Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
ステップＳ７８において、アプリケーションプログラム１１８は、供給された情報を基に、固有の処理を実行し、処理は、図１１のステップＳ８に進む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びモニタリングシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体に面し、それぞれ結像作用を有する複数の光学素子を備えた複眼光学ユニットと、
前記複眼光学ユニットにより形成された被写体像を撮像する撮像素子と、
前記撮像素子により撮像された画像の情報を送信する送信手段と、
前記複眼光学ユニットおよび前記撮像素子を少なくとも保持し、使用者に装着するための装着具を備えた保持部材とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記送信手段が前記保持部材により保持されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記複眼光学ユニットにおいて、外側の光学素子ほど光軸が外側に傾いていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】  前記複眼光学ユニットは、水平方向において１２０度以上の撮影画角を形成することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】  前記保持部材は、バッジ状の形状を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項６】  送信されてきた制御信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した制御信号に基づいて撮像動作を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】  送信されてきた制御信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した制御情報に基づいて、前記送信手段により送信される画像情報量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】  請求項１から７のいずれかに記載の撮像装置と、前記送信手段から送信された画像情報を表示するモニタ装置とを含むことを特徴とするモニタリングシステム。
【請求項９】  請求項６又は７に記載の撮像装置と、この撮像装置の前記送信手段から送信された画像情報を表示するモニタ装置とを含み、
前記モニタ装置は、観察者による操作に応じて前記撮像装置に制御情報を送信する制御情報送信装置を有することを特徴とするモニタリングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）水分合成部において、第１の温度で触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程、
（ｂ）前記合成した水分を酸化炉の熱処理チャンバへ導入して、気化状態を維持したまま、前記チャンバ内の半導体ウエハの第１主面上に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程、
（ｃ）前記熱処理チャンバ内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで前記半導体ウエハの第１主面を加熱して、前記半導体ウエハの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理する工程、
を有し、前記水分を合成するために前記水分合成部へ前記酸素と水素を導入するに先立って、第１の期間、酸素の導入を開始することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の期間中、前記水分合成部へ水素を導入しないことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸素と水素から水分を合成する間、前記水分合成部へ酸素と水素以外のガスを導入しないことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の温度は、４５０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の期間は、５秒以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の温度は、８００℃以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）水分合成部において、第１の温度以下の第１の温度領域で触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程；
（ｂ）合成された前記水分を気体状態を維持して酸化処理部に移送し、前記酸化処理部内のウエハの第１の主面に対してウエット雰囲気を形成する工程；
（ｃ）前記酸化処理部において、移送された前記水分を含む前記ウエット雰囲気下で、前記ウエハの前記第１の主面を前記第１の温度よりも高温の第２の温度以上の第２の温度領域に加熱することによって、前記第１の主面上またはその上方に設けられたシリコン部材に対して熱酸化処理を施す工程を含み、
前記水分の合成は、前記水分合成部において、酸素ガスと水素ガスを含む気体に前記触媒を作用させるにあたり、前記水分合成部に対して、前記熱酸化処理に対応して酸素水素ガスの導入を開始するにあたり、酸素ガスの導入を先行して開始することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記先行する時間の間は、前記水分合成部には水素ガスは導入されないことを特徴とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱酸化処理は、前記ウエハの前記第１の主面の周辺に前記ウエット雰囲気を供給しながら行うことを特徴とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記熱酸化処理は、前記ウエハの前記第１の主面の周辺に前記ウエット雰囲気を供給しながら行うことを特徴とする請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ構造を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置において、
チャネル層を構成する第１の二元化合物半導体層と、
