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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部電極を形成する工程と、
Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＮｂを少なくとも含む第１混合溶液にシリケートが添加された第２混合溶液を用意する工程と、
前記下部電極上に、前記第２混合溶液を塗布する工程と、
塗布された前記第２混合溶液を結晶化させ、ＡＢ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に下部電極を形成する工程と、を含み、
０．１≦ｘ≦０．４である、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１混合溶液は、少なくともＰｂＺｒＯ３用ゾルゲル溶液、ＰｂＴｉＯ３用ゾルゲル溶液およびＰｂＮｂＯ３用ゾルゲル溶液が混合されている、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記シリケートは、ＰｂＳｉＯ３用ゾルゲル溶液である、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記強誘電体膜は、０．５モル％以上のＳｉを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記強誘電体膜は、０．５モル％以上、５モル％未満のＳｉを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記第２混合溶液にはコハク酸メチルが添加されている、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
０．２≦ｘ≦０．４である、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
０．１≦ｘ≦０．３である、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
０．２≦ｘ≦０．３である、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかにおいて、
前記強誘電体膜は、Ｐｂの欠損量の２倍に相当する組成比でＮｂを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかの強誘電体キャパシタの製造方法を用いた、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１２】
基板上に下部電極を形成する工程と、
Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＮｂを少なくとも含む第１混合溶液にシリケートが添加された第２混合溶液を用意する工程と、
前記下部電極上に、前記第２混合溶液を塗布する工程と、
塗布された前記第２混合溶液を結晶化させ、ＡＢ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に下部電極を形成する工程と、を含み、
０．１≦ｘ≦０．４である、圧電素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１混合溶液は、少なくともＰｂＺｒＯ３用ゾルゲル溶液、ＰｂＴｉＯ３用ゾルゲル溶液およびＰｂＮｂＯ３用ゾルゲル溶液が混合されている、圧電素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、
前記シリケートは、ＰｂＳｉＯ３用ゾルゲル溶液である、圧電素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記強誘電体膜は、０．５モル％以上のＳｉを含む、圧電素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４において、
前記強誘電体膜は、０．５モル％以上、５モル％未満のＳｉを含む、圧電素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれかにおいて、
前記第２混合溶液にはコハク酸メチルが添加されている、圧電素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７のいずれかにおいて、
０．２≦ｘ≦０．４である、圧電素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２〜１７のいずれかにおいて、
０．１≦ｘ≦０．３である、圧電素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２〜１７のいずれかにおいて、
０．２≦ｘ≦０．３である、圧電素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２〜２０のいずれかにおいて、
前記強誘電体膜は、Ｐｂの欠損量の２倍に相当する組成比でＮｂを含む、圧電素子の製造方法。
【請求項２２】
請求項１２〜２１のいずれかの圧電素子の製造方法を用いた、圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項２３】
請求項２２の圧電アクチュエータの製造方法を用いた、液体噴射ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリの製造方法、圧電素子の製造方法、圧電アクチュエータの製造方法、及び液体噴射ヘッドの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリの製造方法、圧電素子の製造方法、圧電アクチュエータの製造方法、及び液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の目的は、１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタを含む、１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリを提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記強誘電体メモリの製造方法及び上記強誘電体メモリの製造に好適な強誘電体キャパシタの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、強誘電体膜を用いた圧電素子の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記圧電素子の製造方法を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、上記圧電アクチュエータの製造方法を用いた液体噴射ヘッドの製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（９）また、本発明は、上記強誘電体膜を用いた、強誘電体メモリ装置、圧電素子、および半導体素子に適用することができる。