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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を加熱するためのヒータと該ヒータに電力を供給する電流制御用の第1のＦＥＴ回路と感熱素子を含むヒータ回路部と、前記被加熱物の温度変化に基づいて前記第１のＦＥＴ回路のゲート電圧を制御する差動増幅器を含む制御部とで構成される温度制御回路であって、前記第１のＦＥＴ回路のソース出力電圧の一部を前記差動増幅器の入力に抵抗を介して負帰還するように構成したことを特徴とする温度制御回路。
【請求項２】
前記負帰還用抵抗に並列にキャパシタを付加して形成した積分機能によって前記第１のＦＥＴ回路の電流ハンチング動作を抑えたことを特徴とする請求項１に記載の温度制御回路。
【請求項３】
第２のＦＥＴ回路を前記第1のＦＥＴ回路のゲート入力回路に設け、該第1のＦＥＴ回路のソース出力電圧の一部を前記第２のＦＥＴ回路のゲート回路に加えて生じた該第２のＦＥＴ回路のドレインの電位を前記第1のＦＥＴ回路のゲート入力回路に帰還することによって、前記第1のＦＥＴ回路の過電流を保護するよう構成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の温度制御回路。
【請求項４】
電気的に設置された金属製オーブンに直接前記第1のＦＥＴ回路のドレインを密接装着して熱結合を強めたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の温度制御回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本温度制御回路における前記制御部２１とヒーター回路部２１の電源は共通の電源Ｖｃ
ｃより供給されているが、前記制御部２１用の電源には、大電流を消費するヒーター回路
部２２と分離して、別途定電圧回路を設けて該定電圧回路より供給される場合もある。
なお、本例のヒーター回路部２２においては、電力用ＦＥＴＱ２１の増幅率が大となり
差動増幅器ＩＣ２１の利得との相乗により過剰利得となり、ハンチング等の不安定動作を
起こす恐れがあるので、この場合は、前記電力用ＦＥＴＱ２１のドレインＤと接地間に第
２のヒーターを挿入することにより利得を抑圧し安定動作が図られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明においては、被加熱物を加熱するためのヒータと該ヒータに電力を供給する電流制御用の第1のＦＥＴ回路と感熱素子を含むヒータ回路部と、前記被加熱物の温度変化に基づいて前記第１のＦＥＴ回路のゲート電圧を制御する差動増幅器を含む制御部とで構成される温度制御回路であって、前記第１のＦＥＴ回路のソース出力電圧の一部を前記差動増幅器の入力に抵抗を介して負帰還するように構成したことを特徴とする。
請求項２の発明においては、請求項１の温度制御回路であって、前記負帰還用抵抗に並
列にキャパシタを付加して形成した積分機能によって前記第１のＦＥＴ回路の電流ハンチング動作を抑えたことを特徴とする。
また、請求項３の発明においては、請求項１または請求項２に記載の温度制御回路であ
って、第２のＦＥＴ回路を前記第1のＦＥＴ回路のゲート入力回路に設け、該第1のＦＥＴ回路のソース出力電圧の一部を前記第２のＦＥＴ回路のゲート回路に加えて生じた該第２のＦＥＴ回路のドレインの電位を前記第1のＦＥＴ回路のゲート入力回路に帰還することによって、前記第1のＦＥＴ回路の過電流を保護するよう構成したことを特徴とする。
さらに、請求項４の発明においては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の温度制
御回路であって、電気的に設置された金属製オーブンに前記第1のＦＥＴ回路のドレインを密接装着して熱結合を強めたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図７は、本発明に係わる温度制御回路の他の変形実施例を示す電気回路図である。同図
に示すように、本温度制御回路は、図１の回路にＪタイプのＦＥＴＱ２で構成される過電
流保護回路を付加したことを特徴とする。したがって、主としてＦＥＴＱ２による過電流
保護回路の動作を説明し、他の回路の動作説明は省略する。
同図に示すように、前記過電流保護回路は、ＪタイプのＦＥＴＱ２と抵抗Ｒ１０、Ｒ１
１の直列回路で構成され、該抵抗Ｒ１０、Ｒ１１の直列回路は電源Ｖｃｃと前記電力用Ｆ
ＥＴＱ１のソースＳ１との間に接続される。そして、前記抵抗Ｒ１０、Ｒ１１の接続中点がＦＥＴＱ２のゲートＧ２に接続される。
前記ＦＥＴＱ２のソースＳ２は電源Ｖｃｃに、ドレインＤ２は前記差動増幅器ＩＣ１の
出力回路の抵抗Ｒ７とＲ８の接続中点に、それぞれ接続される。
該前記抵抗Ｒ１０、Ｒ１１の直列回路は、電力用ＦＥＴＱ１のソースＳ１の電位を検出
してＦＥＴＱ２のゲートＧ２へ、その分圧電位を入力する。ＦＥＴＱ２には、ゲート・ソ
ース間電圧のｇｍ（相互コンダクタンス）倍の電流がドレイン・ソース間に流れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ここで、電力用ＦＥＴＱ１に流れる電流が増加すると該電力用ＦＥＴＱ１のソースＳ２
の電位が下がり、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１の接続中点の電位が下がるため、ＦＥＴＱ２のゲート・ソース間電位が増加し、ドレインＤ２の電位、即ち、Ｒ７・Ｒ８の接続点の電位が低下して、電力用ＦＥＴＱ１のゲート電位が低下する。その結果、電力用ＦＥＴＱ１のソース・ドレイン間の電流を抑圧する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前述の図１、図７の温度制御回路においては、温度センサとしてサーミスタＴＨ１を使
用したが、温度センサとしてポジスタを使用することも可能である。この場合、図１の電
源Ｖｃｃと接地間のＲ5及びＴＨ１の直列回路をポジスタ及び抵抗の直列回路とし、該ポジスタをヒーター回路の一部としてサーミスタＴＨ１の代わりに金属製オーブンに収容する。
また、電源Ｖｃｃと電力用ＦＥＴＱ１のソースＳ１間に挿入する発熱体に温度ヒューズ
を用いることも可能であり、この温度ヒューズは、通常は抵抗体として動作し、過電流が
流れたときに溶断して回路を保護する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置用のカソード基板とアノード基板との間に取り付けられるもので、前記カソード基板側に突き当てられる一方のスペーサ端面に形成された第１の電極部と、前記アノード基板側に突き当てられる他方のスペーサ端面に形成された第２の電極部と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間のスペーサ表面に形成された第３の電極部とを有するスペーサの検査方法であって、
