【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層上に第２導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層及び前記第２導電膜層をエッチングして、第１の導電層パターンを形成し、
三塩化ホウ素、塩素及び酸素をエッチングガスとして用いて、前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電膜層を選択的にエッチングして、第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンを介して一導電型不純物を前記半導体層にドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層上に第２導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層及び前記第２導電膜層をエッチングして、第１の導電層パターンを形成し、
三塩化ホウ素、塩素及び酸素をエッチングガスとして用いて、前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電膜層を選択的にエッチングして、第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンを介して一導電型不純物を前記半導体層にドーピングすることにより、前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電膜層に重ならない前記半導体層の領域に第１の不純物領域と、前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電膜層に重なる前記半導体層の領域に第２の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層上に第２導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層及び前記第２導電膜層をエッチングして、第１の導電層パターンを形成し、
三塩化ホウ素、塩素及び酸素をエッチングガスとして用いて、前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電膜層を選択的にエッチングして、第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンにおける前記第２導電膜層をマスクとして一導電型不純物を前記半導体層にドーピングし、
前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電膜層及び前記第２導電膜層をマスクとして一導電型不純物を前記半導体層にドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層上に第２導電膜層を形成し、
前記第２導電膜層上に第３導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層、前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層をエッチングして、第１の導電層パターンを形成し、
三塩化ホウ素、塩素及び酸素をエッチングガスとして用いて、前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層を選択的にエッチングして、第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンを介して一導電型不純物を前記半導体層にドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層上に第２導電膜層を形成し、
前記第２導電膜層上に第３導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層、前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層をエッチングして、第１の導電層パターンを形成し、
三塩化ホウ素、塩素及び酸素をエッチングガスとして用いて、前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層を選択的にエッチングして、第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンを介して一導電型不純物を前記半導体層にドーピングすることにより、前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電膜層に重ならない前記半導体層の領域に第１の不純物領域と、前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電膜層に重なる前記半導体層の領域に第２の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層上に第２導電膜層を形成し、
前記第２導電膜層上に第３導電膜層を形成し、
前記第１導電膜層、前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層をエッチングして、第１の導電層パターンを形成し、
三塩化ホウ素、塩素及び酸素をエッチングガスとして用いて、前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層を選択的にエッチングして、第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンにおける前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層をマスクとして一導電型不純物を前記半導体層にドーピングし、
前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電膜層、前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層をマスクとして一導電型不純物を前記半導体層にドーピングことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の導電層パターンにおける前記第２導電膜層の端部は、前記第１導電膜層の端部より内側に位置するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項において、
前記第２の導電層パターンにおける前記第２導電膜層及び前記第３導電膜層の端部は、前記第１の導電膜層の端部より内側に位置するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第１の導電層パターンの端部はテーパー形状に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第１導電膜層は、窒化タンタルを用いて、前記第２導電膜層は、チタン、又はチタンを主成分とする合金もしくは化合物を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
液晶を用いた表示装置は、液晶テレビ受像機に代表されるように２０インチを越える大型画面の部品が実用化されている。近年では多結晶シリコン膜を活性層に用いたＴＦＴで、駆動回路一体型の液晶表示装置が実現されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
半導体層１０２への一導電型不純物の添加、すなわちＬＤＤやソース・ドレイン領域の形成は、第２の導電層パターン１０９を用いて自己整合的に形成することができる。図２（Ａ）はゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを形成するためのドーピング処理であり、一導電型不純物のイオンを第１導電層１０４’を透過させて、その下層部に位置する半導体層１０２に添加して第１濃度の一導電型不純物領域１１０を形成する。第２絶縁層や第１導電層の膜厚にもよるが、この場合には５０ｋＶ以上の加速電圧を要する。第１濃度の一導電型不純物領域１１０の不純物領域の不純物濃度は、ＬＤＤを前提とすると１×１０１６〜５×１０１８／ｃｍ３（ピーク値）とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、導電層１０８の形成を１段階のエッチングで行ってもよい。この場合エッチング加工には、エッチングガスとして、ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、Ｏ２を用いる。エッチング圧力は１．３Ｐａとし、８００Ｗのプラズマ生成用の電力、３００Ｗの基板バイアス用の電力を供給する。以上のようにして、第１の導電層パターン１０８を形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
以上のように、本実施例により、ゲート電極をイオンドーピング時のマスクとして用い、ゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを自己整合的に形成し、且つ、その長さ（Ｌｏｖ）を必要とする長さに調整することができる。ゲート電極とオーバーラップするＬＤＤ領域の長さを正確に制御することができるようになり、ホットキャリア劣化に対する寿命時間を長大し、信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製できる。