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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１導電性膜と第２導電性膜とを備え、前記第１導電性膜の端部と前記第２導電性膜の端部とが間隙を挟んで対向した電子放出素子であって、
前記第２導電性膜の端部は、第１の部分と第２の部分と第３の部分とを備えており、
前記第１の部分が前記第２の部分と第３の部分との間に位置し、前記第１の部分における前記第２導電性膜の膜厚よりも前記第２の部分と第３の部分の各々における前記第２導電性膜の膜厚が大きく、
前記第１導電性膜の端部であって、前記第１の部分に対向する部分における前記第１導電性膜の膜厚が、前記第２の部分および前記第３の部分の各々における前記第２導電性膜の膜厚よりも小さい、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記第１の部分に対向する部分における前記第１導電性膜の膜厚が、前記第１の部分における前記第２導電性膜の膜厚以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記第１導電性膜の端部は、前記第１の部分と対向する部分を間に置く第４の部分と第５の部分とを更に備えており、
前記第１の部分に対向する部分と前記第２導電性膜の端部との距離が、前記第４部分および前記第５部分と前記第２導電膜の端部との距離よりも小さい、ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記第１の部分に対向する部分と前記第１の部分との距離をｄとした時に、
前記第２および第３の部分における前記第２導電性膜の膜厚と、前記第１の部分における前記第２導電性膜の膜厚との差が２ｄ以上２００ｄ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記第１の部分に対向する部分と前記第１の部分との距離をｄとした時に、
前記第２の部分と第３の部分との間隔が、２ｄ以上５０ｄ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記第１の部分に対向する部分と前記第１の部分との距離をｄとした時に、
前記第２の部分及び第３の部分の各々を通り、前記第１の部分と前記第１の部分に対向する部分とが対向する方向と平行な直線上に位置する、前記第２導電性膜の長さが、いずれも２００ｄ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記第１の部分と前記第１の部分に対向する部分との距離が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項８】
基板上に間隔を置いて配置された第１導電性膜と第２導電性膜とを備え、前記第１導電性膜の電子放出部に対向する前記第２導電性膜の部分の膜厚が、前記第１導電性膜の前記電子放出部における膜厚以下である電子放出素子において、
前記第１導電性膜の電位よりも前記第２導電性膜の電位が高くなる様に、前記第１導電性膜と前記第２導電性膜との間に駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］を印加することにより、前記電子放出部から電子を放出させた際に、
前記電子放出部と前記電子放出部に対向する前記第２導電性膜の部分とを通る断面内の前記電子放出部近傍において、０．５Ｖｆ［Ｖ］の等電位線が、前記第２導電性膜側よりも前記第１導電性膜側に傾いている、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項９】
前記第１導電性膜および前記第２導電性膜が、カーボン膜であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記第１導電性膜と前記第２導電性膜との間において、前記基体表面は凹部を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
複数の電子放出素子を備える電子源であって、前記複数の電子放出素子の各々が請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子放出素子であることを特徴とする電子源。
【請求項１２】
電子源と発光体とを有する画像表示装置であって、前記電子源が請求項１１に記載の電子源であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
受信した放送信号に含まれる映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、該受信器に接続された画像表示装置とを少なくとも備える情報表示再生装置であって、前記画像表示装置が請求項１２に記載の画像表示装置であることを特徴とする情報表示再生装置。
【請求項１４】
基体表面上に間隔を置いて配置された第１導電性膜と第２導電性膜とを備える電子放出素子と、前記基体表面から距離Ｈ［ｍ］離れて配置されたアノード電極とを具備しており、前記第１導電性膜の電位よりも前記アノード電極の電位が高くなるように前記アノード電極と前記第１導電性膜との間に電圧Ｖａ［Ｖ］を印加すると共に、前記第１導電性膜の電位よりも前記第２導電性膜の電位が高くなるように、前記第１導電性膜と第２導電性膜との間に駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］を印加することにより、前記第１導電性膜から電子を放出させる電子放出装置であって、
前記駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］を印加した際の、前記第１導電性膜の電子放出部から最短距離ｄに位置する前記第２導電性膜の第１の部分の膜厚が、前記第１導電性膜の前記電子放出部の膜厚以下であり、
前記最短距離ｄが（Ｖｆ×Ｈ）／（π×Ｖａ）よりも小さく、
前記第２導電性膜が、前記第１の部分を間に置く、第２の部分と第３の部分とを更に備えており、
前記第２の部分および第３の部分における前記第２導電性膜の膜厚が、いずれも、前記第１の部分における前記第２導電性膜の膜厚よりも厚い、ことを特徴とする電子放出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から成る半導体の結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成るバッファ層とバリア層とを有し、前記バッファ層の前記バリア層に対する界面側にチャネルが形成された電界効果トランジスタの製造方法において、
前記バッファ層の少なくとも一部分を、ノンドープのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から成る高抵抗半導体層Ａにより形成し、
少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長温度は、
