Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】イオン衝撃をもたらす腐食性ガスに対して曝露されるべき耐蝕面が設けられている耐蝕性部材であって、
前記耐蝕性部材の少なくとも一部が開気孔率５％以下の窒化珪素焼結体からなり、この窒化珪素焼結体が前記耐蝕面を構成しており、前記窒化珪素焼結体の前記耐蝕面と垂直に交わる面を切り出して副面として配向性を測定したとき、互いに垂直方向に位置する２つの副面の間の配向指数が０．８以上、１．２以下であり、前記耐蝕面と前記副面との間の配向指数が１．５以上であることを特徴とする、耐蝕性部材。
［２つの副面の間の配向指数＝
［Ｉｓ１（３２０）／( Ｉｓ１（３２０）＋Ｉｓ１（００２）］／［Ｉｓ２（３２０）／( Ｉｓ２（３２０）＋Ｉｓ２（００２）］；
（Ｉｓ１（３２０）は、一方の副面Ｉｓ１におけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ１（００２）は、副面Ｉｓ１におけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ２（３２０）は、他方の副面Ｉｓ２におけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ２（００２）は、副面Ｉｓ２におけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示す）：
耐蝕面と副面との間の配向指数＝
［Ｉｍ（３２０）／（Ｉｍ（３２０）＋Ｉｍ（００２））] ／［Ｉｓ（３２０）／( Ｉｓ（３２０）＋( Ｉｓ（００２））] ；
（Ｉｍ（３２０）は、耐蝕面ｍにおけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｍ（００２）は、耐蝕面ｍにおけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ（３２０）は、副面Ｉｓにおけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ（００２）は、副面Ｉｓにおけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示す）
【請求項２】前記窒化珪素焼結体における１ａ族元素および及び４ａ−３ｂ族元素の合計含量が５０重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載の部材。
【請求項３】前記窒化珪素焼結体において、２ａ族元素および３ａ族元素からなる群より選ばれた一種以上の元素が、金属元素換算で窒化珪素に対して外配で合計１−１５モル％含有されていることを特徴とする、請求項１または２記載の部材。
【請求項４】前記窒化珪素焼結体が、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、イットリウムおよびランタノイド元素からなる群より選ばれた一種以上の元素を含有していることを特徴とする、請求項３記載の部材。
【請求項５】前記窒化珪素焼結体が、マグネシウム、イットリウム、イッテルビウム、セリウム、サマリウムおよびランタンからなる群より選ばれた一種以上の元素を含有していることを特徴とする、請求項４記載の部材。
【請求項６】前記２ａ族元素および３ａ族元素からなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物を含有することを特徴とする、請求項３−５のいずれか一つの請求項に記載の部材。
【請求項７】熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることを特徴とする、請求項１−６のいずれか一つの請求項に記載の部材。
【請求項８】前記腐食性ガスがハロゲン系腐食性ガスまたはハロゲン系腐食性ガスのプラズマであることを特徴とする、請求項１−７のいずれか一つの請求項に記載の部材。
【請求項９】請求項１−８のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材を基材とすることを特徴とする、半導体製造用製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、イオン衝撃をもたらす腐食性ガスに対して曝露されるべき耐蝕面が設けられている耐蝕性部材であって、耐蝕性部材の少なくとも一部が開気孔率５％以下の窒化珪素焼結体からなり、この窒化珪素焼結体が耐蝕面を構成しており、窒化珪素焼結体の耐蝕面と垂直に交わる面を切り出して副面として配向性を測定したとき、互いに垂直方向に位置する２つの副面の間の配向指数が０．８以上、１．２以下であり、耐蝕面と副面との間の配向指数が１．５以上であることを特徴とする。
［２つの副面の間の配向指数＝
［Ｉｓ１（３２０）／( Ｉｓ１（３２０）＋Ｉｓ１（００２）］／［Ｉｓ２（３２０）／( Ｉｓ２（３２０）＋Ｉｓ２（００２）］；
（Ｉｓ１（３２０）は、一方の副面Ｉｓ１におけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ１（００２）は、副面Ｉｓ１におけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ２（３２０）は、他方の副面Ｉｓ２におけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ２（００２）は、副面Ｉｓ２におけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示す）：
耐蝕面と副面との間の配向指数＝
［Ｉｍ（３２０）／（Ｉｍ（３２０）＋Ｉｍ（００２））] ／［Ｉｓ（３２０）／( Ｉｓ（３２０）＋( Ｉｓ（００２））] ；
（Ｉｍ（３２０）は、耐蝕面ｍにおけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｍ（００２）は、耐蝕面ｍにおけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ（３２０）は、副面Ｉｓにおけるβ型窒化珪素の３２０面によるＸ線回折強度を示し、Ｉｓ（００２）は、副面Ｉｓにおけるβ型窒化珪素の００２面によるＸ線回折強度を示す）
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
（ｋ，ｎ）閾値秘密分散法は、分散情報を配布する数である２以上の整数の分散数ｎと、秘密情報Ｓの復元に必要な分散情報の最低数である２以上ｎ以下の整数の閾値ｋから、秘密情報Ｓを定数項とする（ｋ−１）次の多項式ｆ（ｘ）を、
ｆ(ｘ)＝Ｓ＋Ｒ１ｘ＋…＋Ｒｋ−１ｘｋ−１  mod  Ｐ          …（１）
