(57)【要約】【課題】電流が二つの整流器を流れるだけでよい１段力率補正回路を提供する。【解決手段】第１の整流器１０、第２の整流器２０、フルブリッジ整流器３０、コンデンサ４０、第７の整流器５０、フライバックトランス６０およびスイッチ７０を備える電源供給器の１段力率補正回路であって、従来技術による１段力率補正回路と比較した場合に、正の半周期および負の半周期の何れのときも電流は二つの整流器を流れるだけでよいので、伝導損失が少なく、それによって電源供給器の温度を下げることができる。【選択図】  図１
0003126951.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
一端がライブ入力端に接続される第１の整流器と、
一端がニュートラル入力端に接続される第２の整流器と、
第３の整流器、第４の整流器、第５の整流器および第６の整流器を備え、前記第３の整流器の正極端は前記ライブ入力端に接続され、前記第６の整流器の負極端は前記ニュートラル入力端に接続されるフルブリッジ整流器と、
一端が前記第５の整流器の負極端に接続され、他端が前記第６の整流器の正極端に接続されるコンデンサと、
正極端が前記コンデンサの一端に接続される第７の整流器と、
第１の一次コイル、第２の一次コイルおよび第１の二次コイルを備え、前記第１の一次コイルの一端は前記第７の整流器の負極端に接続され、他端は前記第２の一次コイルに直列接続されるトランスと、
三端子素子であり、その第１端は前記第２の一次コイルの他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端は前記コンデンサの他端に接続され、前記制御信号の制御を受けて開閉を行うスイッチと
を備えることを特徴とする１段力率補正回路。
【請求項２】
前記スイッチは、電力スイッチであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項３】
前記電力スイッチは、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ、ＮチャンネルＪＦＥＴ、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴまたはＰチャンネルＪＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の１段力率補正回路。
【請求項４】
前記第１端は、前記ＭＯＳＦＥＴのドレイン極であり、前記第２端は、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート極であり、前記第３端は、前記ＭＯＳＦＥＴのソース極であることを特徴とする請求項３記載の１段力率補正回路。
【請求項５】
前記第１の整流器、第２の整流器および第７の整流器は整流ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項６】
前記制御信号は、外接の力率補正コントローラから出力され、正の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を前記第１の整流器および第６の整流器に流し、次に前記スイッチをオフにして電流を前記第３の整流器および第６の整流器に流し、負の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を第２の整流器および第４の整流器に流し、次にスイッチをオフにして電流を前記第５の整流器および第４の整流器に流すことを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項７】
前記第１の一次コイルは、Ｎ２の巻数を有し、前記第２の一次コイルは、Ｎ１の巻数を有し、前記第１の整流器の負極端は、ＫＶＢの電圧を有し、Ｋ＝Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）であり、ＶＢは前記コンデンサの両端の電圧であることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項８】
前記ライブ入力端と前記第１の整流器との間に直列接続され、前記コンデンサと同時に電力供給を行い、電流の変化を緩やかにするインダクタをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項９】
前記トランスは、フライバックトランスであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は電源供給器における１段力率補正回路に関し、特に、スイッチを備え、正の半周期および負の半周期に導通経路をそれぞれ提供し、電流は二つの整流器を流れるだけでよく、それによって電源供給器の温度を下げることができる１段力率補正回路を提供することにある。
【背景技術】
【０００２】
１段力率補正回路は通常高効率の電源供給器の力率改善に使用される。従来技術による１段力率補正回路では、正の半周期または負の半周期において、ＭＯＳＦＥＴの導通またはスイッチによって電流が三つの整流器に流され、回路が形成される。
【０００３】
しかし、上述の回路の欠点は、正の半周期または負の半周期に関わらず、電流が三つの整流器に流されて回路を形成する必要がある点にあり、このことによって高い伝導損失をもたらし、さらには電源供給器の温度が高まる。