前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に第１の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗との比率を求め、この比率に基づいてスペーサの良否を判断する
ことを特徴とするスペーサの検査方法。
【請求項２】
前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に前記第１の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗を、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に前記第２の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗で割ったときの比率を求め、この比率が所定値以下となる条件を満たすか否かによってスペーサの良否を判断する
ことを特徴とする請求項１記載のスペーサの検査方法。
【請求項３】
前記第２の電圧は、前記表示装置の駆動時にカソード電極とアノード電極との間に印加される電圧と同等の電圧又はそれよりも高い電圧で設定される
ことを特徴とする請求項１記載のスペーサの検査方法。
【請求項４】
カソード基板とアノード基板との間に取り付けられるもので、前記カソード基板側に突き当てられる一方のスペーサ端面に形成された第１の電極部と、前記アノード基板側に突き当てられる他方のスペーサ端面に形成された第２の電極部と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間のスペーサ表面に形成された第３の電極部とを有するスペーサを備える表示装置の製造方法であって、
前記スペーサを取り付ける前に、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に第１の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗との比率を求め、この比率に基づいてスペーサの良否を判断し、良と判断したスペーサだけを取り付けに使用する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に前記第１の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗を、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に前記第２の電圧を印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗で割ったときの比率を求め、この比率が所定値以下となる条件を満たすか否かによってスペーサの良否を判断する
ことを特徴とする請求項４記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の電圧は、前記表示装置の駆動時にカソード電極とアノード電極との間に印加される電圧と同等の電圧又はそれよりも高い電圧で設定される
ことを特徴とする請求項４記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
表示装置用のカソード基板とアノード基板との間に取り付けられるもので、前記カソード基板側に突き当てられる一方のスペーサ端面に形成された第１の電極部と、前記アノード基板側に突き当てられる他方のスペーサ端面に形成された第２の電極部と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間のスペーサ表面に形成された第３の電極部とを有するスペーサの検査方法であって、
前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に１ｋＶを印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗Ｒuk1と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に１５ｋＶを印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗Ｒuk2との比率（Ｒuk1／Ｒuk2）を求め、この比率（Ｒuk1／Ｒuk2）が３．０よりも大きいか小さいかによってスペーサの良否を判断する
ことを特徴とするスペーサの検査方法。
【請求項８】
表示装置用のカソード基板とアノード基板との間に取り付けられるもので、前記カソード基板側に突き当てられる一方のスペーサ端面に形成された第１の電極部と、前記アノード基板側に突き当てられる他方のスペーサ端面に形成された第２の電極部と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間のスペーサ表面に形成された第３の電極部とを有するスペーサであって、
前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に１ｋＶを印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗Ｒuk1と、前記第１の電極部と前記第２の電極部との間に１５ｋＶを印加したときの当該電極間のスペーサ抵抗Ｒuk2との比率（Ｒuk1／Ｒuk2）が３．０よりも小さい
ことを特徴とするスペーサ。
【請求項９】
カソード基板と、アノード基板と、前記カソード基板と前記アノード基板の間に設けられるスぺーサーを備える表示装置の製造方法であって、
前記スペーサーに第１の電極部と第２の電極部を設ける工程と、
前記スペーサーを絶縁性液体に入れる工程と、
前記第１の電極部と第２の電極部に電圧をかける工程と、
を有する表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の電極部と第２の電極部に電圧をかける工程において、短絡、絶縁破壊等したスペーサーを除去することを特徴とする請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の電極部は前記カソード基板側の端面に形成されていることを特徴とする請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の電極部は前記アノード基板側の端面に形成されていることを特徴とする請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁性液体は、フッ素系液体であることを特徴とする請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
カソード基板と、アノード基板と、前記カソード基板と前記アノード基板の間に設けられるスぺーサーを備える表示装置の製造方法であって、
前記スペーサーに第１の電極部と第２の電極部を設ける工程と、
前記スペーサーに前記第１の電極部と第２の電極部の間に位置して第３の電極部を設ける工程と、
