【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ駆動回路および光ディスク装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料のバンドギャップ値が、２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザを発光ないし変調せしめる半導体レーザ駆動回路であって、
前記半導体材料のバンドギャップ値に応じて、電源電圧をフローティングさせると共に、前記半導体レーザを駆動する信号には、前記バンドギャップ値に応じたオフセットを与えるようにしたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項２】
前記短波長半導体レーザは、ＧａＮなどのIII-Ｖ族半導体材料によって構成される青紫色半導体レーザであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項３】
半導体材料のバンドギャップ値が、２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザを発光ないし変調せしめる半導体レーザ駆動回路であって、
前記半導体レーザに、駆動電流を供給する回路であって、前記半導体材料のバンドギャップ値に応じて、電源電圧をフローティングさせて、前記半導体レーザの両端間に対して、前記半導体材料のバンドギャップ値を上回る電圧を印加するようにした駆動電流供給回路と、
前記バンドギャップ値に応じたオフセットを与えた前記駆動電流を、前記駆動電流供給回路に供給するようにする電圧シフト回路と、
からなることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項４】
前記駆動電流はスイッチング電流であって、前記駆動電流供給回路は電流スイッチング回路の構成とされると共に、前記駆動電流供給回路および電圧シフト回路は、差動対のトランジスタを含んで構成されてなる請求項３に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項５】
前記駆動電流供給回路および前記電圧シフト回路は、ＩＣ化されてなる請求項４に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項６】
前記短波長半導体レーザは、ＧａＮなどのIII-Ｖ族半導体材料によって構成される青紫色半導体レーザであることを特徴とする請求項４〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項７】
半導体材料のバンドギャップ値が２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザを、スイッチング電流により駆動して発光ないし変調する電流スイッチング回路と、前記電流スイッチング回路に供給するスイッチング電流を電圧シフトする電圧シフト回路とからなり、
前記電流スイッチング回路は、
エミッタが互いに結合された対のトランジスタの一方のコレクタと接地端との間に、半導体材料のバンドギャップ値が、２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザが接続され、
前記対のトランジスタの他方のコレクタは、第１の抵抗器を介して第１の直流電圧が与えられる第１の電源端子に接続され、
前記対のトランジスタのエミッタの共通接続点は、少なくとも第２の抵抗器を介して、前記第１の直流電圧よりも高い第２の直流電圧が得られる第２の電源端子に接続され、
前記第１の電源電圧と前記第２の電源電圧とは、前記半導体レーザに、前記バンドギャップ値に相当する電圧あるいはそれを上回る電圧が印加されるように選定され、
前記対のトランジスタのベースには、前記電圧シフト回路から、前記半導体レーザをスイッチング駆動するための差動ペア信号が供給される
ように構成され、
前記電圧シフト回路は、
エミッタが互いに結合された対のトランジスタの前記エミッタの共通接続点が定電流回路に接続され、
前記半導体レーザを駆動するための差動ペア信号が、前記対のトランジスタのベースに供給され、
前記対のトランジスタのそれぞれのコレクタは、前記第１の直流電圧の第１の電源端子と、前記第２の直流電圧の第２の電源電圧との間に接続された分圧抵抗の接続中点に接続され、
前記分圧抵抗の接続中点に得られる電圧シフトされた差動ペア信号が、前記電流スイッチング回路の対のトランジスタのベースに供給される
ことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザ駆動回路において、
前記半導体レーザを駆動するためのデータは、複数個であって、
前記電流スイッチング回路は、前記対のトランジスタ、第１および第２の抵抗を備える前記回路構成を、前記複数個のデータ分だけ備え、前記複数個の対のトランジスタの一方のトランジスタのコレクタは、互いに共通に接続され、その共通接続点と接地端との間に、半導体材料のバンドギャップ値が、２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザが接続され、
前記電圧シフト回路は、前記複数個のデータのそれぞれに対して設けられる複数個の電圧シフト回路部を備え、それぞれのデータは前記差動ペア信号として、前記電圧シフト回路部のそれぞれに供給されるものである
ことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項９】
前記電流スイッチング回路と、前記電圧シフト回路とは、それぞれＩＣ化されていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項１０】
前記半導体レーザが、ＧａＮなどのIII-Ｖ族半導体材料によって構成される青紫色半導体レーザであることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項１１】
半導体材料のバンドギャップ値が、２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザを発光ないし変調せしめる半導体レーザ駆動回路を備える光ディスク装置であって、
前記半導体レーザ駆動回路は、
前記半導体材料のバンドギャップ値に応じて、電源電圧をフローティングさせると共に、前記半導体レーザを駆動する信号には、前記バンドギャップ値に応じたオフセットを与えるようにした
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１２】
半導体材料のバンドギャップ値が２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザを、スイッチング電流により駆動して発光ないし変調する電流スイッチング回路と、前記電流スイッチング回路に供給するスイッチング電流を電圧シフトする電圧シフト回路とを備える半導体レーザ駆動回路を備える光ディスク装置であって、
前記電流スイッチング回路は、
エミッタが互いに結合された対のトランジスタの一方のコレクタと接地端との間に、半導体材料のバンドギャップ値が、２．０ｅＶを超える短波長半導体レーザが接続され、
前記対のトランジスタの他方のコレクタは、第１の抵抗器を介して第１の直流電圧が与えられる第１の電源端子に接続され、
前記対のトランジスタのエミッタの共通接続点は、少なくとも第２の抵抗器を介して、前記第１の直流電圧よりも高い第２の直流電圧が得られる第２の電源端子に接続され、
前記第１の電源電圧と前記第２の電源電圧とは、前記半導体レーザに、前記バンドギャップ値に相当する電圧あるいはそれを上回る電圧が印加されるように選定され、
前記対のトランジスタのベースには、前記電圧シフト回路から、前記半導体レーザをスイッチング駆動するための差動ペア信号が供給される
ように構成され、
前記電圧シフト回路は、
エミッタが互いに結合された対のトランジスタの前記エミッタの共通接続点が定電流回路に接続され、
前記半導体レーザを駆動するための差動ペア信号が、前記対のトランジスタのベースに供給され、
前記対のトランジスタのそれぞれのコレクタは、前記第１の直流電圧の第１の電源端子と、前記第２の直流電圧の第２の電源電圧との間に接続された分圧抵抗の接続中点に接続され、
前記分圧抵抗の接続中点に得られる電圧シフトされた差動ペア信号が、前記電流スイッチング回路の対のトランジスタのベースに供給される
ことを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
そして、この例では、
抵抗５３＝抵抗５５＝１３０Ω
抵抗５４＝抵抗５６＝４７０Ω
に選定されて、ＮＰＮトランジスタペア５１、５２のオフ側のトランジスタのコレクタ電圧は、約８．９Ｖになるように設定されている。前述の通り、ＮＰＮトランジスタペア５１、５２のオン側のトランジスタには６ｍＡの電流が流れるため、オン側のトランジスタのコレクタ出力は０．８Ｖ降下して、約８．１Ｖとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000244051.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2000244051.tif 000002