Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
また、本実施の形態では、保留ランプ１００の点灯制御を主制御部１５０からの命令を受けて図柄・音声制御部１５６を介して行ったが、保留ランプ１００の点灯制御は、演出制御部１５２や主制御部１５０、或いは、専用の保留ランプ制御部を用いて直接行ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御チャネルにて伝送される制御情報を用いてデータチャネルの受信を行う無線通信移動局装置において使用される無線通信方法であって、
前記制御情報が自装置の受信能力の範囲内である場合に、前記データチャネルの誤り検出結果に基づいてＡＣＫ信号またはＮＡＣＫ信号を送信する一方、
前記制御情報が自装置の受信能力の範囲外である場合に、ＡＣＫ信号およびＮＡＣＫ信号を送信しない、
無線通信方法。
【請求項２】
前記制御情報が自装置の受信能力の範囲内であり、かつ、前記制御チャネルが自装置宛ての制御チャネルである場合に、前記データチャネルの誤り検出結果に基づいてＡＣＫ信号またはＮＡＣＫ信号を送信する、
請求項１記載の無線通信方法。
【請求項３】
前記制御チャネルはＨＳ−ＳＣＣＨであり、前記データチャネルはＨＳ−ＰＤＳＣＨである、
請求項１記載の無線通信方法。
【請求項４】
前記制御情報で示される前記データチャネルの受信に必要なマルチコード数が、自装置にて扱うことができるマルチコード数を超える場合に、前記制御情報が自装置の受信能力の範囲外であるとする、
請求項１記載の無線通信方法。
【請求項５】
前記制御情報で示される前記データチャネルの伝送に用いられる変調方式が、自装置にて扱うことができない変調方式である場合に、前記制御情報が自装置の受信能力の範囲外であるとする、
請求項１記載の無線通信方法。
【請求項６】
制御チャネルにて伝送される制御情報を用いてデータチャネルの受信を行う無線通信移動局装置において使用される無線通信方法であって、
前記制御情報が自装置の受信能力の範囲内であるか否かに応じて前記データチャネルの誤り検出結果の送信有無を制御する、
無線通信方法。
【請求項７】
制御情報を含む制御チャネルとデータチャネルとを受信する受信手段と、
前記制御チャネルが自装置宛ての制御チャネルか否か判定する判定手段と、
前記データチャネルの復号結果に対して誤り検出を行う検出手段と、
前記検出手段での検出結果に従ってＡＣＫ信号またはＮＡＣＫ信号を送信する送信手段と、
前記制御チャネルが自装置宛ての制御チャネルでない場合に、前記送信手段に前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号を送信させない制御手段と、
を具備する無線通信移動局装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明では、制御チャネルにて伝送される制御情報を用いてデータチャネルの受信を行う無線通信移動局装置において、前記制御情報が自装置の受信能力の範囲内である場合に、前記データチャネルの誤り検出結果に基づいてＡＣＫ信号またはＮＡＣＫ信号を送信する一方、前記制御情報が自装置の受信能力の範囲外である場合に、ＡＣＫ信号およびＮＡＣＫ信号を送信しない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項２において、前記脱落防止部は、前記アウターヨークとの絶縁が確保されるとともに前記コイルが巻回された絶縁性のコイルボビンに一体成形されたことを特徴とするリニアアクチュエータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、アウターヨーク４は、コイル８の外周側に位置する部分からコイル８の軸線方向の両端面を通って先端側が第１の隙間６を構成する第１の対向部分４１０および第２の隙間７を構成する第２の対向部分４２０としてインナーヨーク３と対向する位置まで延設され、脱落防止部８３の脱落防止面８４は、コイル８の両端面のうち、本体部を連結する側のコイル８の端面を通るアウターヨーク４２より本体部側に突出形成されている。このように構成すると、雄ねじ２３が脱落防止面８４に当接し確実に脱落防止させることができる。従って、雄ねじ２３が、周方向に隣接するアウターヨーク４の端部に挟まるといったアウターヨーク４と雄ねじ２３との関係において発生する種種のトラブルを排除することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線電波の送受信を行う携帯電話機であって、
無線電波の送信または受信を行う通信手段と、
前記通信手段により電波の発信を許可することを電波モードのオンとし、電波の発信を抑制することを電波モードのオフとする電波モード設定手段と、
前記電波モードがオフのとき、前記通信手段による受信は行い、電波の発信のみを抑制する電波抑制手段と
を備えることを特徴とする携帯電話機。
【請求項２】
前記携帯電話機は、無線電波の状態を示す情報を表示する表示制御手段を備え、
前記電波モードがオフの場合、前記表示手段に電波モードがオフであることを表示することを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項３】
前記携帯電話機は、利用者からの入力を受け付ける入力手段と備え、
前記表示制御手段は、前記電波モードがオフの場合、前記表示手段に電波モードがオフであることを示すとともに、前記入力手段から無線電波を送信する入力を受け付けたとき、前記電波モードがオフであること更に表示することを特徴とする請求項２に記載の携帯電話機。
【請求項４】
前記電波抑制手段は、入力手段により特定の電話番号への発信を受け付けたとき、電波モードがオフであっても電波の発信を許可することを特徴とする請求項１乃至３に記載の携帯電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明の携帯電話機は、無線電波の送受信を行う携帯電話機であって、無線電波の送信または受信を行う通信手段と、通信手段により電波の発信を許可することを電波モードのオンとし、電波の発信を抑制することを電波モードのオフとする電波モード設定手段と、電波モードがオフのとき、通信手段による受信は行い、電波の発信のみを抑制する電波抑制手段とを備える。
