Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】機器制御装置、及び機器制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  機器のセンサー出力値に基づいて当該機器の制御を行う制御部と、
前記センサー出力値が異常か否かを判定する基準を記憶するセンサー異常条件記憶部と、
前記した基準と前記センサー出力値に基づいて、前記センサー出力値が異常か否かを判定するセンサー監視部と、
前記センサー出力値の標準的な出力パターンを記憶する出力パターン記憶部と、
前記センサー出力値が異常な場合に、前記センサー出力値を前記標準的な出力パターンに置き換えて、前記制御部へ入力するセンサーエミュレーション部と
を備えたことを特徴とする機器制御装置。
【請求項２】  前記した構成に加えて、前記センサー出力値が異常と判定された場合に、異常状態である旨をネットワークを介して報知する通報部を備えた請求項１記載の機器制御装置。
【請求項３】  機器のセンサー出力値に基づいて、当該機器の制御を行う機器制御方法であって、
前記センサー出力値が異常か否かを判断する基準と前記センサー出力値に基づいて、前記センサー出力値が異常か否かを判定するステップと、前記センサー出力値が異常な場合に、前記センサー出力値を予め定めた標準的な出力パターンに置き換えて前記機器の制御を行うステップとを有することを特徴とする機器制御方法。
【請求項４】  さらに、前記センサー出力値が異常と判定された場合に、異常状態で旨をネットワークを介して報知するステップを有することを特徴とする請求項３記載の機器制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、上述のフィードバック制御では、性能の劣化などにある程度対応できるものの、性能が発揮できているか否かをセンサーにより判断するため、機器を構成する部品の出力や機器の状態などをセンサーで計測する必要がある。現実問題の中には、適切なセンサーが未開発である場合や、コスト面で部品の出力や機器の状態を十分に検出するだけのセンサーを取り付けられないなどの場合がある。たとえば、ＴＶの画質調整を例にとれば、画質の状態をセンサーで完全に検出することはコスト面などで困難な場合が多い。したがって、不十分なセンサー情報からでも、あるいはセンサー情報が全くない場合にでも、より正確に出力や機器の状態を推定し、それによって制御の方法を変化させるための技術が必要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そして、本願発明が解決する課題であるが、電子機器がますます高度になってきていることを考えれば、上述の技術はいずれもセンサーが正しく稼動していることを前提としているが、複数のセンサーの一部が故障することも考えられ、制御の品質を保つためには一部のセンサーが故障した場合にでも、一定以上の制御品質を保ち、かつ修理のための迅速な対処が行えるようにする技術が必要である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、機器のセンサー出力値に基づいて当該機器の制御を行う制御部と、前記センサー出力値が異常か否かを判定する基準を記憶するセンサー異常条件記憶部と、前記した基準と前記センサー出力値に基づいて、前記センサー出力値が異常か否かを判定するセンサー監視部と、前記センサー出力値の標準的な出力パターンを記憶する出力パターン記憶部と、前記センサー出力値が異常な場合に、前記センサー出力値を前記標準的な出力パターンに置き換えて、前記制御部へ入力するセンサーエミュレーション部とを備えたことを特徴とする機器制御装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
好ましくは、前記した構成に加えて、前記センサー出力値が異常と判定された場合に、異常状態である旨をネットワークを介して報知する通報部を備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、機器のセンサー出力値に基づいて、当該機器の制御を行う機器制御方法であって、
前記センサー出力値が異常か否かを判断する基準と前記センサー出力値に基づいて、前記センサー出力値が異常か否かを判定するステップと、前記センサー出力値が異常な場合に、前記センサー出力値を予め定めた標準的な出力パターンに置き換えて前記機器の制御を行うステップとを有することを特徴とする機器制御方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
好ましくは、前記センサー出力値が異常と判定された場合に、異常状態で旨をネットワークを介して報知するステップを有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第１の実施形態によれば、電子機器が長期間使用する中で部品や駆動部分などの劣化がおきた場合にでも、制御のきめ細かさをある程度維持できるようにすることが可能になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第２の実施形態によれば、電子機器が長期間使用される中で部品や駆動部分などの劣化がおきる場合に、第１の発明に加えてセンサー情報を利用し、よりきめ細かな制御が可能になる。第３の実施形態によれば、制御プログラムが異常な動作を行った場合にでも、それを検出するだけでなく、一応の対処を施し、継続的に機器が使用できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
第４の実施形態によれば、制御を行うためのセンサーが異常な信号を出力している場合にでも、それを検出するだけでなく、一応の対処を施し、継続的に機器が使用できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、制御を行うためのセンサーが異常な信号を出力している場合にでも、それを検出するだけでなく、一応の対処を施し、継続的に機器が使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に及び／又は並列に接続されたＬＥＤのセットを有する、光学表示装置であって、
