(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をあるプロセス温度まで加熱する熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、
前記基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、
導管及び光ファイバを介して前記反射キャビティからチャネルを有するパイロメータへ放射を伝達することで前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第１のプローブを使用し、前記第１のプローブから抽出したエネルギーが、第１の有効反射率で測定された第１の温度指示値を発生させるステップと、
前記チャネルの開口数を変更することで前記第１のプローブの有効反射率を変更するステップと、
前記第１のプローブを使用し、前記第１の有効反射率と異なる第２の有効反射率で第２の温度指示値を発生させるステップと、
前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第２のプローブを使用し、前記第２のプローブから抽出したエネルギーが、第３の温度指示値を発生させるステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数を導出するために、前記熱処理チャンバを検量するステップと、
前記第１のプローブの有効反射率から、前記基板の有効放射率を導出するステップと、
前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値並びに前記基板の有効放射率から前記第１のプローブの調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数と前記調節温度から、前記第２のプローブの放射率の感度調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度調節温度と前記第３の温度指示値から、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップとを備える方法。
【請求項２】
基板を加熱するための熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、
前記基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、
前記基板をあるプロセス温度まで加熱するステップと、
導管及び光ファイバを介して前記反射キャビティからチャネルを有するパイロメータへ放射を伝達することで前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために第１のプローブを使用して、前記第１のプローブから抽出したエネルギーがそれぞれ第１の温度指示値及び第２の温度指示値を発生させると共に、前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために第２のプローブを使用して、前記第２のプローブから抽出したエネルギーが第３の温度指示値を発生させるステップであって、前記第１のプローブがそれと関連する第１の有効反射率と、前記チャネルの開口数を変更することで得られた第２の有効反射率とを有し、前記第１の有効反射率及び前記第２の有効反射率は異なるものである、前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値及び前記第３の温度指示値を発生させるステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数を導出するために、前記熱処理チャンバを検量するステップと、
前記第１の有効反射率及び前記第２の有効反射率から、前記基板の有効放射率を導出するステップと、
前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値と前記基板の前記有効放射率から、前記第１のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記補正された温度読み出しが、前記第１の温度指示値と調節温度の合計であり、前記第１のプローブの補正された温度読み出しが、前記第１のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第１のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数と前記調節温度から、前記第２のプローブの放射率の感度調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度調節温度と前記第３の温度指示値から、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップとを備える方法。
【請求項３】
前記第２のプローブの放射率の感度調節温度を導出する前記ステップが、前記調節温度に第２のプローブの放射率の感度係数を掛けるステップを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
基板を加熱するための熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、
前記基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、
前記基板をあるプロセス温度まで加熱するステップと、
導管及び光ファイバを介して前記反射キャビティからチャネルを有するパイロメータへ放射を伝達することで前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第１のプローブを使用し、前記第１のプローブから抽出したエネルギーが、第１の有効反射率で測定される第１の温度指示値を発生させるステップと、
第２のプローブの放射率の感度係数を導出するために、前記熱処理チャンバを検量するステップと、
前記チャネルの開口数を変更することで前記第１のプローブの有効反射率を変更するステップと、
前記第１のプローブを使用し、前記第１の有効反射率と異なる第２の有効反射率で第２の温度指示値を発生させるステップと、
前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第２のプローブを使用し、前記第２のプローブから抽出したエネルギーが、第３の温度指示値を発生させるステップと、
前記第１プローブの有効反射率から、前記基板の有効放射率を導出するステップと、
前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値と前記基板の前記有効放射率から、前記第１のプローブの調節温度を導出するステップであって、それにより前記調節温度が前記第１の温度指示値と組み合わされるとき、前記第１のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第１のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値が実現される前記調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数と、前記第１のプローブの前記調節温度と、前記第３の温度指示値とから、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップとを備える方法。
【請求項５】
熱処理チャンバにおいて基板の温度を測定する装置であって、
前記基板を前記チャンバに位置させたときに、反射キャビティを形成するように前記熱処理チャンバに配置された反射板と、
導管及び光ファイバを介して前記反射キャビティから、開口数を変更できるように構成されたチャネルを有するパイロメータへ放射を伝達することで前記反射キャビティからのエネルギーを受け、第１の温度指示値と第２の温度指示値を発生させるように位置させた第１のプローブであって、前記第１の温度指示値が、前記チャネルの開口数を変更することで前記反射キャビティについて前記第２の温度指示値と異なる有効反射率と関連している第１のプローブと、
前記反射キャビティからのエネルギーを受け、第３の温度指示値を発生させるように位置させた第２のプローブと、
前記第１のプローブ及び前記第２のプローブからの前記第１の温度指示値、前記第２の温度指示値及び前記第３の温度指示値と、前記第２のプローブと関連する放射率の感度係数とを受ける温度測定モジュールであって、前記温度測定モジュールが、前記第１のプローブの有効反射率に基づいて前記基板の有効放射率を導出し、前記第１のプローブの補正された温度読み出しを導出するようにプログラムされ、前記第１のプローブの前記補正された温度読み出しが、前記第１の温度の指示値と調節温度の合計であり、前記調節温度が、前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値並びに前記基板の有効放射率から計算され、前記補正された温度読み出しが、前記第１のプローブの補正されない温度指示値よりも、前記第１のプローブと関連する領域で前記基板の実際の温度のより正確な指示値であり、前記温度測定モジュールが、前記調節温度と、前記放射率の感度係数と、前記第３の温度指示値から前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するようにプログラムされ、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの領域における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である温度測定モジュールとを備える装置。
【請求項６】
前記第１のプローブ及び第２のプローブが、光パイプを備える請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記温度測定モジュールが、前記第２のプローブの放射率の感度係数を計算し、前記第２のプローブの前記感度係数と、前記調節温度との積が、前記第３の温度指示値と合計されて、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを生じる請求項５記載の装置。
【請求項８】
前記導管が、各プローブと関連し、前記反射板に配置されて、放射を収集するために前記基板の反対側に位置する請求項５記載の装置。
【請求項９】
前記第１のプローブが、１本の前記導管に結合された少なくとも２つの光ファイバを備え、各光ファイバが前記パイロメータに結合される請求項５記載の装置。
【請求項１０】
各光ファイバが、前記パイロメータの異なるチャネルに結合され、前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値のそれぞれのための異なる有効反射率を設定できるように、前記異なるチャネルの開口数をユーザが選択できる請求項９記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１９９６年５月１日出願の米国特許出願、連続番号08/641,477号、発明の名称「基板温度測定方法及び装置」の一部継続出願である。また、その出願も、１９９４年１２月１９日出願の米国特許出願、連続番号08/359,302号、発明の名称「基板温度測定方法及び装置」の一部継続出願である。
【０００２】
本発明は、基板温度の測定を収集することにより、並びに、基板表面全体に対する放射感度の変動を補償することにより、半導体基板の非接触式温度測定を改良する技術に関する。
【０００３】
半導体デバイスの製造プロセスの多くでは、要求される高いレベルのデバイスの性能、収率及びプロセスの再現性は、処理中に基板の温度（例えば、半導体ウエハ）がきちんと制御された場合に限って達せられる。このような制御のレベルを達するためには、基板温度をリアルタイムに且つインシチュウ(in situ )に測定して不測の温度変動が直ちに検出され補正される必要がある場合がしばしばである。
