Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通口を有する基板と、該貫通口の側壁に配置された複数の電極とを有する電極基板であって、
前記貫通口の前記基板の表面と平行な断面の形状が凸多角形の一部に凸部を設けた形状であることを特徴とする電極基板。
【請求項２】
前記凸部が各電極間に少なくとも１個ずつ位置していることを特徴とする請求項１に記載の電極基板。
【請求項３】
前記凸部が前記凸多角形の角部に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電極基板。
【請求項４】
前記基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電極基板。
【請求項５】
前記電極は少なくとも１つがその露出面に貴金属を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電極基板。
【請求項６】
前記電極を配置された貫通口が複数個一次元または二次元配列されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電極基板。
【請求項７】
前記貫通口は互いに平行な一対の第１の側壁面を有し、前記電極として第１の電極対が互いに対向して前記第１の側壁面に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の電極基板。
【請求項８】
前記貫通口は前記第１の側壁面に垂直な一対の第２の側壁面を有し、前記電極としてさらに第２の電極対が互いに対向して前記第２の側壁面に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の電極基板。
【請求項９】
前記第１の電極対の少なくとも一方の電極と前記基板との接触面に絶縁層を備えることを特徴とする請求項７または８に記載の電極基板。
【請求項１０】
前記絶縁層が二酸化シリコンであることを特徴とする請求項９に記載の電極基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０に記載の電極基板の製造方法であって、
前記基板に前記貫通口をフォトリソグラフィを用いて形成する工程と、
前記貫通口の側壁に絶縁層を形成する工程と、
前記貫通口の側壁に少なくとも一つの電極を形成する工程と
を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１２】
前記貫通口を形成する工程が、反応性イオンエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記基板がシリコンであり、前記貫通口の側壁に絶縁層を形成する工程が熱酸化工程を含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
電極の少なくとも一つを、スパッタリング工程および蒸着工程の何れかを含む工程により形成することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項１５】
請求項７〜１０のいずれか１つに記載の電極基板と、少なくとも前記第１の電極対の一方の電極に他の電極とは独立に電位を印加する電位印加手段とを有することを特徴とする偏向器。
【請求項１６】
荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、
前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像をウエハ上に投影する第２の電子光学系と、
前記ウエハを位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第１の電子光学系が、請求項１５に記載の偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、非特許文献１には、ブランキングアパーチャアレイの作製方法として、シリコンなどの半導体結晶の基板に複数の開口を２次元的に形成し、各開口周囲に偏向電極対を形成することにより作製する方法が紹介されている。具体的には、Ｓｉ基板の表面に、ブランキングアパーチャアレイに対応した凹部を形成し、各々の凹部に隣接して偏向電極をめっきにより形成した後、前記基板表面から、めっき下地として使われた導体層を除去し、その後で前記Ｓｉ基板の裏面をウェットエッチングしてメンブレンを形成する。前記ウェットエッチングは、前記Ｓｉ基板を、その裏面の一部を除き保護した状態で実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記凸部は、電極が形成される側壁面側から見ると溝である。このような溝は、スパッタリングや蒸着等の成膜方法では貫通口の側壁の平面部分から溝内にかけての連続膜は形成され難いため、結果的に、隣接する電極間はこの凸部で電気的に絶縁することができる。特に、凸部のアスペクト比（溝の開口幅と深さとの比）が１よりも大きい場合に有効である。
また、前記凸部は、スパッタリングや蒸着等の成膜方法により複数の電極を形成する際に、マスクし易く、貫通口の側壁に互いに絶縁された複数の電極を高い歩留まりで形成することができる。
さらに、前記貫通口として、互いに平行な一対の第１の側壁面と、この第１の側壁面に垂直な一対の第２の側壁面とを有するものを形成し、前記電極として第１の側壁面に荷電粒子を偏向するための第１の電極対を互いに対向して配置し、第２の側壁面にシールド用の第２の電極対を互いに対向して配置することにより、チャージアップの起こりにくい電極基板を提供することができる。この場合の凸多角形は正方形もしくは長方形またはこれらの１〜４つの角部をそれぞれ単数または複数の直線でカットした形状である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
[実施形態１３]（露光装置）
荷電粒子線を用いてウエハを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線露光装置が、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第１の電子光学系と、
前記第１の電子光学系によって形成される複数の中間像をウエハ上に投影する第２の電子光学系と、
前記ウエハを位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第１の電子光学系が、実施形態１〜８のいずれかに記載の偏向器を有する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
