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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月16日(2006.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】有機物の小片を含む有機樹脂材料から形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された反射電極とを有し、
前記有機樹脂材料に含まれる有機物の小片により前記絶縁膜の表面は凹凸を有し、前記反射電極の表面は凹凸を有しており、
前記有機物の小片の材料は、前記有機樹脂材料と同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺にｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとを設けた駆動回路とを同一の基板上に有する半導体装置において、
有機物の小片を含む有機樹脂材料からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に反射電極とを有し、
前記有機樹脂材料に含まれる有機物の小片により前記絶縁膜の表面は凹凸を有し、前記反射電極の表面は凹凸を有しており、
前記有機物の小片の材料は、前記有機樹脂材料と同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺にｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとを設けた駆動回路とを同一の基板上に有する半導体装置において、
前記駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を形成する高濃度ｐ型不純物領域を有し、
前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴと前記画素ＴＦＴとは、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して設けられＬＤＤ領域を形成する低濃度ｎ型不純物領域と、該低濃度ｎ型不純物領域の外側に設けられソース領域またはドレイン領域を形成する高濃度ｎ型不純物領域とを有し、
前記画素部に設けた反射電極は、有機物の小片を含む有機樹脂材料からなる絶縁膜上に形成され、少なくとも、前記画素ＴＦＴのゲート電極の上方に設けた無機絶縁物材料からなる保護膜と、前記保護膜上に密接して形成された前記絶縁膜とに設けられた開孔を介して、前記画素ＴＦＴに接続しており、
前記有機樹脂材料に含まれる有機物の小片により前記絶縁膜の表面は凹凸を有し、前記反射電極の表面は凹凸を有しており、
前記有機物の小片の材料は、前記有機樹脂材料と同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一において、前記有機樹脂材料に含まれる有機物の小片の密度は、３００００個／ｍｍ２〜５００００個／ｍｍ２であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか一において、前記有機物の小片は、１μｍ〜５μｍの大きさであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、反射型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器、またはプロジェクターであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】有機樹脂材料中に有機物の小片を混合した後、有機物の小片を含む有機樹脂材料を塗布することで表面に凹凸を有する絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に反射電極を形成し、
前記有機物の小片の材料は、前記有機樹脂材料と同一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】有機物の小片を散布した後、前記有機物の小片を覆って有機樹脂材料を塗布することで表面に凹凸を有する絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に反射電極を形成し、
前記有機物の小片の材料は、前記有機樹脂材料と同一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺にｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとを設けた駆動回路とを同一の基板上に有する半導体装置の作製方法において、
前記基板上に、下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層の選択された領域に、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴと前記画素ＴＦＴとのＬＤＤ領域を形成する低濃度ｎ型不純物領域を形成し、
該低濃度ｎ型不純物領域の外側にソース領域またはドレイン領域を形成する高濃度ｎ型不純物領域を形成し、
前記島状半導体層の選択された領域に、前記駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域を形成する高濃度ｐ型不純物領域を形成し、
前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとのゲート電極の上方に、無機絶縁物材料からなる保護膜を形成し、
該保護膜に密接して有機物の小片を含む有機樹脂材料からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記画素ＴＦＴに接続する反射電極を形成し、
