【事件の表示】
　平成　６年特許願第　３１７１２号「反射型マスク、その製造方法及び該マスクを用いた露光装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　９月１２日出願公開、特開平　７−２４０３６４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本願は、平成６年３月２日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、次のとおりである。
「多層膜からなる反射部に対して、反射露光エネルギに位相変化を与えるべく該多層膜上に形成された吸収体パターンからなるコントラストの小さい非反射部、及び該多層膜の周期構造の規則性を破壊してなるコントラストの大きい非反射部により位相シフトマスクを構成したことを特徴とする反射型マスク。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平５−１３４３８５号公報（以下、刊行物１という）には、次の事項が記載されている。
・「反射部と非反射部とで形成された所定のパターンを有し、反射照明によって投影される反射マスクにおいて、前記非反射部をはさむ両側の反射部から反射した反射光の間に位相差を生じさせる位相シフト手段を設けたことを特徴とする反射マスク。（【請求項１】）
・「【産業上の利用分野】本発明は、光学的な像の再生、特に紫外線および軟Ｘ線領域の反射照明により照明される反射マスクに関する。」（段落【０００１】）
・「【実施例４】図４は、本発明の第４の実施例の反射マスクの概略断面図である。本実施例の反射マスク９は、基板８に段差を設ける代わりに、該基板上に形成された反射部１となる多層膜５の総厚を変えることでλ／４の段差を形成させたものである。このマスク９は実施例３のマスクと同様、基板８上に形成された多層膜５自体が反射部１に、多層膜５上に形成された光吸収部材６が非反射部２になっている。そして、これら反射部１と非反射部２とで所定のパターンを形成している。マスク９の作成に際しては、所定の（例えば、図中の反射部１ａ、１ｃに相当する）厚さの多層膜５を基板８上に形成し、ついで所望の位置（図中、反射部１ｂ）の多層膜を成膜あるいはエッチングすることで、λ／４の段差を設けた。本実施例の反射マスクにおける投影像においては、実施例１と同様、反射部１ａ、１ｃからの像の振幅分布は従来と同様になる。しかし、段差部にある反射部１ｂの像は、λ／４の段差により振幅が反転する。その結果、非反射部に達する光は互いに打ち消されて光強度がほぼ０となり、投影像の解像限界が向上する。なお、成膜により段差を設ける場合には、成膜する物質は多層膜を構成する物質とは別のものでも構わない。また、非反射部は、多層膜の構造を破壊して形成させても良い。多層膜の構造を破壊するには、該膜にイオンビームを照射する等の方法がある。ところで、多層膜の膜厚と光の波長との関係は、結晶による回折と同様にブラッグの式で与えられる。つまり、多層膜の１ペア層の厚さをｄ、照明光の波長をλ、光の入射角をαとすると、ほぼ２ｄ・ｃｏｓα＝λとなる。照明光を垂直入射させて使用する場合は、α＝０°となるから、本実施例においてはλ／４の段差とｄ／２とが等しくなればよい。すなわち、１８０°の位相差を生じさせるためには、１ペア層の１／２だけ多層膜の総厚を変化させればよい。一般に、多層膜では２つの物質を同じ程度の膜厚で交互に積層することが多いので、例えば１つの物質をそれまでと同じ程度の厚さだけ付加すれば、前記総厚の変化分を得ることが可能である。より厳密には、多層膜の最表面（照明光の入射面）の物質が反射部１ａ、１ｃと１ｂとが同じか否かで、両者の位相差や反射率に僅かに差が生じるが、この差は成膜する厚さを変えることで調整できる。」（段落【００２４】〜【００２７】）
・図４からは、反射部１ｂの領域について、多層膜５の上に成膜された構成を読み取ることができる。
　上記記載事項において、
（１）「所望の位置（図中、反射部１ｂ）の多層膜を成膜あるいはエッチングすることで、λ／４の段差を設けた。」、「成膜により段差を設ける場合には、成膜する物質は多層膜を構成する物質とは別のものでも構わない。」、「例えば１つの物質をそれまでと同じ程度の厚さだけ付加すれば」という記載から、反射部１ｂは多層膜上に形成された１つの物質の成膜パターンからなることは明かである。
