Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
表１：銅製薄板と接触する日数で示すポリプロピレンの長期間熱安定性：
1999322940.tif 000001
1999322940.tif 000002
ドイツ特許出願公開（Ａ）第１，１５３，８９４号明細書、銅粉末と接触する場合の脆化時間酸化段階が１単位だけ変化し得る特定の金属イオン、一般に部分的に満たされたｄ−軌道を有する金属がポリマー、特にポリオレフィン中に分解触媒として作用し得ることが判っている。銅性薄板を埋め込むことによってこの影響をシュミレーションする。表１の結果を比較すれば判る通り、新規の部分縮合した安定剤混合物は金属イオンの有害な影響に対して優れた保護作用を発揮する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
例４における如き新規の部分縮合安定剤混合物の優れた安定化特性は、更に、酸化安定化効果を示すフェノールも含有していてもよいドイツ特許出願公開（Ａ）第１１５３８９４号明細書、実施例３または実施例５に記載の架橋反応生成物よりも優れていることが判る。新規の部分的に縮合された安定剤混合物で安定化したポリマーは別の添加物なしで長期間の加工性を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
更に相乗的安定剤混合物は部分的に縮合された安定剤混合物およびフェノール系酸化防止剤および場合によっては硫黄系の補助安定剤から造られ、個々の生成物自身よりも著しく優れた効果を示す。例えば慣用のチオ系補助安定剤またはフェノール系酸化防止剤を使用する場合の脆化時間は、２，２’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−ジ第三ブチルジフェニル−スルフィドとＰＣｌ3 との部分縮合生成物を使用する場合よりも短く、二〜三日の期間内である。反対にこれらの成分の混合物を使用すると、加工可能期間の増加は予想できる増加量よりも遙かに多い。例６／７、８／９および１０／１１の各対は相乗効果を実証している。脆化するまでの予想された期間は１３日（８＋５）であるのに、実際には３１日を達成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
例１３〜１５：加工条件のもとでのポリオレフィンの安定化
１００部のポリプロピレン粉末を０．１部のステアリン酸カルシウムおよび表２に記載した量の安定剤と一緒に、長さ４５０ｍｍおよびＬ／Ｄ比が２０の短い圧縮領域のスクリュウー式押出機で２００℃、２３０℃および２３０℃の３つの加熱領域を通しペレット化する。次いでこの組成物の溶融指数を測定する。加工条件のもとで有害な影響に対する安定性を試験するために、ペレット化過程を五度繰り返し、三度目と五度目の過程のペレット化段階の後で溶融指数を測定する。溶融指数の増加は加工の間にポリマーが分解することを示している。常に、低い値が望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
表３：日数で示すプロピレンの長期間熱安定性：
1999322940.tif 000003
例１６に記載の新規の部分縮合安定剤混合物の安定化特性は例１９の未安定化ポリマーに比較して明らかである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
更に新規の部分縮合安定剤混合物とフェノール系酸化防止剤および場合により硫黄系補助安定剤より成る相乗安定剤混合物は個々のそれらの生成物よりも著しく優れた効果を示す。例２０は硫黄系補助安定剤についてのこれの例を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記の式Ａ、Ｂ及びＣの構造単位を含んでなる耐候性ポリエステルソフトブロック共重合体組成物。
【化１】
1999322908.tif 000001
【化２】
1999322908.tif 000002
及び
【化３】
1999322908.tif 000003
式中、Ｒ1はＣ3-20直鎖アルキレン、Ｃ3-10枝分れアルキレン又はＣ4-10シクロもしくはビシクロアルキレンを表し、
Ｒ2は−Ｃ(＝Ｏ)−又は−ＣＨ2−Ｏ−を表し、
Ｒ3は−Ｃ(＝Ｏ)−又は−ＣＨ2−Ｏ−を表し、
Ｒ4はＨ、Ｃ1-8直鎖アルキル又はＣ4-8枝分れアルキルを表し、
Ｚは１，３−フェニレン、１，４−フェニレン及び２，６−ナフチレンの少なくとも一つを表すものであり、
式Ｂは１，３−フェニレンを４０モル％以上含んでなり、式Ｃは当該ポリエステルのエステル結合に１〜４５モル％寄与する。
【請求項２】  式Ｃが当該ポリエステルのエステル結合に５〜４０モル％寄与する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  式Ｃが当該ポリエステルのエステル結合に５〜３０モル％寄与する、請求項２記載の組成物。
【請求項４】  式Ｂが１，３−フェニレンを５０モル％以上含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項５】  下記の式Ｄで表される構造単位、及び任意には式Ｅ及びＦで表される構造単位をさらに含んでなる、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の組成物。
【化４】
1999322908.tif 000004
【化５】
1999322908.tif 000005
及び
【化６】
1999322908.tif 000006
式中、Ｒ4はＨ、Ｃ1-8直鎖アルキル又はＣ4-8枝分れアルキルを表す。
【請求項６】  式Ａで表される構造単位と式Ｄで表される構造単位のモル比が９９：１〜８０：２０である、請求項５記載の組成物。
【請求項７】  式Ｂの４０モル％以上が１，３−フェニレンからなり、その残りが１，４−フェニレンである、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の組成物。
【請求項８】  Ｒ1がＣ3-20直鎖アルキレン又はＣ5〜Ｃ6シクロアルキレンを表す、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９】  下記の式Ａ、Ｂ及びＣの構造単位を含んでなる耐候性ポリエステルソフトブロック共重合体組成物。
【化７】
1999322908.tif 000007
