(57)【要約】  マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システム（５００）は、それぞれ基板に対する計測処理を行なう複数の計測装置（１００１〜１００３）と、複数の計測装置を制御可能な制御装置（５３０）と、を備え、前記複数の計測装置（１００１〜１００３）は、基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置を、少なくとも１つ含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、
それぞれが基板に対する計測処理を行なう複数の計測装置と、
前記複数の計測装置を制御可能な制御装置と、を備え、
前記複数の計測装置は、基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置を、少なくとも１つ含む計測システム。
【請求項２】
基板の受け渡しを行うための搬送システムをさらに備える請求項１に記載の計測システム。
【請求項３】
前記搬送システムは、前記複数の計測装置と基板の受け渡しを行う請求項２に記載の計測システム。
【請求項４】
基板を複数枚収納したキャリアを設置可能な少なくとも１つのキャリア載置部を有するキャリアシステムをさらに備え、
前記搬送システムは、前記キャリアシステムとの間で基板の受け渡しを行う請求項２又は３に記載の計測システム。
【請求項５】
前記キャリアシステムは、第１方向に沿って配置された複数のキャリア載置部を有し、
前記複数の計測装置は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置されている請求項４に記載の計測システム。
【請求項６】
前記第１計測装置は、露光前のレジスト塗布、露光後の現像、洗浄、酸化・拡散、成膜、エッチング、イオン注入、ＣＭＰの少なくとも１つのプロセス処理経た基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する請求項１〜５のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項７】
前記複数の計測装置は、前記第１計測装置とは異なる種類の計測を前記基板に対して行なう第２計測装置を少なくとも１台含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項８】
前記第２計測装置は、前記基板表面の凹凸情報を計測可能な装置であり、
前記第１計測装置と前記第２計測装置は、同一基板を計測対象として、前記複数のマークの位置情報の計測と、前記基板表面の凹凸情報の計測とを順次行なう請求項７に記載の計測システム。
【請求項９】
前記第１計測装置は、露光及び現像処理が施された基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する請求項１〜８のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項１０】
マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、
基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置と、
前記第１計測装置を制御可能な制御装置と、を備え、
前記第１計測装置は、露光及び現像処理が施された基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する、計測システム。
【請求項１１】
前記複数のマークは、前記基板上の第１層に形成されている請求項９又は１０に記載の計測システム。
【請求項１２】
前記第１計測装置を用いて取得された、前記複数のマークの位置情報に基づいて求められる情報を出力する請求項１１に記載の計測システム。
【請求項１３】
前記出力される情報は、前記複数のマークとともに前記基板上に形成された複数の区画領域の配列情報を含む請求項１２に記載の計測システム。
【請求項１４】
前記第１計測装置を用いて取得された、前記基板上の前記複数のマークの位置情報を出力する請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項１５】
前記出力する情報は、前記第１層の露光に用いられた露光装置に提供される請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項１６】
前記複数のマークは、前記基板上の第ｍ層（ｍは１以上の整数）に形成された複数のマークと、第ｎ層（ｎは、ｍより大きい、２以上の整数）に形成された複数のマークを含む請求項９〜１５のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項１７】
前記第ｍ層の形成された複数のマークの位置情報と、前記第ｎ層に形成された複数のマークの位置情報のそれぞれを出力する請求項１６に記載の計測システム。
【請求項１８】
前記第ｍ層の形成された複数のマークの位置情報と、前記第ｎ層に形成された複数のマークの位置情報とに基づいて求められる情報を出力する請求項１６又は１７に記載の計測システム。
【請求項１９】
前記第ｍ層に形成された複数のマークは第１マークを含み、前記第ｎ層に形成された複数のマークは、前記第１マークに対応する第２マークを含み、
前記出力する情報は、前記第１マークと前記第２マークの位置ずれに関する情報を含む請求項１８に記載の計測システム。
【請求項２０】
前記出力する情報は、前記第ｍ層と前記第ｎ層の重ね合わせずれに関する情報を含む請求項１８又は１９に記載の計測システム。
【請求項２１】
前記第ｍ層の形成された複数のマークの位置情報と、前記第ｎ層に形成された複数のマークの位置情報とに基づいて、前記重ね合わせずれが、前記ｍ層と前記ｎ層とのいずれに主として起因するかを判別する請求項２０に記載の計測システム。
【請求項２２】
前記第１計測装置を用いた前記位置情報の取得は、前記現像処理後に行われるプロセス処理が前記基板に施される前に行われる請求項９〜２１のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項２３】
前記プロセス処理は、エッチング処理を含む請求項２２に記載の計測システム。
【請求項２４】
前記プロセス処理は、成膜処理を含む請求項２２又は２３に記載の計測システム。
【請求項２５】
前記第１計測装置は、
前記基板を保持して移動可動なステージと、
前記ステージを移動する駆動システムと、
前記ステージの位置情報を取得可能な第１位置計測系と、
前記基板に形成されたマークを検出するマーク検出系と、を備え、
前記制御装置は、前記駆動システムによる前記ステージの移動を制御し、前記マーク検出系を用いて前記基板に形成された前記複数のマークをそれぞれ検出し、前記複数のマークそれぞれの検出結果と前記複数のマークそれぞれの検出時に前記第１位置計測系を用いて得られる前記ステージの位置情報とに基づいて、前記複数のマークそれぞれの絶対位置座標を求める請求項１〜２４のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項２６】
前記第１位置計測系は、前記ステージの少なくとも３自由度方向の位置情報を取得可能である請求項２５に記載の計測システム。
【請求項２７】
前記第１位置計測系は、格子部を有する計測面と前記計測面にビームを照射するヘッド部の一方が前記ステージに設けられ、前記ヘッド部からのビームを前記計測面に照射するとともに、該ビームの前記計測面からの戻りビームを受光して前記ステージの位置情報を取得可能である請求項２５又は２６に記載の計測システム。
【請求項２８】
前記ヘッド部が設けられたベース部材と、
前記マーク検出系と前記ベース部材との相対的な位置情報を取得する第２位置計測系と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記第２位置計測系を使って取得される位置情報と前記第１位置計測系を使って取得される位置情報とに基づいて前記駆動システムによる前記ステージの移動を制御する請求項２７に記載の計測システム。
【請求項２９】
前記ベース部材は、前記ステージを所定平面内で互いに直交する第１、第２方向及び前記所定平面に垂直な第３方向を含む６自由度方向に移動可能に支持し、
前記第２位置検出系は、前記マーク検出系と前記ベース部材との前記６自由度方向に関する相対的な位置情報を取得可能である請求項２８に記載の計測システム。
【請求項３０】
前記制御装置は、前記複数のマークの前記絶対位置座標を求めるに際し、前記第２位置計測系を用いて得られる前記マーク検出系と前記ベース部材との前記所定面内における相対位置情報を補正量として用いる請求項２９に記載の計測システム。
【請求項３１】
前記格子部は、前記所定平面内で互いに交差する第１周期方向及び第２周期方向を有する２次元格子を有し、
前記計測面からの戻りビームは、前記格子部からの回折ビームを含み、
前記ヘッド部は、前記計測面に第１ビームを照射し、前記格子部からの第１回折ビームを受光して前記ステージの前記第１周期方向の位置情報を計測する第１ヘッドと、前記計測面に第２ビームを照射し、前記格子部からの第２回折ビームを受光して前記ステージの前記第２周期方向の位置情報を計測する第２ヘッドと、前記計測面に第３ビームを照射し、前記格子部からの光を受光して前記ステージの前記第３方向の位置情報を計測する少なくとも３つの第３ヘッドとを有する請求項２７〜３０のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項３２】
前記第１ヘッドからの前記第１ビームの前記計測面上の照射点と、前記第２ヘッドからの前記第２ビームの前記計測面上の照射点とは、前記マーク検出系の検出領域の下方に位置する同一の検出点に設定され、前記少なくとも３つの第３ヘッドそれぞれからの第３ビームの前記計測面上の照射点は、前記検出点の周囲に設定される請求項３１に記載の計測システム。
【請求項３３】
前記検出点は、前記マーク検出系の検出中心の直下に位置し、前記検出点と前記検出中心とは、前記所定平面内の位置が一致する請求項３２に記載の計測システム。
【請求項３４】
前記第１周期方向と前記第２周期方向とは、互いに直交する請求項３１〜３３のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項３５】
前記第１周期方向と前記第２周期方向との一方は、前記第１方向に一致し、前記第１周期方向と前記第２周期方向との他方は、前記第２方向に一致する請求項３４に記載の計測システム。
【請求項３６】
前記制御装置は、求めた複数の前記マークの前記絶対位置座標を用いて、統計演算を行い、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の設計値からの補正量を求める請求項２５〜３５のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項３７】
前記基板上には、露光装置によるマスクを用いた露光により、前記複数のマークと複数のマークとの対応関係が既知の複数の区画領域とが同時に形成されており、
前記制御装置は、前記複数のマークの前記絶対位置座標を求めるとともに、該複数のマークの絶対位置座標に基づいて、前記複数の区画領域の配列の前記露光装置起因の誤差を求める請求項２５〜３６のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項３８】
前記複数のマークは、アライメントマークを含む請求項１〜３７のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項３９】
前記複数のマークは、重ね合わせずれ計測用のマークを含む請求項１〜３８のいずれか一項に記載の計測システム。
【請求項４０】
マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、
基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置と、
前記第１計測装置を制御可能な制御装置と、を備え、
前記第１計測装置は、エッチング処理、及び成膜処理後であって、感光材が塗布される前の基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する、計測システム。
【請求項４１】
請求項４０に記載の計測システムと、
前記計測システムに含まれる前記第１計測装置による前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を取得するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備える基板処理システム。
【請求項４２】
前記露光装置にインライン接続され、基板上に感応剤を塗布する塗布装置、又は基板上に感応剤を塗布するとともに、露光後の前記基板を現像する塗布現像装置をさらに備え、
前記計測システムに含まれる前記第１計測装置による基板上の前記複数のマークの位置情報の取得は、前記感応剤が塗布される前の前記基板に対して行われる請求項４１に記載の基板処理システム。
【請求項４３】
請求項１〜４０のいずれか一項に記載の計測システムと、
前記計測システムに含まれる前記第１計測装置による前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を取得するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備える基板処理システム。
【請求項４４】
前記基板上には、複数の区画領域とともに前記複数のマークが形成され、
前記第１計測装置で取得された前記複数の区画領域の配列情報と、前記露光装置において前記アライメント計測で得られたマークの位置情報とに基づいて、前記基板ステージの移動が制御される請求項４１〜４３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項４５】
前記第１計測装置を用いて取得した前記複数のマークの前記位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第１情報を求め、
前記露光装置は、でのアライメント計測取得した前記一部のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第２情報を求め、
前記第１情報と、前記第２情報とに基づいて、前記基板の露光動作を行う際に前記基板ステージの位置を制御する請求項４４に記載の基板処理システム。
【請求項４６】
前記第１情報は、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の非線形的な変形成分を含む請求項４５に記載の基板処理システム。
【請求項４７】
前記第２情報は、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の線形的な変形成分を含む請求項４５又は４６に記載の基板処理システム。
【請求項４８】
前記第１計測装置を用いて取得された前記複数のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の基準値に対する補正量の関係を第１の所定次の多項式から成るモデル式で求め、
前記露光装置は、前記アライメント計測で取得された前記一部のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の基準値に対する補正量の関係を第２の所定次の多項式から成るモデル式で求める請求項４５〜４７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項４９】
前記複数の区画領域は、前記基板上にマトリクス状の配置で形成され、前記複数の区画領域の配列の前記補正量は、前記基板上の所定の基準点を原点とし、前記マトリクスの行方向であるＸ軸方向と列方向であるＹ軸方向とを軸方向とする２次元直交座標系である基板座標系における各区画領域の設計上の位置座標Ｘ、Ｙと、その区画領域の位置座標の補正量との関係を表す、Ｘ、Ｙに関する多項式から成るモデル式に基づいて求められ、
前記第１計測装置は、統計演算により、前記モデル式の高次項の係数を求め、
前記露光装置は、統計演算により、前記モデル式の低次項の係数を求め、該低次項の係数と前記高次項の係数とが、前記モデル式に代入された係数確定後のモデル式に基づいて前記基板上の前記複数の区画領域の配列の前記補正量を求める請求項４８に記載の基板処理システム。
【請求項５０】
前記低次項は、１次以下の項であり、前記高次項は２次以上の項である請求項４９に記載の基板処理システム。
【請求項５１】
前記露光装置は、前記係数確定後のモデル式を、Ｘ，Ｙについて偏微分した値に従って前記複数の区画領域の変形を推定する請求項４９又は５０に記載の基板処理システム。
【請求項５２】
前記露光装置は、前記求めた補正量と前記基板上の前記複数の区画領域の配列の設計値とに基づいて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列であるグリッドを求め、該グリッドを、１次のモデル式に近似して、そのモデル式の係数に従って、前記複数の区画領域の変形を推定する請求項４９〜５１のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５３】
前記露光装置は、パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと前記第２ステージとを同期して投影光学系に対して相対移動し、前記パターンを前記基板上の前記区画領域に転写する走査露光を行う装置であり、
前記露光装置は、前記推定された前記区画領域の変形後の形状に合わせて前記パターンの前記投影光学系による投影像が変形するように、前記走査露光中に、前記マスクステージと前記第２ステージとの相対走査角度、走査速度比、前記マスクステージ及び前記第２ステージの少なくとも一方の前記投影光学系に対する相対位置、前記投影光学系の結像特性、及び露光光の波長の少なくとも１つを調整する請求項５１又は５２に記載の基板処理システム。
【請求項５４】
前記第１計測装置は、前記マーク検出系による検出条件が互いに異なる複数の計測モードを設定可能である請求項４１〜５３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５５】
前記複数の計測モードには、前記基板上の全ての区画領域について各１つのマークを検出対象とする第１モードと、前記基板上の全ての区画領域について各２つ以上の第１の数のマークを検出する第２モードと、前記基板上の一部の区画領域については２つ以上の第２の数のマークを検出し、残りの区画領域については各１つのマークを検出する第３モードとのうちの少なくとも１つのモードが含まれる請求項５４に記載の基板処理システム。
【請求項５６】
前記複数の計測モードには、複数枚の基板を連続して処理する際に、最初に処理される第１枚目の基板を含む所定枚数の基板の計測結果に応じて、前記複数のモードのうちの１つのモードを設定する第４モードが含まれる請求項５４又は５５に記載の基板処理システム。
【請求項５７】
前記複数の計測モードには、複数枚の基板を連続して処理する際に、最初に処理される第１枚目の基板を含む所定枚数の基板の計測結果に基づいて、残りの基板について前記マーク検出系による検出の対象となるマークを決定するモードが含まれる請求項５４又は５５に記載の基板処理システム。
【請求項５８】
前記第１計測装置により前記基板上の複数の区画領域のうち少なくとも一部の区画領域について、複数の前記マークの位置情報が計測された場合、
前記露光装置は、前記計測動作を行うに際して、前記基板上の前記少なくとも一部の区画領域について前記計測装置により位置情報が計測された前記複数のマークを含む、前記基板上の複数のマークの中から選択した複数のマークの位置情報を計測し、その計測した複数のマークの位置情報を用いて前記統計演算を含む演算を行い、前記区画領域の変形を推定する請求項５４〜５７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５９】
請求項４１〜５８のいずれか一項に記載の基板処理システムの一部を構成する露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法に係り、さらに詳しくはマイクロデバイスの製造ラインで用いるための計測システム及び計測システムを含む基板処理システム、並びに基板処理システムの一部を構成する露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等のマイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程では、ウエハあるいはガラスプレート等の基板（以下、ウエハと総称する）上に多層の回路パターンを重ね合わせて形成するが、各層間での重ね合わせ精度が悪いと、マイクロデバイスは所定の回路特性を発揮することができず、場合によっては不良品ともなる。このため、通常、ウエハ上の複数のショット領域の各々に予めマーク（アライメントマーク）を形成しておき、露光装置のステージ座標系上におけるそのマークの位置（座標値）を検出する。しかる後、このマーク位置情報と新たに形成されるパターン（例えばレチクルパターン）の既知の位置情報とに基づいて、ウエハ上の１つのショット領域をそのパターンに対して位置合わせするウエハアライメントが行われる。【０００３】
ウエハアライメントの方式として、スループットとの兼ね合いから、ウエハ上のいくつかのショット領域（サンプルショット領域又はアライメントショット領域とも呼ばれる）のみのアライメントマークを検出し、ウエハ上のショット領域の配列を統計的手法で算出するエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）が主流となっている。【０００４】
しかるに、リソグラフィ工程において、ウエハ上に重ね合わせ露光を行う場合、レジスト塗布、現像、エッチング、ＣＶＤ（ケミカル・ベイパー・デポジション）、ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）などのプロセス処理工程を経たウエハには、そのプロセス起因で前層のショット領域の配列に歪みが生じることがあり、その歪みが重ね合わせ精度の低下の要因となり得る。かかる点に鑑み、近時の露光装置は、ウエハ変形の１次成分のみならず、プロセス起因で生じるショット配列の非線形成分等を補正するグリッド補正機能等を有している（例えば、特許文献１参照）。【０００５】
しかるに、集積回路の微細化に伴い重ね合わせ精度の要求が次第に厳しくなっており、より高精度な補正を行うため、サンプルショット領域の数を増やすこと、すなわち検出すべきマークの数を増やすことが必要不可欠である。また、ウエハが載置されるステージを２つ備えたツインステージタイプの露光装置では、１つのステージ上でウエハに対する露光が行われるのと並行して、もう１つのステージ上でウエハ上のマークの検出等を実行することができるため、スループットを極力低下させず、サンプルショット領域の数を増やすことが可能である。【０００６】
しかしながら、今や重ね合わせ精度に対する要求はさらに厳しくなっており、たとえツインステージタイプの露光装置であっても、スループットを低下させることなく、要求される重ね合わせ精度を実現するのに十分な数のマークを検出することは困難になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国出願公開第２００２／００４２６６４号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の態様によれば、マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、それぞれが基板に対する計測処理を行なう複数の計測装置と、前記複数の計測装置を制御可能な制御装置と、を備え、前記複数の計測装置は、基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置を、少なくとも１つ含む計測システムが、提供される。【０００９】
第２の態様によれば、マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置と、前記第１計測装置を制御可能な制御装置と、を備え、前記第１計測装置は、露光及び現像処理が施された基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する、計測システムが、提供される。【００１０】
第３の態様によれば、マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する第１計測装置と、前記第１計測装置を制御可能な制御装置と、を備え、前記第１計測装置は、エッチング処理、及び成膜処理後であって、感光材が塗布される前の基板に形成された複数のマークの位置情報を取得する、計測システムが、提供される。【００１１】
第４の態様によれば、第３の態様に係る計測システムと、前記計測システムに含まれる前記第１計測装置による前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を取得するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備える基板処理システムが、提供される。【００１２】
第５の態様によれば、第１の態様に係る計測システム及び第２の態様に係る計測システムのいずれかと、前記計測システムに含まれる前記第１計測装置による前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を取得するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備える基板処理システムが、提供される。【００１３】
