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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電性領域を有する下地部分と、
前記下地部分と離間して配設された配線層と、
前記下地部分から前記配線層までの領域を占め、気体が充填された状態、または第１層間絶縁膜が配設された状態である、第１領域と、
前記第１領域内に配設され、且つ前記第１導電性領域と前記配線層とを電気的に接続する、導電性の第１接続プラグと、
前記第１接続プラグとの間に、前記気体が充填されるかまたは第１層間絶縁膜が配設されるように前記第１領域内に配設され、且つ前記配線層から前記下地部分に達し、且つ第２ヤング率を有する、絶縁性の第１支持プラグと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記下地部分は第２導電性領域を有し、
前記半導体装置は、前記第１領域内に配設され、且つ前記第２導電性領域と前記配線層とを電気的に接続する、導電性の第２接続プラグをさらに具備し、
前記配線層は、前記第２接続プラグに亘り、且つ前記第２接続プラグを介して前記第２導電性領域と電気的に接続され、
前記第１支持プラグは前記配線層に沿って前記第１接続プラグと前記第２接続プラグとの間に位置する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１導電性領域を有する下地部分と、
前記下地部分上に配設され、且つその上面から前記下地部分に達する第１貫通孔を有し、且つその上面から前記第１導電性領域に達する第２貫通孔を有し、且つ第１ヤング率を有する、第１層間絶縁膜と、
前記第１貫通孔内に配設され、且つ前記第１ヤング率より高い第２ヤング率を有する、絶縁性の第１支持プラグと、
前記第２貫通孔内に配設された、導電性の第１接続プラグと、
前記第１層間絶縁膜上で前記第１接続プラグから前記第１支持プラグに亘って配設され、且つ前記第１接続プラグを介して前記第１導電性領域と電気的に接続された、配線層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１導電性領域を有する下地部分を形成し、
前記下地部分上に第１ヤング率を有する層間絶縁膜を堆積し、
前記層間絶縁膜内に、その上面から前記下地部分に達する第１貫通孔を形成し、
前記第１貫通孔を埋め込むとともに前記層間絶縁膜上に亘るように、前記第１ヤング率より高い第２ヤング率を有する第１絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜内に、その上面から前記第１導電性領域に達する第２貫通孔を形成し、
前記層間絶縁膜の表面に、底部が前記第２貫通孔と接続されるとともに前記第１貫通孔に埋め込まれた第１絶縁膜に亘る配線溝を形成し、
前記第２貫通孔および前記配線溝を第１導電膜で埋め込む、
ことを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１導電性領域を有する下地部分を形成し、
前記下地部分上に、第２ヤング率を有する柱状の支持プラグを形成し、
前記支持プラグを覆うように前記下地部分上に第１ヤング率を有する層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜内に、前記第１導電性領域に達する接続プラグを形成し、
前記層間絶縁膜の表面に前記支持プラグおよび前記接続プラグに亘る配線層を形成する、
ことを具備し、前記第２ヤング率は前記第１ヤング率より高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体もしくは固体の材料をプラズマ中に挿入し、この材料表面に直流電圧もしくは交流電圧を印加することによってプラズマ中のイオンを照射し、スパッタリング現象により生じた材料粒子および／または材料粒子とプラズマ中のガス原子との反応生成物粒子を基板表面に堆積させる薄膜材料の形成方法において、
基板をプラズマの高電子温度部分近傍に配置するとともに、基板近傍に、少なくともプラズマ中の高電子温度の流れが基板に接触しないように、基板の前面を横切る磁界をかけることを特徴とする薄膜材料の形成方法。
【請求項２】
最小径部が基板の外周と略同じ径で材料側に向かって徐々に拡径する孔が、基板正面部分にのみ設けられ、基板と、材料側とを仕切る仕切りを、基板の近傍に配置するとともに、孔を横切るように磁界をかける請求項１に記載の薄膜材料の形成方法。
【請求項３】
基板温度を、材料の融点以上で材料が０．００１Ｐａの平衡蒸気圧となる温度以下に保持するとともに、スパッタリング現象により生じた材料粒子の運動エネルギーおよびプラズマ中で発生した励起原子・分子の励起エネルギーにより材料粒子を基板上で反応させる請求項１または請求項２に記載の薄膜材料の形成方法。
【請求項４】
スパッタリング現象により生じた材料粒子が、基板に達する前に、プラズマ中を通してプラズマ内電子によって励起されるとともに、この励起状態を保った状態で基板に到達させる請求項１〜請求項３のいずれかに記載の薄膜材料の形成方法。
【請求項５】
材料が金属ガリウムで、プラズマ中にて電子衝突にて励起される気体の主要部分が窒素であるとともに、基板表面に窒化ガリウムが生成される系であって、プラズマ中で金属ガリウム表面に形成される窒化ガリウム層をスパッタリング可能なガスをプラズマ中に混入する請求項１〜請求項４のいずれかに記載の薄膜材料の形成方法。
【請求項６】
内部を高真空状態に維持できるとともに、薄膜材料を堆積させる基板が配置される基板収容部と、基板近傍に配置され最小径部が基板の外周とほぼ同じ径をした孔を有し、基板前方に孔が配置される仕切り板によって基板収容部と仕切られプラズマ発生部とを内部に備え、
プラズマ発生部が、その内部に放電を維持する放電機構と、放電によって発生したプラズマ内に材料を保持する材料保持手段とを有しているとともに、
基板近傍に、少なくともプラズマ中の高電子温度の流れが基板に接触しないように、基板の前面を横切る磁界を発生させる磁界発生手段が設けられていることを特徴とする薄膜材料の形成装置。
【請求項７】
仕切り板の孔が、プラズマ発生部側に向かって徐々に拡径している請求項６に記載の薄膜材料の形成装置。
【請求項８】
放電機構の陰極が、基板に対し材料保持部によってブラインドになる位置に設けられている請求項６または請求項７に記載の薄膜材料の形成装置。
【請求項９】
容器内にガスを導入する導入経路を複数備えている請求項６〜請求項８のいずれかに記載の薄膜材料の形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  化合物半導体を構成するＶ族原子がそれぞれ異なる複数の化合物半導体層をそれぞれ表面に露出している下地層上に、下地層上の複数の化合物半導体層との格子整合性を有する別の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる方法であって、