【０００４】
例えば、急速熱アニーリング(rapid thermal annealing) （ＲＴＡ）、急速熱クリーニング(rapid thermal cleaning)（ＲＴＣ）、急速熱化学気相堆積(rapid thermal chemical vapor deposition) （ＲＴＣＶＤ）、急速熱酸化(rapid thermal oxidation) （ＲＴＯ）並びに急速熱窒化(rapid thermal nitridation) （ＲＴＮ）を含む種々の製造プロセスに用いられる急速熱処理(rapid thermal processing)（ＲＴＰ）を考える。ＲＴＯ又はＲＴＮによるＣＭＯＳゲート誘電体(CMOS gate dielectrics) の形成という特殊な応用例では、ゲート誘電体厚さ、成長温度及び均一性が、デバイス全体の性能と収率に影響を及ぼす重要なパラメータである。現在では、ＣＭＯＳデバイスは６０〜８０オングストローム程度の厚さで厚さの均一性がプラスマイナス２オングストローム以内に収るような誘電体層をもって作られている。この均一性のレベルのためには、高温処理中に基板全体の温度変化が数℃を越えてはならないことが要求される。
【０００５】
高温処理中は、ウエハ自身は小さな温度変化も許されないことがしばしばである。１２００℃で温度差が１〜２℃／ｃｍを越えて生じることがあれば、その結果、応力がシリコン結晶内に滑りを生じさせる。このように生じた滑り面は、滑り面が通過する全てのデバイスを破壊するだろう。この温度の均一性のレベルを達するためには、閉ループ温度制御のための、信頼性の高いリアルタイムの多点温度測定が必要である。
【０００６】
光学的放射温度測定は、ＲＴＰシステムの温度測定に広く用いられている。放射温度測定は、目的物の一般的な性質を利用し、即ち、目的物は温度を決定する特定のスペクトル成分と強度をもって放射を発している。従って、発せられた放射を測定することにより、目的物の温度を決定できる。発せられた放射の強度をパイロメータが測定し、適切な変換を行って温度（Ｔ）を得る。スペクトルの放射強度と温度との関係は、基板のスペクトル放射率と、プランクの法則で与えられる理想黒体の放射温度関係に依存し、プランクの法則は：
【０００７】
【数１】
0004511724.tif 000002
ここで、Ｃ1 及びＣ2 は既知の定数、λは着目する放射波長、Ｔは゜Ｋで測定された基板温度である。Ｗｅｉｎの分布法則として知られている近似により、上記の表現は以下のように書き直せる：
【０００８】
【数２】
0004511724.tif 000003
ここで、Ｋ（λ）＝２Ｃ1 ／λ5 である。これは、２７００℃よりも低い温度に対しては良い近似である。
【０００９】
目的物のスペクトル放射率ε（λ，Ｔ）は、そのスペクトル強度Ｉ（λ，Ｔ）と同一温度における黒体のそれＩb （λ，Ｔ）の比である。即ち、
【００１０】
【数３】
0004511724.tif 000004
Ｃ1 とＣ2 は既知の定数であり、理想的な条件下では、ε（λ，Ｔ）がわかればウエハの温度は正確に決定できる。
【００１１】
前述の如く、基板全体にわたる温度変化が１〜２℃を超えれば、基板に損傷を与えることになり、また、不要なプロセスの変化を生じさせることとなる。基板の様々な場所で温度をモニタする方法の１つに、複数の温度プローブ（パイロメータ等）を用いる方法がある。このようなマルチプローブのシステムでは、いくつかのプローブの温度読み出しを用いて、基板のＲＴＰにおける加熱要素をリアルタイムに制御することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半導体産業において広く用いられていてもなお、光学的放射による温度測定は、基板の放射率を正確に測定することの不可能さから来る制限を受けている。更に、仮に基板の放射率が所定の温度で既知であっても、温度によって変化する。この変化は通常は、正確に測定することができず、従って、温度測定に対して未知の誤差を招いてしまう。１０℃以上のオーダーの誤差は特別なことではない。
【００１３】
基板のスペクトル放射率は多くの因子に依存し、これらには、ウエハ自身の性質（例えば、温度、表面粗さ、種々の不純物のドーピングのレベル、材料の組成及び表面層の厚さ）及びウエハのプロセス履歴が含まれる。これに関連するもう１つの性質は、有効放射率である。有効放射率とは、物体から発せられるスペクトル強度の測定値と、同じ温度における黒体のそれとの比のことである。有効放射率がその物体が置かれている環境を考慮している点で、物体の有効放射率はスペクトル放射率とは異なっている。基板の有効放射率は、基板が配置されるプロセスチャンバの特性による影響を受けることがある。従って、基板放射率を事前に決定しても、これが普遍的なパイロメータ温度測定の能力を与えることはできない。
【００１４】
更に、マルチプローブのシステムにおいて各プローブにおける環境はそれぞれ独自である。これらのそれぞれ独自の環境群の１つの中に配置されている１つのパイロメータプローブが、特定の放射率特性を有している基板に対する感度を示し、温度読み出しに誤差成分が持ち込まれることがある。基板表面全体に対して、１つ以上のプローブが基板の放射率に対して異なる感度を示すことがある（以下、基板表面全体に対する放射率感度と称する）。放射率レベルがおよそ低い基板では、基板表面にわたって放射率感度が大きく変動することがある。従って、基板表面にわたる放射率感度の変動を考慮しないマルチプローブ温度測定システムでは、最適の結果を得ることができない。
【００１５】
基板全体に対して放射率を特異的に近似することにより放射率の誤差を補償することを目的とするだけのシステムでも、許容される結果を導き出すことができるだろう。しかし、改善の余地は残されている。
【００１６】
【発明の概要】
一つの態様において、本発明は、基板を加熱するための熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、各プローブの放射率の感度係数を導出するために熱処理チャンバを検量するステップと、基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、基板をあるプロセス温度まで加熱するステップとを含む方法を提供する。第１のプローブと、第２のプローブと、少なくとも第３のプローブとを用いて、反射キャビティからエネルギーが抽出されてもよい。第１のプローブは、それと関連する第１の有効反射率を有するものであってよく、第２のプローブは、それと関連する第２の有効反射率を有するものであってよく、第１及び第２の有効反射率は異なるものである。第１、第２及び第３のプローブから抽出されたエネルギーは、それぞれ第１、第２及び第３の温度指示値を発生させてもよい。第１及び第２の温度指示値から、基板の有効放射率が第１のプローブの補正された温度読み出しと共に導出されてもよい。補正された温度読み出しは、第１の温度指示値と調節温度の合計から導出されてもよい。第１のプローブの補正された温度読み出しは、第１のプローブが発生した補正されない読み出しよりも、第１のプローブの環境下において基板の実際の温度のより正確な指示値であると言える。第３のプローブの放射率の感度係数と調節温度から、第３のプローブの放射率の感度調節温度が導出されてもよい。第３のプローブの放射率の感度調節温度と第３の温度指示値から、第３のプローブの補正された温度読み出しが導出されてもよく、第３のプローブの補正された温度読み出しは、第３のプローブが発生した補正されない読み出しよりも、第３のプローブの環境下において基板の実際の温度のより正確な指示値である。
【００１７】
本発明の態様は、複数の特徴を含む。第３のプローブの補正された温度読み出しが、第３のプローブの感度係数により乗算された調節温度の積と、前記第３の温度指示値との合計であってよい。感度係数は、所定の放射率レベルを有する複数の検量用基板の１つの検量用基板にかけられた平均温度から温度変動を決定することによって計算されてもよい。複数の検量用基板は、高い放射率レベルを有する少なくとも１つの基板と、低い放射率レベルを有する少なくとも１つの基板と、高いレベルと低いレベルの間にある放射率レベルを有する少なくとも１つの基板とを含むものであってよい。
【００１８】
第３のプローブの感度係数は、第１のプローブに対して導出された補正された温度と、検量用基板から導出された温度変動とに関連する感度曲線の線形近似によって決定されてもよい。
【００１９】
各プローブは、反射器で収集された放射をパイロメータに伝達するための光ファイバを含むものであってよく、その光ファイバの出力端でアパーチャーを含むことによって視野角が減少される。各プローブは、熱処理チャンバにおいて基板と反対側に位置させた反射器に配置された導管を介して放射を収集してもよく、プローブの有効反射率は、プローブの開口数を変更させて変更される。第１及び第２のプローブは、同じ導管を介して放射を測定してもよい。第１及び第２のプローブは、それぞれがパイロメータに結合された２本の光ファイバを同じ導管に結合することによって同じ導管を介して放射を測定してもよい。各光ファイバは、１つのパイロメータの異なるチャネルに結合されてもよく、異なるチャネルの開口数をユーザが選択できることで、第１及び第２のプローブのそれぞれの有効反射率を異なるように設定できる。
【００２０】
別の態様では、本発明は、熱処理加熱チャンバにおいて基板の温度を測定するための装置であって、基板の片面の側に位置させた反射板であって、それらの間に反射キャビティを形成する反射板と、反射キャビティからのエネルギーを受け、それぞれ第１、第２及び第３の温度指示値を発生させるように位置された第１、第２及び第３のプローブとを含む装置を提供する。第１のプローブは、それと関連するキャビティの有効反射率を有し、この反射率は第２のプローブと異なるものであってよい。この装置は、第１、第２及び第３の温度指示値と、第３のプローブと関連する放射率の感度係数を受け、第３のプローブの補正された温度読み出しを導出する温度測定モジュールを含む。
【００２１】
本発明の態様は、多数の特徴を含む。第１、第２及び第３のプローブは、光パイプを備えてもよい。第１及び第２のプローブは、１本の光パイプを共有してもよい。温度測定モジュールは、第３のプローブの放射率の感度係数を計算してもよい。第３のプローブの感度係数と、第１のプローブに対して導出された調節温度の積は、第３の温度指示値と合計されて、第３のプローブの補正された温度読み出しを生じさせてもよい。
【００２２】
本発明の利点には、以下に挙げるものがある。本発明は、温度関数として放射率の感度（基板表面にわたって）の変動を調節するリアルタイム且つそのままでの温度補償を提供する。検量手順は簡潔で、通常、所与のチャンバ構造に一度実行されるだけでよい。本発明により温度を測定することによって、安定した、再現性の高い半導体検出器を使用することができる。本発明により、再現性及び均一性が改善された信頼性が高い温度測定が可能となる。
【００２３】
他の特徴及び利点は、以下の記載及び請求の範囲から明らかになるであろう。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（仮想的な黒体キャビティ）
以下の説明では、基板の温度測定に言及する。ここで、「基板」なる語は、熱プロセスチャンバ内で処理されるいかなる物体をも広くカバーし、その温度は処理中に測定されるものであると、解釈される。「基板」という語は、例えば、半導体ウエハ、フラットパネルディスプレイ、ガラス板又はディスク、及びプラスチックワークピースを含むものである。
【００２５】
本発明を理解するためには、上記を参照して放射率向上の技術をまずレビューすることが有用であろう。
【００２６】