【０００４】
本考案は上述の従来技術の欠点を改善する１段力率補正回路を提供するものである。
【特許文献１】特開２００５−２９５７９３号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の目的は、スイッチを備え、正の半周期および負の半周期に導通経路をそれぞれ提供し、電流は二つの整流器を流れるだけでよい１段力率補正回路を提供することにある。
本考案の第２の目的は、伝導損失を低減でき、電源供給器の温度を下げることができる１段力率補正回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本考案は１段力率補正回路を提供するものであって、一端がライブ入力端に接続される第１の整流器と、一端がニュートラル入力端に接続される第２の整流器と、第３の整流器、第４の整流器、第５の整流器および第６の整流器を備え、第３の整流器の正極端はライブ入力端に接続され、第６の整流器の負極端はニュートラル入力端に接続されるフルブリッジ整流器と、一端が第５の整流器の負極端に接続され、他端が第６の整流器の正極端に接続されるコンデンサと、正極端がコンデンサの一端に接続される第７の整流器と、第１の一次コイル、第２の一次コイルおよび第１の二次コイルを備え、第１の一次コイルの一端は第７の整流器の負極端に接続され、他端は第２の一次コイルに直列接続されるトランスと、三端子素子であり、その第１端は第２の一次コイルの他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端はコンデンサの他端に接続され、制御信号の制御を受けて開閉を行うスイッチとを備える。
【０００７】
すなわち、請求項１の考案は、一端がライブ入力端に接続される第１の整流器と、一端がニュートラル入力端に接続される第２の整流器と、第３の整流器、第４の整流器、第５の整流器および第６の整流器を備え、前記第３の整流器の正極端は前記ライブ入力端に接続され、前記第６の整流器の負極端は前記ニュートラル入力端に接続されるフルブリッジ整流器と、一端が前記第５の整流器の負極端に接続され、他端が前記第６の整流器の正極端に接続されるコンデンサと、正極端が前記コンデンサの一端に接続される第７の整流器と、第１の一次コイル、第２の一次コイルおよび第１の二次コイルを備え、前記第１の一次コイルの一端は前記第７の整流器の負極端に接続され、他端は前記第２の一次コイルに直列接続されるトランスと、三端子素子であり、その第１端は前記第２の一次コイルの他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端は前記コンデンサの他端に接続され、前記制御信号の制御を受けて開閉を行うスイッチとを備えることを特徴とする１段力率補正回路である。
【０００８】
請求項２の考案は、前記スイッチは、電力スイッチであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項３の考案は、前記電力スイッチは、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ、ＮチャンネルＪＦＥＴ、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴまたはＰチャンネルＪＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の１段力率補正回路である。
請求項４の考案は、前記第１端は、前記ＭＯＳＦＥＴのドレイン極であり、前記第２端は、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート極であり、前記第３端は、前記ＭＯＳＦＥＴのソース極であることを特徴とする請求項３記載の１段力率補正回路である。
請求項５の考案は、前記第１の整流器、第２の整流器および第７の整流器は整流ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項６の考案は、前記制御信号は、外接の力率補正コントローラから出力され、正の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を前記第１の整流器および第６の整流器に流し、次に前記スイッチをオフにして電流を前記第３の整流器および第６の整流器に流し、負の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を第２の整流器および第４の整流器に流し、次にスイッチをオフにして電流を前記第５の整流器および第４の整流器に流すことを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
【０００９】
