Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陽極及び陰極からなる一対の電極間に挟持された発光層と電子注入層を少なくとも有する有機発光素子において、陰極電極と電気的に実質接している前記電子注入層が少なくとも有機化合物と金属化合物とから構成され、前記金属化合物がストロンチウム化合物、バリウム化合物の中から少なくとも１つ選択されることを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がＳｒＦ２、ＳｒＣｌ２、ＳｒＢｒ２、ＳｒＩ２、ＢａＦ２、ＢａＣｌ２、ＢａＢｒ２、ＢａＩ２中から少なくとも１つ選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がＳｒ（ＣＩＯ４）２、Ｓｒ（ＯＨ）２、Ｓｒ（ＮＯ３）２、Ｂａ（ＣＩＯ４）２、Ｂａ（ＯＨ）２、Ｂａ（ＮＯ３）２の中から少なくとも１つ選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項４】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がＳｒ（ＳＨ）２、ＳｒＨＰＯ４、ＳｒＣ２、ＳｒＨ２、Ｓｒ（ＢｒＯ３）２、Ｓｒ（ＩＯ３）２、ＢａＨＰＯ４、ＢａＣ２、ＢａＨ２、Ｂａ（ＢｒＯ３）２、Ｂａ（ＩＯ３）２の中から少なくとも１つ選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項５】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がストロンチウムもしくはバリウムのβ−ジケトン錯体であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項６】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がストロンチウムもしくはバリウムのカルボン酸塩であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項７】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がストロンチウムもしくはバリウムのアルコキシドであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項８】 前記ストロンチウム化合物、バリウム化合物がＳｒＯ、ＳｒＳ、ＳｒＳＯ４、Ｓｒ３（ＰＯ４）２、ＳｒＢ６、ＢａＯ、ＢａＳ、ＢａＳＯ４、Ｂａ３（ＰＯ４）２、ＢａＢ６の中から少なくとも１つ選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項９】 請求項１乃至８何れか一項に記載の有機発光素子において、前記電子注入層の膜厚が２０ｎｍ以上であることを特徴とする有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動子部に電機子コイルを備え、該電機子コイルに電流を流すことにより前記可動子部が固定子部上の平面に沿って二次元方向に移動する平面モータ装置において、
前記電機子コイルを包囲部材で包囲し、該包囲部材の内側に前記電機子コイルの発熱を吸収するための冷媒冷却経路を設けたことを特徴とする平面モータ装置。
【請求項２】
前記包囲部材の内側が複数の領域に分割されていることを特徴とする請求項１に記載の平面モータ装置。
【請求項３】
前記各領域に複数の冷媒冷却経路が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の平面モータ装置。
【請求項４】
前記各領域の冷媒冷却経路はそれぞれ温調を行うことを特徴とする請求項２または３に記載の平面モータ装置。
【請求項５】
前記電機子コイルとこれを被う包囲部材と該包囲部材の内側に設けられる冷媒冷却経路とを含む部分をモジュールユニット化し、複数モジュールユニット間を結合可能にしたことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の平面モータ装置。
【請求項６】
前記電機子コイルが巻回された電機子ヨーク部を前記包囲部材から保持する保持機構を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の平面モータ装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の平面モータ装置の固定子部を配置されたステージ定盤と、該平面モータ装置の可動子部を配置され、前記ステージ定盤上で二次元方向に移動する可動スライダとを備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項８】
原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系に対し原版と基板の両方、もしくは基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光する露光装置であって、
前記原版または基板を前記投影光学系に対し相対的に移動させるためのステージ装置の少なくとも１つが請求項７に記載のステージ装置であることを特徴とする露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウエハ上にフューズを形成する工程、このフューズ上に酸化膜を形成し、所定の膜厚になるようにエッチングする工程、前記エッチングの工程の後に前記ウエハの表面クリーニングを行う工程、前記表面クリーニングを行う工程の後にバンプメッキパターンの形成を行う工程、及び前記バンプメッキパターンの形成を行う工程の後に、ウエハテストにより決定された救済パターンにしたがって前記フューズをレーザートリミングする工程を含むことを特徴とする半導体メモリの救済方法。
【請求項２】  前記表面クリーニングを行う工程は、前記フューズ上の酸化膜をエッチングする工程により形成される前記酸化膜の膜厚に応じた条件により行われることを特徴とする請求項１記載の半導体メモリの救済方法。
【請求項３】  ウエハ上にフューズを形成する工程、ウエハテストを行い、救済パターンを決定する工程、前記救済パターンにしたがってレジストをトリミングする工程、及び前記レジストを用いて前記フューズ上にバンプメッキパターンを形成して前記フューズを接続する工程を含むことを特徴とする半導体メモリの救済方法。
【請求項４】  ウエハ上にフューズを形成する工程、ウエハテストを行い、救済パターンを決定する工程、フューズ上にバンプメッキパターンを形成する工程、及び前記救済パターンにしたがって前記バンプメッキパターン上に結線チップを組込み、前記フューズを接続する工程を含むことを特徴とする半導体メモリの救済方法。
