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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも１枚のミラーを含み、第１物体の像を被露光体に投影露光する投影光学系を有する露光装置であって、
前記投影露光中に、前記像の位置ずれ量を検出する検出系を有しており、
前記検出系で用いられる検出光は、前記投影光学系の中を、前記投影露光に用いる露光光と逆方向に進行することを特徴とする露光装置。
【請求項２】 前記投影光学系は、前記第１物体上のスリット状の領域のパターンを前記被露光体上にスリット状の領域に形成するものであって、
前記検出系で用いられる検出光は、前記被露光体上のスリット状の領域の長手方向に関する外側と実質的に等価な位置から発しており、
前記検出系で用いられる検出光は、前記第１物体上のスリット状の領域の長手方向に関する外側と実質的に等価な位置に配置された受光部により受光されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】 少なくとも１枚のミラーを含み、第１物体の像を被露光体に投影露光する投影光学系を有する露光装置であって、
前記投影露光中に、前記像の位置ずれ量を検出する検出系を有しており、
前記投影光学系は、前記被露光体上にスリット状の像を形成するものであり、
前記検出系で用いられる検出光は、前記被露光体上に形成されるスリット状の像の長手方向に関する外側と等価な位置から発していることを特徴とする露光装置。
【請求項４】 前記被露光体上に形成されるスリット状の像の長手方向に関する外側と実質的に等価な位置に、前記検出光の光源を配置する、もしくは前記検出光の光源の像を結像することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】 少なくとも１枚のミラーを含み、第１物体の像を被露光体に投影露光する投影光学系を有する露光装置であって、
前記投影露光中に、前記像の位置ずれ量を検出する検出系を有しており、
前記投影光学系は、前記第１物体上のスリット状の領域のパターンの像を前記被露光体上に形成するものであって、
前記検出系で用いられる検出光は、前記第１物体上のスリット状の領域の長手方向に関する外側と実質的に等価な位置に配置された受光部により受光されることを特徴とする露光装置。
【請求項６】 前記投影光学系が、少なくとも１枚のミラーから成ることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の露光装置。
【請求項７】  前記検出系で用いる検出光が、前記投影光学系の前記被露光体側から前記投影光学系に入射し、前記投影光学系の前記第１物体側に配置された受光部に入射することを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の露光装置。
【請求項８】  前記検出系で用いる検出光が、前記投影光学系の縮小共役側から前記投影光学系に入射し、前記投影光学系の拡大共役側に配置された受光部に入射することを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の露光装置。
【請求項９】  前記像の位置ずれは、前記投影光学系の光軸方向の位置ずれであることを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】  前記像の位置ずれは、前記露光光学系の光軸に垂直な方向の位置ずれであることを特徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】  前記検出系により検出された位置ずれ量に基づいて、前記投影光学系内の第１光学素子を駆動する駆動機構を有することを特徴とする請求項１乃至１０いずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】  前記第１光学素子は、前記投影光学系が有する光学素子のうち最も有効径が小さい反射ミラーであることを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】  前記検出系により検出された位置ずれ量に基づいて、前記第１物体及び／又は前記被露光体を駆動する駆動機構を有することを特徴とする請求項１乃至１２いずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】  前記駆動機構は、前記検出系で検出された像の位置ずれ量を低減することを特徴とする請求項１１乃至１３記載の露光装置。
【請求項１５】  前記投影露光に用いる露光光が、ＥＵＶ光であることを特徴とする請求項１乃至１４いずれか記載の露光装置。
【請求項１６】  前記投影光学系が、６枚のミラーもしくは８枚のミラーから成ることを特徴とする請求項１乃至１５いずれか記載の露光装置。
【請求項１７】 少なくとも１枚のミラーを含む投影光学系において、
像の位置ずれ量を検出する検出系を有しており、
前記検出系で用いられる検出光は、前記投影露光に用いる露光光と逆方向に進行することを特徴とする投影光学系。
【請求項１８】 少なくとも１枚のミラーを含む投影光学系において、
像の位置ずれ量を検出する検出系を有しており、
前記投影光学系は、被露光体上にスリット状の像を形成するものであり、
前記検出系で用いられる検出光は、前記被露光体上に形成されるスリット状の像の長手方向に関する外側と等価な位置から発していることを特徴とする投影光学系。
【請求項１９】 少なくとも１枚のミラーを含む投影光学系において、
像の位置ずれ量を検出する検出系を有しており、
前記投影光学系は、第１物体上のスリット状の領域のパターンの像を被露光体上に形成するものであって、
前記検出系で用いられる検出光は、前記第１物体上のスリット状の領域の長手方向に関する外側と実質的に等価な位置に配置された受光部により受光されることを特徴とする投影光学系。
【請求項２０】  請求項１乃至１６いずれかに記載の露光装置を用いて、前記被露光体を露光する露光工程と、前記露光された被露光体を現像する現像工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像装置の製造方法であって、
第１面及び第２面を有する第１部材の前記第１面に光電変換素子群を形成する第１工程と、
第３面及び第４面を有する第２部材の前記第３面に回路素子群を形成する第２工程と、
前記第１部材の前記第１面側と前記第２部材の前記第３面側とを対面させて配置し、前記第１部材と前記第２部材との結合体を形成する第３工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程で形成する回路素子群は、前記光電変換素子群を制御する回路及び／又は前記光電変換素子群から得られる信号を処理する回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１部材の前記第２面側に反射膜及び／又はカラーフィルタを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程は、前記第１部材の前記第１面側に、光を遮蔽し又は減衰させる膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程は、前記第２部材の前記第３面側に、光を遮蔽し又は減衰させる膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程は、前記第１部材に分離層を形成する工程と、前記第１部材の前記分離層の上方に回路素子群を形成する工程とを含み、