さらに、本発明の携帯電話機は、無線電波の状態を示す情報を表示する表示制御手段を備え、電波モードがオフの場合、表示手段に電波モードがオフであることを表示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、本発明の携帯電話機は、利用者からの入力を受け付ける入力手段と備え、表示制御手段は、電波モードがオフの場合、表示手段に電波モードがオフであることを示すとともに、入力手段から無線電波を送信する入力を受け付けたとき、電波モードがオフであること更に表示する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、電波の発信を許可することを電波モードのオンとし、電波の発信を抑制することを電波モードのオフと設定し、電波モードがオフのとき、通信手段による受信は行い、電波の発信のみを抑制するので、電波の発信が禁止された場所であっても、携帯電話機の電源をオンにして、電波の発信を必要としない他の機能を使用することが出来る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（６）上記実施の形態及び上記変形例を組み合わせるとしてもよい。
以上説明したように、本発明の携帯電話機は、無線電波の送受信を行う携帯電話機であって、無線電波の送信または受信を行う通信手段と、通信手段により電波の発信を許可することを電波モードのオンとし、電波の発信を抑制することを電波モードのオフとする電波モード設定手段と、電波モードがオフのとき、通信手段による受信は行い、電波の発信のみを抑制する電波抑制手段とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
これにより、電波の発信を許可することを電波モードのオンとし、電波の発信を抑制することを電波モードのオフと設定し、電波モードがオフのとき、通信手段による受信は行い、電波の発信のみを抑制するので、電波の発信が禁止された場所であっても、携帯電話機の電源をオンにして、電波の発信を必要としない他の機能を使用することが出来る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
さらに、本発明の携帯電話機は、無線電波の状態を示す情報を表示する表示制御手段を備え、電波モードがオフの場合、表示手段に電波モードがオフであることを表示するようにしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
これにより、電波モードがオフに設定されていることを利用者は知ることができ、電波の発信が行えないことがわかる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、本発明の携帯電話機は、利用者からの入力を受け付ける入力手段と備え、表示制御手段は、電波モードがオフの場合、表示手段に電波モードがオフであることを示すとともに、入力手段から無線電波を発信する入力を受け付けたとき、電波モードがオフであること更に表示する。
これにより、電波モードがオフであることを示す表示を利用者が見落としたまま無線電波の発信を必要とする操作を行ったとしても、電波モードがオフであり、電波の発信が抑制されていることを知ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明の携帯電話機は、入力手段により特定の電話番号への発信を受け付けたとき、電波モードがオフであっても電波の発信を許可する。
これにより、電波モードがオフに設定されていたときでも緊急通報の電話番号などに電話をかけることが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
筒の一端をカギ棒入出用口とし、筒の面に糸掛け用口を有した糸巻き付け筒と、棒の先端に筒内を挿入出自在なカギと後部に糸掛けとツマミとを有したカギ棒とでなるウキ止め用糸結び具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】ウキ止め用糸結び具
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遊動ウキ釣り仕掛けによる魚釣りにおいて、ウキを止める方法として、筒の一端にカギ棒入出用口と筒の面に糸掛け用口を有した糸巻き付け筒と、棒の先端に筒内を挿入出自在なカギと後部に糸掛けとツマミとを有したカギ棒とを使うことにより、切り分けたウキ止め用糸を道糸のウキを止める位置に直接結ぶことが容易にできるウキ止め用糸結び具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、遊動ウキ仕掛けで魚を釣る場合に、確実にウキを止めるためのウキ止め具が望まれており、これまでにいろいろな形態のウキ止め具が開発されているが、その中の一つに軸方向に溝の付いた棒軸にセットしたウキ止め用糸があり、道糸の先端より溝に沿わせてウキを止める位置まで挿通し、ウキ止め用糸を摘んで棒軸より抜き取り、この時点で棒軸には軸方向の溝があるので道糸から外せる特徴を有し、ウキ止め用糸の両端を引いて結んだ後に道糸の先端よりウキに有する環に挿通し釣り仕掛けを接続する。また、ウキの位置を変更する場合に一度結んだウキ止め用糸の移動が困難で結び替えるには、釣り仕掛けを切り離してウキを抜き取り、ウキ止め用糸を道糸のウキを止める位置まで挿通し結び替えた後に再度ウキに有する環に道糸を挿通し、切り離した釣り仕掛けを接続し直さなければならない。
【０００３】
この改善策として、道糸の先端より挿通不要なウキ止め具が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記従来技術の改善策を解決し、ウキ止め用糸を道糸のウキを止める位置に直接結ぶことが容易にできるようにするウキ止め用糸結び具を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のウキ止め用糸結び具は、上記目的を達成するために、筒の一端をカギ棒入出用口とし、筒の面に糸掛け用口を有する糸巻き付け筒と、棒の先端に筒内への挿入出自在なカギと後部に糸掛けとツマミとを有するカギ棒とを使い道糸に接続した釣り仕掛けをそのままに、ウキ止め用糸を道糸のウキを止める位置に直接結ぶことが容易にできるようにする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ウキ止め用糸を道糸のウキを止める位置に直接結ぶことが容易にでき、ウキの位置を変更するのにウキ止め用糸の移動が困難で結び替えるときにも道糸に釣り仕掛けを接続したまま結ぶことができるので、限られた釣り時間が有効に使え、ウキの位置をこまめに変えることでタナが見つけ出せ釣果率を上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、ウキ止め用糸を道糸のウキを止める位置に直接結ぶことが容易にできるようにしたウキ止め用糸結び具で、それを図面について説明すれば、図１は、本発明のウキ止め用糸結び具の形態を示す正面図で、下は筒１１の一端をカギ棒入出用口１３とし、筒１１の面に糸掛け用口１２を有した糸巻き付け筒と、上は棒２１の先端に筒１１内への挿入出自在なカギ２２と後部に糸掛け２３とツマミ２４とを有したカギ棒とでなる。