(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも陽極、有機発光層、陰極を備える有機ＥＬ素子と前記有機ＥＬ素子を駆動する有機トランジスタを含む有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機トランジスタと前記有機ＥＬ素子は並列して載置され、
前記有機トランジスタおよび前記有機ＥＬ素子を覆い、前記有機トランジスタと前記有機ＥＬ素子を保護する保護膜を備え、
前記保護膜と前記有機トランジスタ表面との間について、
導電性を有し、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護する導電性層と、
前記導電性層よりも前記有機トランジスタの表面側に形成され、前記有機トランジスタの表面と前記導電性層とを絶縁する絶縁膜とを含み、前記導電性層は、前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方が、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸されることで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方の一部と兼用されてなる有機ＥＬ表示装置を含む有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記保護膜は少なくとも無機材料を含む有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記導電性層は、有色透明層または不透明層である有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記導電性層は、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方に対して反射性と吸収性とのうち少なくとも一方を有する層である有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記導電性層は、有機トランジスタにおけるドレイン電極とソース電極のうち少なくとも一つの電極と接続される有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機トランジスタ上に前記有機ＥＬ素子が形成される有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
少なくとも陽極、有機発光層、陰極を備える有機ＥＬ素子と前記有機ＥＬ素子を駆動する有機トランジスタを含み、前記有機ＥＬ素子と前記有機トランジスタとが並列して載置される有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記有機トランジスタの表面と前記導電性層を絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方を、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸することで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方であって、少なくとも一部と兼用されるように、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護する導電性層を前記絶縁膜上に形成する導電性層形成工程と、
前記導電性層上に前記有機トランジスタを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記保護膜は少なくとも無機材料を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記導電性層は、有色透明層または半透明以下の透明度を有する不透明層である有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記導電性層は、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方に対して反射性と吸収性とのうち少なくとも一方を有する層である有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
有機トランジスタであって、
前記有機トランジスタを覆い、少なくとも前記有機トランジスタを保護する保護膜を備え、
前記保護膜と前記有機トランジスタの表面との間について、
電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護し、かつ、導電性を有する導電性層と、
前記導電性層よりも前記有機トランジスタの表面側に形成され、前記有機トランジスタの表面と前記導電性層とを絶縁する絶縁膜と、を含み、前記導電性層は、前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方が、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸されることで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方の一部と兼用されてなる有機トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機トランジスタであって、
前記保護膜は少なくとも無機材料を含む有機トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の有機トランジスタであって、
前記導電性層は、有色透明層または不透明層である有機トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１１または１２に記載の有機トランジスタであって、
前記導電性層は、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方に対して反射性と吸収性とのうち少なくとも一方を有する層である有機トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれか１つに記載の有機トランジスタであって、
前記導電性層は、有機トランジスタにおけるドレイン電極とソース電極のうち少なくとも一つの電極と接続される有機トランジスタ。
【請求項１６】
有機トランジスタの製造方法であって、
前記有機トランジスタの表面と前記導電性層を絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方を、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸することで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方であって、少なくとも一部と兼用されるように、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護する導電性層を前記絶縁膜上に形成する導電性層形成工程と、
前記導電性層上に前記有機トランジスタを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含む有機トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の有機トランジスタの製造方法であって、
前記保護膜は少なくとも無機材料を含む有機トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の有機トランジスタの製造方法であって、
前記導電性層は、有色透明層または半透明以下の透明度を有する不透明層である有機トランジスタの製造方法。
【請求項１９】
請求項１６または１７に記載の有機トランジスタの製造方法であって、
