した。
【０１２６】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１２７】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第３誘電体膜２４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１２８】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．０％、Ｒｌ≒９．５％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
【０１２９】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜２４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１３０】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、第３誘電体膜３４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１３１】
次に記録膜３２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−ＯおよびＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．２−６０１〜２−６０３とする。また、比較例として、第３誘電体膜３４を設けず、記録膜３２にＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ適用したディスクを作製した。
【０１３２】
次に第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１３３】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。第３誘電体膜３４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１３４】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
【０１３５】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
【０１３６】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は全述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
【０１３７】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝と逆面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と逆面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
【０１３８】
このようにして本実施例の情報記録媒体３００を作製した。
【０１３９】
情報記録媒体３００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける反射率の評価を行った。
【０１４０】
反射率の測定は評価機（パルステック製ＯＤＵ−１０００）を用い、波長は４０５ｎｍのレーザ光６により、グルーブおよびランドの反射率測定を行った。
【０１４１】
評価結果を表２に示す。
【０１４２】
【表２】
2017159560.tif 000004
【０１４３】
ディスクＮｏ．２−６０１〜２−６０３において良好な結果が得られた。
【０１４４】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０においても表２と同等の結果が得られた。
【０１４５】
このようにレーザ光照射側より酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜と、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含む記録膜と、酸化ニオブを含む誘電体膜および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む電体膜をこの順に有し、３層以上の情報層を含む情報記録媒体において、情報層の反射率を高めた情報記録媒体が得られた。
【０１４６】
（その他の実施例）
上記の実施例１、２においては一つの情報層にレーザ光照射側より、第２誘電体膜、記録膜、第３誘電体膜、および第１誘電体膜を順に有する構成について説明した。しかし、本開示で説明する内容はこれに限定するものではない。例えば、一つの情報層を第２誘電体膜、記録膜、および第３誘電体膜で構成するものであってもよい。この場合の評価結果を表３、および表４に示す。
【０１４７】
【表３】
2017159560.tif 000005
【０１４８】
【表４】
2017159560.tif 000006
【０１４９】
この場合でも、ディスクＮｏ．３−６０１〜３−６０４、およびＮｏ．４−６０１〜４−６０３において良好な結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録・再生特性を示し高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録・保存する多層追記型光ディスクに有用である。特に次世代の両面に３層の情報層を有する光ディスク（容量５００ＧＢ等）に有用である。
【符号の説明】
【０１５１】
３００  情報記録媒体
１０１  Ａ面情報記録媒体
１０２  Ｂ面情報記録媒体
１０，２０，３０  情報層
１２，２２，３２  記録膜
１１，２１，３１  第１誘電体膜
１３，２３，３３  第２誘電体膜
１４，２４，３４  第３誘電体膜
１  基板
２，３  中間分離層
４  カバー層
５  貼り合わせ層
６  レーザ光
【図１】
2017159560.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ(登録商標））がある。これらの媒体においては、記録再生レーザ波長を短くしたり、レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くしたり、トラックピッチをつめることにより高密度化（大容量化）を実現してきた。
【０００３】
ＢＤにおいては、ＢＤ−ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のものが製品化されている。このＢＤ−ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層を３層化、また１情報層あたりの記録密度を３３．４ＧＢにすることにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。今後はさらに線密度を高くし、またランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録による３００ＧＢ容量以上のメディア（アーカイバル・ディスク）が提案されている。
【０００４】
光学的情報記録媒体の特長として優れた長期保存性が挙げられる。そのため前述した大容量のメディアは、公文書・医療画像・動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアには、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば結晶−アモルファスの相変化を利用したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ（特許文献１参照）や、バブルによりマーク（ピット）を形成するＷ−Ｏ（特許文献２参照）やＧｅ−Ｂｉ−Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３７５２１７７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６１９４１号公報
【特許文献３】特許第３８０２０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
第２世代の５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、片面に設けられる３層ディスクが２５０ＧＢの容量を実現しなければならない。すなわち、１情報層あたりの記録容量を、第１世代の５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増やす必要がある。本開示は、第２世代のアーカイバル・ディスクまたはそれよりも大容量の記録媒体を実現できるように、記録密度を高くすることが可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
光学的情報記録媒体の記録容量を増やす一つの手法として、一つの情報層における記録密度を高くする方法がある。記録容量を高くする手段の一つとして、記録密度を高くすることが挙げられる。記録密度を高くする手段の一つとしては、最短マーク長を短くする方法が挙げられる。マーク長が短くなるほどそれら短マークの周期信号はより高周波数になり、システムノイズの影響を受けてディスクのＳ／Ｎ（Ｓ：信号、Ｎ：雑音）が低下し、信号品質が悪化するという課題が生じる。良好な信号品質を得るためには、光ピックアップに入ってくる再生光量を大きくしてＳ／Ｎを向上させる必要がある。再生光量は情報層の反射率と光ピックアップの再生パワーの積で決まる。本発明者らは、反射率をより大きくすることが可能な情報層の構成を検討した。
【０００８】
ここで反射率について詳細を説明する。反射率は各情報層の案内溝（ランド部、グルーブ部）の反射率であり、情報層が積層されていない状態（即ち、単独層）で測定されるものをいう。実際にディスクを組み立てた状態にて、各情報層で測定される反射率は、実効反射率と呼ばれる。片面３層のアーカイバル・ディスクの場合、例えば、レーザ光より最も奥の情報層であるＬ０層の実効反射率は、再生レーザ光をディスクに入射させて、Ｌ０よりレーザ光照射側に位置する情報層のＬ２層とＬ１層を通過させてＬ０層に至った光が反射し、さらにＬ１層とＬ２層を通過して、光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。すなわち、Ｌ０層の実効反射率は、ピックアップを出た再生レーザパワー（１００％）に対する戻ってきた再生レーザパワーの割合を求めることによって測定される。Ｌ１層の実効反射率は、Ｌ２層を通過した光が反射されて、Ｌ２層を通過して光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。Ｌ２層の実効反射率は、他の情報層を通過せずに入射する光が反射されて、他の層を通過することなく光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。
