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【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程途中において、欠陥部のＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも１回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整するものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項２】  請求項１において、計測工程は、触針方式による計測あるいはレーザ測定方式による計測であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項３】  有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程において、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析し、飛散物質が電極形成用膜の材質成分のみから、その下層の材質成分のみに変わった時点をレーザ照射による修正の終点とするものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正方法であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項６】  請求項１ないし５のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項７】  有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正装置であって、電極形成用膜からなる欠陥部の、ＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測するための深さ計測用ヘッド、およびまたは、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析するための飛散物質検出用ヘッドを備えていることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項８】  請求項７において、深さ計測用ヘッドは、触針方式により計測を行うものあるいはレーザ測定方式により計測を行うものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項９】  請求項７または８に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、前記透明導電膜からなる電極を配設した被加工用の有機ＥＬパネル用基板をステージ上に載置し、レーザを照射するレーザ照射ヘッドと、深さ計測用ヘッドおよびまたは飛散物質検出用ヘッドとは一体的に構成され、前記被加工用の有機ＥＬパネル用基板と、相対的にＸ−Ｙ移動されるものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項１０】  請求項７ないし９のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項１１】  請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正を修正対象とすることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項１２】  請求項７ないし１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正方法であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置は、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正装置であって、電極形成用膜からなる欠陥部の、ＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測するための深さ計測用ヘッド、およびまたは、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析するための飛散物質検出用ヘッドを備えていることを特徴とするものである。
そして、上記において、深さ計測用ヘッドは、触針方式により計測を行うものあるいはレーザ測定方式により計測を行うものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、前記透明導電膜からなる電極を配設した被加工用の有機ＥＬパネル用基板をステージ上に載置し、レーザを照射するレーザ照射ヘッドと、深さ計測用ヘッドおよびまたは飛散物質検出用ヘッドとは一体的に構成され、前記被加工用の有機ＥＬパネル用基板と、相対的にＸ−Ｙ移動されるものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正を修正対象とすることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とするものである。
尚、上記本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置においては、飛散物質検出用ヘッドによりレーザ照射時に飛散する飛散物質を分析する方式により計測を行い、飛散物質が電極形成用膜の材質成分のみから、その下層の材質成分のみに変わった時点をレーザ照射による修正の終点とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する反応室内に、第１の反応ガスと第２の反応ガスとを交互に供給し、該基板上に所望の膜を成膜する基板処理装置であって、