前記導電性層は、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方に対して反射性と吸収性とのうち少なくとも一方を有する有機トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法、有機トランジスタ、有機トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機トランジスタは様々な用途に用いられている。例えば、有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子を駆動する手段として用いられている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、基板上に、電極及び電極間に少なくとも発光層を備えた有機固体層を備え、両側の電極から有機固体層中の発光層に電子と正孔を注入し、有機発光層で発光を起こさせる素子であり、高輝度発光が可能である。また有機化合物の発光を利用しているため発光色の選択範囲が広いなどの特徴を有し、光源や有機ＥＬ表示装置などとして期待されている。特に有機ＥＬ表示装置は、一般に、広視野、高コントラスト、高速応答性および視認性に優れ、薄型・軽量で、低消費電力のフラットパネルディスプレイなどとして期待されている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、少なくとも陽極、有機発光層、陰極を備える有機ＥＬ素子からなる画素と前記有機ＥＬ素子を点灯・制御するトランジスタが備えられるものである。有機ＥＬ表示装置の駆動方式には、マトリクス状に配置した有機ＥＬ素子を、互いに直交したストライプ状の走査電極およびデータ電極（信号電極）により外部から駆動するパッシブマトリクス方式と、画素ごとに薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴともいう）からなるスイッチング素子と駆動素子とメモリ素子を備え、有機ＥＬ素子を点灯させるアクティブマトリクス方式とがある。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置では、一般に、画素数の増大に伴い、パッシブマトリックス方式に比べ、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）により有機ＥＬ素子が駆動されるアクティブマトリクス方式のほうが優位とされている。これは、パッシブマトリクス方式は、走査電極が選択された期間のみ各画素の有機ＥＬ素子が点灯するため、画素数が多くなるに従い、有機ＥＬ素子の点灯期間が短くなって平均輝度が低下する傾向にあるのに対し、アクティブマトリクス方式は、画素ごとにＴＦＴからなるスイッチング素子とメモリ素子を備えているため有機ＥＬ素子の点灯状態が保持され、高輝度、高効率で長寿命の動作が可能であり、ディスプレイの高精細化や大型化に有利である傾向にあるなどの理由による。
［０００６］
ＴＦＴに有機ＴＦＴを使用することにより、コスト削減、環境負荷の軽減につながる可能性がある。また、有機ＴＦＴは低いプロセス温度で作製することができるため、フィルム基板上にも作製可能であり、フレキシブルなディスプレイの実現が期待されている。
［０００７］
ところで、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴは、空気中の水分や酸素などによる浸食を受けやすく、これらの存在下では、ダークスポットが生じたり、素子が短絡する等の劣化が起こる場合がある。このような劣化を防ぐためには、素子を空気中の水分や酸素などによる浸食から保護する手段が必要であり、現在、素子全体を乾燥窒素や、アルゴンガスなどの雰囲気中でカバーガラスや缶パッケージなどで封止する手法が用いられている。
［０００８］
しかし、このようなガラス、缶などを用いた封止方法は製造コストが高く、また素子の薄型化に限界がある場合がある。そこで、ガラスや缶パッケージなどを用いず、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴを防湿機能が備えられた保護膜で覆う構造が下記特許文献１に示されるように提案されている。
［０００９］
図１には、背景技術に係る有機ＥＬ表示装置ＰＡが示される。有機ＥＬ表示装置ＰＡは、基板１０と、基板１０上に形成されたバリア膜１２と、バリア膜１２上に形成された有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０と、有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０を覆う保護膜（パッシベーション膜）２０とを有する。
【特許文献１】
特開２００３−２５５８５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
［００１０］
しかしながら、例えば、保護膜をＣＶＤ法などの真空プロセスで成膜する場合、成膜時に発生するプラズマなどから発生する粒子線や電磁波によって、有機ＴＦＴを構成する有機層などがダメージを受け、有機ＴＦＴの性能が劣化してしまう場合がある。
［００１１］
また、保護膜、製造後においても、消費者が使用する際や他のプラズマを用いる製造工程で発する、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方によって、有機ＴＦＴを構成する有機層などがダメージを受け、有機ＴＦＴの性能が劣化してしまう場合がある。
［００１２］
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、有機トランジスタの性能劣化がより少ない有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法、有機トランジスタ、有機トランジスタの製造方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
［００１３］
請求項１に記載の発明は、少なくとも陽極、有機発光層、陰極を備える有機ＥＬ素子と前記有機ＥＬ素子を駆動する有機トランジスタを含む有機ＥＬ表示装置であって、前記有機トランジスタと前記有機ＥＬ素子は並列して載置され、前記有機トランジスタおよび前記有機ＥＬ素子を覆い、前記有機トランジスタと前記有機ＥＬ素子を保護する保護膜を備え、前記保護膜と前記有機トランジスタ表面との間について、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護し、かつ、導電性を有する導電性層と、前記導電性層よりも前記有機トランジスタの表面側に形成され、前記有機トランジスタの表面と前記導電性層とを絶縁する絶縁膜とを含み、前記導電性層は、前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方が、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸されることで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方の一部と兼用されてなる有機ＥＬ表示装置を含むことを特徴とする。
［００１４］
請求項９に記載の発明は、少なくとも陽極、有機発光層、陰極を備える有機ＥＬ素子と前記有機ＥＬ素子を駆動する有機トランジスタを含み、前記有機ＥＬ素子と前記有機トランジスタとが並列して載置される有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記有機トランジスタの表面と前記導電性層を絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方を、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸することで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方であって、少なくとも一部と兼用されるように、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護する導電性層を前記絶縁膜上に形成する導電性層形成工程と、前記導電性層上に前記有機トランジスタを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含むことを特徴とする。
［００１５］
請求項１５に記載の発明は、有機トランジスタであって、前記有機トランジスタを覆い、少なくとも前記有機トランジスタを保護する保護膜を備え、前記保護膜と前記有機トランジスタの表面との間について、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護し、かつ、導電性を有する導電性層と、前記導電性層よりも前記有機トランジスタの表面側に形成され、前記有機トランジスタの表面と前記導電性層とを絶縁する絶縁膜と、を含み、前記導電性層は、前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方が、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸されることで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方の一部と兼用されてなることを特徴とする。
［００１６］
請求項２２に記載の発明は、有機トランジスタの製造方法であって、前記有機トランジスタの表面と前記導電性層を絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方を、前記絶縁膜表面上まで以上に延伸することで前記有機ＥＬ素子の陽極と陰極とのうち少なくとも一方であって、少なくとも一部と兼用されるように、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から前記有機トランジスタを防護する導電性層を前記絶縁膜上に形成する導電性層形成工程と、前記導電性層上に前記有機トランジスタを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来技術における有機ＥＬ表示装置の模式的な断面図である。
