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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路配線基板、及び回路配線基板を備えた電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子部品が、金属基板に積層された絶縁層上の配線パターンに実装された回路配線基板であって、
前記電子部品の実装部分が、前記絶縁層の線膨張率より小さい線膨張率を有する樹脂材料によって樹脂封止されていることを特徴とする回路配線基板。
【請求項２】  前記絶縁層は、高放熱化する無機充填材と低弾性化する弾性充填材を含有する樹脂材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路配線基板。
【請求項３】  前記樹脂封止する樹脂材料は、無機充填材が充填されることによって、封止樹脂の線膨張率が調整されることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路配線基板。
【請求項４】  前記無機充填材は、電気絶縁性及び高熱伝導性を有することを特徴とする請求項３に記載の回路配線基板。
【請求項５】  前記無機充填材は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素から、いずれか一つ又は複数が選択されたものであることを特徴とする請求項４に記載の回路配線基板。
【請求項６】  前記金属基板は、アルミニウムベースであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回路配線基板。
【請求項７】  前記電子部品は、前記配線パターンに半田付けされていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の回路配線基板。
【請求項８】  前記電子部品の実装部分が、前記樹脂材料によって前記絶縁層及び前記金属基板と一体的に樹脂封止されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の回路配線基板。
【請求項９】  高温環境下に設置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の回路配線基板。
【請求項１０】  電子部品が、金属基板に積層された絶縁層上の配線パターンに実装された回路配線基板と、
前記電子部品の実装部分が、前記絶縁層の線膨張率より小さい線膨張率を有する樹脂材料によって樹脂封止されて設けられることを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、前記回路配線基板において、前記電子部品の実装部分が、前記樹脂材料によって前記絶縁層及び前記金属基板と一体的に樹脂封止されていることとした。
本発明の電子機器では、電子部品が、金属基板に積層された絶縁層上の配線パターンに実装された回路配線基板と、前記電子部品の実装部分とが、前記絶縁層の線膨張率より小さい線膨張率を有する樹脂材料によって樹脂封止されて設けられることとした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に素子形成領域と素子分離領域とを有し、前記素子形成領域上に半導体素子を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の前記素子形成領域上に第１窒化膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１窒化膜をマスクに前記半導体基板の前記素子分離領域をエッチングすることにより溝を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体基板に酸化処理を施すことにより、
前記溝の内壁、前記第１窒化膜の側面および表面に、酸化膜もしくは酸窒化膜を形成する工程と、
（ｄ）前記酸化膜もしくは酸窒化膜の上部に第２窒化膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第２窒化膜上に前記溝を埋め込む程度の厚さの絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記絶縁膜の上部を前記第１窒化膜が露出するまで除去する工程と、
（ｇ）前記第１窒化膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】  半導体基板上に素子形成領域と素子分離領域とを有し、前記素子形成領域上に半導体素子を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の前記素子形成領域上に第１窒化膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１窒化膜をマスクに前記半導体基板の前記素子分離領域をエッチングすることにより溝を形成する工程と、
（ｃ）前記第１窒化膜の側面および表面を酸化する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記溝および前記第１窒化膜の上部に第２窒化膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第２窒化膜上に前記溝を埋め込む程度の厚さの絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記絶縁膜の上部を前記第１窒化膜が露出するまで除去する工程と、
（ｇ）前記第１窒化膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】  前記（ｃ）工程は、前記半導体基板の表面にラジカル酸素を供給しながら行われることを特徴とする請求項１もしくは２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】  前記（ｃ）工程は、前記半導体基板上に水素と酸素を導入しながら行う酸化工程であることを特徴とする請求項１もしくは２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】  前記（ｃ）工程の酸化の際、前記溝の内壁に酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】 （ａ）半導体基板上に第１窒化シリコン膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１窒化シリコン膜の一部を除去する工程と、
（ｃ）前記第１窒化シリコン膜をマスクにして前記半導体基板に溝を形成する工程と、
（ｄ）ＩＳＳＧ酸化法によって、前記溝内に第１絶縁膜を形成する工程であって、前記第１窒化シリコン膜の側面および表面を酸化する工程と、
（ｅ）前記溝内に第２絶縁膜を堆積する工程と、
（ｆ）前記第２絶縁膜を前記第１窒化シリコン膜が露出するまで研磨する工程と、
（ｇ）前記第１窒化シリコン膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】 前記（ｇ）工程後に、
（ｈ）前記半導体基板上を洗浄する工程、
を有することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】  前記（ｈ）工程後に、