前記有機物の小片の材料は、前記有機樹脂材料と同一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】請求項１０において、有機物の小片を含む有機絶縁物材料からなる絶縁膜の形成は、有機物の小片を含む有機樹脂材料を塗布することによりおこなうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】請求項１０において、有機物の小片を含む有機絶縁物材料からなる絶縁膜の形成は、有機物の小片を散布した後、前記有機物の小片を覆って有機樹脂材料を塗布することによりおこなうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】請求項８乃至１２のいずれか一において、エッチングの際、前記有機絶縁物材料と前記有機物の小片とを同時に除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  導電材料と非水溶性樹脂を必須成分とする混合物を有機溶媒に溶解・分散し、これを分散安定剤の存在下に、水性媒体と混合し乳化することよって、導電材料をカプセル化した樹脂粒子を形成後、該粒子を液媒体から分離し、次いで乾燥することによる導電材料カプセル化樹脂粒子の製造方法。
【請求項２】  導電材料が平均粒径０．１〜５０μｍの金属微粉末である請求項１記載の導電材料カプセル化樹脂粒子の製造方法。
【請求項３】  金属微粉末が金、銀、銅から選ばれた１種である請求項２記載の導電材料カプセル化樹脂粒子製造方法。
【請求項４】  非水溶性樹脂が、疎水性有機溶剤に溶解・分散後、分散安定剤の存在下で水性媒体と混合して安定した水分散体を形成できる樹脂である請求項１〜３のいずれかに記載の導電材料カプセル化樹脂粒子の製造方法。
【請求項５】  非水溶性樹が、ポリエステル樹脂またはスチレン（メタ）アクリル樹脂である請求項１〜４のいずれかに記載の導電材料カプセル化樹脂粒子の製造方法。
【請求項６】  導電材料をカプセル化した樹脂粒子の導電材料に対するカプセル化樹脂の被覆比率が１〜５０％である請求項１〜５のいずれかに記載の導電材料カプセル化樹脂粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも、バインダー樹脂、着色剤、離型剤及び電荷制御剤とを含有してなる着色樹脂粒子に該着色樹脂粒子よりも小さい粒径の微粒子を付着せしめたトナー組成物であって、前記バインダー樹脂が、
（Ａ）２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物
（Ｂ）２価以上の多塩基酸及び／又は酸無水物及び／又はこれらの低級アルキルエステルから選ばれる多塩基酸化合物
（Ｃ）２価以上の脂肪族多価アルコールを主構成成分とするポリエステル樹脂からなることを特徴とする静電荷像現像用トナー組成物。
【請求項２】少なくとも、バインダー樹脂、着色剤、離型剤及び電荷制御剤とを含有してなる着色樹脂粒子に該着色樹脂粒子よりも小さい粒径の微粒子を付着せしめたトナー組成物と磁性キャリアからなる静電荷像現像剤であって、前記バインダー樹脂が、
（Ａ）２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物
（Ｂ）２価以上の多塩基酸及び／又は酸無水物及び／又はこれらの低級アルキルエステルから選ばれる多塩基酸化合物
（Ｃ）２価以上の脂肪族多価アルコールを主構成成分とするポリエステル樹脂からなることを特徴とする静電荷像現像剤。
【請求項３】前記バインダー樹脂が前記構成成分（Ａ）〜（Ｃ）を一括反応させるか、（Ａ）と（Ｃ）を反応後さらに（Ｂ）を反応させるか、または（Ａ）と（Ｂ）を反応後さらに（Ｃ）を反応させるかして得られるポリエステル樹脂であることを特徴とする請求項１記載の静電荷像現像用トナー組成物及び請求項２記載の静電荷像現像剤。
【請求項４】前記バインダー樹脂のガラス転移温度が５０℃〜８５℃で、かつ軟化点が９０℃〜１８０℃であることを特徴とする請求項１記載の静電荷像現像用トナー組成物。
【請求項５】前記離型剤が少なくともカルナウバワックス、モンタン系エステルワックス、ライスワックス及び／又はカイガラムシワックスを含有することを特徴とする請求項１記載の静電荷像現像用トナー組成物。
【請求項６】前記電荷制御剤が正帯電性電荷制御剤であることを特徴とする請求項１記載の静電荷像現像用トナー組成物。
【請求項７】前記正帯電性電荷制御剤が少なくともニグロシン系染料及び４級アンモニウム塩化合物を含有することを特徴とする請求項６記載の静電荷像現像用トナー組成物。
【請求項８】前記４級アンモニウム塩化合物が下記構造の化合物（１）または（２）の中から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項７記載の静電荷像現像用トナー組成物。
化合物（１）
【化１】
2001060018.tif 000001
［式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣｎＨ2ｎ+1基を表す。但し、ｎは１〜１０の整数を示す。また、Ｒ1〜Ｒ3は同じであっても異なっていてもよい。］
化合物（２）
【化２】
2001060018.tif 000002
［式中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２２個のアルキル基あるいはアルケニル基、炭素数１〜２０個の未置換あるいは置換芳香族基、炭素数７〜２０個のアラルキル基を表し、Ａ-はモリブデン酸アニオンあるいはタングステン酸アニオン、モリブデンあるいはタングステン原子を含むヘテロポリ酸アニオンを表す。］
【請求項９】前記磁性キャリアが、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、（メタ）アクリル樹脂から選ばれる１種以上の樹脂で被覆された樹脂被覆磁性キャリアである請求項２記載の静電荷像現像剤。
【請求項１０】前記バインダー樹脂のガラス転移温度が５０℃〜８５℃で、かつ軟化点が９０℃〜１８０℃であることを特徴とする請求項２記載の静電荷像現像剤。
【請求項１１】前記離型剤が少なくともカルナウバワックス、モンタン系エステルワックス、ライスワックス及び／又はカイガラムシワックスを含有することを特徴とする請求項２記載の静電荷像現像剤。
