Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品を取り付ける方法であって、
第一の部品及び第二の部品と、前記第一及び第二の部品間にある接合材料とを含むアセンブリを形成するステップであって、前記第一及び第二の部品が通気孔のある空洞を形成することを特徴とするステップと、
前記接合材料を活性化させるために前記アセンブリを加熱するステップであって、前記接合材料中の気泡が、加熱処理中に前記空洞及び前記通気孔を通じて前記接合材料から前記アセンブリの周囲へと逃げることを特徴とするステップと、
前記アセンブリを加熱するステップの後、周囲の気圧を第一の気圧から第二の気圧へと増大させることにより、前記接合材料中に残存する気泡を圧縮するステップと、
前記アセンブリが冷却して前記接合材料が凝固するまで前記第二の気圧を維持するステップと、
前記接合材料が凝固したのち、前記空洞が気密封止状態になるように前記通気孔を封止するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記接合材料が、はんだを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合材料が、真鍮を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
部品を取り付ける方法であって、
第一の部品及び第二の部品と、前記第一及び第二の部品間にある接合材料とを含むアセンブリを形成するステップであって、前記接合材料が接着剤を含み、前記第一の部品および第二の部品が通気孔のある空洞を形成することを特徴とするステップと、
前記接合材料を活性化させるために前記アセンブリを加熱するステップであって、前記接合材料中の気泡が、加熱処理中に前記空洞及び前記通気孔を通じて前記接合材料から前記アセンブリの周囲へと逃げることを特徴とするステップと
を含む方法。
【請求項５】
第一の部品と、
前記第一の部品に隣接し、該第一の部品と共に空洞を形成する第二の部品と、
前記第一及び第二の部品間に設けられ、前記第一及び第二の部品間に形成された前記空洞を取り囲むはんだ接合と、
前記空洞から通じている通気孔と
を含み、
前記通気孔は、前記はんだ接合とは別に封止を有し、前記はんだ接合および前記封止は、前記空洞を気密封止する
構造。
【請求項６】
一連の通気された空洞を形成する、一連の部品及びはんだ接合部を、更に含む請求項５に記載の構造。
【請求項７】
前記通気孔が、前記空洞の各々と通じている請求項６に記載の構造。
【請求項８】
前記第一の部品及び第二の部品の一つは、シリコンである請求項５に記載の構造。
【請求項９】
前記第一の部品が、ガラス、セラミック、半導体、または、金属からなる群から選択された材料のプレートを含む請求項５に記載の構造。
【請求項１０】
前記接合材料が、接着剤を含む請求項５に記載の構造。
【請求項１１】
前記接合材料が、真鍮を含む請求項５に記載の構造。
【請求項１２】
第一の部品と、
前記第一の部品に隣接し、該第一の部品と共に空洞を形成する第二の部品と、
前記第一及び第二の部品間にあり、前記第一及び第二の部品間に形成される面積は約２５０ｍｍ2、直径約１８ｍｍ、深さが５μｍの空洞を取り囲む接合材料と、
前記空洞から通じている通気孔と
を含む構造。
【請求項１３】
第一の部品と、
前記第一の部品に隣接し、該第一の部品と共に空洞を形成する第二の部品と、
前記第一及び第二の部品の一つはモリブデンであり、
前記第一及び第二の部品間にあり、前記第一及び第二の部品間に形成された前記空洞を取り囲む接合材料と、
前記空洞から通じている通気孔と
を含む構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アークランプのための電力コントローラであって、該コントローラは、
前記アークランプに供給される電力を調整可能な第１の制御装置であって、前記アークランプに接続される変圧器および複数のコンデンサを備え、前記コンデンサの少なくともいくつかは前記アークランプに供給される電力を変化可能な複数のスイッチによって前記アークランプに接続される第１の制御装置と、
前記アークランプの温度を判断し、当該温度を表す出力を生成するセンサと、
前記第１の制御装置に接続されるとともに、前記アークランプの温度が、前記第１の制御装置によって調整される際の前記アークランプに供給される電力に基づく温度範囲内になるように、前記センサ出力に応じて前記アークランプの温度を調整する第２の制御装置とを有する電力コントローラ。
【請求項２】  前記アークランプは所定の公称動作電力を有し、前記第１および第２の制御装置は当該公称動作電力の３乃至７パーセントの範囲において協働して動作する請求項１に記載の電力コントローラ。
【請求項３】  前記第１の制御装置は、前記アークランプに供給される電流および電圧の少なくとも１つを調整可能である請求項１に記載の電力コントローラ。
【請求項４】  前記第２の制御装置は、空気流を前記アークランプへ向ける空気流発生器を備える請求項１に記載の電力コントローラ。
【請求項５】  前記第１および第２の制御装置と通信可能であって、前記センサ出力を受信し、当該センサ出力に従って前記第２の制御装置の動作を変化させる空気流コントローラをさらに有する請求項１に記載の電力コントローラ
【請求項６】  前記空気流コントローラは、基板の位置および基板の移動の少なくとも１つを表す信号に従って、前記第２の制御装置の動作を変化させる請求項５に記載の電力コントローラ。
【請求項７】  前記センサは、前記アークランプに供給される電流および電圧の少なくとも１つを検出する請求項１に記載の電力コントローラ。
【請求項８】  アークランプと、
前記アークランプに供給される電力を調整可能な第１の制御装置であって、前記アークランプに接続される変圧器および複数のコンデンサを備え、前記コンデンサの少なくともいくつかは前記アークランプに供給される電力を変化可能なスイッチによって前記アークランプに接続される第１の制御装置と、
前記アークランプの温度を判断し、当該温度を表す出力を生成するセンサと、
前記第１の制御装置に接続されるとともに、前記アークランプの温度が、前記第１の制御装置によって調整される際の前記アークランプに供給される電力に基づく温度範囲になるように、前記センサ出力に応じて前記アークランプの温度を調整する第２の制御装置とを有するランプシステム。
【請求項９】  前記第１の制御装置は、前記アークランプに供給される電流および電圧の少なくとも１つを調整可能である請求項８に記載のランプシステム。
【請求項１０】  前記第２の制御装置は、空気流を前記アークランプへ向ける空気流発生器を備える請求項８に記載のランプシステム。