また、本発明は、上記圧電素子を用いた圧電アクチュエータに適用することができる。また、本発明は、上記圧電アクチュエータを用いた液体噴射ヘッドに適用することができる。また、本発明は、上記液体噴射ヘッドを用いたプリンタに適用することができる。また、本発明は、上記強誘電体膜の製造方法を用いた強誘電体キャパシタの製造方法や圧電素子の製造方法に適用することができる。また、本発明は、上記強誘電体キャパシタの製造法を用いた強誘電体メモリの製造方法や上記圧電素子の製造方法を用いた圧電アクチュエータの製造方法に適用することができる。さらに、本発明は、上記圧電アクチュエータの製造方法を用いた液体噴射ヘッドの製造方法に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方が開口し、袋胴部から所定幅延出すると共に底シール部(12a)と直交して開口端部まで延びるよう形成された背シール部(12c)を備えた袋(12)を保持して、袋幅方向に向けて移送する移送手段(18)を備え、
該移送手段(18)には、前記背シール部(12c)を挟持して袋(12)を保持状態とする挟持手段(22)を設けた
ことを特徴とする袋詰機の袋保持移送装置。
【請求項２】
前記挟持手段(22)は一対の挟持部材(24,26)を備え、一方の挟持部材(26)は、袋胴部に沿うように折曲げられた前記背シール部(12c)の延出端から袋胴部との間に進入して背シール部(12c)を立上げることなく挟持し得るよう構成した請求項１記載の袋詰機の袋保持移送装置。
【請求項３】
前記移送手段(18)の移送方向上流側に位置する一方の挟持部材(26)は、袋胴部に沿うよう移送方向上流側に向けて折曲げられた前記背シール部(12c)の延出端から袋胴部との間に進入して背シール部(12c)を挟持する挟持位置へ移動する可動挟持部材(26)で構成した請求項２記載の袋詰機の袋保持移送装置。
【請求項４】
前記挟持手段(22)における一方の挟持部材(26)は、前記背シール部(12c)の延出端から袋胴部との間に進入する際に、該袋胴部を押して背シール部(12c)との間に隙間を形成するよう構成した請求項２記載の袋詰機の袋保持移送装置。
【請求項５】
前記挟持持手段(22)へ袋(12)を保持して受渡す吸着手段(46)を備え、該吸着手段(46)は、移送手段(18)と同方向へ移送手段(18)より低速で移動した後に略同速で移動し、その同速移動中に該吸着手段(46)で保持した袋(12)の背シール部(12c)を前記挟持手段(22)で挟持するよう構成した請求項１〜４の何れか一項に記載の袋詰機の袋保持移送装置。
【請求項６】
前記背シール部(12c)を吸着する吸着手段(46)を備え、該吸着手段(46)は、前記背シール部(12c)を吸着して少なくとも挟持手段(22)での挟持位置に対応する部位を袋胴部から離間し、その背シール部(12c)を挟持手段(22)で挟持するよう構成した請求項１〜５の何れか一項に記載の袋詰機の袋保持移送装置。
【請求項７】
前記袋(12)を挟持手段(22)の挟持位置より袋口側で吸着保持して、前記移送手段(18)と共に移送する吸着移送手段(50,52)を設けた請求項１〜６の何れか一項に記載の袋詰機の袋保持移送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前述した課題を解決し、所期の目的を達成するため、本発明に係る袋詰機の袋保持移送装置は、
一方が開口し、袋胴部から所定幅延出すると共に底シール部と直交して開口端部まで延びるよう形成された背シール部を備えた袋を保持して、袋幅方向に向けて移送する移送手段を備え、
該移送手段には、前記背シール部を挟持して袋を保持状態とする挟持手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１の発明に係る袋詰機の袋保持移送装置によれば、袋の背シール部を挟持手段で挟持するから、袋口を最大限に開口した状態で物品を供給することができ、物品に対して袋の大きさ(胴回り寸法)に余裕が少なくても、物品を損傷することなく内部に良好に供給できる。また袋口にクランプ等が存在していないから、物品供給時に物品が干渉して損傷したり集合物品の集合姿勢が乱れたりするおそれもない。更に、移送手段により袋を袋幅方向に移送すると共に背シール部を挟持手段で挟持するようにしたから、袋幅が異なる袋でも、挟持手段を移送方向へ位置調節することなく対応し得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に係る袋保持移送装置によれば、挟持手段を構成する一方の挟持部材を、袋胴部に沿って折曲げられた背シール部の延出端から袋胴部との間に進入し得るよう構成したから、背シール部を挟持手段により確実に挟持することができる。また、挟持手段で背シール部を袋胴部から立上げることなく挟持して袋を保持状態とするから、袋開口部のシールに際して背シール部が逆方向に折れ曲がったり位置ズレすることに起因するシール不良の発生を未然に防止できる。請求項３に係る袋保持移送装置によれば、背シール部が移送方向上流側に向けて折曲げられ、かつ上流側に位置する一方の挟持部材が移送方向の下流側に移動して背シール部を挟持できるので、移送手段の連続走行中に袋を受渡す際にも、挟持部材を背シール部と袋胴部との間に容易に進入させ得る。請求項４に係る袋保持移送装置によれば、挟持手段を構成する一方の挟持部材が背シール部と袋胴部との間に進入する際に、該袋胴部を押して背シール部との間に隙間を形成するよう構成したから、挟持手段により背シール部をより確実に挟持することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項５に係る袋保持移送装置によれば、吸着手段を、移送手段と同方向へ移送手段より低速で移動した後に略同速で移動し、その同速移動中に袋を挟持させるので、挟持手段による背シール部の挟持位置を一定にできる。また、袋と挟持手段とが略同速で移動するから、受渡し時に挟持手段で袋をけとばすことはなく、吸着手段から挟持手段への袋の受渡しを確実に行なうことができる。請求項６に係る袋保持移送装置によれば、袋を移送手段に受渡す際に、挟持手段での挟持前に背シール部を吸着して、少なくとも挟持手段での挟持位置に対応する部位を袋胴部から離間させるようにしたから、挟持手段を背シール部と袋胴部との間へ確実に進入させることができ、前記挟持手段による背シール部の挟持が良好に行なわれる。請求項７に係る袋保持移送装置によれば、袋の袋口側を吸着移送手段で吸着保持して移送するから、袋が位置ズレすることなく良好な移送が達成され、例えば開口手段や物品供給手段による開口や物品供給が良好に行なわれる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回路基板（１１１）に実装される電子部品（１３４）の供給方法において、格子状に上記電子部品を配列したプレート（１３１）から上記電子部品を供給するために実行される部品供給準備動作、及び上記プレートから上記電子部品を保持するために実行される部品保持準備動作の完了を制御装置（１７０）にて判断し、該判断結果に基づいて上記プレートから保持する電子部品を上記制御装置にて決定する、