請求項７の考案は、前記第１の一次コイルは、Ｎ２の巻数を有し、前記第２の一次コイルは、Ｎ１の巻数を有し、前記第１の整流器の負極端は、ＫＶＢの電圧を有し、Ｋ＝Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）であり、ＶＢは前記コンデンサの両端の電圧であることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項８の考案は、前記ライブ入力端と前記第１の整流器との間に直列接続され、前記コンデンサと同時に電力供給を行い、電流の変化を緩やかにするインダクタをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項９の考案は、前記トランスは、フライバックトランスであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
【考案の効果】
【００１０】
正の半周期間または負の半周期間の何れであっても、本考案の１段力率補正回路においては、電流は二つの整流器を流れるだけでよいので、伝導損失が少なく、電源供給器の温度を下げることができる。従って、本考案の１段力率補正回路は従来技術によるものと比較して進歩性を有する。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１１】
本考案の目的、特徴および効果を示す実施例を図に沿って詳細に説明する。
【００１２】
図１は本考案の一実施例による１段力率補正回路を示す回路図である。図に示すように、本考案の１段力率補正回路は、第１の整流器１０、第２の整流器２０、フルブリッジ整流器３０、コンデンサ４０、第７の整流器５０、トランス６０およびスイッチ７０から構成される。
【００１３】
第１の整流器１０は、例えば整流ダイオードであるが、それに限らない。その一端はライブ入力端（Ｌ）に接続され、半波整流の効果を提供することができるが、これは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１４】
第２の整流器２０は、例えば整流ダイオードであるが、それに限らない。その一端はニュートラル入力端（Ｎ）に接続され、半波整流の効果を提供することができるが、これは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１５】
フルブリッジ整流器３０は第３の整流器３１、第４の整流器３２、第５の整流器３３および第６の整流器３４を備え、第３の整流器３１の正極端はライブ入力端に接続され、第６の整流器３４の負極端はニュートラル入力端に接続されるが、これは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１６】
コンデンサ４０の一端は第５の整流器３３の負極端に接続され、他端は第６の整流器３４の正極端に接続され、電圧ＶＢを有する。
【００１７】
第７の整流器５０の正極端はコンデンサ４０の一端（例えば正極端）に接続され、半波整流の効果を提供できるがこれは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１８】
トランス６０は、例えばフライバックトランスであるがそれに限らない。第１の一次コイル６１、第２の一次コイル６２および第１の二次コイル６３を備える。第１の一次コイル６１の一端は第７の整流器５０の負極端に接続され、他端は第２の一次コイル６２に直列接続される。また、第１の一次コイルはＮ２の巻数を有し、第２の一次コイルはＮ１の巻数を有する。第１の整流器の負極端と第１の一次コイル６１との接続部分はＫＶＢの電圧を有し、Ｋ＝Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）であり、ＶＢはコンデンサ両端の電圧である。
【００１９】
スイッチ７０は、三端子素子であり、どんな電力スイッチでもよく、例えばＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ、ＮチャンネルＪＦＥＴ、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴまたはＰチャンネルＪＦＥＴなどであるが、それらに限らない。以下はＭＯＳスイッチ７０と称す。その第１端は第２の一次コイル６２の他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端はコンデンサ４０の他端に接続され、制御信号の制御を受けて開閉を行うことができる。第２端はＭＯＳスイッチ７０のゲート極（Gate）であり、第１端はＭＯＳスイッチ７０のドレイン極（Drain）であり、第３端はＭＯＳスイッチ７０のソース極（Source）である。制御信号は外接の力率補正コントローラ（図示せず）から出力される。
【００２０】
操作時において、入力電圧Ｖｉが電圧ＫＶＢより小さいとき、第１の整流器１０両端には逆バイアスが形成されるので、第１の整流器１０はカットオフ状態となり、このとき、回路はＶＢから電源供給を受ける。入力電圧Ｖｉが電圧ＫＶＢより大きいとき、第１の整流器１０両端には順バイアスが形成されるので、第１の整流器１０の位置は導通状態となり、第３の整流器３１の両端は逆バイアスのままなので、このとき回路はＶｉから電源供給を受ける。
【００２１】
図２は本考案の１段力率補正回路が正の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。図に示すように、Ｖｉから電源供給を受けたとき、正の半周期間では、制御信号による制御によって、スイッチ７０を先ずオンにし、電流をライブ入力端（Ｌ）から第１の整流器１０および第６の整流器３４に流し、ニュートラル入力端（Ｎ）に戻す電流回路が形成される。次に制御信号はスイッチ７０をオフにし、電流をライブ入力端（Ｌ）から第３の整流器３１および第６の整流器３４に流し、ニュートラル入力端（Ｎ）に戻す電流回路が形成される。
