Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】一般式（１）で表される構造単位および／または一般式（１）で表される構造単位の前駆体よりなる化合物を成分（ａ）として含み、かつ、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基より選ばれる少なくとも１つの官能基を有することを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
2004002753.tif 000001
（一般式（１）において、ｎは１〜２の整数である。Ｒ１〜Ｒ４はＨ、Ｆ、ＣＦ３、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ５、Ｒ６はＨ、または炭素数１〜１０のアルキル基のいずれか一つを示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒａは一般式（６）で表される置換基を示す。一般式（６）において、Ｒ７は−ＣＲ１８Ｒ１９−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＳＯ２−より選ばれる２価の基を示し、Ｒ１８、Ｒ１９は水素原子、水酸基、炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれる１価の基を示す。Ｒ８、Ｒ９は水素原子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれ、少なくとも一つは水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基を示す。Ａ、Ｂ、Ｃは炭素原子、または窒素原子であり、各々同じでも異なっていてもよい。ｍは０から１０まで整数であり、ｌは０または１であり、ｐは０または１であり、ｑは１〜３までの整数である。）
【請求項２】さらに、成分（ｂ）として、フェノール性水酸基を有する化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の樹脂組成物。
【請求項３】さらに、成分（ｃ）として光酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物である請求項１または２記載の樹脂組成物。
【請求項４】さらに一般式（２）で表される構造単位および／または一般式（２）で表される構造単位の前駆体よりなる化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化２】
2004002753.tif 000002
（一般式（２）において、ｇは１〜２、ｈ、ｉ、ｊは０〜５の整数を示し、ｈ＋ｊ≧１を満たす整数である。Ｘは直接結合、またはＯ、Ｓ、ＣＨ２、ＣＯ、ＳＯ、ＳＯ２のいずれかを示す。Ｒ１１〜Ｒ１４はＨ、Ｆ、ＣＦ３、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ１５、Ｒ１６はＨ、または炭素数１〜１０のアルキル基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ１７、Ｒ１８はＨ、Ｆ、ＣＦ３、ＯＣＦ３、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。）
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂組成物より形成されたことを特徴とする絶縁膜
【請求項６】請求項５記載の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項５記載の絶縁膜を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】請求項５記載の絶縁膜を平坦化膜として用いることを特徴とする半導体素子基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【化３】
2004002753.tif 000003
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（一般式（１）において、ｎは１〜２の整数である。Ｒ１〜Ｒ４はＨ、Ｆ、ＣＦ３、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基のいずれかを示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ５、Ｒ６はＨ、または炭素数１〜１０のアルキル基のいずれか一つを示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒａは一般式（６）で表される置換基を示す。一般式（６）において、Ｒ７は−ＣＲ１８Ｒ１９−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＳＯ２−より選ばれる２価の基を示し、Ｒ１８、Ｒ１９は水素原子、水酸基、炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれる１価の基を示す。Ｒ８、Ｒ９は水素原子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれ、少なくとも一つは水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基を示す。Ａ、Ｂ、Ｃは炭素原子、または窒素原子であり、各々同じでも異なっていてもよい。ｍは０から１０まで整数であり、ｌは０または１であり、ｐは０または１であり、ｑは１〜３までの整数である。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一般式（５）において、Ｒａは、一般式（１）のＲａであり、Ｒａは下記一般式（６）で表されるものが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガラス製品形成装置の管支持フレーム（２０）上に配置されたの回転可能なガラス流制御管（１４）の回転軸線に対するこのガラス流制御管（１４）の同心性を指示する装置であって、
管支持フレーム上に固着されるベース（３４、３６）と、
前記管支持フレームに取付けられたガラス流制御管の外面に半径方向に近づいたりそれから離れたりするように前記ベースに取付けられたスライド（６６）と、
前記ガラス流制御管が前記管支持フレーム上で回転するときに前記ガラス流制御管の外面と転がり係合するように前記スライドに取付けられたローラ（６８）と、
前記スライドの半径方向移動を指示するために前記スライドに連結された指示器（７４、７６）と、を含み、前記スライドの半径方向移動は、前記ガラス流制御管が前記管支持フレーム上で回転するときの前記ガラス流制御管の回転軸線に対する前記ガラス制御管の外面の半径方向移動を示していることを特徴とする装置。
