Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下地導電膜上に連続して積層された複数の絶縁膜にコンタクト
ホールを備えた半導体装置であって、
前記コンタクトホールは、前記複数の絶縁膜のうち上層側絶縁膜には、下層側
絶縁膜との界面に達しないウエットエッチングで形成されたコンタクトホールと、
前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールに続いて前記下層側絶縁
膜を介して前記下地導電膜に達するドライエッチングで形成されたコンタクトホ
ールとで形成されてなり、
前記下層側絶縁膜上の上層側絶縁膜の前記ウエットエッチングで形成されたコ
ンタクトホールの深さは、該上層側絶縁膜の膜厚に対して５０％以上１００％未
満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記上層側絶縁膜と前記下層側絶縁膜とは、膜質が異なること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記上層側絶縁膜と前記下層側絶縁膜との少なくとも一方は多
層膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールの深さ
は、該上層側絶縁膜の膜厚に対して８０％以上１００％未満であることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記複数の絶縁膜は、減圧気相成長法（LP-CVD），プラズマ気
相成長法（P-CVD），エレクトロン・サイクロトロン気相成長法（ECR-CVD），常
圧気相成長法（AP-CVD）の成膜方法のいずれかの組合せにより形成されることを
特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記下層側絶縁膜は、半導体層を覆う絶縁膜であって、該下層
側絶縁膜を覆う前記上層側絶縁膜にはソース電極，ドレイン電極が形成され、前
記コンタクトホールは、前記半導体層と前記ソース電極及び，前記半導体層とド
レイン電極とのコンタクトをとることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一
項に記載の半導体装置。
【請求項７】  基板上に、第１の導電層と、該第１の導電層の上方に積層形成
された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に該第１の絶縁膜とは膜質が異なる第
２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上方に積層された第２の導電層とを備えており
、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを接続するコンタクトホールが前記第
１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜間の界面を貫通して前記第１の絶縁膜及び前記
第２の絶縁膜を開孔させ、該コンタクトホールを介して前記第１の導電層と前記
第２の導電層とを電気的に接続する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法
であって、
前記第２の絶縁膜に、該第２の絶縁膜の膜厚に対して５０％以上１００％未満
の深さまでウエットエッチングし、それに続いて前記第１の絶縁膜を介して前記
第１の導電層に達するまでドライエッチングして前記コンタクトホールを形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記ウエットエッチングの深さは、前記第２の絶縁膜の膜厚に
対して８０％以上１００％未満であることを特徴とする請求項７に記載の半導体
装置。
【請求項９】  前記ウエットエッチングの深さは、前記第２の絶縁膜の膜厚に
対して８０％以上９０％であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】  請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方
法により製造される半導体装置と、該半導体装置に対向配置された対向基板と、
該対向基板と前記半導体装置との間に挟持された電気光学物質とを備えたことを
特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】  請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方
法を含み、前記半導体装置と対向基板とを対向配置した状態で貼り合せる工程と
、前記半導体装置及び前記対向基板両者間に電気光学物質を封入する工程とを更
に含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】  請求項１０に記載の電気光学装置を具備することを特徴とす
る電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、下地導電膜上に連続して積層された複数の絶縁膜
にコンタクトホールを備えた半導体装置であって、前記コンタクトホールは、前
記複数の絶縁膜のうち上層側絶縁膜には、下層側絶縁膜との界面に達しないウエ
ットエッチングで形成されたコンタクトホールと、前記ウエットエッチングで形
成されたコンタクトホールに続いて前記下層側絶縁膜を介して前記下地導電膜に
達するドライエッチングで形成されたコンタクトホールとで形成されてなり、
前記下層側絶縁膜上の上層側絶縁膜の前記ウエットエッチングで形成されたコン
タクトホールの深さは、該上層側絶縁膜の膜厚に対して５０％以上１００％未満である
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  銅を主成分とする配線と、
前記配線上に接続された、銅を主成分とする接続プラグと、
前記配線上部と前記接続プラグとが接続した部分のみに形成された、銅に所定の金属元素が添加された合金層とを備え、
前記所定の金属元素は、Ｃｒ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ，Ａｌのうち少なくとも１種を含んでおり、
