【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に形成されたシリコンナイトライドドットと、
（ｃ）前記シリコンナイトライドドット上に形成された第２絶縁膜と、
（ｄ）前記第２絶縁膜上に形成された導電性膜と、
（ｅ）前記半導体基板中に形成された第１及び第２半導体領域と、
（ｆ）前記第１及び第２半導体領域間に位置するチャネル領域と、を有し、
（ｇ）前記チャネル領域から、前記チャネル領域の前記第１半導体領域側の第１端部上の前記シリコンナイトライドドットもしくは前記チャネル領域の前記第２半導体領域側の第２端部上の前記シリコンナイトライドドットに、電荷を注入することにより書き込みを行い、
前記第１及び第２絶縁膜は、シリコンナイトライドよりバリアハイトが大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】  前記第１及び第２半導体領域は、第１方向に延在し、
前記導電性膜は、前記第１方向と直交する第２方向に延在することを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】  前記第１端部上の前記シリコンナイトライドドットへの前記電荷の注入は、前記第２半導体領域から前記第１半導体領域の方向に電子を流すことにより行い、
前記第２端部上の前記シリコンナイトライドドットへの前記電荷の注入は、前記第１半導体領域から前記第２半導体領域の方向に電子を流すことにより行い、
前記第１端部上の前記シリコンナイトライドドットに注入された前記電荷を、前記第１半導体領域から前記第２半導体領域に電子を流すことにより判定し、
前記第２端部上の前記シリコンナイトライドドットに注入された前記電荷を、前記第２半導体領域から前記第１半導体領域に電子を流すことにより判定することを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】  前記シリコンナイトライドドットは、その表面部の窒素濃度が、その中央部の窒素濃度より大きいことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】  前記シリコンナイトライドドットは、前記第１絶縁膜上に単層で存在することを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】  （ａ）半導体基板中に形成された第１及び第２半導体領域と、
（ｂ）前記第１及び第２半導体領域間に位置するチャネル領域と、
（ｃ）前記半導体基板上に形成され、前記チャネル領域上から前記第１半導体領域上まで延在する第１シリコン酸化膜と、
（ｄ）前記第１シリコン酸化膜上に形成されたシリコンナイトライドドットと、
（ｅ）前記シリコンナイトライドドット上に形成された第２シリコン酸化膜と、
（ｆ）前記第２シリコン酸化膜上に形成された第１導電性膜と、
（ｇ）前記半導体基板上に形成され、前記チャネル領域上から前記第２半導体領域上まで延在する絶縁膜と、
（ｈ）前記絶縁膜上に形成された第２導電性膜と、を有し、
（ｉ）前記チャネル領域から、前記シリコンナイトライドドットの前記チャネル領域の前記第２半導体領域側の端部に、電荷を注入することにより書き込みを行い、
前記第１及び第２シリコン酸化膜のバリアハイトは、シリコンナイトライドのバリアハイトより大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】  前記第１及び第２半導体領域は、第１方向に延在し、
前記第１導電性膜は、前記第１方向と直交する第２方向に延在し、
前記第２導電性膜は、前記第１方向に延在することを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】  前記第１シリコン酸化膜は、熱酸化膜であり、前記第２シリコン酸化膜は、堆積膜であることを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】  前記シリコンナイトライドドットへの前記電荷の注入は、前記第２半導体領域から前記第１半導体領域の方向に電子を流すことにより行い、
前記シリコンナイトライドドットに注入された前記電荷を、前記第１半導体領域から前記第２半導体領域に電子を流すことにより判定することを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】  前記シリコンナイトライドドットは、その表面部の窒素濃度が、その中央部の窒素濃度より大きいことを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】  前記シリコンナイトライドドットは、前記第１シリコン酸化膜上に単層で存在することを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】  前記第１及び第２半導体領域、前記第１導電性膜及び第２導電性膜は、同一の方向に延在し、
前記第２導電性膜は、前記第１導電性膜上に乗り上げるよう延在していることを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】  （ａ）半導体基板中に形成された第１及び第２半導体領域と、
（ｂ）前記第１及び第２半導体領域間に位置するチャネル領域と、
（ｃ）前記半導体基板上に形成され、前記チャネル領域上から前記第１半導体領域上まで延在する第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に形成された第１導電性膜と、
（ｅ）前記半導体基板上に形成され、前記チャネル領域上から前記第２半導体領域上まで延在する第２絶縁膜と、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に形成された第２導電性膜と、
（ｇ）前記第１及び第２導電性膜間の半導体基板上に形成された第３絶縁膜と、
（ｈ）前記第３絶縁膜上に形成されたシリコンナイトライドドットと、
（ｉ）前記シリコンナイトライドドット上に形成された第４絶縁膜と、
（ｊ）前記第４絶縁膜上に形成された第３導電性膜と、を有し、
（ｋ）前記チャネル領域から、前記第１導電性膜側の第１端部上の前記シリコンナイトライドドットもしくは前記第２導電性膜側の第２端部上の前記シリコンナイトライドドットに、電荷を注入することにより書き込みを行い、
前記第３及び第４絶縁膜は、シリコンナイトライドよりバリアハイトが大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１４】  前記第１及び第２半導体領域は、第１方向に延在し、
前記第１及び第２導電性膜は、前記第１方向に延在し、
前記第３導電性膜は、前記第１方向と直交する第２方向に延在することを特徴とする請求項１３記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１５】  前記第１端部上の前記シリコンナイトライドドットへの前記電荷の注入は、前記第１半導体領域から前記第２半導体領域の方向に電子を流すことにより行い、
前記第２端部上の前記シリコンナイトライドドットへの前記電荷の注入は、前記第２半導体領域から前記第１半導体領域の方向に電子を流すことにより行い、
