(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマによくエネルギーを伝達するアンテナを処理チャンバに有し、更に、過度な変形をせずに蓄積された堆積物を収容するかまたは上昇温度に露出することのできるアンテナを提供する。【解決手段】壁を有する処理チャンバ内のプラズマにエネルギーを結合するためのアンテナは、上記チャンバ内のプラズマに露出する面部を有するコイルを備える。複数の隔離絶縁器は上記処理チャンバの壁から所定の間隔を置いて上記コイルを支持し、少なくとも１つの該隔離絶縁器は上記コイルに外部電源からの電力を印加させる端子を備える。上記端子は、第１の長さＬ１を有する導体レセプタクルと、該導体レセプタクル周りに設けられ、第２の長さＬ２を有するジャケットを備える。長さＬ１は、長さＬ２よりも大きい。端子を有する隔離絶縁器付近には導体コップが設けられる。【選択図】図８
0003125696.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
壁を有する処理チャンバ内のプラズマにＲＦエネルギーを結合する為の内部アンテナにおいて、
（ａ）前記チャンバ内の前記プラズマに露出する面部を有するコイルと；
（ｂ）前記処理チャンバの壁から所定の間隔を置いて前記コイルを支持する複数の隔離絶縁器（standoffs）であり、少なくとも１つの該隔離絶縁器が前記コイルに外部電源からの電力を印加させる端子を備えており、また、前記端子が、導体レセプタクルを備える、前記隔離絶縁器と；
（ｃ）端子を有する少なくとも一つの隔離絶縁器付近に設けられた導体コップであって、前記導体コップは側壁を備え、前記側壁は、前記端子との間に側壁ギャップを設ける為に十分に大きな内径を有し、前記端子の寸法の変更が前記端子と前記導体コップとの間の接触に影響しない、前記導体コップと；を備える、前記アンテナ。
【請求項２】
前記導体は、
（ｉ）前記側壁の前記内径は、少なくとも約１６ｍｍであること；
（ｉｉ）前記側壁の前記内径は、約２５ｍｍから約３０ｍｍであること；
（ｉｉｉ）前記側壁のギャップは、少なくとも１．５ｍｍであること；のうち、少なくとも一つで特徴付けられる、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記導体コップが内周縁及び該内周縁から所定の深さを置いている底壁を更に備え、該底壁の深さが、前記底壁と端子との間に底壁ギャップを設けることにより、端子の寸法変化によっても前記端子と導体コップとの間に接触を発生させない程度に充分に大きい、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記導体は、
（ｉ）前記底壁の前記深さが、少なくとも約１５ｍｍであること；
（ｉｉ）前記底壁の前記深さが、約１５ｍｍから約２０ｍｍであること；
（ｉｉｉ）前記底壁のギャップが少なくとも約１ｍｍであること；のうち、少なくとも一つで特徴付けられる、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項５】
前記コイルは、実質的に円形である円形部と、半径方向の内側に湾曲した湾曲部を備える、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項６】
前記コイルは：
（ｉ）前記半径方向の内側に湾曲した湾曲部が、前記隔離絶縁器の場所にあること；
（ｉｉ）前記半径方向の内側に湾曲した湾曲部が、端子を備える前記隔離絶縁器にあること；
（ｉｉｉ）前記実質的に円形である円形部が、一対の隣接した隔離絶縁器の間にあること；
のうち、少なくとも一つで特徴付けられる、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項７】
前記コイルは、各々が隔離絶縁器の前記場所にある、複数の半径方向の内側に湾曲した湾曲部を備える、請求項５に記載のアンテナ。
【請求項８】
前記コイルは、単一タ−ン導体を備える、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項９】
前記端子は：
（ｉ）第１の長さＬ１を有する導体レセプタクルと；
（ｉｉ）前記導体レセプタクルの周りのジャケットであって、前記ジャケットが、前記第１の長さＬ１より小さい第２の長さを有する、前記ジャケットと；
を備える、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項１０】
前記端子は：
（ｉ）Ｌ２がＬ１より少なくとも０．５ｍｍだけ小さいこと；
（ｉｉ）Ｌ２がＬ１より約０．５ｍｍから約２．５ｍｍだけ小さいこと；
（ｉｉｉ）Ｌ１が約７ｍｍから約１２ｍｍであること；
（ｉｖ）Ｌ２が約６ｍｍから約１０ｍｍであること；
で特徴付けられる、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項１１】
前記導体コップが側壁を備え、該側壁の内径が、前記側壁とジャケットとの間に側壁ギャップを設けることにより、端子の寸法変化によっても前記端子と導体コップとの間に接触を発生させない程度に充分に大きい、請求項９に記載のアンテナ。
【請求項１２】
前記導体コップが内周縁及び該内周縁から所定の深さを置いている底壁を更に備え、該底壁の深さが、前記底壁と端子との間に底壁ギャップを設けることにより、端子の寸法変化によっても前記端子と導体コップとの間に接触を発生させない程度に充分に大きい、請求項９に記載のアンテナ。
【請求項１３】
前記隔離絶縁器は：
（ｉ）５０度未満で離れて設けられていること；
（ｉｉ）少なくとも７個の隔離絶縁器を備えること；
で特徴付けられる、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項１４】
電気コネクタが埋設されている導体レセプタクルを有する、隔離絶縁器付近の導体コップを備え、該導体コップが、     
（ｉ）円周縁と、 
（ｉｉ）内径を有する側壁であり、該側壁の内径が、前記側壁と隔離絶縁器の導体レセプタクルとの間に側壁ギャップを設けることにより、導体レセプタクルの所定の膨脹によっても前記導体レセプタクルと導体コップとの間に接触を発生させない程度に充分に大きくなっている側壁を備える、請求項１に記載のアンテナ。 
