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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電源回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電圧源から外部電圧を入力する入力端子と、
前記外部電圧と異なる内部電圧を出力する出力端子と、
前記出力端子と前記外部電圧源との間に接続された電圧変更回路と、
前記出力端子と基準電圧源との間に互いに直列に接続された第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子と、
第１の入力部、第２の入力部および出力部を有し、該出力部が前記電圧変更回路に接続された比較器と、
前記第１の入力部に定電圧を供給する定電圧源と、
前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子の間にあるノードから前記内部電圧に依存する電圧を前記第２の入力部へフィードバックするフィードバック回路と、
任意に設定された電圧を前記第２の入力部へ供給する設定電圧源と、
前記設定電圧源と前記第２の入力部との間に直列に接続された第３のスイッチング素子と、
前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッチング素子および前記第３のスイッチング素子を制御する制御信号発信源とを備えた電源回路。
【請求項２】
前記電圧変更回路と前記外部電圧源との間に接続された第４のスイッチング素子と、
前記外部電圧源から前記比較器へ電力を供給する電力経路に介在する第５のスイッチング素子とをさらに備え、
前記制御信号発信源は、前記第４のスイッチング素子および前記第５のスイッチング素子をさらに制御することを特徴とする請求項１に記載の電源回路。
【請求項３】
前記第１のスイッチング素子と前記ノードとの間に直列に接続された第１の抵抗器と、
前記ノードと前記第２のスイッチング素子との間に直列に接続された第２の抵抗器とをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の電源回路。
【請求項４】
前記第３のスイッチング素子は、互いに並列に接続されかつ一体形成されたＮＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタからなり、
前記制御信号発信源からの制御信号は、前記ＮＭＯＳトランジスタまたは前記ＰＭＯＳトランジスタのいずれか一方のゲートに反転入力され、他方に非反転入力されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電源回路。
【請求項５】
前記電圧変更回路が前記比較器により制御されている場合には、前記制御信号発信源は、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子をオン状態にし、かつ、前記第３のスイッチング素子をオフ状態にし、
前記電圧変更回路が前記外部電圧源により制御されている場合には、前記制御信号発信源は、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子をオフ状態にし、かつ、前記第３のスイッチング素子をオン状態にすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電源回路。
【請求項６】
前記電圧変更回路が前記比較器により制御されている場合には、前記制御信号発信源は、前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッチング素子および前記第５のスイッチング素子をオン状態にし、かつ、前記第３のスイッチング素子および前記第４のスイッチング素子をオフ状態にし、
前記電圧変更回路が前記外部電圧源により制御されている場合には、前記制御信号発信源は、前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッチング素子および前記第５のスイッチング素子をオフ状態にし、かつ、前記第３のスイッチング素子および前記第４のスイッチング素子をオン状態にすることを特徴とする請求項２に記載の電源回路。
【請求項７】
前記設定電圧源の電圧は、前記内部電圧よりも低く、かつ前記基準電圧源の電圧よりも高いことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電源回路。
【請求項８】
前記設定電圧源の電圧は、前記定電圧源の電圧に等しいことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電源回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に従った実施の形態による電源回路は、外部電圧源から外部電圧を入力する入力端子と、前記外部電圧と異なる内部電圧を出力する出力端子と、前記出力端子と前記外部電圧源との間に接続された電圧変更回路と、前記出力端子と基準電圧源との間に互いに直列に接続された第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子と、第１の入力部、第２の入力部および出力部を有し、該出力部が前記電圧変更回路に接続された比較器と、前記第１の入力部に定電圧を供給する定電圧源と、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子の間にあるノードから前記内部電圧に依存する電圧を前記第２の入力部へフィードバックするフィードバック回路と、任意に設定された電圧を前記第２の入力部へ供給する設定電圧源と、前記設定電圧源と前記第２の入力部との間に直列に接続された第３のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子、前記第２のスイッチング素子および前記第３のスイッチング素子を制御する制御信号発信源とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略板状の六方晶系の結晶のｃ面上における結晶分割形状が略長方形となる様に前記結晶を複数に分割する方法であって、
ｘｙ平面が前記ｃ面と略一致し、ｚ軸の正の向きが前記ｃ面の法線ベクトルの向きと略一致し、かつ、前記結晶の一つのｒ面の法線ベクトルの極距離θと経度φが「０°＜θ＜９０°、かつ、４０°≦φ≦５０°」を満たす様に、前記結晶上に右手系の直交座標を固定した時に、
前記ｃ面に対してｘ軸の正の向きにスクライブを施す第１のスクライブ工程と、
前記ｃ面に対してｙ軸の正の向きにスクライブを施す第２のスクライブ工程と、