【００２２】
図３は本考案の１段力率補正回路が負の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。図に示すように、負の半周期間では、制御信号による制御によって、スイッチ７０を先ずオンにし、電流をニュートラル入力端（Ｎ）から第２の整流器２０および第４の整流器３２に流し、ライブ入力端（Ｌ）に戻す電流回路が形成される。次に制御信号はスイッチ７０をオフにし、電流をニュートラル入力端（Ｎ）から第５の整流器３３および第４の整流器３２に流し、ライブ入力端（Ｌ）に戻す電流回路が形成される。
【００２３】
それによって正の半周期間または負の半周期間の何れであっても、本考案の１段力率補正回路においては、電流は二つの整流器を流れるだけでよいので、伝導損失が少なく、電源供給器の温度を下げることができる。従って、本考案の１段力率補正回路は従来技術によるものと比較して進歩性を有する。
【００２４】
また、本考案の１段力率補正回路はさらにインダクタ８０を備え、ライブ入力端（Ｌ）と第１の整流器１０との間に直列接続され、電気エネルギを貯蔵でき、コンデンサ４０と同時に電源供給ができ、入力電流の変化を緩やかにすることができる。
【００２５】
上述の詳細な説明は本考案の実施例を示したものであり、本考案の主旨に基づく当該技術に熟知するものによる部分的な変更または修飾はすべて本考案の権利範疇に含まれる。
【００２６】
以上の説明から、本考案の目的、手段および効果は従来技術の技術特徴とは異なり、さらに実用性を備えるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本考案の一実施例による１段力率補正回路を示す回路図である。
【図２】本考案の１段力率補正回路が正の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。
【図３】本考案の１段力率補正回路が負の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０  第１の整流器
２０  第２の整流器
３０  フルブリッジ整流器
３１  第３の整流器
３２  第４の整流器
３３  第５の整流器
３４  第６の整流器
４０  コンデンサ
５０  第７の整流器
６０  トランス
６１  第１の一次コイル
６２  第２の一次コイル
６３  第１の二次コイル
７０  スイッチ
８０  インダクタ
【図１】
0003126951.tif 000003
【図２】
0003126951.tif 000004
【図３】
0003126951.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
一端がライブ入力端に接続される第１の整流器と、
一端がニュートラル入力端に接続される第２の整流器と、
第３の整流器、第４の整流器、第５の整流器および第６の整流器を備え、前記第３の整流器の正極端は前記ライブ入力端に接続され、前記第６の整流器の負極端は前記ニュートラル入力端に接続されるフルブリッジ整流器と、
一端が前記第５の整流器の負極端に接続され、他端が前記第６の整流器の正極端に接続されるコンデンサと、
正極端が前記コンデンサの一端に接続される第７の整流器と、
第１の一次コイル、第２の一次コイルおよび第１の二次コイルを備え、前記第１の一次コイルの一端は前記第７の整流器の負極端に接続され、他端は前記第２の一次コイルに直列接続されるトランスと、
三端子素子であり、その第１端は前記第２の一次コイルの他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端は前記コンデンサの他端に接続され、前記制御信号の制御を受けて開閉を行うスイッチと
を備えることを特徴とする１段力率補正回路。
【請求項２】
前記スイッチは、電力スイッチであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項３】
前記電力スイッチは、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（登録商標）、ＮチャンネルＪＦＥＴ、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（登録商標）またはＰチャンネルＪＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の１段力率補正回路。
【請求項４】
前記第１端は、前記ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）のドレイン極であり、前記第２端は、前記ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）のゲート極であり、前記第３端は、前記ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）のソース極であることを特徴とする請求項３記載の１段力率補正回路。
【請求項５】
