【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板、
前記絶縁基板上に形成されているシリコン層、
前記シリコン層を覆っているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている保持電極、
を有し、
前記シリコン層は、ドーピングされているソース領域とドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置してドーピングされていない第１領域、及び、前記ドレイン領域と隣接しかつ前記第１領域と分離されてドーピングされていない第２領域、を含み、
前記保持電極は前記第２領域上に位置する、
液晶表示装置。
【請求項２】
前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれに連結されているソース電極とドレイン電極、をさらに有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記ゲート電極及び前記保持電極を覆い、前記ソース領域及び前記ドレイン領域をそれぞれ露出させている第１及び第２接触口、を含む層間絶縁膜、
をさらに有し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが前記層間絶縁膜上に形成され、前記第１及び第２接触口を通じて前記ソース領域と前記ドレイン領域とにそれぞれ連結される、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記シリコン層がポリシリコンからなる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ドレイン領域と電気的に連結されている画素電極をさらに有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ゲート絶縁膜は５００〜３，０００Åの厚さを有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜はシリコンダイオキサイドまたはシリコンニトライドからなる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
ソース領域とドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置したドーピングされていない第１領域、及び、前記ドレイン領域と隣接しドーピングされていない第２領域、を含むシリコン層、ゲート電極、及び、前記シリコン層と前記ゲート電極との間に挟まっているゲート絶縁層、を有する薄膜トランジスタ、並びに、
前記絶縁層を介して前記シリコン層の第２領域と重なっている保持電極、
を具備する液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタを導通させて前記ゲート電極に開電圧を印加する段階、
前記ソース領域に画像信号電圧を印加する段階、
前記画像信号電圧の最大値より前記薄膜トランジスタのしきい電圧以上高い電圧を前記保持電極に印加する段階、
を有する液晶表示装置。
【請求項９】
絶縁基板上にシリコン層を形成する段階、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階、
ゲート電極と保持電極とをそれぞれ前記シリコン層と重ねて前記ゲート絶縁膜上に形成する段階、及び、
前記ゲート電極と前記保持電極とをマスクにして前記シリコン層をドーピングし、ソース領域とドレイン領域とを形成する段階、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階、
前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれに連結されるソース電極とドレイン電極とを形成する段階、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを覆う保護絶縁膜を形成する段階、及び、
前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階、
をさらに有する、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記シリコン層を熱処理またはレーザアニーリングする段階をさらに有する、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ゲート絶縁膜を５００〜３，０００Åの厚さで形成する、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シリコン層をポリシリコンで形成する、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
絶縁基板、
前記基板上に形成されている第１金属パターン、
前記第１金属パターンと同一層に形成されており、前記第１金属パターンと分離されている保持電極用第２金属パターン、
前記第１及び第２金属パターン上に形成されており、前記第１及び第２金属パターンのそれぞれに接触しているソース領域とドレイン領域、を含むシリコン層、
前記シリコン層上に形成されているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されており、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置するゲート電極、及び、
前記ゲート絶縁膜上に形成されており、前記第２金属パターン上部に位置している保持電極、
を有する薄膜トランジスタ液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ドレイン領域と連結されている画素電極をさらに有する、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記画素電極は前記保持電極と重なり、それらの間が絶縁されている、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記保持電極は前記ゲート電極と同一物質で形成されている、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第２金属パターンと連結されている画素電極をさらに有する、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記画素電極は前記保持電極と重なり、それらの間が絶縁されている、請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記保持電極は前記ゲート電極と同一の物質で形成されている、請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記シリコン層はポリシリコンからなる、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
