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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
炭酸カルシウム中の不純物の含量については、例えば紙に用いる場合、特に着色成分（Fe、Mn等）が問題となる場合があるが、製品の用途にあわせて着色成分含量の少ない原料石灰石から得られる生石灰を適宜選択すればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
苛性化反応時の攪拌は、石灰乳調製時と同様、一般的な攪拌羽根式の攪拌機を使用すれば良いが、反応開始から反応終了までを通して、P/V値で0.1kw/m3以上、好ましくは0.6kw/m3以上の条件で攪拌混合して苛性化反応を行わせる。P/V値が0.1kw/m3未満の場合には、石灰乳と緑液が均一に混合されず、反応が不均一となり、生成する炭酸カルシウムのアラゴナイト結晶含有率が低下するとともに、形状が塊状あるいは不定形となり好ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【表１】
2002284522.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【表２】
2002284522.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002284522.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子銃及び電子ビーム露光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子を放射するカソード部と、
前記カソード部が放射した前記電子を加速する、前記電子が通る開口を有するアノード部と、
前記カソードと前記アノード部の間に配設され、前記放射電子の軌道を制御するバイアス部と、
前記アノード部によって加速された前記電子の一部を遮蔽する遮蔽部と、
前記遮蔽部を冷却する冷却部と、を備え、
前記遮蔽部は、当該遮蔽部に入射する前記電子の入射方向に対して傾斜する傾斜部と、前記傾斜部と前記アノード部との間に配置される閉塞部とを有し、
前記閉塞部は、前記傾斜部により反射した電子が前記アノード部の前記開口を介して前記カソード部と前記アノード部との間に再入射しないように前記電子の一部を遮蔽することを特徴とする電子銃。
【請求項２】  前記カソード部の先端は半球若しくは半球状の部材からなることを特徴とする請求項１に記載の電子銃。
【請求項３】  前記遮蔽部は、前記冷却部と一体化されていることを特徴とする請求項１に記載の電子銃。
【請求項４】  前記遮蔽部と前記冷却部は分離可能であり、当該遮蔽部が高融点材料からなり、これら遮蔽部と冷却部の間に低融点材料を介在させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子銃。
【請求項５】  前記冷却部に絶縁体を設け、当該冷却部に所定抵抗の冷却媒体を通過させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子銃。
【請求項６】  前記遮蔽部に入射する電子を検出する検出部と、当該検出部の検出結果に基づいて印加電圧を制御する制御部とを更に備えることを特徴とする請求項５に記載の電子銃。
【請求項７】  前記アノード部と前記遮蔽部との間に電極を備え、当該電極に電圧を印加することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子銃。
【請求項８】  前記電子銃を同一雰囲気のチャンバー内に複数配列したことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子銃。
【請求項９】  前記複数配列された電子銃の各々は、前記遮蔽部に入射する電子を検出する検出部と、当該検出部の検出結果に基づいて印加電圧を制御する制御部とを備え、前記各制御部は独立して制御されることを特徴とする請求項８に記載の電子銃。
【請求項１０】  請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子銃と、
前記電子銃から放射される電子ビームを用いて露光される基板を保持して移動するステージと、を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
［態様１］
電子を放射するカソード部と、前記カソード部が放射した前記電子を加速する、前記電子が通る開口を有するアノード部と、前記カソードと前記アノード部の間に配設され、前記放射電子の軌道を制御するバイアス部と、前記アノード部によって加速された前記電子の一部を遮蔽する遮蔽部と、前記遮蔽部を冷却する冷却部と、を備え、前記遮蔽部は、当該遮蔽部に入射する前記電子の入射方向に対して傾斜する傾斜部と、前記傾斜部と前記アノード部との間に配置される閉塞部とを有し、前記閉塞部は、前記傾斜部により反射した電子が前記アノード部の前記開口を介して前記カソード部と前記アノード部との間に再入射しないように前記電子の一部を遮蔽する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
［態様３］
上記態様１において、前記遮蔽部は、前記冷却部と一体化されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
［態様１０］
電子ビーム露光装置であって、上記態様１〜９のいずれかに記載の電子銃と、前記電子銃から放射される電子ビームを用いて露光される基板を保持して移動するステージと、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  誘電率が２以下の材料間に配線パターンが形成された基板を、研磨圧力を0.01〜0.2psiとして研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。
【請求項２】  請求項１に記載のＣＭＰ研磨方法であって、研磨圧力を0.01〜0.1psiとして研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。
【請求項３】  前記誘電率が２以下の材料がポーラスな絶縁材であり、前記基板を前記基板より小径の研磨パッドを用いて、前記研磨パッド表面の巨視的な平坦度を５μｍ以下に、前記基板の表面の巨視的な平坦度を３μｍ以下に保った状態で研磨することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＣＭＰ研磨方法。
【請求項４】  前記研磨パッドと前記基板間の相対速度を6.5m/sec以下として研磨を行うことを特徴とする請求項３に記載のＣＭＰ研磨方法。