【請求項１５】
前記導体カップは、端子を有する前記隔離絶縁器を取り囲む内面を備え、前記端子の外面と前記導体コップの内面中の少なくとも１つがセラミックである、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項１６】
前記セラミックは、セラミック被覆を備える、請求項１５に記載のアンテナ。
【請求項１７】
前記セラミックが酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及びこれらの混合物を備える、請求項１５に記載のアンテナ。
【請求項１８】
前記端子は、前記コイルに外部電源からの電力を印加させる外部電気コネクタに嵌合されるように適合された内部摺動面を備えるコンタクトホールを備える、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項１９】
前記コイルは、第１の厚さをもつ第１の部分と、第１の厚さよりも大きい第２の厚さをもつ第２の部分を有し、前記第１の厚さが第２の厚さよりも少なくとも約１．５の倍率だけ大きい、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項２０】
前記第１の厚さが第２の厚さよりも少なくとも約０．５ｍｍだけ大きい、請求項１９に記載のアンテナ。
【請求項２１】
前記コイルが積層コイルを備える、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項２２】
前記コイルは、前記チャンバ内のプラズマに露出する面部を有し、また、その中心軸を中心として多面体を形成する複数の部分を備える、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項２３】
前記部分のそれぞれが前記コイルの中心から平均半径Ｒ１の位置にあって、該平均半径Ｒ１が約１２０ｍｍ〜約２００ｍｍである、請求項２２に記載のアンテナ。
【請求項２４】
前記部分が実質的に平面形であり、前記隔離絶縁器に置かれている、請求項２２に記載のアンテナ。
【請求項２５】
前記部分が交互に平面形及び円形である、請求項２２に記載のアンテナ。
【考案の詳細な説明】
【考案の内容】
【０００１】
[背景]
本考案の実施形態は基板処理チャンバ用の内部アンテナに関する。
【０００２】
半導体基板及びディスプレイのような基板の処理においては、基板を基板処理チャンバ内に置き、エネルギーを有するガスに露出させることで、基板上に材料を堆積またはエッチングする。通常、処理チャンバは、基板支持体付近の処理ゾーンを囲む包囲壁と、処理チャンバに処理ガス組成物を設けるためのガス供給装置と、基板を処理する処理ガスにエネルギーを与えるためのガスエナジャイザーと、ガス排出口を備える。このような処理チャンバは、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）及びエッチング処理のために使用され得る。
【０００３】
ＰＶＤ工程で、処理チャンバ内のスパッタリングターゲットは基板と臨んでいる。処理チャンバ内に処理ガスが導かれてイオン化されることで、ターゲットからの材料のスパッタリングを行うプラズマが形成される。処理ガスを、例えば容量性結合、誘導性結合、マイクロ波エネルギーまたはこれらの組み合わせによってガスに高周波電界を結合することでエネルギー化することができる。容量性結合プラズマでは、電圧がターゲットと基板支持体に印加されて、処理ガスにエネルギーを結合する。誘導性結合プラズマ（ＩＣＰ）発生器では、アンテナを介して電流が流れ、プラズマに電子系電流を誘導する。
【０００４】
処理チャンバ内において、ターゲットと基板支持体との間のプラズマ発生エリアの周りには内部アンテナを更に配置することができる。プラズマに内部アンテナが近接するようになれば、プラズマに結合されるエネルギーが最大化される。アンテナはターゲットと同一の材料で作られることができ、これによって、その表面がスパッタされて基板の周辺領域に堆積するスパッタ堆積材料を設けることにより、基板周辺領域のスパッタ堆積の割合と基板中央領域のスパッタ堆積の割合が同等になることができる。また、環状アンテナは、コンタクトホールの端にスパッタ堆積材料が蓄積されることによってコンタクトホールにボイドが形成されることがなく、高アスペクト比のコンタクトホールを基板により良好に充填させるためにプラズマエネルギーを「平行にする」役目をすることができる。
【０００５】
しかしながら、使用中には、内部アンテナの露出表面上に蓄積されたスパッタ堆積物によってアンテナに変形及び湾曲が生じる。アンテナの変形はまた、上昇したプラズマ温度で発生する熱膨脹から発生する可能性がある。このような変形は、アンテナの膨脹部が周りの接地導体と接触する場合にアンテナの電気的なショートが生じられる。更に、アンテナが変形するようになると、蓄積された堆積材料がアンテナから離れた後でも、処理チャンバ内でのアンテナの再挿入及びボルトによる締結が難しくなる。全アンテナは、元々の円形状から非対称形または楕円形で、その寸法が変わったりその縦断点周りの間隔が広くなったりすることがあり、それによって、アンテナを支持するのに使用される電気的な接続支柱がそれ以上嵌合されないようになる。
【０００６】
したがって、プラズマによくエネルギーを伝達するアンテナを処理チャンバに有するのが望ましい。更に、過度な変形をせずに蓄積された堆積物を収容するかまたは上昇温度に露出することのできるアンテナを有するのが望ましい。
[概要]
一変形例において、壁を有する処理チャンバ内のプラズマにＲＦエネルギーを結合するための内部アンテナは、上記チャンバ内のプラズマに露出する面部を有するコイルを備える。複数の隔離絶縁器は上記処理チャンバの壁から所定の間隔を置いて上記コイルを支持し、少なくとも１つの該隔離絶縁器は上記コイルに外部電源からの電力を印加させる端子を備える。上記端子は、第１の長さＬ１を有する導体レセプタクルと、該導体レセプタクル周りに設けられ、第２の長さＬ２を有するジャケットを備える。第１の長さＬ１は第２の長さＬ２よりも大きい。端子を有する隔離絶縁器付近には導体コップが設けられる。
【０００７】
