【事件の表示】
　平成　４年特許願第１８５０４１号「光ディスク」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　２月　４日出願公開、特開平　６−　２８７１３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年７月１３日の出願であって、その請求項１〜２に係る発明は、平成１３年４月２５日付け手続補正及び平成１３年８月２日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されたとおりのもの認められるところ、その請求項２記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものと認める。
　【請求項２】「基板の上に直接又は中間層を介して、読み出し又は書き込みのために照射される波長が３１０〜８９０ｎｍの光ビームの径を絞るためのシャッタ層を備え、該シャッタ層は、ガラス又は樹脂のマトリックスの中に、ＧａＡｓ、アモルファスＳｉ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、およびアモルファスＳｉＣの中から選ばれた少なくとも１種の半導体微粒子を分散させてなり、前記マトリックスの材料は、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、低アルカリガラス、石英ガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、アモルファスポリオレフィン、エポキシのうちのいずれかであることを特徴とする光ディスク。」
　
ＩＩ．先願明細書
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前の他の出願であって、その後に出願公開された特願平４−１４０５００号（出願日：平成４年６月１日、特開平５−３３４７２６号公報参照、公開日：平成５年１２月１７日）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、
　（i）「再生レーザー光を空間的に絞り込み、記録層を照射し、該記録層からの反射光量変化、または透過光量変化、または発光量変化を検出して記録を再生する光記録媒体において、再生レーザー光強度の増大に伴い吸収係数が減少する非線形光吸収特性を示す非線形光吸収層を有することを特徴とする光記録媒体。」（特許請求の範囲の請求項１参照）、および、
　（ii）「【産業上の利用分野】　本発明は、記録密度の高い光記録媒体および光記録再生方法に関する。」（段落【０００１】参照）こと、
　（iii）「【従来の技術】　光ビームを用いて情報の記録・再生を行なうことが可能な光記録媒体は、高密度情報記録媒体として注目されている。このような光記録媒体は、予め形成されている記録ピットの読み出しを行なう再生専用型の光ディスクと、書き込み可能型の光ディスクに大別される。」（段落【０００２】参照）こと、
　（iv）「・・・（前略）・・・。　そこで、本発明では、集光光学系の開口数、再生レーザー光の波長をかえることなく焦点面におけるスポット径を従来より飛躍的に縮小することを目的とする。」（段落【０００６】参照）こと、
　（v）「【実施例１】６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーを再生光源とし、開口数０．５の集光光学系を用いて、図４に示す装置系を構成した。媒体としては、図５に示す構造の光記録媒体を用いた。ここで、非線形光吸収層として一般に半導体ドープガラスと呼ばれている材料を用いた。この材料は、ＣｄＳｅやＣｄＳ等のII−VI化合物結晶やその３元系結晶の微結晶をガラス中に分散させたもので、微結晶の組成、粒径分布を制御することにより、所望の波長域で大きな飽和吸収を示す。　・・・（後略）。」（段落【００１５】参照）こと、