図２は、本発明のウキ止め用糸結び具の一実施例前半を示す概念図で、カギ棒のカギ２２側からカギ棒入出用口１３より筒１１内に挿入し、糸巻き付け筒のカギ棒入出用口１３の反対側と道糸３１のウキを止める位置と切り分けたウキ止め用糸３２の一端とを一緒に摘み、筒１１に沿わせて糸掛け２３に掛けた道糸３１と筒１１とをウキ止め用糸３２で巻いて糸掛け用口１２にあてがう。図３は、本発明のウキ止め用糸結び具の一実施例後半を示す概念図で、筒１１内に挿入したカギ棒のツマミ２４を摘んで糸掛け用口１２にあてがったウキ止め用糸３２をカギ２２に掛けてカギ棒を抜き出して筒１１内に引き込み、筒１１に巻き付けたウキ止め用糸３２を指で摘んで糸巻き付け筒を抜き取る。その後、ウキ止め用糸３２の両端を引くことで、遊動ウキ釣り仕掛け（遊動ウキ釣り仕掛けとはウキを使い竿の長さより深いところの魚を釣る場合に、道糸のウキを止める位置にウキ止め具を取り付けて、道糸に挿通したウキを止めるようにした仕掛け）の道糸３１のウキを止める位置に直接結ぶことが容易にでき、限られた釣り時間が有効に使え、ウキの位置をこまめに変えることでタナ（タナとは釣魚の泳層）を見つけ出し、釣果率を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のウキ止め用糸結び具の形態を示す正面図である。
【図２】本発明のウキ止め用糸結び具の一実施例前半を示す概念図である。
【図３】本発明のウキ止め用糸結び具の一実施例後半を示す概念図である。
【符号の説明】
【０００９】
１１    筒
１２    糸掛け用口
１３    カギ棒入出用口
２１    棒
２２    カギ
２３    糸掛け
２４    ツマミ
３１    道糸
３２    ウキ止め用糸
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体の部位別に複数項目の体組成を測定する生体測定装置において、複数の体組成の項目の内から、表示する体組成の項目を選択する第一の選択手段と、複数の生体の部位の内から、表示する生体の部位を選択する第二の選択手段と、前記選択した体組成の項目と生体の部位とに該当する測定結果を表示する表示手段とを備えて成ることを特徴とする生体測定装置。
【請求項２】
請求項１記載の生体測定装置において、前記測定結果の表示内容を、数値、日単位のグラフ、週単位のグラフ、月単位のグラフから選択する第三の選択手段をさらに備えて成ることを特徴とする生体測定装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の生体測定装置において、前記選択した体組成の項目は、体重、体脂肪率、筋肉量、骨量、体水分量、基礎代謝量、内臓脂肪面積のうちいずれか１つであることを特徴とする生体測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、生体の部位別に複数項目の体組成を測定する生体測定装置において、複数の体組成の項目の内から、表示する体組成の項目を選択する第一の選択手段と、複数の生体の部位の内から、表示する生体の部位を選択する第二の選択手段と、前記選択した体組成の項目と生体の部位とに該当する測定結果を表示する表示手段とを備えて成る生体測定装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明によれば、前記測定結果の表示内容を、数値、日単位のグラフ、週単位のグラフ、月単位のグラフから選択する第三の選択手段をさらに備えて成る生体測定装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、前記選択した体組成の項目は、体重、体脂肪率、筋肉量、骨量、体水分量、基礎代謝量、内臓脂肪面積のうちいずれか１つであることを特徴とする生体測定装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の生体測定装置は、生体の部位別に複数項目の体組成を測定する生体測定装置において、複数の体組成の項目の内から、表示する体組成の項目を選択する第一の選択手段と、複数の生体の部位の内から、表示する生体の部位を選択する第二の選択手段と、前記選択した体組成の項目と生体の部位とに該当する測定結果を表示する表示手段とを備えて成ることから、被験者は表示したい所望の体組成の項目と所望の生体部位を選択するだけの簡単な操作で所望の表示内容を表示できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記測定結果の表示内容を、数値、日単位のグラフ、週単位のグラフ、月単位のグラフから選択する第三の選択手段をさらに備えて成ることにより、所望の生体部位の所望の体組成項目の内容を簡単にグラフで見ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の生体測定装置は、生体の部位別に複数項目の体組成を測定する生体測定装置において、複数の体組成の項目の内から、表示する体組成の項目を選択する第一の選択手段と、複数の生体の部位の内から、表示する生体の部位を選択する第二の選択手段と、前記選択した体組成の項目と生体の部位とに該当する測定結果を表示する表示手段とを備えて成る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記測定結果の表示内容を、数値、日単位のグラフ、週単位のグラフ、月単位のグラフから選択する第三の選択手段をさらに備えて成る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、前記選択した体組成の項目は、体重、体脂肪率、筋肉量、骨量、体水分量、基礎代謝量、内臓脂肪面積のうちいずれか１つである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月11日(2006.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を照射するＸ線源と、このＸ線源に被検体を挟んで対向配置された２次元Ｘ線検出器と、両者を同一の円軌道上でともに回転させる手段と、を備えて、上記Ｘ線源と上記２次元Ｘ線検出器間に配置された被検体に前記Ｘ線源からＸ線を照射しつつ、前記回転における所定回転角度単位で前記被検体のＸ線透過像を２次元Ｘ線検出器で撮影し、この撮影で得られた前記Ｘ線透過像を基に画像再構成演算を行って３次元的Ｘ線ＣＴ像を生成するコーンビームＸ線ＣＴ装置において、
