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　平成１０年特許願第２３４７７０号「スピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　３月　３日出願公開、特開２０００−　６７４１５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年０８月２０日
　拒絶理由　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年０７月１２日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　　　　平成１２年０９月２５日
　拒絶理由　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０１月０５日
　意見書・手続補正書２　　　　　　　　　　　平成１３年０３月１９日
　補正却下（手続補正書２）　　　　　　　　　平成１３年０４月１２日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０４月１２日
　
　審判請求書　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０５月３１日
　手続補正書３　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０７月０２日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０８月２４日
　
２　手続補正３の概要及び補正の適否
　手続補正書１記載の
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　反強磁性層、第１強磁性層、第２強磁性層及び前記第１強磁性層と第２強磁性層の間に介在する非磁性層とを有し、前記第１強磁性層と第２強磁性層のうちのいずれか一方が前記反強磁性層によってピン止めされる強磁性層であり、他方がピン止めされない強磁性層であるスピンバルブ積層膜を備えるスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　磁気抵抗効果素子の作製工程で磁界中熱処理を行ない、かつ、その後のプロセス加工工程中の最後の熱処理として、前記ピン止めされない強磁性層に対してトラック幅方向に磁界を印加しながら磁気抵抗ヘッド全体の磁化回転層熱処理を行なうことを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　　【請求項２】　請求項１記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　前記磁化回転層熱処理工程で印加される磁界が、前記スピンバルブ積層膜の、前記ピン止めされない強磁性層の飽和磁界以上で、前記ピン止めされる強磁性層を飽和させる磁界以下の強度であり、前記磁化回転層熱処理工程の熱処理温度が、前記反強磁性層のブロッキング温度の５０％〜７５％であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　　【請求項３】　請求項１又は２記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　前記反強磁性層が、Ｎｉ、Ｍｎからなる合金であり、前記ピン止めされない強磁性層が、Ｎｉ、Ｆｅからなる合金、Ｆｅ、Ｃｏからなる合金、又はＮｉ、Ｆｅからなる合金とＦｅ、Ｃｏからなる合金との積層膜であり、前記磁化回転層熱処理工程の熱処理温度が、２２０℃〜２５０℃であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　　【請求項４】　請求項１又は２記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　前記反強磁性層が、Ｐｔ、Ｍｎからなる合金であり、前記ピン止めされない強磁性層が、Ｎｉ、Ｆｅからなる合金、Ｆｅ、Ｃｏからなる合金、又はＮｉ、Ｆｅからなる合金とＦｅ、Ｃｏからなる合金との積層膜であり、前記磁化回転層熱処理工程の熱処理温度が、２２０℃〜２４０℃であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　　【請求項５】　請求項２記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　前記反強磁性層のブロッキング温度が２９５℃未満であり、前記ピン止めされ
