(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板テーブル上に少なくとも１つの架台を介して載せられた物体と
を備え、
前記架台は、前記物体に装着された第１架台部分と、前記基板テーブルに装着された第２架台部分とを有しており、前記第１および第２架台部分は、相互に取り外し可能であり、且つ、前記架台は弾性材料を有し、前記基板テーブルに対する前記物体の或る相対運動を可能にする、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１架台部分が機械的弱部を持って形成され、前記第１架台部分の上方部材と前記第１架台部分の下方部材との間の第１軸の周りの曲げ回転を可能とし、前記上方部材が前記物体に装着され、前記下方部材が前記第２架台部分に装着されている、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第２架台部分が機械的弱部を持って形成され、前記第２架台部分の上方部材と前記第２架台部分の下方部材との間の第２軸の周りの曲げ回転を可能とし、前記上方部材が前記第１架台部分に装着され、前記下方部材が前記基板テーブルに装着されている、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第１部分が、前記第１架台部分の上方部材と前記第１架台部分の下方部材との間で前記物体の上面の面内での直線運動を可能にするように構成され配置されており、前記物体の中心および前記架台の中心を通る面に平行な方向に、前記上方部材が前記物体に装着され、前記下方部材が前記第２架台部分に装着されている、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記第１架台部分が、前記物体の上面に対して実質垂直な接触表面を有し、前記接触表面が前記第２架台部分の表面と点接触するように配置されている、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの架台が、前記物体の中心軸の周りで均等に位置された３つの架台を含み、前記接触表面のうち２つが実質同じ第１面内にあり、残りの接触表面は第１面に対して垂直な面内にある、請求項５記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板テーブル上に架台により載せられた物体と
を備え、
前記架台は、前記物体に装着された第１架台部分と、前記基板テーブルに装着された第２架台部分とを有しており、前記第１および第２架台部分は、取付け取外し可能であり、また、第１軸に沿う直線運動と、相互に直交するとともに前記第１軸に直交する２つの軸を通る回転変形とのために変形可能である、リソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１および第２架台部分は、２０〜３０℃の間で５×１０−６℃−１未満の平均熱膨張係数を有する金属から製造される、請求項７記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記第１架台部分が機械的弱部を持って形成され、前記第１架台部分の上方部材と前記第１架台部分の下方部材との間の第２軸の周りの曲げ回転を可能にし、前記上方部材が前記第２架台部分から最も遠くに設置され、前記下方部材が前記第２架台部分の最も近くに設置されている、請求項７記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記機械的弱部が前記第１架台部分の薄めの部分を含む、請求項７記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記薄めの部分は前記第１軸に対して平行な方向に細長く、前記第２軸に対して垂直な軸の周りの回転を実質的に防止する、請求項１０記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記薄めの部分は前記第２軸に対して垂直な方向に細長く、前記上方および下方部分間で、前記第１軸に対して垂直な方向での前記直線運動を可能にする、請求項１０記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記第２架台部分の前記第１架台部分の近傍に設置された上方部材が、前記第１架台部分から離間している前記第２架台部分の下方部材に対して第１軸の周りで回転可能である、請求項７記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記回転は、前記上方部材が一対の細長部材により前記下方部材に装着されていることにより可能であり、前記細長部材は前記上方部材に両側で装着されている、請求項１３記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記細長部材が、前記下方部材の最も近い端部から離れた或る部分にて前記上方部材に装着されている、請求項１４記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記細長部材が変形可能であり、これによって前記回転が可能である、請求項１４記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記細長部材は、前記軸に対して垂直な方向の寸法よりも大きい前記第１軸の方向の寸法を有し、前記軸に対して垂直な前記方向の前記細長部材の曲げを可能にするが、前記第１軸における前記細長部材の曲げは実質的に防止する、請求項１４記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記第１架台部分が接触表面をさらに有し、前記第１および第２部分が装着されると、前記接触表面が前記第２架台の表面と点接触して前記第１および第２架台が相互に対して設置される、請求項７記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板テーブル上に載せられた物体と
を備え、
