【事件の表示】
　平成３年特許願第１４２６６０号「発光半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成５年４月２日出願公開、特開平５−８２９０３、請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
【1】経緯
　本願は、平成3年5月20日(パリ条約による優先権主張 1990年 5月23日 (NL)オランダ王国)の出願であって、その請求項1〜16に係る発明は、特許請求の範囲に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認める。
　「【請求項1】 第1導電型の半導体基板上に少なくとも第1導電型の下側クラッド層、活性層及び第2導電型の上側クラッド層がこの順序に存在する半導体本体を具え、前記活性層及び前記クラッド層の少なくとも一方の層(以後第1クラッド層という)は互に異なる半導体材料から成り、それぞれの半導体材料は少なくとも2つの2元化合物の混晶であって2つの副格子を有し少なくとも一方の副格子(以後第1副格子という)中に異なる元素の原子が並んで存在する混晶から成る発光半導体装置において、活性層内の第1副格子中の異なる元素の原子の分布を第1クラッド層内の第1副格子中の異なる元素の原子の分布より強く規則化し、少なくとも活性層の半導体材料に対するより強い規則分布によりそのバンドギャップを減少させ、更に基板と下側クラッド層との間に砒化ガリウム-アルミニウム(AlGaAs)のバッファ層を具え、このバッファ層のアルミニウム含有量を第1クラッド層の規則化に関する最小値以上にしたことを特徴とする発光半導体装置。
【請求項2】 2つの副格子がf.c.c.(面心立方)型であり、第1クラッド層内の第1副格子中の異なる元素の原子の分布がほぼ完全に無秩序であるが、活性層内のこの分布がもっと強く規則化されていることを特徴とする請求項1記載の発光半導体装置。
【請求項3】 2元化合物がIII -V化合物であり、活性層が燐化インジウム-ガリウム(InGaP)又は燐化インジウム-アルミニウム-ガリウム(InAlGaP) であり、且つクラッド層が活性層より高いアルミニウム含有量を有する燐化インジウム-アルミニウム-ガリウム (InAlGaP)又は燐化インジウム-アルミニウム(InAlP) であることを特徴とする請求項1又は2記載の発光半導体装置。
【請求項4】 基板を砒化ガリウムとし、その下面に導電層を設けると共に、上側クラッド層上に第2導電型の燐化インジウム-ガリウム又は砒化アルミニウム-ガリウムの中間層及び第2導電型の砒化ガリウムの接点層をこの順序に設け、更に半導体本体の表面に隣接して少なくとも接点層を含むメサ状ストライプ部分を形成し、このメサ状ストライプ部分を、このストライプ部分の外側まで延在しこのストライプ部分の外側でその下側の層と障壁接合を形成する別の導電層で被覆したことを特徴とする請求項3記載の発光半導体装置。
【請求項5】 バッファ層のアルミニウム含有量が少なくとも約6原子%であることを特徴とする請求項1記載の発光半導体装置。
【請求項6】 バッファ層のアルミニウム含有量が少なくとも約9原子%であることを特徴とする請求項1記載の発光半導体装置。
【請求項7】 請求項1に記載された発光半導体装置を製造する方法であって、第1導電型の半導体基板上に少なくとも砒化アルミニウム-ガリウムのバッファ層、第1導電型の下側クラッド層、活性層及び第2導電型の上側クラッド層をこの順序で設け、前記活性層及び前記クラッド層の少なくとも一方の層(以後第1クラッド層という)に対し互に異なる半導体材料を選択し、それぞれの半導体材料は少なくとも2つの2元化合物の混晶であって2つの副格子を有し少なくとも一方の副格子(以後第1副格子という)中に異なる元素の原子が並んで存在する混晶から成るものとし、第1クラッド層と活性層の成長中の成長条件を、第1クラッド層内よりも、活性層内において異なる元素の原子が第1副格子中に強い規則分布で分布するように選択し、種々の半導体材料のバンドギャップを強い規則分布により減少させることを特徴とする発光半導体装置の製造方法。
【請求項8】 2元化合物としてIII -V化合物を選択し、成長温度及び成長中に供給するIII 族元素の量に対するV族元素の量の比(以後V/III 比という)を前記成長条件として選択することを特徴とする請求項7記載の方法。
【請求項9】 活性層は燐化インジウム-ガリウム(InGaP)又は燐化インジウム-アルミニウム-ガリウム (InAlGaP)で造り、クラッド層は燐化インジウム-アルミニウム-ガリウム (InAlGaP)で造ることを特徴とする請求項8記載の方法。
【請求項10】 第1クラッド層及び活性層を一定のV/III 比で設け、第1クラッド層は約760℃の成長温度で設け、活性層は700℃の成長温度で設けることを特徴とする請求項8又は9記載の方法。
【請求項11】 第1クラッド層を約760 ℃で設け、活性層を約700 ℃で設けると共に、V/III 比を両層とも約300 に維持することを特徴とする請求項10記載の方法。
