【事件の表示】
　平成　３年特許願第２６６１１２号「マスク修正方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月３０日出願公開、特開平　５−１０７７４２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本願は、平成３年１０月１５日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、次のとおりである。
「半導体集積回路製造工程等で用いられるマスクの修正方法において、実際に描画された被修正マスクから得られたパターンデータと、描画データからデータ変換して得られた検査用パターンデータとを比較して被修正マスクの欠陥部の検出を行い、当該欠陥部の欠陥部位置情報を抽出すると共に、前記検査用パターンデータから欠陥部に対応する部分近傍のパターンデータを修正時に使用するモニタ画面に対して適当な大きさに切り出し、切り出されたパターンデータから欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報を抽出作成し、前記欠陥部位置情報と、前記欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報とに基づいて、マスクパターン修正時に使用するモニタ画面に表れた被修正マスクのＳＩＭ像又は２次電子像に位置合わせして前記欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭を重畳して表示し、この表示に基づいて、白欠陥の場合はイオンビーム・アシスト・ケミカル・ベーパー・デポジションにより遮光材を補充し、黒欠陥の場合はイオン・ビーム・スパッタエッチングにより除去して、欠陥部を修正することを特徴とするマスク修正方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６２−６６２５７号公報（以下、刊行物１という）には、次の事項が記載されている。
・「マスク（２３）面に形成されたパターンと、メモリ媒体（４９）に格納された基準パターンとを合成して表示装置（３４）に表示し、その表示されたパターン（３５）の欠陥部領域をライトペン（３６）で指定検出し、その検出信号を中央処理装置（２６）に入力することにより、該中央処理装置（２６）からマスクのパターン修正に必要な修正データが出力され、その修正データによりイオンビーム偏向制御回路（２７）とステージ制御装置（２８）が制御されて、該パターン欠陥部領域を修正することを特徴とするマスクのパターン修正方法。」（特許請求の範囲）
・「本発明は、マスク修正方法に係り、特にマスクパターンの欠陥部の正確な検出とその修正に関するものである。近時、半導体装置をはじめ多くのデバイスで高精度且つ緻密なパターンが要求されているが、通常、これらのパターン形成にはパターニングがなされたマスクを用いて露光が行われる。」（公報第１頁右下欄第１１〜１７行）
・「［従来の技術］　第３図は、従来のマスクパターンの欠陥部の検出と修正を行うイオンビーム装置のブロック図である。イオンビーム室１内にステージ２があり、その上に修正がなされるマスク３が載置されている。マスクの基板は通常ガラスであり、その表面に被膜されたクロム膜にパターニングがなされているが、マスクのパターンの表示をするには、マスクのパターン面をイオンビーム源４からのイオンビーム（矢印で示す）を偏向板５で走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出装置６で検出してマスクのパターン７をＣＲＴ８に表示する。表示されたマスクパターン７を目視によって検査し、例えばパターンに欠陥部Ｄがあると、この部分をライトペン９によってアドレスして読出しを行ない、得られた位置情報やパターンの欠陥の状態をＣＰＵ１０に入力して、この欠陥部を修正するためのビーム制御回路１１とステージ制御装置１２によって、マスクパターンの欠陥部とビーム照射の位置合わせが行われ、しかる後にイオンビームの適切な制御によりパターン欠陥部の修正がなされていた。従来のパターンの欠陥部の修正方法として、例えばマスクのパターンを形成する遮光膜の一部に欠陥部が存在する時には、その部分に有機物を被着した後、その有機物にイオンビームを投射して加熱し、有機物を炭化してカーボン膜を形成して遮光膜の代用にする方法や、或いはその欠陥部分のある基板にイオンビームを投射して、その欠陥部に回折格子を形成し、露光光線は透過はするが回折するために、ウエハ表面には投影されないという方法も採用されている。反対に、マスク面の光透過領域に遮光膜が余分に被着している場合には、その遮光膜にイオンビームを投射し、遮光膜を溶解して除去する方法が採用される。」（公報第２頁左上欄第１６行〜左下欄第１２行）