前記スペーサーを絶縁性液体に入れる工程と、
前記第１の電極部又は第２の電極部と、前記第３の電極部との間に電圧をかける工程と、
を有する表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上にソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に平坦化膜を含む層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に透明導電膜を形成し、
前記層間絶縁膜と、前記透明導電膜、又は前記層間絶縁膜と、前記透明導電膜と、前記ゲート絶縁膜と、を選択的に除去して前記ソース領域又は前記ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記透明導電膜上に前記ソース領域又は前記ドレイン領域に達する配線を選択的に形成し、
前記透明導電膜を選択的にエッチングして、前記配線と接続する発光素子の第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁を前記層間絶縁膜に含まれる材料と同一の材料により形成し、
前記第１の電極上にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に発光素子の第２の電極を形成して、発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記層間絶縁膜は、酸化珪素を含む膜と、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜からなる耐熱性平坦化膜を積層で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記耐熱性平坦化膜は、スピンコート法又はインクジェット法を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３において、
前記隔壁は、スピンコート法又はインクジェット法を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記第１の電極は、ＳｉＯｘを含むインジウム錫酸化物からなるターゲットを用いたスパッタ法で形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記配線は、導電膜を選択的にエッチング除去して形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板上に形成された下地膜と、
該下地膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタに接続された配線と、
該配線と接続された透明導電膜からなる第１の電極と、該電極上にＥＬ層と、該ＥＬ層上に第２の電極と、を有する発光素子と、を有する複数の画素からなる画素部を有する発光装置であって、
前記薄膜トランジスタと前記第１の電極の間には層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜上には前記第１の電極の端部を覆う、前記層間絶縁膜に含まれる材料と同一の材料からなる隔壁を有し、
前記第１の基板上の前記画素部の周縁部にシール材で貼り合わせられた第２の基板を有し、
前記第１の基板と、前記第１の電極と、前記層間絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と、前記下地膜は透光性を有し、酸化珪素を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
第１の基板上に形成された下地膜と、
該下地膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタに接続された配線と、
該配線と接続された透明導電膜からなる第１の電極と、該第１の電極上にＥＬ層と、該ＥＬ層上に第２の電極と、を有する発光素子と、を有する複数の画素からなる画素部を有する発光装置であって、
前記薄膜トランジスタと前記第１の電極の間には層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜上には前記第１の電極の端部を覆う、前記層間絶縁膜に含まれる材料と同一の材料からなる隔壁を有し、
前記第１の基板上の前記画素部の周縁部にシール材で貼り合わせられた第２の基板を有し、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記層間絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と、前記下地膜は透光性を有し、酸化珪素を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項７又は８のいずれか一項において、
前記層間絶縁膜は、酸化珪素を含む膜と、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜である耐熱性平坦化膜の積層からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記層間絶縁膜の側面はテーパー形状であり、前記周縁部において、前記酸化珪素を含む膜の側面と前記耐熱性平坦化膜の側面は同一平面に存在しないことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記耐熱性平坦化膜上の前記第１の電極が重ならない領域の表面は前記第１の電極の底面よりも前記第１の基板に近い位置にあることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一項において、
前記第１の電極が前記発光素子の陽極であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか一項において、
前記ＥＬ層は有機化合物を含む層であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１電極と、
上面に突起構造を有し、前記基板上に前記第１電極とは絶縁して形成された補助配線と、
発光層を含むと共に、前記基板上において前記第１電極を覆う有機層と、
この有機層を覆うと共に、前記突起構造の少なくとも先端部で前記補助配線に電気的に接続された第２電極と
を備えたことを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
前記補助配線は、凹凸構造を有する下地層と、前記下地層の凹凸構造を反映するように前記下地層上に形成された導電層との積層構造からなる
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記突起構造の側面の前記基板に対するテーパ角をθとすると、７０°＜θ＜９０°を満たす
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子。