【０００９】
アーカイバル・ディスクはランド・アンド・グルーブ記録方式を採用している。この記録方式においては、記録密度を高くすると、クロストークの影響が大きくなる。これを低減するためには、溝深さをより深くすることが望ましいが、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。
【００１０】
本開示においては、以上の反射率課題を解決した情報記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本開示における情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜とをこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする。
【００１２】
また、情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程と、酸化ニオブ含む第３を形成する工程を含み、記録膜を形成する工程がＷ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第３誘電体膜を形成する工程がＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の情報記録媒体は、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜とをこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とし、高い反射率を得ることができる。
【００１４】
また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における情報記録媒体の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明者らは、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体において、情報層の反射率を高めることができる記録膜、誘電体膜の材料およびその構成を発明した。具体的には、記録膜にはＷ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)を含み、Ｍｎが記録膜に含まれる金属元素比で１２原子％以上であること、第１および第２誘電体膜の酸化インジウム量が６０ｍｏｌ％以下であること、第３誘電体膜に酸化ニオブを含む誘電体膜を含むこと、またレーザ光照射より第２誘電体膜、記録膜、第３誘電体膜、第１誘電体膜をこの順に含むことを特徴とする。
【００１７】
具体的には、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜をこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満たす。高屈折率材料である酸化ニオブを第３誘電体膜に含むことで、高い反射率向上効果が得られる。
【００１８】
また、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ニオブを含む第３誘電体膜、および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜をこの順に有し、記録膜がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含んでいる。高屈折率材料である酸化ニオブを第３誘電体膜に含むことで、高い反射率向上効果が得られる。
【００１９】
本開示の構成はレーザ光照射側より最も奥に位置するため反射率が高めにくい、Ｌ０層（第１情報層１０）に適用するのが効果的である。
【００２０】
また、本開示の情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程と、酸化ニオブ含む第３を形成する工程を含み、記録膜を形成する工程がＷ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、第３誘電体膜を形成する工程がＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含んでいる。
【００２１】
（実施の形態１）
本開示の実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３００は、情報を記録再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれの３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
【００２２】
情報記録媒体３００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）で貼り合わせた両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
【００２３】
情報記録媒体３００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に記録再生し、例えば１情報層あたりの容量を８３．４ＧＢにすることで、情報記録媒体３００においては６つの情報層に記録再生できるので、５００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
【００２４】
３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより制御できる。
【００２５】
本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。
【００２６】
以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚みについて説明する。
【００２７】
基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、図示した形態において、基板１の厚さが約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、案内溝を基板１に形成した場合、全前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
【００２８】
中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の膜厚は異なる値が好ましい。また、中間分離層２および３などにおいてレーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
【００２９】
カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成する。カバー層４の厚みは、ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである４０μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ〜６５μｍ程度がより好ましい。
【００３０】
貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚みは５μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ〜５０μｍ程度がより好ましい。
【００３１】
ＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとした場合は、中間分離層２と３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。たとえば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
【００３２】
次にまず、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は、本開示の特徴となす情報層であり、基板１上に、第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００３３】
本開示の第１誘電体膜１１には、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
【００３４】
またＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等を含んでいてもよい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜１２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
【００３５】
第１誘電体膜１１の具体的な組成系としては、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２等が挙げられる。
【００３６】
また、第１誘電体膜１１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００３７】
ここで、上記第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する誘電体膜１３、１４、２１、２３、２４、３１、３３、３４にも同様に適用される。
【００３８】
本開示の第３誘電体膜１４には、本開示における酸化ニオブを含む誘電体を用いる。酸化ニオブの屈折率は４０５ｎｍにおいて約２．５と高い屈折率値を有するため、第１情報層１０の反射率を高めることができる。比較としては例えば、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５  ｍｏｌ％の屈折率は約２．１である。
【００３９】
また、第３誘電体膜１４における酸化ニオブは化学量論組成Ｎｂ２Ｏ５であってもよいし、それに対し酸素欠損（ＮｂＯｘと記載した場合、ｘ＜２．５）、酸素多寡（ＮｂＯｘと記載した場合、ｘ＞２．５）であってもよいが、本明細書においては便宜上いずれの組成比であってもＮｂ２Ｏ５と記載する。
【００４０】
