Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】コンベクションオーブン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
庫内に熱風を送り込むためのファンを備えたコンベクションオーブンにおいて、前記ファンの各先端部位がＹ字状羽根部を形成している垂直ファンであることを特徴とするコンベクションオーブン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術部分】
本発明は、各種食材の大量調理を可能とするためのコンベクションオーブンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種食材を熱風加熱調理するコンベクションオーブンの庫内には、熱風を送り込むためのファンが設置されている。
【０００３】
この種の従来のファンとしては、図１に略示するようなシロッコファン１や、図２に略示するような垂直ファン２等があり、図１の図面符号３は、シロッコファン１の羽根を示し、図面符号４は垂直ファン２の羽根を示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記のシロッコファン１及び、垂直ファン２では、その回転作動時において、熱風の片寄りが生じるため、コンベクションオーブンの庫内に熱風を送り込む力が弱い。それ故に、庫内全体に均一な熱風を送り込むことが難しく、従って、熱風加熱の対象とされる調理食材に焼きむらができるというファン構造上の問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、前述したような従来の技術の問題点を解決しうるような羽根構造を含む垂直ファンを庫内に備えたコンベクションオーブンを提供するもので、詳しくは、本発明は、ファン作動時（正回転時、正逆回転時）においては、熱風の片寄りが無く、庫内に熱風を送り込むための力が増し、庫内全体に対しては、安定した熱風を送出することができ、庫内の被調理食材に対しては、均一な焼上げを齎すことができる垂直ファンを備えたコンベクションオーブンに係わるものである。
【０００６】
即ち、本発明は、庫内に熱風を送り込むためのファンを備えたコンベクションオーブンにおいて、前記ファンの羽根の各先端部位がＹ字状羽根部を形成している垂直ファンであることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
添付図面の図３、図４および図５を参照して本発明の一実施例を説明する。
【０００８】
図３は、本発明のコンベクションオーブンに実施適用される垂直ファン
2001050538.tif 000001
ァン１３は、複数の羽根２０の各先端部位にＹ字状羽根部２１が設けられており、このＹ字状羽根部２１の形成角度は任意であってよく、また、Ｙ字状羽根部２１に多少の曲率をもたせてもよい。
【０００９】
図４は、前記垂直ファン１３を備えたコンベクションオーブンを示す概略断面図であり、コンベクションオーブン１１の庫内１２の背面部には、庫内１２に熱風を送り込むための前記垂直ファン１３と、この垂直ファン１３の周りを取り巻くようにして熱源１４が配置されている。熱源１４として、電気ヒーター、熱変換器等が用いられる。
【００１０】
前記垂直ファン１３の前面側には空気吸込口１６をあけた取り外し自在の区壁１７が配置され、この区壁１７のある前面側を空気吸込み側とし、前記熱源１４のある周辺部を空気送出側としており、この熱源１４によって加熱される空気は前記垂直ファン１３のＹ字状羽部２１によって掻き出され、図４矢印方向の熱風の流れを形成する。
【００１１】
図面符号１５は、被調理食材収容室、１９は被調理食材、１８は被調理食材を載置する上下の棚、２２は垂直ファン収容室を示している。
【００１２】
然して、前述したような構成を有するコンベクションオーブンによって被調理食材を熱風加熱にて調理したい場合には、コンベクションオーブン１１の本体の前面側に設けられている扉（図示しない。）を開けて調理すべき被調理食材１９を庫内１２の所定位置、即ち、前記上下の棚１８の上に載置し、扉（図示しない。）を閉めて、前記熱源１４およびモーターを付勢させる。すると、垂直ファン１３が作動し、庫内１２の空気が前記区壁１７の空気吸込口１６を通して吸込まれ、この空気は垂直ファン１３の羽根２０のＹ字状各先端部位に設けられている羽根部２１によって掻き出され、この空気は垂直ファン１３の周辺部から熱源１４を通して、庫内１２へと送出される。このとき、熱源１４によって空気は加熱され熱風として庫内１２を循環し、この熱風が前記被調理食材１９に吹き付けられ、熱風加熱による被調理食材の調理が可能になる。
【００１３】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１４】
コンベクションオーブンの庫内に、Ｙ字状羽部を形成する垂直ファンを配置させ、この垂直ファンを正逆回転させ、熱源によって加熱される空気を垂直ファンのＹ字状羽根部で掻き出せることにより、熱風を送り出す力が増し、高い風量と風圧が得られるために、従来のファンにみられる熱風の片寄り等が無く、庫内に対し、熱風を効果的に送ることができる。
【００１５】
そして、被調理食材収容室内の上下、左右に熱風がバランスよく循環し、この熱風が被調理食材の表面を素早く焼き上げ、被調理食材の芯まで熱を通すため、被調理食材本来の香りや栄養を逃さず美味しく調理することができるとともに被調理食材に焼きムラ等が生じるのを大幅に減少させることに有利であり、しかも、調理時間の短縮化、調理の効率化を図ることが可能になる等、実用上、有用な効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来のシロッコファンの羽根構造説明図である。
【図２】
従来の垂直ファンの羽根構造説明図である。
【図３】
本発明における垂直ファンの羽根構造説明図である。
【図４】
本発明に係るコンベクションオーブンの概略断面図である。
【図５】
本発明に係るコンベクションオーブンの正面図である。
【符号の説明】
１１    コンベクションオーブン
１２    庫内
１３    垂直ファン
１４    熱源
１５    被調理食材収容室
１６    熱風吸入口
１７    区壁
１８    上下の棚
１９    被調理食材
２０    羽根
２１    Ｙ字状羽根部
２２    垂直ファン収容室
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ネットワーク上の装置を探索する方法において、
ネットワーク上の多数のアドレスに関連付けできるグループ名を識別し、
ネットワーク上の既知のサブネット及び既知の装置のリストを形成し、
上記グループ名に関連したＩＰアドレスのリストについてネームサーバーに問合せし、
