【事件の表示】
　平成　９年特許願第１０８１８７号「電界電子放出型サージ吸収素子の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１０月２３日出願公開、特開平１０−２８５７９３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
（１）本願は、平成９年４月１１日の出願である。
（２）平成１１年４月６日付けで拒絶理由通知がなされ、提出期間内の平成１１年６月７日付けで意見書と共に提出された手続補正書により手続補正（以下、手続補正１という。）された。
（３）平成１１年１１月２日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、提出期間内の平成１１年１２月２７日付けで意見書と共に提出された手続補正書により手続補正（以下、手続補正２という。）された。
（４）平成１２年６月１３日付けで当該手続補正２についての補正の却下の決定がなされると共に、拒絶査定された。
（５）請求人は、この拒絶査定に対し平成１２年７月１３日付けで審判請求をすると共に、平成１２年８月３日付けで提出された手続補正書により手続補正（以下、手続補正３という。）された。
２．補正却下の当否についての判断
　（１）補正却下の決定理由
　上記補正却下の決定の内容は以下のとおりである。
「平成１１年１２月２７日付手続補正書において出願人は、「特許請求の範囲」の欄の記載に、「凹部」及び「凹部の深さを調節することにより、対向する平面部との距離を調節すること」を加える補正を行なおうとしている。
　しかしながら、当該補正により、補正前の、発明の解決しようとする課題が「エミッタ・コーンの構成物質に工夫を施すことによって、動作電圧を比較的低く設定することが容易な電界電子放出型サージ吸収素子の製造方法を実現すること」であったのに対し、補正後には、「対向する平面部との距離を調節する」という新たな課題が加わっている。この課題は、補正前の課題を概念的に下位にしたものでも、同種のものでもないなど、技術的に密接に関連するものとはいえず、この補正は解決しようとする課題を変更するものである。
　したがって、上記補正は、「特許請求の範囲」の限定的減縮とは認められず、特許法１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。」
（２）手続補正の内容
　手続補正２（平成１１年１２月２７日付手続補正書）の内容は以下のとおりである。
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　・・・さらに、上記ダイヤモンドの原料ガスの濃度、圧力を調節することにより、エミッタ・コーン先端部の尖鋭度及びエミッタ・コーンの体積抵抗値を制御し、
また、上記凹部の深さを調節することにより、対向する平面部との距離を調節すること
　
（３）補正却下に対する判断
　上記手続補正２による補正の前の、手続補正１（平成１１年６月７日付けの手続補正書）の内容は、以下のとおりである。
「【請求項１】　一面に多数のダイヤモンドの結晶よりなるエミッタ・コーンが形成された電子放出部と、上記エミッタ・コーンが形成されない平面部の少なくとも一方を備えた半導体よりなる第１の基板部材と、同じく一面に多数のダイヤモンドの結晶よりなるエミッタ・コーンが形成された電子放出部と、上記エミッタ・コーンが形成されない平面部の少なくとも一方を備えた半導体よりなる第２の基板部材とを、一方の基板部材のエミッタ・コーンの先端部と他方の基板部材の平面部とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両基板部材の周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態と成すと共に、両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成する電界電子放出型サージ吸収素子の製造方法であって、所定の温度に加熱された真空系内に半導体よりなる基板部材を配置し、該基板部材の表面に微細な凹凸又は細かい傷を付けた後、基板部材の表面にダイヤモンドの原料ガスを導き、該原料ガスを活性化させて基板部材の表面にダイヤモンド薄膜を成長させることにより、上記エミッタ・コーンを形成し、さらに、上記ダイヤモンドの原料ガスの濃度、圧力を調節することにより、エミッタ・コーン先端部の尖鋭度及びエミッタ・コーンの体積抵抗値を制御することを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子の製造方法。」
　すなわち、手続補正１による発明は、
エミッタ・コーンの抵抗値を制御するためものであるが、手続補正２による補正は明らかに抵抗値の制御とは技術的性格の異なる「
対向する平面部との距離を調節すること