【請求項１１】  アークランプの制御方法であって、
前記アークランプの温度を判断し、当該温度を表す出力を生成するセンサを用い、
前記センサ出力に応じて前記アークランプの温度を変化させることにより、前記アークランプの温度を、前記アークランプに供給される検出された電力に基づく温度範囲内に保持し、
前記アークランプに隣接した基板を移動し、
前記アークランプを動作させ、
前記基板の移動を停止し、
前記基板の移動が停止した際に、前記アークランプに供給される電力を公称電力の３乃至７パーセントに低減させ、
空気流によって前記アークランプを冷却し、
前記基板が移動し始めた際に、前記空気流を変化させる方法。
【請求項１２】  前記アークランプの温度を変化させるステップは、前記アークランプの上に向けられた空気流を変化させるステップをさらに有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記アークランプに供給される電力を検出するステップは、前記アークランプに供給される電流を検出するステップをさらに有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  前記アークランプが公称電力の３乃至７パーセントにおいて動作するように、前記アークランプに供給される電力を制御するステップをさらに有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】  前記基板が移動し始めた際に、前記アークランプに供給される電力を増加させるステップをさらに有する請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１平面を定める上面を有する基体と、
前記基体上に付着させられた設計された応力を有する薄膜から形成されたばねフィンガーであって、前記基体に取り付けられ且つ前記第１平面と平行な第２平面を定める固定部と、該固定部から延出し且つ前記第２平面から逸れて前記基体から離れる方向に曲がった湾曲した自由部とを有すると共に、前記ばねフィンガーの前記固定部を形成する前記設計された応力を有する薄膜が等方性内部応力を有する少なくとも１つの層を含む、前記ばねフィンガーと、
を含む、ばね構造。
【請求項２】  平面を定める上面を有する基体と、
前記基体上に付着させられた設計された応力を有する薄膜から形成されたばねフィンガーであって、前記基体に取り付けられ且つ前記第１平面と平行な第２平面を定める固定部と、該固定部から延出し且つ前記第２平面から逸れて前記基体から離れる方向に曲がった湾曲した自由部とを有すると共に、圧縮飽和点及び引張飽和点を定めるばね材料から形成された前記ばねフィンガーと、
を含むばね構造であって、
前記ばねフィンガーの前記固定部が、前記圧縮飽和点及び前記引張飽和点の一方の内部応力を有する少なくとも１つの層を含む、
ばね構造。
【請求項３】  上面を有する基体と、
該基体上に付着された設計された応力を有する薄膜から形成された複数のばねフィンガーであって、前記複数のばねフィンガーの各々は前記基体に取り付けられた固定部を有し、前記複数のばねフィンガーの各々は前記固定部から延出した湾曲した自由部を更に有する、前記複数のばねフィンガーと、を含むばね構造のアレイであって、
前記複数のばねフィンガーの各々の前記固定部を形成する前記設計された応力を有する薄膜は、等方性内部応力を有する少なくとも１つの層を含む、
前記ばね構造のアレイ。
【請求項４】  上面を有する基体と、
該基体上に付着された設計された応力を有する薄膜から形成された複数のばねフィンガーであって、前記複数のばねフィンガーの各々は前記基体に取り付けられた固定部を有し、前記複数のばねフィンガーの各々は前記固定部から延出した湾曲した自由部を更に有する、前記複数のばねフィンガーと、を含むばね構造のアレイであって、
前記複数のばねフィンガーの各々は圧縮飽和点及び引張飽和点を定めるばね材料から形成されており、
前記複数のばねフィンガーの各々の前記固定部は前記圧縮飽和点及び引張飽和点の内の１つである等方性内部応力を有する少なくとも１つの層を含む、
前記ばね構造のアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
そして、このことは、大気圧近くでのオーバーシュートの軽減にも繋がることになる。
上述した切換弁装置では、真空吸着用切換弁機能１１に大気開放用切換弁機能１７を連動させたので、真空破壊用切換弁機能１３から圧力空気が流入する前に、自動的に真空側が大気側と連動して、大気圧に近づいてから真空破壊用切換弁機能１３から大気圧より高圧の圧力空気が流入するので、オーバーシュート量を小さく押さえることが可能になり、真空破壊を迅速かつスムーズに行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【発明の効果】
以上述べたように、請求項１の切換弁装置では、真空吸着用切換弁機能に大気開放用切換弁機能を連動させたので、真空破壊用切換弁機能から圧力空気が流入する前に、自動的に真空側が大気側と連動して、大気圧に近づいてから真空破壊用切換弁機能から大気圧より高圧の圧力空気が流入するので、オーバーシュート量を小さく押さえることが可能になり、真空破壊を迅速かつスムーズに行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
誤り位置多項式は（数８）で表される。Xiは誤りの位置をガロア拡大体GF(28)上の値で示す誤りロケータである。誤り位置多項式導出回路４３は、（数８）における係数λの値を前述のアルゴリズムにより演算し、誤り位置多項式を導出する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソフトウエアが主要な構成要素でありあるいは主要な制御手段であるソフトウエア無線機において、当該無線機が比較的に高い周波数で動作する回路手段によって構成され、
当該回路手段に入力される高周波信号を基準クロックに同期して並列および／あるいは直列の任意のビット数であるデジタル信号に変換してシフトレジスタに入力し当該シフトレジスタに入力したデジタル信号を直接あるいはＮ逓倍しあるいはＮ乗してＳｉｎおよびＣｏｓのルックアップテーブルとの積和演算を行い当該ルックアップテーブルがＳｉｎおよびCosに対して１、−１、０の組合わせで構成され当該積和演算において当該ルックアップテーブルの値が１の時にはデジタル信号をそのままで加算し当該ルックアップテーブルの値がー１の時には当該デジタル信号の補数を求めて加算し当該ルックアップテーブルの値が０の時には加算をせず当該高周波信号の振幅ベクトルおよび／あるいは位相ベクトルを算出することを特徴とする高周波論理回路