（ｉ）前記半導体基板上に半導体素子を形成する工程、
を有することを特徴とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】 前記ＩＳＳＧ酸化法は、常圧よりも減圧されたチャンバ内に水素と酸素を導入し、半導体基板表面において酸化反応を起こさせる酸化方法であることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】 前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｊ）前記溝内の前記第１絶縁膜上に、第２窒化シリコン膜を形成する工程、
を有することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）半導体を含む基板の表面をシアン化物イオンを含む溶液に接触させることによって、前記基板に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成するとともに、前記半導体基板の未結合手をシアノ基で終端する工程と、
（ii）前記基板の表面から前記溶液を除去する工程とを含み、
前記シアン化物が、シアン化水素、ジシアン、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化ルビジウム、シアン化セシウム及びシアン化アンモニウムから選ばれる少なくとも１つを溶質として含み、
前記溶液が、水、アルコール、ケトン、ニトリル、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル及び脂肪族アルカンから選ばれる少なくとも１つを溶媒として含む
ことを特徴とする半導体装置製造用基板の製造方法。
【請求項２】
（I）半導体を含む基板の表面にシアン化物水素及びジシアンから選ばれる少なくとも１つの化合物を接触させることによって、前記基板に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成するとともに、前記半導体基板の未結合手をシアノ基で終端する工程と、
（II）前記基板をリンスする工程と
を含む半導体装置製造用基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属が銅である請求項１又は２に記載の半導体装置製造用基板の製造方法。
【請求項４】
前記半導体が、シリコン、炭化シリコン又はIII−Ｖ族化合物半導体である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置製造用基板の製造方法。
【請求項５】
（Ａ）半導体を含む基板を用いて半導体素子を形成する工程を含み、前記（Ａ）の工程の前、途中、又は後に、
（i）半導体を含む基板の表面をシアン化物イオンを含む溶液に接触させることによって、前記基板に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成するとともに、前記半導体基板の未結合手をシアノ基で終端する工程と、
（ii）前記基板の表面から前記溶液を除去する工程と
を含み、
前記シアン化物が、シアン化水素、ジシアン、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化ルビジウム、シアン化セシウム及びシアン化アンモニウムから選ばれる少なくとも１つを溶質として含み、
前記溶液が、水、アルコール、ケトン、ニトリル、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル及び脂肪族アルカンから選ばれる少なくとも１つを溶媒として含む
ことを特徴とする半導体装置製造用基板の製造方法。
【請求項６】
（Ａ）半導体を含む基板を用いて半導体素子を形成する工程を含み、前記（Ａ）の工程の前、途中、又は後に、
（i）半導体を含む基板の表面をシアン化物イオンを含む溶液に接触させることによって、前記基板に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成するとともに、前記半導体基板の未結合手をシアノ基で終端する工程と、
（ii）前記基板の表面から前記溶液を除去する工程と
を含み、
前記シアン化物が、シアン化水素、ジシアン、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化ルビジウム、シアン化セシウム及びシアン化アンモニウムから選ばれる少なくとも１つを溶質として含み、
前記溶液が、水、アルコール、ケトン、ニトリル、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル及び脂肪族アルカンから選ばれる少なくとも１つを溶媒として含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体が、シリコン、炭化シリコン又はIII−Ｖ族化合物半導体である請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ｉ）半導体装置の製造装置の表面を、シアン化物イオンとアンモニアを含む溶液に接触させることによって、前記製造装置の表面に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成する工程と、
（ii）前記製造装置の表面から前記溶液を除去する工程とを含む半導体装置の製造装置の洗浄方法。
【請求項９】
前記溶液が、シアン化水素、ジシアン、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化ルビジウム、シアン化セシウム及びシアン化アンモニウムから選ばれる少なくとも１つを溶質として含む請求項８に記載の半導体装置の製造装置の洗浄方法。
【請求項１０】
前記溶液が、水、アルコール、ケトン、ニトリル、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル及び脂肪族アルカンから選ばれる少なくとも１つを溶媒として含む請求項８又は９に記載の半導体装置の製造装置の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置製造用基板の製造方法は、（i）半導体を含む基板の表面をシアン化物イオンを含む溶液に接触させることによって、前記基板に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成するとともに、前記半導体基板の未結合手をシアノ基で終端する工程と、
（ii）前記基板の表面から前記溶液を除去する工程とを含み、
前記シアン化物が、シアン化水素、ジシアン、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化ルビジウム、シアン化セシウム及びシアン化アンモニウムから選ばれる少なくとも１つを溶質として含み、
前記溶液が、水、アルコール、ケトン、ニトリル、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル及び脂肪族アルカンから選ばれる少なくとも１つを溶媒として含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、（Ａ）半導体を含む基板を用いて半導体素子を形成する工程を含み、前記（Ａ）の工程の前、途中、又は後に、
