【事件の表示】
　平成４年特許願第３４３６８２号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　７月１５日出願公開、特開平６−１９６４９６、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成４年１２月２４日の出願であって、平成１０年９月１８日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１２年２月１５日付けでその拒絶の理由により拒絶査定されたものである。
　
２．本願発明
　請求項に係る発明は、平成１２年４月２４日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された次のとおりのものである。
「半導体装置のトランジスタにおいて、素子分離領域で囲まれた活性領域内に、ゲート絶縁膜を介したゲート電極と、前記素子間分離領域と前記ゲート電極間にソース、ドレイン領域を有し、前記素子分離領域上にワード線が設けられ、前記ゲート電極とワード線の側壁部及び上部は絶縁膜で覆われ、前記ゲート電極両側のソース、ドレイン領域上及び素子間分離領域上で、かつ、ワード線及びゲート電極で挟まれた領域に積み上げ拡散領域を有し、前記積み上げ拡散領域上に上部配線を有し、前記積み上げ拡散領域はワード線の上面よりも高く積み上げられていることを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願第１発明」という。）
「半導体装置のトランジスタ形成工程において、半導体基板上に素子分離領域を形成する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離領域に囲まれた活性領域に前記ゲート絶縁膜を介して、第１の多結晶シリコン膜を埋め込む工程と、該第１の多結晶シリコン膜にのみ選択的に第１の高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、導電性膜及び第１の絶縁膜を順次堆積する工程と、前記第１の多結晶シリコン膜、第１の高融点金属シリサイド膜、導電性膜、第１の絶縁膜をワード線パターンにパターニングし、前記素子分離領域で囲まれた活性領域にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極側壁及びワード線側壁に第２の絶縁膜を形成する工程と、ワード線及びゲート電極で挟まれた領域に第２の多結晶シリコン膜を表面が平坦化するまで埋め込む工程と、前記第２の多結晶シリコン膜を前記ワード線上部の第２の絶縁膜が露出するまでエッチバックすることによってパターニングする工程と、前記第２の多結晶シリコン膜上に自己整合的に、第２の高融点金属シリサイド膜を形成し、前記半導体基板と逆導電型の不純物により、前記半導体基板に達するソース、ドレイン領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願第２発明」という。）
「請求項２に記載の半導体装置の製造方法におけるトランジスタのソース、ドレイン領域の形成方法は、前記第２の多結晶シリコン膜上部に、高融点金属膜を堆積する工程と、第１の急速加熱処理により前記高融点金属膜を前記第２の多結晶シリコン膜と反応させ、高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、未反応の前記高融点金属膜をエッチング除去する工程と、イオン注入法により前記半導体基板と逆導電型の不純物を前記高融点金属シリサイド膜中に注入する工程と、第２の急速加熱処理により前記高融点金属シリサイド膜を安定な結晶構造に変化させる工程と、その上に層間絶縁膜を堆積した後、熱処理を行ない前記半導体基板と逆導電型の不純物を活性化させると供に半導体基板まで不純物を拡散させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願第３発明」という。）
「請求項２に記載の半導体装置の製造方法におけるトランジスタのソース、ドレイン領域の形成方法は、高融点金属をイオン注入法により前記第２の多結晶シリコン膜表面に注入し、前記第２の多結晶シリコン表面を非晶質化する工程と、該第２の多結晶シリコン膜上部に、イオン注入法により前記第２の多結晶シリコン膜表面にイオン注入する高融点金属と同じ金属からなる高融点金属膜を堆積する工程と、第１の急速加熱処理により多結晶シリコン膜中の前記高融点金属、及び前記高融点金属膜を前記第２の多結晶シリコン膜のシリコン原子と反応させ、高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、シリコン原子と未反応の前記高融点金属膜をエッチング除去する工程と、イオン注入法により前記半導体基板と逆導電型の不純物を注入する工程と、第２の急速加熱処理により前記高融点金属シリサイド膜を安定な結晶構造に変化させる工程と、その上に層間絶縁膜を堆積した後、熱処理を行ない前記半導体基板と逆導電型の不純物を活性化させると供に、半導体基板まで不純物を拡散させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願第４発明」という。）