前記結晶に形成された各スクライブ線に沿って前記結晶をブレーキングする長方形分割工程と
を有することを特徴とする結晶の分割方法。
【請求項２】
前記結晶はサファイアであり、
前記極距離θは約１ラジアンであることを特徴とする請求項１に記載の結晶の分割方法。
【請求項３】
前記結晶は、複数の半導体デバイスの集合体を構成する半導体ウェハの結晶成長基板であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の結晶の分割方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第１の手段は、略板状の六方晶系の結晶のｃ面上における結晶分割形状が略長方形となる様に結晶を複数に分割する工程において、結晶上に下記の所定の直交座標を固定した際に、ｃ面に対してｘ軸の正の向きにスクライブを施す第１のスクライブ工程と、ｃ面に対してｙ軸の正の向きにスクライブを施す第２のスクライブ工程と、この結晶に形成された各スクライブ線に沿ってこの結晶をブレーキングする長方形分割工程とを備えることである。ただし、ここで、上記の直交座標は、ｘｙ平面がｃ面と略一致し、ｚ軸の正の向きがｃ面の法線ベクトルの向きと略一致し、かつ、結晶の一つのｒ面の法線ベクトルの極距離θと経度φが「０°＜θ＜９０°、かつ、４０°≦φ≦５０°」を満たす右手系の直交座標とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の第２の手段は、上記の第１の手段において、上記の結晶をサファイアとし、その時の上記の極距離θを約１ラジアンにすることである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の第３の手段は、上記の第１又は第２の手段において、上記の結晶を、複数の半導体デバイスの集合体を構成する半導体ウェハの結晶成長基板にすることである。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
更に、任意に選んだ１つのｒ面の法線ベクトル＜ｒ｜の経度φを約４５°近傍に置くことができるので、最も良好にスクライブ及びブレーキングを実施することができる。
図１は、一般の六方晶系の結晶の模式的な斜視図であり、図２はこの図１の結晶を上から見下ろした平面図である。図１の単位ベクトル＜ｒ｜は、任意に選んだ１つのｒ面の法線ベクトルを示しており、例えばサファイア結晶の場合にはこの法線ベクトル＜ｒ｜の極距離θは約１ラジアンとなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、ｘ軸の正の向きとｙ軸の正の向きとが成す角（：直角）の二等分線（：ｚ軸を始点とする半直線）の経度と、１つのｒ面の法線ベクトル＜ｒ｜の経度φとを図２に例示する様に略一致させることができるので、この配向により、ｃ面上におけるスクライブの向きΦ（ｘ軸の正の向きとｙ軸の正の向き）を、結晶の最も割れ難い向き（φ＝４５°）から極力離して、配置することができる。即ちｘ軸の正の向きとｙ軸の正の向きの何れをも、結晶の最も割れ難い向きから約４５°離して、配置することができる。このため、本発明の第１の手段に従えば、略最適な配向でスクライブを実施することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、直角（ｘ軸の正の向き及びｙ軸の正の向き）に引くスクライブによって形成される分離溝は、ｒ面の法線ベクトル＜ｒ｜の経度φが４５°に近い場合ほど、弱い力でも深くシャープに形成することができる。
実際に、直角（ｘ軸の正の向き及びｙ軸の正の向き）に引くスクライブ線の幅、即ち分割に必要となるｃ面上での切りしろは、＜ｒ｜の経度φが４５°に近い場合ほど、事実上細く形成することができるので、この点でも本発明の第１の手段は有効である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更に、本発明の第２の手段によれば、極めて幅広く大きな産業的効果を得ることができる。その理由は、サファイアは半導体デバイスの結晶成長基板として、現在、一般に幅広く採用されている非常に有用な材料であり、かつ、本発明がこれらサファイアなどの極めて硬質な結晶材料に対しても非常に有効な手段を提供するものであるからである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の第３の手段によれば、主面を六方晶系の結晶のｃ面を用いて構成した結晶成長基板を使った結晶成長によって製造される半導体デバイスの半導体ウェハの素子分離工程に上記の本発明の作用・効果をそのまま導入することができる。このため、本発明の第４の手段によれば、これらの半導体デバイスの設計を容易にしたり、或いは、歩留りを効果的に改善したりすることができる。したがって、本発明はその様な半導体デバイスを量産する際に、その生産性を非常に効果的に向上させる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板上に互いに間隔を有して配置された一対の導電体を備えた電子放出素子であって、前記一対の導電体のうちの一方の導電体の頂部が他方の導電体の頂部よりも高く、前記基板が、前記間隔領域から前記一方の導電体の当該基板と接する領域の下方に向かって延びて当該基板と接する領域の下方に達している溝を前記間隔に沿って有していることを特徴とする電子放出素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素を含む原料を改質反応することによって水素リッチガスを発生させる改質器と、
前記改質器に前記原料を供給する原料供給手段と、
前記改質器の温度を調節する温度調節手段と、
前記改質器の温度を検出する温度検出手段と、
前記水素リッチガスによって発電を行う燃料電池と、
制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記燃料電池の運転を停止させる際に、前記温度調節手段により前記温度検出手段で検出される前記改質器の温度を所定温度以下にした状態で、少なくとも前記原料供給手段が前記改質器に前記原料の供給を行うよう制御し、
前記所定温度とは、前記改質器が前記水素リッチガスを発生させない温度、または空気に曝されても反応しない程度の濃度の前記水素リッチガスが発生する温度である、燃料電池発電システム。
【請求項２】
前記制御手段は、前記原料の供給により少なくとも前記改質器を前記原料で置換するよう制御する、請求項１記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記改質器に水蒸気を供給する水蒸気供給手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記原料の供給の際に、前記水蒸気供給手段より前記改質器に水蒸気を供給する制御を行う、請求項１または２に記載の燃料電池発電システム。
