(57)【要約】      （修正有）【課題】物理気相蒸着チャンバ内で基板を処理する装置を提供する。【解決手段】蓋アセンブリ内に配置されたターゲットと接地チャンバ壁を有する物理気相蒸着チャンバ内で基板を処理する装置は、接地フレームと接地シールドを含む。接地フレームは蓋アセンブリに絶縁的に連結されるよう構成され、電気伝導下方表面を有する。接地シールドは、接地フレームの導伝下方表面に調節可能に電気的に連結された電気伝導壁を有する。接地シールドはターゲットを包囲するように構成され、設置されたときにターゲットの上端部と周辺端部の間に間隙を形成するよう構成された上端部を有する。【選択図】図２
0003123802.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
蓋アセンブリに設置されたターゲットと接地チャンバ壁を有する物理気相蒸着チャンバ内に配置される基板を処理するための装置であって、
チャンバに対する伝導経路の少なくとも一部を提供するために用いられる本体を備え、
この本体は四角形の開口を形成する壁部と、壁部から外側に向かって延び、複数の装着穴を有するフランジを備えた装置。
【請求項２】
壁部は更に外側に張出した上部を備えた請求項１記載の装置。
【請求項３】
本体は伝導体物質又は伝導体コーティングの少なくとも１つを含む請求項１記載の装置。
【請求項４】
本体はステンレス又はアルミニウムの少なくとも１つを含む請求項１記載の装置。
【請求項５】
本体は伝導体コーティングを含む請求項１記載の装置。
【請求項６】
穴はフランジに形成されたスロットである請求項１記載の装置。
【請求項７】
接地シールドは更にターゲットの隣接表面に実質的に平行で空間を配した関係で平行に配置される上端部を備えた請求項１記載の装置。
【請求項８】
接地シールドのフランジに合致するように構成された下部側部を有する接地フレームを備えた請求項１記載の装置。
【請求項９】
接地フレームは更に接地フレームの上部側部に合致するように構成された分離プレートを備えた請求項８記載の装置。
【請求項１０】
分離プレートは、アセタールホモモリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、塩化ポリビニル又はガラス補強プラスチックの少なくとも１つを含む請求項９記載の装置。
【請求項１１】
接地フレームは更に、
蓋アセンブリに連結される分離プレートと、
分離プレートに合致するように構成された伝導フレームを備えた請求項８記載の装置。
【請求項１２】
伝導フレームはステンレス又はアルミニウムの少なくとも１つを含む請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
接地シールドは更に複数の構成部分を備えた請求項１記載の装置。
【請求項１４】
複数の構成部分の各々は、
内壁の下方部を形成する表面部を有する電気伝導壁と、
電気伝導壁に隣接して配置された内壁の上部を備え、この上部は電気伝導壁の表面に非平行であり、非垂直である請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
蓋アセンブリに配置されたターゲットと接地チャンバ壁を有する物理気相蒸着チャンバ内に配置される基板を処理するための装置であって、
チャンバの導伝経路の少なくとも一部を提供するために用いられるリング形状の本体部を備え、
この本体部は四角形開口を形成する下方内表面と、下方内表面から外側に傾斜した上方内表面を有する壁部と、
壁部から外側に延伸し、複数の装着穴を有するフランジを備えた装置。
【請求項１６】
本体は複数の構成部分を備えた請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
本体を囲み、フランジに合致する接地フレームを備えた請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
複数の構成部分の各々は接地フレームに対して独立して調節可能である請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
伝導シールドはステンレス又はアルミニウムの少なくとも１つを含む請求項１５記載の装置。
