Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブグラフィカルコントロールであって、
第１の色を有する少なくとも１つの第１のピクセル(318)を有する少なくとも１つのグラフィカル要素と、
前記第１のピクセルの近傍に背景中の少なくとも１つの色が存在する場合に該背景中の該少なくとも１つの色を検出する手段と
を含み、
前記第１の色と前記背景中の前記少なくとも１つの色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記少なくとも１つの第１のピクセルが少なくとも１つの第２の色に変更されるよう構成される、
アクティブグラフィカルコントロール。
【請求項２】
前記背景中の少なくとも１つの第２の色が前記第１のピクセルの近傍に存在し、該第２の色が、前記背景中の前記第１の色と前記背景中の前記少なくとも１つの第２の色との間のコントラストを所定レベルに維持するよう選択される、請求項１に記載のアクティブグラフィカルコントロール。
【請求項３】
アクティブグラフィカルコントロールであって、
少なくとも１つの第１の色を有し及び外周を有する第１のグラフィカル要素と、
少なくとも１つの背景色が前記外周に隣接する場合に該少なくとも１つの背景色を検出する手段と
を含み、
前記少なくとも１つの背景色と前記第１の色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記第１のグラフィカル要素が前記少なくとも１つの背景色を第２の背景色に変更するよう構成される、
アクティブグラフィカルコントロール。
【請求項４】
アクティブグラフィカルコントロールであって、
少なくとも１つの第１の色を有し及び少なくとも１つの透明成分を有する第１のグラフィカル要素と、
少なくとも１つの背景色が前記透明成分の下方に存在する場合に該少なくとも１つの背景色を検出する手段と
を含み、
前記第１の色と前記少なくとも１つの背景色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記第１のグラフィカル要素が前記少なくとも１つの背景色を異なる背景色に変更するよう構成される、
アクティブグラフィカルコントロール。
【請求項５】
アクティブグラフィカルコントロールを表示する方法であって、
（a）該アクティブグラフィカルコントロールの近傍の少なくとも１つの背景色を検出し、
（b）前記少なくとも１つの背景色と前記グラフィカルコントロール内の少なくとも１つの色との間のコントラストを判定し、
（c）前記第１の色と前記少なくとも１つの背景色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記グラフィカルコントロール中の前記少なくとも１つの色を少なくとも１つの第２の色に変更する、
という各ステップを含む方法。
【請求項６】
アクティブグラフィカルコントロールを表示する方法であって、
（a）背景に対してグラフィカルコントロールを表示し(202)、
（b）前記背景と前記グラフィカルコントロールとの間の少なくとも１つのコントラストレベルを判定し(204)、
（c）前記少なくとも１つのコントラストレベルが所定値未満である場合に前記グラフィカルコントロールの外観を変更する(206)、
という各ステップを含む方法。
【請求項７】
アクティブグラフィカルコントロールを表示する方法であって、
（a）該アクティブグラフィカルコントロールに隣接する少なくとも１つの背景色を検出し、
（b）該少なくとも１つの背景色と前記アクティブグラフィカルコントロール中の少なくとも１つの色との間のコントラストを判定し、
（c）前記アクティブグラフィカルコントロールに隣接する前記少なくとも１つの背景色と前記アクティブグラフィカルコントロール中の前記少なくとも１つの色との間の前記コントラストが所定レベル未満である場合に該少なくとも１つの背景色を第２の色に変更する、
という各ステップを含む方法。
【請求項８】
アクティブグラフィカルコントロールを表示するよう構成されたプログラムであって、
少なくとも第１の色を有し及び外周を有する第１のグラフィカル要素と、
前記外周に隣接する少なくとも１つの背景色と
を含み
前記第１の色と前記少なくとも１つの背景色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記第１のグラフィカル要素が少なくとも１つの第２の色に変更されるよう構成される、
プログラム。
【請求項９】
アクティブグラフィカルコントロールを表示するよう構成されたプログラムであって、
少なくとも第１の色を有し及び外周を有する第１のグラフィカル要素と、
前記外周に隣接する少なくとも１つの背景色と
を含み、
前記第１の色と前記少なくとも１つの背景色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記第１のグラフィカル要素が前記少なくとも１つの背景色を第２の背景色に変更するよう構成される、
プログラム。
【請求項１０】
アクティブグラフィカルコントロールを表示するよう構成されたプログラムであって、
少なくとも第１の色を有し及び少なくとも１つの透明成分を有する第１のグラフィカル要素と、
該透明成分の下方に存在する少なくとも１つの背景色と
を含み、
前記第１の色と前記少なくとも１つの背景色との間のコントラストが所定レベル未満である場合に前記第１のグラフィカル要素が前記少なくとも１つの背景色を第２の背景色に変更するよう構成される、
プログラム。
【請求項１１】
ディジタルカメラであって、
表示領域と、
該表示領域に少なくとも１つのイメージを表示するよう構成されたマイクロプロセッサであって、前記表示領域で前記表示されたイメージ上に少なくとも１つのグラフィカルコントロールを表示するよう構成され、前記イメージと前記表示されるグラフィカルコントロールとの間に所定レベルのコントラストが生じるよう該グラフィカルコントロールの少なくとも１つの色を選択する、マイクロプロセッサと
を含むディジタルカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサを用いて、メモリカードの使用状況についての情報を収集するステップと、
該メモリカードの使用状況についての情報をメモリカードの記憶領域に記録するステップと、
プロセッサを用いて、該メモリカードの使用状況についての情報に、該メモリカードの記憶領域からアクセスするステップと、
前記メモリカードの使用状況についての前記情報を、前記メモリカードにあるディスプレイに表示するステップと
を含んでなる、メモリカード使用状況情報をメモリカードに格納する方法。
【請求項２】
前記収集するステップが、書き込みイベントと読み取りイベントと電源投入イベントとをモニタすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記収集するステップが、イベントが発生すると、該イベントの記述子に関連するカウントを変更することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記収集するステップが、イベントが発生すると、該イベントの記述に関連するカウントを変更することをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
