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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板電極を備えた回路基板に、部品電極を備えた電子部品が実装されてなる電子部品実装体であって、
前記基板電極と前記部品電極とが導電性樹脂である第１の樹脂を介して接合されており、
前記電子部品の前記回路基板と対向する面とは反対の面から、前記回路基板の前記電子部品と対向する面にかけて形成された第２の樹脂を備え、
前記第２の樹脂が前記電子部品の部品電極および電子部品本体を覆っていることを特徴とする電子部品実装体。
【請求項２】
前記第２の樹脂が、前記部品電極の前記基板電極と対向する面とは反対の面から、前記部品電極と対向する前記基板電極にかけて形成されている請求項１に記載の電子部品実装体。
【請求項３】
前記第２の樹脂が、導電性樹脂である請求項１または２に記載の電子部品実装体。
【請求項４】
前記第２の樹脂が、絶縁性樹脂である請求項１または２に記載の電子部品実装体。
【請求項５】
基板電極を備えた回路基板に、部品電極を備えた電子部品を実装してなる電子部品実装体であって、
前記基板電極が、前記回路基板の前記電子部品と対向する面とは反対の面に形成され、前記部品電極が、前記回路基板に形成された貫通孔に挿入されており、
前記部品電極と前記基板電極とが、導電性樹脂によって接合されていることを特徴とする電子部品実装体。
【請求項６】
前記部品電極の一部が、前記回路基板の前記基板電極が形成された面から突出し、且つ、前記導電性樹脂で被覆されている請求項５に記載の電子部品実装体。
【請求項７】
前記部品電極の一部が、前記回路基板の前記基板電極が形成された面から突出し、且つ、屈曲している請求項５または６に記載の電子部品実装体。
【請求項８】
基板電極を備えた回路基板に、部品電極を備えた電子部品を実装してなる電子部品実装体であって、
前記基板電極と前記部品電極とが金属フィラーを含む導電性樹脂を介して接合されており、
前記導電性樹脂と前記部品電極との界面および前記導電性樹脂と前記基板電極との界面の少なくとも一方において、前記金属フィラーが前記部品電極または前記基板電極と金属結合を形成しており、
且つ、前記導電性樹脂内部の少なくとも一部において、前記金属フィラー同士が金属結合を形成することなく接触していることを特徴とする電子部品実装体。
【請求項９】
前記導電性樹脂内部の少なくとも一部において、前記金属フィラーが、前記部品電極と前記基板電極との間に電流を流したとき前記電流が流れる方向に略垂直な方向に隣接する別の前記金属フィラーと、金属結合を形成することなく接触している請求項８に記載の電子部品実装体。
【請求項１０】
前記金属フィラーの表面が、半田、スズ、亜鉛、鉛、銀、インジウムおよびビスマスから選ばれる少なくとも１種の金属で構成されている請求項８または９に記載の電子部品実装体。
【請求項１１】
前記部品電極および前記基板電極の少なくとも一方の表面が、半田、スズ、亜鉛、鉛、銀、インジウムおよびビスマスから選ばれる少なくとも１種の金属で構成されている請求項８または９に記載の電子部品実装体。
【請求項１２】
回路基板に形成された基板電極と、電子部品に形成された部品電極とを、導電性樹脂である第１の樹脂を介して接合する工程と、
前記回路基板および前記電子部品の品質を検査する工程と、
前記電子部品の前記回路基板と対向する面とは反対の面から、前記回路基板の前記電子部品と対向する面にかけて、第２の樹脂を形成する工程とを、この順で含むことを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項１３】
前記回路基板および前記電子部品の品質を検査する工程の後であって、前記第２の樹脂を形成する工程の前に、前記回路基板に接合された前記電子部品を、別の電子部品と交換する工程を実施する請求項１２に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１４】
回路基板に形成された基板電極と、電子部品に形成された部品電極とを、金属フィラーを含む導電性樹脂を介して接合する工程と、
前記導電性樹脂内部に前記金属フィラー同士が金属結合を形成することなく接触している領域を残存させながら、前記基板電極および前記部品電極の少なくとも一方と、前記金属フィラーとの間に金属結合を形成させる工程とを含むことを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項１５】
前記金属結合を形成させる工程が、前記基板電極および前記部品電極の少なくとも一方に、赤外線を照射する工程である請求項１４に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１６】
前記金属結合を形成させる工程が、前記基板電極および前記部品電極の少なくとも一方に、超音波を印加する工程である請求項１４に記載の電子部品実装体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の第１の電子部品実装体は、基板電極を備えた回路基板に、部品電極を備えた電子部品が実装されてなる電子部品実装体であって、前記基板電極と前記部品電極とが導電性樹脂である第１の樹脂を介して接合されており、前記電子部品の前記回路基板と対向する面とは反対の面から、前記回路基板の前記電子部品と対向する面にかけて形成された第２の樹脂を備え、前記第２の樹脂が前記電子部品の部品電極および電子部品本体を覆っていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
フィードバック付遅延回路２４より出力される遅延信号はフィードバック初期化Ｐｃｈトランジスタ２５のゲート、インバータ２７の入力にも付与される。フィードバック初期化Ｐｃｈトランジスタ２５のソースは電源に接続され、ドレインはフィードバック経路Ｌ２に接続される。フィードバック経路Ｌ２はフィードバック付遅延回路２１〜２４それぞれの遅延制御入力端に共通に接続される。インバータ２７の出力はフィードバックスイッチＰｃｈトランジスタ２６のゲートに付与され、フィードバックスイッチＰｃｈトランジスタ２６のドレインはフィードバック経路Ｌ２に接続され、ソースは出力端子２に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
