【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体装置が被実装体にフリップチップ実装されてなる実装構造体の製造方法であって、
前記半導体装置の電気的接続部と前記被実装体の電気的接続部とを導電性接着剤により接続する接続工程と、
それぞれ電気的接続に関与しない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着剤により接着する接着工程と、
前記接着工程の前に行う工程であって、前記半導体装置の接着剤当接領域および／または前記被実装体の接着剤当接領域に、所定の処理によってその接着力が弱まる剥離層を形成する剥離層形成工程と、
互いに接続された前記半導体装置や前記被実装体の電気特性検査を行う検査工程と、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記所定の処理を施すことで前記剥離層の接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離する一方、前記検査工程で特性良好と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体との間を封止する分離／封止工程と、
を含むことを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の実装構造体の製造方法であって、
前記接続工程で用いる導電性接着剤として、熱可塑性樹脂を含んだものを用いることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項３】請求項１または２記載の実装構造体の製造方法であって、
前記接着工程で用いる接着剤として、熱硬化性樹脂を含んだものを用いることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項４】請求項３記載の実装構造体の製造方法であって、
前記接着工程において、前記接着剤をそのガラス転移点より低温で硬化させることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項５】請求項１または２記載の実装構造体の製造方法であって、
前記接着工程で用いる接着剤として、低融点金属を用いることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれか記載の実装構造体の製造方法であって、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記分離／封止工程において、前記接着剤に捩り力を加えて前記半導体装置と前記被実装体とを分離することを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項７】請求項１記載の実装構造体の製造方法であって、
前記剥離層形成工程において、溶剤との反応で膨潤してその接着力が弱まる膨潤体を前記剥離層として形成し、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記分離／封止工程において、前記剥離層と前記接着剤との間の接着界面に溶剤を付加することで前記剥離層を膨潤させてその接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離することを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項８】請求項１記載の実装構造体の製造方法であって、
前記剥離層形成工程において、加熱処理により発泡してその接着力が弱まる発泡体を前記剥離層として形成し、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記剥離層と前記接着剤との間の接着界面を加熱することで前記剥離層を発泡させてその接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離することを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項９】請求項１記載の実装構造体の製造方法であって、
前記剥離層形成工程において、ガラス転移もしくは溶融する温度が前記接着剤より低い物質を前記剥離層として形成し、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記剥離層と前記接着剤との間の接着界面を、前記剥離層だけがガラス転移もしくは溶融する一方、前記接着剤はガラス転移もしくは溶融しない温度まで加熱することで、前記剥離層を選択的に軟化させてその接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離することを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項１０】半導体装置が被実装体にフリップチップ実装されてなる実装構造体の製造方法であって、
前記半導体装置の電気的接続部と前記被実装体の電気的接続部とを導電性接着剤により接続する接続工程と、
それぞれ電気的接続に関与しない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着剤により接着する接着工程と、
前記接着工程の前に行う工程であって、前記半導体装置の接着剤当接領域および／または前記被実装体の接着剤当接領域に、前記接着剤の接着力を弱めるふっ素樹脂層を形成するふっ素樹脂層形成工程と、
互いに接続された前記半導体装置や前記被実装体の電気特性検査を行う検査工程と、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体とを分離する一方、前記検査工程で特性良好と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体との間を封止する分離／封止工程と、
を含むことを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項１１】請求項１ないし１０のいずれか記載の実装構造体の製造方法であって、
前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記分離／封止工程において、前記接着剤に捩り力を加えて前記半導体装置と前記被実装体とを分離することを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項１２】半導体装置を被実装体の実装面にフリップチップ実装された実装構造体であって、
それぞれ電気的接続に関与していない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着する接着剤を設けるとともに、当該接着剤と前記半導体装置の間および／または当該接着剤と前記被実装体との間に、所定の処理によってその接着力が弱まる剥離層を設けることを特徴とする実装構造体。
【請求項１３】請求項１２記載の実装構造体であって、
前記剥離層は、溶剤との反応で膨潤してその接着力が弱まる膨潤体であることを特徴とする実装構造体。
【請求項１４】請求項１２記載の実装構造体であって、
前記剥離層は、加熱処理により発泡してその接着力が弱まる発泡体であることを特徴とする実装構造体。
【請求項１５】請求項１２記載の実装構造体であって、
前記剥離層は、前記接着剤よりガラス転移もしくは溶融する温度が低い物質であることを特徴とする実装構造体。