・「［実施例］　第１図はマスクの欠陥領域を修正するイオンビーム装置とブロック図である。イオンビーム装置室２１内のステージ２２に載置された被修正用のマスク２３があり、イオンビーム源２４からイオンビームが矢印のように投射されるものとし、そのイオンビームは偏向板２５によって偏向されるようになっている。外部にはＣＰＵ２６があり、このＣＰＵ２６からの出力信号によって、イオンビーム偏向制御回路２７とステージ制御回路２８が作動して、マスクパターンの欠陥部を修正することができる。被修正用のマスクのパターンは、従来と同様に、マスクのパターン面をイオンビーム源２４からのイオンビームで走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出装置２９で検出してマスクのパターン３０をＣＲＴ３１に表示するが、パターンには欠陥部Ｄがあるものとする。またＣＰＵ２６には、パターンの欠陥部の位置等が明確にされた（第２図で説明する）基準パターンがメモリされていて、このメモリの出力が基準パターン３２をＣＲＴ３３に表示する。ＣＲＴ３４は、欠陥部のあるパターン３０と基準パターン３２の合成パターン３５を表示したものであるが、合成パターンでは欠陥部が基準パターンと合成されているために、欠陥領域Ｄ’が明確に表示されるために、欠陥部を修正する際には、ライトペン３６をその欠陥部のある領域のみを正確にアドレスすればよく、何等判断を必要としない。従って、あとはＣＰＵが、修正に必要なデータのみを抽出して出力させ、それによってイオンビーム装置のイオンビーム偏向制御回路２７とステージ制御回路２８が作動して、マスクの欠陥部に前記のカーボンの形成、回折格子の形成、または遮光膜の溶解等の適切な修正が行なわれる。第２図は、ＣＰＵに入力される基準マスクのデータを作成する方法を示すブロック図である。マスク検査台４１上に、マスク４２が載置され、そのマスクのパターンを、テレビカメラ４３で撮像して、ＣＲＴ４４上にマスクのパターン４５が表示されると共に、このパターンは比較回路４６に入力される。一方、マスクの基準パターンを格納してあるメモリ回路４７があり、ここから基準パターンのデータが比較回路４６に同様に入力されて、双方のパターンが比較照合され、例えばマスクパターン４５に、パターンの欠陥部Ｄがあるとすると、比較回路ではパターン欠陥部がパターン全体のどの位置に発生しているか、それらの欠陥の大小、欠陥の種類が判別され、これらの結果は欠陥部検出装置４８に入力され、更にそれらのデータはメモリ媒体４９に格納された後、第１図のＣＰＵ２６に入力されることになる。従ってマスクを修正する際には、このメモリ媒体４９のデータに基づき、欠陥位置が極めて迅速に検出され、直ちに修正作業にかかることができ、効率化を計ることができる。」（公報第３頁左上欄第１６行〜右下欄第１２行）
　以上の記載事項において、「マスクのパターン面をイオンビーム源２４からのイオンビームで走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出装置２９で検出してマスクのパターン３０をＣＲＴ３１に表示する」と記載される構成は、マスクの二次電子像をＣＲＴに表示する構成であり、また、「マスクのパターンを形成する遮光膜の一部に欠陥部が存在する時」は白欠陥の場合を、「マスク面の光透過領域に遮光膜が余分に被着している場合」は黒欠陥の場合を意味することは、明かであるから、刊行物１には、
「半導体装置の露光に用いられるマスクの修正方法において、マスクから得られたパターンと、マスクの基準パターンとを比較してマスクの欠陥部の検出を行い、当該欠陥部の位置を判別すると共に、前記欠陥部の位置に基づいて、マスクのパターンの修正時に使用するＣＲＴに、マスクから発生する二次電子及び反射イオンを検出して得られたマスクのパターンと、前記マスクの基準パターンを合成して表示し、この表示に基づいて、白欠陥の場合は、その部分に有機物を被着した後、その有機物にイオンビームを投射して加熱し、有機物を炭化してカーボン膜を形成して遮光膜の代用にし、黒欠陥の場合は、その遮光膜にイオンビームを投射し、遮光膜を溶解して除去することにより、マスクの欠陥部を修正することを特徴とするマスク修正方法。」
なる発明（以下、引用発明という）が記載されていると認められる。
　
（２）当審における拒絶の理由で引用した特開平２−１６１４３４号公報（以下、刊行物２という）には、次の事項が記載されている。