第６の態様によれば、第４の態様に係る基板処理システム及び第５の態様に係る基板処理システムのいずれかの一部を構成する露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る基板処理システムを、マイクロデバイスの製造ラインで用いられる他の装置とともに示すブロック図である。
【図２】図１の基板処理システムが備える計測システムを示す外観斜視図である。
【図３】チャンバの天井部を取り去った図１の計測システムを示す平面図である。
【図４】計測システムの一部を構成する計測装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図５】図５（Ａ）は、図４の計測装置の一部省略した正面図（−Ｙ方向から見た図）、図５（Ｂ）は、マーク検出系の光軸ＡＸ１を通るＸＺ平面で断面した計測装置の一部省略した断面図である。
【図６】マーク検出系の光軸ＡＸ１を通るＹＺ平面で断面した計測装置の一部省略した断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、第１位置計測システムのヘッド部を示す斜視図、図７（Ｂ）は、第１位置計測システムのヘッド部の平面図（＋Ｚ方向から見た図）である。
【図８】第２位置計測システムの構成を説明するための図である。
【図９】計測装置の制御系を中心的に構成する制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図１０】１ロットのウエハを処理する際の制御装置の処理アルゴリズムに対応するフローチャートである。
【図１１】図１に示される露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図１２】露光装置が備える露光制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、高次偏微分補正の一例を説明するための図、図１３（Ｂ）は、１次近似補正の一例を説明するための図である。
【図１４】第２の実施形態に係る、計測装置を用いる露光装置起因のウエハグリッドの管理方法を、図１の基板処理システムに適用した場合の処理の流れを概略的に示す図である。
【図１５】第２の実施形態に係る、計測装置を用いる重ね合わせ計測方法を、図１の基板処理システムに適用した場合の処理の流れを概略的に示す図である。
【図１６】半導体デバイスの製造プロセスの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
《第１の実施形態》
以下、第１の実施形態について図１〜図１３（Ｂ）に基づいて説明する。図１には、マイクロデバイス（例えば、半導体デバイス）の製造ラインで用いられる第１の実施形態に係る基板処理システム１０００が、製造ラインで用いられる他の装置とともにブロック図にて示されている。
【００１６】
基板処理システム１０００は、図１に示されるように、互いにインラインにて接続された露光装置２００及びコータ・デベロッパ（レジスト塗布現像装置）３００を備えている。また、基板処理システム１０００は、図１に示されるように、計測システム５００、を備えている。以下では、コータ・デベロッパ３００を、Ｃ／Ｄ３００と略記する。なお、インラインにて接続されるとは、ウエハ（基板）の搬送経路が実質的につながるように、異なる装置同士が接続されることを意味し、本明細書では、かかる意味で、「インラインにて接続」あるいは「インライン接続」なる用語を用いる。例えば、異なる２つの装置がインライン接続されている場合、ロボットアームなどの搬送機構を用いて、一方の装置で処理を終えたウエハ（基板）を、他方の装置へ、順次搬送することができる。なお、異なる装置がインターフェース部を介して接続される場合も、「インライン接続」と呼ぶ場合もある。
【００１７】
計測システム５００は、ここでは、同一のチャンバ５０２（図２参照）内に所定方向に隣接して配置された３台の計測装置１００１〜１００３、及び計測システム５００の全体を統括的に管理する計測システム制御装置５３０等を備えている。計測装置１００１〜１００３のそれぞれは、制御装置６０ｉ（ｉ＝１〜３）を有し、制御装置６０ｉのそれぞれは、計測システム制御装置５３０に接続されている。なお、制御装置６０ｉ（ｉ＝１〜３）を備えずに、計測システム制御装置５３０で計測装置１００１〜１００３のそれぞれを制御しても良い。
【００１８】
基板処理システム１０００が備える、露光装置２００及びＣ／Ｄ３００は、いずれもチャンバを有し、チャンバ同士が隣接して配置されている。
【００１９】
露光装置２００が有する露光制御装置２２０と、Ｃ／Ｄ３００が有するＣ／Ｄ制御装置３２０と、計測システム制御装置５３０とは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１５００を介して互いに接続されている。ＬＡＮ１５００には、製造ラインの全体を管理するホストコンピュータ（ＨＯＳＴ）２０００、解析装置３０００及びホストコンピュータ２０００の管理下にある各種プロセス処理（ウエハプロセスの前工程のプロセス処理）を行う装置群も接続されている。図１では、この装置群のうち、重ね合わせ計測器４００、エッチング装置２１００、ＣＭＰ装置２２００及びＣＶＤ装置などの成膜装置２３００が、代表的に示されている。この他、ＬＡＮ１５００には、洗浄装置、酸化・拡散装置及びイオン注入装置なども接続されている。
【００２０】
なお、基板処理システム１０００に、ホストコンピュータ２０００、解析装置３０００、重ね合わせ計測器４００、エッチング装置２１００、ＣＭＰ装置２２００、成膜装置２３００の少なくとも一つが含まれても良い。
【００２１】
最初に、計測システム５００について説明する。図２には、計測システム５００の外観斜視図が示されている。計測システム５００は、基板処理システム１０００を構成する他の装置から離れてクリーンルームの床面Ｆ上に設置されている。すなわち、計測システム５００は、露光装置２００、及びＣ／Ｄ３００に、インライン接続されていない。
【００２２】
計測システム５００は、前述の３台の計測装置１００１〜１００３が、その内部に配置されたチャンバ５０２と、該チャンバ５０２の一側に配置された、キャリアシステム５１０とを備えている。本実施形態において、キャリアシステム５１０は、ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）システムである。以下、キャリアシステム５１０を、ＥＦＥＭシステム５１０と呼んでも良い。
【００２３】
なお、後述するように、本実施形態のキャリアシステム５１０は、ＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod )用であるが、ＦＯＵＰに限らず、１つ、又は複数のウエハを収容可能な他の種類のキャリア（例えば、ＳＭＩＦポッド）をキャリアシステム５１０で扱っても良い。
【００２４】
以下では、チャンバ５０２と、ＥＦＥＭシステム５１０とが並ぶ方向をＸ軸方向とし、床面Ｆに平行な面内でＸ軸に垂直な方向をＹ軸方向とし、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向をＺ軸方向として説明を行う。
【００２５】
図２に示されるように、チャンバ５０２は、直方体の形状を有し、その内部の第１空間には、図３に示されるように、計測装置１００１〜１００３がＸ軸方向に並んで収納されている。図３は、チャンバ５０２の天井部を取り去った計測システム５００の平面図を示し、この図３には、計測装置１００１〜１００３それぞれが有するチャンバ１０１ｉ（ｉ＝１〜３）が示されている。なお、計測装置１００１〜１００３それぞれがチャンバ１０１ｉを備えていなくても良い。
【００２６】
計測システム５００は、複数の計測装置１００１〜１００３をＸ軸方向に並べているので、計測システム５００のＹ軸方向の幅を大きくすることなく、複数の計測装置１００１〜１００３を備えることができる。計測システム５００などが設置される工場においては、オペレータ用の通路がＹ軸方向に延びており、上述の各種処理を行う装置（エッチング装置２１００、ＣＭＰ装置２２００など）は、その通路に沿って配置される。したがって、工場の床面Ｆを有効活用するために、計測システム５００のＹ軸方向の幅を抑えることは重要である。
【００２７】
また、チャンバ５０２内の第１空間の−Ｙ側には、計測装置１００１〜１００３のそれぞれとウエハの受け渡しをすることができる搬送システム５２１が配置されている。なお、以下では、便宜上、第１空間の−Ｙ側の、搬送システム５２１が設置された空間を第２空間と呼ぶ。図２において、太い破線は、第１空間と第２空間との仮想的な仕切りを示す。
【００２８】
チャンバ５０２の−Ｘ側（前面側）に隣接して、床面Ｆ上には、ＥＦＥＭシステム５１０が設置されている。ＥＦＥＭシステム５１０は、ウエハ搬送用のロボットが内部に設置されたＥＦＥＭ本体５１２と、ＥＦＥＭ本体５１２の−Ｘ側（前面側）に取り付けられたロードポートとを備えたモジュール機器である。ＥＦＥＭ本体５１２には、その前面側にＦＯＵＰ用の複数のロードポート５１４（キャリア載置装置と呼んでも良い）がＹ軸方向に並んで設けられている。なお、本実施形態では、ＥＦＥＭ本体５１２は３つのロードポート５１４を有しているが、ロードポートの数は、３つに限らず、１つでも良いし、２つでも良いし、４つ以上でも良い。ここで、ＦＯＵＰとは、SEMI スタンダードE47.1に規定されている、ミニエンバイロメント方式の半導体工場で使われるウエハ用の搬送、保管を目的としたキャリアであり、正面開口式カセット一体型搬送、保管箱である。図２及び図３では、３つのロードポート５１４それぞれの上にＦＯＵＰ５２０が設置されており、ＦＯＵＰ内には、計測対象として、少なくとも１枚のウエハが収容されている。
【００２９】
本実施形態では、図示は省略したが、３つのロードポート５１４の真上のクリーンルームの天井近傍に、ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）用の軌道レールが設けられている。ＯＨＴとは、天井レベルの空間を走行する無人搬送車であり、このＯＨＴによって、ＦＯＵＰ５２０が、ロードポート５１４上に搬入される。
【００３０】
３つのロードポート５１４のそれぞれは、載置部５１５と載置部５１５に載置されたＦＯＵＰ５２０のカバーを開閉する開閉機構５１８とを有する。開閉機構５１８は、ロードポート５１４の載置部５１５に載置されたＦＯＵＰ５２０に対向する、ＥＦＥＭ本体５１２のフロント部分に設けられ、ＦＯＵＰ５２０の内部を外部に対して気密状態を保ったまま、ＦＯＵＰ５２０のカバーを開閉可能である。この種の開閉機構は、周知であるから、開閉機構５１８の構成等の説明は省略する。
【００３１】
ＥＦＥＭ本体５１２の内部には、ウエハを出し入れするため、カバーが開けられた状態の３つのＦＯＵＰ内部にアクセス可能なウエハ搬送用のロボット５１６（図３参照）が設けられている。なお、ＥＦＥＭ本体５１２の上部に、ＥＦＥＭ本体５１２の内部のクリーン度を保つためのＦＦＵ（Fan Filter Unit、不図示）を設け、空調機からの温調空気を、ＦＦＵを介してＥＦＥＭ本体５１２の内部に送っても良い。なお、空調機からの温調空気を用いてウエハの温度を安定させるバッファを、ＥＦＥＭ本体５１２の内部に設けても良い。
【００３２】
チャンバ５０２の第２空間に対向するＥＦＥＭ本体５１２の背面側の部分には、開口が形成されており、該開口が開閉部材によって開閉されるようになっている。
【００３３】
ＥＦＥＭシステム５１０の構成各部（ロボット５１６、開閉機構５１８など）は、計測システム制御装置５３０（図１参照）によって制御される。
【００３４】
チャンバ５０２の第２空間の内部には、図３に示されるように、搬送システム５２１が設置されている。第２空間内のＹ軸方向の一側と他側とにそれぞれ配置され、チャンバ５０２のほぼ全長に渡ってＸ軸方向に延びるガイド５２２Ａ、５２２Ｂと、ガイド５２２Ａに沿って往復移動可能なロード用の搬送部材５２４と、ガイド５２２Ｂに沿って往復移動可能なアンロード用の搬送部材５２６とが設けられている。
【００３５】
ロード用の搬送部材５２４は、ガイド５２２Ａに内蔵された固定子と、搬送部材５２４に設けられた可動子とを有するリニアモータ（固定子が内蔵されたガイドと同一の符号を用いて、リニアモータ５２２Ａと表記する）によって、ガイド５２２Ａに沿って移動可能である。また、アンロード用の搬送部材５２６は、ガイド５２２Ｂに内蔵された固定子と、搬送部材５２６に設けられた可動子とを有するリニアモータ（固定子が内蔵されたガイドと同一の符号を用いて、リニアモータ５２２Ｂと表記する）によって、ガイド５２２Ｂに沿って移動可能である。リニアモータ５２２Ａ、５２２Ｂは、計測システム制御装置５３０によって制御される。なお、搬送部材５２４，５２６はエアスライダなどを用いて非接触で移動するようにしても良い。また、搬送部材５２４，５２６を動かす駆動機構は、上述のリニアモータ（５２２Ａ，５２２Ｂ）に限られず、回転モータとボールねじ機構を用いた構成であっても良い。
【００３６】
ガイド５２２Ａは、ガイド５２２Ｂより高い位置に配置されている。このため、ロード用の搬送部材５２４が、アンロード用の搬送部材５２６の上方の空間を移動する。
【００３７】
なお、上述の搬送システム５２１において、搬送部材５２４、ガイド５２２Ａをウエハのロードとアンロードに用い、搬送部材５２６とガイド５２２Ｂを、ウエハのロードとアンロードに用いても良い。
【００３８】
また、上述の搬送システム５２１は、複数の計測装置１００１〜１００３のそれぞれとウエハの受け渡しが可能であるが、搬送システム５２１が、計測装置１００１だけとウエハの受け渡しを行う搬送装置（ガイドと搬送部材を含む）、計測装置１００２だけとウエハの受け渡しを行う搬送装置（ガイドと搬送部材を含む）、計測装置１００３だけとウエハの受け渡しを行う搬送装置（ガイドと搬送部材を含む）を有していても良い。この場合、搬送装置のそれぞれは、ロード用のガイドと搬送部材、及びアンロード用のガイドと搬送部材を有していても良いし、ロードとアンロードに兼用されるガイドと搬送部材を有していても良い。
【００３９】
図３に示されるように、計測装置１００ｉには、搬送部材５２４及び搬送部材５２６との間で、ウエハの受け渡しを行う多関節型ロボットを有するウエハ搬送系７０ｉ（ｉ＝１〜３）が、設けられている。ウエハ搬送系７０ｉ（ｉ＝１〜３）は、チャンバ１０１ｉの開口を介して搬送部材５２４及び搬送部材５２６との間で、ウエハの受け渡しを行う。
【００４０】
搬送部材５２４は、ＥＦＥＭ本体５１２とチャンバ５０２との境界の近傍に設定されたウエハ受け渡し位置（ロード側ウエハ受け渡し位置）でロボット５１６からＦＯＵＰ５２０内の計測処理対象のウエハを受け取り、ウエハ搬送系７０ｉ（ｉ＝１〜３のいずれか）による計測装置１００ｉとのウエハ受け渡し位置まで搬送する。上記の計測処理対象のウエハは、本実施形態では、少なくとも第１層目の露光が終了し、さらに現像終了後、エッチング、酸化・拡散、成膜、イオン注入、平坦化（ＣＭＰ）などのウエハプロセスの前工程のプロセス処理のうちの必要な処理が終了したウエハであって、レジスト塗布のためＣ／Ｄ３００に搬入される前のウエハである。
【００４１】
搬送部材５２６は、ウエハ搬送系７０ｉ（ｉ＝１〜３のいずれか）から計測が終了したウエハを受け取り、ＥＦＥＭ本体５１２とチャンバ５０２との境界の近傍に設定されたアンロード側ウエハ受け渡し位置（前述のロード側ウエハ受け渡し位置の下方の位置）へ搬送する。
【００４２】
ロボット５１６は、搬送部材５２６によってアンロード側ウエハ受け渡し位置へ搬送された計測処理済みのウエハを、ＦＯＵＰ５２０内に搬入する（戻す）。
【００４３】
図１に戻り、計測装置１００１〜１００３のそれぞれとしては、本実施形態では、同様の構成の計測装置が用いられている。
【００４４】
なお、本実施形態では、搬送部材５２４、搬送部材５２６などの、計測装置１００ｉとのウエハの受け渡しを行うための搬送システム５２１が、チャンバ５０２の第２空間内に配置されることで、搬送部材５２４、搬送部材５２６によってウエハが搬送される空間が、結果的に気密空間となっている場合について例示したが、これに限らず、３つの計測装置１００１〜１００３を床面Ｆ上に並べて配置し、これらの計測装置１００１〜１００３（同一チャンバ内に収容されているか否かを問わない）に、搬送システム５２１が収容された気密室がその内部に形成される別のチャンバを併設しても良い。
【００４５】
また、搬送部材５２４，５２６の替わりに、ガイドに沿って往復移動可能な多関節型ロボットを用いても良い。この場合、ウエハ搬送系７０ｉは、多関節型ロボットを備えていなくてもよく、搬送システム５２１の多関節型ロボットとウエハの受け渡しを行う、ロード用のウエハ保持部、及びアンロード用のウエハ保持部を備えていれば良い。
【００４６】
また、搬送部材５２４，５２６の替わりに、多関節型ロボットを用いる場合、ＥＦＥＭシステム５１０が、ロボット５１６を備えていなくても良い。この場合、搬送システム５２１の多関節型ロボットがＦＯＵＰ５２０からウエハを取り出したり、ＦＯＵＰ５２０にウエハを戻したりしても良い。
【００４７】
ここで、計測装置１００ｉについて詳述する。図４には、計測装置１００ｉの構成が斜視図にて概略的に示されている。なお、図４に示される計測装置１００ｉは、実際には、前述のチャンバ１０１ｉと、該チャンバ１０１ｉの内部に収容された構成部分とで構成されるが、以下では、チャンバ１０１ｉに関する説明は省略する。本実施形態に係る計測装置１００ｉでは、後述するようにマーク検出系ＭＤＳが設けられており、以下では、マーク検出系ＭＤＳの光軸ＡＸ１の方向が前述のＺ軸方向に一致し、これに直交するＸＹ平面内で、後述する可動ステージが長ストロークで移動する方向が前述のＹ軸方向に一致しているものとするとともに、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸回りの回転（傾斜）方向を、それぞれθｘ、θｙ及びθｚ方向として、説明を行う。ここで、マーク検出系ＭＤＳは、その下端（先端）には円筒状の鏡筒部４１が設けられ、鏡筒部４１の内部には、共通のＺ軸方向の光軸ＡＸ１を有する複数のレンズエレメントから成る光学系（屈折光学系）が収納されている。本明細書では、説明の便宜上から鏡筒部４１の内部の屈折光学系の光軸ＡＸ１を、マーク検出系ＭＤＳの光軸ＡＸ１と称している。
【００４８】
図５（Ａ）には、図４の計測装置１００ｉの正面図（−Ｙ方向から見た図）が一部省略して示され、図５（Ｂ）には、光軸ＡＸ１を通るＸＺ平面で断面した計測装置１００ｉの断面図が一部省略して示されている。また、図６には、光軸ＡＸ１を通るＹＺ平面で断面した計測装置１００ｉの断面図が一部省略して示されている。
【００４９】
計測装置１００ｉは、図４に示されるように、光軸ＡＸ１に直交するＸＹ平面にほぼ平行な上面を有する定盤１２と、定盤１２上に配置され、ウエハＷを保持して定盤１２に対してＸ軸及びＹ軸方向に所定ストロークで可動し、かつＺ軸、θｘ、θｙ及びθｚ方向に微小移動（微小変位）が可能なウエハスライダ（以下、スライダと略記する）１０と、スライダ１０を駆動する駆動システム２０（図９参照）と、スライダ１０の定盤１２に対するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向（以下、６自由度方向と称する）の位置情報を計測する第１位置計測システム３０（図４では不図示、図６、図９参照）と、スライダ１０に搭載された（保持された）ウエハＷ上のマークを検出するマーク検出系ＭＤＳを有する計測ユニット４０と、マーク検出系ＭＤＳ（計測ユニット４０）と定盤１２との相対的な位置情報を計測する第２位置計測システム５０（図９参照）と、駆動システム２０によるスライダ１０の駆動を制御しつつ、第１位置計測システム３０による計測情報及び第２位置計測システム５０による計測情報を取得し、マーク検出系ＭＤＳを用いてスライダ１０に保持されたウエハＷ上の複数のマークの位置情報を求める制御装置６０ｉ（図４では不図示、図９参照）と、を備えている。
【００５０】
定盤１２は、平面視矩形（又は正方形）の直方体部材から成り、その上面は平坦度が非常に高くなるように仕上げられて、スライダ１０の移動の際のガイド面が形成されている。定盤１２の素材としては、ゼロ膨張材料とも呼ばれる低熱膨張率の材料、例えばインバー型合金、極低膨張鋳鋼、あるいは極低膨張ガラスセラミックスなどが用いられている。
【００５１】
定盤１２には、−Ｙ側の面のＸ軸方向の中央部に１箇所、＋Ｙ側の面のＸ軸方向の両端部に各１箇所、合計で３箇所に底部が開口した切り欠き状の空所１２ａが形成されている。図４では、その３箇所の空所１２ａのうち、−Ｙ側の面に形成された空所１２ａが示されている。それぞれの空所１２ａの内部には、除振装置１４が配置されている。定盤１２は、床面Ｆ上に設置された平面視矩形のベースフレーム１６のＸＹ平面に平行な上面上で３つの除振装置１４によって、上面がＸＹ平面にほぼ平行となるように３点支持されている。なお、除振装置１４の数は、３つに限られない。
【００５２】
スライダ１０は、図６に示されるように、底面の四隅に空気静圧軸受（エアベアリング）１８が各１つ、合計４つ、それぞれの軸受面が、スライダ１０の下面とほぼ同一面となる状態で取付けられており、これら４つのエアベアリング１８から定盤１２に向けて噴出される加圧空気の軸受面と定盤１２の上面（ガイド面）との間の静圧（隙間内圧力）によって、スライダ１０が、定盤１２の上面上で所定のクリアランス（空隙、ギャップ）、例えば数μｍ程度のクリアランスを介して浮上支持されている。本実施形態では、スライダ１０は、ゼロ膨張材料の一種であるゼロ膨張ガラス（例えば、ショット社のゼロデュアなど）がその素材として用いられている。
【００５３】
スライダ１０の上部には、ウエハＷの直径より僅かに大きな内径の平面視円形の所定深さの凹部１０ａが形成され、凹部１０ａの内部にウエハＷの直径とほぼ同じ直径のウエハホルダＷＨが配置されている。ウエハホルダＷＨとしては、バキュームチャック、静電チャック、あるいはメカニカルチャックなどを用いることができるが、一例として、ピンチャック方式のバキュームチャックが、用いられるものとする。ウエハＷは、その上面が、スライダ１０の上面とほぼ同一面にとなる状態で、ウエハホルダＷＨによって吸着保持されている。ウエハホルダＷＨには、複数の吸引口が形成されており、この複数の吸引口が不図示の真空配管系を介してバキュームポンプ１１（図９参照）に接続されている。そして、バキュームポンプ１１のオン・オフ等が、制御装置６０ｉによって制御される。なお、スライダ１０とウエハホルダＷＨのいずれか一方、又は両方を「第１基板保持部材」と呼んでも良い。
【００５４】
また、スライダ１０には、ウエハホルダＷＨに形成された例えば３つの円形開口を介して上下動し、ウエハ搬送系７０ｉ（図４では不図示、図９参照）と協働してウエハをウエハホルダＷＨ上にロードするとともにウエハをウエハホルダＷＨ上からアンロードする上下動部材（不図示）が設けられている。上下動部材を駆動する駆動装置１３が制御装置６０ｉによって制御される（図９参照）。
【００５５】
本実施形態では、ウエハホルダＷＨとして、一例として、直径３００ｍｍの３００ミリウエハを吸着保持可能なサイズのものが用いられているものとする。なお、ウエハ搬送系７０ｉがウエハホルダＷＨ上のウエハを、上方から非接触で吸引保持する非接触保持部材、例えばベルヌーイチャックなどを有している場合には、スライダ１０に上下動部材を設ける必要はなく、ウエハホルダＷＨに上下動部材のための円形開口を形成する必要もない。
【００５６】
図５（Ｂ）及び図６に示されるように、スライダ１０の下面のウエハＷよりも一回り大きい領域には、２次元グレーティング（以下、単にグレーティングと呼ぶ）ＲＧ１が水平（ウエハＷ表面と平行）に配置されている。グレーティングＲＧ１は、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型の回折格子（Ｘ回折格子）と、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型回折格子（Ｙ回折格子）と、を含む。Ｘ回折格子及びＹ回折格子の格子線のピッチは、例えば１μｍと設定されている。
【００５７】
除振装置１４は、能動型振動分離システム（いわゆるＡＶＩＳ(Active Vibration Isolation System)）であり、加速度計、変位センサ（例えば静電容量センサなど）、及びアクチュエータ（例えばボイスコイルモータなど）、並びにエアダンパとして機能するエアマウント等を備えている。除振装置１４は、比較的高周波の振動を、エアマウント（エアダンパ）によって減衰させることができるとともに、アクチュエータにより除振（制振）することができる。したがって、除振装置１４は、定盤１２とベースフレーム１６との間で振動が伝達するのを回避することができる。なお、エアマウント（エアダンパ）に代えて、油圧式のダンパを用いても良い。
【００５８】
ここで、エアマウントに加えてアクチュエータを設けているのは、エアマウントの気体室内の気体の内圧は高いため、制御応答が２０Ｈｚ程度しか確保できないので、高応答の制御が必要な場合には、不図示の加速度計などの出力に応じてアクチュエータを制御する必要があるからである。但し、床振動などの微振動は、エアマウントによって除振される。
【００５９】