フィードバック付遅延回路２０より出力される遅延信号はインバータ２８を介してフィードバック初期化Ｐｃｈトランジスタ２６のゲート及びフィードバック初期化Ｐｃｈトランジスタ２５のゲートに付与される。フィードバック初期化Ｐｃｈトランジスタ２５のソースは電源に接続され、ドレインはフィードバック経路Ｌ１２に接続される。フィードバック経路Ｌ１２はフィードバック付遅延回路２０の遅延制御入力端に接続される。フィードバックスイッチＰｃｈトランジスタ２６のドレインはフィードバック経路Ｌ１に接続され、ソースは出力端子２に接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図６はフィードバック付遅延回路１０の内部構成を示す回路図である。同図に示すように、入力端４４，出力端４５間に３段のインバータＩ４１〜Ｉ４３が直列に接続されており、インバータＩ４１はＰｃｈトランジスタＴ４１及びＮｃｈトランジスタＴ４２からなるＣＭＯＳ構成の接地側にＮｃｈトランジスタＴ４７がさらに追加形成され、ＰｃｈトランジスタＴ４１のゲートが入力端４４に接続され、ソースが電源に接続され、ＮｃｈトランジスタＴ４２のソースがＮｃｈトランジスタＴ４７を介して接地され、ゲートが入力端４４に接続され、ドレインがＰｃｈトランジスタＴ４１のドレインに接続され、インバータＩ４１の出力となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
リスタート制御回路５６は、ＸＯＲゲート４０の出力信号が“Ｈ”でリスタート動作を遅延回路３９の遅延時間で指示する時に、制御信号Ｓ５６Ａ，Ｓ５６Ｂ、及びＳ５６Ｃを“Ｈ”にして、フリップフロップＦＦ１１〜ＦＦ１３に対するセット動作、入力信号ＩＮ〜フリップフロップのトグル入力Ｔ間の遅延経路を有効にする動作を実行して、実施の形態７の出力バッファ回路のバッファリング動作をリスタートさせる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2000332593.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算増幅器（ＩＣ）と、双方向性２端子ダイオード回路と、ＣＲ形２端子回路と、入力点（ｉ）と、出力点（ｏ）とを含有し、
上記双方向性２端子ダイオード回路は、第１のダイオード（Ｄ１）と第２のダイオード（Ｄ２）とを逆並列に接続して成る２端子回路であり、
上記ＣＲ形２端子回路は、コンデンサ（Ｃ１）と抵抗素子（Ｒ１）とを直列に接続して成る２端子回路であり、
上記入力点（ｉ）と上記演算増幅器（ＩＣ）の反転入力端子（−端子）との間には、上記ＣＲ形２端子回路が接続され、上記演算増幅器（ＩＣ）の負帰還ループには、上記双方向性２端子ダイオード回路が挿入され、
上記演算増幅器（ＩＣ）の非反転入力端子（＋端子）には、グランド若しくはオフセット調整回路が接続され、
上記出力点（ｏ）には、上記演算増幅器（ＩＣ）の出力端子が直接接続されている、
広ダイナミック信号中間処理回路。
【請求項２】
請求項１記載の広ダイナミック信号中間処理回路であって、
更に、前記ＣＲ形２端子回路の全体に対して並列に、若しくは同回路中の抵抗素子（Ｒ１）だけに対して並列に、高域信号を増強するためのコンデンサ（Ｃ３）が接続されている、
広ダイナミック信号中間処理回路。
【請求項３】
請求項１記載の広ダイナミック信号中間処理回路であって、
更に、前記演算増幅器（ＩＣ）の反転入力端子（−端子）と非反転入力端子（＋端子）との間には、高域ノイズを除去するためのコンデンサ（Ｃ２）が接続されている、
広ダイナミック信号中間処理回路。
【請求項４】
請求項１記載の広ダイナミック信号中間処理回路であって、
更に、前記演算増幅器（ＩＣ）の負帰還ループに挿入された前記双方向性２端子ダイオード回路に対して並列に、高域ノイズを除去するためのコンデンサ（Ｃ５）が接続されている、
広ダイナミック信号中間処理回路。
【請求項５】
請求項２記載の広ダイナミック信号中間処理回路であって、
更に、ＣＲ形濾波器（２１）を含有し、前記双方向性２端子ダイオード回路に対して並列にコンデンサＣ５が接続され、
前記演算増幅器（ＩＣ）の反転入力端子（−端子）と非反転入力端子（＋端子）との間には、コンデンサ（Ｃ２）が接続され、
前記演算増幅器（ＩＣ）の非反転入力端子（＋端子）には、オフセット調整回路が接続されて成り、
上記オフセット調整回路は、オフセット調整用電源（ＶＤＤ）と抵抗素子（Ｒ３）との直列接続によって成る２端子回路と、抵抗素子（Ｒ２）だけから成る２端子回路と、コンデンサ（Ｃ４）だけから成る２端子回路とが、並列に接続されて成り、
上記ＣＲ形濾波器（２１）は、ＣＲ形低域通過濾波器、ＣＲ形高域通過濾波器若しくはＣＲ形帯域通過濾波器、及び／又はＣＲ形帯域阻止濾波器から成る、
広ダイナミック信号中間処理回路。
【請求項６】
請求項３記載の広ダイナミック信号中間処理回路であって、
更に、ＣＲ形濾波器（２１）と、反転増幅器（２３）とを含有し、
前記広ダイナミック信号中間処理回路の前記ＣＲ形２端子回路の全体に対して並列に、若しくは同回路中の抵抗素子（Ｒ１）だけに対して並列に、高域信号を増強するためのコンデンサ（Ｃ３）が接続され、
前記広ダイナミック信号中間処理回路の前記演算増幅器（ＩＣ）の非反転入力端子（＋端子）に、オフセット調整回路が接続されて成り、
上記オフセット調整回路は、オフセット調整用電源（ＶＤＤ）と抵抗素子（Ｒ３）との直列接続によって成る２端子回路と、抵抗素子（Ｒ２）だけから成る２端子回路と、コンデンサ（Ｃ４）だけから成る２端子回路とが、並列に接続されて成り、
上記ＣＲ形濾波器（２１）は、ＣＲ形低域通過濾波器、ＣＲ形高域通過濾波器、若しくはＣＲ形帯域通過濾波器、及び／又はＣＲ形帯域阻止濾波器から成り、
前記反転増幅器（２３）は、
演算増幅器（ＩＣ２）の入力回路に一の抵抗素子（ＲＹ）が接続され、負帰還ループに他の抵抗素子（ＲＹ）が接続されて成る反転増幅器本体において、当該入力回路の一の抵抗素子（ＲＹ）に対して並列に、温度補償のためのサーミスタ（ｔｈ）が接続され、
当該負帰還ループの他の抵抗素子（ＲＹ）に対して並列に、高域ノイズを除去するためのコンデンサ（ＣＹ）が接続されて成る、
広ダイナミック信号中間処理回路。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一つに記載の広ダイナミック信号中間処理回路を有する光学的パターン読取装置であって、
上記広ダイナミック信号中間処理回路の前段には、
光学的記録媒体から到来する反射光信号を受光する受光光学系と、
上記反射光信号を電気的信号に光電変換する光電変換器と、
上記光電変換器の後段に接続された前段増幅器とが接続され、
上記広ダイナミック信号中間処理回路の後段にはディジタイザが接続され、
上記広ダイナミック信号中間処理回路は、上記前段増幅器の出力信号を、上記ディジタイザに適合する信号に変換し、
上記ディジタイザは、上記広ダイナミック信号中間処理回路の出力信号を二元信号に変換することを特徴とする光学的パターン読取装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一つに記載の広ダイナミック信号中間処理回路を有する光学的物体検知センサであって、
上記広ダイナミック信号中間処理回路の前段には、
