Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動輪に接続された駆動軸に駆動力を出力可能な動力出力装置を備える車両であって、
前記車両に機械的な制動力を作用可能な機械的制動手段と、
前記駆動輪の空転によるスリップを検出するスリップ検出手段と、
前記車両のずり下がりを検出または推定するずり下がり検出推定手段と、
前記スリップ検出手段によりスリップが検出されたとき、前記駆動軸に出力される駆動力が制限されるよう前記動力出力装置を駆動制御し、前記駆動軸に出力される駆動力が制限されている最中に前記ずり下がり検出推定手段により前記車両のずり下がりが検出または推定されたとき、前記車両に機械的な制動力が作用するよう前記機械的制動手段を駆動制御する制御手段と、
を備える車両。
【請求項２】
請求項１記載の車両であって、
前記車両の走行方向を設定する走行方向設定手段を備え、
前記ずり下がり検出推定手段は、前記走行方向設定手段により設定された車両の走行方向に対する逆方向の走行を検出する逆方向走行検出手段を含み、
前記制御手段は、前記駆動軸に出力される駆動力が制限されている最中に前記逆方向走行検出手段により逆方向の走行が検出されたとき、前記車両に機械的な制動力が作用するよう前記機械的制動手段を駆動制御する手段である
車両。
【請求項３】
請求項２記載の車両であって、
前記逆方向走行検出手段は、逆方向の車速を検出する手段であり、
前記制御手段は、前記検出された逆方向の車速に応じた制動力が作用するよう前記機械的制動手段を駆動制御する手段である
車両。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか記載の車両であって、
路面勾配を検出または推定する路面勾配検出推定手段を備え、
前記制御手段は、前記検出または推定された路面勾配に応じた制動力が作用するよう前記機械的制動手段を駆動制御する手段である
車両。
【請求項５】
請求項２記載の車両であって、
前記車両の加速度と前記駆動軸に出力されている駆動力との関係に基づいて路面勾配を推定する路面勾配検出推定手段を備え、
前記逆方向走行検出手段は、逆方向の車速を検出する手段であり、
前記制御手段は、前記車両の加速度と前記駆動軸に出力されている駆動力との関係から導かれる前記車両のずり下がりの方向に作用する力につり合う力に対して前記検出された逆方向の車速に応じた割り合いの力に相当する制動力が作用するよう前記機械的制動手段を駆動制御する手段である
車両。
【請求項６】
前記制御手段は、前記逆方向の車速が所定車速となるよう前記機械的制動手段を駆動制御する手段である請求項３または５記載の車両。
【請求項７】
前記機械的制動手段は、前記駆動輪とは異なる非駆動輪に機械的な制動力を作用する手段である請求項１ないし６いずれか記載の車両。
【請求項８】
前記動力出力装置は、前記駆動軸に動力を入出力可能な電動機を備える装置である請求項１ないし７いずれか記載の車両。
【請求項９】
前記動力出力装置は、内燃機関と、該内燃機関の出力軸と前記駆動軸と第３の軸の３軸に接続され該３軸のうちいずれか２軸に入出力される動力に基づいて残余の１軸に動力を入出力する３軸式動力入出力手段と、前記第３の軸に動力を入出力可能な発電機と、を備える装置である請求項８記載の車両。
【請求項１０】
前記動力出力装置は、内燃機関と、該内燃機関の出力軸に接続された第１の回転子と前記駆動軸に接続された第２の回転子とを有し該第１の回転子と該第２の回転子の電磁的な作用により相対的に回転する対回転子電動機と、を備える装置である請求項８記載の車両。
【請求項１１】
駆動輪に接続された駆動軸に駆動力を出力可能な動力出力装置と車両に機械的な制動力を作用可能な機械的制動手段とを備える車両の制御方法であって、
（ａ）前記駆動輪の空転によるスリップを検出するステップと、
（ｂ）該ステップ（ａ）によりスリップが検出されたとき、前記駆動軸に出力される駆動力が制限されるよう前記動力出力装置を駆動制御するステップと、
（ｃ）前記車両のずり下がりを検出または推定するステップと、
（ｄ）ステップ（ｂ）により前記駆動軸に出力される駆動力が制限されている最中に前記ステップ（ｃ）により前記車両のずり下がりが検出または推定されたとき、前記車両に機械的な制動力が作用するよう前記機械的制動手段を駆動制御するステップと
を備える車両の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスプレイと、
増幅器と、
前記ディスプレイ及び前記増幅器に接続されるＡＶ機器と、から構成されるＡＶシステムにおいて、
前記増幅器は、
前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、
選択された前記音情報に基づいて、前記ディスプレイから出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と備え、
前記ディスプレイは、
前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、
選択された前記音情報に基づいて、前記増幅器から出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と備え、
前記増幅器と前記ディスプレイとは通信網を介して互いに接続され、当該通信網を通じて制御情報が前記増幅器及び前記ディスプレイのいずれか一方から他方へ送信されることを特徴とするＡＶシステム。
【請求項２】  ＡＶ機器から出力された音情報が入力され、ディスプレイが接続される増幅器において、
前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、
選択された前記音情報に基づいて、前記ディスプレイから出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と、
備えることを特徴とする増幅器。
【請求項３】  ＡＶ機器から出力された音情報が入力され、増幅器に接続されるディスプレイにおいて、
前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、
選択された前記音情報に基づいて、前記増幅器から出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と、
備えることを特徴とするディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】 