１１２０℃以上、１１６０℃以下である
ことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２】
少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長速度は、
６５ｎｍ／ｍｉｎ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記高抵抗半導体層Ａは、
ノンドープのＧａＮ結晶から成る
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長速度は、
１００ｎｍ／ｍｉｎ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長速度は、
７０ｎｍ／ｍｉｎ以上、９０ｎｍ／ｍｉｎ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長温度は、
１１３０℃以上、１１５０℃以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】
少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長工程において、反応室内に供給する結晶材料ガスのＶ／III 比は、
１４００以上、１５５０以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記高抵抗半導体層Ａは、１×１０8 Ωｃｍ以上の抵抗率を有することを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項９】
結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成るバッファ層とバリア層とを有し、前記バッファ層の前記バリア層に対する界面側にチャネルが形成される電界効果トランジスタにおいて、
前記バッファ層の少なくとも一部分は、
ノンドープのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から形成された、抵抗率が１×１０8 Ωｃｍ以上の高抵抗半導体層Ａを用いて形成されている
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成る複数の半導体層を積層することにより形成される半導体デバイスにおいて、
電流漏れを阻止又は抑制する高抵抗層を有し、
前記高抵抗層は、
ノンドープのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から形成された、抵抗率が１×１０8 Ωｃｍ以上の高抵抗半導体層Ａを用いて形成されている
ことを特徴とする半導体デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電界効果トランジスタの製造方法及び半導体デバイス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第１の手段は、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から成る半導体の結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成るバッファ層とバリア層とを有し、バッファ層のバリア層に対する界面側にチャネルが形成された電界効果トランジスタの製造方法において、バッファ層の少なくとも一部分を、ノンドープのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から成る高抵抗半導体層Ａにより形成し、この高抵抗半導体層Ａの少なくとも結晶成長初期段階における結晶成長温度を１１２０℃以上、１１６０℃以下とすることである。
ただし、上記の初期段階とは、高抵抗半導体層Ａの結晶成長を開始してから最初のおよそ１分間程度のことを言う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の第８の手段は、高抵抗半導体層Ａは、その抵抗率を１×１０8 Ωｃｍ以上にすることである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  受信可能なサービス一覧をユーザに対し表示して聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一のアンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタルオーディオ放送用受信機において、
上記サーチの結果、該当の前記プログラムタイプの候補が複数存在するとき、所定の数だけ候補が揃った時点で前記サーチを終了することを特徴とするディジタルオーディオ放送用受信機におけるサービス提供方法。
【請求項２】  受信可能なサービス一覧をユーザに対し表示して聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタルオーディオ放送用受信機において、
複数のアンサンブルにわたって前記プログラムタイプをサーチするとき、サーチしたプログラムタイプとそのときの受信レベルとをリンクさせて記憶することを特徴とするディジタルオーディオ放送用受信機におけるサービス提供方法。
【請求項３】  受信可能なサービス一覧をユーザに対し表示して聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタルオーディオ放送用受信機において、
サーチした前記プログラムタイプに好適な音場を設定することを特徴とするディジタルオーディオ放送用受信機におけるサービス提供方法。
【請求項４】  受信可能なサービス一覧をユーザに対し表示して聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタルオーディオ放送用受信機において、
受信モードにおいて最後に聴取していた前記プログラムタイプを記憶し、
受信モードに復帰するとき、記憶していた最後の前記プログラムタイプをサーチすることを特徴とするディジタルオーディオ放送用受信機におけるサービス提供方法。
【請求項５】  受信可能なサービス一覧をユーザに対し表示して聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタルオーディオ放送用受信機において、
前記聴取希望のプログラムタイプをサーチできなかったとき、
そのプログラムタイプを予約してプログラムタイプ自動サーチを実行することを特徴とするディジタルオーディオ放送用受信機におけるサービス提供方法。
【請求項６】  受信可能なサービス一覧をユーザに対し表示して聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタルオーディオ放送用受信機において、
