Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを含む複合金属酸化物を活物質として含む正極と、リチウムイオンを吸蔵・放出可能な金属あるいは合金からなる活物質を含む負極と、それを隔てるセパレータとからなる二次電池において、前記正極および負極は、それぞれの集電体上に形成されたそれぞれの活物質からなり、前記集電体は多孔性を有するシート状のポリマーに導電性物質が形成された構造体であることを特徴とするリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項２】
導電性物質はポリマー体の表面、または表面及び内部に形成されていることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項３】
正極の集電体に形成される導電性物質は、Ａｌ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の金属またはカーボンを含むことを特徴とする請求項１または２記載のリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項４】
負極の集電体に形成される導電性物質は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉから選択される少なくとも１種類以上の金属またはカーボンを含むことを特徴とする請求項１または２記載のリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項５】
前記集電体の空隙率が０．３５以上０．９０以下である請求項１または２記載のリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項６】
前記集電体は、内部に三次元構造で貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１、２または５記載のリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項７】
前記リチウムイオンを吸蔵・放出可能な合金は、Ｓｉ、Ｓｎ、Ａｌのいずれか少なくとも１種以上を含むことを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池用電極構造体。
【請求項８】
請求項４記載のリチウム二次電池用電極構造体を負極とし、請求項３記載のリチウム二次電池用電極構造体を正極として用いることを特徴とするリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような状況において、リチウム二次電池の更なる高容量化を目的に、より高容量な実用容量を有する金属系材料を負極材料として利用しようとした場合、充放電時のリチウムの吸蔵放出に伴って負極材料が膨張収縮し、大きな体積変化をもたらす。そしてこの体積変化により、負極材と集電体との剥がれが生じ、集電性がとれなくなる、更には集電体に亀裂が発生し、負極が切断されることになり、負極の集電能が低下するという問題点が生じてきた。そのような中、たとえば、リチウム二次電池用電極構造体について開示があり、空孔率を有する金属集電体が膨張収縮に伴う体積変化に追随することにより集電体の亀裂や破損を防ぐことができるとあるが、集電体そのものはやはり金属であるため、充放電の繰り返しにより負極集電体がその変化に追随できず、集電性を維持できなくなる場合があった（例えば、特許文献１）。また、樹脂（ポリエチレンテレフタレート）製フィルムに銅蒸着によって集電体を形成した負極集電構成体により電池の重量エネルギー密度が高めることができるという開示があります。（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開平１１−２３３１１６号公報（［０００１］〜［０１０７］）
【特許文献２】特開平９−２１３３３８号公報（［０００１］〜［００２４］）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
正極として用いられる本発明のリチウム二次電池用電極構造体の集電体に形成される導電性物質は、Ｃｕなどの正極電位で反応する金属以外の金属であれば何れも使用することができるが、化学的安定性、コスト、安全性などの面からＡｌ、Ｔｉ、カーボン、もしくはこれらの複合体が望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
負極として用いられる本発明のリチウム二次電池用電極構造体の集電体に形成される導電性物質は、Ａｌなどの負極電位で反応する金属以外の金属であれば何れも使用することができるが、コスト、安全性などの面からＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、カーボン、もしくはこれらの複合体が望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のリチウム二次電池用電極構造体を構成する集電体は、空隙率０．３５〜０．９０を有すれば良いが、好ましくは空隙率０．５０〜０．８０を有し、三次元的に内部に貫通孔が形成されていてリチウムイオンの偏在を抑制できる集電体が有効である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明のリチウム二次電池は、上記正極及び負極をそれぞれ構成するリチウム二次電池用電極構造体を用いることにより、集電能を向上し、サイクル特性に優れたリチウム二次電池を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】色処理方法および装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  色分布情報から３次元物体表面情報を生成する色処理方法において、
第１の色分布情報および第２の色分布情報を入力し、
第１の色分布情報から３次元物体表面情報を生成し、
前記１の色分布情報および前記第２の色分布情報との関係から３次元物体表面の色情報を算出することを特徴とする色処理方法。
【請求項２】  複数の比較計算方法を有し、
ユーザ指示に応じた比較計算方法を用いて、前記第１の色分布情報と前記第２の色分布情報を比較し、前記３次元物体表面の色情報を算出することを特徴とする請求項１記載の色処理方法。
【請求項３】  前記第１の色分布情報および前記第２の色分布情報は、第１の色空間と第２の色空間の対応関係を示す情報であることを特徴とする請求項１記載の色処理方法。
【請求項４】  前記第１の色分布情報と前記第２の色分布情報は、標本点の格子数が同一であることを特徴とする請求項１記載の色処理方法。
【請求項５】  前記物体表面色情報は、前記第１の色分布情報におけるある格子点が対応する色座標と、前記第２の色分布情報における前記格子点と同一の格子点に対応する色座標との距離を基準として求められることを特徴とする請求項４に記載の色処理方法。
