(57)【要約】  ３層以上の情報層（１０、２０、３０）を含む情報記録媒体（１００）の一つの情報層（１０、２０、３０）に、レーザ光（６）の照射側より、ＺｒＯ及びＩｎ２Ｏ３を含む第２誘電体膜（１３、２３、３３）と、Ｗ、Ｍｎ及びＯを含む記録膜（１２、２２、３２）と、ＺｒＯ及びＩｎ２Ｏ３を含む第１誘電体膜（１１、２１、３１）と、アクリル系樹脂からなる中間分離層（２、３）とをこの順に有し、記録膜（１２、２２、３２）がレーザ光（６）の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体（１００）であって、記録膜（１２、２２、３２）に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＴａより選ばれる１以上の元素であり、ａ＞０及びｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜（１１、２１、３１）がＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下含む。
2017159561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層とをこの順に有し、前記記録膜が前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜において、酸化ジルコニウムがＺｒＯ２であり、酸化インジウムがＩｎ２Ｏ３である請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２およびＧａ２Ｏ３およびＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録膜が、前記Ｍで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含む請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録膜は、さらに、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）と表記した場合に、
２０≦ｐ≦６０、
ｑ≧１２、
２≦ｓ≦４０且つ
ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足する請求項４に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記レーザ光の照射側より最も遠い情報層において、前記レーザ光の入射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む前記第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ１、Ｍ２および酸素（Ｏ）を含む前記記録膜と、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む前記第１誘電体膜と基板をこの順に有し、前記記録膜に含まれるＭで示される金属元素としてＭ１およびＭ２を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）と表記した場合、ｊ＞０、ｋ≧１２およびｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含む請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録膜に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）において、
１５≦ｊ≦５０、
ｋ≧１４、
２≦ｎ≦４０且つ
ｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録膜がＣｕを含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｄＭｎｅＣｕｆＭｇＮｈ（原子％）（但し、ＭよりＣｕを除く。また、Ｎは、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ以外の任意の金属元素であり、ｄ＞０、ｅ≧１２、ｆ＞０、ｇ＞０およびｈ≧０でｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００を満足する）と表記した場合、ｅ＋ｆ≦５０を満足する請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録膜が少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、前記記録材料が少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記積層構造における記録材料の少なくとも一つが、前記記録材料に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足する請求項９に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜のＩｎ２Ｏ３の組成比が異なる請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記第１誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、前記第２誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ない請求項１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
基板を介し、両側に前記情報層を配置することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
前記情報層において、前記基板上に情報を記録・再生する凹凸溝を有し、前記レーザ光の照射側より見た時に、近い側の溝（グルーブ）および遠い側の溝（ランド）の両方に記録することを特徴とする請求項１３に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷ、ＭｎおよびＭ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記記録膜を形成する工程において、酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記第１および第２誘電体膜を形成する工程において、ＤＣスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標）  Ｄｉｓｃ）がある。これらの媒体においては、記録再生レーザ波長を短くしたり、レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くしたり、トラックピッチをつめることにより高密度化（大容量化）を実現してきた。【０００３】
ＢＤにおいては、ＢＤ−ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のものが製品化されている。このＢＤ−ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層を３層化、また１情報層あたりの記録密度を３３．４ＧＢにすることにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。今後はさらに線密度を高くし、またランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録による３００ＧＢ容量以上のメディアが提案されている。【０００４】
光学的情報記録媒体の特長として優れた長期保存性が挙げられる。そのため前述した大容量のメディアは、公文書・医療画像・動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアには、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば結晶−アモルファスの相変化を利用したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ（特許文献１参照）や、バブルによりマーク（ピット）を形成するＷ−Ｏ（特許文献２参照）やＧｅ−Ｂｉ−Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。【０００５】
前述した追記型の情報記録媒体においては、記録感度や変調度など光学的な設計を最適化したり、記録膜材料を水分などの影響から保護したりするために誘電体膜が設けられている。この誘電体膜の一例としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２やＩＴＯなどが挙げられる。【０００６】
これらの記録膜や誘電体膜はスパッタリング法を用いて形成されることが多いが、情報記録媒体の製造コストを下げるためは、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリングが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３７５２１７７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６１９４１号公報
【特許文献３】特許第３８０２０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者は、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）を含む記録膜を有する情報記録媒体において、初期特性（初期記録感度）と信頼性（シェルフ特性、再生耐久性）の両立に課題を見出した。【０００９】
ＷとＯを含む記録膜にレーザ光等の照射により熱を加え一定以上の温度に昇温させることで、膜中の酸素が分離・結合し、マーク（ピット）となるバブルが形成される。このバブル形成により、記録膜の光学的な変化を得るとともに、記録膜の体積も膨張方向に変化するため、信号特性として大きな変調度を得ることができる。また非可逆的な変化であるため、マークの長期保存性にも優れている。【００１０】
情報記録媒体の記録感度を向上するためには、記録膜におけるレーザ光の吸収率を高め、効率的に熱へと変換する必要がある。しかしながらディスクの光学特性には反射率、透過率および吸収率がありそれらの和（反射率＋透過率＋吸収率）が１００％であるとすると、反射率を一定値で設計した場合、記録感度を向上するため吸収率を高くすると透過率が低下することになる。透過率が低下すると、レーザ光の入射側より奥側の情報層に到達するレーザ光の強度が低下することとになり、奥側の情報層の記録感度の低下や反射率の低下が生じる。【００１１】
記録膜の光吸収が高くなると、再生光に対する熱負荷も大きくなるため、再生耐久性が悪化傾向にある。ここで再生耐久性とは、記録マーク（信号）に再生光を連続して照射し続けた時の、信号品質の劣化度合いを示す。再生耐久性がよいということとは、再生光を連続して照射し続けても、信号品質の劣化が少ないことを意味する。信号品質は、マークのＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）やｉ−ＭＬＳＥ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ−Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）を指標として評価することができる。【００１２】
本開示において再生耐久性を支配する要因がアクリル系樹脂からなる中間分離層と、それと接する酸化ジルコニウムと酸化インジウムからなる誘電体膜の組成比にあることを見出した。具体的には誘電体膜の酸化インジウムが多くなると再生耐久性が悪化する。【００１３】
またＷとＯを含む記録膜を用いた情報記録媒体においては、シェルフ特性の課題もある。シェルフ特性とは情報記録媒体を長期保存した後の、保存前（情報記録媒体作製直後）に対する未記録部の記録特性の変化を示す。記録特性の変化を評価する指標としては、記録感度の変化やｉ−ＭＬＳＥの変化がある。シェルフ特性がよいとは、前述した記録感度やｉ−ＭＬＳＥの変化が少ないことを意味するが、ＷとＯを含む記録膜を用いた情報記録媒体のシェルフ特性においては、記録感度が悪化やｉ−ＭＬＳＥの悪化が生じやすく改善が必要である。【００１４】
シェルフ特性の劣化は、未記録部における記録膜中の各元素の結合状態が変わり、光学的特性が変化、または物理的硬度が変化することが要因と考えられるが、記録膜中のＷ量が多くなるほど劣化量が大きくなる傾向がある。【００１５】
ここで複数の情報層を有する情報記録媒体において、レーザ照射側に近い情報層は、奥の情報層までレーザを透過させ、奥の情報層を高感度で記録・再生させるため、高い透過率を有する必要がある。ＷとＯを含む記録膜材料において、高い透過率を得るためは、Ｗ量を増やす必要があり、そのためシェルフ特性の劣化は、レーザ照射側に近い情報層のほうが大きくなる。【００１６】
以上のように、本開示は、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体であって、良好な初期特性、再生耐久性またはシェルフ特性を得ることができる情報記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本開示における情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層をこの順に有し、前記記録膜が前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、前記記録膜に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＷおよびＭｎを除く任意の金属元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする。【００１８】
また、情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷおよびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本開示の情報記録媒体は、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともＷ、ＭおよびＯを含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層をこの順に有し、前記記録膜に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含むことを特徴とし、良好な初期特性、再生耐久性およびシェルフ特性を得ることができる。【００２０】
また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、実施の形態１における情報記録媒体の断面図である。
【図２】図２は、実施の形態２における情報記録媒体の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明者らは、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体において、初期特性（初期記録感度）と信頼性（シェルフ特性、再生耐久性）を両立することができる記録膜、誘電体膜の材料およびその組成比を発明した。具体的には、記録膜にはマンガン（Ｍｎ）を含み、Ｍｎが記録膜に含まれる金属元素比で１２原子％以上であること、また誘電体膜の酸化インジウム量が６０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。
【００２３】
具体的には、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層とをこの順に有し、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含んでいる。
【００２４】
また、膜の透過率を高めるため、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜において、酸化ジルコニウムがＺｒＯ２であり、酸化インジウムがＩｎ２Ｏ３であることが好ましい。
【００２５】
また、導電性を高めたり、より透過率を高めたりするため、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含むことが好ましい。
【００２６】
また、前記記録膜が、前記Ｍで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことが好ましい。
【００２７】
前記記録膜は、さらに、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）と表記した場合に、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足することが好ましい。
【００２８】
また、前記レーザ光の照射側より最も遠い情報層において、前記レーザ光の入射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ１、Ｍ２および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第１誘電体膜と基板をこの順に有し、前記記録膜に含まれるＭで示される金属元素としてＭ１およびＭ２を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）と表記した場合、ｊ＞０、ｋ≧１２およびｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことが好ましい。
【００２９】
また、前記記録膜に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足することが好ましい。
