【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】    明細書
【発明の名称】  統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、
前記複数の検査機と連結され、前記検査機によって保存されたファイルを取得及び統合し、統合されたファイルを参照して補修作業を一括的に遂行する補修機と、
を含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項２】
前記複数の検査機にネットワークで連結され、前記検査機の前記ファイルを保存し、前記補修機が要求したとき前記ファイルを提供するファイルサーバーをさらに含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項３】
ホストによって制御され、複数の検査機間及び検査機と補修機との間で前記基板を自動運送する自動運送装置をさらに含む、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項４】
前記ホストと連結され、前記ホストからの命令を受けて前記自動運送装置の運送を制御する自動運送装置コントローラをさらに含む、請求項３に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項５】
前記基板は薄膜トランジスタ基板である、請求項１に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項６】
前記ファイルには、
前記基板に不良が発生した位置を示す不良座標と、
前記基板の不良内容を示す不良コードと、
前記基板に発生した不良程度を示すセルグレードと、
が記録される請求項１に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項７】
重複する不良座標に対して、前記ファイルを統合し、前記ファイルの重複するデータを削除する請求項６に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項８】
所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して補修を遂行する補修機とを含む統合補修システムの制御方法であって、
各工程において前記基板に対して所定のパターンを形成する第１段階と、
前記各工程後、前記基板に形成した所定のパターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、前記基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第２段階と、
前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除した後、基板に発生した不良を一括的に補修する第３段階と、
を含む統合補修システムの制御方法。
【請求項９】
前記第２段階は、
前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
ファイルサーバーか前記複数の検査機内のハードディスクに前記ファイルを保存する段階と、
を含む請求項８に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１０】
前記第３段階は、
前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階と、
前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む請求項８に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１１】
前記第３段階は、
前記複数のファイルにある重複したデータが一つのファイルに不良座標を基準に統合して記録され、その他のファイルで統合された部分は削除する段階をさらに含む、請求項１０に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１２】
基板にゲートパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第１段階と、
前記第１段階で第１不良が発生すると、第１不良のデータを第１ファイルに保存する第２段階と、
前記基板にアクティブパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査を遂行する第３段階と、
前記第３段階において第２不良が発生すると、第２不良のデータを第２ファイルに保存する第４段階と、
前記基板にデータパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第５段階と、
前記第５段階で第３不良が発生すると、第３不良のデータを第３ファイルに保存する第６段階と、
前記基板に画素電極を形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第７段階と、
前記第７段階で第４不良が発生すると、第４不良のデータを第４ファイルに保存する第８段階と、
前記第１ファイル乃至第４ファイルを統合し、前記第１ファイル乃至第４ファイルで重複する部分を削除する第９段階と、
前記統合ファイルを参照して一括的に補修する第１０段階と、を含む統合補修システムの制御方法。
【請求項１３】
前記基板に対して自動光学検査が実行されることを特徴とする請求項１２に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１４】
前記第５段階で前記基板に対して遂行される電気的検査は、断線／短絡検査機を用いることを特徴とする、請求項１２に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１５】