【化８】
1999322908.tif 000008
及び
【化９】
1999322908.tif 000009
式中、Ｒ1はＣ3-20直鎖アルキレン又はＣ6シクロアルキレンを表し、
Ｒ2は−Ｃ(＝Ｏ)−又は−ＣＨ2−Ｏ−を表し、
Ｒ3は−Ｃ(＝Ｏ)−又は−ＣＨ2−Ｏ−を表し、
Ｒ4はＨ又はＣＨ3を表し、かつ
Ｚは１，３−フェニレン、１，４−フェニレン及び２，６−ナフチレンの少なくとも一つを表すものであり、
式Ｂは１，３−フェニレンを４０モル％以上含んでなり、式Ｃは当該ポリエステルのエステル結合に５〜２０モル％寄与する。
【請求項１０】  下記の式Ｄで表される構造単位、及び任意には式Ｅ及びＦで表される構造単位をさらに含んでなる、請求項９記載の組成物。
【化１０】
1999322908.tif 000010
【化１１】
1999322908.tif 000011
及び
【化１２】
1999322908.tif 000012
式中、Ｒ4はＨ、Ｃ1-8直鎖アルキル又はＣ4-8枝分れアルキルを表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【化２２】
1999322908.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇降かごに係合したロープが巻き付けられ、回転することによって前記ロープを移動させるシーブと、前記シーブを電動装置により回転させかつブレーキ装置を内蔵した駆動部と、を具備する駆動装置を有し、
前記電動装置は、電動装置のハウジング内に、ステータと、リング状のロータと、を備え、前記ブレーキ装置は、スプリングの付勢力で制動制御し前記ロータと前記電動装置の回転軸との間に配置され、前記駆動装置は前記回転軸の方向に薄形であり、
前記シーブを前記昇降かごの昇降路壁側に配置しかつ前記電動装置を前記昇降かご側に配置したことを特徴とするエレベータ装置。
【請求項２】
前記駆動装置を、前記昇降かごの昇降路内で前記昇降かごに隣接して、昇降路下方で最下階の床より高い位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のエレベータ装置。
【請求項３】
前記駆動装置は、エレベータフレームに固定されたサブフレームに取り付けられるよう薄形となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレべータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のエレベータ装置は、昇降かごに係合したロープが巻き付けられ、回転することによって前記ロープを移動させるシーブと、前記シーブを電動装置１０により回転させかつブレーキ装置３０を内蔵した駆動部と、を具備する駆動装置を有し、前記電動装置１０は、電動装置１０のハウジング１１内に、ステータ１３と、リング状のロータ１４と、を備え、前記ブレーキ装置３０は、スプリング３８、３９の付勢力で制動制御し前記ロータ１４と前記電動装置１０の回転軸との間に配置され、前記駆動装置は前記回転軸の方向に薄形であり、前記シーブを前記昇降かごの昇降路壁側に配置しかつ前記電動装置を前記昇降かご側に配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記駆動装置を、前記昇降かごの昇降路内で前記昇降かごに隣接して、昇降路下方で最下階の床より高い位置に配置したので、設置及びメンテナンス時においても高所で作業を行うことがなくなり、作業性が向上する。又、出水などの際にも、駆動装置が水に浸かる恐れは低くなり、その機能が損なわれることを極力抑止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記駆動装置は、エレベータフレーム５１に固定されたサブフレーム５１ｃに取り付けられるよう薄形となっている。なお、前記駆動部が、電動装置と、前記電動装置によって回転させられる入力軸及び出力回転輪としての前記シーブを有する減速機と、前記入力軸に制動力を付与するブレーキ装置と、を具備し、前記電動装置及び前記ブレーキ装置を、前記入力軸の軸線方向と直角な方向で同一平面上に配置すると共に、前記減速機の側端に配置していれば、駆動装置全体を入力軸方向に薄くかつコンパクトに構成することができるため、前記駆動装置を、昇降路下方で最下階の床より高い位置に配置した場合でも嵩張らず、設置階のスペースの有効活用を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
円環状に複数の凹所群が形成されているインペラと、
前記インペラを回転可能に収容するケーシングとを備え、
前記ケーシングの「インペラの凹所群と対向する領域」には、燃料吸入口に連通している吸入口側溝と燃料吐出口に連通している吐出口側溝が形成されており、
前記吸入口側溝の「上流端近傍の外側側面」は、インペラの凹所群の外周端より内側の位置でインペラに対してほぼ垂直に形成されている略垂直面と、この略垂直面からインペラの凹所群の外周端に向けて傾斜して形成されている傾斜面とを有することを特徴とする燃料ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の燃料ポンプは、円環状に複数の凹所群が形成されているインペラと、そのインペラを回転可能に収容するケーシングとを備える。ケーシングの「インペラの凹所群と対向する領域」には、燃料吸入口に連通している吸入口側溝と燃料吐出口に連通している吐出口側溝が形成されている。また、吸入口側溝の「上流端近傍の外側側面」は、インペラの凹所群の外周端より内側の位置でインペラに対してほぼ垂直に形成されている略垂直面と、この略垂直面からインペラの凹所群の外周端に向けて傾斜して形成されている傾斜面とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
密度が０．８８０〜０．９２０ｇ／ｃｍ3であり、メルトフローレート（ASTM D 1238，190℃、2.16kg荷重）が０．１〜５０ｇ／１０分の非結晶性ないし主融点ピークの位置が
１１０℃以下であるエチレン・α- オレフィン共重合体（Ａ）、
エチレン・酢酸ビニル共重合体（Ｂ）、
有機ペルオキシド（Ｃ）、および