【請求項５】  請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載のＣＭＰ研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、研磨圧力を0.01〜0.1psiとして研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法（請求項２）である。
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第１の手段又は第２の手段であって、前記誘電率が２以下の材料がポーラスな絶縁材であり、前記基板を前記基板より小径の研磨パッドを用いて、前記研磨パッド表面の巨視的な平坦度を５μｍ以下に、前記基板の表面の巨視的な平坦度を３μｍ以下に保った状態で研磨することを特徴とするもの（請求項３）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第３の手段であって、研磨パッドと基板間の相対速度を6.5m/sec以下として研磨を行うことを特徴とするもの（請求項４）である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記課題を解決するための第５の手段は、前記第１の手段から第４の手段のいずれかであって、ＣＭＰ研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法（請求項５）である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁材料の上面に形成し表面にバリア材料を成膜した配線用凹部の内部に配線材料を埋込み、不要の配線材料及びバリア材料を除去し表面を平坦化するにあたり、
前記配線材料の表面の段差を解消して該表面を平坦化するステップと、
非配線部分に位置する前記配線材料を薄膜化するか、または該配線材料の一部が前記バリア材料の上に残るまで前記配線材料を除去するステップと、
薄膜化した前記配線材料またはバリア材料の上に一部残った前記配線材料を除去し、前記バリア材料を表出させるか、または加工するステップと、
不要の前記配線材料と前記バリア材料を、非配線部分に位置する前記バリア材料が薄膜化するか、または非配線部分の前記バリア材料の一部が残るまで同時に除去する前記薄膜化した前記配線材料またはバリア材料の上に一部残った前記配線材料を除去し、前記バリア材料を表出させるか、または加工するステップより小さな加工圧力で加工するステップと、
不要の前記配線材料及び薄膜化した前記バリア材料を除去し、非配線部分の前記絶縁材料を表出させるか、または加工するステップを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】  不要の前記配線材料、前記バリア材料及び前記絶縁材料を同時に除去するステップを更に有することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】  絶縁材料の上面に形成し表面にバリア材料を成膜した配線用凹部の内部に配線材料を埋込み、不要の配線材料及びバリア材料を除去し表面を平坦化するにあたり、
前記配線材料の表面の段差を解消して該表面を平坦化する第１ステップと、
非配線部分に位置する前記配線材料を薄膜化するか、または該配線材料の一部が前記バリア材料の上に残るまで前記配線材料を除去する第２ステップと、
薄膜化した前記配線材料またはバリア材料の上に一部残った前記配線材料を除去し、前記バリア材料を表出させるか、または加工する前記第２ステップより小さな加工圧力で加工する第３ステップと、
不要の前記配線材料と前記バリア材料を、非配線部分に位置する前記バリア材料が薄膜化するか、または非配線部分の前記バリア材料の一部が残るまで同時に除去する第４ステップと、
不要の前記配線材料及び薄膜化した前記バリア材料を除去し、非配線部分の前記絶縁材料を表出させるか、または加工する第５ステップとを順次経ることを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】  不要の前記配線材料、前記バリア材料及び前記絶縁材料を同時に除去する第６ステップを更に有することを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】  前記不要の前記配線材料と前記バリア材料を、非配線部分の前記バリア材料が薄膜化するか、または非配線部分の前記バリア材料の一部が残るまで同時に除去するステップを、前記配線材料と前記バリア材料を独立して加工することによって行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】  絶縁材料の上面に形成した配線用凹部の内部に配線材料を埋込み、不要の配線材料を除去し表面を平坦化するにあたり、
非配線部分に位置する前記配線材料を薄膜化するか、または非配線部分上の該配線材料が一部残るまで前記配線材料を除去する第１ステップと、
非配線部分の薄膜化した前記配線材料または一部残った前記配線材料を完全に除去し、非配線部分において前記配線材料の下に存在する下地表面を表出させる前記第１ステップより小さな加工圧力で行なうと共に、異種材料を同じ加工速度で加工する第２ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】  前記第１ステップは、前記配線材料の表面の段差を解消するステップを更に含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。
【請求項８】  前記第１ステップは、非配線部分に位置する前記配線材料の膜厚が３００ｎｍ以下になった時点で終了することを特徴とする請求項６または７記載の基板処理方法。
【請求項９】  非配線部分に位置する前記電気導電材料の膜厚を、渦電流式または光学的式の膜厚測定手段により検知することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１０】  前記第２ステップにおける加工圧力を前記第１ステップにおける加工圧力より小さくすると共に前記第２ステップにおける前記配線材料の除去加工速度を前記第１ステップにおける前記配線材料の除去加工速度より遅くすることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１１】  前記第２ステップを基板に圧力を加えつつ行い、前記第１ステップを前記第２ステップよりも小さい圧力を基板に加えつつ行うことを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】  非配線部分において、前記下地を該下地の更に下の物質が露出するまで除去するステップを更に有することを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１３】  前記下地を除去するステップは、下地を薄膜化するか、または一部を残すまで下地を除去するステップと、非配線部分において下地の更に下に存在する材質が表出するまで該下地を除去するステップとを有することを特徴とする請求項１２記載の基板処理方法。