被監視空間中の被監視物体から到来する反射光信号を受光する受光光学系と、
上記反射光信号を電気的信号に光電変換する光電変換器と、
上記光電変換器の後段に接続された対数形電流／電圧変換器とが接続され、
上記広ダイナミック信号中間処理回路の後段には判定手段が接続され、
上記対数形電流／電圧変換器は、上記光電変換器の出力を、上記広ダイナミック信号中間処理回路に適合する信号に変換し、
上記広ダイナミック信号中間処理回路は、上記対数形電流／電圧変換器の出力を、上記判定手段に適合する信号に変換し、
上記判定手段は、上記広ダイナミック信号中間処理回路の出力に基づいて、被監視物体の進入乃至移動・変動を判定・検出することを特徴とする光学的物体検知センサ。
【請求項９】
請求項１乃至６の何れか一つに記載の広ダイナミック信号中間処理回路を有する光学的紙面検出センサであって、
上記広ダイナミック信号中間処理回路の前段には、
ＰＣＳ値の小さな検出用光学パターンが記録されている紙面から到来する反射光信号を受光する受光光学系と、
上記反射光信号を電気的信号に光電変換する光電変換器（ＰＤ）と、
上記光電変換器の後段に接続された対数形電流／電圧変換器（１）とが接続され、
上記広ダイナミック信号中間処理回路の後段には、ディジタイザが接続され、
上記ディジタイザの後段には判定手段が接続され、
上記対数形電流／電圧変換器（１）は、上記光電変換器（ＰＤ）の出力を上記広ダイナミック信号中間処理回路（２２・２４）に適合する信号に変換し、
上記広ダイナミック信号中間処理回路（２２・２４）は、上記対数形電流／電圧変換器（１）の出力信号を、上記判定手段に適合する信号に変換し、
上記ディジタイザは、上記広ダイナミック信号中間処理回路（２２・２４）の出力信号を二元信号に変換し、
上記判定手段は、上記二元信号が所定の二元信号と合致するか否かを判断し、合致すると判断した時は、所定紙面の検出信号を出力することを特徴とする光学的紙面検出センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
著作権情報が付加されているコンテンツを編集可能であり、かつ、認証鍵および秘密鍵を有するアプリケーションプログラムを実行する情報処理装置において、
入力される前記コンテンツに付加されている前記著作権情報に対応するソース鍵を用いて暗号鍵を生成する暗号鍵生成手段と、
前記暗号鍵を用いて前記コンテンツを暗号化する暗号化手段と、
前記アプリケーションプログラムから入力される前記認証鍵を用いて前記アプリケーションプログラムの正当性を判定する判定手段と、
前記アプリケーションプログラムから入力される認証鍵を用いて秘密鍵を生成する秘密鍵生成手段と、
前記秘密鍵生成手段が生成した前記秘密鍵を用いて暗号化した前記暗号鍵、および前記暗号化手段により暗号化された前記コンテンツを、前記判定手段の判定結果に対応して、前記アプリケーションプログラムに供給する供給手段と
を含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判定手段は、リボケーションリストを参照することにより前記認証鍵の正当性を判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記暗号鍵生成手段は、前記著作権情報に対応するソース鍵および乱数を用いて暗号鍵を生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記暗号鍵生成手段は、前記暗号鍵を所定の周期毎に更新する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
著作権情報が付加されているコンテンツを編集可能であり、かつ、認証鍵および秘密鍵を有するアプリケーションプログラムを実行する情報処理装置の情報処理方法において、
入力される前記コンテンツに付加されている前記著作権情報に対応するソース鍵を用いて暗号鍵を生成する暗号鍵生成ステップと、
前記暗号鍵を用いて前記コンテンツを暗号化する暗号化ステップと、
前記アプリケーションプログラムから入力される前記認証鍵を用いて前記アプリケーションプログラムの正当性を判定する判定ステップと、
前記アプリケーションプログラムから入力される認証鍵を用いて秘密鍵を生成する秘密鍵生成ステップと、
前記秘密鍵生成ステップで生成した前記秘密鍵を用いて暗号化した前記暗号鍵、および前記暗号化ステップで暗号化した前記コンテンツを、前記判定ステップの判定結果に対応して、前記アプリケーションプログラムに供給する供給ステップと
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項６】
前記暗号鍵生成ステップは、前記著作権情報に対応するソース鍵および乱数を用いて暗号鍵を生成する
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理方法。
【請求項７】
前記暗号鍵生成ステップは、前記暗号鍵を所定の周期毎に更新する
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理方法。
【請求項８】
著作権情報が付加されているコンテンツを編集可能であり、かつ、認証鍵および秘密鍵を有するアプリケーションプログラムを実行する情報処理装置に、
入力される前記コンテンツに付加されている前記著作権情報に対応するソース鍵を用いて暗号鍵を生成する暗号鍵生成ステップと、
前記暗号鍵を用いて前記コンテンツを暗号化する暗号化ステップと、
前記アプリケーションプログラムから入力される前記認証鍵を用いて前記アプリケーションプログラムの正当性を判定する判定ステップと、
前記アプリケーションプログラムから入力される認証鍵を用いて秘密鍵を生成する秘密鍵生成ステップと、
前記秘密鍵生成ステップで生成した前記秘密鍵を用いて暗号化した前記暗号鍵、および前記暗号化ステップで暗号化した前記コンテンツを、前記判定ステップの判定結果に対応して、前記アプリケーションプログラムに供給する供給ステップと
を含む処理を実行させるコンピュータが読み取り可能なプログラムを提供する
ことを特徴とする提供媒体。
【請求項９】
前記暗号鍵生成ステップは、前記著作権情報に対応するソース鍵および乱数を用いて暗号鍵を生成する
ことを特徴とする請求項５に記載の提供媒体。
【請求項１０】
前記暗号鍵生成ステップは、前記暗号鍵を所定の周期毎に更新する
ことを特徴とする請求項５に記載の提供媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電力制御アルゴリズムを用いる移動無線通信システムの性能を改善するための方法であって、
伝送中断後に伝送が再開されたかをチェックするステップ（１５）と、
伝送中断後に伝送が再開されたならば、少なくとも１つの修正されたパラメータを用いて前記電力制御アルゴリズムを所与の持続時間実施するステップ（１６、１８）とを含み、前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、電力制御に対する前記伝送中断の影響を補償するように決定される、方法。