【請求項２】  更に、前記スライド及び前記ローラを前記ガラス流制御管の外面に押付けるように半径方向に付勢するためのばね（９０）を含み、このばねは、前記ベースに連結される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  更に、前記ガラス流制御管をその回転軸線上に心出しするために、前記ローラを前記ガラス流制御管の外面に係合させた状態で前記スライドを半径方向内向きに移動させるための手段（８０乃至８８）を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】  前記スライドを移動させるための手段は、前記スライドに螺合されたねじシャフト（８２）と、このねじシャフトを回転させるための手段（８６、８８）とを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記ねじシャフトを回転させるための手段は、使用者が手動操作するためのノブ（８６）を含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】  前記ばね（９０）は、前記ねじシャフト（８２）と前記ベースとの間に圧縮された状態で支持される、請求項４又は５に記載の装置。
【請求項７】  前記ばね（９０）は、前記ねじシャフト（８２）を取り囲むコイルばねを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】  前記指示器は、前記スライドを前記ベース上に保持することと前記ベースに対する前記スライドの移動の視覚的指示を提供することの両方のためのピン（７４）を含み、このピンは、前記スライドから前記ベースのスロット（７６）を貫いて延びている、請求項２乃至７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】  前記ベースは、前記管支持フレームに固定される第１のセクション（３４）と、前記スライド、前記ローラ及び前記指示器を前記ガラス流制御管から遠ざかるように前記第１のセクションに対して移動可能である第２のセクション（３６）と、を含む請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】  前記第１のセクション（３４）は、ピボットピン（５０）を含み、前記第２のセクション（３６）は、前記ピボットピンの上に移動可能に取付けられる、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  更に、前記第２のセクション（３６）を、前記ローラ（６８）が前記ガラス流制御管と係合するように配置された位置で前記第１のセクション（３４）に選択的に係止するために、前記ベース上に取付けられた係止装置（５６）を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】  前記第２のセクション（３６）は、前記第１のセクション（３４）のピボットピン（５０）から取外し可能である、請求項１０又は１１に記載の装置。
【請求項１３】  ガラス製品形成装置の管支持フレーム（２０）上に配置された回転可能なガラス流制御管の回転軸線に対するこのガラス流制御管（１４）の同心性を指示する方法であって、
（ａ）ベース（３４、３６）を管支持フレームの上に取り付ける段階と、
（ｂ）スライド（６６）を、ガラス流制御管の外面と半径方向に係合させるように前記ベース上に配置する段階と、
（ｃ）前記スライドを前記ガラス流制御管の外面に半径方向に係合させるように維持しながら、前記ガラス流制御管を前記管支持フレームに対して回転させる段階と、
（ｄ）前記管支持フレーム上の前記ガラス流制御管の回転軸線に対する前記ガラス流制御管の外面の偏心の指示部を、前記ベースに対する前記スライドの移動の関数として構成する段階と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】  前記段階（ｂ）は、前記スライドを前記ガラス流制御管の外面に押し付けるためのばね（９０）を前記ベース上に配置する段階を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  更に、
（ｅ）前記ガラス流制御管（１４）を前記管支持フレーム（２０）に固着させるクランプ（２４）を緩め、前記偏心の指示を観察しながら前記スライド（６６）を前記ガラス流制御管に向かって押すことによって、前記管支持フレームに対する前記ガラス流制御管の位置を調節する段階を有する、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】  前記層の異質性は、２０％未満、好ましくは１０％未満、本質的には８％未満であることを特徴とする、請求項２１〜２５記載の対象物。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  塗布された層は、好ましくは１ｎｍから５ｎｍの減摩剤の層であるが、１．５ｎｍから３ｎｍであれば、更に良好である。層の異質性は、２０％未満になるが、好ましくは１０％未満、本質的には８％未満である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】  本発明は、例えばハードディスク等の環状データ記録ディスクのような対象物に特に適している。本発明に従う装置は、多数個について１ｎｍから５ｎｍの範囲で、好ましくは１．５ｎｍから３ｎｍの範囲で蒸気堆積層の厚さを産出する為に使用可能であり、これが実行されると、２０％未満の異質な層、すなわち約１０％、或いは８％でさえも、得ることができる。好ましくは、１ｎｍ／ｓまでの蒸着速度が、この目的の為に使用されるので、１０００ぐらいのディスクは１時間で被覆可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  誘電層上への導電層のメッキを促進するために十分な量のメッキドーパントを含む誘電層を有する誘電構造物。
【請求項２】  第一誘電層および第二誘電層を有する誘電構造物であって、該第一誘電層が該第一誘電層上への導電層のメッキを促進するために十分な量のメッキドーパントを含む誘電構造物。
【請求項３】  メッキドーパントが金属である請求項１または２記載の誘電構造物。
【請求項４】  メッキドーパントが５０体積％までの量において第一誘電層中に存在する請求項１から３のいずれか一つに記載の誘電構造物。
【請求項５】  該第二誘電層上に配置された第三の誘電層をさらに含み、該第三誘電層が該第三誘電層上への導電層のメッキを促進するために十分な量のメッキドーパントを含む請求項２から４のいずれか一つに記載の誘電構造物。
【請求項６】  該第二誘電層が複数の誘電層を含む請求項２から５のいずれか一つに記載の誘電構造物。
【請求項７】  ボトム導電層が第二誘電層と密着し、トップ導電層が第一誘電層と密着している請求項１から６のいずれかひとつに記載の誘電構造物を含むキャパシター。