【請求項５】  ウエハ上にフューズを形成する工程、ウエハテストを行い、救済パターンを決定する工程、フューズ上にバンプメッキパターンを形成する工程、及び前記救済パターンにしたがって配線されたプリント基板を前記バンプメッキパターン上に配置することにより、前記フューズを接続する工程を含むことを特徴とする半導体メモリの救済方法。
【請求項６】  ウエハ上にフューズを形成する工程、このフューズ上に酸化膜を形成し、所定の膜厚になるようにエッチングする工程、ウエハテストを行い、救済パターンを決定する工程、前記救済パターンにしたがって前記フューズをレーザートリミングする工程、及び前記レーザートリミングされたフューズ上にＳＯＧにより保護キャップを形成する工程を含むことを特徴とする半導体メモリの救済方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体メモリの救済方法においては、ウエハ上にフューズを形成する工程、このフューズ上に酸化膜を形成し、所定の膜厚になるようにエッチングする工程、前記エッチングの工程の後に前記ウエハの表面クリーニングを行う工程、前記表面クリーニングを行う工程の後にバンプメッキパターンの形成を行う工程、及び前記バンプメッキパターンの形成を行う工程の後に、ウエハテストにより決定された救済パターンにしたがって前記フューズをレーザートリミングする工程を含むことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように、ウエハ上にフューズを形成する工程、このフューズ上に酸化膜を形成し、所定の膜厚になるようにエッチングする工程、前記エッチングの工程の後に前記ウエハの表面クリーニングを行う工程、前記表面クリーニングを行う工程の後にバンプメッキパターンの形成を行う工程、及び前記バンプメッキパターンの形成を行う工程の後に、ウエハテストにより決定された救済パターンにしたがって前記フューズをレーザートリミングする工程を含むので、バンプ形成のための表面クリーニング後にレーザートリミングを行うようにすることにより、十分な救済率を確保できると共に、フューズ上の酸化膜の表面クリーニングによる消失もなく、信頼性、歩留まりを確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の上に第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜の上に、第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第２レジスト膜をマスクにして、前記半導体基板の所定領域にイオン注入を行なう工程と、を備え、
前記イオン注入を行う工程において、前記第２レジスト膜は、前記半導体基板の平面方向においてはパターニングされた前記第１レジスト膜よりも幅が広くパターニングされており、パターニングされた前記第１レジスト膜を完全に覆うようにパターニングされている、半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記第１レジスト膜の膜厚を１０ｎｍ以下に成膜することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記第１レジスト膜を形成する工程は、前記第１レジスト膜を感光させる工程を含む、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記第１レジスト膜を形成する工程は、写真製版工程における現象時間を制御することにより、前記第１レジスト膜の前記半導体基板の平面方向の幅を設定することを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記第１レジスト膜の現像速度が、前記第２レジスト膜の現像速度よりも早いことを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記半導体層と前記第１レジスト膜との間に、前記第２レジスト膜とエッチング特性が同じ第３レジスト膜を形成する工程をさらに備える、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  半導体基板の上に、前記半導体基板に向かうにつれて内方に傾斜する側壁パターン形状を備えるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクにして、前記半導体基板の所定領域にイオン注入を行なう工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項８】  半導体基板の上に第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜の上に、第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第２レジスト膜を感光する工程と、
前記第１及び第２レジスト膜をエッチング除去する工程と、
前記第２レジスト膜をマスクにして、前記半導体基板の所定領域にイオン注入を行なう工程と、を備え、
前記第１及び第２レジスト膜をエッチング除去する工程においては、前記半導体基板の平面方向において、エッチングされた前記第２レジスト膜の幅はエッチングされた前記第１レジスト膜よりも広くなるようにエッチング除去され、エッチングされた前記第２レジスト膜はエッチングされた前記第１レジスト膜を覆うようにされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいた半導体装置の製造方法のある局面においては、半導体基板の上に第１レジスト膜を形成する工程と、上記第１レジスト膜の上に、第２レジスト膜を形成する工程と、上記第２レジスト膜をマスクにして、上記半導体基板の所定領域にイオン注入を行なう工程とを備え、上記イオン注入を行う工程において、上記第２レジスト膜は、上記半導体基板の平面方向においてはパターニングされた上記第１レジスト膜よりも幅が広くパターニングされており、パターニングされた上記第１レジスト膜を完全に覆うようにパターニングされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、この発明に基づいた半導体装置の製造方法の他の局面においては、半導体基板の上に、上記半導体基板に向かうにつれて内方に傾斜する側壁パターン形状を備えるレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をマスクにして、上記半導体基板の所定領域にイオン注入を行なう工程とを備える。
