【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換等を行い、装置の真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを行う真空処理装置において、
プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを前記真空処理チャンバに備え、
真空処理チャンバ内の真空排気中に前記高精度真空計及びワイドレンジ真空計により求められる圧力トレンドを用いて、事前に求めた圧力トレンドの規定値と比較し、真空排気の良否を判定する解析装置と、
該解析装置で排気良好と判断される場合には、測定された圧力が実プロセスを行うための規定値よりも下がっていなくても、前記真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを開始するように制御する制御手段を有することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記解析装置は、前記絶対圧真空計によって測定されるチャンバ真空封止時の見かけのガス流量（以下、リークレート）と前記ワイドレンジ真空計で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断する手段であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換等を行い、装置の真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを行う真空処理装置において、
プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを真空処理チャンバに備え、
真空排気中の圧力トレンドを用いて、真空排気の良否を判定すると共に、規定の真空度に達する時刻を予測する解析手段と、
該解析手段により予測した時刻の近傍に馴らし放電・エージングが終了するように、馴らし放電・エージングを開始するように制御する制御手段を有することを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の真空処理装置において、
前記解析装置は、前記絶対圧真空計によって測定される真空処理チャンバが真空封止時の見かけのガス流量（以下、リークレート）と前記ワイドレンジ真空計で測定される真空処理チャンバ内部の圧力との間の関係を求めておき、真空排気中の圧力トレンドを用いて、基準となるリークレートに到達する時刻を予測する手段であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項１〜４の真空処理装置において、真空処理チャンバ又は、真空処理チャンバ内蔵物の一部又は全部の表面がアルマイト被覆であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換等を行い、装置の真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを行う真空処理装置を用いた真空処理方法において、
プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを真空処理チャンバに備え、
真空処理チャンバ内の真空排気中に前記高精度真空計及びワイドレンジ真空計により求められる圧力トレンドを用いて、事前に求めた圧力トレンドの規定値と比較し、真空排気の良否を判定する解析工程と、
該解析工程で排気良好と判断される場合には、測定された圧力が実プロセスを行うための規定値よりも下がっていなくても、前記真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを開始するように制御する制御手段を有することを特徴とする真空処理方法。
【請求項７】
請求項６記載の真空処理方法において、前記絶対圧真空計によって測定される真空処理チャンバ真空封止時の見かけのガス流量（以下、リークレート）と前記ワイドレンジ真空計で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断することを特徴とする真空処理方法。
【請求項８】
請求項６記載の真空処理方法において、廃棄良好と判断される場合に、規定の真空度に達する時刻を予測し、予測した時刻の近傍に馴らし放電・エージングが終了するように馴らし放電・エージングを開始することを特徴とする真空処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、ウェットクリーニングや部品交換等の目的で、チャンバを大気に開放したときに、装置の真空排気を行った後、被処理物の実際の処理に先立って、チャンバや処理室のエージングを必要とする真空処理装置において、プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計を備え、真空排気中の圧力トレンドを用いて、真空排気の良否を判定し、排気良好と判断される場合には、実際の圧力が規定値よりも下がっていなくても、エージングを開始する制御手段を有することを特徴とする。