金属球を直線状に配列して構成された回転軌道面算出用ファントムと、このファントムを前記回転中心軸から所定距離だけ離し、かつ前記ファントムの直線状配列方向が前記回転中心軸に平行に配置する手段と、この配置した状態で当該回転軌道面算出用ファントムのＸ線投影像を回転撮影して複数枚の投影像を収集する手段と、この収集手段で得られる複数の投影像を重ね合わせて合成投影像を生成する手段と、前記合成投影像について当該合成投影像上で前記各指標体が描いている軌跡の中で互いに重なり合うことのない軌跡に関するギャップラインを抽出する手段と、および前記この抽出手段で抽出したギャップラインを基に前記回転軌道面の投影像上での座標値を求める手段と、を含んでいることを特徴とするコーンビームＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
単一金属球で構成される回転軌道面移動量算出用ファントムと、前記撮影における回転角度単位ごとの前記回転軌道面の移動量を前記座標値に相関させて求める回転軌道面移動量算出処理を行う手段と、回転軌道面移動量算出用ファントムを前記回転軌道面と前記回転中心軸の交点である回転中心に配置する手段と、この状態で当該回転軌道面移動量算出用ファントムのＸ線投影像を前記回転角度単位ごとに撮影する手段と、この手段で得られた前記投影像における前記指標体の投影領域を基に前記回転軌道面の移動量を算出する手段を含んでいる請求項１に記載のコーンビームＸ線ＣＴ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記塩基配列：
GGGGGGGGGGACGATCGTCG（配列番号：７）
から成る免疫刺激オリゴヌクレオチド。
【請求項２】
請求項１に記載の、配列番号７の塩基配列から成る免疫刺激オリゴヌクレオチドを有効成分として含む医薬。
【請求項３】
請求項１に記載の、配列番号７の塩基配列から成る免疫刺激オリゴヌクレオチドを有効成分とし、さらに免疫調節因子を含む医薬。
【請求項４】
前記免疫調節因子が抗原又はアジュバントである、請求項２又は３に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（ａ）〜（ｂ）；
（ａ）非相同組換えに必要な遺伝子の機能低下もしくは機能喪失を誘導した糸状菌細胞を作製する段階、
（ｂ）前記細胞に外来性ＤＮＡを導入し相同組換えを行わせる段階、
を含むことを特徴とする相同組換えを行わせる方法。
【請求項２】
前記非相同組換えに必要な遺伝子の機能低下もしくは機能喪失が、細胞内に内在する非相同組換えに必要な遺伝子中に突然変異または欠失を導入することで達成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非相同組換えに必要な遺伝子の機能低下もしくは機能喪失が、細胞内に内在する非相同組換えに必要な遺伝子の全体を破壊することで達成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記外来性ＤＮＡを導入する段階が、電気ショック法、スフェロプラスト法またはＴｉプラスミド法のいずれかの方法によって達成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記非相同組換えに必要な遺伝子が、少なくともＫＵ７０、ＫＵ８０、ＬｉｇＩＶ、ＤＮＡ−ＰＫｃｓ、またはＸＲＣＣ４からなる群から選択される遺伝子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記糸状菌が、ニューロスポラ属、アスペルギルス属、ペニシリウム属、フザリウム属、トリコデルマ属またはムコール属のいずれか１つに属する糸状菌である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ニューロスポラ属に属する糸状菌が、少なくともニューロスポラ・クラッサ、ニューロスポラ・シトフィラ、ニューロスポラ・テトラスペルマ、ニューロスポラ・インターメディア、ニューロスポラ・ディスクレータからなる群から選択される１種である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アスペルギルス属に属する糸状菌が、少なくともアスペルギルス・オリゼ、アスペルギルス・ソーヤ、アスペルギルス・ニガー、アスペルギルス・アワモリ、アスペルギルス・カワチ、アスペルギルス・パラシティク、アスペルギルス・フラバス、アスペルギルス・ノミウス、アスペルギルス・フミガタス、アスペルギルス・ニジュランスからなる群から選択される１種である請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記段階（ａ）で作製された請求項１に記載の細胞。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法によって取得された細胞。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記長ピッチ突出部が、左右方向に所定のより長い間隔で配列する一対の長ピッチ絞り部であり、また、前記短ピッチ突出部が、前記一対の長ピッチ絞り部の左右方向配列線と左右方向配列線が平行で、板面上で上下方向に所定の距離離して、同じく形成した、左右方向に所定のより短い間隔で配列する短ピッチ絞り部であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかの請求項に記載の室内機の据付板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の間に液晶層を挟持してなり、
前記基板と前記液晶層との間には、前記液晶層に電圧を印加する画素電極が形成され、
前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子で構成され、
前記基板の前記液晶層側には、非選択電圧印加時において前記液晶分子を前記基板の垂直方向から一定方向に傾斜配向させる配向規制手段が形成された液晶表示装置であって、
前記一定方向は、隣接する前記画素電極の形成領域の間に設けられた配線と平行な方向であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配線は、前記画素電極の長手方向に沿って設けられたものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素電極の形成領域には、透過表示領域と反射表示領域とが設けられ、
前記透過表示領域のみに、選択電圧印加時における前記液晶分子の傾倒方向を複数に分割する配向分割手段が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板の間に液晶層を挟持してなり、
