【事件の表示】
　平成　３年特許願第１１５８０４号「太陽電池」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１１月３０日出願公開、特開平　４−３４３４８０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、平成３年５月２１日の特許出願であって、その発明は、平成１３年４月５日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に形成された下部電極、窓層として機能する第１の半導体層、吸収層として機能する第２の半導体層、及び上部電極を備えた太陽電池であって、ｐｎ接合部をなす前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に第３の半導体層のみを設け、前記第３の半導体層は、前記第１の半導体と第２の半導体の両者の格子定数の中間的な値を持ち、かつその厚さは０．１μｍ以下であることを特徴とする太陽電池。」
２．引用文献について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開昭６３−２４５９６３号公報）には、次の事項が記載されている。
「第１図に示した理想的なダイアグラムのようなエネルギーバンド構成を有する３層構造体を製造するには、実施上考慮すべき点が多々存在する。
　層１及び３と、層３及び５は、ほぼ同一の熱膨張係数と格子定数（規則的で非アモルファスの材料が使用されていると想定して）を有していることが好ましい。例えば格子定数が不適合である場合は、インターフェイスの状態は、構造体の特性に不利な影響を及ぼすヘテロ接合で形成される。インターフェイス状態の集中（concentration）があまり高いと、過剰な電荷キャリアーが再結合して電流の収集を大きく減らす結果になりかねない。少なくとも３つの主要な成分（すなわち原子格子の大きな部分を形成し、ドーパントや微量不純物に比して少なからざる量で存在する元素）を含む材料を層中に用いる場合は、２成分の相対量は例えば中間層等のような各層の中の一つの位置によって変化させることができる。この例を第２図に示したが、ここで中間層は２つのヘテロ接合を結ぶ方向の線に沿った位置によって変化する光学的バンドギャップエネルギーを有する。その変化の結果少なくとも１つのバンドエッジが傾斜され、それゆえ電荷キャリアーの収集を助ける。組成の変化は、また熱膨張係数及び／又は格子定数の不適合の効果をも減じる。
　記載された構造体は、光電池として機能するために更に物理的な要件も必要とする。第３図に、構造体を含む完成した単位電池装置１１の例を示す。装置１１は、支持体１３を含むが、その上に必要に応じて導電性層１５が配置される。新規構造体の３つの層１７、１９及び２１は、導電性層１５の上に配置され、第２の導電性層２３は層２１の上に配置される。支持体１３は、ガラスのように透明であっても、不透明であっても良い。前者の場合、光は支持体を通過して構造体の電池の最上位であってよい層１７に入る。透明な誘電性支持体１３は、装置１１の１つの端子を形成するために、透明な導電性層１５を必要とする。適性な導電性層は、スズ酸化物、インジウム・スズ酸化物、亜鉛酸化物及び他の公知の透明で導電性の酸化物から製造することができる。装置１１を反転させた形態においては、層２１が最上位層であってよく、その場合は層２３が導電性で透明であり、電流収集グリッドの形態であるかグリッドを含んでいてよい。この場合、支持体１３は不透明かつ導電性であってよく、層１５は必要とされない。」（５頁右上欄５行〜同頁右下欄１１行）
「第３図に示すように、単位電池において硫化カドミウムが最上位層に用いられる場合、酸化亜鉛を導電性透明フィルム１５に有利に用いることができる。硫化カドミウム層は、最上位層での光の吸収を最小化するため可能な限り薄く、抵抗値を最小化するため重度にドープされていることが望ましい。しかしながら、電荷空乏領域は電池の最上位及び中間層の接合においてそれらの層が反対の導電率タイプである場合に、形成される。もし硫化カドミウム層が非常に薄く、過剰に重度にドープされていなければ、空乏層を硫化カドミウム層のほぼ全域に拡大することができる。しかしインジウムを伴っても伴わなくても、酸化亜鉛は酸化スズと異なる電子親和力を有するため、酸化亜鉛を用いることが好ましい。それを伴ってより薄い硫化カドミウム層を使うことができるからである。光のほとんどが吸収される、構造体中の中間の光電池層の材料としては、カドミウムテルライド単独、又はそのカドミウム原子の１部を水銀又は亜鉛の１つで置換したもの及び水銀亜鉛テルライドが適切である。カドミウムテルライドの光学的バンドギャップエネルギーは、太陽スペクトルからの光を吸収するための理想値に近い約１．５ｅＶである。カドミウムテルライドは、公知技術を用いて硫化カドミウム層のような導電性支持体上に電着することができる。」（６頁左上欄１６行〜同頁右下欄２行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開昭６０−２１１８５１号公報）には、次の事項が記載されている。
「ウルツ構造のＣｄＳｅ基板上に連続的あるいは段階的に格子定数が変化するｎ型グレーデッドエピタキシャル層を設け、該グレーデッドエピタキシャル層上にウルツ構造のｐ型ＺｎＴｅをエピタキシャル成長させたことを特徴とするII−VI族化合物半導体装置。」（１頁左下欄５行〜１０行）