前記第７段階で前記基板に対して遂行される電気的検査は、アレー検査機を用いることを特徴とする、請求項１２に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１６】
前記第１不良のデータ〜第４不良のデータは、前記基板で不良が発生した座標値、不良コード及びセルグレードを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項１７】
基板を検査し、検査の結果、基板の不良を検出して一定形式でファイルに保存する不良検出装置と、
前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
前記自動不良検出システムは、前記ファイルサーバーに連結され、前記ファイルサーバーに保存されている以前の工程までの基板の不良と当該工程までの基板の不良とを比較する比較機をさらに含む、自動不良検出システム。
【請求項１８】
基板のＩＤを認識し、その結果を前記比較機に送る基板ＩＤ判読装置をさらに含む、請求項１７に記載の自動不良検出システム。
【請求項１９】
前記比較機は、
前記基板ＩＤ判読装置から判読された基板ＩＤと、前記ファイルサーバーに保存されている前記対応工程の基板のＩＤとが一致するかどうかを比較する、請求項１８に記載の自動不良検出システム。
【請求項２０】
基板を検査し、検査結果に従い前記基板上の不良を検出し、一定の形式で不良データをファイルに保存する不良検出器と、
前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
前記不良検出器は、前記基板上の不良箇所のデータを不良座標として出力する、自動不良検出システム。
【請求項２１】
前記比較機は、
前記ファイルサーバーに保存された基板のＩＤの１つと前記基板のＩＤ判読装置から判読される当該基板のＩＤとを比較して基板が一致するかどうかを比較し、一致すると、ファイルサーバーに保存されている当該基板の以前の工程までの不良と前記検査機で検査した当該工程までの不良とを比較し、以前特定した不良データを除外した当該工程での不良データと当該工程までの不良データとを、前記ファイルサーバーに伝送する請求項２０に記載の自動不良検出システム。
【請求項２２】
前記ファイルサーバーは、それぞれの工程にある基板のＩＤと、前記比較機から入力を受けた当該工程までの不良データと、当該工程の不良データとを保存する、請求項２１に記載の自動不良検出システム。
【請求項２３】
それぞれの工程が遂行された後、基板をローディングする第１段階と、
前記基板の不良を検出する第２段階と、
前記基板の検出された不良を当該工程の以前までの基板の不良と比較する第３段階と、
前記比較の結果、当該工程の不良と当該工程までの不良とを保存する第４段階と、を含む自動不良検出システムの制御方法。
【請求項２４】
前記第１段階と第２段階との間に前記基板のＩＤを認識し、保存された基板のＩＤと比較する第５段階をさらに含む、請求項２３に記載の自動不良検出システムの制御方法。
【請求項２５】
所定のパターン及びピクセルが形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、
前記検査結果を利用して不良を補修する補修機と、
を含む統合補修システムが実行する液晶表示装置の製造方法であって、
それぞれの工程において基板上に一定のパターンを形成する第１段階と、
前記各工程後、パターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第２段階と、
前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除する第３段階と、
基板に発生した不良を一括的に補修する第４段階と、
を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第２段階は、
前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
ファイルサーバーまたは前記複数の検査機内のハードディスクに、前記ファイルを保存する段階と、
を含む請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第３段階は、
前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階と、
前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第３段階は、不良座標を基準にファイルに統合された重複するデータを削除する段階をさらに含む、請求項２７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法とに関する。さらに詳しくは、半導体または薄膜トランジスター液晶表示装置（ｔｈｉｎ  ｆｉｌ−ｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａ−ｙ  ：以下ＴＦＴ−ＬＣＤとする）などのマイクロエレクトロニクス装置（ｍｉ−ｃｒｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）製造工程で用いられる統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下、薄膜トランジスター液晶表示装置の一般的な製造工程について説明する。
先ず、図１（ａ）に示したように、透明な絶縁基板１００の上に金属を蒸着してパターニングし、ゲートパターンであるゲート電極１１０及びゲート線（図示せず）を形成する。その後、図１（ｂ）に示したようにゲートパターン１１０の上に窒化珪素などからなるゲート絶縁膜１２０を蒸着し、ゲート絶縁膜１２０の上に非晶質珪素膜１３０とドーピングされた非晶質珪素膜１４０とを積層した後パターニングして、非晶質珪素層アクティブパターン１３０、１４０を形成する。