さらに、本発明は、真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換等を行い、装置の真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを行う真空処理装置において、プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを前記真空処理チャンバに備え、真空処理チャンバ内の真空排気中に前記高精度真空計及びワイドレンジ真空計により求められる圧力トレンドを用いて、事前に求めた圧力トレンドの規定値と比較し、真空排気の良否を判定する解析装置と、該解析装置で排気良好と判断される場合には、測定された圧力が実プロセスを行うための規定値よりも下がっていなくても、前記真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを開始するように制御する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記真空処理装置において、前記解析装置は、前記絶対圧真空計によって測定されるチャンバ真空封止時の見かけのガス流量（以下、リークレート）と前記ワイドレンジ真空計で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断する手段であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換等の目的で、チャンバを大気に開放したときに、装置の真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを必要とする真空処理装置において、プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを真空処理チャンバ備え、真空排気中の圧力トレンドを用いて、真空排気の良否を判定すると共に、規定の真空度に達する時刻を予測する解析手段と、該解析手段により予測した時刻の近傍に馴らし放電・エージングが終了するように、馴らし放電・エージングを開始するように制御する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、上記真空処理装置において、前記解析装置は、前記絶対圧真空計によって測定される真空処理チャンバが真空封止時の見かけのガス流量（以下、リークレート）と前記ワイドレンジ真空計で測定される真空処理チャンバ圧力との間の関係を求めておき、排気中の圧力トレンドを用いて、基準となるリークレートに到達する時刻を予測する手段であることを特徴とする。また、本発明は、上記各真空処理装置において、チャンバ又は、チャンバ内蔵物の一部又は全部の表面がアルマイト被膜であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換等の目的で、チャンバを大気に開放したときに、装置の真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを行う真空処理装置を用いた真空処理方法において、プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを真空処理チャンバに備え、真空処理チャンバ内の真空排気中に前記高精度真空計及びワイドレンジ真空計により求められる圧力トレンドを用いて、事前に求めた圧力トレンドの規定値と比較し、真空排気の良否を判定する解析工程と、該解析工程で排気良好と判断される場合には、測定された圧力が実プロセスを行うための規定値よりも下がっていなくても、前記真空処理チャンバ内の馴らし放電・エージングを開始するように制御する制御手段を有することを特徴とする。また、本発明は、この真空処理方法において、前記絶対圧真空計によって測定される真空処理チャンバ真空封止時の見かけのガス流量（以下、リークレート）と前記ワイドレンジ真空計で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、上記真空処理方法において、排気良好と判断される場合に、規定の真空度に達する時刻を予測し、予測した時刻の近傍に馴らし放電・エージングが終了するように馴らし放電・エージングを開始することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１は、本発明の一実施例であり、プラズマエッチング装置の概略を示している。図中の処理チャンバ１は、真空容器であり、ゲートバルブ２、処理中の圧力調整用のバタフライバルブ３を介してターボ分子ポンプ４が接続される。処理中には、プロセスガスインレット１０より、プロセスガスを導入し、プラズマソース１４によりプラズマを発生し、ステージ６上のウエハ７をプラズマエッチング処理する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の目的は、排気異常を検知するのみならず、馴らし放電やエージングも含めてウェットクリーニング後の装置立上時間を短縮することである。そこで、排気に対する放電の影響を調べる必要があった。図６は、発明者らの実験による、排気途中に、Ａｒや塩素の放電を挿入したときの圧力変化を示している。図６において、Ａｒ放電はＡｒ放電を入れた場合の排気曲線、Ｃｌ２放電はＣｌ２放電を入れた場合の排気曲線、連続排気は連続排気の場合の排気曲線である。図６において、放電中は、プロセスガスを流し一定値に圧力制御が行われているため（図では、１Ｐａ）、圧力が上昇しているが、図より、排気途中での放電の挿入はその後の圧力減少に影響を与えていないことが分かる。すなわち、希ガスやプロセスガスを流した状態での放電は、その間、単に排気していたことと等価であると考えられる。一般に、放電は表面吸着した水分子を取り去る効果があると言われているが、半導体製造装置の真空チャンバにおいて、放電が真空排気に影響を与えない理由として、ひとつは、真空チャンバ内において放電が届かない箇所が多いこと、もう一つは、アルマイト被膜は極めてポーラスであり、被膜内部から拡散してくる水分子が大半を占めることが挙げられる（前述のＪ．Ｆ．ＭｃＡｎｄｒｅｗらの論文にもこのことが示されている。）したがって、図４および図５を用いて説明した方法で、目標真空度への到達時刻を前もって予測可能であるとき、馴らし放電やエージングを目標真空度への到達前に挿入し、エージングが完了する時刻に、ちょうど目標真空度に達するか、あるいは若干のマージンを見て目標真空度以下に達するようにすれば、途中に放電を挿入しても、予測通りに目標真空度に達するし、これにより、馴らし放電やエージングにかかる時間かそれに近い時間分、装置の立上時間を低減できることになる。