また、この発明に基づいた半導体装置の製造方法のさらに他の局面においては、半導体基板の上に第１レジスト膜を形成する工程と、上記第１レジスト膜の上に、第２レジスト膜を形成する工程と、上記第２レジスト膜を感光する工程と、上記第１及び第２レジスト膜をエッチング除去する工程と、上記第２レジスト膜をマスクにして、上記半導体基板の所定領域にイオン注入を行なう工程と、を備え、上記第１及び第２レジスト膜をエッチング除去する工程においては、上記半導体基板の平面方向において、エッチングされた上記第２レジスト膜の幅はエッチングされた上記第１レジスト膜よりも広くなるようにエッチング除去され、エッチングされた上記第２レジスト膜はエッチングされた上記第１レジスト膜を覆うようにされることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガリウム砒素層を有する半導体基板の製造方法であって、ゲルマニウム基板と前記ゲルマニウム基板上に配されたガリウム砒素層と前記ゲルマニウム基板あるいは前記ガリウム砒素層の少なくともいずれか一方に形成されたイオン注入層とを有する第１基板を製作する工程と、前記第１基板と第２基板とを結合させて結合基板を作製する工程と、前記結合基板を前記イオン注入層の部分で分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】  前記第１基板の作製工程は、エピタキシャル成長法により前記ガリウム砒素層を形成する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】  前記第１基板の作製工程は、前記ガリウム砒素層の上に化合物半導体層を形成する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】  前記イオンは、水素ガスイオン又は希ガスイオンからなる請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】  前記分割工程は、前記結合基板に熱処理を施すことにより前記イオン注入層の部分を分割する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】  前記分割工程は、流体の噴流または静圧により前記イオン注入層の部分を分割する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】  前記分割工程は、部材を前記イオン注入層に挿入することにより前記イオン注入層の部分を分割する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準面を有する定盤と、該基準面上で移動する移動体と、反射ミラーの反射面の位置までの距離により該移動体の位置を計測する位置計測用干渉計とを有し、前記位置計測用干渉計は前記移動体に搭載され、前記反射ミラーは前記定盤に一体的に取り付けられたステージ装置において、
前記反射ミラーの下面と前記基準面との間に、該反射ミラーの背面側空間から反射面側空間へ連通する開口が設けられていることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記反射ミラーの外側から略一定温度に保たれた温調エアーを該反射ミラーの上方および前記開口を通して前記移動体あるいは前記定盤基準面上に送風する手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記送風手段は前記温調エアーを前記基準面あるいは前記移動体に対し所定の俯角をもって送風することを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
一対の前記反射ミラーが直交して設けられ、前記送風手段は前記一対の反射ミラーの双方に対応して略単一方向から送風することを特徴とする請求項２または３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記移動体に設けられた可動子と、前記定盤に設けられた固定子を有する平面モータにより、前記移動体を前記基準面上で駆動することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項６】
原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系に対し原版と基板の両方、もしくは基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光する露光装置であって、
前記原版または基板を前記投影光学系に対し相対的に移動させるためのステージ装置の少なくとも１つが請求項１〜５のいずれか１つに記載のステージ装置であることを特徴とする露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体の少なくとも一部が、ポリヒドロキシアルカノエートで被覆されていることを特徴とする、構造体。
【請求項２】
前記ポリヒドロキシアルカノエートが、３−ヒドロキシプロピオン酸ユニット、３−ヒドロキシ−ｎ−酪酸ユニット及び３−ヒドロキシ−ｎ−吉草酸ユニットより選択される少なくとも一つのモノマーユニットを有する請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記ポリヒドロキシアルカノエートが、３−ヒドロキシアルカン酸ユニット（ただし３−ヒドロキシプロピオン酸ユニット、３−ヒドロキシ−ｎ−酪酸ユニットまたは３−ヒドロキシ−ｎ−吉草酸ユニットを除く）を含有する請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
前記ポリヒドロキシアルカノエートが、化学式［１］から化学式［１０］に示すモノマーユニットからなる群より選択される少なくとも一つを含有するポリヒドロキシアルカノエートである、請求項３に記載の構造体。
【化１】
2004335622.tif 000001
（ただし、該モノマーユニットは、式中Ｒ１およびａの組合せが下記のいずれかであるモノマーユニットからなる群より選択される少なくとも一つである。Ｒ１が水素原子（Ｈ）でありａが３から１０の整数のいずれかであるモノマーユニット、Ｒ１がハロゲン原子でありａが１から１０の整数のいずれかであるモノマーユニット、Ｒ１が発色団でありａが１から１０の整数のいずれかであるモノマーユニット、Ｒ１が  カルボキシル基あるいはその塩でありａが１から１０の整数のいずれかであるモノマーユニット、Ｒ１が、
【化２】
2004335622.tif 000002
でありａが１から７の整数のいずれかであるモノマーユニット。）
【化３】
2004335622.tif 000003
（ただし、式中ｂは０から７の整数のいずれかを表し、Ｒ２は水素原子（Ｈ），ハロゲン原子，−ＣＮ，−ＮＯ2，−ＣＦ3，−Ｃ2Ｆ5，−Ｃ3Ｆ7からなる群から選ばれたいずれか１つを表す。）
【化４】
2004335622.tif 000004
（ただし、式中ｃは１から８の整数のいずれかを表し、Ｒ３は水素原子（Ｈ），ハロゲン原子，−ＣＮ，−ＮＯ2，−ＣＦ3，−Ｃ2Ｆ5，−Ｃ3Ｆ7からなる群から選ばれたいずれか１つを表す。）
【化５】
2004335622.tif 000005