【０００３】
次に、図２（ａ）に示したように金属を蒸着してパターニングし、ドーピングされた非晶質珪素層１４０の上の両側にソース電極１５１とドレーン電極１５２とを形成し、ゲート絶縁膜１２０の上にデータ線（図示せず）を形成する。
その後、図２（ｂ）のように、ソース及びドレーン電極１５１、１５２をマスクとして用いてドーピングされた非晶質珪素層１４０をエッチングする。
【０００４】
最後に、図３（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ示したように、ソース及びドーレン電極１５１、１５２の上に窒化珪素などからなる保護膜１６０を形成し、ドレーン電極１５２が現れる接触孔Ｃ１を形成した後、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘ−ｉｄｅ）などの透明導電物質を蒸着してパターニングし、画素電極１７０を形成する。
【０００５】
図４及び図５は、図１〜図３に示したような製造工程を遂行する従来のフローチャートである。
図４に示したように、従来の製造工程ではゲートパターンであるゲート電極とゲート線とを形成した後（段階Ｓ２）、ゲートパターンを検査するために自動光学検査（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ：以下ＡＯＩ検査とする）または断線／短絡検査（Ｏｐｅｎ／Ｓｈｏｒｔ  Ｔｅｓｔ：以下Ｏ／Ｓ検査とする）を遂行する。この時、ＡＯＩ検査とＯ／Ｓ検査とはそれぞれＡＯＩ検査機とＯ／Ｓ検査機とを通じて遂行される（Ｓ４）。
【０００６】
ＡＯＩ検査機は、製品に直接接触せずに光を照射してその反射される光をレンズを通じてセンサーに伝達して、その光量の差を利用して欠陥発生の有無を検査する検査機である。したがって、電気的な検査から検出することができない視覚的な不良を検出して、各工程の安定有無及び環境性の問題を検出することができる。
【０００７】
ＡＯＩ検査機から検出される不良は目に見えるものはすべて検出することができ、感度の設定によって目で感知できないグラス表面の微細な不良や反射度の差異が微妙に現れるパターンも検出できる。
不良の例としては膜残留、膜剥離、粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、グラスチップ（ｇ−ｌａｓｓ  ｃｈｉｐ）、浸蝕、染み、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）不良またはマスク（ｍａｓｋ）不良などがある。
【０００８】
ＡＯＩ検査（またはＯ／Ｓ検査）が遂行されると、ゲートパターンが形成された基板にＡＯＩ検査（またはＯ／Ｓ検査）を遂行する過程で前述したような不良が発生するかどうかを判断して（Ｓ６）、その内容をファイルに保存する。この時、ファイルには不良が発生した部分の座標値及び不良内容などが保存される。
不良が発生して該当の内容が保存されたファイルが生じると、検査を進めた基板とファイルとは補修工程に運ばれる。この時、ファイルは補修機に入力されて不良が発生した基板に対する補修作業データとして用いられる（Ｓ７）。
【０００９】
前記過程で、ゲートパターンが形成された基板に不良がなかったり、補修工程が完了した基板は次の工程に運ばれる。
次の工程はゲート電極の上に非晶質シリコン層を蒸着するアクティブパターンの形成工程が遂行される（Ｓ８）。アクティブパターン工程は非金属を蒸着させることであるので、電気的検査が不可能でＡＯＩ検査だけができる。
【００１０】
したがって、ＡＯＩ検査機において視覚的な検査を遂行して（段階Ｓ１０）、不良が発生した場合に不良の内容をファイルに保存する。基板に不良があるかどうかを判断して（段階Ｓ１２）不良が発生すると基板とファイルとは補修機に運ばれて不良が補修され（段階Ｓ１３）、不良がないか補修工程が完了すると次の工程であるデータパターン形成工程に運ばれる。
【００１１】
ソース電極、ドレーン電極とデータ線とを形成する工程であるデータパターン形成工程を遂行した後（段階Ｓ１４）、ＡＯＩ検査を遂行して前記のような過程を繰り返して遂行する（段階Ｓ１５〜Ｓ１７）。データパターン形成工程後にはＡＯＩ検査とともにＯ／Ｓ検査が遂行される。したがって、ＡＯＩ検査を遂行した後、不良がなかったり補修工程を完了した基板はＯ／Ｓ検査機に運ばれてＯ／Ｓ検査が遂行される（段階Ｓ１８）。
【００１２】
Ｏ／Ｓ検査はＴＦＴ−ＬＣＤ基板にデータラインがパターン化されると、それぞれのデータラインに電気的な信号を印加して各ラインの断線及び短絡の有無を検出する検査を言う。Ｏ／Ｓ検査の検査結果からデータラインの断線／短絡の有無を判断して（段階Ｓ２０）断線／短絡が発生した場合にデータ断線ラインの番号をファイルに保存した後、不良基板とともに補修工程に送る。
【００１３】
補修工程では補修機（ｒｅｐａｉｒｅｒ）がデータ断線ラインの番号を含むファイルを参照して基板を補修する（段階Ｓ２１）。補修が完了した基板は画素電極形成工程に運ばれる。また、Ｏ／Ｓ検査機の検査結果に不良が発生しないと、基板はすぐ画素電極工程に運ばれる。
画素電極が形成された後（段階Ｓ２４）、基板はＡＯＩ検査機に運ばれて前述した順に検査または補修される（段階Ｓ２４〜段階Ｓ２７）。画素電極形成後には基盤に対してＡＯＩ検査だけでなくアレー（ａｒｒａｒｙ） 検査をするようになる。
【００１４】