【図２】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の模式的な断面図である。
【図３】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子付近の模式的な拡大図である。
【図４】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＴＦＴ付近の模式的な拡大図である。
【図５】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の模式的な断面図である。
【図６】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０  基板
１６  有機固体層
１８  陰極
２０  保護膜
５０  有機ＴＦＴ
７２，７４，７６  絶縁膜
１００  有機ＥＬ素子
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，ＰＡ  有機ＥＬ表示装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態については、本発明を実施するための一形態に過ぎず、本発明は本実施形態によって限定されるものではない。
【００２０】
「有機ＥＬ表示装置」
図２には、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置Ｐ１の概略断面図が示される。有機ＥＬ表示装置Ｐ１は、フィルム基板１０と、基板１０上に形成されたバリア膜１２と、バリア膜１２上に形成された有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０と、有機ＴＦＴ５０を覆う層間絶縁膜７２、層間絶縁膜７２を覆う有機ＥＬ素子１００の陰極１８、陰極１８の表面を覆い、有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０を浸食から保護する保護膜２０とを有する。
【００２１】
基板１０上にバリア膜１２が形成されている。バリア膜１２上に有機ＥＬ素子１００、有機ＴＦＴ５０が並列して載置されている。有機ＥＬ素子１００の紙面左側であって、後述の有機ＥＬ素子１００の陽極１４上から載置された有機ＴＦＴ５０表面上、さらには陰極１８と接する部分まで層間絶縁膜７２が形成される。また、後述の有機ＥＬ素子１００の紙面右側であって、有機ＥＬ素子１００の陽極１４上から陰極１８と接する部分まで陽極１４と陰極１８とを絶縁する層間絶縁膜７４が形成される。
層間絶縁膜７２と層間絶縁膜７４の上部には、後述の有機ＥＬ素子１００の陰極１８が延伸され、その表面を覆っている。陰極１８は導電性層であって、有機ＴＦＴ５０を、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から防護する防護層として機能する。陰極１８の表面を覆うようにして、有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０を外部からの浸食から保護する保護膜２０が覆っている。
【００２２】
＜基板＞
基板１０は、その構成する材料は適宜選択して用いればよい。例えば、樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリサルフォン、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリプロピレン、セロファン、ポリカーボネート、酢酸セルロース、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチレン・酢酸ビニル共重合体けん化物、フッ素樹脂、塩化ゴム、アイオノマー、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体等として様々な基板を用いることができる。また、樹脂を主成分とする基板ではなく、ガラス基板や、ガラスとプラスティックの貼り合せ基板でもよく、また基板表面にアルカリバリア膜や、ガスバリア膜がコートされていてもよい。また、基板の反対側から光を射出するトップエミッション型である場合などには、基板１０は必ずしも透明でなくともよい。
【００２３】
＜バリア膜＞
バリア膜１２は必ずしも形成しなくともよいが、形成すると基板側からの水分や酸素などによる浸食から保護することができるので好適である。バリア膜１２を形成する場合には、材料は適宜選択して用いることができる。
バリア膜１２は、多層構造であってもよく単層構造であってもよく、無機膜であってもよく、有機膜であってもよいが、無機膜が含まれていると水分や酸素などによる浸食からのバリア性が向上するので好適である。
【００２４】
無機膜としては、例えば、窒化膜、酸化膜又は炭素膜又はシリコン膜等が採用可能であり、より具体的には、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、又はダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）膜、アモルファスカーボン膜などが挙げられる。すなわち、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ等の窒化物、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＧｅＯ等の酸化物、ＳｉＯＮ等の酸化窒化物、ＳｉＣＮ等の炭化窒化物、金属フッ素化合物、金属膜、等があげられる。
【００２５】
有機膜としては、例えば、フラン膜、ピロール膜、チオフェン膜或いは、ポリパラキシレン膜エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシレン、フッ素系高分子（パーフルオロオレフィン、パーフルオロエーテル、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ジクロロジフルオロエチレン等）、金属アルコキシド（ＣＨ３ＯＭ、Ｃ２Ｈ５ＯＭ等）、ポリイミド前駆体、ペリレン系化合物などの重合膜等があげられる。
【００２６】
バリア膜１２は、２種類以上の物質からなる積層構造、無機保護膜、シランカップリング層、樹脂封止膜からなる積層構造、無機材料からなるバリア層、有機材料からなるカバー層からなる積層構造、Ｓｉ−ＣＸＨＹ等の金属または半導体と有機物との化合物、無機物からなる積層構造、無機膜と有機膜を交互に積層した構造、Ｓｉ層上にＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４を積層した構造等の積層構造としたものなどが挙げられる。
【００２７】
＜有機ＥＬ素子＞
図３には有機ＥＬ表示装置Ｐ１の有機ＥＬ素子１００付近の拡大図が示される。有機ＥＬ素子１００は、バリア膜１２側から陽極１４／有機固体層１６／陰極１８とから積層されて構成されている。電極は、下部電極を陰極とし、上部電極を陽極としてもよいが、少なくとも一方が透明である必要がある。
【００２８】
陽極１４は、正孔を注入しやすいエネルギーレベルを持つ層を用いればよく、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム錫）などの透明電極を用いることができる。
【００２９】
ＩＴＯなどの透明導電性材料を例えば１５０ｎｍの厚さにスパッタリングなどによって形成する。ＩＴＯに限らず、代わりに酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、よう化銅等を採用することもできる。
【００３０】
有機固体層１６は、陽極１４側から正孔注入層１６２／正孔輸送層１６４／発光層１６６／電子輸送層１６７／電子注入層１６８とから構成されている。
【００３１】
正孔注入層１６２は、陽極１４と発光層１６６との間に設けられ、陽極１４からの正孔の注入を促進させる層である。正孔注入層１６２により、有機ＥＬ素子１００の駆動電圧は低電圧化することができる。また、正孔注入を安定化し素子を長寿命化するなどの役割を担ったり、陽極１４の表面に形成された突起などの凹凸面を被覆し素子欠陥を減少させる、などの役割を担う場合もある。
【００３２】
正孔注入層１６２の材質については、そのイオン化エネルギーが陽極１４の仕事関数と発光層１６６のイオン化エネルギーの間になるように適宜選択すればよい。例えば、トリフェニルアミン４量体（ＴＰＴＥ）、銅フタロシアニンなどを用いることができる。
【００３３】
正孔輸送層１６４は、正孔注入層１６２と発光層１６６の間に設けられ、正孔の輸送を促進させる層であり、正孔を発光層１６６まで適切に輸送する働きを持つ。
【００３４】
正孔輸送層１６４の材質については、そのイオン化エネルギーが正孔注入層１６２と発光層１６６の間になるように適宜選択すればよい。例えば、ＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）を採用することができる。
【００３５】
