(57)【要約】【課題】コストやプロセス削減及び実行効率を改善することのできるメモリ装置を提供する。【解決手段】メモリ装置を作製する初めに、その不揮発性メモリブロック（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｍｅｍｏｒｙ  ｂｌｏｃｋ）のうち予設のプリロードエリアに特定の一致のメモリ設定値を先にロードし、該不揮発性メモリタイプの各種のパラメーター情報をプリロードし、そのメモリ装置の整備時に、メモリ装置のＲＡＭに該プリロードエリアの情報をロードし、従来のＲＯＭで該タイプを記載する格納空間を節約するとともに、メモリ装置を起動した後に、ロード手段でプリロードエリアから該不揮発性メモリの設定値をメモリ装置のＲＡＭにロードし、該メモリ装置の作製或いはソフトウェア更新のフローを達成する不揮発性メモリの設定値ロード方法及びそのメモリ装置を提供する。【選択図】図６
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
データを格納する不揮発性メモリである不揮発性メモリモジュールと、
この不揮発性メモリモジュールにおいて予め区画されたメモリ空間であって、該不揮発性メモリのメモリタイプの違いによって変化するデータを格納するプリロードエリアと、
前記不揮発性メモリモジュールに結合し、マイクロコントローラとして内蔵されるメモリ制御ユニットと、
前記メモリ制御ユニットに結合し、プログラム実行の際、ダイナミックメモリとしてプログラムコードをロードするＲＡＭモジュールと、
前記メモリ制御ユニットに結合し、不揮発性メモリのメモリタイプの変化によっても異ならないデータを格納するＲＯＭモジュールとを含み、
起動の際、前記プリロードエリアに保存するデータを前記ＲＡＭモジュールにロードすることにより、不揮発性メモリタイプの変化によるＲＯＭモジュールプロセスの補正が必要ないことを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
さらに前記メモリ制御ユニットに結合する電源調節ユニットと、
外部装置とデータ伝送を行うインターフェースであって、該外部装置が供給する電力を出力できる通信インターフェースとを備えることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記不揮発性メモリが、フラッシュメモリであることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記プリロードエリアが、連続メモリアドレスのメモリブロックであることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記プリロードエリアが、不連続でメモリアドレスが既に標記されるメモリ空間であることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項６】
前記ＲＡＭモジュールが、データアクセス時のレジストバッファであることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、不揮発性メモリを用いるメモリ装置に係わり、特に、不揮発性メモリのメモリタイプが異なる場合においても、起動時に整備を完成するメモリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュメモリモジュールのメーカーが、フラッシュメモリに関連するメモリ装置を作製するときには、夫々のメモリタイプ（ｔｙｐｅ）やメーカーが定義する規格に適合させなければならない。即ち、一つのメモリ装置を設計するときには、様々なタイプや規格の全てに対し対応可能とする必要がある。
【０００３】
メーカーが生産するメモリタイプ或いは規格の多少の違いを克服するために、最も使われる方法は、その装置中のソフトウェア部分を制御する方法である。即ち、メモリ装置を作製するときに、対応する必要のある全てのフラッシュメモリタイプの情報を直接ロードする方法である。
【０００４】
