Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁基板上に薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、堆積法によって堆積した堆積膜を少なくとも１層有し、
前記半導体層との間に堆積法によって堆積した他の堆積膜を介在させることなく形成された一の堆積膜における炭素濃度が前記半導体層に近い側の方が前記半導体層から遠い側よりも小さくなるような分布を有し、
前記一の堆積膜における炭素濃度は、前記半導体層に近い側の炭素濃度が前記半導体層から遠い側の炭素濃度の１／１０以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記一の堆積膜における炭素濃度は、前記半導体層に近い側の炭素濃度が１Ｅ２０〜１Ｅ２１〔ｃｍ−３〕であり、前記半導体層から遠い側の炭素濃度が１Ｅ２１〜１Ｅ２２〔ｃｍ−３〕であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】  前記一の堆積膜は、炭素を有する原料ガスを用いたＣＶＤ法で堆積した膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】  前記ゲート絶縁膜は、前記一の堆積膜と前記半導体層との間に堆積法以外の方法で形成された酸化膜を有することを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の表示装置。
【請求項５】  前記薄膜トランジスタは、該薄膜トランジスタが設けられた前記絶縁基板と前記ゲート電極との間に前記半導体層が配置されていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の表示装置。
【請求項６】  前記半導体層は多結晶シリコン層を有することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の表示装置。
【請求項７】  前記薄膜トランジスタはｎチャネル型薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の表示装置。
【請求項８】  前記薄膜トランジスタはｎチャネル型でシングルドレイン構造の薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の表示装置。
【請求項９】  前記薄膜トランジスタはｐチャネル型薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の表示装置。
【請求項１０】  前記薄膜トランジスタの前記半導体層は少なくとも一方向に測ったときに１μｍ以上の大きさの結晶を有する半導体層であることを特徴とする請求項１から９の何れかに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面実装部品の固定構造及び表面実装部品の固定方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、リフローはんだ付けにより表面実装部品を実装する表面実
装部品の固定構造において、
前記基板に形成された固定用の孔と、
前記表面実装部品に形成された固定用の孔と、
前記基板と前記表面実装部品との孔に挿通し、少なくともいずれか一方の端面か
らの突出部分を押し拡げて固定する筒状固定部品と、
前記基板と前記表面実装部品に固定された前記筒状固定部品に挿通される締結部
材とからなることを特徴とする表面実装部品の固定構造。
【請求項２】
前記締結部材により前記基板の裏面側に構成される基板裏面側部材
が締結されることを特徴とする請求項１に記載の表面実装部品の固定構造。
【請求項３】
はんだペーストが塗布された基板に、表面実装部品を搭載する工程
と、前記基板と前記表面実装部品とを筒状固定部品で固定する工程と、前記基板
と前記表面実装部品とをリフローはんだ付けする工程とからなることを特徴とす
る表面実装部品の固定方法。
【請求項４】
前記リフローはんだ付け工程後に、前記筒状固定部品の孔に締結部
材を挿通して締結する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の表面実装部品
の固定方法。
【請求項５】
はんだペーストが塗布された基板に、表面実装部品を搭載する工程と、
前記基板と前記表面実装部品とを筒状固定部品で固定する工程と、
前記基板と前記表面実装部品とをリフローはんだ付けする工程と、
前記リフローはんだ付け工程後に前記筒状固定部品の固定部の修正工程と
からなることを特徴とする表面実装部品の固定方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決する為の手段】
本発明は上述の目的を達成するもので、基板に、リフローはんだ付けによ
り表面実装部品を実装する表面実装部品の固定構造において、前記基板に形
成された固定用の孔と、前記表面実装部品に形成された固定用の孔と、前記
基板と前記表面実装部品との孔に挿通し、少なくともいずれか一方の端面か
らの突出部分を押し拡げて固定する筒状固定部品と、前記基板と前記表面実
装部品に固定された前記筒状固定部品に挿通される締結部材とからなること
を特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、はんだペーストが塗布された基板に、表面実装部品を搭載する工程
と、前記基板と前記表面実装部品とを筒状固定部品で固定する工程と、前記
基板と前記表面実装部品とをリフローはんだ付けする工程とからなることを
特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記リフローはんだ付け工程後に、前記筒状固定部品の孔に締結部
材を挿通して締結する工程を含むことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、はんだペーストが塗布された基板に、表面実装部品を搭載する工程
と、前記基板と前記表面実装部品とを筒状固定部品で固定する工程と、前記
基板と前記表面実装部品とをリフローはんだ付けする工程と、前記リフロー
はんだ付け工程後に前記筒状固定部品の固定部の修正工程とからなることを
特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  配線基板に形成された少なくとも第１の領域と第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域の境界ＧＮＤパターンと、
