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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持基板と、該支持基板上に形成された半導体層とを備えた複合基板を有する電気光学装置の製造方法において、
前記支持基板上に形成された半導体膜を薄層化して前記半導体層を形成する工程が、
前記半導体膜上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を平坦化する工程と、
前記半導体膜を犠牲酸化する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】  前記半導体層は絶縁層を介して前記支持基板上に形成され、
前記犠牲酸化後の半導体膜上における酸化膜の膜厚を、前記絶縁層の層厚と該絶縁層上における酸化膜の膜厚との合計の厚さより薄くすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】  前記犠牲酸化後の半導体膜上における酸化膜の膜厚を、前記絶縁層上における酸化膜の膜厚より薄くすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】  前記半導体膜上に酸化膜を形成する工程以前に、前記半導体膜をパターニングする工程を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】  前記パターニングされた半導体膜の非形成領域を含む支持基板上に、前記酸化膜を成膜法により形成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】  前記半導体層を、層厚の異なる複数の領域に分割して形成することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】  前記半導体層が単結晶半導体層であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】  前記酸化膜の前記平坦化は、ＣＭＰにより行われることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】  支持基板と、該支持基板上に形成された半導体層とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記支持基板上に形成された半導体膜を薄層化して前記半導体層を形成する工程が、
前記半導体膜上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を平坦化する工程と、
前記平坦化された酸化膜側から前記半導体膜を犠牲酸化する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記半導体層は絶縁層を介して前記支持基板上に形成され、
前記犠牲酸化後の半導体膜上における酸化膜の膜厚を、前記絶縁層の層厚と該絶縁層上における酸化膜の膜厚との合計の厚さより薄くすることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  前記犠牲酸化後の半導体膜上における酸化膜の膜厚を、前記絶縁層上における酸化膜の膜厚より薄くすることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  前記半導体膜上に酸化膜を形成する工程以前に、前記半導体膜をパターニングする工程を有することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  前記半導体層が単結晶半導体層であることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  前記酸化膜の前記平坦化は、ＣＭＰにより行われることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
住宅に設けられた負荷に電力を供給する電力供給システムであって、
前記負荷に電力を供給する燃料電池と、
前記住宅のドアに設けられ、第１の施錠状態及び第２の施錠状態を有する錠が施錠された場合において、前記錠が前記第１の施錠状態で施錠された場合には前記燃料電池の発電量を維持し、前記錠が前記第２の施錠状態で施錠された場合には前記燃料電池の発電量を減少させる、発電制御部と
を備える電力供給システム。
【請求項２】
前記錠は、電気的手段により施錠される
請求項１に記載の電力供給システム。
【請求項３】
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部より施錠された場合において、前記錠が前記第１の施錠状態で施錠された場合には前記燃料電池の発電量を維持し、前記錠が前記第２の施錠状態で施錠された場合には前記燃料電池の発電量を減少させる
請求項１に記載の電力供給システム。
【請求項４】
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部から施錠されてから予め定められた時間が経過した場合に、前記燃料電池の発電量を減少させる請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項５】
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部から施錠されてから予め定められた時間内において、前記負荷の需要電力が変動した場合に、前記燃料電池の発電量を維持させる請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項６】
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部から施錠された場合に、前記燃料電池の発電量を、前記負荷の待機電力に応じた電力まで減少させる請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項７】
前記燃料電池は、前記住宅に供給されるガスを燃料として電力を発電し、
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部から施錠された場合に、前記燃料電池への前記ガスの供給を停止させる請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項８】
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部から施錠された場合に、前記住宅への前記ガスの供給を停止させる請求項７に記載の電力供給システム。
【請求項９】
前記燃料電池により充電される蓄電池を更に備え、
前記発電制御部は、前記錠が前記住宅の外部から施錠された場合に、前記燃料電池の発電を停止させ、前記蓄電池から前記負荷に電力を供給させる請求項３に記載の電力供給システム。