「請求項２あるいは３に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１及び第２の多結晶シリコン膜の代わりに第１及び第２の非晶質シリコン膜を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願第５発明」という。）
「請求項３または４に記載の高融点金属あるいは高融点金属膜は、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｈｆのいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願第６発明」という。）
　
３．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１００３２６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、素子分離領域間にゲート絶縁膜を介したゲート電極と、素子分離領域上に配線（５ａ’）が設けられて、ゲート電極及び配線の側面及び上部には絶縁膜である酸化膜を覆われており、この状態からゲート電極の側壁部のみに第３の多結晶シリコン層を残し、第３の多結晶シリコン層をイオン注入して拡散層とし、層間絶縁膜を形成する工程で作製される半導体装置（第１図、第３図を参照）が開示されている。
　また、第１図の実施例の説明として、「・・・・・。次に第１図（ｄ）に示すように、低温のスチーム酸化例えば８００℃でのスチーム酸化を行なって、ゲート電極５、５ａおよび配線５ａ’の表面に増速酸化を利用した厚い酸化腹６を形成し、そして、ゲート電極５、５ａの周辺部を除いてフォトレジスト８で保護する。続いて、公知のエッチング技術により、素子領域の所定の領域のゲート絶縁膜４を絶縁膜の膜厚の差を利用してゲート電極５、５ａの表面の酸化膜６を残した状態でエッチング除去し、第１図（ｅ）に示すように、半導体基板１の表面を露出させ、フォトレジスト８を除去する。次に、第１図（ｆ）に示すように、不純物例えば燐を低濃度に例えば１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３含有した第３の多結晶シリコン層７を基板全面に形成する。・・・・・・・、第１図（ｇ）に示すように、ゲート電極５、５ａおよび配線５ａ’の側壁部分を除いて他の部分の第３の多結晶シリコン層７をエッチング除去する。・・・・・、第１図（ｈ）に示すように、ゲート電極５の側壁部分にのみ第３の多結晶シリコン層７を残し、それ以外の多結晶シリコン層７をエッチング除去する。次に、第１図（ｉ）に示すように、素子分離絶縁膜３及びゲート電極５、５ａをマスクとして第３の多結晶シリコン層７と半導体基板１に半導体基板１と反対導電型の不純物、例えば燐又はヒ素をイオン注入して、１×１０１９ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３程度の不純物濃度の拡散層９、９ａを形成し、次いで、第１図（ｊ）に示すように、例えば８００℃〜１０００℃の熱処理を行って、ゲート電極５の側壁に形成された第３の多結晶シリコン層７から半導体基板１へ燐を拡散させて低濃度拡散層１０を形成する。この時同時に拡散層９、９ａの不純物は活性化される。その後、基板表面に層間絶縁膜１１を形成し、これにコンタクト孔を開孔して電極配線１２を形成する。」（第３頁左上欄１行−同頁右上欄２０行）と記載されている。
　さらにまた、第３図の実施例の説明として、「次に第３図を参照して本発明の他の実施例について説明する。この実施例は、第１図の実施例に対して、（１）素子分離絶縁膜３の間隔を小さくする（即ち、素子領域を狭くする）、（２）第１図（ｄ）、（ｅ）の工程において、ゲート電極５、５ａで覆われていないゲート絶縁膜を全て除去する、との変更を加えたものである。このようにすることにより、第３の多結晶シリコン層７を素子領域に埋め込んだ形とすることができ、素子の占有面積の縮小化及び表面形状の平坦化を同時に実現できる。」（第３頁左下欄１行−１１行）と記載されている。
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−２５５９６５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「半導体装置に関するもので、特に絶縁ゲート電界効果トランジスタに用いられる電極及び配線部の構造を改良した半導体装置」（第１頁右下欄９行−１１行）に関する発明が記載されている。
　また、半導体基板上にゲート酸化膜を介して非単結晶シリコン層からなるゲート電極が形成されること（第１図を参照）、及び、「非単結晶シリコン層５４ａは、多くの場合多結晶シリコン層であるが、無定形（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）シリコン層であっても差し支えない。」（第４頁左上欄９行−１２行）ことが開示されている。
　
４．対比、判断
（１）本願第１発明について
　本願第１発明と刊行物１乃至２記載の発明とを対比すると、刊行物１乃至２には、本願第１発明における「ワード線及びゲート電極で挟まれた領域に積み上げ拡散領域を有し、前記積み上げ拡散領域上に上部配線を有し、前記積み上げ拡散領域はワード線の上面よりも高く積み上げられている」点について記載も示唆もされていない。