（i）半導体を含む基板の表面をシアン化物イオンを含む溶液に接触させることによって、前記基板に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成するとともに、前記半導体基板の未結合手をシアノ基で終端する工程と、
（ii）前記基板の表面から前記溶液を除去する工程と
を含み、
前記シアン化物が、シアン化水素、ジシアン、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化ルビジウム、シアン化セシウム及びシアン化アンモニウムから選ばれる少なくとも１つを溶質として含み、
前記溶液が、水、アルコール、ケトン、ニトリル、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル及び脂肪族アルカンから選ばれる少なくとも１つを溶媒として含む
ことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に、互いに平行に配置された第１および第２のワード線と、
絶縁層を介して、前記第１および第２のワード線に交差する第１および第２のビット線と、
前記第１のワード線によって制御される第１のトランジスタおよび前記第１のトランジスタと前記第１のビット線との間に配置された第１の磁気抵抗素子とを有する第１のメモリセルと、
前記第１のワード線によって制御される第２のトランジスタおよび前記第２のトランジスタと前記第２のビット線との間に配置された第２の磁気抵抗素子とを有する第２のメモリセルと、を備え、
前記第１および第２の磁気抵抗素子の各々は、前記半導体基板上に形成された複数の積層膜がパターンニングされて柱状の形状をなし、その少なくとも側面が絶縁層を介して前記第２のワード線で覆われ、
前記磁気半導体記憶装置は、更に、前記第１の磁気抵抗素子の側面に沿った第２のワード線の第１の部分および前記第２の磁気抵抗素子の側面に沿った第２のワード線の第２の部分との間に間隙を有することを特徴とする磁気半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に、互いに平行に配置された第１および第２のワード線と、
絶縁層を介して、前記第１および第２のワード線に交差する第１および第２のビット線と、
前記第１のワード線によって制御される第１のトランジスタおよび前記第１のトランジスタと前記第１のビット線との間に配置された第１の磁気抵抗素子とを有する第１のメモリセルと、
前記第１のワード線によって制御される第２のトランジスタおよび前記第２のトランジスタと前記第２のビット線との間に配置された第２の磁気抵抗素子とを有する第２のメモリセルと、を備え、
前記第１および第２の磁気抵抗素子の各々は、前記半導体基板上に形成された複数の積層膜がパターンニングされて柱状の形状をなし、上面及び両側面が絶縁層を介して前記第２のワード線で覆われ、
前記磁気半導体記憶装置は、更に、前記第１の磁気抵抗素子の側面の一つに沿った第２のワード線の第１の部分および前記第２の磁気抵抗素子の側面の一つに沿った第２のワード線の第２の部分との間に間隙を有することを特徴とする磁気半導体記憶装置。
【請求項３】
前記トランジスタにおいて、チャネル領域を走行する電子の方向が前記半導体基板の主表面に対して垂直方向であることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項４】
前記トランジスタは、そのチャネル部が多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項５】
前記ビット線は、少なくともその上面が軟磁性体膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第２のワード線の少なくとも一面が軟磁性体膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項７】
前記磁気抵抗素子は、強磁性体、トンネル絶縁膜および強磁性体膜の積層膜からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項８】
前記第２のワード線が絶縁膜を介して、前記ビット線の周囲を少なくとも３方向から覆っていることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項９】
前記軟磁性体は、パーマロイ（Ｎｉ８１Ｆｅ１９）であることを特徴とする請求項５に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記ビット線は、前記第１と第２のワード線の間に延在していることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記ビット線は、前記第２のワード線と前記磁気抵抗素子の間に延在していることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記磁気抵抗素子の形状は、短辺と長辺を有する矩形であり、その長辺方向が前記ビット線と垂直方向であることを特徴とする請求項１に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数のワード線と、
前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、
前記複数のワード線と前記複数のビット線との交点に配置され、第１のメモリセルと第２のメモリセルを含むメモリアレイとを備え、
前記メモリセルの各々は、前記半導体基板の主表面に対して垂直の方向に形成されたチャネル領域を有する縦型トランジスタと、前記縦型トランジスタの上方に配置された磁気抵抗素子とを含み、
前記複数のワード線の一つは、前記縦型トランジスタのゲート電極であり、かつ、絶縁膜を介して前記磁気抵抗素子の少なくとも２側面を覆い、
前記第１及び第２のメモリセルに含まれる前記縦型トランジスタのゲート電極が同一のワード線であり、
前記第１のメモリセルの磁気抵抗素子の一側面に沿った前記同一のワード線の第１の部分と、前記第２のメモリセルの磁気抵抗素子の一側面に沿った前記同一のワード線の第２の領域との間に間隙を有することを特徴とする磁気半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記ビット線は、少なくともその上面が軟磁性体膜で覆われていることを特徴とする請求項１３に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記磁気抵抗素子の形状は、短辺と長辺を有する矩形であり、その長辺方向が前記ビット線と垂直方向であることを特徴とする請求項１３に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記ビット線に流す電流の向きを変えることにより、スピンが反転し、それに伴いデータの反転を行なうことを特徴とする請求項１３に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記トランジスタにおいて、チャネル領域を走行する電子の方向が前記半導体基板の主表面に対して垂直方向であることを特徴とする請求項２に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１８】
前記第２のワード線が絶縁膜を介して、前記ビット線の周囲を少なくとも３方向から覆っていることを特徴とする請求項２に記載の磁気半導体記憶装置。