メモリカードの使用状況についての情報を記録するための該メモリカードの記憶領域部と、
前記メモリカードの使用状況についての情報にアクセスするために、前記メモリカードから該メモリカードの使用に関する情報を収集するプロセッサと、
前記メモリカードの使用状況についての情報を表示するための前記メモリカードにあるディスプレイと
を含んでなる、メモリカード使用状況情報をメモリカードに格納するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  検索対象が知識ベース中のエントリにマッチするかどうかを判定する方法であって、知識ベースが、複数の検索ノードと、２つの検索ノードを結合する複数のリンクとを含む決定ツリー構造を含むような方法において、
決定ツリー構造の第１の部分を第１のメモリに記憶するステップであって、第１の部分が、第１の複数の検索ノードと、相互接続リンクとを含むステップと、
決定ツリー構造の第２の部分を第２のメモリに記憶するステップであって、第２の部分が、第２の複数の検索ノードと、相互接続リンクとを含むステップと、
第１のメモリから第１の検索ノードを読み取るステップと、
第１の検索ノードを、検索対象の少なくとも一部と比較するステップと、
比較のステップに基づき、結合しているリンクを介して、第１の検索ノードから第２の検索ノードまでの検索経路をトラバースするステップとを含む方法。
【請求項２】  前記第２の検索ノードを読み取るステップと、検索対象の少なくとも一部を第２の検索ノードと比較するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  読み取るステップ、比較するステップ、およびトラバースするステップが、決定ツリーの第２の部分がその末端までトラバースされるまで繰り返される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  読み取るステップが集積回路中に形成されているプロセッサによって実行され、また、第１のメモリが集積回路上に形成され、それによって、第１のメモリから検索ノードを読み取るステップが、第２のメモリから検索ノードを読み取るステップよりも高速に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  決定ツリー構造の第１の部分が第１の検索エントリに近い検索ノードを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  決定ツリー構造が、それぞれが複数の検索ノードを含む複数のレベルを含み、複数のレベルの１つを含む検索ノードが、リンクによって、複数のレベルの別の１つを含む検索ノードに接続される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  複数のレベルのうち、所定数の低位レベルが第１のメモリに記憶され、残りの複数のレベルが第２のメモリに記憶される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  複数のレベルのうちの所定数の低位レベルが、残りの複数のレベルよりも読取りアクセス時間が高速である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  第１のメモリのアクセス時間パラメータが、第２のメモリのアクセス時間パラメータよりも少ない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  検索対象が複数の記号を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  記号が複数のバイナリ・ビットを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  知識ベースが、入力されたデータの属性を判定するための、通信ネットワーク・プロセッサの分類エンジンを含み、決定ツリーの第２の部分が、複数の終端ノードで終了する方法であって、読み取るステップ、比較するステップ、およびトラバースするステップを、終端ノードに到達するまで繰り返し、終端ノードが入力データの属性を識別する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  決定ツリーの第２の部分が、複数の終端ノードで終了する方法であって、終端ノードが検索対象の少なくとも一部にマッチするように、読み取るステップ、比較するステップ、およびトラバースするステップを終端ノードに到達するまで繰り返す、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  複数の検索ノードのそれぞれが命令およびアドレス・フィールドを含み、比較するステップが、検索対象の少なくとも一部を命令と比較するステップをさらに含み、アドレス・フィールドが、比較するステップに基づいて第２の検索ノードを決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】  決定ツリー構造が、複数の連続するツリー・レベルを含み、各ツリー・レベルが、検索ノードと、次の隣接するツリー・レベルの検索ノードへのリンクをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  決定ツリー構造の第１の部分が所定数の連続するツリー・レベルを含み、決定ツリー構造の第２の部分が残りの連続するツリー・レベルを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  決定ツリー構造の第１の部分が１つまたは複数の連続するツリー・レベルの一部を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  検索対象が知識ベース中のいずれかのエントリにマッチするかどうかを判定する装置であって、知識ベースが、隣接する検索ノード間の複数のリンクを含む決定ツリー構造を含むような装置において、
決定ツリー構造の第１の部分を記憶する第１のメモリと、
決定ツリー構造の第２の部分を記憶する第２のメモリと、
検索対象の少なくとも一部を検索ノードとマッチさせるための、また、そのマッチに応答して決定ツリー構造中をトラバースするためのプロセッサとを備える装置。
【請求項１９】  決定ツリー構造が複数の終端ノードで終了し、プロセッサが、終端ノードに到達するまで決定ツリー構造中をトラバースし、終端ノードが検索対象の少なくとも一部にマッチする、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】  第１のメモリからの検索エントリの読取りが、第２のメモリからの検索エントリの読取りよりも高速になるように、プロセッサおよび第１のメモリが同じ集積回路に形成されている、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】  第１のメモリが第１のアクセス時間を有し、第２のメモリが第２のアクセス時間を有し、第１のアクセス時間が第２のアクセス時間よりも高速である、請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】  決定ツリー構造が、それぞれが複数の検索ノードを含む複数のレベルを含み、複数のレベルの１つを含む検索ノードが、リンクによって、複数のレベルの隣接する１つを含む検索ノードに接続され、第１のメモリが少なくとも第１のレベルを記憶する、請求項１８に記載の装置。