発光層１６６は、輸送された正孔と同じく輸送された後述の電子とを再結合させ、蛍光発光または燐光発光させる層のことである。発光層１６６は上記発光態様に対応できる性質を満たすものになるようにその材料を適宜選択すればよい。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）や、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）や、ポリアルキルチオフェンのようなπ共役高分子などを用いることができる。例えば緑色に発光させたければアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）を用いることができる。
【００３６】
例えば、燐光発光型素子においては、陰極１８と陽極１４からそれぞれ電子と正孔を燐光発光層１６６に注入してここで再結合させると、ホスト材料を介して再結合エネルギーがドーパント材料に供給され、このドーパントが燐光を発光する。ここで、注入電流密度が低い条件下では、この燐光発光型の有機ＥＬ素子は、ドーパントに起因した赤色発光が得られる。また、注入電流密度の高い条件下では、発光機能を備える本発明にかかるホスト材料も発光し、ホスト材料の発光色とドーパント材料の発光色の加色光が得られる。例えば、水色に発光する化合物を用いると、ドーパントは、赤色に発光するため、この有機ＥＬ素子では、水色と赤色が合成された白色光を外部に射出することができる。
【００３７】
電子輸送層１６７は、発光層１６６と電子注入層１６８との間に設けられ、発光層１６６への電子の輸送を促進する機能を有する。
【００３８】
電子輸送層１６７の材質については、その電子親和力が発光層１６６と電子注入層１６８の間になるように適宜選択すればよい。例えば、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）を用いることができる。
【００３９】
電子注入層１６８は、陰極１８と電子輸送層１６７との間に設けられ、陰極１８からの電子の注入を促進する機能を有する。
【００４０】
電子注入層１６８の材質については、その電子親和力が陰極１８の仕事関数と発光層１６６の電子親和力の間になるように適宜選択すればよい。例えば、電子輸送層１６８はＬｉＦ（フッ化リチウム）、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）などの薄膜（例えば０．５ｎｍ）などが採用できる。
【００４１】
これら有機固体層１６を構成する各層は通常、有機物からなり、更に、低分子の有機物からなる場合、高分子の有機物からなる場合がある。低分子の有機物からなる有機固体層は一般に蒸着法等のドライプロセス（真空プロセス）によって、高分子の有機物からなる有機固体層は一般にスピンコート法、ブレードコート法、ディップ法、スプレー法そして印刷法等のウエットプロセスによって、それぞれ形成するなどすることができる。
【００４２】
有機固体層１６を構成する各層に用いる有機材料として、例えば高分子材料として、ＰＥＤＯＴ、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体、などが挙げられる。
【００４３】
なお、本実施形態において、有機固体層１６は、正孔注入層１６２、正孔輸送層１６６、発光層１６６、電子輸送層１６７、電子注入層１６８から構成されるものを挙げたがこの構成に限定されることはなく、少なくとも発光層１６６を含んで構成されていればよい。
【００４４】
例えば、採用する有機材料等の特性に応じて、発光層の単層構造等の他、正孔輸送層／発光層、発光層／電子輸送層等の２層構造、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の３層構造や、更に電荷（正孔、電子）注入層などを備える多層構造などから構成することができる。
【００４５】
さらに有機固体層１６には発光層１６６と電子輸送層１６７の間に正孔ブロック層を設けてもよい。正孔は発光層１６６を通り抜け、陰極１８へ到達する可能性がある。例えば、電子輸送層１６７にＡｌｑ３等を用いている場合、電子輸送層に正孔が流れ込むことでこのＡｌｑ３が発光したり、正孔を発光層に閉じこめることができずに発光効率が低下する可能性がある。そこで、正孔ブロック層を設け、発光層１６６から電子輸送層１６７に正孔が流れ出てしまうことを防止してもよい。
【００４６】
陰極１８は、有機固体層１６への電子注入を良好にするため、仕事関数又は電子親和力の小さな材料を選定すればよい。例えば、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金などの合金型（混合金属）等を好適に用いることができる。陰極１８は、ＡｌやＭｇ、Ａｇなどの金属材料を例えば１５０ｎｍの厚さに真空蒸着などで形成することができる。
【００４７】
＜有機トランジスタ（有機ＴＦＴ）＞
図４には、有機ＥＬ表示装置Ｐ１の有機ＴＦＴ５０付近の拡大図が示される。有機ＴＦＴ５０は、バリア膜１２側からバリア膜１２上に形成されたゲート電極５２と、ゲート電極５２の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜５４とを有している。ゲート絶縁膜５４上には有機半導体層５６、左端縁側にソース電極５８、右端縁側にドレイン電極６０が形成されている。ここで、ドレイン電極６０は、有機ＥＬ素子１００の陽極１４に電気的に接続される。すなわち、有機ＴＦＴ５０は、ソース電極５８及びドレイン電極６０は、互いに分離して設けられ、ソース電極５８とドレイン電極６０の間に有機半導体層５６を介在させ、ゲート絶縁膜５４を介してソース電極５８、ドレイン電極６０、有機半導体層５６と対向されて配置されたゲート電極５２を有する構造である。
【００４８】
ゲート電極５２は、好適には、ゲート電極材料としては陽極酸化可能な金属であれば良く、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ等の単体もしくはそれらの合金を用いることができるがこれに限定されない。ゲート電極としては、十分な導電性があればよく、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属単体もしくは積層もしくはその化合物でも良い。また、ＩＴＯ、ＩＺＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料でもよい。
【００４９】
ゲート電極５２の製造方法は、基板１０上に、ゲート電極５２の配線パターンを形成する一般的な方法であればよい。スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スピンコート法、スプレー法、ＣＶＤ等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００５０】
ゲート絶縁膜５４は、好適には、ゲート電極５２の材料として用いた材料の表面を陽極酸化してゲート絶縁膜５４としても良い。これに限られず、無機材料、有機材料のいずれの絶縁物も使用できる。
【００５１】
例えば、金属酸化物としては、ＬｉＯｘ、ＬｉＮｘ、ＮａＯｘ、ＫＯｘ、ＲｂＯｘ、ＣｓＯｘ、ＢｅＯｘ、ＭｇＯｘ、ＭｇＮｘ、ＣａＯｘ、ＣａＮｘ、ＳｒＯｘ、ＢａＯｘ、ＳｃＯｘ、ＹＯｘ、ＹＮｘ、ＬａＯｘ、ＬａＮｘ、ＣｅＯｘ、ＰｒＯｘ、ＮｄＯｘ、ＳｍＯｘ、ＥｕＯｘ、ＧｄＯｘ、ＴｂＯｘ、ＤｙＯｘ、ＨｏＯｘ、ＥｒＯｘ、ＴｍＯｘ、ＹｂＯｘ、ＬｕＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮｘ、ＺｒＯｘ、ＺｒＮｘ、ＨｆＯｘ、ＨｆＮｘ、ＴｈＯｘ、ＶＯｘ、ＶＮｘ、ＮｂＯｘ、ＴａＯｘ、ＴａＮｘ、ＣｒＯｘ、ＣｒＮｘ、ＭｏＯｘ、ＭｏＮｘ、ＷＯｘ、ＷＮｘ、ＭｎＯｘ、ＲｅＯｘ、ＦｅＯｘ、ＦｅＮｘ、ＲｕＯｘ、ＯｓＯｘ、ＣｏＯｘ、ＲｈＯｘ、ＩｒＯｘ、ＮｉＯｘ、ＰｄＯｘ、ＰｔＯｘ、ＣｕＯｘ、ＣｕＮｘ、ＡｇＯｘ、ＡｕＯｘ、ＺｎＯｘ、ＣｄＯｘ、ＨｇＯｘ、ＢＯｘ、ＢＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＮｘ、ＧａＯｘ、ＧａＮｘ、ＩｎＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮｘ、ＳｉＮｘ、ＧｅＯｘ、ＳｎＯｘ、ＰｂＯｘ、ＰＯｘ、ＰＮｘ、ＡｓＯｘ、ＳｂＯｘ、ＳｅＯｘ、ＴｅＯｘなどの金属酸化物や、ＬｉＡｌＯ２、Ｌｉ２ＳｉＯ３、Ｌｉ２ＴｉＯ３、Ｎａ２Ａｌ２２Ｏ３４、ＮａＦｅＯ２、Ｎａ４ＳｉＯ４、Ｋ２ＳｉＯ３、Ｋ２ＴｉＯ３、Ｋ２ＷＯ４、Ｒｂ２ＣｒＯ４、Ｃｓ２ＣｒＯ４、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＦｅ２Ｏ４、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＣａＷＯ４、ＣａＺｒＯ３、ＳｒＦｅ１２Ｏ１９、ＳｒＴｉＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＡｌ２Ｏ４、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