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【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の異なる物質を分離するための物質分離素子であって、
基体と、該基体に設けられた流路とを有し、
該流路は、媒体と前記２以上の異なる物質とを含む試料の注入口及び排出口と、該試料に含まれる２以上の異なる物質のそれぞれに対して該流路中での異なる移動度を与える分離部と、を有し、
前記異なる物質のそれぞれの移動度に対して影響をおよぼす特性が、前記分離部内において前記試料の移動方向に沿って変化している
ことを特徴とする物質分離素子。
【請求項２】
前記流路中に複数の分離部を有する請求項１に記載の物質分離素子。
【請求項３】
前記複数の分離部に少なくとも異なる分離特性を有するものが含まれる請求項２に記載の物質分離素子。
【請求項４】
前記流路を複数有する請求項１〜３のいずれかに記載の物質分離素子。
【請求項５】
前記分離部の移動度に対して影響をおよぼす特性が、物理的特性または化学的特性の少なくとも一方である請求項１〜４のいずれかに記載の物質分離素子。
【請求項６】
前記分離部が、分離材と該分離材の分離特性を変化させる添加剤とを有し、該添加剤の含有量の変化によって前記移動度に対して影響をおよぼす特性が変化している請求項１〜５のいずれかに記載の物質分離素子。
【請求項７】
前記添加剤がシラン化合物である請求項６に記載の物質分離素子。
【請求項８】
前記異なる物質が生体物質である請求項１乃至７のいずれかに記載の物質分離素子。
【請求項９】
媒体と２以上の異なる物質とを含む試料中のこれらの２以上の異なる物質を互いに分離するための物質分離素子の製造方法であって、
基体に前記試料の流路となる部分を形成する工程と、
前記流路となる部分中の分離部となる部分に、分離材で充填した状態を得る工程と、
前記充填材が充填された状態の部分の前記試料の移動方向に沿って該充填材の分離特性を変化させることのできる添加剤をその付与量を変化させて付与して分離部を形成する工程と、
前記流路となる部分に前記試料の注入口と排出口を設けて流路を形成し、物質分離素子を得る工程と、
を有することを特徴とする物質分離素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ステップＳ５１〜５４において、記憶素子の型が一致していなかったり、機種が適合していなかったり、累積印字量が限界に達していたり、更には寿命終了カートリッジのＩＤと一致していると判定された場合には、いずれもステップＳ５７において「印字不可」と表示してプリンタの動作を停止する。この判定の際に、記憶素子が正しいかどうかを判定するため、書き換えが防止されていることになっているアドレスに書き込みを行った後、同じアドレスのデータを読み出して、書き込みが行われていないことを確認する過程が含まれる場合もある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、本願の請求項３に記載の発明は、前記請求項１又は２に記載の電子写真式プリンタの交換可能なカートリッジ用の記憶素子において、前記生成されたＩＤデータは、ＥＥＰＲＯＭのＩＤデータ用アドレスに書き込みされることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明は上記の構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、本願の請求項１に記載の発明によれば、プリンタが記憶素子のＩＤ領域のデータを読み出そうとした際、記憶素子は、ＥＥＰＲＯＭに記憶されていたデータではなく、一定の機会ごとに任意に生成されたＩＤデータを転送することができるようになるので、プリンタが保持している寿命終了カートリッジのＩＤデータと偶然一致することが少なくなり、各種カートリッジの再生を該カートリッジの製造業者ないしは正当な再生業者が適正に行った際、このカートリッジをリセットして再度正常に使用できるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  分離層を有し、その上に移設層を有する基体の前記移設層の一部を他の物体に移設した後に残る利用済みの基体を処理する処理方法であって、
前記利用済みの基体に残留する移設層を除去する移設層除去工程を実施し、
その後、前記利用済みの基体の表面に残留する前記分離用の層を除去する分離層除去工程を実施する、
ことを特徴とする処理方法。
【請求項２】  半導体基板の製造方法であって、
分離層を有し、その上に、半導体層を含む移設層を有する第１の基板と別に用意した第２の基板とを貼り合わせて、貼り合わせ基板を作成する作成工程と、
前記貼り合わせ基板を主に前記分離層で分離することにより、前記移設層の一部の領域を第２の基板の表面に移設して、表面に移設層を有する半導体基板を作成する移設工程と、
前記移設工程の後の前記第１の基板に残留する移設層を除去する移設層除去工程と、
前記移設層除去工程の後の前記第１の基板の表面に残留する前記分離層を除去する分離層除去工程と、
を有し、前記分離層除去工程の後の前記第１の基板を前記作成工程において貼り合わせ基板を作成するための材料として再利用する一連の処理を実施しながら半導体基板を得ることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  貼り合わせ基板の製造方法であって、
内部に多孔質層を有し、その上に第１の層を有し、その上に更に第２の層を有する第１の基板を作成する第１工程と、
前記第１の基板の主面と第２の基板とを貼り合せて、貼り合わせ基板を作成する第２工程と、
前記貼り合わせ基板に化学的処理を施すことにより、前記第１の層の外周端の少なくとも一部を前記貼り合わせ基板の内部方向に後退させる第３工程と、
を含むことを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項２】  前記第３工程は、前記第２工程により作成された貼り合わせ基板の前記第１の層の外周部の少なくとも一部を酸化させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項３】  前記第３工程は、前記第２工程により作成された貼り合わせ基板の前記第１の層の外周端の少なくとも一部をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項４】  前記第１工程は、Ｓｉ基板に陽極化成処理を施すことにより前記多孔質層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項５】  前記第１工程は、
