【事件の表示】
　特許第３１１２４０７号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３１１２４０７号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
【1】手続の経緯
　本件特許第3112407号の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、平成7年12月5日に特許出願され、平成12年9月22日にその特許の設定登録がなされ、その後、平成14年3月13日に、訂正審判が請求されたものである。
　
【2】訂正の内容
　請求人の求める訂正の内容は、下記a〜fのとおりである。
　a.誤記の訂正を目的として、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された「【請求項1】第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に形成された第2導電型半導体層と、該第2導電型半導体層の表面から該第1導電型半導体基板の表面に達するよう形成され、該第2導電型半導体層を複数の第2導電型半導体領域に分割する第1の第1導電型半導体層とを備え、該分割された個々の第2導電型半導体領域とその下側の第1導電型半導体基板とにより、信号光を検出する光検出フォトダイオード部が複数構成され、該光検出フォトダイオード部の一部には、該第2導電型半導体領域及び第1導電型半導体基板に跨るよう、第2導電型半導体埋込み層が形成されており、該第2導電型半導体領域の表面には第2の第1導電型半導体層が形成されており、該第2導電型半導体層は、該光検出フォトダイオード部に信号光検出時に印加される逆バイアスによって該第2導電型半導体領域と該第2の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体領域側に拡がる空乏層を該第2導電型半導体埋込み層に抵触させる程度の比抵抗を有することを特徴とする受光素子。」という記載を、『【請求項1】第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に形成された第2導電型半導体層と、該第2導電型半導体層の表面から該第1導電型半導体基板の表面に達するよう形成され、該第2導電型半導体層を複数の第2導電型半導体領域に分割する第1の第1導電型半導体層とを備え、該分割された個々の第2導電型半導体領域とその下側の第1導電型半導体基板とにより、信号光を検出する光検出フォトダイオード部が複数構成され、該光検出フオトダイオード部の一部には、該第2導電型半導体領域及び第1導電型半導体基板に跨るよう、第2導電型半導体埋込み層が形成されており、該第2導電型半導体領域の表面には第2の第1導電型半導体層が形成されており、該第2導電型半導体層は、該光検出フオトダイオード部に信号光検出時に印加される逆バイアスによって該第2導電型半導体領域と該第2の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体領域側に拡がる空乏層を該第2導電型半導体埋込み層に接触させる程度の比抵抗を有することを特徴とする受光素子。』という記載に訂正する。
　
　b.上記訂正事項aに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りようでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、本件特許明細書の段落【0041】に記載された「本発明においては、光検出フォトダイオードを構成する第2導電型半導体層の比抵抗を、光検出フォトダイオードに逆バイアスが印加されたとき、該第2導電型半導体層とその上の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体層側に拡がる空乏層が、第2導電型半導体埋込み層に接する程度に大きくしたから、フォトダイオード部で拡がる空乏層の拡がりが大きくなり、これにより、フオトダイオードの応答速度を改善することができる。」という記載を、『本発明においては、光検出フォトダイオードを構成する第2導電型半導体層の比抵抗を、光検出フォトダイオードに逆バイアスが印加されたとき、該第2導電型半導体層とその上の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体層側に拡がる空乏層を第2導電型半導体埋込み層に接触させる程度に大きくしたから、フォトダイオード部で拡がる空乏層の拡がりが大きくなり、これにより、フォトダイオードの応答速度を改善することができる。』という記載に訂正する。
　
　c.上記訂正事項aに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、本件特許明細書の段落【0042】に記載された「また、第2導電型半導体層に回路素子を備える場合、この第2導電型半導体層 の比抵抗の大きさは、フォトダイオード部にて発生する空乏層が第2導電型半導体埋込み層に接する程度であるため、該第2導電型半導体層に形成される信号処理回路のトランジスタ特性が回路内蔵受光素子の特性に影響することはなく、回路内蔵受光素子トータルの特性を大幅に改善できる。」という記載を、『また、第2導電型半導体層に回路素子を備える場合、この第2導電型半導体層の比抵抗の大きさは、フォトダイオード部にて発生する空乏層を第2導電型半導体埋込み層に接触させる程度であるため、該第2導電型半導体層に形成される信号処理回路のトランジスタ特性が回路内蔵受光素子の特性に影響することはなく、回路内蔵受光素子トータルの特性を大幅に改善できる。』という記載に訂正する。
　
　d.上記訂正事項aに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、本件特許明細書の段落【0046】に記載された「図において、図4と同一符号は、従来の回路内蔵受光素子201におけるものと同一のものを示し、101は、本実施形態による回路素子を内蔵した受光素子である。この受光素子101では、これを構成するN型エピタキシャル層4aの比抵抗が、フォトダイオード部D1〜D5に印加される逆バイアスにより、該N型エピタキシャル層4aとその上のP型拡散層6との接合面から該N型エピタキシャル層4a側に延びる空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接する程度に高いものとなっている。その他の構成は、従来の回路内蔵受光素子201と同一である。」という記載を、『図において、図4と同一符号は、従来の回路内蔵受光素子201におけるものと同一のものを示し、101は、本実施形態による回路素子を内蔵した受光素子である。この受光素子101では、これを構成するN型エピタキシャル層4aの比抵抗が、フォトダイオード部D1〜D5に印加される逆バイアスにより、該N型エピタキシャル層4aとその上のP型拡散層6との接合面から該N型エピタキシャル層4a側に延びる空乏層10をN型埋め込み拡散層3に接触させる程度に高いものとなっている。その他の構成は、従来の回路内蔵受光素子201と同一である。』という記載に訂正する。