【請求項２】
当該デジタル信号および／あるいは算出された位相スペクトルのＳｉｎ成分とＣｏｓ成分の最上位ビット（ＭＳＢ）が正または負の極性を示し当該最上位ビット（ＭＳＢ）あるいは当該最上位ビット（ＭＳＢ）および下位ビットの組み合わせによって当該Ｓｉｎ成分とＣｏｓ成分の比較を行い当該位相スペクトルの位相を象現および／あるいは角度範囲で表現することを特徴とする請求項第１項に記載の高周波論理回路
【請求項３】
当該高周波信号が複数のアンテナおよび受信機で受信し直接あるいは中間周波数に変換しおよび／あるいは必要な処理を行なった後の受信出力信号であり当該受信出力信号をアンテナおよび受信機単位で共通の基準クロックに同期してデジタル信号に変換した後にシフトレジスタに入力し当該シフトレジスタの各段毎にＮ逓倍しあるいはＮ乗してキャリアを抽出しＳｉｎおよびＣｏｓのルックアップテーブルとの積和演算を行い振幅ベクトルおよび／あるいは位相ベクトルを算出し当該算出された位相スペクトルを用いて当該シフトレジスタに入力されたデジタル信号から当該基準クロックの位相に近いデジタル信号を選択しおよび／あるいは当該選択したデジタル信号を当該振幅スペクトルと掛算し当該選択しおよび／あるいは掛算したデジタル信号を当該複数のアンテナおよび受信機に対応して加算することによって受信ダイバーシテイ制御を行なうことを特徴とする請求項第１項から第２項に記載の高周波論理回路
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
現在、ＣＳＰのうち、ウェハ状態で外部端子形成工程までを完了させた後に個片化して
得られる、ＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が、製造コストを低減可能なＣＳＰの一つの形態として注目されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、パッシベーション膜２０上に形成されている絶縁膜２２は、パッシベーション膜
２０の全面を覆うとともに、半導体チップ１２の主表面１２ａのうち当該主表面１２ａの
端１２ｂに沿う第２の領域３５（端１２ｂから距離＝Ｙ（但し、Ｙ＜Ｘ））を覆っていな
いため、その側面２２ｂは主表面の半導体チップ１２の端１２ｂに到達していない。パッ
シベーション膜２０は、回路素子と対向する位置に設けられ回路素子を保護する膜であり
、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）からなる。また、絶縁膜２２は、熱応力を吸収して緩衝する緩衝層となる低硬度の膜であり、例えば、ポリイミド膜からなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
その後、露出するポスト部１６の頂面１６ａ上に、外部端子となる半田ボール３４をリ
フロー形成する。そして、ダイシング用の高速回転ブレードによってダイシングを行い、
各半導体装置であるＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）１０毎に個片化する（図１（Ｂ）参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３の構成により、視聴予約している放送開始時間が迫ると視聴者が設定した表示タイミングでチャンネル変更確認メッセージが表示され、この後、録画確認メッセージが表示される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子に電力を供給する導電部と、
前記発光素子を搭載する凹形状の搭載部と、
前記搭載部に搭載された前記発光素子を封止する封止部材とを有し、
前記封止部材は、透光性樹脂部材と前記透光性樹脂部材の熱膨張率より小なる熱膨張率の透光性フィラを含み、
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０２５の範囲である発光装置。
【請求項２】
前記透光性フィラは、前記発光素子が発する光や熱に対する光透過性の安定性が高い材料である請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記搭載部は、すり鉢形状を有する請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記搭載部は、セラミック材料で形成される請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記封止部材は、エポキシ樹脂によって形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記封止部材は、シリコーンによって形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記透光性フィラは、ガラスを含む請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記封止部材は、蛍光体を含む請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記封止部材は、２層に接合して構成され、前記発光素子が含まれない層に蛍光体を含有し、前記発光素子が含まれる層により多くの透光性フィラを含有している請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
発光素子と、
前記発光素子に電力を供給する導電部と、
前記発光素子を搭載する凹形状の搭載部と、
前記搭載部に搭載された前記発光素子を封止する封止部材とを有し、
前記封止部材は、透光性樹脂部材と前記透光性樹脂部材の熱膨張率より小なる熱膨張率の透光性フィラを含み、
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０２５の範囲であり、
前記封止部材における前記透光性フィラの濃度は、前記発光素子の周辺以外の部位よりも高い発光装置。
【請求項１１】
前記透光性フィラは、前記発光素子が発する光や熱に対する光透過性の安定性が高い材料である請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記発光素子の周辺における前記封止部材に含まれる前記透光性フィラの濃度は、体積比５０％以上である請求項１から１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率の値に対して±０．０１０の範囲である請求項１から１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記透光性フィラは、平均粒子径が１０〜１００μｍの範囲である請求項１から１３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
