Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が形成された基材と、
該基材の貫通孔に導電金属を充填して形成された貫通ビアとを備えた基板において、
前記貫通ビアは、前記貫通孔の略中心軸に位置する導電性芯材を備えたことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記貫通ビアの端部に、拡散防止膜を設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記導電性芯材の長さは、前記貫通孔の深さと略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の基板。
【請求項４】
前記貫通ビアの端部に、外部接続端子を有した配線を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
貫通孔が形成された基材と、
該基材の貫通孔に導電金属を充填して形成された貫通ビアとを備えた基板において、
前記貫通ビアは、前記貫通孔に設けられた貫通部と、該貫通部の両端に設けられ、前記基材から突出すると共に、前記貫通部の寸法よりも幅広の形状とされた突出部とを有し、
前記貫通部には、該貫通孔の略中心軸に位置する導電性芯材を設けたことを特徴とする基板。
【請求項６】
前記導電性芯材の長さは、前記貫通ビアの長さよりも小さいことを特徴とする請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記突出部は、第１の突出部と、第２の突出部とを備え、
前記第１の突出部の端部に、前記導電性芯材が接続される導電性部材を設けたことを特徴とする請求項５または６に記載の基板。
【請求項８】
前記導電性部材には、拡散防止膜を用いることを特徴とする請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記第２の突出部には、外部接続端子を有した配線を接続することを特徴とする請求項７または８に記載の基板。
【請求項１０】
貫通孔が形成された基材と、
前記貫通孔を充填する導電金属と、前記貫通孔の略中心軸に位置する導電性芯材とを備えた貫通ビアと、を有した基板の製造方法であって、
前記貫通孔に、該貫通孔の略中心軸に位置するよう前記導電性芯材を配設する導電性芯材配設工程と、
前記導電部材を給電層として、電解めっき法により、前記貫通孔に前記導電金属を充填する導電金属充填工程とを設けたことを特徴とする基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項１０記載の発明では、貫通孔が形成された基材と、前記貫通孔を充填する導電金属と、前記貫通孔の略中心軸に位置する導電性芯材とを備えた貫通ビアと、を有した基板の製造方法であって、前記貫通孔に、該貫通孔の略中心軸に位置するよう前記導電性芯材を配設する導電性芯材配設工程と、前記導電部材を給電層として、電解めっき法により、前記貫通孔に前記導電金属を充填する導電金属充填工程とを設けたことを特徴とする基板の製造方法により、解決できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半二重通話を用いるＰｏＣサービスを用いる通信方法であって、ＰｏＣサーバーを介して複数の通信端末の間で音声データを通信する通信方法であって、
前記複数の通信端末の内の一の通信端末が、前記音声データを送信する許可を要求するための第１のメッセージをＰｏＣサーバーに送信する工程と、
前記ＰｏＣサーバーが、前記許可が与えられた旨を通知する第２のメッセージを前記一の通信端末に送信する工程とを有し、
前記第２のメッセージは、前記一の通信端末による前記音声データの送信可能な時間を示すデータを含む、通信方法。
【請求項２】
前記一の通信端末は、前記第２のメッセージを受け取った後、前記音声データの送信可能な時間の間、前記音声データを送信する工程を有する、請求項１に記載の通信方法。
【請求項３】
前記音声データの送信可能な時間を示すデータは、前記一の通信端末の通話停止時間である、請求項１または２に記載の通信方法。
【請求項４】
半二重通話を用いるＰｏＣサービスを用いる通信端末であって、ＰｏＣサーバーを介して他の通信端末との間で音声データを通信する通信端末であって、
前記他の通信端末に前記音声データを送信する許可を要求するための第１のメッセージを、前記ＰｏＣサーバーに送信する、送信手段と、
前記許可を与えるための第２のメッセージを、前記ＰｏＣサーバーから受信する、受信手段とを備え、
前記第２のメッセージは、前記音声データの送信可能な時間を示すデータを含む、通信端末。
【請求項５】
前記送信手段は、前記第２のメッセージを受信した後、前記音声データの送信可能な時間の間、前記音声データを送信することができる、請求項４に記載の通信端末。
【請求項６】
前記音声データの送信可能な時間を示すデータは通話停止時間である、請求項４または５に記載の通信端末。
【請求項７】
半二重通話を用いるＰｏＣサービスに用いるＰｏＣサーバーであって、複数の通信端末間における音声データの通信の中継を行うＰｏＣサーバーであって、
前記複数の通信端末の内の一の通信端末から、前記一の通信端末が前記音声データを送信する許可を要求するための第１のメッセージを受信する受信手段と、
前記一の通信端末に、前記許可を与えるための第２のメッセージを前記一の通信端末に送信する送信手段とを有し、
前記第２のメッセージは、前記一の通信端末による前記音声データの送信可能な時間を示すデータを含む、ＰｏＣサーバー。
【請求項８】
前記送信手段は、前記第２のメッセージを送信した後、前記音声データの送信可能な時間の間、前記一の通信端末から受信した前記音声データを前記複数の通信端末の内の他の通信端末に送信する、請求項７に記載のＰｏＣサーバー。
【請求項９】
前記音声データの送信可能な時間を示すデータは、前記一の通信端末による通話停止時間である、請求項７または８に記載のＰｏＣサーバー。
【請求項１０】
半二重通話を用いる通信端末であって、サーバーを介して他の通信端末との間で通信する通信端末であって、
発言権を要求するための第１のメッセージを、前記サーバーに送信する、送信手段と、
前記発言権を与えるための第２のメッセージを、前記サーバーから受信する、受信手段とを備え、
前記第２のメッセージは、通話可能時間を示すデータを含む、通信端末。
【請求項１１】
前記送信手段は、前記第２のメッセージを受信した後、前記通話可能時間の間、データを送信することができる、請求項１０に記載の通信端末。
【請求項１２】
前記通話可能時間を報知するための報知手段を有する、請求項１０または１１に記載の通信端末。
【請求項１３】
表示部、スピーカー、バイブレーター、および発光素子のうちの少なくとも１つを有し、前記少なくとも１つを前記報知手段として用いる、請求項１２に記載の通信端末。
【請求項１４】
通話開始後の経過時間を計測するための計時手段を有する、請求項１０から１３のいずれかに記載の通信端末。
【請求項１５】
半二重通話を用いる通信方法であって、サーバーを介して複数の通信端末の間でデータを通信する通信方法であって、
前記複数の通信端末の内の一の通信端末が前記データを送信する許可をサーバーに要求する工程と、
