【事件の表示】
　平成６年特許願第２２４６５８号「格子および二次元格子構造の反応性イオンエッチング」拒絶査定に対する審判事件〔平成７年７月１１日出願公開、特開平７−１７３６４９、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成６年９月２０日（優先日：１９９３年９月２０日　米国）の出願であって、平成１０年１２月２８日付けで拒絶理由の通知がなされ、これに対して、平成１１年４月８日付けで請求人（出願人）より手続補正書が提出されたところ、平成１２年６月１６日付けで先の拒絶の理由により拒絶査定され、その後、平成１２年９月２５日に審判請求されるとともに、平成１２年１０月２５日付けで手続補正書が提出されたものである。
　そして、その請求項１〜７に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明７」という。）は、上記各手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりの、次のものである。
　　
「【請求項１】光学的特性を変化させるマイクロ構造を形成するためにベリリウムまたはアルミニウムからなる基板の表面を変形する処理方法において、
（ａ）前記基板上に酸化物を含む被覆層を形成し、
（ｂ）前記被覆層上にマスク層を形成し、
（ｃ）前記マスク層にパターンを形成し、
（ｄ）前記被覆層の部分を露出しそして前記マスク層をエッチングせずに残すように、フッ素含有ガスを含む第１の反応性イオンビームを接触させることにより、前記被覆層に前記パターンを反応性イオンビームエッチングし、
（ｅ）溶剤により前記マスク層を除去し、
（ｆ）前記パターンを前記基板の前記表面に転写しそして前記被覆層をエッチングせずに残すように、前記第１の反応性イオンビームとは異なる塩素含有ガスを含む第２の反応性イオンビームを接触させることにより前記被覆層の前記パターンを通して反応性イオンビームエッチングを行い、
（ｇ）前記被覆層を化学処理により除去する工程を含み、
　前記マイクロ構造が約０．５乃至１．５μｍの幅と約０．５乃至１．５μｍの深さを有し、幅に対する深さの比が１より大きいことを特徴とする処理方法。
【請求項２】前記被覆層は二酸化珪素を含む請求項１記載の処理方法。
【請求項３】前記マスク層はフォトレジストを含む請求項１記載の処理方法。
【請求項４】前記パターンが形成されているコンタクトマスクを設け、このコンタクトマスクを通る紫外線放射に前記フォトレジストを露出することによって、前記パターンが前記フォトレジスト層中に形成される請求項３記載の処理方法。
【請求項５】前記パターンがコヒーレントの光の２つのビームの干渉からホログラフ映像を形成することによって前記フォトレジスト層に形成される請求項４記載の処理方法。
【請求項６】前記表面は平坦でない表面である請求項１記載の処理方法。
【請求項７】前記表面がメートル程度の寸法範囲の領域を有している請求項１記載の処理方法。」
　　
II．原査定の理由
　これに対して、原査定においては、「この出願については、平成１０年１２月２８日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって拒絶査定する。」として、特許法第２９条第２項及び同法第４９条の規定に基づき、拒絶の査定をしたものである。
　　
III．引用例の記載事実
　上記の拒絶理由通知書に証拠として示された刊行物（以下、「引用例１」、「引用例２」という。）には、下記の事項の記載が認められる。
引用例１（特開平５−１４２４０３号公報）
(1-1)「【請求項１】格子基板上にそれよりも反応性イオンビームエッチングのエッチングレートが小さい物質の中間層を形成し、その上にホトレジスト層を形成して格子パターンをホトレジスト層に焼付け現像してホトレジストによる格子のマスクパターンを形成し、反応性イオンビームエッチングによりこのマスクパターンを上記中間層に転写して中間層に方形断面の溝を形成し、その後この中間層の溝間の堤部を格子パターンのマスクとして格子基板の反応性イオンビームエッチングによって格子基板に溝を形成することを特徴とする格子板製作方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は走査型電子顕微鏡や走査型トンネル顕微鏡の倍率の検定とか、それらによる像における長さの単位の決定或は水平方向と深さ方向の寸法の同時正確な測定を行う場合の較正等に用いる基準格子板のような精密格子板の製造方法に関する。」（段落【0001】）
