Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
上記したように、本発明においては、架橋した鞘樹脂に特徴がある。即ち本発明に用いる特定の組成のビニリデンフロライド系の透明な樹脂は、電子線照射によって架橋し、且つそれによって透明性が損なわれるものではないのが特徴である。従来公知のフルオロアルキルメタクリレート系の鞘樹脂は、電子線照射で分子が崩壊するタイプであり、本発明の対象とはならない。またその他ビニリデンフロライド系の鞘で、ビニリデンフロライド成分の濃度が７０モル％以上のものがＰＭＭＡ系樹脂を芯とするプラスチック光ファイバの鞘として使用されている。このようなビニリデンフロライド系樹脂はその樹脂単体としては、結晶性が高く白濁しているが、芯と鞘の界面で両者が相溶し、その相溶相の透明性が高いために鞘として使用し得るのである。しかしながら、ＰＭＭＡ系樹脂とビニリデンフロライド系樹脂の相溶アロイは高温高湿度下では水分を吸収し、温度が下がると水分が分離するというような繰り返しで鞘が白濁し、伝送損失が不安定であるため、耐熱プラスチック光ファイバには不向きである。さらに、このようなアロイに電子線を照射した場合、ＰＭＭＡ系樹脂は崩壊樹脂であることなどから電子線照射にも相応しくない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（比較例）
実施例１で用いたプラスチック光ファイバケーブルで電子線照射していないものを用いた。その結果、室内保管品では１０ｍの光パワーは−１６．５ｄＢｍであるのに対して、１２０℃に１００時間おいたものは−３６．０ｄＢｍであり光は通らなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この逆起電力の大きさは、モータ2の内部の磁石や電気抵抗、モータの入力端子間の抵抗およびコイルの巻き線条件により決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手ぶれの状態を検出するぶれ検出手段と、
印加された電圧に応じて屈折率が変化する部材で構成され、変化した上記屈折率により、通過する光束の角度を変化させる楔プリズムと、
上記楔プリズムに印加する電圧を発生する電圧発生手段と、
上記楔プリズムに印加する電圧と上記楔プリズムを通過する光束の傾き角度との関係を記憶した記憶手段と、
上記ぶれ検出手段の出力と上記記憶手段の出力とに基づいて、上記電圧発生手段を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする手ぶれ補正装置。
【請求項２】
被写体像を画像データに変換するための撮像素子と、
カメラの手ぶれの状態を検出するぶれ検出手段と、
印加された電圧に応じて屈折率が変化する部材で構成され、変化した上記屈折率により、通過する光束の角度を変化させる楔プリズムと、
上記楔プリズムに印加する電圧を発生する電圧発生手段と、
上記楔プリズムに印加する電圧と上記楔プリズムを通過する光束の傾き角度との関係を示すパラメータを記憶する記憶手段と、
上記楔プリズムに基準光束を投光した状態で、上記楔プリズムヘ電圧を印加し、このときの撮像素子から出力された画像データに基づき、上記パラメータを決定する決定手段と、
を具備することを特徴とするカメラ。
【請求項３】
銀塩フィルムに露光可能なカメラにおいて、
カメラの手ぶれの状態を検出するぶれ検出手段と、
印加された電圧に応じて屈折率が変化する部材で構成され、変化した上記屈折率により、通過する光束の角度を変化させる楔プリズムと、
上記楔プリズムに印加する電圧を発生する電圧発生手段と、
上記楔プリズムに印加する電圧と上記楔プリズムを通過する光束の傾き角度との関係を示すパラメータを記憶する記憶手段と、
上記楔プリズムに基準光束を投光し、且つこの基準光束の光路上に撮像素子を配置した状態で、上記楔プリズムヘ電圧を印加し、このときの撮像素子から出力された画像データに基づき上記パラメータを決定する決定手段と、
を具備することを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、手ぶれの状態を検出するぶれ検出手段と、印加された電圧に応じて屈折率が変化する部材で構成され、変化した上記屈折率により、通過する光束の角度を変化させる楔プリズムと、上記楔プリズムに印加する電圧を発生する電圧発生手段と、上記楔プリズムに印加する電圧と上記楔プリズムを通過する光束の傾き角度との関係を記憶した記憶手段と、上記ぶれ検出手段の出力と上記記憶手段の出力とに基づいて、上記電圧発生手段を制御する制御手段とを備える手ぶれ補正装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、被写体像を画像データに変換するための撮像素子と、カメラの手ぶれの状態を検出するぶれ検出手段と、印加された電圧に応じて屈折率が変化する部材で構成され、変化した上記屈折率により、通過する光束の角度を変化させる楔プリズムと、上記楔プリズムに印加する電圧を発生する電圧発生手段と、上記楔プリズムに印加する電圧と上記楔プリズムを通過する光束の傾き角度との関係を示すパラメータを記憶する記憶手段と、上記楔プリズムに基準光束を投光した状態で、上記楔プリズムヘ電圧を印加し、このときの撮像素子から出力された画像データに基づき、上記パラメータを決定する決定手段とを備えるカメラを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ミリ波レーダ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アンテナを所定の切替周波数で送信側と受信側に切替える送受切替手段と、前記アンテナから周波数変調信号を送信する手段と、前記アンテナで受信した信号からビート信号を得る手段と、前記ビート信号の周波数分布に基づいてターゲットを検出する判定手段とを具備し、
前記送受切替手段は、前記所定の送受切替周波数で送受信を切替える間に、前記所定の送受切替周波数より高い周波数の送受切替周波数で送受信を切替える区間を有することを特徴とするミリ波レーダ装置。
