【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）
【化１】
2004176058.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、同一又は異なって、炭素数２〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示し、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の全てがエチル基である化合物を除く）で表され、かつ、MIL H -19457に準じて測定される全酸量が６５０（ｍｇＫＯＨ）以下である化合物の少なくとも１種を含む１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンの蒸気圧低減剤。
【請求項２】
一般式（１）の化合物が、トリｎ−プロピルホスフェート、トリｎ−ブチルホスフェート、トリｎ−ペンチルホスフェート、トリｉｓｏ−プロピルホスフェート、トリｉｓｏ−ブチルホスフェート、トリｓｅｃ−ブチルホスフェート、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、トリｉｓｏ−ペンチルホスフェート、トリｓｅｃ−ペンチルホスフェート、トリネオペンチルホスフェート、エチルジ（ｎ−プロピル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−プロピル）ホスフェート、エチルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｎ−ペンチル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−ペンチル）ホスフェート、エチルジ（ｓｅｃ−ペンチル）ホスフェート、エチルジ（ネオペンチル）ホスフェート、ジエチルｎ−プロピルホスフェート、ジエチルｎ−ブチルホスフェート、ジエチルｉｓｏ−ブチルホスフェート、ジエチルｓｅｃ−ブチルホスフェート、ジエチルｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、ジエチルｎ−ペンチルホスフェート、ジエチルｉｓｏ−ペンチルホスフェート、ジエチルｓｅｃ−ペンチルホスフェート、ジエチルネオペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−プロピル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−プロピルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｎ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｎ−ペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−ペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｓｅｃ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｓｅｃ−ペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ネオペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ネオペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｎ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｎ−ペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｉｓｏ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｉｓｏ−ペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｓｅｃ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｓｅｃ−ペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ネオペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ネオペンチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート及びジ（ｉｓｏ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェートからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１の蒸気圧低減剤。
【請求項３】
一般式（１）の化合物が、トリｎ−プロピルホスフェート、トリｎ−ブチルホスフェート、トリｉｓｏ−プロピルホスフェート、トリｉｓｏ−ブチルホスフェート、トリｓｅｃ−ブチルホスフェート、エチルジ（ｎ−プロピル）ホスフェート、エチルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−プロピル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−プロピルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート及びジ（ｉｓｏ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェートからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の蒸気圧低減剤。
【請求項４】
ポリオール、硬化触媒、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン、整泡剤および請求項１に記載の蒸気圧低減剤を含有するポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
【請求項５】
さらに、カーボネート、ケトン、エステル、エーテル、アセタール、ニトリル、アミド、スルホキシド類及びスルホラン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的蒸気圧低減剤を含む請求項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
【請求項６】
補助的蒸気圧低減剤が、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン及びジメトキシメタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である請求項５に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
【請求項７】
さらに、炭化水素系発泡剤、含フッ素炭化水素系発泡剤、含フッ素エーテル系発泡剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的発泡剤を含む請求項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
【請求項８】
補助的発泡剤が、ｎ−ペンタン、イソペンタン、シクロペンタン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、１，１，１，３，３―ペンタフルオロブタン、メトキシ−ヘプタフルオロプロパン及びメトキシ−１，１，２，２−テトラフルオロエタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である請求項７に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
【請求項９】
さらに、水を含む請求項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
【請求項１０】
請求項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物とポリイソシアネートとを混合することによりポリウレタンフォームを形成する工程を含むポリウレタンフォームの製造方法。
【請求項１１】
ポリウレタンフォーム用プレミックス組成物が、さらに、カーボネート、ケトン、エステル、エーテル、アセタール、ニトリル、アミド、スルホキシド類及びスルホラン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的蒸気圧低減剤を含むものである請求項１０に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
【請求項１２】
補助的蒸気圧低減剤が、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン及びジメトキシメタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であるである請求項１１に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
【請求項１３】
ポリウレタンフォーム用プレミックス組成物が、さらに、炭化水素系発泡剤、含フッ素炭化水素系発泡剤、含フッ素エーテル系発泡剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的発泡剤を含有するものである請求項１０に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
【請求項１４】
補助的発泡剤が、ｎ−ペンタン、イソペンタン、シクロペンタン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、１，１，１，３，３―ペンタフルオロブタン、メトキシ−ヘプタフルオロプロパン及びメトキシ−１，１，２，２−テトラフルオロエタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である請求項１３に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
【請求項１５】
ポリウレタンフォーム用プレミックス組成物が、さらに、水を含むものである請求項１０に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
【請求項１６】
（Ａ）１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンと（Ｂ）下記の一般式（１）
【化２】
2004176058.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、同一又は異なって、炭素数２〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示し、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の全てがエチル基である化合物を除く）
で表され、かつ、MIL H -19457に準じて測定される全酸量が６５０（ｍｇＫＯＨ）以下である化合物の少なくとも１種とを含有する発泡剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、同一又は異なって、炭素数２〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示し、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の全てがエチル基である化合物を除く）で表され、かつ、MIL H -19457に準じて測定される全酸量が６５０（ｍｇＫＯＨ）以下である化合物の少なくとも１種を含む１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンの蒸気圧低減剤。