【請求項８】  埋め込まれたキャパシタンス物質が請求項１から６のいずれか一つに記載の誘電構造物を含む、埋め込まれたキャパシタンス物質を含むプリント回路板。
【請求項９】  キャパシタンス物質を多層積層プリント回路板の１以上の層中に埋め込む段階を含む多層積層プリント回路板の製造法であって、埋め込まれたキャパシタンス物質が請求項１から６のいずれか一つに記載の誘電構造物を含む方法。
【請求項１０】  第一誘電層上への導電層のメッキを促進するために十分な量のメッキドーパントを含む誘電層を基体上に堆積させ、該誘電層の表面上に導電層をメッキする段階を含むキャパシターの製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フルオロホウ酸、有機スルホン酸又はこれらの組み合わせからなる群から選択される酸、任意にこれらの塩、を含む基礎液；
二価スズイオン；及び
二価スズ酸化を低減させるのに有効量のヒドロキシベンゼンスルホン酸又はその塩を含む酸化防止剤化合物
を含む、スズ及びスズ合金の電気メッキに使用のための溶液。
【請求項２】
該酸化防止剤化合物が、スズイオンを二価の状態に維持するのを助けるのに有効な量で存在する請求項１に記載の溶液。
【請求項３】
該ヒドロキシベンゼンスルホン酸又はその塩が次式により表される請求項１又は２に記載の溶液：
【化１】
2004002970.tif 000001
ここで、ＹはＨ、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、遷移金属イオン及びアンモニウムイオンからなる群から選択され、ここでａは０、１、２、又は３であり、ｂは１、２、３、４又は５であり、ａ及びｂの合計は２、３、４又は５であり、さらにＲはＨ、ハロゲン、ＯＨ、ＣＮ、ＣＯＯＹ、Ｃ１〜Ｃ３アルキル、置換Ｃ１〜Ｃ３アルキル及びＣ１〜Ｃ３アルコキシからなる群から選択され、ここで該アルキル置換基は直鎖又は分岐鎖アルコキシ、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アシル、フェニル、ハロ置換フェニル、ヘテロアリール、ハロゲン、ヒドロキシル、シアノ又はそれらの少なくとも一つを含む組み合わせからなる群から選択される。
【請求項４】
該有機スルホン酸がアルカンスルホン酸、芳香族スルホン酸又はこれらの組み合わせを含む請求項１から３のいずれか一つに記載の溶液。
【請求項５】
該有機スルホン酸がフェニルスルホン酸及びメタンスルホン酸からなる群から選択される請求項４に記載の溶液。
【請求項６】
基体を、請求項１から５のいずれか一つに記載の溶液と接触させることを含むスズ又はスズ合金を電気メッキする方法。
【請求項７】
スズイオンを二価の状態に維持するのを助けるのに有効な量でヒドロキシベンゼンスルホン酸又はその塩を添加することを含む電気メッキ液中のスズの酸化を低減させる方法。
【請求項８】
該ヒドロキシベンゼンスルホン酸又はその塩が次式により表される請求項７に記載の方法：
【化２】
2004002970.tif 000002
ここで、ＹはＨ、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、遷移金属イオン及びアンモニウムイオンからなる群から選択され、ここでａは０、１、２、又は３であり、ｂは１、２、３、４又は５であり、ａ及びｂの合計は２、３、４又は５であり、さらにＲはＨ、ハロゲン、ＯＨ、ＣＮ、ＣＯＯＹ、Ｃ１〜Ｃ３アルキル、置換Ｃ１〜Ｃ３アルキル及びＣ１〜Ｃ３アルコキシからなる群から選択され、ここで該アルキル置換基は直鎖又は分岐鎖アルコキシ、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アシル、フェニル、ハロ置換フェニル、ヘテロアリール、ハロゲン、ヒドロキシル、シアノ、又はそれらの少なくとも一つを含む組み合わせからなる群から選択される。
【請求項９】
該電気メッキ液中の酸素含量がその最大濃度又はその付近である請求項７又は８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
電気メッキが少なくとも１５℃の温度において行われる請求項７から９のいずれか一つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  時効性硬化した状態で少なくとも６５０ＭＰａの抗張力、少なくとも２１０ＨＶのビッカース硬度、少なくとも４０％ＩＡＣＳの導電性、５００℃で少なくとも４００ＭＰａの熱間抗張力、５００℃で５００時間貯蔵した後に１６０ＨＶの最小硬度および０．５ｍｍのＡＳＴＭ  Ｅ１１２に従う最大粒度を有する、請求項１〜７のいずれか一つに記載の銅合金。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
側部せき止め用ブロックが硬化した状態で請求項８および９に従って少なくとも６５０ＭＰａ、好ましくは７００〜９００ＭＰａの抗張力、少なくとも２１０ＨＶ、好ましくは２３０〜２８０ＨＶのビッカース硬度、少なくとも４０％ＩＡＣＳ、好ましくは４５〜６０％のＩＡＣＳの導電性、５００℃で少なくとも４００ＭＰａ、好ましくは少なくとも４５０ＭＰａの熱間抗張力、５００℃で５００時間貯蔵した後に１６０ＨＶの最小硬度および０．５ｍｍのＡＳＴＭ  Ｅ１１２に従う最大粒度を有する場合が特に有利である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
表１：
2004002967.tif 000001
合金Ｄの組成は公知のＣｕＮｉＳｉ−ベース合金であり、合金ＥおよびＦは標準化されたＣｕＣｏ２Ｂｅ−およびＣｕＣｏＮｉＢｅ−材料である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
全部の銅合金をるつぼ型誘電炉で溶融しそして連続鋳造法で鋳造して２８０ｍｍの直径を有する丸型ブロックを得る。実施例Ａ、ＢおよびＣの合金の丸型ブロックを９００℃以上の温度で押出成形して７９×５９ｍｍの寸法を有する板状ストランドを得、次いで１２％の断面積減少させて７５×５５ｍｍの寸法に押出成形する。比較例Ｄ、ＥおよびＦの合金ブロックは同じ温度で，７５×５５ｍｍの寸法に押出成形しそして追加的な冷間成形に付さない。ＣｕＣｏＢｅ−およびＣｕＣｏＮｉＢｅ−材料を次いで９００〜９５０℃で容体化処理しそして４５０〜５５０℃の温度範囲内で０．５〜１６時間にわたって時効硬化させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ＣｕＮｉＳｉ−ベース合金は８００〜８５０℃で容体化処理しそして同じ条件で時効硬化させる。