【事件の表示】
　平成８年特許願第５２５９３７号「半田材料の金属下地を有する基板」拒絶査定に対する審判事件［平成８年９月６日国際公開、ＷＯ９６／２６８０８、平成１０年６月３０日国内公表、特表平１０−５０６７５８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、１９９６年１月１６日（パリ条約による優先権主張１９９５年３月１日、ドイツ国、１９９５年８月２日、ドイツ国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、当審において平成１３年８月２日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「１．基板（１００）上に形成されたアルミニウム層（１１０）と、前記アルミニウム層（１１０）上に形成されたチタン層（１２０）と、前記チタン層（１２０）上に直接付与されたバンプ半田材料（１３０）と、を備え、
　前記チタン層（１２０）は障壁面として、また、前記バンプ半田材料（１３０）に対して濡れ性の良好な面として機能すること、
　を特徴とする基板。
　２．請求項１記載の基板（１００）において、バンプ半田材料は、Ｐｂ／Ｓｎ、Ａｕ／Ｓｎ、Ｉｎ半田、Ｓｎ／Ａｇ、又はＳｎ／Ｂｉからなる。」
　（以下、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明２」という。）
　
２．引用例
　当審が平成１３年３月５日付けで通知した拒絶理由において引用した下記の刊行物、即ち、
　刊行物１：特開平６-２４４２２６号公報（１９９４年９月２日出願公開）
　刊行物２：特開平４-１２７４３６号公報（１９９２年４月２８日出願公開）
には、それぞれ、下記の事項が記載されている。
〈刊行物１〉
　イ．「半導体基体が載置部材上に接着された半導体装置において、Ｃr，Ｔi，Ｍo，Ｗ，Ｚr，Ｈfの群から選択された少なくとも１の元素を主成分とする金属層がＳn及びＳbを主成分とするろう材と直接固着される接着構造を、前記半導体基体と載置部材間に有することを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
　ロ．「【従来の技術】半導体素子基体は、半導体装置の金属載置部材上に融点の比較的低いろう材により接着される。例えば、(1) 特開平4-49630号には、…（中略）…
　(2) 特公平3-3937号には、…（中略）…
　(3) “ベアチップ実装”と題する文献（技術情報協会、技術情報社、１９９０年１月３１日）の１５４頁に、シリコンＩＣチップをガラス基板にはんだバンプを用いて接続した半導体基体の接着構造が開示されている。この中で、チップの接着面に設けられたＡl層の上にＴi（０．１５μｍ）-Ｃu（１．５μｍ）-Ｎi（５μｍ）積層金属層を設け、この部分にはんだ（Ｐb-５ｗｔ％Ｓn）バンプを形成して、これによる融着によりガラス基板にＩＣチップを固定，接続している。」（２頁２欄１１〜３７行（【０００２】〜【０００４】の一部））
　ハ．「【０００８】先行技術例(1)乃至(3)では、要求される信頼性が高い半導体装置に好適なろう材とその接着構造は開示しているが、前記の金属間化合物の生成と選択的な破壊の防止についての配慮はなされていない。
【０００９】したがって本発明の目的は、上述の問題点を解決し、金属間化合物の生成と選択的な破壊の防止を可能にする半導体基体の接着構造及びこれを適用した半導体装置と電子装置を提供することである。」（３頁３欄３０〜３７行）
　ニ．「【００１２】【作用】本発明の半導体装置における半導体基体の接着構造は、次の点で従来の接着構造と異なる。
【００１３】（１）半導体基体のダイボンディングされるべき面に設けられたＣr，Ｔi，Ｍo，Ｗ，Ｚr，Ｈfの群から選択された少なくとも１種からなる金属層が、ＳnとＳbをはじめとするろう材の成分を含有し、上記金属層とはんだ材は、金属層の成分とはんだ材の成分とが相互拡散して接着力が付与されている。
【００１４】（２）上記金属層とはんだ材の間には、…（中略）…
