【事件の表示】
　平成　６年特許願第２２２１２１号「磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　４月　２日出願公開、特開平　８−　８７７２１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　６年　９月１６日
審査請求・手続補正書１　　　　　　　　　平成１０年　９月　８日
拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　２月２８日
意見書・手続補正書２　　　　　　　　　　平成１２年　４月２７日
拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月２８日
審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　８月　４日
手続補正書３　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　９月　１日
手続補正書（方式）　　　　　　　　　　　平成１２年１２月２１日
前置報告　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　１月２５日
補正却下（手続補正書３）　　　　　　　　平成１３年１１月１６日
拒絶理由　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１１月１６日
意見書・手続補正書４　　　　　　　　　　平成１４年　１月２１日
拒絶理由（最後）　　　　　　　　　　　　平成１４年　３月１８日
意見書・手続補正書５　　　　　　　　　　平成１４年　５月２０日
　
（手続補正書５による補正は補正却下された。）
　
２　本願発明
　本願発明の特許請求の範囲請求項１〜６に係る発明は、夫々手続補正書４に記載された請求項１〜６のとおりのものであり、請求項１に係るものは次のものである。
【請求項１】
「　中心能動領域と、端部受動領域とを含み、支持体によって支持されている磁気変換素子であって、
　前記中心能動領域は、磁気抵抗効果膜と、非磁性スペーサ膜と、軟磁性膜とを含み、前記磁気抵抗効果膜が支持体の上において最下層を構成し、前記非磁性スペーサ膜が前記磁気抵抗効果膜の上に積層され、前記軟磁性膜が前記非磁性スペーサ膜の上に積層され、それによって前記磁気抵抗効果膜に横バイアスを加えるものであり、
　前記端部受動領域は、前記中心能動領域の両側面に接続され、それぞれは磁区制御膜と、リード導電膜とを含んでおり、
　前記磁区制御膜は、前記磁気抵抗効果膜と電気的、かつ、磁気的な連続性を有しており、
　前記リード導電膜は、前記中心能動領域の領域上及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して前記磁区制御膜上に付着されており、
　前記軟磁性膜の飽和磁化Ｍ０及び体積Ｖ０と、前記磁気抵抗効果膜の飽和磁化Ｍ１及び体積Ｖ１とは、
　（Ｍ１・Ｖ１）＞（Ｍ０・Ｖ０）
の関係を満たす
磁気変換素子。（以下、本願発明１という。）」
　
３　引用例記載の発明
（１）　引用例１（特開平３−２６８２１６号公報）
（記載事項Ａ）
　本件出願前公知の引用例１には、以下の事項からなる発明が記載されている。
特許請求の範囲請求項１４（第２頁右上欄第１８行〜第２０行）に、
「磁気抵抗センサの実効的感磁部の寸法が、電極・リード線部によって決められている。」、
　第３頁右上欄第１行〜第２行に、
「本発明は、磁気記録装置の磁気ヘッド及びその製造方法に関する。」、
　第３頁左下欄第１１行〜右下欄第３行に、
「軟磁性膜とシャント膜を用いた複合磁気抵抗効果素子の素子部における断面構造を第１図に示す。１は基板上あるいは磁気シールドの作用をする適当な軟磁性体上の絶縁膜であり、２は磁気抵抗効果を有する合金膜で典型的にはパーマロイ膜、３はＮｂ、４はバイアス用軟磁性である。パーマロイ膜２とバイアス用軟磁性膜４との間にあるＮｂ膜は、シャントバイアス用電流線となる他、パーマロイとバイアス用軟磁性膜間のスペーサとなり、かつパーマロイ、Ｎｂ、バイアス用軟磁性膜間の反応開始温度を約４００℃にまで高める役割を果している。５は引き出し電極線で、これは軟磁性膜と反応し難いＮｂよりなる。」、
　第３頁右下欄第８行〜第１３行に、
「第１図で示したように、絶縁体基板１上に、先ず磁気抵抗効果型材料であるパーマロイ（組成　Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）２を約４０ｎｍ蒸着法で形成し、引き続き蒸着法でＮｂ３を２０ｎｍ形成した。次にこの上にスパッタ法で軟磁性体であるＦｅ−Ｓｉ合金膜４を３０ｎｍ形成」、
