Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体層と、
前記半導体層の表面に形成されたＮ型トランジスタ及びＰ型トランジスタと、
を有し、
前記Ｎ型トランジスタは、
前記半導体層上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、
前記半導体層と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された第１のバッファ層と、
を有し、
前記Ｐ型トランジスタは、
前記半導体層上に形成されたＳｉＧｅ層と、
前記ＳｉＧｅ層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、
前記半導体層と前記ＳｉＧｅ層との間に形成された第２のバッファ層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記第１及び第２のバッファ層は、シリコンからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  半導体層の表面にＰ型ウェル及びＮ型ウェルを形成する工程と、
前記Ｎ型ウェル上にＳｉＧｅ層を形成する工程と、
前記Ｐ型ウェル上及び前記ＳｉＧｅ層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって、Ｐ型ウェル及びＮ型ウェルの上方に、夫々ゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記ＳｉＧｅ層を形成する工程において、前記ＳｉＧｅ層を前記Ｎ型ウェル上にエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、
前記Ｐ型ウェル上及び前記ＳｉＧｅ層上にキャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層の少なくとも一部を酸化するか、又は窒化する工程と、
を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記キャップ層を形成する工程において、前記キャップ層を前記Ｐ型ウェル上及び前記ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記Ｐ型ウェル及び前記Ｎ型ウェルを形成する工程と前記ＳｉＧｅ層を形成する工程との間に、
前記Ｐ型ウェル上及び前記Ｎ型ウェル上にバッファ層を形成する工程を有することを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記バッファ層を形成する工程において、前記バッファ層を前記Ｐ型ウェル上及び前記Ｎ型ウェル上にエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記バッファ層として、シリコン層を形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板等の半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたＮ型トランジスタ及びＰ型トランジスタと、を有するＣＭＯＳトランジスタを対象とする。そして、前記Ｎ型トランジスタは、前記半導体層上に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、前記半導体層と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された第１のバッファ層と、を有する。また、前記Ｐ型トランジスタは、前記半導体層上に形成されたＳｉＧｅ層と、前記ＳｉＧｅ層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、前記半導体層と前記ＳｉＧｅ層との間に形成された第２のバッファ層と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶した情報を送信する送信手段と、
前記送信手段により情報を送信した後に、その送信結果に関する送信結果レポートを出力する出力手段と、
を有する通信端末装置であって、
前記送信手段により情報を送信する際に、前記送信結果レポートを出力するか否かを設定する設定手段を備え、
前記設定手段の設定に基づいて、前記情報を送信した後に、前記出力手段はその送信結果レポートを出力することを特徴とする通信端末装置。
【請求項２】  さらに直接送信モードとメモリ送信モードとを切り換える切り換え手段を備え、 
前記設定手段は、直接送信モードとメモリ送信モードとで異なる設定をすることが可能であることを特徴とする請求項１記載の通信端末装置。 
【請求項３】  さらに画像を読み取る読み取り手段と、
情報の送信先を入力する入力手段と、
を備え、
前記送信手段は前記読み取り手段により読み取った画像を、前記入力手段により入力した送信先に送信することを特徴とする請求項１または２記載の通信端末装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、本発明の目的は、送信する際に送信結果レポートを出力するかしないかを設定することができる通信端末装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、第１の手段は、情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段により記憶した情報を送信する送信手段と、前記送信手段により情報を送信した後に、その送信結果に関する送信結果レポートを出力する出力手段とを有する通信端末装置であって、前記送信手段により情報を送信する際に、前記送信結果レポートを出力するか否かを設定する設定手段を備え、前記設定手段の設定に基づいて、前記情報を送信した後に、前記出力手段はその送信結果レポートを出力することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の手段は、第１の手段において、さらに直接送信モードとメモリ送信モードとを切り換える切り換え手段を備え、前記設定手段は、直接送信モードとメモリ送信モードとで異なる設定をすることが可能であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第３の手段は、第１または第２の手段において、さらに画像を読み取る読み取り手段と、情報の送信先を入力する入力手段とを備え、前記送信手段は前記読み取り手段により読み取った画像を、前記入力手段により入力した送信先に送信することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、送信手段により情報を送信する際に、送信結果レポートを出力するかしないかを設定することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