【請求項１２】前記電荷制御剤が正帯電性電荷制御剤であることを特徴とする請求項２記載の静電荷像現像剤。
【請求項１３】前記正帯電性電荷制御剤が少なくともニグロシン系染料及び４級アンモニウム塩化合物を含有することを特徴とする請求項１２記載の静電荷像現像剤。
【請求項１４】前記４級アンモニウム塩化合物が下記構造の化合物（１）または（２）の中から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１３記載の静電荷像現像剤。
化合物（１）
【化１】
2001060018.tif 000003
［式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣｎＨ2ｎ+1基を表す。但し、ｎは１〜１０の整数を示す。また、Ｒ1〜Ｒ3は同じであっても異なっていてもよい。］
化合物（２）
【化２】
2001060018.tif 000004
［式中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２２個のアルキル基あるいはアルケニル基、炭素数１〜２０個の未置換あるいは置換芳香族基、炭素数７〜２０個のアラルキル基を表し、Ａ-はモリブデン酸アニオンあるいはタングステン酸アニオン、モリブデンあるいはタングステン原子を含むヘテロポリ酸アニオンを表す。］
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも、バインダー樹脂と着色剤と電荷制御剤とを含有してなる静電荷像現像用トナーにおいて、前記バインダー樹脂が、
（Ａ）２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物
（Ｂ）２価以上の多塩基酸及び／又は酸無水物及び／又はこれらの低級アルキルエステルから選ばれる多塩基酸化合物
（Ｃ）２価以上の脂肪族多価アルコールを主構成成分とするポリエステル樹脂からなることを特徴とする非磁性一成分現像用トナー。
【請求項２】前記バインダー樹脂のガラス転移温度が５０℃〜８５℃で、かつ軟化点が９０℃〜１８０℃であることを特徴とする請求項１記載の非磁性一成分現像用トナー。
【請求項３】電荷制御剤が、負帯電性電荷制御剤である請求項１または２記載の非磁性一成分現像用トナー。
【請求項４】２価以上の脂肪族多価アルコールが、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、エチレンオキサイド−プロピレンオキサイドランダム共重合体ジオール、エチレンオキサイド−プロピレンオキサイドブロック共重合体ジオール、エチレンオキサイド−テトラハイドロフラン共重合体ジオール、ポリカプロカクトンジオールからなる群より選択された、２価以上の脂肪族多価アルコールを含有することを特徴とする請求項１記載の非磁性一成分現像用トナー。
【請求項５】前記バインダー樹脂が前記構成成分（Ａ）〜（Ｃ）を一括反応させるか、（Ａ）と（Ｃ）を反応後さらに（Ｂ）を反応させるか、または（Ａ）と（Ｂ）を反応後さらに（Ｃ）を反応させるかして得られるポリエステル樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の非磁性一成分現像用トナー。
【請求項６】前記負帯電性電荷制御剤が、下記化学式１
【化１】
2001060019.tif 000001
（化学式１中の〔ＮＨ4，Ｎａ，Ｈ〕+は、ＮＨ4，Ｎａ，Ｈのいずれかであることを示す。）
及び下記化学式２
【化２】
2001060019.tif 000002
である請求項３に記載の非磁性一成分現像用トナー。
【請求項７】前記化学式１及び化学式２で表される２種の電荷制御剤を、化学式１／化学式２で表される重量比で、４０／６０〜６０／４０で用いる請求項６に記載の非磁性一成分現像用トナー。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】コンピュータを用いて構築された学習支援装置であって、
問題文と、選択肢となる動画像群とを含む問題画面を提示する問題提示手段と、
前記問題提示手段で提示した問題画面に含まれる動画像群のうち学習者がどれを選択したかを示す、学習者の答案を受け取る答案入力手段と、
前記答案入力手段で受け取った学習者の答案の正誤判定を行う答案判定手段と、
前記答案判定手段の判定結果に基づく説明を学習者に提示する説明提示手段と
を備えたことを特徴とする学習支援装置。
【請求項２】前記説明提示手段は、
前記答案判定手段で不正解と判定した場合に、不正解時用の説明文と、正解である動画像とを含む不正解時説明画面を提示することを特徴とする請求項１記載の学習支援装置。
【請求項３】問題文と、動画像群と、正解である動画像がどれであるかを示す問題情報とを記憶する問題情報記憶手段をさらに備え、
前記問題提示手段は、問題情報を参照して、問題文と、選択肢としての動画像群とを前記問題情報記憶手段から読み出すことにより、問題画面を生成し、
前記答案判定手段は、学習者が選択した動画像と問題情報が示す正解である動画像とが、同じ場合に正解と判定し、異なる場合に不正解と判定する
請求項１または２記載の学習支援装置。
【請求項４】コンピュータを用いて構築された学習支援装置における学習支援方法であって、
問題文と、選択肢となる動画像群とを含む問題画面を提示する問題提示工程と、
前記問題提示工程で提示した問題画面に含まれる動画像群のうち学習者がどれを選択したかを示す、学習者の答案を受け取る答案入力工程と、
前記答案入力工程で受け取った学習者の答案の正誤判定を行う答案判定工程と、
前記答案判定工程の判定結果に基づく説明を学習者に提示する説明提示工程と
を含むことを特徴とする学習支援方法。
【請求項５】前記説明提示工程は、
前記答案判定工程で不正解と判定した場合に、不正解時用の説明文と、正解である動画像とを含む不正解時説明画面を提示することを特徴とする請求項４記載の学習支方法。
【請求項６】学習支援装置は、問題文と、動画像群と、正解である動画像がどれであるかを示す問題情報とを記憶する問題情報記憶手段を備え、
前記問題提示工程は、