【発明の属する技術分野】
本願は、ＡＶシステム、増幅器、ディスプレイの技術分野に属する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本願は上記の各問題点に鑑みて為されたものであり、その課題の一例は、簡易な構成及び操作によって、ディスプレイにおける視認状態に影響を及ぼすことなく当該ディスプレイにおける音の出力状態を制御することが可能なＡＶシステム、増幅器、ディスプレイを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】 
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するために、請求項１に記載のＡＶシステムは、ディスプレイと、増幅器と、前記ディスプレイ及び前記増幅器に接続されるＡＶ機器と、から構成されるＡＶシステムにおいて、前記増幅器は、前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、選択された前記音情報に基づいて、前記ディスプレイから出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と備え、前記ディスプレイは、前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、選択された前記音情報に基づいて、前記増幅器から出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と備え、前記増幅器と前記ディスプレイとは通信網を介して互いに接続され、当該通信網を通じて制御情報が前記増幅器及び前記ディスプレイのいずれか一方から他方へ送信されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項２に記載の増幅器は、ＡＶ機器から出力された音情報が入力され、ディスプレイが接続される増幅器において、前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、選択された前記音情報に基づいて、前記ディスプレイから出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と、備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項３に記載のディスプレイは、ＡＶ機器から出力された音情報が入力され、増幅器に接続されるディスプレイにおいて、前記ＡＶ機器から出力された音情報を選択する選択部と、選択された前記音情報に基づいて、前記増幅器から出力されている音の音量を制御するための制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と、備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスプレイと、
増幅器と、
前記ディスプレイ及び前記増幅器に接続される複数のＡＶ機器と、から構成されるＡＶシステムにおいて、
前記増幅器は、
前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択する選択部と、
選択された前記音情報と同時に出力されるべき一の映像情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択させるための選択制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と備え、
前記ディスプレイは、
前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択する選択部と、
選択された前記映像情報と同時に出力されるべき一の音情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択させるための選択制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と備え、
前記増幅器と前記ディスプレイとは通信網を介して互いに接続され、当該通信網を通じて選択制御情報が前記増幅器及び前記ディスプレイのいずれか一方から他方へ送信されることを特徴とするＡＶシステム。
【請求項２】  複数のＡＶ機器から出力された音情報が入力され、ディスプレイが接続される増幅器において、
前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択する選択部と、
選択された前記音情報と同時に出力されるべき一の映像情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択させるための選択制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と、
備えることを特徴とする増幅器。
【請求項３】  複数のＡＶ機器から出力された映像情報が入力され、増幅器に接続されるディスプレイにおいて、
前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択する選択部と、
選択された前記映像情報と同時に出力されるべき一の音情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択させるための選択制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と、
備えることを特徴とするディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】 
【発明の属する技術分野】
