【事件の表示】
　平成８年特許願第１９６０５５号「プラズマエッチング方法」拒絶査定に対する審判事件［平成９年１月２８日出願公開、特開平９−２７４８５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は平成４年１２月２２日（優先権主張　１９９２年９月８日　米国）に出願された特願平４−３４０８４１の一部を、平成８年７月２５日に特許法第４４条第１項の規定に基く新たな特許出願として分割したものであって、平成１１年３月３１日付けで拒絶査定された後、平成１１年７月５日に審判請求され、その後、平成１３年１月２２日付けで当審より拒絶の理由の通知がなされ、これに対して、平成１３年８月６日に手続補正書が提出されて明細書が補正されたものである。
　　
II．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、上記補正後の明細書の請求項１に記載のとおりの次のものである。
「【請求項１】プラズマエッチング方法であって、
ａ）真空チャンバ内にプラズマを維持するための真空チャンバを備えるステップと、
ｂ）前記チャンバ内でＲＦエネルギー源に接続された支持装置上に、前記プラズマによって処理されるべきシリコン基板を備えるステップと、
ｃ）コイルアンテナを介してプラズマを形成するため、前記チャンバにＲＦエネルギーを誘導的に結合するステップと、
ｄ）前記チャンバにフッ素含有エッチングガスを供給するステップと、
を有することを特徴とする方法。」
　　
III．当審の拒絶理由
　一方、当審において上記通知した拒絶の理由のうち、特許法第２９条第２項の規定に基く理由の概要は、以下のとおりのものである。
「この審判事件に関する出願は、合議の結果以下の理由によって拒絶すべきものと認める。これについて意見があれば、この通知の発送の日から３ヶ月以内に意見書を提出されたい。
　　　　　　　　　　　　　　　理　由
Ｉ）本件出願の請求項１〜６に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、その出願前日本国内または外国において頒布された刊行物である下記引用例１〜３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１．特開昭６３−１７４３２１号公報
引用例２．特公昭５９−４６０９４号公報
引用例３．特開平４−２３７１２４号公報
理由Ｉ（発明の進歩性）について
Ａ．証拠の記載事実・・・略
Ｂ．対比・判断
１．本件発明１について
　本件発明１と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１には、真空チェインバー中に半導体ウエハー等の加工部材を配置し、エッチングするに際して、コイルアンテナに高周波電力を供給しプラズマを発生させること（摘記1-1）、四フッ化メタン、三フッ化メタン等の反応性ガスを用いること（摘記1-2、1-3）が記載されているので、本件発明１は、引用例１に記載された発明と、
　プラズマエッチング方法であって、
ａ）真空チャンバ内にプラズマを維持するための真空チャンバを備えるステップと、
ｂ）前記チャンバ内でＲＦエネルギー源に接続された支持装置上に、前記プラズマによって処理されるべきシリコン基板を備えるステップと、
ｃ）コイルアンテナによってプラズマを形成するため、前記チャンバにＲＦエネルギーを誘導的に結合するステップと、
ｄ）前記チャンバにフッ素含有エッチングガスを供給するステップと、
を有することを特徴とする方法。
である点で一致している。
　しかし、引用例１には、本件発明１の構成要件である、ｅ）プラズマ中のフッ素イオンを除くために、基板の処理中に前記エッチングガスに加えて、ガス状のシリコン又は炭素源を通過させるステップの記載はなく、この点で両者の発明は相違している。
　そこで、この相違点について検討する。
　本件発明１における上記ｅ）工程における、「ガス状のシリコン又は炭素源を通過させるステップ」は、この文言の記載からでは、そのステップの内容が必ずしも明らかではないが、具体的には、本件明細書の発明の詳細な説明に記載された、以下のとおりのものを意味すると認められる。
　即ち、「チャンバー内のシリコン源を備えている処理方法である。シリコン源はチャンバー内のプラズマ源に配置された第３の電極であるのが好ましい、必ずしも電極である必要はなく、プラズマに接するチャンバー内の何処かにあればよい。」（段落【００１１】）、「フッ化物イオン・スカベンジャは・・・・プラズマの中或いはその近くにあるシリコン源であることが望ましい。フッ物スカベンジャは単結晶シリコンのような純粋なシリコン、ポリシリコン或いはシリコンカーバイド等であり、或いは第３の電極がシリコン又はシリコンを含む材料からできているのが好ましい。また、グラファイトはフッ化物イオンを取り除くために用いることができる。例えば、第３の電極がグラファイトから作られる。」（段落【００２１】）、「シリコン源はプラズマが発生される場所の近くに置かれるのが好ましく・・・・例えば、シリコンメッシュがプラズマ領域に吊り下げられるか、或いはシリコンがＲＦ電源の部分としてリアクターの壁或いは頂部の近くに配置される。またシリコン源は基板の表面近くに吊り下げることもできる」（段落【００２３】）、及び「シリコンは第３の電極１７Ｔ上或いはチャンバーの内壁１７Ｗ上のコーティング形態をとることができる。」（段落【００４８】）。
