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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  液晶ディスパーションディスプレイであって、
ａ）現像された銀結晶を含み、また、光を透過させるための複数の第１開口部を有する、不透明な第１導電性層、
ｂ）不透明な第１導電性層上に位置する、バインダー内に分散された液晶を有する水透過性被覆層、
ｃ）不透明な第１導電性層の部分上で被覆されてそれと同じ広がりを有するように現像された銀結晶を含み、第１開口部からずれた第２開口部を有するように形成された、不透明な第２導電性層、および
ｄ）ディスプレイにおいて、第１開口部を通過した光が、第１状態において第２導電性層により吸収され、第２状態において光が散乱して第２開口部を通過して出る、分散した液晶の変化を生じさせるために、第１導電性層と第２導電性層との間で電位を変える手段
を有して成る液晶ディスパーションディスプレイ。
【請求項２】  液晶ディスパーションディスプレイであって、
ａ）現像された銀結晶を含み、また、光を透過させるための複数の第１開口部を有する、不透明な第１導電性層、
ｂ）不透明な第１導電性層上に位置する、バインダー内に分散された液晶を有する層、
ｃ）不透明な第１導電性層の部分上で被覆されてそれと同じ広がりを有するように現像された銀結晶を含み、第１開口部からずれた第２開口部を有するように形成された、不透明な第２導電性層、および
ｄ）ディスプレイにおいて、第１開口部を通過した光が、第１状態において第２導電性層により吸収され、第２状態において光が散乱して第２開口部を通過して出る、分散した液晶の変化を生じさせるために、第１導電性層と第２導電性層との間で電位を変える手段
を有して成る液晶ディスパーションディスプレイ。
【請求項３】  液晶ディスパーションディスプレイであって、
ａ）第１波長の光に露光した現像銀結晶を含み、光を透過させる複数の第１開口部を有する不透明な第１導電性層、
ｂ）不透明な第１導電性層上にあり、バインダー内に分散した液晶を有する水透過性層、
ｃ）不透明な第１導電性層の部分上で被覆されてそれと同じ広がりを有し、第１開口部からずれた第２開口部を有するように形成され、第２波長の光に露光した現像銀結晶を含む、不透明な第２導電性層、
ｄ）ディスプレイにおいて、第１開口部を通過した光が、第１状態において第２導電性層により吸収され、第２状態において光が散乱して第２開口部を通過して出る、分散した液晶の変化を生じさせるために、第１導電性層と第２導電性層との間で電位を変える手段、および
ｅ）第１導電性層または第２導電性層のいずれかに取り付けられた可撓性の透明支持体
を有して成る液晶ディスパーションディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】樹脂ブラックマトリックスの基板に対する密着強度が１０ＭＰａ以上であ
って該樹脂ブラックマトリックスのガラス転移温度が３００℃以下であることを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項２】樹脂ブラックマトリックスの光学濃度が波長４３０〜６４０ｎｍの可視光域において３．０以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項３】樹脂ブラックマトリックスの厚みが０．３μｍから２μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項４】樹脂ブラックマトリックスが顔料を分散させてなる樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項５】樹脂ブラックマトリックス中にカーボンブラックを分散させてなる樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項６】カーボンブラックの一次粒子径が４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項７】カーボンブラック１００ｇ当たりのジブチルフタレート吸収量が２００立方センチメートル以下であることを特徴とする請求項５〜６のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項８】樹脂ブラックマトリックスが金属酸化物を分散させてなる樹脂からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項９】金属酸化物の一次粒子径が５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１０】樹脂ブラックマトリックスがポリイミド系高分子を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１１】ポリイミド系高分子が脂肪族エーテル結合または脂環族エーテル結合を含む分子骨格を有するポリアミック酸を硬化することによって得られるものであることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１２】樹脂ブラックマトリックス上にオーバーコート膜を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１３】液晶表示装置用基板が画素を有するカラーフィルターであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１４】樹脂ブラックマトリックス上にパターニングされたスペーサーを有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置用基板。
【請求項１５】請求項１〜１４のいずれかに記載の液晶表示装置用基板を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】液晶の駆動が、一方の液晶表示装置用基板上に形成されたストライプ状の電極間に形成される電界によってなされることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】シール剤が樹脂ブラックマトリックスに掛かるように塗布されていることを特徴とする請求項１５〜１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１８】シール剤が樹脂ブラックマトリックスに掛かる幅が１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は次の構成を有する。
