Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物の柱の柱脚部に接合され、当該柱脚部から放射方向に水平に延びる複数の連結梁により、複数の杭の杭頭が連結され、当該杭には、引き抜き力に抵抗できる突起が表面に設けられていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造。
【請求項２】
打設された複数の杭の杭頭を連結梁で連結してなる基礎梁のない独立杭基礎構造であり、杭頭に設けられた天端板の上に、連結ボルトが空隙をおいて挿通される貫通孔を有する連結梁の先端部が設置され、前記貫通孔に挿通された連結ボルトで前記天端板と貫通孔の上部開口を塞ぐ塞ぎ板とを緊結することにより連結梁の先端部が挟持され、前記貫通孔内の連結ボルト周囲の空隙には充填材が充填されていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の独立杭基礎構造において、隣接する連結梁の先端部同士をつなぐ補剛梁が設けられ、連結梁と補剛梁とは接合されていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の独立杭基礎構造において、連結梁に水平変位抑制キーが設けられていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一つに記載の独立杭基礎構造において、杭の周りが地盤改良されていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一つに記載の独立杭基礎構造において、地上部架構に振動抑制装置が組み込まれていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項１に係る発明は、構造物の柱の柱脚部に接合され、当該柱脚部から放射方向に水平に延びる複数の連結梁により、複数の杭の杭頭が連結され、当該杭には、引き抜き力に抵抗できる突起が表面に設けられていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造である。
本発明の請求項２に係る発明は、打設された複数の杭の杭頭を連結梁で連結してなる基礎梁のない独立杭基礎構造であり、杭頭に設けられた天端板の上に、連結ボルトが空隙をおいて挿通される貫通孔を有する連結梁の先端部が設置され、前記貫通孔に挿通された連結ボルトで前記天端板と貫通孔の上部開口を塞ぐ塞ぎ板とを緊結することにより連結梁の先端部が挟持され、前記貫通孔内の連結ボルト周囲の空隙には充填材が充填されていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、例えば、鉄道駅のプラットホームなどの既設施設を避けてその上部に上屋を増築する場合に有効に適用される、複数の杭頭を連結梁で連結することで基礎梁を不要とする杭頭連結基礎工法において、請求項１は本発明の基本構造であり、請求項２は、例えば、図１〜図３に示すように、複数の杭の芯ずれを吸収しつつ杭頭と連結梁を強固に連結できるようにしたものである。連結梁の先端部の貫通孔の内径は連結ボルトの外径よりも十分に大きくされているため、杭芯がずれていても連結ボルトを貫通孔に通すことができる。また、貫通孔の上下に位置する天端板と塞ぎ板とで連結梁の先端部を挟み、連結ボルト・ナットで緊締し、貫通孔の空隙には充填材を充填することで、強固な接合構造が得られる。天端板付きの鋼管等からなる鋼製キャップを杭頭に溶接で取り付けてもよいし、天端板を直接杭頭に溶接で取付けてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の独立杭基礎構造において、隣接する連結梁の先端部同士をつなぐ補剛梁が設けられ、連結梁と補剛梁とは接合されていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の独立杭基礎構造において、連結梁に水平変位抑制キーが設けられていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項５に係る発明は、請求項１から請求項４までのいずれか一つに記載の独立杭基礎構造において、杭の周りが地盤改良されていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項６に係る発明は、請求項１から請求項５までのいずれか一つに記載の独立杭基礎構造において、地上部架構に振動抑制装置が組み込まれていることを特徴とする基礎梁のない独立杭基礎構造である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
管理人名簿は、さらに、システム管理人の情報も含み、
拒否処理は、さらに、共通禁止用語集の用語が含まれていた場合には、管理人名簿に登録されたシステム管理人に禁止用語を含んだメッセージの掲載を拒否した事象の通知を送信する
請求項４に記載の電子掲示板システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
旅行ガイド情報を音声データとして記録・保存する音声データ記憶機能、前記音声データ記憶機能中から音声データを再生・出力する音声データ再生・出力機能、および受信機能、を有する旅行者用端末（子機）と、子機と同一の旅行ガイド情報を音声データとして記録・保存する音声データ記憶機能、音声データ再生出力機能、および送信機能、を有する団体引率者用端末（親機）から構成され、
団体旅行引率者は自己の有する親機中の音声データ記憶機能中に記録・保存されている旅行ガイド情報中から再生すべき旅行ガイド情報に対応する特定項目情報を選択して旅行者用端末に送信し、それを受信した旅行者用端末では前記特定項目情報に対応する旅行ガイド情報を子機音声データ記憶機能中から抽出して再生・音声出力することによって旅行ガイドを行うことを特徴とする旅行ガイドシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特許公開平11-238063 公報