【請求項２３】  検索対象が知識ベース中のいずれかのエントリにマッチするかどうかを判定する装置であって、知識ベースが、隣接する検索ノードを接続する複数のリンクを含む決定ツリー構造を含むような装置において、
第１のプロセッサと、
第２のプロセッサと、
決定ツリー構造の第１の部分を記憶する第１のメモリと、
決定ツリー構造の第２の部分を記憶する第２のメモリとを備え、
前記第１のプロセッサが前記第１のメモリにアクセスし、前記第２のプロセッサが、前記検索対象の少なくとも一部にマッチする検索ノードを判定するために前記第２のメモリにアクセスするようになっている装置。
【請求項２４】  第１のプロセッサが、検索対象の少なくとも一部を、第１のメモリに記憶されている１つまたは複数の検索ノードと比較して、第１の部分中をトラバースし、
決定ツリーの第１の部分がトラバースされた後、第２のプロセッサが、検索対象の少なくとも一部を、第２のメモリに記憶されている１つまたは複数の検索エントリと比較して、検索対象の少なくとも一部とマッチする検索ノードを判定するまで第２の部分中をトラバースする、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】  第１のプロセッサと第２のプロセッサが、複数の検索ツリーのツリー検索を同時に実行する、請求項２３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を製造するための１組のマスクを生成する方法であって、該方法は、
直接的に隣接する複数のマスク領域を規定する第１のマスク（４０１）を生成することであって、該複数のマスク領域は、該第１のマスク（４０１）を直接的に囲む領域（４０４）に対して光を１８０度シフトさせる１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）を含み、該第１のマスク（４０１）は、該集積回路の第１の層の中に該集積回路の第２の層に配置された拡散領域（３１０）をオーバーレイするトランジスタゲートのような所望の金属またはポリシリコン構造を作成する際に使用され、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）は、該拡散領域（３１０）に形成されるべき該金属またはポリシリコン構造の該集積回路における必要な位置に対応するように位置づけられるように配置された１つのエッジ（４００；４３０）を有しており、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の他の全てのエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）は、該集積回路の該第２の層に配置された下部の拡散領域（３１０）の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）を所定の量だけ外側に超えて置かれるように配置されている、ことと、
該第１のマスク（４０１）によって形成された該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の対応する複数のエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）から所定の量だけ外側にずらされた線分（５０５，５１０，５１５；５３５，５４０，５４５）によって部分的に規定されるトリミング領域を形成する第２のトリムマスク（５０１）を生成することであって、該第２のトリムマスク（５０１）は、第１の露光ステップにおいて該第１のマスク（４０１）を用いて該集積回路内に生成された望ましくないアーチファクトであって、該所望の金属またはポリシリコン構造の一部ではないアーチファクトを除去する際に第２の露光ステップにおいて使用される、ことと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記トリムマスク（５０１）は、前記集積回路の前記第１の層に追加の構造的な要素をさらに規定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記トリムマスク（５０１）は、位相シフト要素を含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のマスク（４０１）および前記トリムマスク（５０１）によって作成された前記構造は、トランジスタゲートである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記トリムマスク（５０１）は、元の集積回路レイアウトのトポロジを保持する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１８０度位相シフト領域（４０２，４０３）は、前記拡散領域の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）から外側に０．２５λ／ＮＡより多くの量だけずらされた複数のエッジを有しており、λは前記マスクを露光するために用いられる光の波長であり、ＮＡは露光に用いられる開口数である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
命令のシーケンスが格納された機械読み取り可能な媒体を備えた物品であって、１以上のプロセッサによって該命令のシーケンスが実行された場合に、電子デバイスに、
直接的に隣接する複数のマスク領域を規定する第１のマスク（４０１）を生成することであって、該複数のマスク領域は、該第１のマスク（４０１）を直接的に囲む領域（４０４）に対して光を１８０度シフトさせる１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）を含み、該第１のマスク（４０１）は、該集積回路の第１の層の中に該集積回路の第２の層に配置された拡散領域（３１０）をオーバーレイするトランジスタゲートのような所望の金属またはポリシリコン構造を作成する際に使用され、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）は、該拡散領域（３１０）に形成されるべき該金属またはポリシリコン構造の該集積回路における必要な位置に対応するように位置づけられるように配置された１つのエッジ（４００；４３０）を有しており、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の他の全てのエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）は、該集積回路の該第２の層に配置された下部の拡散領域（３１０）の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）を所定の量だけ外側に超えて置かれるように配置されている、ことと、
