【事件の表示】
　平成　９年特許願第２５６２２７号「反射防止膜形成用塗布液」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　３月２６日出願公開、特開平１１−　８４６４０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年９月５日に出願した特願平９−２５６２２７号であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年７月２３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という）
「レジスト膜上に反射防止膜を形成する塗布液であって、該塗布液が水溶性膜形成成分、フッ素系界面活性剤及びＮ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドンから選ばれるＮ−アルキル−２−ピロリドンを含有し、かつ前記塗布液をレジスト膜上に塗布した時形成される塗布膜のレジスト膜に対する接触角が１０度以下であることを特徴とする反射防止膜形成用塗布液。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前の平成８年１月１９日に頒布された特開平８−１５８５９号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。
（１）「【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、近年の半導体素子製造分野における加工寸法の微細化に十分対応できる反射防止膜の効果を保持しつつ、併せて塗布装置等の機器類の腐食も防止し得るレジスト用塗布液を提供すること、あるいはまた干渉防止膜の均一性を図り、塗布むらのない干渉防止膜が形成でき、マスクパターンどおりのレジストパターンが得られるレジスト用塗布液を提供すること、・・・にある。」（段落【０００８】）
　
（２）「本発明の上記第２のレジスト用塗布液は、通常水溶液の形で用いられ、水溶性膜形成成分の含有量は０．５〜１０．０重量％であるのが好ましく、フッ素系界面活性剤の含有量は１．０〜１５．０重量％の範囲にあるのが好ましい。また、上記一般式（ＩＩＩ）で表される陰イオン界面活性剤の添加量は、水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤を溶解したレジスト用塗布液に対して５００〜１００００ｐｐｍ、好ましくは１０００〜５０００ｐｐｍの範囲である。
　本発明の第３のレジスト用塗布液は、上記第２の塗布液に、さらに一般式（ＶＩ）
【化２８】
（式中、Ｒ１０は炭素数６〜２０のアルキル基を表す）
表されるＮ−アルキル−２−ピロリドンを配合してなるもので、これにより一段と塗布性に優れ、基板端部まで均一な塗膜が少ない塗布量で得られるため好ましい。
　上記一般式（ＶＩ）で表される化合物の具体例としては、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドン等が挙げられる。これらの中でＮ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドンがそれぞれ「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ　ＬＰ１００」、「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ　ＬＰ３００」としてアイエスピー・ジャパン（株）より市販されており、容易に入手することができ好ましい。」（段落【００５０】〜【００５３】）
　
　したがって、引用例１には、レジスト膜上に反射防止膜を形成する塗布液であって、該塗布液が水溶性膜形成成分、フッ素系界面活性剤及びＮ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドンから選ばれるＮ−アルキル−２−ピロリドンを含有することを特徴とする反射防止膜形成用塗布液。（以下、引用発明という。）、が記載されている。　
　
３．対比                     
　本願発明と、引用発明とを対比すると、両者は、「水溶性膜形成成分」、「フッ素系界面活性剤」、「Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドンから選ばれるＮ−アルキル−２−ピロリドン」の成分が共通するので、両者は「レジスト膜上に反射防止膜を形成する塗布液であって、該塗布液が水溶性膜形成成分、フッ素系界面活性剤及びＮ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドンから選ばれるＮ−アルキル−２−ピロリドンを含有することを特徴とする反射防止膜形成用塗布液。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１；本願発明は、塗布液をレジスト膜上に塗布した時形成される塗布膜のレジスト膜に対する接触角が１０度以下である点を限定しているのに対し、引用発明には、その点の記載がない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点１について検討する。
　引用発明においても、「塗布性に優れ、基板端部まで均一な塗膜が少ない塗布量で得られる」（段落【００５２】）、「近年の半導体素子製造分野における加工寸法の微細化に十分対応でき、従来の反射防止膜では十分な効果が得られなかった微細パターンの形成においても寸法精度の低下を防ぐことができる。」（段落【００８９】）等、本願発明と同様の効果を奏することが記載されている。構成成分が同じで、塗布性能に関し同様の効果が記載されているのであるから、塗布性能に影響を与える性質としては、引用発明の塗布液も本願発明のものと同様の性質を有していると考えられる。
　出願人は、引用発明は、接触角が１２度で、本願発明の接触角と実質的に異なると主張しているが、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の記載では、「接触角が１５度以下」と記載されており、効果についても本願発明の効果と同様の記載であったこと、及び本願発明の実施例には、接触角度が、８度のものと、７度のものが記載されていることから、「接触角が１０度以下」に臨界的意義があるとも考えられない。
　出願人は、さらに「効果においても明らかに異なります」と主張しているが、上記の通り、その効果に格別差異があるとは認められない。
　したがって、塗布性能に影響を与える性質の一表現形式である「接触角」を単に数値として限定することは、当業者にとって容易なことである。
　
　なお、出願人は、審判請求理由の中で、「陰イオン系界面活性剤」の有無につき、主張しているが、本願発明の構成に基づかない主張である。本願発明の構成は、「塗布液が水溶性膜形成成分、フッ素系界面活性剤及びＮ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドンから選ばれるＮ−アルキル−２−ピロリドンを含有し、」というものであり、「含有する」とは、「ある物の中に成分・内容物として含んでいること。「ビタミンＣを―する」」（大辞林第二版）であり、特定された成分を有していれば十分である、構成である。したがって、本願発明の構成は、「陰イオン系界面活性剤」の有無については、何も言っていない。
  
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。