【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、
前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第２の半導体変換素子と、を有し、
前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】  前記第１の半導体変換素子及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上にマトリクス状に配設され、
前記薄膜トランジスタの制御電極は、互いに並行に配設された複数本のゲート配線のいずれか１本に接続されており、
前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数本のゲート配線が延びる方向において当該第２の半導体変換素子が隣接する薄膜トランジスタの制御電極が接続されたゲート配線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】  前記第１の半導体変換素子及び前記第２の半導体変換素子を含む第１の画素と、前記第１の半導体変換素子を含み、前記第２の半導体変換素子を含まない第２の画素と、が存在し、
前記第１の画素と前記第２の画素とでは、面積が実質的に等しく、
前記第１の画素内の前記第１の半導体変換素子の受光面積は、前記第２の画素内の前記第１の半導体変換素子の受光面積よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】  前記第２の半導体変換素子は、前記変換部内に複数設けられており、
前記複数本のゲート配線が延びる方向に並ぶ前記第１及び第２の画素の配列を行、それに直交する方向に並ぶ前記第１及び第２の画素の配列を列と定義したとき、前記複数の第２の半導体変換素子の少なくとも一部は、同一の行又は列を構成する複数の第２の画素内に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】  前記第１の半導体変換素子の構造は、センサ電極を備えたＭＩＳ型の構造となっており、
前記センサ電極、前記薄膜トランジスタの制御電極及び前記第２の半導体変換素子の制御電極は、同一の層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】  前記第２の半導体変換素子は、前記変換部の周囲に配設されていることを特徴とする請求項１又は５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】  放射線源と、
基板と、
前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、
前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第２の半導体変換素子と、を有し、
前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されている放射線撮像装置を駆動する方法であって、
前記第２の半導体変換素子を用いて前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために、前記第２の半導体変換素子の制御電極に前記薄膜トランジスタのオフ電圧を印加する工程と、
前記放射線源から放射線を前記変換部に向けて照射する工程と、
前記照射量がある値に到達した時に、前記放射線源からの放射線の照射を停止させる工程と、
前記第１の半導体変換素子に蓄積された電荷を読み出すために、前記薄膜トランジスタの制御電極に動作電圧を印加する工程と、
前記第２の半導体変換素子内の残存電荷を除去するために、前記第２の半導体変換素子の半導体層に順方向バイアスを印加する工程と、
を有することを特徴とする放射線撮像装置の駆動方法。
【請求項８】  前記薄膜トランジスタの制御電極に動作電圧を印加する工程の一部と前記第２の半導体変換素子の半導体層に順方向バイアスを印加する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置の駆動方法。
【請求項９】  基板と、
前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、
前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第２の半導体変換素子と、を有し、
前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されている放射線撮像装置の製造方法であって、
前記基板上に、同一の層から前記第１の半導体変換素子のセンサ電極、前記薄膜トランジスタの制御電極及び前記第２の半導体変換素子の制御電極を形成する工程と、
前記基板の上方に、前記第１の半導体変換素子の共通電極、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極、並びに前記第２の半導体変換素子のソース電極及びドレイン電極用の導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記共通電極を形成する工程と、
前記導電膜を更にパターニングすることにより、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極、並びに前記第２の半導体変換素子のソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係る放射線撮像装置は、基板と、前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第２の半導体変換素子と、を有し、前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第２の発明に係る放射線撮像装置の駆動方法は、放射線源と、基板と、前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第２の半導体変換素子と、を有し、前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されている放射線撮像装置を駆動する方法であって、前記第２の半導体変換素子を用いて前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために、前記第２の半導体変換素子の制御電極に前記薄膜トランジスタのオフ電圧を印加する工程と、前記放射線源から放射線を前記変換部に向けて照射する工程と、前記照射量がある値に到達した時に、前記放射線源からの放射線の照射を停止させる工程と、前記第１の半導体変換素子に蓄積された電荷を読み出すために、前記薄膜トランジスタの制御電極に動作電圧を印加する工程と、前記第２の半導体変換素子内の残存電荷を除去するために、前記第２の半導体変換素子の半導体層に順方向バイアスを印加する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第３の発明に係る放射線撮像装置の製造方法は、基板と、前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、前記変換部内に入射した放射線の照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第２の半導体変換素子と、を有し、前記第２の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されている放射線撮像装置の製造方法であって、前記基板上に、同一の層から前記第１の半導体変換素子のセンサ電極、前記薄膜トランジスタの制御電極及び前記第２の半導体変換素子の制御電極を形成する工程と、前記基板の上方に、前記第１の半導体変換素子の共通電極、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極、並びに前記第２の半導体変換素子のソース電極及びドレイン電極用の導電膜を形成する工程と、前記導電膜をパターニングすることにより、前記共通電極を形成する工程と、前記導電膜を更にパターニングすることにより、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極、並びに前記第２の半導体変換素子のソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。