【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導通対象の回路と電気的に分離された第１のキャパシタを有する第１のＭＥＭＳスイッチと、第２のＭＥＭＳスイッチとを有し、前記第１のキャパシタの一方の電極に前記第２のＭＥＭＳスイッチが接続され、前記第２のＭＥＭＳスイッチをオン状態とすることによって前記第１のＭＥＭＳスイッチがオン状態となることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のキャパシタの他方の電極が、接地されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のＭＥＭＳスイッチをオン状態とし前記第２のＭＥＭＳスイッチを介して前記一方の電極に前記第１のＭＥＭＳスイッチのオン動作に必要な第１の電位を供給して前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン動作させ、
前記一方の電極に前記第１の電位が供給された状態で前記第２のＭＥＭＳスイッチをオン状態からオフ状態に切換えて前記第１のＭＥＭＳスイッチにオン状態を保持させ、
前記第２のＭＥＭＳスイッチをオン状態とし前記第２のＭＥＭＳスイッチを介して前記一方の電極に前記第１のＭＥＭＳスイッチのオフ動作に必要な第２の電位を供給して前記第１のＭＥＭＳスイッチをオフ動作させることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のＭＥＭＳスイッチが第２のキャパシタを有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のキャパシタが前記第１のキャパシタと電気的に分離されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
更に、第３のＭＥＭＳスイッチを有し、前記第１のキャパシタの他方の電極に前記第３のＭＥＭＳスイッチが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチをオン状態とし前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチを介して前記キャパシタの各電極間に前記第１のＭＥＭＳスイッチのオン動作に必要な第１の電位差を供給して前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン動作させ、
前記各電極間に前記第１の電位差が供給された状態で前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチをオン状態からオフ状態に切換えて前記第１のＭＥＭＳスイッチにオン状態を保持させ、
前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチをオン状態とし前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチを介して前記各電極間に前記第１のＭＥＭＳスイッチのオフ動作に必要な第２の電位差を供給或いは前記各電極に同電位を供給して前記第１のＭＥＭＳスイッチをオフ動作させることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
更に、第３のキャパシタを有する第３のＭＥＭＳスイッチを有し、前記第１のキャパシタの他方の電極に前記第３のＭＥＭＳスイッチが接続されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項９】
更に、第３のキャパシタを有する第３のＭＥＭＳスイッチを有し、前記第１のキャパシタの他方の電極に前記第３のＭＥＭＳスイッチが接続され、前記第３のキャパシタが前記第１のキャパシタと電気的に分離されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
第１の固定電極と、第１の固定接点と、第１の可動電極と、可動接点とを有し、前記第１の固定電極と前記第１の可動電極との電位差を制御することにより前記第１の固定接点と前記可動接点の接触／非接触を制御可能な第１のＭＥＭＳスイッチと、
第２の固定電極と、第２の固定接点と、第２の可動電極とを有し、前記第２の固定電極と前記第２の可動電極との電位差を制御することにより前記第２の固定接点と前記第２の可動電極の接触／非接触を制御可能な第２のＭＥＭＳスイッチとを有し、
前記第２の固定接点が前記第１の可動電極又は前記第１の固定電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の固定接点及び前記可動接点がスイッチング対象の回路に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１のＭＥＭＳスイッチが、更に、第３の固定接点を有し、
前記第１の固定接点及び前記第３の固定接点がスイッチング対象の回路に接続され、
前記第１の固定電極と前記第１の可動電極の間に電位差を与えることにより、前記可動接点が前記第１の固定接点及び前記第３の固定接点に接触し、前記第１の固定接点と前記第３の固定接点間が導通状態となることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２の固定接点が前記第１の可動電極に接続され
前記第１の固定電極，前記第２の固定電極及び前記第２の可動電極が電位供給回路に接続され、
前記第１のＭＥＭＳスイッチのオン動作時，オン状態の保持時及びオフ動作時に、前記第１の固定電極に接地電位が供給され、
前記第２の固定電極に接地電位，前記第２の可動電極に第１の電位を供給することにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン動作させ、