（ただし、式中ｄは０から７の整数のいずれかを表し、Ｒ４は水素原子（Ｈ），ハロゲン原子，−ＣＮ，−ＮＯ2，−ＣＦ3，−Ｃ2Ｆ5，−Ｃ3Ｆ7からなる群から選ばれたいずれか１つを表す。）
【化６】
2004335622.tif 000006
（ただし、式中ｅは１から８の整数のいずれかを表し、Ｒ５は水素原子（Ｈ），ハロゲン原子，−ＣＮ，−ＮＯ2，−ＣＦ3，−Ｃ2Ｆ5，−Ｃ3Ｆ7，−ＣＨ3，−Ｃ2Ｈ5，−Ｃ3Ｈ7からなる群から選ばれたいずれか１つを表す。）
【化７】
2004335622.tif 000007
（ただし、式中ｆは０から７の整数のいずれかを表す。）
【化８】
2004335622.tif 000008
（ただし、式中ｇは１から８の整数のいずれかを表す。）
【化９】
2004335622.tif 000009
（ただし、式中ｈは１から７の整数のいずれかを表し、Ｒ６は水素原子（Ｈ），ハロゲン原子，−ＣＮ，−ＮＯ2，−ＣＯＯＲ′，−ＳＯ2Ｒ″，−ＣＨ3，−Ｃ2Ｈ5，−Ｃ3Ｈ7，−ＣＨ（ＣＨ3）2，−Ｃ（ＣＨ3）3からなる群から選ばれたいずれか１つを表し、ここでＲ′は水素原子（Ｈ），Ｎａ，Ｋ，−ＣＨ3，−Ｃ2Ｈ5のいずれかであり、Ｒ″は−ＯＨ，−ＯＮａ，−ＯＫ，ハロゲン原子，−ＯＣＨ3，−ＯＣ2Ｈ5のいずれかである。）
【化１０】
2004335622.tif 000010
（ただし、式中ｉは１から７の整数のいずれかを表し、Ｒ７は水素原子（Ｈ），ハロゲン原子，−ＣＮ，−ＮＯ2，−ＣＯＯＲ′，−ＳＯ2Ｒ″からなる群から選ばれたいずれか１つを表し、ここでＲ′は水素原子（Ｈ），Ｎａ，Ｋ，−ＣＨ3，−Ｃ2Ｈ5のいずれかであり、Ｒ″は−ＯＨ，−ＯＮａ，−ＯＫ，ハロゲン原子，−ＯＣＨ3，−ＯＣ2Ｈ5のいずれかである。）
【化１１】
2004335622.tif 000011
（ただし、式中ｊは１から９の整数のいずれかを表す。）
【請求項５】  前記ポリヒドロキシアルカノエートの少なくとも一部が、化学修飾されたポリヒドロキシアルカノエートであることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載の構造体。
【請求項６】
前記の化学修飾されたポリヒドロキシアルカノエートが、少なくともグラフト鎖を有するポリヒドロキシアルカノエートであることを特徴とする、請求項５に記載の構造体。
【請求項７】
前記グラフト鎖が、エポキシ基を有するモノマーユニットを少なくとも含むポリヒドロキシアルカノエートの化学修飾によるグラフト鎖であることを特徴とする、請求項６に記載の構造体。
【請求項８】
前記グラフト鎖が、アミノ基を有する化合物のグラフト鎖であることを特徴とする、請求項６または請求項７に記載の構造体。
【請求項９】
前記のアミノ基を有する化合物が、末端アミノ変性化合物であることを特徴とする、請求項８に記載の構造体。
【請求項１０】
前記末端アミノ変性化合物が、ポリビニルアミン、ポリエチレンイミン、末端アミノ変性ポリシロキサンからなる群より選択される少なくとも一つであることを特徴とする、請求項９に記載の構造体。
【請求項１１】
前記ポリヒドロキシアルカノエートの少なくとも一部が、架橋化されたポリヒドロキシアルカノエートであることを特徴とする、請求項５に記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁層上にゲルマニウム層を有する基板の製造方法であって、分離層を有し、前記分離層の上にゲルマニウム層を有する第１基板を作製する工程と、前記第１基板と第２基板とを絶縁層を介して結合させて結合基板を作製する工程と、前記結合基板を前記分離層の部分で分割する工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】  絶縁性基板上にゲルマニウム層を有する基板の製造方法であって、分離層を有し、前記分離層の上にゲルマニウム層を有する第１基板を作製する工程と、前記第１基板と絶縁性材料からなる第２基板とを結合させて結合基板を作製する工程と、前記結合基板を前記分離層の部分で分割する工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】  前記分離層は、陽極化成により半導体基板を多孔質化したものである請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】  前記分離層は、半導体基板にイオンを打ち込むことにより形成される請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項５】  前記ゲルマニウム層は、エピタキシャル成長により形成される請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項６】  前記絶縁層は、酸化膜からなる請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項７】  前記絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタルのいずれかからなる請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項８】  前記分割工程は、流体の噴流または静圧により前記分離層の部分を分割する工程を含む請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項９】  前記分割工程は、前記結合基板に熱処理を施すことにより前記分離層の部分を分割する工程を含む請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】  前記分割工程は、部材を前記分離層に挿入することにより前記分離層の部分を分割する工程を含む請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準面を有する定盤と、基板を搭載して該基準面上で移動する移動体とを有し、前記移動体に、該移動体を前記基準面上で移動可能に支持する静圧軸受け手段と、該移動体を基準面内で駆動する電磁子駆動手段とを有するステージ装置において、
前記移動体の前記基板を保持する基板保持手段と前記電磁子駆動手段との間に、前記静圧軸受け手段へ供給される気体を温調する温調手段を設けたことを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記温調手段が前記電磁子駆動手段に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記静圧気体供給手段が前記温調手段の内部に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記移動体に、前記被駆動基板を少なくとも１軸方向に駆動する微動駆動手段を有し、該移動体と該微動駆動手段間あるいは該移動体に前記温調手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項５】