前記問題情報記憶手段に記憶されている問題情報を参照して、問題文と、選択肢としての動画像群とを前記問題情報記憶手段から読み出すことにより、問題画面を生成し、
前記答案判定工程は、学習者が選択した動画像と問題情報が示す正解である動画像とが、同じ場合に正解と判定し、異なる場合に不正解と判定する請求項４または５記載の学習支援方法。
【請求項７】コンピュータを用いて構築された学習支援装置に、
問題文と、選択肢となる動画像群とを含む問題画面を提示する問題提示工程と、
前記問題提示工程で提示した問題画面に含まれる動画像群のうち学習者がどれを選択したかを示す、学習者の答案を受け取る答案入力工程と、
前記答案入力工程で受け取った学習者の答案の正誤判定を行う答案判定工程と、
前記答案判定工程の判定結果に基づく説明を学習者に提示する説明提示工程と
を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
表示すべき表示情報を記憶する記憶手段と、
当該記憶手段に記憶されている表示情報を表示する表示手段と、
当該表示手段に表示された表示情報のスクロールを指示するスクロール指示手段と、前記表示情報のスクロール回数を記憶するスクロール回数記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている表示情報を、当該スクロール回数記憶手段に記憶された回数にてスクロール可能な、前記表示情報のスクロール量を演算するスクロール量演算手段と、
前記スクロール指示手段による指示に応答して、前記記憶手段に記憶されている表示情報を前記スクロール量演算手段により演算したスクロール量だけスクロールさせて前記表示手段に表示する制御を行う表示制御手段と、を備えたことを特徴とするスクロール表示装置。
【請求項２】
前記スクロール回数記憶手段は、書換え可能であることを特徴とする請求項１記載のスクロール表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  著作権保護機能を搭載した第１のメモリと、上記著作権保護機能を搭載していない第２のメモリとが選択的に装着可能なメモリ装着手段と、
装着されたメモリが上記第１のメモリか或いは上記第２のメモリかを判別する判別手段と、
上記判別手段の判別結果に応じて告知を行う告知手段と、
を備えていることを特徴とする携帯端末。
【請求項２】  所定の圧縮処理及び暗号化処理が施されたデータを記録する第１のメモリと、上記圧縮処理と同一又は異なる所定の圧縮処理が施されたデータを記録する第２のメモリとが選択的に装着可能なメモリ装着手段と、
装着されたメモリが上記第１のメモリか或いは上記第２のメモリかを判別する判別手段と、
上記判別手段の判別結果に応じて告知を行う告知手段と、
を備えていることを特徴とする携帯端末。
【請求項３】
上記第１のメモリは、暗号処理手段或いは、セキュリティ対応の識別情報を有することを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項４】
データをメモリに記録する記録手段と、
上記判別手段により、装着されたメモリが上記第１のメモリと判別される場合は、上記記録手段により上記データを記録する動作を禁止するように制御する制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項５】
上記メモリ装着手段は、同一のサイズの上記第１のメモリと上記第２のメモリを装着可能なことを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項６】
メモリに記憶されるデータはオーディオデータ、文字データ、動画データ、静止画データ、コンピュータ用途のデータの中で少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項７】
データをメモリに記録する記録手段と
上記判別手段により、装着されたメモリが上記第１のメモリと判別される場合は、上記記録手段により上記データを記録する動作を禁止するように制御する制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の携帯端末。
【請求項８】
上記メモリ装着手段は、同一のサイズの上記第１のメモリと上記第２のメモリを装着可能なことを特徴とする請求項２に記載の携帯端末。
【請求項９】
メモリに記憶されるデータはオーディオデータ、文字データ、動画データ、静止画データ、コンピュータ用途のデータの中で少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このために本発明の携帯端末として、著作権保護用の処理（例えば暗号化処理や認証処理）を行う著作権保護機能を搭載した第１のメモリと、上記著作権保護機能を搭載していない第２のメモリとが選択的に装着可能なメモリ装着手段と、装着されたメモリが第１のメモリか或いは第２のメモリかを判別する判別手段と、この判別手段の判別結果に応じて告知を行う告知手段とを備えるようにする。
また本発明の携帯端末として、所定の圧縮処理及び暗号化処理が施されたデータを記録する第１のメモリと、上記圧縮処理と同一又は異なる所定の圧縮処理が施されたデータを記録する第２のメモリとが選択的に装着可能なメモリ装着手段と、装着されたメモリが上記第１のメモリか或いは上記第２のメモリかを判別する判別手段と、判別手段の判別結果に応じて告知を行う告知手段とを備えているようにする。
即ち本発明では、判別手段により装填されたメモリの種別を判別し、その判別結果をユーザーに告知できるようにすることで、誤挿入の場合の不都合を解消する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管理コンピュータおよびコンピュータの割り当て方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被操作コンピュータと前記被操作コンピュータを操作する操作コンピュータと、前記複数の被操作コンピュータを管理する管理コンピュータとを有するコンピュータシステムにおける、前記管理コンピュータであって、
前記複数の被操作コンピュータのシステム情報または使用可能なアプリケーションに関する管理情報を格納する記憶部と、
