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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源から像担持体に至る光路中に設けられ前記光源からの光を前記像担持体に導く光学部材と、この光学部材を保持する保持手段と、前記光学部材及び前記保持手段の間に介在し前記光学部材を前記保持手段に接着する弾性接着剤とを具備することを特徴とする画像形成装置における光学装置。
【請求項２】  弾性接着剤が、ガラス転移温度−１０℃以下、あるいは硬化後硬度がショアＡ８５以下、または硬化後硬度がショアＤ５０以下であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置における光学装置。
【請求項３】  光学部材が反射ミラー、透過ミラー、プリズム、レンズの何れかである事を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の画像形成装置における光学装置
【請求項４】  光源から像担持体に至る光路中に設けられ前記光源からの光を前記像担持体に導く板状のミラーと、この板状のミラーを保持する板ばねと、前記板状のミラー及び前記板ばねの間に介在し前記板状のミラーを前記板ばねに接着する弾性接着剤とを具備することを特徴とする画像形成装置における光学装置。
【請求項５】  弾性接着剤が、ガラス転移温度−１０℃以下、あるいは硬化後硬度がショアＡ８５以下、または硬化後硬度がショアＤ５０以下であることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置における光学装置。
【請求項６】  板ばねと、
弾性接着剤で前記板ばねに接着されてなる反射ミラーと、
弾性接着剤で前記板ばねに接着されてなるコイルを内蔵するボビンと、
ピンを凸設してなるヨークとを具備し、
前記板ばね両端に形成される穴を前記ピンに挿通した上から弾性接着剤でポッティング接着してなることを特徴とする画像形成装置における光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光走査光学装置とそれに対応する像担持体との組を複数有し、各光走査光学装置から出射された光束を各々対応する像担持体面上に結像させ、該光束で該像担持体面上を走査して、該像担持体面に異なった色光の画像を形成し、該複数の像担持体面上に形成した画像よりカラー画像を形成するカラー画像形成装置において、
前記複数の光走査光学装置の各々は、半導体レーザーとコリメーターレンズとを有するレーザーユニットと、該レーザーユニットから出射した光束を光偏向器の偏向面に副走査断面内にて結像させるプラスチックレンズ材より成るシリンドリカルレンズと、該光偏向器で偏向された光束を像担持体面上に結像させる少なくとも１枚のプラスチックレンズを有するｆθレンズ系とを有し、
該複数の光走査光学装置の各々の同一の光学特性のプラスチックレンズのうち少なくとも１枚のプラスチックレンズが複数個のキャビティを備えた金型の同一のキャビティで成形されていることを特徴とするカラー画像形成装置。
【請求項２】  前記複数の光走査光学装置の各々は、該複数の光走査光学装置の各々の同一の光学特性のプラスチックレンズを保持するプラスチック保持部材を備え、該複数の光走査光学装置の各々の同一の光学特性のプラスチックレンズを保持するプラスチック保持部材が複数個のキャビティを備えた金型の同一のキャビティで成形されていることを特徴とする請求項１記載のカラー画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明のカラー画像形成装置は、光走査光学装置とそれに対応する像担持体との組を複数有し、各光走査光学装置から出射された光束を各々対応する像担持体面上に結像させ、該光束で該像担持体面上を走査して、該像担持体面に異なった色光の画像を形成し、該複数の像担持体面上に形成した画像よりカラー画像を形成するカラー画像形成装置において、
前記複数の光走査光学装置の各々は、半導体レーザーとコリメーターレンズとを有するレーザーユニットと、該レーザーユニットから出射した光束を光偏向器の偏向面に副走査断面内にて結像させるプラスチックレンズ材より成るシリンドリカルレンズと、該光偏向器で偏向された光束を像担持体面上に結像させる少なくとも１枚のプラスチックレンズを有するｆθレンズ系とを有し、
該複数の光走査光学装置の各々の同一の光学特性のプラスチックレンズのうち少なくとも１枚のプラスチックレンズが複数個のキャビティを備えた金型の同一のキャビティで成形されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記複数の光走査光学装置の各々は、該複数の光走査光学装置の各々の同一の光学特性のプラスチックレンズを保持するプラスチック保持部材を備え、該複数の光走査光学装置の各々の同一の光学特性のプラスチックレンズを保持するプラスチック保持部材が複数個のキャビティを備えた金型の同一のキャビティで成形されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  動物の毛乳頭細胞と毛包細胞とを共存させて培養し、その増殖の度合いを指標とすることを特徴とする、育毛剤のイン・ビトロの評価法。
【請求項２】  毛乳頭細胞と毛包細胞が髭由来の細胞であることを特徴とする、請求項１に記載の育毛剤のイン・ビトロの評価法。
【請求項３】  更に、毛包細胞のみを単独培養させて、この増殖の度合いを測定し、共存下での培養との差を指標とすることを特徴とする、請求項１又は２に記載の育毛剤の評価法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  近視野光を利用して記録媒体の情報の記録と再生との少なくともいずれかを行う近視野光メモリヘッドにおいて、
少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするように貫通して形成された平面基板と、
先端部分が前記平面基板の逆錐状の前記穴の形状と略同形状となるようにテーパ状に形成され、かつ該先端部分が前記穴に嵌合された光ファイバと
を備えることを特徴とする近視野光メモリヘッド。
【請求項２】  前記光ファイバの先端面は、略球形状とされていることを特徴とする請求項１に記載の近視野光メモリヘッド。