基板上に樹脂ブラックマトリックスを形成してなる液晶表示装置用基板において、樹脂ブラックマトリックスの密着強度が１０ＭＰａ以上であって該樹脂ブラックマトリックスのガラス転移温度が３００℃以下であることを特徴とする液晶表示装置用基板、およびこれを有する液晶表示装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２以上の画像のそれぞれについての特徴点を抽出する特徴抽出工程と、
上記２以上の画像のうち、一の画像と他の画像との特徴点を比較してマッチングを行うマッチング工程と、
上記マッチング工程の結果に基づいて、上記一の画像と上記他の画像との位置関係を変化させるように演算を行う演算工程とを備えること
を特徴とする画像処理方法。
【請求項２】  ２以上の画像のそれぞれについての特徴点を抽出する特徴抽出手段と、
上記２以上の画像のうち、一の画像と他の画像との特徴点を比較してマッチングを行うマッチング手段と、
上記マッチング手段によるマッチングの結果に基づいて、上記一の画像と上記他の画像との位置関係を変化させるように演算を行う演算手段とを備えること
を特徴とする画像処理装置。
【請求項３】  上記２以上の画像の少なくとも一部を重複させる重複手段を備え、
上記特徴抽出手段は、上記重複手段により上記２以上の画像の少なくとも一部を重複させて形成される重複部分とその近傍に位置する特徴点を優先的に抽出すること
を特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】  上記マッチング手段は、ハウスドルフマッチングを行うことによって、上記２以上の画像を合成すること
を特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項５】  上記マッチング手段は、ボトルネックマッチングを行うことによって、上記２以上の画像を合成すること
を特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項６】  上記演算手段は、上記マッチング手段によるマッチングの結果に基づいて、上記一の画像及び／又は上記他の画像とを空間上で転移及び／又は回転移動させ、上記一の画像と上記他の画像との位置関係を変化させるように演算を行うこと
を特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項７】  上記演算手段は、アフィン変換又は遠近関係の調整を行って、上記一の画像と上記他の画像との位置関係を変化させるように演算を行うこと
を特徴とする請求項６記載の画像処理装置。
【請求項８】  上記マッチング手段は、上記一の画像についての特徴点群と、上記他の画像についての特徴点群との共通点集合のうち、最大の共通点集合を検出すること
を特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項９】  上記マッチング手段は、上記一の画像についての特徴点群を構成する特徴点と、上記他の画像についての特徴点群を構成する特徴点とのそれぞれについての距離を全て計算し、計算して得た上記一の画像についての特徴点群を構成する特徴点に関する距離と、上記他の画像についての特徴点群を構成する特徴点に関する距離との共通距離のうち、最小反復距離数を有するものを選択し、上記最小反復距離数の２倍の個数の全ての位置についてテストを行うことによって、上記最大の共通点集合を検出すること
を特徴とする請求項８記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】Ｎビット幅（Ｎは少なくとも３以上）でデータが入力されるデータ復調回路であって、１クロック入力ごとにＮビット上位シフトすると同時に、下位Ｎビットに前記Ｎビット幅のデータがロードされるＭビット幅のシフトレジスタ（Ｍ、Ｎは、Ｍ＞Ｎの関係を満たす整数）と、
前記シフトレジスタのうち、特定位置の同期符号幅に対応した複数ビットを入力として同期符号を検出するＮ個の同期符号検出手段と、
前記Ｎ個の検出手段のうちどの検出手段で同期符号が検出されたかを記憶するＮ状態の記憶手段と、
前記Ｎ状態の状態値に応じて前記シフトレジスタの異なるビット位置からＫビット（Ｋは、Ｍ≧Ｋの関係を満たす整数）を抽出するデータ選択手段と、
前記Ｋビットから復調データを得る復調手段により構成され、
前記Ｎ個の同期符号検出手段の入力は、前記シフトレジスタに各々１ビットずつ取り出し位置を変えて接続されていることを特徴とするデータ復調装置。
【請求項２】Ｎ＝４，Ｋ＝３２である請求項１記載のデータ復調装置。
【請求項３】Ｎ＝３，Ｋ＝２４である請求項１記載のデータ復調装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来のデータ復調装置について説明する。データの変復調において、使用する変復調符号は発明の本質と関係ないが、ここでは説明の都合上、８−ｔｏ−１６、ＲＬＬ（２，１０）符号について説明する。以降この符号を用いた変調を（８−ｔｏ−１６）変調と略記する。（８−ｔｏ−１６）変調は、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）に用いられている変調符号で、詳細については、Ｓｔａｎｄａｒｄ
ＥＣＭＡ−２６７（Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  １９９７）１２０ｍｍＤＶＤ−Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｄｉｓｋ規格に記載されている。この規格のｐ３０には同期符号（ＳＹＮＣ）が、
ＡｎｎｅｘＧには８ｂｉｔから１６ｂｉｔへの変換表が記載されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ところが、近年の装置性能の向上に伴って入力データおよびその入力データに対応するチャネルクロックの速度は格段に高速化されてきている。例えば１倍速のＣＤ−ＲＯＭ装置では、復調装置の入力データのチャネルクロック周波数は約４．３ＭＨｚであるが、１０倍速のＤＶＤ−ＲＯＭ装置では、２６０ＭＨｚにも達する。通常、デジタルＩＣとして安定に入出力できる速度は、プロセスにもよるが、５０〜１００ＭＨｚ程度なので、実質的な転送速度を確保しつつ高速化に対応するための手段として、上記信号処理ＩＣとデジタルＩＣとの間の結合にパラレルインタフェースを用いて、多ビットで入出力する構成にして、信号線１本あたりのクロック速度を下げる必要がある。この場合、パラレルインタフェースのビットの区切りと、同期符号の挿入位置は必ずしも送出側で管理されているとは限らない。例えば、４ビット幅のパラレルインタフェースを定義した場合、同期符号が、４ビット中の１ビット目から始まる場合と２ビット目から始まる場合と３ビット目から始まる場合と４ビット目から始まる場合があり、データ中のビットスリップなどにより、データ復調途中でも予測不可能に同期符号の挿入位置が変化する。従来のデータ復調装置そのままでは、上記のような同期符号の挿入位置が不規則に変化するパラレルデータ入力に対して、同期位置が定まらず、正確な復調動作が不可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定のシーケンスを維持しながら、最終ステージの出力端が最初のステージの入力端に接続されているｎ個の記憶ステージを備えた循環ＦＩＦＯ記憶装置により、前記所定のシーケンスでサンプリングされたＮ個のチャンネルからプロセッサへデータを転送するための方法であって、