【請求項２】  前記ビート信号を通すフィルタと、前記ビート信号と前記フィルタを通したビート信号とを比較するコンパレータとを具備し、前記演算手段は、前記コンパレータの出力に基づいて近距離ターゲットの有無を検出する請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項３】  前記フィルタがローパスフィルタである請求項２に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項４】  前記ビート信号と一定のしきい値とを比較するコンパレータを具備し、前記演算手段は、前記コンパレータの出力に基づいて近距離ターゲットの有無を検出する請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項５】  前記ビート信号を検波する検波回路と、前記ビート信号と前記検波回路を通したビート信号とを比較するコンパレータとを具備し、前記演算手段は、前記コンパレータの出力に基づいて近距離ターゲットの有無を検出する請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項６】  前記コンパレータの出力のパルスに基づいて近距離ターゲットとの間の距離を算出する請求項２ないし５に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項７】  前記演算手段は、前記高い周波数で送受信を切替える区間でのみ、近距離のターゲットの検知を行う請求項１ないし６に記載のミリ波レーダ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、近距離のターゲットを確実に検知できるミリ波レーダ装置を提供することを目的とするものである
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものである。
本発明は、アンテナを所定の切替周波数で送信側と受信側に切替える送受切替手段と、前記アンテナから周波数変調信号を送信する手段と、前記アンテナで受信した信号からビート信号を得る手段と、前記ビート信号の周波数分布に基づいてターゲットを検出する判定手段とを具備するミリ波レーダ装置において、前記送受切替手段は、前記所定の送受切替周波数で送受信を切替える間に、前記所定の送受切替周波数より高い周波数の送受切替周波数で送受信を切替える区間を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のミリ波レーダ装置によれば、通常時は、比較的遠距離にあるターゲットを検出できるように設定された所定の送受切替周波数で、送受切替手段が切替えられる。この所定の送受切替周波数で送受信が切替えられるときは、比較的遠距離にあるターゲットから反射される信号を高い受信レベルで受信することができるので、判定手段はこの期間では比較的遠距離にあるターゲットについての判定を行う。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように、本発明では、ミリ波レーダ装置において、送受信切替周波数を時分割的に変更をすることにより、近距離のターゲットから遠距離のターゲットに至るまで、高い受信レベルを得て、ターゲットの検出を確実に実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電潜像担持体と、
前記静電潜像担持体の表面を一様に帯電する帯電装置と、
一様に帯電された前記静電潜像担持体の表面に画像信号に応じてレーザビームを照射し露光することによって前記静電潜像担持体の露光部分に静電潜像を形成するレーザ露光装置と、
キャリアとトナーとを混合して用いる２成分現像方式で前記静電潜像担持体に形成された前記静電潜像を現像する現像装置と、
動作モードとして通常モードよりも高精細な画像形成動作を行う高精細モードが指定された場合、前記現像装置における前記トナーの濃度を減少させるトナー濃度減少手段と、を備えるデジタル画像形成装置。
【請求項２】
前記通常モードから前記高精細モードへの切り替え指定時に、作像前のプレ動作として、前記現像装置からのトナー消費動作を実行させる第１のトナー量調整手段を備える請求項１記載のデジタル画像形成装置。
【請求項３】
前記高精細モードから前記通常モードへの切り替え指定時に、作像前のプレ動作として、前記現像装置へのトナー補給動作を実行させる第２のトナー量調整手段を備える請求項１又は２記載のデジタル画像形成装置。
【請求項４】
原稿画像を光学的に読み取って前記画像信号を生成する画像読み取り装置とこの画像読み取り装置によって生成された前記画像信号に対して必要な補正処理を加える画像処理部とを備え、前記画像読み取り装置によって生成された画像信号に基づいて画像形成を行う場合であって前記高精細モード指定時には前記通常モード時と比較して前記画像処理部におけるＭＴＦ補正処理を強調するようにした請求項１ないし３のいずれか一記載のデジタル画像形成装置。
【請求項５】
前記現像装置に対するトナーの供給量を可変制御するトナー供給量可変機構と、前記高精細モードの指定時には前記トナー供給量可変機構を駆動制御して前記現像装置に対するトナーの供給量を減少させる第３のトナー量調整手段を備える請求項１ないし４のいずれか一記載のデジタル画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか一記載のデジタル画像形成装置において、原稿画像を光学的に読み取って画像信号を生成する画像読み取り装置とこの画像読み取り装置によって生成された画像信号に対して必要な補正処理を加える画像処理部とを備え、画像読み取り装置によって生成された画像信号に基づいて画像形成を行う場合であって高精細モード指定時には通常モード時と比較して画像処理部におけるＭＴＦ補正処理を強調するようにした。ここで、ＭＴＦは、Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  の略称である（本明細書の全体を通じて同様）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか一記載のデジタル画像形成装置において、原稿画像を光学的に読み取って画像信号を生成する画像読み取り装置とこの画像読み取り装置によって生成された画像信号に対して必要な補正処理を加える画像処理部とを備え、画像読み取り装置によって生成された画像信号に基づいて画像形成を行う場合であって高精細モード指定時には通常モード時と比較して画像処理部におけるＭＴＦ補正処理を強調するようにしたので、高精細モード時には、細線や小さい文字の解像度やシャープネスを向上させて画像品質を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体結晶が成長してなる半導体基材であって、
前記基板は、サファイアＣ面基板、Ｓｉ基板、スピネル基板、ＺｎＯ基板、ＧａＡｓ基板またはＮＧＯ基板であり、
前記半導体結晶は、ＡＩｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）であり、