バリア層を構成し、ＡｌおよびＧａの組成比が一定であるＡｌＧａＮから成る三元混晶半導体層と、
前記第１の二元化合物半導体層と前記三元混晶半導体層との間に介在される第２の二元化合物半導体層とを含み、
前記第２の二元化合物半導体層は、ＡｌＮから成り、層厚が１分子層以上４分子層以下であることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
【請求項２】
基板と、
エピタキシャルバッファ層とを含み、
前記エピタキシャルバッファ層と、前記第１の二元化合物半導体層、前記三元混晶半導体層および前記第２の二元化合物半導体層とは、前記基板に順次積層されることを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
【請求項３】
前記第２の二元化合物半導体層のバンドギャップが、前記第１の二元化合物半導体層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする請求項１または２記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
【請求項４】
前記第１の二元化合物半導体層は、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＬａＮ、ＣｅＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮ、ＰｍＮ、ＳｍＮ、ＥｕＮ、ＧｄＮ、ＴｂＮ、ＤｙＮ、ＨｏＮ、ＥｒＮ、ＴｍＮ、ＹｂＮ、ＬｕＮのうちの１つであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、ヘテロ構造を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置において、
チャネル層を構成する第１の二元化合物半導体層と、
バリア層を構成し、ＡｌおよびＧａの組成比が一定であるＡｌＧａＮから成る三元混晶半導体層と、
前記第１の二元化合物半導体層と前記三元混晶半導体層との間に介在される第２の二元化合物半導体層とを含み、
前記第２の二元化合物半導体層は、ＡｌＮから成り、層厚が１分子層以上４分子層以下であることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置である。
また本発明は、基板と、
エピタキシャルバッファ層とを含み、
前記エピタキシャルバッファ層と、前記第１の二元化合物半導体層、前記三元混晶半導体層および前記第２の二元化合物半導体層とは、前記基板に順次積層されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に従えば、二元化合物半導体同士の接合では、原子拡散がない限り界面は急峻となるため、ヘテロ構造を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置において、チャネル層を構成する第１の二元化合物半導体層と、バリア層を構成し、ＡｌおよびＧａの組成比が一定であるＡｌＧａＮから成る三元混晶半導体層との間にＡｌＮから成り、層厚が１分子層以上４分子層以下である第２の二元化合物半導体層を介在させることにより、ヘテロ接合の界面における急峻性が改善される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、ヘテロ構造を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置において、チャネル層を構成する第１の二元化合物半導体層と、バリア層を構成し、ＡｌおよびＧａの組成比が一定であるＡｌＧａＮから成る三元混晶半導体層との間にＡｌＮから成り、層厚が１分子層以上４分子層以下である第２の二元化合物半導体層を介在させるので、ヘテロ接合の界面における急峻性が改善される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、前記実施例１および２では、第１の二元化合物化合物半導体層にＧａＮを用いたが、バリア層を構成する三元混晶半導体層のバンドギャップの大きさによってＩｎＮ、ＬａＮ、ＣｅＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮ、ＰｍＮ、ＳｍＮ、ＥｕＮ、ＧｄＮ、ＴｂＮ、ＤｙＮ、ＨｏＮ、ＥｒＮ、ＴｍＮ、ＹｂＮ、ＬｕＮのいずれかを用いてもよい。この場合、どの材料を用いるかはバリア層を構成する三元混晶半導体層のバンドギャップの大きさによって決まる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体または絶縁体基板上に第１導電型の窒化物系半導体層、ｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層および第２導電型の窒化物系半導体層を順次形成する工程と、
前記第２導電型の窒化物系半導体層上にＡｌＧａＮ膜を島状に成長させる工程と、
前記島状のＡｌＧａＮ膜をマスクとして、第２導電型の窒化物系半導体層の表面を選択的にエッチングし、表面に微細な窪みを有する突形状ドットを形成する工程と、
前記表面に微細な窪みを有する突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層表面にオーミック電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】 半導体または絶縁体基板上に第１導電型の窒化物系半導体層、ｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層および第２導電型の窒化物系半導体層を順次形成する工程と、
前記第２導電型の窒化物系半導体層上にＡｌＧａＮ膜を島状に成長させる工程と、
前記島状のＡｌＧａＮ膜をマスクとして、第２導電型の窒化物系半導体層の表面を選択的にエッチングし、表面に化学量論的組成から外れる領域を有する突形状ドットを形成する工程と、
前記表面に化学量論的組成から外れる領域を有する突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層表面にオーミック電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】 前記ＡｌＧａＮ膜を島状に成長させる工程は、キャリアガスに窒素または窒素と水素の混合ガスを用い、ＡｌＧａＮが２次元的に成長する温度を超えない温度領域でＭＯＣＶＤ法により成長させる工程を有し、
前記第２導電型の窒化物系半導体層を選択的にエッチングする工程は、水素もしくは水素と窒素の混合ガス雰囲気中で加熱する工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】 第１導電型の窒化物系半導体層と、
