(57)【要約】【課題】安価でメンテナスを容易に行うことが可能であり、プラズマ反応ガスイオンによって基材に損傷を与えることなく、効率よく基材表面を親水性に改質することが可能な基材表面の改質装置を提供すること。【解決手段】基材１２は、真空チャンバ１０の内側底部１４から隙間を有して配置される基材載置台１３の上面に載置される。第１電極１６及び第２電極１７は、真空チャンバ１０の内側上面１５に沿って間隔を有して配置され、ネオントランス１８に接続される。真空チャンバ１０は、上方側に配置されるプラズマガス供給口２５と、基材載置台１３の下方側に配置され、プラズマ化学反応によって発生する反応生成物を真空チャンバ１０の外部に排出する排出口２７とを有している。第１電極１６及び第２電極１７は、それぞれ一面１６ａ、１７ａが基材１２に向く方向に傾斜する姿勢で対向して配設される。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応ガスが供給された真空チャンバの内部で対向する一対の電極間でネオングロー放電させ、プラズマ化学反応によって基材表面の疎水性汚れを除去して親水性に改質する基材表面の改質装置であって、
前記基材は、前記真空チャンバの内側底部から隙間を有して配置される基材載置台の上面に載置されており、
前記基材表面の改質装置は、前記真空チャンバの内側上面に沿って間隔を有して配置される板状の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極に電力を供給するネオントランスと、
前記真空チャンバの上方側に配置されてプラズマ反応ガスを供給するプラズマ反応ガス供給口と、
前記基材載置台の下方側に配置され、プラズマ化学反応によって発生する反応生成物を真空チャンバの外部に排出する排出口と、
を有し、
前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれの一面が前記基材に向く方向に傾斜する姿勢で対向して配設されている、
ことを特徴とする基材表面の改質装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基材表面の改質装置において、
前記真空チャンバの内部に不活性ガスを供給し、前記真空チャンバの内部を大気圧に復帰させる不活性ガス供給口をさらに有している、
ことを特徴とする基材表面の改質装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基材表面の改質装置において、
前記第１電極と前記第２電極の組み合わせを放電電極ユニットとしたとき、
複数の前記放電電極ユニットが前記真空チャンバの内側上面に沿って配設されている、
ことを特徴とする基材表面の改質装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基材表面の改質装置において、
プラズマ処理中の前記真空チャンバの内部が真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａに制御されるように構成されている、
ことを特徴とする基材表面の改質装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、基材表面の改質装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材の表面には、油脂や有機物からなる疎水性物や疎水性膜などの疎水性汚れが付着していることがある。基材に疎水性汚れが付着していると、基材表面に文字などを印刷する場合又は基材を他の部材に接着するような場合に、良好な印刷品質や接着品質が得られなくなることがある。このような課題を解決するためには、基材表面の洗浄や基材表面を親水性に改質することが求められる。基材表面の改質手段としては、従来から、プラズマ化学反応を利用して基材表面を親水性に改質するための改質装置がある。
【０００３】
特許文献１には、チャンバ内において、大気圧環境下で放電発生用電極と対向電極との間にグロー放電プラズマを発生させ、このグロー放電プラズマによりプラズマ反応ガスを分解して基材表面を親水性に改質する改質装置が開示されている。この改質装置は、放電発生用電極と対向電極との間に改質対象の基材を配置し改質処理を行う、いわゆる大気圧プラズマを用いた改質装置である。
【０００４】