炭素数4〜8の含フッ素ジエン化合物を共重合させたパーオキサイド架橋可能な含フッ素エラストマーが用いられた請求項１記載のフッ素ゴム組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素を製造する水素製造装置と、前記水素製造装置が製造した水素を燃料として用いる燃料形態に変化させて水素燃料を製造する２つ以上の水素燃料製造装置と、前記水素燃料製造装置の製造する燃料形態が２種類以上であることを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項２】
請求項１において、水素燃料の製造量に関する情報を受信する水素燃料製造量受信装置とを有し、前記水素燃料生産量受信装置が受信した水素燃料の製造量に関する情報に基づいて前記水素燃料製造装置が製造する水素燃料の製造量を制御することを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項３】
請求項１において、前記水素燃料製造装置が製造する燃料形態が高圧水素，水素吸蔵金属，液化水素又は有機ハイドライドであることを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項４】
請求項１において、前記水素製造装置から前記水素燃料製造装置に水素を供給する配管と、前記配管に配置された弁と、前記配管内を通過する水素の流量を検知する水素流量センサと、前記水素燃料の製造量に関する情報を受信する水素燃料製造量受信装置とを有し、前記水素燃料製造量受信装置が受信した水素燃料の製造量に関する情報に基づいて前記弁の開度を制御することを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項５】
請求項１において、需要家の水素燃料使用量に関する情報を受信する水素燃料使用量受信装置とを有し、前記水素燃料使用量受信装置が受信した水素燃料の使用量に関する情報に基づいて前記水素燃料製造装置が製造する水素燃料の製造量を制御することを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項６】
水素製造から排出される余剰エネルギーを利用して水素燃料を製造する水素燃料製造装置を有し、余剰エネルギーのエネルギー種別およびエネルギー量に基づいて水素燃料製造量を制御することを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項７】
水素製造装置により水素を製造する水素製造工程と、２つ以上の水素製造装置により前記水素製造装置が製造した水素を燃料として用いる燃料形態に変化させて水素燃料を製造する水素燃料製造工程とを有し、前記水素燃料製造工程において前記水素燃料製造装置の製造する燃料形態が２種類以上あることを特徴とする水素燃料製造方法。
【請求項８】
請求項７において、水素燃料製造量受信装置により水素燃料の製造量に関する情報を受信する水素燃料製造量受信工程とを有し、前記水素燃料製造工程において前記水素燃料生産量受信装置が受信した水素燃料の製造量に関する情報に基づいて前記水素燃料製造装置が製造する水素燃料の製造量を制御することを特徴とする水素燃料製造方法。
【請求項９】
請求項７において、前記水素燃料製造工程において前記水素燃料製造装置が製造する燃料形態が高圧水素，水素吸蔵金属，液化水素又は有機ハイドライドであることを特徴とする水素燃料製造方法。
【請求項１０】
請求項７において、前記配管内を通過する水素の流量を検知する水素流量検知工程と、水素燃料受信装置により前記水素燃料の製造量に関する情報を受信する水素燃料製造量受信工程と、前記水素燃料製造量受信装置が受信した水素燃料の製造量に関する情報に基づいて前記水素製造装置と前記水素燃料供給装置との間に設けられた配管に配置された弁の開度を制御することを特徴とする水素燃料製造方法。
【請求項１１】
水素燃料製造装置と、前記水素燃料製造装置で製造された有機ハイドライドを貯蔵する貯蔵タンクを有する水素燃料製造システムであって、
前記貯蔵タンクは、タンク内部に遮蔽板により分けられた、有機ハイドライドを貯蔵する有機ハイドライド貯蔵部と、有機ハイドライドの廃液を貯蔵する廃液回収部とを有し、
前記遮蔽板の位置を測定する位置センサと、
前記位置センサで測定された情報を外部に送信するための情報通信手段とを備えていることを特徴とする水素燃料製造システム。
【請求項１２】
請求項１１において、前記位置センサで測定された情報に基づいて前記有機ハイドライド又は廃液の残量を測定し、前記有機ハイドライド又は廃液の残量から前記水素燃料製造装置が製造する水素燃料の製造量を決定する管理手段を有することを特徴とする水素製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
紫外線光又は可視光励起用発光物質において、
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれた少なくとも１種の希土類元素、又はＭｎからなる希土類元素とは異なる元素の何れか一方又はその双方の元素により活性化され、鉛及び／又は銅を含有する化合物を含むことを特徴とする発光物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、前記諸目的は、紫外線光又は可視光励起用発光物質において、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれた少なくとも１種の希土類元素、又はＭｎからなる希土類元素とは異なる元素の何れか一方又はその双方の元素により活性化され、鉛及び／又は銅を含有する化合物を含むことを特徴とする発光物質によって成し遂げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【表１】