前記物体が、前記物体の熱的中心の周りで等間隔に配置された３つの板ばねを介して載せられ、前記板ばねの、内外に向かう半径方向運動が可能であり、前記物体が熱膨張または熱収縮しても、前記物体の前記中心が前記基板テーブルに対して静止したままであることを確実にする、リソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記板ばねが前記物体および前記基板テーブルに接着されている、請求項１９記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記板ばねの各々が架台の一部であり、前記架台は、相互に取付け取外し可能である第１および第２架台部分を含み、前記第１架台部分は前記物体に装着され、前記第２架台部分は前記基板テーブルに装着されている、請求項２０記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記板ばねが前記第１または第２架台部分の一部である、請求項２１記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記物体がセンサである、請求項１９記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板テーブル上の凹部内に載せられ、且つ上から見て円形であるとともに前記基板テーブルから離間しているセンサと
を備え、
前記センサが、前記センサの熱的中心の周りで等間隔に配置された３つの板ばねを介して載せられて、前記板ばねの、内外に向かう半径方向運動が可能であり、これによって、前記センサが熱膨張または熱収縮しても、前記センサの前記中心が前記基板テーブルに対して静止したままであることを確実にする、リソグラフィ装置。
【請求項２５】
前記センサが円筒形である、請求項２４記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置とは、所望のパターンを基板へ、通常は基板のターゲット部分へ与える機器であり、例えば集積回路（ＩＣ）を製造する際に使用することができる。そのような場合、別名マスクまたはレチクルと称されるパターニングデバイス(patterning device)を使用して、ＩＣの個々の層上に回路パターンを形成させることができる。このパターンは基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの部分を含む）へ転写することができる。パターンの転写は、代表的には、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）の層への結像を介して行われる。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワーク(network)を含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分へ１回で露光することにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、基板を所定方向（「スキャン」方向）に対して平行または逆平行に同期スキャンすると同時に放射ビームを介してパターンをこの方向にスキャンすることにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。パターンを基板へインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
基板が載せられる基板テーブル上ではセンサが使用されて、パターン形成された放射ビームに基板を位置合わせする。センサには、ＴＩＳ(Transmission Image Sensor）、スポットセンサ、およびＩＬＩＡＳ (Integrated Lens Interferometer At Scanner)センサを含む。先行技術では、これらのセンサは基板テーブルに既に接着されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板テーブルに載せられた物体の熱膨張および熱収縮に関連する問題を解決することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板テーブル上に少なくとも１つの架台を介して載せられた物体とを備え、前記架台は前記物体と前記基板テーブルとの間に装着され且つ弾力性を有し、前記基板テーブルに対する前記物体の或る相対運動を可能にする、リソグラフィ装置が提供される。
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板テーブル上に架台により載せられた物体とを備え、前記架台は、前記物体に装着された第１架台部分と、前記基板テーブルに装着された第２架台部分とを有しており、前記第１および第２架台部分は、取付け取外し可能であり、また、第１軸に沿う直線運動と、相互に直交するとともに前記第１軸に直交する２つの軸を通る回転変形とのために変形可能である、リソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板テーブル上に載せられた物体とを備え、前記物体が、前記物体の熱的中心の周りで等間隔に配置された３つの板ばねを介して載せられ、前記板ばねの、内外に向かう半径方向運動が可能であり、これによって前記物体が熱膨張または熱収縮しても前記物体の前記中心が前記基板テーブルに対して静止したままであることが確実になる、リソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
本発明の一態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板テーブルの凹部内に載せられたセンサとを備え、上から見て前記センサは円形であるとともに前記基板テーブルから離間している、リソグラフィ装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明の実施形態を単なる例示として、添付の略図を参照して説明する。図中、対応する参照符号は対応する部分を示している。
【００１０】
