【事件の表示】
　平成１０年特許願第　７８２００号「熱電半導体用電極構造の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１１年１０月　８日出願公開、特開平１１−２７４５８０、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１０年３月２６日の出願であって、原審において平成１０年１２月９日付けで拒絶理由が通知され、その理由により平成１１年１２月２０日付けで拒絶されたものである。そして、その請求項１及び請求項２に係る発明（以下それぞれ「本願第１発明」及び「本願第２発明」という）は、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】Ｃｕ電極とＰｂＴｅ熱電半導体とをＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属を介在させて突き合わせＰｓｅｄｏ−ＨＩＰ法により液相を生じさせない温度範囲において加熱接合し、Ｃｕ電極とＰｂＴｅ熱電半導体との間に２０μｍ〜２００μｍ（２０μｍを除く）の厚みのＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属を介在されて接合一体化されているものとする熱電半導体用電極構造の製造方法。
【請求項２】ＰｂＴｅ熱電半導体がｎ型ＰｂＴｅである請求項１の製造方法。」
　
２．刊行物記載の発明
ア．原査定の拒絶理由に引用された刊行物１（特開平１０−４１５５３号公報）は、「熱電半導体およびその製造方法」（発明の名称）に関するものであり、特許請求の範囲の欄の請求項１には
「半導体粉末層と、その半導体粉末層の電極と対向する側の両端面に配置され、電極接合用材料と前記半導体との反応を抑制する金属層とが一体に焼結されて、前記半導体粉末の焼結層が金属層を介して電極接合用材料により電極に接合されていることを特徴とする熱電半導体。」と記載されており、また、
「【００１５】図２に示すように、１００〜３００μｍ厚みの銅またはアルミニウムなどからなる金属板１の表面に、半導体と反応しても特性を大きく低下させない例えばニッケルなどの表面処理層２をメッキ法、スパッタリング法、蒸着法などの適宜な薄膜形成法で２０μｍ以下、例えば５〜１０μｍの範囲で形成する。この実施の形態では金属板１の片面に表面処理層２を形成したが、金属板１の両面に表面処理層２を形成するとよい。
　【００１６】そして図３に示すようにこの金属板１を２枚、表面処理層２が内側になるように焼結用の型３内に配置し、２枚の金属板１，１間に急冷法で作成した平板状の半導体粉末層４を介在する。
　【００１７】本発明で使用される熱電半導体の材料としては、例えば・・・鉛（Ｐｂ）−テルル（Ｔｅ）系・・・などの広範囲の半導体材料が使用可能で・・・ある」（第４欄第２１行〜第４０行）こと、
「【００２２】図３に示すように型３内に装着された金属板１，１ならびに半導体粉末層４は上下のパンチ１０ａ，１０ｂで挟まれ、これらは図７に示すように水冷真空チャンバ１１内に設置され、図示しない加圧機構により所定の圧縮力が平板状体９の積層方向に加えられる。
　【００２３】それと同時に上部パンチ１０ａに接続された上部電極１１ａと下部パンチ１０ｂに接続された上部電極１１ｂに対して、焼結用ＤＣ電源（図示せず）からパルス電流を流し、各平板状体９間でジュール発熱を生起せしめ、平板状体９間で焼結を行なう。なお、前記型３上下のパンチ１０ａ，１０ｂは、例えば黒鉛、超硬合金、鉄、鋼などの導電体から構成されている。
　【００２４】上下のパンチ１０ａ，１０ｂにより加圧された（１００〜５０００ｋｇ／ｃｍ２ ）平板状体９間に、焼結用ＤＣ電源を用いて発生させたＯＮ−ＯＦＦ直流パルス電圧（周期：３００Ｈｚ〜３０２ｋＨｚ）を１〜１５分間印加する。それによって瞬間的に発生する放電現象とジュール加熱での高エネルギーで、粒子間が高速昇温後、熱拡散による粒子結合部の急冷が行なわれる。パルス通電では、このような焼結の進行状態を観察しながら投入エネルギーが制御できるから、優れた焼結制御性、すなわち粒成長の少ない焼結微細組織の制御が容易である。」（第５欄第１９行〜第４１行）こと、及び、