発光素子を封止する透光性樹脂部材と透光性フィラとを含む封止部材において、
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０２５の範囲であり、かつ、熱や光に対し安定な材料である封止部材。
【請求項１６】
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０１０の範囲である請求項１５に記載の封止部材。
【請求項１７】
前記透光性フィラは、平均粒子径が１０〜１００μｍの範囲である請求項１５又は１６に記載の封止部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子に電力を供給する導電部と、前記発光素子を搭載する凹形状の搭載部と、前記搭載部に搭載された前記発光素子を封止する封止部材とを有し、前記封止部材は、透光性樹脂部材と前記透光性樹脂部材の熱膨張率より小なる熱膨張率の透光性フィラを含み、前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０２５の範囲である発光装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明は、上記の目的を達成するために、発光素子と、前記発光素子に電力を供給する導電部と、前記発光素子を搭載する凹形状の搭載部と、前記搭載部に搭載された前記発光素子を封止する封止部材とを有し、前記封止部材は、透光性樹脂部材と前記透光性樹脂部材の熱膨張率より小なる熱膨張率の透光性フィラを含み、前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０２５の範囲であり、前記封止部材における前記透光性フィラの濃度は、前記発光素子の周辺以外の部位よりも高い発光装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
前記透光性フィラは、前記発光素子が発する光や熱に対する光透過性の安定性が高い材料であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記発光素子の周辺における前記封止部材における前記透光性フィラの濃度は、体積比５０％以上であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０１０の範囲とすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記透光性フィラは、平均粒子径が１０〜１００μｍの範囲であってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
更に、本発明は、上記の目的を達成するために、発光素子を封止する透光性樹脂部材と透光性フィラとを含む封止部材において、前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０２５の範囲であり、かつ、熱や光に対し安定な材料である封止部材を提供する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記透光性フィラの屈折率は、前記透光性樹脂部材の屈折率との差が±０．０１０の範囲とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１および第２の端面と、上下面とを有するワイヤーと；
前記ワイヤーに電気的に接続され、前記ワイヤーの上面の一部を被覆する導電性粉部材と；
前記導電性粉部材がない前記ワイヤーの下面と；
前記導電性粉部材の少なくとも一部および前記ワイヤーの上面の一部を囲む絶縁性物質と；
前記ワイヤーの第１の端面および前記絶縁性物質の一部に配置された導電性物質の第１の部材により形成された第１の端子と；
前記導電性粉部材の上方に配置され、電気的に接続された導電性物質の第２の部材により形成された第２の端子と；
を具備してなることを特徴とする表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項２】
前記第１の端子は陽極であり、前記第２の端子は陰極末端である請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項３】
前記導電性粉部材は粉体からなる請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項４】
前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項３記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項５】
前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項３記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項６】
前記粉体は、前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積された請求項３記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項７】
前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項８】
前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項９】
前記ワイヤーは平行六面体である請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１０】
前記ワイヤーの下面は被覆されていない請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１１】
対向する第１および第２の端部と、上下面とを有するワイヤーと；
前記上面のみの一部を被覆するワイヤー上の導電性粉部材であって、該導電性粉部材は陰極末端と、陽極末端と、該陰極末端と陽極末端との間に延出した導電性粉部材側面とを有するものと；
前記陰極末端および前記導電性粉部材側面の外の、かつ、これらを被覆する絶縁物質層とを備え、それにより前記ワイヤーは、下方に延出し、前記絶縁物質層の外面を越えて延びたワイヤー突出部を有し、