前記第１導電型の窒化物系半導体層上に形成されたｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層と、
前記発光層上に形成され、表面に化学量論的組成から外れる領域を有する突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層と、
前記第２導電型の窒化物系半導体層表面に形成された第１のオーミック電極と、
前記第１導電型の窒化物系半導体層に形成された第２のオーミック電極と、
を有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】 第１導電型の窒化物系半導体層と、
前記第１導電型の窒化物系半導体層上に形成されたｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層と、
前記発光層上に形成され、表面に少なくとも２のサイズの突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層と、
前記第２導電型の窒化物系半導体層表面に形成された第１のオーミック電極と、
前記第１導電型の窒化物系半導体層に形成された第２のオーミック電極と、
を有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物系半導体発光素子の製造方法は、半導体または絶縁体基板上に第１導電型の窒化物系半導体層、ｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層および第２導電型の窒化物系半導体層を順次形成する工程と、前記第２導電型の窒化物系半導体層上にＡｌＧａＮ膜を島状に成長させる工程と、前記島状のＡｌＧａＮ膜をマスクとして、第２導電型の窒化物系半導体層の表面を選択的にエッチングし、表面に微細な窪みを有する突形状ドットを形成する工程と、前記表面に微細な窪みを有する突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層表面にオーミック電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の別の窒化物系半導体発光素子の製造方法は、半導体または絶縁体基板上に第１導電型の窒化物系半導体層、ｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層および第２導電型の窒化物系半導体層を順次形成する工程と、前記第２導電型の窒化物系半導体層上にＡｌＧａＮ膜を島状に成長させる工程と、前記島状のＡｌＧａＮ膜をマスクとして、第２導電型の窒化物系半導体層の表面を選択的にエッチングし、表面に化学量論的組成から外れる領域を有する突形状ドットを形成する工程と、前記表面に化学量論的組成から外れる領域を有する突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層表面にオーミック電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の窒化物系半導体発光素子は、第１導電型の窒化物系半導体層と、前記第１導電型の窒化物系半導体層上に形成されたｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層と、前記発光層上に形成され、表面に化学量論的組成から外れる領域を有する突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層と、前記第２導電型の窒化物系半導体層表面に形成された第１のオーミック電極と、前記第１導電型の窒化物系半導体層に形成された第２のオーミック電極と、を有することを特徴とする。
本発明の別の窒化物系半導体発光素子は、第１導電型の窒化物系半導体層と、前記第１導電型の窒化物系半導体層上に形成されたｐｎ接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層と、前記発光層上に形成され、表面に少なくともサイズの異なる突形状ドットを有する第２導電型の窒化物系半導体層と、前記第２導電型の窒化物系半導体層表面に形成された第１のオーミック電極と、前記第１導電型の窒化物系半導体層に形成された第２のオーミック電極と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  開口に挿入されるガスケットであって、
前記開口周囲の表面に当接する蓋部と、
前記蓋部の略中央から延びて前記開口内に収納される支持部と、
前記支持部から、前記ガスケットの挿入方向に延びる脚部と、
当該脚部の先端に設けられ、当該脚部に対して鋭角をなすように配置された、前記開口周囲の裏面に当接する足部と、を有することを特徴とするガスケット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面と、
凹部の基部の第１の平面内に全体的に延びる第１の幅（Ｗ１）を有する境界面（３０）を含む、該境界面が前記前面に略平行である前記凹部と、
を備え、
前記凹部が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（１０）を受けるように構成された照明具（２８）であって、
該照明具が更に、
前記凹部を少なくとも部分的に取り囲み、前記境界面（３０）と前記前面との間に前記境界面（３０）に対して鋭角（σ）に延びる、互いに隣接する複数の側部（３４）を備え、
前記側部（３４）の各々が長さを有し、前記境界面の第１の平面と略平行な第２の平面への前記側部の長さの射影が第２の幅（Ｗ２）を有し、角度を有する前記側部（３４）が、前記凹部から透過された光を前記前面に向かって反射するように構成されていることを特徴とする照明具（２８）。
【請求項２】
ポリジメチルシリコーン（ＰＤＭＳ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項３】
前記凹部が、該凹部が受けるように構成された前記有機発光ダイオード（１０）の透明基板（１８）の厚みに略等しい深さ（Ｄ）を備えることを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項４】
前記深さ（Ｄ）が、約０．０２５ｍｍから５．０ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項３に記載の照明具（２８）。
【請求項５】
角度を有する前記複数の側部（３４）の各々が、金属層（３６）を備えることを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項６】