前記接続プラグの側壁には、前記所定の金属元素による金属層が存在しない
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、銅を主成分とする配線と、前記配線上に接続された、銅を主成分とする接続プラグと、前記配線上部と前記接続プラグとが接続した部分のみに形成された、銅に所定の金属元素が添加された合金層とを備え、前記所定の金属元素は、Ｃｒ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｙ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ，Ａｌのうち少なくとも１種を含んでおり、前記接続プラグの側壁には、前記所定の金属元素による金属層が存在しないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
IPネットワークにおける音声通話方式に基づいて音声通話を制御するVoIP部と、着呼時に応答方法を切り替える自動応答切替部を有し、
前記自動応答切替部は、ネットワークアドレスと位置情報と応答方法との関係を示す応答方法テーブルに基づいて応答方法を切り替える手段を有することを特徴とするIP電話装置。
【請求項２】
さらに、ユーザが応答方法を設定し、発呼又は着呼を操作するための入力部と、前記設定された応答方法及び着信したメッセージを表示する表示部と、を有することを特徴とする請求項１に記載のIP電話装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のIP電話装置において、前記自動応答切替部は、時間情報テーブルと着呼者の予定の対応関係を示すスケジュールテーブルを参照し、着呼者の予定に基づいて応答メッセージを発呼者に送信することを特徴とする請求項１記載のIP電話装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載のIP電話装置において、前記自動応答切替部は、時間情報テーブルと着呼者の予定と転送先の対応関係を示すスケジュールテーブルを参照し、着呼者の予定に基づいて、転送先のリストを発呼者に送信し、該発呼者が選択した転送先に、着呼を転送することを特徴とするIP電話装置。
【請求項５】
請求項１又は２記載のIP電話装置において、IPアドレスのネットワークアドレスに基づいて、該IP電話装置の現在の位置を検索し、該検索した現在の位置を上記スケジュールテーブル上の行き先データとして登録することを特徴とした請求項４記載のIP電話装置。
【請求項６】
請求項１又は２記載のIP電話装置において、前記自動応答切替部は、発呼側から送信された重要度／緊急度を示すフラグに基づいて、応答方法を切り替えることを特徴とするIP電話装置。
【請求項７】
請求項１又は２記載のIP電話装置において、前記自動応答切替部は、発呼側のネットワークアドレスに基づいて上記応答方法テーブルを参照して、応答方法を切り替えることを特徴とするIP電話装置。
【請求項８】
IPパケットネットワークを介して接続されたVoIP端末と、該VoIP端末の通話を管理する呼制御サーバとを含むIP電話サービスシステムにおいて、前記VoIP端末は、ネットワークアドレスと応答方法の関係を示す応答方法テーブルを参照して、着信処理を行うことを特徴とするIP電話サービスシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、VoIP端末が、異なるネットワークセグメントに移動した場合に、移動後の位置情報を行き先情報としてデータベース２０に登録する方法について説明する。VoIP端末は、異なるネットワークセグメントに移動すると、新しいIPアドレスが割り当てられる。新しいIPアドレスのネットワークアドレスからVoIP端末の現在位置が得られる。VoIP端末は、現在位置の情報を再度がデータベース２０に送信することにより、第２のスケジュールテーブル２４上の行き先データが更新される。一般に、IP（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）アドレスの設定方法については、手動で設定する方法とDHCP（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｈｏｓｔ  Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）等のプロトコルを利用した自動設定によるものとがある。手動でIPアドレスを設定している場合には、ユーザは、現在位置がどのネットワークセグメントにあるか又は異なるネットワークセグメントに移動したかを知らない。従って、ユーザは、所定の時間間隔にて現在位置の情報をデータベース２０に送信する。もしくはIPアドレスを設定した際に送信しても構わない。自動でIPアドレスを取得するように設定している場合には、ネットワークセグメントを移動した時点で新しいIPアドレスが配布される。よって、ユーザは異なるネットワークセグメントに移動したことを知ることが出来る。従って、移動が検知された時点で現在位置の情報がデータベース２０に送信される。以上の処理が行われることで、ユーザの現在位置が、第２のスケジュールテーブル２４上の行き先として登録される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、復調装置１は、閾値Ａとの比較手段６によってピーク位置が閾値Ａ未満と判定されたときに、受信信号のＵＷの再検出を行うために相関値蓄積手段４を初期化する処理を行う再同期手段７と、閾値Ａとの比較手段６によってピーク位置が閾値Ａ以上と判定されたときに、ＵＷの検出タイミングで波形生成手段や検波手段８に通知するタイミング処理手段９と、タイミング処理手段９で通知されたタイミングで遅延検波器や遅延検波器等により受信信号の検波を行う検波手段８とを備えており、検波手段８によって復調された受信信号が図示しない復号化手段によって復号化されるようになっている（以下、この技術を一般技術という）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ステップＳＴ６：
