【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  すべての工程を一定の真空レベルに維持した単一の真空チャンバー内で行なう光起電力セルの半導体層を製造する方法において、
光起電力セルを製造する基体を真空チャンバーに用意する工程と、
真空チャンバー内で上記基体を所望の温度に加熱する工程と、
真空チャンバー内でｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記基体の表面に積層する工程と、
真空チャンバー内で上記のｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層にｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を成膜する工程と、
真空チャンバー内で、ハロゲン含有物質を使用して、上記のｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程と、そして
上記のように処理したｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層に金属化合物を成膜してから、次に上記のように処理したｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングすることによって、真空チャンバー内で上記のように処理したｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層にオーム接点を形成する工程とを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】  さらに、真空チャンバー内で上記基体に透明な導電性酸化物の層を成膜する工程を行なってから、上記基体にｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を成膜する工程を実施する請求項１の方法。
【請求項３】  上記ハロゲン含有物質を使用して、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程において、
ある特定の温度で所定の時間、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露し、そして
上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露したｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする請求項１の方法。
【請求項４】  ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露する温度が、上記のハロゲン含有物質の膜をｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層に成膜するのに好適であり、そして
ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理し、かつ上記の成膜したハロゲン含有物質の膜を除去するのに好適な温度でｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする工程を実施する請求項３の方法。
【請求項５】  ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層にオーム接点を形成する方法において、
真空チャンバー内でｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層に金属化合物を成膜する工程と、そして
真空チャンバー内でｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項６】  真空チャンバー内でｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする工程において、ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を好適なガス中で加熱する請求項５の方法。
【請求項７】  半導体装置の所望の表面に導電性電極を形成する方法において、
上記所望の表面に導電性グラファイトコーチングを噴霧成膜する工程と、そして
この導電性グラファイトコーチングに導電性金属被膜を噴霧成膜する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項８】  導電性金属コーチングがニッケルからなる請求項７の方法。
【請求項９】  半導体装置の所望の表面に導電性電極を形成する方法において、
上記所望の表面に導電性金属コーチングを噴霧成膜する工程と、そして
この噴霧成膜した導電性金属コーチングを乾燥する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項１０】真空チャンバー内で基体を搬送する装置において、
真空チャンバー内に設けた一対の離間平行金属ベルトと、
一対の金属ベルトを二方向に同期移動させる同期移動装置と、そして
各金属ベルトの外面に設けられ、金属ベルト間の固定位置に複数の基体を保持する複数のアライメントされた、一定の間隔をもつタブとを有することを特徴とする装置。
【請求項１１】真空チャンバーに前部開口と後部開口を設け、これら開口に一対の金属ベルトと基体を貫通かつ突出させるように構成した、請求項１０の真空チャンバー内基体搬送装置において、
各基体と、前部開口および後部開口との間にクリアランス距離を設定し、基体の移動と同時に、空気漏れを抑制し、これによって真空チャンバーの真空レベルを所望レベルに維持するように構成したことを特徴とする搬送装置。
【請求項１２】真空チャンバー内で基体を搬送し、加熱処理、成膜処理または蒸気処理を行なう装置において、
複数の加熱されたポケットを複数の基体それぞれに対して近接配置して、各基体の表面と対応する加熱されたポケットの間のクリアランス距離を最小距離に設定することによって、基体の移動の間、加熱されたポケットからの蒸気漏れを抑制し、そして
基体を一つのポケットから次のポケットに移す移動手段を設けたことを特徴とする装置。
【請求項１３】上記移動手段が、
真空チャンバー内に設けた一対の離間平行金属ベルトと、
一対の金属ベルトを二方向に同期移動させる同期移動装置と、そして
各金属ベルトの外面に設けられ、金属ベルト間の固定位置に複数の基体を保持する複数のアライメントされた、一定の間隔をもつタブと、そして
上記同期移動装置に連結した、ベルトを増分的に割り出して、各基体を一つの加熱されたポケットから別なポケットに移す制御装置とを有する請求項１２の装置。
【請求項１４】加熱されたポケットのうち、所定の一つかそれ以上のポケットが、直流電圧源に接続され、これら所定の一つかそれ以上のポケット内にプラズマを発生する高電圧ピンを有する請求項１２の装置。
【請求項１５】すべての工程を一定の真空レベルに維持した単一の真空チャンバー内で行なう光起電力セルの半導体層を製造する方法において、
光起電力セルを製造するｎ形透明導電性酸化物の一つかそれ以上の層を有する基体を真空チャンバーに用意する工程と、
真空チャンバー内で上記基体を所望の温度に加熱する工程と、
真空チャンバー内でｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記基体の一面に成膜する工程と、
真空チャンバー内で、ハロゲン含有物質を使用して、上記のｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程と、そして