【請求項２０】
接地シールドは伝導物質でコーティングされている請求項１５記載の装置。
【請求項２１】
本体を囲み、接地シールドのフランジを受けるように構成されたノッチ部を有する伝導接地フレームを備えた請求項１５記載の装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案の実施例は、一般に、基板処理システムに関する。特に、本考案は基板処理システムの物理気相蒸着チャンバに関する。
【背景技術】
【０００２】
物理気相蒸着（ＰＶＤ）、即ち、スパッタリングは、電子デバイスの製造で最も一般的に用いられるプロセスの１つである。ＰＶＤは真空チャンバ内で行われるプラズマプロセスであり、ここで負にバイアスされたターゲットは比較的重い原子を有する不活性ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））又はこのような不活性ガスを含む混合ガスのプラズマに露出される。不活性ガスのイオンがターゲットに衝突すると、ターゲット物質の原子の放出が生じる。放出された原子は、チャンバ内に配設された基板支持台上に配置された基板上に堆積薄膜として蓄積される。
【０００３】
接地シールドはチャンバ内に配設され、これによって基板に対しチャンバ内の所望の領域を処理領域と規定することができる。接地シールドは処理領域内にプラズマを閉込めることを可能にする。プラズマ及び放出原子の処理領域内への閉込めにより、放出原子のより大きな割合が基板上に堆積するので、チャンバ内の他の要素が堆積物質の影響を受けなくなり、ターゲット材料のより効率的な利用を促進することができる。
【０００４】
接地シールドは真空チャンバ壁と電気的に連結され、ターゲットから電気的に分離される。従って、典型的には、接地シールドは真空チャンバの壁部又は本体部に連結される。更に、小間隙が接地シールドの端部とターゲットの間に形成され、これによってプラズマが処理領域の外側で形成されることを防止する。しかしながら、接地シールドとターゲットをその間に小間隙を保持するように配列することは困難であり、装置の適切な操作のためのセットアップ及びメンテナンスコストの浪費という結果を生じる。この効果は、大型基板の処理に必要な大型ターゲットの使用により悪化される。例えば、フラットパネルディスプレイの製造に用いられる基板は、約１５０００ｃｍ２より大きくなっている。更に、将来にはより大型の基板が視野に入れられている。
従って、本技術分野において、ＰＶＤチャンバに用いられる接地シールドの改良が要請されている。
【考案の概要】
【０００５】
物理気相蒸着チャンバ内で基板を処理する装置が提供される。一実施例において、蓋アセンブリ内に配置されたターゲットと接地チャンバ壁を有する物理気相蒸着チャンバ内で基板を処理する装置は、接地フレームと接地シールドを含む。接地フレームは蓋アセンブリに絶縁的に連結されるよう構成され、電気伝導下方表面を有する。接地シールドは、接地フレームの導伝下方表面に調節可能に電気的に連結された電気伝導壁を有する。接地シールドはターゲットを包囲するように構成され、設置されたときにターゲットの上端部と周辺端部の間に間隙を形成するよう構成された上端部を有する。
【０００６】
他の実施例において、基板を処理する装置は本体と蓋アセンブリを有するチャンバを含む。ターゲットは蓋アセンブリに連結される。接地フレームは蓋アセンブリに連結され、ターゲットから電気的に絶縁されている。接地フレームは本体への電気伝導経路を有する。電気伝導接地シールドは接地フレームに調節可能に電気的に連結される。接地シールドはターゲットを包囲する。
【０００７】
本考案の他の態様において、基板を処理する方法は、蓋アセンブリが開口され、その後閉鎖される間に、接地シールドを処理チャンバの蓋アセンブリに調節可能に連結することを含む。基板がチャンバ内に配置され、その後チャンバ内にプラズマが形成される。接地シールドはターゲットに対して調節され、これによって接地シールドの端部とターゲットの対向突出端部の間に間隙を形成することができる。接地シールドは複数の構成部分を含むことができ、複数の構成部分の各々はターゲットに対し独立して調節可能であり、間隙を形成することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００８】