前記多孔質層の上に前記第１の層としてのＳｉ層を形成する工程と、
前記Ｓｉ層の表面を熱酸化させることにより、前記Ｓｉ層上に前記第２の層としてのＳｉＯ2層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項６】  基板の製造方法であって、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法により貼り合わせ基板を作成する工程と、
作成された貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で２枚の基板に分離する工程と、
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】  前記分離工程では、前記貼り合わせ基板の貼り合わせ面付近に向けて流体を噴射し、該流体により前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で２枚の基板に分離することを特徴とする請求項６に記載の基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の分離方法であって、
前記複合部材は、前記第１の部材の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した突出部を有し、
前記分離方法は、前記突出部から前記複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離する分離工程を有することを特徴とする分離方法。
【請求項２】  第１の部材の表面の移設層を第２の部材に移設する移設方法であって、
内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着させて、前記第１の部材の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した複合部材を作成する作成工程と、
前記突出部から前記複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離し、これにより、前記第１の部材の移設層を前記第２の部材に移設する分離工程と、
を有することを特徴とする移設方法。
【請求項３】  ＳＯＩ基板の製造方法であって、
内部に多孔質層を有し、その上に単結晶Ｓｉ層を含む移設層を有する第１の基板の表面と第２の基板とを貼り合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に突出した突出部を有する貼り合わせ基板を作成する作成工程と、
前記突出部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記多孔質層の部分で前記貼り合わせ基板を分離して、前記第１の基板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工程と、
分離後の第２の基板の表面に残留する多孔質層を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】  前記第１の基板は、前記移設層として、前記単結晶Ｓｉ層の他に、該単結晶Ｓｉ層の上に絶縁層を有することを特徴とする請求項３に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】  前記第２の基板は、表面に絶縁層を有することを特徴とする請求項３に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】  前記作成工程では、第１の基板と、オリエンテーション・フラット又はノッチを有する第２の基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエンテーション・フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が露出する部分を前記突出部として有する貼り合わせ基板を作成することを特徴とする請求項３に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項７】  前記作成工程では、オリエンテーション・フラット又はノッチを有する第１及び第２の基板を準備し、前記第１の基板のオリエンテーション・フラット又はノッチと前記第２の基板のオリエンテーション・フラット又はノッチとが重ならないように、前記第１の基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わせ基板を作成することを特徴とする請求項３に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合部材の分離方法、移設層の移設方法及びＳＯＩ基板の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体ウエハを粘着シートの表面に貼り付けた後、前記半導体ウエハをへき開して複数の半導体素子に分割する第１の工程と、
前記半導体ウエハをへき開後、前記粘着シートを延伸することで前記複数の半導体素子を互いに分離する第２の工程と、
前記粘着シートに所定の処理を施すことにより、該粘着シートの粘着力を低下させる第３の工程と、
前記粘着シートから前記複数の半導体素子を取り外す第４の工程と
を有することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】  前記第４の工程においては、前記複数の半導体素子を真空吸着治具を用いて前記粘着シートから一括して取り外す
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造方法。
【請求項３】  前記第３の工程においては、前記粘着シートに対してその裏面側から紫外線を照射することにより、該粘着シートの粘着力を低下させる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造方法。
【請求項４】  前記第３の工程においては、前記粘着シートを加熱することにより、該粘着シートの粘着力を低下させる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
