【事件の表示】
　平成　７年特許願第１７３８７５号「薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　１月１０日出願公開、特開平　９−　　７１２７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成　７年　６月１９日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１２年　５月２９日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　平成１２年　７月２７日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　８月１８日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　９月２８日
　手続補正書２　　　　　　　　　　　　平成１２年１０月２７日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１２月２１日
（書類名の後に付けた数字は、単に区別をするためのものである。）
　
２　手続補正書２による補正（以下、手続補正２という。）の概要及び取扱い
（１）　手続補正２は、手続補正書１による補正（以下、手続補正１という。）の【特許請求の範囲】
「【請求項１】　反強磁性膜を有する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を設けたスライダと、該スライダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であって、前記磁気抵抗効果素子近傍の前記スライダ又は前記ジンバルに配置されたペルチェ素子と、再生制御信号が再生動作を指示している際に前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を流す定電流回路と、前記再生制御信号が再生動作を指示している際に、前記ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に前記センス電流とは別個に電流を流す制御回路とを備えており、前記磁気抵抗効果素子の温度を前記反強磁性膜のネール温度より低く保つように構成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
　　【請求項２】　前記薄膜磁気ヘッドがインダクティブ型磁気記録素子をさらに備えており、前記制御回路は、前記再生制御信号が前記磁気抵抗効果素子に再生動作を指示している際及び記録制御信号が前記インダクティブ型磁気記録素子に記録動作を指示している際に前記ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流すように構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
　　【請求項３】　前記ペルチェ素子が、前記スライダの前記磁気抵抗効果素子と同じ面上であって該磁気抵抗効果素子の下側層に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク装置。
　　【請求項４】　前記ペルチェ素子が、前記スライダの前記磁気抵抗効果素子と同じ面上であって該磁気抵抗効果素子の上側層に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク装置。
　　【請求項５】　
前記ペルチェ素子が、前記スライダの浮上面とは反対側の面に設けられている
請求項１又は２
　　【請求項６】　
前記ペルチェ素子が、前記ジンバルの前記スライダへの取り付け部に設けられている
請求項１又は２
「【請求項１】　反強磁性膜を有する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を設けたスライダと、該スライダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であって、
前記スライダの浮上面とは反対側の面に設けられたペルチェ素子
　　【請求項２】　反強磁性膜を有する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を設けたスライダと、該スライダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であって、
前記ジンバルの前記スライダへの取り付け部に設けられたペルチェ素子
