【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロマシニング技術により作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板の製造方法において、
マイクロマシニング技術により基板上に多数のマイクロマシニング構造体を作製し、
第１の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記基板上の前記マイクロマシニング構造体上に電気的に接続して下部配線を作製し、
前記第１の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記下部配線上に電気的に接続してポストを作製し、
スパッタリングにより前記下部配線上および前記ポストの周囲に層間絶縁膜を作製し、
第２の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記ポスト上に電気的に接続した上部配線と外部システムに接続されるパッドとを一体に作製する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線基板の製造方法において、前記基板との密着性を向上するための密着性向上膜と、拡散防止膜と、抵抗低減膜と、拡散防止膜と、前記層間絶縁膜との密着性を向上するための密着性向上膜とを有する積層構造で前記下部配線を作製することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の多層配線基板の製造方法において、前記下部配線の密着性向上膜との密着性よりも前記層間絶縁膜との密着性の方が低い金属材料を用いて前記ポストを作製した後、外部力を与えることにより前記ポスト上の前記層間絶縁膜を削除することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
マイクロマシニング技術により作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板の製造方法において、
フォトリソ、エッチング、めっきのいずれか1つの低温工程のマイクロマシニング技術により基板上に多数のマイクロマシニング構造体を作製し、
前記基板およびマイクロマシニング構造体上に第１の犠牲層金属膜を積層し、レジストを用いたフォトリソ、エッチングにより前記第１の犠牲層金属膜をパターニングし、金属膜をスパッタリング成膜してレジストを除去するリフトオフにより前記基板上の前記マイクロマシニング構造体上に電気的に接続して下部配線を作製し、
レジストを用いてフォトリソによりポスト用パターンを作製し、
前記第１の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記下部配線上に電気的に接続してポストを作製し、
スパッタリングにより前記下部配線上および前記ポストの周囲に層間絶縁膜を作製し、
前記層間絶縁膜および前記ポスト上に第２の犠牲層金属膜を積層し、レジストを用いたフォトリソ、エッチングによりこの犠牲層金属膜をパターニングし、金属膜をスパッタリング成膜してレジストを除去するリフトオフにより前記ポスト上に電気的に接続した上部配線と外部システムに接続されるパッドとを一体に作製する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
マイクロマシニング技術により作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板の製造方法において、
マイクロマシニング技術により基板上に多数のマイクロマシニング構造体を作製し、
第１の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記基板上の前記マイクロマシニング構造体上に電気的に接続して下部配線を作製し、
前記第１の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記下部配線上に電気的に接続して第１のポストを作製し、
スパッタリングにより前記下部配線上および前記第１のポストの周囲に第１の層間絶縁
膜を作製し、
第２の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記第１のポスト上に電気的に接続した中間配線を作製し、
前記第２の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記中間配線上に電気的に接続して第２のポストを作製し、
スパッタリングにより前記中間配線上および前記第２のポストの周囲に第２の層間絶縁膜を作製し、
第３の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記第２のポスト上に電気的に接続した上部配線と外部システムに接続されるパッドとを一体に作製する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
マイクロマシニング技術で作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板において、
低温工程のマイクロマシニング技術で基板上に作製した多数のマイクロマシニング構造体と、前記マイクロマシニング構造体上に接続する下部配線と、外部システムへ接続するパッドと、前記パッドと一体に作製された上部配線と、前記下部配線と前記上部配線との間に介在されてこの両者を電気的に接続するポストと、前記下部配線と前記上部配線との間に介在されてこの両者を電気的に絶縁する層間絶縁膜とを備える
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項７】
請求項６に記載の多層配線基板において、前記ポストおよび前記層間絶縁膜を複数層有することを特徴とする多層配線基板。
【請求項８】
マイクロマシニング技術により作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板の製造方法において、
第１の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記基板上に下部配線を作製し、
前記第１の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記下部配線上に電気的に接続してポストを作製し、
スパッタリングにより前記下部配線上および前記ポストの周囲に層間絶縁膜を作製し、
第２の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記ポスト上に電気的に接続した上部配線と外部システムに接続されるパッドとを一体に作製し、
フォトリソ、エッチング、めっきのいずれか1つの低温工程のマイクロマシニング技術により前記上部配線上に多数のマイクロマシニング構造体を作製する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の多層配線基板の製造方法において、前記基板との密着性を向上するための密着性向上膜と、拡散防止膜と、抵抗低減膜と、拡散防止膜と、層間絶縁膜との密着性を向上するための密着性向上膜とを有する積層構造で前記下部配線を作製し、前記下部配線の密着性向上膜との密着性よりも前記層間絶縁膜との密着性の方が低い金属材料を用いて前記ポストを作製した後、外部力を与えることにより前記ポスト上の前記層間絶縁膜を削除することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
マイクロマシニング技術により作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板の製造方法において、
前記基板およびマイクロマシニング構造体上に第１の犠牲層金属膜を積層し、レジストを用いたフォトリソ、エッチングにより前記第１の犠牲層金属膜をパターニングし、金属膜をスパッタリング成膜してレジストを除去するリフトオフにより前記基板上に下部配線を作製し、
レジストを用いてフォトリソによりポスト用パターンを作製し、
前記第１の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記下部配
線上に電気的に接続してポストを作製し、
スパッタリングにより前記下部配線上および前記ポストの周囲に層間絶縁膜を作製し、
前記層間絶縁膜および前記ポスト上に第２の犠牲層金属膜を積層し、レジストを用いたフォトリソ、エッチングによりこの犠牲層金属膜をパターニングし、金属膜をスパッタリング成膜してレジストを除去するリフトオフにより前記ポスト上に電気的に接続した上部配線と外部システムに接続されるパッドとを一体に作製し、
フォトリソ、エッチング、めっきのいずれか1つの低温工程のマイクロマシニング技術により前記上部配線上に多数のマイクロマシニング構造体を作製する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
マイクロマシニング技術により作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板の製造方法において、
第１の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記基板上に下部配線を作製し、
前記第１の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記下部配線上に電気的に接続して第１のポストを作製し、
スパッタリングにより前記下部配線上および前記第１のポストの周囲に層間絶縁膜を作製し、
第２の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記第１のポスト上に電気的に接続した中間配線を作製し、
前記第２の犠牲層金属膜を電気めっき給電膜として用いて電気めっきにより前記中間配線上に電気的に接続して第２のポストを作製し、
スパッタリングにより前記中間配線上および前記第２のポストの周囲に層間絶縁膜を作製し、
第３の犠牲層金属膜を用いたリフトオフにより前記第２のポスト上に電気的に接続した上部配線と外部システムに接続されるパッドとを一体に作製し、
フォトリソ、エッチング、めっきのいずれか1つの低温工程のマイクロマシニング技術により前記上部配線上に多数のマイクロマシニング構造体を作製する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】
マイクロマシニング技術で作製したマイクロマシニング構造体を外部システムへ電気的に接続するための多層配線基板において、
基板上に作製された下部配線と、外部システムへ接続するパッドと、前記パッドと一体に作製された上部配線と、前記下部配線と前記上部配線との間に介在されてこの両者を電気的に接続するポストと、前記下部配線と前記上部配線との間を電気的に絶縁する層間絶縁膜と、前記上部配線上に電気的に接続されると共に低温工程のマイクロマシニング技術で作製した多数のマイクロマシニング構造体とを備える
ことを特徴とする多層配線基板。