【請求項６】  前記第１の色分布情報におけるある２つの格子点が対応する第１の色座標ならびに第２の色座標と、前記第２の色分布情報において前記格子点と同一である２つの格子点が対応する第３の色座標ならびに第４の色座標とより、前記第１の色座標と前記第２の色座標との第１の距離および前記第３の色座標と前記第４の色座標との第２の距離を算出し、
前記第１の距離と前記第２の距離の比を基準として、前記物体表面色情報を求めることを特徴とする請求項１記載の色処理方法。
【請求項７】  前記第１の色分布情報におけるある２つの格子点が対応する第１の色座標ならびに第２の色座標と、前記第２の色分布情報において前記格子点と同一である２つの格子点が対応する第３の色座標ならびに第４の色座標とより、前記第１の色座標と前記第２の色座標との第１のベクトルおよび前記第３の色座標と前記第４のベクトルを算出し、
前記第１のベクトルと前記第２のベクトルの方向を基準として、前記物体表面色情報を求めることを特徴とする請求項１記載の色処理方法。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれかに記載の色処理方法を実現するためのプログラムをコンピュータが読み取り可能に記録する記録媒体。
【請求項９】  色分布情報から３次元物体表面情報を生成する色処理装置において、
第１の色分布情報および第２の色分布情報を入力する入力手段と、
第１の色分布情報から３次元物体表面情報を生成する生成手段と、
前記１の色分布情報および前記第２の色分布情報との関係から３次元物体表面の色情報を算出する算出手段とを有することを特徴とする色処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願請求項１記載の色処理方法は、色分布情報から３次元物体表面情報を生成する色処理方法において、第１の色分布情報および第２の色分布情報を入力し、第１の色分布情報から３次元物体表面情報を生成し、前記１の色分布情報および前記第２の色分布情報との関係から３次元物体表面の色情報を算出することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
【発明の効果】
本発明によれば、局所的な色分布状況の比較結果あるいは詳細な分布状況の比較結果を、擬似３次元表示を用いて視覚的に確認することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】計算機システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハードウェアとして汎用レジスタを有し、オペレーティングシステムを実行するＣＰＵを有する計算機システムにおいて、
前記ＣＰＵの命令セットとしては、前記汎用レジスタにＩｍｍｅｄｉａｔｅ値を格納するＩｍｍｅｄｉａｔｅロード命令を含み、
前記ＣＰＵは、前記アプリケーション・プログラムに対応する実行プログラムと、異なった実行環境の差異を吸収する実行環境差異吸収プログラムとを実行し、
前記実行環境差異吸収プログラムから前記アプリケーション・プログラムに対応する実行プログラムに、制御が戻るときに、実行環境によらない共通化エラーコードを出力し、
前記共通化エラーコードは、前記Ｉｍｍｅｄｉａｔｅロード命令で設定可能な数値範囲内の値であり、前記Ｉｍｍｅｄｉａｔｅロード命令の命令コード内に保持されることを特徴とする計算機システム。
【請求項２】  前記共通化エラーコードは、前記Ｉｍｍｅｄｉａｔｅ値のＭＳＢをゼロとした数値範囲内で定められることを特徴とする請求項１記載の計算機システム。
【請求項３】  前記共通化エラーコードは、符号無しの正の数で定められ、
前記ＣＰＵは、前記汎用レジスタのビット数より小さいデータが、前記汎用レジスタにロードされたときに、自動的にそのデータの先頭部の符号拡張をおこなうことを特徴とする請求項１記載の計算機システム。
【請求項４】  前記共通化エラーコードは、前記Ｉｍｍｅｄｉａｔｅ値のＭＳＢをゼロとした数値範囲内で定められ、
前記ＣＰＵは、前記汎用レジスタのビット数より小さいデータが、前記汎用レジスタにロードされたときに、自動的にそのデータの先頭部の符号拡張をおこなうことを特徴とする請求項１記載の計算機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  タッチパネル付きのリア投影式のプロジェクターにおいて、
スクリーンへのタッチ又はデタッチの信号として送出された赤外線をスクリーンを透過して後に反射する反射ミラーと、
前記反射ミラーで反射された赤外線を受信する本体内のプロジェクター近傍に配置された赤外線受信機とを備えたことを特徴とするタッチパネル式プロジェクター。
【請求項２】  前記反射ミラーが、スクリーンを透過した赤外線を反射する第１の反射ミラーと、この第１の反射ミラーで反射した赤外線をさらに反射して赤外線受信機へ送る第２のミラーとからなることを特徴とする請求項１記載のタッチパネル式プロジェクター。
【請求項３】  前記反射ミラーに非球面ミラーを用いたことを特徴とする請求項１記載のタッチパネル式プロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明では、タッチパネル付きのリア投影式のプロジェクターにおいて、スクリーンへのタッチ又はデタッチの信号として送出された赤外線をスクリーンを透過して後に反射する反射ミラーと、前記反射ミラーで反射された赤外線を受信する本体内のプロジェクター近傍に配置された赤外線受信機とを備えたことにより、前記目的を達成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像データを第１の送信先に送信する第１の画像データ送信手段と、
前記画像データを代替する代替低容量データを作成する代替低容量データ作成手段と、
前記代替低容量データを第２の送信先に送信する第２の画像データ送信手段と、
を有することを特徴とする画像データ送信装置。
【請求項２】  前記第１の画像データ送信手段は前記画像データを電子メールに添付して第１の送信先に送信するものであり、
前記第２の画像データ送信手段は前記代替低容量データを電子メールに添付して第２の送信先に送信するものである、
請求項１に記載の画像データ送信装置。
【請求項３】  前記第１の送信先はＴｏに指定された電子メールアドレスであり、
前記第２の送信先はＣｃまたはＢｃｃに指定された電子メールアドレスである、
請求項２に記載の画像データ送信装置。
【請求項４】  前記代替低容量データは前記画像データを文字認識して得られたテキストデータである請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像データ送信装置。
【請求項５】  前記代替低容量データは前記画像データの一部の画像データである請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像データ送信装置。
【請求項６】  原稿を読み取って前記画像データを取得する原稿読取手段をさらに有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像データ送信装置。