前記微動駆動手段は前記被駆動基板を６軸駆動するものであることを特徴とする請求項４に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記温調手段は、前記移動体内の外周面近傍あるいは該移動体を構成する部材の内部に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項７】
原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して被露光基板に投影し、該投影光学系に対し原版と被露光基板の両方、もしくは被露光基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光する露光装置であって、
前記原版または被露光基板を前記投影光学系に対し相対的に移動させるためのステージ装置の少なくとも１つが請求項１〜６のいずれか１つに記載のステージ装置であることを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、上記従来例の構成で問題になっていた以下の問題点に着目する。すなわち、（１）平面モータ駆動コイル発熱による、スライダ内部に構成されているスライダエアーベアリングの供給エアーの温度上昇、および（２）平面モータスライダ上に搭載される６軸微動駆動ステージへの平面モータ駆動コイル発熱からの伝熱による６軸微動駆動ステージおよびウエハ支持手段の熱歪の発生である。
本発明では、スライダエアーベアリングの供給エアーの温度上昇による干渉計計測空間の揺らぎの発生、ならびに６軸微動駆動ステージおよびウエハ支持手段の熱歪の発生を防ぎ、もって、ステージ位置決め精度の向上を図ることを課題とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶媒を用いて溶解した固体原料の溶液を気化してなる原料ガスを供給する工程と、
供給された前記原料ガスから前記溶媒成分を分解する工程と、
前記溶媒成分の分解により生成された分解生成物を捕集する工程と、
前記溶媒成分が除去された前記原料ガスに酸化ガスを混合して、酸化物薄膜を成膜する工程と
を有することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。
【請求項２】  前記固体原料は、鉛、ジルコニウム及びチタンの有機物を主成分とする原料、あるいはストロンチウム、ビスマス及びタンタルの有機物を主成分とする原料、あるいはビスマス、ランタン及びタンタルの有機物を主成分とする原料、あるいはこれらの原料に加えてストロンチウム、カルシウム、ランタン及びニオブのうち、少なくとも１種を添加した原料であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物薄膜の製造方法。
【請求項３】  溶媒を用いて溶解した固体原料の溶液を気化してなる原料ガスが供給され、前記原料ガスから前記溶媒成分を分解する分解手段と、
前記分解手段における前記溶媒成分の分解により生成された分解生成物を捕集する捕集手段と、
前記分解手段で前記溶媒成分が除去された前記原料ガスに酸化ガスを混合して、酸化物薄膜を成膜する成膜手段と
を有することを特徴とする酸化物薄膜製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の酸化物薄膜の製造方法は、溶媒を用いて溶解した固体原料の溶液を気化してなる原料ガスを供給する工程と、供給された前記原料ガスから前記溶媒成分を分解する工程と、前記溶媒成分の分解により生成された分解生成物を捕集する工程と、前記溶媒成分が除去された前記原料ガスに酸化ガスを混合して、酸化物薄膜を成膜する工程とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の酸化物薄膜製造装置は、溶媒を用いて溶解した固体原料の溶液を気化してなる原料ガスが供給され、前記原料ガスから前記溶媒成分を分解する分解手段と、前記分解手段における前記溶媒成分の分解により生成された分解生成物を捕集する捕集手段と、前記分解手段で前記溶媒成分が除去された前記原料ガスに酸化ガスを混合して、酸化物薄膜を成膜する成膜手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、樹脂１５は、半導体チップ３の中央部に設けるようにしてもよい。これにより、突出電極１３を介して半導体パッケージＰＫ１と半導体パッケージＰＫ２とを電気的に接続した場合においても、突出電極１３から離れた位置に樹脂１５を配置することが可能となる。このため、樹脂１５の伸び縮みの影響が突出電極１３に及ぶことを抑制することが可能となり、温度サイクルなどでの耐久性を向上させることが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
なお、上述した実施形態では、半導体パッケージＰＫ２を半導体パッケージＰＫ１上に実装するために、キャリア基板１のランド２ｂ上にフラックス７を供給するとともに、キャリア基板１１のランド１２上に突出電極１３を設ける方法について説明したが、キャリア基板１のランド２ｂ上に突出電極１３を設けるとともに、キャリア基板１１のランド１２上にラックス７を供給するようにしてもよい。また、上述した実施形態では、ディスペンサなどを用いることにより、半導体チップ３上にペースト状の樹脂１５を供給する方法について説明したが、半導体チップ３上にシート状の樹脂１５を供給するようにしてもよい。また、キャリア基板１のランド２ｂ上へは、半田ペーストを供給しても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
一方、半導体パッケージＰＫ２２には半導体チップ５１が設けられ、半導体チップ５１には、電極パッド５２が設けられるとともに、電極パッド５２が露出するようにして、絶縁膜５３が設けられている。そして、半導体チップ５１上には、電極パッド５２が露出するようにして応力緩和層５４が形成され、電極パッド５２上には、応力緩和層５４上に延伸された再配置配線５５が形成されている。そして、再配置配線５５上にはソルダレジスト膜５６が形成され、ソルダレジスト膜５６には、応力緩和層５４上において再配置配線５５を露出させる開口部５７が形成されている。そして、開口部５７を介して露出された再配置配線５５上には、半導体パッケージＰＫ２２が半導体チップ４３上に保持されるように、半導体チップ５１をキャリア基板４１上にフェースダウン実装するための突出電極５８が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から電力を入力する電力入力端子と、前記電力入力端子に入力した電力をスタータを含む第１の電装品群に供給する電力出力端子群と、前記電力入力端子と前記電力出力端子群との間の電気的接続を接続／遮断する第１のリレーと、を有し、イグニッションキーの位置に応じて前記電力出力端子から前記スタータに電力を供給する、車両の運転席側のカウル部に設置された第１のコネクタボックスと、