前記操作コンピュータから接続先条件を受信する受信部と、
前記受信した接続先条件を満たす被操作コンピュータを、前記管理情報に基づいて選択する接続先選択部と、
前記選択した被操作コンピュータに関するシステム情報を前記操作コンピュータへ送信する送信部と
を有することを特徴とする管理コンピュータ。
【請求項２】
請求項１記載の管理コンピュータであって、
前記被操作コンピュータのシステム情報の変更に応じて通知される、システム情報の変更情報を受信する受信部と、
前記受信したシステム情報の変更情報に応じて、前記管理情報を更新する更新部と
を有することを特徴とする管理コンピュータ。
【請求項３】
複数の被操作コンピュータと前記被操作コンピュータを操作する操作コンピュータと、前記複数の被操作コンピュータを管理する管理コンピュータとを有するコンピュータシステムにおける、コンピュータの割り当て方法であって、
前記管理コンピュータは、前記複数の被操作コンピュータのシステム情報または使用可能なアプリケーションに関する管理情報を有し、
前記管理コンピュータは、
前記操作コンピュータから接続先条件を受信し、
前記受信した接続先条件を満たす被操作コンピュータを、前記管理情報に基づいて選択し、
前記選択した被操作コンピュータに関するシステム情報を、前記操作コンピュータへ送信する
ことを特徴とするコンピュータの割り当て方法。
【請求項４】
請求項３記載のコンピュータの割り当て方法であって、
前記管理コンピュータは、
被操作コンピュータのシステム情報の変更に応じて通知される、システム情報の変更情報を受信し、
前記受信したシステム情報の変更情報に応じて、前記管理情報を更新する
ことを特徴とするコンピュータの割り当て方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  地図情報を地図メモリに記憶し、該地図に関連づけて少なくとも２階層の地域又はさらに施設とそこに存在する商品及び／又はサービス及び／又はアフォードとの系統を上位から下位の順にツリー状に関連づけたデータをデータベースに蓄積し、前記ツリー状に関連づけたデータの任意の階層のデータを選択し、前記選択された階層に対応する部分を含む地図を前記地図メモリから読み出して表示装置の画面上に遠方ほど上側を圧縮して表示し、前記選択された階層及び近接した上下階層に対応するデータを前記データベースから読み出して、前記階層の順に、前記表示された地図画面の関連付けた位置に表示することよりなる表示方法。
【請求項２】  表示装置の表示画面を２分割し、一方には前記階層構造を有する地図及び／又は立体像を主体とする形態表示をし、他方には前記形態表示に対応する階層における直接の相互関係を示す機能表示をする事を特徴とする請求項１に記載の表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロックをカウントし、第１初期化信号の活性化により該カウントが初期化されるカウンタと、
該カウンタに結合され、キャプチャ信号の活性化に応答して該カウンタのカウントを保持する参照レジスタと、
該カウントと該参照レジスタの出力値とが等しくなった時に、一致信号を活性化する比較回路と、
第２初期化信号が活性であるとき、又は、イネーブル信号及び該一致信号が共に活性であるときに、該第１初期化信号を活性化し、該第２初期化信号の活性化から所定時間経過した後に、該キャプチャ信号を活性化する制御回路と、
を有することを特徴とする周期補正分周回路。
【請求項２】
上記制御回路は、
上記第２初期化信号を出力するビットと、上記イネーブル信号を出力するビットと、上記キャプチャ信号を出力するビットとを含む制御レジスタと、
上記第２初期化信号が活性であるとき、又は、上記イネーブル信号及び上記一致信号が共に活性であるときに、上記第１初期化信号を活性化する論理回路と、
を有することを特徴とする請求項１記載の周期補正分周回路。
【請求項３】
上記一致信号を受け取って、上記一致信号を参照クロックとして該参照クロック周波数の整数倍の周波数のクロックを生成するＰＬＬ回路をさらに有することを特徴とする請求項２記載の周期補正分周回路。
【請求項４】
クロックを生成する発振回路と、
該クロックをカウントし、第１初期化信号の活性化により該カウントが初期化されるカウンタと、
該カウンタに結合され、キャプチャ信号の活性化に応答して該カウンタのカウントを保持する参照レジスタと、
該カウントと該参照レジスタの出力値とが等しくなった時に、一致信号を活性化する比較回路と、
第２初期化信号が活性であるとき、又は、イネーブル信号及び該一致信号が共に活性であるときに、該第１初期化信号を活性化し、該第２初期化信号の活性化から所定時間経過した後に、該キャプチャ信号を活性化する制御回路と、
を有することを特徴とする周期補正型発振回路。
【請求項５】
上記制御回路は、
上記第２初期化信号を出力するビットと、上記イネーブル信号を出力するビットと、上記キャプチャ信号を出力するビットとを含む制御レジスタと、
上記第２初期化信号が活性であるとき、又は、上記イネーブル信号及び上記一致信号が共に活性であるときに、上記第１初期化信号を活性化する論理回路と、
を有することを特徴とする請求項４記載の周期補正型発振回路。
【請求項６】
上記一致信号を受け取って、上記一致信号を参照クロックとして該参照クロック周波数の整数倍の周波数のクロックを生成するＰＬＬ回路をさらに有することを特徴とする請求項５記載の周期補正型発振回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】
本発明の第１実施態様の周期補正分周回路では、
クロックをカウントし、第１初期化信号の活性化により該カウントが初期化されるカウンタと、
該カウンタに結合され、キャプチャ信号の活性化に応答して該カウンタのカウントを保持する参照レジスタと、
該カウントと該参照レジスタの出力値とが等しくなった時に、一致信号を活性化する比較回路と、
第２初期化信号が活性であるとき、又は、イネーブル信号及び該一致信号が共に活性であるときに、該第１初期化信号を活性化し、該第２初期化信号の活性化から所定時間経過した後に、該キャプチャ信号を活性化する制御回路と、
