【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置であって、
前記画素電極を構成する前記反射電極と前記透過電極とが絶縁層を介さずに設けられ、
前記透過電極と第１の金属薄膜の間の接続部又は前記透過電極と第２の金属薄膜の間の接続部において、当該透過電極は一部において除去され、その部分が反射電極により覆われ、当該反射電極が前記第１の金属薄膜又は第２の金属薄膜に接続されている液晶表示装置。
【請求項２】
画素部において、前記透過電極が前記反射電極により包含されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
画素部において、前記透過電極部に存在する段差部が前記反射電極により覆われていることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
画素部において、前記段差部が前記反射電極により２から６μｍ覆われていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
画素部において、ＴＦＴ部の半導体膜がソース配線下部まで連続形状で残存させたことを特徴とする請求項１、２、３、または４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備え、
前記反射電極を形成するステップは、
パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成するステップと、
パターン形成後に当該導電性材料を除去するステップとを備えた液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記反射電極は、アルミニウムを含む材料により構成され、前記導電性材料は、クロム、モリブデン、タンタル、タングステンのいずれかを含む材料により構成されたことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニングするステップと、
第１の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステップと、
ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを形成するステップと、
前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップと、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備えた請求項６または７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、
ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形成するステップと、
前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項６または７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニングするステップと、
第１の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステップと、
前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、
ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形成するステップと、
前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備えたことを特徴とする請求項６または７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透過電極および反射電極を形成するステップは、
非晶質ＩＴＯを形成するステップと、非晶質ＩＴＯをパターニングするステップと、非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにするステップと、反射電極を形成するステップとを備えたことを特徴とする請求項６、７、８、９または１０記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにするステップにおいて、２００℃以上に加熱することでＩＴＯの結晶化を行なうことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極（例えば、発明の実施の形態における第３の金属薄膜１０、１１）と背面光源からの光を透過する透過電極（例えば、発明の実施の形態における導電性薄膜９）とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置であって、前記画素電極を構成する前記反射電極と前記透過電極とが絶縁層を介さずに設けられ、前記透過電極と第１の金属薄膜の間の接続部又は前記透過電極と第２の金属薄膜の間の接続部において、当該透過電極は一部において除去され、その部分が反射電極により覆われ、当該反射電極が前記第１の金属薄膜又は第２の金属薄膜に接続されることを特徴とするものである。このような構成の液晶表示装置は、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。さらに、このような構成により、透過電極と第１あるいは第２の金属薄膜との接続抵抗を低減できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、画素部において、透過電極が反射電極により包含するとよい。このような構成により、透過電極と反射電極との密着力を向上させることができる。
また、画素部において、前記透過電極部に存在する段差部が前記反射電極により覆われるようにするとよい。
画素部において、前記段差部が前記反射電極により２から６μｍ覆われているとさらによい。
そして、画素部において、ＴＦＴ部の半導体膜がソース配線下部まで連続形状で残存させるとよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
他方、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、透過電極を形成するステップと、形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備え、前記反射電極を形成するステップは、パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成するステップと、パターン形成後に当該導電性材料を除去するステップとを備えたものである。このような製造方法によれば、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明にかかる他の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニングするステップと、第１の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステップと、ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを形成するステップと、前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップと、透過電極を形成するステップと、形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備えたものである。このような製造方法によれば、写真工程を減らすことができ、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形成するステップと、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、透過電極を形成するステップと、形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとをさらに備えるようにするとよい。このような製造方法によれば、さらに、写真工程を減らすことができ、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明にかかる他の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニングするステップと、第１の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステップと、前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形成するステップと、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、透過電極を形成するステップと、形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備えたものである。このような製造方法によれば、写真工程を減らすことができ、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
ここで、前記透過電極および反射電極を形成するステップは、非晶質ＩＴＯを形成するステップと、非晶質ＩＴＯをパターニングするステップと、非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにするステップと、反射電極を形成するステップとを備えるようにしてもよい。この非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにするステップにおいては、２００℃以上に加熱することでＩＴＯの結晶化を行なうとよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
つぎに、スパッタリングなどの方法で第２の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。好適な実施例では、２００ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
つぎに、第７のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜１０、１１及び最上層のクロムを反射電極の形状にパターニングおよび最上層のクロムをエッチング除去して、反射電極を形成する。このとき、透過部の有機膜を除去した場合は当該箇所の段差により液晶の配向異常が発生し、表示品位を低下させる場合がある。これを防ぐため図１-Gに示すように段差部を反射電極で覆うとよい。なお、種々の検討の結果、段差部から配向異常領域が発生する範囲は最小で２μｍ、最大で６μｍであった。したがって反射電極をオーバーラップさせる長さは少なくとも２μｍ必要であり、透過の開口率の低下が許容できる場合でも６μｍで十分であることがわかった。故に好適な例としては２から６μｍである。なお、金属膜１０がクロムの場合、最上層のクロムと同時にエッチングすることも可能である。なお金属膜１０と最上層の金属薄膜が同一の場合、金属膜１０と最上層の金属は薄膜は同一のエッチング工程で除去することが可能である。なお反射電極は、クロムよりなる金属薄膜１０上にアルミニウムとＣｕの合金からなる金属薄膜１１が積層した状態で形成される。最上層のクロムは、ＩＴＯ９の腐食防止のため設けられたが、反射率を上げるためにこの段階で除去される。第３の金属薄膜のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うことが可能である。最終的には、図１（ｇ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置では、このように、反射電極１０、１１と導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられている点に特徴を有する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
つぎにプラズマＣＶＤにより第２の絶縁膜７を成膜する。
つぎに第３のフォトリソグラフィープロセスで有機膜８を図２（ｃ）に示す形状にパターニングする。具体的には、続く第４のフォトリソグラフィープロセスによって第１及び第２の絶縁膜２及び７を除去する部分で当該第１及び第２の絶縁膜２及び７が露出するように有機膜８をパターニングする。また、反射部も有機膜８が除去された箇所と除去されない箇所を形成し、凹凸形状を形成する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
つぎに、第６のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜１１及び最上層のクロムを反射電極の形状にパターニングおよび最上層のクロムをエッチング除去して、反射電極を形成する。なお、金属膜１１がクロムの場合、最上層のクロムと同時にエッチングすることも可能である。最上層のクロムは、ＩＴＯ９の腐食防止のため設けられたが、反射率を上げるためにこの段階で除去される。第３の金属薄膜のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うことが可能である。最終的には、図２（ｆ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置では、このように、反射電極１１と導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられている点に特徴を有する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
つぎに、第６のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜１１及び最上層のクロムを反射電極の形状にパターニングして、反射電極を形成する。なお、金属膜１１がクロムの場合、最上層のクロムと同時にエッチングすることも可能である。第３の金属薄膜１１のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うことが可能である。最終的には、図３（ｆ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置では、このように、反射電極１１と導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられている点に特徴を有する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
つぎに、第３のフォトリソグラフィープロセスで図４（ｃ）に示す形状にパターニングする。第３のフォトリソグラフィープロセスでは、ハーフトーン露光が用いられる。この工程は、発明の実施の形態３で説明した通りであり、説明を省略する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
つぎに、スパッタリングなどの方法で第３の金属薄膜１１を成膜する。この工程も発明の実施の形態３で説明した通りであり、説明を省略する。さらに、第５のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜１１を反射電極の形状にパターニングして、反射電極を形成する。最終的には、図４（ｅ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置では、このように、反射電極１１と導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられている点に特徴を有する。