【事件の表示】
　平成　６年特許願第２７３８７７号「表面放射型のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年　５月３１日出願公開、特開平　８−１３９４１４、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成6年11月8日の出願であって、その発明は、平成11年4月16日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1及び2（以下、本願発明1及び2という。）に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　発光部を含む複数の半導体層が結晶基板上に積層されてなる積層体と、この積層体を積層方向に挟んで形成される一対の反射部とを有し、発光部はＩｎＧａＡｌＮ系の化合物半導体からなり、結晶基板は発光部から発せられた光を通過させ得る材料からなり、
  一対の反射部は、発光部から発せられた光を積層方向に共振させる共振器構造であって、該一対の反射部のうち、一方は結晶基板の裏面に設けられ、他方は前記複数の半導体層上に設けられ、少なくとも結晶基板の裏面に設けられる方の反射部が、ＩｎＧａＡｌＮ系の化合物半導体からなる多層構造であることを特徴とする表面放射型のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ。
　【請求項２】　発光部から発せられる光を通過させうる結晶基板の材料が、サファイア、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯのうちのいずれかである請求項１記載のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ。」
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例1(特開平4-279077号公報)には以下の事項が記載されている。
「【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　前述のフェイズドアレイ面発光半導体レーザでは、発光領域を０．１μｍ間隔で形成するために、０．１μｍ幅、７μｍ深さの溝を形成する必要があった。この様な細溝を形成するためには、比較的新しいエッチング方法であるマスクレスイオンビームエッチング等の手法を用いる必要がある。マスクレスイオンビームエッチングでは、細かいパターニングが出来るもののパターニングに時間がかかるという欠点があった。例えば前述のフェイズドアレイ面発光半導体レーザでは１チップを描画するのに１０分以上の時間を必要とするため、大面積に多数のデバイスを製作するのに多大の時間を要してしまうという欠点があった。
　【０００４】
　本発明の目的は、フェイズドアレイ面発光半導体レーザの構造を工夫する事により、前述のマスクレスイオンビーム等の長時間プロセスを用いる必要がなく生産性の高いフェイズドアレイ面発光レーザを提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の面発光半導体レーザは、第１導電型の第１閉じ込め層と、この第１閉じ込め層の上に形成された活性層と、この活性層の上に形成された第２導電型の第２閉じ込め層と、この第２閉じ込め層の上に形成された第２導電型の半導体多層反射膜との積層構造体で成る半導体柱を少なくとも２個以上互いに近接配置して半導体基板の一主面上に備え、前記一主面に対向する裏面上に裏面反射膜を備えたことを特徴とする構成になっている。
　【０００６】
　【作用】
　前述の従来のフェイズアレイレーザでは、１．３μｍ角の半導体柱が０．１μｍ間隔で１６０個並んでいる構造となっている。この様な０．１μｍという狭い間隔で各々の半導体柱を並べるためにマスクレスイオンビームエッチング等の生産性の悪い手法を用いざるを得なかった。０．１μｍの間隔は各々の半導体柱が互いのしみ出し光を感ずる事によって位相のそろった光波を出力する必要があるためである。すなわちしみ出し光の範囲がたかだか０．１μｍ程度と狭いために各々の半導体柱を０．１μｍ間隔に並べる必要があった。これに対して本発明のフェイズドアレイレーザでは、図に示す様に、半導体基板１の一方の主面上に、活性層３と半導体多層反射膜５を備えた半導体柱１０を配置し、もう一方の裏面上に裏面反射膜６を備える構造となっている。この構造では半導体柱１０に含まれる半導体層反射膜５と裏面反射膜６との間でレーザキャビティが構成される。