該反応室内への該第１の反応ガスの供給を停止した後に、該第２の反応ガスを該反応室内に供給することで、該第１の反応ガスを排出させる工程と、その後、第２の反応ガスを該基板上に吸着している該第１の反応ガスと反応させて該基板上に膜を成膜させる工程とが実行されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記成膜の工程では、励起された前記第２の反応ガスを前記反応室内へ供給し、
前記排出の工程では、励起されていない前記第２の反応ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を収容する反応室内に、第１の反応ガスとプラズマ放電により励起した第２の反応ガスとを交互に供給し、該基板上に所望の膜を成膜する基板処理装置であって、
プラズマ放電を行う放電領域に前記第２の反応ガスを流す際に、プラズマ放電を行うよりも前に前記放電領域に前記第２の反応ガスを流すことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  窒化物半導体からなる積層体の一方の主面にｐ電極を形成する一方、他方の主面にｎ電極を形成し、両電極を対向配置してなる窒化物半導体素子であって、
上記の他方の主面がｎ型窒化物半導体層の（０００−１）面であり、上記ｎ電極が、該（０００−１）面に接しｎ型不純物を含む合金層を有する窒化物半導体素子。
【請求項２】  上記ｎ型窒化物半導体層に含まれるｎ型不純物が、上記合金層に含まれるｎ型不純物と同じであり、該ｎ型不純物がＳｉ又はＧｅである請求項１記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】  上記合金層を構成する金属が、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｐｔ及びＷからなる群から選択された少なくとも１種の金属である請求項１または２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】  対向する二つの主面を有する導電性基板の一方の主面上に、ｐ電極、複数の窒化物半導体層からなる積層体、そしてｎ電極が積層されてなる窒化物半導体素子の製造方法であって、
対向する二つの主面を有する絶縁性成長用基板の一方の主面上に、少なくとも、ｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層と、を成長させて接合用積層体を形成し、
上記ｐ型窒化物半導体層の上に１層以上の金属層から成る第１の接合層を設ける一方、上記導電性基板の一方の主面上に１層以上の金属層から成る第２の接合層を設け、
第１の接合層と第２の接合層とを対向させ、上記接合用積層体と上記導電性基板とを加熱圧接して接合し、
上記接合用積層体の絶縁性成長用基板を除去して、ｎ型窒化物半導体層を露出せしめ、
ｎ型不純物を含み上記露出させたｎ型窒化物半導体層に接する合金層を有するｎ電極を形成する窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】  上記第１の接合層と上記第２の接合層が、それぞれ第１の共晶形成層と第２の共晶形成層を有し、第１及び第２の共晶形成層を構成する金属が互いに拡散して共晶を形成する請求項４記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】  上記絶縁性成長用基板の一方の主面に接して、ＧａｅＡｌ１−ｅＮ（０＜ｅ≦１）から成るバッファ層と、アンドープのＧａＮ及びｎ型不純物をドープしたＧａＮのいずれかから成る高温成長層と、を含む下地層を設け、上記絶縁性成長用基板を除去後、上記バッファ層及び高温成長層を除去する請求項４又は５に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】  上記第１の接合層は、ｐ電極側から順に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかの金属と、ＰｔあるいはＷからなる金属と、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｉｎの金属からなる共晶形成層とを含むことを特徴とする請求項４から６のいずれか一つに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】  上記ＰｔあるいはＷからなる金属と共晶形成層との間にＡｕを設けることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項９】  上記ｎ電極の合金層は、ｎ型不純物としてＳｉ又はＧｅを含み、かつ、構成する金属が、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｐｔ及びＷからなる群から選択された少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項４から８のいずれか一つに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の素子は、上記ｎ型窒化物半導体層に含まれるｎ型不純物が、上記合金層に含まれるｎ型不純物と同じであり、該ｎ型不純物がＳｉ又はＧｅである。