ことを特徴とする部品供給方法。
【請求項２】  上記部品保持準備動作が上記部品供給準備動作よりも先に完了すると判断されたときには、上記プレートから上記電子部品を保持する部品保持部（１４０）に対して、部品供給に要する上記プレートの移動が最短となる位置に配置されている電子部品を保持し、
上記部品供給準備動作が上記部品保持準備動作よりも先に完了すると判断されたときには、上記部品保持部は、上記プレートの移動が上記最短を超えた長い距離にてなる位置に配置されている電子部品を保持する、請求項１記載の部品供給方法。
【請求項３】  上記部品保持準備動作は、上記プレートから上記部品保持部による部品保持が可能となったときに完了し、上記部品供給準備動作は、部品供給位置（１３８）に供給すべき電子部品が到達したときに完了する、請求項２記載の部品供給方法。
【請求項４】  格子状に電子部品（１３４）を配列したプレート（１３１）を有し該プレートをプレート格納部（１３２）から出入することで部品供給を行うトレイタイプ部品供給装置（１３０）と、
上記プレートから上記電子部品を保持する部品保持部（１４０）を有し該部品保持部にて電子部品を回路基板（１１１）に実装する部品保持装置（１５５）と、
上記トレイタイプ部品供給装置及び上記部品保持装置の動作制御を行い、かつ上記トレイタイプ部品供給装置における部品供給準備動作、及び上記部品保持装置における部品保持準備動作の完了を判断し、該判断結果に基づいて上記部品保持部が上記プレートから保持する電子部品を決定する制御装置（１７０）と、
を備えたことを特徴とする部品実装装置。
【請求項５】  上記制御装置は、上記部品保持準備動作が上記部品供給準備動作よりも先に完了すると判断したときには、上記プレートから上記電子部品を保持する部品保持部（１４０）に対して、部品供給に要する上記プレートの移動が最短となる位置に配置されている電子部品を保持するように上記トレイタイプ部品供給装置及び上記部品保持装置の動作制御を行い、上記部品供給準備動作が上記部品保持準備動作よりも先に完了すると判断したときには、上記プレートの移動が上記最短を超えた長い距離にてなる位置に配置されている電子部品を上記部品保持部に保持させるように上記トレイタイプ部品供給装置及び上記部品保持装置の動作制御を行う、請求項４記載の部品実装装置。
【請求項６】  上記制御装置は、
上記部品保持装置の動作制御を行う部品保持制御部（１７２）と、
上記トレイタイプ部品供給装置の動作制御を行う部品供給制御部（１７１）と、
上記部品供給制御部から供給される上記プレートの動作状態、及び上記部品保持制御部から供給される上記部品保持部の動作状態に基づいて上記部品供給準備動作及び上記部品保持準備動作の完了判断を行う動作完了判断部（１７６）とを備え、
上記動作完了判断部の判断結果に基づき上記部品保持部及び上記プレートの動作制御を行う、請求項４又は５記載の部品実装装置。
【請求項７】  上記動作完了判断部は、
上記プレートが有する上記電子部品の残数を管理する部品残数管理部（１７３）と、
部品実装に関する情報を格納するプログラム管理部（１７４）と、
上記部品保持部による上記プレートからの部品保持が可能か否かを示す部品保持部の動作状態が上記部品保持制御部から供給され、該部品保持部の動作状態、並びに上記プレートに残存する部品の位置情報に基づいて、上記部品保持部が保持する電子部品の上記プレートにおける配置位置（１３１４、１３１５）を決定する部品保持位置決定部（１７５）と、を備え、
上記制御装置は、上記配置位置へ上記部品保持部を移動させるように上記部品保持制御部の動作制御を行う、請求項６記載の部品実装装置。
【請求項８】  電子部品を配置したプレート（１３１）を出し入れする複数のトレイ供給部（１３５Ａ、１３５Ｂ）の内、一方を優先側とし他方を代替側として、優先側のトレイ供給部（１３５Ａ）のプレートから優先して電子部品を保持して基板に実装するときの部品供給方法であって、
上記基板に実装する上記電子部品の種類とその使用員数を求め、
求めた電子部品の種類及びその使用員数の情報と、上記優先側トレイ供給部の一つのプレートにおける電子部品の残数情報とに基づき、当該プレートで不足する電子部品の種類及び員数を予測し、
上記優先側トレイ供給部における上記プレートから供給する電子部品が不足する前に、上記予測結果に基づいて、不足する電子部品と同じ電子部品を載置したプレートを予め代替側トレイ供給部（１３５Ｂ）にて部品保持可能な状態に配置しておく、
ことを特徴とする部品供給方法。
【請求項９】  優先側トレイ供給部の電子部品の残数確認は、電子部品の取り出し時に行う、請求項８記載の部品供給方法。
【請求項１０】  格子状に電子部品（１３４）を配列したプレート（１３１）を有し該プレートをプレート格納部（１３２）から出入することで回路基板に実装する部品の供給を行う優先側トレイ供給部（１３５Ａ）及び代替側トレイ供給部（１３５Ｂ）を有するトレイタイプ部品供給装置（２３０）と、
上記優先側トレイ供給部から供給されるプレートで不足する電子部品の種類及び員数を予測し、上記優先側トレイ供給部における上記プレートから供給する電子部品が不足する前に、上記予測結果に基づいて、不足する電子部品と同じ電子部品を載置したプレートを予め上記代替側トレイ供給部にて部品保持可能な状態に配置する制御装置（２７０）と、
を備えたことを特徴とする部品実装装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面と、前記表面に対向する裏面と、前記表面上に設けられた複数の電極パッドと、前記裏面上に設けられた複数の接続パッドとを有する基板と、
前記基板の前記表面上に実装された回路素子と、
主面と、端面と、前記主面上に設けられた複数のボンディングパッドとを有し、かつ前記基板の前記表面上に実装された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記基板の前記複数の電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記回路素子、前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂体と、
前記基板の前記複数の接続パッド上に設けられた複数のバンプとを含む半導体装置であって、