本願は、ＡＶシステム、増幅器、ディスプレイの技術分野に属する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本願は上記の各問題点に鑑みて為されたもので、その課題の一例は、簡易な構成及び操作によりつつも質の高い映像又は音を出力させることが可能なＡＶシステム、増幅器、ディスプレイを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するために、請求項１に記載のＡＶシステムは、ディスプレイと、増幅器と、前記ディスプレイ及び前記増幅器に接続される複数のＡＶ機器と、から構成されるＡＶシステムにおいて、前記増幅器は、前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択する選択部と、選択された前記音情報と同時に出力されるべき一の映像情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択させるための選択制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と備え、前記ディスプレイは、前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択する選択部と、選択された前記映像情報と同時に出力されるべき一の音情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択させるための選択制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と備え、前記増幅器と前記ディスプレイとは通信網を介して互いに接続され、当該通信網を通じて選択制御情報が前記増幅器及び前記ディスプレイのいずれか一方から他方へ送信されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の問題点を解決するために、請求項２に記載の増幅器は、複数のＡＶ機器から出力された音情報が入力され、ディスプレイが接続される増幅器において、前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択する選択部と、選択された前記音情報と同時に出力されるべき一の映像情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択させるための選択制御情報を前記ディスプレイへ送信する通信部と、備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の課題を解決するために、請求項３に記載のディスプレイは、複数のＡＶ機器から出力された映像情報が入力され、増幅器に接続されるディスプレイにおいて、前記複数のＡＶ機器から出力された映像情報の内の一の映像情報を選択する選択部と、選択された前記映像情報と同時に出力されるべき一の音情報を示す接続情報に基づいて、前記複数のＡＶ機器から出力された音情報の内の一の音情報を選択させるための選択制御情報を前記増幅器へ送信する通信部と、備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１ダミーパターンと、
前記第１ダミーパターンを規定する溝と、
前記溝に埋め込まれた絶縁膜と、
前記第１ダミーパターン上に形成され、光学的パターン認識の対象となるターゲットパターンと、
を有し、
前記第１ダミーパターンは、製品領域以外のスクライブ領域に形成され、
前記第１ダミーパターンの面積は、前記ターゲットパターンの面積よりも大きく形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１において、
前記ターゲットパターンは、半導体素子を構成するゲート電極と同層の導電層で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１ダミーパターンと、
前記第１ダミーパターンを規定する溝と、
前記溝に埋め込まれた絶縁膜と、
前記第１ダミーパターン上に形成され、光学的パターン認識の対象となるターゲットパターンと、
を有し、
前記第１ダミーパターンは、製品領域以外のスクライブ領域に形成され、
前記第１ダミーパターンは、前記ターゲットパターンの下部に前記絶縁膜が形成されないように配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項３において、
前記ターゲットパターンは、半導体素子を構成するゲート電極と同層の導電層で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１ダミーパターンと、
前記第１ダミーパターンを規定する溝と、
前記溝に埋め込まれた絶縁膜と、
前記第１ダミーパターン上に形成され、光学的パターン認識の対象となるターゲットパターンと、
を有し、
前記第１ダミーパターンは、製品領域以外のスクライブ領域に形成され、
前記第１ダミーパターンは、前記ターゲットパターンの下部及び前記ターゲットパターンを越えて延在するように形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項５において、
前記ターゲットパターンは、半導体素子を構成するゲート電極と同層の導電層で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１ダミーパターンと、
前記第１ダミーパターンを規定する溝と、
前記溝に埋め込まれた絶縁膜と、
前記第１ダミーパターン上に形成され、光学的パターン認識の対象となるターゲットパターンと、
を有し、
前記第１ダミーパターンは、製品領域以外のスクライブ領域に形成され、
前記第１ダミーパターンは、前記ターゲットパターンを内包するように形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項７において、
前記ターゲットパターンは、半導体素子を構成するゲート電極と同層の導電層で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  請求項１〜８の何れか一項において、
前記溝は、第２ダミーパターンを規定するように形成され、
前記第２ダミーパターンは、前記スクライブ領域に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  請求項９において、
前記第２ダミーパターンは、前記製品領域にも形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】  請求項９において、
前記第２ダミーパターンは、前記第１ダミーパターンより小さい平面形状で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】  請求項１〜８の何れか一項において、