・「単位図形の集合からなるパターン描画用露光データから作成されたパターン照合検査データと欠陥マスクパターンとを照合して欠陥を含む単位図形を求め、前記パターン描画用露光データから欠陥を含む前記単位図形に対応する部分を取出して作成した欠陥修正用露光データにより欠陥ホトマスクを露光し修正することを特徴とするホトマスク欠陥修正方法。」（特許請求の範囲）
・「〔実施例〕　以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明する。第１図は実施例の欠陥修正用露光データを作成するまでを示している。第１図（ａ）はパターン描画用露光データ１１で、矩形の単位図形（以下単位矩形という）の集合として形成されている。第１図（ｂ）はパターン照合工程で、パターン描画用露光データ１１から、パターン照合検査データ１２を作成し、パターン照合検査装置（図示されていない）のファイルに格納しておき、被検査ホトマスク１３のパターンを逐次照し合わしパターン形状の検査を行なう。」（公報第２頁左上欄第１９行〜同右上欄第１１行）
　これらの記載事項から、刊行物２には、パターン描画用露光データから得られたパターン照合検査用データと、被検査ホトマスクのパターンを照合して欠陥検査を行う方法が記載されていると認められる。
　
（３）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６０−１０３６１６号公報（以下、刊行物３という）には、次の事項が記載されている。
・「１．パターン設計データから仮想的に得られた仮想パターンと、そのパターン設計データに基づいて製造された検査対象物を相対的に走査する撮像装置により得られた実パターンとを比較することにより欠陥を検出する欠陥検査方法において、前記走査速度をパターン密度が高い区間では相対的に遅めることを特徴とする欠陥検査方法。」（特許請求の範囲）
・「半導体装置の製造において使用されるホトマスク（レチクルを含む。以下、マスクという。）のパターンについての外観欠陥検査を行う方法として、パターン設計データから仮想的に作り出される仮想パターンと、このデータから製造されたマスクの実パターンとを比較し、両者の相違する箇所を欠陥として判定する方法が考えられる。」（公報第１頁右下欄第７〜１３行）
・「２値化回路７の出力端には実パターンメモリ８が接続され、このメモリ８はＣＣＤ５の撮像信号によって得られたマスク１上のパターン（以下、実パターンという。）に関する情報を記憶するようになっている。実パターンメモリ８の出力端は欠陥判定回路９の一入力端に接続され、欠陥判定回路９の出力端には欠陥メモリ１０が接続されている。１１は検査用磁気テープであり、前記マスク１のパターンを作成するために使用されたパターン設計データを欠陥検査用に編成し直されてなる検査データが記録されている。このテープは、磁気記録再生装置１２により再生される。磁気記録再生装置１２にはバッファメモリ１３が接続され、このメモリ１３の出力端は仮想パターン作成装置１４に接続されている。この作成装置１４は磁気テープ１１から再生された欠陥検査用のデータにより仮想的なパターン（以下、仮想パターンという。）を作り出し、そのパターンの信号を仮想パターンメモリ１５に出力するようになっている。仮想パターンメモリ１５の出力端は前記欠陥判定回路９の他の入力端に接続されている。欠陥判定回路９は比較回路等からなり、前記実パターンと仮想パターンとを比較し、両者に相違する箇所があった場合に欠陥と判定するように構成されている。」（公報第２頁左下欄第２行〜同右下欄第７行）
　これらの記載事項から、刊行物３には、パターン設計データから得られた仮想パターンと、実パターンを照合して欠陥検査を行う方法が記載されていると認められる。
　
（４）当審における拒絶の理由で引用した特開昭５３−１４８３９０号公報（以下、刊行物４という）には、次の事項が記載されている。
・「検査すべきパターンが存在する領域を走査して該パターンに対応するデジタル信号を得、任意の点と該点の周囲の点の状態を検査することにより高レベルビットを中心とし周囲に少くとも１個の低レベルビットを有する第１の輪郭情報と低レベルビットを中心とし周囲に少くとも１個の高レベルビットを有する第２の輪郭情報を検出し、該第１および第２の輪郭情報を合成することにより前記パターンに存在する欠陥を判定しうることを特徴とするパターン検査法。」（特許請求の範囲）
