【事件の表示】
　平成　５年特許願第３０６７５５号「車両用交流発電機の三相全波整流器」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　６月２３日出願公開、特開平　７−１６３１４８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
  本願は、平成　５年１２月　７日の出願であって、特許請求の範囲の請求項１乃至８に係る発明中、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年　９月　５日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】  車両用交流発電機の三相電機子巻線の各端とバッテリの高位端及び低位端とを接続するハイサイドのＭＯＳパワートランジスタ又はローサイドのＭＯＳパワートランジスタを有し、三相電機子巻線の発電電圧を直流電圧に変換してバッテリに給電する車両用交流発電機の三相全波整流器において、
　前記三相全波整流器は、ＳｉＣを素材として形成された前記ＭＯＳパワートランジスタを有して前記車両用交流発電機に搭載されており、前記ＭＯＳパワートランジスタをスイッチング制御する電圧調整部と同一基板に搭載されている
ことを特徴とする車両用交流発電機の三相全波整流器。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用例
(１)これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成　４年　５月１２日に頒布された「特開平４−１３８０３０号公報」（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
(ａ)「１．交流電流を整流し、バッテリに充電する充電回路において、複数のＭＯＳ型ＦＥＴから成る整流ブリッジ回路と、該ＦＥＴのいずれかに前記バッテリの両端電圧よりも高い逆ドレイン・ソース電圧が印加された時に該ＦＥＴにゲート電圧を印加する制御手段とを備えたことを特徴とする充電回路。」(特許請求の範囲)
(ｂ)「(産業上の利用分野)
　本発明は、充電回路に関し、特に例えば自動車において、エンジンの回転を利用したオルタネータ(交流発電機)により、バッテリを充電する充電回路に関するものである。」(公報第１頁左下欄１３〜１７行)
(ｃ)「この電力損失に伴う各シリコンダイオードでの発熱に対処するために放熱効果の高い、即ち大きな放熱板をシリコンダイオードに付設する必要があり、従って充電回路を構成する装置は大型化し、かつ重量の大きなものにならざるを得ないという問題があった。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、電力損失が低く、従って小型化且つ軽量化が可能となる充電回路を提供することを目的とする。」(公報第１頁右下欄１６〜第２頁左上欄４行)
(ｄ)「(作用)
　複数のＭＯＳ型ＦＥＴから成る整流ブリッジ回路のＦＥＴのいずれかに、バッテリの両端電圧よりも高い逆ドレイン・ソース電圧が印加される時に該ＦＥＴにゲート電圧を印加して該ＦＥＴを逆ドレイン電流の導通状態にする。これにより低電力損失の充電回路が実現できる。」(公報第２頁左上欄１４〜２０行)
(ｅ)「(実施例)
　本発明の一実施例を図面を参照して脱明する。
　第１図は充電回路の全体構成図であり、図中１及び２は交流充電機を構成する界磁コイル及び三相出力コイルであり、３は車載用バッテリである。界磁コイル１は自動車のエンジン(図示せず)に接続されて回転駆動されるものであるとともに、一端がバッテリ３に接続され、他端が界磁電流制御器４を介して接地される。三相出力コイル２は、磁界コイル１の回転により誘導されて三相交流電流を充電回路に出力する固定コイルである。
　充電回路は入力側に三相出力コイル２が、出力側にバッテリ３が接続される。充電回路は、６つの同一特性のパワーＭＯＳ型ＦＥＴ５ａ〜５ｆから成る整流ブリッジ回路とコントロール部(制御手段)６とから成り、整流ブリッジ回路は、ＦＥＴ５ａ〜５ｆが２個ずつ夫々直列接続され(一方のＦＥＴのソース端子と他方のドレイン端子とが接続される)、該直列接続された３組のＦＥＴがドレイン端子、ソース端子を夫々共通端子とするように並列接続されて成る。該共通ドレイン端子はバッテリ３の正極に接続され、共通ソース端子は負極に接続される。各直列接続された２個のＦＥＴの各接続点に前記三相出力コイル２の３つの出力端子が夫々接続される。」(公報第２頁右上欄１行〜左下欄５行，第１図)
(ｆ)「(発明の効果)