別の変形例において、内部アンテナはコイルと複数の隔離絶縁器を備え、少なくとも１つの該隔離絶縁器は上記コイルに外部電源からの電力を印加させる端子を備え、上記端子は導体レセプタクルを備える。端子を有する隔離絶縁器周りには導体コップが設けられ、該導体コップは側壁を備え、該側壁の内径は、上記側壁と端子との間に側壁ギャップを設けることにより、端子の寸法変化によっても上記端子と導体コップとの間に接触を発生させない程度に充分に大きい。
【０００８】
更なる形態において、内部アンテナは、コイルと、処理チャンバの壁から所定の間隔を置いて上記コイルを支持し、５０度未満で離れて設けられる複数の隔離絶縁器を備える。また、隔離絶縁器端子が上記コイルに外部電源からの電力を印加させるように設けられる。
【０００９】
更に別の変形例において、内部アンテナは、コイルと複数の隔離絶縁器を備え、少なくとも１つの該隔離絶縁器は上記コイルに外部電源からの電力を印加させる端子を備え、更に該端子は外部表面を有する。内面を備える導体コップは端子を有する上記隔離絶縁器を取り囲む。上記端子の外面と上記導体コップの内面中の少なくとも１つはセラミックを備える。
【００１０】
内部アンテナの別の変形例は、コイルと、処理チャンバの壁から所定の間隔を置いて上記コイルを支持する複数の隔離絶縁器を備える。少なくとも１つの該隔離絶縁器は端子を備え、該端子は、上記コイルに外部電源からの電力を印加させる外部電気コネクタに嵌合されるように適合された内部摺動面をもつコンタクトホールを有する。
【００１１】
内部アンテナの更なる変形例は、実質的に円形である円形部と半径方向の内側に湾曲した湾曲部を備えるコイルを備える。複数の隔離絶縁器は処理チャンバの壁から所定の間隔を置いて上記コイルを支持するように設けられる。
【００１２】
内部アンテナの別の形態は、第１の厚さをもつ第１の部分と、第１の厚さよりも大きい第２の厚さをもつ第２の部分を有するコイルを備える。
【００１３】
内部アンテナの更に別の変形例は、その中心軸を中心として多面体を形成する複数の部分を備えるコイルを備える。
【００１４】
また、処理チャンバ内のプラズマにＲＦエネルギーを結合するのに使用されるアンテナのプラズマ露出表面を洗浄するための方法が説明される。該方法は、処理チャンバ内に不活性ガスを所定の圧力で維持し、該不活性ガスにＲＦ電力を印加してガスからプラズマを形成することを備える。ＲＦ電力は少なくとも約１ｋＷの電力レベルで少なくとも約５分間印加する。これにより、コイルのプラズマ露出表面上の工程堆積物が除去される。
【００１５】
本考案の前述した特徴、態様及び利点は、本考案の実施例を表す以下の説明、請求範囲及び添付図面によってより充分に理解できる。しかしながら、各特徴は特定の図面だけでなく本考案において通常使用可能であり、本考案はこのような特徴を組み合わせた態様のものを含むことを理解されたい。
[説明]
図１〜図３には、プラズマにエネルギーを結合するための内部アンテナ２０の例示的な実施形態が示されている。一般的に、アンテナ２０は、処理チャンバ内の基板の周辺でプラズマに露出される面部２４を有するコイル２２を備える。コイル２２の面部２４を、スパッタ可能な材料、例えばスパッタリングチャンバの適用において基板に臨むスパッタリングターゲットと同一の材料から構成することができる。スパッタリングの適用においては、チャンバ内のターゲットから基板の中央領域に形成されるより厚い堆積物とバランスを取るために、コイル２２の面部２４から発生されるスパッタ材料は殆ど基板の周辺領域に堆積する。このため、アンテナ２０からのスパッタ材料は、ターゲットスパッタ材料が基板の中央領域により厚く堆積されようとする傾向を中和させる。このような適用において、少なくとも面部２４、更に一般にはコイル２２の全体はスパッタ可能な伝導金属または金属化合物、すなわちタンタル、窒化タンタル、アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン及び銅中の１種以上で作られる。例えば、タンタルまたは窒化タンタルのスパッタ堆積では、コイル２２が９９．９９９%の純粋なタンタルで作ることができる。
【００１６】
図１に示された実施形態において、コイル２２の面部２４は環状で実質的には平らである。通常、コイル２２は、例えば図８に示されたように、コイル２２の内周内にある基板の平面と実質的に直角を成す。しかしながら、面部２４は基板平面に対して少しの角度を有するかまたは基板平面と平行を成すことができる。更に、本明細書に例示された形態では、コイル２２は環状またはリング状の形状を有するが、その理由はコイルもまた円形である半導体ウエハ−のような基板を取り囲むためである。しかしながら、コイル２２は他の形状、例えば、プラズマまたはＬＣＤスクリ−ンとして使用される矩形のディスプレイのような基板の形状に合致される矩形形状を有することができることを理解されたい。このため、本明細書に記載されたコイル２２の例示的な実施形態は請求の範囲を制限するのに利用されてはいけない。
【００１７】
コイル２２は少なくとも一対の末端２６ａ、ｂを有し、該末端を介してコイル２２に電力が印加される。末端２６ａ、ｂは、図のように、単一ターンコイル２２の始部と終部にある。しかしながら、複数のタ−ンを有するコイル２２の実施形態が複数の末端（不図示）を有して、個別コイルに電流を供給することができる。
【００１８】
複数の隔離絶縁器２８ａ〜ｈは図１及び図８に示されたような処理チャンバの壁から間隔を置いてコイル２２を支持するのに使用される。隔離絶縁器２８ａ〜ｈはコイル２２をチャンバ壁から隔離して電気的に絶縁する。隔離絶縁器２８ａ〜ｈはまた、コイル２２から、通常電気的に接地されていて、コイル２２をショートさせる、周りのチャンバ壁またはシールドへの堆積材料の完全な伝導経路を形成することなく、チャンバ内のターゲットから隔離絶縁器２８ａ〜ｈ上へのスパッタ材料の堆積物の蓄積を許容する内部迷路構造を有する。隔離絶縁器の間隔はチャンバ壁からコイル２２を分離するために設定され、またプラズマにエネルギーをより效率的に結合するためにチャンバ内のプラズマゾーンにコイル２２を更に近接させる。適切な間隔は、少なくとも約１０ｍｍ、更に一般には約２０〜約４０ｍｍである。
【００１９】