除振装置１４の上端面は、定盤１２に接続されている。エアマウントには、不図示の気体供給口を介して気体（例えば圧縮空気）を供給することが可能であり、エアマウントは、内部に充填された気体量（圧縮空気の圧力変化）に応じてＺ軸方向に所定のストローク（例えば、１ｍｍ程度）で伸縮する。このため、３つの除振装置１４それぞれが有するエアマウントを用いて定盤１２の３箇所を下方から個別に上下動させることにより、定盤１２及びこの上に浮上支持されたスライダ１０を、Ｚ軸方向、θｘ方向、及びθｙ方向それぞれの位置を任意に調整できるようになっている。また、除振装置１４のアクチュエータは、定盤１２を、Ｚ軸方向に駆動するのみならず、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にも駆動可能である。なお、Ｘ軸方向及びＹ軸方向への駆動量は、Ｚ軸方向への駆動量に比べて小さい。３つの除振装置１４は、制御装置６０ｉに接続されている（図９参照）。なお、３つの除振装置１４のそれぞれが、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に限らず、例えば６自由度方向に定盤１２を移動できるアクチュエータを備えていても良い。制御装置６０ｉは、第２位置計測システム５０によって計測されるマーク検出系ＭＤＳ（計測ユニット４０）と定盤１２との相対的な位置情報に基づいて、後述する第１位置計測システム３０のヘッド部３２が固定される定盤１２の６自由度方向の位置が、マーク検出系ＭＤＳに対して所望の位置関係を維持するように、３つの除振装置１４のアクチュエータを常時リアルタイムで制御している。なお、３つの除振装置１４の各々をフィードフォワード制御しても良い。例えば、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０の計測情報に基づいて、３つの除振装置１４の各々をフィードフォワード制御するようにしても良い。なお、制御装置６０ｉによる除振装置１４の制御についてはさらに後述する。
【００６０】
駆動システム２０は、図９に示されるように、スライダ１０をＸ軸方向に駆動する第１駆動装置２０Ａと、スライダ１０を第１駆動装置２０Ａと一体でＹ軸方向に駆動する第２駆動装置２０Ｂとを含む。
【００６１】
図４及び図６からわかるように、スライダ１０の−Ｙ側の側面には、磁石ユニット（又はコイルユニット）から成り、側面視逆Ｌ字状の一対の可動子２２ａが、Ｘ軸方向に所定間隔で固定されている。スライダ１０の＋Ｙ側の側面には、図６に示されるように、磁石ユニット（又はコイルユニット）から成る一対の可動子２２ｂ（ただし、＋Ｘ側の可動子２２ｂは不図示）が、Ｘ軸方向に所定間隔で固定されている。一対の可動子２２ａと一対の可動子２２ｂとは、左右対称に配置されているが、互いに同様に構成されている。
【００６２】
可動子２２ａ、２２ｂは、図４〜図６に示されるように、平面視矩形枠状の可動ステージ２４の一部を構成するＹ軸方向に所定距離離れて配置され、それぞれＸ軸方向に延びる一対の板部材２４ａ、２４ｂのＸＹ平面に実質的に平行な上面上に非接触で支持されている。すなわち、可動子２２ａ、２２ｂの下面（板部材２４ａ、２４ｂにそれぞれ対向する面）には、エアベアリング（不図示）がそれぞれ設けられ、これらのエアベアリングが板部材２４ａ、２４ｂに対して発生する浮上力（加圧空気の静圧）により、可動子２２ａ、２２ｂは、可動ステージ２４によって、下方から非接触で支持されている。なお、各一対の可動子２２ａ、２２ｂが固定されたスライダ１０の自重は、前述したように、４つのエアベアリング１８が定盤１２に対して発生する浮上力によって支持されている。
【００６３】
一対の板部材２４ａ、２４ｂそれぞれの上面には、図４〜図６に示されるように、コイルユニット（又は磁石ユニット）から成る固定子２６ａ、２６ｂが、Ｘ軸方向の両端部を除く領域に配置されている。
【００６４】
一対の可動子２２ａと固定子２６ａとの間の電磁相互作用により、一対の可動子２２ａを、Ｘ軸方向に駆動する駆動力（電磁力）及びＹ軸方向に駆動する駆動力（電磁力）が発生し、一対の可動子２２ｂと固定子２６ｂとの間の電磁相互作用により、一対の可動子２２ｂを、Ｘ軸方向に駆動する駆動力（電磁力）及びＹ軸方向に駆動する駆動力（電磁力）が発生する。すなわち、一対の可動子２２ａと固定子２６ａとによって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の駆動力を発生するＸＹリニアモータ２８Ａが構成され、一対の可動子２２ｂと固定子２６ｂとによって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の駆動力を発生するＸＹリニアモータ２８Ｂが構成され、ＸＹリニアモータ２８ＡとＸＹリニアモータ２８Ｂとによって、スライダ１０を、Ｘ軸方向に所定ストロークで駆動するとともに、Ｙ軸方向に微小駆動する第１駆動装置２０Ａが構成されている（図９参照）。第１駆動装置２０Ａは、ＸＹリニアモータ２８ＡとＸＹリニアモータ２８Ｂとがそれぞれ発生するＸ軸方向の駆動力の大きさを異ならせることにより、スライダ１０を、θｚ方向に駆動することができる。第１駆動装置２０Ａは、制御装置６０ｉによって制御される（図９参照）。本実施形態では、後述する第２駆動装置とともに第１駆動装置２０Ａにより、スライダ１０をＹ軸方向に駆動する粗微動駆動系を構成する関係から第１駆動装置２０Ａは、Ｘ軸方向の駆動力のみならず、Ｙ軸方向の駆動力も発生するが、第１駆動装置２０Ａは、Ｙ軸方向の駆動力を必ずしも発生する必要はない。
【００６５】
可動ステージ２４は、一対の板部材２４ａ、２４ｂと、Ｘ軸方向に所定距離離れて配置され、それぞれＹ軸方向に延びる一対の連結部材２４ｃ、２４ｄと、を有している。連結部材２４ｃ、２４ｄのＹ軸方向の両端部には、段部がそれぞれ形成されている。そして、連結部材２４ｃ、２４ｄそれぞれの−Ｙ側の段部の上に板部材２４ａの長手方向の一端部と他端部が載置された状態で、連結部材２４ｃ、２４ｄと板部材２４ａとが一体化されている。また、連結部材２４ｃ、２４ｄそれぞれの＋Ｙ側の段部の上に板部材２４ｂの長手方向の一端部と他端部が載置された状態で、連結部材２４ｃ、２４ｄと板部材２４ｂとが一体化されている（図５（Ｂ）参照）。すなわち、このようにして、一対の板部材２４ａ、２４ｂが一対の連結部材２４ｃ、２４ｄにより連結され、矩形枠状の可動ステージ２４が構成されている。
【００６６】
図４及び図５（Ａ）に示されるように、ベースフレーム１６上面のＸ軸方向の両端部近傍には、Ｙ軸方向に延びる一対のリニアガイド２７ａ、２７ｂが、固定されている。＋Ｘ側に位置する一方のリニアガイド２７ａの内部には、上面及び−Ｘ側の面の近傍にＹ軸方向のほぼ全長に渡るコイルユニット（又は磁石ユニット）から成るＹ軸リニアモータ２９Ａの固定子２５ａ（図５（Ｂ）参照）が収納されている。リニアガイド２７ａの上面及び−Ｘ側の面に対向して、断面Ｌ字状の磁石ユニット（又はコイルユニット）から成り、固定子２５ａとともに、Ｙ軸リニアモータ２９Ａを構成する可動子２３ａが配置されている。リニアガイド２７ａの上面及び−Ｘ側の面にそれぞれ対向する、可動子２３ａの下面及び＋Ｘ側の面には、対向する面に対して加圧空気を噴出するエアベアリングがそれぞれ固定されている。そのうち、特に、可動子２３ａの＋Ｘ側の面に固定されたエアベアリングとしては、真空予圧型のエアベアリングが用いられている。この真空予圧型のエアベアリングは、軸受面とリニアガイド２７ａの−Ｘ側の面との間の加圧空気の静圧と真空予圧力とのバランスにより、可動子２３ａとリニアガイド２７ａとの間のＸ軸方向のクリアランス（隙間、ギャップ）を一定の値に維持する。
【００６７】
可動子２３ａの上面上には、複数、例えば２つの直方体部材から成るＸガイド１９がＹ軸方向に所定間隔を隔てて固定されている。２つのＸガイド１９のそれぞれには、Ｘガイド１９とともに一軸ガイド装置を構成する断面逆Ｕ字状のスライド部材２１が、非接触で係合している。スライド部材２１のＸガイド１９に対向する３つの面には、エアベアリングがそれぞれ設けられている。
【００６８】
２つのスライド部材２１は、図４に示されるように、連結部材２４ｃの下面（−Ｚ側の面）にそれぞれ固定されている。
【００６９】
−Ｘ側に位置する他方のリニアガイド２７ｂは、内部にコイルユニット（又は磁石ユニット）から成るＹ軸リニアモータ２９Ｂの固定子２５ｂを収納し、左右対称であるが、リニアガイド２７ａと同様に構成されている（図５（Ｂ）参照）。リニアガイド２７ｂの上面及び＋Ｘ側の面に対向して、左右対称であるが可動子２３ａと同様の断面Ｌ字状の磁石ユニット（又はコイルユニット）から成り、固定子２５ｂとともに、Ｙ軸リニアモータ２９Ｂを構成する可動子２３ｂが配置されている。リニアガイド２７ｂの上面及び＋Ｘ側の面にそれぞれ対向して、可動子２３ｂの下面及び−Ｘ側の面には、エアベアリングがそれぞれ固定され、特に、可動子２３ｂの−Ｘ側の面に固定されたエアベアリングとして、真空予圧型のエアベアリングが用いられている。この真空予圧型のエアベアリングによって、可動子２３ｂとリニアガイド２７ｂとの間のＸ軸方向のクリアランス（隙間、ギャップ）が一定の値に維持される。
【００７０】
可動子２３ｂの上面と、連結部材２４ｄの底面との間には、前述と同様、Ｘガイド１９と該Ｘガイド１９に非接触で係合するスライド部材２１とによって構成される一軸ガイド装置が２つ設けられている。
【００７１】
可動ステージ２４は、＋Ｘ側と−Ｘ側の各２つ（合計４つ）の一軸ガイド装置を介して、可動子２３ａ、２３ｂによって下方から支持され、可動子２３ａ、２３ｂ上でＸ軸方向に移動可能である。このため、前述した第１駆動装置２０Ａにより、スライダ１０がＸ軸方向に駆動された際に、その駆動力の反力が固定子２６ａ、２６ｂが設けられた可動ステージ２４に作用し、可動ステージ２４はスライダ１０とは反対方向に運動量保存則に従って移動する。すなわち、スライダ１０に対するＸ軸方向の駆動力の反力に起因する振動の発生が、可動ステージ２４の移動によって防止（あるいは効果的に抑制）される。すなわち、可動ステージ２４が、スライダ１０のＸ軸方向の移動に際し、カウンタマスとして機能する。ただし、可動ステージ２４を、必ずしもカウンタマスとして機能させる必要はない。なお、スライダ１０は、可動ステージ２４に対してＹ軸方向に微小移動するのみなので特に設けていないが、可動ステージ２４に対してスライダ１０をＹ軸方向に駆動する駆動力に起因する振動の発生を防止（あるいは効果的に抑制）するためのカウンタマスを設けても良い。
【００７２】
Ｙ軸リニアモータ２９Ａは、可動子２３ａと固定子２５ａとの間の電磁相互作用により可動子２３ａをＹ軸方向に駆動する駆動力（電磁力）を発生し、Ｙ軸リニアモータ２９Ｂは、可動子２３ｂと固定子２５ｂとの間の電磁相互作用により可動子２３ｂをＹ軸方向に駆動する駆動力（電磁力）を発生する。
【００７３】
Ｙ軸リニアモータ２９Ａ、２９Ｂが発生するＹ軸方向の駆動力は、＋Ｘ側と−Ｘ側の各２つの一軸ガイド装置を介して、可動ステージ２４に作用する。これにより、可動ステージ２４と一体的に、スライダ１０が、Ｙ軸方向に駆動される。すなわち、本実施形態では、可動ステージ２４と、４つの一軸ガイド装置と、一対のＹ軸リニアモータ２９Ａ、２９Ｂとによって、スライダ１０をＹ軸方向に駆動する第２駆動装置２０Ｂ（図９参照）が構成されている。
【００７４】
本実施形態では、一対のＹ軸リニアモータ２９Ａ、２９Ｂは、定盤１２とは物理的に分離されているとともに、３つの除振装置１４によって振動的にも分離されている。なお、一対のＹ軸リニアモータ２９Ａ、２９Ｂの固定子２５ａ、２５ｂがそれぞれ設けられたリニアガイド２７ａ、２７ｂを、ベースフレーム１６に対してＹ軸方向に移動可能な構成にして、スライダ１０のＹ軸方向の駆動時におけるカウンタマスとして機能させても良い。
【００７５】
計測ユニット４０は、図４に示されるように、−Ｙ側の面に底部が開口した切り欠き状の空所４２ａが形成されたユニット本体４２と、その空所４２ａ内に基端部が挿入された状態でユニット本体４２に接続された前述のマーク検出系ＭＤＳと、マーク検出系ＭＤＳの先端の鏡筒部４１をユニット本体４２に接続する接続機構４３とを有している。
【００７６】
接続機構４３は、鏡筒部４１を不図示の取付部材を介して背面側（＋Ｙ側）で支持する支持プレート４４と、支持プレート４４をそれぞれの一端部で支持し他端部がユニット本体４２の底面に固定された一対の支持アーム４５ａ、４５ｂとを含む。
【００７７】
本実施形態では、スライダ１０上に保持されているウエハ上面には、感応剤（レジスト）が塗布さているのに対応して、マーク検出系ＭＤＳとして、レジストを感光させない波長の検出ビームを用いるものが用いられる。マーク検出系ＭＤＳとして、例えばウエハ上に塗布されているレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標（内部に設けられた指標板上の指標パターン）の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。マーク検出系ＭＤＳからの撮像信号は、信号処理装置４９（図４では不図示、図９参照）を介して制御装置６０ｉに供給されるようになっている（図９参照）。マーク検出系ＭＤＳは、光学系の焦点位置を調整するアライメントオートフォーカス機能を有している。
【００７８】
鏡筒部４１と支持プレート４４との間に、図４に示されるように、概略二等辺三角形状のヘッド取付部材５１が配置されている。ヘッド取付部材５１には、図４のＹ軸方向に貫通する開口部が形成され、この開口部内に挿入された取付部材（不図示）を介して、鏡筒部４１が、支持プレート４４に取付けられている（固定されている）。また、ヘッド取付部材５１も、その裏面が支持プレート４４に固定されている。このようにして、鏡筒部４１（マーク検出系ＭＤＳ）とヘッド取付部材５１と支持プレート４４とが、一対の支持アーム４５ａ、４５ｂを介してユニット本体４２と一体化されている。
【００７９】
ユニット本体４２の内部には、マーク検出系ＭＤＳから検出信号として出力される撮像信号を処理して検出中心に対する対象マークの位置情報を算出し、制御装置６０ｉに出力する前述の信号処理装置４９などが配置されている。ユニット本体４２は、ベースフレーム１６上に設置された−Ｙ側から見て門型の支持フレーム４６上に、複数、例えば３つの除振装置４８を介して下方から３点支持されている。各除振装置４８は、能動型振動分離システム（いわゆるＡＶＩＳ(Active Vibration Isolation System)）であり、加速度計、変位センサ（例えば静電容量センサなど）、及びアクチュエータ（例えばボイスコイルモータなど）、並びにエアダンパ又は油圧式のダンパなどの機械式のダンパ等を備え、除振装置４８は、比較的高周波の振動を、機械式のダンパによって減衰させることができるとともに、アクチュエータにより除振（制振）することができる。したがって、各除振装置４８は、比較的高周波の振動が、支持フレーム４６とユニット本体４２との間で伝達するのを回避することができる。
【００８０】
なお、マーク検出系ＭＤＳとしては、ＦＩＡ系に限らず、例えばコヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数の回折光、あるいは同方向に回折する回折光）を干渉させて検出して検出信号を出力する回折光干渉型のアライメント検出系を、ＦＩＡ系に代えて用いても良い。あるいは、回折光干渉型のアライメント系をＦＩＡ系とともに用い、２つの対象マークを同時に検出しても良い。さらに、マーク検出系ＭＤＳとして、スライダ１０を所定方向に移動している間、対象マークに対して、計測光を所定方向に走査させるビームスキャン型のアライメント系を用いても良い。また、本実施形態では、マーク検出系ＭＤＳが、アライメントオートフォーカス機能を有しているものとしたが、これに代えて、あるいはこれに加えて、計測ユニット４０が、焦点位置検出系、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系を、備えていても良い。
【００８１】
第１位置計測システム３０は、図５（Ｂ）及び図６に示されるように、定盤１２の上面に形成された凹部内に配置され、定盤１２に固定されたヘッド部３２を有する。ヘッド部３２は、上面がスライダ１０の下面（グレーティングＲＧ１の形成面）に対向している。ヘッド部３２の上面とスライダ１０の下面との間に所定のクリアランス（隙間、ギャップ）、例えば数ｍｍ程度のクリアランスが形成されている。
【００８２】
第１位置計測システム３０は、図９に示されるように、エンコーダシステム３３と、レーザ干渉計システム３５とを備えている。エンコーダシステム３３は、ヘッド部３２からスライダ１０の下面の計測部（グレーティングＲＧ１の形成面）に複数のビームを照射するとともに、スライダ１０の下面の計測部からの複数の戻りビーム（例えば、グレーティングＲＧ１からの複数の回折ビーム）を受光して、スライダ１０の位置情報を取得可能である。エンコーダシステム３３は、スライダ１０のＸ軸方向の位置を計測するＸリニアエンコーダ３３ｘ、スライダ１０のＹ軸方向の位置を計測する一対のＹリニアエンコーダ３３ｙａ、３３ｙｂを含む。エンコーダシステム３３では、例えば米国特許第７，２３８，９３１号明細書、及び米国特許出願公開第２００７／２８８，１２１号明細書などに開示されるエンコーダヘッド（以下、適宜ヘッドと略述する）と同様の構成の回折干渉型のヘッドが用いられている。なお、ヘッドは、光源及び受光系（光検出器を含む）、並びに光学系を含むが、本実施形態では、これらのうち、少なくとも光学系がグレーティングＲＧ１に対向してヘッド部３２の筐体内部に配置されていれば良く、光源及び受光系の少なくとも一方は、ヘッド部３２の筐体外部に配置されていても良い。
【００８３】
図７（Ａ）には、ヘッド部３２が斜視図にて示されており、図７（Ｂ）には、ヘッド部３２の上面を＋Ｚ方向から見た平面図が示されている。エンコーダシステム３３は、スライダ１０のＸ軸方向の位置を１つのＸヘッド３７ｘで計測し、Ｙ軸方向の位置を一対のＹヘッド３７ｙａ、３７ｙｂで計測する（図７（Ｂ）参照）。すなわち、グレーティングＲＧ１のＸ回折格子を用いてスライダ１０のＸ軸方向の位置を計測するＸヘッド３７ｘによって、前述のＸリニアエンコーダ３３ｘが構成され、グレーティングＲＧ１のＹ回折格子を用いてスライダ１０のＹ軸方向の位置を計測する一対のＹヘッド３７ｙａ、３７ｙｂによって、一対のＹリニアエンコーダ３３ｙａ、３３ｙｂが構成されている。
【００８４】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示されるように、Ｘヘッド３７ｘは、ヘッド部３２の中心を通るＸ軸に平行な直線ＬＸ上で、ヘッド部３２の中心を通るＹ軸に平行な直線ＣＬから等距離にある２点（図７（Ｂ）の白丸参照）から、計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２（図７（Ａ）中に実線で示されている）を、グレーティングＲＧ１上の同一の照射点に照射する。計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２の照射点、すなわちＸヘッド３７ｘの検出点（図７（Ｂ）中の符号ＤＰ参照）は、マーク検出系ＭＤＳの検出中心にＸ軸方向及びＹ軸方向の位置が一致している。
【００８５】
ここで、計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２は、光源からのビームが不図示の偏光ビームスプリッタによって偏光分離されたもので、計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２がグレーティングＲＧ１に照射されると、これらの計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２のＸ回折格子で回折された所定次数、例えば１次回折ビーム（第１回折ビーム）が、それぞれ、不図示のレンズ、四分の一波長板を介して反射ミラーで折り返され、四分の一波長板を２回通過することで偏光方向が９０度回転され、元の光路を通って偏光ビームスプリッタに再度入射し、同軸に合成された後、計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２の１次回折ビーム同士の干渉光が、不図示の光検出器によって受光されることで、スライダ１０のＸ軸方向の位置が計測される。
【００８６】
図７（Ｂ）に示されるように、一対のＹヘッド３７ｙａ、３７ｙｂそれぞれは、直線ＣＬの＋Ｘ側、−Ｘ側に配置されている。Ｙヘッド３７ｙａは、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示されるように、直線ＬＹａ上で直線ＬＸからの距離が等しい２点（図７（Ｂ）の白丸参照）から、グレーティングＲＧ１上の共通の照射点に図７（Ａ）においてそれぞれ破線で示される計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２を照射する。計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２の照射点、すなわちＹヘッド３７ｙａの検出点が、図７（Ｂ）に符号ＤＰｙａで示されている。
【００８７】
Ｙヘッド３７ｙｂは、直線ＣＬに関して、Ｙヘッド３７ｙａの計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２の射出点に対称な２点（図７（Ｂ）の白丸参照）から、計測ビームＬＢｙｂ１，ＬＢｙｂ２を、グレーティングＲＧ１上の共通の照射点ＤＰｙｂに照射する。図７（Ｂ）に示されるように、Ｙヘッド３７ｙａ、３７ｙｂそれぞれの検出点ＤＰｙａ、ＤＰｙｂは、Ｘ軸に平行な直線ＬＸ上に配置される。
【００８８】
計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２も、同一のビームが偏光ビームスプリッタによって偏光分離されたもので、これらの計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２のＹ回折格子による所定次数、例えば１次回折ビーム（第２回折ビーム）同士の干渉光が、上述と同様にして、不図示の光検出器で光電検出されることで、スライダ１０のＹ軸方向の位置が計測される。計測ビームＬＢｙｂ１，ＬＢｙｂ２についても、計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２と同様に、１次回折ビーム（第２回折ビーム）同士の干渉光が、不図示の光検出器で光電検出されることで、スライダ１０のＹ軸方向の位置が計測される。
【００８９】
ここで、制御装置６０ｉは、スライダ１０のＹ軸方向の位置を、２つのＹヘッド３７ｙａ、３７ｙｂの計測値の平均に基づいて決定する。したがって、本実施形態では、スライダ１０のＹ軸方向の位置は、検出点ＤＰｙａ、ＤＰｙｂの中点ＤＰを実質的な計測点として計測される。中点ＤＰは、計測ビームＬＢｘ１，ＬＢＸ２のグレーティングＲＧ１上の照射点と一致する。
【００９０】
すなわち、本実施形態では、スライダ１０のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報の計測に関して、共通の検出点を有し、この検出点のＸＹ平面内で位置が、マーク検出系ＭＤＳの検出中心に、例えばｎｍレベルで一致するように、制御装置６０ｉによって、３つの除振装置１４のアクチュエータがリアルタイムで制御される。この、３つの除振装置１４のアクチュエータの制御は、第２位置計測システム５０によって計測されるマーク検出系ＭＤＳ（計測ユニット４０）と定盤１２との相対的な位置情報に基づいて、行われる。したがって、本実施形態では、制御装置６０ｉは、エンコーダシステム３３を用いることで、スライダ１０上に載置されたウエハＷ上のアライメントマークを計測する際、スライダ１０のＸＹ平面内の位置情報の計測を、常にマーク検出系ＭＤＳの検出中心の直下（スライダ１０の裏面側）で行うことができる。また、制御装置６０ｉは、一対のＹヘッド３７ｙａ、３７ｙｂの計測値の差に基づいて、スライダ１０のθｚ方向の回転量を計測する。
【００９１】
レーザ干渉計システム３５は、スライダ１０の下面の計測部（グレーティングＲＧ１の形成された面）に測長ビームを入射させるとともに、その戻りビーム（例えば、グレーティングＲＧ１の形成された面からの反射光）を受光して、スライダ１０の位置情報を取得可能である。レーザ干渉計システム３５は、図７（Ａ）に示されるように、４本の測長ビームＬＢｚ１、ＬＢｚ２、ＬＢｚ３、ＬＢｚ４を、スライダ１０の下面（グレーティングＲＧ１の形成された面）に入射させる。レーザ干渉計システム３５は、これら４本の測長ビームＬＢｚ１、ＬＢｚ２、ＬＢｚ３、ＬＢｚ４それぞれを照射するレーザ干渉計３５ａ〜３５ｄ（図９参照）を備えている。本実施形態では、レーザ干渉計３５ａ〜３５ｄにより、４つのＺヘッドが構成されている。
【００９２】
レーザ干渉計システム３５では、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示されるように、４本の測長ビームＬＢｚ１、ＬＢｚ２、ＬＢｚ３、ＬＢｚ４が、検出点ＤＰを中心とし、Ｘ軸に平行な２辺とＹ軸に平行な２辺とを有する正方形の各頂点に相当する４点からＺ軸に平行に射出される。この場合、測長ビームＬＢｚ１、ＬＢｚ４の射出点（照射点）は直線ＬＹａ上で直線ＬＸから等距離にあり、残りの測長ビームＬＢｚ２、ＬＢｚ３の射出点（照射点）は、直線ＬＹｂ上で直線ＬＸから等距離にある。本実施形態では、グレーティングＲＧ１の形成された面は、レーザ干渉計システム３５からの各測長ビームの反射面をも兼ねる。制御装置６０ｉは、レーザ干渉計システム３５を用いて、スライダ１０のＺ軸方向の位置、θｘ方向及びθｙ方向の回転量の情報を計測する。なお、上述した説明から明らかなように、スライダ１０は、Ｚ軸、θｘ及びθｙの各方向に関しては、定盤１２に対して前述した駆動システム２０によって積極的に駆動されることはないが、底面の４隅に配置された４つのエアベアリング１８によって定盤１２上に浮上支持されているため、実際には、スライダ１０は、Ｚ軸、θｘ及びθｙの各方向に関して定盤１２上でその位置が変化する。すなわち、スライダ１０は、実際には、Ｚ軸、θｘ及びθｙの各方向に関して定盤１２に対して可動である。特に、スライダ１０のθｘ及びθｙの各方向の変位は、エンコーダシステム３３の計測誤差（アッベ誤差）を生じさせる。かかる点を考慮して、第１位置計測システム３０（レーザ干渉計システム３５）により、スライダ１０のＺ軸、θｘ及びθｙの各方向の位置情報を計測することとしている。
