【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の表面に形成した埋込み配線の底面及び側面、または露出表面に保護膜を選択的に形成するに際し、
前記基板にめっき前処理を施し、
前記前処理後の基板の表面に無電解めっきを施して前記配線の底面及び側面、または露出表面に前記保護膜を選択的に形成し、
前記処理後の基板を乾燥状態とすることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】  前記めっき前処理を施す基板が乾燥状態で投入されることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】  前記無電解めっき後の基板に、前記保護膜の選択性を向上させるための後処理を施し、しかる後、基板を乾燥状態にすることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】  前記めっき前処理は、前記基板表面を清浄化する工程と、該清浄化後の基板上の被めっき下地表面に触媒を付与して該被めっき下地表面を活性化する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】  前記無電解めっきによる前記保護膜の成膜速度を毎分１０〜２００Åとすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】  基板の表面に形成した埋込み配線の底面及び側面、または露出表面に保護膜を選択的に形成する基板処理装置であって、
前記基板表面にめっき前処理を施す前処理ユニットと、
前記前処理後の基板の表面に無電解めっきを施して前記配線の底面及び側面、または露出表面に前記保護膜を選択的に形成する無電解めっきユニットと、
前記無電解めっき処理後の基板を乾燥状態にする乾燥ユニットを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】  無電解めっきユニットと乾燥ユニットの間に、基板表面に形成した前記保護膜の選択性を向上させるための後処理を施す後処理ユニットを有することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】  前記前処理ユニットは、基板表面を薬液で処理し、該薬液を基板表面から除去する第１前処理ユニットと、基板表面に触媒を付与し、該触媒付与に使用した薬液を基板表面から除去する第２前処理ユニットとを有することを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】  前記前処理ユニットが保有する前処理液の液量を計測するとともに、前処理液中の組成を分析し、前処理液中の不足する成分を補給する前処理液管理ユニットを有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】  前記無電解めっきユニットが保有するめっき液の液量を計測するとともに、めっき液中の組成を分析し、めっき液中の不足する成分を補給するめっき液管理ユニットを有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記配線の露出表面に前記保護膜を選択的に形成するに際して、前記基板表面を清浄化する工程に先だって、酸化剤による配線金属の酸化と砥粒による機械的除去によって平坦化を行う化学機械的研磨、アノード酸化と特殊な電解液により平坦化を行う電気化学的研磨、またはアノード酸化と砥粒により平坦化を行う複合電気化学的研磨のいずれかにより配線の露出表面の平坦化を行うようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記基板表面の清浄化処理を、減圧または常圧雰囲気下で基板にプラズマ処理を施して行うことが好ましい。
プラズマ処理は物理的に表面を処理するものであるので、基板表面に存在する膜の種類に依らず清浄化することが可能である。
前記被めっき下地表面の活性化処理を光照射、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法により行うようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記基板表面の清浄化処理を、ｐＨが２以下の無機酸、ｐＨが５以下のキレート能力を有する酸、ｐＨが５以下の酸にキレート剤を添加した液、配線の防食剤を除去できるアルカリ溶液、またはアミノ酸のアルカリ溶液からなる薬液に前記基板表面を接触させることにより行い、しかる後に、前記清浄化後の基板表面をリンス液でリンス処理することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記リンス液は、例えば、純水、水素ガス溶解水、または電解カソード水のいずれかである。