該第１のマスク（４０１）によって形成された該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の対応する複数のエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）から所定の量だけ外側にずらされた線分（５０５，５１０，５１５；５３５，５４０，５４５）によって部分的に規定されるトリミング領域を形成する第２のトリムマスク（５０１）を生成することであって、該第２のトリムマスク（５０１）は、第１の露光ステップにおいて該第１のマスク（４０１）を用いて該集積回路内に生成された望ましくないアーチファクトであって、該所望の金属またはポリシリコン構造の一部ではないアーチファクトを除去する際に第２の露光ステップにおいて使用される、ことと
を行わせる、物品。
【請求項８】
前記トリムマスクを生成する命令のシーケンスは、前記集積回路の前記第１の層に追加の構造的な要素を規定する命令のシーケンスをさらに含む、請求項７に記載の物品。
【請求項９】
前記１８０度位相シフト領域（４０２，４０３）は、前記拡散領域の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）から外側に０．２５λ／ＮＡより多くの量だけずらされた複数のエッジを有しており、λは前記第１のマスクを露光するために用いられる光の波長であり、ＮＡは露光に用いられる開口数である、請求項７に記載の物品。
【請求項１０】
前記トリムマスク（５０１）は、位相シフト要素を含まない、請求項７に記載の物品。
【請求項１１】
前記第１のマスク（４０１）および前記トリムマスク（５０１）によって作成された前記構造は、トランジスタゲートである、請求項７に記載の物品。
【請求項１２】
前記トリムマスク（５０１）は、元の集積回路レイアウトのトポロジを保持する、請求項７に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界が存在しない状態でホモジニアス配列に配向させた液晶分子を含む液晶層を備える液晶セルと、該液晶セルの一方の側に配置された第１の偏光子と、該液晶セルの他方の側に配置された第２の偏光子と、該液晶セルと該第１の偏光子との間に配置された負の二軸性光学素子およびポジティブＣプレートと、該液晶セルと該第２の偏光子との間に配置された等方性光学素子とを備え、
該負の二軸性光学素子が、第１の偏光子とポジティブＣプレートとの間に配置され、そのＲｅ［４８０］／Ｒｅ［５９０］が０．８〜１．２である、
液晶パネル。
【請求項２】
前記液晶セルがＩＰＳモード、ＦＦＳモードまたはＦＬＣモードである、請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記液晶セルの初期配向方向と、前記第２の偏光子の吸収軸の方向とが、実質的に平行である、請求項１または２に記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記液晶セルの初期配向方向と、該液晶セルのバックライト側に配置された偏光子の吸収軸の方向とが、実質的に平行である、請求項１から３のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項５】
前記液晶セルの初期配向方向と、該液晶セルのバックライト側に配置された偏光子の吸収軸の方向とが、実質的に直交している、請求項１から３のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項６】
前記負の二軸性光学素子の遅相軸が、前記第１の偏光子の吸収軸と実質的に直交である、請求項１から５のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項７】
前記負の二軸性光学素子の２３℃における波長５９０ｎｍの光で測定した面内の位相差値（Ｒｅ［５９０］）が５０〜１８０ｎｍである、請求項１から６のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項８】
前記負の二軸性光学素子が、セルロースエステルを主成分とする高分子フィルムの延伸フィルムを含む、請求項１から７のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項９】
前記ポジティブＣプレートの２３℃における波長５９０ｎｍの光で測定した厚み方向の位相差値（Ｒｔｈ［５９０］）が−２００〜−３０ｎｍである、請求項１から８のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項１０】
前記ポジティブＣプレートが、ホメオトロピック配列に配向させた液晶性組成物の固化層または硬化層を含む、請求項１から９のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項１１】
前記等方性光学素子が、ポリノルボルネン、セルロースエステル、イソブチレン・Ｎ−メチルマレイミド共重体、およびアクリロニトリル・スチレン共重合体から選ばれる少なくとも１つの樹脂を主成分とする高分子フィルムを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の液晶パネルを含む、液晶テレビ。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれかに記載の液晶パネルを含む、液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する磁気記録ディスクと、
このディスクが回転しているときに前記ディスク表面近くに自身を保つエアーベアリング面を有するスライダーと、
このスライダーに支持され、前記ディスクからデータを読み取りまたは書きこむための磁性素子を有し、この磁性素子は予め定められた値よりも高い湿度で腐食する材料で作られ且つ前記回転するディスクと接触すると磨耗してなくなる保護膜で覆われているヘッドと、
前記スライダーと結合しており、前記ディスクの表面を横切って前記スライダーと前記ヘッドを移動させるアクチュエータと、
前記ディスクと前記スライダーを覆い、前記予め定められた値よりも低い湿度で機密封止したハウジングとを有する磁気記録ディスクドライブ。
【請求項２】
前記ハウジング内のガスが大気であり、さらに湿度制御剤を前記ハウジング内に有し、前記ハウジング内を前記予め定めた値以下の湿度に保つ請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項３】
前記湿度制御剤が湿度バッファーを有し、前記ハウジング内の湿度を予め定められた範囲に保つ請求項２記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項４】
前記ハウジング内のガスが大気であり、さらに前記ハウジング内に揮発性腐食防止剤を有し、前記磁性素子の腐食を防止する請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項５】
前記ハウジング内のガスが、本質的に空気、ヘリウム及び窒素からなるグループから選ばれたガスからなる請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項６】