前記第１の整流器、第２の整流器および第７の整流器は整流ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項６】
前記制御信号は、外接の力率補正コントローラから出力され、正の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を前記第１の整流器および第６の整流器に流し、次に前記スイッチをオフにして電流を前記第３の整流器および第６の整流器に流し、負の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を第２の整流器および第４の整流器に流し、次にスイッチをオフにして電流を前記第５の整流器および第４の整流器に流すことを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項７】
前記第１の一次コイルは、Ｎ２の巻数を有し、前記第２の一次コイルは、Ｎ１の巻数を有し、前記第１の整流器の負極端は、ＫＶＢの電圧を有し、Ｋ＝Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）であり、ＶＢは前記コンデンサの両端の電圧であることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項８】
前記ライブ入力端と前記第１の整流器との間に直列接続され、前記コンデンサと同時に電力供給を行い、電流の変化を緩やかにするインダクタをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【請求項９】
前記トランスは、フライバックトランスであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は電源供給器における１段力率補正回路に関し、特に、スイッチを備え、正の半周期および負の半周期に導通経路をそれぞれ提供し、電流は二つの整流器を流れるだけでよく、それによって電源供給器の温度を下げることができる１段力率補正回路を提供することにある。
【背景技術】
【０００２】
１段力率補正回路は通常高効率の電源供給器の力率改善に使用される。従来技術による１段力率補正回路では、正の半周期または負の半周期において、ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）の導通またはスイッチによって電流が三つの整流器に流され、回路が形成される。
【０００３】
しかし、上述の回路の欠点は、正の半周期または負の半周期に関わらず、電流が三つの整流器に流されて回路を形成する必要がある点にあり、このことによって高い伝導損失をもたらし、さらには電源供給器の温度が高まる。
【０００４】
本考案は上述の従来技術の欠点を改善する１段力率補正回路を提供するものである。
【特許文献１】特開２００５−２９５７９３号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の目的は、スイッチを備え、正の半周期および負の半周期に導通経路をそれぞれ提供し、電流は二つの整流器を流れるだけでよい１段力率補正回路を提供することにある。
本考案の第２の目的は、伝導損失を低減でき、電源供給器の温度を下げることができる１段力率補正回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本考案は１段力率補正回路を提供するものであって、一端がライブ入力端に接続される第１の整流器と、一端がニュートラル入力端に接続される第２の整流器と、第３の整流器、第４の整流器、第５の整流器および第６の整流器を備え、第３の整流器の正極端はライブ入力端に接続され、第６の整流器の負極端はニュートラル入力端に接続されるフルブリッジ整流器と、一端が第５の整流器の負極端に接続され、他端が第６の整流器の正極端に接続されるコンデンサと、正極端がコンデンサの一端に接続される第７の整流器と、第１の一次コイル、第２の一次コイルおよび第１の二次コイルを備え、第１の一次コイルの一端は第７の整流器の負極端に接続され、他端は第２の一次コイルに直列接続されるトランスと、三端子素子であり、その第１端は第２の一次コイルの他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端はコンデンサの他端に接続され、制御信号の制御を受けて開閉を行うスイッチとを備える。
【０００７】
すなわち、請求項１の考案は、一端がライブ入力端に接続される第１の整流器と、一端がニュートラル入力端に接続される第２の整流器と、第３の整流器、第４の整流器、第５の整流器および第６の整流器を備え、前記第３の整流器の正極端は前記ライブ入力端に接続され、前記第６の整流器の負極端は前記ニュートラル入力端に接続されるフルブリッジ整流器と、一端が前記第５の整流器の負極端に接続され、他端が前記第６の整流器の正極端に接続されるコンデンサと、正極端が前記コンデンサの一端に接続される第７の整流器と、第１の一次コイル、第２の一次コイルおよび第１の二次コイルを備え、前記第１の一次コイルの一端は前記第７の整流器の負極端に接続され、他端は前記第２の一次コイルに直列接続されるトランスと、三端子素子であり、その第１端は前記第２の一次コイルの他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端は前記コンデンサの他端に接続され、前記制御信号の制御を受けて開閉を行うスイッチとを備えることを特徴とする１段力率補正回路である。
