【事件の表示】
　平成　３年特許願第１７７３３４号「ＭＩＳ電界効果トランジスタ」において、平成１２年６月３０日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成３年６月２２日の出願であって、平成１２年６月３０付けで手続補正がなされたところ、原審において、この手続補正について平成１２年７月１８日付けで決定（以下、「原決定」という。）をもって却下された。
　
２．原決定の理由
　原決定の理由は次のとおりのものである。
「補正後のこの出願の特許請求の範囲の請求項１には、「前記低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部を、前記第２のトレンチの側面と底面の境界部の前記低濃度ドレイン領域にのみ設けてなること」が付加されている。
　しかしながら、この出願の願書に最初に添付した明細書には、第２のトレンチ（５）の側面及び底面に、低濃度ドレイン領域であるｎ型ドレイン領域（７）を形成できること、並びに第１及び第２のトレンチ（３、５）に平坦な拡散層を持つ、高濃度ドレイン領域であるｎ＋型ドレイン領域（８）を形成できることが記載されているだけであり、「前記低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部を、前記第２のトレンチの側面と底面の境界部の前記低濃度ドレイン領域にのみ設けてなること」は、この出願の願書に最初に添付した明細書には記載されておらず、また、この出願の願書に最初に添付した明細書の記載から自明のことであるとも認められない。
　さらに、この出願の願書に最初に添付した図面には、第２のトレンチ（５）の側面及び底面に低濃度ドレイン領域であるｎ型ドレイン領域（７）が設けられている様子が示されているが、特許出願の願書に添付する図面は、その発明の要旨を、特許出願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載と相まって、理解し易く説明するために作成提出されるものであるから、この出願の願書に最初に添付した図面を根拠として、「前記低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部を、前記第２のトレンチの側面と底面の境界部の前記低濃度ドレイン領域にのみ設けてなること」が、この出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていたとは認められず、また、この出願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載からみて自明のことであるとも認められない。
　したがって、この出願の特許請求の範囲の請求項１に対する前記の補正は、明細書の要旨を変更するものである。
　よって、この補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。」
　
３．補正の主な内容
　まず、補正の主な内容を検討するに、上記日付でした手続補正は、願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）に記載された特許請求の範囲の請求項１に、「、前記低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部を、前記第２のトレンチの側面と底面の境界部の前記低濃度ドレイン領域にのみ設け」を付加するものである。（以下、「補正事項」という。）
　
４．当審の判断
　上記補正事項は、低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部が、第２のトレンチの側面と底面の境界部の前記低濃度ドレイン領域にのみ設けられ、他の低濃度及び高濃度ドレイン領域には設けられていない、ということを意味するものである。
　したがって、（１）第２のトレンチの側面と底面の境界部の低濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部の有無、（２）他の低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部の有無、について検討する。
　
（１）第２のトレンチの側面と底面の境界部の低濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部の有無について
　当初明細書【０００６】【実施例】中に「図４（ｂ）・・・次いで窒化膜２４及び酸化膜４をマスク層として、第２のトレンチ５の側面及び底面に燐を斜めイオン注入する。・・・図４（ｃ）・・・次いで熱処理をおこない、第２のトレンチ５の側面及び底面にｎ型ドレイン領域７を形成する。」との記載がある。
　この記載のようにｎ型ドレイン領域７（低濃度ドレイン領域）を形成した場合、イオンはトレンチ５表面から一定距離しか注入されないので、第２のトレンチ５の側面と底面の境界部（角部）においては、曲がって形成され、さらに熱処理をしても、水平方向と垂直方向が混在して等方的に拡散されるので、カーブ面が生ずることになり、この点は、願書に最初に添付した図面（以下、「当初図面」という。）の図１〜４の記載とも一致する。
　したがって、第２のトレンチの側面と底面の境界部の低濃度ドレイン領域における不純物拡散層に曲率部が設けられていることは、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の記載から明らかである。
　
（２）他の低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層の曲率部の有無について
　他の低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層として、（２−１）高濃度ドレイン領域、（２−２）第２のトレンチの上端部の低濃度ドレイン領域、（２−３）立体的にあらゆる角度から見た場合、における曲率部の有無について検討する。
　
（２−１）高濃度ドレイン領域の曲率部の有無について