しかしながら、この方法では、例えば、ソフトウェア部分のＲＯＭを作製するときに、一回のプロセス（例えば、フォトマスクやエッチングなどの工程）で、全ての必要な情報を含むため、作製の面では常に比較的に大きいメモリサイズが必要であった。また、その過程も１、２ヶ月と長く、作製する間にメモリメーカーによる如何なる更新又は補正があれば、ソフトウェアを新たに設計しなければならず、時間やコストを要するだけでなく、更に在庫増大に繋がりかねないという問題があった。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
前記コストを要するという問題を鑑み、従来では、常にメモリ装置のうち設定値が変動する必要のある部分を、消去・書込可能なメモリに格納するという方法がとられている。この方法によれば、後で、その中のプログラムを容易に更新及び補正することができる。
【０００６】
図１は、典型的なフラッシュメモリを示す図である。図示するように、このフラッシュメモリは複数のフラッシュメモリブロック１０１を含み、さらに、ＲＡＭ１０５とスペシャルファンクションレジスタ（Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ，ＳＦＲ）１０７を含む。スペシャルファンクションレジスタ１０７は、ワンチップ内部コントローラと各周辺モジュールに用いるレジスタである。さらに、図示するフラッシュメモリには、アドレスを選択しその中のコントローラの中断サービスルーチン（Ｉｎｔｅｒｒｕｐｔ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｒｏｕｔｉｎｅ，ＩＳＲ）に対応するためのベクトルテーブル（Ｖｅｃｔｏｒ  ｔａｂｌｅ）１０９が設置される。
【０００７】
前記ソフトウェアを補正或いは更新する時には、例えば、従来の米国特許公開２００３−０００５２１２号に提供されたメモリ内のプログラムをダイナミックに補正する方法（Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  ｄｙｎａｍｉｃａｌｌｙ  ｍｏｄｉｆｙｉｎｇ  ａ  ｓｔｏｒｅｄ  ｐｒｏｇｒａｍ）を用いることができる。図２は、メモリがダイナミックな補正を行う時に示される図であり、それに使用されるメモリが、消去・書きやプログラム化可能なフラッシュメモリ１０１である。
このフラッシュメモリ１０１のうち、補正ブロック２０３中には補正コードが格納され、プログラム２０５には補正待ちのプログラムが格納され、補正指令ブロック２０７には補正指令が格納され、プロセッサプログラムブロック２０９にはプロセッサプログラムコードが格納される。
【０００８】
従来では、メモリ装置が補正或いは更新を行う時に、プロセッサプログラムブロック２０９内では、プロセッサプログラムコードがＲＡＭ２１１内にレジストされ、フラッシュメモリブロック１０１のデータを伝送或いは受信する汎用非同期受送信器（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｒｅｃｅｉｖｅｒ  Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ，ＵＡＲＴ）２１３が、外部装置からプログラムコードを該メモリ装置にロード・インし更新又は補正を行う。
【０００９】
また、更新機構として、例えば、従来の米国特許ＵＳ６,７９５，８７２号に開示された装置中のメモリ機能メテナンス方法（Ｍａｉｎｔａｉｎｉｎｇ  ａｔ  ｌｅａｓｔ  ｐａｒｔｉａｌ  ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｔｙ  ｏｆ  ａ  ｄｅｖｉｃｅ  ａｓ  ｄｅｆｉｎｅｄ  ｂｙ  ａ  ｈａｒｄｗａｒｅ  ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ  ａｔ  ａ  ＵＳＢ  ｂｕｓ  ｅｎｕｍｅｒａｔｉｏｎ  ｗｈｉｌｅ  ｔｈｅ  ｄｅｖｉｃｅ  ｍｅｍｏｒｙ  ｉｓ  ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ）がある。この方法では、該装置が運行し始めるときに、ソフトウェアが書ける状態に装置を設定し、コンピュータによりＵＳＢなどのインターフェースを介して接続する。そして、ユーザや装置駆動プログラム或いは他の方法により、このインターフェースを介して補正を行う。また、内蔵のＲＡＭにより制御プログラムをロードし、該装置中で制御プログラムを実行し、コンピュータにより伝送した指令を実行し、該装置の補正を行う。