本考案は、ＰＶＤチャンバで用いられるターゲットに容易に連結され、これと共に配列される改良された接地シールドを提供する。接地シールドは、ＰＶＤチャンバに配設されると、ターゲットから絶縁され、接地される。接地シールドは、蓋がチャンバから外されている間、ターゲットに容易に配置され、これによってセットアップ時間及びコストを低減することができる。更に、接地シールドとターゲットの間の改良された配列は、ＰＶＤプロセスの均一性と制御を向上する。いかなるサイズのターゲットを有するＰＶＤチャンバでも本考案の接地シールドの利益を受けることができるが、より大きなターゲットを有するＰＶＤチャンバは、ターゲットの周辺部が大きく、その周りに小さく均一な間隙が接地シールドに対して保持されていなければならないので、特に本考案の利益を受けることができる。
【０００９】
図１は、本考案の接地シールドアセンブリ１１１の一実施例を含む処理チャンバ１００を示す。本考案の利点を受けるために用いることができる処理チャンバの一例は、カリフォルニア州サンタクララのＡＫＴ社（ＡＫＴ  Ｉｎｃ．）から入手可能なＰＶＤ処理チャンバである。
【００１０】
この例の処理チャンバ１００は、排気可能な処理空間１６０を形成するチャンバ本体１０２と蓋アセンブリ１０６を含む。典型的には、チャンバ本体１０２は溶接されたステンレスプレート又はアルミニウムの単位ブロックから形成される。一般に、チャンバ本体１０２は側壁１５２と底部１５４を含む。一般に、側壁１５２及び／又は底部１５４は、アクセスポート１５６及び排気ポート（図示せず）を含む複数の孔部を含む。チャンバ本体１０２の側壁１５２及び／又は底部１５４には、シャッターディスクポート（図示せず）のような他の孔部を追加的に形成することができる。封止可能なアクセスポート１５６は処理チャンバ１００への基板１１２の入口及び出口を提供する。排気ポートは、処理空間１６０を排気し、その圧力を制御するポンプシステム（図示せず）に連結される。
【００１１】
一般に、基板支持部１０４はチャンバ本体１０２の底部１５４上に配置され、処理の間、基板１１２を支持する。典型的には、基板支持部１０４は、アルミニウム、ステンレス、セラミック又はこれらの組合わせにより形成される。シャフト１８７はチャンバ１０２の底部１５４を介して延伸し、基板支持部１０４を昇降機構１８８に連結している。昇降機構１８８は、基板支持部１０４を下方位置と上方位置の間で移動させるように構成されている。図１Ａにおいて、基板支持部１０４は中間位置に示されている。典型的には、基板支持部１０４とチャンバ底部１５４の間にはジャバラ１８６が配設され、その間に伸縮可能な封止部を提供し、これによってチャンバ空間１６０の完全な真空状態を維持することが可能になる。
【００１２】
追加的に、ブラケット１６２及び遮蔽フレーム１５８をチャンバ本体１０２内に配設することができる。ブラケット１６２は、例えば、チャンバ本体１０２の壁部１５２に連結することができる。一般に、遮蔽フレーム１５８は、遮蔽フレーム１５８の中心を介して露出している基板の部分に堆積を閉込めるように構成される。基板支持部１０４が処理のために上方位置に移動すると、基板支持部１０４上に配置された基板１１２の外側端部は遮蔽フレーム１５８に係合し、遮蔽フレーム１５８をブラケット１６２から上昇させる。選択的に、他の構造を有する遮蔽フレームを同様に追加的に使用することができる。
【００１３】
基板支持部１０４は、基板支持部１０４から基板をロード及びアンロードするため、下方位置に移動する。下方位置において、基板支持部１０４はシールド１６２及びポート１５６の下方に位置する。その後、基板１１２は、遮蔽フレーム１５８及びシールド１６２をクリアしている間、側壁１５２のポート１５６を介してチャンバ１００から排出されるか、チャンバ１００内に配置される。リフトピン（図示せず）は基板支持部１０４を介して選択的に移動し、基板支持部１０４から基板１１２を分離することができ、これによって単一のブレードロボット（図示せず）のような処理チャンバ１００の外部に配置されたウェハ搬送機構により基板の配置及び除去が可能になる。