として作成し（Ｒ１，…，Ｒｋ−１：乱数、Ｐ：素数）、元の秘密情報Ｓを所有あるいは預託により分配する秘密情報分配者は、分散情報を保管する各分散情報保持者ｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に対して、分散情報Ｗｉ＝ｆ（ｉ）を分配するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
（ｄ，ｋ，ｎ）閾値秘密分散法は、上記（ｋ，ｎ）閾値秘密分散法を拡張したもので、分散情報を配布する数である２以上の整数の分散数ｎと、秘密情報Ｓの完全な復元に必要な分散情報の最低数である２以上ｎ以下の整数の閾値ｋと、閾値ｋに対して秘密情報Ｓの部分的な復元を許容する分散情報の不足数を決定する２以上ｋ以下の整数の分割数ｄから、秘密情報ＳをＳ０，Ｓ１，…，Ｓｄ−１に分割し、これらの分割した秘密情報（分割情報）を定数項とする（ｋ−１）次の多項式ｆ（ｘ）を、
ｆ(ｘ)＝Ｓ0＋Ｓ1ｘ＋…＋Ｓd−1ｘd-1＋Ｒ1ｘd＋…＋Ｒk−dｘk−1  mod  Ｐ
…（２）
として作成し（Ｒ１，…，Ｒｋ−d：乱数、Ｐ：素数）、元の秘密情報Ｓを所有あるいは預託により分配する秘密情報分配者は、分散情報を保管する各分散情報保持者ｉ（１＝１，２，…，ｎ）に対して、分散情報Ｗｉ＝ｆ（ｉ）を分配するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
この復元制御型秘密情報分散法は、基本的には、秘密情報Ｓについて、秘密情報Ｓの完全な復元に必要な分散情報の最低数である２以上の整数の閾値ｋ、閾値ｋに対して秘密情報Ｓの部分的な復元を許容する分散情報の不足数を決定する２以上ｋ以下の整数の分割数ｄと、秘密情報Ｓのｄ個の分割情報Ｓ０，Ｓ１，…，Ｓｄ−１などの秘密情報Ｓを分散するための条件を入力し、
最大の分割情報Ｓｔ（０≦ｔ≦ｄ−１）よりも大きな素数Ｐと、素数Ｐよりも小さく０でない（ｋ−ｄ個）の乱数Ｒｉ（１≦１≦ｋ−ｄ）と、（ｋ（ｋ−１）／２）個の乱数ａｊ（１≦ｊ≦ｋ（ｋ−１）／２）を生成して、
ｆ(ｘ)＝Ｓ０＋Ｓ１（ｘ−ａ１）＋…＋Ｓｄ−１（ｘ−ａ（ｄ−１）（ｄ−２）／２＋１）（ｘ−ａ（ｄ−１）（ｄ−２）／２＋２）…（ｘ−ａ（ｄ−１）（ｄ−２）／２＋ｄ−１）＋Ｒ１（ｘ−ａｄ（ｄ−１）／２＋１）（ｘ−ａｄ（ｄ−１）／２＋２）…（ｘ−ａｄ（ｄ−１）／２＋ｄ）＋…＋Ｒｋ−ｄ（ｘ−ａ（ｋ−１）（ｋ−２）／２＋１）（ｘ−ａ（ｋ−１）（ｋ−２）／２＋２）…（ｘ−ａ（ｋ−１）（ｋ−２）／２＋ｋ−１）  mod  Ｐ                      …（３）
の式で表現される秘密情報Ｓの分散関数ｆ（ｘ）を生成するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
上記式（３）の分散関数ｆ（ｘ）は、例えばｋ＝３、ｄ＝２とした場合、
ｆ(ｘ)＝Ｓ０＋Ｓ１(ｘ−ａ１)＋ｒ(Ｘ−ａ２)(ｘ−ａ３)  mod  Ｐ  …（４）
で表現され、任意の２個の分散情報ＷｘとＷｘ＋ｂについての連立方程式は以下のような行列式で表現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【数１】
2005352786.tif 000001
上記行列式の左項を掃き出し法により変形すると、
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【数２】
2005352786.tif 000002
となり、ａ１，ａ２，ａ３の値によっては−ｘ２＋（２ａ１−ｂ）ｘ＋ａ１ｂ−ａ１ａ２−ａ１ａ３＋ａ２ａ３≡０，もしくは２ｘ＋ｂ−ａ２−ａ３≡０を満たすｘとｂがある場合に、連立方程式から分割情報（部分情報）のＳ０のみ、もしくはＳ１のみを求めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像剤を用いて表面に現像剤像が形成される像担持体と、該像担持体上の現像剤像を中間転写体上に転写し、その後、該中間転写体上に転写された現像剤像を記録材上に転写するための転写部材又は前記像担持体から記録材へと前記現像剤像を転写させる転写部材と、該転写部材に付着した前記現像剤を回収するファーブラシと、を有する画像形成装置において、
前記ファーブラシにバイアスを印加可能なバイアス印加手段を有し、所定のタイミングで、前記現像剤像が前記記録材に転写される時に前記ファーブラシに印加されるバイアスとは逆極性のバイアスを前記ファーブラシに印加して、前記ファーブラシから前記現像剤を除去するファーブラシクリーニング動作を行い、
前記現像剤像の形成履歴に応じて、前記ファーブラシクリーニング動作を行う前記所定のタイミングを制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
画像制御のために前記像担持体に形成される画像制御用現像剤像の形成履歴に応じて、前記所定タイミングを制御することを特徴とする請求項１の画像形成装置。
【請求項３】
画像制御のために前記像担持体に形成される画像制御用現像剤像の画像濃度及び形成回数に応じて、前記所定タイミングを制御することを特徴とする請求項１の画像形成装置。
【請求項４】
前記画像制御用現像剤像を形成するタイミングが、画像形成枚数に応じて変更されることを特徴とする請求項２又は３の画像形成装置。
【請求項５】
前記転写部材から前記現像剤を除去する時に、前記ファーブラシに印加するバイアスが定電流制御されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記転写部材から前記現像剤を除去する時に、前記ファーブラシに印加するバイアスが定電圧制御され、該定電圧制御時において、前記転写部材の抵抗値を求め、該抵抗値に応じて、前記ファーブラシに印加する電圧が設定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的は本発明に係る画像形成装置にて達成される。要約すれば、本発明は、現像剤を用いて表面に現像剤像が形成される像担持体と、該像担持体上の現像剤像を中間転写体上に転写し、その後、該中間転写体上に転写された現像剤像を記録材上に転写するための転写部材又は前記像担持体から記録材へと前記現像剤像を転写させる転写部材と、該転写部材に付着した前記現像剤を回収するファーブラシと、を有する画像形成装置において、
前記ファーブラシにバイアスを印加可能なバイアス印加手段を有し、所定のタイミングで、前記現像剤像が前記記録材に転写される時に前記ファーブラシに印加されるバイアスとは逆極性のバイアスを前記ファーブラシに印加して、前記ファーブラシから前記現像剤を除去するファーブラシクリーニング動作を行い、
