【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、
上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能である
ことを特徴とするヘテロ接合。
【請求項２】
上記第１の領域と上記第２の領域との相対的体積を調整することにより、上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項３】
上記第１の領域が金属状態にあり、上記第２の領域がランダムな媒体を有することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項４】
上記第１の領域が金属状態にあり、上記第２の領域にランダムな磁場が存在することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項５】
接合界面に沿う方向の最大寸法が電子のコヒーレンス長以下であることを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項６】
上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きいことを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項７】
上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている量子ドット構造を有することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項８】
上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第２の領域が上記第１の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域から電子が排除されて運動するアンチドット構造を有することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項９】
上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が細線状に構成され、この細線状の上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている量子細線構造を有することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項１０】
上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている量子ドット構造を有し、その量子ドットの大きさを調整することにより、上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御することを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合。
【請求項１１】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であるヘテロ接合の製造方法であって、
上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するために上記第１の領域と上記第２の領域との相対的体積を調整して製造するようにした
ことを特徴とするヘテロ接合の製造方法。
【請求項１２】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であり、上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている量子ドット構造を有するヘテロ接合の製造方法であって、
上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するために上記量子ドットの大きさを調整して製造するようにした
ことを特徴とするヘテロ接合の製造方法。
【請求項１３】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であるヘテロ接合を有する
ことを特徴とする量子カオス装置。
【請求項１４】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であるヘテロ接合を有する量子カオス装置の製造方法であって、
上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するために上記第１の領域と上記第２の領域との相対的体積を調整して製造するようにした
ことを特徴とする量子カオス装置の製造方法。
【請求項１５】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であり、上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている量子ドット構造を有するヘテロ接合を有する量子カオス装置の製造方法であって、
上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するために上記量子ドットの大きさを調整して製造するようにした
ことを特徴とする量子カオス装置の製造方法。
【請求項１６】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であるヘテロ接合を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であるヘテロ接合を有する半導体装置の製造方法であって、
上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するために上記第１の領域と上記第２の領域との相対的体積を調整して製造するようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であり、上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている半導体量子ドット構造を有するヘテロ接合を有する半導体装置の製造方法であって、
上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するために上記半導体量子ドットの大きさを調整して製造するようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であるヘテロ接合を用い、
上記第１の領域と上記第２の領域との相対的体積を調整することにより、上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するようにした
ことを特徴とする量子カオスの制御方法。
【請求項２０】
量子カオスによって特徴付けられる電子系を有する第１の領域と、可積分性によって特徴付けられる電子系を有する第２の領域とが互いに隣接して設けられ、上記第１の領域と上記第２の領域との間で電子の授受が可能であり、上記第１の領域のランダムポテンシャルの強度がアンダーソン転移が生じる臨界値より小さく、上記第２の領域のランダムポテンシャルの強度が上記臨界値より大きく、上記第１の領域が上記第２の領域により取り囲まれていることにより、上記第１の領域に電子が閉じ込められている量子ドット構造を有するヘテロ接合を用い、
上記量子ドットの大きさを調整することにより、上記第１の領域および上記第２の領域からなる系における電子系の量子カオス性を制御するようにした
ことを特徴とする量子カオスの制御方法。