前記一の通信端末に前記許可が与えられた旨、および前記一の通信端末による前記データの送信可能な時間を、前記サーバーが前記一の通信端末に通知する工程とを有する、通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光でマスクを照明し、投影光学系及び液体を介して前記マスクのパターンで前記被露光体を露光する露光装置において、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記液体の屈折率をｎ０、前記液体の屈折率のゆらぎをΔｎ、前記光の前記被露光体への入射角の最大値をθＮＡ、前記液体の厚さをｄとすると、
前記投影光学系の開口数であるｎ０ｓｉｎθＮＡが０．９よりも大きく、
ｄ≦（０．０３λ）ｃｏｓθＮＡ／Δｎを満足することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
光源からの光でマスクを照明し、投影光学系及び液体を介して前記マスクのパターンで前記被露光体を露光する露光方法において、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記液体の屈折率をｎ０、前記液体の屈折率のゆらぎをΔｎ、前記光の前記被露光体への入射角の最大値をθＮＡ、前記液体の厚さをｄとすると、
前記投影光学系の開口数であるｎ０ｓｉｎθＮＡが０．９よりも大きく、
ｄ≦（０．０３λ）ｃｏｓθＮＡ／Δｎを満足するように設定することを特徴とする露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光でマスクを照明し、投影光学系及び液体を介して前記マスクのパターンで前記被露光体を露光する露光装置において、前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記液体の屈折率をｎ０、前記液体の屈折率のゆらぎをΔｎ、前記光の前記被露光体への入射角の最大値をθＮＡ、前記液体の厚さをｄとすると、前記投影光学系の開口数であるｎ０ｓｉｎθＮＡが０．９よりも大きく、ｄ≦（０．０３λ）ｃｏｓθＮＡ／Δｎを満足することを特徴とする。
本発明の別の一側面としての露光方法は、光源からの光でマスクを照明し、投影光学系及び液体を介して前記マスクのパターンで前記被露光体を露光する露光方法において、前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記液体の屈折率をｎ０、前記液体の屈折率のゆらぎをΔｎ、前記光の前記被露光体への入射角の最大値をθＮＡ、前記液体の厚さをｄとすると、前記投影光学系の開口数であるｎ０ｓｉｎθＮＡが０．９よりも大きく、ｄ≦（０．０３λ）ｃｏｓθＮＡ／Δｎを満足するように設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック電子部品の製造方法であって、
無端状の第１の可撓性支持体をエンドレスに走行させ、
走行する第２の可撓性支持体の一面上にセラミック塗料を塗布し、塗布して得られた未乾燥のセラミック塗料層を、前記第１の可撓性支持体に転写し、
前記転写の後に、第１の乾燥として前記セラミック塗料層を乾燥させ、乾燥完了後に、前記第２の可撓性支持体を前記セラミック塗料層から剥離し、
前記第１の可撓性支持体の全体の送りを停止することなく印刷領域の送りを一時的に停止する態様で、該第１の可撓性支持体上に転写された前記セラミック塗料層の表面に電極を印刷し、
第２の乾燥として前記電極を乾燥させる
工程を含み、
前記工程を前記第１の可撓性支持体の上で繰り返す
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたセラミック電子部品の製造方法であって、
前記印刷領域における送りの一時的停止は、該印刷領域の両側に設けられた段差ロール機構によって行われる、
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載されたセラミック電子部品の製造方法であって、
前記第１の可撓性支持体上で得られたセラミック塗料層および電極層の積層体を所定寸法で切断して、積層シートを得、
得られた積層シートの複数枚を積層する
工程を含むセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
第１の可撓性支持体と、塗布装置と、第２の可撓性支持体と、転写装置と、電極印刷装置と、第１の乾燥装置と、段差ローラ機構とを含み、セラミック電子部品の製造に供される装置であって、
前記第１の可撓性支持体は、無端状であり、エンドレスに走行するものであり、
前記第２の可撓性支持体は、一部が、前記第１の可撓性支持体と近接して向き合い、前記第１の可撓性支持体と同一の方向に走行するように駆動されるものであり、
前記塗布装置は、前記第２の可撓性支持体の一面上に、セラミック塗料を塗布するものであり、
前記転写装置は、前記第２の可撓性支持体の一面上に塗布されたセラミック塗料層を、前記第１の可撓性支持体に転写するものであり、
前記電極印刷装置は、前記第１の可撓性支持体に転写されたセラミック塗料層の表面に電極を印刷するものであり、
前記第１の乾燥装置は、前記電極印刷装置よりも前のステージにおいて、第２の可撓性支持体を前記セラミック塗料層から剥離する前に、前記第１の可撓性支持体の一面に転写された前記セラミック塗料層の乾燥を終了させるものであり、
段差ローラ機構は、前記電極印刷装置の両側に設けられており、前記第１の可撓性支持体の全体の送りを停止することなく印刷領域の送りを一時的に停止するものである、
製造装置。
【請求項５】
請求項４に記載された製造装置であって、更に、転圧装置を含み、前記転圧装置は、前記電極印刷装置よりも前のステージにおいて、転写された前記セラミック塗料層を加圧する製造装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載された製造方法であって、更に、第２の乾燥装置を含み、前記第２の乾燥装置は、前記電極を乾燥させる製造装置。
【請求項７】
請求項４乃至６の何れかに記載された製造装置であって、更に切断装置を含み、前記切断装置は、前記第１の可撓性支持体上で得られたセラミック塗料層および電極層の積層体を、所定寸法で切断する製造装置。
【請求項８】
請求項４乃至７の何れかに記載された製造装置であって、更に、積層装置を含み、前記積層装置は前記積層シートの複数枚を、圧着して積層する製造装置。
【請求項９】
請求項４乃至８の何れかに記載された製造装置であって、更に、供給ロールおよび巻き取りロールを含み、
前記供給ロールは、前記第２の可撓性支持体を供給し、
前記巻き取りロールは、前記セラミック塗料層を前記第１の可撓性支持体に転写した後、前記第２の可撓性支持体を巻き取る
製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ形状が五角形以上の多角形であるＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法において、基板上にＩＩＩ族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する第一の工程と、該半導体ウェーハにレーザー光を照射して割溝を形成する第二の工程と、基板のエピタキシャル成長させた主面とは異なる主面側を研削および／または研磨する第三の工程と、該割溝に応力を加えることにより個々のチップに分離する第四の工程とを有し、該第二の工程は半導体ウェーハの半導体側からレーザー光を照射し、該第二の工程以降に該割溝形成位置に対応して少なくともｎ型層が露出する溝部を形成する第五の工程を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