前記ターゲットパターンと同層で形成された第３ダミーパターンが、前記スクライブ領域に形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の治具と第２の治具にて、電子部材を複数個、それぞれ個別に挟み押さえ、且つ、それぞれの治具に設けられた貫通孔により、各電子部材の所定領域の導電性部分のみを露出するマスキング治具を形成し、各電子部材の露出した導電性部分の全体に、電着により絶縁性樹脂層を形成して、これを絶縁膜とする絶縁膜の形成方法であって、順に、第１の治具の貫通孔部を横切るようにして、電子部材を、貫通孔部に連なる凹部に嵌め込む、嵌め込み工程と、第２の治具を、電子部材を間に挟むようにして、第１の治具に合わせ、第１の治具と第２の治具にて、電子部材を複数個、それぞれ個別に挟み押さえ、且つ、各電子部材の所定領域の導電性部分のみを露出するマスキング工程と、各電子部材の露出した導電性部分全体に電着により絶縁性電着樹脂層を形成する、電着工程とを有し、電着工程後、必要に応じて、乾燥、熱処理して、電着形成された絶縁性電着樹脂層を絶縁膜とすることを特徴とする電子部材への絶縁膜の形成方法。
【請求項２】  請求項１において、嵌め込み工程は、第１の治具上に、複数個の電子部材をランダムに置き、第１の治具を振動させ、各電子部材を振動により移動し、貫通孔部に連なる凹部に嵌め込むものであることを特徴とする電子部材への絶縁膜の形成方法。
【請求項３】  請求項２において、超音波振動にて第１の治具を振動させるものであることを特徴とする電子部材への絶縁膜の形成方法。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれか１項において、電着により絶縁性樹脂層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とする電子部材への絶縁膜形成方法。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子部材への絶縁膜形成方法により、絶縁膜を形成したことを特徴とする電子部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部材への絶縁膜形成方法は、第１の治具と第２の治具にて、電子部材を複数個、それぞれ個別に挟み押さえ、且つ、それぞれの治具に設けられた貫通孔により、各電子部材の所定領域の導電性部分のみを露出するマスキング治具を形成し、各電子部材の露出した導電性部分の全体に、電着により絶縁性樹脂層を形成して、これを絶縁膜とする絶縁膜の形成方法であって、順に、第１の治具の貫通孔部を横切るようにして、電子部材を、貫通孔部に連なる凹部に嵌め込む、嵌め込み工程と、第２の治具を、電子部材を間に挟むようにして、第１の治具に合わせ、第１の治具と第２の治具にて、電子部材を複数個、それぞれ個別に挟み押さえ、且つ、各電子部材の所定領域の導電性部分のみを露出するマスキング工程と、各電子部材の露出した導電性部分全体に電着により絶縁性樹脂層を形成する、電着工程とを有し、電着工程後、必要に応じて、乾燥、熱処理して、電着形成された絶縁性電着樹脂層を絶縁膜とすることを特徴とするものである。
そして、上記において、嵌め込み工程は、第１の治具上に、複数個の電子部材をランダムに置き、第１の治具を振動させ、各電子部材を振動により移動し、貫通孔部に連なる凹部に嵌め込むものであることを特徴とするものであり、超音波振動にて第１の治具を振動させるものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかにおいて、電着により絶縁性樹脂層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。
尚、電着工程は、第１の治具あるいは第２の治具に設けられた電極に電子部材を接触させ、電子部材を一方の電極として行なうもので、電子部材の導電性部分上に、電着により電着樹脂層を所定形状に生成した後、必要に応じて、乾燥、熱処理して、電着生成された電着樹脂層を絶縁膜とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の電子部材は、上記いずれかの本発明の電子部材への絶縁膜形成方法により、絶縁膜を形成したことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被エッチング物の一方の面側からドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたエッチング方法において、
上記被エッチング物の他方の面の少なくとも上記貫通孔の形成予定領域またはその近傍に上記被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態で上記ドライエッチングを行うことにより上記貫通孔を形成するようにした
ことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】  上記被エッチング物が半導体からなることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】  上記導電体が金属であることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項４】  ドライエッチング装置のウェーハステージ上に低融点の導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上に上記被エッチング物としてのウェーハを載せ、上記ウェーハステージの温度を上記導電体の融点以下に下げることにより上記ウェーハを上記ウェーハステージに固定してから上記ウェーハの上記ドライエッチングを行うことにより上記貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項５】  ドライエッチング装置のウェーハステージ上に低融点の導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上に上記被エッチング物としてのウェーハを載せ、その状態で上記ウェーハの上記ドライエッチングを行うことにより上記貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項６】  ＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを用いて上記ドライエッチングを行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項７】  上記貫通孔のアスペクト比が３以上であることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項８】  被エッチング物の一方の面側からドライエッチングを行うことにより貫通孔を形成する工程を有する構造体の製造方法において、