　従って、上記手続補正２による補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮とは認められないから、補正却下の判断は適正である。
　
３．審判請求時の手続補正について
　１７条の２第１項第３号に規定する補正について
　上記のように手続補正２は補正却下され、その後、手続補正３がなされたので、手続補正１によって補正された明細書及び図面に対して、当該手続補正３の補正の適否を検討する。
（１）手続補正３の内容
　手続補正３の内容は以下のとおりである。
「【請求項１】　・・・電界電子放出型サージ吸収素子の製造方法であって、所定の温度に加熱された真空系内に半導体よりなる基板部材を配置し、該基板部材の表面に微細な凹凸又は細かい傷を付けた後、基板部材の表面に、
所定の不純物ガスを混入させた
半導体化させた
また、上記ダイヤモンドの原料ガスに混入する不純物ガスの量を加減することにより、半導体化させたダイヤモンド薄膜の抵抗率を制御すること
（２）判断
ａ．特許法第１７条の２第４項第１ないし第４号に規定する要件について
　前記手続補正１の特許請求の範囲の請求項１に係る発明と上記手続補正３（アンダーラインは補正部分）の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を対比すると、手続補正３ではイ．「ダイヤモンドの原料ガス」を「
所定の不純物ガスを混入させた
半導体化させた
上記ダイヤモンドの原料ガスに混入する不純物ガスの量を加減することにより、半導体化させたダイヤモンド薄膜の抵抗率を制御すること
　上記ロ．についても、ダイヤモンド薄膜の具体的な限定であり、この補正は前記補正イ．に関連し、所定の不純物ガスを混入させたダイヤモンドの原料ガスでダイヤモンド薄膜を形成する際、該薄膜が抵抗率を制御するために半導体化させたものであるから、限定的減縮を目的としたものと認められる。
　上記ハ．については、エミッタ・コーンを形成するダイヤモンド薄膜の抵抗値を制御するための具体的な方法を掲げることにより、エミッタ・コーンの体積抵抗値を制御するものであるから、限定的減縮を目的とするものと認められる。
　したがって、上記手続補正３は、特許法第１７条の２第４項第２号の規定に適合する。
　
ｂ．特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第４項の規定（独立特許要件）について
　次に、標記の規定に基づき、手続補正３により補正された請求項１に係る発明が特許出願の際に、独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　（Ｉ）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願日前に頒布された文献は、以下のとおりである。
　引用例１：特開平０２−２７８６８１号公報（平成２年１１月１４日公開）
引用例１には、以下の記載がある。
　ａ．「本発明は電子装置の製造方法及び電子装置それ自体に関する。特に、この装置は電界放出（Field Emission）装置である。」（２頁右上欄２０行〜左下欄１行）
　ｂ．本発明装置は、例えば精巧な電子機器を保護するサージアレスター（surge  arrester)として使用することができる。このような装置は、保護すべき機器両端に接続するが、これば電圧サージを受け取ると、導電性になり、従って、作動して、機器の損傷するサージを短絡する。」(４頁左下欄３行〜８行）
　ｃ．「まづ、第１（ａ）図について説明すると、高度にドーピングしたｎ形シリコン基体２に厚さ２μｍのニオブ層１をスパッタリングする。レジスト層３−第１（ｂ）図−をニオブ層１にデポジッション処理し、マスク４を介してレジスト層の紫外線に露光する。レジスト層を形成し、不要部分を除いて、エッチング用マスクパッド５を形成する。
　次に、ＳＦ６／Ｃｌ２／Ｏ２を使用する反応性イオンエッチングによりニオブ層１をエッチングし、パッド５の下にカラム６を残す−第１（ｄ）図。
　次に、カラム上部からパッド５を外し、ＳＦ６／Ｎ２を使用する反応性イオンエッチングによって全体をエッチングして、カラムを非常に鋭い尖頭形電極チップ７にする−第２（ｅ）図。」（３頁左上欄１１行〜右上欄６行）
　この記載によれば、前記シリコン基板上に設けられた、該ニオブ層をエッチングすることにより不要部分を除去することにより、鋭い尖頭形電極チップを形成することが認められる。
　ｄ．「上記各実施態様では、多くの変更が可能である。これら実施態様では電極チップをニオブ層から構成しているが、別な金属、例えば、シリコン、ロジウム、モリブデン、金、ニッケルやタングステン、あるいは金属化合物や半導体物質等からなる層で構成することも可能である。」（４頁左上欄１８行〜右上欄３行）