第一の工程、第二の工程、第三の工程および第四の工程をこの順序で有する請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
割溝の少なくとも一部が基板に到達している請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
第二の工程が半導体ウェーハの半導体側からレーザー光を照射する工程と半導体ウェーハの基板側からレーザー光を照射する工程とからなる請求項１〜３のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
割溝の断面形状がＶ字型である請求項１〜４のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
第二の工程が、屈曲した折れ線状の割溝を設け、その折れ線状の割溝が平行移動した形で複数の屈曲した折れ線状の割溝を設け、次いで隣合った該折れ線状の割溝の屈曲点を一つおきにつなぐ直線状の割溝を設けることからなる請求項１〜５のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
第二の工程が、第一の破線状の割溝を設け、第一の破線状の割溝と第一の角度で交差する第二の破線状の割溝を設け、さらに第二の破線状の割溝と第二の角度で交差し且つ第一の破線状の割溝とも第三の角度で交差する第三の破線状の割溝を設けることからなり、第一の角度と第二の角度と第三の角度の和が１８０度であることからなる請求項１〜５のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】
第三の工程で半導体ウェーハの厚さを１５０μｍ以下に研削および／または研磨する請求項１〜７のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項９】
第四の工程が球形金型に基板を押し付けることによって行なわれる請求項１〜８のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
チップ形状が実質的に正六角形である請求項１〜９のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
チップ形状が実質的に五角形である請求項１〜９のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
第二の工程が、屈曲した折れ線状の割溝を設け、その折れ線状の割溝が平行移動した形で複数の屈曲した折れ線状の割溝を設け、次いで隣合った該折れ線状の割溝の屈曲点を一つおきにつなぐ直線状の割溝を設けることにより六角形状の割溝とし、さらに該六角形状の割溝の相対する二辺間をつなぐ直線状の割溝を設けることからなる請求項１１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
第二の工程が、第一の破線状の割溝を設け、第一の破線状の割溝と第一の角度で交差する第二の破線状の割溝を設け、さらに第二の破線状の割溝と第二の角度で交差し且つ第一の破線状の割溝とも第三の角度で交差する第三の破線状の割溝を設けるものであって、第一の角度と第二の角度と第三の角度の和が１８０度であることにより、六角形状の割溝を形成し、さらに該六角形状の割溝の相対する二辺間をつなぐ直線状の割溝を設けることからなる請求項１１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
チップ形状が実質的に円形である請求項１〜５、８および９のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
ＩＩＩ族窒化物半導体素子が発光素子である請求項１〜１４のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
第一の工程が、基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型層、発光層、およびｐ型層をこの順序でエピタキシャル成長させて半導体ウェーハを形成する請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の製造方法によって製造されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項１８】
請求項１７に記載の発光素子を用いてなるランプ。
【請求項１９】
発光素子を形成する半導体チップの中央より端部により多くの光エネルギー変換材料が配置された請求項１８に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層が積層された積層体の内部に備えられた酸化可能領域の一部を選択的に酸化する半導体製造装置であって、
酸化炉内の被測定物に光を照射する光源と、
酸化反応中の被測定物からの反射光を検出する反射光検出手段と、
該反射光検出手段で検出した反射光に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する反応制御手段と、
を備えた半導体製造装置。
【請求項２】
前記反応制御手段は、前記反射光検出手段で検出した反射光の所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、または所定波長帯域での平均反射率の変化率に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記反射光検出手段で検出した反射光に基づいて、所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率を演算する演算手段を更に備え、
前記反応制御手段は、前記演算手段での演算結果に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記反応制御手段は、前記演算手段での演算結果に基づいて、所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率が所望の値になった場合に反応が終了するように、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記所望の値は、前記酸化可能領域の所望の選択的に酸化しない未酸化領域の面積に対応する値である請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記演算手段での演算結果を表示する表示手段を更に備えた請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記光源は、前記被測定物の表面層に光を照射する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記被測定物は、前記半導体層が積層された積層体である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記被測定物は、前記半導体層が積層された積層体の近傍に配置されたモニター用サンプルである請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記モニター用サンプルは、反射率が酸化時間に比例して増加または減少するように形成されている請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記モニター用サンプルは、前記半導体層が積層された積層体と同じ積層構造を有し且つ内部に酸化可能な領域を有する請求項９または１０に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記モニター用サンプルは、前記積層体の酸化可能領域の選択的に酸化しない未酸化領域の面積が所望の値になった場合に所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になるように設計され、