【請求項１０】
前記発電制御部は、前記蓄電池から前記負荷に供給される電力が、予め定められた期間、予め定められた電力値以上である場合に、前記燃料電池を起動し、前記燃料電池から前記負荷に電力を供給させる請求項９に記載の電力供給システム。
【請求項１１】
前記住宅は複数の負荷を備え、
前記錠が前記住宅の外部から施錠された場合に、予め定められた前記負荷に前記蓄電池から電力を供給させる負荷制御部を更に備える請求項９に記載の電力供給システム。
【請求項１２】
前記発電制御部は、前記蓄電池の蓄電量が予め定められた蓄電量より少なくなった場合に、前記燃料電池を起動して前記蓄電池を充電する請求項９に記載の電力供給システム。
【請求項１３】
前記発電制御部は、前記蓄電池の蓄電量が、前記負荷に予め定められた時間電力を供給できる蓄電量より少なくなった場合に、前記燃料電池を起動して前記蓄電池を充電する請求項１２に記載の電力供給システム。
【請求項１４】
前記発電制御部は、前記錠が解錠された場合に、前記燃料電池を起動することを特徴とする請求項１に記載の電力供給システム。
【請求項１５】
前記発電制御部は、前記錠が前記第１の施錠状態に施錠された場合に前記燃料電池の発電量を減少させて前記負荷に電力を供給させ、前記錠が前記第２の施錠状態に施錠された場合に前記燃料電池を停止させて前記蓄電池から前記負荷に電力を供給させる請求項９に記載の電力供給システム。
【請求項１６】
前記発電制御部は、前記錠が前記第１の施錠状態又は前記第２の施錠状態に施錠された場合に前記燃料電池を停止させ、前記錠が前記第１の施錠状態に施錠された場合、前記蓄電池の蓄電量が予め定められた第１蓄電量より小さくなったときに前記燃料電池を起動して前記蓄電池を充電させ、前記錠が前記第２の施錠状態に施錠された場合、前記蓄電池の蓄電量が前記第１蓄電量より大きい第２蓄電量より小さくなったときに前記燃料電池を起動して前記蓄電池を充電させる請求項９に記載の電力供給システム。
【請求項１７】
住宅の負荷に電力を供給する燃料電池と、
前記住宅の内部と外部との間に設けられたドアと、
前記住宅のドアに設けられ、第１の施錠状態及び第２の施錠状態を有する錠が施錠された場合において、前記錠が前記第１の施錠状態で施錠された場合には前記燃料電池の発電量を維持し、前記錠が前記第２の施錠状態で施錠された場合には前記燃料電池の発電量を減少させる、発電制御部と
を備えた住宅。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（１０）と、
通常位置と押し込み位置との間で軸線方向に移動するように前記ハウジング（１０）に取り付けられた押しボタン（１２）とを含み、
前記押しボタン（１２）は、前記通常位置にばね負荷されており、弾性的に取り付けられたカムエレメント（２４）を支持しており、
少なくとも一つのマイクロスイッチ（１４）が、前記ハウジング（１０）内に配置されており、
スイッチ作動ロッカーが、枢動できるように、前記ハウジング（１０）内に取り付けられており、
前記スイッチ作動ロッカーは、
前記マイクロスイッチ（１４）を作動するための作動アーム（２０）と、前記カムエレメント（２４）が係合する伝達アーム（１８）とを有しており、
それによって、
前記押しボタン（１２）が前記通常位置にあるときに、前記作動ロッカーが前記通常位置に保持され、
前記押しボタン（１２）を最初に押し込んだときに、前記作動アーム（２０）が前記マイクロスイッチ（１４）から遠ざかる方向に移動し、
前記押しボタン（１２）をその押し込み位置に移動するときに、前記作動アームが、前記マイクロスイッチ（１４）を作動する位置に移動し、
前記押しボタン（１２）を前記押し込み位置から前記通常位置に戻すときに、前記作動ロッカーがその通常位置に押圧され、
前記カムエレメント（２４）は、前記押しボタン（１２）に枢着されたカムレバー（２２）に形成されており、
前記カムレバー（２２）は、前記通常位置と前記押し込み位置との間の前記押しボタン（１２）の作動ストロークに対して概ね平行に配向されている、押しボタンスイッチ。
【請求項２】
請求項１に記載の押しボタンスイッチにおいて、
前記押しボタン（１２）の前記押し込み位置から前記通常位置への戻り移動の第１相中、前記マイクロスイッチ（１４）は、前記作動アーム（２０）によって押圧され、作動状態のままである、押しボタンスイッチ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の押しボタンスイッチにおいて、
前記ハウジング（１０）内に配置されており、前記作動ロッカーによって同時に作動される一対のマイクロスイッチ（１４、１６）を備えた、押しボタンスイッチ。
【請求項４】
請求項３に記載の押しボタンスイッチにおいて、
前記マイクロスイッチ（１４、１６）は、互いに隣接して平行に配置されており、
前記作動ロッカーは、各マイクロスイッチ毎に別々の作動アーム（２０ａ、２０ｂ）を有する、押しボタンスイッチ。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちのいずれか一項に記載の押しボタンスイッチにおいて、
前記カムレバー（２２）は二つの傾斜面を有しており、
前記二つの傾斜面は、互いに近寄って頂部を形成し、これにより、前記カムエレメント（２４）が形成されている、押しボタンスイッチ。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の押しボタンスイッチにおいて、
圧力ばね（２６）が、前記カムレバー（２２）の自由端と、前記押しボタン（１２）に形成された支持面との間に挿入されている、押しボタンスイッチ。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちのいずれか一項に記載の押しボタンスイッチにおいて、
前記作動ロッカーは、前記通常位置と前記押し込み位置との間の前記押しボタン（１２）の作動ストロークに対して概ね垂直な配向を有する、押しボタンスイッチ。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちのいずれか一項に記載の押しボタンスイッチにおいて、
自動車で使用される、ことを特徴とする押しボタンスイッチ。
【請求項９】
請求項８に記載の押しボタンスイッチにおいて、
電動モータ作動式のパーキングブレーキを作動するために使用される、ことを特徴とする押しボタンスイッチ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
