【手続補正書】
【提出日】平成18年7月21日(2006.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する第１の基板上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上であって、前記第１の導電膜の端部と重なるように、一対の第２の導電膜を形成し、
前記一対の第２の導電膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の導電膜上であって、前記一対の第２の導電膜の両端が現れるように前記第２の絶縁膜に線状の開口部を形成し、
前記第２の基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する２辺にシール材を形成し、
前記第２の基板に前記第１の基板を重ね合わせ、前記シール材を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを固定し、
前記線状の開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、
前記溶媒を乾燥させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記線状の開口部は複数の前記第１の導電膜に渡って形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する第１の基板上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の導電膜上の前記第２の絶縁膜に線状の開口部を形成し、
前記第２の絶縁膜を覆って、前記第１の導電膜の端部と重なるように前記開口部の底部に及ぶ、一対の第２の導電膜を形成し、
前記第２の基板の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する２辺にシール材を形成し、
前記第２の基板に前記第１の基板を重ね合わせ、前記シール材を硬化させて前記第１の基板と前記第２の基板とを固定し、
前記線状の開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、
前記溶媒を乾燥させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記線状の開口部は複数の前記第１の導電膜に渡って形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記線状の開口部は第２の絶縁膜と、前記第２の基板とで形成された間隙であることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記重ね合わせた第１の基板及び第２の基板の角部を、前記有機材料を含む溶液に浸たして、前記開口部に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記シール材が形成されず、かつ前記第１の基板の端と前記第２の基板の端とが一致した辺の領域から、前記開口部に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記シール材が形成されず、かつ前記第１の基板の端と前記第２の基板の端とが一致しない辺の領域から、前記開口部に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１の基板の端と前記第２の基板の端とが一致しない辺の領域に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を滴下し、前記開口部に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
嫌気雰囲気下において、前記開口部に前記有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、
前記溶媒を乾燥させた後、封止材により前記開口部及び前記第１の基板と第２の基板とを封止することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１の導電膜又は前記第２の導電膜は導電性ペーストから形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、スクリーン印刷法、ロールコーター法又はインクジェット法により前記導電性ペーストを形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に設けられた第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上であって、前記第１の導電膜の端部と重なるように設けられた一対の第２の導電膜と、前記一対の第２の導電膜の両端が現れるような線状の開口部を有する第２の絶縁膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
絶縁表面上に設けられた第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた線状の開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜を覆って、前記第１の導電膜の端部と重なるように前記開口部の底辺に及び設けられた一対の第２の導電膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、前記第１の導電膜はゲート電極として機能することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記一対の第２の導電膜はソース電極及びドレイン電極として機能することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記第１の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一において、前記第２の絶縁膜はアクリル、ポリイミド、窒化酸化珪素又は窒化珪素からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
絶縁表面上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは前記絶縁表面上に設けられた第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上であって、前記第１の導電膜の端部と重なるように設けられた一対の第２の導電膜と、前記一対の第２の導電膜の両端が現れるような線状の開口部を有する第２の絶縁膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有し、
前記第１の導電膜は複数の有機薄膜トランジスタで共有して設けられ、
前記絶縁表面の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する２辺にシール材が設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
絶縁表面上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、
前記有機薄膜トランジスタは前記絶縁表面上に設けられた第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた線状の開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜を覆って、前記第１の導電膜の端部と重なるように前記開口部の底辺に及び設けられた一対の第２の導電膜と、前記線状の開口部内に設けられた有機半導体膜と、を有し、
前記第１の導電膜は複数の有機薄膜トランジスタで共有して設けられ、
前記絶縁表面の辺のうち、前記線状の開口部に平行で、かつ互いに対向する２辺にシール材が設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、前記線状の開口部は信号線と平行に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１７乃至１９において、前記第１の導電膜は信号線と平行に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１７乃至１９において、前記第１の導電膜は信号線と交差して設けられていることを特徴とする半導体装置。