これにより、良好なオーミック接触を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、合金層を構成する金属には、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｐｔ及びＷからなる群から選択された少なくとも１種の金属を用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の製造方法では、絶縁性成長用基板の一方の主面に接して、ＧａｅＡｌ１−ｅＮ（０＜ｅ≦１）から成るバッファ層と、アンドープのＧａＮ及びｎ型不純物をドープしたＧａＮのいずれかから成る高温成長層と、を含む下地層を設け、上記絶縁性成長用基板を除去後、上記バッファ層及び高温成長層を除去することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の製造方法では、上記第１の接合層は、ｐ電極側から順に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかの金属と、ＰｔあるいはＷからなる金属と、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｉｎの金属からなる共晶形成層とを含むことができ、また、ＰｔあるいはＷからなる金属と共晶形成層との間にＡｕを設けることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の製造方法では、上記ｎ電極の合金層は、ｎ型不純物としてＳｉ又はＧｅを含み、かつ、構成する金属が、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｐｔ及びＷからなる群から選択された少なくとも１種の金属とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
加熱機構５００は、被処理体１００を所定の温度で加熱するものである。加熱機構５００は、たとえば被処理体１００をラピッドサーマルアニール法によって熱処理する場合には、ハロゲンランプや電子ビームを用いることができる。図示の例では、複数のハロゲンランプ５１０がチャンバ２００の下に設けられている。ハロゲンランプは、チャンバ２００の上にも設けられていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本実施の形態においては、前記被処理体は、前記所定温度（例えば４５０〜８００℃）まで好ましくは５０℃／秒以上、より好ましくは１００〜３００℃／秒の昇温速度で加熱されることができる。このように高い昇温速度でチャンバ内速やかに所定温度にすることにより、セラミックスの配向性を制御することがきる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
各サンプルについてXRDパターンを求めたところ、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示す結果が得られた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図３（Ａ）から、サンプル1では、目的とする(111)単一配向のＰＺＴ膜が得られたことが確認された。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３（Ｂ）から、サンプル２では、常誘電体パイロクロア相を含む（001）配向のＰＺＴ膜が得られたことが確認された。サンプル２は、昇温速度が４０℃/秒であってサンプル１の昇温速度（５０℃/秒）よりも遅いため、サンプル１と異なる配向のＰＺＴ膜となったものと考えられる。また、サンプル２は、酸素の圧力が５気圧であってサンプル１の圧力（９．９気圧）より低いため、Pbの蒸発を抑制する効果が小さく、その結果、若干、常誘電体パイロクロア相を含んだものと考えられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図３（Ｃ）から、サンプル３では、常誘電パイロクロア相のみであることが確認された。サンプル３は、導入酸素温度が−２０℃と低いため、被処理体の表面温度が断熱膨張によりさらに低くなったこと、また、チャンバ内の酸素圧力が１気圧と低いため、Pbの蒸発をほとんど抑制することができず、その結果、常誘電パイロクロア相が得られたものと考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、全てのサンプル上に直径１００・香A厚さ１００ｎｍのPt上部電極を形成した後、強誘電特性（ヒステリシス）を測定したところ、サンプル１および２のみが特性を得ることができた。この結果を図４（Ａ），（Ｂ）に示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図４（Ａ）から、サンプル1のみ、良好なヒステリシス特性を有することが確認された。図４（Ｂ）から、サンプル２は、（001）配向膜であることから、角型性および飽和特性の点でサンプル１に劣るヒステリシス特性を有することが確認された。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004281900.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機樹脂材料からなる第１の基板と、
有機樹脂材料からなる第２の基板と、
発光素子を有する画素部と、
半導体集積回路と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間の第１の接着層と、
前記第１の基板と前記画素部の間の第２の接着層と、
前記第２の基板と前記半導体集積回路の間の第３の接着層とを有し、
前記半導体集積回路の端子電極と前記第１の基板上の端子電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
有機樹脂材料からなる第１の基板と、
有機樹脂材料からなる第２の基板と、
発光素子を有する画素部と、前記画素部に信号を入力する駆動回路部とを有する表示部と、
半導体集積回路と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間の第１の接着層と、
前記第１の基板と前記画素部及び前記駆動回路部の間の第２の接着層と、
前記第２の基板と前記半導体集積回路の間の第３の接着層と、
