【事件の表示】
　平成３年特許願第２９５０５６号「不揮発性メモリ装置及び書込データの経時変化監視方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年２月５日出願公開、特開平５−２８７８８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明
　本願は、平成３年１０月１５日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１４年７月２２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
電気的に書き込み消去可能なメモリセルで構成されデータビットの書き込まれる第１メモリセルと、電気的に書き込み消去可能なメモリセルで構成され経時変化監視用データビットの書き込まれる第２メモリセルとを有する不揮発性メモリ装置において、
高電圧発生回路と前記第２メモリセルの間に前記高電圧発生回路からの電圧を下げるための１／ｎ回路を有し、前記１／ｎ回路を用いて前記経時変化監視用データビットを前記第２メモリセルに書き込む際の書き込み電圧を前記第１メモリセルに対する前記データビットの書き込み電圧より低く設定し、前記経時変化監視用データビットの経時変化を促進していることを特徴とする不揮発性メモリ装置。」
　
２．引用例に記載された発明
　これに対して、当審において平成１４年５月３１日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開平２−４９３００号公報（以下、「引用例１」という。）には、ＥＥＰＲＯＭ内蔵マイクロコンピュータに関し、以下（ａ）、（ｂ）の事項が記載されている。
（ａ）作用として、「本発明のマイクロコンピュータによれば、ＥＥＰＲＯＭ１２の記憶内容の消失を防止する記憶内容検出手段１３を設けている。このため、予め、ＥＥＰＲＯＭ１２に比べて、記憶性能を劣化させた専用メモリセル１３１に、該ＥＥＰＲＯＭ１２と同様に情報データを書き込み処理をし、…、定期的に専用メモリセル１３１の情報データを読み出し処理をし、データリテンション（データ化け）等の異常があれば、…、ＥＥＰＲＯＭ１２の全てのメモリセルについて初期に記憶した情報データの再書き込み処理をすることが可能となる。これにより、常に初期に記憶した、かつ高信頼度の情報データを保持することが可能となる。」（第３頁右上欄第７行〜同頁左下欄第３行）
（ｂ）実施例の説明として、「一般に、電荷（データ）の保持能力はＥＥＰＲＯＭのメモリセル加わる電界によって、フローティングゲートＦＧにチャージされた電荷の移動難易度で決定される。このため、保持能力は、コントロールゲートＣＧに印加する電界強度に大きく影響される。従って、本発明の実施例に係る専用メモリセル１３１は…トランジスタＱ４のコントロールゲートＣＧに印加する電界を強くすることにより記憶性能を劣化させることができる。」（第４頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第８行）
　以上（ａ）、（ｂ）の事項及び図面の記載から、引用例１には、
　ＥＥＰＲＯＭ１２の通常のメモリセル１２１と、専用メモリセル１３１とを有し、強い電界を印加して記憶性能を劣化させた上記専用メモリセル１３１に、通常のメモリセル１２１と同様に情報データを書き込み処理をし、定期的に専用メモリセル１３１の情報データを読み出し処理をし、データ化け等の異常があれば、通常のメモリセル１２１について初期に記憶した情報データの再書き込み処理をするＥＥＰＲＯＭ装置
が記載されていると認められる。
　同じく引用した特開平２−３１４００号公報（以下、「引用例２」という。）には、「高温保管の後、急激にしきい値電圧の低下したものは通常使用時の電源電圧においても期待通りの内容が読出せなくなる為、排除が可能であるが、しきい値電圧の変化が比較的小さく、不良の程度の軽いものは排除する事が不可能であった。」（第２頁右上欄第１１〜１６行）、「しきい値電圧は、第２図（ａ）、（ｂ）に示すように、書込み時間が長くなる程蓄積電子数が多くなるので、そのレベルは高くなる。」（第３頁右上欄第７〜９行）、「本発明は、通常の書込み時には従来と同様にメモリセルのゲート電極に高いレベルの電圧を印加してメモリセルに高いしきい値電圧を与え、試験用の書込み時には従来の書込み時の電圧より低いレベルの電圧を印加して低いしきい値電圧を与える構成とすることにより、試験用の書込みの後、高温保管等の保持特性試験により経時的に劣化する保持特性不良のメモリセルの検出が容易となり、…効果がある。」（第３頁左下欄第２〜１３行）と記載されており、これらの記載及び第２図の記載から、引用例２には、
　不揮発性メモリ装置において、保持特性不良のメモリセルの検出が容易となるように、試験時のメモリセルへの書き込み電圧を通常時の書き込み電圧より低い電圧として、書き込みによるメモリセルの蓄積電荷量を通常時の書き込みによる蓄積電荷量より少なくすること
が記載されていると認められる。
　
３．本願発明と引用例に記載された発明との対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「前者」という。）と引用例１に記載された発明（以下、「後者」という。）とを対比する。
（イ）後者の、「通常のメモリセル１２１」、「専用メモリセル１３１」、「ＥＥＰＲＯＭ装置」は、前者の、「第１メモリセル」、「第２メモリセル」、「不揮発性メモリ装置」にそれぞれ相当しており、
（ロ）後者のように、専用メモリセル１３１の記憶性能を劣化させると、経時変化後の蓄積電荷量がより少なくなり、前者と同様に、専用メモリセル１３１の記憶する情報データの経時変化を促進することになると認められる。
　よって、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
［一致点］
　「電気的に書き込み消去可能なメモリセルで構成されデータビットの書き込まれる第１メモリセルと、電気的に書き込み消去可能なメモリセルで構成され経時変化監視用データビットの書き込まれる第２メモリセルとを有する不揮発性メモリ装置において、前記経時変化監視用データビットの経時変化を促進している不揮発性メモリ装置」である点。
［相違点］
　前者が、経時変化監視用データビットの経時変化を促進するのに、高電圧発生回路と前記第２メモリセルの間に前記高電圧発生回路からの電圧を下げるための１／ｎ回路を有し、前記１／ｎ回路を用いて経時変化監視用データビットを第２メモリセルに書き込む際の書き込み電圧を第１メモリセルに対する前記データビットの書き込み電圧より低く設定しているのに対して、後者は、第２メモリセル（専用メモリセル１３１）に強い電界を印加して記憶性能を劣化させている点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２に、不揮発性メモリ装置において、保持特性不良のメモリセルの検出が容易となるように、試験時のメモリセルへの書き込み電圧を通常時の書き込み電圧より低い電圧として、書き込みによるメモリセルの蓄積電荷量を通常時の書き込みによる蓄積電荷量より少なくすることが記載されており、書き込みによる蓄積電荷量を少なくすると経時変化後の蓄積電荷量も少なくなることは明らかであるから、後者において、経時変化監視用データビットの経時変化を促進するのに、経時変化監視用データビットを第２メモリセルに書き込む際の書き込み電圧を第１メモリセルに対するデータビットの書き込み電圧より低く設定することは、当業者が容易になし得たことであり、その際に、高電圧発生回路からの電圧を下げるための１／ｎ回路を用いることは、当業者が適宜になし得た設計的事項にすぎない。
　
５．まとめ
　以上のとおりであるので、本願の請求項１に係る発明は、引用例１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。