【請求項７】  画像データを第１の送信先に送信する段階と、
前記画像データを代替する代替低容量データを作成する段階と、
前記代替低容量データを第２の送信先に送信する段階と、
を有することを特徴とする画像データ送信方法。
【請求項８】  画像データを第１の送信先に送信する手順と、
前記画像データを代替する代替低容量データを作成する手順と、
前記代替低容量データを第２の送信先に送信する手順と、
を画像データ送信装置に実行させることを特徴とする画像データ送信プログラム。
【請求項９】  請求項８に記載の画像データ送信プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１０】  前記画像データを第１の送信先に送信する段階は、前記画像データを電子メールに添付して第１の送信先に送信するものであり、
前記画像データを代替する代替低容量データを作成する段階は、前記代替低容量データを電子メールに添付して第２の送信先に送信するものである、
請求項７に記載の画像データ送信方法。
【請求項１１】  前記第１の送信先はＴｏに指定された電子メールアドレスであり、
前記第２の送信先はＣｃまたはＢｃｃに指定された電子メールアドレスである、
請求項１０に記載の画像データ送信方法。
【請求項１２】  前記代替低容量データは前記画像データを文字認識して得られたテキストデータである請求項７または請求項１０もしくは１１に記載の画像データ送信方法。
【請求項１３】  前記代替低容量データは前記画像データの一部の画像データである請求項７、１０または１１に記載の画像データ送信方法。
【請求項１４】  原稿を読み取って前記画像データを取得する段階をさらに有する請求項７または請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の画像データ送信方法。
【請求項１５】  前記画像データを第１の送信先に送信する手順は、前記画像データを電子メールに添付して第１の送信先に送信するものであり、
前記画像データを代替する代替低容量データを作成する手順は、前記代替低容量データを電子メールに添付して第２の送信先に送信するものである、
請求項８に記載の画像データ送信プログラム。
【請求項１６】  前記第１の送信先はＴｏに指定された電子メールアドレスであり、
前記第２の送信先はＣｃまたはＢｃｃに指定された電子メールアドレスである、
請求項１５に記載の画像データ送信プログラム。
【請求項１７】  前記代替低容量データは前記画像データを文字認識して得られたテキストデータである請求項８、１５または１６に記載の画像データ送信プログラム。
【請求項１８】  前記代替低容量データは前記画像データの一部の画像データである請求項８、１５または１６に記載の画像データ送信プログラム。
【請求項１９】  原稿を読み取って前記画像データを取得する手順をさらに画像データ送信装置に実行させることを特徴とする請求項８または請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の画像データ送信プログラム。
【請求項２０】  請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の画像データ送信プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メディアカードを一体的に装着した状態で情報処理装置のカードスロットに着脱可能であり、前記メディアカードと前記情報処理装置との間のデータ伝送を行う、メディアカード用インタフェースカードであって、
前記メディアカードから送られたデータを蓄積可能であり、かつ前記情報処理装置から送られたデータを蓄積可能であるデータ記憶部と、
前記データ記憶部を前記メディアカード接続し、これらの間のデータ伝送を行う、第一のビット幅の第一データバスと、
前記データ記憶部を前記情報処理装置に接続し、これらの間のデータ伝送を行う、第二のビット幅の第二データバスと、
を備え、
前記第二のビット幅は、前記第一のビット幅より大きく、
前記データ記憶部は、前記第二のビット幅分に相当するビット数のデータを蓄積可能であり、
前記データ記憶部は、前記第一のビット幅の前記第一データバスを介して前記メディアカードからデータを受け取り、前記第二のビット幅分に相当するビット数のデータが蓄積されるまでデータを蓄積し、その後、蓄積したデータを前記第二のビット幅の前記第二データバスを介して前記情報処理装置に伝送する、メディアカード用インタフェースカード。
【請求項２】  第一のビット幅は１６ビットであり、第二のビット幅は３２ビットであることを特徴とする請求項１に記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項３】  メディアカードと前記データ記憶部との間ではシリアルバスを介してデータ通信が行われることを特徴とする請求項１に記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項４】  前記メディアカードと前記データ記憶部との間のデータ伝送を制御する第一のデータ伝送制御部と、
前記データ記憶部と前記情報処理装置との間のデータ伝送を制御する第二のデータ伝送制御部と、
を備え、これら第一および第二のデータ伝送制御部が、独立してデータ伝送制御を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項５】  複数種類のメディアカードを着脱自在なコネクタを備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項６】  メモリカード、コンパクトフラッシュ（登録商標）、ＳＤ（登録商標）メモリカード、マルチメディアカード（登録商標）、スマートメディア（登録商標）、メモリスティック（登録商標）、およびスモールＰＣカード（登録商標）のうちのいずれか１つを装着するよう構成された取付ポートを備える、請求項１乃至５のいずれかに記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項７】  前記データ記憶部には、前記第二のビット幅のビット数のデータを同時に記憶できるよう、少なくともそのビット数に相当する複数の記憶領域が設けられている、請求項１乃至６のいずれかに記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項８】  前記データ記憶部が、前記情報処理装置の中央処理装置によって直接に制御されるよう構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載のメディアカード用インタフェースカード。
【請求項９】  前記データ記憶部が、前記第二のビット幅のビット数より多くのデータを記憶するよう構成されている、請求項１乃至８のいずれかに記載のメディアカード用インタフェースカード。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  紙面上に筆記された文書を取得する筆記装置、端末装置および印刷装置と文書データの送受信が可能な文書入力管理装置において、