発見された装置のＩＰサブネット情報について上記グループ名に関連した各戻りアドレスにコンタクトし、
発見された装置のサブネットを決定し、そして
発見された装置及びそのサブネットを上記リストに追加する、
という段階を備えた方法。
【請求項２】  ネットワーク上の装置のＩＰアドレスをグループ名に関連付けるためのアドレスサーバーと、
ネットワークの第１サブネットに配置された発見可能な装置であって、該発見可能な装置はＩＰアドレスを有し、そしてその発見可能な装置のＩＰアドレスがグループ名に関連付けされている発見可能な装置と、
ネットワークの第２サブネットに配置され、ネットワーク上の既知のサブネット及び既知の装置のリストを形成し、上記グループ名に関連したＩＰアドレスのリストについてネームサーバーに問合せし、発見可能な装置のＩＰサブネット情報について上記グループ名に関連した発見可能な装置の各戻りアドレスにコンタクトし、発見可能な装置のサブネットを決定し、そして発見可能な装置及びそのサブネットを上記リストに追加するための発見装置と、
を備えたネットワーク装置探索システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】支持面を持ち、前記支持面を台上に接触させることにより、台上に載置できるように形成された、下側筐体と、
上側筐体と、
前記上側筐体と前記下側筐体とを閉じた状態において、前記上側筐体の表面と前記下側筐体の表面とが対面するように、前記上側筐体と前記下側筐体とを、折り畳み可能に結合する結合部と、
前記支持面を拡張する転倒防止部とを備える、携帯端末装置。
【請求項２】前記上側筐体の表面には表示部が配設され、前記下側筐体の表面にはキー操作部が配設される、請求項１記載の携帯端末装置。
【請求項３】画像を撮影するカメラを備え、
前記転倒防止部が、前記支持面を拡張する状態となると、前記表示部には、前記カメラが撮影した画像が、左右反転して表示される、請求項２記載の携帯端末装置。
【請求項４】前記上側筐体は、前記下側筐体よりも重量が大きい、請求項１から３記載の携帯端末装置。
【請求項５】前記転倒防止部は、前記下側筐体に対してスライド可能に設けられ、前記転倒防止部が、前記下側筐体から突出することにより、前記支持面が拡張される、請求項１から４記載の携帯端末装置。
【請求項６】前記上側筐体と前記下側筐体とがなす角によって、前記転倒防止部のスライド量を定める、スライド機構を備える、請求項５記載の携帯端末装置。
【請求項７】前記スライド機構は、
前記上側筐体の前記結合部付近に、前記上側筐体と一体的に回動するように設けられる第１の歯車と、
前記下側筐体の前記結合部付近に回動自在に設けられ、かつ、前記第１の歯車とかみ合う第２の歯車と、
前記転倒防止部に形成され、かつ、前記第２の歯車にかみ合う溝とを備える、請求項６記載の携帯端末装置。
【請求項８】前記転倒防止部は、前記下側筐体に接する閉位置と前記下側筐体から離れる開位置との間において、前記下側筐体に対して回動可能に設けられ、前記転倒防止部が、開位置をとることにより、前記支持面が拡張される、請求項１から４記載の携帯端末装置。
【請求項９】前記転倒防止部の一端縁は、前記結合部、前記下側筐体又は前記上側筐体のいずれかに、回動軸により軸支される、請求項８記載の携帯端末装置。
【請求項１０】前記転倒防止部は、前記支持面を拡張する板状部材により構成される、請求項１から９記載の携帯端末装置。
【請求項１１】前記転倒防止部には、電池が配設されている、請求項１から９記載の携帯端末装置。
【請求項１２】前記転倒防止部は、前記支持面を拡張する棒状部材により構成される、請求項１から５記載の携帯端末装置。
【請求項１３】前記棒状部材は、アンテナ機能を有する、請求項１２記載の携帯端末装置。
【請求項１４】前記転倒防止部が、前記支持面を拡張する状態となったことをユーザに通知する手段を備える、請求項１から１３記載の携帯端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の半導体膜、前記半導体膜上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を有し、
前記半導体膜は、少なくともチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を有しており、
前記チャネル形成領域には、不純物元素が１×１０１５〜５×１０１８／ｃｍ３の濃度で含まれており、
前記不純物元素は、前記ソース領域および前記ドレイン領域とは逆の導電型を付与する不純物であり、
前記チャネル形成領域の膜厚は、６０ｎｍ以上であって、
前記不純物元素の濃度のピークは、前記チャネル形成領域の表面からの深さが６０ｎｍ以上の領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体膜の厚さは２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体膜を６０ｎｍ以上の厚さに形成し、
前記半導体膜に連続的に連続発振のレーザ光を照射して溶融相と固相との界面を形成して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に不純物元素を添加し、
前記結晶性半導体膜に少なくともチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記不純物元素は、前記ソース領域および前記ドレイン領域とは逆の導電型を付与する不純物元素であり、
前記不純物元素は、前記結晶質半導体膜の深さ方向における前記不純物元素の濃度ピーク位置が、６０ｎｍ以上の深さになるように添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体膜を６０ｎｍ以上の厚さに形成し、
前記半導体膜に不純物元素を添加し、
前記半導体膜に連続発振のレーザ光を照射して溶融相と固相との界面を形成して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に少なくともチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記不純物元素は、前記ソース領域および前記ドレイン領域とは逆の導電型を付与する不純物元素であり、
前記不純物元素は、前記結晶質半導体膜の深さ方向における前記不純物元素の濃度ピーク位置が、６０ｎｍ以上の深さになるように添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記不純物元素の添加は、イオンシャワードーピング法により行われ、加速電圧は３０ｋＶ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記加速電圧は１２０ｋＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、前記加速電圧は８０ｋＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザ光は、固体レーザ発振装置を光源とし、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザもしくはアレキサンドライトレーザの第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲率を有する支持体及び転写体を形成する第１工程と、