前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ半田付けされた電子部品と、
前記境界ＧＮＤパターンに半田付けされた、前記第１の領域と前記第２の領域間をシールドするシールド板金とを有し、
前記シールド板金の半田付けの後に、前記第１又は第２の領域に半田付けされた少なくとも１つの前記電子部品と前記配線基板との間隙に熱硬化性樹脂材を充填することを特徴とする配線基板ユニット。
【請求項２】  前記シールド板金は、前記配線基板に半田付けされた時に、前記配線基板の半田付け面に対して垂直の方向に開放された構造とすることを特徴とする請求項１記載の配線基板ユニット。
【請求項３】  前記配線基板の前記第１および第２の領域の外周に設けられた外周ＧＮＤパターン、および前記シールド板金に接合するシールドケースによって前記配線基板を覆うことを特徴とする請求項１記載の配線基板ユニット。
【請求項４】  前記シールドケースと接合する前記シールド板金の上面には接触バネが複数設けられていることを特徴とする請求項３記載の配線基板ユニット。
【請求項５】  前記外周ＧＮＤパターンに複数の接続バネを設け、その上部と前記シールドケースの周縁の対応する底部が接合することを特徴とする請求項３記載の配線基板ユニット。
【請求項６】  前記シールド板金と前記電子部品とを同時工程で、前記配線基板に半田付けすることを特徴とする請求項１記載の配線基板ユニット。
【請求項７】  前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ半田付けされた電子部品は、機能が全く異なる電子部品であることを特徴とする請求項１記載の配線基板ユニット。
【請求項８】  前記シールド板金は、Ｌ字型又は階段型の形状としたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の配線基板ユニット。
【請求項９】  前記熱硬化性樹脂材が充填された前記電子部品は、前記シールド板金に隣接する位置に半田付けされていることを特徴とする請求項１記載の配線基板ユニット。
【請求項１０】  配線基板とこの配線基板に実装された電子部品とから構成される配線基板ユニットへの実装方法であって、
前記配線基板に形成された少なくとも第１の領域と第２の領域に前記電子部品をそれぞれ半田付けし、
前記第１の領域と前記第２の領域の境界に形成された境界ＧＮＤパターンに前記第１の領域と前記第２の領域間をシールドするシールド板金を半田付けし、
前記シールド板金の半田付けの後に、前記第１又は第２の領域に半田付けされた少なくとも１つの前記電子部品と前記配線基板との間隙に熱硬化性樹脂材を充填することを特徴とする配線基板ユニットへの実装方法。
【請求項１１】  前記シールド板金と前記電子部品とを同時工程で、前記配線基板に半田付けすることを特徴とする請求項１０記載の配線基板ユニットへの実装方法。
【請求項１２】  前記第１又は第２の領域の前記シールド板金に隣接する位置に半田付けされた前記電子部品に前記熱硬化性樹脂材が充填されることを特徴とする請求項１０記載の配線基板ユニットへの実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の配線基板ユニットは、配線基板に形成された少なくとも第１の領域と第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域の境界ＧＮＤパターンと、前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ半田付けされた電子部品と、前記境界ＧＮＤパターンに半田付けされた、前記第１の領域と前記第２の領域間をシールドするシールド板金とを有し、前記シールド板金の半田付けの後に、前記第１又は第２の領域に半田付けされた少なくとも１つの前記電子部品と前記配線基板との間隙に熱硬化性樹脂材を充填することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体ウェハ上に形成された多数の半導体素子の電気的特性を、複数の半導体素子と同時接触するマルチプロービング用のプローブカードを用いて検査するための方法であって、上記プローブカードをタッチダウンする度毎に、実際に同時接触している半導体素子の内から、検査対象となる半導体素子を特定し、その特定された各半導体素子に対してのみ所定の検査信号を入出力し、上記検査対象となる半導体素子の検査を行って不良の有無を判定し、また、同時接触している半導体素子の中に、検査対象外である半導体素子が有る場合は、上記検査対象外である半導体素子に対しては、所定の検査信号の入出力を行わないことを特徴とする半導体検査方法。
【請求項２】  上記タッチダウン情報は、上記接点ブロックのロケーションが非対称形に設定される場合には、対称形のロケーションの情報と、これに対して付加されている接点ブロックの個数と配列位置の情報とを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体検査方法。
【請求項３】  上記所定の検査信号は、加速テストのための信号を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体検査方法。
【請求項４】  上記プローブカードとしての各々の半導体素子と個別に対応する接点ブロックのロケーションが非対称形であるものを使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明に係る半導体検査方法は、半導体ウェハ上に形成された多数の半導体素子の電気的特性を、複数の半導体素子と同時接触するマルチプロービング用のプローブカードを用いて検査するための方法であって、上記プローブカードをタッチダウンする度毎に、実際に同時接触している半導体素子の内から、検査対象となる半導体素子を特定し、その特定された各半導体素子に対してのみ所定の検査信号を入出力し、上記検査対象となる半導体素子の検査を行って不良の有無を判定し、また、同時接触している半導体素子の中に、検査対象外である半導体素子が有る場合は、上記検査対象外である半導体素子に対しては、所定の検査信号の入出力を行わないことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱装置および画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体と、前記回転体とニップを形成する対向部材と、前記回転体を前記ニップとは異なる回転体表面部位で加熱する加熱部材と、前記加熱部材による回転体加熱温度を制御する温度制御手段と、を具備し、前記ニップに被加熱材を挿通して挟持搬送させ前記回転体の熱により加熱する加熱装置であって、
