【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
式：
【化１】
2004196793.tif 000001
〔式中、R1は置換基を有していてもよい炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基、R'はハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ、R2は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。〕で表される化合物またはその塩を、2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチルを配位子とする遷移金属錯体の存在下、還元反応を行うことを特徴とする、式：
【化２】
2004196793.tif 000002
〔式中、*は不斉炭素の位置を示し、その他の記号は前記と同意義である。〕で表される化合物またはその塩の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち本発明は、
〔１〕2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチルを配位子とする遷移金属錯体、
〔２〕遷移金属がロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケルまたは銅である前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔３〕遷移金属がロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウムまたはニッケルである前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔４〕遷移金属がロジウムである前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔５〕遷移金属がルテニウムである前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔６〕Ru(L)(AcO)2 〔Lは2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチル、Acはアセチルを示す。〕で表される前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔７〕Ru(L)Cl2 〔Lは2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチルを示す。〕で表される前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔８〕Ru(L)Cl2(dmf)n 〔Lは2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチル、dmfはN,N-ジメチルホルムアミドを示す。〕で表される前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔９〕[Rh(L)(cod)]OTf〔Lは2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチル、codは1,5-シクロオクタジエン、Tfはトリフルオロメチルスルホニルを示す。〕で表される前記〔１〕記載の遷移金属錯体、
〔１０〕式：
【化２】
2004196793.tif 000003
〔式中、R1は置換基を有していてもよい炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基、R'はハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ、R2は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。〕で表される化合物またはその塩を、2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチルを配位子とする遷移金属錯体の存在下、還元反応を行うことを特徴とする、式：
【化３】
2004196793.tif 000004
〔式中、*は不斉炭素の位置を示し、その他の記号は前記と同意義である。〕で表される化合物またはその塩の製造法、
〔１１〕式：
【化４】
2004196793.tif 000005
〔式中、R1は置換基を有していてもよい炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基、R''は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ、R2は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。〕で表される化合物またはその塩を、遷移金属錯体の存在下、アルコール系溶媒、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、スルホキシド系溶媒およびアミド系溶媒から選ばれる溶媒中あるいはこれら二種以上の混合溶媒中で還元反応を行うことにより、式：
【化５】
2004196793.tif 000006
〔式中、*は不斉炭素の位置を示し、その他の記号は前記と同意義である。〕で表される化合物またはその塩を得、さらに無機塩基の存在下で環化反応を行うことを特徴とする式：
【化６】
2004196793.tif 000007
〔式中、各記号は前記と同意義である。〕で表される化合物またはその塩の製造法、
〔１２〕式：
【化７】
2004196793.tif 000008
〔式中、R1は置換基を有していてもよい炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基、R2は置換基を有していてもよい炭化水素基を、*は不斉炭素の位置を示す。〕で表される化合物が
【化８】
2004196793.tif 000009
〔式中、各記号は前記と同意義である。〕または
【化９】
2004196793.tif 000010
〔式中、各記号は前記と同意義である。〕で表される光学活性化合物である前記〔１１〕記載の製造法、
〔１３〕式：
【化１０】
2004196793.tif 000011
〔式中、R1は置換基を有していてもよい炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基、R''は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ、R2は置換基を有していてもよい炭化水素基を、*は不斉炭素の位置を示す。〕で表される化合物が、
【化１１】
2004196793.tif 000012
〔式中、各記号は前記と同意義である。〕または、
【化１２】
2004196793.tif 000013
〔式中、各記号は前記と同意義である。〕で表される光学活性化合物である前記〔１１〕記載の製造法、
〔１４〕R''が塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である前記〔１１〕記載の製造法、
〔１５〕無機塩基がアルカリ金属の炭酸塩である前記〔１１〕記載の製造法、
〔１６〕還元反応を行う溶媒がアルコール系溶媒である前記〔１１〕記載の製造法、
〔１７〕遷移金属錯体が2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチルを配位子とする遷移金属錯体である前記〔１１〕記載の製造法、
〔１８〕式：
【化１３】
