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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との一対の電極間に、少なくとも有機発光層を有する有機化合物層を挟持してなる有機発光素子において、前記有機化合物層を形成するために用いる有機化合物のうちの少なくとも一つが、ディフェレンシャル・スキャニング・カロリメトリ法による分析において、９９ｍｏｌ％以上の純度を有する有機化合物であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
前記９９ｍｏｌ％以上の純度を有する有機化合物は、昇華精製法により精製されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記有機化合物層を構成する有機化合物の各層は、各層を構成する有機化合物を用いて、物理的気相蒸着法により形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１接続端子と第２接続端子とが共通のハウジングに設けられ、
前記ハウジング内において前記第１接続端子と第２接続端子間には電流通路部が形成され、
前記電流通路部にはヒューズ要素が形成され、
前記電流通路部に流れる電流を検出する電流センサ部が前記ハウジング内に設けられており、前記電流センサ部の検出信号を外部に出力するための電極が前記ハウジングに設けられていることを特徴とする電流センサ内蔵ヒューズ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第１接続端子と前記第２接続端子は、それぞれ１つの電極片にて形成されており、同一方向に向かって配置されていることを特徴とする請求項２に記載の電流センサ内蔵ヒューズ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記電流センサ部は、前記電流通路部を囲むように配置されたリングコアと、前記リングコアに設けられたギャップの間に配置された磁電変換素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ内蔵ヒューズ装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、第１接続端子と第２接続端子とが共通のハウジングに設けられ、前記ハウジング内において前記第１接続端子と第２接続端子間には電流通路部が形成され、前記電流通路部にはヒューズ要素が形成され、前記電流通路部に流れる電流を検出する電流センサ部が前記ハウジング内に設けられており、前記電流センサ部の検出信号を外部に出力するための電極が前記ハウジングに設けられていることを特徴とする電流センサ内蔵ヒューズ装置を要旨とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３の発明は、請求項２において、前記第１接続端子と前記第２接続端子は、それぞれ１つの電極片にて形成されており、同一方向に向かって配置されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４の発明は、請求項１において、前記電流センサ部は、前記電流通路部を囲むように配置されたリングコアと、前記リングコアに設けられたギャップの間に配置された磁電変換素子を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録ヘッドおよびノズルプレート製造方法並びに該ヘッドを用いたインクジェットプリンタ、液滴吐出装置および画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくともインク吐出孔周縁部が無機酸化物であるか、無機酸化物以外の場合は室温放置以外の積極的な表面酸化処理を行った無機または有機材料で構成され、かつ、臨界表面張力が２５ｍＮ／ｍ以下で、加水分解可能な官能基を少なくとも一つ有する非晶質樹脂が少なくとも吐出孔周縁部上においてノズルプレートの基板となる前記材料の酸素を介した結合を行っており、かつ、前記樹脂が０℃〜７０℃の温度範囲内で液相となる条件を満たすノズルプレートを有することを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】  請求項１記載の非晶質樹脂として主鎖にパーフルオロポリエーテルを用いることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】  請求項１記載の加水分解可能な官能基としてアルコール基またはアルコキシ基、望ましくはメトキシ基、エトキシ基を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】  請求項１記載の加水分解可能な官能基としてシラノール基またはアルコキシシラン基、望ましくはメトキシシラン基、エトキシシラン基を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】  請求項１記載の加水分解可能な官能基としてカルボン酸基またはエステル基、望ましくはメチルカルボネート基、エチルカルボネート基を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項６】  請求項３又は４記載の官能基と請求項２記載の主鎖の間に、少なくとも一つの水素を臭素またはヨウ素で置換させたメチレン基を存在させたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】  請求項１記載の非晶質樹脂のコーティング厚さとして、１ｎｍ以上の厚さであることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項８】  請求項１記載のノズルプレートの基板材料としてジルコニアやアルミナを主組成とする酸化物系セラミックス材料を用いたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項９】  請求項１記載のノズルプレートの基板材料として炭化珪素や窒化珪素などの非酸化物系セラミックスを用い、この表面に１ｎｍ以上厚さの酸化膜を有するノズルプレートを用いることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項１０】  請求項１記載のノズルプレートの基板材料としてシリコンまたはニッケルを主組成とする材料を用い、この表面に１ｎｍ以上厚さの酸化膜を有するノズルプレートを用いることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項１１】  請求項１記載のノズルプレートの基板材料としてポリイミドやポリサルフォンに代表される有機材料を主組成とする材料を用い、表面酸化処理をおこなって水に対する接触角を２５°以下にせしめたノズルプレートを用いることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッドを用いることを特徴とするインクジェットプリンタ。
