【事件の表示】
　平成１１年特許願第１９８１３２号「統一性の高いインタコネクトと二重層接点とを備えた薄膜光起電力モジュールの製造」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　２月２５日出願公開、特開２０００−　５８８８７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は平成11年7月12日の出願（優先権主張米国1998年7月14日）であって、特許法第17条の2第1項第3号に該当する平成12年10月3日付け手続補正は決定をもって却下されたので、その発明は、平成12年5月11日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1〜10に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項1に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項1】　単接合太陽電池、二重接合太陽電池、三重接合太陽電池、又は、多重接合太陽電池から成るモノリシック光起電力モジュールを製造するための方法において、
　前記方法が、
　誘電体層、または、透明な金属酸化物で構成されるフロント接点を基板上に配置し、
　少なくとも１つのアモルファスシリコン包含薄膜半導体を前記フロント接点上に堆積し、
　透明な金属酸化物で構成される二重層バック接点の内側層を堆積し、
　前記内側層及び前記アモルファスシリコン包含薄膜半導体を同時にレーザスクライビングし、前記内側層から前記アモルファスシリコン包含薄膜半導体への溝を形成し、
　前記溝を金属で満たし、該二重層バック接点の外側金属層を堆積する、ことから成ることを特徴とする方法。」
２．刊行物について
　原査定の拒絶理由に引用された刊行物１（特開平9-8337号公報）の第4頁左欄（第５欄）第32行〜第5頁左欄（第7欄）第20行（段落【0011】〜【0013】）には以下の事項が記載されている。
「【００１１】【実施例】以下、本発明の詳細を具体的実施例に基づいて説明する。
　〔実施例１〕
　図１は、本発明の集積化薄膜太陽電池１の断面構造例を表している。図例は、基板３上に複数の領域に分割して設けられた第一電極層５上に、二つの第一電極層５にわたって、一方の第一電極層５上に開口した接続用開口部７を設けた複数の半導体層９が設けられ、半導体層９上の接続用開口部７を除く領域には導電体層１１が設けられるとともに、この導電体層１１上に、接続用開口部７を介して一方の第一電極層５と電気的に接続した状態で第二電極層１３が設けられることにより、第二電極層１３と他方の第一電極層５とによって挟まれる領域からなる単位素子１５が、複数個直列に接続された集積化薄膜太陽電池１である。
　【００１２】
　以下、本図を参照しながら、製造方法とともに詳細を説明する。
　ガラス基板３上にＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の透明導電膜を第一電極層５として堆積し、集積化のため、複数の発電領域に対応してレーザースクライブ法によってこの第一電極層５を溶断し、分離溝１７を形成する。大面積の集積化薄膜太陽電池の場合、例えば基板３の一方向に沿って、短冊状の発電領域が形成される。ここで大面積の集積化薄膜太陽電池の場合には、一例として９１０×４５５×４（ｍｍ）のヘイズ基板が用いられ、第一電極層５の表面抵抗は１０オーム程度に設定される。続いて、レーザースクライブによって発生した溶断残滓を除去するために洗浄を行い、この複数の発電領域に対応して形成された第一電極層５上にわたって、半導体層９としてプラズマＣＶＤ法によってｐ-ｉ-ｎ構造の水素化アモルファスシリコン層を堆積する。この水素化アモルファスシリコン層は、先ず上記基板３を１０-5Ｔｏｒｒ以下の高真空チャンバーに入れ、１４０℃〜２００℃の基板温度下で、成膜ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、メタン（ＣＨ4 ）をチャンバーに導入し、反応圧を約１．０ＴｏｒｒとしてＲＦ放電によって、ｐ型水素化アモルファスシリコンカーバイドを５０〜２００Åの膜厚に堆積する。次に成膜ガスとしてシランガスのみをチャンバーに導入し、反応圧を０．２〜０．７ＴｏｒｒとしてＲＦ放電によって、ｉ型水素化アモルファスシリコンを３０００Å程度の膜厚に堆積する。さらに成膜ガスとしてシラン、フォスフィン（ＰＨ3 ）、水素（Ｈ2 ）をチャンバーに導入し、反応圧を約１．０ＴｏｒｒとしてＲＦ放電によって、ｎ型微結晶シリコンを１００〜２００Å程度の膜厚に堆積する。
　ここで示した半導体層９の堆積条件はあくまで一例であり、例えば第一電極層５側からｎ-ｉ-ｐ構造でもよく、タンデム構造としてもよい。半導体層９の主たる材料としても、水素化アモルファスシリコンだけでなく、アモルファス、多結晶、または微結晶、およびこれらの組み合わせでもよく、シリコン以外にもシリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、III-Ｖ族化合物、II-VI族化合物、Ｉ-III-VI族化合物等があり、さらにはこれらを組み合わせたものでもよい。