【００１４】
一般に、蓋アセンブリ１０６はターゲット１６４とこれに直接的に連結された接地シールドアセンブリ１１１を含む。ターゲット１６４はＰＶＤプロセスの間に基板上に堆積される物質を提供する。一般に、ターゲットは周辺部１６３と中央部１６５を含む。周辺部１６３はチャンバの壁部１５２上に配置される。ターゲット１６４の中央部１６５は、基板支持部１０４の方向に突出し又は延伸していてもよい。同様に、他のターゲット構造を用いることも可能であると考えられる。例えば、ターゲットは所望の物質で形成された中央部が接着又は装着されるバッキングプレートを備えていてもよい。ターゲット物質は、ターゲットを形成する物質の隣接するタイル又は部分を備えていてもよい。追加的に、蓋アセンブリ１０６は、処理の間にターゲット物質の消費を促進するマグネトロン１６６を備えていてもよい。
【００１５】
ターゲット１６４及び基板支持部１０４は、電源１８４により互いに相対的にバイアスされる。アルゴンのようなガスが、ガス源１８２から、典型的には処理チャンバ１００の壁部１５２に形成される１又はそれ以上の孔部（図示せず）を介して処理空間１６０に供給される。プラズマはこのガスから基板１１２とターゲット１６４の間で形成される。プラズマ内のイオンはターゲット１６４に向って加速され、ターゲット１６４から物質を放出させる。放出された物質は基板１１２に引付けられ、その上に物質の薄膜を堆積する。
【００１６】
接地シールドアセンブリ１１１は、接地フレーム１０８と接地シールド１１０を含む。接地シールドはターゲット１６４の中心部１６５を包囲し、処理空間１６０内に処理領域を形成し、接地フレーム１０８によってターゲット１６４の周辺部１６３に連結される。接地フレーム１０８はチャンバ１００の本体１０２への接地経路（典型的には、側壁１５２を介して）を提供すると共に、ターゲット１６４から接地シールドを電気的に絶縁する。蓋アセンブリ１０６に接地シールドを設ける１つの利点は、蓋アセンブリ１０６をチャンバ本体１０２に配置する前に、接地シールド１１０及びターゲット１６４を容易且つ正確に配置することであり、これによってターゲット１６４に接地シールド１１０を配置するのに必要な時間を低減することができる。更に、蓋アセンブリ１０６に接地シールド１１０を配設することにより、単に蓋アセンブリ１０６をチャンバ壁１５６に配置することによりセットアップを完了することができる。従って、調節可能なターゲット／接地シールド配列を備えた従来のチャンバで要求されるように、配置の後に接地シールドとターゲットを配列する必要性はなくなる。更に、調節可能なターゲット／接地シールド配列を有しない従来のチャンバで必要とされるような、ピン及び／又は部品の費用のかかる正確な配設の必要性もなくなる。
【００１７】
接地シールド１１０はプラズマを接地シールド１１０により囲まれる領域内に閉込め、物質がターゲット１６４の中央部１６５からのみ放出されるようにする。また、接地シールド１１０は放出されたターゲット物質が主として基板１１２上に堆積されることを可能にする。これは、ターゲットの効率的な使用と、チャンバ本体１０２の他の領域を放出された種又はプラズマの堆積又は攻撃から保護し、これによってチャンバの寿命を延ばし、チャンバのクリーニング又はメンテナンスに必要なダウンタイム及びコストを低減することを可能にするという効果を最大化する。本考案の本態様から生じる他の利点は、チャンバ本体１０２から放出され、基板１１２の表面への再堆積する微粒子の低減であり（例えば、堆積薄膜の剥落又はプラズマによるチャンバ本体への攻撃）、これによって製品の質と生産量を向上することが可能になる。
【００１８】
図１Ｂは、接地シールドアセンブリ１１１の接地フレーム１０８及び接地シールド１１０、ターゲット１６４及びチャンバ本体１５２の間の境界の細部を概略的に示す。一般に、接地フレーム１０８はターゲット１６４に連結されている。選択的に、接地シールド１１０がターゲット１６４に対して必要な位置決め及び調節ができる限り、接地フレーム１０８はバッキングプレート（図示せず）又は蓋アセンブリ１０６の他の要素に連結されていてもよい。一般に、接地フレーム１０８は、ターゲット１６４から接地シールド１１０を絶縁する。一実施例において、接地フレーム１０８はターゲット１６４に対する絶縁境界１２２を有する。