隔離絶縁器２８ａ〜ｈはコイルに対する適当な支持体を設けるためにコイル２２の外周に沿って離隔設置される。一変形例においては、コイル２２の周りに例えば少なくとも７個または８個の隔離絶縁器を設けることによって、コイル２２の外周に隔離絶縁器２８ａ〜ｈを５０゜未満で離隔設置するのが望ましいことが明らかになった。このような形状にすることで、コイル２２がチャンバ壁により強固に取り付けられ、それによって、チャンバ内での使用中にコイル２２の変形が減る。５個またはそれより少ない個数の隔離絶縁器を用いた従来のコイルは、処理された堆積物がコイル２２の面部２４に蓄積される際、その外形が著しく変わることが明らかになった。また、コイル２２が処理中に露出するようになるプラズマ温度から発生した熱応力もコイル２２の変形が生じられる。５０゜未満で離隔設置された隔離絶縁器２８ａ〜ｈをもつコイル２２は、変形応力が加えられた場合にもその形状を維持することが確定している。しかしながら、他の手段によって補強された他のコイル設計においては、更に少ない個数の隔離絶縁器２２が使用することができる。
【００２０】
隔離絶縁器２８ａ〜ｈの少なくとも１つは、外部電源からコイル２２に電力を印加する端子３０ａ、ｂを備える。例えば、隔離絶縁器２８ａ及び２８ｈは図３に示されたように、単一ターンコイル２２に電力を供給するための端子３０ａ、ｂとしての役目をする。隔離絶縁器２８ａ、ｂは、コイル２２への電力供給のために、単一ターンコイル２２の端部の２個の末端２６ａ、２６ｂに接続されている。端子３０ａ、ｂのそれぞれはコイル２２の末端２６ａ、ｂから延びる導体レセプタクル３２ａ、ｂを備える。導体レセプタクル３２ａ、ｂは、図８に示されたように、シールド１５０及び／またはチャンバ壁を介して延びてチャンバの外部に位置する電源から高周波電流を設ける真空フィードスルー３７ａ、ｂのコネクタ３５ａ、ｂを収容する。コネクタ３５ａ、ｂはステインレス鋼、銅またはアルミニウムで作られた金属ピンを備える。真空フィードスルー３７ａ、ｂは従来の真空シ−ルを備え、更に図のようにチャンバ側壁からまたはチャンバ１０２の底部から直接的に延ばすことができる。
【００２１】
端子３０ａ、ｂをもつそれぞれの隔離絶縁器２８ａ、ｈは、端子３０ａ、ｂをそれぞれ覆って遮蔽する周りの導体コップ４０ａ、ｂを有する。導体コップ４０ａ、ｂは、延長部４３ａ、ｂを備える円筒状のカバー４１ａ、ｂを備え、また好ましくは、チャンバ内で堆積される材料と同一材料で作られる。このため、堆積される上記材料がタンタルを備える場合、導体コップ４０ａ、ｂは、好ましくはタンタルで作られる。堆積材料の付着を容易にするために、堆積材料から粒子が飛ぶことを低減するビ−ドブラスティングによって導体コップ４０ａ、ｂの表面を処理するのが好ましい。延長部４３ａ、ｂそれぞれは、導体コップ４０ａ、ｂを端子３０ａ、ｂから絶縁するセラミックブッシングのような誘電絶縁体４５ａ、ｂ上に置かれている。導体コップ４０ａ、ｂには、組立体から排出ガス副産物を噴出するために通気孔４７ａ、ｂが設けられている。
【００２２】
ベース３３から第１の長さＬ１を有する導体レセプタクル３２及びベース３３から第２の長さＬ２を有するジャケット３４の一実施形態を図４に示す。導体レセプタクル３２はシリンダーを備え、ジャケット３４は同芯のシリンダーである。この変形例では、コイル２２の膨脹または他の変形によって、端子３０の外面３６と隔離絶縁器２２周りに位置する導体コップ４０の内面３８との間に接触が起こらないようにするために、長さＬ２が長さＬ１より更に短く維持される。従来の端子では、コイル２２の変形膨脹に起因したジャケット３４と導体コップ４０との間の接触がコイルの電気的なショートをもたらすように決定される。しかしながら、減少された長さＬ２のジャケット３４を有する端子３０は電気的なショートに対してより強くて抵抗的なものであると明らかになった。一変形例において、ジャケット３４の第２の長さＬ２は導体レセプタクル３２の第１の長さＬ１よりも少なくとも約０．５ｍｍ小さい。第２の長さＬ２が第１の長さＬ１よりも約０．５ｍｍ〜約２．５ｍｍ小さいように、導体レセプタクル３２とジャケット３４の長さを調節することも可能である。一変形例において、第２の長さＬ２は約６ｍｍ〜約１０ｍｍで、第１の長さＬ１は約７ｍｍ〜約１２ｍｍである。
【００２３】
図２に示されたような別の形態において、導体コップ４０は側壁４２を備え、端子３０の寸法変化が端子３０と導体コップ４０との間の接触を起こさないように、該側壁４２は、側壁４２とジャケット３４との間に側壁ギャップ４４を設けるのに充分に大きい内径を有する。さらに、コイル２２の変形はジャケット３４の外面３６と隔離絶縁器２２周りの導体コップ４０の内面３８との間に接触を生じさせ、これによって、コイル２２の電気的なショートが生じられる。例えば、側壁４２の内径は、少なくとも約２４ｍｍ、更に好ましくは約２５ｍｍ〜約３０ｍｍに作られることが可能である。この変形例で、側壁４２とジャケット３４との間の側壁ギャップ４４は、端子３０の所定の寸法変化が端子３０と導体コップ４０との間の接触を起こさないように、その大きさが充分に大きい。例えば、側壁ギャップ４４は少なくとも約２ｍｍであり得る。隔離絶縁器２２の内部表面及び多数のホールからの汚染物質と副産物の排出を許容するために、通気孔４７がまた設けられる。
【００２４】
また、導体コップ４０の底壁４８とジャケット３４の円周縁５０との間には、底壁ギャップ４６を設ける必要がある。底壁ギャップ４６は、端子３０の寸法変化が端子３０の縁５０と導体コップ４０の底壁４８との間に接触を起こさないように充分に大きく作られる。例えば、底壁ギャップ４６は、少なくとも約１ｍｍ、更に望ましくは約１．２ｍｍ〜約２ｍｍであり得る。この変形例で、導体コップ４０の間の底壁４８はその大きさがより薄くて、ジャケット３４は端子３０と導体コップ４０との間の接触なしに端子３０に対して底壁ギャップ４６内での寸法変化を許容するギャップサイズを設けるように、その大きさがさらに小さい。底壁ギャップは、内周縁５０から、端子の寸法変化が端子３０と導体コップ４０との間に接触を起こさないだけ、充分に大きい深さに底壁４８を維持することで形成される。例えば、下部壁４８の深さは少なくとも約１５ｍｍ、または約１５ｍｍ〜約２０ｍｍであってもよい。
【００２５】
