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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体不揮発性記憶素子のゲートに保護用半導体回路を備える半導体装置であって、前記保護用半導体回路は、ダイオードを有し、前記ダイオードは、アノードを前記ゲートに接続し、カソードを電源に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体不揮発性記憶素子のゲートに保護用半導体回路を備える半導体装置であって、前記保護用半導体回路は、第１のダイオードと第２のダイオードとを有し、前記第１のダイオードは、アノードを前記ゲートに接続し、カソードを第１の電源に接続し、前記第２のダイオードは、アノードを第２の電源に接続し、カソードを前記ゲートに接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記半導体不揮発性記憶素子は第１のＰウェル領域に設け、前記第１のダイオードは、Ｎウェル領域をカソードとし、前記Ｎウェル領域と反対導電型の拡散領域を前記Ｎウェル領域に設けてアノードとし、前記第２のダイオードは、第２のＰウェル領域をアノードとし、前記第２のＰウェル領域と反対導電型の拡散領域を前記第２のＰウェル領域に設けてカソードとし、前記第１のＰウェル領域と前記第２のＰウェル領域とは離間して設けることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
ＭＯＳＦＥＴのゲートに保護用半導体回路を備える半導体装置の製造方法において、前記保護用半導体回路のコンタクトホールを形成する工程と金属配線を形成する工程との間に熱処理工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理工程は、窒素雰囲気であり、７００℃以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理工程は、熱拡散炉を用いることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理工程は、赤外線照射による熱処理を行うことを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ＭＯＳＦＥＴは半導体不揮発性記憶素子であることを特徴とする請求項４から請求
項７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲートと、第１のソースと、第１のドレインと、第１のチャネル形成領域と、を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２のゲートと、第２のソースと、第２のドレインと、第２のチャネル形成領域と、を有する第２の薄膜トランジスタと、
第３のゲートと、第３のソースと、第３のドレインと、第３のチャネル形成領域と、を有する第３の薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第１のゲートには、前記第２のドレインが接続され、
前記第１のソースには、電源線が接続され、
前記第１のドレインには、出力端子及び前記第３のソースが接続され、
前記第２のソースには、第１の入力端子が接続され、
前記第３のゲートには、第２の入力端子が接続され、
前記第１のゲートと前記第１のドレインの間には、容量素子が接続され、
前記第１のチャネル形成領域は、多結晶半導体で形成されており、
前記第１の薄膜トランジスタはデプレッション型の特性を有し、前記第２及び第３のトランジスタはエンハンスメント型の特性を有することを特徴とするブートストラップ回路。
【請求項２】
第１のゲートと、第１のソースと、第１のドレインと、第１のチャネル形成領域と、を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２のゲートと、第２のソースと、第２のドレインと、第２のチャネル形成領域と、を有する第２の薄膜トランジスタと、
第３のゲートと、第３のソースと、第３のドレインと、第３のチャネル形成領域と、を有する第３の薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第１のゲートには、前記第２のドレインが接続され、
前記第１のソースには、電源線が接続され、
前記第１のドレインには、出力端子及び前記第３のソースが接続され、
前記第２のソースには、第１の入力端子が接続され、
前記第３のゲートには、第２の入力端子が接続され、
前記第１のゲートと前記第１のドレインの間には、容量素子が接続され、
前記第１のチャネル形成領域は、多結晶半導体で形成されており、
前記第１の薄膜トランジスタはデプレッション型の特性を有し、前記第２及び第３のトランジスタはエンハンスメント型の特性を有するブートストラップ回路と、
シフトレジスタと、バッファ回路と、を有することを特徴とする駆動回路。
【請求項３】
絶縁表面上に設けられた信号線と、走査線と、前記信号線と走査線との交差部に設けられた画素と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、を有する液晶表示装置であって、
前記走査線駆動回路は、
第１のゲートと、第１のソースと、第１のドレインと、第１のチャネル形成領域と、を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２のゲートと、第２のソースと、第２のドレインと、第２のチャネル形成領域と、を有する第２の薄膜トランジスタと、
第３のゲートと、第３のソースと、第３のドレインと、第３のチャネル形成領域と、を有する第３の薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第１のゲートには、前記第２のドレインが接続され、
前記第１のソースには、電源線が接続され、
前記第１のドレインには、出力端子及び前記第３のソースが接続され、
前記第２のソースには、第１の入力端子が接続され、
前記第３のゲートには、第２の入力端子が接続され、
前記第１のゲートと前記第１のドレインの間には、容量素子が接続され、
前記第１のチャネル形成領域は、多結晶半導体で形成されており、
前記第１の薄膜トランジスタはデプレッション型の特性を有し、前記第２及び第３のトランジスタはエンハンスメント型の特性を有するブートストラップ回路と、
シフトレジスタと、バッファ回路と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透光性基板、第１の透明導電膜、光吸収層、バッファ層および第２の透明導電膜を有し、