前記温度制御手段は前記ニップに対する被加熱材挿通開始後、前記回転体が一周分回転する前に、前記加熱部材の制御温度を上げる、又は前記加熱部材に供給する電力を上げることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
記録材上に未定着トナー画像を形成する作像部と、
記録材上の未定着トナー画像を記録材上に加熱定着する定着部と
を有し、
前記定着部は、相互に接触してニップを形成する第１，第２回転体と、前記ニップとは異なる位置で前記第１回転体を加熱する加熱部材と、を具備し、前記ニップに被加熱材を挿通して前記回転体の熱により被加熱材上に形成されている画像を定着するとともに、
当該画像形成装置は、さらに、前記加熱部材に供給すべき電力を制御する電力制御部であって、前記ニップで被加熱材先端部に接触した前記第１回転体の部分が前記加熱部材位置に到達するタイミング近傍で、前記第１回転体に与えられる熱量が増加するように前記加熱部材に供給する電力を制御する電力制御部を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、回転体と、前記回転体とニップを形成する対向部材と、前記回転体を前記ニップとは異なる回転体表面部位で加熱する加熱部材と、前記加熱部材による回転体加熱温度を制御する温度制御手段と、を具備し、前記ニップに被加熱材を挿通して挟持搬送させ前記回転体の熱により加熱する加熱装置であって、前記温度制御手段は前記ニップに対する被加熱材挿通開始後、前記回転体が一周分回転する前に、前記加熱部材の制御温度を上げる、又は前記加熱部材に供給する電力を上げることを特徴とする加熱装置、である。
また、本発明は、記録材上に未定着トナー画像を形成する作像部と、記録材上の未定着トナー画像を記録材上に加熱定着する定着部とを有し、前記定着部は、相互に接触してニップを形成する第１，第２回転体と、前記ニップとは異なる位置で前記第１回転体を加熱する加熱部材と、を具備し、前記ニップに被加熱材を挿通して前記回転体の熱により被加熱材上に形成されている画像を定着するとともに、当該画像形成装置は、さらに、前記加熱部材に供給すべき電力を制御する電力制御部であって、前記ニップで被加熱材先端部に接触した前記第１回転体の部分が前記加熱部材位置に到達するタイミング近傍で、前記第１回転体に与えられる熱量が増加するように前記加熱部材に供給する電力を制御する電力制御部を有することを特徴とする画像形成装置、である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
〈作  用〉
すなわち、被加熱材を挿通して加熱するニップと異なる回転体表面部位にて加熱部材により表面加熱方式で熱補給を受ける回転体が、ニップに対する被加熱材挿通開始後、一周分回転する前に、回転体を加熱する加熱部材の制御温度を上げる、又は前記加熱部材に供給する電力を上げることにより、回転体の被加熱材への熱供給能力を一定に保つことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（２）定着装置１０
図１は定着装置１０の横断面模型図である。この定着装置１０は本発明に従う表面加熱方式の加熱装置であり、被加熱材である記録材Ｐを加熱するための回転体としての定着ローラ１（第１回転体）と、この定着ローラ１とニップＮ１を形成する対向部材としての加圧ローラ３（第２回転体）と、定着ローラ１を表面加熱する加熱部材としての表面加熱ユニット２と、この表面加熱ユニット２による定着ローラ加熱温度を制御する温度制御手段５・１００・１０１と、を具備している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取装置及び白レベル補正方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原稿を搬送する原稿搬送手段と、
前記原稿搬送手段によって白レベルを補正する為の基準シートを搬送しながら所定の読取位置で読み取る読取手段と、
読み取りの白レベルを補正する際に、
前記所定の読取位置を、第一の読取位置及び第二の読取位置として、
前記基準シートを前記第一の読取位置と、前記第二の読取位置で読み取るように前記読取手段を制御する制御手段と、
前記第一の読取位置で前記基準シートを読み取った第一のデータと前記第二の読取位置で前記基準シートを読み取った第二のデータとの演算に基づいて、白レベル補正値を決定する補正手段と、を備えたことを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】  前記補正手段は、前記決定した白レベル補正値に基づき、前記第２の読み取り位置で読み取られた画像データを、前記第１の読み取り領域で読み取られたレベルと同一になるように補正する請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】  第一の読取位置と第二の読取位置で読み取り可能な画像読取装置の白レベル補正方法であって、
白レベルを補正する為の基準シートを搬送しながら前記第一の読取位置で読み取る第一の読み取りステップと、
前記基準シートを搬送しながら前記第二の読取位置で読み取る第二の読み取りステップと、
前記第一の読取位置で前記基準シートを読み取った第一のデータと前記第二の読取位置で前記基準シートを読み取った第二のデータとの演算に基づいて、白レベル補正値を決定する決定ステップ、
前記決定ステップで、前記決定した白レベル補正値に基づき、前記第２の読み取り位置で読み取られた画像データを、前記第１の読み取り領域で読み取られたレベルと同一になるように補正する補正ステップと、を備えたことを特徴とする画像読取装置の白レベル補正方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明では、画像形成装置を次の（１）、（２）のとおりに構成し、白レベル補正方法を次の（３）のとおりに構成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１）原稿を搬送する原稿搬送手段と、
前記原稿搬送手段によって白レベルを補正する為の基準シートを搬送しながら所定の読取位置で読み取る読取手段と、
読み取りの白レベルを補正する際に、
前記所定の読取位置を、第一の読取位置及び第二の読取位置として、