【請求項２】  前記少なくとも１つの修正されたパラメータが、そのアルゴリズムの電力制御ステップサイズである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記少なくとも１つの修正されたパラメータが、増大した電力制御ステップサイズである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、予め決定された値を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】  所与の条件が満足されたときに、前記所与の持続時間が経過したと決定される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】  前記所与の条件が、前記少なくとも１つの修正されたパラメータを用いた連続する電力制御結果に基づいて満足されるように決定される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記所与の条件が、前記少なくとも１つの修正されたパラメータを用いて得られた２つの連続する電力制御コマンドが逆であることである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、前記伝送中断前のある期間の電力制御結果に関する統計に基づいて決定される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】  前記電力制御が、前記移動無線通信システムのアップリンク伝送方向で実行される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】  前記電力制御が、前記移動無線通信システムのダウンリンク伝送方向で実行される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】  前記移動無線通信システムが、ＣＤＭＡタイプである、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】  請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法をアップリンク伝送方向で実行するための移動無線通信ネットワークエンティティであって、
電力制御アルゴリズムを実行するための手段（４１）と、
対応する電力制御コマンド（Ｃ１）を移動局（４３）に送信するための手段（４２）とを備え、
電力制御アルゴリズムを実行するための前記手段が、
伝送中断後に伝送が再開されたかをチェックするための手段と、
伝送中断後に伝送が再開されたならば、少なくとも１つの修正されたパラメータを用いて前記電力制御アルゴリズムを所与の持続時間実施するための手段とを含み、前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、電力制御に対する前記伝送中断の影響を補償するように決定される、移動無線通信ネットワークエンティティ（４０）。
【請求項１３】  請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法をアップリンク伝送方向で実行するための移動局であって、
移動無線通信ネットワークエンティティ（４０’）から電力制御コマンド（Ｃ’１）を受信するための手段（４４’）と、
電力制御アルゴリズムを実行するための手段とを備え、
電力制御アルゴリズムを実行するための前記手段が、
伝送中断後に伝送が再開されたかをチェックするための手段と、
伝送中断後に伝送が再開されたならば、少なくとも１つの修正されたパラメータを用いて前記電力制御アルゴリズムを所与の持続時間実施するための手段とを含み、前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、電力制御に対する前記伝送中断の影響を補償するように決定される、移動局（４３’）。
【請求項１４】  請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法をダウンリンク伝送方向で実行するための移動局であって、
電力制御アルゴリズムを実行するための手段（４６）と、
対応する電力制御コマンド（Ｃ２）を移動無線通信ネットワークエンティティ（４８）に送信するための手段（４７）とを備え、
電力制御アルゴリズムを実行するための前記手段が、
伝送中断後に伝送が再開されたかをチェックするための手段と、
伝送中断後に伝送が再開されたならば、少なくとも１つの修正されたパラメータを用いて前記電力制御アルゴリズムを所与の持続時間実施するための手段とを含み、前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、電力制御に対する前記伝送中断の影響を補償するように決定される、移動局（４５）。
【請求項１５】  請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法をダウンリンク伝送方向で実行するための移動ネットワークエンティティであって、
移動局（４５’）から電力制御コマンド（Ｃ’２）を受信するための手段（４９’）と、
電力制御アルゴリズムを実行するための手段とを備え、
電力制御アルゴリズムを実行するための前記手段が、
伝送中断後に伝送が再開されたかをチェックするための手段と、
伝送中断後に伝送が再開されたならば、少なくとも１つの修正されたパラメータを用いて前記電力制御アルゴリズムを所与の持続時間実施するための手段とを含み、前記少なくとも１つの修正されたパラメータおよび前記所与の持続時間が、電力制御に対する前記伝送中断の影響を補償するように決定される、移動ネットワークエンティティ（４８’）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンネル形成領域を有する半導体基板と、
前記チャンネル形成領域における前記半導体基板の上層に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上層に形成されたゲート電極と、
前記チャンネル形成領域と接続するように前記ゲート電極の両側部における前記半導体基板中に形成された第１不純物領域と
を有し、
前記チャンネル形成領域の位置の前記半導体基板の表面からの深さが前記第１不純物領域の位置よりも深く形成されている
半導体装置。
【請求項２】
前記第１不純物領域と、前記半導体基板の表面からの深さが前記第１不純物領域の位置よりも深く形成されている前記チャンネル形成領域とを接続するように、前記第１不純物領域と同じ導電型の第２不純物領域が形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２不純物領域の不純物濃度が前記第１不純物領域の不純物濃度以下の濃度である
