Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部機器の外部アンテナの接続有無を検出する外部アンテナ検出回路において、
第１の端子並びに第２及び第３の端子を有し、前記第1の端子と前記第２の端子との間が短絡されていると共に前記第３の端子が開放されている第１の状態と、前記第１の端子と前記第２の端子との間が開放されていると共に前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されている第２の状態とを切り換える切換え手段と、
前記切換え手段が前記第２の状態のとき前記第２の端子が予め設定された所定の電位となるよう前記第２の端子に対し電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第２の端子の電位が前記予め設定された所定の電位である場合に、前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されていると検出する検出手段と
を具備することを特徴とする外部アンテナ検出回路。
【請求項２】
２端を有し、一端に入力される信号の直流成分をしゃ断する直流しゃ断素子と、
前記直流しゃ断素子の他端に接続された第１の端子並びに第２及び第３の端子を有し、前記第1及び第２の端子間が短絡されると共に前記第３の端子が開放された第１の状態と、前記第１及び第３の端子間が短絡されると共に前記第２の端子が開放された第２の状態との間を切り換える切換え手段と、
２端を有し、一端が前記第１の端子に接続されると共に他端が接地点に接続され、前記信号の交流成分を抑圧する交流抑圧素子と、
前記切換え手段が前記第２の状態のとき前記第２の端子が予め設定された所定の電位となるよう前記第２の端子に対し電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第２の端子の電位が前記予め設定された所定の電位である場合に、前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されていると検出する検出手段とを
具備することを特徴とする外部アンテナ検出回路。
【請求項３】
前記切換え手段は、前記第３の端子に前記外部アンテナが接続されていない場合は前記第１の状態をとり、前記第３の端子に前記外部アンテナが接続された場合は前記第２の状態をとるように構成されたスイッチ機能付きコネクタであることを特徴とする請求項２に記載の外部アンテナ検出回路。
【請求項４】
前記電圧印加手段は、前記第２の端子を、抵抗素子を介してゼロでない直流電圧によりプルアップし、前記検出手段は前記第２の端子に入力端が接続された直流電圧測定手段を含むことを特徴とする請求項２に記載の外部アンテナ検出回路。
【請求項５】
前記電圧印加手段は、前記第２の端子を、直列に接続された第１及び第２の抵抗素子を介してゼロでない直流電圧によりプルアップし、前記検出手段は前記第１及び第２の抵抗素子相互の接続端に入力端が接続された直流電圧測定手段を含むことを特徴とする請求項２に記載の外部アンテナ検出回路。
【請求項６】
アンテナ及び無線手段を有し、且つ、外部機器の外部アンテナと接続可能な無線機器において、
前記無線手段に接続された第１の端子と、前記アンテナに接続された第２の端子と、前記外部アンテナが着脱可能に接続可能な第３の端子を有し、前記第1の端子と前記第２の端子との間が短絡されていると共に前記第３の端子が開放されている第１の状態と、前記第１の端子と前記第２の端子との間が開放されていると共に前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されている第２の状態とを切り換える切換え手段と、
前記切換え手段が前記第２の状態にある場合に前記第２の端子が予め設定された所定の電位になるよう電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第２の端子の電位が前記予め設定された所定の電位である場合に、前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されていると検出する検出手段と
を具備することを特徴とする無線機器。
【請求項７】
アンテナ及び前記アンテナの給電手段と、
直流成分及び交流成分を含み、前記アンテナに給電される信号を出力する手段と、
２端を有し、一端が前記出力する手段の出力端に接続され、前記信号の直流成分をしゃ断する直流しゃ断素子と、
前記直流しゃ断素子の他端に接続された第１の端子及び前記アンテナの給電手段に接続された第２の端子並びに第３の端子を有し、前記第1及び第２の端子間が短絡されると共に前記第３の端子が開放された第１の状態と、前記第１及び第３の端子間が短絡されると共に前記第２の端子が開放された第２の状態との間を切り換える切換え手段と、
２端を有し、一端が前記第１の端子に接続されると共に他端が接地点に接続され、前記信号の交流成分を抑圧する交流抑圧素子と、
前記切換え手段が前記第２の状態のとき前記第２の端子が予め設定された所定の電位となるよう前記第２の端子に対し電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第２の端子の電位が前記予め設定された所定の電位である場合に、前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されていると検出する検出手段とを
具備することを特徴とする無線機器。
【請求項８】
前記切換え手段は、前記第３の端子に前記外部アンテナが接続されていない場合は前記第１の状態をとり、前記第３の端子に前記外部アンテナが接続された場合は前記第２の状態をとるように構成されたスイッチ機能付きコネクタであることを特徴とする請求項６に記載の無線機器。
【請求項９】
前記電圧印加手段は、前記第２の端子を、抵抗素子を介してゼロでない直流電圧によりプルアップし、前記検出手段は前記第２の端子に入力端が接続された直流電圧測定手段を含むことを特徴とする請求項６に記載の無線機器。
【請求項１０】
前記電圧印加手段は、前記第２の端子を、直列に接続された第１及び第２の抵抗素子を介してゼロでない直流電圧によりプルアップし、前記検出手段は前記第１及び第２の抵抗素子相互の接続端に入力端が接続された直流電圧測定手段を含むことを特徴とする請求項６に記載の無線機器。
【請求項１１】
外部機器の外部アンテナの接続へ切り替える外部アンテナ切替回路において、
第１の端子並びに第２及び第３の端子を有し、前記第１の端子と前記第２の端子との間が短絡されていると共に前記第３の端子が開放されている第１の状態と、前記第１の端子と前記第２の端子との間が開放されていると共に前記外部アンテナが前記第３の端子に接続されている第２の状態とを切り換える切換え手段と、
前記切換え手段が前記第２の状態のとき前記第２の端子が予め設定された所定の電位となるよう前記第２の端子に対し電圧を印加する電圧印加手段と、