前記第１のコネクタボックスの電源と同一の電源から電力を入力する第２の電力入力端子と、前記第２の電力入力端子に入力した電力を複数のアクセサリー装置に供給するための電力出力端子群であって前記第１のコネクタボックスの前記電力出力端子数と同数の第２の電力出力端子群と、前記第２の電力入力端子と前記第２の電力出力端子群との間の電気的接続を接続／遮断する第２のリレーと、を有し、イグニッションキーの位置に応じて前記第２の電力出力端子から前記アクセサリー装置に電力を供給する、車両の助手席側のカウル部に設置された第２のコネクタボックスと、
を備える車両用電力配線システム。
【請求項２】
請求項１に記載の車両用電力配線システムであって、
前記第１のコネクタボックスは、第３のコネクタボックスに電源からの電力供給を中継するための電力出力端子を備え、
前記第２のコネクタボックスは、第４のコネクタボックスに電源からの電力供給を中継するための電力出力端子を備える車両用電力配線システム。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載の車両用電力配線システムであって、
前記第１のコネクタボックスは複数のヒューズを収納する第１のヒューズホルダーを備え、当該複数のヒューズのうち少なくとも一つは、前記第１の電装品群側への電力供給を遮断するためのヒューズであり、前記複数のヒューズのうち他の一つは前記第３のコネクタボックスへの電力供給を遮断するためのヒューズであり、
前記第２のコネクタボックスは複数のヒューズを収納する第２のヒューズホルダーを備え、当該複数のヒューズのうち少なくとも一つは、前記第２の電装品側への電力供給を遮断するためのヒューズであり、前記複数のヒューズのうち他の一つは前記第４のコネクタボックスへの電力供給を遮断するためのヒューズである車両用電力配線システム。
【請求項４】
請求項３に記載の車両用電力配線システムであって、
前記第１のコネクタボックスは、前記第１のリレーと前記第１のヒューズホルダーとを収納する第１のハウジングと、前記第１のハウジングの開口部を覆う第１の蓋と、前記第１のヒューズホルダー内のヒューズを交換するために前記第１の蓋に設けられた第１のヒューズ交換窓と、を有し、
前記第２のコネクタボックスは、前記第２のリレーと前記第２のヒューズホルダーとを収納する第２のハウジングと、前記第２のハウジングの開口部を覆う第２の蓋と、前記第２のヒューズホルダー内のヒューズを交換するために前記第２の蓋に設けられた第２のヒューズ交換窓と、
を有する車両用電力配線システム。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の車両用電力配線システムであって、
前記第１のコネクタボックス及び前記第２のコネクタボックスは、
前記電装品を制御するための制御信号を、他のコネクタボックスへ伝送または他のコネクタボックスから受信する通信ドライバと、
外部からの入力信号と前記通信ドライバを介して受信した制御信号のいずれか、または双方に基づいて、前記電装品を制御するための駆動信号を出力する制御回路とを備える車両用電力配線システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車両用電力配線システム
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平形の第１の電子・電気製品について、順次、平坦な帯状の樹脂シートの間に挟み込むとともに、該樹脂シートの長手方向に沿って所定の間隔で配置し、また、各個ごとに一つの収納部を形成するように前記樹脂シート同士を融着または接着して接合部を設け、これにより、多数の前記第１の電子・電気製品が一列に所定の間隔をなして収納された帯状収納体を作成し、この後、該帯状収納体の状態で前記第１の電子・電気製品を保管または搬送して第２の電子・電気製品の製造に供することを特徴とする電子・電気製品の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂シートが、前記帯状収納体の少なくとも一方の面の側にて、透明であることを特徴とする請求項１に記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電子・電気製品が、接続基板を装着する前または装着した後の表示パネルであることを特徴とする請求項１に記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項４】
前記接合部を設ける際に、前記各電子・電気製品に対する位置決めが行われることを特徴とする請求項１に記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項５】
前記帯状収納体には、前記収納部の列の両側に樹脂シートからなる耳部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項６】
前記帯状収納体は、前記接合部が剥離可能であり、前記樹脂シート同士を順次引き離していくことにより、前記各収納部が順次開かれて前記第１の電子・電気製品が順次に取り出し可能になることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項７】
前記帯状収納体の長手方向に沿って線状に予定破断個所が設けられ、この予定破断個所に沿って引き裂くことで、前記各収納部が順次開かれて前記第１の電子・電気製品が順次に取り出し可能になることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項８】
前記帯状収納体が、らせん状に巻かれた状態で保管または搬送されることを特徴とする請求項１〜６に記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項９】
前記帯状収納体が、波状に交互に折り畳まれた状態で保管または搬送されることを特徴とする請求項１〜６に記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項１０】
前記収納部が密封され、前記収納部内が不活性の気体により満たされるか、減圧下に密封が行われるか、または、前記収納部内に吸湿剤または脱酸素剤が配置されたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂シートは、熱可塑性樹脂からなる非発泡のシートであり、前記帯状収納体の少なくとも一方の面の側で、非帯電性材料からなるか、または帯電防止層を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂シートに、少なくとも機種、品種、製造ロット、製造日、生産地、仕向け地、仕向け機種、または取り扱いについて示すための文字または記号のうち一つが印刷されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子・電気製品の製造方法。