清浄化後に基板表面をリンス液でリンス処理することで、清浄化に使用した薬品が基板表面に残留していて、次の活性化工程の障害となることを防止することができる。このリンス液としては、一般には超純水を用いるが、被めっき下地表面の材料構成によっては、超純水を使ったとしても、配線材料が局部電池作用などにより腐食することがある。そのような場合には、リンス液として、超純水に水素ガスを溶解した水素ガス溶解水、あるいは超純水を隔膜式電気分解して得られる電解カソード水のような、不純物を含まずしかも還元力の高い水を使うことが望ましい。また清浄化に用いる薬品が配線材料等に対して何がしかの腐食性を有することがあるので、清浄化処理とリンス処理の間の時間はなるべく短くすることが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記被めっき下地表面への触媒の付与を、例えば、パラジウムを含む薬液に被めっき下地表面を接触させることにより行い、しかる後に、前記触媒付与後の基板表面をリンス液でリンス処理する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記リンス液は、例えば、純水、水素ガス溶解水、電解カソード水、または無電解めっきに使用するめっき液を構成する成分の水溶液である。
リンス液としては、清浄化処理の場合と同様に、純水、水素ガス溶解水、電解カソード水のいずれかを用いることも可能であるが、次のめっき工程に先だって基板を馴染ませておくため、例えば還元剤等のような無電解めっき液を構成する成分の水溶液を用いることも可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記被めっき下地表面への触媒の付与に際して、触媒付与後の該被めっき下地表面のパラジウム触媒濃度を１ｃｍ２あたり０．４〜８μｇとすることが好ましい。
基板全体に均一かつ連続な無電解めっき膜を形成するためには、被めっき下地表面への触媒付与量がある程度以上なければならないが、触媒としてパラジウムを使う場合には、少なくとも下地表面１ｃｍ２あたり０．４μg以上パラジウムが付与されていれば、この要求に応えられることが発明者らにより実験的に確認されている。また、パラジウムを一定以上付与すると下地の腐食が生じ、配線全体としての抵抗値が上昇する事が知られており、めっきをつける上で下地表面１ｃｍ２あたり８μg以上パラジウムを付与するとこういった傾向が顕著になることも、発明者らにより実験的に確認されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記前処理に使用する薬液の液量を計測するとともに、前処理液中の組成を分析し、前処理液中の不足する成分を補給するようにしてもよい。
パラジウム溶液等は比較的高価であるので、これらの前処理液を循環使用することが考えられるが、その場合には処理に伴って有効成分が減少するので、各成分の濃度を管理することが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項５に記載の発明は、前記無電解めっきによる前記保護膜の成膜速度を毎分１０〜２００Åとすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理方法である。
めっき速度は生産性に直結するため、あまり遅くすることが出来ないが、一方であまり早過ぎると均一性及び再現性を確保できなくなる。配線を保護する保護膜は、一般に数１０〜数１００Å程度の膜厚が要求されることが多いが、その場合には、成膜速度を毎分１０〜２００Åとすることが望ましい。なお、めっき速度は、ｐＨなどめっき液の組成条件と反応温度などの反応条件の両者で制御することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記無電解めっきによる前記保護膜の成膜を、ｐＨが７〜１０であって、アルカリ金属を含み、かつアンモニアを含まないめっき液に前記基板を接触させて行うことが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記めっき液中に、少なくとも１．５ｇ／ｌ以上の濃度のタングステンが含まれていることが好ましい。
ニッケル合金ないしコバルト合金の中で、前述の保護作用を実現するものとしては、合金膜中に一定程度のタングステンを含むことが望まれる。このためには無電解めっき液中に一定程度以上のタングステンが含まれていなければならないが、その量を少なくとも１．５ｇ／ｌ以上とすることで、合金中のタングステン量を有効的に制御することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記保護膜は、例えば、コバルト、タングステン、リンの３元素を含む合金膜である。
ニッケル合金ないしコバルト合金の中で、コバルト、タングステン、リンの３元素を含む合金膜は、成膜レートが比較的遅いので薄膜形成に有利であり、まためっき液が比較的安定で膜組成の制御が容易であるばかりでなく、その再現性を容易に確保することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記合金膜の平均組成は、例えば、コバルト７５〜９０atm％、タングステン１〜１０atm％、リン５〜２５atm％の範囲にある。