・「本発明はパターンの輪郭情報を検出しそれが欠陥であるか非欠陥であるかを簡単に判定しうるパターン検査法に関するものである。半導体集積回路（ＩＣ）を製造する場合、たとえばウエハ上にＩＣマスクを通して光または電子ビームを照射し露光してパターンを形成するが、このＩＣマスクのパターンに欠陥があるかどうかを予め検査することが重要である。」（公報第１頁左下欄第１６行〜同右下欄第３行）
・「第１図は本発明のパターン検査法を実現するための装置の１例である。本発明のパターン検査法によるパターン情報の取得系としては、同図の破線内１０で示す走査形電子顕微鏡（ＳＥＭ）により行われる。・・このようにサンプリングされた２値化信号を輪郭線抽出回路１４に送出して輪郭線情報を検出する。」（公報第２頁左上欄第５行〜右上欄第５行）
　これらの記載事項から、刊行物４には、マスクのパターンの検査法において、パターンの輪郭線情報を抽出して欠陥を検出する方法が記載されていると認められる。
　
（５）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６１−１４０８０４号公報（以下、刊行物５という）には、次の事項が記載されている。
・「１．検査対象パターンを検出するパターン検出手段と、該パターン画像信号を２値化する２値化手段と、該２値パターン画像信号からパターン輪郭線を抽出するパターン輪郭線抽出手段と、該パターン輪郭線画像信号からパターン幅を測定するパターン幅測定手段と、該パターン幅信号を設計データまたは別検査対象パターンのパターン幅信号と比較してその差が基準値よりも大きい場合に欠陥と判定するパターン比較判定手段とからなるパターン検査装置。」（特許請求の範囲）
・「本発明は半導体回路、ＬＳＩウエハ、ホトマスク、プリント基板などのパターンの欠陥を自動検査するパターン検査装置に関する。」（公報第１頁右下欄第１０〜１２行）
・「本発明は、従来の半導体回路などのパターン検査方式では設計データもしくはもう１つの実パターンとの不一致部分の面積もしくは長さにより欠陥判定を行なっているが、しかし本来の欠陥判定基準はパター欠けがなくパターン幅が設計値どうりにできているかどうかで決まることに着目し、パターン画像からパターン輪郭線を抽出してパターン幅を測定し、これを設計データもしくは他の実パターンと比較することにより、従来方式による欠陥の見落しや誤検出をなくするようにしたパターン検査装置である。」（公報第２頁右上欄第１３行〜同第左下欄第３行）
　これらの記載事項から、刊行物５には、ホトマスクのパターン検査方法において、パターンの輪郭線を抽出して欠陥検査を行う方法が記載されていると認められる。
　
（６）当審における拒絶の理由で引用した特開昭５３−７１５６３号公報（以下、刊行物６という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明は半導体工業において用いるマスクの自動検査方法に関する。」（公報第１頁右下欄第１９〜２０行）
・「ここで、欠陥判定アルゴリズムについて第５図を用いて簡単に説明しておく。まず、欠陥を認識する方法には微小パターン比較法、境界線比較法等がある。今、上段中央の図が正常パターンとし、上段左図が３つの欠陥部３５，３６，３７を有する不良パターンとすると、微小パターン比較法では設計パターンの最小パターン幅以下の微小部分を検出して、図中、中段の中央図および左図を得る。つぎに、これらの微小検出結果を比較し、共通部を除いて一方にのみある微小部を得る。この微小部は中段右図のように検出される。そして、これらが欠陥部として認識される。また、境界線比較法ではパターンの黒，白の境界つまり輪郭を検出し、一方のパターンにのみ存在する境界を取り出すことによって下段右図で示すように欠陥パターンを得ることになる。」（公報第３頁右下欄第１３行〜第４頁左上欄第８行）
・第５図には、境界線比較法として、欠陥を含むマスクと良品マスクの境界（輪郭）を比較することにより、欠陥を検出する方法が記載されている。
　これらの記載事項から、刊行物６には、マスクの欠陥検査方法において、マスクのパターンの輪郭により欠陥を検査する方法が記載されていると認められる。
　
（７）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６２−１７４７６５号公報（以下、刊行物７という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明は半導体素子製造用のホオトマスクやレチクル（以下単にマスクという）のパタン欠損部（以下白色欠陥部という）にガス銃により有機化合物蒸気を吹き付け、同時にイオンビームを走査して繰り返し照射し、白色欠陥部に吸着した有機化合物分子をポリマー化又は炭化し、遮光性の膜を付け（以下この操作を単に補修という）白色欠陥を補修し又、パターン余剰部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエッチングにより黒色欠陥部を補修する装置（以下黒色欠陥部という）に関する。」（公報第１頁右下欄第５〜１５行）