前記筆記装置または前記端末装置から文書データを受領するデータ受領手段と、
前記データ受領手段によって受領した文書データの紙面上における座標情報と、当該文書データの文書識別情報を取得し、文章データごとに割り当てて、文書データベースとして管理するデータ管理手段と、
前記印刷装置に対して前記データ受領手段によって受領した文書データの印刷を指示する印刷指示手段と、
前記データ受領手段により文書データを受領する度に、前記データ管理手段によって管理されている文書識別情報を前記端末装置または前記筆記装置に送信する識別情報送信手段と、
を備え、
前記印刷指示手段による印刷指示は、前記データ管理手段によって管理されている印刷指示対象の文書データの座標情報および文書識別情報を用紙上に印刷出力するという指示であることを特徴とする文書入力管理装置。
【請求項２】  前記データ管理手段によって管理されている前記文書データベース内の文書データ量が多い順に上段データ管理手段、中間段データベース管理手段および下段データ管理手段として少なくとも３段以上の前記データ管理手段を備え、
前記中間段データ管理手段は、前記上段データ管理手段によって管理されている文書識別情報の一部を前記下段データ管理手段または前記他の端末装置へ割り当てることを特徴とする請求項１記載の文書入力管理装置。
【請求項３】  前記端末装置から前記データ管理手段によって管理されている文書データベース内の所定のデータ格納領域への接続を受け付ける接続手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の文書入力管理装置。
【請求項４】  請求項１、請求項２、請求項３記載の文書入力装置と文書データの送受信が可能な筆記装置であって、
前記文書入力装置と文書データの送受信を行うデータ送受信手段と、
紙面上に筆記された文書を撮影し、画像情報として取得する画像情報取得手段と、
前記画像情報取得手段によって取得された画像情報を符号化し、文書識別情報を含む文書データとして格納するデータ格納手段と、
前記データ格納手段によって文書データを格納する際、前記データ送受信手段によって前記文書入力装置に対して当該文書データの文書識別情報が登録されているか否かの問い合わせを行う問い合わせ手段と、を備え、
前記データ送受信手段は、前記問い合わせ手段による問い合わせに対する前記文書入力装置からの返答を受信することを特徴とする筆記装置。
【請求項５】  前記データ送受信手段が前記文書入力管理装置から受信した返答が前記文書データに該当する文書識別情報の登録なしというものである場合に、前記問い合わせ先となった文書入力管理装置が複数のデータ管理手段を備えていたとき、前記問い合わせ手段は、前記文書入力管理装置の別のデータ管理手段に対して再度問い合わせを行うことを特徴とする請求項４記載の筆記装置。
【請求項６】  前記データ送受信手段は、前記文書入力管理装置の文書データベース内の所定のデータ格納領域内のデータを受信することを特徴とする請求項４または請求項５記載の筆記装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明では、紙面上に筆記された文書を取得する筆記装置、端末装置および印刷装置と文書データの送受信が可能な文書入力管理装置において、前記筆記装置または前記端末装置から文書データを受領するデータ受領手段と、前記データ受領手段によって受領した文書データの紙面上における座標情報と、当該文書データの文書識別情報を取得し、文章データごとに割り当てて、文書データベースとして管理するデータ管理手段と、前記印刷装置に対して前記データ受領手段によって受領した文書データの印刷を指示する印刷指示手段と、前記データ受領手段により文書データを受領する度に、前記データ管理手段によって管理されている文書識別情報を前記端末装置または前記筆記装置に送信する識別情報送信手段と、を備え、前記印刷指示手段による印刷指示は、前記データ管理手段によって管理されている印刷指示対象の文書データの座標情報および文書識別情報を用紙上に印刷出力するという指示であることにより、前記第１、前記第２および前記第３の目的を達成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４記載の発明では、請求項１、請求項２、請求項３記載の文書入力装置と文書データの送受信が可能な筆記装置であって、前記文書入力装置と文書データの送受信を行うデータ送受信手段と、紙面上に筆記された文書を撮影し、画像情報として取得する画像情報取得手段と、前記画像情報取得手段によって取得された画像情報を符号化し、文書識別情報を含む文書データとして格納するデータ格納手段と、前記データ格納手段によって文書データを格納する際、前記データ送受信手段によって前記文書入力装置に対して当該文書データの文書識別情報が登録されているか否かの問い合わせを行う問い合わせ手段と、を備え、前記データ送受信手段は、前記問い合わせ手段による問い合わせに対する前記文書入力装置からの返答を受信することにより、前記第１および前記第２の目的を達成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離散的周波数サブチャネルの第１および第２の極を利用したワイヤ線を介するマルチキャリア・データ通信方法であって：
少なくとも２つも異なる通信状態においての前記サブチャネルを介したデータ通信を定義する少なくとも第１および第２のパラメータセットを記録し、；
優勢な通信状態に応じて、通信に使用するためのパラメータセットを選択する方法であって、
少なくとも第１または第２のパラメータセットの一つは、初期化の際に決定されるマルチキャリア・データ通信方法。
【請求項２】
離散的周波数サブチャネルの第１および第２の極を利用したワイヤ線を介するマルチキャリア・データ通信装置であって：
少なくとも２つも異なる通信状態においての前記サブチャネルを介したデータ通信を定義する少なくとも第１および第２の記録されたパラメータセットと、
優勢な通信状態に応じて、通信に使用するためのパラメータセットを選択するよう構成されたコントローラを備え、
少なくとも第１または第２のパラメータセットの一つは、初期化の際に決定されるマルチキャリア・データ通信装置。
【請求項３】
離散的周波数サブチャネルの第１および第２の極を利用したワイヤ線を介するマルチキャリア・データ通信装置であって：
少なくとも２つも異なる通信状態においての前記サブチャネルを介したデータ通信を定義する少なくとも第１および第２のパラメータセットを記録するための手段と、
優勢な通信状態に応じて、通信に使用するためのパラメータセットを選択するための手段とを備え、
少なくとも第１または第２のパラメータセットの一つは、初期化の際に決定されるマルチキャリア・データ通信装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの方法または装置において、