【請求項３】  近視野光を利用して記録媒体の情報の記録と再生との少なくともいずれかを行う近視野光メモリヘッドにおいて、
少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするように貫通して形成された平面基板と、
裏面上に突出形成されかつその形状の一部が前記平面基板の逆錐状の前記穴の形状の一部と略同形状となるようにテーパ状に形成された突出部を有し、前記突出部が前記平面基板の逆錐状の前記穴に嵌合されるように設けられた基板と、
端面が前記突出部の端面に位置するように、前記基板および前記突出部の側面上に配設された光導波路と
を備えることを特徴とする近視野光メモリヘッド。
【請求項４】  近視野光を利用して記録媒体の情報の記録と再生との少なくともいずれかを行う近視野光メモリヘッドにおいて、
少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするように貫通して形成された平面基板と、
端部が前記平面基板の逆錐状の前記穴に位置し、かつその端面が前記微小開口近傍に位置するように配設された光導波路と、
前記光導波路を前記平面基板に支持する支持部材と
を備えることを特徴とする近視野光メモリヘッド。
【請求項５】  前記光導波路の前記端面は、略球形状とされていることを特徴とする請求項３または４に記載の近視野光メモリヘッド。
【請求項６】  近視野光を利用して記録媒体の情報の記録と再生との少なくともいずれかを行う近視野光メモリヘッドであって、
少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするように貫通して形成された平面基板と、
一部分が略Ｖ字状になるように前記逆錐状の穴の側面に沿って形成され、かつ該一部分の屈曲部が前記微小開口の近傍に位置して形成される光導波路と、
少なくとも、前記光導波路の前記一部分の端面に形成された反射膜と、
を備えることを特徴とする近視野光メモリヘッド。
【請求項７】  前記光導波路の前記一部分の端面は、凹曲面とされていることを特徴とする請求項６に記載の近視野光メモリヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、請求項７にかかる発明によれば、光導波路の一部分の端面（反射膜）が凹面鏡としての役目を果たすことから、反射膜により反射されたレーザ光が屈曲部（微小開口）へ向けて集光されつつ、伝搬する。従って、請求項７にかかる発明によれば、微小開口に向けて出射されたレーザ光の強度が高まり、ひいては微小開口に生成される近視野光の光強度が高まる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報担体上に形成され情報が記録されたトラックに光ビームを照射して前記トラックから情報を再生する光ディスク装置であって、
前記光ビームと前記トラックとの間の位置ずれを表すトラッキングエラー信号を検出するトラッキングエラー検出手段と、
前記情報担体の実質的な半径方向に前記光ビームを移動させる微動手段と、
前記情報担体の実質的な半径方向に前記微動手段を移動させる粗動手段と、
前記トラッキングエラー検出手段により検出された前記トラッキングエラー信号に基づいて、前記光ビームが前記トラック上に位置するように前記微動手段及び前記粗動手段を制御するトラッキング制御手段と、
前記情報担体上の前記トラックの偏芯量を検出する偏芯検出手段とを備え、
前記偏芯検出手段は、前記粗動手段を駆動する駆動信号の値が実質的に零になる範囲を表す不感帯幅を演算する不感帯幅演算器を含み、
前記トラッキング制御手段は、前記偏芯検出手段により検出された前記偏芯量に対応する幅の不感帯を制御系に持たせ、前記粗動手段を制御する光ディスク装置。
【請求項２】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキング制御手段の出力に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】  前記トラッキング制御手段は、前記トラッキングエラー信号に基づいて、前記光ビームが前記トラック上に位置するように前記微動手段を制御するトラッキング微制御手段と、
前記トラッキング微制御手段による前記微動手段の移動量が平均的に零となるように前記粗動手段を制御するトラッキング粗制御手段とを含む、請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項４】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキング粗制御手段の出力に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項５】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキング粗制御手段が前記粗動手段を制御するために用いる制御信号の交流成分の振幅に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項４記載の光ディスク装置。
【請求項６】  前記トラッキング粗制御手段は、前記トラッキング微制御手段の出力に基づいて、前記粗動手段を駆動するための第１駆動信号を出力する移送用線形フィルタと、
前記移送用線形フィルタから出力された前記第１駆動信号と前記偏芯検出手段により検出された前記偏芯量とに基づいて、前記粗動手段を駆動する第２駆動信号を出力する移送用駆動生成器とを含み、
前記偏芯検出手段は、前記移送用線形フィルタから出力される前記第１駆動信号に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項７】  前記トラッキング制御手段は、前記粗動手段の制御を不動作にするスイッチを含み、
前記偏芯検出手段は、前記トラッキング制御手段の動作時に前記スイッチにより前記粗動手段の制御を不動作にして、前記偏芯量を検出する、請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項８】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキング微制御手段の出力に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項９】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキング微制御手段が前記微動手段を制御するために用いる制御信号の交流成分の振幅に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項８記載の光ディスク装置。