、ＢａＴｉＯ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＬａＦｅＯ３、Ｌａ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＣｅＳｎＯ４、ＣｅＴｉＯ４、Ｓｍ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＥｕＦｅＯ３、Ｅｕ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＧｄＦｅＯ３、Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＤｙＦｅＯ３、Ｄｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＨｏＦｅＯ３、Ｈｏ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＥｒＦｅＯ３、Ｅｒ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｔｍ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＬｕＦｅＯ３、Ｌｕ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＮｉＴｉＯ３、Ａｌ２ＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＺｒＯ３、ＭｇＺｒＯ３、ＨｆＴｉＯ４、ＮＨ４ＶＯ３、ＡｇＶＯ３、ＬｉＶＯ３、ＢａＮｂ２Ｏ６、ＮａＮｂＯ３、ＳｒＮｂ２Ｏ６、ＫＴａＯ３、ＮａＴａＯ３、ＳｒＴａ２Ｏ６、ＣｕＣｒ２Ｏ４、Ａｇ２ＣｒＯ４、ＢａＣｒＯ４、Ｋ２ＭｏＯ４、Ｎａ２ＭｏＯ４、ＮｉＭｏＯ４、ＢａＷＯ４、Ｎａ２ＷＯ４、ＳｒＷＯ４、ＭｎＣｒ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＴｉＯ３、ＭｎＷＯ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＷＯ４、ＣｏＭｏＯ４、ＣｕＴｉＯ３、ＣｕＷＯ４、Ａｇ２ＭｏＯ４、Ａｇ２ＷＯ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＺｎＭｏＯ４、ＺｎＷＯ４、ＣｄＳｎＯ３、ＣｄＴｉＯ３、ＣｄＭｏＯ４、ＣｄＷＯ４、ＮａＡｌＯ２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２、ＩｎＦｅＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、Ａｌ２ＴｉＯ５、ＦｅＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｎａ２ＳｉＯ３、ＣａＳｉＯ３、ＺｒＳｉＯ４、Ｋ２ＧｅＯ３、Ｌｉ２ＧｅＯ３、Ｎａ２ＧｅＯ３、Ｂｉ２Ｓｎ３Ｏ９、ＭｇＳｎＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＰｂＳｉＯ３、ＰｂＭｏＯ４、ＰｂＴｉＯ３、ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３、ＣｕＳｅＯ４、Ｎａ２ＳｅＯ３、ＺｎＳｅＯ３、Ｋ２ＴｅＯ３、Ｋ２ＴｅＯ４、Ｎａ２ＴｅＯ３、Ｎａ２ＴｅＯ４などの金属複合酸化物などが挙げられる。
【００５２】
また、金属酸化物に限られず、ＦｅＳ、Ａｌ２Ｓ３、ＭｇＳ、ＺｎＳなどの硫化物、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＳｍＦ３などのフッ化物、ＨｇＣｌ、ＦｅＣｌ２、ＣｒＣｌ３などの塩化物、ＡｇＢｒ、ＣｕＢｒ、ＭｎＢｒ２などの臭化物、ＰｂＩ２、ＣｕＩ、ＦｅＩ２などのヨウ化物、またはＳｉＡｌＯＮなどの金属酸化窒化物であってもよく特に限定されない。また、金属や金属化合物に限られず、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコールなどポリマー系材料などの有機材料を用いてもよい。
【００５３】
ソース電極５８および／またはドレイン電極６０は、十分な導電性があれば適用でき、特に限定されることはないが、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属単体もしくは積層もしくはその化合物、あるいは、ＩＴＯ、ＩＺＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料などを用いることができる。
【００５４】
ソース電極５８、ドレイン電極６０は一般的な方法により製造すればよい。スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、スピンコート法、ＣＶＤ、リフトオフ、等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００５５】
有機半導体５６としては、ペンタセンなど半導体特性を示す有機材料であれば良く、特に限定されないが、例えば、フタロシアニン系誘導体、ナフタロシアニン系誘導体、アゾ化合物系誘導体、ペリレン系誘導体、インジゴ系誘導体、キナクリドン系誘導体、アントラキノン類などの多環キノン系誘導体、シアニン系誘導体、フラーレン類誘導体、あるいはインドール、カルバゾール、オキサゾール、インオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサアジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、トリアゾールなどの含窒素環式化合物誘導体、ヒドラジン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、スチルベン類、アントラキノンジフェノキノン等のキノン化合物誘導体、アントラセン、ビレン、フェナントレン、コロネンなどの多環芳香族化合物誘導体などでその構造がポリエチレン鎖、ポリシロキサン鎖、ポリエーテル鎖、ポリエステル鎖、ポリアミド鎖、ポリイミド鎖等の高分子の主鎖中に用いられた物あるいは側鎖としてペンダント状に結合したもの、もしくはポリパラフェニレン等の芳香族系共役性高分子、ポリアセチレン等の脂肪族系共役性高分子、ポリピノールやポリチオフェン率の複素環式共役性高分子、ポリアニリン類やポリフェニレンサルファイド等の含ヘテロ原子共役性高分子、ポリ（フェニレンビニレン）やポリ（アニーレンビニレン）やポリ（チェニレンビニレン）等の共役性高分子の構成単位が交互に結合した構造を有する複合型共役系高分子等の炭素系共役高分子が用いられる。また、ポリシラン類やジシラニレンアリレンポリマー類、（ジシラニレン）エテニレンポリマー類、（ジシラニレン）エチニレンポリマー類のようなジシラニレン炭素系共役性ポリマー構造などのオリゴシラン類と炭素系共役性構造が交互に連鎖した高分子類などが用いられる。他にもリン系、窒素系等の無機元素からなる高分子鎖でも良く、さらにフタロシアナートポリシロキサンのような高分子鎖の芳香族系配位子が配位した高分子類、ペリレンテトラカルボン酸のようなペリレン類を熱処理して縮環させた高分子類、ポリアクリロニトリルなどのシアノ基を有するポリエチレン誘導体を熱処理して得られるラダー型高分子類、さらにペロブスカイト類に有機化合物がインターカレートした複合材料を用いてもよい。
【００５６】
有機半導体５６の形成方法としては、真空蒸着法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、スピンコート法、等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００５７】
＜層間絶縁膜＞
層間絶縁膜７２および層間絶縁膜７４は、有機ＴＦＴ上の層間絶縁膜７２と、有機ＥＬ素子右端部の層間絶縁膜７４を同時に形成しても、個々に形成しても良い。それぞれの層間絶縁膜を形成する材料は特に限定されず、その種類も有機ＴＦＴ上の層間絶縁膜７２と、有機ＥＬ素子右端部の層間絶縁膜７４とで異なっていてもよい。また、適宜層間絶縁膜７４を省略することも可能である。
【００５８】