前記第１端部上の前記シリコンナイトライドドットに注入された前記電荷を、前記第２半導体領域から前記第１半導体領域に電子を流すことにより判定し、
前記第２端部上の前記シリコンナイトライドドットに注入された前記電荷を、前記第１半導体領域から前記第２半導体領域に電子を流すことにより判定することを特徴とする請求項１３記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１６】  前記シリコンナイトライドドットは、その表面部の窒素濃度が、その中央部の窒素濃度より大きいことを特徴とする請求項１３記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１７】  （ａ）半導体基板中に形成された第１及び第２半導体領域と、
（ｂ）前記第１及び第２半導体領域間に位置するチャネル領域と、
（ｃ）前記チャネル領域上の前記半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に形成された第１導電性膜と、
（ｅ）前記第１導電性膜の両側の前記半導体基板上に形成された第２絶縁膜と、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に形成されたシリコンナイトライドドットと、
（ｇ）前記シリコンナイトライドドット上に形成された第３絶縁膜と、
（ｈ）前記第３絶縁膜上に形成された第２導電性膜と、を有し、
（ｉ）前記第１導電性膜の両側にそれぞれ隣接する前記シリコンナイトライドドットに、電荷を注入することにより書き込みを行い、
前記第２および第３絶縁膜のバリアハイトは、シリコンナイトライドのバリアハイトより大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１８】  （ａ）半導体基板中に第１及び第２半導体領域をそれぞれが離間するよう形成する工程と、
（ｂ）前記第１及び第２半導体領域上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１絶縁膜上にシリコンドットを析出させる工程と、
（ｄ）前記シリコンドットを窒化することによりシリコンナイトライドドットを形成する工程と、
（ｅ）前記シリコンナイトライドドット上に第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に導電性膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１９】  （ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を介して第１導電性膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１導電性膜の第１側壁下に斜めインプラ法を用いて半導体領域を形成する工程と、
（ｃ）前記第１導電性膜の前記第１側壁に対向する第２側壁側の前記半導体基板上に第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第２絶縁膜上にシリコンドットを析出させる工程と、
（ｅ）前記シリコンドットを窒化することによりシリコンナイトライドドットを形成する工程と、
（ｆ）前記シリコンナイトライドドット上に第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｇ）前記第３絶縁膜上に第２導電性膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２０】  前記（ｅ）工程は、プラズマ雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１９記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２１】  前記（ｃ）工程は、熱酸化により第１シリコン酸化膜を形成する工程であり、
前記（ｆ）工程は、化学気相成長法で第２シリコン酸化膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１９記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２２】  （ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を介して複数のライン状の第１導電性膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１導電性膜間の前記半導体基板上に第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第２絶縁膜上にシリコンドットを析出させる工程と、
（ｄ）前記シリコンドットを窒化することによりシリコンナイトライドドットを形成する工程と、
（ｅ）前記シリコンナイトライドドット上に第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記第３絶縁膜上に第２導電性膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２３】  前記（ｂ）工程は、熱酸化により第１シリコン酸化膜を形成する工程であり、
前記（ｅ）工程は、化学気相成長法で第２シリコン酸化膜を形成する工程であることを特徴とする請求項２２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２４】  前記（ａ）工程の後に、前記第１導電性膜間の前記半導体基板中であって、前記第１導電性膜間の１つ置きに半導体領域を形成することを特徴とする請求項２２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２５】  前記（ａ）工程の前に、前記第１導電性膜の下部の前記半導体基板中であって、前記複数のライン状の前記第１導電性膜の１つ置きに半導体領域を形成することを特徴とする請求項２２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２６】  （ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１絶縁膜上にシリコンドットを析出させる工程と、
（ｃ）前記シリコンドットを窒化することによりシリコンナイトライドドットを形成する工程と、
（ｄ）前記シリコンナイトライドドット上に第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第２絶縁膜上に第１導電性膜を形成する工程と、
（ｆ）前記第２絶縁膜の端部の前記半導体基板上に第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｇ）前記第３絶縁膜上から前記第１導電性膜の上部の第４絶縁膜上まで延在する第２導電性膜を形成する工程と、
（ｈ）前記第１及び第２導電性膜の両端部の前記半導体基板中に半導体領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。