(57)【要約】【課題】高密度、及び高柔軟性の半導体の集合構造を提供する。【解決手段】  一つの基板及び、少なくとも一つの穴を含み、該穴は整列するように基板の上に並び、該穴のサイズはコンポーネントのサイズに相当し、コンポーネントを該穴の中に設置する。さらに、一つのコンポーネントが一分割単位とすることで、基板の上で分布区域を自由に選んで分割を行い、無駄なコストが避けられ、且つ、コンポーネントの高密度と高柔軟性の半導体の集合構造である。また、該構造に含まれる基板はセラミック基板、ガラス基板、あるいはシリコン基板でも良く、該基板の上の穴は四角形、円形あるいはほかの形でも良い。また、コンポーネントは一般的にチップであり、発光ダイオードあるいは集積回路でも良い。【選択図】図４
0003124373.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
一つの基板及び、該基板の上に少なくとも一つの穴を具有し、該穴の中へ、コンポーネントを設置したものにおいて、前記穴のサイズはコンポーネントのサイズに相当することを特徴とする半導体の集合構造。
【請求項２】
前記穴は整列されて並んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項３】
前記基板の分布区域を、選んだコンポーネントに沿って分割を行うことができることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項４】
前記分布区域は少なくとも一つの選択部分によって構成し、該選択部分は一つのコンポーネントであることを特徴とする請求項３記載の半導体の集合構造。
【請求項５】
前記コンポーネントはチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項６】
前記チップは発光ダイオードであることを特徴とする請求項５記載の半導体の集合構造。
【請求項７】
前記基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項８】
前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項９】
前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項１０】
前記穴は円形であることを特徴とする請求項１０記載の半導体の集合構造。
【請求項１１】
前記穴は四角形であることを特徴とする請求項１０記載の半導体の集合構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、少なくとも１つの半導体、特に、発光ダイオードのコンポーネントに適用して、高密度と高柔軟性を実現する半導体の集合構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光ダイオードはビデオディスプレー端末装置（イメージモニタ）に頻繁に使用されており、また、次代（次世代）照明にもよく応用されている。発光ダイオードの輝度アップにつれて、インディケータ、交通信号だけではなく、だんだん伝統的な照明市場でも使われるようになってきており、さらに、科学製造技術の進歩、及びハイパワー発光ダイオードの発明にしたがって、発光ダイオード照明の応用性も広がっている。
【０００３】
図１は、従来技術の１つの単位の発光コンポーネント（コンポーネント）の構造の略図である。図１に示すように、単一の発光コンポーネント１１の中に、１つの基板１１１、１つの穴１１２、その穴１１２の内側に８つのチップ１１３、及び、基板１１１の端部に１つの電極１１４から構成され、その発光コンポーネント(集合体)１１の基板１１１はセラミックの基板である。
通常、このようなコンポーネント１１の製造工程は基板１１１へ１つの大きいな穴１１２を空けて、該穴１１２へ８つの発光ダイオードであるチップ１１３を埋め込んで製造する。そして、最後に、該基板１１１の左上角へこれらのチップ１１３の極性連結であるプリント電極１１４をプリントする。このような製造工程の発光コンポーネント１１のセラミック基板の大部分には、発光ダイオードのチップ１１３が埋め込まれていないため、セラミック基板１１１の面積と比較してチップ１１３の面積が少なく、折角のセラミック基板１１１の大部分のスペースが無駄となっている。
【０００４】
さらに、図２は、従来公知の発光コンポーネントの製造工程の略図である。図２に示すように、たくさんの発光コンポーネント（集合体）を製造するために、より大きな基板１１１を利用して、その上に、前述の図１のような発光コンポーネント１１を多数設置する必要がある。この製造工程では、多くの発光コンポーネント１１を製造した場合、セラミック基板にたくさんのチップ１１３を設置していないため、セラミック基板１１１のスペースが無駄となる。また、チップ１１３は、各発光コンポーネント１１の中心に集中し、全体としては満遍なく配置していないため、全体の面での発光は不均等になる。
【０００５】
図３は、従来多く発光コンポーネントを分割する略図である。図３は、図２に示すような、多数の発光コンポーネント１１を分割するものであるが、図示するように、この分割方法は一分割単位が８つの発光コンポーネントしかできない。すなわち、図３の分割面積３１によって、分割するとき、発光コンポーネント１１におけるチップ１１３の一分割単位が８つのため、これに制約されて好きな形に分割できない。このような分割方法は、柔軟性がなく、コストが高くなり、及び、発光は不均等になるなどの欠点が存在する。