【請求項１４】  表面にバリア材料を成膜した配線用凹部の内部に配線材料を埋込み、不要の前記配線材料及び前記バリア材料を除去し表面を平坦化するにあたり、
不要の前記配線材料及び前記バリア材料を、非配線部分に位置する前記バリア材料が薄膜化するか、または非配線部分の該バリア材料の一部が残るまで同時に除去する第１ステップと、
不要の前記配線材料及び薄膜化した前記バリア材料または一部残った前記バリア材料を除去し、非配線部分において前記バリア材料の下に存在する下地表面を表出させる第１ステップより小さな加工圧力で加工する第２ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】  前記第２ステップを基板に圧力を加えつつ行い、前記第１ステップを前記第２ステップよりも小さい圧力を基板に加えつつ行うことを特徴とする請求項１４記載の基板処理方法。
【請求項１６】  終点検知装置を備え、基板ホルダで保持した基板に電解加工を行う電解加工部と、
終点検知装置を備え、基板ホルダで保持した基板にＣＭＰを行うＣＭＰ部と、
基板を搬送する基板搬送装置とを有し、
基板は、前記電解加工部と前記ＣＭＰ部の両方で加工されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】  前記電解加工は、複合電解加工、電解液を使用した電解加工、触媒を利用した電解加工、一般の電解加工を含むことを特徴とする請求項１６記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原版のパターンを基板に露光する露光装置において、
少なくとも１つの光学部材と、
前記少なくとも１つの光学部材を位置決めする位置決め部とを有し、
前記位置決め部において、前記少なくとも１つの光学部材が前記露光装置に対して着脱可能であることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  原版のパターンを基板に露光する露光装置において、
前記少なくとも１つの光学部材を支持する第１支持部材を有し、
前記位置決め部は前記第１支持部材を位置決めしていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】  前記第１支持部材は、前記少なくとも１つの光学部材をキネマチック支持していることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】  前記第１支持部材が凸部又は溝状部を有し、前記光学部材が溝状部又は凸部を有しており、前記第１支持部材の凸部又は溝状部と前記光学部材の溝状部又は凸部とを互いに接触させることによって、前記光学部材の位置決めを行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】  前記少なくとも１つの光学部材と前記第１支持部材のうちの少なくとも一方に対して振動を与える第１の加振手段を有することを特徴とする請求項２乃至４いずれかに記載の露光装置。
【請求項６】  前記第１支持部材に支持されており、前記少なくとも１つの光学部材を支持する第２支持部材を有しており、
前記少なくとも１つの光学部材と前記第２支持部材との間において着脱可能であることを特徴とする請求項２乃至５いずれかに記載の露光装置。
【請求項７】  前記第１支持部材に支持されており、前記少なくとも１つの光学部材を支持する第２支持部材を有しており、
前記第１支持部材と前記第２支持部材との間において着脱可能であることを特徴とする請求項２乃至６いずれかに記載の露光装置。
【請求項８】  前記第２支持部材に振動を与える第２の加振手段を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の露光装置。
【請求項９】  前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に、前記第１支持部材に対して前記第２支持部材を駆動する第１の駆動手段を有しており、前記第１駆動手段と前記第１支持部材との間において着脱可能であることを特徴とする請求項６乃至８いずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】  前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に、前記第１支持部材に対して前記第２支持部材を駆動する第１の駆動手段を有しており、前記第１駆動手段と前記第２支持部材との間において着脱可能であることを特徴とする請求項６乃至９いずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】  前記少なくとも１つの光学部材を前記第２支持部材に対して駆動する第２の駆動手段を設けたことを特徴とする請求項６乃至１０いずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】  前記第２の駆動手段が、前記位置決め部に対して振動を印加することを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】  前記原版からの光を前記基板に導く投影光学系を有し、
該投影光学系の収差を計測する手段を有することを特徴とする請求項１乃至１２いずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】  前記投影光学系の収差とは波面収差であることを特徴とする請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】  前記計測手段の計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の位置を調整することを特徴とする請求項１３又は１４記載の露光装置。
【請求項１６】  前記少なくとも１つの光学部材の光軸あるいは位置を測定する手段を有することを特徴とする請求項１乃至１５いずれかに記載の露光装置。
【請求項１７】  前記測定手段の測定結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の位置を調整することを特徴とする請求項１６記載の露光装置。
【請求項１８】  請求項１乃至１７いずれかに記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に電力を供給する電力供給システムであって、
