【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１の電源と接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１のトランジスタのソース電極、ドレイン電極のどちらか一方に接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１の電源と接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１のトランジスタのソース電極、ドレイン電極のどちらか一方に接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のトランジスタと、
前記ビデオ信号の入力を制御する第３のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１の電源と接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のトランジスタと、
前記ビデオ信号の入力を制御する第３のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１のトランジスタのソース電極、ドレイン電極のどちらか一方に接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のトランジスタと、
前記ビデオ信号の入力を制御する第３のトランジスタと、
前記ビデオ信号に関わらず、前記発光素子を非発光状態にする第４のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１の電源と接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のトランジスタと、
前記ビデオ信号の入力を制御する第３のトランジスタと、
前記ビデオ信号に関わらず、前記発光素子を非発光状態にする第４のトランジスタとを画素に有する発光装置であって、
電源線と前記発光素子との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１のトランジスタのソース電極、ドレイン電極のどちらか一方に接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの極性が共にＰ型であり、
前記第１のトランジスタの閾値電位が前記第２のトランジスタの閾値電位よりも高いことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの極性が共にＮ型であり、
前記第１のトランジスタの閾値電位が前記第２のトランジスタの閾値電位よりも低いことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅より長く、
前記第２のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅と同じかそれより短いことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル幅に対するチャネル長の比が５以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
画素電極と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを画素に有する素子基板であって、
電源線と前記画素電極との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１の電源と接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする素子基板。
【請求項１４】
画素電極と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを画素に有する素子基板であって、
電源線と前記画素電極との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１のトランジスタのソース電極、ドレイン電極のどちらか一方に接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする素子基板。
【請求項１５】
画素電極と、
前記画素電極に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記画素電極への電流の供給の有無を決定する第２のトランジスタとを画素に有する素子基板であって、
電源線と前記画素電極との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１の電源と接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする素子基板。
【請求項１６】
画素電極と、
前記画素電極に流れる電流値を決定する第１のトランジスタと、
ビデオ信号によって、前記画素電極への電流の供給の有無を決定する第２のトランジスタとを画素に有する素子基板であって、
電源線と前記画素電極との間に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は前記第１のトランジスタのソース電極、ドレイン電極のどちらか一方に接続され、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする素子基板。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの極性が共にＰ型であり、
前記第１のトランジスタの閾値電位が前記第２のトランジスタの閾値電位よりも高いことを特徴とする素子基板。
【請求項１８】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの極性が共にＮ型であり、
前記第１のトランジスタの閾値電位が前記第２のトランジスタの閾値電位よりも低いことを特徴とする素子基板。
【請求項１９】
請求項１３乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅より長く、
前記第２のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅と同じかそれより短いことを特徴とする素子基板。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル幅に対するチャネル長の比が５以上であることを特徴とする素子基板。