2005350754.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この際、表２に示すとおり、総加工度（％）および熱延仕上温度（℃）を、種々に変化させた。ここで、総加工度（％）とは、｛（加工前の板状の鋼材の断面積）−（最終加工後の断面積）／（加工前の板状の鋼材の断面積）｝×１００で表される値をいう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【表２】
2005350754.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１に、水素透過試験装置の模式図を示す。ここで、水素を侵入させる側のセル(カソードセル１)内は、上記のＳＳＣ試験に用いた浴で満たされている。反対側のセル(アノードセル２)内は、１規定のＮａＯＨ水溶液で満たされており、試験片３は参照電極５（ここでは銀塩化銀電極）に対して０Ｖに定電位保持されている。カソードセル側で発生した水素原子は、試験片を透過してアノードセル側に放出された時点で水素イオンに酸化されるが、そのときに試験片と対極６（ここでは白金対極）の間を流れる電流の値をポテンショスタット４により水素透過電流値として測定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図３は、定荷重試験の結果を整理したものであり、横軸が半価幅Ｈ、縦軸が水素拡散係数Ｄ（１０−６ｃｍ２／ｓ）である。半価幅と水素拡散係数が共に小さくなるほど、耐ＳＳＣ性が改善されることが分かる。１２５ｋｓｉ級として十分な耐ＳＳＣ性を確保するには、半価幅Ｈと水素拡散係数Ｄ(10-6cm2/s)の関係を下式(1)を満たすようにすれば良いことが認められた。
３０Ｈ＋Ｄ≦１９．５・・・・・・式(1)
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
(i)図４に、表１の鋼(a)について、総加工度と半価幅の相関を調査した結果を示す。図４から分かるように、総加工度が大きすぎる場合には半価幅が大きくなる。この理由は、総加工度が大きい場合には、圧延時の加工歪みが熱処理後も残留するためであると考えられる。また、総加工度が小さすぎる場合にも半価幅が大きくなる。この理由は、総加工度が小さい場合には焼入後の組織が粗粒化するため、半価幅が大きくなることにあると考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
(ii)図５に、表１の鋼(a)について、圧延仕上温度と半価幅の相関並びに圧延仕上温度と水素拡散係数の相関を調査した結果を示す。図５から分かるように、圧延仕上げ温度が高いほど、半価幅および水素拡散係数が小さい。この理由は、圧延仕上温度が高いほど、圧延終了時にＭｏやＶ等の微細炭化物形成元素が鋼中に十分に固溶し、後の熱処理時に微細炭化物として析出するためであると考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
(iii)図６に、表１の鋼(a)について、焼入れ温度と半価幅並びに焼入れ温度と水素拡散係数の相関を調査した結果を示す。図６から分かるように、焼入れ温度が高いほど、半価幅および水素拡散係数ともに小さい。この理由も上記(ii)と同様に、焼入れ温度が高いほど、ＭｏやＶ等の微細炭化物形成元素が鋼中に十分固溶し、後の焼戻し時に微細炭化物として析出し易くなるためであると考えられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
(iv)上述の表２からは、Ｖ含有量の低い鋼(b)、Ｍｏ含有量の低い鋼(d)では、鋼(a)と同様の条件で製造しても、半価幅および水素拡散係数とも大きくなり、耐ＳＳＣ性は良くないことが分かる。この理由は、微細炭化物を形成させるのに十分な量のＶ、Ｍｏが不足しているためであると考えられる。また、Ｃｒ含有量の高い鋼(c)は半価幅が小さくなっている。この理由は、Ｃｒは鋼中に固溶し転位密度を増加させるためであると考えられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本発明に係る油井管用鋼は、残部はＦｅのほかに、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｍｇを含んでも良い。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【表４】
2005350754.tif 000003
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【図１】水素透過試験装置の模式図を示す。
【図２】水素透過試験の結果測定された水素透過電流値を示す図である。
【図３】図３は、定荷重試験の結果を整理したものであり、横軸が半価幅Ｈ、縦軸が水素拡散係数Ｄ（１０−６ｃｍ２／ｓ）である。
【図４】表１の鋼(a)について、総加工度と半価幅の相関を調査した結果を示す。
【図５】表１の鋼(a)について、圧延仕上温度と半価幅の相関並びに圧延仕上温度と水素拡散係数の相関を調査した結果を示す。
【図６】表１の鋼(a)について、焼入れ温度と半価幅並びに焼入れ温度と水素拡散係数の相関を調査した結果を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量比にて
Ｃ：0.03〜0.12％ Si：0.01〜0.2 ％
Mn：0.8 ％〜2.0 ％ Ｐ：0.009 ％以下、
Ｓ：0.003 ％以下 Ni：0.1 〜1.5 ％
Nb：0.003 〜0.05％ Mo：0.05〜1.2 ％
Ti：0.002 〜0.03％ Ｎ：0.005 ％以下
Al：0.002 〜0.07％
残部Feおよび不可避不純物からなり、かつ(1) および(2) 式で示されるＭ値およびCP値がそれぞれ2.75〜4.00％および−0.08〜0.10％の範囲の成分組成を有し、さらにミクロ組織が平均パケット粒径20μm 以下の焼き戻しベイナイト組織中に焼き戻しマルテンサイト組織を３％以上含有する組織であることを特徴とする引張強さ750MPa以上の超高強度ベンド管。
