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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記複数の垂直走査線に対応してそれぞれ配置される、複数の副垂直走査線、複数の第１の基準電位配線、および複数の第２の基準電位配線をさらに備え、
各前記副画素は、
前記複数の垂直走査線のうちの対応する１本の電位に応じて、前記複数の水平走査線のうちの１本と第１の内部ノードとを接続する第１のスイッチ素子と、
前記第１の内部ノードの電位レベルを保持するための制御用容量素子と、
前記第１の内部ノードの電位レベルに応じて、前記第１の基準電位配線および第２の基準電位配線のうちのいずれか一方を第２の内部ノードと接続する接続切換回路と、
前記複数の副垂直走査線のうちの対応する１本の電位に応じて、前記第２の内部ノードと前記画素電極とを接続する第２のスイッチ素子とをさらに有する、請求項１記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記接続切換回路は、
前記第１の基準電位配線と前記第２の内部ノードとの間に電気的に結合され、前記第１の内部ノードと接続されるゲート電極を有する第１導電型の薄膜トランジスタと、
前記第２の基準電位配線と前記第２の内部ノードとの間に電気的に結合され、前記第１の内部ノードと接続されるゲート電極を有する第２導電型の薄膜トランジスタとを有する、請求項６記載の液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
画素１００５は液晶表示部１００２において行列状に配置されている。液晶表示装置５００は、さらに、各画素行ごとに配置される垂直走査線１０１０および共通配線１０１２と、各画素列ごとに配置される水平走査線１０１１とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項７記載の液晶表示装置は、請求項６記載の液晶表示装置であって、接続切換回路は、第１の基準電位配線と第２の内部ノードとの間に電気的に結合され、第１の内部ノードと接続されるゲート電極を有する第１導電型の薄膜トランジスタと、第２の基準電位配線と第２の内部ノードとの間に電気的に結合され、第１の内部ノードと接続されるゲート電極を有する第２導電型の薄膜トランジスタとを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
Ｖ′×（Ｃ＋４Ｃ）＝０×Ｃ＋Ｖ×４Ｃ      …（２）
（２）式より、Ｖ′＝４／５・Ｖが得られる。これにより、副画素ＳＰＸ１の画素電極の電位レベルは０から４／５・Ｖに変化し、副画素ＳＰＸ２の画素電極の電位レベルはＶから４／５・Ｖに変化する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図５は、実施の形態２に従う副画素の構成を説明する回路図である。
図５を参照して、実施の形態２に従う副画素ＳＰＸ１′は、実施の形態１に従う副画素ＳＰＸ１の構成と比較して、制御用容量素子２６と、ＴＦＴ素子２７および２８で構成される接続切換回路３１と、スイッチ素子として用いられるＴＦＴ素子２９とをさらに含む点で異なる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
ＴＦＴ素子２７および２８は、内部ノードＮｄの電位レベルに応じて、相補的にオン／オフするので、接続切換回路３１は、内部ノードＮｄの電位レベルに応じて、画素信号線７５および共通配線８０のうちのいずれか一方を内部ノードＮｅと接続する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2001281628.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源とリフレクタとを有する光源系と、前記光源系からの光を表示素子に照射する照明系と、前記照明系からの光を制御して出射する表示素子と、前記表示素子からの光を投射する投射系とを備えた表示光学ユニットと、
前記表示光学ユニットからの光が背面から投射され、前面にデータを表示するスクリーンとを有する表示装置であって、
前記光源系と前記照明系と前記投射系とは、等しい高さに配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
光源とリフレクタとを有する光源系と、前記光源系からの光を表示素子に照射する照明系と、前記照明系からの光を制御して出射する表示素子と、前記表示素子からの光を投射する投射系とを備えた表示光学ユニットと、
前記表示光学ユニットから投射された光を反射する反射ミラーと、
前記反射ミラーから投射された光が背面から投射され、前面にデータを表示するスクリーンとを有する表示装置であって、
前記光源系と前記照明系と前記投射系とは、等しい高さに配置され、
前記反射ミラーは、前記表示装置の奥行き方向の中心から後ろ側に配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の表示装置であって、
前記光源系は、前記光源からの光を前記リフレクタの上方に出射するように配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３記載の表示装置であって、
前記光源系は、前記光源からの光を前記リフレクタの上方に出射するように配置され、
前記照明系は、前記光源系からの光を前記上方より下方に出射するように配置され、
前記表示素子は、反射型であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４記載の表示装置であって、
前記表示光学ユニットの高さ方向の中心は、前記スクリーンの下端と一致することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項２記載の表示装置であって、
前記反射ミラーは、前記表示光学ユニットの高さ方向の中心よりも上方に配置されることを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一面は、光源系と照明系と投射系とを、等しい高さに配置して、表示光学ユニットをコンパクトにすることにより表示装置の小型化を図るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、
島状半導体膜と、
前記島状半導体膜上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成されたゲート配線と、
前記第１の絶縁層上に形成された信号配線と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された画素電極と、
