【事件の表示】
　昭和６３年特許願第３２５７６８号「微細加工方法及びその装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年　７月　４日出願公開、特開平　２−１７３２７８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、昭和６３年１２月２６日の出願であって、その請求項１〜１２に係る発明は、平成１年４月１７日付け、平成１１年４月１９日付け、平成１２年１月２８日付け、及び平成１２年８月４日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載によれば、特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１には次の事項が記載されている。（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
「先端を鋭く尖らせた針を試料の表面とわずかなギャップを保って対向させ、
　前記針と前記試料表面との間に電圧を印加して前記針と前記試料表面との間にトンネル電流または電界放射電流を発生させ、
　前記試料の裏面に前記針の軸心の方向に沿って配置した磁極を用いて前記針と前記試料表面との間に磁場を形成することにより前記トンネル電流又は電界放射電流を前記針と前記試料表面との間で集束させ、
　該集束させた前記トンネル電流又は電界放射電流で前記試料の表面に微細な加工を行う
ことを特徴とする微細加工方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−９２０２５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、特に第１，２図とともに、次の事項が記載されている。
（ア）「この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、原子一個一個を選択的に剥ぎとったり、付着させたりでき、原子の大きさオーダーの超微細加工が可能な導電性材料加工装置を得ることを目的とする。」（第２頁右上欄第４〜８行）
（イ）「この発明においては、金属針の先端からは材料の原子単位に集中的にトンネル電流を流すことができ、この電流効果によりその原子を電気的に励起したり、化学的に活性化したり、物理的にまわりの原子との結合力を弱めるなどにより、この原子を選択的に被加工材から剥ぎ取ったり、また逆に他の原子を結合させたりする。」（第２頁左下欄第１１〜１７行）
（ウ）「以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１図において、(1)は微細加工される導電性被加工材料で、例えばシリコンなどの半導体材料、(2)は半導体材料(1)に非接触状態で移動可能であり、半導体材料(1)を構成する原子単位に通電可能な先端部を有する金属針、(3)は半導体材料(1)と金属針(2)の間に印加するバイアス電源、(4)は金属針(2)と半導体材料(1)の間に流れるトンネル電流を測定するための電流計、(5)は金属針(2)を走査するための圧電素子などによる駆動機構、(6)はトンネル電流の値を測定する電流計(4)の出力が常に一定になる様に金属針(2)の位置を保持するための駆動機構(5)へフィードバックする制御回路である。」（第２頁右下欄第５〜１８行）
（エ）「第２図をもとに微細加工の過程を説明する。第２図(a)は金属針(2)と一個の表面原子Ａとの間に電源(3)によってトンネル電流Ｊが流れている状態を示す。このトンネル電流によりＡ原子はまわりの原子Ｂ，Ｃ，Ｄとの結合が弱められ、第２図(b)に示す様に金属針(2)と半導体材料(1)表面の高電界によりＡ原子はイオン化され金属針(2)に吸着されたり、表面から飛び出た後、まわりの電子に中和されたりして、半導体材料(1)表面に原子の抜け穴が一つできる。金属針(2)を次々に走査しこの過程を繰り返すことにより、第２図(c)に示すような超微細加工が可能となる。第２図(c)では表面方向５原子分、深さ方向に３原子分の加工を施した場合を示している。第２図(a)又は(b)において、金属針（２）と半導体材料(1)との距離を制御することが必要であり、このため電流計(4)によってトンネル電流Ｊを測定する。半導体材料(1)が例えばシリコンの場合、電源(3)によって数Ｖ〜数十Ｖオーダー程度の電圧を印加し、流れるトンネル電流Ｊを電流計(4)によって測定する。この測定値を制御回路(6)に入力し、測定値が常に一定値、例えば数十ノＡオーダー程度以上の一定値になるように金属針(2)の駆動機構(5)を制御すれば、金属針(2)と半導体材料(1)との距離は数十Å程度で一定となる。」（第３頁右上欄第４行から左下欄第８行）
　
　上記記載事項（ア）乃至（エ）から、引用刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。（以下、「引用刊行物１記載の発明」という。）
「金属針(2)を半導体材料(1)の表面とわずかなギャップを保って対向させ、前記金属針(2)と前記半導体材料(1)との間に電圧を印加して前記金属針(2)と前記半導体材料(1)との間にトンネル電流を発生させ、前記トンネル電流で前記半導体材料(2)の表面に微細な加工を行う微細加工方法。」
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−２２３６０２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、特に第３，４図とともに、次の事項が記載されている。