少なくとも一つのパラメータセットは、障害事象の存在中に決定されることを特徴とするもの。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有限の領域を挟んで上下方向に対向して配置され、超電導特性を有する物質から構成され、前記有限の領域内に上下方向に向かう均一な静磁場を発生させるための電流を流す２組の静磁場発生素子群からなる静磁場発生源と、前記静磁場発生素子群を内包して保持し、冷媒により超電導特性を示す温度にまで冷却し維持する上下の冷却容器と、該上下の冷却容器を連結する第１の連結手段と、前記上下の冷却容器を内包し低温部を持つ冷凍機にて冷凍した上下の熱シールド層と、前記上下の冷却容器と前記上下の熱シールド層を内包し、真空断熱する上下の真空容器と、該上下の真空容器を連結し、前記第１の連結手段を内包する第２の連結手段とを含む超電導磁石装置において、前記上下の冷却容器は前記真空容器に複数の支持部材によって支持され、かつ前記静磁場発生源、前記冷媒、前記冷却容器、前記第１の連結手段及び冷却用付帯物の全重量の重心（以下、冷却容器全体としての重心と略称する）を基準にした前記支持部材の位置の前後、左右、上下方向の座標と前記支持部材のばね定数との積の和が前記冷却容器全体としての重心の前後、左右、上下の各方向においてほぼ０となるように支持されていることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項２】
有限の領域を挟んで上下方向に対向して配置され、超電導特性を有する物質から構成され、前記有限の領域内に上下方向に向かう均一な静磁場を発生させるための電流を流す２組の静磁場発生素子群からなる静磁場発生源と、前記静磁場発生素子群を内包して保持し、冷媒により超電導特性を示す温度にまで冷却し維持する上下の冷却容器と、該上下の冷却容器を連結する第１の連結手段と、前記上下の冷却容器を内包し低温部を持つ冷凍機にて冷凍した上下の熱シールド層と、前記上下の冷却容器と前記上下の熱シールド層を内包し、真空断熱する上下の真空容器と、該上下の真空容器を連結し、前記第１の連結手段を内包する第２の連結手段とを含む超電導磁石装置において、前記上下の冷却容器が前記上下の真空容器に複数の支持部材によって支持され、かつ各支持部材のばね定数がほぼ同一であり、各支持部材にかかる荷重がほぼ同一となるように各支持部材が配置されていることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項３】
有限の領域を挟んで上下方向に対向して配置され、超電導特性を有する物質から構成され、前記有限の領域内に上下方向に向かう均一な静磁場を発生させるための電流を流す２組の静磁場発生素子群からなる静磁場発生源と、前記静磁場発生素子群を内包して保持し、冷媒により超電導特性を示す温度にまで冷却し維持する上下の冷却容器と、該上下の冷却容器を連結する第１の連結手段と、前記上下の冷却容器を内包し、低温部を持つ冷凍機にて冷凍した上下の熱シールド層と、前記上下の冷却容器と前記上下の熱シールド層を内包し、真空断熱する上下の真空容器と、該上下の真空容器を連結し、前記第１の連結手段を内包する第２の連結手段とを含む超電導磁石装置において、前記上下の冷却容器が前記上下の真空容器に複数の支持部材によって支持され、かつ各支持部材にかかる荷重を各支持部材のばね定数で割った商がほぼ同一となるように各支持部材が配置されていることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の超電導磁石装置において、
前記支持部材は、前記上下の冷却容器の各々にそれぞれ３つ以上配置され、その少なくとも１つは、前記連結手段の近傍に配置されることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項５】
超電導磁石装置、傾斜磁場発生装置、高周波磁場発生装置をそれぞれ上下方向に対向して配置した磁気共鳴イメージング装置において、前記超電導磁石装置は請求項１乃至４のいづれかを用いたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機発光デバイスの一部となる基板の上に有機材料から有機層を製造する方法であって、
(a) 昇華性有機材料粉末を用意し、
(b) 伝熱性の非昇華性セラミック材料粉末を用意し、
(c) 該昇華性有機材料粉末と該伝熱性の非昇華性セラミック材料粉末との混合物を形成し、
(d) 該混合物をダイに入れ、その混合物に、対向する２つのパンチを用いて十分な圧力を加え、
(e) 該対向するパンチにより圧力を加えている間、又は該圧力を加える前に、該粉末混合物を団結させて固形ペレットにすることを促進するように、該ダイに熱を加え、そして
(f) 該ペレットを該ダイから取り出す
ことを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法において形成されたペレットを使用して有機発光デバイスの有機材料層を製造する方法であって、
(a) 該ペレットを、チャンバ内に配置された物理蒸着源に入れ、
(b) 該基板を、該チャンバ内に、該蒸着源から一定の間隔を置いて配置し、
(c) 該チャンバを排気して減圧にし、そして
(d) 該ペレット中の該有機材料の少なくとも一部を昇華させる一方で該伝熱性セラミック材料は昇華されないままでいるように該蒸着源に熱を加えることにより該有機材料の蒸気を提供し、よって該蒸気が該基板上の該有機層になる
ことを特徴とする方法。
【請求項３】  工程(a)が、有機正孔輸送材料、有機発光材料又は有機電子輸送材料を用意することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  工程(a)が、少なくとも１種の有機正孔輸送ホスト材料とそのための少なくとも１種の有機ドーパント材料、少なくとも１種の有機発光ホスト材料とそのための少なくとも１種の有機ドーパント材料、又は少なくとも１種の有機電子輸送ホスト材料とそのための少なくとも１種の有機ドーパント材料を用意することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  該伝熱性セラミック材料が、窒化アルミニウム、炭化タングステン及び炭化チタン並びにこれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  工程(c)が、該昇華性有機材料粉末の部分として５０〜９９質量％の範囲内を選定し、かつ、該伝熱性の非昇華性セラミック材料粉末の部分として１〜５０質量％の範囲内を選定することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  工程(a)が、該物理蒸着源に２個以上のペレットを入れることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】  有機発光デバイスの一部となる基板の上に有機層を製造するための気化法に用いられるペレットであって、少なくとも（１）伝熱性の非昇華性セラミック材料と（２）昇華性有機材料との２成分を有する団結された固体混合物を含むことを特徴とするペレット。