このように、実施形態１〜８のいずれかに記載の偏向器を荷電粒子線露光装置に応用することで、偏向器のチャージアップの恐れが少ないため、安定した動作が可能な荷電粒子線露光装置を提供することができる。また、偏向器が簡単な構成のため、歩留まり良く安価に提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本願の発明者らは，図１４（ａ）に示すような、光学変調素子として、石英基板表面に直線の段差加工した位相シフタ１４１を用いて，光源からのレーザ光を図５（ａ）に示すようなレーザ光強度分布５１に変調して、未結晶化薄膜（この場合には、非晶質シリコン薄膜）に照射させて結晶化（この場合には、多結晶シリコン）させた。そして，この結晶化された薄膜の結晶粒の表面形態と個々の結晶粒の結晶学的方位を走査電子顕微鏡(SEM)法と電子後方散乱(EBSP)法を用いて測定した。この結果，結晶粒の形態は、図５（ｂ）に示すように小粒径結晶粒５２と，短冊形状結晶粒５３と，Δ形状結晶粒５４との３種に分類できることが判った。これら３種の結晶粒を図式化し、判った面方位関係を付加すると，図５（ｃ）に示すようになる。図５（ｃ）では、小粒径結晶粒５２と，短冊形状結晶粒５３と，Δ形状結晶粒５４とに対応する結晶粒を、同じ符号に夫々サフィックス“ａ”を付している。ここで，本発明者達が着目した点は、Δ形状結晶粒５４ａの成長距離は長く，結晶成長方向の面方位が（１００）面であり，結晶成長方向に対しての２つの垂直方向のうち薄膜の面内の垂直方向は（０１０）面または（０１１）面であるということである。そこで、本発明者達は，図６（ａ）に示すように線状の領域６１ａがレーザ光強度の極小になるような第１の位相変調エキシマレーザ照射を行い（極小光強度線による照射），それによって形成されたΔ形状結晶粒６４の底辺領域６１ｂを種結晶（結晶核）にして，第２の位相変調エキシマレーザ照射を行えば，面方位が揃いしかも結晶粒の形態が方形状６４になることを見出した。即ち，図６（ｂ）に示すように，第２位相変調エキシマレーザ照射は，線状の領域６１ｂが極小強度となるようにすればよいことが判った（極小光強度線による照射）。第２位相変調エキシマレーザ照射により，領域６１ｂの左右の領域は全溶融になるため結晶成長は，領域６１ｂの左右の方向に生ずる。この結果，図６（ｃ）のように，少なくとも結晶成長方向の面方位は（００１）面を有し，かつ四角形状の結晶粒が形成される。尚、図６は、結晶化膜を上方から見た場合の図である。さらに、図１４（ａ）に示す位相シフタ１４１を使用して、横方向(左右方向)のピッチＰが一定、例えば、１０μｍの複数の最小光強度点（逆ピーク点）６２ａを有する図８（ａ）に示すレーザ光強度分布８１のレーザ光で、未結晶膜８０を第１の位相変調エキシマレーザ照射し、次に、位相シフタ１４１と未結晶膜８０とをほぼ２／Ｐ（約５μｍ）相対的だけずらせて第２の位相変調エキシマレーザ照射を行えば，図８（ｂ）のように，２次元に位置制御した結晶粒を形成することができる。ここで、ピッチＰとは、後で図１４を参照して説明するように、入射レーザ光の位相を１８０°(π)ずらせるために表面に形成された細長い溝と表面との間の段差、即ち、位相シフト線間、の間隔を言う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
上記第１のレーザ光１０５による第１のレーザ照射によって，半導体薄膜１０３の照射領域は、結晶化され多結晶半導体薄膜１０７に変換される。この結晶化薄膜１０７の表面形態は，主勾配方向１０６，１０６ａに沿って横方向に結晶化されている。この段階で、保護膜をエッチングにより除去して走査電子顕微鏡法と電子後方散乱法によって解析すると，個々の結晶粒は，レーザ光強度の低い位置から結晶成長が始まり，主勾配１０６，１０６ａの方向に沿って結晶成長したことが判る。個々の結晶粒は一つの結晶核から成長していると推定され，図５（ｃ）に分類されるように、小粒径結晶粒５２ａと，短冊状結晶粒５３ａと，Δ形状結晶粒５４ａとが形成されている。この中で，最も横方向成長距離が長いものはΔ形状結晶粒５４ａである。電子線後方散乱法で個々の結晶粒の結晶方位を解析すると，Δ形状結晶粒５４ａの成長方向（即ち、主勾配１０６，１０６ａ）の面方位は（１００）となっている。また、このΔ形状結晶粒５４ａの成長距離は，少なくとも２ μｍ以上になっており，本実施の形態では，５ μｍである。一方，小粒径結晶粒５２ａ，短冊形状結晶粒５３ａの主勾配方向の結晶面方位は，（１１１）または，（１１０）面になっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次に、図１０（ｃ）に示すように，第２のレーザ光１０８を使用して、第２のレーザ照射を、前記多結晶化された領域に行う。この第２のレーザ照射の光強度分布は, 図１０（ｂ）と（ｃ）とを比較してみれば判るように，第１のレーザ照射で用いた光強度の極小値の位置が第２のレーザ照射の極大値になるように、第１のレーザ照射の光強度分布を、極小値のピッチの約１／２だけ平行移動した光強度分布になるように設定されている。即ち、図６（ａ）に示す領域６１ａが第１のレーザ照射の極小値であり，領域６１ｂが第２のレーザ照射の極小値である。ここで，図８（ａ）に示すレーザ光強度分布８１のように、最小光強度点６２ａの位置にさらに強度が下がり最小値となるような光強度分布にすれば，結晶成長開始点が２次元に制御できる。本実施の形態では，前述したように１／２Ｐ（５ μｍ）だけ主勾配方向に平行移動した光強度分布を用いている。図７（ａ）は、第１のレーザ照射後の結晶化シリコン薄膜の表面形態を走査電子顕微鏡で観察した結果である。この図で、符号７１は、第１のレーザ照射の光強度が極小の領域を示し，符号７２は極大の領域を示す。この写真においても，図５（ｂ）で示したように小粒径結晶粒７５，短冊形状結晶粒７３，Δ形状結晶粒７４ａが形成されていることが判る。第２のレーザ照射は、符号７２で示す領域に光強度が極小になるように行っている。第２のレーザ照射のエネルギ密度は、第１のレーザ照射のエネルギ密度と同等もしくは大きくなるように設定されている。この実施の形態では、第２のレーザ照射は，第１のレーザ照射の光強度分布を用いて，試料表面を５ μｍだけ主勾配方向に平行移動してから照射させているけれども。必ずしも同じ位相シフタを使用する必要はなく、前記１／２Ｐだけ位相がずれた別の位相シフタを使用しても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
第３の実施の形態
半導体薄膜の結晶化方法並びに結晶化装置の実施の形態を、夫々図１２，図１３，図１４，図１５を参照して説明する。これら例では，光源としてエキシマレーザ１２１（例えば，ＸｅＣｌ，ＫｒＦ，ＡｒＦなど）を用いているが、必ずしもこれらに限定されることはない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスポートフォーマットコンビネーションセレクションの対象となる第１チャネルのデータと前記トランスポートフォーマットコンビネーションセレクションの対象にならない第２チャネルのデータを多重して伝送する通信端末装置であって、