ボタン１２は、その通常位置では、図１に示すように、ボタン１２とハウジング１０の底部との間に取り付けられた戻しばね２８によって通常位置が保持されるようにばね負荷されている。この通常位置では、カムレバー２２の端部にある一方の傾斜面は、圧縮ばね２６によって、伝達アーム１８の縁部と接触した状態に保持される。このようにして、これと同時に、作動アーム２０がマイクロスイッチ１４、１６から離れた通常位置に、スイッチ作動ロッカーが保持される。ボタン１２を押すと、レバー２２が伝達アーム１８に道をあけ、圧縮ばね２６の力に抗して枢動する。作動カムエレメント２４の頂部が、伝達アーム１８の自由端の縁部に達し、これを越えて移動したとき、カムエレメント２４は、伝達アーム１８の縁部の後側といきなり係合する。これと同時に、伝達アーム１８の縁部がカムエレメント２４の他の傾斜面上を摺動し、カムレバー２２が圧縮ばね２６によってもとの場所へ枢動し、その結果、伝達アーム１８は図２に示す位置に枢動する。ロッカーのこの切り替え位置では、作動アーム２０の脚部２０ａ、２０ｂの作動ヘッドが、マイクロスイッチ１４、１６のタペットに押し付けられ、これらを作動する。この切り替え手順は、かくして、スナップ作用即ち死点を越える作用と同様の作用で、非常に短時間で行われる。この際、伝達アーム１８の縁部は、カムエレメント２４の頂部を越えて摺動する。ボタン１２が押し込まれたままである限り、両マイクロスイッチ１４、１６は作動されている。ボタン１２を離すと、戻しばね２８により図１に示す通常位置に戻される。このプロセスでは、レバー２２が再び伝達アーム１８に道をあける。この目的のため、圧縮ばね２６は、戻しばね２８の力に対して寸法が定められていなければならない。カムエレメント２４の頂部が伝達アーム１８の縁部を越えて移動すると直ぐに、スイッチ作動ロッカーが図１に示す休止位置に跳ね返って戻り、次いでこの位置に固定された状態に保持される。これは、伝達アーム１８の端部がカムレバー２２の端部にある一方の傾斜面に載っているためである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｐ型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成され、その中にＰチヤネル型トランジスタが形成されるＮウエルと、
前記Ｎウエルの中に形成され、その中にＮチヤネル型トランジスタが形成されるＰウエルと、を有し、前記Ｎウエルを縦型ＮＰＮバイポ−ラトランジスタのコレクタとして用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記Ｐウエルを縦型ＮＰＮバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記Ｐウエルを横型ＮＰＮバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】  前記Ｎウエル中にこのＮウエルより浅い第２のＮウエルを形成し、この第２のＮウエルを縦型ＰＮＰバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】  前記Ｎウエル中にこのＮウエルより浅い第２のＮウエルを形成し、この第２のＮウエルを横型ＰＮＰバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】  Ｐ型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成され、その中にＰチャネル型トランジスタが形成された第１のＮウエルと、
前記第１のＮウエルの中に形成され、その中にＮチャネル型トランジスタが形成された第１のＰウエルと、
前記半導体基板上に前記第１のＮウエルと離れて形成された第２のＮウエルと、を備え、前記第２のＮウエルが縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタとして用いられ、前記第１のＮウエルと前記第２のＮウエルが同一工程で同時に形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  前記第２のＮウエルの中に形成された第２のＰウエルを備え、
この第２のＰウエルは前記第１のＰウエルと同一工程で同時に形成され、この第２のＰウエルが前記縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースとして用いられていることを特
徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】  前記半導体基板の表面に、前記第１及び第２のＮウエルと同一工程で同時に形成された第３のＮウエルと、この第３のＮウエル中に形成された第３のＰウエルとを備え、この第３のＰウエルは前記第１のＰウエルと同一工程で同時に形成され、前記第３のＰウエルを横型ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースとして用いることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】  前記第１のＮウエル中にこの第１のＮウエルより浅い第４のＮウエルが形成され、この第４のＮウエルの中に前記Ｐチャネル型トランジスタが形成され、さらに前記半導体基板上に前記第４のＮウエルと同一工程で同時に形成された第５のＮウエルを備え、前記第５のＮウエルを横型ＰＮＰバイポーラトランジスタのベースとして用いることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項１０】  前記第１のＮウエル中にこの第１のＮウエルより浅い第４のＮウエルが形成され、この第４のＮウエルの中に前記Ｐチャネル型トランジスタが形成され、さらに前記半導体基板上に前記第４のＮウエルと同一工程で同時に形成された第６のＮウエルを備え、前記第６のＮウエルを縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタのベースとして用いることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明の半導体装置は、Ｐ型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成され、その中にＰチヤネル型トランジスタが形成されるＮウエルと、前記Ｎウエルの中に形成され、その中にＮチヤネル型トランジスタが形成されるＰウエルと、を有し、前記Ｎウエルを縦型ＮＰＮバイポ−ラトランジスタのコレクタとして用いることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記Ｐウエルを縦型ＮＰＮバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする。
更に、前記Ｐウエルを横型ＮＰＮバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする。
また、前記Ｎウエル中にこのＮウエルより浅い第２のＮウエルを形成し、この第２のＮウエルを縦型ＰＮＰバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする。
