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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第一絶縁層と、少なくともその一方面に設けられた第二絶縁層と、第二絶縁層の表面に設けられた導体層とが接合されてなり、
上記第一絶縁層が、ポリ−４−メチル−１−ペンテン（ＰＭＰ）フィルムと、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を含有する繊維基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＭＰを上記繊維基材に含浸させて成るプリプレグよりなり、かつ、
上記第二絶縁層が、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）フィルムと、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を含有する繊維基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＦＡを上記繊維基材に含浸させて成るプリプレグよりなることを特徴とする高周波用積層基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
（Ａ）ポリ−４−メチル−１−ペンテン（ＰＭＰ）フィルムと、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を含有する織布またはフェルト状不織布の繊維基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＭＰを該織布またはフェルト状不織布の繊維基材に含浸させて成る第一絶縁層用プリプレグと、
（Ｂ）金属箔（ｂ１）と、
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）フィルムと、
ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を抄造した不織布の繊維基材とを積層し、加熱下に加圧して、
前記金属箔と、ＰＦＡを該抄造された不織布の繊維基材に含浸させて成る第二絶縁層用プリプレグ（ｂ２）との積層体を準備し、
第一絶縁層用プリプレグ（Ａ）の少なくとも一方面に、金属箔が外方となるように前記金属箔と第二絶縁層用プリプレグとの積層体（Ｂ）を載置した状態で、
加熱下に加圧して、これら第一絶縁層用プリプレグ（Ａ）、金属箔と第二絶縁層用プレプレグとの積層体（Ｂ）を接合一体化することを特徴とする、高周波用積層基板の製造方
法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の概要】
本発明に係る高周波用積層基板（単に、基板等とも言う。）は、
第一絶縁層と、少なくともその一方面に設けられた第二絶縁層と、第二絶縁層の表面に設けられた導体層とが接合されてなり、
上記第一絶縁層が、ポリ−４−メチル−１−ペンテン（ＰＭＰ）フィルムと、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を含有する繊維基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＭＰを上記繊維基材に含浸させて成るプリプレグよりなり、かつ、
上記第二絶縁層が、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）フィルムと、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を含有する繊維基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＦＡを上記繊維基材に含浸させて成るプリプレグよりなることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る高周波用積層基板の製造方法は、
（Ａ）ポリ−４−メチル−１−ペンテン（ＰＭＰ）フィルムと、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を含有する織布またはフェルト状不織布の繊維基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＭＰを該織布またはフェルト状不織布の繊維基材に含浸させて成る第一絶縁層用プリプレグと、
（Ｂ）金属箔（ｂ１）と、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）フィルムと、
ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、炭素繊維のうちから選択される繊維を抄造した不織布の繊維基材とを積層し、加熱下に加圧して、
前記金属箔と、ＰＦＡを該抄造された不織布の繊維基材に含浸させて成る第二絶縁層用プリプレグ（ｂ２）との積層体を準備し、
第一絶縁層用プリプレグ（Ａ）の少なくとも一方面に、金属箔が外方となるように前記金属箔と第二絶縁層用プリプレグとの積層体（Ｂ）を載置した状態で、
加熱下に加圧して、これら第一絶縁層用プリプレグ（Ａ）、金属箔と第二絶縁層用プレプレグとの積層体（Ｂ）を接合一体化することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このようなガラスクロスとしては、例えば、「Ｅ１５Ａ ０４（商品名）」（ユニチカ
（株）製、厚さ１２０μｍ）、「ＷＰＡ ０３ １０４ＢＺ」（日東紡（株）製、厚さ５０μｍ）などを用いることができる。このようなガラスクロスは、１枚〜複数枚積層して用いてもよい。
この第一絶縁層には、ガラス基材１００重量部当たり、ＰＭＰは、通常１００〜９００重量部、好ましくは３００〜６００重量部程度の量で用いられていることが第一絶縁層の崩壊防止、層間接着強度の向上、の点から望ましい。
＜第二絶縁層＞
また、第二絶縁層３０は、第一絶縁層２０を形成する際に、ＰＭＰフィルムに代えてテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）フィルムを用いる以外は、第一絶縁層２０用のプリプレグと同様にして得られる。すなわち、第二絶縁層は、図示せぬＰＦＡフィルムと、図示せぬガラス基材とを積層し、加熱下に加圧し、ＰＦＡを溶融・軟化させ、ガラス基材に含浸させて成るプリプレグよりなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  単結晶基板と、
前記単結晶基板の主面上に形成された３族窒化物バッファ層と、