【請求項１３】  請求項９乃至１１のいずれかに記載の酸化処理方法として、ノズルプレートを表面酸化に必要な温度環境下に曝露させることを特徴とするノズルプレート製造方法。
【請求項１４】  請求項９乃至１１のいずれかに記載の酸化処理方法として、ノズルプレートを波長４００ｎｍ以下の紫外光に曝露させることを特徴とするノズルプレート製造方法。
【請求項１５】  請求項９乃至１１のいずれかに記載の酸化処理方法として、ノズルプレートを赤外線フラッシュ光に曝露させることを特徴とするノズルプレート製造方法。
【請求項１６】  請求項９乃至１１のいずれかに記載の酸化処理方法として、高周波電圧または電磁波を用いて酸素をイオンまたはラジカルにした空間を作り、ここにノズルプレートを曝露させることを特徴とするノズルプレート製造方法。
【請求項１７】  請求項２記載の主鎖を有し、請求項３乃至６のいずれかに記載の官能基を有する非晶質樹脂を請求項８乃至１１のいずれかに記載のノズルプレートに対して適宜請求項１３乃至１６のいずれかに記載の酸化処理を施した後に効果的に密着させる方法として、５０℃以上２５０℃以下、望ましくは８０℃以上２００℃以下の環境下に１５分以上、望ましくは３０分以上放置することを特徴とするノズルプレート製造方法。
【請求項１８】  請求項１乃至１１のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッドを用いることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１９】  請求項１乃至１１のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッドを用いることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェットプリンタ、液滴吐出装置および画像形成装置並びにそれに使用するインクジェット記録ヘッドとその製造方法に関するものであり、特に、インクの噴射曲がりの発生を抑え、継続的な安定した吐出特性を継続するインクジェット記録ヘッド及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１２、１８および１９の発明は、請求項１乃至１１のいずれかに記載の手段で構成するインクジェット記録ヘッドを用いるインクジェットプリンタ、液滴吐出装置および画像形成装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の実施の形態】
本発明におけるインクジェットプリンタのインクジェットノズルの製造方法の一実施例を図１を用いて説明する。以下ではインクジェットプリンタについて説明するが、液滴吐出装置や画像形成装置についても同様に適用可能である。
まず、図１（Ａ）のように、導電性基板１上にノズル母型形状を有するレジストパターン２をフォトファブリケーションによって多数配置する。次いで、図１（Ｂ）のように、レジストパターン２高さ未満の厚さでニッケル層３を電鋳して、ノズルプレートの基板部分を形成する。しかる後に導電性基板１からレジストパターン２を含んだままノズルプレートの基板部分である電鋳したニッケル層３を剥離する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
請求項１２、１８および１９記載のインクジェットプリンタ、液滴吐出装置および画像形成装置を用いることで、インクの噴射曲がりが少なく、かつ、継続的に安定した吐出特性を有する装置を安価に実現することに貢献する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアフランジ部を含むリム部と、ハブ部及びデザイン部を含むディスク部とを有し、アルミニウム合金で鋳造された車両用ホイールにおいて、軸を含む任意縦断面の２次技法によるデンドライトアームスペーシング測定値を測定した時に、リアフランジ部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ１、リム部の中央部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ２、デザイン部の外周部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ３、ハブ部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ４とすると、ゲートが有る領域の縦断面においてＤ２＞Ｄ３なる関係を有する領域が現出すると共に、全周にわたってＤ４及びＤ３がＤ４＞Ｄ３なる関係を有することを特徴とする車両用ホイール。
【請求項２】
全周にわたってＤ１及びＤ３が３５μｍ以下であり、かつＤ４とＤ３の差が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の車両用ホイール。
【請求項３】
Ｄ１及びＤ３は３０μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の車両用ホイール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明においては、リアフランジ部を含むリム部と、ハブ部及びデザイン部を含むディスク部とを有し、アルミニウム合金で鋳造された車両用ホイールにおいて、軸を含む任意縦断面の２次技法によるデンドライトアームスペーシング測定値を測定した時に、リアフランジ部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ１、リム部の中央部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ２、デザイン部の外周部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ３、ハブ部の前記デンドライトアームスペーシング測定値をＤ４とすると、ゲートが有る領域の縦断面においてＤ２＞Ｄ３なる関係を有する領域が現出すると共に、全周にわたってＤ４及びＤ３がＤ４＞Ｄ３なる関係を有する、という技術的手段を採用した。本発明において、全周にわたってＤ１及びＤ３が３５μｍ以下であり、かつＤ４とＤ３の差が１５μｍ以下であることが好ましい。を特徴とする請求項１に記載の車両用ホイール。また、Ｄ１及びＤ３は３０μｍ以下であることが望ましい。本発明において、ＤＡＳ（デンドライトアームスペーシング）の測定は２次枝法を用いて行った。２次枝法では、ＤＡＳ測定値としてアルミニウム合金鋳物のミクロ組織における、主軸の両側に成長したデンドライトの２次アームの間隔を求め、複数個の２次アームの間隔を、その間隔に含まれる２次アームの数で除した値（μｍ）として算出される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＸＩＶの化合物を調製するための方法であって：