　当初明細書の【０００１】【産業上の利用分野】中の従来例の説明で、「高濃度不純物領域からなるドレイン領域の拡散層を平坦に形成できないため、拡散層のカーブの部分に電界の集中が起こり、接合の耐圧を十分増大できない」とあり、【０００２】【従来の技術】中に「ｎ＋型ドレイン領域５３の拡散層のカーブの箇所に電界が集中し、接合耐圧の上限がきめられるので、極めて高い接合耐圧が得られないこと等の欠点があった。」とある。即ち、従来例として、高濃度ドレイン領域が平坦でなく、拡散層にカーブがあり、その箇所に電界集中が起こることが記載されている。
　そして、本願発明の作用について【０００５】【作用】中に「さらに第１及び第２のトレンチ間に平坦な拡散層を持つ高濃度ドレイン領域を形成でき、・・・高電圧による電界の集中を緩和できるので、接合耐圧を大幅に増大できる」とある。即ち、本願発明では、平坦な拡散層を持つ高濃度ドレイン領域を形成でき、高電圧による電界の集中を緩和できたことが記載されている。
　上記、従来例と本願発明に関する記載を考慮すると、従来例で問題であった高濃度ドレイン領域の拡散層のカーブ部分における電界の集中が無いこと、即ち高濃度ドレイン領域にカーブが無いことを示唆している。
　さらに、【０００６】【実施例】中に「図４（ｅ）次いで通常のフォトリソグラフィー技術を利用し、レジスト（図示せず）、ゲート電極１１、酸化膜４及び酸化膜６をマスク層として、砒素をイオン注入して、ｎ＋型ドレイン領域８及びｎ＋型ソース領域９を画定する。」との記載がある。この記載のようにｎ＋型ドレイン領域８を形成した場合、図１のドレイン領域をみれば、第１の絶縁膜４が埋め込まれた第１のトレンチ３と第２の絶縁膜６が埋め込まれた第２のトレンチ５間に形成されるｎ＋型ドレイン領域８（高濃度ドレイン領域）は、端部が第１のトレンチ３と第２のトレンチ５により画定されるため水平方向に拡散せず、垂直方向のみの拡散となるので平坦な拡散層が形成され、第１，２のトレンチの側面と接する部分にカーブ面が生じないと認められ、この点は当初図面の図１〜４の記載とも一致する。
　したがって、高濃度ドレイン領域に曲率部がないことは、当初明細書等の記載から明らかである。
　
（２−２）第２のトレンチの上端部における低濃度ドレイン領域の曲率部の有無について
　当初明細書【０００６】【実施例】中に「次いで窒化膜２４及び酸化膜４をマスク層として、第２のトレンチ５の側面及び底面に燐を斜めイオン注入する。・・・次いで熱処理をおこない、第２のトレンチ５の側面及び底面にｎ型ドレイン領域７を形成する。」との記載がある。この記載のようにｎ型ドレイン領域７（低濃度ドレイン領域）を形成した場合、斜め（トレンチが深いので垂直に近い角度）にイオン注入されるため、マスク層により第２のトレンチ５の上端部のｎ型ドレイン領域７では斜めの影（イオン注入されない部分）が生ずることになり、熱処理しても完全には水平にならず、曲率部が生ずる場合もあると認められる。
　また、当初図面では、第２のトレンチ５の上端部のｎ型ドレイン領域７は水平に描かれているが、図面は発明を説明するための概略図に過ぎず、図面の記載だけで、第２のトレンチ５の上端部のｎ型ドレイン領域７に曲率部がないとはいえない。
　なお、審判請求人は平成１３年５月３０日付け回答書において、「１０１２ｃｍ−２のオーダーの低ドーズ量で、百ｎｍ程度の浅い横方向の拡散をする場合は、概略平坦な拡散層であると言えます。」と主張しているが、当初明細書【０００６】【実施例】中に「７は１０１６ｃｍ−３〜１０１７ｃｍ−３程度のｎ型ドレイン領域」との記載はあるが、ｎ型ドレイン領域７の深さについての記載はなく、前記主張は採用できない。
　したがって、第２のトレンチの上端部の低濃度ドレイン領域に曲率部がないとした点は、当初明細書等から自明とはいえず、要旨変更である。
　
（２−３）立体的にあらゆる角度から見た場合の曲率部の有無について
　当初明細書等では、断面図についてのみ説明されており、以上の検討でも断面図についてのみ検討したが、平面図及び側面図を含め立体的にあらゆる角度から見た場合、第２のトレンチの側面と底面の境界部以外に曲率部が一切ないか否か検討する。
　例えば、「回」の字状に周囲が素子分離用の第１のトレンチ３であり、その中に、第１のトレンチ３に接しないで「口」状の第２のトレンチ５を形成して、第２のトレンチ５内に斜め方向にイオン注入して熱処理して低濃度ドレイン領域７を形成すると、平面図で見た場合、低濃度ドレイン領域７の角部に曲率部が生ずると考えられる。（平成１３年５月３０日付け回答書の図１参照。）
　しかし、（ａ）当初明細書【０００５】【作用】中に「第２のトレンチの側面及び底面に低濃度ドレイン領域を形成できるため、低濃度ドレイン領域の抵抗をトレンチの深さにより一定に形成できる」との記載があるので、基板表面での直列接続がなく、トレンチの２側面及び底面を直列接続する構造の低濃度ドレイン領域を形成しなければならない。また、（ｂ）【０００５】【作用】中に「さらに第１及び第２のトレンチ間に平坦な拡散層を持つ高濃度ドレイン領域を形成でき」との記載があるので、それぞれ絶縁膜が埋め込まれた第１及び第２のトレンチで周囲を完全に覆われた構造の高濃度ドレイン領域を形成しなければ、平坦な拡散層を持つ高濃度ドレイン領域は形成できない。
　したがって、本願発明においては、例示した上記構造はあり得ず、それぞれ絶縁膜が埋め込まれた第１及び第２のトレンチで周囲を完全に覆われた構造の高濃度ドレイン領域を形成した構造であり（平成１３年５月３０日付け回答書の図２参照。）、上記（１）及び（２−２）以外の低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層に曲率部がないことは、当初明細書等から明らかである。
　
　ゆえに、第２のトレンチの側面と底面の境界部の低濃度ドレイン領域における不純物拡散層に曲率部があることは、上記（１）から自明であるが、上記（２−２）から、他の低濃度及び高濃度ドレイン領域における不純物拡散層に曲率部がないことは自明でないので、上記補正事項は、明細書の要旨を変更するものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、上記補正は明細書の要旨を変更するものである。
　よって、結論のとおり審決する。