前記３族窒化物バッファ層上に形成された第１の３族窒化物層と、
前記第１の３族窒化物層上に形成され、且つ３族元素組成が連続的に変化された窒化物からなるグレーディッド堆積層と、
前記グレーディッド堆積層上に形成された第２の３族窒化物層と、
を有することを特徴とする３族窒化物半導体の積層構造。
【請求項２】  前記グレーディッド堆積層は、前記第１の３族窒化物層と前記第２の３族窒化物層に組成的に連続して、且つ組成比ｘが０と１の間で変化するＡｌxＧａ1-xＮの組成式で表されることを特徴とする請求項１記載の３族窒化物半導体の積層構造。
【請求項３】  単結晶基板の主面上に３族窒化物バッファ層を形成する工程と、
前記３族窒化物バッファ層上に第１の３族窒化物層を形成する工程と、
前記第１の３族窒化物層上に成長を中断させることなく３族元素組成を連続的に変化させたグレーディッド堆積層を形成する工程と、
前記グレーディッド堆積層上に成長を中断させることなく第２の３族窒化物層を形成する工程と、
を有することを特徴とする３族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項４】  単結晶基板と、
前記単結晶基板の主面上に形成された３族窒化物バッファ層と、
前記３族窒化物半導体バッファ層上に形成されたアンドープ３族窒化物層と、
前記アンドープ３族窒化物層上に形成され、且つ３族元素組成が連続的に変化されたグレーディッド堆積層と、
前記グレーディッド堆積層上に形成されたｎ型３族窒化物コンタクト／クラッド層と、
前記ｎ型３族窒化物コンタクト／クラッド層上に形成された３族窒化物ＭＱＷ活性層と、
前記３族窒化物ＭＱＷ活性層上に形成されたｐ型３族窒化物クラッド層と、
前記ｐ型３族窒化物クラッド層上に形成されたｐ型３族窒化物コンタクト層と、
を有することを特徴とする３族窒化物半導体装置。
【請求項５】  前記アンドープ３族窒化物層はＧａＮ層であり、前記グレーディッド堆積層は組成比ｘが０と１の間で変化するＡｌxＧａ1-xＮであり、前記ｎ型３族窒化物コンタクト／クラッド層はＳｉドープＧａＮ層であることを特徴とする請求項４に記載の３族窒化物半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の３族窒化物半導体の積層構造は、単結晶基板と、前記単結晶基板の主面上に形成された３族窒化物バッファ層と、前記３族窒化物バッファ層上に形成された第１の３族窒化物層と、前記第１の３族窒化物層上に形成され、且つ３族元素組成が連続的に変化された窒化物からなるグレーディッド堆積層と、前記グレーディッド堆積層上に形成された第２の３族窒化物層とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本発明の３族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、単結晶基板の主面上に３族窒化物バッファ層を形成する工程と、前記３族窒化物バッファ層上に第１の３族窒化物層を形成する工程と、前記第１の３族窒化物層上に成長を中断させることなく３族元素組成を連続的に変化させたグレーディッド堆積層を形成する工程と、前記グレーディッド堆積層上に成長を中断させることなく第２の３族窒化物層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本発明の３族窒化物半導体装置は、単結晶基板と、前記単結晶基板の主面上に形成された３族窒化物バッファ層と、前記３族窒化物半導体バッファ層上に形成されたアンドープ３族窒化物層と、前記アンドープ３族窒化物層上に形成され、且つ３族元素組成が連続的に変化されたグレーディッド堆積層と、前記グレーディッド堆積層上に形成されたｎ型３族窒化物コンタクト／クラッド層と、前記ｎ型３族窒化物コンタクト／クラッド層上に形成された３族窒化物ＭＱＷ活性層と、前記３族窒化物ＭＱＷ活性層上に形成されたｐ型３族窒化物クラッド層と、前記ｐ型３族窒化物クラッド層上に形成されたｐ型３族窒化物コンタクト層とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを収納したカセットから前記ウエハを取り出すアーム機構部と、
このアーム機構部により取り出された前記ウエハの縁部の２点の位置情報を、前記ウエハの搬送過程で検出する一つの検出部と、
この検出部により検出された２点間の距離を基に前記ウエハのサイズを認識する制御部と、
を具備したことを特徴とするウエハ搬送装置。
【請求項２】
前記検出部は、最小サイズの前記ウエハのオリフラの縁部と搬送過程の前記ウエハの中心を通る直線とが平行をなす場合に、前記縁部より内側に位置することを特徴とする請求項１に記載のウエハ搬送装置。
【請求項３】
基準となる軸に対して中心が一致しない位置関係となるようずらして配置された他の検出部を備え、
前記制御部は、これら２つの検出部により検出された4点の位置情報から前記ウエハの芯ずれ量を求めることを特徴とする請求項１または２に記載のウエハ搬送装置。
【請求項４】
顕微鏡検査を実施するための電動ステージを備え、前記制御部は、前記電動ステージを前記ウエハのサイズに応じた移動範囲に規制すること特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のウエハ搬送装置。
【請求項５】
カセットから取り出されたウエハの縁部の２点の位置情報を、前記ウエハの搬送過程で検出し、
この検出された２点間の距離を基に前記ウエハのサイズを認識することを特徴とするウエハ搬送方法。
【請求項６】
最小サイズの前記ウエハのオリフラの縁部と搬送過程の前記ウエハの中心を通る直線とが平行をなす場合に、前記縁部より内側で前記２点の位置情報を検出することを特徴とする請求項５に記載のウエハ搬送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上のような構成を有する真空処理装置では、回転テーブル５が回転して光ディスク基板４を搬送チャンバ１内で水平方向に搬送し、スパッタ室２の下方あるいはロードロック室３の下方に位置した時点で、シリンダ１４，１５を動作させる。これにより、シリンダロッド１２，１３が伸び、スパッタリフタ７及びロードロックリフタ８が光ディスク基板２を押し上げてスパッタ室２及びロードロック室３へと搬入する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ところで、ロードロックリフタ８は常にロードロック室３の下方に位置し、動くことがないので、加熱処理やエッチング処理を行う場合でも、光ディスク基板４と共に高熱やプラズマにさらされるのは支持レバー１６だけである。