【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｐ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも低く、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｎ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｐ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも低く、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｎ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、ビデオ信号の入力を制御する第３のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第３のトランジスタがオンになることで入力されるビデオ信号が、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのゲート電極に与えられるように、前記第３のトランジスタと前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタとが接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、ビデオ信号の入力を制御する第３のトランジスタと、電源電位の供給を制御する第４のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第３のトランジスタがオンになることで入力されるビデオ信号が、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのゲート電極に与えられるように、前記第３のトランジスタと前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタとが接続されており、
前記第４のトランジスタがオンになることで、前記電源電位が前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのゲート電極に供給されるように、前記第４のトランジスタと前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタとが接続されており、
前記電源電位は、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれか一方のソースに与えられており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅より長く、
前記第２のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅と同じかそれより短いことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル幅に対するチャネル長の比が５以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｐ型であり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１３】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも低く、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｎ型であり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１４】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１５】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１６】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｐ型であり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１７】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも低く、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｎ型であり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１８】
画素電極と、前記画素電極に供給される電流を制御する第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、を画素に有し、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記画素電極、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作するものであることを特徴とする素子基板。
【請求項１９】
請求項１２乃至請求項１８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅より長く、
前記第２のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅と同じかそれより短いことを特徴とする素子基板。
【請求項２０】
請求項１２乃至請求項１９のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル幅に対するチャネル長の比が５以上であることを特徴とする素子基板。
【請求項２１】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｐ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２２】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも低く、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｎ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２３】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２４】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２５】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｐ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２６】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタの閾値電圧は、前記第２のトランジスタの閾値電圧よりも低く、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が共にｎ型であり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２７】
発光素子に供給される電流を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタで制御する発光装置の駆動方法であって、
前記第１のトランジスタはノーマリーオンであり、
前記第２のトランジスタはノーマリーオフであり、
前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比より大きく、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタはゲート電極が互いに接続されており、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは極性が同じであり、
前記発光素子、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは全て直列に接続されており、
前記第１のトランジスタは飽和領域で、前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２８】
請求項２１乃至請求項２７のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅より長く、
前記第２のトランジスタはそのチャネル長がチャネル幅と同じかそれより短いことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項２９】
請求項２１乃至請求項２８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはそのチャネル幅に対するチャネル長の比が５以上であることを特徴とする発光装置の駆動方法。