基板上に素子を含む被剥離層を形成する第２工程と、
前記素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を接着する第３工程と、
前記支持体が接着された前記素子を含む被剥離層を基板から剥離する第４工程と、
前記素子を含む被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む被剥離層を挟む第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
曲率を有する支持体及び転写体を形成する第１工程と、
前記支持体と比較して剛性の高い基板上に素子を含む被剥離層を形成する第２工程と、
前記素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を、前記素子を含む被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で接着する第３工程と、
前記支持体が接着された前記素子を含む被剥離層を基板から物理的手段により剥離する第４工程と、
前記素子を含む被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む被剥離層を挟む第５工程とを有し、
前記素子を含む被剥離層が接着された前記支持体は、前記第４工程終了時点で、前記第１工程終了時に有していた形状に復元することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記素子は薄膜トランジスタ、有機発光素子から選ばれた一つ又は複数種が含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記支持体は前記第１工程が終了した時点でさらに弾性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記支持体の第１工程終了時の曲率半径をＲｉ、第３工程終了時の曲率半径をＲｍ、第４工程終了時の曲率半径をＲｆとすると、Ｒｉ≦Ｒｆ≦Ｒｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記支持体は封止材であって、前記素子は有機発光素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記支持体は対向基板であって、前記素子は画素電極を有しており、該画素電極と前記対向基板との間に液晶材料を充填すること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記転写体は前記第１工程が終了した時点でさらに弾性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体のうち、少なくとも一方は透明であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体の曲率半径は５０ｃｍ〜２００ｃｍの範囲内にあることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
曲率を有する支持体及び転写体を形成する第１工程と、
基板上に有機発光素子を含む被剥離層を形成する第２工程と、
前記有機発光素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を、前記有機発光素子を含む被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で接着する第３工程と、
前記支持体が接着された前記有機発光素子を含む被剥離層を基板から物理的手段により剥離する第４工程と、
前記有機発光素子を含む被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記有機発光素子を含む被剥離層を挟む第５工程とを有し、
前記有機発光素子を含む被剥離層が接着された前記支持体は、前記第４工程終了時点で、前記第１工程終了時に有していた形状に復元することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記被剥離層はさらに薄膜トランジスタを含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記表示装置の駆動方法は、アクティブマトリクス型又はパッシブ型であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、前記支持体は前記第１工程が終了した時点でさらに弾性を有していることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一において、前記支持体の第１工程終了時の曲率半径をＲｉ、第３工程終了時の曲率半径をＲｍ、第４工程終了時の曲率半径をＲｆとすると、Ｒｉ≦Ｒｆ≦Ｒｍであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一において、前記支持体は封止材であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一において、前記転写体は前記第１工程が終了した時点でさらに弾性を有していることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体のうち、少なくとも一方は透明であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１８のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体の曲率半径は５０ｃｍ〜２００ｃｍの範囲内にあることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ、回路部及びケース部を備えてなるＬＥＤランプ装置であって、前記ケース部は前記ＬＥＤを保持するＬＥＤ受座を有し、前記回路部は前記ケース部に埋設されるメタル板を有し、前記メタル板は前記ケース部から表出するＬＥＤ連結部を有し、該ＬＥＤ連結部が前記ＬＥＤのリードへ電気的に結合される、ことを特徴とするＬＥＤランプ装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤ受座は前記ＬＥＤの断面と略同一形状の筒状であって、該ＬＥＤ受座に前記ＬＥＤが挿着される、ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプ装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤ受座において前記ＬＥＤからの光が直接照射される面は光を拡散若しくは吸収する、ことを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤランプ装置。
