【事件の表示】
　平成　７年特許願第　１１３９６号「弾性表面波装置の製造方法、および、これを用いて製造された弾性表面波装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年　８月　９日出願公開、特開平　８−２０４４８３、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
  本願は、平成７年１月２７日の出願であって、その請求項１ないし２０に係る発明は、平成１０年３月１７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された次のとおりのものと認める。
　　【請求項１】　タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に単結晶のアルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る電極を備えた弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板上の基板表面変質層を、前記タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ結晶面に垂直な軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項２】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板がＸカットタンタル酸リチウムであり、
　前記基板表面変質層を、該Ｘカットタンタル酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ（１００）結晶面に垂直な〈１００〉軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項３】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板がＺカットタンタル酸リチウムまたはＺカットニオブ酸リチウムであり、
　前記基板表面変質層を、該Ｚカットタンタル酸リチウムまたはＺカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ（００１）結晶面に垂直な〈００１〉軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項４】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板が３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウムであり、
　前記基板表面変質層を、該３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ（０１２）結晶面に垂直な軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項５】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板が１２８°回転Ｙカットニオブ酸リチウムであり、
　前記基板表面変質層を、該１２８°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ（０，−１，２）結晶面に垂直な軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項６】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板が４１°回転Ｙカットニオブ酸リチウムであり、
　前記基板表面変質層を、該４１°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ（０１２）結晶面に垂直な軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項７】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
　前記単結晶圧電基板が６４°回転Ｙカットニオブ酸リチウムであり、
　前記基板表面変質層を、該６４°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ（００１）結晶面に垂直な軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
　　【請求項８】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１００）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項９】　請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム単結晶圧電基板上に（１００）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１０】　請求項５に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記１２８°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１００）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１１】　請求項６に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記４１°回転Ｙカットニオブル酸リチウム単結晶圧電基板上に（１００）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１２】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１０）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１３】　