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【事件の表示】
　平成３年特許願第１７４３７３号「押出しチューブ容器」拒絶査定に対する審判事件［平成５年５月２１日出願公開、特開平５−１２４６５８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成３年６月１９日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１１年４月１９日付け、平成１２年８月３日付け及び平成１３年２月２３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された次のとおりのものと認められる。
　
「チューブ容器胴部が、飽和ポリエステル、ポリビニルアルコール、プロピレンホモポリマー、ポリ塩化ビニリデン、アクリルニトリル系重合体の中から選択される樹脂で形成されている表面樹脂層と、該表面樹脂層と同一系統の樹脂で形成されている裏面樹脂層と、これらの表面樹脂層と裏面樹脂層との間に位置する中間層からなる透明な積層シートであって、該中間層が、無機系酸化物又は両性金属類の酸化物による厚さ１００〜２０００Åの薄膜層を有する熱可塑性樹脂フィルムからなり、水蒸気透過度が２．０ｇ／ｍ２．２４ｈｒ（４０℃，９０％ＲＨ）以下か、又は酸素透過度が２．０ｃｃ／ｍ２．２４ｈｒ（１ａｔｍ，２０℃，ｄｒｙ）以下の少なくともいずれかを満足するバリヤー性能を有する透明なバリヤー層であり、前記透明な積層シートにおける裏面層が胴部内周面層となるようにして成形されていることを特徴とする押出しチューブ容器。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　
　これに対して、平成１３年８月３日付けの前置審査の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の平成１年４月２０日に頒布された実願昭６２−１５６３５３号（実開平１−６２０３３号）のマイクロフィルム（以下、「引例１」という。）には図面と共に次の事項が記載されている。
　
（イ）「積層材から成る筒状のチューブ本体を有するチューブ容器において、チューブ本体は従来の紙とアルミニウム箔に代えて熱可塑性樹脂表面に無機物の層を設けた透明なガスバリヤー層を含むことを特徴とするものである。」（明細書２頁１７行〜３頁１行）
　
（ロ）「内容物に接する側から順次、ポリエチレン・・・無機物・・・ポリエチレン・・という層構成になっており」（明細書３頁１２行〜１６行）
　
（ハ）「無機物（３）としてはケイ素、又は一酸化ケイ素、二酸化ケイ素の他、錫、インジウム等の酸化物でもよい。」（明細書４頁２〜４行）
　
（ニ）「水蒸気バリアー性０．２ｇ／ｍ２・３０ＤＡＹＳ」（明細書５頁１５行）
　
　また、同じく昭和６３年４月２８日に頒布された実願昭６１−１５８８１０号（実開昭６３−６４６３８号）のマイクロフィルム（以下、「引例２」という。）には図面と共に次の事項が記載されている。
　
（ホ）「キャップとチューブ体からなる透明チューブ容器において、該チューブ体を構成する第１透明樹脂フィルム層と第２透明樹脂フィルム層との間に厚さ１００Åから１５００Åの無機酸化物の蒸着層を形成したことを特徴とする透明性とガスバリヤー性を有するチューブ容器」（実用新案登録請求の範囲）
　
（ヘ）「チューブ体の内層である第１透明樹脂フィルム層５としては、・・・ポリエステル・・・などの耐薬品性、熱溶着性に優れた透明樹脂を・・・チューブ体の外層に用いられる第２透明樹脂フィルム層４としては、ポリエステル・・・などの一般的な透明樹脂が使用される。」（明細書４頁１５行〜５頁８行）
　
３．対比
　本願発明も引例１に記載された発明もガスバリヤー性を有する透明チューブであり、
両者を対比すると、
「チューブ容器胴部が、表面樹脂層と、裏面樹脂層と、これらの表面樹脂層と裏面樹脂層との間に位置する中間層からなる透明な積層シートであって、該中間層が、無機系酸化物を有する熱可塑性樹脂フィルムからなり、水蒸気透過度が２．０ｇ／ｍ２．２４ｈｒ（４０℃，９０％ＲＨ）以下を満足するバリヤー性能を有する透明なバリヤー層であり、前記透明な積層シートにおける裏面層が胴部内周面層となるようにして成形されていることを特徴とする押出しチューブ容器。」
　の点で一致しており、次の点で一応相違している。
　
相違点１：本願発明において、
　表面樹脂層が飽和ポリエステル、ポリビニルアルコール、プロピレンホモポリマー、ポリ塩化ビニリデン、アクリルニトリル系重合体の中から選択される樹脂で形成されているのに対し、
引例１に記載された発明においては、
　表面樹脂層として、これらの樹脂が示されていない点。
　
相違点２：本願発明において、
　裏面樹脂層が表面樹脂層と同一系統の樹脂で形成されているのに対し、
引例１に記載された発明においては、
　裏面樹脂層を表面樹脂層と同一系統の樹脂で形成することが示されていない点。
　
相違点３：本願発明において、
　中間層が、無機系酸化物又は両性金属類の酸化物による厚さ１００〜２０００Åの薄膜層を有するのに対し、
引例１に記載された発明においては、
　上記厚さの薄膜層が示されていない点。
　
４．当審の判断
　
　上記相違点について検討すると、
　
（１）相違点１について
　引例１と同じくガスバリヤー性を有する透明チューブに係る引例２には透明樹脂フィルムの材質として、ポリエステルが例示されているが、通常チューブ容器に用いるポリエステルは飽和ポリエステル（例えば特開平２−２４２７５１号公報参照）であるので、表面樹脂層の材質として飽和ポリエステルを選択する点に困難性は認められない。　
　
（２）相違点２について
　チューブ容器をつくるための積層シートの材質として、熱溶着のために表面樹脂と裏面樹脂を同一系統の樹脂で形成することは従来から行われていたことに過ぎず、適宜なし得る設計的事項に過ぎないものと認められる。
（必要なら、特開平２−２４２７５１号公報、実願昭６２−５４２７２号（実開昭６３−１６１１５０号）のマイクロフィルム参照。）
　
（３）相違点３について
　薄膜層をどの程度の厚さとするかは、透明性、ガスバリヤー性、強度などを勘案して適宜決定する設計的事項と認められる。そして、引例２には「１００Åから１５００Åの無機酸化物」と記載されていることから、相違点３に記載された厚さを選ぶことに困難性は認められない。
　
５．むすび
　
　本願発明は、引例１、引例２に記載された発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　９年特許願第１２３９５７号「ボード取付構造」拒絶査定に対する審判事件〔平成１０年１１月２４日出願公開、特開平１０−３１１１１４、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成９年５月１４日に出願されたものであり、その請求項１ないし３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年２月２９日付けで補正された明細書及び出願当初図面の記載からみて、その請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。　