発泡剤（Ｄ）からなる組成物を熱処理して得られることを特徴とする発泡体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項４に記載の発泡体を二次圧縮して得られる発泡体で、その比重が０．１〜０．４であり、圧縮永久歪みが２０〜６０％であり、引裂強度が２．０〜４．０ｋｇ／ｃｍであることを特徴とする発泡体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る発泡体は、
密度が０．８８０〜０．９２０ｇ／ｃｍ3であり、メルトフローレート（ASTM D 1238，190℃、2.16kg荷重）が０．１〜５０ｇ／１０分の非結晶性ないし主融点ピークの位置が
１１０℃以下であるエチレン・α- オレフィン共重合体（Ａ）、
エチレン・酢酸ビニル共重合体（Ｂ）、
有機ペルオキシド（Ｃ）、および
発泡剤（Ｄ）からなる組成物を熱処理して得られることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビタミンＣおよびその誘導体の群と、抗がん性を有する各種の多糖類の群において、これら各群から選ばれる一つずつまたはそれ以上の混合物に対して、酸化抑制剤の存在下にこれら複数種の混合成分を結合させる処理を施行することを特徴とする疾病の予防治療用の内服および／または注射組成物の製造方法。
【請求項２】
前記多糖類は、椎茸、エノキダケ、サルノコシカケ、カワラタケ、ヒラタケ、シメジ、ブナシメジ、マイタケ、マッシュルーム、マツタケ、ヒメマツタケ、ナメコ、パールマッシュ、エリンギタケ、メシマコブ、霊芝、冬虫夏草、アガリクス（アガリクス、アラゼイ、ムリルを含む）、ハナビラ茸の群から選択される一種又は二種以上の粉末および／または抽出物、および／または、イネ科（米ぬかを含む）アラビノキシラン、キチン、キトサン、アラビナン、キシラン、アミロース、アミロペクチン、グリコーゲン、スクレロタン、シゾフィラン、コリオラン、セルロース、デキストラン、デキストラン硫酸、マイコデキストラン、プルラン、ルテオース、プスツラン、リケナン、ガラクタン、アガロース、ガラクトカロロース、カラゲナン、マンナン、フルクタン、イヌリン、ペクチン、フルクタン、ポリガラクツロン酸、コロミン酸、ケラタン酸、コンドロイチン、コンドロイチン硫酸、ヘパリン、ヒアルロン酸、デルマタン硫酸、アルギン酸、フコイダン、フカン硫酸の群から選ばれる一つまたはそれ以上の物質である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記ビタミンＣおよびその誘導体は、アスコルビン酸、Ｌ−アスコルビン酸−２−０−ホスフェート、Ｌ−アスコルビン酸−２−０−α−グルコシド、Ｌ−アスコルビン酸２−０−β−グルコシド、２，３，５，６−０−テトラ（２’−ヘキシルデカノイル）−Ｌ−アスコルビン酸、６−０−パルミトイル−Ｌ−アスコルビン酸、６−０−（２’−ヘキシルデカノイル）−Ｌ−アスコルビン酸−２−０−ホスフェート、６−０−パルミトイル−Ｌ−アスコルビン酸−２−０−ホスフェートの群から選沢される一種の物質又は二種以上の混合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記酸化抑制剤は、ビタミンＥ、プロビタミンＥ（α−トコフェロールフォスフェート、α−トコフェロールニコチネート、α−トコフェロールサクシネートなど）、トコトリエノール、ビタミンＡ、β−カロテン、ローズモップ抽出物、アセロラ抽出物、茶葉抽出物、タウリン、ヘスペリジン、ヘスペリジングルコシド、ヘスペレチン、ノビレチン、ルチン、カテキン、エピガロカテキンガレートの群から選ばれる一種の物質または２種以上の混合物であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
混合成分を結合させる処理として、混合成分を水に添加して、３０−１００℃に加温し、この温度で達成される水に対する混合成分の飽和溶解度近傍の１−５０％（ｇ／ｄＬ）の濃度に溶解させ、次いで、凍結乾燥および／またはスプレードライする処理を実施することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記混合物と酸化抑制剤との組み合わせは、ビタミンＣおよびその誘導体の群から選択された混合成分５〜９５％（有効成分総量中での混合重量比率、以下同じ）、多糖類４．９９〜５０％、酸化抑制剤０．０１〜１５％からなる請求項１〜５の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
ビタミンＣおよびその誘導体として、ビタミンＣ（５−９５％（有効成分総量中での混合重量比率、以下同じ））、Ｌ−アスコルビン酸−２−０−ホスフェート（０−９５％）、Ｌ−アスコルビン酸−２−０−グルコシド（０−９５％）、２，３，５，６−０−テトラ（２’−ヘキシルデカノイル）−Ｌ−アスコルビン酸（０−５０％）、６−０−パルミトイル−Ｌ−アスコルビン酸（０−５０％）の組成とし、多糖類として、椎茸、エノキダケ、カワラタケ、ブナシメジ、ヒメマツタケ、アガリクス（アガリクス、アラゼイ、ムリル）、メシマコブの各抽出物および／またはアルギン酸、フコイダン（４．９９−５０％）の組成とし、酸化抑制剤としてタウリン、ヘスペレチングルコシド、α−トコフェロールフォスフェートの群から選ばれる一つまたはそれ以上の物質（０．０１−１５％）とし、凍結乾燥および／またはスプレードライの処理を施行することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
ビタミンＣおよびその誘導体として、ビタミンＣ（３３−６６％（混合重量比率、以下同じ））、Ｌ−アスコルビン酸−２−０−ホスフェート（０−１１％）、６−０−パルミトイル−アスコルビン酸（０−１１％）の組成とし、多糖類として、アガリクス（アガリクス、アラゼイ、ムリル）、メシマコブの各熱水抽出物および／またはフコイダン（８−２４％）の組成とし、凍結乾燥および／またはスプレードライの処理を施行することを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記ビタミンＣおよびその誘導体の群から選択される混合成分は、ビタミンＣと、ビタミンＣの誘導体とを含む請求項１〜８の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
ビタミンＣおよびその誘導体の群から選ばれる1種又は2種以上の成分と、抗がん性を有する各種の多糖類の群から選ばれる1種又は2種以上の成分とを含有する疾病の予防治療用の内服および／または注射組成物であり、
