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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月11日(2006.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所送達用医薬組成物であって、
（ａ）医薬的に有効な量の少なくとも１種の非ステロイド系炎症剤（ＮＳＡＩＤ）と、
（ｂ）下記式Ｉを有するアミン
【化１】
2004131495.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して炭素原子１〜24個を有するアルカノリル基であり、ここで、１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の-ＣＨ2-基が-Ｏ-、又はエチレンオキシド単位２〜30個を有するポリオキシエチレン基で
置換されていてもよい、また、
Ｒ2及びＲ3は各々独立してＨ又は炭素原子１〜24個を有する直鎖、分枝鎖又は環状アルキルであってもよく、ここで、１つ以上の-ＣＨ2-基が-ＣＨ＝ＣＨ-及び/又は-Ｏ-で置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよい。）
及び下記式IIを有するアミド
【化２】
2004131495.tif 000002
（式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々独立して炭素原子1〜24個を有する直鎖、分枝鎖又は環状アルキルであり、ここで、１つ以上の-ＣＨ2-基が-ＣＨ＝ＣＨ-及び/又は-Ｏ-で置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよい、また、
Ｒ6はＨであってもよい。）
からなる群より選ばれた少なくとも１種の皮膚透過促進剤と、
（ｃ）少なくとも１種の不活性担体と、
を含む、前記医薬組成物。
【請求項２】
該ＮＳＡＩＤがＣＯＸ-２酵素阻害剤からなる群より選ばれる、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
該ＮＳＡＩＤがピロキシカム、テノキシカム、ロルノキシカム及びメロキシカム又はその薬学的に許容しうる塩からなる群より選ばれる、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が各々独立して炭素原子２〜８個を有するアルカノリル基であり、また、
Ｒ3がＨでもよく、或いは
Ｒ1がエチレンオキシド単位２〜30個を有するポリオキシエチレン基であり、
Ｒ2及びＲ3が各々独立して炭素原子１〜24個を有する直鎖、分枝鎖又は環状アルキル基であり、ここで、１つ以上の-ＣＨ2-基が-ＣＨ＝ＣＨ-及び/又は-Ｏ-で置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよい、また、
Ｒ3がＨであってもよい
請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
Ｒ4が炭素原子４〜20個を有する直鎖、分枝鎖又は環状アルキルであり、ここで、１つ以上の-ＣＨ2-基が-ＣＨ＝ＣＨ-及び/又は-Ｏ-で置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の水素原子がＯＨで置換されていてもよい、
Ｒ5及びＲ6が各々独立して炭素原子２〜８個を有するアルカノリルであり、また、
Ｒ6がＨであってもよい
請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
アミンがエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ブタノールアミン、ジブタノールアミン及びトリブタノールアミンからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項４記載の医薬組成物。
【請求項７】
アミンがポリオキシエチレンオレイルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンミリスチルアミン及びポリオキシエチレンラウリルアミンからなる群より選ばれ、ここで、ポリオキシエチレン基がエチレンオキシド単位５〜30個を有することを特徴とする、請求項４記載の医薬組成物。
【請求項８】
アミドがココナッツ脂肪酸ジエタノールアミド、ラウリン脂肪酸ジエタノールアミドからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項５記載の医薬組成物。
【請求項９】
該ＮＳＡＩＤの含量が前記組成物の0.005〜10重量％であり、該アミン及び/又はアミド透過促進剤が前記組成物の0.05〜20重量％であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
追加の透過促進剤としてテルペン、テルペンアルコール、脂肪酸、脂肪酸エステル及び脂肪アルコールからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を更に含んでいる請求項１〜９記載のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
追加の透過促進剤としての少なくとも１種の追加化合物の含量が前記組成物の0.05重量％〜60重量％であることを特徴とする、請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１２】
粘着剤、ゲル化剤及び/又は増粘剤を少なくとも１種含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
該粘着剤、ゲル化剤及び/又は増粘剤の含量が前記組成物の１〜99重量％であることを特徴とする、請求項１２記載の医薬組成物。
【請求項１４】
局所送達用医薬組成物の製造方法であって、前記組成物の0.005〜10重量％の少なくとも１種の非ステロイド系抗炎症剤（ＮＳＡＩＤ）と前記組成物の0.05〜20重量％の請求項１記載の式Ｉのアミン及び式IIのアミドからなる群より選ばれた少なくとも１種の透過促進剤を共に混合する工程を含む、前記方法。
【請求項１５】
少なくとも１種の該非ステロイド系抗炎症剤（ＮＳＡＩＤ）がＣＯＸ-2酵素阻害剤、特にメロキシカム又はその薬学的に許容しうる塩である、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の医薬組成物を少なくとも１種含む経皮送達システム。
【請求項１７】
経皮送達システムを製造するための請求項１〜１３のいずれか１項に記載の医薬組成物の使用。
【請求項１８】
局所送達用医薬組成物において少なくとも１種の非ステロイド系抗炎症剤（ＮＳＡＩＤ）の皮膚透過性を高める濃度での皮膚透過促進剤としての下記式Ｉを有するアミン
【化３】
2004131495.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は各々独立して炭素原子１〜24個を有するアルカノリル基であり、ここで、１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の-ＣＨ2-基が-Ｏ-、又はエチレンオキシド単位２〜20個を有するポリオキシエチレン基で