【請求項１３】
平坦な帯状の樹脂シートの間に、平形の電子・電気製品が所定の間隔で一列に配置され、該各電子・電気製品をそれぞれ収納する収納部が、前記樹脂シート間を融着または接着によって接合する接合部により形成され、該接合部により各電子・電気製品が所定位置にて保持され、また、前記収納部の列の両側に樹脂シートからなる耳部が形成されたことを特徴とする電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項１４】
前記樹脂シートが、前記帯状収納体の少なくとも一方の面の側にて、透明であることを特徴とする請求項１３に記載の電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項１５】
前記帯状収納体の少なくとも一方の面の側で、前記樹脂シートが、非帯電性材料からなるか、または帯電防止層を含むことを特徴とする請求項１３に記載の電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項１６】
前記接合部が剥離可能であり、前記樹脂シート同士を順次引き離していくことにより、前記各収納部が順次開かれて電子・電気製品が順次に取り出し可能になることを特徴とする請求項１３に記載の電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項１７】
長手方向に沿って線状に予定破断個所が設けられ、この予定破断個所に沿って引き裂くことで、前記各収納部が順次開かれて電子・電気製品が順次に取り出し可能になることを特徴とする請求項１３に記載の電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項１８】
前記樹脂シートに、少なくとも機種、品種、製造ロット、製造日、生産地、仕向け地、仕向け機種、または取り扱いについて示すための文字または記号のうち一つが印刷されていることを特徴とする請求項１３に記載の電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項１９】
前記収納部が密封されており、前記収納部内が不活性の気体により満たされるか、減圧下に密封が行われるか、または、前記収納部内に吸湿剤または脱酸素剤が配置されたことを特徴とする請求項１３に記載の電子・電気製品の帯状収納体。
【請求項２０】
平形の電子・電気製品について、順次、平坦な帯状の樹脂シートの間に挟み込むとともに、該樹脂シートの長手方向に沿って所定の間隔で配置し、また、各個ごとに一つの収納部を形成するように前記樹脂シート同士を融着または接着して接合部を設けることを特徴とする電子・電気製品の包装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記のような帯状収納体及び包装方法は、単に、中間製品または最終製品の出荷のためにも用いることができる。このような包装方法により、製品の完成から間をおかずに順次包装を行うことができ、また、出荷先では、順次に取り出して使用または販売することが可能である。さらには、前記第２の電子・電気製品の製造後、同様の帯状収納体に収納して保管及び搬送を行い、第３の電子・電気製品の製造に供することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に無色ないし淡色の電子供与性染料前駆体と、加熱後の冷却速度の違いにより該染料前駆体に可逆的な色調変化を生じせしめる可逆性顕色剤、及び消色促進剤とを含有する可逆性感熱記録材料において、該消色促進剤が下記一般式（１）で表される化合物であり、この化合物を少なくとも１種用いる事を特徴とする可逆性感熱記録材料。
【化１】
2005289007.tif 000001
（式１中、ｎは１〜２の整数を表す。Ｒ1及びＲ2は二価の炭化水素基を表す。Ｘ1はヘテロ原子を含む二価の連結基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される消色促進剤のＸ1がアミド（−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）、尿素（−ＮＨＣＯＮＨ−）、ジアシルヒドラジン（−ＣＯＮＨＮＨＣＯ−）、シュウ酸ジアミド（−ＮＨＣＯＣＯＮＨ−）から選ばれる二価の基である事を特徴とする請求項１に記載の可逆性感熱記録材料。
【請求項３】
前記可逆性顕色剤が下記一般式（２）で表される化合物である事を特徴とする請求項１または２に記載の可逆性感熱記録材料。
【化２】
2005289007.tif 000002
（式２中、ｍは０〜２の整数を表す。Ｒ3は単結合、または二価の炭化水素基を表す。Ｒ4は二価の炭化水素基を表す。Ｒ5は一価の炭化水素基を表す。Ｘ2及びＸ3はヘテロ原子含む二価の連結基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（２）で表される可逆性顕色剤のＲ5が末端二重結合を有する脂肪族炭化水素基である事を特徴とする請求項３に記載の可逆性感熱記録材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、上記課題に対して、「支持体上に無色ないし淡色の電子供与性染料前駆体と、加熱後の冷却速度の違いにより該染料前駆体に可逆的な色調変化を生じせしめる可逆性顕色剤、及び消色促進剤とを含有する可逆性感熱記録材料において、該消色促進剤が分子内の炭化水素基中に不飽和結合を少なくとも１つ持つ化合物である事を特徴とする可逆性感熱記録材料」によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記課題に対して、本発明の「前記消色促進剤の不飽和結合が末端二重結合である事を特徴とする可逆性感熱記録材料」によって達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記課題に対して、本発明の（１）「前記消色促進剤が下記一般式（１）で表される化合物であり、この化合物を少なくとも１種用いる事を特徴とする可逆性感熱記録材料」によって達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記課題に対して、本発明の（２）「前記一般式（１）で表される消色促進剤のＸ1がアミド（−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）、尿素（−ＮＨＣＯＮＨ−）、ジアシルヒドラジン（−ＣＯＮＨＮＨＣＯ−）、シュウ酸ジアミド（−ＮＨＣＯＣＯＮＨ−）から選ばれる二価の基である事を特徴とする前記第（１）に記載の可逆性感熱記録材料」によって達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記課題に対して、本発明の（３）「前記可逆性顕色剤が下記一般式（２）で表される化合物である事を特徴とする前記第（１）項または第（２）項の何れかに記載の可逆性感熱記録材料」によって達成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、上記課題に対して、本発明の（４）「前記一般式（２）で表される可逆性顕色剤のＲ5が末端二重結合を有する脂肪族炭化水素基である事を特徴とする前記第（３）項に記載の可逆性感熱記録材料」によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定した五酸化物の形態を有する酸化タンタルまたは酸化ニオブ粉末であって、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるＬ＊の値が次式を満足する具備する酸化タンタルまたは酸化ニオブ粉末