前記回路素子は、前記基板の前記表面、前記半導体チップの前記端面および前記ボンディングワイヤにより囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記ボンディングワイヤは、ループ形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記回路素子は、チップコンデンサ、抵抗、インダクタまたは単体トランジスタの何れかであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】  前記回路素子において、前記ボンディングワイヤに近接する一部には絶縁体が被覆していることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  移動体に設けられた電磁石でターゲットを吸引して前記移動体を案内する磁気案内装置において、
前記ターゲットの磁束を検出する前記ターゲットに沿って移動可能な磁束検出手段と、
前記磁束検出手段の位置を計測する位置計測手段と、
前記位置計測手段によって得られた位置情報と前記磁束検出手段から得られた磁束情報から前記ターゲットの磁束位置を検出して、前記磁束位置で消磁を行う制御手段を有することを特徴とする磁気案内装置。
【請求項２】  前記磁束検出手段によって磁束検出を行いながら、
前記磁束検出手段を前記ターゲット上の可動範囲全域で移動させて
前記ターゲットの位置情報と磁束情報を記憶することで、
前記ターゲットの磁化位置の特定をすることを特徴とする請求項１記載の磁気案内装置。
【請求項３】  前記磁束検出手段が前記移動体に搭載されることを特徴とする請求項１〜２記載の磁気案内装置。
【請求項４】  前記移動体が、前記電磁石を前記磁束位置まで移動させて、
前記消磁制御手段によって前記電磁石に電流信号を与えることで消磁を行うことを特徴とする請求項１〜３記載の磁気案内装置。
【請求項５】  移動体に設けられた電磁石でターゲットを吸引して前記移動体を案内する磁気案内装置において、
前記ターゲットの磁束を検出する前記移動体に設けられた磁束検出手段と、
前記移動体の位置を計測する位置計測手段と、
前記位置計測手段によって得られた位置情報と前記磁束検出手段から得られた磁束情報から前記ターゲットの磁束位置を検出して、前記移動体によって前記電磁石を前記磁束位置まで移動して、消磁制御手段によって前記電磁石に電流信号を与えることで消磁を行う制御手段を有することを特徴とする磁気案内装置。
【請求項６】  前記移動体を位置決めする位置サーボ系を有し、
消磁動作時に前記位置サーボ系を停止させて、前記移動体の位置を固定することを特徴とする請求項４〜５記載の磁気案内装置。
【請求項７】  前記電磁石の少なくとも一つを前記磁束検出手段として用いることを特徴とする請求項１〜６記載の磁気案内装置。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかの磁気案内機構を備えたことを特徴とするステージ装置。
【請求項９】  請求項８のステージ装置によって基板または原版あるいはその双方を位置決めすることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】  請求項９の露光装置によってデバイスを製造する工程を有するデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置であって、
平面的に見てＰＮ対向分離膜によって互いに隔てられた２種類の活性領域であるＰＭＯＳ領域およびＮＭＯＳ領域を有する半導体基板と、
前記ＰＭＯＳ領域を横切って延び、前記ＰＮ対向分離膜の上方に延びるＰ型多結晶シリコンからなる第１のゲート電極と、
前記ＰＭＯＳ領域において前記第１のゲート電極の両側に形成された第１のソース領域およびドレイン領域と、
前記ＮＭＯＳ領域を横切って延び、前記ＰＮ対向分離膜の上方に延びるＮ型多結晶シリコンからなる第２のゲート電極と、
前記ＮＭＯＳ領域において前記第２のゲート電極の両側に形成された第２のソース領域およびドレイン領域と、
前記ＰＭＯＳ領域において前記第１のゲート電極の上方に形成された第１の絶縁膜と、
前記ＮＭＯＳ領域において前記第２のゲート電極の上方に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１のゲート電極および前記第１の絶縁膜の側面に形成された第１のサイドウォール絶縁膜と、
前記第２のゲート電極および前記第２の絶縁膜の側面に形成された第２のサイドウォール絶縁膜と、
前記ＰＮ対向分離膜の上方に形成され、前記第１のゲート電極に接する第１の側と前記第２のゲート電極に接する第２の側とを有するシリサイド膜と、
前記第１のゲート電極と前記第１の絶縁膜と前記第１のソース領域およびドレイン領域との上方に形成された層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は、平面的に見て前記第２のソース領域およびドレイン領域のうちの一方と前記第２のゲート電極とに一部重なるコンタクトホールを有しており、前記半導体装置はさらに、
前記コンタクトホール内に充填され、前記第２のソース領域およびドレイン領域のうちの前記一方に電気的に接続された導電性材料を備え、
前記シリサイド膜の前記第１および第２の側は平面的に見て前記ＰＮ対向分離膜内にあり、前記シリサイド膜の前記第１および第２の側は前記２種類の活性領域へと延びてはおらず、
前記層間絶縁膜は前記シリサイド膜の全面を覆っている、半導体装置。
【請求項２】  前記第１の絶縁膜はシリコン窒化膜を含み、前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記第１の絶縁膜は、前記シリサイド膜が形成される部分を除き、前記第１のゲート電極の上面全体を覆っている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第２の絶縁膜は、前記シリサイド膜が形成される部分を除き、前記第２のゲート電極の上面全体を覆っている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】  半導体装置であって、
平面的に見てＰＮ対向分離膜によって互いに隔てられた２種類の活性領域であるＰＭＯＳ領域およびＮＭＯＳ領域を有する半導体基板と、
前記ＰＭＯＳ領域を横切って延び、前記ＰＮ対向分離膜の上方に延びるＰ型多結晶シリコンからなる第１のゲート電極と、
前記ＰＭＯＳ領域において前記第１のゲート電極の両側に形成された第１のソース領域およびドレイン領域と、
前記ＮＭＯＳ領域を横切って延び、前記ＰＮ対向分離膜の上方に延びるＮ型多結晶シリコンからなる第２のゲート電極と、
前記ＮＭＯＳ領域において前記第２のゲート電極の両側に形成された第２のソース領域およびドレイン領域と、
前記ＰＭＯＳ領域において前記第１のゲート電極の上方に形成された第１の絶縁膜と、