図１は、本発明の１実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射線）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成されているとともに、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに結合されている支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布されたウェーハ）Ｗを保持するように構成されているとともに、一定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに結合されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに与えられるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含むもの）へ投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬとを含む。
【００１１】
照明システムＩＬは、放射線を誘導し、成形し、あるいは制御するために、様々なタイプの光学コンポーネント、例えば屈折型、反射型、磁気光型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
【００１２】
支持構造体ＭＴはパターニングデバイスＭＡを支える、つまりその重量を支持し、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、およびその他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるかどうか等に応じた方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式、あるいはその他のクランプ技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。支持構造体は、例えば固定可能または必要に応じて可動とすることのできるフレームまたはテーブルとすることができ、パターニングデバイスが例えば投影システムに関して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より総括的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１３】
本明細書において使用する用語「パターニングデバイス」は、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成するように放射ビームの断面にパターンを与えるのに使用可能な任意の素子を表すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特性(phase-shifting feature)またはいわゆるアシスト特性(assist feature)を含む場合には、基板のターゲット部分内で所望のパターンに正確には一致しなくてもよいということに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路といった、ターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１４】
パターニングデバイスは透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて良く知られており、種々のハイブリッドマスク型と同様に、バイナリ、Alternating位相シフト、減衰型位相シフト等のマスク型も含む。プログラマブルミラーアレイの１例は小型ミラーのマトリクス配置を用いており、入射する放射ビームを様々な方向に反射できるようにミラーの各々を個々に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリクスにより反射された放射ビームにパターンを与える。
【００１５】
本明細書において使用する用語「投影システム」は、使用されている露光放射線に適した、あるいは液浸液の使用やといったその他の要因に適した、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型、またはそれらの任意の組み合わせを含む任意の種類の投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より総括的な用語「投影システム」と同義と見なすことができる。
【００１６】
ここで示すように、装置は透過型のもの（例えば透過性マスクを用いる）である。別法として、装置は反射型のもの（例えば上述したようなタイプのプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）とすることもできる。
【００１７】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」機器では、付加的なテーブルを同時に使用することができ、または、１つ以上のテーブルを露光に使用しつつ１つ以上の他のテーブル上で予備のステップを実行することができる。
【００１８】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすために、基板の少なくとも一部分が、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水、により覆われ得るタイプのものとすることもできる。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムとの間に適用することもできる。投影システムの開口数を増加させるための液浸技術は当技術分野ではよく知られている。本明細書において使用する用語「液浸」は、構造体、例えば基板が液体に浸される必要があることを意味しているのではなく、むしろ露光中に投影システムと基板との間に液体が置かれることを意味しているだけである。
【００１９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射線源ＳＯからの放射ビームを受ける。例えば線源がエキシマレーザである場合、線源とリソグラフィ装置とは個別の構成要素であってもよい。このような場合、線源はリソグラフィ装置の一部を成すように考慮されておらず、放射ビームは、例えば好適な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを有するビームデリバリシステムＢＤにより線源ＳＯからイルミネータＩＬへと通過する。その他の場合、例えば線源が水銀ランプである場合には、線源はリソグラフィ装置の一体形の一部分とすることができる。線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤと共に、放射線システムと称することもできる。