【請求項１】　骨組材とボードとの一方に支持されるチャンネルと、上記チャンネル内に固定され、該チャンネルの軸方向にそって所定の断面形状の溝部を具備し、該チャンネルよりも短い所定の長さを有する取り付け受具と、上記骨組材とボードとの他方に支持され、上記所定の断面形状の溝部に係合可能に形成された突条を有し、上記溝部と該突条を係合させることにより上記チャンネルの軸方向に摺動可能に、かつ、ボードの面に直交する方向に移動不能に係合可能であるとともに、上記軸方向への所定の長さの摺動により取り外しが可能である差込部品を備えることを特徴とするボード取付構造。
【請求項２】　上記チャンネルが、弾性を有し、上記取り付け受具を該弾性により圧着するものである請求項１に記載のボード取付構造。
【請求項３】　上記所定の断面形状及び、上記突条の断面形状が、鏃状である請求項１又は２に記載のボード取付構造。
　
２．拒絶査定の概要 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 
　これに対して、原査定の拒絶の理由の概要は、
（１）明細書中「取付構造」の記載が意味不明りょうである。
　特許を受けようとする発明のカテゴリーがわからない。
（２）特許請求の範囲の記載が不明りょうである。
　請求項２の「前記取り付け受具と差込部品」、請求項３の「前記骨組材とボード」、請求項５の「前記取り付け受具と差込部品」の「前記」の記載は他の請求項記載の語句を指示引用するものであるから不適当である。削除されたい。
　したがって、本願発明は、特許法第３６条第４項及び第６項第２号、第３号、第４号に規定する要件を満たしていない、というにある。
　
３．検討・判断
（１）本願発明１ないし３について、各請求項の末尾の「取付構造」の記載は、特許請求の範囲の記載の末尾としては広く適用されているものであり、物の発明のカテゴリーとしては明瞭であるので何ら問題はない。
（２）請求項２以下の「前記」は、審判請求時の補正において、「上記」に変更したものであるが、共に、前の請求項に記載の語句をそのまま引用しているものであって、何ら問題はない。
　
４．むすび
　以上、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　１４１７号「フォトマスク」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　９月１７日出願公開、特開平１１−２４９２８４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.本願は、平成３年８月２３日に出願した特願平３−２１１２８２号の一部を平成１１年１月６日に新たに特許出願したものであって、その請求項１０に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１０に特定された次のとおりのものである。
「【請求項１０】露光装置によって感光基板上に転写されるパターンを有する位相シフトタイプのフォトマスクであって、前記パターンは、複数のパターン要素がそれぞれ第１方向に沿って延びる一対のエッジを有し、かつ前記第１方向と直交する第２方向に周期的に配列され、前記複数のパターン要素は、前記一対のエッジによって規定される前記第２方向の線幅が両端のパターン要素で残りのパターン要素よりも相対的に太くなっていると共に、前記第１方向のそれぞれの長さが設計値とほぼ同じになっていることを特徴とするフォトマスク。（以下、「本願発明」という。）」
２.これに対して、当審の拒絶の理由に引用した『１９８７　ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ　ＯＮ　ＶＬＳＩ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ』ＤＩＧＥＳＴ　ＯＦ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＰＡＰＥＲＳ、ＩＥＥＥ　ＣＡＴ、Ｎｏ.８７、１９８７、第１３〜１４頁（以下、第１引用例という。）には、Ｆｉｇ.５（ａ）の説明として、「修正されたマスク（追加間隙は薄い色である。）」との記載があり、Ｆｉｇ.５（ａ）には、右側中央部に同じ幅の４本の縦線（以下、左から縦線１、縦線２、縦線３、縦線４と言う。）が等間隔に並び、縦線１の左と縦線４の右に薄い色の部分、すなわち、追加間隙があり、縦線１の右、縦線２の左右、縦線３の左右、縦線４の左には、薄い色の部分が無いことが窺える。さらに、縦線４の上に薄い色の部分が在り、下には薄い色の部分が無いことが窺える。
　また、第１３頁左欄下部には、「間隙はパターン間の距離により選択修正される。孤立パターンは全間隙を得、中間の距離のときは少し小さい間隙を得、最小距離のときは修正しない。」との記載がある。
　してみれば、第１引用例の「修正されたマスク（追加間隙は薄い色である。）」との記載からみて、本願発明の「露光装置によって感光基板上に転写されるパターンを有するフォトマスク」が開示され、同じ幅の４本の縦線が等間隔に並んでいることからみて、本願発明の「前記パターンは、複数のパターン要素がそれぞれ第１方向に沿って延びる一対のエッジを有し、かつ前記第１の方向と直交する第２方向に周期的に配列され」が開示され、縦線１の左と縦線４の右に薄い色の部分、すなわち、追加間隙があり、縦線１の右、縦線２の左右、縦線３の左右、縦線４の左には、薄い色の部分が無いことからみて、本願発明の「前記複数のパターン要素は、前記一対のエッジによって規定される前記第２方向の線幅が両端のパターン要素で残りのパターン要素よりも相対的に太くなっている」が開示されている。
３.そこで、本願発明と第１引用例開示のものとを対比すると、両者は、露光装置によって感光基板上に転写されるパターンを有するフォトマスクであって、前記パターンは、複数のパターン要素がそれぞれ第１方向に沿って延びる一対のエッジを有し、かつ前記第１方向と直交する第２方向に周期的に配列され、前記複数のパターン要素は、前記一対のエッジによって規定される前記第２方向の線幅が両端のパターン要素で残りのパターン要素よりも相対的に太くなっているフォトマスクで一致し、
Ａ本願発明は、位相シフトタイプのフォトマスクであるのに対して、第１引用例にはそのような記載が無い点、
Ｂ本願発明は、前記第１方向のそれぞれの長さが設計値とほぼ同じになっているのに対して、第１引用例にはそのような記載が無い点で相違する。
４.そこで、先ず相違点Ａについて検討すると、位相シフトマスクは従来周知（例えば、特開平３−１９１３４７号公報、特開平３−８９３４６号公報、特開平３−１１３４５号公報等を参照。）の技術手段に過ぎない。