前記導電性物質の陽極層は前記ワイヤー末端に電気的に接触するように前記ワイヤーの第１の端面および前記絶縁性物質の外面の一部に導電性物質の陽極層を備え、それにより電気的連続性が前記導電性粉部材の陽極末端から前記ワイヤーを介して前記導電性物質の陽極層に達成し、
前記導電性物質の陽極層と略同一高さとし、かつ、前記導電性粉部材の陰極端部と電気的に接触する前記導電性粉部材の陽極末端の少なくとも一部の上に導電性物質の陰極層を
を具備してなることを特徴とする表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１２】
前記導電性粉部材は、電気泳動的に堆積された粉体からなる請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１３】
前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項１２記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１４】
前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基板である請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性粉部材は、3-8g/ccの密度を有する請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１６】
前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの静電容量-電圧を有する請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１７】
前記ワイヤーは、平行六面体である請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１８】
前記ワイヤーは、ホイルシートの一部分である請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項１９】
前記ワイヤーの下面は、前記導電性粉部材がない請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【請求項２０】
前記ワイヤーの下面は、被覆されていない請求項１１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面実装型フリップチップコンデンサーおよびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
有機質コーティング又はパシベーションコーティング48が対電極層上、および絶縁コーティング38上に形成されている。陰極末端キャップ54がパシベーションコーティング48を介して対電極層と接触、接合され、陰極端子56を形成している。陽極末端キャップ52がワイヤー32に接合され、このワイヤー32はタンタル層34の陽極末端50と電気的に連続し、又、陽極末端キャップ52は高く形成されコンデンサー30の側面を構成し、陰極端子56と同じ高さの陽極端子60を形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電源層、グラウンド層、および信号ライン層から構成され、デジタル回路用ＩＣからなるドライバ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭載される多層プリント基板において、
前記グラウンド層に隣接して設けられた電源層あるいは電源層と信号ライン層の端部あるいは周辺部にガードパターンを形成し、該ガードパターンを前記グラウンド層に接続してなることを特徴とする多層プリント基板。
【請求項２】  前記ガードパターンと前記グラウンド層はグラウンドバイアホールによって複数箇所で接続されていることを特徴とする請求項１記載の多層プリント基板。
【請求項３】  前記グラウンドバイアホールの一部は前記電源バイアホールに接近して配置されたことを特徴とする請求項２記載の多層プリント基板。
【請求項４】  前記グラウンドバイアホールと前記電源バイアホールは同軸状に形成されていることを特徴とする請求項３記載の多層プリント基板。
【請求項５】  前記グラウンド層および前記電源層は隣接してプリント基板のほぼ中央部におかれることを特徴とする請求項１記載の多層プリント基板。
【請求項６】  電源層、グラウンド層、および信号ライン層から構成され、デジタル回路用ＩＣからなるドライバ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭載される多層プリント基板において、前記電源層の両面にはグラウンド層が隣接して配置されていることを特徴とする多層プリント基板。
【請求項７】  前記電源層に隣接する２枚のグラウンド層は複数個のバイアホールによって接続されることを特徴とする請求項６記載の多層プリント基板。
【請求項８】  前記電源層の端部あるいは周辺部にガードパターンが形成され、該ガードパターンは前記バイアホールによって前記２枚のグラウンド層に接続されていることを特徴とする請求項７記載の多層プリント基板。
【請求項９】  前記電源層の電極は所定の大きさに分割されるかあるいはスリットによって分断されて形成されていることを特徴とする請求項６記載の多層プリント基板。
【請求項１０】  前記電源層において分割された電極はデカップリング回路にて相互に接続されていることを特徴とする請求項９記載の多層プリント基板。
【請求項１１】  電源層、信号ライン層と複数枚のグラウンド層から構成され、デジタル回路用ＩＣからなるドライバ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭載される多層プリント基板において、前記電源層および信号ライン層の一部は前記グラウンド層によって挟まれたことを特徴とする多層プリント基板。
【請求項１２】  前記電源層とそれぞれのグラウンド層の間隔はほぼ等しいことを特徴とする請求項１１記載の多層プリント基板。
【請求項１３】  前記電源層と信号層をはさむ２枚のグラウンド層は複数個のバイアホールによって接続されることを特徴とする請求項１１記載の多層プリント基板。
【請求項１４】  前記電源層および信号層の端部あるいは周辺部にはガードパターンを有し、このガードパターンは前記バイアホールによって前記２枚のグラウンド層に接続されていることを特徴とする請求項１２記載の多層プリント基板。
【請求項１５】  前記電源層の電極は所定の大きさに分割されるかあるいはスリットによって分断されて形成されていることを特徴とする請求項１１記載の多層プリント基板。
【請求項１６】  前記電源層において分割された電極はデカップリング回路にて相互に接続されていることを特徴とする請求項１５記載の多層プリント基板。