処理部１３は、ｌ＝Ｌであるか否かを判断し、ｌ＝Ｌであると判断した場合に処理を終了し、そうでない場合にステップＳＴ３の処理に戻る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2004349733.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発熱するように構成された第１高熱源体と、
前記第１高熱源体へ電流を供給するための配線に流れる電流によって発熱するように形成された第２高熱源体と、
前記第１高熱源体および前記第２高熱源体を覆うように形成された低熱源体と、
前記第１高熱源体および前記第２高熱源体と前記低熱源体との間に配置された少なくとも１種類の放熱粉状固体粒子を具備することを特徴とする放熱構造。
【請求項２】  各放熱粉状固体粒子は、０．６ｗ／ｍｋ以上の熱伝導度を有している、請求項１記載の放熱構造。
【請求項３】  各放熱粉状固体粒子は、シリコーンゴムによって構成されている、請求項１記載の放熱構造。
【請求項４】  各放熱粉状固体粒子は、一辺が０．１ミリメートル以上５ミリメートル以下の大きさになっている、請求項１記載の放熱構造。
【請求項５】  前記第１高熱源体は、１個以上の回路部品を含んでいる、請求項１記載の放熱構造。
【請求項６】  前記第２高熱源体は、前記１個以上の回路部品を搭載した回路基板を含んでいる、請求項５記載の放熱構造。
【請求項７】  前記低熱源体は、前記回路部品を覆うように前記回路基板に取り付けられたカバー部材を含んでおり、
前記回路基板は、前記カバー部材に対向するように形成された１個以上の凹部を有している、請求項６記載の放熱構造。
【請求項８】  放電ガスが封入されたバルブと、
前記バルブから光を放出させるために、前記回路基板から供給される高電圧に基づいて、前記バルブに封入された前記放電ガスを放電させるフィラメントとをさらに具備する、請求項６記載の放熱構造。
【請求項９】  前記第２高熱源体は、樹脂によって構成された立体配線体に形成された凹部に形成された配線を含んでおり、
前記第１高熱源体は、前記配線の上に配置された固体撮像素子を含んでおり、
前記低熱源体は、前記立体配線体に形成された凹部を覆うように設けられたカバー部材を含んでいる、請求項１記載の放熱構造。
【請求項１０】  動作時に発熱するように構成された第１高熱源体と、
前記第１高熱源体を覆うように形成された低熱源体と、
前記第１高熱源体と前記低熱源体との間に配置された少なくとも１種類の放熱粉状固体粒子を具備することを特徴とする放熱構造。
【請求項１１】  前記第１高熱源体は、放電ガスが封入されたバルブを含んでおり、
前記低熱源体は、前記バルブを覆うように設けられたカバー部材を含んでいる、請求項１０記載の放熱構造。
【請求項１２】  動作時に発熱するように構成されたマグネトロンと、
前記マグネトロンへ回転磁界を供給するために前記マグネトロンに取り付けられた磁性材料と、
前記磁性材料を挟むように前記マグネトロンに取り付けられた放熱フィンと、
前記マグネトロンおよび前記磁性材料と前記放熱フィンとの間に配置された少なくとも１種類の放熱粉状固体粒子の集合体とを具備することを特徴とする放熱構造。
【請求項１３】  前記マグネトロンは、円筒形状をした銅管と、
前記銅管を囲むように形成された円筒形状をしたアルミ管とを含んでおり、
前記放熱フィンは、前記銅管の軸に垂直な平面に沿って形成されている、請求項１２記載の放熱構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る放熱構造は、発熱するように構成された第１高熱源体と、前記第１高熱源体へ電流を供給するための配線に流れる電流によって発熱するように形成された第２高熱源体と、前記第１高熱源体および前記第２高熱源体を覆うように形成された低熱源体と、前記第１高熱源体および前記第２高熱源体と前記低熱源体との間に配置された少なくとも１種類の放熱粉状固体粒子を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る他の放熱構造は、動作時に発熱するように構成された第１高熱源体と、前記第１高熱源体を覆うように形成された低熱源体と、前記第１高熱源体と前記低熱源体との間に配置された少なくとも１種類の放熱粉状固体粒子を具備することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係るさらに他の放熱構造は、動作時に発熱するように構成されたマグネトロンと、前記マグネトロンへ回転磁界を供給するために前記マグネトロンに取り付けられた磁性材料と、前記磁性材料を挟むように前記マグネトロンに取り付けられた放熱フィンと、前記マグネトロンおよび前記磁性材料と前記放熱フィンとの間に配置された少なくとも１種類の放熱粉状固体粒子の集合体とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、タベストリ等の壁掛け、壁材、クロス、またはカーテンとして用いることで壁からの進入する電磁波、特に漏洩電磁波，極低周波の電磁波、電場を確実且つ容易に遮断することができるとともに、電気毛布（電気敷き毛布を含む）等の電気器具に被せる、或いは電気器具に重ねることで漏洩電磁波，極低周波の電磁波、電場を確実且つ容易に遮断することができる。
また、ホットカーペット等のような敷物、フローリング等の床材や下地材に使用することにより、床からの漏洩電磁波等を確実且つ容易に遮断することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体チップの第１の主面に設けられたパッド電極と、
前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極の表面に到達するように前記半導体チップに形成されたビアホ−ルを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホ−ルから前記半導体チップの第２の主面上に延在する配線層と、
前記配線層と電気的に接続された導電端子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記ビアホ−ルの側壁に形成され、前記配線層と前記半導体チップとを電気的に絶縁する絶縁層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記配線層が前記ビアホ−ルに完全に埋め込まれていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記配線層が前記ビアホ−ルに不完全に埋め込まれていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記半導体チップの第１の主面に接着された支持体を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  半導体基板の第１の主面にパッド電極を形成する工程と、
