(57)【要約】  室温条件下においてもゲル化を起こさない、高分子化合物の製造方法を提供することを課題とする。  本発明は、式（３）で表される化合物の存在下、  式（１）で表される重合性不飽和化合物と、式（２）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法を提供する。  また、本発明は、式（７）で表される繰り返し単位と、式（８）で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物（Ａ）と、式（３）で表される化合物とを含有する組成物を提供する。
2018147156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（３）で表される化合物の存在下、
下記式（１）で表される重合性不飽和化合物と、下記式（２）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法。
【化１】
2018147156.tif 000054
（３）
（式（３）中、
Ｒ９は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、又は炭素原子数２〜２０の下記式（６）で表される基を表す。該アルキル基、シクロアルキル基、又は下記式（６）で表される基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。）
【化２】
2018147156.tif 000055
（６）
（式（６）中、
Ｒ１５は、炭素原子数１〜６の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基を表し、
Ｒ１６は、炭素原子数１〜１９の１価の直鎖状脂肪族炭化水素基を表し、
ｑは、１〜１９の整数を表す。
ただし、Ｒ１５、Ｒ１６、及びｑは、全体の炭素原子数が２〜２０になるように調整される。）
【化３】
2018147156.tif 000056
（１）
（式（１）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ４及びＲ５は、互いに異なっていてもよく、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基を表す。該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。
Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
Ｘは、酸素原子、又は−ＮＲｎ−で表される基を表す。Ｒｎは、水素原子又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
ｌは、１〜６の整数を表す。
Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【化４】
2018147156.tif 000057
（２）
（式（２）中、
Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｂは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ６が結合する炭素原子側に位置していてもよい。
Ｒｃは、単結合、又は炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
ｍは、０〜６の整数を表す。
Ｒｂが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記工程が、前記式（３）で表される化合物の存在下、前記式（１）で表される重合性不飽和化合物と、前記式（２）で表される重合性不飽和化合物と、さらに下記式（４）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程である、請求項１に記載の高分子化合物の製造方法。
【化５】
2018147156.tif 000058
（４）
（式（４）中、
Ｒ１０、Ｒ１１、及びＲ１２は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ１３は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｄは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。これらの−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ１０が結合する炭素原子側に位置していてもよい。Ｒｄで表される２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
ｎ１は、０〜５の整数を表す。
ｎ２は、０〜６の整数を表す。
Ｒｄが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
Ｒ１３が複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【請求項３】
前記式（３）中、Ｒ９が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基である（該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、又は、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。）、請求項１又は２に記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項４】
前記式（３）で表される化合物が、用いられる重合性不飽和化合物の総重量に対して１質量％から１９００質量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項５】
下記式（７）で表される繰り返し単位と、
下記式（８）で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物（Ａ）と、
下記式（３）で表される化合物と
を含有する組成物。
【化６】
2018147156.tif 000059
（７）
（式（７）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ４及びＲ５は、互いに異なっていてもよく、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基を表す。該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。
Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
Ｘは、酸素原子、又は−ＮＲｎ−で表される基を表す。Ｒｎは、水素原子又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
ｌは、１〜６の整数を表す。
Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
＊は、結合位置を表す。）
【化７】
2018147156.tif 000060
（８）
（式（８）中、
Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｂは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ６が結合する炭素原子側に位置していてもよい。
Ｒｃは、単結合、又は炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
ｍは、０〜６の整数を表す。
Ｒｂが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
＊は、結合位置を表す。）
【化８】
2018147156.tif 000061
（３）
（式（３）中、
Ｒ９は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、又は炭素原子数２〜２０の下記式（６）で表される基を表す。該アルキル基、シクロアルキル基、又は下記式（６）で表される基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。）
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ）が、下記式（９）で表される繰り返し単位をさらに含む高分子化合物である、請求項５に記載の組成物。
【化９】
2018147156.tif 000062
（９）
（式（９）中、
Ｒ１０、Ｒ１１、及びＲ１２は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ１３は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｄは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。これらの−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ１０が結合する炭素原子側に位置していてもよい。Ｒｄで表される２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
ｎ１は、０〜５の整数を表す。
ｎ２は、０〜６の整数を表す。
Ｒｄが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
Ｒ１３が複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
＊は、結合位置を表す。）
【請求項７】
前記式（３）中、Ｒ９が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基である（該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、又は、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。）、請求項５又は６に記載の組成物。
【請求項８】
組成物に含まれる前記式（３）で表される化合物が、１質量％以上９５質量％以下である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
電子デバイスに用いられる、請求項５〜８のいずれか１項に記載の組成物を含む、絶縁層用組成物。
【請求項１０】
前記電子デバイスが有機薄膜トランジスタである、請求項９に記載の絶縁層用組成物。
【請求項１１】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の組成物が硬化した膜をゲート絶縁層として含む、有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物の製造方法及び組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機薄膜トランジスタの分野の製造方法において、高分子化合物を低温で硬化させ、絶縁層を得ることが求められている。
低温で硬化する高分子化合物の製造方法としては、実質的にアルコールの非存在下で、２−イソシアナトエチルメタクリレート及びマロン酸ジエチルエステルを反応させて得られる生成物と、スチレンと、メチルメタクリレートと、２−ブチルアクリレートと、２−ヒドロキシエチルメタクリレートとを共重合する製造方法が報告されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３１６６４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の特許文献１に記載された高分子化合物の製造方法では、重合反応以外の化学反応が低温条件下で容易に起こるため、重合反応中にゲル化を起こす問題があった。【０００５】
本発明の目的は、室温条件下においてもゲル化を起こさない、高分子化合物の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
即ち、本発明の実施態様は、下記［１］〜［１２］に記載の発明を包含する。
［１］  下記式（３）で表される化合物の存在下、
下記式（１）で表される重合性不飽和化合物と、下記式（２）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法。【０００７】
【化１】
2018147156.tif 000003
（３）
（式（３）中、
Ｒ９は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、又は炭素原子数２〜２０の下記式（６）で表される基を表す。該アルキル基、シクロアルキル基、又は下記式（６）で表される基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。）【０００８】
【化２】
2018147156.tif 000004
（６）
（式（６）中、
Ｒ１５は、炭素原子数１〜６の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基を表し、
Ｒ１６は、炭素原子数１〜１９の１価の直鎖状脂肪族炭化水素基を表し、
ｑは、１〜１９の整数を表す。
ただし、Ｒ１５、Ｒ１６、及びｑは、全体の炭素原子数が２〜２０になるように調整される。）【０００９】
【化３】
2018147156.tif 000005
（１）
（式（１）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ４及びＲ５は、互いに異なっていてもよく、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基を表す。該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。
Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
Ｘは、酸素原子、又は−ＮＲｎ−で表される基を表す。Ｒｎは、水素原子又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
ｌは、１〜６の整数を表す。
Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）【００１０】
【化４】
2018147156.tif 000006
（２）
（式（２）中、
Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｂは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ６が結合する炭素原子側に位置していてもよい。
Ｒｃは、単結合、又は炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
ｍは、０〜６の整数を表す。
Ｒｂが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