前記第１の透明導電膜と光吸収層との間に、ｐ型半導体を中間層として介在させることを特徴とする両面受光太陽電池。
【請求項２】  請求項１に記載の両面受光太陽電池において、
前記中間層を構成するｐ型半導体は、Mo、WおよびCrのいずれか１種のカルコゲナイドであることを特徴とする両面受光太陽電池。
【請求項３】  透光性基板、第１の透明導電膜、光吸収層、バッファ層および第２の透明導電膜を有し、
前記第１の透明導電膜と光吸収層との間に、透光性の金属薄膜を中間層として介在させること特徴とする両面受光太陽電池。
【請求項４】  請求項３に記載の両面受光太陽電池において、
前記中間層を構成する金属薄膜は、Ti、Ta、Ni、Zr、PtおよびAuのうちいずれかであることを特徴とする両面受光太陽電池。
【請求項５】  請求項１、２、３および４のいずれか一項に記載の両面受光太陽電池において、
前記光吸収層は、XYZ2（X=Cu、Agのうち少なくとも１元素、Y＝B、In、Ga、Alのうち少なくとも１元素、Z=S、Se、Teのうち少なくとも１元素）であることを特徴とする両面受光太陽電池。
【請求項６】  請求項１、２、３、４および５のいずれか一項に記載の両面受光太陽電池において、
光吸収層の禁制帯幅が、前記第２の透明導電膜側から前記第１の透明導電膜側に向かって広くなることを特徴とする両面受光太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を含む電極間に生成されたプラズマにより、前記非晶質半導体膜に該金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により基板上に絶縁膜を形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を連続的に形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を含む電極間に生成されたプラズマにより、前記非晶質半導体膜に該金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により基板上に絶縁膜を形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を連続的に形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を含む電極間に生成されたプラズマにより、前記非晶質半導体膜に該金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にレ−ザ−光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により基板上に絶縁膜を形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により前記絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を連続的に形成し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、前記第１の非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を含む電極間に生成されたプラズマにより、前記第１の非晶質半導体膜に該金属元素を添加し、
前記第１の非晶質半導体膜を加熱して第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜にレ−ザ−光を照射し、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により前記第１の結晶性半導体膜上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第２の非晶質半導体膜を加熱してゲッタリングを行い、
大気圧又は大気圧近傍圧力下で、プラズマ処理により前記第２の非晶質半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記第２の非晶質半導体膜を除去するガスとして、希ガスで希釈したフッ化物気体、及び酸素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、前記基板上に絶縁膜を形成する前に、大気圧又は大気圧近傍圧力下で、一対の電極間に生成されたプラズマ及びＵＶ処理によって前記基板上のクリ−ニングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記クリ−ニングのガスとして、不活性ガス又は酸素、窒素、水素のいずれかを用いることを特徴とした半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種、又は複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、線状または針状に前記プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮＰ混晶膜の製造方法であって、
基板上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長工程と、
ＧａＮ層成長工程の後、前記ＧａＮ層の表面部の組成をＧａＮＰに転換させる組成転換工程と、
を備えることを特徴とするＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項２】
前記ＧａＮ層成長工程と前記組成転換工程とを有するサイクル工程を２周期以上行う
ことを特徴とする請求項１記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項３】
前記ＧａＮ層成長工程では前記基板上に原料ガスを供給し、かつ、前記ＧａＮ層成長工程の直後であって前記組成転換工程の前に、前記ＧａＮ層の表面にパージガスを供給して前記原料ガスを排斥する第１パージ工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項１記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項４】
前記組成転換工程では前記ＧａＮ層の表面にリンを含有したガスを供給し、前記ＧａＮ層の表面部の窒素原子をリン原子に置換する
ことを特徴とする請求項１記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項５】