【請求項４】
前記ＬＥＤからの光が直接照射される面は前記ＬＥＤ受け座において内面上端であり、該内面上端はテーパ面とされかつシボ等の微細凹凸加工が施されている、ことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤランプ装置。
【請求項５】
前記ケース部は回路素子を挿着する素子受座を有し、前記メタル板は前記ケース部から表出する素子連結部を有し、該素子連結部が前記回路素子のリードへ電気的に結合される、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＬＥＤランプ装置。
【請求項６】
前記回路部は接続ターミナルを有し、該接続ターミナル及び前記素子受部を覆うカバー部が更に備えられる、ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のＬＥＤランプ装置。
【請求項７】
ＬＥＤ、回路部及びケース部を備えてなるＬＥＤランプ装置であって、前記ケース部は、内面上端がテーパ面の筒状部を有し、該筒状部を通って前記ＬＥＤからの光が放出され、前記回路部は前記ケース部に埋設されるメタル板を有し、前記メタル板は前記ケース部から表出するＬＥＤ連結部を有し、該ＬＥＤ連結部が前記ＬＥＤのリードへ電気的に結合される、ことを特徴とするＬＥＤランプ装置。
【請求項８】
前記筒状部の内径が、前記ＬＥＤの外径と一致する、請求項７に記載のＬＥＤランプ装置。
【請求項９】
前記ＬＥＤが、砲弾型のＬＥＤであり、前記筒状部へ隙間なく挿着される、請求項７又は８に記載のＬＥＤランプ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ｙ≧０であるＩｎｙＧａ１−ｙＡｓＳｂを含む量子井戸層材料から成る少なくとも１つの量子井戸層と、少なくとも１つの量子井戸層がインターリーブされた対応する数の障壁層とを含み、
前記障壁層材料は、ガリウム及び燐を含有する障壁層材料を各々含み、前記量子井戸層材料の伝導帯エネルギーレベルよりも高い伝導帯エネルギーレベルと、前記量子井戸層材料の価電子帯エネルギーレベルよりも低い価電子帯エネルギーレベルとを持つ、活性層を含む長波長フォトニクスデバイス。
【請求項２】前記障壁層材料が、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓＰ及びＡｌＩｎＧａＡｓＰＳｂから成るグループから選択されたものである、請求項１に記載の長波長フォトニクスデバイス。
【請求項３】前記フォトニクスデバイスはＧａＡｓ基板を更に含み、前記障壁層材料は、前記少なくとも１つの量子井戸層と前記基板との間の歪力の補償を提供する、請求項１に記載の長波長フォトニクスデバイス。
【請求項４】前記フォトニクスデバイスはＩｎＰ基板を更に含み、前記障壁層材料は、前記少なくとも１つの量子井戸層と前記基板との間の歪力の補償を提供する、請求項１に記載の長波長フォトニクスデバイス。
【請求項５】前記活性層は、前記少なくとも１つの量子井戸層と前記障壁層とが挟まれたクラッド層を更に含む、請求項１に記載の長波長フォトニクスデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル信号に対してＤＣ（Direct Current）ディザを重畳させるディザ重畳手段と、
前記ディザ重畳手段によって前記ＤＣディザが重畳された前記デジタル信号を互いに逆レベルとなるハイサイドとローサイドを形成する一対のドライブパルスに変換するスイッチング信号生成手段と、
前記スイッチング信号生成手段によって変換された前記ドライブパルスのハイサイドとローサイドのパルス幅の比率を可変することによって、前記ＤＣディザによって付加されたＤＣ（Direct Current）成分を打ち消すキャンセル信号生成手段と
を備えることを特徴とするパワーアンプ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパワーアンプ装置であって、
前記キャンセル信号生成手段は、
前記ハイサイドのドライブパルスと前記ローサイドのドライブパルスとの一方に対して、あるいは、両方のそれぞれに対して、
前記ドライブパルスを所定量遅延させる遅延手段を備え、
前記遅延手段からの遅延ドライブパルスと、遅延されていない前記ドライブパルスとの論理演算を行って、前記ドライブパルスのパルス幅の比率を可変する
ことを特徴とするパワーアンプ装置。
【請求項３】
請求項１に記載のパワーアンプ装置であって、
前記キャンセル信号生成手段は、
前記スイッチング信号生成手段によって生成された前記ハイサイドと前記ローサイドの前記ドライブパルスのスイッチングを行う閾値を調整する閾値調整手段を備え、
前記閾値調整手段によって前記ドライブパルスのパルス幅の比率を可変する
ことを特徴とするパワーアンプ装置。
【請求項４】
請求項１に記載のパワーアンプ装置であって、
一対のスイッチング素子がプッシュプル接続されて構成されるスイッチング手段
を備えることを特徴とするパワーアンプ装置。
【請求項５】
デジタル信号に対してＤＣ（Direct Current）ディザを重畳させるディザ重畳ステップと、
前記ディザ重畳ステップによって前記ＤＣディザが重畳された前記デジタル信号を互いに逆レベルとなるハイサイドとローサイドを形成する一対のドライブパルスに変換するスイッチング信号生成ステップと、
前記スイッチング信号生成ステップによって変換された前記ドライブパルスの前記ハイサイドと前記ローサイドのパルス幅の比率を可変することによって、前記ＤＣディザによって付加されたＤＣ（Direct Current）成分を打ち消すキャンセル信号生成ステップと
を備えることを特徴とするＤＣ成分除去方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＤＣ成分除去方法であって、
前記キャンセル信号生成ステップにおいては、
前記ハイサイドのドライブパルスと前記ローサイドのドライブパルスとの一方に対して、あるいは、両方のそれぞれに対して、
前記ドライブパルスを所定量遅延させ、
遅延させたドライブパルスと、遅延されていない前記ドライブパルスとの論理演算を行って、前記ドライブパルスのパルス幅の比率を可変する
ことを特徴とするＤＣ成分除去方法。
【請求項７】
請求項５に記載のＤＣ成分除去方法であって、