【００１９】
また、接地フレーム１０８は接地シールド１１０からチャンバ本体１０２までの伝導経路１２４を提供する。一実施例において、接地フレーム１０８は本体１０２の側壁１５２までの伝導経路１２４を有する。伝導経路１２４は、接地シールド１１０と本体１０２の間を連結する伝導ワイヤ、リード、ストラップのようなものを含むことができる。選択的に、接地フレーム１０８は適切な電気的伝導物質を含む下部を有し、これによって接地シールド１１０と本体１０２の間に伝導経路１２４を提供することができる。
【００２０】
接地シールド１１０は、ターゲット１６４の中央部１６５と接地シールド１１０の間の間隙１２０を調整し及び維持するための適切な方法で接地フレーム１０８に連結される。例えば、接地シールド１１０はネジ、ボルト、クランプのようなもので接地フレーム１０８に連結することができる。更に、接地シールド１１０は、間隙１２０の調整を可能にするために形成された特大の穴、スロット又は同様な構成を含むことができる。ターゲット１６４の中央部１６５と接地シールド１１０の間の間隙１２０を調節し及び配列するために他の機構を用いることができると考えられる。
【００２１】
一般に、間隙１２０は深さ及びその長さ方向に沿って均一であり、間隙を形成するターゲット１６４及び接地シールド１１０の対向面は平行である。従って、接地シールド１１０の上端は、一般に、ターゲット１６４の中央部１６５の突出端部の対向面に平行に形成されている。接地シールド１１０及びターゲット１６４の各々の端部の角度は、図１Ａにおいて直角即ち９０°であり、図１Ｂにおいて約４５°であり、これらは説明目的のためのみであり、他の適した角度も同様に利用可能である。更に、接地シールド１１０はその長さ方向と同様、間隙１２０の幅を調整する手段を有していてもよい。適切な調整手段はセットネジ、調節ネジ、カム、詰め部材、スペーサのようなものを含むことができる。選択的に又は組合わせて、以下に示されるように、接地シールド１１０はターゲット１６４に対して独立して調整可能な複数の部分を含んでいてもよい。一般に、間隙１２０はターゲット１６４と接地シールド１１０の間のアーク放電を防止するのに十分広く、ターゲット１６４と接地シールド１１０の間にプラズマのダークスペース（暗部）を保持するのに十分狭く、これによって、例えば、プラズマのクロー放電が間隙１２０内へ移動することを防止することができる。
【００２２】
図２に、接地シールドアセンブリ１１１の接地シールド１１０と接地フレーム１０８の一実施例の側面断面図を示す。接地シールド１１０は、適切な機械的及び電気的特性及び真空特性を有し、製造プロセスに適合する伝導体材料で製造することができる。例えば、接地シールド１１０はステンレス、アルミニウムのような伝導体物質で形成することができる。選択的に、接地シールド１１０は上述した適切な伝導体材料でコーティングされた非伝導物質を含んでいてもよい。
【００２３】
一実施例において、接地シールド１１０は、壁部２０２の上端部２０６とターゲット１６４の中央部１６５の突出端部２０８の間に小間隙２１０を維持するように保持される壁部２０２を備えている。壁部２０２の上端部２０６は、間隙２１０が壁部２０２の端部２０６とターゲット１６４の突出端部２０８の間で実質的に均一且つ平行であるように形成され又は保持される。図２に示されている上端部２０６の角度は説明のためだけのものである。ターゲット１６４の突出端部２０８と実質的に平行となるのに必要な他の角度を採用することができると考えられる。
【００２４】
壁部２０２は様々な長さを有していてもよく、少なくともターゲット１６４の中央部１６５と同一面となるのに十分な長さを有している。壁部２０２がターゲット１６４の中央部１６５を通り越して延伸している一実施例において、壁部２０２はターゲット１６４に対して実質的に垂直に保持されていてもよく又は所定の角度で保持されていてもよい。例えば、図２に示される実施例において、壁部２０２はターゲット１６４に対し実質的に垂直に保持されている。選択的に、壁部２０２はチャンバ１００の中心に向って又はこれと離れる方向に傾斜していてもよい。
【００２５】