置換されていてもよい、また、
Ｒ2及びＲ3は各々独立してＨ又は炭素原子１〜24個を有する直鎖、分枝鎖又は環状アルキルであってもよく、ここで、１つ以上の-ＣＨ2-基が-ＣＨ＝ＣＨ-及び/又は-Ｏ-で置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよい。）
及び/又は
下記式IIを有するアミドの使用。
【化４】
2004131495.tif 000004
（式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々独立して炭素原子1〜24個を有する直鎖、分枝鎖又は環状アルキルであり、ここで、１つ以上の-ＣＨ2-基が-ＣＨ＝ＣＨ-及び/又は-Ｏ-で置換されていてもよく、及び/又は１つ以上の水素原子が-ＯＨで置換されていてもよい。）
【請求項１９】
慢性関節リウマチ、頚肩腕症候群、腰痛症、骨関節症、肩関節周囲炎、腱鞘炎、腱周囲炎、テニス肘を含む上腕骨上顆炎、筋痛症、外傷後腫瘍又は疼痛の徴候及び/又は症状を治療、予防及び/又は改善するための請求項１〜１３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月11日(2006.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート束を立てた状態で載置するシート載置台と、
前記シート束を立てた状態に保持するよう前記シート束を押し付ける押圧手段と、
シート束の先端が突き当たる突き当て部と、
前記シート載置台の少なくとも２箇所でシート束を上下方向に振動させながら前記突き当て部へ移動させる整合手段と、
を備え、
前記押圧手段は、前記整合手段の整合動作中、前記シート束への押圧力を弱めるように移動することを特徴とするシート整合装置。
【請求項２】
前記整合手段はシート束の底部の少なくとも２箇所を繰り返し持ち上げることによりシート束を振動させる振動部材を有することを特徴とする請求項１記載のシート整合装置。
【請求項３】
前記振動部材は、前記シート載置台表面に出没しながら前記突き当て部材の方向に回転する回転体であり、回転角度に応じて前記シート載置台表面に突出する部分の高さが変化することを特徴とする請求項２記載のシート整合装置。
【請求項４】
前記回転体は偏心した円筒形状を有することを特徴とする請求項３記載のシート整合装置。
【請求項５】
前記回転体はカム形状を有することを特徴とする請求項３記載のシート整合装置。
【請求項６】
前記整合手段はシート束の整合をしないときには、前記シート載置台より退避した位置、若しくは前記シート載置台より一部が突出した位置で停止することを特徴とする請求項１記載のシート整合装置。
【請求項７】
前記整合手段により整合されたシート束を給送するシート給送手段を有することを特徴とする請求項１記載のシート整合装置。
【請求項８】
前記突き当て部は、前記シート給送手段によるシート給送方向の下流側に出没自在に設けられ、前記シート給送手段による給送動作中はシートの移動を妨げない位置に移動し、非給送動作中は突出して前記整合手段により移動するシートに突き当たって該シートのシート給送方向へ移動を阻止することを特徴とする請求項７記載のシート整合装置。
【請求項９】
前記整合手段の動作時間、前記シート束を振動させる回数、前記シート束の上下方向の振幅の少なくとも一つを設定する設定部を備えたことを特徴とする請求項１記載のシート整合装置。
【請求項１０】
前記シート載置台に載置された前記シートの量を検出する検出部と、
前記検出部による検出量に応じて前記整合手段の動作時間、前記シート束を振動させる回数、前記シート束の上下方向の振幅の少なくとも一つを切り換える切換部と、
を備えたことを特徴とする請求項１記載のシート整合装置。
【請求項１１】
前記整合手段による整合動作終了後に原稿の給送動作を行わないモードを実行するか否かを指示する指示部を備えたことを特徴とする請求項７記載のシート整合装置。
【請求項１２】
前記シート給送手段により給送されたシートを１枚ずつ分離する分離部を備えたことを特徴とする請求項７記載のシート整合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シート整合装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、シート整合装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そこで、本発明は、装置の大型化及びコストアップを招くことなくシート（束）を確実に揃えることのできるシート整合装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、シート束を立てた状態で載置するシート載置台と、前記シート束を立てた状態に保持するよう前記シート束を押し付ける押圧手段と、シート束の先端が突き当たる突き当て部と、前記シート載置台の少なくとも２箇所でシート束を上下方向に振動させながら前記突き当て部へ移動させる整合手段と、を備え、前記押圧手段は、前記整合手段の整合動作中、前記シート束への押圧力を弱めるように移動することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明は、前記振動部材は、前記シート載置台表面に出没しながら前記突き当て部材の方向に回転する回転体であり、回転角度に応じて前記シート載置台表面に突出する部分の高さが変化することを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また本発明は、前記整合手段により整合されたシート束を給送するシート給送手段を有することを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また本発明は、前記突き当て部は、前記シート給送手段によるシート給送方向の下流側に出没自在に設けられ、前記シート給送手段による給送動作中はシートの移動を妨げない位置に移動し、非給送動作中は突出して前記整合手段により移動するシートに突き当たって該シートのシート給送方向へ移動を阻止することを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また本発明は、前記整合手段による整合動作終了後に原稿の給送動作を行わないモードを実行するか否かを指示する指示部を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また本発明は、前記シート給送手段により給送されたシートを１枚ずつ分離する分離部を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