ａ）ＦＩＦＯ記憶装置へのデータの書き込み操作ごとに、最後に書き込みされた記憶ステージを指定する値に書き込みポインタ（ＳＺ）をセットする工程と、
ｂ）ＦＩＦＯ記憶装置（３０）からのデータの読み出し操作ごとに、その後読み出すべき記憶ステージを指定する値に読み出しポインタ（ＬＺ）をセットし、読み出しプロセスが常にｉ×Ｎ個（ここでｉは整数であり、ｉ×Ｎ＜ｎである）の記憶ステージからのデータの読み出しを含む工程と、
ｃ）トリガーポインタ（ＴＺ）を値ｊ×Ｎ（ｊは整数であり、ｊ×Ｎ＜ｎかつｉ≦ｊである）にセットする工程と、
ｄ）書き込みプロセス後、書き込みポインタ（ＳＺ）の値がトリガーポインタ（ＴＺ）の値以上であれば、読み出し操作を認める工程と、
ｅ）各読み出し操作後、トリガーポインタ（ＴＺ）の値をｉ×Ｎの１つのトリガーステップ（ＴＳ）だけ増加する工程と、
ｆ）書き込みポインタ（ＳＺ）の値が読み出しポインタ（ＬＺ）の値に達すると、読み出しポインタ（ＬＺ）の値およびトリガーポインタ（ＴＺ）の値をＮだけ増加する工程とを実施する、データを転送するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月4日(2006.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
信号／ＣＳが活性化されている間は、クロックの立上がりエッジにてコマンドが認識される。データマスク信号ＤＭ０〜ＤＭ３は、リード時にデータの無効を示す場合には、半導体記憶装置側からコントローラＩＣへと伝達され、一方、ライト時にデータの無効を示す場合は、コントローラＩＣ側から半導体記憶装置へと伝達される。データ入出力信号ＤＱ８個ごとに１個のデータマスク信号ＤＭが割当られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
出力回路５１９は、内部信号ＣＯ１とクロック信号ＳＣＬＫとを受けるＮＡＮＤ回路５２０と、ＮＡＮＤ回路５２０の出力を受けて反転しセレクト信号Ｃ１を出力するインバータ５２２と、内部信号ＣＯ２とクロック信号ＳＣＬＫを受けるＮＡＮＤ回路５２４と、ＮＡＮＤ回路５２４の出力を受けて反転しセレクト信号Ｃ２を出力するインバータ５２６と、内部信号ＣＯ３とクロック信号ＳＣＬＫとを受けるＮＡＮＤ回路５２８と、ＮＡＮＤ回路５２８の出力を受けて反転しセレクト信号Ｃ３を出力するインバータ５３０と、内部信号ＣＯ４とクロック信号ＳＣＬＫとを受けるＮＡＮＤ回路５３２と、ＮＡＮＤ回路５３２の出力を受けて反転しセレクト信号Ｃ４を出力するインバータ５３４とを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
０．５クロック後には、データ入出力端子ＤＱ０からは、同様にデータ入出力端子ＤＱ０〜ＤＱ３に通常時には出力される奇数アドレス領域のデータＤＬＯ０が一致検出回路にて縮退されて出力される。同様に、他のデータ入出力端子ＤＱ（４ｉ）からは、データ入出力端子ＤＱ（４ｉ＋１）、ＤＱ（４ｉ＋２）、ＤＱ（４ｉ＋３）に通常時に出力されるデータが縮退されて出力される（ｉは１〜７の自然数）。以降奇数アドレス領域、偶数アドレス領域のデータが交互に読出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
図１９を参照して、一致検出回路ＭＡＴ１１は、信号ＯＤＱ０ａ〜ＯＤＱ３ａを受けるＥＸＯＲ回路Ｅ１１１と、信号ＯＤＱ０ａ、ＯＤＱ４ａ、ＯＤＱ８ａ、ＯＤＱ１２ａを受けるＥＸＯＲ回路Ｅ１１２と、ＥＸＯＲ回路Ｅ１１１、Ｅ１１２の出力を受けるＯＲ回路Ｅ１１３とを含む。ＯＲ回路Ｅ１１３の出力は図１８に示したラッチＬ１に対して出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
メモリアレイからの複数のデータを受ける一致検出回路ＭＡＴ４と一致検出回路の出力信号であるＤＯＵＴをともに受けるラッチＬ１，Ｌ２と、ラッチＬ１、Ｌ２の出力を交互に出力するマルチプレクサＭＰＸと、一致検出回路ＭＡＴ４の出力信号ＢＥＮがＨレベルのときは非活性化されＬレベルのときはマルチプレクサＭＰＸの出力を増幅してデータ入出力端子ＤＱｉに出力する出力バッファＯＢＵＦが設けられる。また、データ読出テストを実行する際には、半導体記憶装置外部において、データ入出力端子ＤＱｉは抵抗Ｒ１１を介して電源電位と結合され、また、データ入出力端子ＤＱｉは、抵抗Ｒ１２を介して接地電位と結合される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３８】
トランスファゲートＴＧ♯０１〜ＴＧ♯０ｎは、信号線ＰＣ０によって活性化され、それぞれフリップフロップＲ♯０１〜Ｒ♯０ｎと読出信号線ＲＬ１〜ＲＬｎとを接続する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９９】
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ６９７、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ６９９のゲートはともに入出力ノードＮＯＡに接続される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ６９６、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ６９８のゲートはともに入出力ノードＮＯＢに接続される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３００】
このデータ縮退回路の動作を簡単に説明すると、入力される信号ＳＩＧ１〜ＳＩＧｎのうち論理レベルがＨレベルである信号の数が偶数であれば出力信号ＯＵＴＡがＨレベルとなり出力信号ＯＵＴＢがＬレベルとなる。一方、入力信号ＳＩＧ１〜ＳＩＧｎのうち論理レベルがＨである信号の数が奇数であれば出力信号ＯＵＴＡはＬレベルに、出力信号ＯＵＴＢはＨレベルになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０４】