上記被エッチング物の他方の面の少なくとも上記貫通孔の形成予定領域またはその近傍に上記被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態で上記ドライエッチングを行うことにより上記貫通孔を形成するようにした
ことを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項９】  上記被エッチング物が半導体からなることを特徴とする請求項８記載の構造体の製造方法。
【請求項１０】  上記導電体が金属であることを特徴とする請求項８記載の構造体の製造方法。
【請求項１１】  ドライエッチング装置のウェーハステージ上に低融点の導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上に上記被エッチング物としてのウェーハを載せ、上記ウェーハステージの温度を上記導電体の融点以下に下げることにより上記ウェーハを上記ウェーハステージに固定してから上記ウェーハの上記ドライエッチングを行うことにより上記貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする請求項８記載の構造体の製造方法。
【請求項１２】  ドライエッチング装置のウェーハステージ上に低融点の導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上に上記被エッチング物としてのウェーハを載せ、その状態で上記ウェーハの上記ドライエッチングを行うことにより上記貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする請求項８記載の構造体の製造方法。
【請求項１３】  ＳＦ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスとを用いて上記ドライエッチングを行うようにしたことを特徴とする請求項８記載の構造体の製造方法。
【請求項１４】  上記貫通孔のアスペクト比が３以上であることを特徴とする請求項８記載の構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じて前記荷電粒子線の照射量を制御するための複数のデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置毎に制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、前記被露光体の下地条件、レジスト材料および後方散乱半径のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じた基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、
前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施すための複数のデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施し、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、後方散乱半径、レジスト材料および下地条件のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記基準ドーズデータは、露光するべき前記パターンに依存して決定されるビットマップデータ、または、前記ビットマップデータと照射時間の割合を定義するデータとを含むことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
複数の荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記複数の荷電粒子線の照射位置に応じて近接効果補正を施すためのデータを記憶手段と、
前記複数の荷電粒子線の通過方向に垂直な平面上に配列された複数の開口と、その開口を挟むように設けられた複数対の電極と、を有するブランカアレイと、を備え、
前記複数対の電極は、前記記憶手段により記憶されたデータに基づいて、開口を通過する荷電粒子線を個別に偏向し、前記複数の荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、
露光された前記被露光体を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置を用いたデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じて前記荷電粒子線の照射量を制御するための複数のデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置毎に制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、前記被露光体の下地条件、レジスト材料および後方散乱半径のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第２の側面に係る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線により被露光体にパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記被露光体に対する前記荷電粒子線の照射位置に応じた基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、
前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施すための複数のデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記複数のデータのうちいずれか１つのデータを選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記データに基づいて前記基準ドーズデータに対して前記照射位置毎に近接効果補正を施し、前記荷電粒子線の照射量を前記照射位置に応じて制御する露光手段と、を備え、
前記複数のデータは、後方散乱半径、レジスト材料および下地条件のうち少なくとも１つがパラメータとして考慮されて生成されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】課金装置および課金方式