時効硬化した状態で抗張力Ｒｍ、ビッカート硬度ＨＶ１０、導電性（熱間電導性の代用の目安として）、ＡＳＴＭ  Ｅ１１２に従う粒度、５００℃での耐熱性Ｒｍおよび５００℃で５００時間の期間保存した後のビッカース硬度測定（ＨＶ１０）による耐軟化性を測定する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  銅又は銅合金管を整列巻きして１層目コイルを形成し、その後、この１層目コイルの上に２層目コイルを、２層目コイルの巻始端となる銅管部分を１層目コイルの終端となる銅管部分とこの１層目コイルの終端側の側板との間の隙間上に位置するように配置して、前記１層目コイルの外面の管間の凹部に嵌め込んで整列巻きし、以後同様にして、２層目コイルの上に３層目コイルを、３層目コイルの巻始端となる銅管部分を２層目コイルの終端となる銅管部分とこの２層目コイルの終端側の側板との間の隙間上に位置するように配置して、前記２層目コイルの外面の管間の凹部に嵌め込んで整列巻きするというようにして、複数層のコイルを巻回したものであってＥＴＳによりアンコイルされるレベルワウンドコイルにおいて、奇数層目及び偶数層目のコイルの巻き数がいずれもｎ（ｎは自然数）であり、奇数層目のコイルの巻き方向と偶数層目のコイルの巻き方向とが相互に逆であり、巻層の数をｍ（ｍは２以上の自然数）、ｍ／２の小数点以下を切り捨てて整数とした値をｍ′、コイルの質量をＷとするとき、Ｗ／ｍ′が１８．０ｋｇ以下であることを特徴とするレベルワウンドコイル。
【請求項２】  前記巻層の数ｍが奇数であり、最外層の巻き数がｎであることを特徴とする請求項１に記載のレベルワウンドコイル。
【請求項３】  焼鈍されたものであって、管軸方向に直角な断面における前記銅又は銅合金管の長径と短径との差が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のレベルワウンドコイル。
【請求項４】  前記銅又は銅合金管の化学成分がＪＩＳＨ３３００のＣ１２０１又はＣ１２２０に規定されている成分であり、０．２％耐力が６５乃至１３０Ｎ／ｍｍ２あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレベルワウンドコイル。
【請求項５】  パレットと、このパレット上にそのコイル軸方向が垂直になるように且つ巻き始め部位が上側になるようにして１段又は多段に積載されＥＴＳによりアンコイルされるレベルワウンドコイルと、前記１段又は多段のレベルワウンドコイルの全体を包む袋と、この袋の少なくとも側部に緊張巻きされた帯状の樹脂フィルムと、を有し、前記レベルワウンドコイルは、銅又は銅合金管を整列巻きして１層目コイルを形成し、その後、この１層目コイルの上に２層目コイルを、２層目コイルの巻始端となる銅管部分を１層目コイルの終端となる銅管部分とこの１層目コイルの終端側の側板との間の隙間上に位置するように配置して、前記１層目コイルの外面の管間の凹部に嵌め込んで整列巻きし、以後同様にして、２層目コイルの上に３層目コイルを、３層目コイルの巻始端となる銅管部分を２層目コイルの終端となる銅管部分とこの２層目コイルの終端側の側板との間の隙間上に位置するように配置して、前記２層目コイルの外面の管間の凹部に嵌め込んで整列巻きするというようにして、複数層のコイルを巻回したものであり、奇数層目及び偶数層目のコイルの巻き数がいずれもｎ（ｎは自然数）であり、奇数層目のコイルの巻き方向と偶数層目のコイルの巻き方向とが相互に逆であり、巻層の数をｍ（ｍは２以上の自然数）、ｍ／２の小数点以下を切り捨てて整数とした値をｍ′、コイルの質量をＷとするとき、Ｗ／ｍ′が１８．０ｋｇ以下であることを特徴とするレベルワウンドコイルの梱包体。
【請求項６】  前記巻層の数ｍが奇数であり、最外層の巻き数がｎであることを特徴とする請求項５に記載のレベルワウンドコイルの梱包体。
【請求項７】  前記パレットと１又は複数個の前記レベルワウンドコイルとの相互間に介装された緩衝材を有することを特徴とする請求項５又は６に記載のレベルワウンドコイルの梱包体。
【請求項８】  最上段の前記レベルワウンドコイルの上面を覆う緩衝材を有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のレベルワウンドコイルの梱包体。
【請求項９】  前記袋の外側に設けられ前記レベルワウンドコイルと前記パレットとを相互に固定する固定部材を有することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載のレベルワウンドコイルの梱包体。
【請求項１０】  請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレベルワウンドコイルをコイル軸方向を垂直にして前記１層目のコイルにおける管の巻き始め部位を上側にして載置し、前記巻き始め部位の管端を上方に引き上げて管を引き出すことを特徴とするレベルワウンドコイルからの管供給方法。
【請求項１１】  請求項５乃至９のいずれか１項に記載のレベルワウンドコイルの梱包体をコイル軸方向を垂直にして前記１層目のコイルにおける管の巻き始め部位を上側にして載置する工程と、前記樹脂フィルムを解かずに、前記袋における前記レベルワウンドコイルの上面を覆う部分のみを除去する工程と、前記巻き始め部位の管端を上方に引き上げて管を引き出す工程と、を有することを特徴とするレベルワウンドコイルの梱包体からの管供給方法。
【請求項１２】  請求項５乃至９のいずれか１項に記載のレベルワウンドコイルの梱包体をコイル軸方向を垂直にして前記１層目のコイルにおける管の巻き始め部位を上側にして載置する工程と、前記樹脂フィルム及び前記袋を除去する工程と、前記巻き始め部位の管端を上方に引き上げて管を引き出す工程と、を有することを特徴とするレベルワウンドコイルの梱包体からの管供給方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（ステップｅ）
次に、該一定期間の特定生産者イに関する、データ１における、貸出した通い
容器の数の合計、すなわち特定生産者イが受け入れた容器の合計数（受け入れ合
計数Ａ）と、データ２における、販売に使用した通い容器の数の合計、すなわち
特定生産者イが払い出した容器の合計数（払い出し合計数Ｂ）の差、Ａ−Ｂを、
算出手段を用いて算出する。更に好ましくは、Ａ−Ｂの値に由来する値、例えば
、デポジット単価Ｄ（容器１個当たりの保証金）を乗じた額（Ａ−Ｂ）・Ｄを算
出する。
このＡ−Ｂという数値は、その生産者における一定期間の、容器の滞留個数を
意味する。例えば、１月に容器１００００個を生産者イにレンタルしたが、その
内の９５００個しか該生産者イから卸売への販売時に使われていない場合、Ａ−
Ｂは５００となり、５００個が、生産者イの管轄内で滞留（在庫＋紛失）してい
ることになる。
なお、このＡ−Ｂが正の値であれば、生産者イにおいて容器が滞留しており、
Ａ−Ｂが負の値であれば、生産者イが、前期間の滞留分を含めて容器を搬出して
いることを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ばらにされた種々の脆い医薬或いは化学製品を移動させる容器のための螺旋分散シュートコンベアであり、このシュートコンベアは、鉛直軸Zのまわりに展開する少なくとも1つの螺旋シュート通路２を備え、
そのシュートコンベアの中心領域は縦穴４の形で中空となっており、
各シュート通路２は連続していてほぼ一定のピッチを有しており、
