【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩基性不純物の含有量が１０ｐｐｍ以下である、下記一般式（１）で表される極端紫外光反応性有機化合物からなるフォトレジスト基材。
【化１】
2005075767.tif 000001
［式中、Ａは、
【化２】
2005075767.tif 000002
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、極端紫外光反応性基、極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基、又は
【化３】
2005075767.tif 000003
［Ａｒは、ＲＯ−及び／又はＲＯＣＯ−（Ｒ、ＲＯ−及びＲＯＣＯ−は、極端紫外光反応性基又は極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基である）で置換されたフェニル基又はナフチル基である。］
で表される有機基であり、
Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝２、３、４又は８である。］
【請求項２】
前記極端紫外光反応性有機化合物が、室温下においてアモルファス状態であり、分子の平均直径が２ｎｍ以下である請求項１に記載のフォトレジスト基材。
【請求項３】
前記Ａが、
【化４】
2005075767.tif 000004
で表される有機基であり、
前記Ｂ、Ｃ及びＤが、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、１−テトラヒドロピラニル基、１−テトラヒドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、
【化５】
2005075767.tif 000005
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基、又は
【化６】
2005075767.tif 000006
［Ａｒは、ＲＯ−及び／又はＲＯＣＯ−（Ｒは、水素、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、１−テトラヒドロピラニル基、１−テトラヒドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、又は
【化７】
2005075767.tif 000007
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基である）で置換されたフェニル基又はナフチル基である。］
で表される有機基であり、
前記Ｘ、Ｙ及びＺが、相互に独立な、単結合又はエーテル結合である請求項１に記載のフォトレジスト基材。
【請求項４】
前記Ａが、
【化８】
2005075767.tif 000008
で表される有機基であり、
前記Ｂ、Ｃ及びＤが、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、１−テトラヒドロピラニル基、１−テトラヒドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、又は
【化９】
2005075767.tif 000009
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基であり、
前記Ｘ、Ｙ及びＺが、エーテル結合である請求項３に記載のフォトレジスト基材。
【請求項５】
塩基性不純物の含有量が１０ｐｐｍ以下である、下記一般式（１）で表される感放射線性有機化合物からなるフォトレジスト基材。
【化１０】
2005075767.tif 000010
［式中、Ａは、
【化１１】
2005075767.tif 000011
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、又は
【化１２】
2005075767.tif 000012
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基であり、Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３又は８である。］
【請求項６】
前記
【化１３】
2005075767.tif 000013
で表される有機基が、４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）ベンジル基、又は３，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）ベンジル基である請求項３〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト基材。
【請求項７】
前記放射線が、極端紫外光又は電子ビームである請求項５又は６に記載のフォトレジスト基材。
【請求項８】
前記Ｂ、Ｃ及びＤのうち、少なくとも一つが水素原子であり、前記Ｘ、Ｙ及びＺが、エーテル結合である請求項１〜７のいずれか一項に記載のフォトレジスト基材。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のフォトレジスト基材を含む固形分と、溶媒とを含むフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
さらに、光酸発生剤を含む請求項９に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
下記一般式（１）で表される極端紫外光反応性有機化合物からなるフォトレジスト基材を酸性水溶液で洗浄し、イオン交換樹脂で処理するフォトレジスト基材の精製方法。
【化１４】
2005075767.tif 000014
［式中、Ａは、
【化１５】
2005075767.tif 000015
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、極端紫外光反応性基、極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基、又は
【化１６】
2005075767.tif 000016
［Ａｒは、ＲＯ−及び／又はＲＯＣＯ−（Ｒ、ＲＯ−及びＲＯＣＯ−は、極端紫外光反応性基又は極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基である）で置換されたフェニル基又はナフチル基である。］
で表される有機基であり、
Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝２、３、４又は８である。］
【請求項１２】
下記一般式（１）で表される感放射線性有機化合物からなるフォトレジスト基材を酸性水溶液で洗浄し、イオン交換樹脂で処理するフォトレジスト基材の精製方法。
【化１７】
2005075767.tif 000017
［式中、Ａは、
【化１８】
2005075767.tif 000018
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、又は
【化１９】
2005075767.tif 000019
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基であり、Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３又は８である。］
【請求項１３】
前記酸性水溶液が、酢酸水溶液である請求項１１又は１２に記載のフォトレジスト基材の精製方法。
【請求項１４】
塩基性不純物の含有量を１０ｐｐｍ以下にすることによる、下記一般式（１）で表される極端紫外光反応性有機化合物からなるフォトレジスト基材の放射線感度向上方法。
【化２０】
2005075767.tif 000020
［式中、Ａは、
【化２１】
2005075767.tif 000021
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、極端紫外光反応性基、極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基、又は
【化２２】
2005075767.tif 000022
［Ａｒは、ＲＯ−及び／又はＲＯＣＯ−（Ｒ、ＲＯ−及びＲＯＣＯ−は、極端紫外光反応性基又は極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基である）で置換されたフェニル基又はナフチル基である。］
で表される有機基であり、
Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝２、３、４又は８である。］
【請求項１５】
塩基性不純物の含有量を１０ｐｐｍ以下にすることによる、下記一般式（１）で表される感放射線性有機化合物からなるフォトレジスト基材の放射線感度向上方法。
【化２３】
2005075767.tif 000023
［式中、Ａは、
【化２４】
2005075767.tif 000024
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、又は
【化２５】
2005075767.tif 000025
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基であり、Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３又は８である。］
【請求項１６】
請求項９又は１０に記載のフォトレジスト組成物を用いるリソグラフィーによる微細加工方法。
【請求項１７】
請求項９又は１０に記載のフォトレジスト組成物を用いて作製した半導体装置。
【請求項１８】
塩基性不純物の含有量が１０ｐｐｍ以下である、下記一般式（１）で表される有機化合物。
【化２６】
2005075767.tif 000026
［式中、Ａは、
【化２７】
2005075767.tif 000027
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、又は
【化２８】
2005075767.tif 000028
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基であり、Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３又は８である。］
【請求項１９】
下記一般式（１）で表される有機化合物を酸性水溶液で洗浄し、イオン交換樹脂で処理する有機化合物の精製方法。
【化２９】
2005075767.tif 000029
［式中、Ａは、
【化３０】
2005075767.tif 000030
で表される有機基であり、
Ｂ、Ｃ及びＤは、相互に独立な、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチロキシカルボニル基、又は
【化３１】
2005075767.tif 000031
［Ｐは、炭素数６〜２０の（ｒ＋１）価の芳香族基であり、Ｑは、炭素数４〜３０の有機基であり、ｒは、１〜１０の整数であり、ｓは、０〜１０の整数である。］
で表される有機基であり、Ｘ、Ｙ及びＺは、相互に独立な、単結合又はエーテル結合であり、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３又は８である。］