【請求項４】
前記温度調節手段はバーナと、
前記バーナに燃焼用の空気を供給する空気供給手段とを有し、
前記制御手段は、前記空気供給手段の前記バーナへの空気供給量を過剰にすることにより、前記所定温度以下になるよう制御を行う、請求項３に記載の燃料電池発電システム。
【請求項５】
前記原料供給手段と前記改質器との間に設けられた脱硫手段をさらに備えた請求項１に記載の燃料電池発電システム。
【請求項６】
炭化水素を含む原料を改質反応することによって水素リッチガスを発生させる改質器と、前記改質器に前記原料を供給する原料供給手段と、前記改質器の温度を検出する温度検出手段と、前記水素リッチガスによって発電を行う燃料電池とを有する燃料電池発電システムの制御方法であって、
前記燃料電池の運転を停止させる際に、前記温度検出手段で検出される前記改質器の温度が所定温度以下の状態で、少なくとも前記原料供給手段が前記原料の供給を行う工程を備え、
前記所定温度とは、前記改質器が前記水素リッチガスを発生させない温度、または空気に曝されても反応しない程度の濃度の前記水素リッチガスが発生する温度である、燃料電池発電システムの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、第１の本発明は、炭化水素を含む原料を改質反応することによって水素リッチガスを発生させる改質器と、
前記改質器に前記原料を供給する原料供給手段と、
前記改質器の温度を調節する温度調節手段と、
前記改質器の温度を検出する温度検出手段と、
前記水素リッチガスによって発電を行う燃料電池と、
制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記燃料電池の運転を停止させる際に、前記温度調節手段により前記温度検出手段で検出される前記改質器の温度を所定温度以下にした状態で、少なくとも前記原料供給手段が前記改質器に前記原料の供給を行うよう制御し、
前記所定温度とは、前記改質器が前記水素リッチガスを発生させない温度、または空気に曝されても反応しない程度の濃度の前記水素リッチガスが発生する温度である、燃料電池発電システムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、第２の本発明は、前記制御手段は、前記原料の供給により少なくとも前記改質器を前記原料で置換するよう制御する、第１の本発明の燃料電池発電システムである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第３の本発明は、前記改質器に水蒸気を供給する水蒸気供給手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記原料の供給の際に、前記水蒸気供給手段より前記改質器に水蒸気を供給する制御を行う、第１または第２の本発明の燃料電池発電システムである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、第４の本発明は、前記温度調節手段はバーナと、
前記バーナに燃焼用の空気を供給する空気供給手段とを有し、
前記制御手段は、前記空気供給手段の前記バーナへの空気供給量を過剰にすることにより、前記所定温度以下になるよう制御を行う、第３の本発明の燃料電池発電システムである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第６の本発明は、炭化水素を含む原料を改質反応することによって水素リッチガスを発生させる改質器と、前記改質器に前記原料を供給する原料供給手段と、前記改質器の温度を検出する温度検出手段と、前記水素リッチガスによって発電を行う燃料電池とを有する燃料電池発電システムの制御方法であって、
前記燃料電池の運転を停止させる際に、前記温度検出手段で検出される前記改質器の温度が所定温度以下の状態で、少なくとも前記原料供給手段が前記原料の供給を行う工程を備え、
前記所定温度とは、前記改質器が前記水素リッチガスを発生させない温度、または空気に曝されても反応しない程度の濃度の前記水素リッチガスが発生する温度である、燃料電池発電システムの制御方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（水、有機非イオン性化合物）
本発明における水は、イオン導電性化合物にイオン伝導性を発現させるためのものである。イオン伝導体１１は、水とともに有機非イオン性化合物を含有していてもよい。
本発明における有機非イオン性化合物とは、水に可溶な有機非イオン性化合物である。有機非イオン性化合物は、導電性媒体としても有用であり、また、低温安定性を維持して水の結晶化やイオン導電性化合物の析出を防止し、イオン伝導性を安定に発現させる。該有機非イオン性化合物としては、低分子から高分子までの化合物が挙げられる。有機非イオン性化合物の水への溶解度は微溶以上であれば上限は問わない。
有機非イオン性化合物としては、例えば、低級アルコール類、多価アルコール類、エーテル基含有アルコール類、アミノ基含有アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル類などが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード基板と、
前記アノード基板に対向して配置され且つ前記アノード基板との間に真空封止された電子放出室を形成するカソード基板と、
前記カソード基板の電子放出室側に形成された電子源と、
前記アノード基板の電子放出室側に形成され且つ前記電子源からの電子線を受けて発光する蛍光体と、
前記カソード基板の反電子放出室側を覆うように配置され且つ前記カソード基板との間に前記電子放出室とは独立して真空封止された圧力平衡室を形成すると共に大気圧を受けるシェル構造の真空封止部材とを備える
ことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記カソード基板はガラスで形成され、前記真空封止部材は金属板で形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記真空封止部材は前記カソード基板より薄く且つ軽く形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項４】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記カソード基板は四角形に形成され、前記真空封止部材はその外形が前記カソード基板の外形と略同形の四角形に形成されると共に少なくともその対向する２辺以上の端部が前記カソード基板の前記アノード基板に対する接合領域にまで延びて設置されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は、アノード基板と、前記アノード基板に対向して配置され且つ前記アノード基板との間に真空封止された電子放出室を形成するカソード基板と、前記カソード基板の電子放出室側に形成された電子源と、前記アノード基板の電子放出室側に前記電子源と平行に形成され且つ前記電子源からの電子線を受けて発光する蛍光体と、前記カソード基板の反電子放出室側を覆うように配置され且つ前記カソード基板との間に前記電子放出室とは独立して真空封止された圧力平衡室を形成すると共に大気圧を受けるシェル構造の真空封止部材とを備える構成としたディスプレイ装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ディスプレイパネル７２は、画像表示面を形成するアノード基板２と、アノード基板２に対向して配置され且つアノード基板２との間に真空封止された電子放出室６を形成する平板状のカソード基板４と、カソード基板４の電子放出室側に形成された電子源３と、アノード基板２の電子放出室側に形成され且つ電子源３からの電子線を受けて発光する蛍光体１と、カソード基板４の反電子放出室側を覆うように配置され且つカソード基板４との間に真空封止された圧力平衡室８を形成すると共に大気圧を受けるシェル構造の真空封止部材７とを備えて構成されている。このように、真空封止部材７を大気圧に対して軽量で形状維持できるシェル構造としているので、カソード基板４を厚くして同じ曲げ剛性とする場合と比較して、軽量化を図ることができる。なお、シェル構造の真空封止部材７に補強リブなどを形成することにより、さらなる軽量化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄型のディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネルを制御する制御装置とを備えたディスプレイ装置において、
前記ディスプレイパネルは、
アノード基板と、
前記アノード基板に対向して配置され且つ前記アノード基板との間に真空封止された電子放出室を形成するカソード基板と、
前記カソード基板の電子放出室側に形成された電子源と、
前記アノード基板の電子放出室側に形成され且つ前記電子源からの電子線を受けて発光する蛍光体と、
前記カソード基板の反電子放出室側に形成された圧力支持体とを備え、
前記圧力支持体は、
前記カソード基板との間に前記電子放出室とは独立して真空封止された圧力支持室を形成する真空封止部材と、
空隙を有する部材で形成されると共に前記圧力支持室内で前記真空封止部材と前記カソード基板との間に挟持され且つ少なくとも両端部が前記カソード基板の前記アノード基板に対する接合領域にまたがって設置された補強部材とを備え、
前記制御装置は前記電子源を制御するものであることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記補強部材は、ハニカム構造体、リブ構造体、多孔質体、あるいは布状の繊維を複数枚重ねた構造体の何れかで構成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記カソード基板は前記アノード基板よりも薄く形成され、前記真空封止部材は前記カソード基板より薄く且つ軽く形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項４】
請求項３に記載されたディスプレイ装置において、前記真空封止部材は可撓性を有する金属薄板で形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項５】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記圧力支持室は前記電子放出室よりも真空度が低いことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項６】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記制御装置はＩＣを搭載した基板を前記真空封止部材の平面部に設置して構成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項７】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、カソード基板上に形成された前記電子源を駆動するための多数の配線を備え、前記配線は前記電子源から前記電子放出室の外部領域まで引き出されており、前記制御装置はフレキシブル配線板を介して前記配線の引き出されている部分に接続されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項８】
請求項７に記載されたディスプレイ装置において、前記配線は前記アノード基板と前記カソード基板との接合領域において部分的に細く形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項９】
請求項１に記載されたディスプレイ装置において、前記カソード基板は前記電子放出室の真空引きするための排気ポートを有し、前記圧力支持体は前記排気ポートを除く部分に設置されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載されたディスプレイ装置において、前記カソード基板は四角形に形成され且つ前記排気ポートを隅部に有し、前記圧力支持体は前記排気ポートに対応する部分を切り欠いて形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１１】
薄型のディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネルを制御する制御装置とを一体的に組み合わせたディスプレイモジュールにおいて、
前記ディスプレイパネルは、
アノード基板と、
前記アノード基板に対向して配置され且つ前記アノード基板との間に真空封止された電子放出室を形成するカソード基板と、
前記カソード基板の電子放出室側に形成された電子源と、
前記アノード基板の電子放出室側に形成され且つ前記電子源からの電子線を受けて発光する蛍光体と、
前記カソード基板の反電子放出室側に形成された圧力支持体とを備え、
前記圧力支持体は、
前記カソード基板との間に前記電子放出室とは独立して真空封止された圧力支持室を形成する真空封止部材と、
空隙を有する部材で形成されると共に前記圧力支持室内で前記真空封止部材と前記カソード基板との間に挟持され且つ少なくとも両端部が前記カソード基板の前記アノード基板に対する接合領域にまたがって設置された補強部材とを備え、