接地シールド１１０は接地フレーム１０８によりターゲット１６４に関連する位置に保持される。接地シールド１１０は適した方法で接地フレーム１０８に連結することができる。一実施例において、フランジ２０４が接地シールド１１０の壁部２０２から延伸している。フランジ２０４は、ネジ２２２により接地フレーム１０８に連結されることを可能にするために形成された穴部２０５を有している。間隙２１０を保持することを可能にするため、穴部２０５は特大のサイズを有し又はスロットとして形成されてもよく、これによってネジ２２２を閉める前にターゲット１６４に対して接地シールド１１０を配置することが可能になる。配置及び調節のための他の構造を選択的に又は組合わせ用いることも可能であると考えられる。例えば、間隙２１０の適切な配地及び空間形成のため、セットネジ、調節ボルト、カム、挿入部材、スペーサのようなものを単独又は組合わせて使用することができる。
【００２６】
更に、選択的に又は本明細書に開示されている他の実施例と組合わせて、接地シールド１１０は、接地シールド１１０の上端部２０６とターゲットの端部２０８の間の境界の周辺に沿った間隙２１０の局地的な配列を可能にする複数の部分、モジュール又は部材を含んでいてもよい。これによって、蓋アセンブリの要素及びその設置の公差及び誤差の補正を有利に行なうことが可能になる。
【００２７】
例えば、図３は蓋アセンブリ１０６に連結されている図２の接地シールド１１０の底面図である。図３に示される実施例において、接地シールド１１０はターゲット１６４を囲むように配置される複数のセクション３０２（構成部分）を備えている。各々のセクション３０２はネジ２２２により伝導体フレーム２１２に連結されている。複数のセクション３０２により間隙２１０を局地的に保持することが可能になる（接地フレーム１１０の特定のセクション３０２に隣接した領域の保持）。
【００２８】
セクション３０２は互いに隣接しており、選択的に小間隙３０４がセクション３０６の各々の間に存在していてもよい。間隙３０４は、プラズマのグロー放電が間隙３０４内に侵入するのを防止するのに十分狭いべきである。間隙３０４により、各々のセクション３０２のある程度の独立した角度調整が可能となり、各々のセクションの壁部２０２とターゲット１６４の突出端部２０８の間の間隙２１０をより正確に保持することが可能になる。各々のセクション３０２の壁部２０２の側部は直線であっても傾斜していてもよい。例えば、壁部２０２の側壁３０６は直線であり、即ち、フランジ２０４の側部３１０に対し配列され、又は壁部２０２の面３１２に対し実質的に垂直であってもよい。選択的に、壁部の側部３０８は傾斜しており、即ち、フランジ２０４の側部３１０に対して配列されておらず（非平行）、又は壁部２０２の表面３１２に対し非垂直である。側部３０８の角度は間隙３０４を介した「視野のライン」を防ぐのに十分な角度であればよく、例えば、側部３０８は壁部２０２の表面３１２に非垂直であってもよい。また、フランジ２０４の側部３１０は壁部２０２の表面３１２に非垂直であってもよい。例えば、側部１０８及び側部１１０は同一角度に形成されていてもよい。図３に示される実施例において、端部３０８の角度は約４５°である。
【００２９】
各々のセクション３０２は、特定の応用に好ましい選択可能な幅Ｗを有している。例えば、セクション３０２の幅Ｗは、ほとんどの要素が所望されていない場合又はターゲット及びセクション３０２の公差がより正確であると知られている場合にはより大きくてもよい。選択的に、幅Ｗは、より多くのセクション３０２が必要とされる場合には、小さくてもよい。幅Ｗはターゲット１１４のサイズに基づいて選択することができる。例えば、セクション３０２の幅Ｗは、ターゲット１６４のサイズにより必要とされるセクションの数
及びセクション３０２の幅Ｗにより制御される配置の所望の柔軟性を比較考量して選択することができる。
【００３０】