前記組成転換工程の直後に、前記ＧａＮＰに転換させた表面にパージガスを供給して前記リンを含有したガスを排斥する第２パージ工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項４記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項６】
前記ＧａＮ層成長工程では前記基板を第１温度に加熱し、
前記組成転換工程では前記基板を第２温度に加熱する
ことを特徴とする請求項１記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項７】
前記第１温度と前記第２温度とが等しい温度であり、かつ、前記等しい温度が７００℃以上１０００℃以下である
ことを特徴とする請求項６記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項８】
前記パージガスが、窒素ガス、水素ガスおよび窒素ガスと水素ガスの混合ガスからなる群から選ばれたガスである
ことを特徴とする請求項３または５記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項９】
前記ＧａＮ層成長工程によって成長させたＧａＮ層の層厚が０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項１０】
前記ＧａＮ層成長工程中に、シリコンまたはマグネシウムを含む不純物原料ガスを供給する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項１１】
前記第１パージ工程中に、シリコンまたはマグネシウムを含む不純物原料ガスを供給する
ことを特徴とする請求項３記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項１２】
前記第２パージ工程中に、シリコンまたはマグネシウムを含む不純物原料ガスを供給する
ことを特徴とする請求項５記載のＧａＮＰ混晶膜の製造方法。
【請求項１３】
基板と、第１電極と、第２電極と、窒化物半導体膜とを備えた窒化物半導体素子であって、
前記窒化物半導体膜が、ＧａＮ層と、ＧａＮ結晶における一部の窒素原子がリン原子に置換されたＧａＮＰ層とからなるＧａＮＰ混晶膜である
ことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項１４】
基板と、前記基板の上に設けられた第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極とからなる窒化物半導体発光素子であって、
前記発光層が、ＧａＮ層と、ＧａＮ結晶における一部の窒素原子がリン原子に置換されたＧａＮＰ層とからなるＧａＮＰ混晶膜を備える
ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項１５】
前記発光層が、前記ＧａＮＰ混晶膜を量子井戸層とし、窒化物半導体層を障壁層とする量子井戸構造であり、
かつ、前記窒化物半導体層のバンドギャップが前記ＧａＮＰ混晶膜のバンドギャップより大きい
ことを特徴とする請求項１４記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１６】
前記発光層が、窒化物半導体層を量子井戸層とし、前記ＧａＮＰ混晶膜を障壁層とする量子井戸構造であり、
かつ、前記ＧａＮＰ混晶膜のバンドギャップが前記窒化物半導体層のバンドギャップより大きい
ことを特徴とする請求項１４記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】        
【課題を解決するための手段】
本発明のＧａＮＰ混晶膜の製造方法は、基板上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長工程と、ＧａＮ層成長工程の後、前記ＧａＮ層の表面部の組成をＧａＮＰに転換させる組成転換工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のＧａＮＰ混晶膜の製造方法は、さらに、前記ＧａＮ層成長工程と前記組成転換工程とを有するサイクル工程を２周期以上行うことを特徴とする。この構成であると、ＧａＮＰ混晶膜におけるリン原子比率を高めつつ、混晶膜の膜厚を増加させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のＧａＮＰ混晶膜の製造方法は、さらに、前記ＧａＮ層成長工程では前記基板上に原料ガスを供給し、かつ、前記ＧａＮ層成長工程の直後であって前記組成転換工程の前に、前記ＧａＮ層の表面にパージガスを供給して前記原料ガスを排斥する第１パージ工程をさらに備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の窒化物半導体発光素子は、さらに、前記発光層が、前記ＧａＮＰ混晶膜を量子井戸層とし、窒化物半導体層を障壁層とする量子井戸構造であり、かつ、前記ＧａＮＰ混晶膜のバンドギャップが前記窒化物半導体層のバンドギャップより大きいことを特徴とする。この構成であると、前記ＧａＮＰ混晶膜を障壁層として機能させることができる。さらに、層厚が厳密に規定でき、かつ界面の急峻性に優れた障壁層を発光層に用いることができるので、発光効率が高く低発振閾値かつ長動作寿命の半導体発光素子を実現することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の窒化物半導体発光素子は、さらに、前記発光層が、窒化物半導体層を量子井戸層とし、前記ＧａＮＰ混晶膜を障壁層とする量子井戸構造であり、かつ、前記ＧａＮＰ混晶膜のバンドギャップが前記窒化物半導体層のバンドギャップより大きいことを特徴とする。この構成であると、前記ＧａＮＰ混晶膜を障壁層として機能させることができる。さらに、層厚が厳密に規定でき、かつ界面の急峻性に優れた障壁層を発光層に用いることができるので、発光効率が高く低発振閾値かつ長動作寿命の半導体発光素子を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】パッド電極上に形成された突起電極と、  前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層とを備えることを特徴とする端子電極。    【請求項２】前記突起電極と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする請求項１記載の端子電極。    【請求項３】前記突起電極は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする請求項１または２記載の端子電極。    