【請求項１９】
前記第２のワード線の少なくとも一面が軟磁性体膜で覆われていることを特徴とする請求項２に記載の磁気半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐ型窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を備え、そのｐ型コンタクト層上に、光出射部を除いて部分的にｐ側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子において、
上記光出射部のｐ型コンタクト層は、Ｎｉ及びＰｔからなる群から選択された少なくとも１つからなる金属層を形成した後にその金属層を除去することにより改質処理されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  上記金属層はＮｉ層である請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】  上記光出射部のｐ型窒化物半導体層のみが改質処理されている請求項１又は２記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  ｐ型窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を備え、そのｐ型コンタクト層上に、光出射部を除いて部分的にｐ側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子において、
上記光出射部のｐ型コンタクト層表面に、Ｎｉ及びＰｔからなる群から選択された少なくとも１つの金属元素を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  上記金属元素はＮｉである請求項４記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】  上記ｐ側オーミック電極は、開口部を有し、その開口部により露出された上記ｐ型コンタクト層表面により上記光出射部が構成された請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】  上記ｐ側オーミック電極は、複数の上記開口部を有する請求項６記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】  ｐ型窒化物半導体からなるコンタクト層を備え、そのコンタクト層上に、光出射部を除いて部分的にｐ側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ型コンタクト層上に、光出射部を除いて部分的にｐ側オーミック電極を形成する電極形成工程と、
その電極形成工程とは別に、上記光出射部のｐ型コンタクト層表面に、Ｎｉ及びＰｔからなる群から選択された金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と上記金属層を除去する金属層除去工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】  上記金属層形成工程の前に、上記電極形成工程を含み、
上記金属層形成工程において、上記光出射部と上記ｐ側オーミック電極とを覆うように上記金属層を形成する請求項８記載の窒化物半導体発光素子の形成方法。
【請求項１０】  ｐ型窒化物半導体からなるコンタクト層を備え、そのコンタクト層上に、ｐ側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子の製造方法において、
ｐ型コンタクト層表面に、Ｎｉ及びＰｔからなる群から選択された金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を除去する金属層除去工程と、
ｐ側オーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】  前記金属層形成工程と、金属層除去工程の後に、ｐ側オーミック電極を形成する工程を行なう請求項１０記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】  上記金属層除去工程は、ニッケル元素又は白金元素が残るように除去する請求項８〜１１のうちいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】  前記金属層除去工程において、金属層はウェットエッチングにより除去する請求項８〜１２のうちいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法では、上記光出射部のｐ型コンタクト層のみが選択的に処理されるように、上記金属層形成工程の前に、上記電極形成工程を含み、
上記金属層形成工程において、上記光出射部と上記ｐ側オーミック電極とを覆うように上記金属層を形成することが好ましい。
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法は、ｐ型窒化物半導体からなるコンタクト層を備え、そのコンタクト層上に、ｐ側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｐ型コンタクト層表面に、Ｎｉ及びＰｔからなる群から選択された金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、上記ニッケル元素又は白金元素が残るように前記金属層を除去する金属層除去工程と、ｐ側オーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。さらに前記金属層形成工程と、金属層除去工程の後に、ｐ側オーミック電極を形成する工程を行なうことが好ましい。さらに上記金属層除去工程は、ニッケル元素又は白金元素が残るように除去することが好ましい。さらに前記金属層除去工程において、金属層はウェットエッチングにより除去することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の少なくとも一部の上に配置された、電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子とを含む複数の画素と、を有し、
それぞれの前記スイッチ素子が信号配線及び駆動配線に接続された撮像装置であって、
前記半導体変換素子が前記スイッチ素子の電極に電気的に接続された電極を有し、  