請求項１〜９の何れか一項記載の製造方法によって製造されることを特徴とする疾病の予防治療用の内服および／または注射組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の組成物を構成する多糖類は、椎茸、エノキダケ、サルノコシカケ、カワラタケ、ヒラタケ、シメジ、ブナシメジ、マイタケ、マッシュルーム、マツタケ、ヒメマツタケ、ナメコ、パールマッシュ、メシマコブ、エリンギタケ、アガリクス（アガリクス、アラゼイ、ムリル）、ハナビラ茸など各種キノコ抽出物、さらに、イネ科（米ぬかを含む）アラビノキシラン、キチン、キトサン、アラビナン、キシラン、アミロース、アミロペクチン、グリコーゲン、スクレロタン、シゾフィラン、クレスチン、コリオラン、セルロース、デキストラン、デキストラン硫酸、マイコデキストラン、プルラン、ルテオース、プスツラン、リケナン、ガラクタン、アガロース、ガラクトカロロース、カラゲナン、マンナン、フルクタン、イヌリン、ペクチン、フルクタン、ポリガラクツロン酸、コロミン酸、ケラタン酸、コンドロイチン、コンドロイチン硫酸、ヘパリン、ヒアルロン酸、デルマタン硫酸、アルギン酸、フコイダン、フカン硫酸の群から選ばれる一つまたはそれ以上の物質であるが、これらの例に限定されずすべての多糖類が本発明に包含される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下部電極、誘電膜及び上部電極からなる半導体素子のキャパシタを製造する方法において、
半導体基板の上部に下部電極を形成する段階と、
タンタルエトキシドガスをタンタルと酸素のソースとして、アンモニアガスを窒素のソースとしてそれぞれ用いる化学気相蒸着工程を適用して前記下部電極上に誘電膜のタンタル窒化酸化膜を形成するが、前記タンタルエトキシドガスを０.０１ｓｃｃｍ〜１ｓｌｍの範囲内の流動度で、アンモニアガスを１０ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍ範囲内の流動度でそれぞれ供給し、ベース圧力を１×１０−３Ｔｏｒｒ以下で、蒸着圧力を１ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内で、蒸着温度を１５０〜９００℃の範囲内でそれぞれ設定して蒸着工程を行う段階と、
前記タンタル窒化酸化膜上に上部電極を形成する段階とを備える半導体素子のキャパシタ製造方法。
【請求項２】  前記タンタル窒化酸化膜を形成する段階において、反応ガスの分解を助けるために水素ガスをさらに添加することを特徴とする請求項１記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
【請求項３】  前記タンタル窒化酸化膜の形成段階において、前記タンタルエトキシドガスの分解を助けるためにプラズマ処理をさらに行うが、プラズマパワーを１０Ｗ〜３ｋＷ範囲内で設定することを特徴とする請求項１記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の目的は、既存のシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の複合層やタンタル酸化膜とは異なり、優れた高誘電膜特性と安定性を有する新しい高誘電膜を用いた半導体素子のキャパシタを製造する方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の半導体素子のキャパシタ製造方法は、誘電膜としてタンタル窒化酸化膜を用いるためにタンタルエトキシドガスをタンタルと酸素のソースとして、アンモニアガスを窒素のソースとしてそれぞれ使用する化学気相蒸着工程を適用して下部電極上にタンタル窒化酸化膜を形成するが、工程条件を次のように選択することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  核形成層と、
前記核形成層上に成長させた厚さ０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｎＧａＮ層と、
前記ＩｎＧａＮ層上に形成した活性層と、
を備えることを特徴とする半導体。
【請求項２】  核形成層を形成する工程と、
前記核形成層上に厚さ０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｎＧａＮ層を形成する工程と、
前記ＩｎＧａＮ層上に活性層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
このように、この発明は厚いＩｎＧａＮ層を組み込んだ新規半導体構造を提供する。本発明の改良層構造では、転位フィルタ及び側面のｎ−コンタクト層の両方として、厚さ０．５μｍ以上１００μｍ以下の厚いＩｎＧａＮ層が通常デバイス構造に組み入れられている厚いＧａＮ層にとって代わる。厚いＩｎＧａＮ層を蒸着させると、デバイスヘテロ構造の成長のために使用される典型的なＧａＮテンプレートに比べ大きな格子パラメータの確立が可能となる。その結果、厚いＩｎＧａＮ層上に成長させた高インジウム量のヘテロ構造活性領域では、従来のＧａＮ上に成長させた高インジウム量のへテロ構造に比べ、ずれ歪みが小さくなる。そのため、デバイスは合金偏析による構造劣化を受けにくくなる。このように、厚いＩｎＧａＮ構造により、改善された構造特性及び光電特性を有する高インジウム量の活性領域の成長が可能となる。ＩｎＧａＮ合金の偏析に関する障害を克服することにより、ＩｎＧａＮ層の組成の不均一性が改善され、そのため青色、緑色、均一赤色ＬＥＤのスペクトル発光がより純粋なものとなる。同様に、可視窒化物レーザダイオードの利得スペクトルもまた、より鋭くなり、そのため、低閾値のために、ピーク利得がより大きくなる。さらに、厚いＩｎＧａＮ層の利点は、側面のコンタクト層としての優れた機能である。これはＩｎＧａＮのバンドギャップエネルギーがより低いことによるものであり、バンドギャップエネルギーが低いと接触抵抗が低減し、電子の移動度及び濃度が高くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１導電型を有する半導体基板と、
全吸光度を有し、前記半導体基板上に形成された第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金下部閉じ込め層（１４Ａ）と、前記下部閉じ込め層上に形成された０．２未満の吸光度を有するＡｌＧａＩｎＰ活性領域（１２）と、前記活性領域上に形成された第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金上部閉じ込め層（１４Ｂ）とを含む、前記半導体基板上に形成された素子層とを含んで成り、