下地層の複数の化合物半導体層のそれぞれに含まれた相互に異なるＶ族原子の一つを原料ガス毎にそれぞれ構成元素とする相互に異なる複数種の原料ガスを同時に下地層上に供給しつつ、下地層を有する基板の基板温度を別の化合物半導体層の所定のエピタキシャル成長温度に昇温する昇温工程と、
次いで、別の化合物半導体層の原料ガスを供給して、下地層上に別の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とする化合物半導体層のエピタキシャル成長方法。
【請求項２】  化合物半導体を構成するＶ族原子がそれぞれ異なる複数の化合物半導体層が、Ａｌｘ  Ｇａ（１−ｘ）  Ａｓ層（１≧ｘ≧０）と（ＡｌｙＧａ（１−ｙ）  ）ｚ  Ｉｎ（１−ｚ）  Ｐ層（１≧ｙ≧０、１≧ｚ≧０）とであって、
昇温工程では、Ａｓを含むガス及びＰを含むガスを下地層上に同時に供給しつつ、下地層を有する基板の基板温度を別の化合物半導体層の所定のエピタキシャル成長温度に昇温することを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体層のエピタキシャル成長方法。
【請求項３】  昇温工程では、Ａｓを含むガスとしてＡｓＨ３  ガスを、Ｐを含むガスとしてＰＨ３  を使用することを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体層のエピタキシャル成長方法。
【請求項４】  昇温工程では、ＡｓＨ３  ガスとＰＨ３  ガスとの供給比率を１：４から１：２０の範囲に調節することを特徴とする請求項３に記載の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
【請求項５】  化合物半導体を構成するＶＩ族原子がそれぞれ異なる複数の化合物半導体層をそれぞれ表面に露出している下地層上に、下地層上の複数の化合物半導体層との格子整合性を有する別の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる方法であって、
下地層の複数の化合物半導体層のそれぞれに含まれた相互に異なるＶＩ族原子の一つを原料ガス毎にそれぞれ構成元素とする相互に異なる複数種の原料ガスを同時に下地層上に供給しつつ、下地層を有する基板の基板温度を別の化合物半導体層の所定のエピタキシャル成長温度に昇温する昇温工程と、
次いで、別の化合物半導体層の原料ガスを供給して、下地層上に別の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とする化合物半導体層のエピタキシャル成長方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明方法の好適な実施態様では、化合物半導体を構成するＶ族原子がそれぞれ異なる複数の化合物半導体層が、Ａｌｘ  Ｇａ（１−ｘ）  Ａｓ層（１≧ｘ≧０）と（ＡｌｙＧａ（１−ｙ）  ）ｚ  Ｉｎ（１−ｚ）  Ｐ層（１≧ｙ≧０、１≧ｚ≧０）とであって、昇温工程では、Ａｓを含むガス及びＰを含むガスを下地層上に同時に供給しつつ、下地層を有する基板の基板温度を別の化合物半導体層の所定のエピタキシャル成長温度に昇温する。
好適には、昇温工程では、Ａｓを含むガスとしてＡｓＨ３  ガスを、Ｐを含むガスとしてＰＨ３  を使用し、望ましくは、ＡｓＨ３  ガスとＰＨ３  ガスとの比率を１：４から１：２０の範囲に調節する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施形態例では、ＧａＡｓ面及びＧａＩｎＰ面を有する下地層を例に上げているが、これに限らず、Ａｌｘ  Ｇａ（１−ｘ）  Ａｓ層（１≧ｘ≧０）及び（ＡｌｙＧａ（１−ｙ）  ）ｚ  Ｉｎ（１−ｚ）  Ｐ層（１≧ｙ≧０、１≧ｚ≧０）をそれぞれ露出している下地層にも適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透過型顕微鏡下における観察で粒径が１００ナノメートル未満の微結晶を含有する軟磁性金属皮膜の少なくとも一層（Ａ層）が湿式めっき法によって形成されてなるシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項２】  前記微結晶の粒径が５０ナノメートル未満である請求項１に記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項３】  前記微結晶の粒径が１０ナノメートル未満である請求項２に記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項４】  前記Ａ層の上又は（及び）下に、該軟磁性皮膜の層よりも電気伝導度の良好な金属皮膜の層（Ｂ層）が湿式めっき法によってさらに形成されて、少なくとも二層以上の層構造となっている請求項１〜３のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項５】  前記Ｂ層が前記Ａ層の下層皮膜として構成されている請求項１〜４のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項６】  少なくとも前記Ａ層、又はＡ層及びＢ層が非電導性の基体上に構成されてなる請求項１〜５のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項７】  少なくとも前記Ａ層、又はＡ層及びＢ層が金属の箔又は細線若しくはそれらを加工したシート状の基体上に施されてなる請求項１〜５のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項８】  前記Ａ又はＢ層の上層皮膜として、金、銀又はそれらを主成分とする合金の金属皮膜の層（Ｃ層）がさらに湿式めっき法によって形成された請求項１〜７のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項９】  前記いずれかの金属皮膜の層（Ａ、Ｂ又はＣ層）で最上層にある金属皮膜の層の上に、さらに樹脂コーティングを施してなる請求項１〜８のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１０】  少なくとも１ＭＨｚ以上で１０ＭＨｚ未満の範囲のいずれかの周波数における磁界波の遮蔽性能が１０ｄＢ以上である請求項１〜９のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１１】  前記Ａ層が湿式めっき法によって形成された鉄族金属の合金の１種又は２種以上からなる請求項１〜１０のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１２】  前記鉄族金属の合金が湿式めっき法によって形成されたニッケル−コバルト系合金である請求項１１に記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１３】  前記鉄族金属の合金がさらに燐又はホウ素を含む合金である請求項１１又は１２に記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１４】  前記Ｂ層が銅又は銀或いはそれらを含む合金から選ばれる１種又は２種以上からなる請求項４〜１３のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１５】  前記湿式めっき法が無電解めっき法である請求項１〜１４のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【請求項１６】  前記湿式めっき法が電気めっき法である請求項１〜１４のいずれかに記載のシート状電磁波障害防止用材料。