【化１】
2005206610.tif 000001
ここで、該方法は、式ＩＶの化合物を式ＶＩＩで表される化合物： 
【化２】
2005206610.tif 000002
と、ピペリジン、ヒンダード有機アミン塩基および（Ｃ３−Ｃ６）アルカノールの存在下、式ＩＸの化合物のｃｉｓ−異性体を含まず、そして式ＶＩＩＩのＥおよびＺカルコン：
【化３】
2005206610.tif 000003
を含まずに、化学的に純粋な式ＩＸの化合物が生成するのに十分な温度および時間で、反応させる工程を包含し、ここで、ＨＰＧは酸に不安定なフェノールヒドロキシル保護基である、方法。
【請求項２】
前記（Ｃ３−Ｃ６）アルカノールが、２−ブタノール、イソプロパノールまたはイソブタノールである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ヒンダード有機アミン塩基が、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデク−７−エン、または１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノン−５−エンである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、ここで（ａ）前記式ＩＶの化合物は、ピペリジンおよび２−ブタノールの存在下、２−ブタノールの沸点で、２−ブタノールと水との共沸混合物を完全に蒸留するのに十分な時間、式ＶＩＩの化合物と接触され、式ＶＩＩＩのＥおよびＺカルコンと、ｃｉｓおよびｔｒａｎｓＩＸとの混合物を含有する反応生成物を形成し、そして（ｂ）該反応混合物は、２０〜２５℃の範囲の温度まで冷却され、前記ヒンダード有機アミノ塩基である、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデク−７−エンが添加され、該接触が、式ＶＩＩＩのＥおよびＺカルコンを含有せず、かつ式ＩＸの化合物のｃｉｓ−異性体：
【化４】
2005206610.tif 000004
を含有せずに、式ＩＸの化合物を生成するのに十分な時間続けられる、方法。
【請求項５】
前記酸に不安定なフェノールヒドロキシル保護基がテトラヒドロピラニルである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記式ＩＸの化合物を、溶媒としての無水非環式エーテル中の化学量論的に過剰なメチルリチウムと、式Ｘの化合物：
【化５】
2005206610.tif 000005
が生成するのに十分な時間および温度で、反応させる工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、該方法は、前記式Ｘの化合物を、化学量論的に過剰な（Ｓ）−（＋）−カンファースルホン酸と、エタノールを含む溶媒中で、式ＸＩのＲ，Ｓ／Ｓ，Ｓジアステレオマー酸付加塩：
【化６】
2005206610.tif 000006
が生成するのに十分な時間およびそれに十分な温度で接触させる工程をさらに包含する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、該方法が、前記式ＸＩのジアステレオマー酸付加塩を、触媒量の（Ｓ）−（＋）−カンファースルホン酸と、エタノールを含む溶媒中で、式ＸＩＩＩのＲ，Ｓ−ジアステレオマー酸付加塩を含まずに、式ＸＩＩのＳ，Ｓ−ジアステレオマー塩：
【化７】
2005206610.tif 000007
が生成するのに十分な時間および温度で接触させる工程をさらに包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乗りかごの下部に設けられるロープ懸架端を用いて乗りかごをロープにより懸架するエレベータであって、
一方端がロープ懸架端に取り付けられ、他方端が乗りかごの上部の高さ位置に配置される懸架延長装置と、
懸架延長装置の他方端に堅縛されるロープと、
を備えることを特徴とするエレベータ。
【請求項２】
請求項１に記載のエレベータにおいて、
懸架延長装置は、
ロープ懸架端に一方端が取り付けられ、他方端が上方に向けて配置される懸架端ロッドと、
懸架端ロッドの他方端に一方端が接続され、他方端がさらに上方に向けて配置される延長バーと、
延長バーの他方端に接続され、乗りかごの上部の高さ位置に配置され、ロープを堅縛するロープ取付部と、
を備えることを特徴とするエレベータ。
【請求項３】
請求項１に記載のエレベータにおいて、
延長バーは、懸架部ロッドの軸方向に直交する軸周りに回転可能であり、ロープ取付部は、ロープの軸周りに回転してロープの長さを調整する調整機構を有することを特徴とするエレベータ。
【請求項４】
請求項１に記載のエレベータにおいて、
乗りかごに設けられ、懸架延長装置を支持しその転倒を防止する転倒防止部材を備えることを特徴とするエレベータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係るエレベータは、乗りかごの下部に設けられるロープ懸架端を用いて乗りかごをロープにより懸架するエレベータであって、一方端がロープ懸架端に取り付けられ、他方端が乗りかごの上部の高さ位置に配置される懸架延長装置と、懸架延長装置の他方端に堅縛されるロープと、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、懸架延長装置は、ロープ懸架端に一方端が取り付けられ、他方端が上方に向けて配置される懸架端ロッドと、懸架端ロッドの他方端に一方端が接続され、他方端がさらに上方に向けて配置される延長バーと、延長バーの他方端に接続され、乗りかごの上部の高さ位置に配置され、ロープを堅縛するロープ取付部と、を備えることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態につき詳細に説明する。図１は、本発明に係るエレベータの乗りかご２におけるロープの懸架延長装置１０の周辺を示す図である。ロープの懸架延長装置１０は、乗りかご２の下部枠体に取り付けられた吊り板４の下側に設けられたロープ懸架端と、乗りかごを懸架するロープ８との間をしっかりと接続し、かつ、ロープの取り付け、調整等の保守位置を乗りかご２の上部５の高さ位置に配置する機能を有する装置である。ロープの懸架延長装置１０の他方端に堅縛されたロープ８は、図示されていない巻上装置により巻き上げあるいは巻き戻しが行われ、乗りかご２を昇降させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