ＬＥＤがマトリクスをなす、ＬＥＤのセットであって、ＬＥＤのマトリクスを有し、該マトリクスが、少なくとも１つのＬＥＤによる少なくとも１つの列を有し、且つ、各列内の該ＬＥＤが直列に接続されている状態、及び該列が並列に接続されている状態であることからなる、ＬＥＤのセットと、
少なくとも前記各列に接続されて、対応する該列（複数可）を介して定電流を設定するための制御可能な電流源として動作する、第１の制御回路手段（８，１１，１５）と、
少なくとも１つのＬＥＤ（９）を周期的にスイッチングして、人間にとって目視できる信号を生成すると共に、人間にとって不可視である信号を生成するために、異なる周波数による様々なクロックパルスを、前記第１の制御回路手段（８，１１，１５）に配信する、論理回路手段（８）と、
前記マトリクスと前記第１の制御回路手段（８，１１，１５）とに接続されて、印加される電流の関数として前記ＬＥＤ（９）の両端にかかる電圧を調整するための制御可能な電圧源として動作する、第２の制御回路手段（５，６）
とを備えることを特徴とする、光学表示装置。
【請求項２】
電力消費を最低にするためのものとして特徴付けられ、前記第２の制御回路手段（５，６）が、前記ＬＥＤの適正な機能動作のために必要とされる最も低い実現可能な電圧を設定することからなる、請求項１に記載の光学表示装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤのそれぞれを、スイッチ（１０）全体にわたって、短絡させることができる、請求項１又は２に記載の光学表示装置。
【請求項４】
前記ＬＥＤのうちの１つか又は複数が故障した時には、前記論理回路手段（８）が、信号を配信する、請求項１乃至３のいずれかに記載の光学表示装置。
【請求項５】
前記論理回路手段（８）が、人間にとって不可視のある周波数において前記ＬＥＤを周期的にスイッチングして、日中及び夜間の動作における輝度を設定する、請求項１乃至４のいずれかに記載の光学表示装置。
【請求項６】
前記論理回路手段（８）が、ディジタル的な符号化手法で、前記ＬＥＤ（９）を、周期的にスイッチングして、情報を対応する受信器に伝達する、請求項１乃至５のいずれかに記載の光学表示装置。
【請求項７】
光点のための前記ＬＥＤが、異なる色における、すなわち赤色、緑色、及び青色による３つのＬＥＤからなり、前記論理回路手段（８）が、それら３つのＬＥＤを、所望の色に従って駆動することからなる、請求項１乃至６のいずれかに記載の光学表示装置。
【請求項８】
直列に又は並列に構成されたＬＥＤのセットを有する光学表示装置を動作させる方法であって、
前記ＬＥＤを介して定電流を設定するステップと、
人間にとって不可視のある周波数において、論理制御手段によって前記ＬＥＤを周期的にスイッチングすると共に、人間にとって目視できる光学信号を配信し、及び符号化されたディジタル信号を、適合可能に構成された読み出しデバイスに対して放出する、ステップと、
印加される電流の関数として、前記ＬＥＤの両端にかかる前記電圧を制御するステップ
とを含む、方法。
【請求項９】
いくつかの前記ＬＥＤが直列に接続された場合には、１つか又は複数のＬＥＤに故障がある時に、欠陥のあるＬＥＤが短絡されて、この直列接続内における電流が一定に保たれることからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
オンとオフとに前記ＬＥＤを周期的にスイッチングすることによって周囲の輝度に適合させるために、前記ＬＥＤの発光電力が変化させられることからなる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層をパターン化する方法であって：
前記層を、所定温度に加熱されるとガス状生成物に転換される断片から構成された高分子と光酸発生器を含むフォトレジスト層で覆うステップであって、前記高分子が、予め定められた温度まで安定であり、前記断片が、酸活性結合手によって結合されて前記高分子を形成し、前記高分子が、水又は活性水素を含んでいない溶媒に可溶性であり、且つ前記光酸発生器が、露光されると酸を放出する化合物を含み、パターン化される前記層が、水又は活性水素と化学反応する物質を含むことを特徴とするステップと；
パターン化される前記層の除去すべき領域に重畳する前記フォトレジストの領域を露光するステップと；
前記フォトレジスト層を前記所定温度又はそれ以上に加熱して、前記フォトレジストの露光領域を除去するステップと；
前記フォトレジストで覆われていない領域内の、パターン化される前記層の部分を除去するステップと；
残っているフォトレジストを前記溶媒で洗浄して残らず取除くステップと、
を設けて成る方法。
【請求項２】
前記光酸発生器が、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム及びヘキサフルオロアンチモン酸トリフェニルスルホニウムの１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記断片が、
【化１】
2000029221.tif 000001
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Rが、Cl、Br、及びSiMe3から成る群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記断片が、1-オキシ-4-オキシメチレン-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パターン化される前記層の部分を除去するステップが、前記層の前記部分をO2プラズマに曝すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
パターン化される前記層の部分を除去するステップが、前記層の前記部分をアルコールと有機酸に曝すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アルコールが、イソプロパノール、エタノール又はメタノールである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記有機酸が、酢酸である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