各シュート通路２は断面がほぼ直線の幅広面を形成し、軸Zに向かう横断方向に傾斜しており、シュート通路２の傾斜角αは、対応するシュート通路２に沿って製品を保持する遠心力のための十分な速度を各螺旋の上部で与えられた搬送される製品が、前記シュート通路２にそれらの製品を保持する遠心力がなくなるか或いは臨界値よりも小さくなった場合に軸Ｚに向かって逸れるような値であることを特徴とする螺旋分散シュートコンベア。
【請求項２】  各螺旋の横断方向の傾斜αは、搬送される製品の安息角以上であることを特徴とする請求項１記載の螺旋分散シュートコンベア。
【請求項３】  各螺旋シュート通路の背斜面は、搬送される製品の安息角δより僅かに小さいか等しいことを特徴とする請求項１又は２に記載の螺旋分散シュートコンベア。
【請求項４】  前記螺旋シュート通路２の横断方向の傾斜αを変更できる機構を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の螺旋分散シュートコンベア。
【請求項５】  前記各螺旋シュート通路は外側リム８を備え、前記外側リム８には切欠き２６が形成され、各切欠き２６の上流には偏向手段２８が置かれていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の螺旋分散シュートコンベア。
【請求項６】  上記請求項１〜５のいずれかに記載の螺旋分散シュートコンベアを備えたことを特徴とする底が開けられたの収容容器１０。
【請求項７】  前記搬送される製品を、前記各螺旋の上部で前記各シュート通路２のほぼ接線方向に向けて、遠心力が前記製品を対応するシュート通路２に沿って保持するのに十分な速度で装入する少なくとも１つの装入装置(loading device)６を備え、各装入装置６が、製品の力学に応じて製品を軸Zの近く或いは離れた位置で装入することができる分散装置を備えたことを特徴とするたことを特徴とする請求項６に記載の収容容器１０。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び、（Ｄ）熱可塑性樹脂を含む光学材料用組成物であって、温度２３℃における当該組成物の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする光学材料用組成物を硬化させて得られる光学用材料を含む発光ダイオード。
【請求項２】  発光素子と、該発光素子が配置される底面と側壁とからなる開口部を有するパッケージと、該開口部を封止するモールド部材と、を備える発光ダイオードであって、
前記パッケージは、前記開口部底面において外部電極の一端部が露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面の面積を１００％とした場合において、前記開口部底面にて露出される前記外部電極の占有面積は５０％〜９０％であり、
前記モールド部材は、
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び、（Ｄ）熱可塑性樹脂を含む光学材料用組成物であって、温度２３℃における当該組成物の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする光学材料用組成物を硬化させて得られる光学用材料を含む発光ダイオード。
【請求項３】  パッケージは、開口部底面において正の外部電極と負の外部電極との各端部が所定の間隔を隔てて露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面において露出される各外部電極は、パッケージの成形樹脂が露出されてなる少なくとも一対の樹脂露出部を有するものである、請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】  パッケージの成形樹脂は、半結晶性ポリマー樹脂を含有する組成物である、請求項２または３に記載の発光ダイオード。
【請求項５】  光学材料用組成物１００重量％に対する（Ｄ）熱可塑性樹脂の含量が２５重量％以下であり、かつ、（Ｄ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００以上である請求項１〜４いずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項６】  （Ｄ）熱可塑性樹脂が、ブチルアクリレート系重合体、ブチルメタクリレート系重合体、及び、メチルメタクリレート／ブチルアクリレート系共重合体から選ばれる１種または複数種の重合体である請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び、（Ｄ）熱可塑性樹脂を含む光学材料用組成物であって、温度２３℃における当該組成物の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする光学材料用組成物を硬化させて得られる光学用材料を含む発光ダイオードであり、
また、本発明は、発光素子と、該発光素子が配置される底面と側壁とからなる開口部を有するパッケージと、該開口部を封止するモールド部材と、を備える発光ダイオードであって、
前記パッケージは、前記開口部底面において外部電極の一端部が露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面の面積を１００％とした場合において、前記開口部底面にて露出される前記外部電極の占有面積は５０％〜９０％であり、
前記モールド部材は、
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び、（Ｄ）熱可塑性樹脂を含む光学材料用組成物であって、温度２３℃における当該組成物の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする光学材料用組成物を硬化させて得られる光学用材料を含む発光ダイオードであり、
パッケージは、開口部底面において正の外部電極と負の外部電極との各端部が所定の間隔を隔てて露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面において露出される各外部電極は、パッケージの成形樹脂が露出されてなる少なくとも一対の樹脂露出部を有するものであることが好ましく、
パッケージの成形樹脂は、半結晶性ポリマー樹脂を含有する組成物であることが好ましく、
光学材料用組成物１００重量％に対する（Ｄ）熱可塑性樹脂の含量が２５重量％以下であり、かつ、（Ｄ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００以上であることが好ましく、
（Ｄ）熱可塑性樹脂が、ブチルアクリレート系重合体、ブチルメタクリレート系重合体、及び、メチルメタクリレート／ブチルアクリレート系共重合体から選ばれる１種または複数種の重合体であることが好ましい。
以下、本発明を詳細に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