懸架延長装置１０は、ロープ懸架端６に一方端が取り付けられ、他方端が乗りかご２の上方に向けて配置される懸架端ロッド１２と、懸架端ロッド１２の他方端に一方端が接続され、他方端がさらに乗りかご２の上方に向けて配置される延長バー１４と、延長バー１４の他方端に一方端が接続され、他方端がさらに上方に延びる中間ロッド１６と、中間ロッド１６の他方端に一方端が接続され、乗りかご２の上部５の高さ位置に配置されるターンバックル１８と、ターンバックル１８に接続されるロープ端末用ロッド２０と、ロープ端末用ロッド２０に接続され、他端においてロープ８を堅縛するロープ端末処理部２４とを含んで構成される。ターンバックル１８以下ロープ端末処理部２４の部分は、ロープを堅縛して取り付けるロープ取付部に相当する。なお、乗りかご２の吊り板４には、懸架端ロッド１２を通す貫通穴が設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に懸架端ロッド１２の他方端を、延長バー１４の差込穴３２にあわせてかぶせ、穴３０，３４を合わせてピンで止める。こうして懸架端ロッド１２の上方に延長バー１４が延長される。そして延長バー１４の他方端の差込穴３８に中間ロッド１６の一方端を挿入し、穴３６，４０を合わせてピンで止める。こうしてさらに上方に中間ロッド１６が延長される。図１に示すように、延長された中間ロッド１６の他方端の高さ位置は、乗りかご２の高さ位置とほぼ同じである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇降かごに係合したロープが巻き付けられ、回転することによって前記ロープを移動させるシーブと、前記シーブを電動装置により回転させかつブレーキ装置を内蔵した駆動部と、を具備する駆動装置を有し、
前記電動装置は、電動装置のハウジング内に、ステータと、リング状のロータと、を備え、
前記ブレーキ装置は、スプリングの付勢力で制動制御し前記ロータと前記電動装置の回転軸との間に配置され、
前記駆動装置は、前記回転軸の方向に薄形であり、前記昇降かごの昇降路内で前記昇降かごに隣接して、前記昇降路の下方で最下階の床より高い位置に配置されることを特徴とするエレべータ装置。
【請求項２】
前記電動装置及び前記ブレーキ装置を、前記回転軸の軸線方向と直角な方向で同一平面上に配置すると共に、前記シーブの側端に配置したことを特徴とする請求項１に記載のエレベータ装置。
【請求項３】
前記駆動装置を建物の最下階とひとつ上の階との間の空間における前記昇降路のすき間に配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載のエレベータ装置。
【請求項４】
前記駆動装置は、エレベータフレームに固定されたサブフレームに取り付けられるよう薄形となっていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載のエレべータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のエレベータ装置は、昇降かごに係合したロープが巻き付けられ、回転することによって前記ロープを移動させるシーブと、前記シーブを電動装置１０により回転させかつブレーキ装置を内蔵した駆動部と、を具備する駆動装置を有し、前記電動装置１０は、電動装置１０のハウジング１１内に、ステータ１３と、リング状のロータ１４と、を備え、前記ブレーキ装置３０は、スプリング３８、３９の付勢力で制動制御し前記ロータ１４と前記電動装置１０の回転軸との間に配置され、前記駆動装置は、前記回転軸の方向に薄形であり、前記昇降かごの昇降路内で前記昇降かごに隣接して、前記昇降路の下方で最下階の床より高い位置に配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記電動装置及び前記ブレーキ装置を、前記回転軸の軸線方向と直角な方向で同一平面上に配置すると共に、前記シーブの側端に配置したことで、駆動装置全体を入力軸方向に薄くかつコンパクトに構成することができるため、前記駆動装置を、昇降路下方で最下階の床より高い位置に配置した場合でも嵩張らず、設置階のスペースの有効活用を図ることができる。また、前記駆動装置を建物の最下階とひとつ上の階との間の空間における前記昇降路のすき間に配置することで、駆動装置が昇降路内で昇降かごに隣接して、昇降路下方で最下階の床より高い位置に配置されるので、設置及びメンテナンス時においても高所で作業を行うことがなくなり、作業性が向上する。また、前記駆動装置は、エレベータフレーム５１に固定されたサブフレーム５１ｃに取り付けられるよう薄形となっていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品を収納するための複数の収納部と、
前記各収納部に収納される物品の情報を読み取る読み取り装置と、
前記収納部に収納された物品の情報に応じて、該収納部に付加される情報を設定する付加情報設定手段とを備えたことを特徴とする物品収納装置。
【請求項２】
前記各収納部に付加されている情報と共に、前記各収納部に収納されている物品の情報を記憶する記憶部と、
前記読み取り装置の読み取り結果及び前記記憶部の記憶内容に基づいて、前記複数の収納部のうち、物品が収納されていない空の収納部に物品が収納されたか否かを判定する第１の判定手段とを設け、
前記付加情報設定手段は、前記空の収納部に物品が収納されたと判定されたときに、前記読み取り装置で読み取られた該物品の情報に基づいて、当該空の収納部に付加される情報を設定することを特徴とする請求項１に記載の物品収納装置。
【請求項３】
物品を収納するために選択された収納部に付加された情報と前記読み取り装置で読み取られた該物品の情報とを比較する第１の比較手段を設け、
前記付加情報設定手段は、前記第１の比較手段の比較結果が不一致であるときに前記選択された収納部に前記物品が収納された場合には、該選択された収納部に付加される情報として、該収納部に既に付加されている情報と前記読み取られた物品の情報とに基づいた情報を設定することを特徴とする請求項１又は２記載の物品収納装置。
【請求項４】
物品を収納するために選択された収納部に付加された情報と前記読み取り装置で読み取られた該物品の情報とを比較する第１の比較手段を設け、前記第１の比較手段の判定結果に基づいて、前記物品を収納すべき収納部をナビゲートする第１のナビゲート手段を有することを特徴とする請求項１又は２記載の物品収納装置。
【請求項５】
前記第１の比較手段の比較結果が不一致であるとき、前記選択された収納部以外の収納部に、前記物品の情報と一致する情報が付加された収納部が存在するか否かを判定する第２の判定手段を設け、前記第１のナビゲート手段は、前記第２の判定手段の判定結果に応じて、前記物品を収納すべき収納部をナビゲートすることを特徴とする請求項４記載の物品収納装置。
【請求項６】
前記第２の判定手段の判定結果が不存在であるときに、空の収納部が存在するか否かを判定する第３の判定手段を設け、前記第１のナビゲート手段は、前記第３の判定手段で空の収納部が存在すると判定されたときに、該空の収納部を、前記物品を収納すべき収納部としてナビゲートすることを特徴とする請求項５に記載の物品収納装置。
【請求項７】
前記記憶部は、前記各収納部に付加された付加情報と前記物品の情報との類似度を記憶する記憶領域を有し、