また、セクション３０２により、接地フレーム１１０を様々なサイズのターゲットに用ることができるモジュラーシステムの一部とすることが可能になり、これによって様々なサイズのターゲットを有するチャンバの操作に必要な部品の数及びコストを低減することが可能になる。全てのセクション３０２が同一幅Ｗを有する必要がないと考えられる。例えば、特別なセクションを角度を有するターゲットの角領域のために形成してもよく、複数の幅のセクションをセクション３０２の配列の柔軟性を大きくするため又は異なるサイズの複数のターゲットために用いてもよい。更に、本明細書に示されている実施例は四角形ターゲット１６４を示しているが、接地シールド１１０及びセクション１０２を所望の形状に形成してもよく、例えば、選択されたターゲットの周辺の小間隙を維持するため、使用されるターゲットの形状に合わせて多角形又はカーブ形状であってもよい。
【００３１】
再度図２を参照すると、一実施例において、接地フレーム１０８は、電気的伝導フレーム２１２及び分離プレート２１４を備えることによりターゲット１６４から接地シールド１１０を絶縁すると共に、接地シールド１１０と接地チャンバ壁１５２の間の接地経路を提供する。伝導体フレーム２１２は、例えば、ネジ２２２により、接地シールド１１０に直接的に連結されていてもよい。接地フレーム１０８の伝導部、例えば、伝導フレーム２１２は接地シールド１１０と同一の伝導物質で形成されていてもよい。
【００３２】
分離プレート２１４は電気伝導フレーム２１２と蓋アセンブリ１０６のターゲット１６４の間に配置される。分離プレート２１４は電気的な非伝導物質で形成され、伝導フレーム２１２をターゲット１６４から電気的に分離するために用いられる。分離プレート２１４は適切な処理適合手段により所定の場所に保持される。図２に示される実施例において、分離プレート２１４は複数のネジ（１個のネジ２２０が示されている）により伝導フレーム２１２に締結される。分離プレート２１４は、適切な機械的、電気的及び真空特性を有するプロセスに適合する物質で形成することができる。例えば、分離プレート２１４は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、塩化ポリビニル（ＰＶＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ガラス補強プラスチック（例えば、Ｇ１０）、アセタールホモポリマ（ＤＥＬＲＩＮ（商標名））のようなもので形成することができる。
【００３３】
接地フレーム１０８は接地シールド１１０を所定の場所に支持するために構成されており、プロセスに適した方法でターゲットに固定される。図２に示される実施例において、接地フレーム１０８をターゲット１６４に締結するために、ネジ２１８が用いられる。ネジ２１８が伝導物質である実施例において、伝導フレーム２１２からのターゲット１６４の電気的な分離を維持するため絶縁カラー２１６を用いることができる。絶縁カラー２１６は分離プレート２１４と同一物質で形成することができる。図２−３で示される実施例において、接地フレーム１０８はターゲットを取り囲むアセンブリである。しかしながら、接地フレーム１０８は設置されたターゲット１６４に対し接地シールド１１０をしっかりと固定するのに適した他の構造を有することができると考えられる。
【００３４】
接地フレーム１０８及び接地シールド１０８が装着された蓋アセンブリ１０６は、チャンバ１０２の壁部１５２上に配置される。伝導フレーム２１２と接地チャンバ壁１５２の間の直接的な接触により、接地シールド１１０のための電気的接地経路が提供される。接地フレーム１０８は、単にチャンバ１０２の壁部１５２上に配置してもよい。選択的に、蓋アセンブリ１０６をチャンバ壁１５２に固定するため、ボルト、クランプのような複数の締結具を用いることができる。追加的に、チャンバ１０２の壁部１５２に対し蓋アセンブリ１０６を配置し保持することを可能にするため、１又はそれ以上の位置決めピン２３０又は他の機構を用いることができる。
【００３５】