前記キャンセル信号生成ステップにおいては、
前記スイッチング信号生成ステップによって生成された前記ハイサイドと前記ローサイドのドライブパルスのスイッチングを行う閾値を調整する閾値調整ステップを備え、
前記閾値調整ステップによって前記ドライブパルスのパルス幅の比率を可変する
ことを特徴とするＤＣ成分除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明のパワーアンプ装置は、
デジタル信号に対してＤＣ（Direct Current）ディザを重畳させるディザ重畳手段と、
前記ディザ重畳手段によって前記ＤＣディザが重畳された前記デジタル信号を互いに逆レベルとなるハイサイドとローサイドを形成する一対のドライブパルスに変換するスイッチング信号生成手段と、
前記スイッチング信号生成手段によって変換された前記ドライブパルスのハイサイドとローサイドのパルス幅の比率を可変することによって、前記ＤＣディザによって付加されたＤＣ（Direct Current）成分を打ち消すキャンセル信号生成手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、請求項２に記載の発明のパワーアンプ装置は、請求項１に記載のパワーアンプ装置であって、
前記キャンセル信号生成手段は、
前記ハイサイドのドライブパルスと前記ローサイドのドライブパルスとの一方に対して、あるいは、両方のそれぞれに対して、
前記ドライブパルスを所定量遅延させる遅延手段を備え、
前記遅延手段からの遅延ドライブパルスと、遅延されていない前記ドライブパルスとの論理演算を行って、前記ドライブパルスのパルス幅の比率を可変する
ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、請求項３に記載の発明のパワーアンプ装置によれば、請求項１に記載のパワーアンプ装置であって、
前記キャンセル信号生成手段は、
前記スイッチング信号生成手段によって生成された前記ハイサイドと前記ローサイドの前記ドライブパルスのスイッチングを行う閾値を調整する閾値調整手段を備え、
前記閾値調整手段によって前記ドライブパルスのパルス幅の比率を可変する
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
蓄電時には太陽電池からの電気エネルギーを逆流防止ダイオードを介して複数のキャパシタに蓄電し、放電時には前記キャパシタに蓄電された電気エネルギーを出力するように構成された電源装置において、
前記複数のキャパシタを直列接続もしくは並列接続に切り替えるキャパシタ切替手段を備えていることを特徴とする電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
蓄電時には複数の太陽電池からの電気エネルギーを逆流防止ダイオードを介してキャパシタに蓄電し、放電時には前記キャパシタに蓄電された電気エネルギーを出力するように構成された電源装置において、
前記複数の太陽電池を並列接続もしくは直列接続に切り替える太陽電池切替手段を備えていることを特徴とする電源装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明にかかる請求項１の電源装置は、蓄電時には太陽電池からの電気エネルギーを逆流防止ダイオードを介して複数のキャパシタに蓄電し、放電時には前記キャパシタに蓄電された電気エネルギーを出力するように構成された電源装置において、
前記複数のキャパシタを直列接続もしくは並列接続に切り替えるキャパシタ切替手段を備えていることを特徴とする。
請求項２では、所定の条件が満たされた時に前記キャパシタ切替手段を作動させる制御手段を備えていることを特徴とする。
所定の条件とは、例えば、キャパシタの端子電圧が蓄電満了状態を示す電圧になって、蓄電状態から放電状態へ切り替える条件である。または、別途、切替指令が入力される場合である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３の電源装置は、蓄電時には複数の太陽電池からの電気エネルギーを逆流防止ダイオードを介してキャパシタに蓄電し、放電時には前記キャパシタに蓄電された電気エネルギーを出力するように構成された電源装置において、前記複数の太陽電池を並列接続もしくは直列接続に切り替える太陽電池切替手段を備えていることを特徴とする。
請求項４では、所定の条件が満たされた時に前記太陽電池切替手段を作動させる制御手段を備えていることを特徴とする。
所定の条件とは、例えば、キャパシタの端子電圧が、１つの太陽電池の発生起電圧、または発生起電圧に近い電圧に到達する条件である。または、別途、切替指令が入力される場合である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以下に、本発明にかかる電源装置を、その実施の形態を示した図１を参照して詳細に説明する。
図１において、
１は電源装置であり、複数の太陽電池２，２，２，２と、これらの複数の太陽電池を直列接続もしくは並列接続に切り替える太陽電池切替手段３と、前記電源装置１を蓄電状態もしくは放電状態に切り替える蓄電スイッチ４と、複数のキャパシタ５，５，５，５と、複数のキャパシタを直列接続もしくは並列接続に切り替えるキャパシタ切替手段６と、前記太陽電池切替手段３、前記蓄電スイッチ４、前記キャパシタ切替手段６をそれぞれ制御する制御手段７と、電源を出力する出力端子８とを備えている。なお、前記蓄電スイッチ４は太陽電池２１への逆流を防止するためのダイオードを備えている。また、前記蓄電スイッチ４と連動して、蓄電時には開き、放電時には閉じる出力スイッチ９を設けるとよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
１１  電源装置
２１  太陽電池
２２  逆流防止ダイオード
４１ａ，４１ｂ、  開閉スイッチ
５１、５２  キャパシタ
６１  キャパシタ切替手段
６１ａ，６１ｂ  切替スイッチ
７１  電圧検出手段
７２  スイッチ駆動回路
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧を調整済出力に変換する出力レギュレータであって、前記入力電圧から電力出力を生成する電力段と、前記電力出力をフィルタして、前記調整済出力を生成する出力フィルタと、を含む出力レギュレータを制御する制御システムであって、
前記調整済出力に対応する検知信号に応動して、前記電力段を制御する駆動信号を生成するデジタルコントローラを備え、
前記デジタルコントローラは少なくとも３つの動作モードを含み、少なくとも３つの動作モード間で選択を行い、
前記動作モードの中から選択されたモードが前記駆動信号を生成し、
前記デジタルコントローラは、前記検知信号に基づいて、前記少なくとも３つの動作モードのそれぞれから、前記少なくとも３つの動作モードの他の１つへと切り替える
