【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属パッドが形成された半導体基板と前記半導体基板を支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程と、
前記半導体基板の裏面をエッチングして開口部を形成した後に、前記半導体基板の裏面及び前記開口部内に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングした後に、前記金属パッドに接続される金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面から所定位置までダイシングする工程と、
前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記半導体基板と当該基板を支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記基板の周端部のみ樹脂を用いて貼り合わせる工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記フィルムとして用いた有機膜を溶液で溶かす工程であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記半導体基板と前記支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記フィルムとして接着性を有するフィルムを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記半導体基板と前記支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記フィルムの両面に接着剤を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記フィルムとしてＵＶテープを用いる際には、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記支持体として透明ガラスを用いてＵＶ照射する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記樹脂を刃物を用いて物理的に剥がす工程であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記基板を酸に浸すことで、前記樹脂を溶かして化学的に剥がす工程であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記基板ごとその周辺部をグラインドして前記樹脂の部分を削る工程であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記金属パッドに接続される金属配線を形成する工程は、アルミニウムを形成後にニッケル及び金のメッキを行うことで形成する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  前記金属パッドに接続される金属配線を形成する工程は、チタンタングステンを形成後に銅のメッキを行うことで形成する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  前記半導体基板の裏面をエッチングして開口部を形成する工程の前に、その裏面を研磨する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  前記金属パッド上に電極接続部を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  前記金属パッド上に電極接続部を形成する工程は、前記金属パッドに配線パターンを形成し、当該配線パターン上に電極接続部を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記フィルムの両面に付着させたＵＶ系の接着剤にＵＶ照射する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  前記保護膜で被覆されていない前記金属配線上に電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  前記支持体として、Ｓｉ基板、酸化膜、ガラス基板、セラミック基板を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】  前記パッド上に電極接続部を形成する工程は、前記パッド上にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕから成る積層体もしくはＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｕから成る積層体を形成することを特徴とする請求項１３または請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】  前記請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の半導体装置と他の半導体装置を積層する工程を有することを特徴とする積層型の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】  前記請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の半導体装置と他の半導体装置を積層する工程は、一方の半導体装置の前記電極接続部と、もう一方の半導体装置の前記電極とを接続することを特徴とする積層型の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、金属パッドが形成された半導体基板と前記半導体基板を支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程と、前記半導体基板の裏面をエッチングして開口部を形成した後に、前記半導体基板の裏面及び前記開口部内に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングした後に、前記金属パッドに接続される金属配線を形成する工程と、前記金属配線上に保護膜を形成する工程と、前記半導体基板の裏面から所定位置までダイシングする工程と、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程とを有することを特徴とする。
また、前記半導体基板と当該基板を支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記基板の周端部のみ樹脂を用いて貼り合わせる工程であることを特徴とする。
更に、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記フィルムとして用いた有機膜を溶液で溶かす工程であることを特徴とする。
また、前記半導体基板と前記支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記フィルムとして接着性を有するフィルムを用いることを特徴とする。
更に、前記半導体基板と前記支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記フィルムの両面に接着剤を用いることを特徴とする。
また、前記フィルムとしてＵＶテープを用いる際には、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記支持体として透明ガラスを用いてＵＶ照射する工程であることを特徴とする。
更に、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記樹脂を刃物を用いて物理的に剥がす工程であることを特徴とする。
また、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記基板を酸に浸すことで、前記樹脂を溶かして化学的に剥がす工程であることを特徴とする。
更に、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記基板ごとその周辺部をグラインドして前記樹脂の部分を削る工程であることを特徴とする。
また、前記金属パッドに接続される金属配線を形成する工程は、アルミニウムを形成後にニッケル及び金のメッキを行うことで形成する工程であることを特徴とする。
更に、前記金属パッドに接続される金属配線を形成する工程は、チタンタングステンを形成後に銅のメッキを行うことで形成する工程であることを特徴とする。
また、前記半導体基板の裏面をエッチングして開口部を形成する工程の前に、その裏面を研磨する工程を有することを特徴とする。
更に、前記金属パッド上に電極接続部を形成する工程を有することを特徴とする。
また、前記金属パッド上に電極接続部を形成する工程は、前記金属パッドに配線パターンを形成し、当該配線パターン上に電極接続部を形成することを特徴とする。
更に、前記半導体基板と前記支持体とを分離する工程は、前記フィルムの両面に付着させたＵＶ系の接着剤にＵＶ照射する工程であることを特徴とする。
また、前記保護膜で被覆されていない前記金属配線上に電極を形成する工程を有することを特徴とする。
更に、前記支持体として、Ｓｉ基板、酸化膜、ガラス基板、セラミック基板を用いることを特徴とする。
また、前記パッド上に電極接続部を形成する工程は、前記パッド上にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕから成る積層体もしくはＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｕから成る積層体を形成することを特徴とする。
更に、積層型の半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置と他の半導体装置を積層する工程を有することを特徴とする。
また、前記半導体装置と他の半導体装置を積層する工程は、一方の半導体装置の前記電極接続部と、もう一方の半導体装置の前記電極とを接続することを特徴とする。