(57)【要約】  電源回路からの出力の安定性を向上させる。  ハイサイド側のスイッチング素子（Ｑ１，Ｑ３）と、当該スイッチング素子に対して直列に接続されるローサイド側のスイッチング素子（Ｑ２，Ｑ４）とを有するスイッチング素子対（１０Ａ，１０Ｂ）と、スイッチング素子対を構成する各スイッチング素子を相補的に駆動する制御部（２）とを有し、制御部（２）は、第１の期間（定常動作）におけるハイサイド側のスイッチング素子およびローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティと、第２の期間（Ｑ１駆動電圧維持動作）におけるハイサイド側のスイッチング素子およびローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティとが異なるように、各スイッチング素子のオン／オフを制御する電源回路である。
2018116695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイサイド側のスイッチング素子と、当該スイッチング素子に対して直列に接続されるローサイド側のスイッチング素子とを有するスイッチング素子対と、  前記スイッチング素子対を構成する各スイッチング素子を相補的に駆動する制御部とを有し、  前記制御部は、第１の期間における前記ハイサイド側のスイッチング素子および前記ローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティと、第２の期間における前記ハイサイド側のスイッチング素子および前記ローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティとが異なるように、各スイッチング素子のオン／オフを制御する  電源回路。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２の期間において前記ローサイド側のスイッチング素子がオンする期間が、前記第１の期間において前記ローサイド側のスイッチング素子がオンする期間より長くなる制御を実行する  請求項１に記載の電源回路。
【請求項３】
前記スイッチング素子対は、ハイサイド側の第１のスイッチング素子とローサイド側の第２のスイッチング素子とを有する第１のスイッチング素子対と、ハイサイド側の第３のスイッチング素子とローサイド側の第４のスイッチング素子とを有する第２のスイッチング素子対とを有する  請求項１に記載の電源回路。
【請求項４】
前記制御部は、入力電圧を昇圧する昇圧動作において、前記第３のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とを相補的に駆動し、入力電圧を降圧する降圧動作において、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とを相補的に駆動する  請求項３に記載の電源回路。
【請求項５】
前記第１のスイッチング素子を駆動するために前記入力電圧以上に昇圧された第１の駆動信号を生成する第１のブートストラップ回路と、  前記第３のスイッチング素子を駆動するために前記入力電圧以上に昇圧された第２の駆動信号を生成する第２のブートストラップ回路とを有する  請求項４に記載の電源回路。
【請求項６】
前記第１のブートストラップ回路は、第１のブートストラップコンデンサを有し、  前記第２のブートストラップ回路は、第２のブートストラップコンデンサを有し、  前記第２の期間は、前記第１および前記第２のブートストラップコンデンサのいずれかを充電するための期間である  請求項５に記載の電源回路。
【請求項７】
前記制御部は、  前記第１の期間において、前記第１のスイッチング素子をオンしつつ、前記第３のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とを相補的に駆動し、  前記第２の期間の所定のタイミングにおいて、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とがともにオンとなるように、各スイッチング素子を駆動し、  前記第２の期間において前記第４のスイッチング素子がオンする期間が、前記第１の期間において前記第４のスイッチング素子がオンする期間より長くなる制御を実行する  請求項３に記載の電源回路。
【請求項８】
前記制御部は、  前記第１の期間において、前記第３のスイッチング素子をオンしつつ、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とを相補的に駆動し、  前記第２の期間の所定のタイミングにおいて、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とがともにオンとなるように、各スイッチング素子を駆動し、  前記第２の期間において前記第２のスイッチング素子がオンする期間が、前記第１の期間において前記第２のスイッチング素子がオンする期間より長くなる制御を実行する  請求項３に記載の電源回路。
【請求項９】
前記第１の期間と前記第２の期間とがスイッチング周期に対応した同一の長さである  請求項１に記載の電源回路。
【請求項１０】
前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子との間の接続中点と、前記第３のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子との間の接続中点とがインダクタを介して接続されている  請求項３に記載の電源回路。
【請求項１１】
前記スイッチング素子がＮ型のＭＯＳＦＥＴにより構成される  請求項１に記載の電源回路。
【請求項１２】
入出力を反対にした場合でも動作する双方向性の回路である  請求項１に記載の電源回路。
【請求項１３】
前記制御部は、それぞれのスイッチング素子がオン／オフする期間をデジタル演算により算出する  請求項１に記載の電源回路。
【請求項１４】