　この場合に半導体柱１０から出た光は回折効果のために裏面反射膜６上では半導体柱の大きさよりも拡がる事となる。さらに裏面反射膜６から半導体柱１０に戻る光は拡がるため互いの半導体柱１０の光のモードは結合し、全体の光は位相のそろった光となる。この場合に半導体柱１０の光は回折効果で０．５μｍ以上拡がるために半導体柱の間隔を０．５μｍ以上としても各々の半導体柱の光を結合させる事が出来る。従って、半導体柱のパターニングを通常のホトリソグラフィによって行なう事が出来るため、マスクレスイオンビームエッチングに比べて生産性の高い製造が可能である。
　【０００７】
　【実施例】
　次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明の一実施例の面発光レーザの断面図である。
　【０００８】
　図中、１は半導体基板（ｎ型ＧａＡｓ，厚さ１００〜４００μｍ）２は第１閉じ込め層（ｎ型ＡｌＧａＡｓ、Ａｌの含有率＝０．２〜１、厚さ１００オングストローム以上）、３は活性層（ＩｎＧａＡｓ，Ｉｎの含有率＝０．０５以上、厚さ５０〜２００オングストローム）、４は第２閉じ込め層（ｐ型ＡｌＧａＡｓ，Ａ′の含有率＝０．２〜１、厚さ１００オングストローム以上）、５は半導体多層反射膜（発振波長によって層厚が異なるが、λ＝９５０ｎｍの場合はｐ型ＧａＡｓ６７０オングストローム／ｐ型ＡｌＡｓ８０２オングストロームで１０〜３０周期）、６は裏面反射膜（例えばλ＝９５０ｎｍの場合にはＧａＡｓ６７０オングストローム／ＡｌＡｓ８０２オングストロームで１０〜３０周期、直径１０〜１００μｍ）、７はｐ型電極３８はｎ型電極、９はポリイミド、１０は半導体柱（１〜５μｍ角，０．５〜５μｍ間隔）である。
　【０００９】
　半導体柱１０から出た光は裏面反射膜６に反射して戻ってくるが戻って来た光は回折効果のために拡がっている。例えば太さ５μｍの半導体柱で半導体基板の厚みが２００μｍの場合には戻ってくる光は８μｍに拡がる事が推定される。そのため半導体柱の間隔を０．５μｍ以上としても、各半導体柱の光は結合モードとなって位相のそろった出力光１１を裏面反射膜６から得る事が出来る。」（2頁左欄27行段落【0003】〜3頁左欄10行【0009】）
３．対比・判断
（１）本願発明1について
　本願発明1と引用例1記載の発明とを対比すると、両者は「発光部を含む複数の半導体層が結晶基板上に積層されてなる積層体と、この積層体を積層方向に挟んで形成される一対の反射部とを有し、発光部はＧａ系の化合物半導体からなり、結晶基板は発光部から発せられた光を通過させ得る材料からなり、
  一対の反射部は、発光部から発せられた光を積層方向に共振させる共振器構造であって、該一対の反射部のうち、一方は結晶基板の裏面に設けられ、他方は前記複数の半導体層上に設けられ、少なくとも結晶基板の裏面に設けられる方の反射部が、Ｇａ系の化合物半導体からなる多層構造であることを特徴とする表面放射型のＧａ系半導体レーザ」であるという点で一致し、本願発明1のＧａ系化合物半導体はＩｎＧａＡｌＮ系の化合物半導体であるのに対して、引用例1記載の発明のそれはＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体又はＡｌＧａＰ系の化合物半導体であるという点で相違している。
　そこで、上記相違点について検討する。
　本願発明1は、ＩｎＧａＡｌＮ系化合物半導体発光部を結晶基板上に積層することにより、反射部形成の影響を受けないようにして発光部を形成するＩｎＧａＡｌＮ系化合物半導体材料の結晶品質を向上させるものであるのに対して、引用例1記載の発明は、２個以上の半導体柱10（発光部）から出た光は結合モードとなって位相のそろった出力光１１を裏面反射膜６（反射部）から得るものであるから、両者は、その構成及び作用効果において相違するものである。
　なお、引用例1には、ＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体又はＡｌＧａＰ系の化合物以外の半導体を発光部に使用することが記載されているが、その記載は両者の上記相違を埋めるものではない。
（２）本願発明2について
　本願発明2は、本願発明１を「発光部から発せられる光を通過させうる結晶基板の材料が、サファイア、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯのうちのいずれか」に限定するものであるから、引用例1記載の発明と相違することは上記（１）に記載のとおりである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明1及び2は、上記引用例1に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができないから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないとすることができない。
　また他に、本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。