ディジタルオーディオ放送受信モード以外のサービスモードから該ディジタルオーディオ放送受信モードに遷移し、前記聴取希望のプログラムタイプをサーチしたときに当該聴取希望のプログラムタイプが存在しないとき、再び元のディジタルオーディオ放送受信モード以外のサービスモードに戻ることを特徴とするディジタルオーディオ放送用受信機におけるサービス提供方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体装置を形成する半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理状況の表示方法において、
半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表示画面上に、
複数の部屋から構成される半導体基板処理装置の構成図を表示し、
前記構成図内の前記複数の部屋のそれぞれが、処理のための準備が完了しているか否かを判定し、準備が完了している部屋の明るさを準備が完了していない部屋の明るさより明るく表示し、
前記構成図内の排気を要する部屋のそれぞれに対応して設けられる排気ボタンの操作にともなって、対応する部屋の排気を開始すると共に、排気終了までの残時間を前記構成図内に数字または絵により表示し、
前記構成図内の前記複数の部屋を通って搬送される半導体基板、または、クリーニング基板の搬送の様子を、半導体基板またはクリーニング基板を乗せて前記各部屋間を移動するウェハアームの動きと同時に前記構成図内に表示することを特徴とする半導体基板処理装置における処理状況の表示方法。
【請求項２】
未処理の半導体基板と、処理済の半導体基板と、クリーニング基板とを、色または明るさにより区別して表示することを特徴とする請求項１記載の半導体基板処理装置における処理状況の表示方法。
【請求項３】
前記構成図内を構成する半導体基板を処理する処理室を、その処理室の状態が、処理中、クリーニング中、その他の各状態であることを色または明るさにより区別して表示することを特徴とする請求項１または２記載の半導体基板処理装置における処理状況の表示方法。
【請求項４】
前記処理室の状態が、処理中である場合、処理の進捗状況を、処理室の周囲に沿って設けられる複数の排気口の表示の色または明るさを変えて表示することを特徴とする請求項３記載の半導体基板処理装置における処理状況の表示方法。
【請求項５】
前記構成図内を構成する複数の部屋の背景色を、その部屋のクリーン度に応じて変えて表示することを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１記載の半導体基板処理装置における処理状況の表示方法。
【請求項６】
半導体基板上に半導体装置を形成する半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置において、
半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表示画面上に、
複数の部屋から構成される半導体基板処理装置の構成図を表示する手段と、
前記構成図内の前記複数の部屋のそれぞれが、処理のための準備が完了しているか否かを判定し、準備が完了している部屋の明るさを準備が完了していない部屋の明るさより明るく表示する手段と、
前記構成図内の排気を要する部屋のそれぞれに対応する排気ボタンを表示する手段と、
前記排気ボタンが選択されると、対応する部屋の排気を開始すると共に、排気終了までの残時間を前記構成図内に数字または絵により表示する手段と、
前記構成図内の前記複数の部屋を通って搬送される半導体基板、または、クリーニング基板の搬送の様子を、半導体基板またはクリーニング基板を乗せて前記各部屋間を移動するウェハアームの動きと同時に前記構成図内に表示する手段とを含んだ処理状況表示手段を備えたことを特徴とする半導体基板処理装置。
【請求項７】
前記処理状況表示手段は、未処理の半導体基板と、処理済の半導体基板と、クリーニング基板とを、色または明るさにより区別することができるように表示する手段を備えたとを特徴とする請求項６記載の半導体基板処理装置。
【請求項８】
前記処理状況表示手段は、前記複数の部屋の内の半導体基板を処理する部屋である処理室を、その処理室の状態が、処理中、クリーニング中、その他の各状態であることを色または明るさにより区別して表示する手段を備えたこと特徴とする請求項６または７記載の半導体基板処理装置。
【請求項９】
前記処理状況表示手段は、前記処理室の状態が、処理中である場合、処理の進捗状況を、処理室の周囲に沿って設けられる複数の排気口の表示の色または明るさを変えて表示する手段を備えたこと特徴とする請求項６、７または８記載の半導体基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理状況表示手段は、複数の部屋から構成される半導体基板処理装置の構成図内の各部屋を、その部屋のクリーン度に応じて変えて表示する手段を備えたこと特徴とする請求項６ないし９のうちいずれか１記載の半導体基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、前記目的を達成するために、半導体基板上に半導体装置を形成する半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理状況の表示方法において、半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表示画面上に、複数の部屋から構成される半導体基板処理装置の構成図を表示し、前記構成図内の前記複数の部屋のそれぞれが、処理のための準備が完了しているか否かを判定し、準備が完了している部屋の明るさを準備が完了していない部屋の明るさより明るく表示し、前記構成図内の排気を要する部屋のそれぞれに対応して設けられる排気ボタンの操作にともなって、対応する部屋の排気を開始すると共に、排気終了までの残時間を前記構成図内に数字または絵により表示し、前記構成図内の前記複数の部屋を通って搬送される半導体基板、または、クリーニング基板の搬送の様子を、半導体基板またはクリーニング基板を乗せて前記各部屋間を移動するウェハアームの動きと同時に前記構成図内に表示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体上に固定された半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆する透光性樹脂と、を有し、
前記半導体発光素子の発光層は、３７０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下に主発光ピークを有する窒化物半導体であり、