請求項１に記載の電源回路を含む電源システムから、電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、前記蓄電装置に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行なう制御装置とを有する電動車両。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、電源回路および電動車両に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来から、昇降圧動作が可能である電源回路が提案されている（例えば、下記特許文献１を参照のこと。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２９３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  このような分野では、電源回路からの出力の安定性を向上させることが望まれている。【０００５】  したがって、本開示は、電源回路からの出力の安定性を向上させた電源回路および電動車両を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本開示は、例えば、  ハイサイド側のスイッチング素子と、当該スイッチング素子に対して直列に接続されるローサイド側のスイッチング素子とを有するスイッチング素子対と、  スイッチング素子対を構成する各スイッチング素子を相補的に駆動する制御部とを有し、  制御部は、第１の期間におけるハイサイド側のスイッチング素子およびローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティと、第２の期間におけるハイサイド側のスイッチング素子およびローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティとが異なるように、各スイッチング素子のオン／オフを制御する  電源回路である。【０００７】  また、本開示は、  上述した電源回路を含む電源システムから、電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、蓄電装置に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行なう制御装置とを有する電動車両でもよい。
【発明の効果】
【０００８】  本開示の少なくとも一つの実施形態によれば、電源回路からの出力の安定性を向上させることができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。また、例示された効果により本開示の内容が限定して解釈されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る電源回路の構成例を示す回路図である。
【図２】図２は、一般的な昇圧動作により電源回路の出力が変動することを説明するための図である。
【図３】図３は、一般的な降圧動作により電源回路の出力が変動することを説明するための図である。
【図４】図４は、一実施形態に係る電源回路の昇圧動作を説明するための図である。
【図５】図５は、一実施形態に係る電源回路の降圧動作を説明するための図である。
【図６】図６は、応用例を説明するための図である。
【図７】図７は、応用例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】  以下、本開示の実施形態等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。＜１．一実施形態＞＜２．変形例＞＜３．応用例＞  以下に説明する実施形態等は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容がこれらの実施形態等に限定されるものではない。
【００１１】＜１．一実施形態＞［電源回路の構成例］  図１は、一実施形態に係る電源回路（電源回路１）の構成例を示す回路図である。電源回路１は、例えば入力電圧を昇降圧可能なコンバータであり、概略的には、スイッチング素子の一例であるＮ型のＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)Ｑ１とＭＯＳＦＥＴＱ２とが直列接続されたハーフブリッジ回路１０Ａと、ＭＯＳＦＥＴＱ３とＭＯＳＦＥＴＱ４とが直列接続されたハーフブリッジ回路１０Ｂとが結合されて構成されている。ＭＯＳＦＥＴＱ１、Ｑ２により第１のスイッチング素子対が構成され、ＭＯＳＦＥＴＱ３、Ｑ４により第２のスイッチング素子対が構成される。
【００１２】  電源回路１の構成例について詳細に説明する。ハーフブリッジ回路１０Ａに対して入力端子ＩＮとグランドＧＮＤとが接続されている。具体的には、ハイサイド側のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴＱ１に対して入力端子ＩＮが接続されており、ローサイド側のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴＱ２に対してグランドＧＮＤが接続されている。なお、ハイサイド側のスイッチング素子とは高電位側に接続されるスイッチング素子であり、ローサイド側のスイッチング素子とは低電位側に接続されるスイッチング素子である。
【００１３】  入力端子ＩＮは図示しない電源に接続されており、当該電源から電源回路１に対して入力電圧Ｖｉｎが供給される。入力電圧Ｖｉｎは、例えば１００〜４００Ｖ程度である。入力端子ＩＮとグランドＧＮＤとの間には、安定化のためのコンデンサＣ１が接続されている。
【００１４】  ハーフブリッジ回路１０Ｂに対して出力端子ＯＵＴとグランドＧＮＤとが接続されている。具体的には、ハイサイド側のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴＱ３に対して出力端子ＯＵＴが接続されており、ローサイド側のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴＱ４に対してグランドＧＮＤが接続されている。ハーフブリッジ回路１０Ｂの出力側には、コンデンサＣ６や図示しない負荷が接続される。
【００１５】  ＭＯＳＦＥＴＱ１とＭＯＳＦＥＴＱ２との間の接続中点と、ＭＯＳＦＥＴＱ３とＭＯＳＦＥＴＱ４との間の接続中点とがインダクタＬ１を介して接続されている。