を具備することを特徴とする外部アンテナ切替回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】外部アンテナ検出回路、無線機器及び外部アンテナ切替回路
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、固有の構成機器を接続した状態と、外部機器を接続した状態とを切り換えることのできる外部アンテナ検出回路、当該外部アンテナ検出回路を用いた無線機器及び外部アンテナ切替回路に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツを、当該コンテンツの異なる複数の削除処理手順の一つを特定する情報を含む管理情報と共に記録媒体に記録する記録手段を備えたことを特徴とするコンテンツの記録装置。
【請求項２】
コンテンツが、当該コンテンツの異なる複数の削除処理手順の一つを特定する情報を含む管理情報と共に記録された記録媒体から前記管理情報を再生する再生手段と、
再生された管理情報から前記削除処理手順を特定し、当該特定された削除処理手順に基づいて前記コンテンツの削除処理を実行する制御手段と、
を具備したことを特徴とするコンテンツの再生装置。
【請求項３】
コンテンツを、当該コンテンツの異なる複数の削除処理手順の一つを特定する情報を含む管理情報と共に記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録媒体から前記管理情報を再生する再生手段と、
再生された管理情報から前記削除処理手順を特定し、当該特定された削除処理手順に基づいて前記コンテンツの削除処理を実行する制御手段と、
を具備したことを特徴とするコンテンツの記録再生装置。
【請求項４】
前記削除処理手順は、コンテンツの再生処理の後に当該再生処理に連続して削除を可能とする第1の処理手順と、コンテンツがダビング済である場合にのみ削除を可能とする第２の処理手順を含むことを特徴とする請求項４に記載のコンテンツの記録再生装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記管理情報が前記第1の処理手順を特定するものである場合に、前記コンテンツの再生処理がコンテンツの先頭から所定位置以上に再生された際に、前記第1の処理手順を実行するものであることを特徴とする請求項４に記載のコンテンツの記録再生装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記管理情報が前記第1の処理手順を特定するものである場合に、前記コンテンツの再生処理が連続して当該コンテンツ全体の所定割合以上になった際に、前記第1の処理手順を実行するものであることを特徴とする請求項４に記載のコンテンツの記録再生装置。
【請求項７】
さらに表示手段を含み、前記制御手段は、前記管理情報が前記第1の処理手順を特定するものである場合に、コンテンツの再生処理が終了した際に、前記第1の処理手順による削除処理を実行するか否かの選択を可能とするメッセージを前記表示手段に表示させるものであることを特徴とする請求項４に記載のコンテンツの記録再生装置。
【請求項８】
コンテンツを、当該コンテンツの削除処理手順を特定する識別子を含む管理情報と共に記録媒体に記録するステップと、
前記記録媒体から管理情報を再生するステップと、
前記再生された管理情報の前記識別子を参照して前記削除処理手順を特定するステップと、
前記特定された削除処理手順に基づいてコンテンツの削除処理を実行するステップと、
を具備したことを特徴とするコンテンツの削除管理方法。
【請求項９】
コンテンツを、コンテンツの再生処理の後に当該再生処理に引き続いて削除処理を実行可能とする第1の削除処理手順と、コンテンツがダビング済である場合にのみ削除処理を実行可能とする第２の削除処理手順を含む削除処理手順を特定する識別子を有する管理情報と共に記録媒体に記録するステップと、
前記記録されたコンテンツを前記管理情報と共に再生するステップと、
前記再生が終了した際に、前記管理情報の識別子を参照し、当該識別子が前記第１の削除処理手順を特定するものであるか否か判定するステップと、
前記参照した識別子が前記第１の削除処理手順を特定するものである場合に、当該第１の削除処理手順を実行するステップと、
を具備したことを特徴とするコンテンツの削除管理方法。
【請求項１０】
コンテンツを、コンテンツの再生処理の後に当該再生処理に引き続いて削除処理を実行可能とする第1の削除処理手順と、コンテンツがダビング済である場合にのみ削除処理を実行可能とする第２の削除処理手順を含む削除処理手順を特定する識別子を有する管理情報と共に記録媒体に記録するステップと、
前記記録されたコンテンツから、削除対象とするコンテンツを選択するステップと、
この選択されたコンテンツの前記識別子を参照し、当該識別子が前記第２の削除処理手順を特定するものであるか否か判定するステップと、
前記識別子が前記第２の削除処理を特定するものである場合に、当該第２の削除処理を実行するステップと、
を具備したことを特徴とするコンテンツの削除管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯域保障伝送モードの高速デジタル伝送バスを用いて映像データを伝送する映像伝送方法において、伝送部に映像データの部分読み出しステップと該部分読み出しステップの映像データの部分読み出し開始点および終了点を決める内部および外部トリガ入力ステップと、前記内部または外部トリガ入力の識別を行う識別ステップと該識別ステップで識別した結果のフラグを前記高速デジタル伝送バスにデータの一部として入力するステップを有することを特徴とする映像伝送方法。
【請求項２】
帯域保障伝送モードの高速デジタル伝送バスを用いて映像データを伝送する映像伝送システムにおいて、伝送部に映像データの部分読み出し手段と該部分読み出し手段の映像データの部分読み出し開始点および終了点を決める内部および外部トリガ入力手段と、前記内部または外部トリガ入力の識別を行う識別手段と該識別手段で識別した結果のフラグを前記高速デジタル伝送バスにデータの一部として入力する手段を有することを特徴とする映像伝送システム。
【請求項３】
帯域保障伝送モードの高速デジタル伝送バスを用いて映像データを伝送する映像伝送方法において、伝送部に映像データの部分読み出しステップと該部分読み出しステップの映像データの部分読み出し開始点および終了点を決める内部および外部トリガ入力ステップと、前記内部または外部トリガ入力の識別を行う識別ステップと該識別ステップで識別した結果により前記高速デジタル伝送バスで伝送するチャンネルを選択するステップを有することを特徴とする映像伝送方法。
【請求項４】
帯域保障伝送モードの高速デジタル伝送バスを用いて映像データを伝送する映像伝送システムにおいて、伝送部に映像データの部分読み出し手段と該部分読み出し手段の映像データの部分読み出し開始点および終了点を決める内部および外部トリガ入力手段と、前記内部または外部トリガ入力の識別を行う識別手段と該識別手段で識別した結果により前記高速デジタル伝送バスで伝送するチャンネルを選択する手段を有することを特徴とする映像伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正回路において、