前記第１チャネル及び前記第２チャネルの総送信電力が前記通信端末装置にて送信可能な最大送信電力を超えないように前記第１チャネルのリソース及び前記第２チャネルのリソースを割り当てるリソース割当手段と、
前記リソース割当手段にて割り当てられた前記第１チャネルのリソースの範囲内で送信可能なトランスポートフォーマットコンビネーションを選択するＴＦＣ選択手段と、を具備する通信端末装置。
【請求項２】
前記リソース割当手段は、前記第１チャネルのリソースあるいは前記第２チャネルのリソースのいずれか一方を優先的に確保し、他方のチャネルのリソースを割り当てる請求項１記載の通信端末装置。
【請求項３】
前記第２チャネルから送信される情報の有無を監視し、過去に前記第２チャネルから送信された情報の情報量を前記リソース割当手段に出力する送信状況モニタ手段を具備し、
前記リソース割当手段は、前記情報量に基づいて前記第２チャネルのリソースを割り当てる請求項１記載の通信端末装置。
【請求項４】
送信状況モニタ手段は、所定の期間に対する前記第２チャネルから情報が送信された時間の割合である送信状況係数を算出し、送信状況係数を前記リソース割当手段に出力し、
前記リソース割当手段は、個別制御チャネルの送信電力に所定のオフセット値及び前記送信状況係数を乗算して前記第２チャネルのリソースを計算する請求項３記載の通信端末装置。
【請求項５】
前記リソース割当手段は、トランスポートフォーマットコンビネーション毎に前記第１チャネル及び前記第２チャネルのリソースを割り当てる請求項１から請求項４のいずれかに記載の通信端末装置。
【請求項６】
前記第２チャネルが複数存在する場合、前記リソース割当手段は、最初に前記第２チャネルの所定のチャネルについてリソースを確保し、前記所定のチャネル以外のチャネルについて、残ったリソースの割り当てを行う請求項１から請求項５のいずれかに記載の通信端末装置。
【請求項７】
リソース割当手段は、前記第２チャネルから送信する情報の種類によって、前記第１チャネルのリソースあるいは前記第２チャネルのリソースのどちらを優先的に確保するかを選択する請求項２記載の通信端末装置。
【請求項８】
リソース割当手段は、前記第２チャネルから送信する情報が未来のスケジューリングに用いるものである場合、前記第１チャネルのリソースを優先的に確保する請求項７記載の通信端末装置。
【請求項９】
トランスポートフォーマットコンビネーションセレクションの対象となる第１チャネルのデータと前記トランスポートフォーマットコンビネーションセレクションの対象にならない第２チャネルのデータを多重して伝送する通信端末装置の送信電力制御方法であって、
前記第１チャネル及び前記第２チャネルの総送信電力が前記通信端末装置にて送信可能な最大送信電力を超えないように前記第１チャネルのリソース及び前記第２チャネルのリソースを割り当てる工程と、
前記割り当てられたリソースの範囲内で前記第１チャネルの送信電力及び前記第２チャネルの送信電力を制御する工程と、を具備する通信端末装置の送信電力制御方法。
【請求項１０】
前記リソースを割り当てる工程は、前記第１チャネルのリソースあるいは前記第２チャネルのリソースのいずれか一方を優先的に確保し、他方のチャネルのリソースを割り当てる請求項９記載の通信端末装置の送信電力制御方法。
【請求項１１】
前記第２チャネルが複数存在する場合、前記リソースを割り当てる工程は、最初に前記第２チャネルの所定のチャネルについてリソースを確保し、前記所定のチャネル以外のチャネルについて、残ったリソースの割り当てを行う請求項９または請求項１０に記載の通信端末装置の送信電力制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記画像取得手段は、指示されたズーム指令を読み取るズーム指令読取手段と、現在の上記レンズの操作位置を確認する操作位置確認手段と、を有し、
上記ズーム指令読取手段によってズーム指令が読み取られたとき、上記操作位置確認手段によって読みとられた位置に前記レンズを前記駆動手段によって駆動させることを特徴とする請求項３記載のカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第２ズーミング画像は、前記第２位置で取得された光学画像の周囲に、前記第１位置で取得された光学画像を電子処理して拡大させた画像を配置することで得られる画像としたことを特徴とする請求項６記載のカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
第１、第２磁性片３２，３４は、座金状の強磁性体、たとえば鋼板からなる。駆動マグネット１６から出た磁束は、第１駆動コイル２８や第１磁性片３２をその中心側から外周側に通過し駆動マグネット１６に戻る。また、駆動マグネット１６からの磁束は、第２磁性片３４や第２駆動コイル３０をその中心側から外周側をとおり、駆動マグネット１６に至るようになっていて、これらの部材によって磁気回路が構成されている。したがって、駆動マグネット１６によって形成される磁界中に、第１、第２駆動コイル２８，３０が位置することとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
レンズ駆動装置１Ａは、第１駆動コイル２８と第２駆動コイル３０の間にリング状の第３の磁性片６１を配置することで、駆動マグネット１６を可動途中で停止保持できるようにしたものである。すなわち、３位置のステップ駆動を可能としたものである。具体的な例で示せば、広角位置と望遠位置の両位置に加え、それらの中間の倍率での撮影が行える位置を持たせるようにすることができる。この中間に配置される第３の磁性片６１を１つではなく複数とすることで、４ステップ以上の駆動が可能となる。また、図１１では、第３群のレンズ１５が固定され光軸１１の方向に移動できないものとして示されているが、後述する理由により、レンズ１５は実際はわずかに光軸１１の方向に移動できるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺に存在する無線デバイスを監視する無線通信手段と、
前記無線通信手段による監視で発見した無線デバイスを選択可能なオブジェクトとして所定の動きを伴う表示形態で一覧表示する表示手段と