電力を発電し前記負荷に供給する複数の燃料電池と、
前記燃料電池の発電量を制御する制御部と、
それぞれの前記燃料電池の発電電力毎で、かつ前記燃料電池の周囲温度毎の発電効率を格納する効率格納部と、
を備え、
前記制御部は、それぞれの前記燃料電池の周囲温度に基づいて、前記効率格納部が格納した前記発電効率を用いて、前記複数の燃料電池の全体の発電効率が最大となるように、それぞれの前記燃料電池の発電量を制御して前記負荷に供給するべき電力を発電させる電力供給システム。
【請求項２】
それぞれの前記燃料電池の前記発電電力毎の発電効率を算出し、前記効率格納部が格納した前記発電効率を更新する効率算出部を更に備える請求項１に記載の電力供給システム。
【請求項３】
前記制御部は、補助として電力を発電すべき少なくとも一つの補助燃料電池を、前記複数の燃料電池から順次選択し、
前記効率算出部は、前記補助燃料電池の前記発電効率を算出する請求項２に記載の電力供給システム。
【請求項４】
前記制御部は、前記補助燃料電池の発電量を順次変化させて前記効率算出部に前記発電効率を算出させ、前記複数の燃料電池のうち、前記補助燃料電池以外の前記燃料電池に、前記負荷に供給するべき電力と前記補助燃料電池の発電量との差分の電力を発電させる請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項５】
前記効率算出部は、前記効率格納部が格納した前記補助燃料電池の前記発電効率のうち、前記発電効率を算出したときの前記補助燃料電池の周囲温度に対応する前記発電効率を更新する
請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項６】
前記制御部は、前記複数の燃料電池のうち、稼働時間が予め定められた時間になった前記燃料電池を、前記補助燃料電池として選択する請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項７】
前記制御部は、前記複数の燃料電池のうち、総発電量が予め定められた電力になった前記燃料電池を、前記補助燃料電池として選択する請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項８】
前記効率算出部は、前記燃料電池の累積稼働時間に対する前記発電効率の劣化の大きさを示す劣化情報が予め与えられ、それぞれの前記燃料電池の累積稼働時間に基づいて、それぞれの前記燃料電池の前記発電効率を算出する請求項２に記載の電力供給システム。
【請求項９】
前記効率算出部は、前記燃料電池の累積発電量に対する前記発電効率の劣化の大きさを示す劣化情報が予め与えられ、それぞれの前記燃料電池の累積発電量に基づいて、それぞれの前記燃料電池の前記発電効率を算出する請求項２に記載の電力供給システム。
【請求項１０】
複数の住居を備える集合住宅であって、
それぞれの前記住居毎に設けられた複数の燃料電池と、
前記複数の燃料電池の総発電量が、前記複数の住居の総需要電力と略等しくなるように、前記複数の燃料電池を制御する制御部と、
それぞれの前記燃料電池の発電電力毎で、かつ前記燃料電池の周囲温度毎の発電効率を格納する効率格納部と、
前記複数の燃料電池が発電した電力を各戸の負荷に分配する配電部と
を備え、
前記制御部は、それぞれの前記燃料電池の周囲温度に基づいて、前記効率格納部が格納した前記発電効率を用いて、前記複数の燃料電池の全体の発電効率が最大となるように、それぞれの前記燃料電池の発電量を制御して前記負荷に供給するべき電力を発電させる
集合住宅。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
なお、有機ＥＬ素子本体を封止するときにも前記熱融着や熱溶解を適用することができる。但し、有機ＥＬ素子本体の発光層は、特に熱の影響を受け易いので、前記熱融着や熱溶解の熱の影響を発光層１２に与えないようにして行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004327402.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層と、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層と、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層と、前記ＴＦＴのゲート端子を駆動するためのゲート配線部の真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】  前記信号配線部とゲート配線部との交差部の真性半導体層の膜厚は、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚と等しいことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記信号配線部とゲート配線部との交差部を除いて、前記信号配線部とゲート配線部は真性半導体層及び絶縁層がないことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、前記光電変換素子部の放射線入射側に設けられ、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項６】  基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層を所定の膜厚にエッチングする際に、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層の膜厚を同時に所定の膜厚にエッチングすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】  基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層の膜厚を所定の膜厚にエッチングする際に、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層及び前記ＴＦＴのゲート端子を駆動するためのゲート配線部の真性半導体層の膜厚を同時に所定の膜厚にエッチングすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】  前記信号配線部とゲート配線部との交差部の真性半導体層の膜厚は、前記光電変換素子部の真性半導体層と等しいことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】  基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層の膜厚を所定膜厚にエッチングした後、前記信号配線部とゲート配線部との交差部を除いて、前記信号配線部とゲート配線部の真性半導体層及び絶縁層を除去することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、上記目的を達成するため、基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層と、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする。