【特許文献２】特許公開2002-083086 公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
個人旅行者は、旅行目的地の旅行ガイド情報をＷＥＢサイトからダウンロードして、あるいは必要とする旅行ガイド情報が記録・保存されたメモリーカードを購入することによって、入手し、それを従来からあるメモリオーディオプレーヤに取り込み、旅行先において前記取り込んだ情報中から再生すべき特定項目を選択してその項目内容を再生し音声による旅行ガイドを受ける。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
あるいは団体旅行者はあらかじめメモリ機能、音声再生機能、受信機能を有し前記メモリ機能に前記音声による旅行ガイド情報が記録・保存されている旅行者用端末（子機）を貸与され、団体引率者は再生すべき旅行ガイドの項目コード等の項目情報を引率者用端末（親機）から旅行者用端末（子機）に送信し、団体旅行者は受信した前記項目コードに対応して子機において自動的に抽出・再生される旅行ガイド情報を聞くことにより旅行ガイドを受ける。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
得られた各軽量気泡コンクリート、及び超軽量気泡コンクリートについて、各々含水率、圧縮強度を測定した。
なお、含水率及び圧縮強度は、ＪＩＳ  Ａ  ５４１６「軽量気泡コンクリートパネル」に準じて測定した。
含水率は、オートクレーブ養生直後の含水率が４０ｗｔ％以下を○、越えるものを×と評価した。
圧縮強度は、絶乾密度５１０ｋｇ／ｍ3の軽量気泡コンクリートでは、ＪＩＳ規格の規定値である３．０Ｎ／ｍｍ2を判断基準とし、規格値以上を○、未満を×と評価した。また絶乾密度３２０ｋｇ／ｍ3の超軽量気泡コンクリートでは、断熱材として使用されることを想定して圧縮強度１．０Ｎ／ｍｍ2を基準とし、この値以上を○、未満を×と評価した。
上記の評価結果を、表１及び表２に併記する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置及び画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドに対向する印写受け部材と、この印写受け部材に用紙を搬送する搬送ローラと、この搬送ローラ上の前記用紙を押さえる押さえコロと、前記印写受け部材上の用紙を押さえる用紙押さえ部材とを備えたインクジェット記録装置において、前記用紙押さえ部材が押さえ方向と反対方向に回動可能であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
請求項１に記載のインクジェット記録装置において、前記用紙押さえ部材が９０°以上回動可能であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録装置において、前記用紙押さえ部材が弾性部材であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のインクジェット記録装置において、前記用紙押さえ部材は前記押さえコロの支軸に回動可能に装着されていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項５】
請求項４に記載のインクジェット記録装置において、前記用紙押さえ部材と前記押さえコロの支軸との間にカラー部材を介装していることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項６】
記録ヘッドに対向する印写受け部材と、この印写受け部材に用紙を搬送する搬送ローラと、この搬送ローラ上の前記用紙を押さえる押さえコロと、前記印写受け部材上の用紙を押さえる用紙押さえ部材とを備えた画像形成装置において、前記用紙押さえ部材が押さえ方向と反対方向に回動可能であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はインクジェット記録装置及び画像形成装置に関し、特に搬送ローラと押さえコロとの間から外れた用紙を押さえる用紙押さえ部材を備えているインクジェット記録装置及び画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、紙詰まり処理を容易にしたインクジェット記録装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置は、用紙押さえ部材が押さえ方向と反対方向に回動可能である構成とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明に係る画像形成装置としてのインクジェット記録装置の機構部の概略斜視説明図、図２は同機構部の要部側面説明図、図３は図２の要部拡大図、図４は同機構部の要部平面図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、上記実施形態においては、用紙押さえ手段として先端コロとねじりコイルバネを用いた例で説明したが、例えば用紙ガイドと用紙シートなどの組み合わせでもよく、また、用紙押さえ部材はねじりコイルバネに限らず板バネなどでも良い。
また、本発明は前述したようにプリンタ、ファクシミリ、複写装置、プロッタ等の画像形成装置にも適用することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置によれば、用紙押さえ部材が押さえ方向と反対方向に回動可能であるので、紙詰まり処理作業が容易になり、用紙が裂け、本体に残る残紙などを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  枠体と該枠体の両面側に外れないように広げられた二枚の弾性体とを含み、物品の片側を前記二枚の弾性体で支える包装部材。
【請求項２】  枠体と該枠体の両面側に外れないように広げられた二枚の弾性体とを含む包装部材を二つと、前記二つの包装部材を両者が当接又は近接した状態に保持する保持部材とを備え、物品の各片側を前記各包装部材の二枚の弾性体で支える包装装置。
