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　平成　４年特許願第２３１５５１号「薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　３月　４日出願公開、特開平　６−　６０３２８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成０４年０８月０７日
　審査請求・手続補正書１　　　　　　　平成１１年０６月０１日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１２年０６月１６日
　意見書・手続補正書２　　　　　　　　平成１２年０８月２４日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１２月０８日
　審判請求書　　　　　　　　　　　　　平成１３年０１月１８日
　手続補正書３　　　　　　　　　　　　平成１３年０２月０８日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０４月１３日
（手続補正書に付した番号は整理するための番号である。）
　
２　本願発明
　本件請求に係る発明は、上記特許出願、手続補正書３の特許請求の範囲請求項１〜５に記載されたとおりであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　下部シールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子の読取り幅を規定するように該磁気抵抗素子と電気的に直接接続されたリードと上部ギャップ絶縁層とが順次積層されている薄膜磁気ヘッドであって、前記リードと前記磁気抵抗素子との間の一部及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に、該下部ギャップ絶縁層の絶縁性を補強するための絶縁膜が付加的に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　
３　引用例記載の発明
（１）　拒絶の理由に用いられた、本件出願前公知の刊行物である特開昭５８−１９７１８号公報（以下、引用例１という。）には、次の記載がある。
　１）　第２頁右上欄第１３行〜第１９行
「上述した従来技術によると、磁性薄膜４上に直接導体膜５を形成するために、導体膜作製時に磁性薄膜４との界面近傍で、導体膜５の磁性薄膜４との反応や拡散が生じ、このため磁性薄膜４の磁気特性の劣化、ひいては再生出力の低下を生ぜしめる。また、導体膜５の微細加工工程において、磁性薄膜４まで一部加工してしまうことも生じる。」、
　
　２）　第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第６行
「基板１１上に下部シールド膜１２、絶縁膜１３、さらに磁気抵抗効果検出用磁性薄膜１４を所定の形状に加工した後、薄い膜厚の導体膜１５をリフトオフ法により形成し、その上に絶縁膜１６を付着せしめる。つぎに導体膜１５と磁性薄膜１４の密着性を向上させるための熱処理を行う。さらに、絶縁膜１６にスルーホール１８をあけ、この上に導体層１７による配線を行う。　本発明の製造方法によると、導体膜１５の厚みを薄くできるために、絶縁膜１６の厚みも薄く出来、上部シールド膜（…）と磁性薄膜との間の間隔、すなわち、ギャップ長を狭くすることが出来る。」
　
　３）　第３頁左上欄第７行〜右下欄第４行
「以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。なお、実施例は第２図および第３図を用いて説明する。
　実施例：
（イ）ホトセラム基板１１の上に、Ｎｉ８３Ｆｅ１７パーマロイを厚さ１．０μｍ蒸着し、シールド膜１２とする。該シールド膜を所定の形状に加工することも有効である。
（ロ）絶縁用にＳｉＯ２膜１３を０．５μｍ基板全面にスパッタ法により被着する。
（ハ）磁性薄膜１４としてパーマロイを厚さ０．０５μｍ蒸着し、続いてホトエッチング法により５０μｍ×５μｍの形状に加工する。ホトレジストとしてはポジ型レジストＡＺ１３５０Ｊ（Ｓｈｉｐｌｅｙ社）を素養し、エッチング液としてはＦｅＣｌ３，ＨＣｌ，Ｈ３ＰＯ４，Ｈ２Ｏの混合液を使用した。
（ニ）つぎに、ホトレジストを用いてパターニングしておき、Ａｌを約０．１μｍ蒸着して、リフトオフ法によってＡｌ層（導体層１５）を設ける。このとき接着性を補強する意味でＡｌ膜の代りに、Ｃｒ−Ａｌ重ね膜を使用しても良い。
（ホ）絶縁用のＳｉＯ２膜１６を、スパッタ法で厚さ０．２μｍ被着する。
（へ）本素子を５×１０−３Ｔｏｒｒの真空中で３００℃１時間の熱処理を行う。