前記活性領域の吸光度が少なくとも全吸光度の５分の１である、
発光素子。
【請求項２】  更に前記上部閉じ込め層上に形成された前記第２導電型の半導体窓層（１８）を含んで成り、前記半導体窓層が前記活性領域によって放射された光に対して透明である、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】  前記下部閉じ込め層と前記上部閉じ込め層のいずれかと前記活性領域との間に介在するＡｌＧａＩｎＰ合金阻止層（１６）を更に含んで成り、
前記阻止層の合金組成が（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ、ｘ≧０．５５、０≦ｙ≦１である、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】  前記上部閉じ込め層（１４Ｂ）が、酸素ドープされており、前記酸素の濃度が１×１０17乃至５×１０18ｃｍ-3である、
請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】  前記阻止層（１６）が、前記活性領域と前記上部閉じ込め層との間に位置しており、かつ濃度１×１０15乃至５×１０16ｃｍ-3で酸素ドープされている、
請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】  更に前記活性領域（１２）が、光を放射するJ層のＡｌＧａＩｎＰ合金活性層と、
前記活性層によって放射された光に対して透明であって各障壁層が２層の活性層の間に介在するJ−１層の障壁層とから成る、
請求項３に記載の発光素子。
【請求項７】  更に前記活性領域（１２）が、光を放射するJ層のＡｌＧａＩｎＰ合金活性層と、
前記活性層によって放射された光に対して透明であって、各障壁層が２層の活性層の間に介在するJ−１層の障壁層とから成る、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】  前記半導体基板が透明である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】  前記第２導電型がｐ型であって、
前記活性領域（１２）が濃度１×１０17乃至１×１０19ｃｍ-3でｐ型ドーパントを含有する、
請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】  前記下部閉じ込め層と前記上部閉じ込め層のいずれかと前記活性領域との間に介在するＡｌＧａＩｎＰ合金阻止層（１６）を更に含んで成り、
前記阻止層の合金組成が（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ、ｘ≧０．５５、０≦ｙ≦１である、
請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】  更に前記活性領域（１２）が、光を放射するJ層のＡｌＧａＩｎＰ合金活性層と、
前記活性層によって放射された光に対して透明であって各障壁層が２層の隣合う活性層の間に介在するJ−１層の障壁層とから成る、
請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】  前記活性領域（１２）が、発光波長６００ｎｍで発光するように動作し、かつ前記活性層の合計厚さが１００乃至２５０ｎｍである、
請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】  前記活性領域（１２）が、発光波長６００乃至６２０ｎｍで発光するように動作し、かつ前記活性層の合計厚さが５０乃至２５０ｎｍである、
請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】  前記活性領域（１２）が、発光波長６２０ｎｍで発光するように動作し、かつ前記活性層の合計厚さが２０乃至１５０ｎｍである、
請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】  前記上部閉じ込め層（１４Ｂ）が、酸素ドープされており、前記ドープされた酸素の濃度が１×１０17乃至５×１０18ｃｍ-3である、
請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１６】  前記阻止層（１６）が前記活性領域と前記上部閉じ込め層との間に位置しており、かつ酸素ドープされて、１×１０15乃至５×１０16ｃｍ-3の酸素濃度を有する、
請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】  更に前記活性領域（１２）が、光を放射するJ層のＡｌＧａＩｎＰ合金活性層と、
前記活性層によって放射された光に対して透明であって各障壁層が２層の活性層の間に介在するJ−１層の障壁層とから成る、
請求項８に記載の発光素子。
【請求項１８】  前記活性領域（１２）が、発光波長６００ｎｍで発光するように動作し、かつ前記活性層の合計厚さが１００乃至２５０ｎｍである、
請求項８に記載の発光素子。
【請求項１９】  前記活性領域（１２）が、発光波長６００乃至６２０ｎｍで発光するように動作し、かつ前記活性層の合計厚さが５０乃至２５０ｎｍである、
請求項８に記載の発光素子。
【請求項２０】  前記活性領域（１２）が、発光波長６２０ｎｍで発光するように動作し、かつ前記活性層の合計厚さが２０乃至１５０ｎｍである、
請求項８に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の構成を形成する任意の形状のハンダ構造が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板上の前記所定の構成に対応するパターンを形成するハンダ濡れ性材料が設けられた第２の基板とを含む表面実装可能な電子パッケージであって、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、アライメントのとれるように、前記第１の基板の前記所定の構成と前記第２の基板の前記濡れ性材料の前記パターンとを一致させ、かつ、結合させることにより動作可能な電子パッケージが形成されていること、および、前記ハンダ構造が、該電子パッケージの周辺におけるギャプのない壁を含むこと、および、前記第１、第２の基板が、前記周辺付近の前記ギャップのない壁と共に、該電子パッケージ及びその相互接続を電磁的及び環境的にほぼシールドする働きをする、１つ以上の完全な接地面を備えていることを特徴とする電子パッケージ。