　　【請求項３】　前記薄膜磁気ヘッドがインダクティブ型磁気記録素子をさらに備えており、前記制御回路は、前記再生制御信号が前記磁気抵抗効果素子に再生動作を指示している際及び記録制御信号が前記インダクティブ型磁気記録素子に記録動作を指示している際に前記ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流すように構成されていることを特徴とする
請求項１又は２
　なお、下線は整理のために付与した。
　
（２）　手続補正２の請求項１は、文言の違いはあるが、実質的には手続補正１の請求項５の請求項１を引用したものである。
　手続補正２の請求項２は、文言の違いはあるが、実質的には手続補正１の請求項６の請求項１を引用したものである。
　手続補正２の請求項３の請求項１を引用したものは、文言の違いはあるが、実質的には手続補正１の請求項５の請求項２を引用したものである。
　手続補正２の請求項３の請求項２を引用したものは、文言の違いはあるが、実質的には手続補正１の請求項６の請求項２を引用したものである。
　そして、手続補正１の請求項５及び６は、それぞれ手続補正１の請求項１又は２のみを引用しているものであるので、手続補正２の内容は、実質的には手続補正１の請求項５及び６である。すなわち、手続補正２は、手続補正１の請求項１〜４を削除したものの相当する。手続補正２の補正時期は特許法第１７条の２第１項ただし書き第３号に該当し、その補正内容は同条第４項第１号に該当するから、手続補正２は認められる。
　
３　本願発明
　上記のとおりであるから、本件出願の特許請求の範囲請求項１〜３に係る発明は、手続補正２の請求項１〜３のとおりである。そしてその請求項１に係る発明を以下、本願発明という。
　
４　引用例記載の発明
（１）本件出願前公知の刊行物である特開平６−６０３３５号公報（公開日　平成６年３月４日、以下引用例１という。）の第３頁第３欄第１５行〜第２９行に、
「【００１３】
【実施例】以下、この発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの各実施例を図面とともに説明する。図１はこの発明の第一の実施例の概略図であり、１はＮｉＦｅ膜からなる磁気抵抗効果素子で、その両端部にＡｕ膜などからなる引き出し導体２ａ，２ｂが接合され、前記磁気抵抗効果素子１とこれに接合した引き出し導体２ａ，２ｂは、図示しない２つの磁気シールド間（再生ギャップに相当）に、図示しない非磁性絶縁層で電気的に絶縁されて配置されており、センス電流Ｊは前記引き出し導体２ａ，２ｂを通して、引き出し導体２ａ，２ｂによって画定された長方形の信号検出領域１ａに流れる。そして、磁気抵抗効果素子１は、図示しない磁気記録媒体からの信号磁界を前記信号検出領域１ａで受けて、抵抗変化として検知している点は、従来例と同じである。」
第３図及び第３頁第４欄第４行〜第２４行に、
「【００１８】図３はこの発明の第三の実施例の概略図であり、磁気抵抗効果素子１の一部１ｂが、ヘッド浮上面１ｃと反対の面の引き出し導体２ａ，２ｂ間に絶縁されて配置され、かつ、ペルチェ効果が大である異種の金属膜または半導体膜４，４’の接合部４ａと接合されて配置されており、この異種の金属膜または半導体膜４，４’は、図３の（ｂ）の側面図で示すように、絶縁層５を介して積層され、前記接合部４ａと反対側の異種の金属膜または半導体膜４，４’に接続された引き出し導体６ａ，６ｂから電流が供給されるようになっている。
【００１９】ここで、ペルチェ効果とは異種の金属または半導体の接合面を通じて電流が流れたとき、その接合面が冷却される現象をいう。この異種の半導体膜４，４’としては、たとえばＢｉ２Ｔｅ３に５〜２５％のＳｂ２Ｔｅ３を固溶させたＰ型半導体とＢｉ２Ｔｅ３に５〜２５％のＢｉ２Ｓｅ３を固溶させたＮ型半導体などがある。このようなＰ型半導体とＮ型半導体の接合部４ａの最大温度変化は約７０℃となる。したがって、磁気抵抗効果素子１で発生した熱は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合部４ａで冷却されて、磁気抵抗効果素子１の温度上昇が抑えられる。
【００２０】図４はこの発明の第四の実施例の概略図であり、前記第三の実施例と相違する点は、ペルチェ効果が大である異種の金属膜または半導体膜４，４’への電流の供給を、前記接合部４ａと反対側の異種の金属膜または半導体膜４，４’に接続された引き出し導体６ａ，６ｂを、磁気抵抗効果素子１へセンス電流を供給する引き出し導体２ａ，２ｂに接続して行うようにしたものである。」と記載されている。
　また、第２頁第１欄第２８行〜第３１行に、
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置などに用いられる薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するものである。」と記載されている。