前記制御装置は前記電子源を制御するものであることを特徴とするディスプレイモジュール。
【請求項１２】
アノード基板と、
前記アノード基板に対向して配置され且つ前記アノード基板との間に真空封止された電子放出室を形成するカソード基板と、
前記カソード基板の電子放出室側に形成された電子源と、
前記アノード基板の電子放出室側に形成され且つ前記電子源からの電子線を受けて発光する蛍光体と、
前記カソード基板の反電子放出室側に形成された圧力支持体とを備え、
前記圧力支持体は、
前記カソード基板との間に前記電子放出室とは独立して真空封止された圧力支持室を形成する真空封止部材と、
空隙を有する部材で形成されると共に前記圧力支持室内で前記真空封止部材と前記カソード基板との間に挟持され且つ少なくとも両端部が前記カソード基板の前記アノード基板に対する接合領域にまたがって設置された補強部材とを備えた
ことを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項１３】
薄型のディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネルを制御する制御装置とを備えたディスプレイ装置において、
前記ディスプレイパネルは、
アノード基板と、
前記アノード基板に対向して配置され且つ前記アノード基板との間に真空封止された電子放出室を形成するカソード基板と、
前記カソード基板の電子放出室側に形成された電子源と、
前記アノード基板の電子放出室側に形成され且つ前記電子源からの電子線を受けて発光する蛍光体と、
カソード基板上に形成された前記電子源を駆動するための多数の配線を備え、
前記配線は前記電子源から前記電子放出室の外部領域まで引き出されており、
前記配線は前記アノード基板と前記カソード基板との接合領域において部分的に細く形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
不飽和結合を有する重合性化合物は熱、紫外線、電子線などによって重合させることができるが、反応を効果的に進行させるため、電解液に重合開始剤を入れておくこともできる。重合開始剤としては、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシケタール、パーオキシジカーボネート、パーオキシモノカーボネートなどの有機過酸化物が使用可能であるが、その中でもｔ−ブチルパーオキシピバレートやｔ−ヘキシルパーオキシピバレートなどのパーオキシエステル類が硬化性の点で好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
不飽和結合を有する重合性化合物は熱、紫外線、電子線などによって重合させることができるが、反応を効果的に進行させるため、電解液に重合開始剤を入れておくこともできる。重合開始剤としては、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシケタール、パーオキシジカーボネート、パーオキシモノカーボネートなどの有機過酸化物が使用可能であるが、その中でもｔ−ブチルパーオキシピバレートやｔ−ヘキシルパーオキシピバレートなどのパーオキシエステル類が硬化性の点で好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本願の請求項６に係る発明は、前記請求項１に記載の非水電解質二次電池において、前記ウレタンオリゴマーが、ポリオール、イソシアネート、ヒドロキシ（メタ）アクリレートの重付加重合反応によって得られた組成物であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、外部電源の供給や、計測信号の取り出しには外部配線が必要となるため、計装コストも掛かり、更に配線取り出し口を設けなければならないため、外気との密閉性が保てずトラブルの要因につながる。
【特許文献１】特開２００４−９３４６７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子から放射される青色光を受けて励起されることにより黄色の励起光を放射する蛍光体と、前記青色光を散乱させる光散乱体とを有し、前記青色光と前記励起光との混合に基づいて白色光を生じる発光装置において、
前記光散乱体は、前記発光素子から放射される前記青色光の波長より小なるサイズで形成された光散乱粒子を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記光散乱体は、前記光散乱粒子を含んで前記発光素子を封止する光透過性の封止樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光散乱体は、前記光散乱粒子および蛍光体を含んで前記発光素子の周囲に薄膜状に設けられる光透過性の封止樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子から放射される青色光を受けて励起されることにより黄色の励起光を放射する蛍光体と、前記青色光を散乱させる光散乱体とを有し、前記青色光と前記励起光との混合に基づいて白色光を生じる発光装置において、前記光散乱体は、前記発光素子から放射される前記青色光の波長より小なるサイズで形成された光散乱粒子を含むことを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記号画像の管理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連する属性情報を持つ記号画像を管理する装置における記号画像の管理方法であって、
前記装置が、
入力データ中の記号画像と当該記号画像に付随する文字を認識し、認識した文字を前記記号画像の属性情報として記号画像単位でデータベースに格納する第１のステップと、格納した前記属性情報によって関連する属性情報を持つ記号画像を前記データベースから検索する第２のステップを備えることを特徴とする記号画像の管理方法。
【請求項２】
複数の画像図面内の記号画像を関連する属性情報によって管理する装置における記号画像の管理方法であって、
前記装置が、
記号画像を含む画像図面を入力データとして受付け、記憶手段に格納する第１のステップと、前記記憶手段に格納した入力データ内の記号画像の種別、該記号画像に付随する文字及び該記号画像に付随する文字の記載位置を認識し、認識した記号画像の種別、記号画像に付随する文字、記号画像に付随する文字記載位置および該記号画像が含まれる画像図面の名称を属性情報として記号画像毎にデータベースに格納する第２のステップと、指定された属性情報を含む記号画像の情報を前記データベースから検索する第３のステップとを備えることを特徴とする記号画像の管理方法。