　次に、相違点Ｂについて検討すると、第１引用例の縦線４の下には薄い色の部分、すなわち、追加間隙が無い。
　第１引用例の「間隙はパターン間の距離により選択修正される。孤立パターンは全間隙を得、中間の距離のときは少し小さい間隙を得、最小距離のときは修正しない。」との記載からみて、縦線４の下の横線までの距離が最小であることが解る。
  しかしながら、当業者であれば、第１引用例の縦線４の下には薄い色の部分、すなわち、追加間隙が無いことを観て、修正するための追加間隙を縦線方向に設けることを省略し、縦線４の上、さらには、縦線１〜３の上下にも、薄い色の部分、すなわち、追加間隙が無いようにしてみようとするようなことは、困難であるとは認め難い。
　そして、相違点Ｂの構成にしたことによって格別顕著な作用効果が生ずるとも認めがたい。
５.したがって、本願請求項１０に係る発明は、第 １引用例に記載された発明から容易に推考できたものと認められるので、本願請求項１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表示部と、前記表示部に表示する映像データの平均輝度レベルを演算する平均輝度レベル演算回路と、前記平均輝度レベルと前段の表示装置から出力される平均輝度レベル比較データを比較して次段の表示装置のための平均輝度レベル比較データを出力する比較判定部と、を具備することを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記比較判定部は、前記平均輝度レベルと前段の表示装置から出力される平均輝度レベル比較データを比較し、輝度レベルの高いデータを次段の表示装置のための平均輝度レベル比較データとして出力することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】  表示部に表示される映像信号の平均輝度レベルに基づいて平均輝度レベルを制御するスタンドアロンモードと、外部から与えられる平均輝度レベルに基づいて平均映像レベルを制御するマルチ画面モードを具備することを特徴とする表示装置。
【請求項４】  前記マルチ画面モードでは、マルチ画面を形成する各画面の平均輝度レベルを比較判定し、その結果を隣接する次画面に対しての比較データとして出力することにより、一番明るい画面の輝度を前記外部から与えられる平均輝度レベルとして全画面の輝度が制御されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】  表示部に表示する映像データの平均輝度レベルと前段の表示装置から出力される平均輝度レベル比較データの比較を所定の複数の表示装置間で実行することにより前記所定の複数の表示装置のための平均輝度レベルを求める平均輝度比較工程と、前記平均輝度比較モードにより求めた前記平均輝度レベルにより前記所定の複数の表示装置の輝度レベルを制御する平均輝度決定工程と、を有することを特徴とするマルチ画面輝度レベル制御方法。
【請求項６】  表示部に表示する映像データの平均輝度レベルに基づいて前記表示部の輝度レベルを制御するスタンドアロン工程と、前記表示部に表示する映像データの平均輝度レベルと前段の表示装置から出力される平均輝度レベル比較データの比較を所定の複数の表示装置間で実行することにより前記所定の複数の表示装置のための平均輝度レベルを求める平均輝度比較工程と、前記平均輝度比較モードにより求めた前記平均輝度レベルにより前記所定の複数の表示装置の輝度レベルを制御する平均輝度決定工程と、を有することを特徴とするマルチ画面輝度レベル制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表示装置の表示画面に表示されるポインタの移動を操作し、ユーザの手に持たれて操作され、第１の操作部材と該第１の操作部材と連続して操作される第２の操作部材とが少なくとも外ケースに設けられた光学式リモコンであって、
該第１の操作部材を該外ケースの第１の面に、該第２の操作部材を該外ケースの該第１の面とは異なる第２の面に配置し、
該第１の操作部材は、
ユーザの指の表面を当接させるための外面を有する透明でかつ保持手段を介して押し込み操作可能に設けられるプレートと、
該プレートの外面に当接したユーザの指の表面に照射された光の反射光の画像を検出する画像検出手段と、
該プレートの外面での該画像を該画像検出手段の検出面に結像させる光学手段と、
該プレートの押し込み操作に伴って作動する１以上の第１の操作スイッチと
を備え、
該第２の操作部材は、第２のスイッチを備え、
該光学手段と該プレートとを介して該画像検出手段から得られる画像信号をポインタの移動信号とする第１の機能に割り当て、
該第１の操作スイッチの押し込み操作が決定処理となる第２の機能を割り当て、
該第２のスイッチの操作に該機能とともに操作されることにより、ドラッグ操作する第３の機能を割り当てたことを特徴とする光学式リモコン。
【請求項２】  請求項１において、
前記外ケースの第１の面及び第２の面とは異なる第３の面に、前記第１の操作スイッチと前記第２の操作スイッチの操作とをロック状態とする第３のスイッチを備えたことを特徴とする光学式リモコン。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
図１ａは、内部において多孔性シリコン層１１が基板１０上に形成されているボロメータを示している。一方、図１ｂは、基板１０上の絶縁層１２の積層とパターニングとを示す。両図において、図１ｃに示されるように、活性領域１６と、固定点１４において基板と接続される支持部１５とを形成するために、多結晶シリコンゲルマニウム層１３が続いて積層されパターニングされる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２０ｍｍ以上の直径を有し，０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、基板の撓み量が長さ２インチ（５０ｍｍ）について０．５５ｍｍ以下であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
