【事件の表示】
　平成５年特許願第１９７８１３号「ポジ型レジスト塗布組成物」拒絶査定に対する審判事件［平成７年２月７日出願公開、特開平７−３６１８９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成５年７月１５日の出願であって、その特許を受けようとする発明は、平成１３年３月１６日付、平成１３年８月２４日付及び平成１４年５月１３日付手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】放射線照射により酸を発生させ、その酸の触媒作用による化学変化によって、放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するポジ型レジスト塗布組成物において、該ポジ型レジスト塗布組成物が（ａ）酸分解性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂で、該酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性となる樹脂、（ｂ）ジフェニルヨードニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムトリフレートおよびビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンの群の単独または２種以上を含む感放射線性酸発生剤、および（ｃ）プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを含有し、かつ（ａ）成分が酸分解性基がｔ−ブチル基あるいはｔ−ブトキシカルボニル基を含み、酸分解性基の導入率（酸分解性基含有樹脂中の酸性官能基と酸分解性基との合計数に対する酸分解性基の数の割合）が２０〜８０％である樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト塗布組成物。」
 
２．拒絶理由の概要
　当審において平成１４年２月２０日付けで通知した拒絶の理由のうち、理由２の概要は、
「本願の請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である下記刊行物１乃至６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平２−２０９９７７号公報
刊行物２：特開平３−１００５５１号公報
刊行物３：特開平２−１９８４７号公報
刊行物４：特開平５−３４９０３号公報
刊行物５：特開平３−２２３８６１号公報
刊行物６：Journal　of　Photopolymer　Science　and　Technology、Vol．
　　　　　４、No．３(1991)、pp．469〜472　」
というものである。
　
３．引用刊行物に記載された発明
刊行物１：
(1a)「アルカリ性現像液中での、ポリマの溶解性に寄与するこのポリマーに懸垂する官能性基を持っており、そして該官能性基の１部がポリマのアルカリ可溶性を抑制している酸に不安定な基で置換されたポリマ材料と、放射線分解に際して強酸を発生してポリマの露光された区域中でこの官能性基から酸に不安定な基をとり除く光開始剤とから構成される、ポジ型の改良されたレジスト組成物。」（特許請求の範囲第１項）
(1b)「酸に不安定な保護基によって１５〜４０％置換されたポリマが、充分に保護されているポリマよりもはるかに大きな感度を示すという驚くべきことが見出された。これは全く保護されていないポリマが、ポジ画像の非常に限られた解像性と画像識別性としか与えないことからも驚きである。」（第３頁左下欄第１２〜末行）
と記載され、
(1c)実施例２には、「実施例１で述べたようにして、重量平均分子量約１５，０００をもつ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンポリマの液相酸分解により、２種類の置換ポリマ組成物を調製した。第１の組成物は、ＵＶ分光測定より約６０モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと４０モル％のｐ−ヒドロキシシチレンとを含み、また第２の組成物は２３モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと７７モル％のｐ−ヒドロキシシチレンとを含んでいた。これらの置換ポリマは、（固体の重量を基準に）５％のトリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩を含む、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート中で調製され、そしてシリコンウエハ上にスピン塗布をされて約１．３ミクロンの厚みのフィルムを作った。」
(1d)実施例７には、「実施例３〜５の各合成法により作られた、２２％のｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレンと、７８％のｐ−ヒドロキシシチレンの平均モル％をもつ各ポリマと、実施例３の出発材料のＢＣＳを用いる対照品とを、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート中に、７％のトリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート増感剤とともに、レジストに処方した。」
と記載されている。
　
４．対比・判断
　刊行物１に記載された発明と、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）とを対比する。
