【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７２４４２号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　３月　６日出願公開、特開平１０−　６５１１１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、昭和６３年５月１０日に出願した特願昭６３−１１３０１８号の一部を平成９年６月２７日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１ないし４に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「シリサイド膜と、前記シリサイド膜と接する、前記シリサイド膜を構成するシリサイド材料より高抵抗な領域と、埋め込み酸化膜と、を備えた半導体装置であって、
　前記シリサイド膜のうち最も前記埋め込み酸化膜に近接して配置されたシリサイド膜は上部電極と前記高抵抗な領域との間にのみに配置され、かつ前記埋め込み酸化膜とは離間して形成されていること、
  を特徴とする半導体装置。」
　
　
２．引用刊行物
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された特開昭６１−１７７７１６号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、半導体装置およびその製造方法に関し、「第１図は本発明をＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）に適用した実施例を示し、Ｐ型シリコン基板１０に素子分離絶縁膜１１を形成して素子領域を画成し、ＤＲＡＭメモリ素子１２を構成している。すなわち、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第１ゲート絶縁膜１３上に多結晶シリコンの第１ゲート電極（キャパシタ電極）１４を形成してキャパシタ１５を構成する。一方、その隣位置にはＳｉＯ２の第２ゲート絶縁膜１６を形成すると共にその上に多結晶シリコンで第２ゲート電極（ワード線）１７を形成し、シリコン基板１０の主面にＮ型不純物をドープさせたＮ型ソース・ドレイン領域としての不純物層１８とでＮ型ＭＯＳＦＥＴ１９を構成している。そして、全面にＰＳＧ等の層間絶縁膜２０を形成した上で前記不純物層１８上の層間絶縁膜２０にコンタクトホール２１を開設し、そこにＡＬ（アルミニウム）配線膜（データ線）２２を形成して不純物層１８とのコンタクトをとっている。
　前記コンタクトはコンタクトホール２１の底部の不純物層１８表面に白金シリサイド（ＰｔＳｉ）膜２３を薄く形成し、またコンタクトホール２１の内側面にはこの白金シリサイド膜２３の各端部を覆うようにして、側面の傾斜を緩やかにしたサイドウォール２４を形成している。このサイドウォール２４にはタングステンシリサイド（ＷＳｉ２）が用いられる。その上で、データ線としてのＡＬ配線膜２２をその一端がコンタクトホール２１内に侵入されるように膜形成し、白金シリサイド膜２３を介して不純物層１８とのコンタクトをとっている。」（第３頁右上欄第１６行〜同頁右下欄第６行）こと、「第２図（Ａ）のように常法によってシリコン基板１０上に素子分離絶縁膜１１、第１ゲート絶縁膜１３、第１ゲート電極１４、第２ゲート絶縁膜１６、第２ゲート電極１７およびＮ型不純物層１８を形成した後、全面にＰＳＧ等の層間絶縁膜２０を堆積形成し、その上で不純物層１８上の層間絶縁膜２０に微小径のコンタクトホール２１を開設する。」（第３頁右下欄第９〜１６行）こと、「また、金属シリサイド膜は白金シリサイドの代わりに他の金属シリサイドであってもよい。」（第５頁右上欄第２〜４行）こと、図面上、Ｐ型シリコン基板１０に形成した素子分離絶縁膜１１の厚い膜の左端からコンタクトホール２１のサイドウォール２４を形成しているタングステンシリサイド部分の右端までの間に、素子分離絶縁膜１１、第１ゲート絶縁膜１３、第２ゲート絶縁膜１６と同一のハッチングが施されている、薄い絶縁膜が形成されている（第１図、第２図参照）ことが、第１図、第２図と共に記載されている。