　
　e.上記訂正事項aに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りようでない記載の釈明又は誤記の訂正を日的として、本件特許明細書の段落【0049】に記載された「また、フォトダイオード部D1〜D5に逆バイアスが印加された時に上記空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接する程度に比抵抗を高く設定したのは以下の理由による。つまり、このN型埋め込み拡散層3がかなり高濃度(例えば1×1019atoms/cm3)であるため、上記エピタキシャル層4aの比抵抗を、上記空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接する程度以上高くしても、該空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接触してしまうと、それ以上空乏層が拡がらないためである。」という記載を、『また、フオトダイオード部DI〜D5に逆バイアスが印加された時に上記空乏層10をN型埋め込み拡散層3に接触させる程度に比抵抗を高く設定したのは以下の理由による。つまり、このN型埋め込み拡散層3がかなり高濃度(例えば1×1019atoms/cm3)であるため、上記エピタキシャル層4aの比抵抗を、上記空乏層10をN型埋め込み拡散層3に接触させる程度以上高くしても、該空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接触してしまうと、それ以上空乏層が拡がらないためである。』という記載に訂正する。
　
　f.上記訂正事項aに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りようでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、本件特許明細書の段落【0061】に記載された「【発明の効果】以上のように本発明に係る受光素子によれば、光検出フォトダイオード部を構成する第2導電型半導体層の比抵抗を、光検出フォトダイオード部に逆バイアスが印加されたとき、該第2導電型半導体層とその表面の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体層側に拡がる空乏層が、第2導電型半導体埋込み層に接する程度に大きくしたので、特にホログラム素子を用いた光ピックアップ使用されるフォトダイオードの応答速度を、回路特性を劣化させることなく改善し、素子トータルの特性、特に周波数特性を向上することができる効果がある。」という記載を、『【発明の効果】以上のように本発明に係る受光素子によれば、光検出フオトダイオード部を構成する第2導電型半導体層の比抵抗を、光検出フォトダイオード部に逆バイアスが印加されたとき、該第2導電型半導体層とその表面の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体層側に拡がる空乏層を第2導電型半導体埋込み層に接触させる程度に大きくしたので、特にホログラム素子を用いた光ピックアップ使用されるフォトダイオードの応答速度を、回路特性を劣化させることなく改善し、素子トータルの特性、特に周波数特性を向上することができる効果がある。』という記載に訂正する。
　
【3】訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　[1] 上記訂正事項aは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項1において、「該第2導電型半導体領域と該第2の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体領域側に拡がる空乏層を該第2導電型半導体埋込み層に抵触させる」とあったのを、『該第2導電型半導体領域と該第2の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体領域側に拡がる空乏層を該第2導電型半導体埋込み層に接触させる』とすることにより、訂正前の「抵触させる」という技術事項として明りょうでない記載を、『接触させる』と訂正することにより、明りょうにすることを目的としたものである。
　また、これは、本件特許明細書の段落【0038】の「該第2導電型半導体層は、該光検出フオトダイオード部に信号光検出時に印加される逆バイアスによって該第2導電型半導体領域と該第2の第1導電型半導体層との界面から第2導電型半導体領域側に拡がる空乏層を該第2導電型半導体埋込み層に接触させる程度の比抵抗を有するものとなっている」との記載、【0049】の「空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接触して」との記載、【0053】の「空乏層10がN型埋め込み拡散層3に接触する」との記載に基づくものである。
　よって、上記訂正事項aは、明りょうでない記載の釈明を目的として、願書に添付した明細書又は図面の記載事項の範囲内でする訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
　[2] 上記訂正事項b〜fは、それぞれ、訂正事項aによる訂正よって生じる記載の不一致を正すものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面の記載事項の範囲内でする訂正であって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
【3】むすび
　以上のとおりであるから、本件の訂正請求は、許法第126条第1項ただし書き、同条第2項及び同条第3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　よって、結論のとおり審決する。