【請求項３】
前記第３のステップにおいて、表示画面上に表示された任意の記号画像の選択操作に対し、該選択操作のなされた位置情報と前記データベースに格納された記号画像に付随する文字の記載位置を元に選択された記号画像を特定し、該特定した記号画像に付随する文字を属性情報として含む記号画像の情報を前記データベースから検索することを特徴とする請求項２に記載の記号画像の管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  電解質塩を有機溶媒に溶解した電解液において、有機溶媒が一般式（１）で表されるピペリジン化合物を含有することを特徴とする難燃性電解液。
【化１】
2001210365.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化４】
2001210365.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リッジ形状のストライプを有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、
上記ストライプの両側の埋め込み部位の幅が５０μｍ以下であり、
上記埋め込み部位に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる埋め込み半導体層が埋め込まれている
ことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】  上記埋め込み部位の幅が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】  上記埋め込み部位の幅が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項４】  上記埋め込み半導体層は選択成長により成長されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項５】  上記ストライプは少なくともｐ型クラッド層を含むｐ型半導体層に形成されており、上記埋め込み半導体層はｎ型半導体層であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項６】  上記ストライプは少なくともｐ型クラッド層を含むｐ型半導体層に形成されており、上記埋め込み半導体層はｎ型半導体層とその上のｐ型半導体層とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項７】  上記埋め込み半導体層はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項８】  上記埋め込み半導体層はＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項９】  上記ストライプは少なくともｐ型クラッド層を含むｐ型半導体層に形成されており、活性層はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１）からなり、上記埋め込み半導体層はＩｎy Ｇａ1-y Ｎ（ただし、０≦ｙ≦１かつｘ≦ｙ）からなる第１の半導体層とＡｌz Ｇａ1-z Ｎ（ただし、０≦ｚ≦１）からなる第２の半導体層とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項１０】  上記半導体レーザは実屈折率導波型半導体レーザであることをを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項１１】  リッジ形状のストライプを有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、
上記ストライプを形成するとともに、上記ストライプの両側に幅が５０μｍ以下の埋め込み部位を形成する工程と、
上記埋め込み部位に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる埋め込み半導体層の選択成長を行う工程とを有する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項１２】  上記埋め込み部位以外の部分の表面に成長マスクを形成しておき、上記成長マスクを用いて上記埋め込み半導体層の選択成長を行うようにしたことを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１３】  上記埋め込み半導体層の選択成長の初期の成長温度を４００℃以上８００℃未満とするようにしたことを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に積層された、第１導電型のクラッド層、活性層および少なくともクラッド層を含む前記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体層を備え、
前記半導体層上部の一部にリッジが形成され、
前記第１導電型のクラッド層、前記活性層および前記第２導電型の半導体層が窒化物系III -Ｖ族化合物半導体からなる半導体発光装置において、
前記リッジはその幅が１．９μｍ以上２．６μｍ以下に形成されている
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】  前記リッジの側方に存在する前記半導体層はその厚さが０．０３μｍ以上０．２５μｍ以下の厚さに形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】  少なくとも前記リッジの側方に存在する前記半導体層上に、前記半導体層から前記活性層方向に流れようとする電流を阻止する電流阻止層が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】  少なくとも前記リッジの側方に存在する前記半導体層上に、前記半導体層から前記活性層方向に流れようとする電流を阻止する電流阻止層が形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記電流阻止層の屈折率が２．５以下である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記電流阻止層の屈折率が２．５以下である