また、特許文献２には、真空度が２０Ｐａの酸素雰囲気の真空チャンバの内部の上部に上下に離間して配置された一対の電極を配置し、一対の電極間でプラズマイオンを形成し、プラズマ反応ガスとしての酸素を分解して発生した酸素イオンのプラズマ化学反応によって疎水性汚れを除去する。基材は、真空チャンバの底部から浮いた状態の金属メッシュ上に載置される。この改質装置においては、酸素イオンが基材の表面側だけでなくメッシュの開口部を通って裏面側に回り込み、基材の表裏両面を親水性に改質する装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１４７５３５号公報
【特許文献２】実用新案登録第３２０７６７５号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の改質装置は、放電発生用電極に１３．５６ＭＨｚの周波数をもつ６００Ｗの高周波電力を印加し、対向電極には４００ｋＨｚの周波数をもつ６０Ｗの高周波電力を印加してプラズマを形成している。従って、この改質装置は、一対の電極それぞれに高価な高周波電力を供給することが可能な２組の高周波電源を有しているため、装置コストが増大するという課題がある。さらに、一般に、高周波電源の扱いは難易度が高くメンテンナンスが容易ではないという課題もある。
【０００７】
また、特許文献１に記載の改質装置は、大気圧プラズマを用いる装置であることからエネルギー損失が大きいため電極間距離を短くすることになる（例えば、３ｍｍ以下）。そのため、近距離からプラズマ反応ガスイオンを基材表面に衝突させることによって基材表面に損傷を与える虞があることから、プラズマ処理中に基材を移動させるような配慮が必要になるというような課題がある。
【０００８】
特許文献２に記載の改質装置には、上下一対の電極が真空チャンバ内の上部に配置されている。さらに、酸素イオンが基材の表面側だけでなく金属メッシュの開口部を通って裏面側に回り込む構成となっているため、真空チャンバ内のプラズマ密度が低くなり、基材表面全体を均一に改質するためには長い時間を要し、真空チャンバの内部の真空引き及び大気圧復帰のための時間を加えると処理効率が上がらないという課題を有している。
【０００９】
本考案は、かかる課題を解決するためになされたものであり、安価でメンテナスを容易に行うことが可能であり、プラズマ反応ガスイオンによって基材表面に損傷を与えることがなく、効率よく基材表面を親水性に改質することが可能な基材表面の改質装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］本考案の基材表面の改質装置は、プラズマ反応ガスが供給された真空チャンバの内部で対向する一対の電極間でネオングロー放電させ、プラズマ化学反応によって基材表面の疎水性汚れを除去して親水性に改質する基材表面の改質装置であって、前記基材は、前記真空チャンバの内側底部から隙間を有して配置される基材載置台の上面に載置されており、前記基材表面の改質装置は、前記真空チャンバの内側上面に沿って間隔を有して配置される板状の第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極に電力を供給するネオントランスと、前記真空チャンバの上方側に配置されてプラズマ反応ガスを供給するプラズマ反応ガス供給口と、前記基材載置台の下方側に配置され、プラズマ化学反応によって発生する反応生成物を真空チャンバの外部に排出する排出口と、を有し、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれの一面が前記基材に向く方向に傾斜する姿勢で対向して配設されていることを特徴とする。
【００１１】
［２］本考案の基材表面の改質装置においては、前記真空チャンバの内部に不活性ガスを供給し、前記真空チャンバの内部を大気圧に復帰させる不活性ガス供給口をさらに有していることが好ましい。
【００１２】
［３］本考案の基材表面の改質装置においては、前記第１電極及び前記第２電極の組み合わせを放電電極ユニットとしたとき、複数の前記放電電極ユニットが前記真空チャンバの上面に沿って配設されていることが好ましい。
【００１３】
［４］本考案の基材表面の改質装置においては、プラズマ処理中の前記真空チャンバの内部が真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａに制御されるよう構成されていることが好ましい。
【考案の効果】
【００１４】
本考案の基材表面の改質装置によれば、安価でメンテナスを容易に行うことが可能であり、プラズマイオンによって基材に損傷を与えることがなく、しかも効率よく基材表面を親水性に改質することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】基材表面の改質装置１を正面から見た正面図である。
