【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  一方の主面と他方の主面とを有する金属ブロックと、
前記金属ブロックの前記一方の主面に接合されたリードフレームと、
前記金属ブロックの前記他方の主面に接合された絶縁層と、
前記金属ブロックの前記一方の主面上に、前記絶縁層よりも熱伝導が良好な接合材を介して設けられた半導体素子と
を備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記金属ブロックと前記半導体素子との間に前記リードフレームが介在している、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記金属ブロックの前記一方の主面は第１の面及び第２の面を含み、
前記第１の面は、前記第２の面よりも前記リードフレーム側に位置しており、
前記接合材は、前記リードフレームと前記金属ブロックの前記第１の面との間に介在する、請求項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  前記リードフレームは第１の部分と第２の部分からなり、
前記第２の部分は前記金属ブロックとの間に絶縁空間を形成する、請求項２乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  （ｅ）前記工程（ｃ）の前に、第１の面と前記第１の面とは反対側に第２の面とを有するリードフレーム及び金属ブロックを準備する工程と、
（ｆ）前記工程（ｃ）の前であって、前記工程（ａ），（ｂ），（ｅ）の後に、前記リードフレームの前記第１の面に前記半導体素子を搭載する工程と、
（ｇ）前記工程（ｃ）の前であって、前記工程（ａ），（ｂ），（ｅ）の後に、前記リードフレームの前記第２の面に接合材を介在して金属ブロックを設ける工程と、
（ｈ）前記工程（ｃ）の前であって、前記工程（ａ），（ｂ），（ｅ）の後に、前記リードフレームとは反対側で前記金属ブロックに前記第１の樹脂を設ける工程と
をさらに備え、
前記接合材は、前記第１の樹脂よりも熱伝導が良好であり、
前記工程（ｃ）における前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂を露出させつつ、前記リードフレーム及び前記金属ブロックをも覆う、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、熱伝導率を向上するために、絶縁層３７のみに、セラミック材を充填した樹脂を使用することがある。つまり、樹脂パッケージ６と絶縁層３７とで使用される樹脂が異なる場合がある。このとき、リードフレーム２とヒートシンク２５とが接合された後、つまり絶縁層３７が硬化した後に、樹脂パッケージ６が形成されると、樹脂パッケージ６と絶縁層３７との界面で剥離が起こりやすく、リードフレーム２とヒートシンク２５との間の絶縁耐圧が低下するという問題があった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明のうち請求項１に記載の半導体装置は、一方の主面と他方の主面とを有する金属ブロックと、前記金属ブロックの前記一方の主面に接合されたリードフレームと、前記金属ブロックの前記他方の主面に接合された絶縁層と、前記金属ブロックの前記一方の主面上に、前記絶縁層よりも熱伝導が良好な接合材を介して設けられた半導体素子とを備えるものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この発明のうち請求項２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置であって、前記金属ブロックと前記半導体素子との間に前記リードフレームが介在しているものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、この発明のうち請求項７に記載の半導体装置は、請求項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置であって、前記金属ブロックの前記一方の主面は第１の面及び第２の面を含み、前記第１の面は、前記第２の面よりも前記リードフレーム側に位置しており、前記接合材は、前記リードフレームと前記金属ブロックの前記第１の面との間に介在するものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、この発明のうち請求項８に記載の半導体装置は、請求項２乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置であって、前記リードフレームは第１の部分と第２の部分からなり、前記第２の部分は前記金属ブロックとの間に絶縁空間を形成するものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、この発明のうち請求項１０に記載の半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、（ｅ）前記工程（ｃ）の前に、第１の面と前記第１の面とは反対側に第２の面とを有するリードフレーム及び金属ブロックを準備する工程と、（ｆ）前記工程（ｃ）の前であって、前記工程（ａ），（ｂ），（ｅ）の後に、前記リードフレームの前記第１の面に前記半導体素子を搭載する工程と（ｇ）前記工程（ｃ）の前であって、前記工程（ａ），（ｂ），（ｅ）の後に、前記リードフレームの前記第２の面に接合材を介在して金属ブロックを設ける工程と（ｈ）前記工程（ｃ）の前であって、前記工程（ａ），（ｂ），（ｅ）の後に、前記リードフレームとは反対側で前記金属ブロックに前記第１の樹脂を設ける工程とをさらに備え、前記接合材は、前記第１の樹脂よりも熱伝導が良好であり、前記工程（ｃ）における前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂を露出させつつ、前記リードフレーム及び前記金属ブロックをも覆うものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本実施の形態１に係る半導体装置の構造を模式的に示す断面図である。図１のように、本実施の形態１に係る半導体装置は、パワー素子１，リードフレーム２ａ，２ｂ，金属ブロック５及び樹脂パッケージ６を備えている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、リードフレーム２ａのダイパッド部３において、パワー素子１とは反対側の面には、金属ブロック５との接合面５２を有している。そして、リードフレーム２ａのインナーリード部４において、アルミワイヤ８と接続されている面と反対側の面には、接合面５２よりもパワー素子１側に位置し、金属ブロック５との間で絶縁空間６１を形成している非接合面５３を有している。言い換えれば、リードフレーム２ａは、そのダイパッド部３が金属ブロック５側に沈められた形状をしており、その沈められた部分と金属ブロック５とが接合材１０で接合されている。その他の構造については、上述の実施の形態１に係る半導体装置と同様であるため、ここでは説明を省略する。