　刊行物１に記載された「ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンとｐ−ヒドロキシシチレンとからなる置換ポリマ」、「トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩」及び「プロピレングリコールメチルエーテルアセテート」は、それぞれ本願発明における「（ａ）酸分解性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂で、該酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性となる樹脂」、「（ｂ）感放射線性酸発生剤」及び「（ｃ）プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート」に該当し、該刊行物記載の２種類の置換ポリマ、すなわち、「約６０モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと４０モル％のｐ−ヒドロキシシチレンとからなるポリマ」及び「２３モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンと７７モル％のｐ−ヒドロキシシチレンとからなるポリマ」は、いずれも、本願発明における「酸分解性基がｔ−ブトキシカルボニル基を含み、酸分解性基の導入率が２０〜８０％である樹脂」という要件を満たすものである。
　よって、両者は、
「放射線照射により酸を発生させ、その酸の触媒作用による化学変化によって、放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するポジ型レジスト塗布組成物において、該ポジ型レジスト塗布組成物が（ａ）酸分解性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂で、該酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性となる樹脂、（ｂ）感放射線性酸発生剤、および（ｃ）プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを含有し、かつ（ａ）成分が酸分解性基がｔ−ブトキシカルボニル基を含み、酸分解性基の導入率（酸分解性基含有樹脂中の酸性官能基と酸分解性基との合計数に対する酸分解性基の数の割合）が２０〜８０％である樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト塗布組成物。」である点で一致し、以下の点で相違しているにすぎない。
相違点：
　「(ｂ)感放射線性酸発生剤」について、本願発明では、「ジフェニルヨードニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムトリフレートおよびビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンの群の単独または２種以上を含む」と特定しているのに対し、刊行物１には、感放射線性酸発生剤を特定する記載はなく、実施例においては、「トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩」が用いられているだけである点。
　
  なお、感放射線性酸発生剤を用いたポジ型レジストの溶剤として、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを用いることは、刊行物１ばかりでなく、刊行物２（請求項６参照）及び刊行物３（実施例１、２参照）にも記載されているように、本願出願前にすでに公知である。また、「感放射線性酸発生剤」と「酸分解性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性樹脂で該酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性となる樹脂」とからなるポジ型レジストにおいて、該酸分解性基がｔ−ブトキシカルボニル基あるいはｔ−ブチル基であるポジ型レジストは、本願出願前に既に周知であって、こうした酸分解性基の導入率を特定することも、刊行物１ばかりでなく、刊行物５の参考例１ないし３に、ｔ−ブチル基あるいはｔ−ブトキシカルボニル基の導入率を５０％にしたことが記載され、刊行物６（第４７０頁第１０〜１９行）に、ｔ−ブトキシカルボニル基の導入率により溶解速度が変化すること、及び約３０％保護されたポリマーの溶解速度は、１００％のものに比べて１０００倍に低下したことが記載されているように、本願出願前によく知られている。
　
４−２　相違点について
(１)本願発明で特定している「ジフェニルヨードニウムトリフレート」、「トリフェニルスルホニウムトリフレート」および「ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン」は、感放射線性酸発生剤と酸分解性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性樹脂で該酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性となる樹脂とからなる、いわゆる化学増幅型ポジ型レジストにおける「感放射線性酸発生剤」として、本願出願前にすでに周知である。（必要ならば、下記の刊行物７ないし１０等を参照されたい。）
　そして、特に刊行物７には、好ましい感放射線性酸発生剤として例示された中に、「ジフェニルヨードニウムトリフレート」及び「トリフェニルスルホニウムトリフレート」が含まれており、しかも、本願明細書に記載された唯一の実施例で用いられている「トリフェニルスルホニウムトリフレート」については、刊行物７の実施例１、５でも用いられている。
　したがって、当業者であれば、上記相違点に格別な創意を要するものとは認められない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物７：特開平５−６１１９７号公報
　段落【００２５】には、「特に好ましくは、
トリフェニルスルホニウムト
リフレート、
ジフェニルヨードニウムトリフレート、
ト
リフェニルスルホニウムトリフレート
刊行物８：特開平５−１１３６６７号公報
　特に、段落【００１２】には、「トリフェニルスルホニウムトリフルオロ　スルホネイト」（すなわち、トリフェニルスルホニウムトリフレート）が　例示され、【００１３】には、「ジフェニルヨードニウムトリフルオロス　ルホネイト」（すなわち、ジフェニルヨードニウムトリフレート）」が例　示されている。
刊行物９：特開平４−３５０６５７号公報