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  暗号化された配信情報に対して対応する復号鍵の使用に課金を行う課金装置において、
基本料金の有効期間を計時する計時手段と、
複数の前記配信情報に対し共通に使用可能な復号鍵束を記憶する記憶手段と、
前記復号鍵束を用いて前記暗号化された配信情報を復号する復号手段と、
前記復号手段が使用する前記復号鍵束の使用回数を計数する計数手段と、
前記計時手段が計時する有効期間内であり、前記計数手段が計数する前記復号鍵束の使用回数が所定の回数以下の場合に、前記復号鍵束の使用を許可する鍵束使用制限手段と
を具備することを特徴とする課金装置。
【請求項２】  前記暗号化された配信情報中に前記計数手段への計数情報を有し、
前記暗号化された配信情報の前記復号手段による復号化によって、自動的に前記計数手段で前記計数情報分の計数が行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の課金装置。
【請求項３】  前記鍵束使用制限手段が前記復号鍵束の使用を許可しない条件において、前記暗号化された配信情報の処理単位毎に前記復号鍵と課金情報の相互転送を行う転送手段を有し、
前記暗号化された配信情報の処理単位を課金単位の複数倍とする
ことを特徴とする請求項１に記載の課金装置。
【請求項４】  暗号化された配信情報に対して対応する復号鍵の使用に課金を行う課金方法において、
基本料金の有効期間を計時する計時ステップと、
複数の前記配信情報に対し共通に使用可能な復号鍵束を記憶する記憶ステップと、
前記復号鍵束を用いて前記暗号化された配信情報を復号する復号ステップと、
前記復号ステップの処理で使用する前記復号鍵束の使用回数を計数する計数ステップと、
前記計時ステップの処理で計時する有効期間内であり、前記計数ステップが計数する前記復号鍵束の使用回数が所定の回数以下の場合に、前記復号鍵束の使用を許可する鍵束使用制限ステップと
を含むことを特徴とする課金方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、課金装置および方法に関し、特に課金のために通信トラヒックが必要なシステムでの簡略化された課金装置および方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の課金装置は、暗号化された配信情報に対して対応する復号鍵の使用に課金を行う課金装置または課金方法において、基本料金の有効期間を計時する計時手段と、複数の前記配信情報に対し共通に使用可能な復号鍵束を記憶する記憶手段と、前記復号鍵束を用いて前記暗号化された配信情報を復号する復号手段と、前記復号手段が使用する前記復号鍵束の使用回数を計数する計数手段と、前記計時手段が計時する有効期間内であり、前記計数手段が計数する前記復号鍵束の使用回数が所定の回数以下の場合に、前記復号鍵束の使用を許可する鍵束使用制限手段とを具備することを特徴とする。
請求項４に記載の課金方法は、基本料金の有効期間を計時する計時ステップと、複数の前記配信情報に対し共通に使用可能な復号鍵束を記憶する記憶ステップと、前記復号鍵束を用いて前記暗号化された配信情報を復号する復号ステップと、前記復号ステップの処理で使用する前記復号鍵束の使用回数を計数する計数ステップと、前記計時ステップの処理で計時する有効期間内であり、前記計数ステップが計数する前記復号鍵束の使用回数が所定の回数以下の場合に、前記復号鍵束の使用を許可する鍵束使用制限ステップとを含むことを特徴とする。
請求項１に記載の課金装置または請求項４に記載の課金方法においては、基本料金の有効期間が計時され、複数の前記配信情報に対し共通に使用可能な復号鍵束が記憶され、前記復号鍵束を用いて前記暗号化された配信情報が復号され、前記復号で使用する前記復号鍵束の使用回数が計数され、計時する有効期間内であり、計数する前記復号鍵束の使用回数が所定の回数以下の場合に、前記復号鍵束の使用が許可される。
これにより、課金トラヒックを削減し、情報の配信が繰り返されるような場合に効率的な課金装置が実現される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の効果】
本発明の請求項１および請求項４の発明によれば、所定の期間内で所定の回数までは復号鍵の使用が基本料金で、それ以上の回数については従量の課金を行うことが可能になり、課金トラヒックを削減し、情報の配信が繰り返されるような場合に効率的な課金装置を実現することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項２の発明によれば、所定の期間内で所定の回数までは復号鍵の使用が基本料金で、それ以上の回数については従量の課金を行うことが可能になり、また、配信情報ごとに異なった課金を行うことも可能になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項３の発明によれば、基本料金外の従量の課金の場合でも、配信情報ごとに異なった課金を行うことが可能になる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子部品を装着する回路基板を保持して支持台上に設けられこの支持台上で第一の方向に摺動する基板保持部と、この第一の方向と直交する第二の方向に形成された基板搬送路に沿って上記基板保持部に隣接して配置した基板搬送部と、この基板搬送部の近傍に配置され電子部品を供給する部品供給部と、この部品供給部および基板保持部の上方に配置されて部品供給部と基板保持部の間を第二の方向に摺動するとともに部品供給部から電子部品を取り出して回路基板に装着する吸着ノズルを設けたヘッド部と、基板搬送部または基板保持部の上部に配置されて形状の異なる複数の吸着ノズルを挟持体により脱着自在に保持する吸着ノズル交換部とからなり、この吸着ノズル交換部は、上記挟持体により保持した吸着ノズルをヘッド部に設けた吸着ノズルの移動経路上に進退させる構成とした部品装着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そしてこの目的を達成するために本発明は、電子部品を装着する回路基板を保持して支持台上に設けられこの支持台上で第一の方向に摺動する基板保持部と、この第一の方向と直交する第二の方向に形成された基板搬送路に沿って上記基板保持部に隣接して配置した基板搬送部と、この基板搬送部の近傍に配置され電子部品を供給する部品供給部と、この部品供給部および基板保持部の上方に配置されて部品供給部と基板保持部の間を第二の方向に摺動