（オ）「従来技術では、尖針と試料間の真空ギャップを大きくすると（トポグラファイナー）、分解能が悪くなり、分解能を向上させるためには真空ギャップを小さくする（ＳＴＭ）しかなかった。本発明の目的は、実用上の観点から大きい真空ギャップに対して分解能を向上させる手段を提供することにある。」（第２頁左下欄第１０〜１７行）
（カ）「第１図は、本発明の原理を示す図で、尖針１の外周空間に導線で作るコイル８を設け、直流の電流を通ずることにより尖針の軸方向に平行な磁界を発生させる。試料２に対して尖針１に負の適当な電圧を印加することにより尖針１から電界放出電子を放射させる。コイル８に通電しないときの放射領域Ｄ０に対し、通電したときの領域はＤ１と小さくなる。」（第２頁左上欄第５〜１２行）
（キ）「この集束作用を強めるためには、試料に近づく程加速される電子のエネルギーに合せて磁束密度を大きくすることができる。すなわち、第３図に示すように試料２の近傍で磁束を集中させることによって試料２上での広がりＤ２としてさらに小さな値とすることができる。」（第３頁左下欄第２〜７行）
（ク）「本発明の一実施例を第４図により説明する。円柱状の永久磁石１０の中心部に尖針１の支持棒９を設け、この支持棒９および永久磁石１０は、圧電素子からなる尖針駆動装置３と結合させる。非磁性体からなる試料台１３は、尖針１と垂直をなすように尖針駆動装置３と結合する（図中省略）。試料２は試料台１３上に固定し尖針１と１μｍ程度の真空ギャップを保つようにする。試料台１３の尖針に対向する位置の試料２と接する側で円錐形をなし、反対側で円柱状のパーマロイなどの強磁性体からなる磁極１１および円柱状部分の外周に絶縁被覆導線からなるコイル１２を配置し、直流電源（図示せず）からコイル１２に通電して磁極１１の作る磁界が試料２の表面に垂直な方向となるようにする。この場合、永久磁石１０の作る尖針側の磁極と、磁極１１の円錐状先端部の磁極は互いに反対極性となるようにコイル１２に通電する。
　本実施例において、電源５から尖針１及び試料２の間に電圧を印加（尖針側に負）して電界出電子を放射させるとき、その集束作用は第３図で説明したようになる。すなわち、永久磁石１０からの磁束は、電磁石たる磁極１１の円錐状部分の先端に集中するため、試料表面２に入射する電子は、試料表面に近づくほど強い集束作用をうける。尖針１と試料２間の真空ギャップおよび試料２の厚さが異なる場合、試料表面上で集束電子の径が最も小さくなるように電源によってコイル１２への通電電流値を制御する。」（第３頁左下欄台１５行から第４頁左上欄第３行）
　
　上記記載事項（オ）乃至（ク）から、引用刊行物２には、尖針と試料間のギャップにより電流（電子の流れ）が広がるのを改善するために、尖針の軸方向に平行な磁界を加えることが記載され、その具体的方法として、試料２の裏面に尖針１の軸心の方向に沿って配置した磁極１１を用いて尖針１と試料表面との間に磁場を形成することにより電流（電子の流れ）を尖針と試料表面との間で集束させること、が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用刊行物１に記載の発明とを対比する。
　引用刊行物記載の「金属針(2)」及び「半導体材料(1)」が、それぞれ本願発明の「先端を鋭く尖らせた針」及び「試料」に相当することは明らかである。
　してみると、本願発明と引用刊行物１記載の発明とは、「先端を鋭く尖らせた針を試料の表面とわずかなギャップを保って対向させ、前記針と前記試料表面との間に電圧を印加して前記針と前記試料表面との間にトンネル電流または電界放射電流を発生させ、前記トンネル電流または電界放射電流で前記試料の表面に微細な加工を行う微細加工方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明が「前記試料の裏面に前記針の軸心の方向に沿って配置した磁極を用いて前記針と前記試料表面との間に磁場を形成することにより前記トンネル電流又は電界放射電流を前記針と前記試料表面との間で集束させ、」という構成を有しているのに対して、引用刊行物１記載の発明はこの構成を備えていない点。（相違点）
　
４．相違点の判断
　上記相違点について検討する。
　引用刊行物１記載の発明においても、針を試料の表面とギャップを保って対向させ、針と試料表面との間に電流（電子の流れ）を発生させるものであるから、ギャップにより電流（電子の流れ）が広がるので、これを集束させる必要があることは明らかである。そして、上記「２．引用刊行物記載の発明」に記載のように引用刊行物２には、尖針と試料間のギャップにより電流（電子の流れ）が広がるのを改善するために、尖針の軸方向に平行な磁界を加えることが記載され、その具体的方法として、試料の裏面に尖針の軸心の方向に沿って配置した磁極を用いて尖針と試料表面との間に磁場を形成することにより電流（電子の流れ）を尖針と試料表面との間で集束させること、が記載されているから、引用刊行物１記載の発明に引用刊行物２記載の技術的思想を適用して、「試料の裏面に針の軸心の方向に沿って配置した磁極を用いて針と試料表面との間に磁場を形成することによりトンネル電流又は電界放射電流を針と試料表面との間で集束させる」構成を備えるようにすることは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　そして、本願発明の効果も、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明から当業者であれば予測し得る程度のものである。
　
 ５．むすび
  以上のとおりであるから、本願発明は引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。