前記半導体変換素子の前記電極が、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重なる領域以外の、前記駆動配線上の一部及び前記スイッチ素子の電極上の一部を少なくとも開口するように形成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、形成された開口は、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重なる領域の周辺にあることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置において、さらに、前記二つが互いに重なる領域以外の前記信号配線上の少なくとも一部が開口されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像装置において、前記半導体変換素子が半導体層を有し、前記半導体層は、前記半導体変換素子の電極に対向する領域より前記スイッチ素子に対向する領域の方が膜厚が薄いことを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１に記載の撮像装置において、前記半導体変換素子が半導体層を有し、前記スイッチ素子に対向する領域上には、前記半導体層がないことを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１に記載の撮像装置において、前記スイッチ素子は薄膜トランジスタからなることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１に記載の撮像装置において、前記半導体変換素子は、絶縁層、半導体層、オーミックコンタクト層と、上下に配置した電極層からなるＭＩＳ型半導体変換素子であることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項１に記載の撮像装置において、前記半導体変換素子は、ｎ型半導体層、ｉ型半導体層、ｐ型半導体層と、上下に配置した電極層からなるＰＩＮ型半導体変換素子であることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項１に記載の撮像装置において、前記駆動配線又は前記スイッチング素子の電極が形成された開口に対向する領域内において電気的に分離されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の少なくとも一部の上に配置された、電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子とを含む複数の画素と、を有し、
それぞれの前記スイッチ素子が信号配線及び駆動配線に接続された撮像装置であって、
前記半導体変換素子が前記スイッチ素子の電極に電気的に接続された電極を有し、
前記半導体変換素子の前記電極が、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重ならない領域において、前記駆動配線上の一部及び前記スイッチ素子の電極上の一部を少なくとも除くように形成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の撮像装置において、前記２つが重ならない領域で、前記半導体変換素子の電極は、さらに、前記信号配線上の一部を少なくとも除くように形成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の撮像装置において、前記半導体変換素子の電極が形成されない領域は、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重なる領域の周辺にあることを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の撮像装置を有し、
前記撮像装置の前記半導体変換素子は光電変換素子であり、
前記光電変換素子上に、放射線を前記光電変換素子で光電変換可能な波長領域の光に変換する波長変換層を有する放射線撮像装置。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の撮像装置を有し、
前記撮像装置の前記半導体変換素子は、放射線を直接電気信号に変換する素子である放射線撮像装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するための手段として、本発明に係る撮像装置は、基板と、
前記基板上に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の少なくとも一部の上に配置された、電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子とを含む複数の画素と、を有し、
それぞれの前記スイッチ素子が信号配線及び駆動配線に接続された撮像装置であって、
前記半導体変換素子が前記スイッチ素子の電極に電気的に接続された電極を有し、  
前記半導体変換素子の前記電極が、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重なる領域以外の、前記駆動配線上の一部及び前記スイッチ素子の電極上の一部を少なくとも開口するように形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明に係る撮像装置は、基板と、
前記基板上に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の少なくとも一部の上に配置された、電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子とを含む複数の画素と、を有し、
それぞれの前記スイッチ素子が信号配線及び駆動配線に接続された撮像装置であって、
前記半導体変換素子が前記スイッチ素子の電極に電気的に接続された電極を有し、
前記半導体変換素子の前記電極が、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重ならない領域において、前記駆動配線上の一部及び前記スイッチ素子の電極上の一部を少なくとも除くように形成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出器であって、
入射光に応答して出力電流信号を生成する構成としたゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタと、
前記第１のフォトトランジスタに電気的に結合し、基準電流信号を生成する構成とした第２のフォトトランジスタと、
前記第２のフォトトランジスタを覆って配置され、該第２のフォトトランジスタへの前記入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層と、
を備え、
前記出力電流信号と前記基準電流信号とから前記入射光を検出することを特徴とする、光検出器。
【請求項２】
前記第１のフォトトランジスタは、前記ゲルマニウムを含む吸光領域を含むことを特徴とする、請求項１に記載の光検出器。
【請求項３】
前記吸光領域が、シリコン−ゲルマニウム合金を含むことを特徴とする、請求項２に記載の光検出器。
【請求項４】
前記吸光領域が、ほぼ０．１μｍの厚みを有することを特徴とする、請求項３に記載の光検出器。
【請求項５】
シリコン基板をさらに備え、前記第１及び第２のフォトトランジスタは前記シリコン基板上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の光検出器。
【請求項６】
前記第１及び第２のフォトトランジスタの少なくとも１つが、第２の導電領域内の細長い第１の導電領域と該細長い第１の導電領域に結合された導電片とを有し、該導電片のそれぞれは対応する前記第１の導電領域の長さの半分未満だけ延びていることを特徴とする、請求項１に記載の光検出器。
【請求項７】
前記第１及び第２のフォトトランジスタの少なくとも１つが、第２の導電領域内の細長い第１の導電領域と前記第２の導電領域に選択的に結合された少なくとも１つの導電片とを有し、前記細長い第１の導電領域により画成される前記第２の導電領域の細長い導電部分のいくつかは前記少なくとも１つの導電片に結合されないことを特徴とする、請求項１に記載の光検出器。