Ｍ値＝5.5 Ｃ＋0.6Si ＋Mn＋0.5Cu ＋0.7Cr ＋0.4Ni ＋1.5Mo ＋２Ｖ・・・(1) 
CP値＝Nb−0.6Si −5S−5（Ti−0.015）＋0.2 Ｖ・・・(2) 
【請求項２】
前記成分組成が、質量比で、さらに、Ｖ：0.005 〜0.1 ％含有することを特徴とする請求項１記載の超高強度ベンド管。
【請求項３】
前記成分組成が、質量比で、さらに
Cu：0.1 〜1.4 ％、 Cr ：0.1 〜1.2 ％
Ca：0.0005〜0.006 ％ Mg ：0.0001〜0.003 ％
の1 種または２種以上を含有することを特徴とする請求項１または２記載の超高強度ベンド管。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載された成分組成を有する鋼管を、820 〜1050℃に加熱後、曲げ加工を施した後、400 ℃以下の温度まで５℃／秒以上の冷却速度にて加速冷却を行い、その後、350 〜750 ℃の温度域で焼き戻し処理を施すことを特徴とする引張強さ750MPa以上の超高強度ベンド管の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
Ｍ値＝5.5 Ｃ＋0.6Si ＋Mn＋0.5Cu ＋0.7Cr ＋0.4Ni ＋1.5Mo ＋２Ｖ・・・(1) 
CP値＝Nb−0.6Si −5S−5（Ti−0.015）＋0.2 Ｖ・・・(2)
超高強度ベンド管の亀裂伝播発生特性を向上させるには、1)組織の微細化と、2)歪み集中により亀裂発生の起点となりうる硬化組織の除去を同時に実施する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
CP値＝Nb−0.6Si −5S−5（Ti−0.015）＋0.2 Ｖ・・・(2)
次に、本発明にかかるベンド管の製造方法について説明する。 
本発明では上記に規定された成分組成の鋼管を820〜1050℃に加熱後、曲げ加工し、400℃以下まで加速冷却後、焼き戻し処理をするか、または加工後、450〜250℃の温度まで加速冷却をし、その後室温まで空冷をすることによって、所定のミクロ組織を得るものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランタン元素に換算して０．１０〜１．０質量％のランタンまたはランタン酸化物を少なくとも一方の形態で含み、残部が実質的にモリブデンからなるインゴットから加工されたモリブデン製シームレスパイプであって、前記パイプの長手方向に平行な断面の再結晶後の結晶粒のアスペクト比が１ｍｍ２当たりの平均値で３以上の細長い結晶粒から構成された積層組織からなることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプ。
【請求項２】
請求項１記載のモリブデン製シームレスパイプにおいて、前記パイプは、ＪＩＳ  Ｚ２５０７に基づく再結晶後の圧環強さが２００ＭＰａ以上であることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプ。
【請求項３】
請求項１記載のモリブデン製シームレスパイプにおいて、前記パイプは、１８００℃×１０時間の片持ち状態の水平姿勢での垂下量が２０／１００ｍｍ以内であることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプ。
【請求項４】
請求項１〜３の内のいずれか１つに記載のモリブデン製シームレスパイプを製造する方法において、前記インゴットの断面を減少する加工を施す熱間圧延加工工程と、前記インゴットを基準に９８％以上の総断面減少率でパイプを伸管加工する伸管加工工程とを有することを特徴とするモリブデン製シームレスパイプの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のモリブデン製シームレスパイプの製造方法において、前記熱間圧延加工工程は、前記インゴットに３６％以上の断面減少率で加工することからなることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のモリブデン製シームレスパイプの製造方法において、前記伸管加工は、断面減少率が１パス当り５以上〜１２％以下の範囲で伸管加工することからなることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
特許文献１には、テーパーを有するマンドレルを用いてモリブデン粉末を静水圧でラバープレスすることによって筒体を成形した後、該筒体をＶ型ボート状焼結治具上で焼結すると共に、該焼結の際、該筒体の上にモリブデン製の錘りを筒体直径方向に負荷せしめ、薄肉長尺モリブデン製シームレスパイプを得る製造方法、が開示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本発明によれば、前記モリブデン製シームレスパイプにおいて、前記パイプは、１８００℃×１０時間の片持ち状態の水平姿勢での垂下量が２０／１００ｍｍ以内であることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプが得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、本発明によれば、前記モリブデン製シームレスパイプの製造方法において、前記熱間圧延加工工程は、前記インゴットに３６％以上の断面減少率で加工することからなることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプの製造方法が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに、本発明によれば、前記いずれか一つのモリブデン製シームレスパイプの製造方法において、前記伸管加工は、断面減少率が１パス当り５以上〜１２％以下の範囲で伸管加工することからなることを特徴とするモリブデン製シームレスパイプの製造方法が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本発明の試料７〜１２として、パイプ外径φ１．０用に、総断面減少率９８％以上のパイプを作製するために、上記本発明試料１〜３と同じ粉末である酸化モリブデン（ＭｏＯ２）粉末にモリブデンあたり、０．１０、０．３、１．０質量％のランタン（Ｌａ）分をＬａ（ＮＯ３）３溶液で添加し、乾燥後、水素気流中で還元処理を施した平均粒径４．２μｍの粉末を夫々用意した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