受信信号のレベルが低下したときにも、電気的追尾手段によって追尾可能な場合と、追尾不能な場合とがある。そこで、電気的追尾が可能か否か判断し、電気的追尾が可能な場合には、電気的追尾手段によって追尾を行い、電気的追尾手段によって追尾不能な場合には、機械的探索追尾手段によって追尾を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
衛星受信チューナ１０は、信号及び電源接続装置８を介して供給された受信信号をテレビジョンモニタ１２に供給すると共に、各コンバータに供給する動作電圧を発生する。この動作電圧は、図３（ａ）に示すように＋１２Ｖの直流電圧をベースとして、第１の状態、例えば＋１２Ｖと第２の状態、例えば＋１４Ｖの間で変化可能なものである。この衛星受信チューナ１０は、所定の通信衛星からの電波を周波数変換した受信信号が供給されていない間には、予め定めた周期で＋１２Ｖと＋１４Ｖとの状態を交互にとることを繰り返すが、所定の通信衛星からの受信信号を受信した場合、＋１２Ｖまたは＋１４Ｖの状態を維持するように、衛星受信チューナ１０は、構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端部が容器に固定されると共に当該容器内に気密封止される圧電振動片と、当該圧電振動片の表裏両面及び側面にそれぞれ独立して設けられると共に外部端子を接続する接続部を有する励振電極膜とを具備する圧電振動子において、
前記励振電極膜がＣｒ膜のみをパターニングして形成されたものであり、且つ前記接続部以外の部分には、ＳｉＯ2膜が設けられていることを特徴とする圧電振動子。
【請求項２】
請求項１において、前記接続部は、前記Ｃｒ膜上に最上層がＡｕ膜となるように積層膜を有することを特徴とする圧電振動子。
【請求項３】
前記ＳｉＯ2膜は、少なくとも前記励振電極膜を分離する溝部に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電振動子。
【請求項４】
前記溝部と前記ＳｉＯ2膜は、前記圧電振動片の上下面にのみ形成されていることを特徴とする請求項３に記載の圧電振動子。
【請求項５】
前記溝部の幅が、約１５μｍであることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の圧電振動子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図６に示すように、従来の表面実装型の圧電振動子５０は、圧電振動片５１とこの圧電振動片５１の一端を固定する容器５２と、容器５２を封止する蓋体５３とからなる。
圧電振動片５１が固定される容器５２は、圧電振動片５１の振動を妨げない程度の空間を画成する凹部５４を有し、この凹部５４内には他の部分よりも深さの浅い段差部５５が設けられている。また、圧電振動片５１上には、例えば、Ｃｒ膜及びＡｕ膜等からなる励振電極膜５６が設けられている。そして、圧電振動片５１は、この励振電極膜５６を介して、容器５２の段差部５５の上面に半田材又は導電性接着剤等の接着層５７によって固定される。また、この容器５２は、上部に圧電振動片５１の固定と同様の接着層５７によって蓋体５３が接合され、圧電振動片５１が容器５２の凹部５４内に気密封止される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、一端部が容器に固定されると共に当該容器内に気密封止される圧電振動片と、当該圧電振動片の表裏両面及び側面にそれぞれ独立して設けられると共に外部端子を接続する接続部を有する励振電極膜とを具備する圧電振動子において、前記励振電極膜がＣｒ膜のみをパターニングして形成されたものであり、且つ前記接続部以外の部分には、ＳｉＯ２膜が設けられていることを特徴とする圧電振動子にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここで、水晶振動片１１上への各電極膜の製造工程について説明する。なお、図３及び図４は、それぞれ各電極膜の製造工程を示す断面図であり、図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、Ｂ−Ｂ’断面図である。
図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、水晶振動片１１の全面に、Ｃｒからなる金属膜２０をスパッタリングによって成膜する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2000223994.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000223994.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  共通プリント基板の同一面上に、圧電振動子と、発振回路等を構成する回路部品とを備えた構造の圧電発振器において、
上記圧電振動子は、共通プリント基板上に実装した圧電振動素子と、該圧電振動素子を含む共通プリント基板上の空間を気密封止する蓋と、
圧電振動素子を構成する圧電素板上に形成された励振電極と電極パターンを介して接続される検査用電極と、を備え、上記検査用電極を、上記蓋の外部に位置する共通プリント基板上面に露出せしめたことを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】  上記蓋が金属蓋であり、該金属蓋の外部に引き出される上記電極パターンの一部が金属蓋の裾部と非接触となるように電極パターンの一部を共通プリント基板内に埋設配置したことを特徴とする請求項１記載の圧電発振器。
【請求項３】  上記共通プリント基板の同一面上に、圧電振動子と、発振回路等を構成する回路部品とを備えた構造の圧電発振器において、
上記圧電振動子は、共通プリント基板上に凹陥状容器と、該凹陥状容器内底面に位置する共通プリント基板上に実装した圧電振動素子と、凹陥状容器の凹陥部を気密封止する蓋と、