なお、図３は原稿給送装置１の制御ブロック図であり、同図において、１００は操作部、１１０は原稿給送装置を制御する制御部（ＣＰＵ）、１２０は発光受光型センサ７を含むセンサ類、１３０は押圧板３やシャッター４、後述する給紙ローラ５等の各種可動部材を駆動するためのモータ類である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  低アミロース澱粉を完全に枝切りすることによって製造された耐性澱粉組成物であって、高度に結晶状の完全に枝切りされた線状α−グルカンを含んでなり、
ａ）  少なくとも７０質量％の耐性澱粉含量；
ｂ）  ４．０より大きいデキストロース当量；
ｃ）  ＤＳＣにより測定して、少なくとも９０のピーク融点温度、Ｔｐ；および
ｄ）  ＤＳＣにより測定して、少なくとも２５のエンタルピー、ΔＨ；
を特徴とする耐性澱粉組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  アミロース含有澱粉から調製される結晶状の線状α−グルカンを含む澱粉組成物であって：
ａ）少なくとも２０％の遅消化性澱粉；
ｂ）５０％未満の急速消化性澱粉；
ｃ）ＤＳＣによって測定される融点温度、Ｔｐ、が７０  ℃以上；及び
ｄ）ＤＳＣによって測定されるエンタルピー、ΔＨ、が少なくとも２５  Ｊ／ｇ；
であることを特徴とする澱粉組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基を含有する反応染料を含むことを特徴とする放射線硬化性組成物。
【請求項２】  染料がアントラキノン染料、メチン染料、アゾ染料、アジン染料またはキサンテン染料の誘導体であり、前記染料が少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基を含有することを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項３】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基が２つの異なる置換基であることを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項４】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基が同一の置換基であることを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項５】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基がエチレン性不飽和を含むことを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項６】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基が（メタ）アクリレート、スチレン、ビニルエーテル、ビニルエステル、Ｎ−置換アクリルアミド、Ｎ−ビニルアミド、マレエートエステル及びフマレートエステルからなる置換基の群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項７】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基がエポキシ、チオール−エンまたはアミン−エン含有置換基であることを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項８】  更に１つ以上の（メタ）アクリレートウレタンオリゴマー、光開始剤、並びに定着剤、酸化防止剤、流れ調整剤、増感剤、安定剤、潤滑剤及び湿潤剤からなる群から選択される１つ以上の加工添加剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項９】  組成物が約０．１〜約１５重量％の反応染料を含むことを特徴とする請求項８に記載の放射線硬化性組成物。
【請求項１０】  請求項１に記載の放射線硬化性組成物で被覆した電気通信エレメント。
【請求項１１】  電気通信エレメントが（ｉ）コア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバー、（ｉｉ）コア、該コアを包囲するクラッド及び該クラッド上の１つ以上のポリマーコーティングを有する光ファイバー、及び（ｉｉｉ）光ファイバーリボンからなる群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の電気通信エレメント。
【請求項１２】  染料がアントラキノン染料、メチン染料、アゾ染料、アジン染料またはキサンテン染料の誘導体であり、前記染料が少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基を含有することを特徴とする請求項１０に記載の電気通信エレメント。
【請求項１３】  少なくとも１つの放射線硬化性置換基が（メタ）アクリレート、スチレン、ビニルエーテル、ビニルエステル、Ｎ−置換アクリルアミド、Ｎ−ビニルアミド、マレエートエステル及びフマレートエステルからなる置換基の群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の電気通信エレメント。
【請求項１４】  放射線硬化性組成物が更に１つ以上の（メタ）アクリレートウレタンオリゴマー、光開始剤、並びに定着剤、酸化防止剤、流れ調整剤、増感剤、安定剤、潤滑剤及び湿潤剤からなる群から選択される１つ以上の加工添加剤を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気通信エレメント。
【請求項１５】  放射線硬化性組成物が約０．１〜約１５重量％の反応染料を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気通信エレメント。
【請求項１６】  複数の光ファイバーからなる電気通信ケーブルを含む電気通信エレメントであって、前記光ファイバーの少なくとも１つが請求項１に記載の放射線硬化性組成物で被覆されていることを特徴とする前記電気通信エレメント。
【請求項１７】  染料がアントラキノン染料、メチン染料、アゾ染料、アジン染料またはキサンテン染料の誘導体であり、前記染料が少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基を含有することを特徴とする請求項１６に記載の電気通信エレメント。
【請求項１８】  放射線硬化性組成物が更に１つ以上の（メタ）アクリレートウレタンオリゴマー、光開始剤、並びに定着剤、酸化防止剤、流れ調整剤、増感剤、安定剤、潤滑剤及び湿潤剤からなる群から選択される１つ以上の加工添加剤を含むことを特徴とする請求項１６に記載の電気通信エレメント。