【請求項８】
前記第１及び第２のフォトトランジスタに接続され、高インピーダンス電圧と差動トランスインピーダンス利得をもたらすトランスインピーダンス増幅器をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光検出器。
【請求項９】
入射光の検出方法であって、
ゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタにて前記入射光を受光すること、
前記第１のフォトトランジスタにより前記入射光に応答して第１の信号を生成すること、および
第２のフォトトランジスタにより第２の信号を生成することとを含み、
前記第２のフォトトランジスタを前記入射光から遮蔽して前記第２の信号を前記入射光から独立させるようにし、前記第１及び第２の信号が前記入射光の検出をもたらすようにしたことを特徴とする、入射光の検出方法。
【請求項１０】
前記第１の信号を生成することは、前記第１のフォトトランジスタの吸光領域における前記入射光の一部の電流への変換を含み、前記吸光領域が前記ゲルマニウムを含むことを特徴とする、請求項９に記載の入射光の検出方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２のフォトトランジスタのうちの少なくとも一方は、シリコン基板上に形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の入射光の検出方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２のフォトトランジスタを備える差動増幅器を用いて前記第１及び第２の信号を増幅することをさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の入射光の検出方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２のフォトトランジスタがアバランシェ領域近く或いはその中で動作するのに十分な電圧を該第１及び第２のフォトトランジスタにあたえることをさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の入射光の検出方法。
【請求項１４】
トランスインピーダンス増幅器を用いて前記第１及び第２の信号を増幅することをさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の入射光の検出方法。
【請求項１５】
シリコンベースの基板と、
前記シリコンベースの基板上に形成され差動電流信号を生成する第１及び第２の感光装置であって、該第１の感光装置はゲルマニウムを含む吸光領域を含むように構成されている、第１及び第２の感光装置と、
前記第２の感光装置を覆って配置され、該第２の感光装置を入射光から選択的に遮蔽して前記差動電流信号の一方が前記第１の感光装置から前記入射光に応答して生成され、前記差動電流信号から前記入射光を検出できるようにするための不透明層と
を有することを特徴とする、光検出器。
【請求項１６】
前記吸光領域が、シリコン−ゲルマニウム合金を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の光検出器。
【請求項１７】
前記第１及び第２の感光装置の少なくとも一方がフォトトランジスタを備えることを特徴とする、請求項１５に記載の光検出器。
【請求項１８】
前記フォトトランジスタが、第２の導電領域内の細長い第１の導電領域と該細長い第１の導電領域に結合された導電片とを有し、該導電片のそれぞれは対応する前記第１の導電領域の長さの半分未満だけ延びていることを特徴とする、請求項１７に記載の光検出器。
【請求項１９】
前記フォトトランジスタが、第２の導電領域内の細長い第１の導電領域と前記第２の導電領域に選択的に結合された少なくとも１つの導電片とを有し、前記細長い第１の導電領域により画成される前記第２の導電領域の細長い導電部分のいくつかは前記少なくとも１つの導電片に結合されないことを特徴とする、請求項１７に記載の光検出器。
【請求項２０】
前記フォトトランジスタに接続されて高インピーダンス電圧と差動トランスインピーダンス利得をもたらし、該フォトトランジスタがアバランシェ領域近く或いはその中で動作できるようにするトランスインピーダンス増幅器をさらに備えることを特徴とする、請求項１７に記載の光検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した半導体膜にレーザー光を照射して結晶化するに際し、前記基板の端部を保持し、ステージ上に設けられた開孔から気体を噴出して前記基板を浮上させると共に、前記端部より超音波震動を与えながら該レーザー光を照射することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質構造を含む半導体膜を形成し、前記基板の端部を保持し、前記基板を浮上させると共に前記端部より超音波震動を与えながらレーザー光を照射して、前記半導体膜の結晶化を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記レーザー光の照射位置を重畳させながら前記半導体膜の全面を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒作用のある金属元素又は金属化合物を添加して加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜を結晶化し、その後、前記基板の端部を保持し前記基板を浮上させると共に前記端部より超音波震動を与えながらレーザー光を照射して、前記半導体膜の結晶性の向上を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記レーザー光の照射位置を重畳させながら前記半導体膜の結晶性の向上を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板は、ステージ上に設けられた開孔からの気体の噴出により浮上されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー光は線状に集光されたレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
前記レーザー光の照射部周辺にはノズルから気体が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記気体は加熱された気体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項２乃至請求項９のいずれか一項において、
前記レーザー光は酸素雰囲気中で照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記超音波振動の振動周波数は１００ｋＨｚ以上３０ＭＨｚ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録方法、システム、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第１のビデオデータとＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第２のビデオデータとをつなげて記録する記録方法であって、