前記基準シートを前記第一の読取位置と、前記第二の読取位置で読み取るように前記読取手段を制御する制御手段と、
前記第一の読取位置で前記基準シートを読み取った第一のデータと前記第二の読取位置で前記基準シートを読み取った第二のデータとの演算に基づいて、白レベル補正値を決定する補正手段と、を備えたことを特徴とする画像読取装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（２）前記補正手段は、前記決定した白レベル補正値に基づき、前記第２の読み取り位置で読み取られた画像データを、前記第１の読み取り領域で読み取られたレベルと同一になるように補正することを特徴とする前記（１）記載の画像読取装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（３）第一の読取位置と第二の読取位置で読み取り可能な画像読取装置の白レベル補正方法であって、
白レベルを補正する為の基準シートを搬送しながら前記第一の読取位置で読み取る第一の読み取りステップと、
前記基準シートを搬送しながら前記第二の読取位置で読み取る第二の読み取りステップと、
前記第一の読取位置で前記基準シートを読み取った第一のデータと前記第二の読取位置で前記基準シートを読み取った第二のデータとの演算に基づいて、白レベル補正値を決定する決定ステップ、
前記決定ステップで、前記決定した白レベル補正値に基づき、前記第２の読み取り位置で読み取られた画像データを、前記第１の読み取り領域で読み取られたレベルと同一になるように補正する補正ステップと、を備えたことを特徴とする画像読取装置の白レベル補正方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ＩＰｖ６移動体パケット通信網において、モバイルトンネルを利用することなくモバイルＶＰＮサービスを提供するために、移動体端末が関門ノードにパケットを送信可能とするための制御信号を送信し、関門ノードが制御信号に含まれる接続先情報からモバイルＶＰＮサービス要求の有無を判別し、要求されるときには加入者ノードを経由して移動体端末に関門ノードのＩＰアドレスを通知する。移動体端末は、送信パケットが必ず関門ノードを中継するようにＩＰｖ６ヘッダとＩＰｖ６経路制御ヘッダを設定して送出することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この提案は携帯電話機などのモバイル構成でのトンネリングであり、対向するＶｏＩＰＩＰｖ６電話機間におけるトンネリングについては触れることがない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ＩＰｖ４プロトコル処理部１４は、回線Ｂインタフェース部１２から受信したＩＰｖ４パケット内の宛先ポートがＩＰｖ４トンネルインタフェース部１３宛てのとき、ＩＰｖ４パケットでのカプセル化を解除して、ＩＰｖ６パケットをＩＰｖ４トンネルインタフェース部１３へ送信する機能、および、ＩＰｖ４トンネルインタフェース部１３から受信したＩＰｖ６パケットをＩＰｖ４パケットでカプセル化して回線Ｂインタフェース部１２へ送信する機能を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フラットディスプレイのガラス基板の処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面状態を検出し、その検出結果に応じて基板表面を処理する方法であって、
前記ガラス基板表面に１次Ｘ線を照射し、発生した蛍光Ｘ線を検出することによりガラス基板表面に存在する元素を検出する検出工程と、
検出工程の検出結果に応じて前記ガラス基板表面からガラス構成元素以外の元素を除去する除去工程とを有することを特徴とするフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項２】
前記ガラス基板表面の元素を検出する検出工程において、
前記ガラス基板の大きさに応じて前記ガラス基板と蛍光Ｘ線検出器の相対位置が変化することを特徴とする請求項１に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項３】
蛍光Ｘ線検出器が、蛍光Ｘ線を検出し得る領域よりも広い領域に１次Ｘ線を照射することを特徴とする請求項１に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項４】
ガラス基板に１次Ｘ線を入射する際の入射角が、１次Ｘ線の臨界角以下の角度であることを特徴とする請求項１に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項５】
ガラス基板表面に対する除去工程が、ガラス基板表面を研磨することにより行われることを特徴とする請求項１に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項６】
ガラス基板表面に対する検出工程および除去工程が、繰り返し行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項７】
ガラス基板上に複数の電子放出素子が配置されたリアプレートと、ガラス基板上に画像表示部が設けられたフェースプレートと、これらのプレートを対向配置するように接合する支持枠と、を含むフラットディスプレイのガラス基板の処理方法であって、
前記リアプレートおよび前記フェースプレートを分離して取り出した後、前記リアプレートまたは前記フェースプレートの基板表面に対して、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の処理方法を適用することを特徴とするフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項８】
前記リアプレートにおいて、前記ガラス基板上にＡｇを主成分とする配線が形成されていることを特徴とする請求項７に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項９】
前記リアプレートを構成するガラス基板表面に、ガラス構成元素以外の元素を含む薄膜が形成されていることを特徴とする請求項７に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【請求項１０】
前記リアプレート、前記フェースプレートおよび前記枠を接合するためのフリットガラスを溶解することにより、これらの部材を分離するようにしたことを特徴とする請求項７に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