角度を有する前記複数の側部（３４）の各々が、ミラーを付けた層（３６）を備えることを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項７】
角度を有する前記複数の側部（３４）の各々が、散乱粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項８】
角度を有する前記複数の側部（３４）の各々が、少なくとも０．９５の拡散反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項９】
前記前面が、前記第１の幅（Ｗ１）に前記第２の幅（Ｗ２）の２倍を加えた値に等しい全幅を備えることを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【請求項１０】
前記照明具（２８）が厚み（Ｔ）を備え、前記角度（σ）が、前記厚み（Ｔ）を前記第２の幅（Ｗ２）で除算した値の逆正接に等しいことを特徴とする請求項１に記載の照明具（２８）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかしながら、比較的低効率（例えば、３ルーメンから４ルーメン／ワット）である従来のＯＬＥＤは、低電圧での領域照明については十分な明るさを達成することが可能であるが、デバイスの高い出力レベル及び比較的低い効率によって発生する熱に起因して、ＯＬＥＤの動作寿命は制限されたものとなる可能性がある。ＯＬＥＤを実装する商業的に実現可能な光源を提供するために、デバイスの効率を改善して、全般照明を提供するのに十分な明るさで動作するときの発熱量を低減することができる。更に、全般照明源としてＯＬＥＤの効率を改善させるために、光損失メカニズムを最小限に抑えて電気から変換される有用な周囲光の量を増大させることができる。
【特許文献１】米国特許第６５６１６９０号
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、前記基板上に設けられた少なくとも受光素子を含む半導体ＩＣと、前記半導体ＩＣの周囲を取り囲むように設けられた第一の周壁と、前記第一の周壁の外周を取り囲むように設けられた第二の周壁と、前記基板と平行に設けられたガラス板とを備え、前記半導体ＩＣを前記基板と前記第一の周壁と前記ガラス板により中空に気密封止したことを特徴とする受光センサ。
【請求項２】  前記第二の周壁はＵＶ硬化性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１記載の受光センサ。
【請求項３】  受光素子の感度波長λが３５０〜４５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の受光センサ。
【請求項４】  複数の基板に分割できる集合基板に対して、少なくとも受光素子を含む半導体ＩＣを、前記基板に接着する接着工程と、
前記半導体ＩＣを取り囲むように設けられる第一の周壁の集合体である周壁集合体を、前記基板上に搭載する第一の搭載工程と、
ガラス平板を該集合体上に搭載する第二の搭載工程と、
前記半導体ＩＣの外側の集合基板と、前記ガラス平板と、前記第一の周壁とで囲まれた空間部に、樹脂を流し込み、硬化させることで第二の周壁を形成する形成工程と、
前記集合基板を分割する分割工程とからなることを特徴とする受光センサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の受光センサは、前記第二の周壁がＵＶ硬化性樹脂で形成されている。このことによって、短波長に対応した中空の受光センサを精度よく、一度に多数個生産することが可能になるので安価な受光センサを提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の受光センサは、受光素子の感度波長λが３５０〜４５０ｎｍである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の受光センサの製造方法は、複数の基板に分割できる集合基板に対して、少なくとも受光素子を含む半導体ＩＣを、前記基板に接着する接着工程と、
前記半導体ＩＣを取り囲むように設けられる第一の周壁の集合体である周壁集合体を、前記基板上に搭載する第一の搭載工程と、
ガラス平板を該集合体上に搭載する第二の搭載工程と、
前記半導体ＩＣの外側の集合基板と、前記ガラス平板と、前記第一の周壁とで囲まれた空間部に、樹脂を流し込み、硬化させることで第二の周壁を形成する形成工程と、
前記集合基板を分割する分割工程とからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図５は、直接、基板５をエンドエフェクタ７の表面（上側面）に載置して保持するタイプの従来の形状のエンドエフェクタ７を示す斜視図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、エンドエフェクタ７の表面（上側面）で基板が不安定であると、基板５が溝９内で水平方向に動いてしまうことにより、基板５の周縁付近と溝９の周縁角部９ｂとが衝突、接触してしまい、パーティクルの発生原因となる難点があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
但し、例えば、内側に行く程小径となるように径の異なる溝を複数段に亘って設けておけば、基板が凸形に変形しても、基板は変形前の基板の径よりわずかに小径の溝に嵌り、エンドエフェクタ上でのズレがより効果的に防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
エンドエフェクタ１０に載置されて搬送される基板５の変形量は、基板５の大きさ、形状、材質によって異なるものである。従って、小径溝１２の外径と、大径溝１１の外形との寸法比率は、基板５の大きさ、形状、材質に応じて決定すべき事項である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（３）本発明の乳化組成物