光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する
基準黒画像保持手段、
入力画像のオプティカルブラック領域に対する信号レベルと基準黒画像のオプティカル
ブラック領域に対する信号レベルとに基づいて基準黒画像を補正する基準黒画像補正手
段、
補正された基準黒画像に基づいて入力画像を補正する入力画像補正手段、を備えている
ことを特徴とする。
【請求項２】
固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正回路において、
光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する第１手段、
基準黒画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第
２手段、
入力画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第３
手段、
第２手段によって算出された平均輝度と第３手段によって算出された平均輝度とを水平
ライン毎に比較し、基準黒画像のオプティカルブラックレベルを入力画像のオプティカル
ブラックレベルに等しくさせるためのゲインを水平ライン毎に求める第４手段、
求めた水平ライン毎のゲインを、基準黒画像の有効画素領域の対応する水平ラインの各
画素値に乗算することにより、基準黒画像の有効画素領域内の信号レベルが、入力画像の
オプティカルブラックレベルと同レベルとなるように補正する第５手段、および
基準黒画像の有効画素領域内の補正後の画素値を、入力画像の有効画素領域内の対応する画素の画素値から減算する第６手段、
を備えていることを特徴とする。
【請求項３】
固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正方法において、
光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する
基準黒画像保持ステップ、
入力画像のオプティカルブラック領域に対する信号レベルと基準黒画像のオプティカル
ブラック領域に対する信号レベルとに基づいて基準黒画像を補正する基準黒画像補正ス
テップ、
補正された基準黒画像に基づいて入力画像を補正する入力画像補正ステップ、
を備えていることを特徴とする。
【請求項４】
固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正方法において、
光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する
第１ステップ、
基準黒画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第
２ステップ、
入力画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第３
ステップ、
第２ステップによって算出された平均輝度と第３ステップによって算出された平均輝度
とを水平ライン毎に比較し、基準黒画像のオプティカルブラックレベルを入力画像のオプ
ティカルブラックレベルに等しくさせるためのゲインを水平ライン毎に求める第４ステッ
プ、
求めた水平ライン毎のゲインを、基準黒画像の有効画素領域の対応する水平ラインの各
画素値に乗算することにより、基準黒画像の有効画素領域内の信号レベルが、入力画像の
オプティカルブラックレベルと同レベルとなるように補正する第５ステップ、および
基準黒画像の有効画素領域内の補正後の画素値を、入力画像の有効画素領域内の対応する
画素の画素値から減算する第６ステップ、
を備えていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正回路において、光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する基準黒画像保持手段、入力画像のオプティカルブラック領域に対する信号レベルと基準黒画像のオプティカルブラック領域に対する信号レベルとに基づいて基準黒画像を補正する基準黒画像補正手段、補正された基準黒画像に基づいて入力画像を補正する入力画像補正手段、を備えていることを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正回路において、光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する第１手段、基準黒画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第２手段、入力画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第３手段、第２手段によって算出された平均輝度と第３手段によって算出された平均輝度とを水平ライン毎に比較し、基準黒画像のオプティカルブラックレベルを入力画像のオプティカルブラックレベルに等しくさせるためのゲインを水平ライン毎に求める第４手段、求めた水平ライン毎のゲインを、基準黒画像の有効画素領域の対応する水平ラインの各画素値に乗算することにより、基準黒画像の有効画素領域内の信号レベルが、入力画像のオプティカルブラックレベルと同レベルとなるように補正する第５手段、および基準黒画像の有効画素領域内の補正後の画素値を、入力画像の有効画素領域内の対応する画素の画素値から減算する第６手段を備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の発明は、固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正方法において、光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する基準黒画像保持ステップ、入力画像のオプティカルブラック領域に対する信号レベルと基準黒画像のオプティカルブラック領域に対する信号レベルとに基づいて基準黒画像を補正する基準黒画像補正ステップ、補正された基準黒画像に基づいて入力画像を補正する入力画像補正ステップ、を備えていることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、固体撮像素子を用いたビデオカメラ装置の黒レベル補正方法において、光を当てない状態での固体撮像素子の出力に基づいて、基準黒画像を生成して保持する第１ステップ、基準黒画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第２ステップ、入力画像のオプティカルブラック領域に対する水平ライン毎の平均輝度を算出する第３ステップ、第２ステップによって算出された平均輝度と第３ステップによって算出された平均輝度とを水平ライン毎に比較し、基準黒画像のオプティカルブラックレベルを入力画像のオプティカルブラックレベルに等しくさせるためのゲインを水平ライン毎に求める第４ステップ、求めた水平ライン毎のゲインを、基準黒画像の有効画素領域の対応する水平ラインの各画素値に乗算することにより、基準黒画像の有効画素領域内の信号レベルが、入力画像のオプティカルブラックレベルと同レベルとなるように補正する第５ステップ、および基準黒画像の有効画素領域内の補正後の画素値を、入力画像の有効画素領域内の対応する画素の画素値から減算する第６ステップを備えていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料又は試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマ処理方法であって、
