【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  記録する信号に応じて時系列でエネルギー強度が変化し、かつ収束されたエネルギービームを、常温では固体の熱可塑性の記録材料の表面に、相対的に移動させながら照射する照射工程と、
前記記録材料の表面を溶融して固体から液体に変化させる溶融工程と、
前記溶融工程において溶融した部分から放熱をさせることにより前記記録材料の表面に複数の突起部を形成する突起部形成工程と
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項２】  記録する信号に応じて時系列でエネルギー強度が変化し、かつ収束されたエネルギービームを、常温では固体の熱可塑性の記録材料の表面に、相対的に移動させながら照射する照射工程と、
前記記録材料の表面を溶融して固体から液体に変化させる溶融工程と、
前記溶融工程において溶融した部分から放熱をさせることにより前記記録材料の表面に複数の突起部を形成する突起部形成工程と、
前記突起部の周囲の凹部に前記突起部とは異なる電気特性を有するコーティング材料を埋め込む埋込工程と、
前記複数の突起部の先端および前記コーティング材料の表面を平坦化する平坦化工程と
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項３】  記録する信号に応じて時系列でエネルギー強度が変化し、かつ収束されたエネルギービームを、常温では固体の熱可塑性の記録材料の表面に、相対的に移動させながら照射する照射工程と、
前記記録材料の表面を溶融して固体から液体に変化させる溶融工程と、
前記溶融部から熱の放熱をさせることにより前記記録材料の表面に複数の突起部を形成する突起部形成工程と、
前記突起部の周囲の凹部に前記突起部とは異なる電気特性を有するコーティング材料を埋め込む埋込工程と、
前記複数の突起部の先端および前記コーティング材料の表面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化された突起部およびコーティング材料の表面を絶縁剤で覆う表面被覆工程と
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項４】  前記絶縁剤の表面を平坦化する
ことを特徴とする請求項３に記載の記憶媒体の製造方法。
【請求項５】  空間的に一列に、所定の幅を有し、かつ、記録信号に応じて所定の長さを有して配列された複数の突起部を２以上の数の列について有し、
前記突起部からなる複数の列の間の距離（トラックピッチ）が原子１個の直径以上であり、かつ２５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする記憶媒体。
【請求項６】  記録信号に応じて空間的に配置された複数の突起部を有する原盤と、再生基板とを密接または圧接させることにより、前記再生基板の前記突起部の先端に対向する位置に前記突起部を構成する材料を触媒として配置する触媒配置工程と、
前記再生基板の触媒が配置された位置より複数の記録構造体を成長させる記録構造体成長工程と、
少なくとも前記複数の記録構造体の間に前記記録構造体とは異なる電気特性を有するコーティング材料を埋め込む埋込工程と、
前記記録構造体の先端およびコーティング材料の表面を平坦化する平坦化工程と
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項７】  前記平坦化された突起部およびコーティング材料の表面を絶縁剤で覆い、その表面を平坦化する表面被覆工程
を含むことを特徴とする請求項６記載の記憶媒体の製造方法。
【請求項８】  前記記録構造体はカーボンナノチューブにより構成される
ことを特徴とする請求項６記載の記憶媒体の製造方法。
【請求項９】  前記触媒は、Ｔａ（タンタル），Ｗ（タングステン），Ｐｔ（白金），Ｖ（バナジウム），Ｍｎ（マンガン），Ｆｅ（鉄），Ｃｏ（コバルト），Ｎｉ（ニッケル）およびＭｏ（モリブデン）からなる遷移金属の群のうちの少なくとも１種、またはその合金である
ことを特徴とする請求項６記載の記憶媒体の製造方法。
【請求項１０】  再生基板上の所定の位置に配置された記録構造体と、
少なくとも複数の記録構造体の間に埋め込まれた前記記録構造体とは異なる電気特性を有するコーティング材料と
を有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項１１】  列状に配置された複数の突起部または列状に配置された記録構造体の、配置若しくは形状または配置および形状により信号が記録された記憶媒体から再生針を用いて信号を再生する信号再生方法であって、
前記再生針の先端と前記記憶媒体との相対的な位置関係を変更する相対移動ステップと、
前記再生針の先端が前記列状に配置された突起部または記録構造体の中心の位置を通過するように保つトラッキング・ステップと、
前記再生針から前記突起部または前記記録構造体へ流れる電流の大きさを検出する信号再生ステップと
を含むことを特徴とする信号再生方法。
【請求項１２】  前記信号再生ステップにおいて、前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れる変位電流を検出する
ことを特徴とする請求項１１記載の信号再生方法。
【請求項１３】  前記信号再生ステップにおいて、前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れるトンネル電流を検出する
ことを特徴とする請求項１１記載の信号再生方法。
【請求項１４】  前記信号再生ステップにおいて、前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れる接触電流を検出する
ことを特徴とする請求項１１記載の信号再生方法。
【請求項１５】  列状に配置された突起部または列状に配置された記録構造体の、配置若しくは形状または配置および形状により信号が記録された、記憶媒体から信号を再生するための信号再生装置であって、
前記記憶媒体に記録された信号の最小単位と略等しい寸法を有する再生針と、
前記再生針と、前記記憶媒体との相対的な位置関係を変更する相対移動手段と、
前記再生針の先端が前記列状に配置された突起部または前記記録構造体の中心の位置を通過するように保つトラッキング追従手段と、
前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れる電流の大きさを検出する信号再生手段と
を備えたことを特徴とする信号再生装置。
【請求項１６】  前記信号再生手段は、前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れる変位電流を検出する
ことを特徴とする請求項１５記載の信号再生装置。
【請求項１７】  前記信号再生手段は、前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れるトンネル電流を検出する
ことを特徴とする請求項１５記載の信号再生装置。
【請求項１８】  前記信号再生手段は、前記再生針と前記突起部または前記記録構造体との間に流れる接触電流を検出する
ことを特徴とする請求項１５記載の信号再生装置。
【請求項１９】  記憶媒体から信号を検出するための再生針アセンブリの製造方法であって、
導電性材料の表面に収束されたエネルギービームを照射する照射工程と、
前記導電性材料の表面を溶融させる溶融工程と、
前記溶融工程において溶融した部分から放熱をさせることにより少なくとも１つの突起部を形成する突起部形成工程と
を有する再生針アセンブリの製造方法。
【請求項２０】  記憶媒体から信号を検出するための再生針アセンブリの製造方法であって、
絶縁基板の上に複数の分割された導電材料のブロックを形成する工程と、
前記導電性材料の分割方向と略直交する方向に相対的に移動させながら、前記導電性材料の表面に収束されたエネルギービームを照射する照射工程と、
前記導電性材料の表面を溶融させる溶融工程と、
前記溶融工程において溶融した部分から放熱をさせることにより突起部を形成する突起部形成工程と
を含むことを特徴とする再生針アセンブリの製造方法。
【請求項２１】  絶縁基板の上に少なくとも１つの再生針を有する再生針アセンブリであって、
前記再生針は前記絶縁基板の上に形成された導電性材料からなる突起部であり、その先端部の直径が０．４ｎｍ〜５００ｎｍである
ことを特徴とする再生針アセンブリ。