【図２】基材表面の改質装置１を図１の右側側方から見た側面図である。
【図３】基材表面の改質装置１を上方から見た平面図である。
【図４】基材表面の改質装置１の第２例を示す説明図である。
【図５】基材表面の改質装置１の第３例を示す説明図である。
【考案を実施するための形態】
【００１６】
以下、本考案の実施の形態に係る基材表面の改質装置１について、図１〜図５を参照しながら説明する。以降の説明で参照する各図は、構成を簡略化して示す模式図である。また、以降の説明においては、「基材表面の改質装置１」を「改質装置１」と記載することがある。
【００１７】
［改質装置１の第１例］
図１〜図３は、改質装置１の第１例を示す図である。図１は、改質装置１を正面側から見た正面図、図２は、改質装置１を図１の右側側方から見た側面図、図３は、改質装置１を上方から見た平面図である。なお、図１〜図３は、基材表面の改質処理を担う真空チャンバ１０の内部を透視した状況を示している。図１〜図３に示すように、改質装置１は、改質処理部である真空チャンバ１０を有している。真空チャンバ１０の内側下方には、ワークである基材１２を載置する基材載置台１３が内側底部１４から隙間を有して内側底部１４に固定されている。真空チャンバ１０の正面側が開閉扉（図示は省略）となっており、開閉扉を開けて基材１２の出し入れを行う。
【００１８】
図１〜図３に例示する基材１２は薄板であるが、基材１２の形態は薄板に限らず、厚板又は凹凸がある立体物であってもよく、真空チャンバ１０の内部に投入する基材１２の数は、１個でも複数個であってもよい。真空チャンバ１０の内部は、室温（常温）に対して３度程度の上昇に抑えられていることから、基材１２の材質としては、金属、樹脂及び紙類などにも適用可能である。
【００１９】
改質装置１は、真空チャンバ１０の内側上面１５に沿って配置される板状の第１電極１６及び第２電極１７と、第１電極１６及び第２電極１７に電力を供給するネオントランス１８とを有している。第１電極１６及び第２電極１７は、第１電極１６の一面１６ａと第２電極１７の一面１７ａが基材１２に向く方向に傾斜する姿勢で対向するように配設される。第１電極１６及び第２電極１７は、基材１２から離れた位置において基材１２の上面側を覆うように配置される。ネオントランス１８は、アース（グランド）２３上に設置される。
【００２０】
図１〜図３に示す第１電極１６と第２電極１７とは、高さ方向及び平面方向にずらして配置されている。但し、真空チャンバ１０の平面積が基材１２に対して十分大きければ、第１電極１６と第２電極１７との間に隙間を設け、真空チャンバ１０の中心線Ｐに対して対称に配置することが可能である。本例においては、第１電極１６及び第２電極１７を曲げているのは、真空チャンバ１０の限られた容積のもとで放電時の対向面積を広くするためである。真空チャンバ１０は、ステンレス鋼又はアルミニウム製であって、第１電極１６及び第２電極１７は、絶縁部材（図示は省略）を介して真空チャンバ１０の内側上面１５に取り付けられる。
【００２１】
本例においては、ネオントランス１８には、入力側の電源２０から電圧が１００Ｖ、周波数が５０Ｈｚ又は６０Ｈｚの商用交流電力が出力され（一次電圧）、一次電圧に対して１５ｋＶに昇圧された二次電圧が第１電極１６及び第２電極１７に入力される。電圧１５ｋＶ印加時の電力は１６０Ｗである。第１電極１６と第２電極１７とに交流電圧を入力することによって、電極間にネオングロー放電プラズマを発生させ、プラズマイオンを形成する。図２において点線で囲まれた領域がプラズマイオン領域２１となる。
【００２２】
真空チャンバ１０の正面側に対して背面２２の上方側には、プラズマ反応ガスを供給するプラズマ反応ガス供給口２５が設けられており、調整バルブ２６を介してプラズマ反応ガス供給源（図示は省略）に接続されている。プラズマ反応ガスとしては酸素を用いることが好適であるが、空気、アルゴン又は四フッ化メタンなどを用いることが可能である。プラズマ反応ガス供給口２５は、真空チャンバ１０の背面２２において図１に示す左右方向の中央付近、かつ内側上面付近に配置することが好ましい。
【００２３】
真空チャンバ１０の基材載置台１３の下方側には、プラズマ化学反応によって発生する反応生成物を真空チャンバ１０から外部に排出する排出口２７が配設されている。排出口２７は、調整バルブ２８を介して真空ポンプ２９に接続される。真空ポンプ２９は、反応生成物を排出する機能と、内部を真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａの範囲に制御する機能とを有している。
【００２４】