一方向に延在し前記一方向に交差する他方向に並設された複数本の陰極配線と、この陰極配線に電気的に導通して配置された複数個の電子源と、前記陰極配線を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ気密封着する封着部材とを有する表示装置であって、
前記陰極配線の前記電子源との接続部を導電体と絶縁体を含む組成とし、かつこの接続部の組成は導電体占有率が絶縁体占有率以上であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記絶縁体占有率が５０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記陰極配線の近傍の前記背面基板の表面が凹凸形状を呈することを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
一方向に延在し前記一方向に交差する他方向に並設された複数本の陰極配線と、この陰極配線に電気的に導通して配置された複数個の電子源と、前記陰極配線を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ気密封着する封着部材とを有する表示装置であって、
前記陰極配線と電子源との接続部に導電体の占有率の高い層を介在させたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記導電体の占有率の高い層が銀粒子層又は金粒子層であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管状ガラスランプ容器の管両端部の外周に外部電極を配設し、前記管状ガラスランプ容器内に放電媒体を封入した誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、
前記管状ガラスランプ容器の管両端の一方を熱封着し、前記管両端の他方に、少なくとも一部が丸く突出する形状のガラスビーズを、当該ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向を向く姿勢にして込めて熱封着し、
前記管両端の端面及び外周面を前記外部電極により覆って成る誘電体バリア放電型低圧放電ランプ。
【請求項２】
管状ガラスランプ容器の管両端部の外周に外部電極を配設し、前記管状ガラスランプ容器内に放電媒体を封入した誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、
前記管状ガラスランプ容器の管両端それぞれに、少なくとも一部が丸く突出する形状のガラスビーズを、当該ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向を向く姿勢にして込めて熱封着し、
前記管両端の端面及び外周面を前記外部電極により覆って成る誘電体バリア放電型低圧放電ランプ。
【請求項３】
前記ガラスビーズは、球ビーズであることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体バリア放電型低圧放電ランプ。
【請求項４】
前記ガラスビーズは、砲弾型ビーズであることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体バリア放電型低圧放電ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、管状ガラスランプ容器の管両端部の外周に外部電極を配設し、前記管状ガラスランプ容器内に放電媒体を封入した誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、前記管状ガラスランプ容器の管両端の一方を熱封着し、前記管両端の他方に、少なくとも一部が丸く突出する形状のガラスビーズを、当該ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向を向く姿勢にして込めて熱封着し、前記管両端の端面及び外周面を前記外部電極により覆ったものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２の発明は、管状ガラスランプ容器の管両端部の外周に外部電極を配設し、前記管状ガラスランプ容器内に放電媒体を封入した誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、前記管状ガラスランプ容器の管両端それぞれに、少なくとも一部が丸く突出する形状のガラスビーズを、当該ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向を向く姿勢にして込めて熱封着し、前記管両端の端面及び外周面を前記外部電極により覆ったものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１及び２の発明の誘電体バリア放電型低圧放電ランプでは、管状ガラスランプ容器の少なくとも一端、つまり真空排気、充填剤封入後に封着する側の端部に、少なくとも一部が丸く突出する形状のガラスビーズを、当該ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向を向く姿勢にしてを込めて熱封着することで当該ガラスビーズの丸く突出する部分を管端の内側において放電空間中央方向に突出させることにより、大気圧下で熱封着されたガラスビーズの放電空間内への突出を小さくでき、かつ、ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向に突出する姿勢にすることができ、ガラス管壁とガラスビーズ周辺部との間に水銀が滞留、蓄積する隙間のできるのを防止し、水銀を含有する放電媒体の場合にガラスビーズ封着部分での水銀枯渇現象を防止し、長期間点灯を可能にする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１又は２の誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、前記ガラスビーズは、球ビーズであることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１又は２の誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、前記ガラスビーズは、砲弾型ビーズであることを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３及び４の発明の誘電体バリア放電型低圧放電ランプでは、請求項１又は２の誘電体バリア放電型低圧放電ランプにおいて、ガラスビーズを球ビーズ若しくは砲弾型ビーズとしたことにより、これらのガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向に突出する姿勢で管端部に熱封着することができ、この結果として、ガラス管壁とガラスビーズ周辺部との間に水銀が滞留、蓄積する隙間のできるのを防止し、水銀を含有する放電媒体の場合にガラスビーズ封着部分での水銀枯渇現象を防止し、長期間点灯を可能にする。