前記半導体集積回路の端子電極と前記第１の基板上の端子電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
有機樹脂材料からなる第１の基板と、
有機樹脂材料からなる第２の基板と、
発光素子を有する画素部と、前記画素部に信号を入力する駆動回路部とを有する表示部と、
前記表示部に信号を出力する半導体集積回路と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間の第１の接着層と、
前記第１の基板と前記画素部及び前記駆動回路部の間の第２の接着層と、
前記第２の基板と前記半導体集積回路の間の第３の接着層と、
前記半導体集積回路の端子電極と前記第１の基板上の端子電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子からの発光を前記第１の基板を透過させて外部に出し、前記画素部は表示を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記発光素子からの発光を前記第１の基板を透過させて外部に出し、前記画素部は表示を行い、
前記半導体集積回路は、前記駆動回路部または前記画素部と一部重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子からの発光を前記第２の基板を透過させて外部に出し、前記画素部は表示を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子からの発光を前記第２の基板を透過させて外部に出し、前記画素部は表示を行い、
前記半導体集積回路は、前記画素部と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
シール材を有し、前記シール材は、前記画素部、前記駆動回路部、及び前記半導体集積回路を囲い、且つ前記第１の基板と前記第２の基板を接着するように設けられ、
前記シール材で囲まれた領域は前記第１の接着層で充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の接着層は、前記画素部、前記駆動回路部、及び前記半導体集積回路を囲い、且つ前記第１の基板と前記第２の基板を接着するように設けられ、
前記第１の接着層で囲まれた領域は不活性気体で充填され、且つ、乾燥材が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記シール材は導電性を有し、
前記シール材によって、前記半導体集積回路の端子電極と前記第１の基板上の端子電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記第１の接着層は導電性を有し、
前記第１の接着層によって、前記半導体集積回路の端子電極と前記第１の基板上の端子電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記半導体集積回路は、制御部と演算部とからなる中央処理部と、記憶部とを有し、前記中央処理部は、複数の薄膜トランジスタを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記第２の基板は、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、またはポリフタールアミドからなる合成樹脂中に低融点金属とセラミックスとが混合されたフィルムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、カード、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
第１の基板上に半導体集積回路を含む被剥離層を形成し、前記半導体集積回路を含む被剥離層を第１の基板から剥離し、前記半導体集積回路を含む被剥離層を第２の基板に接着する工程と、
第３の基板上に画素部を含む被剥離層を形成し、前記画素部を含む被剥離層を第３の基板から剥離し、前記画素部を含む被剥離層を第４の基板に接着する工程と、
前記第１の基板から剥離され前記第２の基板に接着された前記半導体集積回路を含む被剥離層と、前記第３の基板から剥離され前記第４の基板に接着された前記画素部を含む被剥離層とを貼り合わせ、前記半導体集積回路の端子電極と前記第４の基板上の端子電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第２の基板および前記第４の基板は有機樹脂材料からなる基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜４記載の電極を用いる有機電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、上記の問題点を解決すべく、グラファイト等の炭素材料を負極に用い、正極にＬｉＣｏＯ２等のリチウム含有金属酸化物を用いた電池が提案されている。この電池は、電池組立後、充電することにより正極のリチウム含有金属酸化物から負極にリチウムイオンを供給し、更に放電では負極のリチウムイオンを正極に戻すという、いわゆるロッキングチェア型電池であり、負極に金属リチウムを使用せずリチウムイオンのみが充放電に関与することから、リチウムイオン二次電池と呼ばれている。この電池は、高電圧及び高容量であり、金属リチウムを用いるリチウム電池よりも高い安全性を有することを特徴としているが、安全性については、さらに向上させることが求められている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、ゲル電解質を用いた有機電解質電池においても大量のリチウムイオンを吸蔵・放出可能な電極を提供することにある。また、本発明の他の課題は、充放電の繰り返し性能に優れ、かつ、安全性、信頼性を満足できる電極を提供することにある。