前記製造方法は、前記結合体が形成された後に前記第１部材を前記分離層において分割する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）実装基板上に第１接着材を介して第１半導体チップを搭載する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、熱処理によって前記第１接着材を硬化させることにより前記実装基板上に前記第１半導体チップを固定する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１半導体チップの上方に第２半導体チップを搭載する工程であって、前記実装基板および前記第１半導体チップに熱を加えることによって前記第１半導体チップの表面が前記熱を加える前より平坦となった状態で、前記第２半導体チップを第２接着材を介して接着する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記第１接着材は、主として熱硬化性を有する樹脂であり、前記第２接着材は、熱可塑性を有する樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記第２接着材は、フィルム状の樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記（ｂ）工程と（ｃ）工程との間に、前記第１半導体チップの表面の第１パッドと前記実装基板の表面の第２パッドとをワイヤを用いて接続する工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記第２半導体チップは、前記第１半導体チップの前記第１パッドと平面的に重なるよう配置されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記（ａ）工程と（ｂ）工程との間に、前記第１半導体チップ上に前記第１接着材を介してスペーサチップを搭載する工程を有し、
前記（ｂ）工程は、熱処理によって前記第１接着材を硬化させることにより前記実装基板上に前記第１半導体チップを固定し、前記第１半導体チップ上に前記スペーサチップを固定する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記（ｃ）工程は、前記実装基板および前記第１半導体チップに熱を加えることによって前記第１半導体チップの表面が前記熱を加える前より平坦となった状態で、前記実装基板上に前記第２接着剤を介してスペーサチップを接着し、前記スペーサチップ上に前記第２接着材を介して第２半導体チップを接着する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記第２半導体チップは、その裏面の外周部に切り欠き部を有し、前記裏面の中央部が凸部となっており、
前記凸部が第２接着材を介して接着されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記第２半導体チップの前記切り欠き部は、前記第１半導体チップの前記第１パッドと平面的に重なるよう配置されることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  実装基板上に複数の半導体チップを下から順次搭載し、各半導体チップの表面の第１パッドと前記実装基板の表面の第２パッドとを複数回のワイヤボンディング工程で接続する半導体装置の製造方法であって、
前記複数回のワイヤボンディング工程のうち第１回目のワイヤボンディング工程以降に搭載される前記半導体チップは、
前記実装基板に熱を加えることによって下層の半導体チップの表面が前記熱を加える前より平坦となった状態で、接着材を介して接着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子デバイス用基板表面上に成膜された絶縁膜を改質する方法であって、前記改質方法は、希ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを該絶縁膜に照射する工程と、該絶縁膜にアニールを施す工程とを組み合わせることにより形成されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】  前記アニールに用いられるガスが酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）いずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
【請求項３】  プラズマを照射する工程と、アニールを施す工程の組み合わせにおいて、これらを組み合わせることで各工程に要する処理時間を短縮し、長時間のプラズマ照射もしくは長時間のアニールによる絶縁膜の特性劣化を抑制することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】  プラズマを照射する工程と、アニールを施す工程の組み合わせにおいて、プラズマを照射する工程は希ガスと酸素原子を含む処理ガスからなり、アニールを施す工程は窒素原子を含む処理ガスからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】  プラズマを照射する工程と、アニールを施す工程の組み合わせにおいて、プラズマを照射する工程は希ガスと窒素原子を含む処理ガスからなり、アニールを施す工程は酸素原子を含む処理ガスからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】  前記絶縁膜が、MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor  Field  Effect  Transistor）のゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】  前記絶縁膜が、メモリデバイスにおける容量（Capacitor）の電極間絶縁膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】  前記プラズマが、マイクロ波によって形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項９】  前記プラズマが、平面アンテナにマイクロ波を照射することにより形成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１０】  基板上に形成する絶縁膜を改質する基板処理方法であって，