層間絶縁膜を形成する材料としては、特に限定されないが、無機材料、有機材料のいずれの絶縁物も使用できる。例えばＬｉＯｘ、ＬｉＮｘ、ＮａＯｘ、ＫＯｘ、ＲｂＯｘ、ＣｓＯｘ、ＢｅＯｘ、ＭｇＯｘ、ＭｇＮｘ、ＣａＯｘ、ＣａＮｘ、ＳｒＯｘ、ＢａＯｘ、ＳｃＯｘ、ＹＯｘ、ＹＮｘ、ＬａＯｘ、ＬａＮｘ、ＣｅＯｘ、ＰｒＯｘ、ＮｄＯｘ、ＳｍＯｘ、ＥｕＯｘ、ＧｄＯｘ、ＴｂＯｘ、ＤｙＯｘ、ＨｏＯｘ、ＥｒＯｘ、ＴｍＯｘ、ＹｂＯｘ、ＬｕＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮｘ、ＺｒＯｘ、ＺｒＮｘ、ＨｆＯｘ、ＨｆＮｘ、ＴｈＯｘ、ＶＯｘ、ＶＮｘ、ＮｂＯｘ、ＴａＯｘ、ＴａＮｘ、ＣｒＯｘ、ＣｒＮｘ、ＭｏＯｘ、ＭｏＮｘ、ＷＯｘ、ＷＮｘ、ＭｎＯｘ、ＲｅＯｘ、ＦｅＯｘ、ＦｅＮｘ、ＲｕＯｘ、ＯｓＯｘ、ＣｏＯｘ、ＲｈＯｘ、ＩｒＯｘ、ＮｉＯｘ、ＰｄＯｘ、ＰｔＯｘ、ＣｕＯｘ、ＣｕＮｘ、ＡｇＯｘ、ＡｕＯｘ、ＺｎＯｘ、ＣｄＯｘ、ＨｇＯｘ、ＢＯｘ、ＢＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＮｘ、ＧａＯｘ、ＧａＮｘ、ＩｎＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮｘ、ＳｉＮｘ、ＧｅＯｘ、ＳｎＯｘ、ＰｂＯｘ、ＰＯｘ、ＰＮｘ、ＡｓＯｘ、ＳｂＯｘ、ＳｅＯｘ、ＴｅＯｘなどの金属酸化物でも、ＬｉＡｌＯ２、Ｌｉ２ＳｉＯ３、Ｌｉ２ＴｉＯ３、Ｎａ２Ａｌ２２Ｏ３４、ＮａＦｅＯ２、Ｎａ４ＳｉＯ４、Ｋ２ＳｉＯ３、Ｋ２ＴｉＯ３、Ｋ２ＷＯ４、Ｒｂ２ＣｒＯ４、Ｃｓ２ＣｒＯ４、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＦｅ２Ｏ４、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＣａＷＯ４、ＣａＺｒＯ３、ＳｒＦｅ１２Ｏ１９、ＳｒＴｉＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＡｌ２Ｏ４、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、ＢａＴｉＯ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＬａＦｅＯ３、Ｌａ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＣｅＳｎＯ４、ＣｅＴｉＯ４、Ｓｍ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＥｕＦｅＯ３、Ｅｕ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＧｄＦｅＯ３、Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＤｙＦｅＯ３、Ｄｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＨｏＦｅＯ３、Ｈｏ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＥｒＦｅＯ３、Ｅｒ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｔｍ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＬｕＦｅＯ３、Ｌｕ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＮｉＴｉＯ３、Ａｌ２ＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＺｒＯ３、ＭｇＺｒＯ３、ＨｆＴｉＯ４、ＮＨ４ＶＯ３、ＡｇＶＯ３、ＬｉＶＯ３、ＢａＮｂ２Ｏ６、ＮａＮｂＯ３、ＳｒＮｂ２Ｏ６、ＫＴａＯ３、ＮａＴａＯ３、ＳｒＴａ２Ｏ６、ＣｕＣｒ２Ｏ４、Ａｇ２ＣｒＯ４、ＢａＣｒＯ４、Ｋ２ＭｏＯ４、Ｎａ２ＭｏＯ４、ＮｉＭｏＯ４、ＢａＷＯ４、Ｎａ２ＷＯ４、ＳｒＷＯ４、ＭｎＣｒ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＴｉＯ３、ＭｎＷＯ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＷＯ４、ＣｏＭｏＯ４、ＣｕＴｉＯ３、ＣｕＷＯ４、Ａｇ２ＭｏＯ４、Ａｇ２ＷＯ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＺｎＭｏＯ４、ＺｎＷＯ４、ＣｄＳｎＯ３、ＣｄＴｉＯ３、ＣｄＭｏＯ４、ＣｄＷＯ４、ＮａＡｌＯ２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２、ＩｎＦｅＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、Ａｌ２ＴｉＯ５、ＦｅＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｎａ２ＳｉＯ３、ＣａＳｉＯ３、ＺｒＳｉＯ４、Ｋ２ＧｅＯ３、Ｌｉ２ＧｅＯ３、Ｎａ２ＧｅＯ３、Ｂｉ２Ｓｎ３Ｏ９、ＭｇＳｎＯ３、ＳｒＳｎＯ３、ＰｂＳｉＯ３、ＰｂＭｏＯ４、ＰｂＴｉＯ３、ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３、ＣｕＳｅＯ４、Ｎａ２ＳｅＯ３、ＺｎＳｅＯ３、Ｋ２ＴｅＯ３、Ｋ２ＴｅＯ４、Ｎａ２ＴｅＯ３、Ｎａ２ＴｅＯ４などの金属複合酸化物でも、ＦｅＳ、Ａｌ２Ｓ３、ＭｇＳ、ＺｎＳなどの硫化物、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＳｍＦ３などのフッ化物、ＨｇＣｌ、ＦｅＣｌ２、ＣｒＣｌ３などの塩化物、ＡｇＢｒ、ＣｕＢｒ、ＭｎＢｒ２などの臭化物、ＰｂＩ２、ＣｕＩ、ＦｅＩ２などのヨウ化物、またはＳｉＡｌＯＮなどの金属酸化窒化物でも有効である。また、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコールなどポリマー系材料であってもよい。
【００５９】
層間絶縁膜を形成する方法は、できるだけ有機ＴＦＴ５０にダメージを与えないように、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方、特に粒子線や可視光線以上、短波長であるほどの光線を出さない方法で製造することが好ましい。例えば、ゾルゲル法、スピンコート法、スプレー法、真空蒸着法等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００６０】
＜導電性層＞
導電性層は、有機ＥＬ素子１００の上部電極である陰極１８である。本実施形態では、有機ＥＬ素子１００の上部電極である陰極１８が延伸されて層間絶縁膜７２表面を覆い、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から有機ＴＦＴを防護している。なお、電磁波とは、有機ＴＦＴを構成する層に対してダメージを与える電磁波であり、例えば、赤外光、可視光、可視光よりも短波長光などが挙げられる。また、粒子線とは、有機ＴＦＴを構成する層に対してダメージを与える粒子線であり、例えば、アルファ線、ベータ線、中性子線などが挙げられる。また、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から有機ＴＦＴを防護するとは、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方を遮蔽、吸収、反射のうち少なくとも１形態によって有機ＴＦＴを防護することを含む概念である。
【００６１】
導電性層は導電性を有するものであれば特に限られない。導電性層は、導電性を有する導電性層であるので、有機ＥＬ素子５０の電極と兼用でき、あるいは、導電性による電磁波および／または粒子線に対するシールド性や熱や電荷を逃がす性質を有するので好適である。
【００６２】
例えば導電性層は、導電性塗料により形成される。導電性塗料は、導電性を付与できるものであればよく、バインダー樹脂に導電性粉末を分散させた塗料のほか、有機金属化合物からなる塗料、有機導電性樹脂からなる塗料などが使用できる。なお、導電性塗料として、溶媒を用いたタイプの塗料の他、無溶剤タイプの塗料を用いることも可能である。
【００６３】
バインダー樹脂としては、硝化綿、酢酸繊維素、セルロースアセテートプロピオネートなどのセルロース系樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸ブチルなどのアクリル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリウレタン樹脂などの１種または２種以上の混合物などを用いることができる。
【００６４】
導電性粉末としては、金、銀、銅、ステンレス、アルミニウム、亜鉛、錫、インジウム、アンチモン、ニッケルなどの金属粒子、カーボンブラック、黒鉛などの導電性顔料、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化チタンなどの金属酸化物、カーボンナノチューブ、フラーレンなどの微細炭素繊維などが用いられる。導電性粉末の形状は特に限定されないが、球、楕円、鱗片形、針状の導電性粉末を用いることができる。有機金属化合物としては、メチル銀、ブチル銀、フェニル銀などの有機銀化合物、モノアルキル（アリール）金誘導体（二臭化エチル金、二塩化フェニル金など）、ジアルキル金誘導体、トリアルキル金誘導体などの有機金化合物などが用いられる。有機導電性樹脂としては、ポリアニリン、ポリチオフェンなどのπ共役系結合を有する有機化合物が用いられる。
【００６５】
これらの導電性粉末、有機金属化合物、有機導電性樹脂は、それぞれ単独で、または組み合わせて用いることが可能である。なお、導電性塗料には、必要に応じてその他の添加剤、例えば、硬化剤、レベリング剤、消泡剤、粘度調製剤等を添加することができる。