前記反応制御手段は、前記モニター用サンプルの所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になった場合に反応が終了するように、前記半導体レーザ前駆体の酸化反応を制御する請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
前記酸化可能領域は、前記半導体層が積層された積層体から形成される半導体レーザ前駆体の内部に備えられた請求項１乃至１２のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
【請求項１４】
半導体層が積層された積層体の内部に備えられた酸化可能領域の一部を選択的に酸化する半導体製造方法であって、
酸化炉内の被測定物に光を照射して、酸化反応中の被測定物からの反射光を検出し、
検出した反射光に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御して半導体を製造する半導体製造方法。
【請求項１５】
前記検出した反射光の所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率に基づいて、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１４に記載の半導体製造方法。
【請求項１６】
前記検出した反射光の所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率を演算し、
演算結果に基づいて前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１３または１５に記載の半導体製造方法。
【請求項１７】
前記演算結果に基づいて、所定波長での反射率、所定波長での反射率の変化率、所定波長帯域での平均反射率、又は所定波長帯域での平均反射率の変化率が所望の値になった場合に反応が終了するように、前記酸化可能領域の酸化反応を制御する請求項１６に記載の半導体製造方法。
【請求項１８】
前記所望の値は、前記酸化可能領域の所望の選択的に酸化しない未酸化領域の面積に対応する値である請求項１７に記載の半導体製造方法。
【請求項１９】
前記被測定物の表面層に光を照射する請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
【請求項２０】
前記被測定物は、前記半導体層が積層された積層体である請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
【請求項２１】
前記被測定物は、前記積層体の近傍に配置されたモニター用サンプルである請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
【請求項２２】
前記モニター用サンプルは、反射率が酸化時間に比例して増加または減少するように形成されている請求項２１に記載の半導体製造方法。
【請求項２３】
前記モニター用サンプルは、前記半導体層が積層された積層体と同じ積層構造を有し且つ内部に酸化可能な領域を有する請求項２１または２２に記載の半導体製造方法。
【請求項２４】
前記モニター用サンプルは、前記積層体の酸化可能領域の選択的に酸化未酸化領域の面積が所望の値になった場合に所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になるように設計され、
前記モニター用サンプルの所定波長での反射率または所定波長帯域での平均反射率が一定になった場合に反応が終了するように、前記半導体レーザ前駆体の酸化反応を制御する請求項２１乃至２３のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
【請求項２５】
前記酸化可能領域は、前記半導体層が積層された積層体から形成される半導体レーザ前駆体の内部に備えられた請求項１４乃至２４のいずれか1項に記載の半導体製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ‐リン化物、ＩＩＩ‐ヒ化物、及びそれらの合金から成る群より選択された半導体を備える活性領域を含む積層と、
前記活性領域より発する光に対して実質的に透過である、前記積層の第１の側部に配置された基板と、
前記第１の側部と反対側の前記積層の第２の側部に配置された、前記活性領域全体にわたって電圧を加えるように電気的に結合された、第１の電気接点、及び第２の電気接点と、
を備えることを特徴とする、発光半導体素子。
【請求項２】
前記活性領域より発する光のより大部分が、前記第２の側部よりも前記第１の側部を通って、前記積層を出る
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項３】
前記基板が、前記活性領域より発する光の波長において約１．８より大きい屈折率を持つ材料で形成される
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項４】
前記基板が、約０．０５Ω‐ｃｍより大きい電気固有抵抗を持つ
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項５】
前記基板が、半導体材料で形成される
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項６】
前記基板が、ＩＩＩ‐リン化物、ＩＩＩ‐ヒ化物、ＩＩ‐ＶＩ半導体、及びＳｉＣから成る群より選択される半導体材料で形成される
ことを特徴とする、請求項５に記載の発光半導体素子。
【請求項７】
前記半導体材料がＧａＰである
ことを特徴とする、請求項５に記載の発光半導体素子。
【請求項８】
前記半導体材料がドープされていない
ことを特徴とする、請求項５に記載の発光半導体素子。
【請求項９】
前記基板が誘電材料で形成される
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１０】
前記誘電材料が、ダイアモンド、イットリウム  アルミニウム  ガーネット、金属酸化物、金属フッ化物、光学ガラス、カルコゲナイドガラス、リン化物、ヒ化物、及び窒化物から選択される
ことを特徴とする、請求項９に記載の発光半導体素子。
【請求項１１】
前記誘電体材料がサファイアを含む
ことを特徴とする、請求項９に記載の発光半導体素子。
【請求項１２】
前記基板が、前記積層の前記第１の側部と鋭角を成す表面を持つ
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１３】
前記基板が、前記積層の前記第１の側部と鈍角を成す表面を持つ
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１４】
前記基板が、曲がった表面を持つ
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１５】