パターン化される前記層の部分を除去するステップが、前記層の前記部分をイオンミリングに曝すことを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンピュータシステムにおいて、拡張可能なアプリケーションを提供する方法であって、
アプリケーションに対する１つ以上のサービスを提供すると共にアプリケーションに加えられるソフトウェアモジュールを受け取る工程と、
前記アプリケーション内でソフトウェアコンポーネントのための実行コンテキストを生成する前記ソフトウェアモジュールのインストール関数をコールする工程と、
前記ソフトウェアモジュールによって要求されている前記アプリケーションのサービスを通知する前記ソフトウェアモジュールの従属性関数をコールする工程とを備える、方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法はさらに、前記ソフトウェアモジュールによって提供される前記１つ以上のサービスを前記アプリケーションに登録する前記ソフトウェアモジュールの稼働関数をコールする工程を備える、方法。
【請求項３】  請求項１に記載の方法はさらに、前記ソフトウェアモジュールの新規バージョンをインストールする前記ソフトウェアモジュールのアップデート関数をコールする工程を備える方法。
【請求項４】  請求項１に記載の方法において、前記ソフトウェアモジュールは複数のソフトウェアコンポーネントを含む、方法。
【請求項５】  請求項３に記載の方法において、前記各工程は、前記アプリケーションの各ソフトウェアモジュールについて繰り返される、方法。
【請求項６】  請求項１に記載の方法において、前記ソフトウェアモジュールの受け取りは、リモートサーバからの前記ソフトウェアモジュールに対するアクセスを含む、方法。
【請求項７】  請求項１に記載の方法において、前記アプリケーションは、Javaプログラムである、方法。
【請求項８】  拡張可能なアプリケーションを提供するためのコンピュータプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能媒体であって、コンピュータによって実行される、
アプリケーションに対する１つ以上のサービスを提供すると共にアプリケーションに加えられるソフトウェアモジュールを受け取るコンピュータコードと、
前記アプリケーション内でソフトウェアコンポーネントのための実行コンテキストを生成する前記ソフトウェアモジュールのインストール関数をコールするコンピュータコードと、
前記ソフトウェアモジュールによって要求されている前記アプリケーションのサービスを通知する前記ソフトウェアモジュールの従属性関数をコールするコンピュータコードと
を格納するコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項９】  請求項８に記載のコンピュータ読み取り可能媒体において、前記コンピュータ読み取り可能媒体は、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク、テープ、フラッシュメモリ、システムメモリ、ハードドライブ、及び搬送波に具象化されたデータ信号から構成される群から選択される、コンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１０】コンピュータシステムにおいて、ソフトウェアモジュールを定義するための方法であって、
前記ソフトウェアモジュールによって提供されるサービスを定義し、
アプリケーション内でソフトウェアコンポーネントのための実行コンテキストを生成する前記ソフトウェアモジュールのためのインストール関数を定義し、
前記ソフトウェアモジュールによって要求されたサービスを表示する前記ソフトウェアモジュールのための従属性関数を定義し、
前記ソフトウェアモジュールによって提供された前記サービスを、前記アプリケーションに登録する前記ソフトウェアモジュールのための稼働関数を定義することを備える、方法。
【請求項１１】請求項１０に記載の方法はさらに、前記ソフトウェアモジュールの新規バージョンをインストールする前記ソフトウェアモジュールのためのアップデート関数を定義する、方法。
【請求項１２】ソフトウェアモジュールのコンピュータプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能媒体であって、コンピュータによって実行される、
オブジェクト指向プログラムの実行時に第１のポイントにある、稼働オブジェクトに関する情報を引き出すコンピュータコードと、
前記ソフトウェアモジュールによって提供されるサービスを定義するコンピュータコードと、
アプリケーション内でソフトウェアコンポーネントのための実行コンテキストを生成する前記ソフトウェアモジュールのためのインストール関数を定義するコンピュータコードと、
前記ソフトウェアモジュールによって要求されたサービスを表示する前記ソフトウェアモジュールのための従属性関数を定義するコンピュータコードと、
前記ソフトウェアモジュールによって提供された前記サービスを、前記アプリケーションに登録する前記ソフトウェアモジュールのための稼働関数を定義するコンピュータコードと
を格納するコンピュータ読み取り可能媒体。。
【請求項１３】請求項１２に記載のコンピュータ読み取り可能媒体において、前記コンピュータ読み取り可能媒体は、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク、テープ、フラッシュメモリ、システムメモリ、ハードドライブ、及び搬送波に具象化されたデータ信号から構成される群から選択される、コンピュータ読み取り可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  データ処理システムを制御する方法であって：
分岐アドレスに位置してオフセット値を有する逆方向分岐命令を取り出す段階であって、前記逆方向分岐命令が目標アドレスに対する分岐をメモリ内で実行し、プログラム・ループを定義するものである段階；
前記逆方向分岐命令の後の次の命令を取り出しかつ格納する段階；
前記逆方向分岐命令に基づきカウンタ値をセットする段階；
前記オフセット値に基づく前記目標アドレスにおける目標命令を取り出す段階；
実行される各々の引き続く命令に対して前記カウンタ値を増分する段階；
前記カウンタ値が予め規定された条件に合致するか否かを判定し、かつ
前記カウンタ値が前記予め規定された条件に合致する場合：