更に別の変形例で、隔離絶縁器２２の端子３０の外面３６または導体コップ４０の内面３８中の少なくとも１つは、図５に示されたように、セラミック５４で塗布される。端子３０はジャケット３４周りに外面３６を備える。導体コップ４０は端子３０を取り囲む内面３８を備える。従来のコイルが変形する場合は、端子３０に応力が加えられて端子が膨脹されるかあるいは変形され、これにより、端子３０の外面３６と導体コップ４０の内面３８が接触を起こすようになって、結果的に電気的なショートが生じる。この変形例では、端子３０の外面３６または導体コップ４０の内面３８のいずれか１つがセラミック５４を備える。適切なセラミックスは、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、ガラスセラミックス及びこれらの混合物を含む。セラミック５４は、約１ｍｍ未満、更に好ましくは約０．０５ｍｍ〜約０．５ｍｍの厚さで設けられることができる。適切なセラミックは、表面３６、３８を覆うセラミックケ−シングを備え、また多結晶セラミックまたはガラスセラミックのブロックを機械加工することで作られる。セラミック５４は表面３６、３８に塗布された被覆形式であり、あるいは表面３６、３８を覆う機械加工されたケ−シングの形式でも可能である。適当なセラミックコーティング方法はプラズマスプレー、またはスラリーコーティング及び焼結を含む。セラミックコーティングは約０．０５ｍｍ未満の厚さを有することができる。
【００２６】
更なる変形例で、端子３０は内部摺動面６２をもつコンタクトホール６０を備え、該内部摺動面６２は、図５に示されたように、コイル２２に電力を印加する外部摺動コネクタ３５ａに嵌合されるように適合された。例えば、端子３０のコンタクトホール６０を、図のように、摺動コネクタ３５ａ及びバナナ形プラグ６５を収容する大きさの内径を有するように形状化することができる。また、ステレオ装備またはスプリング設計を用いたタイプに使用される１／４インチまたは３．５ｍｍのコネクタのような他の摺動コネクタも使用することができる。摺動コネクタ３５ａは伝導金属で作られてもよい。更に好ましくは、摺動コネクタ３５ａはスプリングのような復元性を有する金属、例えば燐青銅で作られる。バナナ形プラグ６５は縦方向アーム６６を有していて、該縦方向アームはベースから外方へ所定の角度で延ばし、中間部の最高点に達した時に、第２の角度で奥側に曲がっている。バナナ形プラグ６５は、コンタクトホール６０内への挿入時に、曲がって部分的に折られて内部摺動面６２に外部に向ける圧力を加える。コンタクトホール６０は、バナナ形プラグ６５の中間部の外径よりも少し小さな直径を有する。
【００２７】
別の変形例で、コイル２２ａは、図６Ａ〜図６Ｄに示されたように、応力をより一層良好に吸収できるように修正される。例えば、図６Ａに示されたように、コイル２２ａを、実質的に円形である円形部６８と半径方向の内側に曲がった湾曲部７０を含む異なる部分を有するように形状化することができる。図のように、半径方向の内側に曲がった湾曲部７０は２個の部分７１ａ、ｂを備え、該２個の部分７１ａ、ｂそれぞれは隔離絶縁器２８ａ、ｇを有する。実質的に円形である円形部６８は、他の隔離絶縁器２８ｂ〜ｆを有するコイル２２ａの残りの円周に延長される。コイル２２の半径方向の内側に曲がった湾曲部７０は、端子３０ａ、ｂを含む隔離絶縁器２８ａ、ｇの位置に設けられるが、その理由はこのような隔離絶縁器２８ａ、ｇが円形部６８付近に位置して、端子として機能しない他の隔離絶縁器２８ｂ〜ｆとは異なる応力を発生させるためである。半径方向の内側に曲がった湾曲部７０は２個の部分７１ａ、ｂを有する分割された部分として図示されているが、分割部なしに単一の連続的な部分を有することができる（不図示）。プラズマに露出するコイル２２ａの面部２４ａは基板付近に均一な電界を設けるために変らず実質的に円形である。半径方向の内側に曲がった湾曲部７０はまた、隔離絶縁器２８ａ〜ｇ中の１つの周りに配置することができる。
【００２８】
別の変形例で、コイル２２ｂは、図６Ｂに示されたように、コイル２２ｂの中心軸７３周りに多面体を設ける複数の湾曲部７２ａ〜ｋを有する。それぞれの湾曲部７２ａ〜ｋは、半径方向の内側に曲がっており、したがってコイル２２ｂは半径方向の内側に曲がった複数の湾曲部７２ａ〜ｋを有する。湾曲部７２ａ〜ｋはコイルの中心７３から平均半径Ｒ１の位置にある。半径Ｒ１は通常約１２０ｍｍ〜約２００ｍｍである。それぞれの湾曲部はまた、Ｒ１から１０ｍｍまでは外れることができる。湾曲部７２ａ〜ｋは実質的に平面形、円形、またはその他には平面形及び円形であり得る。例えば、交互に飛ばした部分７２ａ、ｃ、ｅ、ｇ、ｉ、ｋ、ｍは平面形であり得、これらの位置にさらに大きい剛性を設けるために隔離絶縁器２８ａ〜ｇに位置することができる。一方、部分７２ｂ、ｄ、ｆ、ｈ、ｊ、ｌは円形で上記平面形部分の間に位置する。
【００２９】
更なる変形例で、コイル２２ｃは、図６Ｃに示されたように、第１の厚さをもつ第１の部分７４ａ〜ｅ、及び第２の厚さを有する第２の部分７６ａ〜ｄを有するように形状化される。図示された変形例では、第１の厚さが第２の厚さよりも大きい。例えば、第１の厚さは第２の厚さよりも少なくとも約１．５の倍率だけ大きくてもよい。一実施例として、第１の厚さは約１６〜約２０ｍｍであり得、第２の厚さは約１４〜約１８ｍｍであり得る。設置個所により大きい剛性を設けるために、より厚い部分７４ａ〜ｅが隔離絶縁器２８ａ〜ｅに配置することができ、また、コイルの適切な曲げを設けるために、上記より厚い部分などの間にはより薄い部分７６ａ〜ｄが配置することができる。しかしながら、代替の形態では、異なる部分などがコイル２２ｃの使用中に特定の部位で発生する変形応力に応じて選ばれる、異なる厚さを有するように設計されて使用され得る。プラズマに露出する面部２４ｃは、より厚い部分がコイル２２ｃの外部表面から外側に延びるため、変らず中心７３から同一距離に位置する。
【００３０】
更に別の変形例で、コイル２２ｄは、図６Ｄに示されたように、実質的に均一な第１の厚さを有する第１の部分７７ａ〜ｉ、及び湾曲領域を横切る平均的な第２の厚さを有する第２の部分７８ａ〜ｉを有するように形状化される。図示された変形例では、第１の厚さが平均的な第２の厚さよりも大きい。例えば、第１の厚さは平均的な第２の厚さよりも前述した倍率だけ大きくてもよい。第１の部分７７ａ〜ｉは、隔離絶縁器２８ａ〜ｅの支持のための剛性を設け、第２の部分７８ａ〜ｉは内側に湾曲されて、負荷を受けている隔離絶縁器２８ａ〜ｅを有する第１の部分７７ａ〜ｉの曲げを許容するヒンジとしての役目をする。均一な第１の厚さ及び第２の部分。更に別の実施形態で、隔離絶縁器２８ａ〜ｅの位置に位置する部分７７は、より厚い部分の間にある部分７８ｂよりもその設置個所により大きい剛性を設けるために、より厚く作られることができる。