【００１０】
また、例えば、米国特許公開２００５−０１２０３４３号には、ソフトウェアのダウンロード方法が開示される。この方法においては、図３に示されるように、ＵＳＢ装置３０とメインホスト３１とがＵＳＢなどのインターフェースで接続される。具体的にはメインホスト３１中のＵＳＢメインホストコントローラ３０５と、ＵＳＢ装置３０中のマイクロコントローラ３０４とが接続される。また、ＵＳＢ装置３０において、マイクロコントローラ３０４に対し、電子消去・プログラミング可能なＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）３０１と、メモリ３０２と、タイマー（Ｔｉｍｅｒ）３０３とが夫々接続されている。
このＵＳＢ装置３０において、マイクロコントローラ３０４によりメインホスト３１からデータをダウンロードし、或いは該特許文献に開示されたソフトウェアをダウンロード、更新をする。これにより、ＥＥＰＲＯＭ３０１にアプリケーションプログラムコードや装置起動（Ｂｏｏｔ  ｕｐ）コードなどが格納され、メモリ３０２に一般のデータが格納される。
【００１１】
以上のような方法によれば、コンピュータシステムに接続することにより、外部からメモリ装置中の書き可能なメモリ、例えばＲＡＭを介して、メモリ装置中のソフトウェアの補正或いは更新を行うことができる。
また、前記した方法以外にも、例えば、一つのフラッシュメモリブロックを加えたり、或いはプロセス上でＲＯＭに読み書き可能なメモリブロックなどを作製する手段等により前記目的を完成する他の可能な補正、更新方法もある。
本考案は、メモリ装置を更新及び補正する他の方法を提供し、コストやプロセス削減及び実行効率を改善することのできるメモリ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
不揮発性メモリのブロックにプリロードエリアを予め設置し、該プリロードエリアに該不揮発性メモリタイプ（Ｍｅｍｏｒｙ  ｔｙｐｅ）の各種のパラメーター情報、例えば、メモリ識別パラメーターやアクセスタイミング（Ａｃｃｅｓｓ  ｔｉｍｉｎｇ）等をツールプログラムで先にロードし、該メモリ装置が起動する時に、メモリ装置のＲＡＭに該プリロードエリアの情報をロードすることによって、従来のＲＯＭで様々なメモリタイプを記載する格納空間を節約するとともに、該メモリ装置の作製或いはソフトウェア更新のフローを達成する不揮発性メモリの設定値ロード方法及びそのメモリ装置を提供する。
【００１３】
本考案に記載するメモリ装置に用いる不揮発性メモリの設定値ロード方法の実施例は、本考案のメモリ装置が整備する初段階に、その不揮発性メモリ装置を初期化する必要があり、さらにメモリブロックのうちからプリロードエリアを区画し、そして、このプリロードエリアに該特定不揮発性メモリの設定値をロードする工程を含む。その後に、前記設定値をロードした後のメモリ装置のテストを実行し、先に、メモリ装置を起動し、続いて該メモリ装置を初期化し、その後に、前記ＲＡＭに設定値、例えば、プリロードエリア中のメモリタイプに係わるデータやパラメーター等をロードし、制御ユニットが該メモリタイプを確認した後に該メモリ装置の整備を完成する。
【００１４】
本考案に前記不揮発性メモリの設定値ロード方法が適応するメモリ装置を用いる実施例は、不揮発性メモリモジュールと、この不揮発性メモリモジュールでは予め区画されたメモリ空間であって、該不揮発性メモリがメモリタイプの違いによって変化するデータを格納するプリロードエリアと、該不揮発性メモリモジュールに結合するメモリ制御ユニットと、該メモリ制御ユニットに結合し、該メモリ装置がプログラムを実行する時にプログラムコードをロードするダイナミックメモリであるＲＡＭモジュールと、該メモリ制御ユニットに結合し、不揮発性メモリがメモリタイプの変化によって異ならないデータを格納するＲＯＭモジュールとを含み、よって、メモリ装置が起動する時に、プリロードエリアに保存するデータを該ＲＡＭモジュールにロードし、不揮発性メモリタイプの変化のため、従来該メモリ装置中のＲＯＭモジュールプロセスを補正する必要があった欠点を解決する。
【考案の効果】
【００１５】
本考案によれば、コストやプロセス削減及び実行効率を改善することのできるメモリ装置を得ることができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１６】