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に少なくとも半導体素子を有し、前記半導体素子の所望領域へ接続される各導体層の当該半導体素子の外部への導出は、前記半導体基板の半導体素子が搭載される面とは反対側の面側から導出されており、前記半導体素子はヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース、エミッタ、及びコレクタの各々の領域へ接続される各導体層の当該ヘテロ接合バイポーラトランジスタの外部への導出は、前記半導体基板のベース、エミッタ、及びコレクタの領域が搭載される面とは反対側の面側から導出されている半導体装置において、前記半導体基板の裏面の前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタと相対する位置に第１の開口、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタと相対する位置と別異の位置に、第２及び第３の開口を有し、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース、エミッタ、及びコレクタの各々の領域へ接続される各導体層の当該ヘテロ接合バイポーラトランジスタの外部への導出が、前記第１、第２、及び第３の開口を通してなされることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタはコレクタトップ型を有し、上記第１の開口はエミッタビアホール、上記第２及び第３の開口はそれぞれベースビアホール、コレクタビアホールであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記第１の開口には前記半導体基板のベース、エミッタ、及びコレクタの領域が搭載される面とは反対側の面側に延在する導体層と、前記第２及び第３の開口のそれぞれには前記半導体基板のベース、エミッタ、及びコレクタの領域が搭載される面よりこの面と反対側の面にまたがって形成された各導体層とを有し、且つ前記第１、第２、第３の開口は互いに電気的に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第１の開口には前記半導体基板のベース、エミッタ、及びコレクタの領域が搭載される面とは反対側の面側に延在する導体層と、前記第２及び第３の開口のそれぞれには前記半導体基板のベース、エミッタ、及びコレクタの領域が搭載される面よりこの面と反対側の面にまたがって形成された各導体層とを有し、且つ前記第１、第２、第３の開口は互いに電気的に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第２及び第３の開口における前記半導体基板のベース、エミッタ、及びコレクタの領域が搭載される面側に形成される前記導体層が、前記半導体基板に接していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ媒質を含む膜と、光共振器と、励起光源とを有するレーザ発振器であって、
前記レーザ媒質を含む膜は、ホスト材料と、前記ホスト材料に１０ｗｔ％以上の濃度で分散した燐光材料とを有し、
前記励起光源から発せられる励起光によって前記燐光材料をエキシマ状態に励起し、
前記燐光材料がエキシマ状態から発光する光のうち、前記レーザ媒質を含む膜の膜厚方向の光を前記光共振器によって増幅することを特徴とするレーザ発振器。
【請求項２】
レーザ媒質を含む膜と、光共振器と、励起光源とを有するレーザ発振器であって、
前記レーザ媒質を含む膜は、ホスト材料と、前記ホスト材料に１０ｗｔ％以上の濃度で分散した燐光材料とを有し、
前記励起光源から発せられる励起光によって前記燐光材料をエキシマ状態に励起し、
前記燐光材料がエキシマ状態から発光する光のうち、前記レーザ媒質を含む膜によって形成される膜厚方向と交差する方向の光を前記光共振器によって増幅させることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項３】
発光素子と、光共振器とを有するレーザ発振器であって、
前記発光素子は、発光層と、前記発光層を間に挟んでいる陽極及び陰極とを有し、
前記発光層は、ホスト材料と、前記ホスト材料に１０ｗｔ％以上の濃度で分散した燐光材料とを有し、
前記陽極及び前記陰極は透光性を有し、
前記燐光材料がエキシマ状態から発光する光のうち、前記発光層の膜厚方向の光を前記光共振器によって増幅することを特徴とするレーザ発振器。
【請求項４】
発光素子と、光共振器とを有するレーザ発振器であって、
前記発光素子は、発光層と、前記発光層を間に挟んでいる陽極及び陰極とを有し、
前記発光層は、ホスト材料と、前記ホスト材料に１０ｗｔ％以上の濃度で分散した燐光材料とを有し、
前記燐光材料のエキシマ状態から発光する光うち、前記発光層によって形成される膜厚方向と交差する方向の光を前記光共振器によって増幅することを特徴とするレーザ発振器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記光共振器は、前記共振器長の長さが前記エキシマ状態から発光する光の波長の半分の整数倍の長さとなるように第１の反射材、及び第２の反射材が設置されることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記光共振器は第１の反射材と、前記第１の反射材よりも光の反射率が低い第２の反射材を有し、
前記第２の反射材側からレーザ光を得ることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項７】
発光素子と、反射材とを有するレーザ発振器であって、
前記発光素子は、発光層と、前記発光層を間に挟んでいる陽極及び陰極とを有し、
前記発光層は、ホスト材料と、前記ホスト材料に１０ｗｔ％以上の濃度で分散した燐光材料とを有し、
前記陽極は透光性を有し、
前記陰極と前記反射材の間に前記発光層が挟まれ、
前記燐光材料がエキシマ状態から発光する光のうち、前記発光層と交差する一方向の光を前記陰極及び前記反射材によって増幅することを特徴とするレーザ発振器。
【請求項８】
請求項７において、
前記反射材はミラー、酸化珪素膜、または金属であることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか１項において、