さらに、比較試料１３〜１４として、パイプ外径φ１．０用に総断面減少率９８％未満のパイプを作製するために、上記例１〜３と同じ粉末である酸化モリブデン（ＭｏＯ２）粉末にモリブデンあたり、０．１０と１．０質量％のランタン（Ｌａ）分をＬａ（ＮＯ３）３溶液で添加し、乾燥後、水素気流中で還元処理を施した平均粒径４．２μｍの粉末を夫々用意した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
所定のサイズのモリブデンパイプを得るには、下記表３に示すとおり、パイプの外径、内径、肉厚を徐々に小さくしていく。つまり、外径は圧延ロール又は引き抜きダイスの孔径を、内径は芯金のサイズを順次小さい径のものに換えて加工を施した。なお、肉厚は（外径−内径）／２であり、「外径の減少＞内径の減少」の関係ができるように設定することで、肉厚を薄くしていくことができた。
【表３】
2005350709.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図５に示すように、加工材の垂下量は、次の再結晶材の測定方法と同じく、長さ１３０ｍｍのパイプを夫々用意し、その内３０ｍｍ部分を、パイプ固定時具２１にて片持ちした状態で保持して、水素雰囲気中で１８００℃×１０時間の熱処理を行い、その垂下量を測定した。垂下量は、図５に示すとおり、変形前のパイプの下面位置から変形した後のパイプの下面までの距離を測定した。再結晶材の垂下量を調査するための再結晶処理は、水素雰囲気中で１８００℃×１．０時間の熱処理を施した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
１    モリブデン素管
２    芯金
３    ダイス
５    モリブデン製シームレスパイプ（モリブデンパイプ）
１１    結晶粒
１２    粒界
２１    パイプ固定治具
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005350709.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、雨水利用をより幅広く考えれば利用対象の雨水をこのような狭い範囲に降った雨水に限定する必要はなく、公園等の広い土地に降った雨水を利用すれば、より大量の雨水を利用でき、しかも利用した分これらの地域の冠水や洪水の被害の発生を少なくすることができる。例えば現時点では公園、学校の校庭、或いは道路等の広大な面積に降った雨や、雪の溶水（融雪水）のほぼ１００パーセントが何の利用もされることなく無駄に河川や海等に放流されている。以下、無駄に放流されていたこれらの水も含める語として「雨水」の語を使用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記のように、現時点では雨や雪として降った水分の大半は河川や海に無駄に放流されている。特に都心部では地表の大半がコンクリートやアスファルトによって舗装されているため、地面は殆ど吸水能力を失っており、この結果降雨による殆ど全ての雨水が洪水や冠水の危険性こそあれ、何の有効利用もされることなく河川や海に放流されているのが実情である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上、本実施例においては各家庭の浄化装置の容量はその家庭での水使用料に対応したものというよりは、その家庭の敷地内での降雨量、つまりその敷地内で取得できる雨水の量により規定されてしまい、浄化装置の容量が必ずしも目的の使用量をまかなえるものではなかったが、この構成によれば共同貯水槽からの雨水の補充によりその目的に合った容量の浄化装置を設置することが可能となる。また、従来家庭用、工場用などして自己完結的に用いる浄化装置を、大容量化することにより各家庭や工場の浄化装置の処理水の一部を、災害時に第三者も利用可能な水とする等、浄化装置をより公共性の高いものとすることも可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】大気圧下、５０〜７５℃に加熱したジメチルスルホキシドにメチルブロミドを少量ずつ添加して、最終的に、ジメチルスルホキシド１モル当たり０．４０〜０．７０モルを反応させることを特徴とするトリメチルスルホキソニウム  ブロミドの製造方法。
【請求項２】オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、オルトギ酸トリプロピル、オルト炭酸テトラメチル、オルト炭酸テトラエチル、オルト炭酸テトライソプロピル、オルト炭酸テトラプロピルから成る群の少なくとも１化合物をジメチルスルホシキド１モル当たり０．００２〜０．０５モル添加したジメチルスルホキシドに、メチルブロミドを冷却器で穏やかに還流する程度の割合で添加する請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】トリメチルスルホキソニウム  ブロミドを５−（４−クロロベンジル）−２，２−ジメチル−１−（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−１−イルメチル）シクロペンタノ−ルの製造中間体として使用するための請求項１又は２に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月25日(2005.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
最近では、電話や電子メールで希望商品を注文するテレビショッピング、カタログ誌で商品を選択させるカタログ商法、またカタログをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭなどの記憶媒体に登録し、パソコンで商品を検索し得るようになっている。この電子化では、商品提供者がホームページを設けて、インターネット上で自社製品を宣伝、販売しており、一般需要者は電子メール、電話、ＦＡＸ、郵便等で注文し、商品提供者は送金が有り次第、商品を発送する方法が採られている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】顧客勧誘支援装置及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  顧客の最新来店日時と顧客の平均来店間隔に基づく標準来店間隔から顧客の来店予想日を予想する予測手段と、