を具備したことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記無線通信手段が発見した無線デバイスを太陽系若しくは銀河系宇宙空間を模した周回軌道上の天体に見立てた表示形態で選択可能に一覧表示する、発見した無線デバイスの選択画面表示手段を具備する請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記発見した無線デバイスの選択画面表示手段は、前記宇宙空間を縮小化して表示するスモールスケールモニタ画面の表示手段と、前記宇宙空間を拡大化して表示するネットワークセレクトメニュー画面の表示手段とを具備する請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記スモールスケールモニタ画面の表示手段は、径を異にする複数の楕円軌道を表示し、その一つの軌道上に、前記無線通信手段が発見した無線デバイスを天体を模した表示形態で表示し、前記無線通信手段が発見した無線デバイスを天体を模した表示形態で前記軌道上を周回移動させる請求項３記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記ネットワークセレクトメニュー画面の表示手段は、径を異にする複数の円軌道を表示し、その一つの軌道上に前記無線通信手段が発見した無線デバイスを選択可能なオブジェクトとして天体を模したアイコンにより表示し、前記無線通信手段が発見した無線デバイスを選択可能なオブジェクトとして前記軌道上で周回移動させる請求項３記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記スモールスケールモニタ画面の表示手段は、径を異にする複数の楕円軌道でなる軌道群を一組の選択対象画面として、無線ローカルエリアネットワーク、無線アドホックネットワーク等の無線通信環境を単位に、若しくはネットワークの階層を単位に、複数組の選択対象画面を表示する請求項４記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記ネットワークセレクトメニュー画面の表示手段は、径を異にする複数の円軌道でなる軌道群を一組の無線デバイス選択画面として、前記スモールスケールモニタ画面の表示手段が表示する複数組の選択対象画面より選択された一組の選択対象画面に対応する一組の無線デバイス選択画面を表示する請求項６記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記無線通信手段が発見した無線デバイスを管理するデータベースと、
前記無線通信手段が発見した無線デバイスの少なくとも識別子若しくはステータスを含むオブジェクトデータを取得する手段と、
前記取得したオブジェクトデータを前記データベースに登録する手段と
をさらに具備する請求項１記載の情報処理装置。
【請求項９】
コンピュータに、
周辺に存在する無線デバイスを監視して、現在通信が可能な無線デバイスを発見する無線デバイスの監視機能と、
前記発見したすべての無線デバイスを選択可能なオブジェクトとして所定の動きを伴う表示形態で一覧表示する無線デバイスの表示機能と
を実現させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、コンピュータに、周辺に存在する無線デバイスを監視して、現在通信が可能な無線デバイスを発見する無線デバイスの監視機能と、前記発見したすべての無線デバイスを選択可能なオブジェクトとして所定の動きを伴う表示形態で一覧表示する無線デバイスの表示機能とを実現させるためのプログラムを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお前記枠部材１６は従来の両面回路基板におけるスルーホール電極または側面電極の形成方法によって容易に作ることが出来る。
すなわち、両面銅貼されたガラスエポキシ等の両面回路基板に、パターンエッチングによってランド電極１７ａ，１７ｂを形成した後、前記ランド電極１７ａ，１７ｂ間に貫通孔１６ｃを形成し、該貫通孔１６ｃ内にメッキにより導通電極１７ｃを形成する。その後前記ガラスエポキシ等の回路基板に内周孔１６ｄを加工し、さらに前記貫通孔１６ｃの中心（スルーサイドの場合）または外側（スルーホールの場合）を加工して前記樹脂枠１６の外周を形成することによって前記枠部材１６が完成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３は本発明における第２の実施の形態を示す小型撮像モジュールの断面図、図４は図３に示す小型撮像モジュールの枠部材の斜視図であり、図１と同一要素には同一番号を付し、説明を省略する。図４に示す枠部材２５で図２に示す枠部材１５と異なるところは、前記樹脂枠２６の内周孔２６ｄの全面にシールド膜としての金属膜２７ｄが形成されていることであり、この金属膜２７ｄが前記ＣＭＯＳセンサ１の電源端子に接続されたランド電極２７ａ’に接続されていることである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005064591.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置上の所望の位置に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記半導体装置を構成する半導体基板に生じた電流を測定する電流測定手段と、
前記半導体装置への電子ビームの照射タイミングと前記電流測定手段による前記電流の測定タイミングとを同期させるための同期信号を発生する同期信号発生手段と、
前記同期信号に同期して、前記半導体装置に対する電子ビームの照射量を切り替える照射切替手段と、
前記同期信号に同期して、前記電流測定手段による測定結果を時間の関数として記録する測定結果記録手段と、
前記測定結果記録手段に記録された前記測定結果が示す電流と時間との関係から前記半導体装置を構成する膜または接合部を評価する評価処理部と
を具備することを特徴とする半導体評価装置。
【請求項２】
前記評価処理部が、
前記測定結果記録手段に記録された前記測定結果が示す電流と時間との関係から算出される時定数を評価指標として算出することを特徴とする請求項１に記載された半導体評価装置。
【請求項３】
前記評価処理部が、
前記時定数から抵抗値を算出することを特徴とする請求項２の半導体評価装置。
【請求項４】
前記評価処理部が、
前記半導体装置が形成する容量素子の設計上の容量値を入力するデータ入力手段と、
前記設計上の容量値と前記時定数とから前記膜または接合部の抵抗値を算出する数値演算処理部と
を具備し、
前記膜または接合部の抵抗値を前記評価指数として出力することを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載された半導体評価装置。
【請求項５】
前記抵抗値が、前記膜または接合部に含まれる欠陥に基づくものである事を特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載された半導体評価装置。
【請求項６】
前記評価処理部が、
前記測定結果の基板電流値に対して対数演算処理を実施し、前記対数演算処理の結果に対する線形近似式を算出し、前記線形近似式の傾きを抽出することにより前記抵抗値を算出することを特徴とする請求項２ないし５の何れか１項に記載された半導体評価装置。
