(57)【要約】  本発明の一態様である半導体素子の製造方法は、膜層形成工程と拡散工程とを含む。膜層形成工程では、半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜であるＡ膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Ｂを用いてなり、少なくともＡ膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるＢ層と、を形成する。拡散工程では、Ａ膜とＢ層とが形成された半導体基板を熱処理して、半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる。この半導体素子の製造方法は、太陽電池の製造方法に用いられる。
2018021117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜であるＡ膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Ｂを用いてなり、少なくとも前記Ａ膜からの前記不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるＢ層と、を形成する膜層形成工程と、
前記Ａ膜と前記Ｂ層とが形成された前記半導体基板を熱処理して、前記半導体基板中に前記不純物拡散成分を拡散させる拡散工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記膜層形成工程は、
前記半導体基板の所定の面に前記組成物Ａを塗布して前記Ａ膜を形成するＡ膜形成工程と、
前記Ａ膜上に前記組成物Ｂを塗布して前記Ｂ層を形成するＢ層形成工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記膜層形成工程は、あらかじめ前記組成物Ａを用いて形成した前記Ａ膜と、前記Ａ膜上に前記組成物Ｂを用いて形成した前記Ｂ層との積層体を、前記半導体基板の所定の面にラミネートして形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記Ｂ層の乾燥後の膜厚が２００［ｎｍ］以上２０００［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記組成物Ａがバインダー樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記組成物Ｂが下記一般式（１）で表されるポリシロキサンを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【化１】
2018021117.tif 000008
（一般式（１）中、Ｒ1は炭素数６〜１５のアリール基を表し、複数のＲ1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ3は炭素数１〜６のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を表し、複数のＲ3はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ2およびＲ4は水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基のいずれかを表し、複数のＲ2およびＲ4はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ただし、Ｒ2およびＲ4のうちいずれか一方は必ず水酸基である。ｎおよびｍは各括弧内の成分の構成比率（％）を示し、ｎ＋ｍ＝１００であり、ｎ：ｍ＝９０：１０〜４０：６０である。Ｘは水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数３〜１２のヘテロアリール基のいずれかである。Ｙは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜７のアシル基のいずれかである。）
【請求項７】
前記組成物Ａと前記組成物Ｂとは、互いに相溶しない組成物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記組成物Ａがバインダー樹脂を含み、当該バインダー樹脂の分解温度が、前記組成物Ｂに含まれるポリシロキサンの硬化温度よりも低いことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記膜層形成工程は、熱処理による乾燥工程を介さず連続して前記Ａ膜と前記Ｂ層とを形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記Ａ膜と前記Ｂ層とがスピンコート法によって形成されることを特徴とする請求項２、請求項２を引用する請求項４〜９のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記Ａ膜形成工程と前記Ｂ層形成工程とが、前記スピンコート法における回転を止めずに連続して行われることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記組成物Ａが水溶性のバインダー樹脂を含み、前記組成物Ｂが溶媒を含み、前記溶媒に対する前記水溶性のバインダー樹脂の溶解度が２５℃で０．０１［ｇ／ｍＬ］以下であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記組成物Ａがホウ素化合物、ポリビニルアルコールおよび水を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体基板のうち前記Ａ膜とは反対側の面に、前記Ａ膜とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜を形成する膜形成工程をさらに含み、
前記拡散工程は、前記不純物拡散組成物膜と前記Ａ膜および前記Ｂ層とが形成された前記半導体基板を熱処理して、前記不純物拡散組成物膜からの不純物拡散成分を前記半導体基板中に拡散させるとともに、前記Ａ膜からの不純物拡散成分を前記半導体基板中に拡散させ、前記不純物拡散組成物膜からの不純物拡散層と前記Ａ膜からの不純物拡散層とを同時に前記半導体基板に形成することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、太陽電池等の半導体素子の製造において、半導体基板中にｎ型またはｐ型の不純物拡散層を形成する場合には、半導体基板上に不純物拡散源を形成して熱拡散により半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる方法が採られている。不純物拡散源は、ＣＶＤ法や液状の不純物拡散組成物の溶液塗布法により形成される。【０００３】
例えば、液状の不純物拡散組成物を使用する場合、まず半導体基板表面に熱酸化膜を形成し、続いて、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを有するレジストを熱酸化膜上に積層する。そして、当該レジストをマスクとして、酸またはアルカリにより、当該レジストでマスクされていない熱酸化膜部分をエッチングし、その後、当該レジストを剥離して熱酸化膜によるマスクを形成する。続いて、ｎ型またはｐ型の不純物拡散組成物を塗布して、マスクが開口している部分に不純物拡散組成物を付着させる。その後、この組成物中の不純物拡散成分を６００℃〜１２５０℃で半導体基板中に熱拡散させて、ｎ型またはｐ型の不純物拡散層を形成している。【０００４】
このような太陽電池等の半導体素子の製造に関して、近年では、従来のフォトリソグラフィー技術を用いず、簡易的に印刷方式などで不純物拡散源のパターニング形成を行い、低コストで不純物拡散層がパターニングされた太陽電池等の半導体素子を製造することが検討されている（例えば、特許文献１参照）。【０００５】
上述したいずれの手法においても、例えばｎ型の不純物拡散層を形成する場合は、半導体基板上のうちｎ型の不純物拡散源以外の領域にマスク層を形成するという、ｎ型の不純物拡散成分（以下、「ｎ型不純物」と適宜略記する）が本来拡散されるべき領域外に混入しないための措置が必要である。その場合、半導体基板中にｎ型不純物を拡散させた後、マスク層を除去し、必要に応じて、このｎ型不純物を拡散させた領域に改めてマスク層を形成し、このマスク層以外の領域に、ｐ型の不純物拡散成分（以下、「ｐ型不純物」と適宜略記する）を拡散させる。【０００６】
このような工程の煩雑さを避けるため、ｎ型不純物の拡散後に、そのｎ型の不純物拡散源の焼成膜をそのままマスク層とし、ｐ型不純物の拡散を行う技術も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１６８８１０号公報
【特許文献２】国際公開第２０１５／００２１３２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載の方法の場合でも、半導体基板上のうち不純物拡散組成物を成膜しない部分にはマスク層を形成しておかないと、ｎ型不純物やｐ型不純物が本来拡散されるべき領域外に混入してしまうという問題があった。【０００９】
上述のように、半導体基板中にｎ型およびｐ型の各不純物拡散層を形成する場合、半導体基板における所望の領域に目的の不純物拡散成分を拡散させるためには、パターニングされたマスク層の形成と除去が必要になるため、工程が長くなってしまい、製造コストやタクトタイム（工程作業時間）が増加してしまうという問題があった。【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、少ない工程数で半導体基板中の所望の領域に目的の不純物拡散成分（ｎ型不純物やｐ型不純物）を拡散させることができる半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、半導体基板上に形成した不純物拡散源からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明に至った。【００１２】
すなわち、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜であるＡ膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Ｂを用いてなり、少なくとも前記Ａ膜からの前記不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるＢ層と、を形成する膜層形成工程と、前記Ａ膜と前記Ｂ層とが形成された前記半導体基板を熱処理して、前記半導体基板中に前記不純物拡散成分を拡散させる拡散工程と、を含むことを特徴とする。【００１３】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記膜層形成工程は、前記半導体基板の所定の面に前記組成物Ａを塗布して前記Ａ膜を形成するＡ膜形成工程と、前記Ａ膜上に前記組成物Ｂを塗布して前記Ｂ層を形成するＢ層形成工程と、を含むことを特徴とする。【００１４】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記膜層形成工程は、あらかじめ前記組成物Ａを用いて形成した前記Ａ膜と、前記Ａ膜上に前記組成物Ｂを用いて形成した前記Ｂ層との積層体を、前記半導体基板の所定の面にラミネートして形成する工程を含むことを特徴とする。【００１５】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記Ｂ層の乾燥後の膜厚が２００［ｎｍ］以上２０００［ｎｍ］以下であることを特徴とする。【００１６】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記組成物Ａがバインダー樹脂を含むことを特徴とする。【００１７】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記組成物Ｂが下記一般式（１）で表されるポリシロキサンを含むことを特徴とする。【００１８】
【化１】
2018021117.tif 000003
（一般式（１）中、Ｒ1は炭素数６〜１５のアリール基を表し、複数のＲ1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ3は炭素数１〜６のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を表し、複数のＲ3はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ2およびＲ4は水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基のいずれかを表し、複数のＲ2およびＲ4はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ただし、Ｒ2およびＲ4のうちいずれか一方は必ず水酸基である。ｎおよびｍは各括弧内の成分の構成比率（％）を示し、ｎ＋ｍ＝１００であり、ｎ：ｍ＝９０：１０〜４０：６０である。Ｘは水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数３〜１２のヘテロアリール基のいずれかである。Ｙは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜７のアシル基のいずれかである。）【００１９】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記組成物Ａと前記組成物Ｂとは、互いに相溶しない組成物であることを特徴とする。【００２０】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記組成物Ａがバインダー樹脂を含み、当該バインダー樹脂の分解温度が、前記組成物Ｂに含まれるポリシロキサンの硬化温度よりも低いことを特徴とする。【００２１】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記膜層形成工程は、熱処理による乾燥工程を介さず連続して前記Ａ膜と前記Ｂ層とを形成することを特徴とする。【００２２】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記Ａ膜と前記Ｂ層とがスピンコート法によって形成されることを特徴とする。【００２３】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記Ａ膜形成工程と前記Ｂ層形成工程とが、前記スピンコート法における回転を止めずに連続して行われることを特徴とする。【００２４】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記組成物Ａが水溶性のバインダー樹脂を含み、前記組成物Ｂが溶媒を含み、前記溶媒に対する前記水溶性のバインダー樹脂の溶解度が２５℃で０．０１［ｇ／ｍＬ］以下であることを特徴とする。【００２５】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記組成物Ａがホウ素化合物、ポリビニルアルコールおよび水を含むことを特徴とする。【００２６】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、上記の発明において、前記半導体基板のうち前記Ａ膜とは反対側の面に、前記Ａ膜とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜を形成する膜形成工程をさらに含み、前記拡散工程は、前記不純物拡散組成物膜と前記Ａ膜および前記Ｂ層とが形成された前記半導体基板を熱処理して、前記不純物拡散組成物膜からの不純物拡散成分を前記半導体基板中に拡散させるとともに、前記Ａ膜からの不純物拡散成分を前記半導体基板中に拡散させ、前記不純物拡散組成物膜からの不純物拡散層と前記Ａ膜からの不純物拡散層とを同時に前記半導体基板に形成することを特徴とする。【００２７】