　即ち、磁気抵抗効果素子１を有する磁気ディスク装置であって、ペルチェ効果が大である異種の金属膜または半導体膜４，４’の接合部４ａが磁気抵抗効果素子１と接合されて配置されており、センス電流Ｊは前記引き出し導体２ａ，２ｂを通して、引き出し導体２ａ，２ｂによって画定された長方形の信号検出領域１ａに流れ、前記接合部４ａと反対側の異種の金属膜または半導体膜４，４’に接続された引き出し導体６ａ，６ｂから電流が供給され、磁気抵抗効果素子１で発生した熱は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合部４ａで冷却されて、磁気抵抗効果素子１の温度上昇が抑えられる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが示されている。
　
（２）本件出願前公知の刊行物である特開平７−１４２７８３号公報（公開日　平成７年６月２日、以下引用例２という。）の第４頁第５欄第１３行〜第６欄第９行に、
「【００１９】
【実施例】図１を参照すると、図１は、磁気抵抗を利用する磁界を検出するセンサ１０を示す。図２は、磁気抵抗装置１１の図１の線２−２に沿って見た断面図である。磁気抵抗装置１１の基板１２は、後に形成される複数の層に対する基板即ちキャリアとして働く主要表面１３を有する。基板１２は、ガラス、サファイア、石英、マグネシウム酸化物、シリコン、絶縁層を有するシリコン若しくは砒化ガリウムがよい。強磁性材料の第１層１４は主要表面１３の上に形成される。
強磁性材料の第１層１４は、主要表面１３の上に形成される。第１層１４は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、これらの合金及びこれらの化合物からなる群から選択されることができる
【００２０】第３層１８の厚さは、１０Å乃至２００Åのレンジであり、望ましくは３０Å乃至１００Åのレンジである。
反強磁性材料の第４層２０
　即ち、
反強磁性材料の第４層２０
強磁性材料の第１層１４は、主要表面１３の上に形成され、
（３）本件出願前公知の刊行物である特開平５−５４３２８号公報（公開日　平成５年３月５日、以下引用例３という。）の第２頁第２欄第２９行〜第３頁第３欄第１８行に、
「【００１１】
【実施例】図１は本発明を浮上型ヘッドに適用した一実施例の断面図を示す。同図中、図３と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１２】
　図１において、ヘッドスライダー１２となる基板の後端面にはペルチェ素子２０を構成する半導体膜２１，２２が形成され、更に下部磁極１５が形成されている。
【００１３】
　ペルチェ素子２０は熱電性能指数Ｚの大きいものを用いる。例えば半導体膜２１をＢｉ２Ｔｅ３（ビスマス・テルル）に５〜２５％のＳｂ２Ｔｅ３（アンチモン・テルル）を固溶させたＰ型半導体で、半導体膜２２をＢｉ２Ｔｅ３に５〜２５％のＢｉ２Ｓｅ３（ビスマス・セレン）を固溶させたＮ型半導体で構成する。この場合、ＰＮ接合部（冷接点）の最大温度変化は略７０℃となる。
【００１４】
　なお、上記実施例では下部磁極１５とスライダー１２との間にペルチェ素子２０を配置しているが、下部磁極１５と上部磁極１４との間、又は上部磁極１４の上部表面にこのペルチェ素子２０を配設しても良い。
【００１５】
　図２は図１のヘッドを適用した磁気ディスク装置の記録再生回路の一実施例のブロック図を示す。
【００１６】
　図２において、端子３０ａ，３０ｂより入来するデータはライトゲート３１に供給される。ライトゲート３１は端子３２より供給されるライト制御信号がライトを指示するときにのみ、上記記録データライト回路３３に供給し、ライト回路３３はこの記録データに従ってコイル１３に書込み電流を流し、コイル１３と上部及び下部磁極１４，１５等で構成される薄膜磁気ヘッドにより記録媒体（図示せず）に記録を行なう。
【００１７】
　再生時にはライト指示でないライト制御信号によりライトゲート３１はゲートを閉じ、薄膜磁気ヘッドで再生された信号はコイル１３からアンプ３４で増幅された後、復調回路３５で復調され、得られた再生データが端子３６ａ，３６ｂより出力される。
【００１８】
　また、ライト制御信号３２はライトゲート３１の他にペルチェ素子制御回路４０に供給される。ペルチェ素子制御回路４０の制御方法としては次の３方式がある。」と記載されている。
　即ち引用例３には、浮上型ヘッドにおいて、ヘッドスライダー１２となる基板の後端面にはペルチェ素子２０を構成する半導体膜２１，２２を設け、ライト制御信号３２はライトゲート３１の他にペルチェ素子制御回路４０に供給し、薄膜磁気ヘッドを冷却することが示されている。