【請求項７】
前記評価処理部による評価結果を表示する表示手段を更に備えたことを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載された半導体評価装置。
【請求項８】
（ａ）電子ビーム発生手段により発生された電子ビームを半導体装置上の所定の位置に照射する第一のステップと、
（ｂ）電流測定手段が前記半導体装置を構成する半導体基板に生じた電流を電子ビーム照射タイミングに同期して測定する第二のステップと、
（ｃ）前記電流測定手段による測定結果を時間の関数として測定結果記録手段に記録する第三のステップと、
（ｄ）前記測定結果記録手段に記録された前記測定結果と時間との関係から評価処理部が前記半導体装置を構成する膜または接合部を評価する第四のステップと、
（ｅ）前記評価処理部による評価結果を表示する第五のステップと
を含むことを特徴とする半導体評価方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明に係る半導体評価装置は、半導体装置上の所望の位置に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記半導体装置を構成する半導体基板に生じた電流を測定する電流測定手段と、前記半導体装置への電子ビームの照射タイミングと前記電流測定手段による前記電流の測定タイミングとを同期させるための同期信号を発生する同期信号発生手段と、前記同期信号に同期して、前記半導体装置に対する電子ビームの照射量を切り替える照射切替手段と、前記同期信号に同期して、前記電流測定手段による測定結果を時間の関数として記録する測定結果記録手段と、前記測定結果記録手段に記録された前記測定結果が示す電流と時間との関係から前記半導体装置を構成する膜または接合部を評価する評価処理部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、上記半導体評価装置において、前記評価処理部が、前記測定結果記録手段に記録された前記測定結果が示す電流と時間との関係から算出される時定数を評価指標として算出することを特徴とする。
また、本発明は、上記半導体評価装置において、前記評価処理部が、前記時定数から抵抗値を算出することを特徴とする。
また、本発明は、上記半導体評価装置において、前記評価処理部が、前記半導体装置が形成する容量素子の設計上の容量値を入力するデータ入力手段と、前記設計上の容量値と前記時定数とから前記膜または接合部の抵抗値を算出する数値演算処理部とを具備し、前記膜または接合部の抵抗値を前記評価指数として出力することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、上記半導体評価装置において、前記抵抗値が、前記膜または接合部に含まれる欠陥に基づくものである事を特徴とする。
また、本発明は、上記半導体評価装置において、前記評価処理部が、前記測定結果の基板電流値に対して対数演算処理を実施し、前記対数演算処理の結果に対する線形近似式を算出し、前記線形近似式の傾きを抽出することにより前記抵抗値を算出することを特徴とする。
また、本発明は、上記半導体評価装置において、前記評価処理部による評価結果を表示する表示手段を更に備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る膜質評価方法は、（ａ）電子ビーム発生手段により発生された電子ビームを半導体装置上の所定の位置に照射する第一のステップと、（ｂ）電流測定手段が前記半導体装置を構成する半導体基板に生じた電流を電子ビーム照射タイミングに同期して測定する第二のステップと、（ｃ）前記電流測定手段による測定結果を時間の関数として測定結果記録手段に記録する第三のステップと、（ｄ）前記測定結果記録手段に記録された前記測定結果と時間との関係から評価処理部が前記半導体装置を構成する膜または接合部を評価する第四のステップと、（ｅ）前記評価処理部による評価結果を表示する第五のステップとを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１活性領域および第１電極を含む第１半導体素子と、
前記第１半導体素子を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜内に埋め込まれ、前記第１電極と前記第１活性領域とに直接に接続する埋め込み配線とを備え、
前記第１電極は、上面および側面に所定の絶縁材料による第１絶縁スペーサを有し、
前記絶縁スペーサは、前記第１電極上面に、前記埋め込み配線の一部が埋め込まれた開口を備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
上面および側面に前記所定の絶縁材料による第２絶縁スペーサが形成された第２電極を含む第２半導体素子と、
前記第２半導体素子上に形成され、前記第２絶縁スペーサにより前記第２電極と絶縁された自己整合コンタクトをさらに備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
第２活性領域を含む第２半導体素子をさらに有し、
前記埋め込み配線は前記第２活性領域にも直接に接続する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１電極および第２電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜内に埋め込まれ、前記第１電極と前記第２電極とに直接に接続する埋め込み配線とを備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１活性領域を含む第１半導体素子と、
第２活性領域を含む第２半導体素子と、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜内に埋め込まれ、前記第１活性領域および前記第２活性領域に直接に接続する埋め込み配線とを備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置であって、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子の少なくとも片方は、上面および側面に絶縁スペーサが形成された電極を有し、
前記埋め込み配線は、前記電極上方を跨いで形成され、前記電極とは前記絶縁スペーサにより絶縁されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
（ａ）半導体基板に、第１活性領域および第１電極を含む第１半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記第１半導体素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記層間絶縁膜をエッチングして、前記第１電極および前記第１活性領域に達するトレンチを形成する工程と、