前記基板を処理容器内に配置する工程と、
前記処理容器内に希ガスを含む処理ガスを導入するとともに、前記処理容器内に、アンテナを介して電磁波を導入してプラズマを生成し、前記絶縁膜に前記処理ガスのプラズマを照射する工程と、
前記絶縁膜を６００〜１２００℃の温度でアニール処理する工程と、を有する基板処理方法。
【請求項１１】  前記希ガスを含む処理ガスが、酸素原子または窒素原子を含む請求項１０に記載の板処理方法。
【請求項１２】  前記絶縁膜が、ＭＯＳＦＥＴ（Meta1-OXide-Semiconductor Field Effect Transistor）のゲート絶縁膜である請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】  前記絶縁膜が、メモリデバイスにおける容量（Capacitor）電極間絶縁膜である請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１４】  基板上に形成する絶縁膜を改質する基板処理方法であって、
前記基板を処理容器内に配置する工程と、
前記処理容器内に希ガスと酸素原子を含むガスを導入するとともに、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記基板をプラズマ酸化して、絶縁膜を形成する工程と、
前記処理容器内に希ガスと窒素原子を含むガスを導入して、プラズマを生成し、前記絶縁膜をプラズマ窒化処理する工程と、
前記基板を６００〜１２００℃の温度でアニール処理する工程と、を有する基板処理方法。
【請求項１５】  前記プラズマは、マイクロ波により生成される請求項１０〜１４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１６】  前記プラズマは、前記処理容器に設けられた平面アンテナにマイクロ波を導入して生成される請求項１０〜１５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１７】  前記アニール処理が、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）のいずれかを含む請求項１０〜１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１８】  前記絶縁膜が、低誘電率材料または高誘電率材料である請求項１、１０〜１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１９】  前記絶縁膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ｓｉ３Ｎ４の低誘電率材料又はＡｌ２Ｏ３、Ｌａ３Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３・ＢＳＴ、Ｐｒ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯの高校誘電率材料から選択される請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】  前記平面アンテナは、複数のスロットを有している請求項９または１６に記載の基板処理方法。
【請求項２１】  前記処理容器内にシャワープレートが配置される請求項１０〜２０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２２】  半導体装置の製造方法であって、
ａ）基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、
ｂ）前記ゲート絶縁膜にアンテナを介して、電磁波により、希ガスと少なくとも酸素原子又は窒素原子を含むガスのプラズマを生成して、該プラズマを照射する工程、
Ｃ）前記ゲート絶縁膜を６００−１２００℃の温度で、少なくとも、酸素、オゾン、窒素、アンモニアを含むガスの雰囲気下でアニール処理する工程、
ｄ）前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、
ｅ）層間絶縁膜を形成する工程、および
ｆ）メタル配線を形成する工程、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１物体のパターンを第２物体上に露光する露光装置において、光源からの光を前記第２物体上に形成された位置検出マークに照射し、前記位置検出マークからの光を光学系を介して検出することにより前記位置検出マークの位置を検出する位置検出手段と、前記位置検出マークの前記光学系の光軸方向の前記位置検出マークの位置と、前記光軸方向と直交する方向の前記位置検出マークの検出位置との関係に関する情報を測定する測定手段と、露光される前記第２物体の位置検出マークの前記情報と同一な情報を記憶した記憶手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記情報に基づいて前記位置検出手段により検出される前記位置検出マークの位置を補正する補正手段を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記光源からの光を前記位置検出マークに照射する照明光学系を有し、前記補正手段は前記照明光学系の開口絞りの開口の位置を前記照明光学系に対して偏芯させる手段であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】  前記光源からの光を前記位置検出マークに照射する照明光学系を有し、前記補正手段は前記照明光学系の光路中に配置された平行平板であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】  前記記憶手段は、更に前記第２物体上の複数個の位置検出マークの前記情報の平均値を記憶することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】  前記第２物体はウエハであり、前記デフォーカス特性は、連続して露光される同一の半導体製造プロセスを経た複数のウエハの最初に露光されるウエハ上に形成された位置検出マークの特性であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】  請求項１から６のいずれか１項に記載の露光装置を用いてウエハを露光し、該露光したウエハを現像することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面に配線用の微細凹部を形成した基板を用意し、
基板の表面にめっきにより金属膜を成膜して該金属膜を前記微細凹部内に埋込み、
基板の非有効領域に形成された金属膜、及び基板の有効領域に形成された余剰の金属膜を除去し、
この金属膜除去後の基板表面を化学機械的研磨により平坦化することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】  表面に配線用の微細凹部を形成した基板を用意し、
基板の表面にめっきにより金属膜を成膜して該金属膜を前記微細凹部内に埋込み、
