【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面上に第１の電極及び第２の電極が形成されている半導体素子と、
対向面を、前記半導体素子の第１の面に対向させるように配置され、前記第１の電極及び第２の電極にそれぞれ対向する位置に配置された第１の引出電極層及び第２の引出電極層を含む支持基板と、
前記支持基板の対向面及び前記半導体素子の第１の面の少なくとも一方の、少なくとも一部の領域上に配置され、前記第１の電極及び第２の電極に対応する位置にそれぞれ第１の開口及び第２の開口が形成されており、絶縁材料で形成された堰堤膜と、
前記第１の開口内を通って、前記第１の電極と前記第１の引出電極層とを電気的に接続し、該第１の開口内を完全には埋め尽くさない第１の接続部材と、
前記第２の開口内を通って、前記第２の電極と前記第２の引出電極層とを電気的に接続し、該第２の開口内を完全には埋め尽くさない第２の接続部材と
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記堰堤膜が前記支持基板の対向面上に配置されており、前記第１の接続部材が、前記支持基板側に配置された支持基板側部分と、前記半導体素子側に配置された半導体素子側部分とを含み、該支持基板側部分の、前記半導体素子に対向する面が、該半導体素子側部分の、前記支持基板に対向する面よりも広く、前記堰堤膜が、該支持基板側部分の、前記半導体素子に対向する面の一部に、両者の密着性を高める材料からなる第１の接着層を介して密着している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の接着層が、チタン、ニッケル、アルミニウムからなる群より選択された１つの材料で形成されている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記堰堤膜が前記半導体素子の第１の面上に配置されており、前記第１の接続部材が、前記支持基板側に配置された支持基板側部分と、前記半導体素子側に配置された半導体素子側部分とを含み、該半導体素子側部分の、前記支持基板に対向する面が、該支持基板側部分の、前記半導体素子に対向する面よりも広く、前記堰堤膜が、該半導体素子側部分の、前記支持基板に対向する面の一部に、両者の密着性を高める材料からなる第２の接着層を介して密着している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記堰堤膜が前記支持基板の対向面上に配置されており、前記半導体素子の第１の面、第１の電極、及び第２の電極の表面が絶縁材料からなる保護膜で覆われており、該保護膜に、該第１の電極の上面の一部及び第２の電極の上面の一部を露出させる第３の開口及び第４の開口が形成されており、前記第１の接続部材が該第３の開口内を通って前記第１の電極に接続され、前記第２の接続部材が該第４の開口内を通って前記第２の電極に接続されており、前記第１の接続部材の周囲及び前記第２の接続部材の周囲において、前記保護膜が前記堰堤膜に接触している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の接続部材が、前記支持基板側に配置された支持基板側部分と、前記半導体素子側に配置された半導体素子側部分とを含み、該支持基板側部分と半導体素子側部分との一方部分の、他方の部分に対向する面に、溝が形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の面上に第１の電極及び第２の電極が形成されている半導体素子と、
前記半導体素子の第１の面に対向配置され、前記第１の電極及び第２の電極にそれぞれ対向する位置に配置された第１の引出電極層及び第２の引出電極層を含む支持基板と、
前記第１の電極の対向面と前記第１の引出電極層の対向面との間に画定された第１の空間を取り囲み、該第１の電極の対向面から該第１の引出電極層の対向面まで連続して該第１の空間を閉じた空間とし、前記第２の電極の対向面と前記第２の引出電極層の対向面との間に画定された第２の空間を取り囲み、該第２の電極の対向面から該第２の引出電極層の対向面まで連続して該第２の空間を閉じた空間とし、絶縁材料で形成されている絶縁部材と、
前記第１の空間内に配置され、前記第１の電極と前記第１の引出電極層とを電気的に接続する第１の接続部材と、
前記第２の空間内に配置され、前記第２の電極と前記第２の引出電極層とを電気的に接続する第２の接続部材と