　
５　本願発明と引用例記載の発明との対比
（１）引用例１との対比
　引用例１の「冷却」は本願発明の「熱吸収」に相当するから、両者は次の点で一致する。
（一致点）
　薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であって、ペルチェ素子を設け、前記ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流すように構成したことを特徴とする磁気ディスク装置。」
　そして、両者は次の各点で相違している。
（相違点１）
　本願発明は、「反強磁性膜を有する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を設けたスライダと、該スライダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置」であるのに対して、引用例１のものは、「磁気抵抗効果素子１を有する磁気ディスク装置」であって、反共磁性膜、スライダ、ジンバルについての記載がない点、
（相違点２）　
　本願発明は、「前記スライダの浮上面とは反対側の面に設けられたペルチェ素子」であるが、引用例１のものは「ペルチェ効果が大である異種の金属膜または半導体膜４，４’の接合部４ａが磁気抵抗効果素子１と接合されて配置されて」おり、スライダ及びスライダとの位置関係について記載されていない点、
（相違点３）
　本願発明は、「再生制御信号が再生動作を指示している際に前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を流す定電流回路」を有するのに対して、引用例１のものは、「センス電流Ｊは前記引き出し導体２ａ，２ｂを通して、引き出し導体２ａ，２ｂによって画定された長方形の信号検出領域１ａに流れ」るが、「再生制御信号が再生動作を指示している際」、及び「定電流回路」についてに記載はない点、
（相違点４）
　本願発明は、「前記センス電流とは別個に電流を流す制御回路とを備えて」いるが、引用例１のものは、「異種の金属膜または半導体膜４，４’に接続された引き出し導体６ａ，６ｂから電流が供給され、冷却」しているが、別個の制御回路を有するとは記載されていない点、　
（相違点５）
　本願発明は、「前記磁気抵抗効果素子の温度を前記反強磁性膜のネール温度より低く保つように構成した」が、引用例１のものは、保つ温度についての記載がない点。
　
（２）相違点の検討
　ａ）相違点１について
　引用例２にも示されるように、反強磁性膜を有する磁気抵抗素子は、よく知られている。そしてまた、引用例３に示されているように、浮上型ヘッドもよく知られており、その浮上型ヘッドにはジンバルがあることは当然である。そして、反強磁性膜を有する浮上型ヘッドは、特開平６−２３６５２７号公報に見られるように周知である。従って、この相違点１は格別ではない。
　
　ｂ）相違点２について
　本件出願において、
「【００２５】
　図４は本発明の他の実施形態を示しており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンションの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
【００２６】
　同図において、４０はサスペンション、４１はサスペンション４０の先端部に取り付けられたジンバル、４２はジンバル４１に取り付けられた磁気ヘッドスライダ、４３は磁気ディスクをそれぞれ示している。本実施形態における磁気ヘッドは、図１の実施形態の場合と同様にＭＲ型再生ヘッドとインダクティブ型磁気記録ヘッドとを備えた複合型薄膜磁気ヘッドであり、ペルチェ素子の取り付け位置を除いてその構成は図１の実施形態の磁気ヘッドと全く同じ構成となっている。即ち、図１の実施形態の磁気ヘッドでは、ペルチェ素子がＭＲ素子より下側層（スライダ基板側）に積層されているが、本実施形態ではペルチェ素子４４がＭＲ素子（及びインダクティブ記録ヘッド）より上側の層として、例えば図１の保護膜２４の上に形成されている。もちろん、ペルチェ素子４４はＭＲ素子の近傍位置に設けられている。
【００２７】
　図５は、本実施形態におけるペルチェ素子４４の構成を示す断面図である。図１に示した保護膜２４等からなる基板４５上に絶縁膜４６（本実施形態ではなくともよい）を介して半導体膜４４ａ及び４４ｂ（組成等は図１の実施形態における半導体膜１２ａ及び１２ｂとそれぞれ同じ）が積層されており、その上に絶縁膜４７が形成されている。半導体膜４４ａ及び４４ｂは導体４８ａ及び４８ｂを介してペルチェ素子制御回路に接続されている。このペルチェ素子制御回路の構成及び動作は、図１の実施形態の場合と全く同じである。