圧電振動素子を構成する圧電素板上に形成された励振電極と電極パターンを介して接続される検査用電極と、を備え、上記検査用電極を、上記凹陥状容器の外部に引き出して共通プリント基板上面に露出せしめたことを特徴とする圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を達成するため、本発明は、共通プリント基板の同一面上に、圧電振動子と、発振回路等を構成する回路部品とを備えた構造の圧電発振器において、上記圧電振動子は、共通プリント基板上に実装した圧電振動素子と、該圧電振動素子を含む共通プリント基板上の空間を気密封止する蓋と、圧電振動素子を構成する圧電素板上に形成された励振電極と電極パターンを介して接続される検査用電極と、を備え、上記検査用電極を、上記蓋の外部に位置する共通プリント基板上面に露出せしめたことを特徴とする。
また、本発明は、上記蓋が金属蓋であり、該金属蓋の外部に引き出される上記電極パターンの一部が金属蓋の裾部と非接触となるように電極パターンの一部を共通プリント基板内に埋設配置したことを特徴とする。
また、本発明は、上記共通プリント基板の同一面上に、圧電振動子と、発振回路等を構成する回路部品とを備えた構造の圧電発振器において、上記圧電振動子は、共通プリント基板上に凹陥状容器と、該凹陥状容器内底面に位置する共通プリント基板上に実装した圧電振動素子と、凹陥状容器の凹陥部を気密封止する蓋と、圧電振動素子を構成する圧電素板上に形成された励振電極と電極パターンを介して接続される検査用電極と、を備え、上記検査用電極を、上記凹陥状容器の外部に引き出して共通プリント基板上面に露出せしめたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の効果】
以上のように本発明の圧電発振器によれば、圧電振動素子を収納した圧電振動子と、増幅回路等を構成する回路部品を搭載した圧電発振器の構造において、圧電振動素子を共通プリント基板上に直接実装して蓋をかぶせて気密封止することにより共通プリント基板を利用して圧電振動子を構成したので、圧電振動子専用のプリント基板やパッケージが不要となり、専用プリント基板やパッケージ底板の肉厚分だけ圧電振動子を低背化し、圧電発振器全体を薄型化することができる。
また、共通プリント基板上に直接実装した圧電振動素子の外周を包囲する様に絶縁性材料から成る凹陥状容器を一体化し、該凹陥状容器の開口を蓋により気密封止することにより共通プリント基板上に圧電振動子を構築したので、圧電振動子専用のプリント基板やパッケージが不要となり、専用プリント基板やパッケージ底板の肉厚分だけ圧電振動子を低背化し、圧電発振器全体を薄型化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外側から、保護層、金属箔層、カルボキシル基含有プロピレン系樹脂からなる変性ポリプロピレン層、プロピレンと他のα−オレフィンとのランダム共重合体からなるシーラント層の少なくとも４層を有することを特徴とするポリマー電池用外装体。
【請求項２】  前記カルボキシル基含有プロピレン系樹脂に、金属化合物が配合されていることを特徴とする請求項１記載のポリマー電池用外装体。
【請求項３】  前記シーラント層と前記変性ポリプロピレン層の間に、ポリプロピレン樹脂を押し出して形成した中間層が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のポリマー電池用外装体。
【請求項４】  外側から、保護層、金属箔層、プロピレンと他のα−オレフィンとのランダム共重合体からなるシーラント層の少なくとも３層を有することを特徴とするポリマー電池用外装体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明のポリマー電池用外装体は、外側から、保護層、金属箔層、プロピレンと他のα−オレフィンとのランダム共重合体からなるシーラント層の少なくとも３層を有することを特徴とする。
また、本発明のポリマー電池用外装体は、外側から、保護層、金属箔層、カルボキシル基含有プロピレン系樹脂からなる変性ポリプロピレン層、プロピレンと他のα−オレフィンとのランダム共重合体からなるシーラント層の少なくとも４層を有することを特徴とするものである。カルボキシル基含有プロピレン系樹脂には、金属化合物が配合されていることが望ましい。さらに、シーラント層と前記変性ポリプロピレン層の間には、ポリプロピレン樹脂を押し出して形成した中間層が設けられていることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインがドレイン信号線に、前記能動層のチャネル上又はチャネル下に設けたゲート電極がゲート信号線に、それぞれ接続された一方の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に、ゲートが前記一方の薄膜トランジスタの前記能動層のソースにそれぞれ接続された他方の薄膜トランジスタとを備えており、前記両薄膜トランジスタの上層に前記エレクトロルミネッセンス素子が形成されており、前記一方の薄膜トランジスタのチャネルが遮光されるように該チャネル上方に遮光体が設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】  前記一方の薄膜トランジスタは、互いに並列接続された第１及び第２の薄膜トランジスタからなっているとともに、前記他方の薄膜トランジスタは、ゲートが前記第１及び第２の薄膜トランジスタの前記能動層のソースにそれぞれ接続された第３の薄膜トランジスタからなっていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】  前記第１の薄膜トランジスタのチャネル長及び第２の薄膜トランジスタのチャネル長のうち、前記遮光体が設けられた薄膜トランジスタのチャネル長のほうが長いことを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】  前記遮光体は前記駆動電源に接続された駆動電源線の一部又は前記ドレイン信号線の一部をチャネル上方に延在させてなることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機材料を充填する複数の蒸発容器を用意し、前記複数の蒸発容器のいずれかを選択し、真空室内で、その中に充填された有機材料を蒸発源の熱で蒸発させ、上方に配置された基板に蒸着して膜を形成し、前記有機材料を用いて前記基板に複数の膜を積層して有機ＥＬ表示素子を形成する有機薄膜形成装置において、
前記蒸発容器と前記蒸発源は分離して形成されかつ前記蒸発容器は前記蒸発源に対して着脱自在であり、かつ前記蒸発源に対して前記蒸発容器を取り付け、取り外しする蒸発容器搬送機を備え、成膜開始前に、前記蒸発容器搬送機によって、所定量の有機材料が充填された状態の蒸発容器を前記蒸発源に取り付けるようにしたことを特徴とする有機薄膜形成装置。