本発明の乳化組成物は、上記のレゾルシノール誘導体と、側鎖にアルキル基を有する高分子及び／又はその塩を含有する。本発明の乳化組成物に於いては、上記の以外に通常化粧料や皮膚外用医薬など本発明の乳化組成物の適用分野で通常使用される乳化組成物を形成するための基剤成分を含む。基剤成分としては、水性成分、油性成分、乳化剤等を含有する。そして、基剤成分としては、例えば、水性成分としては水等が、油性成分としてはワセリンやマイクロクリスタリンワックス等のような炭化水素類、ホホバ油やゲイロウ等のエステル類、牛脂、オリーブ油等のトリグリセライド類、セタノール、オレイルアルコール等の高級アルコール類、ステアリン酸、オレイン酸等の脂肪酸、グリセリンや１，３−ブタンジオール等の多価アルコール類が挙げられる。乳化剤としては、特に限定されることなく各種の界面活性剤を使用することができる。界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤が例示できる。これらの界面活性剤の中では、レシチン、ショ糖脂肪酸エステル、カゼインの塩、スフィンゴ脂質、グリチルリチン酸又はその塩、エラスチン加水分解物、コラーゲン加水分解物、Ｎ−アシルグルタミン酸塩、ペクチン、キサンタンガム、ローカストビーンガム、カラヤガム等の天然界面活性物質が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
化粧料１を乳化してから２４時間室温に放置した後、保存瓶に充填し、以下の各温度条件で２４時間保管した後に測定した粘度は、５℃；４８２０、２０℃；２８００、４０℃；２０００（単位は各ｃ．ｓ．）であった。又、この化粧料１は５０℃で１０日間という過酷な条件下で保管した場合でも安定であった。これより、本発明の乳化組成物において、多価アルコールと不飽和高級アルコールとのエーテルと、側鎖にアルキル基を有する高分子とを組合せて使用した場合、粘度が低くまた安定性に優れているという効果が得られ、側鎖にアルキル基を有する高分子が好ましい成分であることが分かる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
即ち、人の前腕部２ｃｍ×２ｃｍの部位４つに、予め求めておいたＭＥＤの０．５倍の紫外線（光源：東芝製ＳＥランプ）を１日１回、３日間照射し、ターニングモデルを作成した。このターニングした４部位中の１部位に本発明の化粧料１を、１部位に比較例１の化粧料を、１部位に比較例２の化粧料を０．０１ｍｌ／日で３週間の間毎日塗布し、残る１部位はなにもせず（無処置）着色の程度の変化を最後の投与２４時間後に観察し、無処置の部位の着色の程度に比べて、各部位の美白効果を上記の表１に示す基準で判定した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
化粧料３を乳化してから２４時間室温に放置した後、保存瓶に充填し、２０℃で２４時間保管した後に測定した粘度は、１９６０（単位は各ｃ．ｓ．）であった。又、この化粧料３は５０℃で１０日間という過酷な条件下で保管した場合でも安定であった。これより、本発明の乳化組成物において、側鎖にアルキル基を有する高分子を使用した場合、粘度が低くまた安定性に優れているという効果が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
＜実施例４＞
下記の表５に示す処方に従って、本発明の乳化組成物である化粧料４（乳液）を製造した。即ち、イ、ロの成分をそれぞれ８０℃に加熱し、イにロを撹拌しながら徐々に加え乳化し、ホモジナイザーにて乳化粒子を均一化した後、冷却し乳化組成物を得た。尚、比較例７として、ペムレンＴＲ−１をカルボキシビニルポリマーに置換した乳液の製造を試みたが乳化できなかった。又、ペムレンＴＲ−１と水酸化カリウムと水のうちの１重量部をポリオキシエチレン（２０）ステアリルエーテルに置換して製造した比較例８の乳液は室温で乳化後２４時間以内に分離した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エチレンと、下記一般式（１）で表される１，３−ジエン類とを、鉄化合物及び下記一般式（２）で表される有機アルミニウム化合物を含有する触媒を使用し、５０〜１００℃の温度、３ＭＰａ以上の圧力で、３分〜２時間反応させ、下記一般式（３）で表される１，４−ジエン類を得ることを特徴とする１，４−ジエン類の製造方法。
【化１】
2001010982.tif 000001
（R１、R２、R３は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、又はアルキルシリル基である。R１、R２、R３は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。但し、R１、R２、R３のすべてが水素原子である場合を除く。）
Ｒ４ｎＡｌＺｎ−３          （２）
（Ｒ４は炭素数１〜２０の１価の炭化水素基であり、Ｚは水素原子、アルコキシル基、又はハロゲン原子であり、ｎは０<ｎ≦３の範囲の任意の数である。）
【化２】
2001010982.tif 000002
［R１、R２、R３は、それぞれ上記一般式（１）におけるR１、R２、R３と同一である。］
【請求項２】  上記１，３−ジエン類の炭素数が２〜２０である請求項１記載の１，４−ジエン類の製造方法。
【請求項３】  上記１，３−ジエン類がイソプレン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、３−メチル−１，３−ペンタジエン、及び２−フェニル−１，３−ブタジエン、並びにこれらの誘導体の１種又は２種以上である請求項１又は２記載の１，４−ジエン類の製造方法。
【請求項４】  上記鉄化合物は、ハロゲン化物、水酸化物、無機酸及び有機酸の塩、並びに少なくとも一個の鉄−炭素、鉄−窒素、鉄−リン、鉄−酸素、鉄−硫黄の各原子間の配位結合、若しくは共有結合を有する鉄化合物の１種又は２種以上である請求項１乃至３のいずれかに記載の１，４−ジエン類の製造方法。
【請求項５】  上記鉄化合物は、ジアミン型配位子又はジカルボニル型配位子を有する鉄化合物、及びアセチルアセトナート型配位子を有する２価乃至３価の鉄化合物の１種又は２種以上である請求項１乃至３のいずれかに記載の１，４−ジエン類の製造方法。
【請求項６】  ホスフィン化合物及びアミン化合物の１種又は２種以上を含有する触媒を用いる請求項１乃至５のいずれかに記載の１，４−ジエン類の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（ｄ）ブチルアルコール（ブタノール）による抽出
次に上記の操作（ｃ）による濃縮乾固物４２．８ｇを５００ｍｌの蒸留水に溶解させた。そして、この溶液に５００ｍｌのｎ−ブタノールを加え十分に攪拌後、分液ロートを用いた向流分配によりブタノール層を抽出した。残った水層には、更に５００ｍｌのｎ−ブチルアルコールを加え十分に攪拌後、ｎ−ブチルアルコールによる抽出を行った。この抽出を更に３回繰り返し、計５回の抽出操作により、２５００ｍｌのブチルアルコール抽出液を得た。このブチルアルコール抽出液をエバポレーターを用いて濃縮乾固させることにより１０．０ｇの固形物がブチルアルコール画分から得られた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この採血した血液を用いて、肝細胞の脱落により血中濃度が上昇することが知られている酵素、すなわち、ＡＬＴ：アラニンアミノトランスフェラーゼ（ＧＰＴ）活性と、ＡＳＴ：アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＧＯＴ）活性を市販の測定キット（和光純薬）により測定した。そして、この酵素活性の増減を肝障害の指標とした。また、摘出した肝臓の重量も測定した。酵素活性の増減の結果を図２および３にそれぞれ示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【表５】