前記陽極と前記発光層の間に、前記発光層に接するホール輸送層が設けられ、
前記ホール輸送層のイオン化ポテンシャルは、前記発光層または前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルよりも低いことを特徴とするレーザ発振器。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項８のいずれか１項において、
前記陽極と前記発光層の間に、前記発光層に接するホール輸送層が設けられ、
前記ホール輸送層のイオン化ポテンシャルは、前記発光層または前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルよりも高く、かつ前記ホール輸送層のイオン化ポテンシャルと前記発光層または前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルとの差は０．４ｅＶ未満であることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記燐光材料は、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の領域に２つ以上のピークを有する発光を示し、
前記２つ以上のピークのいずれかがエキシマ発光であることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記ホスト材料は芳香族アミン系の化合物であることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記ホスト材料は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミンであることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記燐光材料は、白金を中心金属とする有機金属錯体であることを特徴とするレーザ発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に設けた一のスイッチと、
前記基板上の前記一のスイッチの周辺に配設した複数の他のスイッチと、
前記一のスイッチ及び前記複数の他のスイッチを覆うように前記基板に固定されその上面の略中央に開口部を設けたハウジングと、
一端の中央に前記一のスイッチの操作子に対応して第１の押圧子が設けられたフランジを有し、他端が前記ハウジングの前記開口部から突出させられた操作桿と、
上面に前記ハウジングの前記開口部と係合するテーパをもつ突起部を有し、前記突起部の中央に前記操作桿を摺動可能とする摺動用孔が設けられ、下面に前記複数の他のスイッチの操作子に対応して複数の第２の押圧子が設けられた押圧板と、
前記押圧板と前記操作桿を、前記ハウジングの前記開口部の方向に付勢する弾性体と、からなる
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項２】  請求項１記載のスイッチ装置において、
前記操作桿の前記フランジの径を前記押圧板の径と略同径とし、
前記操作桿の前記フランジに、前記押圧板に設けられた前記複数の第２の押圧子を透過する複数の孔を設け、
一の弾性体が、前記操作桿の前記フランジと押圧板とを、前記ハウジングの前記開口部の方向に付勢する
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項３】  請求項１記載のスイッチ装置において、
前記操作桿の前記フランジの径を、前記押圧板に設けられた第２の押圧子より小径とし、
第１の弾性体が、前記押圧板を前記ハウジングの前記開口部の方向に付勢し、第２の弾性体が、前記操作桿の前記フランジを前記ハウジングの前記開口部の方向に付勢するように設けた
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項４】  請求項１、２または３記載のスイッチ装置において、
前記基板上の前記一のスイッチ及び前記一のスイッチの周辺に配設した複数の他のスイッチと、前記操作桿の前記フランジに設けた前記第１の押圧子及び前記押圧板に設けた前記複数の第２の押圧子と、の間にエラストマーシートを設けた
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項５】  請求項１、２、３または４記載のスイッチ装置において、
前記ハウジングの前記開口部の下部に所定高さのリブを設けた
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項６】  請求項１記載のスイッチ装置において、
前記押圧板とハウジングとの係合部が、押圧板側が四角錐体の下部の台状部の裾の四角枠状平坦部で、ハウジング側が略正四角形筒部である
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項７】  請求項１記載のスイッチ装置において、
前記押圧板側の係合部を円角錐体の下部の台状部の裾の円環状平坦部とし、ハウジング側の被係合部を円形筒部として操作の方向を任意とする
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項８】  請求項１記載のスイッチ装置において、
前記操作桿を押した状態で横方向の力を加えると、操作桿が傾動し、基板上の一のスイッチと、このスイッチの周辺の１個のスイッチを同時にＯＮ動作させることができる
ことを特徴とするスイッチ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
放電試験
また、保存試験後の電池を２５℃、２．７ｋΩの固定抵抗で電圧が２．０Ｖになるまで放電し、その放電容量を測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、ホウ素を含んでいない比較例５では、放電容量が実施例５の７０％に低下することが認められた。このことは、ホウ素を全く含んでいない場合には、二酸化マンガンが電解液中に溶出し、また溶出した二酸化マンガンが負極に析出する反応が起こり、電池性能を低下させるためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次に、設計ツールは、所定の判断基準に従い、処理を終了する否かを判断する（ステップＳ２２０）。設計ツールは、例えば、ステップＳ２０４またはＳ２０６においてダミーバッファを挿入したすべての箇所について処理を完了したときに、処理を終了すると判断してもよく、あるいは、所定の回数だけレイアウト変更処理を実行したときに、処理を終了すると判断してもよい。設計ツールは、処理を続行すると判断した場合にはステップＳ２０８へ進み、処理を終了すると判断した場合には処理を終了する。なお、設計ツールは、ステップＳ２０９、Ｓ２１３、Ｓ２１５またはＳ２１６のいずれかにおいて否定と判断した場合には、挿入箇所Ｐに関するレイアウト変更処理を実行せずに、ステップＳ２０８へ進む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