（ト）ネガ型ホトレジストを用いて、ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝１：６の混合液で絶縁膜（ＳｉＯ２膜）をエッチし、スルーホール１８を開けて、Ａｌ層（導体膜１５）を露出させる。
　このとき、ホトマスク合わせは、ＳｉＯ２エッチングにおける再度エッチ、オーバーエッチ量を充分考慮して、パーマロイ膜（磁性薄膜１４）がＨＦ、ＮＨ４Ｆ系エッチ液にさらされることのないように注意する。
（チ）最後に、導体金属（配線）として、Ａｌを０．９μｍ真空蒸着した後、ポジ型レジストＡＺ１３５０Ｊ（Ｓｈｉｐｌｅｙ社）を用いて、リン酸、氷酢酸、硝酸、水の混合液でＡｌをエッチして所望の配線パターン（導体膜１７）を得る。
　…
（リ）つぎに、図示してないが、スパッタ法により基板全面にＳｉＯ２膜を０．２μｍ形成した後、Ｎｉ８３・Ｆｅ１７のパーマロイ膜を所望の形状に加工した。
　なお、本実施例においては、磁性薄膜１４上のＡｌ電極部（導体膜１５）としては第２図に示すバーバーポール型磁気抵抗効果検出構造をとった。ただし、本発明はバーバーポール型磁気抵抗効果検出素子製造のみに有効であるのではなく、いわゆる永久磁石バイアス型磁気抵抗効果検出素子や、電流バイアス型磁気抵抗効果検出素子にも有効である。」
　
　４）即ち、引用例１は製造方法が記載されているが、それによって製造されたつぎの磁気抵抗効果検出素子も、第３図とともに示されている。
　「下部シールド膜１２と上部シールド膜となるパーマロイ膜の間に、絶縁膜１３、磁気抵抗効果検出用磁性薄膜１４、薄い膜厚の導体膜１５、スルーホール１８を介して電気的に接続された導体層１７が順次積層された薄膜磁気ヘッドであり、
導体層１７と磁気抵抗効果検出用磁性薄膜１４との間の一部と、導電層１７と絶縁膜１３との間に絶縁膜１６が形成された薄膜磁気ヘッド」
　
（２）　本件出願前公知の刊行物である特開平３−１０８１１３号公報（以下、引用例２という。）には、次の記載がある。
　１）　第４頁左上欄第１行〜第７行
「磁気抵抗効果（注：「効」は「効果」の誤記　この項以下同じ）素子を被覆する絶縁材にスルーホールを設けて導体を接続する時に、その絶縁材としてフォトレジストを用いてスルーホールの形状を光線例えば紫外線を照射してその後現像・ベーキング処理を経て生成し、磁気抵抗効果素子を損傷することが無いので磁気抵抗効果素子のトラック幅は確実に正確な所定寸法を保持出来る。」
　
　２）　第４頁左上欄第８行〜左下欄第８行
「［実施例］
本発明の実施例を図を用いて説明する。
　第１図は第１実施例に用いた複合薄膜磁気ヘッドのトラック進行方向の断面を示したものである。セラミック系基板１０上にアルミナ２０を７〜８μｍスパッタリングし、イオンミリング法により深さ５〜６μｍの凹部を形成する。その上に下部磁気コアとして下部磁性膜３０を約２マイクロｍスパッタリングし磁気コア状にパターニングする。下部磁性膜３０の凹部に銅の導体でコイル５０とそれを被覆する絶縁材料４０ここではフォトレジストを配設し、その絶縁材料４０と書込面側の下部磁性膜３０の上にギャップ材６０としてアルミナを０．４μｍスパッタリングし、その上に上部磁性膜６５を約２μｍスパッタリングして次に平坦にし、さらにギャップ材９０としてアルミナをその上に０．１〜０．２μｍスパッタリングし、そして磁気抵抗効果膜１００をスパッタリングする。上記アルミナ２０の凹部深さは５〜６μｍより浅いとコイル５０及びそれを被覆する絶縁材料４０を配設出来ず、深くすることはその加工が困難となる。次にトラック幅と平行方向に磁気抵抗効果膜１０００とギャップ材９０をパターニングする。その後磁気抵抗効果膜１００とギャップ材９０及び上部磁性膜６５を同時にパターニングする。また上部磁性膜６５の磁気抵抗効果膜１００側表面の凹凸を１μｍ以下にしないと磁気抵抗効果膜１００の形成が困難となり、その特性も悪くなる。磁気抵抗効果膜１００の上にスルーホール用絶縁材１１０としてフォトレジストを塗布し光学的処理を行ってスルーホールを形成する。磁気抵抗効果膜１００のスルーホール部分に導体１２０ここではＣｒ／Ｃｕを約０．０３〜０．５μｍスパッタリング及びパターニングをしこの導体１２０により再生出力を取り出す。それからギャップ材１３０としてアルミナを０．１〜０．２μｍスパッタリングし、その上に磁気シールド材１４０を約２μｍスパッタリングしパターニングする。最後に保護膜１５０としてアルミナを１０〜３０μｍスパッタリングして複合薄膜磁気ヘッドの形成を完了する。」
　
　３）　第５頁左上欄第７行〜右上欄第３行