【請求項１０】  前記トラッキング微制御手段は、前記微動手段を制御する制御信号を出力するトラッキング用線形フィルタを含み、
前記偏芯検出手段は、前記トラッキング用線形フィルタから出力される前記制御信号の前記交流成分の前記振幅に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項１１】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキングエラー検出手段の出力に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項１２】  前記偏芯検出手段は、前記トラッキングエラー検出手段の前記出力の交流成分の振幅に基づいて、前記偏芯量を検出する、請求項１１記載の光ディスク装置。
【請求項１３】  前記トラッキング粗制御手段は、前記トラッキング微制御手段の出力に基づいて、前記粗動手段を駆動するための第１駆動信号を出力する移送用線形フィルタと、
前記移送用線形フィルタから出力された前記第１駆動信号と前記偏芯検出手段により検出された前記偏芯量とに基づいて、前記粗動手段を駆動する第２駆動信号を出力する移送用駆動生成器とを含む、請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項１４】  前記トラッキング微制御手段は、前記微動手段を制御する制御信号を出力するトラッキング用線形フィルタを含む、請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項１５】  前記偏芯検出手段は、前記偏芯量に基づいて、前記粗動手段を駆動する駆動信号に加えられる駆動オフセットを演算するオフセット演算器を含み、
前記トラッキング制御手段は、前記オフセット演算器により演算された前記駆動オフセットに基づいて、前記粗動手段を制御する、請求項１記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光ディスク装置は、情報担体上に形成され情報が記録されたトラックに光ビームを照射して前記トラックから情報を再生する光ディスク装置であって、前記光ビームと前記トラックとの間の位置ずれを表すトラッキングエラー信号を検出するトラッキングエラー検出手段と、前記情報担体の実質的な半径方向に前記光ビームを移動させる微動手段と、前記情報担体の実質的な半径方向に前記微動手段を移動させる粗動手段と、前記トラッキングエラー検出手段により検出された前記トラッキングエラー信号に基づいて、前記光ビームが前記トラック上に位置するように前記微動手段及び前記粗動手段を制御するトラッキング制御手段と、前記情報担体上の前記トラックの偏芯量を検出する偏芯検出手段とを備え、前記偏芯検出手段は、前記粗動手段を駆動する駆動信号の値が実質的に零になる範囲を表す不感帯幅を演算する不感帯幅演算器を含み、前記トラッキング制御手段は、前記偏芯検出手段により検出された前記偏芯量に対応する幅の不感帯を制御系に持たせ、前記粗動手段を制御することにより上記目的が達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のトラックを有した磁気記録媒体に対して相対的に摺動して情報の磁気記録または／及び再生を行うマルチ磁気ヘッドであって、
磁気ギャップを有し、コイルが巻回された複数の磁気コアと、
該複数の磁気コア間の磁気シールドを行う複数の磁気シールド板と、
前記複数の磁気コアと磁気シールド板をトラック幅方向に所定間隔で交互に配置し、それぞれの磁気記録媒体摺動面を露出させた状態で支持する非磁性体からなる支持部材と、
少なくとも前記複数の磁気コアの磁気記録媒体摺動面を露出させる開口部を有し、前記複数の磁気コア、磁気シールド板及び支持部材を包囲して磁気シールドを行う磁気シールドケースと、
磁気記録媒体摺動面側に開口部を有し、前記複数の磁気コア、磁気シールド板、支持部材、及び磁気シールドケースを収容するヘッドケースと、
を有することを特徴とするマルチ磁気ヘッド。
【請求項２】  前記磁気シールドケースは前記支持部材の磁気記録媒体摺動面側の部分の少なくとも一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項１に記載のマルチ磁気ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に対して相対的に摺動して情報の磁気記録または／及び再生を行う磁気ヘッドに関し、特に複数のトラックを有した磁気記録媒体に対して情報の磁気記録または／及び再生を行うマルチ磁気ヘッドに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明の課題は、上記のカードリーダ用のヘッドに限らず、複数のトラックを有した磁気記録媒体に対して情報の磁気記録または／及び再生を行うマルチ磁気ヘッドにおいて、その２つを記録用及び再生用として接近して配置して同時に記録再生を行った場合、記録用のヘッドから漏れた磁束が再生用のヘッドに侵入してノイズとなる、いわゆる磁気的なクロスフィードを低減し、再生を正確に行える構成を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明によれば、
複数のトラックを有した磁気記録媒体に対して相対的に摺動して情報の磁気記録または／及び再生を行うマルチ磁気ヘッドであって、
磁気ギャップを有し、コイルが巻回された複数の磁気コアと、
該複数の磁気コア間の磁気シールドを行う複数の磁気シールド板と、
前記複数の磁気コアと磁気シールド板をトラック幅方向に所定間隔で交互に配置し、それぞれの磁気記録媒体摺動面を露出させた状態で支持する非磁性体からなる支持部材と、
少なくとも前記複数の磁気コアの磁気記録媒体摺動面を露出させる開口部を有し、前記複数の磁気コア、磁気シールド板及び支持部材を包囲して磁気シールドを行う磁気シールドケースと、