【００３０】
また、導電性を高めて、且つ高い透過率を得るため、前記記録膜がＣｕを含み、前記記録膜に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＣｕｃＭｄＮｅ（原子％）（但し、ＭよりＣｕを除く。また、Ｎは、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ以外の任意の金属元素であり、ｄ＞０、ｅ≧１２、ｆ＞０、ｇ＞０およびｈ≧０でｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００を満足する）と表記した場合、ｅ＋ｆ≦５０を満足することがより好ましい。
【００３１】
また、前記記録膜が少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、前記記録材料が少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含んでいてもよい。
【００３２】
また、変調度を高めるため、前記積層構造における記録材料の少なくとも一つが、前記記録材料に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足することが好ましい。
【００３３】
また、記録感度と再生耐久性の両立のため、前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜のＩｎ２Ｏ３の組成比が異なっていてもよい。
【００３４】
また、記録感度と再生耐久性の両立のため、前記第１誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、前記第２誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ないことがより好ましい。
【００３５】
また、前記基板を介し、両側に前記情報層を配置していてもよい。
【００３６】
また、前記情報層において情報を記録・再生する凹凸溝を有し、前記レーザ光の照射側より見た時に、近い側の溝（グルーブ）および遠い側の溝（ランド）の両方に記録することで情報記録媒体の大容量化が可能である。
【００３７】
また、本開示の情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷ、ＭｎおよびＭ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含んでいる。
【００３８】
また、前記情報記録媒体の生産タクトを短縮し製造コストを下げるため、前記記録膜を形成する工程において、高い成膜レートが期待できる酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００３９】
また、前記情報記録媒体の生産タクトを短縮し製造コストを下げるため、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程において、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング法を用いることが好ましい。
【００４０】
以下、本開示における実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本開示は以下の実施の形態に限定されない。
【００４１】
（実施の形態１）
本開示の実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれの３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
【００４２】
情報記録媒体１００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）で貼り合わせた両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
【００４３】
情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に記録再生し、例えば１情報層あたりの容量を５０ＧＢにすることで、情報記録媒体１００においては６つの情報層に記録再生できるので、３００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
【００４４】
３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより制御できる。
【００４５】
本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Ｒｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、Ｒｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。
【００４６】
本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒｇが３．０％、実効Ｒｌが３．２％、第２情報層２０の実効Ｒｇが４．８％、実効Ｒｌが５．１％、第３情報層３０の実効Ｒｇが６．４％、実効Ｒｌが６．８％となるように設計した構成を説明する。
【００４７】
第３情報層３０の透過率が７５％、第２情報層２０の透過率が７１％である場合、第１情報層１０はＲｇが１０．５％、Ｒｌが１１．３％、第２情報層２０はＲｇが８．５％、Ｒｌが９．０％、第３情報層３０はＲｇが６．４％、Ｒｌが６．８％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態でグルーブ・ランドの平均値を示している。
【００４８】
以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚みについて説明する。
【００４９】
基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、図示した形態において、基板１の厚さが約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、案内溝を基板１に形成した場合、全前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
【００５０】
中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の膜厚は異なる値が好ましい。また、中間分離層２および３などにおいてレーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
【００５１】
カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成する。カバー層４の厚みは、ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである４０μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ〜６５μｍ程度がより好ましい。
【００５２】
貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚みは５μｍ〜８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ〜５０μｍ程度がより好ましい。
【００５３】
ＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとした場合は、中間分離層２と３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。例えば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
【００５４】
次にまず、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、本開示の特徴となす情報層であり、中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００５５】
第１誘電体膜３１には、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
【００５６】
透過率を高めるため、酸化ジルコニウムはＺｒＯ２、酸化インジウムはＩｎ２Ｏ３であるこが好ましい。または導電性を高めたり、より透過率を高めたりするため、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含むことが好ましい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜３１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜３２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
【００５７】
第１誘電体膜３１の具体的な組成系としては、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＣａＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＭｇＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭｇＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＣａＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＭｇＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＣａＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＭｇＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＴｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３およびＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２等が挙げられる。
【００５８】
これらのＤ１においてＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＴｉＯ２を含むことで導電性を高めることができ、誘電体膜を形成するにあたり安定したＤＣスパッタリングを行うことが可能となる。
【００５９】
また、より高い透過率を得るため、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を含んでいることがより好ましい。
【００６０】
また、より誘電体膜の構造を安定化するため、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯおよびＭｇＯを含んでいることがより好ましい。
【００６１】
また、第１誘電体膜３１の膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００６２】
ここで、上記第１誘電体膜３１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は第１誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する第１誘電体膜１１、２１、および第２誘電体膜２３、３３にも同様に適用される。
【００６３】
本開示の記録膜３２は、Ｗ、ＭｎおよびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜３２に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、良好なシェルフ特性を得るためにはｂ≧１２を満足する必要がある。また記録膜３２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
【００６４】
また、情報層３０の透過率を上げるため、Ｗ量を増やすことが好ましく、ａ≧２５を満足することが好ましい。
【００６５】
また、Ｍｎ量が多くなると情報層３０の透過率が低下するため、ｂ≦４０を満足することが好ましい。
【００６６】
また、変調度を高めるため、Ｍ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことが好ましい。具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｃｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ａｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｐｔ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｃｏ−ＯおよびＷ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ等が挙げられる。
【００６７】
また、記録膜３２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００６８】
また、記録膜３２がＷ、ＭｎおよびＯを含み、少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなっていてもよい。この積層構造における記録材料の少なくとも一つが、記録材料に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足することが好ましい。
【００６９】
また、情報層３０の透過率を上げるため、Ｗ量を増やすことが好ましく、ａ≧２５を満足することが好ましい。
【００７０】
また、Ｍｎ量が多くなると情報層３０の透過率が低下するため、ｂ≦４０を満足することが好ましい。
【００７１】
具体的な積層構造をなす記録材の材料系としては、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ａｇ−ＯおよびＷ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｏ等が前述した記録膜３２と同じ材料系を用いることができる。
【００７２】
また、具体的な積層構造としては、レーザ照射側に対して奥側に位置する記録材料より記載して、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝４０％）／Ｗ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝４０％）／Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｃｕ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝３０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｏ（ｂ＝１５％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２５％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ（ｂ＝１５％）等が挙げられる。
【００７３】
また、積層構造をなす記録膜の全膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、１構成層の膜厚は膜形成時の厚みばらつきを考え、５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００７４】
ここで、上記記録膜３２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ−Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜３２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜１２、２２にも同様に適用される。
【００７５】
本開示の第２誘電体膜３３は、前述した第１誘電体膜３１と同様の材料を用い、膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。
【００７６】
第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３の具体的な膜厚に関してはマトリクス法（例えば、非特許文献：久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の膜厚により、記録膜３２が記録状態および未記録状態での位相差によるグルーブおよびランド間の特性を好適化したりすることが可能である。
【００７７】
また、他の中間分離層を有する情報層に、本開示のＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜の構成を備えている場合、第２情報層３０の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２およびＤｙ２Ｏ３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ３、ＣｅＦ３およびＹＦ３等のフッ化物を用いてもよい。
【００７８】
またそれらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｄｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３−ＡｌＮ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＺｎＳ、ＳｉＯ２−ＺｎＳおよびＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３等が挙げられる。