アレー検査はＴＦＴピクセルの一つ一つが電気的に異常がないかどうかを検査する工程を言い、大体透明伝導物質（たとえば、ＩＴＯ）を形成されたＴＦＴ組み立て最終段階で検査を実施する。アレー検査を遂行するアレー検査機には多様な種類があるが、この中でＩＰＴ（Ｉｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｔｅｓｔｅｒ）はピクセルの電気的不良を光学的に検査する装備であって、ＴＦＴ組み立て完了の前にセルアセンブリ（ｃｅｌｌ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）をせずにそれぞれのＴＦＴピクセルの電気的特性を検査することができる。
【００１５】
したがって、液晶組み立ての後、ディスプレー時に発生するピクセル欠陥及びライン欠陥を早期に検出することによって、数率改善と生産費減少に寄与することができる。このようなアレー検査機において検出することができる不良はたとえば、ピクセル不良、ライン断線またはライン短絡などである。
アレー検査が遂行されると（段階Ｓ２８）、それぞれの基板に対して不良を判断して（Ｓ３０）、前述した不良が発生すると該当の内容がファイルに保存されて基板とともに補修工程に運ばれる。
【００１６】
補修工程でファイルを参照して補修作業を遂行すると（Ｓ３１）、ＴＦＴ基板に対する全ての製造工程、検査及び補修行程が終了するようになる。
図６は図４及び図５の製造工程で一つのＴＦＴ基板が運ばれる工程ラインの構成図である。図６は図４及び図５の製造工程で一つのＴＦＴ基板に工程が進むことによって検出できる全ての不良が発生する場合にこのＴＦＴ基板が運ばれる経路を示した。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
図６のように、従来のＴＦＴ−ＬＣＤの補修システムによると各工程別に検査と補修とを遂行したので検査及び補修に長時間がかかる問題点があった。
したがって、本発明は前記のような従来の問題点を解決するためのものであって、その目的はそれぞれの検査機で発生した不良の内容を含んだファイルを統合し、全ての検査機が遂行された後に製造工程の最終段階で補修機が統合されたファイルを参照して一度に補修する統合補修システム及びその制御方法を提供することにある。
【００１８】
また、本発明の他の目的は各製造工程で発生する不良を自動的に検出することができる自動不良検出システムを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明の特徴による統合補修システムはマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムであって、複数の検査機と補修機とを含む。
すなわち、本願第１発明は、所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記複数の検査機と連結され、前記検査機によって保存されたファイルを取得及び統合し、統合されたファイルを参照して補修作業を一括的に遂行する補修機と、を含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【００２０】
本願第２発明は、前記第１発明において、前記複数の検査機にネットワークで連結され、前記検査機の前記ファイルを保存し、前記補修機が要求したとき前記ファイルを提供するファイルサーバーをさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第３発明は、前記第１発明において、ホストによって制御され、複数の検査機間及び検査機と補修機との間で前記基板を自動運送する自動運送装置をさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【００２１】
本願第４発明は、前記第３発明において、前記ホストと連結され、前記ホストからの命令を受けて前記自動運送装置の運送を制御する自動運送装置コントローラをさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第５発明は、前記第１発明において、前記基板は薄膜トランジスタ基板であるマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【００２２】
本願第６発明は、前記第１発明において、前記ファイルには、前記基板に不良が発生した位置を示す不良座標と、前記基板の不良内容を示す不良コードと、前記基板に発生した不良程度を示すセルグレードと、が記録されるマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第７発明は、前記第６発明において、重複する不良座標に対して、前記ファイルを統合し、前記ファイルの重複するデータを削除することを特徴とする、マイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【００２３】
本願第８発明は、所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して補修を遂行する補修機とを含む統合補修システムの制御方法であって、
Ａ；各工程において前記基板に対して所定のパターンを形成する第１段階と、
Ｂ；前記各工程後、前記基板に形成した所定のパターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、前記基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第２段階と、
Ｃ；前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除した後、基板に発生した不良を一括的に補修する第３段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【００２４】
本願第９発明は、前記第８発明において、前記第２段階が、
・前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