【請求項９】  該伝熱性セラミック材料が、窒化アルミニウム、炭化タングステン及び炭化チタン並びにこれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項８に記載のペレット。
【請求項１０】  該有機材料が、少なくとも一種の有機ホスト材料と少なくとも一種の有機ドーパント材料とを含む、請求項８に記載のペレット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンデンサ素子内蔵多層配線基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の絶縁層を積層して成る積層体と、該積層体の内部に形成される導体と、を有する多層配線基板と、
多数の電極層およびセラミック誘電体層を交互に積層して成る積層体と、前記積層体を積層方向に貫通する複数の貫通孔に導体が充填されて成り、一部が前記積層体の表面よりも外側に突出した引き出し電極部と、を有するコンデンサ素子と、を備え、
前記多層配線基板は、前記絶縁層の少なくとも一層に前記コンデンサ素子が内蔵される空洞部を有し、
前記多層配線基板の前記導体と前記コンデンサ素子の前記引き出し電極部とが直接接続されていることを特徴とするコンデンサ素子内蔵多層配線基板。
【請求項２】請求項１に記載のコンデンサ素子内蔵多層配線基板において、
前記コンデンサ素子の前記積層体の主面は、前記多層配線基板の前記空洞部の内面に対して密着していることを特徴とするコンデンサ素子内蔵多層配線基板。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載のコンデンサ素子内蔵多層配線基板において、
前記コンデンサ素子の前記積層体の側面は、前記多層配線基板の前記空洞部の内面に対して密着していることを特徴とするコンデンサ素子内蔵多層配線基板。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のコンデンサ素子内蔵多層配線基板において、
前記導体は、前記引き出し電極との接続部の表面が前記コンデンサ素子の前記突出部の表面に対応した凹状を成すことを特徴とするコンデンサ素子内蔵多層配線基板。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のコンデンサ素子内蔵多層配線基板において、
前記コンデンサ素子の前記引き出し電極部の突出部の高さをＴ、前記多層配線基板の前記絶縁層の厚みをｔとすると、０．１ｔ≦Ｔ≦０．５ｔを満足することを特徴とするコンデンサ素子内蔵多層配線基板。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のコンデンサ素子内蔵多層配線基板において、
前記多層配線基板は、上下の最外層に位置する前記配線導体の一部を、外部電気回路と接続される接続パッドとしたことを特徴とするコンデンサ素子内蔵多層配線基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種ＡＶ機器や家電機器・通信機器・コンピュータやその周辺機器等の電子機器に使用されるコンデンサ素子を内蔵した配線基板に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ノイズの発生が少なく、通信機器等の電子機器類に誤動作を発生させてしまうことのないコンデンサ素子内蔵多層配線基板を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のコンデンサ素子内蔵多層配線基板は、複数の絶縁層を積層して成る積層体と、該積層体の内部に形成される導体と、を有する多層配線基板と、多数の電極層およびセラミック誘電体層を交互に積層して成る積層体と、前記積層体を積層方向に貫通する複数の貫通孔に導体が充填されて成り、一部が前記積層体の表面よりも外側に突出した引き出し電極部と、を有するコンデンサ素子と、を備え、前記多層配線基板は、前記絶縁層の少なくとも一層に前記コンデンサ素子が内蔵される空洞部を有し、前記多層配線基板の前記導体と前記コンデンサ素子の前記引き出し電極部とが直接接続されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のコンデンサ素子内蔵多層配線基板は、前記コンデンサ素子の前記積層体の主面は、前記多層配線基板の前記空洞部の内面に対して密着していることを特徴とする。
また、本発明のコンデンサ素子内蔵多層配線基板は、前記コンデンサ素子の前記積層体の側面は、前記多層配線基板の前記空洞部の内面に対して密着していることを特徴とする。
また、本発明のコンデンサ素子内蔵多層配線基板は、前記導体は、前記引き出し電極との接続部の表面が前記コンデンサ素子の前記突出部の表面に対応した凹状を成すことを特徴とする。
また、本発明のコンデンサ素子内蔵多層配線基板は、前記コンデンサ素子の前記引き出し電極部の突出部の高さをＴ、前記多層配線基板の前記絶縁層の厚みをｔとすると、０．１ｔ≦Ｔ≦０．５ｔを満足することを特徴とする。
また、本発明のコンデンサ素子内蔵多層配線基板は、前記多層配線基板は、上下の最外層に位置する前記配線導体の一部を、外部電気回路と接続される接続パッドとしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光のビームスポットが基板上において線状になるように集光し、
前記ビームスポットのエネルギー密度が低い部分あるいは一定ではない部分を、スリットによって遮蔽し、
遮蔽されなかった前記ビームスポットを走査することで、前記基板上に形成された多角形のサブアイランドに前記集光されたレーザ光を照射し、
前記遮蔽されなかったビームスポットを走査する際に、前記ビームスポットが前記サブアイランドに達したとき、前記ビームスポットと前記サブアイランドとが複数点で接することを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項２】
基板上に形成された多角形のサブアイランドのパターン情報をレーザ照射装置に記憶させ、
レーザ光のビームスポットが前記基板上において線状になるように集光し、
前記記憶されたパターン情報を用いて、前記サブアイランドを含むように前記ビームスポットの走査経路を定め、
前記ビームスポットのエネルギー密度が低い部分あるいは一定ではない部分を、スリットによって遮蔽し、
前記走査経路に従って、遮蔽されなかった前記ビームスポットを移動させることで、前記サブアイランドにレーザ光を照射し、
前記遮蔽されなかったビームスポットを走査する際に、前記ビームスポットが前記サブアイランドに達したとき、前記ビームスポットと前記サブアイランドとが複数点で接することを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項３】
基板上に形成された多角形のサブアイランドのパターン情報をレーザ照射装置に記憶させ、