［２］  前記工程が、前記式（３）で表される化合物の存在下、前記式（１）で表される重合性不飽和化合物と、前記式（２）で表される重合性不飽和化合物と、さらに下記式（４）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程である、［１］に記載の高分子化合物の製造方法。【００１１】
【化５】
2018147156.tif 000007
（４）
（式（４）中、
Ｒ１０、Ｒ１１、及びＲ１２は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ１３は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｄは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。これらの−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ１０が結合する炭素原子側に位置していてもよい。Ｒｄで表される２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
ｎ１は、０〜５の整数を表す。
ｎ２は、０〜６の整数を表す。
Ｒｄが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
Ｒ１３が複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
［３］  前記式（３）中、Ｒ９が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基である（該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、又は、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。）、［１］又は［２］に記載の高分子化合物の製造方法。
［４］  前記式（３）で表される化合物が、用いられる重合性不飽和化合物の総重量に対して１質量％から１９００質量％である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の高分子化合物の製造方法。
［５］  下記式（７）で表される繰り返し単位と、
下記式（８）で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物（Ａ）と、
下記式（３）で表される化合物と
を含有する組成物。【００１２】
【化６】
2018147156.tif 000008
（７）
（式（７）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ４及びＲ５は、互いに異なっていてもよく、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基を表す。該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。
Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
Ｘは、酸素原子、又は−ＮＲｎ−で表される基を表す。Ｒｎは、水素原子又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
ｌは、１〜６の整数を表す。
Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
＊は、結合位置を表す。）【００１３】
【化７】
2018147156.tif 000009
（８）
（式（８）中、
Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｂは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ６が結合する炭素原子側に位置していてもよい。
Ｒｃは、単結合、又は炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
ｍは、０〜６の整数を表す。
Ｒｂが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
＊は、結合位置を表す。）【００１４】
【化８】
2018147156.tif 000010
（３）
（式（３）中、
Ｒ９は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、又は炭素原子数２〜２０の下記式（６）で表される基を表す。該アルキル基、シクロアルキル基、又は下記式（６）で表される基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。）
［６］  前記高分子化合物（Ａ）が、下記式（９）で表される繰り返し単位をさらに含む高分子化合物である、［５］に記載の組成物。【００１５】
【化９】
2018147156.tif 000011
（９）
（式（９）中、
Ｒ１０、Ｒ１１、及びＲ１２は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ１３は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｄは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。これらの−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ１０が結合する炭素原子側に位置していてもよい。Ｒｄで表される２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
ｎ１は、０〜５の整数を表す。
ｎ２は、０〜６の整数を表す。
Ｒｄが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
Ｒ１３が複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
＊は、結合位置を表す。）
［７］  前記式（３）中、Ｒ９が炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基である（該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、又は、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。）、［５］又は［６］に記載の組成物。
［８］  組成物に含まれる前記式（３）で表される化合物が、１質量％以上９５質量％以下である、［５］〜［７］のいずれか１つに記載の組成物。
［９］  電子デバイスに用いられる、［５］〜［８］のいずれか１つに記載の組成物を含む、絶縁層用組成物。
［１０］  前記電子デバイスが有機薄膜トランジスタである、［９］に記載の絶縁層用組成物。
［１１］  ［５］〜［７］のいずれか１つに記載の組成物が硬化した膜をゲート絶縁層として含む、有機薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【００１６】
本は発明によれば、室温条件下においてもゲル化を起こさない、高分子化合物の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【図２】本発明の第２実施形態にかかるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【図３】本発明の第３実施形態にかかるトップゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明の実施形態についてさらに詳細に説明する。なお、参照される各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ、及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。説明に用いられる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図面に示された配置で、製造されたり、使用されたりするわけではない。
【００１９】
なお、本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に互いに異なっていてもよい複数の構造単位（繰り返し単位）を含む化合物を意味しており、いわゆる２量体も「高分子化合物」に含まれる。また、本明細書において、「低分子化合物」とは、分子中に複数の構造単位を含んでいない化合物を意味する。
【００２０】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００２１】
炭素原子数１〜２０の１価の有機基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの態様であってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。
【００２２】
炭素原子数１〜２０の１価の有機基としては、例えば、
炭素原子数１〜２０の１価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜２０の１価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数２〜２０のアシル基、炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基、及び炭素原子数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。
これらの基は、基中の水素原子が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の炭化水素基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００２３】
１価の有機基は、好ましくは、
炭素原子数１〜６の１価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜６の１価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜６の１価の脂環式炭化水素基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数２〜７のアシル基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、及び炭素原子数７〜２０のアリールオキシカルボニル基である。
これらの基は、基中の水素原子が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の炭化水素基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００２４】
炭素原子数１〜２０の１価の有機基の具体例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアントリル基、エチルアントリル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、アセチル基、ベンゾイル基、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジル基などが挙げられる。
【００２５】
炭素原子数１〜２０の１価の有機基としては、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基が好ましい。
【００２６】
炭素原子数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれでもよい。
炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基が挙げられる。
【００２７】
炭素原子数１〜２０のアルキル基は、置換基として、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子を有していてもよい。
置換基を有する炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、
トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基が挙げられる。
【００２８】
炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基としては、例えば、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。
炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基は、置換基として、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子を有していてもよい。
【００２９】
炭素原子数１〜２０の２価の有機基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの態様であってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。
【００３０】
炭素原子数１〜２０の２価の有機基としては、例えば、
炭素原子数１〜２０の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜２０の２価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜２０の２価の脂環式炭化水素基、炭素原子数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基が挙げられる。
これらの基は、基中の水素原子が炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００３１】
中でも、炭素原子数１〜２０の２価の有機基としては、
炭素原子数１〜６の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜６の２価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜６の２価の脂環式炭化水素基、炭素原子数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
これらの基は、基中の水素原子が炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００３２】
２価の脂肪族炭化水素基、及び２価の脂環式炭化水素基の具体例としては、
メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓ−ブチレン基、ｔ−ブチレン基、シクロブチレン基、１−メチル−シクロプロピレン基、２−メチル−シクロプロピレン基、ｎ−ペンチレン基、１−メチル−ｎ−ブチレン基、２−メチル−ｎ−ブチレン基、３−メチル−ｎ−ブチレン基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピレン基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピレン基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピレン基、１−エチル−ｎ−プロピレン基、シクロペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、１−メチル−ｎ−ペンチレン基、シクロヘキシレン基、１−メチル−シクロペンチレン基、２−メチル−シクロペンチレン基、３−メチル−シクロペンチレン基などが挙げられる。
【００３３】
炭素原子数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基の具体例としては、
フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアントリレン基、エチルアントリレン基などが挙げられる。
【００３４】
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子である。
【００３５】
式中、＊は繰り返し単位の結合位置を示す。
【００３６】
＜高分子化合物の製造方法＞
本発明は、
式（３）で表される化合物の存在下、
式（１）で表される重合性不飽和化合物と、式（２）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法を提供する。
【００３７】
本発明の高分子化合物の製造方法は、
式（３）で表される化合物の存在下、
式（１）で表される重合性不飽和化合物と、式（２）で表される重合性不飽和化合物と、式（１）及び式（２）以外で表される重合性不飽和化合物とを反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法であってもよい。
式（１）及び式（２）以外で表される重合性不飽和化合物は、式（４）で表される重合性不飽和化合物であってもよく、式（４）以外で表される重合性不飽和化合物であってもよい。
式（１）及び式（２）以外で表される重合性不飽和化合物は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。
【００３８】
本発明の実施形態において、式（１）で表される重合性不飽和化合物の仕込みモル比は、仕込み重合性不飽和化合物の合計含有量を１００モル％として、好ましくは２モル％以上８０モル％以下であり、より好ましくは５モル％以上６０モル％以下であり、さらに好ましくは５モル％以上５０モル％以下である。
式（１）で表される重合性不飽和化合物の仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、本発明の実施形態によって得られる高分子化合物を含む組成物を硬化した硬化物は、内部に架橋構造が十分に形成され、耐溶剤性が向上する。
【００３９】
本発明の実施形態において、式（２）で表される重合性不飽和化合物の仕込みモル比は、仕込み重合性不飽和化合物の合計含有量を１００モル％として、好ましくは５モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは１０モル％以上８０モル％以下であり、さらに好ましくは１０モル％以上５０モル％以下である。
式（２）で表される重合性不飽和化合物の仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、本発明の実施形態によって得られる高分子化合物を含む組成物を硬化した硬化物は、内部に架橋構造が十分に形成され、耐溶剤性が向上する。
【００４０】
本発明の実施形態において、式（１）で表される重合性不飽和化合物と、式（２）で表される重合性不飽和化合物との仕込みモル比は、式（２）で表される重合性不飽和化合物の仕込み量（モル量）を１００としたときに、モル比で、好ましくは１／１００〜１０００／１００、より好ましくは１０／１００〜１０００／１００、さらに好ましくは５０／１００〜２００／１００である。
式（１）で表される重合性不飽和化合物と、式（２）で表される重合性不飽和化合物との仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、本発明の実施形態におって得られる高分子化合物を含む組成物を硬化した硬化物は、内部に架橋構造が十分に形成され、耐溶剤性が向上する。
【００４１】
本発明の実施形態において、式（４）で表される重合性不飽和化合物の仕込み量は、仕込み重合性不飽和化合物の合計含有量を１００モル％として、得られる高分子化合物を含む組成物を硬化した硬化物の絶縁破壊強度を高めることができるという観点から、１モル％以上９０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上９０モル％以下であることがより好ましく、３０モル％以上８０モル％以下であることがさらに好ましい。
【００４２】
式（３）で表される化合物の使用量は、仕込み重合性不飽和化合物の総重量に対して１質量％から１９００質量％であることが好ましく、１０質量％から１０００質量％であることがより好ましく、５０質量％から９００質量％であることがさらに好ましい。
【００４３】
本発明の実施形態において、下記式（３）で表される化合物の存在下、式（１）で表される重合性不飽和化合物と、式（２）で表される重合性不飽和化合物とを反応させる方法としては、例えば、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法が挙げられる。
さらに式（１）、式（２）以外で表される重合性不飽和化合物を用いる場合においても、同様の方法が挙げられる。
【００４４】
以下に、式（１）で表される重合性不飽和化合物、式（２）で表される重合性不飽和化合物、式（３）で表される化合物、式（４）で表される重合性不飽和化合物、式（１）、式（２）、及び式（４）以外で表される重合性不飽和化合物、並びに重合開始剤について説明する。
【００４５】
（式（１）で表される重合性不飽和化合物）
式（１）で表される重合性不飽和化合物（以下、式（１）で表される化合物と呼ぶことがある。）について説明する。
2018147156.tif 000012
（１）
（式（１）中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ４及びＲ５は、互いに異なっていてもよく、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基を表す。該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。
Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
Ｘは、酸素原子、又は−ＮＲｎ−で表される基を表す。Ｒｎは、水素原子又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
ｌは、１〜６の整数を表す。
Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【００４６】
前記式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に、水素原子、又はメチル基であることが好ましい。
【００４７】
前記式（１）中、Ｘは、酸素原子又は−ＮＨ−で表される基を表される基が好ましい。
【００４８】
前記式（１）中、Ｒａは、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、又はｎ−ブチレン基が好ましい。
【００４９】
前記式（１）中、Ｒ４、及びＲ５は、互いに独立に、メチル基、又はエチル基であることが好ましい。
【００５０】
式（１）で表される化合物は、公知の方法によって製造することができ、例えば、下記式（５）で示される化合物とマロン酸エステルとを反応させて製造することができる。
【００５１】
【化１０】
2018147156.tif 000013
（式（５）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒａ、Ｘ、及びｌは、上記と同じ意味を表す。）
【００５２】
式（５）で示される化合物としては、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとジイソシアナト化合物との１ ： １ 反応生成物が挙げられる。
２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートと反応させるジイソシアナト化合物としては、例えば２，４−又は２，６−トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、４， ４′−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート、３，５，５−トリメチル−３−イソシアナトメチルシクロヘキシルイソシアネート（Ｉ ＰＤＩ）、ｍ−又はｐ− キシリレンジイソシアネート（ｍ−又はｐ−Ｘ Ｄ Ｉ ） 、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（Ｈ12ＭＤＩ）、１，３−又は１，４−ビス（イソシアナトメチル）シクロヘキサン、リジンジイソシアネート等が使用できる。
式（５）で示される化合物としては、高純度品の入手の容易さと取り扱いの容易さから、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましく、反応性の点から２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが最も好ましい。
【００５３】
式（５）の化合物と反応させるマロン酸エステルは例えば、マロン酸ジメチルエステル、及びマロン酸ジエチルエステルであることが好ましい。
マロン酸エステルは、脂肪族アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソ−及びｎ−プロパノール、各種ブタノール、２−エチルヘキシルアルコール）、脂環式アルコール（例えばシクロヘキシルメタノール）、及び芳香環を含むアルコール（例えば、ベンジルアルコール）からなる群より選ばれる１種以上のアルコールと、マロン酸とを反応させて得ることができる。
【００５４】
本発明の製造方法に用いることができる前記式（１）で表される化合物の具体例を下記に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
2018147156.tif 000014
2018147156.tif 000015
2018147156.tif 000016
2018147156.tif 000017
【００５５】
式（１Ａ）〜（ＡＸ）中、
Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
【００５６】
（式（２）で表される重合性不飽和化合物）
式（２）で表される重合性不飽和化合物（以下、式（２）で表される化合物と呼ぶことがある。）について説明する。
【００５７】
【化１１】
2018147156.tif 000018
（２）
（式（２）中、
Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｂは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ６が結合する炭素原子側に位置していてもよい。
Ｒｃは、単結合、又は炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。
ｍは、０〜６の整数を表す。
Ｒｂが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【００５８】
前記式（２）中、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、互いに独立に、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記式（２）中、ｍは、０〜２の整数であることが好ましい。
前記式（２）中、Ｒｂは、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、−ＮＨＣＯＯ−で表される基、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、又はフェニレン基であることが好ましい。
前記式（２）中、Ｒｃは、単結合、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、又はフェニレン基であることが好ましい。
前記式（２）として好ましい態様は、
Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８が、水素原子、又はメチル基であり、
ｍが、１であり、
Ｒｂが、−ＣＯＯ−で表される基であり、
Ｒｃが、炭素原子数１〜１０の２価の脂肪族炭化水素基である場合が挙げられる。
【００５９】
高分子化合物（Ｂ）に含まれる式（２）で表される繰り返し単位としては、次に挙げるモノマーに由来する繰り返し単位が例示される。
２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、６−ヒドロキシヘキシルアクリレート、８−ヒドロキシオクチルアクリレート、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシ−１−メチルエチルアクリレート、２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシシクロヘキシルアクリレート、３−ヒドロキシシクロヘキシルアクリレート、４−ヒドロキシシクロヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシブチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、６−ヒドロキシヘキシルメタクリレート、８−ヒドロキシオクチルメタクリレート、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシ−１−メチルエチルメタクリレート、２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルメタクリレート、２−ヒドロキシフェニルエチルメタクリレート、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート、２−ヒドロキシシクロヘキシルメタクリレート、３−ヒドロキシシクロヘキシルメタクリレート、４−ヒドロキシシクロヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメタクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、及び２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシエチル−フタル酸等のヒドロキシアルキル基を有する（メタ）アクリレート、
ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、及びエチレングリコールモノアリルエーテル等のヒドロキシビニルエーテル、
ｏ−（ヒドロキシメチル）スチレン、ｍ−（ヒドロキシメチル）スチレン、及びｐ−（ヒドロキシメチル）スチレン等のスチレン誘導体、
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）アクリルアミド等のヒドロキシアルキル基を有する（メタ）アクリルアミド、
２−ヒドロキシプロピオン酸（１−メチル）エテニルエステル、２−ヒドロキシプロピオン酸エテニルエステル、３−ヒドロキシプロピオン酸エテニルエステル、及び２−ヒドロキシ酢酸エテニルエステル等のエテニルエステル、
ビニルアルコール、並びにアリルアルコール。
式（２）で表される化合物としては、ヒドロキシアルキル基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。
【００６０】
（式（３）で表される化合物）
式（３）で表される化合物について説明する。
2018147156.tif 000019
（３）
（式（３）中、
Ｒ９は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、又は炭素原子数２〜２０の下記式（６）で表される基を表す。該アルキル基、シクロアルキル基、又は下記式（６）で表される基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい。）
【００６１】
【化１２】
2018147156.tif 000020
（６）
（式（６）中、
Ｒ１５は、炭素原子数１〜６の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基を表し、
Ｒ１６は、炭素原子数１〜１９の１価の直鎖状脂肪族炭化水素基を表し、
ｑは、１〜１９の整数を表す。
ただし、Ｒ１５、Ｒ１６、及びｑは、全体の炭素原子数が２〜２０になるように調整される。）
【００６２】
式（３）中、Ｒ９は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基（該アルキル基、又はシクロアルキル基中の水素原子は、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数３〜２０のシクロアルコキシ基、又は、炭素原子数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。）であることが好ましい。
【００６３】
式（３）で表される化合物としては、
メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−メチルー１−プロパノール、２−ブタノール、２−メチルー２−プロパノール、
１−ペンタノール、３−メチルー１−ブタノール、２−メチルー１−ブタノール、２，２−ジメチルー１−プロパノール、２−ペンタノール、３−メチル―２−ブタノール、３−ペンタノール、２−メチルー２−ブタノール、
１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、１−ノナノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、１−テトラデカノール、１−オクタデカノール、シクロペンチルメタノール、シクロヘキシルメタノール、ベンジルアルコール、２−フェニルエタノール、３−フェニルプロパノール、メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−プロポキシエタノール、２−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−プロポキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ−２−プロパノール、
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブタノール、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンタノール、及び１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロへプタノール、ペンタフルオロベンジルアルコール
等が挙げられる。
【００６４】
式（３）で表される化合物としては、高純度品の入手の容易さから、メタノール、エタノール及び１−ペンタノールが好ましく、高分子化合物の溶解性の点からシクロペンタノール、シクロヘキサノール、２−エトキシエタノール、及びベンジルアルコールが好ましい。
【００６５】
（式（４）で表される重合性不飽和化合物）
式（４）で表される重合性不飽和化合物について説明する。
【００６６】
【化１３】
2018147156.tif 000021
（４）
（式（４）中、
Ｒ１０、Ｒ１１、及びＲ１２は、互いに異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒ１３は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又は炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。
Ｒｄは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、又は−ＮＨＣＯＯ−で表される基を表す。これらの−Ｏ−で表される基、−ＣＯ−で表される基、−ＣＯＯ−で表される基、−ＮＨＣＯ−で表される基、及び−ＮＨＣＯＯ−で表される基の２つの結合手は、どちらが、Ｒ１０が結合する炭素原子側に位置していてもよい。Ｒｄで表される２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
ｎ１は、０〜５の整数を表す。
ｎ２は、０〜６の整数を表す。
Ｒｄが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
Ｒ１３が複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【００６７】
前記式（４）中、Ｒ１０、Ｒ１１、及びＲ１２は、互いに独立に、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
【００６８】
前記式（４）中、Ｒｄは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基、又は−ＣＯＯ−で表される基であることが好ましい。
【００６９】
前記式（４）中、ｎ２は、０〜２の整数であることが好ましい。
【００７０】
前記式（４）で表される重合性不飽和化合物の例としては、
スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、４−（メトキシメトキシ）スチレン、４−（メトキシエトキシメチルオキシ）スチレン、４−（１−エトキシエチルオキシ）スチレン、２−（メトキシメトキシカルボニル）スチレン、２−（メトキシエトキシメチルオキシカルボニル）スチレン、２−（１−エトキシエチルオキシカルボニル）スチレン、２−（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）スチレン、３−（メトキシメトキシカルボニル）スチレン、３−（メトキシエトキシメチルオキシカルボニル）スチレン、３−（１−エトキシエチルオキシカルボニル）スチレン、３−（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）スチレン、４−（メトキシメトキシカルボニル）スチレン、４−（メトキシエトキシメチルオキシカルボニル）スチレン、４−（１−エトキシエチルオキシカルボニル）スチレン、４−（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）スチレンベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、２−トリフルオロメチルスチレン、３−トリフルオロメチルスチレン、４−トリフルオロメチルスチレン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン、２−フルオロスチレン、３−フルオロスチレン、４−フルオロスチレン、２−フルオロ−α―メチルスチレン、３−フルオロ−α―メチルスチレン、４−フルオロ−α―メチルスチレン、４−フルオロ−β―メチルスチレン、４−トリフルオロメチル−α―メチルスチレン、４−フルオロ−２，６−ジメチルスチレン、
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、N−フェニルアクリルアミド、N−フェニルメタクリルアミド、安息香酸ビニル、安息香酸アリル、
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルアクリレート、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート、２−フルオロベンジルアクリレート、２−フルオロベンジルメタクリレート、３−フルオロベンジルアクリレート、３−フルオロベンジルメタクリレート、４−フルオロベンジルアクリレート、４−フルオロベンジルメタクリレート、４−トリフルオロメチルベンジルアクリレート、４−トリフルオロメチルベンジルメタクリレート、３−（４−フルオロフェニル）−１−プロペン、３−ペンタフルオロフェニル−１−プロペン、３−（４―トリフルオロメチルフェニル）−１−プロペン、（４−フルオロフェニル）アクリレート、（４−フルオロフェニル）メタクリレート、ペンタフルオロフェニルアクリレート、ペンタフルオロフェニルメタクリレート、２−（ペンタフルオロフェニル）エチルアクリレート、２−（ペンタフルオロフェニル）エチルメタクリレート、２−（４−フルオロフェニル）エチルアクリレート、２−（４−フルオロフェニル）エチルメタクリレート、Ｎ−（４−フルオロフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（４−フルオロフェニル）メタクリルアミド、Ｎ−（ペンタフルオロフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（ペンタフルオロフェニル）メタクリルアミド等が挙げられる。
【００７１】
（他の重合性不飽和化合物）
式（１）、式（２）、及び式（４）以外で表される重合性不飽和化合物（他の重合性不飽和化合物と呼ぶことがある。）について説明する。
【００７２】
「他の重合性不飽和化合物」としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、４−ビニル安息香酸、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタクリル酸エステル及びその誘導体、アクリルアミド及びその誘導体、メタクリルアミド及びその誘導体、メタクリロニトリル、アクリロニトリル、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体、マレイミド及びその誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体、並びに有機ゲルマニウム誘導体等が挙げられる。
【００７３】
「他の重合性不飽和化合物」は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。「他の重合性不飽和化合物」としては、メタクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のような柔軟性を付与することができるモノマーを用いることが好ましい。
【００７４】
「他の重合性不飽和化合物」であるアクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能のアクリレートや、多官能のアクリレートを使用することができる。
アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、２−シアノエチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクリレート、１，１，１，２，２，２−ヘキサフルオロイソプロピルアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−テトラフルオロプロピルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、５Ｈ−オクタフルオロペンチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−ヘキサフルオロブチルアクリレート等を挙げることができる。
【００７５】
「他の重合性不飽和化合物」であるメタクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能のメタクリレート、多官能のメタクリレートを使用することができる。
メタクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸−ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸−ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸デシル、メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸シクロヘキシル、エチレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルメタクリレート、１，１，１，２，２，２−ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルメタクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルメタクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルメタクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルメタクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルメタクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルメタクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルメタクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−テトラフルオロプロピルメタクリレート、１Ｈ、１Ｈ、５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレート、１Ｈ、１Ｈ、７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート、１Ｈ、１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルメタクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルメタクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−ヘキサフルオロブチルメタクリレート等が挙げられる。