このようにして算出された配線Nb1 に関する系統別タイミング制約の最悪値ＴNb1 が、配線Nb2 に関する系統別タイミング制約の最悪値ＴNb2 より所定以上に大きい場合には、配線Nb1 上の所定の箇所にダミーバッファを挿入すると、タイミング制約が所定以上に厳しい経路の遅延量が所定以上に変化する可能性が高く、ダミーバッファ挿入の効果を期待できる。逆に、系統別タイミング制約の最悪値ＴNb2 が系統別タイミング制約の最悪値ＴNb1 より所定以上大きい場合には、配線Nb2 上の所定の箇所にダミーバッファを挿入すると、タイミング制約が所定以上に厳しい経路の遅延量が所定以上に変化する可能性が高く、ダミーバッファ挿入の効果を期待できる。上記２つの場合以外の場合（すなわち、系統別タイミング制約の最悪値ＴNb1 とＴNb2 との差が所定以下である場合）には、配線Nb1 またはNb2 上の所定の箇所にダミーバッファを挿入しても、タイミング制約が所定以上に厳しい経路の遅延量が所定以上に変化する可能性が低く、ダミーバッファ挿入の効果を期待できない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に非晶質半導体で形成する第１の半導体素子を複数配置した画素領域を形成し、
第２の基板上に前記画素領域に対応した対向電極を形成し、
前記第１及び前記第２の基板を貼り合わせ、
第３の基板上に連続発振のレーザ光の照射により形成された結晶質半導体で形成する第２の半導体素子を複数配置した駆動回路と、該駆動回路に接続する入力端子及び出力端子を含むドライバＩＣを複数個形成し、
前記複数個のドライバＩＣを分割し、
前記複数のドライバＩＣから選択された１つ又は複数を前記第１の基板の前記画素領域の周辺に貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記レーザ光のビームスポットの幅Ａと、前記ドライバＩＣの短辺Ｂは、Ａ≧Ｂの関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に非晶質半導体で形成する第１の半導体素子を複数配置した画素領域を形成し、
第２の基板上に前記画素領域に対応した対向電極を形成し、
前記第１及び前記第２の基板を貼り合わせ、
第３の基板上に連続発振のレーザ光の照射により形成された結晶質半導体で形成する第２の半導体素子を複数配置した駆動回路と、該駆動回路に接続する入力端子及び出力端子を含むドライバＩＣを複数個形成し、
前記複数個のドライバＩＣを分割し、
前記複数のドライバＩＣから選択された１つ又は複数を前記第１の基板の前記画素領域の周辺に貼り合わせ、
前記レーザ光のビームスポットの幅は、前記ドライバＩＣの短辺の幅と同じ幅で照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に非晶質半導体で形成する第１の半導体素子を複数配置した画素領域を形成し、
第２の基板上に前記画素領域に対応した対向電極を形成し、
前記第１及び前記第２の基板を貼り合わせ、
第３の基板上に連続発振のレーザ光の照射により形成された結晶質半導体で形成する第２の半導体素子を複数配置した駆動回路と、該駆動回路に接続する入力端子及び出力端子を含むドライバＩＣを複数個形成し、
前記複数個のドライバＩＣを分割し、
前記第１の基板の前記画素領域の周辺にフレキシブルプリント配線板を接続し、
前記複数のドライバＩＣから選択された１つ又は複数を前記フレキシブルプリント配線板に接着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記レーザ光のビームスポットの幅Ａと、前記ドライバＩＣの短辺Ｂは、Ａ≧Ｂの関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板上に非晶質半導体で形成する第１の半導体素子を複数配置した画素領域を形成し、
第２の基板上に前記画素領域に対応した対向電極を形成し、
前記第１及び前記第２の基板を貼り合わせ、
第３の基板上に連続発振のレーザ光の照射により形成された結晶質半導体で形成する第２の半導体素子を複数配置した駆動回路と、該駆動回路に接続する入力端子及び出力端子を含むドライバＩＣを複数個形成し、
前記複数個のドライバＩＣを分割し、
前記第１の基板の前記画素領域の周辺にフレキシブルプリント配線板を接続し、
前記複数のドライバＩＣから選択された１つ又は複数を前記フレキシブルプリント配線板に接着させ、
前記レーザ光のビームスポットの幅は、前記ドライバＩＣの短辺の幅と同じ幅で照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザ光を発生させる発振器に、連続発振の固体レーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記レーザ光を発生させる発振器に、連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた１種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記レーザ光を発生させる発振器に、連続発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザから選ばれた１種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子に、トランジスタを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記第１の半導体素子はボトムゲート型トランジスタとして形成し、前記第２の半導体素子はトップゲート型トランジスタとして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、上記第７〜第１０実施例では、図１０〜図１３に示す如く、板状フィン部材(４)を広幅板部材(６)のみで形成し、この広幅板部材(６)の１８０°方向の両端をフィン(３)としているが、他の異なる実施例として、図８に示す第１実施例等と同様に、広幅板部材(６)と一対の狭幅板部材(７)とで形成した断面形状が十字形の板状フィン部材(４)としても良い。そして、広幅板部材(６)及び狭幅板部材(７)の各表面に、第６〜第１０実施例の如く、大又は小の窓部(26)を設けて伝熱管(１)内を流動する流体の乱流化や伝熱管(１)の軽量化を可能としたり、該窓部(26)に突片(27)を設けて伝熱面積を増大させるとともに、流体の乱流化や撹拌作用を促進させても良い。また、開口部(28)を設けて伝熱管(１)への流体の流入時の流動抵抗を少なくしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このろう付けにより、図２のａで示す隙間がろう材のフィレット(９)で閉塞されて密着面(５)と素管(２)の内周面とが広幅に面接触するだけでなく、フィレット(９)の形成幅分、伝熱面積が増えるものとなり、板状フィン部材(４)と素管(２)との熱伝導性を更に高める事ができる。また、このろう付けにより、密着面(５)と素管(２)の内周面とが、強固に密着固定され、板状フィン部材(４)の固定性を高める事ができる。その結果、流体の流動や伝熱管(１)の振動等による板状フィン部材(４)のブレや変形を抑制して、伝熱管(１)の使用性や耐久性を向上させる事が可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２    素管