つまり、本実施形態ではロードロックリフタ８のシール部材１８は劣化し難い環境下に置いておくことができる。このため、ロードロック室３を有する真空処理装置を加熱処理やエッチング処理を行う分野で使用することができ、優れた生産性を発揮できる装置を様々な分野に適用可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図６に示した実施形態は、ロードロック室３と５つの真空処理室３１〜３５を設け、半導体ウェハにＵＢＭ（アンダー・バンプ・メタル）を成膜する真空処理装置に適用した例である。この装置では、ロードロック室３より搬送チャンバ１内に運び込まれた半導体ウェハは回転テーブル５により第１の真空処理室３１へと搬送される。ここでは、前工程で残った水分あるいは大気中で吸着した水分を半導体ウェハから蒸発させるために３００℃にて加熱処理を行う。次に第２の真空処理室３２では、半導体ウェハの成膜面を洗浄するためにエッチング処理を行う。続いて、第３〜第５の真空処理室３３〜３５にてＵＢＭ用の金属膜をスパッタリングにより成膜する。金属膜の種類は、まずＴｉ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉなどを成膜した後にＡｕを成膜するのが一般的である。そこで、Ｔｉのようにスパッタリングレート（成膜速度）が低い金属膜をスパッタリングする場合は、第３及び第４の真空処理室３３、３４にてＴｉを成膜し、第５の真空処理室３５にてＡｕを成膜する。このような実施形態によれば、複数の真空処理室を備えたことによりタクトタイムの短縮化が可能であり、さらに装置の生産性が向上することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に第１のマスクを形成する工程と、該第１のマスクから露出する半導体層をエッチングする工程を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記第１のマスクを形成する工程は、半導体層が露出するパターンを有する第１のマスクを形成する第１の工程と、その第１のマスクの表面を平滑にする第２の工程と、とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程は、第１のマスク層上に、パターンを有する第２のマスクを形成する工程と、該第２のマスクから露出する第１のマスク層を、第１のエッチャントを用いて半導体層が露出するまでドライエッチングする工程と、とを有する請求項１記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程は、第２のエッチャントを用いたウエットエッチング工程である請求項２記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２のエッチャントは、前記第２のマスクに対するする前記第１のマスクの選択比が、前記第１のエッチャントよりも高い請求項３記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２のマスクは、前記第２のエッチャントに対して実質的にエッチングされない請求項４記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程は、前記第１の工程と異なる条件を用いたドライエッチングである請求項２記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程は、第３のエッチャントを用いたドライエッチングであり、該第３のエッチャントは、前記第２のマスクに対する前記第１のマスクの選択比が、前記第１のエッチャントよりも低い請求項６記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程は、半導体層上にパターンを有する第３のマスクを形成する工程と、該半導体層上及び第３のマスク上に第１のマスクを形成する工程と、第３のマスクとその上に接する第１マスクとをリフトオフする工程と、を有する請求項１記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、ウエットエッチングである請求項８記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のマスクは、前記第２の工程後のエッチング端面の面粗さＲａが１００Å以下である請求項１乃至請求項９記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体エッチング工程によってレーザの共振器面形成される請求項１乃至請求項１０記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法によって製造されたことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項１３】
前記窒化物半導体素子は、エッチングされた面の面粗さＲａが２００Å以下である請求項１２記載の窒化物半導体素子。
【請求項１４】
導電性基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が積層された窒化物半導体層を備えた窒化物半導体素子であって、
共振器面の面粗さＲａが２００Å以下であり、該共振器面の前方には前記基板又はｎ型窒化物半導体層が露出していることを特徴とする窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の請求項１２に記載の窒化物半導体素子は、上記のような請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
本発明の請求項１３に記載の窒化物半導体素子は、エッチングされた面の面粗さＲａが２００Å以下であることを特徴とする。このように、極めて凹凸が少ない、反射効率の高い平滑な面を有することで、端面による光吸収や乱反射等を低減することができ、閾値の低い半導体レーザ素子とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の請求項１３に記載の窒化物半導体素子は、導電性基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が積層された窒化物半導体層を備えた窒化物半導体素子であって、共振器面の面粗さＲａが２００Å以下であり、該共振器面の前方には前記基板又はｎ型窒化物半導体層が露出していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（実施例１）