するとともに部品供給部から電子部品を取り出して回路基板に装着する吸着ノズルを設けたヘッド部と、基板搬送部または基板保持部の上部に配置されて形状の異なる複数の吸着ノズルを挟持体により脱着自在に保持する吸着ノズル交換部とからなり、この吸着ノズル交換部は、上記挟持体により保持した吸着ノズルをヘッド部に設けた吸着ノズルの移動経路上に進退させる構成としたことにより、部品装着装置の小型化、省スペース化を実現できるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、電子部品を装着する回路基板を保持して支持台上に設けられこの支持台上で第一の方向に摺動する基板保持部と、この第一の方向と直交する第二の方向に形成された基板搬送路に沿って上記基板保持部に隣接して配置した基板搬送部と、この基板搬送部の近傍に配置され電子部品を供給する部品供給部と、この部品供給部および基板保持部の上方に配置されて部品供給部と基板保持部の間を第二の方向に摺動するとともに部品供給部から電子部品を取り出して回路基板に装着する吸着ノズルを設けたヘッド部と、基板搬送部または基板保持部の上部に配置されて形状の異なる複数の吸着ノズルを挟持体により脱着自在に保持する吸着ノズル交換部とからなり、この吸着ノズル交換部は、上記挟持体により保持した吸着ノズルをヘッド部に設けた吸着ノズルの移動経路上に進退させる構成としたものであって、部品装着装置の小型化、省スペース化を実現することができる。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
以上のように本発明は、電子部品を取り出して回路基板に装着する吸着ノズルを設けたヘッド部と基板搬送部または基板保持部の上部に配置されて形状の異なる複数の吸着ノズルを挟持体により脱着自在に保持する吸着ノズル交換部とからなり、この吸着ノズル交換部は、上記挟持体により保持した吸着ノズルをヘッド部に設けた吸着ノズルの移動経路上に進退させる構成とすることにより、部品装着装置の小型化、省スペース化を実現できるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （１）厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板にハンダプリコートランドを形成する工程、および（２）前記ハンダプリコートランド上に微小電子部品を装着する工程からなる電子部品実装方法。
【請求項２】  （１）厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板にハンダプリコートランドを形成する工程、（２）次いで、前記フィルム基板上に微小電子部品以外の電子部品を装着する工程、および（３）次いで、前記ハンダプリコートランド上に微小電子部品を装着する工程からなる電子部品実装方法。
【請求項３】  前記ハンダプリコートランド上に微小電子部品を装着する工程において、（１）前記フィルム基板の微小電子部品の装着部を局部的に非接触熱源により、または（２）前記フィルム基板の全体をリフロー炉により加熱する請求項１または２記載の電子部品実装方法。
【請求項４】  前記ハンダプリコートランドと接合される微小電子部品の電極の面積が、１つの電極当たり０．０１〜１ｍｍ2である請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品実装方法。
【請求項５】  プリコートされたハンダの厚さが、１〜５０μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品実装方法。
【請求項６】  前記ハンダが融点２３０℃以下の鉛フリーハンダである請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品実装方法。
【請求項７】  厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板のハンダプリコートランドに導電性接着剤を塗布し、その上に電子部品を装着し、前記フィルム基板の全体をリフロー炉または加熱オーブンにより１００〜１５０℃に加熱する電子部品実装方法。
【請求項８】  厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板のハンダプリコートランドに異方導電性接着剤を貼り付け、その上に電子部品を装着し、１００〜１５０℃で前記電子部品を前記フィルム基板上に熱圧着する電子部品実装方法。
【請求項９】  厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板のハンダプリコートランドに融点２００℃以下の鉛フリーハンダを塗布し、その上に電子部品を装着し、前記フィルム基板の全体をリフロー炉または加熱オーブンにより鉛フリーハンダの融点以上の温度に加熱する電子部品実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（１）厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板にハンダプリコートランドを形成する工程、および（２）前記ハンダプリコートランド上に微小電子部品を装着する工程からなる電子部品実装方法に関する。
また、（１）厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板にハンダプリコートランドを形成する工程、（２）次いで、前記フィルム基板上に微小電子部品以外の電子部品を装着する工程、および（３）次いで、前記ハンダプリコートランド上に微小電子部品を装着する工程からなる電子部品実装方法に関する。
また、本発明は、前記ハンダプリコートランド上に微小電子部品を装着する工程において、（１）前記フィルム基板の微小電子部品の装着部を局部的に非接触熱源により、または（２）前記フィルム基板の全体をリフロー炉により加熱する電子部品実装方法に関する。
また、本発明は、前記ハンダプリコートランドと接合される微小電子部品の電極の面積が、１つの電極当たり０．０１〜１ｍｍ2である電子部品実装方法に関する。
なお、本発明の電子部品実装方法においては、プリコートされたハンダの厚さは、１〜５０μｍであることが好ましい。
また、本発明は、前記ハンダが融点２３０℃以下の鉛フリーハンダである電子部品実装方法に関する。