前記ＮＭＯＳ領域において前記第２のゲート電極の上方に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１のゲート電極および前記第１の絶縁膜の側面に形成された第１のサイドウォール絶縁膜と、
前記第２のゲート電極および前記第２の絶縁膜の側面に形成された第２のサイドウォール絶縁膜と、
前記ＰＮ対向分離膜の上方に形成され、前記第１のゲート電極に接する第１の側と前記第２のゲート電極に接する第２の側とを有するシリサイド膜と、
前記第１のゲート電極と前記第１の絶縁膜と前記第１のソース領域およびドレイン領域との上方に形成された層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は、平面的に見て前記第２のソース領域およびドレイン領域のうちの一方と前記第２のサイドウォール絶縁膜とに一部重なるコンタクトホールを有しており、前記半導体装置はさらに、
前記コンタクトホール内に充填され、前記第２のソース領域およびドレイン領域のうちの前記一方に電気的に接続された導電性材料を備え、
前記シリサイド膜の前記第１および第２の側は平面的に見て前記ＰＮ対向分離膜内にあり、前記シリサイド膜の前記第１および第２の側は前記２種類の活性領域へと延びてはおらず、
前記層間絶縁膜は前記シリサイド膜の全面を覆っている、半導体装置。
【請求項６】  前記第１の絶縁膜はシリコン窒化膜を含み、前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜を含む、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記第１の絶縁膜は、前記シリサイド膜が形成される部分を除き、前記第１のゲート電極の上面全体を覆っている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】  前記第２の絶縁膜は、前記シリサイド膜が形成される部分を除き、前記第２のゲート電極の上面全体を覆っている、請求項７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置であって、
入力信号を受ける入力端子、および
前記入力信号の反射を防止する終端抵抗素子を備え、
前記終端抵抗素子は、
第１の導電形式の半導体基板、
前記半導体基板の表面に形成された前記第１の導電形式と異なる第２の導電形式の第１の不純物拡散領域、
前記第１の不純物拡散領域の表面に形成され、前記第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が高い第２の導電形式の不純物拡散層、および
前記不純物拡散層の表面に互いに離間して設けられ、それらのうちの一方が前記入力端子に接続され、他方が第１の電源電位のラインに接続された１対の電極を含む、半導体装置。
【請求項２】  前記終端抵抗素子は、さらに、前記半導体基板の表面において前記不純物拡散層の周囲に形成された素子分離用絶縁膜を含み、
前記第１の不純物拡散領域は前記素子分離用絶縁膜よりも深い領域に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記終端抵抗素子は、
さらに、前記半導体基板の表面において前記第１の不純物拡散領域の周囲に形成された第１の導電形式の第２の不純物拡散領域、および
前記半導体基板の表面において前記第２の不純物拡散領域の周囲に形成され、第２の電源電位を受ける第２の導電形式の第３の不純物拡散領域を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  さらに、前記入力端子と前記第１の電源電位のラインとの間に前記終端抵抗素子と直列接続され、前記入力信号の非入力時に非導通にされる第１のトランジスタを備える、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】  さらに、前記入力端子と前記第１の電源電位のラインとの間に前記終端抵抗素子と直列接続された第１のトランジスタ、および
前記第１のトランジスタのゲート電位を制御して前記第１のトランジスタの導通抵抗値を制御する制御回路を備える、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  さらに、そのソースおよびゲートが前記第１の電源電位のラインに接続され、そのドレインが前記入力端子に接続され、前記入力端子に流入したサージ電流を前記第１の電源電位のラインに流出させる第２のトランジスタを備え、
前記第１のトランジスタおよび前記終端抵抗素子は、前記第１の電源電位のラインと前記入力端子との間にその順に直列接続され、
前記第１および第２のトランジスタのゲートは互いに隣接して配置され、前記第１および第２のトランジスタのゲート間の１つの不純物拡散層が前記第１および第２のトランジスタのソースとして使用されている、請求項４または請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスクを載置可能な載置面を備えるとともに記録及び／又は再生装置の筐体に支持されたトレイと、
前記トレイが前記筐体に収容される位置において前記ディスクを所定高さに保持するクランプ手段とを備え、
前記クランプ手段が、前記ディスクの円心部を下方から持ち上げるターンテーブルと、前記筐体内に設けられたクランパホルダを介して前記筐体に支持されているとともに、前記筐体に対して前記クランパホルダが回動することにより上昇又は下降して前記ターンテーブルに離反又は吸着するクランパと、前記クランパホルダの回動範囲を規制する規制手段とを有するディスクローディング装置であって、
前記規制手段として、前記クランパホルダに連結されたサポータを有し、前記サポータが前記筐体内に設けた固定部材に当接されることを特徴とするディスクローディング装置。
【請求項２】  前記サポータが断面略クランク状であることを特徴とする請求項１に記載したディスクローディング装置。
【請求項３】  前記サポータが弾性を有していることを特徴とする請求項１に記載したディスクローディング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第４６５６５４６号
【特許文献２】特開２００２−９２８２０号公報
【非特許文献１】IEEE Transactions on Magnetics. Vol.38, No.4, pp.1719-1724 (2002)
【非特許文献２】IEEE Transactions on Magnetics. Vol. 38, No.1, pp.163-168 (2002)
【非特許文献３】電子情報通信学会技術研究報告MR2001-87, pp.21-26
【非特許文献４】電子情報通信学会技術研究報告MR2002-65, pp.1-6
【非特許文献５】47th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials,アブストラクト番号FA02