【数１】
2005289805.tif 000001
【請求項２】
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊の値が−０．５以上＋０．５以下であり、ｂ＊の値が−０．５以上＋０．５以下である請求項１記載の酸化タンタルまたは酸化ニオブ粉末。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の酸化タンタルまたは酸化ニオブ粉末からなる光学材料用又は電子材料用の酸化タンタルまたは酸化ニオブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
第三の手段（酸化促進処理）は、焙焼により得られた焙焼品を、空気などの酸素含有ガスに十分に接触させながら冷却することである。例えば、冷却中の焙焼品が収容された焙焼炉内などの空間に空気などの酸素含有ガスを強制的に供給する手段を挙げることができる。また、焙焼後、室温に冷却される前の冷却途中で焙焼炉などの中から焙焼品を取り出して空気（大気）に接触させる（さらす）手段や、取り出した焙焼品をほぐしながらさらす手段を挙げることができる。このようにして焙焼品を空気にさらす場合は、冷却中の焙焼品をその温度が１００℃〜６００℃のときに焙焼炉等の中から取り出すのが好ましく、２００℃以上のときに取り出すのがより好ましい。また別の酸化促進処理としては、焙焼品を焙焼炉等から取り出すと否とに拘わらず、焙焼品が室温まで冷却される前に、焙焼品をほぐすなどして強制的に解砕（粉砕）する手段を挙げることができる。これらの酸化促進処理を行うと好ましい理由は次のようなものであると考えられる。焙焼炉内などの閉鎖された空間で単に冷却すると、焙焼品に空気が供給されにくく、しかも高温の間はまだ五酸化物の形態から一部の酸素が放出されやすいため、特に酸素が行きわたりにくい焙焼品の内部で、酸素の少ない化合物を生じやすいからである。また、静置炉（電気炉等）を用いる場合は、焙焼対象物である水酸化タンタルや水酸化ニオブをボートなどの上に載置して焙焼する必要があり、焙焼対象物に成型処理等を施しておいたとしてもボートに接する部分には酸素が行きわたりにくいが、比較的高温の状態で焙焼品を炉から取りだし大気に晒し、更に、当該焙焼品をボートから取り出せば、酸素が行きわたりにくかった部分に十分に酸素が供給され、酸素の欠乏が起こらず五酸化物の形態の酸化タンタルや酸化ニオブが得られるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イミノ酸とイミノ酸の結合物又は、イミノ酸とイミノ酸の結合物を有するペプチドよりなり、繊維芽細胞増殖促進作用を有することを特徴とするペプチド。  
【請求項２】
イミノ酸とイミノ酸の結合物又は、イミノ酸とイミノ酸の結合物を有するペプチドよりなり、繊維芽細胞増殖促進作用を有し、食品、医薬品又は実験試薬として使用されるものであることを特徴とするペプチド。  
【請求項３】
請求項１のペプチドを含有することを特徴とする食品。
【請求項４】
請求項１のペプチドを含有することを特徴とする医薬品。
【請求項５】
請求項１のペプチドを含有することを特徴とする実験試薬。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、イミノ酸とイミノ酸の結合物又は、イミノ酸とイミノ酸の結合物を有するペプチドよりなる細胞増殖促進作用を有するペプチド及び当該ペプチドを含有している食品及び医薬品及び実験試薬に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
尚、この効果が言われている物質としては、甘草などの植物抽出物が言われていた。また、細胞レベルの研究より、Gly-Pro-Hyp を含む培地でヒト線維芽細胞を培養により、コラーゲンを発現するmRNAが増加することが調べられており、この関連では、（特許文献３参照）皮膚賦活剤としての効能が言われていた。一方、Hypがヒト線維芽細胞の増殖を促すことも言われていた。
【特許文献１】特開２００３−１９２６０７号公報
【特許文献２】特開２００３−３０６４４３号公報
【特許文献３】特開２００２−２５５８４７号公報（特願２００１−５１２８２号）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は上記課題を解決するために、イミノ酸とイミノ酸の結合物又は、イミノ酸とイミノ酸の結合物を有するペプチドを含有している食品、医薬品、又は実験試薬を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る、イミノ酸とイミノ酸の結合物又は、イミノ酸とイミノ酸の結合物を有するペプチドよりなる細胞増殖促進作用及び皮膚損傷保護修復作用を有するペプチド及び当該ペプチドを含有している食品及び医薬品及び実験試薬の実施の形態を、その特徴とする構成を説明するとともに、その実施例及び効果確認のための試験例について説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
以上、本発明に係るイミノ酸とイミノ酸の結合物又は、イミノ酸とイミノ酸の結合物を有するペプチドよりなる細胞増殖促進作用及び皮膚損傷保護修復作用を有するペプチド及び当該ペプチドを含有している食品及び医薬品及び実験試薬を実施するための最良の形態を、実施例、試験例とともに説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲内でいろいろな実施の態様があることは言うまでもない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本発明に係るペプチドは、以上のように、細胞の増殖を促進し、皮膚を損傷から防御する効果があるので、各種の食品、飲み物、及び医薬品含有させることで損傷した皮膚の治癒を自然に促進することができる。