したがって、たとえば、４サイクル分の信号をラッチで保持しておき、縮退回路ＲＤＣを通して出力すれば、図４３にてデータ列Ｄ１１のように４サイクルで出力されていたデータを１サイクルにして出力することが可能である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３７】
アドレス固定部９０６＃０は、信号ＨＢＲＥＡＫ０に応じて高電圧が印加されるノードＮＶｇとノードＮＹとの間に接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ９２２と、ノードＮＹとノードＮＸとの間に接続されるヒューズ素子９２４と、信号ＡｄｄＢ０をゲートに受け、ノードＮＸと接地ノードとの間に接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ９２６と、信号ＡｄｄＢ０を受けてレベル変換しＮチャネルＭＯＳトランジスタ９２２のゲートに与えるレベル変換回路９４２と、ノードＮＸが入力に接続され信号ＯＵＢ０を出力するバッファ回路９２８とを含む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３４９】
ラッチ回路９５６は、プリチャージ信号／ＰＣをゲートに受けコモンノードＮＺと電源ノードとの間に接続されるＰチャネルＭＯＳトランジスタ９８２と、コモンノードＮＺが入力に接続され、置換指示信号ＲＥＰＬを出力するインバータ９８６と、コモンノードＮＺと電源ノードとの間に接続され、ゲートに置換指示信号ＲＥＰＬを受けるＰチャネルＭＯＳトランジスタ９８４とを含む。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４６】
2000215693.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４８】
2000215693.tif 000002
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４９】
2000215693.tif 000003
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５１】
2000215693.tif 000004
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６６】
2000215693.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】コネクタ電極が設けられた端子部と、前記端子部の断面周囲に所定間隔をおいて配置されるシールドと、前記端子部とシールドとのそれぞれの基部を収容するとともに、前記端子部とシールドとのそれぞれの先端をその一端から突出させたプラグ本体と、前記シールドの幅方向の一側面から突出される係合爪を先端に備えたロッドとからなり、前記ロッドは前記プラグ本体の一側面に設けられた押圧部を押圧することでその先端の係合爪が突出・突入方向に移動可能とされていることを特徴とするシールドコネクタ。
【請求項２】前記プラグ本体を接続するソケット側のシールドコネクタであって、前記シールドの先端が挿入される挿入口と、前記挿入口の内周面に設けられ、前記係合爪を係合する係合部と、前記挿入口において、前記シールドの先端面に対してコネクタの引抜方向に弾性的に当接された押し当て部材とからなることを特徴とする請求項１記載のシールドコネクタ。
【請求項３】前記押し当て部材は導電性の板バネからなることを特徴とする請求項２記載のシールドコネクタ。
【請求項４】前記挿入口は回路基板に装着するためのソケット本体に設けられており、当該ソケット本体の回路基板への装着側の面には前記押し当て部材と導通されたシールド用電極が設けられていることを特徴とする請求項２記載のシールドコネクタ。
【請求項５】前記押し当て部材が導電性の板バネであり、前記シールド用電極は当該板バネの一端が前記ソケット本体から露出されて設けられたものであることを特徴とする請求項４記載のシールドコネクタ。
【請求項６】前記シールドの幅方向の他側面には当該他側面外方に付勢された突起部を備えている請求項１記載のシールドコネクタ。
【請求項７】前記端子部の外周には導電性シェルが設けられていることを特徴とするプラグ側のシールドコネクタと、前記端子部を収容するガイドスリーブを有し、前記ガイドスリーブの内周には導電性シェルが設けられていることを特徴とするソケット側のシールドコネクタとからなり、各々の導電性シェルのいずれか一方に、他方に対して隆起する隆起部を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載のシールドコネクタ。
【請求項８】前記隆起部は、プラグ側のシールドコネクタとソケット側のシールドコネクタの嵌合状態において外力が生じた際の支点位置に設けたことを特徴とする請求項７に記載のシールドコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明の全ての態様に係る封止パネル装置及び全ての態様に係るその製造方法においてシール部材に開口部を設ける場合、開口部はどのような形態にて設けられてもよいが、パネルの周縁部に沿った方向の一部においてシール部材を切り欠くように設けることが最も実用的である。開口部がシール部材を切り欠くように設けられている場合、接着層による蓋部の接着はシール部材のみに対して行われてもよいが、シール部材を横断し、第１パネルと第２パネルの双方の側面に対して行われることが一層好ましい。但し、かかる開口部を接着層を用いて蓋部で閉鎖しようとすると、シール部材の構成材料と接着層を構成する低融点金属材料との組合せによっては、これら両者が直接接触することが信頼性の観点から好ましくない場合もある。このような場合には、シール部材と接着層との間に何らかの補助的な部材を介在させることが好ましい。典型的には、第１Ａ及び第２Ａの態様に係る封止パネル装置及びその製造方法において、シール部材を構成するフリット・ガラスと接着層を構成する低融点金属材料との直接接触を避けるために、例えば先ず、開口部の周囲にフリット・ガラスから成る補助接着層を用いて貫通孔を有する補助枠体を接着し、この補助枠体の上に接着層を用いて蓋部を接着すればよい。かかる構成においては、第１パネルとシール部材と第２パネルと補助接着層と補助枠体と接着層と蓋部とによって囲まれた空間が真空となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図１に、実施の形態１の封止パネル装置の概念的な構成を示す。