ことを特徴とする請求項４記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光装置に関し、詳しくは青紫色発光の窒化物系化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードに用いられる半導体発光装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた半導体発光装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図４４のＦ１で表わされるＶｇｓ−Ｉｄｓ特性を有するメモリセルが、フローティングゲートから電子が放出されることにより、Ｆ２で表わされるＶｇｓ−Ｉｄｓ特性を有するメモリセルと同じ状態になった場合、多値フラッシュメモリでは、書込まれた“０１”のデータが、“００”と誤読み出しされてしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
同様に、Ｆ３で表わされるＶｇｓ−Ｉｄｓ特性を有するメモリセルが、Ｆ４で表わされるＶｇｓ−Ｉｄｓ特性を有するメモリセルと同じ状態になった場合、多値フラッシュメモリでは、書込まれた“１１”のデータが、“１０”と誤読み出しされてしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物（ＲはＹを含む希土類元素の１種または２種以上であり、ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏである）を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体を硝酸塩1〜100ｇ/リットルおよび硝酸0.05〜10vol.%からなる混合酸性液によりめっき前処理後、めっきを行うことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の表面処理方法。
【請求項２】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物（ＲはＹを含む希土類元素の１種または２種以上であり、ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏである）を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体表面にめっきを被覆してなるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石であって、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の断面組織におけるめっき層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体とが形成する境界に沿って100μｍの直線を引いたとき、その直線に沿う主相部に形成されたエッチングピットの個数がその直線に沿う粒界相部に形成されたエッチングピットの個数よりも多いことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち本発明は次のとおりである。
１．  重合により製造されたナイロン前重合物を高重合度化することによりナイロン樹脂を製造する方法において、ナイロン前重合物を溶融状態で縦型攪拌式薄膜蒸発機を通過させることにより重合度を高めるナイロン樹脂の製造方法。
２．  ナイロン前重合物の硫酸相対粘度が、２．６以下であり、かつ、高重合度化により得られるナイロン樹脂の硫酸相対粘度よりも０．１以上低い前記１項記載のナイロン樹脂の製造方法。
３  ナイロン樹脂が、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６・１０、ナイロン６・１２、ナイロン６Ｔ単位及び／又はナイロン６Ｉ単位を含有する半芳香族ナイロン、又は、これらナイロンの共重合体のいずれかである前記１項又は２項記載のナイロン樹脂の製造方法。
４．  前記１〜３項のいずれか記載の方法によりナイロン樹脂を製造し、続いて、得られたナイロン樹脂を縦型攪拌式薄膜蒸発機に連結された押出機に導入し、添加剤及び／又は充填材を配合し混合するナイロン樹脂組成物の製造方法。
５．  前記１〜３項のいずれか記載の方法によりナイロン樹脂を製造し該ナイロン樹脂を溶融吐出しペレタイズ化することにより、又は、前記４項記載の方法によりナイロン樹脂組成物を製造し該ナイロン樹脂組成物を溶融吐出しペレタイズ化することによりペレットを製造するナイロン樹脂ペレットの製造方法。
６．  前記１〜３項のいずれか記載の方法によりナイロン樹脂を製造した後に該ナイロン樹脂を成形することにより、前記４項記載の方法によりナイロン樹脂組成物を製造した後に該ナイロン樹脂組成物を成形することにより、又は、前記５項記載の方法によりナイロン樹脂ペレットを製造した後に該ナイロン樹脂ペレットから成形することにより、成形品を製造するナイロン樹脂成形品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明の製造方法によって得られたナイロン樹脂（組成物）は、従来のナイロン樹脂（組成物）同様に、通常の方法でペレットとすることができるし、また、通常の成形方法によって成形品とすることができる。ここでいう成形品は、射出成形等による狭義の成形品の他、繊維やフィルム等をも含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  全ジカルボン酸成分の７０モル％以上がテレフタル酸であり、全グリコール成分の５０モル％以上が１，３−プロパンジオールであるポリエステルからなる、ポリエステルボトル用キャップ。
【請求項２】  ポリエステルのグリコール成分が、１，３−プロパンジオール５０〜９０モル％および平均分子量４００〜５０００のポリオキシアルキレングリコール１０〜５０モル％である、請求項１記載のポリエステルボトル用キャップ。
【請求項３】  ポリエステルボトル用キャップが射出成形して成形されたものである、請求項１記載のポリエステルボトル用キャップ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