３    フィン
４    板状フィン部材
５    密着面
２５    伝熱板
３２    先端部
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーダ装置及びその信号処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  送信信号を放射する送信部と、物体から反射された該送信信号を複数のアンテナを切り替えて受信するレーダ装置であって、
該複数のアンテナは複数のグループに分けられており、該各グループの複数のアンテナの少なくとも１つは共用アンテナであり、
前記各グループに含まれる複数のアンテナ及び前記共用アンテナの出力端子を入力端子に択一的に順次切替接続する複数の切替スイッチを有する切替スイッチ部と、該複数の切替スイッチのそれぞれを介して前記各入力端子に入力した各アンテナからの受信信号をダウンコンバートするダウンコンバート部及びＡ／Ｄ変換部を有する複数のチャンネルと、各チャンネルのＡ／Ｄ変換器からの出力を入力し所定の処理を施して前記物体までの距離又は前記物体との相対速度を検出するディジタル信号処理部とを有するレーダ装置。
【請求項２】  前記共有アンテナは該アンテナの出力を前記複数の各チャンネルに切り替え接続する分岐手段を備えた、請求項１に記載のレーダ装置。
【請求項３】  前記分岐手段は切り替えスイッチである、請求項２に記載のレーダ装置。
【請求項４】  前記分岐手段はハイブリッド回路である、請求項２に記載のレーダ装置。
【請求項５】  請求項１に記載のレーダ装置の信号処理方法であって、前記各グループの複数のアンテナに含まれている共用アンテナの出力に基づいて前記複数のチャンネルの補正を行うレーダ装置の信号処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、連続波（ＣＷ）を周波数変調（ＦＭ）した送信信号を用いるＦＭ−ＣＷレーダ装置であって、ディジタル・ビーム・フォーミング処理を行うＤＢＦレーダ装置及びその信号処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明レーダ装置及びその信号処理方法によれば、複数のアンテナを複数のグループに分けると共に、該複数のアンテナの少なくとも１つを共用アンテナとし、前記各グループに含まれる複数のアンテナ及び前記共用アンテナの出力端子を入力端子に択一的に順次切替接続する複数の切替スイッチを有している。そして、送信信号の一部を用いて受信信号をダウンコンバートするダウンコンバート部及びＡ／Ｄ変換部を有するチャンネルを複数有し、前記各入力端子に入力した各アンテナからの受信信号を前記複数のチャンネルのそれぞれにおいてダウンコンバート及びＡ／Ｄ変換し、ディジタル信号処理回路で所定の処理を施し、物体までの距離又は物体との相対速度を検出する。
また、前記各グループの複数のアンテナに含まれている共用アンテナの出力に基づいて前記複数のチャンネルの補正を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明によるレーダ装置及びその信号処理方法について説明する前に、ＦＭ−ＣＷレーダの原理、及びＤＢＦレーダの原理について説明する。
ＦＭ−ＣＷレーダは、例えば三角波形状の周波数変調された連続の送信波を出力してターゲットである前方の車両との距離を求めている。即ち、レーダからの送信波が前方の車両で反射され、反射波の受信信号と送信信号をミキシングして得られるビート信号（レーダ信号）を得る。このビート信号を高速フーリエ変換して周波数分析を行う。周波数分析されたビート信号はターゲットに対してパワーが大きくなるピークが生じるが、このピークに対する周波数をピーク周波数と呼ぶ。ピーク周波数は距離に関する情報を有し、前方車両との相対速度によるドップラ効果のために、前記三角波形状のＦＭ−ＣＷ波の上昇時と下降時とではこのピーク周波数は異なる。そして、この上昇時と下降時のピーク周波数から前方の車両との距離及び相対速度が得られる。また、前方の車両が複数存在する場合は各車両に対して一対の上昇時と下降時のピーク周波数が生じる。この上昇時と下降時の一対のピーク周波数を形成することをペアリングという。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車載端末と、
それぞれに固有の提供情報を保有する複数のサーバ装置と、
前記車載端末と各前記サーバ装置との間で通信すべき提供情報の中継を行う中継装置と、を有し、
前記中継装置は、前記車載端末から情報提供のための要求情報を受けて、当該要求に応え得る該車載端末に関連した各種提供情報を対応の前記サーバ装置よりそれぞれ取得し、取得した各種提供情報をまとめて一度に前記車載端末に返送することを特徴とする車両情報提供システム。
【請求項２】  車載端末と、
それぞれに固有の提供情報を保有する複数のサーバ装置と、
前記車載端末と各前記サーバ装置との間で通信すべき提供情報の中継を少なくとも行う中継装置と、を有し、
前記中継装置は、前記車載端末から情報提供のための要求情報を受けて対応の前記サーバ装置よりそれぞれ取得した各種提供情報に、前記要求情報に含まれる該車載端末に関連した指定情報に基づく加工をさらに加え、該加工後の情報を、前記要求情報に対する応答情報として前記車載端末に返送することを特徴とする車両情報提供システム。
【請求項３】  前記応答情報は、「地図情報、経路情報および施設情報」を含み、前記指定情報は、スケール情報および当該ユーザ車両に固有の属性情報の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２に記載の車両情報提供システム。
【請求項４】  車載端末であって、
中継装置に情報提供のための要求情報を送信する送信手段と、
それぞれに固有の提供情報をデータベースとして保有する複数のサーバ装置と通信を行って当該車載端末からの情報提供のための要求情報に応答する各種提供情報を取得する中継装置から送信される、当該要求に応え得る応答情報を、まとめて一度に受信する受信手段を備えることを特徴とする車載端末。
【請求項５】  前記要求情報は、目的地または指定地を含み、
前記中継装置より、その要求情報に係る目的地地図または指定地地図および施設情報をまとめて一度に受信する受信手段と、受信した目的地地図または指定地地図と施設情報とを当該車両内に表示する表示手段を備えることを特徴とする請求項４に記載の車載端末。