【００２０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側の半径方向広がり（通常はそれぞれσ-outerおよびσ-innerと称される）は調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、その他の種々の部品、例えばインテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯを含むことができる。イルミネータを使用して放射ビームを調節し、その断面に所望の均一性および強度分布を有することができる。
【００２１】
放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブルＭＴ）上で保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによりパターニングされる。放射ビームＢは、マスクＭＡを通過したあと投影システムＰＬを通り、この投影システムがビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃへ合わせる。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉素子、リニアエンコーダ、または容量センサ）により、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするよう正確に移動させることができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１で明確には示していない）を使用して、例えばマスクＭＡをマスクライブラリから機械的に取り出した後、あるいは走査中に、該マスクを放射ビームＢの経路に対し正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を成すロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）により実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を成すロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールにより実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに結合あるいは固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２により位置合わせすることができる。図示する基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、これをターゲット部分間の空間内に設置してもよい（これらはけがき線アライメントマーク(scribe-lane alignment markとして公知である）。同様に、マスクＭＡ上に２つ以上のダイが設けられている状況では、マスクアライメントマークはダイ間に設置してもよい。
【００２２】
図示する装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することができよう。
【００２３】
１．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止されており、投影ビームに伝えられたパターン全体が、ターゲット部分Ｃへ１回で投影される（すなわち単一静的露光）。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向にシフトされて、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップ方式では、露光フィールドの最大寸法が、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を限定する。
【００２４】
２．スキャンモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期スキャンされ、投影ビームに伝えられたパターンがターゲット部分Ｃへ投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性により決定される。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を限定するのに対して、スキャンモーションの長さがターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定する。
【００２５】
３．別のモードにおいて、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ基本的に静止されており、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされて、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃへ投影される。このモードでは一般にパルス放射線源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動後に、またはスキャン中に連続する放射線パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルパターニングデバイス、例えば前述したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを活用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２６】
上述した使用モード、または全く異なる使用モードに関する組み合わせおよび／または変更を用いることもできる。
【００２７】
図２は、液浸リソグラフィ装置において使用するための基板テーブルＷＴを上から示しており、結像中には投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液浸液が置かれている。図２の基板テーブルＷＴは、いかなる部品も装着せずに示す。