分極性電極として、縦：１ｃｍ、横：１ｃｍの白金集電体に直径１０〜３０μｍの活性化炭素繊維の不織布１８ｍｇを炭素系接着シートで接着した２枚の電極対の間に、表面をスルホン化したポリプロピレン繊維不織布製セパレータを挟み、電解液を含浸させて電気二重層キャパシタを作成した。活性化炭素繊維の比表面積は１１５０ｍ2／ｇ、かさ密度は０．４２ｇ／ｍｌ、１〜３０ｎｍの細孔径の細孔体積０．７３５ｍｌ／ｇ、酸性基量は１．６５ｍｍｏｌ／ｇであった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月21日(2006.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
主剤のポリエステルポリオール、硬化剤のポリフエニルポリメチルポリイソシアネートの配合割合は、主剤１００重量部に対して硬化剤８０〜１２０重量部が適している。８０重量部より小さいと作業性、塗膜硬化物の物性が劣るのため好ましくない。一方１２０重量部より大きいと発泡などの問題があり適さない。
主剤と硬化剤とともに配合される骨材には、水硬性セメント、硅砂などの細骨材、消石灰、ガイシ粉末、流動化剤などの配合されたものが使用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
細骨材には硅砂、川砂、海砂、山砂、などが使用され、粒径が０．１ｍｍより大きく、１．５ｍｍ以下のものが適している。０．１ｍｍ以下では作業性、仕上がり不良などのため適さない。一方、１．５ｍｍより大きいと分散性、混和性、仕上がり不良などのため好ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ガイシ粉末には、ガイシの生産工場において破損若しくは廃棄されたガイシを粉砕処理されたもので、陶磁器の持つ強度、耐磨耗性、耐熱性などを仕上た床に付与することができる。粉砕粒子径は０．５〜３ｍｍ程度のものが使用に適している。０．５ｍｍより小さいと作業性が悪くなるために好ましくない。一方３ｍｍより大きいと配合物中の分散性、混和性の点が適していない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
流動化剤は骨材の水硬性セメント粒子の分散と樹脂との混和性並びに流動性を向上のために配合するもので、流動パラフィン、ナフタレンスルホン酸系、ポリカルボン酸系、リグニンスルホン酸系、などが使用される。流動化剤の配合量は水硬性セメントに対して０．５〜２重量部が適している。０．５重量部より小さいと低温時のフローが悪くなり好ましくない。２重量部より大きい配合では分散性、混和性などが悪くなり好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスク状ホイールの円周部に沿ってＶ字状の刃を形成したガラスカッターホイールにおいて、該ホイールの刃先部表面に硬質粗粒子が現れた凹凸があることを特徴とするガラスカッターホイール。
【請求項２】  前記硬質粗粒子の粒径が、１０〜３０μmの範囲にあり、かつ均一の粒径であることを特徴とする請求項１記載のガラスカッターホイール。
【請求項３】  前記硬質粗粒子の粒径が、１０〜３０μmの範囲にあり、かつ各種の粒径の混合であることを特徴とする請求項１記載のガラスカッターホイール。
【請求項４】  前記硬質粗粒子の素材として、超硬合金、又はダイヤモンド、又はサファイヤの内の少なくとも一種を成分とする焼結材料を用いたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1つに記載のガラスカッターホイール。
【請求項５】  前記焼結材料を化学処理することによって前記凹凸を形成したことを特徴とする請求項４記載のガラスカッターホイール。
【請求項６】  前記硬質粗粒子の素材として、超硬合金、又はダイヤモンド、又はサファイヤの内の少なくとも一種を成分とするコーティング材を用い、これらコーティング材を前記刃先部にコーティングしたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1つに記載のガラスカッターホイール。
【請求項７】  前記コーティング材を化学処理することによって前記凹凸を形成したことを特徴とする請求項６記載のガラスカッターホイール。
【請求項８】  前記Ｖ字状の刃の刃先角度が、刃先の稜線に対して左右で異なることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか1つに記載のガラスカッターホイール。
【請求項９】  ディスク状ホイールの円周部に沿ってＶ字状の刃を形成したガラスカッターホイールの刃先部表面に、超硬合金、又はダイヤモンド、又はサファイヤの内の少なくとも一種を成分とする焼結材料で硬質粗粒子の凹凸を設けるガラスカッターホイールの製造方法において、前記焼結材料を化学処理することによって前記凹凸を形成することを特徴とするガラスカッターホイールの製造方法。
【請求項１０】  ディスク状ホイールの円周部に沿ってＶ字状の刃を形成したガラスカッターホイールの刃先部表面に、超硬合金、又はダイヤモンド、又はサファイヤの内の少なくとも一種を成分とするコーティング材をコーティングして硬質粗粒子の凹凸を設けるガラスカッターホイールの製造方法において、前記コーティング材を化学処理することによって前記凹凸を形成することを特徴とするガラスカッターホイールの製造方法。
【請求項１１】  柄の先端に設けたホルダーに、請求項１乃至８のいずれか1つに記載のガラスカッターホイール若しくは、請求項９または１０に記載のガラスカッターホイール製造方法を使って製造したガラスカッターホイールを具備したことを特徴とするガラス切り。
【請求項１２】  テーブル上に載置した被切断ガラス板のＸＹ方向にカッターヘッドが移動可能な自動ガラススクライバーにおいて、該カッターヘッドに請求項１乃至８のいずれか1つに記載のガラスカッターホイール若しくは、請求項９または１０に記載のガラスカッターホイール製造方法を使って製造したガラスカッターホイールを具備したことを特徴とする自動ガラススクライバー。
【請求項１３】  請求項１乃至８のいずれか1つに記載のガラスカッターホイール、又は、請求項９または１０に記載のガラスカッターホイールの製造方法で製造したガラスカッターホイール、若しくは、請求項１１に記載のガラス切り、若しくは、請求項１２に記載の自動ガラススクライバーを用いて切断したことを特徴とするガラス板。
【請求項１４】  ガラス板をその構成部品として使用しているタッチパネルや液晶表示装置等を有している電子機器装置であって、請求項１３に記載のガラス板を備えていることを特徴とする電子機器装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このガラスカッターホイール６０を用いてガラス板をスクライブしたところ、第１実施形態と同様、高品質に薄板ガラスの切断が可能になることがわかった。