【請求項６】  前記目的地地図または指定地地図には当該目的地または指定地の位置データが付加されており、該位置データと当該車両の現在位置データとに基づいて算出した前記目的地または指定地までの経路情報を前記表示手段に表示することを特徴とする請求項５に記載の車載端末。
【請求項７】  前記目的地地図または指定地地図には当該地図情報の表示範囲を表す表示範囲データが含まれており、該表示範囲データに基づいて、当該車両の現在位置がその表示範囲から外れているか否かを判断する判断手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の車載端末。
【請求項８】  目的地または指定地を含む前記要求情報を前記中継装置に送信して、該中継装置より、その要求に係る簡易な目的地地図または指定地地図およびその周辺の周辺情報をまとめて一度に受信する手段と、受信した目的地地図または指定地地図と施設情報に基づいて、目的地または指定地の再設定を行う手段を有することを特徴とする請求項４に記載の車載端末。
【請求項９】  前記の目的地または指定地の再設定後に、当該地のさらに詳細な地図情報を前記中継装置より受信することを特徴とする請求項８に記載の車載端末。
【請求項１０】  目的地または指定地を含む前記要求情報を前記中継装置に送信して、該中継装置より、その要求情報に係る目的地または指定地の情報を一旦受信し、さらに、当該目的地または指定地に近づいたものと判断すると、該中継装置より、当該目的地または指定地周辺の周辺地図情報および周辺情報を、まとめて一度に受信することを特徴とする請求項４に記載の車載端末。
【請求項１１】  前記目的地または指定地に近づく毎にさらに詳細な地図情報を受信することを特徴とする請求項１０に記載の車載端末。
【請求項１２】  簡易地図データベースを自ら保持し、当該簡易地図に基づいて目的地または指定地の設定がなされると、当該目的地または指定地周辺の周辺地図情報および周辺情報を、前記中継装置からまとめて一度に受信することを特徴とする請求項４に記載の車載端末。
【請求項１３】  車載端末であって、
中継装置に情報加工のための指定情報を含む情報提供のための要求情報を送信する送信手段と、
それぞれに固有の提供情報を保有する複数のサーバ装置と通信を行って当該車載端末からの情報提供のための要求情報に応答する各種提供情報を取得する中継装置が、該要求情報に含まれる指定情報に基づいてその取得した前記各種提供情報に加工を加えて生成した応答情報を受信する受信手段を備えることを特徴とする車載端末。
【請求項１４】  前記応答情報は、「地図情報、経路情報および施設情報」を含み、前記指定情報は、スケール情報および当該ユーザ車両に固有の属性情報の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１３に記載の車両情報提供システム。
【請求項１５】  車載端末であって、
それぞれに固有の提供情報を保有する複数のサーバ装置と通信を行って当該車載端末からの情報提供のための要求情報に応答する各種提供情報を取得し応答情報を生成する中継装置から送信される当該応答情報に含まれる地図の表示範囲を受信する受信手段と、当該車両の現在位置がその表示範囲から外れた旨を報知する報知手段と、表示範囲から外れた旨の報知を一定時間は禁止する禁止手段と、を備えることを特徴とする車載端末。
【請求項１６】  車載端末から情報提供のための要求情報を受信する受信手段と、それぞれに固有の提供情報を保有する複数のサーバ装置と通信を行って前記要求情報に応答する各種提供情報を取得して当該要求に応え得る応答情報を生成する手段と、生成した該応答情報をまとめて一度に送信する手段と、を備えることを特徴とする中継装置。
【請求項１７】  車載端末からの情報提供のための要求情報を受信する受信手段と、それぞれに固有の提供情報を保有する複数のサーバ装置と通信を行って当該車載端末からの情報提供のための要求情報に応答する各種提供情報を取得すると共に該要求情報に含まれる指定情報に基づいてその取得した前記各種提供情報に加工を加え応答情報を生成する情報加工手段と、生成した該応答情報を前記車載端末に送信する送信手段と、を備えることを特徴とする中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光部と、
透光部と、
グレートーンマスクを使用する露光機の解像限界以下の遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する光の透過量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的とするグレートーン部と
を有するグレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥を修正する、グレートーンマスクの欠陥修正方法において、
前記グレートーン部に黒欠陥が発生した場合、前記黒欠陥の全域又は一部の領域、或いは黒欠陥を含む領域を、前記グレートーン部が正常なグレートーン部と同等なグレートーン効果が得られるような膜厚となるように、エッチングにより膜厚を低減させることを特徴とするグレートーンマスクの欠陥修正方法。
【請求項２】
前記エッチングが、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）によるエッチングであることを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスクの欠陥修正方法。
【請求項３】
前記グレートーン部に生じた黒欠陥を除去せずに、前記エッチングにより膜厚を低減させることによって前記黒欠陥を修正することを特徴とする、請求項１又は２に記載の修正方法。
【請求項４】
被検査対象であるグレートーンマスクについて、修正領域を設定し、該修正領域にイオンビームを走査することによって欠陥箇所を検出し、更にイオンビームの照射によってエッチングすることを特徴とする、請求項１又は２に記載の修正方法。
【請求項５】
遮光部と、
透光部と、
グレートーンマスクを使用する露光機の解像限界以下の遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する光の透過量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的とするグレートーン部と
を有するグレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥を修正する、グレートーンマスクの欠陥修正方法において、
前記グレートーン部白欠陥が発生した場合、前記白欠陥部分の一部又は全部、或いは前記白欠陥部分を含む領域に、前記グレートーン部が正常なグレートーン部と同等なグレートーン効果が得られるような半透過性修正膜を形成することを特徴とするグレートーンマスクの欠陥修正方法。
【請求項６】
前記半透過性膜の形成が、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）による膜形成であることを特徴とする請求項５に記載のグレートーンマスクの欠陥修正方法。
