【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
マイクロプロセッサが、前記コンデンサが直下に位置するように配置されている、請求項２１または請求項２２に記載のマイクロプロセッサモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３１】
少なくとも１個の導電性粒子を、前記陽極用弁金属体の電極引き出し部に配置して加圧することにより当該導電性粒子を当該陽極用弁金属体の芯部に接触させることをさらに含む、請求項２４〜３０のいずれか１項に記載の電解コンデンサの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
少なくとも１個の導電性粒子と未硬化の熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物を、前記陽極用弁金属体の電極引き出し部に配置して加圧することにより、当該導電性粒子を当該陽極用弁金属体の芯部に接触させること、および
熱処理により、当該導電性樹脂組成物を当該陽極用弁金属体の電極引き出し部に接着させること
をさらに含む、請求項２４〜３０のいずれか１項に記載の電解コンデンサの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
金属粉末と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂混合物を、前記陽極用弁金属体の電極引き出し部に塗布すること、および
熱処理により、当該導電性樹脂混合物を当該陽極用弁金属体の電極引き出し部に接着させること
をさらに含む、請求項２４〜３０のいずれか１項に記載の電解コンデンサの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明のコンデンサ内蔵回路基板は、内蔵される電解コンデンサが陽極用弁金属体の電極引き出し部に導電性樹脂組成物が充填されたものである場合、当該樹脂組成物に含まれる金属粉末と、導電性接着剤に含まれる導電性フィラーとが同一種類であることが好ましい。それにより、特にコンデンサの陽極となる電極引き出し部と配線層との接続部分の抵抗値が低下し、また、信頼性が向上するという効果が得られる。同様に、電解コンデンサの陽極用弁金属体の電極引き出し部に導電性樹脂組成物が塗布されている場合も、当該導電性樹脂組成物に含まれる金属粉末は、導電性接着剤に含まれる導電性フィラーと同一種類の材料から成ることが好ましい。貫通穴内に導電性粒子または導電性繊維が位置する場合も同様に、導電性粒子または導電性繊維は、導電性接着剤に含まれる導電性フィラーと同一種類の材料から成ることが好ましい。同様に、陽極用弁金属体の電極引き出し部に少なくとも１個の導電性粒子が弁金属体の芯部に接触している場合も、当該導電性粒子は、導電性接着剤に含まれる導電性フィラーと同一種類の材料から成ることが好ましい。即ち、電解コンデンサの電極引き出し部に位置する導電性成分と、導電性接着剤に含まれる導電性フィラーとは、その材料が統一されたものであることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
インナービアと電解コンデンサの貫通穴が一致する構成において、コンデンサ内蔵回路基板に内蔵される電解コンデンサが陽極用弁金属体の電極引き出し部に形成された貫通穴に導電性樹脂組成物が充填されたものである場合、インナービアに含まれる導電性粉末と、導電性樹脂組成物に含まれる金属粉末とは同一種類の材料から成ることが好ましい。それにより、電解コンデンサの陽極となる電極引き出し部とインナービアとの接続抵抗が小さくなり、接続信頼性が向上する。同様に、電解コンデンサの陽極用弁金属体の電極引き出し部に導電性樹脂組成物が塗布されている場合も、当該導電性樹脂組成物に含まれる金属粉末は、インナービアに含まれる導電性粉末と同一種類の材料から成ることが好ましい。貫通穴内に導電性粒子または導電性繊維が位置する場合も同様に、導電性粒子または導電性繊維は、インナービアに含まれる導電性粉末と同一種類の材料から成ることが好ましい。同様に、陽極用弁金属体の電極引き出し部に少なくとも１個の導電性粒子が弁金属体の芯部に接触している場合も、当該導電性粒子は、インナービアに含まれる導電性粉末と同一種類の材料から成ることが好ましい。即ち、電解コンデンサの電極引き出し部に位置する導電性成分と、インナービアに含まれる導電性粉末とは、その材料が統一されたものであることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
このマイクロプロセッサモジュールにおいては、マイクロプロセッサは、一般に、上記本発明の回路基板の表面に実装される。マイクロプロセッサは、本発明の電解コンデンサがマイクロプロセッサの直下に位置するように、配置されることが好ましい。かかる配置によれば、モジュールの占有面積を小さくすることができる。また、かかる配置によれば、マイクロプロセッサとコンデンサとの間の距離を短くすることができるので、高速応答性に優れたマイクロプロセッサモジュールを得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明はまた、上記本発明の電解コンデンサを製造する方法をも提供する。本発明の電解コンデンサは、具体的には、
（ａ）容量形成部および電極引き出し部を有する陽極用弁金属体の表面を酸化して誘電体酸化皮膜を形成すること、および
（ｂ）当該誘電体酸化皮膜上に固体電解質層を設け、当該固体電解質層上に陰極用集電体を設けること
を含む方法により電解コンデンサ構造体を得ること、ならびに
（ｃ）得られた電解コンデンサ構造体の当該陽極用弁金属体の電極引き出し部に貫通穴を形成して、当該弁金属体の芯部を露出させること