　段落【００３１】において、オニウム塩カチオン性光開始剤として例示さ　れた化合物のうち、第１番目に記載の化合物が、トリフェニルスルホニウ　ムトリフレートである。
刊行物10：特開平４−１０４２５１号公報
　請求項３には、露光により酸を発生する化合物として一般式［III］（式の　記載を省略）で示される化合物が記載されており、該式において、Ｒ１５及　びＲ１６がフェニル基の場合が、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン　である。
　
(２)出願人は、平成１４年５月１３日付意見書において、概ね以下のように述べ、本願発明は、感放射線性酸発生剤を特定したことによる効果を奏する旨、主張している。
“本願発明と刊行物１記載の発明との効果の差異を明確とするため、本願明細書の実施例１、および該実施例１で樹脂あるいは感放射線性酸酸発生剤を変えた実験例４〜５および比較実験例２〜３を下記表１に、また該実施例１で樹脂あるいは溶剤を変えた比較例１、実験例１〜３および比較実験例１を表２に示します。
　表１および表２から明らかなように、本願発明の樹脂、感放射線性酸酸発生剤および溶剤を用いた場合、保存前後での感度および膜減り量の変化が無いかあるいは極めて小さく、本願発明のポジ型レジスト塗布組成物は保存安定性が極めて優れております。これに対して、感放射線性酸発生剤にトリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネートを用いた場合、膜減り量こそ保存前後で変化しませんが、保存前後での感度の変化が大きく、このポジ型レジスト塗布組成物は保存安定性が不十分であります。しかも、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネートは、毒性やレジストへの金属汚染が大きな欠点となっているのであります。また、本願発明の樹脂または溶剤を用いない場合も、特に保存前後での感度の変化が大きく、これらのポジ型レジスト塗布組成物は保存安定性が不十分であります。”
　
(３)しかしながら、本願明細書の、平成１４年５月１３日付手続補正により補正される前の段落【００１２】ないし【００１７】には、
「本発明で用いられる感放射線性酸発生剤、すなわち放射線に感応して酸を発生する化合物としては、例えばオニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、およびスルホネート化合物などを挙げることができる。より具体的には以下の化合物を挙げることができる。
ア）オニウム塩
　ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩などを挙げることができる。好ましくは、
ジフェニルヨードニウムトリフレート、
トリフェニルスルホニウムトリフレート、
イ）ハロゲン含有化合物
　ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物、ハロアルキル基含有炭化水素化合物などを挙げることができる。好ましくは、フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、メトキシフェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどの（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体や１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタンである。
ウ）スルホン化合物
　β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン、およびそれらのα−ジアゾ化合物などを挙げることができる。好ましくは、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン
エ）スルホネート化合物
　アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートなどを挙げることができる。好ましくは、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリストリフレート、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネートなどである。
　これらの感放射線性酸発生剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。」（なお、アンダーラインは、前記補正により特定された化合物を示すために付したものである。）
と記載されているだけで、上記の「ジフェニルヨードニウムトリフレート」、「トリフェニルスルホニウムトリフレート」、及び「ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン」に特定する旨の記載もなければ、これらの化合物に特定したことによる効果についての記載もない。さらに、本願明細書に記載された実施例で具体的に用いられているのは、これらのうち、「トリフェニルスルホニウムトリフレート」だけである。
　
(４)してみれば、「ジフェニルヨードニウムトリフレート」及び「ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン」についての前記出願人の主張は、本願明細書の記載に基づかない主張であって、到底採用することはできない。
　また、「トリフェニルスルホニウムトリフレート」については、本願の出願当初の明細書に記載された実施例中において用いられた唯一の感放射線性酸発生剤として記載されてはいるものの、該化合物は、前述のとおり、化学増幅型ポジ型レジストの技術分野において周知の感放射線性酸発生剤であり、該化合物についての前記出願人の主張は、出願後に該化合物を用いたことによる効果を単に確認したにすぎないものである。
　
５．結び
  以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び当該技術分野における周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。