絶縁基板上にソース電極と金属パターンとを形成する段階、
前記ソース電極と前記金属パターンとの上にシリコン層を形成する段階、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階、
前記シリコン層と重なるゲート電極を含むゲートパターン、及び保持電極を前記ゲート絶縁膜上に形成する段階、並びに、
前記ゲートパターンをマスクにして前記シリコンをイオンドーピングし、ソース領域とドレイン領域とを形成する段階、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲートパターンを覆う保護膜を形成する段階、及び、
前記ドレイン領域と連結される透明電極を形成する段階、
をさらに有する、請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記シリコン層を熱処理またはレーザアニーリングする段階をさらに有する、請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記シリコン層をポリシリコンで形成する、請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
絶縁基板、
前記基板上に形成されており、ドーピングされたソース領域とドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャンネル領域、を含むシリコン層、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上部に形成されているゲート電極と保持電極、
前記ゲート電極と前記保持電極との上に形成されており、前記保持電極上部に位置する他の部分よりも厚さが薄い第１部分を有する層間絶縁膜、並びに、
前記ドレイン領域と電気的に連結されており、前記保持電極上部の前記層間絶縁膜上に形成されている画素電極、
を有する液晶表示装置。
【請求項２７】
前記層間絶縁膜上に形成されているソース電極とドレイン電極、
をさらに有し、
前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とには、前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれを露出させている第１及び第２接触口が形成されており、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とがそれぞれ、前記第１及び第２接触口を通じて前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれに連結されている、
請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを覆っている保護絶縁膜、
をさらに有し、
前記保護絶縁膜が、前記ドレイン電極を露出させている第３接触口と、前記層間絶縁膜部を露出させている経由口、を含み、
前記第３接触口を通じて前記画素電極が前記ドレイン電極と連結されている、
請求項２７に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記層間絶縁膜の薄い部分は５００〜３，０００Åの厚さを有する、請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記シリコン層はポリシリコンからなる、請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
絶縁基板、
前記基板上に形成されており、ドーピングされたソース領域とドレイン領域、及び、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャンネル領域、を含むシリコン層、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されており、前記チャンネル領域上に位置するゲート電極、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている保持電極、
前記ゲート電極と前記保持電極との上に形成されており、下部の第１絶縁膜と上部の第２絶縁膜とを含む層間絶縁膜、並びに、
前記ドレイン領域と電気的に連結されており、前記保持電極上部の前記層間絶縁膜上に形成されている画素電極、
を有し、
前記保持電極上部の前記層間絶縁膜は前記第１絶縁膜のみを含む、
液晶表示装置。
【請求項３２】
第１絶縁膜は前記ゲート電極と前記保持電極との上部にのみ形成されている、請求項３１に記載の液晶表示装置。
【請求項３３】
前記層間絶縁膜上に形成されているソース電極とドレイン電極、
をさらに有し、
前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とには、前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれを露出させている第１及び第２接触口が形成されており、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とがそれぞれ、前記第１及び第２接触口を通じて前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれに連結されている、請求項３１に記載の液晶表示装置。
【請求項３４】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを覆っている保護絶縁膜、
をさらに有し、
前記保護絶縁膜が、前記ドレイン電極を露出させている第３接触口と、前記層間絶縁膜の第１絶縁膜を露出させている経由口と、を含み、