【請求項３】  枠体と該枠体の両面側に外れないように広げられた二枚の弾性体とを含む包装部材と、物品が当接可能な当接部材と、前記包装部材と当接部材とを両者が当接又は近接した状態に保持する保持部材とを備え、物品の片側を前記包装部材の二枚の弾性体で支える包装装置。
【請求項４】  前記二枚の弾性体は、それらの周縁の少なくとも一部が前記枠体の外周側を摺動可能に回り込んで繋がっている請求項１〜３のいずれか一項に記載の包装部材又は包装装置。
【請求項５】  前記二枚の弾性体は周縁の全部が繋がった袋体になっており、該袋体に前記枠体が封入されている請求項４記載の包装部材又は包装装置。
【請求項６】  前記二枚の四角形である弾性体は一対の対辺が繋がったループ体になっており、該ループ体に四角リング枠である前記枠体が装入されている請求項４記載の包装部材又は包装装置。
【請求項７】  前記二枚の四角形である弾性体の一辺が、四角リング枠である前記枠体の一辺の外周側を摺動可能に回り込んで繋がっており、前記弾性体の一辺に対峙する他辺は前記枠体の対応辺に止められている請求項４記載の包装部材又は包装装置。
【請求項８】  前記弾性体が、弾性フィルムである請求項１〜７のいずれか一項に記載の包装部材又は包装装置。
【請求項９】  前記弾性フィルムが、少なくとも片面に網目状又は線状の亀裂進展停止体を備えたものである請求項８記載の包装部材又は包装装置。
【請求項１０】  前記弾性体が、弾性ネットである請求項１〜７のいずれか一項に記載の包装部材又は包装装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、次の手段（１）〜（３）を採った。
（１）枠体と該枠体の両面側に外れないように広げられた二枚の弾性体とを含み、物品の片側を前記二枚の弾性体で支える包装部材。
（２）枠体と該枠体の両面側に外れないように広げられた二枚の弾性体とを含む包装部材を二つと、前記二つの包装部材を両者が当接又は近接した状態に保持する保持部材とを備え、物品の各片側を前記各包装部材の二枚の弾性体で支える包装装置。
（３）枠体と該枠体の両面側に外れないように広げられた二枚の弾性体とを含む包装部材と、物品が当接可能な当接部材と、前記包装部材と当接部材とを両者が当接又は近接した状態に保持する保持部材とを備え、物品の片側を前記包装部材の二枚の弾性体で支える包装装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に複数のゲート電極構造を備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極構造は、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側部に形成されるオフセットスペーサーとを備え、
前記複数のゲート電極構造のそれぞれは、前記ゲート絶縁膜との境界に位置する前記ゲート電極のゲート長に、前記半導体基板との境界に位置する前記オフセットスペーサーの幅を加えた長さが、略一定であり、
前記ゲート電極の形状は、垂直形状、順テーパ形状及び逆テーパ形状のものが同時に半導体基板上に存在することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体装置であって、
前記ゲート電極の両側に位置する前記半導体基板内において、浅いソース・ドレイン領域と深いソース・ドレイン領域とが形成されＭＯＳＦＥＴを構成することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項３】  半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
（ａ）前記ゲート電極上にＣＶＤ法により絶縁膜を成膜する工程と、
（ｂ）前記絶縁膜の表面に不純物を全面に注入する工程と、
（ｃ）前記不純物を注入した前記絶縁膜をウェットエッチングする工程と、
（ｄ）前記ウェットエッチング後の前記絶縁膜に対し、異方性ドライエッチングによりオフセットスペーサーを形成する工程とを備え、
前記ゲート電極の形成後に、前記ゲート電極のゲート長を測定する工程を有し、前記測定に基づき前記工程（ａ）、前記工程（ｃ）及び前記工程（ｄ）を調整することを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ａ）において、前記ゲート電極の全ての位置で前記ゲート長の長さが所定の長さより短い場合に、所定の膜厚より厚い絶縁膜を前記ゲート電極上に成膜し、
前記ゲート電極の全ての位置で前記ゲート長の長さが所定の長さより長い場合に、所定の膜厚より薄い絶縁膜を前記ゲート電極上に成膜することを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項５】  請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ｃ）において、前記ゲート電極の全ての位置で前記ゲート長の長さが所定の長さより短い場合に、前記絶縁膜に対して行うウェットエッチングの処理時間を所定の処理時間より短くし、
前記ゲート電極の全ての位置で前記ゲート長の長さが所定の長さより長い場合に、前記絶縁膜に対して行うウェットエッチングの処理時間を所定の処理時間より長くすることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る解決手段は、半導体基板上に複数のゲート電極構造を備えた半導体装置であって、ゲート電極構造は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の側部に形成されるオフセットスペーサーとを備え、複数のゲート電極構造のそれぞれは、ゲート絶縁膜との境界に位置するゲート電極のゲート長に、半導体基板との境界に位置するオフセットスペーサーの幅を加えた長さが、略一定であり、ゲート電極の形状は、垂直形状、順テーパ形状及び逆テーパ形状のものが同時に半導体基板上に存在する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、ゲート電極３の側壁にオフセットスペーサー４を設けることは、実効のゲート長Ｌｅの長さを略一定にするだけではなく、斜め方向からのイオン注入においてグレインの方向やバウンダリを介してイオンがゲート電極３を突き抜ける現象をオフセットスペーサー４により低減することができる。これらもトランジスタの電気的特性のバラツキ低減に寄与する。さらにゲートオーバラップ容量の低減や短チャンネル効果の改善の効果が、オフセットスペーサー４を設けることにより期待できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