前記予測手段での来店予想日から所定期間経過した場合に顧客が実現可能なヘアスタイルを作成する作成手段と、
前記作成手段で作成されたヘアスタイルを顧客に送信する送信手段と、
と有することを特徴とする顧客勧誘支援装置。
【請求項２】  コンピュータに、
顧客の最新来店日時と顧客の平均来店間隔に基づく標準来店間隔から顧客の来店予想日を予想する予測手段、
前記予測手段での来店予想日から所定期間経過した場合に顧客が実現可能なヘアスタイルを作成する作成手段、
前記作成手段で作成されたヘアスタイルを顧客に送信する送信手段、
として機能させる顧客勧誘支援プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アクチュエータロッドが第一ロッド端部を画定する第一延長部分とおよび第二ロッド端部を画定する第二部分とからなり、前記第一および第二部分は互いに旋回的に結合されて、前記延長第一部分の軸線を含む少なくとも１つの平面内において前記２つの部分の間で所定の相対旋回動作を許容するターボチャージャ圧力制御装置用のアクチュエータロッドにおいて、前記第一および第二部分の間の旋回結合は、前記第一延長部分の軸線を含む少なくとも２つの直交平面内において旋回動作を許容するターボチャージャ圧力制御装置用のアクチュエータロッド。
【請求項２】  旋回結合は球状結合である請求項１記載のアクチュエータロッド。
【請求項３】  前記球状結合は、前記第一および第二部分の中の一方で画定される球状構造と前記第一および第二部分の中の他方で画定されて前記球状構造を受けるソケットとからなる請求項２記載のアクチュエータロッド。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載の空気圧アクチュエータおよびアクチュエータロッドよりなるターボチャージャ用圧力制御アクチュエータ装置。
【請求項５】  空気圧アクチュエータは、圧力チャンバ内に収容されるスプリング負荷のダイヤフラムからなり、このダイヤフラムは、アクチュエータロッドの前記第一端部に取着される請求項４記載のアクチュエータ装置。
【請求項６】  空気圧アクチュエータ、バルブ組立て、および請求項１乃至５のいずれかに記載のアクチュエータロッドからなり、前記アクチュエータロッドの一端部とアクチュエータに連結すると共に他端部をバルブ組立てに連結し、これにより空気圧アクチュエータがアクチュエータロッドを介してバルブ組立ての作動を制御する圧力制御装置を含むターボチャージャ。
【請求項７】  アクチュエータは、前記第一延長部分で画定されるアクチュエータロッドの端部に固定されるスプリング負荷のダイヤフラムからなり、アクチュエータロッドの前記第二部分はバルブ組立てから延在するレバーアームに固定されてバルブを操作する請求項６記載のターボチャージャ。
【請求項８】  アクチュエータロッドの前記第二部分は、前記レバーアームに溶接される請求項７記載のターボチャージャ。
【請求項９】  ターボチャージャはタービンハウジングとコンプレッサからなり、圧力制御装置はタービンハウジング内に装着されるバルブ組立てとターボチャージャに装着されてコンプレッサからの加圧空気を受ける空気圧アクチュエータと空気圧アクチュエータから延在するアクチュエータロッドと、およびバルブ組立ておよびタービンハウジングから延在してアクチュエータロッドをバルブ組立てにリンクするレバーアームとを有し、アクチュエータロッドは請求項１乃至３のいずれかに記載のロッドであり、
バルブ組立ておよびレバーアームをタービンハウジング上に組付け、
空気圧アクチュエータおよびアクチュエータロッドをサブ組立てとして組付け、
空気圧アクチュエータ／アクチュエータロッドのサブ組立てをターボチャージャに装着し、そして
アクチュエータロッドの第二部分をレバーアームに固定することからなるターボチャージャの圧力制御装置の組立て方法。
【請求項１０】  アクチュエータロッドを溶接またはその他の接着によってレバーアームに固定する請求項９記載の方法。
【請求項１１】  アクチュエータロッドをレバーアームに固定するに先立ち、バルブ組立てが、レバーアームを適宜クランプすることによって閉止位置に保持されると共に前記空気圧アクチュエータが所定の圧力まで加圧されて前記バルブの使用時における開き始め最少圧力が規定される請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】  添付図面を参照して実質的に開示されるターボチャージャ圧力制御装置用のアクチュエータロッド。
【請求項１３】  添付図面を参照して実質的に開示されるターボチャージャ圧力制御装置用のアクチュエータ組立て。
【請求項１４】  添付図面を参照して実質的に開示されるターボチャージャ。
【請求項１５】  添付図面を参照して実質的に開示されるターボチャージャ部品の組立て方法。
【請求項１６】  添付図面を参照して実質的に開示されるターボチャージャ圧力制御装置におけるバルブの開き圧力の設定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  セルロースベースの布を仕上げる方法において、以下の架橋組成物をセルロース用架橋剤として含む水性仕上げ浴を用いて布を処理することを特徴とする方法：
ａ）化学式（Ｉ）の少なくとも一つのマレイン酸と次亜リン酸のテロマー１５〜９５モル％
【化１】
2000054260.tif 000001
でありかつ（ｍ＋ｎ）≧３であるか、又はＡはＨ又はＯＨでありかつｎ≧２である；
ｂ）ホスフィニココハク酸          ０〜５０モル％；
ｃ）ホスフィニコ二コハク酸        ０〜４０モル％；
ｄ）ホスホノコハク酸              ０〜５０モル％；
ｅ）次亜リン酸                    ０〜１５モル％；
ｆ）亜リン酸                      ０〜１０モル％；
