【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ１）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量１０００を超え、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物、
を含有するポジ型レジスト組成物において、
該低分子溶解阻止化合物の酸の作用により分解しうる基以外の部分に２個以上のトリフェニルメタン構造が非共役的に連結した構造を有することを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【請求項２】  該低分子溶解阻止化合物が以下の一般式（ｂ１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化１】
2001312055.tif 000001
一般式（ｂ１）中、Ｒ101〜Ｒ118は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。
Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ0、−Ｒ200−ＣＯＯＡ0、−ＡｒＯＢ0である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ0は、−Ｃ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｓｉ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｃ(Ｒ204)(Ｒ205)−ＯＲ206を表す。
Ｂ0は、Ａ0または−ＣＯＯＡ0を表す。
Ｒ200は、単結合、置換基を有してもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203、Ｒ204、Ｒ205は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ206は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ201〜Ｒ203のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ201〜Ｒ203、及びＲ204〜Ｒ206のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項３】  （Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ２）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量１０００を超え、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物、
を含有するポジ型レジスト組成物において、
該低分子溶解阻止化合物が部分構造として以下の一般式(ｂ２）で表される構造を３個以上含み、該構造が非共役的に連結されていることを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化２】
2001312055.tif 000002
一般式（ｂ２）中、Ｒ119〜Ｒ126は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。
Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ0、−Ｒ200−ＣＯＯＡ0、−ＡｒＯＢ0である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ0は、−Ｃ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｓｉ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｃ(Ｒ204)(Ｒ205)−ＯＲ206を表す。
Ｂ0は、Ａ0または−ＣＯＯＡ0を表す。
Ｒ200は、単結合、置換基を有してもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203、Ｒ204、Ｒ205は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ206は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ201〜Ｒ203のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ201〜Ｒ203、及びＲ204〜Ｒ206のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項４】  該低分子溶解阻止化合物が以下の一般式（ｂ３）及び一般式（ｂ４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項３に記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化３】
2001312055.tif 000003
一般式（ｂ３）中、Ｒ127〜Ｒ132は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ0、−Ｒ200−ＣＯＯＡ0、−ＡｒＯＢ0である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ0は、−Ｃ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｓｉ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｃ(Ｒ204)(Ｒ205)−ＯＲ206を表す。
Ｂ0は、Ａ0または−ＣＯＯＡ0を表す。
Ｒ200は、単結合、置換基を有してもよい２価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価以上の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203、Ｒ204、Ｒ205は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ206は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ201〜Ｒ203のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ201〜Ｒ203、及びＲ204〜Ｒ206のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
Ｙは、水素原子またはメチル基を表す。
【化４】
2001312055.tif 000004
一般式（ｂ４）中、Ｒ133〜Ｒ144は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。
Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ0、−Ｒ200−ＣＯＯＡ0、−ＡｒＯＢ0である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ0は、−Ｃ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｓｉ(Ｒ201)(Ｒ202)(Ｒ203)、−Ｃ(Ｒ204)(Ｒ205)−ＯＲ206を表す。
Ｂ0は、Ａ0または−ＣＯＯＡ0を表す。
Ｒ200は、単結合、置換基を有してもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203、Ｒ204、Ｒ205は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ206は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ201〜Ｒ203のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ201〜Ｒ203、及びＲ204〜Ｒ206のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項５】  （Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ３）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物
を含有し、
該低分子溶解阻止化合物が、部分構造としてビフェニル構造あるいはトリフェニレン構造を有し、該酸により分解しうる基に含有するベンゼン環以外の部分のベンゼン環総数が３個以上１３個以下であることを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【請求項６】  該低分子溶解阻止化合物が、以下の一般式（Ｉｈ−１）〜（Ｉｈ−７）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項５記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化５】
2001312055.tif 000005
【化６】
2001312055.tif 000006
【化７】
2001312055.tif 000007
上記式（Ｉｈ−１）〜（Ｉｈ−７）において、Ｒ101'〜Ｒ110'、Ｒ112'〜Ｒ213'は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアルケニル基を表す。
Ｒ111'は、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、アルケニル基又はフェニル基を表す。Ｒ131'とＲ132'とは、互いに結合して環を形成してもよい。Ｙ'は水素あるいはメチル基を表す。同一分子中の複数のＺ'は、同一でも異なっていてもよい。
Ｚ'は、水素原子、−Ａ0'、−Ｒ300−ＣＯＯＡ0'又は−Ａｒ−ＯＢ0'を表す。
ただし、上記式（Ｉｈ−１）〜（Ｉｈ−４）においてＺ'の９０モル％以上は水素ではない。また、上記式（Ｉｈ−５）〜（Ｉｈ−７）においてＺ'の５０モル％以上は水素ではない。
Ａ0'は、−Ｃ（Ｒ301）（Ｒ302）（Ｒ303）、−Ｓｉ（Ｒ301）（Ｒ302）（Ｒ303）又は−Ｃ（Ｒ304）（Ｒ305）−ＯＲ306を表す。
Ｂ0'は、−Ａ0'又は−ＣＯＯＡ0'を表す。Ｒ300は、単結合、置換基を有していてもよい、２価の脂肪族もしくは芳香族基を表す。
Ａｒは、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
Ｒ301、Ｒ302、Ｒ303、Ｒ304、Ｒ305は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、直鎖及び分岐アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ306は、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ301〜Ｒ303のうち任意の２つ、あるいはＲ304〜Ｒ306のうち任意の２つが結合して環を形成していてもよい。
【請求項７】  （Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ４）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を含有し、
該低分子溶解阻止化合物が、部分構造としてフルオレン構造を有することを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【請求項８】  該低分子溶解阻止化合物が、以下の一般式（Ｉｈ−８）〜（Ｉｈ−１０）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項７記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化８】
2001312055.tif 000008
上記式（Ｉｈ−８）〜（Ｉｈ−１０）において、Ｒ310〜Ｒ365は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒ311とＲ318、Ｒ329とＲ330、Ｒ342とＲ355は互いに単結合で環を形成してもよい。
Ｚ'は、前記と同義であるが、同一分子中の複数のＺ'は、同一でも異なっていてもよい。分子中のＺ'の９０モル％以上は水素ではない。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物によりレジト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線またはＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。