また、第３誘電体膜１４には酸化ニオブの他に酸化ジルコニウム等を含んでもよい。具体的には、Ｎｂ２Ｏ５（前述のようにＮｂＯｘでもよい。以下、同様である。）、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５−ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５−ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５−ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２等が挙げられる。これらの材料においては、屈折率または成膜レートの観点からＮｂ２Ｏ５が５０ｍｏｌ％以上含んでいることが好ましい。
【００４１】
また、第３誘電体膜１４の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００４２】
本開示の記録膜１２は、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜１２に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足する必要がある。また記録膜１２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
【００４３】
具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏが挙げられる。
【００４４】
また、記録膜１２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００４５】
ここで、上記記録膜１２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜１２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜２２、３２にも同様に適用される。
【００４６】
本開示の第２誘電体膜１３は、前述した第１誘電体膜１１と同様の材料を用い、膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００４７】
第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、第２誘電体膜１３の具体的な膜厚に関してはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の膜厚により、記録膜１２が未記録状態での反射率や、記録状態および未記録状態での位相差によるグルーブおよびランド間の特性を好適化したりすることが可能である。
【００４８】
また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第１情報層１０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜１４を含まない構成）を適用することができる。
【００４９】
次に本開示の第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、第３誘電体膜２４、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００５０】
第１誘電体膜２１は、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。アクリル系の中間分離層２を用いる場合は、第１誘電体膜２１との作用による再生光劣化を抑制するため、第１誘電体膜１１よりも酸化インジウムの量を少なくすることが好ましい。
【００５１】
また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
【００５２】
またＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等を含んでいてもよい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜２１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜２２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
【００５３】
また、第１誘電体膜２１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００５４】
第３誘電体膜２４は、第３誘電体膜１４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第３誘電体膜２４の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００５５】
記録膜２２は、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜２２に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、ｑ≧１２を満足する必要がある。また記録膜１２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
【００５６】
具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏが挙げられる。
【００５７】
また、Ｍｎ量が多くなると情報層２０の透過率が低下するため、ｑ≦４５を満足することが好ましい。
【００５８】
また、記録膜２２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００５９】
第２誘電体膜２３は、第１誘電体膜１３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第２誘電体膜２３の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６０】
また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第２情報層２０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜２４を含まない構成）を適用することができる。
【００６１】
次に、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、第３誘電体膜３４、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００６２】
第３情報層３０の構成は基本的には第２情報層２０と同様である。
【００６３】
第１誘電体膜３１は、第１誘電体膜２１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第１誘電体膜３１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６４】
第３誘電体膜３４は、第３誘電体膜２４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第３誘電体膜３４の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６５】
記録膜３２は、記録膜２２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。記録膜３２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００６６】
第２誘電体膜３３は、第２誘電体膜２３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。第２誘電体膜３３の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６７】
また、他の情報層に、本開示の第１誘電体膜、第３誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜を含む構成を適用している場合、第３情報層３０の構成は本開示の構成に限らず他の構成（例えば、第３誘電体膜３４を含まない構成）を適用することができる。
【００６８】
また、他の形態として、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜がＴｅ−Ｏ−ＰｄやＧｅ−Ｂｉ−Ｏ等の他の記録膜材料であってもよく、必要に応じ反射膜や誘電体膜を設けてもよい。
【００６９】
あるいは、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本開示の効果は、これらの形態によらず得られる。
【００７０】
また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５もしくは０．９１である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）やＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間分離層とカバー層は５μｍ以下で形成してよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
【００７１】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３００の製造方法について説明する。
【００７２】
まずＡ面情報記録媒体１０１について説明する。
【００７３】
第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
【００７４】
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これは以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。また第１誘電体膜１１は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００７５】
続いて、第１誘電体膜１１上に第３誘電体膜１４を成膜する。第３誘電体膜１４は、第３誘電体膜１４を構成する酸化ニオブを含む誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれの雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することができる。このなかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。または必要に応じ、希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することもできる。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。