前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極の表面に到達するビアホ−ルを形成する工程と、
前記ビアホ−ルを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホ−ルから前記半導体チップの第２の主面上に延在する配線層を形成する工程と、
前記配線層上に導電端子を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記配線層を形成する工程は、メッキ法又はスパッタ法により行われることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記ビアホ−ル形成後に、このビアホ−ルの側壁に、前記配線層と前記半導体基板とを電気的に絶縁する側壁絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記配線層を形成する工程で、この配線層が前記ビアホ−ルに完全に埋め込まれることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記配線層を形成する工程で、この配線層が前記ビアホ−ルに不完全に埋め込まれることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  前記半導体基板の第１の主面に支持体を接着する工程を有することを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来より、ＣＳＰの一種として、ＢＧＡ（Ball  Grid  Array）型の半導体装置が知ら
れている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面に設けられたパッド電極と、前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極の表面に到達するように前記半導体チップに形成されたビアホ−ルを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホ−ルから前記半導体チップの第２の主面上に延在する配線層と、前記配線層と電気的に接続された導電端子と、を有することを特徴とする。
また、前記ビアホ−ルの側壁に形成され、前記配線層と前記半導体チップとを電気的に絶縁する絶縁層を有することを特徴とする。
更に、前記配線層が前記ビアホ−ルに完全に埋め込まれていることを特徴とする。
また、前記配線層が前記ビアホ−ルに不完全に埋め込まれていることを特徴とする。
更に前記半導体チップの第１の主面に接着された支持体を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の第１の主面にパッド電極を形成する工程と、前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極の表面に到達するビアホ−ルを形成する工程と、前記ビアホ−ルを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホ−ルから前記半導体チップの第２の主面上に延在する配線層を形成する工程と、前記配線層上に導電端子を形成する工程と、前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする。
また、前記配線層を形成する工程は、メッキ法又はスパッタ法により行われることを特
徴とする。
更に、前記ビアホ−ル形成後に、このビアホ−ルの側壁に、前記配線層と前記半導体基板とを電気的に絶縁する側壁絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする。
また、前記配線層を形成する工程で、この配線層が前記ビアホ−ルに完全に埋め込まれることを特徴とする。
更に、前記配線層を形成する工程で、この配線層が前記ビアホ−ルに不完全に埋め込まれることを特徴とする。
また、前記半導体基板の第１の主面に支持体を接着する工程を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これにより、半導体チップのパッド電極から、その導電端子に至るまでの配線の断線やステップカバレッジの劣化を防止し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップのパッド電極から、その裏面の導電端子に至るまでの配線の断線やステップカバレージの劣化を防止し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、上記ＳＴＩを採用した場合には、これにより得られる構造は必然的に三次元化する。このような三次元構造では、Ｓｉ基板の異なる結晶方位面を酸化する必要があるが、熱酸化法ではその成長速度が結晶方位に依存するため、熱酸化法により得られた膜を有するトレンチ溝においては、仕上がりの酸化膜厚さがＳｉ基板の結晶方位ごとに異なる傾向が強い。したがって、最低膜厚を確保しようとした場合には、不用意に厚く酸化される結晶方位面ができてしまい、デバイス微細化の妨げとなっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は鋭意研究の結果、少なくとも水蒸気を含む処理ガスの存在下で、被処理体にプラズマを照射することが、上記目的の達成のために極めて効果的なことを見出した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（酸化膜の形成条件）
本発明を酸化膜の形成に用いる態様においては、形成されるべき酸化膜の特性の点からは、下記の条件が好適に使用できる。
（１）  Ｈ2Ｏ：１．６７×１０−８〜１．６７×１０−７ｍ３／ｓ（１〜１０ｓｃｃｍ）、より好ましくは８．３３×１０−８ｍ３／ｓ（５ｓｃｃｍ）（希ガスに対して、０．２〜２体積％程度、更には１体積％程度が好ましい）、
