【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表示素子と、この表示素子と電源ラインとの接続を制御する薄膜トランジスタとを画素毎に有するアクティブマトリクスタイプの表示パネルの製造方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
この薄膜トランジスタ形成後に複数の層を積層して、表示素子を完成する工程と、
を有し、
前記複数の層を積層する工程には、層厚の厚い絶縁性の平坦化絶縁膜を形成する工程が少なくとも１つ含まれ、
この少なくとも１つの平坦化絶縁膜を形成する工程の前の工程において、不良画素について、前記表示素子と前記電源ラインとの接続を切断する工程を設ける表示パネルの製造方法。
【請求項２】  表示素子と、この表示素子と電源ラインとの接続を制御する薄膜トランジスタとを画素毎に有するアクティブマトリクスタイプの表示パネルの製造方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
この薄膜トランジスタのゲート電極およびその配線を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極およびこれらのうちの一方の電極と電源ラインとの接続のための配線を形成する工程と、
前記電源ラインに電源を接続するとともに、前記薄膜トランジスタのゲート電極への信号印加を制御し、前記薄膜トランジスタのスイッチング動作に応じた前記ソース・ドレイン電極のうちの他方の電極の状態を検出して導通検査を行う工程と、
この検査結果によって、欠陥ありと判定された画素について、前記薄膜トランジスタを介する前記表示素子と、前記電源ラインとの配線の切断を行う工程と、
を有し、
前記表示素子の完成前に前記導通検査および配線の切断を行う表示パネルの製造方法。
【請求項３】  請求項２に記載の方法において、
前記導通検査は、前記表示素子の１つの電極を形成した後に行う表示パネルの製造方法。
【請求項４】  請求項２または３に記載の方法において、
前記導通検査および配線の切断の後に、平坦性のよい絶縁膜を形成する工程を含み、この絶縁膜によって配線を切断した際に生じた凹部を修復する表示パネルの製造方法。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法において、
前記配線の切断は、レーザの照射によって行う表示パネルの製造方法。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法において、
前記表示素子は、有機ＥＬ素子である表示パネルの製造方法。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法によって、製造された表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
行方向に伸びるゲートラインには、ゲートラインによって選択されるｎチャンネル薄膜トランジスタである第１ＴＦＴ１０のゲートが接続されている。この第１ＴＦＴ１０のドレインには列方向に伸びるデータラインＤＬが接続されており、そのソースには他端が低電圧の電源である容量ラインＳＬに接続された保持容量ＣＳが接続されている。また、第１ＴＦＴ１０のソースと保持容量ＣＳの接続点は、ｐチャンネル薄膜トランジスタである第２ＴＦＴ４０のゲートに接続されている。そして、この第２ＴＦＴ４０のソースが電源ラインＶＬに接続され、ドレインが有機ＥＬ素子ＥＬに接続されている。なお、有機ＥＬ素子ＥＬの他端はカソード電源ＶＣに接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような有機ＥＬパネルにおいて、各画素毎に設けられたＴＦＴ１またはＴＦＴ２に欠陥が生じる場合がある。これらＴＦＴ１、ＴＦＴ２に欠陥があると、その画素が輝点や暗点になったり、また短絡の発生により接続されているデータラインＤＬに影響を与え、線欠陥が発生する場合もある。そこで、このような欠陥部分については、ＴＦＴ１、ＴＦＴ２等の欠陥部分をラインから切り離し、正常化するリペアが行われている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、リペアは、欠陥部分に至る配線を断線することによって行える。すなわち、ＬＣＤの場合と同様に、ＹＡＧレーザなどのレーザ照射によって、ＴＦＴ２と電源ラインＶＬまたは画素電極との配線を切断することが考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表示素子と、この表示素子と電源ラインとの接続を制御する薄膜トランジスタとを画素毎に有するアクティブマトリクスタイプの表示パネルの製造方法であって、基板上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、この薄膜トランジスタ形成後に複数の層を積層して、表示素子を完成する工程と、を有し、前記複数の層を積層する工程には、層厚の厚い絶縁性の平坦化絶縁膜を形成する工程が少なくとも１つ含まれ、この少なくとも１つの平坦化絶縁膜を形成する工程の前の工程において、不良画素について、前記表示素子と前記電源ラインとの接続を切断する工程を設けることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、表示素子と、この表示素子と電源ラインとの接続を制御する薄膜トランジスタとを画素毎に有するアクティブマトリクスタイプの表示パネルの製造方法であって、基板状に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、この薄膜トランジスタのゲート電極およびその配線を形成する工程と、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極およびこれらのうちの一方の電極と電源ラインとの接続のための配線を形成する工程と、前記電源ラインに電源を接続するとともに、前記薄膜トランジスタのゲート電極への信号印加を制御し、前記薄膜トランジスタのスイッチング動作に応じた前記ソース・ドレイン電極のうちの他方の電極の状態を検出して導通検査を行う工程と、この検査結果によって、欠陥有りと判定された画素について、前記薄膜トランジスタを介する前記表示素子と、前記電源ラインとの配線の切断する工程と、を有し、前記表示素子の完成前に前記導通検査および配線の切断を行うことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１は、本実施形態に係る表示装置の製造を説明する図である。まず、ガラス基板上３０にＴＦＴを形成する。すなわち、低温ポリシリコンによる能動層４０ａを形成し、その表面に酸化シリコンのゲート酸化膜４０ｂを形成し、ゲート電極４０ｃを形成する。次に、ゲート電極４０ｃをマスクとして、能動領域４０ａに不純物を注入して、ソースドレイン領域を形成する。さらに、層間絶縁膜３４を形成し、ＴＦＴを覆った後、コンタクトホールを形成し、ソース電極４０ｄ、ドレイン電極４０ｅを形成する。次に、平坦化絶縁膜３６を形成し、この平坦化絶縁膜３６にソース電極４０ｄに接続するコンタクトホールを形成して、平坦化絶縁膜３６上にＩＴＯからなる陽極５０を形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、レーザには、ＹＡＧレーザ等が用いられ、ＹＡＧレーザとしては、１０６４ｎｍや５３３ｎｍのレーザが通常利用される。このような波長であれば、ＴＦＴ能動層である多結晶シリコンなどを透過して、その上層に形成されている配線層を切断することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このように、本実施形態によれば、陽極５０が形成された段階で、アレイテストを行い、欠陥画素の配線をレーザによって、切除して、その画素の暗点化を行う。本有機ＥＬ表示装置では、陽極５０形成後にさらに厚い第２平坦化絶縁膜６０の形成工程が存在しており、レーザリペアにより生じた穴を、その後第２平坦化絶縁膜６０によって穴埋めすることが可能であり、レーザ照射による傷を効果的にリペアすることができる。