【手続補正書】
【提出日】平成18年3月21日(2006.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させた後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加して、表面にシリサイド層が形成されたソース領域、表面にシリサイド層が形成されたドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加してソース領域、ドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成した後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
加熱処理を行って前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させた後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加してソース領域、ドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成し、
加熱処理を行って前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素をスピンコート法により前記非晶質珪素膜上に塗布し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させた後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加して、表面にシリサイド層が形成されたソース領域、表面にシリサイド層が形成されたドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素をスピンコート法により前記非晶質珪素膜上に塗布し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加してソース領域、ドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成した後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
加熱処理を行って前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素をスピンコート法により前記非晶質珪素膜上に塗布し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させた後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加してソース領域、ドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成し、
加熱処理を行って前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素をスピンコート法により前記非晶質珪素膜上に塗布し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に多孔質状の陽極酸化膜を形成し、
前記ゲイト電極表面に緻密な陽極酸化膜を形成し、
前記ゲイト電極、前記多孔質状の陽極酸化膜及び前記緻密な陽極酸化膜をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させた後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成し、
前記多孔質状の陽極酸化膜を除去し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加して、表面にシリサイド層が形成されたソース領域、表面にシリサイド層が形成されたドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素をスピンコート法により前記非晶質珪素膜上に塗布し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に多孔質状の陽極酸化膜を形成し、
前記ゲイト電極表面に緻密な陽極酸化膜を形成し、
前記ゲイト電極、前記多孔質状の陽極酸化膜及び前記緻密な陽極酸化膜をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記多孔質状の陽極酸化膜を除去し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加してソース領域、ドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成した後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
加熱処理を行って前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素をスピンコート法により前記非晶質珪素膜上に塗布し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に多孔質状の陽極酸化膜を形成し、
前記ゲイト電極表面に緻密な陽極酸化膜を形成し、
前記ゲイト電極、前記多孔質状の陽極酸化膜及び前記緻密な陽極酸化膜をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記多孔質状の陽極酸化膜を除去した後、シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法により塗布し、
Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを添加してソース領域、ドレイン領域及びＬＤＤ領域を形成し、
加熱処理を行って前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記不純物イオンの活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。