【００９３】
なお、スライダ１０のＺ軸方向の位置、θｘ方向及びθｙ方向の回転量の情報の計測のためには、グレーティングＲＧ１の形成された面上の異なる３点にビームを入射させることができれば足りるので、Ｚヘッド、例えばレーザ干渉計は、３つあれば良い。なお、スライダ１０の下面にグレーティングＲＧ１を保護するための保護ガラスを設け、保護ガラスの表面にエンコーダシステム３３からの各計測ビームを透過させ、レーザ干渉計システム３５からの各測長ビームの透過を阻止する、波長選択フィルタを設けても良い。
【００９４】
以上の説明からわかるように、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０のエンコーダシステム３３及びレーザ干渉計システム３５を用いることで、スライダ１０の６自由度方向の位置を計測することができる。この場合、エンコーダシステム３３では、計測ビームの空気中での光路長が極短く、かつＸヘッド７３ｘからグレーティングＲＧ１に照射される２つの計測ビームＬＢｘ１、ＬＢｘ２の光路長同士、Ｙヘッド３７ｙａからグレーティングＲＧ１に照射される２つの計測ビームＬＢｙａ１，ＬＢｙａ２の光路長同士、及びＹヘッド３７ｙｂからグレーティングＲＧ１に照射される計測ビームＬＢｙｂ１，ＬＢｙｂ２の光路長同士が、互いにほぼ等しいため、空気揺らぎの影響が殆ど無視できる。したがって、エンコーダシステム３３により、スライダ１０のＸＹ平面内（θｚ方向も含む）の位置情報を高精度に計測できる。また、エンコーダシステム３３によるＸ軸方向、及びＹ軸方向の実質的なグレーティングＲＧ１上の検出点、及びレーザ干渉計システム３５によるＺ軸方向のスライダ１０下面上の検出点は、それぞれマーク検出系ＭＤＳの検出中心にＸＹ平面内で一致するので、検出点とマーク検出系ＭＤＳの検出中心とのＸＹ平面内のずれに起因するいわゆるアッベ誤差の発生が実質的に無視できる程度に抑制される。したがって、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０を用いることで、検出点とマーク検出系ＭＤＳの検出中心とのＸＹ平面内のずれに起因するアッベ誤差なく、スライダ１０のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の位置を高精度に計測できる。
【００９５】
しかし、マーク検出系ＭＤＳの光軸ＡＸ１に平行なＺ軸方向に関しては、ウエハＷの表面の位置で、エンコーダシステム３３によってスライダ１０のＸＹ平面内の位置情報を計測しているわけではない、すなわちグレーティングＲＧ１の配置面とウエハＷの表面とのＺ位置が一致しているわけではない。したがって、グレーティングＲＧ１（すなわち、スライダ１０）がＸＹ平面に対して傾斜している場合、エンコーダシステム３３の各エンコーダの計測値に基づいて、スライダ１０を位置決めすると、結果的に、グレーティングＲＧ１の配置面とウエハＷの表面とのＺ位置の差ΔＺ（すなわちエンコーダシステム３３による検出点とマーク検出系ＭＤＳによる検出中心（検出点）とのＺ軸方向の位置ずれ）に起因して、グレーティングＲＧ１のＸＹ平面に対する傾斜に応じた位置決め誤差（一種のアッベ誤差）が生じてしまう。しかるに、この位置決め誤差（位置制御誤差）は、差ΔＺと、ピッチング量θｘ、ローリング量θｙとを用いて、簡単な演算で求めることができ、これをオフセットとし、そのオフセット分だけエンコーダシステム３３（の各エンコーダ）の計測値を補正した補正後の位置情報に基づいて、スライダ１０を位置決めすることで、上記の一種のアッベ誤差の影響を受けることがなくなる。あるいは、エンコーダシステム３３（の各エンコーダ）の計測値を補正する代わりに、上記のオフセットに基づいて、スライダ１０を位置決めすべき目標位置などのスライダを動かすための１つ、又は複数の情報を補正しても良い。
【００９６】
なお、グレーティングＲＧ１（すなわち、スライダ１０）がＸＹ平面に対して傾斜している場合、その傾斜に起因する位置決め誤差が生じないように、ヘッド部３２を動かしても良い。すなわち、第１位置計測システム３０（例えば、干渉計システム３５）によりグレーティングＲＧ１（すなわち、スライダ１０）がＸＹ平面に対して傾斜していることが計測された場合には、第１位置計測システム３０を用いて取得される位置情報に基づいて、ヘッド部３２を保持している定盤１２を動かしても良い。定盤１２は、上述したように、除振装置１４を用いて移動することができる。
【００９７】
また、グレーティングＲＧ１（すなわち、スライダ１０）がＸＹ平面に対して傾斜している場合、その傾斜に起因する位置決め誤差に基づき、マーク検出系ＭＤＳを用いて取得されるマークの位置情報を補正しても良い。
【００９８】
第２位置計測システム５０は、図４、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示されるように、前述のヘッド取付部材５１の長手方向の一端部と他端部の下面にそれぞれ設けられた一対のヘッド部５２Ａ、５２Ｂと、ヘッド部５２Ａ、５２Ｂに対向して配置されたスケール部材５４Ａ、５４Ｂとを有する。スケール部材５４Ａ、５４Ｂの上面は、ウエハホルダＷＨに保持されたウエハＷの表面と同一高さとされている。スケール部材５４Ａ、５４Ｂそれぞれの上面には、反射型の２次元グレーティングＲＧ２ａ、ＲＧ２ｂが形成されている。２次元グレーティング（以下、グレーティングと略記する）ＲＧ２ａ、ＲＧ２ｂは、ともに、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型回折格子（Ｘ回折格子）と、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型回折格子（Ｙ回折格子）と、を含む。Ｘ回折格子及びＹ回折格子の格子線のピッチは、例えば１μｍと設定されている。
【００９９】
スケール部材５４Ａ、５４Ｂは、熱膨張率が低い材料、例えば前述したゼロ膨張材料から成り、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示されるように、支持部材５６をそれぞれ介して定盤１２上に固定されている。本実施形態では、グレーティングＲＧ２ａ、ＲＧ２ｂと、ヘッド部５２Ａ、５２Ｂとが、数ｍｍ程度のギャップを隔てて対向するように、スケール部材５４Ａ、５４Ｂ及び支持部材５６の寸法が定められている。
【０１００】
図８に示されるように、ヘッド取付部材５１の＋Ｘ側の端部の下面に固定された一方のヘッド部５２Ａは、同一の筐体の内部に収容された、Ｘ軸及びＺ軸方向を計測方向とするＸＺヘッド５８Ｘ１と、Ｙ軸及びＺ軸方向を計測方向とするＹＺヘッド５８Ｙ１とを含む。ＸＺヘッド５８Ｘ１（より正確には、ＸＺヘッド５８Ｘ１が発する計測ビームのグレーティングＲＧ２ａ上の照射点）と、ＹＺヘッド５８Ｙ１（より正確には、ＹＺヘッド５８Ｙ１が発する計測ビームの２次元グレーティングＲＧ２ａ上の照射点）とは、同一のＹ軸に平行な直線上に配置されている。
【０１０１】
他方のヘッド部５２Ｂは、マーク検出系ＭＤＳの光軸ＡＸ１を通るＹ軸に平行な直線（以下、基準軸と呼ぶ）ＬＶに関してヘッド部５２Ａと対称に配置されているが、ヘッド部５２Ａと同様に構成されている。すなわち、ヘッド部５２Ｂは、基準軸ＬＶに関してＸＺヘッド５８Ｘ１、ＹＺヘッド５８Ｙ１と対称に配置されたＸＺヘッド５８Ｘ２、ＹＺヘッド５８Ｙ２とを有し、ＸＺヘッド５８Ｘ２、ＹＺヘッド５８Ｙ２のそれぞれからグレーティングＲＧ２ｂ上に照射される計測ビームの照射点は、同一のＹ軸に平行な直線上に設定される。
【０１０２】
ＸＺヘッド５８Ｘ1及び５８Ｘ２、並びにＹＺヘッド５８Ｙ1及び５８Ｙ２のそれぞれとしては、例えば米国特許第７，５６１，２８０号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のエンコーダヘッドを用いることができる。
【０１０３】
ヘッド部５２Ａ，５２Ｂは、それぞれスケール部材５４Ａ、５４Ｂを用いて、グレーティングＲＧ２ａ、ＲＧ２ｂのＸ軸方向の位置（Ｘ位置）及びＺ軸方向の位置（Ｚ位置）を計測するＸＺリニアエンコーダ、及びＹ軸方向の位置（Ｙ位置）及びＺ位置を計測するＹＺリニアエンコーダを構成する。ここで、グレーティングＲＧ２ａ、ＲＧ２ｂは、定盤１２上に支持部材５６をそれぞれ介して固定されたスケール部材５４Ａ、５４Ｂの上面に形成されており、ヘッド部５２Ａ，５２Ｂは、マーク検出系ＭＤＳと一体のヘッド取付部材５１に設けられている。この結果、ヘッド部５２Ａ，５２Ｂは、マーク検出系ＭＤＳに対する定盤１２の位置（マーク検出系ＭＤＳと定盤１２との位置関係）を計測する。以下では、便宜上、ＸＺリニアエンコーダ、ＹＺリニアエンコーダを、ＸＺヘッド５８Ｘ1、５８Ｘ２、ＹＺヘッド５８Ｙ1、５８Ｙ２とそれぞれ同一の符号を用いて、ＸＺリニアエンコーダ５８Ｘ1、５８Ｘ２、及びＹＺリニアエンコーダ５８Ｙ1、５８Ｙ２と表記する（図９参照）。
【０１０４】
本実施形態では、ＸＺリニアエンコーダ５８Ｘ1とＹＺリニアエンコーダ５８Ｙ1とによって、定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、及びθｘの各方向に関する位置情報を計測する４軸エンコーダ５８１が構成される（図９参照）。同様に、ＸＺリニアエンコーダ５８Ｘ２とＹＺリニアエンコーダ５８Ｙ２とによって、定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、及びθｘの各方向に関する位置情報を計測する４軸エンコーダ５８２が構成される（図９参照）。この場合、４軸エンコーダ５８１、５８２でそれぞれ計測される定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対するＺ軸方向に関する位置情報に基づいて、定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対するθｙ方向に関する位置情報が求められ（計測され）、４軸エンコーダ５８１、５８２でそれぞれ計測される定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対するＹ軸方向に関する位置情報に基づいて、定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対するθｚ方向に関する位置情報が求められる（計測される）。
【０１０５】
したがって、４軸エンコーダ５８１と４軸エンコーダ５８２とによって、定盤１２のマーク検出系ＭＤＳに対する６自由度方向の位置情報、すなわちマーク検出系ＭＤＳと定盤１２との６自由度方向に関する相対位置の情報を計測する第２位置計測システム５０が構成される。第２位置計測システム５０によって計測されるマーク検出系ＭＤＳと定盤１２との６自由度方向に関する相対位置の情報は、制御装置６０ｉに常時供給されており、制御装置６０ｉは、この相対位置の情報に基づいて、第１位置計測システム３０の検出点が、マーク検出系ＭＤＳの検出中心に対して、所望の位置関係になるように、具体的には、第１位置計測システム３０の検出点が、マーク検出系ＭＤＳの検出中心とＸＹ平面内の位置が例えばｎｍレベルで一致し、かつスライダ１０上のウエハＷの表面がマーク検出系ＭＤＳの検出位置に一致するように、３つの除振装置１４のアクチュエータをリアルタイムで制御している。このとき、例えば基準軸ＬＶに、前述した直線ＣＬが一致する。なお、第１位置計測システム３０の検出点が、マーク検出系ＭＤＳの検出中心に対して、所望の位置関係になるように制御可能であれば、第２位置計測システム５０は、６自由度のすべての方向で相対位置の情報を計測できなくても良い。
【０１０６】
前述の第１位置計測システム３０の説明と上記の第２位置計測システム５０との説明から明らかなように、計測装置１００ｉでは、第１位置計測システム３０と第２位置計測システム５０とによって、マーク検出系ＭＤＳに対するスライダ１０の６自由度方向の位置情報を計測する位置計測系が構成されている。
【０１０７】
図９には、本実施形態に係る計測装置１００ｉの制御系を中心的に構成する制御装置６０ｉの入出力関係を示すブロック図が示されている。制御装置６０ｉは、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等を含み、計測装置１００ｉの構成各部を統括制御する。図９に示されるように、計測装置１００ｉは、図４に示される構成部分とともにチャンバ１０１ｉ内に一部が配置されたウエハ搬送系７０ｉを備えている。ウエハ搬送系７０ｉは、前述の通り、例えば水平多関節型ロボットから成る。
【０１０８】
次に、上述のようにして構成された本実施形態に係る計測装置１００ｉにおいて、１ロットのウエハを処理する際の一連の動作について、制御装置６０ｉの処理アルゴリズムに対応する図１０のフローチャートに基づいて説明する。
【０１０９】
前提として、計測装置１００ｉの計測対象であるウエハＷは３００ミリウエハであり、ウエハＷ上には、前層以前の露光により、複数、例えばＩ個（一例としてＩ＝９８）のショット領域と呼ばれる区画領域（以下、ショットと呼ぶ）がマトリクス状の配置で形成され、各ショットを取り囲むストリートライン又は各ショット内部のストリートライン（１ショット複数チップ取りの場合）の上には、複数種類のマーク、例えばサーチアライメント用のサーチアライメントマーク（サーチマーク）、ファインアライメント用のウエハアライメントマーク（ウエハマーク）などが設けられているものとする。この複数種類のマークはショットとともに形成される。本実施形態では、サーチマーク及びウエハマークとして、２次元マークが用いられるものとする。
【０１１０】
また、計測装置１００ｉは、マーク検出系ＭＤＳによるマーク検出条件が互いに異なる複数の計測モードを設定可能であるものとする。複数の計測モードとして、一例として、全ウエハに対し全ショットについて各１つのウエハマークを検出するＡモード、及びロット内の最初の所定枚数のウエハについては全てのショットについて複数のウエハマークを検出し、そのウエハマークの検出結果に応じて、ロット内の残りのウエハについて、ショット毎に検出対象となるウエハマーク決定し、その決定したウエハマークを検出するＢモードと、を設定可能であるものとする。
【０１１１】
また、計測装置１００ｉのオペレータにより、予めウエハＷに対するアライメント計測に必要な情報が不図示の入力装置を介して入力され、制御装置６０ｉのメモリ内に記憶されているものとする。ここで、アライメント計測に必要な情報としては、ウエハＷの厚さ情報、ウエハホルダＷＨのフラットネス情報、ウエハＷ上のショット及びアライメントマークの配置の設計情報などの各種情報が含まれる。なお、計測モードの設定情報は、例えば、オペレータにより、不図示の入力装置を介して予め入力されているものとする。
【０１１２】
図１０のフローチャートに対応する処理アルゴリズムがスタートするのは、例えばオペレータ又はホストコンピュータ２０００から計測開始が指示されたときである。このとき、１ロットに含まれる複数のウエハ（例えば、２５枚のウエハ）は、計測装置１００ｉのチャンバ１０１ｉ内の所定位置にあるウエハキャリア内に収納されているものとする。これに限らず、計測装置１００ｉのよる計測処理と並行して１ロットのウエハのそれぞれを計測装置１００ｉ内に順次搬入することとしても良い。例えば、ロボット５１６、搬送部材５２４及び搬送部材５２６等を制御する計測システム制御装置５３０の管理の下、所定のＦＯＵＰ５２０内の１ロットのウエハを、ロボット５１６によって順次取り出し、搬送部材５２４によって、計測装置１００ｉとの所定の受け渡し位置まで搬送することとしても良い。この場合、図１０のフローチャートに対応する処理アルゴリズムがスタートするのは、計測システム制御装置５３０によって制御装置６０ｉ及びロボット５１６に搬送開始の指令がなされたときとなる。
【０１１３】
なお、露光装置２００と計測システム５００が接続されている場合には、露光装置２００の露光制御装置２２０から、ホストコンピュータ２０００を介さずに、計測システム制御装置５３０に計測開始が指示されても良い。
【０１１４】
なお、計測装置１００ｉは、バーコードリーダ（不図示）を備えており、ウエハ搬送系７０ｉ（図９参照）によるウエハの搬送中に、バーコードリーダにより、各ウエハの識別情報、例えばウエハ番号、ロット番号などの読み取りが適宜行われる。以下では、説明の簡略化のため、バーコードリーダを用いた各ウエハの識別情報の読み取りに関する説明は省略する。なお、計測装置１００ｉのそれぞれが、バーコードリーダを備えていなくても良い。例えば、搬送システム５２１にバーコードリーダを配置しても良い。
【０１１５】
まず、ステップＳ１０２でロット内のウエハの番号を示すカウンタのカウント値ｉを１に初期化する（ｉ←１）。
【０１１６】
次のステップＳ１０４で、ウエハＷを、スライダ１０上にロードする。このウエハＷのロードは、制御装置６０ｉの管理の下、ウエハ搬送系７０ｉとスライダ１０上の上下動部材とによって行われる。具体的には、ウエハ搬送系７０ｉによりウエハＷがウエハキャリア（又は受け渡し位置）からローディングポジションにあるスライダ１０の上方に搬送され、駆動装置１３により上下動部材が所定量上昇駆動されることで、ウエハＷが上下動部材に渡される。そして、ウエハ搬送系７０ｉがスライダ１０の上方から退避した後、駆動装置１３により上下動部材が下降駆動されることで、ウエハＷがスライダ１０上のウエハホルダＷＨ上に載置される。そして、バキュームポンプ１１がオンにされ、スライダ１０上にロードされたウエハＷがウエハホルダＷＨで真空吸着される。なお、計測装置１００ｉのよる計測処理と並行して１ロットに含まれる複数のウエハのそれぞれを計測装置１００ｉ内に順次搬入する場合、上記のウエハのロードに先立って、ロボット５１６によって、所定のＦＯＵＰ５２０内の複数のウエハが、１枚ずつロボット５１６によって順次取り出され、ロボット５１６から搬送部材５２４に渡され、搬送部材５２４によって計測装置１００ｉとの所定の受け渡し位置まで搬送され、ウエハ搬送系７０ｉに渡されることになる。
【０１１７】
次のステップＳ１０６では、ウエハＷのＺ軸方向の位置（Ｚ位置）を調整する。このＺ位置の調整に先立って、制御装置６０ｉにより、第２位置計測システム５０によって計測されるマーク検出系ＭＤＳと定盤１２とのＺ軸方向、θｙ方向、θｘ方向に関する相対的な位置情報に基づいて、３つの除振装置１４のエアマウントの内圧（除振装置１４が発生するＺ軸方向の駆動力）が制御され、定盤１２は、その上面が、ＸＹ平面に平行になり、Ｚ位置が所定の基準位置となるように設定されている。ウエハＷは厚さが一様であると考えられる。したがって、ステップＳ１０６では、制御装置６０ｉは、メモリ内のウエハＷの厚さ情報に基づいて、マーク検出系ＭＤＳによるオートフォーカス機能により光学系の焦点位置を調整可能な範囲にウエハＷ表面が設定されるように、３つの除振装置１４が発生するＺ軸方向の駆動力、例えばエアマウントの内圧（圧縮空気の量）を調整して、定盤１２をＺ軸方向に駆動し、ウエハＷ表面のＺ位置を調整する。なお、計測ユニット４０が焦点位置検出系を備えている場合には、制御装置６０ｉは、焦点位置検出系の検出結果（出力）に基づいてウエハ表面のＺ位置調整を行うこととしても良い。例えば、マーク検出系ＭＤＳが、先端部の光学素子（対物光学素子）を介してウエハＷ表面のＺ軸方向の位置を検出する焦点位置検出系を備えていても良い。また、焦点位置検出系の検出結果に基づくウエハＷの表面のＺ位置の調整は、除振装置１４を使って定盤１２を動かして、定盤１２とともにスライダ１０を動かすことによって行なうことができる。なお、スライダ１０を、ＸＹ平面内の方向のみならず、Ｚ軸方向、θｘ方向及びθｙ方向にも駆動可能な構成の駆動システム２０を採用し、その駆動システム２０を使ってスライダ１０を動かしても良い。なお、ウエハ表面のＺ位置調整は、ウエハ表面の傾斜調整を含んでいても良い。ウエハ表面の傾斜を調整するために駆動システム２０を用いることによって、グレーティングＲＧ１の配置面とウエハＷの表面とのＺ位置の差ΔＺに起因する誤差（一種のアッベ誤差）が生じる可能性がある場合には、上述したような対策の少なくとも１つを実行すれば良い。
【０１１８】
次のステップＳ１０８では、ウエハＷのサーチアライメントを行う。具体的には、例えば、ウエハＷ中心に関してほぼ対称に周辺部に位置する少なくとも２つのサーチマークをマーク検出系ＭＤＳを用いて検出する。制御装置６０ｉは、駆動システム２０によるスライダ１０の駆動を制御して、それぞれのサーチマークをマーク検出系ＭＤＳの検出領域（検出視野）内に位置決めしつつ、第１位置計測システム３０による計測情報及び第２位置計測システム５０による計測情報を取得し、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷに形成されたサーチマークを検出した時の検出信号と、第１位置計測システム３０による計測情報（及び第２位置計測システム５０による計測情報）とに基づいて、各サーチマークの位置情報を求める。
【０１１９】
より具体的には、制御装置６０ｉは、信号処理装置４９から出力されるマーク検出系ＭＤＳの検出結果（検出信号から求まるマーク検出系ＭＤＳの検出中心（指標中心）と各サーチマークとの相対位置関係）と、各サーチマーク検出時の第１位置計測システム３０の計測値（及び第２位置計測システム５０の計測値と）に基づいて、２つのサーチマークの基準座標系上の位置座標を求める。すなわち、制御装置６０ｉは、マーク検出系ＭＤＳの検出信号から求まるマーク検出系ＭＤＳの検出中心（指標中心）と各サーチマークとの相対位置関係、各サーチマーク検出時の第１位置計測システム３０の計測値、及び第２位置計測システム５０の計測値に基づいて、２つのサーチマークの基準座標系上の位置座標を求める。ここで、基準座標系は、第１位置計測システム３０の測長軸によって規定される直交座標系である。
【０１２０】
しかる後、２つのサーチマークの位置座標からウエハＷの残留回転誤差を算出し、この回転誤差がほぼ零となるようにスライダ１０を微小回転させる。これにより、ウエハＷのサーチアライメントが終了する。なお、ウエハＷは、実際にはプリアライメントが行われた状態でスライダ１０上にロードされるので、ウエハＷの中心位置ずれは無視できるほど小さく、残留回転誤差は非常に小さい。
【０１２１】
次のステップＳ１１０では、設定された計測モードがＡモードであるか否かを判断する。そして、このステップＳ１１０における判断が肯定された場合、すなわちＡモードが設定されている場合には、ステップＳ１１２に進む。
【０１２２】
ステップＳ１１２では、全ウエハに対するアライメント計測（全ショット１点計測、言い換えれば、全ショットＥＧＡ計測）、すなわち９８個のショットのそれぞれについて、１つのウエハマークを計測する。具体的には、制御装置６０ｉは、前述したサーチアライメント時における各サーチマークの位置座標の計測と同様にして、ウエハＷ上のウエハマークの基準座標系上における位置座標、すなわち、ショットの位置座標を求める。ただし、この場合、サーチアライメント時とは異なり、ショットの位置座標の算出に際しては、第２位置計測システム５０の計測情報を、必ず用いる。その理由は、前述したように、制御装置６０ｉにより、第２位置計測システム５０の計測情報に基づいて、第１位置計測システム３０の検出点が、マーク検出系ＭＤＳの検出中心とＸＹ平面内の位置が例えばｎｍレベルで一致し、かつスライダ１０上のウエハＷの表面がマーク検出系ＭＤＳの検出位置に一致するように、３つの除振装置１４のアクチュエータがリアルタイムで制御されている。しかし、ウエハマークの検出時において、第１位置計測システム３０の検出点が、マーク検出系ＭＤＳの検出中心とＸＹ平面内の位置が例えばｎｍレベルで一致している補償はないので、両者の位置ずれ量をオフセットとして考慮して、ショットの位置座標を算出する必要があるからである。例えば、上記オフセットを用いて、マーク検出系ＭＤＳの検出結果又は第１位置計測システム３０の計測値を補正することで、算出されるウエハＷ上のウエハマークの基準座標系上における位置座標を補正することができる。
【０１２３】
ここで、この全ショット１点計測に際して、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０の計測情報及び第２位置計測システム５０の計測情報に基づいて、スライダ１０（ウエハＷ）を、駆動システム２０を介してＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方の方向に移動し、ウエハマークを、マーク検出系ＭＤＳの検出領域内に位置決めする。すなわち、ステップ・アンド・リピート方式でスライダ１０をＸＹ平面内でマーク検出系ＭＤＳに対して移動して、全ショット１点計測が行われる。
【０１２４】
なお、計測ユニット４０が焦点位置検出系を備えている場合には、ステップＳ１０６での説明と同様に、制御装置６０ｉは、焦点位置検出系の検出結果（出力）に基づいてウエハ表面のＺ位置の調整を行っても良い。
【０１２５】
ステップＳ１１２の全ウエハに対するアライメント計測（全ショット１点計測）に際して、スライダ１０がＸＹ平面内で移動されると、その移動に伴い、定盤１２に偏荷重が作用するが、本実施形態では、制御装置６０ｉが、第１位置計測システム３０の計測情報に含まれるスライダのＸ、Ｙ座標位置に応じて、偏荷重の影響が相殺されるように３つの除振装置１４を個別にフィードフォワード制御し、それぞれの除振装置１４が発生するＺ軸方向の駆動力を個別に制御する。なお、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０の計測情報を用いることなく、スライダ１０の既知の移動経路の情報に基づいて、定盤１２に作用する偏荷重を予測し、偏荷重の影響が相殺されるように３つの除振装置１４を個別にフィードフォワード制御しても良い。また、本実施形態では、ウエハホルダＷＨのウエハ保持面（ピンチャックの多数のピンの上端面で規定される面）の凹凸の情報（以下、ホルダフラットネス情報と呼ばれる）は、予め実験等で求められているので、アライメント計測（例えば全ショット１点計測）に際して、スライダ１０を移動する際に、制御装置６０ｉは、そのホルダフラットネス情報に基づいて、ウエハＷ表面の計測対象のウエハマークを含む領域が、マーク検出系ＭＤＳの光学系の焦点深度の範囲内に迅速に位置するように、３つの除振装置１４をフィードフォワード制御することで、定盤１２のＺ位置を微調整する。なお、上述の定盤１２に作用する偏荷重の影響を相殺するためのフィードフォワード制御及びホルダフラットネス情報に基づくフィードフォワード制御のいずれか一方、又は両方は実行しなくても良い。