基板の非有効領域に成膜された金属膜、及び基板の有効領域に成膜された余剰の金属膜を除去し、
金属膜を除去した後の基板を洗浄し、
洗浄後の基板に金属膜の金属結晶を安定化させる結晶安定化処理を施し、
この結晶安定化処理後の基板表面を化学機械的研磨により平坦化することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】  前記基板の有効領域に形成された余剰の金属膜の除去が該余剰の金属膜の一部を除去する部分除去であり、残存する金属膜の膜厚を測定して該金属膜の除去量を制御することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】  前記金属膜は、銅、銅合金、銀または銀合金からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】  前記基板の有効領域に形成された余剰の金属膜の除去を、化学エッチング、電解エッチングまたは電解複合研磨で行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】  配線用の微細凹部を形成した基板の表面に金属膜を成膜して該金属膜を前記微細凹部内に埋込むめっきユニットと、
基板の有効領域に成膜された余剰な金属膜の一部を除去する部分除去ユニットと、
ユニット間で基板を搬送する搬送装置を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】  前記部分除去ユニットは、化学エッチングユニット、電解エッチングユニットまたは電解複合研磨ユニットであることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】  基板の非有効領域に形成された金属膜を除去する除去ユニットを更に有することを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】  前記部分除去ユニットで余剰な金属膜の一部を除去した後に基板に残った金属膜の金属結晶を安定化させる結晶安定化ユニットを更に有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】  基板を洗浄する洗浄ユニットを更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】  前記部分除去ユニットで余剰な金属膜の一部を除去した基板に残った余剰な金属膜を除去するとともに、基板表面を平坦化させる化学機械的研磨ユニットを更に有することを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】  前記部分除去ユニットで余剰な金属膜の一部を除去した後に基板に残った金属膜の膜厚を測定し、測定結果を基に前記部分除去ユニットを制御する膜厚測定部を有することを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
前記基板の有効領域に形成された余剰の金属膜の除去を、化学機械的研磨で行うことが好ましい。
請求項６に記載の発明は、配線用の微細凹部を形成した基板の表面に金属膜を成膜して該金属膜を前記微細凹部内に埋込むめっきユニットと、基板の有効領域に成膜された余剰な金属膜の一部を除去する部分除去ユニットと、ユニット間で基板を搬送する搬送装置を有することを特徴とする基板処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項７に記載の発明は、前記部分除去ユニットは、化学エッチングユニット、電解エッチングユニットまたは電解複合研磨ユニットであることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。
前記部分除去ユニットは、例えば、化学機械的研磨ユニットである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項８に記載の発明は、基板の非有効領域に形成された金属膜を除去する除去ユニットを更に有することを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置である。
請求項９に記載の発明は、前記部分除去ユニットで余剰な金属膜の一部を除去した後に基板に残った金属膜の金属結晶を安定化させる結晶安定化ユニットを更に有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１０に記載の発明は、基板を洗浄する洗浄ユニットを更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項１１に記載の発明は、前記部分除去ユニットで余剰な金属膜の一部を除去した基板に残った余剰な金属膜を除去するとともに、基板表面を平坦化させる化学機械的研磨ユニットを更に有することを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載の基板処理装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項１２に記載の発明は、前記部分除去ユニットで余剰な金属膜の一部を除去した後に基板に残った金属膜の膜厚を測定し、測定結果を基に前記部分除去ユニットを制御する膜厚測定部を有することを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の基板処理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
これに対して、上記のようにＡｌ組成比がＺ＝０からＺ１に向けて徐々に高くなり、電流狭窄領域３１ｂの面積が徐々に小さくなる構成の電流狭窄層３１を用いることにより、電流が狭窄された後に再び活性層２１に向けて広がることが抑制され、活性層２１に対する電流狭窄効果が向上される。そして、この電流狭窄効果の向上により、高い発光効率及び良好な発光特性が得られる半導体発光素子を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主表面を有し、２種以上の金属の複合体または１種以上の金属と１種以上のセラミックスとの複合体からなる導電性のサブマウント基板と、
前記サブマウント基板の前記主表面上に形成された絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜の表面粗さＲａおよびＲｚは、Ｒａ＜０．２０μｍおよびＲｚ＜２．０μｍの関係を満たし、
前記絶縁膜の厚みＴは、前記絶縁膜の表面粗さＲａの１０倍以上１０００倍以下であり、前記絶縁膜の表面粗さＲｚの２倍以上１５０倍以下であり、
前記絶縁膜上に一辺の長さが１．０ｍｍの正方形形状を有する電極を形成して１００Ｖの電圧を印加した場合の前記絶縁膜の絶縁抵抗が１０５Ω以上であり、
前記絶縁膜は、二酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む、サブマウント。