【請求項１７】  前記分割された電源層に隣接された信号層上に形成された信号ラインのうち少なくとも１つはガードグラウンドパターンを有していることを特徴とする請求項１５記載の多層プリント基板。
【請求項１８】  前記ガードパターンと前記グラウンド層はグラウンドバイアホールによって複数箇所で接続されていることを特徴とする請求項１４記載の多層プリント基板。
【請求項１９】  前記グラウンドバイアホールの一部は前記電源バイアホールに接近して配置されたことを特徴とする請求項１８記載の多層プリント基板。
【請求項２０】  前記接近したグラウンドバイアホールと電源バイアホールは同軸状に形成されていることを特徴とする請求項１９記載の多層プリント基板。
【請求項２１】  電源層、グラウンド層、および信号ライン層から構成され、デジタル回路用ＩＣからなるドライバ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭載される多層プリント基板において、前記グラウンド層あるいは電源層はスリットにより複数の電極に分割形成され、該グラウンド層あるいは電源層に隣接して配置された信号ライン層にはガードグラウンドラインが形成されていることを特徴とする多層プリント基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項６記載のように、電源層の両面にグラウンド層を隣接して配置したり、請求項１１記載のように、電源層および信号線路層の一部がグラウンド層によって挟む構成とする。この構成によれば、電源層が共振することによってプリント基板外部に放射されるノイズを抑えることができるようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項２１記載のように、グラウンド層あるいは電源層はスリットにより複数の電極に分割形成され、該グラウンド層あるいは電源層に隣接して配置された信号ライン層にはガードグラウンドラインが形成されてなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、請求項６記載のように電源層の両面にグラウンド層を隣接して配置した構成によれば、電源層が共振することによってプリント基板外部に放射されるノイズを抑えることができるようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
同様に、請求項１１記載のような、電源層および信号線路層の一部をグラウンド層によって挟む構成によっても、放射ノイズを抑えることができるようになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
また、請求項２１記載のように、グラウンド層あるいは電源層をスリットにより複数の電極に分割形成し、これに隣接する信号ライン層にガードグラウンドラインを形成した構成によれば、クロックパルスの高調波成分が無視出来る周波数帯まで基板の共振周波数を高めることができプリント基板そのものの共振がおこり難くなり、放射ノイズを著しく低減させることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2000183541.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１に図解した第１のインバータＩＮＶ１は、通常のＣＭＯＳ型インバータの回路構成と同様であり、電源電圧ＶCCの供給ラインと接地電位との間に直列に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＭＰ１と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ１とを有する。
ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭＰ１のゲートとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ１のゲートとはノードＮ３において入力端子ＩＮに接続されている。ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレインとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレインとが共通接続されている。ＰチャネルＭＯＳトランジスタＭＰ１のソースには電源電圧ＶCCが供給され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレインは接地されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２に、図１および図２に図解したバッファ回路は、１個のバッファＢＵＦと２個のインバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２を直接に接続した回路との並列回路であり、図９に図解した複数のインバータを直列接続した回路ではないから、動作遅延要素が少なく高速動作が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、少なくとも前記絶縁膜と接する部分が、基板材料のエネルギーバンドギャップのほぼ中央付近の仕事関数を有し、かつ、所定量の不純物を含有する導電性材料からなる導電層と、
前記基板に形成された取り出し電極とを有する、
半導体装置。
【請求項２】
前記不純物は、前記導電性材料のグレイン成長を抑制する不純物である、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記不純物は酸素、窒素又はホウ素である、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電層は、深さ方向に対して異なる濃度の不純物を含有する前記基板材料のエネルギーバンドギャップのほぼ中央付近の仕事関数を有する導電性材料からなる層を有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電層は、深さ方向に対して異なる濃度の不純物を含有する前記高融点金属シリサイド層又は高融点金属層を有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電層は、深さ方向に対してその中央領域がその上下領域より高い濃度の不純物を含有する前記基板材料のエネルギーバンドギャップのほぼ中央付近の仕事関数を有する導電性材料からなる層を有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導電層は、深さ方向に対するその中央領域がその上下領域より高い濃度の不純物を含有する高融点金属シリサイド層又は高融点金属層を有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電層は、２種類以上の不純物を含有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、少なくとも前記ゲート絶縁膜と接する部分が、不純物を含有する高融点金属シリサイド層又は不純物を含有する高融点金属層からなるゲート電極と、