ない強磁性層が、Ｎｉ、Ｆｅからなる合金、Ｆｅ、Ｃｏからなる合金、又はＮｉ、Ｆｅからなる合金とＦｅ、Ｃｏからなる合金との積層膜であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　　【請求項６】　請求項１〜５いずれかに記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　前記ピン止めされない強磁性層のトラック幅方向の両端に硬質強磁性層を接合させることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　　【請求項７】　請求項６記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、
　前記硬質強磁性層に対してトラック幅方向に磁界を印加する工程を有することを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
」を、　
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】反強磁性層、第１強磁性層、第２強磁性層及び前記第１強磁性層と第２強磁性層の間に介在する非磁性層とを有し、前記第１強磁性層と第２強磁性層のうちのいずれか一方が前記反強磁性層によってピン止めされる強磁性層であり、他方がピン止めされない強磁性層であるスピンバルブ積層膜を備え、かつ前記ピン止めされない強磁性層のトラック幅方向の両端に硬質強磁性層を接合させたスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果素子の作製工程で磁界中熱処理を行ない、かつ、その後のプロセス加工工程中の最後の熱処理として、前記ピン止めされない強磁性層に対してトラック幅方向に磁界を印加しながら磁気抵抗ヘッド全体の磁化回転層熱処理を行なうことを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　【請求項２】請求項１記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、前記磁化回転層熱処理工程で印加される磁界が、前記スピンバルブ積層膜の、前記ピン止めされない強磁性層の飽和磁界以上で、前記ピン止めされる強磁性層を飽和させる磁界以下の強度であり、前記磁化回転層熱処理工程の熱処理温度が、前記反強磁性層のブロッキング温度の５０％〜７５％であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　【請求項３】請求項１又は２記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、前記反強磁性層が、Ｎｉ、Ｍｎからなる合金であり、前記ピン止めされない強磁性層が、Ｎｉ、Ｆｅからなる合金、Ｆｅ、Ｃｏからなる合金、又はＮｉ、Ｆｅからなる合金とＦｅ、Ｃｏからなる合金との積層膜であり、前記磁化回転層熱処理工程の熱処理温度が、２２０℃〜２５０℃であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　【請求項４】請求項１又は２記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、前記反強磁性層が、Ｐｔ、Ｍｎからなる合金であり、前記ピン止めされない強磁性層が、Ｎｉ、Ｆｅからなる合金、Ｆｅ、Ｃｏからなる合金、又はＮｉ、Ｆｅからなる合金とＦｅ、Ｃｏからなる合金との積層膜であり、前記磁化回転層熱処理工程の熱処理温度が、２２０℃〜２４０℃であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　【請求項５】請求項２記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、前記反強磁性層のブロッキング温度が２９５℃未満であり、前記ピン止めされない強磁性層が、Ｎｉ、Ｆｅからなる合金、Ｆｅ、Ｃｏからなる合金、又はＮｉ、Ｆｅからなる合金とＦｅ、Ｃｏからなる合金との積層膜であることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。
　【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法において、前記硬質強磁性層に対してトラック幅方向に磁界を印加する工程を有することを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗ヘッドの製造方法。」と補正するものである。
　そして、この補正は、補正前の請求項１〜５を削除し、補正前の請求項６を独立した新たな請求項１〜５とし、補正前の請求項７を新たな請求項６として、番号の整理をしたものと認められる。
　してみると、手続補正書３による補正は、特許法第１７条の２第１項第３号の補正に該当し、同条第４項第１号に該当するので、補正は認められる。　
３　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲請求項１〜６に係る発明は、上記２で述べたように、手続補正書３の特許請求の範囲請求項１〜６に記載されたとおりのものである。以下、請求項１に係る発明を本願発明という。
　
４　先願発明