【特許文献１】特開２００３−２４３７２０号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の従来技術の欠点を解決するため、本考案は、半導体、特に発光ダイオードの集合構造において、無駄なスペースを無くし、分割するに際して制約が少なく、特に、発光ダイオードの使用においては発光も均等になる一種の高密度、及び高柔軟性の構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本考案は、半導体の集合構造において、一つの基板及び、少なくとも一つの穴を含み、該穴は整列するように基板の上に並び、該穴のサイズはコンポーネントのサイズに相当し、コンポーネントを該穴の中に設置する。さらに、一つのコンポーネントが一分割単位として、基板の上で分布区域を選んで分割を行い、無駄なコストが避けられ、且つ高密度と高柔軟性を実現する半導体の集合構造を提供するものである。
【０００８】
すなわち、請求項１の考案は、一つの基板及び、該基板の上に少なくとも一つの穴を具有し、該穴の中へ、コンポーネントを設置したものにおいて、前記穴のサイズはコンポーネントのサイズに相当することを特徴とする半導体の集合構造である。
請求項２の考案は、前記穴は整列されて並んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項３の考案は、前記基板の分布区域を、選んだコンポーネントに沿って分割を行うことができることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項４の考案は、前記分布区域は少なくとも一つの選択部分によって構成し、該選択部分は一つのコンポーネントであることを特徴とする請求項３記載の半導体の集合構造である。
請求項５の考案は、前記コンポーネントはチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項６の考案は、前記チップは発光ダイオードであることを特徴とする請求項５記載の半導体の集合構造である。
請求項７の考案は、前記基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項８の考案は、前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項９の考案は、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項１０の考案は、前記穴は円形であることを特徴とする請求項１０記載の半導体の集合構造である。
請求項１１の考案は、前記穴は四角形であることを特徴とする請求項１０記載の半導体の集合構造である。
【考案の効果】
【０００９】
本考案の半導体の集合構造によれば、基板の穴のサイズはチップ等のコンポーネントのサイズに相当させたので、基板における無駄なスペースを排除し、コンポーネントの分割に際しても分割区分の制約が少なくなり、かつ、発光ダイオードを使用した場合には発光部分が全体としても面全体としても均等に発光するようになり、半導体や発光ダイオードの集合の高密度と高柔軟性を有することが出来る。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１０】
本考案の好適な半導体の集合構造、特に、発光ダイオードの集合構造の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図４は、本考案の実施例の高密度コンポーネントの製造工程と構造の略図である。
図４に示すように、少なくとも前述した従来例の基板１１１、本考案でいうコンポーネントに該当する一つのチップ１１３、及び、先進技術を結び付けてチップ１１３の寸法と一致する四角形の穴４１から構成されている。
ここで、本実施例では、基板１１１はセラミック基板であり、チップ１１３は発光ダイオードであるが、コンポーネントに該当するチップ１１３は発光ダイオード以外の半導体や集積（ＩＣ）回路でもよく、基板１１１もセラミック基板以外のガラス基板やシリコン基板でもよい。
さらに、これらの四角形の穴４１は整列するように並ぶため、無駄なスペースがなく比較的高価なセラミック基板に対して効率よく配列できるので、基板に対してのチップ１１３の密度が高くなる。なお、この同じ穴４１は基板１１１を有効に使用できるのであれば円形でもよい。
ところで、図２に示した従来の技術は、一分割単位が８つのチップ１１３のため、９６個のチップ１１３しか設置できないが、これと比べて、本考案の実施例の発光ダイオードの集合構造は、チップ１１３の寸法と一致する四角形の穴４１から構成されているで、同じサイズの基板上で１９２個以上のチップ１１３を高密度で設置することができる。これにより、同じサイズの基板１１１であっても、従来技術に比べて高密度及び高均等な発光コンポーネントが得られる。
【００１２】
更に、図５は、本考案の実施例に基づいて、一つのチップでが一分割単位として、コンポーネントを分割する略図である。
図５に示すように、図４の製造工程から取得したコンポーネントに基づいて、分割を行う。この分割はチップ１１３が分割単位として、必要とするコンポーネントの形５１に選んだコンポーネントに沿って分割を行う。この際、基板の穴４１のサイズはチップ１１３等のコンポーネントのサイズに相当させたので、分割の堺がチップ１１３の外形とほぼ一致するので、比較的高価な基板１１１における無駄なスペースがなく、発光コンポーネントの分割に際しても分割区分の制約が少なくなり、このような高柔軟性の分割によって、コンポーネントの製造コストをダウンでき、無駄なコストを避けられる。同様に、出来上がった発光ダイオードの集合構造（半導体の集合構造）は、高密度、高光度、及び、光源が均等に分散しているので面での発光が高均等の効果がある。
【００１３】
図６は、１６個の発光ダイオードの並列図である。図６に示すように、１６個並列する発光ダイオード６１は同じ入力端６１１及び出力端６１２を具有し、本考案の実施例の製造工程から、この１６個並列する発光ダイオード６１を製造するには、図７のように円形の穴７１を入力端６１１の電極とし、ほかの四角形の穴４１と区別する。そして、他の四角形の穴４１にチップ１１３としての発光ダイオード６１を配置し、これにより該コンポーネントを使用するとき、電極を判別する便利性が提供できる。