加えて、砲弾型ビーズの場合、熱封着工程で管状ガラスランプ容器の端部に導入する際に引っかかることなくスムーズに導入でき、それ故に量産での製品の歩留まりをよくできる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、管状ガラスランプ容器のランプ端部のビーズ封着部に、少なくとも一部が丸く突出する形状のガラスビーズを、当該ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向を向く姿勢にして熱封着することで当該ガラスビーズの丸く突出する部分を管端の内側において放電空間中央方向に突出させることにより、大気圧下で熱封着されたガラスビーズの放電空間内へ突出する寸法を小さくでき、かつ、ガラスビーズの丸く突出する部分が放電空間中央方向に突出する姿勢にすることができ、ガラス管壁とガラスビーズ周辺部との間に水銀が滞留、蓄積する隙間のできるのを防止し、ビーズ封着部での水銀枯渇現象を防止でき、長期間点灯を可能にして放電ランプの信頼性を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記複数の磁気メモリセルの各々は、前記対応の第１または第２のビット線と所定電圧の間に直列に接続された、磁気的に書込まれたデータに応じて高抵抗状態および低抵抗状態の一方に設定される磁気抵抗素子および前記対応のワード線の選択に応答して第１の抵抗値をオン抵抗として導通する第１のアクセススイッチを含み、
前記複数のリファレンスセルの各々は、前記対応の第１または第２のビット線と所定電圧の間に直列に接続された、前記対応のダミーワード線の選択に応答して導通する第２のアクセススイッチおよび前記磁気抵抗素子を含み、
前記磁気記憶装置は、前記第２のアクセススイッチの導通時のオン抵抗を制御する抵抗制御部をさらに備え、
前記抵抗制御部は、前記通常のデータ読出では、前記複数の磁気リファレンスセルの各々において、前記第２のアクセススイッチの導通時のオン抵抗を第２の抵抗値に制御する一方で、前記第１のテストモードでは、前記第１および第２のビット線とそれぞれ接続された前記２つの磁気リファレンスセルのそれぞれにおいて、前記第２のアクセススイッチの導通時のオン抵抗を前記第２の抵抗値および前記第２の抵抗値とは異なる抵抗値へ制御し、
各前記リファレンスセル中の前記磁気抵抗素子の抵抗値および前記第２の抵抗値の和は、前記低抵抗状態の前記磁気抵抗素子の抵抗値および前記第１の抵抗値の和、ならびに、前記高抵抗状態の前記磁気抵抗素子の抵抗値および前記第１の抵抗値の和の中間レベルである、請求項１記載の磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記複数のワード線および複数のダミーワード線と同一方向に沿って配置された複数のスペアワード線と、
各々が前記複数の磁気メモリセルの各々と同様に構成された複数の磁気スペアセルとをさらに備え、
前記複数の磁気スペアセルは、複数のスペアワード線と前記第１および第２のビット線の交点に交互配置され、かつ、対応の前記スペアワード線の選択に応答して対応の前記第１または第２のビット線と電気的に接続され、
前記行選択部は、前記複数のスペアワード線の選択をさらに制御し、かつ、前記通常のデータ読出において、選択されるべき前記ワード線に対応する前記磁気メモリセルが不良を含む場合には、前記選択されるべきワード線に代えて、前記複数のスペアワード線のうちの１本を選択し、選択されるべき前記ダミーワード線に対応する前記磁気リファレンスセルが不良を含む場合には、前記選択されるべきダミーワード線に代えて、前記複数のスペアワード線のうちの１本を選択し、
前記複数のリファレンスセルが不良を含む場合には、前記複数の磁気スペアセルは、前記複数のリファレンスセルとそれぞれ同様に、前記データを予め書込まれる、請求項５記載の磁気記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
データ読出時には、ワード線選択に応じて、選択されたＭＴＪメモリセル（以下、「選択メモリセル」と称する）のトンネル磁気抵抗素子が対応するビット線とソース線との間に電気的に接続される。その状態で、ビット線およびソース線間に電位差を与えることによって生じるＭＴＪメモリセルの通過電流（以下、「メモリセル電流」と称する）、すなわちビット線通過電流を検知して、選択メモリセルの記憶データが読出される。具体的には、メモリセル電流が、抵抗Ｒｍａｘに対応するデータを記憶するＭＴＪメモリセルの通過電流Ｉｍｉｎと、抵抗Ｒｍｉｎに対応するデータを記憶するＭＴＪメモリセルの通過電流Ｉｍａｘとのいずれであるかを検知する必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
図１２は、制御信号ＲＤＥＳを生成する構成を示す回路図である。
図１２を参照して、プログラム回路４１中のプログラムユニット４１ｂは、プログラム信号ＰＲＧ２が生成されるノードＮ２と電源電圧Ｖｃｃとの間に接続されたヒューズ素子（プログラム素子）４２ｂおよび、接地電圧ＧＮＤとノードＮ２の間に接続された高抵抗素子４３ｂを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
また、テスト制御信号ＤＴＥＳＴ０，ＤＴＥＳＴ１，ＳＤＴＥＳＴ０，ＳＤＴＥＳＴ１の設定を入れ換えて、期間Ｔ３およびＴ４において、ダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１に代えて、スペアワード線ＳＤＷＬ０，ＳＤＷＬ１を選択すれば、リファレンスセル２０ｄと同様にして、各スペアセル２０ｓの正常／不良を試験できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に従う磁気記憶装置では、リファレンスセル特性が正常であれば通過電流に所定の差が生じる様に設定されたリファレンスセル同士へのアクセスによってデータ読出を行なうテストモードを備えるので、各リファレンスセルそのものに不良が存在するか否かを試験することができる。この結果、特に、複数個のリファレンスセルに不良が発生した場合に、効率的に置換救済することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アドレス情報を含む所定周波数のウォブル信号から前記アドレス情報を復調するデコード装置であって、