前記基板と前記液晶層との間には、前記液晶層に電圧を印加する画素電極が形成され、
前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子で構成され、
前記基板の前記液晶層側には、非選択電圧印加時において前記液晶分子を前記基板の垂直方向から一定方向に傾斜配向させる配向規制手段が形成された液晶表示装置であって、
前記画素電極の形成領域には、透過表示領域と反射表示領域とが設けられ、
前記一対の基板のうち少なくともいずれかの基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層が設けられ、
前記反射表示領域と前記透過表示領域との間には、前記液晶層厚調整層の傾斜領域が形成され、
前記配向規制手段は、非選択電圧印加時において、前記傾斜領域に配置された前記液晶分子を、前記傾斜領域の垂直方向から前記透過表示領域の方向に傾斜配向させるように構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記透過表示領域のみに、選択電圧印加時における前記液晶分子の傾倒方向を複数に分割する配向分割手段が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配向規制手段は、ラビング処理された配向膜であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層を挟持してなり、前記基板と前記液晶層との間には、前記液晶層に電圧を印加する画素電極が形成され、前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子で構成され、前記基板の前記液晶層側には、非選択電圧印加時において前記液晶分子を前記基板の垂直方向から一定方向に傾斜配向させる配向規制手段が形成された液晶表示装置であって、前記一定方向は、隣接する前記画素電極の形成領域の間に設けられた配線と平行な方向であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の他の液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層を挟持してなり、前記基板と前記液晶層との間には、前記液晶層に電圧を印加する画素電極が形成され、前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子で構成され、前記基板の前記液晶層側には、非選択電圧印加時において前記液晶分子を前記基板の垂直方向から一定方向に傾斜配向させる配向規制手段が形成された液晶表示装置であって、前記画素電極の形成領域には、透過表示領域と反射表示領域とが設けられ、前記一対の基板のうち少なくともいずれかの基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層が設けられ、前記反射表示領域と前記透過表示領域との間には、前記液晶層厚調整層の傾斜領域が形成され、前記配向規制手段は、非選択電圧印加時において、前記傾斜領域に配置された前記液晶分子を、前記傾斜領域の垂直方向から前記透過表示領域の方向に傾斜配向させるように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板（１２）と、
前記基板上に形成されたバッファ層（１４）と、
前記バッファ層上に形成され、特定不純物に対して親和力を持つ成分を有する界面層（１６）と、
前記界面層上に形成されたｎ型層（１８）と、
前記ｎ型層上に形成された活性領域（２０）と、
前記活性領域上に形成されたｐ型層（２２）と、
一方が前記ｎ型層に接続されており、他方が前記ｐ型層に接続された２つの電気コンタクト（２４Ａ、２４Ｂ）と、
を備えて成る発光ダイオード（１０）。
【請求項２】 前記界面層（１６）の成分が、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、およびＡｌＩｎＧａＡｓの合金を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】 前記界面層（１６）の成分が、ＧａＮ、ＧａＰ、およびＧａＡｓの合金を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】 前記界面層（１６）が、置換される原子と同程度のイオン半径を有するドーパントをさらに備えて成ることを特徴とする、請求項３に記載の発光ダイオード。
【請求項５】 前記ドーパントが、Ｍｇ、Ｚｎ、およびＣｄを含むグループから選択されることを特徴とする、請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】 前記界面層（１６）の成分がＡｌＩｎＧａＮベース化合物であることを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項７】 透明基板上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に界面層を形成するステップであって、前記界面層は選択された不純物に対する親和力を持つ成分を有する、ステップと、
前記界面層上にｎ型層を形成するステップと、
前記ｎ型層上に活性領域を形成するステップと、
前記活性領域上にｐ型層を形成するステップと、
少なくとも２つの金属コンタクトを堆積させるステップであって、前記金属コンタクトの一方が前記ｎ型層に接続され、他方が前記ｐ型層に接続される、ステップと、
を備えて成る発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】 前記界面層の成分が酸素に対する親和力を有することを特徴とする、請求項７に記載の発光半導体素子の製造方法。
【請求項９】 前記界面層の成分がＡｌＩｎＧａＮベース化合物であることを特徴とする、請求項８に記載の発光半導体素子の製造方法。
【請求項１０】 前記界面層の成分がＧａＮ：Ｍｇベース化合物であることを特徴とする、請求項８に記載の発光半導体素子の製造方法。
【請求項１１】 透明基板と、
前記透明基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成され、特定不純物に対して親和力を持つ成分を有する界面層と、
第１のタイプを有し、前記界面層上に形成された第１の層と、
前記第１の層上に形成された活性領域と、
第２のタイプを有し、前記活性領域上に形成された第２の層と、
第１コンタクトが前記第１の層に接続されており、第２コンタクトが前記第２の層に接続された第１および第２電気コンタクトと、
を備えて成る発光ダイオード。