前記透光性樹脂は、塩素成分を全く含有しない或いは無機塩素含有量が１ｐｐｍ以下、有機塩素含有量が５ｐｐｍ以下であり、かつ、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない或いは芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の主として酸無水硬化の脂環式エポキシ樹脂からなる透光性エポキシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】  前記透光性エポキシ樹脂組成物に硬化促進剤として有機カルボン酸亜鉛及び／又は亜鉛キレート化合物を含む請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】  前記半導体発光素子の発光層は、３７０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下に主発光ピークを発する少なくともＧａを含む窒化物半導体であるとともに前記無機蛍光体がセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である請求項１又は２に記載の白色系発光が可能な半導体発光装置。
【請求項４】  基体上にマウント部材によって固定された半導体発光素子と、該半導体発光素子が発する光の少なくとも一部を吸収しその吸収した光の波長よりも長波長の蛍光を発する無機系蛍光体を含有してなり前記半導体発光素子を被覆する透光性樹脂とを有し、前記半導体発光素子からの光と前記無機系蛍光体が発する蛍光との混色により白色系が発光可能な半導体発光装置であって、
前記マウント部材は、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない或いは芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の酸無水硬化の脂環式エポキシ樹脂を主成分とし、かつ硬化促進剤として有機カルボン酸亜鉛及び／又は亜鉛キレート化合物を含む透光性エポキシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】  前記半導体発光素子の発光層は、３７０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下に主発光ピークを発する少なくともＧａを窒化物半導体であるとともに前記無機蛍光体がセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である請求項４に記載の白色系発光が可能な半導体発光装置。
【請求項６】  前記基体が前記半導体発光素子が発する光を反射する請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体側より順に、負の屈折力を有する第１レンズ群と、正の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈折力を有する第３レンズ群よりなり、無限遠物点合焦時における広角端から望遠端への変倍に際して、前記第２レンズ群が物体側へのみ移動し、前記第３レンズ群が第２レンズ群との間隔を変化させつつ移動し、前記第２レンズ群は、物体側から順に、正レンズＬ２１、負レンズＬ２２、正レンズＬ２３、負レンズＬ２４にて構成され、前記第２レンズ群中の正レンズＬ２３又は負レンズＬ２４の少なくとも何れかのレンズは非球面を有し、かつ、以下の条件（１）を満足することを特徴とするズームレンズ。
（１）    ０．６＜Ｒ22R ／Ｒ21F ＜２．２
ただし、Ｒ21F 、Ｒ22R はそれぞれ第２レンズ群の正レンズＬ２１の物体側の面、第２レンズ群の負レンズＬ２２の像側の面の光軸上の曲率半径である。
【請求項２】  像側に配される電子撮像素子と一体化されたことを特徴とする請求項１記載ズームレンズ。
【請求項３】  電子撮像素子の撮像面側に配されるズームレンズにおいて、
前記ズームレンズは、物体側より順に、負の屈折力を有する第１レンズ群と、正の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈折力を有する第３レンズ群よりなり、無限遠物点合焦時における広角端から望遠端への変倍に際して、前記第２レンズ群が物体側へのみ移動し、前記第３レンズ群が第２レンズ群との間隔を変化させつつ移動し、前記第２レンズ群は、物体側から順に、正レンズＬ２１、負レンズＬ２２、正レンズＬ２３、負レンズＬ２４にて構成され、前記第２レンズ群中の正レンズＬ２３又は負レンズＬ２４の少なくとも何れかのレンズは非球面を有し、かつ、以下の条件（２）、（３）、（４）を満足することを特徴とするズームレンズ。
（２）    ０＜（Ｃ24F −Ｃ23R ）・Ｌ＜１．６
（３）    ０．０１＜ｄ23／Ｌ＜０．２
（４）    −０．４＜Ｌ／ｆ2R＜０．８
ただし、Ｃ23R ＝１／Ｒ23R 、Ｃ24F ＝１／Ｒ24F であり、ここで、Ｒ23R 、Ｒ24F はそれぞれ第２レンズ群の正レンズＬ２３の像側の面、第２レンズ群の負レンズＬ２４の物体側の面の光軸上の曲率半径、Ｌは撮像素子の有効撮像領域（略矩形）の対角長（ｍｍ）、ｄ23は第２レンズ群の正レンズＬ２３と負レンズＬ２４との光軸上の空気間隔、ｆ2Rは第２レンズ群の正レンズＬ２３と負レンズＬ２４との合成焦点距離である。
【請求項４】  像側に配される電子撮像素子と一体化され、かつ、以下の条件（２）、（３）、（４）を満足することを特徴とする請求項１記載のズームレンズ。
（２）    ０＜（Ｃ24F −Ｃ23R ）・Ｌ＜１．６
（３）    ０．０１＜ｄ23／Ｌ＜０．２
（４）    −０．４＜Ｌ／ｆ2R＜０．８
ただし、Ｃ23R ＝１／Ｒ23R 、Ｃ24F ＝１／Ｒ24F であり、ここで、Ｒ23R 、Ｒ24F はそれぞれ第２レンズ群の正レンズＬ２３の像側の面、第２レンズ群の負レンズＬ２４の物体側の面の光軸上の曲率半径、Ｌは撮像素子の有効撮像領域（略矩形）の対角長（ｍｍ）、ｄ23は第２レンズ群の正レンズＬ２３と負レンズＬ２４との光軸上の空気間隔、ｆ2Rは第２レンズ群の正レンズＬ２３と負レンズＬ２４との合成焦点距離である。
【請求項５】  前記第２レンズ群の正レンズＬ２１と負レンズＬ２２とが接合されていることを特徴とする請求項２から４の何れか１項記載のズームレンズ。
【請求項６】  前記第２レンズ群が以下の条件（５）を満足することを特徴とする請求項２から５の何れか１項記載のズームレンズ。
（５）    ２５＜ν21−ν22＋ν23−ν24＜５５
ただし、ν21、ν22、ν23、ν24はそれぞれ第２レンズ群の正レンズＬ２１、負レンズＬ２２、正レンズＬ２３、負レンズＬ２４の媒質のアッベ数（ｄ線基準）である。
【請求項７】  前記第２レンズ群における正レンズＬ２３又は負レンズＬ２４の少なくとも何れかに配された前記非球面の少なくとも何れかが以下の条件（６）を満足することを特徴とする請求項２から６の何れか１項記載のズームレンズ。
（６）    ７．５×１０-3・Ｌ＞｜Asp2R ｜＞｜Asp21F｜  
ただし、Asp21F、Asp2R はそれぞれ正レンズＬ２１の物体側の面、正レンズＬ２３又は負レンズＬ２４の面の光軸上での曲率半径を有する球面に対し、光軸からの高さが０．３Ｌでの非球面偏倚量、Ｌは撮像素子の有効撮像領域（略矩形）の対角長（ｍｍ）であり、正レンズＬ２１の物体側面が球面の場合は非球面偏倚量Asp21Fを０とする。