【非特許文献６】47th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials,アブストラクト番号FA03
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画パターンに基づいて、複数の連続静止画像を印刷する印刷装置の制御方法であって、
動画パターンの構成要素となる複数の画像を動画パターン毎に記憶するステップと、
特定の動画パターンの選択により該パターンの構成要素となる複数の画像を取得するステップと、
前記複数の画像を複数の割当領域に割り当てる際に、前記複数の画像の印刷形態が前記割当領域の数に応じて決定される相違量に従って各々相違する画像形態になるように割当てるステップと、を備えた印刷装置の制御方法。
【請求項２】
被印刷媒体に複数の連続静止画像の印刷を行う印刷装置に接続されるコンピュータに、動画パターンの構成要素となる複数の画像を記憶する記憶手段を構築するとともに、
記憶された複数の画像を読み出して、複数の割当領域に対して、前記複数の画像の印刷形態が当該複数の割当領域の数に応じて決定される相違量に従って各々相違する画像形態になるように、割り当てを行う処理、
前記画像を前記割当た印刷形態で前記印刷装置に印刷させるための印刷データを生成する処理を実行させ、この生成された印刷データに基づいて前記被印刷媒体上に前記動画パターンを形成させるためのディジタル情報が記録された、
コンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項３】
動画パターンに基づいて、複数の連続静止画像を印刷する印刷装置であって、
動画パターンの構成要素となる複数の画像を動画パターン毎に記憶する記憶手段と、
特定の動画パターンの選択により該パターンの構成要素となる複数の画像を取得する手段と、
前記複数の画像を複数の割当領域に割り当てる際に、前記複数の画像の印刷形態が前記割当領域の数に応じて決定される相違量に従って各々相違する画像形態になるように割り当てる画像割当手段と、を備えた印刷制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１の右半分の領域は、強磁性金属層１および３の磁化の方向が太い矢印のように平行な場合であり、この場合には、その磁化と反平行な細い矢印のような電子スピンを持つ電子の状態は参照符号８のように非磁性金属層２中にほぼ閉じ込められる。これに対し、磁化と平行な細い矢印のような電子スピンを持つ電子の状態は参照符号７のように多層膜４１中の全体に閉じ込められる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例２においても、実施例１と同様に、図４の右半分の部分に示すように、強磁性金属層１および３の磁化の方向が平行な場合は、その磁化と反平行な電子スピンを持つ電子の状態は参照符号８で示すように、非磁性金属層２中にほぼ閉じ込められる。磁化と平行な電子スピンを持つ電子の状態は参照符号７で示すように、多層膜４１中の全体に閉じ込められる。一方、図４の左半分の部分に示すように、強磁性金属層１および３の磁化の方向が反平行な場合は、電子の状態はそのスピンの向きに依存して参照符号９で示すように、膜１〜２中に閉じ込められ、あるいは、参照符号１０で示すように、膜２〜３中に閉じ込められる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、
前記有機化合物を含む層における分子は、一方向に配向していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、
前記有機化合物を含む層における分子の分子鎖は、陰極から陽極に流れる電流と同じ方向に配向していることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、
前記有機化合物を含む層における分子の分子鎖は、陰極から陽極に流れる電流と同じ方向に連続して配向しており、且つ、
配向した分子間に前記有機化合物の結晶化を阻害する物質が配置されることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、
有機化合物を含む層は積層構造であり、
第１の有機化合物を含む層の表面に規則的な凹部または凸部を有し、
前記規則的な凹部または凸部に沿って第２の有機化合物を含む層の分子が配列していることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記発光素子は、赤色、緑色、または青色のうち、いずれか一色を発光するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、全ての前記複数の発光素子は、赤色、緑色、青色、あるいは白色を発光するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
Ａｕ、Ｐｔ、またはＡｇからなる陰極を形成する第１工程と、
前記陰極表面に、チオール基（ＳＨ基）を有する有機化合物分子を反応させて、該有機化合物分子の長軸を電極表面に対して垂直な方向に配列させる第２工程と、
陽極を形成する第３工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
金属酸化物からなる陽極を形成する第１工程と、
塗布法により陽極表面に分子を配列させて薄膜を形成した後、
蒸着法により前記薄膜における分子配列に沿って規則的に配列させて有機化合物を含む層を形成する第２工程と、
陰極を形成する第３工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
陽極を形成する第１工程と、
陽極の端部を覆う絶縁材料からなる隔壁を形成する第２工程と、
陽極に第１の有機化合物を含む層を形成する第３工程と、
前記第１の有機化合物を含む層表面にラビング処理を行い、規則的な凸部または凹部を形成する第４工程と、
前記凸部または凹部に沿って配向させた第２の有機化合物を含む層を形成する第５工程と、
陰極を形成する第６工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
陰極と、該陰極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
陽極を形成する第１工程と、
前記陽極表面にラビング処理を行う第２工程と、
前記陽極に接する有機化合物を含む層を形成する第３工程と、
陰極を形成する第４工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