　以上詳述したように本発明は、交流電流を整流し、バッテリに充電する充電回路において、複数のＭＯＳ型ＦＥＴから成る整流ブリッジ回路と、該ＦＥＴのいずれかに前記バッテリの両端電圧よりも高い逆ドレイン・ソース電圧が印加された時に該ＦＥＴにゲート電圧を印加する制御手段とを備えるので、電力損失が極めて低い充電回路を構成でき、従って小型・軽量な充電回路装置を提供することが可能となる。」(公報第３頁右下欄１１〜２０行)
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、上記引用例１には、整流ブリッジ回路が車両用交流発電機に搭載されていることの明記はないが、整流ブリッジ回路を含む充電回路が車両用交流発電機に搭載されることは、引用例１の頒布時における技術常識といえるものであって、当該構成は記載されているに等しいといえるものである。したがって、引用例１には、
「車両用交流発電機の三相出力コイル２の各端とバッテリ３の高位端及び低位端とを接続するパワーＭＯＳ型ＦＥＴ５ａ，５ｃ，５ｅ又はパワーＭＯＳ型ＦＥＴ５ｂ，５ｄ，５ｆを有し、三相出力コイル２の発電電圧を直流電圧に変換してバッテリ３に給電する車両用交流発電機の整流ブリッジ回路において、
　前記整流ブリッジ回路は、前記パワーＭＯＳ型ＦＥＴを有して前記車両用交流発電機に搭載されており、且つ前記パワーＭＯＳ型ＦＥＴをスイッチング制御するコントロール部６が具備されている
ことを特徴とする車両用交流発電機の整流ブリッジ回路。」
が記載されていることが認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
(２)同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成　４年　１月３１日に頒布された「特開平４−２９３６８号公報」（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
(ａ)「１．炭化珪素からなるチャネル形成層を有する電界効果トランジスタであって、
　該チャネル形成層とソース領域との間に形成される第１の接合が該チャネル形成層とドレイン領域との間に形成される第２の接合とは異なる特性を示す、電界効果トランジスタ。」(特許請求の範囲)
(ｂ)「(産業上の利用分野）
　本発明は炭化珪素を用いた電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、炭化珪素からなるチャネル形成層とソース領域およびドレイン領域との間に形成される接合が互いに異なる特性を示す電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。」(公報第１頁右下欄１６〜第２頁左上欄２行)
(ｃ)「一般に、電界効果トランジスタを実用化するのに必要な特性条件としては、(１)ソース・ドレイン間の耐圧が高いこと、(２)ドレイン電圧を印加することによる基板へのリーク電流が充分に小さいこと、および(３)トランジスタのオン抵抗が充分に小さいことなどが挙げられる。」(公報第２頁左下欄１２〜１７行)
(ｄ)「(発明が解決しようとする課題　)
　現在、開発されている炭化珪素を用いた電界効果トランジスタでは、そのソース領域およびドレイン領域は、例えばイオン注入法により同時に形成されている。したがって、チャネル形成層とソース領域との間に形成されるｐｎ接合は、チャネル形成層とドレイン領域との間に形成されるｐｎ接合と同じ特性を示すことになる。
　電界効果トランジスタを実用化するめに必要な上記の特性条件のうち、(１)および(２)はチャンネル形成層とドレイン領域との間に形成されるｐｎ接合の特性(特に、逆方向特性)に依存し、（３)はチャネル形成層とソース領域との間に形成されるｐｎ接合の特性(特に、順方向特性）、およびソース領域の抵抗に依存する。しかし、現在のところ、このような条件をすべて満足するようなソース領域およびドレイン領域は得られておらず、したがって、炭化珪素を用いた電界効果トランジスタは実用化されるまでには至っていない。
　本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、その目的とするところは、耐圧が高く、リーク電流が少なく、そしてオン抵抗が小さいという優れた素子持性を有する、炭化珪素を用いた電界効果トランジスタを提供することにある。また、本発明の他の目的は、このような優れた素子特性を有する、炭化珪素を用いた電界効果トランジスタの製造方法を提供することにある。」(公報第２頁左下欄１８〜第３頁左上欄４行)
(ｅ)「(発明の効果）