　（vi）「【実施例３】実施例１と同じ装置を用い、光記録媒体としては図８に示すものを用いた。ここで基板（ｒ）は透明なＰＭＭＡを用い、鋳型法により直径約０．３５μｍの記録ピットを形成した。非線形光吸収層は実施例１で用いた半導体ドープガラスをスパッタリング法により上記ＰＭＭＡ基板のピットが形成されている面に成膜した。膜厚は約３〜１０μｍである。但し、薄膜で充分な光学濃度を得るために、ＣｄＳｅあるいはＣｄＳ濃度を非常に高くしてある。光学濃度は６２０ｎｍで２．０以上、６３３ｎｍで１．０、６４０ｎｍで０．１であった。その後、反射膜（Ａｌ）を１０００Å積層し、アクリル系接着剤とアクリル板を用いて封止した。　また、比較のため記録ピットの形成の後、非線形光吸収層である半導体ドープガラスの成膜をせずに反射膜の成膜及び封止を行なった比較サンプルを用意した。　実施例１の方法に従い、記録信号の再生を行なった。　このとき再生用光源として６３３ｎｍＨｅ−Ｎｅレーザーを用いた。　非線形光吸収層（１）を形成したサンプルでは記録の再生ができたが、形成しなかった比較サンプルでは再生信号は得られなかった。　・・・（後略）。」（段落【００１９】〜【００２０】参照）こと、
　（vii）「【発明の効果】　以上のように、本発明の光記録媒体によれば、再生光学系の開口数、再生光源の波長をかえなくても、再生光のスポット光を小さくすることができ、従来より高密度の記録が可能となる。　・・・（後略）。」（段落【００２１】参照）ことが記載され、
　（viii）図８として、記録ピットが形成されたＰＭＭＡの上に、順に半導体ドープガラス、Ａｌ膜、接着剤、アクリル板が積層され（注：それらの用語は図中に明記）、ＰＭＭＡ側から光を照射している図が示されている。
　
　これらの記載からすると、先願明細書には、焦点面におけるスポット径を従来より飛躍的に縮小することができる光ディスクであって、
「基板の上に直接に、再生のために照射される波長が６３３ｎｍのレーザー光の焦点面における径を縮小するための非線形光吸収層を備え、該非線形光吸収層は、ガラス中に、ＣｄＳｅの微結晶からなる半導体を分散させてなる光ディスク。」
の発明（以下、「先願発明」という。）が開示されているものと認める。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　本願発明と先願発明とを対比すると、先願発明の「再生のために照射される波長が６３３ｎｍのレーザー光の焦点面における径を縮小するための非線形光吸収層」、「該非線形光吸収層」、「ガラス中に」、「ＣｄＳｅの微結晶からなる半導体を分散させて」は、それぞれ本願発明の「読み出しのために照射される波長が３１０〜８９０ｎｍの光ビームの径を絞るためのシャッタ層」、「該シヤッタ層」、「ガラスのマトリックスの中に」、「ＣｄＳｅの半導体微粒子を分散させて」に相当する。
　そうであるから、両者は、本願発明の用語を用いて表現すれば、読み出しのための光ビーム径を絞ることのできる光ディスクであって、「基板の上に直接、読み出しのために照射される波長が３１０〜８９０ｎｍ内である６３３ｎｍの光ビームの径を絞るためのシャッタ層を備え、該シャッタ層はガラスのマトリックスの中に、ＣｄＳｅの半導体微粒子を分散させてなる光ディスク。」の発明である点で一致する。
　他方、「ガラスのマトリックス材料」に関して、本願発明では「ソーダライムガラス、無アルカリガラス、低アルカリガラス、石英ガラス」と規定されているのに対して、先願発明にはそのような規定の明記がない点で形式的に相違する。
　この点に関して更に検討する。
　本願発明において、ガラスとしてそのような材質を用いるのは、「用いる光源の波長で十分な透明度をもつことが必要とされる。」（本願明細書段落【００１４】）ためであるとされているところ、先願発明においても、ガラスのマトリックス材料は、用いる光源の波長で十分な透明度が要求されることは明らかであるから、公知の各種ガラスからこのような特性を有するものを当然選択使用しているものと認められ、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、低アルカリガラス、石英ガラス等が透明性に優れているガラスとして先願の出願時に良く知られていることからすると、先願明細書においてこれらのガラスを使用することが言及されていなくても、適宜採用し得る程度のものとするのが相当である。　なお、半導体（微粒子）ドープガラスは周知の材料であり、ガラスとしてＳｉＯ２ （石英ガラス）などが適宜用いられている（一例として、特開平２−３０７８３２号公報や特開平１−１５２４３１号公報など参照）。
　よって、前記形式的に相違するとした点は、実質的な相違であるということができない。
　
ＩＶ．まとめ
  したがって、本願発明は、先願発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願時に、その出願人が他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。