更に図４を見ると、次いで、工程４８に示すように、そのチップ部分１８を、溶接ジグに置く。次いで、工程５０に示すように、電極１６をチップ部分の位置に合わせ、工程５２に示すように、そのチップ部分１８は電極１６に抵抗溶接される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献３】特表２００３−５０５７０５号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本放射線画像検出器は、図２に示すように、放射線画像記録媒体１０の蓄電部６に蓄積された電荷を検出するための第１の検出部８と、放射線照射中における実時間信号を検出する第２の検出部７とを備えている。第２の検出部７は、放射線照射中に記録用光動電層２内において発生した電荷の量に応じて第２のストライプ電極５２に流れた電流を検出するものである。第１の検出部８は、第１のストライプ電極５１の各線状電極５ａに接続された多数の電流検出アンプ８１ａから構成されている。また、第２の検出部７は、第２のストライプ電極５２の各線状電極５ｂに接続された多数の電流検出アンプ７１ａから構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
まず、放射線画像の記録を行う際には、図３（Ａ）に示すように、第２の電極層５は接地され、第１の電極層１には負の高電圧が高電圧源２０により印加され、第１の電極層１は負に帯電し、第２の電極層は正に帯電する。そして、次に、第２の電極層５における第２の線状電極５ｂを第２の検出部７の電流検出アンプ７１ａにそれぞれ接続するとともに、放射線画像記録媒体１０に被写体３０を通過した放射線を照射する。なお、被写体３０における斜線部が放射線を透過しない遮光部３０ａであり、斜線でない部分が放射線を透過する透過部３０ｂである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
まず、放射線画像記録媒体１０に記録された放射線画像を読み取る際には、図５（Ａ）に示すように、第１の電極層１は接地される。そして、図５（Ａ）に示すように、第１および第２の線状電極５ａ，５ｂの長さ方向に略直交する方向に線状に延びる読取光源１１が、上記長さ方向に搬送され、ライン状の読取光が順次第２の電極層５に照射される。また、上記のように読取光が照射される際には、図５（Ｂ）に示すように、第２の電極層５における第２の線状電極５ｂは接地され、第１の線状電極５ａは第１の検出部８の電流検出アンプ８１ａにそれぞれ接続される。そして、この状態で読取光が照射されると、読取光は第２の電極層５の第２の線状電極５ｂを透過して読取用光導伝層４に照射される。上記のようにして読取光が照射されると読取用光導伝層４においては電荷対が発生する。そして、その電荷対のうち正の電荷は電荷輸送層３を通過して電荷輸送層３と記録用光導伝層２との界面に形成された蓄電部６の負の電荷と結合して消滅する。一方、読取用光導伝層４において発生した電荷対のうち負の電荷は第２の電極層５に帯電された正の電荷に向かって移動する。そして、第２の電極層５における第２の線状電極に帯電した正の電荷と結合するとともに、第１の線状電極５ａに帯電した正の電荷とも電流検出アンプ８１ａを介して結合する。上記のようにして読取光の照射により放電させることにより蓄電部６に蓄積された電荷に応じた信号、つまり放射線画像記録媒体１０に照射された放射線の線量に応じた放射線画像信号を検出することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本実施形態の放射線画像記録媒体１０においては、図２に示すように、第２の線状電極５ｂが所定のピッチで切断されているため、この切断部分においては上記のような放電が生じず、この切断部分を含む読取ラインの信号レベルＳ１は、図６に示すように、前後の読取ラインの信号レベルＳ２と比べると多少小さくなる。また、くし型電極５ｅの部分電極５ｄを配列方向に接続する線の部分においては、放電は生じるが、図７に示すように、上記接続する線に帯電した正の電荷が読取用光導電層４において生じた負の電荷と結合して放電し、第１の線状電極５ａに帯電した電荷が電流検出アンプ８１ａを介して上記負の電荷と結合して放電することはないので、上記と同様に上記接続部分を含む読取ラインの信号レベルは前後の読取ラインの信号レベルよりも多少小さくなる。しかしながら、上記信号レベルの低下は僅かなものであるため、放射線画像信号の検出において特に大きな影響を与えるものではない。また、上記のような信号レベルの低下した部分を座標として検出し、たとえば、放射線画像信号の欠陥補正などを行う際に、欠陥のある部分の座標に近い座標の正常な信号を利用してその欠陥のある部分の信号の補正をしたりすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この場合シリコン基板１３１と金属電極１３５との間に電圧を印加することにより、陽極酸化により形成された多孔質シリコン層１３２の表面の突出した先端に電界が集中し、電子が放出される。本方式によれば、金属電極１３５の開口部内に形成された多孔質シリコン層１３２の表面に、陽極酸化工程により形成された無数に近い突出部が形成され、多くの突出部から電子が放出されるため、大電流密度の電界放射型電子源を得ることができる。
【特許文献１】欧州特許出願公開第６３７０５０Ａ２号明細書
【特許文献２】特開平９−２７０２２８号公報
【非特許文献１】Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３９」，１９６８年，ｐ．３５０４
【非特許文献２】Ｈ．Ｆ．Ｇｒａｙ  ｅｔ  ａｌ．，「ＩＥＤＭ  Ｔｅｃｈ  Ｄｉｇ．」，１９８６年，ｐ．７７６
【非特許文献３】別井、「１９９０年  電子情報通信学会  秋季全国大会  論文集５、ＳＣ−８−２」，１９９０年
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ゲート絶縁膜として、半導体基板の側からＨｆＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、及び、ＡｌＳｉＯＮのうちのいずれかからなる窒素と金属を含んだ第１の高誘電率膜と、前記第１の高誘電率膜とは組成の異なるＨｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかからなる第２の高誘電率膜を積層した絶縁膜を用いた絶縁ゲート型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  少なくとも素子形成領域の露出表面にＨｆＮ、ＨｆＳｉＮ、ＡｌＮ、及び、ＡｌＳｉＮのうちのいずれかからなる金属窒化膜を成膜したのち、前記金属窒化膜上に該金属窒化膜と組成の異なるＨｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかからなる高誘電率膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  上記金属窒化膜の成膜後に、基板を大気中に晒すことなく、酸化雰囲気での熱処理及び上記高誘電率膜の成膜を行うことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照  