引き続くアドレスにおける引き続く命令を取り出す段階であって、前記引き続くアドレスは前記目標アドレスである段階；および
前記オフセット値に基づき前記カウンタをリセットする段階；そして
前記カウンタが前記予め規定された条件に合致しない場合：
前記引き続くアドレスにおける前記引き続く命令を取り出す段階であって、前記引き続くアドレスはプログラムシーケンスにおける次の命令アドレスである段階；
前記目標命令を取り出す段階を反復し、かつプログラムフローがプログラムループの外側に移行するまで前記カウンタが前記予め規定された条件に合致するか否かを判定する段階；
を具備することを特徴とするデータ処理システムを制御する方法。
【請求項２】  前記カウンタ値をセットする段階は前記カウンタを始めに前記オフセット値に基づくものとしかつ各々の命令に遭遇する度ごとに前記カウンタ値を変更する段階を含み；かつ
前記判定する段階は予め規定された値が前記カウンタ値に対して首尾よく比較された場合に満たされるものとすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記カウンタ値をセットする段階は前記逆方向分岐命令に基づきアドレスを格納する段階を含み；かつ
前記判定する段階は前記カウンタがある特定された値に等しい場合に前記予め規定された条件が満たされたものと判定することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記カウンタ値をセットする段階は前記カウンタを前記オフセット値に等しくセットする段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  変更されたカウンタ値を有するように前記カウンタ値を変更する段階は定数を前記カウンタに加える段階を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有し、前記トランジスタのチャネル部における前記多結晶薄膜は、シリコンゲルマニウム多結晶Ｓｉ１−ｘＧｅｘからなり、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１であり、かつ前記多結晶薄膜中のＧｅの組成比xは、結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも粒界において大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記多結晶薄膜の厚さが１０〜１００nmであり、前記多結晶薄膜を構成する結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分におけるＧｅの組成比xが０＜x≦０.３、粒界におけるＧｅの組成比xが０.１≦x＜１.０であって、前記Ｇｅの組成比xは常に結晶粒の中心部よりも粒界ににおいて大きいことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記多結晶Ｓｉ１−ｘＧｅｘ薄膜は、粒界における表面凹凸が３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
前記トランジスタのチャネル部を流れる主キャリアが正孔であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項５】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有し、前記トランジスタのチャネル部における前記結晶薄膜は、基板に平行な{110}結晶面を有し、粒界における平均格子定数が結晶粒内部における平均格子定数より大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項６】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１と、前記多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタを複数個集積して構成した回路部とを保持し、前記回路部はｐタイプのトランジスタ及びｎタイプのトランジスタの両者を混在させたＣＭＯＳ型トランジスタからなり、少なくとも前記ｐタイプのトランジスタは、請求項１記載のトランジスタからなることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項７】
画像表示部と、前記画像表示部の表示を制御し、少なくともデータドライバ、ゲートドライバ及びバッファアンプを含む画像表示回路と、前記画像表示回路の周辺に位置して前記画像表示回路を制御する周辺回路部とを有する画像表示装置であって、前記画像表示回路及び前記周辺回路部は、前記画像表示部を構成する基板と同一の基板上に集積されると共に、前記画像表示回路及び前記周辺回路部は、絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１と、前記多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタを複数個集積して構成した回路部とを保持し、前記回路部はｐタイプのトランジスタもしくはｎタイプのトランジスタのいずれか一方、もしくは両者を混在させたＣＭＯＳ型トランジスタを含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
前記回路部を構成するｐタイプトのランジスタのGe組成比xが、ｎタイプのトランジスタのＧｅ組成比より大きいことを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記回路部に前記ｐタイプのトランジスタ、前記ｎタイプのトランジスタ及び前記ＣＭＯＳ型トランジスタのいずれかの種類を区別するために、これら回路近傍に設けられた位置合わせマークを保持することを特徴とする請求項７もしくは８記載の画像表示装置。
【請求項１０】