前記基板の結晶成長面は、段差で区画された凹面および凸面からなる凹凸面とされており、該段差は、前記半導体結晶の＜１１−２０＞方向に平行であり、
前記半導体結晶が、該結晶成長面を覆っている、
半導体基材。
【請求項２】
前記半導体結晶が、前記結晶成長面の凹部を充填している、請求項１記載の半導体基材。
【請求項３】
前記半導体結晶が、前記結晶成長面の凹部および凸部の少なくとも一方からファセット構造を形成しながら成長されたものであり、それによって、該半導体結晶の内部には、Ｃ軸方向に伸びたのち横方向に曲げられた転位線が存在している、請求項１記載の半導体基材。
【請求項４】
前記結晶成長面が、島状の点在型の凸部を有する凹凸面、ストライプ型の凸条からなる凸部を有する凹凸面、または格子状の凸部を有する凹凸面である、請求項１記載の半導体基材。
【請求項５】
前記平行の精度が、１°以内である、請求項１記載の半導体基材。
【請求項６】
前記結晶成長面が、平行なストライプ形状の凸部を有する凹凸面であり、該凸部の幅Ａとこれに隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋Ｂが２０μｍ以内であり、
該凹部の深さが、幅Ａおよび幅Ｂのいずれか長い方の幅の２０％以上である、請求項１記載の半導体基材。
【請求項７】
前記凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上である、請求項１記載の半導体基材。
【請求項８】
前記凹部の底面に曲面部を備えている、請求項１記載の半導体基材。
【請求項９】
前記凹面に、その表面からは実質的に結晶成長し得ない加工が施され、前記半導体結晶が、前記結晶成長面の凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものである、請求項１記載の半導体基材。
【請求項１０】
前記凹面に、その表面からは実質的に結晶成長し得ないマスク層が設けられ、前記半導体結晶が、前記結晶成長面の凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものである、請求項１記載の半導体基材。
【請求項１１】
前記マスク層が、ＳｉＯ２マスク層である、請求項８記載の半導体基材。
【請求項１２】
前記半導体結晶にＳｉがドープされている、請求項１記載の半導体基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基材
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この第５実施例の窓用結露防止・断熱装置Ｍの組立、ガラス障子（Ｓ）への取付は、第１実施例と同様になるので、その説明を省略する。
なお、窓用結露防止・断熱装置Ｍの厚さは、枠体１１をガラス障子（Ｓ）へ取り付けた状態で、障子枠（Ｆ）が形成する面（ｆ）から突出しない厚さとされている。
そして、窓用結露防止・断熱装置Ｍをガラス障子（Ｓ）へ取り付けると、窓ガラスＧと板状体２１との間に２ｍｍ以上の厚さの密閉された空気層ａが形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この第６実施例の窓用結露防止・断熱装置Ｍのガラス障子（Ｓ）への取付は、第１実施例と同様になるので、その説明を省略する。
なお、窓用結露防止・断熱装置Ｍの厚さは、枠体１１をガラス障子（Ｓ）へ取り付けた状態で、障子枠（Ｆ）が形成する面（ｆ）から突出しない厚さとされている。
そして、窓用結露防止・断熱装置Ｍをガラス障子（Ｓ）へ取り付けると、窓ガラスＧと板状体２１との間に２ｍｍ以上の厚さの密閉された空気層ａが形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この第７実施例の窓用結露防止・断熱装置Ｍの組立、ガラス障子（Ｓ）への取付は、第６実施例と同様になるので、その説明を省略する。
なお、窓用結露防止・断熱装置Ｍの厚さは、枠体１１をガラス障子（Ｓ）へ取り付けた状態で、障子枠（Ｆ）が形成する面（ｆ）から突出しない厚さとされている。
そして、窓用結露防止・断熱装置Ｍをガラス障子（Ｓ）へ取り付けると、窓ガラスＧと板状体２１との間に２ｍｍ以上の厚さの密閉された空気層ａが形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
Ｍ        窓用結露防止・断熱装置
１１      枠体
１２      枠部材
１２ａ    取付板状部
１２ａｈ  第１開口
１２ｂ    連結部
１２ｃ    枠体部
１２ｃｈ  第２開口
１２ｃａ  段差（取付部）
１２ｃｂ  凹部（取付部）
１２ｃｘ  補強部分
１２ｃｓ  挿通孔
１２ｄ    シール材
１３      連結片
１３ａ    連結部
１３ｓ    ねじ孔
１４      皿ねじ（固定ねじ）
２１      板状体
３１      化粧板
３１ｈ    開口
４１      広告媒体
Ｓ        ガラス障子
Ｆ        障子枠
ｆ        面
Ｇ        窓ガラス
Ｐ        ゴムパッキング（シール材）
ａ        空気層
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ロック付きスイッチは、操作することにより中立位置から前記取付け操作位置または取外し操作位置に切換えられ操作を止めたときには前記中立位置に復帰する３位置切換型のスイッチであり、
また前記アタッチメント連結装置を構成する前記シリンダは、前記取付け位置または前記取外し位置に切換える制御弁により制御される構成とし、