図１に示されるように、熱反射器２２は、基板１０の近くの位置が与えられて、反射器と基板の間に仮想的な黒体キャビティ２４を形成する。基板裏面が乱反射の場合は、放射エネルギーはランダムなパターンで発せられで、発せられた放射エネルギーは、同様のランダムな（等方的な）パターンでキャビティじゅうに反射される。反射器２２のあらゆる場所から到達する放射エネルギーは、多くの成分から成っている：第１の成分は、基板から直接飛来し反射を経験していない放射エネルギーから成り；第２の成分は、反射器２２と基板１０の裏面から１回の反射を経験しており：第３の成分は、反射器２２と基板１０の裏面から２回の反射を経験しており、等々である。反射器の位置で生じ得る全強度は、入射する放射エネルギーの無限級数の総和として、以下のように見出され：
【００２７】
【数４】
0004511724.tif 000005
【００２８】
【数５】
0004511724.tif 000006
ここで、冷反射プレートの反射率はＲで与えられ、ウエハの放射率はεで与えられ、σはステファン・ボルツマン定数であり、Ｔは基板温度である。
【００２９】
反射器の反射率が１に等しい（Ｒ＝１）と仮定すれば、［数５］の式（５Ｂ）は簡単になり：
【００３０】
【数６】
0004511724.tif 000007
ここで、放射エネルギーＩT は基板の裏面の放射率に従属していない。換言すれば、反射器は、基板の「有効放射率」が１に等しくなる仮想的な理想黒体を作り出している。
【００３１】
注目すべきことは、この放射率の向上の効果は、ウエハの裏面が乱反射することを必ずしも要さないことである。高度に乱反射する裏面を有する基板だけではなく、完全な鏡面反射性の裏面を有する基板にも有効である。一般的には、半導体ウエハの裏面は、乱反射と鏡面反射の適当な組合わせである。
【００３２】
光パイプ２８が、反射器のアパーチャー２７を貫通して、キャビティ内の反射エネルギーの抽出に用いられる。抽出された強度は、光ファイバ３０を介してパイロメータ３３へ通過し、そこで上述の［数４］〜［数６］の式（５）を用いて温度に変換される。仮想的な黒体の効果のため、測定温度は基板の放射率に無関係である。
【００３３】
しかし、現実には、反射器の反射率は、１に近かろうが、１に等しくはならない。少なくとも、反射器のコーティングは完全に反射をしないであろう。例えば、優秀な反射コーティング材料の１つである金は、波長９５０ｎｍ（ナノメートル）に対して０．９７５の反射率しか有しない。更に、反射器に放射エネルギーの抽出用の１つ以上のアパーチャーが存在することが、キャビティの全体の幾何的関係（即ち寸法と形状）と共に、我々がここで実現しようと試みている仮想的な理想黒体の性能を低めてしまう傾向がある。これらの幾何的な効果は実際の反射率と共に、ひとまとめにして「有効反射率」Ｒeff とすることができる。基板の放射率の変化が抽出された強度に依存する影響を実質的に減少させることは可能ではあるが、測定は、基板の放射率に完全に独立しているわけではない。
【００３４】
反射器２２が不透明で、冷たく、高度に反射的（即ちＲ→１）であると仮定すれば、反射器により発せられる放射エネルギーの効果を無視することができ、基板の有効放射率εeff は、次のように近似でき：
【００３５】
【数７】
0004511724.tif 000008
ここで、Ｒeff は反射キャビティの有効反射率である。注目すべきは、Ｒeff が１に等しければ、εeff も１に等しくなるはずである。一方、Ｒeff が１未満であれば、εeff も１未満になり、測定温度は放射率の関数となるだろう。
【００３６】
図２では、有効放射率εeff は、異なるＲeff の値に対して、実際の放射率εの関数として与えられている。指示されているように、反射キャビティの有効反射率が１に近付くにつれて、基板の有効放射率も１に近付く。また、Ｒeff →１であるので、基板の有効放射率は、基板の実際の放射率の変化に対してあまり敏感ではなくなり、特に、実際の放射率が高い値のときは顕著である。この感度は、次のように定量化される：
【００３７】
【数８】
0004511724.tif 000009
これは、［数７］の式（６）をεに関して微分することにより得られる。
【００３８】
温度測定の結果の誤差は、以下のような有効放射率の変化として与えられ、
【００３９】
【数９】
0004511724.tif 000010
［数７］の式６と［数８］の式（７）を用いて、以下の式が得られる：
【００４０】
【数１０】
0004511724.tif 000011
注目すべきは、Ｒeff が１に近付けば、この分子、即ち測定温度の基板放射率の変化に対する感度は、無視できるほどに小さくなることである。逆に言えば、キャビティの有効反射率が充分高く（即ち１に近い）ない場合は、基板の放射率の変化による温度測定の変化も、許容されないほどに大きいままであることがある。
【００４１】
再び図１を参照すれば、アパーチャー２７の存在は、反射器と基板の間に形成された仮想黒体キャビティ２４の局所的な障害を導く。我々は、この障害が反射器により与えられた放射率向上の効果も減少することを認識するに至った。更に、アパーチャーサイズ（Ｄ）が大きくなれば、この障害のサイズも大きくなる傾向がある。従って、放射率向上に対するアパーチャーの影響を最小にする１つのアプローチとして、アパーチャーのサイズを小さくすることがあるだろう。しかし、光パイプにより収集された光の量は、アパーチャーの面積に比例しているので、これは光パイプにより収集された光の量を減少させ、よって、検出システムの信号対ノイズ比を低下させる。基板温度が低下すれば放射エネルギーの強度が急速に下がるため、小さなアパーチャーを用いることは、検出器が有用でなくなる温度を上げてしまうことになる。
【００４２】
しかし、我々は、ＲＴＰシステムでベース反射器を改良して、光プローブの端部で測定向上の表面の造作（ぞうさく）を含めることにより、反射キャビティの仮想黒体効果を更に向上させつつも抽出信号の信号対ノイズ比も改善されて得られることを見出した。
【００４３】
（本発明を包含したＲＴＰシステム）
（ＲＴＰシステムの概要）
本発明に従って改良されたＲＴＰシステムが図３Ａに示される。このＲＴＰシステムは、ディスク形状の直径８インチ（２００ｍｍ）のシリコン基板１０６を処理するための処理チャンバ１００を有している。基板１０６は、チャンバ内で基板支持体１０８上に載置され、基板の真上に配置された加熱要素１１０によって加熱される。加熱要素１１０は、基板の約１インチ（２．５ｃｍ）上方の水冷クオーツウィンドウ組立体１１４を介して、処理チャンバ１００に進入する放射エネルギー１１２を発生させる。基板１０６の下方には、水冷式のステンレス鋼のベース１１６上に載置される反射器１０２が存在する。反射器１０２は、アルミニウム製であり、高反射性のコーティング１２０を有している。基板１０６の下側と反射器１０２の頂部との間には、基板の有効放射率を増加させるための反射キャビティ１１８が形成されている。
【００４４】
基板と反射器との間隔は約０．３インチ（７．６ｍｍ）であり、従って、幅対高さの比が約２７であるキャビティを形成している。８インチのシリコンウエハのために設計された処理システムでは、基板１０６と反射器１０２との間の距離は、３ｍｍ〜９ｍｍの間であり、好ましくは５ｍｍ〜８ｍｍの間であり、また、キャビティ１１８の幅対高さの比は約２０：１よりも大きくなるべきである。この間隔が大きすぎる場合は、形成された仮想黒体キャビティに起因する放射率向上の効果は小さくなるだろう。一方、この間隔が小さすぎた場合、例えば約３ｍｍ未満である場合は基板から冷却された反射器に至る熱伝導が小さくなるので、加熱された基板に許容できない大きな熱負荷がかかるであろう。反射プレートへの熱的損失は主なメカニズムは、ガスを介した伝導であるので、熱負荷は当然に、ガスのタイプ及び処理中のチャンバ圧力に依存する。
【００４５】
基板１０６の局所的領域１０９での温度は、複数の温度プローブ１２６（図３Ａにはこの中の２つのみが示される）によって測定される。温度プローブはサファイアの光パイプであり、これらは、ベース１１６の裏側から反射器１０２を介して延長する導管１２４の中を通っている。サファイア光パイプ１２６は、直径約０．１２５インチであり、これらを導管内に簡単に挿入せしめるように導管１２４はこれらよりも僅かに大きくなっている。
【００４６】
（放射率向上のための表面の造作）
本発明の特徴の１つに従い、小反射キャビティ４２（即ちマイクロキャビティ）が、反射器１０２の頂面に形成され、ここでは導管が反射器の頂部を貫通している（図４Ａに更に詳細に示されている）。導管は小キャビティに進入して、小キャビティの底部でアパーチャー１２９が形成される。サファイア光パイプ１２６は、その最上端部がマイクロキャビティ４２の底部と同じ高さ又は僅かに低くなるように、導管１２４内部に配置される。光パイプ１２６の他方の端部は、抽出された光をキャビティからパイロメータ１２８に伝達するフレキシブルな光ファイバ１２５に結合される。
【００４７】
ここで説明される具体例では、表面マイクロキャビティは、円筒状の形状を有し、半径（Ｒ）が約０．１００インチ、深さ（Ｌ）が約０．３００インチである。マイクロキャビティ４２及び導管１２４でのアパーチャー１２９は、上述の如くサファイア光パイプの直径である約０．１２５インチよりも僅かに大きい。表面マイクロキャビティ４２は、基板１０６の裏側と反射器１０２の頂部との間に存在する反射キャビティ１１８の仮想黒体効果を向上させる機能を有するので、基板の有効放射率を、１に一層近い値まで増加させる。この円筒状のキャビティは、光パイプにより検出された抽出信号の信号対ノイズ比を改善すると共に、基板の有効放射率（又は反射キャビティの有効反射率と等価である）を増加させる機能を有している。我々は更に、この向上の効果は、プローブ端部が表面キャビティ４２の底部と同じ高さであるかどうかということや、プローブがこの導管１２４の内部の窪んだ場所の下に置かれているかどうかということには依存していないようであることに注目している。従って、反射器の組み立て中に導管内にプローブを挿入する操作は、プローブ端部を配置することに関して厳密な臨界許容範囲満足させる必要がないことにより、更に簡単に行われる。しかし、プローブ端部はマイクロキャビティ内に突き出していてはならず、なぜならこのことにより向上の効果を悪化させるだろうからである。
【００４８】
円筒状のマイクロキャビティに、完全に反射する側壁を仮定すれば、円筒状のマイクロキャビティによってもたらされる向上の効果は、マイクロキャビティのＬ／Ｒ比が大きくなるにつれて増加する。しかし、側壁は完全な反射性ではないため、放射エネルギーがキャビティ内を反射により往復する回数が増えるにつれて、各反射に生じる損失によって信号強度は減少していくだろう。従って、実際問題として、円筒状のマイクロキャビティのＬ／Ｒアスペクト比をどの程度大きくしてなお性能の向上が得られるかという制限が存在する。
【００４９】
プローブの端部の周囲に形成される表面マイクロキャビティ４２は、基板裏側の局所領域の自己放射のレベルを増加させることにより、又は、プローブの収集効率を増加させることにより、又は、これらのメカニズムを組合わせることにより、機能するようである。換言すれば、表面キャビティは、平坦な反射器と比較して、温度が測定される点である基板上の局所領域で反射器から反射し返される光の量を増加させるので、プローブの放射エネルギーの収集も増加させる。
【００５０】
反射器にとって望ましい高い反射率を達成するため、反射器の頂部に高度に反射性を有する多層のコーティング１２０が形成されている。コーティングの底部層は、反射器本体の表面上に堆積された金の薄膜である。金は、着目する赤外波長（即ち約９５０ｎｍ）で約０．９７５の反射率を有するので好ましい。金の層の反射率を更に向上させるために、金の層の頂部に４分の１波長の積み重ね部が形成される。この４分の１波長の積み重ね部は、別の誘電層で構成され、これは異なる屈折指数を有し、パイロメータが最も感度が高くなる波長の１／４（即ち９５０ｎｍの１／４）に等しい厚さを有している。具体例の１つでは、４分の１波長の積み重ね部は、米国カリフォルニア州サンタローザのＯＣＬＩ社(Optical Coating Laboratory,Inc. )により塗布されるが、このコーティングの塗布には、別の商業的ソースでも可能である。
【００５１】