【００２８】
凹部１０内にはピンプルテーブル(pimple table)またはチャックが位置決めされる。ピンプルテーブルまたはチャックは結像中に基板Ｗを所定の位置で保持する。
【００２９】
従来では、センサの熱膨張および熱収縮（これらは投影システムと結像中の物体との間に液浸液が置かれる液浸リソグラフィ機器で特に生じ得る）の間、基板テーブル上のセンサの位置のドリフトが生じることがある。これにより、基板の位置決めが不正確になることがあるが、これはセンサと基板テーブルとの間の接着された接触部(glued interface)における摩擦およびヒステリシスによるものである。このことは液浸リソグラフィシステムに特有の問題であるが、非液浸システムでも問題になる。
【００３０】
凹部２０内に、センサ、例えばＴＩＳ(Transmission Image Sensor)、スポットセンサ、またはＩＬＩＡＳセンサが配置される。センサ用の凹部２０は上から見て円形または丸くなっており、これは、液浸リソグラフィにおいてセンサが遭遇する力を最小にするように、また基板テーブルＷＴ上でセンサが占める空間を最小にするようにセンサが形成される慣例とは異なっている。
【００３１】
閉鎖ディスク支持体(closing disk support)用に、さらなる凹部３０が設けられている。閉鎖ディスクが使用されていない間、閉鎖ディスク支持体が該閉鎖ディスクを支持する。閉鎖ディスクは、基板交換中に以下のやり方で使用される。基板Ｗが結像された後、基板テーブルＷＴは、閉鎖ディスクが投影システムＰＬの下になるように投影システムＰＬの下に位置決めされる。次に、閉鎖ディスクは、結像中に投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液浸液を提供する液体供給システムに装着されるので、液体供給システムは停止される必要がなく、投影システムの最終要素は基板交換中はウェットのままであり、これにより乾燥しみが防止される。いったん閉鎖ディスクが液体供給システムに装着されてしまえば基板テーブルＷＴは遠ざけることができる。基板テーブルＷＴ上に新たな基板が設けられた後、基板テーブルＷＴが位置決めされて閉鎖ディスクは閉鎖ディスク支持体へ降ろすことができ、次に、基板テーブルＷＴが移動されて基板Ｗの結像を開始することができる。
【００３２】
液浸リソグラフィでは、結像中のセンサ（センサはウェット状態で結像される、すなわち、センサと投影システムとの間に液浸液を備えた基板と同じ条件下である）の温度制御は難しいものとなり得る。従来のやり方では、センサは基板テーブル上で所定の位置に接着されており、センサから基板テーブルＷＴまでの固い接触部(solid interfaces)内の摩擦およびヒステリシスのため、熱膨張または熱収縮が大きくなると基板テーブルＷＴに対してセンサの位置のドリフトがもたらされ得る。
【００３３】
この実施形態の設計において、センサは上から見て円形であり、センサの外周と凹部２０の内周との間に間隙が存在するように凹部２０内に載せられている。したがって、センサは基板テーブルＷＴの存在に制約を受けずに膨張および収縮することができる。丸いセンサを提供することにより、センサの中心（ここにセンシング要素が位置決めされる）は基板テーブルＷＴに対して実質静的に留まるのを確実にするような、以下で説明する配置にすることが可能になる。この理由は、円形のセンサ（円筒形であってもよい）が熱的中心軸(thermal center axis)の周りで等しく膨張し収縮するからである。これは、形状が不揃いでありその膨張および収縮が均一でない先行技術のセンサの場合とは異なる。
【００３４】
円形のセンサを提供することは、液浸液が基板テーブルＷＴとセンサとの間の間隙へ漏洩しないようにその間隙を封止することが簡素化されることも意味する。例えば、簡単な環状ステッカ(annual sticker)を設置して、センサの上面と基板テーブルＷＴの上面との間の間隙を橋渡し、これによってセンサと基板テーブルとの間の間隙を封止することができる。この状況では対称的変位の方がより簡単に処理できる。
【００３５】
さらに、丸いセンサの使用により、基板テーブルＷＴとセンサ自体との間に配置されるべきセンサ架台の使用が可能になる。これらの架台は、センサの熱的中心（丸いセンサの場合はその中心である）を通りセンサおよび基板テーブルＷＴの上面に対して垂直である熱的中心軸の周りで対称に配置される。架台はこの熱的軸の周りで対称に位置決めされ、熱的軸から等間隔に離間している。架台は板ばね（弾性定数が等しい）の態様とすることができ、これらの板ばねは基板テーブルＷＴとセンサの底部とに（例えば接着により）しっかりと装着され、板ばね架台の各々は、温度変動でセンサの寸法が変化するのと同じ量だけ弾力的に膨張および収縮するので、センサが熱膨張または熱収縮しても、センサの熱的中心は基板テーブルＷＴに対して静止したままである。
【００３６】
次に、上述した板ばね架台を、図３〜図７を参照してより詳細に説明する。本発明は３つの架台の使用に関して説明されるが、４つ以上の架台を使用することも明らかに可能である。これらの架台はセンサの熱的軸の周りで対称に位置決めされ、センサの周辺部の周りでの一様な耐熱膨張性を保証する。閉鎖ディスク支持体も、同じ利点により同じ方法で載せることができる。架台の可撓性により、センサが任意の凸凹に起因して変形することはなくなるので、センサの底面も凹部の底面も、完全に平面である必要はない。
【００３７】
図３は、３つの架台１００を示す。架台は、第１架台部分１４０および第２架台部分１６０からなる。第１架台部分１４０はセンサに接着されており、第２架台部分１６０は基板テーブルＷＴに接着されている。第１および第２架台部分は、ともにスクリュー固定具１２０により取付け取外し可能である。スクリュー固定具１２０は、第１架台部分１４０内の貫通孔を通り、第２架台部分１６０内の受け孔１２６（図５に示す）へと螺合される。ボルトヘッドの真下にはねじディスク１２２および座金１２４があり、スクリュー固定具１２０に加えられたボルト態様のトルクが、位置決めされたセンサを変位しないようにしてある。
【００３８】