磁気記録媒体摺動面側に開口部を有し、前記複数の磁気コア、磁気シールド板、支持部材、及び磁気シールドケースを収容するヘッドケースと、
を有する構成を採用した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ６５重量％より大なる固形分レベルを有するエチレン酢酸ビニルをベースとするポリマーエマルションの製造方法であって、
ｉ）０．１５〜２．５ミクロンの粒度を有する酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル、アクリル、ビニル−アクリル及びスチレン（メタ）アクリルポリマーからなる群から選択されるポリマー種を供給する工程、
ii）最終エマルションの５〜１５重量％の前記ポリマー種の存在において、酢酸ビニルモノマー及びエチレンモノマーを重合させる工程を含み、
前記工程（ii）の重合がポリビニルアルコール及び非イオン乳化剤を含む界面活性剤系の存在において行なわれる前記方法。
【請求項２】  前記エチレン酢酸ビニルポリマーエマルションが７０重量％より大なる固形分レベルを有する請求項１の方法。
【請求項３】  ６５重量％より大なる固形分レベルを有するエチレン酢酸ビニルをベースとするポリマーエマルションの製造方法であって、
ｉ）０．３〜１ミクロンの粒度を有する酢酸ビニルまたはエチレン酢酸ビニルポリマー種を供給する工程、
ii）最終エマルションの５〜１５重量％の前記ポリマー種の存在において、酢酸ビニルモノマー及びエチレンモノマーを重合させる工程を含み、
前記工程（ii）の重合がポリビニルアルコール及び非イオン乳化剤を含む界面活性剤系の存在において行なわれ、
前記エチレン酢酸ビニルポリマーエマルションが２５℃で１０００〜８０００cps の塗布粘度を特徴とする前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
任意に、機能性コモノマー、たとえば、シアヌル酸トリアリル、イソシアヌル酸トリアリル、マレイン酸ジアリル、フマル酸ジアリル、アリルグリシジルエーテル、ジビニルベンゼン及びフタル酸ジアリルも０．０５〜０．５重量％のレベルで用い得る。
エマルションコポリマーに０．５〜５％のカルボキシルまたはアミド官能性を組み込むことも望ましい。適切なエチレン性不飽和モノもしくはジカルボン酸または半エステル酸の例は、エチレン性モノカルボキシル不飽和酸、たとえば、アクリル酸、ビニル酢酸、クロトン酸、メタクリル酸、チグリン酸等、エチレン性ジカルボキシル不飽和酸、たとえば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、ヒドロムコン酸、アリルマロン酸等、並びにこれらのジカルボンの半エステル、たとえば、マレイン酸モノ（２−エチルヘキシル）、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノブチル等を包含する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
有用なアミドは、α，β−オレフイン性不飽和カルボン酸のアミド、たとえばアクリルアミド、メタクリルアミド、及びジアセトンアクリルアミド、α，β−オレフイン性不飽和カルボン酸のＮ−アルキロールアミド、たとえば、Ｎ−メチロールアクリルアミド及びＮ−メチロールメタクリルアミド、α，β−オレフイン性不飽和カルボン酸のＮ−アルコキシアルキルアミド、たとえば、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド及びＮ−ブトキシメチルメタクリルアミドである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記の例において、前記方法は６８．５％の固形分、１１２０cps の粘度（６５．４％固形分において）、４．２のpH及び−１．１℃のＴg のラテックスを生成した。
例３
この例は本発明の高固形分接着剤ラテックスを製造するのに用いられたセミバッチ重合方法を説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  付加的な接着剤の不存在下でセルロースエステル成分を熱可塑性エラストマー成分の表面に接着する方法であって、少なくとも１つの上記成分が、
（ａ）  （ａ）＋（ｂ）の量をベースとして約５〜約９５重量％の化学改質ポリオレフィン、
（ｂ）  （ａ）＋（ｂ）の量をベースとして約９５〜約５重量％の熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、コポリエステルまたはコポリアミド、および
（ｃ）  （ａ）＋（ｂ）の重量による１００部をベースとして約０．０５〜約５．０重量部の１またはそれ以上の、（ａ）および（ｂ）のカップリング剤
から得られるブロックコポリマーを含むブレンド成分であることを特徴とする方法。
【請求項２】  ブレンド成分中のブロックコポリマーの量が、ブロックコポリマーを含むブレンド成分の総量をベースとして約５〜約７０重量％である、請求項１記載の方法。
【請求項３】  セルロースエステルが、十分にまたは部分的にアシル化されており、８個までの炭素原子のアシル基を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  セルロースエステルが、セルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、セルロースアセテートブチレートおよびそれらのブレンドから選択される、請求項３記載の方法。
【請求項５】  熱可塑性エラストマーが、そのブレンド成分中でゴム相が硬化されていない、部分的に硬化されている、または十分に硬化されているポリオレフィンおよび硬化性ゴムのブレンド、スチレン／共役ジエン／スチレンブロックコポリマー、およびそれらのブレンドから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項６】  ブロックコポリマーの化学改質ポリオレフィンが、グラフトされたポリオレフィンまたはそのブレンドから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項７】  ブロックコポリマーの熱可塑性ポリウレタンが、少なくとも１つの有機ジイソシアネート、少なくとも１つのポリマー状ジオールおよび少なくとも１つの２官能性鎖エキステンダーの反応から得られる、請求項１記載の方法。