を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第２実施態様の周期補正分周回路では、第１実施態様において、
上記制御回路は、
上記第２初期化信号を出力するビットと、上記イネーブル信号を出力するビットと、上記キャプチャ信号を出力するビットとを含む制御レジスタと、
上記第２初期化信号が活性であるとき、又は、上記イネーブル信号及び上記一致信号が共に活性であるときに、上記第１初期化信号を活性化する論理回路と、
を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第３実施態様の周期補正分周回路では、第２実施態様において、
上記一致信号を受け取って、上記一致信号を参照クロックとして該参照クロック周波数の整数倍の周波数のクロックを生成するＰＬＬ回路をさらに有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第４実施態様の周期補正型発振回路では、
クロックを生成する発振回路と、
該クロックをカウントし、第１初期化信号の活性化により該カウントが初期化されるカウンタと、
該カウンタに結合され、キャプチャ信号の活性化に応答して該カウンタのカウントを保持する参照レジスタと、
該カウントと該参照レジスタの出力値とが等しくなった時に、一致信号を活性化する比較回路と、
第２初期化信号が活性であるとき、又は、イネーブル信号及び該一致信号が共に活性であるときに、該第１初期化信号を活性化し、該第２初期化信号の活性化から所定時間経過した後に、該キャプチャ信号を活性化する制御回路と、
を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第５実施態様の周期補正型発振回路では、第４実施態様において、
上記制御回路は、
上記第２初期化信号を出力するビットと、上記イネーブル信号を出力するビットと、上記キャプチャ信号を出力するビットとを含む制御レジスタと、
上記第２初期化信号が活性であるとき、又は、上記イネーブル信号及び上記一致信号が共に活性であるときに、上記第１初期化信号を活性化する論理回路と、
を有する。
本発明の第６実施態様の周期補正型発振回路では、第５実施態様において、
上記一致信号を受け取って、上記一致信号を参照クロックとして該参照クロック周波数の整数倍の周波数のクロックを生成するＰＬＬ回路をさらに有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＢＧＡデバイスの実装方法及びＢＧＡデバイスの実装装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  配線基板にＢＧＡデバイスの端子接続用のクリームハンダをハンダスクリーンを使用して印刷塗布すると共に前記ハンダスクリーンを使用してＢＧＡデバイス位置決めをし、その後、前記ハンダスクリーンを除去すると共に前記ＢＧＡデバイスの端子を前記クリームハンダにより接続固定するようにしたことを特徴とするＢＧＡデバイスの実装方法。
【請求項２】  本体ベースと、該本体ベース上に配された基板ベースユニットと、該基板ベースユニット上に配されたハンダスクリーンユニット及びマウントユニットとを備えたＢＧＡデバイスの実装装置であって、
前記基板ベースユニットは、前記ＢＧＡデバイスを実装する配線基板を装着すると共に、該配線基板の前記ＢＧＡデバイスの実装位置を前記ハンダスクリーンユニットに装着された前記ＢＧＡデバイス用のハンダスクリーンの位置に位置合わせ固定する機能を有し、
前記ハンダスクリーンユニットは、前記配線基板の実装パターンにクリームハンダを印刷塗布するための前記ハンダスクリーンを保持すると共に、該ハンダスクリーンを上下方向に移動させ任意の位置で停止させる機能を有し、前記クリームハンダを印刷塗布し、所定高さで停止した状態で前記ＢＧＡデバイスを位置決めした後、前記ハンダスクリーンを前記実装位置から逃がす機能をさらに有し、
前記マウントユニットは、前記ＢＧＡデバイスを吸着する共に、該ＢＧＡデバイスを上下方向に移動させ任意の位置で停止させる機能を有し、前記ハンダスクリーン上で位置決めされた前記ＢＧＡデバイスを吸着し、前記ハンダスクリーンが前記実装位置から逃げた後に、前記ＢＧＡデバイスを下降させ、前記配線基板の実装パターンに印刷塗布された前記クリームハンダに装着する機能をさらに有している
ことを特徴とするＢＧＡデバイスの実装装置。
【請求項３】  前記ハンダスクリーンユニットは、前記基板ベースユニットで位置合わせ固定された前記配線基板の前記ＢＧＡ実装位置に対して、前記ハンダスクリーンの位置を微調整して合わせる機能を有することを特徴とする請求項２に記載のＢＧＡデバイスの実装装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明はＢＧＡデバイスの実装方法及びＢＧＡデバイスの実装装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】  
以下図１及び図２を参照して本発明ＢＧＡデバイスの実装方法及びＢＧＡデバイスの実装装置の実施するための最良の形態の例につき説明しよう。図２は本例によるＢＧＡデバイスの実装装置を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、前記ＧａＡｓバッファ層の直上のＡｌＧａＡｓ層は、Ａｌの組成が上方に向かって階段状に大きくなるように変化していることを特徴とする発光サイリスタ。
【請求項２】前記ＧａＡｓバッファ層の直上のＡｌＧａＡｓ層の最上層内に、量子井戸層または歪み超格子構造が挿入されたことを特徴とする請求項１記載の発光サイリスタ。
【請求項３】ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、前記ＧａＡｓバッファ層の直上のＡｌＧａＡｓ層は、Ａｌの組成が上方に向かって連続的に大きくなるように変化していることを特徴とする発光サイリスタ。