　一方、引用例２には、「真空容器内に弗素を含むエッチング用ガスを導入し、該エッチング用ガスを高周波電力によりグロー放電させてシリコン基板上に形成された酸化シリコン膜のエッチング処理を行なうスパッタ−エッチングにおいて、前記シリコン基板の近傍にモリブデン、タングステン、又はシリコンからなる物質を配置してエッチング処理を行なうことを特徴とするスパッタ−エッチング方法」（摘記2-1）に係る発明が記載されており、さらに、シリコン基板の近傍に、前記単体弗素を吸収し得る物質としてシリコン（Ｓi）等を配置することを基本とすること、該シリコン等は高周波電極上のイオンシース内又はその近傍に配置され、シリコン基板に到達する単体弗素の量を減少せしめることができること（摘記2-2）、弗素を含むエッチング用ガスは一般にフレオンと称される弗化炭素、弗化塩化炭化水素、弗化塩化炭素を指すものであること（摘記2-3）、前記物質としてシリコンが用いられ、これ等は網状、板状として用いることができること（摘記2-4）、第１図の実施例において、電極上に設置される試料、例えば表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）被膜が選択的に形成されたシリコン（Ｓｉ）基板上を隔離して覆ってモリブデン（Ｍｏ）製の網が配置されること（摘記2-5）、他の実施例として、電極の表面にシリコン（Ｓｉ）よりなる板状の電極カバーを張り付けてエッチングを行なったこと（摘記2-6）、及び、上記実施例のモリブデン網やカバー平板等はそれらの形状に限るわけでなく他の適宜な形状を選択できること（摘記2-7）が記載されている。
　また、引用例３には、少なくとも表面がシリコン系材料により構成されるエッチング装置内部材もしくはダミー材を被エッチング基板の近傍に配し、フッ素含有ガスの一種である、Ｓ2 Ｆ2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2Ｆ10等から選ばれるガスを含むエッチング・ガスを用いてシリコン系材料層のエッチングを行うドライエッチング方法（摘記3-1）に係る発明が記載されており、さらに、少なくとも表面がシリコン系材料により構成されるエッチング装置内部材もしくはダミー材を被エッチング基板の近傍に配し、これらのエッチング過程では、エッチング・マスク、エッチング装置内部材、もしくはダミー材からエッチング系内にシリコンが供給され、このシリコンが過剰なハロゲン・ラジカルの捕捉に寄与すること（摘記3-2）、少なくとも表面がシリコン系材料により構成されるエッチング装置内部材は、上述のようなカソード・カバーに限られるものではなく、ウェハに近接配置される部材であればクランプやサセプター等であっても良く、あるいは、上述の部材がシリコン・インゴットから切り出された材料から構成されていても良いこと、及び、シリコン系材料からなるブロックやスパッタリング・ターゲット等の適当な固体をダミー材としてウェハの周辺に並べておくだけでも良く、同様の効果が期待できること（摘記3-3）、及び、エッチング反応系内に何らかの形でシリコンを供給することにより生成するＦの一部を効果的に捕捉し、ラジカル反応によるエッチングを極めて受け易いシリコン系材料層の加工が、高い異方性をもって実現できるようになること（摘記3-4）が記載されている。
（なお、これら引用例２及び３には、本件発明１における上記ｅ）ステップが「炭素源」による場合については、開示は見あたらない。）
　以上のとおり、引用例２及び３には、シリコンの配置及び添加に係る構成及び効果が記載されており、してみれば、上記相違点に係る構成のとおり、プラズマ中のフッ素イオンを除くために、基板の処理中に前記エッチングガスに加えて、ガス状のシリコン源を通過させるステップを設けることは、当該引用例２、３の記載に基いて当業者が容易になし得たことであると認める。
２．本件発明２について
　フッ素含有エッチングガスがフッ化炭素である場合については、引用例１（摘記1-2、1-3）及び引用例２（摘記2-3）に記載のとおり既知である。
３．本件発明３について
　フッ素、水素および炭素原子のみを有するエッチングガスは、引用例１（摘記1-3）及び引用例２（摘記2-3）に記載のとおり既知である。
４．本件発明４について
　本件発明４における「酸素含有材料」は、引用例２に記載の酸化シリコン（摘記2-1、2-5）に相当するものである。
５．本件発明５について
　シリコンの固体源は、引用例２（摘記2-1〜2-2、及び2-4〜2-7）及び引用例３（摘記3-1〜3-4）に記載されている。
６．本件発明６について
　引用例３には、シリコン系材料でサセプター又はダミー材ターゲット等を構成することが記載されており（摘記3-3）、これ等はそれぞれ処理中に加熱されることは明らかである。したがって、引用例３には、本件発明６においてシリコン固体源が加熱される旨の構成と、実質的に同等の記載がなされている。」
　　
IV．対比・判断
　補正後の請求項１に係る発明（以下、単に「本願発明」という。）は、補正前の請求項１に係る発明について、その構成要件の一つであって、ガス中のシリコン又は炭素源を通過させるステップに係る工程「ｅ）」を省略して、結果的に上記補正前の発明の技術内容を更に拡大したものであり、当審による先の拒絶理由が解消していると認めることはできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、依然として上記各引用例に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができた発明と認められ、したがって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。
  　
平成１４年１月　日
審判長　特許庁審判官　影　山　秀　一
　　　　特許庁審判官　中　村　朝　幸
　　　　特許庁審判官　池　田　正　人