　
　また、同様に当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された特開昭５９−１５４０５６号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、半導体装置に関し、「一般に広く用いられている入力保護回路を第１図に示す。１１が外部信号の入力するボンディングパッド部（入力パッド部）で、半導体チップの最上層にアルミニウムなどの金属によって形成される。この入力パッド部１１からの信号は抵抗素子Ｒを介して内部回路１０の例えばＭＯＳ・ＦＥＴ（絶縁ゲート電界効果型トランジスタ）のゲート電極に供給される。この抵抗素子Ｒは抵抗素子Ｒの他端に接続した保護ＭＯＳ・ＦＥＴ　Ｔｒと共同して過大電圧を例えば接地電位に落とすように働く。」（第１頁右下欄第１７行〜第２頁左上欄第７行）こと、「第４図（ａ），（ｂ）に示す平面図および断面図は抵抗素子Ｒを半導体基体１２に形成したＮ＋型拡散層１３で構成する場合を示したものである。
　図において１２はＰ型の半導体基板、１４はフィールド酸化膜であり、抵抗素子ＲとなるＮ＋型拡散層１３の入力コンタクト部１３ｃとなるところはＰＮ接合の接合破壊を防止するために拡散深さを深くする。この拡散層１３の抵抗値は例えばシート抵抗値４０Ω／□，拡散長（抵抗長）２００μｍ，拡散層幅８μとして約１ＫΩ程度のものである。
　この拡散層１３上には層間絶縁膜１５を形成し、この層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホール１５ｃを通じて上記抵抗素子Ｒ上を覆うように第３図の場合と同様にシリコンゲートＭＯＳ装置における２層目のポリシリコン層を用いて、耐圧向上用のポリシリコン層１６を形成する。
　さらにこのポリシリコン層１６上に、前記実施例と同様に層間絶縁膜１７を介して、コンタクトホール１７ｃにおいてポリシリコン層１６と接続する金属配線層１８を形成する。
　このような装置では入力パッド部に高電圧が入力した場合、耐圧向上用ポリシリコン層１６に入力パッドからの高電圧が印加し、この耐圧向上用ポリシリコン層１６下のシリコン基板中に反転層（空乏層）ができ、拡散層１３の空乏層とつながり、１３の空乏層が伸びた形となる。この空乏層により、高電圧入力時にはコンタクト部１３ｃ付近のＰＮ接合部における電界集中を緩和できる。」（第３頁右上欄第２０行〜同頁右下欄第１０行）こと、「耐圧向上用ポリシリコン層１６は、ポリシリコン層により形成するものに限らず、ポリシリコンの代わりに例えばモリブデンシリサイドなどの高融点金属シリサイドによる導電材料を用いて形成することもできる。」（第３頁右下欄第１９行〜第４頁左上欄第３行）ことが、第１図、第４図と共に記載されている。
　
　また、同様に当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された特開昭５９−６８９６１号公報（以下、「引用刊行物４」という。）には、「この発明は半導体集積回路装置及びその製造方法に係り、特にバイポーラ形半導体集積回路装置（以下「ＢＩＰ・ＩＣ」という、）におけるトランジスタ及びこのトランジスタに接続される抵抗・・・に関するものである。」（第２頁右上欄第１２〜１６行）こと、「さらに、ＢＩＰ・ＩＣにおいては、その構成素子が一般にトランジスタ、ダイオード及び抵抗からなつており、ダイオードについてはトランジスタと同様な製造で作られるので、ここではトランジスタと抵抗とが組み合わされたもの、つまり第１図に示すようにトランジスタＴｒのベースＢに抵抗Ｒが接続されたものを具備した半導体集積回路装置について述べる。」（第２頁左下欄第５〜１２行）こと、「この様にベースに抵抗Ｒが接続されたトランジスタにおいては、従来第２図（ａ）〜（ｅ）に示す方法で製造されていたものであり、以下この図に基づいて従来の方法を説明する。