2001010968.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上述の様に構成する車輪支持用ハブユニット１０ａの組立方法は、先ず、前記外輪１３の一端部外周面に形成した円筒面部３７に、上記シールリング１５ａを構成する芯金３４の円筒部３６を外嵌固定する。又、この作業と共に、上記複数個の円すいころ１４ａ、１４ａを第一の保持器２９により、前記ハブ本体１１ａの外周面に形成した第一の内輪軌道１９の周囲に保持する。そして、上記シールリング１５ａを外嵌固定した外輪１３をこのハブ本体１１ａの周囲に進入させる。この進入作業の際、上記シールリング１５ａを構成する弾性材３５ａの内周縁のうち、上記各円すいころ１４ａ、１４ａに整合する部分が直径方向外方に弾性変形して、当該部分の内径が、上記複数個の円すいころ１４ａ、１４ａの底辺側の最小外接円の直径ｄ14より大きくなる。そして、上記複数個の円すいころ１４ａ、１４ａの周囲に第一の外輪軌道２６が位置するまで、上記外輪１３をハブ本体１１ａの周囲に進入させ、上記シールリング１５ａが上記各円すいころ１４ａ、１４ａの周囲を通過し切ると、このシールリング１５ａを構成する弾性材３５ａの内周縁が弾性的に復元する。従って、上記シールリング１５ａと複数個の円すいころ１４ａ、１４ａとの干渉に拘らず、上記弾性材を傷める事なく、上記外輪１３を上記ハブ本体１１ａの周囲に進入させる事ができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この様にして外輪１３をハブ本体１１ａの周囲に進入させたならば、次いで内輪１２ａを、複数個の円すいころ１４ａ、１４ｂのうちの第二列の円すいころ軸受２２を構成する残部の円すいころ１４ｂ、１４ｂを、第二の保持器３０により第二の内輪軌道２３の周囲に保持した状態で、上記外輪１３の内側に挿入する。この挿入作業に伴って上記内輪１２ａを、上記ハブ本体１１ａの段差面２５にこの内輪１２ａの一端面が当たるまで上記小径段部２０に外嵌する。そして、図示の例では、この小径段部２０の他端部に形成した雄螺子部３８にナット３９を螺合して、上記内輪１２ａの他端面を抑え付けることにより、この内輪１２ａを固定する。最後に、この内輪１２ａの端部外周面と外輪の端部内周面との間にシール環１６を装着する。尚、図示の例では、上記内輪１２ａの他端部外周面と上記外輪１３の他端部内周面の間は、上記シール環１６で塞ぐ方法を示したが、外輪１３の他端開口を覆う蓋体によって塞ぐ方法等、いずれでも良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１    複列円すいころ軸受
２    外輪
３    内輪
４    円すいころ
５    外輪軌道
６    内輪軌道
７    保持器
８    組み合わせシールリング
９    空間
１０、１０ａ  車輪支持用ハブユニット
１１、１１ａ    ハブ本体
１２、１２ａ    内輪
１３    外輪
１４ａ、１４ｂ  円すいころ
１５、１５ａ    シールリング
１６    シール環
１７    フランジ
１８    第一列の円すいころ軸受
１９    第一の内輪軌道
２０    小径段部
２１    円筒部
２２    第二列の円すいころ軸受
２３    第二の内輪軌道
２４    かしめ部
２５    段差面
２６    第一の外輪軌道
２７    第二の外輪軌道
２８    取り付け部
２９    第一の保持器
３０    第二の保持器
３１    ポケット
３２    柱部
３３    小鍔部
３４    芯金
３５、３５ａ    弾性材
３６    円筒部
３７    円筒面部
３８    雄螺子部
３９    ナット
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001010304.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷条件を識別するための識別情報と、前記識別情報に基づく用紙サイズ別のパラメータとを格納する格納手段と、
印刷情報に従い、前記格納されている識別情報とパラメータとを検索し、該当するマージン情報を生成するためのマージン情報生成手段と、
を備えることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
前記格納手段は、印刷条件別に識別されるＩＤ番号を格納したインデックステーブルと、前記ＩＤ番号ごとに用紙サイズ別のマージン情報を格納したデータテーブルと、を有することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
前記マージン情報生成手段は、前記印刷情報においてユーザ定義の用紙が指定されている場合は、縦方向及び横方向の印刷可能領域を算出することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
印刷条件を識別するための識別情報と、前記識別情報に基づく用紙サイズ別のパラメータとをメモリに格納する格納工程と、
印刷情報に従い、前記メモリに格納されている識別情報とパラメータとを検索し、該当するマージン情報を生成するためのマージン情報生成工程と、
を備えることを特徴とする印刷制御方法。
【請求項５】
前記格納工程は、印刷条件別に識別されるＩＤ番号を格納するインデックステーブルと、前記ＩＤ番号ごとに用紙サイズ別のマージン情報を格納するデータテーブルと、をメモリに格納することを特徴とする請求項４に記載の印刷制御方法。
【請求項６】
前記マージン情報生成工程は、前記印刷情報においてユーザ定義の用紙が指定されている場合は、縦方向及び横方向の印刷可能領域を算出することを特徴とする請求項４に記載の印刷制御方法。
【請求項７】
印刷制御用のマージン情報を提供するためのプログラムを格納した記憶媒体であって、該プログラムが、
印刷条件を識別するための識別情報と、前記識別情報に基づく用紙サイズ別のパラメータとをメモリに格納する格納工程のコードと、
印刷情報に従い、前記メモリに格納されている識別情報とパラメータとを検索し、該当するマージン情報を生成するためのマージン情報生成工程のコードと、