（２）「実施例１と同様、反射部１ａ、１ｃからの像の振幅分布は従来と同様になる。しかし、段差部にある反射部１ｂの像は、λ／４の段差により振幅が反転する。」という記載は、反射部１ｂで反射した光は、反射部１ａ，１ｃで反射した光に対して、位相が変化している、つまり、反射部１ｂは、その反射光に、反射部１ａ，１ｃに対して位相変化を与えるものであることは明かである。
（３）「位相シフト手段を設けたことを特徴とする反射マスク」は、位相シフトマスクであることは明かである。
　したがって、上記刊行物１には、
「多層膜からなる反射部１ａ，１ｃに対して、反射光に位相変化を与えるために該多層膜上に形成された１つの物質の成膜パターンからなる反射部１ｂ、及び該多層膜の構造を破壊して形成された非反射部２により位相シフトマスクを構成したことを特徴とする反射マスク」
なる発明（以下、引用発明という）が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
（１）引用発明の「多層膜からなる反射部１ａ，１ｃ」は、本件発明の「多層膜からなる反射部」に相当する。
（２）引用発明の「反射光に位相変化を与えるために該多層膜上に形成された１つの物質の成膜パターンからなる反射部１ｂ」について、本件発明の「反射露光エネルギーに位相変化を与えるべく該多層膜上に形成された吸収体パターンからなるコントラストの小さい非反射部」と対比すると、
（イ）引用発明では「１つの物質の成膜パターン」であるのに対して、本件発明では「吸収体パターン」である点
（ロ）引用発明では「反射部１ｂ」であるのに対して、本件発明では「コントラストの小さい非反射部」である点
で、一応、相違するように思われる。
　しかし、（イ）について、引用発明の「１つの物質の成膜パターン」は、多層膜上に、多層膜と同じ物質あるいは別の物質で形成された成膜であり、また、軟Ｘ線の領域では、どのような物質でも吸収を０とすることは不可能であることは、本件明細書段落【００３６】にも記載されているように当業者にはよく知られたことであるから、引用発明の「１つの物質の成膜パターン」も、軟Ｘ線を吸収する吸収体ということができる。そして、本件発明の「吸収体パターン」が多層膜上に成膜されたものであることも明かであるから、引用発明の「１つの物質の成膜パターン」と、本件発明の「吸収体パターン」は、実質的に同一の構成である。
　次に、（ロ）について、本件明細書段落【００３５】〜【００３６】の「反射部としての多層膜の周期構造の規則性を破壊して得られた、反射率の極めて低い、即ちコントラストの大きくとれる非反射部の周囲に、コントラストが小さく、位相がπ変化する吸収体を反射部としての多層膜上に形成することにより得られる。軟Ｘ線及び真空紫外線の波長域では、吸収体中で吸収を０とすることはどのような物質を用いても不可能である。しかしながら、適当な材料を用いることにより、少ない吸収で位相をπ変化させることができる。」という記載から、本件発明の「コントラストの小さい非反射部」は、吸収体の少ない吸収により、入射光の多くを反射させるものであることは明かである。これにより、「コントラストの小さい」が意味するところは、「コントラストの小さい非反射部」の反射光と、入射光のほとんどを反射する「多層膜からなる反射部」の反射光を比較すると、反射光量に大きな差異がないため、コントラストが小さくなることであると解するのが妥当である。そして、「コントラストの小さい非反射部」からの反射光量は、「多層膜からなる反射部」からの反射光量に比して、少し小さいことから、「非反射部」と記載していると認めるのが相当である。