前記シリコン基板に形成された取り出し電極とを有する、
半導体装置。
【請求項１０】
前記不純物は、高融点金属シリサイド又は高融点金属のグレイン成長を抑制する不純物である、
請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記高融点金属シリサイド層又は高融点金属層は、深さ方向に対して異なる濃度の不純物を含有する、
請求項９記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記高融点金属シリサイド層又は高融点金属層は、深さ方向に対してその中央領域がその上下領域より高い濃度の不純物を含有する、
請求項９記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記不純物は酸素、窒素又はホウ素である、
請求項９記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記高融点金属シリサイド層又は高融点金属層は、２種類以上の不純物を含有する、
請求項９記載の半導体装置。
【請求項１５】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、基板材料のエネルギーバンドギャップのほぼ中央付近の仕事関数を有する導電性材料からなる導電層を形成する工程と、
前記導電層に不純物を導入する工程と、
前記基板に取り出し電極を形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層にイオン注入法により不純物を導入する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記絶縁膜上に、化学的気相成長法により不純物を含有する導電膜を形成する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に前記導電層のグレイン成長を抑制する物質を導入する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に深さ方向に不純物濃度が変化するように不純物を導入する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記高融点金属又は高融点金属膜に、前記導電層の厚さ方向の中央領域に含まれる不純物濃度が、その上下領域の不純物濃度よりも高くなるように不純物を導入する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に酸素、窒素又はホウ素を導入する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に２種類以上の不純物を導入する工程を有する、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
シリコン基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、シリコンのエネルギーバンドギャップのほぼ中央付近の仕事関数を有する導電性材料からなる導電層を形成する工程と、
前記導電層に不純物を導入する工程と、
前記導電層を加工してゲート電極を形成する工程と、
前記シリコン基板に取り出し電極を形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層にイオン注入法により不純物を導入する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記絶縁膜上に、化学的気相成長法により不純物を含有する導電膜を形成する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に前記導電層のグレイン成長を抑制する物質を導入する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に深さ方向に不純物濃度が変化するように不純物を導入する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記高融点金属又は高融点金属膜に、前記導電層の厚さ方向の中央領域に含まれる不純物濃度が、その上下領域の不純物濃度よりも高くなるように、不純物を導入する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に酸素、窒素又はホウ素を導入する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記導電層に不純物を導入する工程は、前記導電層に２種類以上の不純物を導入する工程を有する、
請求項２３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に熱処理を施した後、
前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜と半導体膜とを順次大気にふれさせることなく積層形成し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に熱処理を施した後、
前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜と半導体膜とを順次大気にふれさせることなく積層形成し、前記半導体膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に熱処理を施した後、
前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜と半導体膜とを順次大気にふれさせることなく積層形成し、