その後、前記第２の可動電極に接地電位を供給することにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン状態に保持し、
その後、前記第２の可動電極に接地電位，前記第２の固定電極に前記第１の電位を供給することにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオフ動作させることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１４】
更に、第３の固定電極と、第３の固定接点と、第３の可動電極とを有し、前記第３の固定電極と前記第３の可動電極との電位差を制御することにより前記第３の固定接点と前記第３の可動電極の接触／非接触を制御可能な第３のＭＥＭＳスイッチを有し、
前記第２の固定接点が前記第１の可動電極に接続され、前記第３の固定接点が前記第１の固定電極に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第２の固定電極，前記第３の固定電極，前記第２の可動電極，前記第３の可動電極が電位供給回路に接続され、
前記第２の固定電極及び前記第３の可動電極に第１の電位，前記第２の可動電極及び前記第３の固定電極に第２の電位を供給することにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン動作させ、
その後、前記第２の可動電極及び前記第３の固定電極に前記第１の電位を供給することにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン状態に保持し、
その後、前記第２の可動電極に前記第１の電位，前記第２の固定電極に前記第２の電位を供給することにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオフ動作させることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
第１の固定電極と、第１の固定接点と、第１の可動電極と、第１の可動接点とを有し、前記第１の固定電極と前記第１の可動電極との電位差を制御することにより前記第１の固定接点と前記第１の可動接点の接触／非接触を制御可能な第１のＭＥＭＳスイッチと、
第２の固定電極と、第２の固定接点と、第２の可動電極と、第２の可動接点とを有し、前記第２の固定電極と前記第２の可動電極との電位差を制御することにより前記第２の固定接点と前記第２の可動接点の接触／非接触を制御可能な第２のＭＥＭＳスイッチとを有し、
前記第２の固定接点が前記第１の可動電極又は前記第１の固定電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記第１の固定接点及び前記第１の可動接点がスイッチング対象の回路に接続されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第１のＭＥＭＳスイッチが、更に、第３の固定接点を有し、
前記第１の固定接点及び前記第３の固定接点がスイッチング対象の回路に接続され、
前記第１の固定電極と前記第１の可動電極の間に電位差を与えることにより、前記第１の可動接点が前記第１の固定接点及び前記第３の固定接点に接触し、前記第１の固定接点と前記第３の固定接点間が導通状態となることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１９】
更に、第３の固定電極と、第３の固定接点と、第３の可動電極と、第３の可動接点とを有し、前記第３の固定電極と前記第３の可動電極との電位差を制御することにより前記第３の固定接点と前記第３の可動接点の接触／非接触を制御可能な第３のＭＥＭＳスイッチとを有し、
前記第２の固定接点が前記第１の可動電極に接続され、前記第３の固定接点が前記第１の固定電極に接続されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項２０】
更に、前記第２のＭＥＭＳスイッチが第４の固定接点を、前記第３のＭＥＭＳスイッチが第５の固定接点を、夫々有し、
前記第２のＭＥＭＳスイッチのオン動作により、前記第２の固定接点と前記第４の固定接点とが前記第２の可動接点を介して短絡され、
前記第３のＭＥＭＳスイッチのオン動作により、前記第３の固定接点と前記第５の固定接点とが前記第３の可動接点を介して短絡され、
前記第２の固定電極，前記第２の可動電極，前記第３の固定電極、前記第３の可動電極，前記第４の固定接点，前記第５の固定接点が電位供給回路に接続され、
第１のＭＥＭＳスイッチがオンし得る電位差を前記第４の固定接点と前記第５の固定接点に供給し、前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチの各々をオンさせることにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン動作させ、
その後、前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチの各々をオフさせることにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオン状態に保持し、
その後、第１のＭＥＭＳスイッチがオフし得る電位差を前記第４の固定接点と前記第５の固定接点に供給し、前記第２のＭＥＭＳスイッチ及び前記第３のＭＥＭＳスイッチの各々をオンさせることにより、前記第１のＭＥＭＳスイッチをオフ動作させることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。