【００１５】上記の相違点は、…（中略）…上記金属層の成分はろう材の成分と親和性が高くろう材成分の拡散を促す。この結果、ろう材との間の拡散による接着力が付与される。また、金属層とはんだ層の界面には、金属間化合物を生成しやすい物質が存在しないため、その生成による選択的な破壊も生じない。」（３頁４欄３２〜５０行（【００１２】〜【００１５】））
　ホ．「図１は半導体基体を接着した構造体１０の断面を示す。…（中略）…厚さ３．５μｍのＡl層２と厚さ０．１８μｍのＣr層３を介して、組成Ｓn-５ｗｔ％Ｓb-０．６ｗｔ％Ｎi-０．０５ｗｔ％Ｐ，厚さ２００μｍのはんだ層４により…（中略）…ここで特筆すべき点は、Ｃr層３とはんだ層４とが直接接触し、前記両者が冶金的に結合されていることである。」（４頁５欄５〜１６行（【００１８】の一部））
　ヘ．「図２は半導体基体の…（中略）…基体１には、図２のように多層金属層が形成されていたにもかかわらず、はんだ付けが終了した段階では図１のようにＮi層６とＡg層７が接着界面部から消失している。金属層としてのＣr層３は、Ｔi，Ｍo，Ｗ，Ｚr，Ｈfの群から選択された少なくとも１種の金属で代替されてもよいものである。」（４頁５欄２５〜３４行（【００１９】の一部））
　ト．「ここで、本実施例の接着構造体１０はＣr層３とはんだ層４とが直接接触した構成であるにもかかわらず、Ｎi層６がＣr層３とはんだ層４との間に介在している他の接着構造体の場合より大きな接着力を具備している点が特筆される。」（４頁６欄１０〜１４行（【００２２】））
　チ．「ここで特筆すべき点は、金属層３とはんだ層４とが直接接触し、前記両者が冶金的に結合されていることである。…（中略）…はんだ付けが終了した段階ではＮi層６とＡg層７が接着界面部から消失している。」（５頁８欄２８〜３６行（【００２９】の一部））
〈刊行物２〉
　リ．「本発明は、半導体装置をフリップチップボンディングにより実装する際の半田バンプの形成方法に関するもので、」（１頁左欄１２〜１４行）
　ヌ．「前述の課題を解決するため、本発明においては、バンプ材料として高融点半田を用い、」（２頁右上欄２〜３行）
　ル．「まず、第１図(a)に示されるように、半導体基板１の表面に形成された集積回路の全面を被覆する絶縁層３に、電極パッド２の表面を露出するように、窓を設ける。
　次に第１図(b)に示されるように、全面にバリアメタル層４を、例えばスパッタリングにより形成する。バリアメタルとしては、Ｔi，Ｃu等が使用される。…（中略）…
　次に第１図(d)に示されるように、例えば電解めっきにより、電極パッド２上に高融点半田層６を堆積する。」（２頁右上欄１６行〜左下欄９行）　
　
３．対比・判断
（１）特許法第２９条第１項違反について
　本願発明１と刊行物１に記載のものを対比すると、後者における「半導体基体」、「Ａl層」、（「Ｃr層」を代替し得るものとしての）「Ｔi」層、（「Ｔi」層により代替され得る）「Ｃr層」に「直接接触」して形成されること、「はんだ層」を構成する材料ないし「はんだ材」（以下、単に「はんだ材」とのみいうことがある。）は、それぞれ、前者における「基板」、「アルミニウム層」、「チタン層」、「チタン層上に直接付与され」ること、「半田材料」に相当する。又、後者における（「Ｔi」層を例とする）「金属層」が「ろう材の成分と親和性が高く、ろう材成分の拡散を促す」ことは、（後者において、（Ｓn及びＳbを主成分とする）「ろう材」を「はんだ材」とも呼んでいること（前記２．イ及びニ参照）をも考慮すれば）前者における「チタン層」が「半田材料に対して濡れ性の良好な面として機能する」ことに相当する。従って、結局、両者は、
　“基板上に形成されたアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に形成されたチタン層と、前記チタン層上に直接付与された半田材料と、を備え、
　前記チタン層は前記半田材料に対して濡れ性の良好な面として機能する基板”
である点で一致し、次の点で一応相違する。
　（ｉ）「半田材料」が、本願発明１では「バンプ半田材料」であるのに対し、刊行物１に記載のものでは「はんだ材」であり、「はんだ」の前に「バンプ」が冠せられていない点。