【請求項２】  複数の前記蒸発容器が配置された容器収容室と、前記蒸発源が配置された成膜室が設けられ、前記容器収容室と前記成膜室の間にゲートバルブが設けられることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜形成装置。
【請求項３】  前記蒸発容器搬送機は、前記蒸発容器をつかむ把持部を備え、この把持部で前記蒸発容器をつかみ、前記ゲートバルブを設けた開口部を介して前記容器収容室と前記成膜室の間で前記蒸発容器を搬送することを特徴とする請求項２記載の有機薄膜形成装置。
【請求項４】  複数の前記蒸発容器の各々には、前記容器収容室で、１回の成膜工程に必要な量の前記有機材料が充填されるように構成されることを請求項１〜３のいずれか１項に記載の特徴とする有機薄膜形成装置。
【請求項５】  前記蒸発容器と前記蒸発源と前記蒸発容器搬送機は成膜室に配置され、複数の前記蒸発容器の各々には、１回の成膜工程に必要な量の有機材料が充填されるように構成されることを請求項１記載の特徴とする有機薄膜形成装置。
【請求項６】  複数の前記蒸発容器に１回の成膜に必要な量の有機材料を充填する材料供給機構が設けられることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機薄膜形成装置。
【請求項７】  前記複数の蒸発容器は種類の異なる複数の前記有機材料の各々を個別に充填していることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る有機薄膜形成装置は、上記目的を達成するために次のように構成される。  本発明に係る有機薄膜形成装置は、好ましくは、有機ＥＬ表示素子製造装置の一部を構成するものであり、有機材料の膜を形成するときに、蒸着作用に基づいて基板の上に有機材料蒸着膜を形成するための装置である。有機薄膜形成装置は、前提として、有機材料を充填する複数の蒸発容器（ルツボ）を用意しており、複数の蒸発容器のいずれかを選択し、真空室内で、その中に充填された有機材料を蒸発源の熱で蒸発させ、上方に配置された基板に蒸着して膜を形成し、有機材料を用いて基板に複数の膜を積層して有機ＥＬ表示素子を形成する。本発明による有機薄膜形成装置は、その特徴として、蒸発容器と蒸発源（加熱部）が分離して形成されかつ蒸発容器は蒸発源に対して着脱自在であり、かつ蒸発源に対して蒸発容器を取り付け、取り外しする蒸発容器搬送機を備え、成膜開始前に、蒸発容器搬送機によって、成膜しようとする膜の厚みに対応する所定量の有機材料が充填された状態の蒸発容器を蒸発源に取り付けるように構成される。
上記の構成によれば、蒸発源の本体に対してルツボを着脱自在にし、かつ当該ルツボに対して蒸着による成膜を行う前（大気中あるいは減圧下）の段階で１回の成膜工程に必要な量の有機材料が正確に秤量・充填され用意される。成膜工程では、用意されたルツボを順次に成膜室内の蒸発源にセットしながら蒸着による成膜を行い、これによって有機ＥＬ表示素子の連続的な生産が可能になる。
上記の構成において、さらに、複数の蒸発容器が配置された容器収容室と、蒸発源が配置された成膜室が設けられ、容器収容室と成膜室の間にゲートバルブが設けられる。蒸着による成膜が行われる成膜室と、蒸発源から取り外されかつ必要な少量の有機材料が充填された複数のルツボが用意される容器収容室は、ゲートバルブで隔離され、各々独自に所定の真空状態に保持される。
上記の構成において、さらに、上記蒸発容器搬送機は、蒸発容器をつかむ把持部を備え、この把持部で蒸発容器をつかみ、ゲートバルブを設けた開口部を介して容器収容室と成膜室の間で蒸発容器を搬送することを特徴とする。蒸発容器搬送機は、搬送ロボットとして構成され、蒸発源に対して着脱自在に構成されたルツボを、連続生産を可能にすべく、搬送する機能を有している。
上記の構成において、さらに、複数の蒸発容器の各々には、材料供給室で、１回の成膜工程に必要な量の有機材料が充填されるように構成される。比較的に少量（およそ１ｇ以下の程度）にすることによって、ルツボを小型化することが可能となり、前述の従来技術であるＫセルで問題となるルツボの熱容量も小さくできる。また、成膜工程中においても、大気中で有機材料の供給・充填が簡単に行えるため、容易に連続生産することが可能となる。
また本発明に係る有機薄膜形成装置は、前述の第１の基本構成において、容器収容室を特別に設けることなく、成膜室だけとし、蒸発容器と蒸発源と蒸発容器搬送機を同じ成膜室に配置し、複数の蒸発容器の各々に、１回の成膜工程に必要な量の有機材料を充填するように構成することもできる。この構成によれば、全体的な構成が簡易化される。
さらに、上記の各構成において、複数の蒸発容器に１回の成膜に必要な量の有機材料を充填する材料供給機構を付設するように構成することも好ましい。連続生産を可能にするためには自動的に有機材料を供給しルツボに充填することが可能な材料供給装置を装備することが必要である。
また本発明に係る有機薄膜形成装置は、前述の構成において、好ましくは、複数の蒸発容器は種類の異なる複数の有機材料の各々を個別に充填していることで特徴づけられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子の製造方法であって、前記基板とゲスト材料の蒸着源との間に蒸着量制限手段を設けた状態で、前記ゲスト材料をホスト材料と同時に蒸着することにより、前記ゲスト材料がドーピングされた前記ホスト材料からなる発光層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】蒸着量制限手段が開口部を有するシート状物質であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】蒸着量制限手段が複数の開口部を有するシート状物質またはメッシュ状物質であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】蒸着中に蒸着量制限手段の位置が移動もしくは振動することを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子の製造方法であって、前記基板とゲスト材料の蒸着源との間に蒸着量制限手段を設けた状態で、前記ゲスト材料をホスト材料と同時に蒸着することにより、前記ゲスト材料がドーピングされた前記ホスト材料からなる発光層を形成することにより、前記課題を解決するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記のような工程を含んだ製造方法であって、少なくとも有機化合物からなる発光層を形成する際に、基板とゲスト材料の蒸着源との間に蒸着量制限手段を設けた状態で、前記ゲスト材料をホスト材料と同時に蒸着することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の蒸着量制限手段は、ゲスト材料の蒸着源と基板との間に配置されて用いられる。