【請求項２】  無色透明であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項３】  透明であるが、黄色、薄茶色、暗灰色を帯びていることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項４】  光の透過による吸収係数が波長４００ｎｍから６００ｎｍにわたり１２０ｃｍ−１以下であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項５】  固有内部応力が７ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項６】  基板の曲率半径が６００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項７】  Ａｓを１０１７ｃｍ−３以下含有することを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項８】  炭素を実質的に含有しないことを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項９】  （１１１）ＧａＡｓ基板の上に［１１−２］方向に一定間隔をおいて並び［−１１０］方向には半ピッチずれた点状の窓を有するマスク又は［１１−２］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスク若しくは［−１１０］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、ＧａＮバッファ層を設け、ＨＶＰＥ法によりＧａＮをエピタキシャル成長させＧａＡｓ基板を除去することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項１０】  （１１１）ＧａＡｓ基板の上に［１１−２］方向に一定間隔をおいて並び［−１１０］方向には半ピッチずれた点状の窓を有するマスク又は［１１−２］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスク若しくは［−１１０］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、ＧａＮバッファ層を設け、ＨＶＰＥ法によりＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去してＧａＮ基板を得て、そのＧａＮ基板の上にＨＶＰＥ法によってＧａＮ単結晶をエピタキシャル成長せしめ、エピタキシャル成長したＧａＮインゴットから、切断又は劈開により分断することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独特のリード構成を有する集積回路パッケージ（１００）であって、
集積回路を含み、前記集積回路との間で電気信号を伝える複数のリード（５０４）を有するダイ（５０２）であって、該複数のリードが前記ダイの底面にわたって配置されている、ダイ（５０２）と、
少なくとも２つの信号層を有する多層基板（５０６）であって、前記多層基板が、前記ダイ（５０２）に対して並置され、少なくとも２つの信号層内の導電性経路に前記電気信号を伝えるために前記ダイ（５０２）の前記リード（５０４）と位置合せされ、上面に沿って配置された複数の端子（５０７）を有し、前記多層基板（５０６）が、前記ダイ（５０２）よりも大きな隣接表面積を有し、プリント回路ボード（５０８）との接続のために下面全体に配置された複数のリード（５２０）を有し、前記下面の前記リードが前記導電性経路によって前記上面のリードと通信する多層基板（５０６）とからなり、
前記ダイの前記リードが、
高周波電気信号を伝えるものである、少なくとも２つの高速行（６２０、６２２）が、前記ダイ（５０２）の中央の近くに平行な形で配置され、
少なくとも２つの低速行（６２４、６２６、６２８、６３０）のリードのうちの第１組（６１９）が、前記ダイ（５０２）の第１の側近くに平行な形で配置され、前記少なくとも２つの低速行のリードが、前記少なくとも２つの高速行に対して平行な関係で対称的に配置されて離間され、
少なくとも２つの低速行のリードの第２組（６１７）が、前記ダイの第２の側の近くに平行な形で配置され、前記少なくとも２つの低速行のリードが、前記少なくとも２つの高速行（６２０、６２２）に対して平行な関係で対称的に配置されて離間される、構成で配置される、集積回路パッケージ。
【請求項２】
制御信号（６０６）を伝えるために前記ダイの上縁の近くに配置された複数のリードの部分をさらに含む、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項３】
前記高速行のリードに電気的に接続される前記基板の導電性経路（６２３）のほとんどが、前記高速行に実質的に平行な形で延びる、請求項２に記載の集積回路パッケージ。
【請求項４】
前記低速行のリードに電気的に接続される前記基板の導電性経路のほとんどが、前記低速行に実質的に垂直な形で延びる、請求項３に記載の集積回路パッケージ。
【請求項５】
電力信号を伝えるために前記高速行のうちの１つの行と隣り合って配置されたリードの行をさらに含む、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項６】
基板（５０６）上のパッド（５０７）との電気接続のためにマトリックス領域内に配置された複数のリード端子を有する集積回路パッケージ（１００）用のダイ（５０２）であって、 
前記マトリックス領域の中心近くに列の形で配置された第１の複数のリード端子（６２０）と、
前記マトリックス領域の中心近くに列の形で配置され、前記第１の複数のリード端子（６２０）から平行に離間された第２の複数のリード端子（６２２）と、
前記マトリックスの第１の縁近くに位置する少なくとも２つの列で、且つ前記第１の複数のリード端子と平行な関係で配置された第３の複数のリード端子（６１９）と、
前記マトリックスの第１の縁と反対側の第２の縁の近くに、前記第２の複数のリード端子と平行な関係で位置する少なくとも２つの列で配置された第４の複数のリード端子（６１７）とからなる、集積回路パッケージ（１００）用のダイ（５０２）。
【請求項７】
前記マトリックスの上縁の近くに配置された複数のリード端子（６０６）をさらに含む、請求項６に記載の集積回路パッケージ用基板。
【請求項８】
前記第１と第２の複数（６２０、６２２）のリード端子が、高周波信号を伝えるように配置される、請求項６に記載の集積回路パッケージ用基板。
【請求項９】
前記第３と第４の複数のリード端子が、低周波信号（６１７と６１９）を伝えるように配置される、請求項８に記載の集積回路パッケージ用基板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記フットドア(12a)は、前記フットダクト(23)と前記温風バイパス口(24)とを同時に開閉し得るように構成したことを特徴とする請求項３に記載の縦置き式自動車用空気調和装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置及び管理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対して情報ファイルを記憶する書き込み手段と、
前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御手段と、
前記ディレクトリに収容される情報ファイルの属性を検出する属性検出手段と、
前記ディレクトリに対する前記情報ファイルの収容状態が変化したことに応じて、前記属性検出手段の検出結果を反映する名前に前記ディレクトリの名前を変更する名前変更手段