【００２８】
　本実施形態における動作及び作用効果も図１の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略する。
【００２９】
　図６は本発明のさらに他の実施形態を示しており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンションの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
【００３０】
　同図において、６０はサスペンション、６１はサスペンション６０の先端部に取り付けられたジンバル、６２はジンバル６１に取り付けられた磁気ヘッドスライダ、６３は磁気ディスク、６５はＭＲ素子及びインダクティブ型磁気記録素子等による読み書き素子をそれぞれ示している。本実施形態は、ペルチェ素子の取り付け位置を除いて図４の実施形態と全く同じ構成となっている。即ち、本実施形態ではペルチェ素子６４がスライダ６２の浮上面とは反対側の面でＭＲ素子の近傍位置に設けられている。
【００３１】
　本実施形態における動作及び作用効果も図４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略する。
【００３２】
　図７は本発明のまたさらに他の実施形態を示しており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンションの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
【００３３】
　同図において、７０はサスペンション、７１はサスペンション７０の先端部に取り付けられたジンバル、７２はジンバル７１に取り付けられた磁気ヘッドスライダ、７３は磁気ディスク、７５はＭＲ素子及びインダクティブ型磁気記録素子等による読み書き素子をそれぞれ示している。本実施形態は、ペルチェ素子の取り付け位置を除いて図４の実施形態と全く同じ構成となっている。即ち、本実施形態ではペルチェ素子７４がスライダ７２に取り付けられたジンバル７１上でＭＲ素子の近傍位置に設けられている。
【００３４】
　本実施形態における動作及び作用効果も図４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略する。」と述べられている。
　即ち、【００２６】で、引用例３のようなＭＲ膜とペルチェ素子が積層された型を述べ、【００３０】で、本願発明１の型を、【００３３】で請求項２の型のものを述べており、【００３１】、【００３４】で、本実施形態における動作及び作用効果も図４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略するとしていることからも、ペルチェ素子の位置を前記スライダの浮上面とは反対側の面することは、格別のことではない。
　
　ｃ）相違点３について
　引用例１においても、センス電流を流しており、再生動作をしているときに流すこと、及び定電流電源とすることは、必要のない時に電流を流さず、安定した電流によって測定することから見て、当業者が任意に設定できた事項であり、この相違点３は格別のものではない。
　
　ｄ）相違点４について
　引用例３には、浮上型ヘッドにおいて、ヘッドスライダー１２となる基板の後端面にはペルチェ素子２０を構成する半導体膜２１，２２を設け、ライト制御信号３２はライトゲート３１の他にペルチェ素子制御回路４０に供給し、薄膜磁気ヘッドを冷却することが示されている。そして、このペルチェ素子制御回路４０は、センス電流とは別個に電流を流す制御回路と見ることができる。引用例１の引き出し導体６ａ，６ｂに供給する電流を、引用例３のペルチェ素子制御回路４０からとすることは当業者が容易になしえることであり、この相違点４も格別ではない。
　
　ｅ）相違点５について
　引用例２には、磁気抵抗を利用する磁界を検出するセンサ１０と磁気抵抗（ＭＲ）装置１１をネール温度よりも低い温度に冷却するために、冷却装置４２がこのＭＲ装置１１に熱的に結合することが示されており、ネール温度より低い温度にすることは格別のことではない。
　
　ｆ）相違点１〜５について
　相違点１〜５を総合的に見ても、格別のことが認められない。
　してみると、本願発明は、上記引用例１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　まとめ
　本願発明は、引用例１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。してみると、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れない。
　よって結論のとおり審決する。