該制御弁は、前記ロック付きスイッチが中立位置にあるときに前記アタッチメント連結装置を前記取付け位置に保持する構成としてなる請求項１に記載の建設機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項３の発明によると、ロック付きスイッチは、操作することにより中立位置から前記取付け操作位置または取外し操作位置に切換えられ操作を止めたときには前記中立位置に復帰する３位置切換型のスイッチであり、また前記アタッチメント連結装置を構成する前記シリンダは、前記取付け位置または前記取外し位置に切換える制御弁により制御される構成とし、該制御弁は、前記ロック付きスイッチが中立位置にあるときに前記アタッチメント連結装置を前記取付け位置に保持する構成としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図６中左側に位置する入力側ディスク２とカム板７との間には第１の皿板ばね８が設けられ、図６中右側に位置する入力側ディスク２とローディングナット９との間には第２の皿ばね１０が設けられている。これらの皿板ばね８，１０は、各ディスク２，２，３，３の凹面２ａ，２ａ，３ａ，３ａとパワーローラ１１，１１の周面１１ａ，１１ａ（図７参照）との当接部に予圧を付与する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回転式の脱臭ロータ、該脱臭ロータに通気して空気を清浄化する空気清浄部および該脱臭ロータの脱臭性を再生する再生部を備えてなる空気清浄装置において、該回転式の脱臭ロータが再生部に入る側に位置する空気清浄部の一部に吸気口を設け、且つ該回転式の脱臭ロータが再生部から出る側に位置する空気清浄部の一部に排気口を設けることにより、空気清浄部内における空気の流れを方向付けることを特徴とする空気清浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係わる脱臭ロータの回転は、連続であっても良く、また、ステッピングモータなどを用いた間欠回転であっても良い。回転速度は一定でも良いが、可変でも良く、例えば、清浄化されるべき空気の汚染の度合、または再生部における脱臭ロータの臭気吸着量や再生の進み具合などを計測または予測しながら、回転速度などの回転の程度を制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
純度が９９．９重量％以上であり、平均粒径が０．００５μｍ〜１．０μｍである金粉、銀粉またはパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉と、有機溶剤と、からなる金属ペースト。
【請求項２】
有機溶剤は、エステルアルコール、ターピネオール、パインオイル、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、カルビトールである請求項１に記載の金属ペースト。
【請求項３】
アクリル系樹脂、セルロース系樹脂、アルキッド樹脂から選択される一種以上を合計で５．０重量％以下含有している請求項１または請求項２に記載の金属ペースト。
【請求項４】
電極パッドが設けられた半導体ウェハーの表面をレジストで被覆する被覆工程と、当該レジストの前記電極パッドに対応する位置に貫通穴を形成する穴開け工程と、金属ペーストを前記貫通穴に充填する充填工程と、充填した有機溶剤の乾燥工程と、半導体ウェハー表面からレジストを取り除く除去工程と、半導体ウェハー表面上に残された金属粉からなる凸状物を焼結する焼結工程とを有する半導体ウェハーへのバンプの形成方法であって、
前記充填工程で貫通穴に充填する金属ペーストは、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の金属ペーストである半導体ウェハーへのバンプの形成方法。
【請求項５】
乾燥工程における乾燥温度は５０℃以下である、請求項４に記載の半導体ウェハーへのバンプの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クレジットカードの決済処理を行うクレジットカード処理制御方法であって、
前記クレジットカード上の磁気ストライプから前記クレジットカードのカード番号を含む磁気ストライプ情報を読み取る磁気ストライプ情報読み取り工程と、
前記クレジットカードのエンボス加工された面の画像を読み取るクレジットカード画像読み取り工程と、
前記クレジットカード画像読み取り工程において読み取った画像データをＯＣＲ処理することにより、前記クレジットカードのカード番号を含むエンボス情報を抽出するエンボス情報抽出工程と、
前記磁気ストライプ情報に含まれるカード番号と前記エンボス情報に含まれるカード番号とを照合するカード番号照合工程と、
前記カード番号照合工程における照合結果に基づき、前記クレジットカードの使用を許可するか否かを判別するクレジットカード使用判別工程と、
前記クレジットカードを利用する顧客の身分証明書の画像を読み取る身分証明書画像読み取り工程と、を備え、
前記クレジットカード使用判別工程では、前記身分証明書の画像読み取りを条件として、前記クレジットカードの使用を許可することを特徴とするクレジットカード処理制御方法。
【請求項２】
前記磁気ストライプ情報または前記エンボス情報には、前記クレジットカード名義人の氏名が含まれており、
前記身分証明書画像読み取り工程において読み取った画像データをＯＣＲ処理することにより、前記身分証明書に記載された前記顧客の氏名を含む顧客情報を抽出する顧客情報抽出工程と、
前記顧客情報に含まれる氏名と前記磁気ストライプ情報または前記エンボス情報に含まれる氏名とを照合する氏名照合工程と、をさらに備え、
前記クレジットカード使用判別工程では、前記カード番号照合工程における照合結果の他、前記氏名照合工程における照合結果に基づき、前記クレジットカードの使用を許可するか否かを判別することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項３】
前記クレジットカードの支払い対象となる会計処理のトランスアクション番号と、前記クレジットカードの磁気ストライプ情報と、前記身分証明書の顧客情報と、を関連づけ、クレジットカード取引証明データとして記憶する記憶工程と、
前記トランスアクション番号、前記カード番号、前記氏名のいずれかが指定されることにより、これらのデータを含む前記クレジットカード取引証明データを検索する検索工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項４】
前記記憶工程では、前記クレジットカードの磁気ストライプ情報に代えて、若しくはこれに加えて前記前記クレジットカードの画像データおよび／または前記エンボス情報を記憶すると共に、前記身分証明書の顧客情報に代えて、若しくはこれに加えて前記身分証明書の画像データを記憶することを特徴とする請求項３に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項５】
前記検索工程において検索された前記クレジットカード取引証明データを、前記クレジットカードの決済処理結果をレシート上に印刷する印刷手段を用いて印刷する検索結果印刷工程をさらに備えたことを特徴とする請求項３または４に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項６】
前記カード番号照合工程における照合によって、前記磁気ストライプ情報に含まれるカード番号と前記エンボス情報に含まれるカード番号との合致率を算出する合致率算出工程をさらに備え、