を含む製造方法によって製造される。本明細書において、「電解コンデンサ構造体」という用語は、貫通穴を形成する前の固体電解コンデンサを指し、本発明による電解コンデンサと区別するために用いられる。電解コンデンサ構造体は、それ自体コンデンサとして機能する点においては、電解コンデンサと呼んで差し支えないものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
あるいはまた、上記本発明の電解コンデンサの製造方法はいずれも、金属粉末と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物を前記陽極用弁金属体の電極引き出し部に塗布すること、および
熱処理により、当該導電性樹脂組成物を当該陽極用弁金属体の電極引き出し部に接着させること
をさらに含んでよい。これらの操作により、貫通穴が形成された陽極用弁金属体の電極引き出し部の表面に、金属粉末と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂組成物の層が形成された構成の電解コンデンサを得ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
導電性粒子１９としては、たとえば実施の形態３に関連して説明したものを使用できる。尤も、実施の形態３と違って、この形態においては、導電性粒子１９は、誘電体酸化皮膜１１のみを貫通し、陽極用弁金属体１０の厚さ全体を貫通しない。そのため、導電性粒子１９は、誘電体酸化皮膜１１の厚さよりも大きく、陽極用弁金属体１０の厚さよりも小さい粒径を有することが好ましい。例えば、複数の導電性粒子１９が用いられる場合、少なくとも１つの導電性粒子１９は３０〜７０μｍの粒径を有することが好ましい。そのような粒径の導電性粒子は、誘電体酸化皮膜を貫通し、さらに粗面化層を貫通して、陽極用弁金属体１０の芯部１０Ｃのうち、粗面化処理の影響を受けていない部分と直接的に接触する。複数の導電性粒子のうち少なくとも１つの導電性粒子が上記粒径を有する場合、他の導電性粒子は３０μｍ未満であってよく、０．１〜３０μｍの範囲内にあればよい。但し、好ましい粒径の具体的な範囲は、陽極用弁金属体の厚さおよび誘電体酸化皮膜の厚さに応じて異なることに留意すべきである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
特に、図３に示すような電解コンデンサを使用する場合、陽極用弁金属の電極引き出し部の貫通穴１５内に充填された導電性樹脂組成物１６に含まれる金属粉末と、導電性接着剤２３中の導電性フィラーとが、同種類の金属または合金から成ることが好ましい。その場合、導電性樹脂組成物１６と導電性接着剤２３との接触抵抗を低く抑えることができ、また接続時の信頼性が向上する。さらに、電解コンデンサが、上記実施の形態７のように陽極用弁金属体の電極引き出し部表面に導電性樹脂組成物が塗布されているものである場合、前記導電性樹脂組成物中の金属粉末と、導電性接着剤２３中の導電性フィラーとが同種類の金属または合金であることが好ましい。いずれの場合も、好ましい金属粉末および導電性フィラーは、Ｃｕ、Ａｇ、またはＣｕもしくはＡｇを含む合金から成るものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
次に、電解コンデンサを取り付けた離型キャリア３１Ａに、電気絶縁性基材２５と、配線層２１Ｂが形成された別の離型キャリア３１Ｂとを、図１０（ｂ）に示すように重ね合わせて、加熱加圧する。離型キャリア３１Ｂは、図示するように、配線層２１Ｂが電気絶縁性基材２５と接するように配置される。これにより、図１０（ｃ）に示すように、電気絶縁性基材２５を離型キャリア３１ＡおよびＢに形成された配線層２１Ａおよび２１Ｂの表面に接着させて電気絶縁層２９を形成するとともに、電解コンデンサ２４を電気絶縁層２９内に位置させる（即ち、内蔵させる）。また、この加熱加圧により、ビアペースト２６を硬化させてインナービア３０を形成する。その後、離型キャリア３１Ａおよび３１Ｂを剥離して配線層２１Ａおよび２１Ｂを露出させることにより、図１０（ｄ）に示すようなコンデンサ内蔵回路基板を完成させる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
この形態のマイクロプロセッサモジュールは、次のようにして作製される。まず、コンデンサ内蔵回路基板４０を、例えば、実施の形態８の方法に従って作製する。次いで、配線層２１ａの上に、チップコンデンサ５４を実装する。チップコンデンサ５４は、導電性接着剤またははんだ合金を使用して実装してよい。それから、実施の形態１１の方法のようにして、電気絶縁性基材および銅箔を積層して加熱加圧し、チップコンデンサ５４が内蔵された電気絶縁層２９Ａを形成する。電気絶縁性基材は、ビアペーストが充填された貫通穴を有し、このビアペーストは加熱加圧により硬化して、配線層２１ａと２１ｂとを接続するインナービア３０Ａを形成する。次いで、銅箔を所定の配線パターンにパターニングして、配線層２１ｂを得る。次に、マイクロプロセッサ５３を、配線層２１ｂの上に実装して、マイクロプロセッサモジュールを得る。マイクロプロセッサ５３は、図示するようにフリップチップ法で実装することが好ましい。フリップチップ法は、モジュールの低背化に有利であることによる。あるいは、マイクロプロセッサ５３は、ワイヤボンディング法で実装してもよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
この実施の形態のマイクロプロセッサモジュールにおいては、低抵抗に接続された低背な電解コンデンサの近傍にマイクロプロセッサと、デカップリングコンデンサとしてのチップコンデンサとが配置される。そのため、マイクロプロセッサとデカップリングコンデンサとを低抵抗に、且つインダクタンス成分が少なくなるように接続できる。したがって、この形態のマイクロプロセッサモジュールは、高速応答性および電源安定性に優れる。また、この形態によれば、複数のコンデンサを高密度に実装することができるため、低面積で且つ動作安定性の高いマイクロプロセッサモジュールを得ることができる。