【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成され、第１方向に延在して形成された分離絶縁膜領域と、
前記分離絶縁膜領域によって区画され、前記第１方向に延在して形成された活性領域と、
前記活性領域と交差する第２方向に延びて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の前記第２方向延長上の端部に形成されたダミー電極と、
前記ゲート電極に沿った前記第２方向に延びて形成された第１コンタクト部と、
前記ゲート電極および前記ダミー電極の側壁にそれぞれ形成された第１および第２サイドウォール絶縁膜とを備え、
前記第１コンタクト部は前記ダミー電極上まで延在しており、
前記ゲート電極と前記ダミー電極との間の間隙は、前記第１および前記第２サイドウォール絶縁膜により埋め込まれることによってつながっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記ゲート電極および前記ダミー電極のそれぞれの上側に重なるように形成されたストッパ絶縁膜と、
前記ストッパ絶縁膜および前記サイドウォール絶縁膜を覆うように前記半導体基板上方に形成された層間絶縁膜とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記ゲート電極は前記第２方向に複数本並行に形成されており、
前記ゲート電極間の前記活性領域上に形成されたソース領域およびドレイン領域とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】  前記ソース領域および前記ドレイン領域のうちの一方は、隣接する前記ゲート電極間に挟まれる領域に分離絶縁膜を介して間隔をおいて並ぶように形成されており、前記第１コンタクト部により一体的に被覆されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第１コンタクト部の前記第２方向の辺は、前記第１および前記第２サイドウォール絶縁膜を越えて前記ゲート電極の上側の領域に入り込んだ位置にあることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】  前記ゲート電極は、フローティングゲート電極と前記フローティングゲート電極上に絶縁膜を介して形成されたコントロールゲート電極を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】  前記ダミー電極は電気的に前記半導体装置の機能に影響を与えないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】  前記層間絶縁膜に形成された第２コンタクト部と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域のうちの前記一方に前記第２コンタクト部を介して電気的に接続され、前記層間絶縁膜上方に前記第２方向と並行に延びるように形成された第１配線と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域のうちの他方に前記第１コンタクト部を介して電気的に接続され、前記第２配線より上方に前記第１方向に延びるように形成された第２配線と、をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】  表面にソース領域およびドレイン領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上側に前記ソース領域と前記ドレイン領域とを隔てる直線部分を含むように形成されたゲート電極と、
前記半導体基板の上側に前記直線部分の長手方向への延長上の位置において形成されたダミー電極と、
前記ゲート電極および前記ダミー電極の上側に各々重なるように形成されたストッパ絶縁膜と、
前記ゲート電極、前記ダミー電極および前記ストッパ絶縁膜の側壁を覆うサイドウォール絶縁膜と、
前記ストッパ絶縁膜および前記サイドウォール絶縁膜を覆い隠すように前記半導体基板の上側を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の内部で上下方向に延び、下端が前記ソース領域および前記ドレイン領域のうち一方に電気的に接続された導電体部材であって、上から見たときに前記ゲート電極の前記直線部分に平行に延びる直線状コンタクト部とを備え、
上から見たときの前記直線状コンタクト部の外形のうち長辺は、前記サイドウォール絶縁膜を越えて前記ゲート電極および前記ダミー電極の上側の領域にそれぞれ入り込んだ位置にあり、
上から見たときに前記直線状コンタクト部の内部に現れる前記ゲート電極と前記ダミー電極との間の間隙は、前記半導体基板を露出させない程度に前記サイドウォール絶縁膜によって埋められている、半導体装置。
【請求項１０】  前記ゲート電極が複数本平行に並んでおり、上から見たときに、前記ソース領域および前記ドレイン領域のうちの一方は、前記ゲート電極のうち互いに隣接する２本に挟まれる領域として一直線上に分離絶縁膜を介して離散的に並ぶように規定される特定種類領域群をなし、前記直線状コンタクト部は、前記特定種類領域群を一体的に被覆するように延びている、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】  前記ソース領域および前記ドレイン領域のうちの前記一方は、前記直線状コンタクト部の上方において前記直線部分と平行に延びる第１の配線に対して前記直線状コンタクト部を介して電気的に接続されており、前記ソース領域および前記ドレイン領域のうちの他方は、前記ゲート電極より上側で前記ゲート電極の前記直線部分と垂直な方向に延びる第２の配線に対して電気的に接続されている、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】  (a)半導体基板表面上に、第１方向に延在するように分離絶縁膜領域を形成する工程と、
(b)前記分離絶縁膜領域により区画された前記第１方向に延在するように活性領域を形成する工程と、
(c)前記活性領域と交差する第２方向に複数本並行に延びるようにゲート電極を形成するとともに、前記ゲート電極端部にダミー電極を形成する工程と、
(d)前記活性領域の露出領域にソースおよびドレイン領域を形成する工程と、
(e)前記ゲート電極およびダミー電極の側壁にそれぞれ第１および第２サイドウォール絶縁膜を形成し、前記ゲート電極とダミー電極の間隙を前記第１および第２サイドウォール絶縁膜により埋め込む工程と、
(f)前記ゲート電極および前記ダミー電極を含む前記半導体基板表面を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
(g)前記ゲート電極に沿った前記第２方向に延びる領域であって、前記ダミー電極に延びる領域まで前記ゲート電極間をエッチングし、導電膜を埋め込むことにより第１コンタクト部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  前記(c)工程は、前記ゲート電極および前記ダミー電極のそれぞれの上側に重なるようにストッパ絶縁膜を形成する工程をさらに含み、
前記(g)工程は前記第１および第２サイドウォール絶縁膜および前記ストッパ絶縁膜上でエッチングを停止することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明では、ＳＡＣ技術を行なう場合のゲート電極とコンタクト部との間でのショートを防止でき、なおかつ、ＳＡＳ技術において問題となっていたパンチスルー現象も抑制できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。