【００１４】
上記の実施例の発光ダイオードの集合構造によれば、セラミック基板１１１の四角形穴４１のサイズはチップ１１３である発光ダイオードのサイズに相当させたので、比較的高価な基板１１１における無駄なスペースを排除し、コンポーネント５１の分割に際しても分割区分の制約が少なくし、かつ、発光ダイオード６１の発光部分が全体としても均等に配列されていて均等発光するようにし、発光ダイオードの集合の高密度と高柔軟性を実現することが出来る。
なお、本考案の特徴を損なうものでなければ、上記実施例に限定されるものでないことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来技術における１個の発光コンポーネントの構造略図である。
【図２】従来技術における複数個の発光コンポーネントの構造略図である。
【図３】従来技術における複数個の発光コンポーネントを分割する際の説明図である。
【図４】本考案の実施例における高密度のコンポーネント（発光ダイオードの集合）構造略図である。
【図５】本考案の実施例における一つのチップを一分割単位として、コンポーネント（発光ダイオードの集合構造）を分割する略図である。
【図６】本考案の実施例における１６個の発光ダイオードの並列図である。
【図７】本考案に実施例に基づいて、１６個発光ダイオードと極性との説明図である。
【符号の説明】
【００１６】
１１  発光コンポーネント（発光ダイオード）
１１１  基板
１１２  穴
１１３  チップ
１１４  プリント電極
３１  分割面積
４１  四角形の穴
５１  コンポーネントの形
６１  １６個の並列する発光ダイオード
６１１  入力端
６１２  出力端
７１  円形の穴
【図１】
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【図２】
0003124373.tif 000004
【図３】
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【図４】
0003124373.tif 000006
【図５】
0003124373.tif 000007
【図６】
0003124373.tif 000008
【図７】
0003124373.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
一つの基板及び、該基板の上に少なくとも一つの穴を具有し、該穴の中へ、コンポーネントを設置したものにおいて、前記穴のサイズはコンポーネントのサイズに相当することを特徴とする半導体の集合構造。
【請求項２】
前記穴は整列されて並んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項３】
前記基板の分布区域を、選んだコンポーネントに沿って分割を行うことができることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項４】
前記分布区域は少なくとも一つの選択部分によって構成し、該選択部分は一つのコンポーネントであることを特徴とする請求項３記載の半導体の集合構造。
【請求項５】
前記コンポーネントはチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項６】
前記チップは発光ダイオードであることを特徴とする請求項５記載の半導体の集合構造。
【請求項７】
前記基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項８】
前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項９】
前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項１０】
前記穴は円形であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【請求項１１】
前記穴は四角形であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、請求項１の考案は、一つの基板及び、該基板の上に少なくとも一つの穴を具有し、該穴の中へ、コンポーネントを設置したものにおいて、前記穴のサイズはコンポーネントのサイズに相当することを特徴とする半導体の集合構造である。
請求項２の考案は、前記穴は整列されて並んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項３の考案は、前記基板の分布区域を、選んだコンポーネントに沿って分割を行うことができることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項４の考案は、前記分布区域は少なくとも一つの選択部分によって構成し、該選択部分は一つのコンポーネントであることを特徴とする請求項３記載の半導体の集合構造である。
請求項５の考案は、前記コンポーネントはチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項６の考案は、前記チップは発光ダイオードであることを特徴とする請求項５記載の半導体の集合構造である。
請求項７の考案は、前記基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項８の考案は、前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項９の考案は、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項１０の考案は、前記穴は円形であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。
請求項１１の考案は、前記穴は四角形であることを特徴とする請求項１記載の半導体の集合構造である。