ｇ）リン酸                        ０〜１５モル％
（但し、組成物の酸ａ）〜ｇ）の各々は遊離形態で、又はアルカリ金属又はアルカリ土類金属アンモニウム又はアミン塩の部分的又は完全に中和された形態で存在することができる。）。
【請求項２】  架橋組成物が化学式（Ｉ）の少なくとも一つのマレイン酸と次亜リン酸のテロマー３０〜７０モル％を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  架橋組成物が化学式（Ｉ）の少なくとも一つのマレイン酸と次亜リン酸のテロマー４０〜６０モル％を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  エステル化触媒が仕上げ浴に添加されていないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の方法。
【請求項５】  １以上のエステル化触媒が仕上げ浴に添加されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の方法。
【請求項６】  エステル化触媒がシアンアミド、グアニジン又はその塩の一つ、ジシアンジアミド、ウレア、ジメチルウレア、又は次亜リン酸、亜リン酸又はリン酸のアルカリ金属塩、無機酸、有機酸又はそれらの塩から選択されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】  前記架橋組成物が１．５〜５のモル比率でのマレイン酸と次亜リン酸ナトリウムのラジカル重合によって得ることができること（但し、この重合は最初に７０〜８５℃の温度で行われ、重合を完了させるために続いて８０〜９０℃の温度での熱処理によって行われる）を特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の方法。
【請求項８】  マレイン酸と次亜リン酸ナトリウムの間のモル比率が好ましくは２〜４、最も好ましくは２．１〜３であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  請求項１記載の組成物を含むことを特徴とするセルロースベースの布用仕上げ浴（但し、この浴のｐＨは０．５〜７である）。
【請求項１０】  ｐＨが２〜３．５であることを特徴とする請求項９記載の布用仕上げ浴。
【請求項１１】  浸潤剤を含むことを特徴とする請求項９又は１０記載の仕上げ浴。
【請求項１２】  浸潤剤がエトキシ化されたノニフェノール、好ましくは１０モルのエチレンオキシドでエトキシ化されたノニフェノールであることを特徴とする請求項１１記載の仕上げ浴。
【請求項１３】  請求項１〜８のいずれか記載の方法を実行することによって得ることができることを特徴とする仕上げられたセルロースベースの布。
【請求項１４】  セルロース用架橋剤としての請求項１記載の架橋組成物の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  精米機を有する精米装置本体自体が屋外に露出した状態で設置可能であり、自動的に精米作業を行う屋外型自動精米装置であって、利用者が玄米を投入する投入口を、精米装置本体の前面部より奥側に窪ませた箇所に配置し、手前側部分を上方に開けることで投入口を開閉する投入口開閉扉を設けたことを特徴とする屋外型自動精米装置。
【請求項２】  投入口開閉扉の少なくとも一部に透光性の箇所を設け、この透光性箇所を通して投入口を視認可能に構成したことを特徴とする請求項１記載の屋外型自動精米装置。
【請求項３】  投入口開閉扉を閉状態にロックするロック手段と、ロック手段のロック状態を制御する制御手段とを備え、制御手段は、精米動作以外の時には、投入口開閉扉を閉状態にロックし、精米作業の開始指示が行われた際に、ロックを解除させることを特徴とする請求項１または２に記載の屋外型自動精米装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するもので、玄米投入時に投入口から玄米がこぼれた場合でも、その玄米が自動精米装置の設置箇所である床や地面などにそのまま散らばることがなく、また、利用客以外の人によるごみなどの投入を防止できる屋外型自動精米装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・セルの初期状態を規定する方法であって、
前記初期状態に影響を与える前記メモリ・セルのパラメータを識別するステップ；
前記メモリ・セルの要求された初期状態を決定するステップ；および
前記メモリ・セルの前記初期状態が前記要求された初期状態である前記識別されたパラメータを制御するステップを含むメモリ・セルの初期状態を決定する方法。
【請求項２】
デバイス内で作動する静的ランダム・アクセス・メモリを含む前記複数のメモリ・セルの前記初期状態を決定する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記メモリ・セルが複数のＭＯＳＦＥＴｓを含み、識別されたパラメータを制御する前記ステップが、前記複数のＭＯＳＦＥＴｓの内の少なくとも１つの物理パラメータを制御するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記物理パラメータが、チャネル長さ、チャネル幅、チャネル・ドーピング加密度および１つ以上の前記ＭＯＳＦＥＴｓの捕獲電荷の中から選択される請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記複数のＭＯＳＦＥＴｓが、２つのクロスカップルＣＭＯＳインバータを含み、前記ＣＭＯＳインバータの各々が、ＮＭＯＳおよびＰＭＯＳ電解効果トランジスタを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ＮＭＯＳおよび前記ＰＭＯＳの各々が、チャネル領域によって分割されたソースおよびドレイン領域を含み、さらにゲート酸化膜によって隔てられたチャネル領域に近接して対面したゲート電極をさらに含み、前記物理パラメータは、１つ以上の前記ソースおよびドレイン領域の前記ドーピング・レベル、前記ゲート酸化膜電気容量、前記ゲート酸化膜内の捕獲電荷、前記チャネル領域内の捕獲電荷、デバイス領域間の幾何学的オフセット、前記チャネル長さおよび前記チャネル幅を含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記メモリ・セルが複数のＭＯＳＦＥＴｓを含み、前記識別されたパラメータを制御する前記ステップが、前記複数のＭＯＳＦＥＴｓの内の少なくとも１つの動作パラメータを制御するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記複数のＭＯＳＦＥＴｓが、２つのクロス・カップルＰＭＯＳトランジスタ、２つのクロス・カップルＮＭＯＳトランジスタおよび２つのクロス・カップル・バイポーラ・トランジスタの中から選択される請求項４記載の方法。