【０１２６】
なお、マーク検出系ＭＤＳの倍率の調整が可能である場合には、サーチアライメントに際しては、低倍率に設定し、アライメント計測に際しては、高倍率に設定することにしても良い。また、スライダ１０上にロードされたウエハＷの中心位置ずれ、及び残留回転誤差が無視できるほど小さい場合には、ステップＳ１０８を省いても良い。
【０１２７】
ステップＳ１１２における全ショット１点計測において、後述するＥＧＡ演算で用いられる、基準座標系におけるサンプルショット領域（サンプルショット）の位置座標の実測値が検出されることとなる。サンプルショットとは、ウエハＷ上の全てのショットのうち、後述するＥＧＡ演算で用いられるものとして、予め定められた特定の複数（少なくとも３つ）のショットを指す。なお、全ショット１点計測では、ウエハＷ上の全ショットがサンプルショットとなる。ステップＳ１１２の後、ステップＳ１２４に進む。
【０１２８】
この一方、ステップＳ１１０における判断が否定された場合、すなわちＢモードが設定されている場合には、ステップＳ１１４に移行し、カウント値ｉが所定数Ｋ（Ｋは、１＜Ｋ＜Ｉを満足する自然数で、予め定められた数、例えば４である）より小さいか否かを判断する。なお、カウント値ｉは、後述するステップＳ１２８でインクリメントされる。そして、このステップＳ１１４における判断が肯定された場合には、ステップＳ１２０に移行し、全ショット多点計測を行う。ここで、全ショット多点計測とは、ウエハＷ上の全てのショットについて、それぞれ複数のウエハマークを計測することを意味する。計測対象となる複数のウエハマークは、予め定められている。例えば、ショットの形状（理想格子からの形状誤差）を統計演算により求めることができる配置の複数のウエハマークを計測対象としても良い。計測の手順は、計測対象のマークの数が異なる点を除いて、ステップＳ１１２における全ショット１点計測の場合と同様であるので、詳細説明は省略する。ステップＳ１２０の後、ステップＳ１２４に移行する。
【０１２９】
一方、ステップＳ１１４における判断が否定された場合には、ステップＳ１１６に移行し、カウント値ｉがＫ＋１より小さいか否かを判断する。ここで、このステップＳ１１６における判断が肯定されるのは、カウント値ｉがｉ≧Ｋかつｉ＜ｋ＋１の場合であるから、ｉ＝Ｋの場合となる。
【０１３０】
ステップＳ１１６の判断が肯定された場合には、ステップＳ１１８に進み、それまでに計測が行われたＫ−１枚（例えばＫ＝４の場合は３枚）のウエハＷに対するウエハマークの検出結果に基づいて、ショット毎に計測対象とすべきウエハマークを決定する。具体的には、ショット毎に、１つのウエハマークの検出で十分か、複数のウエハマークを検出すべきかを決定する。後者の場合、どのウエハマークを検出対象とするかも決定する。例えば、ショット毎に複数のウエハマークそれぞれの実測位置と設計位置との差（絶対値）を求め、その差の最大値と最小値との差が、ある閾値を超えるか否かで、ショット毎に、複数のウエハマークを検出すべきか、１つのウエハマークの検出で十分か、を決定する。前者の場合、例えば実測位置と設計位置との差（絶対値）が最大となるウエハマークと最小となるウエハマークが含まれるように、検出すべきウエハマークが決定される。ステップＳ１１８の後、ステップＳ１２２に進む。
【０１３１】
一方、ステップＳ１１６における判断が否定された場合には、ステップＳ１２２に移行する。ここで、ステップＳ１１６における判断が否定されるのは、カウント値ｉが、Ｋ＋１≦ｉを満たす場合であり、必ず、その前に、カウント値ｉ＝ＫとなってステップＳ１１８でショット毎に計測対象とすべきウエハマークが決定されている。
【０１３２】
ステップＳ１２２では、ステップＳ１１８でショット毎に決定された計測対象とすべきウエハマークを計測する。計測の手順は、計測対象のマークの数が異なる点を除いて、ステップＳ１１２における全ショット１点計測の場合と同様であるので、詳細説明は省略する。ステップＳ１２２の後、ステップＳ１２４に移行する。
【０１３３】
これまでの説明からわかるように、Ｂモードの場合、ロット内の第１枚目から第Ｋ−１枚目（例えば第３枚目）までのウエハに対しては、全ショット多点計測が行われ、Ｋ枚目（例えば第４枚目）から第Ｉ枚目（例えば第２５枚目）までのウエハに対しては、最初のＫ−１枚（例えば３枚）のウエハの全ショット多点計測の結果に基づいて、ショット毎に決定されたウエハマークの計測が行われることとなる。
【０１３４】
ステップＳ１２４では、ステップＳ１１２、ステップＳ１２０及びステップＳ１２２のいずれかのステップで計測したウエハマークの位置情報を用いて、ＥＧＡ演算を行う。ＥＧＡ演算とは、上述のウエハマークの計測（ＥＧＡ計測）の後、サンプルショットの位置座標の設計値と実測値との差のデータに基づいて、最小二乗法等の統計演算を用いて、ショットの位置座標と、そのショットの位置座標の補正量との関係を表現するモデル式の係数を求める統計演算を意味する。
【０１３５】
本実施形態では、一例として、次のモデル式が、ショットの位置座標の設計値からの補正量の算出に用いられる。
【０１３６】
【数１】
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【０１３７】
ここで、ｄｘ、ｄｙは、ショットの位置座標の設計値からのＸ軸方向，Ｙ軸方向の補正量であり、Ｘ、Ｙは、ウエハＷの中心を原点とするウエハ座標系におけるショットの設計上の位置座標である。すなわち、上記式（１）は、ウエハの中心を原点とするウエハ座標系における各ショットの設計上の位置座標Ｘ、Ｙに関する多項式であり、その位置座標Ｘ、Ｙと、そのショットの位置座標の補正量（アライメント補正成分）ｄｘ、ｄｙとの関係を表現するモデル式となっている。なお、本実施形態では、前述したサーチアライメントにより、基準座標系とウエハ座標系との回転がキャンセルされるため、以下では、基準座標系と、ウエハ座標系を特に区別せず、すべて基準座標系であるものとして説明する。
【０１３８】
モデル式（１）を用いれば、ウエハＷのショットの位置座標Ｘ，Ｙから、そのショットの位置座標の補正量を求めることができる。ただし、この補正量を算出するためには、係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を求める必要がある。ＥＧＡ計測の後、そのサンプルショットの位置座標の設計値と実測値との差のデータに基づいて、最小二乗法等の統計演算を用いて、上記式（１）の係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を求める。
【０１３９】
モデル式（１）の係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を決定後、係数決定後のモデル式（１）にウエハ座標系における各ショット（区画領域）の設計上の位置座標Ｘ、Ｙを代入して、各ショットの位置座標の補正量ｄｘ、ｄｙを求めることで、ウエハＷ上の複数のショット（区画領域）の真の配列（変形成分として、線形成分のみならず、非線形成分まで含む）を求めることができる。
【０１４０】
ところで、既に露光が行われたウエハＷの場合、それまでのプロセスの影響により、計測結果として得られる検出信号の波形が、全てのウエハマークについて良好であるとは限らない。かかる計測結果（検出信号の波形）が不良なウエハマークの位置を、上記のＥＧＡ演算に含めると、その計測結果（検出信号の波形）が不良なウエハマークの位置誤差が、係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…の算出結果に悪影響を与える。
【０１４１】
そこで、本実施形態では、信号処理装置４９が、計測結果が良好なウエハマークの計測結果のみを、制御装置６０ｉに送り、制御装置６０ｉは、計測結果を受信した全てのウエハマークの位置を用いて、上述のＥＧＡ演算を実行するようになっている。なお、上記式（１）の多項式の次数に特に制限はない。制御装置６０ｉは、ＥＧＡ演算の結果を、ウエハの識別情報（例えばウエハ番号、ロット番号）に対応づけて、アライメント履歴データファイルとして、内部又は外部の記憶装置に記憶する。なお、アライメント履歴データファイルに、ＥＧＡ演算の結果以外の情報（例えば、ＥＧＡ演算に用いられたマークの情報）が含まれても良い。
【０１４２】
ステップＳ１２４のＥＧＡ演算が終了すると、ステップＳ１２６に進み、ウエハＷをスライダ１０上からアンロードする。このアンロードは、制御装置６０ｉの管理の下、ステップＳ１０４におけるロードの手順と逆の手順で、ウエハ搬送系７０ｉとスライダ１０上の上下動部材とによって行われる。なお、計測装置１００ｉのよる計測処理と並行して１ロットのウエハのそれぞれを計測装置１００ｉ内に順次搬入し、計測装置１００ｉから順次搬出する場合、計測を終えたウエハＷは、ウエハ搬送系７０ｉによって搬送部材５２６に渡され、搬送部材５２６によって前述のアンロード側ウエハ受け渡し位置まで搬送された後、ロボット５１６によって所定のＦＯＰＵ５２０内に戻されることとなる。
【０１４３】
次のステップＳ１２８では、カウンタのカウント値ｉを１インクリメント（ｉ←ｉ＋１）した後、ステップＳ１３０に進んで、カウント値ｉがロット内のウエハの総数Ｉより大きいか否かを判断する。そして、このステップＳ１３０における判断が否定された場合には、ロット内の全てのウエハに対する処理が終了していないと判断して、ステップＳ１０４に戻り、以降ステップＳ１３０における判断が肯定されるまで、ステップＳ１０４〜ステップＳ１３０までの処理（判断を含む）を繰り返す。
【０１４４】
そして、ステップＳ１３０における判断が肯定されると、ロット内の全てのウエハに対して処理が終了したと判断して、本ルーチンの一連の処理を終了する。
【０１４５】
これまでの説明からわかるように、計測装置１００ｉによると、アライメント計測に際し、ウエハＷ上のＩ個（例えば９８個）のショットのそれぞれについて、少なくとも各１つのウエハマークの位置情報（座標位置情報）が計測され、この位置情報を用い、最小二乗法等の統計演算により、上記式（１）の係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…が求められる。したがって、ウエハグリッドの変形成分を、線形成分のみならず、非線形成分まで、正確に求めることが可能になる。ここで、ウエハグリッドとは、ショットマップ（ウエハＷ上に形成されたショットの配列に関するデータ）に従って配列されたウエハＷ上のショットの中心を結んで形成される格子を意味する。ショットの位置座標の補正量（アライメント補正成分）ｄｘ、ｄｙを、複数のショットについて求めることは、ウエハグリッドの変形成分を求めることに他ならない。なお、本明細書では、ウエハグリッドを「グリッド」と略記し、あるいは「ショット領域（又はショット）の配列」とも記述している。
【０１４６】
本実施形態に係る計測システム５００では、３台の計測装置１００１〜１００３によって、前述したフローチャートに沿った計測処理を、並行して行なうことができる。すなわち、計測装置１００１〜１００３によって、ウエハキャリア内に収納された各１ロットのウエハ、合計３ロットのウエハに対して、実質的に１ロットのウエハに対する計測処理時間で、各ウエハの全てのショットに対して少なくとも１つのウエハマークの位置計測が可能となり、ウエハグリッドの変形成分を、線形成分のみならず、非線形成分まで、正確に求めることが可能になる。なお、計測処理と並行して、各計測装置１００ｉに対するウエハの搬入及び各計測装置１００ｉからの計測済みのウエハの搬出を行う場合にも、３つのロードポート５１４のそれぞれに搬入された３つのＦＯＵＰ５２０内部の各１ロット、合計３ロットのウエハに対して、並行して処理をおこなうことができ、３ロットのウエハに対して、実質的に１ロットのウエハに対する処理時間で、各ウエハの全てのショットに対して少なくとも１つのウエハマークの位置計測が可能となり、ウエハグリッドの変形成分を、線形成分のみならず、非線形成分まで、正確に求めることが可能になる。
【０１４７】
求められた各ウエハのウエハグリッドの情報、例えば、求められた各ウエハのウエハグリッドの変形成分のデータ（係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を決定後のモデル式（１）のデータ）は、計測装置１００ｉの制御装置６０ｉによって、各ウエハのアライメント履歴データファイルの一部として、計測システム制御装置５３０に送信される。計測システム制御装置５３０は、受信した各ウエハのウエハグリッドの情報、例えば受信した各ウエハのウエハグリッドの変形成分のデータ（係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を決定後のモデル式（１）のデータ）を含むアライメント履歴データファイルを、例えばウエハ毎に内部の記憶装置に記憶する。
【０１４８】
計測システム制御装置５３０は、１ロットに含まれるすべてのウエハの計測が終了すると、そのロットに含まれる複数のウエハそれぞれの、ウエハグリッドの情報（アライメント履歴データファイル）をホストコンピュータ２０００に送信する。言うまでもないが、計測システム５００から送信されるウエハグリッドの情報（アライメント履歴データファイル）には、ウエハグリッドの非線形成分のデータも含まれている。
【０１４９】
なお、計測装置１００ｉの制御装置６０ｉを、ＬＡＮ１５００を介してホストコンピュータ２０００に接続し、ウエハグリッドの情報（アライメント履歴データファイル）を、計測システム制御装置５３０を介さずに制御装置６０ｉからホストコンピュータ２０００に送信しても良い。
【０１５０】
また、上記実施形態においては、計測システム５００からウエハグリッドの情報を、送信（出力）するようにしているが、計測システムから送信される情報（データ）は、これに限られず、例えば計測装置１００ｉで計測された複数のウエハマークの座標位置情報を、各ウエハのアライメント履歴データの少なくとも一部として、送信（出力）するようにしても良い。
【０１５１】
基板処理システム１０００の一部を構成する露光装置２００は、一例としてステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（スキャナ）である。図１１には、露光装置２００のチャンバ内の構成部分が一部省略して示されている。
【０１５２】
露光装置２００は、図１１に示されるように、照明系ＩＯＰ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲに形成されたパターンの像を感応剤（レジスト）が塗布されたウエハＷ上に投影する投影ユニットＰＵ、ウエハＷを保持してＸＹ平面内を移動するウエハステージＷＳＴ、及びこれらの制御系等を備えている。露光装置２００は、前述のマーク検出系ＭＤＳの光軸ＡＸ１と平行なＺ軸方向の光軸ＡＸを有する投影光学系ＰＬを備えている。
【０１５３】
照明系ＩＯＰは、光源、及び光源に送光光学系を介して接続された照明光学系を含み、レチクルブラインド（マスキングシステム）で設定（制限）されたレチクルＲ上でＸ軸方向（図１１における紙面直交方向）に細長く伸びるスリット状の照明領域ＩＡＲを、照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。照明系ＩＯＰの構成は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されている。ここで、照明光ＩＬとして、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。
【０１５４】
レチクルステージＲＳＴは、照明系ＩＯＰの図１１における下方に配置されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系２１１（図１１では不図示、図１２参照）によって、不図示のレチクルステージ定盤上を、水平面（ＸＹ平面）内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（図１１における紙面内左右方向であるＹ軸方向）に所定ストローク範囲で駆動可能となっている。
【０１５５】
レチクルステージＲＳＴ上には、−Ｚ側の面（パターン面）にパターン領域と、該パターン領域との位置関係が既知の複数のマークと、が形成されたレチクルＲが載置されている。レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）２１４によって、移動鏡２１２（又はレチクルステージＲＳＴの端面に形成された反射面）を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。レチクル干渉計２１４の計測情報は、露光制御装置２２０（図１２参照）に供給される。なお、上述したレチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置情報は、レチクルレーザ干渉計２１４に代えて、エンコーダにより計測を行っても良い。
【０１５６】
投影ユニットＰＵは、レチクルステージＲＳＴの図１１における下方に配置されている。投影ユニットＰＵは、鏡筒２４０と、鏡筒２４０内に保持された投影光学系ＰＬとを含む。投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率（例えば１／４倍、１／５倍又は１／８倍など）を有する。レチクルＲは、投影光学系ＰＬの第１面（物体面）とパターン面がほぼ一致するように配置され、表面にレジスト（感応剤）が塗布されたウエハＷは、投影光学系ＰＬの第２面（像面）側に配置される。このため、照明系ＩＯＰからの照明光ＩＬによってレチクルＲ上の照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、その照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が、投影光学系ＰＬを介して、照明領域ＩＡＲに共役なウエハＷ上の領域（以下、露光領域とも呼ぶ）ＩＡに形成される。そして、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの同期駆動によって、照明領域ＩＡＲ（照明光ＩＬ）に対してレチクルＲを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させるとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対してウエハＷを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させることで、ウエハＷ上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルＲのパターンが転写される。
【０１５７】
投影光学系ＰＬとしては、一例としてＺ軸方向と平行な光軸ＡＸに沿って配列される複数枚、例えば１０〜２０枚程度の屈折光学素子（レンズ素子）のみから成る屈折系が用いられている。この投影光学系ＰＬを構成する複数枚のレンズ素子のうち、物体面側（レチクルＲ側）の複数枚のレンズ素子は、不図示の駆動素子、例えばピエゾ素子などによって、Ｚ軸方向（投影光学系ＰＬの光軸方向）にシフト駆動、及びＸＹ面に対する傾斜方向（すなわちθｘ方向及びθｙ方向）に駆動可能な可動レンズとなっている。そして、結像特性補正コントローラ２４８（図１１では不図示、図１２参照）が、露光制御装置２２０からの指示に基づき、各駆動素子に対する印加電圧を独立して調整することにより、各可動レンズが個別に駆動され、投影光学系ＰＬの種々の結像特性（倍率、歪曲収差、非点収差、コマ収差、像面湾曲など）が調整されるようになっている。なお、可動レンズの移動に代えて、あるいはこれに加えて、鏡筒２４０の内部の隣接する特定のレンズ素子間に気密室を設け、該気密室内の気体の圧力を結像特性補正コントローラ２４８が制御する構成にしても良いし、照明光ＩＬの中心波長を結像特性補正コントローラ２４８がシフトできる構成を採用しても良い。これらの構成によっても、投影光学系ＰＬの結像特性の調整が可能である。
【０１５８】
ウエハステージＷＳＴは、平面モータ又はリニアモータ等を含むステージ駆動系２２４（図１１では、便宜上ブロックにて示されている）によって、ウエハステージ定盤２２２上をＸ軸方向、Ｙ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸方向、θｘ方向、θｙ方向、及びθｚ方向に微小駆動される。ウエハステージＷＳＴ上に、ウエハＷが、ウエハホルダ（不図示）を介して真空吸着等によって保持されている。本実施形態では、ウエハホルダは、３００ｍｍウエハを吸着保持することができるものとする。なお、ウエハステージＷＳＴに代えて、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に移動する第１ステージと、該第１ステージ上でＺ軸方向、θｘ方向及びθｙ方向に微動する第２ステージとを備える、ステージ装置を用いることもできる。なお、ウエハステージＷＳＴとウエハステージＷＳＴのウエハホルダのいずれか一方、又は両方を、「第２基板保持部材」と呼んでも良い。
【０１５９】
ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報（回転情報（ヨーイング量（θｚ方向の回転量θｚ）、ピッチング量（θｘ方向の回転量θｘ）、ローリング量（θｙ方向の回転量θｙ））を含む）は、レーザ干渉計システム(以下、干渉計システムと略記する)２１８によって、移動鏡２１６（又はウエハステージＷＳＴの端面に形成された反射面）を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。なお、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報は、干渉計システム２１８に代えて、エンコーダシステムにより計測を行っても良い。
【０１６０】
干渉計システム２１８の計測情報は、露光制御装置２２０に供給される（図１２参照）。露光制御装置２２０は、干渉計システム２１８の計測情報に基づいて、ステージ駆動系２２４を介してウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置（θｚ方向の回転を含む）を制御する。
【０１６１】
また、図１１では図示が省略されているが、ウエハＷの表面のＺ軸方向の位置及び傾斜量は、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサＡＦＳ（図１２参照）によって計測される。このフォーカスセンサＡＦＳの計測情報も露光制御装置２２０に供給される（図１２参照）。
【０１６２】
また、ウエハステージＷＳＴ上には、その表面がウエハＷの表面と同じ高さである基準板ＦＰが固定されている。この基準板ＦＰの表面には、アライメント検出系ＡＳのベースライン計測等に用いられる第１基準マーク、及び後述するレチクルアライメント検出系で検出される一対の第２基準マークなどが形成されている。
【０１６３】
投影ユニットＰＵの鏡筒２４０の側面には、ウエハＷに形成されたアライメントマーク又は第１基準マークを検出するアライメント検出系ＡＳが設けられている。アライメント検出系ＡＳとして、一例としてハロゲンランプ等のブロードバンド（広帯域）光でマークを照明し、このマークの画像を画像処理することによってマーク位置を計測する画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。なお、画像処理方式のアライメント検出系ＡＳに代えて、あるいはアライメント検出系ＡＳとともに、回折光干渉型のアライメント系を用いても良い。
【０１６４】
露光装置２００では、さらに、レチクルステージＲＳＴの上方に、レチクルステージＲＳＴに載置されたレチクルＲ上の同一Ｙ位置にある一対のレチクルマークを同時に検出可能な一対のレチクルアライメント検出系２１３（図１１では不図示、図１２参照）がＸ軸方向に所定距離隔てて設けられている。レチクルアライメント検出系２１３によるマークの検出結果は、露光制御装置２２０に供給されている。
【０１６５】
図１２には、露光制御装置２２０の入出力関係がブロック図にて示されている。図１２に示されるように、露光装置２００は、上記構成各部の他、露光制御装置２２０に接続された、ウエハを搬送するウエハ搬送系２７０等を備えている。露光制御装置２２０は、マイクロコンピュータ又はワークステーション等を含み、上記構成各部を含む装置全体を統括的に制御する。ウエハ搬送系２７０は、例えば水平多関節型ロボットから成る。
【０１６６】
図１に戻り、Ｃ／Ｄ３００は、図示は省略されているが、例えばウエハに対する感応剤（レジスト）の塗布を行う塗布部と、ウエハの現像が可能な現像部と、プリベーク（ＰＢ）及び現像前ベーク（post-exposure bake：ＰＥＢ）を行うベーク部と、ウエハ搬送系（以下、便宜上、Ｃ／Ｄ内搬送系と呼ぶ）と、を備えている。Ｃ／Ｄ３００は、さらに、ウエハを温調できる温調部３３０を備えている。温調部３３０は、通常、冷却部であり、例えばクールプレートと呼ばれる平坦なプレート（温調装置）を備えている。クールプレートは、例えば冷却水の循環等により冷却される。この他、ペルチェ効果による電子冷却を利用する場合もある。
【０１６７】