サイドウォール７を形成後に、深い拡散層９を形成するため、ゲート電極３、オフセットスペーサー４及びサイドウォール７をマスクとしてイオン注入を行う。深い拡散層９のイオン注入後にアニールすることで図６のような半導体装置を得ることができる。図６に示す半導体装置は、実施の形態１と同様、ゲート電極３の形状にかかわらず実効のゲート長Ｌｅの長さが一定で、浅い拡散層８（浅いソース・ドレイン領域）と深い拡散層９（深いソース・ドレイン領域）とを有するＭＯＳＦＥＴ構造である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、ゲート長の測定結果に基づいて、次工程のオフセットスペーサー４の形成工程を調整する別の方法を示す。図７のようなゲート電極３の場合、所定のゲート長に対して測定されるゲート長Ｌ４は短くなる。そのためオフセットスペーサー４の幅Ｓ４を所定の幅より大きくする必要がある。そこで、ゲート電極３上にＣＶＤ法で絶縁膜６を成膜した後に、実施の形態１で示した絶縁膜６に対するウェットエッチング処理時間を、所定の処理時間より短くする。つまり、絶縁膜６を所定の厚さより厚く形成する。その後、絶縁膜６に対し、異方性ドライエッチングを行い、オフセットスペーサー４を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【発明の効果】
本発明に記載の半導体装置は、半導体基板上に複数のゲート電極構造を備えた半導体装置であって、ゲート電極構造は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の側部に形成されるオフセットスペーサーとを備え、複数のゲート電極構造のそれぞれは、ゲート絶縁膜との境界に位置するゲート電極のゲート長に、半導体基板との境界に位置するオフセットスペーサーの幅を加えた長さが、略一定であり、ゲート電極の形状は、垂直形状、順テーパ形状及び逆テーパ形状のものが同時に半導体基板上に存在するので、ゲート電極の形状にかかわらず、実効のゲート長の長さが略一定となり、トランジスタの電気的特性のバラツキも低減し、半導体装置の性能歩留まりも改善される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】面発光表示管と、
前記面発光表示管の前方に取り付けられ、前記面発光表示管から発光される光の色を任意に変化させるためのカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの前方に配置され、前記面発光表示管から発光され前記カラーフィルターを透過する光を透過可能な操作部と、
を備える釦照明装置。
【請求項２】前記面発光表示管の背面に反射シートを備えることを特徴とする請求項１記載の釦照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明の釦照明装置は、面発光表示管と、前記面発光表示管の前方に取り付けられ、前記面発光表示管から発光される光の色を任意に変化させるためのカラーフィルターと、前記カラーフィルターの前方に配置され、前記面発光表示管から発光され前記カラーフィルターを透過する光を透過可能な操作部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、面発光表示管と、前記面発光表示管の前方に取り付けられ、前記面発光表示管から発光される光の色を任意に変化させるためのカラーフィルターと、前記カラーフィルターの前方に配置され、前記面発光表示管から発光され前記カラーフィルターを透過する光を透過可能な操作部と、を備えるものであり、高度な導光板ノウハウを必要とせず照明の均一性と外光に負けない照度また光色の同一機器内の均一性および量産個体差バラツキの最小化するという作用を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、さらにアルゴンイオンレーザーを用いたラマン分光分析で５０５〜５２５ｃｍ−１の範囲における強度ＩＸに対する４６０〜４９０ｃｍ−１の範囲における強度ＩＹの比ＩＹ／ＩＸが０．０１＜ＩＹ／ＩＸ＜１．８を満たし、表面に電子導電性材料を備えた物質を負極活物質として用いたことを特徴とする非水電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、非水電解質電池に関する発明であって、ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、さらにアルゴンイオンレーザーを用いたラマン分光分析で５０５〜５２５ｃｍ−１の範囲における強度ＩＸに対する４６０〜４９０ｃｍ−１の範囲における強度ＩＹの比ＩＹ／ＩＸが０．０１＜ＩＹ／ＩＸ＜１．８を満たし、表面に電子導電性材料を備えた物質を負極活物質として用いたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
電子導電性材料としては、炭素材料Ｃまたは金属を用いることができる。この金属はリチウムと合金化しないことが好ましい。炭素材料Ｃとしては黒鉛および低結晶性炭素、リチウムと合金化しない金属としては銅、ニッケル、鉄、コバルト、マンガン、クロム、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブからなる群から選ばれた少なくとも一種以上の金属、または二種以上の金属からなる合金が例示される。これら電子導電性材料の中でもとくに炭素材料が好ましい。なぜなら、炭素は上記金属と異なり、その層間にリチウムを挿入・脱離することが可能であるため、炭素を備えた負極活物質を用いた電池の方が、上記金属を備えた負極活物質を用いた電池とくらべて、大きい放電容量を示すからである。また、炭素の形状は薄膜または粒子のいずれでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動車両の所定位置に設置され、前記移動車両の後方等を確認するためのミラーが後方開口部に配設されたハウジングと、