【請求項４】
基板上に第１電極およびこの第１電極とは絶縁されると共に上面に突起構造を有する補助配線を形成する工程と、
前記基板上において前記第１電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成すると共に、前記突起構造の少なくとも先端部で前記第２電極と前記補助配線とを電気的に接続する工程と
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記補助配線として下地層および導電層を前記基板側から順に形成したのち、熱処理またはエッチングにより前記導電層の上面に前記突起構造を形成する
ことを特徴とする請求項４記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記補助配線として複数の突起を含む凹凸構造を有する下地層を形成したのち前記下地層を導電層で覆うことにより前記導電層の上面に前記下地層の複数の突起を反映させる
ことを特徴とする請求項４記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項７】
基板に複数の有機発光素子を有する表示装置であって、
前記有機発光素子は、
基板上に形成された第１電極と、
上面に突起構造を有し、前記基板上に前記第１電極とは絶縁して形成された補助配線と、
発光層を含むと共に、前記基板上において前記第１電極を覆う有機層と、
この有機層を覆うと共に、前記突起構造の少なくとも先端部で前記補助配線に電気的に接続された第２電極と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記複数の有機発光素子の各々に対応する能動素子を有し、アクティブマトリクス方式により駆動される
ことを特徴とする請求項７記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
補助配線１８は、第２電極１７における電圧降下を抑制するものであり、上面に突起構造１８Ａを有している。突起構造１８Ａは、補助配線１８の上面が有機層１６に完全に覆われないようにして、突起構造１８Ａの先端部で補助配線１８と第２電極１７とを電気的に接続させるためのものである。この突起構造１８Ａとしては、例えば図２に示したように、補助配線１８が、下地層１８１と導電層１８２とが基板１１の側から順に積層され、導電層１８２の上面に突起構造１８Ａが形成されたものが好ましい。また、例えば図３に示したように、複数の突起を含む凹凸構造を有する下地層１８１を形成したのち、この下地層１８１を導電層１８２で覆うようにしてもよい。これにより導電層１８２の上面に下地層１８１の突起を反映させて、突起構造１８Ａを形成することができる。特に、図２に示した補助配線１８は、導電層１８２の材料あるいは厚みを調整することにより第２電極１７のシート抵抗を低減する効果をより高めることができるので好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
突起構造１８Ａの側面の基板１１の平坦面１１Ａに対するテーパ角θは、有機層１６を形成する工程において補助配線１８の上面が有機層１６により完全に覆われない角度であることが好ましい。具体的には、補助配線１８の材料により異なりうるが、例えば７０°＜θ＜９０°を満たすことが好ましい。例えばテーパ角θが７０°程度であれば、突起構造１８Ａは図４に示したような錐状の突起となり、例えばテーパ角θが９０°であれば、突起構造１８Ａは図５に示したような柱状の突起となる。また、特に、補助配線１８を図３に示した構成とする場合には、下地層１８１の凹凸構造における複数の突起は、尖ったものであることが好ましい。突起構造１８Ａの側面のテーパ角θが、下地層１８１の複数の尖った突起に対応して、有機層１６を形成する工程において補助配線１８の上面が有機層１６により完全に覆われない程度に大きくなるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
そののち、図１５（Ａ）に示したように、平坦化層１３の上の補助配線１８の形成予定位置に、複数の尖った突起を含む凹凸構造を有する下地層１８１を形成する。下地層１８１としては、例えばリソグラフィ技術を用いてポリイミドなどの絶縁材料よりなるものを形成してもよく、あるいは、直流スパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）などの導電材料よりなる膜を成膜したのちリソグラフィ技術を用いてパターニングしてもよい。直流スパッタリング条件としては、スパッタガスとして例えばアルゴン（Ａｒ）を用い、圧力を０．５Ｐａ、出力を３００Ｗとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
続いて、図１５（Ｂ）に示したように、平坦化層１３の上に、図８（Ａ）および図６に示した工程により、例えば、上述した厚みおよび材料よりなる第１電極１４を形成する。このとき、補助配線１８の導電層１８２を第１電極１４と同一工程で形成し、下地層１８１を導電層１８２で覆うことにより導電層１８２の上面に下地層１８１の複数の突起を反映させて、突起構造１８Ａを形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
続いて、図１６（Ａ）に示したように、平坦化層１３の上に、例えば、上述した厚みおよび材料よりなる第１電極１４を形成する。このとき、複数の尖った突起を含む凹凸構造を有する下地層１８１を第１電極１４と同一工程で形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
そののち、図１６（Ｂ）に示したように、平坦化層１３の上に、例えば直流スパッタリング法により、クロム（Ｃｒ）などよりなる導電層１８２を成膜したのちリソグラフィ技術を用いてパターニングし、下地層１８１を導電層１８２で覆うことにより導電層１８２の上面に下地層１８１の複数の突起を反映させて、突起構造１８Ａを形成する。直流スパッタリング条件としては、スパッタガスとして例えばアルゴン（Ａｒ）を用い、圧力を０．５Ｐａ、出力を３００Ｗとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層およびクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子であって、
前記埋め込み層は、リン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含む
ことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記クラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子であって、
前記埋め込み層は、リン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含む
ことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記埋め込み層の屈折率は前記発光層の屈折率よりも小さく、かつ前記埋め込み層と前記発光層との屈折率差が０．００１以上である
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記埋め込み層の屈折率は前記発光層の屈折率よりも小さく、かつ前記埋め込み層と前記クラッド層との屈折率差が０．００１以上である
ことを特徴とする請求項２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記埋め込み層の屈折率は前記発光層の屈折率よりも小さく、かつ前記埋め込み層と前記発光層との屈折率差が０．０５以上である
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記埋め込み層の屈折率は前記発光層の屈折率よりも小さく、かつ前記埋め込み層と前記クラッド層との屈折率差が０．０５以上である
ことを特徴とする請求項２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記埋め込み層の屈折率は前記発光層の屈折率よりも小さく、かつ前記埋め込み層と前記クラッド層との屈折率差が０．００１未満である
ことを特徴とする請求項２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記埋め込み層のｃ軸方向の格子定数が０．５１８９ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記埋め込み層のａ軸方向の格子定数が０．３１８４ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記埋め込み層に含まれるリン原子またはヒ素原子が、この窒化物半導体のＩＩＩ族サイトに添加されている
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記埋め込み層は、実質的にドーパントを含まず、かつその導電性がｎ型である
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記埋め込み層がさらにアルミニウム原子を含む
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記埋め込み層が、リン原子またはヒ素原子の原子分率が異なる複数の層が積層されてなる多層膜構造または超格子構造である
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記埋め込み層が、リン原子またはヒ素原子を含む層と、リン原子及びヒ素原子をともに含まない半導体層とが複数積層されてなる多層膜構造または超格子構造である
ことを特徴とする請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
請求項１または２記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子を用いた光学装置。
【請求項１６】
基板上に発光層を成長させる工程と、前記発光層上にクラッド層を成長させる工程と、前記発光層および前記クラッド層の両側面に接する埋め込み層を前記基板上に成長させる埋め込み層成長工程とを有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記埋め込み層成長工程は、
リン源またはヒ素源と、窒素源とを少なくとも含有したガスを基板上に供給し、
リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれたＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体層を成長させる工程である
ことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】
基板上に発光層を成長させる工程と、前記発光層上にクラッド層を成長させる工程と、前記クラッド層の両側面に接する埋め込み層を前記基板上に成長させる埋め込み層成長工程とを有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記埋め込み層成長工程は、
リン源またはヒ素源と、窒素源とを少なくとも含有したガスを基板上に供給し、
リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれたＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体層を成長させる工程である
ことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１８】
前記埋め込み層成長工程では、前記基板が７００℃以上１０５０℃以下に調熱されている
ことを特徴とする請求項１６または１７記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記埋め込み層成長工程は、さらに水素と窒素との混合ガスを供給し、この混合ガスにおける窒素の割合が０．０１％以上５０％以下である
ことを特徴とする請求項１６または１７記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記リン源がホスフィンであり、前記窒素源がアンモニアであり、前記ホスフィンと前記アンモニアとをあらかじめ混合した後、これを基板上に供給して基板反り抑制層を成長させる
ことを特徴とする請求項１６または１７記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２１】
前記混合したホスフィンとアンモニアとの体積比が１：３５以上１：３５×１０4以下である
ことを特徴とする請求項２０記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に接して設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、
前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含み、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である
ことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記基板反り抑制層のｃ軸方向の格子定数が０．５１８９nm以下である
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記基板反り抑制層のａ軸方向の格子定数が０．３１８４ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記基板反り抑制層に含まれているリン原子またはヒ素原子が、前記基板反り抑制層を構成する窒化物半導体の結晶構造におけるＩＩＩ族サイトに添加されている