図１の（Ａ）は模式的断面図、図１の（Ｂ）は模式的斜視図である。対角画面寸法１４インチを想定して３０ｃｍ×２３ｃｍの矩形形状を有する第１パネル１１と第２パネル１２とは、周縁部においてシール部材２０ａによって接着されている。ここで、シール部材２０ａは厚さ１ｍｍのフリット・ガラスから成る。フリット・ガラスの焼成温度は約４５０°Ｃである。第１パネル１１は、封止パネル装置としての実用上の機能を果たす中央部の有効領域（２８ｃｍ×２１ｃｍ）と、この有効領域の機能を支援するために有効領域を額縁状に包囲する無効領域とを有する。尚、図においては、有効領域及び無効領域を明確化するために、有効領域に斜線を付した。また、シール部材にも明確化のため斜線を付した。無効領域には直径約５ｍｍの円形の開口部１３が設けられている。開口部１３は、接着層３０によって第１パネル１１に接着された蓋部４０により閉鎖されている。接着層３０は低融点金属材料から成り、ここではインジウムから成る内径８ｍｍ、外径１０ｍｍのリングを用いる。インジウムの融点は１５７°Ｃである。つまり、この封止パネル装置においては、シール部材２０ａを構成するフリット・ガラスの焼成温度の方が、接着層３０を構成する低融点金属材料よりも高い。蓋部４０は、直径１５ｍｍ、厚さ１ｍｍの円盤状のガラス板である。蓋部４０と接着層３０と第１パネル１１とシール部材２０ａと第２パネル１２とによって囲まれた空間は、真空（ＶＡＣ）とされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
実施の形態３の封止パネル装置の製造方法を、図７を参照して説明する。焼成条件や真空排気条件は実施の形態１で述べた通りでよく、ここでは実施の形態１と相違する部分を中心に述べる。先ず、図７の（Ａ）に示すように、第１パネル１１及び第２パネル１２の周縁部に、例えばフリット・ガラスから成るシール部材２０ｃを形成する。このとき、開口部１４の形成予定領域を残すようにフリット・ガラスを塗布する。また、開口部１４の周辺には補助接着層３３を形成しておく。補助接着層３３は、シール部材２０ｃと異なる材料を用いて構成してもよいが、シール部材２０ｃと同じくフリット・ガラスを用いて構成することが最も簡便である。なぜなら、シール部材２０ｃを形成する際に、フリット・ガラスを両パネルの外縁部にはみ出すように塗布すれば、補助接着層３３はシール部材２０ｃの延在部分として形成することができるからである。あるいは、補助接着層３３は予め補助枠体４３上に形成しておいても良く、補助接着層３３とシール部材２０ｃとを互いに異なる材料にて構成する場合には、かかる方法が簡便である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
また、本発明の封止パネル装置を適用した表示装置においては、第１パネルと第２パネルの少なくとも一方において、パネル表面の一部はゲッターを収容するための箱部によって構成されており、かかるゲッター室には開口部が設けられており、開口部は低融点金属材料から成る接着層によってパネルを構成するゲッター室に接着された蓋部により閉鎖された構造とすることもできる。第１パネル１１の表面の一部がゲッター６３を収容するための箱部６０で形成された封止パネル装置を概念的に図１６に示す。また、かかる封止パネル装置を概念的に示す分解斜視図を図１７に示す。尚、図１７に示した封止パネル装置の基本的な構成は実施の形態４と同様であるが、他の封止パネル装置にもゲッター６３を収容するための箱部６０を適用することができることは云うまでもない。ここで、これらの図面の符号は図８と一部共通であり、共通部分については詳しい説明を省略する。図１７では、第１接着層２１と第２接着層２２の図示を省略し、第１パネル１１の有効領域と第２パネル１２を明確化するために斜線を施した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  二重乗算器／アキュムレータ（ＭＡＣ）ユニットを有するプロセッサからなるディジタル・システムにおいて、前記二重ＭＡＣは：
前記二重ＭＡＣニットの第１のＭＡＣユニットに関連して第１の出力を生成する第１の複数の選択可能な入力と、
前記二重ＭＡＣニットの第２のＭＡＣユニットに関連して第２の出力を生成する第２の複数の選択可能な入力と、
前記第１の入力を受信する第１のアキュムレータと、
前記第２の出力を受信する第２のアキュムレータと、を備え
前記第２のＭＡＣユニットは、前記第１のＭＡＣユニットがオペランドの処理を継続する間に、電源低下モードで動作可能であるディジタル・システム。
【請求項２】  請求項１に記載のディジタル・システムにおいて、前記第１の複数の入力の一つは前記第２の複数の入力の一つに接続されてメモリ回路からの共有オペランドを受信し、当該共用オペランドの共有により、前記プロセッサの電力消費が削減される、ことを特徴とするディジタル・システム。
【請求項３】  請求項２に記載のディジタル・システムにおいて、さらに、
前記第１の複数の選択可能入力と前記第２の複数の選択可能入力とに接続されたメモリ回路であって、前記第１のＭＡＣが当該メモリ回路から第１のオペランドを受信するよう動作し、前記第２のＭＡＣは前記メモリ回路から第２のオペランドを受信するよう動作し、前記第１のＭＡＣおよび第２のＭＡＣは第３のオペランドを受信して共有するディジタル・システムであって、
前記メモリ回路は同じフェッチ・サイクル中に第１のオペランド、第２のオペランド及び第３のオペランドを供給するよう動作する、ことを特徴とするディジタル・システム。
【請求項４】  請求項１に記載の２重ＭＡＣであって、さらに、
前記第２のマックにクロック信号を配送するクロック・ツリーと、を備え、
前記第２のＭＡＣは前記クロック信号に応答して動作し、
前記クロック・ツリーに接続されたクロック・ゲート回路であって、当該クロック・ゲート回路は２重ＭＡＣタイプ・インストラクションが実行された時に生成される信号に応答して、２重ＭＡＣタイプ・インストラクションが実行された時に前記第２のＭＡＣへのクロック信号がゲート・オンされ、２重ＭＡＣ型インストラクションが実行されなかった場合にはゲート・オフされる、ことを特徴とする２重ＭＡＣ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性自由層／非磁性中間層／強磁性固定層／反強磁性膜の積層構成を有し、前記反強磁性膜が前記強磁性固定層に交換結合磁界を印加している磁気センサの製造方法において、前記反強磁性膜あるいは前記積層構成を斜め入射薄膜形成法にて作製することを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項２】