【請求項２】
前記ハンダ構造によって、前記電子パッケージの部品を互いに電磁的に分離する働きをする内壁が得られることを特徴とする請求項１に記載の表面実装可能な電子パッケージ。
【請求項３】
前記ハンダ構造に、前記第１、第２の基板間において電子信号を伝送する相互接続が含まれることを特徴とする請求項１に記載の表面実装可能な電子パッケージ。
【請求項４】
前記ハンダ構造には、６３Ｓｎ／３７Ｐｂが含まれることを特徴とする請求項１に記載の表面実装可能な電子パッケージ。
【請求項５】
前記ハンダ構造が、溶融したハンダ壁面の表面張力による所定の任意の形状への一致を可能にするのに十分なコーナ半径を有することを特徴とする請求項４に記載の表面実装可能な電子パッケージ。
【請求項６】
ハンダの壁のパターンが溶着された第１の基板と、
前記第１の基板上の前記ハンダの壁のパターンに対応するハンダ濡れ性材料のパターンが設けられた第２の基板とを含み、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、アライメントのとれるように、前記第１の基板の前記ハンダの壁のパターンと前記第２の基板の前記濡れ性材料のパターンとを一致させ、かつ、結合させることにより動作可能な電子パッケージが形成されていること、および、前記ハンダの壁のパターンが、実質的に該電子パッケージの周辺をめぐるギャプのない壁を含むこと、および、前記第１の基板が、受動コンポーネントや集積回路チップを含む電子コンポーネントを実装した電子サブシステムを構成することを特徴とする電子パッケージ。
【請求項７】
ハンダの壁のパターンが溶着された第１の基板と、
前記第１の基板上の前記ハンダの壁のパターンに対応するハンダ濡れ性材料のパターンが設けられた第２の基板とを含み、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、アライメントのとれるように、前記第１の基板の前記ハンダの壁のパターンと前記第２の基板の前記濡れ性材料のパターンとを一致させ、かつ、結合させることにより動作可能な電子パッケージが形成されていること、および、前記ハンダの壁のパターンが、実質的に該電子パッケージの周辺をめぐるギャプのない壁を含むこと、および、前記第１、第２の基板が、前記周辺付近の前記ギャップのない壁と共に、前記電子パッケージ及びその相互接続を電磁的及び環境的にほぼシールドする働きをする、１つ以上の完全な接地面を備えていることを特徴とする電子パッケージ。
【請求項８】
前記ハンダの壁のパターンが前記電子コンポーネントと相互接続の少なくとも二つの間の電磁分離を提供するキャビティ、トンネルあるいは連続シールを形成することを特徴とする請求項７に記載の電子パッケージ。
【請求項９】
ハンダの壁のパターンが溶着された第１の基板と、
前記第１の基板上の前記ハンダの壁のパターンに対応するハンダ濡れ性材料のパターンが設けられた第２の基板とを含み、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、アライメントのとれるように、前記第１の基板の前記ハンダの壁のパターンと前記第２の基板の前記濡れ性材料のパターンとを一致させ、かつ、結合させることにより動作可能な電子パッケージが形成されていること、および、前記ハンダの壁のパターンが、実質的に該電子パッケージの周辺をめぐるギャプのない壁を含むこと、および、前記第１の基板が、多層プリント回路基板あるいはセラミック基板であることを特徴とする電子パッケージ。
【請求項１０】
ハンダの壁のパターンが溶着された第１の基板と、
前記第１の基板上の前記ハンダの壁のパターンに対応するハンダ濡れ性材料のパターンが設けられた第２の基板とを含み、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、アライメントのとれるように、前記第１の基板の前記ハンダの壁のパターンと前記第２の基板の前記濡れ性材料のパターンとを一致させ、かつ、結合させることにより動作可能な電子パッケージが形成されていること、および、前記ハンダの壁のパターンが、実質的に該電子パッケージの周辺をめぐるギャプのない壁を含むこと、および、前記第１の基板のエッジを導電性金属によりメッキして、該メッキと前記ギャップのない壁と、前記第１、第２の基板の連続接地面とにより電磁的シールドと環境的分離を完全にすることを特徴とする電子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水又は酸素がそのソースからデバイスに達するのを防ぐ方法であって、
前記デバイスと前記ソースとの間に第１のポリマー層を堆積させるステップと、
前記デバイスの前記第１のポリマー層の上に、ECR-PECVDによって無機層を堆積させるステップと、
前記無機層の上に、第２のポリマー層を堆積させるステップと
からなる方法。
【請求項２】
前記無機層は酸化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化物は酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記無機層は窒化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記窒化物は窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記無機層はオキシ窒化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記オキシ窒化物は、酸窒化アルミニウム又は酸窒化ケイ素を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記無機層と前記デバイスとの間に、酸素又は水を吸収する材料の層を堆積させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記吸収材料は、酸化物又は窒化物に均一に分散された金属を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記無機層は、酸素又は水を吸収する材料を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記吸収材料は金属を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）基体、