またスクライブ時の垂直クラックが深く入るので、スクライブと同時にブレイキングも行うことができ、コストダウンが可能になった。コーティング方式の場合、焼結剤を用いた第１実施形態と比較して高価な硬質粗粒子の使用量が少なくて済むメリットがある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  押出加工後の組織において、全面微細な再結晶組織を有し、且つ、
Ｓｉ：０．３〜１．０質量％、
Ｆｅ：０．３５質量％以下、
Ｃｕ：０．１〜０．５質量％、
Ｍｎ：０．０７質量％以下、
Ｍｇ：０．６〜１．５質量％、
Ｃｒ：０．１０質量％以下、
Ｚｎ：０．３０質量％以下、
Ｔｉ：０．２０質量％以下
を含有し、残部Ａｌ及び不純物からなることを特徴とする切削加工用アルミニウム合金押出材。
【請求項２】  結晶粒が最大粒径２ｍｍ以下及び平均粒径１ｍｍ以下である請求項１記載の切削加工用アルミニウム合金押出材。
【請求項３】  Ｍｎ：０．０４質量％以下、Ｃｒ：０．０７質量％以下を含有している請求項１又は２記載の切削加工用アルミニウム合金押出材。
【請求項４】  Ｆｅ：０．２質量％以下を含有している請求項３記載の切削加工用アルミニウム合金押出材。
【請求項５】  押出加工後に引抜加工が施された請求項１〜４のいずれか１項記載の切削加工用アルミニウム合金押出材。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか１項記載の押出材が切削加工されることにより、製作されていることを特徴とするアルミニウム合金製切削加工品。
【請求項７】  請求項１〜５のいずれか１項記載の押出材が切削加工されることにより、製作されていることを特徴とする自動車部品用バルブ材。
【請求項８】  請求項１〜４のいずれか１項記載の切削加工用アルミニウム合金押出材に、押出加工後に、焼入加工を施さずに引抜加工、矯正加工及びエージングを順に施すことを特徴とする切削加工用アルミニウム合金押出材の加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明は以上の事情を背景としてなされたもので、特に印刷中に非画像部にインク汚れが生じにくい耐インク汚れ性に優れた印刷版用アルミニウム合金支持体を提供するとともに、感光層に局所的な欠陥をもたらしにくい平版印刷版用アルミニウム合金支持体を提供することを目的とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
なおまた、ある種の感光層、例えば［００８５］欄に示す感光層Ｂを用いる場合、そのＰＳ版を湿度の高いところで２ケ月以上保存すれば、感光層にフクレ状の欠陥が発生することがあるが、この場合も最大長さ１μｍ以上のアルミニウム炭化物個数が３００００個／ｇ以下であれば、このような欠陥はＰＳ版使用上問題ないレベルとなる。そして、より好ましくは最大長さ５μｍ以上のアルミニウム炭化物数が２０００個／ｇであれば、実用上全く問題のないレベルとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
中間焼鈍：
熱間圧延後または必要に応じて１次冷間圧延を行なった後中間焼鈍を行う。
中間焼鈍は４００〜５８０℃で行う。４００℃未満では完全な再結晶が発生しないため好ましくない。一方、５８０℃を越えて焼鈍されると結晶粒が粗大化され、電解粗面化面に色調ムラが発生する。このため中間焼鈍は４００〜５８０℃で行うのが好ましい。なお、中間焼鈍はバッチタイプ炉もしくは連続焼鈍炉で行なうのが通常であるが、再結晶粒の微細化の点から連続焼鈍炉で行うほうが好ましい。この場合加熱速度は１〜４０℃／秒であり、冷却速度も同程度である。また保持時間は３分以内が通常である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の芯鞘複合ポリエステルモノフィラメントの鞘成分におけるシリコーンオイルの含有量は任意に設計できるが、０．２〜２０重量％、特に０．５〜１５重量％の範囲がより好ましい。０．２重量％より少ないと対ガムピッチ防汚性が不十分であり、２０重量％より多いとモノフィラメントの製造が困難になったり、得られるモノフィラメントの引張強度や引っ掛け強度および結節強度が不十分となる傾向を生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここで、本発明における引っ掛け強度の測定は、以下の方法で行ったものである。
＜モノフィラメントの引っ掛け強度測定方法＞
ＪＩＳ  Ｌ１０１３  ７．７に準じて、試長：２５０ｍｍ、引張速度：３００ｍｍ／分の条件で測定した。引っ掛け強度は、測定試料のデシテックス単位当たりに換算して得た値である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明の芯鞘複合モノフィラメントに未反応ＭＣＤ化合物を０．０１〜１．５重量％含有させるには、原料のポリエステルが保有していたＣＯＯＨ末端基および溶融紡糸時の加熱による加水分解や熱分解で発生したＣＯＯＨ末端基とを合計した総ＣＯＯＨ末端基と、ポリエステル中の水酸末端基とを封鎖・不活性化反応し、更に製品ポリエステルモノフィラメント中に０．０１〜１．５重量％の未反応ＭＣＤ化合物が残存含有する量のＭＣＤ化合物を、ポリエステルに添加し溶融混練した後、溶融紡糸する方法が有利である。また、ＭＣＤ化合物と共に、ポリエステルのＣＯＯＨ末端基および水酸末端基と反応する公知のエポキシド化合物およびオキサゾリン化合物などを併用することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ＭＣＤ化合物を０．０１〜１．５重量％含有する本発明の芯鞘複合ポリエステルモノフィラメントは、ＣＯＯＨ末端基が７ｅｑ／モノフィラメント１０6 ｇ以下であり、更に好ましくは５ｅｑ／１０6 ｇ以下である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明の芯鞘複合ポリエステルモノフィラメントは、更にポリカルボジイミド化合物を０．１〜３．０重量部含有するものであることが、耐加水分解性が一層すぐれたものとなるため好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ＰＣＤ化合物の含有量は、０．１〜３．０重量％の範囲である。ＰＣＤ化合物の含有量が０．１重量％より少ないと耐加水分解性向上効果が不十分であり、ＰＣＤ化合物の含有量が３．０重量％を越えるとポリエステルの溶融粘度が上昇しすぎたり、吐出や成形が困難になる傾向を生じる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