前記第２の絶縁層上に形成された共通配線と、
を有し、
前記画素電極と前記共通配線とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、
前記共通配線と前記信号配線とは、前記第２の絶縁層を介して重畳するように配置され、
前記信号配線と前記島状半導体膜とは、前記第２の絶縁層上に形成された接続電極を介して接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上に、
半導体膜と第１の絶縁層上に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
ゲート配線と、
第２の絶縁層を介して前記ゲート配線と交差する共通配線と、
前記薄膜トランジスタに接続し、前記第２の絶縁層上に形成された画素電極と、
前記共通配線の下方に形成され、前記共通配線と前記第２の絶縁層を介して重畳するように配置された信号配線と、
を有し、
前記画素電極と前記共通配線とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、
前記信号配線と前記半導体膜とは、前記第２の絶縁層上に形成された接続電極を介して接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
基板上に画素部と駆動回路とが設けられ、
前記画素部には、
半導体膜と第１の絶縁層上に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
ゲート配線と、
第２の絶縁層を介して前記ゲート配線と交差する共通配線と、
前記薄膜トランジスタに接続し、前記第２の絶縁層上に形成された画素電極と、
前記共通配線の下方に形成され、前記共通配線と前記第２の絶縁層を介して重畳するように配置された信号配線と、
を有し、
前記画素電極と前記共通配線とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、
前記信号配線と前記半導体膜とは、前記第２の絶縁層上に形成された接続電極を介して接続した構造を備え、
前記基板に対向する他方の基板には、
前記画素部の各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層と、
前記薄膜トランジスタと重畳するように設けられ、赤色カラーフィルター層と青色カラーフィルター層とが積層された遮光膜と、
前記他方の基板の前記カラーフィルター層が形成された反対側の面に形成された透光性導電膜とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記薄膜トランジスタはマルチゲート構造であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、シリコンを成分とする第１の絶縁膜と、有機樹脂材料から成る第２の絶縁膜とから成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、酸化シリコンまたは窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンから成る第１の絶縁膜と、ポリイミドまたはアクリルまたはポリアミドまたはポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンから成る第２の絶縁膜とから成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記共通配線と前記信号配線とは、隣接する画素間で重畳するように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記隣接する画素間で重畳する共通配線と信号配線により、遮光部が形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項３において、
隣接する画素間で赤色カラーフィルター層と青色カラーフィルター層とが重なるように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項３において、
隣接する画素間で赤色カラーフィルター層と緑色カラーフィルター層とが重なるように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項３において、
隣接する画素間で緑色カラーフィルター層と青色カラーフィルター層とが重なるように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１において、
前記画素電極、前記共通配線、前記信号配線はそれぞれくの字型の電極構成を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記くの字型の角度は、１２０〜１６０度であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
基板上に結晶質半導体膜から成る島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート配線と信号配線を形成し、
前記ゲート配線及び前記信号配線上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に画素電極と、前記信号配線と前記半導体膜とを接続する接続電極と、前記信号配線に重畳するように共通配線を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に結晶質半導体膜から成る島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極とゲート配線と信号配線を形成し、
前記ゲート配線及び前記信号配線上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に前記半導体膜に接続する画素電極と、前記信号配線と前記半導体膜とを接続する接続電極と、前記信号配線に重畳するように共通配線を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に結晶質半導体膜から成る島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極とゲート配線と信号配線を形成し、
前記ゲート配線及び前記信号配線上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に前記島状半導体膜に接続する画素電極と、前記信号配線と前記島状半導体膜とを接続する接続電極と、前記信号配線に重畳するように共通配線を形成し、