前記第３接触口を通じて前記画素電極が前記ドレイン電極と連結されている、
請求項３１に記載の液晶表示装置。
【請求項３５】
前記第１絶縁膜は５００〜３，０００Åの厚さを有する、請求項３１に記載の液晶表示装置。
【請求項３６】
絶縁基板上にシリコン層を形成する段階、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階、
ゲート電極と保持電極とを前記ゲート絶縁膜上に形成する段階、
前記ゲート電極と前記保持電極との上に層間絶縁膜を積層する段階、
前記保持電極上部の前記層間絶縁膜をエッチングして他の部分よりも薄く形成する段階、及び、
前記層間絶縁膜上に画素電極を形成する段階、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記層間絶縁膜の厚さが５００〜３，０００Åとなるようにエッチングする、請求項３６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記ゲート電極をマスクにして前記シリコン層をイオンドーピングし、ソース領域とドレイン領域とを形成する段階、をさらに含む、請求項３６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記層間絶縁膜を、エッチング比が異なる二つの膜からなる二重膜で形成する、請求項３６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記二重膜は上部膜と下部膜とからなり、前記上部膜は前記保護絶縁膜のエッチング比と同一の物質で形成される、請求項３９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記層間絶縁膜をエッチングする段階において、前記保持電極の上部に位置する前記上部膜を除去する、請求項４０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記下部膜を５００〜３，０００Åの厚さで形成する、請求項４０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４３】
絶縁基板上にシリコン層を形成する段階、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と保持電極とを形成する段階、
前記ゲート電極と前記保持電極との上に層間絶縁膜を形成する段階、
前記層間絶縁膜上に保護絶縁膜を蒸着する段階、
前記保護絶縁膜をエッチングして前記保持電極上部の前記層間絶縁膜を露出させる段階、及び、
前記保護絶縁膜と前記層間絶縁膜との上に画素電極を形成する段階、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記保護絶縁膜を除去した後、露出した前記保持電極上の前記層間絶縁膜の一部をエッチングして他の層間絶縁膜の他の部分より薄く形成する段階、をさらに有する、請求項４３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４５】
前記層間絶縁膜の厚さが５００〜３，０００Åとなるようにエッチングする、請求項４３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４６】
前記層間絶縁膜を、エッチング比が異なる上部第１絶縁膜と下部第２絶縁膜とからなる二重膜で形成する、請求項４３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４７】
前記第１絶縁膜を、前記保護絶縁膜とエッチング比が同一の物質で形成する、請求項４６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４８】
前記ゲート電極をマスクにして前記シリコン層をイオンドーピングしてソース領域とドレイン領域とを形成する段階、をさらに有する、請求項４３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４９】
絶縁基板上にシリコン層を形成する段階、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階、
第１金属膜と第１層間絶縁膜とを前記ゲート絶縁膜上に連続的に蒸着する段階、
前記第１層間絶縁膜をパターニングする段階、
前記第１層間絶縁膜をマスクにして前記第１金属膜をパターニングし、ゲート電極と保持電極とを形成する段階、
第２層間絶縁膜を形成する段階、及び、
画素電極を形成する段階、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項５０】
前記第２層間絶縁膜上に保護絶縁膜を蒸着する段階、及び、
前記保護絶縁膜のうち、前記保持電極上に置かれた部分をエッチングする段階、
をさらに有し、
前記画素電極は前記保護絶縁膜上に位置する、
請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５１】
前記第２層間絶縁膜を、前記保護絶縁膜とエッチング比が同一の物質で形成する、請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５２】
前記第１層間絶縁膜を、前記第２層間絶縁膜よりエッチング比が小さい物質で形成する、請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５３】
前記保護絶縁膜をエッチングする段階において、前記保持電極上部に位置した前記第２層間絶縁膜をエッチングする、請求項５０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５４】
前記第１層間絶縁膜を５００〜３，０００Åの厚さに形成する、請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５５】
前記ゲート電極をマスクにして前記シリコン層をイオンドーピングし、ソース領域とドレイン領域とを形成する段階、をさらに有する、請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５６】
絶縁基板、
前記基板上に形成されているシリコン層、
前記シリコン層を覆っているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている保持電極、及び、