　その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願平９−２２７３９号（特開平１０−２２２８１５号、以下先願という。）には、次のことが記載されている。
従来の技術として、
「【０００３】
　一方、最近、異方性磁気抵抗効果とは別の原理で動作する磁気抵抗効果ヘッドとして、巨大磁気抵抗効果ヘッド（ＧＭＲヘッド）が提案された。これは、例えば、ＤｉｅｎｙらによるＰｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｂ第４３巻、１２９７〜１３００頁「軟磁性多層膜における巨大磁気抵抗効果」に記載されているように、２層の磁性層を非磁性層で分割し、一方の磁性層に反強磁性層からの交換結合磁界を印加する構造のヘッドである。このような積層膜においては、２つの磁性層の磁化の間のなす角をθとすると、積層膜の抵抗はｃｏｓθに比例して変化する成分を有することが上記Ｄｉｅｎｙらの論文に示されている。すなわち、二つの磁性層の磁化が互いに平行のときに最も抵抗が低く、また、互いに反平行のときに最も抵抗が高くなる。このような効果を巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）と呼んでいる。ＧＭＲ効果を示す積層膜により磁界センサーを作ると、２層の磁性層のうち反強磁性層に接していない方の磁性層の磁化が自由に回転できるので、外部磁界により２層の磁化の間の角度θが変化し、これが積層膜の抵抗変化ΔＲを誘起し、磁界検出ができる。以下、反強磁性層に接する磁性層を固定層と呼び、反強磁性層に接していない磁性層を自由層と呼ぶ。…」、
「【００２０】
　第２の手順のように、まず自由層１の成膜時にトラック幅方向２４の磁界を印加することにより、自由層の磁化容易軸方向３２をトラック幅方向２４に向かせ、固定層３の成膜時にヘッドの深さ方向２３の磁界を印加することにより、固定層３の磁化２１をヘッドの深さ方向２３に向かせる（図４(ａ））。しかし、この後、記録用ヘッドの作製すると、高温プロセスの影響で、固定層３の交換結合磁界が低下してしまうため、図４（ｂ）のように、この高温のプロセスの後に、ヘッド深さ方向２３に印加磁界４３を与えながら熱処理を行うことにより、強い交換結合磁界を生じさせる。
【００２１】
　ところが、この磁界中の熱処理により、自由層１の磁気特性に影響が生じる。
　具体的には、自由層１の一軸異方性が弱められたり、容易軸３２の方向が９０度変わって容易軸と困難軸とが入れ替わってしまう。これを補正するために、今度はトラックの幅方向２４に磁界４３を印加しながら自由層１を熱処理する必要がある（図４（ｃ））。すると、今度は、この磁界４３によって、固定層３の交換結合磁界の方向が傾斜してしまい、固定層の磁化２１も傾いてしまう（図４（ｄ））。
【００２２】
　すなわち、磁界中熱処理を行うと、最後に施す熱処理時に印加した磁界の方向の影響を、固定層３の磁化２１および自由層１の容易軸３２のいずれもが受けることになるため、両者を直交させることが非常に困難である。これは、上述の第２〜第４の手順に共通した問題である。」、
「【００２８】
【発明の実施の形態】
　本発明の一実施の形態の巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法について図面を用いて説明する。
【００２９】
　本実施の形態の製造方法により製造される巨大磁気抵抗効果ヘッドの構成を図１、図１６を用いて説明する。図１、図１６のように、基材１０は、基板１１とその表面に形成されたシールド膜１２とからなる。基材１０の上には、ギャップ膜１４が配置され、この上に、順に、自由層１、中間層２、固定層３、および反強磁性層４から構成される巨大磁気抵抗効果膜１３が配置される。この巨大磁気抵抗効果膜１３によりヘッドの感磁部が構成される。巨大磁気抵抗効果膜１３は、トラック幅方向の両脇から、電流を供給するための電極５にて挟まれている。
　さらに、巨大磁気抵抗効果膜１３の磁化状態をコントロールするための縦バイアスを印加するために、電極５の下に永久磁石膜６が置かれている。電極５および巨大磁気抵抗効果膜１３の上には、図１６のように、ギャップ膜１５、シールド膜１６が順に積層され、この上に記録用のインダクティブ型薄膜磁気ヘッド１７が搭載される。
【００３０】
　自由層１および固定層３は、パーマロイ等の軟磁性材料からなる。また、中間層２は、非磁性材料からなる。反強磁性層４は、ブロッキング温度が２００℃以上の反強磁性材料からなる。シールド膜１２は、高透磁率材料からなる。
【００３１】
　つぎに、本実施の形態のヘッドの製造方法について説明する。
【００３２】
　まず、基板１１の上にシールド膜１２、ギャップ膜１４を順に成膜する。この上に、トラック幅方向２４の磁界を印加しながら、自由層１を成膜する。これにより、自由層１の磁化容易軸３２を図５（ａ）のようにトラック幅方向２４にする。この自由層１の上に中間層２を成膜する。そして、ヘッドの深さ方向２３の磁界を印加しながら、固定層３および反強磁性層４を成膜する。これにより固定層３と反強磁性層４との間に、ヘッドの深さ方向２３の交換結合磁界を生じさせ、固定層３の磁化２１をヘッドの深さ方向２３に向かせる（図５(ａ））。