【００７６】
「他の重合性不飽和化合物」であるアクリルアミド及びその誘導体の例としては、アクリルアミド、N−メチルアクリルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−ｔｅｒｔ-ブチルアクリルアミド、N，N−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、N−（ブトキシメチル）アクリルアミド、N−［３−（ジメチルアミノ）プロピル］アクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリンが挙げられる。
【００７７】
「他の重合性不飽和化合物」であるメタクリルアミド及びその誘導体の例としては、メタクリルアミド、N−メチルメタクリルアミド、N−エチルメタクリルアミド、N−ｔｅｒｔ-ブチルメタクリルアミド、N，N−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、N−（ブトキシメチル）メタクリルアミド、N−［３−（ジメチルアミノ）プロピル］メタクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン、
が挙げられる。
【００７８】
「他の重合性不飽和化合物」である有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体の例としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、アジピン酸ジビニル等が挙げられる。
【００７９】
「他の重合性不飽和化合物」である有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体の例としては、酢酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリル等が挙げられる。
【００８０】
「他の重合性不飽和化合物」であるフマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体の例としては、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ−ｎ−ブチル、フマル酸ジ−２−エチルヘキシル、フマル酸ジベンジル等が挙げられる。
【００８１】
「他の重合性不飽和化合物」であるマレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体の例としては、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ−ｎ−ブチル、マレイン酸ジ−２−エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジル等が挙げられる。
【００８２】
「他の重合性不飽和化合物」であるイタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体の例としては、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ−ｎ−ブチル、イタコン酸ジ−２−エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジル等が挙げられる。
【００８３】
「他の重合性不飽和化合物」である有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体の例としては、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミド等が挙げられる。
【００８４】
「他の重合性不飽和化合物」であるマレイミド及びその誘導体の例としては、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。
【００８５】
「他の重合性不飽和化合物」である末端不飽和炭化水素及びその誘導体の例としては、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル等が挙げられる。
【００８６】
「他の重合性不飽和化合物」である有機ゲルマニウム誘導体の例としては、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウム等が挙げられる。
【００８７】
これらの「他の重合性不飽和化合物」のうちでは、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。
【００８８】
（重合開始剤）
光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ−ベンゾイル）ベンゾエート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。
【００８９】
熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となるものであればよく、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソバレロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド、２，４，４−トリメチルペンチル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド等のヒドロパーオキシド、ジクミルパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、トリス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアゼレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーカーボネートが挙げられる。
【００９０】
＜組成物＞
本発明の製造方法により、ゲル化を起こすことなく、
下記式（７）で表される繰り返し単位、及び下記式（８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）と、式（３）で表される化合物とを含有する組成物（以下、共重合体溶液と呼ぶことがある。）として、式（７）で表される繰り返し単位、及び式（８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）を得ることができる。
【００９１】
【化１４】
2018147156.tif 000022
（７）
（式（７）中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒａ、Ｘ、及びｌは、上記と同様の意味を表す。）
【００９２】
【化１５】
2018147156.tif 000023
（８）
（式（８）中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒｂ、Ｒｃ、及びｍは、上記と同様の意味を表す。）
【００９３】
組成物は、溶媒として式（３）で表される化合物を含むことで高分子化合物の保存安定性が向上する。
本発明の製造方法により、例えば、ポリスチレン換算の数平均分子量が１．０×１０３以上１０×１０８以下である高分子化合物を製造することができる。
本発明の製造方法により、例えば、重量平均分子量が１．０×１０３以上１０×１０８以下である高分子化合物を製造することができる。
得られる高分子化合物は、いかなる種類の共重合体であってもよく、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体及びグラフト共重合体のいずれであってもよい。
組成物は、式（３）で表される化合物、及び高分子化合物以外に、混合や粘度調節のための溶媒、高分子化合物を架橋させる際に架橋剤と組み合わせて通常用いられる添加剤などを含んでいてもよい。
【００９４】
（式（９）で表される繰り返し単位）
高分子化合物（Ａ）は、下記式（９）で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。
【００９５】
【化１６】
2018147156.tif 000024
（式（９）中、
Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒｄ、ｎ１、及びｎ２は、上記と同様の意味を表す。）
【００９６】
本発明の組成物を硬化させた硬化膜の絶縁破壊強度を向上させる観点から、高分子化合物（Ａ）に含まれる、前記式（９）で表される繰り返し単位の割合は、高分子化合物に含まれる全ての繰り返し単位の合計含有量を１００モル％として、１モル％以上９０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上９０モル％以下であることがより好ましく、３０モル％以上８０モル％以下であることがさらに好ましい。
【００９７】
（他の繰り返し単位）
高分子化合物（Ａ）は、式（７）及び式（８）で表される繰り返し単位と、他の繰り返し単位とを有する高分子化合物であってもよく、
式（７）及び式（８）で表される繰り返し単位と、式（９）で表される繰り返し単位と、他の繰り返し単位とを有する高分子化合物であってもよい。
ここで、他の繰り返し単位とは、
式（７）で表される繰り返し単位、式（８）で表される繰り返し単位、又は式（９）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を意味する。
【００９８】
後述する、本発明の組成物を硬化させた硬化膜の絶縁破壊強度を向上させる観点から、高分子化合物に含まれる、他の繰り返し単位の割合は、特に制限されず、例えば、高分子化合物に含まれる全ての繰り返し単位の合計含有量を１００モル％として、０モル％以上９０モル％以下であってよく、０モル％以上８０モル％以下であってよく、０モル％以上５０モル％以下であってよい。
【００９９】
式（３）で表される化合物の例示、及び好ましい化合物は、上述したものと同様である。
【０１００】
式（３）で表される化合物の組成物における含有量は、１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５質量％以上７０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上６０質量％以下であることがさらに好ましい。１０質量％以上５０質量％以下であることが特に好ましい。
【０１０１】
（その他の成分）
本発明の組成物は、さらに、混合や粘度調節のための溶媒、高分子化合物を架橋させる際に架橋剤と組み合わせて通常用いられる添加剤などを含んでいてもよい。
【０１０２】
用いられる溶媒の例としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、アセトンなどのケトン溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートブチルアセテートなどのアセテート溶媒、クロロホルムなどのハロゲン化物溶媒及びこれらの混合溶媒が挙げられる。
【０１０３】
添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、レベリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。
【０１０４】
式（７）で表される繰り返し単位、及び式（８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）としては、下記の高分子化合物が挙げられる。
2018147156.tif 000025
2018147156.tif 000026
2018147156.tif 000027
2018147156.tif 000028
2018147156.tif 000029
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【０１０５】
＜組成物を硬化した膜＞
本発明の製造方法で得られる高分子化合物を含む組成物を硬化して膜（以下、硬化膜と呼ぶことがある。）とすることができる。
硬化膜は、
本発明の製造方法によって得られる高分子化合物を含む組成物を、例えば形成対象である基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程と、
塗布層を硬化する工程とを含む製造方法により形成することができる。
【０１０６】
硬化膜の製造方法は、例えば、
本発明の製造方法によって得られる高分子化合物を含む組成物に、有機溶媒を添加して塗布液を得る工程と、
塗布液を基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程と、
塗布層を硬化させる工程とを含む製造方法であってもよい。
【０１０７】
塗布液を得る工程で用いる有機溶媒は、組成物に含まれる高分子化合物、架橋剤等の成分を溶解させる有機溶媒であれば特に制限は無く、好ましくは、常圧での沸点が１００℃〜２００℃である有機溶媒である。
好適な有機溶媒の例としては、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロペンタノン等が挙げられる。
塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を含ませることができる。
【０１０８】
塗布液に含まれる有機溶媒は、塗布液全体に対し、３０質量％〜９５質量％であることが好ましい。
【０１０９】
塗布層を形成する工程（以下、塗布ステップと呼ぶことがある）は、塗布液を、公知のスピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法、及びインクジェット法等の塗布法により基材上に塗布して形成することで行うことができる。
【０１１０】
塗布層を硬化させる工程（以下、硬化ステップと呼ぶことがある）は、塗布層に含まれる高分子化合物が有する反応性の官能基による、架橋反応を進行させる工程であればよく、例えば、電磁波を照射すること、又はヒーター及びオーブンなどで加熱することで行うことができる。
塗布層を加熱する場合は、通常、１分以上１２０分以下で加熱するが、１０分以上６０分以下で加熱することが好ましい。形成される絶縁層の架橋性及び絶縁性が優れるため、塗布膜の加熱温度は、８０℃以上２５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上２３０℃以下であることがより好ましい。
【０１１１】
塗布層を形成する工程と、塗布層を硬化させる工程との間に、塗布層を乾燥させる工程（以下、乾燥ステップと呼ぶことがある）を設けてもよい。
塗布層を乾燥させる工程は、塗布法により基材上に形成された塗布層中の溶媒を除去することを目的としている。乾燥させる工程は、例えば、ヒーター及びオーブンなどで加熱することで行うことができる。