この理由は、ＭＣＤ化合物の溶解度がポリエステルよりもポリオレフィン類の方が圧倒的に高いために、ポリオレフィン類を０．５〜１０重量％を含有することで、ポリエステルに添加されたＭＣＤ化合物が溶融混練時にポリオレフィン類中により多く溶解し、ポリエステルの水酸末端基とＭＣＤ化合物との副反応が抑制され保護されることによって、製品ポリエステルモノフィラメント中の未反応ＭＣＤ化合物の含有量が増加するためと考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本発明における工業用織物とは、本発明の芯鞘複合ポリエステルモノフィラメントを織物の緯糸および／または経糸の少なくとも一部に使用した各種工業用途に使用される織物のことであり、例えば、抄紙ワイヤー（パルプ漉き揚げ用の織物）、抄紙ドライヤーキャンバス等の抄紙機に装着される織物類、サーマルボンド法不織布熱接着工程用ネットコンベア織物、熱処理炉内搬送用ベルト織物もしくは各種フィルター織物のことである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ここで、抄紙ワイヤーとは、平織、二重織および三重織などの様々な織物として、紙の漉き上げ工程で使用される織物のことで、長網あるいは丸網などとして用いられるものである。また、抄紙ドライヤーキャンバスとは、平織り、二重織および三重織などの様々な織物（相前後する緯糸と緯糸とがスパイラル状の経糸用モノフィラメントによって織継がれたスパイラル状織物を含む）として、抄紙機のドライヤー内で紙を乾燥させるために使用される織物のことである。また、不織布の熱接着工程用ベルト織物とは、不織布を構成する低融点のポリエチレンのような熱接着性繊維を融着させるために不織布を炉中に通過させるための織物であり、平織り、二重織、などの織物である。また、熱処理炉内搬送用ベルト織物とは、各種半製品の乾燥、熱硬化、殺菌、加熱調理などのために高温ゾーン内において半製品を搬送する織物のことである。また、各種フィルターとは、高温の液体、気体、粉体などをろ過する織物のことである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
これらの中では、高度な対ガムピッチ防汚性と高度な耐加水分解性が要求される抄紙ドライヤーキャンバスの構成素材として、特に好適である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
表１〜表３から明らかなとおり、本発明の芯鞘複合ポリエステルモノフィラメントは、従来のものよりも優れた対ガムピッチ防汚性と耐加水分解性を有し、更には十分な引っ掛け強度を有しており、各種工業用織物の構成素材として産業上の利用価値が高く、とりわけ高湿・高温雰囲気下で長期間使用される抄紙ドライヤーキャンバスの構成素材として好適なものであることがわかる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の芯鞘複合ポリエステルモノフィラメントは、従来のものより優れた対ガムピッチ防汚性と優れた耐加水分解性を有し、更には十分な引っ掛け強度を有しており、抄紙ドライヤーキャンバスを代表とする各種工業用織物の構成素材として産業上の利用価値の高いものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶融粘度の異なる２種のポリエステルポリマーが接合した単繊維からなり、マルチフィラメント繊維として式（１）〜（３）を同時に満足することを特徴とするポリエステルマルチフィラメント繊維。
（１）２０≦捲縮率（ＣＣ）≦５０（％）、
（２）２５≦高温捲縮率（ＨＣ）≦６０（％）、
（３）ＨＣ＞ＣＣ
ただし、捲縮率（ＣＣ）は、９０℃×２０分間湿熱処理条件で測定された捲縮率であり、高温捲縮率（ＨＣ）は、１３０℃×２０分間湿熱処理条件で測定された捲縮率である。
【請求項２】  溶融粘度の異なる２種のポリエステルポリマーのうち高粘度成分が、第三成分を５〜１５モル％共重合させた共重合ポリエチレンテレフタレートである請求項１記載のポリエステルマルチフィラメント繊維。
【請求項３】  請求項１または２記載のポリエステルマルチフィラメント繊維に撚りを施した糸条を用いて布帛とし、引き続き、熱セットを施した、織物収縮率（ＬＣ）が２０〜４０％である織編物の製造方法。
ただし、織物収縮率（ＬＣ）は、１３０℃×３０分間熱水処理条件で測定された収縮率である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）２０≦捲縮率（ＣＣ）≦５０（％）
（２）２５≦高温捲縮率（ＨＣ）≦６０（％）
（３）ＨＣ＞ＣＣ
ただし、捲縮率（ＣＣ）は、９０℃×２０分間湿熱処理条件で測定された捲縮率であり、高温捲縮率（ＨＣ）は、１３０℃×２０分間湿熱処理条件で測定された捲縮率である。
本発明の第２の要旨は、本発明のポリエステルマルチフィラメント繊維に撚りを施した糸条を用いて布帛とし、引き続き、熱セットを施した、織物収縮率（ＬＣ）が２０〜４０％である織編物の製造方法にある。
ただし、織物収縮率（ＬＣ）は、１３０℃×３０分間熱水処理条件で測定された収縮率である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また本発明の製造方法により得られる織編物は、本発明のポリエステルマルチフィラメント繊維に撚りを施した糸条を用いて布帛とし、引き続き、熱セットを施すことによって、織物収縮率（ＬＣ）が２０〜４０％となることが必要である。ＬＣが２０％未満であると十分なストレッチ性を得ることができない。４０％を超えると織編物とした際の形態が安定しない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）ポリアミド樹脂３０〜８５重量％、（ｂ）メラミンとリン酸とから形成される付加物１〜３０重量％、（ｃ）以下の式（Ｉ）で表されるホスフィン酸塩及び／または以下の式（ＩＩ）で表されるジホスフィン酸塩１〜３０重量％および（ｄ）無機充填材５〜４０重量％の各成分からなり、（ｃ）成分の粒径が１００μｍ以下の粉末であることを特徴とする難燃ポリアミド樹脂組成物。
【化１】
2004292755.tif 000001
【化２】
2004292755.tif 000002
