【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）ＳｉＣをエピタキシャル成長させて成るＳｉＣエピタキシャル層を有するウエハを用意する工程と、
（ｂ）前記ＳｉＣエピタキシャル層上に、少なくとも、Ｓｉをエピタキシャル成長させて成るＳｉエピタキシャル層を含む、コンタクト緩衝層を形成する工程と、
（ｃ）前記コンタクト緩衝層上に電極を形成する工程と、
（ｄ）前記電極形成後の前記ウエハに所定温度で熱処理を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
前記コンタクト緩衝層を、前記Ｓｉエピタキシャル層のみで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
前記Ｓｉエピタキシャル層と、前記ＳｉＣエピタキシャル層と、を交互に積層して、前記コンタクト緩衝層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
交互に積層される前記Ｓｉエピタキシャル層の厚さをｔSi、前記ＳｉＣエピタキシャル層の厚さをｔSiCとした場合に、各層の厚さの比ｔSi／ｔSiCが、段階的に大きくなるように、前記Ｓｉエピタキシャル層及び前記ＳｉＣエピタキシャル層を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）ＳｉＣをエピタキシャル成長させて成る４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層を有するウエハを用意する工程と、
（ｂ）前記４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層上に、少なくとも、ＳｉＣをエピタキシャル成長させて成る３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層を含む、第１のコンタクト緩衝層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１のコンタクト緩衝層上に、少なくとも、Ｓｉをエピタキシャル成長させて成るＳｉエピタキシャル層を含む、第２のコンタクト緩衝層を形成する工程と、
（ｄ）前記第２のコンタクト緩衝層上に電極を形成する工程と、
（ｅ）前記電極形成後の前記ウエハに所定温度で熱処理を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項６】  請求項５に記載の半導体装置を製造する方法において、
前記工程（ｂ）では、
前記第１のコンタクト緩衝層を、前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層のみで形成し、
前記工程（ｃ）では、
前記第２のコンタクト緩衝層を、前記Ｓｉエピタキシャル層のみで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層と、前記４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層と、を交互に積層して、前記第１のコンタクト緩衝層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】  請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
交互に積層される前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の厚さをｔ3C-SiC、前記４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層の厚さをｔ4H-SiCとした場合に、各層の厚さの比ｔ3C-SiC／ｔ4H-SiCが、段階的に大きくなるように、前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層及び前記４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】  請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、
前記第２のコンタクト緩衝層を、前記Ｓｉエピタキシャル層のみで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、
前記Ｓｉエピタキシャル層と、前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層と、を交互に積層して、前記第２のコンタクト緩衝層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、
交互に積層される前記Ｓｉエピタキシャル層の厚さをｔSi、前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の厚さをｔ3C-SiCとした場合に、各層の厚さの比ｔSi／ｔ3C-SiCが、段階的に大きくなるように、前記Ｓｉエピタキシャル層及び前記３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  半導体装置であって、
ＳｉＣをエピタキシャル成長させて成るＳｉＣエピタキシャル層と、
該ＳｉＣエピタキシャル層上に配置され、少なくとも、Ｓｉをエピタキシャル成長させて成るＳｉエピタキシャル層を含むコンタクト緩衝層と、
該コンタクト緩衝層上に配置される電極と、
を備える半導体装置。
【請求項１３】  半導体装置であって、
ＳｉＣをエピタキシャル成長させて成る４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層と、
該４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層上に配置され、少なくとも、ＳｉＣをエピタキシャル成長させて成る３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層を含む第１のコンタクト緩衝層と、
該第１のコンタクト緩衝層上に配置され、少なくとも、Ｓｉをエピタキシャル成長させて成るＳｉエピタキシャル層を含む第２のコンタクト緩衝層と、
該第２のコンタクト緩衝層上に配置される電極と、
を備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第１の製造方法において、前記工程（ｂ）では、前記Ｓｉエピタキシャル層と、前記ＳｉＣエピタキシャル層と、を交互に積層して、前記コンタクト緩衝層を形成するようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】