接地フレーム１０８と壁部１５２の間の境界は、処理の際、処理空間１６０内の真空を維持するため十分にしっかりと閉鎖されるべきである。追加的に、壁部１５２と伝導フレーム２１２の間に封止部材を配置し、壁部１５２と伝導フレーム２１２の間の境界に沿って空気漏れが起きないようにすることができる。この封止部材はガスケット、O−リング又は本技術分野で公知である他の適切な機構を含むことができる。図２に示される実施例において、壁部１５２と伝導フレーム２１２の間に封止部材２３４が配置され、その間に封止部を形成している。更に、蓋アセンブリ１０６と接地フレーム１０８の間の境界に沿った処理空間１６０（図１Ａに示されている）と処理チャンバ１００外部の大気の間の漏れを低減するため封止部材を追加的に用いることができる。一実施例において、封止部材２２８は接地フレーム１０８とターゲット１６４の間に配置される。追加的に、封止部材２２８は、複数のネジ（１個のネジ２２４が図２に示されている）のような適切な手段により伝導フレーム２１２に設けられる非伝導保持部材２２６により所定の場所に保持されることができる。保持部材２２６は分離プレート２１４と同一物質で形成することができる。選択的に、封止部材は分離プレート２１４とターゲット１６４の間の境界に沿って形成される溝内に配置されることができ、保持部材２２６を用いることなく分離プレート２１４と接地フレーム２１２の間に配置することも可能である。
【００３６】
再度図１Ａにおいて、コントローラ１９０は、典型的には、処理チャンバ１００と接し、これを制御する。コントローラ１９０は、典型的には、中央演算装置（ＣＰＵ）１９４、補助回路１９６及びメモリ１９２を備えている。ＣＰＵ１９４は、種々のチャンバ及びサブプロセッサを制御するため産業用のコンピュータプロセッサでよい。メモリ１９２はＣＰＵ１９４に連結されている。メモリ１９２又はコンピュータ読取り可能な媒体は、内蔵・直接連結型又は分離型のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フレキシブルディスク、ハードディスク又はデジタル記憶装置のような容易に読取り可能なメモリの１つ又はそれ以上でよい。補助回路１９６は従来の方法でプロセッサを補助するためにＣＰＵ１９４に連結されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムのようなものを含む。コントローラ１９０は、実行される堆積プロセスを含む処理チャンバ１００の作用を制御するために用いることができる。
【００３７】
従って、本考案によれば、改良された接地シールドが提供される。接地シールドは蓋アセンブリに直接的に連結され、ターゲットに対する接地シールドの正確な配置を可能にするという利点を有する。更に、蓋アセンブリをチャンバ上に配置する前に間隙を設定することができるので、蓋が配置された後に接地シールドとターゲットの間の間隙を調節する必要がなくなる。更に、接地シールドは、ターゲットの周辺部に沿った間隙のより正確な配列を可能にする部分を備えることができる。更に、調節可能なターゲット／接地シールド配列を有しない従来のチャンバで必要とされるようなコストのかかる機械によるピン及び／又は部品の配置の必要性もなくすことができる。
上述した説明は本考案の実施例を対象とするものであるが、本考案の他の及び追加的な実施例は本考案の基本的な範囲から逸脱することなく案出することができ、その範囲は実用新案登録請求の範囲に基づいて決定される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
上記で要約される本考案のより詳細な説明は実施の形態を参照することにより得られるものであり、これらのいくつかは添付図面に説明されており、この方法で本考案の上述した構成を詳細に理解することが可能になる。しかしながら、添付図面は本考案の典型的な実施例のみを説明するものであり、従って、これらは本考案の範囲を限定するものと理解すべきでなく、本考案は他の同等に効果的な実施例を含むものと理解されなければならない。本考案の理解を容易にするため、各図面に共通している同等の要素を特定するためには、可能な限り同一の参照番号が用いられる。
【図１Ａ】本考案の接地シールドを有するＰＶＤチャンバの簡略断面図である。
【図１Ｂ】ＰＶＤチャンバの接地シールド、ターゲット及びチャンバ本体の間の境界の細部を示す概略図である。
【図２】接地シールドの他の実施例の断面図である。
【図３】図２の接地シールドの底面図である。
【図１Ａ】
0003123802.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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