【請求項１９】  放射線硬化性組成物の表面エネルギーを低下させる方法であって、１つ以上のオリゴマー、光開始剤、反応性希釈剤、並びに定着剤、酸化防止剤、流れ調整剤、増感剤、安定剤、潤滑剤及び湿潤剤からなる群から選択される１つ以上の加工添加剤を含む組成物に対して少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基を含有する反応染料を添加するステップを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２０】  予備成形したガラスロッドをドロータワーにおいて加熱してガラスファイバーを生成するステップ及び前記ガラスファイバーを少なくとも１つの放射線硬化性置換基及び少なくとも１つのフッ素含有置換基を含有する反応染料を含む放射線硬化性組成物で被覆するステップを含むことを特徴とする光ファイバーの被覆方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種類以上の比較的非揮発性のジオールとシクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸を全ジオール／酸モル比０．９７〜１．０２：１で含む試薬を、エステル化触媒の存在下、２２０〜２６０℃の温度で互いに接触させることを含んでなるポリ（１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）の製造方法。
【請求項２】
前記比較的非揮発性のジオール又は比較的非揮発性のジオールの混合物が大気圧で２１０℃以上の沸点を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記比較的非揮発性のジオールが１，４−シクロヘキサンジメタノールである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記触媒が、チタン、ジルコニウム、スズ、アンチモン、ゲルマニウム、ガリウム、亜鉛、鉄、マンガン、コバルト、ハフニウム、バナジウム、イリジウム、ランタン、セリウム、リチウム、カルシウム、マグネシウム、バリウム、ニッケル及びアルミニウムからなる群から選択される１種類以上の金属を含有する１種類以上の有機金属化合物からなる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記触媒がチタン酸テトラアルキルである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記エステル化触媒の量が理論ポリマー収量を基準にして２０〜５００ｐｐｍである、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
１種類以上の比較的非揮発性のジオールとシクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸を全ジオール／酸モル比０．９７〜１．０２：１で含む試薬をエステル化触媒の存在下で互いに接触させることを含んでなるポリ（１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）の製造方法であって、上記接触をメルト中で異なる２つの温度の２段階で行い、第一段階の温度が２２０〜２３０℃であり、第二段階の最高温度が２６０℃である、方法。
【請求項８】
第二段階が２０５〜２３５℃の温度の不活性ガス流中固相で実施される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
１，４−シクロヘキサンジメタノールとシクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸を全ジオール／酸モル比１．０〜１．００５：１で含む試薬をエステル化有効量のチタン酸テトラアルキルの存在下で互いに接触させることを含んでなるポリ（１，４−シクロヘキサンジメチレン−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）の製造方法であって、上記接触を異なる２つの温度の２段階で行い、第二段階の最高温度が２５０℃である、方法。
【請求項１０】
２００〜８０００ｐｐｍのカルボン酸末端基濃度を有するポリ（１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
A1）ポリイソシアネート、
A2）平均分子量が400〜6000のポリマーポリオール、
A3）任意に、平均分子量が400までのモノ−若しくはポリアルコールまたはモノ−若しくはポリアミン、
A4）少なくとも20質量％がアラルキルアミンから構成されている、少なくとも1つのブロック化剤、
並びに
A5）少なくとも1つのイオン性基または潜在的イオン性基を有する化合物と
A6）非イオン親水性化合物と
から選択される少なくとも1つの化合物
から構成される、後架橋性ポリウレタン−ポリ尿素分散物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のメモリセルからなるメモリコアと、ウェハレベルバーンインで使用される各種制御信号、アドレス信号、テストデータの入出力を制御し、前記ウェハレベルバーンインの実行を制御するアクセス制御回路とを有するウェハレベルバーンイン回路を備えた半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置は、前記ウェハレベルバーンインの実行条件を設定するためのテストモードレジスタをさらに備え、
前記テストモードレジスタ内にテストモードを設定すると、前記半導体集積回路装置は、外部との間で、前記アドレス信号、前記テストデータ、および所定の電圧を直接に入出力可能なダイレクトメモリアクセス可能な状態に設定され、前記ウェハレベルバーンインの実行に必要な所定の電圧が、前記半導体集積回路装置へフォースされ、
前記アクセス制御回路をウェハレベルバーンインモードに設定すると、前記アクセス制御回路は、前記テストモードレジスタ内に設定された前記ウェハレベルバーンインの実行条件に従って、前記アドレス信号やテストデータを前記メモリコアへ供給し、前記ウェハレベルバーンインを実行し、
前記アクセス制御回路が、前記ウェハレベルバーンインモードから解除されると、前記半導体集積回路装置は、前記ダイレクトメモリアクセス可能な状態下で、前記メモリコア内のテストデータを読み出し外部へ出力することを特徴とするウェハレベルバーンイン回路を備えた半導体集積回路装置。
【請求項２】  ウェハレベルバーンインの実行後、アクセス制御回路がウェハレベルバーンインモードから解除されると、メモリコア内のテストデータを読み出し、予め設定された期待値と比較し、比較結果を出力する期待値比較回路をさらに備え、半導体集積回路装置は、前記期待値比較回路で得られた比較結果を、外部へ出力することを特徴とする請求項１記載のウェハレベルバーンイン回路を備えた半導体集積回路装置。
【請求項３】  テストモードレジスタ内に設定されたウェハレベルバーンインの実行条件に従って、アクセス制御回路は、メモリコア内の全ワード線を同時に選択するアドレス信号をメモリコアへ出力し、また、偶数番目の全ワード線を同時に選択するアドレス信号を前記メモリコアへ出力し、また、奇数番目の全ワード線を同時に選択するアドレス信号を前記メモリコアへ出力し、ウェハレベルバーンインを実行することを特徴とする請求項１または請求項２記載のウェハレベルバーンイン回路を備えた半導体集積回路装置。
【請求項４】  ウェハレベルバーンインの実行条件が設定されるテストモードレジスタをテストモードに設定し、
ウェハレベルバーンイン回路を備えた半導体集積回路装置を、外部との間で、各種制御信号、アドレス信号、テストデータ、および所定の電圧を直接に入出力可能なダイレクトメモリアクセス可能な状態にし、