【請求項４】能動領域が形成された半導体基板と、  前記半導体基板に形成されたパッド電極と、  前記パッド電極上に形成された突起電極と、  前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層と、  前記突起電極と対向配置されたリード電極が形成された回路基板と、  前記半導体基板と前記回路基板との間に配置され、前記突起電極と前記リード電極とを導通させる異方性導電層とを備えることを特徴とする半導体モジュール。    【請求項５】パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、  前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、  前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、  前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、  前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする端子電極の製造方法。    【請求項６】パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、  前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、  インクジェット法により、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電材料を吐出させる工程と、  前記導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、  前記導電材料の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電材料の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする端子電極の製造方法。    【請求項７】前記導電層または導電材料と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする請求項５または６記載の端子電極の製造方法。    【請求項８】前記導電層は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載の端子電極の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  また、請求項４記載の半導体モジュールによれば、能動領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成されたパッド電極と、前記パッド電極上に形成された突起電極と、前記突起電極を取り囲むようにして、前記突起電極よりも表面が高くなるように形成された樹脂層と、前記突起電極と対向配置されたリード電極が形成された回路基板と、前記半導体基板と前記回路基板との間に配置され、前記突起電極と前記リード電極とを導通させる異方性導電層とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  また、請求項５記載の端子電極の製造方法によれば、パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  また、請求項６記載の端子電極の製造方法によれば、パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】  また、請求項７記載の端子電極の製造方法によれば、前記導電層または導電材料と前記樹脂層との段差はＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする。  これにより、突起電極の周囲に緩衝層を設けることを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能となり、異方性導電層を介して突起電極とリード電極との接合を行う場合においても、突起電極とリード電極との接続信頼性を向上させることが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】  また、請求項８記載の端子電極の製造方法によれば、前記導電層は、硬さの異なる導電材料が積層された多層構造から構成され、前記多層構造の最上層には柔らかい導電材料が用いられていることを特徴とする。  これにより、積層時の導電材料を変えることで、硬い金属と柔らかい金属とを用いて突起電極を構成することが可能となり、製造工程の複雑化を抑制しつつ、突起電極の変形量およびダメージ吸収量を容易に調整することが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】前記フェノキシ樹脂として、臭素化フェノキシ樹脂を有する請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物からなる接着剤層と、少なくとも１層の有機絶縁性フィルムを有する半導体装置用接着剤シート。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物を用いたカバーレイフィルム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物からなる接着剤層を介してポリイミドフィルムと銅箔とを接着してなる銅張りポリイミドフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有するカチオン重合性組成物の保存容器への保存方法であって、該保存容器が、実質的に水透過性のない金属類、ガラス類及び４０℃、９０％ＲＨ、常圧下で、２５μｍの厚さにおける透湿度が２０ｇ／ｍ2・２４ｈｒ以下であるプラスチック素材から選ばれる少なくとも１種により構成されており、該カチオン重合性組成物の含水率を、０．２質量％以上で保存することを特徴とするカチオン重合性組成物の保存方法。
【請求項２】  前記カチオン重合性化合物の少なくとも１種が、オキセタン化合物であることを特徴とする請求項１記載のカチオン重合性組成物の保存方法。
【請求項３】  少なくとも酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有するカチオン重合性組成物を、含水率を０．２質量％以上に保持するための保存容器であって、実質的に水透過性のない金属類、ガラス類及び４０℃、９０％ＲＨ、常圧下で、２５μｍの厚さにおける透湿度が２０ｇ／ｍ2・２４ｈｒ以下であるプラスチック素材から選ばれる少なくとも１種により構成されていることを特徴とするカチオン重合性組成物の保存容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