従来の不揮発性メモリ装置においては、例えば、ディスクドライブ（Ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ）やＳＤ／ＭＳ／ＣＦ／ＭＭＣなどのフラッシュメモリ（Ｆｌａｓｈ  ｍｅｍｏｒｙ）、即ち不揮発性メモリ媒体を格納するメモリカードが用いられる。不揮発性メモリ装置において、これらメモリカードを使用する場合には、フラッシュメモリ以外に、メモリ装置の起動及びデータアクセスを行うマイクロコントローラ（ＭＣＵ）、起動或いはデータ格納のためのＲＡＭ、メモリカード規格やメーカー識別や基本入出力（Ｉ／Ｏ）プログラムやアプリケーションプログラムや起動プログラム等の情報を格納するためのＲＯＭが必要である。
【００１７】
前記フラッシュメモリなどの不揮発性メモリタイプが変化することで、メモリ装置中のＲＯＭモジュールプロセスを補正する必要が生じるという欠点を解決するために、本考案は、不揮発性メモリの設定値ロード方法及びそのメモリ装置を提供する。これにより、従来のＲＯＭで作製する時、即ち各種の一致する必要のあるメモリ情報を書き込むときに発生するコストが高く、サイズが大きくなるという欠点を改善する。
【００１８】
その特徴は、前記不揮発性メモリ装置中の特別アドレス（ａｄｄｒｅｓｓ）或いは特別ブロック（ｂｌｏｃｋ）のメモリ空間（プリロードエリア）を先に区画し、この空間にメモリタイプの違いによって変化するデータを予め格納し、例えば、メモリ特性を記載する設定値、少なくとも、メモリに一致する必要のある識別データ及び規格、メモリ格納タイミング（Ｔｉｍｉｎｇ）、制御指令、追加機能等を含み、運行し始める時に、該プリロードエリアからそのメモリ情報を装置中のＲＡＭにロードすることによって、従来ではＲＯＭ或いは他のメモリブロックに予め格納する必要がある方式を代える。
【００１９】
前記本考案のメモリ装置では、ＲＯＭに、メモリタイプの変化によって異ならないデータ、例えばメモリ構造や接続インターフェース（例えば、ＵＳＢ、ＩＥＥＥ等）の通信協定などの工業標準を格納する。装置が起動する時に、ＲＡＭにプリロードエリアデータをロード手段でロードし、ＲＯＭ内に書き込めるデータに合わせて、該メモリ装置をスムーズに運行できる。
【００２０】
図４は、本考案に掲示される不揮発性メモリ装置を示す図であり、図４を参照すると、図示されるメモリ装置は、データを格納する不揮発性メモリモジュール４１を有し、これはフラッシュメモリ形式等の不揮発性メモリであり、出荷フォーマット（Ｆｏｒｍａｔ）或いは初期化の時に、その中の所定位置或いは所定ブロックにプリロードエリア４００が区画される。
尚、該プリロードエリア４００は、不揮発性メモリモジュール４１中に予め区画されたメモリ空間であれば、必ずしも連続のメモリアドレスのメモリブロックである必要はなく、メモリアドレスが予め決められていれば不連続のメモリ空間であっても良い。
【００２１】
図示するように不揮発性メモリモジュール４１は、メモリ装置内のメモリ制御ユニット４２に結合する。このメモリ制御ユニット４２は、内蔵式のマイクロコントローラ（ＭＣＵ）であり、メモリ装置に対し初期化（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚａｔｉｏｎ）、アドレッシング（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ）、入出力制御、電源管理、データ信号処理等を実行するコントローラである。
また、メモリ制御ユニット４２は、電源調節ユニット（Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）４３に更に結合し、ＵＳＢ、ＩＥＥＥ等の通信インターフェース４４から伝送された電力を管理している。この通信インターフェース４４は、外部装置とデータ伝送するインターフェース、例えばＵＳＢ、ＩＥＥＥ等であり、該外部装置が供給する電力も伝送することができる。
【００２２】
また、メモリ制御ユニット４２は、メモリ装置中のＲＡＭモジュール４５とＲＯＭモジュール４６に結合している。メモリ装置中のＲＡＭモジュール４５は、プログラム実行する時にプログラムコードをロードするダイナミックメモリとされ、該メモリ装置が起動する時に、ＲＡＭモジュール４５にメモリの運行時と関連するシステムプログラムがロードされる。ＲＡＭモジュール４５はデータアクセスの時のレジストバッファであっても良く、データバスの方式で、不揮発性メモリモジュール４１、メモリ制御ユニット４２及びＲＯＭモジュール４６に接続している。