蒸着源からの蒸着速度をモニターする膜厚センサーと基板との間にも前記蒸着量制限手段があってもよいが、極微量の場合には前記蒸着量制限手段のない方が精度よく蒸着量を測定することができる。また、膜厚センサーを蒸着源に近づけて設置することで、測定精度のより高い状態での蒸着を可能にする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このような蒸着量制限手段は、特に微妙なコントロールが必要なゲスト材料の蒸着源と基板との間に設置することが好ましく、このような状態でゲスト材料とホスト材料を同時に蒸着（共蒸着）することにより、ゲスト材料がドーピングされた前記ホスト材料からなる発光層を形成することが好ましい。すなわち、ホスト材料は、蒸着量制限手段を設けることなく通常の蒸着工程で蒸着速度を膜厚センサーで検出しながら基板上に蒸着させる。本発明の蒸着量制限手段がない場合には、ゲスト材料の蒸着速度をホスト材料のそれの１／２０〜１／２０００にしなければならず、蒸着源での条件コントロールおよび蒸着速度の測定が非常に難しくなる。このような場合に、ゲスト材料の蒸着速度を過度に低下させずにある程度に留めておき、蒸着源から放出された蒸着物の一部をゲスト材料の蒸着源と基板との間に設置された蒸着量制限手段で捕捉することで、実際に基板に到達する蒸着物の量を制限し、所望のドーピング量を達成することができる。この蒸着量制限手段に捕捉されたゲスト材料は回収して再利用できるので材料的なロスは生じない。また、ゲスト材料の蒸着速度を、ホスト材料の蒸着速度より過度に低下させることが避けられるので、ゲスト材料蒸着工程の管理が容易であり、生産性の確保が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
端子部２１ａ，２１ｂは、機器本体５側に設けられた図示しない端子部に接続される。連結部２２は、帯状に形成されており、各取付け部２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ及び端子部２１ａ，２１ｂを、メインフレーム６の各支持部１２，１３，１４の所定の取付け位置に取り付けるために要する所望の引き出し長さをそれぞれ有している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電極用としてバインダーとともに用いられる炭素材料であって、比表面積が０．１〜９００ｍ２／ｇであり、粒子表面から粒子直径の１／４以内の領域の黒鉛化度が、粒子中心から粒子直径の１／４以内の領域の黒鉛化度よりも高い炭素材料。
【請求項２】  平均粒子径が１〜５０μｍである請求項１の炭素材料。
【請求項３】  ラマンスペクトルにおいて、黒鉛構造に由来する１５８０ｃｍ−１付近のピークと黒鉛構造の乱れに由来する１３５０ｃｍ−１付近のピークとの強度比（１５８０ｃｍ−１／１３５０ｃｍ−１）が、粒子中心から粒子直径の１／４以内の領域よりも、粒子表面から粒子直径の１／４以内の領域の方が大きい請求項１又は２に記載の炭素材料。
【請求項４】  空孔率が３０〜７０％である請求項１〜３のいずれか一項に記載の炭素材料。
【請求項５】  還元性雰囲気中または反応性雰囲気中において、原料粉末に１０〜７６０Ｔｏｒｒ、３，０００〜１５，０００℃での熱プラズマ処理を０．００１〜１０秒間施すことにより請求項１〜４のいずれか一項に記載の炭素材料を得る炭素材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は、下記のいずれかの本発明によって達成される。
（１）電極用としてバインダーとともに用いられる炭素材料であって、比表面積が０．１〜９００ｍ２／ｇであり、粒子表面から粒子直径の１／４以内の領域の黒鉛化度が、粒子中心から粒子直径の１／４以内の領域の黒鉛化度よりも高い炭素材料。
（２）平均粒子径が１〜５０μｍである上記（１）の炭素材料。
（３）ラマンスペクトルにおいて、黒鉛構造に由来する１５８０cm-1付近のピークと黒鉛構造の乱れに由来する１３５０cm-1付近のピークとの強度比（１５８０cm-1／１３５０cm-1）が、粒子中心から粒子直径の１／４以内の領域よりも、粒子表面から粒子直径の１／４以内の領域の方が大きい上記（１）または（２）の炭素材料。
（４）空孔率が３０〜７０％である上記（１）〜（３）のいずれかの炭素材料。
（５）還元性雰囲気中または反応性雰囲気中において、原料粉末に１０〜７６０Ｔｏｒｒ、３，０００〜１５，０００℃での熱プラズマ処理を０．００１〜１０秒間施すことにより上記（１）〜（４）のいずれかの炭素材料を得る炭素材料の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の炭素材料は、粒子外周部、具体的には粒子表面から粒子直径の１／４、好ましくは１／１６以内の領域の黒鉛化度が、中心部、具体的には粒子中心から粒子直径の１／４、好ましくは１／１６以内の領域よりも高い傾斜構造を有する。つまり、平均粒子径４０μm の炭素粒子の場合、粒子表面から５μm 以内の領域の黒鉛化度が、粒子中心から５μm 以内の領域よりも高い傾斜構造を有する。この傾斜構造は、通常、連続的であるが、不連続であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の炭素材料は、粒子外周部、具体的には粒子表面から粒子直径の１／４以内の領域の黒鉛化度が、中心部、具体的には粒子中心から粒子直径の１／４以内の領域よりも高い。このような傾斜構造を有することにより、上記のような高比表面積、大きな平均粒子径に加えて、十分な黒鉛化度が得られる。なお、本発明の黒鉛材料はアモルファスを一切含まないものであってもよい。プラズマ処理の温度が高いほど黒鉛化が進行する傾向がある。