【請求項２】  前記サブマウント基板は、銅−タングステン、銅−モリブデンおよびＡｌＳｉＣからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む、請求項１に記載のサブマウント。
【請求項３】  前記サブマウント基板と前記絶縁膜との間に形成され、前記絶縁膜に接触する密着膜をさらに備える、請求項１または２に記載のサブマウント。
【請求項４】  前記密着膜は、チタン、クロム、ニッケル−クロム合金およびタンタルからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む、請求項３に記載のサブマウント。
【請求項５】  請求項１から４のいずれか１項に記載のサブマウントを用いた半導体装置であって、前記サブマウントに搭載される半導体素子を備える、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に従ったサブマウントは、主表面を有し、２種以上の金属の複合体または１種以上の金属と１種以上のセラミックスとの複合体からなる導電性のサブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成された絶縁膜とを備える。絶縁膜の表面粗さＲａおよびＲｚは、Ｒａ＜０．２０μｍおよびＲｚ＜２．０μｍの関係を満たす。絶縁膜の厚みＴは、絶縁膜の表面粗さＲａの１０倍以上１０００倍以下であり、絶縁膜の表面粗さＲｚの２倍以上１５０倍以下である。絶縁膜上に一辺の長さが１．０ｍｍの正方形形状を有する電極を形成して１００Ｖの電圧を印加した場合の絶縁膜の絶縁抵抗が１０５Ω以上である。絶縁膜は、二酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む。表面粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定されている算術平均粗さのことである。また、表面粗さＲｚとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定されている十点平均粗さのことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、絶縁膜の厚みＴは、絶縁膜の表面粗さＲａの１０倍以上１０００倍以下であり、絶縁膜の表面粗さＲｚの２倍以上１５０倍以下であるため、絶縁膜を容易かつ高精度にパターニングできるとともに、絶縁膜による優れた絶縁性をより確実に実現することができる。
つまり、絶縁膜の厚みＴを、絶縁膜の表面粗さＲａの１０倍以上、絶縁膜の表面粗さＲｚの２倍以上とした場合、絶縁膜の厚みが適度に確保されている。このため、主表面の凹凸によって絶縁膜にピンホールが形成されたとしても、絶縁膜の形成過程でピンホールが消滅し、絶縁性を確保することができる。また、絶縁膜の厚みＴを、絶縁膜の表面粗さＲａの１０００倍以下、絶縁膜の表面粗さＲｚの１５０倍以下とすることによって、絶縁膜の厚みが大きすぎるために絶縁膜のパターニングが容易に行なえないという事態を回避することができる。
また、絶縁膜は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むため、これらの材質から形成された絶縁膜によって高い絶縁性を実現することができる。また、ダイヤモンドから形成された絶縁膜と比較して、容易かつ高精度にパターニングすることができる。さらに、ダイヤモンドと比較して、安価に入手することができるためサブマウントの製造コストを削減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に配される第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に積層される第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層によって一部を覆われる、前記光電変換素子に対応して開口部を有する第１の配線層と、
前記光線変換素子に対応して配される、前記光電変換素子に対して凸型のレンズと、を有する光電変換装置において、
前記開口部内で前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが積層して形成された凹部界面を有し、
前記凹部界面によって、前記レンズの界面が構成されることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層上に配され、第２の絶縁層によって覆われる、前記光電変換素子に対応して開口部を有する第１の配線層と、
前記光電変換素子に対応して配される、前記光電変換素子に対して凸型のレンズと、を有する光電変換素子であって、
前記第１の絶縁層は、前記開口部に連続する凹部を有し、
前記凹部の界面は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とによって構成され、
前記凹部の界面によって、前記レンズの界面が構成されることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の配線層は、前記複数の配線層の中で、前記光電変換素子から最も離れて配される配線層であることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記レンズよりも上にマイクロレンズが設けられた請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の屈折率は、前記第２の絶縁層の屈折率よりも小さい請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記レンズは、シリンドリカルレンズの形状をなす請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層上に配され、第２の絶縁層によって表面が覆われる、前記光電変換素子に対応して開口部を有する第１の配線層と、
前記光電変換素子に対応して配された、前記光電変換素子に対して凸型のレンズと、を有する光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を前記第１の絶縁層上に設ける第１の工程と、
前記第１の配線層をマスクとして前記第１の絶縁層にエッチング処理を施し、前記第１の絶縁層に凹部を形成する第２の工程と、
前記第２の絶縁層を前記凹部に埋め込み、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面によって構成される前記レンズを形成する第３の工程と、
を有する光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング処理は、等方性エッチング処理である請求項７に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明に係る光電変換装置は、複数の光電変換素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に配される第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に積層される第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層によって一部を覆われる、前記光電変換素子に対応して開口部を有する第１の配線層と、前記光線変換素子に対応して配される、前記光電変換素子に対して凸型のレンズと、を有する光電変換装置において、