【請求項４】前記ＧａＡｓバッファ層の直上のＡｌＧａＡｓ層内に、量子井戸層または歪み超格子構造が挿入されたことを特徴とする請求項３記載の発光サイリスタ。
【請求項５】ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、前記ＧａＡｓバッファ層と直上のＡｌＧａＡｓ層との間に、または前記直上のＡｌＧａＡｓ層内に量子井戸層または歪み超格子構造が挿入されたことを特徴とする発光サイリスタ。
【請求項６】発光サイリスタを複数個配列し、各発光サイリスタのゲート電極をその近傍に位置する少なくとも１つの発光サイリスタのゲート電極に、電気抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介して接続し、各発光サイリスタのアノード電極に、外部から電圧を印加する複数本の配線を接続させた自己走査型発光装置において、前記発光サイリスタは、請求項の１〜５のいずれかに記載されている発光サイリスタであることを特徴とする自己走査型発光装置。
【請求項７】サイリスタを複数個配列し、各サイリスタのゲート電極をその近傍に位置する少なくとも１つのサイリスタのゲート電極に、電気抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介して接続するとともに、各サイリスタのゲート電極に電源ラインを電気的手段を用いて接続し、かつ各サイリスタのアノード電極にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、発光サイリスタを複数個配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイを構成する発光サイリスタの各ゲート電極を、前記自己走査型スイッチ素子アレイを構成するサイリスタのゲート電極と電気的手段にて接続し、各発光サイリスタのアノード電極に発光のための電流を印加するラインを設けた自己走査型発光装置において、前記発光サイリスタは、請求項１〜５のいずれかに記載されている発光サイリスタであることを特徴とする自己走査型発光装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の自己走査型発光装置を有する光源。
【請求項９】
請求項８に記載の光源を備える光プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、前記自己走査型発光装置を構成する発光チップ単位で、点灯時間を補正して、発光チップ間の積分光量分布が均一になるようにすることを特徴とする自己走査型発光装置。
【請求項２】しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとを備え、前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、前記自己走査型発光装置を構成する発光チップ単位で、点灯時間を補正して、発光チップ間の積分光量分布が均一になるようにするドライバ回路を備えることを特徴とする自己走査型発光装置。
【請求項３】前記ドライバ回路は、前記発光チップ毎に、前記発光のための電流を生成する回路を有し、各生成回路は、点灯時間を補正するための補正値を予め保持することを特徴とする請求項２に記載の自己走査型発光装置。
【請求項４】前記補正値は、全発光チップの全発光点を点灯状態にして、各発光チップ毎に光出力を測定し、測定した光出力から前記補正値を求めることを特徴とする請求項３に記載の自己走査型発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の自己走査型発光装置を有する書き込み用光源。
【請求項６】
請求項５に記載の光源を備える光プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
このように本実施の形態では、ディスク９０のフォーカスサーボ外れの発生頻度と、その発生頻度に応じたフォーカスサーボ外れ回数により、ディスク９０に対して、フォーカス系が追従していくことが困難となり、データ転送に支障をきたすような面ブレ状態にあるかどうか判別を行うようにしている。そうすることで、例えば不規則に発生するディスクの傷や汚れ、或いは振動や衝撃等によって発生するフォーカスサーボ外れによる影響を極力なくして、ディスク９０が面ブレ状態にある時に定常的に発生するフォーカスサーボ外れを判別することができる。つまりディスク９０が面ブレ状態かどうか判別することが可能とされる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に設けられたソース電極とドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と該ドレイン電極との間に設けられた空乏層変調手段と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記空乏層変調手段は、
前記ゲート電極のゲート幅方向に離間して設けられた、複数の導体層または半導体層であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記空乏層変調手段は、
前記半導体層との接触面が、前記ゲート電極のゲート幅方向に不連続であること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記空乏層変調手段は、
前記ゲート電極のゲート幅方向に離間して設けられた、複数の凹部であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体層上に形成されたソース電極とドレイン電極と、
前記半導体層間の形成されたゲートリセスと、
前記ゲートリセス上に形成されたゲート電極と、
前記ゲートリセス上に形成された、前記該ゲート電極のゲート幅方向に不連続に延在する層と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体層上に形成されたソース電極とドレイン電極と、
前記半導体層間の形成されたゲートリセスと、
前記ゲートリセス上に形成されたゲート電極と、
