【事件の表示】
　平成１１年特許願第１３６２２９号「発光素子の製造方法」において、平成１３年３月１９日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２年５月３０日に出願した特願平２−１４０７４０号の一部を平成１１年５月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年３月１９日付けで手続補正書が提出されたところ、平成１３年９月２６日付けでその補正についての却下の決定がなされた。
　
２．原決定の理由
　上記補正の却下の決定の理由は、概ね次のとおりである。
　本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「当初明細書」という。）には、補正後の請求項１に記載されているような、「AlＸGa１-ＸN(0≦X≦1）半導体上のエッチングすべき箇所にフォトレジストを形成する工程と、前記AlＸGa１-ＸN(0≦X≦1）半導体上及び形成された前記フォトレジストの上に二酸化珪素（SiO２）膜を形成する工程と、前記フォトレジストを剥離液により除去することで、フォトレジストの形成された位置に窓の形成された二酸化珪素（SiO２）膜からなるパターン化されたマスクを形成する工程」は記載されていない。つまり、パターン化された二酸化珪素膜のみをマスクとすることは、当初明細書に記載されておらず、また当初明細書の記載からみて自明のこととも認められない。
　したがって、この補正は、当初明細書に記載された「発明の構成に関する技術的事項」が実質的に変更されたものであるから、明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法５３条第１項の規定により、結論の通り決定する。
　
３．補正の内容
　上記日付でした手続補正は、補正前の本願請求項１を
「【請求項１】AlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体のドライエッチング法であって、前記AlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体上のエッチングすべき箇所にフォトレジストを形成する工程と、前記AlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体上及び形成された前記フォトレジストの上に二酸化珪素(SiO2）膜を形成する工程と、前記フォトレジスを剥離液により除去することで、フォトレジストの形成された位置に窓の形成された二酸化珪素(SiO2）膜からなるパターン化されたマスクを形成する工程と、前記マスクにより前記窓のAlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体をドライエッチングすることを特徴とする半導体のドライエッチング方法。」とする補正を含むものである。（該記載中、「フォトレジスを」は「フォトレジストを」の誤記であると認める。）
　
４．当初明細書の記載
　当初明細書には、下記の記載が認められる。
「【００１７】次に、第３図に示すように、GaN 層３の上に、高周波スパッタリングによりSiO2層４を5000Åの厚さに形成した。次に、そのSiO2層４上にフォトレジスト５を塗布して、フォトリソグラフにより、窓Ａの部分のフォトレジストを除去した。
【００１８】次に、第４図に示すように、フォトレジスト５によって覆われていないSiO2層４をフッ酸系エッチング液で除去した。そして、GaN 層３のエッチング部分に窓Ａの形成されたSiO2層４とフォトレジスト５の２重層マスクを形成した。次に、第４図に示す構成の試料３０を、第１図に示す平行平板電極型のプラズマエッチング装置に設置して、GaN 層３の露出部をエッチングした。」（段落番号【００１７】及び【００１８】）
「第１４図に示すように、ｉ層４５の上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフによりエッチングされる部分（窓）にフォトレジストが残るようにパターンニングされたフォトレジスト層５３を形成する。
【００３３】次に、第１５図に示すように、フォトレジスト層５３及びｉ層４５の表面一様に、圧力5 ×10-3Torr、高周波電力300W、成膜速度27Å/ 分の条件下でスパッタリングによりSiO2層５１を100 Åの厚さに形成した。引続き、そのSiO2層５１上に圧力5 ×10-3Torr、高周波電力300W、成膜速度26Å/ 分の条件下でスパッタリングによりAl2O3 層５２を2500Åの厚さに形成した。
【００３４】次に、第１５図に示す試料をフォトレジスト剥離液( 例えばアセトン) 中に浸して、フォトレジスト層５３と共にフォトレジスト層５３の直上のSiO2層５１とAl2O3 層５２の部分を除去して、第１６図に示すように窓Ａの空けられたSiO2層５１とAl2O3 層５２とを形成した。
