【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該光電変換層上に第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に結晶質半導体膜からなる光電変換層と、該光電変換層上に第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に一部接し非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該光電変換層上に第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に一部接し結晶質半導体膜からなる光電変換層と、該光電変換層上に第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極を覆って形成された非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該光電変換層上に第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極を覆って形成された結晶質半導体膜からなる光電変換層と、該光電変換層上に第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ｎチャネル型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有するｎチャネル型の薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に一部接するｐ型の非晶質半導体層と、該ｐ型の非晶質半導体層上に接する非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層上に接するｎ型の非晶質半導体層と、該ｎ型の非晶質半導体層上に接する第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有するｎチャネル型の薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に一部接するｐ型の結晶質半導体層と、該ｐ型の結晶質半導体層上に接する非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層上に接するｎ型の結晶質半導体層と、該ｎ型の結晶質半導体層上に接する第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有するｎチャネル型の薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に一部接するｐ型の非晶質半導体層と、該ｐ型の非晶質半導体層上に接する非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層上に接するｎ型の結晶質半導体層と、該ｎ型の結晶質半導体層上に接する第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
光センサー素子と増幅回路とを有し、
前記増幅回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは結晶構造を有する半導体膜を有するｎチャネル型の薄膜トランジスタからなり、
前記光センサー素子は、第一の電極と、該第一の電極上に一部接するｐ型の結晶質半導体層と、該ｐ型の結晶質半導体層上に接する非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層と、該非晶質構造を有する半導体膜からなる光電変換層上に接するｎ型の非晶質半導体層と、該ｎ型の非晶質半導体層上に接する第二の電極とを有し、
前記第一の電極は、前記光電変換層の一部に重なり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記光電変換層に入射される光は、前記光電変換層の前記第一の電極側から入射されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第一の電極は、金属膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記第二の電極は、金属膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記第二の電極は、Ｔｉ膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、
前記光センサー素子および前記増幅回路は、プラスチック基板上に接着層を介して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、
外部端子は２端子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、
前記増幅回路は、カレントミラー回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１７のいずれか一において、
前記増幅回路は、少なくとも第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第１の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記光センサー素子の第一の電極または第二の電極の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の端子電極に電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第１の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの一方、及び前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の端子電極と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２の端子電極と電気的に接続され、
前記光センサー素子の第一の電極または第二の電極の他方の電極は前記第２の端子電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一に記載の半導体装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、プロジェクタ、テレビ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、画像再生装置、または携帯情報端末。