を備えることを特徴とする記憶媒体。
【請求項８】
プリンタドライバと、
マージン情報が格納されるデータテーブルと前記プリンタドライバの設定に適合するマージン情報が入っているデータテーブルのＩＤが格納されるインデックステーブルとを含むマージン情報テーブルと、
前記プリンタドライバの設定に従い、前記インデックステーブルから前記ＩＤを獲得し、前記ＩＤで指定されたデータテーブルを検索することで前記マージン情報を獲得し、前記プリンタドライバに返却するマージン情報生成部と
を有することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項９】
プリンタドライバと、マージン情報が格納されるデータテーブルと前記プリンタドライバの設定に適合するマージン情報が入っているデータテーブルのＩＤが格納されるインデックステーブルとを含むマージン情報テーブルと、を有する印刷制御装置における印刷制御方法であって、
前記プリンタドライバの設定に従い、前記インデックステーブルから前記ＩＤを獲得し、前記ＩＤで指定されたデータテーブルを検索することで前記マージン情報を獲得し、前記プリンタドライバに返却するマージン情報生成工程を有することを特徴とする印刷制御方法。
【請求項１０】
プリンタドライバと、マージン情報が格納されるデータテーブルと前記プリンタドライバの設定に適合するマージン情報が入っているデータテーブルのＩＤが格納されるインデックステーブルとを含むマージン情報テーブルとを有する印刷制御装置で実行されるプログラムを格納した記憶媒体であって、該プログラムが、
前記プリンタドライバの設定に従い、前記インデックステーブルから前記ＩＤを獲得し、前記ＩＤで指定されたデータテーブルを検索することで前記マージン情報を獲得し、前記プリンタドライバに返却するマージン情報生成工程のコードを有することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  上記の合成樹脂被膜が、少なくとも１層の熱可塑性樹脂フィルム層を有するものであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のネジ付き缶。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車両が後退して縦列駐車を行う際に、画像情報による案内で車両の運転者に対して運転操作の支援を行う車両の駐車支援装置において、
車両の後方映像を撮像するカメラと、
車両の操舵を行うステアリング角を検出するステアリング角センサと、
ステアリング角センサによって検出されるステアリング角に基づいて、車両の進路を予測して進行予測曲線を算出する進路予測手段と、
カメラによって撮像される映像に基づいて、目標駐車位置を検出し、目標駐車位置への移動に必要なステアリングを切り戻すタイミングを判定するタイミング判定手段と、
カメラからの映像と進路予測手段によって予測される進行予測曲線との合成画像を生成し、タイミング判定手段によって判定されるステアリングを切り戻すタイミングに従うステアリング操作の案内情報を付加して、縦列駐車の支援を行う駐車支援手段と、
駐車支援手段からの画像を表示する表示手段とを含むことを特徴とする車両の駐車支援装置。
【請求項２】  前記駐車支援手段は、前記ステアリング操作の案内情報として、ステアリングの切り戻しを行うべき進行予測曲線上の位置に、斜線を付加することを特徴とする請求項１記載の車両の駐車支援装置。
【請求項３】  前記駐車支援手段は、車両の後退状態と、ハザードランプおよび／またはウインカランプの点灯状態との組合わせを条件として、前記縦列駐車の支援を行うことを特徴とする請求項１または２記載の車両の駐車支援装置。
【請求項４】  前記駐車支援手段は、前記ハザードランプおよび／またはウインカランプの点灯状態の組合わせに基づいて、前記縦列駐車の支援を行う方向を判断し、判断結果に従って前記案内情報を付加することを特徴とする請求項３記載の車両の駐車支援装置。
【請求項５】  前記駐車支援装置は、現在位置から前記タイミング判定手段によって検出される目標駐車位置までの理想の進行曲線を、前記ステアリング操作の案内情報として生成することを特徴とする請求項１記載の車両の駐車支援装置。
【請求項６】  前記カメラからの映像中から、車線の境界を認識して車線逸脱を監視する車線監視手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の車両の駐車支援装置。
【請求項７】  前記駐車支援手段は、操作可能なステアリング角の範囲で、前記タイミング判定手段によって検出される目標駐車位置に車両が後退して移動することが可能で、かつ前記車線監視手段によって監視される車線を逸脱しないか否かを判断し、判断結果に基づく駐車の支援を行うことを特徴とする請求項６記載の車両の駐車支援装置。
【請求項８】  車両が後退して縦列駐車を行う際に、画像情報による案内で車両の運転者に対して運転操作の支援を行う車両の駐車支援装置において、
車両のステアリング角に基づいて、車両の進路を予測して進行予測曲線を算出する進路予測手段と、
カメラによって撮像される車両の後方映像に基づいて、目標駐車位置を検出し、目標駐車位置への移動に必要なステアリングを切り戻すタイミングを判定するタイミング判定手段と、
カメラからの映像と進路予測手段によって予測される進行予測曲線との合成画像を生成し、タイミング判定手段によって判定されるステアリングを切り戻すタイミングに従うステアリング操作の案内情報を付加して、縦列駐車の支援を行う駐車支援手段と、
駐車支援手段からの画像を表示する表示手段とを含むことを特徴とする車両の駐車支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に従えば、操作可能なステアリング角の範囲で目標駐車位置に車両が後退して移動することが可能で、かつ車線監視手段によって認識される車線を逸脱しないかが判断され、判断結果に従って駐車支援が行われるので、車線を逸脱しないような状態で車両を後退させ、縦列駐車を容易に行うことができる。
また本発明は、車両が後退して縦列駐車を行う際に、画像情報による案内で車両の運転者に対して運転操作の支援を行う車両の駐車支援装置において、
車両のステアリング角に基づいて、車両の進路を予測して進行予測曲線を算出する進路予測手段と、
カメラによって撮像される車両の後方映像に基づいて、目標駐車位置を検出し、目標駐車位置への移動に必要なステアリングを切り戻すタイミングを判定するタイミング判定手段と、
カメラからの映像と進路予測手段によって予測される進行予測曲線との合成画像を生成し、タイミング判定手段によって判定されるステアリングを切り戻すタイミングに従うステアリング操作の案内情報を付加して、縦列駐車の支援を行う駐車支援手段と、