前記クレジットカード使用判別工程では、算出した前記合致率がＡ％未満の場合（但し、０＜Ａ≦１００）、前記クレジットカードの使用を禁止することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項７】
前記クレジットカード使用判別工程では、算出した前記合致率が前記Ａ％以上Ｂ％未満の場合（但し、Ａ＜Ｂ≦１００）、前記身分証明書の画像読み取りを条件として前記クレジットカードの使用を許可すると共に、前記合致率が前記Ｂ％以上の場合、前記身分証明書の画像読み取りを必要とすることなく前記クレジットカードの使用を許可することを特徴とする請求項６に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項８】
前記クレジットカード使用判別工程での判別基準となる前記合致率Ａおよび／または前記合致率Ｂの値を設定する基準値設定工程をさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項９】
クレジットカード上の磁気ストライプから前記クレジットカードのカード番号を含む磁気ストライプ情報を読み取る磁気ストライプ情報読み取り手段と、
前記クレジットカードのエンボス加工された面の画像を読み取るクレジットカード画像読み取り手段と、
前記クレジットカード画像読み取り手段によって読み取った画像データをＯＣＲ処理することにより、前記クレジットカードのカード番号を含むエンボス情報を抽出するエンボス情報抽出手段と、
前記磁気ストライプ情報に含まれるカード番号と前記エンボス情報に含まれるカード番号とを照合するカード番号照合手段と、
前記カード番号照合手段による照合結果に基づき、前記クレジットカードの使用を許可するか否かを判別するクレジットカード使用判別手段と、
前記クレジットカードを利用する顧客の身分証明書の画像を読み取る身分証明書画像読み取り手段と、を備え、
前記クレジットカード使用判別手段は、前記身分証明書画像読み取り手段が実行された場合、前記クレジットカードの使用を許可することを特徴とするクレジットカード処理装置。
【請求項１０】
前記クレジットカード画像読み取り手段および前記身分証明書画像読み取り手段は、いずれもスキャナヘッドで構成されており、両スキャナヘッドは、同一のスキャナヘッドであり、
前記磁気ストライプ情報読み取り手段は、磁気ヘッドで構成されており、当該磁気ヘッドおよび当該スキャナヘッドは、共通経路上に臨んでおり、
前記クレジットカード使用判別手段の判別結果を報知する報知手段を備えたことを特徴とする請求項９に記載のクレジットカード処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オペレータによる商品情報の入力に基づいてクレジットカードの決済処理を行うクレジットカード処理制御方法であって、当該決済処理が所定の条件に該当する場合、前記クレジットカードを利用する利用者から提示された身分証明書の画像読み取りを行うものにおいて、
前記クレジットカード上の磁気ストライプから当該クレジットカードのカード番号を含む磁気ストライプ情報を読み取る磁気ストライプ情報読み取り工程と、
前記磁気ストライプ情報の読み取り結果に基づき、前記身分証明書の画像読み取りを行うか否かを決定する画像読み取り決定工程と、
前記身分証明書の画像読み取りを決定した場合、前記身分証明書の画像を読み取る画像読み取り工程と、
を備えたことを特徴とするクレジットカード処理制御方法。
【請求項２】
前記画像読み取り決定工程では、前記磁気ストライプ情報の読み取りが正常に行われなかった場合、前記身分証明書の画像読み取りを決定することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項３】
前記画像読み取り決定工程では、前記磁気ストライプ情報の読み取り結果に代えて、前記オペレータからの画像読み取り指示の有無に基づき、前記身分証明書の画像読み取りを行うか否かを決定することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項４】
前記商品情報の入力に基づき、前記クレジットカードの決済金額を算出する決済金額算出工程と、
前記決済金額が、予め設定された基準額を超えるか否かを判別する決済金額判別工程と、をさらに備え、
前記画像読み取り決定工程では、前記磁気ストライプ情報の読み取り結果に代えて、前記決済金額判別工程における判別結果に基づき、前記身分証明書の画像読み取りを行うか否かを決定することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項５】
前記決済金額を判別するための基準額を設定する基準額設定工程をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項６】
少なくとも、前記磁気ストライプ情報から抽出された前記クレジットカードの利用者に関する情報を含む前記決済処理の過去の履歴情報を記憶する履歴情報記憶工程をさらに備え、
前記画像読み取り決定工程では、前記磁気ストライプ情報の読み取り結果に代えて、前記クレジットカード利用者の前記履歴情報の有無に基づき、前記身分証明書の画像読み取りを行うか否かを決定することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項７】
前記商品情報の入力に基づき、前記クレジットカードの決済金額を算出する決済金額算出工程と、
少なくとも、前記磁気ストライプ情報から抽出された前記クレジットカードの利用者に関する情報と、前記決済金額に関する情報とを関連付けた前記決済処理の過去の履歴情報を記憶する履歴情報記憶工程と、
前記履歴情報を参照し、前記クレジットカード利用者の今回の決済金額が同じ利用者の過去の最高決済金額を超えるか否かを判別する決済金額／履歴判別工程と、をさらに備え、
前記画像読み取り決定工程では、前記磁気ストライプ情報の読み取り結果に代えて、前記決済金額／履歴判別工程における判別結果に基づき、前記身分証明書の画像読み取りを行うか否かを決定することを特徴とする請求項１に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項８】
前記履歴情報記憶工程では、前記決済処理毎に、前記利用者に関する情報の他、少なくとも、当該決済処理のトランスアクション番号および前記磁気ストライプ情報から抽出された前記クレジットカードのカード番号に関する情報を関連付けたクレジットカード取引証明データを記憶し、