「【００３６】金属層の表面に設けられる表面処理層の機能は、金属層が銅あるいは銅合金の場合とアルミニウムあるいはアルミニウム合金の場合とで異なる。すなわち銅が母材の場合はそれが直接半導体材料と接触すると反応が起こり、熱電変換特性が低下するから、金属層と半導体材料との反応を阻止するために両者の間に表面処理層を介在させる必要がある。・・・
　【００３７】この表面処理層は半導体材料と拡散反応は起こすが、生成した拡散反応物は熱的に安定であることが要求される。各種金属材料について検討した結果、Ｎｉ−Ｔｅ，Ｓｎ−Ｔｅ，Ｔｉ−Ｔｅ，Ｆｅ−Ｔｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｔｅの反応生成物は融点が高く熱的に安定であることから、表面処理層材料として、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｂ，Ｃｒ，Ｍｏのグループから選択された少なくとも１種の元素が好適であり、一方、Ｐｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ共晶などは特性に大きな変化が生じるため適切でないことが判明した。また、Ｂｉ，Ｔｅは表面処理層が１μｍ以下の厚さであれば、特性変化を抑制した接合でできることが分かった。
　【００３８】表面処理層の膜厚について検討した結果、２０μｍを超すと金属層への付着強度が低下することと、コスト的に高くなるため、表面処理層の膜厚は２０μｍ以下、好ましくは５〜１０μｍに規制する方が良い。」（第７欄第３６行〜第８欄第３２行）ことが記載されている。
　以上まとめると、刊行物１には「銅からなる金属板とＰｂ−Ｔｅ系熱電半導体材料とをＦｅからなる表面処理層材料を介在させて配置し、焼結用の型内で所定の圧縮力を加えると同時に直流パルス電流を流しジュール発熱を生起させて焼結を行い、銅からなる金属板とＰｂ−Ｔｅ系熱電半導体材料との間に２０μｍ以下の厚みのＦｅからなる金属を介在させて接合一体化されているものとする熱電半導体用電極構造の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　
３．　本願発明と刊行物記載の発明との対比・判断
３．１　本願第１発明について
　本願第１発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載された「銅からなる金属板」、「Ｐｂ−Ｔｅ系熱電半導体材料」、「Ｆｅからなる表面処理層材料」はそれぞれ本願発明の「Ｃｕ電極」、「ＰｂＴｅ熱電半導体」、「ＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属」に相当している。
　また、刊行物１に記載された「配置し」と本願第１発明の「突き合わせ」はいずれも熱電半導体層及び金属層がお互いに接合されるべく接触している状態を表現しているものなので、同様の状態を示しているものである。
　また、刊行物１に記載の製造方法において、「直流パルス電流を流しジュール発熱を生起させて焼結」することは、「加熱接合」することでもある。
　また、刊行物１には焼結の際の温度は明記されていないが、刊行物１の「 上下のパンチ１０ａ，１０ｂにより加圧された（１００〜５０００ｋｇ／ｃｍ２ ）平板状体９間に、焼結用ＤＣ電源を用いて発生させたＯＮ−ＯＦＦ直流パルス電圧（周期：３００Ｈｚ〜３０２ｋＨｚ）を１〜１５分間印加する。それによって瞬間的に発生する放電現象とジュール加熱での高エネルギーで、粒子間が高速昇温後、熱拡散による粒子結合部の急冷が行なわれる。パルス通電では、このような焼結の進行状態を観察しながら投入エネルギーが制御できるから、優れた焼結制御性、すなわち粒成長の少ない焼結微細組織の制御が容易である。」（第５欄第３１行〜第４１行）の記載から、熱電半導体材料は粒子状態を保ったままでお互いに結合することがわかるから、刊行物１記載の方法において焼結時に液相は生じていないものと認められる。
　したがって、本願第１発明と刊行物１記載の発明とは、「Ｃｕ電極とＰｂＴｅ熱電半導体とをＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属を介在させて突き合わせ液相を生じさせない温度範囲において加熱接合し、Ｃｕ電極とＰｂＴｅ熱電半導体との間にＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属を介在されて接合一体化されているものとする熱電半導体用電極構造の製造方法。」の点で一致しており、