請求項２に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記Ｘカットタンタル酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１０）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１４】　請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１５】　請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記Ｚカットタンタル酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１６】　請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記Ｚカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１７】　請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１８】　請求項５に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記１２８°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項１９】　請求項６に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記４１°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項２０】　請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法を用いて製造された弾性表面波装置であって、
　前記６４°回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上に（１１１）方位の単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜より成る櫛型電極を有することを特徴とする弾性表面波装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例１ないし１０には、それぞれ以下の点が記載されている。
　引用例１（特開平５−１９９０６２号公報）
・単結晶状態の水晶ブロックを切断し、研磨加工した後、水晶基板表面の加工変質層の除去および応力解放、ならびに水晶基板表面を島状構造に仕上げるエッチング加工を行うこと、
・エッチングは、弗酸あるいは弗化アンモニウムの混合液等のエッチング液に浸すことにより行なうこと、
・基板表面を島状構造に加工することにより蒸着法やスパッタリング法等の簡便な方法により、アルミニウム単結晶膜を得ることができること、
　引用例２（特開平６−４５２８８号公報）
・誘電体基板にイオンミリングによって電極のパターニングを行う際に、イオン衝撃による切削加工が施されている面の近くの空間にレーザ光を投射し、切削面からのスパッタ飛沫を該レーザ光が照射することにより生ずるラマン散乱光のスペクトルを観測することによって被切削物質を検知すること、
・切削加工の進行に伴って生ずる被処理体の微細飛沫から被切削物質を実時間に検知しているので、ミリング処理の過剰進行を防止することができ、該処理により形成される機能素子の素子特性を良好なものとすることができること、
　引用例３（特開平４−２３４７１号公報）
・結晶表面にステップがある場合、ソースから供給された原子は表面を拡散してステップに優先的に吸着されるため、低指数面から少し傾いた面を有する半導体基板を用い、ＧａＡｓ原料とＡｌＡｓ原料の供給を交互に１／２原子層ずつ正確に切換えていくことによりＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層が基板表面に平行方向に積層された縦型超格子が成長させることができること、
・縦型超格子の作成過程に引き続いて、一旦大気にさらして基板表面に薄い酸化膜を形成した後、蒸気圧の差を利用して一方の半導体層を熱エッチングし、エッチングした個所に不純物をドープした半導体層を成長させることにより不純物ドープ層を含む縦型超格子が実現できること、
　引用例４（特開昭６２−２３４３１９号公報）
・無極性結晶であるＳｉ単結晶基板上に有極性のＧａＡｓ単結晶薄膜を成長させる際、反位相境界の発生による電気的特性の劣化の問題を解決するには、Ｓｉ基板の面方位を低指数面（一般には（１００）面）から２〜４゜傾ける方法が有効という報告があるが、再現性が必ずしもよくないこと、
・Ｓｉ基板表面の方位を低指数面から傾けることにより反位相境界が減少する理由は、基板表面に存在するステップの効果と考えられているが、研磨後の基板表面には数１０〜数１００原子層の高さのステップが存在し、通常の希弗酸による自然酸化膜のエッチングでは大きな段差を除去できないこと、
・本発明は低指数面からわずかに傾いた表面をもつＳｉウエハを酸化した際、酸化膜と基板の界面に原子層オーダ（１〜２原子層）の段差が傾き角に対応した間隔で発生することを利用したものであること、
・Ｓｉ基板の表面をあらかじめ熱酸化等により酸化して酸化膜を形成した後、この酸化膜を化学的に除去することにより、反位相境界の発生を極めて低くできたこと、
　引用例５（特開平４−１９６６１０号公報）
・ＡＴ振動子の発振片にあらかじめ形成された金属からなる励振電極の薄膜をイオンビームを照射してエッチングすることによりＡＴ振動子の周波数調整をするにあたり、イオンビームの入射角度を励振電極に対し垂直から角度を付けること、
・イオンビームのエネルギー密度が一定である場合、発振片に対してイオンビームを垂直に照射した場合（照射角度０度）に比べ、照射角度が６０〜７０度の角度をもったときの方が、周波数の変化速度が１．３〜１．５倍速くなること、
　引用例６（特開平４−７８２０９号公報）
・基板表面に入出力トランスデューサ用電極膜を形成した後に、入出力トランスデューサ用電極膜を覆うように圧電薄膜を形成する工程で製造される表面波デバイスは、ダンピング剤を塗布したり、電極をスプリット構造としても不要波の発生や周波数特性及び速度分散のばらつきを充分に抑制できないこと、