　また、引用発明の「反射部１ｂ」は、多層膜上に成膜されたパターンが存在する構成であるが、上述のように、「１つの物質の成膜パターン」も、軟Ｘ線及び真空紫外線の波長域では、吸収が０とならないことは明かである。また、「反射部１ｂ」は、「反射部１ａ，１ｃ」と同様に、投影像を形成する領域であり、入射光のうちのできるだけ多くを反射する必要があることも明かであるから、「反射部１ｂ」は、成膜の少ない吸収により、入射光の多くを反射させるものであると認めることができる。すると、「反射部１ｂ」の反射光量は、入射光のほとんどを反射する「反射部１ａ，１ｃ」の反射光量に比して、少し小さいことになる。このことから、「反射部１ｂ」の反射光と「反射部１ａ，１ｃ」の反射光を比較すると、反射光量に大きな差異がないため、コントラストが小さいものであり、また、「反射部１ｂ」は、本件発明と同様に、非反射部と記載できるものであるということができる。
　したがって、引用発明の「反射部１ｂ」と、本件発明の「コントラストの小さい非反射部」とは、実質的に同一の構成である。　
（３）引用発明の「該多層膜の構造を破壊して形成された非反射部２」は、本件発明の「該多層膜の周期構造の規則性を破壊してなるコントラストの大きい非反射部」に相当する。
（４）引用発明の「反射マスク」は、本件発明の「反射型マスク」に相当するから、引用発明と本件発明は、ともに、位相シフトマスクを構成したことを特徴とする反射型マスクである。
　以上のように、引用発明と本件発明に、実質的に差異はなく、本件発明は引用発明と実質的に同一である。
　
４．請求人の主張について
　請求人は、請求の理由において、「本発明はこの構成によって、反射部とは位相を違えた反射露光エネルギを生成するコントラストの小さい（即ち若干の反射光を見込んだ）非反射部が反射部上に形成されたことにより」（２）本発明と引用文献の対比の項目中の第３段落目）と記載し、本件発明の「コントラストの小さい非反射部」は、「若干の反射光」のみを反射する構成である旨主張しているが、上記３．（２）（ロ）で記載したとおり、本願の発明の詳細な説明を参照すると、本件発明の「コントラストの小さい非反射部」は、入射光の多くを反射する構成であると認めるのが妥当である。
　また、請求の理由において、「隣接する反射部との相互作用で位相シフト作用を発生することとなり、・・これに対して、引用文献１においては、請求項１の記載からも明らかなように、非反射部を挟む両側の反射部に位相差を生じさせるようにしたものであります。・・引用文献１の発明は、離れた光透過部間での位相シフト効果を利用するもので、間の非反射部に達する光を打ち消すだけの効果しかなく、基本的に反射部と非反射部との境界の解像度を集中的に向上させえるものではありません。・・高い効果が期待出来るものであります。」（２）本発明と引用文献の対比の項目中の第３〜５段落目）との主張は、本件発明の実施例であるコントラストの大きい非反射部の両側に、コントラストの小さい非反射部、反射部という順に配置した構成（図３参照）と、刊行物１に記載された、非反射部２（本件発明の「コントラストの大きい非反射部に相当）の一側に反射部１ａ，１ｃ（本件発明の「反射部」に相当）を、他側に反射部１ｂ（本件発明の「コントラストの小さい非反射部」に相当）を配置した構成との差異に基づいているものと思われるが、本願の請求項１には、上記コントラストの大きい非反射部の両側に、コントラストの小さい非反射部、反射部という順に配置した構成は記載されていないから、前記主張は、本願の請求項１の記載に基づかないものであり、採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　なお、本願について、拒絶査定の理由は、本件発明が特許法第２９条第２項に規定する発明に該当するものであるとし、本件審決の理由は、本件発明が特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するものであるとして、本願について拒絶すべきものとしているが、いずれの場合も、同一の刊行物に記載の発明を公知事実としたものであるから、仮に、改めて審判手続において、本件発明が前記公知事実をもって特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当する旨の拒絶理由を通知しても、出願人から新たな意見などの対応を期待できないから、新たな拒絶理由の通知を要さないものと認められる。（東京高裁昭和５６年（行ケ）第８号事件・東京高裁昭和５９年９月２６日判決参照。）
　よって、結論のとおり審決する。