【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】 ギャップ層を介して互いに対向すると共に記録媒体に面するように配置される２つの磁極、を有する、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前記２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
磁気変換機能素子膜を形成する工程と、
前記磁気変換機能素子膜と前記２つの磁性層との間に、前記記録媒体に面する記録媒体対向面からこの面と離れる方向に第１の位置まで延在するように第１の磁性膜を形成する工程と、
前記第１の位置よりも前記記録媒体対向面から遠い側の第２の位置を基準として、この第２の位置よりも前記記録媒体対向面から遠い側の領域に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記磁気変換機能素子膜を挟んで前記第１の磁性膜の反対側に、前記記録媒体対向面から、前記第２の位置よりも前記記録媒体対向面から遠い側の第３の位置まで延在するように第２の磁性膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
記録ヘッドは、例えば、記録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に配設された上部磁極（トップポール）および下部磁極（ボトムポール）と、上部磁極と下部磁極との間に絶縁層を介して配設された磁束発生用のコイルとを含んで構成されている。上部磁極および下部磁極は、磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）に近い側の領域の記録ギャップ近傍において互いに同一の一定幅を有しており、これらの部位により記録トラック幅を規定する「磁極部分」が構成されている。この磁極部分は、例えば、磁極部分の一部を構成する一定幅部分を有する上部磁極を形成したのち、この一定幅部分をマスクとして用いて、記録ギャップおよび下部磁極を自己整合的にエッチングすることにより形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、ギャップ層を介して互いに対向すると共に記録媒体に面するように配置される２つの磁極を有する互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であり、磁気変換機能素子膜を形成する工程と、磁気変換機能素子膜と２つの磁性層との間に、記録媒体に面する記録媒体対向面からこの面と離れる方向に第１の位置まで延在するように第１の磁性膜を形成する工程と、第１の位置よりも記録媒体対向面から遠い側の第２の位置を基準として、この第２の位置よりも記録媒体対向面から遠い側の領域に薄膜コイルを形成する工程と、磁気変換機能素子膜を挟んで第１の磁性膜の反対側に、記録媒体対向面から、第２の位置よりも記録媒体対向面から遠い側の第３の位置まで延在するように第２の磁性膜を形成する工程とを含むようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、図１に示したように、絶縁層２上に、例えば後述するめっき処理により、例えばニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ：以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）よりなる下部シールド層３を約２μｍの厚みで選択的に形成する。下部シールド層３を形成する際には、例えば、後述する図１０に示したような平面形状を有するようにすると共に、後工程において形成される薄膜コイル１２（図５参照）の前端の位置（第２の位置Ｐ２）より後方の第３の位置Ｐ３（図１０参照）まで延在するようにする。下部シールド層３の表面は、例えば、その全域に渡ってほぼ平坦になる。ここで、下部シールド層３が本発明における「第２の磁性膜」の一具体例に対応する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
これに対して、本実施の形態（図８参照）では、薄膜コイル１２の前端の位置（第２の位置Ｐ２）より後方の第３の位置Ｐ３まで下部シールド層３が延在するようにすると共に、第２の位置Ｐ２より前方の第１の位置Ｐ１まで上部シールド層８が延在するようにしている。このような場合には、上部シールド層８の形成工程〜薄膜コイル１２の形成工程間に形成される複数の部品（例えば下部磁極１０等）がそれぞれ一定の厚みを有するとすると、下部シールド層３および上部シールド層８を含んで構成される凹凸領域に応じて記録ギャップ層１１に段差が生じ、薄膜コイル１２を形成することとなる下地、すなわち記録ギャップ層１１における後方領域１１Ｒの表面の位置は、前方領域１１Ｆの表面の位置よりも低くなる。これにより、薄膜コイル１２と上部磁極１４との間に十分な厚みの絶縁材を配設した場合におけるエイペックス部の高さＨ１（μｍ）は、比較例の場合（高さＨ２）よりも小さくなる。したがって、エイペックス部における斜面領域が減少し、フレームパターンの形成精度に悪影響を及ぼす反射光の発生量が減少するため、フレームパターンのうちの先端部１４Ａに対応する部分を高精度に形成することができる。なお、高さＨ１は、上部シールド層８の厚みに依存する。すなわち、上部シールド層８の厚みを調整することにより、高さＨ１を変更することが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、本実施の形態では、上部シールド層８の長さＬ１がヨーク長の１／３以下となるようにしたので、以下のような理由により、上記した上部磁極１４の形成精度を良好に確保しつつ、必要十分な磁束量を確保することができる。