「第３図は複合薄膜磁気ヘッドを浮上面側即ち、磁気記録面側から見た断面を示したものである。第３図の水平方向をトラック幅方向とすると、トラック幅が最も大きいのは下部磁性膜３０で次は上部磁性膜８０で磁気抵抗効果膜１００の導体１２０の間隔部分が有効に作用するのでその幅は最も小さい。記録用としての誘導型薄膜磁気ヘッドのトラック幅は小さい方の上部磁性膜８０で支配されるが再生用としての磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜１００より大きく磁気記録面へ幅広く書き込んで狭く再生するので確実に磁気情報を再生することが出来る。また下部磁性膜３０、上部磁性膜８０、磁気抵抗効果膜１００を順次同一基板の上にスパッタリングとパターニングを繰り返して形成するので記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッドの間に位置ずれが生じない。」
　
　４）即ち、引用例２には、第３図とともに、
「上部磁性膜８０（６５）と磁気シールド材１４０との間に、ギャップ材９０、磁気抵抗効果膜１００を有する薄膜磁気ヘッドであって、スルーホール用絶縁材１１０のスルーホールを介して、磁気抵抗効果膜１００に直接接続する導体１２０が設けられ、この導体１２０により再生出力を取り出す」ことが示されており、スルーホールで磁気抵抗素子の読取り幅を規定することは明らかである。
　
（３）　本件出願前公知の刊行物である特開平４−１８２９１２号公報（以下、引用例３という。）には、次の記載がある。
　１）　第２頁左上欄第３行〜右上欄第１０行
「このように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに検出するヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型ヘッドの開発が進められている。磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば第３図に示したような構造をしている。（例えば第１３回目本応用磁気学会学術講演概要集（１９８９）ｐｐ２２８）この図はシャントバイアス型ヘッドとよばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘッドは基板１に積層された下部シールド膜２、下部ギャップ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上部ギャップ膜７、および上部シールド膜８より構成される。各膜厚は上下部シールド膜２、８を除き、一般に非常に薄い。例えば、磁気抵抗効果膜４ は数１０ｎｍ、上部、下部ギャップ膜３、７は０．２μｍ程度である。
　磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高密度に記録された信号を高Ｓ ／Ｎに再生しようとすると、磁気抵抗効果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の膜厚をより小さくしなければならない。このように薄膜化されると、パターニングにより下地膜がエッチングされ、最悪の場合下地膜がなくなってしまうことさえ起こりうる。特に、被エッチング膜が厚い場合に顕著となる。第３図に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエッチング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギャップ膜７の下に形成されている電極６のエッチングが問題となる。」、
　
　２）　第２頁右下欄第１５行〜第３頁左下欄第１４行
「以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
〔実施例１〕
　第１図を用いて述べる。基板１はＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ板である。先ず、基板１上に下部シールド膜２を成膜する。下部シールド膜２はＮｉＦｅ合金薄膜で、スパッタリング法で成膜した。膜厚は３μｍである。パターニングはホトレジスト膜をマスクとしてイオンミリング法で行った。続いて下部ギャップ膜３としてＡｌ２Ｏ３をスパッタリング法で成膜した。膜厚は０．１９μｍである。下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ−Ｎｂ膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法で行った。それぞれの濃厚は２５ｎｍ、３６ｎｍである。両膜のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で一括して行った。この工程においても下部ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数ｎｍ程度であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およびシャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜に比較し下部ギャップ膜であるＡｌ２Ｏ３のミリング速度が小さいためである。