更に、前記Ｎウエル中にこのＮウエルより浅い第２のＮウエルを形成し、この第２のＮウエルを横型ＰＮＰバイポ−ラトランジスタのベ−スとして用いることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、Ｐ型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成され、その中にＰチャネル型トランジスタが形成された第１のＮウエルと、前記第１のＮウエルの中に形成され、その中にＮチャネル型トランジスタが形成された第１のＰウエルと、前記半導体基板上に前記第１のＮウエルと離れて形成された第２のＮウエルと、を備え、前記第２のＮウエルが縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタとして用いられ、前記第１のＮウエルと前記第２のＮウエルが同一工程で同時に形成されたことを特徴とする。
また、前記第２のＮウエルの中に形成された第２のＰウエルを備え、この第２のＰウエルは前記第１のＰウエルと同一工程で同時に形成され、この第２のＰウエルが前記縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースとして用いられていることを特徴とする。
更に、前記半導体基板の表面に、前記第１及び第２のＮウエルと同一工程で同時に形成された第３のＮウエルと、この第３のＮウエル中に形成された第３のＰウエルとを備え、この第３のＰウエルは前記第１のＰウエルと同一工程で同時に形成され、前記第３のＰウエルを横型ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースとして用いることを特徴とする。
また、前記第１のＮウエル中にこの第１のＮウエルより浅い第４のＮウエルが形成され、この第４のＮウエルの中に前記Ｐチャネル型トランジスタが形成され、さらに前記半導体基板上に前記第４のＮウエルと同一工程で同時に形成された第５のＮウエルを備え、前記第５のＮウエルを横型ＰＮＰバイポーラトランジスタのベースとして用いることを特徴とする。
更に、前記第１のＮウエル中にこの第１のＮウエルより浅い第４のＮウエルが形成され、この第４のＮウエルの中に前記Ｐチャネル型トランジスタが形成され、さらに前記半導体基板上に前記第４のＮウエルと同一工程で同時に形成された第６のＮウエルを備え、前記第６のＮウエルを縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタのベースとして用いることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本実施形態によれば、ＣＭＯＳトリプルウエルプロセスを用いて、特別な追加工程を用いることなく、ＣＭＯＳに加えて、４種類のバイポーラトランジスタ、すなわち、縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタ３０、横型ＮＰＮバイポーラトランジスタ４０、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタ５０、縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタ６０を同一半導体基板１上に形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の主面上に形成された第１導電型の拡散層に接続されたアノード電極と前記主面上の第２導電型の拡散層に接続されたカソード電極とを有する半導体装置であって、
前記アノード電極を離間して挟むように、一対の前記カソード電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  半導体基板の主面上に形成された第１導電型の拡散層に接続されたアノード電極と前記主面上の第２導電型の拡散層に接続されたカソード電極とを有する半導体装置であって、
前記アノード電極を離間して挟むように形成された一対の前記カソード電極を備え、
一対の前記カソード電極は、前記アノード電極を中心として対称になるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  （ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板の主面上に形成され、第１導電型の拡散層に接続された１つのアノード電極と、
（ｃ）前記アノード電極上に形成された第１バンプ電極と、
（ｄ）前記半導体基板の主面上の第２導電型の拡散層に接続されて形成された一対のカソード電極と、
（ｅ）一対の前記カソード電極上に形成された一対の第２バンプ電極とを備え、
前記第１バンプ電極を離間して挟むように、一対の前記第２バンプ電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  （ａ）第１導電型の不純物を導入した半導体基板を用意する工程と、
（ｂ）前記半導体基板上にイントリンシックな第１半導体層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１半導体層の第１領域に第１導電型とは異なる導電型の不純物を導入して第２半導体層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１半導体層の第２領域内に第１導電型の不純物を導入して、前記第２半導体層を離間して囲む第３半導体層を形成する工程と、
（ｅ）前記第２半導体層上にアノード電極を形成する工程と、
（ｆ）前記第３半導体層上に、前記アノード電極を離間して挟むように一対のカソード電極を形成する工程と、
（ｇ）前記アノード電極上に第１バンプ電極を形成し、一対の前記カソード電極上に一対の第２バンプ電極を形成する工程とを備え、
前記第１バンプ電極を離間して挟むように、一対の前記第２バンプ電極が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  （ａ）第１導電型の不純物を導入した半導体基板を用意する工程と、
（ｂ）前記半導体基板上に第１導電型の不純物を導入した第４半導体層を形成する工程と、
（ｃ）前記第４半導体層の第１領域内に第１導電型の不純物を導入した層であって、前記半導体基板に達する第５半導体層を形成する工程と、
（ｄ）前記第４半導体層の第２領域内に第１導電型の不純物を導入した第６半導体層を形成する工程と、
（ｅ）前記第４半導体層内であって、前記第６半導体層上に、第１導電型とは異なる導電型の不純物を導入して第７半導体層を形成する工程と、
（ｆ）前記第４半導体層内に第１導電型の不純物を導入することにより、前記第５半導体層に電気接続するように形成された層であって、前記第７半導体層を離間して囲む第８半導体層を形成する工程と、
（ｇ）前記第７半導体層上にアノード電極を形成する工程と、