(1-3)「【実施例】図１は本発明により格子溝が作られていく過程をＡ，Ｂ，Ｃ・・・の順に示す。まずガラス板１上にポリイミドＳＰ７１０の層２をスピンコートにより７μｍ厚さに形成して３５０℃で３０分ベーキングしてこれを基板とし、その上にＳｉＯ２の層３を真空蒸着でホットコーティングにより５００ｎｍの厚さに形成し、その上にノボラック系ポジ型フォトレジスト４をスピンコートにより３００ｎｍの厚さに形成し９０℃で３０分間プレベーキングした（図１Ａ）。次にＨｅ−Ｃｄレーザ光（波長４４１．６ｎｍ）の２光束干渉により形成される干渉縞をホトレジスト４上に投射露光して現像することにより、断面が正弦半波のホトレジストの縞を形成してこれを格子パターンのマスクとする。このようにしてマスク幅とマスク間隔が１対１で、格子本数が１０００本／ｍｍのホトレジストマスクを形成した（図１Ｂ）。ＣＨＦ反応性イオンビームエッチングを行ってＳｉＯ２層３のホトレジストのマスクで覆われていない部分をエッチングする。このときホトレジストとＳｉＯ２とのエッチングレートは１対７であり、溝部のＳｉＯ２層が除去されて基板のポリイミド層２の表面が現れる迄に削られるホトレジストの厚さはＳｉＯ２５００ｎｍの１／７であり、ホトレジスト層は３００ｎｍの厚さで約７０ｎｍ削られるだけであるからホトレジストのパターン断面は殆ど変化せず、ＳｉＯ２層には堤部と溝部の幅が１対１である完全に方形断面の溝が形成される（図１Ｃ）。この後ＳｉＯ２層３の溝堤をマスクとして、Ｏ２を用いた反応性イオンビームエッチングに変えて基板層２の溝を形成する。・・・・ポリイミド層の厚さが全部削られた所でエッチングを止めた。このときの状態を図１Ｄに示す。最後にＳｉＯ２のマスクは反応性イオンビームエッチングのガスをＣＨＦ３に変えてエッチングを行うことで除去し、図１Ｅに示す格子板を得る。この格子板は格子本数１０００本／ｍｍで溝深さ７μｍ、溝幅と溝堤幅とは同じで夫々０．５μｍである。」（段落【0008】）
　　
引用例２（特開平３−２５３８０２号公報）
(2-1)「１．光学材料の基板に可視光波長と同程度以下の寸法でパターンを形成する微細加工方法において、前記基板の表面に保護膜および金属膜の二層構造を形成し、レジストマスクを用いて前記金属膜をエッチングし、このエッチングされた金属膜をマスクとして前記保護膜および前記基板をエッチングすることを特徴とする微細加工方法。
２．金属膜は金属Ｔｉの蒸着膜である請求の範囲１記載の微細加工方法。
３．光学材料はＬｉＮｂＯ３であり、エッチングにより基板表面に回折格子を形成する請求項１記載の微細加工方法。
４．基板のエッチングは反応性ガスＣＦ４と不活性ガスＡｒまたはＮ２との混合ガスとを使用した反応性イオンエッチングにより行う請求項１記載の微細加工方法。」（特許請求の範囲）
　　
IV．対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と、引用例１及び２に記載されたものとを対比すると、引用例１及び２のいずれにも、本願発明１の特定事項である、
（イ）「光学的特性を変化させるマイクロ構造を形成するためにベリリウムまたはアルミニウムからなる基板の表面を変形する処理方法」である点、
（ロ）「フッ素含有ガスを含む第１の反応性イオンビームを接触させることにより、前記被覆層に前記パターンを反応性イオンビームエッチング」と、「前記第１の反応性イオンビームとは異なる塩素含有ガスを含む第２の反応性イオンビームを接触させることにより前記被覆層の前記パターンを通して反応性イオンビームエッチング」の二段階からなる特定のエッチングを行う点、及び、
（ハ）前記マイクロ構造について、「約０．５乃至１．５μｍの幅と約０．５乃至１．５μｍの深さを有し、幅に対する深さの比が１より大きい」ものである点、
の各点についての記載はなく、これら（イ）〜（ハ）の点で、本願発明１は、引用例１及び２に記載されたものと相違している。
　そして本願発明１は、これら相違点（イ）〜（ハ）に係る特定事項を含む、前記認定の特定事項を有することにより、ベリリウムまたはアルミニウムからなる基板を有する二次元格子等の光学的材料の表面において、損傷を受けやすい小さなフィラメントおよびこぶ状部分を形成することなく、正確に、光学的特性を変化させるマイクロ構造を形成することができる（段落【0002】〜【0008】、【0037】）という、明細書記載の作用効果を奏したと認めることができる。
　してみれば、本願発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（２）本願発明２〜７について
　本願発明２〜７は、請求項１又はその下位の請求項を引用して、本願発明１ないしその下位の発明を更に限定したものであるから、上記「（１）本願発明１について」の欄で、本願発明１について記載したと同様、本願発明２〜７は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
　以上のとおりであるから、本願については、原査定の拒絶の理由により拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。