更に、本発明の他の目的は、上記電極を用いた有機電解質電池を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記芳香族系縮合ポリマ−としては、上記のフェノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物の一部をフェノール性水酸基を有さない芳香族炭化水素化合物、例えばキシレン、トルエン、アニリン等で置換した変成芳香族系縮合ポリマー、例えばフェノールとキシレンとホルムアルデヒドとの縮合物を用いることもできる。更に、メラミン、尿素で置換した変成芳香族系ポリマーを用いることもでき、フラン樹脂も好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ＰＶｄＦ−ＨＦＰパウダーとエチレンカーボネート（ＥＣ）とジエチルカーボネート（ＤＥＣ）を体積比で２：３に混合した有機溶媒に過塩素酸リチウムを溶解させて１ｍｏｌ／ｌに調製した電解液を混合し、ＰＡＳ粉を加え、さらにＮ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰと表記する。）を添加してスラリーを作成した。各組成はＰＡＳ：ＰＶｄＦ−ＨＦＰ：電解液：ＮＭＰ＝４：１：４：１０とした。混合したスラリーを銅箔上に塗布し、４００ｍｍＨｇの圧力下で約４時間、７０℃にて加熱することにより電極が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（セル特性評価）
上記セル１〜４において、０．１ｍＡ／ｃｍ２の定電流でセル電圧が−０．０１Ｖになるまで充電し、その後−０．０１Ｖの定電圧を印加する定電流−定電圧充電を行い、充電容量が１０００ｍＡｈ／ｇになるまで行った。次いで、０．１ｍＡ／ｃｍ２の定電流でセル電圧が２．５Ｖになるまで放電した。この−０．０１Ｖ／２．５Ｖのサイクルを繰り返し、１回目と３回目の放電容量を比較した結果を表１に示す。ただし、２回目、３回目の充電容量は６００ｍＡｈ／ｇとした（ここではＰＡＳへのリチウムイオンの挿入が充電、ＰＡＳからリチウムイオンの脱離が放電と定義する）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
セル３（実施例３）のようにバインダーとしてＰＶｄＦを用いたＰＡＳ電極においてゲル電解質を用いても、電極をあらかじめ電解液に含浸させることによりＰＶｄＦがゲル化しているため、初期の放電容量は大きかった。充放電を繰り返すことにより、若干容量劣化が見られたものの実施可能なものであった。しかしながら、ゲル電解質含有ＰＡＳ電極を用いたセル１（実施例１）とセル２（実施例２）はゲル電解質を用いた系においても、黒鉛の理論容量である３７２ｍＡｈ／ｇを越える容量の繰り返し充放電が可能であった。これらセル１とセル２は、外装ケースの封止が不充分であるにもかかわらず、電解液が流れ出すことはなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
含フッ素化合物の容器基質との反応による溶着を抑制するため、上記セラミックス被覆層は、含フッ素化合物との化学反応性が低いスピネル，マグネシア，ジルコニアおよびアルミナの少なくとも１種からなることが好ましい。アルミナとしては、リチウムやフッ素との化学的反応性の乏しいαアルミナが最適である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の厚さを有する第１の基板部分と、
前記第１の基板部分を部分的に囲む前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の基板部分と、を備えた半導体基板。
【請求項２】
第１の厚さを有する第１の基板部分と、
前記第１の基板部分を囲む前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の基板部分と、を備え、
前記第１の基板部分の表面とつながる前記第２の基板部分の面は、前記第１の基板部分の表面との間で鈍角を形成することを特徴とする半導体基板。
【請求項３】
第１の厚さを有する第１の基板部分と、
前記第１の基板部分の両面が凹面となるように前記第１の基板部分を囲む、前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の基板部分と、
を備えた半導体基板。
【請求項４】
第１の厚さを有する第１の基板部分と第２の厚さを有する第２の基板部分とをもつ半導体基板を用意し、
前記半導体基板における、前記第１の基板部分と前記第２の基板部分との両方にわたって縦型半導体素子を形成する、半導体素子の製造方法。
【請求項５】
一方の面側に凹面と凸面とを有する基板と、前記凹面および前記凸面のうち少なくとも凹面に形成された第１の電極と、前記基板の他方の面側に形成された第２の電極と、を有する縦型半導体素子と、
前記縦型半導体素子における前記一方の面側の凹凸に合致した形状をもつ、前記第１の電極に電気的に接続された導電板と、
を備えた半導体装置。
【請求項６】
前記基板は、前記他方の面側に凹面と凸面とを有し、
前記第２の電極は前記他方の面の少なくとも凹面に形成され、
前記縦型半導体素子における前記他方の面側の凹凸に合致した形状をもつ、前記第２の電極に電気的に接続された導電板をさらに備えた請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様としての半導体基板は、第１の厚さを有する第１の基板部分と、
前記第１の基板部分を部分的に囲む前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の基板部分と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様としての半導体基板は、
第１の厚さを有する第１の基板部分と、
前記第１の基板部分を囲む前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の基板部分と、を備え、