とを具備することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記名前変更手段は、前記ディレクトリに収容された情報ファイルの数が前記ディレクトリに収容可能な数に達したことに応じて前記ディレクトリの名前を変更することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記名前変更手段は、前記ディレクトリに対して新たに前記情報ファイルが追加されたことに応じて前記ディレクトリの名前を変更することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項４】
前記名前変更手段は、前記ディレクトリから前記情報ファイルが削除されたことに応じて前記ディレクトリの名前を変更することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項５】
前記名前変更手段は、前記ディレクトリに収容される複数の情報ファイルの作成日時の範囲を示すよう前記ディレクトリの名前を変更することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項６】
前記名前変更手段は、前記属性検出手段の検出結果に基づき、前記ディレクトリに収容される複数の情報ファイルの作成日時の範囲が変化したことを検出したことに応じて、前記ディレクトリの名前を変更することを特徴とする請求項５記載の記録装置。
【請求項７】
記録媒体に対して情報ファイルを記憶する書き込み手段と、
前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御手段と、
前記ディレクトリに収容される情報ファイルの作成日を検出する属性検出手段と、
前記属性検出手段の検出結果に基づいて前記ディレクトリに収容されている複数の情報ファイルの作成日の範囲を検出し、前記作成日の範囲を示す名前を前記ディレクトリの名前として付加する名前変更手段
とを具備することを特徴とする記録装置。
【請求項８】
記録媒体に記録された情報ファイルを管理する方法であって、
前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御ステップと、
前記ディレクトリに収容される情報ファイルの属性を検出する属性検出ステップと、
前記ディレクトリに対する前記情報ファイルの収容状態が変化したことに応じて、前記属性検出ステップの検出結果を反映する名前に前記ディレクトリの名前を変更する名前変更ステップ
とを具備することを特徴とする管理方法。
【請求項９】
記録媒体に記録された情報ファイルを管理する方法であって、
前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御ステップと、
前記ディレクトリに収容される情報ファイルの作成日を検出する属性検出ステップと、
前記属性検出ステップの検出結果に基づいて前記ディレクトリに収容されている複数の情報ファイルの作成日の範囲を検出し、前記作成日の範囲を示す名前を前記ディレクトリの名前として付加する名前変更ステップ
とを具備することを特徴とする管理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録装置及び管理方法に関し、より具体的には、撮影画像のような画像を電子的、磁気的又は物理的に記録媒体に記録する記録装置及びその管理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような不都合を解消する記録装置及び管理方法を提示することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はまた、ディレクトリ内の情報ファイルの属性を簡単に把握できる記録装置及び管理方法を提示することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る記録装置は、記録媒体に対して情報ファイルを記憶する書き込み手段と、前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御手段と、前記ディレクトリに収容される情報ファイルの属性を検出する属性検出手段と、前記ディレクトリに対する前記情報ファイルの収容状態が変化したことに応じて、前記属性検出手段の検出結果を反映する名前に前記ディレクトリの名前を変更する名前変更手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る記録装置は、記録媒体に対して情報ファイルを記憶する書き込み手段と、前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御手段と、前記ディレクトリに収容される情報ファイルの作成日を検出する属性検出手段と、前記属性検出手段の検出結果に基づいて前記ディレクトリに収容されている複数の情報ファイルの作成日の範囲を検出し、前記作成日の範囲を示す名前を前記ディレクトリの名前として付加する名前変更手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る管理方法は、記録媒体に記録された情報ファイルを管理する方法であって、前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御ステップと、前記ディレクトリに収容される情報ファイルの属性を検出する属性検出ステップと、前記ディレクトリに対する前記情報ファイルの収容状態が変化したことに応じて、前記属性検出ステップの検出結果を反映する名前に前記ディレクトリの名前を変更する名前変更ステップとを具備することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る管理方法は、記録媒体に記録された情報ファイルを管理する方法であって、前記記録媒体に記憶された情報ファイルをディレクトリに収容することにより管理する制御ステップと、前記ディレクトリに収容される情報ファイルの作成日を検出する属性検出ステップと、前記属性検出ステップの検出結果に基づいて前記ディレクトリに収容されている複数の情報ファイルの作成日の範囲を検出し、前記作成日の範囲を示す名前を前記ディレクトリの名前として付加する名前変更ステップとを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ネットワーク装置であって、
クライアントをデフォルト・ゲートウェイ・アドレスで構成することができる構成サーバに接続された第１のポートと、
前記デフォルト・ゲートウェイ・アドレスで構成されることを求めている前記クライアントに接続された第２のポートと、
前記第１のポートおよび第２のポートの間に接続され、前記第１および第２のポートの間でパケットを送出する送出ユニットと、を有し、