前記現像剤像の形成履歴に応じて、前記ファーブラシクリーニング動作を行う前記所定のタイミングを制御することを特徴とする画像形成装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の画像形成装置は、現像剤を用いて表面に現像剤像が形成される像担持体と、像担持体上の現像剤像を中間転写体上に転写し、その後、中間転写体上に転写された現像剤像を記録材上に転写するための転写部材又は像担持体から記録材へと現像剤像を転写させる転写部材と、転写部材に付着した現像剤を回収するファーブラシと、を有する画像形成装置において、ファーブラシにバイアスを印加可能なバイアス印加手段を有し、所定のタイミングで、現像剤像が記録材に転写される時にファーブラシに印加されるバイアスとは逆極性のバイアスをファーブラシに印加して、ファーブラシから現像剤を除去するファーブラシクリーニング動作を行い、現像剤像の形成履歴に応じて、ファーブラシクリーニング動作を行う所定のタイミングを制御するので、画像形成装置のスループットを必要以上に下げることなく、ファーブラシに蓄積したトナーを確実に、安価な方法で除去することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２プリズム２６は、第１プリズム２５からの画像光が入射する画像光入射面２６ａと、入射した画像光を投映光学系１６に向かって出射する画像光出射面２６ｂと、画像光の光路外にある側端面２６ｃの３つの面を有している。画像光入射面２６ａは、全反射面２５ｂと平行に向かい合っている。全反射面２５ｂと画像光入射面２６ａとの間にはエアギャップ２８が設けられている。エアギャップ２８は、第１プリズム２５の内部と外部との屈折率差を大きくし、第１プリズム２５に入射した照明光が全反射面２５ｂで全反射する効率を高める作用をする。画像光出射面２６ｂは、第１プリズム２５のパネル基準面２５ｃと平行であり、画像光が全反射プリズム１４を透過することによる収差の発生を防ぐ。また、画像光出射面２６ｂは、投映光学系１６の光軸１６ａに垂直である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２プリズム２６の側端面２６ｃは、画像光出射面２６ｂとの頂角がほぼ直角になっている。画像光出射面２６ｂと側端面２６ｃと間には、シャープエッジとされた稜線部３０が形成されている。稜線部３０は、第２プリズム２６をガラス材料から成形した直後の丸みのある状態から、画像出射面２６ｂと側端面２６ｃとをそれぞれ平面研磨することにより一方の研磨面が他方の研磨面に達して形成される交線である。側端面２６ｃは、画像光の光路外にある面であるが、画像光に変調する際に生じるオフ光の光路内にある。なお、第２プリズム２６の画像光出射面２６ｂと側端面２６ｃにはオフ光が通過する領域に反射防止膜が設けられ、オフ光が各面で内面反射して第２プリズム２６の内部で迷光となることが抑制される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このように、全反射プリズム１４では、画像光出射面２６ｂと側端面２６ｃの稜線部３０がシャープエッジに形成されているから、稜線部３０を反射するオフ光の光量は極めて小さく、オン光とともにスクリーンに映り込む迷光の発生を抑えることができる。なお、本発明の全反射プリズムは、ＤＭＤからのオフ光が通過する領域の外に位置する稜線部には面取り処理が施されていてもよく、全ての稜線部をシャープエッジにする必要はない。また、２つの三角プリズムを組み合わせて全反射プリズムを構成することに限られず、その他の多角柱形状のプリズムから構成してもよい。また、第２プリズム２６は、例えば、１つのプリズムではなく複数のプリズムを組み合わせて多角柱状にしたものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央処理ユニットと、該中央処理ユニットに対する主記憶用メモリと、機能メモリからなる機能メモリアクセス制御システムであって、
前記機能メモリは、
前記中央処理ユニットと前記主記憶用メモリを接続するメモリバスに接続する接続手段と、
特定用途向けの処理を実行する処理手段と、
前記中央処理ユニットからのアクセス要求に応じて、前記処理手段による処理の実行中の有無を示すステータス情報を生成する生成手段と、
前記生成手段で生成したステータス情報を、前記中央処理ユニットへ送信する送信手段とを備え、
前記中央処理ユニットは、
前記機能メモリへのアクセス要求を前記メモリバスを介して、該機能メモリへ発行する発行手段と、
前記アクセス要求に対し、前記機能メモリより前記ステータス情報を前記メモリバスを介して受信する受信手段と、
前記受信手段で受信したステータス情報に基づいて、前記機能メモリへの前記アクセス要求を再発行する再発行手段と
を備えることを特徴とする機能メモリアクセス制御システム。
【請求項２】
前記ステータス情報は、前記処理手段による処理の終了を示す終了信号である
ことを特徴とする請求項１に記載の機能メモリアクセス制御システム。
【請求項３】
前記ステータス情報は、ＥＣＣである
ことを特徴とする請求項１に記載の機能メモリアクセス制御システム。
【請求項４】
前記生成手段は、前記処理手段が処理を実行中であるか否かを判定する判定手段を備え、
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記ステータス情報を生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の機能メモリアクセス制御システム。
【請求項５】
前記機能メモリは、更に、内部メモリを有し、
前記内部メモリは、前記処理手段による処理前のデータ、または処理結果のデータを記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の機能メモリアクセス制御システム。
【請求項６】
前記再発行手段は、前記内部メモリへのアクセス要求を再発行する
ことを特徴とする請求項５に記載の機能メモリアクセス制御システム。
【請求項７】
中央処理ユニットに対するメモリとして機能する機能メモリ装置であって、
前記中央処理ユニットと、該中央処理ユニットに対する主記憶用メモリを接続するメモリバスに接続する接続手段と、
特定用途向けの処理を実行する処理手段と、
前記中央処理ユニットからのアクセス要求に応じて、前記処理手段による処理の実行中の有無を示すステータス情報を生成する生成手段と、
前記生成手段で生成したステータス情報を、前記中央処理ユニットへ送信する送信手段と
を備えることを特徴とする機能メモリ装置。
【請求項８】
前記ステータス情報は、前記処理手段による処理の終了を示す終了信号である
ことを特徴とする請求項７に記載の機能メモリ装置。
【請求項９】
前記ステータス情報は、ＥＣＣである
ことを特徴とする請求項７に記載の機能メモリ装置。
【請求項１０】
前記生成手段は、前記処理手段が処理を実行中であるか否かを判定する判定手段を備え、
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記ステータス情報を生成する
ことを特徴とする請求項７に記載の機能メモリ装置。
【請求項１１】
更に、内部メモリを有し、
前記内部メモリは、前記処理手段による処理前のデータ、または処理結果のデータを記憶する
ことを特徴とする請求項７に記載の機能メモリ装置。
【請求項１２】