真空室内の試料電極に上記試料を載置し、
上記真空室内を上記真空室の排気口から排気しつつ上記真空室のガス導入口より上記真空室内にガスを供給し、
上記真空室内から上記排気口を通しての排気流量を０又はほぼ０とするとともに、上記ガス導入口よりの上記ガスの供給流量を０又はほぼ０とし、
プラズマ源に高周波電力を供給することにより上記真空室内にプラズマを発生させて上記試料又は試料表面の膜中に不純物を導入することを含むプラズマ処理方法。
【請求項２】
試料又は試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマ処理方法であって、
真空室内の試料電極に上記試料を載置し、
上記真空室内を上記真空室の排気口から排気しつつ、上記排気口と上記真空室のガス導入口とを結ぶ最短流路が上記試料の表面の上方空間を回避するように設けられた上記ガス導入口より上記真空室内にガスを供給して、上記真空室の上記ガス導入口から上記真空室内に供給された上記ガスの流れが、上記試料の表面の上方空間を回避しながら上記排気口に向かい、
上記真空室内から上記排気口を通しての排気流量を０又はほぼ０とするとともに、上記ガス導入口よりの上記ガスの供給流量を０又はほぼ０とし、
プラズマ源に高周波電力を供給することにより上記真空室内にプラズマを発生させて上記試料又は試料表面の膜中に不純物を導入することを含むプラズマ処理方法。
【請求項３】
試料又は試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマ処理方法であって、
真空室内の試料電極に上記試料を載置し、
上記真空室内を上記真空室の排気口から排気し、
上記真空室内から上記排気口を通しての排気流量を０又はほぼ０とした後に、上記排気口と上記真空室のガス導入口とを結ぶ最短流路が上記試料の表面の上方空間を回避するように設けられた上記ガス導入口より上記真空室内に上記ガスを供給して、上記真空室の上記ガス導入口から上記真空室内に供給された上記ガスの流れが、上記試料の表面の上方空間を回避しながら上記排気口に向かい、
上記ガス導入口よりの上記ガスの供給流量を０又はほぼ０とし、
プラズマ源に高周波電力を供給することにより上記真空室内にプラズマを発生させて上記試料又は試料表面の膜中に不純物を導入することを含むプラズマ処理方法。
【請求項４】
試料又は試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマ処理方法であって、
真空室内の試料電極に上記試料を載置し、
上記真空室内を上記真空室の排気口から排気しつつ、上記真空室のガス導入口より上記真空室内にガスを供給し、
上記真空室の体積をＶ（Ｌ：リットル）、上記真空室内の圧力をｐ（Ｔｏｒｒ）、供給される上記ガスの流量をＱ（Ｔｏｒｒ・Ｌ／ｓ）としたとき、Ｖ・ｐ／Ｑ＞１（ｓ）なる関係を満たしながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより上記真空室内にプラズマを発生させて上記試料又は上記試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマ処理方法。
【請求項５】
上記プラズマを発生させるとき、上記真空室内の圧力が０．０１〜５Ｐａである状態で上記プラズマを発生させる、請求項１〜４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
上記真空室内に上記ガスを供給するとき、上記ガスとしてドーピング原料を含むガスを上記真空室内に供給する、請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
真空室を形成し、上記真空室内を排気する排気口と、上記排気口と結ばれる最短流路が試料の表面の上方空間を回避するように設けられて上記真空室内にガスを供給するガス導入口とを有する真空容器と、
上記真空室内に上記試料を載置するための試料電極と、
上記真空容器の排気口に連結されて上記真空室内を排気するための排気装置と、
上記ガス導入口に連結されて上記真空室内にガスを供給するためのガス供給装置と、
プラズマ源と、
上記プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、
上記真空室内から上記排気口を通しての排気流量を０又はほぼ０とするとともに、上記ガス導入口よりの上記ガスの供給流量を０又はほぼ０とした状態で、上記プラズマ源に上記高周波電力を供給することにより上記真空室内にプラズマを発生させて上記試料又は試料表面の膜中に不純物を導入するように制御する制御装置と、
を備えるプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光部と、前記受光部の少なくとも一部上に配置された多結晶シリコン配線と、前記受光部に入射光を導く、前記受光部上に配置された井戸構造とを備えた複数の撮像素子を有する撮像装置において、
前記井戸構造は、前記受光部上に配置された前記多結晶シリコン配線の少なくとも一部上に配置されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記井戸構造上にマイクロレンズをさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記井戸構造は、前記受光部に対応して配される高屈折率部を有し、
前記マイクロレンズは前記高屈折率部と一体に形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記多結晶シリコン配線が上部に配置されていない前記受光部の領域に、前記マイクロレンズの光軸が位置することを特徴とする、請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記マイクロレンズの光軸と直交する１方向において、前記多結晶シリコン配線は前記受光部の片端に配置され、
前記マイクロレンズの光軸は、前記多結晶シリコン配線が上部に配置されていない前記受光部の領域の中心に位置していることを特徴とする、請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記マイクロレンズの光軸は前記井戸構造の中心に位置していることを特徴とする、請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項７】