また、本発明に係る太陽電池の製造方法は、上記の発明のいずれかに記載の半導体素子の製造方法を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、半導体基板中への不純物拡散成分の熱拡散に必要な工程数を低減できるとともに、不純物拡散成分の熱拡散時に、不純物拡散成分の気中拡散による半導体基板の汚染（半導体基板のうち望まない領域に対する不純物拡散成分の混入または拡散）を防止しながら、半導体基板の所望の領域に目的の不純物拡散成分を高純度で効率よく拡散させることができる。この結果、半導体素子の製造（延いては太陽電池の製造）の工程短縮と高効率化とを両立させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明の実施形態１に係る半導体素子の製造方法の一例を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施形態２に係る半導体素子の製造方法の一例を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造方法の一例を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施形態３に係る半導体素子の製造方法の一例を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造方法の一例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施例における剥離性、拡散性、拡散均一性およびバリア性の各評価を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の実施例における気中拡散性評価を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明に係る半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法の好適な実施形態を、必要に応じて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施形態により限定されるものではない。
【００３１】
本発明に係る半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法は、半導体基板上にＡ膜とＢ層とを形成する膜層形成工程と、これらのＡ膜とＢ層とが形成された半導体基板中に熱処理によって不純物拡散成分を拡散（熱拡散）させる拡散工程と、を含むものである。これらの製造方法において、Ａ膜は、組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜である。組成物Ａは、半導体基板中に拡散させたい目的の不純物拡散成分を含有する不純物拡散組成物の一例である。一方、Ｂ層は、組成物Ｂを用いてなり、少なくともＡ膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層の一例である。組成物Ｂは、気中拡散抑制層の形成に好適なポリシロキサンを含有する組成物の一例である。以下、これらの組成物Ａおよび組成物Ｂに各々含まれる各成分について詳述する。
【００３２】
（組成物Ａ）
組成物Ａは、ｎ型不純物またはｐ型不純物などの不純物拡散成分と、溶媒とを含有する。また、組成物Ａは、これらの他に、バインダー樹脂を含有していてもよいし、増粘剤、界面活性剤などの添加剤を含有していてもよい。
【００３３】
（不純物拡散成分）
不純物拡散成分は、半導体基板中にｎ型またはｐ型の不純物拡散層を形成するための成分である。ｎ型の不純物拡散成分としては、１５族の元素を含む化合物であることが好ましい。１５族元素としては、リン、ヒ素、アンチモンおよびビスマスが好ましく、リンが特に好ましい。ｐ型の不純物拡散成分としては、１３族の元素を含む化合物であることが好ましい。１３族元素としては、ホウ素、アルミニウムおよびガリウムが好ましく、ホウ素が特に好ましい。
【００３４】
リン化合物としては、例えば、リン酸エステルや亜リン酸エステルなどが例示される。リン酸エステルとしては、例えば、五酸化二リン、リン酸、ポリリン酸、リン酸メチル、リン酸ジメチル、リン酸トリメチル、リン酸エチル、リン酸ジエチル、リン酸トリエチル、リン酸プロピル、リン酸ジプロピル、リン酸トリプロピル、リン酸ブチル、リン酸ジブチル、リン酸トリブチル、リン酸フェニル、リン酸ジフェニル、リン酸トリフェニルなどが挙げられる。亜リン酸エステルとしては、例えば、亜リン酸メチル、亜リン酸ジメチル、亜リン酸トリメチル、亜リン酸エチル、亜リン酸ジエチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸プロピル、亜リン酸ジプロピル、亜リン酸トリプロピル、亜リン酸ブチル、亜リン酸ジブチル、亜リン酸トリブチル、亜リン酸フェニル、亜リン酸ジフェニル、亜リン酸トリフェニルなどが挙げられる。なかでも、ドーピング性の点から、リン酸、五酸化二リンまたはポリリン酸が好ましい。
【００３５】
ホウ素化合物としては、例えば、ホウ酸、三酸化二ホウ素、メチルボロン酸、フェニルボロン酸、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリオクチル、ホウ酸トリフェニルなどが挙げられる。なかでも、ドーピング性の点から、ホウ酸、三酸化二ホウ素が好ましい。
【００３６】
（バインダー樹脂）
組成物Ａにおけるバインダー樹脂として、特に、水溶性のバインダー樹脂を用いることが好ましい。ここで、水溶性のバインダー樹脂とは、２５℃において水に対して１０重量％以上の溶解度を示すものを言う。
【００３７】
具体的には、組成物Ａにおけるバインダー樹脂として、次のものが例示される。例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、ポリエチレンオキサイド樹脂、アクリルアミドアルキルスルホン樹脂、セルロース誘導体、ゼラチン、ゼラチン誘導体、澱粉、澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム化合物、キサンタン、グアーガム、グアーガム誘導体、スクレログルカン、スクレログルカン誘導体、トラガカント、トラガカント誘導体、デキストリン、デキストリン誘導体、水溶性（メタ）アクリル酸エステル樹脂、水溶性ポリブタジエン樹脂、水溶性スチレン樹脂、ブチラール樹脂、これらの共重合体などが挙げられる。しかし、組成物Ａにおけるバインダー樹脂は、これらに限定されるものではない。また、上記の「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸またはメタクリル酸」を意味する。
【００３８】
組成物Ａにおいて、バインダー樹脂は、単独でも２種類以上の組合せでも使用できる。中でも、組成物Ａに含有される不純物拡散成分がホウ素化合物である場合、バインダー樹脂は、ホウ素化合物との錯体の形成性および形成した錯体の安定性の観点から、１，２−ジオール構造または１，３−ジオール構造をもつものが好ましく、特に、ポリビニルアルコールが好ましい。
【００３９】
また、組成物Ａにおけるバインダー樹脂の重合度については、特に制限はないが、好ましい重合度の範囲としては１０００以下であり、特に、８００以下であることが好ましい。これによって、ポリビニルアルコールなどの水酸基含有高分子の有機溶剤への優れた溶解性が示されるようになる。一方、この重合度の下限値は、特に制限されないが、バインダー樹脂の扱いやすさの観点から、１００以上であることが好ましい。なお、本発明において、バインダー樹脂の重合度は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）分析におけるポリスチレン換算の数平均重合度として求められる。
【００４０】
（溶媒）
組成物Ａにおける溶媒は、特に限定されるものではないが、組成物Ａに含有される不純物拡散成分とバインダー樹脂とを良好に溶解もしくは分散可能なものが好ましい。具体的には、このような溶媒として、例えば、水、アルコール類、グリコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、アセテート類、芳香族あるいは脂肪族炭化水素、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、炭酸プロピレンなどが挙げられる。
【００４１】
アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔ−ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−２−ブタノール、３−メチル−３−メトキシ−１−ブタノール、１−ｔ−ブトキシ−２−プロパノール、ジアセトンアルコール、テルピネオール、テキサノールなどが挙げられる。グリコール類としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコールなどが挙げられる。
【００４２】
エーテル類としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール−ｔ−ブチルエーテル、プロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテルエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。
【００４３】
ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンなどが挙げられる。アミド類としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。
【００４４】
アセテート類としては、例えば、酢酸イソプロピル、エチルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、ｎ−プロピルアセテート、イソプロピルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、イソブチルアセテート、アセト酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ブチルジグリコールアセテート、１，３−ブチレングリコールジアセテート、エチルジグリコールアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、トリアセチルグリセリンなどが挙げられる。芳香族あるいは脂肪族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、安息香酸エチル、ナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンなどが挙げられる。
【００４５】
また、Ａ膜の上にＢ層を安定して形成するために、Ａ膜とＢ層とは、互いに相溶しないことが好ましい。すなわち、Ａ膜を構成する組成物ＡとＢ層を構成する組成物Ｂとは、互いに相溶しない組成物であることが好ましい。そのためには、Ａ膜は速乾性を有することが好ましく、組成物Ａにおける溶媒の沸点は１５０℃以下であることが好ましい。本発明において、「組成物Ａと組成物Ｂとが互いに相溶しない」状態とは、或る面に膜状に塗布された組成物Ａの上に組成物Ｂが層状に塗布された場合に、これらの組成物Ａおよび組成物Ｂ同士が全く溶け合わない状態は勿論、これらの組成物Ａと組成物Ｂとの界面において溶け合っていたとしても、組成物Ａの塗布膜（Ａ膜）と組成物Ｂの塗布層（Ｂ層）とが各々必要な厚さを有して互いに区別できる程度に維持された状態であることを意味する。
【００４６】
上記のような観点から、組成物Ａにおける溶媒は、水、特定のアルコール類、特定のエーテル類、特定のケトン類、特定のアセテート類、特定の芳香族あるいは脂肪族炭化水素であることが好ましい。
【００４７】
具体的には、好ましい特定のアルコール類として、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔ−ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−２−ブタノールなどが挙げられる。好ましい特定のエーテル類として、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどが挙げられる。好ましい特定のケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノンなどが挙げられる。好ましい特定のアセテート類として、例えば、酢酸イソプロピル、エチルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、ｎ−プロピルアセテート、イソプロピルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、イソブチルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチルなどが挙げられる。好ましい特定の芳香族あるいは脂肪族炭化水素として、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサンなどが挙げられる。
【００４８】
（添加剤）
組成物Ａは、増粘剤、界面活性剤などの添加剤を必要に応じて含有していてもよい。以下、この増粘剤について説明し、ついで、この界面活性剤について説明する。
【００４９】
増粘剤としては、例えば、セルロース、セルロース誘導体、デンプン、デンプン誘導体、ポリビニルピロリドン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエステル樹脂、合成ゴム、天然ゴム、ポリアクリル酸、各種アクリル系樹脂、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレングリコール、ポリプロピレンオキシド、シリコーンオイル、アルギン酸ナトリウム、キサンタンガム系多糖類、ジェランガム系多糖類、グァーガム系多糖類、カラギーナン系多糖類、ローカストビーンガム系多糖類、カルボキシビニルポリマー、水添ひまし油系、水添ひまし油系と脂肪酸アマイドワックス系との混合物、特殊脂肪酸系、酸化ポリエチレン系、酸化ポリエチレン系とアマイド系との混合物、脂肪酸系多価カルボン酸、リン酸エステル系界面活性剤、長鎖ポリアミノアマイドとリン酸との塩、特殊変性ポリアマイド系などが挙げられる。
【００５０】
組成物Ａ中における増粘剤の含有量は、０．１重量％以上１０重量％以下の範囲内であることが好ましい。この増粘剤の含有量が上記範囲内であることにより、組成物Ａの十分な粘度調整効果が得られる。
【００５１】
組成物Ａの粘度は、特に制限されず、組成物Ａの塗布法、組成物Ａの膜厚に応じて適宜変更することができる。例えば、組成物Ａの塗布法がスピンコート法である場合、組成物Ａの良好な塗布性を得るためには、組成物Ａの粘度は、３００［ｍＰａ・ｓ］以下であることが好ましく、１００［ｍＰａ・ｓ］以下であることが特に好ましい。また、組成物Ａの好ましい印刷形態の一つであるスクリーン印刷方式の場合、組成物Ａの粘度は、３，０００［ｍＰａ・ｓ］以上であることが好ましい。これは、印刷パターンのにじみを抑制し良好なパターンを得ることができるからである。組成物Ａのさらに好ましい粘度は、５，０００［ｍＰａ・ｓ］以上である。組成物Ａの粘度の上限は、特に制限されないが、組成物Ａの保存安定性や取り扱い性の観点から、１００，０００［ｍＰａ・ｓ］以下であることが好ましい。