フィルムの片端の片面の端縁から少し内側に１，３−ジオキソランを２±１ｍｍ幅で塗布し（塗布量：３．０±０．３ｇ／ｍ2）、該端部を重ね合わせた後、長さ１４ｃｍ、直径６．７ｃｍのサイズに裁断して円筒状ラベルを得る。質量２０．５ｇの５００ｍＬ丸型ＰＥＴボトル［高さ２１ｃｍ、中央部（胴部）直径６．５ｃｍ］に５００ｍＬの水を充填した後密封し、これに上記の円筒状ラベルを装着して、ゾーン温度８５℃のスチームトンネルを２．５秒で通過させて該ラベルを収縮させる。このようにして得られるラベル被覆ボトルの側面中央部に、東洋精機社製「ストログラフＶ１０−Ｃ」を用いて圧縮モードで１５ｋｇの荷重を掛けたときのボトル中央部の径（Ｗ１）を測定し、下記式に従ってボトル径変化率（％）を求める。
ボトル径変化率（％）＝１００×（Ｗ１−Ｗ２）／Ｗ２ 
ここで、Ｗ２は、荷重を掛ける前のボトル中央部の径である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
（６）収縮仕上り性
フィルムに東洋インキ製造株式会社製の草色、金色、白色のインキで３色印刷し、温度３０±１℃、相対湿度８５±２％に制御した環境内に２５０時間保管した後取り出し、チューブ状成形装置を用いて、フィルムの片端の片面の端縁から少し内側に１，３−ジオキソランを２±１ｍｍ幅で塗布し（塗布量：３．０±０．３ｇ／ｍ２）、直ちにフィルムを丸めて端部を重ね合わせて接着してチューブとし、平らにつぶした状態で巻き取る。このチューブを裁断して高さ１４ｃｍ、直径６．７ｃｍの円筒状ラベルとする。このラベルを、水を充填させた５００ｍＬ丸型ＰＥＴボトル［高さ２１ｃｍ、中央部（胴部）直径６．５ｃｍ］に装着し、フジアステック社製のスチームトンネル（ＳＨ−１５００−Ｌ）中を、トンネル通過時間２．５秒、ゾーン温度８５℃の条件でラベル全量を通過させて、ラベルを収縮させる（ｎ＝２０）。収縮仕上りの程度を目視で判断し、収縮仕上り性を２段階で評価する。基準は、○：シワ、飛び上がり、収縮不足のいずれも発生なし、×：シワ、飛び上がり、または収縮不足が発生、とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
（７）容器補強効果
チューブ状成形装置を用いて、フィルムの片端の片面の端縁から少し内側に１，３−ジオキソランを２±１ｍｍ幅で塗布し（塗布量：３．０±０．３ｇ／ｍ２）、直ちにフィルムを丸めて端部を重ね合わせて接着してチューブとし、平らにつぶした状態で巻き取る。このチューブを裁断して高さ１４ｃｍ、直径６．７ｃｍの円筒状ラベルとする。質量：２０．５ｇの５００ｍＬ丸型ＰＥＴボトル［高さ２１ｃｍ、中央部（胴部）直径６．５ｃｍ］に５００ｍＬの水を充填した後密封し、これに上記の円筒状ラベルを装着し、その後フジアステック社製のスチームトンネル（ＳＨ−１５００−Ｌ）中を、トンネル通過時間２．５秒、ゾーン温度８５℃の条件でラベル全量を通過させてラベルを収縮させる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】イオノマー性膜を作るのに使用されるポリマーが、式：      CF2＝CF−(OCF2CFR)aO−CF2CFR′SO2F （Ｉ）（式中、ＲとＲ′は、独立して：Ｆ、Ｃｌ、Ｃ1〜Ｃ3のペルフルオロアルキルであり；ａは０または１である）を有するフルオロスルホン基含有のフルオロオレフィンと、１以上のフルオロ化オレフィンコモノマーと、任意に非フルオロ化オレフィンコモノマーとのコポリマーである、請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】フルオロ化オレフィンコモノマーが、次の：−  好ましくは、次の：テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）、から選択されるＣ2〜Ｃ8（ペル）フルオロオレフィン；−  次の：弗化ビニル（ＶＦ）、弗化ビニリデン（ＶＤＦ）、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロイソブテン、CH2＝CH−Rfペルフルオロアルキルエチレン（ここで、ＲfはＣ1〜Ｃ6ペルフルオロアルキルである）から選択される、Ｃ2〜Ｃ8水素化フルオロオレフィン；−  Ｃ2〜Ｃ8クロロ及び／又はブロモ及び／又はヨード−フルオロオレフィン、好ましくはクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）またはブロモトリフルオロエチレン；−  CF2＝CFORf（ペル）フルオロアルキルビニルエーテル（ＰＡＶＥ）、（ここで、RfはＣ1〜Ｃ6（ペル）フルオロアルキル、好ましくはトリフルオロメチル、ブロモジフルオロメチル又はヘプタフルオロプロピルである）；−  CF2＝CFOX（ペル）フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル（ここで、ＸはＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12オキシアルキル、１以上のエーテル基を有するＣ1〜Ｃ12（ペル）フルオロ−オキシアルキル、好ましくはペルフルオロ−２−プロポキシ−プロピルから選択される）；から選択される請求項４または５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂、及び
ｂ）ポリオルガノシルセスキオキサン（オルガノ基はメチル、Ｃ１２〜Ｃ１８アルキル、ヒドリド、フェニル、ビニル及びシクロヘキシルから選択される）０．００１〜１０重量部
を含んでなる光拡散性基材であって、０．１μｍ以下の中心線平均粗さＲａ、１．０μｍ以下の十点平均粗さＲｚ及び１．０μｍ以下の最大高さＲｍａｘとして表される表面粗さを有することを特徴とする光拡散性基材。
【請求項２】  前記ポリオルガノシルセスキオキサンが４μｍ以下の平均粒径を有する、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項３】  前記ポリオルガノシルセスキオキサンが２μｍ以下の平均粒径を有する、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項４】  前記ポリオルガノシルセスキオキサンがポリ（メチルシルセスキオキサン）である、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項５】  ０．１μｍ以下の中心線平均粗さＲａ、０．５μｍ以下の十点平均粗さＲｚ及び０．５μｍ以下の最大高さＲｍａｘとして表される表面粗さを有することを特徴とする、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項６】  厚さ２〜１５ミルのフィルム及び厚さ５〜５０ｍｍの多層シートから選択される形態である、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項７】  さらに、面積１ｍ2当たりの厚さむらが±１０％以内であることを特徴とする、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項８】  さらに、面積１ｍ2当たりの光透過率のばらつきが±５％以内であることを特徴とする、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項９】  厚さ３〜１０μｍのＵＶ保護層で被覆された多層シートの形態であることを特徴とする、請求項１記載の光拡散性基材。