前記ウェハレベルバーンインの実行に必要な所定の電圧を、前記半導体集積回路装置へフォースし、
前記ウェハレベルバーンイン回路内のアクセス制御回路がウェハレベルバーンインモードに設定されると、前記アクセス制御回路は、前記テストモードレジスタ内に設定された前記ウェハレベルバーンインの実行条件に従って、前記アドレス信号や前記テストデータをメモリコアへ供給し、前記ウェハレベルバーンインを実行し、
前記アクセス制御回路を前記ウェハレベルバーンインモードから解除し、
前記半導体集積回路装置を前記ダイレクトメモリアクセス可能な状態下で、前記メモリコア内の前記テストデータを読み出し、
読み出した前記テストデータを外部へ出力し、期待値と比較するウェハレベルバーンイン回路の機能判定方法。
【請求項５】  ウェハレベルバーンインの実行後、アクセス制御回路をウェハレベルバーンインモードから解除し、メモリコア内のテストデータを読み出し、読み出した前記テストデータを期待値と比較し、比較した結果を、ウェハレベルバーンイン回路の機能判定結果として外部へ出力することを特徴とする請求項４記載のウェハレベルバーンイン回路の機能判定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状チップの表面に直線状に配列された複数の発光点を有する発光素子アレイチップにおいて、
前記矩形状チップの一方の長辺の表面側エッジが鋭角に形成されていることを特徴とする発光素子アレイチップ。
【請求項２】
前記発光点は、前記一方の長辺に平行に、且つ、前記一方の長辺に平行なチップ中心線に対し前記一方の長辺に近い側に、配置されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイチップ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光素子アレイチップを複数個、鋭角に形成されている前記表面側エッジが接するように千鳥状配列したことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記各発光素子アレイチップ上の発光点を結ぶ線が平行になるように、千鳥状配列したことを特徴とする請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
矩形状の発光素子アレイチップの製造方法において、
ダイシングブレードをチップ表面に対し傾斜させた状態でチップ長辺側を切断することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項６】
１チップの長辺の長さより短い間隔を開けて奇数番目のチップを配列固定し、鋭角に形成されたチップ長辺の表面側エッジの一部が互いに接するように、偶数番目のチップを当接して千鳥状配列を形成することを特徴とする請求項３または４記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３または４に記載の発光装置を有するプリンタヘッド。
【請求項８】
請求項７に記載のプリンタヘッドを備えるプリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎｐｎ構造を有する面発光型の３端子発光サイリスタにおいて、
発光部を挟んでゲート電極と給電部配線とを配置し、
前記発光部上に、前記給電部配線に接近して、給電部電極を設けた、
ことを特徴とする３端子発光サイリスタ。
【請求項２】
前記給電部電極は、前記発光部の中心線上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の３端子発光サイリスタ。
【請求項３】
前記給電部電極は、前記発光部の中心線をはずれた位置に設けられていることを特徴とする請求項１記載の３端子発光サイリスタ。
【請求項４】
前記給電部の形状が矩形であり、前記給電部の給電部配線側に、前記給電部の張出し部を設け、この張出し部に前記給電部電極を配置したことを特徴とする請求項２記載の３端子発光サイリスタ。
【請求項５】
前記給電部電極はアノード電極またはカソード電極であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の３端子発光サイリスタ。
【請求項６】
しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個を配列したスイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、
しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、
前記発光素子アレイの各制御電極と前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光素子アレイチップが複数個配列された自己走査型発光装置において、
前記３端子発光素子は、請求項１〜５のいずれかに記載の３端子発光サイリスタであることを特徴とする自己走査型発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の自己走査型発光装置を備える書き込み用光源。
【請求項８】
請求項７に記載の書き込み用光源を備える光プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置であって、
前記基板に接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した半導体層とを有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する窒素の組成比は０．６以上１．５以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する窒素の組成比は０．０１以上０．４以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の膜厚は５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の膜厚は３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置であって、
前記基板に接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した半導体層とを有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素濃度は５５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の膜厚は５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の膜厚は３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置であって、