前記反強磁性膜がＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔからなり、その結晶構造が前記交換結合磁界の方向に歪あるいは優先方位を有していることを特徴とする請求項１記載の磁気センサの製造方法。
【請求項３】
前記反強磁性膜がＭｎ−Ｐｔからなり、その結晶構造が前記交換結合磁界の方向に歪あるいは優先方位を有していることを特徴とする請求項１記載の磁気センサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスプレイパネル及びその製造方法ならびに基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  互いに平行する複数の電極、前記複数の電極の接続用端部を除いて前記複数の電極を被覆する誘電体層、及び前記接続用端部の周辺に前記誘電体層の研磨における前記接続用端部の磨滅を防ぐための磨滅防止体が表面に設けられた第１基板と、
前記第１基板の前記表面側に放電空間を介して対向する第２基板と、
前記複数の電極の前記接続用端部がはみ出た状態で、前記第１及び第２基板とで前記放電空間を密封するために前記第１及び第２基板との間に介在して設けられたシール材と、
を備えたディスプレイパネル。
【請求項２】  前記磨滅防止体は、前記複数の電極の各々の両脇に設けられている請求項１記載のディスプレイパネル。
【請求項３】  前記磨滅防止体は、前記複数の電極の所定数毎に設けられている請求項１記載のディスプレイパネル。
【請求項４】  前記磨滅防止体は、前記誘電体層と同じ材質である請求項１〜３のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項５】  前記磨滅防止体は、前記誘電体層の一部である請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項６】  前記磨滅防止体は、前記誘電体層と独立している請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項７】  前記磨滅防止体は、前記電極よりも厚い請求項１〜６のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項８】  請求項５記載のディスプレイパネルの製造方法であって、前記誘電体層を形成すると同時に前記磨滅防止体を形成することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】  互いに平行する複数の電極、前記複数の電極の接続用端部を除いて前記複数の電極を被覆する誘電体層、及び前記接続用端部の周辺に前記誘電体層の研磨における前記接続用端部の磨滅を防ぐための磨滅防止体が表面に設けられた基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、パーソナルコンピュータやオフィスワークステーション、ないしは将来の発展が期待される壁掛けテレビなどに用いられるプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と略す）等のディスプレイパネル及びその製造方法ならびに基板に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、電極の端部が研磨されることを防止することによって、部分的に電極の抵抗が高くなったり、断線不良が発生したりすることを抑えることのできるディスプレイパネル及びその製造方法ならびに基板を得ることを目的とする。
【補正対象書類名】  明細書
【補正対象項目名】  ００１１
【補正方法】        変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る課題解決手段は、互いに平行する複数の電極、前記複数の電極の接続用端部を除いて前記複数の電極を被覆する誘電体層、及び前記接続用端部の周辺に前記誘電体層の研磨における前記接続用端部の磨滅を防ぐための磨滅防止体が表面に設けられた第１基板と、前記第１基板の前記表面側に放電空間を介して対向する第２基板と、前記複数の電極の前記接続用端部がはみ出た状態で、前記第１及び第２基板とで前記放電空間を密封するために前記第１及び第２基板との間に介在して設けられたシール材とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項８に係る課題解決手段は、請求項５記載のディスプレイパネルの製造方法であって、前記誘電体層を形成すると同時に前記磨滅防止体を形成することを特徴とする。本発明の請求項９に係る課題解決手段は、互いに平行する複数の電極、前記複数の電極の接続用端部を除いて前記複数の電極を被覆する誘電体層、及び前記接続用端部の周辺に前記誘電体層の研磨における前記接続用端部の磨滅を防ぐための磨滅防止体が表面に設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
請求項１および請求項９に記載の発明によれば、接続用端部の周辺に磨滅防止体を設けることによって、磨滅防止体が研磨されることがあっても、複数の電極の端部が研磨されることを抑えることができる。これによって、部分的に複数の電極の抵抗が高くなったり、断線不良が発生したりすることを抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月4日(2006.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  管状ガラスバルブの外面に管軸方向に沿って１対の外部電極が形成され、このガラスバルブの管軸方向に沿った開口部を有してガラスバルブの内面に蛍光体被膜を形成し、前記ガラスバルブ内にはキセノンガスを含む希ガスが封入された蛍光ランプにおいて、
前記ガラスバルブの内面のうち管軸方向の何れか一端若しくは両端の蛍光体被膜非形成部で、且つ前記外部電極間に挟まれた位置であって、前記開口部の開口端縁を管軸方向に延長した線の範囲に於いて、半導体特性を備えた物質層を周方向に沿って帯状に形成し、
前記半導体特性を備えた物質層には、前記ガラスバルブの軸方向に沿うスリットを設けてなることを特徴とする蛍光ランプ。
【請求項２】  管状ガラスバルブの外面に管軸方向に沿って１対の外部電極が形成され、このガラスバルブの管軸方向に沿った開口部を有してガラスバルブの内面に蛍光体被膜を形成し、前記ガラスバルブ内にはキセノンガスを含む希ガスが封入された蛍光ランプにおいて、