プラズマ反応ガス供給口２５の下方には、真空チャンバ１０の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口３０が配設されている。不活性ガス供給口３０は、調整バルブ３１を介して不活性ガス供給源（図示は省略する）に接続される。不活性ガスとしては窒素が好適であるが、窒素に限らず、例えば、空気（クリーンエア）などであってもよい。基材１２の改質処理を行うときには、真空チャンバ１０の内部は真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａのほぼ真空状態にあることから、改質処理後においては窒素を供給し真空チャンバ１０の内部を素早く大気圧に復帰させ、基材１２の出し入れを行うことを可能にしている。
【００２５】
続いて、改質装置１による基材表面の改質作用について説明する。まず、真空チャンバ１０の開閉扉を開け、基材１２を基材載置台１３に載せてから開閉扉を閉める。そして、真空ポンプ２９を駆動して真空チャンバ１０の内部を真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａに減圧し、酸素の供給を開始する。酸素供給量は２５ｃｃ／ｍｉｎである。続いて、ネオントランス１８を起動する。ネオントランス１８が第１電極１６及び第２電極１７に供給する二次電圧は、１５，０００Ｖ（周波数５０Ｈｚ又は６０Ｈｚ）、電力は１６０Ｗとする。真空チャンバ１０の内部で対向する第１電極１６及び第２電極１７は、ネオングロー放電しプラズマイオンを形成する。プラズマイオンは酸素を分解して酸素イオンを形成する。図２において、第１電極１６及び第２電極１７と、仮想線Ｌとで囲まれた領域がネオングロー放電領域であり、点線で囲まれた領域がプラズマイオン領域２１である。酸素イオンは、プラズマ化学反応によって基材表面上の疎水性汚れを分解して基材表面を親水性に改質する。
【００２６】
真空ポンプ２９は、ネオントランス１８の起動に合わせてプラズマ化学反応によって発生する反応生成物及び酸素の混合ガスを排出する。酸素の供給と、反応生成物及び酸素の混合ガスの排出を継続し、真空チャンバ１０の内部を真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａの範囲に維持する。真空チャンバ１０の内部においては、酸素を供給しつつ真空ポンプで吸引していることから、酸素イオンは排出口２７側に吸引される。つまり、酸素イオンは下方側に流れるダウンフロー状況となり、プラズマ化学反応を促進させることが可能となる。
【００２７】
所定時間経過後（基材表面の改質が終了した後）、ネオントランス１８の駆動、酸素の供給及び真空ポンプ２９の吸引を停止し、窒素を真空チャンバ１０の内部に供給する。真空チャンバ１０の内部が大気圧環境になったところで、開閉扉を開けて基材１２を取り出し、基材表面の改質処理の一連の工程が終了する。改質処理は、基材１２の真空チャンバ１０への出し入れ以外は、起動スイッチをＯＮにすれば、シーケンスに従って自動運転される。なお、酸素の供給は、真空ポンプ２９の吸引によって真空チャンバ１０が負圧になるため、酸素供給のための装置を省略することが可能であり、酸素供給量は調整バルブ２６の開度調整で行うことが可能である。
【００２８】
［改質装置１の第２例］
図２に示すように、前述した第１例において、第１電極１６及び第２電極１７は、延在方向途中で曲げられ、真空チャンバ１０の内側上面１５に平行な部分と、傾斜する部分とから構成されている。平行な部分は、真空チャンバ１０の内側上面１５に取り付けるための部分であり、傾斜する部分を放電機能を有する部分としている。但し、第１電極１６及び第２電極１７は、単純な板状にすることが可能である。そのことについて改質装置１の第２例として図４を参照しながら説明する。
【００２９】
図４は、改質装置１の第２例を示す説明図である。第２例においては、第１例との相違箇所について説明する。なお、図４は、第１例と同じ個所には図２と同じ符号を付している。第１電極１６及び第２電極１７は共に、単純な矩形の板部材であり、両者の一面１６ａ，１７ａは略ハの字状に傾斜した姿勢で、基材１２から離れた位置において中心線Ｐに対して対称に配置されている。一面１６ａ，１７ａは、基材１２の上方を覆う範囲に配置されている。
【００３０】
第２例においては、第１例と同じ効果を奏する。但し、第１電極１６及び第２電極１７の対向面積が第１例よりも大きくなるため、ネオントランス１８の電力供給条件が同じであっても第１例よりもプラズマ密度を高めることが可能となる。なお、前述した第１例及び第２例において、第１電極１６と第２電極１７との構成を一対の放電電極ユニットとしたとき、放電電極ユニットを複数で構成することが可能である。そのことについて第３例として図５を参照しながら説明する。