【００２３】
図５は、本考案のメモリ装置のもう一つの実施形態を示す図であり、メモリ装置において、各モジュール、各ユニットが入出力バスで互いに接続する実施形態を示す図である。図５に示すように、このメモリ装置は入出力バス（Ｉ／Ｏ）に接続する不揮発性メモリモジュール４１と、メモリ制御ユニット４２と、ＲＡＭモジュール４５と、ＲＯＭモジュール４６等を有している。そして、メモリ制御ユニット４２には、更に電源調節ユニット４３を介して通信インターフェース４４が接続され、通信インターフェース４４により外部装置に接続することで、データの伝送或いは電力獲得を行う。
【００２４】
また、プリロードエリア４００が、不揮発性メモリモジュール４１中のメモリブロック或いはアドレスが標記されたメモリ空間に設置され、このプリロードエリア４００には、該メモリ装置がメモリタイプの違いによって変化するデータを格納するようになされている。これにより、メモリ装置ではＲＯＭモジュール４６における複数の一致なメモリを含むタイプのデータに用いる空間を節約する。本考案は、設置されたプリロードエリア４００に一組のメモリ関連データだけを格納でき、複数の形態のメモリデータを同時に格納する必要がないため、起動された後に必要とする該不揮発性メモリのタイプのデータだけをロードし、以降の運行時にそのメモリタイプを判断する工程を削除でき、この工程なければこのメモリ装置の運行効率をより向上できる。
【００２５】
図６は、本考案のメモリ装置における不揮発性メモリ設定値ロード方法の一つの好ましい実施例を示すフローチャートである。本考案のメモリ装置は、その整備の初めに不揮発性メモリを先に初期化し（ステップＳ６０１）、その中には、好ましくはフラッシュメモリで、初期化手段が、例えば、該メモリ記憶ブロックをフォーマット化（Ｆｏｒｍａｔ）し、初期化の時に、メモリブロックからプリロードエリアを区画する（ステップＳ６０３）。尚、プリロードエリアは、連続のメモリブロックでも、連続ではないメモリ空間であっても良い。
続いて、該プリロードエリアに該特定の不揮発性メモリ設定値をツールプログラムでロードする（ステップ６０５）。ツールプログラムの好ましい実施例は、例えば、このメモリ装置を整備する時に使用する量産プログラムで、この量産プログラムにより前記初期化メモリ、区画プリロードエリア、設定値ロードなどの工程を達成できる。
【００２６】
その後には、前記設定値をロードした後のメモリ装置のテストを実行し、そしてメモリ装置を起動する必要があり（ステップＳ６０７）、例えば、その好ましい実施例は、該メモリ装置を通信インターフェースを介して、例えば、コンピュータシステムの外接装置に接続し、該通信インターフェースの特性により、該外接装置からこのメモリ装置の電力を供給し、装置を起動する。そして、メモリ制御ユニットがこのメモリ装置を初期化し、即ち各モジュール／ユニット（例えば、不揮発性メモリ、ＲＡＭ及びＲＯＭ）を初期化し（ステップ６０９）、その後に、該メモリ装置がソフトウェア更新或いはメモリロード設定値等の目的のロード手段で設定値をロードし、即ち、プリロードエリアから前記ＲＡＭに該メモリタイプ関連のデータやパラメーターなどをロードし（ステップ６１１）、制御ユニットがメモリタイプを確認してから（ステップ６１３）、該メモリ装置の整備を完成する（ステップＳ６１５）。
【００２７】
本考案のメモリ装置による設定値ロード方法のもう一つの実施例が、図７のフローチャートである。本考案のメモリ装置の整備の初めに、先ず、不揮発性メモリを初期化する。初期化のステップは、メモリをメモリ装置の制御回路板にボンドするところから始まり、次いで初期化のツールプログラムを実行し、メモリ制御ユニット（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）が装置内のＲＯＭから該タイプのメモリの識別データ（ＩＤ）を読出し、該識別データからメーカーデータ（ｍａｎｕｆａｔｕｒｅ  ｃｏｄｅ）、装置識別（ｄｅｖｉｃｅ  ＩＤ）、フォーマット化ブロックサイズ（ｂｌｏｃｋ  ｓｉｚｅ）、メモリ容量、マルチレベルセル（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ−ｌｅｖｅｌ  ｃｅｌｌ，ＭＬＣ）或いはシングルレベルセル（Ｓｉｎｇｌｅ−ｌｅｖｅｌ  ｃｅｌｌ，ＳＬＣ）情報等をさらに得られ、ツールプログラムが前記情報により該メモリタイプに対応し、即ち、メモリブロックに対して特定のフォーマットまでにフォーマット化する（ステップＳ７０１）。