・「従来から第４図に示すようなマスクリペア装置が知られていた。１はイオン源であってイオンビーム２を発する。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットをＸＹ平面上でラスタスキャンする。４はガス銃であってマスクの基板５の表面に配設された金属パタン６の欠陥部すなわち白色欠陥部７に有機化合物蒸気８を吹き付ける。９は補修範囲であって白色欠陥７を含み、この範囲でイオンビーム２が繰り返し走査照射される。その結果遮光性の補修が行われマスクの白色欠陥７の補修が行われる。又更に黒色欠陥部（クレームの追加）はイオンビームを走査させながら、繰り返しスパッタエッチングにより黒色欠陥部を除去する。」（公報第２頁左上欄第１７行〜同右上欄第１０行）
　これらの記載から、刊行物７には、マスクの補修方法において、白色欠陥をイオンビーム・アシスト・ケミカル・ベーパー・デポジションにより、黒色欠陥をイオンビーム・スパッタエッチングにより補修する方法が記載されていると認められる。
　
（８）当審における拒絶の理由で引用した特開平３−１５０６８号公報（以下、刊行物８という）には、次の事項が記載されている。
・「荷電粒子発生源からイオンを発生し、荷電粒子光学系により前記イオンを細く絞ってイオンビームにし該イオンビームを走査させながら試料表面に形成されたパターンの欠陥位置に照射し、前記パターンの余計な部分をスパッタにより除去する工程と、更に荷電粒子発生源からイオンを発生し、荷電粒子光学系により前記イオンを細く絞ってイオンビームにし該イオンビームを走査させながら試料表面に形成されたパターンの欠陥位置に照射し、前記イオンビーム照射位置と有機ガスを吹き付けるためのノズルの先端の距離を５ｍｍ以下とし前記欠陥のうち欠損欠陥へ前記イオンビーム照射領域に有機ガスをイオンビーム照射と同時に集中的に吹き付けて、前記パターンの欠損欠陥を追加修正する工程よりなることを特徴とするパターン修正方法。」（特許請求の範囲）
・「半導体製造工程において用いられるマスクおよびレチクルは、パターンを露光し、エッチングすることにより製造されるが、この際パターンの欠陥には２種類あり、１つは削られるべき所が残ってしまったもので、もう１つは残るべき所が削られてしまったものである。」（公報第１頁右下欄第９〜１４行）
　これらの記載事項から、刊行物８には、マスクの修正方法において、白色欠陥をイオンビーム・アシスト・ケミカル・ベーパー・デポジションにより、黒色欠陥をイオンビーム・スパッタエッチングにより補修する方法が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　引用発明の「半導体装置の露光に用いられる」、「マスクから得られたパターン」、「マスクの基準パターン」、「当該欠陥部の位置を判別する」、「ＣＲＴ」、「マスクから発生する二次電子像及び反射イオンを検出して得られたマスクのパターン」、「合成して表示し」が、それぞれ、本件発明の「半導体集積回路製造工程等で用いられる」、「実際に描画された被修正マスクから得られたパターンデータ」、「検査用パターンデータ」、「当該欠陥部の欠陥部位置情報を抽出する」、「モニタ画面」、「被修正マスクのＳＩＭ像または２次電子像」、「重畳して表示し」に相当し、また、引用発明の、「マスクパターンの修正時に使用するＣＲＴに、マスクから発生する二次電子像及び反射イオンを検出して得られたマスクのパターンと、前記マスクの基準パターンを合成して表示」する構成において、「マスクから発生する二次電子像及び反射イオンを検出して得られたマスクのパターン」と、「前記マスクの基準パターン」を「合成して表示」する際に、両者を位置合わせすることは当然であるから、
　引用発明と本件発明は、
「半導体集積回路製造工程等で用いられるマスクの修正方法において、実際に描画された被修正マスクから得られたパターンデータと、検査用パターンデータとを比較して被修正マスクの欠陥部の検出を行い、当該欠陥部の欠陥部位置情報を抽出すると共に、マスクパターン修正時に使用するモニタ画面に表れた被修正マスクのＳＩＭ像または２次電子像に位置合わせして検査用パターンデータを重畳して表示し、この表示に基づいて、白欠陥、黒欠陥を、それぞれ修正することを特徴とするマスク修正方法。」で一致し、