【０００８】
請求項２の考案は、前記スイッチは、電力スイッチであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項３の考案は、前記電力スイッチは、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（登録商標）、ＮチャンネルＪＦＥＴ、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（登録商標）またはＰチャンネルＪＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の１段力率補正回路である。
請求項４の考案は、前記第１端は、前記ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）のドレイン極であり、前記第２端は、前記ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）のゲート極であり、前記第３端は、前記ＭＯＳＦＥＴ（登録商標）のソース極であることを特徴とする請求項３記載の１段力率補正回路である。
請求項５の考案は、前記第１の整流器、第２の整流器および第７の整流器は整流ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項６の考案は、前記制御信号は、外接の力率補正コントローラから出力され、正の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を前記第１の整流器および第６の整流器に流し、次に前記スイッチをオフにして電流を前記第３の整流器および第６の整流器に流し、負の半周期のとき、先ず前記スイッチをオンにして電流を第２の整流器および第４の整流器に流し、次にスイッチをオフにして電流を前記第５の整流器および第４の整流器に流すことを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
【０００９】
請求項７の考案は、前記第１の一次コイルは、Ｎ２の巻数を有し、前記第２の一次コイルは、Ｎ１の巻数を有し、前記第１の整流器の負極端は、ＫＶＢの電圧を有し、Ｋ＝Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）であり、ＶＢは前記コンデンサの両端の電圧であることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項８の考案は、前記ライブ入力端と前記第１の整流器との間に直列接続され、前記コンデンサと同時に電力供給を行い、電流の変化を緩やかにするインダクタをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
請求項９の考案は、前記トランスは、フライバックトランスであることを特徴とする請求項１記載の１段力率補正回路である。
【考案の効果】
【００１０】
正の半周期間または負の半周期間の何れであっても、本考案の１段力率補正回路においては、電流は二つの整流器を流れるだけでよいので、伝導損失が少なく、電源供給器の温度を下げることができる。従って、本考案の１段力率補正回路は従来技術によるものと比較して進歩性を有する。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１１】
本考案の目的、特徴および効果を示す実施例を図に沿って詳細に説明する。
【００１２】
図１は本考案の一実施例による１段力率補正回路を示す回路図である。図に示すように、本考案の１段力率補正回路は、第１の整流器１０、第２の整流器２０、フルブリッジ整流器３０、コンデンサ４０、第７の整流器５０、トランス６０およびスイッチ７０から構成される。
【００１３】
第１の整流器１０は、例えば整流ダイオードであるが、それに限らない。その一端はライブ入力端（Ｌ）に接続され、半波整流の効果を提供することができるが、これは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１４】
第２の整流器２０は、例えば整流ダイオードであるが、それに限らない。その一端はニュートラル入力端（Ｎ）に接続され、半波整流の効果を提供することができるが、これは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１５】
フルブリッジ整流器３０は第３の整流器３１、第４の整流器３２、第５の整流器３３および第６の整流器３４を備え、第３の整流器３１の正極端はライブ入力端に接続され、第６の整流器３４の負極端はニュートラル入力端に接続されるが、これは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１６】
コンデンサ４０の一端は第５の整流器３３の負極端に接続され、他端は第６の整流器３４の正極端に接続され、電圧ＶＢを有する。
【００１７】
第７の整流器５０の正極端はコンデンサ４０の一端（例えば正極端）に接続され、半波整流の効果を提供できるがこれは一般の電源供給器に採用されている従来技術であるので、これ以上の説明は行わない。