【００２８】
メモリ装置の整備の後に、メモリブロックからプリロードエリアを区画する。尚、プリロードエリアは、連続のメモリブロックでも、連続ではないメモリ空間であっても良い（ステップＳ７０３）。続いて、該プリロードエリアをアドレシング（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ）し、該プリロードエリアが占めるメモリ空間にツールプログラムでアドレッシングし、そのメモリアドレスを記録し（ステップＳ７０５）、さらに、該特定の不揮発性メモリ設定値を該プリロードエリアにロードし（ステップＳ７０７）、例えば、量産プログラムでメモリ初期化、プリロードエリア区画及び設定値ロード等の工程を行う。
【００２９】
その後に、該メモリ装置のテストフローチャートを実行し、該メモリ装置を先に起動し（ステップＳ７０９）、例えば、メモリ装置を外部装置に接続し、該外部装置から電力を供給しこの装置を起動させ、さらに、各モジュール／ユニット（例えばメモリブロック、ＲＡＭ及びＲＯＭ等）を初期化し（ステップ７１１）、各モジュール／ユニット間のＩ／Ｏチャネルを初期化する（ステップＳ７１３）。その時に、メモリ制御ユニットが、不揮発性メモリモジュール中のプリロードエリアをアドレシング（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ）することで、特定のプリロードエリアのメモリアドレスを正確に探せ、（ステップＳ７１５）、さらに、設定値を予めロードしたＲＡＭモジュールをアドレシングし、データをロードする必要がある特定メモリ領域を探し出す（ステップＳ７１７）。
【００３０】
その後に、プリロードエリアに格納する該不揮発性メモリの関連データをＲＡＭモジュールにロードし（ステップＳ７１９）、続いて確認工程を行い、ロードした設定値がこのメモリタイプに符合することを確認し（ステップ７２１）、ＲＡＭモジュールのメモリデータがＲＯＭモジュール中のメモリ構造などのデータに配合し、このメモリ装置の整備を完成する。
【００３１】
前記本考案のメモリ装置による設定値ロード方法は、各種の異なるメモリタイプが、相対のメモリデータがロードされたプリロードエリアに合わせることに対し、該メモリ装置を作製する点ではより弾性があり、メモリタイプ、規格の更新に適時に合わせてそのうちの設定値を訂正するため、該メモリ装置で起動する直後に設定値をロードする。
【００３２】
続いて、図８は、本考案の不揮発性メモリによる設定値ロード方法を用いソフトウェア更新する実施例を示すフローチャートである。
本実施例では、前記と同じ或いは異なるプリロードエリアにバージョン更新すべきソフトウェアプログラムコードを格納し、同じ理由で、メモリ装置の整備の初めに初期化作業する必要がある。例えば、メモリタイプ識別の後にフォーマット等をし（ステップＳ８０１）、初期化の時に、連続のメモリブロック或いは連続ではないメモリ空間のプリロードエリアを区画する（ステップＳ８０３）。続いて、更新すべきソフトウェアプログラムをロードし、即ち、該プリロードエリアにメモリソフトウェアプログラム設定値をロードし（ステップ８０５）、その後に整備のテストを行う。
【００３３】
先ずメモリ装置を起動し、例えば、メインホストに接続する時に該メモリ装置を起動し、或いは、他の外接電力で起動する（ステップＳ８０７）。そして、各モジュール／ユニットを初期化し（ステップ８０９）、各モジュール間のＩ／Ｏチャネルを初期化し（ステップＳ８１１）、その後に、ＲＡＭに格納されたメモリ識別情報を先に読み取り、関連のメモリパラメーターをロードし（ステップ８１３）、さらに、ステップ８１５のように、メモリソフトウェアバージョンを判断する手段と、ステップＳ８１７に記載されるプリロードエリアに格納するソフトウェアバージョンを判断する手段を行う。
【００３４】