　【００１３】この半導体層９上に、洗浄処理を行うことなく連続してスパッタリング法により導電体層１１を堆積する。具体的には、半導体層９を堆積した基板３をスパッタチャンバーに入れ、１×１０-6Ｔｏｒｒ以上の高真空に排気し、スパッタガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）を導入して１〜５ｍＴｏｒｒの圧力のもとで、ＲＦ放電によって酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3 ）をドーピングしたＺｎＯを８００〜１０００Åの膜厚に堆積する。ここで導電体層１１の材料としては、ＺｎＯの他にもＳｎＯ2 やＩＴＯ等の透明導電材料、あるいはＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属でもよく、さらにはこれらの積層体でもよい。そしてここで重要なことは、半導体層９上に導電体層１１を、洗浄処理を施すことなく連続的に堆積することであり、好ましくは半導体層９の堆積後に大気に曝すことなく、例えばＣＶＤチャンバーとスパッタチャンバーをつないだ装置内で連続的に堆積するのがよい。
　続いて、レーザースクライブ法によって半導体層９と導電体層１１を同時に溶断し、すでに形成されている第一電極層５の分離溝１７に隣設した接続用開口部７を形成する。そして、レーザースクライブによって発生した溶断残滓を除去するために洗浄を行った後、導電体層１１上に上述と同様のスパッタリング法や真空蒸着法によって、第二電極層１３としてのＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属を堆積する。続いて、接続用開口部７の近傍で、接続用開口部７に対して第一電極層５の分離溝１７とは反対側の少なくとも第二電極層１３と導電体層１１とｎ型微結晶シリコン層とを、レーザースクライブ法によって除去して上部分離溝１９を形成し、第二電極層１３を複数の発電領域に対応して分割する。　これによって、基板３上に第一電極層５と第二電極層１３とによって挟まれる領域からなる単位素子１５が複数個直列に接続形成されたことになる。
　最後に、レーザースクライブによって発生した溶断残滓を除去するために洗浄を行い、必要に応じてエポキシ樹脂等の適当なパシベーション層を塗布形成しておく。」
３．本願発明と刊行物1に記載の発明との対比・判断
　刊行物1に記載の「単位素子１５」、「集積化薄膜太陽電池１」、「ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の透明導電膜を第一電極層５」、「基板３」、「導電体層11と第二電極層13」、「導電体層11」及び「接続用開口部7」は、それぞれ、本願発明の「単接合太陽電池、二重接合太陽電池、三重接合太陽電池、又は、多重接合太陽電池」、「モノリシック光起電力モジュール」、「誘電体層、または、透明な金属酸化物で構成されるフロント接点」、「基板」、「二重層バック接点」、「内側層」及び「溝」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そして、刊行物1に記載の発明は、「レーザースクライブ法によって半導体層９と導電体層１１を同時に溶断し、すでに形成されている第一電極層５の分離溝１７に隣設した接続用開口部７を形成」（刊行物1第5頁左欄第2行〜第5行及び図1参照。）しているから、本願発明と同様に「内側層及び前記アモルファスシリコン包含薄膜半導体を同時にレーザスクライビングし、前記内側層から前記アモルファスシリコン包含薄膜半導体への溝を形成」していることは明らかである。
　また、刊行物1に記載の発明は、「接続用開口部７の形成」の後に、「導電体層１１上に上述と同様のスパッタリング法や真空蒸着法によって、第二電極層１３としてのＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属を堆積」（刊行物1第5頁左欄第6行〜第9行及び図1参照。）して、「接続用開口部７」を「二電極層１３としてのＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属」で埋めている（刊行物1図1参照。）から、本願発明と同様に「溝を金属で満たし、二重層バック接点の外側金属層を堆積」していることは明らかである。
　そこで、本願発明と刊行物1に記載の発明とを対比すると、両者には格別の差異が認められない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物1に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。