前記基板に接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した半導体層とを有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）はＳｉＨ４、ＮＨ３およびＮ２Ｏを含むガスを原料にして作製される膜であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）はＳｉＨ４およびＮ２Ｏを含むガスを原料にして作製される膜であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の膜厚は５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の膜厚は３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する水素の組成比は０．３以上１．５以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する水素の組成比は０．００１以上０．１５以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の水素濃度は１０ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の水素濃度は０．１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）は、密度が８×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０２３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）は、密度が６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上９×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
勿論、酸化窒化シリコン膜の作製条件は表１に限定されるものではない。酸化窒化シリコン膜（Ａ）は、ＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２Ｏとを用い、基板温度２５０℃〜４５０℃、反応圧力１０Ｐａ〜１００Ｐａ、電源周波数１３．５６ＭＨｚ以上を用い、放電電力密度０．１５Ｗ／ｃｍ２〜０．８０Ｗ／ｃｍ２として、水素濃度１０ａｔｏｍｉｃ％〜３０ａｔｏｍｉｃ％、窒素濃度２０ａｔｏｍｉｃ％〜３０ａｔｏｍｉｃ％、酸素濃度２０ａｔｏｍｉｃ％〜３０ａｔｏｍｉｃ％、密度８×１０２２／ｃｍ３〜２×１０２３／ｃｍ３、上記フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１５．４％含む混合溶液エッチング速度が４０ｎｍ／ｍｉｎ〜７０ｎｍ／ｍｉｎとなるようにすれば良い。一方、酸化窒化シリコン膜（Ｂ）は、ＳｉＨ４とＮ２Ｏとを用い、基板温度２５０℃〜４５０℃、反応圧力１０Ｐａ〜１００Ｐａ、電源周波数１３．５６ＭＨｚ以上を用い、放電電力密度０．１５Ｗ／ｃｍ２〜０．８０Ｗ／ｃｍ２として、水素濃度０．１ａｔｏｍｉｃ％〜１０ａｔｏｍｉｃ％、窒素濃度１ａｔｏｍｉｃ％〜２０ａｔｏｍｉｃ％、酸素濃度５５ａｔｏｍｉｃ％〜６５ａｔｏｍｉｃ％、密度６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜９×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、上記フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１５．４％含む混合溶液エッチング速度が９０ｎｍ／ｍｉｎ〜１３０ｎｍ／ｍｉｎとなるようにすれば良い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
着色剤混合部４に投入された成形材料３と着色剤は、駆動モータ１２が駆動して第１及び第２のスクリュー７，８が回転駆動され、これらスクリュー７，８と一体に混合ピン１４が回転することにより、第１及び第２のシリンダ９，１０内で分散混合される。第１及び第２のシリンダ９，１０内で分散混合された成形材料３と着色剤は、第１及び第２のスクリュー７，８と一体に回転する傾斜された送り羽根１５により第１及び第２のシリンダ９，１０内を図２中矢印Ｘ１方向に送り操作され、連結部１０ａを介して成形材料供給部１１に送られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
成形材料供給部１１は、図１に示すように、一端側に連結部１０ａが連結されて着色剤混合部４に連結されている。この成形材料供給部１１は、着色剤混合部４から供給される混合された成形材料３と着色剤を混練溶融する混練溶融部１６に供給する部分であって、シリンダ内に送り羽根１７を設けたスクリュー１８を設け、このスクリュー１８を送りモータ１９により回転駆動することにより、着色剤混合部４から供給される混合された成形材料３と着色剤を混練溶融部１６に供給する。なお、送り羽根１７は、スクリュー１８に対し所定角度傾斜して取り付けられることにより、着色剤が混合された成形材料３を図１中矢印Ｘ2方向に送り操作する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２  着色剤注入部、  ３  成形材料、  ４  着色剤混合部、  ７，８  スクリュー、  ９，１０  シリンダ、  １１  成形材料供給部、  １４  混合用のピン、  １５  送り羽根、  １６  混練溶融部、  ２２  ディスク基板成形部
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
染料を含む着色剤は、８００メッシュ以上の加熱フィルターにより濾過されることにより、染料の最大粒子は５０μｍ以下とされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、合成樹脂、例えばポリカーポネート樹脂を成形したディスク基板を着色剤により均一に着色するためには、染料をディスク基板中有に均一に溶解分散させる必要がある。染料がディスク基板中に均一に分散されないと、成形されたディスク基板の光学特性に色の濃淡に起因する色むらを発生させる。色の濃色部分の点在による色むらは、着色剤に含まれる染料粒子の大きさだけではなく染料の融点も影響していると考えられる。例えば、ペリレン系染料であるソルペント Ｒ，１３５は、融点がポリカーポネート樹脂をディスク基板に成形する場合の成形温度より高い３０７℃であるため、溶解しづらく均一にディスク基板中に分散されない状態が発生する。このような染料を用いる場合には、染料粒子径を３０μｍ以下にする必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコーン樹脂微粒子表面にアルカリ触媒を用いて無電解ニッケルメッキ層が形成されていることを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】  シリコーン樹脂微粒子が、シロキサン結合が三次元網目状に架橋した構造（ポリメチルシルセスキオキサン構造）を有するシリコーン樹脂微粒子であることを特徴とする請求項１に記載の導電性微粒子。