前記第１のナビゲート手段は、前記第３の判定手段で空の収納部が存在しないと判定されたときに、前記記憶領域を参照して、収納する物品の情報と最も類似している付加情報に対応した収納部を、前記物品を収納すべき収納部としてナビゲートすることを特徴とする請求項６に記載の物品収納装置。
【請求項８】
前記読み取り装置で読み取られた物品の情報と前記各収納部に付加された付加情報とを比較する第２の比較手段と、
前記物品の情報と一致する前記付加情報が複数存在する場合に、該付加情報に対応した収納部の中から最も空きスペースが大きい収納部、又は物品の収納が可能で最も空きスペースの小さい収納部をナビゲートする第２のナビゲート手段とを設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の物品収納装置。
【請求項９】
物品を収納するための複数の収納部を有する物品収納装置の物品収納方法であって、
前記各収納部に収納される物品の情報を読み取る読み取り工程と、
前記収納部に収納された物品の情報に応じて、該収納部に付加される情報を設定する付加情報設定工程とを実行することを特徴とする物品収納方法。
【請求項１０】
物品を収納するための複数の収納部を有する物品収納装置の物品収納方法を実行するための、コンピュータで読み取り可能な制御プログラムであって、
前記各収納部に収納される物品の情報を読み取る読み取りステップと、
前記収納部に収納された物品の情報に応じて、該収納部に付加される情報を設定する付加情報設定ステップとを備えたことを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の物品収納方法は、物品を収納するための複数の収納部を有する物品収納装置の物品収納方法であって、前記各収納部に収納される物品の情報を読み取る読み取り工程と、前記収納部に収納された物品の情報に応じて、該収納部に付加される情報を設定する付加情報設定工程とを実行することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の制御プログラムは、物品を収納するための複数の収納部を有する物品収納装置の物品収納方法を実行するための、コンピュータで読み取り可能な制御プログラムであって、前記各収納部に収納される物品の情報を読み取る読み取りステップと、前記収納部に収納された物品の情報に応じて、該収納部に付加される情報を設定する付加情報設定ステップとを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
車両の複数の部位にそれぞれカメラを設置し、後進や前進等の様々な車両の状況に合わせて複数のカメラを切り換えて表示装置に表示する場合において、図７のように幾何学補正により平面視座標に座標変換を行うこととすると、それぞれのカメラの設置位置や、表示装置に表示させた際の視認性等の観点から、各カメラ毎に座標変換のための変換テーブルを用意する必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１に記載の発明の車両周辺視認装置は、撮像手段からの元映像について所定の座標変換を行うのにあたって、画像処理手段側で各撮像手段の変換テーブルを保有するのでなく、各撮像手段側で変換テーブルを保有し、選択された撮像手段から与えられた変換テーブルに基づいて座標変換を行うようにしているので、画像処理手段内のメモリの記憶容量が少なくて済む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
画像処理ＥＣＵ３１は、図３の如く、車載ＬＡＮ２９で通信を行うための通信インターフェースである通信Ｉ／Ｆ部４３と、表示装置（ディスプレイ）１５に接続されるモニターＩ／Ｆ部４５と、画像処理を司る画像処理ＡＳＩＣ４７と、この画像処理ＡＳＩＣ４７での座標変換を行うために各カメラ２１，２３，２５，２７から送信された変換テーブルを格納する揮発性の変換テーブル用メモリ（揮発性記憶手段）４９と、画像処理ＡＳＩＣ４７が画像処理に際して一時的に映像を格納するＳＤＲＡＭ等のフレームメモリ５１と、画像処理ＡＳＩＣ４７を制御するＣＰＵ５３と、画像処理ＡＳＩＣ４７での画像処理において各種パラメータ等を提供するための書き換え可能な不揮発性メモリ５５とを備えて構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタのウェルにフォワードバイアスを印加する外部回路とを有する回路において、前記ウェルにバイアスを印加する方法であって、
前記ウェルから引き出されるバイアス電流を決定し、
決定された前記バイアス電流を前記ウェルから引き出すことによって前記外部回路から前記ウェルにバイアスを印加する、ＭＯＳトランジスタのウェルにバイアスを印加する方法。
【請求項２】
前記外部回路はトランジスタを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記回路は差動増幅器を有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
差動増幅回路であって、
ウェルに形成され、前記差動増幅器への第１の入力として構成されているゲート端子と、ソース端子とを有する第１のＭＯＳトランジスタと、
ウェルに形成され、前記差動増幅器への第２の入力として構成されているゲート端子と、前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に接続されたソース端子とを有し、前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ウェルが第２のＭＯＳトランジスタのウェルに接続するように構成されている第２のＭＯＳトランジスタと、
電圧源に接続されたソース端子と、前記第１および第２のＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に接続されたドレインとを有する第３のＭＯＳトランジスタと、
ウェルから電流を引き出すために少なくとも前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ウェルに接続されたトランジスタ定電流源と、を有する差動増幅回路。
【請求項５】
前記トランジスタ定電流源は、前記ウェルから電流を引き出すために前記第２のＭＯＳトランジスタの前記ウェルに接続している、請求項４記載の差動増幅回路。
【請求項６】
異なったバイアス回路に接続されているウェルに形成された２つ以上のトランジスタを有する回路であって、前記ウェルから引き出される電流が実質的に等しく、ウェル電位が異なる回路。
【請求項７】
前記バイアス回路の少なくとも１つが前記ウェルの少なくとも１つに接続して、前記ウェルから電流を引き出すように構成されているトランジスタを有する、請求項６記載の回路。
【請求項８】