前記基板に対向する他方の基板に、各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層を形成し、
少なくとも前記島状半導体膜と重畳するように、赤色カラーフィルター層と青色カラーフィルター層とを積層して遮光膜を形成し、
前記他方の基板の前記カラーフィルター層が形成された反対側の面に透光性導電膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、シリコンを成分とする第１の絶縁膜と、有機樹脂材料から成る第２の絶縁膜とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、酸化シリコンまたは窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンから成る第１の絶縁膜と、ポリイミドまたはアクリルまたはポリアミドまたはポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンから成る第２の絶縁膜とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一において、
前記画素電極、前記共通配線、前記信号配線はそれぞれくの字型の電極構成を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記くの字型の角度は、１２０〜１６０度であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポンプハウジング（１２）、駆動回転自在のロータ（４）、前記ロータ（４）のまわりに配置されたカムリング（２）およびロータ（４）の周辺のスロット（６）中に収容されたローラ部材（７）を備え、自動車用のオートマチック・トランスミッションを運転するための、ローラ・ベーンポンプにおいて、軸方向から見て、スロット（６）の周囲（３２）が少なくとも部分的に湾曲され、それにより、湾曲部分（３２ａ）の曲率が前記スロット（６）に収容されたローラ部材（７）の曲率と実質的につり合うことを特徴とするローラ・ベーンポンプ。
【請求項２】  前記湾曲部分（３２ａ）が３０〜９０°の角度で延びることを特徴とする請求項１に記載のローラ・ベーンポンプ。
【請求項３】  前記湾曲部分（３２ａ）が回転方向に見て前記周囲（３２）の前部の一部であることを特徴とする請求項１または２に記載のローラ・ベーンポンプ。
【請求項４】  前記湾曲部分（３２ａ）がローラ部材（７）の軸方向の中心線（３５）の即時の半径方向の位置から実質的に始まり、その場合に前記ローラ部材（７）が前記周囲（３２）の前部と相互作用し始め、半径の内向き方向に続くことを特徴とする請求項１、２または３に記載のローラ・ベーンポンプ。
【請求項５】  前記周囲（３２）の前部が少なくとも前記湾曲部分（３２ａ）および前記湾曲部分（３２ａ）に隣接する一つまたは二つの主として半径方向に配向された真っ直ぐな部分（３２ｂおよび／または３２ｃ）からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のローラ・ベーンポンプ。
【請求項６】  回転方向に見て、前記周囲（３２）の背部（３２ｄ）が前記周囲（３２）の前部と実質的に同じ半径方向の距離にわたって延びることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のローラ・ベーンポンプ。
【請求項７】  前記周囲（３２）の前記背部（３２ｄ）が前記真っ直ぐな部分（３２ｂおよび／または３２ｃ）の一つ以上に実質的に平行に配向されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のローラ・ベーンポンプ。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載のローラ・ベーンポンプを備えた自動車用オートマチック・トランスミッション。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項1】
第1の支え部材の第2の支え部材に対する推力を受けて、第2の支え部材の円筒形案内面と係合することによって案内されるスラスト軸受組立体であって、第1の支え部材と係合する第1のスラスト面を有する第1のスラスト座金と、第2の支え部材と係合する第2のスラスト面を有する第2のスラスト座金と、前記第1と第2のスラスト座金の間に置かれたころと、第1と第2のスラスト座金及びころを組立体としてまとめる保持手段とを備え、第2のスラスト座金は、軸方向のある長さだけ外向きにころと第1のスラスト座金から離れるように伸びて、第2の支え部材の円筒形案内面と係合する巾広へりを備え、案内が細長いリップの軸方向の長さより長い軸方向距離にわたって支えられるようにしたことを特徴とするスラスト軸受組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項6】
スラスト軸受組立体と支え部材を組み合わせてなり、第1のスラスト面を有する前記スラスト軸受組立体の第1のスラスト座金と、前記支え部材の半径方向スラスト面に突き当たる第2のスラスト面を有する前記スラスト軸受組立体の第2のスラスト座金と、第1と第2のスラスト座金の間に置かれた前記スラスト軸受組立体のころと、第1と第2のスラスト座金及びころを組立体としてまとめる前記スラスト軸受組立体の保持手段とを備え、前記支え部材が半径方向のスラスト面に対して片寄らされ、かつ支え部材の半径方向のスラスト表面から離れて軸方向に伸びる円筒形案内面を有し、前記第2のスラスト座金は、前記ころと前記第1のスラスト座金から外向きに離れる方向にある軸方向の長さだけ伸びている巾広へりを有し、案内が細長いリップの軸方向の長さより長い軸方向距離にわたって与えられるように支え部材の円筒形案内面と係合することを特徴とするスラスト軸受組立体と支え部材の組合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フロントパネル上に、操作釦を出没自在に設け、該操作釦はフロントパネルの内側に配備された回路基板上のランプにより照射される電気機器に於いて、
前記回路基板は前記フロントパネルに略直交し、前記ランプと前記操作釦との間には、前記回路基板上のスイッチを押圧操作する透光性の中間部材が設けられ、該中間部材には前記ランプの光を前記操作釦に向けて反射する斜面が設けられ、
前記操作釦が前記中間部材を介して前記スイッチを押し込んだ第１の位置にて、前記斜面は前記ランプの光路上に位置し、前記中間部材が前記スイッチから離れた第２の位置にて前記斜面は前記ランプの光路から外れることを特徴とする電気機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決する為の手段】