コバルト、タングステン、リンの３元素を含む合金膜の組成においては、タングステンとリンの含有率にトレードオフ関係があり、またタングステン量が増えるとめっき速度が極端に低下する。従って、保護作用を実現する最低限のタングステン組成として１atm％以上、めっき速度の観点から最大限の組成として１０atm％以下となり、これに応じてリン組成が５〜２５atm％、コバルト組成が７５〜９０atm％となる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
前記めっき液の液量を計測するとともに、めっき液の組成を分析し、めっき液中の不足する成分を補給するようにしてもよい。
成膜によってめっき液中の各成分は消費され、それとは別に還元剤は時間とともに分解する。また、めっき液は加温して用いるので、水分等の蒸発に伴う組成変化も起こる。さらには、処理に伴う若干の液の系外への持ち出しも起こる。このため、ｐＨやめっき液中の各成分の組成を分析し、ある範囲に維持することで、膜組成の再現性を維持することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記めっき液中の溶存酸素濃度を測定して、溶存酸素濃度を一定に制御するようにしてもよい。
詳細な機構は判っていないが、発明者らの実験結果によると、めっき液中の溶存酸素がある一定範囲に入っていないとめっき反応の再現性が悪くなる。このため、めっき液中の溶存酸素濃度を測定し、管理することで、めっき反応の安定性を維持することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
前記無電解めっき処理後、基板をめっき液から引き上げ、ｐＨが６〜７．５の中性液からなる停止液を基板表面に接触させてめっき反応を停止させることが好ましい。
これにより、基板をめっき液から引き上げた直後にめっき反応を迅速に停止させて、めっき膜にめっきむらが発生することを防止することができる。この処理時間は、例えば１〜５秒であることが好ましい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
停止液は、例えば、純水、水素ガス溶解水、または電解カソード水である。
前述と同様に、表面の材料構成によっては配線材料が局部電池作用などにより腐食することがあり、このような場合に、還元性を持たせた超純水でめっきを停止させることで、このような弊害を回避することができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
前記基板の後処理は、筒状の洗浄部材を軸まわりに回転させながら該洗浄部材の表面を前記基板の被処理面に擦り付けることを含むことが好ましい。
これにより、層間絶縁膜上の金属微粒子などのめっき残留物を確実に除去し、無電解めっきの選択性を一層向上させることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
前記基板の後処理が、化学機械的研磨、電気化学的研磨または複合電気化学的研磨のいずれかにより、被処理面を平坦化することを含むようにしてもよい。
これにより、層間絶縁膜上の金属微粒子などのめっき残留物を確実に除去し、無電解めっきの選択性を一層向上させることができる。また、被めっき処理面の平坦化もできるため、次工程での処理が容易になる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
前記基板の後処理に、界面活性剤、有機アルカリ及びキレート剤のいずれか一種または二種以上を含む薬液を使用することが好ましい。
これらの薬液を用いることで、無電解めっきの選択性を一層効率良く向上させることができる。なお、界面活性剤としては非イオン性のものが、有機アルカリとしては第４級アンモニウムないしアミン類が、またキレート剤としてはエチレンジアミン類やクエン酸等の有機酸が好ましい。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
前記基板の後処理の後に、純水、水素ガス溶解水、または電解カソード水でリンスし、しかる後、基板を乾燥することが好ましい。
前述と同様に、表面の材料構成によっては配線材料が局部電池作用などにより腐食することがあるが、このような場合に、還元性を持たせた超純水でリンスすることで、このような弊害を回避することができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
前記基板を乾燥状態にする乾燥処理を行う際に、乾燥空気または乾燥不活性ガスを用いて基板の周囲における雰囲気の湿度を制御することが好ましい。
