【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の薄膜トランジスタが配列された薄膜トランジスタアレイ基板を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、列方向、若しくは行方向のうち少なくとも一方向に一列に並ぶ複数の薄膜トランジスタの同一電気信号下における電気的特性が、各々の薄膜トランジスタが形成されている位置に依存して周期的に変動することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
複数の薄膜トランジスタが配列された薄膜トランジスタアレイ基板を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、列方向、若しくは行方向のうち少なくとも一方向に一列に並ぶ複数の薄膜トランジスタの同一電気信号下におけるオン電流値が、各々の薄膜トランジスタが形成されている位置に依存して周期的に変動することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
複数の薄膜トランジスタが配列された薄膜トランジスタアレイ基板を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、列方向、若しくは行方向のうち少なくとも一方向に一列に並ぶ複数の薄膜トランジスタのそれぞれを構成している半導体膜の結晶性が、各々の薄膜トランジスタが形成されている位置に依存して周期的に変化していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記表示装置は、発光素子を備えた表示装置であり、
前記複数の薄膜トランジスタは発光素子駆動用の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
発光素子駆動用の複数の薄膜トランジスタ及び駆動回路用の複数の薄膜トランジスタが配列された薄膜トランジスタアレイ基板を有し、
前記発光素子駆動用の複数の薄膜トランジスタのうち、列方向、若しくは行方向のうち少なくとも一方向に一列に並ぶ複数の薄膜トランジスタの同一電気信号下における電気的特性が、各々の薄膜トランジスタが形成されている位置に依存して周期的に変動することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
発光素子駆動用の複数の薄膜トランジスタ及び駆動回路用の複数の薄膜トランジスタが配列された薄膜トランジスタアレイ基板を有し、
前記発光素子駆動用の複数の薄膜トランジスタのうち、列方向、若しくは行方向のうち少なくとも一方向に一列に並ぶ複数の薄膜トランジスタの同一電気信号下におけるオン電流値が、各々の薄膜トランジスタが形成されている位置に依存して周期的に変動することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
発光素子駆動用の複数の薄膜トランジスタ及び駆動回路用の複数の薄膜トランジスタが配列された薄膜トランジスタアレイ基板を有し、
前記発光素子駆動用の複数の薄膜トランジスタのうち、列方向、若しくは行方向のうち少なくとも一方向に一列に並ぶ複数の薄膜トランジスタのそれぞれを構成している半導体膜の結晶性が、各々の薄膜トランジスタが形成されている位置に依存して周期的に変化していることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の表示装置を搭載したビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、デジタルカメラまたは携帯電話。
【請求項９】
レーザー光のエネルギー密度を変化させながらレーザー光を照射することにより、結晶性の異なる領域が周期的に繰り返すように設けられた結晶質半導体膜を形成する工程を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
線状に整形された第１のレーザー光の短軸方向に、前記第１のレーザー光を第１の半導体膜に部分的に照射することにより、前記第１のレーザー光が照射された複数の領域が周期的間隔をもつように設けられた第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜全体に、線状に整形された第２のレーザー光を照射し、前記第１のレーザー光と前記第２のレーザー光の両方が照射された第１の領域と、前記第２のレーザー光のみが照射された第２の領域とが周期的に繰り返すように設けられた第３の半導体膜を形成する工程と
を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
線状に整形されたパルスレーザー光である第１のレーザー光の短軸方向に、前記第１のレーザー光を第１の半導体膜に部分的に照射することにより、前記第１のレーザー光が照射された複数の領域が周期的間隔をもつように設けられた第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜全体に、線状に整形されたパルスレーザー光である第２のレーザー光を照射し、前記第１のレーザー光と前記第２のレーザー光の両方が照射された第１の領域と、前記第２のレーザー光のみが照射された第２の領域とが周期的に繰り返すように設けられた第３の半導体膜を形成する工程と
を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の半導体膜全体に、線状に整形された第１のレーザー光を照射して第２の半導体膜を形成する工程と、
線状に整形された第２のレーザー光を前記第２の半導体膜に部分的に照射することにより、前記第１のレーザー光と前記第２のレーザー光の両方が照射された第１の領域と、前記第１のレーザー光のみが照射された第２の領域とが周期的に繰り返すように設けられた第３の半導体膜を形成する工程と
を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
第１の半導体膜全体に、線状に整形されたパルスレーザー光である第１のレーザー光を照射して第２の半導体膜を形成する工程と、
線状に整形されたパルスレーザー光である第２のレーザー光を前記第２の半導体膜に部分的に照射することにより、前記第１のレーザー光と前記第２のレーザー光の両方が照射された第１の領域と、前記第１のレーザー光のみが照射された第２の領域とが周期的に繰り返すように設けられた第３の半導体膜を形成する工程と
を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
窒素雰囲気中で前記第３の半導体膜に第３のレーザー光を照射し、前記第３の半導体膜表面を平坦化する工程を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜は、非晶質半導体膜に触媒金属元素を添加後、加熱処理を行うことにより形成した結晶質半導体膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、レジストマスク１５３０、１５３１および導電性膜１５１５ｂ、１５１７ｂをマスクとして高濃度のｐ型不純物の不純物添加を行う。レジストマスク１５３０は半導体膜１５０２ａおよびゲート電極１５１４を覆うように、レジストマスク１５３１は半導体膜１５０２ｃおよびゲート電極１５１６を覆うように形成されている。本実施例では、半導体膜１５０２ｂ、１５０２ｄのうち上に導電性膜１５１５ａ、１５１７ａが形成されていない部分に１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の高濃度のボロンを添加されるようにし、ソース（或いは、ドレイン）１５２８ａ、１５２８ｂを形成した。同時に、半導体膜１５０２ｂ、１５０２ｄのうち上に導電性膜１５１５ａ、１５１７ａが形成されている部分には１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の低濃度のボロンが添加されるようにし、低濃度不純物領域１５２９ａ、１５２９ｂを形成した。本実施例では、ｐ型不純物としてボロンを用いているが、これに限らず他のものでもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
まずＴＦＴアレイ基板を作製する方法について説明する。なお、本実施例では、ＴＦＴアレイ基板として、ｎチャネル型およびｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ、画素ＴＦＴを備えたものを作製する。