【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層と重なるように半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極及びレジストマスクを用いて、前記半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１のゲート絶縁膜、前記第２のゲート絶縁膜及び前記不純物元素が添加された半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層と重なるように半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極及びレジストマスクを用いて、前記半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１のゲート絶縁膜、前記第２のゲート絶縁膜及び前記不純物元素が添加された半導体層に加熱処理を行い、
前記第１のゲート絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、前記第２のゲート絶縁膜として窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記導電層上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第２のゲート絶縁膜を、前記第１のゲート絶縁膜より誘電率が高い材料により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上にトップゲート型のトランジスタ及びボトムゲート型のトランジスタを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記絶縁表面上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２の絶縁膜に接し、かつ前記第１のゲート電極と重なる第１の半導体層と、前記第１のゲート電極と重ならない第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第３の絶縁膜及び第４の絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜を介して前記第２の半導体層上に第２のゲート電極を形成し、
前記ゲート電極及び前記第１の半導体層上に形成したレジストマスクを用いて、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第１の半導体層に加熱処理を行い、
前記第２のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第２の半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第１の半導体層には第１の方向より加熱処理を行い、
前記第２のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第２の半導体層には第２の方向から加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上にトップゲート型のトランジスタ及びボトムゲート型のトランジスタを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記絶縁表面上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２の絶縁膜に接し、かつ前記第１のゲート電極と重なる第１の半導体層と、前記第１のゲート電極と重ならない第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第３の絶縁膜及び第４の絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜を介して前記第２の半導体層上に第２のゲート電極を形成し、
前記ゲート電極及び前記第１の半導体層上に形成したレジストマスクを用いて、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第１の半導体層に加熱処理を行い、
前記第２のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第２の半導体層に加熱処理を行い、
前記第１の絶縁膜として窒化珪素膜を形成し、前記第２の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、
前記第３の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、前記第４の絶縁膜として窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にトップゲート型のトランジスタ及びボトムゲート型のトランジスタを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記絶縁表面上に第１の導電層及び第２の導電層をスパッタリング法により連続的に形成し第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２の絶縁膜に接し、かつ前記第１のゲート電極と重なる第１の半導体層と、前記第１のゲート電極と重ならない第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第３の絶縁膜及び第４の絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２の半導体層上に第３の導電層及び第４の導電層をスパッタリング法により連続的に形成し第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極及び前記第１の半導体層上に形成したレジストマスクを用いて、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第１の半導体層に加熱処理を行い、
前記第２のゲート電極及び前記不純物元素が添加された第２の半導体層に加熱処理を行い、
前記第１の導電層及び前記第４導電層は第１の材料から形成され、前記第２の導電層及び前記第３の導電層は第２の材料から形成され、前記第１の材料及び前記第２の材料は互いに光吸収率が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記加熱処理は、ＲＴＡ法により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記加熱処理は、ランプを用いて６００〜８００度の温度で１〜２４０秒行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上にトップゲート型のトランジスタ及びボトムゲート型のトランジスタを有し、
前記絶縁表面上に積層して設けられた第１の導電層及び第２の導電層からなる第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に接し、かつ前記第１のゲート電極に重なる第１の半導体層と、前記第１のゲート電極に重ならない第２の半導体層と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上の第３の絶縁膜及び第４の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜を介して前記第２の半導体層上に積層して設けられた第３の導電層及び第４の導電層からなる第２のゲート電極とを有し、
前記第１の絶縁膜として窒化珪素膜を用い、前記第２の絶縁膜として酸化珪素膜を用い、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、スパッタリング法により連続的に形成され、
前記第３の絶縁膜として酸化珪素膜を用い、前記第４の絶縁膜として窒化珪素膜を用い、
前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜は、スパッタリング法により連続的に形成され、
前記第１の導電層及び前記第４の導電層は第１の材料から形成され、前記第２の導電層及び前記第３の導電層は第２の材料から形成され、前記第１の材料及び前記第２の材料は互いに光吸収率が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。