通常の雰囲気下で乾燥を行うと、基板上の水分が雰囲気中に飛散して湿度が高まり、乾燥処理をしたとはいえ基板表面には多量の水分が吸着しており、このままでは、吸着水分によって配線部分が酸化されるなど新たな問題を引き起こす可能性がある。またスピンドライヤでのミストバックによる、ウォータ・マーク発生などの問題も想定される。このため、乾燥時の雰囲気湿度を乾燥空気または乾燥窒素を用いて制御することで、このような弊害を回避することができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記乾燥後の基板に、前記保護膜を改質する熱処理を施すようにしてもよい。
これにより、配線の露出表面に形成した保護膜（めっき膜）のバリア性及び配線との密着性等を向上させることができる。また、次工程の前に熱処理を加えることで、配線の露出表面に形成した保護膜（めっき膜）の熱変形等を最小に抑えることができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
前記熱処理の温度は、例えば、１２０〜４５０℃である。
保護膜の改質に必要な温度としては、処理時間の現実性も含めて考えると、少なくとも１２０℃以上であり、かつデバイスを構成する材料の耐熱性を考慮すると４５０℃を超えないことが望ましい。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
被めっき下地表面に形成された前記保護膜の膜厚を測定するようにしてもよい。
これにより、配線の露出表面に形成した保護膜の膜厚を測定し、この膜厚の変動に応じて、例えば次の基板に対するめっき処理の処理時間を調整することで、配線の露出表面に形成される保護膜の膜厚を一定に制御することができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
請求項６に記載の発明は、基板の表面に形成した埋込み配線の底面及び側面、または露出表面に保護膜を選択的に形成する基板処理装置であって、前記基板表面にめっき前処理を施す前処理ユニットと、前記前処理後の基板の表面に無電解めっきを施して前記配線の底面及び側面、または露出表面に前記保護膜を選択的に形成する無電解めっきユニットと、前記無電解めっき処理後の基板を乾燥状態にする乾燥ユニットを有することを特徴とする基板処理装置である。
これにより、基板の表面に形成した埋込み配線の底面及び側面、または露出表面に、無電解めっきによって保護膜を形成する一連の処理を１つの装置内で連続して行うことができ、しかも乾燥状態まで基板を仕上げるのでそのまま次工程に搬送することが可能となる。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
請求項７に記載の発明は、無電解めっきユニットと乾燥ユニットの間に、基板表面に形成した前記保護膜の選択性を向上させるための後処理を施す後処理ユニットを有することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。
これにより、それぞれの処理工程を別々の装置（処理部）で行う場合に比較して全体がコンパクトになり、広い設置スペースを必要とせず、装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、且つ短い処理時間で、選択性を高めた保護膜（めっき膜）を形成できる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
請求項８に記載の発明は、前処理ユニットは、基板表面を薬液で処理し、該薬液を基板表面から除去する第１前処理ユニットと、基板表面に触媒を付与し、該触媒付与に使用した薬液を基板表面から除去する第２前処理ユニットとを有することを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置である。
処理装置に投入される基板の表面状態は前工程によって左右されるが、第１前処理ユニットでの適正な薬液処理による表面清浄化及び初期化と、第２前処理ユニットでの触媒付与による活性化処理を行うことにより、前工程の如何に依らないめっき処理が可能となる。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
前記前処理ユニットは、例えば、薬液を基板に対してスプレーで噴射するように構成されている。
触媒付与の方法としては浸漬法とスプレー法が考えられるが、信頼性などの点から見てスプレー法のほうが優れている。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
請求項９に記載の発明は、前記前処理ユニットが保有する前処理液の液量を計測するとともに、前処理液中の組成を分析し、前処理液中の不足する成分を補給する前処理液管理ユニットを有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理装置である。