発光素子の中心軸に対して垂直な平面方向に光を出射する平面放射型のＬＥＤと、
前記ハウジングの前部から側部にかけて設けられる開口部から露出するように前記ハウジングの内部に設けられるとともに、前記ＬＥＤの少なくとも１個が所定位置に搭載され、前記ＬＥＤからの光を透過させまたは内面で反射させて前記移動車両の所望の方向に出射させる導光体とを備えることを特徴とする後視鏡装置。
【請求項２】
前記導光体は、前記ハウジングの外形に沿うように成型された前面と、前記前面と対向するように設けられる後面とを有し、前記後面に前記ＬＥＤの光を拡散させる段差部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の後視鏡装置。
【請求項３】
前記段差部は、前記ＬＥＤからの放射光や、前記前面および前記後面の少なくとも一部で反射された前記ＬＥＤの放射光を所望の方向へ反射して前記導光体の前記前面から外部放射させる反射面として機能する構成を有することを特徴とする請求項２記載の後視鏡装置。
【請求項４】
前記導光体は、車両側方寄りの前記前面と前記後面との間に前記ＬＥＤを搭載することを特徴とする請求項２記載の後視鏡装置。
【請求項５】
前記導光体は、前記ＬＥＤの直接光と前記後面で反射された前記ＬＥＤの反射光との合成に基づく光量増大を防ぐＶ字状の切り込み部を前記後面に有することを特徴とする請求項２または４記載の後視鏡装置。
【請求項６】
前記導光体は、その一端が前記ハウジングの前記後方開口部まで延伸していることを特徴とする請求項１または２記載の後視鏡装置。
【請求項７】
前記ハウジングは、前記移動車両のドア、ボンネット、または二輪車に設置されることを特徴とする請求項１記載の後視鏡装置。
【請求項８】
前記ＬＥＤは、発光色がアンバー系であることを特徴とする請求項１記載の後視鏡装置。
【請求項９】
前記ＬＥＤは、方向指示ランプと駐車ランプのいずれか、または前記２つのランプとともに点灯されることを特徴とする請求項１または８記載の後視鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、上記の目的を達成するため、移動車両の所定位置に設置され、前記移動車両の後方等を確認するためのミラーが後方開口部に配設されたハウジングと、発光素子の中心軸に対して垂直な平面方向に光を出射する平面放射型のＬＥＤと、前記ハウジングの前部から側部にかけて設けられる開口部から露出するように前記ハウジングの内部に設けられるとともに、前記ＬＥＤの少なくとも１個が所定位置に搭載され、前記ＬＥＤからの光を透過させまたは内面で反射させて前記移動車両の所望の方向に出射させる導光体とを備えることを特徴とする後視鏡装置を提供する。この構成によれば、ミラーおよびハウジングを備えた後視鏡装置にあって、平面放射型のＬＥＤで効率良く取り出した光を導光体内の反射に基づいて所望の照射方向に光学制御することで、余分な光源を設置することなく車両前方から車両後方にかけての広範囲にわたって充分な光量を確保できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月13日(2006.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムの吸蔵・放出が可能な非水電解質二次電池用負極活物質であって、
Ｓｉ、およびＳｉを含む合金よりなる群より選択される少なくとも１種で構成された内層と、前記内層上に形成された酸化ケイ素からなる平均厚さ０．２〜１０００ｎｍの表面層と、を有することを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項２】
前記表面層の平均厚さが、１〜１００ｎｍである請求項１記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項３】
前記表面層の平均厚さが、１〜１０ｎｍである請求項１記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項４】
前記表面層の厚さは、平均厚さの±５０％以内の範囲である請求項１〜３のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項５】
前記合金が、Ｓｉと、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、からなる請求項１記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項６】
前記合金が、少なくともＳｉ相と、Ｓｉ、ならびにＴｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む合金相と、からなる請求項１記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項７】
薄膜状または粉末状である請求項１〜６のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項８】
非晶質Ｓｉ相を含む請求項１〜７のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極活物質。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の負極活物質を用いた非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁基板に下地導体層を形成する下地導体層形成工程と、前記下地導体層の表面が螺旋状に露出するようにレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記下地導体層を下地として電気めっきによる導体の形成と局部エッチングを繰り返しながら中心導体層を積層し、断面がほぼ矩形の中心導体を形成する第１の電気めっき工程と、前記レジストパターンを剥離する工程と、前記レジストパターンの剥離によって露出した下地導体層をエッチングにより除去するエッチング工程と、前記中心導体を下地として直流電流による電気めっきを行うことにより、前記中心導体とこれを被覆する表面導体層とからなる導体線条を完成させる第２の電気めっき工程を有することを特徴とする平面コイルの製造方法。