　また、次の記載がある。
　特許請求の範囲１，１１に、
「１．基板上に磁気抵抗効果膜であるパーマロイ薄膜、シャントバイアス用Ｎｂ薄膜、軟磁性体バイアス膜からなる３層膜を有する複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。
１１．前記パーマロイ、Ｎｂ、軟磁性体膜の磁気抵抗センサ部の平面形状において短軸寸法が同一であり、他の部分における形状・寸法が異なることを特徴とした請求項１，４，５または６に記載の複合バイアス型磁気抵抗ヘッド。」と記載され、
第４図及び第４頁右下欄下から３行〜第５頁左上欄第４行に、
「実施例５
　実施例１において、磁気抵抗膜２およびＮｂ膜３の長軸寸法を第４図で示すように電極間寸法およびバイアス用軟磁性体膜の長軸寸法より長くすることによって、電極部段差が少なくなり、また磁気抵抗膜の形状異方性による効果で磁気抵抗膜の磁化状態が安定し、ノイズの低減ができた。」と記載されている。
　してみると、前記磁気抵抗効果膜は基板の上において最下層を構成していると認められ、また「軟磁性膜」・「軟磁性」・「軟磁性体膜」はいずれも同じ膜であると認められるから、引用例１には、
「磁気抵抗センサと、電極・リード線部とを含み、基板によって支持されている複合磁気抵抗効果素子であって、
　前記磁気抵抗センサは、磁気抵抗効果膜と、シャント膜と、軟磁性体膜とを含み、前記磁気抵抗効果膜が基板の上において最下層を構成し、前記シャント膜が前記磁気抵抗効果膜の上に積層され、前記軟磁性体膜が前記シャント膜の上に積層され、それによって前記磁気抵抗効果膜にシャントバイアスを加えるものであり、
　前記電極・リード線部は、前記磁気抵抗センサの両側面に接続され、磁気抵抗センサの実効的感磁部の寸法を決めており、
　前記磁気抵抗効果膜、シャント膜、軟磁性体膜の磁気抵抗センサ部の平面形状において短軸寸法が同一であり、磁気抵抗効果膜２およびシャント膜３の長軸寸法を電極間寸法およびバイアス用軟磁性体膜の長軸寸法より長くしている複合磁気抵抗効果素子。（以下、引用例１記載事項Ａという。）」が示されている。
　
（記載事項Ｂ）
　第５頁左上欄第９行〜第１４行に、
「磁気抵抗効果膜の一部に第５図７で示すように反強磁性体あるいは永久磁石膜を形成して磁気抵抗効果膜の一部に接触させて磁気抵抗効果膜の誘導磁気異方性および形状異方性の方向に磁気的カプリングをさせ、磁区制御をするとノイズの低減に顕著な効果があった。」、
　第５図に基板１上に磁気抵抗効果膜２、その上に長さが短いシャント膜３が設けられ、その両端部に磁気抵抗効果膜２およびシャント膜３に掛かるように膜７が設けられ、その横に電極５が設けられる複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッドが示されている。
　さらにまた、特許請求の範囲１，２０，２１に、
「１．基板上に磁気抵抗効果膜であるパーマロイ薄膜、シャントバイアス用Ｎｂ薄膜、軟磁性体バイアス膜からなる３層膜を有する複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。
２０．前記パーマロイ膜の一部にパーマロイ膜の磁区制御用磁性体膜が設けられていることを特徴とする請求項１記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。
２１．前記パーマロイ膜と磁区制御用磁性薄膜が接触していることを特徴とする請求項１記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。」と記載されている。
　
（２）　引用例２（特開昭６４−７６４１５号公報）
　引用例２には、以下の事項からなる発明が記載されている。
第２頁左下欄第３行〜第５行に、
「磁気抵抗効果型ヘッドの外形寸法は長さ１００μｍ、幅１０μｍである」、
第４頁右上欄第１２行〜第１６行に、
「第１図に示すように、ＭＲ素子１と、非磁性導体層のシャント層（又は非磁性絶縁層の絶縁層）２と、非晶質の軟磁性バイアス補助層（又は軟磁性バイアス補助層）３とが順に積層された構造になっている」、
第５頁右上欄第１行〜第１５行に、
「［実施例］
　次に、本発明の実施例についての前述の図面及び表を参照して説明する。　第４表は本第１の発明の第１の実施例の構成を示す。