１）本願発明においては、Ｐｓｅｄｏ−ＨＩＰ法により加熱接合しているが、刊行物１に記載の発明においては、焼結用の型内で所定の圧縮力を加えると同時に直流パルス電流を流しジュール発熱を生起させて焼結を行う方法により加熱接合している点（以下「相違点１」という）、及び、
２）本願発明においては、２０μｍ〜２００μｍ（２０μｍを除く）の厚みのＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属を介在させて接合一体化されているが、刊行物１に記載の発明において、２０μｍ以下の厚みのＦｅからなる金属を介在させて接合一体化されている点（以下「相違点２」という）、
で相違している。
　そこで、まず相違点１について検討する。
　Ｐｓｅｄｏ−ＨＩＰ法自体はたとえ公知の加熱接合方法であるとしても、Ｐｓｅｄｏ−ＨＩＰ法をＣｕ電極とＰｂＴｅ熱電半導体とをＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属を介在させて加熱接合するために利用することは刊行物１に記載されていない。
　また、本願明細書の段落【００１５】に「φ１８×２ｍｍのＣｕ電極とφ１８×２．５ｍｍのＰｂＴｅ熱電半導体を突き合わせて接合した。接合方法は、雰囲気をＡｒガスとし、Ｐｓｅｕｄｏ−ＨＩＰにて３８ＭＰａの圧力にて加圧しながら接合温度まで昇温し１時間の保持を行った後冷却した。」と記載されているように、本願第１発明においてＰｓｅｄｏ−ＨＩＰ法によって加熱接合される対象がバルク状の熱電半導体であるのに対して、刊行物１に記載の発明においてジュール発熱により焼結される対象が粉末状の熱電半導体材料であり、粉末状の熱電半導体材料に対してセラミック粉体を圧力媒体とするＰｓｅｄｏ−ＨＩＰ法を適用することはたとえ当業者といえども容易になし得たことであるとは言うことができない。
　次に相違点２について検討する。
　刊行物１の段落【００３８】には「表面処理層の膜厚について検討した結果、２０μｍを超すと金属層への付着強度が低下することと、コスト的に高くなるため、表面処理層の膜厚は２０μｍ以下、好ましくは５〜１０μｍに規制する方が良い。」と記載されており、表面処理層の膜厚を２０μｍ以上とすることに阻害要因がある以上、刊行物１記載の発明において、表面処理層の膜厚を２０μｍ〜２００μｍ（２０μｍを除く）の厚みとすることが当業者に容易になし得たことであると言うことはできない。
　また、本願第１発明は、ＦｅまたはＰｔもしくはこれを主とする金属の厚みを２０μｍ〜２００μｍ（２０μｍを除く）とすることにより、本願明細書の段落【００１１】に記載の「２０μｍ未満の厚みでは、接合後にＣｕの拡散を抑えるバリアー効果が必ずしも充分でなく、また、２００μｍを超える場合には電気伝導性と接合強度の点で難点が生じやすい」という問題点を解決することができるという効果を有しているものである。
　以上のとおりであるから、刊行物１記載の発明において、加熱接合の方法としてＰｓｅｄｏ−ＨＩＰ法を採用することも、表面処理層の膜厚を２０μｍ〜２００μｍ（２０μｍを除く）の厚みとすることも、当業者にとって容易になし得たことであるとは言うことができない。
　よって、刊行物１に記載の発明に基づいて、本願第１発明の製造方法を想到することはたとえ当業者といえども容易になし得たことであるとは言えない。
　
３．２　本願第２発明について
　本願第２発明は本願第１発明を引用してさらにその構成要件を限定したものであるから、上記限定の内容について刊行物１に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、本願第１発明と同様に、刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
４．結び
　ゆえに、本願請求項１及び請求項２に係る発明は、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願請求項１及び請求項２に係る発明を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。