【００７９】
次に本開示の第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００８０】
第２情報層２０の構成は基本的には第３情報層３０と同様である。
【００８１】
第１誘電体膜２１は、第１誘電体膜３１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
【００８２】
記録膜２２は、記録膜３２と同様の材料を用いることができ、情報層２０の透過率を上げるため、記録膜２２に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ａ≧２０を満足することが好ましい。
【００８３】
また、Ｍｎ量が多くなると情報層２０の透過率が低下するため、ｂ≦４５を満足することが好ましい。
【００８４】
第２誘電体膜２３は、第２誘電体膜３３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
【００８５】
次に、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は基板１の表面上に、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
【００８６】
第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜１２への水分の侵入を抑制したり、記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。第１誘電体膜１１の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２およびＤｙ２Ｏ３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ３、ＣｅＦ３およびＹＦ３等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＺｎＯ、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＭｇＯ−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｄｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３−ＡｌＮ、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＺｎＳ、ＳｉＯ２−ＺｎＳおよびＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３等が挙げられる。この中でもスパッタリングターゲットとして作製した時に比抵抗率１Ω・ｃｍ以下の導電性を有するものは、ＤＣスパッタリングが可能となり高い成膜レートが期待できるため、情報記録媒体の低コスト化につなげることができる、第１誘電体膜１１の膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００８７】
記録膜１２は、Ｗ、ＭｎおよびＯを含み、例えば、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜１２に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、光吸収率を上げ記録感度を高くし、また高い信号変調度を得るためｂ≧２５であることが好ましい。この中でもＺｎは良好な信号特性を維持し透過率を向上することができるため、記録膜１２に含まれていることが好ましい。またＣｕ、Ａｇは効率よく光吸収し且つ高い導電性を有することでＤＣスパッタリングにおいて高い安定性（持続性）を得ることができるため、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも一つが含まれていることが好ましい。記録膜１２の膜厚としては、１５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００８８】
また、記録膜１２を構成する材料として、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）およびＯを含む材料を用いてもよい。Ｍ１を有することで記録膜１２におけるレーザ光６の吸収を下げることができ、再生耐久性を向上することができる。記録膜１２に含まれる金属元素の組成をＷｊＭｎｋＭ１ｍＭ２ｎ（原子％）（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ｊ＞０およびｋ≧０でｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する）と表記した場合、高い信号変調度を得るための、符号ｋの範囲は、例えば、ｋ≧１２を満足する。
【００８９】
Ｗ、Ｍｎ、Ｍ１（但し、Ｍ１は上記に同じ。）およびＯを含む材料にさらにＭ２（但し、Ｍ２は上記に同じ。）を含む材料（ＷＭｎＭ１Ｍ２−Ｏ）としては、具体的には、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｔａ−Ａｇ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｏ−Ｏ、Ｗ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ、およびＷ−Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｇ−Ｍｏ−Ｏ等が挙げられる。
【００９０】
第２誘電体膜１３は第１誘電体膜１１と同様の働きを有し、第２誘電体膜１３と同様の材料を用いることができる。第２誘電体膜１３の膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００９１】
他の形態として、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜がＴｅ−Ｏ−ＰｄやＧｅ−Ｂｉ−Ｏ等の他の記録膜材料であってもよく、必要に応じ反射膜や誘電体膜を設けてもよい。
【００９２】
あるいは、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本開示の効果は、これらの形態によらず得られる。
【００９３】
記録方式として、情報記録媒体は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ  ＣＬＶもしくはＺｏｎｅｄ  ＣＡＶ、いずれでも使用できる。データビット長は７９．５ｎｍもしくは５１．３ｎｍのいずれかにより記録再生を行った。
【００９４】
また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５もしくは０．９１である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）やＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間分離層とカバー層は５μｍ以下で形成してよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
【００９５】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１００の製造方法について説明する。
【００９６】
まずＡ面情報記録媒体１０１について説明する。
【００９７】
第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
【００９８】
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されている時は、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これ以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。また第１誘電体膜１１は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【００９９】
続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。このとき記録膜１２中に多くの酸素を取り入れるため、多量の酸素ガスを混合することが好ましい。また記録膜１２は構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【０１００】
続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また第２誘電体膜１３は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
【０１０１】
また、スパッタリングターゲットとして用いるＷ合金またはＷ−Ｏ合金におけるＷの含有量が１５ｍｏｌ％よりも少ないと、ＤＣまたはパルスＤＣスパッタが不安定になり、異常放電が生じやすい。そのため、Ｗの含有量が２０ｍｏｌ％よりも少ない場合においては、記録膜１２を構成する各単体（金属またはその酸化物）ターゲットを同時にスパッタするマルチスパッタにより形成することができる。マルチスパッタにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜における所望の組成比を得ることができる。
【０１０２】
続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお中間分離層２に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された中間分離層２が形成できる。
【０１０３】
続いて、第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の形成にはまず第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
【０１０４】
続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、Ｗ−Ｍｎ合金またはＷ−Ｍｎ−Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
【０１０５】
続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
【０１０６】
続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
【０１０７】
続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０の形成方法は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。
【０１０８】
まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜２１と同様の方法で形成できる。
【０１０９】
続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜２２と同様の方法で形成できる。
【０１１０】
続けて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜２３と同様の方法で形成できる。
【０１１１】
供給電力はずれも１００Ｗ〜１０ｋＷであり、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとした。
【０１１２】
続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
【０１１３】
各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げ、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下で成膜することが好ましく、５秒以下であればなお好ましい。
【０１１４】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
【０１１５】
このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。
【０１１６】
同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
【０１１７】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝と反対面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と反対面と合わせ、樹脂を硬化させることで貼り合わせ層５を形成する。なお、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を用いて、Ａ面情報記録媒体１０１に光硬化型樹脂を均一に塗布した後に光を当て、その後Ｂ面情報記録媒体１０２を合わせ貼り合わせ層５を形成してもよい。
【０１１８】
このようにして、実施の形態１の両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。
【０１１９】
（実施の形態２）
本開示の実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。図２に、その情報記録媒体の断面図を示す。
【０１２０】
本開示の実施の形態２として、レーザ光６を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２００は、情報を記録再生する情報層を、基板上に３層設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６の波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
【０１２１】
情報記録媒体２００は、基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
【０１２２】
情報記録媒体２００においては、案内溝を基板１に形成した場合、グルーブに記録再生し、例えばＢＤ−ＸＬ規格に準じ１情報層あたりの容量を３３．４ＧＢにすることで、情報記録媒体２００においては３つの情報層１０、２０、３０に記録再生できるので、１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体２００を得ることができる。
【０１２３】
３つの情報層１０、２０、３０の実効反射率は第１、第２および第３の情報層１０、２０、３０の反射率と、第２および第３の情報層２０、３０の透過率を各々調整することにより制御できる。
【０１２４】
本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒｇが３．３％、第２情報層２０の実効Ｒｇが３．３％、第３情報層３０の実効Ｒｇが３．３％となるように設計した構成を説明する。
【０１２５】
第３情報層３０の透過率が７９％、第２情報層２０の透過率が７５％である場合、第１情報層１０はＲｇが９．２％、第２情報層２０はＲｇが５．３％、第３情報層３０はＲｇが３．３％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。
【０１２６】
以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３およびカバー層４の機能、材料および厚みについて説明する。
【０１２７】
基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、実施の形態１における基板１と同様の材料を用いることができる。基板の厚みは約１．１ｍｍであり、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとした。
【０１２８】
中間分離層２および３は、実施の形態１における中間分離層２および３と同様の材料を用いることができ、また厚みに関しても実施の形態１と同様に設計できる。なお、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとした。
【０１２９】
カバー層４は、実施の形態１におけるカバー層４と同様の材料を用いることができ、また厚みに関しても実施の形態１と同様に設計できる。
【０１３０】
ＢＤ規格に準じた場合には、中間分離層２および３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。例えば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
【０１３１】
第１情報層１０に関しては基板１の表面上に、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。第１情報層１０は、実施の形態１における第１情報層１０と同様の方法で作製ができる。
【０１３２】
第２情報層２０に関しては中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。第２情報層２０は、実施の形態１における第２情報層２０と同様の方法で作製ができる。
【０１３３】
第３情報層３０に関しては中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。第３情報層３０は、実施の形態１における第３情報層３０と同様の方法で作製ができる。
【０１３４】
このようにして、実施の形態２の片面に情報層を有する情報記録媒体２００を製造することができる。
【０１３５】
以上、本開示の実施の形態について例を挙げて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されず、本開示の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
