【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側に単結晶半導体層を有し、該単結晶半導体層の下方に絶縁体部を有するＳＯＩ基板を形成する第１の工程と、
上記ＳＯＩ基板の単結晶半導体層を少なくとも第１の半導体領域と第２の半導体領域とに区画する素子分離を形成する第２の工程と、
上記第１，第２の半導体領域の表面上にそれぞれ第１，第２の絶縁膜を形成する第３の工程と、
上記第１の絶縁膜の両端部を除去して、両側に上記第１の半導体領域を露出させたマスク絶縁膜を形成する第４の工程と、
上記マスク絶縁膜をマスクとして用いて結晶異方性エッチングを行い、上記第１の半導体領域をエッチング速度の遅い結晶面を両側面とする薄い半導体膜を形成する第５の工程と、
上記半導体膜の両側面上に、電子の移動に対する障壁となるポテンシャルエネルギを有しかつ電子のトンネリングが可能な横方向の厚みを有する共鳴トンネルダイオードの第１，第２のトンネル絶縁膜を形成する第６の工程と、
基板の全面上に電極用導体膜を形成する第７の工程と、
上記第２の半導体領域上方の電極用導体膜をパターニングして、上記第２の絶縁膜の上にＭＩＳ型半導体素子のゲート電極を形成する第８の工程と、
上記第２の半導体領域のうち上記ゲート電極側方の領域に不純物を導入しＭＩＳ型半導体素子のソース・ドレイン領域を形成する第９の工程と
を備えている半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記第８の工程では、上記第１の半導体領域上方の電極用導体膜をもパターニングして、上記共鳴トンネルダイオードの第１，第２トンネル絶縁膜の外側面にそれぞれ隣接する第１，第２の導体部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の工程では、主面が｛１１０｝面の単結晶半導体層を形成し、
上記第４の工程では、第１の半導体領域のエッチング速度の遅い面として｛１１１｝面を選ぶことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１，２又は３記載の半導体装置の製造方法において、
上記トンネル絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、一般的なＭＯＳ型半導体装置の製造プロセスを利用して、ＭＩＳ型半導体素子と共鳴トンネルダイオードとを共通の基板上にできる限り少ない工程で形成することにより、実用化に適した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法では、上面側に単結晶半導体層を有し、該単結晶半導体層の下方に絶縁体部を有するＳＯＩ基板を形成する第１の工程と、ＳＯＩ基板の単結晶半導体層を少なくとも第１の半導体領域と第２の半導体領域とに区画する素子分離を形成する第２の工程と、第１，第２の半導体領域の表面上にそれぞれ第１，第２の絶縁膜を形成する第３の工程と、第１の絶縁膜の両端部を除去して、両側に第１の半導体領域を露出させたマスク絶縁膜を形成する第４の工程と、マスク絶縁膜をマスクとして用いて結晶異方性エッチングを行い、第１の半導体領域をエッチング速度の遅い結晶面を両側面とする薄い半導体膜を形成する第５の工程と、半導体膜の両側面上に、電子の移動に対する障壁となるポテンシャルエネルギを有しかつ電子のトンネリングが可能な横方向の厚みを有する共鳴トンネルダイオードの第１，第２のトンネル絶縁膜を形成する第６の工程と、基板の全面上に電極用導体膜を形成する第７の工程と、第２の半導体領域上方の電極用導体膜をパターニングして、第２の絶縁膜の上にＭＩＳ型半導体素子のゲート電極を形成する第８の工程と、第２の半導体領域のうちゲート電極側方の領域に不純物を導入しＭＩＳ型半導体素子のソース・ドレイン領域を形成する第９の工程とを備えている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
上記第８の工程では、上記第１の半導体領域上方の電極用導体膜をもパターニングして、上記共鳴トンネルダイオードの第１，第２トンネル絶縁膜の外側面にそれぞれ隣接する第１、第２の導体部を形成することができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記第１の工程では、主面が｛１１０｝面の単結晶半導体層を形成し、上記第４の工程では、第１の半導体領域のエッチング速度の遅い面として｛１１１｝面を選ぶことが好ましい。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記トンネル絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成することが好ましい。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
本発明によれば、共鳴トンネルダイオードとＭＩＳ型半導体素子とを共通の基板上に形成するようにした半導体装置の製造方法として、共通の絶縁体材料から両者の部材を形成するようにしたので、両者を搭載した半導体装置を安価に製造することができる。
【手続補正９０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】削除
【補正の内容】