前記第１の基板部分の表面とつながる前記第２の基板部分の面は、前記第１の基板部分の表面との間で鈍角を形成することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様としての半導体基板は、
第１の厚さを有する第１の基板部分と、
前記第１の基板部分の両面が凹面となるように前記第１の基板部分を囲む、前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の基板部分と、
を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様としての半導体素子の製造方法は、
第１の厚さを有する第１の基板部分と第２の厚さを有する第２の基板部分とをもつ半導体基板を用意し、
前記半導体基板における、前記第１の基板部分と前記第２の基板部分との両方にわたって縦型半導体素子を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様としての半導体装置は、
一方の面側に凹面と凸面とを有する基板と、前記凹面および前記凸面のうち少なくとも凹面に形成された第１の電極と、前記基板の他方の面側に形成された第２の電極と、を有する縦型半導体素子と、
前記縦型半導体素子における前記一方の面側の凹凸に合致した形状をもつ、前記第１の電極に電気的に接続された導電板と、
を備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】  半導体装置の外部取り出し電極であるバンプを形成した面が回路基板に対向した状態で接合するフリップチップ実装で、且つ前記回路基板は電気絶縁層と導電パターンからなり、該導電パターンを前記半導体装置の前記バンプと接合させる半導体装置の接合方法において、金からなる前記バンプに酸素、アルゴンガス、水素のいずれかを用いたプラズマを照射する工程と、プラズマ照射した前記バンプを前記回路基板の前記導電パターンに接合する工程とからなることを特徴とする半導体装置の接合方法。
【請求項２】  半導体装置の外部取り出し電極であるバンプを形成した面が回路基板に対向した状態で接合するフリップチップ実装で、且つ前記回路基板は電気絶縁層と導電パターンからなり、該導電パターンを前記半導体装置の前記バンプと接合させる半導体装置の接合方法において、半田からなる前記バンプに酸素、アルゴンガス、水素のいずれかを用いたプラズマを照射する工程と、プラズマ照射した前記バンプを前記回路基板の前記導電パターンに接合する工程とからなることを特徴とする半導体装置の接合方法。
【請求項３】  更に、前記プラズマ照射を行った前記半導体装置を前記回路基板の所定の接合位置に位置合わせした後に搭載する工程と、前記回路基板の前記導電パターンへ前記半導体装置を加圧する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを擦過する工程とを有し、前記バンプを前記回路基板の前記導電パターンに接合する工程は、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを熱及び圧力で接合する工程からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の接合方法。
【請求項４】  更に、前記プラズマ照射を行った前記半導体装置を前記回路基板の所定の接合位置に位置合わせした後に搭載する工程と、前記回路基板の前記導電パターンへ前記半導体装置を加圧する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを擦過する工程とを有し、前記バンプを前記回路基板の前記導電パターンに接合する工程は、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを加圧しながら超音波印加して接合する工程からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の接合方法。
【請求項５】  更に、前記プラズマ照射を行った前記半導体装置を前記回路基板の所定の接合位置に位置合わせした後に搭載する工程と、前記回路基板の前記導電パターンへ前記半導体装置を加圧する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを擦過する工程とを有し、前記バンプを前記回路基板の前記導電パターンに接合する工程は、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを加熱することで半田からなる前記バンプを溶融して接合する工程からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の接合方法。
【請求項６】  半導体装置の外部取り出し電極であるバンプを形成した面が回路基板に対向した状態で接合するフリップチップ実装で、且つ前記回路基板は電気絶縁層と導電パターンからなり、該導電パターンを前記半導体装置の前記バンプと接合させる半導体装置の接合方法において、前記半導体装置の前記バンプは金からなり、該バンプを前記回路基板の所定の接合位置に位置合わせした後に搭載する工程と、前記回路基板の前記導電パターンへ前記半導体装置を加圧する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを擦過する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを熱及び圧力で接合する工程とからなることを特徴とする半導体装置の接合方法。