前記ヘッドが誘導型の書き込みヘッドを有し、前記磁性素子がＣｏとＦｅを含む合金からなる書き込み磁極である請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項７】
前記ヘッドが読み出しヘッドを有し、前記磁性素子は磁気抵抗型読み出し素子である請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項８】
前記スライダーのガスベアリング面よりも突き出していて、前記保護膜を有している磨耗パッド内の前記スライダーに前記磁性素子が支持されている請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項９】
前記保護膜が本質的にアモルファス炭素である請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１０】
前記ディスクが本質的にアモルファス炭素である保護膜を有する請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１１】
前記機密封止ハウジングがベースプレートとこのベースプレートに機密封止されているカバーを有する請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１２】
前記カバーが前記ベースプレートにレーザ溶接されている請求項１１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１３】
前記ディスクドライブの組み立て中に取り外し可能なシールを施すために前記カバーとベースプレートの間に弾性ガスケットをさらに有している請求項１２記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１４】
取り外し可能なシールを施すための前記カバーとベースプレートの間にある弾性ガスケットと、このガスケットの外側に前記カバーと前記ベースプレートと接触しているポリマー機密シールとをさらに有している請求項１１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１５】
前記機密封止したハウジングがベースプレートと、第一のカバーと、この第一のカバーと前記ベースプレートをシールするガスケットと、前記第一のカバーの上部にあり前記ベースプレートと機密封止する第二のカバーとを有する請求項１記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１６】
回転する磁気記録ディスクと、
前記ディスクが動作速度で回転中に、前記ディスク表面近くに、しかし接触することはなくスライダーを保つエアーベアリング面を有し、このスライダーのガスベアリング面より端部が前記ディスクに向かって突き出している突き出しパッドを有するスライダーと、
前記突き出しパッド内に支持され、前記ディスクからデータを読み取るための磁気抵抗読み出し素子と前記ディスクにデータを書き込むための書き込み磁極を有し、前記読み出し素子と前記書き込み磁極は予め定められた値より高い相対湿度下では腐食する材料で形成され、前記読み出し素子と前記書き込み磁極の端部は前記突き出しパッドの端部まで伸びており保護膜を有さない読み出し／書き込みヘッドと、
前記スライダーと結合しており、前記ディスクが回転しているときにディスク表面を横切って前記スライダー及び前記ヘッドを移動させるアクチュエータと、
前記ディスクと前記スライダーを覆い、内部の圧力は基本的に外部の気圧とは独立し、前記予め定められた値より低い相対湿度で、機密封止したハウジングとを有する磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１７】
前記ハウジング内のガスが大気で、さらに湿度制御剤を前記ハウジング内に有し、相対湿度を前記予め定められた値よりも低く保つ請求項１６記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１８】
前記湿度制御剤が湿度バッファーを有し、前記ハウジング内の相対湿度を約５％以上に保つ請求項１７記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１９】
前記ハウジング内のガスが大気であり、さらに前記ハウジング内に揮発性腐食防止剤を有する請求項１６記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項２０】
前記ハウジング内のガスが本質的に空気、ヘリウム及び窒素からなるグループから選ばれたガスからなる請求項１６記載の磁気記録ディスクドライブ。
【請求項２１】
前記書き込み磁極がＣｏ及びＦｅを有する合金で形成されている請求項１６記載の磁気記録ディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  調理鍋を載置するトッププレートと、
前記トッププレートの下に並べて配設され、前記調理鍋を誘導加熱する円盤状の一対の加熱コイルと、
前記加熱コイルに対向する前記トッププレートの上面にそれぞれ設けられ、前記調理鍋の載置位置をガイドするガイド部と、
前記トッププレートの前端近傍に配置され、前記調理鍋に対して調理制御を行うためのインターフェイス部と、
前記一対の加熱コイル上に一対ずつ配置され、前記調理鍋の温度を検知する４個の温度センサとを備え、
前記４個の温度センサは、前記トッププレートの後端側に狭まる略ハ字状に配置されていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】  前記各加熱コイル上に一対ずつ配置された前記温度センサのうち、検知温度が高い値の方をサンプリングして、前記加熱コイルを加熱制御する制御回路を更に備えることを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】  前記インターフェイス部は、火力レベルを設定する火力設定部と、前記火力設定部で設定した火力レベルを表示する火力表示部との少なくとも一方であることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか一項記載の誘導加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る誘導加熱調理器は、調理鍋を載置するトッププレートと、トッププレートの下に並べて配設され、調理鍋を誘導加熱する円盤状の一対の加熱コイルと、加熱コイルに対向するトッププレートの上面にそれぞれ設けられ、調理鍋の載置位置をガイドするガイド部と、トッププレートの前端近傍に配置され、調理鍋に対して調理制御を行うためのインターフェイス部と、一対の加熱コイル上に一対ずつ配置され、調理鍋の温度を検知する４個の温度センサとを備え、４個の温度センサはトッププレートの後端側に狭まる略ハ字状に配置されるようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極上に形成された第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２の無機絶縁膜と、