レーザ光のビームスポットが前記基板上で線状になるように集光し、
前記記憶されたパターン情報を用いて、前記サブアイランドを含むように、前記ビームスポットの走査経路及び走査方向に対して垂直方向における幅を定め、
前記ビームスポットのエネルギー密度が低い部分あるいは一定ではない部分を、スリットによって遮蔽し、
前記走査経路に従って、遮蔽された前記ビームスポットを移動させることで、前記サブアイランドにレーザ光を照射し、
前記遮蔽されたビームスポットを走査する際に、前記ビームスポットが前記サブアイランドに達したとき、前記ビームスポットと前記サブアイランドとが複数点で接することを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項４】
基板上に形成された多角形のサブアイランドのパターン情報をレーザ照射装置に記憶させ、
レーザ光のビームスポットが前記基板上で線状になるように集光し、
前記記憶されたパターン情報を用いて、前記サブアイランドを含むように、前記ビームスポットの走査経路及び走査方向に対して垂直方向における幅を定め、
前記ビームスポットのエネルギー密度が低い部分あるいは一定ではない部分を、スリットによって遮蔽し、
前記サブアイランドと共通の半導体膜から形成されたマーカーを基準として、前記走査経路に従って、遮蔽された前記ビームスポットを移動させることで、前記サブアイランドにレーザ光を照射し、
前記遮蔽されたビームスポットを走査する際に、前記ビームスポットが前記サブアイランドに達したとき、前記ビームスポットと前記サブアイランドとが複数点で接することを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記サブアイランドの周囲は、ギザギザであることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記ビームスポットと前記サブアイランドとは前記複数点において時間差をおいて接していることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記複数点における前記サブアイランドの角度は６０°以上１２０°以下であることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記レーザ光の走査が減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下において行われることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザまたはＹ２Ｏ３レーザから選ばれた一種または複数種を用いて出力されていることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記レーザ光は、スラブレーザを用いて出力されていることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記レーザ光は連続発振であることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記レーザ光は第２高調波であることを特徴とするレーザ光の照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報端末機能を備えた腕時計
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気通信回路を通じて接続されたサーバとの間でデータの送受信を行う通信手段と、
前記通信手段により受信したデータに基づいて情報を出力する出力手段と、を備える腕時計。
【請求項２】
フェイスデザインデータの受信要求の操作を受け付ける受信要求受付手段を備え、
前記通信手段は、受け付けた前記フェイスデザインデータの受信要求に基づいて、前記サーバに前記フェイスデザインデータの送信を要求する信号を送信し、前記サーバから前記フェイスデザインデータを受信し、
前記出力手段は、受信した前記フェイスデザインデータが表すフェイスデザインを表示部に表示させる請求項１に記載の腕時計。
【請求項３】
アラーム音データの受信要求の操作を受け付ける受信要求受付手段を備え、
前記通信手段は、受け付けた前記アラーム音データの受信要求に基づいて、前記サーバに前記アラーム音データの送信を要求する信号を送信し、前記サーバから前記アラーム音データを受信し、
前記出力手段は、受信した前記アラーム音データが表すアラーム音を出力する請求項１に記載の腕時計。
【請求項４】
メールデータの受信要求の操作を受け付ける受信要求受付手段を備え、
前記通信手段は、受け付けた前記メールデータの受信要求に基づいて、前記サーバに前記メールデータの送信を要求する信号を送信し、前記サーバから前記メールデータを受信し、
前記出力手段は、受信した前記メールデータが表すメール内容を表示部に表示させる請求項１に記載の腕時計。
【請求項５】
ユーザによる操作を受け付ける操作部と、前記操作部が受け付けた操作により生じる軌跡に基づいて操作軌跡データを生成する操作軌跡データ生成手段と、
生成した前記操作軌跡データに基づいて、対応する何らかの識別記号を認識する識別記号認識手段と、を備えた入力支援システムを接続可能なインターフェース部を備えた請求項１から請求項４のいずれかに記載の腕時計。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の配線の上方に配置された記憶素子と、
前記記憶素子上に配置され、前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の配線と、
前記第２の配線の側面及び前記記憶素子の側面に形成された第１の磁気シールド層と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】  前記第１の磁気シールド層は、前記第２の配線の前記側面及び上面、前記記憶素子の前記側面に形成され、かつ前記第２の配線間を跨いで連続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】  前記第１の磁気シールド層は、絶縁性の磁性層であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】  前記絶縁性の磁性層は、絶縁性のフェライトであることを特徴とする請求項３に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】  前記第２の配線の前記側面と前記記憶素子の前記側面とはほぼ平面になっており、この平面に前記第１の磁気シールド層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】  前記第１又は第２の配線と前記記憶素子との間に形成されたダイオードをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】  前記第２の配線の上面に形成された第２の磁気シールド層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】  前記第２の磁気シールド層は、絶縁性の磁性層又は導電性の磁性層であることを特徴とする請求項７に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】  前記第２の配線の上面に形成された第２の磁気シールド層と、