【請求項12】 第1クラッド層を約760℃の成長温度及び約700のV/III 比で設け、活性層を約730℃の成長温度及び増大させたV/III 比で設けることを特徴とする請求項8又は9記載の方法。
【請求項13】 第1クラッド層は760 ℃及び約300 のV/III 比で設け、活性層は730 ℃及び約700 のV/III 比で設けることを特徴とする請求項12記載の方法。
【請求項14】 第1クラッド層と活性層を約730℃の一定の成長温度で設けると共に活性層の成長中のV/III 比を増大させることを特徴とする請求項8又は9記載の方法。
【請求項15】 第1クラッド層と活性層の成長温度を約730 ℃に選択し、活性層の成長中のV/III 比を約700 に選択することを特徴とする請求項14記載の方法。
【請求項16】 第1クラッド層及び活性層はMOVPE 技術により設け、基板の結晶配向を(001)配向に選択することを特徴とする請求項7-15の何れかに記載の方法。」
　
　なお、請求項1において「クランド層」とあるのは「クラッド層」の明らかな誤記であるので、上記のとおり認定する。
　
【2】記載不備について
　平成12年11月7日付け拒絶理由通知書において、「本願の請求項1、2、5-8、10、12、14、16に係る発明は、バッファ層上に成長される半導体層の材料系について何ら規定しておらず、InAlGaP系材料を用いた半導体レーザ以外のものをも含んでいるものと認められる。しかし、本願明細書の発明の詳細な説明には、InAlGaP系の半導体レーザにおいて、基板と下部クラッド層との間に砒化ガリウム-アルミニウム(AlGaAs)のバッファ層を用いることにより、InAlGaP第1クラッド層を比較的高い温度で設けることができる旨記載されているのみであって、InAlGaP系の半導体レーザ以外のものについては、その発明の属する分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されているものとは認められない。」旨通知したが、本願の明細書には、「第1導電型の下側クラッド層、活性層及び第2導電型の上側クラッド層がこの順序に存在する半導体本体を具え、前記活性層及び前記クラッド層の少なくとも一方の層は互に異なる半導体材料から成り、それぞれの半導体材料は少なくとも2つの2元化合物の混晶であって、活性層内の副格子中の異なる元素の原子の分布を第1クラッド層内の副格子中の異なる元素の原子の分布より強く規則化し、少なくとも活性層の半導体材料に対するより強い規則分布によりそのバンドギャップを減少させるという技術思想が明確に記載されており、当該技術思想に基づく発明において、活性層とクラッド層を構成する2元化合物の元素を実施例のものに特定することが、発明を特定する技術事項として必須の事項とは認められない。
　よって、本願の請求項1、2、5-8、10、12、14、16に係る発明が、バッファ層上に成長される半導体層の材料系について何ら規定しておらず、実施例として記載されたInAlGaP系材料を用いた半導体レーザ以外のものをも含んでいることを理由として、本件の特許出願が、特許法第36条第4,5項に規定する要件を満たしていないとすることはできない。
　
【3】進歩性について
　なお、公知の引用例1には、第1導電型のGaAs基板上に第1導電型のInAlGaP下側クラッド層、GaInP活性層及び第2導電型のInAlGaP上側クラッド層がこの順序で存在し、AlGaAsのバッファ層を基板とクラッド層との間に配した発光半導体装置及び製造方法が記載され、引用例2には、670nm帯の3層InGaP活性層半導体レーザにおいて、活性層とクラッド層とのバンドギャップエネルギーが小さかったことが解決すべき課題であった旨記載され、引用例3には、GaAs(100)面上へのMOVPEを用いた結晶成長において、InGaP層の成長条件(V/III比、温度)によってバンドギャップエネルギーの大きさが通常の1.9eVから1.844eVまで低下することが記載されている。
　しかしながら、半導体レーザの閾値電流を低下せしめるためにクラッド層と活性層のバンドギャップエネルギーの差を大きくすべく、本願の請求項1〜16に係る発明を特徴づける構成、すなわち前記各層における少なくとも2つの2元化合物の異なる元素の副格子上の配位の規則性を制御するという知見が公知ということはできず、当該構成がこれら引用例から容易に想到できたとすることもできない。
　引用例1:特開昭64-25593号公報
　引用例2:Electronics Lett., 25(3), PP.211-213(1990)
　引用例3:Appl. Phys. Lett. 50(11),PP..673-675(1987)
　        応用物理、58(9)、PP.1360-1367(1989)
　
【4】むすび
　以上のとおり、平成12年11月7日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。