前記外部電極間に挟まれた位置で、前記開口部の開口端縁間の範囲に於いて、前記蛍光体被膜の一端若しくは両端の内面に半導体特性を備えた物質層を周方向に沿って帯状に形成し、
前記半導体特性を備えた物質層には、前記ガラスバルブの軸方向に沿うスリットを設けてなることを特徴とする蛍光ランプ。
【請求項３】  管状ガラスバルブの外面に管軸方向に沿って１対の外部電極が形成され、このガラスバルブの管軸方向に沿った開口部を有してガラスバルブの内面に蛍光体被膜を形成し、前記ガラスバルブ内にはキセノンガスを含む希ガスが封入された蛍光ランプにおいて、
前記外部電極間に挟まれた位置で、前記開口部の開口端縁間の範囲に於いて、前記蛍光体被膜の一端若しくは両端の内面及びガラスバルブの内面に亘って半導体特性を備えた物質層を周方向に沿って帯状に形成し、
前記半導体特性を備えた物質層には、前記ガラスバルブの軸方向に沿うスリットを設けてなることを特徴とする蛍光ランプ。
【請求項４】上記スリットにより分断される半導体特性を備えた物質層を、この半導体特性を備えた物質層の横幅よりも幅狭に形成された半導体特性を備えた物質層で連設したことを特徴とする請求項１、２又は３記載の蛍光ランプ。
【請求項５】上記スリットは、上記開口部と対向する電極非形成部の内側に設けていることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の蛍光ランプ。
【請求項６】上記スリットは、１対の外部電極のうち、何れか一方の電極の内側に設けていることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の蛍光ランプ。
【請求項７】上記スリットは、スリット幅の最短部がガラスバルブの周方向に沿う曲線距離で２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の蛍光ランプ。
【請求項８】上記半導体特性を備えた物質は、酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の蛍光ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、管状ガラスバルブの外面に管軸方向に沿って１対の外部電極が形成され、このガラスバルブの管軸方向に沿った開口部を有してガラスバルブの内面に蛍光体被膜を形成し、前記ガラスバルブ内にはキセノンガスを含む希ガスが封入された蛍光ランプにおいて、前記ガラスバルブの内面のうち管軸方向の何れか一端若しくは両端の蛍光体被膜非形成部で、且つ前記外部電極間に挟まれた位置であって、前記開口部の開口端縁を管軸方向に延長した線の範囲に於いて、半導体特性を備えた物質層を周方向に沿って帯状に形成し、前記半導体特性を備えた物質層には、前記ガラスバルブの軸方向に沿うスリットを設けてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のうち請求項２記載の発明は、管状ガラスバルブの外面に管軸方向に沿って１対の外部電極が形成され、このガラスバルブの管軸方向に沿った開口部を有してガラスバルブの内面に蛍光体被膜を形成し、前記ガラスバルブ内にはキセノンガスを含む希ガスが封入された蛍光ランプにおいて、前記外部電極間に挟まれた位置で、前記開口部の開口端縁間の範囲に於いて、前記蛍光体被膜の一端若しくは両端の内面に半導体特性を備えた物質層を周方向に沿って帯状に形成し、前記半導体特性を備えた物質層には、前記ガラスバルブの軸方向に沿うスリットを設けてなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のうち請求項３記載の発明は、管状ガラスバルブの外面に管軸方向に沿って１対の外部電極が形成され、このガラスバルブの管軸方向に沿った開口部を有してガラスバルブの内面に蛍光体被膜を形成し、前記ガラスバルブ内にはキセノンガスを含む希ガスが封入された蛍光ランプにおいて、前記外部電極間に挟まれた位置で、前記開口部の開口端縁間の範囲に於いて、前記蛍光体被膜の一端若しくは両端の内面及びガラスバルブの内面に亘って半導体特性を備えた物質層を周方向に沿って帯状に形成し、前記半導体特性を備えた物質層には、前記ガラスバルブの軸方向に沿うスリットを設けてなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のうち請求項４記載の発明は、上記スリットにより分断される半導体特性を備えた物質層を、この半導体特性を備えた物質層の横幅よりも幅狭に形成された半導体特性を備えた物質層で連設したことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のうち請求項５記載の発明は、上記スリットは、上記開口部と対向する電極非形成部の内側に設けていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のうち請求項６記載の発明は、上記スリットは、１対の外部電極のうち、何れか一方の電極の内側に設けていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のうち請求項７記載の発明は、上記スリットは、スリット幅の最短部がガラスバルブの周方向に沿う曲線距離で２ｍｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のうち請求項８記載の発明は、上記半導体特性を備えた物質は、酸化亜鉛であることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
同期パターン検出部12は、受信データ54から同期パターンを検出するものである。具体的には、モード管理部10から復帰指示50を受けたとき、受信データ54が入力されるタイミングに合わせて広い同期窓（例えば±100μs）を開口し、同期ブロック200に含まれる同期パターンの検索を行う。そして、同期パターンを検出したとき、検出を通知する同期検出通知56をパケットヘッダー検出部14へ出力し、その同期パターンのタイミングを示す同期タイミング58を生成してタイミング補正部16へ出力する。なお、同期パターン検出部12は、モード管理部10から、通常モードへの変更通知52を受けたときは、狭い同期窓（例えば±10μs）を開口して同期パターンの検出処理を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