【００３１】
［改質装置１の第３例］
図５は、改質装置１の第３例を示す説明図である。第３例においては、第１例との相違箇所を中心に説明する。なお、図５は、図２と同じ方向から見た図であって、第１例と同じ個所（同じ機構要素を含む）には図２と同じ符号を付している。第３例は、真空チャンバ１０の容積を第１例に対して約２倍にした例である。すなわち、基材１２の平面積が第１例に対し約２倍となる場合に対応する真空チャンバ１０の例である。
【００３２】
第３例に係る改質装置１は、第１例に対して、大型化した真空チャンバ１０、２対の放電電極ユニット３２，３３、及び放電電極ユニット３２，３３それぞれに電力を供給する２組のネオントランス１８，１８を有している点が相違点である。放電電極ユニット３２，３３は、それぞれ第１電極１６及び第２電極１７を有している。第１電極１６及び第２電極１７の構成は、第１例及び第２例の構成を適用することが可能である。
【００３３】
ネオントランス１８は、第１例に記載した構成及び仕様と同じである。第３例に係る改質装置１は、第１電極１６、第２電極１７及びネオントランス１８からなるプラズマ発生機構が二対で構成されていることに特徴を有している。第１電極１６、第２電極１７と、仮想線Ｌとで囲まれた領域がネオングロー放電領域であり、点線で囲まれた領域がプラズマイオン領域２１である。プラズマイオン領域２１は、基材１２の全体を覆うように形成される。真空チャンバ１０には、プラズマ反応ガス供給口２５、排出口２７及び不活性ガス供給口３０を１か所ずつ有している。真空チャンバ１０の内部は、真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａに制御される。従って、プラズマ反応ガス供給口２５からは、真空チャンバ１０の容積に応じて酸素を供給し、酸素供給量に対応して排出口２７からの反応生成物と酸素との混合気の排出量を制御する。
【００３４】
なお、基材１２の大きさや形態、基材１２の真空チャンバ１０への投入量に対応して真空チャンバ１０の容積が大きくなる場合には、放電電極ユニットをさらに増加することで対応することが可能となる。例えば、基材１２が帯状の長尺材の場合には、長尺材の長さに対応して必要数の放電電極ユニットを長さ方向に配列させる構成も可能である。また、図５に示す第３例は、１方向に放電電極ユニット３２，３３を配置している。しかし、放電電極ユニットの数を増やす場合において、放電電極ユニットは、一方向の配列に限らず、真空チャンバ１０の構造に対応して直交配置することも可能である。
【００３５】
以上説明した基材表面の改質装置１は、プラズマ反応ガスである酸素が供給された真空チャンバ１０の内部で対向する一対の電極間でネオングロー放電させ、プラズマ化学反応によって基材表面の疎水性汚れを除去して親水性に改質する改質装置である。基材１２は、真空チャンバ１０の内側底部１４から隙間を有して配置される基材載置台１３の上面に載置される。改質装置１は、真空チャンバ１０の内側上面に沿って間隔を有して配置される板状の第１電極１６及び第２電極１７と、第１電極１６及び第２電極１７に電力を供給するネオントランス１８とを有している。真空チャンバ１０は、上方側に配置されて酸素を供給するプラズマ反応ガス供給口２５と、基材載置台１３の下方側に配置され、プラズマ化学反応によって発生する反応生成物を真空チャンバ１０の外部に排出する排出口２７と、を有している。第１電極１６及び第２電極１７は、それぞれの一面１６ａ，１７ａが基材１２に向く方向に傾斜する姿勢で対向して配設されている。
【００３６】
特許文献１に記載の改質装置は、高周波電源を２セット備えている。高周波電源は高価であり、大気圧環境下でグロー放電を発生する場合に、局所的にアーク放電に移行することがあり故障しやすいことが知られている。従って、プラズマ放電制御或いはメンテナンスを容易に行うことは困難といわれている。改質装置１は、プラズマ発生源として商用交流電源を使用するネオントランス１８を用いている。安価で故障が少なく、メンテナンスが容易なネオントランス１８を使用することによって、装置の設置時及び使用時を含めてコスト増を抑えることが可能となる。
【００３７】
改質装置１は、基材１２を真空チャンバ１０の底部側に配置し、一方、真空チャンバ１０上部側に第１電極１６及び第２電極１７を配置し、電極間のネオングロー放電によってプラズマイオンを発生し酸素イオンを形成する。真空チャンバ１０の底部には、排気口２７を有し、プラズマ化学反応によって発生する反応生成物を外部に排出する。