・ファイルサーバーか前記複数の検査機内のハードディスクに前記ファイルを保存する段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【００２５】
本願第１０発明は、前記第８発明において、前記第３段階が、
・前記複数のファイルをネットワークを解して取得する段階と、
・前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
・前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【００２６】
本願第１１発明は、前記第１０発明において、前記第３段階が、
３Ｅ；前記複数のファイルにある重複したデータが一つのファイルに不良座標を基準に統合して記録され、その他のファイルで統合された部分は削除する段階をさらに含む統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第１２発明は、
Ａ；基板にゲートパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第１段階と、
Ｂ；前記第１段階で第１不良が発生すると、第１不良のデータを第１ファイルに保存する第２段階と、
Ｃ；前記基板にアクティブパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査を遂行する第３段階と、
Ｄ；前記第３段階において第２不良が発生すると、第２不良のデータを第２ファイルに保存する第４段階と、
Ｅ；前記基板にデータパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第５段階と、
Ｆ；前記第５段階で第３不良が発生すると、第３不良のデータを第３ファイルに保存する第６段階と、
Ｇ；前記基板に画素電極を形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第７段階と、
Ｈ；前記第７段階で第４不良が発生すると、第４不良のデータを第４ファイルに保存する第８段階と、
Ｉ；前記第１ファイル乃至第４ファイルを統合し、前記第１ファイル乃至第４ファイルで重複する部分を削除する第９段階と、
Ｊ；前記統合ファイルを参照して一括的に補修する第１０段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【００２７】
本願第１３発明は、前記第１２発明において、前記基板に対して自動光学検査が実行されることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第１４発明は、前記第１２発明において、前記第５段階で前記基板に対して遂行される電気的検査が、断線／短絡検査機を用いることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
【００２８】
本願第１５発明は、前記第１２発明において、前記第７段階で前記基板に対して遂行される電気的検査が、アレー検査機を用いることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第１６発明は、前記第１２発明において、前記第１不良のデータ〜第４不良のデータが、前記基板で不良が発生した座標値、不良コード及びセルグレードを含むことを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
【００２９】
本願第１７発明は、基板を、検査し、検査の結果、基板の不良を検出して一定形式でファイルに保存する不良検出装置と、前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーとを含む自動不良検出システムを提供する。この自動不良検出システムは、前記ファイルサーバーに連結され、前記ファイルサーバーに保存されている以前の工程までの基板の不良と当該工程までの基板の不良とを比較する比較機をさらに含む。
【００３０】
本願第１８発明は、前記第１７発明において、基板のＩＤを認識し、その結果を前記比較機に送る基板ＩＤ判読装置をさらに含む自動不良検出システムを提供する。
本願第１９発明は、前記第１８発明において、前記比較機が、前記基板ＩＤ判読装置から判読された基板ＩＤと、前記ファイルサーバーに保存されている前記対応工程の基板のＩＤとが一致するかどうかを比較する自動不良検出システムを提供する。
【００３１】
本願第２０発明は、
・基板を検査し、検査結果に従い前記基板上の不良を検出し、一定の形式で不良データをファイルに保存する不良検出器、
・前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
・前記不良検出器は、前記基板上の不良箇所のデータを不良座標として出力する、自動不良検出システムを提供する。
自動不良検出システムを提供する。
【００３２】
本願第２１発明は、前記第２０発明において、前記比較機が、前記ファイルサーバーに保存された基板のＩＤの１つと前記基板のＩＤ判読装置から判読される当該基板のＩＤとを比較して基板が一致するかどうかを比較し、一致するとファイルサーバーに保存されている当該基板の以前の工程までの不良と前記検査機で検査した当該工程までの不良とを比較し、以前特定した不良データを除外した当該工程での不良データと当該工程までの不良データとを、前記ファイルサーバーに伝送する自動不良検出システムを提供する。
【００３３】
本願第２２発明は、前記第２１発明において、前記ファイルサーバーが、それぞれの工程にある基板のＩＤと、前記比較機から入力を受けた当該工程までの不良データと、当該工程の不良データとを保存する自動不良検出システムを提供する。
本願第２３発明は、
Ａ；それぞれの工程が遂行された後、基板をローディングする第１段階と、