また、本発明の光電変換装置は、基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層と、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層と、前記ＴＦＴのゲート端子を駆動するためのゲート配線部の真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする。
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層を所定の膜厚にエッチングする際に、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層の膜厚を同時に所定の膜厚にエッチングすることを特徴とする。
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層の膜厚を所定の膜厚にエッチングする際に、前記ＴＦＴ部から信号を読み出す信号配線部の真性半導体層及び前記ＴＦＴのゲート端子を駆動するためのゲート配線部の真性半導体層の膜厚を同時に所定の膜厚にエッチングすることを特徴とする。
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に、光電変換素子部とＴＦＴ部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とＴＦＴ部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記ＴＦＴ部の真性半導体層の膜厚を所定膜厚にエッチングした後、前記信号配線部とゲート配線部との交差部を除いて、前記信号配線部とゲート配線部の真性半導体層及び絶縁層を除去することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、半導体チップ１ｃのデバイス形成層１ｂ内での電流リーク箇所から発生する光９０を、解析用プレート２の凸部２ｄとステージ１１とを通して光学顕微鏡２１で検出する。光学顕微鏡２１では、入力された光９０が光学系２１ａで集光されて、光検出部２１ｂの光電子増倍管で光電子に変換される。そして、かかる光電子は光電子増倍管で電子増倍されて、再び光に変換され、撮像素子に入力される。撮像素子は光９０の発光位置及び発光強度を検出データとして表示部２２に出力する。そして表示部２２が、光検出部２１ｂから受け取った検出データをもとに、電流リーク箇所から発生した光９０の発光位置及び発光強度を発光像としてモニタ（図示せず）に表示する。なおこのとき、表示部２２では、予めデータとして記憶しておいた試料１のパターン像もモニタに表示される。これによって、パターン像と発光像とが重ね合わされて表示される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
次に、解析用プレート２を移動させて、故障解析を行う半導体チップ１ｃの所定領域の直下に位置するように凸部２ｄを配置する。そして、顕微鏡駆動部２３によって光学顕微鏡２６を移動させて、凸部２ｄの直下に位置するように光学系２６ａ及びレーザー光源２６ｂを配置する。また、光学系２６ａが凸部２ｄと所定距離を成すように、顕微鏡駆動部２３により解析用プレート２の主面２ａに垂直な方向に沿って光学顕微鏡２６を移動させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
半導体チップ１ｃの所定領域の故障解析が終了すると、プローブ駆動部４３によりプローブカード４１を移動させて、プローブ針４２と試料１とが接触しないようにする。そして、ステージ１１をその主面１１ａに平行に移動させて、ＳＩＬ６０を同じ半導体チップ１ｃの別の領域の直下に位置するように配置する。そして、上述の方法にて、かかる領域に対して故障解析を行う。一つの半導体チップ１ｃに対しての故障解析が完了すると、ステージ１１を移動させて、今度は別の半導体チップ１ｃに対して故障解析を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池を搭載した移動体であって、
前記燃料電池を含む燃料電池システムと、
前記移動体を始動または停止させるためのスイッチと、
前記移動体が移動できない状態にあるか否かを判定する移動可否判定手段と、
前記スイッチを介して前記燃料電池システムの停止の要求を検出すると共に、前記移動可否判定手段により前記移動体が移動できない状態にあると判定された場合には、前記燃料電池システムが所定温度以上に維持されるように前記燃料電池の作動状態を制御する保温運転制御手段とを備える移動体。
【請求項２】
請求項１に記載の移動体はさらに、
前記燃料電池システムの停止要求検出時に、前記移動可否判定手段により前記移動体が移動できる状態にあると判定された場合には報知する報知手段を備える移動体。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の移動体において、
前記移動体は、駆動輪への動力の伝達を機械的に遮断する動力遮断装置、前記燃料電池により生成された電力を前記駆動輪への動力に変換する電動機、前記電動機への電力の供給を電気的に遮断する遮断回路、パーキングブレーキを有し、
前記移動可否判定手段は、前記動力遮断装置によって前記動力の伝達が機械的に遮断されている場合、前記遮断回路によって前記電力の供給が電気的に遮断されている場合、および前記パーキングブレーキがオンされている場合のいずれか１つに該当する場合に前記移動体は移動できない状態にあると判定する移動体。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の移動体において、
前記保温運転制御手段は、前記燃料電池の内部温度に対応付けられた計測値を検出する検出手段を備え、前記検出手段により検出された計測値を用いて前記燃料電池の内部温度を所定温度範囲に維持する移動体。
【請求項５】
燃料電池を含む燃料電池システムを搭載した移動体における燃料電池システムの保温制御方法であって、
前記移動体が移動できない状態にあるか否かを判定し、
前記移動体を始動または停止させるためのスイッチを介して、前記燃料電池システムの停止要求が入力されたか否かを判定し、
