【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ光に対し斜めに設置された照射面と、
前記照射面における前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段と、
前記照射面における前記複数のレーザ光と被照射体を相対的に移動させる手段と、
を有し、
前記複数のレーザ光の前記照射面に対する入射角度φは、同じであり、前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
１つのレーザ光を複数のレーザ光に分割する手段と、
前記複数のレーザ光に対し斜めに設置された照射面と、
前記照射面における前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段と、
前記照射面における前記複数のレーザ光と被照射体を相対的に移動させる手段と、
を有し、
前記複数のレーザ光の前記照射面に対する入射角度φは、同じであり、前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする手段は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記１つのレーザ光を複数のレーザ光に分割する手段は、ビームスプリッターを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記複数のレーザ光と被照射体を相対的に移動させる手段は、
前記照射面における前記複数のレーザ光の照射位置を第１の方向および第１の方向とは逆方向へ移動させ、かつ、前記照射面における複数のレーザ光の照射位置を第２の方向へ移動させる機構を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記照射面を移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記照射面に対して斜めに照射し、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記照射面に対して斜めに照射し、
前記照射面を第２の方向へ移動させ、
前記照射面を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記照射面に対して斜めに照射し、
前記照射面を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前記入射角度φで照射し、
前記照射面を第２の方向へ移動させ、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
１つのレーザ光を複数のレーザ光に分割し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記照射面に対して斜めに照射し、
前記照射面を第２の方向へ移動させ、
前記照射面を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
１つのレーザ光を複数のレーザ光に分割し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている照射面における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記照射面を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記照射面に対して斜めに照射し、
前記照射面を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前記入射角度φで照射し、
前記照射面を第２の方向へ移動させ、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記１つのレーザ光はビームスプリッターによって複数のレーザ光に分割されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記複数のレーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたものであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１１または請求項１２において、
前記１つのレーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたものであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記複数のレーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１７】
請求項１１または請求項１２において、
前記１つのレーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１８】
請求項８乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記複数のレーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１９】
請求項１１または請求項１２において、
前記複数のレーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２０】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記半導体膜を移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記半導体膜表面に対して斜めに照射し、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記半導体膜を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記半導体膜表面に対して斜めに照射し、
前記半導体膜を第２の方向へ移動させ、
前記半導体膜を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記半導体膜を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記半導体膜表面に対して斜めに照射し、
前記半導体膜を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前記入射角度φで照射し、
前記半導体膜を第２の方向へ移動させ、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上に半導体膜を形成し、
１つのレーザ光を複数のレーザ光に分割し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記半導体膜を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記半導体膜表面に対して斜めに照射し、
前記半導体膜を第２の方向へ移動させ、
前記半導体膜を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を照射し、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
基板上に半導体膜を形成し、
１つのレーザ光を複数のレーザ光に分割し、
前記複数のレーザ光に対して斜めに設置されている前記半導体膜における前記複数のレーザ光の形状を光学系により楕円状または矩形状に成形し、
前記半導体膜を第１の方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を同じ入射角度φで前記半導体膜表面に対して斜めに照射し、
前記半導体膜を前記第１の方向とは逆方向へ移動させながら前記複数のレーザ光を前記入射角度φで照射し、
前記半導体膜を第２の方向へ移動させ、
前記複数のレーザ光の形状を楕円状または矩形状にする光学系は、ディフラクティブオプティクスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２３または請求項２４において、
前記１つのレーザ光は、ビームスプリッターによって複数のレーザ光に分割されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２０乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記複数のレーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２３または請求項２４において、
前記１つのレーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２０乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記複数のレーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２３または請求項２４において、
前記１つのレーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２０乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記複数のレーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２３または請求項２４において、
前記１つのレーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。