【００１６】  ハーフブリッジ（ＨＢ）ドライバＩＣ１は、コントローラ２からの制御信号に応じてＭＯＳＦＥＴＱ１とＭＯＳＦＥＴＱ２とを相補的に駆動する。相補的に駆動するとは、一方のＭＯＳＦＥＴがオンしているときは他方のＭＯＳＦＥＴがオフするように駆動することをいう。ハーフブリッジドライバＩＣ１内には、スイッチＳＷ１と、スイッチＳＷ１に直列接続されるスイッチＳＷ２と、スイッチＳＷ１ａと、スイッチＳＷ１ａに直列接続されるスイッチＳＷ２ａとが設けられている。スイッチＳＷ１ａとスイッチＳＷ２ａとの間の接続中点がＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートに接続されており、スイッチＳＷ１ａは、当該接続中点およびコンデンサＣ３の一端側に接続され、スイッチＳＷ２ａは、当該接続中点およびグランドＧＮＤに接続されている。また、ハーフブリッジドライバＩＣ２は、コントローラ２からの制御信号に応じてＭＯＳＦＥＴＱ３とＭＯＳＦＥＴＱ４とを相補的に駆動する。ハーフブリッジドライバＩＣ２内には、スイッチＳＷ３と、スイッチＳＷ３に直列接続されるスイッチＳＷ４と、スイッチＳＷ３ａと、スイッチＳＷ３ａに直列接続されるスイッチＳＷ４ａとが設けられている。スイッチＳＷ３ａとスイッチＳＷ４ａとの間の接続中点がＭＯＳＦＥＴＱ４のゲートに接続されており、スイッチＳＷ３ａは、当該接続中点およびコンデンサＣ５の一端側に接続され、スイッチＳＷ４ａは、当該接続中点およびグランドＧＮＤに接続されている。
【００１７】  電圧Ｖｃｃは、ＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ４およびハーフブリッジドライバＩＣ１、ＩＣ２の駆動用の電源電圧であり、例えば１０〜数１０Ｖ程度である。例えば、電圧Ｖｃｃは、コンデンサＣ３、Ｃ５を介してハーフブリッジドライバＩＣ１、ＩＣ２のそれぞれに供給され、ＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４の駆動用の電源として用いられる。
【００１８】  ダイオードＤ１およびコンデンサ（ブートストラップコンデンサ）Ｃ２は、ＭＯＳＦＥＴＱ１を駆動するための入力電圧Ｖｉｎ以上に昇圧された駆動信号を生成するブートストラップ（第１のブートスラップ回路）回路である。ダイオードＤ１のカソードおよびコンデンサＣ２の一端側が、ハーフブリッジドライバＩＣ１内のスイッチＳＷ１に接続され、ダイオードＤ１のアノードおよびコンデンサＣ２の他端側が、ハーフブリッジドライバＩＣ１内のスイッチＳＷ２に接続されている。スイッチＳＷ１、ＳＷ２が相補的に駆動することにより、電圧ＶｃｃによるコンデンサＣ２のチャージと、ＭＯＳＦＥＴＱ１への駆動電圧（ソース基準の電圧）への印加とが切り替えられる。ＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートには、グランドＧＮＤからみて（入力電圧Ｖｉｎ＋電圧Ｖｃｃ）が印加される。
【００１９】  ダイオードＤ２およびコンデンサ（ブートストラップコンデンサ）Ｃ４は、ＭＯＳＦＥＴＱ３を駆動するための入力電圧Ｖｉｎ以上に昇圧された駆動信号を生成するブートストラップ（第２のブートスラップ回路）回路である。ダイオードＤ２のカソードおよびコンデンサＣ４の一端側が、ハーフブリッジドライバＩＣ２内のスイッチＳＷ３に接続され、ダイオードＤ２のアノードおよびコンデンサＣ４の他端側が、ハーフブリッジドライバＩＣ２内のスイッチＳＷ４に接続されている。スイッチＳＷ３、ＳＷ４が相補的に駆動することにより、電圧ＶｃｃによるコンデンサＣ４のチャージと、ＭＯＳＦＥＴＱ３への駆動電圧（ソース基準の電圧）への印加とが切り替えられる。ＭＯＳＦＥＴＱ３のゲートには、グランドＧＮＤからみて（入力電圧Ｖｉｎ＋電圧Ｖｃｃ）が印加される。
【００２０】  コントローラ２は、出力端子ＯＵＴから出力される出力電圧Ｖｏｕｔを検出して、ＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ４のそれぞれを適切なタイミング（スイッチングデューティ）でスイッチングさせる制御信号をハーフブリッジドライバＩＣ１、ＩＣ２に出力する。コントローラ２は、例えばマイクロコンピュータから構成されており、各ＭＯＳＦＥＴをオン／オフさせる期間や後述する補正期間の長さをデジタル演算によって算出する。一例として、ハーフブリッジドライバＩＣ１、ＩＣ２およびコントローラ２によって制御部が構成される。
【００２１】  なお、図１に示すように、一実施形態に係る電源回路１は左右対称の構成を有しており、入出力を反対にした場合でも動作する双方向性の回路（コンバータ）である。例えば、電源回路１の入力側および出力側のそれぞれにバッテリーを接続し、電源回路１を介してバッテリー間で充放電のやり取りを行うことができる。
【００２２】［電源回路の動作例］  次に、電源回路１の基本的な動作例について説明する。入力端子ＩＮに印加された入力電圧Ｖｉｎを昇圧して出力端子ＯＵＴに出力する場合には、ハーフブリッジドライバＩＣ２は、ＭＯＳＦＥＴＱ３とＭＯＳＦＥＴＱ４とを交互にオン／オフする。一方、ハーフブリッジドライバＩＣ１は、ＭＯＳＦＥＴＱ１を常にオンする（ＭＯＳＦＥＴＱ２は常にオフする。）。
【００２３】  入力端子ＩＮに印加された入力電圧Ｖｉｎを降圧して出力端子ＯＵＴに出力する場合、ハーフブリッジドライバＩＣ１は、ＭＯＳＦＥＴＱ１とＭＯＳＦＥＴＱ２とを交互にオン／オフする。一方、ハーフブリッジドライバＩＣ２は、ＭＯＳＦＥＴＱ３を常にオンする（ＭＯＳＦＥＴＱ４は常にオフする。）。
【００２４】  このように、理想的には、昇圧動作においてはＭＯＳＦＥＴＱ１を常にオンすることにより、電源回路１を昇圧コンバータとして動作させることができるが、ＭＯＳＦＥＴＱ１がオンし続けることコンデンサＣ２の容量が低下してしまう。そこで、定期的に、ＭＯＳＦＥＴＱ１をオフし、ＭＯＳＦＥＴＱ２をオンすることにより、電圧ＶｃｃをダイオードＤ１およびＭＯＳＦＥＴＱ２を介してコンデンサＣ２に供給しコンデンサＣ２を充電する、いわゆるブートストラップ動作を行う必要がある。本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴＱ１にＮ型のＭＯＳＦＥＴを使用しているので、ＭＯＳＦＥＴＱ１をオンする際にゲートに電圧を印加するが、ほとんど電流は流れないため、ＭＯＳＦＥＴＱ１のオンを維持する電力は非常に小さい。したがってこのブートスラップ動作は、スイッチング周期に対して長い間隔で行えばよく、また、ＭＯＳＦＥＴＱ１をオフする期間は、ごく短い期間で対応できる。
【００２５】  降圧動作についても同様である。すなわち、理想的には、降圧動作においてはＭＯＳＦＥＴＱ３を常にオンすることにより、電源回路１を降圧コンバータとして動作させることができるが、ＭＯＳＦＥＴＱ３がオンし続けることコンデンサＣ４の容量が低下してしまう。そこで、定期的に、ＭＯＳＦＥＴＱ３をオフし、ＭＯＳＦＥＴＱ４をオンすることにより、電圧ＶｃｃをダイオードＤ２およびＭＯＳＦＥＴＱ４を介してコンデンサＣ４に供給しコンデンサＣ４を充電するブートストラップ動作を行う必要がある。本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴＱ３にＮ型のＭＯＳＦＥＴを使用しているので、ＭＯＳＦＥＴＱ３をオンする際にゲートに電圧を印加するが、ほとんど電流は流れないため、ＭＯＳＦＥＴＱ３のオンを維持する電力は非常に小さい。したがってこのブートスラップ動作は、スイッチング周期に対して長い間隔で行えばよく、また、ＭＯＳＦＥＴＱ３をオフする期間は、ごく短い期間で対応できる。