塗布層を加熱する場合は、通常、１分以上１２０分以下で加熱するが、２分以上６０分以下で加熱することが好ましい。加熱温度は、４０℃以上２５０℃以下であることが好ましく、６０℃以上２３０℃以下であることがより好ましい。
【０１１２】
＜電子デバイス＞
上述の硬化膜を含む電子デバイスについて説明する。上述の実施形態において、低温で硬化する高分子化合物を製造し、硬化させることができるため、当該高分子化合物を含む組成物を用いた硬化膜は、有機薄膜トランジスタ、有機ＬＥＤ、センサーなどの種々の電子デバイスに用いることができる。
当該組成物を用いた硬化膜を含む電子デバイスとしては、有機薄膜トランジスタが好適である。有機薄膜トランジスタは、当該硬化膜を、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として含むことが好適である。
【０１１３】
当該「組成物を硬化した膜」は、絶縁性、封止性、密着性、耐溶剤性に優れるので、有機薄膜トランジスタのオーバーコート層、アンダーコート層などの保護層として用いることもできる。
有機薄膜トランジスタは、例えば、本発明の組成物を硬化した膜であるゲート絶縁層に加え、さらに本発明の組成物を硬化した膜をオーバーコート層として備えていてもよい。
以下、本発明の硬化膜を好適に適用できる有機薄膜トランジスタについて説明する。
【０１１４】
＜有機薄膜トランジスタ＞
有機薄膜トランジスタは、上述の硬化膜をゲート絶縁層として含む。
有機薄膜トランジスタは、ボトムゲートトップコンタクト型（第１実施形態）であってもよいし、ボトムゲートボトムコンタクト型（第２実施形態）であってもよいし、トップゲートボトムコンタクト型（第３実施形態）であってもよい。
以下、図面を参照して、本発明の組成物の好適な適用先である有機薄膜トランジスタの実施形態について説明する。
【０１１５】
図１は、第１実施形態にかかるボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
図１に示されるように、第１実施形態の有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、基板１の主表面に接合するように設けられたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うように基板１に設けられたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３に接合しており、ゲート電極２の直上を覆うように設けられた有機半導体層４と、有機半導体層４に接合するように設けられ、チャネル領域を挟み、かつ基板１の厚さ方向にみたときに（平面視で）チャネル領域がゲート電極２と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うように設けられたオーバーコート層７とを備えている。
【０１１６】
図２は、第２実施形態にかかるボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０の構造を模式的に示す概略的な図である。
図２に示されるように、第２実施形態の有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、基板１の主表面に接合するように設けられたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うように基板１に設けられたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３に接合しており、チャネル領域を挟み、かつ基板１の厚さ方向にみたときに（平面視で）チャネル領域がゲート電極２と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように、かつソース電極５及びドレイン電極６及びチャネル領域を含むゲート絶縁層３上に設けられた有機半導体層４と、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うように設けられたオーバーコート層７とを備えている。
【０１１７】
図３は、第３実施形態にかかるトップゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０の構造を模式的に示す概略的な図である。
図３に示されるように、第３実施形態の有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、基板１上にソース電極５及びドレイン電極６と、基板１上にソース電極５及びドレイン電極６をまたがるように形成された有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたゲート電極２と、基板１に設けられたソース電極５、ドレイン電極６、有機半導体層４、ゲート絶縁層３及びゲート電極２を覆うオーバーコート層７とを備えている。
【０１１８】
＜有機薄膜トランジスタの製造方法＞
第１実施形態のボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０は、例えば、基板１の主表面にゲート電極２を形成し、ゲート電極２を覆うようにゲート電極２が設けられた基板１の表面にゲート絶縁層３を形成し、ゲート絶縁層３上に有機半導体層４を形成し、有機半導体層４に接合するようにソース電極５及びドレイン電極６を形成し、さらに要すれば、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うようにオーバーコート層７を形成することで製造することができる。
【０１１９】
第２実施形態のボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０は、例えば、基板１の主表面にゲート電極２を形成し、ゲート電極２を覆うようにゲート電極２が設けられた基板１の表面にゲート絶縁層３を形成し、ゲート絶縁層３上にソース電極５及びドレイン電極６を形成し、ソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように、かつソース電極５及びドレイン電極６の一部分及びチャネル領域を含むゲート絶縁層３の一部分を覆うように有機半導体層４を形成し、さらに要すれば、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うようにオーバーコート層７を形成することで製造することができる。
【０１２０】
第３実施形態のトップゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０は、例えば、基板１の主表面にソース電極５及びドレイン電極６を形成し、ソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように、有機半導体層４を形成し、ゲート絶縁層３を形成し、ゲート電極２を形成し、さらに要すれば、基板１に設けられたソース電極５、ドレイン電極６、有機半導体層４、ゲート絶縁層３及びゲート電極２を覆うようにオーバーコート層７を形成することで製造することができる。
【０１２１】
ゲート絶縁層３には、既に説明した、硬化膜を用いることができる。
【０１２２】
ゲート絶縁層３の純水に対する接触角は、絶縁層用組成物中の高分子化合物が有するフッ素原子、疎水性官能基及び親水性官能基の量を考慮して、ゲート絶縁層３の表面の親水性を増減させることにより、適宜調節することができる。
【０１２３】
ゲート絶縁層３の表面の親水性の増減は、加熱処理が行われる雰囲気の成分を調節することにより行うことができる。例えば、ゲート絶縁層３を形成する際に行われる乾燥ステップ及び硬化ステップ（加熱又は焼成）等を、酸素を含む雰囲気中で行うとゲート絶縁層３の表面の親水性は増大し、不活性ガス雰囲気中で行うとゲート絶縁層３の表面の親水性は低下する。酸素を含む雰囲気中で加熱を行う場合は、温度を高くするとゲート絶縁層３の表面の親水性はより増大する。
【０１２４】
特に高分子化合物に含まれるフッ素原子の量を調節することにより、ゲート絶縁層３の表面エネルギーを適切な範囲に調節することができ、結果として、有機半導体層４との界面を良好な界面とすることができる。これにより有機薄膜トランジスタのキャリア移動度をより向上させることができる。
【０１２５】
高分子化合物に含まれるフッ素原子の量を１質量％以上とすることで、有機薄膜トランジスタのヒステリシス特性を十分に低下させることができ、６０質量％以下とすることで、有機半導体層との親和性を良好に保ち、有機半導体層とゲート絶縁層とを接合させたときに良好な界面を形成させることができる。
【０１２６】
ゲート絶縁層３の有機半導体層４側の表面には、自己組織化単分子層を形成してもよい。この自己組織化単分子層は、例えば、有機溶媒にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１〜１０質量％溶解した溶液でゲート絶縁層３を処理することにより形成することができる。
【０１２７】
自己組織化単分子層を形成するためのアルキルクロロシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等が挙げられる。
自己組織化単分子層を形成するためのアルキルアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１２８】
基板１、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層４は、従来公知の有機薄膜トランジスタの製造方法に通常使用される材料及び方法で構成すればよい。
【０１２９】
基板１としては樹脂基板又は樹脂フィルム、プラスチック基板又はプラスチックフィルム、ガラス基板、シリコン基板などが用いられる。
【０１３０】
ゲート電極２、ソース電極５及びドレイン電極６の材料の例としては、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等が挙げられる。ゲート電極２、ソース電極５及びドレイン電極６は、蒸着法、スパッタ法、インクジェット印刷法などの塗布法等の公知の方法で形成することができる。
【０１３１】
有機半導体層４の材料である有機半導体化合物としては、π共役ポリマーが広く用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類などを用いることができる。
【０１３２】
また、有機半導体層４の材料である有機半導体化合物としては、有機溶媒への溶解性を有する低分子化合物を用いることもできる。このような低分子化合物としては、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などが挙げられる。このような低分子化合物の例としては、具体的には、９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジ（エチレンボロネート）と５，５’−ジブロモ−２，２’−バイチオフェンとの縮合物等が挙げられる。
【０１３３】
有機半導体層４の形成工程は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体層４の形成用の塗布液を調製し、これを塗布し、塗布層を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層３を構成する高分子化合物がフェニル部分又はカルボニル部分を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布ステップ及び乾燥ステップによって、有機半導体層４とゲート絶縁層３との間に均一で平坦な界面を形成することができる。
【０１３４】
有機半導体層４の形成工程に使用することができる溶媒としては有機半導体化合物を溶解又は分散させることができる溶媒であれば特に制限はない。このような溶媒としては、常圧での沸点が５０℃〜２００℃の溶媒が好ましい。このような溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２−ヘプタノン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。有機半導体層４の形成用の塗布液は、既に説明した絶縁層３の形成用の塗布液と同様に、公知のスピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法により基板１又はゲート絶縁層３上に塗布することができる。
【０１３５】
オーバーコート層７（保護層）は、既に説明したゲート絶縁層３の形成工程と同様にして、例えば、既に説明した本発明の組成物を用いて形成することができる。
また、図示されていないアンダーコート層についてもオーバーコート層７と同様にして形成することができる。
【０１３６】
本発明の組成物を用いれば、保存安定性がよく、低温にて硬化する組成物が得られ、結果としてゲート絶縁層の形成工程、ひいては有機薄膜トランジスタの製造方法をより簡便に実施することができる。
【０１３７】
＜有機薄膜トランジスタの用途＞
本発明の組成物を用いて製造した有機薄膜トランジスタを用いて、有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を製造することができる。また該有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを製造することができる。
【０１３８】
本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、ＯＦＥＴセンサに用いることもできる。ＯＦＥＴセンサは、入力信号を電気信号に変換して出力する信号変換素子として有機薄膜トランジスタ（有機電界効果トランジスタ：ＯＦＥＴ）を用いたセンサであり、電極、絶縁層及び有機半導体層のいずれかの構造中に、感応性機能又は選択性機能を付与したものである。ＯＦＥＴセンサとしては、例えば、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサが挙げられる。
【０１３９】
例えばバイオセンサは、上記のとおりの構成を有する有機薄膜トランジスタを備える。
有機薄膜トランジスタは、チャネル領域及び／又はゲート絶縁層に、標的物質と特異的に相互作用するプローブ（感応性領域）を有している。標的物質の濃度が変化すると、プローブの電気的特性が変化することにより、バイオセンサとして機能させることができる。
【０１４０】
被検試料中の標的物質を検出する方法としては、例えば、核酸、タンパク質等の生体分子、又は、人工的に合成した官能基を固相担体の表面に固定して、これらをプローブとして用いる方法が挙げられる。
【０１４１】
この方法では、相補的な配列を有する核酸鎖の相互作用、抗原−抗体反応、酵素−基質反応、受容体−リガンドの相互作用等の物質同士又は官能基同士の特異的な親和性を利用して、標的物質を固相担体のプローブで捕捉する。そのため、標的物質に対して特異的な親和性を有する物質又は官能基が、プローブとして選択される。
【０１４２】
プローブは、選択されたプローブの種類や固相担体の種類に応じた方法により、固相担体の表面に固定される。また、固相担体の表面でプローブを合成する（例えば、核酸伸長反応によりプローブを合成する。）こともできる。いずれの場合も、固相担体の表面に固定されたプローブと被検試料とを接触させ、適当な条件下で処理することにより、固相担体の表面でプローブ−標的物質複合体が形成される。有機薄膜トランジスタのチャネル領域及び／又はゲート絶縁層自体が、プローブとして機能してもよい。