前記送出ユニットは、前記構成サーバおよび前記クライアントの間の構成対話の一部である構成パケットをインターセプトする構成エージェントを含んでおり、該構成パケットは前記クライアントによって使用されるデフォルト・ゲートウェイ・アドレスを含んでおり、前記構成エージェントは、前記デフォルト・ゲートウェイ・アドレスを前記クライアントのネットワーク・アドレスに変更して、前記構成パケットを伝送する、ネットワーク装置。
【請求項２】前記構成エージェントが、前記第１のポートで前記構成サーバからの前記構成パケットを受け取ることによって前記構成パケットをインターセプトし、前記第２のポートで前記構成パケットを前記クライアントに伝送することによって前記構成パケットを伝送する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項３】前記クライアントのネットワーク・アドレスとして現在使用されているまたは将来使用される候補ネットワーク・アドレスを前記構成パケットのクライアント・ネットワーク・アドレス・フィールドからコピーして、前記構成パケットのデフォルト・ゲートウェイ・アドレス・フィールドに該候補アドレスを記憶することによって、前記構成エージェントが、前記クライアントによって使用されるべきデフォルト・ゲートウェイ・アドレスを変更する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項４】前記構成エージェントが、前記構成パケットを伝送する前に、前記構成パケットに関連するチェックサムを再計算する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項５】前記構成エージェントが、
前記構成サーバおよび前記クライアントの間の構成対話の一部である発見メッセージまたは要求メッセージを含むパケットをインターセプトし、
前記発見メッセージまたは前記要求メッセージを含む前記パケットを検査して該パケットのブロードキャスト・フラグが設定されているかどうかを判定し、
前記ブロードキャスト・フラグが設定されていない場合には前記ブロードキャスト・フラグを設定し、
前記発見メッセージまたは前記要求メッセージを含む前記パケットに関連するチェックサムを再計算し、
前記発見メッセージまたは前記要求メッセージを含む前記パケットを伝送する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項６】前記構成エージェントが、前記構成パケットの構成サーバ・アドレス・フィールドに構成エージェントのネットワーク・アドレスを記憶する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項７】前記構成エージェントが、前記構成パケットが肯定応答メッセージを含むか否かを判断し、前記構成パケットが肯定応答メッセージを含む場合には、サーバ割り当てテーブルに前記クライアントと前記構成サーバとを関連付けるエントリを記憶する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項８】前記構成エージェントが、クライアントがリースを更新することを求めるネットワーク・アドレスを含む要求メッセージを含むパケットをインターセプトし、前記要求メッセージを含む前記パケットの宛先を前記構成サーバのアドレスに再アドレス指定し、前記要求メッセージを含む前記パケットを前記構成サーバに伝送する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【請求項９】前記構成エージェントが、前記構成エージェントおよび前記構成サーバが同じサブネット上にあるか否かを判断し、
前記構成エージェントおよび前記構成サーバが同じサブネット上にある場合には、前記要求メッセージを含む前記パケットのブロードキャスト・フラグが設定されてなければ該ブロードキャスト・フラグを設定し、前記要求メッセージを含む前記パケットに関連するチェックサムを再計算し、前記パケットの宛先を前記構成サーバのハードウェア・アドレスに再アドレス指定し、
前記構成エージェントおよび前記構成サーバが同じサブネット上にない場合には、前記要求メッセージを含む前記パケットのブロードキャスト・フラグが解除されてなければ該ブロードキャスト・フラグを解除し、前記要求メッセージを含む前記パケットの中継エージェント・フィールドに前記構成エージェントのネットワーク・アドレスを記憶し、前記要求メッセージを含む前記パケットに関連するチェックサムを再計算し、前記パケットの宛先を前記構成サーバのネットワーク・アドレスに再アドレス指定する、請求項８に記載のネットワーク装置。
【請求項１０】前記構成エージェントが、構成サーバ割り当てテーブルにアクセスして、クライアントと既に関連付けられている構成サーバのアドレスを取り出し、前記要求メッセージの宛先を前記クライアントと既に関連付けられている構成サーバのアドレスに含む前記パケットを再アドレス指定することによって、前記パケットの宛先を構成サーバのアドレスに再アドレス指定する、請求項８に記載のネットワーク装置。
【請求項１１】前記構成エージェントが、構成サーバおよびクライアントの間の構成対話の一部である発見メッセージまたは要求メッセージを含むパケットをインターセプトして、構成エージェントおよび構成サーバが同じサブネット上にあるか否か判断し、
構成エージェントおよび構成サーバが同じサブネット上にある場合には、発見メッセージまたは要求メッセージを含むパケットのブロードキャスト・フラグが設定されていなければ該ブロードキャスト・フラグを設定し、前記パケットに関連するチェックサムを再計算し、前記パケットを伝送し、
構成エージェントおよび構成サーバが同じサブネット上にない場合には、発見メッセージまたは要求メッセージを含むパケットのブロードキャスト・フラグが解除されていなければ該ブロードキャスト・フラグを解除し、前記発見メッセージまたは要求メッセージを含む前記パケットの中継エージェント・フィールドに構成エージェントのネットワーク・アドレスを記憶し、前記パケットに関連するチェックサムを再計算し、前記パケットを伝送する、請求項１に記載のネットワーク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  イメージングシステムにおいて、
イメージデータを供給するイメージセンサ、及び
前記イメージデータから派生されるアナログ信号を受取り且つ格納するために前記イメージセンサに結合されている複数個のパイプライン型セグメントを有しているアナログ非揮発性メモリ、
を有しており、前記パイプライン型セグメントの各々はメモリ要素とサンプル・ホールド回路とを有しており、前記アナログ信号が複数個の前記パイプライン型セグメント内に並列的に書き込まれ、前記複数個のパイプライン型セグメントの数が前記イメージデータがサンプルされる周波数に基づいているイメージングシステム。
【請求項２】  イメージングシステムにおいて、