（２）  希ガス（例えば、Ｋｒ、Ａｒ、またはＨｅ）：４．１７×１０−６〜１．６７×１０−５ｍ３／ｓ（２５０〜１０００ｓｃｃｍ）、特に好ましくは８．３３×１０−６ｍ３／ｓ（５００ｓｃｃｍ）
（３）  温度：室温（２５℃）〜５００℃、特に好ましくは４００℃
（４）  圧力：６．６７〜２６６Ｐａ（５０〜２０００ｍＴｏｒｒ）、特に好ましくは１３３Ｐａ（１０００ｍＴｏｒｒ）
（５）  マイクロ波：２．４〜４．９Ｗ／ｃｍ2、より好ましくは４．３Ｗ／ｃｍ2
一般的に、半導体基板上にデバイス素子を形成するために、予め基板に不純物を拡散させ、活性領域、素子分離領域を設ける場合が多い。しかしながら、従来の熱酸化手法では、上述したようにその処理の際の高温により、不純物領域をこわす可能性があり問題であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉した後、載置台５２の温度を調節してウエハＷを例えば４００℃に加熱する。この際、加熱時間の短縮と均一性を目的として、ガス供給管７２より酸化膜形成時の処理ガスであるアルゴン等の希ガスと水蒸気を例えばそれぞれ８．３３×１０−６ｍ３／ｓ（５００ｓｃｃｍ）、８．３３×１０−８ｍ３／ｓ（５ｓｃｃｍ）の流量で導入して圧力を例えば１３３Ｐａまで昇圧することで、載置台とウエハ間の熱伝導効率を上げ第１の工程（予備加熱）を実施する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
１．アンモニア過水溶液浸漬（１０分）
２．純水リンス
３．塩酸過水溶液浸漬（１０分）
４．純水リンス
５．希弗酸溶液浸漬（８分）
６．純水リンス
７．窒素ガス乾燥
（プラズマ酸化処理）
マイクロ波出力：３５００Ｗ
チャンバ圧力：１３３Ｐａ
基板温度：４００℃
希ガス流量：Ａｒ＝８．３３×１０−６ｍ３／ｓ（５００ｓｃｃｍ）
Ｈ2Ｏ流量：８．３３×１０−８ｍ３／ｓ（５ｓｃｃｍ）
（処理時間と酸化膜厚の測定）
酸化膜厚は光学式膜厚計（エリプソメトリィ法）を用いて測定を行った。得られた処理時間と膜厚の関係を図１５のグラフに示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像情報から、第１の印刷装置に送信される印刷情報を生成する情報処理装置において、
前記第１の印刷装置とは異なる第２の印刷装置固有の色調を再現する色調再現データと、前記色調再現データに基づき色調を変換する色調変換手段とを、
有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
入力画像情報から、印刷装置に送信される印刷情報を生成する情報処理装置において、
前記印刷装置とは異なる複数種類の印刷装置固有の色調を再現する複数の色調再現データと、
前記複数の色調再現データから１つを選択する色調再現データ選択手段と、
前記色調再現データ選択手段で選択された色調再現データに基づき色調を変換する色調変換手段とを、有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
前記第１の印刷装置により前記第２の印刷装置の色調再現を指定する色調指定手段をさらに備え、
前記色調指定手段により第２の印刷装置の色調が指定された場合、
前記色調変換手段により色調を変換することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記複数種類の印刷装置から特定種類の色調再現を指定する色調指定手段をさらに備え、
前記色調指定手段により指定された色調再現データに基づき色調を変換することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記色調再現データ数は前記第１および第２の印刷装置固有の色調データ数より小さいことを特徴とする請求項１又は３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記複数の色調再現データ数は使用する印刷装置固有の色調データ数より小さいことを特徴とする請求項２又は４に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記複数の色調再現データ数は対応する複数の印刷装置固有の色調データ数より小さいことを特徴とする請求項２、４、又は６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記色調再現データは、前記第２の印刷装置に対応した第２の色調データを前記第１の印刷装置が有する第１の色調データに変換した表形式のデータであることを特徴とする請求項１、３、５に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記複数の色調再現データは、前記複数の印刷装置の何れかに対応した色調データを使用する印刷装置が有する色調データに変換した表形式のデータであることを特徴とする請求項２、４、６、又は７に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記色調再現データはＲＧＢ（Ｒｅｄ  Ｇｒｅｅｎ  ＆  Ｂｌｕｅ）信号値で構成されており、前記色調再現データは前記ＲＧＢ信号値が取りうる全ての組み合わせに対する情報を持たないことを特徴とする請求項１から９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記色調再現データはＲＧＢ信号値を構成する各信号値を各々Ｎ分割（Ｎは２以上の整数）したＮ×Ｎ×Ｎ通りの色調を変換したデータであることを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
入力画像情報から、第１の印刷装置に送信される印刷情報を生成する情報処理装置の印刷プログラムにおいて、
前記第１の印刷装置とは異なる第２の印刷装置固有の色調を再現する色調再現データを読み出すステップと、前記色調再現データに基づき色調を変換する色調変換ステップとを有することを特徴とする印刷プログラム。
【請求項１３】
入力画像情報から、印刷装置に送信される印刷情報を生成する情報処理装置の印刷プログラムにおいて、
前記印刷装置とは異なる複数種類の印刷装置固有の色調を再現する複数の色調再現データを読み出すステップと、