2004196793.tif 000014
〔式中、R3は水素原子または置換基を有していてもよいアルキルを示す。〕で表される化合物またはその塩を、2,2'-ビス[ビス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニル)ホスフィノ]-1,1'-ビナフチルを配位子とする遷移金属錯体の存在下、式：R4-R'''〔式中、R4は置換基を有していてもよいフェニル、R'''は脱離基を示す。〕で表される化合物またはその塩と反応させることを特徴とする式：
【化１４】
2004196793.tif 000015
〔式中、*は不斉炭素の位置を示し、その他の記号は前記と同意義である。〕で表される化合物またはその塩の製造法等に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
化合物(I)の製造法を以下に示す。
【化１５】
2004196793.tif 000016
〔式中Xは臭素、ヨウ素、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、メタンスルホニルオキシ等の脱離基を示す〕
化合物(II)は、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー、33巻、3690頁、1968年記載の方法に従って製造することができる。
化合物(III)は、化合物(II)を塩化セリウム、水素化ホウ素ナトリウムおよび水素化リチウムアルミニウムの存在下で反応させることで製造できる。
塩化セリウムの使用量は、化合物(II)1モルに対して約1ないし6モル、好ましくは約3ないし5モルである。
水素化ホウ素ナトリウムの使用量は、化合物(II)1モルに対して約2ないし10モル、好ましくは約3ないし5モルである。
水素化リチウムアルミニウムの使用量は、化合物(II)1モルに対して約0.25ないし5モル、好ましくは約1ないし3モルである。
前記反応は、不活性な有機溶媒中で行うことができる。該有機溶媒としては、炭化水素系溶媒（例、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサンなど）、アミド系溶媒（例、N,N-ジメチルホルムアミド（DMF）、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンなど）、芳香族炭化水素系溶媒（例、トルエン、ベンゼン、クロロベンゼンなど）、エーテル系溶媒（例、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（THF）、1,4-ジオキサン、1,2-ジメトキシエタンなど）、リン酸アミド系溶媒（例、ヘキサメチルリン酸アミドなど）等が挙げられる。これらの溶媒は単独で用いても、また混合溶媒として用いてもよい。好ましい溶媒はエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒などである。さらに好ましくはエーテル系溶媒（例、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（THF）、1,4-ジオキサン、1,2-ジメトキシエタンなど）である。
該反応における反応温度は、約-20ないし50℃、好ましくは約-10ないし35℃である。該反応における反応時間は、約1ないし48時間、好ましくは約1ないし20時間である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
１．β-ケトエステルの不斉還元
【化１６】
2004196793.tif 000017
〔式中、R1は置換基を有していてもよい炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基、R'はハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ、R2は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。〕
化合物(V)を本発明の遷移金属錯体の存在下、水素化反応に付すことにより、光学活性化合物(VI)を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
化合物(VI)のうち、R'が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシである化合物(VI')は、さらに環化反応を行うことにより、医薬の合成中間体として有用な化合物(VII)を得ることができる。
【化２０】
2004196793.tif 000018
〔式中、R''は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、置換基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシまたは置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ、その他の各記号は前記と同意義である。〕
化合物(VI')の環化反応は、無機塩基の存在下、溶媒中で行う。
化合物(VI')の環化反応において用いられる無機塩基としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩（例、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等）、アルカリ土類金属の炭酸塩（例、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等）、アルカリ金属の水酸化物（例、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等）、アルカリ金属のリン酸塩（例、リン酸三カリウム等）、アルカリ金属の重炭酸塩（例、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等）等があげられる。なかでもアルカリ金属の炭酸塩（例、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等）が好ましい。
化合物(VI')の環化反応において、無機塩基の使用量は化合物(VI')1モルに対し、約1モルないし約10モル、好ましくは、約2モルないし約4モルである。
化合物(VI')の環化反応において、用いられる溶媒は、アルコール系溶媒（例、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール等）、炭化水素系溶媒（例、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等）、ハロゲン化炭化水素系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン等）、エーテル系溶媒（例、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等）、エステル系溶媒（例、酢酸エチル、酢酸イソプロピル）、ケトン系溶媒（例、アセトン、メチルエチルケトン等）、ニトリル系溶媒（例、アセトニトリル、プロピオニトリル等）、スルホキシド系溶媒（例、ジメチルスルホキシド等）、水およびアミド系溶媒（例、N,N-ジメチルホルムアミド等）から選ばれる溶媒あるいはこれら二種以上の混合溶媒があげられる。なかでも、スルホキシド系溶媒（例、ジメチルスルホキシド等）およびアミド系溶媒（例、N,N-ジメチルホルムアミド等）が好ましい。
化合物(VI')の環化反応における反応温度は、約-50℃ないし約180℃、なかでも約0℃ないし約100℃で行うのが好ましい。