【請求項２】  （ａ）ポリアミド樹脂が、ポリアミド６６，ポリアミド６、ポリアミド６１０、ポリアミド６１２、ポリアミド６Ｉ（ポリヘキサメチレンイソフタルアミド）、ＭＸＤ６ナイロン及びこれらのコポリアミドの中から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１に記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【請求項３】  （ａ）ポリアミド樹脂が、下記（１）〜（２）の中から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１に記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
（１）ポリアミド６６単位７０〜９５重量％とポリアミド６Ｉ（ポリヘキサメチレンイソフタルアミド）単位５〜３０重量％とからなる共重合体及び／またはこれらの混合ポリアミド。
（２）ポリアミド６６単位４０〜８９重量％、ポリアミド６Ｉ単位５〜３０重量％及び脂肪族ポリアミド単位（但し、ポリアミド６６単位を除く）１〜３０重量％とからなる３元共重合体及び／またはこれらの混合ポリアミド。
【請求項４】  （ａ）ポリアミド樹脂の硫酸相対粘度（ＪＩＳ  Ｋ６８１０で測定）が、１．５〜３．５であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【請求項５】  （ｂ）メラミンとリン酸とから形成される付加物が、リン酸メラミン、ピロリン酸メラミン、ポリリン酸メラミンから選ばれた少なくとも１種のリン系難燃剤であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【請求項６】  （ｂ）リン系難燃剤が、リン原子として１０〜１８重量％含有していることを特徴する請求項５に記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【請求項７】  （ｂ）リン系難燃剤の平均粒径が、０．５〜２０μｍであることを特徴とする請求項５に記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【請求項８】  （ｃ）ホスフィン酸塩及び／またはジホスフィン酸塩が、下記（１）〜（３）の中から選ばれた化合物であることを特徴とする請求項１〜７に記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
（１）Ｒ1及びＲ2が、同一かまたは異なり、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル及び／またはフェニルである。
（２）Ｒ3が、メチレン、エチレン、ｎ−プロピレン、イソプロピレン、ｎ−ブチレン、ｔｅｒｔ−ブチレン、ｎ−ペンチレン、ｎ−オクチレンまたはｎ−ドデシレン、フェニレンまたはナフチレン、メチルフェニレン、エチルフェニレン、ｔｅｒｔ−ブチルフェニレン、フェニルメチレン、フェニルエチレン、フェニルプロピレンまたはフェニルブチレン、メチルナフチレン、エチルナフチレンまたはｔｅｒｔ−ブチルナフチレンである。
（３）Ｍが、アルミニウムイオンまたは亜鉛イオンである。
【請求項９】  （ｄ）無機充填材が、ガラス繊維、ウォラストナイト、タルク、焼成カオリン、マイカの中から選ばれた少なくとも１種の強化材であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【請求項１０】  （ａ）、（ｂ）、（ｃ）が十分に溶融混練されたのちに、（ｄ）無機充填材を添加して得られることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の難燃ポリアミド樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、無機質強化材、リン系難燃剤及びポリアミド樹脂を組み合わせた系に於いて、特定のホスフィン酸塩を適用した際に、前記目的を達成しうることを見いだし、この知見に基づき本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、（ａ）ポリアミド樹脂３０〜８５重量％、（ｂ）メラミンとリン酸とから形成される付加物１〜３０重量％、（ｃ）以下の式（Ｉ）で表されるホスフィン酸塩及び／または以下の式（ＩＩ）で表されるジホスフィン酸塩１〜３０重量％および（ｄ）無機充填材５〜４０重量％の各成分からなり、（ｃ）成分の粒径が１００μｍ以下の粉末であることを特徴とする難燃ポリアミド樹脂組成物である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
低屈折率を示す二酸化ケイ素の薄膜および高屈折率を示す二酸化チタンや酸化アルミニウムなどの金属酸化物の薄膜は、各種光学製品の多層反射膜、反射防止膜、フォトニック結晶などの用途に利用されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［フォトニック結晶］
フォトニック結晶は、レーザ発振素子の導波路などとして利用される光学材料であって、本発明の高屈折率金属酸化物非晶質薄膜の製造法を利用することにより、所望の特性を示すフォトニック結晶を製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
具体的には、本発明の高屈折率の非晶質金属酸化物薄膜を用いるフォトニック結晶は、チタンアルコキシドなどの金属アルコキシドをアルコール溶媒中で、ヒドラジン誘導体の塩、ヒドロキシルアミン誘導体の塩及びアセトアミジン誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物と水との存在下にて加水分解させ、縮合重合させてゾルを得る工程、そしてこのゾルを基板表面に塗布し、この塗布膜からゲル状の薄膜を得る工程、所定の凹凸パターンと対称形の凹凸パターンを表面に持つ鋳型の該凹凸パターンを上記基板上のゲル状薄膜に重ね合わせる工程、重ね合せたゲル状膜と鋳型とを加熱焼成する工程、次いで焼成物を鋳型から離脱させる工程からなる方法によって製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
あるいは、本発明の高屈折率の非晶質金属酸化物薄膜を用いるフォトニック結晶は、金属アルコキシドをアルコール溶媒中で、ヒドラジン誘導体の塩、ヒドロキシルアミン誘導体の塩及びアセトアミジン誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物と水との存在下にて加水分解させ、縮合重合させてゾルを得る工程、そしてこのゾルを所定の凹凸パターンと対称形の凹凸パターンを表面に持つ鋳型の該凹凸パターン表面上に膜状に塗布し加熱焼成する工程、そして焼成物を鋳型から離脱させる工程からなる製造方法によっても製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［参考例３］−フォトニック結晶の製造