【０１３６】
次に、実施例を用いて本開示を詳細に説明する。
【実施例】
【０１３７】
本開示のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。【０１３８】
（実施例１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０１３９】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１１ｎｍ、記録膜１２としてＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５（原子％）の酸化物を３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。ここで記録膜１２に関して、Ｗ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５−Ｏと表記する。以降、他の組成比に関しても同様で、記録膜の元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記する。例えば、Ｗ２５Ｍｎ２５Ｃｕ２５Ｚｎ２５（原子％）の酸化物であればＷ２５Ｍｎ２５Ｃｕ２５Ｚｎ２５−Ｏと表記する。【０１４０】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲｇ≒１１．０％、Ｒｌ≒１１．８％になるよう各膜の膜厚を決定した。【０１４１】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０１４２】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０１４３】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように各膜の膜厚を決定した。【０１４４】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０１４５】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜３２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ−Ｏ）を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。【０１４６】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は２０ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は１０ｎｍとなるように設計できる。【０１４７】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０１４８】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０１４９】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１と回転方向とは逆の方向とした。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１１ｎｍ、記録膜１２としてＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０１５０】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲｇ≒１１．０％、Ｒｌ≒１１．８％になるよう各膜の膜厚を決定した。【０１５１】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０１５２】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２と回転方向とは逆の方向とした。【０１５３】
中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０１５４】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように各膜の膜厚を決定した。【０１５５】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０１５６】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。【０１５７】
中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜３２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ−Ｏ）を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。【０１５８】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は２０ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は１０ｎｍとなるように設計できる。【０１５９】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０１６０】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。【０１６１】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。【０１６２】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０１６３】
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＺｎＯ）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｎＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ｇａ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０１６４】
また記録膜３２として、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを適用した。【０１６５】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１０１〜１−１１２とする。【０１６６】
比較例として、上記記載の情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＳｎＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．１−００１を作製した。またＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．１−００２を作製した。【０１６７】
情報記録媒体１００および比較例の情報記録媒体の第３情報層３０の４０５ｎｍにおける透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。【０１６８】
信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１情報層１０および第２情報層２０に対しては１．４ｍＷ、第３情報層３０に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０１６９】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー１．８ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、１２．０％以下であれば実用可能レベルである。【０１７０】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。【０１７１】
最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０１７２】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表２に示す。【０１７３】
【表１】
2017159561.tif 000003
【０１７４】
【表２】
2017159561.tif 000004
【０１７５】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例１−００１および１−００２に対し、良好な結果が得られ、１−１０１、１−１０２、１−１０９が実用レベルとしてより良好である。【０１７６】
Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、１−１０１〜１−１１２のいずれにおいても、比較例１−００１に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜３１は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、１−１０１〜１−１１２のいずれにおいても、比較例１−００２に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜３１に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。【０１７７】
また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、記録感度およびシェルフ後の記録感度（＝記録感度変化量）がグルーブよりランドのほうが悪くなっている。これはランドの溝形状がレーザ光６の照射側より見て凹な形状であり、レーザ光の照射面に対し左右または斜め方向へのマークの膨らみが抑制されてしまうため、ランドの記録にはより高いレーザパワーが必要となることが要因の一つと考えられる。【０１７８】
また、以下の実施例においても記録感度および記録感度変化量に同様の傾向が見られるが、同じ要因と考えられる。【０１７９】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ａｌ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｎＯ）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｇａ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＴｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０１８０】
また記録膜３２として、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを適用した。【０１８１】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０１〜１−２１２とする。【０１８２】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表４に示す。【０１８３】
【表３】
2017159561.tif 000005
【０１８４】
【表４】
2017159561.tif 000006
【０１８５】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例１−００１および１−００２に対し、良好な結果が得られ、また１−２０１、１−２０２、１−２０９が実用レベルとしてより良好である。【０１８６】
Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、１−２０１〜１−２１２のいずれにおいても、比較例１−００１に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜３３は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、１−２０１〜１−２１２のいずれにおいても、比較例１−００２に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜３３に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。【０１８７】
また、１−１０２と１−２０２において、１０倍速（３５．００ｍ／ｓ）による記録を行い、記録感度の評価を行った。記録感度の設定は４倍速と同様にｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。【０１８８】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の１０倍速記録感度の結果を表５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の１０倍速記録感度の結果を表６に示す。【０１８９】
【表５】
2017159561.tif 000007
【０１９０】
【表６】
2017159561.tif 000008
【０１９１】
これらの表に示すように、１−２０１に対し１−１０２のほうが相対的に８％程度１０倍速の記録感度が高くなっている。このことから１０倍速等の高線速記録感度を向上するには第１誘電体膜３１と第２誘電体膜３３の組成が異なるほうがより好ましい。【０１９２】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３５（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ＳｉＯ２）３５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）６０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０１９３】
また記録膜３２として、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを適用した。【０１９４】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３０１〜１−３０５とする。【０１９５】
なお、（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）に関してはＤＣスパッタリングが困難であったため、ＲＦスパッタリングにより成膜した。【０１９６】
また１−３０３は１−１０２と同構成の情報記録媒体である。【０１９７】
比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ２）１９（Ｉｎ２Ｏ３）６２（ＳｉＯ２）１９（ｍｏｌ％）に適用したディスクＮｏ．１−００３を作製した。【０１９８】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表７、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表８に示す。【０１９９】
【表７】
2017159561.tif 000009
【０２００】
【表８】
2017159561.tif 000010
【０２０１】
これらの表に示すようにＡ面情報記録媒体１０１で比較すると、Ｉｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％である１−３０５で再生耐久性が実用化レベルの上限となっており、Ｉｎ２Ｏ３が６２ｍｏｌ％である１−００３の再生耐久性が実用不可レベルであることから、Ｉｎ２Ｏ３の量は６０ｍｏｌ％以下が好ましい。また、１−３０１〜１−３０３で実用化を十分満足できる判定(◎)となっていることから、第１誘電体膜３１に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、第２誘電体膜３３に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ないほうが好ましい。また、１−３０１のようにＩｎ２Ｏ３の量は２０ｍｏｌ％以下であるとＤＣスパッタリングが困難となり、高い成膜レートが得られず成膜タクトを短縮することが難しくなる。【０２０２】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜３２としてＷ３６Ｍｎ１２Ｃｕ１６Ｚｎ３６−Ｏ、Ｗ３５Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２−ＯおよびＷ３０Ｍｎ４０Ｚｎ３０−Ｏを適用した情報記録媒体１００を作製した。【０２０３】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０１〜１−４０５とする。１−４０３は１−１０２と同構成の情報記録媒体である。【０２０４】
比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２に、Ｗ３７Ｍｎ１０Ｃｕ１６Ｚｎ３７−Ｏに適用したディスクＮｏ．１−００４を作製した。【０２０５】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表９、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１０に示す。【０２０６】
【表９】
2017159561.tif 000011
【０２０７】
【表１０】
2017159561.tif 000012
【０２０８】