を有し、
前記シリコン層は、ドーピングされているソース領域とドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置してドーピングされていないチャンネル領域、前記ドレイン領域と隣接し、かつ前記チャンネル領域とは分離されてドーピングされていない保持領域、及び、前記保持領域の周縁に隣接して前記ドレイン領域と連結されてドーピングされている第１領域、を含んでおり、
前記保持電極は前記保持領域上に位置する、
液晶表示装置。
【請求項５７】
前記ドレイン領域に印加される電圧の最大値に比してしきい電圧以上大きい電圧が前記保持領域に印加される、請求項５６に記載の液晶表示装置。
【請求項５８】
前記保持領域と隣接し、前記ドレイン領域と前記第１領域とから分離されているドーピングされた第２領域、
をさらに有する、請求項５７に記載の液晶表示装置。
【請求項５９】
前記ドレイン領域と電気的に連結されている画素電極をさらに有する、請求項５８に記載の液晶表示装置。
【請求項６０】
前記画素電極が前記第１領域と複数の位置で連結されている、請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６１】
前記保持電極を覆っている絶縁層、をさらに有し、
前記画素電極は前記絶縁層を介して前記保持電極と重なっている、
請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６２】
前記ゲート絶縁膜には前記第１領域を露出させている複数の接触口が形成されており、前記接触口を通じて前記画素電極が前記第１領域と連結されている、請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６３】
前記画素電極は前記第２領域と連結されている、請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６４】
前記保持電極と前記画素電極との間に形成されている絶縁層、
をさらに有し、
前記ゲート絶縁膜には前記第２領域を露出させている第１接触口が形成されており、  前記第１接触口を通じて前記画素電極が前記第２領域と連結されている、
請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６５】
前記ゲート絶縁膜には前記第１領域を露出させている複数の第２接触口が第１方向に沿って複数の位置に形成されており、前記第２接触口を通じて前記画素電極が前記第１領域と連結されている、請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６６】
前記ゲート絶縁膜には、前記第２領域を露出する複数の第３接触口が形成されており、前記第３接触口を通じて前記画素電極が前記第２領域と連結されている、請求項６３に記載の液晶表示装置。
【請求項６７】
前記画素電極は前記保持電極と重なり、それらの間が絶縁されている、請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６８】
前記保持電極を覆っている層間絶縁膜、及び、
前記保持電極上の前記層間絶縁膜上に形成されており、前記第１領域と前記第２領域とのそれぞれに連結されている第１及び第２金属パターン、
をさらに有する、請求項６４に記載の液晶表示装置。
【請求項６９】
前記第１及び第２金属パターンは互いに連結されている、請求項６８に記載の液晶表示装置。
【請求項７０】
前記ゲート絶縁膜には前記第１領域と前記第２領域とを露出させている複数の接触口が形成されており、前記接触口を通じて前記第１及び第２金属パターンが前記第１及び第２領域と連結される、請求項６８に記載の液晶表示装置。
【請求項７１】
前記第１及び第２金属パターン上に保護膜がさらに形成されており、前記画素電極は前記保持電極と重なるように保護膜上に形成されている、請求項６８に記載の液晶表示装置。
【請求項７２】
絶縁基板、
前記基板上に形成されており、ドーピングされたソース領域とドレイン領域、及び、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のドーピングされていないチャンネル領域、を含むシリコン層、
前記シリコン層を覆っているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されており、前記チャンネル領域上に位置するゲート電極、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている第１保持電極、
前記ゲート電極上に形成されている第１層間絶縁膜、
前記第１層間絶縁膜上に形成されている第２保持電極、並びに、
前記ドレイン領域と電気的に連結されており、前記第２保持電極と接触している画素電極、
を有する液晶表示装置。
【請求項７３】
前記第２保持電極と前記第１層間絶縁膜とが前記第１保持電極と同一の様子に形成されている、請求項７２に記載の液晶表示装置。
【請求項７４】
前記ゲート電極と前記第２電極とが形成されている前記ゲート絶縁膜上部に形成されている第２層間絶縁膜、並びに、
前記第２層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とに形成された、前記ソース領域と前記ドレイン領域とをそれぞれ露出させている第１及び第２接触口、を通じて前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれに連結されるソース電極とドレイン電極、
をさらに有する、請求項７２に記載の液晶表示装置。
【請求項７５】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを覆っている保護絶縁膜、
をさらに有し、
前記保護絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが、前記ドレイン電極を露出させている第３接触口と、前記第２保持電極を露出させている経由口と、を含み、
前記画素電極が、前記第３接触口を通じて前記ドレイン電極と連結されており、前記経由口を通じて前記第２保持電極と接触している、
請求項７４に記載の液晶表示装置。
【請求項７６】
前記第２保持電極は二重膜または多重膜に形成されており、