絶縁体基板上に、膜厚10〜100nmの非晶質Ｓｉ1-xGex層、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１、を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ1-xGex層をエネルギー密度200〜300mJ/cm2、パルス数1〜50個のエキシマレーザーにより結晶化する熱処理工程とを有し、非晶質Ｓｉ1-xGex層を多結晶Ｓｉ1-xGexにＧｅの組成比ｘを０＜x＜１で変化させ、前記多結晶薄膜中のＧｅの組成比ｘを、結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも粒界において大きくなるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記熱処理工程は、前記非晶質Ｓｉ1-xGex層の膜厚がＴnmのときエネルギー密度を（180+Ｔ）〜（200+Ｔ）mJ/cm2として、膜厚に対応して変化させることを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
半気密性封止を形成するのに用いられる現在の方法では、エポキシ・シーラントを用いて画像検出器の最上層にカバーを取り付けている。カバーは、エポキシ母材を含ませたグラファイト・ファイバ・クロスの片面又は両面にアルミニウムの薄層を付着させて製造される複合材構造板から成っている。アルミニウム層は、検出器に隣接して配置されて、検出器の表面積の全体にわたって気密性バリアを形成する。このカバーはエポキシ封止によってガラス製検出器基材に結合されて、カバーの各辺に半気密性バリアを形成する。このように、Ｘ線画像検出器は平坦なパネルから成っており、その一方の面はガラスによって封止され、一方の面はアルミニウムによって封止され、各辺はエポキシによって封止されている。カバー及び検出器層の内部には、シンチレータ及びOpticlad層が収容されている。Opticlad層は、金属（典型的には銀又は金）層及び酸化チタン（ＴｉＯ）層を備えたプラスチックの支持シートから成っており、この層が存在しなければ無駄になっていたであろうような可視光スペクトルを、該可視光スペクトルを検出する検出器のダイオード層に反射し返す作用をする。
【特許文献１】米国特許第６０２５５９８号
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】      
【請求項１】  インクジェット方式にてスペーサを基板上の任意の位置に配置した液晶表示装置の製造方法であって、インクジェット装置のノズルから吐出されたスペーサ分散液を配向膜が形成された基板上に着弾させた後乾燥して、スペーサを基板上の任意の位置に配置する際に、スペーサが下記式（１）を満足する直径Ｄ2 の円内に存在するように乾燥させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Ｄ2 ＜（Ｄ1 ×０．５）・・・（１）
（式中、Ｄ1 はスペーサ分散液が着弾した直後の着弾径を示し、Ｄ2 は乾燥後のスペーサ径を示す）
【請求項２】  スペーサ分散液が基板上に着弾したときの基板表面温度が、分散液に含まれる最も低沸点の液体の沸点より２０℃以上低い温度であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】  スペーサ分散液が基板上に着弾した後基板温度を徐々に上昇させながら媒体を乾燥する際に、スペーサ分散液の着弾後乾燥を開始する時の基板表面温度が、分散液に含まれる最も低沸点の液体の沸点より２０℃以上低く、かつ乾燥が完了するまでの間の基板表面温度が９０℃を超えない温度であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】  スペーサ分散液の基板上の配向膜に対する接触角が２５〜７０度であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法に用いられることを特徴とするスペーサ分散液。
【請求項６】  請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法、又は、請求項５に記載のスペーサ分散液を用いてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】  スペーサの配置個数は、１ｍｍ平方の領域に５０〜３００個であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（２）  各部燃焼率の計算
[１]  熱分解炉砂層
物質収支：ＧR＋Ｇ11＝Ｇ12
熱収支：ＧRＣpRＴR＋Ｇ11Ｃp11＋η1・ＬＨＶR／ＧR＝Ｇ12Ｃp12Ｔ12＋
Ｑ1
η1：熱分解炉砂層燃焼率
ＬＨＶR：ごみ低位発熱量
Ｑ1：熱分解炉砂層放熱
燃焼率：η1＝（Ｇ12Ｃｐ12Ｔ12＋Ｑ1-Ｇ11Ｃp11Ｔ11）／（ＬＨＶR・ＧR）＝Ｇ11／Ｇ0・ηl1
ηl1：熱分解炉砂層部燃焼空気に対する燃焼率（酸素消費率）
[２]  熱分解炉フリーボード
物質収支：Ｇ21＝Ｇ２２
熱収支：Ｇ21Ｃp21Ｔ21＋η2・ＬＨＶR・ＧR＝Ｇ22Ｃp22Ｔ22＋Ｑ2
η2：熱分解炉フリーボード燃焼率
Ｑ2：熱分解炉フリーボード放熱
燃焼率：η2＝（Ｇ22Ｃp22Ｔ22＋Ｑ2−Ｇ21Ｃp21Ｔ21）／（ＬＨＶR・ＧR
）＝(Ｇ21＋（１−ηl1）Ｇ11）／Ｇ0・ηl2
ηl2：熱分解炉フリーボード部燃焼空気に対する燃焼率（酸素消費率）
[３]  灰溶融炉
物質収支：Ｇ22＋Ｇ31＝Ｇ32
熱収支：Ｇ22Ｃp22Ｔ22＋Ｇ31Ｃp31Ｔ31＋η3・ＬＨＶＲ・ＧＲ＝Ｇ３２
Ｃｐ３２Ｔ３２＋Ｑ３
η３：灰溶融炉燃焼率
Ｑ３：灰溶融炉放熱
燃焼率：η3＝（Ｇ32Ｃp32Ｔ32＋Ｑ3−（Ｇ22Ｃp22Ｔ22＋Ｇ31Ｃp31Ｔ31
））／（ＬＨＶR・ＧR）＝（（１−ηl2）（Ｇ21＋（１−
ηl1）Ｇ11）＋Ｇ31）／Ｇ0・ηl3
ηl3：灰溶融炉燃焼空気に対する燃焼率（酸素消費率）
[４]  二次燃焼室
物質収支：Ｇ32＋Ｇ41＝Ｇ42
熱収支：Ｇ32Ｃp32Ｔ32＋Ｇ41Ｃp41Ｔ41＋η4・ＬＨＶR・ＧR＝Ｇ42Ｃp42
Ｔ42＋Ｑ4
η4：  二次燃焼室燃焼率
Ｑ4：  二次燃焼室放熱
燃焼率：η4＝（Ｇ42Ｃp42Ｔ42＋Ｑ4−（Ｇ32Ｃｐ32Ｔ32＋Ｇ41Ｃp41Ｔ41
））／（ＬＨＶR・ＧR）＝（１−η1−η2−η3）
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ガスタービンエンジンの燃焼器（１０）に用いるカウル（２２、２６）であって、該カウル（２２、２６）内に形成された環状の波形部（４０）を含むことを特徴とするカウル。