【請求項９】
複数のメモリ・セルを含むメモリ・アレイの初期状態を定義する方法であって、
前記複数のメモリ・セルの各々が、複数のＭＯＳＦＥＴｓを含み、前記メモリ・アレイが、デバイスとともにプログラム・コードおよび前記複数のメモリ・セル内の前記デバイスによって実行されるためのスタートアップ・データを格納するために動作し、
この方法が、前記メモリ・セルの前記初期状態に作用する前記複数のＭＯＳＦＥＴｓのパラメータを識別するステップ；
前記メモリ・セルの要求された初期状態を決定するステップ；および
前記メモリ・セルの前記初期状態が前記要求された初期状態である前記識別されたパラメータに作用するために正常動作パラメータを超える前記複数のＭＯＳＦＥＴｓにストレスをかけるステップを含む複数のメモリ・セルを含むメモリ・アレイの初期状態を定義する方法。
【請求項１０】
メモリ・セルの初期状態を決定するための方法であって、
前記メモリ・セルが、複数のトランジスタを含み、
この方法が、
前記初期状態に作用する前記複数のトランジスタの中からトランジスタの物理パラメータまたは動作特性を識別するステップ；
前記メモリ・セルの前記要求された初期状態を決定するステップ；および
前記メモリ・セルの前記初期状態が前記要求された初期状態である識別された物理パラメータまたは動作特性を制御するステップを含むメモリ・セルの初期状態を決定するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧をかけることにより情報表示を書き替えすることのできる表示部を有する表示ユニットと、アンテナ回路を含む回路部を有するＲＦＩＤユニットを備え、表示部とアンテナ回路が重畳せずに配置されている非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項２】
表示部の周囲を囲んで前記アンテナ回路を配置する請求項１記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項３】
表示ユニットが電子ペーパーである請求項１又は２記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項４】
表示ユニットとＲＦＩＤユニットが、一体化した支持部材により保持されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項５】
表示ユニットとＲＦＩＤユニットが着脱可能に組み合わされる請求項１〜４のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項６】
表示ユニットが電極に電圧を印加した状態において情報投射手段からの情報投射によって情報を書き替える方式の電子ペーパーである請求項１〜５のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項７】
表示ユニットがトリガ信号受信手段を有し、該トリガ信号受信手段がトリガ信号を受信して表示部の書き替えの動作を開始させる請求項６記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項８】
前記情報投射手段からの情報光の少なくとも一部をトリガ信号として使用する請求項７記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項９】
表示ユニットが駆動用の電源を有する請求項１から８のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項１０】
表示部の表示が実質的に色の有無による表示を少なくとも含むものである請求項１から９のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項１１】
表示部にバーコード又は２次元バーコードを表示する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項１２】
表示ユニットがコレステリック液晶を用いた電子ペーパーである請求項１〜１１のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項１３】
ＦＲＩＤ部に記憶した情報の全て又は一部を、表示部に視認可能に表示する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体。
【請求項１４】
請求項５〜１３のいずれか一項に記載の非接触ＩＣチップ実装体からＲＦＩＤユニットを取り外した、ＲＦＩＤユニットを着脱可能な表示ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
電圧をかけることにより情報表示を書き替えすることのできる表示部を有する表示ユニットと、アンテナ回路を含む回路部を有するＲＦＩＤユニットを備え、表示部とアンテナ回路が重畳せずに配置されている非接触ＩＣチップ実装体では、表示部とＲＦＩＤユニットのアンテナ回路を重ならないように配置することにより、其々の通信電波や表示ユニット等から発生するノイズ電波の影響を軽減することができる。これによって用途に応じて好適な電子ペーパーとＲＦＩＤを自由に組み合わせることができ、電子ペーパーとＲＦＩＤを同時に動作させ、動作に要する時間を短くすることができる。
また、表示部の周囲を囲んでアンテナ回路を配置することにより、アンテナ回路の開口面積をより大きくできるので、比較的より少ない投影面積にてより高感度のＲＦＩＤユニットを組み合わせることが可能となる。
また、ＲＦＩＤユニット中に実装されたＩＣチップと表示部に充分な距離が取れるため、稼働中のＩＣチップの発熱による表示部の画像情報の劣化を防ぐことも可能である。