次に作用について説明する。上記した通り肝臓の脂質代謝を改善するためには、脂肪の合成を抑制する方法と分解を促進する方法とがあるが、脂肪も重要な栄養素であるという観点から考えると、後者の方法がより健康的であるといえる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記のジカルボン酸単位（ａ）は、４０モル％以下であれば、テレフタル酸単位以外の他のジカルボン酸単位を含んでいてもよい。該他のジカルボン酸単位としては、マロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、２−メチルアジピン酸、トリメチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２−ジメチルグルタル酸、２，２−ジエチルコハク酸、アゼライン酸、セバシン酸、スベリン酸等の脂肪族ジカルボン酸；１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸；イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，４−フェニレンジオキシジ酢酸、１，３−フェニレンジオキシジ酢酸、ジフェン酸、ジ安息香酸、４，４’−オキシジ安息香酸、ジフェニルメタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４’−ジカルボン酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸から誘導される単位を挙げることができ、これらのうち１種または２種以上を用いることができる。これらのなかでも芳香族ジカルボン酸から誘導される単位が好ましい。これらの他のジカルボン酸単位の含有量としては、２５モル％以下であるのが好ましく、１０モル％以下であるのがより好ましい。さらに、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸などの多価カルボン酸から誘導される単位を、溶融成形が可能な範囲内で含んでいてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ペルフルオロアルケンまたはポリフルオロアルケンをフッ素化してペルフルオロアルカンまたはポリフルオロアルカンを製造するにあたり、ペルフルオロアルカンまたはポリフルオロアルカンを溶媒とし、ペルフルオロアルケンまたはポリフルオロアルケンを含む、ペルフルオロアルカンまたはポリフルオロアルカン溶液を高速で撹拌し、この溶液中にフッ素ガスを含有するガスを吹き込むことを特徴とするペルフルオロアルカンまたはポリフルオロアルカンの製造方法。
【請求項２】  ペルフルオロアルケンまたはポリフルオロアルケンが炭素数２以上で、かつ反応溶媒と互いに溶け合うのに必要なフッ素原子を分子内に含む化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】  撹拌速度が２００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下であり、フッ素ガスを含有するガスを０．１μｍ以上２００μｍ以下の微細な孔より吹き込むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  フッ素ガスの吹き込み速度が０．１ｃｍ3／ｃｍ2・ｓｅｃ以上５０ｃｍ3／ｃｍ2・ｓｅｃ以下である請求項１、２または３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明はフッ素化に使用する溶媒を、フッ素化によって得られるペルフルオロアルカンまたはポリフルオロアルカンとし、この溶液中に反応原料（例えば、目的とするペルフルオロアルカンと炭素数を同じくしたペルフルオロオレフィン）を連続的に少量ずつ添加し、連続的にフッ素化反応を実施することによって、問題なく目的物としてのペルフルオロアルカンまたはポリフルオロアルカンを得る方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
フッ素化反応を行なう際、溶液を高速に撹拌し、かつフッ素ガスを含有するガスを、例えば２００μｍ以下（好ましくは４０μｍ以下）０．１μｍ以上の微細な孔より噴出させることによって、穏やかに安全なフッ素化反応を続行することが可能となる。溶液の撹拌速度は、使用する容器の種類や形状によって異なるが、１０００ｍＬのフラスコ状容器であれば、通常２００ｒｐｍ以上（好ましくは５００ｒｐｍ以上）、３０００ｒｐｍ以下の回転速度で撹拌する必要がある。撹拌速度が低下すると、溶液中のフッ素ガス気泡が大きくなり、局部的な気液反応により、炎を上げて爆発的な反応が起こる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
原料である、ペルフルオロオレフィンは溶媒として使用するペルフルオロアルカンと炭素数が異なっても同様に反応を安定して行なうことができる。生成した異なる炭素数を持つペルフルオロアルカンや未反応原料のペルフルオロオレフィンは、蒸留により分離でき、溶媒に使用したペルフルオロアルカンと原料のペルフルオロオレフィンは再び反応器に戻し、再利用する。また原料としては、水素や塩素等のハロゲン原子を含むポリフルオロオレフィンも使用することができる。これらの化合物として、分子内に水素原子を少なくとも１つ以上含む化合物あるいはフッ素以外のハロゲン原子を少なくとも１つ以上含む化合物などが挙げられるが、反応に用いられる溶媒と溶け合う化合物であれば、分子内の水素数または塩素などのハロゲン原子数を制限するものでは無い。例えば、ペルフルオロプロペン、ペルフルオロブテン類、ペルフルオロペンテン類、ペルフルオロヘキセン類、ペルフルオロオクテン類、ペルフルオロノネン類、あるいはペルフルオロ多環系脂環族不飽和炭化水素などで示される炭素数２以上２０以下（以下、Ｃ２〜Ｃ２０と表記する）のペルフルオロオレフィン類（直鎖状化合物、分枝状化合物、環状化合物のいずれも含まれる）、６Ｈ−ペルフルオロヘキセン−１などのウンデカフルオロヘキセン類、デカフルオロヘキセン類、ノナフルオロブテン類、ノナフルオロシクロヘキセン類、オクタフルオロシクロヘキセン類、あるいはポリフルオロ多環系脂環族不飽和炭化水素などで示されるＣ２〜Ｃ２０のポリフルオロオレフィン類でＨ原子の比率が１以下の化合物（直鎖状化合物、分枝状化合物、環状化合物のいずれも含まれる）、クロロノナフルオロブテン類、クロロウンデカフルオロヘキセン類、ジクロロデカフルオロヘキセン類、クロロペンタデカフルオロオクテン類、ジクロロテトラデカフルオロオクテン類、クロロノナフルオロシクロヘキセン類、ジクロロオクタフルオロシクロヘキセン類、ポリクロロポリフルオロ多環系脂環族不飽和炭化水素などで示されるＣ２〜Ｃ２０のポリフルオロオレフィン類でＣ１原子とＦ原子の比率が１以下の化合物（直鎖状化合物、分枝状化合物、環状化合物のいずれも含まれる）、あるいはクロロオクタフルオロブテン類、クロロデカフルオロヘキセン類、クロロオクタフルオロシクロヘキセン類などで示されるＣ２〜Ｃ２０のポリフルオロオレフィン類でＣ１原子とＨ原子の総数とＦ原子の比率が１以下の化合物（直鎖状化合物、分枝状化合物、環状化合物のいずれも含まれる）、ヘキサフルオロブタジェンやデカフルオロヘキサジェン類、オクタフルオロシクロヘキサジェン類などで示されるＣ４〜Ｃ２０のペルフルオロジェン化合物（直鎖状化合物、分枝状化合物、環状化合物のいずれも含まれる）などが挙げられる。