【請求項２】 本体が、金属薄板で作られていることを特徴とする、請求項１に記載のカウル（２２、２６）。
【請求項３】 前記カウル（２２、２６）は、外側カウル（２２）であることを特徴とする、請求項１に記載のカウル（２２、２６）。
【請求項４】 該カウル（２２、２６）は、内側カウル（２６）であることを特徴とする、請求項１に記載のカウル（２２、２６）。
【請求項５】 ガスタービンエンジンの燃焼器（１０）であって、ライナ（１４、１６）を有しかつ燃焼室（１２）を形成する中空の本体（１１）と、前記ライナ（１４、１６）に接合されかつ環状の波形部（４０）を有する外側カウル（２２）と、前記ライナ（１４、１６）に接合された内側カウル（２６）と、を含むことを特徴とする燃焼器（１０）。
【請求項６】 前記内側カウルは、内側の環状の波形部（４０）を有することを特徴とする、請求項５に記載の燃焼器（１０）。
【請求項７】 本体が、金属薄板で作られていることを特徴とする、請求項５に記載の燃焼器（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼による排ガス中の大気汚染物質、特に窒素酸化物及び炭素酸化物の処理のための排ガス処理装置であって、燃焼による排ガスは、高温度下で、強制冷却下の酸性液ついでアルカリ液に接触させて排ガス中の可溶成分を液中に溶解することにより、排ガスを処理するようにした排ガス処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、酸性液及びアルカリ液として電気分解によって生成される酸性液及びアルカリ液をそれぞれ用いた排ガス処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、排ガスと酸性液若しくはアルカリ液との接触のため回転型の気液接触装置を備え、排ガスは回転下で酸性液若しくはアルカリ液に湿潤及び冷却せしめられる排ガス処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の発明において、酸性液若しくはアルカリ液より同液中に取り込まれた粒子状物質を分離する分離装置を備えた排ガス処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
請求項１に記載の発明によれば、燃焼による排ガス中の大気汚染物質、特に窒素酸化物及び炭素酸化物の処理のための排ガス処理装置であって、燃焼による排ガスは、高温度下で、強制冷却下の酸性液ついでアルカリ液に接触させて排ガス中の可溶成分を液中に溶解することにより、排ガスを処理するようにした排ガス処理装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、排ガスと酸性液若しくはアルカリ液との接触のため回転型の気液接触装置を備え、排ガスは回転下で酸性液若しくはアルカリ液に湿潤及び冷却せしめられる排ガス処理装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項４に記載の発明によれば、  請求項１から３のいずれか一項に記載の発明において、酸性液若しくはアルカリ液より同液中に取り込まれた粒子状物質を分離する分離装置を備えた排ガス処理装置が提供される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項４の発明の作用・効果を説明すると、分離装置を設けることにより液中の粒子状物質の分離を好適に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
以下の計算式：
Ａ＝（１０−Ｔｒ）／（１０−Ｕｒ）
（ここで、Ａは選択吸着率であり、Ｔｒは、ＤＬ−β−アミノイソ酪酸吸着試験におけるＤＬ−β−アミノイソ酪酸の残存量であり、Ｕｒは、α−アミラーゼ吸着試験におけるα−アミラーゼの残存量である）
から計算した選択吸着率が２．６以上である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明による前記の球状活性炭の選択吸着性を一層向上させるには、こうして得られた球状活性炭を、続いて、酸素含有量０．１〜５０ｖｏｌ％（好ましくは１〜３０ｖｏｌ％、特に好ましくは３〜２０ｖｏｌ％）の雰囲気下、３００〜８００℃（好ましくは３２０〜６００℃）の温度で酸化処理し、更に８００〜１２００℃（好ましくは８００〜１０００℃）の温度下、非酸化性ガス雰囲気下で加熱反応による還元処理をすることにより、本発明の経口投与用吸着剤として用いる表面改質球状活性炭を得ることができる。ここで、表面改質球状活性炭とは、前記の球状活性炭を、前記の酸化処理及び還元処理して得られる多孔質体であり、球状活性炭の表面に酸性点と塩基性点とをバランスよく付加することにより腸管内の有毒物質の吸着特性を向上させたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】走査において収集される投影走査データから発生される像データにおけるアーティファクトを減少させる方法であって、
前記像データを第１の成分と第２の成分とに割り当てる工程（５２）と、
前記第１の成分にフィルタ作用を及ぼす工程（５８）と、
該フィルタ作用を受けた第１の成分と前記第２の成分（５６）とを結合する工程（６２）とを備えた方法。
【請求項２】前記第１の成分は、バックグラウンド像データ（５４）を含んでおり、前記第２の成分は、シャープ・ストラクチャ像データ（５６）を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記像データを第１の成分と第２の成分とに割り当てる工程は、前記像データのＣＴ数の変化に基づいて実行される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】前記像データを第１の成分と第２の成分とに割り当てる工程は、グレイ・スケール閾値法を用いて実行される請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】前記第１の成分にフィルタ作用を及ぼす工程（５８）は、ｚ−ウェッジ・フィルタを用いて実行される請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】前記フィルタ作用を受けた第１の成分と第２の成分とを結合する工程（６２）は、前記フィルタ作用を受けた第１の成分を前記第２の成分に加える工程を含んでいる請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】前記走査は、螺旋走査を含んでいる請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】走査において収集される投影走査データから発生される像データにおけるアーティファクトを減少させる装置（３６）であって、
