【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）活性光線または放射線の照射により、下記式（Ｉ）で表される化合物を発生する化合物、及び、
（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2001330947.tif 000001
（上記一般式（Ｉ）中、Ｙは、単結合、−ＣＯ−、または、−ＳＯ2−を表す。Ｒ’及びＲ”は、同一でも異なっていてもよく、置換していても良い直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換していてもよいアリール基、置換していてもよいアラルキル基、または、樟脳基を表す。Ｒ’とＲ”が結合し、アルキレン基、アリーレン基、または、アラルキレン基を形成し、式（Ｉ）の構造が環を形成してもよい。Ｙが−ＣＯ−基の場合、Ｒ”は水酸基、アルコキシ基でもよい。）
【請求項２】  （Ｄ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する分子量３０００以下の化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】  （Ａ）活性光線または放射線の照射により、下記式（Ｉ）で表される化合物を発生する化合物、
（Ｄ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する分子量３０００以下の化合物、及び、
（Ｅ）アルカリ可溶性樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化２】
2001330947.tif 000002
（上記一般式（Ｉ）中、Ｙは、単結合、−ＣＯ−、または、−ＳＯ2−を表す。Ｒ’及びＲ”は、同一でも異なっていてもよく、置換していても良い直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換していてもよいアリール基、置換していてもよいアラルキル基、または、樟脳基を表す。Ｒ’とＲ”が結合し、アルキレン基、アリーレン基、または、アラルキレン基を形成し、式（Ｉ）の構造が環を形成してもよい。Ｙが−ＣＯ−基の場合、Ｒ”は水酸基、アルコキシ基でもよい。）
【請求項４】   式(I)で表される化合物の ｐＫａ が −５〜５の範囲であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】  （Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が、下記一般式（ＩＩ）及び （ＩＩＩ）で表される繰り返し構造単位を含む樹脂であることを特徴とする請求項１、２、及び４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
2001330947.tif 000003
（上記一般式（ＩＩ）中、Ｌは、水素原子、置換されていてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。また、ＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。）
【請求項６】  一般式（ＩＩ）のＺが、置換されたアルキル基又は置換されたアラルキル基であることを特徴とする請求項５に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】  （Ｆ）含窒素塩基性化合物、及び、フッ素系またはシリコン系界面活性剤をさらに含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】  （Ａ）活性光線または放射線の照射により、下記式（Ｉ）で表される化合物を発生する化合物が、下記一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれかの式で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2001330947.tif 000004
（上記一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）中、Ｒ１ 〜Ｒ３７は、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−Ｓ−Ｒ３８基を表す。ここでＲ３８は直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。Ｘ-は、一般式（Ｉ）で表される化合物のアニオンである。Ａは、単結合、硫黄原子、酸素原子、または、メチレン基である。）
【請求項９】  一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）の Ｘ-  が下記構造を有することを特徴とする請求項８に記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
2001330947.tif 000005
【請求項１０】  （Ｃ）活性光線または放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】  一般式（IVa）で表されるスルホニウム塩化合物。
【化６】
2001330947.tif 000006
（上記一般式（IVa）中、Ｒ１〜Ｒ１５は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５個の直鎖または分岐アルキル基、炭素数３〜８個の環状アルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子、または、―Ｓ−Ｒ３８であり、Ｒ３８は、炭素数１〜５個の直鎖または分岐アルキル基、炭素数３〜８個の環状アルキル基、または、炭素数６〜１４個のアリール基を表す。Ｒａ及びＲｂは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ニトロ基、または、水酸基を表す。）
【請求項１２】  一般式（IVa）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ７、Ｒ９〜Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒａ及びＲｂは、各々水素原子であり、Ｒ３、Ｒ８及びＲ１３は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５個のアルキル基、炭素数１〜５個のアルコキシ基、または、ハロゲン原子であるところの請求項１１に記載のスルホニウム塩化合物。
【請求項１３】  一般式（Va）で表されるスルホニウム塩化合物。
【化７】
2001330947.tif 000007
（上記一般式（Va）中、Ｒ16〜Ｒ27は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５個の直鎖または分岐アルキル基、炭素数３〜８個の環状アルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子、または、―Ｓ−Ｒ３８であり、Ｒ３８は、炭素数１〜５個の直鎖または分岐アルキル基、炭素数３〜８個の環状アルキル基、または、炭素数６〜１４個のアリール基を表す。Ｒａ及びＲｂは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ニトロ基、または、水酸基を表す。）
【請求項１４】  一般式（Va）において、Ｒ１６〜Ｒ２７、Ｒａ及びＲｂは、各々水素原子であるところの請求項１３に記載のスルホニウム塩化合物。
【請求項１５】  一般式（VIa）で表されるヨードニウム塩化合物。
【化８】
2001330947.tif 000008
（上記一般式（VIa）中、Ｒ28〜Ｒ37は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５個の直鎖または分岐アルキル基、炭素数３〜８個の環状アルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子、または、―Ｓ−Ｒ３８であり、Ｒ３８は、炭素数１〜５個の直鎖または分岐アルキル基、炭素数３〜８個の環状アルキル基、または、炭素数６〜１４個のアリール基を表す。Ｒａ及びＲｂは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ニトロ基、または、水酸基を表す。）
【請求項１６】  一般式（VIa）において、Ｒ２８〜Ｒ２９、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒａ及びＲｂは、各々水素原子であり、Ｒ３０及びＲ３５は、各々独立に、水素原子、または、炭素数１〜５個のアルキル基であるところの請求項１５に記載のスルホニウム塩化合物。
【請求項１７】  請求項１〜１０のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。