【００７６】
また、酸素を欠損させたＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）を含むスパッタリングターゲットを用いて、ＡｒまたはＡｒと酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することも可能である。この酸素を欠損させたＮｂＯｘを含むスパッタリングターゲットは高い導電性を有し、安定してＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを行うことが可能である。
【００７７】
また、金属Ｎｂからなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することも可能である。
【００７８】
また、第３誘電体膜１４は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００７９】
続いて、第３誘電体膜１４上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。このとき記録膜中に多くの酸素を取り入れるため、多量の酸素ガスを混合することが好ましい。また記録膜１２は構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００８０】
続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また第２誘電体膜１３は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００８１】
続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお中間分離層２に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された中間分離層２が形成できる。
【００８２】
続いて、第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の形成にはまず第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
【００８３】
続いて、第１誘電体膜２１上に第３誘電体膜２４を形成する。第３誘電体膜２４は、酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１４と同様の方法で形成できる。
【００８４】
続いて、第３誘電体膜２４上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、Ｗ−Ｍｎ−Ｍ３またはＷ−Ｍｎ−Ｍ３−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
【００８５】
続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
【００８６】
続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
【００８７】
続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０の形成方法は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。
【００８８】
まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜２１と同様の方法で形成できる。
【００８９】
続いて、第１誘電体膜３１上に第３誘電体膜３４を形成する。第３誘電体膜３４は、前述した第３誘電体膜２４と同様の方法で形成できる。
【００９０】
続いて、第３誘電体膜３４上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜２２と同様の方法で形成できる。
【００９１】
続けて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜２３と同様の方法で形成できる。
【００９２】
供給電力はずれも１００Ｗ〜１０ｋＷであり、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとした。
【００９３】
続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
【００９４】
各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げ、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下で成膜することが好ましく、５秒以下であれば尚好ましい。
【００９５】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【００９６】
このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。
【００９７】
同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
【００９８】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝と反対面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体の基板１の案内溝と反対面と合わせ、樹脂を硬化させることで貼り合わせ層５を形成する。尚、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を用いて、Ａ面情報記録媒体１０１に光硬化型樹脂を均一に塗布した後に光を当て、その後Ｂ面情報記録媒体を合わせ貼り合わせ層５を形成してもよい。
【００９９】
このようにして、実施の形態１の両面に情報層を有する情報記録媒体３００を製造することができる。
【０１００】
（実施例１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体３００の製造方法である。
【０１０１】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
【０１０２】
次に、第３誘電体膜１４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
【０１０３】
次に記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ２０−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ２９−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−ＯおよびＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３０ｎｍ〜３５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクを、ディスクＮｏ．１−６０１〜１−６０４とする。また、比較例として、第３誘電体膜１４を設けず、記録膜１２にＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ適用したディスクを作製した。
【０１０４】
次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を９ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
【０１０５】
また、第１誘電体膜１１、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１０６】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例では第２情報層２０における第３誘電体膜２４は設けていない。
【０１０７】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
【０１０８】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１０９】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例では第３情報層３０における第３誘電体膜３４は設けていない。
【０１１０】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。
【０１１１】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１１２】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
【０１１３】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
【０１１４】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は全述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
【０１１５】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝と逆面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と逆面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
【０１１６】
このようにして本実施例の情報記録媒体３００を作製した。
【０１１７】
情報記録媒体３００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける反射率の評価を行った。
【０１１８】
反射率の測定は評価機（パルステック製ＯＤＵ−１０００）を用い、波長は４０５ｎｍのレーザ光６により、グルーブおよびランドの反射率測定を行った。
【０１１９】
評価結果を表１に示す。
【０１２０】
【表１】
2017159560.tif 000008
【０１２１】
ディスクＮｏ．１−６０１〜１−６０４において良好な結果が得られた。