２つ以上のトランジスタからなる少なくとも１つのグループを有する集積回路の動作電圧レベルを低減する動作電圧低減方法であって、前記トランジスタがウェルに形成されるとともに、共通の電位ではなく共通の電流によって前記トランジスタのウェルにフォワードバイアスを印加する動作電圧低減方法。
【請求項９】
ウェハ生産中にプロセス変動の影響を受けやすい一連の異なるウェハから製作された複数の集積回路であって、
前記一連の異なるウェハから製作された前記集積回路の少なくとも一部が、ウェルを有する複数のＭＯＳトランジスタの共通のレイアウトを共有し、
各ウェハの前記ウェルが各ウェハの定電流源に接続されており、
ウェハ内またはウェハ間のＭＯＳトランジスタの物理的な構造に影響を与えるプロセス変動による電流によって生成されたソース・ウェル電圧の、結果的に発生した任意のウェハ間またはウェハ内の差異にかかわらず、前記定電流源が、実質的に等しい前記電流を前記ウェルから引き出すことによって前記ウェルにフォワードバイアスを印加するように構成されている、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に形成された外部接続電極と、該外部接続電極上に形成された導電層を有してなるバンプとを備えた半導体チップと、ランドを備えた配線基板とを有し、前記バンプと前記ランドとが絶縁性材料に分散された導電性粒子で接続される半導体装置であって、
前記基材の外部接続電極形成面側にはパッシベーション膜が、前記外部接続電極の端部に乗り上げて、該外部接続電極の一部を露出させる状態に形成されており、
前記バンプは、前記外部接続電極の露出面に接触する第１導電層と、該第１導電層に接触する第２導電層と、該第２導電層に接触する第３導電層とを有し、
前記第１導電層が、前記パッシベーション膜の開口部分において、前記パッシベーション膜の側面を除く表面に接触しないように形成されており、
前記導電性粒子が前記第３導電層に食い込んだ状態で前記バンプと前記ランドとの電気的接続がなされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第３導電層の厚さは、前記導電性粒子の粒径の１／４以上が前記第３導電層に食い込むように形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３導電層の厚さは、前記導電性粒子の粒径の１／２以上が前記第３導電層に食い込んで、前記バンプと前記ランドが直接接触するように形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電層と前記第２導電層及び／又は前記第２導電層と前記第３導電層との間に触媒を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３導電層が、錫からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電性粒子は、前記第３導電層よりも硬度が高い物質からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導電性粒子は、ニッケルからなるか又は少なくともニッケルを含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１導電層の前記第２導電層側の一部が補助導電層となっており、該補助導電層は、前記第１導電層の補助導電層以外の部分よりも硬度が低い物質からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記補助導電層が、金からなることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
基材と、
該基材上に形成された外部接続電極と、
該外部接続電極と電気的に接続する第１導電層、該第１導電層上に設けられた第２導電層及び該第２導電層上に設けられた第３導電層を有するバンプと、
前記基材の外部接続電極形成面側に形成されたパッシベーション膜とを備え、
前記パッシベーション膜の前記外部接続電極部分はその一部を露出させる開口部として形成されており、前記第１導電層は、前記パッシベーション膜の開口部の内側において前記外部接続電極の表面に接触し、前記パッシベーション膜の側面を除く表面には接触しないように設けられていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項１１】
前記第３導電層が、錫からなることを特徴とする請求項１０記載の半導体チップ。
【請求項１２】
前記第２導電層が、銅からなることを特徴とする請求項１１記載の半導体チップ。
【請求項１３】
前記外部接続電極の厚さが０．２μｍ以上であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項１４】
前記第１導電層の前記第２導電層側の一部が補助導電層となっており、該補助導電層は、前記第１導電層の補助導電層以外の部分よりも硬度が低い物質からなることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の半導体チップ。
【請求項１５】
前記補助導電層が、金からなることを特徴とする請求項１４記載の半導体チップ。
【請求項１６】
基材上に形成された外部接続電極と、該外部接続電極上に形成された導電層を有してなるバンプとを備える半導体チップと、ランドを有する配線基板とを接続する半導体装置の製造方法であって、
前記基材の外部接続電極形成面側に、前記外部接続電極の端部に乗り上げて、前記外部接続電極の一部を露出させる状態にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の開口部分において、前記バンプの第１導電層を前記外部接続電極の露出面に接触させ、かつ前記パッシベーション膜の側面を除く表面に接触しないように形成する工程と、
前記第１導電層に接触するように前記バンプの第２導電層を形成する工程と、該第２導電層に接触するように前記バンプの第３導電層を形成する工程を有し、前記配線基板又は前記半導体チップに導電性粒子を分散した絶縁性材料を配置する工程と、前記バンプ又は前記ランドを絶縁性材料に押し込んで、前記第３導電層に前記導電性粒子を食い込ませて前記バンプと前記ランドとを電気的に接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１導電層と前記第２導電層及び／又は前記第２導電層と前記第３導電層との間に触媒を付与する工程を有することを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１導電層、前記第２導電層及び前記第３導電層の内の少なくとも１つの層を、無電解めっき法により形成することを特徴とする請求項１６又は１７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１導電層の前記第２導電層側の一部を補助導電層として形成し、該補助導電層は、前記第１導電層の補助導電層以外の部分よりも硬度が低い物質からなることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