【請求項８】  以下の条件（７）を満足することを特徴とする請求項２から７の何れか１項記載のズームレンズ。
（７）    −０．５＜（Ｒ21F −Ｒ22R ）／（Ｒ21F ＋Ｒ22R ）＜０．３
ただし、Ｒ21F 、Ｒ22R はそれぞれ第２レンズ群の正レンズＬ２１の物体側の面と負レンズＬ２２の像側の面の光軸上の曲率半径である。
【請求項９】  以下の条件（８）及び（９）を満足することを特徴とする請求項２から８の何れか１項記載のズームレンズ。
（８）    −１＜ｆ3 ／ｆ2R＜１．６
（９）    ０．０２＜ｄ22／Ｌ＜０．５
ただし、ｆ2Rとｆ3 はそれぞれ第２レンズ群の正レンズＬ２３と負レンズＬ２４との合成焦点距離と第３レンズ群の焦点距離、ｄ22は第２レンズ群の負レンズＬ２２の像側面と正レンズＬ２３の物体側面との間隔、Ｌは撮像素子の有効撮像領域（略矩形）の対角長（ｍｍ）である。
【請求項１０】  以下の条件（１０）を満足する請求項１乃至９の何れか１項に記載のズームレンズ。
（10）    −１＜ｆ2F／Ｒ21R ＜２．５
ただし、Ｒ21R は第２レンズ群の正レンズＬ２１の像側の面の曲率半径、ｆ2Fは第２レンズ群の正レンズＬ２１と負レンズＬ２２との合成焦点距離である。
【請求項１１】  広角端から望遠端に変倍する際、前記第３レンズ群は像側に凸の軌跡で移動することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項記載のズームレンズ。
【請求項１２】  前記第３レンズ群を光軸に沿って移動することにより合焦することを特徴とする請求項１から１１の何れか１項記載のズームレンズ。
【請求項１３】  広角端半画角ωW が２７°から４２°の範囲にあることを特徴とする請求項１から１２の何れか１項記載のズームレンズ。
【請求項１４】  請求項１から１３の何れか１項記載のズームレンズを備えたことを特徴とする電子撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物
（Ｂ）酸により架橋する架橋剤
（Ｃ）一般式（１）で表される繰り返し単位を有するアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化１】
2003107704.tif 000001
式（１）中、Ｒ0は、水素原子あるいはメチル基を表す。Ｌは二価の連結基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アセトキシ基、水酸基、チオール基又は水素原子を表す。ただし、一般式（１）に示されている水酸基のオルト位が水素原子とはならない。
【請求項２】  （Ｂ）酸により架橋する架橋剤が、一般式（２）〜（４）で表される化合物、及びアルコキシメチル化メラミン化合物から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化２】
2003107704.tif 000002
式（２）〜（４）におけるＲ5は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
式（２）におけるＲ6〜Ｒ9は、各々独立に、水素原子、水酸基、アルキル基又はアルコキシル基を表す。Ｘは、単結合、メチレン基又は酸素原子を表す。
【請求項３】（Ｂ）酸により架橋する架橋剤が、分子内にベンゼン環を１〜６個有するフェノール誘導体であり、ヒドロキシメチル基および／又はアルコキシメチル基を分子内全体で２個以上有し、これらの基をいずれかのベンゼン環原子団に結合している化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項４】  更に（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  画像露光された平版印刷版の現像処理に先立って、前記平版印刷版を搬送しながら表面に洗浄水を供給した後、前記平版印刷版の表面をブラシローラによってブラッシングする前処理装置であって、
前記ブラシローラの搬送方向上流側に前記平版印刷版の搬送幅方向に沿って設けられて前記平版印刷版の搬送路に突出した先端部が前記平版印刷版の幅方向に沿って略均一に接触する保水性を備えた湿し部材と、
長手方向が前記平版印刷版の搬送幅方向に沿って設けられて、前記洗浄水が供給されることにより長手方向に沿って形成された噴出孔から前記湿し部材へ向けて噴出するスプレーパイプと、
を含むことを特徴とする前処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、画像露光された平版印刷版の現像処理に先立って、前記平版印刷版を搬送しながら表面に洗浄水を供給した後、前記平版印刷版の表面をブラシローラによってブラッシングする前処理装置であって、前記ブラシローラの搬送方向上流側に前記平版印刷版の搬送幅方向に沿って設けられて前記平版印刷版の搬送路に突出した先端部が前記平版印刷版の幅方向に沿って略均一に接触する保水性を備えた湿し部材と、長手方向が前記平版印刷版の搬送幅方向に沿って設けられて、前記洗浄水が供給されることにより長手方向に沿って形成された噴出孔から前記湿し部材へ向けて噴出するスプレーパイプと、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  感光材料の搬送路を挟んで上下に対で配置される搬送用ローラの間で前記感光材料を挟持して処理液処理部内を搬送する感光材料処理装置であって、
前記感光材料の搬送方向と直交する幅方向の両側に対で設けられた側板のそれぞれの所定位置に配置される軸受支持部と、
前記軸受支持部に設けられて下側の前記搬送用ローラを軸支する第１の軸受及び上側の前記搬送用ローラを軸支する第２の軸受を収容可能とし、第１の軸受の下方移動を阻止すると共に、第２の軸受を第１の軸受への接離方向へ移動可能とする軸受収容部と、
前記第１及び第２の軸受が前記軸受収容部に収容された状態で前記支持部材の所定位置に配置されることにより、軸受収容部からの第１及び第２の軸受の引き出しを阻止可能とすると共に、付勢手段の付勢力によって第２の軸受を第１の軸受へ向けて付勢して前記上下の搬送用ローラの間に所定の挟持力を付与可能とする抑え部材と、
前記抑え部材に揺動可能に設けられて先端が上方へ向けられた起立位置から傾倒されることにより前記付勢手段による付勢力を前記第２の軸受へ付与する装着レバーと、
を含むことを特徴とする感光材料処理装置。