中央処理ユニットと、該中央処理ユニットに対する主記憶用メモリと、機能メモリからなる機能メモリアクセス制御システムの制御方法であって、
前記中央処理ユニットと前記主記憶用メモリを接続するメモリバスに接続された前記機能メモリに対するアクセス要求を、前記中央処理ユニットより前記機能メモリに対し発行する発行工程と、
前記アクセス要求に対し、前記機能メモリが有する特定用途向けの処理部による処理の実行中の有無を示すステータス情報を、前記機能メモリより前記メモリバスを介して前記中央処理ユニットへ送信する送信工程と、
前記ステータス情報を、前記機能メモリより前記メモリバスを介して前記中央処理ユニットで受信する受信工程と、
前記受信工程で受信したステータス情報に基づいて、前記機能メモリへの前記アクセス要求を前記中央処理ユニットより再発行する再発行工程と
を備えることを特徴とする機能メモリアクセス制御システムの制御方法。
【請求項１３】
中央処理ユニットに対するメモリとして機能する機能メモリ装置の制御方法であって、
前記中央処理ユニットからのアクセス要求に応じて、前記機能メモリが有する特定用途向けの処理部による処理の実行中の有無を示すステータス情報を生成する生成工程と、
前記生成工程で生成したステータス情報を、前記中央処理ユニットと前記主記憶用メモリを接続するメモリバスを介して、該中央処理ユニットへ送信する送信工程と
を備えることを特徴とする機能メモリ装置の制御方法。
【請求項１４】
中央処理ユニットと、該中央処理ユニットに対する主記憶用メモリと、機能メモリからなる機能メモリアクセス制御システムの制御を実現するプログラムであって、
前記中央処理ユニットと前記主記憶用メモリを接続するメモリバスに接続された前記機能メモリに対するアクセス要求を、前記中央処理ユニットより前記機能メモリに対し発行する発行工程のプログラムコードと、
前記アクセス要求に対し、前記機能メモリが有する特定用途向けの処理部による処理の実行中の有無を示すステータス情報を、前記機能メモリより前記メモリバスを介して前記中央処理ユニットへ送信する送信工程のプログラムコードと、
前記ステータス情報を、前記機能メモリより前記メモリバスを介して前記中央処理ユニットで受信する受信工程のプログラムコードと、
前記受信工程で受信したステータス情報に基づいて、前記機能メモリへの前記アクセス要求を前記中央処理ユニットより再発行する再発行工程のプログラムコードと
を備えることを特徴とするプログラム。
【請求項１５】
中央処理ユニットに対するメモリとして機能する機能メモリ装置の制御を実現するプログラムであって、
前記中央処理ユニットからのアクセス要求に応じて、前記機能メモリが有する特定用途向けの処理部による処理の実行中の有無を示すステータス情報を生成する生成工程のプログラムコードと、
前記生成工程で生成したステータス情報を、前記中央処理ユニットと前記主記憶用メモリを接続するメモリバスを介して、該中央処理ユニットへ送信する送信工程のプログラムコードと
を備えることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
Ｈ２Ｎ−Ａｒ１  （１）
（式（１）中、Ａｒ１は、置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示す。）
で示される芳香族アミン化合物と、下記式（２）
Ｙ１−Ａｒ２−Ｙ２  （２）
（式（２）中、Ａｒ２は、置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示し、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、ヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子を示す。）
で示される芳香族ジハロゲン化合物とを、少なくとも１つの環状炭化水素基を有するリン含有配位子を有する金属触媒及び塩基性化合物の存在下で、不活性な溶媒中で反応させる工程を有することを特徴とする、下記式（３）
【化１】
2004143152.tif 000001
（式（３）中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＹ１は上記と同義である。）
で示されるハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項２】
前記式（１）が
【化２】
2004143152.tif 000002
（式（４）中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜８のいずれかよりなる置換または無置換のアルキル基、炭素数１〜８のいずれかよりなる置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールエーテル基、フッ素原子、炭素数１〜８のいずれかよりなるフッ化アルキル基、置換または無置換のアリールチオエーテル基、置換または無置換のピリジル基、または
【化３】
2004143152.tif 000003
［式（５）中、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示す。］
を示す。）
で示される芳香族アミン化合物である請求項１に記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項３】
前記式（２）が
【化４】
2004143152.tif 000004
（式（６）中、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜８のいずれかよりなる置換または無置換のアルキル基、炭素数１〜８のいずれかよりなる置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールエーテル基、炭素数１〜８のいずれかよりなるフッ化アルキル基、置換または無置換のアリールチオエーテル基、または、置換または無置換のピリジル基を示し、また、Ｒ１５〜Ｒ１６およびＲ１７〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素原子、置換または無置換のアルキレン基、置換または無置換のアルキリデン基、酸素原子、窒素原子、または、硫黄原子を介した結合により縮合多環構造あるいは複素環構造を形成してもよく、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、ヨウ素原子、臭素原子、または、塩素原子を示す。）
で示されるジハロゲン化芳香族化合物である請求項１または２に記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項４】
前記金属触媒が、少なくとも１つの環状炭化水素基を有するリン含有配位子を有するパラジウム錯体あるいはニッケル錯体のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項５】