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２不純物領域の接合面の最下部の位置の前記半導体基板の表面からの深さが前記チャンネル形成領域の位置よりも深く形成されている
請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板にゲート電極用溝が形成されており、
前記ゲート電極用溝の底面の下方領域が前記チャンネル形成領域となり、
前記ゲート電極用溝の両側部における前記半導体基板中に前記第１不純物領域が形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極用溝の壁面表層領域に、前記第１不純物領域と前記チャンネル形成領域とを接続するように、前記第１不純物領域と同じ導電型の第２不純物領域が形成されている
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート電極用溝の底面の下方領域における前記半導体基板中にチャンネル不純物領域が形成されている
請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極用溝の底面上に前記ゲート絶縁膜が形成されており、
前記ゲート電極が前記ゲート電極用溝に埋め込まれて形成されている
請求項５記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ゲート電極用溝の側壁面にサイドウォール絶縁膜が形成されており、
当該サイドウォール絶縁膜と前記ゲート絶縁膜を含む絶縁膜により前記ゲート電極が前記半導体基板から絶縁されている
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記サイドウォール絶縁膜の膜厚が前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている
請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板の上層にマスク層が形成されており、
前記マスク層に、前記ゲート電極用溝が連通して形成されている
請求項５記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体基板の素子分離領域に素子分離用溝が形成されており、
前記素子分離用溝内に素子分離絶縁膜が埋め込まれて形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
第１導電型の半導体基板に第２導電型の第１不純物領域を形成する工程と、
前記第１不純物領域を２つの領域に分割するように前記第１不純物領域の接合面よりも深いゲート電極用溝を形成する工程と、
前記ゲート電極用溝の底部にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極の上層にゲート電極を形成する工程と
を有し、
前記ゲート電極用溝の底面の下方領域が前記チャンネル形成領域となり、前記チャンネル形成領域の位置の前記半導体基板の表面からの深さが前記第１不純物領域の位置よりも深く形成されているトランジスタを形成する
半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ゲート電極用溝を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート電極用溝の内壁面表層部分に前記第１不純物領域と前記チャンネル形成領域とを接続するように、第２導電型の第２不純物領域を形成する工程をさらに有する
請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２不純物領域を形成する工程においては、前記第１不純物領域の不純物濃度以下の濃度に設定して前記第２不純物領域を形成する
請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２不純物領域を形成する工程においては、導電性不純物をイオン注入して形成する
請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２不純物領域を形成する工程においては、前記半導体基板表面に対する注入角θ（０＜θ＜９０°）、前記ゲート電極用溝の幅Ｘ、前記ゲート電極用溝の深さＹに対して、ｔａｎθ＜Ｙ／（Ｘ／２）を満たすように導電性不純物をイオン注入する
請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ゲート電極用溝を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記電極用溝の側壁面を被覆するサイドウォール絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記ゲート電極を形成する工程においては、内壁面を前記サイドウォール絶縁膜と前記ゲート絶縁膜を含む絶縁膜により被覆された前記ゲート電極用溝を導電体で埋め込んで形成する
請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記ゲート電極用溝を形成する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート電極用溝の内壁面表層部分に前記第１不純物領域と前記チャンネル形成領域とを接続するように、第２導電型の第２不純物領域を形成する工程をさらに有する。
これにより、ゲート電極への電圧印加により形成されたチャンネルと、チャンネル領域よりも上方に形成されている第１不純物領域と接続するソース・ドレインと同じ導電型の第２不純物領域を形成して、ＭＯＳＦＥＴのチャネル電流を流すことを可能にする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ、Ｚｎを含有しない膜厚１μｍ以上のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層上に、ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を有し、前記ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層上に発光素子構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の製造方法において、基板上に基板温度７００℃以下のバッファ層を成長させ、前記バッファ層上にＭｇ、Ｚｎを含有しない１μｍ以上のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