【請求項１６】半導体装置を被実装体の実装面にフリップチップ実装された実装構造体であって、
それぞれ電気的接続に関与していない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着する接着剤を設けるとともに、当該接着剤と前記半導体装置の間および／または当該接着剤と前記被実装体との間に、前記接着剤の接着力を弱めるふっ素樹脂層を設けることを特徴とする実装構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、半導体装置が被実装体にフリップチップ実装されてなる実装構造体の製造方法であって、前記半導体装置の電気的接続部と前記被実装体の電気的接続部とを導電性接着剤により接続する接続工程と、それぞれ電気的接続に関与しない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着剤により接着する接着工程と、前記接着工程の前に行う工程であって、前記半導体装置の接着剤当接領域および／または前記被実装体の接着剤当接領域に、所定の処理によってその接着力が弱まる剥離層を形成する剥離層形成工程と、互いに接続された前記半導体装置や前記被実装体の電気特性検査を行う検査工程と、前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記所定の処理を施すことで前記剥離層の接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離する一方、前記検査工程で特性良好と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体との間を封止する分離／封止工程とを含むことで、上述した課題を解決している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明は、半導体装置が被実装体にフリップチップ実装されてなる実装構造体の製造方法であって、前記半導体装置の電気的接続部と前記被実装体の電気的接続部とを導電性接着剤により接続する接続工程と、それぞれ電気的接続に関与しない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着剤により接着する接着工程と、前記接着工程の前に行う工程であって、前記半導体装置の接着剤当接領域および／または前記被実装体の接着剤当接領域に、所定の処理によってその接着力が弱まる剥離層を形成する剥離層形成工程と、互いに接続された前記半導体装置や前記被実装体の電気特性検査を行う検査工程と、前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記所定の処理を施すことで前記剥離層の接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離する一方、前記検査工程で特性良好と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体との間を封止する分離／封止工程とを含むことに特徴を有しており、これにより次のような作用を有する。すなわち、接着剤により半導体装置と被実装体とを強固に接着した状態で検査工程を実施できるので、半導体装置や被実装体の電気特性を精度高く検査することができる。さらには、電気特性不良と判断する場合に行う所定の処理によって剥離層と接着剤との密着性を弱めたうえで、半導体装置と被実装体とを分離するので、半導体装置や被実装体に損傷を生じさせることなく、容易に半導体装置と被実装体とを分離することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項７に記載の発明は、請求項１記載の実装構造体の製造方法であって、前記剥離層形成工程において、溶剤との反応で膨潤してその接着力が弱まる膨潤体を前記剥離層として形成し、前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記分離／封止工程において、前記剥離層と前記接着剤との間の接着界面に溶剤を付加することで前記剥離層を膨潤させてその接着力を弱めたうえで、前記半導体装置と前記被実装体とを分離することに特徴を有しており、これにより次のような作用を有する。すなわち、接着剤により半導体装置と被実装体とを強固に接着した状態で検査工程を実施できるので、半導体装置や被実装体の電気特性を精度高く検査することができる。さらには、電気特性不良と判断する場合に行う剥離層の膨潤処理によって剥離層と接着剤との接着力を弱めたうえで、半導体装置と被実装体とを分離するので、半導体装置や被実装体に損傷を生じさせることなく、容易に半導体装置と被実装体とを分離することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
なお、剥離層としては、請求項８に記載したように、加熱処理により発泡してその接着力が弱まる発泡体であってもよいし、請求項９に記載したように、接着剤よりガラス転移もしくは溶融する温度が低い物質であってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項１０に記載の発明は、半導体装置が被実装体にフリップチップ実装されてなる実装構造体の製造方法であって、前記半導体装置の電気的接続部と前記被実装体の電気的接続部とを導電性接着剤により接続する接続工程と、それぞれ電気的接続に関与しない前記半導体装置の領域と前記被実装体の領域とを接着剤により接着する接着工程と、前記接着工程の前に行う工程であって、前記半導体装置の接着剤当接領域および／または前記被実装体の接着剤当接領域に、接着剤の接着力を弱めるふっ素樹脂層を形成するふっ素樹脂層形成工程と、互いに接続された前記半導体装置や前記被実装体の電気特性検査を行う検査工程と、前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体とを分離する一方、前記検査工程で特性良好と判断する場合には、前記半導体装置と前記被実装体との間を封止する分離／封止工程とを含むことに特徴を有しており、これにより次のような作用を有する。すなわち、接着剤により半導体装置と被実装体とを接着した状態で検査工程を実施できるので、半導体装置や被実装体の電気特性を精度高く検査することができる。さらには、ふっ素樹脂層により、接着剤の接着力を弱めているので、電気特性不良と判断して半導体装置と被実装体とを分離する際に、半導体装置や被実装体に損傷を生じさせることなく、容易に半導体装置と被実装体とを分離することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項１１に記載の発明は、請求項７ないし１０のいずれかに係る実装構造体の製造方法であって、前記検査工程で特性不良と判断する場合には、前記分離／封止工程において、前記接着剤に捩り力を加えて前記半導体装置と前記被実装体とを分離することに特徴を有しており、これにより次のような作用を有する。すなわち、検査工程で特性不良と判断する場合に実施する次の処理、つまり、接着剤に捩り力を加えて半導体装置と被実装体とを分離する処理は、比較的小さな力で確実に半導体装置と被実装体とを分離することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項７〜１１で記載した製造方法で作成した実装構造体としては、請求項１２〜１６に記載したものがある。