回路基板(４)はフロントパネル(２)に略直交し、ランプ(５)と操作釦(３)との間には、回路基板(４)上のスイッチ(ＳＷ)を押圧操作する透光性の中間部材(６)が設けられ、該中間部材(６)にはランプ(５)の光を操作釦(３)に向けて反射する斜面(63)が設けられ、操作釦(３)が中間部材(６)を介してスイッチ(ＳＷ)を押し込んだ第１の位置にて、斜面(63)はランプ(５)の光路上に位置し、中間部材(６)がスイッチ(ＳＷ)から離れた第２の位置にて斜面(63)はランプ(５)の光路から外れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【作用及び効果】
中間部材(６)の斜面(63)によって、ランプ(５)からの光は、操作釦(３)に向けて反射される。これにより、操作釦(３)を照らすランプ(５)を取り付けた回路基板(４)がフロントパネル(２)に直交した電気機器にあっても、操作釦(３)は正確に照射される。
また、中間部材(６)を設けたことにより、フロントパネル(２)に直交した回路基板(４)上にランプ(５)を設けても、操作釦(３)を照射できるので、簡素な構成で目的を達成でき、コストアップを防止できる。
さらに、斜面(63)がランプ(５)の光路から外れると、ランプ(５)からの光を遮断することができる。このとき、たとえランプ(５)が光り続けても、該光が操作釦(３)を照らすことはない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】過電流保護および地絡保護機能を備えた漏電遮断器であって、本体ケースに主回路接点，開閉機構，操作ハンドル，過電流引外し装置，および零相変流器と組み合わせた漏電検出回路を含む漏電引外し装置を内装した上で、さらに前記漏電検出回路と主回路との間に配線した給電回路を入り，切りする手動操作式の耐電圧テスト用スイッチを装備し、主回路の耐電圧テスト時に前記スイッチをＯＦＦ操作して漏電検出回路を主回路から切り離すようにしたものにおいて、
前記耐電圧テスト用スイッチを、遮断器の本体ケースに内装した零相変流器と本体ケースの側壁との間のスペースに配置したことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項２】請求項1に記載の漏電遮断器において、耐電圧テスト用スイッチの手動操作部を本体ケースの上部カバーに開口した窓穴に臨ませた上で、該操作部と開閉機構のトリップクロスバーとの間を機械的にインターロックし、耐電圧テスト用スイッチのＯＦＦ操作によりトリップクロスバーをラッチ釈放位置に駆動，拘束保持して主回路接点を開極させるようにしたことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項３】請求項２に記載の漏電遮断器において、耐電圧テスト用スイッチとトリップクロスバーとの間のインターロック手段として、耐電圧テスト用スイッチの操作部に該スイッチのＯＮ，ＯＦＦ操作に従動するアクチュエータを設け、該アクチュエータを過電流引外し装置の操作端であるアーマチュアを介してトリップクロスバーにインターロックさせたことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項４】請求項２に記載の漏電遮断器において、耐電圧テスト用スイッチとトリップクロスバーとの間のインターロック手段として、耐電圧テスト用スイッチの操作部に該スイッチのＯＮ，ＯＦＦ操作に従動するアクチュエータを設け、該アクチュエータを漏電引外し装置のトリッププコイルユニットの操作端であるスライダを介してトリップクロスバーにインターロックしたことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項５】請求項２ないし４のいずれかに記載の漏電遮断器において、耐電圧テスト用スイッチの操作部に連ねてトリップクロスバーに向けて延在するアクチュエータを設けたことを特徴とする漏電遮断器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、欧米諸国などで生産されている漏電遮断器は先記した単体構造と異なり、配線用遮断器に別構造の独立した漏電検出ユニット（零相変流器，漏電検出回路などを装備してユニット化したオプション品）を組み合わせて使用するのが一般的である。また、前記の耐圧試験を配線用遮断器に漏電検出ユニットを結合した状態でユーザーが行なえるようにするために、漏電検出ユニットに耐電圧テスト用スイッチを装備し、耐電圧試験を行なう際には耐電圧テスト用スイッチをＯＦＦ操作して漏電検出回路を配線用遮断器の主回路から切り離し、耐電圧試験の終了後は耐電圧テスト用スイッチをＯＮに復帰させて通常の使用状態に戻すようにしたものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、その目的は従来製品の構成部品およびレイアウトに大幅な変更を加えることなしに、本体ケース内のスペースを有効に生かして耐電圧テスト用スイッチを追加装備し、製品出荷後でも耐電圧試験が簡単な操作で安全に行なえるようにした漏電遮断器を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、過電流保護および地絡保護機能を備えた漏電遮断器であって、本体ケースに主回路接点，開閉機構，操作ハンドル，過電流引外し装置，および零相変流器と組み合わせた漏電検出回路を含む漏電引外し装置を内装した上で、さらに前記漏電検出回路と主回路との間に配線した給電回路を入り，切りする手動操作式の耐電圧テスト用スイッチを装備し、主回路の耐電圧テスト時に前記スイッチをＯＦＦ操作して漏電検出回路を主回路から切り離すようにしたものにおいて、
遮断器の本体ケースに内装した零相変流器と本体ケースの側壁との間のスペースを生かしてここに前記耐電圧テスト用スイッチを配置する（請求項１）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記のように、耐電圧テスト用スイッチ２１を零相変流器６と下部ケース１１ａの側壁との間でその前後がコ字形に屈曲した主回路導体で囲まれたスペースに配置することで、図９に示した漏電遮断器の構成部品，レイアウトを基本的に変更することなく、僅かに在来製品のプリント板７ａを変更するだけで、耐電圧テスト用スイッチ２１を本体ケース内に追加装備できる。しかも、このスペースは本体ケースの上部カバー１１ｂから下部ケース１１ａの底面まで空いているので、上部カバー１１ｂの表面から耐電圧テスト用スイッチ２１の内蔵接点（充電部）までの絶縁距離を十分に確保することができ、耐電圧試験から漏電検出回路７を安全に保護できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、本体ケースに主回路接点，開閉機構，操作ハンドル，過電流引外し装置，および零相変流器と組み合わせた漏電検出回路を含む漏電引外し装置を内装した上で、さらに前記漏電検出回路と主回路との間に配線した給電回路を入り，切りする手動操作式の耐電圧テスト用スイッチを装備し、主回路の耐電圧テスト時に前記スイッチをＯＦＦ操作して漏電検出回路を主回路から切り離すようにした単体構造の漏電遮断器において、