２． 一般式（１）の化合物が、トリｎ−プロピルホスフェート、トリｎ−ブチルホスフェート、トリｎ−ペンチルホスフェート、トリｉｓｏ−プロピルホスフェート、トリｉｓｏ−ブチルホスフェート、トリｓｅｃ−ブチルホスフェート、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、トリｉｓｏ−ペンチルホスフェート、トリｓｅｃ−ペンチルホスフェート、トリネオペンチルホスフェート、エチルジ（ｎ−プロピル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−プロピル）ホスフェート、エチルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｎ−ペンチル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−ペンチル）ホスフェート、エチルジ（ｓｅｃ−ペンチル）ホスフェート、エチルジ（ネオペンチル）ホスフェート、ジエチルｎ−プロピルホスフェート、ジエチルｎ−ブチルホスフェート、ジエチルｉｓｏ−ブチルホスフェート、ジエチルｓｅｃ−ブチルホスフェート、ジエチルｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、ジエチルｎ−ペンチルホスフェート、ジエチルｉｓｏ−ペンチルホスフェート、ジエチルｓｅｃ−ペンチルホスフェート、ジエチルネオペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−プロピル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−プロピルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｎ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｎ−ペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−ペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｓｅｃ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｓｅｃ−ペンチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ネオペンチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ネオペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｔｅｒｔ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｎ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｎ−ペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｉｓｏ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｉｓｏ−ペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｓｅｃ−ペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｓｅｃ−ペンチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ネオペンチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ネオペンチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェー��、ジ（ｎ−ブチル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート及びジ（ｉｓｏ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェートからなる群より選ばれる少なくとも１種である項１の蒸気圧低減剤。
３． 一般式（１）の化合物が、トリｎ−プロピルホスフェート、トリｎ−ブチルホスフェート、トリｉｓｏ−プロピルホスフェート、トリｉｓｏ−ブチルホスフェート、トリｓｅｃ−ブチルホスフェート、エチルジ（ｎ−プロピル）ホスフェート、エチルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、エチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−プロピル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−プロピルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｎ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｎ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−プロピルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｉｓｏ−プロピル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｉｓｏ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｉｓｏ−ブチルホスフェート、ｎ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート、ジ（ｎ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェート、ｉｓｏ−ブチルジ（ｓｅｃ−ブチル）ホスフェート及びジ（ｉｓｏ−ブチル）ｓｅｃ−ブチルホスフェートからなる群より選ばれる少なくとも１種である項１に記載の蒸気圧低減剤。
４． ポリオール、硬化触媒、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン、整泡剤および項１に記載の蒸気圧低減剤を含有するポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
５． さらに、カーボネート、ケトン、エステル、エーテル、アセタール、ニトリル、アミド、スルホキシド類及びスルホラン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的蒸気圧低減剤を含む項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
６． 補助的蒸気圧低減剤が、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン及びジメトキシメタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である項５に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
７． さらに、炭化水素系発泡剤、含フッ素炭化水素系発泡剤、含フッ素エーテル系発泡剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的発泡剤を含む項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
８． 補助的発泡剤が、ｎ−ペンタン、イソペンタン、シクロペンタン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、１，１，１，３，３―ペンタフルオロブタン、メトキシ−ヘプタフルオロプロパン及びメトキシ−１，１，２，２−テトラフルオロエタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である項７に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
９． さらに、水を含む項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物。
１０． 項４に記載のポリウレタンフォーム用プレミックス組成物とポリイソシアネートとを混合することによりポリウレタンフォームを形成する工程を含むポリウレタンフォームの製造方法。
１１． ポリウレタンフォーム用プレミックス組成物が、さらに、カーボネート、ケトン、エステル、エーテル、アセタール、ニトリル、アミド、スルホキシド類及びスルホラン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的蒸気圧低減剤を含むものである項１０に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
１２． 補助的蒸気圧低減剤が、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン及びジメトキシメタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であるである項１１に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
１３． ポリウレタンフォーム用プレミックス組成物が、さらに、炭化水素系発泡剤、含フッ素炭化水素系発泡剤、含フッ素エーテル系発泡剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の補助的発泡剤を含有するものである項１０に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
１４． 補助的発泡剤が、ｎ−ペンタン、イソペンタン、シクロペンタン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、１，１，１，３，３―ペンタフルオロブタン、メトキシ−ヘプタフルオロプロパン及びメトキシ−１，１，２，２−テトラフルオロエタンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である項１３に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
１５． ポリウレタンフォーム用プレミックス組成物が、さらに、水を含むものである項１０に記載のポリウレタンフォームの製造方法。
１６． （Ａ）１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンと（Ｂ）下記の一般式（１）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
またＨＦＣ−２４５ｆａは、分子中に塩素原子を有さないことから、塩素原子を有するＨＣＦＣ−１４１ｂに比べてポリオール成分との相溶性が低く、その結果、一般に、プレミックス組成物中でＨＦＣ−２４５ｆａの濃度に不均一が生じる場合がある。この点、本発明の蒸気圧低減剤はＨＦＣ−２４５ｆａのポリオールへの溶解性を高める作用を有するため、均一なプレミックス組成物を与えることができる。