（ｈ）前記第８半導体層上に、前記アノード電極を離間して挟むように一対のカソード電極を形成する工程と、
（ｉ）前記アノード電極上に第１バンプ電極を形成し、一対の前記カソード電極上に第２バンプ電極を形成する工程とを備え、
前記第１バンプ電極を離間して挟むように一対の前記第２バンプ電極が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このフェイスダウンボンディングは、チップの同一表面に形成されたアノード電極とカソード電極上にバンプ電極を形成し、このバンプ電極を形成した面を下向きにして基板上の配線パターンに半導体チップを直接接続するものである。また、ガンダイオードの表面部分の中央部分にアノード電極のバンプを、アノード電極のバンプの両側にカソード電極のバンプを突出して形成してマイクロストリップ線路に実装する技術がある（例えば、特許文献２参照）。また、インジウム燐ガンダイオードの放熱性、平面回路への実装容易性のために基板の表面の中央部分にカソード電極のバンプを、カソード電極バンプの両側にアノード電極のバンプを突出して形成する技術がある（例えば、特許文献３参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１５０９１８号公報（第３頁〜第４頁、図１）
【特許文献２】特開２００２−３６８３０９号公報（段落〔００１９〕〜〔００２０〕、図１、図２）
【特許文献３】特開２００１−１８５７８１号公報（段落〔００３６〕〜〔００４２〕、段落〔００４９〕、図１、図２）
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
内側に屈曲されたフック部を有し幅広の頭部からなる係止端部と配線基板に接続される端子部との間に幅狭の首部を経て接点部が形成された導電性の薄板帯状片からなるコンタクトと、
前記係止端部の頭部の幅長より幅狭の頭部開口と、前記首部の幅長より幅広の開口を有し該開口幅部に肩段部を有する首部開口と、該首部開口より幅広で前記接点部の幅長より幅広の脚部開口を有し、前記頭部から脚部に至っての各開口が連通された一つの細長開口からなり、該細長開口が一側壁面に形成された空洞を有する絶縁ハウジングと、を備え、
前記コンタクトを前記絶縁ハウジングの空洞内へ、前記接点部を前記端子部方向へ撓め、前記絶縁ハウジング底壁の開口から前記細長開口内に沿って、前記接点部の首部を前記絶縁ハウジングの首部開口を通過させて、前記接点部が前記絶縁ハウジングの一側壁面へ突出するように収容し、前記コンタクトを前記空洞内に収容した後に、前記接点部の首部上の顎部が前記開口両端の肩段部に係止されることを特徴とする電気コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３は補強金具を示し、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図、同図（ｃ）は上面図である。この補強金具４０は、ほぼＬ字状をなし短辺の縦片４１と、長辺の横片４２と、この横片からほぼ９０°に折曲された折曲片４３とからなり、所定厚の金属板から打ち抜き屈曲加工により形成される。折曲片４３の長さｄ６は、ハウジング隔壁２６の幅ｄ５の半分（１/２）より短い長さに設定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、図４を参照して、コンタクトをハウジングに挿入する工程を説明する。先ず、一方の側端が他の側端より若干長い冶具５０をコンタクト３０の下方から挿入する。その際、冶具の長側端５１ａをコンタクト３０の接点部３３に、短側端５１ｂを端子部３２の逆Ｕ字状部に挿入されるように矢印Ｙ２の向きに挿入する。（図４（ａ））。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態に係る電気コネクタの斜視図、
【図２】  図１のコネクタを分解した分解斜視図、
【図３】  補強金具を示した詳細図、
【図４】  コンタクトの組立て工程を断面図で説明する説明図、
【図５】  図１のコネクタを所定の方向から示したもので、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図、同図（ｃ）は底面図、同図（ｄ）は側面図、
【図６】  図５の断面を示し、同図（ａ）はＡ−Ａ、同図（ｂ）はＢ−Ｂ、同図（ｃ）はＣ−Ｃの断面図、
【図７】  従来技術のコネクタを示し、同図（ａ）はコネクタの正面図、同図（ｂ）、（ｃ）は図（ａ）のＡ−Ａの断面図、
【図８】  他の従来技術のコネクタを示し、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は図（ａ）のＢ−Ｂに沿った断面図を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図８】
2004311264.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記のコネクタ１０は、以下の方法で配線板５５へ装着される。
最初に、ハウジング２０にコンタクト３０を挿入する。図４を参照して、先ず、一方の側端が他の側端より若干長い冶具５０をコンタクト３０の下方から挿入する。その際、冶具の長側端５１ａをコンタクト３０の接点部３３に、短側端５１ｂを端子部３２の逆Ｕ字状部に挿入されるように矢印Ｙ２の向きに挿入する。（図４（ａ））。冶具５０の長側端５１ａが接点部３３に押し込まれると、コンタクト３０は折り畳まれた状態で接点部３３が端子部３２の方向へ接近される。この状態を維持したままコンタクト３０をハウジング底壁の開口２３から挿入する。
すると、接点部３３の首部３３ｂの幅長ｄ'３が、開口２２の首部開口２２ｂの幅長ｄ３より短長になっているので、接点部３３の首部３３ｂが首部開口２２ｂをスムーズに通り抜けができることになる。そして、コンタクトの端子部３２は、空洞内の溝部２４ａへ挿入され、中間ばね部３１、接点部３３及び係止端部３４は、空洞内の室２４ｂへ挿入される。
その際に、コンタクト３０は折り畳まれて接点部３３が端子部３２の方向へ接近され、この折り畳みに伴って、係止端部３４の顔部３４ａ及び頭部３４ｂも端子部３２の方向へ撓んで近づいているので、接点部３３の首部３３ｂが首部開口２２ｂをスムーズに通り抜ける際に障害にならず、係止端部３４は空洞２１内へ挿入でき、この係止端部３４は開口２２ａから覗くと空洞２１の奥に位置することになる。（図４（ｂ）〜（ｄ））。
その後、冶具を下方Ｙ３へ引き抜く。すると、コンタクトの接点部３３は、冶具の側端の押さえが解かれ、接点部３３がハウジング２０の外方へ突出する。この状態では、係止端部３４の頭部３４ｂは、その両端がハウジング３０の開口の両側壁に接触し、接点部３３が更に外方へ飛び出ることはない。（図４（ｅ））。