前記耐電圧テスト用スイッチを遮断器の本体ケースに内装した零相変流器と本体ケースの側壁との間のスペースに配置し、また耐電圧テスト用スイッチと開閉機構のトリップクロスバーとの間を機械的にインターロックし、耐電圧テスト用スイッチのＯＦＦ操作によりトリップクロスバーをラッチ釈放位置に駆動，拘束保持して主回路接点を開極させるよう構成したことにより、
漏電遮断器の製品出荷後に耐電圧試験を行なう際には、遮断器の本体ケースを開いて漏電検出回路の電源線を主回路から切り離すといった面倒な準備作業が必要なく、本体ケースに内装した手動操作式の耐電圧テスト用スイッチをＯＦＦするだけで、漏電検出回路を主回路から切り離して安全に耐電圧試験を行なうことができる。また、耐電圧試験の終了後に、漏電遮断器を通常の使用状態に戻す場合には、耐電圧テスト用スイッチをＯＮに復帰操作しない限りは主回路接点を投入できず、これにより試験後に耐電圧テスト用スイッチの入れ忘れが原因で、漏電遮断器の地絡検出，漏電保護が機能しなくなるといった事態を未然に防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無声放電ランプ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電管軸と直交する断面が非円形状であるエキシマ光を放射する無声放電ランプにおいて、少なくともエキシマ光を透過する１面が円弧状に膨らんでいることを特徴とする無声放電ランプ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の無声放電ランプは、放電管軸と直交する断面が非円形状であるエキシマ光を放射する無声放電ランプにおいて、少なくともエキシマ光を透過する１面が円弧状に膨らんでいることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の効果】
請求項１記載の無声放電ランプは、放電管軸と直交する断面が非円形状であるエキシマ光を放射する無声放電ランプにおいて、少なくともエキシマ光を透過する誘電体の１面が円弧状に膨らんだ形状に構成している。これにより、誘電体の外圧に対する強度が増すので、光を取り出す側の誘電体厚みを小さくでき、その結果透過率が高くなり、効率の高い無声放電ランプを提供できる。この無声放電ランプを用いれば照射装置の構成が簡素で搭載するランプの数量を減少できるので、点灯装置を含めた安価な照射装置が実現できる。同時に使用ランプ数を減らせるので、消耗品であるランプの補修費用を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  開口部を有する電池ケースと、
前記電池ケースに収容された、正極板、及び負極板を有する極板群と、
前記極板群の正極板、又は負極板のいずれか一方の極板から開口部方向へ、引き出された集電端子と、
前記集電端子に接続され、前記開口部を密閉封止するための封口板と、
前記封口板と前記極板群を離隔させるための絶縁リングと、
前記絶縁リングと前記封口板と前記極板群に囲まれた空間に設置された弾性体とを備えた非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  請求項６に記載の非水電解質二次電池を製造する製造方法であって、
前記開口部を前記電池ケースの上面として、
前記極板群を前記電池ケースに収容するステップと、
前記連続発泡弾性体を前記極板群の上部に配置するステップと、
前記絶縁リングを前記連続発泡弾性体の上方向から挿入し、前記連続発泡弾性体を固定するステップと、
前記集電端子を前記封口板に接続するステップと、
前記連続発泡弾性体の連続孔を通して、上方向から電解液を前記電池ケース内に注液するステップと、
前記封口板を前記電池ケースの開口部に固定するステップとを備えた非水電解質二次電池の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、第１の本発明は、開口部を有する電池ケースと、前記電池ケースに収容された、正極板、及び負極板を有する極板群と、前記極板群の正極板、又は負極板のいずれか一方の極板から開口部方向へ、引き出された集電端子と、前記集電端子に接続され、前記開口部を密閉封止するための封口板と、前記封口板と前記極板群を離隔させるための絶縁リングと、前記絶縁リングと前記封口板と前記極板群に囲まれた空間に設置された弾性体とを備えた非水電解質二次電池である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
又、第４の本発明は、前記弾性体は、前記集電端子を取り囲んでいる第２の本発明の非水電解質二次電池である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
又、第５の本発明は、前記弾性体は、発泡弾性体である第１、又は第２の本発明の非水電解質二次電池である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
又、第７の本発明は、第６の本発明の非水電解質二次電池を製造する製造方法であって、前記開口部を前記電池ケースの上面として、前記極板群を前記電池ケースに収容するステップと、前記連続発泡弾性体を前記極板群の上部に配置するステップと、前記絶縁リングを前記連続発泡弾性体の上方向から挿入し、前記連続発泡弾性体を固定するステップと、前記集電端子を前記封口板に接続するステップと、前記連続発泡弾性体の連続孔を通して、上方向から電解液を前記電池ケース内に注液するステップと、前記封口板を前記電池ケースの開口部に固定するステップとを備えた非水電解質二次電池の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円周方向に配置されて、前記円周の中心方向に向けて付勢された複数の把持爪と、把持爪と同心に配置されて前記円周の中心回りに回転駆動される複数のカムと、前記把持爪に固定されて前記カムと係合するカムフォロワを備え、前記カムの回転によって、前記把持爪が開閉することを特徴とするウェハ把持装置。
【請求項２】
ウェハを把持して回転駆動するターンテーブルにおいて、固定台と、前記固定台に取り付けられて回転駆動される回転台と、前記回転台の円周方向に配置されて、前記円周の中心方向に向けて付勢された複数の把持爪と、前記固定台に取り付けられて、前記回転台と同軸に回転駆動される複数のカムと、前記把持爪に固定されて前記カムと係合するカムフォロワを備え、前記カムの回転によって、前記把持爪が開閉することを特徴とするターンテ