駆動状態調整装置は、半導体スイッチング素子の第１のゲート抵抗と、周波数成分検出装置の検出値に基づき決定される第２のゲート抵抗との和をゲート抵抗とすることを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図６は、３次元レーザ加工ヘッドＬＨのレーザ加工工具ＴＬを用いて金型要素Ｅのダイス部Ｄ１を加工する状態を示す。
図７は、３次元レーザ加工ヘッドＬＨのレーザ加工ヘッドＴＬを金型要素Ｅの側面に対向させて、要素番号の刻印を行う状態を示す。
図８は、本発明のプレスブレーキ用金型により成形されるワークの例を示す斜視図である。
ワークＷ３０は、折り曲げ線に沿って曲率半径がｒ１からｒｎに順次変化する形状を有する。
その他、本発明によれば、複雑な形状をもつワークを加工することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006122959.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006122959.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、（１）、（２）の方式では機械的物理的方法によりフィルム表面に凹凸形状を形成する方式のためフィルムの材質の選択の幅が狭く、また、厚みもある程度厚くしなければならないという欠点がある。また、（２）の方法では硬いサンド（ＳｉＯ2 ）の形状が不均一なことから、得られる凹凸形状も激しく、かつ、不均一に荒れており、アルカリ溶液処理などで表面の一部を溶解しても、この荒れを十分に均一化することができず、得られる凹凸構造が非常に不均一になるという欠点がある。さらにまた、（３）のような化学的方法においても、フィルムの材質の選択がシビアであり、また、処理後の洗浄乾燥が大変であるという欠点がある。現状では、これらの方法では、凹凸層の成形方法自体に欠点があり、また、出来た凹凸層においても依然として狭い視野角の範囲に光が集中するため、明るさ（輝度）が等しい理想的な反射特性は得られていない。よって、より高拡散で理想的な反射特性を得るためには、これまでよりもさらに制御された凹凸表面を用いる必要があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、反射層に用いられる金属によっても、その反射率は大きく左右される。例えば、一般的に用いられる金属層として、銀及びアルミニウムを例にとり比較すれば、同等の透過率を有する半透過型反射シートを作製した場合、銀を使用した方が、アルミニウムを用いた場合より、５〜１０％程度、反射率が高いものが得られている。しかしながら、近年の液晶表示装置の普及に伴い、その用途も多様化し、より過酷な使用条件での要求も高まっており、長時間の耐久性が要求されている。一般的な実装信頼性に関しては、耐久条件として、６０℃×９０％ＲＨ×５００ｈｒでの耐久性が求められているが、反射層に銀のみを用いた場合、上記の耐久条件において、表面に多数の凝集点が発生し、見た目が悪くなると共に、反射率の低下を招くという欠点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
実施例１
平均粒子が５μｍであるアクリル系樹脂〔根上工業（株）製、品名：アートパール〕と、バインダーとしてアクリル系樹脂〔三井化学（株）製、品名：アルマテックスＥ２６９〕（共に密度１．２ｇ／ｃｍ3 ）を、トルエンとエチルメチルケトンからなる溶剤を用いて、固形分比３５％、固形分中の粒子の割合を３７.０体積％とした溶液を調合した。粘度は約４０ｃｐであった。これらの物性値を前記式（１）に代入することにより、塗布重量範囲を計算したところ４．５（ｇ／ｍ2 ）≦乾燥重量（ｇ／ｍ2 ）≦１０．８（ｇ／ｍ2 ）となったため、ドライ塗布量が８．５ｇ／ｍ2 となるようにポンプ圧力とラインスピードを調整し、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムの上に、リップコート法にて塗布を行った。この際、ブツによる筋は観察されず、良好な塗布面が得られた。得られたシートに、第１層（Ｃ）として、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、２％のＡｌ2 Ｏ3 がドープされた酸化亜鉛（純度９９．９％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになるように形成した。このシートをスパッタ装置から取り出すことなく、第２層（Ｄ）として、同様にＤＣマグネトロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして銀を膜厚３３ｎｍになるように成形した。次いで、このシートをスパッタ装置からと取り出すことなく、第２層（Ｅ）として、ＲＦマグネトロンスパッタ法にて純度９９．９％のＳｉＯ2 をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、ＳｉＯ2 を膜厚５ｎｍになるように成形した。得られたシートに、保護層をラミネートした後、日立自記分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、５５０ｎｍにおける全反射率、拡散反射率、全光線透過率測定を行ったところ、反射率８０．０％、拡散反射率６９．１％、全光線透過率１４．９％を得た。測定後の半透過反射シートを、恒温恒湿槽に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間放置した。５００時間経過後、シートを取り出して表面を観察したところ、金属の凝集は見られなかった。また、再度分光光度計により、全反射率、拡散反射率を測定した結果、反射率が８０．１％、拡散反射率が６９．３％、全光線透過率が１４．７％と湿熱前とほとんどかわらず、光学特性の劣化も見られなかった。結果を（表１）に示した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実施例５
実施例１において、第１層の２％のＡｌ2 Ｏ3 がドープされた酸化亜鉛の膜厚を２０ｎｍ、第２層の銀の膜厚を４３ｎｍ、第３層のＳｉＯ2 の膜厚１０ｎｍとしたこと以外は、実施例１に準じて、半透過反射シートを作製した。得られたシートに、保護層をラミネートした後、日立自記分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、５５０ｎｍにおける全反射率、拡散反射率、全光線透過率測定を行ったところ、反射率８６．４％、拡散反射率７５．５％、全光線透過率５．２％を得た。測定後の半透過反射シートを、恒温恒湿槽に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間放置した。５００時間経過後、シートを取り出して表面を観察したところ、金属の凝集は見られず、色も白いままだった。また、再度分光光度計により、全反射率、拡散反射率、全光線透過率を測定した結果、反射率が８６．２％、拡散反射率が７５．１％、全光線透過率５．４％と湿熱前とほとんどかわらず、光学特性の劣化も見られなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