　第１の実施例は前述した第１図のＭＲ素子１として、ＮｉＦｅ、シャント層２としてＴｉ、非晶質の軟磁性バイアス補助層３としてＣｏＺｒＭｏを用い、ＭＲ素子及びシャント層は真空蒸着層により成膜し、軟磁性バイアス補助層は高周波スパッタ法により成膜した。磁気抵抗効果型ヘッドの形状は長さ１００μｍ、幅１０μｍである。
　本実施例においては、軟磁性バイアス補助層の膜厚と飽和磁化の積は、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁化の積の７８％である。」、
第４表に、ＭＲ素子の飽和磁化は８００Ｇ、軟磁性バイアス補助層の飽和磁化は５００Ｇと記載され、
第７頁左上欄最終行〜右上欄第６行に、
「これらの磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ヘッドスライダ上に搭載し、磁気記録媒体に記録された磁化情報の読取りに用いたところ、高い再生出力で低いノイズの信号を得ることができた。更に、これらの磁気抵抗効果型ヘッドは磁気センサとしても磁界に対する線形領域が広く、高い感度を有している」、
第７頁右上欄第８行〜第１３行に、
「ＭＲ素子、シャント層（又は絶縁層）及び軟磁性バイアス補助層の積層体から構成される磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、軟磁性バイアス補助層の膜厚と飽和磁化の積をＭＲ素子の膜厚と飽和磁化の積の６０％以上９０％以下にする」と記載されている。
　
（３）　引用例３（特開平６−２１５３３３号公報）
　本件出願前公知の引用例３の特許請求の範囲請求項１には、
「 磁気抵抗性薄膜導電層と前記磁気抵抗性薄膜導電層の端部領域に縦方向バイアスを印加して、前記磁気抵抗性薄膜導電層の中央感磁領域の磁化状態を制御する手段と、前記磁気抵抗性薄膜導電層の中央感磁領域のすくなくとも一部を、線形応答モードにするための横方向バイアスを印加する手段と、前記磁気抵抗性薄膜導電層に信号を検出するための通電用電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記中央感磁領域が媒体からの信号を効率良く検出する形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」と記載され、
【０００７】には、
「（実施例１）図２には端部領域に縦方向バイアス層として反強磁性膜１０および電極１２を形成したＳＡＬバイアスＭＲヘッドのＭＲ素子部の拡大構造を示す。本実施例では、下部シールド膜６上に絶縁層を介してＳＡＬ膜Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ７、分離膜Ｔａ８、ＭＲ膜Ｎｉ−Ｆｅ９が積層され、さらに絶縁性トラック幅規制層１１をはさんで反強磁性Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｎ層１０と電極Ｍｏ１２を形成した。」と記載されている。
　
４　本願発明１と引用例との対比
（１）　一致点
　引用例１記載事項Ａに記載された「磁気抵抗センサ」、「電極・リード線部」、「基板」、「複合磁気抵抗効果素子」、「シャント膜」および「シャントバイアス」は、それぞれ、
本願発明１の「中心能動領域」、「端部受動領域」、「支持体」、「磁気変換素子」、「非磁性スペーサ膜」および「横バイアス」に相当する。
　そして、引用例１記載事項Ａのものは、磁気抵抗効果膜、シャント膜、軟磁性体膜の磁気抵抗センサ部の平面形状において短軸寸法が同一であり、磁気抵抗効果膜２およびシャント膜３の長軸寸法を電極間寸法およびバイアス用軟磁性体膜の長軸寸法より長くしているものであり、このことは、磁気抵抗効果膜の平面積がバイアス用軟磁性体膜の平面積より大きいこと示すから、両者は、
「中心能動領域と、端部受動領域とを含み、支持体によって支持されている磁気変換素子であって、
　前記中心能動領域は、磁気抵抗効果膜と、非磁性スペーサ膜と、軟磁性体膜とを含み、前記磁気抵抗効果膜が支持体の上において最下層を構成し、前記非磁性スペーサ膜が前記磁気抵抗効果膜の上に積層され、前記軟磁性体膜が前記非磁性スペーサ膜の上に積層され、それによって前記磁気抵抗効果膜に横バイアスを加えるものであり、
　前記端部受動領域は、前記中心能動領域の両側面に接続されたリード導電膜とを含んでおり、
最下層の前記磁気抵抗効果膜の平面積Ｓ１が最上層にある前記軟磁性体膜の平面積Ｓ０に対して、
　Ｓ１＞Ｓ０
となっている磁気変換素子。」
である点で一致する。
　
（２）　相違点
（相違点１）
　本願発明１は、「端部受動領域の両側面それぞれは磁区制御膜と、リード導電膜とを含んでおり、
　前記磁区制御膜は、前記磁気抵抗効果膜と電気的、かつ、磁気的な連続性を有しており、