ーブル。
【請求項３】
前記回転台と前記カムは前記固定台に固定された、それぞれ別のモータで駆動され、同期回転することを特徴とする請求項２に記載のターンテーブル。
【請求項４】
請求項３記載のターンテーブルを備えたウェハのアライメント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、円周方向に配置されて、前記円周の中心方向に向けて付勢された複数の把持爪と、把持爪と同心に配置されて前記円周の中心回りに回転駆動される複数のカムと、前記把持爪に固定されて前記カムと係合するカムフォロワを備えてウェハ把持装置を構成し、前記カムの回転によって、前記把持爪が開閉するものである。また、固定台と、前記固定台に取り付けられて回転駆動される回転台と、前記回転台
の円周方向に配置されて、前記円周の中心方向に向けて付勢された複数の把持爪と、前記固定台に取り付けられて、前記回転台と同軸に回転駆動される複数のカムと、前記把持爪に固定されて前記カムと係合するカムフォロワを備えてターンテーブルを構成し、前記カムの回転によって、前記把持爪を開閉するものである。また、前記回転台と前記カムは前記固定台に固定された、それぞれ別のモータで駆動され、同期回転するように構成するも
のである。また、前記回転台と前記カムとがそれぞれ別のモータで駆動され、同期回転するように構成された前記ターンテーブルを、ウェハのアライナ装置に備えるように構成するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリカードおよびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）平面矩形状の筐体と、
（ｂ）前記筐体内に収納された平面Ｌ字状の配線基板と、
（ｃ）前記筐体内に収納された状態で、前記配線基板に搭載された電子部品とを有することを特徴とするメモリカード。
【請求項２】  （ａ）平面矩形状の筐体と、
（ｂ）前記筐体内に収納された平面Ｌ字状の配線基板と、
（ｃ）前記筐体内に収納された状態で、前記配線基板に搭載された電子部品とを備え、
前記電子部品は、前記配線基板の第１面と、その反対側の第２面とに搭載されており、前記第１面の電子部品にはメモリ回路が形成され、前記第２面の電子部品には、前記メモリ回路の動作を制御する制御回路が形成されていることを特徴とするメモリカード。
【請求項３】  （ａ）平面矩形状の筐体と、
（ｂ）前記筐体内に収納された平面Ｌ字状の配線基板と、
（ｃ）前記筐体内に収納された状態で、前記配線基板に搭載された電子部品とを備え、
前記配線基板の第１面に搭載された電子部品には、メモリ回路と、そのメモリ回路の動作を制御する制御回路とが形成されていることを特徴とするメモリカード。
【請求項４】  （ａ）平面矩形状の筐体と、
（ｂ）前記筐体内に収納された平面Ｌ字状の配線基板と、
（ｃ）前記筐体内に収納された状態で、前記配線基板に搭載された電子部品とを備え、
前記配線基板には、前記筐体内の空き領域内に収納される他の電子部品との電気的な接続を行うことが可能な接続部が設けられていることを特徴とするメモリカード。
【請求項５】  （ａ）平面Ｌ字状の２つの配線基板が噛み合うような状態で配置されている単位領域を複数一体的に持つ配線基板母体を用意する工程、
（ｂ）前記配線基板母体の各々の配線基板に電子部品およびコネクタを取り付ける工程、
（ｃ）前記配線基板母体から個々の配線基板を切り出す工程、
（ｄ）前記配線基板母体から切り出された前記個々の配線基板を筐体に収納する工程を有することを特徴とするメモリカードの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリカードおよびその製造技術に関し、特に、ＣＦＡ（Compact Flash Association）規格に基づいたコンパクトフラッシュ（登録商標）（米国サンディスク社）カード（以下、単にＣＦカードという）に適用して有効な技術に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空容器と、前記真空容器内に配置された基板を保持する基板保持台と、前記基板保持台に対向して設けられたターゲットと、前記基板保持台と前記ターゲットとの間に配設された可動式のシャッタ機構と、前記真空容器に環状に設けられ、かつ、互いに独立して配置された二重の防着板とを有するプラズマ処理装置において、
前記二重の防着板は接地されていると共に、夫々、前記シャッタ機構を挟んで２つに分割され、かつ、前記二重の防着板のうち内側の防着板は、前記防着板の２つの開口部のうち、前記ターゲット側の第１の開口部が、前記基板保持台側の第２の開口部よりも大となるように配置されていること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その主面に集積回路と複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、
前記半導体チップ上の複数の電極と前記複数のリードをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のリードのそれぞれの一部、及び前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体を有し、
前記複数のリードは、それぞれに第１端子部を含む複数の第１リードと、前記複数の第１リードの内、隣り合う前記第１リードの間に配置され、かつそれぞれに第２端子部を含む複数の第２リードを有し、
前記複数の第１リードのそれぞれの一端部は、前記半導体チップの外側に位置し、
前記複数の第２リードのそれぞれの一端部は、前記半導体チップの裏面に固定され、
前記複数の第１端子部のそれぞれは、前記樹脂封止体の側面に沿って配置され、
前記複数の第２端子部のそれぞれは、前記複数の第１端子部よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップは、前記複数の第２リードのそれぞれの一端部に主面と裏面を有する基材を介して固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の第２リードのそれぞれの一端部は、前記基材の裏面に固定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基材は、前記樹脂封止体から露出していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数のリードのそれぞれは、第１部分と、前記第１部分から前記樹脂封止体の裏面に向かって折り曲げられている第２部分と、前記第２部分から前記樹脂封止体の側面に向かって延在している第３部分を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップは、前記第１部分に固定され、前記複数の第１端子部および前記複数の第２端子部は、前記第３部分に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の第２リードは、前記半導体チップに接着材を介して固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月4日(2006.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高誘電率絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、
