【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するＳＯＩ基板と、
前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されているチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、
前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記半導体層は、１０００Å以上であることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するＳＯＩ基板と、
前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されて１０００Åよりも厚いチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、
前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界近傍に唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  前記半導体装置は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタであることを特徴とする、請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記半導体装置は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタであることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】  前記ソース，ドレイン領域間に位置づけられた前記チャネル領域の実質的全てが前記不純物濃度プロファイルを有する、請求項１ないし請求項５のうち、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記ソース，ドレイン領域間に位置づけられた実質的な前記チャネル領域のみが前記不純物濃度プロファイルを有する、請求項１ないし請求項５のうち、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】  埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上に形成される半導体層を有するＳＯＩ基板と、
前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極と対向する側の前記ＳＯＩ層内に選択的に形成されるソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース，ドレイン領域間の領域として規定されるチャネル領域とを備え、
前記ソース，ドレイン領域より内側のチャネル領域部分において、連続的に増加し、前記半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  前記チャネル領域を囲む分離膜をさらに備える、請求項１ないし請求項８のうち、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】  前記分離膜はフィールド酸化膜を含む、請求項９記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係る半導体装置は、埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するＳＯＩ基板と、前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されているチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の発明に係る半導体装置は、埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するＳＯＩ基板と、前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されて１０００Åよりも厚いチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界近傍に唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このようなプロファイルを持つＮチャネルＭＯＳトランジスタおよびＰチャネルＭＯＳトランジスタの製造方法について説明する。まず、図４に示すようなウェーハ１０を準備する。ウェーハ１０は、シリコンで構成されていて表面に３００Åのシリコン酸化膜１３を有し、そのシリコン酸化膜１３の下に１０００ÅのＳＯＩ層１２を有し、さらにＳＯＩ層１２の下に４０００Åのシリコン酸化膜１１を有する。このシリコン酸化膜１１はウェーハ１０の内部に形成されており、シリコン酸化膜１１の下にはさらにシリコン層１４が存在する。次に、リソグラフィを行ってＮチャネルＭＯＳトランジスタが形成される領域１５にフォトレジストが形成されず、ＰチャネルＭＯＳトランジスタが形成される領域１６にフォトレジスト１７が形成される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルドーピングのために、この状態のウェーハ１０に対しホウ素イオンの注入が行われる。ホウ素イオンは符号１８により示された矢印の方向に沿って打ち込まれる。このイオン注入は、加速度電圧３５ｋｅＶ、ドーズ量１０13ｃｍ-2という条件で行われる。このイオン注入の後、フォトレジスト１７が除去される。次に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルドーピングのために、リソグラフィを行ってＮチャネルＭＯＳトランジスタが形成される領域１５にフォトレジスト１９が形成されるが、ＰチャネルＭＯＳトランジスタが形成される領域１６にはフォトレジストは形成されない。この状態のウェーハ１０に対し、リンイオンの注入が符号２０により示された矢印の方向に沿って行われる。このイオン注入は、加速度電圧６０ｋｅＶ、ドーズ量２．６×１０12ｃｍ-2という条件で行われる。このイオン注入の後、フォトレジスト１９が除去される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１７の状態からＣＶＤ法によりタングステンを約５０００Å堆積する。このタングステンをエッチバックしてタングステンプラグ６３を形成する。チタン６４の上にアルミニウム銅を５０００Å〜１．０μｍ堆積する。リソグラフィによってフォトレジストをパターニングして、そのフォトレジストをマスクにしてアルミニウム銅６５をドライエッチングする。アルミニウム銅６５のパターニングが終了した後にフォトレジストを除去すると、図１８に示す状態になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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