【請求項８】  改質ブロックコポリマーの熱可塑性コポリアミドが、ポリエーテルブロックアミドまたはそのブレンドから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項９】  改質ブロックコポリマーのカップリング剤が、芳香族、脂肪族および脂環式ジイソシアネートまたはそれらの混合物の、単独のもの、または場合により１８個までの炭素原子を含む、直鎖状もしくは分岐状脂肪族または芳香族ジアミン、ジオール、ジエポキシド、アミノ／ヒドロキシまたはアミノ／エポキシ化合物から選択される共カップリング剤との組合わせ、から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】  セルロースエステル成分および熱可塑性エラストマー成分を、接着剤が上記成分の間の表面に用いられていない場合に互いに接着した状態で含む造形された複合物であって、上記成分の少なくとも１つが、
（ａ）  （ａ）＋（ｂ）の量をベースとして約５〜約９５重量％の化学改質ポリオレフィン、
（ｂ）  （ａ）＋（ｂ）の量をベースとして約９５〜約５重量％の熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、コポリエステルまたはコポリアミド、および
（ｃ）  （ａ）＋（ｂ）の重量による１００部をベースとして約０．０５〜約５．０重量部の１またはそれ以上の、（ａ）および（ｂ）のカップリング剤
を含むブロックコポリマーを含むブレンド成分であることを特徴とする複合物。
【請求項１１】  ブレンド成分中のブロックコポリマーの量が、ブロックコポリマーを含むブレンド成分の総量をベースとして約５〜約７０重量％である、請求項１０記載の造形された複合物。
【請求項１２】  セルロースエステルが、セルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、セルロースアセテートブチレートおよびそれらのブレンドから選択される、請求項１０記載の造形された複合物。
【請求項１３】  熱可塑性エラストマーが、そのブレンド成分中でゴム相が硬化されていない、部分的に硬化されている、または十分に硬化されているポリオレフィンおよび硬化性ゴムのブレンド、スチレン／共役ジエン／スチレンブロックコポリマー、およびそれらのブレンドから選択される、請求項１０記載の造形された複合物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １）シリコーンエラストマー、及び
２）カチオン性有機窒素化合物の塩
を含む硬化性シリコーンエラストマー組成物であって、硬化シリコーンエラストマーの圧縮永久歪が上記窒素化合物を含まない硬化シリコーンエラストマーの圧縮永久歪よりも小さい硬化性シリコーンエラストマー組成物。
【請求項２】  当該硬化性シリコーンエラストマーが、
１）アルケニルオルガノポリシロキサン、並びに
２）水素含有シラン及び水素含有オルガノポリシロキサンからなる群から選択される水素含有ケイ素化合物
を含む、請求項１記載の硬化性組成物。
【請求項３】  前記塩が、以下の１）〜４）のカチオン性窒素カチオンを含む塩の群から選択される、請求項１又は請求項２記載の硬化性組成物。
１）次式の一価カチオン
ＲN1aＲN2bＲN3cＲN4dＮ+
（式中、ＲN1は水素及び炭素原子数１〜４０の一価有機基からなる群から選択され、ＲN2、ＲN3及びＲN4は各々独立して炭素原子数１〜４０の一価有機基からなる群から選択され、ａは０〜３の範囲の値を有し、ｂ、ｃ及びｄは各々独立して０〜４の範囲の値を有するが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは常に４に等しい。）、
２）次式の環式脂肪族窒素複素環のカチオン
（ＣＨ2-eＱe）fＮＲN5gＨ2-g
（式中、ｅは０、１又は２であり、Ｑは炭素原子数１〜４０の一価有機基であり、ｆは４以上の整数であり、ＲN5は炭素原子数１〜４０の一価有機基であり、ｇは０、１又は２である。）、
３）次式の環式芳香族窒素複素環式化合物のカチオン
（ＣＨ1-hＱh）iＮＲN6jＨ2-j
（式中、ｈは０又は１であり、Ｑは炭素原子数１〜４０の一価有機基であり、ｉは５以上の整数であり、ＲN6は炭素原子数１〜４０の一価有機基であり、ｊは０又は１である。）、及び
４）炭素原子に二重結合した窒素を含有する窒素化合物のカチオン。
【請求項４】  前記カチオンが一価カチオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項５】  前記カチオンが環式脂肪族窒素複素環のカチオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項６】  前記カチオンがドデシルトリメチルアンモニウムイオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項７】  前記カチオンがピペリジニウムイオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項８】  前記カチオンがピリジニウムイオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項９】  前記カチオンがグアニジニウムイオンである、請求項３記載の組成物。
【請求項１０】  １）シリコーンエラストマー、及び
２）カチオン性有機窒素化合物の塩
を含む硬化シリコーンエラストマー組成物であって、硬化シリコーンエラストマーの圧縮永久歪が上記窒素化合物を含まない硬化シリコーンエラストマーの圧縮永久歪よりも小さい、硬化シリコーンエラストマー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫化水素を含む供給ガスを脱硫する方法において、下記の各段階、すなわち、
(a) 前記供給ガスを、少なくとも１つのキレート剤によりキレート化された少なくとも１つの多価金属を含む触媒性水性溶液と、硫化水素の元素状硫黄への酸化および付随する該多価金属の高い酸化水準から低い酸化水準への還元のもとに接触させ、そして実質的に硫化水素を含まない流出ガス、および少なくとも還元されて元素状硫黄の含まれた触媒性水性相とを回収し、