この多層構造の頂部層は、反射層の金のＲＴＰチャンバを汚染する可能性を防止するパッシベーション層である。このパッシベーション層は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、又は、着目する波長で反射特性を損なわずに反射層をパッシベーションするその他の許容される材料であってもよい。
【００５２】
この多層構造体の反射率は、９５０ｎｍで約０．９９５であり、これは単一の金薄膜の本来の反射率０．９７５よりも著しく高い。
【００５３】
金が反射のために許容できない材料である場合は、無論、他の反射材料を用いてもよい。例えば、ニッケルは金よりも不活性であり、金よりも高くはないが良好な反射率を有している。
【００５４】
表面マイクロキャビティには、多くの他の幾何的関係が可能である。例えば、図４Ｂに示されているような、半球状のマイクロキャビティ４２’を用いてもよい。このマイクロキャビティは、球の形状を有し、その中心は反射器の表面の面上に配置される。上述のＲＴＰの具体例では、球の半径は約６〜８ミリメートルであり、即ち、反射器と基板の裏面との間の間隔に匹敵している。サファイアプローブ１２６は直径０．１２５インチであるが、局所領域１０９でプローブが基板温度に対して生じさせる障害を最小にするため、もっと小さなサイズ（例えば０．０５０インチ）を採用する事が望ましいだろう。
【００５５】
その他のマイクロキャビティの幾何的関係が、図４Ｃ〜Ｄに示される。図４Ｃは、円錐形状のマイクロキャビティが示され、光パイプが円錐のらせんに配置されている。図４Ｄは、球状のマイクロキャビティが示され、光パイプが反射の表面の円形アパーチャー１６１の反対側に配置されている。これらは、用いることができる多くの別の幾何的関係のほんの一部に過ぎない。ある用途に対して最も適した特定のマイクロキャビティの幾何的関係は、実験により決定できる。更に、マイクロキャビティはまた、反射プレートの表面から突き出した材料で形成される突起したマイクロキャビティであってもよい。
【００５６】
ここで図４Ｅから４Ｆを参照すると、仮想のマイクロキャビティが、パイロメータで開口数を用いて示されている。図４Ｅは、反射器１０２の導管１２４に載置された一対の光パイプ１２６−１と１２６−２を示しており、それぞれが可撓性の光ファイバによってパイロメータ１２８に接続されている。パイロメータ１２８は、温度データのマルチチャネルの処理が可能なマルチチャネルデバイスであってよい。更に、パイロメータ１２８は、ユーザが選択可能なように開口数を設定してもよく、この開口数の設定が各チャネルに対して調節されてもよい。所与のチャネルの開口数は、通常モード（広い開口数）又は狭いモード（狭い開口数）に設定されてもよい。通常モードでは、可撓性の光ファイバから受けた光のうちのほとんどが処理されるのに対して、狭いモードでは、光ファイバから受けた光エネルギーの一部が処理前にフィルタリングされる。狭いモードでは、仮想のマイクロキャビティ効果が、物理的なマイクロキャビティを与えることなく、光パイプで実現される。この例では、２つのプローブ（光パイプ、光ファイバ及びパイロメータを含む温度測定デバイス）は、パイロメータ１２８のそれぞれのチャネルによって用いられる開口数を変更することによって、有効放射率が異なることを特徴とする。
【００５７】
図４Ｆは、反射器１０２の導管に載置された１本の光パイプ１２６を示す。光パイプ１２６に結合されているものは、一対の可撓性の光ファイバ１２５であり、それぞれがパイロメータ１２８の異なるチャネルに接続されている。ここでも２つのチャネルの開口数が調節されて仮想マイクロキャビティ効果を達成してもよい。
【００５８】
（放射率補正温度の測定）
プローブの端部の周囲の反射器の表面でマイクロキャビティを用いることにより仮想的な黒体に非常に近接した反射キャビティを作り出してはいるにもかかわらず、依然として有効放射率は１に等しくはならないだろう。換言すれば、測定温度は、基板から基板への放射率の変化に起因する未知の誤差成分を有しているからである。更に、放射率感度が変化する際に、あるいは「有効放射率」が変化する際に、未知の誤差成分により基板表面にわたって変化するだろう。従って、基板の局所領域に対する有効放射率の変化を測定し且つ補正する事により、それぞれの温度測定に対する正確さを更に改善することが望ましいだろう。異なる有効放射率（又は等価な意味で、異なる有効反射率）を有する２つの温度プローブ（又は、２つの異なる開口数で抽出された１つの温度プローブ）を用いて、基板の特定の局所領域における温度を測定することにより、リアルタイム且つインシチュウの温度測定が改善されてもよい。そして、これらのプローブにより測定された温度を用いて、局所的な温度に対する初期の測定の補正が得られる。そして、それぞれの局所温度読み出しに対する精密な温度補正は、それぞれの局所温度領域に対して導出される放射感度係数による初期の補正を調節することにより得られる。
【００５９】
図３Ａ〜Ｃを参照すれば、それぞれ異なる有効放射率ε1 、ε2 を有する２つの放射プローブ１５０、１５２を用いて、上述の初期温度補正を行う。第１のプローブ１５０は、前述のようにまた図４Ａ〜Ｄで示される如く、円筒状表面マイクロキャビティ４２の内側に配置される。第２のプローブ１５２は、その底部が比反射性の材料で覆われている円筒状のマイクロキャビティ４３の中に置かれてもよい。
【００６０】
第２のプローブ１５２は、シリコンドーナッツ（図示せず）により適所に保持されてもよい。第１のプローブの有効放射率ε1 は、第２のプローブの有効放射率ε2 よりも高い。具体例の１つでは、第１のプローブに対するマイクロキャビティ４２は第１のプローブ１５０とおよそ同じ直径を有し、第２のプローブ１５２に対するマイクロキャビティ４３は、第２のプローブ１５２の直径よりもかなり大きな直径を有しオーバーサイズである。このマイクロキャビティがオーバーサイズであるため、第２のプローブ１５２が反射器１０２から隔てられるようになり、第２のプローブ１５２に対する有効放射率を低くする。具体例の１つでは、マイクロキャビティ４３の直径は、マイクロキャビティ４２の直径の２倍である。
【００６１】
ここに説明した構成では、第１のプローブ（即ちプローブ１５０）に対する有効放射率は、第２のプローブ（即ちプローブ１５２）に対する有効放射率よりも大きいだろう。
【００６２】
プローブ１５２は、非反射コーティングを有するマイクロキャビティの中に配置される代わりに、基板１０６の裏側で約３〜４ミリメートル以内の長さだけ反射器表面の上方に突き出ている。しかし、第２のプローブ（即ちプローブ１５２）は、処理中に熱い基板からの放射により加熱されることを防止するため、基板の裏側に近付き過ぎて（及び、冷却された反射プレートから離れて）配置されてはならない。プローブの温度が高すぎるようにならざるを得ない場合は、プローブはダメージを受け、及び／又は、プローブに材料が堆積してその性能を下げてしまうだろう。更に、プローブを基板裏側に近付け過ぎれば、基板の温度に影響を与えてしまうだろう。更に、マイクロキャビティの中にプローブ１５２を配置する代わりに、（異なる開口数に設定されたパイロメータの別々のチャネルによって処理されるように放射を通過させるための２本の光ファイバを含む）仮想マイクロキャビティ効果が生じるように構成された１つのプローブを上述のように使用することができる。２つのプローブ（又は測定）が異なる有効放射率を生じさせるのであれば、他の幾何的関係の組合わせも可能である。後に明らかにするが、２つの選択されたプローブの幾何関係は、関連する有効放射率の差を最大になるように与える。
【００６３】
ここで説明された具体例では、低い有効放射率を生じさせるホール（穴）、マイクロキャビティ４３が他のプローブの有効反射率を阻害又は低下させないように、プローブ１５０、１５２は充分な距離の間隔をおいて配置される。しかし、基板の大体同じ領域の温度を測定しなくなるほど、２つのプローブがあまり離れ過ぎていてはならない。ここで説明された具体例では、これらの要求に適合すると思われる典型的な間隔は、１〜３ｃｍである。基板が回転する場合は、このことは、２つのプローブが配置される半径は、この量よりも大きく異なってはならないことを意味する。
【００６４】
２本のプローブ１５０、１５２に加えて、他の温度プローブを複数本（図示の明確さのため、図３には１本のみを示す）（即ち、図３で示される１５１ａ〜１５１ｆ）が、図４Ａ〜Ｄで説明されるタイプの複数の円筒表面マイクロキャビティ４２ａ〜４２ｆの内側に配置される。具体例の１つでは、１つ以上のマイクロキャビティ（例えば、マイクロキャビティ４２ｇ）を反射器１０２の中に含めて、プロセスの要請に応じて１つ以上のプローブ１５１ａ（〜１５１ｆ）の配置を変更できるようにしてもよい。その他のプローブ（即ち、プローブ１５１ａ〜１５１ｆ）のそれぞれの有効放射率は、第２のプローブ（即ちプローブ１５２）の有効放射率よりも高く、第１のプローブ（即ちプローブ１５０）の放射率にほぼ等しい。
【００６５】
ここに記載した具体例では、プローブ１５２に対する有効放射率を低く形成するためのマイクロキャビティ４３、ホールが他のプローブ１５１ａ〜１５１ｆのいずれの有効反射率を阻害ないし低下させないように、プローブ１５１、１５２は互いに十分な距離をもって配置されてもよい。更に、他のプローブ１５１ａ〜１５１ｆのそれぞれが、反射器１０２の周囲に間隔をおいて配置され、それぞれが局所温度を測定してもよい。具体例の１つでは、図３に示されるように、６本の他のプローブ（プローブ１５１ａ〜１５１ｆ）の全てが反射器１０２の周囲に間隔をおいて配置される。プロセスの要請に応じて、プローブ１０５，１５１ａ〜１５１ｆ及び１５２は別の分布パターンに従ってもよい。
【００６６】
（検量ないし校正）
それぞれの局所温度プローブに対する温度補正を実施するにあたり、まず、全てのプローブの検量が行われる。即ち、各プローブに対する有効反射率が最初に決められなければならない。これは、一組の特別製の検量用基板の補助によりなされ、図５Ａ及びＢにその概略が与えられる手順を用いてなされる。
【００６７】
第一の検量用基板は標準的な基板であり、事前に測定されて既知となっている放射率εcal-1 を有し、また、自身に埋め込まれる熱電対を有している。第一の検量基板の放射率は低いことが好ましく、０．３であれば好ましい。実際の基板温度は熱電対によって正確に測定され、次いで、パイロメータにより報告される温度と比較される。この様な基板は、例えば米国カリフォルニア州サンタクララのＳｅｎｓＡｒｒａｙ社により商業的に入手可能である。好ましくは、第一の検量用基板は、ＲＴＰチャンバ内で処理しようとするタイプの基板と実質的に同じ熱的な性質を有するように選択される。例えば、検量用基板は、少なくともプロセス基板と同じ材料（例えばシリコン）製であり、プロセス基板になされていると同じタイプの裏側（例えば、乱反射する窪んだ表面）を有しているべきである。
【００６８】
プローブ１５０、１５２に対する有効放射率を決定し、その後、所定のプローブに対して、他のプローブ群の配置のそれぞれについての放射率に対する特異的な感度を決定する。各プローブ１５０、１５２に関係した有効反射率（Ｒe1，Ｒe2）を決定するため、プロセスチャンバ内に第一の検量用基板が移送され（ステップ１６０）、処理チャンバの温度が所定の設定値まで上げられる（ステップ１６２）。所望の温度に到達したとき、基板の温度が、そこに埋め込まれた熱電対及び２つのプローブを用いて測定され、３つの別々の温度測定値Ｔreal（基板の実際の温度）、Ｔ1 （第１のプローブにより測定された温度）及びＴ2 （第２のプローブにより測定された温度）が与えられる。
【００６９】
これらの温度は、強度Ｉcal 、Ｉ1 及びＩ2 に変換される。Ｉcal は、キャビティが実際に理想的な黒体である場合にプローブが受容する強度である。［数１］の式（１）を用い、熱電対によって測定された温度Ｔrealから以下のように計算がなされる：
【００７０】
【数１１】
0004511724.tif 000012
パイロメータにより記録される温度Ｔ1 及びＴ2 は、同様の手法で、対応する強度（Ｉ1 ，Ｉ2 ）に変換し直される：
【００７１】
【数１２】