第１クロックを発振出力して前記ウォブル信号と前記第１クロックとの位相差をカウントし、そのカウント値に基づいて前記第１クロックを前記ウォブル信号に同期させるデジタルＰＬＬ回路と、
第２クロックを発振出力して前記ウォブル信号と前記第２クロックとの位相差に応じた制御電圧を生成し、その制御電圧に基づいて前記第２クロックを前記ウォブル信号に同期させるアナログＰＬＬ回路と、
前記ウォブル信号をサンプリングして前記アドレス情報を復調する復調回路とを備え、
前記復調回路は、前記第２クロックが前記ウォブル信号に同期するまでの期間で前記第１クロックを用いて前記ウォブル信号をサンプリングし、前記第２クロックが前記ウォブル信号に同期した後、前記第２クロックを用いて前記ウォブル信号をサンプリングすることを特徴とするデコード装置。
【請求項２】  前記ウォブル信号と前記第２クロックとを比較し、前記第２クロックが前記ウォブル信号に同期したことを検出する検出回路をさらに備え、
前記復調回路は、前記検出回路の検出結果に応答して、前記第１クロックを用いて前記ウォブル信号をサンプリングするか、又は、前記第２クロックを用いて前記ウォブル信号をサンプリングするか、のうち何れか一方を選択することを特徴とする請求項１記載のデコード装置。
【請求項３】  前記アナログＰＬＬ回路は、前記第２クロックを基準クロックとして出力することを特徴とする、請求項１又は２に記載のデコード装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記加工ユニットの間隔を設定し、
その時の各加工手段の走査又は移動範囲を重ね合わせて、最少の加工エリア数となるエリア配置を求め、
その時の加工手段走査又は移動回数及びステージ移動回数を計算することを特徴とする請求項１８又は１９に記載の加工計画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
又、前記加工ユニットの間隔を設定し、その時の各加工手段の走査又は移動範囲を重ね合わせて、最少の加工エリア数となるエリア配置を求め、その時の加工手段走査又は移動回数及びステージ移動回数を計算するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ボンベ容器元弁のガス噴出孔を封印するキャップであり、該ガス噴出孔の口径よりも広い幅を有する封止部、該封止部を含み該元弁の外周よりも長い長さを有するキャップ本体部を備え、該本体部の両端に、雄接続部と雌接続部を備えた接続機構を有することを特徴とするボンベ元弁封印キャップ。
【請求項２】  該接続機構が、締め方向のみに作動する手段であり、かつ該キャップ本体部の途中にミシン目機構の封切り部を有することを特徴とする請求項１記載のボンベ元弁封印キャップ。
【請求項３】  該キャップ本体部に、使用するボンベ容器元弁と流量調整器間のクリアランスよりも大きい厚みを有する突起部を有することを特徴とする請求項１，２記載のボンベ元弁封印キャップ。
【請求項４】  該封止部が、ボンベ容器元弁の酸素噴出孔に勘合する突起部を有する部材でことを特徴とする請求項１〜３記載のボンベ元弁封印キャップ。
【請求項５】  該封切り部が、内径２０ｍｍ以上のドーナツ型形状をした封切り部つまみを有する部材であることを特徴とする請求項１〜４記載のボンベ元弁封印キャップ。
【請求項６】  ボンベ元弁に装着され、ボンベ容器元弁のガス噴出孔を封印するキャップであり、該キャップ本体部に一方向のみに進む接続機構および封切り部を有することを特徴とするボンベ元弁封印キャップ。
【請求項７】  ボンベ元弁に装着され、ボンベ容器元弁のガス噴出孔を封印するキャップであり、該キャップ本体部が、使用するボンベ容器元弁と流量調整器間のクリアランスよりも大きく、且つ該キャップ本体部に一方向のみに進む接続機構および封切り部を有することを特徴とするボンベ元弁封印キャップ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１９（ａ），（ｂ）は上記リーダピンの一例構成を示し、図１９（ａ）は分解斜視図、図１９（ｂ）はリーダーピンと磁気テープとが結合された状態を示す断面図である。このリーダピンＰは、特開平１１−２３２８２６号に開示されているように、ピン本体５と、クランプ部材６とから構成される。上記ピン本体５は例えばステンレス鋼のような金属で形成され、一対の薄いフランジ部５ｂ，５ｂ間に画成された芯軸となるテープクランプ部５ａと、上記フランジ部５ｂ，５ｂの軸線方向外側にそれぞれ形成された細軸部５ｃ，５ｃと、細軸部５ｃ，５ｃのさらに外側にそれぞれ形成されたやや厚いフランジ部５ｄ，５ｄとから構成されている。また、上記クランプ部材６は、例えば合成樹脂で形成され、軸線方向に延びるスリット６ａを備えてＣ字状の断面形状を有し、上記ピン本体５のテープクランプ部５ａの外周に側方から弾性的に嵌着されて、テープクランプ部５ａとの間に磁気テープＴをクランプするように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信側のプリンタを使用してデジタル画像を受信側に送信する方法であって、
前記送信側のインターネット対応プリンタでデジタルカメラのメモリカードを受け取るステップと、
前記メモリカードに記憶された画像を、前記インターネットを含むネットワークを介して前記受信側に送信し、前記送信された画像のハードコピーを受信側のプリンタにより自動的に印刷するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
コンピュータ読み取り可能媒体を含む、デジタル画像を受信側に送信するシステムであって、
送信側のインターネット対応プリンタでデジタルカメラのメモリカードを受け取るように構成される論理手段と、
前記メモリカードに記憶された画像を、前記インターネットを含むネットワークを介して前記受信側に送信し、前記送信された画像のハードコピーを受信側のプリンタにより自動的に印刷するように構成される論理手段と、を有し、
前記送信側のプリンタは、前記ネットワークを介して受け取った画像のハードコピーを自動的に印刷するように構成される、