すなわち、記録ギャップ層１１における平坦な後方領域１１Ｒ上に薄膜コイル１２を形成する場合（図８参照）において、上部シールド層８の長さＬ１が大きくなると、記録ギャップ層１１における段差の位置、すなわち前方領域１１Ｆと後方領域１１Ｒとの境界の位置が後退し、薄膜コイル１２の配設領域となる後方領域１１Ｒが狭くなる。このような場合には、後方領域１１Ｒの広さに対応して薄膜コイル１２の占める領域を減少させなければならないため、薄膜コイル１２の巻き数を減少させなければならない。薄膜コイル１２の巻き数が減少すると、磁束の発生量が減少してしまう。このことから、必要十分な磁束量を確保するためには、上部シールド層８の長さＬ１を調整し、コイルの巻き数を増加させるべく薄膜コイル１２の配設領域（後方領域１１Ｒ）を適正に確保する必要がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、本実施の形態では、上部シールド層８の長さＬ１が１０μｍ以下となるようにしたので、以下のような理由により、上部磁極１４の形成精度を良好に確保しつつ、薄膜磁気ヘッドの動作時における磁束の伝播を円滑化することができる。すなわち、例えば、薄膜コイル１２の巻き数を一定とする場合（図８参照）において、上部シールド層８の長さＬ１を大きくすると、記録ギャップ層１１の前方領域１１Ｆと後方領域１１Ｒとの境界の位置が後退するにつれて、薄膜コイル１２の配設位置における下地の表面の位置が前側から順に高くなり、高さＨ１が大きくなる。このような場合には、高さＨ１が大きくなるにつれて上部磁極１４の長さが長くなり、磁路長が長くなる。磁路長が長くなると、磁路内の磁気抵抗が大きくなるため、磁束の伝播が阻害されることとなる。このことから、磁束の伝播を円滑化させるためには、上部シールド層８の長さＬ１を調整し、磁路長を短くすると共に磁路内の磁気抵抗を小さくする必要がある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、本実施の形態では、上部シールド層８が磁気ノイズ等に対する遮蔽材として機能するため、記録ヘッド１００Ａにおいて発生した磁気ノイズ等が再生ヘッド１００Ｂのリード層６に到達することが抑制される。このため、磁気ノイズがリード層６に到達することに起因して発生する再生ヘッド１００Ｂの動作に関する不具合（例えば、情報の読み込み不良等）の発生を抑制することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
なお、本実施の形態では、上部シールド層８が矩形状の平面形状を有するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、上部シールド層８の平面形状は自由に変更可能である。具体的には、例えば、上部シールド層８が図１５に示したような平面形状を有するようにしてもよい。このような場合には、上記実施の形態の場合（図１０参照）よりも広い範囲においてリード層６が上部シールド層８により覆われるため、再生時における情報の読み込み不良などの不具合の発生をより抑制することができる。なお、図１５において、上記した点以外の構造は図１０に示した場合と同様である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
このような手法を用いて上部シールド層８を形成する場合には、例えば、シールドギャップ膜７（図１参照）を形成したのち、まず、図１６に示したように、全体に、例えばスパッタリングや電解めっき法により、上部シールド層８の前準備層としての前駆磁性層８Ｐを形成する。この前駆磁性層８Ｐの形成材料としては、例えばパーマロイなどを用いるようにする。次に、前駆磁性層８Ｐ上に、例えばフォトレジストなどよりなるマスク６１を選択的に形成する。次に、マスク６１を用いて、例えばイオンミリングにより全体をエッチングして、前駆磁性層８Ｐを選択的にパターニングすることにより、図１７に示したように、シールドギャップ膜７上に上部シールド層８を選択的に形成する。上部シールド層８を形成する際には、エッチング条件（エッチング外角等）を調整することにより、上記実施の形態の場合（図３参照）と同様に、上部シールド層８における後方の端面８Ｍが、平坦なシールドギャップ膜７の表面７Ｍに対して９０°より大きい外角θ２をなして傾斜するようにする。なお、上部シールド層８を形成したのち、絶縁膜９の形成以降の工程は、上記実施の形態における図４以降の工程と同様である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項９ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の位置よりも記録媒体対向面から遠い側の第２の位置を基準として、この第２の位置よりも記録媒体対向面から遠い側に薄膜コイルを配設するようにしたので、第１の磁性膜の形成工程〜薄膜コイルの形成工程間に形成される部品が一定の厚みを有するとすると、第１の磁性膜の配設領域における下地の表面の位置よりも、薄膜コイルの配設領域における下地の表面の位置を低くすることが容易になる。これにより、薄膜コイルを埋設する絶縁層により構成されるエイペックス部の高さが低くなるため、露光時における反射光による悪影響を抑制し、フレームパターン中の極微小な幅を有する部分を高精度に形成することができる。したがって、２つの磁性層のうち、記録トラック幅を規定する一定幅部分を高精度に形成し、磁極幅を高精度に極微小化することができる。