0004511724.tif 000013
プローブ１５０、１５２の有効放射率は、次に等しく：
【００７２】
【数１３】
0004511724.tif 000014
強度Ｉcal 、Ｉ1 及びＩ2 が既知であれば、最初の２つのプローブのそれぞれいついて有効反射率の算出は可能となる。［数７］の式（６）から、有効反射率は、以下のように実際の放射率と有効放射率の関数として表すことができ：
【００７３】
【数１４】
0004511724.tif 000015
有効放射率は測定された強度に関して表現することができるので（［数１３］の式（１１）参照）、この式は次のように書き直すことができ：
【００７４】
【数１５】
0004511724.tif 000016
この表現を用い、有効反射率の値Ｒ1 及びＲ2 が計算される（ステップ１６８）。
【００７５】
これらの有効反射率の値は、後の実際の基板の処理において以下に説明するインシチュウ温度補正の決定に用いられる。しかし、計算された有効反射率は、検量がなされた特定の処理システムのみに有効であることは理解されよう。例えば、プローブの幾何関係が変更されたり、システムの幾何関係が変更された場合は、システムの再検量をここに説明した手法で行い、有効反射率の新しい値を決定する必要が有るだろう。
【００７６】
ここで図５Ｂを参照し、所定のプロセスについて、基板の様々な局所領域に対する放射率感度データの導出方法を示す。具体的には、一組の検量基板にプロセスを行い、温度測定システムのその他のプローブ（即ちプローブ１５１ａ〜１５１ｆ）のそれぞれに対して、放射率に対する相対的な感度を特定する。具体例の１つでは、３枚の標準基板にプロセスを行うが、これら３枚の標準基板はそれぞれ、既に測定され既知となっている放射率εcalH（高いレベルの放射率、約０．９）、εcalM（中間のレベルの放射率、０．７）、εcalL（低いレベルの放射率、０．３）、を有している。このような基板は、標準的な半導体製造技術で製造することができる。
【００７７】
ＲＴＰチャンバ内で処理しようとする基板と実質的に同じ熱的性質を有するタイプの基板であるように、第２、第３、第４の基板を選択する事が好ましい。例えば、検量基板は少なくとも、処理用基板（シリコン等）と同じ材料製であるべきであり、また、処理用基板と同じタイプの裏面（例えば、散乱ひだ付き面等）を有しているべきである。
【００７８】
上記に指摘した通り、ＲＴＰツールにより実施されるプロセスは、そこで処理される基板の有効放射率に対して影響を与え得る。プロセス変数により基板に生ずる有効放射率への影響を低減するため、検量の手順におけるこの部分に対して選択されるプロセスは、その後の基板の処理においてＲＴＰツールで用いられるプロセスと同じであってもよい。プロセスの一例としては、シリコン基板の酸化プロセスが挙げられる。明確とする目的のため、ここでは、シングルプロセスについて説明する。しかし、アニールや窒化等のその他のプロセスを用いてもよい。
【００７９】
酸化プロセスでは、酸素リッチの環境中で基板を加熱し、その結果基板表面上に二酸化珪素の層が形成される。代表的な操作では、基板を１０５０℃に約６０秒間加熱する。基板を１００％酸素の環境に曝露し、その結果、基板表面上に厚さ約７５オングストロームの二酸化珪素の層を形成する。一般には、この酸化プロセスは、１０５０℃又はその付近で約０．８（オングストローム／℃）の温度感度を有している。ここで「温度感度」とは、所定の局所領域に地する温度が、理想的な温度である１０５０℃と異なっている場合に、その局所における酸化物層の厚さが、その差の℃毎に「温度感度」係数だけ薄く（温度が理想的な温度よりも高い場合は厚く）なることを意味する（このプロセスでは、１℃毎に０．８オングストロームである）。
【００８０】
酸化プロセスに対しては、ムクの表（おもて）面と、厚さ約１２８０オングストロームの窒化物でコーティングされた裏面（反射器１０２に近い方の面）とを有するシリコン基板を、高放射率レベル（約０．９）を示す基板として用いて用いてもよい。中間の放射率レベル（約０．７）を示す基板については、ムクの表面とムクの裏面（反射器１０２に近い方の面）とを有するシリコン基板を用いてもよい。低い放射率レベル（約０．３）を示す基板については、ムクの表面と、厚さ約１７００オングストロームの酸化物層の上に厚さ約５７０オングストロームのポリシリコン層をコーティングした裏面（反射器１０２に近い方の面）とを有するシリコン基板を用いてもよい。
【００８１】
放射率εcalHを有する第２の検量基板をプロセスチャンバに搬入し（ステップ１８０）、プロセスチャンバの温度を毎秒５０℃で昇温させて、所望の温度である約１０５０℃に到達させる（ステップ１８２）。この所望の温度で、約１００％酸素の環境に基板を約６０秒間曝露し、基板表面上に二酸化珪素層を成長させる（ステップ１８４）。所望の温度に達したとき、プローブ１５０、１５２をそれぞれ用いた基板温度測定を行い、３つ以上の別々の温度測定を生じさせる：Ｔ1（第１のプローブにより測定される温度）及びＴ2（第２のプローブにより測定される温度）である。
【００８２】
プローブ１５０、１５２に対する有効反射率（Ｒe1，Ｒe2）が、前述の検量基板のそれぞれに対して決定される（ステップ１８６）。これらの有効反射率を用いて、検量基板に対する補正温度を算出する。
【００８３】
検量基板の酸化プロセスが完了した後、基板に適用される実際の温度の分析が、温度プローブ（即ちプローブ１５１ａ〜１５１ｆ）に関する局所領域で決定される（ステップ１８８）。具体例の１つでは、温度プローブ１５１ａ〜１５１ｆに関する局所領域のそれぞれにおける酸化物（二酸化珪素）層の厚さを測定することによって、これを行ってもよい。
【００８４】
基板上の酸化物層の厚さを測定する装置は、従来技術で知られている。このような測定を行う装置の一例としては、米国ニュージャージ州フランダーズのルドルフ社(Rudolph)で製造されているエリプソメータ(ellipsomete)、型番ＦＥＩＩＩが挙げられる。このＦＥＩＩＩ型は、約０．１オングストロームに対する正確さを有している。
【００８５】
温度プローブ（プローブ１５１ａ〜１５１ｈ）のそれぞれに関連する二酸化珪素層の厚さを決定する。所与の局所に適用される温度の決定は、二酸化珪素層の厚さと所与のプロセスの温度感度とを基礎として行われる。
【００８６】
具体例の１つでは、このエリプソメータは基板の直径の端から端まで４９点の走査を行い、第２の検量基板の表面に堆積した二酸化珪素層の厚さに関する４９点のデータを得る。直径２００ｍｍの基板に対しては、４９点の走査により、測定点間隔が約４ｍｍとなり、基板の周縁部の残余部分は３ｍｍとなる。４９点の走査では、基板の一方のエッジから直線状に基板中心に向かって２４点の測定を行い４ｍｍ毎の測定値を取得し、２５点目の測定は基板のほぼ中心にくる。残りの２４点の測定については、基板中心から直線状に４ｍｍ毎に進み、最後の点を測定するまで続けられる。エリプソメータにより得られた酸化物層の厚さの基板上の位置に対するグラフが、図５Ｃに示される。従って、各半径位置に対して２つの測定値が記録される。各半径位置に対する２つの読み出しの平均を決定し、図５Dに示されるようにグラフをプロットする。
【００８７】
各測定値の半径方向の位置をｘ成分、この半径方向で測定された厚さをｙ成分とするグラフ（図５D）に、２４点の平均厚さデータをプロットした。局所温度プローブ（プローブ１５１ａ〜１５１ｆ）のそれぞれにおける二酸化珪素層の厚さ（Ｗ）の決定（Ｗａ〜Ｗｆ，添字は温度プローブ１５１ａ〜１５１ｆに対応）は、係るグラフ上で温度プローブの基板中心に対する半径位置を決めることにより行う。基板全面に対する平均厚さ（Ｗavg）を決定し、その後、平均厚さと各プローブにおける測定厚さの差（デルタ厚さ：ＷΔa-f，添字は温度プローブ１５１ａ〜１５１ｆに対応）を決定する。
【００８８】
各プローブ配置におけるデルタ厚さ（ＷΔa-f）は、そのプロセスに対する温度尾感度（例えば、０．８オングストローム／℃）を用いて温度の差（デルタ温度：ＴΔa〜ＴΔf，添字は温度プローブ１５１ａ〜１５１ｆに対応）に変換される。具体的には、デルタ温度（ＴΔa〜ＴΔf）の算出は、デルタ厚さ（ＷΔa-f）をプロセスの感度で除すことにより行われる。例えば、プローブ１５１ａにおけるデルタ厚さ（ＷΔa）は８オングストロームである場合は、このプローブに関するデルタ温度（ＴΔa）は約１０℃であるだろう。
【００８９】
各プローブ（１５１ａ〜１５１ｆ）におけるデルタ温度（ＴΔa-f）のデータの算出を同様の手法で行い、第２番目の検量基板について各プローブ配置に対するデルタ温度データを得ることができる。
【００９０】
残りの検量基板のそれぞれについても同様の手法でプロセスを行い、各プローブの配置に対するデルタ温度データを導出する（ステップ１９０、１９２）。その結果得られた温度データを、感度プロットにプロットする。
【００９１】
感度のプロット（プローブ１５１ａ〜１５１ｆのそれぞれに関する個々のプロット）が温度プローブの配置のそれぞれに対して行われ、この一例が図５Eに示される。図５Eに示されるように、感度プロットのそれぞれに対して、それぞれの温度プローブに対するデルタ温度データ（ＴΔa〜ＴΔf）をｙ成分として、ｘ軸に各検量基板についての調整温度（Ｔadj）をとるグラフにプロットする（ステップ１９０）。調整温度（Ｔadj）の決定については、後述のインシチュウ温度測定プロセス及び式１８ｂ及び１８ｃに関連して、詳細に説明することにする。処理済みの各検量基板についての各プローブに対する感度のプロットのグラフに対して、１つのデータの点（５００ａで指示）をプロットする。放射率の異なる３枚の検量基板を用いる具体例の１つでは、感度プロットに対して３つのデータ点（図５Eにおいて５００ａ、５００ｂ、５００ｃで指示）が与えられるだろう。そして、各感度プロットに対する感度曲線が決定される。
【００９２】
具体例の１つでは、感度曲線は、傾きＳa-f（添字は、関連する温度プローブ１５１ａ〜１５１ｆの感度係数を指示する）を有する直線で近似され、この特定の位置における放射率の変化に対するプローブの感度（デルタ温度データにより指示される）を指示する（ステップ１９６）。あるいは、もっと複雑な多項関数を含んだ近似法を用いてもよい。
【００９３】
温度測定値における誤差の原因となる影響には、エネルギーに関連する影響があり、これは指数項を持ち込んでしまう。従って、実際の誤差は直線ではない。しかし、誤差に対する直線近似は、このような非直線の影響に対して非常に良好に補償する。
【００９４】
無論、デルタ温度が検量基板の調整温度の関数として変化するような非直線の要素を考慮して、感度係数を更に最適化して得ることもできる。しかし、用途の多くでは、簡単な直線近似で、これ以上感度測定値を精密にする必要がないくらいの実質的な改善のレベルが得られる。
【００９５】
直線近似の具体例では、感度曲線の傾きは１だけ増分し、所定のプローブの場所に対する感度係数（ＳＦa-f：添字ａ〜ｆは特定のプローブ１５１ａ〜１５１ｆに対応）を与える。全てのプローブ（プローブ１５１ａ〜１５１ｆ）の場所に対する感度係数をベクトルとして保存して、インシチュウ温度測定プロセスの一部としての局所温度測定値のそれぞれに対して精密な温度補正（Ｔｒｅｆ）の決定に用いてもよい。
【００９６】
この検量の手順により、システムの第１の測定プローブの特徴をεeff （ε，Ｒeff ）曲線（図２参照）が与えるようになることは、注目すべきである。基板処理中に得られるインシチュウ温度測定値からその基板実際の放射率を決定することが、可能になるだろう。実際の放射率とεeff （ε，Ｒeff ）曲線を知ることにより、基板に対する有効放射率を計算して、これから所定の基板に対する補正温度Ｔcorr（式１８ａに関連して下記に説明するように、プローブ１５０に対する補正温度）を計算することが可能になる。その後、各プローブ配置に対する検量の手順の一部として導出される感度係数ＳＦa-fを用いて、基板の所定の局所領域に対して精密な温度補正を決定してもよい。補正温度に至るための手順の詳細は、以下の通りである。
【００９７】
（インシチュウ温度補正）