前記像データを第１の成分と第２の成分とに割り当てる手段（５２）と、
前記第１の成分（５４）にフィルタ作用を及ぼす手段（５８）と、
該フィルタ作用を受けた第１の成分（６０）と前記第２の成分（５６）とを結合させる手段（６２）とを備えた装置（３６）。
【請求項９】前記第１の成分は、バックグラウンド像データ（５４）を含んでおり、前記第２の成分は、シャープ・ストラクチャ像データ（５６）を含んでいる請求項８に記載の装置。
【請求項１０】前記像データを第１の成分と第２の成分とに割り当てる手段は、前記像データのＣＴ数の変化に基づいて割り当てるようにプログラムされた計算機を含んでいる請求項８又は９に記載の装置。
【請求項１１】 前記像データを第１の成分と第２の成分とに割り当てる手段（５２）は、前記像データをグレイ・スケール閾値法に基づいて割り当てるようにプログラムされた計算機（３６）を含んでいる請求項８から１０のいずれか一項に記載の装置（３６）。
【請求項１２】 前記第１の成分にフィルタ作用を及ぼす手段（５８）は、前記像データをｚ−ウェッジ・フィルタを用いてフィルタ作用を及ぼすようにプログラムされた計算機（３６）を含んでいる請求項８から１１のいずれか一項に記載の装置（３６）。
【請求項１３】 前記フィルタ作用を受けた第１の成分と第２の成分とを結合させる手段（６２）は、前記フィルタ作用を受けた第１の成分を前記第２の成分に加えるようにプログラムされた計算機（３６）を含んでいる請求項８から１２のいずれか一項に記載の装置（３６）。
【請求項１４】  前記走査は、螺旋走査を含んでいる請求項８から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】  請求項８から１４のいずれか一項に記載された装置を備えたＣＴシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下プラテンを駆動する型締め機構と型締力検出装置と型締め位置検出装置とを有した射出成形機において、上金型を具備した上プラテンを固定し、下金型を具備した下プラテンを可動状態として、型締め制御を行う時に、型締力検出装置により検出された型締力に基づきフィードバック制御する型締力制御と、型締め位置検出装置により検出された型締め位置に基づき制御する型締位置制御とを複合して、下プラテンの移動を制御する方法であって、当初の射出圧縮開始からの初期期間は型締位置制御を行い、下プラテンが所定位置に達した後型締力制御を行うことを特徴とする射出成形機の型締め制御方法。
【請求項２】  前記型締位置制御中に型締力検出装置から検出された検出値が予め設定した型締力に達すると、下プラテンが所定位置に達する前であっても、この型締位置制御を型締力制御に切り換えるようにしたことを特徴とする請求項１記載の射出成形機の型締め制御方法。
【請求項３】  型締力制御後に再び型締め位置制御を行う請求項１または２記載の射出成形機の型締め制御方法。
【請求項４】  型締力制御中において、型締力検出装置から検出された検出値と予め設定した設定値の型締力の差のレベルにより、一定速度制御と力フィードバック速度制御との一方から他方に切換えるようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の射出成形機の型締め制御方法。
【請求項５】  一定速度制御における速度指令値を自由に変更できるようにしたことを特徴とする請求項４記載の射出成形機の型締め制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来の射出成形機における型締め制御としては、図４に示すように、設定された型締力としての目標値Ｆと型締力検出装置からの実測値Ｆ’の差を比例・積分して速度指令値Ｖを出力し、型締力を前記目標値Ｆに達するように制御する型締力フィードバック速度制御を採用していた。なお、図４においてＩ／Ｓは積分要素、Ｐは比例要素である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の射出成形機の型締め制御方法では、下プラテンを駆動する型締め機構と型締力検出装置と型締め位置検出装置とを有した射出成形機において、上金型を具備した上プラテンを固定し、下金型を具備した下プラテンを可動状態として、型締め制御を行う時に、型締力検出装置により検出された型締力に基づきフィードバック制御する型締力制御と、型締め位置検出装置により検出された型締め位置に基づき制御する型締位置制御とを複合して、下プラテンの移動を制御する方法であって、当初の射出圧縮開始からの初期期間は型締位置制御を行い、下プラテンが所定位置に達した後型締力制御を行うことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また前記型締位置制御中に型締力検出装置から検出された検出値が予め設定した型締力に達すると、下プラテンが所定位置に達する前であっても、この型締位置制御を型締力制御に切り換えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の型締め制御方法において、型締力制御中に、型締力検出装置から検出された検出値と予め設定した設定値の型締力の差のレベルにより、一定速度制御と力フィードバック速度制御との一方から他方に切換えるように構成することができる。前記一定速度制御における速度指令値を自由に変更できるようにすると好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明における実施の形態について図１〜図３を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）カルボキシル基を含有し且つ場合により、さらにヒドロキシフエニル基を含有していてもよい重合体；（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合物；（Ｃ）活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物；及び（Ｄ）リン酸系化合物を含むことを特徴とする感光性組成物。