前記活性領域と前記基板との間に配置された接着境界面、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１６】
前記基板が、前記積層内に含まれる半導体層に直接接着される
ことを特徴とする、請求項１５に記載の発光半導体素子。
【請求項１７】
前記活性領域と前記基板との間に配置された、少なくとも１つの接着層
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１８】
前記接着層が、前記活性領域より発する光の波長において約１．５より大きい屈折率を持つ材料で形成される
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項１９】
前記電気接点のうちの少なくとも１つが、前記活性領域より発する光に対して反射率が高い
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２０】
前記電気接点のうちの前記１つが、
前記積層の前記第２の側部の一部分に配置された、パターン化された半導体層と、
前記パターン化された半導体層上に配置された複数のオーム接点と、
前記パターン化された半導体層で覆われない前記積層の前記第２の側部の一部分に配置された反射材料の層と
を備えることを特徴とする、請求項１９に記載の発光半導体素子。
【請求項２１】
前記第１の電気接点が、前記第２の電気接点を取り囲む
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２２】
前記光を前記基板に向けて反射させるように設置された前記活性領域より発する光に対して反射率の高い、少なくとも１つの層
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２３】
前記活性領域より発する光を散乱させるようにテクスチャされた境界面
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２４】
前記基板に取り付けられたレンズ
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２５】
前記活性領域の面積が、約０．２平方ミリメートルより大きい
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２６】
前記活性領域の面積が、約１．０平方ミリメートルより大きい
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２７】
前記積層、前記基板、及び前記電気接点が、前記発光半導体素子が０．５ワットを超える入力電力で作動することを可能にするように構成される
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【請求項２８】
前記基板と前記積層との間に配置された接合屈折層
をさらに備え、前記接合屈折層は、該接合屈折層の前記基板に最も近い部分において、該基板と実質的に格子整合しており、かつ、該接合屈折層の前記積層に最も近い部分において、該積層と実質的に格子整合している
ことを特徴とする、請求項１に記載の発光半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  栄養生理学上価値のある物質を坦体中に含む食品分野の多層性錠剤であって、少なくとも二つの分離した層からなり、一つの層にはプロバイオティク（ｐｒｏｂｉｏｔｉｃ）微生物が存在し、他の活性成分を含まないことを特徴とする、前記多層性錠剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  プロバイオティク層が錠剤の通常の条件下でかつ冷却することなく少なくとも２年の保存期間中栄養生理学上活性な少なくとも１０８個のプロビオティク微生物を含むことを特徴とする、請求項５に記載の多層性錠剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポリエチレンテレフタレート（Ａ）９９．５〜７０重量部と、酸成分の９５〜１００モル％が２，６−ナフタレンジカルボン酸単位とテレフタル酸及び／又はイソフタル酸単位であり、グリコ−ル成分の７０〜１００モル％がテトラメチレングリコ−ルである熱可塑性ポリエステル（Ｂ）０．５〜３０重量部とからなるポリエステル樹脂組成物。
【請求項２】  熱可塑性ポリエステル（Ｂ）の２，６−ナフタレンジカルボン酸単位とテレフタル酸及び／又はイソフタル酸単位との比率が、９０／１０〜５０／５０（モル％／モル％）である請求項１に記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項３】  熱可塑性ポリエステル（Ｂ）の融点が、１６５℃〜２２５℃である請求項１に記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項４】  ヘ−ズが１０％以下である請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項５】  固体状態からの結晶化温度が１２０℃〜１５０℃である請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項６】  ガラス転移温度が６５℃〜８５℃である請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステル樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
［ヘーズ、固体状態からの結晶化温度、ガラス転移温度］
本発明のポリエステル樹脂組成物の透明性は、ヘ−ズ値として、好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下である。ヘ−ズ値が１０％を超えると透明性を要求される用途には好ましくない。
固体状態からの結晶化温度は、好ましくは１２０℃〜１５０℃、更に好ましくは１２０℃〜１４０℃、更に好ましくは１２５℃〜１４０℃である。１２０℃より低いと結晶化が速く、加熱工程で結晶化し、透明性が低下する為、好ましくない。
ガラス転移温度は６５℃〜８５℃であることが好ましく、さらに好ましくは７０℃〜８５℃である。ガラス転移温度が６５℃より低いと包装容器などでの殺菌を目的とした内容物充填後の熱処理の際又は加熱殺菌処理を施された高温の内容物を充填する際に変形が大きく好ましくない。さらに、樹脂成形品とする場合もある程度の温度がかかる状態での使用が困難であり好ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【実施例】
以下、実施例を挙げてさらに詳細に説明する。
なお、例中の特性は下記の方法で測定した。
（１）ヘーズ
ボトルの胴部の任意の箇所から厚み３００μｍのサンプルを切り出し、日本電色工業製Ｃｏｌｏｒ  ａｎｄ  ｃｏｌｏｒ  ｄｉｆｅｒｅｎｃｅ  ｍｅｔｅｒ（ＭＯＤＥＬ１００１ＤＰ）にて測定した。
（２）ガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶性（Ｔｃｉ）、融点（Ｔｍ）、固有粘度（ＩＶ）、アセトアルデヒド（ＡＡ）含有量
ボトルの場合は口部からサンプルを切り出し、ＤｕＰｏｎｔ製ＤＳＣ（ＭＯＤＥＬ２２００）にて、昇温速度５℃／ｍｉｎ．で測定した。