【請求項２】  前記処理液処理部が設けられている機枠と、前記機枠の上部を閉塞するカバーと、を備え、前記装着レバーの先端が、上方へ向けられた起立位置で前記カバーに当接して、前記カバーを前記機枠内を閉塞する位置から浮き上がらせることを特徴とする請求項１に記載の感光材料処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、感光材料の搬送路を挟んで上下に対で配置される搬送用ローラの間で前記感光材料を挟持して処理液処理部内を搬送する感光材料処理装置であって、前記感光材料の搬送方向と直交する幅方向の両側に対で設けられた側板のそれぞれの所定位置に配置される軸受支持部と、前記軸受支持部に設けられて下側の前記搬送用ローラを軸支する第１の軸受及び上側の前記搬送用ローラを軸支する第２の軸受を収容可能とし、第１の軸受の下方移動を阻止すると共に、第２の軸受を第１の軸受への接離方向へ移動可能とする軸受収容部と、前記第１及び第２の軸受が前記軸受収容部に収容された状態で前記支持部材の所定位置に配置されることにより、軸受収容部からの第１及び第２の軸受の引き出しを阻止可能とすると共に、付勢手段の付勢力によって第２の軸受を第１の軸受へ向けて付勢して前記上下の搬送用ローラの間に所定の挟持力を付与可能とする抑え部材と、前記抑え部材に揺動可能に設けられて先端が上方へ向けられた起立位置から傾倒されることにより前記付勢手段による付勢力を前記第２の軸受へ付与する装着レバーと、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明によれば、側板に取付けている軸受支持部の軸受収容部に、上下の搬送用ローラのそれぞれを軸支する第１及び第２の軸受を収容する。この状態で抑え部材を取り付けることによって軸受収容部からの第１及び第２の軸受の引き出しを阻止する。また、装着レバーが傾倒されることにより、抑え部材に設けている付勢手段の付勢力を第２の軸受を介して、上下の搬送用ローラの間に付与し、感光材料を挟持する挟持力が生じるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、前記処理液処理部が設けられている機枠と、前記機枠の上部を閉塞するカバーと、を備え、前記装着レバーの先端が、上方へ向けられた起立位置で前記カバーに当接して、前記カバーを前記機枠内を閉塞する位置から浮き上がらせることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明によれば、装着レバーが起立位置となっているときに、装着レバーがカバーに当接してカバーを持ち上げる（浮き上がらせる）ようにしている。これにより、カバーが正規の状態に装着されているか否かから、搬送ローラ対の間に所定の挟持力が付与されている状態であるか否かを明確に判断でき、搬送ローラ対に所定の挟持力が付与されていない状態で感光材料の処理を行ってしまうのを確実に防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理槽内に形成した搬送路に沿って感光材料を搬送しながら処理槽に貯留した処理液に浸漬して処理する感光材料処理装置であって、
前記搬送路の上流部側の前記処理槽内に設けられて、前記処理液が供給されることにより該処理液を前記感光材料の搬送方向と直交する幅方向に沿って噴出する第１の噴出手段と、
前記搬送路の下流部側の前記処理槽内に長手方向が搬送幅方向に沿うように設けられて、前記処理液が供給されることにより長手方向に沿って設けられた複数の噴出孔のそれぞれから該処理液を前記感光材料の搬送方向の下流側へ向けて噴出する第２の噴出手段と、
前記処理槽の所定位置に設けられた吸込み孔から処理槽内の処理液を吸引して前記第１及び第２の噴出手段へ供給することにより処理槽内の処理液を循環する循環手段と、
を含むことを特徴とする感光材料処理装置。
【請求項２】  前記吸込み孔を、前記第１の噴出手段と前記第２の噴出手段の間の前記処理槽の底部に設けたことを特徴とする請求項１に記載の感光材料処理装置。
【請求項３】  前記第２の噴出手段に形成している前記噴出孔が斜め下方へ向けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感光材料処理装置。
【請求項４】  前記処理液を所定温度範囲に維持する温調手段を備えたときに、前記第１の噴出手段から噴出する処理液量を前記第２の噴出手段から噴出する処理液量より多くする流量分配手段を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の感光材料処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、処理槽内に形成した搬送路に沿って感光材料を搬送しながら処理槽に貯留した処理液に浸漬して処理する感光材料処理装置であって、前記搬送路の上流部側の前記処理槽内に設けられて、前記処理液が供給されることにより該処理液を前記感光材料の搬送方向と直交する幅方向に沿って噴出する第１の噴出手段と、前記搬送路の下流部側の前記処理槽内に長手方向が搬送幅方向に沿うように設けられて、前記処理液が供給されることにより長手方向に沿って設けられた複数の噴出孔のそれぞれから該処理液を前記感光材料の搬送方向の下流側へ向けて噴出する第２の噴出手段と、前記処理槽の所定位置に設けられた吸込み孔から処理槽内の処理液を吸引して前記第１及び第２の噴出手段へ供給することにより処理槽内の処理液を循環する循環手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
なお、吸込み孔の位置は、底部が好ましいが、これに限らず、第１及び第２の噴出手段から噴出された処理液が、直接入り込んでしまうことがない位置であれば、処理槽の槽壁等の任意の位置に設けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、本発明は、前記処理液を所定温度範囲に維持する温調手段を備えたときに、前記第１の噴出手段から噴出する処理液量を前記第２の噴出手段から噴出する処理液量より多くする流量分配手段を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  感光材料処理装置に設けられて、搬送する感光材料を案内する感光材料搬送用のガイド板であって、
一方の面がガイド面として前記感光材料の搬送路に対向されて搬送路に沿って配置されるガイド本体に、前記ガイド本体を貫通して表裏面を連通する連通孔が、貫通方向が搬送方向の下流側へ向き、かつ、搬送方向との角度が鋭角に形成されている、
ことを特徴とする感光材料搬送用のガイド板。
【請求項２】  前記ガイド本体の前記感光材料の搬送路側のガイド面と、このガイド面に接触する前記感光材料の間の角度αと、前記ガイド面に対する前記連通孔の前記感光材料の搬送方向下流側の内面の角度βとが、
α＋β＜９０°
であることを特徴とする請求項１に記載の感光材料搬送用のガイド板。
【請求項３】  前記連通孔の内面の間の感光材料搬送方向に沿った距離である孔幅ｄ、前記ガイド本体の表裏方向に沿った厚さである板厚ｔ、前記角度α及び角度βが、
ｄ・tan（９０‐β）−ｄ・tan（９０−α−β）＜ｔ／cos（９０−β）