【請求項２】  下地導体層の厚さが１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の平面コイルの製造方法。
【請求項３】  下地導体層の厚さがスライスエッチング法により制御されて形成されたことを特徴とする請求項２記載の平面コイルの製造方法。
【請求項４】  下地導体層がアルミニウムからなり、このアルミニウムの下地導体層の表面を螺旋状に露出するようにレジストパターンを形成し、前記螺旋状に露出したアルミニウム表面を改質し、前記アルミニウム表面改質処理を施したアルミニウム下地導体層を下地として電気銅めっきによる導体の形成と局部エッチングを繰り返しながら中心導体層を積層することにより断面がほぼ矩形の中心導体を形成する第１の電気めっきを行い、前記レジストパターンと前記レジストパターン下部の下地導体層とを一括除去し、前記中心導体を下地として電気銅めっきを行うことにより前記中心導体とこれを被覆する表面導体層とからなる導体線条を完成させることを特徴とする平面コイルの製造方法。
【請求項５】  電気めっきに用いるめっき液が、硫酸銅めっき液であることを特徴とする請求項１または請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項６】  局部エッチングが、電気めっきと同一のめっき液中で、導体形成とは逆の負電流を印加して行う電解エッチングであることを特徴とする請求項１または請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項７】  局部エッチングのために流す負電流の電流密度が、中心導体層の導体形成のために流す正電流の電流密度よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項８】  電気めっきによる導体の形成と局部エッチングを繰り返す際の１サイクルの所要時間が０．１秒以下であることを特徴とする請求項１または請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項９】  アルミニウム表面改質処理が無電解亜鉛めっき（ジンケート処理）であることを特徴とする請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１０】  アルミニウム表面改質処理が電解エッチングであることを特徴とする請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１１】  液温４０〜７０℃、３〜６％水酸化ナトリウム溶液でレジストパターンとレジストパターン下部の下地導体層とを一括除去することを特徴とする請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１２】  表面導体層の厚さが中心導体の厚さ以下であることを特徴とする請求項１または請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１３】  下地導体層の表面が螺旋状に露出するためのレジストパターンの幅がレジストパターン間隔より小さいレジストパターンであることを特徴とする請求項１または請求項４記載の平面コイルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板上に実装されたチップコンデンサによって、入力回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項２】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板と接続されたフレキシブル基板上に実装されたチップコンデンサによって、入力回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項３】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗と電気的に接続されたプリント基板上に実装されたチップコンデンサによって、入力回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項４】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板上に実装されたチップコンデンサによって、帰還回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項５】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板と接続されたフレキシブル基板上に実装されたチップコンデンサによって、帰還回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項６】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗と電気的に接続されたプリント基板上に実装されたチップコンデンサによって、帰還回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項７】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板上に実装されたチップコンデンサによって、平滑回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項８】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板と接続されたフレキシブル基板上に実装されたチップコンデンサとによって、平滑回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項９】