前記複数の色調再現データから１つを選択する色調再現データ選択ステップと、前記色調再現データ選択手段で選択された色調再現データに基づき色調を変換する色調変換ステップとを有することを特徴とする印刷プログラム。
【請求項１４】
前記第１の印刷装置により前記第２の印刷装置の色調再現を指定する色調指定ステップをさらに備え、
前記色調指定ステップにより前記第２の印刷装置の色調が指定された場合、
前記色調変換ステップにより色調を変換することを特徴とする請求項１２に記載の印刷プログラム。
【請求項１５】
前記複数種類の印刷装置から特定種類の色調再現を指定する色調指定ステップをさらに備え、
前記色調指定ステップにより指定された色調再現データに基づき色調を変換することを特徴とする請求項１３に記載の印刷プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
又、本発明による情報処理装置は、前記色調再現データはＲＧＢ（Ｒｅｄ  Ｇｒｅｅｎ  ＆  Ｂｌｕｅ）信号の信号値を各々分割した色調を変換したデータで、且つＲＧＢ信号の各信号値が８ビットの場合では、２５６階調をＮ分割（例えば１７分割、９分割、５分割）した値のみを保持し、その分割した値に該当しない入力値の場合には、補間演算等を用いて、出力値を想定することによって色調再現データの情報量を少なくし、かつ色調再現データ生成時における測色作業を軽減することを特徴とする。
又、本発明による印刷プログラムは、入力画像情報から、第１の印刷装置に送信される印刷情報を生成する情報処理装置の印刷プログラムにおいて、前記第１の印刷装置とは異なる第２の印刷装置固有の色調を再現する色調再現データを読み出すステップと、前記色調再現データに基づき色調を変換する色調変換ステップとを有することを特徴とする。
又、本発明による印刷プログラムは、入力画像情報から、印刷装置に送信される印刷情報を生成する情報処理装置の印刷プログラムにおいて、前記印刷装置とは異なる複数種類の印刷装置固有の色調を再現する複数の色調再現データを読み出すステップと、前記複数の色調再現データから１つを選択する色調再現データ選択ステップと、前記色調再現データ選択手段で選択された色調再現データに基づき色調を変換する色調変換ステップとを有することを特徴とする。
又、本発明による印刷プログラムは、前記第１の印刷装置により前記第２の印刷装置の色調再現を指定する色調指定ステップをさらに備え、前記色調指定ステップにより前記第２の印刷装置の色調が指定された場合、前記色調変換ステップにより色調を変換することを特徴とする。
又、本発明による印刷プログラムは、前記複数種類の印刷装置から特定種類の色調再現を指定する色調指定ステップをさらに備え、前記色調指定ステップにより指定された色調再現データに基づき色調を変換することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを一つのデータストリームに変換する変換手段と、
ＵＳＢ２．０で規定されたアイソクロナス転送を用いて前記データストリームを他の装置に送信する送信手段とを有し、
前記変換手段は、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダに、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを付加することを特徴とする映像処理装置。
【請求項２】  ISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを一つのデータストリームに変換する変換手段と、
ＵＳＢ２．０で規定されたバルク転送を用いて前記データストリームを他の装置に送信する送信手段とを有し、
前記変換手段は、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダに、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを付加することを特徴とする映像処理装置。
【請求項３】  他の装置からＵＳＢ２．０で規定されたアイソクロナス転送を用いて送信された一つのデータストリームを受信する受信手段と、
前記データストリームからISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを復元する復元手段とを有し、
前記復元手段は、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダから取得し、取得した識別データを用いて前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを復元することを特徴とする映像処理装置。
【請求項４】  他の装置からＵＳＢ２．０で規定されたバルク転送を用いて送信された一つのデータストリームを受信する受信手段と、
前記データストリームからISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを復元する復元手段とを有し、
前記復元手段は、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダから取得し、取得した識別データを用いて前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを復元することを特徴とする映像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る映像処理装置は、例えば、ISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを一つのデータストリームに変換する変換手段と、ＵＳＢ２．０で規定されたアイソクロナス転送を用いて前記データストリームを他の装置に送信する送信手段とを有し、前記変換手段は、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダに、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを付加することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る他の映像処理装置は、例えば、ISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを一つのデータストリームに変換する変換手段と、ＵＳＢ２．