【請求項７】
前記グレートーン部に生じた白欠陥部分を除去せずに、前記半透過性膜を形成することを特徴とする、請求項５又は６に記載の修正方法。
【請求項８】
被検査対象であるグレートーンマスクについて、修正領域を設定し、該修正領域にイオンビームを走査することによって欠陥箇所を検出し、更にイオンビームの照射によって成膜することを特徴とする、請求項５又は６に記載の修正方法。
【請求項９】
請求項１〜８による修正が施されたことを特徴とする、グレートーンマスク。
【請求項１０】
請求項１〜８の修正を行う工程を有することを特徴とする、グレートーンマスクの製造方法。
【請求項１１】
請求項９によるグレートーンマスク、又は請求項１０の製造方法によるグレートーンマスクを、露光機とともに用いることを特徴とする、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、大型ＬＣＤ用マスクの分野において、グレートーンマスクを用いてマスク枚数を削減する試みがなされている（非特許文献１）。
ここで、グレートーンマスクは、図３（１）に示すように、透明基板上に、遮光部２１と、透過部２２と、グレートーン部２３とを有する。グレートーン部２３は、例えば、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の遮光パターン２３ａを形成した領域であって、この領域を透過する光の透過量を低減しこの領域による照射量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的として形成される。２３ｂはグレートーン部２３における露光機の解像限界以下の微細透過部である。遮光部２１と遮光パターン２３ａはともにクロムやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。透過部２２と微細透過部２３ｂはともに、透明基板上において遮光膜等が形成されていない透明基板の部分である。
グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、図３（１）でグレートーン部２３における透過部２３ｂのスペース幅を３μｍ未満、露光機の解像限界以下の遮光パターン２３ａのライン幅を３μｍ未満とする。上記大型ＬＣＤ用露光機で露光した場合、グレートーン部２３を通過した露光光は全体として露光量が足りなくなるため、このグレートーン部２３を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量の違いによって通常の遮光部２１に対応する部分とグレートーン部２３に対応する部分で現像液に対する溶解性に差ができるため、現像後のレジスト形状は、図３（２）に示すように、通常の遮光部２１に対応する部分２１’が例えば約１．３μｍ、グレートーン部２３に対応する部分２３’が例えば約０．３μｍ、透過部２２に対応する部分はレジストのない部分２２’となる。そして、レジストのない部分２２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレートーン部２３に対応する薄い部分２３’のレジストをアッシング等によって除去しこの部分で第２のエッチングを行うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の工程を行い、マスク枚数を削減する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、上記のようなグレートーンマスクにおけるグレートーン部は、微細パターンの加工が容易ではないことや、製造工程中に発生するごみなどが大きく影響してしまうことなどの理由から、遮光パターン２３ａの細り、太りなどのＣＤエラーや余剰パターンや欠落パターンからなるパターン欠陥など（以下、パターンの太りや余剰パターン欠陥等を、黒欠陥と称し、パターンの細りや欠落欠陥等を白欠陥と称す）が発生してしまう。
そこで、グレートーン部に発生した欠陥については、パターン修正が施されるが、グレートーン部のパターンが微細であるために、正常パターンと同じように復元することは非常に困難であった。この問題を解決するために、正常パターンと同じ形状を復元せずに、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られるような修正パターンを形成することにより、グレートーン部の修正を行うことが、特許文献１に記載されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２１      遮光部
２２      透過部
２３      グレートーン部
２３ａ    遮光パターン
２３ｂ    透過部
１２      黒欠陥
１１      白欠陥
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004309515.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも結着樹脂、着色剤、含イオウ樹脂を有するトナーにおいて、
該結着樹脂として、カルボキシル基を有するビニル樹脂とエポキシ基を有するビニル樹脂、カルボキシル基とエポキシ基とを有するビニル樹脂、及びカルボキシル基を有するビニル樹脂とエポキシ基を有するビニル樹脂とが反応したビニル樹脂からなるグループより選択される１種以上のビニル樹脂を少なくとも含有し、
該トナーのクロロホルム可溶分における、エポキシ価が０．１〜２．０ｍｍｏｌ／ｇであり、イオウ含有量が１０〜５００ｐｐｍであることを特徴とするトナー。
【請求項２】  トナー中のクロロホルム可溶分の酸価が１．０〜２０ｍｇＫＯＨ／ｇで、水酸基価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満、含イオウ樹脂がスルホン酸基含有モノマーを構成成分としている請求項１に記載のトナー。
【請求項３】  トナー中のクロロホルム可溶分のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布において、分子量４，０００〜３０，０００の領域に少なくとも一つのメインピークを有する請求項１または２に記載のトナー。
【請求項４】  前記結着樹脂成分がクロロホルム不溶分を０．１〜６０質量％含有する請求項１乃至３のいずれかに記載のトナー。
【請求項５】  前記着色剤が磁性体である請求項１乃至４のいずれかに記載のトナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
吸熱ピーク温度が７０℃未満の炭化水素系ワックスまたはエステル系ワックスの場合は、含イオウ樹脂のビニル系結着樹脂への分散性を阻害しやすく、吸熱ピーク温度が１２０℃を超える炭化水素系ワックスまたはエステル系ワックスは、ワックス自身のトナーへの分散性が不十分となるとともに含イオウ樹脂との相溶性も悪いためワックスがトナーから遊離し感光体のクリーニング性を損ねる点が懸念される。