シリコン基板上に熱酸化法によってシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜の上に希土類金属の酸化物からなる金属酸化膜を形成する工程と、
不活性ガスおよび窒素ガスの少なくとも一方のガス雰囲気下において、８００℃以下の温度で前記シリコン酸化膜および前記金属酸化膜を加熱することによって金属シリケート膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記金属シリケート膜を形成する工程において、雰囲気中にさらにアンモニアガスが存在する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記金属シリケート膜の上にゲート電極を形成する工程をさらに有する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記金属シリケート膜中のシリコン濃度が、式（１）によって求められる値と
【数１】
2004349385.tif 000001
（式中、Ｃはシリコン濃度、ε１はシリコン酸化膜の比誘電率、ε２は金属酸化膜の比誘電率、ｔはシリコン酸化膜換算膜厚、ｔ′は金属シリケート膜の膜厚を示す。）、
前記金属シリケート膜中でのシリコンの固溶限の値との内で小さい方の値以下となるようにする請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記金属シリケート膜中のシリコン濃度が式（２）によって求められるシリコン濃度であり、
【数２】
2004349385.tif 000002
（式中、Ｃはシリコン濃度、ｔ１はシリコン酸化膜の膜厚、ρ１はシリコン酸化膜の密度、Ｍｗ１はシリコン酸化膜の分子量、ｔ２は金属酸化膜の膜厚、ρ２は金属酸化膜の密度、Ｍｗ２は金属酸化膜の分子量、ｎは金属の価数を示す）、
前記式（２）で示されるシリコン濃度は前記式（１）により求められるシリコン濃度または前記金属シリケート膜中でのシリコンの固溶限の値との内で小さい方の値以下となるように前記式（２）中の前記シリコン酸化膜の膜厚ｔ１および前記金属酸化膜の膜厚ｔ２によって制御する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記金属酸化膜は、Ｙ２Ｏ３膜、Ｌａ２Ｏ３膜、Ｐｒ２Ｏ３膜、Ｎｄ２Ｏ３膜、Ｓｍ２Ｏ３膜、ＥｕＯ膜、Ｇｄ２Ｏ３膜、Ｔｂ２Ｏ３膜、Ｄｙ２Ｏ３膜、Ｈｏ２Ｏ３膜、Ｔｍ２Ｏ３膜若しくはＬｕ２Ｏ３膜またはこれらの積層膜のいずれかである請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記金属シリケート膜を形成する工程は６００℃〜８００℃の範囲の温度で加熱する工程である請求項１〜６のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記金属シリケート膜を形成する工程において、加熱雰囲気中の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下である請求項１〜７のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
これに対して、シリコン基板とＨｉｇｈ−ｋ膜との間にシリコン酸化膜を形成しない方法として、Ｈｉｇｈ−ｋ膜材料とシリコンとの混晶である金属シリケート膜をシリコン基板上に直接形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、この方法によれば、金属シリケート膜の膜厚が薄い場合には、酸化工程において酸素が膜を透過し、シリコン基板との間に不要なシリコン酸化膜を形成するという問題があった。また、この過程で形成されたシリコン酸化膜は、組成制御がされていない上に表面の凹凸が大きい。このため、膜の電気的特性が低下し、所望の電界効果トランジスタ特性が得られなくなるという問題もあった。
シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するＨｉｇｈ−ｋ膜絶縁膜の形成方法として、シリコン基板上に、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなるバッファ−層の絶縁膜を形成して、前記絶縁膜上に酸素が化学量論組成よりも不足した組成を持つチタン・ジルコニウム・ハフニウムのいずれかからなる金属酸化物の膜を形成し、前記金属酸化物上にポリシリコン・チタン・タンタル・タングステン・モリブデンなどの導電性膜を形成する工程と、この積層構造を窒素雰囲気で１０００℃、２０秒間熱処理することにより界面バッファ層が還元され膜厚が薄くなり酸素不足の金属酸化膜が酸化され界面バッファ層が薄くなりストイキオ金属酸化物に変換する技術がある（特許文献２）。
シリコンとの界面特性を向上させるための金属シリケート内部の金属原子の組成を傾斜組成分布させるようにするために、シリコン基板上に、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなるバッファ−層の絶縁膜を形成して、前記絶縁膜上にジルコニウムのシリケートの膜を形成し、前記ジルコニウムのシリケートの膜上にＳｉ・ＳｉＧｅ・Ｔｉ・Ｔａ・Ｗ・Ｍｏなどの導電性膜を形成する工程と、この積層構造を窒素雰囲気で１０００℃、２０秒間熱処理することにより、金属シリケート膜からの金属原子の拡散によりバッファ層にまで金属シリケート膜を形成し、シリコン基板側で金属濃度が低くゲート電極側で金属濃度が高い金属シリケート絶縁膜を形成する技術がある（特許文献３）。
ハフニウムシリケート絶縁膜を形成する方法において、シリコン基板を酸素雰囲気中で加熱、ＢＯＸ（燃焼酸化）することにより、若しくはＣＶＤによって、シリコン基板上に１〜４ｎｍ程度のＳｉＯ2 膜を形成し、続いて例えばＨｆ金属ターゲット若しくは、Ｈｆ金属原子とＳｉ原子を少なくとも含んだターゲットを用いて、例えば蒸着法で、シリコン基板上に金属元素を有するＨｆＳｉ膜を堆積して、その後、例えば真空中若しくは窒素中で４００〜９００℃の加熱によって、少なくとも金属元素をＳｉＯ2 膜に拡散させる工程を行い、シリコン基板上に少なくともＨｆ，Ｓｉ原子、酸素原子を含有するＨｆシリケートゲート絶縁膜を形成する技術がある（特許文献４）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１３５７７４号公報