　（刊行物１は、基板表面に層間絶縁膜１１を形成し、これにコンタクト孔を開孔して電極配線１２を形成する［第１図（ｊ）及び第３図を参照］ものであり、ワード線及びゲート電極で挟まれた領域にワード線の上面よりも高く積み上げられた積み上げ拡散領域を有する点については記載も示唆もされていない。なお、平成１２年２月１５日付けの拒絶査定の備考において周知例としてあげられた、特開平３−１７４７６６号、特開平４−３０７９６８号、特開昭６２−８６８５３号各公報にも、この点については記載も示唆もない。）
　そして本願第１発明は、上記の点により、明細書記載の作用効果（段落【００２１】〜【００２２】を参照）を奏するものである。
  したがって、本願第１発明が刊行物１乃至２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（２）本願第２発明について
　本願第２発明と刊行物１乃至２記載の発明とを対比すると、刊行物１乃至２には、本願発明における「半導体装置のトランジスタ形成工程において、・・・・、ワード線及びゲート電極で挟まれた領域に第２の多結晶シリコン膜を表面が平坦化するまで埋め込む工程と、前記第２の多結晶シリコン膜を前記ワード線上部の第２の絶縁膜が露出するまでエッチバックすることによってパターニングする工程と、前記第２の多結晶シリコン膜上に自己整合的に、第２の高融点金属シリサイド膜を形成し、前記半導体基板と逆導電型の不純物により、前記半導体基板に達するソース、ドレイン領域を形成する工程」を施す点について記載も示唆もされていない。
　（刊行物１の「第３の多結晶シリコン層７」、「酸化膜６」、及び「配線（５ａ’）」は、それぞれ、本願第２発明の「第２の多結晶シリコン膜」、「第２の絶縁膜」、及び「ワード線」に相当するものと認められるが、刊行物１における第１図の実施例には、低温のスチーム酸化を行なってゲート電極５、５ａおよび配線５ａ’の表面に厚い酸化腹６を形成し、ゲート電極５、５ａの周辺部を除いてフォトレジスト８で保護した後、ゲート電極５、５ａの表面の酸化膜６を残した状態でエッチングし［第１図（ｄ）］、フォトレジスト８を除去し［第１図（ｅ）］、第３の多結晶シリコン層７を基板全面に形成し［第１図（ｆ）］、ゲート電極５、５ａおよび配線５ａ’の側壁部分を除いて他の部分の第３の多結晶シリコン層７をエッチング除去［第１図（ｇ）］した後、ゲート電極５の側壁部分にのみ第３の多結晶シリコン層７を残し、それ以外の多結晶シリコン層７をエッチング除去［第１図（ｈ）］する旨、記載されており、配線（５ａ’）及びゲート電極５で挟まれた領域に第３の多結晶シリコン層７を表面が平坦化するまで埋め込むようになされてはおらず、本願第２発明の「ワード線及びゲート電極で挟まれた領域に第２の多結晶シリコン膜を表面が平坦化するまで埋め込む工程」は、記載も示唆もされていない。さらにまた、ゲート電極５の側壁部分にのみ第３の多結晶シリコン層７を残すようにされているので、第３の多結晶シリコン層７を配線（５ａ’）上部の酸化膜６が露出するまでエッチバックすることによってパターニングするようにも、また高融点金属シリサイド膜を自己整合的に形成するようにもなされてはおらず、本願第２発明の「第２の多結晶シリコン膜をワード線上部の第２の絶縁膜が露出するまでエッチバックすることによってパターニングする工程」及び「第２の多結晶シリコン膜上に自己整合的に、第２の高融点金属シリサイド膜を形成し、半導体基板と逆導電型の不純物により、半導体基板に達するソース、ドレイン領域を形成する工程」を施す点の双方とも、記載も示唆もされていない。また、刊行物１の第３図の実施例は、第１図の実施例よりも素子分離絶縁膜３の間隔を小さくし、第１図（ｄ）、（ｅ）の工程においてゲート電極５、５ａで覆われていないゲート絶縁膜を全て除去するという変更を加えたものであるが、上記の各工程［すなわち上記の３つの工程］について記載も示唆もしていないことは第１図の実施例と同様である。なお、拒絶査定の備考において周知例としてあげられた、特開平３−１７４７６６号、特開平４−３０７９６８号、特開昭６２−８６８５３号各公報にも、これらの各工程を施す点については記載も示唆もされていない。）
　そして本願第２発明は、上記の点により、明細書記載の作用効果（段落【００２１】〜【００２２】を参照）を奏するものである。
　したがって、本願第２発明が刊行物１乃至２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（４）本願第３乃至第６発明について
　本願第３乃至第６発明は本願第２発明を直接または間接に引用してさらにその構成要件を限定したものであるから、上記限定の内容について刊行物１乃至２に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、本願第３乃至第６発明が刊行物１乃至２記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明乃至第６発明が、特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。