前処理液の組成の分析方法としては、電極法、滴定法、電気化学的測定等があり、これらの分析結果を信号処理して前処理液中の不足する成分を補給槽から定量ポンプなどを使って前処理液貯槽へ補給し、これによって、前処理液の液量と組成を管理することで、薄膜めっきを再現性良く実現できる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明の好ましい一様態において、前記無電解めっきユニットは、めっき槽、めっき液循環系及びめっき液貯槽とを備え、該めっき液循環系は、めっき待機時及びめっき処理時に個別に設定可能な流量でめっき液を前記めっき槽と前記めっき液貯槽の間を循環可能であり、かつめっき待機時のめっき液の循環流量が２〜２０Ｌ／ｍｉｎで、めっき処理時のめっき液の循環流量が０〜１０Ｌ／ｍｉｎである。
これにより、めっき待機時にめっき液の大きな循環流量を確保して、セル内のめっき浴の液温を一定に維持し、めっき処理時には、めっき液の循環流量を小さくして、より均一な膜厚の保護膜（めっき膜）を成膜することができる。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
請求項１０に記載の発明は、前記無電解めっきユニットが保有するめっき液の液量を計測するとともに、めっき液中の組成を分析し、めっき液中の不足する成分を補給するめっき液管理ユニットを有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の基板処理装置である。
めっき液の組成の分析方法としては、吸光光度法、滴定法、電気化学的測定、電気泳動法などがあり、これらの分析結果を信号処理してめっき液中の不足する成分を補給槽から定量ポンプなどを使ってめっき液貯槽へ補給し、これによって、めっき液の液量と組成を管理することで、薄膜めっきを再現性良く実現できる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明の好ましい一様態において、前記めっき液管理ユニットは、前記無電解めっきユニットが保有するめっき液の溶存酸素を測定する溶存酸素濃度計を有し、該溶存酸素濃度計の指示によりめっき液の溶存酸素濃度を一定に管理する。
めっき液中の溶存酸素濃度の測定法としては電気化学的方法等があり、脱気、窒素吹き込みその他の方法でめっき液中の溶存酸素濃度を一定に管理することで、めっき反応を再現性良く実現することができる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
前記後処理ユニットは、例えば、ロールスクラブ洗浄方式、ペンシル洗浄方式またはエッチング液によるエッチングバック方式のうちの少なくとも一種類を使用している。
これにより、めっき処理後の基板表面に物理的な力を加えたり、エッチング力のある薬液を接触させたりすることで、層間絶縁膜上の残留物を完全に取り除いて、半導体装置等の歩留りを向上させることができる。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明の好ましい一様態において、前記後処理ユニットは、化学機械的研磨ユニット、電気化学的研磨ユニットまたは複合電気化学的研磨ユニットのうちの少なくとも一種類を使用している。
これにより、めっき処理後の基板表面に物理的な力を加えることで、層間絶縁膜上の残留物を完全に取り除いて、半導体装置等の歩留りを向上させることができる。また、めっき処理後の基板表面の平坦化ができ、以後の基板処理が容易になる。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
前記乾燥ユニットは、例えば、スピンドライヤからなる。
これにより後処理後の基板を迅速に乾燥できるので、装置としての生産性を高めることができる。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
前記乾燥ユニットは、該乾燥ユニットに乾燥空気を供給するドライエアユニットないし乾燥不活性ガスを供給するドライ不活性ガスユニットを有することが好ましい。
これにより後処理後の基板の乾燥を徹底させ、吸着水分による配線部分の酸化やミストバックによるウォータ・マーク発生などの問題を回避できる。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
前記乾燥ユニットで乾燥後の基板に、前記保護膜を改質する熱処理を施す熱処理ユニットを有するようにしてもよい。
これにより、基板の表面上の被めっき下地表面配線に形成した保護膜のバリア性及び配線との密着性等の向上までの一連の工程を１台の装置で効率良く実現することができる。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
被めっき下地表面に形成された保護膜の膜厚を測定する膜厚測定ユニットを有するようにしてもよい。
膜厚測定ユニットとしては、光学式のもの、ＡＦＭ、ＥＤＸなどがあり、その信号を処理して、例えば次の基板に対するめっき処理の処理時間を調整することができ、これによって、基板の表面上の被めっき下地表面に形成される保護膜の膜厚を一定に制御することができる。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
前記各ユニットに水素ガス溶解水または電解カソード水を供給するため、超純水に水素ガスを溶解する装置または超純水を電解する装置を有するようにしてもよい。