　前記リード導電膜は、前記中心能動領域の領域上及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して前記磁区制御膜上に付着されており」とされているが、引用例１記載事項Ａのものは、磁区制御膜が示されておらず、磁区制御膜とリード導電膜との関係、磁気抵抗効果膜との関係についても示されていない点、
（相違点２）
　本願発明１では、「前記軟磁性膜の飽和磁化Ｍ０及び体積Ｖ０と、前記磁気抵抗効果膜の飽和磁化Ｍ１及び体積Ｖ１とは、
　（Ｍ１・Ｖ１）＞（Ｍ０・Ｖ０）
の関係を満たす」のに対して、引用刊行物１にはその様な構成及び条件が記載されていない点。
　
（３）　相違点の検討
　上記相違点について検討する。　
（相違点１について）
　端部受動領域の両側に、磁区制御膜と、リード導電膜とを含んでおり、前記磁区制御膜は、前記磁気抵抗効果膜と電気的、かつ、磁気的な連続性を有するものは、引用例１記載事項Ｂに示されている。
　確かに記載事項Ｂのものは、軟磁性膜４が図示されていないが、軟磁性膜４を有する請求項１のものにおいて、パーマロイ膜と磁区制御用磁性薄膜が接触していることが示されており、記載事項Ａのものに対して、磁区制御膜とリード膜を記載事項Ｂの如く設けることは当業者が容易になしえたものである。
　次に、「リード導電膜は、前記中心能動領域の領域上及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して前記磁区制御膜上に付着させる」ことについて検討する。
　引用例３には、本願発明とは、中心能動領域における磁気抵抗効果膜と、非磁性スペーサ膜と、軟磁性膜の積層順序が逆であるが、磁気抵抗性薄膜導電層の端部領域に縦方向バイアスを印加するための反強磁性層１０と電極１２が、図２と共に【０００７】に示され、電極１２は、反強磁性層１０上の中央感磁領域上及び領域外で反強磁性層に重なるパターンを有している。してみると、リード導電膜は、前記中心能動領域の領域上及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して前記磁区制御膜上に付着させることも、当業者が容易になしえることである。
　従って、この相違点１は格別のものではない。
　
（相違点２について）
　引用例２において、磁気抵抗効果型ヘッドの外形寸法は長さ１００μｍ、幅１０μｍであるとされ、第１図及び第２図に、３層が同じ片面形状を有するものが図示されている。
　引用例２に記載された発明では、高い再生出力で低いノイズの信号を得るために、ＭＲ素子、シャント層（又は絶縁層）及び軟磁性バイアス補助層が同一の外形形状を持つ磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、「軟磁性バイアス補助層の膜厚と飽和磁化の積をＭＲ素子膜厚と飽和磁化の積の６０％以上９０％以下に」しており、「ＭＲ素子膜厚と飽和磁化の積＞軟磁性バイアス補助層の膜厚と飽和磁化の積」という関係を有することを示している。
　また、引用例２のものは、ＭＲ素子の飽和磁化は８００Ｇ、軟磁性バイアス補助層の飽和磁化は５００Ｇであるから、Ｍ１＞Ｍ０となっている。
　そして、膜の体積が、平面積と厚さの積であることから、平面積が同じ形状のものにおいて、「軟磁性膜の飽和磁化Ｍ０及び体積Ｖ０と、前記磁気抵抗効果膜の飽和磁化Ｍ１及び体積Ｖ１とは、（Ｍ１・Ｖ１）＞（Ｍ０・Ｖ０）の関係を満たす」構成に相当する。
  引用例１、２、３、周知例に記載された発明は、いずれも磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するものであるから、引用例１記載事項Ａに記載された磁気抵抗効果膜と軟磁性膜においても、「軟磁性膜の飽和磁化Ｍ０及び体積Ｖ０と、前記磁気抵抗効果膜の飽和磁化Ｍ１及び体積Ｖ１とは、（Ｍ１・Ｖ１）＞（Ｍ０・Ｖ０）の関係を満たす」ようにすることに、阻害となる要件は認められず、引用例１記載事項Ａの発明に、引用例１記載事項Ｂ、２、３に記載の発明を付加することにより本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
５　容易性のまとめ
　本願発明１は、上記引用例１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　従って。本件出願は、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、拒絶を免れ得ない。
　よって上記結論のとおり審決する。