真空チャンバー内で、ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の処理された一つかそれ以上の層にオーム接点を形成する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項１６】ハロゲン含有物質を使用してｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程において、
ある特定の温度で所定の時間、ｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露し、そして
上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露したｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする請求項１５の方法。
【請求項１７】ｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露する温度が、上記のハロゲン含有物質の膜をｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層に成膜するのに好適であり、そして
ｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理し、かつ上記の成膜したハロゲン含有物質の膜を除去するのに好適な温度でｎ形透明導電性酸化物およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする工程を実施する請求項１６の方法。
【請求項１８】すべての工程を一定の真空レベルに維持した単一の真空チャンバー内で行なう光起電力セルの半導体層を製造する方法において、
光起電力セルを製造する、ｎ形透明導電性酸化物の一つかそれ以上の層を有し、かつｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をｎ形透明導電性酸化物の一つかそれ以上の層の上層に有する基体を真空チャンバーに用意する工程と、
真空チャンバー内で上記基体を所望の温度に加熱する工程と、
真空チャンバー内でｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記基体の一面に成膜する工程と、
真空チャンバー内で、ハロゲン含有物質を使用して、上記のｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程と、そして
真空チャンバー内で、ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の処理された一つかそれ以上の層にオーム接点を形成する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項１９】上記ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料が硫化カドミウムからなる請求項１又は１８の方法。
【請求項２０】上記ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料がテルル化カドミウムからなる請求項１、５、１５、１８のいずれかの方法。
【請求項２１】ハロゲン含有物質を使用して、上記のｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程において、
ある特定の温度で所定の時間、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露し、そして
上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露したｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする請求項１８の方法。
【請求項２２】ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露する温度が、上記のハロゲン含有物質の膜をｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層に成膜するのに好適であり、そして
ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理し、かつ上記の成膜したハロゲン含有物質の膜を除去するのに好適な温度で、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料およびｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする工程を実施する請求項２１の方法。
【請求項２３】ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の処理された一つかそれ以上の層にオーム接点を形成する工程において、ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の処理された一つかそれ以上の層に金属化合物を成膜してから、ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の処理された一つかそれ以上の層をアニーリングする請求項１５又は１８の方法。
【請求項２４】上記金属化合物が、銅、銀、金、スズ、鉛、アンチモンおよび水銀の塩からなる群から選択した金属塩である請求項１、５、２３のいずれかの方法。
【請求項２５】上記金属化合物が、銅、銀、金、スズ、鉛、アンチモンおよび水銀の有機金属化合物からなる群から選択した有機金属化合物である請求項１、５、２３のいずれかの方法。
【請求項２６】さらに、真空チャンバーにおいて基体の反対側表面に反射防止層を成膜する工程を有する請求項１、１５、１８のいずれかの方法。
【請求項２７】さらに、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をハロゲン含有物質で処理してから、ｐ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を成膜する工程を有する請求項１又は１８の方法。
【請求項２８】上記のハロゲン含有物質が塩化カドミウムからなる請求項１、１５、１８、２７のいずれかの方法。
【請求項２９】ハロゲン含有物質を使用して、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程において、
ある特定の温度で所定の時間、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露し、そして
上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露したｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料一つかそれ以上の層をアニーリングする請求項２７の方法。
【請求項３０】ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を上記のハロゲン含有物質の蒸気に暴露する温度が、上記のハロゲン含有物質の膜をｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層に成膜するのに好適であり、そして
ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層を処理し、かつ上記の成膜したハロゲン含有物質の膜を除去するのに好適な温度で、ｎ形ＩＩＢ／ＶＩＢ半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングする工程を実施する請求項２７又は２９の方法。