駐車支援手段からの画像を表示する表示手段とを含むことを特徴とする車両の駐車支援装置である。
本発明に従えば、進路予測手段は、車両のステアリング角に基づいて、車両の進路を予測して、進行予測曲線を算出する。タイミング判定手段は、カメラによって撮像される映像に基づいて、目標駐車位置を検出し、目標駐車位置への移動に必要なステアリングを切り戻すタイミングを判定する。駐車支援手段は、カメラからの映像の進路予測手段によって予測される進行予測曲線との合成画像を生成し、タイミング判定手段によって判定されるステアリングを切り戻すタイミングに従うステアリング操作の案内情報を付加して、縦列駐車の支援を行う。車両の後方映像とともに、ステアリング角に対応する進行予測曲線が表示され、さらに目標駐車位置に後退して移動することができるようなステアリングの切り戻すタイミングを示す案内情報が表示されるので、車両の運転者は表示手段を見ながら、容易に縦列駐車のための運転操作を行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また本発明によれば、縦列駐車の可否を前もって判断し、縦列駐車が可能でないと判断されるときには、車両の姿勢を換えたり、他の駐車スペースを探すようにすることができる。
また本発明によれば、車両が後退して縦列駐車を行う際に、車両の後方映像にステアリング角に基づく進行予測曲線が重ねて表示され、縦列駐車のためにステアリングを切り戻すタイミングに従うステアリング操作の案内情報が付加されるので、車両の運転者は案内情報に従ってステアリング操作を行い、縦列駐車を容易に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月8日(2006.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェットヘッド及び画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する加圧室と、この加圧室にインクを供給するインク供給路とを有するインクジェットヘッドにおいて、前記インク供給路を形成する部材には、前記加圧室側に膨出部を有する溝を形成した板状部材を含むことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記板状部材の溝は複数の前記加圧室にインクを供給するための共通インク流路側にも膨出部を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２に記載にインクジェットヘッドにおいて、前記板状部材の溝の膨出部はインクの流れ方向に対して略斜めに広がる壁面を有していることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のインクジェットヘッドにおいて、前記インク供給路を形成する部材は板状部材を三層積層した部材であり、中間層の板状部材に前記膨出部を有する溝が形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項５】
請求項４に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記中間層の板状部材を挟む二枚の板状部材は同じ材質で厚さが略等しいことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記三枚の板状部材は同時に接合されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれかに記載のインクジェットヘッドにおいて、前記中間層の板状部材が高剛性材料からなることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれかに記載のインクジェットヘッドにおいて、前記中間層の板状部材は金属材料からなり、表面に酸化膜が形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれかに記載のインクジェットヘッドにおいて、前記中間層の板状部材を挟む板状部材には前記中間層の板状部材の溝の膨出部に対応する開口を有し、この開口は前記中間層の板状部材の溝の内の膨出部以外の部分にかからないことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載のインクジェットヘッドを搭載していることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はインクジェットヘッド及び画像形成装置に関し、特に加圧室にインクを供給するインク供給路を有するインクジェットヘッド及び画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、高精度なインク供給路を有し、量産性にも優れたインクジェットヘッド及びこのインクジェットヘッドを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、中間層の板状部材を挟む板状部材に設ける開口は中間層の板状部材の溝の内の膨出部以外の部分にかからない位置関係とすることが好ましい。
本発明に係る画像形成装置は、本発明に係るインクジェットヘッドを搭載したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
なお、上記実施形態においては本発明をピエゾ型インクジェットヘッドに適用した例で説明したが、これ以外の方式のインクジェットヘッド、例えば静電型インクジェットヘッド、バブルジェット(登録商標)方式のインクジェットヘッドなどにも同様に適用することができる。また、溝が貫通溝である例で説明したが、全体が有底の溝とすることもでき、或いは膨出部のみが貫通穴である溝とすることもできる。さらに、加圧室側と共通インク流路側に膨出部（開口部）を有する例で説明しているが、一方の側のみに膨出部を設けることもできる。加圧室側と共通インク流路側に膨出部を設けることで流体抵抗部を溝で完結することができ、より高精度なインク供給路となる。また、前述したように本発明に係るインクジェットヘッドはプリンタ、ファクシミリ、複写装置、プロッタ等の画像形成装置（画像記録装置）に搭載することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るインクジェットヘッドによれば、インク供給路を形成する部材に加圧室側端部に膨出部を有する溝を形成した板状部材を含む構成としたので、高精度のインク供給路を形成することができる。また、本発明に係る画像形成装置は、本発明に係るインクジェットヘッドを搭載するので、効率的な滴吐出を行うことができる。