通常は、最も高い有効反射率を有するプローブ、例えば第１のプローブ１５０は、温度測定を行うように選択され；第２のプローブ（１５２）は補正プローブとして作用する。
【００９８】
第１の測定プローブの温度読み出しを補正する手順を説明する前に、基板の実際の放射率のための表現を導出することにする。前述の如く、［数１３］の式（１１）で示されているように、各プローブの有効放射率は、対応する放射エネルギー強度Ｉ1 、Ｉ2 に比例している。従って、有効放射率の比は、対応する放射エネルギーの強度の比と等しく、即ち：
【００９９】
【数１６】
0004511724.tif 000017
各プローブに対して、有効放射率は、実際の放射率及び対応する有効反射率の関数として表現でき、即ち；
【０１００】
【数１７】
0004511724.tif 000018
有効放射率の表現を上式に代入すれば、実際の放射率は以下のように、有効反射率と測定強度に関して表現できる；
【０１０１】
【数１８】
0004511724.tif 000019
この表現を導出することで、温度測定値の補正の手順を説明する準備が整った。
【０１０２】
図６を参照すれば、ＲＴＰの試行の開始時に、基板は処理チャンバ内に移送され（ステップ１７０）、所定の温度シーケンスに沿って温度サイクルが行われる（検量基板であってもよく、又は、処理しようとすることが望ましい他の検量後の基板であってもよい）。この温度シーケンスに従って基板がシーケンスされている間、プローブ１５０、１５２は、所定の抽出速度（例えば２０Ｈｚ）で基板の局所領域近くの放射エネルギーを抽出する（ステップ１７２）。各プローブに対する測定温度から、対応するプローブ放射エネルギー強度Ｉ1 及びＩ2 は、［数１２］の式（１０）の助けにより算出される。そして、実際の基板の放射率εが、各プローブの有効反射率に対して前に計算された値を用いて、［数１８］の式（１６）から計算される（ステップ１７４）。実際の放射率がわかれば、ベースプローブ１５０の有効放射率ε1 は、以下のように［数１７］の式（１５）から計算され：
【０１０３】
【数１９】
0004511724.tif 000020
最後に、補正温度（Ｔcorr150）が、プローブ１５０により測定された温度から、［数２］の式（２）、［数３］の式（３）から導出される以下の式を用いて算出される（ステップ１７６）：
【０１０４】
【数２０】
0004511724.tif 000021
補正温度データＴcorr150は下記の如く、測定温度Ｔmeas150（プローブ１５０について測定した温度）と調整温度（Ｔadj)との和であり、
【０１０５】
【数２１】
0004511724.tif 000022
調整温度（Ｔadj）は、３つの方法で用いることができる。１つは検量のためであり、あとの２つは基板のリアルタイム処理のためである。検量プロセスの間、第２、第３、第４の検量基板のそれぞれに対して調整温度が算出される。これら調整温度は、各温度プローブ（プローブ１５１ａ〜１５１ｆ）の場所に対して導出されるデルタ温度に対してプロットされ、各プローブの場所に対する感度係数ＳＦa-fが決定される。
【０１０６】
基板にリアルタイム処理を行っている間、処理しようとする基板に関する調整温度を用い、式１８ｂに従って第１のプローブ１５０の温度測定を補正する。更に、特定のプローブの場所に対する感度係数により調整温度を更に精密に調整して、基板のリアルタイム処理中の特定の場所に関する精密調整した補正温度Ｔref(a-f)（添字は特定のプローブ１５１ａ〜１５１ｆを示す）を決定する。この精密補正温度データと補正温度データの使用については、図１２に関連して更に詳細に説明することにする。
【０１０７】
リアルタイムでは、感度係数ＳＦa-fに対して補償することにより、調整温度Ｔadjを各温度プローブに対して精密調整する。この精密温度補正は、特定のプローブの場所における温度として定義され、これは、この特定のプローブの場所に関する放射率感度を基にした補正を含んでいる。精密温度補正Ｔref(a-f)の算出は、各温度センサの場所に対して行われ、
【０１０８】
【数２２】
0004511724.tif 000023
ここで、Ｔmeasa〜Ｔmeasfは、プローブ１５１ａ〜１５１ｆに関しリアルタイムで測定した温度である。
【０１０９】
何かの制御の決定がなされる前にプローブの測定温度が自動的に補正されるように、このアルゴリズムはコントローラ１９２（図１２）のソフトウェアにより実行されることが好ましい。
【０１１０】
図５は、プローブ１５１ａ〜１５１ｆの何れに対して精密温度を決定するためのプロセスの簡略的なフローチャートである。図１２に関して以下に更に詳細に説明するが、補正温度データを用いて加熱要素の制御を行う。生の温度データは、コントローラ１９２により受容される（ステップ２４０）。第１のプローブ（プローブ１５０）と第２のプローブ（プローブ１５２）の温度差を決定する（ステップ２４２）。実際のウエハ放射率を、式１６に関して上述した如く算出する（ステップ２４４）。そして、式１７に関して上述した如く、有効放射率を決定する（ステップ２４６）。次いで、補正温度と調整温度を算出する（ステップ２４８）。最後に、調整温度に所定のプローブに対する感度係数を乗じ、これに測定プローブ温度を加えて、精密温度測定値を得る（ステップ２５０）。
【０１１１】
（別の放射率補正の技術）
検量システムに対して、埋め込み熱電対をもつ検量用基板を用いる必要のない、別の更に簡易な技術が存在する。この別の技術には、裏側の放射率が正確にわかっている２つのウエハが必要である。一方のウエハは、１に近い放射率εhiを有しており、他方は、寄り低い放射率εlow を有している。ここに説明される具体例では、高放射率のウエハは、０．９４の誘電率を有する窒化物ウエハであり、低放射率のウエハは、ウエハの裏側、即ち温度プローブに面する側が０．３２の誘電率をもつ酸化物層を有するポリシリコンウエハである。
【０１１２】
前述のように、２つの隣接する温度プローブが用いられる。一方のプローブは、ここでは小開口プローブと称するが、高い有効反射率を与える。小開口プローブは、温度読み出しＴ1 を与え、処理中のウエハの温度の測定に用いられる。ウエハの裏側の放射率を明らかにするために補正されるのは、このプローブによって生じる温度（即ちＴ1 ）である。他方のプローブは、ここでは大開口プローブと称するが、より低い有効反射率を与える。大開口プローブは、温度読み出しＴ2 を与え、小開口プローブにより測定される温度に適用される補正を与えるために用いられる。２つのプローブが共に近接して、ほぼ同じ時間にウエハの同じ領域の温度を抽出することが望ましい。他方、プローブが近すぎる場合は、大開口プローブは低い放射率のウエハに対して、小開口プローブの温度測定に影響を与える。このことは、低い放射率のウエハに関して温度の非均一性を招くだろう。
【０１１３】
ここに説明された具体例では、２つのプローブは、ウエハの中心から同じ半径のところに配置され、約０．８５インチ離れている。小開口プローブは、反射プレート内の他の測定プローブの全てに対して用いられる構成を有している。以下の実施例の目的で、小開口プローブは、０．０８０インチの直径を有し、反射プレート内の直径約０．０８５インチの開口の内に位置され、反射プレートと同じ高さの最上端部を有する光パイプを用いる。大開口プローブは、その最上端部が反射プレートと同じ高さであるが反射プレート内でより大きな開口（即ち。０．３７インチ）内に位置される光パイプを用いている。大開口の目的は、大開口プローブに対して小開口プローブに比べて低い有効プローブ放射率（又は等価な意味で、低い反射キャビティの有効反射率）を与えるためである。従って、２つのプローブは、測定上異なる温度を生じさせるだろう。例えば、これら２つのプローブを用いた測定温度の差は、裏側の放射率が０．３４で実際の温度が１０００℃のウエハに対しては、約４０〜５０℃にもなる。
【０１１４】
上述のように、差の温度測定の信号対ノイズ比を向上させるように、２つのプローブの有効反射キャビティ反射率が大きな差を生じさせることが望ましい。従って、ここに説明された具体例に対してこのことが実施されている特定の方法は、目的達成の多くの方法の１つを例示しているに過ぎないことが理解されよう。
【０１１５】
前述の如く、黒体から発せられるエネルギーＩは、プランクの法則に従って、温度Ｔに関係し：
【０１１６】
【数２３】
0004511724.tif 000024
このケースでは、Ｔは、℃で測定されているので、この温度に２７３を加えることにより、［数２３］の式（１９）に要求されるケルビン温度と等価になる。変数を整理することにより、測定されたエネルギーＩE の関数としての温度の式を導出することができる：
【０１１７】
【数２４】
0004511724.tif 000025
換言すれば、この式を用いて、黒体の温度は、物体から発せられるエネルギーの量を知ることにより計算できる。
【０１１８】
（Ｔcorrを導出するための検量）
小開口プローブの温度読み出しに対する補正係数を与える手順が、図７に示される。この手順は、図７に示されているステップを参照しつつ説明される。
【０１１９】
まず、高放射率ウエハは、チャンバ内で、小開口プローブを用いて測定されながら温度Ｔprocess まで加熱され、２つのプローブは同じ温度読み出しを与えるように検量される（ステップ２１０）。検量が行われる前では、２つのプローブの実際の温度の読み出しは異なっているであろうが、高放射率ウエハを用いた場合は、これらが異なっている量は小さいであろう。
【０１２０】
小開口プローブの検量に必要な２つの測定値を求めるために、その後低放射率ウエハは温度Ｔprocess まで加熱される。基板のプロセス温度を決定するため、小開口プローブは低放射率ウエハのウエハ温度を正確に測定していると再び仮定する。下記に明らかにされるように、これは許容されると証明される仮定である。ウエハがＴprocess である間、その温度は、大開口プローブと小開口プローブの双方により測定される（ステップ２１２）。大開口プローブは、Ｔ2 ＝Ｔbigの測定温度を与え、小開口プローブは、Ｔ1 ＝Ｔsmall の測定温度を与える。デルタ温度、δＴ（εlow ，Ｔprocess ）は、これら２つの読み出しの間の差として定義され、即ち、δＴ（εlow ，Ｔprocess ）＝Ｔ1 −Ｔ2 である。
【０１２１】
次に、小開口プローブのウエハ放射率に対する実際の感度は、小開口プローブにより与えられる測定温度読み出しを実際の温度として用いて、ウエハのそれぞれ（即ち、低放射率ウエハと高放射率ウエハ）に注入アニールを実施することにより決定される。換言すれば、小開口プローブにより与えられる温度読み出しは、僅かに不正確であるという事実にもかかわらず、正確な温度読み出しとして仮定される。しかし、既知の如く、注入された層の膜抵抗値は、注入アニールの時間及び実際の温度に決定的に依存するだろう。更に、この依存性は正確に知られている。従って、同じ時間の量で異なるプロセス温度でアニールされた２つのウエハのそれぞれにおけるこの層の抵抗値を測定することにより、２つのプロセス温度の間の実際の差がどれほどかを、正確に決定することが可能であろう。
【０１２２】
低放射率ウエハと高放射率ウエハとの双方に対して同じ温度読み出しを小開口プローブが与える場合は、低放射率ウエハの実際の温度は、現実には、高放射率ウエハの実際の温度よりも僅かに高くなっているだろう。この事は、所定の実際のウエハ温度において、低放射率ウエハは同じ温度において高放射率ウエハが発するよりも低いエネルギーを発しているだろうことによる。従って、低放射率ウエハが発するエネルギーを高放射率ウエハが発するエネルギーと等しくするためには、その実際の温度が、高放射率ウエハの実際の温度よりも僅かに高くする必要がある。
【０１２３】
この２つの実際のウエハプロセス温度の差を決定するためには、高放射率ウエハに対して、小開口プローブを用いてプロセス温度をモニタして、一方の注入アニールが実施される。第２の注入アニールは、低放射率ウエハに対して、また小開口プローブを用いてプロセス温度をモニタして実施される。そして、これらのウエハのそれぞれの膜抵抗値が測定され、実施された特定のアニールのための既知の変換チャートを用いて、２つのウエハの実際のプロセス温度の差を正確に決定することが可能である。この結果は、Ｔerrlowで示される（ステップ２１４）。