　（ii）「チタン層」に関し、本願発明１では、「障壁面として…機能する」なる、機能についての記載が付されるのに対し、刊行物１には、かかる機能についての記載がない点。      
　なお、上で一致点と認めた「直接付与」の構成に関し、出願人は、平成１３年８月２日付意見書において、刊行物１に記載のものは、本願発明１のように、チタン層上に何の介在物もなくバンプ半田材料を付与した構成を示すものではない旨の反論を行っている（３頁(4)項）が、本願発明１における上記「直接付与」なる表現は、それをもって、必ず、プロセスの当初においても「直接」に「付与」されることのみを意味する、と解されねばならない理由はなく、刊行物１のものにおけるような、プロセスの結果として「直接固着」乃至「直接接触」の形に付与されることをも含み得る概念の表現と解され得るから、出願人の上記反論は認めることができない。　
　
　そこで、以下、上記（ｉ）及び（ii）の点について検討する。
　（ｉ）の点について：
　本件明細書には、本願発明１の「バンプ半田材料」を、特に定義する記載はない。又、当該半田材料を、バンプに形成されたものや、バンプ形成用という用途のもののみに限る旨の記載もない。これらのことと、その末尾が「半田材料」というように、いわば材質的に表現されていることを考え合わせれば、本願発明１の上記「バンプ半田材料」は、
　‘バンプ形成用に使用し得る半田材料’
を含む概念のものとして捉えることができる。
　これに対し、刊行物１に記載のものにおける「はんだ材」は、（その請求項１に記載された）半導体基体の「載置部材」への「接着」に使用される「Ｓn及びＳbを主成分とするろう材」なる要件を満たすものであるところ、ここでいう半導体基体の「載置部材」への「接着」は、刊行物１の実施例には、専ら「ダイボンディング」の例のみが記載されているが、以下の諸点、即ち、
　　〔ａ〕刊行物１では、「ダイボンディング」の語は請求項２で始めて使用されており、請求項１では、「載置部材」への「接着」というように、より一般的な表現がなされていて、必ずしも「ダイボンディング」に限られないとの趣意を汲み取ることができること。
　　〔ｂ〕刊行物１の【０００２】【従来技術】の冒頭に、「半導体基体は、半導体装置の金属載置部材上に融点の比較的低いろう材により接着される。例えば、」とあり、これに続けて【０００４】までに(1)〜(3)の従来技術例が挙げられているが、その(3)の例は、バンプによる半導体基体の接着構造に関するものであり、従って、上記請求項１でいう半導体基体の「載置部材」への「接着」とは、半導体基体のバンプによる基板への接着をも包含する概念のものと解することができること。
　　〔ｃ〕「Ｓn及びＳbを主成分とするろう材」乃至（かかる組成の）「はんだ材」は、バンプ形成用に使用し得るものとして周知の半田材料であること（必要なら、例えば、特開昭６３−３０１５３５号公報、特開平１−１９９４３９号公報、特開平３−２８３５４２号公報、特開平４−１７４５２７号公報、特開平５−２５１４５１号公報、Jpn Ｊ Appl Phys (Part 1), Vol.31, No.3, p.761-767, (1992) 等を参照）。
からみれば、必ずしも「ダイボンディング」に限られず、「バンプ」による接着をも含むものとみることができる。従って、刊行物１の「はんだ材」も、
　‘バンプ形成用に使用し得る半田材料’
を含む概念のものであると解することができる。
　
　してみれば、本願発明１の「バンプ半田材料」と刊行物１に記載の「はんだ材」とは、それぞれを‘バンプ形成用に使用し得る半田材料’として捉えた場合には、いずれも異なるところがない。
　
　（ii）の点について：
　Ａl層、チタン層、バンプ形成用に使用し得る半田材料の順に形成されるという構造の点で差異がない以上、刊行物１のチタン層も、客観的には本願発明１におけると同様に、障壁面として機能する筈のものであり、又、そもそも、チタン層をいわゆるバリアメタル（障壁金属）としてバンプ下地金属層として形成することは本願の優先権主張日前によく知られた技術に過ぎない（必要なら、例えば、特開平１−２７６７５０号公報、特開平２−２８９３３号公報、特開平４−１２７４３６号公報、特開平６−２７３３３号公報、特開平６−４５３３６号公報等を参照。）から、「障壁面として機能する」旨の記載の有無をもって、本願発明１と刊行物１に記載の発明を別異なものとみることはできない。
