【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記被処理物の表面に薄膜を形成することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記被処理物の表面のエッチング処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記被処理物の表面のアッシング処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記第１の電極と前記第２の電極のクリーニング処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記被処理物の表面に薄膜を形成し、
前記第１の電極は、前記第２の電極の周囲を取り囲む円筒状であり、
前記第１の電極の先端に、前記プロセス用ガスの供給口が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記被処理物の表面のエッチング処理を行い、
前記第１の電極は、前記第２の電極の周囲を取り囲む円筒状であり、
前記第１の電極の先端に、前記プロセス用ガスの供給口が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記被処理物の表面のアッシング処理を行い、
前記第１の電極は、前記第２の電極の周囲を取り囲む円筒状であり、
前記第１の電極の先端に、前記プロセス用ガスの供給口が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で、第１の電極と第２の電極の間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、
前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第１の電極又は前記第２の電極に高周波電圧を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、
前記プラズマ発生手段を用いて、前記第１の電極と前記第２の電極のクリーニング処理を行い、
前記第１の電極は、前記第２の電極の周囲を取り囲む円筒状であり、
前記第１の電極の先端に、前記プロセス用ガスの供給口が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記プロセス用ガス及び前記搬送用ガスを加熱する加熱手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記搬送用ガスを加熱する加熱手段を有し、
前記搬送手段から、加熱された前記搬送用ガスを前記被処理物に吹き付けることにより、前記被処理物を加熱することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記被処理物は、ガラス基板であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記被処理物は、樹脂基板であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記被処理物は、半導体基板であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
請求項１または請求項５において、
前記プロセス用ガスは、原料ガスと混合ガスを含み、
前記原料ガスは、ＳｉＸＨＹまたはＳｉＨＸＣｌＹを含み、
前記混合ガスは、水素、酸素、窒素のうちの一つと、希ガスとを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１５】
請求項２または請求項６において、
前記プロセス用ガスは、原料ガスと混合ガスを含み、
前記原料ガスは、ＮＦ３、フロロカーボン、ＳＦ６またはＣＯＸを含み、
前記混合ガスは、水素又は酸素と、希ガスとを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１６】
請求項３、請求項４、請求項７または請求項８のいずれか一項において、
前記プロセス用ガスは、酸素を含み、かつ、水素、フロロカーボン、ＮＦ３、Ｈ２Ｏ、ＣＨＦ３のうちの一つを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記搬送用ガスは、不活性ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極と前記第２の電極の一方または両方は、固体誘電体で覆われていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極と前記第２の電極の一方または両方は、固体誘電体で覆われており、
前記固体誘電体は、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、ポリエチレンテレフタラ−ト、ポリテトラフルオロエチレン、酸化珪素、ガラスまたはチタン酸バリウム等であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極と前記第２の電極の一方または両方は、固体誘電体で覆われており、
前記固体誘電体の厚さは０．０５〜４ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極と前記第２の電極は、それぞれ、アルミニウム、銅またはステンレスを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極に接続された冷却系を有し、
前記冷却系は、冷却水を循環させることにより、前記第１の電極を冷却することを特徴とすることを特徴とするプラズマ処理装置。