層、ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を順次成長させ、前記ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層上に素子構造を成長させることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層上の半導体発光素子は、前記ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層に近い側にｎ型層を有することを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ＭｇもしくはＺｎドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物層半導体発光素子は、発光素子構造と基板を含み、該基板に近い側にｎ型層を形成させることを特徴とする請求項２に記載の
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  α-置換アクリレートグラフト共重合体の熱安定性を改良する方法であって、
（a）（i）Ｃ1-3アルキル置換アクリル酸及び（ii）Ｃ1-3アルキル置換アクリル酸のエステルを含むモノマーをグラフト重合したプロピレンポリマー材料の主鎖を含むグラフト共重合体を製造する工程であって、重合したモノマーの全量が該プロピレンポリマー材料100部に対して約20〜約240部であり、(i)の量が該モノマーの全重量に対して約1〜約20％である工程、及び
（b）得られたグラフトしたプロピレンポリマー材料から未反応グラフトモノマーを除去し、未反応開始剤を分解し、該材料中の残留フリーラジカルを不活性化する工程、
を含む、前記方法。
【請求項２】  該プロピレンポリマー材料が下記のポリマーからなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
（a）アイソタクチックインデックスが80より大きい結晶性プロピレンホモポリマー;
（b）アイソタクチックインデックスが85より大きい、プロピレンと、エチレン及びＣ4-10α-オレフィンからなる群より選ばれたオレフィンとの結晶性コポリマーであって、該オレフィンがエチレンである場合、重合した最大エチレン含量は10重量％であり、該オレフィンがＣ4-10α-オレフィンである場合、その重合した最大含量は20重量％であるコポリマー;
（c）アイソタクチックインデックスが85より大きい、プロピレンと、エチレン及びＣ4-8α-オレフィンからなる群より選ばれた２種のオレフィンとの結晶性ターポリマーであって、重合した最大Ｃ4-8α-オレフィン含量は20重量％であり、エチレンが該オレフィンの１種である場合、重合した最大エチレン含量は５重量％であるターポリマー;
（d）下記の成分、
（i）アイソタクチックインデックスが80より大きい結晶性プロピレンホモポリマー、又はプロピレン含量が85重量％を超え、アイソタクチックインデックスが85より大きい、（a）プロピレンとエチレン、（b）プロピレンとエチレンとＣ4-8α-オレフィン、及び（c）プロピレンとＣ4-8α-オレフィンからなる群より選ばれた結晶性コポリマー 約10〜約60重量％;
（ii）周囲温度でキシレンに不溶であるエチレンとプロピレン又はＣ4-8α-オレフィンとのコポリマー 約5〜約25％;及び
（iii）約0.5〜約10％のジエンを任意に含み、70重量％未満のエチレンを含み、周囲温度でキシレンに可溶であり、固有粘度が約1.5〜約4.0 dl/gである、（a）エチレンとプロピレン、（b）エチレンとプロピレンとＣ4-8α-オレフィン、及び（c）エチレンとＣ4-8α-オレフィンからなる群より選ばれたエラストマーコポリマー 約30〜約70％、
を含むオレフィンポリマー組成物であって、（ii）と（iii）の全量は全オレフィンポリマー組成物に対して約50〜約90％であり、（ii）/(iii）の重量比は0.4未満、好ましくは0.1〜0.3であり、該組成物は少なくとも２段階の重合で調製され、該組成物の曲げモジュラスは150 MPa未満である組成物;又は
（e）下記の成分、
（i）アイソタクチックインデックスが80より大きい結晶性プロピレンホモポリマー、又はプロピレン含量が85％より大きく、アイソタクチックインデックスが85より大きい、（a）エチレンとプロピレン、（b）エチレンとプロピレンとＣ4-8α-オレフィン、及び（c）エチレンとＣ4-8α-オレフィンからなる群より選ばれた結晶性コポリマー 約10〜約60％;
（ii）約0.5〜約10％のジエンを任意に含み、70％未満のエチレンを含み、周囲温度でキシレンに可溶である、（a）エチレンとプロピレン、（b）エチレンとプロピレンとＣ4-8α-オレフィン、及び（c）エチレンとＣ4-8α-オレフィンからなる群より選ばれた無定形コポリマー 約20〜約60％;及び
（iii）周囲温度でキシレンに不溶であるエチレンとプロピレン又はＣ4-8α-オレフィンとのコポリマー 約3〜約40％、
を含む熱可塑性オレフィンであって、該組成物の曲げモジュラスは150 MPaより大きく1200 MPa未満である熱可塑性オレフィン。
【請求項３】  該プロピレンポリマー材料がプロピレンホモポリマーである、請求項１記載の方法。
【請求項４】  該置換アクリル酸がメタクリル酸である、請求項１記載の方法。
【請求項５】  該置換アクリル酸のエステルがＣ1-4アルカノールのエステルである、請求項４記載の方法。
【請求項６】  該エステルがメチルメタクリレートである、請求項５記載の方法。
【請求項７】  （a）(i)の量が約1〜約5％である、請求項１記載の方法。
【請求項８】  請求項１記載の方法によって調製された生成物。
【請求項９】  請求項８記載の生成物、及び組成物の全重量に対して約2〜約30％の（a）オレフィンコポリマーゴム、（b）モノアルケニル芳香族炭化水素-共役ジエンブロック共重合体、及び（c）コア-シェルゴムからなる群より選ばれた１種以上のゴム成分を含む組成物。
【請求項１０】  Mw/Mnが約5〜約60であり、メルトフローインデックスが約0.5〜約50ｇ/10分である、該組成物の全重量に対して約5〜約90％の広い分子量分布のプロピレンポリマー材料を更に含む、請求項９記載の組成物。
【請求項１１】  請求項６記載の方法によって製造された生成物。
【請求項１２】  請求項11記載の生成物及び組成物の全重量に対して約2〜約30％の（a）オレフィンコポリマーゴム、（b）モノアルケニル芳香族炭化水素-共役ジエンブロック共重合体、及び（c）コア-シェルゴムからなる群より選ばれた１種以上のゴム成分を含む組成物。