　この記載及び前記ｃ．項の記載から、シリコン基板上にシリコンの電極チップを形成することすなわち、「半導体基板上に金属化合物または半導体からなる電極チップの形成層を設けること」が記載されているものと認められる。
　ｅ．「次に、装置を加熱して、金属フレーム部を溶融し、一体層１８にする。すなわち、２つの電極構造体１６及び１７を接合しかつ電極チップ７を含む空間１９をシールする−第３（ｂ）図。この接合操作時に、装置を真空エンクロージャー内に設置しておくと、シールされた空間１９を排気できる。あるいは、該操作時をガス雰囲気中で行ってもよく、この場合には、所望の低いガス圧で空間１９にガスを充填する。」（３頁左下欄２０行〜右下欄８行）
  この記載によれば、２つの電極構造体１６及び１７をその周縁部に設けられた金属フレーム部で接合しかつ電極チップ７を含む空間１９をシールし、該空間は真空または低ガス圧にする」ことが認められる。
　ｆ．「第４図には、別な電界放出装置の構成を示す。
２つの電極構造体２０及び２１は上記と同様な方法で形成するが、この場合には、電極チップ２２をニオブ層２３側部の一方に寄せて設ける。従って、各構造体の実質的に平坦な領域２４の層はチップ群と、誘電体層２６及び金属フレーム層２７との間に延長することになる。構造体２１は構造体２０に対して１８０°回転させて、構造体２０に反転セットする。従って、各構造体のチップ２０に対応する構造体の平面領域２４の方に位置する。次に、前と同様にして、構造体を接合して、間に排気又はガス充填空間を形成する。」（３頁右下欄１６行〜４頁左上欄７行）
　なお、４図の記載からみて、チップと平面領域は所定の間隙を設けて対向していることは明らかである。
　上記指摘部分及び図面の記載からみて、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
「半導体基板の一面に金属化合物または半導体からなる電極チップを形成するための層を設け、該基板の面の一方に電極チップ群を他方に平坦部を設けた２つの電極構造体、該構造体の一方を１８０°回転させて各構造体の電極チップに対応する平面領域を位置させ、前記一方の電極構造体の電極チップと他方の電極構造体の平面領域は互いに所定の間隙で対向するように配置し、電極構造体の周縁に設けた金属フレーム部を溶融して両構造体をシールドして、シールドされた空間を形成し、該空間は真空または低い圧力のガスを充填し、
　前記電極チップの形成層をエッチングして不要部分を除去することにより、鋭い尖頭形電極チップを形成する電界放出型サージアレスターの製造方法。」（以下、引用例１に記載の発明という。）
　
　引用例２：特開平０８−２６４８６２号公報（平成８年１０月１１日公開）
　引用例２には、
ａ．電界放出特性を改善した尖ったダイヤモンド冷陰極の気相成長（プラズマＣＶＤ法）による製造方法において、流入するガスの濃度を調整することにより成長するダイヤモンドの形状を制御する点（段落００２９〜００３４、表１参照）、
　ｂ．基板としてシリコンを用いる点（段落００３５、００４４の従来例（実験例５）に関する記載参照）、
　ｃ．基板として低抵抗シリコンを用い、ボロンをドーピングして得た半導体ダイヤモンド粒子を冷陰極として用いる点（段落０００９〜００１１参照）
が記載されているものと認められる。
　
　引用例３：特開平０８−２１２９０８号公報（平成８年８月２０日公開）
　引用例３には、
　ａ．基板素材の単結晶ダイヤモンド上にの上にホウ素をドーピングした低抵抗なｐ形単結晶ダイヤモンド層をマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって形成し、多角錘状の冷陰極を形成する点。基板素材である単結晶ダイヤモンドが絶縁性である点。（段落００２７参照）
　ｂ．ダイヤモンドの核の発生を容易にするために、基板素材に傷つけ処理する点。（段落００２４参照）
　ｃ．基板素材として低抵抗シリコンを用いる点。（段落００２３参照）
　
　引用例４：特開平０２−０３０６９７号公報（平成２年２月１日公開）
　引用例４には、「上記エッチングは、ドライエッチング、ウエットエッチングのどちらでも良い。・・・またドライエッチングを行う場合は、例えば、プラズマエッチング、イオンビームエッチングなどが挙げることができる。・・・エッチングの深さはダイヤモンド膜の使用用とに応じて適宜選定すればよいが、・・・そのエッチング条件によりダイヤモンド核の発生密度の制御が可能である。」（４頁右下欄１１行〜５頁左上欄８行）と記載されており、該記載から、
　ＣＶＤ法によりダイヤモンド結晶を形成する前に、基体表面にドライエッチング又はウエットエッチング加工または砥粒を用いた粗素面加工を行って微細な凹凸を形成する点が認められる。なお、上記ドライエッチングを行う際、所定の雰囲気（容器、温度、圧力）にて行うことは当然のことと認められる。　
　
　引用例５：特開昭６０−０８６０９６号公報（昭和６０年５月１５日公開）
