【手続補正書】
【提出日】平成18年8月14日(2006.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に達するコンタクトホールが形成された第１の絶縁膜と、
前記コンタクトホール内に形成されたコンタクト部と、前記コンタクト部の上面の一部に接続するように形成され、前記第１の絶縁膜上に突出する突出部とを有し、前記コンタクト部と前記突出部とが同一の導電層によって構成されている第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成され、前記第１の電極に対向する第２の電極と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置において、
前記コンタクトホールの内壁及び底部に、前記第１の絶縁膜と前記第１の電極との密着性を高め、或いは、前記基板と前記第１の電極との間の反応を抑止する導電膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  基板上に、コンタクトホールが形成された第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクトホール内にダミープラグを形成する工程と、
前記ダミープラグが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、前記ダミープラグの少なくとも一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して前記ダミープラグを選択的に除去する工程と、
前記コンタクトホール内及び前記開口部内に、前記基板に電気的に接続された第１の電極を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜を選択的に除去する工程と、
前記第１の電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、前記誘電体膜を介して前記第１の電極と対向する第２の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜を形成する工程の後に、少なくとも前記コンタクトホールの内壁及び底部に、前記第１の絶縁膜と前記第１の電極との密着性を高め或いは前記基板と前記第１の電極との間の反応を抑止する導電膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  基板上に、コンタクトホールが形成された第１の絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記コンタクトホールの内壁及び底部に、前記第１の絶縁膜と前記第１の電極との密着性を高め或いは前記基板と前記第１の電極との間の反応を抑止する導電膜を形成する工程と、
前記コンタクトホール内にダミープラグを形成する工程と、
前記ダミープラグが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、前記ダミープラグの少なくとも一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して前記ダミープラグを選択的に除去する工程と、
前記コンタクトホール内及び前記開口部内に、前記基板に電気的に接続された第１の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】  請求項４又は５記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電膜を形成する工程では、前記第１の絶縁膜上に延在して前記導電膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を除去する工程では、前記導電膜をストッパとして前記第２の絶縁膜を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜を形成する工程と前記第２の絶縁膜を形成する工程との間に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜とエッチング特性の異なる第３の絶縁膜を形成する工程を更に有し、
前記第２の絶縁膜を除去する工程では、前記第３の絶縁膜をストッパとして前記第２の絶縁膜を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】  請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜を形成する工程では、少なくとも表面領域のエッチング特性が前記第２の絶縁膜のエッチング特性とは異なる前記第１の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を除去する工程では、前記第１の絶縁膜をストッパとして前記第２の絶縁膜を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】  請求項３乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、前記第１の電極及び前記第２の電極が形成された領域を含む第１の領域と、前記第１の領域と異なる第２の領域とを有し、
前記第２の絶縁膜を除去する工程では、前記第１の領域の前記第２の絶縁膜を選択的に除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板に達するコンタクトホールが形成された第１の絶縁膜と、前記コンタクトホール内に形成されたコンタクト部と、前記コンタクト部の上面の一部に接続するように形成され、前記第１の絶縁膜上に突出する突出部とを有し、前記コンタクト部と前記突出部とが同一の導電層によって構成されている第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成され、前記第１の電極に対向する第２の電極とを有することを特徴とする半導体装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、上記目的は、基板上に、コンタクトホールが形成された第１の絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクトホール内にダミープラグを形成する工程と、前記ダミープラグが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜に、前記ダミープラグの少なくとも一部を露出する開口部を形成する工程と、前記開口部を介して前記ダミープラグを選択的に除去する工程と、前記コンタクトホール内及び前記開口部内に、前記基板に電気的に接続された第１の電極を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を選択的に除去する工程と、前記第１の電極上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に、前記誘電体膜を介して前記第１の電極と対向する第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によっても達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、上記目的は、基板上に、コンタクトホールが形成された第１の絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記コンタクトホールの内壁及び底部に、前記第１の絶縁膜と前記第１の電極との密着性を高め或いは前記基板と前記第１の電極との間の反応を抑止する導電膜を形成する工程と、前記コンタクトホール内にダミープラグを形成する工程と、前記ダミープラグが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜に、前記ダミープラグの少なくとも一部を露出する開口部を形成する工程と、前記開口部を介して前記ダミープラグを選択的に除去する工程と、前記コンタクトホール内及び前記開口部内に、前記基板に電気的に接続された第１の電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によっても達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次いで、通常のリソグラフィー技術及びエッチング技術により、層間絶縁膜３２に、ソース／ドレイン拡散層２６に達するコンタクトホール３４と、ソース／ドレイン拡散層２８に達するコンタクトホール３６と、ソース／ドレイン拡散層３０に達するコンタクトホール３８とを、ゲート電極２０、２２及びサイドウォール絶縁膜２４に対して自己整合的に形成する（図３（ｂ）、図８（ｂ））。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次いで、通常のリソグラフィー技術及びエッチング技術により、プラグ４０に達するコンタクトホール４８と、プラグ４４に達するコンタクトホール５０とを層間絶縁膜４６に形成する（図３（ｄ）、図８（ｄ））。なお、図３（ｄ）に示す断面にはプラグ４０に達するコンタクトホール４８は現れないが、他の構成要素との位置関係を明確にするため、以降の図面において点線で表すこととする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
なお、本実施形態では、図４（ｂ）に示す工程において、層間絶縁膜５６上にエッチングストッパ膜６４を形成し、エッチングストッパ膜６４、層間絶縁膜５６、４６を貫きプラグ４２に達するコンタクトホール５８を開口し、このコンタクトホール５８内にバリアメタル６０及びダミープラグ６２を形成する。