重ね合わせ計測器４００は、Ｃ／Ｄ３００で現像が終了したウエハＷ上に各ショットとともに形成された重ね合わせ計測マーク（レジストレーションマーク）を構成する下層の露光の際に転写された第１マークと現行層の露光の際に転写された第２マークそれぞれの像（レジスト像）の相対的な位置関係を計測することで、重ね合わせずれを計測する。ここで、第１マーク像と対応する第２マーク像との組として、例えば外ボックスマークとこの内側に配置された内ボックスマークとから成るボックス・イン・ボックスマークのレジスト像などを用いることができる。
【０１６８】
解析装置３０００は、ホストコンピュータ２０００からの指示に応じて、種々の解析、演算を行う。一例を挙げれば、解析装置３０００は、例えば重ね合わせ計測器４００からの重ね合わせずれの計測結果に基づいて、所定のプログラムに従った演算を行なって、露光装置２００にフィードバックするための補正値を算出する。
【０１６９】
本実施形態に係る基板処理システム１０００では、計測装置１００ｉと同様、露光装置２００及びＣ／Ｄ３００は、いずれもバーコードリーダ（不図示）を備えており、ウエハ搬送系２７０（図１２参照）及びＣ／Ｄ内搬送系（不図示）のそれぞれによるウエハの搬送中に、バーコードリーダにより、各ウエハの識別情報、例えばウエハ番号、ロット番号などの読み取りが適宜行われる。以下では、説明の簡略化のため、バーコードリーダを用いた各ウエハの識別情報の読み取りに関する説明は省略する。
【０１７０】
基板処理システム１０００では、計測システム５００と、露光装置２００及びＣ／Ｄ３００を含むリソグラフィシステムとのそれぞれにより、多数のウエハが連続して処理される。基板処理システム１０００では、計測システム５００による前述した計測対象のウエハに対する前述した計測処理と、計測システム５００による計測が終了したウエハに対するリソグラフィシステムによる処理と、は、互いに独立して行われる。このため、計測システム５００による計測が終了したウエハに対してリソグラフィシステムによる処理が行われるという制約はあるが、基板処理システム全体としてのスループットが最大となるように、全体の処理シーケンスを定めることができる。
【０１７１】
以下、露光装置２００及びＣ／Ｄ３００を含むリソグラフィシステムにより、多数のウエハを連続的に処理する場合の動作の流れについて説明する。
【０１７２】
まず、Ｃ／Ｄ内搬送系（例えばスカラーロボット）により、Ｃ／Ｄ３００のチャンバ内に配置されたウエハキャリアから第１枚目のウエハ（Ｗ１とする）が取り出され、塗布部に搬入される。これにより、塗布部によりレジストの塗布が開始される。レジストの塗布が終了すると、Ｃ／Ｄ内搬送系は、ウエハＷ１を塗布部から取り出してベーク部に搬入する。これにより、ベーク部でウエハＷ１の加熱処理（ＰＢ）が開始される。そして、ウエハのＰＢが終了すると、Ｃ／Ｄ内搬送系により、ウエハＷ１がベーク部から取り出され温調部３３０内に搬入される。これにより、温調部３３０内部のクールプレートでウエハＷ１の冷却が開始される。この冷却は、露光装置２００内で影響のない温度、一般的には、例えば２０〜２５℃の範囲で定められる露光装置２００の空調系の目標温度を目標温度として行われる。通常、温調部３３０内に搬入された時点では、ウエハの温度は目標温度に対して±０．３［℃］の範囲内にあるが、温調部３３０により目標温度±１０［ｍＫ］の範囲に温調される。
【０１７３】
そして、温調部３３０内で冷却（温調）が終了すると、そのウエハＷ１は、Ｃ／Ｄ内搬送系により、Ｃ／Ｄ３００と露光装置２００との間に設けられた基板受け渡し部のロード側基板載置部に載置される。
【０１７４】
Ｃ／Ｄ３００内では、上記と同様の一連のウエハに対するレジスト塗布、ＰＢ、冷却、及びこれらの一連の処理に伴う上記のウエハの搬送動作が順次繰り返し行われ、ウエハが順次ロード側基板載置部に載置される。なお、実際には、Ｃ／Ｄ３００のチャンバ内に、塗布部及びＣ／Ｄ内搬送系をそれぞれ２つ以上設けることにより、複数枚のウエハに対する並行処理が可能であり、露光前処理に要する時間の短縮が可能になる。
【０１７５】
前述のロード側基板載置部に載置されたウエハＷ１は、ウエハ搬送系２７０により、露光装置２００内部の所定の待機位置まで搬送される。ただし、第１枚目のウエハＷ１は、待機位置で待機すること無く、直ちに露光制御装置２２０によって、ウエハステージＷＳＴ上にロードされる。このウエハのロードは、露光制御装置２２０により、前述した計測装置１００ｉで行われたと同様にして、ウエハステージＷＳＴ上の不図示の上下動部材とウエハ搬送系２７０とを用いて行われる。ロード後、ウエハステージＷＳＴ上のウエハに対して、アライメント検出系ＡＳを用いて前述と同様のサーチアライメント、及び例えば３〜１６程度のショットをアライメントショットとするＥＧＡ方式のウエハライメントが行われる。このＥＧＡ方式のウエハライメントに際し、露光装置２００の露光制御装置２２０には、露光装置２００におけるウエハアライメント及び露光の対象となるウエハ（対象ウエハ）の、アライメント履歴データファイルが、対象ウエハの識別情報（例えばウエハ番号、ロット番号）などとともにホストコンピュータ２０００から提供される。露光装置２００がホストコンピュータ２０００から取得したアライメント履歴データには、計測システム５００で計測された各ウエハのウエハグリッドの情報が含まれており、露光制御装置２２０は、所定の準備作業の後、取得したアライメント履歴データに含まれる計測モードの情報に応じて、後述するようなウエハアライメントを行う。なお、ホストコンピュータ２０００を介さずに、露光制御装置２２０と計測システム制御装置５３０とが、アライメント履歴データなどのやりとりを行っても良い。
【０１７６】
ここで、ウエハアライメントの具体的な説明に先立って、露光装置２００で、３〜１６程度のショットをアライメントショットとするＥＧＡ方式のウエハライメントが行われる理由について説明する。
【０１７７】
計測装置１００ｉにより求められたウエハＷのショットの位置座標の補正量（上記式（１）の係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…）は、例えば露光装置２００によりウエハＷを露光する際の露光位置に対するウエハの位置合わせに用いられる。しかるに、露光装置２００により計測装置１００ｉで位置座標の補正量が計測されたウエハＷは、前述したように計測装置１００ｉのスライダ１０からアンロードされた後、ＦＯＵＰ５２０内に収納され、そのＦＯＵＰ５２０が、ＯＨＴその他の搬送系により、Ｃ／Ｄ３００に搬入される。そして、そのウエハＷは、Ｃ／Ｄ３００によってレジストが塗布された後、露光のため、露光装置２００のウエハステージＷＳＴ上にロードされる。この場合において、スライダ１０上のウエハホルダＷＨと、露光装置２００のウエハステージＷＳＴ上のウエハホルダとは、仮に同一タイプのウエハホルダが用いられていたとしても、ウエハホルダの個体差によりウエハＷの保持状態が異なる。このため、せっかく、計測装置１００ｉでウエハＷのショットの位置座標の補正量（上記式（１）の係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…）を求めていても、その係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…の全てをそのまま用いることはできない。しかるに、ウエハホルダ毎にウエハＷの保持状態が異なることで影響を受けるのは、ショットの位置座標の補正量の１次以下の低次成分（線形成分）であり、２次以上の高次成分は殆ど影響を受けないものと考えられる。その理由は、２次以上の高次成分は、主としてプロセスに起因するウエハＷの変形に起因して生じる成分であると考えられ、ウエハホルダによるウエハの保持状態とは無関係な成分であると考えて差し支えないからである。
【０１７８】
かかる考えに基づけば、計測装置１００ｉにより、時間を掛けてウエハＷについて求めた高次成分の係数ａ３、ａ４、……、ａ９、……、及びｂ３、ｂ４、……、ｂ９、……は、露光装置２００でのウエハＷの位置座標の補正量の高次成分の係数としてもそのまま用いることが可能である。したがって、露光装置２００のウエハステージＷＳＴ上では、ウエハＷの位置座標の補正量の線形成分を求めるための簡易なＥＧＡ計測（例えば３〜１６個程度のウエハマークの計測）を行うだけで足りるのである。
【０１７９】
まず、対象ウエハのアライメント履歴データファイルにモードＡの情報が含まれている場合について説明する。この場合には、アライメント履歴データに含まれる、計測装置１００ｉによって位置情報が計測された（補正量の算出にマークの位置情報が用いられた）ウエハマークの中からアライメントショット数に対応する数のウエハマークを選択して、検出対象とし、その検出対象のウエハマークをアライメント検出系ＡＳを用いて検出し、その検出結果と検出時のウエハステージＷＳＴの位置（干渉計システム２１８による計測情報）とに基づいて、検出対象の各ウエハマークの位置情報を求め、その位置情報を用いて、ＥＧＡ演算を行い、次式（２）の各係数を求める。
【０１８０】
【数２】
2018038071.tif 000004
【０１８１】
そして、露光制御装置２２０は、ここで求めた係数（ｃ０、ｃ１、ｃ２、ｄ０、ｄ１、ｄ２）を、対象ウエハのウエハグリッドの変形成分のデータに含まれる係数（ａ０、ａ１、ａ２、ｂ０、ｂ１、ｂ２）と置き換え、置き換え後の係数を含む次式（３）で表されるウエハの中心を原点とするウエハ座標系における各ショットの設計上の位置座標Ｘ、Ｙに関する多項式を用いて、各ショットの位置座標の補正量（アライメント補正成分）ｄｘ、ｄｙを求め、この補正量に基づいて、ウエハグリッドを補正するための、各ショットの露光に際しての露光位置（レチクルパターンの投影位置）に対する位置合わせのための目標位置（以下、便宜上、位置決め目標位置と呼ぶ）を決定する。なお、本実施形態では、静止露光方式ではなく、走査露光方式で露光が行われるが、便宜上、位置決め目標位置と称している。
【０１８２】
【数３】
2018038071.tif 000005
【０１８３】
なお、露光装置２００でも、サーチアライメントにより、ウエハステージＷＳＴの移動を規定する基準座標系（ステージ座標系）とウエハ座標系との回転がキャンセルされるため、基準座標系とウエハ座標系を特に区別する必要はない。
【０１８４】
次に、対象ウエハのアライメント履歴データファイルにＢモードの情報が含まれている場合について説明する。この場合は、露光制御装置２２０は、上述のＡモードの情報が含まれている場合と同様の手順に従ってウエハグリッドを補正するための、各ショットの位置決め目標位置を決定する。ただし、この場合、アライメント履歴データには、いくつかのショットについての複数のウエハマークと、残りのショットについて各１つのウエハマークとのうち、検出信号が良好であったウエハマークが、補正量の算出にマークの位置情報が用いられたウエハマークとして含まれている。
【０１８５】
そこで、露光制御装置２２０は、上述の各ショットの位置決め目標位置の決定に加え、上記のいくつかのショットについての複数のウエハマークの中からショット形状を求めるのに必要な数のウエハマークを選択し、それらのウエハマークの位置情報（実測値）を用いて、例えば米国特許第６，８７６，９４６号明細書に開示されている［数７］のモデル式に最小自乗法を適用する統計演算（ショット内多点ＥＧＡ演算とも呼ばれる）を行い、ショット形状を求める。具体的には、上記米国特許第６，８７６，９４６号明細書に開示されている［数７］のモデル式中の１０個のパラメータのうち、チップローテーション（θ）、チップの直交度誤差（ｗ）、並びにｘ方向のチップスケーリング（ｒｘ）及びｙ方向のチップスケーリング（ｒｙ）を求める。なお、ショット内多点ＥＧＡ演算に関しては、上記米国特許に詳細に開示されているので、詳細説明は省略する。
【０１８６】
そして、露光制御装置２２０は、その位置決め目標位置に従ってウエハステージＷＳＴを位置制御しつつ、ウエハＷ１上の各ショットに対してステップ・アンド・スキャン方式で露光を行う。ここで、ショット内多点ＥＧＡ計測によりショット形状も求めていた場合には、走査露光中に、求めたショット形状に合わせてレチクルＲのパターンの投影光学系ＰＬによる投影像が変形するように、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの相対走査角度、走査速度比、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの少なくとも一方の投影光学系に対する相対位置、投影光学系ＰＬの結像特性（収差）、及び照明光（露光光）ＩＬの波長の少なくとも１つを、調整する。ここで、投影光学系ＰＬの結像特性（収差）の調整及び照明光ＩＬの中心波長の調整は、露光制御装置２２０により結像特性補正コントローラ２４８を介して行われる。
【０１８７】
そして、ウエハステージＷＳＴ上のウエハ（この場合ウエハＷ１）に対する露光が終了する前に、２枚目のウエハＷ２が、Ｃ／Ｄ内搬送系により基板受け渡し部のロード側基板載置部に載置され、ウエハ搬送系２７０により露光装置２００内部の所定の待機位置まで搬送され、その待機位置で待機することになる。
【０１８８】
そして、ウエハＷ１の露光が終了すると、ウエハステージ上でウエハＷ１とウエハＷ２とが交換され、交換後のウエハＷ２に対して、前述と同様のウエハアライメント及び露光が行われる。なお、ウエハＷ２の待機位置までの搬送が、ウエハステージ上のウエハ（この場合ウエハＷ１）に対する露光が終了するまでに終わらない場合には、ウエハステージが露光済みのウエハを保持したまま待機位置の近傍で待機することになる。
【０１８９】
上記の交換後のウエハＷ２に対するウエハアライメントと並行してウエハ搬送系２７０により露光済みのウエハＷ１が基板受け渡し部のアンロード側基板載置部に搬送される。
【０１９０】
前述の如くして、ウエハ搬送系２７０により、基板受け渡し部のアンロード側基板載置部に載置された露光済みのウエハは、Ｃ／Ｄ内搬送系によりベーク部内に搬入され、該ベーク部内のベーキング装置によりＰＥＢが行われる。ベーク部内には、複数枚のウエハを同時に収容可能である。
【０１９１】
一方、ＰＥＢが終了したウエハは、Ｃ／Ｄ内搬送系によりベーク部から取り出され、現像部内に搬入され、該現像部内の現像装置により現像が開始される。
【０１９２】
そして、ウエハの現像が終了すると、そのウエハは、Ｃ／Ｄ内搬送系により現像部から取り出され、搬入時に用いられたＦＯＵＰ５２０又はこれとは異なるウエハキャリア内の所定の収納段に搬入される。以降、Ｃ／Ｄ３００内では、露光済みの第２枚目以降のウエハに対して、ウエハＷ１と同様の手順で、ＰＥＢ、現像、及びウエハの搬送が繰り返し行われることとなる。
【０１９３】
以上説明したように、本実施形態に係る基板処理システム１０００によると、前述した簡易なＥＧＡ計測及び露光を含む露光装置２００による対象ウエハの処理動作とは独立して、計測システム５００の計測装置１００ｉにより対象ウエハのアライメント計測を行うことができ、露光装置２００によるウエハ処理のスループットを殆ど低下させることがない、効率的な処理が可能になる。また、基板処理システム１０００の全体としても、計測システム５００の計測装置１００ｉにより計測処理が事前に行われたあるロットのウエハに対する露光装置２００によるアライメント及び露光処理と、計測システム５００の計測装置１００ｉによる別のロットのウエハに対する計測処理と、を、並行して行なうようにすることで、ウエハ処理のスループットを殆ど低下させることがない、効率的な処理が可能になる。しかも、計測システム５００の計測装置１００ｉでは、全ショットをサンプルショットとする全ショットＥＧＡを、露光装置２００のあるロットのウエハに対するウエハアライメント及び露光の動作と並行して、別のロットのウエハに対して行なうことができる。
【０１９４】
また、計測システム５００の計測装置１００ｉでは、全ショットをサンプルショットとする全ショットＥＧＡ又は少なくとも一部のショットについての多点ＥＧＡを含む全ショットＥＧＡ（以下、モードの設定に応じたアライメント計測と総称する）を、ウエハ処理の前工程のプロセス処理（エッチング、酸化・拡散、成膜、イオン注入、平坦化（ＣＭＰ）など）が終了した同一ロットのウエハに対する露光装置２００によるウエハアライメント及び露光の動作に先立って行い、アライメント計測により得られた各ウエハについて、ウエハグリッドの情報（例えば、ウエハグリッドの変形成分のデータ）を含むアライメント履歴データを取得する。取得された各ウエハについてのアライメント履歴データは、ウエハ毎に計測システム制御装置５３０によって内部の記憶装置に記憶される。したがって、露光装置２００では、計測システム制御装置５３０を使って求めた、対象ウエハについてウエハグリッドの情報を含むアライメント履歴データを有効活用して、その対象ウエハに対してウエハアライメント及び露光を行なうことができる。すなわち、本実施形態に係る基板処理システム１０００では、計測システム５００の計測装置１００ｉにおける事前計測処理で得られた対象ウエハについての、ウエハグリッドの情報（例えば、ウエハグリッドの変形成分のデータ）を含むアライメント履歴データが、露光装置２００に実質的にフィードフォワード的に転送（提供）されていると言える。
【０１９５】
また、計測装置１００ｉにおける事前計測処理における全ショットＥＧＡで得られたモデル式における高次成分の係数は、露光装置２００においてもそのまま採用することができるので、露光装置２００では、数ショットをアライメントショットとするアライメント計測を行って上記モデル式の低次成分の係数を求めるのみで、この低次成分の係数と、計測装置１００ｉで取得された高次成分の係数とを用いることで、モデル式（１）の低次成分の係数（未定係数）のみならず、高次成分の係数（未定係数）も確定することができ、この未定係数が確定したモデル式（１）(すなわち、上式（３）)とウエハ上の複数のショットの配列の設計値（Ｘ，Ｙ）とを用いて、各ショットの設計上の位置からの補正量を求めることができ、これにより、露光装置２００でモデル式（１）の低次及び高次成分の係数を求めた場合と同様の精度の良い補正量の取得が可能となる。そして、この補正量とウエハ上の複数のショットの配列の設計値とに基づいて、各ショットの露光の際の位置決め目標位置の算出が可能になる。したがって、この目標位置に従ってウエハステージＷＳＴの位置を制御することで、各ショットを露光位置（レチクルパターンの投影位置）に対して精度良く位置合わせすることができる。これにより、露光装置２００のスループットを低下させることなく、露光の際のレチクルのパターンの像とウエハ上の各ショット領域に形成されたパターンとの重ね合わせ精度の向上が可能になる。
【０１９６】
また、本実施形態に係る計測装置１００ｉによると、制御装置６０ｉは、駆動システム２０によるスライダ１０の移動を制御しつつ、第１位置計測システム３０、及び第２位置計測システム５０を用いて、定盤１２に対するスライダ１０の位置情報、及びマーク検出系ＭＤＳと定盤１２との相対的な位置情報を取得するとともに、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷに形成された複数のマークの位置情報を求めている。したがって、計測装置１００ｉによると、ウエハＷに形成された複数のマークの位置情報を、精度良く求めることができる。
【０１９７】
また、本実施形態に係る計測装置１００ｉによると、制御装置６０ｉは、第２位置計測システム５０による計測情報（定盤１２とマーク検出系ＭＤＳとの相対的な位置情報）を常時取得し、マーク検出系ＭＤＳの検出中心と定盤１２に対するスライダ１０の６自由度方向の位置情報を検出する第１位置計測システムの計測点との位置関係がｎｍレベルで所望の関係に維持されるように、３つの除振装置１４（のアクチュエータ）を介して定盤１２の６自由度方向の位置をリアルタイムで制御している。また、制御装置６０ｉは、駆動システム２０によるスライダ１０の駆動を制御しつつ、第１位置計測システム３０による計測情報（定盤１２に対するスライダ１０の位置情報）及び第２位置計測システム５０による計測情報（定盤１２とマーク検出系ＭＤＳとの相対的な位置情報）を取得し、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷに形成されたマークを検出した時の検出信号と、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷに形成されたマークを検出した時に得られる第１位置計測システム３０による計測情報と、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷに形成されたマークを検出した時に得られる第２位置計測システム５０による計測情報とに基づいて、複数のウエハマークの位置情報を求める。したがって、計測装置１００ｉによると、ウエハＷに形成された複数のマークの位置情報を、精度良く求めることができる。
【０１９８】
なお、例えば、計測されたマークの位置情報を用いてＥＧＡ演算を行なうことなく、計測されたマークの位置情報に基づいて、露光の際のウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）の位置制御を行なう場合などには、例えば上記の第２位置計測システム５０による計測情報を、マークの位置情報の算出には用いなくても良い。ただし、この場合には、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷに形成されたマークを検出した時に得られる第２位置計測システム５０による計測情報を、オフセットして用いて、例えばウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）の位置決め目標値などウエハＷを移動させるための情報を補正することとすれば良い。あるいは、上記のオフセットを考慮して、露光時におけるレチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）の移動を制御することとしても良い。
【０１９９】
また、本実施形態に係る計測装置１００ｉによると、ウエハＷが載置され保持されるスライダ１０の６自由度方向の位置情報を計測する第１位置計測システム３０は、少なくともウエハＷ上のウエハマークを、マーク検出系ＭＤＳで検出するため、スライダ１０が移動する範囲では、ヘッド部３２から計測ビームをグレーティングＲＧ１に照射し続けることができる。したがって、第１位置計測システム３０は、マーク検出のためにスライダ１０が移動するＸＹ平面内の全範囲で、連続して、その位置情報の計測が可能である。したがって、例えば計測装置１００ｉの製造段階（半導体製造工場の内での装置の立ち上げ段階を含む）において、第１位置計測システム３０の測長軸によって規定される直交座標系（基準座標系）の原点出しを行うことで、スライダ１０の絶対位置、ひいてはスライダ１０の位置情報とマーク検出系ＭＤＳの検出結果とから求められる、スライダ１０上に保持されたウエハＷ上のマーク（サーチマーク、ウエハマークに限らず、その他のマーク、例えば重ね合わせ計測マーク（レジストレーションマーク）なども含む）の絶対位置を、基準座標系上で管理することが可能である。なお、本明細書で「絶対位置」とは、基準座標系上における座標位置を意味する。
【０２００】
これまでの説明から明らかなように、本実施形態に係る基板処理システム１０００では、計測システム５００を備えていることにより、仮に、露光装置２００が所定時間（要求される高いスループットを維持するために許容される時間）内に、ウエハの位置座標の補正量の線形成分を求めるための簡易なＥＧＡ計測（例えば、アライメント検出系ＡＳを用いた３〜１６個程度のウエハマークの位置情報の取得）を行なう機能しか備えていない場合であっても、その簡易なＥＧＡ計測を行なってウエハグリッドの変形の低次成分と、計測システム５００によって事前に求められた例えば全点ＥＧＡによって求められたウエハグリッドの変形の高次成分とを用いて、ウエハグリッドの変形を高精度に求めることができる。したがって、計測システム５００により、露光装置２００のグリッド補正機能を実質的に向上させることができる。したがって、最先端のグリッド補正機能を有しない露光装置により、ウエハに対して高スループットで、あるいはスループットを低下させることなく、高精度な露光が可能になる。
【０２０１】
なお、上記実施形態に係る基板処理システム１０００では、計測装置１００ｉ、Ｃ／Ｄ３００及び露光装置２００が、バーコードリーダを備えている場合について説明したが、バーコードリーダに代えて、無線ＩＣタグであるＲＦＩＤタグの書込／読出装置を備えていても良い。かかる場合には、各ウエハにＲＦＩＤタグを取り付け、計測装置１００ｉが書込／読出装置を用いてウエハ毎に前述したアライメント履歴データをＲＦＩＤタグに書き込み、他の装置、例えば露光装置２００が、書込／読出装置を用いて対象ウエハのＲＦＩＤタグからアライメント履歴データを読み出すことで、前述した対象ウエハについてのアライメント履歴データのフィードフォワード転送を、簡単に実現できる。
【０２０２】
また、上記実施形態に係る基板処理システム１０００では、露光装置２００が上記モデル式の１次以下の低次成分の係数を求め、この低次成分の係数と、計測装置１００ｉで取得された上記モデル式の２次以上の高次成分の係数とを用いる場合について説明した。しかしながら、これに限らず、例えば上記モデル式の２次以下の成分の係数を露光装置２００内でのアライメントマークの検出結果から求め、この２次以下の成分の係数と、計測装置１００ｉで取得された上記モデル式の３次以上の高次成分の係数とを用いても良い。あるいは、例えば上記モデル式の３次以下の成分の係数を露光装置２００内でのアライメントマークの検出結果から求め、この３次以下の成分の係数と、計測装置１００ｉで取得された上記モデル式の４次以上の高次成分の係数とを用いても良い。すなわち、上記モデル式の（Ｎ−１）次（Ｎは２以上の整数）以下の成分の係数を露光装置２００内でのアライメントマークの検出結果から求め、この（Ｎ−１）次以下の成分の係数と、計測装置１００ｉで取得された上記モデル式のＮ次以上の高次成分の係数とを用いても良い。