「第II図に本実施例によるII−VI族化合物半導体装置の断面構造模式図を示す。６はＣｄＳｅ基板、７はＣｄＳｅエピタキシャル層、８はＺｎｘ（０≧Ｘ≧０．０９８）グレーデッドエピタキシャル層、９はＺｎｚＣｄ１−ｚＳｅ（Ｘ＝０．０９８）エピタキシャル層、１０はＺｎＴｅエピタキシャル層である。」（３頁左上欄１３行〜１８行）
「第３図において、第２図と同一番号は同一構成部分を示している。１１はＣｄＳｅ１−ｘＳｘ（０≧Ｘ≧０．１７５）グレーデッドエピタキシャル層、１２はＣｄＳｅ１−ｘＳｘ（Ｘ＝０．１７５）エピタキシャル層である。上記の方法により得られたＺｎＴｅエピタキシャル層は良好な鏡面性を有しており、ウルツ鉱型の結晶構造を示し伝導機構はｐ型伝導であった。またＣｄＳｅ１−ｘＳｘ（０≧Ｘ≧０．１７５）グレーデッドエピタキシャル層１１はｎ型ＣｄＳｅ基板６およびｐ型ＺｎＴｅエピタキシャル層１０の表面にオーミック電極を形成して電流電圧特性を測定した結果、良好なｐ−ｎ接合が形成されていることが確認された。また各層の導電率については成長中のII−VI比を適当に設定することにより、エピタキシャル層のストイキオメトリーを変化させ、制御することが可能であることがわかった。」（３頁左下欄１８行〜同頁右下欄１５行）
「以上のように本発明によるII−VI族化合物半導体装置はエネルギーギャップの異なる良好なヘテロ界面および良好なｐｎ接合を有していることから発光ダイオード、受光素子、太陽電池等の応用を考えると非常に有用性の高いものである。」（３頁右下欄１６行〜４頁左上欄１行）
３．本願発明と引用文献に記載の発明との対比・判断
　引用文献２に記載の「ｎ型グレーデッドエピタキシャル層」は、「連続的あるいは段階的に格子定数が変化する」から、本願発明の「第３の半導体層」と同様に、「ＣｄＳｅ基板」と「ｐ型ＺｎＴｅ」の格子定数の中間的な値を備えていることは明らかである。
　そして、引用文献２に記載の「ＣｄＳｅ基板」、「ｎ型グレーデッドエピタキシャル層」、「ｐ型ＺｎＴｅ」、「太陽電池」は、それぞれ本願発明の「第１の半導体層」、「第３の半導体層」、「第２の半導体層」、「太陽電池」に相当する。
　また、引用文献２に記載の「II−VI族化合物半導体装置」が「太陽電池」を構成するときは、「ＣｄＳｅ基板」に接合する「電極」、その「電極」を支持する「基板」そして「ｐ型ＺｎＴｅ」に接合する「電極」を備えることは当業者に明らかである。
　そこで、本願発明と引用文献２に記載の発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は「基板上に形成された下部電極、窓層として機能する第１の半導体層、吸収層として機能する第２の半導体層、及び上部電極を備えた太陽電池であって、ｐｎ接合部をなす前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に第３の半導体層のみを設け、前記第３の半導体層は、前記第１の半導体と第２の半導体の両者の格子定数の中間的な値を持つことを特徴とする太陽電池」であるという点で一致し、次の点（以下、相違点という。）で相違している。
　相違点：本願発明の「第３の半導体層」の厚さは０．１μｍ以下であるのに対して、引用発明の「ｎ型グレーデッドエピタキシャル層」の厚さは約１μｍ〜約３μｍである点。
　そこで上記相違点について以下に検討する。
　ＣｄＳ窓層、ＣｄＨｇＴｅ中間層及びＣｄＴｅ層からなる光電池構造体に係る発明を開示している引用文献１において「第３図に示すように、単位電池において硫化カドミウムが最上位層に用いられる場合、酸化亜鉛を導電性透明フィルム１５に有利に用いることができる。硫化カドミウム層は、最上位層での光の吸収を最小化するため可能な限り薄く、抵抗値を最小化するため重度にドープされていることが望ましい」と記載されている。
　そして、引用文献１に記載された上記光電池構造体のＣｄＳ窓層、ＣｄＨｇＴｅ中間層及びＣｄＴｅ層は本願発明の太陽電池の「第１の半導体層」、「第３の半導体層」及び「第２の半導体層」に相当することは明らかである。
　してみると、光の吸収層である「第２の半導体層」の受光側にある「第１の半導体層」及び「第３の半導体層」を、光の吸収を最小化するために、可能な限り薄くすることは引用文献１に記載されて公知であることになる。
　したがって、引用発明においても、光の吸収をできるだけ小さくするために、「第３の半導体層」である「ｎ型グレーデッドエピタキシャル層」の厚さを０．１μｍ以下とすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　なお、本願明細書には、その「第３の半導体層」の厚さが０．１μｍで、「第１の半導体層」の厚さが０．５μｍである実施例は記載されているが、「第３の半導体層」の厚さが０．１μｍ以下で「第１の半導体層」の厚さが０．１μｍ程度又は以下である実施例は記載も示唆もされていない。
　してみると、その「第３の半導体層」の厚さが０．１μｍ以下であることにより、「光入射側の半導体層（第１の半導体）を０．１μｍ程度の厚さで構成でき、ヘテロ界面付近に生じている空乏層により多くの光を取り込むことができる」（本願明細書４頁段落【０００８】）という本願発明の作用効果は、本願明細書において具体的に示されているとはいえず、「第１及び第３の半導体層を可能な限り薄くする」という引用文献１に記載の技術事項を引用発明に適用して第３の半導体層を０．１μｍ以下としたものと比べて格別のものとは認めることができない。
　よって、相違点は格別の相違ではない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。