(b) 元素状硫黄を前記還元された触媒性水性相から濾過分離した後、この少なくとも１部の硫黄が除かれた還元された触媒性水性相を次の段階、すなわち、
(c) 脱ガスおよび/または減圧段階へ送り、
(d) 前記段階(c)からの還元されて脱ガスされた触媒性水性相を酸化剤と接触させて再生し、そしてその再生された触媒性水性相を回収し、そして、
(e) 再生された触媒性水性溶液の少なくとも１部を段階(ａ)に再循環させる、各段階を含むことを特徴とする脱硫方法。
【請求項２】
減圧段階(c)へ送られるに先立って前記還元され、そして硫黄の除かれた水性溶液を主フラクションＦ1と副フラクションＦ2とに分け、そして主フランションＦ1は減圧することなく吸収段階(a)へ再循環させることを特徴とする、請求項１に記載の脱硫方法。
【請求項３】
前記還元された水性溶液の電位を分離に先立って測定し、そしてフラクションＦ1とフラクションＦ2との比率を３価鉄イオンの２価鉄イオンに対する比が実質的に20となるように決定することを特徴とする、請求項２に記載の脱硫方法。
【請求項４】
分離段階(b)を0.1ないし20ＭＰaの範囲の圧力において実施することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の脱硫方法。
【請求項５】
分離段階(b)を１ないし10ＭＰaの範囲の圧力において実施することを特徴とする、請求項４記載の脱硫方法。
【請求項６】
再生段階のための酸化剤として空気を用いることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の脱硫方法。
【請求項７】
水性溶液が、鉄とアンモニウムまたはカリウムの硫酸塩、硝酸塩、チオ硫酸塩、塩酸塩、酢酸塩、蓚酸塩、燐酸塩のような、第１鉄または第２鉄の水溶性塩から、或いは第２鉄およびカリウムの硫酸塩から、蓚酸鉄(III)アンモニウムから、蓚酸鉄(III)カリウム等から作られたキレート化された鉄の触媒性溶液であることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の脱硫方法。
【請求項８】
錯化合物形成性が知られている有機化合物、例えばアセチルアセトン、クエン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、チロン(すなわちカテコールジスルホン酸)、ジメルカプト-２-３-プロパノールおよび各種アミノ酸、例えばＥＤＴＡ,ＨＥＤＴＡ,ＮＴＡ,ＤＣＴＡ,ＤＰＴＡおよびＩＤＡ等、のようなキレート剤を単独で、または混合物として使用することを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の脱硫方法。
【請求項９】
吸収段階を処理されるべきガスと触媒性溶液との単一の室の中での並流的循環によって実施し、そしてスクラビングされたガスを硫黄分離段階に先立って、還元された溶液から分離することを特徴とする、請求項１に記載の脱硫方法。
【請求項１０】
吸収段階を処理されるべきガスと触媒性溶液との単一の室の中での並流的循環によって実施し、そしてスクラビングされたガスを硫黄分離段階の後で、還元された溶液から分離することを特徴とする、請求項１に記載の脱硫方法。
【請求項１１】
請求項１ないし10のいずれか１項に記載の方法を天然ガスの脱硫に利用する脱硫方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（１）：
【化１】
1999246534.tif 000001
〔式中、
Ｍは、水素、アルカリ金属原子、アンモニウム、又はアミンから形成されるカチオンであり；
Ｘａ及びＸｂは、同一であるか又は異なって、それぞれＮＨ2；ＮＨ（Ｃ1−Ｃ4アルキル）；Ｎ（Ｃ1−Ｃ4アルキル）2；ＮＨ（Ｃ2−Ｃ4アルコキシアルキル）；Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）2；ＮＨ−Ｚ−ＮＲ1Ｒ2基（ここで、Ｚは、Ｃ2−Ｃ14アルキレン又は場合により置換されているアリーレンであり、そしてＲ1及びＲ2は、同一であるか又は異なって、それぞれＣ1−Ｃ12アルキルであるか、あるいはＲ1及びＲ2は、それぞれこれらが結合している窒素原子と一緒に、モルホリノ、ピペリジノ又はピペラジノ環を形成する）；アミノ酸残基；Ｃ1−Ｃ4アルコキシ；ヒドロキシ置換−Ｃ2−Ｃ4アルコキシ；あるいは下記式：
【化２】
1999246534.tif 000002
の基であり；そして
Ｙａ及びＹｂは、同一であるか又は異なって、それぞれＵＶＡ及びＵＶＢ吸収性の両方を有する置換アミノ基であり、そして、Ｘａ及びＸｂの１つは、Ｙａ及びＹｂの１つと同一であることができ、
ただし、Ｘａ及びＸｂの一方は、他方と異なり、かつ／又はＹａ及びＹｂの一方は、他方と異なり、ここでＹａ及びＹｂは、それぞれ式（２）：
【化３】
1999246534.tif 000003
（式中、Ｒ3は、Ｈ；ＣＮ；ＳＯ2Ｒ5（ここで、Ｒ5は、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、ＮＨ2、ＮＨ（Ｃ1−Ｃ4アルキル）、ＮＨ（Ｃ2−Ｃ4アルコキシアルキル）、Ｎ（Ｃ1−Ｃ4アルキル）2、Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）2、又はＣ1−Ｃ4アルコキシ若しくはヒドロキシ置換−Ｃ2−Ｃ4アルコキシである）；ＣＯＲ5（ここで、Ｒ5は、前記と同義である）；ＣＯＯＭ（ここで、Ｍは、前記と同義である）；又はＮＨＣＯＲ5（ここで、Ｒ5は、前記と同義である）であり、そしてＲ4は、Ｒ3と同義であるか、又はＨ、ＯＨ、Ｃ1−Ｃ4アルキル若しくはＣ1−Ｃ4アルコキシである）を有する基である〕を有する非対称性化合物。
【請求項２】  紡織繊維材料を、紡織繊維材料の重量に基づき０．０５〜３．０重量％の、請求項１記載の式（１）を有する１つ以上の化合物で処理することを含む、紡織繊維材料のＳＰＦ値を上昇させる方法。
【請求項３】  紡織繊維材料を、少なくとも１つの請求項１記載の式（１）の化合物を含有する洗剤で洗浄し、それにより、そうして洗浄した繊維材料に優れた太陽光線保護指数を付与することを含む、請求項２記載の紡織繊維材料のＳＰＦ値を上昇させる方法。
【請求項４】  ｉ）５〜９０％のアニオン界面活性剤及び／又は非イオン性界面活性剤；
ii）５〜７０％のビルダー；
iii）０〜３０％の過酸化物；