前記トランスアクション番号、前記利用者の氏名、前記カード番号のいずれかが指定されることにより、これらの情報を含む前記クレジットカード取引証明データを検索する検索工程をさらに備えたことを特徴とする請求項６または７に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項９】
前記身分証明書の画像をＯＣＲ処理することにより当該身分証明書に記載された証明書番号を含む身分証明書情報を抽出する身分証明書情報抽出工程をさらに備え、
前記履歴情報記憶工程では、前記身分証明書の画像読み取りを行った場合、前記クレジットカード取引証明データとして、前記身分証明書情報をさらに関連付けて記憶し、
前記検索工程では、前記トランスアクション番号、前記利用者の氏名、前記カード番号、前記証明書番号のうちいずれかが指定されることにより、これらのデータを含む前記クレジットカード取引証明データを検索可能であることを特徴とする請求項８に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項１０】
前記検索工程において検索された前記クレジットカード取引証明データを、前記決済処理結果をレシート上に印刷する印刷手段を用いて印刷する検索結果印刷工程をさらに備えたことを特徴とする請求項８または９に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項１１】
前記画像読み取り決定工程における決定事項を報知する報知工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のクレジットカード処理制御方法。
【請求項１２】
コンピュータに、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のクレジットカード処理制御方法における各工程を実行させるためのプログラム。
【請求項１３】
クレジットカードの決済処理を行うと共に当該クレジットカードを利用する利用者から提示された身分証明書の画像読み取り機能を有するクレジットカード処理装置において、
前記クレジットカード上の磁気ストライプから当該クレジットカードのカード番号を含む磁気ストライプ情報を読み取る磁気ストライプ情報読み取り手段と、
前記磁気ストライプ情報の読み取り結果に基づき、前記身分証明書の画像読み取りを行うか否かを決定する画像読み取り決定手段と、
前記身分証明書の画像を読み取ることを決定した場合、前記身分証明書の画像を読み取る画像読み取り手段と、を備えたことを特徴とするクレジットカード処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような現状を踏まえ、米国では、ユーザから提示されたクレジットカードに基づき、それらの情報と個人の顔写真とがデータベース化された身元確認情報を用いて本人確認を行う身分証明システム（イメージデータＬＬＣ社）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特表平１１−５０９０１５号公報（図１等）
【特許文献２】特開２００３−２５６７８７号公報（請求項１等）
【特許文献３】特開２００２−３５２１６６号公報（請求項３等）
【特許文献４】特開２００１−２９７０６４号公報（請求項１等）
【特許文献５】特開２０００−２４７０７０号公報（０００１等）
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
＜実施例＞
実施例におけるトップ封止部の形成方法を図１に示すが、図６の従来例と同一構成部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。なお、図１（ａ）はトップ封止部形成前の状態を示す図であり、図１（ｂ）はゴム−ゴム金型を使用した第１段階のトップ封止部形成時の状態を示す図であり、また、図１（ｃ）は金属−金属金型を使用した第２段階のトップ封止部形成時の状態を示す図である。この実施例においては、タブ樹脂材の幅を６ｍｍとし、図１（ｂ）に示すようにゴム−ゴム金型３２、３３を使用して第１段階のトップ封止部形成を行った。このとき、封止厚みは０．３０ｍｍの厚みで封止した。次に、図１（ｃ）に示すように、金属−金属金型を用いて第２段階のトップ封止部形成を行った。封止厚みはタブ逃がし段差部で０．３０ｍｍ、それ以外の部分は０．１８ｍｍの厚みで封止した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
＜比較例３＞
実施例と同じ構成とし、図１（ｂ）に示したように、ゴム−ゴム金型による封止のみを実施した。封止厚みは０．３０ｍｍの厚みで封止した。封止信頼性を高めるためには封止厚みを薄くすることが有効であるも、ゴムの弾性により封止厚みを０．３０ｍｍ以下とすることは困難であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
その後、実施例、比較例１〜３共に、電池のサイド側を封止した。次いで、所定の割合に混合した混合溶液に六弗化リン酸リチウムＬｉＰＦ６を１ｍｏｌ／ｌの割合で溶解した電解液とポリプロピレングリコールジアクリレート（化学式１）又はポリプロピレングリコールジメタクリレート（化学式２）を重量比で１２：１で混合した溶液に重合開始剤としてｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを５０００ｐｐｍ添加したものを、先の電池巻回体を収納したアルミ外装体内に注益したあと、６０℃オーブン中に３時間静置し、硬化させてポリマー電解質を形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
続いて、負極活物質層１２の表面の少なくとも一部に炭酸リチウムからなる被膜１３を形成する。炭酸リチウムを形成する方法としては、例えば、金属リチウムを吸蔵させた負極活物質層１２に二酸化炭素を含む不活性化ガスを接触させて形成してもよい。例えば、負極活物質層１２にリチウムを吸蔵させる方法として真空蒸着法を用いた場合には、真空槽内に配置されたリチウムを吸蔵した負極活物質層１２に直接二酸化炭素を含む不活性化ガスを吹きつけて形成してもよいし、真空槽内を二酸化炭素を含む不活性化ガスに置換して形成してもよい。また、負極活物質層１２に金属リチウムを吸蔵させながら、その一部を順次、二酸化炭素を含む不活性化ガスと接触させて形成するようにしてもよい。但し、負極活物質層１２への金属リチウムの吸蔵に悪影響を与えないように、金属リチウムを吸蔵させる槽と真空槽とを分離するような構造が必要である。なお、これらの処理は、金属リチウムを負極活物質層１２に吸蔵したのち、真空槽の内部を常圧に戻さずに連続的に行うのが簡便であるので好ましい。これにより図１に示した負極１０が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