【００１８】
トランス６０は、例えばフライバックトランスであるがそれに限らない。第１の一次コイル６１、第２の一次コイル６２および第１の二次コイル６３を備える。第１の一次コイル６１の一端は第７の整流器５０の負極端に接続され、他端は第２の一次コイル６２に直列接続される。また、第１の一次コイルはＮ２の巻数を有し、第２の一次コイルはＮ１の巻数を有する。第１の整流器の負極端と第１の一次コイル６１との接続部分はＫＶＢの電圧を有し、Ｋ＝Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）であり、ＶＢはコンデンサ両端の電圧である。
【００１９】
スイッチ７０は、三端子素子であり、どんな電力スイッチでもよく、例えばＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（登録商標）、ＮチャンネルＪＦＥＴ、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（登録商標）またはＰチャンネルＪＦＥＴなどであるが、それらに限らない。以下はＭＯＳスイッチ７０と称す。その第１端は第２の一次コイル６２の他端に接続され、第２端は制御信号に接続され、第３端はコンデンサ４０の他端に接続され、制御信号の制御を受けて開閉を行うことができる。第２端はＭＯＳスイッチ７０のゲート極（Gate）であり、第１端はＭＯＳスイッチ７０のドレイン極（Drain）であり、第３端はＭＯＳスイッチ７０のソース極（Source）である。制御信号は外接の力率補正コントローラ（図示せず）から出力される。
【００２０】
操作時において、入力電圧Ｖｉが電圧ＫＶＢより小さいとき、第１の整流器１０両端には逆バイアスが形成されるので、第１の整流器１０はカットオフ状態となり、このとき、回路はＶＢから電源供給を受ける。入力電圧Ｖｉが電圧ＫＶＢより大きいとき、第１の整流器１０両端には順バイアスが形成されるので、第１の整流器１０の位置は導通状態となり、第３の整流器３１の両端は逆バイアスのままなので、このとき回路はＶｉから電源供給を受ける。
【００２１】
図２は本考案の１段力率補正回路が正の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。図に示すように、Ｖｉから電源供給を受けたとき、正の半周期間では、制御信号による制御によって、スイッチ７０を先ずオンにし、電流をライブ入力端（Ｌ）から第１の整流器１０および第６の整流器３４に流し、ニュートラル入力端（Ｎ）に戻す電流回路が形成される。次に制御信号はスイッチ７０をオフにし、電流をライブ入力端（Ｌ）から第３の整流器３１および第６の整流器３４に流し、ニュートラル入力端（Ｎ）に戻す電流回路が形成される。
【００２２】
図３は本考案の１段力率補正回路が負の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。図に示すように、負の半周期間では、制御信号による制御によって、スイッチ７０を先ずオンにし、電流をニュートラル入力端（Ｎ）から第２の整流器２０および第４の整流器３２に流し、ライブ入力端（Ｌ）に戻す電流回路が形成される。次に制御信号はスイッチ７０をオフにし、電流をニュートラル入力端（Ｎ）から第５の整流器３３および第４の整流器３２に流し、ライブ入力端（Ｌ）に戻す電流回路が形成される。
【００２３】
それによって正の半周期間または負の半周期間の何れであっても、本考案の１段力率補正回路においては、電流は二つの整流器を流れるだけでよいので、伝導損失が少なく、電源供給器の温度を下げることができる。従って、本考案の１段力率補正回路は従来技術によるものと比較して進歩性を有する。
【００２４】
また、本考案の１段力率補正回路はさらにインダクタ８０を備え、ライブ入力端（Ｌ）と第１の整流器１０との間に直列接続され、電気エネルギを貯蔵でき、コンデンサ４０と同時に電源供給ができ、入力電流の変化を緩やかにすることができる。
【００２５】
上述の詳細な説明は本考案の実施例を示したものであり、本考案の主旨に基づく当該技術に熟知するものによる部分的な変更または修飾はすべて本考案の権利範疇に含まれる。
【００２６】
以上の説明から、本考案の目的、手段および効果は従来技術の技術特徴とは異なり、さらに実用性を備えるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本考案の一実施例による１段力率補正回路を示す回路図である。
【図２】本考案の１段力率補正回路が正の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。
【図３】本考案の１段力率補正回路が負の半周期のときの電流の流れを示す回路図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０  第１の整流器
２０  第２の整流器
３０  フルブリッジ整流器
３１  第３の整流器
３２  第４の整流器
３３  第５の整流器
３４  第６の整流器
４０  コンデンサ
５０  第７の整流器
６０  トランス
６１  第１の一次コイル
６２  第２の一次コイル
６３  第１の二次コイル
７０  スイッチ
８０  インダクタ