実施例６
実施例１において、第１層の２％のＡｌ2 Ｏ3 がドープされた酸化亜鉛の膜厚を３ｎｍ、第２層の銀の膜厚を１３ｎｍ、第３層のＳｉＯ2 の膜厚３ｎｍとしたこと以外は、実施例１に準じて、半透過反射シートを作製した。得られたシートに、保護層をラミネートした後、日立自記分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、５５０ｎｍにおける全反射率、拡散反射率、全光線透過率測定を行ったところ、反射率４９．１％、拡散反射率３８．９％、全光線透過率４５．２％を得た。測定後の半透過反射シートを、恒温恒湿槽に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間放置した。５００時間経過後、シートを取り出して表面を観察したところ、金属の凝集は見られず、色も白いままだった。また、再度分光光度計により、全反射率、拡散反射率、全光線透過率を測定した結果、反射率が４９．２％、拡散反射率が３８．８％、全光線透過率４５．１％と湿熱前とほとんどかわらず、光学特性の劣化も見られなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
凹凸化方法としては、（１）高分子フィルム表面にエンボス加工を施し凹凸構造を形成した後、表面を溶剤で処理して滑らかにする方法、（２）高分子フィルム表面にＳｉＯ2 などの粒子を高圧空気とともに吹き付けるサンドブラスト方法、（３）エッチング法などの化学的方法、などが挙げられる。しかしながら、（１）、（２）の方法では、機械的物理的方法によりフィルム表面に凹凸形状を形成する方式のため、フィルムの材質の選択の幅が狭く、また、厚みもある程度厚くしなければならないという欠点がある。また、（２）の方法では硬いサンド（ＳｉＯ2 ）の形状が不均一なことから、得られる凹凸形状も激しく、かつ、不均一に荒れており、アルカリ溶液処理などで表面の一部を溶解しても、この荒れを十分に均一化することができず、得られる凹凸構造が非常に不均一になるという欠点がある。さらにまた、（３）のような化学的方法においても、フィルムの材質の選択がシビアであり、また、処理後の洗浄乾燥が大変であるという欠点がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、反射層に用いられる金属によっても、その反射率は大きく左右される。例えば、一般的に用いられる金属層として、銀及びアルミニウムを例にとり比較すれば、銀を使用した場合、その反射率は９０％以上、アルミニウムを用いた場合は８５％と以上となっており、銀を用いる方が高反射率を得ることができる。しかしながら、近年の液晶表示装置の普及に伴い、その用途も多様化し、より過酷な使用条件での要求も高まっており、長時間の耐久性が要求されている。一般的な実装信頼性に関しては、耐久条件として、６０℃×９０％ＲＨ×５００ｈｒでの耐久性が求められているが、反射層に銀のみを用いた場合、上記の耐久条件において、表面に多数の凝集点が発生し、見た目が悪くなると共に、反射率の低下を招くという欠点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも電子写真用感光体、トナー、定着装置、及び露光装置を備えた画像形成装置であって、定着装置が、熱源を内包する加熱ローラと、該加熱ローラに圧接された加圧ローラとを備え、該加熱ローラが、表面にフッ素樹脂を含有する離型層が設けられ、離型層の下側に耐熱性ゴム層を有し、耐熱性ゴム層の硬度がＪＩＳ−Ａ規格で１０°以下であり、且つトナーのバインダー樹脂が、少なくともスチレンとアルキル（メタ）アクリレートを共重合体成分として含有し、バインダー樹脂のガラス転移点温度が７０℃以下であり、バインダー樹脂のゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定した最大ピーク分子量がポリスチレン換算で１万〜１２万であることを特徴とする画像形成装置。【請求項２】トナーのバインダー樹脂を構成する単量体の内、２以上のエチレン性二重結合を有する単量体の量が、全単量体の５モル％である請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】加熱ローラと加圧ローラで圧接された定着ニップ部が４ｍｍ以上でニップ部通過速度が１２０ｍｍ／秒以上に設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】加熱ローラの表面に離型用オイルを塗布しないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】該トナーが、融点が２０〜１２０℃の化合物をトナー粒子に対して２〜３０重量％の範囲で含有するトナーであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項６】電子写真感光体が、ＣｕＫα線によるＸ線回折においてブラッグ角（２θ±０．２）２７．３゜に最大回折ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンを含有する電荷発生層と、電荷移動層とが積層した感光層を有する請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】露光装置によって電子写真感光体に対し記録ドット密度が６００ドット／インチ以上のデジタル像露光を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】該トナーが乳化重合凝集法により得られるものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項９】フルカラータンデム方式であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも正極又は負極のいずれか一方に打抜き格子を用いた正負極板をセパレータと共に巻回してエレメントを構成した密閉鉛蓄電池において、前記打抜き格子は打抜き加工時に打抜き用パンチ型が当った面を巻回内側にして巻回されたことを特徴とする密閉鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、少なくとも正極又は負極のいずれか一方に打抜き格子を用いた正負極板をセパレータと共に巻回してエレメントを構成した密閉鉛蓄電池において、前記打抜き格子は打抜き加工時に打抜き用パンチ型が当った面を巻回内側にして巻回されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】