【請求項２】
（Ａ′）カルボキシル基を含有する重合体；（Ａ″）ヒドロキシフェニル基を含有する重合体；（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合物；（Ｃ）活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物；及び（Ｄ）リン酸系化合物を含むことを特徴とする感光性組成物。
【請求項３】
重合体（Ａ）が約５００〜約１００，０００の数平均分子量を有するものである請求項１の組成物。
【請求項４】
重合体（Ａ）がカルボキシル基を重合体１ｋｇあたり０．５〜１０当量含有するものである請求項１の組成物。
【請求項５】
重合体（Ａ）がヒドロキシフエニル基を重合体１ｋｇあたり１〜１０当量含有するものである請求項１の組成物。
【請求項６】
重合体（Ａ′）が約３，０００〜約１００，０００の数平均分子量を有するものである請求項２の組成物。
【請求項７】
重合体（Ａ′）がカルボキシル基を重合体１ｋｇあたり０．５〜１０当量含有するものである請求項２の組成物。
【請求項８】
重合体（Ａ″）が約５００〜約１００，０００の数平均分子量を含有するものである請求項２の組成物。
【請求項９】
重合体（Ａ″）がヒドロキシフエニル基を重合体１ｋｇあたり１〜１０当量含有するものである請求項２の組成物。
【請求項１０】
ビニルエーテル基含有化合物(Ｂ)が、１分子中に、−Ｒ′−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ2［ここで、Ｒ′は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす］で示されるビニルエーテル基を２〜４個含有する低分子量または高分子量の化合物である請求項１または２の組成物。
【請求項１１】
光酸発生化合物（Ｃ）が下記式（Ｉ）
【化１】
2000267285.tif 000001
式中、Ｒは式
【化２】
2000267285.tif 000002
（ここでＲ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に水素原子もしくはフッ素原子を表わす）、
【化３】
2000267285.tif 000003
で示される基を表わす、
で示される化合物である請求項１または２の組成物。
【請求項１２】
リン酸系化合物（Ｄ）がリン酸類、酸性リン酸エステル類、ホスフィン酸類及びホスホン酸類から選ばれる請求項１または２の組成物。
【請求項１３】
ビニルエーテル基含有化合物（Ｂ）を重合体（Ａ）１００重量部に対して５〜１５０重量部含有する請求項１の組成物。
【請求項１４】
重合体（Ａ′）対重合体（Ａ″）の重量比が９０／１０〜１０／９０である請求項２の組成物。
【請求項１５】
ビニルエーテル基含有化合物（Ｂ）を重合体（Ａ′）と重合体（Ａ″）の合計量１００重量部に対して５〜１５０重量部含有する請求項２の組成物。
【請求項１６】
下記式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）
【化４】
2000267285.tif 000004
式中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立にメチル基、エチル基、プロピル基ま
たはイソプロピル基を表わし、そしてＲ8およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子、炭素
数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカ
ルボニル基、各アルキル部分の炭素数が１〜４のジアルキルアミノ基、Ｃｌ、Ｂｒ、
ＣＮ、ＮＯ2またはＳＯ2ＣＨ3を表わす、
【化５】
2000267285.tif 000005
式中、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立にメチル基、エチル基、プロピル基また
はイソプロピル基を表わし、Ｒ13およびＲ14はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルキルカルボニル
基、各アルキル部分の炭素数が１〜４のジアルキルアミノ基、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｎ
Ｏ2またはＳＯ2ＣＨ3を表わす、
で示される増感色素をさらに含有する請求項１または２の組成物。
【請求項１７】
親水性樹脂をさらに含有する請求項１または２の組成物。
【請求項１８】
請求項１又は２に記載の感光性組成物を基板に塗布する工程；該基板を加熱する工程；活性エネルギー線を画像選択的に照射する工程；照射後に基板を加熱する工程；および塩基性現像液で現像する工程を順次行うことを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項１９】
請求項１又は２に記載の感光性組成物を、活性エネルギー線を透過しうる透明な支持フィルム上に塗布し乾燥して感光性被膜層を形成せしめ、ドライフィルムレジストをつくる工程；該ドライフィルム型レジストの感光性被膜層を基板に圧着する工程；該基板を加熱する工程；活性エネルギー線を支持フィルムを通して選択的に照射する工程；照射後に基板を加熱する工程；および加熱後に支持フィルムを剥離し、塩基性現像液で現像する工程を順次行なうことを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２０】
請求項１又は２に記載の感光性組成物を転写フィルム上に塗布し乾燥して感光性被膜層を形成せしめ、転写フィルム型レジストをつくる工程；該転写フィルム型レジストの感光性被膜層を基板に圧着する工程；該基板を加熱する工程；加熱後に転写フィルムを剥離し、活性エネルギー線を選択的に照射する工程；照射後に基板を加熱する工程；および塩基性現像液で現像する工程を順次行なうことを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２１】
請求項１８ないし２０に記載の方法で形成されたパターン。