Ｂ；前記基板の不良を検出する第２段階と、
Ｃ；前記基板の検出された不良を当該工程の以前までの基板の不良と比較する第３段階と、
Ｄ；前記比較の結果、当該工程の不良と当該工程までの不良とを保存する第４段階と、
を含む自動不良検出システムの制御方法を提供する。
【００３４】
本願第２４発明は、前記第２３発明において、前記第１段階と第２段階との間に前記基板のＩＤを認識し、保存された基板のＩＤと比較する第５段階をさらに含む、自動不良検出システムの制御方法を提供する。
本願第２５発明は、所定のパターン及びピクセルが形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して不良を補修する補修機と、を含む統合補修システムが実行する液晶表示装置の製造方法を提供する。この方法は、以下の段階を含む。
・それぞれの工程において基板上に一定のパターンを形成する第１段階、
・前記各工程後、パターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第２段階、
・前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除する第３段階、
・基板に発生した不良を一括的に補修する第４段階。
【００３５】
本願第２６発明は、前記第２５発明において、前記第２段階が以下の段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
・前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階、
・ファイルサーバーまたは前記複数の検査機内のハードディスクに、前記ファイルを保存する段階。
【００３６】
本願第２７発明は、前記第２５発明において、前記第３段階が以下の段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
・前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階、
・前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階、
・前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階。
【００３７】
本願第２８発明は、前記第２７発明において、前記第３段階が、不良座標を基準にファイルに統合された重複するデータを削除する段階をさらに含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態例によるシステムについて説明する。また、説明の便宜のためにＴＦＴ−ＬＣＤ工程に用いられる統合補修システムを具体的な例として説明する。
図７は本発明の実施形態例による統合補修システムの構成図である。図７に示したように、本発明実施形態例の統合補修システムによると、ＴＣＰ／ＩＰを利用したネットワークに多数の検査機５００と補修機６００とが連結される。これら検査機５００は、ＡＯＩ検査機Ｔ１００、Ｏ／Ｓ検査機Ｔ１１０、アレー検査機Ｔ１２０及び補修機６００を含む。
【００３９】
また、ＴＦＴ−ＬＣＤ製造工程を全体的に管理するホスト２００、自動運送装置（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｇｕｉｄｅ  ｖｅｈｉｃｌｅ：以下ＡＧＶとする）を制御するＡＧＶコントローラ４００及びファイルサーバー３００が、前記ネットワークに連結されている。ファイルサーバー３００のデータは、多数の検査機と補修機とが共有することができる
ＡＯＩ検査機Ｔ１００、Ｏ／Ｓ検査機Ｔ１１０、アレー検査機Ｔ１２０及び補修機６００は運営体制としてユニックスを用いるが、必ずこれに限られるわけではない。それぞれの検査機Ｔ１００〜Ｔ１２０及び補修機６００から生成されたファイルは、ネットワークに連結されたファイルサーバー３００に保存されて用いられる。または、前記ファイルは、それぞれの検査機Ｔ１００〜Ｔ１２０から補修機６００に直接伝送されて用いられる。
【００４０】
本発明の実施形態例では、それぞれの検査機Ｔ１００〜Ｔ１２０及び補修機６００が運営体制としてユニックスを用いるので、ユニックスが提供するファイル伝送方法が用いられる。
図８及び図９は、本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだＴＦＴ基板の製造工程を示すフローチャートである。
【００４１】
ＴＦＴ基板にゲートパターンが形成されると（段階Ｓ１０２）、ＡＯＩ検査機またはＯ／Ｓ検査機に運ばれ（段階Ｓ１０４）、ゲートパターンに不良があるか否かが判定される（段階Ｓ１０６）。この時、不良が発生するとファイルＡが生成されるが、このファイルＡには基板に対する不良座標、不良コード及び不良程度を示すセルグレードが保存される。具体的に、不良座標はＴＦＴ基板で不良が発生したピクセルの位置を示し、Ｘ軸とＹ軸とを基準にして（Ｘ座標値、Ｙ座標値）表される。
【００４２】
不良コードはそれぞれの検査機が検出することができる項目を言う。たとえば、ＡＯＩ検査機である場合、不良コードは前述した膜残留、膜剥離、粒子、グラスチップ、浸蝕、染み、フォトレジストまたはマスク不良などである。また、Ｏ／Ｓ検査である場合、不良コードは断線または短絡不良などである。アレー検査である場合、不良コードはピクセルまたはライン不良などである。
【００４３】
セルグレードは、例えばＲ、Ｘ、Ｏとして表示される。ＲはＴＦＴ基板で不良が発生したピクセルが補修できることを示す。Ｘは該当ピクセルがリジェクトされることを示し、これによってＸに示されたＴＦＴ基板に対しては補修作業が遂行されない。