（ｄ）前記トレンチを所定の配線材料で埋め込むことにより、前記層間絶縁膜内に埋め込み配線を形成する工程とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ａ）は、
（ｅ）前記第１電極の上面および側面に所定の絶縁材料による第１絶縁スペーサを形成する工程を含み、
前記工程（ｃ）は、
（ｆ）前記層間絶縁膜および前記第１絶縁スペーサをエッチングして、前記第１電極に達する開口を形成する工程と、
（ｇ）前記層間絶縁膜をエッチングして、前記層間絶縁膜の前記開口を含む領域に前記第１活性領域に達するトレンチを形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ａ）は、
（ｈ）前記半導体基板に、第２活性領域並びに上面および側面に前記所定の絶縁材料による第２絶縁スペーサを有する第２電極を含む第２半導体素子を形成する工程を含み、
前記工程（ｂ）で形成する前記層間絶縁膜は、前記第２半導体素子も覆い、
前記工程（ｆ）は、
（ｉ）前記層間絶縁膜および前記第２絶縁スペーサをエッチングして、前記第２電極に達する第１コンタクトホールを形成する工程を含み、
前記工程（ｇ）は、
（ｊ）前記層間絶縁膜をエッチングして、前記第２活性領域に達する第２コンタクトホールを形成する工程を含み、
前記工程（ｄ）において、前記所定の配線材料は、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールにも埋め込まれる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ａ）は、
（ｋ）前記半導体基板に、第２活性領域を含む第２半導体素子を形成する工程を含み、
前記工程（ｂ）で形成する前記層間絶縁膜は、前記第２半導体素子も覆い、
前記工程（ｃ）で形成する前記トレンチは、前記第２活性領域にまで達する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）半導体基板に、第１電極および第２電極を含む半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記層間絶縁膜をエッチングして、前記第１電極および前記第２電極に達するトレンチを形成する工程と、
（ｄ）前記トレンチを所定の配線材料で埋め込むことにより、前記層間絶縁膜内に埋め込み配線を形成する工程とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）半導体基板に、第１活性領域を含む第１半導体素子および第２活性領域を含む第２半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記層間絶縁膜に、前記第１活性領域および前記第２活性領域に達するトレンチを形成する工程と、
（ｄ）前記トレンチを所定の配線材料で埋め込むことにより、前記層間絶縁膜内に埋め込み配線を形成する工程とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ａ）で形成される前記第１半導体素子および前記第２半導体素子の少なくとも片方は、上面および側面に所定の絶縁材料による絶縁スペーサを有する電極を含んでいる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項２に記載の電子機器において、電池を有し、前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項２に記載の電子機器において、電池を有し、外部電源から電源供給を受けずに前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の電子機器において、電波発射手段を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれかに記載の電子機器において、演算処理部（ＣＰＵ）と記憶部（メモリ）とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
対向する第１及び第２の主表面を有し前記第１及び前記第２の主表面を結ぶ孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内面に、前記第１及び前記第２の配線層に接触した状態に形成された、前記第１及び前記第２の配線層を電気的に接続するための電気的接続体を更に有することを特徴とする回路基板。
【請求項８】
対向する第１及び第２の主表面を有する第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層と、前記第２の配線層上に形成された第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の前記第２の配線層に接する側とは対向する面に形成された第３の配線層とを有し、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一方には、第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ孔が形成された回路基板であって、前記第１及び前記第２の絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμrとしたとき、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内部に前記第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ電気的接続体をさらに有することを特徴とする回路基板。
【請求項９】
対向する第１及び第２の主表面を有し前記第１及び前記第２の主表面を結ぶ孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内面に、前記第１及び前記第２の配線層に接触した状態に形成された、前記第１及び前記第２の配線層を電気的に接続するための電気的接続体を更に有する回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