【請求項１２】 前記界面層が、置換される原子と同程度のイオン半径を有するドーパントをさらに備えて成ることを特徴とする、請求項１１に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送線路（１０）の減衰特性を補償するための減衰等化器（２００）であって、
第１のノード（Ａ）及び第２のノード（Ｂ）と、
前記第１のノード（Ａ）及び前記第２のノード（Ｂ）またはそれらのいずれか一方に結合されて、加えられた信号に周波数フィルタリングを施すための第１の周波数フィルタ装置（２２０、５２０）と、
第１の電流源（２３０、５５０）によって前記第２のノード（Ｂ）に供給される電流を制御するために、前記第１のノード（Ａ）に結合される該第１の電流源（２３０、５５０）
を備える、減衰等化器。
【請求項２】
信号経路（ＳＰ）が、前記第１のノード（Ａ）と前記第２のノード（Ｂ）を有し、
前記第１のノード（Ａ）に加えられる信号の周波数の挙動を補正するための補正経路（ＣＰ）が、前記第１の電流源（２３０）を制御するための、前記第１のノード（Ａ）に結合された前記第１の周波数フィルタ装置（２２０）を有する
ことからなる、請求項１の減衰等化器。
【請求項３】
前記信号経路（ＳＰ）が、第１のインピーダンス（Ｒ０）を有し、
前記第１の周波数フィルタ装置（２２０）が、第２のインピーダンス（Ｒ２）を有し、該第２のインピーダンスは、第１の電極によって前記第１のノード（Ａ）に結合され、かつ、第２の電極によってコンデンサ（Ｃ）と第３のインピーダンス（Ｒ１）の並列接続に結合されており、
前記第１の電流源（２３０）が、前記第２のインピーダンス（Ｒ２）の前記第２の電極に結合される
ことからなる、請求項２の減衰等化器。
【請求項４】
さらに、
第３のノード（５４０）、第２の周波数フィルタ装置（５３０）、第２の電流源（５７０）、及びスイッチング装置（５００）を備え、
前記第１の周波数フィルタ装置（５２０）が、前記第１のノード（Ａ）または前記第２のノード（Ｂ）に結合され、
前記第２の周波数フィルタ装置（５３０）は、前記第１の周波数フィルタ装置（５２０）が前記第１のノード（Ａ）に結合される場合に、前記第１のノード（Ａ）に結合され、または、前記第１の周波数フィルタ装置（５２０）が前記第２のノード（Ｂ）に結合される場合に、第３のノード（５４０）に結合され、
前記スイッチング装置（５００）が、前記第２のノード（Ｂ）における電位と前記第３のノード（５４０）における電位の間でスイッチングを行うように構成されて、前記第１のノード（Ａ）にその出力を供給し、
前記第１の電流源（５５０）が、前記第２のノード（Ｂ）に供給される電流を制御するために、前記第１のノード（Ａ）に結合され、
前記第２の電流源（５７０）が、前記第３のノード（５４０）に供給される電流を制御するために、前記第１のノード（Ａ）に結合される
ことからなる、請求項１の減衰等化器。
【請求項５】
前記周波数フィルタ装置（２２０、５２０、５３０）が、低域通過特性を有することからなる、請求項１〜４のいずれかの減衰等化器。
【請求項６】
前記周波数フィルタ装置（２２０、５２０、５３０）が、オフチップコンポーネントとして実施される、請求項１〜５のいずれかの減衰等化器。
【請求項７】
前記電流源（２３０、５５０、５７０）によって供給される電流の大きさが、前記電流源（２３０）の制御電極、及び、電流源によって供給される電流をオンまたはオフに切り換えるためのスイッチング装置（５６０、５８０）によって、または、前記制御電極と前記スイッチング装置のいずれかによって制御可能である、請求項１〜６のいずれかの減衰等化器。
【請求項８】
前記電流源（２３０、５５０、５７０）が、
電流発生手段（Ｔ）と、
該電流発生手段（Ｔ）に結合され、かつ、それぞれのスイッチング手段（Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ）によって選択可能である、少なくとも１つの電流経路（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃを介する）
を有することからなる、請求項１〜７のいずれかの減衰等化器。
【請求項９】
電子デバイス、好ましくは、デジタルＩＣのテストを行うためのテスタ装置における伝送線路（１０）の減衰特性を補償するために、請求項１〜８のいずれかの減衰等化器を使用すること。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積半導体回路において、
第１のドーピングタイプの基板（１）、処理すべき信号の入／出力用又は給電電位のリード用の接続端子面（３）、多数の隣接ドーピング領域（４，５，６，７）を有しており、前記ドーピング領域は、前記基板（１）に対して反対側のドーピングタイプを有しており、前記ドーピング領域のうち一部分（５，６，７）は、所定の抵抗値の部分（１２）を有する導電接続部（１２，１３，３６）を介して前記接続端子面（３）に接続されていることを特徴とする集積半導体回路。
【請求項２】  ドーピング領域（４，５，６，７）の少なくとも１つの領域の上に、ポリシリコンからなる膜（８，９，１０，１１）が設けられており、該ポリシリコンからなる膜は、基板（１）か、又は、接続端子面（３）と導電接続されている請求項１記載の集積半導体回路。
【請求項３】  導電接続部の所定部分（１２）の抵抗値は、前記導電接続部の残りの部分（１３，３６）の抵抗値よりも大きい請求項１又は２記載の集積半導体回路。
【請求項４】  所定抵抗値の導電接続部の部分（１２）は、ポリシリコンからなり、残りの部分（１３，３６）は、金属からなる請求項３記載の集積半導体回路。
【請求項５】  接続部の金属からなる部分（１３，３６）及びポリシリコンからなる部分（１２）は、部分的に重畳して設けられており、前記金属からなる部分（１３，３６）は、中断されており、該中断部は、前記ポリシリコンからなる部分（１２）の下側に位置しており、前記金属からなる部分の、前記中断部に接した部分は、前記ポリシリコンからなる部分に接触接続（１４）されている請求項３記載の集積半導体回路。
【請求項６】  ドーピング領域（４，５，６，７）は、平面図で矩形状に構成されており、且つ、相互に平行に設けられている請求項１〜５までのいずれか１記載の集積半導体回路。
【請求項７】  ドーピング領域（４，５，６，７）は、接続端子面（３）の下側に設けられている請求項１〜６までのいずれか１記載の集積半導体回路。
【請求項８】  ドーピング領域（４，５，６，７）は、トランジスタのドレイン及びソース接続端子用のドーピング領域よりも一層深く形成されていて、当該ドレイン及びソース接続端子用のドーピング領域よりも少ない濃度のドーピング材原子を有しているバスタブ状のドーピング領域である請求項１〜７までのいずれか１記載の集積半導体回路。