を満たすことを特徴とする請求項２に記載の感光材料搬送用のガイド板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、感光材料処理装置に設けられて、搬送する感光材料を案内する感光材料搬送用のガイド板であって、一方の面がガイド面として前記感光材料の搬送路に対向されて搬送路に沿って配置されるガイド本体に、前記ガイド本体を貫通して表裏面を連通する連通孔が、貫通方向が搬送方向の下流側へ向き、かつ、搬送方向との角度が鋭角に形成されている、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、ガイド本体に、例えば、連通孔を丸孔として形成したときに、この丸孔の軸線方向を貫通方向とする。このとき、本発明では、連通孔の貫通方向とガイド本体の搬送路側のガイド面に沿って案内される感光材料の搬送方向の間の角度が鋭角となるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これにより本発明では、感光材料の角部が連通孔に入り込んでも、連通孔の内面に沿って搬送方向へ案内されるようにし、感光材料の角部が連通孔に入り込んで引っ掛かってしまうことによる感光材料の損傷や搬送不良の発生を確実に防止するようにしている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、前記連通孔の内面の間の感光材料搬送方向に沿った距離である孔幅ｄ、前記ガイド本体の表裏方向に沿った厚さである板厚ｔ、前記角度α及び角度βが、
ｄ・tan（９０‐β）−ｄ・tan（９０−α−β）＜ｔ／cos（９０−β）
を満たすように設定されることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のフィルタ手段（ＬＰ；ＬＰ１〜３）を含み、各フィルタ手段が所定のフィルタリング次数に従って動作する少なくとも１つのリアクティブフィルタ素子（Ｌ１１〜２２）を含むと共に第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）及び第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）とを有し、すべての前記フィルタ手段の第２のフィルタ・ポートが、前記構成の共通ポート（ＬＩ１）に相互接続されているフィルタ構成（ＦＡ）であって、前記フィルタ手段（ＬＰ；ＬＰ１〜３）の少なくとも１つ（ＬＰ）が、前記フィルタ手段を介して与えられた電力のパラメータを感知すると共に前記所定のフィルタリング次数を変更する第２のリアクティブフィルタ素子（Ｃ）を挿入する挿入手段（ＳＷ）を制御するように構成された感知手段（ＳＣ）を更に含むことを特徴とするフィルタ構成。
【請求項２】  前記第１のリアクティブフィルタ素子（Ｌ１１〜２２）が第１のリアクティブタイプであり、前記第２のリアクティブフィルタ素子（Ｃ）が前記第１のリアクティブタイプとは異なる第２のリアクティブタイプであり、前記挿入手段が前記第１のリアクティブフィルタ素子を前記第２のリアクティブフィルタ素子へ結合するように構成された電気スイッチ（ＳＷ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ構成。
【請求項３】  前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）が第１の端子（ＬＯａ）及び第２の端子（ＬＯｂ）の端子を含み、前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）が第３の端子（ＬＩａ）及び第４の端子（ＬＩｂ）を含み、前記第１のリアクティブフィルタ素子（Ｌ１１〜２２）が前記第１のフィルタ・ポートと前記第２のフィルタ・ポートの間に結合され、前記第２のリアクティブフィルタ素子（Ｃ）が前記第１の端子（ＬＯａ）及び前記第２の端子（ＬＯｂ）の間に結合されていることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ構成。
【請求項４】  前記感知手段（ＳＣ）が、前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）と前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）との間に結合された電流感知手段であり、且つ前記フィルタ手段（ＬＰ）を流れる電流を、前記フィルタ構成へ与えられた電力の前記パラメータとして感知するように構成されたことを特徴とする、請求項３に記載のフィルタ構成。
【請求項５】  前記フィルタ構成が低域フィルタ構成であり、前記第１のリアクティブフィルタ素子がインダクタンス（Ｌ１１〜２２）を含み、前記第２のリアクティブフィルタ素子がキャパシタンス（Ｃ）を含み、前記感知手段（ＳＣ）が前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）と前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）との間で前記第１のリアクティブフィルタ素子と直列に接続され、前記挿入手段の電気スイッチ（ＳＷ）が前記第１の端子（ＬＯａ）と前記第２の端子（ＬＯｂ）との間で前記第２のリアクティブフィルタ素子と直列に結合されていることを特徴とする、請求項２又は４に記載のフィルタ構成。
【請求項６】  前記フィルタ構成が低域フィルタ構成であり、
前記第１のリアクティブフィルタ素子が第１の変圧器（Ｔ１）及び第２の変圧器（Ｔ２）を含み、
前記第２のリアクティブフィルタ素子がキャパシタンス（Ｃ）を含み、
前記感知手段（ＳＣ）が前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）と前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）との間で前記第１の変圧器及び前記第２の変圧器と直列に接続され、
前記挿入手段の電気スイッチ（ＳＷ）が前記第１の端子（ＬＯａ）と前記第２の端子（ＬＯｂ）との間で前記第２のリアクティブフィルタ素子と直列に結合されていることを特徴とする、請求項２又は４に記載のフィルタ構成。
【請求項７】  前記第１の端子（ＬＯａ）が、前記第１の変圧器（Ｔ１）の第１の巻線（Ｌ１１）、前記感知手段（ＳＣ）、及び前記第２の変圧器（Ｔ２）の第１の巻線（Ｌ２１）との直列接続を介して前記第３の端子（ＬＩａ）へ結合され、
前記第２の端子（ＬＯｂ）が前記第１の変圧器（Ｔ１）の第２の巻線（Ｌ１２）と前記第２の変圧器（Ｔ２）との第２の巻線（Ｌ２２）の直列接続を介して前記第４の端子（ＬＩｂ）に結合され、
直列結合された電気スイッチ（ＳＷ）と前記第２のリアクティブフィルタ素子（Ｃ）とが、前記感知手段（ＳＣ）及び前記第２の変圧器（Ｔ２）の第１の巻線（Ｌ２１）の接合点と、前記第１の変圧器（Ｔ１）の第２の巻線（Ｌ１２）及び前記第２の変圧器（Ｔ２）の第２の巻線（Ｌ２２）の接合点との間に接続されていることを特徴とする、請求項６に記載のフィルタ構成。