第１架台部分１４０および第２架台部分１６０は、低い膨張係数、好ましくは、２０〜３０℃の間で５×１０−６℃−１未満の熱膨張係数を有する材料から製造されている。材料には弾力性もあり、これらの基準に適した１つの材料としてＩＮＶＡＲ（登録商標）がある。ＩＮＶＡＲ（登録商標）は、低い熱膨張係数と約１．４×１０１１Ｎｍ２のヤング率（「Ｅ」）とを有する金属である。架台１００の複雑な形状は、この材料から容易に機械加工することができる。
【００３９】
図示するように、架台１００は、センサの熱的中心の周りを１２０°の間隔で設置されている。これらの架台の各々は、板ばねとして働き、熱的中心から半径方向外方の方向への、架台の底部に対する架台の頂部の運動を可能にする部分を有する。図示の実施形態では、これは第１架台部分１４０内に、上部１４２と下部１４４との間に薄めの部分(thinner portion)１４６として形成される機械的弱部(mechanical weakness)により設けられている（図３を参照）。上部１４２は第２架台部分１６０から最も遠くに配置されており、センサに接着される一部となる。下部１４４は第２架台部分１６０に最も近い部分であり、センサから遠方に位置決めされている。薄めの部分１４６により、熱的中心の半径方向外方（または内方）の方向への、下部１４４に対する上部１４２の直線運動が可能になる。また薄めの部分１４６により、熱的軸に対して垂直な、かつセンサの上面および熱的中心の半径方向外方の方向に対して平行な第１軸の周りでの、下部１４４に対する上部１４２の回転も可能にすることができる。このことは図４に関してより詳細に説明する。
【００４０】
薄めの部分１４６は第１軸の方向へ細長になっており、これによって、熱的軸に対して平行な軸の周りで上部１４２が下部１４４に対して回転するのを実質的に防止する。薄めの部分１４６の中心には切抜き(cut out)が設けられて、スクリュー固定具１２０の頭部の位置決めが可能になる。
【００４１】
第２架台部分１６０も、上部１６４および下部１６２から構成されている。反転したトップハット(inverted top hat)の形状に機械加工された間隙１６８は両端がハットの頂部に向かって下方に傾斜しており、上部１６４は、一対の細長部材１６６により下部１６２に効果的に装着されている。細長部材１６６が曲がると上部１６４が下部１６２に対して回転可能になるように、細長部材１６６は、下部１６２から離れたところに位置する上部１６４の或る部分の両側に装着されている。第１架台部分１４０の上部１４２および下部１４４がそれを通って回転する軸が、第２架台部分１６０の上部１６２および下部１６４が相互に対してその周りで回転する軸に対して垂直となるように、第１架台部分１４０および第２部分１６０は、相互に対して回転可能である。このことは図４に関してより詳細に説明する。
【００４２】
スクリュー固定具１２０の長手方向軸に対して平行な軸の周りでの上部１６２および下部１６４の相対回転を防止するように、細長部材１６６は第２軸の方向に厚みを有する。
【００４３】
各第１架台部分１４０は、下方に突出する界接部材１８０を有する。界接部材１８０はその内面に、第２架台部分１６０の突出部１７０と相互作用する接触表面(interface surface)を有する。接触表面および突出部は点接触で接するので、正確にいえば第１架台部分１４０および第２架台部分１６０とスクリュー固定具１２０とを固定する前に、センサを基板テーブルＷＴに対して配向することが可能になる。このことは図７に関してより詳細に説明する。
【００４４】
次に図４を参照して、組み立てられた架台の様々な部分間での回転および直線運動の種類を説明する。この構成では、３つの種類の運動のみを可能とすればよい。その第１番目とは、第１架台部分の頂部１４２の、底部１４４に対する直線運動２００である。この運動は、熱的軸から半径方向で内外に向かう方向２００で起こる。この運動は薄めの部分１４６の歪みによって可能になり、これが基板テーブルＷＴに対するセンサの熱膨張および熱収縮の原因となる。この運動は機械的には板ばねと等しく、弾力性を有する。
【００４５】
許容される第２の種類の運動も薄めの部分１４６により与えられており、これは、熱的軸に対して垂直な第１軸２１０の周りでの回転である。第３の種類の運動とは、第１軸に対して垂直な、実質熱的軸を通る第２軸２２０の周りでの回転である。
【００４６】
第２軸２２０を通る回転は、第２部分１６０の上部１６４の、第２部分１６０の底部１６２に対する回転である。
【００４７】
架台の特定部分間において可能となる様々な運動および回転を架台１００が有することを説明した。様々な種類の運動が可能となるその他の種類の構成が明らかに可能であり、また、上記の運動のすべてを可能にするがこれらの運動に異なる方法で対処する架台を設計することができる。例えば、直線運動を第１架台部分ではなく第２架台部分に提供可能とすることができる。
【００４８】
図５および図６は、センサ５０が基板テーブルＷＴの凹部２０内に載架できる方法を示す。凹部２０には、その底面に３つの第２架台部分が接着されている。第２架台部分の各々の第２軸はセンサの熱的軸になるところを通るように、また架台は熱的軸の周りで等間隔となるように第２架台部分が配向されており、この場合は３つの架台が存在するためそれらが１２０°の間隔で離間されている。
【００４９】
図６にセンサ５０が示されており、第１架台部分１４０は既に所定の位置に接着されてしまっている。これらの架台部分は、それらの第１軸がセンサ５０の熱的軸２３０に対して垂直となるように既に配向されている。
【００５０】
架台の各々は、僅かに異なる界接部材１８０を有し、この理由を以下で図７に関して説明する。スクリュー固定具１２０は既に架台に設けられており、センサ５０の上面の孔からアクセス可能である。センサが凹部２０内に位置決めされると、スクリュー固定具１２０は受け孔１２６で受けられることになる。
【００５１】
