【事件の表示】
　平成　６年特許願第１９０２７６号「回線接続検出回路」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　２月２７日出願公開、特開平　８−　５６０１２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
平成１２年１２月１４日付け手続補正を却下する。
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．平成１２年１２月１４日付け手続補正について
　１）手続の経緯、補正発明
　本願は、平成６年８月１２日の出願であって、原査定に対してなされた審判請求の日から所定期間内の平成１２年１２月１４日付けで手続補正書が提出されたものである。
　この手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第１項第３号の規定に該当するものであり、特許請求の範囲に関しては、その減縮を目的とし、また、この手続補正書により補正される特許請求の範囲の各請求項に記載された事項により特定される発明のうち、請求項１に記載される事項により特定される発明（以下、補正発明という）は次のとおりである。
　「発光素子と高感度かつ漏れ電流の小さい受光特性の受光素子とを対向配置して両者を光学的に結合してなるフォトカプラを具え、通信回線への接続に応じて、局側から通信回線を介して供給されている局供給電流を、前記フォトカプラの発光素子に供給するように構成された回線接続検出回路において、
　前記発光素子は、半導体基板上に発光領域を有する半導体層が設けられ、この半導体層は、電流阻止層によって発光領域が狭窄されている電流狭窄型発光ダイオードで構成され、前記発光素子は前記局供給電流で安定した発光動作を行うことを特徴とする回線接続検出回路。」
　２）引用例に記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である実願平４−６７２５０号（実開平６−２６３３８号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下、引用例１という）には、次のように記載されている。
　「ＩＳＤＮ回線を終端すると共に給電機能を有する回線終端装置と商用電源の供給により動作する端末装置との間に接続検出回路を備え、前記回路終端装置と端末装置との接続状態を検出するＩＳＤＮのレイヤ１接続検出回路において、前記回路終端装置と端末装置との接続状態を検出する前記接続検出回路を発光素子及び受光素子からなる光結合素子により構成したことを特徴とするレイヤ１接続検出回路。」（実用新案登録請求の範囲請求項１）
　「本考案は、ＩＳＤＮユーザ・網インタフェースであるＳ／Ｔ点における電気信号の転送方式や配線形態等を定めるレイヤ１の接続検出回路に関する。
　・・・・一般に、ＩＳＤＮの基本インタフェースにおいて端末と網との間には、回線終端装置（以下、ＤＳＵ）が配設されており、端末はこのＤＳＵを介して網とデジタル信号の伝達を行うものとなっている。・・・・」（段落【０００１】〜【０００２】）
　「・・・・図１は、本考案に係るレイヤ１接続検出回路の一実施例を示すブロック図である。・・・・フォトカプラＰＣ内の発光素子の両端は、それぞれ抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して受電部３０内の送信トランスの一次側コイル及び受信トランスの一次側コイルに接続されており、ＤＳＵ２と端末３とが接続されていれば、これらのコイル間にはＤＳＵ２から約４０Ｖの電圧が印加されている。したがって、フォトカプラＰＣの発光素子には電流が通じ発光する。
　一方、フォトカプラＰＣ内の受光素子の両端の電圧は、図示省略した商用電源が直流に変換された５Ｖの電圧が印加されていると共に、この受光素子は上記発光素子とは電気的に絶縁されている。そして端末３に商用電源が供給され、したがって受光素子の両端に電圧が印加されていれば、この受光素子には上記発光素子の発光による電流が流れる。この結果、トランジスタＱがオンすると共に、このトランジスタＱのオンによりインバータ３７の出力が「Ｈ」レベルとなり、このインバータ３７の出力端子と接続されるＣＰＵ３６は、ＤＳＵ２と端末３とが接続状態にあることを認識する。
　・・・・ＤＳＵ２と端末３とが接続されていなければ、フォトカプラＰＣ内の上記発光素子には電流が通じず、したがって受光素子はオンしないため、トランジスタＱのオフ、インバータ３７の「Ｌ」レベル出力により、ＣＰＵ３６はＤＳＵ２と端末３とが未接続であることを認識する。・・・・」（段落【０００７】〜【０００９】）
　また、図１にＤＳＵと端末との接続検出回路の構成が示されている。
　以上の記載からすれば、引用例１には、「発光素子及び受光素子を有するフォトカプラＰＣを備え、ＩＳＤＮ回線の回路終端装置と端末との接続に応じて、回路終端装置からの電圧がフォトカプラＰＣ内の発光素子に印加され、発光素子に電流が通じ発光し、この発光を受光素子により検知して回路終端装置と端末との接続を確認するレイヤ１接続検出回路」が記載されているものと認められる。
　さらに、同じく引用された特開昭６１−３６９８１号公報（以下、引用例２という）には、次のように記載されている。
　「本発明は、半導体発光素子と半導体受光素子とを組み合せたフォトカプラに係り、特に非線形歪を防止したリニアフォトカプラに関する。
　・・・・一般に、フォトカプラは信号伝達送受間の電位差を問題としないという特徴から、絶縁アンプ等をはじめとして広く信号インタフェース用部品として用いられている。」（第１頁右下欄第３〜１１行）
　「第１図は、本発明によるリニアフォトカプラの断面図を示すものであり、半導体発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ）部（１１）と、第１の半導体受光素子としての第１のフォトダイオード（ＰＤ）部（１２）は、同じＧａＡｓ基盤（１３）上にモノリシックに集積化されリニアＬＥＤ（２３）を構成している。また、第２のＰＤ（１４）は空間的に前記リニアＬＥＤ（２３）と分離され、絶縁されているが、モールド材により一つのパッケージ（１５）内に収納されている。ＬＥＤ部（１１）は活性層（１６）上部に、電流集中の為の内部狭窄層（１７）を有し、ＬＥＤ（１１）の高速化、高効率化が図られている。」（第２頁右上欄第９行〜左下欄第２行）
　また、図１に半導体発光素子の構成が示されており、この半導体発光素子は、半導体基盤上に発光領域を有する半導体層が設けられ、さらに、活性層上部に電流集中のための内部狭窄層を有している。
　３）対比、判断