【請求項８】  前記フィルタ構成（ＦＡ）の前記共通ポート（ＬＩ１）が、非対称型加入者線ディジタル（ＡＤＳＬ）伝送方式のような電気通信方式の電気通信線（ＴＰ）へ接続され、普通電話サービス（ＰＯＴＳ１〜ＰＯＴＳ３）加入者セットが前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ１〜ＬＯ３）へ接続されていることを特徴とする、請求項７に記載のフィルタ構成。
【請求項９】  前記感知手段（ＳＣ）が、感知された電流が所定の値を超えているかどうかを検出し、次に前記挿入手段を制御して、前記電気スイッチ（ＳＷ）を閉止するように構成されたことを特徴とする、請求項８に記載のフィルタ構成。
【請求項１０】  前記感知手段（ＳＣ）が電流感知器として使用される継電器によって構成されていることを特徴とする、請求項４に記載のフィルタ構成。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）と第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）との間を伝送される信号を濾波するフィルタ構成であって、前記信号の所定の周波数成分を濾波するフィルタ手段（Ｌ１；Ｌ２）及び前記第１のフィルタ・ポートと前記第２のフィルタ・ポートとの間で不所望の信号伝送を制限する関連クランプ手段（Ｔ１；Ｔ２）を含み、前記クランプ手段が前記信号の所定のパラメータ（Ｉ；Ｖ）の変動（ｄＩ／ｄｔ、ｄＶ／ｄｔ）を制限する能動デバイス手段（Ｔ１；Ｔ２）を含むように構成されたことを特徴とするフィルタ構成。
【請求項２】  前記フィルタ構成が線路フィルタ構成であって、それの前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）が装置（ＰＯＴＳ／ＰＳＴＮ）へ接続されたローカル・ポートであり、前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）が伝送線（ＴＰ）へ接続されたライン・ポートであることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ構成。
【請求項３】  前記フィルタ手段が、前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）へ接続された第１の端部、及び前記能動デバイス手段（Ｔ１；Ｔ２）のメイン・パスを介して前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）へ結合された第２の端部を有する少なくとも１つのリアクタンス素子（Ｌ１；Ｌ２）を含み、前記能動デバイスが、前記リアクタンス素子の前記第１の端部へ接続された制御端子を更に有することを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ構成。
【請求項４】  前記フィルタ構成が、前記装置（ＰＯＴＳ／ＰＳＴＮ）と前記伝送線（ＴＰ）との間を伝送される信号の高周波成分を濾波するように構成された低域フィルタであり、前記リアクタンス素子がインダクタ（Ｌ１；Ｌ２）であり、前記能動デバイスがトランジスタ（Ｔ１；Ｔ２）であることを特徴とする、請求項２又は３のいずれか一項に記載のフィルタ構成。
【請求項５】  前記装置（ＰＯＴＳ／ＰＳＴＮ）が前記ローカル・ポート（ＬＯ）の第１（ＬＯａ）及び第２（ＬＯｂ）のローカル端子へ接続され、
前記伝送線（ＴＰ）が前記ライン・ポート（ＬＩ）の第１（ＬＩａ）及び第２（ＬＩｂ）のライン端子へ接続された２線式線路であり、
前記第１のライン端子（ＬＩａ）は前記インダクタ（Ｌ１）の第１の端部に接続され、前記インダクタの第２の端部は前記トランジスタ（Ｔ１）のメイン・パスを介して前記第１のローカル端子（ＬＯａ）に接続され、前記トランジスタの制御端子は前記インダクタの前記第１の端部に接続されていることを特徴とする請求項４に記載のフィルタ構成。
【請求項６】  前記フィルタ構成が、前記装置（ＰＯＴＳ／ＰＳＴＮ）が接続された第１（ＬＯａ）及び第２（ＬＯｂ）のローカル端子を有する前記第１のフィルタ・ポート（ＬＯ）と、２線式線路である前記伝送線が接続された第１（ＬＩａ）及び第２（ＬＩｂ）のライン端子を有する前記第２のフィルタ・ポート（ＬＩ）との間を伝送される信号の高周波成分を濾波する低域フィルタであり、
前記フィルタ手段が第１のインダクタ（Ｌ１）及び第２のインダクタ（Ｌ２）をリアクタンス素子として含み、前記能動デバイス手段が第１のトランジスタ（Ｔ１）及び第２のトランジスタ（Ｔ２）を含み、
前記第１のライン端子（ＬＩａ）が前記第１のインダクタ（Ｌ１）の第１の端部に接続され、前記第１のインダクタの第２の端部が前記第１のトランジスタ（Ｔ１）のメイン・パスを介して前記第１のローカル端子（ＬＯａ）へ接続され、前記第１のトランジスタの制御端子が前記第１のインダクタの前記第１の端部へ接続され、
前記第２のライン端子（ＬＩｂ）が前記第２のインダクタ（Ｌ２）の第１の端部に接続され、前記第２のインダクタの第２の端部が前記第２のトランジスタ（Ｔ２）のメイン・パスを介して前記第２のローカル端子（ＬＯｂ）へ結合され、前記第２のトランジスタの制御端子が前記第２のインダクタの前記第１の端部へ結合されていることを特徴とする、請求項２又は３のいずれか一項に記載のフィルタ構成。
【請求項７】  前記第１（Ｌ１）及び前記第２のインダクタ（Ｌ２）が磁気結合されていることを特徴とする請求項６に記載のフィルタ構成。
【請求項８】  前記能動デバイス手段が第３のトランジスタ（Ｔ３）及び第４のトランジスタ（Ｔ４）を更に含み、
前記第１のライン端子（ＬＩａ）が前記第３のトランジスタ（Ｔ３）のメイン・パスを介して前記第１のインダクタ（Ｌ１）の第１の端部に接続され、前記第３のトランジスタの制御端子が前記第１のインダクタの前記第２の端部に結合され、
前記第２のライン端子（ＬＩｂ）が前記第４のトランジスタ（Ｔ４）のメイン・パスを介して前記第２のインダクタ（Ｌ２）の第１の端部へ接続され、前記第４のトランジスタの制御端子が前記第２のインダクタの前記第２の端部へ結合されていることを特徴とする、請求項６に記載のフィルタ構成。
【請求項９】  前記第１（ＬＯａ）及び第２のライン端子（ＬＯｂ）が一対のトランジスタ（Ｔ５、Ｔ６）の直列接続されたメイン・パスを介して結合され、前記一対のトランジスタ（Ｔ５、Ｔ６）の制御端子がそれぞれ前記第１（Ｌ１）及び第２（Ｌ２）のインダクタの第１の端部へ接続されていることを特徴とする請求項６に記載のフィルタ構成。
【請求項１０】  前記クランプ手段が、それぞれ前記第１（Ｌ１）及び第２（Ｌ２）のインダクタへ結合される超過電圧保護手段（Ｚ１；Ｚ２）を更に含むことを特徴とする請求項６に記載のフィルタ構成。
【請求項１１】  前記伝送線（ＴＰ）上を伝送される信号が非対称型加入者線ディジタル（ＡＤＳＬ）タイプであることを特徴とする、請求項２に記載のフィルタ構成。
【請求項１２】  前記第１（ＬＯａ）及び前記第２（ＬＯｂ）のローカル端子が第１のコンデンサ（Ｃ１）によって分路され、前記第１（ＬＩａ）及び前記第２（ＬＩｂ）のライン端子が第２のコンデンサ（Ｃ２）によって分路されることを特徴とする請求項６に記載のフィルタ構成。