透過する入射光の波長を選択する波長選択層をさらに有することを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記波長選択層は、前記撮像素子に対応して配され、赤色、緑色、および青色のいずれか１色に対応する入射光の波長を選択して透過し、
前記青色を選択する前記波長選択層が配された前記撮像素子の井戸構造は、前記受光部上に配された前記多結晶シリコン配線上には配置されていないことを特徴とする、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の撮像装置と前記撮像装置からの出力信号を処理し画像データを生成する処理手段とを備えた処理部と、前記画像データを蓄積する記録部と、前記撮像装置に被写体像を結像する光学部と、前記処理部、前記記録部、および前記光学部を制御する制御部とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明の撮像装置は、受光部と、前記受光部の少なくとも一部上に配置された多結晶シリコン配線と、前記受光部に入射光を導く、前記受光部上に配置された井戸構造とを備えた複数の撮像素子を有する撮像装置において、前記井戸構造は、前記受光部上に配置された前記多結晶シリコン配線の少なくとも一部上に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、井戸構造が受光部上だけでなく、受光部上に配置された多結晶シリコン配線の少なくとも一部上に配置され、井戸構造の開口面積が十分に確保されているため、井戸構造内に入射する入射光の量が増す。多結晶シリコン配線上に到達した入射光は、その一部が多結晶シリコン配線によって吸収されるものの、多結晶シリコン配線を透過して受光部に到達する。その結果、より多量の入射光が受光され、集光効率が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
撮像素子は、入射光を前記受光部に向かって集光するマイクロレンズをさらに有していてもよい。これにより、より広い画角の入射光が集光され、集光効率が向上する。ここで、井戸構造とマイクロレンズとの相対位置関係は、例えば、マイクロレンズの光軸と直交する１方向において、多結晶シリコン配線は前記受光部の片端に配置され、かつ、前記マイクロレンズの光軸は、多結晶シリコン配線が上部に配置されていない受光部の領域の中心に位置しているものであってもよいし、前記マイクロレンズの光軸は前記井戸構造の中心に位置しているものであってもよい。このように、マイクロレンズの配置を変更することにより、撮像素子の特徴が変化する。いずれの構造を採用するかは、その撮像素子（撮像装置）を用いる機器に応じて適宜変更するとよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
撮像装置は、透過する入射光の波長を選択する波長選択層をさらに有していてもよく、特に、前記波長選択層が、撮像素子に対応して配され、赤色、緑色、および青色のいずれか１色に対応する入射光の波長を選択して透過し、青色を選択する前記波長選択層が配された撮像素子の井戸構造は、受光部上に配された多結晶シリコン配線上には配置されていないものとすれば、各色を受光する受光素子間の受光量のバランスが保たれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による撮像システムは、上記本発明による撮像装置と前記撮像装置からの出力信号を処理し画像データを生成する処理手段とを備えた処理部と、前記画像データを蓄積する記録部と、前記撮像装置に被写体像を結像する光学部と、前記処理部、前記記録部、および前記光学部を制御する制御部とを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、撮像装置が備えた井戸構造を、受光部上のみではなく、受光部上に配置された多結晶シリコン配線の少なくとも一部上にも配置することにより、井戸構造の開口面積が十分に確保され、入射光の集光効率を改善する。したがって、本発明の撮像装置および撮像システムによれば、被写体像を感度よく受光することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体に形成されたマークの位置を検出するための信号処理に設定可能なパラメーターを決定する方法であって、
前記マークの光学像を撮像素子上に結像することにより得られる第１の波形を生成するステップと、
前記第１の波形を前記撮像素子の１画素内でずらして第２の波形を生成するステップと、
前記第２の波形に対して前記パラメーターを変化させて前記信号処理を行うことにより前記パラメーターを決定するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記パラメーターは、前記信号処理の処理パラメーター、または前記信号処理の処理方法であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２の波形を生成するステップは、
前記撮像素子の１画素内の領域を３以上の分割数で分割するステップと、
前記分割ステップで分割した分割数だけ前記第１の波形をずらして、複数の前記第２の波形を生成するステップとを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記分割数Ｎは、要求される前記マークの検出分解能をσ、前記撮像素子の画素ピッチをＬとしたとき、
Ｎ＞Ｌ／σ
で与えられることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記パラメーターを決定するステップは、
前記第1の波形のずらし量に対応する前記信号処理後の理想値からの誤差を算出するステップと、
前記算出ステップで算出された前記理想値からの誤差のばらつきが最小である前記パラメーターを選択するステップとを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記パラメーターを決定するステップは、
前記第1の波形のずらし量に対応する前記信号処理後の理想値からの誤差を算出するステップと、
前記算出ステップで算出された前記理想値からの誤差のばらつきが所定の値以下である前記パラメーターを選択するステップとを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
原版と被処理体との位置合わせを行った後に前記原版のパターンを被処理体に露光する露光方法であって、請求項１記載の方法により決定されたパラメーターを利用して前記被処理体に形成されたマークの位置を検出することにより前記原版と前記被処理体との位置合わせを行った後に前記原版のパターンを前記被処理体に露光することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