【０１２４】
注入アニールを実施する代わりに、２つのウエハ上に酸化物層を成長させて、酸化物の厚さの差を求めることもできる。そして、酸化物の厚さの差は、既知の表を用いて変換されて、２つの酸化物の厚さを与える実際のプロセス温度の差の正確な測定値を与えることもできる。
【０１２５】
小開口プローブの実際の温度の誤差ＴerrlowがδＴ（ε，Ｔ）の線形関数であるとのモデルを用いることにより、補正係数Ｋcorrは、以下のように計算される（ステップ２１６）：
【０１２６】
【数２５】
0004511724.tif 000026
この例では、Ｋcorrは、１．２４６に等しい。
【０１２７】
（インシチュウ温度補正）
補正された温度Ｔcorrは、図１１のフローチャートに示されているように、小開口プローブ及び大開口プローブの温度測定から与えられる。ウエハ温度は小開口プローブ（ステップ２３０）及び大開口プローブ（ステップ２３２）を用いて測定され、それぞれ、Ｔ1 とＴ2 とが得られる。これらの測定温度の差（即ち、Ｔ1 −Ｔ2 ）が計算され（ステップ２３４）、Ｋcorrが乗ぜられて（ステップ２３６）、Ｔ1 に加えられて補正温度となるべき補正項となる（ステップ２３８）。換言すれば、
【０１２８】
【数２６】
0004511724.tif 000027
このテクニックの背景の原理及び、その結果、温度測定の正確さが向上することを、次に説明する。
【０１２９】
本質的には、小開口プローブの感度の測定は、どの有効放射率曲線が小開口プローブを適用するかを決定する。これは以下のように理解される。小開口プローブをプロセス温度のモニターとして用いつつ低放射率ウエハに注入アニールを実施する際に、ウエハの放射率は１つであると仮定する。この仮定を用いれば、ウエハにより発せられるエネルギーは、Ｔprocess において理想黒体により発せられるエネルギー、即ちＩ（Ｔprocess ，λ）と等しいことになる。しかし、前出のＴerrlowの決定では、ウエハの実際の温度がより高いことが示されており、即ち、Ｔprocess ＋Ｔerrlowである。従って、ウエハにより発せられるエネルギーも、このより高い温度における黒体により発せられるエネルギー（即ち、Ｉ（Ｔprocess ＋Ｔerrlow，λ）に低放射率ウエハの有効放射率（即ち、εeff,low ）を乗じたものに等しいと表現できる。換言すれば、
【０１３０】
【数２７】
0004511724.tif 000028
これは、以下のようにεeff,low の計算のための式に書き直すことができ：
【０１３１】
【数２８】
0004511724.tif 000029
ここで説明されている具体例では、εeff,low は０．８５５と算出される。そして、［数１９］の式（１７）を用いて、小開口プローブの有効反射率Ｒeffsmallは、以下のように、低放射率ウエハの有効放射率と実際の放射率を用いて計算され：
【０１３２】
【数２９】
0004511724.tif 000030
この例では、Ｒeffsmallは０．９２に等しい。
【０１３３】
Ｒeffsmallを知ることと、［数１７］の式（１５）を用いて、小開口プローブの見掛け放射率を実際のウエハの放射率の関数としてプロットすることができる。このプロットは、図８の上側の曲線で示されている。
【０１３４】
高放射率ウエハに関して得られている２つの温度測定値、即ち、Ｔbig とＴsmall により、同様の手法で、大開口プローブの有効放射率曲線を決定することができる。大開口プローブに関しては、測定された放射エネルギーＩ（Ｔbig ，λ）は、大開口プローブの有効放射率εeffbigに、より高いある温度Ｔactualにおいて黒体により発せられるエネルギーを乗じたものに等しくなることが知られている。同様に、小開口プローブに対しては、測定された放射エネルギーＩ（Ｔsmall ，λ）は、小開口プローブの有効放射率εeffsmallに、このより高い温度Ｔactualにおいて黒体により発せられるエネルギーを乗じたものに等しくなることが知られている。従って、以下の表現がなされ：
【０１３５】
【数３０】
0004511724.tif 000031
これは、更に、以下のように書き直されて一般化されて：
【０１３６】
【数３１】
0004511724.tif 000032
小開口プローブの有効放射率が知られることとなったため（上記を見よ）εefsmall は、以下の関係から計算でき：
【０１３７】
【数３２】
0004511724.tif 000033
ここで、εa は見掛け放射率、Ｒeff は有効反射率である。以前にＲeffsmallのために計算された値と高放射率ウエハの実際の放射率（即ち、０．９４）を用いて、εeffsmallの値は次のように計算でき：
【０１３８】
【数３３】
0004511724.tif 000034
εeffsmallの値を［数３１］の式（２７）に代入すれば、εeffbigが得られる。この例では、計算値は０．７４９である。
【０１３９】
［数１９］の式（１７）を用いれば、大開口プローブの有効反射率、即ちＲeffbigの値も計算できる。この例では、Ｒeffbigは０．８４２に等しい。
【０１４０】
Ｒeffbigを知ることにより、大開口プローブの見掛け放射率をプロットすることが可能となる。このプロットは、図８の下側の曲線である。検量のスキームの目的で、検量の信号対ノイズ比を増加させるように、これら２つの曲線（即ち、小開口プローブ及び大開口プローブのそれぞれの見掛け放射率曲線）を大きく離すことが望ましい。
【０１４１】
プロセスが行われている間、小開口プローブによる測定温度の補正が行われないのであれば、温度の誤差は、以下の式に等しくなり：
【０１４２】
【数３４】
0004511724.tif 000035
ここで、
【０１４３】
【数３５】
0004511724.tif 000036
この表現を［数３２］の式（２８）に代入して、
【０１４４】
【数３６】
0004511724.tif 000037
この関数のプロットは図９に示され（上側の実線の曲線を見よ）、これは、小開口プローブを用いた補正されない温度測定に導入され、基板放射率の低下に対して著しく上昇している。
【０１４５】
［数２４］の式（２０）を用い、小開口プローブ及び大開口プローブにより測定された温度の差、即ちδＴ（ε，Ｔ）は、以下のように計算でき：
【０１４６】
【数３７】
0004511724.tif 000038
図９における下側の点線の曲線は、補正温度測定の改善された正確性を、ウエハ裏側の放射率の関数として例示する。０．３〜１．０の放射率の範囲にわたって、誤差は１℃未満であることは注目されよう。換言すれば、上述のテクニックを用いて補正された温度読み出しは実質的に改善され、ウエハからウエハへの放射率の変動に対する補正温度読み出しの感度は、補正されない温度読み出しと比較して、大幅に減少する。
【０１４７】
図９から明らかなように、線形近似を行うことにより、実際の測定誤差を僅かに過剰補償する補正係数を生じさせた。補正係数を更に最適化する１つの方法は、低めの係数を用いることであり、例えば、０．９Ｋcorrを用いる等である。この方法で補正係数が増減された場合は、その結果の曲線は、放射率の範囲の大部分にわたってゼロエラーに大きく近付く（図９の点線を見よ）。
【０１４８】
小開口プローブ温度測定における誤差の原因となる効果は、エネルギーに関連した効果であり、これは指数項を導入する。従って、実際の誤差は非線形である。それにもかかわらず、誤差に対する線形近似は、これらの非線形効果の補償に関し大変うまくいく。
【０１４９】
無論、補正係数の更なる最適化は、補正係数が２つのプローブの間の温度差の関数として変化する非線形の方法を考慮することにより得る事ができる。しかし、多くの用途においては、単なる線形近似により得られる改善の実質的なレベルは、補正温度測定を更に洗練させる必要性をなくさせる。
【０１５０】
δ（ε，ｔ）に対する式（即ち数［３７］の式（３３））の正確性の評価のため、計算値は、２つのプローブの間の温度差の実際の実験値と比較された。この比較は、図１０に示される。
【０１５１】
一番上の曲線は、放射率０．３２を有するウエハに関するものであり、まんなかの曲線は、放射率０．６７を有するウエハに関するものであり、下側の曲線は、放射率０．８２を有するウエハに関するものである。実験データはグラフにおいて、「ｘ」の集合及び「＋」の集合で示される。実験データを得るために、ウエハはチャンバ内に配置されて、温度が１０００℃まで急激に上昇した。５００℃を越えた各１００℃のステップでは、約１０秒間温度が安定化され、そして、各プローブの読み出しが記録された。これら２つの読み出しの差は、δＴ（ε，Ｔ）に対応している。各温度で生じているばらつきは、測定におけるノイズによるものである。図１０は、実験データがこのモデルの正当性を証明していることを示している。
【０１５２】
第２のプローブに関連する有効反射率を減少するために、別のテクニックを用いてもよいことは理解されるだろう。上述の２つのテクニックは、反射プレートの表面の上にプローブを持ち上げること又は、プローブの周囲の開口を拡大することにより行われた。別のテクニックは、例えば、（１）プローブの周囲に吸収ドーナツ（例えば、窒化珪素でカバーされた領域）を形成することにより、プローブの周囲の反射プレートの反射率を減少させる事；（２）プローブの周囲の光パイロメータのバンド幅にわたって反射プレートの反射率を減少させる事；又は、（３）ファイバの出力でアパーチャーを置くことによりプローブの視野角を減少させる事、を含んでいる。
【０１５３】
第２のプローブに減少された視野角が用いられた場合、開口のサイズは減少する一方で、２つのプローブを用いた約４０℃の測定温度差を実現する。従って、このアプローチを用いて、第２のプローブが第１のプローブの温度測定に対してなす影響を最小にすることができ、また、プローブをもっと互いに近づけるように移動させることができるようになる。
【０１５４】
上述の補正のテクニックを実施する代りの別のテクニックは、図８の一番上の線をもっと高く動かすように、即ち１に近付けるように、チャンバを再設計することである。しかし、上述のように誤差を単に補正する事に比べて、このチャンバの再設計は、著しく困難な作業であろう。
【０１５５】
（ＲＴＰシステムについての更なる詳細）
上述の如く、図３Ｃに示されるように、ここに説明された具体例では、基板において半径方向に異なる場所の温度を測定できるように、反射器の上に分布する８つの測定プローブ（即ち、プローブ１５０，１５１ａ〜１５１ｆ，及び１５２）を用いることができる。熱処理の間、支持構造体１０８は約９０ＲＰＭで回転される。従って、各プローブは、基板上の対応する環状の領域温度プロファイルを実際に測定する。
【０１５６】
前出のインシチュウ温度測定技法に関連して説明したように、プローブ１５１ａ〜１５１ｆのそれぞれに対する温度指示値の補正は、プローブ配置についての放射率の変動に対する個々の感度に従って行われる。
【０１５７】
基板を回転させる基板支持構造体は、基板外縁のまわりで基板に接触する支持リング１３４を有し、外縁の周囲の小さな環状の領域を除いた全ての基板下側が露出される。支持リング１３４は、約１インチ（２．５ｃｍ）の放射方向幅を有している。処理中に基板１０６のエッジで生じるだろう熱的な不連続を最小にするため、支持リング１３４は基板と同一又は類似の材料、例えばシリコン又は酸化珪素でできている。
【０１５８】
支持リング１３４は、パイロメータの周波数の範囲で不透明になるよう、シリコンでコーティングされた回転式の卓状のクオーツシリンダ１３６上に載せられる。クオーツシリンダ上のシリコンコーティングは、強度測定に悪影響を与えるかも知れない外部のソースからの放射を遮断するバッフルとして作用する。クオーツシリンダの底部は、複数のボールベアリング１３７上に置かれる環状の上側ベアリングレース１４１によって、支持され、ボールベアリング１３７は、静的な環状の下側ベアリングレース１３９内部に支持されている。ボールベアリング１３７は、スチール製で窒化珪素のコーティングがなされ、操作中の粒子の発生を減少させる。上側ベアリングレース１４１は、熱処理中に約９０ＲＰＭでシリンダ１３６、ガードリング１３４及び基板１０６を回転させるアクチュエータ（図示されず）に磁気的に結合される。