前記第２の配線の前記側面及び前記記憶素子の前記側面と前記第１の磁気シールド層との間に形成された第２の絶縁層と
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】  前記第１の磁気シールド層は、絶縁性の磁性層又は導電性の磁性層であることを特徴とする請求項９に記載の磁気記憶装置。
【請求項１１】  前記第２の磁気シールド層は、絶縁性の磁性層又は導電性の磁性層であることを特徴とする請求項９に記載の磁気記憶装置。
【請求項１２】  前記記憶素子の前記側面と前記第１の磁気シールド層との間に形成され、前記第２の配線の前記側面と平面になっている側面を有する第３の絶縁層と
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１３】  前記記憶素子の前記第１の方向の幅は、前記第２の配線の幅より小さいことを特徴とする請求項１２に記載の磁気記憶装置。
【請求項１４】  前記第１の配線の下面及び側面に形成された第３の磁気シールド層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１５】  前記第３の磁気シールド層は、絶縁性の磁性層又は導電性の磁性層であることを特徴とする請求項１４に記載の磁気記憶装置。
【請求項１６】  前記第１の磁気シールド層を挟む第１及び第２のバリアメタル層と
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１７】  前記第３の磁気シールド層を挟む第３及び第４のバリアメタル層と
をさらに具備することを特徴とする請求項１４に記載の磁気記憶装置。
【請求項１８】  前記第１の配線と同一面上に配置され、前記第１の配線と平行して延在され、前記記憶素子に接続され、読み出し配線として使用される第３の配線をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１９】  前記第１の配線と前記記憶素子との間に配置され、前記第１の配線と平行して延在され、前記記憶素子に接続され、読み出し配線として使用される第４の配線をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項２０】  第１の方向に延在する第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線の上方に記憶素子を選択的に形成する工程と、
前記記憶素子の周囲に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層及び前記記憶素子上に前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線をマスクとして用いて、前記第２の配線で覆われていない前記第１の絶縁層を除去する工程と、
前記第１及び第２の配線及び前記記憶素子を覆うように、前記第２の配線間を跨いで第１の磁気シールド層を形成する工程と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２１】  前記第１の磁気シールド層を形成した後、
前記第２の配線の前記上面及び前記第２の配線間の前記第１の磁気シールド層を除去し、前記第１の磁気シールド層を前記第２の配線の前記側面及び前記記憶素子の前記側面に残す工程をさらに具備することを特徴とする請求項２０に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２２】  前記第１の磁気シールド層は、異方性エッチングで除去することを特徴とする請求項２１に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２３】  前記第１の磁気シールド層を形成する前に、前記第２の配線の前記上面に第２の磁気シールド層を形成する工程と、
前記第１の磁気シールド層を形成した後に、前記第１の磁気シールド層の選択部分を除去し、前記第１の磁気シールド層を前記第２の配線の前記側面及び前記記憶素子の前記側面に残す工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項２０に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２４】  前記第１の磁気シールド層を形成する前に、
前記第２の配線の前記上面に第２の磁気シールド層を形成する工程と、
前記第２の配線の前記側面及び前記記憶素子の前記側面に第２の絶縁層を形成する工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項２０に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２５】  前記第１の磁気シールド層を形成した後に、
前記第２の磁気シールド層の前記上面及び前記第２の配線間の前記第１の磁気シールド層を除去し、前記第１の磁気シールド層を前記第２の絶縁層の側面に残す工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項２４に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２６】  前記第２の配線の幅を前記記憶素子の前記第１の方向の幅よりも大きくして、前記第２の配線を形成し、
前記第２の配線をマスクとして用いて前記第２の配線で覆われていない前記第１の絶縁層を除去することで、前記第２の配線の前記側面よりも窪んだ前記記憶素子の前記側面に前記第１の絶縁層を残し、
前記第２の配線の前記側面及び前記上面、前記第１の絶縁層の側面に前記第１の磁気シールド層を形成する
ことを特徴とする請求項２０に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２７】  第１の方向に延在する第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線の上方に前記第１の方向に延在する直線状の記憶素子を形成する工程と、
前記記憶素子の周囲に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層及び前記記憶素子上に、前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線をマスクとして用いて前記第２の配線で覆われていない前記第１の絶縁層及び前記記憶素子を除去し、前記記憶素子を島状にする工程と、
前記第２の配線間を跨いで第１の磁気シールド層を形成する工程と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。