１．少なくとも酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有するカチオン重合性組成物の保存容器への保存方法であって、該保存容器が、実質的に水透過性のない金属類、ガラス類及び４０℃、９０％ＲＨ、常圧下で、２５μｍの厚さにおける透湿度が２０ｇ／ｍ2・２４ｈｒ以下であるプラスチック素材から選ばれる少なくとも１種により構成されており、該カチオン重合性組成物の含水率を、０．２質量％以上で保存することを特徴とするカチオン重合性組成物の保存方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
３．少なくとも酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有するカチオン重合性組成物を、含水率を０．２質量％以上に保持するための保存容器であって、実質的に水透過性のない金属類、ガラス類及び４０℃、９０％ＲＨ、常圧下で、２５μｍの厚さにおける透湿度が２０ｇ／ｍ2・２４ｈｒ以下であるプラスチック素材から選ばれる少なくとも１種により構成されていることを特徴とするカチオン重合性組成物の保存容器。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
更に、本発明のカチオン重合性組成物の保存容器としては、少なくとも酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有するカチオン重合性組成物を、含水率を０．２質量％以上に保持するための保存容器であって、実質的に水透過性のない金属類、ガラス類及び４０℃、９０％ＲＨ、常圧下で、２５μｍの厚さにおける透湿度が２０ｇ／ｍ2・２４ｈｒ以下であるプラスチック素材から選ばれる少なくとも１種により構成されていることを特徴とする。本発明に係る保存容器とは、上記で規定する防湿性を備えた本発明に係るカチオン重合性組成物の単独収納容器であっても、本発明に係るカチオン重合性組成物を直接収納する容器は、上記で規定する防湿性を満たしていなくとも、その容器の外側を包装する外装材料が上記で規定する防湿性を満たしている構成であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高圧法低密度ポリエチレンからなり、密度が９１０〜９３０ｋｇ／ｍ3、ＭＦＲが０．５〜１０．０ｇ／１０分、溶融粘度が１０万ｐｏｉｓｅ以下であり、溶融粘度のＭＦＲ依存性が２．４万〜９．６万、溶融粘度のせん断速度依存性が−０．７以下であり、かつ、分子量分布が３〜１２、ヘキサン抽出率が８重量％以下であることを特徴とする発泡用ポリエチレン樹脂。
【請求項２】  電子線架橋性が２０〜４０、架橋溶融粘度が５万〜３０万ｐｏｉｓｅであることを特徴とする請求項１記載の発泡用ポリエチレン樹脂。
【請求項３】  高圧法低密度ポリエチレンが、チューブラータイプのリアクターでエチレンをラジカル重合して得られるものであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の発泡用ポリエチレン樹脂。
【請求項４】  請求項１、請求項２または請求項３記載の発泡用ポリエチレン樹脂からなり、見掛け密度が１００ｋｇ／ｍ3以下、発泡セルの連通率が２０％以下、耐熱性（縦）、耐熱性（横）のいずれもが−４〜４％であることを特徴とする発泡体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第３は、高圧法低密度ポリエチレンがチューブラータイプのリアクターでエチレンをラジカル重合して得られる上記発明の第１または第２の発泡用ポリエチレン樹脂である。
本発明の第４は、上記発明の第１、第２または第３の発泡用ポリエチレン樹脂からなり、見掛け密度が１００ｋｇ／ｍ3以下、発泡セルの連通率が２０％以下、耐熱性（縦）、耐熱性（横）のいずれもが−４〜４％の発泡体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第４、発泡体は、上記発明の第１、第２または第３の発泡用ポリエチレン樹脂からなり、見掛け密度が１００ｋｇ／ｍ3以下、発泡セルの連通率が２０％以下、耐熱性（縦）、耐熱性（横）のいずれもが−４〜４％である。見掛け密度、発泡セルの連通率、耐熱性が上記範囲外であると、軽量性、断熱性、遮音性、柔軟性、緩衝性などが損なわれ、好ましくない。発泡方法は公知の方法が適用でき、例えば、上記ポリエチレン樹脂に熱分解型発泡剤を添加し、発泡剤が分解しない温度で溶融混練してシート原反を成形し、これに電子線を照射してポリエチレン樹脂を架橋させ、次いで加熱して発泡させる方法がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログの活性を阻害する化合物またはその塩を含有してなる小腸でのグルコース取り込み阻害剤。
【請求項２】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログの遺伝子の発現を阻害する化合物またはその塩を含有してなる小腸でのグルコース取り込み阻害剤。
【請求項３】
食後過血糖改善剤である請求項１または２記載の剤。
【請求項４】
糖尿病、肥満症または高脂血症予防・治療剤である請求項１ないし３記載の剤。
【請求項５】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログの活性を促進する化合物またはその塩を含有してなる小腸でのグルコース取り込み促進剤。
【請求項６】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログの遺伝子の発現を促進する化合物またはその塩を含有してなる小腸でのグルコース取り込み促進剤。
【請求項７】
グルコースの吸収促進剤である請求項５または６記載の剤。
【請求項８】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログが配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有するタンパク質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項１ないし７記載の剤。
