【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板上の酸窒化シリコン膜と、前記酸窒化シリコン膜上の半導体膜とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板上の酸窒化シリコン膜と、前記酸窒化シリコン膜上の半導体膜とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
酸窒化シリコン層とＳｉ、Ｏを含む絶縁層とを少なくとも有する基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の半導体膜とを有し、
前記酸窒化シリコン層において、Ｓｉの濃度に対するＮの濃度比は０．３以上１．６以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
酸窒化シリコン層とＳｉ、Ｏを含む絶縁層とを少なくとも有する基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の半導体膜と、
を有し、
前記酸窒化シリコン層において、Ｓｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下あることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項３又は４において、
前記酸窒化シリコン層は、前記基板表面に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項３乃至５のいずれか１項において、
前記半導体膜は、前記Ｓｉ、Ｏを含む絶縁層表面に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領と、ソースおよびドレイン領域と、前記チャネル形成領と前記ソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領と、ソースおよびドレイン領域と、前記チャネル形成領と前記ソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領と、ソースおよびドレイン領域と、前記チャネル形成領と前記ソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下であり、
前記低濃度不純物領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領と、ソースおよびドレイン領域と、前記チャネル形成領と前記ソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下であり、
前記低濃度不純物領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
画素部に形成された薄膜トランジスタと、
駆動回路に形成された薄膜トランジスタとを有し、
前記画素部に形成された薄膜トランジスタおよび前記駆動回路に形成された薄膜トランジスタは、それぞれ、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領と、ソースおよびドレイン領域と、前記チャネル形成領と前記ソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＮの濃度比が０．３以上１．６以下であり、
前記低濃度不純物領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
基板上の酸窒化シリコン層と、
前記酸窒化シリコン層上のＳｉ、Ｏを含む絶縁層と、
画素部に形成された薄膜トランジスタと、
駆動回路に形成された薄膜トランジスタとを有し、
前記画素部に形成された薄膜トランジスタおよび前記駆動回路に形成された薄膜トランジスタは、それぞれ、
前記絶縁層上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、
前記半導体膜は、チャネル形成領と、ソースおよびドレイン領域と、前記チャネル形成領と前記ソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記酸窒化シリコン膜はＳｉの濃度に対するＯの濃度比が０．１以上１．７以下であり、
前記低濃度不純物領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】  請求項３乃至１４のいずれか１項において、
前記Ｓｉ、Ｏを含む絶縁層は、Ｓｉ、Ｏ、Ｎを含む酸窒化シリコンでなり、Ｓｉの濃度に対するＮの濃度比が０．１以上０．８以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】  請求項３乃至１４のいずれか１項において、
前記Ｓｉ、Ｏを含む絶縁層は、酸化シリコンでなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一に記載の前記半導体装置を用いた電子機器。
【請求項１８】
請求項１７に記載の前記電子機器は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、モバイルコンピュータ、ゴーグル型ディスプレイ、記録媒体を用いるプレーヤー、デジタルカメラ、フロント型プロジェクター、リア型プロジェクター、携帯電話、携帯書籍またはディスプレイであることを特徴とする電子機器。
【請求項１９】  基板上に、酸窒化シリコン層を少なくとも有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成する工程を有し、
前記酸窒化シリコン層はＳｉの濃度に対するＮの濃度比は０．３以上１．６以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】  基板上に、酸窒化シリコン層とＳｉ、Ｏを含む絶縁層とを少なくとも有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、半導体膜を形成する工程を有し、
前記酸窒化シリコン層はＳｉの濃度に対するＮの濃度の比は０．３以上１．６以下であり、
前記Ｓｉ、Ｏを含む絶縁層の表面を大気に曝さずに、前記Ｓｉ、Ｏを含む絶縁層表面に接して、前記半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】  基板上に、酸窒化シリコン層を形成し、
前記酸窒化シリコン層上にＳｉ、Ｏを含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に半導体膜を形成する工程を有し、
前記酸窒化シリコン層はＳｉの濃度に対するＮの濃度比は０．３以上１．６以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。