タイミング補正部16は、装置の内部タイミングを基準装置の基準タイミングに同期させるものである。具体的には、パケットヘッダー検出部14からヘッダー正常受信通知60を受けたとき、装置内の内部タイミングを同期パターン検出部12から与えられる同期タイミング58に同期させる。同期タイミング58は基準装置の基準タイミングに同期しているので、内部タイミングは基準装置の基準タイミングに同期することとなる。また、タイミング補正部16は、内部タイミングの同期処理を完了したときタイミング補正完了通知64，66をモード管理部10，同期パターン検出期間監視部18へそれぞれ出力する。無線通信装置では、この内部タイミングに基づいて送信パケットの送信タイミングや受信パケットの受信タイミングを決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
同期窓長管理部34は、同期パターン検出部30において同期パターン検索の際に開口される開口窓の同期窓長を管理するものであり、同期パターン検出期間監視部32から同期はずれ通知84を受けたとき、同期パターン検出部30に対して同期窓長を上位から設定されるパラメータ±Ｎμsec（例えば、±100μs）に拡張するよう指示88を出し、同期パターン検出期間監視部32から同期回復指示86を受けたとき、同期パターン検出部30に対して同期窓長を元に戻すように指示88を出す。同期パターン検出部30では同期窓長管理部34からの指示に従って同期窓長を設定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ステップS304において同期パターン検出期間監視部32では、同期パターン検出部30から同期検出通知82を受けたとき、その受けた時点からの経過時間を計測すると共に次に入力される同期検出通知82を監視する。そして、Ｐ秒以内に次の同期検出通知82を受けることができないとき、同期はずれ通知84を同期窓長管理部34へ出力する。この場合、ステップS308へ移行する。しかし、Ｐ秒以内に次の同期検出通知82を受けたとき、例えば経過時間を計測するタイマーをリセットし（ステップS306）、その同期検出通知82を受けた時点からの経過時間を改めて計測開始すると共に次の同期検出通知82の入力を監視する（ステップS304〜306）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ステップS308において同期窓長管理部34では、同期パターン検出期間監視部32から同期はずれ通知84を受けると、同期パターン検出部30に対して同期窓長を±Ｎμs（例えば±100μs）に拡張するよう指示する（ステップS308）。同期パターン検出部30では、同期窓長管理部34の指示に従って同期窓を±100μsに拡張し、同期パターンの検索を継続し、同期パターンを検出したとき同期検出通知82を同期パターン検出期間監視部32へ出力する（ステップS310）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
同期パターン検出期間監視部32では、ステップS304で同期はずれ通知84を出力した後に、同期パターン検出部30から同期検出通知82を受けたとき、同期窓長管理部34へ同期回復通知86を出力する（ステップS312）。同期窓長管理部34では、同期パターン検出期間監視部32から同期回復指示86を受けると、同期パターン検出部30に対して狭い同期窓へ戻すように指示する（ステップS314）。ステップS314からS302の処理に移行し、同期パターン検出部30では同期窓長管理部34からの指示に従って同期窓を±10μsに戻して同期パターンの検索を継続する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
10  モード管理部
12、30  同期パターン検出部
14  パケットヘッダー検出部
16  タイミング補正部
18、32  同期パターン検出期間監視部
20  正常受信回数管理部
34  同期窓長管理部
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005184335.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005184335.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005184335.tif 000003
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005184335.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本発明としては、積分回路１７については特に必須とするものではなく、例えば積分回路１７を備えなくとも、実用的に許容される検出結果が得られるのであれば、積分回路１７を省略することもできる。この場合には、その分の回路規模の縮小、また、コストダウンを図ることが可能である。
また、基準入力ＳD1と比較入力ＳD2とのレベル差を得るためのアッテネータ１６も同様にして、本発明としては特に必須となるものではない。例えば、第２フォトトランジスタ４−２の増幅出力のゲインを増加するなどして、相対的に上記したレベル差を得るようにすることも考えられ、この場合には、アッテネータ１６は不要である。
さらに、図４に示す回路構成において、収音ユニット１０−１，１０−２から出力される収音音声信号についての音声信号系において、イコライザ１３−１、１３−２及びスイッチ１４−１，１４−２以外の部位も、本発明としては必要に応じて省略されてよい。
また、図４の回路構成とした場合、実際には電源が必要となるが、これは例えばマイクロフォン装置１にバッテリを収納可能として、バッテリにより図４に示す回路が駆動されるように構成すればよい。また、いわゆるファントム電源といわれるもので、マイクロフォン装置を録音装置側のマイク入力に接続することで、この録音装置側から供給される電源により動作する構成とすることも考えられる。さらには、（ＨＰＦ１２−１，１２−２）を備える場合においては、例えば、このＨＰＦ１２−１，１２−２についてオン（有効）／オフ（無効）とする操作が可能なように構成することも考えられる。例えば、特に人の息や風などの音が気になるときにはユーザは、ＨＰＦをオンとして、このような耳障りな音成分を抑制するようにされる。また、このような音が気にならないときにはＨＰＦをオフとする。ＨＰＦをオフとした場合には、収音される音質の向上が期待できる。
また、図４に示す音声信号系はステレオの場合を例に挙げているが、モノラルでもよい。
また、これまでの説明においては、本実施の形態のマイクロフォン装置１は、コンデンサ型であることとして説明したが、ダイナミック型などにも適用可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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