【請求項９】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログが配列番号：３で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有するタンパク質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項１ないし７記載の剤。
【請求項１０】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログが配列番号：５で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有するタンパク質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項１ないし７記載の剤。
【請求項１１】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログが配列番号：５０で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有するタンパク質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項１ないし７記載の剤。
【請求項１２】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログをコードするポリヌクレオチドの塩基配列に相補的もしくは実質的に相補的な塩基配列またはその一部分を含有するアンチセンスポリヌクレオチドを含有してなる小腸でのグルコース取り込み阻害剤。
【請求項１３】
食後過血糖改善剤である請求項１２記載の剤。
【請求項１４】
糖尿病、肥満症または高脂血症の予防・治療剤である請求項１２または１３記載の剤。
【請求項１５】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログをコードするポリヌクレオチドが配列番号：２、配列番号：４、配列番号：６または配列番号：５１で表される塩基配列と同一もしくは実質的に同一の塩基配列を含有するポリヌクレオチドである請求項１２ないし１４記載の剤。
【請求項１６】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログに対する抗体を含有してなる小腸でのグルコース取り込み阻害剤。
【請求項１７】
食後過血糖改善剤である請求項１６記載の剤。
【請求項１８】
糖尿病、肥満症または高脂血症予防・治療剤である請求項１６または１７記載の剤。
【請求項１９】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログが配列番号：１、配列番号：３、配列番号：５または配列番号：５０で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有するタンパク質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項１６ないし１８記載の剤。
【請求項２０】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログに対する抗体を含有してなる食後過血糖の診断薬。
【請求項２１】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログをコードするポリヌクレオチドを含有してなる食後過血糖の診断薬。
【請求項２２】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログを用いることを特徴とする、該ホモログの小腸でのグルコース取り込み活性を調節する化合物またはその塩のスクリーニング方法。
【請求項２３】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログが配列番号：１、配列番号：３、配列番号：５または配列番号：５０で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有するタンパク質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項２２記載のスクリーニング方法。
【請求項２４】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログを含有することを特徴とする、該ホモログの小腸でのグルコース取り込み活性を調節する化合物またはその塩のスクリーニング用キット。
【請求項２５】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログをコードするポリヌクレオチドを用いることを特徴とする、該ホモログの小腸でのグルコース取り込み活性を調節する化合物またはその塩のスクリーニング方法。
【請求項２６】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログをコードするポリヌクレオチドが配列番号：２、配列番号：４、配列番号：６または配列番号：５１で表される塩基配列と同一もしくは実質的に同一の塩基配列を含有するポリヌクレオチドである請求項２５記載のスクリーニング方法。
【請求項２７】
Na+/グルコーストランスポーター (SGLT) ホモログをコードするポリヌクレオチドを用いることを特徴とする、該ホモログの小腸でのグルコース取り込み活性を調節する化合物またはその塩のスクリーニング用キット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る緑柱石を所望の平均粒径にするには、粉砕機を用いて粉砕し、さらに必要に応じて分級することが好ましい。例えば、ボールミルを用いて湿式粉砕することにより、所望の平均粒径の緑柱石粉末とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例
（１）緑柱石の微粉末化
ボールミルに緑柱石を入れ、水と一緒にミルを一定時間回転させ、中のボールによって緑柱石を粉砕し、スラリー状の粉砕物を得る。さらに、この粉砕物をスプレードライヤーで噴霧、乾燥し、所望の粒径の緑柱石微粉末を得た。
（２）緑柱石を含む歯磨剤の製造例
上記に従って微粉末化した緑柱石を用いて、以下の成分組成の歯磨剤を製造した。
４Ａ型ゼオライト９．０重量部 緑柱石微粉末（粒径：０．１ミクロン）１．５重量部酸化チタン０．３重量部 メタケイ酸アルミン酸マグネシウム１．５重量部 グリセリン１０．０重量部 ソルビット液３０．０重量部 イオタカラギーナン２．０重量部ラウリル硫酸ナトリウム１．２重量部 サッカリンナトリウム０．１重量部 メチルパラベン０．１重量部 ペパーミント（Ｌ−メントール）０．５重量部 精製水４３．８重量部
