【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜集積回路装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域として含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
を含むことを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項２】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域として含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた接着材と、
を含むことを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項３】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域として含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた接着材と、
前記接着材を介して張り合わされたフィルム基板と、
を含むことを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項４】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域及び前記チャネル形成領域上に設けられたゲート電極を含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記ゲート電極と同一層に設けられたアンテナと、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項５】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域及び前記チャネル形成領域上に設けられたゲート電極を含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記ゲート電極と同一層に設けられたアンテナと、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた接着材と、
を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項６】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域及び前記チャネル形成領域上に設けられたゲート電極を含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記ゲート電極と同一層に設けられたアンテナと、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた接着材と、
前記接着材を介して張り合わされたフィルム基板と、
を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記ゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅から選ばれた元素を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項８】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域及び前記半導体膜に形成された不純物領域を含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線と同一層に設けられたアンテナと、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項９】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域及び前記半導体膜に形成された不純物領域を含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線と同一層に設けられたアンテナと、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた接着材と、
を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１０】
窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜の一方の面に設けられた半導体膜を、チャネル形成領域及び前記半導体膜に形成された不純物領域を含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線と同一層に設けられたアンテナと、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた接着材と、
前記接着材を介して張り合わされたフィルム基板と、
を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、
前記配線はアルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、シリコンから選ばれた元素を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１、４又は７において、前記金属酸化物が有する金属は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１、４又は７において、前記金属酸化物はＷＯ２又はＷＯ３であることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１４】
請求項２、３、５、６、８又は９において、前記接材はエポキシ樹脂を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１５】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をチャネル形成領域として有する薄膜トランジスタを形成し、
前記第１の基板を分離する薄膜集積回路装置の作製方法であって、
前記金属膜上に形成された金属酸化物の層内、又は前記金属膜と前記金属酸化物との境界から前記第１の基板と前記第２の基板とが分離されることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１６】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をチャネル形成領域として有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着材を介して第２の基板を接着し、前記第１の基板を分離する薄膜集積回路装置の作製方法であって、
前記金属膜上に形成された金属酸化物の層内、又は前記金属膜と前記金属酸化物との境界から前記第１の基板と前記第２の基板とが分離されることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記薄膜集積回路装置はインクジェット法又は印刷法により形成されたアンテナを有することを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１８】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート電極及びアンテナを形成し、
前記半導体層をチャネル形成領域として有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着材を介して第２の基板を接着し、前記第１の基板を分離する薄膜集積回路装置の作製方法であって、
前記金属膜上に形成された金属酸化物の層内、又は前記金属膜と前記金属酸化物との境界から前記第１の基板と前記第２の基板とが分離されることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１９】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に窒化珪素又は窒化酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に不純物領域を形成し、
前記半導体膜上に前記不純物領域に接続される配線及びアンテナを形成し、
前記半導体層をチャネル形成領域として有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着材を介して第２の基板を接着し、前記第１の基板を分離する薄膜集積回路装置の作製方法であって、
前記金属膜上に形成された金属酸化物の層内、又は前記金属膜と前記金属酸化物との境界から前記第１の基板と前記第２の基板とが分離されることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至１９のいずれか一において、前記絶縁膜は、スパッタリング法を用いて形成されたことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１５乃至２０のいずれか一において、前記金属酸化物は、前記絶縁膜を形成するときに前記金属膜表面が酸化されて形成されたことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至２１のいずれか一において、前記金属酸化物は加熱により結晶化することを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１５乃至２２のいずれか一において、前記金属膜はＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素を有することを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１５乃至２３のいずれか一において、前記接着材はエポキシ樹脂を有することを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。