【００３１】
図７Ａ及び図７Ｂは、互いの上部に積層された２個の単一ターンコイル２２ａ、ｂを有するアンテナ２０ａの別の形態を図示したものである。処理チャンバの壁から所定の間隔を置いてコイル２２ａ、ｂを支持するために複数の隔離絶縁器２８ａ、ｂが使用される。上部コイル２２ａは露出面２２ａを有しており、該露出面２２ａはコイル２２ｂの露出面２２ｂ上に配置されている。それぞれのコイル２２ａ、ｂは、それぞれ、末端２６ａ、ｂを有する。例えば、図７Ａに示されたように、コイル２２ａの末端２６ａは１つ以上の端子３０ａに接続することができ、コイル２２ｂの末端２６ｂは１つ以上の端子３０ｂに接続することができる。端子３０ａ、ｂそれぞれは、コイル２２ａ、ｂの末端２６ａ、ｂから延びる導体レセプタクル３２ａ、ｂを備える。導体レセプタクル３２ａ、ｂは、外部環境と接続しているコネクタ３５ａ、ｂを収容する。上部コイル及び下部コイル２２ａ、ｂが共に結合されて相互間に電流の流れが生じる場合は、両者のコイル２２ａ、ｂ（またはコイルタ−ン）のための単一の端子３０ａ、ｂ対がだけが必要であり、換言すれば、端子対それぞれが単一のコイルのために使用される２対の端子が必要である。コイル２２ａ、ｂはまた、図７Ｂに示されたように、端子３０ａ、ｂを相対向する上部に位置させて、単一の導体コップ４０が両端子３０ａ、ｂを図のように取り囲むように、その末端２６ａ、ｂに連結縁８０ａ、ｂを有することができる。端子３０ａ、ｂのコネクタ及び導体を電気的に分離して隔離させるため、各種の誘電絶縁体４５ａ〜ｃが使用される。更に別の実施形態では、図のように、それぞれのコイルが別個の端子を有する代りに、多重ターンコイルが、並列または直列配列（不図示）で互いに電流のタッピングを行う個々のコイルセグメントを有することができる。
【００３２】
アンテナ２０の前述した形態は、処理チャンバを備える適切な基板処理装置のいずれにも装着される。図８には、基板１０４を処理するための処理チャンバ１０２を備える基板処理装置１００の例示的な実施形態が示されている。チャンバ１０２は、プラズマゾーン１０５に形成されたプラズマによってスパッタされて、基板１０４上に層をスパッタ堆積するスパッタリングターゲット１０６を有する。ターゲット１０６は、伝導金属または金属化合物、すなわち１つ以上のタンタル、窒化タンタル、アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン及び銅で作られてもよい。
【００３３】
チャンバ１０２内には、基板１０４を支持するための基板支持体１０８が設けられている。基板支持体１０８はまた、冷却及び加熱システムを含むことができる。可撓性のシーリングベロー１０９は基板支持体１０８をチャンバ１０２内で垂直に移動させるのに利用され、チャンバの内部は外部環境から気密状態を維持している。基板１０４は、チャンバ１０２の基板−積載入口（不図示）を介してチャンバ１０２内に導入されて、基板支持体１０８上に置かれる。基板支持体１０８は、基板を保持する機械的、真空または静電チャックを含むことができる。
【００３４】
ガス供給装置１１０は、１つ以上のガス源１１４、１１８にそれぞれ接続されているガス入口１１２を介してチャンバ１０２内にガスを導く。１つ以上の質量流量制御機１２２ａ、ｂは、チャンバ１０２内への導入以前に混合マニホールド１２８で予め混合されるかまたはチャンバ１０２に個別的に導入することもできる各ガスの流量を制御するのに使用される。ガスは、通常、イオン化されてプラズマを形成する時に、エネルギーを有してターゲット１０６に衝突してターゲットに衝撃を加えることで、ターゲット１０６から離れた材料をスパッタするアルゴンまたはキセノンのような非反応性ガスを含む。ガスはまた、窒素のような反応性ガスを備えていてもよい。例えば、ＴａＮを堆積するためには、タンタルで作られたターゲットを用いてチャンバ１０２内に窒素を導く。当業者なら自明なことであるように、他のタイプの反応性ガス、または他のタイプの非反応性ガスを含む他の組成のガスが使用される。
【００３５】
排気システム１３０は、チャンバ１０２内のスパッタリングガスの圧力を制御し、チャンバ１０２から余剰ガスと副産物ガスを排気する。排気システム１３０は、１つ以上の排気ポンプ１３８を案内する排気ライン１３４に接続されている排気口１３２をチャンバ１０２内に備える。チャンバ１０２内のスパッタリングガスの圧力を制御するために、排気ライン１３４のスロットルバルブ１４０を用いることもできる。通常、チャンバ１０２内のスパッタリングガスの圧力は大気中より低いレベルに設定される。
【００３６】
スパッタチャンバ１０２はまた、スパッタ堆積物を収容し、該スパッタ堆積物が壁１１２上に堆積されて蓄積されることを防止するために、チャンバ１０２の側壁１５４の前方に位置するシールド１５０を有することができる。シールド１５０を、接地面としての役目をするために電気的に接地することもできる。シールド１５０は、通常どんぶり型に形成され、また、通常円筒状に形成された、垂直に向けた壁１５１を含む。該壁１５１には、コイル２２の絶縁支持のために隔離絶縁器１２８が取り付けられている。シールド１５０はまた通常環状に形成された底壁１５２を有するが、該底壁１５２は基板１０４を支持する基板支持体１０８を取り囲んでいる。クランプリング１５３は基板を支持体１０８に固定させて、シールド１５０の底壁１５２と支持体１０８との間のギャップを覆っている。シールド１５０は、該クランプリング１５３と共に、チャンバ１０２内で基板１０４上に堆積される堆積材料からチャンバ１０２の内部を保護する。アンテナ２０は隔離絶縁器２２によってシールド１５０に取り付けられており、またこれら隔離絶縁器中の少なくとも一部は１つ以上の端子３０ａ、ｂを含んでいる。
【００３７】