これらの表に示すように記録膜３２のＭｎ量が少なくなると記録感度が悪化し、シェルフ特性も悪化する。Ｍｎ量が１２原子％のディスク１−４０１でシェルフ特性の記録感度変化量が２０％と実用可能レベルの上限となっており、さらにＭｎ量が少ない比較例１−００４ではシェルフ特性が実用不可レベルであることから、記録膜３２のＭｎ量は１２原子％以上であることが好ましい。また１−４０５においては透過率が６９％と第３情報層３０としては低い値となっていることから、記録膜３２のＭｎ量は４０原子％以下であることがより好ましい。【０２０９】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１２Ｃｕ１６Ｚｎ３４Ａｇ５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ａｇ５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ａｕ５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｎｉ５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｐｄ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｐｔ５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｃｏ５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｍｏ５−ＯおよびＷ８３Ｍｎ１７−Ｏを適用したディスクを作製した。【０２１０】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−５０１〜１−５１０とする。１−５０１は１−１０２と同構成の情報記録媒体である。【０２１１】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１２に示す。【０２１２】
【表１１】
2017159561.tif 000013
【０２１３】
【表１２】
2017159561.tif 000014
【０２１４】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、実用可能なレベルの特性得られた。【０２１５】
Ａ面情報記録媒体１０１におけるグルーブの記録感度に着目した場合、１−５０１〜１−５０９いずれにおいても１−５１０より記録感度が高くなっており、記録膜３２にＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏおよびＭｏが含まれることにより、記録感度を高める効果が得られた。【０２１６】
（実施例２）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０２１７】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。【０２１８】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の構成、作製方法は実施例１と同様である。【０２１９】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２として本開示の少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、記録材料が少なくともＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０２２０】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は各記録材料とも、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０２２１】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０２２２】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。【０２２３】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２の回転方向とは逆の方向とした。【０２２４】
続けて、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の構成、作製方法は実施例１と同様である。【０２２５】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。【０２２６】
続けて、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。【０２２７】
第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２として本開示の少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、記録材料が少なくともＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０２２８】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は各記録材料とも、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０２２９】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。【０２３０】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。【０２３１】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０２３２】
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２にレーザ照射側に対して奥側に位置する記録材料より記載して、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２−Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ３７Ｍｎ１０Ｃｕ１６Ｚｎ３７−Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２−Ｏ（１２ｎｍ）、Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３−Ｏ（１２ｎｍ）、Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３１Ｍｎ２１Ｃｕ１６Ｚｎ３２−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（１８ｎｍ）、Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３５Ｍｎ１３Ｃｕ１６Ｚｎ３６−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３３−Ｏ（１８ｎｍ）、Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３−Ｏ（９ｎｍ）、Ｗ３２Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３２Ａｇ５−Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ３７Ｍｎ１０Ｃｕ１６Ｚｎ３７−Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３２Ａｇ５−Ｏ（１２ｎｍ）およびＷ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３３Ａｇ５−Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３３Ａｇ５−Ｏ（９ｎｍ）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０２３３】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−１０７とする。【０２３４】
透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価は、実施例１と同様に行った。【０２３５】
Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１４に示す。【０２３６】
【表１３】
2017159561.tif 000015
【０２３７】
【表１４】
2017159561.tif 000016
【０２３８】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を両立し、記録膜３２へ異なる組成を積層した構造を適用しても実用化可能であることを実証できた。【０２３９】
（実施例３）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０２４０】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。【０２４１】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜２２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。【０２４２】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２とてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は１７ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は７ｎｍと設計できる。【０２４３】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０２４４】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０２４５】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように各膜の膜厚を決定した。【０２４６】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０２４７】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０２４８】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。【０２４９】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２の回転方向とは逆の方向とした。【０２５０】
中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜２２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。【０２５１】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５〜７３％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２とてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は１７ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は７ｎｍと設計できる。【０２５２】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０２５３】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。【０２５４】
中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０２５５】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９〜７９％となるように各膜の膜厚を決定した。【０２５６】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０２５７】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。【０２５８】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０２５９】
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＺｎＯ）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｎＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ｇａ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０２６０】
また記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを適用した。【０２６１】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０１〜３−１１２とする。【０２６２】
比較例として、上記記載の情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、（ＳｎＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．３−００１を作製した。またＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．３−００２を作製した。【０２６３】
情報記録媒体１００および比較例の情報記録媒体の第２情報層２０の４０５ｎｍにおける透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。【０２６４】
信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０２６５】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、１１．５％以下であれば実用可能レベルである。【０２６６】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が１５％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。【０２６７】
最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０２６８】
Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表１５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表１６に示す。【０２６９】
【表１５】
2017159561.tif 000017
【０２７０】
【表１６】
2017159561.tif 000018
【０２７１】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例３−００１および３−００２に対し、良好な結果が得られ、３−１０１、３−１０２、３−１０９が実用レベルとしてより良好である。【０２７２】
Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、３−１０１〜３−１１２のいずれにおいても、比較例３−００１に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜２１は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、３−１０１〜３−１１２のいずれにおいても、比較例３−００２に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜２１に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。【０２７３】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ａｌ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｎＯ）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｇａ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＴｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０２７４】
また記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを適用した。【０２７５】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−２０１〜３−２１２とする。【０２７６】
Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表１７、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表１８に示す。【０２７７】
【表１７】
2017159561.tif 000019
【０２７８】
【表１８】
2017159561.tif 000020
【０２７９】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例３−００１および３−００２に対し、良好な結果が得られ、また３−２０１、３−２０２、３−２０９が実用レベルとしてより良好である。【０２８０】
Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、３−２０１〜３−２１２のいずれにおいても、比較例３−００１に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜２３は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、３−２０１〜３−２１２のいずれにおいても、比較例３−００２に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜２３に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。【０２８１】
また、３−１０２と３−２０２において、１０倍速（３５．００ｍ／ｓ）による記録を行い、記録感度の評価を行った。記録感度の設定は４倍速と同様にｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。【０２８２】
Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の１０倍速記録感度の結果を表１９、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の１０倍速記録感度の結果を表２０に示す。【０２８３】
【表１９】
2017159561.tif 000021
【０２８４】
【表２０】
2017159561.tif 000022
【０２８５】
これらの表に示すように、３−２０１に対し３−１０２のほうが相対的に９％程度１０倍速の記録感度が高くなっている。このことから１０倍速等の高線速記録感度を向上するには第１誘電体膜２１と第２誘電体膜２３の組成が異なるほうがより好ましい。【０２８６】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３５（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ＳｉＯ２）３５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）６０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）１９（Ｉｎ２Ｏ３）６２（ＳｉＯ２）１９（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３にＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。【０２８７】
また記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを適用した。【０２８８】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−３０１〜３−３０５とする。【０２８９】
なお、（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）に関してはＤＣスパッタリングが困難であったため、ＲＦスパッタリングにより成膜した。【０２９０】
また、３−３０３は３−１０２と同構成の情報記録媒体である。【０２９１】
比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ２）１９（Ｉｎ２Ｏ３）６２（ＳｉＯ２）１９（ｍｏｌ％）に適用したディスクＮｏ．３−００３を作製した。【０２９２】
Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２２に示す。【０２９３】
【表２１】
2017159561.tif 000023
【０２９４】
【表２２】
2017159561.tif 000024
【０２９５】
これらの表に示すようにＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％である３−３０５で再生耐久性が実用化レベルの上限となっており、Ｉｎ２Ｏ３が６２ｍｏｌ％である３−３０６の再生耐久性が実用不可レベルであることから、Ｉｎ２Ｏ３の量は６０ｍｏｌ％以下が好ましい。また、３−３０１〜３−３０３で実用化を十分満足できる判定(◎)となっていることから、第１誘電体膜２１に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、第２誘電体膜２３に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ないほうが好ましい。また、３−３０１のように実施例１と同様にＩｎ２Ｏ３の量は２０ｍｏｌ％以下であるとＤＣスパッタリングが困難となり、高い成膜レートが得られず成膜タクトを短縮することが難しくなる。【０２９６】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜２２としてＷ３４Ｍｎ１６Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２−Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ１６Ｃｕ２０Ｚｎ３２−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏ、Ｗ２８Ｍｎ２２Ｃｕ２２Ｚｎ２８−ＯおよびＷ２７Ｍｎ４５Ｚｎ２８−Ｏを適用した情報記録媒体１００を作製した。【０２９７】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−４０１〜３−４０６とする。３−４０４は３−１０２と同構成の情報記録媒体である。【０２９８】
Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２４に示す。【０２９９】
【表２３】
2017159561.tif 000025
【０３００】
【表２４】
2017159561.tif 000026
【０３０１】
これらの表に示すように記録膜２２のＭｎおよびＣｕ量が少なくなると記録感度が悪化している。３−４０１で記録感度変化量が実用上限レベルになっており、これ以上Ｍｎ、Ｃｕ量を減らすことは好ましくないと考えられる。また３−４０６においては透過率が６５％と第２情報層２０としては低い値となっていることから、記録膜２２のＭｎ量は４５原子％以下であることがより好ましい。【０３０２】
次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ１５Ｃｕ２０Ｚｎ３０Ａｇ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ａｇ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ａｕ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｎｉ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｐｄ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｐｔ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｃｏ５−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｍｏ５−ＯおよびＷ８０Ｍｎ２０−Ｏを適用したディスクを作製した。【０３０３】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−５０１〜３−５１０とする。３−５０１は３−１０２と同構成の情報記録媒体である。【０３０４】
Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２６に示す。【０３０５】
【表２５】
2017159561.tif 000027
【０３０６】
【表２６】
2017159561.tif 000028
【０３０７】
これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、実用可能なレベルの特性が得られた。【０３０８】
Ａ面情報記録媒体１０１におけるグルーブの記録感度に着目した場合、３−５０１〜３−５０９いずれにおいても３−５１０より記録感度が高くなっており、記録膜２２にＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏおよびＭｏが含まれることにより、記録感度を高める効果が得られた。【０３０９】
（実施例４）
本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体２００の製造方法である。【０３１０】
基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ−グルーブ間距離）０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、記録膜１２としてＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０３１１】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲｇ≒９．２％になるよう各膜の膜厚を決定した。【０３１２】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３１３】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ−グルーブ間距離）０．３２μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０は本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。【０３１４】
第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒５．３％、透過率が６８〜７６％となるように設定した。【０３１５】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３１６】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ−グルーブ間距離）０．３２μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０は、本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ−Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。【０３１７】
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒３．０％、透過率が７２〜８２％となるように設定した。【０３１８】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３１９】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、本実施例の情報記録媒体２００を作製した。【０３２０】
本実施例の情報記録媒体２００の一例として、第２情報層２０の記録膜２２にＷ３４Ｍｎ１６Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを適用し、第３情報層３０の記録膜３２にＷ３９Ｍｎ１２Ｃｕ１０Ｚｎ３９−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏ、Ｗ３５Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３５−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ４０Ｚｎ３０−ＯおよびＷ３３Ｍｎ１２Ｃｕ１６Ｚｎ３４Ａｇ５−Ｏを適用した情報記録媒体２００を作製した。【０３２１】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−１０１〜４−１０７とする。【０３２２】
比較例として、上記記載の情報記録媒体２００における記録膜３２に、Ｗ４０Ｍｎ１０Ｃｕ１０Ｚｎ４０−Ｏを適用したディスクＮｏ．４−００１を作製した。【０３２３】
情報記録媒体２００および比較例の情報記録媒体の第２情報層２０および第３情報層３０の記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価をＢｌｕ−ｒａｙ（登録商標）  Ｄｉｓｃ規格の一つである「ＢＤ−ＸＬ」規格に準じて行った。信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．７２ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ（２倍速）で行った。最短マーク長（２Ｔ）は０．１１１μｍで、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。信号品質は、ＰＲ（１２２２２２１）ＭＬ信号処理によりデータ複合を行い、ｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２３ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０３２４】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブにランダム信号を記録し、記録を行った中央に位置するトラックを線速度１４．７２ｍ／ｓ、再生パワー１．８ｍＷで再生することにより行った。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、第２情報層２０においては１１．５％以下、第３情報層３０においては１２．０％以下であれば実用可能レベルである。【０３２５】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が第２情報層２０においては１５％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下、第３情報層３０においては２０％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下、あれば実用可能レベルである。【０３２６】
最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０３２７】
第３情報層３０の結果を表２７に示す。【０３２８】
【表２７】
2017159561.tif 000029
【０３２９】
表２７の４−１０１〜４−１０６で示されるように、Ｍｎ量が少なくなると記録感度が悪化し、シェルフ特性も悪化する。記録膜３２におけるＭｎ量が１２原子％のディスク４−１０１でシェルフ特性の記録感度変化量が２０％と実用可能レベルの上限となっており、さらにＭｎ量が少ない比較例４−００１では記録感度およびシェルフ特性が実用不可レベルであることから、記録膜３２のＭｎ量は１２原子％以上であることが好ましい。【０３３０】
また４−１０６においては透過率が７２％と第３情報層３０としては低い値となっていることから、記録膜３２のＭｎ量は４０原子％以下であることがより好ましい。【０３３１】
記録膜３２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎが含まれる４−１０３〜４−１０５、およびさらにＡｇが含まれる４−１０７において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。【０３３２】
次に本実施例の情報記録媒体２００の一例として、第２情報層２０の記録膜２２にＷ３４Ｍｎ１６Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２４Ｃｕ１６Ｚｎ３０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏ、Ｗ２８Ｍｎ２２Ｃｕ２２Ｚｎ２８−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ４５Ｚｎ２８−ＯおよびＷ３０Ｍｎ１５Ｃｕ２０Ｚｎ３０Ａｇ５−Ｏを適用し、第３情報層３０の記録膜３２にＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを適用した情報記録媒体２００を作製した。【０３３３】
これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−２０１〜４−２０７とする。【０３３４】
第２情報層２０の結果を表２８に示す。【０３３５】
【表２８】
2017159561.tif 000030
【０３３６】
表２８の４−２０１〜４−２０３で示されるように、Ｍｎ量が少なくなると記録感度が悪化しているが、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２００においても、実用可能なレベルの特性が得られた。【０３３７】
また、４−２０６においては透過率が６８％と第２情報層２０としては低い値となっていることから、記録膜２２のＭｎ量は４５原子％以下であることが好ましい。【０３３８】
記録膜２２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎが含まれる４−２０２〜４−２０５、およびさらにＡｇが含まれる４−２０７において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。【０３３９】
（実施例５）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０３４０】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。【０３４１】