（１）本件発明では、「描画データからデータ変換して得られた検査用パターンデータ」であるのに対して、引用発明では、単に「マスクの基準パターン」であり、どのように得られたパターンであるかは不明である点、
（２）本件発明では、「前記検査用パターンデータから欠陥部に対応する部分近傍のパターンデータを修正時に使用するモニタ画面に対して適当な大きさに切り出し、切り出されたパターンデータから欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報を抽出作成し、」「前記欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報とに基づいて、」「前記欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報を重畳して表示」する構成であるのに対して、引用発明では、「マスクの基準パターンを合成して表示」する構成である点、
（３）本件発明と引用発明では、白欠陥、黒欠陥の具体的な修正方法が異なる点
で相違する。
　
　以下、上記相違点（１）、（２）、（３）について検討する。
（１）について
　マスクの欠陥検査に使用する検査用パターンデータを、パターン描画用露光データあるいはパターン設計データから作成する、すなわち、描画データからデータ変換して得る構成は、刊行物２、３に示されるように公知であるから、引用発明の「マスクの基準パターン」を、描画データからデータ変換して得るようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（２）について
　まず、本件発明の、「前記検査用パターンデータから欠陥部に対応する部分近傍のパターンデータを修正時に使用するモニタ画面に対して適当な大きさに切り出」す構成について、引用発明に、このような構成は明記されていないが、マスクの基準パターンをＣＲＴに表示する際に、マスクの基準パターンから、ＣＲＴが表示できる範囲に対応した大きさの部分を切り出すことは、当然の設計にすぎない。
　次に、本件発明の、「欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報を抽出作成し、」「前記欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報とに基づいて、」「前記欠陥部近傍のあるべきパターン輪郭情報を重畳し
て表示」する構成について、引用発明では、「マスクの基準パターン」から輪郭を抽出して、ＣＲＴに合成表示する構成ではない。しかし、マスクパターンの欠陥検査において、パターンの輪郭を抽出して欠陥検査に用いることは、刊行物４〜６等に示されるように周知であり、また、引用発明の、「マスクのパターンの修正時に使用するＣＲＴに、マスクから発生する二次電子及び反射イオンを検出して得られたマスクのパターンと、前記マスクの基準パターンを合成して表示」して、欠陥検査を行う方法において、「マスクから発生する二次電子及び反射イオンを検出して得られたマスクのパターン」、「前記マスクの基準パターン」の少なくとも１つを、該パターンから得られる輪郭情報として、ＣＲＴに合成表示することを阻害する要因はない。すると、引用発明の、「前記マスクの基準パターン」を、該パターンから得られる輪郭情報に換えることは、当業者が容易になし得ることである。
　また、刊行物１に、「合成パターンでは欠陥部が基準パターンと合成されているために、欠陥領域Ｄ’が明確に表示される」（公報第３頁右上欄第２０行〜同左下欄第２行）と記載されるように、また、他に、特開昭６１−１０２７３６号公報に、基準パターンと被修正パターンを合成表示する構成において、欠陥部が明確に表示される効果を奏すること（公報第２頁右下欄第１２〜２０行、第４頁右下欄第９行〜第５頁左上欄第１２行）が記載されるているように、２つのパターンを重畳表示する構成において、欠陥部が正確に認識されるという効果は、当然に必要な効果にすぎないと認められる。そして、本件発明について、出願人が主張する、欠陥部の正確な形状認識ができるという効果が、前記当然に必要な効果以上の格別なものであるとは認められない。
（３）について
　マスクの欠陥修正方法として、白色欠陥をイオンビーム・アシスト・ケミカル・ベーパー・デポジションにより、黒色欠陥をイオンビーム・スパッタエッチングにより修正する方法は、刊行物７、８に示されるように周知であり、引用発明の、白色欠陥、黒色欠陥の修正方法に代えて、周知の修正方法を採用することに、何ら困難なものはない。
　
　したがって、本件発明は、刊行物１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。