【００３３】
　その後、フォトリソグラフィを用いて、自由層１、中間層２、固定層３、反強磁性層４を図１の形状にパターニングする。この上に、永久磁石膜６および電極膜５を積層し、反強磁性層４上の永久磁石膜６および電極膜５をリフトオフ法等により取り除くことにより、図１の形状の積層体が得られる。この時点での自由層１の磁化容易軸３２はトラックの幅方向２４であり、固定層３の磁化２１は、ヘッドの深さ方向２３であるため、図５（ａ）のように両者は直交している。
【００３４】
　図１の形状の積層体の上に、図１６のようにギャップ膜１５、シールド膜１６をさらに成膜する。そして、シールド膜１６の上に記録用の薄膜磁気ヘッド１７を形成する。
【００３５】
　薄膜磁気ヘッド１７の作製プロセスのなかには、絶縁層として用いる樹脂層を２３０〜２５０℃程度の高温で熱処理するプロセスが含まれている。この温度が、固定層３と反強磁性層４との間の交換結合磁界が失われるブロッキング温度に近いため、薄膜磁気ヘッド１７を形成した後には、固定層３と反強磁性層４との交換結合磁界が弱まってしまう。
【００３６】
　そこで、薄膜磁気ヘッド１７の作製プロセス後に、固定層３と反強磁性層４との間に十分な強度の交換結合磁界を生じさせるための着磁プロセスとして、図５（ｂ）のように、ヘッドの深さ方向の磁界４３を印加しながら熱処理を行う。熱処理温度は、ブロッキング温度付近またはそれ以上の温度にする。これにより、固定層３と反強磁性層４との間に、十分な強度の交換結合磁界を生じさせることができる。
【００３７】
　ところが、ブロッキング温度が２００℃以上であるため、図５（ｂ）の工程の熱処理温度は、２００℃以上になる。この温度は、自由層１の軟磁性膜の一軸異方性を誘起するための熱処理温度（２３０℃程度）に近いか、それ以上になるため、図５（ｂ）の工程により、自由層１の磁化容易軸３２がトラックの幅方向２４から傾いてしまう。そのため、今度は、自由層１の磁化容易軸３２をトラック幅方向２４に一致させるための磁界中熱処理を行う必要がある。しかし、従来のように、トラックの幅方向２４に磁界を印加しながら熱処理を施したのでは、固定層３の磁化２１が傾斜してしまうため、本実施の形態では図５（ｃ）のような工程により自由層１を磁界中熱処理する。
【００３８】
　すなわち、図５（ｃ）の工程では、一方向の磁界を継続して印加するのではなく、トラックの幅方向２４に平行で、向きが１８０度異なる磁界４４ａ，４４ｂを交互に印加しながら熱処理する。なお、この工程全体において、一方の向きの磁界４４ａが印加されている時間を合計したものと、他方の向きの磁界４４ｂが印加されている時間を合計したものとが、等しくなるように両者を交互に印加する。自由層１に一軸異方性を誘起する効果は、印加磁界方向が１８０度変わっても同じであるため、図５（ｃ）の工程により、容易軸３２がトラックの幅方向２４に平行な一軸異方性を自由層１に誘起することができる。
【００３９】
　一方、固定層３と反強磁性層４との間の交換結合磁界の観点から見ると、図５（ｃ）の工程は、一方の向きの磁界４４ａの印加時間の合計と、他方の向きの磁界４４ｂの印加時間の合計とが、ちょうど等しくなるように設定されているため、最終的には、交換結合磁界の方向は、どちらかの磁界４４ａ、４４ｂの方向に傾くことなく、図５（ｄ）のように、固定層３の磁化２１と、自由層１の磁化容易軸３２とを直交させることができる。
【００４０】
　以上のプロセスにより図５（ｄ）のように固定層３の磁化２１と、自由層１の磁化容易軸３２とを直交させた後、最後に加熱せずに、トラックの幅方向２４に平行な静磁界中にヘッドを配置することにより、永久磁石膜６を着磁する。これにより、永久磁石膜６からトラックの幅方向２４に平行な縦バイアス磁界が自由層１に加わり、自由層１の磁化３２がそろって縦バイアス磁界方向を向く。以上のプロセスにより、固定層３の磁化２１と自由層１の磁化３１とを直交させることができる。」、
「【００６２】
【実施例】　
　以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明する。
【００６３】
（実施例１）
　本発明の第１の実施例の磁気抵抗効果ヘッドは、図１６の構成で感磁部積層膜を、Ｔａ（５ｎｍ）／Ｎｉ８０Ｆｅ２０（５ｎｍ）／Ｃｕ（２ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０（３ｎｍ）／Ｎｉ５０Ｍｎ５０（３０ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）でとしている。ここで、　Ｎｉ８０Ｆｅ２０層は自由層１，Ｃｕ層は非磁性層２、Ｃｏ９０Ｆｅ１０層は固定層２、Ｎｉ５０Ｍｎ５０層は反強磁性層４である。上下のＴａ層は、保護膜および下地膜であり、図１６では略されている。Ｎｉ−Ｍｎ層は、成膜しただけでは反強磁性を示さず、２５０℃以上の熱処理を行うことにより結晶構造が変化して反強磁性を示すようになる性質がある。