【０１４３】
ガスセンサは、上記のとおりの構成を備える有機薄膜トランジスタを備える。この場合の有機薄膜トランジスタにおいては、チャネル領域及び／又はゲート絶縁層が、ガス感応部として機能する。ガス感応部に被検知ガスが接触した際に、ガス感応部の電気的な特性（導電率、誘電率等）に変化が生じることにより、ガスセンサとして機能させることができる。
【０１４４】
被検知ガスとしては、例えば、電子受容性ガス、電子供与性ガスが挙げられる。電子受容性ガスとしては、例えば、Ｆ２、Ｃｌ２等のハロゲンガス、窒素酸化物ガス、硫黄酸化物ガス、酢酸等の有機酸ガスが挙げられる。電子供与性ガスとしては、例えば、アンモニアガス、アニリン等のアミン類ガス、一酸化炭素ガス、水素ガスが挙げられる。
【０１４５】
本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、圧力センサの製造に用いることもできる。圧力センサは、上記のとおりの構成を備える有機薄膜トランジスタを備える。この場合、有機薄膜トランジスタにおいては、チャネル領域及び／又はゲート絶縁層が、感圧部として機能する。感圧部に応力が加わった場合に、感圧部の電気的な特性に変化が生じることにより、感圧センサとして機能させることができる。
【０１４６】
チャネル領域が感圧部として機能する場合、チャネル領域に含有される有機半導体の結晶性をより高めるため、有機薄膜トランジスタはさらに配向層を有していてもよい。配向層としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のシランカップリング剤を用いてゲート絶縁層に接合するように設けられた単分子層が挙げられる。
【０１４７】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、電導度変調型センサの製造に用いることもできる。本発明の電導度変調型センサは、入力信号を電気信号に変換して出力する信号変換素子として電導度計測素子を用いたものであり、本発明の組成物を含有する膜、又は、本発明の組成物を含有する膜に、検出対象の入力に対する感応性機能又は選択性機能を付与したものである。電導度変調型センサは、検出対象の入力を、本発明の組成物の電導度の変化として検出する。電導度変調型センサとしては、例えば、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサが挙げられる。
【０１４８】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサ、圧力センサ等の各種センサからの出力信号を増幅するための、有機薄膜トランジスタを含む増幅回路の製造に用いることもできる。
【０１４９】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサ、圧力センサ等の各種センサが複数個集積されたセンサアレイの製造に用いることもできる。
【０１５０】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサ、圧力センサ等の各種センサが複数個集積され、各センサからの出力信号を個別に増幅するための、有機薄膜トランジスタを含む増幅回路付きセンサアレイの製造に用いることもできる。
【実施例】
【０１５１】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。本発明は以下に説明する実施例に限定されない。【０１５２】
（分子量分析）
後述する高分子化合物Ｃの数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ、Ｗａｔｅｒｓ社製、商品名：Ａｌｌｉａｎｃｅ  ＧＰＣ  ２０００）を用いて求めた。測定される高分子化合物Ｃは、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、ＧＰＣに注入した。ＧＰＣの移動相にはオルトジクロロベンゼンを用いた。カラムは、「ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｈ（Ｓ）ＨＴ（２本連結、東ソー社製）」を用いた。検出器にはＵＶ検出器を用いた。【０１５３】
高分子化合物１〜１３の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ、東ソー社製）を用いて求めた。ＧＰＣの移動相にはＴＨＦを用いた。カラムは、「ＰＬｇｅｌ  １０μｍ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ（１本、アジレント・テクノロジー社製）」を用いた。検出器にはＵＶ検出器を用いた。【０１５４】
合成例１（高分子化合物Ｃの合成）
下記のスキームに沿って、高分子化合物Ｃを合成した。
反応容器内の気体を窒素ガスで置換した後に、下記式Ｂ−１で表される化合物Ｂ−１（２８６．８ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、下記式Ｂ−２で表される化合物Ｂ−２（７７．６ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１９ｍＬ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを７．３ｍｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートを９．３ｍｇ加えて、撹拌した。得られた反応溶液に、３ｍｏｌ／Ｌのリン酸カリウム水溶液を１．０ｍＬ滴下し、３時間還流させた。得られた反応溶液に、フェニルボロン酸を２４．４ｍｇ加えて、１時間還流させた。得られた反応溶液に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物を０．１ｇ加えて、３時間還流させた。
得られた反応溶液を水に注ぎ、トルエンを加え、トルエン層を抽出した。得られたトルエン溶液を、酢酸水溶液及び水で洗浄した後、シリカゲルカラムを用いて精製した。得られたトルエン溶液をアセトンに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、アセトンを溶媒として用いてソックスレー洗浄し、下記式で表される繰り返し単位を含む高分子化合物Ｃを得た。高分子化合物Ｃの得量は２４４ｍｇであり、ポリスチレン換算の数平均分子量は３．１×１０４であり、重量平均分子量は６．５×１０４であった。【０１５５】
【化１７】
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【０１５６】
実施例１（高分子化合物（１）の合成）
スチレン（純正化学社製）２．７５ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ社製）２．５６ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．６９ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成製社製）０．２９ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３２ｇ、２−ヘプタノン（東京化成社製）３．１６ｇ、シクロペンタノール（東京化成社製）６．３２ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（１）のポリスチレン換算の数平均分子量は６．１×１０４であり、重量平均分子量は１．３×１０５であった。
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【０１５７】
比較例１（高分子化合物（２）の合成）
スチレン（純正化学社製）２．５０ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ社製）２．３３ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．６３ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成製社製）０．２６ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０２９ｇ、２−ヘプタノン（東京化成社製）８．６２ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ３時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１５８】
実施例２（高分子化合物（３）の合成）
スチレン（純正化学社製）５．００ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）１．８９ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成製社製）０．７８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３８ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）３．８６ｇ、シクロペンタノール（東京化成社製）７．７１ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（３）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（３）のポリスチレン換算の数平均分子量は６．１×１０４であり、重量平均分子量は１．８×１０５であった。
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【０１５９】
比較例２（高分子化合物（４）の合成）
スチレン（純正化学社製）５．００ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）１．８９ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成製社製）０．７８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３８ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）１１．５７ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ１．５時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１６０】
実施例３（高分子化合物（５）の合成）
メタクリル酸メチル（和光純薬社製）３．０３ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）１．２０ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成製社製）０．５０ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５０ｇ、シクロペンタノン（東京化成社製）１０．０５ｇ、メタノール（東京化成社製）１．１２ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（５）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（５）のポリスチレン換算の数平均分子量は２．６×１０４であり、重量平均分子量は１．３×１０５であった。
2018147156.tif 000043
【０１６１】
比較例３（高分子化合物（６）の合成）
メタクリル酸メチル（和光純薬社製）３．０３ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）１．２０ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．５０ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５０ｇ、シクロペンタノン（東京化成社製）１６．０ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ１時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１６２】
実施例４（高分子化合物（７）の合成）
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト・ラボラトリーズ社製）４．２６ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．４２ｇ、４−ヒドロキシブチルアクリレート（日本化成社製）０．３８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０２６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）７．９２ｇ、シクロペンタノール（東京化成社製）３．９６ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（７）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（７）のポリスチレン換算の数平均分子量は５．３×１０４であり、重量平均分子量は５．６×１０５であった。
2018147156.tif 000044
【０１６３】
実施例５（高分子化合物（８）の合成）
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト・ラボラトリーズ社製）８．５２ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８５ｇ、４−ヒドロキシブチルアクリレート（日本化成社製）０．７７ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５３ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）７．９２ｇ、シクロペンタノール（東京化成社製）１５．８４ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（８）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（８）のポリスチレン換算の数平均分子量は３．７×１０４であり、重量平均分子量は２．３×１０５であった。
2018147156.tif 000045
【０１６４】
比較例４（高分子化合物（９）の合成）