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （メタ）アクリル酸アルキルエステル（１）とアルコールとのエステル交換反応により、目的の（メタ）アクリル酸エステル（２）を製造する方法であって、
エステル交換反応により得られた（メタ）アクリル酸エステル（２）に酸を添加してから蒸留することを特徴とする（メタ）アクリル酸エステル（２）の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
１．（メタ）アクリル酸アルキルエステル（１）とアルコールとのエステル交換反応により、目的の（メタ）アクリル酸エステル（２）を製造する方法であって、
エステル交換反応により得られた（メタ）アクリル酸エステル（２）に酸を添加してから蒸留することを特徴とする（メタ）アクリル酸エステル（２）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月1日(2006.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の上部に対向して出入口枠の上枠に固定され、上記出入口の間口方向に平行に延びる溝部を有する上部遮煙部材、
戸閉状態のときに上記溝部内に挿入されるように上記ドア本体の上部に固定されている取付板、及び
戸閉状態のときに上記溝部の内壁面に接触するように上記取付板に設けられ、上記上部遮煙部材と上記取付板との間の隙間を遮蔽するシール部材
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項２】  出入口を開閉するドア本体、
出入口枠の縦枠に固定され、上下方向へ延びる溝部を有する側部遮煙部材、
戸閉状態のときに上記溝部内に挿入されるように上記ドア本体の戸袋側端部に固定されている取付板、及び
戸閉状態のときに上記溝部の内壁面に接触するように上記取付板に設けられ、上記側部遮煙部材と上記取付板との間の隙間を遮蔽するシール部材
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項３】  出入口を開閉するドア本体、
上記出入口の床部に設けられ、上記出入口の間口方向に平行に延びる溝部を有する敷居部材、
上記溝部内に挿入されるように上記ドア本体の下端部に固定されている取付板、及び
上記溝部の内壁面に接触するように上記取付板に設けられ、上記溝部と上記取付板との間の隙間を遮蔽するシール部材
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項４】  上記内壁面は、互いに対向する第１及び第２側壁面を有し、上記取付板は、上記第１側壁面に対向する第１取付面と、上記第２側壁面に対向する第２取付面とを有し、上記シール部材は、上記第１取付面に固定され上記第１側壁面に接触する第１シール部材と、上記第２取付面に固定され上記第２側壁面に接触する第２シール部材とを有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のエレベータのドア装置。
【請求項５】  上記溝部の深さ方向への上記第１及び第２シール部材の固定位置が互いにずらされていることを特徴とする請求項４記載のエレベータのドア装置。
【請求項６】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の上部に対向して出入口枠の上方に配置され、上記出入口の間口方向に平行に延びる溝部を有する上部遮煙部材、
戸閉状態のときに上記溝部内に挿入されるように上記ドア本体の上部に固定されている取付板、及び
戸閉状態のときに上記溝部の内壁面に接触するように上記取付板に設けられ、上記上部遮煙部材と上記取付板との間の隙間を遮蔽するシール部材
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の傾斜勾配を通じて循環移動するステップを備えたエスカレータにおいて、
前記ステップの踏板の少なくとも一部が後端に向けて下がり勾配を有することを特徴とするエスカレータのステップ。
【請求項２】  前記下がり勾配は、１５°以内であることを特徴とする請求項１に記載のエスカレータのステップ。
【請求項３】  前記踏板の後端には、水平部或いは逆勾配部を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエスカレータのステップ。
【請求項４】  降り口部では、前記下がり勾配部が水平状態に案内されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエスカレータのステップ。
【請求項５】  前記水平部或いは逆勾配部が、エスカレータの傾斜部分では水平状態あるいは前記下がり勾配部と逆勾配の状態に案内され、降り口部では該水平部或いは逆勾配部が水平状態に案内されることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のエスカレータのステップ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このような高所作業車に以下のようにティーチング・プレイバック機能を備えている。操作手段１４の近傍には、操作手段１４の各操作レバーを操縦操作することにより移動させた作業台５の位置を登録位置として登録記憶させる時に操作するティーチング操作手段１８と、記憶させた登録位置を基に移動経路Ｘを算出するとともに移動経路Ｘに沿って作業台５を移動させる時に操作するプレイバック操作手段１９とを配置している。なお、プレイバック操作手段１９は、プレイバック制御を中止する場合にも操作するようにしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005015113.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  壁面の両側に隙間を隔てて立設されたスカートパネルと、該スカートパネルを反踏面側で支持する梁と、該スカートパネルの上部に位置し、該スカートパネルの上端部を覆うように内デッキが配置された欄干において、
前記内デッキの内側端部には、該スカートパネルの上端を挟むクリップを外方に突出するように備え、該突出部にはスカートパネルを固定する穴を備えていることを特徴とするエスカレータ等の欄干。
【請求項２】  前記穴は、前記内デッキの長手方向の長穴であることを特徴とする請求項１に記載のエスカレータ等の欄干。
【請求項３】  前記クリップは内デッキの端部に設けられており、隣接する内デッキどうしを係合するプレート挿入用の切り欠きが設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエスカレータ等の欄干。  