０で規定されたバルク転送を用いて前記データストリームを他の装置に送信する送信手段とを有し、前記変換手段は、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダに、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを付加することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る他の映像処理装置は、例えば、他の装置からＵＳＢ２．０で規定されたアイソクロナス転送を用いて送信された一つのデータストリームを受信する受信手段と、前記データストリームからISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを復元する復元手段とを有し、前記復元手段は、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダから取得し、取得した識別データを用いて前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを復元することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る他の映像処理装置は、例えば、他の装置からＵＳＢ２．０で規定されたバルク転送を用いて送信された一つのデータストリームを受信する受信手段と、前記データストリームからISO/IEC 14496-1:1999に準拠した一つ又は複数のエレメンタリーストリームを復元する復元手段とを有し、前記復元手段は、前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを識別するための識別データを、前記データストリームを構成する各パケットのヘッダから取得し、取得した識別データを用いて前記データストリームに含まれるエレメンタリーストリームを復元することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送路の少なくとも一部を構成する光ファイバと、第一の材料としてシリコン又は石英ガラスから構成された導波路基板上に前記伝送路の少なくとも一部を構成する光導波路が設けられ所定機能を実現する光機能部品とを光学的に結合するために接着剤による固定を用いた光導波路モジュールに使用するフェルールであり、前記第一の材料とは異なる第２の材料から構成されるとともに、該光ファイバ端部の設置位置を規定する貫通孔が設けられたフェルールであって、
前記第２の材料は、前記導波路基板を構成する第１の材料に対し、該第１の材料の熱膨張係数と該第２の材料の熱膨張係数との差をΔＬ、該第１の材料の弾性率をＥ１、該第２の材料の弾性率をＥ２とし、前記光ファイバのコア列の両端の間隔が３．７５ｍｍ以下であり、
｜ΔＬ／（Ｅ１／Ｅ２）｜＜３．０×１０−６（℃−１）
なる関係を満たすフェルール。
【請求項２】
前記第２の材料は、プラスチック材料であることを特徴とする請求項１記載のフェルール。
【請求項３】
前記プラスチック材料は、所定量の石英フィラーが含有され、かつその熱膨張係数が１０×１０−６（℃−１）以下のフェノール系エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項２記載のフェルール。
【請求項４】
前記プラスチック材料は、所定量の石英フィラーが含有され、かつその熱膨張係数が６×１０−６（℃−１）以下のフェノール系エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項２記載のフェルール。
【請求項５】
前記石英フィラーの含有量は、８５重量％以上、９５重量％以下であることを特徴とする請求項３又は４記載のフェルール。
【請求項６】
前記石英フィラーの含有量は、９０重量％以上、９５重量％以下であることを特徴とする請求項３又は４記載のフェルール。
【請求項７】
前記プラスチック材料は、所定量の石英フィラーが含有され、かつその弾性率が５０００（ｋｇ／ｍｍ２）以下のフェノール系エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか一項記載のフェルール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明に係るフェルールでは、伝送路の少なくとも一部を構成する光ファイバと、第一の材料としてシリコン又は石英ガラスから構成された導波路基板上に前記伝送路の少なくとも一部を構成する光導波路が設けられ所定機能を実現する光機能部品とを光学的に結合するために接着剤による固定を用いた光導波路モジュールに使用するフェルールであり、前記第一の材料とは異なる第２の材料から構成されるとともに、該光ファイバ端部の設置位置を規定する貫通孔が設けられている。前記第２の材料としては、例えばプラスチック材料が適している。
該フェルールを光導波路モジュールに用いた場合、例えば、その光ファイバの一端と前記光導波路の一端とを光学的に結合すべく、フェルールは、該光ファイバの一端を保持した状態（光ファイバ端部は連続する内壁を有する貫通孔に挿入された状態で設置されている）で、所定強度の接着剤によりその端面が前記導波路部品の端面に対向するよう固定されている。なお、この光ファイバは、所定波長の光を伝搬するためのコアと、このコアを覆うクラッドから構成されるが、通常は、このクラッド表面をアクリレート樹脂で被覆するか、さらにはその表面をプラスチックで被覆した状態で利用に供される。また、この光ファイバは単芯ファイバには限定されず、複数の光ファイバ（各光ファイバはそれぞれ異なる色に着色されたアクリレート樹脂でコーティングされたものでもよい）をプラスチック材料で一体的に被覆したテープ型ファイバも含まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
特に、該フェルールを光導波路モジュールに適用した場合、苛酷な温度変動下（例えば−４０℃〜＋７５℃の範囲での温度変動）においてもその結合損失が０．３ｄＢ以下である光導波路モジュールを実現すべく、上記導波路部品の基板部分を構成する第１の材料と、上記フェルールを構成し、上記第１の材料とは異なる第２の材料は、第１の材料の熱膨張係数と第２の材料の熱膨張係数との差をΔＬ、第１の材料の弾性率をＥ１、第２の材料の弾性率をＥ２とし、上記光ファイバのコア列の両端の間隔が３．７５ｍｍ以下であり、