原版のパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
請求項１記載のパラメーターを決定する方法によって前記原版と前記被処理体との位置合わせを行う手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのパラメーターを決定する方法は、物体に形成されたマークの位置を検出するための信号処理に設定可能なパラメーターを決定する方法であって、前記マークの光学像を撮像素子上に結像することにより得られる第１の波形を生成するステップと、前記第１の波形を前記撮像素子の１画素内でずらして第２の波形を生成するステップと、前記第２の波形に対して前記パラメーターを変化させて前記信号処理を行うことにより前記パラメーターを決定するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に積層された積層半導体層と、
前記第２導電型半導体層に接続された第２電極と、
前記第２導電型半導体層の上面であって、前記第２電極との接続領域以外の領域に形成された埋め込み膜と、
前記積層半導体層の側面を被覆し、前記埋め込み膜よりも実質的に厚膜の保護膜と、を備える半導体レーザ素子であって、
前記保護膜が、埋め込み膜と同一材質の膜を含んで形成され、かつ前記積層半導体層の側面から第２導電型半導体層上に配置する埋め込み膜の端部を被覆するように形成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
埋め込み膜及び保護膜が、酸化ジルコニウムを含んでなる請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
保護膜が、埋め込み膜の２倍以上の膜厚を有する請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
フェイスダウン実装用である請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
第２電極が、埋め込み膜及び／又は保護膜上に、密着膜を介して配置されてなる請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
密着膜が、白金族系金属からなる請求項５に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
第２導電型半導体層にストライプ状のリッジが形成されており、該リッジの上面が第２電極と接続され、前記リッジの側面が埋め込み膜で被覆されてなる請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
第２電極が形成された領域において、リッジ上面よりも保護膜の上面が高い位置に配置される請求項７に記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
第２電極が形成された領域において、保護膜が多層構造で形成されてなる請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
第２電極が、第２導電型半導体層の上方であって、埋め込み膜及び／又は保護膜上全面に形成されてなる請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に積層された積層半導体層と、前記第２導電型半導体層に接続された第２電極と、前記第２導電型半導体層の上面であって、前記第２電極との接続領域以外の領域に形成された埋め込み膜と、前記積層半導体層の側面を被覆し、前記埋め込み膜よりも実質的に厚膜の保護膜と、を備える半導体レーザ素子であって、前記保護膜が、埋め込み膜と同一材質の膜を含んで形成され、かつ前記積層半導体層の側面から第２導電型半導体層上に配置する埋め込み膜の端部を被覆するように形成されてなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率材料が表面の少なくとも一部に露出している基板を処理する処理液であって、
１分子中に親水基並びに疎水基を少なくともそれぞれ１つ有し、かつ室温において揮発性を有する有機物を含むことを特徴とする処理液。
【請求項２】
前記有機物が、有機酸またはアルコールであることを特徴とする請求項１に記載の処理液。
【請求項３】
前記低誘電率材料は、比誘電率が３以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の処理液。
【請求項４】
低誘電率材料が表面の少なくとも一部に露出している基板を処理する基板処理方法であって、
基板に薬液及び/又はリンス液を供給して所定の処理を行った後に、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を基板に供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
前記リンス液は、純水に、Ｈ２ガス、Ｏ２ガス、ＣＯ２ガス、及びＮ２ガスのうちの少なくとも１つを溶存させた水溶液であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記処理液の供給を停止した後に、基板を２０００ｍｉｍ−１以下で回転させて基板を乾燥させることを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項７】
低誘電率材料と該低誘電率材料上に形成された金属膜とが表面に形成された基板を研磨する基板処理方法であって、
基板に研磨液を供給しながら基板を研磨する工程と、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を基板に供給しながら基板を研磨する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
低誘電率材料と該低誘電率材料上に形成された金属膜とが表面に形成された基板を研磨する基板処理方法であって、
基板を研磨した後に、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を基板に供給しながら所定の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
低誘電率材料と該低誘電率材料上に形成された金属膜とが表面に形成された基板を研磨する基板処理方法であって、
基板を研磨する工程と、
研磨された基板に請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を供給する工程と、
前記処理液の供給を停止した後に、基板を１５００ｍｉｍ−１以下で回転させて基板を乾燥させる工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
低誘電率材料が表面の少なくとも一部に露出している基板にめっきを施す基板処理方法であって、