前記ゲートリセス上に形成された、前記該ゲート電極のゲート幅方向に不連続に延在する凹部と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、半導体層上に設けられたソース電極とドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と該ドレイン電極との間に設けられた空乏層変調手段とを設けることにより得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路の設計方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回路ブロックと、前記回路ブロックの回路に給電する第１電源配線と、前記第１電源配線と異なる系統の第２電源配線と、を含む半導体集積回路の設計方法であって、
前記回路ブロック内には、前記第１電源配線および第３電源配線が含まれ、
前記第３電源配線は、曲がり部を有し、かつ、前記第１電源配線と分離され、かつ、前記第２電源配線と同じ系統であり、
前記回路ブロックの位置を決定する第１工程と、
前記第１工程後、前記第２電源配線が前記第３電源配線と接続するように、前記第２電源配線を自動配線する第２工程と、
を備えた、半導体集積回路の設計方法。
【請求項２】  請求項１において、
前記第３電源配線は、前記第１電源配線の外側に配置されている、半導体集積回路の設計方法。
【請求項３】  請求項１または２において、
前記第３電源配線は、
第１方向に延び、第２方向に延びる前記第２電源配線と接続される第１辺と、
第２方向に延び、前記第１辺と接続される第２辺と、
を含む、半導体集積回路の設計方法。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記回路ブロックは、前記回路ブロック用のＩ／Ｏポートと一体化している、半導体集積回路の設計方法。
【請求項５】  請求項４において、
前記第１辺および前記第２辺は、前記Ｉ／Ｏポートを他のＩ／Ｏポートと分離する位置まで延びている、半導体集積回路の設計方法。
【請求項６】  請求項１、２または４のいずれかにおいて、
前記第３電源配線が、
第１方向に延び、第２方向に延びる前記第２電源配線と接続される第１辺と、
第２方向に延び、前記第１辺と接続される第２辺と、
第１方向に延び、前記第２辺と接続される第３辺と、
第２方向に延び、前記第３辺および前記第１辺と接続される第４辺と、
を含み、
前記第１辺〜前記第４辺により、前記第１電源配線を囲んでいる、半導体集積回路の設計方法。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記第１電源配線は、環状電源配線を含む、半導体集積回路の設計方法。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記第２電源配線および前記第３電源配線は、他の環状電源配線を構成する、半導体集積回路の設計方法。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかにおいて、
前記第１電源配線が給電する電位と、
前記第２電源配線および前記第３電源配線を含む電源配線が給電する電位と、
は異なる、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１０】  請求項１〜８のいずれかにおいて、
前記第１電源配線が給電する電位と、
前記第２電源配線および前記第３電源配線を含む電源配線が給電する電位と、
は同じである、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１１】  請求項１〜１０のいずれかにおいて、
前記回路ブロックは、マクロセルを含む、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１２】  請求項１１において、
前記回路ブロックは、ＲＯＭ、ＲＡＭ、アナログ回路、制御回路およびインターフェース回路のうち少なくともいずれか一つを含む、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１３】  請求項１〜１２のいずれかにおいて、
前記第１工程と前記第２工程との間に、
前記第２電源配線および前記第３電源配線を含む電源配線により給電される、他の回路ブロックの位置を決定する工程を備える、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１４】  請求項１３において、
前記他の回路ブロックは、マクロセルを含む、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１５】  請求項１４において、
前記他の回路ブロックは、ランダムロジック回路を含む、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１６】  請求項１３〜１５のいずれかにおいて、
前記回路ブロックの情報、前記他の回路ブロックの情報、前記第１電源配線の情報、前記第２電源配線の情報および前記第３電源配線の情報は、ライブラリに登録されている、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１７】  請求項１３〜１６のいずれかにおいて、
前記回路ブロックおよび前記他の回路ブロックの位置は、自動配置により決定される、半導体集積回路の設計方法。
【請求項１８】  請求項１〜１７のいずれかにおいて、
前記半導体集積回路は、スタンダードセル、ゲートアレイおよびエンベディドアレイのうち少なくともいずれか一つを含む、半導体集積回路の設計方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、スタンダードセルのような半導体集積回路の設計方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、電源配線を自動配線するとき、設計者の手作業を軽減、または、なくすことが可能な半導体集積回路の設計方法を提供することである。