【請求項９】  各ドーピング領域（４，５，６，７）間に、基板（１）に比較して同じドーピングタイプで、一層高いドーピング材濃度の、それぞれ１つの別のドーピング領域（１５，１６，１７）が設けられている請求項１〜８までのいずれか１記載の集積半導体回路。
【請求項１０】  各ドーピング領域（４，５，６，７）及び導電接続部は、基板（１）に比較して同じドーピングタイプで、一層高いドーピング材濃度のドーピング領域（１８）によって囲まれている請求項１〜９までのいずれか１記載の集積半導体回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  とりわけＥＵＶマイクロリソグラフィの縮小オブジェクティブであって、
光学軸を基準にしてセンタリングされて配置される４つのミラー（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）、すなわち１次ミラー、２次ミラー、３次ミラー、４次ミラーをこの順番にビーム路に有し、
スキャニング動作に適したリング状フィールドを有し、
オブスキュレーションのない光制御を有する、とりわけＥＵＶマイクロリソグラフィの縮小オブジェクティブにおいて、
主ビーム（ＣＲ）は物体（２）において光学軸（ＨＡ）から逸脱することを特徴とする、とりわけＥＵＶマイクロリソグラフィの縮小オブジェクティブ。
【請求項２】  ミラーはマルチレイヤミラーであることを特徴とする、請求項１記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項３】  投影オブジェクティブは２次ミラー（Ｍ２）の正の主ビーム角倍率を有することを特徴とする、請求項１又は２記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項４】  縮小オブジェクティブは凸面１次ミラー（Ｍ１）を有することを特徴とする、請求項１〜３のうちの１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項５】  絞り（Ｂ）はミラー、とりわけ３次ミラー（Ｍ３）に又は該３次ミラー（Ｍ３）の近傍に配置されることを特徴とする請求項１〜４のうちの１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項６】  付加的に１つ又は２つのミラー（ＧＩＭ）はかすめ入射されるように配置されていることを特徴とする請求項１〜５のうちの１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項７】  付加的なミラー（ＧＩＭ）は平面から導かれる非球面を有することを特徴とする請求項６記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項８】  少なくとも１つのミラー（ＧＩＭ）はアクティブミラーであることを特徴とする請求項６又は７記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項９】  ２次ミラー（Ｍ２）及び４次ミラー（Ｍ４）は凹面であることを特徴とする請求項１〜８までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項１０】  マルチレイヤミラー（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）は順番に凸面、凹面、凸面、凹面に構成されていることを特徴とする請求項１〜９までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項１１】  物体側にテレセントリックであることを特徴とする請求項１〜１０までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項１２】  像側にテレセントリックであることを特徴とする請求項１〜１１までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブ。
【請求項１３】  反射マスクが設けられている請求項１から１２までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブを有する投影露光装置。
【請求項１４】  透過マスクが設けられている請求項１から１２までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブを有する投影露光装置。
【請求項１５】  請求項１３又は１４記載の投影露光装置によるチップ製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学軸を基準にしてセンタリングされて配置された４つのミラー、すなわち１次ミラー、２次ミラー、３次ミラー、４次ミラーをこの順番にビーム路に有し、スキャニング動作に適したリング状フィールドを有し、オブスキュレーションのない光制御を有するとりわけＥＵＶマイクロリソグラフィの縮小オブジェクティブ及びこの縮小オブジェクティブを有する投影露光装置及びこの投影露光装置によるチップ製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、主ビームは物体において光学軸から逸脱することによって解決される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明では、４つのミラーを有し、凸面１次ミラーと２次ミラーの正の主ビーム角倍率とを特徴とする投影オブジェクティブが設けられている。
このビームに対するマルチレイヤシステムの反射率が７０％であることを基礎とすると、４ミラーシステムとして構成することによってＥＵＶ領域の波長において高い透過率が得られる。他方でＮＡ≒０.１０領域のアパーチャが実現できる。この本発明の４ミラーオブジェクティブは従って高い解像力、低い製造コスト及び高いスループット（Durchsatz）によって際立っている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】たて形バイポーラトランジスタを製造する方法であって、
半導体基板（１）に埋め込まれた外因性コレクタ層（２）上に真性コレクタ（４）を生成するステップと、
前記真性コレクタの上部を囲む水平絶縁領域（５）を生成すると共に、オフセット外因性コレクタウェル（６０）を生成するステップと、
少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム層を有するスタック層を非選択エピタキシャル成長させて、前記真性コレクタおよび前記水平絶縁領域上にシリコン−ゲルマニウムのヘテロ接合ベース（８）を生成するステップと、