絶縁基板上に形成された薄膜素子を有し、
前記絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗と電気的に接続されたプリント基板上に実装されたチップコンデンサとによって、平滑回路が構成されることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記薄膜抵抗はＰ型不純物が添加されていることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記薄膜抵抗は抵抗値が８０ｋΩ以上であることを特徴とする音声信号処理回路。
【請求項１２】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の入力回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の入力回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板と接続されたフレキシブル基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の入力回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗と電気的に接続されたプリント基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の帰還回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の帰還回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板と接続されたフレキシブル基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の帰還回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗と電気的に接続されたプリント基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の平滑回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板上に実装されたチップコンデンサによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の平滑回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記絶縁基板と接続されたフレキシブル基板上に実装されたチップコンデンサとによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路の平滑回路は、絶縁基板上に形成された薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗と電気的に接続されたプリント基板上に実装されたチップコンデンサとによって構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２１】
請求項１２乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記薄膜抵抗はＰ型不純物が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２２】
請求項１２乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記薄膜抵抗は抵抗値が８０ｋΩ以上であることを特徴とする表示装置。
【請求項２３】
請求項１２乃至請求項２２のいずれか１項における表示装置を備える携帯情報機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
而して、加熱した板をバンプに押し当ててバンプの高さを揃えると、バンプの頭が潰れる際に隣接するバンプと短絡するという問題がある。この問題を解消するために上記公報に記載された発明においては、バンプの先端部を除去する余分な工程を設けている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
装置ハウジング２における上記チップダイボンディング域２１の図において手前側には、カセット載置部２２と、実装基板仮置き部２３が設けられている。
カセット載置部２２には図示しない昇降手段に支持されたカセット載置台５１が配設されており、このカセット載置台５１上に実装基板５２を収容したカセット５３が載置される。上記実装基板仮置き部２３には実装基板仮載置き手段５４が配設されている。この実装基板仮載置き手段５４は、図示しない電動モータによって正転・逆転駆動される駆動ローラと該駆動ローラと所定の間隔をおいて配設された従動ローラおよび駆動ローラと従動ローラに捲回された無端ベルト等からなるベルト機構によって構成されている。また、カセット載置部２２を挟んで実装基板仮置き部２３と反対側には、実装基板搬出手段５５が配設されている。この実装基板搬出手段５５は、図において矢印Ｘ方向に移動可能に構成されており、カセット載置台５１上に載置されたカセット５３に収容されている実装基板５２を実装基板仮載置き手段５４上に搬出する。また、図示のフリップチップボンダーは、実装基板仮載置き手段５４上に搬出された実装基板５２を上記実装基板保持手段３のチャックテーブル３１上に搬送する実装基板搬送機構５６を具備している。実装基板搬送機構５６は、実装基板５２を吸引保持する吸引保持具５６１と、該吸引保持具５６１を矢印Ｙ、Ｚ方向に移動せしめる吸引保持具移動機構５６２とからなっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