【請求項１３】  Mw/Mnが約5〜約60であり、メルトフローインデックスが約0.5〜約50ｇ/10分である、該組成物の全重量に対して約5〜約90％の広い分子量分布のプロピレンポリマー材料を更に含む、請求項12記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
最初に、Ｎ−アシル−インドリン−２−カルボン酸のエナンチオマーの混合物が、酸触媒の存在下での２−フェニルヒドラゾンプロピオン酸またはその誘導体のフィッシャーのインドール環化工程、必要ならば該フィッシャーのインドール環化によって得られた生成物の対応する酸への加水分解工程、Ｎ−位でのアシル化工程およびインドール化合物の対応するインドリン化合物への還元工程を含むプロセスで製造され、その後、得られたＮ−アシル−インドリン−２−カルボン酸が請求項１〜４のいずれか一つに記載の分割に付される、請求項１〜７のいずれか一つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
分割において使用できる適切な溶媒の例としては、水、アルコール、特にメタノール、エタノール、イソプロパノールが挙げられる。好ましくは、溶媒として、アルコール（所望により水と混合したもの）、例えばエタノール、またはアルコールの混合物（所望により水と混合したもの）、例えばメタノール／エタノール混合物が使用される。また、分割をスラリーから出発して行うことも可能である。溶媒の量、温度および光学的に活性な分割剤の当量数は、好ましくは、溶媒、光学的に活性な分割剤および分割されるエナンチオマー混合物の混合物が（まさに）溶液であるように選択される。再現性が比較的良好な結晶化のために、好ましくは、分割剤の塩およびＮ−アシル−インドリン−２−カルボン酸の所望のエナンチオマーのグラフトが添加され、その結果、通常は、ジアステレオマー塩の結晶サイズの良好な分布が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報監視方法、情報埋込装置及び記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の情報を第１の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第１の埋込工程と、
複数の第１の電子透かし方式のうち前記第１の埋込工程で用いられた第１の電子透かし方式を特定する第２の情報を、第２の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第２の埋込工程と、
前記第１の情報及び前記第２の情報が埋め込まれたデータを出力する出力工程と、
を備えたことを特徴とする情報監視方法。
【請求項２】  前記第２の電子透かし方式に対応する抽出方式を用いて、前記第２の情報を前記出力されたデータから抽出する第１の抽出工程と、
前記抽出された第２の情報により前記第１の電子透かし方式を特定する特定工程と、
前記特定された第１の電子透かし方式に対応する抽出方式を用いて、前記第１の情報を前記出力されたデータから抽出する第２の抽出工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の情報監視方法。
【請求項３】  前記第２の抽出工程にて前記第１の情報が抽出されなければ、攻撃による第１の情報の破壊であると判断する判断工程を更に備えたことを特徴とする請求項２記載の情報監視方法。
【請求項４】  前記第１の情報は、著作権情報、利用者情報及び識別情報のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の情報監視方法。
【請求項５】  インターネットを介して前記データを受信する受信工程を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の情報監視方法。
【請求項６】  第１の情報を第１の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第１の埋込手段と、
複数の第１の電子透かし方式のうち前記第１の埋込工程で用いられた第１の電子透かし方式を特定する第２の情報を、第２の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第２の埋込手段と、
前記第１の情報及び前記第２の情報が埋め込まれたデータを出力する出力手段と、
を備えたことを特徴とする情報埋込装置。
【請求項７】  前記第１の情報は、著作権情報、利用者情報及び識別情報のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項６記載の情報埋込装置。
【請求項８】  インターネットを介して前記データを受信する受信手段を更に備えたことを特徴とする請求項６記載の情報埋込装置。
【請求項９】  コンピュータに、
第１の情報を第１の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第１の埋込工程と、
複数の第１の電子透かし方式のうち前記第１の埋込工程で用いられた第１の電子透かし方式を特定する第２の情報を、第２の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第２の埋込工程と、
前記第１の情報及び前記第２の情報が埋め込まれたデータを出力する出力工程と、
を実行させることを特徴とするプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デジタル画像データやデジタル音声データ等の入力情報に付加情報を付加することにより著作権の保護、偽造防止、各種情報記録等を行う場合に用いて好適な情報監視方法、情報埋込装置及び記憶媒体に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の情報監視方法は、第１の情報を第１の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第１の埋込工程と、複数の第１の電子透かし方式のうち前記第１の埋込工程で用いられた第１の電子透かし方式を特定する第２の情報を、第２の電子透かし方式を用いてデータに埋め込む第２の埋込工程と、前記第１の情報及び前記第２の情報が埋め込まれたデータを出力する出力工程と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記問題を解決するため、本発明は、情報埋込装置及び記憶媒体としてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本実施の形態によれば、異なる電子透かし方式が混在して用いられるシステムにおいても、各監視機関は多くの方式による電子透かしの埋込部や抽出部を準備することなく、自分の電子透かし方式による埋込部や抽出部のみを管理すればよく、効率的に不正コピーの監視を実現することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、どの電子透かし方式によってデータに情報が付加されているかを容易に知ることができる。したがって、試行錯誤しながら各電子透かし方式に対応する方法を用いて情報を抽出する必要がなくなるので、効率的にデータを監視できるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重波長光信号内に既定のチャネル波長を有するチャネル信号に関する波長モニタであって、