【請求項７】  半導体装置の外部取り出し電極であるバンプを形成した面が回路基板に対向した状態で接合するフリップチップ実装で、且つ前記回路基板は電気絶縁層と導電パターンからなり、該導電パターンを前記半導体装置の前記バンプと接合させる半導体装置の接合方法において、前記半導体装置の前記バンプは金からなり、該バンプを前記回路基板の所定の接合位置に位置合わせした後に搭載する工程と、前記回路基板の前記導電パターンへ前記半導体装置を加圧する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを擦過する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを加圧しながら超音波印加して接合する工程とからなることを特徴とする半導体装置の接合方法。
【請求項８】  半導体装置の外部取り出し電極であるバンプを形成した面が回路基板に対向した状態で接合するフリップチップ実装で、且つ前記回路基板は電気絶縁層と導電パターンからなり、該導電パターンを前記半導体装置の前記バンプと接合させる半導体装置の接合方法において、前記半導体装置の前記バンプは半田からなり、該バンプを前記回路基板の所定の接合位置に位置合わせした後に搭載する工程と、前記回路基板の前記導電パターンへ前記半導体装置を加圧する工程と、前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを擦過する工程と、加熱によって前記半田を溶融して前記回路基板の前記導電パターンと前記半導体装置の前記バンプを接合する工程とからなることを特徴とする半導体装置の接合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一対の第１及び第２の入力側回路を有する入力整合回路と、  一対の第１及び第２の出力側回路を有する出力整合回路と、
増幅器用の第１及び第２のトランジスタであって、前記入力整合回路の第１の入力側回路と前記出力整合回路の第１の出力側回路間に接続された第１のトランジスタと、前記入力整合回路の第２の入力側回路と前記出力整合回路の第２の出力側回路間に接続された第２のトランジスタと、
前記入力整合回路に接続されるとともに、前記入力整合回路の第１及び第２の入力側回路にそれぞれ位相が１８０度異なる２つの信号を与える第１のバランス型回路と、
前記出力整合回路に接続されるとともに、前記出力整合回路の第１及び第２の出力側回路からそれぞれ位相が１８０度異なる２つの信号を受け取る第２のバランス型回路と、を備え、
前記第１及び第２のバランス型回路の少なくとも一方は、第１のインダクタと、第２のインダクタと、該第１のインダクタと第２のインダクタ間に接続された容量素子を備えるとともに、前記容量素子は仮想接地点に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  一対の第１及び第２の入力側回路を有する入力整合回路と、  一対の第１及び第２の出力側回路を有する出力整合回路と、
増幅器用の第１及び第２のトランジスタであって、前記入力整合回路の第１の入力側回路と前記出力整合回路の第１の出力側回路間に接続された第１のトランジスタと、前記入力整合回路の第２の入力側回路と前記出力整合回路の第２の出力側回路間に接続された第２のトランジスタと、
前記入力整合回路に接続されるとともに、前記入力整合回路の第１及び第２の入力側回路にそれぞれ位相が１８０度異なる２つの信号を与える第１のバランス型回路と、
前記出力整合回路に接続されるとともに、前記出力整合回路の第１及び第２の出力側回路からそれぞれ位相が１８０度異なる２つの信号を受け取る第２のバランス型回路と、を備え、
前記第１及び第２のバランス型回路の少なくとも一方は、第１の容量素子と、第２の容量素子と、該第１の容量素子と第２の容量素子間に接続された接地インダクタを備えるとともに、前記接地インダクタの結線は仮想接地点に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  前記第１のバランス型回路に接続され、入力信号を、前記第１のバランス型回路に付与される前記位相が１８０度異なる２つの信号に変換する入力側バランと、
前記出力整合回路に接続され、前記第１及び第２のトランジスタにより増幅されるとともに前記出力整合回路から出力された前記位相が１８０度異なる２つの信号を合成して出力信号に変換する出力側バランと、
をさらに備えた請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】  前記入力整合回路及び出力整合回路と前記第１及び第２のバランス型回路と前記第１及び第２のトランジスタを１つのパッケージ内に収めた請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記接地インダクタは、抵抗を介して接地電極に接続された接続点において直列に接続された一対のインダクタで構成された請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】  前記接地インダクタは、抵抗を介して供給電源に接続された接続点において直列に接続された一対のインダクタで構成された請求項２記載の半導体装置。
【請求項７】  入力側信号分割回路と、
出力側信号合成回路と、
互いに並列に接続されるとともに、前記入力側信号分割回路と接続された複数個の第１のバランス型回路であって、各々が位相が１８０度異なる一対の出力信号を出力する第１のバランス型回路と、
互いに並列に接続されるとともに、前記出力側信号合成回路と接続された複数個の第２のバランス型回路であって、各々が位相が１８０度異なる一対の信号を受け取る第２のバランス型回路と、
前記第１のバランス型回路と第２のバランス型回路間に配置接続された複数個の増幅器用のトランジスタであって、前記入力整合回路の第１の入力側回路と前記出力整合回路の第１の出力側回路間に接続された第１のトランジスタと、前記入力整合回路の第２の入力側回路と前記出力整合回路の第２の出力側回路間に接続された第２のトランジスタと、を備え、