その場でドーピングされたエミッタ（１１）を生成するステップであって、前記真性コレクタ上にあるウィンドウであって、前記スタックの表面の予め決められたウィンドウ（８００）上でエピタキシャル成長し、少なくとも該ウィンドウ上に、前記スタックの上位層（８２）に直接接触し、かつ単結晶シリコンから形成されるエミッタ領域を得るようにすることを含む、ステップと、
を含む方法。
【請求項２】エミッタを生成する前記ステップは、
前記スタックの表面上に二酸化シリコンの第１の層（９）を堆積し、該二酸化シリコンの第１の層上に窒化シリコンの第２の層（１０）を堆積し、該窒化シリコン層において、前記ウィンドウの位置に対応するゾーン（１００）を前記二酸化シリコンの第１の層上までエッチングし、該ゾーンを化学的に脱酸して、前記ウィンドウにおいて１cm2あたり１０15より小さい酸素原子濃度を持つシリコン表面を得る、第１のステップと、
前記第１のステップで得られた半導体ブロックを、非酸化性に制御された雰囲気中で、シランとドーパントのガス混合に露出する第２のステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】さらに、
前記第２のステップの後に、少なくとも前記ウィンドウ上に単結晶形状のシリコン層が得られ、該シリコン層を、前記ウィンドウより幅が広く、かつ前記窒化シリコン層の一部に接する上部領域（１１１）を有するエミッタを形成するようエッチングするステップと、
絶縁スペーサ（１２０）を、前記エミッタより幅の広い上部領域の垂直壁に接触するよう形成するステップと、を含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】前記第１のステップは、さらに、前記窒化シリコンの第２の層上に厚い二酸化シリコンの第３の層（９０）を堆積し、該二酸化シリコンの第３の層において、前記ゾーンの位置に対応する領域（９００）を、該窒化シリコンの第２の層上までプレエッチングし、該第１のステップの後に、３つの前記絶縁層のスタックにおいて前記ウィンドウと同じ幅の空洞を有する半導体ブロックを得るステップを含み、
さらに、前記第２のステップの後に、前記空洞を前記エピタキシャル成長により満たし、前記二酸化シリコンの第３の層を、前記空洞に形成されたエミッタブロックのそれぞれの側でエッチングし、絶縁スペーサを、前記エミッタの垂直壁に接触するよう形成するステップを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】前記第２のステップは、前記ベースに直接接触した下部（１１０）よりも前記エミッタの上部（１１１）においてドーパント濃度が低くなるように、前記ドーパントのガスの量を変化させるステップを含む、
請求項２から請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】たて形バイポーラトランジスタであって、
半導体基板に埋め込まれた外因性コレクタ層（２）上に位置する真性コレクタ（４）と、
前記真性コレクタの上部を囲む水平絶縁領域（５）と、
オフセット外因性コレクタウェル（６０）と、
前記真性コレクタおよび前記水平絶縁領域上にあり、少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム層を有するスタック層に形成されるシリコン−ゲルマニウムのヘテロ接合ベース（８）と、
前記ベースにより囲まれた、ドーピングされたエミッタ（１１）であって、前記真性コレクタの上にある、少なくとも前記スタックの表面の予め決められたウィンドウ上に、単結晶シリコンから形成されると共に、前記スタックの上位層（８２）に直接接触するエミッタ領域を有するエミッタと、
を備える、たて形バイポーラトランジスタ。
【請求項７】前記スタックの表面の前記ウィンドウは、１cm2あたり１０15より少ない酸素原子濃度を持つ、
請求項６に記載のたて形バイポーラトランジスタ。
【請求項８】前記エミッタは、前記ウィンドウより幅が広い上部領域（１１１）を有し、該上部領域は、窒化シリコン層（１０）に接しており、該窒化シリコン層は、前記ベースの一部に接している二酸化シリコン層（９）により支持されており、前記エミッタは、該エミッタより幅の広い上部領域の垂直壁および該二酸化シリコン層に接する絶縁スペーサ（１２０）を有する、
請求項６または請求項７に記載のたて形バイポーラトランジスタ。
【請求項９】前記エミッタは、前記ウィンドウと同じ幅のブロック（１１０）から形成され、該ブロック全体は、前記スタックに直接接しており、前記エミッタは、該エミッタの垂直壁および二酸化シリコン層に接する絶縁スペーサを有する、
請求項６または請求項７に記載のたて形バイポーラトランジスタ。
【請求項１０】前記エミッタは、前記スタックに直接接触する下部よりも上部において少なくドーピングされる、
請求項６から請求項９のいずれかに記載のたて形バイポーラトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】たて形バイポーラトランジスタのシリコン−ゲルマニウムのヘテロ接合ベースを生成するための方法であって、
サイド絶縁領域(5)によりその上部を囲まれた真性コレクタ領域(4)を有する半導体ブロック上に、窒化シリコンの初期層(17)を形成するステップであって、該窒化シリコンの初期層により、該真性コレクタの表面上にウィンドウを形成することを含む、ステップと、
前記ウィンドウにある前記真性コレクタ領域の表面上および前記窒化シリコンの初期層上に、シリコンおよびシリコン−ゲルマニウムのスタック層を非選択エピタキシャル成長させるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】前記窒化シリコンの初期層を形成する前記ステップは、さらに、
前記半導体ブロック上に二酸化シリコン層を成長させるステップと、
前記窒化シリコンの初期層を堆積するステップと、
前記二酸化シリコン層上まで前記窒化シリコン層をエッチングすることにより、前記ウィンドウを定義するステップと、
前記ウィンドウにある前記二酸化シリコン層の一部を、化学的に脱酸するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】シリコン−ゲルマニウムのヘテロ接合ベースを備えるたて形バイポーラトランジスタであって、
該ヘテロ接合ベースは、窒化シリコンの初期層に形成されるウィンドウの内側にある真性コレクタの表面上、および、該真性コレクタの上部を囲むサイド絶縁領域上に広がる前記窒化シリコンの初期層上、に存在するシリコンおよびシリコン−ゲルマニウムのスタック層から形成される、
たて形バイポーラトランジスタ。