【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー照射装置、レーザー照射方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面側及び裏面側からレーザービームを同時に照射するレーザー照射装置であって、
前記表面側から照射される第１レーザービームの被照射領域の形状及び前記裏面側から照射される第２レーザービームの被照射領域の形状は、線状または帯状であり、
前記第１レーザービームの被照射領域と前記第２レーザービームの被照射領域は、互いに平行であり、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記被照射領域の幅方向に前記基板を移動する手段が設けられていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
レーザービームを基板の表面側及び裏面側から同時に照射するレーザー照射装置であって、
前記表面側から照射される第１レーザービームの被照射領域の形状及び前記裏面側から照射される第２レーザービームの被照射領域の形状は、線状または帯状であり、
前記第１レーザービームの被照射領域と前記第２レーザービームの被照射領域は、互いに平行であり、
前記第１レーザービームの被照射領域の幅は、前記裏面側から照射される第２レーザービームの被照射領域の幅以下であり、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記被照射領域における幅方向に前記基板を移動する手段が設けられていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記基板の表面上には、非単結晶半導体膜が形成されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記基板を重力の向きと平行な方向に配置する手段が設けられていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基板を配置するチャンバーを有し、
前記チャンバー内の雰囲気は、大気圧から１０−３Ｐａの範囲で調整可能であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記基板を配置するチャンバーを有し、
前記チャンバー内をＡｒ、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、またはこれらの混合気体からなる雰囲気にすることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記基板において、少なくとも前記第１レーザービームの被照射領域及び前記第２レーザービームの被照射領域を１０℃〜５００℃に加熱する手段を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１レーザービームのエネルギーは、前記第２レーザービームのエネルギーと等しいかそれ以上であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１レーザービームのエネルギーと、前記第２レーザービームのエネルギーとの比は１対１〜１０対１であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームはエキシマレーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームは、ＸｅＣｌのエキシマレーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームは、ハーフミラーによって分割されたものであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記第１レーザービームの被照射領域に強光を照射する手段を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
ロードアンロード室と、トランスファ室と、プレヒート室と、レーザー照射室と徐冷室とを少なくとも有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１５】
基板の表面側及び裏面側からレーザービームを同時に照射するレーザー照射方法であって、
前記表面側から照射される第１レーザービームの被照射領域の形状と、前記裏面側から照射される第２レーザービームの被照射領域の形状を線状または帯状とし、
前記第１レーザービームの被照射領域と前記第２レーザービームの被照射領域を互いに平行とし、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームを照射しながら、前記被照射領域の幅方向に前記基板を移動することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１６】
基板の表面側及び裏面側からレーザービームを同時に照射するレーザー照射方法であって、
前記表面側から照射される第１レーザービームの被照射領域の形状と、前記裏面側から照射される第２レーザービームの被照射領域の形状を線状または帯状とし、
前記第１レーザービームの被照射領域と前記第２レーザービームの被照射領域を互いに平行とし、
前記第１レーザービームの被照射領域の幅を、前記裏面側から照射される第２レーザービームの被照射領域の幅以下とし、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記被照射領域における幅方向に前記基板を移動することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、
前記基板の表面上に非単結晶半導体膜が形成され、
前記表面側から照射される第１レーザービームのエネルギーは、前記裏面側から照射される第２レーザービームのエネルギーと等しいかそれ以上であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１８】
請求項１５または請求項１６において、
前記基板の表面上に非単結晶半導体膜が形成され、
前記表面側から照射される第１レーザービームのエネルギーと、前記裏面側から照射される第２レーザービームのエネルギーとの比は１対１〜１０対１であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービーム照射時に、前記基板を重力の方向と平行な方向に配置することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至請求項１９のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービーム照射時に、前記基板を大気圧〜１０−３Ｐａの圧力である雰囲気に配置することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２１】
請求項１５乃至請求項２１のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービーム照射時に、前記基板をＡｒ、Ｈ２、Ｎ２又はＨｅ雰囲気またはこれらの混合気体雰囲気に配置することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至請求項２０のいずれか一において、
前記基板において、少なくとも前記第１レーザービームの被照射領域及び前記第２レーザービームの被照射領域を１０℃〜５００℃に加熱することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２３】
請求項１５乃至請求項２１のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームはエキシマレーザーであることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２４】
請求項１５乃至請求項２２のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームは、ＸｅＣｌのエキシマレーザーであることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２５】
請求項１５乃至請求項２４のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームは、ハーフミラーによって分割されたものであることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２６】
請求項１５乃至請求項２５のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記第１レーザービームの被照射領域に強光を照射することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２７】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記基板の表面側から照射される第１レーザービーム及び前記基板の裏面側から照射される第２レーザービームを同時に照射して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜に半導体の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記基板の表面側から照射される第１レーザービーム及び前記基板の裏面側から照射される第２レーザービームを同時に照射して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜に半導体の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非単結晶半導体膜を熱処理して、結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に前記基板の表面側から照射される第１レーザービーム及び前記基板の裏面側から照射される第２レーザービームを同時に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２７乃至請求項２９のいずれか一において、前記第１レーザービームのエネルギーは、前記第２レーザービームのエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２７乃至請求項３０のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームは、ハーフミラーによって分割されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項２７乃至請求項３１のいずれか一において、
前記第１レーザービーム及び前記第２レーザービームの照射時に、前記第１レーザービームの被照射領域に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。