前記開口部内で前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが積層して形成された凹部界面を有し、
前記凹部界面によって、前記レンズの界面が構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更なる本発明に係る光電変換装置は、複数の光電変換素子を有する半導体基板と、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に配され、第２の絶縁層によって覆われる、前記光電変換素子に対応して開口部を有する第１の配線層と、前記光電変換素子に対応して配される、前記光電変換素子に対して凸型のレンズと、を有する光電変換素子であって、
前記第１の絶縁層は、前記開口部に連続する凹部を有し、
前記凹部の界面は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とによって構成され、
前記凹部の界面によって、前記レンズの界面が構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明に係る光電変換装置の製造方法は、複数の光電変換素子を有する半導体基板と、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に配され、第２の絶縁層によって表面が覆われる、前記光電変換素子に対応して開口部を有する第１の配線層と、前記光電変換素子に対応して配された、前記光電変換素子に対して凸型のレンズと、を有する光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を前記第１の絶縁層上に設ける第１の工程と、
前記第１の配線層をマスクとして前記第１の絶縁層にエッチング処理を施し、前記第１の絶縁層に凹部を形成する第２の工程と、
前記第２の絶縁層を前記凹部に埋め込み、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面によって構成される前記レンズを形成する第３の工程と、を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、レンズの形成工程を短縮することができる。したがって、本発明によれば、製造工程の簡素化を図り、製造コストを低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  前記荷電粒子線集束手段は、前記荷電粒子線の集束度を検出する集束度検出部および前記ガスの導入量を制御するガス導入量制御部とを備えることを特徴とする請求項９に記載の荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１に示したノイズ抑制回路において、巻線１１ａ，１１ｂおよび磁芯１１ｃは、図２における検出・注入部１０２に対応する。また、巻線１１ａは本発明における第１の巻線に対応し、巻線１１ｂは本発明における第２の巻線に対応する。また、注入信号伝送路１９と導電線３との接続点は、図２における検出・注入部１０３を形成する。また、注入信号伝送路１９は、図２における注入信号伝送路１０４に対応する。また、インダクタンス素子１３は、図２における波高値低減部１０５に対応する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
図９に示したノイズ抑制回路において、巻線３１ａ，３１ｂ，３１ｃおよび磁芯３１ｄは、図２における検出・注入部１０２に対応する。また、巻線３１ａ，３１ｂは本発明における第１の巻線に対応し、巻線３１ｃは本発明における第２の巻線に対応する。また、伝送路３９ａと導電線３との接続点および伝送路３９ｂと導電線４との接続点は、図２における検出・注入部１０３を形成する。また、注入信号伝送路３９は、図２における注入信号伝送路１０４に対応する。また、巻線３３ａ，３３ｂおよび磁芯３３ｃからなるコモンモードチョークコイルは、図２における波高値低減部１０５に対応する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
図１３は、シミュレーションによって求めた、シミュレーション回路におけるコモンモードノイズの減衰量の周波数特性を示す特性図である。なお、図１３において、横軸は周波数を表わし、縦軸はゲインを表わしている。ゲインが小さいほど、ノイズの減衰量は大きい。図１３において、符号４１で示した線は、図１１に示したシミュレーション回路において巻線３１ｃのインダクタンスが２ｍＨの場合の特性を表わしている。また、符号４２で示した線は、図１１に示したシミュレーション回路において巻線３１ｃのインダクタンスが２．４ｍＨの場合の特性を表わしている。また、符号４３で示した線は、図１２に示したシミュレーション回路の特性を表わしている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基準の周波数を有する第１の信号を発生する第１の信号発生手段と、
前記第１の信号に対して演算処理を行って異なる周波数を有する複数の第２の信号を発生する第２の信号発生手段と、
前記第１の信号および前記第２の信号を組み合わせて生成した隣接する周波数差が一定となる信号群の中から一定時間ごとに１つの信号を選択して受信側および送信側のミキサに局部発振信号として出力する第３の信号発生手段と、
を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】  前記第３の信号発生手段は、数ナノ秒の一定時間ごとに周波数が切り替わる周波数ホッピング方式によってスペクトル拡散された局部発振信号として出力することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項３】  前記第２の信号発生手段は、前記第１の信号に対して分周処理を行う少なくとも１つの分周手段、前記第１の信号に対して逓倍処理を行う少なくとも１つの逓倍手段、並びに、前記第１の信号、前記分周手段によって分周された各分周信号、および前記逓倍手段によって逓倍された各逓倍信号のそれぞれを正弦波信号および余弦波信号に変換して前記第３の信号発生手段に出力する複数の移相手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項４】  前記第３の信号発生手段は、前記複数の移相手段から出力された複数系統の正弦波信号および余弦波信号の中から２系統の正弦波信号および２系統の余弦波信号を第１の制御信号に応じて選択する第１の信号選択手段と、前記２系統の正弦波信号のいずれか一方の極性を反転する信号反転手段と、この信号反転手段によって反転された正弦波信号又は反転される前の正弦波信号のいずれか一方を第２の制御信号に応じて選択する第２の信号選択手段と、前記２系統の余弦波信号同士を乗算して第１の乗算信号を出力する第１の乗算手段と、前記第２の信号選択手段によって選択された正弦波信号および前記２系統の正弦波信号の他方を乗算して第２の乗算信号を出力する第２の乗算手段、並びに、前記第１の乗算信号および前記第２の乗算信号を加算して受信側および送信側のミキサに局部発振信号として出力する加算手段と、