【００５２】
ここで、粘度は、１，０００［ｍＰａ・ｓ］未満の場合、ＪＩＳ  Ｚ  ８８０３（１９９１）「溶液粘度−測定方法」に基づきＥ型デジタル粘度計を用いて回転数５ｒｐｍで測定された値である。また、粘度は、１，０００［ｍＰａ・ｓ］以上の場合、ＪＩＳ  Ｚ  ８８０３（１９９１）「溶液粘度−測定方法」に基づきＢ型デジタル粘度計を用いて回転数２０ｒｐｍで測定された値である。
【００５３】
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤や、シリコーン系界面活性剤が好ましく用いられる。フッ素系界面活性剤の具体的な例としては、末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。このようなフッ素系界面活性剤としては、例えば、１，１，２，２−テトラフルオロオクチル（１，１，２，２−テトラフルオロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフルオロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロペンチル）エーテル、パーフルオロドデシルスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフルオロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロデカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］−Ｎ，Ｎ′−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステルなどが挙げられる。
【００５４】
また、市販品としては、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｆ４４４、同Ｆ４７５、同Ｆ４７７（以上、大日本インキ化学工業株式会社製）、エフトップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成株式会社製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム株式会社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子株式会社製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（裕商株式会社製）、ＮＢＸ−１５、ＦＴＸ−２１８、ＤＦＸ−２１８（株式会社ネオス製）などのフッ素系界面活性剤がある。
【００５５】
シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えば、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（以上、東レ・ダウコーニング株式会社製）、ＢＹＫ０６７Ａ、ＢＹＫ３１０、ＢＹＫ３２２、ＢＹＫ３３１、ＢＹＫ３３３、ＢＹＫ３５５（以上、ビックケミー・ジャパン株式会社製）などが挙げられる。
【００５６】
組成物Ａに界面活性剤を添加する場合、組成物Ａ中における界面活性剤の含有量は、０．０００１重量％以上１重量％以下とすることが好ましい。
【００５７】
また、組成物Ａとして特に好ましいものは、ホウ素化合物、ポリビニルアルコールおよび水を含むものである。例えば、ホウ素化合物は、不純物拡散成分として組成物Ａに含まれる。ポリビニルアルコールは、バインダー樹脂として組成物Ａに含まれる。水は、溶媒として組成物Ａに含まれる。
【００５８】
（組成物Ｂ）
組成物Ｂは、気中拡散抑制層としてのＢ層を形成するための組成物であり、ポリシロキサンおよび溶媒を含有する。このポリシロキサンは、組成物Ｂを用いてなるＢ層をＡ膜上に形成した状態において、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の熱拡散時に当該不純物拡散成分が気中拡散することを抑制する性質を有する化合物である。組成物Ｂは、ポリシロキサンの他に、気中拡散を抑制する化合物として、シロキサン共重合体、シロキサンオリゴマー、シリカ微粒子、シリカゲルなどを更に含有していてもよい。また、組成物Ｂは、これらの他に、バインダー樹脂を含有していてもよいし、増粘剤、界面活性剤などの添加剤を含有していてもよい。
【００５９】
（ポリシロキサン）
ポリシロキサンは、Ａ膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する性質を有し、この性質により、半導体基板のうち望まない部位への不純物拡散成分の拡散を防止することができる。また逆に、ポリシロキサンは、外方から組成物Ａとは異なる他の導電型（例えばｎ型に対するｐ型）の不純物拡散成分がＡ膜へ混入することを抑制する性質を有する。これにより、ポリシロキサンは、組成物Ａの塗布部分（Ａ膜の成膜部分）への望まない不純物拡散成分の拡散を抑制することもできる。組成物Ｂに含有されるポリシロキサンとしては、一般式（１）で表されるポリシロキサンが特に好適に用いられる。
【００６０】
【化２】
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【００６１】
一般式（１）中、Ｒ1は、炭素数６〜１５のアリール基を表す。複数のＲ1は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ3は、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。複数のＲ3は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ2およびＲ4は、水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基のいずれかを表す。複数のＲ2およびＲ4は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。ただし、Ｒ2およびＲ4のうちいずれか一方は、必ず水酸基である。ｎおよびｍは、各括弧内の成分の構成比率（％）を示す。これらのｎおよびｍは、ｎ＋ｍ＝１００であり、ｎ：ｍ＝９０：１０〜４０：６０であることが好ましい。
【００６２】
また、一般式（１）で表されるポリシロキサンの末端基（例えば一般式（１）中のＸ、Ｙ）は、水素（水素原子）、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基のいずれかである。
【００６３】
本発明における「基」において、「炭素数」とは、当該基にさらに置換される基も含めた合計の炭素数を表す。例えば、メトキシ基で置換されたブチル基の炭素数は「５」である。なお、一般式（１）で表されるポリシロキサンは、ブロック共重合体でもランダム共重合体でもよい。
【００６４】
ポリシロキサン中には、炭素数６〜１５のアリール基を含有するユニットがＳｉ原子換算で４０モル％以上含まれることが好ましい。このようなポリシロキサンを組成物Ｂが含有することにより、この組成物ＢからなるＢ層においては、ポリシロキサン骨格同士の架橋密度が高くなりすぎない。そのため、半導体基板中への不純物拡散成分の熱拡散時にＢ層がＡ膜を覆っているにもかかわらず、Ａ膜まで酸素が行き届くので、Ａ膜中のバインダー樹脂が熱分解することをＢ層は妨げないという効果がある。この効果により、熱拡散後も半導体基板上に余計な残渣が残らず、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の良好な拡散性が得られる。このため、上記不純物拡散成分の良好な拡散性と、Ｂ層による不純物拡散成分の気中拡散抑制効果との両立が可能となる。
【００６５】
また、Ｂ層の厚膜化によっても、Ｂ層のクラック発生がより抑制されるので、Ｂ層の焼成、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の熱拡散などの工程でＢ層にクラックが入りにくくなる。この結果、Ｂ層が、半導体基板中の不純物拡散層を他の不純物拡散成分から十分に保護する役割（マスク性）を果たし、半導体基板中への不純物拡散成分の熱拡散の安定性を向上させることができる。Ｂ層にマスク性を持たせるには、不純物拡散成分の熱拡散後におけるＢ層の膜厚が大きいほうがよい。このため、厚膜であってもＢ層にクラックが入りにくくなる本発明の組成物Ｂが好適に利用できる。
【００６６】
また、Ｂ層は、組成物Ｂに増粘剤等の熱分解成分が添加された場合であっても、熱分解に起因して生成された空孔を、組成物Ｂに含有のポリシロキサンのリフロー効果によって埋めることが可能となる。この結果、空孔の少ない緻密なＢ層を形成することができる。このような緻密なＢ層は、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の熱拡散時における雰囲気に影響されにくく、この半導体基板中の不純物拡散層を他の不純物拡散成分から十分に保護する高いマスク性を得ることができる。
【００６７】
一方、ポリシロキサン中において、炭素数６〜１５のアリール基を含有するユニットは、Ｓｉ原子換算で９０モル％以下とすることが好ましい。これにより、不純物拡散成分を拡散後のＡ膜の剥離残渣を半導体基板からなくすことが可能となる。Ａ膜の残渣は、有機物が完全に分解、揮発せずに残った炭化物であると考えられる。このようなＡ膜の残渣が半導体基板に残っている場合、半導体基板に対する不純物拡散成分のドーピング性を阻害するだけでなく、後に形成する電極と半導体基板（例えば不純物拡散層）とのコンタクト抵抗を上昇させ、この結果、太陽電池の効率を低下させる原因となる。ポリシロキサン中において、炭素数６〜１５のアリール基を含有するユニットがＳｉ原子換算で９０モル％を超えると、Ａ膜の有機成分が完全に分解、揮発する前に、Ｂ層における組成物Ｂの膜が緻密になりすぎ、これに起因して、Ａ膜の残渣が発生しやすくなると考えられる。
【００６８】
すなわち、一般式（１）中のｎおよびｍは、ｎ：ｍ＝９０：１０〜４０：６０であることが好ましい。また、一般式（１）において、Ｒ3がアルキル基である場合、このアルキル基の炭素数を６以下とすることにより、Ａ膜の残渣の発生を抑制するとともに、Ｒ1のアリール基によるリフロー効果を十分に引き出すことが可能になる。
【００６９】
また、上述のような効果を得るために、Ｂ層の乾燥後の膜厚は、２００［ｎｍ］以上２０００［ｎｍ］以下であることがより好ましい。Ｂ層の乾燥後の膜厚が２００［ｎｍ］以上である場合、Ｂ層の気中拡散抑制効果やマスク性がより向上する。一方で、Ｂ層の乾燥後の膜厚が２０００［ｎｍ］以下である場合、Ｂ層を介してＡ膜まで酸素が行き届きやすくなるため、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の拡散性がより向上する。なお、膜厚は、サーフコム１４００Ｄ（東京精密株式会社製）により測定した値である。
【００７０】
さらに、上述のように不純物拡散成分の良好な拡散性を得るためには、組成物Ａに含まれるバインダー樹脂の分解温度が、組成物Ｂに含まれるポリシロキサンの硬化温度よりも低いことが好ましい。これによって、不純物拡散成分の熱拡散時に、Ａ膜の温度が組成物Ａに含まれるバインダー樹脂の分解温度に達するまでの昇温過程で、Ｂ層中のポリシロキサンが硬化することはない。それ故、Ｂ層中のポリシロキサン骨格同士の架橋密度が高くなりすぎない。このことから、不純物拡散成分の熱拡散時にＢ層がＡ膜を覆っているにもかかわらず、Ａ膜まで酸素が行き届くので、Ｂ層は、Ａ膜中のバインダー樹脂が熱分解することを妨げない。この結果、不純物拡散成分の熱拡散後も、半導体基板上にＡ膜の余計な残渣が残らず、不純物拡散成分の良好な拡散性が得られるため、この良好な拡散性と、Ｂ層による不純物拡散成分の気中拡散抑制効果との両立が可能となる。
【００７１】
一般式（１）のＲ1としての炭素数６〜１５のアリール基は、無置換体、置換体のどちらでもよく、組成物Ｂの特性に応じて選択できる。この炭素数６〜１５のアリール基の具体例としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、ｐ−スチリル基、ｐ−メトキシフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらの中でも、特に、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基が好ましい。
【００７２】
一般式（１）のＲ3としての炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基は、いずれも無置換体、置換体のどちらでもよく、組成物Ｂの特性に応じて選択できる。
【００７３】
Ｒ3である炭素数１〜６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、トリフルオロメチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−メトキシ−ｎ−プロピル基、グリシジル基、３−グリシドキシプロピル基、３−アミノプロピル基、３−メルカプトプロピル基、３−イソシアネートプロピル基が挙げられる。これらの中でも、Ａ膜の残渣を無くしやすいという観点から、炭素数４以下のメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましい。
【００７４】
Ｒ3である炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、１，３−ブタンジエニル基、３−メトキシ−１−プロペニル基、３−アクリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基が挙げられる。これらの中でも、Ａ膜の残渣を無くしやすいという観点から、炭素数４以下のビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、１，３−ブタンジエニル基、３−メトキシ−１−プロペニル基が特に好ましい。
【００７５】
一般式（１）のＲ2およびＲ4としての炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基は、いずれも無置換体、置換体のどちらでもよく、組成物Ｂの特性に応じて選択できる。この炭素数１〜６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基が挙げられる。この炭素数１〜６のアシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基が挙げられる。
【００７６】
また、一般式（１）において、Ｘは、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアシルオキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数３〜１２のヘテロアリール基のいずれかを表す。Ｙは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜７のアシル基のいずれかを表す。
【００７７】
（溶媒）