・・・次に、第２図（ｂ）に示すように下敷酸化膜（１０１）及び窒化膜（２０１）を順次ｎ−形エピタキシヤル（３）上に形成し、窒化膜（２０１）のみをパターニングして、この窒化膜（２０１）をマスクとして選択酸化を施してトランジスタ形成領域及び抵抗形成領域を囲うように厚い分離酸化膜（１０２）を形成する・・・次に第２図（ｃ）に示すように、上述の選択酸化用のマスクとして用いた窒化膜（２０１）を下敷酸化膜（１０１）とともに除去して、あらためてイオン注入保護用の酸化膜（１０３）をｎ−形エピタキシヤル層（２ａ）（２ｂ）上に形成し、・・・第２のｎ−型エピタキシヤル層（２ｂ）の表面部に抵抗領域となるｐ形層（９）をイオン注入によつて形成する。・・・各イオン注入層をアニールして、外部べース層（５）および活性ベース領域（６）及び抵抗領域（９）を完成させるとともにエミツタ領域（７）およびコレクタ電極取り出し層（３）を形成した後に、ベース電極取り出し用の開口（５０）と抵抗電極取り出し用の開口（９１）（９２）を形成し、各開口部（５０），（７０），（８０），（９１）および（９２）に電極の突き抜け防止用の金属シリサイド［白金シリサイド（Ｐｔ−Ｓｉ），パラジウムシリサイド（Ｐｄ−Ｓｉ）など］膜（５０１）を形成した上で、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗金属によつてベース電極配線（１２），エミツタ電極配線（１０），コレクタ電極配線（１１），およびベース−抵抗間配線（１３）と抵抗電極配線（１４）を形成する。」（第２頁左下欄第１３行〜第３頁右上欄第１５行）こと、「第３図はこの従来方法で製造されたトランジスタの平面パターン図である。」（第３頁右上欄第１６〜１７行）こと、「さらに、トランジスタのベースに接続される抵抗領域（９）が拡散抵抗で構成されているため、トランジスタ領域と抵抗領域（９）とを分離酸化膜（１０２）で分離する必要があ」る（第３頁左下欄第１２〜１５行）こと、図面上、抵抗領域（９）の抵抗電極取り出し用の開口部（９１）（９２）に形成した金属シリサイド膜（５０１）と分離酸化膜（１０２）の厚い膜との間には、イオン注入保護用の酸化膜（１０３）からなる薄い酸化膜が形成されている（第２図（ｃ）〜（ｅ）参照）ことが、第１図、第２図、第３図と共に記載されている。
　以上の記載から、引用刊行物４には、「抵抗形成領域を囲うように厚い分離酸化膜（１０２）を形成し、イオン注入保護用の酸化膜（１０３）を形成し、イオン注入、アニールして抵抗領域（９）を完成させた後に、抵抗電極取り出し用の開口部（９１）（９２）を形成し、この開口部（９１）（９２）に突き抜け防止用の金属シリサイド膜（５０１）を形成した上で、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗金属によつて抵抗電極配線（１４）を形成することにより、作成された半導体集積回路装置であって、抵抗領域（９）の抵抗電極取り出し用の開口部（９１）（９２）に形成した金属シリサイド膜（５０１）と厚い分離酸化膜（１０２）との間には、イオン注入保護用に用いられた酸化膜（１０３）からなる薄い酸化膜が形成されている半導体集積回路装置。」が示されている。
　
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用刊行物４に記載された発明とを対比すると、引用刊行物４に記載された半導体集積回路装置も半導体装置の一種であるから、両者はいずれも半導体装置に関する発明であり、引用刊行物４記載の発明の「金属シリサイド膜（５０１）」、「厚い分離酸化膜（１０２）」、「抵抗電極配線（１４）」は、それぞれ本願発明の「シリサイド膜」、「埋め込み酸化膜」、「上部電極」に相当し、引用刊行物４に記載された発明の「抵抗領域（９）」は、ｐ形層で形成されており、一般に、ｐ形層は金属シリサイド膜よりも高抵抗であり、また、シリサイド膜と接しているので、本願発明の「シリサイド膜と接する、前記シリサイド膜を構成するシリサイド材料より高抵抗な領域」に相当し、引用刊行物４に記載された発明のシリサイド膜は、開口部に形成され、抵抗電極配線と抵抗領域との間に存在しているので、本願発明の「シリサイド膜は上部電極と前記高抵抗な領域との間にのみに配置され」ていることに相当しているから、両者は、「シリサイド膜と、前記シリサイド膜と接する、前記シリサイド膜を構成するシリサイド材料より高抵抗な領域と、埋め込み酸化膜と、を備えた半導体装置であって、