本発明の炭素材料は、熱処理によって得られる従来の黒鉛材料と同等以上の黒鉛化度が得られている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを含有するｐ型伝導層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】  前記ｐ型伝導層は、Ａｌを含む窒化ガリウム半導体層、または、Ｉｎを含む窒化ガリウム半導体層であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】  ＩｎＧａＮからなる発光層の上に、さらにＡｌＧａＮからなる前記ｐ型伝導層を有することを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】  前記ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントとを、略３：１となるように同時にドープして形成した前記ｐ型伝導層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】  前記ｐ型ドーパントがＭｇであり、前記ｎ型ドーパントがＳｉであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】  前記ｎ型ドーパントがＶＩ族元素であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】  窒化物半導体からなるｐ型伝導層の製造方法において、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを同時にドープする工程を具備する窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】  前記ｐ型ドーパントと前記ｎ型ドーパントを、略３：１となるように調整する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項９】  前記ｐ型ドーパントのガスがＣｐ2Ｍｇであり、前記ｎ型ドーパントのガスがＳｉＨ4であることを特徴とする請求項７または８に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントを含有するｐ型伝導層を有して構成されることを特徴とする。ｐ型伝導層が容易に形成されるため、この層をもって構成される半導体素子の性能は著しく改善される。発光ダイオードでは、素子構造の最適化を計らずとも従来大きかった駆動電力を３０〜４０％ほど低減できた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明によれば、ｐ型伝導層の形成手段をｐ型ＡｌＧａＮ層あるいはＩｎＧａＮ層の形成に適用することにより従来にないホールキャリヤー濃度を有する層が得られ、より輝度の高い発光ダイオードあるいは高出力動作に耐える半導体レーザーなどの優れた発光素子を実現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、従来法では直列抵抗が大きくならざるを得なかったＩｎＧａＮ層とＡｌＧａＮ層との株層横成からなる半導体素子の構築を容易とすることができた。即ち、従来法に比べ低い温度で高ホールキャリヤー濃度ＡｌＧａＮ層が形成できた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、それぞれの半導体素子に対して適当なホールキャリヤー濃度は比較的広い範囲に亘っているが、ドナー準位とアクセプタ準位とが電気的に対をなして静電エネルギーが安定化し、アクセプタ原子が格子点から変位し難くなる。この原子対におけるドナーを介して対称な位置にさらにアクセプタとして作用する原子が配置される構成が安定と考えられるため、ドナーとして作用する原子の量を所望するホールキャリヤー濃度の約半分量を同時にドープすることにより、広い範囲に亘ってホールキャリヤー濃度を殆ど補償されることなく制御できる。従って、電界効果型トランジスタ・バイポーラトランジスタ、半導体レーザーなど各種半導体素子の実用化が現実のものとなった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、ドナー準位を形成する原子としてＶＩ族元素Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅなどを使用することにより両性の不純物と異なり、ドナー準位の形成に限定されるため、さらには窒素空格子点を置換する可能性が高いため、ホール濃度の制御が容易となった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部に分離用の層を有する円盤状部材を前記分離用の層に垂直な軸を中心にして回転させると共に、噴射部から束状の流体を噴射して前記分離用の層に打ち込みながら、該流体により前記円盤状部材を前記分離用の層で分離する分離方法であって、
前記円盤状部材の回転方向、前記流体の進行方向及び前記噴射部の位置が、前記円盤状部材に対する前記流体の打ち込み位置における前記円盤状部材の速度の前記進行方向成分が負の値になる条件を満たす状態で、前記円盤状部材の周辺部を分離する周辺部分離工程を有することを特徴とする分離方法。
【請求項２】  前記周辺部分離工程では、前記円盤状部材の最外周部が、前記円盤状部材の内部に注入された流体により前記円盤状部材の内側から外側に向かって分離されるような圧力の流体を前記噴射部から噴射することを特徴とする請求項１に記載の分離方法。
【請求項３】  前記噴射部から噴射させる流体の圧力を制御するための制御工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の分離方法。
【請求項４】  前記分離用の層は、前記円盤状部材の他の部分に比して脆弱な構造の層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離方法。
【請求項５】  前記分離用の層は、多孔質層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離方法。
【請求項６】  前記分離用の層は、多層構造の多孔質層であることを特徴とする請求項１乃至乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離方法。
【請求項７】  半導体基板の製造方法であって、
内部に多孔質層を有し、その上に非多孔質層を有する第１の基板を作成する工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを前記非多孔質層を内側にして貼り合せて貼り合わせ基板を作成する工程と、