基板にめっきを施す前に、前処理として請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を基板に供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
低誘電率材料が表面の少なくとも一部に露出している基板にめっきを施す基板処理方法であって、
基板にめっきを施した後に、後処理として請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を基板に供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
低誘電率材料が表面の少なくとも一部に露出している基板を処理する基板処理方法であって、
前記低誘電率材料の表面の少なくとも一部に請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を供給する工程と、
前記処理液により前記低誘電率材料の表面の少なくとも一部を親水化させる工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
前記低誘電率材料の表面の少なくとも一部を親水化させた後に、前記処理液を基板の表面から除去する工程を更に有することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理液を基板の表面から揮発させることにより、前記処理液を基板の表面から除去することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
低誘電率材料と該低誘電率材料上に形成された金属膜とが表面に形成された基板を研磨する基板処理装置であって、
基板を研磨する研磨部と、
研磨された基板の後処理を行う後処理部と、
前記研磨部及び前記後処理部の少なくとも一方に、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を供給する処理液供給部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
低誘電率材料が表面の少なくとも一部に露出している基板にめっきを施す基板処理装置であって、
基板にめっきを施すめっき部と、
基板にめっきを施す前に基板に所定の前処理を施す前処理部と、
めっきが施された基板に所定の後処理を施す後処理部と、
前記前処理部及び前記後処理部の少なくとも一方に、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理液を供給する処理液供給部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光手段と受光手段とを有し、前記発光手段と前記受光手段との間に載置された基板の位置の違いにより生じる前記受光手段での受光状態の違いから該基板の外周位置を求める基板外周位置計測手段と、前記基板を保持し、かつ移動する基板保持手段とを備えた位置合わせ装置を用いて透明基板の位置合わせを行なう位置合わせ方法であって、
前記透明基板の外周部に予め面取りを施すことを特徴とする透明基板の位置合わせ方法。
【請求項２】
前記位置合わせ装置は、該基板の表面と平行な面内で該基板を回転させるべく該基板保持手段を回転させる回転手段を備え、前記回転手段による該透明基板の複数の回転角度のそれぞれに対する該透明基板の外周位置を前記基板外周位置計測手段により求めることにより、該透明基板の偏心量を求めることを特徴とする請求項１に記載の位置合わせ方法。
【請求項３】
前記透明基板は、外周部に切り欠き部が設けられたものであり、前記位置合わせ装置は、前記回転手段による該透明基板の複数の回転角度のそれぞれに対する該透明基板の外周位置を前記基板外周位置計測手段により求めることにより、該切り欠き部に対応した該透明基板の回転角度を求めることを特徴とする請求項２に記載の位置合わせ方法。
【請求項４】
前記位置合わせ装置は、該切り欠き部の位置を計測するための計測手段を備え、該透明基板の偏心量および該切り欠き部に対応した該透明基板の回転角度に基づき前記基板保持手段を移動させた後、前記計測手段の出力に基づく該透明基板の位置合わせを行なうことを特徴とする請求項３に記載の位置合わせ方法。
【請求項５】
前記計測手段の出力に基づく該透明基板の位置合わせは、該切り欠き部が前記計測手段の計測視野から外れるような該透明基板の位置に該透明基板を移動させてから行うことを特徴とする請求項４に記載の位置合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、透明基板の位置合わせ方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、手間やコストがかかる金属膜の蒸着をせずに透明基板を位置合わせすることを課題とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を達成するため本発明では、発光手段と受光手段とを有し、前記発光手段と前記受光手段との間に載置された基板の位置の違いにより生じる前記受光手段での受光状態の違いから該基板の外周位置を求める基板外周位置計測手段と、前記基板を保持し、かつ移動する基板保持手段とを備えた位置合わせ装置を用いて透明基板の位置合わせを行なう位置合わせ方法であって、前記透明基板の外周部に予め面取りを施すことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、手間やコストがかかる金属膜の蒸着をせずに透明基板を位置合わせすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する半導体製造装置において、
前記レチクル上に描写されたマークの位置を計測する計測手段と、
該計測手段によって計測された、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記マークの位置および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記マークの位置に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段と
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記予想する手段は、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記マークの位置と前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記マークの位置との差分を求め、前記差分から前記ディストーションを予想することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記投影光学系は、前記ディストーションを補正する手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する半導体製造装置において、
前記レチクルの平面度を計測する計測手段と、