【００６６】
なお、本実施形態のように、導電性層が陰極１８と兼用すると、工程上、陰極の製造と同時に行えたりして容易であるなどで好適であるがこれに限られず、不連続に形成されるなど、兼用されていなくてもよい。また、導電性層は、陽極と兼用されてもよく、例えばトップエミッション型などの場合は、陽極と兼用されると光の導出の観点などから好適である。
［００６７］
本実施形態のように粒子線と可視光、可視光よりも短波長光のうち少なくとも一方の電磁波を防護するとこれらは、有機ＴＦＴ５０にダメージを与えにくいので好適である。さらに好ましくは青色光、紫色光、紫外線、Ｘ線など短波長になるほど有機ＴＦＴ５０にダメージを与えやすいのでこれら短波長光から有機ＴＦＴ５０を防護することが好適である。
［００６８］
本実施形態のように導電性層としては、有色透明層または半透明以下の透明度を有する不透明層であると、電磁波から有機ＴＦＴ５０を防護しやすいので好適であるが、これに限られない。色は、電磁波および／または粒子線の吸収性が高いほど好ましく、特に好ましくは黒色である。光吸収剤、粒子線吸収剤を含む層であれば、無色透明であってもよい。
［００６９］
また、本実施形態のように、導電性層は、Ａｌなどの金属などの金属光沢、鏡面性を有するもの電磁波反射性を有する層であると有機ＴＦＴの防護と有機ＥＬ素子の光取り出し効率の両観点から、好適である。金属以外であってもアルミニウムペーストやアルミニウム粉等の金属顔料を添加した、シルバーまたはゴールド等のメタリック調の印刷インキにより金属光沢を付与するなどすればよい。
［００７０］
導電性層を形成する方法は、できるだけ有機ＴＦＴ５０にダメージを与えないようになるべく粒子線や電磁波を出さない方法で製造することが好ましい。例えば、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー、スピンコート法、真空蒸着法等の一般的な薄膜作成方法による方法で作成可能である。
［００７１］
＜保護膜＞
保護膜２０は、多層構造であってもよく単層構造であってもよく、無機膜であってもよく、有機膜であってもよいが無機膜が含まれていると水分や酸素などによる浸食からのバリア性が向上するので好適である。
［００７２］
無機膜としては、例えば、窒化膜、酸化膜又は炭素膜又はシリコン膜等が採用可能であり、より具体的には、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、又はダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）膜、アモルファスカーボン膜などが挙げられる。すなわち、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ等の窒化物、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＧｅＯ等の酸化物、ＳｉＯＮ等の酸化窒化物、ＳｉＣＮ等の炭化窒化物、金属フッ素化合物、金属膜、等があげられる。
【００７３】
有機膜としては、例えば、フラン膜、ピロール膜、チオフェン膜或いは、ポリパラキシレン膜エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシレン、フッ素系高分子（パーフルオロオレフィン、パーフルオロエーテル、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ジクロロジフルオロエチレン等）、金属アルコキシド（ＣＨ３ＯＭ、Ｃ２Ｈ５ＯＭ等）、ポリイミド前駆体、ペリレン系化合物などの重合膜等があげられる。
【００７４】
保護膜２０は、２種類以上の物質からなる積層構造、無機保護膜、シランカップリング層、樹脂封止膜からなる積層構造、無機材料からなるバリア層、有機材料からなるカバー層からなる積層構造、Ｓｉ−ＣＸＨＹ等の金属または半導体と有機物との化合物、無機物からなる積層構造、無機膜と有機膜を交互に積層した構造、Ｓｉ層上にＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４を積層した構造等の積層構造としたものなどが挙げられる。
【００７５】
バリア膜１２、保護膜２０は、その構成される無機膜が主に外気（酸素など）や水分をブロックし、有機ＥＬ素子１００を外気（酸素など）や水分から主に保護する役割などを担っている。ここで、バリア膜１２は主に基板１０側からの外気（酸素など）や水分をブロックする役割、保護膜２０は、バリア膜１２で覆われていない有機ＥＬ素子１００の部分に対して外気（酸素など）や水分をブロックする役割をそれぞれ主に担っている。
【００７６】
バリア膜１２、保護膜２０は、その構成される有機膜が無機膜に形成されたピンホールや表面凹凸を埋め、表面を平坦化させる。また、無機膜の膜応力を緩和させたりする役割を担う場合もある。
【００７７】
保護膜２０の製造方法は、スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、スピンコート法、ＣＶＤ等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００７８】
絶縁膜７２、導電性層１８、保護膜２０はそれぞれ間に他の層が形成されることを妨げない。なお、層の上および層の表面上に形成されるとは、層の上層で有ればよく、表面に直接的、または他の層を介して間接的に形成されること両方を含む概念である。
【００７９】
＜有機ＥＬ表示装置の発光態様＞
上述の有機ＥＬ表示装置Ｐ１の発光態様について説明する。
【００８０】
ｐ型の有機半導体からなる有機ＴＦＴの場合、ゲート電極５２に負の電圧が印加されると、有機半導体５６のゲート絶縁膜５４との界面（数ｎｍ程度の領域）に正孔が生成する。正孔が生成後、ソース電極５８とドレイン電極６０間に電圧をかけると正孔を輸送させることができる。一方で、ゲート電極５２とソース電極５８の間に電圧が印加されないと正孔は輸送されない。このように非導通状態（スイッチがオフの状態）と導通状態（スイッチがオン状態）を利用して、スイッチングを行うことができる。
【００８１】
ソース電極５８からホール（正孔）がゲート絶縁膜５４を通じて、ドレイン電極６０へ供給される。ドレイン電極６０を通じて正孔は、有機ＥＬ素子１００の陽極１４へ伝えられる。
【００８２】
有機ＥＬ素子１００において、陽極１４から正孔が有機固体層１６中の正孔注入層１６２へと輸送される。輸送された正孔は、正孔輸送層１６４へと注入される。正孔輸送層１６４へ注入された正孔は、発光層１６６へと輸送される。
【００８３】
また、有機ＥＬ素子１００において、陰極１８から電子が有機固体層１６中の電子注入層１６８へと注入される。注入された電子は、電子輸送層１６７を通って発光層１６６へと輸送される。
【００８４】
輸送された正孔および電子は、発光層１６６中で再結合する。再結合の際、発せられるエネルギーにより、ＥＬによる発光が発生する。この発光は、順に正孔輸送層１６４、正孔注入層１６２、陽極１４、バリア膜１２、基板１０を通じて外部へと導出され、その発光を視認することができる。
【００８５】
陰極１８にＡｌが用いられている場合などは、陰極層１８と電子注入層１６８との界面が反射面となり、この界面で反射され、陽極１４側へと進み、基板１０を透過して外部へと射出される。したがって、以上のような構成の有機ＥＬ素子をディスプレイなどに採用した場合、基板１０側が表示の観察面となる。
【００８６】
例えば、有機ＥＬパネルで、フルカラーディスプレイを実現しようとする場合、例えば、ＲＧＢ各色を発光する有機ＥＬ素子を塗り分けにより製造する方式（塗り分け法）、白色発光の単色発光の有機ＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式（カラーフィルタ法）、青色発光若しくは白色発光等の単色発光の有機ＥＬ素子と色変換層とを組み合わせた方式（色変換法）、単色の有機ＥＬ素子であって、有機発光層に電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）などが挙げられるが特に限定されない。
【００８７】
本実施形態では、導電性層を有したので、より有機ＴＦＴに対してダメージを与える粒子線や電磁波から有機ＴＦＴを防護することができる。したがって、有機ＥＬ表示装置Ｐ１が有機ＴＦＴに対してダメージを与える粒子線や電磁波を発する他の製造工程や消費者による長期の使用であってもより信頼性を確保することができる。
【００８８】
「有機ＥＬ表示装置の製造方法」
図２に示される有機ＥＬ表示装置Ｐ１の製造方法を説明する。基板１０上にバリア膜１２を形成し、有機ＴＦＴ５０および有機ＥＬ素子１００の陽極１４を作製する。有機ＴＦＴ５０のドレイン電極６０と有機ＥＬ素子１００の陽極１４とは電気的に導通するように、接触させて作製する。
【００８９】
次に、有機ＥＬ素子１００の紙面左端縁であって、有機ＴＦＴ５０の表面を覆うように層間絶縁膜７２を形成する。また、有機ＥＬ素子１００の紙面右端縁であって、陽極１４上を含むように層間絶縁膜７４を形成する。
【００９０】