装置ハウジング２における矢印Ｘ方向の中央部には、半導体チップ搬入域２４と半導体チップ搬出域２５と電極切削域２６が設けられている。この半導体チップ搬出域２５と電極切削域２６との間には、チャックテーブル機構６が配設されている。チャックテーブル機構６は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されたチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１に負圧を作用せしめる図示しない吸引手段、およびチャックテーブル６１を矢印Ｘ方向に移動し半導体チップ搬入２４と半導体チップ搬出域２５と電極切削域２６に位置つける図示しないチャックテーブル移動機構とを具備している。なお、チャックテーブル機構６は、チャックテーブル６１を回転せしめる回転駆動機構を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、図示の実施形態におけるフリップチップボンダーは、装置ハウジング２における電極切削域２６の側方に、電極切削域２６においてチャックテーブル６１上に保持された半導体チップに向けて加工流体を供給するための加工流体供給手段を構成するノズル９が配設されている。なお、加工流体としてはエアー、切削水、ミスト、イオン化エアーを用いることができるが、静電気を除去するためにイオン化エアーを使用することが望ましい。従って、図示の実施形態におけるノズル９は、図示しないイオン化エアー供給手段に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるフリップチップボンダーは、半導体チップ搬入域２４の上方に配設された半導体チップ搬入手段１１を具備している。この半導体チップ搬入手段１１はコレット１１１と該コレット１１１を矢印Ｘ、Ｚ方向に移動せしめる移動機構１１２とを具備している。このように構成された半導体チップ搬入手段１１は、後述する加工前の半導体チップをコレット１１１によって吸着してチャックテーブル６１上に搬送する。また、図示の実施形態におけるフリップチップボンダーは、半導体チップ搬出域２５と上記チップダイボンディング域２１との間に配設された半導体チップ搬送手段１２を具備している。この半導体チップ搬送手段１２は、コレット１２１と該コレット１２１を先端に装着した旋回アーム１２２を具備しており、該旋回アーム１２２の基部が支持部材１２３に支持軸１２４によって１８０度の範囲に渡って旋回可能に支持されている。なお、半導体チップ搬送手段１２は、旋回アーム１２２を支持軸１２４を中心として１８０度の範囲に渡って旋回せしめる図示しない駆動手段を備えている。このように構成された半導体チップ搬送手段１２は、半導体チップ搬出域２５に位置付けられたチャックテーブル６１に保持さている後述する加工後の半導体チップをコレット１２１によって吸引保持し反転して上記チップダイボンダー４の作動域における半導体チップ受け取り位置に搬送する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体受光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の主面に選択的に形成され、且つ第１の波長帯の光とそれより短波長の第２の波長帯の光とを吸収する第１導電型の光吸収層と、
前記光吸収層表面に形成され、且つ前記第1の波長帯の光を透過し、前記第２の波長帯の光を吸収するキャップ層と、
前記キャップ層に選択的に形成された第２導電型の拡散層と、
前記半導体基板の主面に前記キャップ層及び前記光吸収層と隣接して並設され、且つ前記第２の波長帯の光を透過し、前記光吸収層に集光させる集光層と、
を有することを特徴とする半導体受光装置。
【請求項２】  前記集光層は、表面が凸形状の曲率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体受光装置。
【請求項３】  前記拡散層は、前記光吸収層に達していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体受光装置。
【請求項４】  前記半導体基板と前記集光層との間に、前記半導体基板と前記集光層の格子定数の中間の格子定数を有する中間層を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
【請求項５】  前記集光層は、前記半導体基板側で接する第１領域における格子定数とそれ以外の第２領域における格子定数が異なり、且つ前記第１領域における格子定数は、前記第２領域の格子定数と前記半導体基板の格子定数の間の格子定数であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ通信に用いられる半導体受光装置に関し、特に長波長帯及び短波長帯で効率よく受光できる半導体受光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、長波長帯から短波長帯まで受光でき、暗電流が低く、受光感度が高い半導体受光装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体受光装置は、半導体基板の主面に選択的に形成され、且つ第１の波長帯の光とそれより短波長の第２の波長帯の光とを吸収する第１導電型の光吸収層と、前記光吸収層表面に形成され、且つ前記第1の波長帯の光を透過し、前記第２の波長帯の光を吸収するキャップ層と、前記キャップ層に選択的に形成された第２導電型の拡散層と、前記半導体基板の主面に前記キャップ層及び前記光吸収層と隣接して並設され、且つ前記第２の波長帯の光を透過し、前記光吸収層に集光させる集光層とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、長波長帯から短波長帯まで受光でき、暗電流が低く、受光感度が高い半導体受光装置を提供することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004319684.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004319684.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004319684.tif 000003