組成物Ｂに含まれる溶媒は、特に限定されないが、Ａ膜の上にＢ層を安定して形成するために、Ａ膜とＢ層とを相溶させない溶媒であることが好ましい。すなわち、組成物Ｂに含まれる溶媒は、組成物Ａと組成物Ｂとが相溶しないようにするものであることが好ましい。そのためには、組成物Ａが水溶性バインダー樹脂を含み、組成物Ｂ中の溶媒に対する組成物Ａ中の水溶性バインダー樹脂の溶解度は、２５℃で０．０１［ｇ／ｍＬ］以下であることが好ましい。このような組成物Ａ中の水溶性バインダー樹脂と組成物Ｂ中の溶媒との組み合わせにより、半導体基板上に形成されたＡ膜（溶媒が揮発し、実質的に溶媒を含んでいない状態）上に組成物Ｂを用いてＢ層を形成する際、Ａ膜と組成物Ｂとが成膜に支障を来すほどに混じり合うことがない。このため、Ｂ層は、Ａ膜の上に安定して形成しやすくなる。
【００７８】
組成物Ａ中の水溶性バインダー樹脂として特に好ましいポリビニルアルコールを用いた場合、上述の条件を満たす組成物Ｂの溶媒の具体例としては、γ―ブチロラクトン、テキサノール、テルピネオール、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジメチルホルムアミド、２−ブタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどを挙げることができる。これらの中でも、γ−ブチロラクトン、テルピネオール、テキサノールが好ましい。
【００７９】
（バインダー樹脂、増粘剤、界面活性剤）
バインダー樹脂および増粘剤は、組成物Ｂの溶媒に対して１０重量％以上の溶解度を示すものであれば、特に制限なく組成物Ｂに用いることができる。組成物Ｂのバインダー樹脂としては、特に、ポリビニルブチラールや（メタ）アクリル酸エステル樹脂が好ましい。組成物Ｂの増粘剤としては、特に、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、シリコーンオイルが好ましい。組成物Ｂの界面活性剤については、組成物Ａに適宜含まれるものと同じであるが、その含有量は、組成物Ｂに添加する場合、組成物Ａ中に含まれる界面活性剤の０．０００１〜１重量％である。
【００８０】
組成物Ｂにポリシロキサンやシロキサン誘導体を用いる場合には、Ｂ層のマスク性の向上を目的として、組成物Ｂにシリカ粒子を添加することも可能である。この場合、シリカ粒子は、平均粒子径が１５０［ｎｍ］以下のものであることが好ましい。
【００８１】
（その他の添加剤）
組成物Ｂは、他に、不純物拡散成分や不純物元素と安定な結合を形成する化合物を含むことができる。組成物Ｂは、これらの化合物を含むことでＢ層のマスク性を向上させる。具体的には、組成物Ａに含まれる不純物拡散成分がリンである場合、組成物Ｂに含まれる添加剤として、ガリウムまたはアルミニウムの化合物が好ましい。組成物Ａに含まれる不純物拡散成分がホウ素である場合、組成物Ｂに含まれる添加剤として、リン、タンタル、ニオブ、砒素またはアンチモンを含む化合物が好ましい。このような組成物Ｂ中の添加剤が不純物拡散成分や不純物元素と安定な結合を形成することで、シリコンウエハなどの半導体基板中への意図せぬ不純物の拡散を抑制することができるため、半導体基板に対する不純物拡散成分の、汚染の無い良好な拡散を実現することが可能となる。
【００８２】
（Ａ膜およびＢ層の形成方法）
本発明におけるＡ膜およびＢ層の形成方法について説明する。この形成方法は、半導体基板面上に、組成物ＡからなるＡ膜と、組成物ＢからなるＢ層とを形成するものである。これらＡ膜およびＢ層の形成方法としては、公知の手法を用いることができるが、半導体基板面上に組成物Ａを塗布してＡ膜を形成し、このＡ膜の上に組成物Ｂを塗布してＢ層を形成するという、塗布法が好適に用いられる。Ａ膜およびＢ層を形成する塗布法の具体例としては、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、スクリーン印刷法などが挙げられる。
【００８３】
塗布法を用いたＡ膜およびＢ層の形成方法において、Ａ膜の上にＢ層を安定して形成するために、例えば、半導体基板面上に組成物Ａを塗布成膜してＡ膜を形成し、乾燥した後に、この乾燥後のＡ膜の上に組成物Ｂを塗布成膜してＢ層を形成することが行われる。しかし、この形成方法では、Ａ膜およびＢ層を形成するための塗布工程および乾燥工程を交互に実施することになるので、総工程数が多くなってしまう。Ａ膜およびＢ層の形成に必要な工程数を減らし、これによって半導体素子（延いては太陽電池）の製造コストやタクトタイムを減らすという目的を達成するためには、Ａ膜を形成する工程とＢ層を形成する工程とが、熱処理による乾燥工程を介さず連続して行われることが好ましい。このことから、組成物Ａおよび組成物Ｂの塗布法として、上記のようなＡ膜およびＢ層の連続した形成を行うことが可能なスピンコート法やインクジェット法が好適に用いられる。
【００８４】
スピンコート法で組成物Ａの塗布および組成物Ｂの塗布を連続して行う場合、シリコンウエハなどの半導体基板面上に対し、組成物Ａを滴下した後、スピンコート法における回転（具体的には半導体基板の回転）を止めずに連続して組成物Ｂを滴下することが、より好ましい。これにより、半導体基板面上にＡ膜およびＢ層を順次連続して成膜できることから、半導体基板面上でのＡ膜の形成と、このＡ膜上でのＢ層の形成とを１工程で行うことができる。この結果、Ａ膜およびＢ層の形成に必要な工程数の低減を達成することができる。また、スピンコート法は、均一な膜を形成しやすいので、半導体基板面のうち目的の不純物拡散成分を拡散させる対象領域上にＡ膜を均一に成膜し、且つ、このＡ膜上にマスクとしてのＢ層を均一に成膜して、上記工程数の低減という目的を達成しやすいというメリットもある。
【００８５】
上述した塗布法を組成物Ａおよび組成物Ｂの塗布成膜の方法に好適に用いるためには、組成物Ａおよび組成物Ｂが各々含む各溶媒の沸点や組成物Ａおよび組成物Ｂの各粘度が塗布法を用いた工程に適している必要がある。例えば、組成物Ａおよび組成物Ｂをスピンコート法で塗布成膜する場合、組成物Ａが含む溶媒の沸点は、３０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。組成物Ｂが含む溶媒の沸点は、３０℃以上２８０℃未満であることが好ましく、７０℃以上２００℃未満であることがより好ましい。組成物Ａおよび組成物Ｂをインクジェット法で塗布成膜する場合、組成物Ａおよび組成物Ｂが各々含む各溶媒の沸点は、１００℃以上２８０℃未満であることが好ましく、１２０℃以上２００℃未満であることがより好ましい。
【００８６】
一方、半導体基板面上に組成物ＡからなるＡ膜と組成物ＢからなるＢ層とを形成する方法としては、ラミネート方式も好適に用いられる。ラミネート方式によるＡ膜およびＢ層の形成方法の一例として、以下に示す２つの方法が挙げられる。
【００８７】
例えば、第１の方法では、あらかじめフィルム上に組成物Ａを用いて形成されたＡ膜を、ラミネートにより半導体基板面に転写する。その後、あらかじめフィルム上に組成物Ｂを用いて形成されたＢ層を、ラミネートにより、この半導体基板面上のＡ膜の面に転写する。これにより、半導体基板上にＡ膜およびＢ層が形成される。
【００８８】
また、第２の方法では、フィルム上に組成物Ｂを用いて形成したＢ層と、このＢ層上に組成物Ａを用いて形成したＡ膜との積層体をあらかじめ形成し、この積層体が形成されたフィルムを半導体基板面にラミネートして、この積層体をこの半導体基板面に転写する。これにより、半導体基板上にＡ膜およびＢ層が形成される。
【００８９】
（半導体素子および太陽電池の各製造方法）
本発明に係る半導体素子および太陽電池の各製造方法について、代表的な例を用いて以下に説明する。本発明に係る半導体素子の製造方法は、膜層形成工程と拡散工程とを含むものである。膜層形成工程は、半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜であるＡ膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Ｂを用いてなり、少なくともこのＡ膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるＢ層と、を形成する工程である。拡散工程は、これらのＡ膜とＢ層とが形成された半導体基板を熱処理して、この半導体基板中にＡ膜からの不純物拡散成分を拡散させる工程である。本発明に係る太陽電池の製造方法は、このような半導体素子の製造方法を含むものである。
【００９０】
これらの各製造方法において用いられる半導体基板としては、例えば、不純物濃度が１０15〜１０16［ａｔｏｍｓ／ｃｍ3］であるｎ型単結晶シリコン、多結晶シリコン、およびゲルマニウム、炭素などのような他の元素が混合されている結晶シリコン基板が挙げられる。あるいは、ｐ型結晶シリコンやシリコン以外の半導体基板を用いることも可能である。このような半導体基板は、厚さが５０［μｍ］〜３００［μｍ］であり、外形が一辺１００［ｍｍ］〜２５０［ｍｍ］の概略四角形であることが好ましい。また、半導体基板面のスライスダメージや自然酸化膜を除去するために、フッ酸溶液やアルカリ溶液などで半導体基板面をエッチングしておくことが好ましい。
【００９１】
（実施形態１）
まず、本発明の実施形態１に係る半導体素子の製造方法について説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る半導体素子の製造方法の一例を示す図である。本実施形態１に係る半導体素子の製造方法において、膜層形成工程は、塗布法を用いたＡ膜形成工程とＢ層形成工程とを含むものである。
【００９２】
具体的には、図１に示すように、まず、Ａ膜形成工程（工程ＳＴ１０１）が行われる。この工程ＳＴ１０１では、半導体基板１の所定の面（例えば半導体基板１の厚さ方向両端面のうちの一方の面）に、上述した塗布法で組成物Ａを塗布することによって、Ａ膜２が形成される。この際、半導体基板１のうちＡ膜２が形成された面（組成物Ａの塗布面）とは反対側の面（半導体基板１の厚さ方向両端面のうちの他方の面）には、あらかじめ保護膜が形成されていてもよい。この保護膜は、ＣＶＤ（化学気相成長）法やスピンオングラス（ＳＯＧ）法などの手法によって形成することができる。例えば、この保護膜として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの公知のものが挙げられる。
【００９３】
続いて、図１に示すように、Ｂ層形成工程（工程ＳＴ１０２）が行われる。この工程ＳＴ１０２では、上記の工程ＳＴ１０２によって半導体基板１の所定の面上に形成されたＡ膜２の上に、上述した塗布法で組成物Ｂを塗布することによって、Ｂ層３が形成される。
【００９４】
本実施形態１における膜層形成工程では、図１に示す工程ＳＴ１０１および工程ＳＴ１０２が連続して行われる。すなわち、Ａ膜２およびＢ層３は、熱処理による乾燥工程を介さず連続して、半導体基板１の上に順次形成される。
【００９５】
このように半導体基板１の上にＡ膜２およびＢ層３を順次形成した後、これらのＡ膜２およびＢ層３を乾燥する乾燥工程を行ってもよい。この乾燥工程では、Ａ膜２を構成する乾燥前の組成物Ａと、Ｂ層３を構成する乾燥前の組成物Ｂとを乾燥する。このような乾燥工程は、これらの組成物Ａおよび組成物Ｂを、ホットプレート、オーブンなどで、５０℃〜２００℃の範囲で３０秒〜３０分間乾燥することが好ましい。
【００９６】
また、Ａ膜形成工程（工程ＳＴ１０１）およびＢ層形成工程（工程ＳＴ１０２）に用いられる塗布法としては、上述したように、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、スクリーン印刷法などが挙げられるが、中でも、スピンコート法やインクジェット法が好ましい。
【００９７】
例えば、Ａ膜２およびＢ層３がスピンコート法によって形成される場合、図１に示す工程ＳＴ１０１および工程ＳＴ１０２は、スピンコート法における回転（具体的には半導体基板１の回転）を止めずに連続して行われることが好ましい。
【００９８】
上述した工程ＳＴ１０２が完了した後、図１に示すように、拡散工程（工程ＳＴ１０３）が行われる。この工程ＳＴ１０３では、Ａ膜２とＢ層３とが形成された半導体基板１を熱処理して、半導体基板１中に不純物拡散成分を拡散させる。この際、組成物Ａに含まれる目的の不純物拡散成分が、Ａ膜２から半導体基板１中に熱拡散する。これにより、半導体基板１中には、目的とする導電型（ｎ型またはｐ型）の不純物拡散層４が形成される。これに並行して、Ｂ層３は、Ａ膜２からの目的の不純物拡散成分の気中拡散を抑制するとともに、組成物Ａと異なる他の導電型の不純物拡散成分が外方からＡ膜２へ混入することを抑制している。
【００９９】
この工程ＳＴ１０３における熱処理の方法としては、例えば、電気加熱、赤外加熱、レーザー加熱、マイクロ波加熱などの公知の方法を用いることができる。この熱処理の時間および温度は、半導体基板１中に拡散させる不純物拡散成分の濃度や拡散深さなどの拡散特性が所望のものとなるように、適宜設定することができる。
【０１００】
また、この熱処理のガス雰囲気としては、特に制限はないが、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、クリプトンなどの混合ガス雰囲気であることが好ましい。中でも、窒素と酸素との混合ガスがより好ましく、酸素の含有率が５体積％以下である窒素と酸素との混合ガスが特に好ましい。また、工程ＳＴ１０３では、必要に応じて、不純物拡散層４の形成前に２００℃〜７５０℃の範囲でＡ膜２の焼成を行ってもよい。
【０１０１】
上述した工程ＳＴ１０３が完了した後、図１に示すように、除去工程（工程ＳＴ１０４）が行われる。この工程ＳＴ１０４では、半導体基板１上のＡ膜２およびＢ層３が、公知のエッチング法によって除去される。このエッチング法に用いる材料は、特に限定されないが、例えば、エッチング成分としてフッ化水素、アンモニウム、リン酸、硫酸、硝酸のうち少なくとも１種類を含み、それ以外の成分として水や有機溶剤などを含むものが好ましい。以上の各工程により、半導体基板１中に、目的とする導電型の不純物拡散層４を形成することができる。このようにして、本実施形態１に係る半導体素子１００が製造される。
【０１０２】
（実施形態２）
つぎに、本発明の実施形態２に係る半導体素子の製造方法について説明する。図２Ａは、本発明の実施形態２に係る半導体素子の製造方法の一例を示す図である。本実施形態２に係る半導体素子の製造方法は、Ａ膜とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜を半導体基板上に形成する膜形成工程と、Ａ膜およびＢ層を半導体基板上に形成する膜層形成工程と、半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる拡散工程とを含むものである。また、本実施形態２に係る半導体素子の製造方法において、膜層形成工程は、塗布法を用いたＡ膜形成工程とＢ層形成工程とを含むものである。
【０１０３】
具体的には、図２Ａに示すように、まず、膜形成工程（工程ＳＴ２０１）が行われる。この工程ＳＴ２０１では、半導体基板１１のうち、後述するＡ膜１２（図２Ａ中の工程ＳＴ２０２参照）とは反対側の面に、Ａ膜１２とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜１５が形成される。この不純物拡散組成物膜１５の形成面は、例えば、半導体基板１１の厚さ方向両端面のうちの一方の面である。不純物拡散組成物膜１５は、組成物Ａとは異なる導電型の不純物拡散組成物を、上述した塗布法で半導体基板１１の面上に塗布することによって形成することが可能である。不純物拡散組成物膜１５を構成する不純物拡散組成物は、組成物Ａと異なる導電型の不純物拡散成分を含有し、上述した塗布法で成膜が可能なものであれば、制限なく用いることができる。
【０１０４】