【請求項１０】  ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂及び０．００１〜１０重量部のポリオルガノシルセスキオキサン（ただし、オルガノ基はメチル、Ｃ１２〜Ｃ１８アルキル、ヒドリド、フェニル、ビニル及びシクロヘキシルから選択される）を含むブレンドを形成し、
ｂ）押出、射出成形又は溶剤流延のいずれかの方法によって、表面粗さが０．１μｍ以下の中心線平均粗さＲａ、１．０μｍ以下の十点平均粗さＲｚ、１．０μｍ以下の最大高さＲｍａｘとして表される表面粗さの光拡散性基材に成形する
ことを含んでなる、光拡散性基材の表面平滑度を高める方法。
【請求項１１】  前記ポリオルガノシルセスキオキサンが４μｍ以下の平均粒径を有する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  前記ポリオルガノシルセスキオキサンが２μｍ以下の平均粒径を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  前記ポリオルガノシルセスキオキサンがポリ（メチルシルセスキオキサン）である、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】  押出、射出成形又は溶剤流延のいずれかの方法によって形成される光拡散性基材が厚さ２〜１５ミルのフィルム又は厚さ５〜５０ｍｍの多層シートの形態である、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】  押出、射出成形又は溶剤流延のいずれかの方法によって形成される光拡散性基材の面積１ｍ2当たりの厚さむらが±１０％以内である、請求項１０記載の方法。
【請求項１６】  さらに、形成された光拡散性基材上に、厚さ３〜１０μｍの保護コーティング層を設けることを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】  光拡散性フィルムの形態である、請求項１記載の組成物からなる物品。
【請求項１８】  フラットパネルディスプレイ用途に用いられる、請求項１７記載のフィルム。
【請求項１９】  多層シートの形態である、請求項１記載の組成物からなる物品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
更に、本発明は、本発明の配合物を含む成形されたゴム・パーツであって、中実であるか、発泡しているか、あるいは流体が充填されていて、機械装置から生じる振動を遮断し、および振動を減衰させるのに有用なパーツを提供する。より特には、本発明は、熱および／または振動を生じる動的手段（例えば、自動車のエンジン、電気モータ）および当該動的手段を支持する静的構造物（例えば、自動車フレーム）であって、前記動的手段と、例えば当該フレームおよびエンジンに取り付けられたブラケット同士をボルト締めすることによって、接合された静的構造物を含み、且つ、当該動的手段と当該静的構造物との間で当該接続ポイントにて挿入された加硫ゴム振動遮断および／または制振パーツ（例えば、エンジンおよびフレームのブラケット同士の間に挟まれた、１または複数のディスク形状のゴム・パーツ）を有する機械装置を提供する。本発明によりもたらされる改良点は、前記過酸化物加硫性のゴム配合物を含む、成形され、加硫された組成物を前記ゴム・パーツとして利用することを含む。成形物品（例えば、モーターマウント）の加硫は、例えば、当業者に周知の条件下で加熱プレスにて実施してよい。加硫時間は、物品の厚さ、ならびに加硫剤の濃度および種類により、またハロゲン化ポリマーが使用される場合にはハロゲン化ポリマーの初期ハロゲン含有量により、影響を受けるであろう。しかしながら、加硫パラメータは、当該分野で周知である実験室特性化装置、例えば、モンサント振動ディスクキュア流動計（Oscillating Disc Cure Rheometer）（米国材料試験協会規格ＡＳＴＭ  Ｄ２０８４に詳細に説明されている）を用いて、数個の実験によって容易に確定することができる。別法として、硬化性の組成物を、射出成形して成形物品を形成し、十分な時間の間、型内に保持して、硬化した成形物品を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ハロブチルエラストマー組成物及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリカ添加ハロゲン化ブチルエラストマー及びその製造方法に関し、特に、シリカの表面がタンパク質で官能化されたブロモブチルエラストマー（BIIR）及びその製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に従って用いるのに適する乾燥アモルファスシリカ粒子の凝集体の平均粒子サイズは、1〜100μmの範囲、好ましくは10〜50μmの範囲、最も好ましくは10〜25μmの範囲である。凝集粒子の10体積％未満が5μm未満のサイズまたは50μmを超えるサイズであることが好ましい。適切な乾燥アモルファスシリカは、さらにDIN（ドイツ工業規格）66131に従って測定されるBET表面積が1gあたり50〜450m2の範囲であり、かつDIN53601に従って測定されるDBP吸着量がシリカ100gあたり150〜400gの範囲であり、かつDIN・ISO787／11に従って測定される乾燥減量が0〜10重量％の範囲である。適切なシリカフィラーは、PPG Industries Inc.から、HiSil（登録商標）210、HiSil（登録商標）233およびHiSil（登録商標）243の商標の下で市販されている。Bayer AG からのVulkasil（登録商標）SおよびVulkasil（登録商標）Nも適切なものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、及び、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、を必須成分としてなる光学材料用硬化性組成物であり、
本組成物をパッケージ中で硬化させた時の内部応力を、
［内部応力（ＭＰａ）］＝（［最終硬化温度（℃）］−［硬化物のＴｇ（℃）］）×（［硬化物のＴｇ以上での線膨張係数］−［パッケージのＴｇ以上での線膨張係数］）×［硬化物のＴｇにおける引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）］で表した時、