基板テーブルＷＴに対するセンサ５０の正確な位置合わせを確実にするために、接触部材(interface member)１８０が設けられる。図７は、センサ５０が基板テーブルＷＴに正確に位置合わせされている場合、２つの界接部１８０はそれらのセンサの接触表面が同一平面内に在るように設けられていることを示す。残りの界接部材１８０は、その接触表面が他の２つの接触表面の在る平面に対して垂直な平面内にあるように設けられている。このことにより、同一平面内に在る２つの接触表面が第２架台部分１６０上でそれぞれの隆起部１７０と点接触しているとき、センサはＲｚおよびｙ自由度で正確に位置合わせされることが確実になる。その独自の平面内に在る接触表面はｘ自由度で位置決めするのに使用され、３つすべての界接部が協動して、ｚ、Ｒｘ、およびＲｙ方向での正確な位置合わせが確実になる。したがって、センサが基板テーブルＷＴに載架されると、センサは、第１架台部分１４０の接触表面が第２架台部分の突出部１７０に対して位置決めされるまで押圧される。ボルトはセンサのｘ、ｙ、およびＲｚ運動を限定するのに十分な空間を有し、正確に位置決めされると、ボルトは前述のトルクで固締される。
【００５２】
したがって、いったんスクリュー固定具１２０が固締されたならば、接触表面および突出部１７０は機能しなくなる。
【００５３】
本発明は、物体が熱膨張または熱収縮しても、（センサの検知部分が位置決めされているセンサの場合）物体の中心が基板テーブルＷＴに対して実質静止したままであることを確実にする、物体、例えば閉鎖ディスク支持体またはセンサを載せる方法を提供する。さらに、架台を２つの部分にして提供することにより、基板テーブルＷＴに対するセンサの容易な組み立て、位置決め、および分解が可能になる。
【００５４】
架台は熱的中心の周りで均等に位置決めされるものとして示されるが、これが必ずしも実情ではなく、架台は１２０°の間隔で位置決めされる必要もなければ、熱的中心から等距離で位置決めされる必要もない。
【００５５】
本明細書ではＩＣを製造する際のリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されているかもしれないが、当然ながら、ここに説明されるリソグラフィ装置は、例えば集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の応用例を有することができる。このような代替の応用例に関連して、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のいかなる使用も、より総括的なそれぞれの用語「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができるということを当業者は理解するであろう。本明細書で参照される基板は、露光の前または後に、例えばトラック（通常はレジスト層を基板に塗布し、露光済みレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールにおいて処理することができる。応用可能な場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、２回以上処理することができる。したがって、本明細書において使用する基板という用語は、何度も処理された層を既に含んでいる基板も参照することができる。
【００５６】
光学リソグラフィに関連する本発明の実施形態の使用を上で具体的に参照することができたが、本発明はその他の応用例、例えばインプリントリソグラフィに使用してもよく、状況が許せば光学リソグラフィに限定されないということが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、基板上で生成されるパターンはパターニングデバイスのトポグラフィにより規定される。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層へ押し付けることができ、該基板上でレジストは、電磁放射線、熱、圧力、またはそれらの組み合わせを与えることにより硬化される。パターニングデバイスはレジストから移動され、レジストの硬化後、そこにパターンが残る。
【００５７】
本明細書において使用する用語「放射線」および「ビーム」は、粒子ビーム、例えばイオンビームまたは電子ビームと同様に、紫外（ＵＶ）線（例えば波長が３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍであるか、あるいはそれらの近似値であるもの）、および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば波長が５〜２０ｎｍの範囲内であるもの）を含むあらゆる種類の電磁放射線を網羅する。
【００５８】
用語「レンズ」は、状況が許せば、屈折型、反射型、磁気型、電磁型および静電型の光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたはそれらの組み合わせを参照することができる。
【００５９】
上記で本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は記載した以外のやり方で実施することもできるということが理解されよう。例えば、本発明は、先に開示した方法を記述する機械読取り可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、または、このようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光学ディスク）の形態をとることができる。
【００６０】
上記の説明は限定ではなく例示を目的としている。したがって、説明された本発明を、以下で述べる特許請求の範囲から逸脱することなく変更可能であるということが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の１実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】種々のセンサおよび閉鎖ディスク支持体用の凹部を示す基板テーブルを示しており、その凹部はすべて、３つの架台の第２架台部分が所定の位置で接着されている。
【図３】使用状態の３つの架台を、基板テーブル、センサ、または閉鎖ディスク支持体を存在させずに示す。
【図４】架台の正面図および側面図を示す。
【図５】基板テーブルの凹部内における架台の第２架台部分を示す。
【図６】センサに接着された架台の第２架台部分を示す。
【図７】３つの架台の第１架台部分を下から示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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