　引用例５には、「炭化水素と水素との混合ガスにプラズマを誘発せしめ、このプラズマ空間に基体を設置し、該基体を３００〜１３００℃に加熱して基体上にダイヤモンドを析出させるダイヤモンド気相合成法において、基体として基体表面を高硬度粉末で摩擦または衝突の処理を施して鋭利な表面傷を生成させた基体を使用することを特徴とする膜状ダイヤモンドの析出法（特許請求の範囲）、「基体としては、Ｓｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，炭化物（ＷＣ，ＳｉＣ，ＴａＣ，サイヤロン，ダイヤモンド等が使用され」（２頁左下欄２行〜４行）、と記載されており、該記載から、
  気相合成法によりダイヤモンドを析出させる際、基板素材に低抵抗シリコンを用い、該基体表面に傷を生成させる点が記載されているものと認められる。
　
（ＩＩ）対比
　引用例１に記載の発明と本願補正発明を対比すると、引用例１に記載の発明の「電極突起」「電極チップ群」「平坦部」「電極構造体」「電界放出形サージアレスター」は、本願補正発明の「エミッタ・コーン」「多数のエミッタ・コーンが形成された電子放出部」「平面部」「第１及び第２の基板部材」「電界放出形サージ吸収素子」にそれぞれ相当し、また、引用例１に記載の発明は、２つの電極構造体をその一方を反転して重ね電極構造体の周縁の金属フレーム部を溶融して内部にシールドされた空間１８を形成しているのであるから、その周囲は本願補正発明の「外囲器」に相当することは明かである。　
　したがって、両者は
「一面に多数のエミッタ・コーンが形成された電子放出部と、上記エミッタ・コーンが形成されない平面部の少なくとも一方を備えた半導体よりなる第１の基板部材と、同じく一面に多数エミッタ・コーンが形成された電子放出部と、上記エミッタ・コーンが形成されない平面部の少なくとも一方を備えた半導体よりなる第２の基板部材とを、一方の基板部材のエミッタ・コーンの先端部と他方の基板部材の平面部とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両基板部材の周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態と成す電界電子放出型サージ吸収素子の製造方法」で一致し、
以下の点で相違する。
相違点１
　本願補正発明がエミッタ・コーンをダイヤモンドで形成しているのに対し、引用例１に記載の発明が半導体または金属で形成されている点。
相違点２
  本願補正発明が電界放出形サージ吸収素子の両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成するのに対し、引用例１に記載の発明では、この点について明記されていない点。
相違点３
　本願補正発明がエミッタ・コーンをダイヤモンドで作るため、その製造方法として、ａ．「所定の温度に加熱された真空系内に半導体よりなる基板部材を配置し、該基板部材の表面に微細な凹凸又は細かい傷を付けた後」、ｂ．「基板部材の表面に、所定の不純物ガスを混入させたダイヤモンドの原料ガスを導き、該原料ガスを活性化させて基板部材の表面に半導体化させたダイヤモンド薄膜を成長させることにより、上記エミッタ・コーンを形成し」、ｃ．「さらに、上記ダイヤモンドの原料ガスの濃度、圧力を調節することにより、エミッタ・コーン先端部の尖鋭度及びエミッタ・コーンの体積抵抗値を制御し」、ｄ．「また、上記ダイヤモンドの原料ガスに混入する不純物ガスの量を加減することにより、半導体化させたダイヤモンド薄膜の抵抗率を制御すること」との構成を備えているのに対し、引用例１に記載の発明では、鋭い尖頭形電極チップを形成する際、半導体又は金属からなる層からエッチングにより不要部分を除去して行う」点について記載されているのみである点。
　
（ＩＩＩ）相違点についての判断
相違点１について
　電界放出形電極として、気相成長による尖ったダイヤモンドの電子の放出特性が優れていることは上記引用例２，３に記載されているように周知のことにすぎず、また、電界放出型アレスターにおいて、性能を向上させることは当然の技術課題にすぎないから、引用例１に記載の電界放出形アレスターにおいても、その鋭い尖頭形電極チップからなる電極群をダイヤモンドで形成することは、容易に考えられるものと認められる。
　
相違点２について
　引用例１に記載の電界放出形アレスターは、他の機器へ接続するための外部電極について記載されていないが、シールされた２つの電極構造体は、その基板部材の対向面とは反対側すなわち外側で外部機器への接続しなければならないことは明らか（指摘事項ｂ．参照）であるから、電極構造体の外面に外部電極を設けることは、当業者が当然実施しうる程度のことにすぎないと認められる。
　
相違点３について