【００２６】［ブートストラップ動作に伴う出力の変動について］  しかしながら、電源回路１において一般的なブートストラップ動作を行うと出力が変動してしまう。この点について、図２および図３のタイミングチャートを参照して説明する。なお、図２、図３では、ＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がオン／オフするタイミングを示しているが、ＭＯＳＦＥＴＱ１のオン／オフはＭＯＳＦＥＴＱ２のオン／オフと反対になり、ＭＯＳＦＥＴＱ３のオン／オフはＭＯＳＦＥＴＱ４のオン／オフと反対になる。また、ＭＯＳＦＥＴＱ３およびＭＯＳＦＥＴＱ４のスイッチングデューティは一例であり、本例では５０％としている。また、図２、図３におけるＩＬはインダクタＬ１に流れる電流の波形であり、Ｉｉは入力電流の波形、Ｉｏｕｔは出力電流の波形を示している。後述する図４、図５についても同様である。
【００２７】  図２は、昇圧動作においてＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がオン／オフするタイミング等を示すタイミングチャートである。図示するように、所定のスイッチング周波数（例えば、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ）に対応したスイッチング周期Ｔに基づいて、ＭＯＳＦＥＴＱ１がオンした状態、換言すれば、ＭＯＳＦＥＴＱ２がオフした状態でＭＯＳＦＥＴＱ３、Ｑ４のスイッチング動作がなされ、定常動作（本例では昇圧動作）がなされる。
【００２８】  そして、あるスイッチング周期Ｔに対応する期間が、ＭＯＳＦＥＴＱ１の駆動電圧を維持するための動作期間、すなわち、ブートストラップ動作の期間（以下、ブートストラップ動作期間という。）として割り当てられる。一例として、１００回のスイッチングサイクルに対して１回、ブートストラップ動作期間が割り当てられるが、ブートストラップ動作を行う頻度に関してはコンデンサＣ２の容量に応じて適宜、設定されるものである。
【００２９】  ブートストラップ動作期間において、ＭＯＳＦＥＴＱ２がオンし、さらにＭＯＳＦＥＴＱ４がオンすると、ＭＯＳＦＥＴＱ２→インダクタＬ１→ＭＯＳＦＥＴＱ４→ＭＯＳＦＥＴＱ２の閉ループの電流経路が形成される。このとき、インダクタＬ１に流れる電流ＩＬは略一定となる。このブートストラップ動作により電流ＩＬが略一定となる期間が生じた分、ブートストラップ動作後の電流ＩＬが低下しそれが継続する。図２では、ＭＯＳＦＥＴＱ２がオンした後の理想的な電流ＩＬ等が細い実線で示され、実際の電流ＩＬが実線により示されている。もちろん、コントローラ２が出力電圧Ｖｏｕｔを検出して、検出結果に基づいてＭＯＳＦＥＴＱ３、Ｑ４のスイッチングデューティ（例えば、ＭＯＳＦＥＴＱ３のデューティ比により決定される。）を変化させるので、何回かのスイッチングサイクルの後には、出力の低下は改善する。しかしながら、上述したように、ブートストラップ動作直後は出力の低下がみられる。
【００３０】  図３は、降圧動作においてＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がオン／オフするタイミング等を示すタイミングチャートである。図示するように、所定のスイッチング周波数に対応したスイッチング周期Ｔに基づいて、ＭＯＳＦＥＴＱ３がオンした状態、換言すれば、ＭＯＳＦＥＴＱ４がオフした状態でＭＯＳＦＥＴＱ１、Ｑ２のスイッチング動作がなされ、定常動作（本例では降圧動作）がなされる。
【００３１】  そして、昇圧動作と同様に、あるスイッチング周期Ｔに対応する期間が、ＭＯＳＦＥＴＱ３の駆動電圧を維持するための動作期間、すなわち、ブートストラップ動作期間として割り当てられる。
【００３２】  ブートストラップ動作期間において、ＭＯＳＦＥＴＱ４がオンし、さらにＭＯＳＦＥＴＱ２がオンすると、ＭＯＳＦＥＴＱ２→インダクタＬ１→ＭＯＳＦＥＴＱ４→ＭＯＳＦＥＴＱ２の閉ループの電流経路が形成される。このとき、インダクタＬ１に流れる電流ＩＬは略一定となる。このブートストラップ動作により電流ＩＬが略一定となる期間が生じた分、ブートストラップ動作後の電流ＩＬが理想的な値まで低下しないため、結果的に電流ＩＬが理想的な値より増加しそれが継続する。図３では、ＭＯＳＦＥＴＱ４がオンした後の理想的な電流ＩＬ等が細い実線で示され、実際の電流ＩＬが実線により示されている。このように、ＭＯＳＦＥＴＱ１若しくはＭＯＳＦＥＴＱ３の駆動電力を維持するためのブートストラップ動作をするたびに出力が変動するので、電源回路１の出力の安定性が低下する。
【００３３】［一実施形態に係るブートストラップ動作］  上述した点を踏まえ、一実施形態に係るブートストラップ動作を図４、図５を参照して説明する。図４は、図２と同様に昇圧動作においてＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がオン／オフするタイミング等を示すタイミングチャートである。図示するように、所定のスイッチング周波数に対応したスイッチング周期Ｔ（第１の期間）に基づいて、ＭＯＳＦＥＴＱ１がオンした状態、換言すれば、ＭＯＳＦＥＴＱ２がオフした状態でＭＯＳＦＥＴＱ３、Ｑ４のスイッチング動作がなされ、定常動作（本例では昇圧動作）がなされる。ここで、定常動作におけるＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする期間をｔｄとする。
【００３４】  そして、あるスイッチング周期Ｔに対応する期間が、ＭＯＳＦＥＴＱ１の駆動電圧を維持するための動作期間、すなわち、ブートストラップ動作期間（第２の期間）として割り当てられる。本実施形態では、スイッチング周期Ｔとブートストラップ動作期間とが同一の長さに設定されている。これにより効率的に処理を行うことができるが、スイッチング周期Ｔとブートストラップ動作期間とが異なる長さであってもよい。ブートストラップ動作期間における所定のタイミングでＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がともにオンする。ブートストラップ動作期間においてＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする期間をｔａとする。