前記多孔質層に垂直な軸を中心にして前記貼り合わせ基板を回転させると共に束状の流体を噴射して前記多孔質層に打ち込みながら、前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で２枚の基板に分離する分離工程と、
を有し、前記分離工程は、前記貼り合わせ基板の回転方向、前記流体の進行方向及び前記噴射部の位置が、前記貼り合わせ基板に対する前記流体の打ち込み位置における前記貼り合わせ基板の速度の前記進行方向成分が負の値になる条件を満たす状態で、前記貼り合わせ基板の周辺部を分離する周辺部分離工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分離方法及び半導体基板の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁膜形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上の凸部を覆うように形成される酸化シリコン膜からなる絶縁膜形成方法であって、
プラズマＴＥＯＳ法で第１の出力の高周波でプラズマを発生して、前記半導体基板の前記凸部を覆うように第１の酸化シリコン膜を設ける工程と、
前記凸部の側部に、プラズマＴＥＯＳ法で前記第１の出力より低い第２の出力でプラズマを発生して形成される第２の酸化シリコン膜を設ける工程と、
オゾンＴＥＯＳ法で前記第１及び前記第２の酸化シリコン膜上に第３の酸化シリコン膜を設ける工程と、
を含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
【請求項２】  前記絶縁膜は、多層配線構造を有する半導体装置の層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜形成方法。
【請求項３】  前記第２の酸化シリコン膜を設ける工程は、前記第２の出力でプラズマを発生して形成される第２の酸化シリコン膜を前記第１の酸化シリコン膜上に設ける工程と、前記凸部の側部以外の部分に設けられた前記第２の酸化シリコン膜を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁膜形成方法。
【請求項４】  前記凸部の側部以外の部分に設けられた前記第２の酸化シリコン膜の除去はドライエッチングを用いて行われることを特徴とする請求項３記載の絶縁膜形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明は、半導体基板上の凸部を覆うように形成される酸化シリコン膜からなる絶縁膜形成方法であって、プラズマＴＥＯＳ法で第１の出力の高周波でプラズマを発生して、半導体基板の凸部を覆うように第１の酸化シリコン膜を設ける工程と、凸部の側部に、プラズマＴＥＯＳ法で第１の出力より低い第２の出力でプラズマを発生して形成される第２の酸化シリコン膜を設ける工程と、オゾンＴＥＯＳ法で第１及び第２の酸化シリコン膜上に第３の酸化シリコン膜を設ける工程と、を含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［実施例１〜７、比較例１〜４］
Ｌ−アスコルビン酸脂肪酸エステル含有組成物を以下の手順で作製し、その物性を評価し
た。
（１）原料
（イ）Ｌ−アスコルビン酸パルミチン酸エステル（ロッシュ社）
（ロ）ジグリセリンモノオレート（ポエムＤＯ−１００Ｖ、理研ビタミン社）
（ハ）テトラグリセリンモノオレート（ＳＹグリスターＭＯ−３Ｓ、阪本薬品工業社）
（ニ）デカグリセリンモノオレート（ポエムＪ−０３８１Ｖ、理研ビタミン社）
（ホ）テトラグリセリン縮合リシノレート（ポエムＰＲ−１００、理研ビタミン社）
（ヘ）ヘキサグリセリン縮合リシノレート（ＳＹグリスターＣＲ−５００、阪本薬品工業社）
（ト）なたね油（ボーソー油脂社）
（チ）抽出トコフェロール（理研Ｅオイル６００、理研ビタミン社）
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デキストリンと、多価有機酸と、デキストリン以外のアルコール性化合物とを反応させて得ることができる化合物であって、デキストリンと多価有機酸、多価有機酸とデキストリン以外のアルコール性化合物が、エステル結合している化合物。
【請求項２】
デキストリンが、ＤＥ(dextrose equivalent)が６以上の、マルトデキストリン、その水素添加物、難消化性デキストリン又はその水素添加物である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
多価有機酸が多価カルボン酸、多価スルホン酸又は多価ホスホン酸である、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
多価カルボン酸がクエン酸である、請求項３記載の化合物。
【請求項５】
デキストリン以外のアルコール性化合物が、脂肪酸モノグリセリド又は脂肪族高級アルコールである、請求項１〜４のいずれか１項記載の化合物。
【請求項６】
脂肪酸モノグリセリドの炭素数が６〜１４である、請求項５記載の化合物。
【請求項７】
脂肪族高級アルコールの炭素数が６〜１８である、請求項５記載の化合物。
【請求項８】
デキストリンを構成するグルコース単位数をＭとし、多価有機酸の酸残基数をＮとするとき、デキストリン１分子当たりの多価有機酸の分子数が１／（Ｎ−１）〜２Ｍ個であり、デキストリン以外のアルコール性化合物の分子数が１／（Ｎ−１）〜２Ｍ（Ｎ−１）個である、請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の化合物の界面活性剤としての使用。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項記載の化合物を含む界面活性剤。
【請求項１１】
デキストリンと多価有機酸を反応させてデキストリン多価有機酸エステルを合成し、これとデキストリン以外のアルコール性化合物をエステル化することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の化合物の製造方法。
【請求項１２】
多価有機酸とデキストリン以外のアルコール性化合物をエステル化反応させ、さらに多価有機酸中に存在する未反応酸残基とデキストリンをエステル化することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の化合物の製造方法。