次に、電極６を形成する。ここでは、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は下地膜との付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の他に工程中でのＣｕの酸化を防止するための膜である。膜厚はそれぞれ０．０２、０．４、０．０２μｍとした。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイオンミリング法で行った。この工程ではシャントバイアス膜５、および下部ギャップ膜３の両膜がエッチングされるが、その量はわずかである。これはＣｒ膜が非常に薄いこと、Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３であるＡｌ２Ｏ３、シャント膜であるＮｂに比較し大きいためにである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同じＡｌ２Ｏ３で形成した。濃厚は０．１５μｍである。すなわち、上部、下部シールド間隔で約０．４μｍとなる。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイオンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパターニングでは電極６のエッチングが問題となる。この工程では。下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７であるＡｌ２Ｏ３よりミリング速度が大きい。電極５がエッチングされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時間の約１０％程度であった。Ａｌ２Ｏ３に対するＣｕのミリング速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍエッチングされるが、上述したように電極の膜厚は約０．４μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成する。保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、東京応化社製）を用いた。ホトレジスト膜は回転塗布法で成膜し、腹厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、ホトレジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ膜７の一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０℃、３時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐えるようにした。次に、上部シールド膜８となるＮｉＦｅ膜をスパッタリンク法で成膜する。膜厚は１μｍである。パターニングはホトレジスト膜をマスクにイオンミリング法で行った。上部シールド膜のエッチングでは保護膜９がエッチングされる。保護膜９がエッチングされる時間は、上記同様上部シールド膜８のエッチング時間の約１０％程度である。上部シールド膜であるＮｉＦｅ膜と保護膜９であるホトレジスト膜のミリング速度はほぼ��じであるから、保護膜９のエッチング量は約０．１μｍ程度である。保護膜９の初期の膜厚は１μｍであるから、十分に電極５、および上部ギャップ膜７を保護できる。ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとしたが、上部シールド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ膜７を保護できればよく、最小では０．１μｍでもよい。ただし、プロセスのマージンを考慮すれば０．２μｍ以上が好ましい。最後に外部との接続を行うために保護膜９にスルーホールを形成する。ここでは、レジスト膜をマスクに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング法でパターニングした。」
　３）　即ち引用例３には、
　基板１に積層された下部シールド膜２、下部ギャップ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上部ギャップ膜７、および上部シールド膜８より構成される磁気抵抗効果型ヘッドであって、
　下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ−Ｎｂ膜を連続的に成膜し、両膜のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で一括して行い、この工程においても下部ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数ｎｍ程度であり問題はないこと、
　ホトレジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ膜７の一部を被覆して保護膜９とし、上部シールド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ膜７を保護すること
が示されている。
　
（４）周知例
　１）　審査での拒絶の理由に示されていないが、下層の絶縁膜の絶縁不良を改善するためにさらに上層に絶縁膜を重ねる周知技術として、特開平３−２９５２５８号公報（周知例１）、特開平４−３９９３９号公報（周知例２）があり、下層絶縁膜周辺端部のクラック発生を防止するために上層のもので下層を覆う周知技術として、特開平３−２８６５９７号公報（周知例３）がある。
　
　２）　特開平３−２９５２５８号公報（周知例１）記載の周知技術
　第２頁左上欄第１９行〜右上欄第６行
「ところで、層間絶縁膜４に選択エッチングによってコンタクトホール５を形成すると、第２図（ａ）に示すように、コンタクトホール５の上端の角部が丸みを帯びるため、第２配線層６を形成した場合に、第１配線層３の角部と第２配線層６との間の距離Ｌがコンタクトホール５の上端の丸みを帯びた部分で最短となり、特にこの部分の絶縁耐圧が低くなる。」
という課題が示され、
　第２頁左下欄第１０行〜第２０行
「［課題を解決するための手段］　この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された第１配線層と、前記第１配線層を被覆して前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開孔され前記基板表面が露出したコンタクトホールと、前記層間絶縁膜上及び前記コンタクトホール内に形成され前記基板表面に接触した第２配線層とを備えた半導体装置において、前記コンタクトホールの側壁に前記層間絶縁膜より絶縁強度の高い補強絶縁膜を形成したことを特徴としている。」
という構成で解決している。
　
　３）特開平４−３９９３９号公報（周知例２）記載の周知技術
　第３頁左上欄第６行〜左下欄第３行
「しかし、微細パターンを精度良く完全にエッチングしようとすると、ややエッチングがオーバーになって、ＣＶＤシリコン酸化膜５がエッチング除去された後、その下のポリシリコン（ベース引き出しポリシリコン３Ｔ、ポリシリコン抵抗３Ｒ）までがエッチングされる。特に、ウエハーの面内分布にバラツキが大きい場合は、オーバーエッチングの顕著な部分が発生しやすい。
　他方、ＣＶＤシリコン酸化膜５は比較的に初期の工程で被着しており、その後の各工程におけるクリーニングのための弗酸系溶液を用いたウェットエッチング（前処理、後処理）によって、ＣＶＤシリコ酸化膜５の厚み５０００Åが薄くなり、アルミニウムの被着直前にはＣＶＤシリコン酸化膜５の膜厚は平均的に約２５００Å程度に薄く減少している。
　そうすると、第２図（ｄ）内に矢印（→）で示しているように、ＣＶＤシリコン酸化膜５が完全に除去され、ベース引き出しポリシリコン３Ｔの一部、または、ポリシリコン抵抗３引用例の一部のエッチングされた部分はその断面積の減少によって抵抗値が増大することになる。このベース電極や抵抗対の抵抗値の増大は高速動作などデバイス特性に悪影響を与える。
　本発明はそのような欠点を解消させて、ベース引出しポリシリコンやポリシリコン抵抗の抵抗値の増大を防止することを目的とした製造方法を提供するものである。
　［課題を解決するための手段］
　その課題は、第１図の実施例に示しているように、ベース引出し電極となるポリシリコン３Ｔ上及び抵抗対となるポリシリコン３Ｒ上に被着する第１のシリコン酸化膜５の上に、さらにエミッタ電極の側壁絶縁膜となる第２のシリコン酸化膜１０を残存させて絶縁強化を図るようにした工程が含まれる製造方法によって解決される。」
　
　４）特開平３−２８６５９７号公報（周知例３）記載の周知技術
　第１頁左下欄第１３行〜右下欄第４行
「多層回路基板に関し、
　多層配線回路基板の層間絶縁膜の周辺端部にクラックなどが発生することを防止して、歩留まり・品質の改善と信頼性の向上を目的とし、
　セラミック基板上に導体配線層と耐熱・耐薬品性樹脂からなる絶縁物とを交互に複数層重ねて形成する多層配線回路基板において、前記絶縁膜の上層のものゝの周辺端部が下層のもゝの周辺端部を覆う様に形成されることを特徴として多層配線回路基板を構成する。」（「ものゝの」、「もゝの」という誤記はそのまま記載している。）
　そして、第２図とともに下層の絶縁膜３ａの周辺端部が上層の絶縁膜３ｂにより完全に覆われ保護された状態であり、導電体であるボンディングパッド２０と下層の絶縁膜３ａとの間に、上層の絶縁膜３ｂが形成されていることが示されている。