このように半導体基板１１の面上に不純物拡散組成物膜１５を形成した後、この不純物拡散組成物膜１５を乾燥する乾燥工程を行ってもよい。また、２００℃〜７５０℃の範囲で不純物拡散組成物膜１５の焼成を行ってもよい。
【０１０５】
上述した工程ＳＴ２０１が完了した後、図２Ａに示すように、Ａ膜形成工程（工程ＳＴ２０２）が行われる。この工程ＳＴ２０２では、半導体基板１１の所定の面（本実施形態２では、半導体基板１の厚さ方向両端面のうちの他方の面）に、上述した塗布法で組成物Ａを塗布することによって、Ａ膜１２が形成される。このＡ膜１２の形成面は、図２Ａに示すように、半導体基板１１のうち不純物拡散組成物膜１５とは反対側の面である。
【０１０６】
続いて、図２Ａに示すように、Ｂ層形成工程（工程ＳＴ２０３）が行われる。この工程ＳＴ２０３では、上記の工程ＳＴ２０２によって半導体基板１１の所定の面上に形成されたＡ膜１２の外表面に、上述した塗布法で組成物Ｂを塗布することによって、Ｂ層１３が形成される。
【０１０７】
本実施形態２における膜層形成工程では、図２Ａに示す工程ＳＴ２０２および工程ＳＴ２０３が連続して行われる。すなわち、Ａ膜１２およびＢ層１３は、熱処理による乾燥工程を介さず連続して、半導体基板１１の面上に順次形成される。この際、工程ＳＴ２０２および工程ＳＴ２０３に用いられる塗布法は、上述した実施形態１と同様（スピンコート法やインクジェット法など）である。このように半導体基板１１の面上にＡ膜１２およびＢ層１３を順次形成した後、上述した実施形態１と同様に、これらのＡ膜１２およびＢ層１３を乾燥する乾燥工程を行ってもよい。
【０１０８】
上述した工程ＳＴ２０３が完了した後、図２Ａに示すように、拡散工程（工程ＳＴ２０４）が行われる。この工程ＳＴ２０４では、不純物拡散組成物膜１５とＡ膜１２およびＢ層１３とが形成された半導体基板１１を、上述した実施形態１と同様の手法で熱処理して、不純物拡散組成物膜１５からの不純物拡散成分を半導体基板１１中に拡散させるとともに、Ａ膜１２からの不純物拡散成分を半導体基板１１中に拡散させる。この際、不純物拡散組成物膜１５に含まれる目的の不純物拡散成分が、不純物拡散組成物膜１５から半導体基板１１中に熱拡散する。これと同時に、Ａ膜１２（組成物Ａ）に含まれる目的の不純物拡散成分が、Ａ膜１２から半導体基板１１中に熱拡散する。これにより、半導体基板１１中には、不純物拡散組成物膜１５からの不純物拡散層１６と、Ａ膜１２からの不純物拡散層１４とが同時に形成される。不純物拡散層１６は、目的とする第１の導電型（ｎ型またはｐ型）のものである。不純物拡散層１４は、目的とする第２の導電型（第１の導電型とは異なる導電型）のものである。これらの不純物拡散層１６および不純物拡散層１４は、図２Ａに示すように、半導体基板１１中における厚さ方向両側に各々形成される。
【０１０９】
上述した工程ＳＴ２０４が完了した後、図２Ａに示すように、除去工程（工程ＳＴ２０５）が行われる。この工程ＳＴ２０５では、半導体基板１１のうち一方の面上に形成された不純物拡散組成物膜１５と、他方の面上に形成されたＡ膜１２およびＢ層１３とが、上述した実施形態１と同様のエッチング法によって除去される。以上の各工程により、半導体基板１１のうち一方の面側に、目的とする第１の導電型の不純物拡散層１６を形成し、他方の面側に、目的とする第２の導電型の不純物拡散層１４を形成することができる。このようにして、本実施形態２に係る半導体素子２００が製造される。この半導体素子２００は、両面受光型の太陽電池用の半導体素子として適している。
【０１１０】
本実施形態２では、互いに導電型が異なる不純物拡散組成物膜１５およびＡ膜１２を形成した半導体基板１１に熱処理を施した際（図２Ａに示す工程ＳＴ２０４）、Ｂ層１３が、Ａ膜１２から目的の不純物拡散成分が気中拡散することを抑制するとともに、不純物拡散組成物膜１５から気中拡散した不純物拡散成分（Ａ膜１２とは異なる導電型のもの）がＡ膜１２へ入り込むことを抑制する役割を果たす。これにより、半導体基板１１における所望の領域に、ｎ型不純物やｐ型不純物を拡散させることができる。
【０１１１】
つぎに、本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造方法について説明する。図２Ｂは、本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造方法の一例を示す図である。図２Ｂには、本実施形態２に係る太陽電池の製造に用いることが可能な半導体素子２００（図２Ａ参照）を製造した後の工程が図示されている。
【０１１２】
本実施形態２に係る太陽電池の製造方法は、図２Ａに示した半導体素子２００の製造方法を含むものである。すなわち、上述したように半導体素子２００を製造した後、公知の方法を用いて、本実施形態２に係る太陽電池（両面受光型の太陽電池）を製造することができる。
【０１１３】
例えば、本実施形態２に係る太陽電池の製造方法では、図２Ａに示した半導体素子２００の製造工程に続いて、図２Ｂに示すように、パッシベーション層形成工程（工程ＳＴ３０１）が行われる。この工程ＳＴ３０１では、半導体基板１１の受光面および裏面の各々に、パッシベーション層１７が形成される。パッシベーション層１７の材料としては、公知の材料を用いることができる。パッシベーション層１７は、単層でも複数層でもよい。例えば、パッシベーション層１７としては、熱酸化層、酸化アルミニウム層、ＳｉＮｘ層、アモルファスシリコン層を積層したものがある。パッシベーション層１７は、プラズマＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法などの蒸着法、または塗布法により形成できる。
【０１１４】
本実施形態２において、パッシベーション層１７は、半導体基板１１の受光面および裏面の各々における一部の領域に形成されている。また、半導体素子２００において、受光面は、半導体基板１１のうち第１の導電型の不純物拡散層１６側の面である。裏面は、半導体基板１１のうち第２の導電型の不純物拡散層１４側の面である。
【０１１５】
上述した工程ＳＴ３０１が完了した後、図２Ｂに示すように、電極形成工程（工程ＳＴ３０２）が行われる。この工程ＳＴ３０２では、半導体基板１１の受光面および裏面において、パッシベーション層１７の存在しない部分に、電極１８および電極１９が各々形成される。これらの電極１８および電極１９は、半導体基板１１のうち不純物拡散層１６または不純物拡散層１４の各露出部分に電極形成用ペーストを付与した後、これら各露出部分の電極形成用ペーストを加熱処理することによって形成することができる。以上の各工程により、本実施形態２に係る両面受光型の太陽電池２５０が製造される。
【０１１６】
（実施形態３）
つぎに、本発明の実施形態３に係る半導体素子の製造方法について説明する。図３Ａは、本発明の実施形態３に係る半導体素子の製造方法の一例を示す図である。本実施形態３に係る半導体素子の製造方法は、Ａ膜とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜を半導体基板上に形成する膜形成工程と、Ａ膜およびＢ層を半導体基板上に形成する膜層形成工程と、半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる拡散工程とを含むものである。また、本実施形態３に係る半導体素子の製造方法において、膜層形成工程は、塗布法を用いたＡ膜形成工程とＢ層形成工程とを含むものである。
【０１１７】
本実施形態３では、裏面接合型の太陽電池用の半導体素子を製造する場合に適用される製造方法が例示される。裏面接合型の太陽電池用の半導体素子においては、この太陽電池における受光面の反対側の面である裏面に、ｐ型の不純物拡散層およびｎ型の不純物拡散層が形成される。
【０１１８】
具体的には、図３Ａに示すように、まず、膜形成工程（工程ＳＴ４０１）が行われる。この工程ＳＴ４０１では、半導体基板２１の所定の面（太陽電池における裏面）に、後述するＡ膜２２とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜２５が形成される。この際、半導体基板２１の裏面上に、組成物Ａとは異なる第１の導電型の不純物拡散組成物を塗布することにより、不純物拡散組成物膜２５のパターンが形成される。このパターンの形成は、スクリーン印刷法やインクジェット法など、上述した塗布法の中から適宜選択したものによって行うことができる。不純物拡散組成物膜２５を構成する不純物拡散組成物は、第１の導電型の不純物拡散成分を含有し、上述した塗布法で成膜が可能なものであれば、制限なく用いることができる。
【０１１９】
このように半導体基板２１の裏面上に不純物拡散組成物膜２５のパターンを形成した後、この不純物拡散組成物膜２５を乾燥する乾燥工程を行ってもよい。また、２００℃〜７５０℃の範囲で不純物拡散組成物膜２５の焼成を行ってもよい。
【０１２０】
上述した工程ＳＴ４０１が完了した後、図３Ａに示すように、第１の拡散工程（工程ＳＴ４０２）が行われる。この工程ＳＴ４０２では、不純物拡散組成物膜２５のパターンが形成された半導体基板２１を、上述した実施形態１と同様の手法で熱処理して、不純物拡散組成物膜２５に含まれる第１の導電型の不純物拡散成分を半導体基板２１中に拡散させる。この際、第１の導電型の不純物拡散成分は、熱処理された不純物拡散組成物膜２５のパターンから半導体基板２１中に熱拡散する。これにより、半導体基板２１中の裏面側には、目的とする第１の導電型の不純物拡散層２６が、不純物拡散組成物膜２５のパターンに沿って形成される。
【０１２１】
上述した工程ＳＴ４０２が完了した後、図３Ａに示すように、Ａ膜形成工程（工程ＳＴ４０３）が行われる。この工程ＳＴ４０３では、半導体基板２１の裏面（不純物拡散組成物膜２５と同じ側の面）に、上述した塗布法で組成物Ａを塗布することによって、Ａ膜２２が形成される。この際、組成物Ａは、不純物拡散組成物膜２５のパターンをマスクとして、半導体基板２１の裏面上に塗布される。これにより、Ａ膜２２は、このパターン下の不純物拡散層２６と接することなく、不純物拡散組成物膜２５を覆うように半導体基板２１の裏面上に形成される。
【０１２２】
続いて、図３Ａに示すように、Ｂ層形成工程（工程ＳＴ４０４）が行われる。この工程ＳＴ４０４では、上記の工程ＳＴ４０３によって形成されたＡ膜２２の外表面に、上述した塗布法で組成物Ｂを塗布することによって、Ｂ層２３が形成される。
【０１２３】
本実施形態３における膜層形成工程では、図３Ａに示す工程ＳＴ４０３および工程ＳＴ４０４が連続して行われる。すなわち、Ａ膜２２およびＢ層２３は、熱処理による乾燥工程を介さず連続して、半導体基板２１の裏面上に順次形成される。この際、工程ＳＴ４０３および工程ＳＴ４０４に用いられる塗布法は、上述した実施形態１と同様（スピンコート法やインクジェット法など）である。このように半導体基板２１の裏面上にＡ膜２２およびＢ層２３を順次形成した後、上述した実施形態１と同様に、これらのＡ膜２２およびＢ層２３を乾燥する乾燥工程を行ってもよい。
【０１２４】
上述した工程ＳＴ４０４が完了した後、図３Ａに示すように、第２の拡散工程（工程ＳＴ４０５）が行われる。この工程ＳＴ４０５では、不純物拡散組成物膜２５とＡ膜２２およびＢ層２３とが形成された半導体基板２１を、上述した実施形態１と同様の手法で熱処理して、Ａ膜２２からの不純物拡散成分を半導体基板２１中に拡散させる。この際、Ａ膜２２（組成物Ａ）に含まれる第２の導電型（第１の導電型と異なる導電型）の不純物拡散成分が、Ａ膜２２から、半導体基板２１の裏面部分のうち不純物拡散組成物膜２５のパターンでマスクされていない露出部分中に熱拡散する。これにより、半導体基板２１の裏面における上記露出部分中には、Ａ膜２２からの不純物拡散層２４が形成される。不純物拡散層２４は、目的とする第２の導電型のものである。
【０１２５】
上述した工程ＳＴ４０５が完了した後、図３Ａに示すように、除去工程（工程ＳＴ４０６）が行われる。この工程ＳＴ４０６では、半導体基板２１の裏面上に形成された不純物拡散組成物膜２５のパターン、Ａ膜２２およびＢ層２３が、上述した実施形態１と同様のエッチング法によって除去される。以上の各工程により、半導体基板２１の裏面側に、目的とする第１の導電型の不純物拡散層２６と第２の導電型の不純物拡散層２４とを形成することができる。このようにして、本実施形態３に係る半導体素子３００が製造される。この半導体素子３００は、裏面接合型の太陽電池用の半導体素子として適している。
【０１２６】
本実施形態３では、第２の導電型の不純物拡散層２４を形成する際（図３Ａに示す工程ＳＴ４０５）、Ｂ層２３が、Ａ膜２２から目的とする第２の導電型の不純物拡散成分が気中拡散することを抑制する。このため、Ａ膜２２から気中拡散した不純物拡散成分が半導体基板２１の受光面（２種類の不純物拡散層２４、２６が形成された側の面（裏面）とは反対側の面）に意図せず拡散することを防ぐことができる。
【０１２７】
つぎに、本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造方法について説明する。図３Ｂは、本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造方法の一例を示す図である。図３Ｂには、本実施形態３に係る太陽電池の製造に用いることが可能な半導体素子３００（図３Ａ参照）を製造した後の工程が図示されている。
【０１２８】
本実施形態３に係る太陽電池の製造方法は、図３Ａに示した半導体素子３００の製造方法を含むものである。すなわち、上述したように半導体素子３００を製造した後、公知の方法を用いて、本実施形態３に係る太陽電池（裏面接合型の太陽電池）を製造することができる。
【０１２９】
例えば、本実施形態３に係る太陽電池の製造方法では、図３Ａに示した半導体素子３００の製造工程に続いて、図３Ｂに示すように、パッシベーション層形成工程（工程ＳＴ５０１）が行われる。この工程ＳＴ５０１では、半導体基板２１の裏面に、パッシベーション層２７が形成される。パッシベーション層２７の材料としては、公知の材料を用いることができる。パッシベーション層２７は、単層でも複数層でもよい。例えば、パッシベーション層２７としては、熱酸化層、酸化アルミニウム層、ＳｉＮｘ層、アモルファスシリコン層を積層したものがある。パッシベーション層２７は、プラズマＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法などの蒸着法、または塗布法により形成できる。本実施形態３において、パッシベーション層２７は、半導体基板２１の裏面（２種類の不純物拡散層２４、２６が形成された側の面）における一部の領域に形成されている。
【０１３０】
上述した工程ＳＴ５０１が完了した後、図３Ｂに示すように、電極形成工程（工程ＳＴ５０２）が行われる。この工程ＳＴ５０２では、半導体基板２１の裏面のうち、パッシベーション層２７の存在しない各部分に、電極２８および電極２９が各々形成される。これらの電極２８および電極２９は、半導体基板２１の裏面のうち不純物拡散層２６または不純物拡散層２４の各露出部分に電極形成用ペーストを付与した後、これら各露出部分の電極形成用ペーストを加熱処理することによって形成することができる。以上の各工程により、本実施形態３に係る裏面接合型の太陽電池３５０が製造される。
【０１３１】
本発明に係る半導体素子および太陽電池の各製造方法は、上述の実施形態１〜３に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範疇に含まれるものである。例えば、上述した実施形態１〜３では、塗布法を用いたＡ膜形成工程とＢ層形成工程とを含む膜層形成工程が例示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。上述した膜層形成工程は、あらかじめ組成物Ａを用いて形成したＡ膜と、このＡ膜上に組成物Ｂを用いて形成したＢ層との積層体を、半導体基板の所定の面にラミネートして形成する工程を含む、ラミネート方式のものであってもよい。