前記環状炭化水素基が、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基、または、置換または無置換のシクロペンタジエニル基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項６】
前記金属触媒が、前記反応中に、反応系内で、パラジウム化合物あるいはニッケル化合物と、少なくとも１つの環状炭化水素基を有するリン含有配位子とから製造される錯体である請求項１〜５のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項７】
前記パラジウム化合物あるいはニッケル化合物が、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、Ｐｄ（Ａｃａ）２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｐｄ（ＮＯ２）Ｃｌ、（Ｃ１０Ｈ８Ｎ２）２ＰｄＣｌ２、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、ＰｄＣｌ２、Ｎｉ（ＯＡｃ）２、Ｎｉ（Ａｃａ）２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｎｉ（ＮＯ２）Ｃｌ、（Ｃ１０Ｈ８Ｎ２）２ＮｉＣｌ２、Ｎｉ２（ｄｂａ）３およびＮｉＣｌ２からなる群から選ばれる化合物である請求項６に記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項８】
前記塩基性化合物が、アルカリ金属アルコシキド、アルカリ土類金属アルコシキド、炭酸カリウムおよびリン酸三カリウムからなる群より選ばれる化合物である請求項１〜７のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項９】
前記式（２）及び（３）中のＹ１及びＹ２がそれぞれ臭素原子である請求項１〜８のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項１０】
前記反応時の反応温度が５０℃以上１５０℃以下である請求項１〜９のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【請求項１１】
前記リン含有配位子が、下記式（６−１０）、（６−１１）、（６−２３）、（６−２４）、（６−２５）、（６−２６）または（６−３１）
【化５】
2004143152.tif 000005
で示されるリン含有配位子である請求項１〜１０のいずれかに記載のハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者らは、上記課題の改善に鋭意検討した結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、下記式（１）
Ｈ２Ｎ−Ａｒ１  （１）
（式（１）中、Ａｒ１は、置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示す。）
で示される芳香族アミン化合物と、下記式（２）
Ｙ１−Ａｒ２−Ｙ２  （２）
（式（２）中、Ａｒ２は、置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示し、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、ヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子を示す。）
で示される芳香族ジハロゲン化合物とを、少なくとも１つの環状炭化水素基を有するリン含有配位子を有する金属触媒及び塩基性化合物の存在下で、不活性な溶媒中で反応させる工程を有することを特徴とする、下記式（３）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【化１】
2004143152.tif 000006
（式（３）中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＹ１は上記と同義である。）
で示されるハロゲン化芳香族アミン化合物の製造法である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
試験例
試験方法：実施例１、２、３、４、７、８及び９の点眼剤と表２に示した比較例１〜４の点眼剤を検体として用いた。スギ花粉を用いて感作したモルモット30匹を、スギ花粉惹起30分後の目のアレルギー症状が均等になるように１群８〜13匹に群分けした。各検体をモルモットの両眼に10μL点眼し、５分後にスギ花粉０．５ｍｇ（生食懸濁液10μＬ）を両目に点眼した。非点眼群は、スギ花粉のみ点眼した。スギ花粉投与後３０分後の角結膜の状態を肉眼的に観察した。なお、角結膜の状態の評価はDraize法に準じて、発赤を０〜２の３段階、浮腫を０〜４の５段階、分泌物を０〜３の４段階（トータルスコアー９）でスコアー化した。各状態の評価を下記に示す。このスコアーよりアレルギー症状の改善率（％）を下記式にて算出し、表３に示した。
改善率(%)＝100−［（点眼群のトータルスコアーの平均値）/（非点眼群のトータルスコアーの平均値）×100］
発赤
０：充血が全く認められない
１：結膜の一部に充血が認められる
２：結膜全体に充血が認められる
浮腫
０：浮腫が全く認められない
１：結膜の一部に軽い浮腫を認める
２：結膜全体に浮腫が認められる
３：浮腫が角膜の一部を覆っている
４：浮腫が角膜の半分以上を覆っている
分泌物
０：分泌物を認めない
１：明らかな涙液様の分泌物が認められる
２：粘性のある分泌物が認められる
３：分泌物が膜状になり眼瞼を覆っている
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【表３】
2004143154.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】イソキノリノン骨格を有する化合物またはその塩を含有することを特徴とするＪＮＫ阻害剤。
【請求項２】イソキノリノン骨格を有する化合物が４位に置換されていてもよいベンゼン環を有する１−イソキノリノン骨格を有する化合物である請求項１記載の剤。
【請求項３】イソキノリノン骨格を有する化合物が式
【化１】
2004143134.tif 000001