この組立て方法によると、コンタクト３０を冶具５０で支え、ハウジング２０の下方開口２３から空洞内へ挿入するだけで、コンタクト３０をハウジング２０へ装着できるので、上記従来技術のように、複数の工程が必要でなく生産効率の向上を達成できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次いで、補強金具４０をハウジング２０に取付ける。その取付けは、図１、２、及び図５（ｃ）を参照して、横片４２の折曲片４３がハウジング２０の表壁面２０ａに突出するようにして、横片４２の一部を横溝２５ｂに、縦片４１をハウジング２０の縦溝２５ａにそれぞれ圧入して固定する。
その後、各コンタクト３０の端子部の折曲部３２ａと、一対の補強金具の折曲片４３とを半田槽（図示省略）に漬けて配線板５５に半田接続する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図５は、上記の手順でハウジングに３本のコンタクト及び一対の補強金具を取付け配線板に実装した状態を示し、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図、同図（ｃ）は図（ａ）Ａ−Ａの断面図である。
図５（ｂ）に示すように、コネクタ１０は、ハウジング２０の表面壁２０ａ側では一対の補強金具４０１、４０２の折曲片４３１、４３２で、また裏面壁２０ｂ側ではコンタクトの端子部３２ａ１〜３２ａ３で配線板に半田接続されることになる。すなわち、コネクタ１０は、補強金具４０１の折曲片４３１と各コンタクト３０１、３０２の端子部３２ａ１、３２ａ２とを線（点線図示）で結んで形成される三角形の各頂点で固定され、また、補強金具４０２の折曲片４３２と各コンタクト３０２、３０３の端子部３２ａ２、３２ａ３とを線（点線図示）で結んで形成される三角形の各頂点で固定されることになる。その結果、一般的な支持固定構造として、３点での支持構造が最も安定していると言われていることから、上記コネクタ１０は、一対の補強金具と各コンタクトとで３点支持により配線板に固定されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記の実施形態のコネクタ１０は、３本のコンタクトをハウジングに収容したものであったが、コンタクト数は３本に限定されず、２本以上であれば、配線板への安定した固定が実現できる。図６は３本以上のコンタクトを用いたコネクタを示し、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図である。
このコネクタ１０１は、ハウジング２０１に３本以上の補強金具４０１〜４０Ｘを収容した構成からなり、コネクタ本数を増やし、これに伴ってハウジングの大きさを変更しただけで、ハウジング及びコンタクトの構造はコネクタ１０のものと同じである。したがって、説明の重複を避けこれらの説明を省略する。
このコネクタ１０１は、ハウジング２０１の表面壁２０ａ側では一対の補強金具４０１〜４０Ｘの折曲片４３１〜４３Ｘで、また裏面壁２０ｂ側ではコンタクト３０の端子部３２１〜３２Ｘで配線板に半田接続される。これにより、コネクタ１０１は、補強金具４０１の折曲片４３１と各コンタクト３０１、３０２の端子部３２ａ１、３２ａ２とを線で結んで形成される三角形の各頂点で固定され、また、同様に他の補強金具４０Ｘの折曲片４３Ｘと各コンタクト３０ｉ、３０Ｘの端子部３２ａｉ、３２ａＸとを線で結んで形成される三角形の各頂点で固定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０  配線板用コネクタ
２０  絶縁ハウジング
２０ａ  表面壁（第１の側壁）
２０ｂ  裏面壁（第２の側壁）
２１  空洞
２２  開口
２３  開口
２５  スリット
３０  コンタクト
３１  中間ばね部
３２  端子部
３３  接点部
３３ｂ  首部
３４  係止端部
３５ａ、３５ｂ  段部（顎部）
４０  補強金具
４３  折曲片
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
カソード層１３は、ストロンチウム（Ｓｒ）等が添加されたランタンのマンガン又はコバルト酸化化合物から形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このようなゲートホール１０３の底部開口部１０３ａ内には、微細繊維構造物質たるＣＮＴを含み、微細繊維構造を有する物質層１０５が形成されている。この物質層１０５は、ゲートホール１０３の絶縁層１０４Ａに対応する第１の区間内に形成されている。すなわち、物質層１０５は、ゲートゲートホール１０３の底部開口部１０３ａを介して露出するカソード電極１０１上に形成されている。物質層１０５の厚みは、絶縁層１０４Ａの膜厚からカソード電極１０１の膜厚を引いた値とほぼ等しくなっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このように、本実施の形態に係る冷陰極発光素子においては、ゲートホール１０３における絶縁層１０４Ｂがゲート電極１０２と接触する部分の孔径ｄ２が絶縁層１０４Ａがカソード電極１０１と接触する部分（底部開口部１０３ａ）の孔径ｄ１よりも大きく設定されており、その底部開口部１０３ａ内に微細繊維構造を有する物質層１０５が設けられている。このため、絶縁層１０４Ａ，１０４Ｂ全体の厚さを抑制しつつ、ゲート電極１０２とカソード電極１０１及び物質層１０５との間の距離を拡大させることができ、底部開口部１０３ａ内に設けられた物質層１０５とゲート電極１０２とが構造物形成工程の中の熱工程等において接触するのを容易に回避することができる。また、絶縁層１０４ＡがＣＮＴを含有する物質層１０５の膜厚及び位置を規定するガイドして機能するため、物質層１０５の膜厚及び形成位置の管理を容易に行うことができるとともに、均一な膜厚の物質層１０５を形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
