【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】単結晶半導体薄膜の製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体上に形成された単結晶半導体薄膜の製造装置において、基体上に水素含有非単結晶薄膜を形成する薄膜形成手段と、該水素含有非単結晶薄膜に第１の熱処理を施して水素除去を行う第１の熱処理手段と、水素除去後の非単結晶薄膜に連続的に第２の熱処理を施して多結晶膜を形成する第２の熱処理手段と、第３の熱処理を施して前記多結晶膜を単結晶化する第３の熱処理手段とを有することを特徴とする単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項２】  前記第２の熱処理を施して溶融再結晶化することで、前記非単結晶薄膜は略規則的に整列された多結晶粒からなる多結晶膜に変換されることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項３】  前記第１、第２及び第３の熱処理手段がレーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項４】  前記第１の熱処理手段が面状レーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項５】  前記第１熱処理手段のエキシマレーザのパルス幅が６０ns以上であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項６】  前記第２の熱処理手段が線状レーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項７】  前記第１、第２、及び第３の熱処理手段が同一チャンバー内に配されていることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項８】  前記第３の熱処理手段の積分照射エネルギー量は前記第２の熱処理手段の積分照射エネルギー量より大であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項９】  前記第３の熱処理手段による熱処理温度は前記第２の熱処理手段より低温であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１０】  前記第３の熱処理手段による熱処理温度は前記多結晶膜の融点以下であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１１】  前記第２の熱処理手段が面状レーザー光の照射装置であり、かつマスクを有することを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１２】  前記第３の熱処理手段は抵抗加熱炉であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１３】  前記第３の熱処理手段は赤外線ランプ、キセノンランプまたはクリプトンランプであることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１４】  前記第１、第２及び第３の熱処理手段の少なくともいずれかが実質的に真空中、もしくは不活性ガス雰囲気中、非酸化性ガス雰囲気中に保たれていることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１５】  前記第１の熱処理手段と前記第３の熱処理手段が同じレーザー装置であることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１６】  前記第１、第２、及び第３の熱処理手段が連続的に配されていることを特徴とする請求項１記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【請求項１７】  前記第１、第２及び第３の熱処理手段が気密的に配されていることを特徴とする請求項１６記載の単結晶半導体薄膜の製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶ディスプレイなどに用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、メモリーその他の電子デバイス等に適用される単結晶半導体薄膜の製造装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明は、従来の多結晶薄膜とは一線を画し高性能で特性の安定したデバイスの作製に好適であってしかもその製造工程も短い時間で十分な製造装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そして、本発明のさらに他の目的は、製造工程中に発生する薄膜の爆発を未然に防止して、且つ短時間に脱水素化を図る単結晶半導体薄膜の製造装置を提供することである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前述の技術的な課題を解決するための本発明の単結晶半導体薄膜の製造装置は、基体上に形成された単結晶半導体薄膜の製造装置において、基体上に水素含有非単結晶薄膜を形成する薄膜形成手段と、該水素含有非単結晶膜に第１の熱処理を施して水素除去を行う第１の熱処理手段と、水素除去後の非単結晶薄膜に連続的に第２の熱処理を施して溶融再結晶化する第２の熱処理手段とを有することを特徴とする。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
【発明の効果】
本発明に係る単結晶半導体薄膜の製造装置は、基体上に形成された単結晶半導体薄膜の製造装置において、基体上に水素含有非単結晶薄膜を形成する薄膜形成手段と、該水素含有非単結晶膜に第１の熱処理を施して水素除去を行う第１の熱処理手段と、水素除去後の非単結晶薄膜に連続的に第２の熱処理を施して溶融再結晶化する第２の熱処理手段とを有するものである。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
以上のような本発明に係る単結晶半導体薄膜の製造装置を用いれば、レーザー照射などの短時間な熱処理によって水素除去が可能となり、半導体薄膜の爆発を未然に防止して半導体薄膜を製造できる。したがって、膜の欠陥や損傷が少ない半導体装置を製造することが可能である。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
また、本発明の単結晶半導体薄膜の製造装置を用いることで、絶縁基板上に単結晶膜をレーザー照射によって形成することができ、多結晶薄膜とは一線を画し高性能で特性の安定したデバイスの作製を容易に進めることが可能となり、しかも製造工程も短い時間で十分な単結晶半導体薄膜を作製できる。
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
さらに本発明の単結晶半導体薄膜の製造装置を用いることで、熱処理の間では大気開放することもなく、プロセスを進めることができ、このため膜の一部が酸化したり、雰囲気を変えることによるプロセス時間の長時間化も防止できる。