を有する半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁部材が、前記半導体素子の第１の面、前記第１の電極及び第２の電極を覆う保護膜を含む請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁部材が、前記支持基板上に形成された堰堤膜を含み、該堰堤膜に前記第１の空間の一部及び第２の空間の一部を画定する開口が設けられており、前記第１の接続部材が、前記支持基板側に配置された支持基板側部分と、前記半導体素子側に配置された半導体素子側部分とを含み、該支持基板側部分の、前記半導体素子に対向する面が、該半導体素子側部分の、前記支持基板に対向する面よりも広く、前記堰堤膜が、該支持基板側部分の、前記半導体素子に対向する面の一部に、両者の密着性を高める材料からなる第１の接着層を介して密着している請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
第１の面上に第１の電極及び第２の電極が形成され、該第１の電極上に第３の接続部材が形成され、該第２の電極上に第４の接続部材が形成されている第１の基板を準備する工程と、
第２の面を、前記第１の基板の第１の面に対向配置した時、該第２の面上の、前記第３の接続部材及び第４の接続部材に対応する位置に、それぞれ第５の接続部材及び第６の接続部材が形成され、該第５の接続部材及び第６の接続部材が、絶縁材料からなる堰堤膜で被覆され、該堰堤膜に、該第５の接続部材及び第６の接続部材の上面を露出させる第１の開口及び第２の開口が形成され、該第１の面の法線に平行な視線で見たとき、該第１の開口の内側に前記第３の接続部材が位置し、該第２の開口の内側に前記第４の接続部材が位置する第２の基板を準備する工程と、
前記第３の接続部材を、前記第１の開口内を通して前記第５の接続部材部材に接触させると共に、前記第４の接続部材を、前記第２の開口内を通して前記第６の接続部材に接触させ、該第３の接続部材と第５の接続部材との接触部分、及び前記第４の接続部材と第６の接続部材との接触部分を共晶化させる工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の接続部材の体積が前記第１の開口の容積よりも小さく、前記第４の接続部材の体積が前記第２の開口の容積よりも小さい請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
第１の面上に第３の接続部材及び第４の接続部材が形成されている第１の基板を準備する工程と、
第２の面上に、絶縁材料からなる堰堤膜が形成され、該第２の面を、前記第１の基板の第１の面に対向配置した時、該堰堤膜の、前記第３の接続部材及び第４の接続部材に対応する位置に、それぞれ第１の開口及び第２の開口が形成され、該第１の開口内及び第２の開口内にそれぞれ第５の接続部材及び第６の接続部材が配置され、該第５の接続部材と該第１の開口の内周面との間、及び該第６の接続部材と第２の開口の内周面との間に空隙が画定され、該第５の接続部材の上面は第１の開口の開口面から突出し、該第６の接続部材の上面は第２の開口の開口面から突出している第２の基板を準備する工程と、
前記第３の接続部材を前記第５の接続部材に接触させ、前記第４の接続部材を前記第６の接続部材に接触させて、接触部分を共晶化させる工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
第１の面上に第３の接続部材及び第４の接続部材が形成され、該第３の接続部材及び第４の接続部材が、該第１の面から順番に、下層、中層、及び上層が積層された構造を有し、該下層がニッケル、チタン、タングステン、モリブデンからなる群より選択された１つの金属で形成され、該中層が白金で形成され、該上層が金で形成されている第１の基板と、
前記該１の基板の第１の面に、第２の面が対向するように配置され、該第２の面の、前記第３の接続部材及び第４の接続部材に対向する位置にそれぞれ配置された第５の接続部材及び第６の接続部材を含み、該第５の接続部材及び第６の接続部材が、該第２の面から順番に、下層、中層、及び上層が積層された構造を有し、該下層が、ニッケル、チタン、タングステン、モリブデンからなる群より選択された１つの金属で形成され、該中層が白金で形成され、該上層が、金層と錫層とが交互に配置された積層構造を有する第２の基板と
を有し、
前記第３の接続部材の上面と前記第５の接続部材の上面とが接触して共晶化され、前記第４の接続部材の上面と前記第６の接続部材の上面とが接触して共晶化されている半導体装置。
【請求項１４】
前記第３の接続部材及び第４の接続部材が、下層と中層との間にさらに金層を有する請求項１３に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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