上記目的を達成するため、本発明は、半導体装置において、ゲート絶縁膜３として、半導体基板１の側からＨｆＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、及び、ＡｌＳｉＯＮのうちのいずれかからなる窒素と金属を含んだ第１の高誘電率膜４と、第１の高誘電率膜４とは組成の異なるＨｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかからなる第２の高誘電率膜５を積層した絶縁膜を用いた絶縁ゲート型トランジスタを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
特に、窒素と金属を含んだ第１の高誘電率膜４として、ＨｆＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、及び、ＡｌＳｉＯＮのうちのいずれかを用いているので、ＥＯＴの増大を少なくすることができる。
なお、ゲート電極６が多結晶シリコン以外からなる場合には、ＺｒＯＮ或いはＺｒＳｉＯＮを用いても良いものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、第２の高誘電率膜５として、Ｈｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかの比誘電率が２０以上の高誘電率膜を用いる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上述の半導体装置を製造する場合には、少なくとも素子形成領域２の露出表面にＨｆＮ、ＨｆＳｉＮ、ＡｌＮ、及び、ＡｌＳｉＮのうちのいずれかからなる金属窒化膜を成膜したのち、金属窒化膜上に金属窒化膜と組成の異なるＨｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかからなる高誘電率膜を成膜すれば良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお、ゲート電極６が多結晶シリコン以外からなる場合には、ＺｒＮ或いはＺｒＳｉＮを用いても良いものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ここで、再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  ゲート絶縁膜３として、半導体基板１の側からＨｆＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、及び、ＡｌＳｉＯＮのうちのいずれかからなる窒素と金属を含んだ第１の高誘電率膜４と、前記第１の高誘電率膜４とは組成の異なるＨｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかからなる第２の高誘電率膜５を積層した絶縁膜を用いた絶縁ゲート型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
（付記２）  少なくとも素子形成領域２の露出表面にＨｆＮ、ＨｆＳｉＮ、ＡｌＮ、及び、ＡｌＳｉＮのうちのいずれかからなる金属窒化膜を成膜したのち、前記金属窒化膜上に該金属窒化膜と組成の異なるＨｆx Ａｌ1-x Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０）或いはＨｆx Ａｌ1-x Ｓｉw Ｏy Ｎz （但し、０≦ｘ≦１，ｙ＞０，ｚ≧０，ｗ＞０）のいずれかからなる高誘電率膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３）  上記金属窒化膜の成膜後に、半導体基板１を大気中に晒すことなく、上記高誘電率膜を成膜することを特徴とする付記２記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）  上記金属窒化膜の成膜後で、且つ、上記高誘電率膜の成膜前に、前記金属窒化膜を酸化雰囲気で熱処理することを特徴とする付記２記載の半導体装置の製造方法。  （付記５）  上記金属窒化膜の成膜後に、半導体基板１を大気中に晒すことなく、酸化雰囲気での熱処理及び上記高誘電率膜の成膜を行うことを特徴とする付記４記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）  上記金属窒化膜或いは上記高誘電率膜の成膜工程の少なくとも一方の工程において、Ｎ源として、ＳｉＨ2 〔ＮＨ（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）〕2 を用いることを特徴とする付記２乃至５のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）  上記金属窒化膜或いは上記高誘電率膜の成膜工程の少なくとも一方の工程において、Ｎ源として、ＮＨ3 を用いることを特徴とする付記２乃至５のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性容器内の第１の領域に、処理対象を有する基板を配置する工程と、
前記第１の領域の真上の第３の領域からは前記基板に加熱光を供給せずに、前記第１の領域の真下の第２の領域から供給される加熱光及び前記第３の領域の外側の領域から供給される加熱光によって前記基板を加熱する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記処理対象はペロブスカイト化合物又はビスマス層状化合物であり、該化合物に含まれる特定の元素は該化合物に含まれる他の元素よりも蒸発しやすい
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板が配置される第１の領域を内部に含む透光性容器と、
前記第１の領域に配置された基板を加熱するための加熱光を生じる加熱部であって、少なくとも前記第１の領域の真下の第２の領域には設けられているが、前記第１の領域の真上の第３の領域には設けられていない加熱部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記第３の領域の外側の領域に設けられ、前記基板を加熱するための加熱光を生じる他の加熱部をさらに備えた
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記基板と前記透光性容器の上面との間に仕切り板を介在可能な構造を有する
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造装置。