アナログイメージデータを供給するイメージセンサ、及び
アナログイメージデータを格納するために前記イメージセンサに結合されているアナログ非揮発性メモリ、
を有しており、前記イメージデータはアナログ形態で前記イメージセンサから前記メモリへ送られ、前記アナログメモリは複数個のパイプライン型セグメントを有しており、前記パイプライン型セグメントの各々はメモリ要素とサンプル・ホールド回路とを有しており、前記イメージデータは前記パイプライン型セグメント内に並列的に書き込まれ且つ前記複数個のパイプライン型セグメントの数は前記イメージセンサが前記アナログイメージデータを供給する帯域幅に基づいているイメージングシステム。
【請求項３】  請求項２において、前記アナログメモリが、各々が前記イメージデータの少なくとも１個のピクセルを格納する複数個のメモリセルを有しているイメージングシステム。
【請求項４】  イメージングシステムにおいて、
アナログイメージデータを供給するイメージセンサ、及び
前記アナログイメージデータを格納するために前記イメージセンサへ結合されているアナログ非揮発性メモリ、
を有しており、前記イメージデータはアナログ形態で前記イメージセンサから前記メモリへ送られ、前記アナログメモリは、
メモリセクションの数が前記イメージセンサが前記アナログイメージデータを供給する帯域幅に基づいている１組のメモリセクションと、
前記１組のメモリセクションに結合されており、各サンプル・ホールド回路が他のメモリセクションとは独立的にメモリセクションの一つに関して書込動作を実施し且つ前記メモリセクションの内の一つの関連するセルへアナログ値を書き込むべく結合されている１組のサンプル・ホールド回路と、
逐次的に書込動作を開始させ、第２メモリセクションが前に開始された書込動作を実行している間に第１メモリセクションに対する書込動作が開始されるタイミング回路と、
を有しているイメージングシステム。
【請求項５】  イメージングシステムにおいて、
アナログイメージデータを供給するイメージセンサ、及び
アナログイメージデータを格納するために前記イメージセンサへ結合されているアナログ非揮発性メモリ、
を有しており、前記イメージデータはアナログ形態で前記イメージセンサから前記メモリへ送られ、前記アナログメモリは、
メモリセクションの数が前記イメージセンサが前記アナログイメージデータを供給する帯域幅に基づいており且つ前記各メモリセクションは各々が前記イメージデータの少なくとも１個のピクセルを格納する複数個のメモリセルを有している１組のメモリセクションと、
前記１組のメモリセクションに結合されており、各サンプル・ホールド回路が他のメモリセクションとは独立的にメモリセクションの一つに関して書込動作を実施し且つ前記メモリセクションの内の一つの関連するセルへアナログ値を書き込むべく結合されている１組のサンプル・ホールド回路と、
逐次的に書込動作を開始させ、第２メモリセクションが前に開始された書込動作を実行している間に第１メモリセクションに対する書込動作が開始されるタイミング回路と、
を有しているイメージングシステム。
【請求項６】  イメージングシステムを動作させる方法において、
イメージセンサから帯域幅を有するアナログイメージデータを供給し、
前記イメージデータが前記帯域幅に基づいて書き込まれる非揮発性メモリセクションの数を決定し、且つ
前記イメージデータを並列パイプライン型態様で前記数のメモリセクション内に書き込む、
ことを包含している方法。
【請求項７】  請求項６において、前記メモリセクションの各々が複数個のメモリセルを有しており且つ前記書き込みを行う場合にデータが書き込まれる前記セルの各々に前記イメージデータの少なくとも１個のピクセルを書き込む方法。
【請求項８】  請求項６において、前記帯域幅が第１周波数においてのサンプリングを必要とし且つ前記書き込みは第２周波数においてのサンプリング及び書き込みが関与し、前記数を決定することが前記第１及び第２周波数の関係に基づいている方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振キャビティを有するレーザであって、
前記共振キャビティ内に配置されている利得媒体と、
前記共振キャビティ内に配置され、基本モードを中心として増幅される光の結合されたサイドモードを非対称分散させるように構成されている非対称分散エンハンサとを備えているレーザ。
【請求項２】  
前記非対称分散エンハンサが、屈折率、光路長、光を受容可能な露出面を有するコアを含み、該屈折率が、該露出面に垂直な方向で変動する空間周波数で該光路長に関して振動する請求項１に記載のレーザ。
【請求項３】
前記非対称分散エンハンサが、テーパがつけられたコアを備えている請求項１に記載のレーザ。
【請求項４】
前記非対称分散エンハンサが光ファイバを備えている請求項１に記載のレーザ。
【請求項５】
レーザにおけるマルチモード化を抑制する方法であって、
レーザキャビティを設け、
前記レーザキャビティ内に導波路を設け、
前記レーザキャビティ内で光を増幅させ、
前記レーザキャビティ内で前記光をフィルタリングし、
前記光が前記導波路を通過する際、前記光の基本モードを中心として結合されたサイドモードを非対称に分散させることにより非対称分散を強めることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１半導体層を形成する工程と、
前記第１半導体層に触媒元素を添加し、熱処理により第２半導体層に変化させる工程と、
前記第２半導体層を加熱した酸性溶液中に浸す工程と、
前記第２半導体層を用いてＴＦＴを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この種のモジュール型コネクタにおいて、相手側の一つ又は複数のコネクタを一括嵌合させることが要求される応用例がある。通常多極の嵌合のためには、実開昭５９−１１０９９０公報に開示されるような、零挿入力嵌合又は実開平５−５７７８５号公報に開示されるような低挿入力嵌合が利用され得るが、後者の方がその構造はより単純であり、製造も容易になる。本発明は、このような低挿入力嵌合に使用可能なモジュール型コネクタを、製造組立が容易で且つ十分な機械的強度を有し、更にコンタクトと相手部材との確実な電気的接続を保証することのできるようにして提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第２ハウジング７０は図５に示すように、部分的に貫通する多数のキャビティ７１を有し、その各々に小型の基体１６が受容される。キャビティ７１は２列にして千鳥位置に構成され、図３に示すように互いの列に置かれる基体１６は互いに少なくとも一部が当接する。また上述したように、配列された基体１６の上から基体１６の頂部を貫通するように受容してそれらを位置決めする金属板２５が配置される。