前記燃料電池システムの停止要求が入力されると共に、前記移動体が移動できない状態にあると判定した場合には、前記燃料電池システムを所定温度以上に維持するために前記燃料電池の作動状態を制御することを備える保温制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の燃料電池システムの保温制御方法はさらに、
前記燃料電池システムの停止要求入力時に、前記移動体が移動できる状態にあると判定した場合には報知することを備える燃料電池システムの保温制御方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の燃料電池システムの保温制御方法において、
駆動輪への動力の伝達を機械的に遮断する動力遮断装置によって前記動力の伝達が機械的に遮断されている場合、前記燃料電池により生成された電力を前記駆動輪への動力に変換する電動機に対する電力の供給を電気的に遮断する遮断回路によって前記電力の供給が電気的に遮断されている場合、パーキングブレーキがオンされている場合のいずれか１つに該当する場合に前記移動体は移動できない状態にあると判定する燃料電池システムの保温制御方法。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載の燃料電池システムの保温制御方法において、
前記燃料電池システムを少なくとも所定温度以上に維持するための前記燃料電池の運転は、
前記燃料電池の内部温度に対応付けられた計測値を検出し、
前記検出した計測値を用いて前記燃料電池の内部温度を所定温度範囲に維持することによって実行される燃料電池システムの保温制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質膜の両側に電極を配し、該電極の一方の側面にはガス拡散電極を用い、該電極の他方の側面に金属アルミニウム又はアルミニウム合金を配置した化学電池において、集電体の機能を有するアノード缶がアルミニウムからなるクラッド材又はアルミニウム合金とステンレス鋼を張り合わせたクラッド材で構成されたことを特徴とする化学電池。
【請求項２】
前記ガス拡散電極には、粒子径が１０ｎｍの白金を比表面積が７００ｍ2/ｇ以上の炭素材料に担持した触媒層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の化学電池。
【請求項３】
前記ガス拡散電極には、比表面積が４０ｍ2/ｇ以上の酸化マンガンと比表面積が７００ｍ2/ｇ以上の炭素材料を用いた触媒層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の化学電池。
【請求項４】
前記ガス拡散電極に、過酸化水素水を供給したことを特徴とことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の化学電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の化学電池の扁平かつ円筒状（コイン形状）の電池断面を図２に示す。電池の集電体を兼ねた負極缶（アノードキャップ）１００には電池電解液に対して耐腐食性を有する材料であることが望ましく、ステンレス鋼を用いることができる。負極缶１００の内側にはアルミニウムまたはアルミニウムの合金部２００を設ける。アルミニウムの合金には、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｍｎ（マンガン）等の合金を取捨して選択できる。上記の負極集電材料を兼ねる負極缶１００とアルミニウムまたはアルミニウムの合金部２００を円盤状に打ち抜き、上下方向から複数回折り曲げによる加工を施す。このとき、円周部の最外郭に突起状の鋭角を施すことが望ましい。負極缶１００のステンレス鋼として、オーステナイト系、マルテンサイト系、フェライト系のステンレスを用いることができる。経済的にはオーステナイト系のＳＵＳ３０４やＳＵＳ３１６が好ましい。長期保存特性を考慮すると、フェライト系のＳＵＳ３２９Ｊ４Ｌ（ＮＡＳ６４）を用いることが望ましい。負極集電材料を兼ねる負極缶１００とアルミニウムまたはアルミニウムの合金部２００は予めクラッド材に加工した上で用いることができる。集電材料を兼ねる負極缶１００とアルミニウムまたはアルミニウムの合金部２００は、その作製の過程において加熱圧延によりクラッド材を得ることができる。電極混合物３００はアルミニウムまたはアルミニウム合金の板又は粉末と保液性を有するゲル化材と電解液の混合物を用いることができる。電極混合物３００とアルミニウムまたはアルミニウム合金部２００が電気的接続を保つように配置される。電極混合物とアルミニウムまたはアルミニウム合金の板との間に電気的接続を行なう方法として、抵抗溶接または超音波溶接を施すことが望ましい。この時、アルミニウムまたはアルミニウムの合金部２００と電極混合物３００が同質の材料である場合、同一の融点であることから抵抗溶接または超音波溶接の作業性が優れる。セパレーター４００はスルホン化パーフルオロ樹脂、スルホン化ポリエーテルエーテルケトン等のエンジニアリングプラスチックを親水性に加工して用いることができる。さらに、セパレーター４００は、ポリオレフィン、セロファン、ビニロン、レーヨンを単独、又は、併用しても良い。この時、イオン交換膜として、アニオン交換膜、カチオン交換膜、または両者の性能を兼ね備えたバイポーラ膜を用いることができる。イオン交換膜として、デュポン製のナフィオン（登録商標）やトクヤマ製のネオセプタ（登録商標）等を用いることができる。また、それらのイオン交換膜の性質は電池としてくみ上げた後に性能を発現しても良い。また、カソード触媒電極５００は、ポリテトラフルオロエチレンと白金を担持した親水性の活性炭を混練してシート状に加工した膜を用いることができる。また、白金を担持した親水性の活性炭をナフィオンの溶液に分散させた後、基材と集電の作用を兼ね備えたカーボンペーパー（登録商標）上に塗布し、乾燥したものを用いても良い。ここで、触媒に用いる白金の粒子は高比表面積の炭素材料の高分散していることが望ましい。この時もちいる炭素材料は触媒作用によって生じた電子を高効率で導電する必要があり、微視的にはその組成の一部が結晶化している必要がある。炭素材料としては天然由来の成分、例えば、ヤシガラ、石炭や石油に由来するタールやピッチ等から得られた活性炭を用いることができる。さらに、各種合成繊維や炭化水素類のガスから得られた炭素成分を用いることができる。炭素材料の比表面積を制御する方法として水蒸気やアルカリ等により表面を賦活することができる。この時、炭素材料の比表面積は７２０ｍ2/ｇ以上であることが良い。しかしながら、比表面積を２０００ｍ2/ｇ以上にすると触媒反応で必要な気体−液体−固体の三層界面の存在バランスがくずれ必ずしも効率が上がるとは限らない。ここで、炭素材料に白金粒子を高分散する際に粒子径は１０ｎｍ程度に制御することが望ましい。すなわち、触媒反応の副反応であるシンタリングｓの影響を軽減し、炭素の比表面積に伴う制約が生じるためである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【表１】