第１情報層１０の記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２０−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｎｂ２０−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｔａ２０−Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ１１−Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｎｂ１１−Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｔａ１１−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｍｏ２９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｎｂ２９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｔａ２９−Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｍｏ２１−Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｎｂ２１−Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｔａ２１−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｍｏ１５−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｎｂ１５−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｔａ１５−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｍｏ１９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｎｂ１９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｔａ１９−Ｏ、を３０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５−００１〜５−０１８とする。【０３４２】
次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。【０３４３】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒１１．５％、Ｒｌ≒１２．５％となるように各膜の膜厚を決定した。【０３４４】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３４５】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０３４６】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が約６６％となるように各膜の膜厚を決定した。【０３４７】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３４８】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０３４９】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が約７０％となるように設定した。【０３５０】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３５１】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０３５２】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。【０３５３】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。【０３５４】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。【０３５５】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０３５６】
情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。【０３５７】
信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行いｉ−ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ−ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が３０ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０３５８】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー２．３ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ−ＭＬＳＥを評価し、１２．０％以下であれば実用可能レベルである。【０３５９】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ−ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ−ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ−ＭＬＳＥ）−（初期のｉ−ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｉ−ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。【０３６０】
最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０３６１】
第１情報層１０の結果を表２９に示す。【０３６２】
【表２９】
2017159561.tif 000031
【０３６３】
表２９のディスクＮｏ．５−００１〜５−０１８において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。具体的には、記録膜１２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎ以外にさらにＭｏ、Ｎｂ、およびＴａのいずれか１つの元素が含まれるディスクＮｏ．５−００１〜５−００３、５−００４〜５−００６、５−７〜５−００９、５−０１０〜５−０１２、５−０１３〜５−０１５、５−０１６〜５−０１８４−２０７において、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量が同じであれば、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られた。【０３６４】
なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表２９と同等の結果が得られた。【０３６５】
（実施例６）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０３６６】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。【０３６７】
第１情報層１０の記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２０−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｎｂ２０−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｔａ２０−Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ１１−Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｎｂ１１−Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｔａ１１−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｍｏ２９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｎｂ２９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｔａ２９−Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｍｏ２１−Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｎｂ２１−Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｔａ２１−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｍｏ３０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｎｂ３０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｔａ３０−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｎｂ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｔａ３４−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｍｏ１５−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｎｂ１５−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｔａ１５−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｍｏ１９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｎｂ１９−Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｔａ１９−Ｏ、Ｗ１４Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２５−Ｏ、Ｗ１５Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２４−Ｏ、Ｗ５０Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ７−Ｏ、Ｗ５１Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ６−Ｏ、Ｗ３６Ｍｎ１４Ｃｕ２５Ｍｏ２５−Ｏ、Ｗ３７Ｍｎ１３Ｃｕ２５Ｍｏ２５−Ｏ、Ｗ３７Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ１−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ２６Ｃｕ１５Ｍｏ４０−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｍｏ４１−Ｏを３０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６−００１〜６−０３４とする。【０３６８】
なお、ディスクＮｏ．６−０１９〜６−０３４については、記録膜１２に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足させた場合の効果について確認した。【０３６９】
次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．５％、Ｒｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。【０３７０】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３７１】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０３７２】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。【０３７３】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３７４】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０３７５】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。【０３７６】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０３７７】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０３７８】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。【０３７９】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。【０３８０】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。【０３８１】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０３８２】
情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。【０３８３】
信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ  ｂｉｔ  ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ−ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が３０ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０３８４】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを評価し、２．０×１０−３以下であれば実用可能レベルである。【０３８５】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ−ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ−ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ−ｂＥＲ）−（初期のｃ−ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ−ｂＥＲの変化量が１．０×１０−３以下であれば実用可能レベルである。【０３８６】
最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０３８７】
第１情報層１０の結果を表３０に示す。【０３８８】
【表３０】
2017159561.tif 000032
【０３８９】
表３０のディスクＮｏ．６−００１〜６−０３４の全てにおいて、実用可能なレベルを満足した特性（◎及び〇）が得られた。特に、ディスクＮｏ．６−００１〜６−０２４においては、実用可能なレベルを十分に満足しており、例えば、ディスクＮｏ．６−００１〜６−００３、６−００４〜６−００６のように、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量が同じである時、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られることが分かった。【０３９０】
ディスクＮｏ．６−０２５および６−０２６を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｗ（タングステン）の含有量（原子％）が１５以上であることが好ましいことが分かった。【０３９１】
また、ディスクＮｏ．６−０２７および６−０２８を比較すると、記録感度の違いにより、Ｗの含有量（原子％）が５０以下であることが好ましいことが分かった。【０３９２】
ディスクＮｏ．６−０２９および６−０３０を比較すると、記録感度の違いにより、Ｍｎ（マンガン）の含有量（原子％）が１４％以上であることが好ましいことが分かった。【０３９３】
さらに、ディスクＮｏ．６−０３１および６−０３２を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｍｏ（モリブデン）の含有量（原子％）が２以上であることが好ましいことが分かった。【０３９４】
ディスクＮｏ．６−０３３〜６−０３４を比較すると、記録感度の違いから、Ｍｏの含有量（原子％）が４０以下であることが好ましいことが分かった。【０３９５】
したがって、記録膜１２に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足させた場合、上述のような効果を奏することが確認できた。【０３９６】
なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３０と同等の結果が得られた。【０３９７】
（実施例７）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０３９８】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ１９Ｃｕ２５Ｍｏ２０Ｍｎ３６−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０３９９】