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の導電性微粒子を用いて作製されていることを特徴とする導電材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の導電性微粒子は、シリコーン樹脂微粒子表面にアルカリ触媒を用いて無電解ニッケルメッキ層が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項３に記載の導電材料は、上記請求項１又は２に記載の導電性微粒子を用いて作製されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１に記載の導電性微粒子は、樹脂微粒子表面に前記アルカリ触媒を用いて前記工程及び方法により無電解ニッケルメッキ層が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項３に記載の導電材料は、上述した本発明の導電性微粒子を用いて作製されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
実施例４
絶縁封口ガスケットの素材として、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）とブチルゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を９７％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
実施例５
絶縁封口ガスケットの素材として、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）とブチルゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を６５％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
実施例６
絶縁封口ガスケットの素材として、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）とブチルゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を３５％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
実施例７
絶縁封口ガスケットの素材として四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）とフッ素ゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を９７％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
実施例８
絶縁封口ガスケットの素材として四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）とフッ素ゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を６５％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
実施例９
絶縁封口ガスケットの素材として四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）とフッ素ゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を３５％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
実施例１０
絶縁封口ガスケットの素材としてエチレン・四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）とフッ素ゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を９７％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
実施例１１
絶縁封口ガスケットの素材としてエチレン・四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）とフッ素ゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を６５％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
実施例１２
絶縁封口ガスケットの素材としてエチレン・四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）とフッ素ゴムとの混合材料を使用し、圧縮永久歪み率を３５％としたこと以外は、実施例１と同様にして図２に示す円筒型非水電解液電池を２０個作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】背面板の主面上に複数のアドレス電極と複数の隔壁を備えてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、上記隔壁がアドレス電極に平行な隔壁と交差する隔壁とからなり、上記アドレス電極と交差する隔壁の高さが、上記５０μｍ以上で、かつアドレス電極に平行な隔壁より１０μｍ以上低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項２】上記アドレス電極と交差する隔壁の高さが５０μｍ以上で、かつ上記アドレス電極に平行な隔壁より１０μｍ以上低いことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題に鑑み鋭意検討した結果、真空排気及びガス封入、蛍光体のアライメントの課題を発生させることなく発光効率を向上させる隔壁構造を見出し、本発明に至った。
すなわち背面板の主面上に複数のアドレス電極と複数の隔壁を備えてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、上記隔壁がアドレス電極に平行な隔壁と交差する隔壁とからなり、上記アドレス電極と交差する隔壁の高さが、上記５０μｍ以上で、かつアドレス電極に平行な隔壁より１０μｍ以上低いことを特徴とする。
さらに上記アドレス電極と交差する隔壁の高さが５０μｍ以上で、かつ上記アドレス電極に平行な隔壁より１０μｍ以上低いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
内部抵抗上昇を抑える機構については明白ではないが、エチレンカーボネートとプロピレンカーボネートとジメチルカーボネートとヘキサフルオロ燐酸リチウムによって、正極のリチウム含有複合酸化物の表面に安定なイオン導電性の保護被膜が形成されることにより、正極と電解液との反応が抑制され、さらに負極の難黒鉛化炭素材料表面での電解液分解に伴う表面被膜の成長が抑制されることにより、内部抵抗上昇が小さくなるものと考えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、この作成した渦巻式電極体１１の上下両面に絶縁板８を配置して、ニッケルめっきを施した鉄製の電池缶１に収納し、正極６、負極５の集電を行うため、正極集電体４からアルミニウム製の正極リード１２を導出して電池蓋１４に、そして負極集電体３からニッケル製の負極リード９を導出して電池缶１に溶接した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