【００３５】  本実施形態では、ブートストラップ動作期間におけるＭＯＳＦＥＴＱ３、Ｑ４側のスイッチングデューティ（例えば、ＭＯＳＦＥＴＱ４のデューティ比）を定常状態よりも大きく補正する。具体的には、図４に示すように、ブートストラップ動作期間におけるＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする期間が（ｔｂ＋ｔｄ）に設定され、スイッチング周期ＴにおいてＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする期間ｔｄより長く設定される。この制御は、例えばコントローラ２の制御に応じてハーフブリッジドライバＩＣ２により実行される。これにより、図４に示すように、例えば電流ＩＬが低下する期間を短くしつつ、電流ＩＬが増加する期間を長くできるので、ＭＯＳＦＥＴＱ３がオンする際の電流ＩＬをスイッチング周期Ｔにおける電流ＩＬと同じにすることができる。したがって、電流ＩＬが略一定となる期間（ＭＯＳＦＥＴＱ２，Ｑ４がともにオンする期間に対応する期間）がある場合でも、出力電流Ｉｏｕｔをブートストラップ動作前後で同じに保つことができる。これにより、電源回路１の出力の安定性を向上させることができる。
【００３６】  図５は、図３と同様に降圧動作においてＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がオン／オフするタイミング等を示すタイミングチャートである。図示するように、所定のスイッチング周波数に対応したスイッチング周期Ｔ（第１の期間）に基づいて、ＭＯＳＦＥＴＱ３がオンした状態、換言すれば、ＭＯＳＦＥＴＱ４がオフした状態でＭＯＳＦＥＴＱ１、Ｑ２のスイッチング動作がなされ、定常動作（本例では降圧動作）がなされる。ここで、定常動作におけるＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする期間をｔｄとする。
【００３７】  そして、あるスイッチング周期Ｔに対応する期間が、ＭＯＳＦＥＴＱ３の駆動電圧を維持するための動作期間、すなわち、ブートストラップ動作期間（第２の期間）として割り当てられる。ブートストラップ動作期間における所定のタイミングでＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４がともにオンする。ブートストラップ動作期間においてＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする期間をｔａとする。
【００３８】  本実施形態では、ブートストラップ動作期間におけるＭＯＳＦＥＴＱ１、Ｑ２側のスイッチングデューティ（例えば、ＭＯＳＦＥＴＱ２のデューティ比）を定常状態よりも大きく補正する。具体的には、図５に示すように、ブートストラップ動作期間におけるＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする期間が（ｔｂ＋ｔｄ）に設定され、スイッチング周期ＴにおいてＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする期間ｔｄより長く設定される。この制御は、例えばコントローラ２の制御に応じてハーフブリッジドライバＩＣ１により実行される。これにより、図５に示すように、例えば電流ＩＬが増加する期間を短くしつつ、電流ＩＬが低下する期間を長くできるので、ＭＯＳＦＥＴＱ１がオンする際の電流ＩＬをスイッチング周期Ｔにおける電流ＩＬと同じにすることができる。したがって、電流ＩＬが略一定となる期間（ＭＯＳＦＥＴＱ２，Ｑ４がともにオンする期間に対応する期間）がある場合でも、出力電流Ｉｏｕｔをブートストラップ動作前後で同じに保つことができる。これにより、電源回路１の出力の安定性を向上させることができる。
【００３９】［補正期間の算出方法の一例］  一実施形態に係る補正期間（上述したｔｂ）は、定常動作時のスイッチングデューティと、ブートストラップ動作時におけるスイッチングデューティとに基づいて、ブートストラップ動作前後で出力電流が同じになる事を条件として算出が可能である。補正期間であるｔｂを算出する処理は、例えばコントローラ２によって行われる。以下、昇圧動作時におけるｔｂの算出方法の一例について説明する。なお、各式における文字が示す内容は、下記の通りである（図４参照）。スイッチング周期：ＴＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする時間：ｔａ定常動作の期間（スイッチング周期）にＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする時間：ｔｄＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする時間の補正分：ｔｂ入力電圧：Ｖi出力電圧：ＶoインダクタＬ１のインダクタンス：ＬインダクタＬ１に流れる電流：ＩＬ定常動作の期間（スイッチング周期）におけるＩＬのピーク：ＩP1、ＩP3ブートストラップ動作期間におけるＩＬのピーク：ＩP2定常動作の期間（スイッチング周期）におけるＩＬのボトム：Ｉb1ブートストラップ動作期間におけるＩＬのピーク：Ｉb2
【００４０】  電流Ｉb1、ＩP2、Ｉb2、ＩP3、は、下記の数式１〜４により表すことができる。
【００４１】
【数１】
2018116695.tif 000003
【００４２】
【数２】
2018116695.tif 000004
【００４３】
【数３】
2018116695.tif 000005
【００４４】
【数４】
2018116695.tif 000006
【００４５】  ここで、ＩP1＝ＩP3として数式１〜４を解くと、下記の数式５が得られる。
【００４６】
【数５】
2018116695.tif 000007
【００４７】  ここで、Ｖo／Ｖiは入出力の昇圧比であることから、当該昇圧比は下記の数式６により表すことができる。
【００４８】
【数６】
2018116695.tif 000008
【００４９】  数式６を数式５に代入することにより、補正期間であるｔｂは下記の数式７により算出することができる。
【００５０】
【数７】
2018116695.tif 000009