正常なピクセルはＯで示される。ここで、ＡＯＩ検査機で生成されたファイルをファイルＡをすると、このファイルはネットワークに連結されたファイルサーバーまたはＡＯＩ検査機自体のハードディスクに保存することができる（段階Ｓ１０８）。
【００４４】
ＡＯＩ検査またはＯ／Ｓ検査を終えたＴＦＴ基板にアクティブパターン形成工程が遂行された後（段階Ｓ１１０）、再度ＡＯＩ検査機に運ばれて前述したような順に検査が遂行されて（段階Ｓ１１２〜Ｓ１１４）ファイルが生成される（段階Ｓ１１６）。この過程で生成されたファイルをファイルＢとする。ファイルＢもファイルＡと同様にファイルサーバーまたはＡＯＩ検査機内のハードディスクに保存される。
【００４５】
次に、ＴＦＴ基板はデータパターン形成工程が遂行された後（段階Ｓ１１８）、ＡＯＩ検査機とＯ／Ｓ検査機とで順次検査が進む（段階Ｓ１２０〜Ｓ１３０）。この過程で前述したようにファイルＣとファイルＤとが生成され、それぞれはファイルサーバーに保存されたり検査機自体のハードディスクに保存される。
最後に、ＴＦＴ基板には画素電極が形成されて（段階Ｓ１３２）、ＡＯＩ検査機とアレー検査機とにおける検査が行われ、ファイルＥとファイルＦとが生成される（段階Ｓ１３４〜Ｓ１４４）。
【００４６】
ここまで生成されたファイルＡ〜Ｆにはそれぞれの検査結果である不良座標、不良コード及びセルグレードが記録されている。ファイルＡ〜Ｆには、補修工程が進むに先だち、統合処理が施されれる（段階Ｓ１４６）。
図１０は図８及び図９でファイル統合及び補修過程を示すフローチャートである。
【００４７】
図１０に示した過程は補修工程で補修機が補修作業を遂行する前に行われる。
それぞれの工程を遂行した後、ＡＯＩ検査機、Ｏ／Ｓ検査機及びアレー検査機で生成されたファイルＡ〜Ｆが集められる（段階Ｓ２００）。ここでは二つの方法が可能である。
先ず、検査機でそれぞれのファイルが生成された後、ファイルサーバーに共通に保存されている場合にはファイルサーバーに接続して該当ファイルを全部持ってくる。
【００４８】
検査機でそれぞれのファイルが生成された後、自体ハードディスクに保存されている場合には、該当検査機に直接接続してファイルを持ってくる。
補修機は集めたファイルＡ〜Ｆのセルグレードを調べてそれぞれのセルが補修可能であるかどうかを判断する（段階Ｓ２１０）。ここで、Ｘと示されたセルはリジェクトされ、Ｏと示されたセルは正常であるので補修作業を遂行しない（段階Ｓ２７０）。
【００４９】
次に、集めたファイルを統合するかどうかを判断する（段階Ｓ２２０）。この時、統合するかどうかを示すプラグを設定し、このプラグがセットされないと補修機を特定検査機と直接連結する（段階Ｓ２４０）。そして、補修機は連結された検査機で発生したファイルだけを参照してＴＦＴ基板に対する補修作業を遂行する。
【００５０】
プラグがセットされているとファイル統合作業を遂行する。ファイル統合作業は次の通りに遂行される。たとえば、ゲートパターン工程後にＡＯＩ検査機で発生したファイルＡ内に不良座標（０、０）、不良コードがフォトレジストで、セルグレードがＲであるとする。また、アクティブパターン工程後にＡＯＩ検査機で発生したファイルＢ内にも不良座標（０、０）、不良コードがマスクであり、セルグレードをＲとする。最後に、画素電極形成後にアレー検査機で発生したファイルＦに不良座標（０、０）、不良コードがピクセルで、セルグレードがＲである場合があるとする。この場合、ファイルＡ、ファイルＢ及びファイルＦの内容は統合されてファイルＡに不良座標（０、０）と、不良コードがＡＯＩ検査機で検出されたフォトレジスト及びマスク並びにアレー検査機で検出されたピクセルとが記録され、セルグレードがＲと記録される。
【００５１】
一方、ファイルＢとファイルＦにあった不良座標（０、０）の記録は削除される。このような方法で多数のファイルに記録された内容が不良座標を基準に重複した不良座標無しに統合される（段階Ｓ２３０）。
補修工程で補修機は統合されたファイル内のセルグレードを参照して補修可能であるかどうかを判断する（段階Ｓ２５０）。セルグレードがＲである場合には補修作業を遂行する。成功裡に補修作業が終わるとセルグレードをＯに変換し、補修作業が失敗するとセルグレードをＸに変換する（段階Ｓ２６０）。
【００５２】
図１１は図８及び図９の製造過程で一つのＴＦＴ基板が運ばれる工程ラインの構成図である。
ＴＦＴ基板がそれぞれの製造工程と検査工程とに順次運ばれて遂行され、最後に補修工程に運ばれる。したがって、図６と比べるとＡＧＶがＴＦＴ基板を毎回検査機を遂行して補修機に運ぶ過程が省略される。
【００５３】
一方、前記に説明した本発明の実施形態例による統合補修システムで、各検査機は各工程の段階で発生した不良データを検出しなければならない。しかし、多数の工程を過ぎたＴＦＴ−ＬＣＤ基板には各工程毎に発生した不良が累積して存在するので、各工程段階で発生した不良データを検出するためには以下に説明するような不良検出システムが必要である。
【００５４】
図１２は本発明の実施形態例による自動不良検出システムを示した図面である。
図１２のように、本発明の実施形態例による自動不良検出システムはファイルサーバー３００及び検査機５００から構成されている。検査機５００は、比較機５２０、基板ＩＤ判読装置５３０及び不良検出装置５４０を含む。
【００５５】
基板ＩＤ判読装置５３０は工程進行中である基板のＩＤを判読し、その結果を比較機５２０に伝送する。不良検出装置５４０は、現在工程で遂行された基板の不良を検出し、その結果を比較機５２０を通じてファイルサーバー３００に伝送する。
比較機５２０は、ファイルサーバー３００から以前の工程で検出した累積不良データと、不良検出装置５４０を通じて検出した現在工程の累積不良データとを比較し、現在工程で発生した不良データを検出する。
【００５６】
図１３は本実施形態例の不良検出装置５４０を詳細に示した図面である。