続いて、レジストパターン１１９を犠牲層として残した状態で、ゲートホール１０３内を含むガラス基板１００の全面にＣＮＴを溶剤に分散させた液が高圧で噴射されて塗布され、その後乾燥される（図１７（ｃ）及び図１９（ｃ））。ＣＮＴが分散された液が乾燥すると、そのＣＮＴを含む乾燥膜３２１のうちの、ゲートホール１０３の底部開口部１０３ａ内以外の領域に存在する不要部分の除去処理がサンドブラストにより行われる（図１７（ｄ）及び図１９（ｄ））。すなわち、乾燥膜３２１のうちの底部開口部１０３ａ内に残留する部分によって微細繊維構造を有する物質層１０５が形成される。具体的には、乾燥膜３２１の表面に、研磨粒子たる炭酸カルシウム粒子が高圧で噴射されて吹き付けられて行われる。使用する炭酸カルシウム粒子は、その粒径ｄｓがゲートホール１０３の孔径ｄ１，ｄ２に対して、ｄ１＜ｄｓ＜ｄ２の関係を満たすものが用いられる。粒径ｄｓは例えば２５μｍ〜３０μｍに設定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】  図２１（ａ）ないし図２１（ｄ）は図２０（ａ）のＡ５−Ａ５断面図に対応し、その冷陰極発光素子の製造工程の一部を示す図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004311243.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2004311243.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2004311243.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、燃料電池セル１０ａ，１０ｂを形成する固体電解質層１２ａは、酸素イオン伝導体であって、イットリウム（Ｙ）やスカンジウム（Ｓｃ）等の周期律表第３族元素により部分安定化されたジルコニア酸化物、或いはサマリウム（Ｓｍ）やガドリウム（Ｇｄ）等がドープされたセリウム酸化物によって形成することが好ましい。
また、アノード層１２ｂとして、Ｌｉが固溶されたＮｉＯを主成分とする焼成体によって形成されているアノード層１２ｂを好適に採用できる。この焼成体は、導電性を有するセラミックであって、Ｌｉ化合物をＮｉＯにＬｉ2Ｏ換算で１〜１５mol％添加し、焼成処理して得られる焼成体である。
かかるアノード層１２ｂには、ロジウム、白金、ルテニウム、パラジウム、レニウム又はイリジウムから成る金属又はその酸化物が配合されている。この様な金属又はその酸化物が配合されたアノード層１２ｂを具備する燃料電池セル１０ａ，１０ｂから構成される燃料電池によれば、ロジウム等の金属又はその酸化物が配合されていないアノード層１２ｂを具備する燃料電池セル１０ａ，１０ｂから構成される燃料電池よりも高い発電性能を呈することができる。
このロジウム、白金、ルテニウム、パラジウム、レニウム又はイリジウムから成る金属又はその酸化物は、アノード層１２ｂ中に金属換算で１〜５０重量％となるように配合することが好ましい。
かかるアノード層１２ｂを構成する副成分として、サマリアドープドセリア、スカンジア安定化ジルコニア、イットリア安定化ジルコニアのうちのいずれかが５０体積％以下含まれるようにすることによって、ロジウム、白金、ルテニウム、パラジウム、レニウム又はイリジウムから成る金属又はその酸化物と混合燃料ガスとの接触面積を拡大できる。
更に、カソード層１２ｃは、ストロンチウム（Ｓｒ）等が添加されたランタンのマンガン又はコバルト酸化化合物から形成されている。
かかるアノード層１２ｂ及びカソード層１２ｃは、多孔質層であって、その開気孔率を２０％以上、好ましくは３０〜７０％、特に４０〜５０％とすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に用いる内側絶縁層３は、中芯１から最も近い位置に設けられた絶縁層であって、図２及び図４に示すように、内部発熱巻線２が中芯１から最も近い位置に設けられた場合には、内部発熱巻線２の外側に設けられ、図３に示すように、信号巻線が中芯１から最も近い位置に設けられた場合には、信号巻線の外側に設けることができる。内側絶縁層の溶融温度と外側絶縁層の溶融温度との差が１０℃以内であるものを使用することができる。
本発明に用いる内側絶縁層３は、柔軟性を有し、繰り返し折り曲げに対して耐えられる強度を有し、常時使用時に融解しないものであれば、通常の積層ヒーター線絶縁層に使用されるものを特に制限することなく使用することができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンプロピレンコポリマー、ポリブチレンなどのポリオレフィン類、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１１、ナイロン１２などのポリアミド類などの合成樹脂製のものを使用することができる。ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンプロピレンコポリマー、ナイロンなどの熱可塑性合成樹脂製のものを好適に使用することができる。ナイロン１２製のものを特に好適に使用することができる。
本発明に用いる内側絶縁層３の直径及び厚さは、内部発熱巻線２の外側の直径及び使用する暖房用具用ヒーター線仕様に応じて適宜選択することができる。通常内側絶縁層３の厚さは、０.１〜０.５ｍｍのものを使用することができる。
本発明に用いる補強層４は、内部発熱巻線２の外側に設けた絶縁層の外周に設ける絶縁層であって、内部発熱巻線２と外部発熱巻線５との間の短絡を防止することができる。この目的を達成するために、本発明に用いる補強層４の溶融温度は、内側絶縁層３及び外側絶縁層６の溶融温度より３０℃以上高いものを使用することができる。これにより、本発明ヒーター線の異常発熱時には、本発明に用いる補強層４が溶融するより早く、補強層４によって仕切られている内部発熱巻線２と外部発熱巻線５同士が短絡することなく、信号巻線７と内部発熱巻線２または信号巻線７と外部発熱巻線５との間の絶縁層が溶融して信号巻線７と短絡し、本発明ヒーター線の通電を遮断することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性である第１の電極と、該第１の電極上に設けられた発光層と、該発光層上に設けられた透光性である第２の電極とにより、白色発光可能な発光素子を複数有する画素部と、該第２の電極上に設けられたカラーフィルタとを有する発光装置であって、
前記発光層からの白色発光は、前記第２の電極及び前記カラーフィルタを通過することにより、一方をフルカラー表示とし、前記第１の電極を通過することにより、もう一方をモノクロ表示とすることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
透光性である第１の電極と、該第１の電極上に設けられた発光層と、該発光層上に設けられた透光性である第２の電極とにより、白色発光可能な発光素子を複数有する画素部と、該第２の電極上に設けられたカラーフィルタとを有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性を有する基板上の薄膜トランジスタ上に設けられた絶縁層上に形成され、
前記発光層からの白色発光は、前記第２の電極及び前記カラーフィルタを通過することにより、一方をフルカラー表示とし、前記第１の電極、前記薄膜トランジスタ上に設けられた絶縁層及び前記透光性を有する基板を通過することにより、もう一方をモノクロ表示とすることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
透光性である第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する透光性である第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、カラーフィルタとを備えた発光装置であって、