を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の無機絶縁膜または第２の無機絶縁膜よりも応力が小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極上に形成された第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２の無機絶縁膜と、
を有し、
前記絶縁膜は、有機化合物を含む膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極上に形成された第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２の無機絶縁膜と、
を有し、
前記絶縁膜は、ＭｇＯ、ＳｒＯ２、ＳｒＯ、ＣａＦ２またはＣａＮの合金膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の無機絶縁膜または前記第２の無機絶縁膜は、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、またはこれらの積層であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の無機絶縁膜または前記第２の無機絶縁膜は、シリコンをターゲットとした高周波スパッタリング法により成膜される窒化珪素膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記絶縁膜は、吸湿性、且つ、透光性を有する膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に第１の無機絶縁膜を形成し、
前記第１の無機絶縁膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の無機絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜は、前記第１の無機絶縁膜または第２の無機絶縁膜よりも応力が小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に第１の無機絶縁膜を形成し、
前記第１の無機絶縁膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の無機絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜は、有機化合物を含む膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に第１の無機絶縁膜を形成し、
前記第１の無機絶縁膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の無機絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜は、ＭｇＯ、ＳｒＯ２、ＳｒＯ、ＣａＦ２またはＣａＮの合金膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、前記第１の無機絶縁膜または前記第２の無機絶縁膜は、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、またはこれらの積層であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、前記第１の無機絶縁膜または前記第２の無機絶縁膜は、シリコンをターゲットとした高周波スパッタリング法により成膜される窒化珪素膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、前記絶縁膜は、吸湿性、且つ、透光性を有する膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、電圧を印加することで発光を呈する有機化合物を含む電界発光層を設けた有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層中に導電性微粒子が分散されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は、カーボン微粒子、または界面活性剤で表面処理されたカーボン微粒子、またはカーボンナノチューブ、またはフラーレンであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は、導電率が１０−１０Ｓ／ｍ以上の材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
第１の電極と第２の電極との間に、電圧を印加することで発光を呈する有機化合物を含む電界発光層を設けた有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層中に金属微粒子が分散されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、金、銀または白金を組成とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、有機化合物で被覆されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、平均径が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、導電率が１０−１０Ｓ／ｍ以上の材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項９】
第１の電極と第２の電極との間に、電圧を印加することで発光を呈する有機化合物を含む電界発光層を設けた有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層中に無機半導体微粒子が分散されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記無機半導体微粒子は、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、ヨウ化銅、またはインジウム錫酸化物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記無機半導体微粒子は、有機化合物で被覆されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記無機半導体微粒子は、平均径が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記無機半導体微粒子は、導電率が１０−１０Ｓ／ｍ以上の材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記第１の電極と前記電界発光層との間、および前記第２の電極と前記電界発光層との間に、それぞれ絶縁層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記第１の電極と前記電界発光層との間、および前記第２の電極と前記電界発光層との間に、それぞれ前記第１の電極および前記第２の電極から前記電界発光層へのキャリア注入を防ぐ絶縁層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記第１の電極と前記電界発光層との間、および前記第２の電極と前記電界発光層との間に、それぞれ絶縁層が設けられており、
