【事件の表示】
　平成　３年特許願第２２４３５２号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　３月１２日出願公開、特開平　５−　６１０７１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は平成３年９月４日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１２年１０月２６日付手続補正書により補正された明細書の記載からみてその特許請求の範囲の請求項１に記載された次の通りのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「一対の絶縁基板と、この絶縁基板に挟持された液晶層と、前記絶縁基板の一方の基板上にマトリクス状に配列された画素電極と、この画素電極に接続された薄膜トランジスタとを備えた液晶表示装置であって、
　前記薄膜トランジスタが配置された側の絶縁基板に形成された溝部に、前記薄膜トランジスタの半導体層の形成と同一工程で一体に形成された第１電極と、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一材料で形成され、少なくとも２層以上からなる絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料で形成された第２電極とからなり、前記第１電極と第２電極との間に前記絶縁膜が挟持されて容量成分が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に頒布された特開平３−１６３５２９号公報（以下「引用例１」という。）には、下記（１）〜（６）の事項が記載されている。
（１）「一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板内面にマトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続され映像信号を供給する信号線と、該絵素電極の電荷を保持するための付加容量と、該付加容量の一方の電極に接続された付加容量共通配線と、を備え、…アクティブマトリクス表示装置。」（第１頁左下欄第５〜１６行）
（２）「本発明は、薄膜トランジスタ（以下では「ＴＦＴ」と称す）等のスイッチング素子を有し、液晶等を表示媒体として用いたアクティブマトリクス表示装置に関する。」（第１頁右下欄第１１〜１４行）
（３）「ＴＦＴ２５のドレイン電極に接続された絵素電極と対向基板上の対向電極との間に液晶が封入され」（第５頁右下欄第１１〜１３行）
（４）「本実施例を製造工程に従って説明する。前述のガラス基板１１上の全面に、後に半導体層１２及び下部容量用電極５となる多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ法によって形成した。次に、ＣＶＤ法、スパッタリング法、又はこの多結晶シリコン薄膜上面の熱酸化により、後にゲート絶縁膜１３となる絶縁膜を形成した。ゲート絶縁膜１３の厚さは１００ｎｍである。次に、上記多結晶シリコン薄膜及び絶縁膜のパターニングを行い、半導体層１２及び下部容量用電極５を第１図に示す形状で形成した。」（第６頁左上欄第１〜１０行）
（５）「次に、後にゲートバス配線１，ゲート電極３ａ及び３ｂ、並びに上部容量用電極６となる多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ法によって形成し、ドーピングを行った。これにより、低抵抗の多結晶シリコン薄膜が得られた。その後、低抵抗多結晶シリコン薄膜のパターニングによって、第１図に示す形状のゲートバス配線１，２つのゲート電極３ａ、及び３ｂ、並びに上部容量用電極６を形成した。上部容量用電極６と前述の下部容量用電極５との間で、付加容量２７が形成される。」（第６頁第１９行〜右上欄第８行）
（６）「第２図に示すように付加容量２７は、半導体層１２と同時に一体的に形成された下部容量用電極５と、ゲートバス配線１並びにゲート電極３ａ及び３ｂと同時に形成された上部容量用電極６とによって、ゲート絶縁膜１３が挟まれた構成となっている。」（第７頁右上欄第１〜６行）。
　これらの記載事項によると、引用例１には、
「一対の絶縁性基板と、この絶縁性基板間に封入された液晶と、前記絶縁性基板の一方の基板内面にマトリクス状に配列された絵素電極と、この絵素電極に接続された薄膜トランジスタとを備えたアクティブマトリクス表示装置であって、前記薄膜トランジスタが備えられた側の絶縁性基板に、前記薄膜トランジスタの半導体層の形成と同時に一体的に形成された下部容量用電極と、前記スイッチング素子のゲート絶縁膜と同一材料で形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子のゲート電極と同一材料で形成された上部容量用電極とからなり、前記下部容量用電極と上部容量用電極との間に前記絶縁膜が挟まれることによって付加容量が構成されているアクティブマトリクス表示装置」の発明（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されている。