〔式中、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ置換されていてもよいベンゼン環を示し、Ｘは−Ｏ−、−Ｎ＝、−ＮＲ３−または−ＣＨＲ３−（Ｒ３は水素原子または置換されていてもよい炭化水素基を示すか、あるいは、Ｒ１と結合して３ないし８員環を形成していてもよい）を示し、Ｒ２は置換されていてもよいヒドロキシ基、置換されていてもよいチオール基、置換スルフィニル基、置換スルホニル基およびエステル化されていてもよいカルボキシル基から選ばれた置換基を有していてもよい炭化水素基、アシル基、エステル化あるいはチオエステル化されていてもよいカルボキシル基、置換されていてもよいカルバモイル基または置換されていてもよいアミノ基を示し、破線は一重結合または二重結合を示し、Ｘが−Ｏ−、−ＮＲ３−または−ＣＨＲ３−を示すとき、Ｒ１は水素原子、置換されていてもよい炭化水素基または置換されていてもよい複素環基を示し、Ｘが−Ｎ＝を示すとき、Ｒ１は置換されていてもよい二価の炭化水素基または置換されていてもよい二価の複素環基を示す。〕で表される化合物である請求項１記載の剤。
【請求項４】式
【化２】
2004143134.tif 000002
〔式中、環Ｂ’は２個以下の置換基を有していてもよいベンゼン環を示し、Ｘ’は−ＣＨ２−を示し、Ｒ１’は置換されていてもよいフェニル基または環構成炭素原子を介して結合する置換されていてもよい複素環基を示し、Ｒ２は置換されていてもよいヒドロキシ基、置換されていてもよいチオール基、置換スルフィニル基、置換スルホニル基およびエステル化されていてもよいカルボキシル基から選ばれた置換基を有していてもよい炭化水素基、アシル基、エステル化あるいはチオエステル化されていてもよいカルボキシル基、置換されていてもよいカルバモイル基または置換されていてもよいアミノ基を示し、Ｒ４は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよい複素環基、置換されていてもよいヒドロキシ基、置換されていてもよいチオール基、置換スルフィニル基、置換スルホニル基、置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいカルバモイル基またはエステル化されていてもよいカルボキシル基を示す。〕で表される化合物またはその塩。
【請求項５】Ｒ４がハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアミノ基である請求項４記載の化合物。
【請求項６】環Ｂ’がメタおよび／またはパラ位に置換基を有していてもよいベンゼン環である請求項４記載の化合物。
【請求項７】Ｒ２が置換されていてもよいヒドロキシ基で置換された炭化水素基、エステル化あるいはチオエステル化されていてもよいカルボキシル基、置換されていてもよいカルバモイル基、置換されていてもよいアミノ基またはアシル基である請求項４記載の化合物。
【請求項８】Ｒ２が置換されていてもよいフェニル基および置換されていてもよいピリジル基から選ばれた置換基で置換されていてもよいアルキルでエステル化あるいは置換されていてもよいピリジル基でチオエステル化されていてもよいカルボキシル基である請求項４記載の化合物。
【請求項９】Ｒ２がアシル基である請求項４記載の化合物。
【請求項１０】Ｒ２がＲＡＣＯ（ＲＡは水素原子、置換されていてもよい炭化水素基または置換されていてもよい複素環基を示す）である請求項４記載の化合物。
【請求項１１】ＲＡがＣ１−７アルキル基または式
【化３】
2004143134.tif 000003
〔式中、ＲＡ’はＣ１−５アルキル基またはエステル化されていてもよいカルボキシル基を示す。〕で表される基である請求項１０記載の化合物。
【請求項１２】Ｒ１’がメタおよび／またはパラ位に置換基を有するフェニル基である請求項４記載の化合物。
【請求項１３】Ｒ１’が環構成炭素原子を介して結合する置換されていてもよい含窒素複素環基である請求項４記載の化合物。
【請求項１４】含窒素複素環基が炭素原子および窒素原子から構成される含窒素複素環基である請求項１３記載の化合物。
【請求項１５】含窒素複素環基が芳香族含窒素複素環基である請求項１３記載の化合物。
【請求項１６】請求項４記載の化合物のプロドラッグ。
【請求項１７】請求項４または１６記載の化合物を含有することを特徴とする医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（７０）の表面から少なくとも１つの被覆膜（７４）を選択的に除去する電気化学的方法において、前記基板を電流が流れる組成物（３）の中に浸漬する工程から成り、前記組成物（３）は少なくとも１つのハロゲン化物塩又はその前駆物質を含む方法。
【請求項２】
前記ハロゲン化物塩は０．１Ｍから５Ｍの範囲内のレベルで存在している請求項１記載の方法。
【請求項３】
超合金基板（７０）から拡散プラチナ−アルミナイド被覆膜（７２、７４）の付加部分層（７４）を選択的に除去する電気化学的方法において、前記基板を直流電流が流れる組成物（３）に浸漬する工程から成り、
前記組成物（３）は少なくとも１つのハロゲン化物塩又はその前駆物質から成り、前記付加部分層（７４）が除去されている間、前記付加部分層（７４）と前記基板（７０）との間の拡散部分層（７２）は大きな影響を受けない方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化物塩は塩化ナトリウムである請求項３記載の方法。
【請求項５】
基板（７０）上に塗布された摩耗又は損傷した拡散アルミナイド被覆膜（７４）を交換する方法において、
（ｉ）前記基板（７０）を直流電流が流れ、少なくとも１つのハロゲン化物塩又はその前駆物質を含む組成物（３）に浸漬することにより、摩耗又は損傷した被覆膜（７４）を電気化学的に除去する工程と、
（ｉｉ）次に、前記基板（７０）上に新たな被覆膜を塗布する工程から成る方法。
【請求項６】
前記拡散アルミナイド被覆膜（７２、７４）は前記基板（７０）上に位置する拡散部分層（７２）と、前記拡散部分層（７２）の上に位置する付加部分層（７４）とを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
基板から拡散アルミナイド被覆膜を選択的に除去するための電気化学的剥離組成物（３）において、前記組成物は、０．１Ｍから５Ｍの範囲の濃度で前記組成物中に存在している少なくとも１つのハロゲン化物塩を含む電気化学適剥離組成物。
【請求項８】
抑制剤、拡散剤、界面活性剤、湿潤剤、安定剤、沈降防止剤及びｐＨ緩衝剤より成る群から選択された少なくとも１つの添加剤を更に含む請求項７記載の電気化学的剥離組成物。
【請求項９】
基板（６）から拡散アルミナイド被覆膜を電気化学的に除去する装置（１）において、
（ａ）少なくとも１つのハロゲン化物塩又はその前駆物質を含む電解質（３）と、
（ｂ）被覆された基板（６）及び電極（４、５）に接続されることが可能である直流（ＤＣ）電源（１０）と、
（ｃ）前記電源（１０）が前記電解質（３）を介して前記被覆された基板に電流を印加することができる少なくとも１つの電極（４、５）とを具備する装置。
【請求項１０】