制御システム。
【請求項２】
クロックサイクルを有するクロック信号を生成するクロックをさらに備え、
前記デジタルコントローラが前記クロック信号と同期して、前記少なくとも３つの動作モードのうちの１つを選択する、
請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
前記デジタルコントローラが、クロックサイクルをベースにして前記少なくとも３つの動作モード間の切り替えをクロックサイクルで行う、請求項２に記載の制御システム。
【請求項４】
前記少なくとも３つの動作モードが、ヒステリシスモード、適応型ヒステリシスモード、パルス幅変調モード、一定のオンタイムモード、一定のオフタイムモード、共振モード、固定周波数ソフトスイッチングモード、電圧モード、電流モード、固定周波数モード、可変周波数モードおよびこれらモードの組み合わせを含む、請求項１に記載の制御システム。
【請求項５】
前記デジタルコントローラが同期切り替え、非同期切り替えおよびマルチ周波数切り替えから成るグループから選択されるスイッチングモードを有する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項６】
入力電圧を調整済出力に変換する出力レギュレータであって、
前記入力電圧から電力出力を生成する電力段と、
前記電力出力をフィルタして、前記調整済出力を生成する出力フィルタと、
前記調整済出力に対応する検知信号を生成する出力センサと、
前記検知信号に応動して、駆動信号を生成し、前記電力段を制御し、少なくとも３つの動作モードを含み、少なくとも３つの動作モード間で選択を行うデジタルコントローラと
を備え、
前記動作モードの中から選択されたモードが前記駆動信号を生成し、
前記デジタルコントローラは、前記検知信号に基づいて、前記少なくとも３つの動作モードのそれぞれから、前記少なくとも３つの動作モードの他の１つへと切り替える
出力レギュレータ。
【請求項７】
前記デジタルコントローラが、クロックサイクルをベースにして前記少なくとも３つの動作モード間の切り替えをクロックサイクルで行う、請求項６に記載の出力レギュレータ。
【請求項８】
前記少なくとも３つの動作モードが、ヒステリシスモード、適応型ヒステリシスモード、パルス幅変調モード、一定のオンタイムモード、一定のオフタイムモード、共振モード、固定周波数ソフトスイッチングモード、電圧モード、電流モード、固定周波数モード、可変周波数モードおよびこれらモードの組み合わせを含む、請求項６に記載の出力レギュレータ。
【請求項９】
前記デジタルコントローラが、同期切り替え、非同期切り替えおよびマルチ周波数切り替えから成るグループから選択されるスイッチングモードを有する、請求項６に記載の出力レギュレータ。
【請求項１０】
前記デジタルコントローラが前記電力段を制御するデューティサイクル推定値をさらに生成する、請求項１に記載の制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記デジタル検知信号が基準電圧と前記調整済出力との間の誤差を表す、請求項１に記載の出力レギュレータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
別の特徴として、電力段は線形レギュレータとスイッチングレギュレータとから成るグループから選択される構成を有する。スイッチングレギュレータの電力段は、バック、ブースト、チュック（Ｃｕｋ）、ゼータ（ｚｅｔａ）バックブーストおよびセピック（ｓｅｐｉｃ）から成るグループから選択されるトポロジである。デジタルコントローラはデューティサイクル推定値をさらに生成する。駆動信号はデューティサイクル推定値に基づく信号である。デジタル検知信号は基準電圧と調整済出力間の誤差を表す信号である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月17日(2006.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフォーマットで圧縮された第１のデータを入力する第１の入力部と、
第２のフォーマットで圧縮された第２のデータを入力する第２の入力部と、
前記第１及び第２の入力部により入力された前記第１及び第２のデータの選択操作を行う選択操作部と、
前記第１及び第２の入力部により入力された前記第１及び第２のデータのデコード処理を行う制御部と、
前記第１及び第２のフォーマットにそれぞれ対応した第１及び第２のプログラムを記憶するメモリとを備え、  
前記制御部は、前記選択操作部により前記第１のデータが選択された場合は、前記メモリに記憶された前記第１のプログラムを用いて前記第１のデータをデコード処理し、前記選択操作部により前記第２のデータが選択された場合は、前記メモリに記憶された前記第２のプログラムを用いて前記第２のデータをデコード処理することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の情報処理装置において、
前記第１の入力部は放送波を入力し、前記第２の入力部は前記入力された放送波を記録する記録部であることを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の情報処理装置において、
前記第１又は第２の入力部のうち、少なくとも一つは、インターネット回線からのデータを入力することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
第１の符号化フォーマットで圧縮された第１のデータを入力するチューナと、
第２の符号化フォーマットで圧縮された第２のデータを記録する記録部と、
前記チューナから入力された第１のデータ又は前記記録部に記録された第２のデータの選択を行う選択部と、
前記選択部により選択された前記第１又は第２のデータを復調する復調部と、  
前記復調部により復調された前記第１又は第２のデータを分離する分離部と、  
前記分離部により分離された前記第１又は第２のデータを復号する復号部と、  
前記第１の符号化フォーマットに対応した第１の復号プログラムと前記第２の符号化フォーマットに対応した第２の復号プログラムとを記憶する復号プログラム記憶部と、  
前記選択部により前記第１のデータが選択された場合には、前記復号プログラム記憶部に記憶された前記第１の復号プログラムを読み出し、その読み出された第１の復号プログラムを用いて前記第１の音声データを復号し、
前記選択部により前記第２のデータが選択された場合には、前記復号プログラム記憶部に記憶された前記第２の復号プログラムを読み出し、その読み出された第２の復号プログラムを用いて前記第２のデータを復号するように制御する制御部と、を備えたことを特徴とする受信装置。        