また、気相法により金属リチウムを堆積させてリチウムを吸蔵させるようにすれば、金属リチウムを堆積させる過程においてリチウムを吸蔵させることができ、取り扱いを容易にすることができる。また、吸蔵させるリチウム量を容易に制御することができると共に、大面積にわたって均一にリチウムを吸蔵させることができる。更に、負極活物質層１２を気相法により成膜する場合には、負極活物質層１２の成膜とリチウムの吸蔵工程とを連続して行うこともでき、製造工程の簡素化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次に、図４、図５を参照しつつ、チルト機構９を含むステアリング支持機構１０の一例について説明する。まず、強度的に優れた車体側の固定部材１１を有し、この固定部材１１は、図２、図３に示すようにブラケット１２を介して車体強度部材としてのステアリング支持メンバ１３に固定されている。この固定部材１１は、鉄板等の金属板を曲げ加工することにより、下方に向けて開口された断面略コ字状として形成されている。この固定部材１１の左右一対の側壁部１１ａにはそれぞれ、上下方向に細長くガイド孔１４が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
操作レバー１９の先端部は、運転者によりマニュアル操作される操作部１９ｂとされている。操作部１９ｂを操作して、ナット部材１８を例えば正回転させることにより、揺動部材１６を固定部材１１の左右側壁部１１ａで強く挟む締結状態となり、揺動部材１６の固定部材１１に対する上下方向変位が規制されたロック状態とされる。操作レバー１９を操作して、ナット部材１８を例えば逆回転させることにより、上記締結が解除された締結解除状態（アンロック状態）とされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施形態では、操作レバー１９の操作部１９ｂが、図４、図５実線で示すケーシング１５に沿って伸びる状態が上記ロック状態となる。このロック状態から、操作レバー１９が前方へ向けて揺動されて操作部１９ｂがほぼ上下方向に伸びるようにされた状態、つまり図４二点鎖線で示す状態が、上記アンロック状態となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６、図７は、本発明の別の実施形態を示すもので、図４、図５に示す実施形態と同一構成要素には同一符号を付して、その重複した説明は省略する。この図６、図７の実施形態においては、規制部材２１に対応した規制部材３１を、操作レバー１９に一体成形してある。すなわち、規制部材３１は、操作レバー１９の基端部１９ａから延設された延設部１９ｅによって構成され、この延設部１９ｅは、固定部材１１の側壁部１１ａに沿ってボルト１７の径方向外方側に向けて細長く板状に伸びるように形成されている。この規制部材３１つまり延設部１９ｅは、操作レバー１９が図６二点鎖線、図７実線で示す解除位置にあるとき、上方へ向けて伸びるようにされて、その先端は略水平な平坦面とされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
操作レバー１９が図６実線で示すロック位置にあるとき、規制部材３１は、図６実線で示す位置となって、その上方延長軌跡上にはなんら障害物が存在しない状態とされる。これにより、前方衝突時において、ステアリングハンドル６に対して運転者Ｕから前方への所定以上の大きな力が作用すると、ステアリングシャフト５は揺動位置α３まで大きく揺動されることになる。なお、図６、図７の実施形態においても、操作レバー１９が、所定のアンロック位置（締結解除位置で、図６二点鎖線位置）から前方へさらに揺動するのを規制するストッパを設けることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月11日(2006.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部に塗料等の液体と該液体噴出用のガスが充填され上部にステムを有してなる缶本体と、該缶本体のステムを覆うように取り付けられたキャップとからなるスプレー缶において、スプレー缶内部の残留液及び残留ガスを抜くための有底筒状のガス抜き治具が、中央部にスプレー缶本体のステムが挿入可能とされた挿入孔を有し且つ開放面を上にして缶本体の底部に一体的に取り付けられており、該ガス抜き治具の内径が缶本体の外径よりも大とされ、缶本体の底部がガス抜き治具に内嵌されており、更に、該ガス抜き治具に設けられたガス抜き機構が、缶本体の底部に形成された窪み部内に収まっていることを特徴とするガス抜き治具付きスプレー缶。
【請求項２】  ガス抜き治具に、缶本体底部に形成された巻締部に対して係合可能な係合部が設けられ、該係合部が巻締部に係合されることによりガス抜き治具と缶本体とが一体化されてなることを特徴とする請求項１記載のガス抜き治具付きスプレー缶。
【請求項３】  前記係合部が、ガス抜き治具の底面近傍の内面に設けられてなることを特徴とする請求項２記載のガス抜き治具付きスプレー缶。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するための手段として、請求項１の発明では、内部に塗料等の液体と該液体噴出用のガスが充填され上部にステムを有してなる缶本体と、該缶本体のステムを覆うように取り付けられたキャップとからなるスプレー缶において、スプレー缶内部の残留液及び残留ガスを抜くための有底筒状のガス抜き治具が、中央部にスプレー缶本体のステムが挿入可能とされた挿入孔を有し且つ開放面を上にして缶本体の底部に一体的に取り付けられており、該ガス抜き治具の内径が缶本体の外径よりも大とされ、缶本体の底部がガス抜き治具に内嵌されており、更に、該ガス抜き治具に設けられたガス抜き機構が、缶本体の底部に形成された窪み部内に収まっていることを特徴とするガス抜き治具付きスプレー缶とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明では、ガス抜き治具に、缶本体底部に形成された巻締部に対して係合可能な係合部が設けられ、該係合部が巻締部に係合されることによりガス抜き治具と缶本体とが一体化されてなることを特徴とする請求項１記載のガス抜き治具付きスプレー缶とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３の発明では、前記係合部が、ガス抜き治具の底面近傍の内面に設けられてなることを特徴とする請求項２記載のガス抜き治具付きスプレー缶とした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  容器口部の頂面或いは頂面乃至そのコーナー部と密封的に係合するフランジ部と、容器口部の内周面と係合する側壁部と、閉塞底面部とを備えた中栓において、