【００５１】  次に、降圧動作時におけるｔｂの算出方法の一例について説明する。なお、各式における文字が示す内容は、下記の通りである（図５参照）。スイッチング周期：ＴＭＯＳＦＥＴＱ４がオンする時間：ｔａ定常動作の期間（スイッチング周期）にＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする時間：ｔｄＭＯＳＦＥＴＱ２がオンする時間の補正分：ｔｂ入力電圧：Ｖi出力電圧：ＶoインダクタＬ１のインダクタンス：ＬインダクタＬ１に流れる電流：ＩＬ定常動作の期間（スイッチング周期）におけるＩＬのピーク：ＩP1、ＩP3ブートストラップ動作期間におけるＩＬのピーク：ＩP2定常動作の期間（スイッチング周期）におけるＩＬのボトム：Ｉb1ブートストラップ動作期間におけるＩＬのピーク：Ｉb2
【００５２】  電流Ｉb1、ＩP2、Ｉb2、ＩP3、は、下記の数式８〜１１により表すことができる。
【００５３】
【数８】
2018116695.tif 000010
【００５４】
【数９】
2018116695.tif 000011
【００５５】
【数１０】
2018116695.tif 000012
【００５６】
【数１１】
2018116695.tif 000013
【００５７】  ここで、ＩP1＝ＩP3として数式８〜１１を解くと、下記の数式１２が得られる。
【００５８】
【数１２】
2018116695.tif 000014
【００５９】  ここで、Ｖo／Ｖiは入出力の降圧比であることから、当該降圧比は下記の数式１３により表すことができる。
【００６０】
【数１３】
2018116695.tif 000015
【００６１】  数式１２を数式１３に代入することにより、補正期間であるｔｂは下記の数式１４により算出することができる。
【００６２】
【数１４】
2018116695.tif 000016
【００６３】  以上、本開示の一実施形態について説明した。一実施形態に係る電源回路によれば、ブートストラップ動作に伴い生じ得る出力の変動を抑制することができる。
【００６４】＜２．変形例＞  以上、本開示の一実施形態について具体的に説明したが、本開示の内容は上述した一実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００６５】  上述した一実施形態では、ブートストラップ動作を１スイッチングサイクルだけ行うようにしているが、複数のスイッチングサイクルにわたってブートストラップ動作が行われるようにしてもよい。
【００６６】  上述した一実施形態において、ｔｄに加算される補正期間であるｔｂは、期間ｔｄより時間的に後ろ側に付加されてもよいし、期間ｔｄより時間的に前側に付加されてもよいし、期間ｔｄの前後にｔｂ／２ずつ付加されてもよい。
【００６７】  スイッチング素子として、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の他の素子が使用されてもよい。
【００６８】  上述の一実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて一実施形態と異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などが含まれてもよい。また、実施形態および変形例で説明した事項は、技術的な矛盾が生じない限り相互に組み合わせることができる。
【００６９】  なお、本開示は、以下のような構成も取ることができる。（１）  ハイサイド側のスイッチング素子と、当該スイッチング素子に対して直列に接続されるローサイド側のスイッチング素子とを有するスイッチング素子対と、  前記スイッチング素子対を構成する各スイッチング素子を相補的に駆動する制御部とを有し、  前記制御部は、第１の期間における前記ハイサイド側のスイッチング素子および前記ローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティと、第２の期間における前記ハイサイド側のスイッチング素子および前記ローサイド側のスイッチング素子のスイッチングデューティとが異なるように、各スイッチング素子のオン／オフを制御する  電源回路。（２）  前記制御部は、前記第２の期間において前記ローサイド側のスイッチング素子がオンする期間が、前記第１の期間において前記ローサイド側のスイッチング素子がオンする期間より長くなる制御を実行する  （１）に記載の電源回路。（３）  前記スイッチング素子対は、ハイサイド側の第１のスイッチング素子とローサイド側の第２のスイッチング素子とを有する第１のスイッチング素子対と、ハイサイド側の第３のスイッチング素子とローサイド側の第４のスイッチング素子とを有する第２のスイッチング素子対とを有する  （１）または（２）に記載の電源回路。（４）  前記制御部は、入力電圧を昇圧する昇圧動作において、前記第３のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とを相補的に駆動し、入力電圧を降圧する降圧動作において、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とを相補的に駆動する  （３）に記載の電源回路。（５）  前記第１のスイッチング素子を駆動するために前記入力電圧以上に昇圧された第１の駆動信号を生成する第１のブートストラップ回路と、  前記第３のスイッチング素子を駆動するために前記入力電圧以上に昇圧された第２の駆動信号を生成する第２のブートストラップ回路とを有する  （４）に記載の電源回路。（６）  前記第１のブートストラップ回路は、第１のブートストラップコンデンサを有し、  前記第２のブートストラップ回路は、第２のブートストラップコンデンサを有し、  前記第２の期間は、前記第１および前記第２のブートストラップコンデンサのいずれかを充電するための期間である  （５）に記載の電源回路。（７）  前記制御部は、  前記第１の期間において、前記第１のスイッチング素子をオンしつつ、前記第３のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とを相補的に駆動し、  前記第２の期間の所定のタイミングにおいて、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子とがともにオンとなるように、各スイッチング素子を駆動し、  前記第２の期間において前記第４のスイッチング素子がオンする期間が、前記第１の期間において前記第４のスイッチング素子がオンする期間より長くなる制御を実行する  （３）〜（６）のいずれかに記載の電源回路。（８）  前記制御部は、  前記第１の期間において、前記第３のスイッチング素子をオンしつつ、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とを相補的に駆動し、  前記第２の期間の所定のタイミングにおいて、前記第２のスイッチング素子と前記第��のスイッチング素子とがともにオンとなるように、各スイッチング素子を駆動し、  前記第２の期間において前記第２のスイッチング素子がオンする期間が、前記第１の期間において前記第２のスイッチング素子がオンする期間より長くなる制御を実行する  （３）〜（６）のいずれかに記載の電源回路。