【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に遮光膜を形成し、
前記遮光膜の上に珪素を含む絶縁膜を形成し、
前記珪素を含む絶縁膜の上に半導体膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記半導体膜の上に前記遮光膜と同じ大きさの第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストをマスクとして、前記半導体膜のｎチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記半導体膜の上に保護膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記保護膜上に前記第１のレジストよりも小さい第２のレジストを形成し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域及び低濃度不純物領域を形成するために、前記第２のレジストをマスクとして前記保護膜の一部を残存させるようにエッチングし、
前記第２のレジスト及び前記残存させた保護膜をマスクとして、前記半導体膜の前記ｎチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記残存させた保護膜を除去し、
前記半導体膜をパターニングして複数の活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に所定の波長の光を透過する導電膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記導電膜の上に前記第２のレジストよりも大きい第３のレジストを形成し、
前記第３のレジストをマスクとして前記導電膜をエッチングして前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域以外を第４のレジストで覆い、前記導電膜をエッチングして前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
前記第４のレジストをマスクとして前記複数の活性層の前記ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に遮光膜を形成し、
前記遮光膜の上に珪素を含む絶縁膜を形成し、
前記珪素を含む絶縁膜の上に半導体膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記半導体膜の上に前記遮光膜と同じ大きさの第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストをマスクとして、前記半導体膜のｎチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記半導体膜の上に保護膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記保護膜上に前記第１のレジストよりも小さい第２のレジストを形成し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域及び低濃度不純物領域を形成するために、前記第２のレジストをマスクとして前記保護膜の一部を残存させるようにエッチングし、
前記第２のレジスト及び前記残存させた保護膜をマスクとして、前記半導体膜の前記ｎチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記残存させた保護膜を除去し、
前記半導体膜をパターニングして複数の活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に所定の波長の光を透過する導電膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記導電膜の上に前記第２のレジストよりも大きい第３のレジストを形成し、
前記第３のレジストをマスクとして前記導電膜をエッチングして前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域以外を第４のレジストで覆い、前記導電膜をエッチングして前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
前記第４のレジストをマスクとして前記複数の活性層の前記ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線の上方に樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜の上に透明導電膜でなる画素電極を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
ソース配線、及び画素部において画素電極に一部が重なるようにドレイン配線を形成することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に遮光膜を形成し、
前記遮光膜の上に珪素を含む絶縁膜を形成し、
前記珪素を含む絶縁膜の上に半導体膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記半導体膜の上に前記遮光膜と同じ大きさの第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストをマスクとして、前記半導体膜のｎチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記半導体膜の上に保護膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記保護膜上に前記第１のレジストよりも小さい第２のレジストを形成し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域及び低濃度不純物領域を形成するために、前記第２のレジストをマスクとして前記保護膜の一部を残存させるようにエッチングし、
前記第２のレジスト及び前記残存させた保護膜をマスクとして、前記半導体膜の前記ｎチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記残存させた保護膜を除去し、
前記半導体膜をパターニングして複数の活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に所定の波長の光を透過する導電膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記導電膜の上に前記第２のレジストよりも大きい第３のレジストを形成し、
前記第３のレジストをマスクとして前記導電膜をエッチングして前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域以外を第４のレジストで覆い、前記導電膜をエッチングして前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
前記第４のレジストをマスクとして前記複数の活性層の前記ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線の上方に樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
ソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ドレイン配線に一部が重なるようにして透明導電膜でなる画素電極を形成することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に遮光膜を形成し、
前記遮光膜の上に珪素を含む絶縁膜を形成し、
前記珪素を含む絶縁膜の上に半導体膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記半導体膜の上に前記遮光膜と同じ大きさの第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストをマスクとして、前記半導体膜のｎチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記半導体膜の上に保護膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記保護膜上に前記第１のレジストよりも小さい第２のレジストを形成し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域及び低濃度不純物領域を形成するために、前記第２のレジストをマスクとして前記保護膜の一部を残存させるようにエッチングし、
前記第２のレジスト及び前記残存させた保護膜をマスクとして、前記半導体膜の前記ｎチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記残存させた保護膜を除去し、
前記半導体膜をパターニングして複数の活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に所定の波長の光を透過する導電膜を形成し、
前記遮光膜をマスクとした裏面露光により前記導電膜の上に前記第２のレジストよりも大きい第３のレジストを形成し、
前記第３のレジストをマスクとして前記導電膜をエッチングして前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域以外を第４のレジストで覆い、前記導電膜をエッチングして前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成し、
前記第４のレジストをマスクとして前記複数の活性層の前記ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる領域に不純物元素を添加し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴのゲート配線の上方に樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜にコンタクトホールを形成し、ソース配線及びドレイン配線を形成する電気光学装置の作製方法であって、
画素部に形成されたドレイン配線は、前記ソース配線及び前記ゲート配線で囲まれた画素内に形成され、且つ、前記画素が有する面積の７０〜９５％を占めることを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、前記保護膜は珪素を含む絶縁膜と、樹脂材料でなる絶縁膜と、を有する積層膜であることを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４において、前記所定の波長とは、前記裏面露光によって前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線を形成する際に用いる光の波長であることを特徴とする電気光学装置の作製方法。