【００３５】次に、第１７図に示すように、SiO2層５１とAl2O3 層５２によって覆われていない部位（窓Ａ）のｉ層４５とその下の低キャリア濃度ｎ層４４と高キャリア濃度ｎ+ 層４３の上面一部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、流速10cc/ 分のBCl3ガスで40分間エッチングした後、引続き5 分間Arでドライエッチングした。この時、マスクであるAl2O3 層５２もエッチングされる。尚、Al2O3 層５２とSiO2層５１の総合の厚さは、上記GaN 半導体のエッチングにおいてエッチングに耐えうる厚さである。又、半導体のエッチングの終了時には、SiO2層５１が露出することなく、Al2O3 層５２が薄く残っていても良い。
【００３６】次に、第１８図に示すように、ｉ層４５上に残っているSiO2層５１をフッ化水素酸(HF)で除去した。この時、例え、SiO2層５１上にAl2O3 層５２が残っていても、SiO2層５１がｉ層４５から剥離するに伴ってAl2O3 層５２は除去される。この時、下層のGaN 層はフッ化水素酸により腐食されることがない。」（段落番号【００３２】乃至【００３６】）
「【００３９】 又、酸化アルミニウム(Al2O3) が、マスクとしての実質的な機能を果たす。酸化アルミニウム(Al2O3) は、二酸化ケイ素(SiO2)に比べて、成膜速度はほぼ同じであるが、ドライエッチングによるエッチング速度は、1/3 以下である。従って、エッチングに耐え得る厚さのマスク層は、マスク層を二酸化ケイ素(SiO2)の単層で形成した場合に比べて、1/3 の厚さで良く、マスクの形成時間が短縮される。
【００４０】 又、半導体のドライエッチング後にマスク層を除去する必要があるが、酸化アルミニウム(Al2O3)だけを容易に除去する剥離液がないので、酸化アルミニウム(Al2O3) の単層でマスクを形成することは困難である。しかし、上記実施例では、最下層に二酸化ケイ素(SiO2)を用いているので、マスクをフッ化水素酸(HF)で容易に除去することができる。このように、二酸化ケイ素(SiO2)は、マスクの除去を容易にするために使用されているので、上層の酸化アルミニウム(Al2O3) に比べて充分に薄くて良い。」（段落番号【００３９】及び【００４０】）
　
５．当審の判断
　そこで、補正後の請求項１の、「フォトレジストを剥離液により除去することで、フォトレジストの形成された位置に窓の形成された二酸化珪素(SiO2）膜からなるパターン化されたマスクを形成する工程」について検討する。
　当初明細書段落番号【００３４】には、フォトレジスト剥離液により、フォトレジストを剥離することにより、窓の開けられたSiO2層５１とAl2O3 層５２とを形成する旨記載されており、フォトレジストを除去することで形成されたマスクは、SiO2層５１とAl2O3 層５２の２層からなるものである。
　また、同【００３９】には、「酸化アルミニウム(Al2O3) が、マスクとしての実質的な機能を果たす」点が、同【００４０】には、SiO2層は、マスク層の除去を容易にするために、マスク層の最下層に用いられている点がそれぞれ記載されている。
　そして、これらの記載からみると、当初明細書には、マスクとして実質的な機能を果たすとされるAl2O3層を含まない「二酸化珪素（SiO２）膜からなるパターン化されたマスク」が記載されているとは言えず、また、この点が当初明細書からみて自明のこととも認められない。
　よって、本願請求項１の「フォトレジスを剥離液により除去することで、フォトレジストの形成された位置に窓の形成された二酸化珪素(SiO2）膜からなるパターン化されたマスクを形成する」点は、当初明細書に記載された事項の範囲内のものとはいえないから、上記日付でした手続補正は、明細書の要旨を変更するものである。
　
　なお、請求人は、当初明細書には実質的に５０００Åの厚さのSiO２層がエッチングマスクとして機能する実施例が記載されている旨主張しているが、当初明細書段落番号【００１７】及び【００１８】に記載された実施例では、「SiO2層４とフォトレジスト５の２重層マスクを形成」（段落番号【００１８】）しており、SiO2層４単層のマスクを形成しているわけではなく、このマスクは、段落番号【００３２】〜【００３４】に記載された実施例とは全く異なる方法で形成されるもので、フォトレジストを剥離液により除去することで形成されるものではない。
　また、請求人は、エッチング工程中にAl2O3 層５２が全てエッチングされてSiO2層５１が露出し、SiO2層５１のみのマスクによりエッチングが続けられることが示唆されている旨主張しているが、SiO2膜からなるマスクが形成されることがあるとしても、エッチング工程が相当進んだ時であって、フォトレジストを剥離液により除去した時点ではないから、結局、「フォトレジストを剥離液により除去することで、フォトレジストの形成された位置に窓の形成された二酸化珪素(SiO2）膜からなるパターン化されたマスクを形成する工程」は、当初明細書に記載された事項の範囲内のものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、上記日付でした手続補正は特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原決定は妥当である。
　よって、結論のとおり決定する。