前記基板（６）はタービンエンジン構成要素である請求項９記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル系超合金又はコバルト系超合金を含有する基材からアルミノケイ酸塩系物質を除去する方法であって、化学式ＨXＡＦ6（式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、及びＧａからなる群から選択され、ｘは１−６である）を有する少なくとも１つの酸又は前記酸の前駆物質を含有する水性組成物に前記アルミノケイ酸塩系物質を接触させる段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アルミノケイ酸塩系物質が、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、及び酸化ケイ素を含有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アルミノケイ酸塩系物質が、約５重量％から約３５重量％の酸化カルシウム、約２重量％から約３５重量％の酸化マグネシウム、約５重量％から約１５重量％の酸化アルミニウム、及び約５重量％から約５５重量％の酸化ケイ素を含有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基材がジルコニア系断熱皮膜によって覆われた超合金基材であり、
水性組成物がＨ2ＳｉＦ6又はＨ2ＺｒＦ6の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記超合金が、タービンエンジンの部品であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
４５℃から９０℃の範囲に保持された前記水性組成物の液浴中に前記基材を浸漬することによって処理が行われ、
前記基材が、液浴内に浸漬されている間に前記組成物がかき混ぜられ又はかき回され、前記液浴内のＨ2ＳｉＦ6又はＨ2ＺｒＦ6の濃度（合計）が、０．２Ｍから３．５Ｍであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記水性組成物が腐食抑制剤を含み、前記組成物中の酸性フッ化塩の量は前記セラミック皮膜を侵食するのに十分な量であり、前記組成物中の前記腐食抑制剤の量は前記酸性フッ化塩による侵食から前記金属性基材を保護するのに十分な量であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記セラミック皮膜が、ジルコニアを含有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基材からアルミノケイ酸塩系物質を除去する、請求項１に記載の方法のための水性剥離用組成物であって、化学式ＨXＡＦ6（式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、及びＧａからなる群から選択され、ｘは１−６である）を有する、少なくとも１つの酸又は前記酸の前駆物質を含有し、前記酸が、前記組成物中に０．５Ｍから３．５Ｍの濃度で存在することを特徴とする組成物。
【請求項１０】
前記酸が、Ｈ2ＳｉＦ6、Ｈ2ＺｒＦ6、及びＨ2ＳｉＦ6とＨ2ＺｒＦ6との化合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項９に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
便器の背面部に形成された排水口を接続する便器接続部と、排水管を接続する排水管接続部と、前記便器を固定する便器固定ボルトを係止する基部とを有し、前記便器接続部の上下方向の軸心位置が前記排水管接続部のそれよりも上方に位置して壁部に配設される排水ソケット本体と、
前記便器接続部に取り付けられ前記排水口の外周部に密接して内嵌装する開口部とこの開口部の外側で前記便器接続部に装着するための装着部とを有する弾性ジョイントと、を備え、
前記便器に前記便器固定ボルトと対向する位置に貫通孔が設けられ、前記排水ソケット本体に前記便器固定ボルトを係止し、前記排水口を前記開口部に嵌装する共に前記便器固定ボルトを前記貫通孔に挿入した後、ナットを前記便器固定ボルトに螺合して前記便器を前記排水ソケット本体に固定することを特徴とする壁排水便器と排水管との接続構造。
【請求項２】
前記貫通孔が上下方向に長径の長孔であることを特徴とする請求項１に記載の壁排水便器と排水管との接続構造。
【請求項３】
前記弾性ジョイントが前記開口部の外側部であって前記装着部との間に伸縮可能な蛇腹部を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の壁排水便器と排水管との接続構造。
【請求項４】
前記弾性ジョイントに設けられた前記蛇腹部は、この弾性ジョイントの開口部近傍とは異なる材料によって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の壁排水便器と排水管との接続構造。
【請求項５】
前記開口部を支持する形状保持筒を設け、この形状保持筒は前記便器接続部に当接して移動可能であることを特徴とする請求項３又は４に記載の壁排水便器と排水管との接続構造。
【請求項６】
前記排水ソケット本体の前記排水管接続部側に、前記排水管と固定され壁に取り付けられたフランジと、このフランジと前記排水ソケット本体とを固定するための排水ソケット固定ボルトとを収容する収容空間部を設けて、前記排水ソケット固定ボルトの螺子部の一部を前記収容空間部から前記便器側に突出させ、前記収容空間部内で前記排水管の開口端部にシール材を配設し、前記排水ソケット固定ボルトにナットを螺合して前記排水ソケット本体を固定することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の壁排水便器と排水管との接続構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の壁排水便器と排水管との接続構造は、便器の背面部に形成された排水口を接続する便器接続部と、排水管を接続する排水管接続部と、前記便器を固定する便器固定ボルトを係止する基部とを有し、前記便器接続部の上下方向の軸心位置が前記排水管接続部のそれよりも上方に位置して壁部に配設される排水ソケット本体と、前記便器接続部に取り付けられ前記排水口の外周部に密接して内嵌装する開口部とこの開口部の外側で前記便器接続部に装着するための装着部とを有する弾性ジョイントと、を備え、前記便器に前記便器固定ボルトと対向する位置に貫通孔が設けられ、前記排水ソケット本体に前記便器固定ボルトを係止し、前記排水口を前記開口部に嵌装する共に前記便器固定ボルトを前記貫通孔に挿入した後、ナットを前記便器固定ボルトに螺合して前記便器を前記排水ソケット本体に固定することを特徴とする。
便器接続部には弾性ジョイントが取り付けられ便器の排水口の外周部に密接して内嵌装することにより、便器を取外すときにシール材が便器や壁フランジに付着することがなく、再び取付ける際にも別途シール材を手配する必要がない。