チャンバ１０２はまた、ターゲット１０６の近傍で磁場１６４を発生させてターゲット１０６に隣接した下のプラズマ領域１０５のイオン密度を増加させてターゲットのスパッタリングを向上する磁場発生装置１６０を有することができる。例えば、Ｆｕ氏に許与されたアメリカ特許第６、１８３、６１４号（発明の名称「回転スパッタマグネトロンアセンブリ」）、及びＧｏｐａｌｒａｊａ氏らに付与されたアメリカ特許第６、２７４、００８号（発明の名称「充填を介する銅の集積プロセス」）には、銅の持続した自己スパッタリングまたはアルミニウム、チタン、または他の金属のスパッタリングを設ける一方、非反応性ガスの要求を最小化する磁場発生源１６０の一実施形態が記載されているが、これらは、その全体を参照として本明細書に組み込まれている。一形態で、磁場発生源１６０はターゲット１０６付近にセミトロイダル磁場１６４を発生させる。更に別の変形例で、磁場発生源１６０は、その磁場発生源１６０を回転軸１６６を中心として回転させるモ−タ−１６８を備える。
【００３８】
チャンバ１０２を、チャンバ１０２の部品を操作してチャンバ１０２内で基板１０４を処理するための指示セットを有するプログラムコ−ドを備えるチャンバコントローラ１７０によって制御することができる。例えば、コントローラ１７０は、１つ以上の基板支持体１０８及び基板運搬体を操作して基板１０４をチャンバ１０２内に位置させる基板位置決定指示セットと、スパッタリングガス供給装置１１０及び質量流量コントローラ１２２ａ、ｂを操作するガス流動制御指示セットと、排気システム１３０及びスロットルバルブ１３８を操作してチャンバ１０２内の圧力を維持するガス圧力制御指示セットと、ターゲット電源１４０を操作してガスエネルギー電力レベルを設定するターゲット電力制御指示セットと、チャンバ１０２内の温度を制御する温度制御指示セットと、チャンバ１０２内の工程を監視する工程監視指示セットと、アンテナ２０のコイル２２に印加されたＡＣ及び／またはＤＣ電力を制御するアンテナ電力制御指示セットを含むプログラムコ−ドを備えることができる。
【００３９】
スパッタリングターゲット１０６は、誘電体１８０によってチャンバ１０２から電気的に隔離される。ターゲットはまた、プラズマにイオンを引っ張る極性をもち、ＤＣまたはＲＦ電源のようなターゲット電源１９０によってバイアスされる。一変形例で、ターゲット電源１９０、ターゲット１０６及びシールド１５０は、ターゲット１０６から材料をスパッタするためにスパッタリングガスにエネルギーを与えられることができるガスエナジャイザー１４０として作動する。ターゲット電源１９０がターゲット１０６をシールド１５０に対して電気的にバイアスしてチャンバ１０２内のスパッタリングガスをエネルギー化することで、ターゲット１０６から材料をスパッタするプラズマが形成される。プラズマによってターゲット１０６からスパッタされた材料は基板１０４上に堆積され、更に、プラズマの反応性成分または他のガス成分と反応して、基板１０４上に堆積層を形成する。
【００４０】
通常、金属ターゲット１０６からスパッタされた材料はプラズマでイオン化されて金属陽イオンになる。このような金属陽イオンの基板に対する堆積を増進させるために、基板支持体１０８をＡＣ電源のような適当なバイアス電圧源１９４に接続することができる。図示された実施形態では、電源１９０及び１９４によってそれぞれターゲット１０６及び基板１０４にネガティブバイアスが発生する。
【００４１】
アンテナ２０のコイル２２には、図９に例示的な実施形態が示されている適切な整合ネットワーク２０８を通じて、ＲＦ電源２０４から高周波電力が供給される。アンテナ２０の一方の末端は整合ネットワーク２０８に接続され、アンテナ２０の他方の末端は図８に示されたようなＲＦフィルタ２１８を通じてグラウンドに接続される。アンテナ２０に供給されたＲＦ電力によって電磁気場が発生し、プラズマ領域１０５にはプラズマが更に持続されるかあるいは発生される。磁場発生装置１６０はまた、チャンバ１０２内でのプラズマの発生に寄与する。また、アンテナ２０にＲＦ電流が流れない場合は、ターゲット１０６にＤＣまたはＲＦ電圧を印加することでターゲット１０６の近傍に低密度のプラズマが発生することができる。このような条件の下では、基板１０４に堆積される材料はターゲット１０６からスパッタされて、プラズマ領域で少なくとも部分的にイオン化されて基板１０４に向けるようになる。
【００４２】
コイル２２に印加された唯一の電圧が交流ＲＦ電圧の場合は、コイル２２にはＲＦフィルタ２１８を横切ってＤＣ自己バイアスが本来から誘発されるものと考えられている。図示された実施形態で、該バイアスはネガティブ極性を有するはずであり、また、−１００ボルト程度であり得る。コイル２２はまた、ＤＣ自己バイアスの結果としてコイル２２に引っ張られたプラズマイオンがコイル２２の表面から材料をスパッタするか或いは除去するように、先に記載したようにターゲット１０６と同一材料であるスパッタ可能な材料で作られることができる。例えばコイル２２は基板１０４の周辺の外側にすぐ位置し、アンテナ２０からのスパッタ材料は殆ど中央領域１１１よりは基板１０４の周辺領域１０７に堆積する傾向があるため、ターゲット１０６及びコイル２２は膜特性を向上するのに使用され得るスパッタ材料の空間的に分離したソースを設ける。これは、高ガス圧の作動時にターゲット１０６からスパッタされた材料が周辺領域１０７よりも基板１０４の中央領域１１１により厚く堆積しようとする傾向がある場合に有利である。このため、アンテナ２０からの堆積材料のスパッタリングは、ターゲット１０６からのスパッタ材料が基板１０４の中央領域１１１でより厚く堆積しようとする傾向を中和させることができる。
【００４３】
コイルのスパッタリングの割合は、最上の堆積均一性を得るために電力レベルとは独立的に制御されることもできる。図示された実施形態で、プラズマ及び別個のＤＣバイアスを発生させるためにアンテナ２０に供給されたエネルギーは、コイルバイアスレベル及びそれによってコイルスパッタリングの割合を個別的に制御するためにアンテナ２０にまた印加される。アンテナ２０のＤＣバイアスは、コイル２２をＤＣ電圧源２２０に接続させることで、供給装置２０４によって伝達される電力の大きさ及び周波数とは独立的に変更できる。ＤＣ電圧源２２０に流れるＲＦ電流を実質的に除去するかあるいは低減させるために、コイル２２とＤＣ電圧源２２０との間にはＲＦフィルタ２１８が接続される。フィルタ２１８は電圧源２２０とコイル２２との間に小さなＤＣインピーダンスを設け、これによってコイル２２は電圧源２２０によって設けられた電圧と実質的に同一のＤＣバイアスに位置する。電圧源２２０が略バッテリーで示されていても、いかなる適切なＤＣ電圧源をも使用でき、またその出力電圧をコイル２２に対する所望のレベルのＤＣバイアスを生成するために調節することができる。