【０１３２】
また、本発明に係る半導体素子の製造方法は、太陽電池などの光起電力素子や、半導体基板面に不純物拡散層をパターン形成する半導体デバイス、例えば、トランジスターアレイやダイオードアレイ、フォトダイオードアレイ、トランスデューサーなどにも展開することができる。
【実施例】
【０１３３】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、下記の実施例に限定されない。また、下記の実施例において用いた化合物のうち、略語を使用しているものは、つぎのように定義される。【０１３４】
「Ｂ2Ｏ3」は、三酸化二ホウ素である。「ＰＶＡ」は、ポリビニルアルコールである。「ＧＢＬ」は、γ−ブチロラクトンである。「ＭＭＢ」は、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノールである。「ＰＧＭＥ」は、プロピレングリコールモノメチルエーテルである。「ＤＭＦ」は、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミドである。「ＭｅＴＭＳ」は、メチルトリメトキシシランである。「ＰｈＴＭＳ」は、フェニルトリメトキシシランである。【０１３５】
図４は、本発明の実施例における剥離性、拡散性、拡散均一性およびバリア性の各評価を説明する図である。図５は、本発明の実施例における気中拡散性評価を説明する図である。図４、５を適宜参照して、本実施例における各評価について説明する。【０１３６】
（剥離性評価）
剥離性評価は、半導体基板面からのＡ膜の剥離性を評価するものである。剥離性評価において、半導体基板の一例であるシリコンウエハ３１（図４参照）は、１５６ｍｍ×１５６ｍｍのテクスチャ加工を施したｎ型シリコンウエハ（株式会社エレクトロニクス  エンド  マテリアルズ  コーポレーション製、抵抗値０．５−６．０［Ω・ｃｍ］）とした。このシリコンウエハ３１を５重量％のフッ酸水溶液に１分間浸漬した後に水洗し、エアブローにより乾燥した。【０１３７】
つぎに、組成物Ａを、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でシリコンウエハ３１に塗布して、図４の状態ａ１に示すＡ膜３２を成膜した。続いて、組成物Ｂを、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でＡ膜３２上に塗布して、図４の状態ａ１に示すＢ層３３を成膜した。その後、シリコンウエハ３１を１５０℃で１分間プリベークした。こうして、図４の状態ａ１に示すような、ｎ型のシリコンウエハ３１の面上にＡ膜３２とＢ層３３とを有する不純物拡散組成物塗布基板３０を得た。【０１３８】
ついで、この得られた不純物拡散組成物塗布基板３０を拡散炉内に配置し、窒素：酸素＝９９：１（体積比）の雰囲気下、９００℃で３０分間維持して、Ａ膜３２からシリコンウエハ３１中へ不純物拡散成分を熱拡散させた。熱拡散後、不純物拡散組成物塗布基板３０を、５重量％のフッ酸水溶液に２３℃で１分間浸漬させて、シリコンウエハ３１からＡ膜３２およびＢ層３３を剥離した。剥離後、シリコンウエハ３１を純水に浸漬させて洗浄し、シリコンウエハ３１の表面の目視により、この表面に付着しているＡ膜３２の残渣（以下、「表面付着物」と適宜いう）の有無を観察した。【０１３９】
本実施例の剥離性評価において、評価対象の各シリコンウエハ３１のうち、１分間浸漬後に目視で表面付着物が確認でき、ウエスで擦っても表面付着物を除去できないものは、「worse（劣）」と判定した。１分間浸漬後に目視で表面付着物が確認できるが、ウエスで擦ることで除去できるものは、「bad（不可）」と判定した。３０秒超、１分以内の浸漬で表面付着物が目視確認できなくなったものは、「good（良）」と判定した。３０秒以内の浸漬で表面付着物が目視確認できなくなったものは、「excellent（優）」と判定した。製造のタクトタイムの観点から、シリコンウエハ３１とＡ膜３２との組み合わせは、剥離性がgood（良）でも使用可ではあるが、剥離性がexcellent（優）であることが好ましい。【０１４０】
（拡散性評価）
拡散性評価は、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の拡散性を評価するものである。拡散性評価では、上述の剥離性評価に用いた拡散後のシリコンウエハ３１に対して、ｐ／ｎ判定機を用いてｐ／ｎ判定を行い、シリコンウエハ３１における不純物拡散成分の拡散部分の表面抵抗を、四探針式表面抵抗測定装置ＲＴ−７０Ｖ（ナプソン株式会社製）を用いて測定し、得られた測定値をシート抵抗値とした。シート抵抗値は、半導体基板中に対する不純物拡散成分の拡散性の指標となるものである。シート抵抗値が小さい方が、不純物拡散成分の拡散量が大きいことを意味する。本実施例の拡散性評価において、シート抵抗値が４０〜６０［Ω／□］であれば、excellent（優）と判定した。シート抵抗値が６０〜８０［Ω／□］であれば、good（良）と判定した。シート抵抗値が８０〜１００［Ω／□］であれば、bad（不可）と判定した。シート抵抗値が１００［Ω／□］を上回れば、worse（劣）と判定した。【０１４１】
（拡散均一性評価）
拡散均一性評価は、Ａ膜から半導体基板中への不純物拡散成分の拡散均一性を評価するものである。拡散均一性評価では、上述のシート抵抗値の測定に用いた拡散後のシリコンウエハ３１に対して、二次イオン質量分析装置ＩＭＳ７ｆ（Ｃａｍｅｒａ社製）を用いて、不純物拡散成分の拡散部分の表面濃度分布を測定した。得られた表面濃度分布から、１００μｍ間隔で１０点の表面濃度を読み取り、その平均と標準偏差との比である「標準偏差／平均」を計算した。本実施例の拡散性評価において、「標準偏差／平均」が０．３以下であれば、excellent（優）と判定した。「標準偏差／平均」が０．３超、０．６以下であれば、good（良）と判定した。「標準偏差／平均」が０．６超、１．０以下であれば、bad（不可）と判定した。「標準偏差／平均」が１．０を上回れば、worse（劣）と判定した。不純物拡散成分の表面濃度のバラツキは、発電効率に大きく影響するため、excellent（優）であることが最も好ましい。【０１４２】
（バリア性評価）
バリア性評価は、Ｂ層の不純物拡散成分に対するバリア性を評価するものである。バリア性評価では、上述した評価用の不純物拡散組成物塗布基板３０（図４の状態ａ１参照）に用いたシリコンウエハ３１とは別のシリコンウエハ４１を準備し、図４の状態ｂ１に示すように、シリコンウエハ４１の面上に、Ａ膜３２とは異なる導電型の不純物拡散組成物膜４５を形成した。具体的には、Ａ膜３２とは異なる導電型の不純物拡散組成物を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でシリコンウエハ４１に塗布した。この不純物拡散組成物は、後述するｎ型の組成物Ａ−３またはｐ型の組成物Ａ−１とした。塗布後、シリコンウエハ４１を１４０℃で５分間プリベークし、これにより、シリコンウエハ４１の面上に不純物拡散組成物膜４５を形成した。このようにして、図４の状態ｂ１に示すような、不純物拡散組成物塗布基板４０を得た。【０１４３】
続いて、図４の状態ｃ１に示すように、評価用シリコンウエハである不純物拡散組成物塗布基板３０と、これと異なる導電型の不純物拡散組成物塗布基板４０とを、３ｍｍの間隔を空けて対面させた状態にして、電気炉内に配置した。この際、不純物拡散組成物塗布基板３０のＢ層３３と不純物拡散組成物塗布基板４０の不純物拡散組成物膜４５とが、互いに対向するようにした。そして、窒素：酸素＝９９：１（体積比）の雰囲気下、９００℃で３０分間維持して、Ａ膜３２からシリコンウエハ３１中へ不純物拡散成分を熱拡散させるとともに、不純物拡散組成物膜４５からシリコンウエハ４１中へ不純物拡散成分を熱拡散させた。これにより、図４の状態ｄ１に示すように、不純物拡散組成物塗布基板３０のシリコンウエハ３１中に不純物拡散層３４を形成するとともに、不純物拡散組成物塗布基板４０のシリコンウエハ４１中に不純物拡散層４６を形成した。【０１４４】
熱拡散後、各不純物拡散組成物塗布基板３０、４０を、５質量％のフッ酸水溶液に２３℃で１分間浸漬させた。これにより、シリコンウエハ３１からＡ膜３２およびＢ層３３を除去し、且つ、シリコンウエハ４１から、硬化した不純物拡散組成物膜４５を除去した（図４の状態ｄ１および状態ｅ１参照）。【０１４５】
その後、評価用のシリコンウエハ３１について、二次イオン質量分析装置ＩＭＳ７ｆ（Ｃａｍｅｒａ社製）を用いて、リン原子およびホウ素原子の表面濃度分布を測定した。シリコンウエハ３１の表面（不純物拡散層３４が形成された側の面）における異種不純物の表面濃度が低い方が、対面の不純物拡散組成物膜４５から気中拡散した異種不純物に対するＢ層３３のバリア性が高いことを意味する。ここでいう「異種不純物」とは、シリコンウエハ３１中の不純物拡散層３４とは異なる導電型の不純物拡散成分であり、不純物拡散組成物膜４５に含まれるものである。本実施例のバリア性評価において、得られたリン原子またはホウ素原子の表面濃度が１０17以下であれば、excellent（優）と判定した。この表面濃度が１０17超、１０18以下であれば、good（良）と判定した。この表面濃度が１０18を上回れば、bad（不可）と判定した。【０１４６】
（気中拡散性評価）
気中拡散性評価は、Ｂ層による不純物拡散成分の気中拡散の抑制機能を評価するものである。気中拡散性評価では、図５の状態ａ２に示す評価用の不純物拡散組成物塗布基板３０と、図５の状態ｂ２に示すシリコンウエハ５１（何も塗布成膜されていないもの）とを準備し、図５の状態ｃ２に示すように、これらを対面させた。この際、不純物拡散組成物塗布基板３０のＢ層３３とシリコンウエハ５１とが、互いに対向するようにした。その後、上述したバリア性評価の方法と同様にして、Ａ膜３２からシリコンウエハ３１中へ不純物拡散成分を熱拡散させ、これにより、不純物拡散組成物塗布基板３０のシリコンウエハ３１中に不純物拡散層３４を形成し、ついで、シリコンウエハ３１からＡ膜３２およびＢ層３３を除去した（図５の状態ｄ２および状態ｅ２参照）。【０１４７】
本実施例の気中拡散性評価では、対面させた未塗布のシリコンウエハ５１について、二次イオン質量分析装置ＩＭＳ７ｆ（Ｃａｍｅｒａ社製）を用いて、リン原子またはホウ素原子の表面濃度分布を測定した。対面させたシリコンウエハ５１中にリン原子またはホウ素原子の表面濃度が低い方が、Ａ膜３２からの不純物拡散成分の気中拡散が少ないことを意味する。得られたリン原子またはホウ素原子の表面濃度が１０17以下であれば、excellent（優）と判定した。この表面濃度が１０17超、１０18以下であれば、good（良）と判定した。この表面濃度が１０18を上回れば、bad（不可）と判定した。【０１４８】
（タクトタイム評価）
タクトタイム評価は、半導体基板上にＡ膜およびＢ層を形成するために必要な時間を評価するものである。本実施例において、タクトタイムとは、シリコンウエハ３１にＡ膜３２を形成する工程の開始から、Ａ膜３２の上にＢ層３３を形成する工程の終了までに要する時間である。本実施例のタクトタイム評価では、タクトタイムが３０秒未満であれば、good（良）と判定した。タクトタイムが３０秒以上であれば、bad（不可）と判定した。【０１４９】
（ポリシロキサンの重量平均分子量の測定）
ポリシロキサンの重量平均分子量は、サンプルを、孔径０．４５μｍのメンブレンフィルターで濾過後、ＧＰＣ（東ソー株式会社製  ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用いてポリスチレン換算により求めた。この際、展開溶剤はテトラヒドロフランとし、展開速度は０．４［ｍＬ／分］とした。また、カラムは、東ソー株式会社製のＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈとした。【０１５０】
＜実施例１＞
（組成物Ａの作製）
実施例１における組成物Ａの作製では、５００ｍＬの三口フラスコに、２０．８ｇのＰＶＡ（和光純薬製、重合度５００）と１４４ｇの水とを仕込み、撹拌しながら８０℃に昇温し、１時間撹拌した後、２３１．６ｇのＭＭＢ（クラレ株式会社製）と３．６ｇのＢ2Ｏ3とを入れ、８０℃で１時間撹拌した。ついで、得られた溶液を４０℃に冷却後、これにフッ素系界面活性剤（メガファックＦ４７７  大日本インキ化学工業株式会社製）を０．１２ｇ添加し、３０分間撹拌した。この結果、実施例１の組成物Ａとして、組成物Ａ−１を得た。【０１５１】
（組成物Ｂの作製）
実施例１における組成物Ｂの作製では、５００ｍＬの三口フラスコに、ＫＢＭ−１３（メチルトリメトキシシラン）を１６４．９３ｇ（１．２１ｍｏｌ）、ＫＢＭ−１０３（フェニルトリメトキシシラン）を２０４．０７ｇ（１．２１ｍｏｌ）、ＧＢＬ（三菱化学株式会社製）を３６３．０３ｇ仕込み、４０℃で攪拌しながら、１３０．７６ｇの水に４．５０ｇのギ酸を溶かした水溶液を、３０分間かけて添加した。滴下終了後、得られた溶液を、４０℃で１時間撹拌した後、７０℃に昇温し、３０分間撹拌した。その後、オイルバスを１１５℃まで昇温した。昇温開始の１時間後に、この溶液の内温が１００℃に到達し、そこから１時間、この溶液を加熱攪拌した（内温は１００℃〜１１０℃）。これによって得られた溶液を氷浴にて冷却し、ポリシロキサン溶液（ＰｈＴＭＳ（５０）／ＭｅＴＭＳ（５０））を得た。「ＰｈＴＭＳ（５０）／ＭｅＴＭＳ（５０）」は、ポリシロキサン中におけるＰｈＴＭＳとＭｅＴＭＳとの比率が５０：５０であることを意味する。このことは以下においても同じである。【０１５２】
得られたポリシロキサン溶液の固形分濃度は３９．８重量％であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は２９００であった。上記のように合成したポリシロキサン（４．３９ｇ）とＧＢＬ（１２．５５ｇ）との溶液に、シリコーン系界面活性剤（ＢＹＫ３３３）を溶液全体に対して３００ｐｐｍになるように添加し、均一になるように十分撹拌した。この結果、実施例１の組成物Ｂとして、組成物Ｂ−１を得た。【０１５３】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例１における評価用シリコンウエハの作製では、１５６ｍｍ×１５６ｍｍのテクスチャ加工を施したｎ型シリコンウエハ（株式会社エレクトロニクス  エンド  マテリアルズ  コーポレーション製、抵抗値０．５−６．０［Ω・ｃｍ］）を、５重量％のフッ酸水溶液に１分間浸漬した後に水洗し、エアブローにより乾燥した。つぎに、組成物Ａ−１を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法で上記ｎ型シリコンウエハに塗布して、Ａ膜を成膜した。続いて、組成物Ｂ−１を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でＡ膜上に塗布して、Ｂ層を成膜した。このようにして、実施例１の評価用シリコンウエハを得た。【０１５４】
実施例１では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例１では、後述の表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０１５５】
＜実施例２＞
（組成物Ａの作製）
実施例２における組成物Ａの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ａ−１を得た。【０１５６】
（組成物Ｂの作製）