［内部応力（ＭＰａ）］の値が１５ＭＰａ以下
であることを特徴とする光学材料用硬化性組成物を硬化してなる光学用材料を含む発光ダイオード。
【請求項２】  請求項１記載の光学材料用硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合と、ＳｉＨ基の一部または全部を反応させることによって硬化させて得られる光学用材料を含む発光ダイオード。
【請求項３】  発光素子と、該発光素子が配置される底面と側壁とからなる開口部を有するパッケージと、該開口部を封止するモールド部材とを備える発光ダイオードであって、
前記パッケージは、前記開口部底面において外部電極の一端部が露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面の面積を１００％とした場合において、前記開口部底面にて露出される前記外部電極の占有面積は５０％〜９０％であり、
前記モールド部材が、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、及び、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、を必須成分としてなる光学材料用硬化性組成物であり、
本組成物をパッケージ中で硬化させた時の内部応力を、
［内部応力（ＭＰａ）］＝（［最終硬化温度（℃）］−［硬化物のＴｇ（℃）］）×（［硬化物のＴｇ以上での線膨張係数］−［パッケージのＴｇ以上での線膨張係数］）×［硬化物のＴｇにおける引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）］で表した時、
［内部応力（ＭＰａ）］の値が１５ＭＰａ以下
であることを特徴とする光学材料用硬化性組成物を硬化してなる光学用材料を含む発光ダイオード。
【請求項４】  発光素子と、該発光素子が配置される底面と側壁とからなる開口部を有するパッケージと、該開口部を封止するモールド部材とを備える発光ダイオードであって、
前記パッケージは、前記開口部底面において外部電極の一端部が露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面の面積を１００％とした場合において、前記開口部底面にて露出される前記外部電極の占有面積は５０％〜９０％であり、
前記モールド部材が、請求項３記載の光学材料用硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合と、ＳｉＨ基の一部または全部を反応させることによって硬化させて得られる光学用材料を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】  パッケージは、開口部底面において正の外部電極と負の外部電極との各端部が所定の間隔を隔てて露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面において露出される各外部電極は、パッケージの成形樹脂が露出されてなる少なくとも一対の樹脂露出部を有するものである、請求項３又は４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】  パッケージの成形樹脂は、半結晶性ポリマー樹脂を含有する組成物である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項７】  （Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分がエーテル構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、及び、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、を必須成分としてなる光学材料用硬化性組成物であり、本組成物をパッケージ中で硬化させた時の内部応力を、［内部応力（ＭＰａ）］＝（［最終硬化温度（℃）］−［硬化物のＴｇ（℃）］）×（［硬化物のＴｇ以上での線膨張係数］−［パッケージのＴｇ以上での線膨張係数］）×［硬化物のＴｇにおける引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）］で表した時、［内部応力（ＭＰａ）］の値が１５ＭＰａ以下であることを特徴とする光学材料用硬化性組成物を硬化してなる光学用材料を含む発光ダイオードであり、
前記光学材料用硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合と、ＳｉＨ基の一部または全部を反応させることによって硬化させて得られる光学用材料を含む発光ダイオードである。
また、本発明は、発光素子と、該発光素子が配置される底面と側壁とからなる開口部を有するパッケージと、該開口部を封止するモールド部材とを備える発光ダイオードであって、
前記パッケージは、前記開口部底面において外部電極の一端部が露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面の面積を１００％とした場合において、前記開口部底面にて露出される前記外部電極の占有面積は５０％〜９０％であり、
前記モールド部材が、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、及び、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、を必須成分としてなる光学材料用硬化性組成物であり、
本組成物をパッケージ中で硬化させた時の内部応力を、
［内部応力（ＭＰａ）］＝（［最終硬化温度（℃）］−［硬化物のＴｇ（℃）］）×（［硬化物のＴｇ以上での線膨張係数］−［パッケージのＴｇ以上での線膨張係数］）×［硬化物のＴｇにおける引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）］で表した時、
［内部応力（ＭＰａ）］の値が１５ＭＰａ以下
であることを特徴とする光学材料用硬化性組成物を硬化してなる光学用材料を含む発光ダイオードであり、
前記光学材料用硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合と、ＳｉＨ基の一部または全部を反応させることによって硬化させて得られる光学用材料を含むことを特徴とする発光ダイオードであり、
パッケージは、開口部底面において正の外部電極と負の外部電極との各端部が所定の間隔を隔てて露出するように成形樹脂にて一体成形されてなるものであり、
前記開口部底面において露出される各外部電極は、パッケージの成形樹脂が露出されてなる少なくとも一対の樹脂露出部を有するものであることが好ましく、
パッケージの成形樹脂は、半結晶性ポリマー樹脂を含有する組成物であることが好ましく、
（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分がエーテル構造を有する化合物であることが好ましい。
以下、本発明を詳細に説明する。