ｂ）基体上に配置された陽極、
ｃ）陽極上に配置された有機発光構造体、
ｄ）有機発光構造体上に配置され、かつ陰極の高エネルギー蒸着を許容するように選択された材料からなる陰極緩衝層、
ｅ）陰極緩衝層上に配置された陰極、および
ｆ）有機発光構造体と陰極緩衝層との間に電子注入材料が配備された界面層、
を含み、前記陰極緩衝層にはポリフィリン化合物が含まれている、有機発光装置。
【請求項２】  前記ポルフィリン化合物が、フタロシアニン化合物である、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】  前記陰極緩衝層が、陰極の高エネルギー蒸着時における有機発光構造体の損傷を保護する、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】  前記陰極が高エネルギースパッター蒸着により形成される、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項５】  前記陰極材料が、元素金属および導電性金属酸化物からなる群より選択される、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項６】  前記電子注入材料が周期律表ＩＡ族およびＩＩＡ族から選択される、請求項１に記載の有機発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１において、有機発光装置１００は、その上に光透過性陽極１０４が配置されている光透過性基体１０２を有する。有機発光構造体１２０は、陽極１０４と陰極１１０との間に形成される。有機発光構造体１２０は、順に、有機正孔輸送層１２２、有機発光層１２４、および有機電子輸送層１２６からなっている。電位差（示していない）が、陽極１０４と陰極１１０間に、陽極１０４が陰極１１０に対してより正の電位にあるように印加されるとき、陰極１１０は、界面１２８で電子輸送層１２６中に電子を注入し、そしてその電子が電子輸送層１２６および発光層１２４（これは、また電子を輸送できる）を移動する。同時に、正孔が、陽極１０４から正孔輸送層１２２に注入されて、正孔が正孔輸送層１２２を横切って移行し、そして正孔輸送層１２２と発光層１２４との間に形成される結合部１２３で、あるいはその近くで電子と再結合する。このようにして、有機発光装置１００は、陽極１０４が陰極１１０よりも正電位にあるときは、順方向バイアス条件のダイオードを表わす内部接合型発光装置として考察される。これらの条件下で、正孔（正電荷のキャリヤー）の注入が陽極１０４から正孔輸送層１２２中に起り、一方、電子は、陰極１１０から電子輸送層１２６中に注入される。その注入された正孔と電子は、互いに反対に荷電した電極に向って移行して再結合し、正孔−電子再結合が結合部１２３で起る。移行する電子がその伝導帯電位から価電子帯へと正孔を満たして落下すると、図１の装置１００に描かれているように、エネルギーが光として解放され、観察者によって見えるように、光透過性陽極１０４および基体１０２を通して光１８０として発光する。陰極１１０のクロスハッチングは、その陰極１１０が光学的に不透明であることを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
有用なポルフィリン化合物の実証例は、以下のものである。
ＰＣ−１    ポルフィン
ＰＣ−２    １，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）
ＰＣ−３    １，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（II）
ＰＣ−４    ５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
ＰＣ−５    珪素フタロシアニン酸化物
ＰＣ−６    アルミニウムフタロシアニン塩化物
ＰＣ−７    フタロシアニン（金属不含）
ＰＣ−８    ジリチウムフタロシアニン
ＰＣ−９    銅テトラメチルフタロシアニン
ＰＣ−１０  銅フタロシアニン
ＰＣ−１１  クロムフタロシアニン弗化物
ＰＣ−１２  亜鉛フタロシアニン
ＰＣ−１３  鉛フタロシアニン
ＰＣ−１４  チタンフタロシアニン酸化物
ＰＣ−１５  マグネシウムフタロシアニン
ＰＣ−１６  銅オクタメチルフタロシアニン
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）基板、
ｂ）前記基板上に配置された陽極、
ｃ）前記陽極上に配置された有機発光構造体、
ｄ）前記有機発光構造体上に配置され、陰極の高エネルギー堆積を可能にするように選ばれた物質からなる、ポルフィリン系化合物を含む陰極バッファー層、
ｅ）前記陰極バッファー層上に配置された陰極、及び
ｆ）前記陰極バッファー層と前記陰極との間に配置され、前記有機発光構造体と前記陰極バッファー層との間の界面に界面電子注入層を提供するように前記バッファー層を横切って拡散する電子注入ドーパントを有するドーパント層
を含んでなる有機発光素子。
【請求項２】  前記ポルフィリン系化合物が、金属フタロシアニンである請求項１記載の有機発光素子。
【請求項３】  前記ドーパント層が４．０ｅＶ未満の仕事関数を有するように選ばれる電子注入ドーパントを有する請求項１記載の有機発光素子。
【請求項４】  前記電子注入ドーパントが周期律表のＩＡ族及びＩＩＡ族から選ばれる請求項３記載の有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス酸素濃度計測で得られる脈拍数を表す第一信号と、心拍数を表す第二信号とを受信する一致度認識ユニットにおいて、前記一致度認識ユニットが、
第一信号と第二信号との間の一致度を表す第三信号を生成する一致度検出ユニット（２０）を有することを待徴とする一致度認識ユニット。
【請求項２】
前記第三信号を受信し、前記第三信号が与えられた限界に関して予め定められた関係を超える場合に、第四信号を生成する一致度評価ユニットを更に有する請求項１に記載の一致度認識ユニット。
【請求項３】