　前記シリサイド膜は上部電極と前記高抵抗な領域との間にのみに配置されていること、
  を特徴とする半導体装置。」の点で一致し、次の点で相違している。
　
（１）本願発明では、前記シリサイド膜のうち最も前記埋め込み酸化膜に近接して配置されたシリサイド膜は上部電極と高抵抗な領域との間にのみに配置されているのに対して、引用刊行物４に記載された発明では、前記シリサイド膜は上部電極と前記高抵抗な領域との間にのみに配置されている点（以下、「相違点１」という。）
　
（２）本願発明では、シリサイド膜は前記埋め込み酸化膜とは離間して形成されているのに対して、引用刊行物４に記載された発明では、このような記載が明記されていない点（以下、「相違点２」という。）
　
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点１について
　引用刊行物４に記載の発明では、シリサイド膜は、２個の抵抗電極取り出し用の開口部にそれぞれ配置されている。そして、上記それぞれのシリサイド膜は、いずれも上部電極と高抵抗な領域との間にのみに配置されており、埋め込み酸化膜にも近接して配置されているので、それぞれのシリサイド膜のうちのどちらが最も埋め込み酸化膜に近接して配置されているかは明瞭ではないが、少なくとも、どちらかのシリサイド膜のうち、最も埋め込み酸化膜に近接して配置された方のシリサイド膜は上部電極と高抵抗な領域との間にのみに配置されているのであるから、この相違点１は格別に相違するものとは認められない。
　
相違点２について
　引用刊行物４に記載の発明では、シリサイド膜と厚い分離酸化膜（埋め込み酸化膜に相当）との間には、イオン注入保護用に用いられた酸化膜からなる薄い酸化膜が形成されている。そして、この薄い酸化膜により、シリサイド膜と厚い分離酸化膜とは位置的に離れて形成されている。
　また、引用刊行物１に記載の発明では、素子分離絶縁膜（埋め込み酸化膜に相当）の厚い膜の左端からコンタクトホールのサイドウォールを形成しているタングステンシリサイド部分の右端までの間に、薄い絶縁膜が形成されている。そして、この薄い絶縁膜により、引用刊行物４に記載の発明と同様に、シリサイドと埋め込み酸化膜とは位置的に離れて形成されている。
　そして、引用刊行物１又は４に記載の発明の上記薄い絶縁膜又は酸化膜は、シリサイド膜と埋め込み酸化膜とを位置的に離してはいるが、埋め込み酸化膜から伸びているものであり、本願発明のシリサイド膜と埋め込み酸化膜とは離間して形成されていることが、平成１４年５月１０日作成の応対記録中の応対（２）で、請求人側が主張しているように、上記薄い絶縁膜又は酸化膜とも離間していることを意味し、具体的には、本願の図２に記載のような、シリサイド層と埋め込み酸化膜とは層間絶縁膜のような別の膜により離間して形成されていることであるとしても、引用刊行物３には、特に、第４図を参照すると、耐圧向上用のシリサイド層とフィールド酸化膜（埋め込み酸化膜に相当）とが層間絶縁膜により離間して形成されていることが記載されている。
　したがって、引用刊行物１又は４に記載の発明におけるようなシリサイド膜と埋め込み酸化膜とを位置的に離すために、引用刊行物３に記載のシリサイド膜と埋め込み酸化膜とを層間絶縁膜のような別の膜により離間して形成する技術を適用することは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　
相違点１と相違点２との組み合わせについて
　上記相違点１と相違点２との組み合わせについて検討すると、上記各相違点１、２についての検討結果を寄せ集めた程度のものと認められる。
　
　そして、本願発明の作用効果も、当業者の予測を越えるものとは認められない。
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。