　
（２）特許法第２９条第２項違反について
　本願発明１と刊行物２に記載のものを対比すると、後者における「半導体基板」、「Ｔｉ」が使用された「バリアメタル層」、「半田バンプ」として形成される「高融点半田」は、それぞれ、前者における「基板」、「チタン層」、「バンプ半田材料」に相当する。又、後者における「電極パッド」は、前者における「アルミニウム層」の上位概念として本件明細書に記載の「金属層」に、概念上含まれる。更に又、後者における上記「Ｔｉ」使用の「バリアメタル層」は、「バリア」機能、即ち、前者でいう「障壁面」としての機能を有するものであることは明らかである。
　従って、結局、両者は、
　“基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成されたチタン層と、前記チタン層上に直接付与されたバンプ半田材料と、を備え、
　前記チタン層は障壁面として機能する基板”
である点で一致し、次の点で相違する。
　（ｉ’）「金属層」が、本願発明１では「アルミニウム」で構成されるのに対し、刊行物２に記載のものでは「電極パッド」というだけで、その構成金属が記載されていない点。
　（ii’）「チタン層」に関し、本願発明１では、「バンプ半田材料に対して濡れ性の良好な面として機能する」なる、機能についての記載が付されるのに対し、刊行物２には、かかる機能についての記載がない点。      
　なお、上で一致点と認めた「チタン層」の構成に関し、出願人は、前記意見書において、チタンがそれ単独でバリア層として使用されることは、刊行物２の出願時（１９９０年９月１８日）さらにはその公開時（１９９２年４月２８日）においてもなかったから、刊行物２における記載がチタン単独での使用までも意味しているとは解釈できない旨反論している（３頁(5)項）が、しかし、チタンを単独でバリア層として使用することは、例えば、特開平１−２７６７５０号公報や特開平２−２８９３３号公報等にみるように、刊行物２の出願時前でも既に知られていたことに過ぎない。又、ほかに、刊行物２において記載されたバリア層としての「Ｔi」層が、必ず、「他の金属との組み合わせで使用される」（前記意見書３頁(5)項）もののみを意味している、と解釈しなければならない理由は見出せないから、出願人の上記反論は認めることができない。
　
　そこで、以下、上記（ｉ’）及び（ii’）の点について検討する。
　（ｉ’）の点について：
　基板上の電極パッドをアルミニウムで構成することは、あえて引例を挙げるまでもなく、半導体素子実装技術分野における周知・慣用の技術に過ぎない（因みに、例えば、上記（１）において、（ii）の点についての検討の中で挙げた周知例も、その電極パッドは、すべて、アルミニウムで構成されるものである。）から、刊行物２に記載のものにおける「電極パッド」をアルミニウムで構成することが、当業者にとって困難なこととは認められない。
　
　（ii’）の点について：
　刊行物２のＴi層も、その上に半田バンプを接合する層である以上、半田材料とのそれなりの接着性が要求されるものであることは当然であり、しかも、半田接合における接着性においては半田材料との濡れ性が重要な要素であることは当業者の技術常識に属することであるから、刊行物２に記載のものにおけるＴｉ層を、「バンプ半田材料に対して濡れ性の良好な面として機能する」ものとすることは、当業者にとって格別困難なこととはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるか、或いは、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第29条第１項又は同条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、本願発明２について別途検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。