【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面に集積回路を形成したＩＣチップと、圧電振動素子と、前記ＩＣチップと前記圧電振動素子とを同一空間内に収納した容器と、を有する圧電発振器であって、前記ＩＣチップを前記集積回路形成面を下向きにして前記容器内に実装し、前記ＩＣチップの前記集積回路が形成されていない面がエッチング処理を施されたエッチング面であることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記圧電振動素子を前記ＩＣチップのエッチング面の上側に対向配置したことを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記エッチング処理は、ケミカルポリッシュ処理であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記エッチング処理は、化学洗浄処理であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記ＩＣチップは、シリコンウエハをレーザ光線にて切断し個片化したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の圧電発振器。
【請求項６】
圧電振動素子と、フェイスダウン実装タイプのＩＣチップと、を用意する工程と、
前記ＩＣチップの上面をエッチング処理する工程と、
前記ＩＣチップと前記圧電振動素子とを前記容器の同一空間内に収容する工程と、
を有することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
【請求項７】
前記ＩＣチップと前記圧電振動素子とを前記容器の同一空間内に収容する工程では、前記圧電振動素子を前記ＩＣチップのエッチング処理を施した面の上側に配置するように収容することを特徴とする請求項６に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング処理は、ケミカルポリッシュ処理であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング処理は、化学洗浄処理であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング処理は、前記ＩＣチップを連結したＩＣチップウェハの集積回路が形成されていない面を処理する工程であることを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れか一項に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項１１】
前記ＩＣチップは、前記ＩＣチップウェハをレーザ光線にて切断し個片化したものであることを特徴とする請求項６乃至請求項１０の何れか一項に記載の圧電発振器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明に係る圧電発振器は、片面に集積回路を形成したＩＣチップと、圧電振動素子と、前記ＩＣチップと前記圧電振動素子とを同一空間内に収納した容器と、を有する圧電発振器であって、前記ＩＣチップを前記集積回路形成面を下向きにして前記容器内に実装し、前記ＩＣチップの前記集積回路が形成されていない面がエッチング処理を施されたエッチング面であることを特徴とする。
請求項２に係る圧電発振器は、前記圧電振動素子を前記ＩＣチップのエッチング面の上側に対向配置したことを特徴とする。
請求項３に係る圧電発振器では、前記エッチング処理は、ケミカルポリッシュ処理であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項４に係る圧電発振器では、前記エッチング処理は、化学洗浄処理であることを特徴とする。
請求項５に係る圧電発振器では、前記ＩＣチップは、シリコンウエハをレーザ光線にて切断し個片化したものであることを特徴とする。
請求項６に係る圧電発振器の製造方法は、圧電振動素子と、フェイスダウン実装タイプのＩＣチップと、を用意する工程と、前記ＩＣチップの上面をエッチング処理する工程と、前記ＩＣチップと前記圧電振動素子とを前記容器の同一空間内に収容する工程と、を有することを特徴とする。
請求項７に係る圧電発振器の製造方法は、前記ＩＣチップと前記圧電振動素子とを前記容器の同一空間内に収容する工程では、前記圧電振動素子を前記ＩＣチップのエッチング処理を施した面の上側に配置するように収容することを特徴とする。
請求項８に係る圧電発振器の製造方法では、前記エッチング処理は、ケミカルポリッシュ処理であることを特徴とする。
請求項９の発明に係る圧電発振器の製造方法では、前記エッチング処理は、化学洗浄処理であることを特徴とする。
請求項１０の発明に係る圧電発振器の製造方法では、前記エッチング処理は、前記ＩＣチップを連結したＩＣチップウェハの集積回路が形成されていない面を処理する工程であることを特徴とする。
請求項１１の発明に係る圧電発振器の製造方法では、前記ＩＣチップは、前記ＩＣチップウェハをレーザ光線にて切断し個片化したものであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図１は本発明の実施の形態に係る表面実装型水晶発振器の概略構成を示した図であり、図１（ａ）には水晶発振器の斜視図が、図１（ｂ）には、同図（ａ）に示した圧電発振器を一点鎖線Ａ−Ａで切断した断面図がそれぞれ示されている。
この図１（ａ）（ｂ）に示す圧電発振器１は、上面に凹陥部３を有すると共に、その外側底部に表面実装用の外部電極４、４・・を備えた絶縁容器２と、凹陥部３の底面に設けた内部パッド５上にフェイスダウン搭載されたＩＣチップ６と、絶縁容器２の外枠上面に設けた接続パッド８上に導電性接着剤９を用いて電気的機械的に固定される圧電振動素子１１と、絶縁容器２の凹陥部３を封止する金属蓋１３と、絶縁容器２の外枠上面に一体化されたシームリング１２等を備えている。圧電振動素子１１は、例えば水晶等の圧電基板の両主面に夫々励振電極と、各励振電極から伸びるリード電極が形成されている。
このような圧電発振器１にあっては、外部電極４と、内部パッド５と、接続パッド８、シームリング１２の間は、図示していない内部導体によって接続されている。ＩＣチップ６は、発振回路、温度補償回路等を構成するベアチップであり、例えばシリコン基板の片面に集積回路と集積回路に接続された電極を露出配置した構成を備えており、電極が形成されている面（集積回路形成面）側を下向き（フェイスダウン）状態にして、バンプ７、７などの接続部材を用いて凹陥部３の内底面に形成されている内部パッド５、５にフリップチップするようにしている。
そして、本実施の形態の圧電発振器１においては、絶縁容器２に実装されるＩＣチップ６の裏面側をエッチング処理したエッチング面２０とすることで、上面側となるＩＣチップ６の裏面に、ＩＣチップ６を薄く研磨加工したときの切り屑などが残存しないようにしている。これにより、ＩＣチップ６と圧電振動素子１１とを同一空間に収納したシングルシールタイプの圧電発振器において、ＤＬＤ特性不良が発生するのを防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
１  圧電発振器、２  絶縁容器、３  凹陥部、４  外部電極、５  内部パット、６  ＩＣチップ、７  電極、８  接続パット、９  導電性接着剤、１１  圧電振動素子、１２  シームリング、１３  金属蓋、２０  エッチング面