前記発光素子は、青色発光と、有機金属錯体からの燐光発光と、前記有機金属錯体のエキシマー状態からの発光とを共に発して白色発光を生成し、
前記第２の電極を通過する白色発光は、前記カラーフィルタを通過してフルカラー表示を生成し、
前記第１の電極を通過する白色発光は、モノクロ表示を生成することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
透光性である第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する透光性である第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、カラーフィルタと、第１の偏光板と、第２の偏光板とを備えた発光装置であって、
前記発光素子は、青色発光と、有機金属錯体からの燐光発光と、前記有機金属錯体のエキシマー状態からの発光とを共に発して白色発光を生成し、
前記第２の電極を通過する白色発光は、前記カラーフィルタおよび前記第１の偏光板を通過してフルカラー表示を生成し、
前記第１の電極を通過する白色発光は、前記第２の偏光板を通過してモノクロ表示を生成することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１の偏光板の偏光軸は、前記第２の偏光板の偏光軸と９０度異なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は、青色発光を呈する第１発光層と、燐光材料を含み、且つ、前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第２発光層と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一において、前記第２発光層は、ホスト材料に燐光材料が１０ｗｔ％を越えて４０ｗｔ％の濃度で混入されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項３乃至６のいずれか一において、前記第２発光層は、ホスト材料に燐光材料が１２．５ｗｔ％を越えて２０ｗｔ％の濃度で混入されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は、青色発光を呈する第１発光層と、ホスト材料に燐光材料が混入され、且つ、前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第２発光層と、電子輸送層との３層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
透光性である第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する透光性である第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、第１のカラーフィルタと、第２のカラーフィルタとを備えた発光装置であって、
前記発光素子は、青色発光と、有機金属錯体からの燐光発光と、前記有機金属錯体のエキシマー状態からの発光とを共に発して白色発光を生成し、
前記第２の電極を通過する白色発光は、赤色、青色、および緑色からなる３種類の着色層を有する第１のカラーフィルタを通過してフルカラー表示を生成し、
前記第１の電極を通過する白色発光は、赤色、青色、或いは緑色のうち１種類の着色層を有する第２のカラーフィルタを通過して単色カラー表示を生成することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転して摺動する複数の接点部を有する電気接片と、
上記電気接片の上記複数の接点部と摺接するパターンを有する電気基板と、
上記電気基板に向かう凸状部を有し、上記電気接片を保持し、上記複数の接点部を上記パターンに摺接させて回転し、上記凸状部により上記電気基板に対し略平行状態に保たれる接片台と、 
を有することを特徴とする回転接点装置。
【請求項２】
回転ダイアルと、
上記回転ダイアルを回転可能に支持する回転支持部材と、
回転して摺動する複数の接点部を有する電気接片と、
上記電気接片の上記複数の接点部と摺接するパターンを有する電気基板と、
上記回転支持部材に向かう凸状部を有し、上記電気接片を保持し、上記回転ダイアルによって回転させられ、上記複数の接点部を上記パターンに摺接させ、上記凸状部により上記上記電気基板に対し略平行状態に保たれる接片台と、
を有することを特徴とする回転接点装置。
【請求項３】
回転ダイアルと、
回転して摺動する複数の接点部を有する電気接片と、
上記電気接片の上記複数の接点部と摺接するパターンを有する電気基板と、
上記電気接片を保持し、上記回転ダイアルによって回転させられ、上記複数の接点部を上記パターンに摺接さる接片台と、
上記回転ダイアルを回転可能に支持し、上記接片台に向かう凸状部を有し、該凸状部により上記電気基板に対し接片台を略平行状態に保つ回転支持部材と、
を有することを特徴とする回転接点装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の回転接点装置は、回転して摺動する複数の接点部を有する電気接片と、上記電気接片の上記複数の接点部と摺接するパターンを有する電気基板と、上記電気基板に向かう凸状部を有し、上記電気接片を保持し、上記複数の接点部を上記パターンに摺接させて回転し、上記凸状部により上記電気基板に対し略平行状態に保たれる接片台と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項２記載の回転接点装置は、回転ダイアルと、上記回転ダイアルを回転可能に支持する回転支持部材と、回転して摺動する複数の接点部を有する電気接片と、上記電気接片の上記複数の接点部と摺接するパターンを有する電気基板と、上記回転支持部材に向かう凸状部を有し、上記電気接片を保持し、上記回転ダイアルによって回転させられ、上記複数の接点部を上記パターンに摺接させ、上記凸状部により上記上記電気基板に対し略平行状態に保たれる接片台と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項３記載の回転接点装置は、回転ダイアルと、回転して摺動する複数の接点部を有する電気接片と、上記電気接片の上記複数の接点部と摺接するパターンを有する電気基板と、上記電気接片を保持し、上記回転ダイアルによって回転させられ、上記複数の接点部を上記パターンに摺接さる接片台と、上記回転ダイアルを回転可能に支持し、上記接片台に向かう凸状部を有し、該凸状部により上記電気基板に対し接片台を略平行状態に保つ回転支持部材と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体電解質およびそれを用いたリチウム電池