【特許文献２】特開２００３−１１０１００号公報（段落〔００２４〕〜〔００３０〕、図１）
【特許文献３】特願２００１−３５８０６３（特開２００３−１５８２６２号公報）、（段落〔００２７〕〜〔００２９〕、〔００８７〕〜〔００９８〕、図１）
【特許文献４】特願２００２−８９９５５（特開２００３−２８９１３９号公報）、（段落〔００２７〕）
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
低圧直流電源と、
前記低圧直流電源にその入力側が接続され、前記低圧直流電源からの電流を高周波の交流電圧に変換して出力する低圧側インバータと、
前記低圧側インバータの出力側にその一次巻線が接続され前記低圧側インバータからの高周波の交流電圧を高圧の高周波の交流電圧に昇圧する高圧変圧器と、
前記高圧変圧器の二次巻線にその入力側が接続され前記高圧変圧器によって昇圧された高圧の高周波の交流電圧を整流する高圧整流器と、
高圧整流器の出力側に接続された高圧側コンデンサと、
前記高圧側コンデンサの端子間に接続されるＸ線発生装置を含む負荷手段と、
を備えた高電圧装置において、
前記高圧側コンデンサに蓄積される電荷エネルギーを前記高圧変圧器の一次巻線側に設けられた電荷蓄積手段に回生する回生手段と、
前記回生手段の動作を制御する回生制御手段と、
を備えたことを特徴とする高電圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高導電性で、かつ白色度の高い白色導電性粉末及びその応用に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
近年、リンを含有する酸化スズを被覆した導電性粉末が考えられ、特開平６−２０７１１８号公報（特許文献１）が開示され、酸化スズを含む酸化インジウムを被覆した導電性粉末が、例えば特開平６−３３８２１３号公報（特許文献２）あるいは特開平８−２３１８８３号公報（特許文献３）等に開示されている。これらの粉末は非常に良好な導電性能及び経時安定性を有しており、原料となるインジウムの価格が非常に高いことから、コストの面で使用用途が限定されるという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、上記の従来の問題点を解決するため、鋭意研究を重ね、良好な導電性能を有しながら経時安定性に優れ、且つ高価なインジウムを使用せずに、安価で白色度の高い白色導電性粉末を既に特願２０００−３８１６３８（特開２００２−１７９９４８号公報；特許文献４）として出願した。当該白色導電性粉末は、白色無機顔料粒子の表面に、タングステン元素を含む二酸化スズの被覆層を有することを特徴とする白色導電性粉末であり、粉体として初期の体積固有抵抗値が５００Ω・ｃｍ以下、該体積固有抵抗値の経時変化幅が５０℃、１０日間の条件下で１００Ω・ｃｍ以下であることを特徴とし、導電性能において優れたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記した構成によれば、管軸ｍに向いた押しねじ１９によって閉塞体２０を固定している。この場合、内側回転体１７下端の外側への膨らみがなくなり、外側回転体１６下端の延長部分たとえばエンドリングを長くできる。その結果、回転力が向上し、良好な回転特性が実現される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記した構成によれば、従来、内側回転体１７に必要とされていた閉塞体２０固定用のねじ穴が不要となり、内側回転体１７の外側への膨らみがなくなる。したがって、外側回転体１６下端の延長部分たとえばエンドリングを長くでき、回転力が向上し、良好な回転特性が実現される。また、内側回転体１７と閉塞体２０を一部で溶接しているため、両者の結合の緩みも防止される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この実施形態は、内側回転体１７下端の外側に環状に膨らむ膨大部４１が形成されている。そして、膨大部４１を利用して、固定体２１の径大部２１ｂの外径を大きくしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
上記した構成によれば、従来の回転陽極型Ｘ線管に比べ、内側回転体１７の最外径を大きくすることなく、固定体２１の径大部２１ｂ上面と内側回転体１７が対向する面積、および、固定体２１の径大部２１ｂ下面と閉塞体２０が対向する面積が大きくなる。したがって、スラスト軸受面の面積を大きくでき、軸受の負荷特性が改善し、良好な回転特性が実現される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図３は、内側回転体１７下端に膨大部４１を設けている。しかし、膨大部４１がない場合でも、従来の内側回転体１７にメネジ部３１を設ける構造に比べれば、内側回転体１７の最外径を大きくでき、良好な回転特性が実現される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記工程（ｂ）において、前記メモリ領域における前記半導体基板と電気的に接続され、上面が前記第１の絶縁膜から露出する第４のコンタクトプラグを前記第１の絶縁膜内に更に形成し、
前記工程（ｄ）において、前記第４のコンタクトプラグと接触する第５のコンタクトプラグを前記第２の絶縁膜内に更に形成し、
前記工程（ｂ）で形成される前記第４のコンタクトプラグは、上端部に第２の導電性バリア層を、それ以外の部分に第２の導電性膜を有する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光ファイバへ入射するレーザ光は、その１００％が光ファイバ内部に導光されるわけではなく、光ファイバ端面で反射光が発生し、周囲の温度上昇を引き起こす。たとえば、数ｋＷクラスの大出力レーザでは、この反射光が数十Ｗにもなる。このため、光ファイバのコネクタに上述した特許文献２のように配線などを行う場合、光ファイバのコネクタ付近を水冷して周囲温度を下げたり、光ファイバのコネクタの周囲の温度上昇に耐えうるテフロン（登録商標）電線などの特殊な電線を用いたりする必要がある。また、特許文献１に示されるように、光ファイバのコネクタの周囲に発光素子や受光素子を設置する場合には、これらの素子は高温でも使用可能なものにしなければならず高価なものとなってしまう。