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記基板が窒化物半導体以外の材質からなり、
前記基板と前記基板反り抑制層との間に、さらに、７３ｎｍ以上の層厚を有する下部窒化物半導体層が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記基板反り抑制層と前記上部窒化物半導体層とが繰り返して積層された、多層膜構造または超格子構造を含む
ことを特徴とする請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記上部窒化物半導体層の層厚が７３ｎｍ以上５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項６記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記多層膜構造または前記超格子構造の、基板反り抑制層と上部窒化物半導体層との両層または片方の層のみに、ＳｉあるいはＭｇが添加される
ことを特徴とする請求項６または７に記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子。
【請求項９】
請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子を備えた半導体装置。
【請求項１０】
基板上に窒化物半導体からなる基板反り抑制層を成長させる基板反り抑制層成長工程と、前記基板反り抑制層上に窒化物半導体層をさらに成長させる工程とを備えたＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記基板反り抑制層成長工程は、
リン源またはヒ素源と、窒素源とを少なくとも含有したガスを基板上に供給し、
リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれ、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体層を成長させる工程である
ことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記基板反り抑制層成長工程では、前記基板が７００℃以上１０５０℃以下に調熱されている
ことを特徴とする請求項１０記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記基板反り抑制層成長工程は、水素と窒素との混合ガスを供給し、その混合ガスにおける窒素の割合が０．０１％以上５０％以下である
ことを特徴とする請求項１０記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記リン源がホスフィンであり、前記窒素源がアンモニアであり、前記ホスフィンと前記アンモニアとをあらかじめ混合した後、これを基板上に供給して基板反り抑制層を成長させる
ことを特徴とする請求項１０記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記混合したホスフィンとアンモニアとの体積比が１：３５以上１：３５×１０4以下
である
ことを特徴とする請求項１３記載のＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月11日(2006.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基体上に配された第１導電型のエピタキシャル層と、
前記半導体基体と前記エピタキシャル層との間に配された第２導電型の第１の埋め込み層と、
前記エピタキシャル層内に配された、第１導電型のＭＯＳＦＥＴのソース及びドレインを有する第２導電型のウエルと、を有しており、
前記エピタキシャル層は、光電変換素子が配された第１の領域と駆動回路が配された第２の領域とを有し、
前記第２導電型のウエルは、前記第１の領域と前記第２の領域の少なくともいずれかに配され、
前記第１の埋め込み層は、前記第１の領域の下部と前記第２の領域の下部とに延在している光電変換装置において、
前記第２導電型のウエルの下部と前記第１の埋め込み層との間に第１導電型の第２の埋め込み層が配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第２導電型のウエルが間隔を空けて複数配されており、
前記第２導電型の複数のウエルに対応して前記第２の埋め込み層が配されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２導電型の複数のウエルの間に、第１導電型のウエルが配され、該第１導電型のウエル内に第２導電型のＭＯＳＦＥＴが配されていることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第２導電型のウエルが前記第２の領域に配されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２導電型のウエルが前記第１の領域に配されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２導電型のウエル内に前記光電変換素子と、該光電変換素子に隣接する第２導電型の半導体領域が配され、
前記第２導電型の半導体領域の下部まで前記第２の埋め込み層が配されていることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラ等の撮像素子として用いられる光電変換装置に関する。該光電変換装置は、フォトダイオードのアノードもしくはカソードの一部に埋め込み層を有した、センサ構造を持つＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等の半導体装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の問題点を解決するため、本発明では、基体全面に延在している第１の埋め込み層とウエルの間の領域に、エピタキシャル層と同一導電型で、ウエル分離用の第２の埋め込み層を挿入することを考案した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そこで、本発明の光電変換装置は、第１導電型の半導体基体上に配された第１導電型のエピタキシャル層と、前記半導体基体と前記エピタキシャル層との間に配された第２導電型の第１の埋め込み層と、前記エピタキシャル層内に配された、第１導電型のＭＯＳＦＥＴのソース及びドレインを有する第２導電型のウエルと、を有しており、前記エピタキシャル層は、光電変換素子が配された第１の領域と駆動回路が配された第２の領域とを有し、前記第２導電型のウエルは、前記第１の領域と前記第２の領域の少なくともいずれかに配され、前記第１の埋め込み層は、前記第１の領域の下部と前記第２の領域の下部とに延在している光電変換装置において、前記第２導電型のウエルの下部と前記第１の埋め込み層との間に第１導電型の第２の埋め込み層が配されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系において、