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ここで、１つのＤＳＰチップで複数種類の圧縮符号化フォーマットに対応させるためには、各フォーマット毎にプログラムコードを内蔵ＲＯＭとして確保する必要がある。また、プログラムコードのみならずフォーマット毎に専用の定数テーブルも内蔵ＲＯＭとして必要となる。従って、回路規模の点で、ＤＳＰを含むオーディオデコーダを集積化することが困難であるという問題があった。また、処理対象のフォーマット数が増えた場合や仕様変更を行う場合には、オーディオデコーダの内蔵ＲＯＭは、容易に変更できないので柔軟性が低下するという問題もあった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、例えば、特許請求の範囲に記載された技術的思想を用いればよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、複数のフォーマットで圧縮されたデータに対しても対応可能な受信装置を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下、図を用いて、本発明の一実施形態による多重化オーディオデータ復号装置の構成及び動作について説明する。
最初に、図１０を用いて、本実施形態による多重化オーディオデータ復号装置の全体構成について説明する。 本実施形態による多重化オーディオデータ復号装置は、デマルチプレクサ１０と、オーディオデコーダ２０と、ディジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）３０と、ユーザインターフェース（Ｉ／Ｆ）４０と、外部ＣＰＵ５０と、外部ＲＯＭ６０とから構成されている。デマルチプレクサ１０と、オーディオデコーダ２０と、ユーザインターフェース（Ｉ／Ｆ）４０と、外部ＣＰＵ５０と、外部ＲＯＭ６０とは、データバスＤＢにより接続されており、コマンドやデータの入出力が可能となっている。
デマルチプレクサ１０は、複数のプログラム（番組）が多重されたＭＰＥＧトランスポートストリーム（ＴＳ）から、ユーザが指定したプログラムに対応するデータを抽出して、オーディオデコーダ２０に出力する。
ここで、図２を用いて、ＭＰＥＧトランスポートストリーム（ＴＳ）の階層構造について説明する。なお、ここでは、オーディオデータを例にして説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
観賞用水槽内の自然生態系維持の為、大気中から自然界の二酸化炭素と酸素を利用する手段として、水槽に付設の外部濾過器の循環水ポンプ運転中の吸い込み負圧を利用して循環水内に、前記大気をインジェクションする事が最良の方法であるが、循環水ポンプに気泡混じりの循環水を吸い込ませる事はポンプに対して最も不具合であるキャビテーション現象が起き最悪の場合はポンプが破損する。このキャビテーション現象を最小限に制御する大気注入制御部で構成されたことを特徴とする大気インジェクションに於けるキャビテーション制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
外部濾過器の構造は水槽内から循環水吸い込み管は水槽外へ導かれ、濾過器の底部に吸水口接続、内部に濾材、上部に循環水ポンプ吸い込み、吐き出しの順となる、この循環水ポンプの吸い込み手前に濾材が配置されている特性の為、濾材に繁殖するバクテリアに直接大気中の自然界の酸素を供給する手段として、循環水吸い込み管の途中に逆流防止弁兼大気注入口、大気混入部、から成る半光透過性の材料で成型されたことを特徴とする請求項１のキャビテーション制御の為の大気注入制御部との接続用通水管。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
大気採り入れ口、塵埃処理部、流量調整弁兼阻弁、以上組み合わせ合体した容積に余裕のあるシェル、そのシェル内の大気採り入れ側にノズル（オリフィス）を組み込み取り付けられることを特徴とする大気注入制御部
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２記載の半光透過性の材料で成型される、通水管は、ホース接続部の径は使用水槽の容量等によって濾過器の種類、仕様、接続ホースの内径が異なる為各ホースに合致する様、段付き異形サイズとし、新設、既設問わず外部濾過器であれば、何れのメーカーの物でも汎用でき、通水管に取り付けの逆流防止弁兼大気注入口と大気注入制御部取り付けの流量調整弁兼阻止弁の連結はチューブで連結し、移動可能出来ることを特徴とする大気注入制御部
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１記載のキャビテーション制御方法として請求項３記載の容積に余裕を持つシェル内の大気採り入れ口側に取り付けられたノズル（オリフィス）へ大気採り入れ口から塵埃処理部を経て、大気圧、約１０１３ｈＰａの大気を循環水吸い込み側の負圧で吸引し通過させシェル内に吸いこませる事で、絞り膨張作用により減圧する方法で、大気注入制御部のシェル内で減圧された大気は逆流防止弁兼大気注入口から大気混入部内へ循環水吸い込み負圧で吸い出され、循環水に間歇的に小さな気泡で混入される事で、気泡混じりの循環水は濾過器内を通過する時、濾材が緩衝物となり、気泡と循環水は分離し気泡は流速を低下し間歇的に小さな気泡はポンプへ吸い込まれ通過し、前記キャビテーションの現象を最小限に制御可能にする。循環水吸い込み側の負圧でオリフィスに大気を通過させ絞り膨張作用で減圧する方法を手段とすることを特徴とする請求項１に記載の大気インジェクションに於けるキャビテーション制御方法と装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】第１導電型の半導体基板の第１主面上に形成されるアノード電極と、該アノード電極と前記半導体基板とが選択的にショットキー接触して形成されるショットキー接合部と、前記半導体基板の第２主面の表面層に形成されるカソード領域と、該カソード領域上に形成されるカソード電極とを有する半導体装置において、