2004327200.tif 000001
この表より、実施例１は比較例２と同様の出力をしていることがわかる。しかし、比較例１は実施例１より約４０％出力が少ないことがわかる。これは、比較例が負極活物質を一部にしか用いていないことに対して、実施例１は負極内面の全域を反応に用いていることに他ならない。実施例１と比較例２をそれぞれ、６０℃、相対湿度９３％の恒温高湿槽内に約５日間、保管し、それぞれの電池の開路電圧を測定した。この時、比較例の電池電圧は実施例の電圧に比較して約３０％以上低下している事が判明した。また、電池の負極缶外周部とガスケットの間が白い着色物が観察され、電池の漏液が発生していた。このことより、アルミクラッド材を用いで電池を作製しても作製直後には出力が取れるが、保存特性が劣り、実用上不都合であることが判明した。実施例２の電池および比較例３の電池においても同様に評価を行い、表１に示す出力が得られた。これより、活性炭は７００ｍ2／ｇ以上であることが望ましいが、活性炭は２０００ｍ2／ｇにしてもその出力は大きくならない。実施例３の電池も同様に評価を行なった。これより、マンガンの酸化物も触媒として有効に機能していることがわかる。実施例４の電池も同様に評価を行い、表１に示す出力が得られた。これより、空気に替わって過酸化水素を用いることも有効であることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板投入室、該基板投入室に連結された搬送室、該搬送室に連結された成膜室、該成膜室に連結された第１乃至第３の設置室とを有する製造装置であって、
前記成膜室は、
マスクと基板の位置合わせを行うアライメント手段と、
基板保持手段とを有し、
前記第１の設置室は、第１の蒸着源を移動させる手段を有し、
前記第２の設置室は、第２の蒸着源を移動させる手段を有し、
前記第３の設置室は、第３の蒸着源を移動させる手段
を有することを特徴とする製造装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の設置室は、前記第１の蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有し、
前記第２の設置室は、前記第２の蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有し、
前記第３の設置室は、前記第３の蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有していることを特徴とする製造装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の蒸着源乃至前記第３の蒸着源各々は、前記成膜室内をＸ方向、Ｙ方向またはＺ方向に移動可能であることを特徴とする製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の蒸着源乃至前記第３の蒸着源各々は、蒸着材料を収納する容器を有し、
前記容器は開口部を有し、前記開口部は細長い形状であることを特徴とする製造装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記容器は、上部パーツと下部パーツとを有し、
前記第１の蒸着源乃至前記第３の蒸着源から蒸発する蒸着材料の広がり方は、前記上部パーツの有する開口部の形状で調節されることを特徴とする製造装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記容器は、上部パーツと下部パーツとを有し、
前記上部パーツは、第１の加熱手段に取り囲まれ、
前記下部パーツは、第２の加熱手段に取り囲まれ、
前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段は、互いに異なる電源に接続されていることを特徴とする製造装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、
前記第１の蒸着源乃至前記第３の蒸着源のうち少なくとも１つの蒸着源は、第１の容器と第２の容器を有し、
前記第１の容器は、第１の加熱手段に取り囲まれ、
前記第２の容器は、第２の加熱手段に取り囲まれ、
前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段は、互いに異なる電源に接続されていることを特徴とする製造装置。
【請求項８】
請求項４または請求項５において、
前記第１の蒸着源乃至前記第３の蒸着源のうち少なくとも１つの蒸着源は、第１の容器と第２の容器を有し、
前記第１の容器は、上部パーツと下部パーツを有し、
前記第２の容器は、上部パーツと下部パーツを有し、
前記第１の容器の上部パーツは、第１の加熱手段に取り囲まれ、
前記第１の容器の下部パーツは、第２の加熱手段に取り囲まれ、
前記第２の容器の上部パーツは、第３の加熱手段に取り囲まれ、
前記第２の容器の下部パーツは、第４の加熱手段に取り囲まれ、
前記第１の加熱手段乃至前記第４の加熱手段は、互いに異なる電源に接続されていることを特徴とする製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱室の開口に配設され、かつマイクロ波を伝播させるマイクロ波伝送路を有する基部導体と、
前記マイクロ波伝送路に結合されてマグネトロンのアンテナから放射されたマイクロ波を伝播させる導波管と、
前記基部導体の加熱室側に回転自在に配置されて前記マイクロ波伝送路から伝播されたマイクロ波を前記加熱室内に拡散させる複数のラインスロットを有する円盤状のスロット板と、
前記基部導体の外部に設置されて前記スロット板に回転駆動力を付与する駆動手段と、
前記スロット板と対向して配設されたリング状のチョークと、
前記スロット板と対向して前記チョークよりも外周部に配設され、かつ前記スロット板の回転を支持させる複数のガイドローラと、
を備えたことを特徴とするマイクロ波加熱装置。
【請求項２】
加熱室の開口に配設され、かつマイクロ波を伝播させるマイクロ波伝送路を有する基部導体と、
前記基部導体の外部に設置され、かつマイクロ波を放射するマグネトロンアンテナを前記マイクロ波伝送路に結合させたマグネトロンと、
前記基部導体の加熱室側に回転自在に配置されて前記マイクロ波伝送路から伝播されたマイクロ波を前記加熱室内に拡散させる複数のラインスロットを有する円盤状のスロット板と、
前記基部導体の外部に設置されて前記スロット板に回転駆動力を付与する駆動手段と、
前記スロット板と対向して配設されたリング状のチョークと、
前記スロット板と対向して前記チョークよりも外周部に配設され、かつ前記スロット板の回転を支持させる複数のガイドローラと、