また、排水ソケット本体に便器を固定する便器固定ボルトを係止し、便器に便器固定ボルトと対向する位置に貫通孔を設け、便器の排水口を弾性ジョイントの開口部に嵌装する共に便器固定ボルトを前記貫通孔に挿入した後、ナットを前記便器固定ボルトに螺合することにより容易に便器を排水ソケットに固定でき、前記排水口と排水管とを連絡させてシール性を確保するために便器を排水ソケット本体に対して強固に固定する必要がない。
また、前記便器接続部の上下方向の軸心位置が前記排水管接続部のそれよりも上方に位置しているため、便器の排水口と弾性ジョイントとのシール部に常時水が溜まらず、弾性ジョイントが劣化した場合でも、前記シール部からの漏水を最小限の抑制することが可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【発明の効果】
本発明の請求項１の扉錠によれば、外筒と該外筒のサムターン軸嵌挿孔に嵌挿されたサムターン軸とを備えたサムターン装置と、サムターン装置の操作により作動される錠杆とを少なくとも備えた扉錠において、前記サムターン装置の外筒とサムターン軸の一方又は両方には サムターン軸 が傾動しない状態時にはサムターン軸は解錠方向に回動可能であり、サムターン軸が傾動した状態時には、サムターン軸の解錠方向への回動を阻止する回動阻止装置を設けているから、針金や紐等の不正解錠用の道具によっても、サムターン装置のサムターン軸を解錠方向に回動することができないため、簡単な構成で、不正解錠されない防犯効果に強い扉錠が提供できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
請求項５の扉錠用のサムターン装置によれば、サムターン装置の外筒とサムターン軸の一方又は両方には、サムターン軸が傾動しない状態時にはサムターン軸をサムターン軸嵌挿孔の中心位置に保持するための中心位置保持装置が設けてあるから、不正解錠用の道具によらない正常の解錠操作時には、何ら支障なく解錠することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）熱可塑性ポリマー；
ｂ）
【化１】
2004143457.tif 000001
及び
【化２】
2004143457.tif 000002
の縮合生成物（式中、Ｒ101及びＲ102は、独立して水素原子又は炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表わす。）；
ｃ１）紫外線吸収剤；又は
ｃ２）式
【化３】
2004143457.tif 000003
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表わす。）で表わされる基を少なくとも１つ含む立体障害性アミン；または
ｃ３）紫外線吸収剤及び式
【化４】
2004143457.tif 000004
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表わす。）で表わされる基を少なくとも１つ含む立体障害性アミン
を含む、温室及び小さいトンネルカバーのためのフィルム、日除けネット及びスクリーンのためのフィルム又はフィラメント、根囲いフィルム、若い植物の保護のための不織布又は成形品の形状での農業用途のためのポリマー組成物。
【請求項２】
前記紫外線吸収剤が、ベンゾトリアゾール紫外線吸収剤、ベンゾフェノン紫外線吸収剤、ヒドロキシフェニルトリアジン紫外線吸収剤及び蓚酸アニリド紫外線吸収剤又はそれらの混合物からなる群から選択される請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項３】
縮合生成物が、式（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）
【化５】
2004143457.tif 000005
で表わされるものである請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項４】
フェノール系抗酸化剤、ホスフィット又はホスホナイト、更なる蛍光染料又は顔料、加工助剤、充填剤又は強化剤及び防曇剤からなる群から選択される更なる添加剤を含む請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項５】
請求項１記載の熱可塑性ポリマー組成物の陰又は下で、植物を化学線へ曝露することを含む植物の成長を増進する方法。
【請求項６】
温室及び小さいトンネルカバーのためのフィルム、日除けネット及びスクリーンのため
のフィルム又はフィラメント、根囲いフィルム、若い植物の保護のための不織布又は成形品の形状での農業用途のための熱可塑性ポリマー中の植物成長増進添加剤としての、紫外線吸収剤；又は式
【化６】
2004143457.tif 000006
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表わす。）で表わされる基を少なくとも１つ含む立体障害性アミン；または
紫外線吸収剤及び式
【化７】
2004143457.tif 000007
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表わす。）で表わされる基を少なくとも１つ含む立体障害性アミンと一緒での、
【化８】
2004143457.tif 000008
及び
【化９】
2004143457.tif 000009
（Ｒ101及びＲ102は、独立して水素原子又は炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされる縮合生成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記無線型被検体内情報取得装置は、外部を照明する照明手段をさらに備え、
前記取込手段は、前記照明手段の点灯期間または非点灯期間のいずれかの期間における前記被検体外および前記被検体内の画像を取り込み、
前記供給制御手段は、前記検出された光量の検出結果から、前記取り込まれた画像が前記被検体外または前記被検体内の画像か判断し、該判断に基づいて前記通信手段への電力供給を行うことを特徴とする請求項３に記載の無線型被検体内情報取得装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項４の発明は、前記無線型被検体内情報取得装置は、外部を照明する照明手段をさらに備え、前記取込手段は、前記照明手段の点灯期間または非点灯期間のいずれかの期間における前記被検体外および前記被検体内の画像を取り込み、前記供給制御手段は、前記検出された光量の検出結果から、前記取り込まれた画像が前記被検体外または前記被検体内の画像か判断し、該判断に基づいて前記通信手段への電力供給を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
発明５に係るハンドル組立体は、発明１から４のいずれかのハンドル組立体において、アーム本体は、曲げ加工することにより形成されている。この場合、アーム本体を曲げ加工により任意の形状に湾曲できる。