【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置、及びそれらを具備する電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線、第２の配線、第１のスイッチ素子、第２のスイッチ素子、保持容量、及びトランジスタを有し、
前記第１のスイッチ素子の第１の電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、第２の電極は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第２のスイッチ素子の第１の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のスイッチ素子の第２の電極に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、第２の電極は、前記第２の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
データ信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記データ信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の配線、第２の配線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の配線、第２の配線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ソース信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ソース信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ソース信号線、ゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記ゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ソース信号線、ゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記ゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ソース信号線、第１乃至第４のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
ソース信号線、第１乃至第４のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
ソース信号線、第１乃至第３のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
ソース信号線、第１乃至第３のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
ソース信号線、ゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記ゲート信号線及び前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
ソース信号線、ゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記ゲート信号線及び前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
ソース信号線、第１乃至第３のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線及び前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
ソース信号線、第１乃至第３のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線及び前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、及び前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
ソース信号線、第１乃至第４のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第７のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第７のトランジスタのゲートと接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
ソース信号線、第１乃至第４のゲート信号線、電流供給線、保持容量、及び第１乃至第７のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第７のトランジスタのゲートと接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、画素電極と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
ソース信号線、第１乃至第５のゲート信号線、電流供給線、電源線、保持容量、及び第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第５のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記電源線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
ソース信号線、第１乃至第５のゲート信号線、電流供給線、電源線、保持容量、及び第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第５のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記電源線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
ソース信号線、第１乃至第４のゲート信号線、電流供給線、電源線、保持容量、及び第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記電源線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
ソース信号線、第１乃至第４のゲート信号線、電流供給線、電源線、保持容量、及び第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４のゲート信号線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記電源線と電気的に接続され、
前記保持容量の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極は、前記電流供給線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１１または１２において、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタの導電型は異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１７または１８において、
前記第２のトランジスタと前記第７のトランジスタの導電型は同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタは、単結晶を用いたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタは、多結晶半導体を用いたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタは、ポリシリコンを用いたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタは、非晶質半導体を用いたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタは、アモルファスシリコンを用いたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３０】
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３１】
請求項３乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記第２のトランジスタの導電型はＰチャネル型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３２】
請求項１乃至請求項３１のいずれか１項において、
前記半導体装置は駆動回路を有し、
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタと前記駆動回路は、同じ基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３３】
請求項１乃至請求項３１のいずれか１項において、
前記半導体装置は駆動回路を有し、
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタと前記駆動回路は、同じ基板上に設けられ、
前記駆動回路は、ゲート信号線駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３４】
請求項１乃至請求項３１のいずれか１項において、
前記半導体装置は駆動回路を有し、
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタと前記駆動回路が、同じ基板上に設けられ、
前記駆動回路は、ソース信号線駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３５】
請求項１乃至請求項３１のいずれか１項において、
前記半導体装置は駆動回路を有し、
請求項１における前記トランジスタ、請求項２における前記第１乃至第３のトランジスタ、請求項３乃至１６のいずれか１項における前記第１乃至第５のトランジスタ、請求項１９乃至２２のいずれか１項における前記第１乃至第６のトランジスタ、または請求項１７若しくは１８における前記第１乃至第７のトランジスタと前記駆動回路が、同じ基板上に設けられ、
前記駆動回路は、ソース信号線駆動回路を有し、
前記ソース信号線駆動回路は、映像信号を前記ソース信号線に供給するためのスイッチを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３６】
請求項１乃至請求項３５のいずれか１項に記載の半導体装置を具備することを特徴とする電子機器。