【請求項４】  前記内デッキの中央部には第２のクリップが設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のエスカレータ等の欄干。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
実施例３
ポリエステル１のペレットとポリエステル７のペレットをそれぞれ別の押出機に溶融させて、積層ダイを用い  ポリエステル１（Ｂ層）／ポリエステル７（Ａ層）／ポリエステル１（Ｂ層）の構成の２種３層積層ポリエステル樹脂を表面温度３０℃の冷却ドラムに押出して急冷し厚さ約２５０μｍの未延伸フィルムを得た。次いで、８０℃にて縦方向に３．８倍延伸した後、テンター内で予熱工程を経て９０℃で４．１倍、横延伸、２３０℃で１０秒間の熱処理を行い、厚さ１６μｍの積層ポリエステルフィルムを得た。Ｂ層／Ａ層／Ｂ層の厚み構成は、２μｍ／１２μｍ／２μｍだった。得られたフィルムの特性を下記表１に示す。このフィルムの片面にポリエステル系接着剤（商品名「バイロン２４０」東洋紡（株）製）を用いて、厚み１０μｍのアルミ箔をラミネートして、蓋材を得た。このフィルムをＰＴＰ包装の蓋材として評価したところ、良好な開封性を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図７の詳細表現によれば、第二の所定切断点２２２ａ、２２２ｂが各々、第一の所定切断点２１７ａ、２１７ｂと首部２０４の間に配置されていることが明らかである。第二の所定切断点２２２ａ、２２２ｂを切り離した後の出口開口部２１１、２１２の断面は、第一の所定切断点２１７ａ、２１７ｂを切り離した結果生じる断面より大きい。さらに、材料の厚さは、第二の所定切断点２２２ａ、２２２ｂの領域の方が、第一の所定切断点２１７ａ、２１７ｂの領域におけるよりも厚い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図６の仕分けラインにおいては、二つの自動手仕分けライン２の架台９下の通路以外に、架台９の左右の手仕分けライン３の架台１０，１０′下（及び左右の傾斜シュート６及び６′の下）にも通路が設けられており、図２の従来の仕分けラインに比べてフォークリフト又はロールボックス又は人の運転ルートは格段に拡大されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月1日(2006.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の下端部に設けられ、上下方向へ変位可能な保持部材、
上記保持部材により上記ドア本体の下端部に取り付けられ、戸閉状態のときに、上記出入口の床部に接触することにより上記ドア本体の下端部と上記床部との間の隙間を遮蔽する弾性体からなるシール部材、及び
上記保持部材を当接させることにより上記シール部材の位置決めをする位置決め面を有し、上記位置決め時に上記床部上に置かれる位置決めスペーサ
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項２】  上記位置決めスペーサは、上記保持部材と上記ドア本体との間に挟持可能になっており、上記保持部材と上記ドア本体との間に上記位置決めスペーサを挟持させることにより、上記シール部材は上記床部から開離されることを特徴とする請求項１記載のエレベータのドア装置。
【請求項３】  上記保持部材は、上記ドア本体に螺着された取付ねじにより上記ドア本体に取り付けられており、上記位置決めスペーサには、上記取付ねじが挿通される切欠孔が設けられており、上記位置決めスペーサは、上記取付ねじを上記ドア本体に取り付けたままで上記保持部材と上記ドア本体との間に着脱可能となっていることを特徴とすることを特徴とする請求項２記載のエレベータのドア装置。
【請求項４】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の下端部に設けられる保持部材、
上記保持部材により上記ドア本体の下端部に取り付けられ、戸閉状態のときに、上記出入口の床部に接触することにより上記ドア本体の下端部と上記床部との間の隙間を遮蔽する弾性体からなるシール部材、及び
上記保持部材と上記ドア本体との間に着脱可能なスペーサ
を備え、上記保持部材と上記ドア本体との間に上記位置決めスペーサを挟持させることにより、上記シール部材は上記床部から開離されるようになっていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項５】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の下端部に設けられ、上下方向へ変位可能な保持部材、
上記保持部材により上記ドア本体の下端部に取り付けられ、戸閉状態のときに、上記出入口の床部に接触することにより上記ドア本体の下端部と上記床部との間の隙間を遮蔽する弾性体からなるシール部材、
上記保持部材に取り付けられている位置調整部材、及び
上記位置調整部材を当接させることにより上記シール部材の位置決めをする位置決め面を有し、上記位置決め時に上記床部上に置かれる位置決めスペーサ
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項６】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の下端部に設けられる保持部材、
上記保持部材により上記ドア本体の下端部に取り付けられ、戸閉状態のときに、上記出入口の床部に接触することにより上記ドア本体の下端部と上記床部との間の隙間を遮蔽する弾性体からなるシール部材、及び
上記保持部材と上記ドア本体との間に着脱可能なスペーサを備え、
上記スペーサにより、上記シール部材の位置決め前では上記シール部材が上記床部から開離可能になっていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項７】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の下端部に設けられる保持部材、及び
上記保持部材により上記ドア本体の下端部に取り付けられ、戸閉状態のときに、上記出入口の床部に接触することにより上記ドア本体の下端部と上記床部との間の隙間を遮蔽する弾性体からなるシール部材を備え、
上記保持部材は上記ドア本体に対して上下方向に取付位置が可変に設けられ、
上記保持部材の上下方向の位置を調整することで上記シール部材の位置を調整可能であることを特徴とするエレベータのドア装置。