前記複数個の第１のバランス型回路の少なくとも１つ及び前記複数個の第２のバランス型回路の少なくとも１つは、同位相の信号を伝送する一対の信号線が抵抗を介して互いに接続されるように配列し、
前記一対の信号線の第１の信号線は前記複数個の第１のバランス型回路に接続され、前記一対の信号線の第２の信号線は、前記複数個の第１のバランス型回路に隣接した前記複数個の第２のバランス型回路に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  前記第１及び第２のバランス型回路の少なくとも一方は、第１のインダクタと、第２のインダクタと、前記第１のインダクタと第２のインダクタ間に接続された容量素子とを備え、該容量素子は仮想接地点に接続された請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】  前記仮想接地点は、抵抗を介して供給電源に接続された請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
前記被処理体の前記パターンが露光される露光領域内で複数箇所の第１の計測位置において前記被処理体の位置を計測し、前記露光領域外で前記第１の計測位置と同じ相対的な位置関係をなす複数箇所の第２の計測位置において前記被処理体の位置を計測する検出手段と、
前記検出手段が計測した前記被処理体の位置情報に基づいて、前記被処理体の位置、高さ、傾きの少なくとも１つを制御する制御部とを有し、
前記第１の計測位置は、３箇所以上であり、一直線上に無いことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記露光領域がスリット状で、該スリット状の露光領域を走査させて前記被処理体を露光する露光装置であって、前記第２の計測位置が前記スリット状の露光領域に対して前記走査方向にずれた位置であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記検出手段が前記露光領域外で前記所定の相対的な位置関係をなす複数箇所の第３の計測位置において前記被処理体の位置を計測しており、前記第２の計測位置が前記スリット状の露光領域に対してずれている方向と、前記第３の計測位置が前記スリット状の露光領域に対してずれている方向とが反対であることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記パターンを前記被処理体に投影する投影光学系を有しており、前記検出手段が前記第１の計測位置及び前記第２の計測位置における、前記被処理体の前記投影光学系の光軸と平行な方向の位置を検出していることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
前記被処理体の前記パターンが露光される領域の外部の領域において複数の箇所の位置を計測し、且つ、前記被処理体の前記パターンが露光される領域において前記複数の箇所と同一箇所の位置を計測する検出手段と、
前記検出手段が計測した前記被処理体の位置情報に基づいて、前記被処理体の位置が前記パターンの最適な露光位置となるように、前記被処理体の高さ及び傾きの少なくとも一方を制御する制御部とを有し、
前記複数の箇所は、３箇所以上であり、一直線上に無いことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記被処理体の前記パターンが露光される領域の外部の領域及び前記パターンが露光される領域の５箇所の位置を計測することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記検出手段は、前記被処理体の走査方向において、非走査方向の間隔が異なる前記複数の箇所の位置を計測することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項８】
前記検出手段は、スリット形状の光束を用いて前記パターンが露光される領域の外部の領域及び前記パターンが露光される領域の複数の箇所を計測することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項９】
前記スリット形状の光束は、ピッチ方向が前記複数の箇所のうち略中心箇所の方向に向かうことを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、前記被処理体の前記パターンが露光される露光領域内で複数箇所の第１の計測位置において前記被処理体の位置を計測し、前記露光領域外で前記第１の計測位置と同じ相対的な位置関係をなす複数箇所の第２の計測位置において前記被処理体の位置を計測する検出手段と、前記検出手段が計測した前記被処理体の位置情報に基づいて、前記被処理体の位置、高さ、傾きの少なくとも１つを制御する制御部とを有し、前記第１の計測位置は、３箇所以上であり、一直線上に無いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた回路パターンを有する可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、補強板と可撓性フィルムの間に液体を存在させて、補強板と可撓性フィルムを剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】回路パターンに電子部品が接合されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対面に回路パターンを形成した後、可撓性フィルムを剥離する回路基板の製造装置であって、補強板と可撓性フィルムの間に液体を供給する手段を有することを特徴とする回路基板の製造装置。
【請求項４】液体を供給するためのノズルと、可撓性フィルムを保持する保持手段と、補強板を固定する手段と、液体を入れる容器と、容器内に可撓性フィルムと補強板を固定させる固定手段を有すること特徴とする請求項３記載の回路基板の製造装置。