【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＮ基を含むｉ型シリコン層と、
前記ｉ型シリコン層の上側又は下側に形成された導体層と、
前記ｉ型シリコン層と前記導体層との間に形成された半導体層とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子。
【請求項２】
前記ｉ型シリコン層は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン及び単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項３】
前記半導体層は、ｐ型又はｎ型の微結晶シリコン、ｐ型又はｎ型のアモルファスシリコン、ｐ型又はｎ型のポリシリコン及びｐ型又はｎ型の単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項４】
前記導体層は、太陽電池の下側導体電極であり、
前記ｉ型シリコン層の前記下側導体電極と反対側に形成された上側導体電極をさらに備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項５】
前記下側導体電極及び上側導体電極の一方は、太陽光に対して透明な導体からなり、
前記下側導体電極及び上側導体電極の他方は、太陽光に対して不透明な導体からなることを特徴とする請求項４に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項６】
前記ｉ型シリコン層と前記導体層との間に形成された絶縁体層をさらに備えていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項７】
前記絶縁体層は、ニ酸化シリコン（ＳｉＯ２）、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、四窒化三シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、シリコンオキシナイトライド、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び三酸化タングステン（ＷＯ３）のうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項６に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項８】
下側導体電極と、
前記下側導体電極の上に形成されたＣＮ基を含むｉ型のシリコン層と、
前記ｉ型のシリコン層の上に形成された上側半導体層と、
前記半導体層の上に形成された上側導体電極とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子。
【請求項９】
前記上側半導体層は、ｐ型又はｎ型の微結晶シリコン、ｐ型又はｎ型のアモルファスシリコン、ｐ型又はｎ型のポリシリコン及びｐ型又はｎ型の単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項８に記載のシリコン光電変換素子。
【請求項１０】
ｐ型シリコン層とｎ型シリコン層とが積層されたｐｎ接合シリコン層を備え、
前記ｐ型シリコン層及びｎ型シリコン層は、ＣＮ基を有していることを特徴とするシリコン光電変換素子。
【請求項１１】
導体材料、半導体材料又は絶縁体材料からなる基板の上にシリコン層を形成する工程（ａ）と、
前記シリコン層とシアノイオンを含む溶液とを反応させることにより、前記シリコン層にシアノイオンを導入するシアン処理を行う工程（ｂ）とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコン層は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン及び単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１１に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ）は、前記基板を前記シアノイオンを含む溶液に浸漬する工程であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ａ）よりも前に、前記基板の上に下側半導体層を形成する工程（ｃ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１１から１３のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ａ）よりも前に、前記基板の上に下側導体電極を形成する工程（ｄ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１１から１４のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１６】
前記基板は絶縁性の基板であることを特徴とする請求項１５に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１７】
前記下側導体電極は、前記基板と接するように形成することを特徴とする請求項１５又は１６に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（ａ）よりも後に、前記シリコン層の上に上側導体電極を形成する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１１から１７のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（ｅ）は、前記工程（ｂ）よりも前に行うことを特徴とする請求項１８に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ａ）よりも後に前記シリコン層の上に絶縁体層を形成する工程（ｆ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１１から１７のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｆ）よりも後で且つ前記工程（ｂ）よりも前に、前記絶縁体層の上に上側導体電極を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項２０に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項２２】
前記工程（ａ）よりも後に、前記シリコン層の上に上側半導体層を形成する工程（ｇ）をさらに備えていることを特徴とする請求項１１から２０のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項２３】
前記工程（ｇ）よりも後で且つ前記工程（ｂ）よりも前に、前記上側半導体層の上に上側導体電極を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項２２に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項２４】
前記工程（ａ）よりも後で且つ前記工程（ｂ）よりも前に、前記シリコン層に光を照射する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１１から２３のいずれか１項に記載のシリコン光電変換素子の製造方法。
【請求項２５】
シリコン層及び前記シリコン層の上に形成された絶縁体層を有するシリコン光電変換素子を準備する工程（ａ）と、
シアノイオンを含む処理液を準備する工程（ｂ）と、
前記処理液を用いて、前記絶縁体層を介して前記シリコン層にシアノイオンを導入するシアン処理を行う工程（ｃ）とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子の処理方法。
【請求項２６】
前記工程（ａ）は、前記絶縁体層の上に導体電極を形成する工程を含み、
前記工程（ｃ）は、前記導体電極及び前記絶縁体層を介して前記シリコン層にシアノイオンを導入するシアン処理を行う工程であることを特徴とする請求項２５に記載のシリコン光電変換素子の処理方法。
【請求項２７】
前記工程（ａ）において、前記シリコン層は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン及び単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項２５又は２６に記載の処理方法。
【請求項２８】
前記工程（ｃ）は、前記素子を前記処理液に浸漬する工程であることを特徴とする請求項２５から２７のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項２９】
前記工程（ｃ）より前に、前記シリコン層に光を照射する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項２５から２８のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項３０】
シリコン層と、前記シリコン層の上に形成された上側半導体層とを有するシリコン光電変換素子を準備する工程（ａ）と、
シアノイオンを含む処理液を準備する工程（ｂ）と、
前記処理液を用いて、前記上側半導体層を介して前記シリコン層にシアノイオンを導入するシアン処理を行う工程（ｃ）とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子の処理方法。
【請求項３１】
シリコン層と、前記シリコン層の上に形成された絶縁体層とを有する基板を準備する工程（ａ）と、
シアノイオンを含む処理液を準備する工程（ｂ）と、
前記処理液を用いて、前記絶縁体層を介して前記シリコン層にシアノイオンを導入するシアン処理を行う工程（ｃ）とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子の処理方法。
【請求項３２】
シリコン層と、前記シリコン層の上に形成された上側半導体層とを有する基板を準備する工程（ａ）と、
シアノイオンを含む処理液を準備する工程（ｂ）と、
前記処理液を用いて、前記上側半導体層を介して前記シリコン層にシアノイオンを導入するシアン処理を行う工程（ｃ）とを備えていることを特徴とするシリコン光電変換素子の処理方法。
【請求項３３】
前記上側半導体層は、ｐ型又はｎ型の微結晶シリコン、ｐ型又はｎ型のアモルファスシリコン、ｐ型又はｎ型のポリシリコン及びｐ型又はｎ型の単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項３２に記載の処理方法。
【請求項３４】
前記シリコン層は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン及び単結晶シリコンのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項３１から３３のいずれか１項に記載の処理方法。