【０１２２】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表１と同等の結果が得られた。
【０１２３】
（実施例２）
本実施例では図１に示す情報記録媒体３００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体３００の製造方法である。
【０１２４】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第３誘電体膜１４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ２７Ｃｕ１８Ｚｎ２９Ｍｎ２６−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を９ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１２５】
次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒１０．５％、Ｒｌ≒１１．０％となるように各膜の膜厚を決定した。
【０１２６】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１２７】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第３誘電体膜２４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１２８】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．０％、Ｒｌ≒９．５％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
【０１２９】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。第３誘電体膜２４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１３０】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本発明の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、第３誘電体膜３４としてＮｂ２Ｏ５を１２ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１３１】
次に記録膜３２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−ＯおよびＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．２−６０１〜２−６０３とする。また、比較例として、第３誘電体膜３４を設けず、記録膜３２にＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ適用したディスクを作製した。
【０１３２】
次に第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
【０１３３】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。第３誘電体膜３４の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２雰囲気でＮｂＯｘ（ｘ＜２．５）ターゲットを用いてＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
【０１３４】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
【０１３５】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
【０１３６】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は全述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
【０１３７】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝と逆面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と逆面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
【０１３８】
このようにして本実施例の情報記録媒体３００を作製した。
【０１３９】
情報記録媒体３００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける反射率の評価を行った。
【０１４０】
反射率の測定は評価機（パルステック製ＯＤＵ−１０００）を用い、波長は４０５ｎｍのレーザ光６により、グルーブおよびランドの反射率測定を行った。
【０１４１】
評価結果を表２に示す。
【０１４２】
【表２】
2017159560.tif 000009
【０１４３】
ディスクＮｏ．２−６０１〜２−６０３において良好な結果が得られた。
【０１４４】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０においても表２と同等の結果が得られた。
【０１４５】
このようにレーザ光照射側より酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜と、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)およびＯを含む記録膜と、酸化ニオブを含む誘電体膜および酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む電体膜をこの順に有し、３層以上の情報層を含む情報記録媒体において、情報層の反射率を高めた情報記録媒体が得られた。
【０１４６】
（その他の実施例）
上記の実施例１、２においては一つの情報層にレーザ光照射側より、第２誘電体膜、記録膜、第３誘電体膜、および第１誘電体膜を順に有する構成について説明した。しかし、本開示で説明する内容はこれに限定するものではない。例えば、一つの情報層を第２誘電体膜、記録膜、および第３誘電体膜で構成するものであってもよい。この場合の評価結果を表３、および表４に示す。
【０１４７】
【表３】
2017159560.tif 000010
【０１４８】
【表４】
2017159560.tif 000011
【０１４９】
この場合でも、ディスクＮｏ．３−６０１〜３−６０４、およびＮｏ．４−６０１〜４−６０３において良好な結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録・再生特性を示し高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録・保存する多層追記型光ディスクに有用である。特に次世代の両面に３層の情報層を有する光ディスク（容量５００ＧＢ等）に有用である。
【符号の説明】
【０１５１】
３００    情報記録媒体
１０１    Ａ面情報記録媒体
１０２    Ｂ面情報記録媒体
１０，２０，３０    情報層
１２，２２，３２    記録膜
１１，２１，３１    第１誘電体膜
１３，２３，３３    第２誘電体膜
１４，２４，３４    第３誘電体膜
１    基板
２，３    中間分離層
４    カバー層
５    貼り合わせ層
６    レーザ光
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、
少なくとも一つの前記情報層は、レーザ光を照射する側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜とを有し、
前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
前記記録膜は、前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生され、
前記記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、前記記録膜は、ｑ≧１２を満足することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの前記情報層にレーザ光を照射する側より順に、第２誘電体膜と、記録膜と、第３誘電体膜と、第１誘電体膜とを有し、
前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
前記第１誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記記録膜は、前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生され、
前記記録膜に含まれる金属元素をＷｐＭｎｑＭ３ｒ（原子％）と表記した場合、前記記録膜は、ｑ≧１２を満足し、且つ、前記第１誘電体膜は、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を３つ以上含み、
少なくとも１つの前記情報層を形成する工程は、記録膜を形成する工程と、第１誘電体膜および第２誘電体膜を形成する工程と、第３誘電体膜を形成する工程とを含み、
前記記録膜は、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ３(但し、Ｍ３はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素)および酸素（Ｏ）を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、
前記第３誘電体膜は、酸化ニオブを含み、
前記記録膜を形成する前記工程は、Ｗ、Ｍ３およびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する前記工程は、ＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、
前記第３誘電体膜を形成する前記工程は、ＮｂおよびＯを含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【国際調査報告】
2017159560.tif 000013
2017159560.tif 000014
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