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト・ラボラトリーズ社製）４．２６ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．４２ｇ、４−ヒドロキシブチルアクリレート（日本化成社製）０．３８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０２６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）１１．８８ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ１時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１６５】
実施例６（高分子化合物（１０）の合成）
ベンジルメタクリレート（東京化成社製）３．６７ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８２ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３４ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）７．５６ｇ、シクロペンタノール（東京化成社製）３．７８ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１０）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（１０）のポリスチレン換算の数平均分子量は４．２×１０４であり、重量平均分子量は２．７×１０５であった。
2018147156.tif 000046
【０１６６】
実施例７（高分子化合物（１１）の合成）
ベンジルメタクリレート（東京化成社製）３．６７ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８２ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３４ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）１０．３０ｇ、メタノール（東京化成社製）１．０３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１１）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（１１）のポリスチレン換算の数平均分子量は
４．０×１０４であり、重量平均分子量は２．４×１０５であった。
2018147156.tif 000047
【０１６７】
実施例８（高分子化合物（１２）の合成）
ベンジルメタクリレート（東京化成社製）３．６７ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８２ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３４ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３４ｇ、トルエン（東京化成社製）９．０７ｇ、ベンジルアルコール（東京化成社製）２．２７ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１２）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（１２）のポリスチレン換算の数平均分子量は２．６×１０４であり、重量平均分子量は１．８×１０５であった。
2018147156.tif 000048
【０１６８】
比較例５（高分子化合物（１３）の合成）
ベンジルメタクリレート（東京化成社製）３．６７ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８２ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３４ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）１１．３３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ０．７時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１６９】
比較例６（高分子化合物（１４）の合成）
ベンジルメタクリレート（東京化成社製）３．６７ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８２ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３４ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）１０．３０ｇ、エチレングリコール（Aldrich社製）１．０３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ２．３時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１７０】
比較例７（高分子化合物（１５）の合成）
ベンジルメタクリレート（東京化成社製）３．６７ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．８２ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３４ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）１０．３０ｇ、マロン酸ジエチル（東京化成社製）１．０３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で重合させたところ０．７時間でゲル化してしまい、共重合体溶液は得られなかった。【０１７１】
実施例９（高分子化合物（１７）の合成）
２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート（東京化成社製）４．００ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）１．６１ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．６６ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０４５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）９．８３ｇ、エタノール（和光純薬社製）４．９１ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１７）を含む共重合体溶液を得た。高分子化合物（１７）のポリスチレン換算の数平均分子量は７．０×１０４であり、重量平均分子量は３．１×１０５であった。
2018147156.tif 000049
【０１７２】
実施例１０（高分子化合物（１８）の合成）
２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート（東京化成社製）４．００ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）１．６１ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．６６ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０４５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成社製）９．８３ｇ、１−プロパノール（和光純薬社製）４．９１ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１８）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（１８）のポリスチレン換算の数平均分子量は８．５×１０４であり、重量平均分子量は４．１×１０５であった。
2018147156.tif 000050
【０１７３】
実施例１１（高分子化合物（１９）の合成）
２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート（東京化成社製）２．１４ｇ、２−〔ビス（エトキシカルボニル）メチル］カルボニルアミノ〕−エチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＤＥＭ」）０．５４ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成社製）０．３３ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０２２ｇ、２−エトキシエタノール（東京化成社製）１２．１４ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、７０℃のオイルバス中で６時間重合させて、下記繰り返し単位を有する高分子化合物（１９）を含む共重合体溶液を得た。
高分子化合物（１９）のポリスチレン換算の数平均分子量は３．１×１０４であり、重量平均分子量は９．６×１０５であった。
2018147156.tif 000051
【０１７４】
実施例１２（絶縁層の製造及び評価）
実施例１、３、５、７又は９で得られた、高分子化合物（１）、（５）、（８）、（１１）又は（１７）を含む溶液を、クロム電極の付いたガラス基板上にスピンコートした。
その後、ホットプレート上で１３０℃、３０分間乾燥させることで、絶縁層を得た。【０１７５】
得られた絶縁層上に、メタルマスクを用いて蒸着によりアルミ電極を形成することで、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子を作製した。【０１７６】
＜ＭＩＭ素子の電気特性の評価＞
作製したＭＩＭ素子の絶縁耐圧を、真空プロ−バ（Nagase Electronic Equipments Service Co., LTD製、BCT２２MDC−５−HT−SCU；）を用いて測定した。ここで、絶縁耐圧は、電極間に電界をかけて、リーク電流が１×10-８A/cm2となる電解強度により評価した。
結果を表１に示す。【０１７７】
【表１】
2018147156.tif 000052
【０１７８】
実施例１３（有機薄膜トランジスタ（１）の作製及び評価）
実施例１で得た高分子化合物（１）を含む溶液を用いて、トップゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ素子（１）を製造した。以下に具体的に説明する。【０１７９】
まず、ガラス基板に対し、オゾンＵＶを照射した後、アルカリ洗浄液により洗浄し、純水によりリンスした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、基板側からクロム、金の順で積層し、フォトリソグラフィによりパターニングすることで、ソース電極、及びドレイン電極を形成した。このときのソース電極、及びドレイン電極のチャネル長は１０μｍ、チャンネル幅は２ｍｍとした。その後、パーフルオロベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液に、ガラス基板を２分間浸漬することにより、ガラス基板上に形成した電極（特に金）の表面を修飾した。【０１８０】
続いて合成例１で得られた０．５質量％の高分子化合物Ｃのトルエン溶液をソース電極及びドレイン電極側にスピンコートし、ホットプレートを用いて１２０℃で３０分間加熱処理することで、有機半導体層を形成した。【０１８１】
この有機薄半導体層の上に、実施例１で得られた溶液をスピンコート法により塗布し、形成された塗布層を１３０℃で３０分間加熱処理することで、高分子化合物（１）を含む塗布層が硬化した硬化膜であるゲート絶縁層を形成した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、１０４０ｎｍであった。【０１８２】
さらに、このゲート絶縁層上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成することで有機薄膜トランジスタ（１）を得た。【０１８３】
得られた有機薄膜トランジスタ（１）の特性を評価した。
具体的には、有機薄膜トランジスタ（１）のゲート電極に電圧を印加して、ゲート電圧Ｖｇを２０Ｖ〜−４０Ｖに変化させ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０Ｖ〜−４０Ｖに変化させる条件で、キャリア移動度を真空プロ−バ（ＢＣＴ２２ＭＤＣ−５−ＨＴ−ＳＣＵ；Ｎａｇａｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃｏ．，ＬＴＤ製）を用いて測定し、評価した。【０１８４】
有機薄膜トランジスタ（１）のキャリア移動度は、０．５１ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に表す。【０１８５】
実施例１４（有機薄膜トランジスタ（２）の作製及び評価）
実施例１得た高分子化合物（１）を含む溶液に代えて、実施例３で得た高分子化合物（５）を含む溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタ（２）を作製した。【０１８６】
得られた有機トランジスタ（２）のゲート電圧Ｖｇ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを変化させ、トランジスタ特性としてキャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、０．１８ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に表す。【０１８７】
実施例１５（有機薄膜トランジスタ（３）の作製及び評価）
実施例１で得た高分子化合物（１）を含む溶液に代えて、実施例５で得た高分子化合物（８）を含む溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタ（３）を作製した。【０１８８】
得られた有機薄膜トランジスタ（３）のゲート電圧Ｖｇ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを変化させ、トランジスタ特性としてキャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、０．５２ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に表す。【０１８９】
【表２】
2018147156.tif 000053
【符号の説明】
【０１９０】
１…基板、
２…ゲート電極、
３…ゲート絶縁層、
４…有機半導体層、
５…ソース電極、
６…ドレイン電極、
７…オーバーコート層
１０…有機薄膜トランジスタ。
【図１】
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【図２】
2018147156.tif 000064
【図３】
2018147156.tif 000065
【国際調査報告】
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2018147156.tif 000067