前記第２のビデオデータをつなげる場所が前記第１のビデオデータのＩピクチャまたはＰピクチャの後である場合であって、前記Ｉピクチャまたは前記Ｐピクチャに後続するＢピクチャが存在する場合は、前記第２のビデオデータをつなげる場所を前記Ｂピクチャの後に変更し、
前記第２のビデオデータをつなげる場所が前記第１のビデオデータのＩピクチャまたはＰピクチャの後である場合であって、前記Ｉピクチャまたは前記Ｐピクチャに後続するＢピクチャが存在しない場合は、前記第２のビデオデータをつなげる場所を前記Ｉピクチャまたは前記Ｐピクチャの後に変更することを特徴とする記録方法。
【請求項２】  ＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第１のビデオデータとＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第２のビデオデータとをつなげて記録する記録方法であって、
前記第２のビデオデータをつなげる場所が１つのトラックの途中にある場合は、前記第２のビデオデータを前記トラックから記録し始めることを特徴とする記録方法。
【請求項３】  ＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第１のビデオデータとＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第２のビデオデータとをつなげて記録する記録方法であって、
前記第２のビデオデータをつなげる場所が１つのトラックの途中にある場合は、前記第２のビデオデータを前記トラックに後続するトラックから記録し始めることを特徴とする記録方法。
【請求項４】  請求項１乃至３の何れか１項に記載の記録方法を実行することを特徴とするシステム。
【請求項５】  請求項１乃至３の何れか１項に記載の記録方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項６】  請求項１乃至３の何れか１項に記載の記録方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第１のビデオデータとＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第２のビデオデータとをつなげて記録する記録方法、システム、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
デジタルビデオデータをエンコードする規格の一つにＭＰＥＧ−２規格がある。ＭＰＥＧ−２規格については、「ISO/IEC 13818-2 International Standard MPEG-2 Video (Nov. 1994)」に詳しく記載されている。
【非特許文献１】ISO/IEC 13818-2 International Standard MPEG-2 Video (Nov. 1994)
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明における記録方法の一つは、ＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第１のビデオデータとＭＰＥＧ−２規格に従ってエンコードされた第２のビデオデータとをつなげて記録する記録方法であって、前記第２のビデオデータをつなげる場所が１つのトラックの途中にある場合は、前記第２のビデオデータを前記トラックに後続するトラックから記録し始めることを特徴とする。
本発明のシステムは、上記の記録方法の何れか一つを実行することを特徴とする。
本発明のプログラムは、上記の記録方法の何れか一つをコンピュータに実行させることを特徴とする。
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の記録方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光を銀色リフレクターにより反射させて前記光源の前方に導く灯具であって、
前記リフレクターの内側表面に、４００ｎｍから８００ｎｍの範囲において波長選択性を有し、かつ、前記光源点灯時と非点灯時とで前記リフレクターの外観色を異なる色とするように、高屈折率材料と低屈折率材料を積層させた光学多層膜のコーティングが施されていることを特徴とする灯具。
【請求項２】  前記光源の前面側に非透過性のキャップを設けたことを特徴とする請求項１記載の灯具。
【請求項３】  前記光学多層膜の高屈折率材料にＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ、Ｎｂ２Ｏ５の何れかを用い、低屈折材料にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２の何れかを用いたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の灯具。
【請求項４】  前記光学多層膜の透過率特性が、４００ｎｍから８００ｎｍの範囲において略８０％以上の透過率を有する波長域と略６０％以下の透過率を有する波長域を備えることを特徴とする請求項１記載の灯具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述の目的を達成するため、以下（１）〜（４）の構成を備えるものである。
（１）光源からの光を銀色リフレクターにより反射させて前記光源の前方に導く灯具であって、
前記リフレクターの内側表面に、４００ｎｍから８００ｎｍの範囲において波長選択性を有し、かつ、前記光源点灯時と非点灯時とで前記リフレクターの外観色を異なる色とするように、高屈折率材料と低屈折率材料を積層させた光学多層膜のコーティングが施されていることを特徴とする灯具。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（２）前記光源の前面側に非透過性のキャップを設けたことを特徴とする前記（１）記載の灯具。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（３）前記光学多層膜の高屈折率材料にＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ、Ｎｂ２Ｏ５の何れかを用い、低屈折材料にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２の何れかを用いたことを特徴とする前記（１）又は前記（２）記載の灯具。
（４）前記光学多層膜の透過率特性が、４００ｎｍから８００ｎｍの範囲において略８０％以上の透過率を有する波長域と略６０％以下の透過率を有する波長域を備えることを特徴とする前記（１）記載の灯具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の意匠面に装飾部を設けるとともに、同装飾部に凹凸群からなるホログラムパターンがプレス加工により転写されたホログラム装飾体であって、
前記装飾部は複数の装飾凸部又は複数の装飾凹部から構成されており、
これら装飾凸部の表面又はこれら装飾凹部の内面に前記ホログラムパターンが、装飾凸部同士の間又は装飾凹部同士の間で不連続となり断続的に形成されていることを特徴とするホログラム装飾体。
【請求項２】
基材の意匠面に装飾部を設けるとともに、同装飾部に凹凸群からなるホログラムパターンが転写されたホログラム装飾体の製造方法であって、