前記光源からの光束を、第１の回折光学素子に入射する光束と第２の回折光学素子に入射する光束とに分割する分割光学系と、
前記第１の回折光学素子からの光束の偏光状態を調節する第１の偏光ユニットと、
前記第２の回折光学素子からの光束の偏光状態を調節する第２の偏光ユニットと、
前記第１の回折光学素子からの光束と前記第２の回折光学素子からの光束とを統合して前記被照射面へと導く統合光学系と、を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記第１の回折光学素子からの光束の光量を調節する手段及び／又は前記第２の回折光学素子からの光束の光量を調節する手段を有することを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項３】
前記第１及び／又は第２の回折光学素子に入射する光束の光路に遮光手段が設けられていることを特徴とする請求項２記載の照明光学系。
【請求項４】
前記第１の回折光学素子からの光束の光量と前記第２の回折光学素子からの光束の光量とを検出する検出器を有し、
前記第１の回折光学素子からの光束の光量と前記第２の回折光学素子からの光束の光量との比を前記手段により調整することを特徴とする請求項２記載の照明光学系。
【請求項５】
前記光源からの光束で複数の２次光源を形成するインテグレータを有し、
前記統合光学系は、該インテグレータの入射面で前記第１，第２の回折光学素子からの光束を統合することを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項６】
前記統合光学系はズーム光学系を有することを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項７】
前記第１又は第２の偏光ユニットは、回転可能なλ／２板を有することを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項８】
前記第１又は前記第２の回折光学素子は、回転可能であることを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項９】
光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系において、
前記光源からの光束が入射する第１，第２の回折光学素子を有し、
前記被照射面と実質的にフーリエ変換の関係となる面における照度分布のうち第１の部分を前記第１の回折光学素子からの光束が形成し、該照度分布のうち第２の部分を前記第２の回折光学素子からの光束が形成することを特徴とする照明光学系。
【請求項１０】
前記光源からの光束が入射する第３，第４の回折光学素子を有し、
前記照度分布のうち第３の部分を前記第３の回折光学素子からの光束が形成し、前記照度分布のうち第４の部分を前記第４の回折光学素子からの光束が形成することを特徴とする請求項９記載の照明光学系。
【請求項１１】
前記第１の部分を照明する光束の偏光状態と、前記第２の部分を照明する光束の偏光状態とは互いに直交する直線偏光であることを特徴とする請求項１３記載の照明光学系。
【請求項１２】
複数の光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系において、
前記複数の光源のうち第１の光源からの光束が入射する第１の回折光学素子と、
前記複数の光源のうち第２の光源からの光束が入射する第２の回折光学素子と、
前記第１の回折光学素子からの光束の偏光状態を調節する第１の偏光ユニットと、
前記第２の回折光学素子からの光束の偏光状態を調節する第２の偏光ユニットと、
前記第１の回折光学素子からの光束と前記第２の回折光学素子からの光束とを統合して前記被照射面へと導く統合光学系と、を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項１３】
光源からの光束で被照明面を照明する照明光学系において、
回折光学素子と偏光ユニットを有する第１，第２の光学系と、
前記第１の光学系からの光束と前記第２の光学系からの光束とを統合して前記被照射面へと導く統合光学系と、を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項１４】
レチクルを照明する請求項１〜１３のいずれか一項記載の照明光学系と、該レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
前記第１の回折光学素子からの光束の光量と前記第２の回折光学素子からの光束の光量とを検出する検出器を有し、
前記第１の回折光学素子からの光束の光量と前記第２の回折光学素子からの光束の光量との比を調整することを特徴とする請求項１４記載の露光装置。
【請求項１６】
前記照明光学系は、前記レチクル面に相当する位置における光量をモニタするモニタ部を有し、
前記バランスの調整に応じて、該モニタのキャリブレーションを行うことを特徴とする請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記検出器は、前記レチクル面又は前記基板面に相当する位置における光量を検出することを特徴とする請求項１５記載の露光装置。
【請求項１８】
請求項１４〜１７のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属の焼結体からなる陽極体に誘電体皮膜層、固体電解質層、陰極引出層を順次形成し、前記陽極体の一端面に陽極リード部材が植立され、前記陽極リード部材が陽極リードフレームと接続される固体電解コンデンサにおいて、前記陽極リードフレームの前記陽極リード部材との接続部の接触面積が、前記陽極リードフレームの平坦な面と陽極リードの平坦な面とを接触させる場合の接触面積に比べて、小さくなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
請求項１記載の固体電解コンデンサにおいて、前記陽極リードフレームの前記陽極リード部材との接続部に凹凸部を設けたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項３】
請求項１記載の固体電解コンデンサにおいて、前記陽極リードフレームの前記陽極リード部材との接続部に梨地加工部を設けたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項４】