（９）  前記第１の期間と前記第２の期間とがスイッチング周期に対応した同一の長さである  （１）〜（８）のいずれかに記載の電源回路。（１０）  前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子との間の接続中点と、前記第３のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子との間の接続中点とがインダクタを介して接続されている  （３）〜（８）のいずれかに記載の電源回路。（１１）  前記スイッチング素子がＮ型のＭＯＳＦＥＴにより構成される  （１）〜（１０）のいずれかに記載の電源回路。（１２）  入出力を反対にした場合でも動作する双方向性の回路である  （１）〜（１１）のいずれかに記載の電源回路。（１３）  前記制御部は、それぞれのスイッチング素子がオン／オフする期間をデジタル演算により算出する  （１）〜（１２）のいずれかに記載の電源回路。（１４）  （１）〜（１３）のいずれかに記載の電源回路を含む電源システムから、電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、前記蓄電装置に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行なう制御装置とを有する電動車両。
【００７０】＜３．応用例＞  本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、上述した実施形態に係る電源回路を有する電源装置や電源回路により制御されるバッテリユニットとして、本開示を実現することも可能である。さらに、このような電源装置は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。以下、具体的な応用例について説明するが、本開示の内容が以下に説明する応用例に限定されるものではない。
【００７１】「応用例としての車両における蓄電システム」  本開示を車両用の蓄電システムに適用した例について、図６を参照して説明する。図６に、本開示が適用されるシリーズハイブリッドシステムを採用するハイブリッド車両の構成の一例を概略的に示す。シリーズハイブリッドシステムはエンジンで動かす発電機で発電された電力、あるいはそれをバッテリーに一旦貯めておいた電力を用いて、電力駆動力変換装置で走行する車である。
【００７２】  このハイブリッド車両７２００には、エンジン７２０１、発電機７２０２、電力駆動力変換装置７２０３、駆動輪７２０４ａ、駆動輪７２０４ｂ、車輪７２０５ａ、車輪７２０５ｂ、バッテリー７２０８、車両制御装置７２０９、各種センサ７２１０、充電口７２１１が搭載されている。バッテリー７２０８の制御回路や車両制御装置７２０９の回路に対して、上述した本開示の実施形態に係る電源回路が適用される。
【００７３】  ハイブリッド車両７２００は、電力駆動力変換装置７２０３を動力源として走行する。電力駆動力変換装置７２０３の一例は、モーターである。バッテリー７２０８の電力によって電力駆動力変換装置７２０３が作動し、この電力駆動力変換装置７２０３の回転力が駆動輪７２０４ａ、７２０４ｂに伝達される。なお、必要な個所に直流−交流（ＤＣ−ＡＣ）あるいは逆変換（ＡＣ−ＤＣ変換）を用いることによって、電力駆動力変換装置７２０３が交流モーターでも直流モーターでも適用可能である。各種センサ７２１０は、車両制御装置７２０９を介してエンジン回転数を制御したり、図示しないスロットルバルブの開度（スロットル開度）を制御したりする。各種センサ７２１０には、速度センサ、加速度センサ、エンジン回転数センサなどが含まれる。
【００７４】  エンジン７２０１の回転力は発電機７２０２に伝えられ、その回転力によって発電機７２０２により生成された電力をバッテリー７２０８に蓄積することが可能である。
【００７５】  図示しない制動機構によりハイブリッド車両が減速すると、その減速時の抵抗力が電力駆動力変換装置７２０３に回転力として加わり、この回転力によって電力駆動力変換装置７２０３により生成された回生電力がバッテリー７２０８に蓄積される。
【００７６】  バッテリー７２０８は、ハイブリッド車両の外部の電源に接続されることで、その外部電源から充電口７２１１を入力口として電力供給を受け、受けた電力を蓄積することも可能である。
【００７７】  図示しないが、二次電池に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行なう情報処理装置を備えていても良い。このような情報処理装置としては、例えば、電池の残量に関する情報に基づき、電池残量表示を行う情報処理装置などがある。
【００７８】  なお、以上は、エンジンで動かす発電機で発電された電力、或いはそれをバッテリーに一旦貯めておいた電力を用いて、モーターで走行するシリーズハイブリッド車を例として説明した。しかしながら、エンジンとモーターの出力がいずれも駆動源とし、エンジンのみで走行、モーターのみで走行、エンジンとモーター走行という３つの方式を適宜切り替えて使用するパラレルハイブリッド車に対しても本開示は有効に適用可能である。さらに、エンジンを用いず駆動モータのみによる駆動で走行する所謂、電動車両に対しても本開示は有効に適用可能である。
【００７９】  以上、本開示に係る技術が適用され得るハイブリッド車両７２００の一例について説明した。本開示の一実施形態に係る電源回路は、例えば、バッテリー７２０８の入出力に関係する回路として適用することができる。
【００８０】  「応用例としての住宅における蓄電システム」  本開示を住宅用の蓄電システムに適用した例について、図７を参照して説明する。例えば住宅９００１用の蓄電システム９１００においては、火力発電９００２ａ、原子力発電９００２ｂ、水力発電９００２ｃ等の集中型電力系統９００２から電力網９００９、情報網９０１２、スマートメータ９００７、パワーハブ９００８等を介し、電力が蓄電装置９００３に供給される。これと共に、家庭内発電装置９００４等の独立電源から電力が蓄電装置９００３に供給される。蓄電装置９００３に供給された電力が蓄電される。蓄電装置９００３を使用して、住宅９００１で使用する電力が給電される。住宅９００１に限らずビルに関しても同様の蓄電システムを使用できる。