iv）０〜１０％の過酸化物アクチベーター及び／又は０〜１％の漂白触媒及び／又は０．００１〜０．０５％の光漂白剤；
ｖ）０．００５〜２％の少なくとも１つの請求項１記載の式（１）の化合物；及び
vi）０．００５〜１０％の１つ以上の助剤（それぞれ洗剤の全重量に基づく重量％）を含む、洗剤組成物。
【請求項５】  繊維材料又は紙を、少なくとも１つの請求項１記載の式（１）の化合物と接触させることを含む、繊維材料又は紙の蛍光増白のための方法。
【請求項６】  請求項２記載の方法で処理した繊維から製造される織物から製造される衣類製品で皮膚を覆うことを含む、ヒトの皮膚の保護のための方法。
【請求項７】  請求項１記載の式（１）の化合物を含む、織物用洗剤又は柔軟剤の色保護組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端外周部に螺旋状羽根を有する杭を埋設するにあたり、
前記杭本体径の７０％以上且つ前記螺旋状羽根の外周径よりも小さい径で地盤を掘削した後、その掘削孔の先端部に拡大掘削孔を形成し、且つ該拡大掘削孔内に硬化体材料を充填し、次いで前記螺旋状羽根の外周径よりも小さい径で前記拡大掘削孔から地表面または地表面付近に至るまで引き上げた後、前記螺旋状羽根の外周径よりも大きい径で地表面または地表面付近から前記拡大掘削孔に至る所定の位置を拡大掘削し、その掘削孔内に前記杭を回転埋設して前記螺旋状羽根を前記拡大掘削孔内に定着することを特徴とする杭の回転埋設方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するための本発明に係る杭の回転埋設方法は、先端外周部に螺旋状羽根を有する杭を埋設するにあたり、前記杭本体径の７０％以上且つ前記螺旋状羽根の外周径よりも小さい径で地盤を掘削した後、その掘削孔の先端部に拡大掘削孔を形成し、且つ該拡大掘削孔内に硬化体材料を充填し、次いで前記螺旋状羽根の外周径よりも小さい径で前記拡大掘削孔から地表面または地表面付近に至るまで引き上げた後、前記螺旋状羽根の外周径よりも大きい径で地表面または地表面付近から前記拡大掘削孔に至る所定の位置を拡大掘削し、その掘削孔内に前記杭を回転埋設して前記螺旋状羽根を前記拡大掘削孔内に定着することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】            特許請求の範囲【請求項１】ビルベリーを含有することを特徴とする抗菌剤。【請求項２】ミュータンス菌に効果を発揮する請求項１記載の抗菌剤。【請求項３】水、低級アルコール又は液状多価アルコールから一種又は二種以上選ばれる溶媒による抽出物であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項記載の抗菌剤。【請求項４】請求項１〜３のいずれか一項記載の抗菌剤を含有することを特徴とする食品、医薬品、化粧品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ個（ａは３以上の整数）の芳香族６員環がｍ−連結している基本骨格（但し、この基本骨格が環上に３個の芳香族６員環がｍ−結合している芳香環を有する場合には、当該環の少なくとも一つは含窒素芳香族６員である）を有し、かつこの骨格上に、ｂ個（ｂは１以上で（ａ＋２）以下の整数）の−ＮＲ1Ｒ2基（Ｒ1およびＲ2は、各々独立に任意の置換基）を有し、−ＮＲ1Ｒ2基がいずれも、芳香族６員環におけるｍ−連結部位に対して、ｍ−位に結合している、ことを特徴とする有機化合物。（但し、芳香族６員環は−ＮＲ1Ｒ2基以外にも置換基を有していてもよく、１分子中に含まれる複数の芳香族６員環は、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、１分子中に含まれる複数の−ＮＲ1Ｒ2基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）。
【請求項２】
ａ個の芳香族６員環が、各々１または０個の−ＮＲ1Ｒ2基を有する、ことを特徴とする、請求項１記載の有機化合物。
【請求項３】
Ｒ1およびＲ2がそれぞれ独立して置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項４】
−ＮＲ1Ｒ2基が、環上に置換基を有していてもよい９−カルバゾリル基
2005068068.tif 000001
であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項５】
一般式（１）で表わされることを特徴とする有機化合物。
2005068068.tif 000002
（式中、環Ａ0は−Ｘ以外の置換基を有していてもよい芳香族６員環を表し、ＸはＮＲ1Ｒ2基（Ｒ1，Ｒ2は任意の置換基）を表す。ｎは１〜６の整数を表し、ｃ，ｄ及びｅはそれ
ぞれ独立して０又は１を表す。但し、一分子中に含まれるＡ0及びＸは各々同じものを表
す。）
【請求項６】
Ｒ1およびＲ2がそれぞれ独立して置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項５記載の有機化合物。
【請求項７】
−Ｘが環上に置換基を有していてもよい９−カルバゾリル基
2005068068.tif 000003
であることを特徴とする請求項５記載の有機化合物。  
【請求項８】
一般式（２）で表されることを特徴とする有機化合物。  
2005068068.tif 000004
（式中、環Ａ0は−Ｘ以外の置換基を有していてもよい同一の芳香族６員環を表し、Ｘは
環
上に置換基を有していてもよい９−カルバゾリル基
2005068068.tif 000005
を表す。ｎは１〜６の整数を表す。）
【請求項９】
下記式で表される有機化合物。
2005068068.tif 000006
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
即ち本発明の要旨は、ａ個（ａは３以上の整数）の芳香族６員環がｍ−連結している基本骨格（但し、この基本骨格が環上に３個の芳香族６員環がｍ−結合している芳香環を有する場合には、当該環の少なくとも一つは含窒素芳香族６員環である）を有し、かつこの骨格上に、ｂ個（ｂは１以上で（ａ＋２）以下の整数）の−ＮＲ1Ｒ2基（Ｒ1およ
びＲ2は、各々独立に任意の置換基）を有し、該−ＮＲ1Ｒ2基がいずれも、芳香族６員環