これら層間絶縁膜を形成した後、有機ＥＬ素子１００の有機固体層１６と陰極１８を形成する。陰極１８は、有機ＴＦＴ５０を覆うように層間絶縁膜上まで延伸して形成する。
【００９１】
陰極１８が形成された後、その表面を覆うように保護膜２０を形成して、有機ＥＬ表示装置Ｐ１を製造する。
【００９２】
本実施形態では、特に保護膜２０の形成方法がＣＶＤなどの真空プロセス等、粒子線や電磁波を発生する場合には、導電性層である陰極１８がこれら有機ＴＦＴ５０にダメージを与える粒子線や電磁波から防護するので、ダメージの少ない有機ＴＦＴ５０を含んだ有機ＥＬ表示装置Ｐ１を提供することができる。
【００９３】
各層の製造方法は、例えば、印刷方式としては、グラビアコート、グラビアリバースコート、コンマコート、ダイコート、リップコート、キャストコート、ロールコート、エアーナイフコート、メイヤーバーコート、押し出しコート、オフセット、紫外線硬化オフセット、フレキソ、孔版、シルク、カーテンフローコート、ワイヤーバーコート、リバースコート、グラビアコート、キスコート、ブレードコート、スムーズコート、スプレーコート、かけ流しコート、刷毛塗り等の各種印刷方式が適用できる。下層を乾燥被膜としてから、その上にコートを行う他、下層とその上層とをウェット状態で２層重ねてから乾燥させることもできる。
【００９４】
「他の実施形態１」
図５には、本実施形態に係る他の実施形態１の有機ＥＬ表示装置Ｐ２が示される。以下、同符号については、上記実施形態と同様であるとし、説明を省略する。
【００９５】
有機ＴＦＴ５０上にトップエミッション構造の有機ＥＬ素子１００が配置され、有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０は、保護膜２０によって覆われている。有機ＥＬ素子の陰極１８が有機ＴＦＴ上の層間絶縁膜を覆うように形成される。有機ＴＦＴ５０の有機半導体層５６はｎ型有機半導体からなる。ドレイン電極６０と陰極１８とは層間絶縁膜７２中に設けられた電荷の輸送経路であるスルーホール８０によって電気的に接続されている。
【００９６】
有機ＥＬ表示装置Ｐ２の製造方法について説明する。基板１０上にバリア膜１２を形成し、有機ＴＦＴ５０を作製する。有機ＴＦＴ５０表面を覆うように層間絶縁膜７２を形成し、スルーホール８０を作製する。次に陰極１８を形成する。次に、有機ＥＬ素子の画素端部に陰極と陽極の短絡を防止するための絶縁膜２２を形成する。そして、有機ＥＬ素子１００を形成する。
【００９７】
最後に、有機ＥＬ素子と有機ＴＦＴが完全に覆われるように保護膜２０を形成し、有機ＥＬ表示装置Ｐ２を製造する。
【００９８】
本実施形態では、保護膜２０の形成方法がＣＶＤなどの真空プロセス等、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方を発生する場合には、導電性層である陰極１８がこれら有機ＴＦＴ５０にダメージを与える、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から防護するので、ダメージの少ない有機ＴＦＴ５０を含んだ有機ＥＬ表示装置Ｐ２を提供することができる。
【００９９】
「他の実施形態２」
図６には、本実施形態に係る他の実施形態２の有機ＥＬ表示装置Ｐ３が示される。
【０１００】
スイッチ用の有機ＴＦＴ５０上にドライブ用の有機ＴＦＴ５９、有機ＴＦＴ５９上にトップコンタクト型の有機ＥＬ素子１００が配置され、有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０および有機ＴＦＴ５９は、保護膜２０によって覆われている。図６のように、ドライビングトランジスタが静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）である場合には、有機ＴＦＴ５９のドレイン電極が有機ＴＦＴ５０と有機ＴＦＴ５９自身を完全に覆うようにすればよい。有機ＴＦＴ５０および有機ＴＦＴ５９の半導体層はｎ型有機半導体である。なお、有機ＴＦＴ５９は下層側からソース電極５７／ゲート電極５１／ドレイン電極（有機ＥＬ素子１００の陽極１４）から構成されている。
【０１０１】
ドレイン電極６０と有機ＴＦＴ５９のソース電極５７とは層間絶縁膜７２中に設けられた正孔の輸送経路であるスルーホール８０によって電気的に接続されている。
【０１０２】
有機ＥＬ表示装置Ｐ３の製造方法について説明する。基板１０上にバリア膜１２を形成し、スイッチ用有機ＴＦＴ５０を作製する。有機ＴＦＴ５０表面を覆うように層間絶縁膜７２を形成し、スルーホール８０を作製する。次にドライブ用有機ＴＦＴ５９を形成する。次に、有機ＥＬ素子の画素端部に陰極と陽極の短絡を防止するための絶縁膜２２を形成する。有機ＴＦＴ５９上に有機ＥＬ素子１００を形成する。
【０１０３】
最後に、有機ＥＬ素子と有機ＴＦＴが完全に覆われるように保護膜２０を形成し、有機ＥＬ表示装置Ｐ３を製造する。
【０１０４】
本実施形態では、保護膜２０の形成方法がＣＶＤなどの真空プロセス等、粒子線や電磁波を発生する場合には、導電性層である陽極１４がこれら有機ＴＦＴ５０にダメージを与える電磁波、粒子線から防護するので、ダメージの少ない有機ＴＦＴ５０を含んだ有機ＥＬ表示装置Ｐ３を提供することができる。
【０１０５】
陰極１８、すなわち有機ＴＦＴ５９のドレイン電極は、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方に対して反射性を有しており、有機ＴＦＴ５０にダメージを与える、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方から防護することに好適である。
【０１０６】
「有機トランジスタ」
上記実施形態では、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置を示したが、これに限られることなく、有機ＥＬ素子以外を駆動する有機トランジスタであっても本実施形態による導電性層による、電磁波と粒子線とのうち少なくとも一方防護の構造は適用できる。すなわち、上記実施形態において、有機ＥＬ素子を他の有機トランジスタによって駆動される駆動素子に置き換えてもよく、有機ＥＬ素子などの駆動素子を省略して有機トランジスタ単独としてもよい。直接的、間接的に拘わらずそれらの表面上層に導電性層および導電性層上に保護膜が形成されていればよい。
【０１０７】
このような有機トランジスタは、ディスプレイ一般、例えば、液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、電子ペーパー、トナーディスプレイなどにも適用できる。
【実施例】
【０１０８】
実施例の材質は以下の通りである。
【０１０９】
ソース／ドレイン電極：Ｃｒ／Ａｕ
ゲート電極：Ｔａ、ゲート絶縁膜：Ｔａ２Ｏ５
層間絶縁膜：ＰＶＡ
導電性層：Ａｌ
有機半導体：ペンタセン
有機ＥＬ陽極：ＩＴＯ
有機ＥＬ有機固体層：ホール注入層（ＣｕＰｃ）
：ホール輸送層（ＮＰＢ）
：発光層（Ａｌｑ３）
：電子輸送層（Ａｌｑ３）
：電子注入層（Ｌｉ２Ｏ）
有機ＥＬ陰極：Ａｌ
保護膜：ＳｉＮｘ
実施例となる有機ＥＬ表示装置Ｐ１を製造し、従来の有機ＥＬ表示装置と比較した。
【０１１０】
「製造方法」
実施例の製造方法は、プラスティックフィルム基板上に、ゲート電極としてＴａ膜を厚さ２０００Åスパッタ法で成膜し、配線パターンを形成した。これを陽極酸化して、ゲート絶縁膜Ｔａ２Ｏ５を得た。更に、ソース・ドレイン電極として厚さ５ｎｍのＣｒ膜を接着層とした厚さ１００ｎｍのＡｕ膜をリフトオフにより作製した。その後、有機ＥＬ素子の陽極としてＩＴＯを有機ＴＦＴのドレイン電極と接触するように形成した。そして、有機半導体層としてペンタセンを蒸着法により成膜した。この後、十分な厚さを持つ層間絶縁膜ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を有機ＴＦＴが完全に覆われるように作製した。なお、この絶縁膜は、有機ＥＬ素子の陽極と陰極の短絡を防ぐために、有機ＥＬ素子の端部が覆われるようにパターニングした。そして、有機ＥＬ素子の有機層を成膜後、陰極Ａｌを有機ＥＬ素子上だけでなく、有機ＴＦＴ上にも成膜した。最後に、有機層を外部の水分やガスから保護するための保護膜としてＳｉＮｘをプラズマＣＶＤ法で成膜した。
【０１１１】
比較例の製造方法は、有機ＴＦＴ上に層間絶縁膜、有機ＥＬ素子の陰極ともに成膜しないパネルであり、その他は実施例と同様である。
【０１１２】
「評価」
実施例で作製した有機ＴＦＴの半導体特性（移動度、オンオフ特性）を比較例と比較した結果を、以下の表１に示す。
【０１１３】
【表１】
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「考察」
実施例の有機ＥＬ表示装置では、比較例と比較して、良好な半導体特性（移動度、オンオフ特性）を得ることができた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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