ＩＶは、テトラクロロエタン：フェノール＝４：６（重量比）にて２５℃にて測定した。
ＡＡ含有量は、サンプルを凍結粉砕しバイアル瓶に仕込み、１５０℃×６０分保持し、日立製ヘッドスペースガスクロマトグラフィーにて測定した。
（３）紫外線カット性
ボトルの胴部の任意の箇所から厚み３００μｍ（ボトル）のサンプルを切り出し、ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ａｎｄ  ｖｉｓｉｂｌｅ  ｓｐｅｃｔｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒにて光線透過率を測定した。
（４）ポリエチレンテレフタレート（Ａ）
以下の参考例の方法でポリエチレンテレフタレート（Ａ）を準備した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第１の態様に係るゴム組成物は、補強効果の少ない無機充填剤を含有する。ここで、補強効果の少ない無機充填剤とは、加硫後のゴム組成物の力学的物性を高める効果を特に有さず、補強性がほとんど期待できない、ゴムに対して不活性な無機充填剤をいい、カーボンブラックやシリカ以外の充填剤をいう。このような無機充填剤を使用することにより、本態様のゴム組成物を使用する支承体の歪み依存性を低減させることが可能となる。
本態様に使用される補強効果の少ない無機充填剤としては、例えば、Ｔ−クレー、カオリンクレー、タルク、ろう石クレー、セリサイトクレー、焼成クレー等のソフトクレー；けいそう土；重質炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム；等を挙げることができる。これらの中でも、減衰性を高く保つという観点から、Ｔ−クレー、カオリンクレー、タルクが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マトリクス状に配置された複数の表示素子を有する表示パネルと、映像データに応じた階調電圧を前記表示素子へ供給するドレインドライバと、前記階調電圧を供給するための前記表示素子のラインを走査するゲートドライバとを備えた表示装置において、
前記映像の１フレーム期間分の映像データにブランキングデータを挿入するデータ制御回路と、
任意の前記表示素子に前記１フレーム期間内に前記映像データと前記ブランキングデータとが表示されるように、前記表示素子のラインを走査するためのクロックを生成するタイミング制御回路とを備えた表示装置。
【請求項2】
前記１フレーム期間分の映像データは、インターレースのフィールドデータである請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記データ制御回路は、前記１フレーム期間分の映像データのサイズをスケーリングし、スケーリングされた前記映像データのサイズに応じたサイズのブランキングデータを挿入する請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記データ制御回路は、前記１フレーム期間分の映像データの垂直解像度を縮小し、縮小された前記映像データの垂直解像度に応じた垂直解像度のブランキングデータを挿入する請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記データ制御回路は、前記１フレーム期間分の映像データのサイズをスケーリングし、スケーリングされた前記映像データの垂直解像度を縮小し、縮小された前記映像データのサイズ及び垂直解像度に応じたサイズ及び垂直解像度のブランキングデータを挿入する請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記表示パネルは、１画面で、
前記ドレインドライバは、前記表示パネルの片側に配置され、
前記ゲートドライバは、前記クロックに従って、前記１フレーム期間内に１ラインあたり複数回走査し、
前記ドレインドライバは、前記クロックに従って、前記ゲートドライバによる前記１フレーム期間内の各走査に対応して前記ブランキングデータに応じた階調電圧と前記映像データに応じた階調電圧のそれぞれを前記表示素子へ供給する請求項1〜5の何れかに記載の表示装置。
【請求項7】
前記ゲートドライバは、前記ドレインドライバが前記映像データに応じた階調電圧を前記表示素子へ供給する場合に、前記クロックに従って、前記表示素子をN個（Ｎは整数）のラインごとに走査し、前記ドレインドライバが前記ブランキングデータに応じた階調電圧を前記表示素子へ供給する場合に、前記クロックに従って、前記表示素子をM個（Ｍは整数）のラインごとに走査し、
前記Mは、前記Nより大きい請求項1〜6の何れかに記載の表示装置。
【請求項8】
前記ゲートドライバは、前記表示素子のN個のラインの走査に連続して前記表示素子のM個のラインの走査を行う場合に、前記N個のラインを走査した前記表示素子とは異なる前記表示素子のM個のラインを走査する請求項7記載の表示装置。
【請求項9】
前記Nは、１を含み、
前記Mは、４以上である請求項7又は8に記載の表示装置。
【請求項10】
前記ブランキングデータの階調は、黒又は最低輝度の階調である請求項１〜9の何れかに記載の表示装置。
【請求項11】
前記表示パネルを照らす光源と、
前記ブランキングデータの表示タイミングに応じて、前記表示パネルが前記光源から受ける光量と前記光源の点灯時間と前記光源の消灯時間との少なくとも１つを制御する光源制御回路を備えた請求項１〜10の何れかに記載の表示装置。
【請求項12】
前記光源は、個別に制御可能な複数の光源を有する請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記ゲートドライバは、前記表示素子のN個（Ｎは整数）のラインを走査し、その後N個のラインを飛び越した次のN個のラインを走査する請求項1〜6の何れかに記載の表示装置。
【請求項14】
前記クロックは、前記表示素子をN個のラインごとに走査するための第１のクロックと、前記表示素子のN個のラインを飛び越すための第２のクロックを含む請求項13記載の表示装置。
【請求項15】
前記ドレインドライバは、前記ブランキングデータを生成する請求項1〜14の何れかに記載の表示装置。
【請求項16】
マトリクス状に配置された複数の表示素子を有する表示パネルと、画像データに応じた階調電圧を前記表示素子へ供給するドレインドライバと、前記階調電圧を供給するための前記表示素子のラインを走査するゲートドライバとを備えた表示装置において、
前記ゲートドライバは、１フレーム期間内に１ラインあたり複数回走査し、
前記ドレインドライバは、前記ゲートドライバによる前記１フレーム期間内の各走査に対応して前記ブランキングデータに応じた階調電圧と前記映像データに応じた階調電圧のそれぞれを前記表示素子へ供給し、
前記ゲートドライバは、前記ドレインドライバが前記画像データに応じた階調電圧を前記表示素子へ供給する場合に、前記表示素子をN個（Ｎは整数）のラインごとに走査し、前記ドレインドライバが前記ブランキングデータに応じた階調電圧を前記表示素子へ供給する場合に、前記表示素子をM個（Ｍは整数）のラインごとに走査し、
前記Mは、前記Nより大きい表示装置。
【請求項17】
前記表示パネルは、１画面で、
前記ドレインドライバは、前記表示パネルの片側に配置される請求項16に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】   所定の表示手段の画面において第１の表示領域及び第２の表示領域をそれぞれ上段及び下段に並行して設定する表示領域設定手段と、