請求項１記載の固体電解コンデンサにおいて、前記陽極リードフレームの前記陽極リード部材との接続部にディンプル加工部を設けたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月11日(2006.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と足部を有する半導体レーザ（以下ＬＤと称す）と、ＬＤ基板と、ＬＤホルダと、を有する光源ユニットであって、前記ＬＤホルダは比較的熱伝導率の高い材料からなり、前記ＬＤ本体部は前記ＬＤホルダに取り付けられ、さらに前記足部は前記ＬＤ基板に取り付けられ、該ＬＤ基板は比較的熱伝導率の低い材料からなる基板ホルダを介して前記ＬＤホルダに取り付けられることを特徴とする光源ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の光源ユニットにおいて、前記ＬＤ本体部の前記ＬＤホルダへの取付は電気的絶縁部材を介することを特徴とする光源ユニット。
【請求項３】
請求項２に記載の光源ユニットにおいて、前記電気的絶縁部材として比較的熱伝導率の高い材料を用いることを特徴とする光源ユニット。
【請求項４】
請求項２または３に記載の光源ユニットにおいて、前記電気的絶縁部材はセラミック材料からなることを特徴とする光源ユニット。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光源ユニットにおいて、前記比較的熱伝導率の高い材料として銅合金を用いることを特徴とする光源ユニット。
【請求項６】
請求項５に記載の光源ユニットにおいて、前記銅合金としてクロム銅を用いることを特徴とする光源ユニット。
【請求項７】
請求項１または６のいずれか１つに記載の光源ユニットにおいて、前記比較的熱伝導率の低い材料として樹脂材料を用いることを特徴とする光源ユニット。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１つに記載の光源ユニットにおいて、前記ＬＤホルダにペルチエ素子を密着させたことを特徴とする光源ユニット。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１つに記載の光源ユニットを用いたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、ＬＤは通常本体部となる密閉した缶構造の金属容器の中に発光点を有している。ＬＤは画像情報により点滅を繰り返すため、不所望な電波ノイズを発生しやすい。ＬＤの缶がＬＤホルダと電気的に接続されていると、ＬＤホルダがアンテナの役目をして電波ノイズが放射されて好ましくないと言われている（例えば、特許文献２  参照。）。そのため、特許文献２ではＬＤとＬＤホルダの間には電気的絶縁材を介在させる構成を採っている。しかしながらこの構成では、熱伝導性に関しての考慮が示されておらず、温度制御が難しくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の発明では、本体部と足部を有する半導体レーザ（以下ＬＤと称す）と、ＬＤ基板と、ＬＤホルダと、を有する光源ユニットであって、前記ＬＤホルダは比較的熱伝導率の高い材料からなり、前記ＬＤ本体部は前記ＬＤホルダに取り付けられ、さらに前記足部は前記ＬＤ基板に取り付けられ、該ＬＤ基板は比較的熱伝導率の低い材料からなる基板ホルダを介して前記ＬＤホルダに取り付けられることを特徴とする。
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の光源ユニットにおいて、前記ＬＤ本体部の前記ＬＤホルダへの取付は電気的絶縁部材を介することを特徴とする。
請求項３に記載の発明では、請求項２に記載の光源ユニットにおいて、前記電気的絶縁部材として比較的熱伝導率の高い材料を用いることを特徴とする。
請求項４に記載の発明では、請求項２または３に記載の光源ユニットにおいて、前記電気的絶縁部材はセラミック材料からなることを特徴とする。
請求項５に記載の発明では、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光源ユニットにおいて、前記比較的熱伝導率の高い材料として銅合金を用いることを特徴とする。
請求項６に記載の発明では、請求項５に記載の光源ユニットにおいて、前記銅合金としてクロム銅を用いることを特徴とする。
請求項７に記載の発明では、請求項１または６のいずれか１つに記載の光源ユニットにおいて、前記比較的熱伝導率の低い材料として樹脂材料を用いることを特徴とする。
請求項８に記載の発明では、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の光源ユニットにおいて、前記ＬＤホルダにペルチエ素子を密着させたことを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれか１つに記載の光源ユニットを用いた画像形成装置を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記動作条件が閾値電圧であることを特徴とする、請求項３に記載の半導体集積回路の設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記動作条件が電源電圧であることを特徴とする、請求項３に記載の半導体集積回路の設計方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
実際の半導体集積回路では、１０年の耐用時間が経過して、第１のクロック信号ＣＫ１の遅延時間ｔ１が５％長くなったときに、第２のクロック信号ＣＫ２の遅延時間ｔ２も２％長くなっている。したがって、第１のクロック信号ＣＫ１に同期して動作する第１のフリップフロップ４２と、第２のクロック信号ＣＫ２に同期して動作する第２のフリップフロップ４４との間のタイミング制約には、遅延変動量の最悪値（５％）ではなく、遅延変動量の差（３％）を、経年劣化に伴う遅延時間変動を吸収するための設計マージンとして設定すれば十分である。この遅延変動量の差を、経年劣化に伴う遅延時間変動を吸収するための設計マージンとして設定した上で半導体集積回路を設計すれば、設計された半導体集積回路は、耐用時間内では正しく動作することを保証できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
第２の変形例に係る方法を、図２２に示すクロック回路を含む半導体集積回路に適用する場合の詳細を説明する。図２２は、図２０に示したクロック回路を、各クロック経路上に存在する配線の遅延時間および配線の幅とともに示した図である。図２２において、配線に付された記号ｄ＊＊（＊は１文字の数字）は各配線の遅延時間を、記号Ｗ１〜３は、それぞれ１〜３倍幅の配線を表す（ステップＳ４１２）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここで、電気的異方性とは、有機結晶構造のａ軸、ｂ軸、ｃ軸における電気伝導度の内、最も大きな電気伝導度σMAXと、最も小さな電気伝導度σMINとの割合（σMAX／σMIN）の値が１．２５以上であることを意味する。また、半導体層とは、体積抵抗率が１０-4Ω・ｍ乃至１０12Ω・ｍのオーダーを有する層を指す。