対向する第１及び第２の主表面を有する第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層と、前記第２の配線層上に形成された第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の前記第２の配線層に接する側とは対向する面に形成された第３の配線層とを有し、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一方には、第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ孔が形成された回路基板であって、前記第１及び前記第２の絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμrとしたとき、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内部に前記第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ電気的接続体をさらに有する前記回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の電子機器において、電池を有し、前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項９又は１０に記載の電子機器において、電池を有し、外部電源から電源供給を受けずに前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれかに記載の電子機器において、電波発射手段を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項９〜１２のいずれかに記載の電子機器において、演算処理部（ＣＰＵ）と記憶部（メモリ）とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
絶縁体層を有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板であって、前記絶縁体層の前記少なくとも一部は、絶縁物樹脂中に磁性体が分散されたものであり、前記磁性体の材料は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ等の金属磁性元素の単体又は合金であることを特徴とする回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
積層基板は、左側領域に高周波増幅器モジュール部を、右側領域にスイッチモジュール部を構成している。尚、左側の高周波増幅器モジュール部の電極パターンについては省略し、以下はスイッチモジュール部について説明する。
まず、積層基板の左右の領域の間にはスルーホール電極を介して最下層裏面のグランドに通じるシールド電極SGを設けている。シールド電極は寸法配置的に余裕がある場合は全部のグリーンシートに設けることが望ましいが、多くの場合はそれが出来ないのでグリーンシート３、９等に示すように帯状のシールド電極SG2、SG6であったり、また同様に裏面のグランド電極に繋がるスルーホール電極HG1〜HG4等のように間欠的に縦列して、いわば簾状に設けることでシールド電極の作用をなすことができる。このようなシールド電極SG、HGを設けることで各電極パターンの配置設計が簡易になり高周波部品間の相互干渉が抑制できる。高周波増幅器の発振等の不安定動作を防止できる。また必要信号(送信信号)と不要信号とのスプリアス発生を抑えることができ、通過特性の悪化を防止できるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図４はDCS／PCS側のカプラの副線路lcd2と主線路lcd1及びローパスフィルタの伝送線路ld1、容量cd2、cd3、パワーアンプの整合回路の伝送線路lm5、容量ca16、ca17、ca18、およびシールド電極等の配置構成を示す断面図である。このようにカプラの副線路lcd2とローパスフィルタの伝送線路ld1および整合回路の伝送線路lm5は上部の同一層に形成されている。カプラの主線路lcd1は副線路lcd2の下層にコイル状にまとめて形成され、なおかつスルーホール電極HG1、HG2、HG3およびシールド電極SG3、SG４、SG5でシールドされている。これにより、整合回路の伝送線路lm5と主線路lcd1間のアイソレーション、および主線路lcd1とローパスフィルタの伝送線路ld1間のアイソレーションが大幅に改善される。また、整合回路とローパスフィルタの間にはカップラの主線路、副線路を包括するシールド電極SG1、SG3で距離的に隔離されている事と同時に、グランド電極による電磁的な遮蔽の効果も相乗されるため、機能ブロック間のアイソレーションも向上する。尚、カプラの主線路lcd1と副線路lcd2の上下関係は逆転して構成しても良く、その場合も本発明と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下りデータチャネルを構成する複数のサブフレームに対する復号を行う復号手段と、
復号結果に対する誤り検出を行う検出手段と、
誤り検出結果に応じた応答信号を送信する送信手段と、を具備し、
前記復号手段は、前記送信手段が１つのサブフレームに対する前記応答信号を複数回送信する場合、前記１つのサブフレームに続くサブフレームに対する前記復号を停止する、
移動局装置。
【請求項２】
前記復号手段は、前記送信手段が前記１つのサブフレームに対する前記応答信号を複数Ｎ回送信する場合、前記１つのサブフレームに続くＮ−１個のサブフレームに対する前記復号を停止する、
請求項１記載の移動局装置。
【請求項３】
前記下りデータチャネルは、ＨＳ−ＰＤＳＣＨ（High Speed Physical Downlink Shared Channel）である、
請求項１記載の移動局装置。
【請求項４】
前記送信手段は、前記応答信号をＨＳ−ＤＰＣＣＨ（Dedicated Physical Control Channel for HS-DSCH）を介して送信する、
請求項１記載の移動局装置。
【請求項５】
前記送信手段は、前記応答信号としてＡＣＫ信号またはＮＡＣＫ信号を送信する、
請求項１記載の移動局装置。
【請求項６】
下りデータチャネルを構成する複数のサブフレームに対する復号を行う復号工程と、
復号結果に対する誤り検出を行う検出工程と、
誤り検出結果に応じた応答信号を送信する送信工程と、を具備し、
前記送信工程において１つのサブフレームに対する前記応答信号を複数回送信する場合、前記復号工程において、前記１つのサブフレームに続くサブフレームに対する前記復号を停止する、
無線通信方法。
【請求項７】
前記送信工程において前記１つのサブフレームに対する前記応答信号を複数Ｎ回送信する場合、前記復号工程において、前記１つのサブフレームに続くＮ−１個のサブフレームに対する前記復号を停止する、
請求項６記載の無線通信方法。
【請求項８】
前記下りデータチャネルは、ＨＳ−ＰＤＳＣＨ（High Speed Physical Downlink Shared Channel）である、
請求項６記載の無線通信方法。
【請求項９】