【００８１】  住宅９００１には、発電装置９００４、電力消費装置９００５、蓄電装置９００３、各装置を制御する制御装置９０１０、スマートメータ９００７、各種情報を取得するセンサ９０１１が設けられている。各装置は、電力網９００９および情報網９０１２によって接続されている。発電装置９００４として、太陽電池、燃料電池等が利用され、発電した電力が電力消費装置９００５および／または蓄電装置９００３に供給される。電力消費装置９００５は、冷蔵庫９００５ａ、空調装置９００５ｂ、テレビジョン受信機９００５ｃ、風呂９００５ｄ等である。さらに、電力消費装置９００５には、電動車両９００６が含まれる。電動車両９００６は、電気自動車９００６ａ、ハイブリッドカー９００６ｂ、電気バイク９００６ｃである。
【００８２】  蓄電装置９００３に適用される回路に対して、上述した本開示のバッテリユニットが適用される。蓄電装置９００３は、二次電池又はキャパシタから構成されている。例えば、リチウムイオン電池によって構成されている。リチウムイオン電池は、定置型であっても、電動車両９００６で使用されるものでも良い。スマートメータ９００７は、商用電力の使用量を測定し、測定された使用量を、電力会社に送信する機能を備えている。電力網９００９は、直流給電、交流給電、非接触給電の何れか一つまたは複数を組み合わせても良い。
【００８３】  各種のセンサ９０１１は、例えば人感センサ、照度センサ、物体検知センサ、消費電力センサ、振動センサ、接触センサ、温度センサ、赤外線センサ等である。各種センサ９０１１により取得された情報は、制御装置９０１０に送信される。センサ９０１１からの情報によって、気象の状態、人の状態等が把握されて電力消費装置９００５を自動的に制御してエネルギー消費を最小とすることができる。さらに、制御装置９０１０は、住宅９００１に関する情報をインターネットを介して外部の電力会社等に送信することができる。
【００８４】  パワーハブ９００８によって、電力線の分岐、直流交流変換等の処理がなされる。制御装置９０１０と接続される情報網９０１２の通信方式としては、ＵＡＲＴ(Universal Asynchronous Receiver-Transmitter:非同期シリアル通信用送受信回路）等の通信インターフェースを使う方法、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＺｉｇＢｅｅ、Ｗｉ−Ｆｉ等の無線通信規格によるセンサネットワークを利用する方法がある。Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ方式は、マルチメディア通信に適用され、一対多接続の通信を行うことができる。ＺｉｇＢｅｅは、ＩＥＥＥ(Institute of Electrical and Electronics Engineers) ８０２．１５．４の物理層を使用するものである。ＩＥＥＥ８０２．１５．４は、ＰＡＮ(Personal Area Network) またはＷ(Wireless)ＰＡＮと呼ばれる短距離無線ネットワーク規格の名称である。
【００８５】  制御装置９０１０は、外部のサーバ９０１３と接続されている。このサーバ９０１３は、住宅９００１、電力会社、サービスプロバイダーの何れかによって管理されていても良い。サーバ９０１３が送受信する情報は、たとえば、消費電力情報、生活パターン情報、電力料金、天気情報、天災情報、電力取引に関する情報である。これらの情報は、家庭内の電力消費装置（たとえばテレビジョン受信機）から送受信しても良いが、家庭外の装置（たとえば、携帯電話機等）から送受信しても良い。これらの情報は、表示機能を持つ機器、たとえば、テレビジョン受信機、携帯電話機、ＰＤＡ(Personal Digital Assistants)等に、表示されても良い。
【００８６】  各部を制御する制御装置９０１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit ）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等で構成され、この例では、蓄電装置９００３に格納されている。制御装置９０１０は、蓄電装置９００３、家庭内発電装置９００４、電力消費装置９００５、各種センサ９０１１、サーバ９０１３と情報網９０１２により接続され、例えば、商用電力の使用量と、発電量とを調整する機能を有している。なお、その他にも、電力市場で電力取引を行う機能等を備えていても良い。
【００８７】  以上のように、電力が火力９００２ａ、原子力９００２ｂ、水力９００２ｃ等の集中型電力系統９００２のみならず、家庭内発電装置９００４（太陽光発電、風力発電）の発電電力を蓄電装置９００３に蓄えることができる。したがって、家庭内発電装置９００４の発電電力が変動しても、外部に送出する電力量を一定にしたり、または、必要なだけ放電するといった制御を行うことができる。例えば、太陽光発電で得られた電力を蓄電装置９００３に蓄えると共に、夜間は料金が安い深夜電力を蓄電装置９００３に蓄え、昼間の料金が高い時間帯に蓄電装置９００３によって蓄電した電力を放電して利用するといった使い方もできる。
【００８８】  なお、この例では、制御装置９０１０が蓄電装置９００３内に格納される例を説明したが、スマートメータ９００７内に格納されても良いし、単独で構成されていても良い。さらに、蓄電システム９１００は、集合住宅における複数の家庭を対象として用いられてもよいし、複数の戸建て住宅を対象として用いられてもよい。
【００８９】  以上、本開示に係る技術が適用され得る蓄電システム９１００の一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、蓄電装置９００３に好適に適用され得る。具体的には、一実施形態に係る電源回路を蓄電装置９００３に関係する回路に適用することができる。
【符号の説明】
【００９０】１・・・電源回路２・・・コントローラＩＣ１、ＩＣ２・・・ハーフブリッジドライバＱ１〜Ｑ４・・・Ｎ型のＭＯＳＦＥＴＬ１・・・インダクタＣ２、Ｃ４・・・（ブートストラップ）コンデンサＤ１、Ｄ２・・・ダイオード
【図１】
2018116695.tif 000017
【図２】
2018116695.tif 000018
【図３】
2018116695.tif 000019
【図４】
2018116695.tif 000020
【図５】
2018116695.tif 000021
【図６】
2018116695.tif 000022
【図７】
2018116695.tif 000023
【国際調査報告】
2018116695.tif 000024
2018116695.tif 000025