【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位および下記一般式（II）で示される繰り返し構造単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2002131917.tif 000001
【化２】
2002131917.tif 000002
一般式（Ｉ）中、Ｒ11〜Ｒ14は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。ａは０または１である。
一般式（II）中、Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。Ａは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
Ｗは、下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも１つを表す。
【化３】
2002131917.tif 000003
式中、Ｒ15は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ16〜Ｒ20は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ16〜Ｒ18のうち少なくとも１つ、もしくはＲ19、Ｒ20のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ21〜Ｒ25は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ21〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23、Ｒ25のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ26〜Ｒ29は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ26〜Ｒ29のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【請求項２】  前記一般式（II）で示される繰り返し構造単位の樹脂中の含有量が全繰り返し構造単位に対して５モル％〜３０モル％であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項３】  前記一般式（II）で示される繰り返し構造単位の樹脂中の含有量が全繰り返し構造単位に対して１５モル％〜２０モル％であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項４】  （Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位および下記一般式（IIＡ）で示される繰り返し構造単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
2002131917.tif 000004
【化５】
2002131917.tif 000005
一般式（Ｉ）中、Ｒ11〜Ｒ14は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。ａは０または１である。
一般式（IIＡ）中、Ａは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
Ｗは、下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも１つを表す。
【化６】
2002131917.tif 000006
式中、Ｒ15は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ16〜Ｒ20は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ16〜Ｒ18のうち少なくとも１つ、もしくはＲ19、Ｒ20のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ21〜Ｒ25は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ21〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23、Ｒ25のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ26〜Ｒ29は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ26〜Ｒ29のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【請求項５】  上記（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記一般式（ＰＡＧ６’）で表されるイミドスルホネート系化合物又は下記一般式（ＰＡＧ７’）で表されるジアゾジスルホン系化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化７】
2002131917.tif 000007
式（ＰＡＧ６’）中、Ｒ60は、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ａ60は、置換基を有していてもよい、アルキレン基、環状アルキレン基、アルケニレン基、環状アルケニレン基、又はアリーレン基を示す。
式（ＰＡＧ７’）中、Ｒ70は、各々独立に、置換基を有していてもよい直鎖、分岐又は環状アルキル基、あるいは置換基を有していてもよいアリール基を表す。
【請求項６】（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、更に、スルホニウム塩化合物を含有することを特徴とする請求項５に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項７】  上記（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記一般式（Ｉ’）〜（ＩＩＩ’）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化８】
2002131917.tif 000008
上記一般式（Ｉ'）〜（III'）中：
Ｒ51〜Ｒ87は、同一又は異なって、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ88基を表す。Ｒ88は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ51〜Ｒ65、Ｒ66〜Ｒ77、Ｒ78〜Ｒ87のうち、２つ以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される１種又は２種以上を含む環を形成していてもよい。
Ｘ-は、ＲFＳＯ3-を表す。ここでＲFは、炭素数２以上のフッ素置換された直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基である。
【請求項８】  Ｘ-のＲFがＣＦ3(ＣＦ2)ｙ（ここで、ｙは１〜１５の整数である）で示されるフッ素置換直鎖状アルキル基であることを特徴とする請求項７に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】  ｙが１〜９の整数であることを特徴とする請求項７に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】  ｙが１〜５の整数であることを特徴とする請求項７に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】  更に（ＳＩ）下記溶剤Ａ１群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｂ１群から選択される少なくとも１種、もしくは溶剤Ａ１群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｃ１群から選択される少なくとも１種とを含有する混合溶剤
Ａ１群：鎖状ケトン
Ｂ１群：乳酸アルキル、アルコキシプロピオン酸アルキル、酢酸エステル及びプロピレングリコールモノアルキルエーテル
Ｃ１群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１２】  更に（ＳＩ）下記溶剤Ａ１群から選択される少なくとも１種、下記溶剤Ｂ１群から選択される少なくとも１種、及び下記溶剤Ｃ１群から選択される少なくとも１種とを含有する混合溶剤
Ａ１群：鎖状ケトン
Ｂ１群：乳酸アルキル、アルコキシプロピオン酸アルキル、酢酸エステル及びプロピレングリコールモノアルキルエーテル
Ｃ１群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１３】  更に（ＳＩＩ）下記溶剤Ａ２群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｂ２群から選択される少なくとも１種、もしくは溶剤Ａ２群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｃ２群から選択される少なくとも１種とを含有する混合溶剤
Ａ２群：プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
Ｂ２群：プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシプロピオン酸アルキル
Ｃ２群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１４】  更に（ＳＩＩ）下記溶剤Ａ２群から選択される少なくとも１種、下記溶剤Ｂ２群から選択される少なくとも１種、及び下記溶剤Ｃ２群から選択される少なくとも１種とを含有する混合溶剤
Ａ２群：プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
Ｂ２群：プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシプロピオン酸アルキル
Ｃ２群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１５】  更に下記一般式（ＣＩ）又は（ＣＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化９】
2002131917.tif 000009
一般式（ＣＩ）中、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ53）−、又は単結合を表す。Ｒ51、Ｒ52及びＲ53は、各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ’は、−ＣＯＯＲ’で酸分解性基を構成する基を表す。Ｒは有橋式炭化水素、飽和環式炭化水素またはナフタレン環を含むｎ1 価の残基を表す。ｎ１は１〜４の整数を示し、ｑ１は０〜１０の整数を示す。
一般式（ＣＩＩ）中、Ｒ60は、アルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｒ61は、−Ｏ−Ｒ61で酸分解性基を構成する基を表し、ｍ１は０〜４の整数を示す。ｐ１は１〜４の整数を示す。
【請求項１６】  更に下記一般式（ＣＩＩＩ）で示される多環式構造上に酸不安定性基により保護されているカルボン酸基を含む置換基を少なくともひとつ有する構造を、少なくとも二つ有する化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化１０】
2002131917.tif 000010
【請求項１７】  上記（Ａ）樹脂が更に下記一般式（III）で示される繰り返し構造単位を含有することを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化１１】
2002131917.tif 000011
式（III）中：
Ｚ2は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ3）−を表す。ここでＲ3は、水素原子、水酸基又は−ＯＳＯ2−Ｒ4を表す。Ｒ4は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
【請求項１８】  更に（Ｄ）有機塩基性化合物、（Ｅ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１９】  請求項１〜１８のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。