　平面上にダイヤモンド形成する際、所定の温度に加熱された真空系内に半導体よりなる基板部材を配置し、基板部材の表面に、ダイヤモンドの原料ガスを導き、該原料ガスを活性化させて基板部材の表面にダイヤモンド薄膜を成長させる化学的気相成長法を用いることは、引用例２ないし４に記載のよう（ＣＶＤ法、気相合成法）に周知のことにすぎない。
　なお、本願補正発明は、いわゆるＣＶＤ法を用いる際、さらに具体的な構成（相違点３−ａないしｄ）を採用しているが、以下に記載のように格別な構成とは認められない。
　ａ．について
　ＣＶＤ法によりダイヤモンドを形成する際、ダイヤモンドの結晶が確実に成長できるように基板表面に傷を付けることは、引用例３ないし５に記載されているように慣用手段であり、かつ、具体的な手段として基板表面をプラズマエッチングすることは引用例４に記載されているように周知のことである。なお、プラズマエッチングする際、「所定の温度に加熱された真空系内に基板部材を配置」することは自明のことにすぎない。したがって、上記（１）に記載したように、電界放出形サージアレスターの鋭い尖頭形電極チップをダイヤモンドで形成する場合においても、上記周知の方法を用いて、相違点３−ａの構成を採用することは適宜実施しうる程度のことにすぎない。
　ｂ，ｄについて
　ＣＶＤ法によりダイヤモンドを形成する際、原料ガスに不純物（ボロンまたはホウ素）を混入しダイヤモンドを半導体化させることは例えば引用例２（指摘事項ｂ．参照のこと）及び引用例３（指摘事項ａ．参照のこと）に記載されているように周知のことであり、特に、引用例３にはボロンを混入して混入しない場合よりも抵抗率を低下させることが記載されている。なお、半導体膜等を形成する際、不純物の混入量の多少により、抵抗率を低くあるいは高くしうることも自明のことにすぎない。したがって、上記（１）に記載したように、電界放出形サージアレスターの鋭い尖頭形電極チップをダイヤモンドで形成する場合においても、逐次形成される上記ボロンのような不純物を混入して半導体化されたダイヤモンド薄膜の抵抗率を、前記不純物の濃度を調整することにより制御することも当業者が適宜実施しうる程度のことにすぎないと認められる。
　
　ｃ．について
　引用例２（指摘事項ａ．参照）においては、原料ガスの濃度により特定の結晶面を選択的に成長させて結晶の先鋭度を調整することが記載されている。なお、所定の結晶面の選択等により形成される結晶の形状および特性（例えば体積抵抗等）も変わることは自明のことと認められる。
　なお、引用例２に記載のようにＣＶＤ法を用いてダイヤモンドを形成する際、容器内における気相成長の環境を設定する要素としてガスの温度・圧力・濃度・流量等があることは明かであり、結晶を選択的に成長させて先鋭度を調整する際、濃度の他に圧力等も調整することは当業者が適宜実施しうる程度のことにすぎないと認められる。
　
　以上のとおり、引用例１に記載の発明と本願補正発明との相違点１ないし３は格別なものでなく、かつ、得られる効果も引用例１ないし５に記載の発明により得られる効果から予測しうる範囲内のものにすぎないと認められる。
　したがって、本願補正発明は、引用例１ないし５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許することができないものである。
　
（ＩＶ）．むすび
  以上のとおりであるから、手続補正３は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．本願発明について
　上記のように手続補正３は却下されたので、本願発明は手続補正１により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されたとおりの「サージ吸収素子の製造方法」にあるものと認める。（上記２．−（３）参照）
　
５．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１ないし５及び、その記載事項は、上記３．−（２）−ｂ．−（Ｉ）に記載のとおりである。
　
６．対比・判断
　本願発明は、手続補正３における本願補正発明から、ダイヤモンドの原料ガス及びダイヤモンド薄膜の限定や、「上記ダイヤモンドの原料ガスに混入する不純物ガスの量を加減することにより、半導体化させたダイヤモンド薄膜の抵抗率を制御すること」との手段を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含みさらに上記構成要件が付加された発明が上記３．−ｂ．−（ＩＩ）ないし（ＩＶ）に記載の様に引用例１ないし５に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、上記構成要件の付加されていない本願発明は、当然同様の理由で容易に発明することができたものである。
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。