【００４４】
図９には、コイル２２にＲＦ電流とＤＣバイアス電圧を供給するのに使用される例示的な回路が示されている。回路において、アンテナ２０はインダクタンスと抵抗の直列配置である等価回路で示されている。また、ＲＦソース２０４と整合ネットワーク２０８を、望ましくはコイル２２の末端２６ａに結合する一方、ＤＣソース２２０とフィルタ２１８をその長さに沿ってコイル２２のどこにでも結合することができる。整合ネットワーク２０８は、２個の調整可能なキャパシタと１つのインダクタを含む従来のネットワークである。既知のように、回路２００の目的は、ＲＦ電源２０４の出力インピーダンスをそれが結合された負荷のインピーダンスと調和させることである。さらに、アンテナ２０とグラウンドとの間に接続されたフィルタ２１８は、アンテナ２０からのＤＣ電流がグラウンドに流れることを防止する役目をする。堆積層の均一性を向上するために、ＲＦ周波数及び電力レベルは堆積中に周期的に変更されることもある。さらに、整合ネットワークとＲＦフィルタの成分のインピーダンスは堆積中に周期的に変えられる。フィルタ２１８は、コイル２２からＤＣソース２２０へのＲＦ電力の伝達を防ぐためにキャパシタとインダクタで構成される。
【００４５】
本明細書に図示された各種のコイル及び隔離絶縁器の実施形態の代りに、またはこのような実施形態に加えて、コイル２２上に蓄積された堆積物の少なくとも一部を除去するためにより良好なチャンバ洗浄法をまた用いることができる。チャンバ内でプラズマに露出するコイル２２の表面を洗浄する方法において、処理チャンバ内には不活性ガスが所定の圧力で維持され、該不活性ガスには、例えばガスからプラズマを形成させるためにコイル及びターゲットを通じてＲＦ電力が印加される。プラズマはコイルから蓄積された堆積物を洗浄する。コイル表面上の堆積物を除去するために、ＲＦ電力が少なくとも約１ｋＷの電力レベルで少なくとも約５分間印加される。望ましくは、不活性ガスにはＲＦ電力が約１〜約５ｋＷの電力レベルで少なくとも約１０分間印加される。一変形例において、不活性ガスは例えば２０ｓｃｃｍの流量で設けられるアルゴンを備える。
【００４６】
以上、好ましい変形例を参照して本考案を説明したが、他の変形例も可能である。例えば、アンテナは、当業者にとっても自明であるように、他のタイプ、例えばエッチング、ＣＶＤ及び洗浄プロセスに適用されて使用することができる。また、当業者にとっても自明であるように、他の形状及び構成のコイル、他のコイル洗浄法を使用することもできる。したがって、添付された請求項の技術思想及び範囲は、本明細書に含まれた好ましい形態の説明に制限されてはいけない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】処理チャンバ内のプラズマにエネルギーを結合するための内部アンテナの一実施形態の斜視図である。
【図２】図１のアンテナの断面側面図で、コイル及び該コイルを外部電源からのコネクタに接続するための端子を含む隔離絶縁器の断面を示している。
【図３】図１のアンテナの断面上面図で、端子をもつ一対の隔離絶縁器を示している。
【図４】コイル及び端子をもつ隔離絶縁器を示すアンテナの別の実施形態の断面側面図である。
【図５】コイル及び端子をもつ隔離絶縁器を示すアンテナの別の実施形態の断面側面図である。
【図６Ａ】コイル及び隔離絶縁器を有するアンテナの別の実施形態の概略上面図である。
【図６Ｂ】コイル及び隔離絶縁器を有するアンテナの別の実施形態の概略上面図である。
【図６Ｃ】コイル及び隔離絶縁器を有するアンテナの別の実施形態の概略上面図である。
【図６Ｄ】コイル及び隔離絶縁器を有するアンテナの別の実施形態の概略上面図である。
【図７Ａ】コイルが積層されたアンテナの一実施形態の概略断面側面図である。
【図７Ｂ】図７Ａのアンテナの斜視図で、コイル末端が連結縁を有することを示している。
【図８】基板処理装置の一実施形態の概略断面側面図である。
【図９】図８の装置に係る電気回路の一実施形態である。
【符号の説明】
【００４８】
Ｌ１…第１の長さ、Ｌ２…第２の長さ、２０…アンテナ、２２…コイル、２２ａ…露出面、２４ａ…面部、２６ａ、ｂ…末端、２８ａ−ｈ…隔離絶縁器、３０ａ、ｂ…端子、３２ａ、ｂ…導体レセプタクル、３３…ベース、３４…ジャケット、３５ａ、ｂ…摺動コネクタ、３６…外面、３７ａ、ｂ…真空フィードスルー、３８…内面、４０ａ、ｂ…導体コップ、４１ａ、ｂ…カバー、４２…側壁、４３ａ、ｂ…延長部、４４…側壁ギャップ、４５ａ、ｂ…誘電絶縁体、４６…底壁ギャップ、４７…通気孔、４８…底壁、５０…縁、５４…セラミック、６０…コンタクトホール、６２…内部摺動面、６５…バナナ形プラグ、７０…湾曲部、７２ａ−ｋ…湾曲部、１００…基板処理装置、１０２…チャンバ、１０４…基板、１０５…プラズマ領域、１０６…ターゲット、１０７…周辺領域、１０８…基板支持体、１０９…シーリングベロー、１１０…ガス供給装置、１１１…中央領域、１１２…ガス入口、１１２ａ、ｂ…質量流量制御機、１１４、１１８…ガス源、１３０…排気システム、１３８…スロットルバルブ、１４０…バルブ、１５０…シールド、１５２…底壁、１５３…クランプリング、１６０…磁場発生源、１６６…回転軸、１６８…モータ、１７０…コントローラ、１９０…ターゲット電源、１８０…誘電体、２００…回路、２０４…ＲＦ電源、２０８…整合ネットワーク、２１８…ＲＦフィルタ、２２０…電圧源。
【図１】
0003125696.tif 000003
【図２】
0003125696.tif 000004
【図３】
0003125696.tif 000005
【図４】
0003125696.tif 000006
【図５】
0003125696.tif 000007
【図６Ａ】
0003125696.tif 000008
【図６Ｂ】
0003125696.tif 000009
【図６Ｃ】
0003125696.tif 000010
【図６Ｄ】
0003125696.tif 000011
【図７Ａ】
0003125696.tif 000012
【図７Ｂ】
0003125696.tif 000013
【図８】
0003125696.tif 000014
【図９】
0003125696.tif 000015