図１３に示したように、本発明の実施形態例による不良検出装置５４０はカメラ５４２と不良検出機５４３とからなる。図１３において、カメラ５４１は基板を撮影し、不良検出機５４３はカメラ５４２が撮影した基板の不良をデータ化して比較機５２０に伝送する。
【００５７】
以下、図１２〜図１４を参照しながら本実施形態例の動作を説明する。
本実施形態例の自動不良検出システムは液晶表示装置の各製造工程が終わった後に基板の不良を検出する。
先ず、工程が終わった後、当該工程を過ぎた基板はＩＤ判読装置５４０にローディングされる（Ｓ３００）。基板ＩＤ判読装置５４０は、基板のＩＤを識別後、基板のＩＤを比較機５２０に伝送する（Ｓ３１０）。
【００５８】
比較機５２０は、ＩＤ認識機５３１から伝送された当該基板のＩＤと、ファイルサーバー３００に保存されている工程に投入されている基板のＩＤとを比較する（Ｓ３２０）。ここで、ファイルサーバー３００には、工程に投入された基板のＩＤが保存されている。
比較の結果、当該基板とＩＤとが一致する基板がないと、当該基板は次の工程に送られる（Ｓ３３０）。比較の結果、当該基板とＩＤとが一致する基板があれば、不良検出動作が行われる（Ｓ３４０）。
【００５９】
つまり、基板ＩＤ判読装置５３０から判読した基板のＩＤとファイルサーバー３００に保存された投入された基板とでＩＤが一致すると、カメラ５４２は基板の不良を撮影し、検出された不良を不良検出機５４３に伝送する。不良検出機５４３はカメラ５４２から伝送される不良の内容をデータ化し、そのデータを比較機５２０に伝送する。この時、不良検出機５４３を通じて比較機５２０に伝送される基板不良データは、当該工程までの全ての不良がカメラ５４２で撮影されるので、累積したデータ（ａｃｃｕｍｕｌａｔｅｄ  ｄａｔａ）である。
【００６０】
一方、この時のデータは、不良の位置に関するデータ、不良の内容に関するデータ、不良の程度に関するデータとを含む。
比較機５２０は、ファイルサーバー３００に既に保存されている前記基板に対する不良データを取り出す。この時の不良データは、当該工程の以前の工程までの不良に関する累積データである。比較機５２０はサーバーから取り出した累積データと、不良検出機５４２から伝送された当該工程での累積データとを比較する（Ｓ３５０）。比較の結果、差異点がないと当該基板は次の工程に送られる（Ｓ３６０）。比較の結果、差異点があるとその差異をデータ化するが、この時のデータをスタックデータ（ｓｔａｃｋ  ｄａｔａ）という。
【００６１】
図１５（ａ）〜（ｃ）は工程で基板の不良の例を示したものである。図１１（ａ）はファイルサーバーに保存されている当該工程以前までの工程の不良を示したものであり、図１１（ｂ）は当該工程から検出された不良を示したものである。当該工程で発生した不良は結局図１１（ｂ）と図１１（ａ）との差異である図１１（ｃ）になり、結局図１１（ｃ）に関するデータがスタックデータである。
【００６２】
前記スタックデータと累積データ（ｔｏｔａｌ  ｄａｔａ）とはファイルサーバー３００に再度伝送されて保存される（Ｓ３７０）。このスタックデータによって当該工程での基板の不良に関する情報を正確に把握することができる。
以上の過程が終わると、当該基板は次の工程に復帰する（Ｓ３７０）。
【００６３】
【発明の効果】
以上、本発明の実施形態例について説明したが、本発明は前記実施形態例に限られるわけではなく、その他の多様な変更や変形が可能である。
たとえば、本発明の実施形態例に用いられるそれぞれの検査機の運営体制としては、ユニックス以外にウィンドーＮＴなどを用いて具現することができる。また、以上では統合されたファイルを用いた補修システムを説明したが、本発明の統合されたファイルは補修機にだけに限られるわけではない。
【００６４】
また、本発明の実施形態例においてはＴＦＴ−ＬＣＤの製造を例に挙げて説明したが、本発明は前記ＴＦＴ−ＬＣＤの製造に限られるものではなく、半導体、プラズマディスプレーパネル、印刷回路基板などのようなマイクロエレクトロニクスデバイスの製造にも適用可能であるのは当然のことであり、この他にも多数の設備作業の結果がファイルに保存されて、これらファイルが統合されて最終設備に用いられる全ての産業分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
（ａ），（ｂ）；薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図２】
（ａ），（ｂ）；薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図３】
（ａ），（ｂ）；薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図４】
図１（ａ）〜図３（ｂ）に示したような従来の製造工程を遂行するフローチャート。
【図５】
図１（ａ）〜図３（ｂ）に示したような従来の製造工程を遂行するフローチャート。
【図６】
図４及び図５の製造工程で一つの薄膜トランジスター基板が運ばれる工程ライン構成図。
【図７】
本発明の実施形態例による統合補修システムの構成図である。
【図８】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート。
【図９】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート（１）。
【図１０】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート（２）。
【図１１】
図８及び図９の製造工程で一つの薄膜トランジスター基板が運ばれる工程ライン構成図。
【図１２】
本発明の実施形態例による不良検出システムの全体構成図。
【図１３】
図１２における不良検出装置の構成図。
【図１４】
本発明の実施形態例にかかる不良検出システムの動作を示すフローチャート。
【図１５】
基板の不良の例を示した説明概念図。