特にこの金属板２５はコンタクト１５が弾性変形されたときの基体１６の位置ずれを防止すべく作用する点に注目すべきである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第２ハウジング７０の両端には延長部７２、７３が設けられる。一側の延長部７２には、底側に向けて突出する突部７４、両側方に突出する突起７５、及び高さ方向に貫通する貫通孔７６が形成される。他側の延長部７３の頂側には、隣に位置する第２ハウジング７０の延長部７２の突部７４を受容する凹部７７が形成され、その対向側即ち底側に図示しないナット部材を受容するナット受容部７８が形成される。ナット受容部７８は延長部７３を高さ方向に貫通する貫通孔７９に連通する。互いに隣り合う第２ハウジング７０同士は延長部７２、７３を互いに機械的に結合させることにより連結される。即ち第２ハウジング７０の一側延長部７２の突部７４が、隣に位置する他の第２ハウジング７０の他側延長部７３の凹部７７に係合される。その後延長部７２の頂側（図５中の（ａ）で示す側）から貫通孔７６に図示しない皿ねじが受容され、その皿ねじは隣の第２ハウジング７０の延長部７３も貫通して置かれる。皿ねじはナット受容部７８に配置される図示しないナットに係合し、これにより重ねて置かれる延長部７２、７３が締め付け固定され、これにより隣り合う第２ハウジング同士が連結固定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
組立の第３工程では、第２ハウジング７０及び金属板５０の頂側から図４に示す第１ハウジング３０が装着される。このとき図３に示すように第１ハウジング３０の壁３２は金属板５０の内側に入り込む。特に壁３２の底端の薄厚部３３が第２ハウジング７０と金属板５０との間に入り込み、肩３４が金属板２５の端縁を押さえ込むよう配置される点にも注目すべきである。また、第３工程では、コンタクト１５の端１７は第１ハウジング３０の孔３５に係合しコンタクト１６の弾性接触片１８に予荷重の構成が提供される。また上述したように、第１ハウジング３０が装着されるとき、側壁３２の外側に略Ｌ字形状の断面を成すように形成される係合壁３４によってその内側に画定される係合溝３１が金属板５０の係合壁５２に係合する。更に上述したように、第１ハウジング３０に形成される係合端３６、３７は隣り合う第１ハウジング３０同士で相互に係合される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としてのバンプ電極とから構成された電極構造を具備してなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】  半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられたバリア膜と、このバリア膜上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としてのバンプ電極とから構成された電極構造を具備してなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】  半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなるバリア膜および密着層としての導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極とから構成された電極構造を具備してなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明に係る半導体装置（請求項１５）は、半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としてのバンプ電極とから構成された電極構造を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明に係る他の半導体装置（請求項１６）は、半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられたバリア膜と、このバリア膜上に設けられ、導電性微粒子からなる、密着層としての導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としてのバンプ電極とから構成された電極構造を備えた特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図中、１は容器を示しており、この容器１内には微粒子源であるターゲット２が設けられている。ターゲット２は容器の内壁に保持されている。より詳細には、ターゲット２の主面は容器１内を流れるガス流の方向に対して平行に保持されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図５に、互いに材料の異なる第１および第２のターゲット２1 ，２2 からなる環状のターゲット２の平面図を示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
一方、半田ボールと接触する側のＮｉ微粒子膜の密度は低いため、半田ボールを溶解してバンプ電極を形成する工程において、溶融した半田が容易にＮｉ微粒子膜中に進入し、バンプ電極とＮｉ微粒子膜との接触面積が大きくなり、バンプ電極とＮｉ微粒子膜との密着強度が強くなる。
（第７の実施形態）
図１４は、本発明の第７の実施形態に係るバンプ電極構造の形成方法を示す工程断面図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
ここで、微粒子とは、これまでの実施形態で示したＮｉ微粒子の他に、Ｔｉ微粒子、ＴｉＮｉx 合金微粒子またはＮｉＴｉx 混合微粒子からなる密着とバリア膜、あるいはそれらを兼ねた膜を用いても良いし、また複数種、これらの微粒子を組み合わせて用いても良いことはいうまでもない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
なお、本実施形態では、Ｎｉ微粒子ペーストを半田ボールとパッド電極との密着層に用いたが、コンタクトホールやスルーホールなどの接続孔の埋め込みメタル材料として用いることもできる。
（第９の実施形態）
図１５は、本発明の第９の実施形態に係るマルチチップ半導体装置用チップの製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の特徴は、Ｎｉ微粒子が混濁された溶液（Ｎｉ分散液）を用いた成膜方法により、微粒粒子膜を成膜することにあるが、特に本実施形態では貫通プラグへの適用例で示す。
まず、図１５（ａ）に示すように、ＭＯＳトランジスタ等の素子が形成されたシリコン基板５１上に層間絶縁膜５５を形成する。図中、５２は素子分離絶縁膜、５３はＭＯＳトランジスタのゲート部（ゲート酸化膜、ゲート電極、ゲートキャップ絶縁膜、ゲート側壁絶縁膜）、５４はＬＤＤ構造のソース・ドレイン拡散層を示している。