該計測手段によって計測された、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記レチクルの平面度および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記レチクルの平面度に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段と
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
前記予想する手段は、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記レチクルの平面度と前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記レチクルの平面度との差分を求め、前記差分から前記ディストーションを予想することを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記投影光学系は、前記ディストーションを補正する手段を有することを特徴とする請求項４または５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体製造装置を用いてウエハを露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、半導体製造装置において、レチクルがレチクルホルダ（保持機構）に保持されることに起因した投影光学系による投影像のディストーションを精度良く予想することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記問題を解決するためには、レチクルを保持機構で保持する前および後のレチクルの変形量が問題となる。また、基準となるレチクルを用いて露光および計測を行い、投影レンズあるいは半導体製造装置固有のディストーションを抑えるために、あらかじめ調整してあることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る第１の半導体製造装置は、レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する半導体製造装置において、前記レチクル上に描写されたマークの位置を計測する計測手段と、該計測手段によって計測された、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記マークの位置および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記マークの位置に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る第２の半導体製造装置は、レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する半導体製造装置において、前記レチクルの平面度を計測する計測手段と、該計測手段によって計測された、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記レチクルの平面度および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記レチクルの平面度に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、半導体製造装置のレチクルステージ上でレチクルホルダによるレチクル保持前およびレチクル保持後の、レチクルにパターニングされたマークの位置ズレ、またはレチクルの平面度を計測する。そして、その計測結果に基づいてレチクルが保持機構に保持されることに起因した投影光学系による投影像のディストーションを予想する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、レチクルが保持機構に保持されることに起因した投影光学系による投影像のディストーションを精度良く予想することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版保持装置を有し、前記原版保持装置に保持された原版に描かれたパターンを介し基板を露光する露光装置において、
前記原版保持装置の原版装着面と前記原版との間の距離を前記原版装着面の複数箇所について計測する計測手段を具備することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記計測手段は、前記原版装着面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記原版は、反射原版であることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記原版保持装置は、前記原版装着面に前記原版を保持するための複数の静電チェック電極を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項５】
前記計測手段による計測値に基づいて、前記複数の静電チェック電極の電位を制御する制御手段をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記原版と前記原版保持装置との間のアライメントを計測する前に、前記複数の静電チェック電極の電位を制御することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記原版保持装置に前記原版を搬送する搬送手段を有し、前記搬送手段は、弾性手段を介して前記原版を保持することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記原版からの光を前記基板に投影する投影光学系を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１つに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
しかしながら、上記従来の露光装置においては、原版（レチクル）をアライメントして原版保持装置（レチクルチャックスライダー）に装着した際の原版の位置精度が必ずしも十分ではないという問題があった。
本発明は、原版保持装置に対する原版の位置精度を改善することを課題とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明では、原版保持装置を有し、前記原版保持装置に保持された原版に描かれたパターンを介し基板を露光する露光装置において、前記原版保持装置の原版装着面と前記原版との間の距離を前記原版装着面の複数箇所について計測する計測手段を具備することを特徴とする。前記計測手段は、例えば、原版装着面に設けるとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明によれば、原版保持装置に対する原版の位置精度を改善することができる。