　同じく、特開昭６４−８１２６２号公報（以下「引用例２」という。）には、下記（７）及び（８）の事項が記載されている。
（７）「絶縁性基板上に直交する複数本のデータ線と複数本のタイミング線を有し、該データ線とタイミング線の交差点に画素電極を駆動するスイッチング素子を配置したアクティブマトリックス基板において、絶縁性基板に溝を掘り、該溝内に画素付加容量を構成したことを特徴とするアクティブマトリックス基板」（第１頁左下欄第５〜１１行）、
（８）「本発明の上記の構成によれば、画素付加容量を絶縁性基板に溝を掘って、三次元的に構成するため、溝を深くすることで高密度の画素電極に対しても開口率を下げることなく、狭い領域に大きな画素付加容量を形成することが可能である。」（第２頁左下欄第１２〜１６行）。
３．対比
　本願発明と引用例１記載された発明とを対比すると、
　引用例１記載の発明の「絶縁性基板」、「封入された」、「液晶」、「基板内面」、「絵素電極」、「備えられた」、「同時に一体的」、「下部容量用電極」、「上部容量用電極」、「挟まれ」、「付加容量が構成」、「アクティブマトリクス表示装置」は、それぞれ、本願発明の「絶縁基板」、「挟持された」、「液晶層」、「基板上」、「画素電極」、「配置された」、「同一工程で一体に」、「第１電極」、「第２電極」、「挟持され」、「容量成分が形成」、「液晶表示装置」に相当するから、両者は、
「一対の絶縁基板と、この絶縁基板に挟持された液晶層と、前記絶縁基板の一方の基板上にマトリクス状に配列された画素電極と、この画素電極に接続された薄膜トランジスタとを備えた液晶表示装置であって、
　前記薄膜トランジスタが配置された側の絶縁基板に、前記薄膜トランジスタの半導体層の形成と同一工程で一体に形成された第１電極と、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一材料で形成された絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料で形成された第２電極とからなり、前記第１電極と第２電極との間に前記絶縁膜が挟持されて容量成分が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」で一致し、
（ア）本願発明では、容量成分が、絶縁基板に形成された溝部に形成されるのに対し、引用例１記載の発明では、容量成分が、溝部に形成されていない点
（イ）本願発明では、容量成分が形成される絶縁膜が少なくとも２層以上からなるのに対し、引用例１記載の発明では１層である点
で相違する。
４．判断
　相違点（ア）について、
　アクティブマトリクス基板において、開口率を下げることなく液晶画素部に大きな画素付加容量を形成させるために、絶縁基板上に形成された溝部に付加容量を形成させることは、引用例２に記載されているように公知の技術である。したがって、引用例１記載の発明の付加容量に、引用例２記載の技術を適用し、本願発明の相違点（ア）の構成とすることは当業者が容易に想到し得たものである。
　相違点（イ）について、
　容量部分の第１電極と第２電極に挟持される絶縁膜を２層以上としたものは、特開平３−１８８４２２号公報、特開平２−４８６３９号公報に記載されているように周知の技術であるから、この点は単なる設計変更にすぎない。
　そして、本願発明の「開口率が向上するため高解像度の液晶ビューファインダ（ＶＦ）が実現できる。しかも層間絶縁膜等の層数を減らすことができるため、平坦化を向上させると共に段差低減等の利点が得られ、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。」（本願明細書【００３７】）という効果は、「容量成分がＴＦＴの半導体層形成と同一工程で一体形成された第１電極２３と、ＴＦＴのゲート電極と同一の材料で形成された第２電極２６ａと、その第１，第２電極間に挟まれて、ＴＦＴのゲート絶縁膜（２４ｂ、２５ｂ）と同一の材料で形成された絶縁膜とで構成されている」（【０００６】参照）ことによりもたらされたものと認められる。しかし、この点は、上記３．対比で述べたとおり、引用例１記載の発明に備わっている構成であるから、引用例１記載の発明もそのような効果を有することは明らかであり、本願発明の効果は、引用例１，２及び周知技術から当業者が予想し得る程度のものであり、格別の効果とはいえない。
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論の通り審決する。