を備えたことを特徴とするマイクロ波加熱装置。
【請求項３】
前記スロット板を覆い、かつ前記被加熱物から発散する異物を遮蔽する遮蔽板を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項４】
前記駆動手段をモータとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項５】
前記駆動手段を電磁コイルとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマイクロ波加熱装置。
【請求項６】
前記スロット板は、２つのラインスロットをハの字状に配置したスロットペアを渦巻き状に配列して形成すること特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のマイクロ波加熱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  光拡散層を多層押出成形法を用い一体形成したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光拡散層一体型導光板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に設けられたＴＦＴ形成層と、
前記ＴＦＴ形成層上に設けられた第２のバリア膜と、
前記第２のバリア膜上に設けられた配線形成層と、
前記配線形成層上に設けられた第３のバリア膜と、
前記第３のバリア膜上に設けられた電界発光素子形成層と、
前記電界発光素子形成層上に設けられた第４のバリア膜とを有し、
前記第２のバリア膜は、前記ＴＦＴ形成層に設けられた第１の開口部の底面において、前記第１のバリア膜と接することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のバリア膜は、前記配線形成層に設けられた第２の開口部の底面において、前記第１のバリア膜に接することにより、前記ＴＦＴ形成層は前記第１のバリア膜および前記第３のバリア膜に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の外側に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一において、
前記第４のバリア膜は、前記配線形成層の側面において、前記第３のバリア膜と接することにより、前記電界発光素子形成層は、下側を前記第３のバリア膜に覆われ、側面および上面を前記第４のバリア膜に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一において、
前記第１のバリア膜と、前記第４のバリア膜とは、前記配線形成層の周辺において接することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一において、
前記第１のバリア膜と、前記第４のバリア膜とは、前記第１のバリア層が設けられる基板と、前記基板に対向する封止基板との間に設けられたシール材の下方において接することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一において、
前記電界発光素子形成層は、前記配線形成層より小さく、
前記第４のバリア層は、前記配線形成層の上面で前記第３のバリア層に接し、かつ前記配線形成層の周辺で前記第１のバリア層と接することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一において、
前記電界発光素子形成層は、前記配線形成層より小さく、かつ前記配線形成層は前記ＴＦＴ形成層より小さく、
前記第４のバリア層は、前記配線形成層の上面及び側面で前記第３のバリア層に接し、
前記第３のバリア層は、前記ＴＦＴ形成層の上面及び側面で前記第２のバリア層に接し、
前記第２のバリア層は、前記ＴＦＴ形成層の周辺で前記第１のバリア層に接することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に設けられたＴＦＴ形成層と、
前記ＴＦＴ形成層上に設けられた第２のバリア膜と、
前記第２のバリア膜上に設けられた配線形成層と、
前記配線形成層上に設けられた第３のバリア膜と、
前記第３のバリア膜上に設けられた電界発光素子形成層と、
前記電界発光素子形成層上に設けられた第４のバリア膜とを有し、
前記ＴＦＴ形成層は、下側を前記第１のバリア膜に覆われ、かつ側面および上面を前記第２のバリア膜に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記配線形成層は、下側を前記第２のバリア膜に覆われ、かつ側面および上面を前記第３のバリア膜に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記電界発光素子形成層は、下側を前記第３のバリア膜に覆われ、かつ側面および上面を前記第４のバリア膜に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項９ないし請求項１１のいずれか一において、
前記第２のバリア膜と、前記第３のバリア膜とは、前記電界発光素子形成層の周辺において接することを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項９ないし請求１２項のいずれか一において、
前記第２のバリア膜と、前記第３のバリア膜とは、ＴＦＴ形成層の周辺において接することを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項９ないし請求項１３のいずれか一において、
前記第２のバリア膜と、前記第３のバリア膜とは、前記第１のバリア層が設けられる基板と、前記基板に対向する封止基板との間に設けられたシール材の下方において接することを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第１のバリア膜、前記第２のバリア膜、前記第３のバリア膜、および前記第４のバリア膜は、それぞれ窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、または窒素含有炭素膜から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１のバリア膜、前記第２のバリア膜、前記第３のバリア膜、および前記第４のバリア膜は、それぞれスパッタリング法により形成された窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、または窒素含有炭素膜から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする発光装置。