実施例１に記載の方法によってテトラ−ｎ−ブトキシチタンから得た混合物ゾルから、図１に示す方法を利用して導波路パターンを持つフォトニック結晶を得た。すなわち、混合物ゾルを基板（シリコン製）１１の表面にスピンコート法により塗布し、ゾル塗布層を得た。このゾル塗布層１２を２時間放置して、高粘度のゲル層１３に変えた。次に、このゲル層１３と、別に用意した、表面に導波路のパターンと逆のパターンを有するエラストマー製モールド（ダウコーニングアジア（株）製のシルポット１８４Ｗ／Ｃを用いて作成されたエラストマーモールド（回折格子領域１ｍｍ×１ｍｍで、周期６００ｎｍのライン／スペースからなるモールド）１４とを重ね合せて、この積層体を加熱焼成して、基板１１に所定の導波路パターンを有する二酸化チタン薄膜１５を形成した。そして、そののち、モールドを取り外すことにより、目的の二酸化チタン薄膜からなるフォトニック結晶を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
本発明によって、高い屈折率と高い機械的強度そして高い耐熱性を示す非晶質金属酸化物（例、二酸化チタン、酸化アルミニウム）薄膜を提供することができる。この非晶質薄膜は多層反射膜を作成するための材料として有効に利用することができる。また、高い屈折率と高い機械的強度そして高い耐熱性を示す非晶質金属酸化物薄膜は、反射防止膜の材料として、あるいはフォトニック結晶の材料としても有用である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の高屈折率薄膜を用いるフォトニック結晶の製造方法の各工程を説明する図である。
【符号の説明】
１１  基板
１２  ゾル塗布層
１３  ゲル層
１４  モールド
１５  フォトニック結晶
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
低屈折率を示す二酸化ケイ素の薄膜および高屈折率を示す二酸化チタンや酸化アルミニウムなどの金属酸化物の薄膜は、各種光学製品の多層反射膜、反射防止膜、フォトニック結晶などの用途に利用されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物品管理装置、方法、コンピュータプログラム、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のＩＤ情報が記憶されたデータベースを利用する物品管理装置であって、
物品ごとに装着されたＩＤ情報を有する無線通信体から無線によりＩＤ情報を検出するＩＤ情報検出手段と、
上記ＩＤ情報検出手段により検出されたＩＤ情報に基づいて、上記データベースのＩＤ情報を用いた編集を行う編集手段とを備えたことを特徴とする物品管理装置。
【請求項２】  上記データベースは各ＩＤ情報に物品情報を関連付けて記憶することを特徴とする請求項１に記載の物品管理装置。
【請求項３】  上記ＩＤ情報検出手段は複数の無線通信体から一括してＩＤ情報を検出可能であることを特徴とする請求項１に記載の物品管理装置。
【請求項４】  上記編集手段により上記データベースに記憶されたＩＤ情報のグループ化を行うことを特徴とする請求項１に記載の物品管理装置。
【請求項５】  上記ＩＤ情報検出手段により検出されたＩＤ情報にグループ情報を関連付けることによりグループ化を行うことを特徴とする請求項４に記載の物品管理装置。
【請求項６】  上記編集手段により既にグループ化されたＩＤ情報についてグループ解除を行うことを特徴とする請求項１に記載の物品管理装置。
【請求項７】  上記編集手段により既にグループ化されたグループ同士を統合することを特徴とする請求項１に記載の物品管理装置。
【請求項８】  表示手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の物品管理装置。
【請求項９】  複数のＩＤ情報が記憶されたデータベースを利用する物品管理方法であって、
物品ごとに装着されたＩＤ情報を有する無線通信体から無線によりＩＤ情報を検出する手順と、
上記ＩＤ情報検出手順により検出されたＩＤ情報に基づいて、上記データベースのＩＤ情報を用いた編集を行う手順とを有することを特徴とする物品管理方法。
【請求項１０】  複数のＩＤ情報が記憶されたデータベースを利用する物品管理を行うためのコンピュータプログラムであって、
物品ごとに装着されたＩＤ情報を有する無線通信体から無線によりＩＤ情報を検出する処理と、
上記ＩＤ情報検出処理により検出されたＩＤ情報に基づいて、上記データベースのＩＤ情報を用いた編集を行う処理とをコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】  請求項１０に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線タグを利用して物品管理の際のデータ入力や編集作業を簡単に行えるようにした物品管理装置、方法、コンピュータプログラム、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の物品管理装置は、複数のＩＤ情報が記憶されたデータベースを利用する物品管理装置であって、物品ごとに装着されたＩＤ情報を有する無線通信体から無線によりＩＤ情報を検出するＩＤ情報検出手段と、上記ＩＤ情報検出手段により検出されたＩＤ情報に基づいて、上記データベースのＩＤ情報を用いた編集を行う編集手段とを備えた点に特徴を有する。
本発明の物品管理方法は、複数のＩＤ情報が記憶されたデータベースを利用する物品管理方法であって、物品ごとに装着されたＩＤ情報を有する無線通信体から無線によりＩＤ情報を検出する手順と、上記ＩＤ情報検出手順により検出されたＩＤ情報に基づいて、上記データベースのＩＤ情報を用いた編集を行う手順とを有する点に特徴を有する。
本発明のコンピュータプログラムは、複数のＩＤ情報が記憶されたデータベースを利用する物品管理を行うためのコンピュータプログラムであって、物品ごとに装着されたＩＤ情報を有する無線通信体から無線によりＩＤ情報を検出する処理と、上記ＩＤ情報検出処理により検出されたＩＤ情報に基づいて、上記データベースのＩＤ情報を用いた編集を行う処理とをコンピュータに実行させる点に特徴を有する。
本発明のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、本発明のコンピュータプログラムを格納した点に特徴を有する。