｜ΔＬ／（Ｅ１／Ｅ２）｜＜３．０×１０−６（℃−１）…（１）
なる関係を満たしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソースエンコーダにおいて、入力信号をスペクトルエンベロープ符号化するための方法において、
入力信号を時間／周波数表示の要素にグループ分けする工程と、
前記グループ分け工程において得られたグループに対するスケールファクタを計算する工程と、
時間方向または周波数方向にスケールファクタを符号化する工程と、
前記スケールファクタが時間方向に符号化されたか、または周波数方向に符号化されたかを表示するエクストラ情報を発生する工程と、
符号化されたスケールファクタを前記エクストラ情報と共に伝送または記憶する工程とを備えた方法。
【請求項２】
前記符号化工程が前記スケールファクタのデルタまたは予測符号化を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記符号化工程が更にデルタまたは予測符号化されたスケールファクタの冗長符号化を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記符号化工程が、
異なる周波数バンドに関するスケールファクタの、所与の時間に対する第１ベクトルおよび前記所与の時間よりも遅い時間に対するスケールファクタの第２ベクトルを計算する工程と、
隣接する周波数バンドに関係する、前記第１ベクトル内のスケールファクタを減算することにより、第１差ベクトルを計算すると共に、同じ周波数バンドに関係する前記第１ベクトルおよび第２ベクトルにおけるスケールファクタを減算することにより、第２差ベクトルを計算する工程と、
前記第１差ベクトルおよび前記第２差ベクトルを冗長符号化するためのビット数を決定する工程と、
最小数のビットを必要とする差ベクトルに基づき符号化方向を選択する工程とを備えた、請求項１記載の方法。
【請求項５】
瞬間的に最も有益な符号化方向を決定し、この最も有益な符号化方向に前記伝送または記憶されたスケールファクタを符号化する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
所定の数のビットに対し、最も少ない符号化エラーを発生する方向を選択する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
所定の符号化エラーに対して最も少ない数のビットを発生する方向を選択する、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記符号化工程が符号化テーブルを使用する無損失の符号化を更に含み、時間および周波数方向に対して別個の符号化テーブルを使用し、最も有益な符号化方向の選択をするために前記符号化テーブルを使用する、請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記エクストラ情報を発生する工程において、前記スケールファクタを符号化する方向を表示する時間／周波数フラグを発生する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記スケールファクタを時間方向ではなく、周波数方向に符号化するときはいつも、前記エクストラ情報を発生する工程が、伝送または記憶のためにスタート値を発生するように作動する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ソース符号化器が伝送または記憶されたデータから所定の周波数領域に対応する残留信号を排除するように作動する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
入力信号の統計学的分析を実行する工程と、
前記分析の結果に基づき、スペクトルエンベロープ表示で使用すべきグリッドを選択する工程と、
前記グリッドを使用することにより、スペクトルエンベロープを表示するスケールファクタを発生する工程とを更に備えた、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ソースエンコーダにおいて、入力信号をスペクトルエンベロープ符号化するための装置において、
入力信号を時間／周波数表示の要素にグループ分けするグループ分け器と、
前記グループ分けにおいて得られたグループに対するスケールファクタを計算する計算器と、
時間方向または周波数方向にスケールファクタを符号化する符号化器と、
前記スケールファクタが時間方向に符号化されたか、または周波数方向に符号化されたかを表示するエクストラ情報を発生する発生器と、
符号化されたスケールファクタを前記エクストラ情報と共に伝送する伝送器または記憶する記憶デバイスとを備えた装置。
【請求項１４】
信号の符号化されたスペクトルエンベロープを復号化するための装置であって、前記符号化されたスペクトルエンベロープが時間方向または周波数方向に符号化され、前記符号化されたスペクトルエンベロープが前記スケールファクタを時間方向に符号化したか、または周波数方向に符号化したかを表示するエクストラ情報を含む装置において、
前記スケールファクタを時間方向に符号化したか、または周波数方向に符号化したかを判断するために前記エクストラ情報を解読する解読器と、
前記エクストラ情報が表示する時間方向または周波数方向を使って前記符号化されたスケールファクタを復号化する復号化器と、
出力信号の合成において、前記復号化されたスケールファクタを使用する合成器とを備えた装置。
【請求項１５】
信号の符号化されたスペクトルエンベロープを復号化するための方法であって、前記符号化されたスペクトルエンベロープが時間方向または周波数方向に符号化され、前記符号化されたスペクトルエンベロープが前記スケールファクタを時間方向に符号化したか、または周波数方向に符号化したかを表示するエクストラ情報を含む方法において、
前記スケールファクタを時間方向に符号化したか、または周波数方向に符号化したかを判断するために前記エクストラ情報を解読する工程と、
前記エクストラ情報が表示する時間方向または周波数方向を使って前記符号化されたスケールファクタを復号化する工程と、
出力信号の分析において、前記復号化されたスケールファクタを使用する工程とを備えた方法。