４　本願発明と引用例との対比
　引用例３において、下部ギャップ膜３、磁気抵抗効果膜４、電極６は、下部シールド膜と上部シールド膜との間にあることは明白であり、引用例１の電極６も磁気抵抗効果膜４と直接接続しており、読取り幅を規定することは
明白であり、
　引用例３の「下部シールド膜２」、「上部シールド膜８」、「下部ギャップ膜３」、「磁気抵抗効果膜４」、「電極６」、「上部ギャップ膜７」、「磁気抵抗効果型ヘッド」は、
本願発明の「下部シールド層」、「上部シールド層」、「下部ギャップ絶縁層」、「磁気抵抗素子」、「リード」、「上部ギャップ絶縁層」、「薄膜磁気ヘッド」にそれぞれ相当するから、
本願発明と引用例３記載の発明とは次の点で一致する。
（一致点）
　「下部シールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子の読取り幅を規定するように該磁気抵抗素子と電気的に直接接続されたリードと上部ギャップ絶縁層とが順次積層されている薄膜磁気ヘッド。」
　
　そして、次の点で相違する。
（相違点）
　本願発明では、「前記リードと前記磁気抵抗素子との間の一部及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に、該下部ギャップ絶縁層の絶縁性を補強するための絶縁膜が付加的に形成されている」のに対して、引用例１のものは、リードと前記磁気抵抗素子との間の一部及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に、該下部ギャップ絶縁層の絶縁性を補強するための絶縁膜が付加的に形成されていない点。
　
（相違点の検討）
　引用例３においても、下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ−Ｎｂ膜を連続的に成膜し、両膜のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で一括して行い、この工程において下部ギャップ膜３がエッチングされることはしめされている。その量は数ｎｍ程度であり問題はないとして、この部分に保護膜を形成していない。そして、上部シールド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ膜７を保護することを目的として、保護膜を形成している。
　引用例１においては、導体膜５の微細加工工程において、磁性薄膜４まで一部加工してしまうことが示されており、引用例２においては、「パターニングにより下地膜がエッチングされ、最悪の場合下地膜がなくなってしまうことさえ起こりうる。特に、被エッチング膜が厚い場合に顕著となる。第３図に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエッチング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギャップ膜７の下に形成されている電極６のエッチングが問題となる」としており、エッチングされる対象は本願発明とは異なるが、パターニングされる膜の下層がエッチングされることの問題点は指摘されている。
　してみると、引用例３において、下部ギャップ膜３上の磁気抵抗効果膜４およびシャントバイアス膜５をエッチングする際に下部ギャップ膜３がエッチングされることは認識しているのであり、エッチングされる量が少ないので問題ないとしていても、当業者がその点を課題と認識することに、格別の困難は認められない。
　そして、下部がギャップ層がエッチングされれば、絶縁特性が悪化することは当業者にとって当たり前の知見である。そして、下層の絶縁膜の絶縁性を向上させるためにさらに絶縁膜で覆うことは、上記周知例１，２に示されている技術であり、さらに覆う絶縁膜を、引用例１及び２に見られるように、スルーホール形成用の絶縁膜を利用して、周知例３に見られるような下層の絶縁膜を覆う様に形成すること、そして、覆う絶縁膜は下層の絶縁膜の絶縁性を補強することは明らかである。即ち、前記リードと前記磁気抵抗素子との間の一部及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に、該下部ギャップ絶縁層の絶縁性を補強するための絶縁膜を付加的に形成することは、引用例１、２及び周知例１〜３から当業者が容易になしえたことであると認められる。
　従って、この相違点は格別のことではない。
　
５　まとめ
　本願発明は、引用例１〜３及び周知例１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項に規定により、特許を受けることができないものであり、請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れない。
　よって結論のとおり審決する。