【００３８】
真空チャンバ１０においては、酸素を供給しながら反応生成物を底部から排出する。酸素イオンはプラズマイオン領域２１からダウンフローすることによって基板表面全体に同じ密度で接触することから、プラズマ化学反応によって基材表面を短時間で親水性に改質することが可能となる。また、プラズマイオンが基材表面に強く衝突すること、基材１２に高電圧がかかることなどによる基材１２の損傷を防ぐことが可能となる。
【００３９】
以上のことから、本考案の基材表面の改質装置１によれば、安価でメンテナスを容易に行うことが可能であり、プラズマイオンによって基材１２に損傷を与えることがなく、しかも効率よく基材表面を親水性に改質することが可能となる。
【００４０】
また、基材表面の改質装置１は、真空チャンバ１０の内部に不活性ガスである窒素を供給し、真空チャンバの内部を大気圧に復帰させる不活性ガス供給口３０を有している。このように真空チャンバ１０に窒素を供給し真空チャンバ１０の内部を大気圧にすることによって、素早く真空チャンバ１０の開閉扉を開けることが可能な状態にし、改質処理後の基材１２を取り出すことが可能となる。従って、改質処理時間を含めタクトタイムを短縮することができ、基材表面の改質工程の生産性を高めることが可能となる。
【００４１】
また、基材表面の改質装置１においては、第１電極１６及び第２電極１７の組み合わせを放電電極ユニットとしたとき、複数の放電電極ユニット（図５には、放電電極ユニット３２，３３を例示）が真空チャンバ１０の内側上面１５に沿って配設されている。
【００４２】
改質処理対象の基材１２のサイズが大きくなったり、１度に投入する基材１２の数が多くなったりする場合には、容積を拡張した真空チャンバ１０が必要になる。その際、改質装置１（第３例）は、複数の放電電極ユニット、各放電電極ユニットに対応するネオントランスを設置することによって容積が大きい改質装置１を構成することが可能となる。
【００４３】
基材表面の改質装置１においては、プラズマ処理中の真空チャンバ１０の内部が真空度１０Ｐａ〜３０Ｐａに制御されるよう構成されている。このようにすることによって、消費電力が小さく安価なネオントランス１８を使用して基材表面を親水性に改質することが可能となる。また、酸素の供給量を抑えることができることから、酸素供給のための装置を省略することが可能となる。
【００４４】
なお、本考案は前述の実施の形態に限定されるものではなく、本考案の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本考案に含まれるものである。例えば、前述した第１例〜第３例では、板状の基材表面を改質する例をあげ説明したが、例えば、巻取り装置を真空チャンバ１０の内部に設置し、長尺の基材表面の改質に適合させることが可能である。このような場合においても、放電電極ユニットを基材１２から離間した位置に配置し、酸素イオンをダウンフローすることによって基材表面を改質することが可能となる。
【００４５】
また、第１例〜第３例においては、第１電極１６及び第２電極１７を基材１２に向かうように傾斜した姿勢で対向させているが、第１電極１６及び第２電極１７を基材１２に対して垂直姿勢で対向させる構成とすることも可能である。このような構成では、基板１２上における酸素イオン密度が若干低下するが、酸素イオンをダウンフローさせることによって基材表面を改質することが可能となる。
【００４６】
また、第３例においては、ネオントランス１８を放電電極ユニット３２，３３それぞれに設けているが、1台のネオントランス１８を分岐して放電電極ユニット３２，３３に電力を供給する構成も可能である。このようにすることによって、装置のコストをさらに低減することが可能となる。
【符号の説明】
【００４７】
１…基材表面の改質装置、１０…真空チャンバ、１２…基材、１３…基材載置台、１４…真空チャンバの内側底部、１５…真空チャンバの内側上面、１６…第１電極、１６ａ…第１電極の一面、１７…第２電極、１７ａ…第２電極の一面、１８…ネオントランス、２０…電源、２１…プラズマイオン領域、２３…アース、２５…プラズマ反応ガス供給口、２６，２８,３１…調整バルブ、２７…排出口、２９…真空ポンプ、３０…不活性ガス供給口、３２,３３…放電電極ユニット、Ｐ…中心線、Ｌ…仮想線
【図１】
0003227506.tif 000003
【図２】
0003227506.tif 000004
【図３】
0003227506.tif 000005
【図４】
0003227506.tif 000006
【図５】
0003227506.tif 000007