【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、該第１のゲート電極を覆い、且つ、前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた半導体膜からなる第２のゲート電極で形成され、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域及び該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２のゲート電極に重なる領域と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴと、付加容量部とを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、該第１のゲート電極を覆い、且つ、前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた半導体膜からなる第２のゲート電極で形成され、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域及び該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２のゲート電極に重なる領域と重ならない領域とを有し、
前記付加容量部は、前記第１の不純物領域と同一の周期律表の１５族に属する元素を含む半導体層で設けられた電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、該第１のゲート電極を覆い、且つ、前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた半導体膜からなる第２のゲート電極で形成され、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域及び該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２のゲート電極に重なる領域と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と該チャネル形成領域に接して形成された第３の不純物領域からなり、前記第３の不純物領域の一部に前記第２の不純物領域と同一の周期律表の１５族に属する元素が含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の不純物領域に含まれる周期律表の１５族に属する元素の濃度は、前記第２の不純物領域に含まれる周期律表の１５族に属する元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記半導体膜は、導電性珪素膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記基板は、ガラス基板でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記重なる領域は、０．１〜２μｍでなり、
前記重ならない領域は、０．１〜２μｍでなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のゲート電極は、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）から選ばれた元素からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のゲート電極は、タンタル膜と窒化タンタル膜を含む積層膜またはタングステン膜と窒化タングステン膜を含む積層膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のゲート電極は、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）から選ばれた元素を含む合金膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のゲート電極は、第１の導電層及び該第１の導電層の上に形成された第２の導電層からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１の導電層は、珪素膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、
前記第２の導電層は、アルミニウム又は銅を含む膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の半導体装置を用いた表示装置。
【請求項１６】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
前記第１のゲート電極を覆う半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にフォトレジスト膜を形成し、前記半導体膜をエッチングして第２のゲート電極を形成し、
前記フォトレジスト膜をマスクとして、前記半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
前記フォトレジスト膜をマスクとして、前記第２のゲート電極をサイドエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
前記第１のゲート電極を覆う半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第１のフォトレジスト膜を形成し、前記半導体膜をエッチングして第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
裏面露光法により前記第２のゲート電極をマスクとして前記第２のゲート電極上に第２のフォトレジスト膜を形成し、
前記第２のフォトレジスト膜をマスクとして、前記第２のゲート電極をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記第１のゲート電極をマスクとして周期律表の１５族に属する元素が添加された前記半導体層と同時に形成された半導体層でなる下部電極と、
前記ゲート絶縁膜と同時に形成された絶縁膜と、
前記半導体膜と同時に形成された半導体膜でなる上部電極とで付加容量部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
絶縁表面を有する基板上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の半導体層上に第１のフォトレジスト膜を形成し、
前記第１のフォトレジスト膜及び前記第１のゲート電極をマスクとして、前記第２の半導体層に周期律表の１３族に属する元素を添加し、
前記第１のフォトレジスト膜を除去し、
前記第１のゲート電極を覆う半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第２のフォトレジスト膜を形成し、前記半導体膜をエッチングして第２のゲート電極を形成し、
前記第２のフォトレジスト膜をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
前記第２のフォトレジスト膜をマスクとして、前記第２のゲート電極をサイドエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
絶縁表面を有する基板上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の半導体層上に第１のフォトレジスト膜を形成し、
前記第１のフォトレジスト膜及び前記第１のゲート電極をマスクとして、前記第２の半導体層に周期律表の１３族に属する元素を添加し、
前記第１のフォトレジスト膜を除去し、
前記第１のゲート電極を覆う半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第２のフォトレジスト膜を形成し、前記半導体膜をエッチングして第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に周期律表の１５族に属する元素を添加し、
裏面露光法により前記第２のゲート電極をマスクとして前記第２のゲート電極上に第３のフォトレジスト膜を形成し、
前記第３のフォトレジスト膜をマスクとして、前記第２のゲート電極をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか一において、
前記第１のゲート電極は、第１の導電層及び該第１の導電層を覆う第２の導電層とで形成され、
前記第１の導電層として、珪素膜を用い、
前記第２の導電層として、アルミニウム又は銅を含む合金膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至請求項２１のいずれか一において、
前記半導体膜として、導電性珪素膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。