なお、従来においても後に塗布するクリームハンダとの濡れ性を向上させる観点から、ハンダプリコートランドは形成されていたが、ランドにプリコートできるハンダの量には限界があるため、プリコートされたハンダによる電子部品の接合は行われていない。また、プリコートされたハンダの厚さも従来は極薄である。本発明は、プリコートされるハンダの厚さを従来よりも厚くして、微小電子部品の接合に利用したものである。
また、本発明は、厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板のハンダプリコートランドに導電性接着剤を塗布し、その上に電子部品を装着し、前記フィルム基板の全体をリフロー炉または加熱オーブンにより１００〜１５０℃に加熱する電子部品実装方法に関する。
また、本発明は、厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板のハンダプリコートランドに異方導電性接着剤を貼り付け、その上に電子部品を装着し、１００〜１５０℃で前記電子部品を前記フィルム基板上に熱圧着する電子部品実装方法に関する。
また、本発明は、厚さ３０〜１００μｍの樹脂フィルム基板のハンダプリコートランドに融点２００℃以下の鉛フリーハンダを塗布し、その上に電子部品を装着し、前記フィルム基板の全体をリフロー炉または加熱オーブンにより鉛フリーハンダの融点以上の温度に加熱する電子部品実装方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  III族窒化物系化合物半導体素子において、
AlxGa1-xN（0＜x＜1）と、GayIn1-yN（0＜y＜1）とを各々３層以上有し、
前記GayIn1-yN（0＜y＜1）から成る層の厚さは15nm以上30nm以下であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
【請求項２】  請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子を発光素子としたことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため請求項１に記載の手段によれば、III族窒化物系化合物半導体素子において、AlxGa1-xN（0＜x＜1）と、GayIn1-yN（0＜y＜1）とを各々３層以上有し、GayIn1-yN（0＜y＜1）から成る層の厚さは15nm以上30nm以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項２に記載の手段によれば、請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子を発光素子としたIII族窒化物系化合物半導体発光素子である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【作用及び発明の効果】
III族窒化物系化合物半導体素子において、広いバンドギャップを要求される層にはAlxGa1-xN（0＜x＜1）が求められる。そこでAlxGa1-xN（0＜x＜1）とGayIn1-yN（0＜y＜1）との多層構造を形成すれば、AlxGa1-xN（0＜x＜1）の広いバンドギャップを有し、且つ全体として弾性定数を小さい層とすることができる。よって、製造時、使用時の温度変化等によるクラックの発生を抑えることができる。これはAlxGa1-xN（0＜x＜1）のアルミニウム組成xの高い層において特に顕著であり、複数のAlxGa1-xN（0＜x＜1）層を形成することで、III族窒化物系化合物半導体素子全体の特性設計、特に発光層の設計（AlxGayIn1-x-yNの組成）をより柔軟に行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
GayIn1-yN（0＜y＜1）から成る層の厚さを15nm以上30nm以下とすることにより、広いバンドギャップを要求される層としての機能を維持するとともにクラックの発生をほぼ完全に抑えることができる（以上、請求項１）。なお、15nm未満の厚さでは、GayIn1-yN（0＜y＜1）から成る層による、AlxGa1-xN（0＜x＜1）層との多層の弾性定数の低減の効果が十分でなく、30nmを超えると広いバンドギャップを要求される層としての機能が低下してしまう。
このような素子はレーザダイオード、発光ダイオードなどの発光素子として有用である（請求項２）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸が表面に形成された結晶基板と、該結晶基板上に成長したＧａＮ結晶層と、該ＧａＮ結晶層の上に成長したＧａＮ系半導体からなる発光層とを有する半導体発光素子であって、
前記結晶基板が、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、スピネル、ＺｎＯ、ＧａＡｓまたはＮＧＯからなり、
前記ＧａＮ結晶層が、前記凹凸の凹部内を充填しかつ該凹凸を埋め込んで成長したアンドープのＧａＮ結晶層と、その上に成長したｎ型ＧａＮコンタクト層とからなり、
前記ｎ型ＧａＮコンタクト層と前記発光層との間に、ＧａＮ系半導体からなるクラッド層が設けられている、半導体発光素子。
【請求項２】
前記クラッド層が、ＧａＮクラッド層を含む、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記クラッド層が、ＡｌＧａＮクラッド層を含む、請求項１に記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は以下の特徴を有するものである。
（１）凹凸が表面に形成された結晶基板と、該結晶基板上に成長したＧａＮ結晶層と、該ＧａＮ結晶層の上に成長したＧａＮ系半導体からなる発光層とを有する半導体発光素子であって、
前記結晶基板が、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、スピネル、ＺｎＯ、ＧａＡｓまたはＮＧＯからなり、
前記ＧａＮ結晶層が、前記凹凸の凹部内を充填しかつ該凹凸を埋め込んで成長したアンドープのＧａＮ結晶層と、その上に成長したｎ型ＧａＮコンタクト層とからなり、
前記ｎ型ＧａＮコンタクト層と前記発光層との間に、ＧａＮ系半導体からなるクラッド層が設けられている、半導体発光素子。
（２）前記クラッド層が、ＧａＮクラッド層を含む、上記（１）に記載の半導体発光素子。
（３）前記クラッド層が、ＡｌＧａＮクラッド層を含む、上記（１）に記載の半導体発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】