【事件の表示】
　平成　３年特許願第１３３４１７号「半導体装置の製法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　５年　３月１９日出願公開、特開平　５−　６７７０３、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年５月８日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、平成１０年１２月２１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものと認める。
【請求項１】エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止して半導体装置を製造する方法であって、上記エポキシ樹脂組成物として下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含み、下記の（Ｃ）成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の７０〜８５重量％に設定されているエポキシ樹脂組成物を用い、かつエポキシ樹脂組成物による樹脂封止時に、後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂。
【化１】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（１）
［上記式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基である。］
（Ｂ）下記の一般式（２）で表されるフエノールノボラツク樹脂。
【化２】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（２）
［上記式（２）において、ｎは０または正の整数である。］
（Ｃ）無機質充填剤。
【請求項２】　エポキシ樹脂組成物が、トランスフアー成形温度におけるゲ
ル化時間が１０〜４０秒である請求項１記載の半導体装置の製法。
（以下、請求項１、２に記載された発明を、本願発明１、２という。）
２．原査定の拒絶の理由
　本願発明１、２は、下記引用例１、２に記載された発明、または該発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、または特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
引用例１：特開平３−４７８２７号公報
引用例２：特開平３−９３８２８号公報
３．引用例の記載
　引用例１には、耐吸湿ハンダクラック性に優れ、成形時のバリの発生もない成形性良好な半導体の封止用エポキシ樹脂組成物として、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分に含まれる成分を含み、（Ｃ）成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の５０〜９０重量％である組成物が記載され、その樹脂組成物の成形に公知のトランスファー成形が採用できることが記載されている（１頁右下欄１９行〜２頁左上欄１行、２頁右上欄１９行〜３頁左上欄４行、３頁左上欄１３〜１９行、３頁右上欄１４行〜同頁左下欄２０行参照）。
　引用例２には、反応性に優れ内部応力が低く耐熱性に優れた硬化物を与える封止用エポキン樹脂組成物として、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分に含まれる成分を含み、（Ｃ）成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の５０〜８５重量％である組成物が記載され（特許請求の範囲、３頁右下欄下から３行〜４頁左上欄６行、４頁右下欄８〜１５行、５頁右上欄４〜１７行参照）、さらに、該エポキン樹脂組成物に関して「低圧トランスファ一成形機を用いて金型温度１８０℃、成形時間１８０秒で成形した試験片の１８０℃で８時間ポストキュアー後のガラス転移温度及び曲げ弾性率、並びに同様に低圧トランスファ一成形機を用いて金型温度１８０℃、成形時間１８０秒で模擬素子を封止して４４ピンＦＰＰ（フラットプラスチックパッケージ）を得、１８０℃で８時間ポストキューアした後のはんだ耐熱性を、それぞれ測定した。」（６頁左下欄下から５行〜同頁右下欄５行）と記載されている。
４．対比・判断
４−１．本願発明１について
　引用例１，２には、前記３．より明らかなように、エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止して半導体装置を製造する方法であって、上記エポキシ樹脂組成物として前記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含み、（Ｃ）成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の７０〜８５重量％に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いることを特徴とする半導体装置の製法の発明が記載されており、この点で、本願発明１と共通すると認められるものの、次の点で相違する。
　すなわち、本願発明1は、トランスフアー成形に関して、「エポキシ樹脂組成物による樹脂封止時に、後硬化工程を省略する」としているのに対し、引用例１に記載の発明においては、公知のトランスファー成形が採用できるとするのみでその具体的な説明がなく、後硬化工程を省略するか否か不明であり、引用例２に記載の発明においては、前記３．から明らかなように、後硬化工程を行うことを前提としていると認められる点。
　そこで、前記相違点について検討するに、エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止するに際して「後硬化工程を省略する」ことが本願の出願前に周知であったとする証拠はないから、引用例１の、公知のトランスファー成形を採用できる旨の記載が、そのトランスファー成形に際して「後硬化工程を省略する」ことをも含む記載であるとすることはできず、したがって、本願発明が引用例１に記載された発明であるとすることはできない。
　また、引用例２には、前記したように、エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止し後硬化工程を行うことを前提とする旨が記載(「８時間ポストキューア」の記載）され、その後硬化工程を省略することを示す記載はないから、本願発明が引用例１に記載された発明であるとすることはできない。
　さらに、引用例１、２には、前記したように、引用例１、２に記載の発明において「後硬化工程を省略する」ことを示す記載はなく、また、「後硬化工程を省略する」ことが本願の出願前に周知であったとの証拠もないから、引用例１，２に記載された発明から前記相違点に係る本願発明の構成が当業者に容易に想到され得たことであるとすることはできない。
　そして、本願発明１は、前記相違点に係る構成を採用することにより、明細書中に記載されたとおりの、特に、実施例１〜５と比較例１〜５との対比により示される、曲げ強度、吸水率、クラック性に係る顕著な効果を奏したものであり、この効果は、引用例１，２に記載された発明からは予想できないものである。
　してみれば、引用例１、２に記載された発明を総合しても、本願発明１が当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
４−２．本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１を引用するものであり、本願発明１の前記相違点に係る構成を必須の構成とするものであるところ、該相違点に係る構成が引用例１，２に記載された発明から容易に想到することができず、その相違点に係る構成を有する本願発明１が引用例１，２に記載された発明であるとも、引用例１、２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないことは前記したとおりであるから、本願発明２も、本願発明１と同様の理由により、引用例１，２に記載された発明であるとも、引用例１、２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては本願を拒絶すべきものであるとすることはできない。
　また、他に、本願を拒絶すべきものであるとする理由を発見しない。
　よって、結論のとおり、審決する。