続いて、ソフトウェアバージョン判断のフローを行い、例えば、プリロードエリアバージョン番号がメモリソフトウェアバージョンより大きいか否か、或いは、他の均等な効果の方式でどちらかより新しいソフトウェアバージョンを得るかを判断し（ステップＳ８１９）、ＮＯであれば、プリロードエリアのソフトウェアバージョンが、元のバージョンより新しくないので、予め設置されたバージョンのソフトウェアを用い、予設バージョンがＲＯＭに格納でき、特別に区画するメモリに格納しても良い（ステップＳ８２１）。
【００３５】
判断によりプリロードエリアではより新しいバージョンのソフトウェアコードがある場合、プリロードエリアからＲＡＭに前記メモリソフトウェア更新設定値をロードし（ステップＳ２３）、ソフトウェアを更新する工程を完成する（ステップＳ８２５）。
【００３６】
尚、前記添図面は、本考案の一実施の形態に過ぎず、本考案の特徴を局限するものではない。
【００３７】
以上のように、本考案に係るメモリ装置は、特定のメモリの設定値をメモリ装置の不揮発性メモリブロックのうち予め設置されたプリロードエリアに先にロードし、該不揮発性メモリタイプの各種パラメーター情報を予めロードし、さらに、ロード手段でその中のデータを該メモリ装置のＲＡＭにロードし、従来のＲＯＭでこのタイプを記載する空間を節約するとともに、該メモリ装置の運行効率を増加することを達成する。
【００３８】
しかし、前記の説明は、単に本考案の好ましい実施の形態に過ぎず、本考案の特許請求の範囲を局限するものではなく、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家が本考案の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施のことが本考案の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。本考案は予期の創作目的を達成でき、フルに実用新案の要件を満たすので、法に従って出願を提起するが、ご査察の上、本考案のことを早期に公開されることを、宜しくお願い申し上げたい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本考案は、様々な不揮発性メモリタイプに対応可能なメモリ装置に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来のフラッシュメモリ装置を示す図である。
【図２】従来のメモリがダイナミックな補正を行う時を示す図である。
【図３】従来のソフトウェアダウンロードの装置を示す図である。
【図４】本考案のメモリ装置を示す図である。
【図５】本考案のメモリ装置の他の形態を示す図である。
【図６】本考案のメモリ装置による設定値ロード方法を示すフローチャートである。
【図７】本考案のメモリ装置による設定値ロード方法の他の実施形態を示すフローチャートである。
【図８】本考案のメモリ装置による設定値ロード方法を用いソフトウェアを更新する実施形態を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４１】
４１    不揮発性メモリモジュール
４２    メモリ制御ユニット
４３    電源調節ユニット
４４    通信インターフェース
４５    ＲＡＭモジュール
４６    ＲＯＭモジュール
４００  プリロードエリア
１０１  フラッシュメモリブロック
１０５  ＲＡＭ
１０７  スペシャルファンクションレジスタ
１０９  ベクトルテーブル
２０３    補正ブロック
２０５  プログラム
２０７  補正指令ブロック
２０９  プロセッサプログラムブロック
２１１  ＲＡＭ
２１３  汎用非同期受送信器
３０    ＵＳＢ装置
３１    メインホスト
３０１  ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）
３０２  メモリ
３０３  タイマー（Ｔｉｍｅｒ）
３０４  マイクロコントローラ
３０５  ＵＳＢメインホストコントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
0003119327.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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