次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．５％、Ｒｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。【０４００】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０４０１】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。【０４０２】
第２情報層２０の記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｍｏ３０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｎｂ３０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｔａ３０−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｎｂ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｔａ３４−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ１０Ｍｏ２０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ１０Ｎｂ２０−Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ１０Ｔａ２０−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｍｏ２４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｎｂ２４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｔａ２４−Ｏを３５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ７−００１〜７−０１２とする。【０４０３】
次に第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０４０４】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％となるように各膜の膜厚を決定した。【０４０５】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０４０６】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８−Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０４０７】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。【０４０８】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０４０９】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０４１０】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。【０４１１】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。【０４１２】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。【０４１３】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０４１４】
情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。【０４１５】
信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ  ｂｉｔ  ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ−ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０４１６】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを評価し、２．０×１０−３以下であれば実用可能レベルである。【０４１７】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ−ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ−ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ−ｂＥＲ）−（初期のｃ−ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ−ｂＥＲの変化量が１．０×１０−３以下であれば実用可能レベルである。【０４１８】
最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０４１９】
第２情報層２０の結果を表３１に示す。【０４２０】
【表３１】
2017159561.tif 000033
【０４２１】
ディスクＮｏ．７−００１〜７−０１２において良好な結果が得られた。【０４２２】
なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３１と同等の結果が得られた。【０４２３】
（実施例８）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。【０４２４】
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ１９Ｃｕ２５Ｍｏ２０Ｍｎ３６−Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０４２５】
次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．５％、Ｒｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。【０４２６】
また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０４２７】
続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４−Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０４２８】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。【０４２９】
また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０４３０】
続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。【０４３１】
第３情報層３０の記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｎｂ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｔａ３４−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｍｏ３８−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｎｂ３８−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｔａ３８−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｍｏ２４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｎｂ２４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｔａ２４−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ１０Ｍｏ２８−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ１０Ｎｂ２８−Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ１０Ｔａ２８−Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ２４Ｃｕ１６Ｍｏ４１−Ｏ、Ｗ２０Ｍｎ２４Ｃｕ１６Ｍｏ４０−Ｏ、Ｗ６０Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ７−Ｏ、Ｗ６１Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ６−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１２Ｃｕ２１Ｍｏ３４−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１１Ｃｕ２２Ｍｏ３４−Ｏ、Ｗ４９Ｍｎ３３Ｃｕ１６Ｍｏ２−Ｏ、Ｗ５０Ｍｎ３３Ｃｕ１６Ｍｏ１−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１０Ｍｏ４０−Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ９Ｍｏ４１−Ｏを３７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８−００１〜８−０２２とする。【０４３２】
なお、ディスクＮｏ．８−０１３〜８−０２２については、記録膜３２がＭで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含む。さらに、記録膜３２が、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、記録膜３２に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）と表記した場合に、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足させた場合の効果について確認した。【０４３３】
次に第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。【０４３４】
４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％となるように各膜の膜厚を決定した。【０４３５】
また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。【０４３６】
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。【０４３７】
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。【０４３８】
Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。【０４３９】
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝とを有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。【０４４０】
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。【０４４１】
情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。【０４４２】
信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ  ｂｉｔ  ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ−ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。【０４４３】
また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー１．５ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ−ｂＥＲを評価し、２．０×１０−３以下であれば実用可能レベルである。【０４４４】
またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ−ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）−（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ−ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ−ｂＥＲ）−（初期のｃ−ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ−ｂＥＲの変化量が１．０×１０−３以下であれば実用可能レベルである。【０４４５】
最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。【０４４６】
第３情報層３０の結果を表３２に示す。【０４４７】
【表３２】
2017159561.tif 000034
【０４４８】
ディスクＮｏ．８−０１８以外の全てにおいて、実用可能なレベルを満足した特性（◎及び〇）が得られた。特に、ディスクＮｏ．８−００１〜８−０１２においては、実用可能なレベルを十分に満足しており、例えば、ディスクＮｏ．８−００１〜８−００３、８−００４〜８−００６のように、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量（原子％）が同じである時、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られることが分かった。【０４４９】
ディスクＮｏ．８−０１３および８−０１４を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｗ（タングステン）の含有量（原子％）が２０以上であることが好ましいことが分かった。【０４５０】
また、ディスクＮｏ．８−０１５および８−０１６を比較すると、記録感度の違いにより、Ｗの含有量（原子％）が６０以下であることが好ましいことが分かった。【０４５１】
ディスクＮｏ．８−０１７および８−０１８を比較すると、記録感度の違いにより、Ｍｎ（マンガン）の含有量（原子％）が１２％以上であることが好ましいことが分かった。【０４５２】
さらに、ディスクＮｏ．８−０１９および８−０２０を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｍｏ（モリブデン）の含有量（原子％）が２以上であることが好ましいことが分かった。【０４５３】
ディスクＮｏ．８−０２１〜８−０２２を比較すると、記録感度の違いから、Ｍｏの含有量（原子％）が４０以下であることが好ましいことが分かった。【０４５４】
したがって、記録膜３２に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素。Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足させた場合、上述のような効果を奏することが確認できた。【０４５５】
なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３２と同等の結果が得られた。【０４５６】
このようにアクリル系樹脂からなる中間分離層を有し、Ｗ、ＭｎおよびＯを含む記録膜と、記録膜の両側に接し酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜を有する３層以上の情報層を含む情報記録媒体において、記録特性、再生耐久性およびシェルフ特性を向上した情報記録媒体が得られた。【０４５７】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。【０４５８】
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。【０４５９】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０４６０】
本開示の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録・再生特性を示し高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録・保存する多層追記型光ディスクに有用である。例えばＢＤ−ＸＬ規格のような片面に３層の情報層を有する光ディスク（容量１００ＧＢ）や、次世代の両面に３層の情報層を有する光ディスク（容量３００ＧＢや５００ＧＢ等）に有用である。
【符号の説明】
【０４６１】
１  基板
２、３  中間分離層
４  カバー層
５  貼り合わせ層
６  レーザ光
１０、２０、３０  情報層
１１、２１、３１  第１誘電体膜
１２、２２、３２  記録膜
１３、２３、３３  第２誘電体膜
１００、２００  情報記録媒体
１０１  Ａ面情報記録媒体
１０２  Ｂ面情報記録媒体
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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