前記一致度検出ユニットが、前記第一信号と前記第二信号との間の一致度を測定するための装置を備える請求項１に記載の一致度認識ユニット。
【請求項４】
前記一致度検出ユニットが、
前記第一信号と前記第二信号とを受信して、該第一信号と第二信号との間の差を表す差信号を生成する加算回路と、
前記差信号を予め定められた限界と比較し且つその差信号に対応する出力を生成する第一比較器と、
前記第一比較器から受けた前記出力を加算する積分回路と、
前記積分回路によって供給された信号を、１つ以上のしきい値と比較し且つ第三信号を生成する第二比較器と、
を備える請求項１に記載の一致度認識ユニット。
【請求項５】
前記一致度検出ユニットが、更に、前記差信号を受信して該差信号の絶対値を生成する絶対値発生器を備え、それによって、前記第一比較器が前記差信号の絶対値を受信し且つそれを予め定められた限界と比較して、該差信号の絶対値に対応した出力を生成する請求項４に記載の一致度認識ユニット。
【請求項６】
パルス酸素濃度計測ユニットにおいて、
脈拍数を表す第一信号を発生するパルス酸素濃度計と、
心拍数を表す第二信号を発生する心拍数決定ユニットと、
請求項１から５のいずれか１つの一致度認識ユニットと、
を有して構成され、
それによって、前記一致度認識ユニットは、前記パルス酸素濃度計からの第一信号と、前記心拍数決定ユニットからの第二信号とを受信し、且つ該第一信号と該第二信号との間の一致度を表す第三信号をパルス酸素濃度計へ送信して測定された酸素飽和値の精度を確認するパルス酸素濃度計測ユニット。
【請求項７】
前記一致度認識ユニットが脈拍数と心拍数との間の不一致を認識する場合に、前記一致度認識ユニットが前記パルス酸素濃度計へ警報信号を送信して酸素飽和値が十分な精度か無く及び／又は無効であることを知らせる上記６記載のパルス酸素濃度計測ユニット。
【請求項８】
パルス酸素濃度計によって測定された酸素飽和値の精度を確認する方法において、
（ａ）パルス酸素濃度計測から得られる脈拍数を表す第一信号と心拍数を表す第二信号とを受信するステップと、
（ｂ）前記第一信号と前記第二信号との間の一致度を表す第三信号を生成するステップと、
を有する酸素飽和値の精度確認方法。
【請求項９】
更に、前記第三信号が与えられた限界に関する予め定義された関係を超える場合に、前記第三信号から第四信号を生成するステップを有する請求項８に記載の酸素飽和値の精度確認方法。
【請求項１０】
更に、前記脈拍数と心拍数との間の不一致が認識される場合に、前記パルス酸素濃度計へ警報信号を送信して、前記パルス酸素濃度計で測定される場合の酸素飽和値が十分な精度が無く及び／又は無効であることを知らせるステップを有する請求項８又は９に記載の酸素飽和値の精度認識方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（ｃ）に示す工程では、超塑性成形装置３０（以下では、単に「成形装置３０」と記す。）によって、板材１１をブロー成形する。
成形装置３０は、下型３１を備える下型装置３２と、上型３３を備える上型装置３４とからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯鋸盤によるワークの切断加工時における帯鋸刃の縦振動による騒音を減少する騒音減少方法であって、前記帯鋸刃を回転駆動するための制御モータに、矩形パルスの立上り時には鋸速を瞬間的に増速し、矩形パルスの立下り時には鋸速を瞬間的に減速するための矩形パルスを印加し、前記制御モータの回転速度を瞬間的に増速，減速して前記制御モータの回転速度を振動化し、前記帯鋸刃の回転速度を振動化して帯鋸刃の縦振動による騒音を減少することを特徴とする帯鋸盤における騒音減少方法。
【請求項２】
帯鋸盤における駆動ホイールを回転するための制御モータと、前記制御モータの回転速度を制御するための回転速度制御手段と、この回転速度制御手段の制御の下に前記制御モータを駆動するモータドライバと、前記回転速度制御手段の制御の下に回転している前記制御モータの回転速度を瞬間的に増速，減速して振動化するために、矩形パルスの立上り時には鋸速を瞬間的に増速し、矩形パルスの立下り時には鋸速を瞬間的に減速するための矩形パルスを前記モータドライバに印加するためのパルス発生手段と、印加された前記矩形パルスに対応して前記制御モータの回転速度を瞬間的に増速、減速して前記制御モータの回転速度を振動化するための前記モータドライバと、を備えていることを特徴とする帯鋸盤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、前述のごとき問題に鑑みてなされたもので、帯鋸盤によるワークの切断加工時における帯鋸刃の縦振動による騒音を減少する騒音減少方法であって、前記帯鋸刃を回転駆動するための制御モータに、矩形パルスの立上り時には鋸速を瞬間的に増速し、矩形パルスの立下り時には鋸速を瞬間的に減速するための矩形パルスを印加し、前記制御モータの回転速度を瞬間的に増速，減速して前記制御モータの回転速度を振動化し、前記帯鋸刃の回転速度を振動化して帯鋸刃の縦振動による騒音を減少することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、帯鋸盤における駆動ホイールを回転するための制御モータと、前記制御モータの回転速度を制御するための回転速度制御手段と、この回転速度制御手段の制御の下に前記制御モータを駆動するモータドライバと、前記回転速度制御手段の制御の下に回転している前記制御モータの回転速度を瞬間的に増速，減速して振動化するために、矩形パルスの立上り時には鋸速を瞬間的に増速し、矩形パルスの立下り時には鋸速を瞬間的に減速するための矩形パルスを前記モータドライバに印加するためのパルス発生手段と、印加された前記矩形パルスに対応して前記制御モータの回転速度を瞬間的に増速、減速して前記制御モータの回転速度を振動化するための前記モータドライバと、を備えていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ところが、帯鋸盤において帯鋸刃１３を掛回した駆動ホイール２９の重量は大きく慣性が大きいので、前述したごとき高周波のパルスをモータドライバ４９に印加しても、制御モータ３５の回転速度を目的に沿って振動化することはできないものである。そこで、制御モータ３５の回転速度を振動化して帯鋸刃１３の走行速度を振動化するには、数Ｈｚ〜数百Ｈｚの低周波であり、かつ立上り、立下りが急俊な矩形パルスをモータドライバ４９に印加することが望ましいものである。