前記半導体基板の表面層に、所定幅でリング状に形成されるトレンチ溝と、該トレンチ溝より内側の半導体基板とアノード電極とがショットキー接触して形成される第１ショットキー接合部と、前記トレンチ溝より外側の半導体基板とアノード電極とがショットキー接触して形成される第２ショットキー接合部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記第１ショットキー接合部の第１主面表面での平面形状が、円形もしくは頂点が円周上に配置された多角形であり、隣り合う第１ショットキー接合部の中心点を結ぶ直線が三角格子となる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】前記トレンチ溝の側壁に形成される絶縁膜と、前記トレンチ溝の底部に接して形成される第２導電型の第１半導体領域と、前記トレンチ溝を充填し前記第１半導体領域と前記アノード電極とを電気的に接続する導電材とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項４】前記トレンチ溝の側壁と底部に形成される絶縁膜と、前記トレンチ溝を充填し前記アノード電極とを電気的に接続する導電材とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項５】前記トレンチ溝がアノード電極とオーミック接触する第２導電型の第２半導体領域のみからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】前記トレンチ溝の側壁と底部に形成される第２導電型の第３半導体領域と、前記トレンチ溝を充填し前記アノード電極とを電気的に接続する導電材とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】前記トレンチ溝の内径ｒ１が、ｒ１≦１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】前記三角格子の各一辺の長さＬ１が、前記トレンチ溝の幅Ｗｔおよび前記トレンチ溝の内径ｒ１に対して、ｒ１＋Ｗｔ≦Ｌ１≦２０μｍであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】前記トレンチ溝の幅Ｗｔが、Ｗｔ≦２μｍであることを特徴とする請求項１、７および８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】前記三角格子の三つの辺の長さのばらつきが、前記一辺の長さＬ１に対して２０％以内であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】前記アノード電極の最外周下の前記半導体基板の表面層に第２導電型のエッジ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】前記エッジ層の幅Ｌｅが、前記トレンチ溝の内径ｒ１および前記トレンチ溝の幅Ｗｔに対して、Ｌｅ≧ｒ１＋２Ｗｔであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】前記エッジ層の拡散深さＸｊｅが前記トレンチ溝の底部アノード層深さＸｊｔに対して、Ｘｊｅ≧Ｘｊｔであることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】前記エッジ層と最も近い前記トレンチ溝との最短距離Ｗ１が、前記三角格子の一辺の長さＬ１に対して、Ｗ１≦Ｌ１であることを特徴とする請求項１１、１２および１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】前記導電材がポリシリコンであって、前記ポリシリコンの上端は半導体基板の表面より高いことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１６】トレンチ溝の上端角部上に絶縁膜とその上のポリシリコンを有することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、第１導電型の半導体基板の第１主面上に形成されるアノード電極と、該アノード電極と前記半導体基板とが選択的にショットキー接触して形成されるショットキー接合部と、前記半導体基板の第２主面の表面層に形成されるカソード領域と、該カソード領域上に形成されるカソード電極とを有する半導体装置において、
前記半導体基板の表面層に、所定幅でリング状に形成されるトレンチ溝と、該トレンチ溝より内側の半導体基板とアノード電極とがショットキー接触して形成される第１ショットキー接合部と、前記トレンチ溝より外側の半導体基板とアノード電極とがショットキー接触して形成される第２ショットキー接合部とを有する構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記第１ショットキー接合部の第１主面表面での平面形状が、円形もしくは頂点が円周上に配置された多角形であり、隣り合う第１ショットキー接合部の中心点を結ぶ直線が三角格子となる構成とする。
【プルーフの要否】        要
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁本体内を移動する移動体と弁本体とがダイヤフラムで仕切られて構成された各室を有し、供給圧室とバイアス室に供給された供給気体が入力圧室に印加される入力流体圧の変化に応じ、フィードバック室と出力圧室とで増幅されて出力流体圧を得る圧力増幅装置において、
前記弁本体に設けられ前記出力圧室と前記フィードバック室とを連通する通路と、
前記弁本体に設けられ前記通路を開閉する第１の開閉手段と、
この第１の開閉手段と前記フィードバック室との間の前記通路あるいは前記フィードバック室に設けられ前記第１の開閉手段が閉の時に大気開放し前記第１の開閉手段が開の時に閉となる第２の開閉手段と
を具備したことを特徴とする圧力増幅装置。
【請求項２】
前記開閉手段として、電磁弁が使用されたこと
を特徴とする請求項１記載の圧力増幅装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明では、請求項１記載の圧力測定装置においては、
弁本体内を移動する移動体と弁本体とがダイヤフラムで仕切られて構成された各室を有し、供給圧室とバイアス室に供給された供給気体が入力圧室に印加される入力流体圧の変化に応じ、フィードバック室と出力圧室とで増幅されて出力流体圧を得る圧力増幅装置において、前記弁本体に設けられ前記出力圧室と前記フィードバック室とを連通する通路と、前記弁本体に設けられ前記通路を開閉する第１の開閉手段と、この第１の開閉手段と前記フィードバック室との間の前記通路あるいは前記フィードバック室に設けられ前記第１の開閉手段が閉の時に大気開放し前記第１の開閉手段が開の時に閉となる第２の開閉手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、インナチューブ３が中空パイプ１０外周の作動油室Ａ内に侵入すると、ピストン１６の下部油室Ａ２の容積が縮小するので、フリーバルブ２０が上動し、下部油室Ａ２内の作動油は、流路面積の大きいフリーバルブ２０外周の油路と、流路面積の小さい内周の油路を通り、上部油室Ａ１に置換流動する。また、インナチューブ３が油室Ａ内に進入した体積分の作動油は、図３の右半分の断面図に破線矢印で示すように、中空パイプ１０下部のオリフィス孔１３、カラー２６外周の環状の油路Ｓ１とカラー２６内周の油路Ｓ２を通り、それぞれ、上部のカラー外周の油溜室Ｂ１とカラー内周の油溜室Ｂ２に流れる。複数のオリフィス孔１３にて、圧縮時の減衰力を発生する。