　本発明によれば、ソース領域およびドレイン領域の各々がチャネル形成層との間に最適の接合を形成しているので、耐圧が高く、リーク電流が少なく、そしてオン抵抗が小さいという優れた素子特性を有する、炭化珪素を用いた電界効果トランジスタおよびその製造方法が提供される。 このような電界効果トランジスタは、珪素のような他の半導体材料を用いた場合には使用が困難な条件下(例えば、高温、高出力駆動、高周波動作、放射線照射など)においても使用可能な半導体素子として有用である。」(公報第７頁左上欄９〜２０行)
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対　比
　本願発明と引用例１に記載された発明(以下、「引用発明」という。)とを対比すると、後者の「三相出力コイル２」，「パワーＭＯＳ型ＦＥＴ５ａ，５ｃ，５ｅ」，「パワーＭＯＳ型ＦＥＴ５ｂ，５ｄ，５ｆ」，「整流ブリッジ回路」，「コントロール部６」は、前者の「三相電機子巻線」，「ハイサイドのＭＯＳパワートランジスタ」，「ローサイドのＭＯＳパワートランジスタ」，「三相全波整流器」，「電圧調整部」に相当するから、両者は、
「車両用交流発電機の三相電機子巻線の各端とバッテリの高位端及び低位端とを接続するハイサイドのＭＯＳパワートランジスタ又はローサイドのＭＯＳパワートランジスタを有し、三相電機子巻線の発電電圧を直流電圧に変換してバッテリに給電する車両用交流発電機の三相全波整流器において、
　前記三相全波整流器は、前記ＭＯＳパワートランジスタを有して前記車両用交流発電機に搭載されており、且つ前記ＭＯＳパワートランジスタをスイッチング制御する電圧調整部が具備されている
ことを特徴とする車両用交流発電機の三相全波整流器。」
である点で一致し、
（イ）本願発明においては、三相全波整流器は、「ＳｉＣ」を素材として形成されたＭＯＳパワートランジスタを有しているのに対して、引用発明においては、前記素材で形成されたＭＯＳパワートランジスタ(パワーＭＯＳ型ＦＥＴ)を有しているか否かが不明である点。
（ロ）本願発明においては、三相全波整流器は、ＭＯＳパワートランジスタをスイッチング制御する電圧調整部と同一基板に搭載されているのに対して、引用発明においては、三相全波整流器(整流ブリッジ回路)と電圧調整部(コントロール部)との関連構成について何ら特定されていない点。
で相違する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．当審の判断
(１)相違点(イ)について
　上記相違点について検討するに、引用例２には、炭化珪素(ＳｉＣ)を素材として形成されたパワーＭＯＳ型ＦＥＴであって、耐圧が高く、リーク電流が少なく、そしてオン抵抗が小さいという素子特性を有するものが開示されている。一方、引用例１に記載の充電回路もパワーＭＯＳ型ＦＥＴを採用することにより、電力損失の低減、小型化且つ軽量化を図ったものである。
　このように、引用例１に採用のトランジスタも、引用例２に記載のトランジスタも、共にパワーＭＯＳ型ＦＥＴである点で共通するとともに、課題においても共通するものである以上、引用例１に記載の三相全波整流器において、当業者が、そこに用いられるトランジスタの耐圧、リーク電流、オン抵抗等の素子特性を更に向上させようとするとき、前記引用例２に記載された電界効果トランジスタを採用することを阻害する事由は存在しないというべきである。
　したがって、前記炭化珪素(ＳｉＣ)を素材として形成されたパワーＭＯＳ型ＦＥＴを採用することにより、上記相違点(イ)に係る構成とすることは、引用例２の記載に基づいて当業者が容易に想到できたことである。
(２)相違点(ロ)について
　相違点(ロ)について検討するに、半導体素子を含む回路装置の小型化を図るために、異なる機能を有する複数の回路チップ同士を同一基板上に装着すること自体は、本願出願時において周知の事項である(必要ならば、特開平３−２４５７６９号公報参照)。
　そして、引用例１に記載の充電回路において、三相全波整流器(整流ブリッジ回路)と電圧調整部(コントロール部)とを同一基板に搭載することにより、装置の小型化が図れることは自明の事項というべきであって、且つ本願発明が前記同一基板の態様に関して何ら限定をしていないことに鑑みれば、上記相違点(ロ)に係る構成は、引用例１の記載及び前記周知事項に基づいて当業者が容易に想到できたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　したがって、本願発明は，引用例１，２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。