再生される曲データを入力する入力手段と、
前記入力手段によって入力される曲データに応じて鍵盤を示す第１の画像を前記第１の表示領域に表示するとともに前記鍵盤を演奏する手の位置及び形状を示す第２の画像を前記第２の表示領域内に表示して前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記第２の画像の表示位置を移動させ、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて現在押鍵すべき鍵を指示する押鍵指示画像を前記第１の画像の対応する位置に表示するとともに現在押鍵すべき指を指示する運指画像を前記第２の画像の対応する位置に表示する表示制御手段と、
を有する演奏教習装置。
【請求項２】  前記表示制御手段は、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて現在押鍵中の鍵の次に押鍵すべき鍵を指示する押鍵指示画像を前記第１の画像の対応する位置に表示するとともに現在押鍵中の指の次に押鍵すべき指を指示する運指画像を前記第２の画像の対応する位置に表示することを特徴とする請求項１に記載の演奏教習装置。
【請求項３】  前記表示制御手段は、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記鍵盤を演奏する手が特殊演奏の態様である場合にはその態様を示す手形画像で前記第２の画像を表示することを特徴とする請求項１又は２に記載の演奏教習装置。
【請求項４】  前記表示制御手段は、現在演奏中の手の次に演奏すべき手の位置及び形状を示す第３の画像を前記第２の画像とは異なる表示形態で前記第２の表示領域内又は前記表示領域設定手段によって設定された第３の表示領域内に表示して前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記第３の画像の表示位置を移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の演奏教習装置。
【請求項５】  前記表示制御手段は、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記第１の表示領域に表示する前記第１の画像の音域範囲を決定することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の演奏教習装置。
【請求項６】  所定の表示手段の画面において第１の表示領域及び第２の表示領域をそれぞれ上段及び下段に並行して設定する第１のステップと、
再生される曲データを入力する第２のステップと、
前記第２のステップによって入力される曲データに応じて鍵盤を示す第１の画像を前記第１の表示領域に表示するとともに前記鍵盤を演奏する手の位置及び形状を示す第２の画像を前記第２の表示領域内に表示して前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記第２の画像の表示位置を移動させ、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて現在押鍵すべき鍵を指示する押鍵指示画像を前記第１の画像の対応する位置に表示するとともに現在押鍵すべき指を指示する運指画像を前記第２の画像の対応する位置に表示する第３のステップと、
を有する演奏教習処理のプログラム。
【請求項７】  前記第３のステップは、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて現在押鍵中の鍵の次に押鍵すべき鍵を指示する押鍵指示画像を前記第１の画像の対応する位置に表示するとともに現在押鍵中の指の次に押鍵すべき指を指示する運指画像を前記第２の画像の対応する位置に表示することを特徴とする請求項６に記載の演奏教習処理のプログラム。
【請求項８】  前記第３のステップは、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記鍵盤を演奏する手が特殊演奏の態様である場合にはその態様を示す手形画像で前記第２の画像を表示することを特徴とする請求項６又は７に記載の演奏教習処理のプログラム。
【請求項９】  前記第３のステップは、現在演奏中の手の次に演奏すべき手の位置を示す第３の画像を前記第２の画像とは異なる表示形態で前記第２の表示領域内又は前記第１のステップによって設定された第３の表示領域内に表示して前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記第３の画像の表示位置を移動させることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の演奏教習処理のプログラム。
【請求項１０】  前記第３のステップは、前記曲データの再生に伴う音高の変化に応じて前記第１の表示領域に表示する前記第１の画像の音域範囲を決定することを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれかに記載の演奏教習処理のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリックス型表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】
互いに交差するように配列された複数のゲート信号線及び複数のソース信号線、並びに前記ゲート信号線と前記ソース信号線の交点に対応してＥＬ素子が形成された画素を有する表示画面と、
前記画素ごとに形成され、前記ＥＬ素子に第１の電流を供給する第１の駆動用トランジスタと、
前記ソース信号線に接続され、前記第１の駆動用トランジスタまたは前記第１の駆動用トランジスタと結合回路を構成する第２の駆動用トランジスタに供給する第２の電流を発生する電流発生回路と、
前記ソース信号線に接続され、前記ソース信号線に電圧を印加する電圧発生回路と、
前記電流発生回路または前記電圧発生回路を選択する選択回路と、を具備し、
前記第２の電流の大きさに基づいて前記第１の電流の大きさが設定されるように構成されている、アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項２】
前記第１の電流が流れる経路に形成された第１のスイッチ用トランジスタと、前記第２の電流が流れる経路に形成された第２のスイッチ用トランジスタとを更に具備し、
前記第１のスイッチ用トランジスタと前記第２のスイッチ用トランジスタとは独立して導通、非導通制御できるように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項３】
前記第１の電流は、表示階調に応じた電流である、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項４】
前記電圧発生回路は、表示する映像信号の階調に応じて、複数の異なる電圧を発生するように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項５】
前記電圧発生回路は、水平走査期間の１％以上５０％以下の期間において前記ソース信号線に電圧を印加するように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項６】