前記半導体膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成した後、前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、前記触媒元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅから選ばれた少なくとも１つの元素あることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜の膜厚より薄い膜厚となるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の絶縁膜は膜厚が１００〜５００ｎｍとなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の絶縁膜は、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化珪素膜から選ばれた単層膜、またはそれらの積層膜でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は膜厚が１０〜１００ｎｍとなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化珪素膜から選ばれた単層膜、またはそれらの積層膜でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の絶縁膜の熱処理は、２００〜７００℃で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記結晶質半導体膜を用いて、薄膜トランジスタの活性層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】油圧式エレベータの降下防止装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カゴの昇降を案内する案内レールを掴んで前記カゴを非常停止させる非常停止手段をカゴ側に備えた油圧式エレベータにおいて、
前記カゴの扉が開いている状態における前記カゴの異常降下を検出する異常降下検出手段と、前記異常降下検出手段の異常降下検出出力に基づいて、前記非常停止手段を作動させる作動手段と、を備え、
前記作動手段は、前記非常停止手段を牽引により作動させるよう前記非常停止手段の始動レバーに連繋された索条と当該索条の巻取手段とを有し、前記異常降下検出出力に基づく前記巻取手段の巻き取り作動による前記索条の牽引によって前記非常停止手段を作動させる構成としたことを特徴とする油圧式エレベータの降下防止装置。
【請求項２】  カゴの昇降を案内する案内レールを掴んで前記カゴを非常停止させる非常停止手段をカゴ側に備えた油圧式エレベータにおいて、
前記カゴの扉が開いている状態における前記カゴの異常降下を検出する異常降下検出手段と、前記異常降下検出手段の異常降下検出出力に基づいて、前記非常停止手段を作動させる作動手段と、を備え、
前記作動手段は、前記非常停止手段の始動レバーを操作可能に噛み合うギヤと、前記ギヤを回転させるギヤ駆動手段とを有し、前記異常降下検出出力に基づく前記ギヤ駆動手段の駆動によるギヤの回転によって前記非常停止手段を作動させる構成としたことを特徴とする油圧式エレベータの降下防止装置。
【請求項３】  カゴの昇降を案内する案内レールを掴んでカゴを非常停止させる非常停止手段をカゴ側に備えた油圧式エレベータにおいて、
前記カゴの扉が開いている状態における前記カゴの異常降下を検出する異常降下検出手段と、前記異常降下検出手段の異常降下検出出力に基づいて、前記非常停止手段を作動させる作動手段とを備え、
前記作動手段は、前記非常停止手段の始動レバーを操作可能に当接されたカムと、前記カムを作動させるカム駆動手段とを有し、前記異常降下検出出力に基づく前記カム駆動手段の駆動による前記カムの作動によって前記非常停止手段を作動させる構成としたことを特徴とする油圧式エレベータの降下防止装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記のような問題を解消するため、カゴの扉が開いている状態におけるカゴの異常降下を防止する装置の提供を目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決する手段】
請求項１の油圧式エレベータの降下防止装置の発明は、カゴの昇降を案内する案内レールを掴んで前記カゴを非常停止させる非常停止手段をカゴ側に備えた油圧式エレベータにおいて、
前記カゴの扉が開いている状態における前記カゴの異常降下を検出する異常降下検出手段と、前記異常降下検出手段の異常降下検出出力に基づいて、前記非常停止手段を作動させる作動手段と、を備え、前記作動手段は、前記非常停止手段を牽引により作動させるよう前記非常停止手段の始動レバーに連繋された索条と当該索条の巻取手段とを有し、前記異常降下検出出力に基づく前記巻取手段の巻き取り作動による前記索条の牽引によって前記非常停止手段を作動させる構成としたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２の油圧式エレベータの降下防止装置の発明は、カゴの昇降を案内する案内レールを掴んで前記カゴを非常停止させる非常停止手段をカゴ側に備えた油圧式エレベータにおいて、
前記カゴの扉が開いている状態における前記カゴの異常降下を検出する異常降下検出手段と、前記異常降下検出手段の異常降下検出出力に基づいて、前記非常停止手段を作動させる作動手段と、を備え、前記作動手段は、前記非常停止手段の始動レバーを操作可能に噛み合うギヤと、前記ギヤを回転させるギヤ駆動手段とを有し、前記異常降下検出出力に基づく前記ギヤ駆動手段の駆動による前記ギヤの回転によって前記非常停止手段を作動させる構成としたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３の油圧式エレベータの降下防止装置の発明は、カゴの昇降を案内する案内レールを掴んで前記カゴを非常停止させる非常停止手段をカゴ側に備えた油圧式エレベータにおいて、
前記カゴの扉が開いている状態における前記カゴの異常降下を検出する異常降下検出手段と、前記異常降下検出手段の異常降下検出出力に基づいて、前記非常停止手段を作動させる作動手段とを備え、前記作動手段は、前記非常停止手段の始動レバーを操作可能に当接されたカムと、前記カムを作動させるカム駆動手段とを有し、前記異常降下検出出力に基づく前記カム駆動手段の駆動による前記カムの作動によって前記非常停止手段を作動させる構成としたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項３の各発明によれば、何れも、所定の階に本来停止していなければならないカゴが、その扉が開いている状態において異常降下することを防止することができる。
又、異状降下防止手段の作動により、その原因が油圧システムのシリンダにおける油漏れの発生を間接的に知ることができる。