・圧電薄膜形成後に、圧電薄膜表面をＥＣＲ装置でイオンビームエッチングして平滑化することにより、圧電薄膜の表面が平滑化され、圧電薄膜表面の凹凸に起因する表面波の反射や速度分散を抑制できること、好ましくは、イオンビームを基板表面に対して垂直方向から４５度以内の入射角度で照射すること、
　引用例７（特開昭５７−１５５１４号公報）
・圧電基板表面に形成するすだれ状電極の膜厚に等しい段差のため不要反射やバルク波が発生するなど特性劣化を防止するため、すだれ状電極を基板表面に埋め込み段差を解消すること、
・圧電基板表面に、すだれ状電極のパターンを有する溝を形成し、次に電極材料膜を全面付着した後電極材料膜上に被膜を形成し、しかる後に表面法線方向に対して所定の角度だけ傾いた方向から基板全面にイオンビームを照射して被膜及び不要電極膜をエッチングすること、
　引用例８（特開平６−１３２７７７号公報）
・ＬＳＴカット水晶基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板を用いた弾性表面波素子の周波数変化を小さくするために、アルミニウム電極を単結晶膜とすること、アルミニウム単結晶膜は、単結晶圧電基板上の成膜速度を毎秒２５オングストローム以下の低レートで成膜することにより、蒸着法、スパッタリング法により容易に得られること、
　引用例９（特開平５−２２６３３７号公報）
・Ａｌは（１１１）配向性の高い膜ほどマイグレーション耐性が高いことが知られているが、基板上に直接（１１１）配向のＡｌを堆積させることは容易ではないこと、
・アモルファス状あるいは微細粒組織のＡｌないしＡｌ合金薄膜を下地層として形成すると、その上に（１１１）配向のＡｌないしＡｌ合金薄膜が容易に形成できること、
・アモルファス状あるいは微細粒組織のＡｌないしＡｌ合金薄膜を形成する方法としては、液体窒素で冷却した基板上に、ＡｌないしＡｌ合金を堆積させる方法、ＡｌないしＡｌ合金薄膜中にイオン打ち込みを行う方法、圧電基板上にＡｌないしＡｌ合金薄膜を堆積し、その堆積中に圧電基板を振動させる方法、があること、
　引用例１０（特開平５−１８３３７３号公報）
・アルミニウム電極のストレスマイグレーション対策としては、電極材料として（３１１）面に結晶方位のそろったアルミニウム又はその合金を用いることが提案されているが、その効果は未だ不充分であること、
・結晶方位を（１１１）面とすることにより耐ストレスマイグレーション特性を向上できること、
・（１１１）面に配向した電極材料の形成方法としては、蒸着、スパッタ、ＩＢＳ（Ion Beam Sputtering）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、プラズマＣＶＤ、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）、ＩＣＢ（Ionized Cluster Beam）等の各種薄膜作成プロセスを用いることができること、
　
３．対比・判断
  本願の請求項１に係る発明と引用例１ないし１０に記載された事項と対比すると、引用例１ないし１０には、本願の請求項１に係る発明における「タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上の基板表面変質層を、前記タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板表面に最も近い低指数を持つ結晶面に垂直な軸方向に対しイオンビームの照射方向が平行または垂直となる位置からそれぞれ±２０°の範囲内になるようにイオン源を配置してイオンビームエッチングを行うことにより除去した後、前記単結晶圧電基板上に単結晶アルミニウムあるいはアルミニウム系合金膜を形成する」点について記載がなく、またこれを示唆する記載も認められない。
　引用例１ないし１０のうち、イオンビームエッチングに関する記載のある、引用例２、５、６及び７について検討すると、引用例２は、電極のパターニングを行うため、引用例５は、電極をエッチングして周波数調整をするため、引用例６は、入出力トランスデューサ用電極膜を覆う圧電薄膜表面の平滑化のため、引用例７は、溝を形成した基板全面に電極材料膜とそれをおおう被膜を形成した後に被膜及び不要電極膜を除去するため、それぞれイオンビームを照射するものであって、いずれも、本願請求項１に係る発明とは、イオンビームを照射する対象ないし目的が相違している上、イオンビームの照射方向についても、引用例２では、明細書に明示の記載がなく図面からは基板に対して垂直方向と推測されるのみであり、また引用例５、６及び７は基板に対して垂直な方向に対する角度で表わされており、本願請求項１に係る発明におけるイオンビームの照射方向に関する構成とは相違する。
　そして、本願請求項１に係る発明は前記摘記した構成を備えることにより、歩留まりよく単結晶アルミニウム膜あるいはアルミニウム系合金膜を形成でき、弾性表面波装置の電極の耐電力性を格段に向上できるとともに、高濃度の添加元素を必要としないために、挿入損の増大や電極加工時におけるエッチング残査を生じさせずにＳＡＷフィルタを歩留り良く製造することができるという、引用例１ないし１０の記載からは予期し得ない効果を奏するものと認められる。
　したがって、本願請求項１に係る発明が、引用例１ないし１０に記載された発明に基いて当業者の容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　また、本願の請求項２ないし２０はいずれも本願の請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから、本願の請求項１に係る発明について前記したと同様の理由により、引用例１ないし１０に記載された発明に基いて当業者の容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１ないし請求項１０に係る発明は引用例１ないし１０に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。