交流バイアスにより動作することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層は、バイポーラ性であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層は、電子輸送性の有機化合物とホール輸送性の有機化合物とが混合されたバイポーラ性混合層であることを特徴とする有機エレクトルミネッセント素子。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層は、π共役系ないしはσ共役系を有し、かつバイポーラ性である高分子化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、電界発光する有機化合物を含む電界発光膜と、フローティング電極と、電子輸送補助層と、陰極と、を順次積層してなる電界発光素子であって、
前記電界発光膜と前記電子輸送補助層の少なくともいずれか一方に、ホールブロック性材料が含有されていることを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
陰極と、電子輸送補助層と、フローティング電極と、電界発光する有機化合物を含む電界発光膜と、陽極と、を順次積層してなる電界発光素子であって、
前記電界発光膜と前記電子輸送補助層の少なくともいずれか一方に、ホールブロック性材料が含有されていることを特徴とする電界発光素子。
【請求項３】
陽極と、電界発光する有機化合物を含む電界発光膜と、電子輸送層と、フローティング電極と、電子輸送補助層と、陰極と、を順次積層してなる電界発光素子。
【請求項４】
陽極と、電界発光する有機化合物を含む電界発光膜と、電子輸送層と、フローティング電極と、電子輸送補助層と、陰極と、を順次積層してなる電界発光素子であって、
前記電界発光膜と前記電子輸送補助層の少なくともいずれか一方に、ホールブロック性材料が含有されていることを特徴とする電界発光素子。
【請求項５】
陰極と、電子輸送補助層と、フローティング電極と、電子輸送層と、電界発光する有機化合物を含む電界発光膜と、陽極と、を順次積層してなる電界発光素子。
【請求項６】
陰極と、電子輸送補助層と、フローティング電極と、電子輸送層と、電界発光する有機化合物を含む電界発光膜と、陽極と、を順次積層してなる電界発光素子であって、
前記電界発光膜と前記電子輸送補助層の少なくともいずれか一方に、ホールブロック性材料が含有されていることを特徴とする電界発光素子。
【請求項７】
請求項１、２、４及び６のいずれか一項において、前記ホールブロック性材料は、イオン化ポテンシャルが５．８ｅＶ以上であることを特徴とする電界発光素子。
【請求項８】
請求項１、２、４、６及び７のいずれか一項において、前記ホールブロック性材料は、フェナントロリン骨格を含む有機化合物、または１３族元素を中心金属とする５配位型の金属錯体であることを特徴とする電界発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、少なくとも前記電子輸送補助層には、ホールブロック性材料が含有されており、
前記陰極は、仕事関数が３．５ｅＶ以上の導電膜を含むことを特徴とする電界発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記陰極は、スパッタリング法により形成される導電膜を含むことを特徴とする電界発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記陰極は、透光性を有する導電膜を含むことを特徴とする電界発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記電子輸送補助層は、ホール移動度よりも電子移動度が大きい電子輸送性材料を有することを特徴とする電界発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記電子輸送補助層は、金属錯体、混合配位子錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体又はフェナントロリン誘導体を含むことを特徴とする電界発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記電子輸送補助層は、１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚であることを特徴とする電界発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、前記フローティング電極は、仕事関数が３．５ｅＶ以下の導電体からなることを特徴とする電界発光素子。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電界発光素子を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項１８】
請求項１７において、前記電気器具は、ディスプレイ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、カーステレオ、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、モバイルコンピュータ、携帯電話又は電子書籍であることを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の製造装置及び発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロード室、発光体成膜室、導電体成膜室、絶縁体成膜室及びアンロード室を備えた発光装置の製造装置であって、
前記発光体成膜室は、リキッドジェット法により発光体を成膜する成膜室であり、
前記導電体成膜室は、スパッタ法により導電体を成膜する成膜室であり、
前記絶縁体成膜室は、スパッタ法により絶縁体を成膜する成膜室であり、
前記ロード室、発光体成膜室、導電体成膜室、絶縁体成膜室及びアンロード室のいずれにおいても、被処理基体は、該被処理基体の成膜面と重力方向とのなす角が０〜３０°に収まるよう保持されることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項２】
ロード室、発光体成膜室、導電体成膜室、絶縁体成膜室及びアンロード室を備えた発光装置の製造装置であって、
前記発光体成膜室は、印刷法により発光体を成膜する成膜室であり、
前記導電体成膜室は、スパッタ法により導電体を成膜する成膜室であり、
前記絶縁体成膜室は、スパッタ法により絶縁体を成膜する成膜室であり、
前記ロード室、発光体成膜室、導電体成膜室、絶縁体成膜室及びアンロード室のいずれにおいても、被処理基体は、該被処理基体の成膜面と重力方向とのなす角が０〜３０°に収まるよう保持されることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項３】