【００６４】
　そこで、自由層１は、成膜時にトラックの幅方向に磁界を印加しながら成膜し、固定層３および反強磁性層４は、磁界を印加しないで成膜した。そして、図１の形状の積層体までを作製した後、記録用のインダクティブ型ヘッド１７を作製する前に、２５０℃にて１時間の熱処理を、ヘッド深さ方向に磁界を印加しながら行い、固定層３への交換結合磁界を発生させた。なお、本実施の形態では、インダクティブ型ヘッド１７の作製プロセスが、２３０℃以上の高温プロセスを行わない構成であるため、インダクティブ型ヘッド１７を作製する前に、磁界中熱処理を行っている。
【００６５】
　この２５０℃にて１時間の磁界中熱処理により、自由層１の一軸異方性が、弱まることが以下のように観測された。図１０は、図１の積層体のトラック幅方向および深さ方向にそれぞれ１０　Ｏｅ程度の磁界を印加した場合の磁化曲線の測定結果である。この程度の小さな磁界範囲では、固定層３の磁化はほとんど動かないため、測定されるのは自由層１の磁化反転のみである。図１０を参照すると、磁界中熱処理前の磁化曲線は、ヘッド深さ方向のものが大きく傾いている。また、トラック幅方向のものが急峻に立ち上がっている。これらのことから自由層１にトラック幅方向を容易軸とする一軸異方性が誘起されていることがわかる。ところが、固定層３の磁界中熱処理後の磁化曲線をみると、ヘッド深さ方向もトラック幅方向もほぼ同じような形をしており、自由層１の一軸異方性がほとんど失われてしまっていることがわかる。このような状態では、ヘッド深さ方向に入ってくる媒体磁界に対してヒステリシスが開いた形であるので、ヘッドを使用した際のノイズの発生が予測される。
【００６６】
　そこで、さらに、２３０℃における磁界中熱処理をおこなった。この場合、磁界方向は、図８に示したような方法で、トラック幅方向に１０分毎に逆転させながら印加した。熱処理時間は、合計２時間とした。この自由層１の交互磁界熱処理後の磁化曲線の測定結果をみると、固定層着磁のためのの磁界中熱処理前の磁化曲線とほぼ同じ形状まで戻っており、自由層１にトラック幅方向を容易軸とする一軸異方性がほぼ回復していることが確認された。」
　
　即ち、先願には、
「自由層１、中間層２、固定層３、および反強磁性層４から構成される巨大磁気抵抗効果膜１３が配置され、
　自由層１および固定層３は、パーマロイ等の軟磁性材料からなり、また、中間層２は、非磁性材料からなり、
　反強磁性層に接する磁性層を固定層であり、反強磁性層に接していない磁性層を自由層であり、
　縦バイアスを印加するために、電極５の下に永久磁石膜６が置かれ、
　永久磁石膜６は、図１６を参照すると、自由層１のトラック幅方向の両端に接合されており、
　薄膜磁気ヘッド１７の作製プロセスのなかには、絶縁層として用いる樹脂層を２３０〜２５０℃程度の高温で熱処理するプロセスが含まれ、
　薄膜磁気ヘッド１７の作製プロセス後に、固定層３と反強磁性層４との間に十分な強度の交換結合磁界を生じさせるための着磁プロセスとして、ヘッドの深さ方向の磁界４３を印加しながら熱処理を行い、
　自由層１の磁化容易軸３２をトラック幅方向２４に一致させるため、（従来のように、）トラックの幅方向２４に磁界を印加しながら熱処理を施し、
　巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法（以下、先願発明という。）」が示されている。
　
５　本願発明と先願発明との対比
　本願発明の「反強磁性層によってピン止めされる強磁性層」、「反強磁性層によってピン止めされない強磁性層」、「非磁性層」、「硬質強磁性層」、「磁気抵抗効果素子の作製工程で磁界中熱処理」、「その後のプロセス加工工程中の最後の熱処理として、前記ピン止めされない強磁性層に対してトラック幅方向に磁界を印加しながら磁気抵抗ヘッド全体の磁化回転層熱処理」、「スピンバルブ磁気抵抗ヘッド」は、
先願発明の「固定層３」、「自由層１」、「中間層２」、「永久磁石膜６」、「ヘッドの深さ方向の磁界４３を印加しながら熱処理」、「トラックの幅方向２４に磁界を印加しながら熱処理」、「巨大磁気抵抗効果ヘッド」に相当する。
　してみると、先願発明は、本願発明のすべての構成要素を示している。
　
　なお、先願発明として、その従来の製造方法をもって認定したが、先願ではそれを更に改良するために、一方向の磁界を継続して印加するのではなく、トラックの幅方向２４に平行で、向きが１８０度異なる磁界４４ａ，４４ｂを交互に印加しながら熱処理するとし、トラック幅方向に１０分毎に逆転させながら印加している。この場合であっても、本願発明のトラック幅方向に磁界を印加しながら磁気抵抗ヘッド全体の磁化回転層熱処理をすることと、何ら異ならない。
　
　従って、本願発明は、先願発明と同一である。
　
６　まとめ
　本願発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　してみると、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。
　よって、結論のとおり審決する。