におけるｍ−連結部位に対して、ｍ−位に結合していることを特徴とする、有機化合物（但し、芳香族６員環は−ＮＲ1Ｒ2基以外の置換基を有していてもよく、１分子中に含まれる複数の芳香族６員環は、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、１分子中に含まれる複数の−ＮＲ1Ｒ2基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）に存する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
上記例示した基本骨格の中でも、
・薄膜を形成したときの製膜性がとりわけ優れていること、
・溶解性に優れているため、湿式製膜法にも適していること、
・分子骨格を出来る限り単純なユニットによって形成することにより、電気的な酸化や還元を受けた際、分子内での電子や正孔の局在化現象、即ち、電気的応力集中を生じにくくし、繰返し電気化学的酸化還元に対する耐久性を飛躍的に向上させることができること、・ベンゼン環を環Ａとしたことにより、適度に広い酸化還元電位差を持たせることができること
などの理由から、ＡＳ−１〜５，７，１４〜１７，１９，２０がより好ましく、ＡＳ−１〜５，７が更に好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【化１４】
2005068068.tif 000007
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【化１５】
2005068068.tif 000008
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
2005068068.tif 000009
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
2005068068.tif 000010
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
2005068068.tif 000011
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
2005068068.tif 000012
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
2005068068.tif 000013
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
2005068068.tif 000014
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
引続き、発光層５として、実施例１で得られた本発明化合物および本文中に（Ｔ−２）で示したイリジウム錯体を別々のセラミックるつぼに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】芳香族６員環がｍ−連結している有機化合物
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物からなる一対の誘電体間に放電ギャップを有し、該放電ギャップでオゾンを発生させるオゾン発生装置用放電セルの製造方法であって、一対の誘電体の一方又は両方の表面に、金属酸化物粉末とガラス粉末とで製造したリブ形成用ペーストをリブ位置に対応するように少なくとも１回印刷し、前記ガラス粉末の融点以上の温度で印刷ペーストを印刷毎に焼成してリブ位置に所定厚の金属酸化物膜を形成するリブ形成工程と、リブ形成を終えた誘電体を重ね合わせて放電ギャップを形成するギャップ形成工程とを含むことを特徴とする放電セル製造方法。
【請求項２】
前記ギャップ形成工程で形成される放電ギャップでのリブ高さが１０〜１００μｍである請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項３】
前記リブ形成工程では、前記金属酸化物膜を積層したときにその合計厚みが所定のリブ高さとなるように、前記印刷及び前記焼成を繰り返す請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項４】
前記ギャップ形成工程では、形成したリブの表面及び／又は該リブに接合される誘電体の表面に、前記ガラス粉末で製造した接合用ペーストを印刷し、前記ガラス粉末の融点以上の温度で焼成してガラス膜を形成した後、両方の誘電体を重ね合わせ、前記ガラス粉末の融点以上の温度で焼成して接合する請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項５】
リブ形成用ペーストにおける金属酸化物粉末とガラス粉末の配合比を、重量部でガラス粉末１に対して金属酸化物粉末１以上とする請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項６】
前記金属酸化物粉末の粒径を１μｍ以下とする請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項７】
前記金属酸化物は高純度アルミナである請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項８】
前記ガラスはＳｉＯ2 ：Ｂ2 Ｏ3 ：Ａｌ2 Ｏ3 ＝６０〜７０％：１０〜２０％：１〜１０％である請求項１に記載の放電セル製造方法。
【請求項９】
オゾン発生装置用放電セルの放電ギャップに配置されるリブを、酸化物からなる誘電体の表面に形成するリブ形成方法であって、放電ギャップに対面する誘電体の表面に、金属酸化物粉末とガラス粉末とで製造したリブ形成用ペーストをリブ位置に対応するように少なくとも１回印刷し、前記ガラス粉末の融点以上の温度で印刷ペーストを印刷毎に焼成してリブ位置に所定厚の金属酸化物膜を形成することを特徴とするリブ形成方法。
【請求項１０】
前記オゾン発生装置用放電セルの放電ギャップに配置されるリブの高さが１０〜１００μｍである請求項９に記載の放電セル製造方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物膜を積層したときにその合計厚みが所定のリブ高さとなるように、前記印刷及び前記焼成を繰り返す請求項９に記載のリブ形成方法。