実施例２における組成物Ｂの作製では、５００ｍＬの三口フラスコに、フェニルトリメトキシシランを５９．４９ｇ（０．３０ｍｏｌ）、ＰＬ−２Ｌ−ＩＰＡ（扶桑化学株式会社製  シリカ  ＩＰＡ分散液  シリカ平均粒子径１７ｎｍ  シリカ濃度２５．４ｗｔ％）を１６５．５７ｇ（０．７０ｍｏｌ（ＳｉＯ2換算））、ＰＧＭＥを１３３．０７ｇ仕込み、室温で攪拌しながら、３．０４ｇの蟻酸をモノマーの加水分解に必要な水（１６．２０ｇ）に溶解した蟻酸水溶液を、３０分間かけて添加した。ついで、この三口フラスコを７０℃のオイルバスに浸けて１時間攪拌し、その後、オイルバスを３０分間かけて１３０℃まで昇温した。昇温開始の１時間後に、この三口フラスコ中の溶液の内温が１００℃に到達し、そこから３時間、この溶液を加熱攪拌した（内温は１００℃〜１１８℃）。この際の反応中に、副生成物であるメタノール、ＩＰＡ、水、蟻酸が、合計１４７．３ｇ留出した。【０１５７】
このようにして得られたポリシロキサン（ＰｈＴＭＳ（１００）／ＭｅＴＭＳ（０））のＰＧＭＥ溶液に、ポリシロキサンの固形分濃度が４０重量％となるようにＰＧＭＥを加えた。この結果、実施例２の組成物Ｂとして、組成物Ｂ−２を得た。【０１５８】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例２における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−２を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、実施例２の評価用シリコンウエハを得た。【０１５９】
実施例２では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例２では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であった。【０１６０】
＜実施例３＞
（組成物Ａの作製）
実施例３における組成物Ａの作製では、溶媒としてＭＭＢの代わりにＰＧＭＥ（ＫＨネオケム株式会社製）を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０１６１】
（組成物Ｂの作製）
実施例３における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０１６２】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例３における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりに組成物Ａ−２を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、実施例３の評価用シリコンウエハを得た。【０１６３】
実施例３では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例３では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０１６４】
＜実施例４＞
（組成物Ａの作製）
実施例４における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０１６５】
（組成物Ｂの作製）
実施例４における組成物Ｂの作製では、上述した実施例２と同様にして、組成物Ｂ−２を得た。【０１６６】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例４における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−２を用いたこと以外、上述した実施例３と同様にして、実施例４の評価用シリコンウエハを得た。【０１６７】
実施例４では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例４では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であった。【０１６８】
＜実施例５＞
（組成物Ａ）
実施例５では、組成物Ａとして、ＰＢＦ（東京応化工業株式会社製、ｐ型不純物を含むペースト）を用いた。【０１６９】
（組成物Ｂの作製）
実施例５における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０１７０】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例５における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりにＰＢＦを用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、実施例５の評価用シリコンウエハを得た。【０１７１】
実施例５では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例５では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０１７２】
＜実施例６＞
（組成物Ａ）
実施例６では、組成物Ａとして、ＰＢＦ（東京応化工業株式会社製、ｐ型不純物を含むペースト）を用いた。【０１７３】
（組成物Ｂの作製）
実施例６における組成物Ｂの作製では、上述した実施例２と同様にして、組成物Ｂ−２を得た。【０１７４】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例６における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりにＰＢＦを用いたこと以外、上述した実施例２と同様にして、実施例６の評価用シリコンウエハを得た。【０１７５】
実施例６では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例６では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であった。【０１７６】
＜実施例７＞
（組成物Ａの作製）
実施例７における組成物Ａの作製では、５００ｍＬの三口フラスコに、６ｇのリン酸（Ｈ3ＰＯ4、和光純薬工業株式会社製）と、１９３ｇのエタノール（和光純薬工業株式会社製）と、１００ｇの水とを入れ、室温で３０分間撹拌して、組成物Ａ−３を得た。【０１７７】
（組成物Ｂの作製）
実施例７における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０１７８】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例７における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりに組成物Ａ−３を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、実施例７の評価用シリコンウエハを得た。【０１７９】
実施例７では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例７では、表２に示すとおり、拡散性、拡散均一性は良好であり、剥離性、バリア性、気中拡散性は特に良好であった。【０１８０】
＜実施例８＞
（組成物Ａの作製）
実施例８における組成物Ａの作製では、上述した実施例７と同様にして、組成物Ａ−３を得た。【０１８１】
（組成物Ｂの作製）
実施例８における組成物Ｂの作製では、上述した実施例２と同様にして、組成物Ｂ−２を得た。【０１８２】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例８における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりに組成物Ａ−３を用いたこと以外、上述した実施例２と同様にして、実施例８の評価用シリコンウエハを得た。【０１８３】
実施例８では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例８では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であった。【０１８４】
＜実施例９＞
（組成物Ａの作製）
実施例９における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０１８５】
（組成物Ｂの作製）
実施例９における組成物Ｂの作製では、ポリシロキサンの組成をＰｈＴＭＳ（４０）／ＭｅＴＭＳ（６０）としたこと以外、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−３を得た。使用したポリシロキサン溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）は３１００であった。【０１８６】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例９における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−３を用いたこと以外、上述した実施例３と同様にして、実施例９の評価用シリコンウエハを得た。【０１８７】
実施例９では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例９では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０１８８】
＜実施例１０＞
（組成物Ａの作製）
実施例１０における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０１８９】
（組成物Ｂの作製）
実施例１０における組成物Ｂの作製では、ポリシロキサンの組成をＰｈＴＭＳ（９０）／ＭｅＴＭＳ（１０）としたこと以外、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−４を得た。使用したポリシロキサン溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）は２３００であった。【０１９０】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例１０における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−４を用いたこと以外、上述した実施例３と同様にして、実施例１０の評価用シリコンウエハを得た。【０１９１】
実施例１０では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例１０では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０１９２】
＜実施例１１＞
（組成物Ａの作製）
実施例１１における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０１９３】
（組成物Ｂの作製）
実施例１１における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０１９４】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例１１における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−２を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法で上記実施例１と同様のシリコンウエハに塗布して、Ａ膜を成膜した。続いて、組成物Ｂ−１を、乾燥後の膜厚が２００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でＡ膜上に塗布して、Ｂ層を成膜した。このようにして、実施例１１の評価用シリコンウエハを得た。【０１９５】
実施例１１では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例１１では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０１９６】
＜実施例１２＞
（組成物Ａの作製）
実施例１２における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０１９７】
（組成物Ｂの作製）
実施例１２における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０１９８】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例１２における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−２を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法で上記実施例１と同様のシリコンウエハに塗布して、Ａ膜を成膜した。続いて、組成物Ｂ−１を、乾燥後の膜厚が２０００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でＡ膜上に塗布して、Ｂ層を成膜した。このようにして、実施例１２の評価用シリコンウエハを得た。【０１９９】
実施例１２では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例１２では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０２００】
＜実施例１３＞
（組成物Ａの作製）
実施例１３における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２０１】
（組成物Ｂの作製）
実施例１３における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２０２】
（評価用シリコンウエハの作製）
実施例１３における評価用シリコンウエハの作製では、フィルム上に組成物Ａ−２を用いて形成されたＡ膜（膜厚５００ｎｍ程度）を、ラミネートによりシリコンウエハ上に転写した。その後、フィルム上に組成物Ｂ−１を用いて形成されたＢ層（膜厚５００ｎｍ程度）を、ラミネートにより、このＡ膜が形成されたシリコンウエハ上に転写した。これにより、シリコンウエハ上にＡ膜およびＢ層を形成した。このようにして、実施例１３の評価用シリコンウエハを得た。【０２０３】
実施例１３では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、実施例１３では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも特に良好であった。【０２０４】
＜比較例１＞
（組成物Ａの作製）
比較例１における組成物Ａの作製では、組成物Ｂ−１にホウ酸トリブチル（東京化成株式会社製）を２重量％添加して、組成物Ａ−４を得た。【０２０５】
（組成物Ｂの作製）
比較例１における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２０６】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例１における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりに組成物Ａ−４を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、比較例１の評価用シリコンウエハを得た。【０２０７】
比較例１では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例１では、表２に示すとおり、剥離性、拡散性、拡散均一性が不良であった。【０２０８】