前記第１および第２の制御信号を数ナノ秒の一定時間ごとに発生して前記第１および第２の信号選択手段に出力する制御信号発生手段と、
を備えたことを特徴とする請求項３記載の無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の無線通信装置は、基準の周波数を有する第１の信号（実施形態においては、５．０ＧＨｚの基準信号に相当する）を発生する第１の信号発生手段（実施形態においては、図１の５ＭＨｚ信号発生器１に相当する）と、第１の信号に対して演算処理を行って異なる周波数を有する複数の第２の信号（実施形態においては、０．５ＧＨｚ、１．０ＧＨｚ、２．５ＧＨｚ、５．０ＧＨｚ、７．５ＧＨｚの正弦波信号および余弦波信号に相当する）を発生する第２の信号発生手段（実施形態においては、図１の分周器２，３，４、３逓倍器５、およびπ／２移相器６ないし１０に相当する）と、第１の信号および第２の信号を組み合わせて生成した隣接する周波数差が一定（実施形態においては、０．５ＧＨｚに相当する）となる信号群（実施形態においては、１．５ＧＨｚから８．５ＧＨｚまでの１５通りの周波数を有する信号に相当する）から一定時間ごとに１つの信号を選択して受信側および送信側のミキサに局部発振信号として出力する第３の信号発生手段（実施形態においては、図１の切替器１１，１２，１４、反転器１３、および演算器１５に相当する）とを備えた構成になっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、基準の周波数を有する第１の信号を発生する第１の信号発生手段と、第１の信号に対して演算処理を行って異なる周波数を有する複数の第２の信号を発生する第２の信号発生手段と、第１の信号および第２の信号を一定時間ごとに組み合わせて生成した隣接する周波数差が一定となる信号群の中から一定時間ごとに１つの信号を選択して受信側および送信側のミキサに局部発振信号として出力する第３の信号発生手段とを備えたので、数ナノ秒の切り替え周期で周波数を変化させる周波数ホッピング方式によるスペクトル拡散通信を可能にするという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
本発明によれば、再生したいコンテンツが記録されている記録媒体を短時間で特定し、その記録媒体を多くの記録媒体の中から簡単に探し出すことができる信号記録再生装置及び信号記録再生方法、を実現できるという有利な効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  命令列であるプログラムが格納された命令メモリと、
前記命令メモリから読み出したプログラムの進行を制御するプログラム制御部と、
前記命令メモリから読み出した命令を解読する命令デコード部と、
レジスタファイルと算術論理演算器とを備えた命令演算部と、
符号化パラメータの入力を制御するパラメータ入出力部と、
作業用メモリへのアクセスを制御する作業用メモリ制御部と、
ビットストリームの出力とＤＣＴ係数データの入力とを制御するデータ入出力制御部と、
ＤＣＴ係数データの０ラン長を検出するスキャン変換部と、
ＤＣＴ係数データと０ラン長とを符号語と符号長へ変換するＤＣＴ係数符号化部と、
符号語と符号長とを入力しある一定ビット単位のビットストリームデータに結合するストリーム出力部とを備え、
プログラムの進行を中断する同期命令が前記命令デコード部にて解読されると、
前記プログラム制御部は、前記データ入出力制御部と、前記スキャン変換部と、前記ＤＣＴ係数符号化部のうちの少なくとも１つの処理が終了するまで、プログラムの進行を停止させることを特徴とする
プログラマブル可変長符号処理回路。
【請求項２】  命令列であるプログラムが格納された命令メモリと、
前記命令メモリから読み出したプログラムの進行を制御するプログラム制御部と、
前記命令メモリから読み出した命令を解読する命令デコード部と、
レジスタファイルと算術論理演算器とを備えた命令演算部と、
符号化パラメータの出力を制御するパラメータ入出力部と、
作業用メモリへのアクセスを制御する作業用メモリ制御部と、
ビットストリームの入力とＤＣＴ係数データの出力とを制御するデータ入出力制御部と、
ビットストリームをある一定ビット単位で入力しビット単位で順方向にシフト可能なストリーム入力部と、
ビットストリームをＤＣＴ係数データと０ラン長へ復号するＤＣＴ係数復号化部と、
ＤＣＴ係数データの０ラン長を復元するスキャン変換部とを備え、
プログラムの進行を中断する同期命令が前記命令デコード部にて解読されると、
前記プログラム制御部は、前記データ入出力制御部と、前記スキャン変換部と、前記ＤＣＴ係数復号化部のうちの
少なくとも１つの処理が終了するまで、プログラムの進行を停止させることを特徴とする
プログラマブル可変長符号処理回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るプログラマブル可変長符号処理回路は、命令列であるプログラムが格納された命令メモリと、前記命令メモリから読み出したプログラムの進行を制御するプログラム制御部と、前記命令メモリから読み出した命令を解読する命令デコード部と、レジスタファイルと算術論理演算器とを備えた命令演算部と、符号化パラメータの入力を制御するパラメータ入出力部と、作業用メモリへのアクセスを制御する作業用メモリ制御部と、ビットストリームの出力とＤＣＴ係数データの入力とを制御するデータ入出力制御部と、ＤＣＴ係数データの０ラン長を検出するスキャン変換部と、ＤＣＴ係数データと０ラン長とを符号語と符号長へ変換するＤＣＴ係数符号化部と、符号語と符号長とを入力しある一定ビット単位のビットストリームデータに結合するストリーム出力部とを備え、プログラムの進行を中断する同期命令が前記命令デコード部にて解読されると、前記プログラム制御部は、前記データ入出力制御部と、前記スキャン変換部と、前記ＤＣＴ係数符号化部のうちの少なくとも１つの処理が終了するまで、プログラムの進行を停止させることを特徴とし、ＤＣＴ係数を連続的に処理する間、他の処理を並行して実行することが可能なものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このようにして、ＤＣＴ係数以外の符号化パラメータを順次復号化していく過程において、ストリーム入力部１２は、ある一定ビット長単位のデータがシフトされたら、データ入出力制御部８から新たな後続のビットストリームデータを入力し、同時にデータ入出力制御部８の転送起動信号を出力する。そしてデータ入出力制御部８は外部からさらにつぎの後続のビットストリームデータを入力し、内部に保持しておく。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