表１−１
2001126760.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001126760.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光源からの放射光を光ディスク上に集光させるための集光手段と、
前記光ディスクからの反射光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段からの出力を利用してトラッキング制御および前記集光手段の傾き制御を行う制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記制御に際し、オフトラック量および前記集光手段の傾斜量を加味することを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記信号ａは前記差信号であり、
前記光ディスクの内周側には、前記光ディスクの回転方向に沿ったピットが形成されていて、
前記可動傾斜手段は、前記対物レンズを前記光スポットが前記ピット上を走査するときの検出信号振幅が最大になるように傾斜させ、前記光スポットを前記対物レンズの傾斜を保ったまま前記周期溝上または前記周期溝間上に移動させ、前記補正した信号ｂ−γ・ＬＴがゼロとなるときの前記信号ａの出力レベルを検出してa0とし、信号ｂ−γ・ＬＴがゼロにならないときに検出される信号ａの出力レベルから前記a0を引いた値を前記信号ａに代えて用いることを特徴とする請求項１０記載の光ディスク装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
光源からの放射光を所定の光学系を用いて光情報記録媒体上に集光させ、
前記光情報記録媒体からの反射光を検出し、
前記検出された光に基づいてトラッキング制御および前記光学系の傾き制御を行う光学系の制御方法であって、
オフトラック量および前記光学系の傾斜量を加味して前記制御を行う制御ステップを備えたことを特徴とする光学系の制御方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
請求項１４記載の光学系制御の方法の、オフトラック量および前記光学系の傾斜量を加味して前記制御を行う制御ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、コンピュータにより処理可能なプログラム記録媒体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
光ディスクの信号面８Ｓ上には光ディスク基材８の径方向１２にピッチｐの周期で凹凸状の溝１３Ｇと溝間１３Ｌ、および一定長のピット列１４ａ、ピット列１４ｂが形成されている。溝１３Ｇや溝間１３Ｌ上には領域外に比べ反射率の異なる信号マーク１５が形成されており、それらの反射率の差異が溝、溝間に沿って走査する集光スポット１６により再生信号として読みとられる。ピット列１４ａ、１４ｂはその位置が隣接トラック同士で同期しており、光ディスクの回転方向にもピッチｑの周期をなしている。また、ピット列１４ａの中心は溝１３Ｇの中心からｓだけ径方向にそってずれており、ピット列１４ｂはその反対方向にｓだけずれている。従って、溝１３Ｇや溝間１３Ｌ上にトラッキング位置制御された光スポット１６がピット列１４ａ、１４ｂの上を走査するときは、いずれもピットの中心からｓだけそれた位置を通ることになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一方、光ディスクの内周側には径方向１２にピッチＰ’の周期でピット列１４ｃが形成されている。ピット列１４ｃはその位置が隣接同士で同期していなくてもよく、光ディスクの回転方向にも周期性はなく、長さもランダムであってよい。当然、トラッキング位置制御された光スポット１６がピット列１４ｃの上を走査するときは、ピットの中心位置を通ることになる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
第一の本発明（請求項１に対応）は、光源からの放射光を光ディスク上に集光させるための集光手段と、
前記光ディスクからの反射光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段からの出力を利用してトラッキング制御および前記集光手段の傾き制御を行う制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記制御に際し、オフトラック量および前記集光手段の傾斜量を加味することを特徴とする光ディスク装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第十三の本発明（請求項１３に対応）は、前記信号ａは前記差信号であり、
前記光ディスクの内周側には、前記光ディスクの回転方向に沿ったピットが形成されていて、
前記可動傾斜手段は、前記対物レンズを前記光スポットが前記ピット上を走査するときの検出信号振幅が最大になるように傾斜させ、前記光スポットを前記対物レンズの傾斜を保ったまま前記周期溝上または前記周期溝間上に移動させ、前記補正した信号ｂ−γ・ＬＴがゼロとなるときの前記信号ａの出力レベルを検出してa0とし、信号ｂ−γ・ＬＴがゼロにならないときに検出される信号ａの出力レベルから前記a0を引いた値を前記信号ａに代えて用いることを特徴とする第十の本発明の光ディスク装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第十四の本発明（請求項１４に対応）は、光源からの放射光を所定の光学系を用いて光情報記録媒体上に集光させ、
前記光情報記録媒体からの反射光を検出し、
前記検出された光に基づいてトラッキング制御および前記光学系の傾き制御を行う光学系の制御方法であって、
オフトラック量および前記光学系の傾斜量を加味して前記制御を行う制御ステップを備えたことを特徴とする光学系の制御方法である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第十五の本発明（請求項１５に対応）は、第十四の本発明の光学系の制御方法の、オフトラック量および前記光学系の傾斜量を加味して前記制御を行う制御ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、コンピュータにより処理可能なプログラム記録媒体である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【発明の効果】
本発明は、たとえば、ディスクの相対的な傾きにより発生するオフトラックや３次コマ収差を極めて小さいものに抑えられる光ディスク装置、光学系の制御方法、プログラム記録媒体を提供することが出来る。