前記側壁部の外周には側壁部の高さ方向に延びるリブ部と凹部とが交互に多数配置され、前記各リブ部の中間にはフランジ面に平行な共通平面上でしかも共通な円周上に位置する突起部が形成されていることを特徴とする易開栓性中栓。
【請求項２】  前記フランジ部の付け根には容器口部の内周側コーナー部と密封的に係合するコーナー部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の易開栓性中栓。
【請求項３】  前記円周上に位置する突起部の合計の周長をＬ、円周長をＬ０としたとき、Ｌ／Ｌ０の比が０．２５乃至０．８の範囲にあることを特徴とする請求項１または２に記載の易開栓性中栓。
【請求項４】  前記円周の径をＤ、容器口部の内径をＤ０としたとき、Ｄ／Ｄ０の比が１．０１乃至１．０９の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の易開栓性中栓。
【請求項５】  前記円周の径をＤ、突起部が位置する面上における凹部の最深部の径をＤ１、容器口部の内径をＤ０としたとき、各部の径が下記式
Ｄ＞Ｄ０＞Ｄ１
を満足する関係にあることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の易開栓性中栓。
【請求項６】  （Ｄ−Ｄ１）／Ｄの比が０．１乃至０．２５の範囲にあることを特徴とする請求項５に記載の易開栓性中栓。
【請求項７】  リブの数が６乃至２４個であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の易開栓性中栓。
【請求項８】  前記側壁部または底面部には開栓用把持部が設けられている請求項１乃至７の何れかに記載の易開栓性中栓。
【請求項９】  容器口部に螺子締結により着脱自在に装着される合成樹脂製の蓋体と、該蓋体と容器口部上端との間で挟持される合成樹脂製の中栓とから成り、前記蓋体には開閉可能な弁機構が設けられている中栓付容器蓋において、前記中栓が、容器口部の頂面または頂面乃至そのコーナー部と密封的に係合するフランジ部と、容器口部の内周面と係合する側壁部と、閉塞底面部とを備え、前記側壁部の外周には側壁部の高さ方向に延びるリブ部と凹部とが交互に多数配置され、前記各リブ部の中間にはフランジ面に平行な共通平面上でしかも共通な円周上に位置する突起部が形成されていることを特徴とする易開栓性中栓付容器蓋。
【請求項１０】  前記中栓はフランジ部外周に薄肉周縁部と側壁部に底面部とを有する中栓であり、前記蓋体は、水平フランジ部を備えた頂板部と、該水平フランジ部から垂下したスカート部とを備え、前記スカート部の内面には、容器口部の外面に形成された螺条と螺子係合する螺条が形成されていると共に、該螺条よりも上方であって且つ前記水平フランジ部とは小間隔を置いた位置に中栓係止用突起が形成されていることを特徴とする請求項９記載の易開栓性中栓付容器蓋。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
中栓の側壁部２は全体として円周状に形成されており、その内周面１３は、型抜きが容易に行えるように、下向きに径が小さくなるようなテーパー状に形成されている。一方、その外周面１０には、リブ部５と凹部６とが形成されているが、リブ部５のフランジ部２よりも下方に離隔した位置に、径外方向に最も膨出した突起部７が形成されている。突起部７の下方には、下向きに径が縮小するテーパー部が形成されていて、容器口部への打栓が容易に行えるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続された金属配線と、を有する電子源基板であって、前記素子電極は、金属ルテニウムと、酸化ルテニウムを少なくとも含み、表面に酸化ルテニウムを具備することを特徴とする電子源基板。
【請求項２】  前記金属配線は、構成元素の一部、或いは全てが、Ａｇであることを特徴とする請求項１に記載の電子源基板。
【請求項３】  前記基板は、前記素子電極或いは前記金属配線と接する部位において、主成分がシリカよりなることを特徴とする請求項１または２に記載の電子源基板。
【請求項４】  前記電子放出部を有する導電性薄膜は、ＰｄないしＰｄＯ、あるいはそれらの混合物よりなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子源基板。
【請求項５】  前記電子放出素子は、表面伝導型電子放出素子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子源基板。
【請求項６】  前記電子放出素子が複数個配置され、入力信号に応じて電子を放出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子源基板。
【請求項７】  前記電子放出素子を複数個並列に配置し、個々の素子の両端を前記金属配線に接続した電子放出素子の行を複数もち、更に、該電子放出素子に変調信号を印加する変調手段を有することを特徴とする請求項６に記載の電子源基板。
【請求項８】  互いに電気的に絶縁されたｍ本のＸ方向金属配線とｎ本のＹ方向金属配線とに、前記電子放出素子の一対の素子電極とを接続し、電子放出素子をマトリクス状に配列したことを特徴とする請求項６又は７に記載の電子源基板。
【請求項９】  ルテニウム金属を形成した後に該ルテニウム金属の表面を酸化処理することにより素子電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子源基板の製造方法。
【請求項１０】  インクジェット法により導電性薄膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の電子源基板の製造方法。
【請求項１１】  金属ぺーストの印刷と加熱焼成によって金属配線を形成する工程を有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子源基板の製造方法。
【請求項１２】  入力信号にもとづいて画像を形成する装置であって、少なくとも、画像形成部材と請求項１乃至８のいずれかに記載の電子源基板より構成されたことを特徴とする画像形成装置。