ロード室、発光体成膜室、導電体成膜室、絶縁体成膜室及びアンロード室を備えた発光装置の製造装置であって、
前記発光体成膜室は、スプレー法により発光体を成膜する成膜室であり、
前記導電体成膜室は、スパッタ法により導電体を成膜する成膜室であり、
前記絶縁体成膜室は、スパッタ法により絶縁体を成膜する成膜室であり、
前記ロード室、発光体成膜室、導電体成膜室、絶縁体成膜室及びアンロード室のいずれにおいても、被処理基体は、該被処理基体の成膜面と重力方向とのなす角が０〜３０°に収まるよう保持されることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記発光体は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層もしくは電子阻止層のいずれかであることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記導電体は、周期表の１族または２族に属する元素を含む金属膜であることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記導電体は、酸化物導電膜であることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記絶縁体は、窒化シリコン膜であることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記ロード室及び前記アンロード室は、一体化していることを特徴とする発光装置の製造装置。
【請求項９】
電極上にインクジェット法を用いて発光体を成膜する第１処理と、該発光体上にスパッタ法を用いて導電体を成膜する第２処理と、該導電体上にスパッタ法を用いて絶縁体を成膜する第３処理とを含む発光装置の作製方法であって、
前記第１処理、前記第２処理及び前記第３処理は、前記電極が設けられた被処理基体の成膜面と重力方向とのなす角が０〜３０°に収まるように保持したまま行われることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
電極上に印刷法を用いて発光体を成膜する第１処理と、該発光体上にスパッタ法を用いて導電体を成膜する第２処理と、該導電体上にスパッタ法を用いて絶縁体を成膜する第３処理とを含む発光装置の作製方法であって、
前記第１処理、前記第２処理及び前記第３処理は、前記電極が設けられた被処理基体の成膜面と重力方向とのなす角が０〜３０°に収まるように保持したまま行われることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
電極上にスプレー印刷法を用いて発光体を成膜する第１処理と、該発光体上にスパッタ法を用いて導電体を成膜する第２処理と、該導電体上にスパッタ法を用いて絶縁体を成膜する第３処理とを含む発光装置の作製方法であって、
前記第１処理、前記第２処理及び前記第３処理は、前記電極が設けられた被処理基体の成膜面と重力方向とのなす角が０〜３０°に収まるように保持したまま行われることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、前記発光体は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層もしくは電子阻止層のいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、前記導電体は、周期表の１族または２族に属する元素を含む金属膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、前記導電体は、酸化物導電膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、前記絶縁体は、窒化シリコン膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（アルコール、ニコチン、および他の精神作用物質によるものを含む）中毒障害および引きこもり症候群、（抑うつ気分、不安、不安と抑うつ気分との混合、行為の混乱、行為と気分との混合した混乱を含む）適応障害、（アルツハイマー病を含む）加齢に関連する学習および精神障害、神経性食欲不振、感情鈍麻、全般的な医学的状態による注意欠陥（もしくは他の認識）障害、注意欠陥多動障害（ＡＤＨＤ）、双極性障害、神経性過食症、慢性疲労症候群、慢性もしくは急性ストレス、行為障害、気分循環性障害、（青年期うつ病および年少者うつ病を含む）うつ病、気分変調障害、（身体化障害、転換性障害、疼痛障害、心気症、身体醜形障害、分類不能の身体性表現性障害、および特定不能の身体性表現性障害ＮＯＳを含む）線維筋痛症および他の身体性表現性障害、全身性不安障害（ＧＡＤ）、失禁（すなわち、緊張性失禁、真性緊張性失禁、および混合失禁）、吸入障害、中毒障害（すなわち、アルコール中毒）、そう病、偏頭痛、肥満（すなわち、肥満もしくは太りすぎの患者の体重を低減する）、強迫性障害および関連する広範囲な障害、反抗挑戦性障害、恐慌性障害、心的外傷後ストレス障害、月経前不快症候群（すなわち、月経前症候群および後期黄体期不快障害）、（精神分裂病、情動分裂型および精神分裂病型障害を含む）精神病性障害、季節性情動障害、（ナルコレプシーおよび夜尿症のごとき）睡眠障害、（社会不安障害を含む）社会恐怖、特異的発育障害、選択的セロトニン再取込み阻害（ＳＳＲＩ）「プープアウト(poop out)」症候群（すなわち、ＳＳＲＩ療法に対する満足反応を満足反応の初期後に維持することができない患者における）、およびＴＩＣ障害（例えば、トレッツ病）よりなる群から選択される少なくとも１の神経系障害の治療または予防に用いられる、ノルエピネフリンの再取り込みを選択的に阻害する医薬組成物であって、該組成物は少なくとも５０００のセロトニン（Ｋｉ）／ノルエピネフリン（Ｋｉ）の薬理学的選択性を有する化合物を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
組成物を経口、局所的、非経口、経皮、経直腸、または経膣投与することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
組成物が経口投与用であって、さらに、結合剤、希釈剤、滑沢剤、崩壊剤、発泡剤、色素、甘味剤、湿潤剤、およびそれらの混合物よりなる群から選択される医薬上許容される担体を含むことを特徴とする請求項２記載の組成物。
【請求項４】
経口投与がカシェ剤、カプセル剤、錠剤またはエアロゾルスプレイによることを特徴とする請求項３記載の組成物。
【請求項５】
組成物が皮下、静脈内、または筋肉内非経口投与用に用いられることを特徴とする請求項２記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】保護コーティング
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
連邦政府の支援による研究または開発に関する声明
米国政府は、米国海軍研究所との契約番号Ｎ０００１４−０１−Ｃ−００３２に基づく本発明に対して明確な権利を有する。
本発明は、概して、保護コーティング、特にガスタービン・エンジン部品において使用される保護コーティングに関する。