　補正発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「フォトカプラＰＣ」、「レイヤ１接続検出回路」は、それぞれ補正発明における「フォトカプラ」、「回線接続検出回路」に相当し、また、引用例１に記載のものにおいて、フォトカプラＰＣの発光素子と受光素子とが対向配置され光学的に結合すること、局側から通信回線を介して供給される局供給電流がフォトカプラの発光素子に供給されることは明らかであるので、補正発明と引用例１に記載のものとは、「発光素子と受光素子とを対向配置して両者を光学的に結合させてなるフォトカプラを備え、通信回線への接続に応じて、局側から通信回線を介して供給されている局供給電流を、前記フォトカプラの発光素子に供給するように構成された回線接続検出回路」である点において一致するが、次の点において相違する。
ａ．補正発明において、発光素子は、半導体基板上に発光領域を有する半導体層が設けられ、この半導体層は、電流阻止層によって発光領域が狭窄されている電流狭窄型発光ダイオードで構成され、前記発光素子は前記局供給電流で安定した発光動作を行うものであるのに対し、引用例１に記載のものにおいて、発光素子の具体的構造、特性について明記されていない点。
ｂ．補正発明において、受光素子は、高感度かつ漏れ電流の小さい受光特性のものであるのに対し、引用例１に記載のものにおいて、受光素子の特性について明記されていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点ａについて：
　発光素子と受光素子とを組み合せたフォトカプラにおいて、半導体基板上に発光領域を有する半導体層の発光素子として、半導体基板上に発光領域を有する半導体層が設けられこの半導体層が電流阻止層によって発光領域が狭窄されている電流狭窄型発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることが引用例２に記載されており、このような電流狭窄型発光ダイオードを有するフォトカプラを引用例１に記載の接続検出回路に適用し得ることは明らかであり、このようなフォトカプラを適用したことによる効果も容易に予測し得るところである。
相違点ｂについて：　
　回線接続検出回路に用いられるフォトカプラにおいては、非常に小さい電流で検出動作しなければならないことは当然前提とされており、その場合に受光素子として高感度かつ漏れ電流の小さい受光特性のものを用いるのが適当であることもまた当然考慮されるべき事項である。それゆえ、このような受光素子を用いることは必要に応じて適宜考慮し得るところである。
　さらに、発光素子及び受光素子に関して、それぞれの特性を考慮し得るものであるので、相違点ａ及びｂを総合しても、格別な技術的特徴が与えられることはない。
　それゆえ、補正発明は、引用例１及び２に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　４）結論
　したがって、上記手続補正は、特許法第１７条の２第５項により同条第４項第２号において準用する特許法第１２６条第４項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
２．本願発明　
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１２年９月７日付けで提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に各々記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は次のとおりである。
　「発光素子と受光素子とを対向配置して両者を光学的に結合してなるフォトカプラを具え、通信回線への接続に応じて、局側から通信回線を介して供給されている局供給電流を、前記フォトカプラの発光素子に供給するように構成された回線接続検出回路において、
　前記発光素子は、半導体基板上に発光領域を有する半導体層が設けられ、この半導体層は、電流阻止層によって発光領域が狭窄されている電流狭窄型発光ダイオードで構成され、前記発光素子は前記局供給電流で安定した発光動作を行うことを特徴とする回線接続検出回路。」
３．引用例に記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である実願平４−６７２５０号（実開平６−２６３３８号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下、引用例１という）および特開昭６１−３６９８１号公報（以下、引用例２という）には、１．２）に示した事項が記載されている。
４．対比、判断
　本願発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「フォトカプラＰＣ」、「レイヤ１接続検出回路」は、それぞれ本願発明における「フォトカプラ」、「回線接続検出回路」に相当し、また、引用例１に記載のものにおいて、フォトカプラＰＣの発光素子と受光素子とが対向配置され光学的に結合すること、局側から通信回線を介して供給される局供給電流がフォトカプラの発光素子に供給されることは明らかであるので、本願発明と引用例１に記載のものとは、「発光素子と受光素子とを対向配置して両者を光学的に結合させてなるフォトカプラを備え、通信回線への接続に応じて、局側から通信回線を介して供給されている局供給電流を、前記フォトカプラの発光素子に供給するように構成された回線接続検出回路」である点において一致するが、本願発明において、発光素子は、半導体基板上に発光領域を有する半導体層が設けられ、この半導体層は、電流阻止層によって発光領域が狭窄されている電流狭窄型発光ダイオードで構成され、前記発光素子は前記局供給電流で安定した発光動作を行うものであるのに対し、引用例１に記載のものにおいては、発光素子の具体的構造、特性について明記されていない点において相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　発光素子と受光素子とを組み合せたフォトカプラにおいて、半導体基板上に発光領域を有する半導体層の発光素子として、半導体基板上に発光領域を有する半導体層が設けられこの半導体層が電流阻止層によって発光領域が狭窄されている電流狭窄型発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることが引用例２に記載されており、このような電流狭窄型発光ダイオードを有するフォトカプラを引用例１に記載の接続検出回路に適用し得ることは明らかであり、このようなフォトカプラを適用したことによる効果も容易に予測し得るところである。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び２に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。