つぎにＤＣＴ係数を復号化する動作を説明する。はじめにＤＣＴ係数復号化部１３は、ストリーム入力部１２のビットストリームデータから、該当するＬＥＶＥＬ情報、ＲＵＮ情報、ＬＡＳＴ情報および符号長を算出する。そしてＬＥＶＥＬ情報、ＲＵＮ情報およびＬＡＳＴ情報をＶＡＬＩＤ情報と共にスキャン変換部９へ出力すると同時に、ストリーム入力部１２の起動信号と符号長とをストリーム入力部１２へ出力し、符号化パラメータの復号化動作と同様にビットストリームデータを更新させる。ＤＣＴ係数復号化部１３は復号化エラーまたはブロック内の最後の０でない係数を検出するまでこの動作を繰り返す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、ｓｙｎｃ命令はプログラム中の任意のタイミングで実行することができる。このため、例えばＤＣＴ係数符号化動作中に、算術論理演算部４にて次ブロックの転送アドレスの計算や前ブロックのビット量の累算などの演算処理を実行し、結果を作業用メモリ６に格納した後、ｓｙｎｃ命令にてＤＣＴ係数符号化動作終了を待つという処理の並列化が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像する撮像素子と、
画像を記憶する揮発性のバッファーメモリと、
画像を記録する不揮発性の記録媒体と、
バッテリー電源から安定化電源を生成して前記撮像素子、前記バッファーメモリおよび前記記録媒体へ供給する安定化電源回路と、
メインスイッチと、
前記メインスイッチのオンとオフに応じて前記安定化電源回路による安定化電源の供給と遮断を制御する制御回路とを備え、
前記撮像素子から画像を読み出していったん前記バッファーメモリに記憶し、前記バッファーメモリから画像を前記記録媒体へ転送して記録するデジタルカメラにおいて、
メインスイッチがオフされたときに前記バッファーメモリ上の未記録の画像の記録完了後に前記安定化電源の供給を遮断する第１の電源遮断モードと、メインスイッチがオフされたときに前記バッファーメモリ上の未記録の画像の有無に拘わらず前記安定化電源の供給を遮断する第２の電源遮断モードとを有し、前記第１の電源遮断モードまたは前記第２の電源遮断モードを設定するモード設定手段を備え、
前記制御手段は、メインスイッチオフ時に前記モード設定手段により設定された電源遮断モードにしたがって前記安定化電源回路を制御することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項２】
請求項１に記載のデジタルカメラにおいて、
前記モード設定手段は、使用者が選択した電源遮断モードを設定することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項３】
請求項２に記載のデジタルカメラにおいて、
前記メインスイッチのオフ操作と同時に特定のスイッチが操作された場合に、前記モード設定手段により設定された電源遮断モードを変更するモード変更手段を備えることを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項４】
請求項３に記載のデジタルカメラにおいて、
前記モード変更手段は、前記モード設定手段により前記第１の電源遮断モードが設定されているときに、前記メインスイッチのオフ操作と同時に画像削除スイッチが操作された場合は、前記第２の電源遮断モードへ変更することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項５】
請求項３に記載のデジタルカメラにおいて、
前記モード変更手段は、前記モード設定手段により前記第２の電源遮断モードが設定されているときに、前記メインスイッチのオフ操作と同時に画像保護スイッチが操作された場合は、前記第１の電源遮断モードへ変更することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項６】
請求項１に記載のデジタルカメラにおいて、
前記モード設定手段は、前記メインスイッチのオフ操作と同時に第１の特定スイッチが操作された場合は前記第１の電源遮断モードを設定することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項７】
請求項６に記載のデジタルカメラにおいて、
前記第１の特定スイッチは画像保護スイッチであることを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項８】
請求項１に記載のデジタルカメラにおいて、
前記モード設定手段は、前記メインスイッチのオフ操作と同時に第２の特定スイッチが操作された場合は前記第２の電源遮断モードを設定することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項９】
請求項８に記載のデジタルカメラにおいて、
前記第２の特定スイッチは画像削除スイッチであることを特徴とするデジタルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
（１）  請求項１の発明は、撮像素子から画像を読み出していったんバッファーメモリに記憶し、バッファーメモリから画像を記録媒体へ転送して記録するデジタルカメラに適用され、メインスイッチがオフされたときにバッファーメモリ上の未記録の画像の記録完了後に安定化電源の供給を遮断する第１の電源遮断モードと、メインスイッチがオフされたときにバッファーメモリ上の未記録の画像の有無に拘わらず安定化電源の供給を遮断する第２の電源遮断モードとを有し、第１の電源遮断モードまたは第２の電源遮断モードを設定して、メインスイッチオフ時に設定された電源遮断モードにしたがって安定化電源回路を制御して安定化電源の供給と遮断を行う。
（２）  請求項２のデジタルカメラは、使用者が選択した電源遮断モードを設定するようにしたものである。
（３）  請求項３のデジタルカメラは、メインスイッチのオフ操作と同時に特定のスイッチが操作された場合に、設定された電源遮断モードを変更するようにしたものである。
（４）  請求項４のデジタルカメラは、第１の電源遮断モードが設定されているときに、メインスイッチのオフ操作と同時に画像削除スイッチが操作された場合は、第２の電源遮断モードへ変更するようにしたものである。
（５）  請求項５のデジタルカメラは、第２の電源遮断モードが設定されているときに、メインスイッチのオフ操作と同時に画像保護スイッチが操作された場合は、第１の電源遮断モードへ変更するようにしたものである。
（６）  請求項６のデジタルカメラは、メインスイッチのオフ操作と同時に第１の特定スイッチが操作された場合は第１の電源遮断モードを設定するようにしたものである。
（７）  請求項７のデジタルカメラは、第１の特定スイッチを画像保護スイッチとしたものである。
（８）  請求項８のデジタルカメラは、メインスイッチのオフ操作と同時に第２の特定スイッチが操作された場合は第２の電源遮断モードを設定するようにしたものである。
（９）  請求項９のデジタルカメラは、第２の特定スイッチを画像削除スイッチとしたものである。