【０１５９】
図３Ｂを参照すれば、支持リング１３４は、クオーツシリンダ１３６に対して光の緊密なシールを形成するようにデザインされる。クオーツシリンダの内径よりも僅かに小さな外径を有する円筒形状のリップ１３４ａが、支持リング１３４の底面から延長し、図示の如くシリンダの内側にフィットして、光シールを形成する。支持リングの内側には、基板１０６を支持するためのシェルフ１３４ｂが存在する。シェルフ１３４ｂは、支持リングの内円の周囲で支持リングの残りよりも下側の領域である。
【０１６０】
チャンバ本体にフィットするパージリング１４５は、クオーツシリンダを包囲する。パージリング１４５は、上側ベアリングレース１４１の上方の領域に開いている内部環状キャビティ１４７を有している。内部キャビティ１４７は、通路１４７を介して、ガス供給器（図示されず）へ接続される。処理中は、パージガスがパージリング１４５を介してチャンバ内へと流入する。
【０１６１】
支持リング１３４は、クオーツシリンダを越えて延長するように、クオーツシリンダの半径よりも大きな半径を有している。支持リング１３４のシリンダ１３６を越える環状の延長部分は、その下に配置されるパージリング１４５と協働で、基板の裏側で迷光が反射キャビティ内に進入することを防止するバッフルとして機能する。反射キャビティ内に迷光が反射して進入することを更に防止するために、支持リング１３４とパージリング１４５は、加熱要素１１０により発生した放射エネルギーを吸収する材料（例えば、黒又はグレーの材料）でコーティングされていてもよい。
【０１６２】
上記に指摘している通り、光パイプ１２６はサファイア製である。サファイア光パイプが一般的に好ましくアノード、その理由は、比較的小さな散乱係数を有し、大きな横方向の光を大きく排除し、大きな測定の局所化を与えるからである。しかし、光パイプは、抽出された放射エネルギーをパイロメータに伝達する例えばクオーツ等の適当な耐熱耐腐食材料製であってもよい。適切なクオーツファイバ光パイプ、サファイアクリスタル光パイプ、及び光パイプ／導管カプラーは、米国ラクストロン社、Luxtron Corporation-Accufiber Division,2775 Northwestern Parkway, Santa Clara,CA 95051-0903 で入手可能である。あるいは、放射エネルギー抽出システムは、反射器１０２内に載置された小半径対物レンズとレンズによって収集された放射エネルギーをパイロメータへ流通させるミラー及びレンズのシステムとを有する光学システムであってもよい。このようなスキームは、適当なオフシェルフ光学要素が見出せたならばサファイアパイプよりも安価であろう。あるいは、光パイプは、高度に研磨された反射内面を有するチューブで形成されてもよい。
【０１６３】
適切な加熱要素１１０は、米国特許第５，１５５，３３６号に開示されている。この加熱要素は、１８７の光パイプを用いて、タングステン−ハロゲンランプからの高度にコリメートされた光を処理チャンバ１００へ供給する。ランプは、放射方向に対称的なように配置された１２のゾーンに別れている。これらのゾーンは、ゾーンごとに調整でき、基板１０６の別々の領域への放射加熱を制御せしめる。
【０１６４】
図３Ａの具体例では、ベース１１６は循環回路１４６を有し、これを介してクーラントが循環して、反射器及び反射面を冷却する。典型的に２３℃の水がベース１１６の中を循環して、反射器の温度を、加熱された基板の温度よりも充分低い温度（例えば１００以下）に維持する。ＲＴＰ処理の間は、反射器を冷却して、その表面に生じるかも知れない化学活動の可能性を小さくすることが重要である。反射器が加熱されるようなことがあれば、このことが表面の酸化を促進して、反射層の反射性を深刻に損ねてしまう。有効放射率の向上は、高度に反射性を有する表面を有してこれを維持することにより達せられる。更に、反射器組立体は昇温すれば、抽出信号に影響を与える放射エネルギー源となってしまうだろう。
【０１６５】
ここに説明される具体例では、パイロメータ１２８は、約９５０ｎｍで狭いバンド幅（例えば４０ｎｍ）を有している。また、クオーツウィンドウの裏側が、波長のこの狭いバンド全てにおいて熱放射エネルギーに関して透明な不活性材料でコーティングされ、加熱ソースが反射キャビティ内に迷光を導く可能性を減少させることが望ましい。
【０１６６】
一般的には、シリコン基板の処理のためのシステムが長い放射波長（例えば約３．５〜４μｍよりも大きな波長）を検出するパイロメータを用いることが望ましい。しかし、このアプローチは、７００℃よりも高い温度に最もよく適合する。室温では、シリコンウエハは、１．０μｍよりも長い光の波長に対して透明である。基板温度が上昇するにつれて、基板は７００℃までは長い波長に対して不透明になり、７００℃では、着目する全ての波長に対して基板は不透明になる。従って、７００℃より低い温度では、長波長に感応するパイロメータが、加熱ソースから直接来る光を検出することにも更に適している。簡潔に言えば、パイロメータにより抽出される波長は、プロセス温度を考慮するべきである。プロセス温度が実質的に７００℃よりも低い場合は、パイロメータは１．１μｍよりも短い波長を抽出すべきである。より高いプロセス温度が用いられた場合は、もっと長い波長が抽出可能である。
【０１６７】
非常に低いプロセス温度（例えば６００゜Ｋ（３２７℃））では、１．１μｍよりも短い波長で発生する黒体スペクトル放射率エネルギーの量はごく小さい。その結果、６００℃よりも低い温度では、充分な信号対ノイズ比を得ることはまったく困難である。
【０１６８】
１つのデザイン、特に９００℃〜１３５０℃の間のプロセス温度に適したデザインでは、０．９μｍ〜１．０μｍの間の波長での放射エネルギーに感応するソリッドステートパイロメータが用いられる（例えば、９００−ＬＰ−６．３５Ｃｓｅｎｓｏｒを１００−Ｓ８ＭＳ−Ｂ−ＣＶ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｂｏｘと組合わせる。これらは、Luxtron Corporation-Accufiber Divisionから入手可能である。）。この温度範囲で、０．９〜１．０μｍの波長で発生する放射エネルギーが実質的な量で存在し、高い信号強度及び高い信号対ノイズ比を与える。
【０１６９】
図１２は、所望の温度において基板を加熱するための制御ループを示す。これは、複数の温度センサ１９０（即ちパイロメータ及び光パイプ）からの抽出出力を用いている。加熱要素１１０は、放射ゾーン内に配置された１８７個のタングステン−ハロゲンランプを有している。ランプの各ゾーンは、マルチゾーンランプドライバ１９４により別々に電力が与えられ、マルチゾーンランプドライバ１９４は、マルチ入力、マルチ出力のコントローラ１９２によって制御されている。基板は約９０ｒｐｍで回転しており、基板１０６の裏側の別々の放射配置で複数の温度測定がなされているため、各温度プローブは、基板の別々の環状の領域の平均温度を与える。この環状の領域は、加熱ランプの半径方向領域と一致する。コントローラ１９２は、温度センサ１９０により生成する温度測定値を受信し、上述の精密温度補正アルゴリズムに基づいて温度（Ｔrefx）を補正し、コントローラ１９２に供給される所定の温度サイクルプロファイル１９６により特定される基板温度が達成させるように、加熱ランプの電力レベルを調整する。プロセスサイクルにわたり、所望の温度プロファイルからはずれた温度のばらつきを補正するように、コントローラは別々のランプゾーンに供給される電力のレベルを調整する。その他の具体例も、特許請求の範囲の中に含まれる。
【０１７０】
【発明の効果】
以上詳細に説明してきたように、本発明は、反射率の変化を温度の関数に適応させるリアルタイム且つインシチュウの温度補償を提供する。この検量の手順は、単純且つ、典型的には、所定のチャンバ構造に対しては一度試行すればよいだけである。また、本発明に従った温度測定は、安定で再現性の高い固体検出器を用いる事ができる。
【０１７１】
従って、改善された再現性及び均一性をもって信頼性の高い温度測定が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  反射器が基板近くに配置される、基板温度測定スキームの断面図である。
【図２】  有効反射率の異なる値に対して実際の放射率の関数としてプロットされた有効放射率のグラフである。
【図３Ａ】  ＲＴＰシステムの側面断面図である。
【図３Ｂ】  支持リングの詳細の断面図である。
【図３Ｃ】  反射器を例示するものであり、図３Ａの３Ｃ−３Ｃ線に沿った断面図である。
【図４Ａ】  反射器に包含される測定向上表面の種々の造作の側面断面図である。
【図４Ｂ】  反射器に包含される測定向上表面の種々の造作の側面断面図である。
【図４Ｃ】  反射器に包含される測定向上表面の種々の造作の側面断面図である。
【図４Ｄ】  反射器に包含される測定向上表面の種々の造作の側面断面図である。
【図４Ｅ】  反射器に包含される測定向上表面の種々の造作の側面断面図である。
【図４Ｆ】  反射器に包含される測定向上表面の種々の造作の側面断面図である。
【図５Ａ】  ＲＴＰチャンバのインシチュウ温度補正の検量のスキームのフローチャートである。
【図５Ｂ】  ＲＴＰチャンバのインシチュウ温度補正の検量のスキームのフローチャートである。
【図５Ｃ】  エリプソメータによる基板の処理後分析から導出されたプロットである。
【図５Ｄ】  本発明に従った検量プロセス中に検量基板の表面上に堆積した酸化物層の平均厚さのプロットである。
【図５Ｅ】  感度係数（ＳＦ）の決定に用いるための温度プローブに対する感度曲線のプロットである。
【図５Ｆ】  本発明に従ったＲＴＰツールのリアルタイム操作に対して精密温度を決定するためのプロセスの単純化したフローチャートである。
【図６】  温度測定の正確さを決定するためにインシチュウで放射率を測定するためのスキームのフローチャートである。
【図７】  ＲＴＰチャンバ内で温度測定プローブの検量のための別の技術のフローチャートである。
【図８】  小開口プローブと大開口プローブの双方の、実際のウエハの放射率の関数としての見掛け放射率のプロットのグラフである。
【図９】  補正なしの温度測定の誤差と補正された温度測定とを、実際のウエハの放射率の関数としてプロットしたグラフである。
【図１０】  小開口プローブと大開口プローブにより測定された温度の差に対する実験値と計算値のグラフである。
【図１１】  温度測定プローブから補正温度を計算するステップを示すフローチャートである。
【図１２】  温度制御システムの模式図である。
【符号の説明】
１０…基板、２２…熱反射器、２７…アパーチャー、２８…光パイプ、４２…マイクロキャビティ、１００…処理チャンバ、１０２…反射器、１０６…シリコン基板、１０８…基板支持体、１０９…局所領域、１１０…加熱要素、１１２…放射エネルギー、１１４…水冷クオーツウィンドウ組立体、１１６…ベース、１１８…反射キャビティ、２０…コーティング、１２４…導管、１２５…光ファイバ、１２６…温度プローブ、１２８…パイロメータ、１２９…アパーチャー、１３４…支持リング、１３６…シリンダ、１３７…ボールベアリング、１３９…下側ベアリングレース、１４１…上側ベアリングレース、１４５…パージリング、１４６…循環回路、１４７…内部環状キャビティ、１５０，１５２…放射プローブ、１９０…温度センサ、１９２…コントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図９】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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