システム。
【請求項３】
デジタル画像を送信側から受信して印刷するシステムであって、
送信側装置から画像ファイルを受信するように構成される、受信側のコンピューティング装置に置かれる、論理手段と、
前記画像ファイルに記憶された画像のハードコピーを自動的に印刷するように構成される、前記受信側のコンピューティング装置が前記画像ファイルを受け取るのに応じて、前記受信側のコンピューティング装置が受信側のプリンタと通信して、前記受信側のプリンタが前記ハードコピーを自動的に印刷するのを可能にするように、前記受信側のプリンタに置かれる、論理手段と、
を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガス導入口、アルカリ吸収液導入口、不溶排ガス排出口およびアルカリ吸収液排出口を備え、導入された排ガスとアルカリ吸収液とを気液接触させて該アルカリ吸収液に該排ガス中の二酸化炭素を吸収させる二酸化炭素吸収塔と、
前記二酸化炭素吸収塔のアルカリ吸収液排出口から排出されるアルカリ吸収液を前記アルカリ吸収液導入口に還流させるアルカリ吸収液還流ラインと、
前記アルカリ吸収液還流ライン内に介挿され、または前記アルカリ吸収液還流ラインから分岐する配管で接続されたアルカリ吸収液を収容可能な沈殿槽と、
前記沈殿槽に沈殿剤を注入する沈殿剤注入装置と
を具備することを特徴とする排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項２】
前記沈殿槽に収容されたアルカリ吸収液中に吸収された二酸化炭素の濃度に対応する濃度を測定する濃度測定装置と、
前記濃度測定装置で測定されたアルカリ吸収液中に吸収された二酸化炭素の濃度に対応する濃度に基づいて、前記アルカリ吸収液還流ラインおよび前記沈殿剤注入装置を制御する制御手段と
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項３】
排ガス導入口、アルカリ吸収液導入口、不溶排ガス排出口およびアルカリ吸収液排出口を備え、導入された排ガスとアルカリ吸収液とを気液接触させて該アルカリ吸収液に該排ガス中の二酸化炭素を吸収させる二酸化炭素吸収塔と、
前記二酸化炭素吸収塔のアルカリ吸収液排出口から排出されるアルカリ吸収液を前記アルカリ吸収液導入口に還流させるアルカリ吸収液還流ラインと、
前記アルカリ吸収液還流ライン内に介挿され、または前記アルカリ吸収液還流ラインから分岐する配管で接続されたアルカリ吸収液を収容可能な沈殿槽と、
前記沈殿槽において生成された不溶性化合物が供給され、該不溶性化合物を１つの反応物とするアンモニアソーダ法によって生成された副産物を、沈殿剤として前記沈殿槽に供給する炭酸ナトリウム生成装置と
を具備することを特徴とする排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項４】
前記沈殿槽に収容されたアルカリ吸収液中に吸収された二酸化炭素の濃度に対応する濃度を測定する濃度測定装置と、
前記濃度測定装置で測定されたアルカリ吸収液中に吸収された二酸化炭素の濃度に対応する濃度に基づいて、前記アルカリ吸収液還流ラインおよび前記炭酸ナトリウム生成装置を制御する制御手段と
をさらに具備することを特徴とする請求項３記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項５】
前記アルカリ吸収液が、灰からアルカリ成分を溶出したものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項６】
前記アルカリ吸収液が、炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項７】
前記アルカリ吸収液が、土壌からアルカリ成分を溶出したものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項８】
前記沈殿剤が、塩化カルシウムであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項９】
前記沈殿槽に収容された前記二酸化炭素を吸収したアルカリ吸収液に前記沈殿剤を添加することによって生成される不溶性化合物が、炭酸カルシウムであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の排ガス中の二酸化炭素回収システム。
【請求項１０】
排ガスとアルカリ吸収液と気液接触させて、二酸化炭素を該アルカリ吸収液に吸収させる吸収工程と、
前記アルカリ吸収液に吸収された二酸化炭素の濃度が所定の値に達するまで、該アルカリ吸収液を排ガスに繰り返して気液接触させる吸収量増加工程と、
前記アルカリ吸収液に吸収された二酸化炭素の濃度が所定の値に達した場合に、該アルカリ吸収液に沈殿剤を添加し、該アルカリ吸収液に吸収された二酸化炭素から不溶性化合物を生成させる不溶性化合物生成工程と
を具備することを特徴とする排ガス中の二酸化炭素回収方法。
【請求項１１】
排ガスとアルカリ吸収液と気液接触させて、二酸化炭素を該アルカリ吸収液に吸収させる吸収工程と、
前記アルカリ吸収液に吸収された二酸化炭素の濃度が所定の値に達するまで、該アルカリ吸収液を排ガスに繰り返して気液接触させる吸収量増加工程と、
前記アルカリ吸収液に吸収された二酸化炭素の濃度が所定の値に達した場合に、該アルカリ吸収液に沈殿剤を添加し、該アルカリ吸収液に吸収された二酸化炭素から不溶性化合物を生成させる不溶性化合物生成工程と、
前記生成された不溶性化合物が供給され、該不溶性化合物を１つの反応物とするアンモニアソーダ法によって生成された副産物を、前記不溶性化合物生成工程における沈殿剤として添加する沈殿剤生成工程と
を具備することを特徴とする排ガス中の二酸化炭素回収方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の排ガス中の二酸化炭素回収システムは、排ガス導入口、アルカリ吸収液導入口、不溶排ガス排出口およびアルカリ吸収液排出口を備え、導入された排ガスとアルカリ吸収液とを気液接触させて該アルカリ吸収液に該排ガス中の二酸化炭素を吸収させる二酸化炭素吸収塔と、前記二酸化炭素吸収塔のアルカリ吸収液排出口から排出されるアルカリ吸収液を前記アルカリ吸収液導入口に還流させるアルカリ吸収液還流ラインと、前記アルカリ吸収液還流ライン内に介挿され、または前記アルカリ吸収液還流ラインから分岐する配管で接続されたアルカリ吸収液を収容可能な沈殿槽と、前記沈殿槽に沈殿剤を注入する沈殿剤注入装置とを具備することを特徴とする。