＜比較例２＞
（組成物Ａの作製）
比較例２における組成物Ａの作製では、上述した比較例１と同様にして、組成物Ａ−４を得た。【０２０９】
（組成物Ｂの作製）
比較例２における組成物Ｂの作製では、上述した実施例２と同様にして、組成物Ｂ−２を得た。【０２１０】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例２における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりに組成物Ａ−４を用いたこと以外、上述した実施例２と同様にして、比較例２の評価用シリコンウエハを得た。【０２１１】
比較例２では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例２では、表２に示すとおり、剥離性、拡散性、拡散均一性が不良であった。【０２１２】
＜比較例３＞
（組成物Ａの作製）
比較例３における組成物Ａの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ａ−１を得た。【０２１３】
（組成物Ｂの作製）
比較例３における組成物Ｂの作製では、アクリル樹脂（共栄社化学株式会社製  ＫＣ−７０００）の５重量％ＰＧＭＥ溶液を作製した。これにより、比較例３の組成物Ｂとして、組成物Ｂ−５を得た。【０２１４】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例３における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−５を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、比較例３の評価用シリコンウエハを得た。【０２１５】
比較例３では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例３では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも不良であった。【０２１６】
＜比較例４＞
（組成物Ａ）
比較例４では、組成物Ａとして、ＰＢＦ（東京応化工業株式会社製、ｐ型不純物を含むペースト）を用いた。【０２１７】
（組成物Ｂの作製）
比較例４における組成物Ｂの作製では、上述した比較例３と同様にして、組成物Ｂ−５を得た。【０２１８】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例４における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりにＰＢＦを用いたこと以外、上述した比較例３と同様にして、比較例４の評価用シリコンウエハを得た。【０２１９】
比較例４では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例４では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも不良であった。【０２２０】
＜比較例５＞
（組成物Ａの作製）
比較例５における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２２１】
（組成物Ｂの作製）
比較例５における組成物Ｂの作製では、ポリシロキサンの組成をＰｈＴＭＳ（３０）／ＭｅＴＭＳ（７０）としたこと以外、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−６を得た。使用したポリシロキサン溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）は３４００であった。【０２２２】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例５における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−６を用いたこと以外、上述した実施例３と同様にして、比較例５の評価用シリコンウエハを得た。【０２２３】
比較例５では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例５では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であった。【０２２４】
＜比較例６＞
（組成物Ａの作製）
比較例６における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２２５】
（組成物Ｂの作製）
比較例６における組成物Ｂの作製では、ポリシロキサンの組成をＰｈＴＭＳ（９５）／ＭｅＴＭＳ（５）としたこと以外、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−７を得た。使用したポリシロキサン溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）は２２００であった。【０２２６】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例６における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−７を用いたこと以外、上述した実施例３と同様にして、比較例６の評価用シリコンウエハを得た。【０２２７】
比較例６では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例６では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であった。【０２２８】
＜比較例７＞
（組成物Ａの作製）
比較例７における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２２９】
（組成物Ｂの作製）
比較例７における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２３０】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例７における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−２を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法で上記実施例１と同様のシリコンウエハに塗布して、Ａ膜を成膜した。続いて、組成物Ｂ−１を、乾燥後の膜厚が１００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でＡ膜上に塗布して、Ｂ層を成膜した。このようにして、比較例７の評価用シリコンウエハを得た。【０２３１】
比較例７では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例７では、表２に示すとおり、バリア性、気中拡散性が不良であった。【０２３２】
＜比較例８＞
（組成物Ａの作製）
比較例８における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２３３】
（組成物Ｂの作製）
比較例８における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２３４】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例８における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−２を、乾燥後の膜厚が５００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法で上記実施例１と同様のシリコンウエハに塗布して、Ａ膜を成膜した。続いて、組成物Ｂ−１を、乾燥後の膜厚が３０００ｎｍ程度になるように、公知のスピンコート法でＡ膜上に塗布して、Ｂ層を成膜した。このようにして、比較例８の評価用シリコンウエハを得た。【０２３５】
比較例８では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例８では、表２に示すとおり、剥離性、拡散性、拡散均一性が不良であった。【０２３６】
＜比較例９＞
（組成物Ａの作製）
比較例９における組成物Ａの作製では、組成物Ｂ−２にＢ2Ｏ3を２重量％添加して、組成物Ａ−５を得た。【０２３７】
（組成物Ｂの作製）
比較例９における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２３８】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例９における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ａ−１の代わりに組成物Ａ−５を用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、比較例９の評価用シリコンウエハを得た。【０２３９】
比較例９では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例９では、表２に示すとおり、剥離性、拡散性、拡散均一性が不良であった。【０２４０】
＜比較例１０＞
（組成物Ａの作製）
比較例１０における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２４１】
（組成物Ｂの作製）
比較例１０における組成物Ｂの作製では、ＧＢＬの代わりにＤＭＦを用いたこと以外、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−８を得た。【０２４２】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例１０における評価用シリコンウエハの作製では、組成物Ｂ−１の代わりに組成物Ｂ−８を用いたこと以外、上述した実施例３と同様にして、比較例１０の評価用シリコンウエハを得た。【０２４３】
比較例１０では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例１０では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも不良であった。【０２４４】
＜比較例１１＞
（組成物Ａの作製）
比較例１１における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２４５】
（組成物Ｂの作製）
比較例１１における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２４６】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例１１における評価用シリコンウエハの作製では、Ａ膜を形成する工程とＢ層を形成する工程との間に、熱処理による乾燥工程を設けたこと以外、上述した実施例１と同様にして、比較例１１の評価用シリコンウエハを得た。【０２４７】
比較例１１では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例１１では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であったが、タクトタイムは、実施例１と比較すると劣る結果となった。【０２４８】
＜比較例１２＞
（組成物Ａの作製）
比較例１２における組成物Ａの作製では、上述した実施例３と同様にして、組成物Ａ−２を得た。【０２４９】
（組成物Ｂの作製）
比較例１２における組成物Ｂの作製では、上述した実施例１と同様にして、組成物Ｂ−１を得た。【０２５０】
（評価用シリコンウエハの作製）
比較例１２における評価用シリコンウエハの作製では、Ａ膜を形成する工程とＢ層を形成する工程との間に、スピンコート法における回転を停止する工程を設けたこと以外、上述した実施例１と同様にして、比較例１２の評価用シリコンウエハを得た。【０２５１】
比較例１２では、得られた評価用シリコンウエハを用いて、剥離性、拡散性、拡散均一性、バリア性、気中拡散性の各評価を行った。この結果、比較例１２では、表２に示すとおり、これらの評価項目のいずれも良好であったが、タクトタイムは、実施例１と比較すると劣る結果となった。【０２５２】
上述した実施例１〜１３の各々における組成物Ａおよび組成物Ｂに関する各種情報は、表１Ａに示す。また、上述した比較例１〜１２の各々における組成物Ａおよび組成物Ｂに関する各種情報は、表１Ｂに示す。表１Ａおよび表１Ｂにおいて、「組成物Ａ」欄の「名称」は、Ａ膜の形成に用いた組成物Ａの名称を示す。「組成物Ａ」欄の「組成」は、組成物Ａに含有される不純物（不純物拡散成分）、バインダー樹脂、溶媒を示す。「組成物Ａ」欄の「形成方法」は、組成物Ａを用いたＡ膜の形成方法を示す。「組成物Ｂ」欄の「名称」は、Ｂ層の形成に用いた組成物Ｂの名称を示す。「組成物Ｂ」欄の「組成」は、組成物Ｂに含有される気中拡散抑制物、溶媒を示す。具体的には、気中拡散抑制物としてのポリシロキサンについて、原料のオルガノシラン、一般式（１）のＲ1におけるアリール基とＲ3におけるアルキル基とのモル比、乾燥後膜厚が示される。また、その他の添加物が示される。「組成物Ｂ」欄の「形成方法」は、組成物Ｂを用いたＢ層の形成方法を示す。【０２５３】
【表１Ａ】
2018021117.tif 000005
【０２５４】
【表１Ｂ】
2018021117.tif 000006
【０２５５】
【表２】
2018021117.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【０２５６】
以上のように、本発明に係る半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法は、半導体素子および太陽電池の製造工程数の低減に有用であり、特に、半導体基板中の所望の領域に対する目的の不純物拡散成分の高効率な拡散に適している。
【符号の説明】
【０２５７】
１  半導体基板
２  Ａ膜
３  Ｂ層
４  不純物拡散層
１１  半導体基板
１２  Ａ膜
１３  Ｂ層
１４  不純物拡散層
１５  不純物拡散組成物膜
１６  不純物拡散層
１７  パッシベーション層
１８、１９  電極
２１  半導体基板
２２  Ａ膜
２３  Ｂ層
２４  不純物拡散層
２５  不純物拡散組成物膜
２６  不純物拡散層
２７  パッシベーション層
２８、２９  電極
３０  不純物拡散組成物塗布基板
３１  シリコンウエハ
３２  Ａ膜
３３  Ｂ層
３４  不純物拡散層
４０  不純物拡散組成物塗布基板
４１、５１  シリコンウエハ
４５  不純物拡散組成物膜
４６  不純物拡散層
１００、２００、３００  半導体素子
２５０、３５０  太陽電池
【図１】
2018021117.tif 000009
【図２Ａ】
2018021117.tif 000010
【図２Ｂ】
2018021117.tif 000011
【図３Ａ】
2018021117.tif 000012
【図３Ｂ】
2018021117.tif 000013
【図４】
2018021117.tif 000014
【図５】
2018021117.tif 000015
【国際調査報告】
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2018021117.tif 000017
2018021117.tif 000018
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