多重波長光信号を受信する光学的に透過性の部材と、
一連の波長弁別器であって、一連の波長弁別器のそれぞれが、所定のチャネル信号の既定のチャネル波長からの所定のチャネル信号の波長偏差に従って、チャネル信号の所定の１つを選択的に透過して、選択的透過信号を生じさせ、かつ他のチャネル信号を反射し、前記一連の波長弁別器が、前記光学的に透過性の部材上に配置されて、反射チャネル信号が一連の連続する波長弁別器に対して縦続化される、一連の波長弁別器と、及び
それぞれ、波長弁別器の対応する１つからの選択的透過信号を受信し、選択的透過信号の強度に応答して、出力信号を生じさせる一連の検出器とを含み、前記出力信号に較正を施すことによって、前記所定のチャネル信号の既定の波長からの所定のチャネル信号の波長偏差が示される、波長モニタ。
【請求項２】
各波長弁別器が、所定の波長範囲内における所定のチャネル信号の既定の波長からの所定のチャネル信号の波長偏差に従って単調に変動する光透過を行う光学フィルタを含む、請求項１に記載の波長モニタ。
【請求項３】
前記一連の波長弁別器の各波長弁別器が、分散素子を含み、前記一連の検出器における各検出器が、分割検出器を含み、各分散素子が、所定の波長範囲内における所定のチャネル信号の既定の波長からの所定のチャネル信号の波長偏差に従って、前記分割検出器の空間位置を照射する、請求項１に記載の波長モニタ。
【請求項４】
各分割検出器が、２つの片側部分を備えており、所定のチャネル信号の波長が既定の波長に等しい場合、片側部分のそれぞれが、受信する前記選択的透過信号によって等しく照射される、請求項３に記載の波長モニタ。
【請求項５】
成分信号の波長が既定の波長から偏差を生じる場合、前記２つの片側部分が不等に照射される、請求項４に記載の波長モニタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）ＵＳＢハブは、電源回路の違いによってその設定を変える必要があるが、実際には、外部電源の有無等でその設定が変わっていない。
そのため、たとえば外部電源を使用して、いわゆる自己電源（セルフパワー）デバイスがあるとパーソナルコンピュータに認識させておいてから、途中で外部電源を外した場合、パーソナルコンピュータは外部電源がなくなったことに気付かずバスから電力を供給してしまう。
その結果、電源系に故障を引き起こす可能性がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ＵＳＢハブ１２１は、たとえばパーソナルコンピュータ１１と接続されるアップストリームポートＵＰ１、および５つのダウンストリームポートＤＮ１〜ＤＮ５を有しており、図１の場合、ダウンストリームポートＤＮ１に組み込み機能１２２が接続されている。
また、残りのダウンストリームポートＤＮ２〜ＤＮ５は、ＵＳＢケーブルＣＢＬ３〜ＣＢＬ６により図示しないプリンタ等のＵＳＢデバイスに接続可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000330926.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明基板上のマトリクス状の画素に接続し、該透明基板の辺に向けて延出させた該透明基板上の配線と、該配線に接続して前記画素を駆動し、該透明基板上に設けた複数の駆動用電気回路素子の出力端子と、を有する表示装置において、
前記複数の駆動用電気回路素子は、前記透明基板の辺に対して交差する方向に前記出力端子の列が配設され、
かつ隣接する前記駆動用電気回路素子の中心間に配列される配線ピッチの総和は、前記出力端子の配列ピッチの総和より短く形成された、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記駆動用電気回路素子に入力信号を供給する入力端子は、前記透明基板から最も離れた駆動用電気回路素子の辺に配設されている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】  前記画素へ駆動信号を出力するための前記駆動用電気回路素子の出力端子は、少なくとも２列配置されている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】  前記入力端子と出力端子との配列方向を同方向に配列し、かつこれら入力端子および出力端子は前記駆動用電気回路素子の中心線近傍に配置されている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】  前記隣接する前記駆動用電気回路素子の中心間に配列される配線ピッチの総和は、前記出力端子の配列ピッチの総和の２倍の値より短く形成された、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】  駆動用電気回路素子の出力端子は、前記透明基板の辺に対して、直角の方向に配列されている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】  駆動用電気回路素子の出力端子は、前記透明基板の辺に対して、斜めの方向に配列されている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１記載の発明に係る表示装置は、透明基板上のマトリクス状の画素に接続し、該透明基板の辺に向けて延出させた該透明基板上の配線と、該配線に接続して前記画素を駆動し、該透明基板上に設けた複数の駆動用電気回路素子の出力端子と、を有するものであって、
前記複数の駆動用電気回路素子は、前記透明基板の辺に対して交差する方向に前記出力端子の列が配設され、
かつ隣接する前記駆動用電気回路素子の中心間に配列される配線ピッチの総和は、前記出力端子の配列ピッチの総和より短く形成された、
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、図９（ｂ）における実施の形態は駆動用ＩＣ５ｄの出力端子８ｃの配列方向を駆動用ＩＣ５ｄと対向する液晶パネルの辺に対し斜めの方向に配列したもので、ｍ個の配列が形成された場合、その１列あたりの配列ピッチの総和（総延長距離）Ｌ１のｍ倍（ｍは２以上の正の整数）よりも、隣接する駆動用ＩＣ５ｄ，５ｄのセンター位置間に配列される配線ピッチの総和が短くなるように駆動用ＩＣ５ｄから出力配線９ｃを形成する。