【０２０３】
なお、上記実施形態では、計測装置１００ｉが、ウエハ座標系（基準座標系に一致）における各ショットの設計上の位置座標Ｘ、Ｙと、そのショットの位置座標の補正量（アライメント補正成分）ｄｘ、ｄｙとの関係を表現するモデル式（１）の２次以上の高次成分の係数ａ３、ａ４、ａ５…及びｂ３、ｂ４、ｂ５…、並びに１次以下の低次成分の係数ａ０、ａ１、ａ２、ｂ０、ｂ１、ｂ２も求めることとしたが、露光装置２００で低次成分の係数が求められるので、計測装置１００ｉでは、低次成分の係数を必ずしも求めなくても良い。
【０２０４】
なお、上記実施形態では、計測装置１００ｉにおいてＢモードが設定され、ウエハ上のいくつかのショットについての複数のウエハマークの位置情報が計測されていた場合に、露光装置２００では、ショット内多点ＥＧＡ演算により、チップローテーション（θ）、チップの直交度誤差（ｗ）、並びにｘ方向のチップスケーリング（ｒｘ）及びｙ方向のチップスケーリング（ｒｙ）を求め、これによりショットの形状を求めていた。しかしながら、これに限らず、例えば、計測装置１００ｉにおいてＡモードが設定され、ウエハ上の全てのショットに各１つのウエハマークの位置情報が計測されていた場合であっても、露光装置２００は、ショットの変形（ショットの形状変化）を推定することは可能である。以下、これについて説明する。
【０２０５】
ウエハＷ上のウエハグリッドは、プロセスに起因して変形するものであり、個々のショットも、このプロセスによって幾分変形するが、その変形は、ウエハグリッドの変形に沿ったものになると考えられる。ウエハグリッドの変動成分は、以下に示される互いに独立した４つの変動成分に分けることができ、各変動成分は、以下に示すショットの変形をもたらす。
（１）ｄｘのＸ軸方向に関する変動成分
Ｘ軸方向の倍率の変化
（２）ｄｘのＹ軸方向に関する変動成分
Ｙ軸に対する回転
（３）ｄｙのＸ軸方向に関する変動成分
Ｙ軸方向の倍率の変化
（４）ｄｙのＹ軸方向に関する変動成分
Ｘ軸に対する回転
【０２０６】
そこで、本実施形態では、上記（１）〜（４）の変動成分を算出し、その変動成分に基づいて、ウエハＷ上のショットの変形を推定する。
【０２０７】
ところで、ショットの変形を推定する方法には、大別して以下に示す２つの方法がある。
（Ａ）係数（未定係数）確定後の式（３）をＸ、Ｙについて偏微分した値に従ってショットを変形する。
（Ｂ）ウエハグリッドを、１次のモデル式に近似して、そのモデル式の係数に従って、ショットを変形する。ここで、ウエハグリッドは、係数（未定係数）確定後の式（３）に、各ショットの設計上の位置座標Ｘ、Ｙをそれぞれ代入して、ウエハ上の複数のショット領域の配列の設計値からの補正量（ショットの位置座標の補正量ｄｘ、ｄｙ）、すなわちウエハグリッドの変形成分を求め、その補正量と、ショットの位置座標の設計値とを用いて算出することができる。
【０２０８】
以下では、（Ａ）の推定方法によってショットの形状を補正する方法を、高次偏微分補正といい、（Ｂ）の推定方法によってショットの形状を補正する方法を、１次近似補正と呼ぶ。同じウエハグリッドであっても、（Ａ）の方法を用いた場合と（Ｂ）の方法を用いた場合とでは、ショットの変形状態が異なったものとなる。
【０２０９】
図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）には、高次偏微分補正と１次近似補正との違いの一例が概略的に示されている。ここで、説明を簡単にするために、ウエハグリッドにおけるＹ成分ｄｙ＝ｂ6・Ｘ3となっているとする。図１３（Ａ）には、高次偏微分補正により、補正された３つのショットが示されている。高次偏微分補正を行った場合、各ショットのＹ軸に対する回転は、ｄｙ＝ｂ6・Ｘ3の偏微分、ｄｙ’＝３ｂ6・Ｘ2に従うようになる。この場合、３つのショットのうち、中央のショットは、変形量が０となる。一方、図１３（Ｂ）には、１次近似補正により、補正された３つのショットが示されている。１次近似補正では、改めて１次のモデル式でＥＧＡ方式のアライメントを行って、そのモデル式におけるＹ軸に対する回転に関係がある１次の係数を用いて、ショット形状を補正する。この１次近似補正を行った場合、図１３（Ｂ）に示されるように、３つのショットのうち、中央のショットも１次変形しており、全体として、各ショットの変形は、均一になる。
【０２１０】
図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）に示されるように、高次偏微分補正では、ショットの変形は、そのショット周辺のウエハグリッドに沿った局所的なものとなるのに対し、１次近似補正では、ウエハＷのすべてのショットの変形が均一なものとなる。例えば、いずれの方法を選択するかを、露光レシピで指定可能とし、ユーザが、製造する半導体の要求仕様に応じて適宜選択できるようにしても良い。かかるショットの変形の推定が行われた場合も、前述と同様、露光制御装置２２０は、走査露光中に、求めたショット形状（ショットの変形の推定により求められたショットの形状）に合わせてレチクルＲのパターンの投影光学系ＰＬによる投影像が変形するように、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの相対走査角度、走査速度比、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの少なくとも一方の投影光学系に対する相対位置、投影光学系ＰＬの結像特性（収差）、及び照明光（露光光）ＩＬの波長の少なくとも１つを、調整する。
【０２１１】
なお、本実施形態に係る基板処理システム１０００において、計測装置１００ｉの計測ユニット４０が、前述の多点焦点位置検出系を備えている場合には、計測装置１００ｉにより、ウエハアライメント計測とともにウエハＷのフラットネス計測（フォーカスマッピングとも呼ばれる）を行うこととしても良い。この場合、そのフラットネス計測の結果を用いることで、露光装置２００によりフラットネス計測を行うこと無く、露光時のウエハＷのフォーカス・レベリング制御が可能となる。
【０２１２】
また、計測システム５００の計測装置１００１、１００２、及び１００３の少なくとも１つを、他の計測装置と異なる機能の計測装置としても良い。例えば、１つの計測装置を、ウエハ表面の凹凸（フラットネス）計測を行なう多点焦点位置検出系を備えた計測装置としても良いし、ウエハ形状測定装置としても良い。また、計測システム５００は、計測装置を２台、あるいは４台以上備えていても良い。
【０２１３】
なお、上記実施形態では、対象が３００ｍｍウエハであるものとしたが、これに限らず、直径４５０ｍｍの４５０ｍｍウエハであっても良い。露光装置２００とは別に、計測装置１００ｉによってウエハアライメントを行うことができるので、４５０ｍｍウエハであっても、露光処理のスループットの低下を招くこと無く、例えば全点ＥＧＡ計測などが可能になる。
【０２１４】
なお、上記実施形態では、説明の簡略化のため、計測装置１００ｉの計測モードとしてＡモードとＢモードとのいずれかが設定されるものとしたが、Ｂモードは設定できなくても良い。また、ロット内の全てのウエハ上の全ショットについて２以上の第１の数のウエハマークを検出するＣモード、及びロット内の全てのウエハについて、一部のショット、例えばウエハの周辺部に位置する予め定められたショットについては２以上の第２の数のウエハマークを検出し、残りのショットについては各１つのウエハマークを検出するモード（Ｄモードと呼ぶ）などを設けても良い。さらに、ロット内の最初の所定枚数のウエハについてのウエハマークの検出結果に応じて、ロット内の残りのウエハについては、Ａモード、Ｃモード、Ｄモードのいずれかを選択するＥモードを設けても良い。
【０２１５】
また、計測装置１００ｉの計測モードとして、ロット内の全てのウエハについて、一部のショット、例えば、９割又は８割の数のショットの１つ以上のウエハマークを計測したり、ウエハの中央部に位置するショットについては、一つ間隔をあけたショットの１つ以上のウエハマークを計測しても良い。
【０２１６】
なお、上記実施形態に係る計測装置１００ｉでは、グレーティングＲＧ１、ＲＧ２ａ、ＲＧ２ｂそれぞれが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を周期方向とする場合について説明したが、これに限らず、第１位置計測システム３０、第２位置計測システム５０のそれぞれが備える格子部（２次元グレーティング）は、ＸＹ平面内で互いに交差する２方向を周期方向としていれば良い。
【０２１７】
また、上記実施形態で説明した計測装置１００ｉの構成は一例にすぎない。例えば、計測装置は、ベース部材（定盤１２）に対して移動可能なステージ（スライダ１０）を有し、該ステージに保持された基板（ウエハ）上の複数のマークの位置情報を計測できる構成であれば良い。したがって、計測装置は、例えば第１位置計測システム３０と第２位置計測システム５０とを、必ずしも備えている必要はない。
【０２１８】
また、上記実施形態で説明した第１位置計測システム３０のヘッド部３２の構成、及び検出点の配置などは一例に過ぎないことは勿論である。例えば、マーク検出系ＭＤＳの検出点と、ヘッド部３２の検出中心とは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方で、位置が一致していなくても良い。また、第１位置計測システム３０のヘッド部とグレーティングＲＧ１（格子部）との配置は反対でも良い。すなわち、スライダ１０にヘッド部が設けられ、定盤１２に格子部が設けられていても良い。また、第１位置計測システム３０は、エンコーダシステム３３とレーザ干渉計システム３５とを必ずしも備えている必要はなく、エンコーダシステムのみによって第１位置計測システム３０を構成しても良い。ヘッド部からスライダ１０のグレーティングＲＧ１にビームを照射し、グレーティングからの戻りビーム（回折ビーム）を受光して定盤１２に対するスライダ１０の６自由度方向の位置情報を計測するエンコーダシステムにより、第１位置計測システムを構成しても良い。この場合において、ヘッド部のヘッドの構成は特に問わない。例えば、グレーティングＲＧ１上の所定点に対してＸ軸方向に同一距離離れた２点に検出ビームを照射する一対のＸＺヘッドと、所定点に対してＹ軸方向に同一距離離れた２点に検出ビームを照射する一対のＹＺヘッドとを設けても良いし、あるいは、グレーティングＲＧ１のＸ軸方向に離れた２つの点にそれぞれ検出ビームを照射する一対の３次元ヘッドと、上記２つの点とは、Ｙ軸方向の位置が異なる点に検出ビームを照射するＸＺヘッド又はＹＺヘッドとを設けても良い。第１位置計測システム３０は、定盤１２に対するスライダ１０の６自由度方向の位置情報を必ずしも計測できる必要はなく、例えばＸ、Ｙ、θｚ方向の位置情報を計測できるのみであっても良い。また、定盤１２に対するスライダ１０の位置情報を計測する第１位置計測システムが、定盤１２とスライダ１０との間に配置されていても良い。また、スライダ１０の前述した絶対位置を計測するために用いられる第１計測システムは、前述のヘッド部からスライダ１０のグレーティングＲＧ１にビームを照射するエンコーダシステムを必ずしも備えている必要はなく、定盤１２に対するスライダ１０の６自由度方向又は水平面内の３自由度方向の位置情報を計測する干渉計システムその他の計測装置によって構成しても良い。
【０２１９】
同様に、上記実施形態で説明した第２位置計測システム５０の構成は、一例に過ぎない。例えば、ヘッド部５２Ａ、５２Ｂが、定盤１２側に固定され、スケール５４Ａ、５４Ｂがマーク検出系ＭＤＳと一体的に設けられていても良い。また、第２位置計測システム５０が、一対のヘッド部５２Ａ、５２Ｂを備えている場合について例示したが、これに限らず、第２位置計測システム５０は、ヘッド部を１つのみ備えていても良いし、３つ以上備えていても良い。いずれにしても、第２位置計測システム５０によって、定盤１２とマーク検出系ＭＤＳとの、６自由度方向の位置関係を計測できることが望ましい。ただし、第２位置計測システム５０は、必ずしも、６自由度方向全ての位置関係を計測できなくても良い。
【０２２０】
なお、上記実施形態では、スライダ１０が、複数のエアベアリング１８によって定盤１２上に浮上支持され、スライダ１０をＸ軸方向に駆動する第１駆動装置２０Ａと、スライダ１０を第１駆動装置２０Ａと一体でＹ軸方向に駆動する第２駆動装置２０Ｂとを含んで、スライダ１０を定盤１２に対して非接触状態で駆動する駆動システム２０が構成された場合について説明した。しかし、これに限らず、駆動システム２０として、スライダ１０を、定盤１２上で６自由度方向に駆動する構成の駆動システムを採用しても良い。かかる駆動システムを、一例として磁気浮上型の平面モータによって構成しても良い。かかる場合には、エアベアリング１８は不要になる。なお、計測装置１００ｉは、除振装置１４とは別に、定盤１２を駆動する駆動システムを備えていても良い。
【０２２１】
また、上述の実施形態においては、計測システム５００は、キャリアシステム５１０としてＥＦＥＭシステムを備えていたが、ＥＦＥＭシステムの替わりにＹ軸方向に沿って複数（例えば、３つ）のキャリア（ＦＯＵＰなど）を保管可能な、キャリア保管装置を設置しても良い。この場合、計測システム５００は、複数の計測装置１００ｉのそれぞれに隣接して設けられた複数のロードポートと、キャリア保管装置と複数のロードポートの載置部との間でキャリア（ＦＯＵＰなど）の受け渡しを行うキャリア搬送装置を備えていても良い。
【０２２２】
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、基板処理システム１０００の計測システム５００を用いたウエハグリッドの変動管理、及び重ね合わせ計測について説明する。
【０２２３】
上述したように、計測装置１００ｉは第１位置計測システム３０を備えているので、第１位置計測システム３０の測長軸によって規定される直交座標系（基準座標系）の原点出しを行うことで、スライダ１０の絶対位置、ひいてはスライダ１０の位置情報とマーク検出系ＭＤＳの検出結果とから求められる、スライダ１０上に保持されたウエハＷ上のウエハマーク、例えば重ね合わせ計測マーク（レジストレーションマーク）の絶対位置を、基準座標系上で管理することが可能である。すなわち、計測装置１００ｉを、重ね合わせ計測器４００として機能させることもできる。
【０２２４】
《ウエハグリッドの変動管理》
次に、計測装置を用いる露光装置起因のウエハグリッドの管理方法を、基板処理システム１０００に適用した場合を例として説明する。図１４には、この場合のウエハグリッドの管理方法における処理の流れが概略的に示されている。
【０２２５】
まず、ステップＳ２０２において、露光装置２００により、あるロットに含まれるベアウエハ（便宜上、ウエハＷ０とする）に対して、製品レチクルＲを用いて、ステップ・アンド・スキャン方式で露光が行われる。ここで、レチクルＲには、そのパターン面に矩形のパターン領域とともに、その周囲の領域又はパターン領域内部（１ショット複数チップ取りの場合）に、マーク（ウエハ上に転写されるとウエハマークとなる）などが形成されているものとする。ここで、ウエハＷ０は、未露光のウエハであり、その表面にはＣ／Ｄ３００によってレジストが塗布されている。したがって、ウエハＷ０の露光に際しては、アライメントは行われず、設計値に基づいて、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとが、露光制御装置２２０によって駆動制御される。このステップＳ２０２の露光により、ウエハＷ０表面のレジスト層には、マトリクス状に配置されたＩ個（例えば９８個）の矩形のパターン領域と各ショットとの位置関係が設計上既知の各ショットに対応するマークとの転写像（潜像）が形成される。
【０２２６】
次に、ステップＳ２０４において、その露光済みのウエハＷ０は、ウエハステージＷＳＴからアンロードされ、Ｃ／Ｄ３００の現像部内に搬入される。具体的には、ウエハＷ０は、ウエハ搬送系２７０により搬送され、Ｃ／Ｄ３００と露光装置２００との間に設けられた基板受け渡し部のアンロード側基板載置部に載置される。そして、ウエハＷ０は、Ｃ／Ｄ内搬送系により、Ｃ／Ｄ３００の現像部内に搬入される。
【０２２７】
次に、ステップＳ２０６において、ウエハＷ０は、Ｃ／Ｄ３００の現像部の現像装置により現像される。この現像後、ウエハＷ０上には、マトリクス状に配置されたＩ個（例えば９８個）の矩形のショットと各ショットとの位置関係が設計上既知の各ショットに対応するウエハマークのレジスト像（以下、適宜ウエハマークと略記する）が形成される。
【０２２８】
次に、ステップＳ２０８において、現像済みウエハＷ０を含む、あるロットの複数のウエハが収容されたＦＯＵＰが、Ｃ／Ｄ３００から取り出されて、上述のＯＨＴなどを用いて、計測システム５００のロードポート５１４に載置される。すなわち、Ｃ／Ｄ３００から取り出されたＦＯＵＰ内のウエハＷ０は、現像処理後に行われるプロセス処理（エッチング処理、又はエッチング処理後の成膜処理（スパッタ処理、ＣＶＤ処理、熱酸化処理の少なくとも一つを含む））が施される前に、計測システム５００に搬送される。ＦＯＵＰに収容されたウエハＷ０は、ロボット５１６などを用いてＦＯＵＰから取り出され、搬送システム５２１などを用いて、計測装置１００ｉのスライダ１０上にロードされる。
【０２２９】
なお、以下では、ＦＯＵＰに収容されている複数のウエハのうちの１枚を、ウエハＷ０として説明するが、同様の処理を、ＦＯＵＰに収容されている複数のウエハのすべて、又は一部に行って良い。
【０２３０】
次に、ステップＳ２１０において、計測装置１００ｉにより、現像済みのウエハＷ０に対して前述した全ショット１点計測が行われ、各ウエハマークの絶対位置座標が求められる。すなわち、制御装置６０ｉは、スライダ１０の位置情報を、第１位置計測システム３０（及び第２位置計測システム５０）を用いて計測しつつ、マーク検出系ＭＤＳを用いてＩ個（例えば９８個）のショットそれぞれに対応するＩ個のウエハマークをそれぞれ検出し、Ｉ個のウエハマークそれぞれの検出結果とＩ個のウエハマークそれぞれの検出時のスライダ１０の絶対位置座標（Ｘ，Ｙ）とに基づいて、ウエハＷ０上のＩ個のショットそれぞれに対応するＩ個のウエハマークの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）を、求める。このとき、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０によって計測されるスライダ１０のθｘ方向及びθｙ方向の計測値に基づいて、第１位置計測システム３０のＸ軸方向及びＹ軸方向アッベ誤差、及び第２位置計測システム５０のＸ軸方向及びＹ軸方向の計測値を、オフセットとして、Ｉ個のウエハマークの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）を求める。なお、ステップ２１０においては、全ショット１点計測が望ましいが、一部のショットのウエハマークの検出を行わなくても良い。
【０２３１】
次に、ステップＳ２１２において、制御装置６０ｉにより、求めたＩ個のマークの絶対位置座標を用いて、ウエハＷ０上のＩ個のショットの配列（ウエハグリッド）の変動情報が求められる。例えば、制御装置６０ｉは、ウエハマークとショット中心との既知の位置関係に基づいて、Ｉ個のウエハマークの絶対位置座標からＩ個のショットそれぞれの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）の実測値を求め、このＩ個のショットそれぞれの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）の実測値と各ショットの位置座標（Ｘ、Ｙ）の設計値との差のデータに基づいて、最小二乗法等の統計演算を用いて、前述した式（１）の係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を求める。ここで、求めた係数ａ0、ａ1、…、ｂ0、ｂ1、…を式（１）に代入して、係数確定後の式（１）を、ウエハグリッドの変動情報として、計測システム５００の内部のメモリ（例えば制御装置６０ｉの記憶装置、あるいは計測システム制御装置５３０内部の記憶装置）、又は外部の記憶装置に記憶する。
【０２３２】
あるいは、制御装置６０ｉは、ウエハマークとショット中心との既知の位置関係に基づいて、Ｉ個のウエハマークの絶対位置座標からＩ個のショットそれぞれの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）の実測値を求め、このＩ個のショットそれぞれの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）の実測値と各ショットの位置座標（Ｘ、Ｙ）の設計値との差のデータから成るマップを作成し、このマップをウエハグリッドの変動情報としても良い。
【０２３３】
また、Ｉ個のショットそれぞれの絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）の実測値を、ウエハグリッドの変動情報としても良い。
【０２３４】
これにより、いつでも、ウエハグリッドの設計値からの変動量を求めて、その変動量を管理することが可能になる。
【０２３５】
次のステップＳ２１４は、必要に応じてなされる。ステップＳ２１４において、制御装置６０ｉは、ステップＳ２１０で求めたウエハグリッドの設計値からの変動情報を、メモリ（又は計測システム制御装置５３０の記憶装置）内に事前に記憶されている、基準となるウエハグリッドの変動情報と比較し、その差を求める。例えば、その基準となるウエハグリッドの変動からの、ウエハグリッドの変動量を求める。このステップＳ２１４の処理により、異なる露光装置間でのステージグリッドの誤差などに起因して生じるショット配列の誤差、又は同一の露光装置の異なる時点間のステージグリッドの誤差などに起因して生じるショット配列の誤差を管理することが可能になる。
【０２３６】
前者の場合、ステップＳ２１４の処理に先立って、露光装置２００とは異なるスキャニング・ステッパでレチクルＲを用いてウエハＷ０とは別のロットのベアウエハ上に対して、前述のステップＳ２０２と同様にして露光が行われ、その露光済みのウエハに対して、ステップＳ２０４〜Ｓ２１２と同様の処理が行われることで、基準となるウエハグリッドの変動情報が求められ、メモリ（又は計測システム制御装置５３０の記憶装置）内に記憶されている。
【０２３７】
後者の場合、ステップＳ２１４の処理に先立って、ウエハＷ０と同じロットに含まれる、あるいはウエハＷ０と別のロットに含まれる、ウエハＷ０とは別のウエハに対して、前述のステップＳ２０２と同様にして、露光装置２００でレチクルＲを用いた露光が行われ、そのウエハに対してステップＳ２０３〜Ｓ２１２と同様の処理が行われることで、基準となるウエハグリッドの変動情報が求められ、メモリ（又は計測システム制御装置５３０の記憶装置）内に記憶されている。
【０２３８】
なお、ウエハＷ０のウエハグリッドの変動情報の取得に用いられた計測装置１００ｉは、基準となるウエハグリッドの変動情報の取得に用いられた計測装置１００ｉと同じであっても良いし、異なっていても良い。
【０２３９】
上述の説明から明らかなように、本実施形態に係る管理方法では、基準ウエハを用いること無く、装置起因のウエハグリッドの変動を管理することができる。このため、基準ウエハを用いる場合の以下の様な不都合が生じるのを回避できる。
【０２４０】
すなわち、基準ウエハによる運用は、基準ウエハを複数の露光装置で使いまわすことになるため、取り合いになる。基準ウエハは、通常１枚だけでなく複数枚作製されるため、基準ウエハ同士の個体差を保証する必要がある。また、基準ウエハは破損することもあるし、使っているうちに劣化することもある。さらに、基準ウエハを用いるウエハグリッドの管理方法では、基準ウエハ表面にレジストを塗布して露光し、その後必要な処理が済んだらレジストを剥離して基準ウエハを洗浄する。このプロセスを繰り返すことで表面が傷んでくることもある。また、基準ウエハの裏面にもウエハホルダが有するチャック部材（ピンチャックなど）の痕がつき、これが基準ウエハの吸着歪を発生させ、ウエハグリッドを歪ませてしまう。
【０２４１】
一方、基準ウエハを用いないことにより、次のようなメリットがある。
ａ．  基準ウエハの空きやシリアル番号を気にすることなく、ウエハグリッドの変動を計測したい（補正を行いたい）時に計測（補正）を実効可能となる。
ｂ．  基準ウエハの代わりにベアウエハを使えるため、品質管理を手軽に実行可能となる。
ｃ．  製品ショットマップ・製品レチクルでウエハグリッドの管理が可能となる。すなわち、製品レチクルについている重ね計測用マークやアライメントマークを使ってウエハグリッドの管理をすることが可能となる。この結果、品質管理用の専用レチクルが不要となる。また、製品ショットマップそのもので品質管理が可能となり、さらには、場所依存誤差のみならず、スキャン速度や加速度、その他製品露光動作で生じる全ての誤差要因によって生じるウエハグリッドの変動量を計測できるので、この計測結果に基づいて、補正を行うことで、次に説明する、基準ウエハを用いるグリッド管理に伴う一種の妥協を一切排除することが可能になる。
ａ．  グリッドの誤差とは座標依存であり、場所が同じなら同じ誤差を持つ。マークの位置を計測し、グリッド誤差の補正を行ったポイントの近くなら、誤差も小さいものと考えられる。
ｂ．  スキャン速度あるいはスキャン加速度などの誤差は、グリッド誤差を生じさせない。仮に、グリッド誤差を生じさせるとしても、その誤差は、スキャンの都度変化するものではないので、一度の調整で足り、定期的にメンテナンスする必要は無い。
【０２４２】