前記送信工程において、前記応答信号をＨＳ−ＤＰＣＣＨ（Dedicated Physical Control Channel for HS-DSCH）を介して送信する、
請求項６記載の無線通信方法。
【請求項１０】
前記送信工程において、前記応答信号としてＡＣＫ信号またはＮＡＣＫ信号を送信する、
請求項６記載の無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】移動局装置および無線通信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、移動局装置および無線通信方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、無駄な電力消費を抑えることができる移動局装置および無線通信方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の移動局装置は、下りデータチャネルを構成する複数のサブフレームに対する復号を行う復号手段と、復号結果に対する誤り検出を行う検出手段と、誤り検出結果に応じた応答信号を送信する送信手段と、を具備し、前記復号手段は、前記送信手段が１つのサブフレームに対する前記応答信号を複数回送信する場合、前記１つのサブフレームに続くサブフレームに対する前記復号を停止する構成を採る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１配線と、
前記第１配線上に形成され、窒素原子を含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、３以下の比誘電率を有する低誘電率膜と、
前記絶縁膜及び前記低誘電率膜内に形成され、前記第１配線と接続されたビアと、
前記ビア上に形成され、該ビアと接続された第２配線と、
孤立した前記ビアの周辺に形成されたダミービアと、
を備えたことを特徴とする配線構造。
【請求項２】
請求項１に記載の配線構造において、
前記低誘電率膜上に形成されたキャップ膜を更に備え、
前記第２配線は、前記キャップ膜及び前記低誘電率膜内に形成されたことを特徴とする配線構造。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線構造において、
前記第１配線の周辺に形成された第１ダミー配線と、
前記第２配線の周辺に形成された第２ダミー配線とを更に備え、
前記ダミービアは前記第１及び第２ダミー配線と接続され、且つ、前記ダミービアと接続された前記第１又は第２ダミー配線がグランド電位に接続されたことを特徴とする配線構造。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の配線構造において、
前記ダミービアがスリット形状であることを特徴とする配線構造。
【請求項５】
請求項１から４の何れかに記載の配線構造において、
前記ダミービアの寸法が、前記ビアの最小寸法の１〜１０倍であることを特徴とする配線構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係る配線構造は、基板上に形成された第１配線と、
前記第１配線上に形成され、窒素原子を含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、３以下の比誘電率を有する低誘電率膜と、
前記絶縁膜及び前記低誘電率膜内に形成され、前記第１配線と接続されたビアと、
前記ビア上に形成され、該ビアと接続された第２配線と、
孤立した前記ビアの周辺に形成されたダミービアと、
を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３５０−４１５ｎｍの光を発生する第１の発光体と、当該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第２の発光体とを有する発光装置において、第２の発光体が、一般式［１］の化学組成を有する結晶相を有する蛍光体を含有してなり、該蛍光体が第１の発光体からの光の照射により４２５ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有することを特徴とする発光装置。 
【化１】
2005064272.tif 000001
（但し、Ｍ1は、Ｅｕ、ＳｉおよびＧｅを除き、ＢａおよびＣａを合計で８０ｍｏｌ％以 上含み、ＢａとＣａのモル比の合計に対するＣａのモル比が１０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下であるプラス価数の金属元素群を表し、Ｍ2は、２価の金属元素を除き、Ｓｉおよ びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含むプラス価数の金属元素群を表し、ａは０．００３＜ａ＜１、ｂは０．９≦ｂ≦１．１、ｃは３．６≦ｃ≦４．４を満足する数である。） 
【請求項２】
ａが、０．００５≦ａ≦０．９であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 
【請求項３】
Ｍ2がＳｉからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。 
【請求項４】
ｂ＝１であり、かつ、ｃ＝４であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の発光装置。 
【請求項５】
Ｍ1がＢａとＣａからなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発 光装置。 
【請求項６】
第１の発光体がレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発光装置。 
【請求項７】
第１の発光体が面発光型ＧａＮ系レーザーダイオードであり、第２の発光体が膜状であり、かつ、面発光型ＧａＮ系レーザーダイオードからの光を第２の発光体の膜に対して照射させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光装置。 
【請求項８】
第１の発光体がＧａＮ系発光ダイオードであり、第１の発光体が第２の発光体で被覆されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の発光装置。 
【請求項９】
第２の発光体が蛍光体をシリコン樹脂、及び／又はエポキシ樹脂に分散させたものであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の発光装置。 
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発光装置を有する画像表示装置。 
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発光装置を有する照明装置。