前記基材の意匠面に複数の装飾凸部又は複数の装飾凹部を形成する第１の段階と、
これら装飾凸部の表面又はこれら装飾凹部の内面に前記ホログラムパターンを、装飾凸部同士の間又は装飾凹部同士の間で不連続となり断続的に形成し、装飾部を設ける第２の段階とを備え、
前記ホログラムパターンに応じた形状をなす転写パターンが設けられたプレス加工用の転写体を用い、前記第１の段階及び前記第２の段階をそれぞれ異なる工程で行うことを特徴とするホログラム装飾体の製造方法。
【請求項３】
基材の意匠面に装飾部を設けるとともに、同装飾部に凹凸群からなるホログラムパターンが転写されたホログラム装飾体の製造方法であって、
前記基材の意匠面に複数の装飾凸部又は複数の装飾凹部を形成する第１の段階と、
これら装飾凸部の表面又はこれら装飾凹部の内面に前記ホログラムパターンを、装飾凸部同士の間又は装飾凹部同士の間で不連続となり断続的に形成し、装飾部を設ける第２の段階とを備えており、
前記装飾凸部又は前記装飾凹部に応じた形状をなす第１転写パターンと前記ホログラムパターンに応じた形状をなす第２転写パターンとが設けられたプレス加工用の転写体を用い、前記第１の段階及び前記第２の段階を同一の工程で行うことを特徴とするホログラム装飾体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基材の意匠面に装飾部を設けるとともに、同装飾部に凹凸群からなるホログラムパターンがプレス加工により転写されたホログラム装飾体であって、前記装飾部は複数の装飾凸部又は複数の装飾凹部から構成されており、これら装飾凸部の表面又はこれら装飾凹部の内面に前記ホログラムパターンが、装飾凸部同士の間又は装飾凹部同士の間で不連続となり断続的に形成されていることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、基材の意匠面に装飾部を設けるとともに、同装飾部に凹凸群からなるホログラムパターンが転写されたホログラム装飾体の製造方法であって、前記基材の意匠面に複数の装飾凸部又は複数の装飾凹部を形成する第１の段階と、これら装飾凸部の表面又はこれら装飾凹部の内面に前記ホログラムパターンを、装飾凸部同士の間又は装飾凹部同士の間で不連続となり断続的に形成し、装飾部を設ける第２の段階とを備え、前記ホログラムパターンに応じた形状をなす転写パターンが設けられたプレス加工用の転写体を用い、前記第１の段階及び前記第２の段階をそれぞれ異なる工程で行うことを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明は、基材の意匠面に装飾部を設けるとともに、同装飾部に凹凸群からなるホログラムパターンが転写されたホログラム装飾体の製造方法であって、前記基材の意匠面に複数の装飾凸部又は複数の装飾凹部を形成する第１の段階と、これら装飾凸部の表面又はこれら装飾凹部の内面に前記ホログラムパターンを、装飾凸部同士の間又は装飾凹部同士の間で不連続となり断続的に形成し、装飾部を設ける第２の段階とを備えており、前記装飾凸部又は前記装飾凹部に応じた形状をなす第１転写パターンと前記ホログラムパターンに応じた形状をなす第２転写パターンとが設けられたプレス加工用の転写体を用い、前記第１の段階及び前記第２の段階を同一の工程で行うことを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室内から吸い込まれた室内空気が送風手段によって複数の熱交換器を通過した後に室内へ吹出されるように構成され、少なくとも一つの熱交換器の下流側に、加湿時に外部から水分を供給可能な自然蒸発式加湿器を配置した空気調和機の室内機であって、
下流側に自然蒸発式加湿器が配置された第一の熱交換器と、
下流側に自然蒸発式加湿器が配置されていない第二の熱交換器と、
第一の熱交換器と第二の熱交換器とを接続配管で接続し、この第一の熱交換器に供給された冷媒をこの接続配管を介して第二の熱交換器に供給し、双方の熱交換器を通過した冷媒を第二の熱交換器から排出する冷媒回路と、
接続配管に設けられ、第一の熱交換器から第二の熱交換器へ供給される冷媒の流量を調整する流量調整手段と、
室内空気の温度を検出する室温検出手段と、
室内空気の湿度を検出する湿度検出手段と、
第二の熱交換器における冷媒の蒸発圧力を検出する蒸発圧力検出手段と、
第二の熱交換器の温度を検出する熱交換器温度検出手段と、
暖房運転時に、検出された室内空気の温度及び湿度、第二の熱交換器における冷媒の蒸発圧力、及び第二の熱交換器の温度に基づいて、自然蒸発式加湿器への給水制御と、流量調整手段の絞りを調整することによる第二の熱交換器の制御を行い、空調運転モードの切換運転を制御する制御手段と、
を有し、
制御手段は、検出された室内空気の温度が所定の目標温度に到達しており且つ検出された室内空気の湿度が所定の目標湿度に満たない場合に、自然蒸発式加湿器への給水を開始すると共に、検出された室内空気の温度及び湿度に基づいて室内空気の露点温度を演算し、熱交換器温度検出手段から検出される第二の熱交換器の温度と、蒸発圧力検出手段より検出される蒸発圧力とを監視しながら流量調整手段の絞りを調整し、第一の熱交換器を加熱状態とし、第二の熱交換器を、演算により得られた露点温度以上の温度の冷却状態とする加湿運転モードを実行する制御を行うことを特徴とする空気調和機の室内機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明は、室内から吸い込まれた室内空気が送風手段によって複数の熱交換器を通過した後に室内へ吹出されるように構成され、少なくとも一つの熱交換器の下流側に、加湿時に外部から水分を供給可能な自然蒸発式加湿器を配置した空気調和機の室内機であって、下流側に自然蒸発式加湿器が配置された第一の熱交換器と、下流側に自然蒸発式加湿器が配置されていない第二の熱交換器と、第一の熱交換器と第二の熱交換器とを接続配管で接続し、この第一の熱交換器に供給された冷媒をこの接続配管を介して第二の熱交換器に供給し、双方の熱交換器を通過した冷媒を第二の熱交換器から排出する冷媒回路と、接続配管に設けられ、第一の熱交換器から第二の熱交換器へ供給される冷媒の流量を調整する流量調整手段と、室内空気の温度を検出する室温検出手段と、室内空気の湿度を検出する湿度検出手段と、第二の熱交換器における冷媒の蒸発圧力を検出する蒸発圧力検出手段と、第二の熱交換器の温度を検出する熱交換器温度検出手段と、暖房運転時に、検出された室内空気の温度及び湿度、第二の熱交換器における冷媒の蒸発圧力、及び第二の熱交換器の温度に基づいて、自然蒸発式加湿器への給水制御と、流量調整手段の絞りを調整することによる第二の熱交換器の制御を行い、空調運転モードの切換運転を制御する制御手段と、を有し、制御手段は、検出された室内空気の温度が所定の目標温度に到達しており且つ検出された室内空気の湿度が所定の目標湿度に満たない場合に、自然蒸発式加湿器への給水を開始すると共に、検出された室内空気の温度及び湿度に基づいて室内空気の露点温度を演算し、熱交換器温度検出手段から検出される第二の熱交換器の温度と、蒸発圧力検出手段より検出される蒸発圧力とを監視しながら流量調整手段の絞りを調整し、第一の熱交換器を加熱状態とし、第二の熱交換器を、演算により得られた露点温度以上の温度の冷却状態とする加湿運転モードを実行する制御を行う構成としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】