なお、ステップ２１２で求めたウエハＷ０のウエハグリッドの情報を、露光装置２００に提供（フィードバック）し、ウエハＷ０が含まれるロットの後に、ウエハＷ０とは別のロットに含まれるベアウエハを露光装置２００でレチクルＲを用いて、露光処理するときに、第１層のウエハグリッドの変動（設計値からのずれ）が小さくなるように、露光装置２００のステージＷＳＴの移動の制御などを行っても良い。すなわち、ステップ２１２で求めたウエハＷ０のウエハグリッドの情報を用いて、別のロットに含まれるベアウエハに対して各ショットを露光するときの位置決め目標位置を決めて良い。
【０２４３】
また、ステップ２１０において、ウエハＷ０の上の全ショットについて２以上のウエハマークの絶対位置座標を取得し、各ショットの形状と大きさに関する情報が取得できる場合には、その情報を露光装置２００に提供（フィードバック）し、各ショットの形状と大きさが所望状態となるように、結像特性補正コントローラ２４８を制御したり、レチクルステージＲＳＴの速度と方向の少なくとも一方を制御したりしても良い。
【０２４４】
また、第２の層（第１の層を下層とする上層）の露光処理を行うために、ウエハＷ０が各種プロセス（エッチング処理及び成膜処理を含む）を経てＣ/Ｄ装置３００（又は別のＣ/Ｄ装置）に搬入される直前に、ウエハＷ０のウエハグリッドの変動情報を取得しても良い。この場合、第１実施形態で説明したように、取得されたウエハグリッドの変動情報を含むウエハＷ０のアライメント履歴データを、第２の層の露光処理を行う露光装置２００、又は別の露光装置に提供（フィードフォワード）にしても良いし、ウエハＷ０のウエハグリッドの変動情報を露光装置２００に提供（フィードバック）し、ウエハＷ０が含まれるロットの後に、ウエハＷ０とは別のロットに含まれるベアウエハを露光装置２００でレチクルＲを用いて露光処理するときに用いても良い。
【０２４５】
《重ね合わせ計測》
次に、計測装置を用いる重ね合わせ計測方法を、基板処理システム１０００に適用した場合を例として説明する。図１５には、この場合の重ね計測方法における処理の流れが概略的に示されている。
【０２４６】
まず、ステップＳ３０２において、あるロットに含まれるウエハ（ウエハＷ１１とする）がＣ／Ｄ３００に搬入され、Ｃ／Ｄ３００の塗布部において、露光装置２００、又は露光装置２００とは異なる露光装置、例えばスキャナ又はステッパにより第１の層（下層）の露光が行われたウエハＷ１１にレジストの塗布が行われる。レジスト塗布前のウエハＷ１１には、下層の露光により、複数、例えばＩ個（Ｉは例えば９８）のショットとともに、ショットとの設計上の位置関係が既知のウエハマーク及び重ね合わせずれ計測用の第１マーク（正確には、第１マークのレジスト像（適宜、第１マーク像とも称する））が、それぞれのショットに対応して形成されている。この場合、Ｉ個の第１マーク像それぞれの設計上の位置関係も既知である。
【０２４７】
次に、ステップＳ３０４において、レジストが塗布されたウエハＷ１１が、前述したウエハＷ１と同様の所定の処理過程を経て、露光装置２００のウエハステージＷＳＴ上にロードされる。具体的には、ウエハＷ１１は、ベーク部で加熱処理（ＰＢ）、温調部３３０での温調などが行われた後、ウエハステージＷＳＴ上にロードされる。
【０２４８】
次に、ステップＳ３０６において、露光装置２００の露光制御装置２２０により、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷ１１に対して、アライメント検出系ＡＳを用いて前述と同様のサーチアライメント、及び例えば３〜１６程度のショットをアライメントショットとするＥＧＡ方式のウエハライメントが行われる。
【０２４９】
なお、ステップＳ３０２に先だって、第１実施形態で説明したように、計測システム５００の計測装置１００ｉでウエハＷ１１のウエハグリッドの情報が求められ、露光装置２００の露光制御装置２２０に提供されている。
【０２５０】
次に、ステップＳ３０８において、露光制御装置２２０により、ウエハアライメントの結果に基づき、前述の式（３）で表される各ショットの位置座標の補正量（アライメント補正成分）ｄｘ、ｄｙが求められ、この補正量に基づいて、ウエハグリッドを補正するための、各ショットの露光に際しての位置決め目標位置が決定される。
【０２５１】
なお、ステップ３０２に先だって、計測システム５００の計測装置１００ｉでウエハＷ１１のウエハグリッドの情報を求めずに、アライメント検出系ＡＳを用いた、例えば３〜１６程度のショットをアライメントショットとするＥＧＡ方式のウエハライメントの結果だけで、各ショットの露光に際しての位置決め目標位置を決定しても良い。
【０２５２】
次に、ステップＳ３１０において、露光装置２００により、その位置決め目標位置に従ってウエハステージＷＳＴを位置制御しつつ、ウエハＷ１１上の各ショットに対してステップ・アンド・スキャン方式で第２の層（第１の層を下層とする上層）の露光が行われる。このとき、露光装置２００は、ウエハＷ１１上の第１マーク像に対応して第２マークが形成されたレチクル（便宜上、レチクルＲ１１とする）を用いて露光を行う。したがって、この第２の層の露光により、ウエハＷ１１上のＩ個のショットに対してレチクルＲ１１のパターン領域が重ね合わせて転写されるとともに、Ｉ個の第１マークの位置関係に対応する位置関係で配置されたＩ個の第２マークの転写像が形成される。
【０２５３】
次に、ステップＳ３１２において、第２の層の露光が終了したウエハＷ１１は、前述の露光済みのウエハＷ１と同様の処理過程を経て、Ｃ／Ｄ３００の現像部内に搬入される。具体的には、ウエハＷ１１は、ウエハ搬送系２７０により基板受け渡し部のアンロード側基板載置部に搬送され、Ｃ／Ｄ内搬送系によりアンロード側基板載置部からＣ／Ｄ３００のベーク部内に搬入され、該ベーク部内のベーキング装置によりＰＥＢが行われる。ＰＥＢが終了したウエハＷ１１は、Ｃ／Ｄ内搬送系によりベーク部から取り出され、現像部内に搬入される。
【０２５４】
次に、ステップＳ３１４において、現像部内の現像装置により、複数の第２マークの転写像が形成されたウエハＷ１１が、現像される。この現像により、ウエハＷ１１上には、Ｉ個のショットとともに、第１マーク像と対応する第２マーク像との組が、Ｉ個、所定の位置関係で形成され、重ね合わせ計測に際しての計測対象の基板となる。すなわち、このようにして重ね合わせ計測に際しての計測対象となる基板（重ね合わせ計測対象基板）が作製される。ここで、第１マーク像と対応する第２マーク像との組として、例えば外ボックスマークとこの内側に配置された内ボックスマークとから成るボックス・イン・ボックスマークのレジスト像などを用いることができる。
【０２５５】
次に、ステップＳ３１６において、現像済みのウエハＷ１１（重ね合わせ計測対象の基板）を含む、あるロットの複数のウエハが収容されたＦＯＵＰが、Ｃ／Ｄ３００から取り出されて、上述のＯＨＴなどを用いて、計測システム５００のロードポート５１４に載置される。すなわち、Ｃ／Ｄ３００から取り出されたＦＯＵＰ内のウエハＷ１１は、現像処理後に行われるプロセス処理（エッチング処理、又はエッチング処理後の成膜処理（スパッタ処理、ＣＶＤ処理、熱酸化処理の少なくとも一つを含む））が施される前に、計測システム５００に搬送される。ＦＯＵＰに収容されたウエハＷ１１は、ロボット５１６などを用いてＦＯＵＰから取り出され、搬送システム５２１などを用いて、計測装置１００ｉに搬送される。
【０２５６】
なお、以下では、ＦＯＵＰに収容されている複数のウエハのうちの１枚を、ウエハＷ１１として説明するが、同様の処理を、ＦＯＵＰに収容されている複数のウエハのすべて、又は一部に行っても良い。
【０２５７】
次にステップＳ３１８において、計測装置１００ｉにより、搬送された現像済みのウエハＷ１１（重ね合わせ計測対象基板）が、前述した手順でスライダ１０上にロードされ、Ｉ組の第１マーク像と第２マーク像それぞれのＸＹ平面内の絶対位置座標が次のようにして求められる。すなわち、制御装置６０ｉは、スライダ１０の位置情報を、第１位置計測システム３０（及び第２位置計測システム５０）を用いて計測しつつ、マーク検出系ＭＤＳを用いてウエハＷ１１上のＩ個の第１マーク像とＩ個の第２マーク像をそれぞれ検出し、Ｉ個の第１マーク像とＩ個の第２マーク像それぞれの検出結果とそれぞれのマーク像の検出時のスライダ１０の絶対位置座標（Ｘ、Ｙ）とに基づいて、ウエハＷ１１上のＩ個の第１マーク像とＩ個の第２マーク像それぞれのＸＹ平面内の絶対位置座標を求める。このとき、制御装置６０ｉは、第１位置計測システム３０によって計測されるスライダ１０のθｘ方向及びθｙ方向の計測値に基づいて、第１位置計測システム３０のＸ軸方向及びＹ軸方向アッベ誤差、及び第２位置計測システム５０のＸ軸方向及びＹ軸方向の計測値を、オフセットとして、Ｉ個の第１マーク像とＩ個の第２マーク像それぞれのＸＹ平面内の絶対位置座標を求める。
【０２５８】
なお、ステップＳ３１８において、Ｉ個よりも少ないＫ個の第１マーク像の絶対位置座標と、Ｋ個の第２マーク像の絶対位置座標を求めても良い。
【０２５９】
次にステップＳ３２０において、制御装置６０ｉにより、相互に組を成す第１マーク像の絶対位置座標と第２マーク像の絶対位置座標とに基づいて、第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差（重ね合わせずれ）が求められる。
【０２６０】
次にステップＳ３２２において、制御装置６０ｉにより、Ｉ個の第１マーク像の絶対位置座標とＩ個の第２マーク像の絶対位置座標とに基づいて、重ね合わせ誤差が、第１の層の露光と、第２の層の露光とのいずれに主として起因するかが、例えば次のようにして判断される。すなわち、制御装置６０ｉは、第１マーク像の絶対位置座標の設計上の位置座標からのずれ量（ΔＸ１ｉ，ΔＹ１ｉ）（ｉ＝１〜Ｉ）と、第２マーク像の絶対位置座標の設計上の位置座標からのずれ量（ΔＸ２ｉ，ΔＹ２ｉ）（ｉ＝１〜Ｉ）とを求め、ΔＸ１ｉ、ΔＸ２ｉ、ΔＹ１ｉ、ΔＹ２ｉそれぞれについてｉ＝１〜Ｉの総和ΣＸ１ｉ、ΣＸ２ｉ、ΣＹ１ｉ、ΣＹ２ｉを求める。そして、制御装置６０ｉは、ΣＸ１ｉ＞ΣＸ２ｉかつΣＹ１ｉ＞ΣＹ２ｉの場合、重ね合わせ誤差は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれについても第１の層の露光に主として起因すると判断し、ΣＸ１ｉ＜ΣＸ２ｉかつΣＹ１ｉ＜ΣＹ２ｉの場合、重ね合わせ誤差は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれについても第２の層の露光に主として起因すると判断する。また、制御装置６０ｉは、ΣＸ１ｉ＞ΣＸ２ｉかつΣＹ１ｉ＜ΣＹ２ｉの場合、重ね合わせ誤差は、Ｘ軸方向については第１の層の露光に主として起因し、かつＹ軸方向については第２の層の露光に主として起因すると判断し、ΣＸ１ｉ＜ΣＸ２ｉかつΣＹ１ｉ＞ΣＹ２ｉの場合、重ね合わせ誤差は、Ｘ軸方向については第２の層の露光に主として起因し、かつＹ軸方向については第１の層の露光に主として起因すると判断する。
【０２６１】
なお、上記の判断方法は一例であり、要は、制御装置６０ｉは、Ｉ個の第１マーク像の絶対位置座標とＩ個の第２マーク像の絶対位置座標とに基づいて、重ね合わせ誤差が、第１の層の露光と、第２の層の露光とのいずれに主として起因するかを判断するのであれば、その具体的な判断方法は特に問わない。
【０２６２】
上述の重ね合わせ計測方法により得られたウエハＷ１１の重ね合わせ誤差（重ね合わせずれ）のデータ、及び重ね合わせ誤差が第１の層の露光と第２の層の露光とのいずれに主として起因するかの判断結果のデータは、制御装置６０ｉ、あるいは計測システム制御装置５３０によって第１の層の露光を行った露光装置と第２の層の露光を行なった露光装置２００の少なくとも一方にフィードバックされることになる。
【０２６３】
例えば、重ね合わせ誤差の主要因が第１の層の露光である場合には、それらのデータを第１の層を行った露光装置にフィードバックしても良い。そして、その露光装置で、ウエハＷ１１を含むロットとは別のロットに含まれるウエハに対して、ウエハＷ１１の第１の層と同様の露光処理を行う場合に、フィードバックされたデータに基づいて、第２の層との重ね合わせ誤差が小さくなるように位置決め目標位置を決めて良い。
【０２６４】
また、重ね合わせ誤差の主要因が第２の層の露光である場合には、それらのデータを第２の層を行った露光装置２００にフィードバックしても良い。そして、露光装置２００で、ウエハＷ１１を含むロットとは別のロットに含まれるウエハに対して、ウエハＷ１１の第２の層と同様の露光処理を行う場合に、フィードバックされたデータに基づいて、第１の層との重ね合わせ誤差が小さくなるように位置決め目標位置を決めて良い。
【０２６５】
なお、データのフィードバックはホストコンピュータ２０００を介して行っても良い。
【０２６６】
また、ステップ３１８において、ウエハＷ１１の上の全ショットについて２以上のマークの絶対位置座標を取得し、第１の層の各ショットの形状と大きさに関する第１情報、及び第２の層の各ショットの形状と大きさに関する第２情報とが取得できる場合には、第１情報を、第１の層を露光した露光装置に提供（フィードバック）し、第２情報を第２の層を露光した露光装置２００に提供（フィードバック）しても良い。この場合、第２の層の各ショットの形状と大きさが所望状態となるように、結像特性補正コントローラ２４８を制御したり、レチクルステージＲＳＴの速度と方向の少なくとも一方を制御したりしても良い。
【０２６７】
なお、上述の説明においては、第１マーク像の絶対位置座標と第２マーク像の絶対位置座標とに基づいて、第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差（重ね合わせずれ）を求めているが、第１マーク像の絶対位置座標のデータと第２マーク像の絶対位置座標のデータを、第１の層と第２の層の重ね合わせ誤差（第１の層と第２の層の位置ずれ）の情報として、計測システム５００から出力しても良い。この場合、計測システム５００から出力されたデータを、第１の層の露光を行なった露光装置（露光装置２００又は別の露光装置）と第２の層の露光を行った露光装置２００との少なくとも一方に提供（フィードバック）しても良い。
【０２６８】
また、第１マーク像の絶対位置座標と第２マーク像の絶対位置座標とに基づいて、相互に組を成す第１マーク像と第２マーク像との位置ずれをそれぞれ求め、それらの位置ずれのデータを、第１の層と第２の層の重ね合わせ誤差（第１の層と第２の層の位置ずれ）の情報として、計測システム５００から出力しても良い。この場合も、計測システム５００から出力されたデータを、第１の層の露光を行なった露光装置（露光装置２００又は別の露光装置）と第２の層の露光を行った露光装置２００との少なくとも一方に提供（フィードバック）しても良い。
【０２６９】
上述の説明から明らかなように、本第２の実施形態に係る、基板処理システム１０００で行われる重ね合わせ計測方法によると、計測システム５００は、第１マーク像の絶対位置座標と第２マーク像の絶対位置座標とをそれぞれ計測することができ、これらの絶対位置座標に基づいて、重ね合わせ誤差を計測することができる。また、その重ね合わせ誤差が、下層の露光に主として起因するのか、上層の露光に主として起因するのを、特定することができるという、従来にない優れた効果を得ることができる。
【０２７０】
なお、上述の説明では、第１の層と第２の層の重ね合わせ誤差を求めるために、重ね合わせずれ計測用のマーク（第１マーク像、第２マーク像）を用いたが、ウエハマーク（アライメントマーク）を用いても良い。すなわち、第１の層のＩ個のウエハマークの絶対位置座標と、第２の層のＩ個のウエハマークの絶対位置座標とから、第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差を求めても良い。
【０２７１】
なお、上記ステップＳ３２０において、第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差（重ね合わせずれ）が求められているので、ステップＳ３２２は、必要に応じて実行すれば良い。
【０２７２】
また、上述の説明では、第２の層の露光処理後に、計測システム５００の計測装置１００ｉで、現像済のウエハＷ１１の第１マーク像（又は、第１層のウエハマーク）の絶対位置座標と第２マーク像（又は第２の層のウエハマーク）の絶対位置座標を取得しているが、第１の層の露光処理後であって、第２の層の露光処理前に、現像済のウエハＷ１１の第１マーク像（又は、第１層のウエハマーク）の絶対位置座標を計測システム５００の計測装置１００ｉで取得し、第２の層の露光処理後に、現像済のウエハＷ１１の第２マーク像（又は、第２層のウエハマーク）の絶対位置座標を計測システム５００の計測装置１００ｉで取得しても良い。この場合、第１の層と第２の層の重ね合わせ誤差は、計測システム５００（制御装置６０ｉ、５３０）で求めても良いし、別の装置（例えば、ホストコンピュータ２０００）で求めても良い。また、第１マーク像（又は、第１層のウエハマーク）の絶対位置座標の取得に用いられる計測装置１００ｉと、第２マーク像（又は、第２層のウエハマーク）の絶対位置座標の取得に用いられる計測装置１００ｉとが異なっていても良い。
【０２７３】
また、第２の層の次の層の露光処理を行うために、ウエハＷ１１が各種プロセス（エッチング処理及び成膜処理を含む）を経てＣ/Ｄ装置３００（又は別のＣ/Ｄ装置）に搬入される直前に、ウエハＷ１１を計測システム５００に搬入し、計測システム５００の計測装置１００ｉで、ウエハＷ１１の第１マーク像（又は、第１層のウエハマーク）の絶対位置座標と第２マーク像（又は第２の層のウエハマーク）の絶対位置座標の両方、又はウエハＷ１１の第２マーク像（又は、第２層のウエハマーク）の絶対位置座標を取得しても良い。この場合も、第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差（第１の層と第２の層と位置ずれ）を計測システム５００で求めて良いし、計測システム５００で取得された絶対位置座標の情報を計測システム５００から提供し、別の装置（例えば、ホストコンピュータ２０００）で第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差（第１の層と第２の層と位置ずれ）を求めて良い。また、計測システム５００で求められた第１の層と第２の層との重ね合わせ誤差（第１の層と第２の層と位置ずれ）の情報、あるいは計測システム５００で取得された絶対位置座標の情報を露光装置２００、又は別の露光装置に提供しても良い。
【０２７４】
なお、上述の説明では、計測システム５００で第１の層と第２の層の重ね合わせ誤差の情報を取得しているが、これに限られず、第ｍ層（下層、ｍは１以上の整数）と第ｎ層（上層、ｎは、ｍよりも大きい、２以上の整数）の重ね合わせ誤差を取得しても良い。この場合、第ｎ層が第ｍ層の次の層でなくても良い。
【０２７５】
なお、上記第２実施形態において、上述のウエハグリッドの変動管理に用いられる計測装置１００ｉと、重ね合わせ計測に用いられる計測装置１００ｉとが異なっていても良い。
【０２７６】
なお、上記第２の実施形態に係る基板処理システム１０００では、上述のウエハグリッドの変動管理と重ね合わせ計測の両方を行っているが、いずれか一方を行うだけでも良い。
【０２７７】
また、上記第２の実施形態に係る基板処理システム１０００において、計測システム５００は、露光装置２００、及びＣ／Ｄ３００のいずれともインライン接続されていないが、露光装置２００とＣ／Ｄ装置３００の一方、又は両方とインライン接続されていても良い。例えば、Ｃ／Ｄ装置３００が、露光装置２００と計測システム５００との間に配置されるように、Ｃ／Ｄ装置３００と計測システム５００とをインライン接続しても良い。あるいは、露光装置２００とＣ／Ｄ装置３００との間に配置されるように、計測システム５００を、露光装置２００とＣ／Ｄ装置３００の両方にインライン接続しても良い。この場合、計測システム５００は、キャリアシステム５１０を備えていなくても良い。
【０２７８】
また、上記第１及び第２の実施形態では、計測システム５００が複数の計測装置１００ｉを備えていなくても良い。すなわち、計測システム５００が計測装置を１台、例えば計測装置１００１のみを備えていても良い。
【０２７９】
なお、上記第１及び第２の実施形態（以下、上記各実施形態と略記する）では、計測装置１００ｉ（ｉ＝１〜４のいずれか）が、備えるマーク検出系ＭＤＳの検出信号を処理する信号処理装置４９が、マーク検出系ＭＤＳの検出結果として得られる検出信号の波形が良好なウエハマークの計測結果のみを、制御装置６０ｉに送ることで、制御装置６０ｉによりそれらのウエハマークの計測結果を用いてＥＧＡ演算が行われる結果、露光制御装置２２０によりマーク検出系ＭＤＳによる検出結果として得られる検出信号の波形が良好な複数のウエハマークの中から選択したウエハマークの位置情報の一部の位置情報を用いてＥＧＡ演算が行われる場合について説明した。しかしながら、これに限らず、信号処理装置４９は、マーク検出系ＭＤＳの検出結果として得られる検出信号の波形が不良なウエハマークを除いた残りのウエハマークの計測結果を、制御装置６０ｉに送ることとしても良い。また、マーク検出系ＭＤＳによる検出結果として得られる検出信号が良好か否かの判断を、信号処理装置４９に代わりに制御装置６０ｉが行っても良く、この場合も、制御装置６０ｉは、その検出信号が良好と判断したウエハマークあるいはその検出信号が不良と判断したウエハマークを除く残りのウエハマークの計測結果のみを用いて、前述のＥＧＡ演算を行う。そして、露光制御装置２２０が、制御装置６０ｉによるＥＧＡ演算に用いられたウエハマークの計測結果から選択した一部のウエハマークの計測結果を用いて前述のＥＧＡ演算を行うことが望ましい。
【０２８０】
なお、上記各実施形態では、露光装置２００にＣ／Ｄ３００がインライン接続されている場合について説明したが、Ｃ／Ｄ３００に代えて、基板（ウエハ）上に感応剤（レジスト）を塗布する塗布装置（コータ）が露光装置２００にインライン接続されていても良い。この場合、露光後のウエハは、露光装置に対してインライン接続されていない現像装置（デベロッパ）に搬入されることになる。あるいは、Ｃ／Ｄ３００に代えて、露光後の基板（ウエハ）を現像する現像装置（デベロッパ）が露光装置２００にインライン接続されていても良い。この場合、別の場所で予めレジストが塗布されたウエハが、露光装置に搬入されることになる。
【０２８１】
上記各実施形態では、露光装置が、スキャニング・ステッパである場合について説明したが、これに限らず、露光装置は、ステッパなどの静止型露光装置であっても良いし、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置であっても良い。さらに、例えば米国特許第６，５９０，６３４号明細書、米国特許第５，９６９，４４１号明細書、米国特許第６，２０８，４０７号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態を適用できる。また、露光装置は、前述した液体（水）を介さずにウエハＷの露光を行うドライタイプの露光装置に限らず、例えば、欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書、国際公開第２００４／０５５８０３号、国際公開第２００４／０５７５９０号、米国特許出願公開第２００６／０２３１２０６号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２８０７９１号明細書、米国特許第６,９５２,２５３号明細書などに記載されている液体を介して基板を露光する液浸型の露光装置であっても良い。また、露光装置は半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置などであっても良い。
【０２８２】
半導体デバイスは、上記各実施形態に係る基板処理システムの一部を構成する露光装置で、パターンが形成されたレチクル（マスク）を用いて感光物体を露光するとともに、露光された感光物体を現像するリソグラフィステップを経て製造される。この場合、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。
【０２８３】
なお、半導体デバイスの製造プロセスが、リソグラフィステップの他に、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクル（マスク）を製作するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を含んでいても良い。
【符号の説明】
【０２８４】
１０…スライダ、１２…定盤、１４…除振装置、１６…ベースフレーム、１８…エアベアリング、２０…駆動システム、２０Ａ…第１駆動装置、２０Ｂ…第２駆動装置、２２ａ，２２ｂ…可動子、２３ａ，２３ｂ…可動子、２４…可動ステージ、２５ａ，２５ｂ…固定子、２６ａ，２６ｂ…固定子、２８Ａ，２８Ｂ…Ｘ軸リニアモータ、２９Ａ，２９Ｂ…Ｙ軸リニアモータ、３０…第１位置計測システム、３２…ヘッド部、３３…エンコーダシステム、３５ａ〜３５ｄ…レーザ干渉計、３７ｘ…Ｘヘッド、３７ｙａ，３７ｙｂ…Ｙヘッド、４０…計測ユニット、４８…除振装置、５０…第２位置計測システム、５２Ａ，５２Ｂ…ヘッド部、５８Ｘ１，５８Ｘ２…ＸＺヘッド、５８Ｙ１，５８Ｙ２…ＹＺヘッド、６０ｉ…制御装置、７０ｉ…ウエハ搬送系、５３０…計測システム制御装置、１００ｉ…計測装置、２００…露光装置、３００…Ｃ／Ｄ、３３０…温調部、５００…計測システム、５１０…ＥＦＥＭシステム、５１２…ＥＦＥＭ本体、５１４…ロードポート、５１６…ロボット、５２１…搬送システム、５２４…ロード搬送部材、５２６…アンロード搬送部材、１０００…基板処理システム、ＭＤＳ…マーク検出系、ＲＧ１…グレーティング、ＲＧ２ａ，ＲＧ２ｂ…グレーティング、Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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