前記二重膜または多重膜の最上層は、前記層間絶縁膜と前記保護絶縁膜とのいずれよりもエッチング比が小さい物質で形成されている、
請求項７５に記載の液晶表示装置。
【請求項７７】
前記最上層は、モリブデン、クロム、またはネオジムで形成されている、請求項７６に記載の液晶表示装置。
【請求項７８】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とがチタニウムまたは窒化チタニウムで形成されている、請求項７４に記載の液晶表示装置。
【請求項７９】
前記第１層間絶縁膜は５００〜２，５００Åの厚さを有する、請求項７２に記載の液晶表示装置。
【請求項８０】
前記第１層間絶縁膜が酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とからなる二重膜である、請求項７２に記載の液晶表示装置。
【請求項８１】
前記第１層間絶縁膜が、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸化シリコン膜からなる三重膜である、請求項７２に記載の液晶表示装置。
【請求項８２】
前記ゲート電極と前記第１保持電極とが、アルミニウム膜である下部層と、チタニウム膜である上部層と、の二重層からなる、請求項７２に記載の液晶表示装置。
【請求項８３】
絶縁基板上にシリコン層を形成する段階、
前記シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階、
ゲート配線用第１金属膜、保持蓄電器用第１層間絶縁膜、及び保持蓄電器用第２金属膜を連続的に蒸着する段階、
前記第１金属膜、前記第１層間絶縁膜、及び前記第２金属膜を同時にパターニングし、第１電極、前記第１電極の上に形成されている第１層間絶縁膜パターン、及び前記第１層間絶縁膜パターン上に第２電極を含む保持蓄電器、及びゲート電極、を形成する段階、
前記ゲート電極をマスクにして前記シリコン層にイオンを注入し、ドーピングされたソース領域とドレイン領域とを形成する段階、並びに、
前記保持蓄電器と前記ドレイン領域との両方に電気的に連結される画素電極を形成する段階、
を有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項８４】
前記ゲート電極と前記保持蓄電器との上に第２層間絶縁膜を蒸着する段階、
前記第２層間絶縁膜の一部をエッチングして前記ソース領域と前記ドレイン領域とを露出させる接触口を形成する段階、
前記接触口を通じて前記ソース領域と前記ドレイン領域とのそれぞれに連結されるソース電極とドレイン電極とを形成する段階、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との上に保護絶縁膜を積層する段階、及び、
前記ドレイン電極が露出するように保護絶縁膜をエッチングする段階、
をさらに有する、請求項８３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８５】
前記層間絶縁膜を、前記保護絶縁膜とエッチング比が同一の物質で形成する、請求項８４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８６】
前記保護絶縁膜をエッチングする段階において、前記第２電極上部に位置した前記第２層間絶縁膜をエッチングする、請求項８４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８７】
前記第２金属膜を多重膜で形成し、前記多重膜の最上層を、前記保護絶縁膜と前記層間絶縁膜とのいずれよりもエッチング比が小さい物質で形成する、請求項８４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８８】
前記第２金属膜の前記最上層を、モリブデン、クロム、またはネオジムで形成する、請求項８７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８９】
前記第１層間絶縁膜を、二酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との二重膜で形成する、請求項８３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９０】
前記第１層間絶縁膜を５００〜２，５００Åの厚さで形成する、請求項８９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９１】
前記第１層間絶縁膜を、二酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び二酸化シリコン膜の三重膜で形成する、請求項８３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９２】
前記第１層間絶縁膜を、５００〜２，５００Åの厚さで形成する、請求項９１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９３】
前記第１金属膜を、アルミニウム膜とチタニウム膜との二重膜で形成する、請求項８３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９４】
前記ソース領域と前記ドレイン領域とを露出させる接触口を形成する段階が、
前記保護絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記ゲート電極、のそれぞれの上部に、第１、第２、及び第３開口部を形成する段階、
前記ゲート電極上部の前記第２金属膜をエッチングして、第３開口部を含む第４開口部を形成する段階、並びに、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との上部の前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極上部の前記第１層間絶縁膜をエッチングし、前記第１及び第２開口部下部と前記第４開口部下部とのそれぞれに接触口を形成する段階、
を含む、請求項８４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９５】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とをチタニウムまたは窒化チタニウムで形成する、請求項８４に記載の液晶表示装置の製造方法。