前記ソース信号線に電流を流し、前記ソース信号線の電位を測定した測定結果に基づいて、前記電圧発生回路が発生する電圧値を設定するように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項７】
前記電圧発生回路は、水平走査期間の始めに、前記ソース信号線に、階調に応じた電圧値を印加するように構成されており、
前記電流発生回路は、前記ソース信号線に、階調に応じた電流を供給するように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項８】
前記表示画面の一部の領域のみにおいて画像表示を行うパーシャル表示モードのときには表示ライン数を少なくし、フレームレート周波数を下げるように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項９】
フレームレート周波数により、前記電圧発生回路が出力する電圧を変更するように構成されている、請求項１記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項１０】
互いに交差するように配列された複数のゲート信号線及び複数のソース信号線、並びに前記ゲート信号線と前記ソース信号線の交点に対応してＥＬ素子が形成された画素を有する表示画面と、
前記画素ごとに形成され、前記ＥＬ素子に第１の電流を供給する第１の駆動用トランジスタと、
前記ソース信号線に接続され、前記画素に印加する第２の電流を発生する電流発生回路と、を具備し、
前記第２の電流の大きさに基づいて前記第１の電流の大きさが設定されるように構成されており、
前記電流発生回路は、水平走査期間の所定期間に、表示階調より大きい電流を出力するように構成されている、アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項１１】
前記ソース信号線に印加する電圧を発生する電圧発生回路を更に具備し、
前記電圧発生回路は、水平走査期間の所定期間に、前記ソース信号線に電圧を印加するように構成されており、
前記電流発生回路は、水平走査期間の所定期間に、前記ソース信号線に表示階調より大きい電流を流すように構成されている、請求項１０記載のアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項１２】
互いに交差するように配列された複数のゲート信号線及び複数のソース信号線、並びに前記ゲート信号線と前記ソース信号線の交点に対応してＥＬ素子が形成された画素を有する表示画面と、
前記画素ごとに形成され、前記ＥＬ素子に第２の電流を供給する第１の駆動用トランジスタと、
前記ソース信号線に印加する電圧を発生する電圧発生回路と、を具備し、
前記ソース信号線に電流を流し、前記ソース信号線の電位を測定した測定結果に基づいて、前記電圧発生回路が発生する電圧値を設定するように構成されている、アクティブマトリックス型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
組織を修復するために組織エンジニアリング方法を用いる傾向は長期間に亘る利益を患者に提供することを主な理由として人気を得続けているが、これらの現在の技術には課題がないわけではない。現在の組織エンジニアリング技術のひとつの課題は、その技術が時間を費やすことである。典型的なプロセスは、第１の手術手技で患者から組織サンプルを回収することを含み、回収された組織サンプルは次に細胞の分離、培養、および増幅のために実験室に運ばれる。細胞サンプルが標準的な細胞培養技術を用いて３週間から４週間に亘って成長させられて細胞バンクが生み出される。細胞数が目標数に到達すると、細胞は第２の手術手技の間に植え込むために外科医に戻される。この手作業による労力を費やすプロセスは非常に高価であり時間を費やす。臨床データは患者への長期間の利益を示すが、この手順のひどく高いコストは２度の手術手技の外傷を伴う衝撃と組み合わされて、これらの技術が採用されることを妨げてきた。さらに、同種移植片が組織を修復するために過去に用いられてきたが、この解決方法はグラフトの材料の入手可能性が限定されていることおよび疾病が伝染する可能性があることのために理想的ではない。
【特許文献１】米国特許第２０６，２００号
【特許文献２】米国特許第２２４，２２６号
【特許文献３】米国特許第２５９，２６０号
【特許文献４】ロシア連邦特許第２，１８７，２６１号
【特許文献５】ソビエト連邦特許第１，５３５，５４２号
【特許文献６】米国特許第５，３０６，３１１号
【特許文献７】米国特許第５，６２４，４６３号
【特許文献８】米国特許第５，６５６，４９２号
【特許文献９】米国特許第５，６８１，３５３号
【特許文献１０】米国特許第６，０４２，６１０号
【特許文献１１】米国特許第６，５３０，９５６号
【特許文献１２】米国特許第６，５６９，１７２号
【特許文献１３】米国特許第６，５９２，５８８号
【特許文献１４】米国特許出願公開第２００２／００９８０５号
【特許文献１５】米国特許出願公開第２００３／０３６７９７号
【特許文献１６】オーストラリア特許第７１７，５５２号
【特許文献１７】米国特許出願公開第２００２／１５０６０４号
【特許文献１８】米国特許出願公開第２００３／０７５８２２号
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月15日(2006.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉鎖空間内に照明手段を配した遊技機であって、該閉鎖空間内に設けられた遊技手段を該閉鎖空間外より操作する遊技機において、該閉鎖空間内の遊技手段の構成部材にホールＩＣが備えられたことを特徴とする景品獲得ゲーム機。
【請求項２】
前記閉鎖空間内で、前後左右及び上下に移動可能な吊下手段の位置決め手段に、ホールＩＣ制御手段が備えられたことを特徴とする請求項１記載の景品獲得ゲーム機。
【請求項３】
カムプレートと台座板を備え、該カムプレートと該台座板にホールＩＣ制御手段が設けられたことを特徴とする請求項１記載の景品獲得ゲーム機のキャッチャー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
景品獲得ゲーム機、特にクレーンゲーム機のキャッチャーと把持アームは、クレーンゲーム機（典型例はＵＦＯキャッチャー（登録商標））に必須の構成部材である。本発明は、このようなクレーンゲーム機を典型例とする景品獲得ゲーム機及びそのキャッチャーと把持アームに関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
載置面に載置される第１の筐体と、
非使用状態において前記第１の筐体上に位置し、被験者の上腕が軸方向から挿入される中空開口部を有するカフが内周面上に配置された略円筒状の第２の筐体と、
被験者に対する前記カフの装着に際して前記第２の筐体が前記第１の筐体よりも被験者側に移動可能となるように、前記第２の筐体を前記第１の筐体に対して移動自在に連結する連結手段とを備える、血圧計測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に基づく血圧計測装置は、載置面に載置される第１の筐体と、非使用状態において上記第１の筐体上に位置し、被験者の上腕が軸方向から挿入される中空開口部を有するカフが内周面上に配置された略円筒状の第２の筐体と、被験者に対する上記カフの装着に際して上記第２の筐体が上記第１の筐体よりも被験者側に移動可能となるように、上記第２の筐体を上記第１の筐体に対して移動自在に連結する連結手段とを備える。