Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
〔実施例３〕
実施例１で計測した深穴３について、さらに、前述した深穴計測装置１０を用いて誘導しながら穴壁をらせん状に走査した。その結果を図６（ａ）に示す。なお、同図に示す結果では、１００ｍｍまでの深さを表示しているが、実際の計測は４８７ｍｍ（工作物の全長）まで可能であった。また、図６（ｂ）に、ＺＹ面における計測結果を示す。＋Ｙの頂点をたどれば＋Ｙ方向の穴壁面の変位となり、−Ｙ方向をたどれば−Ｙ方向の穴壁面の変位となる。なお、実施例１の場合は、＋Ｙ方向、−Ｙ方向の壁面をＺ軸方向へ走査している。図６（ａ）のらせんピッチを小さくすれば、図４（ａ）・（ｂ）に示す結果と同じとなる。図６（ａ）・（ｂ）に示す結果から明らかなように、本発明にかかる深穴計測装置を用いれば、より高精度な深穴計測が可能になったことがわかる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
１    計測バー
２    カップリング
３    深穴
４    被加工物
５    深穴計測プローブ
６    テーブル（送り台）
７    計測バーの中心軸
８    計測ユニット（回転体）
９    ステッピングモータ
１０    深穴計測装置
１１    ベルト
１２    半導体レーザ（発光手段）
１３    ２次元ＰＳＤ（Position-Sensitive Detector）（姿勢検出手段）
１４    ２次元ＰＳＤ
１５    圧電アクチュエータ（姿勢修正手段）
１６    測長器（レーザ照射検出手段、静止体）
１７    検出結果解析部（レーザ検出結果解析手段）
１８    ローリング検出用半導体レーザ（発光手段）
１９    ミラー
２０    １次元ＰＳＤ
２１    ビームスプリッタ
２２    出力部
３１    スタイラス（針状部材）
３２    コーナーキューブプリズム
３３    直角プリズムミラー
３４    リニアブシュ
３５    固定部材
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
スムースター透気度が０．６〜３．０ｋＰａであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の湿式電子写真用記録シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、本発明において、スムースター透気度が０．６〜３．０ｋＰａである湿式電子写真用記録シートであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザのアクセス権限を取得するステップと、
公開文書に含まれる公開制限単語を該アクセス権限に基づき特定するステップと、
該公開制限単語の種別を示す文字列と、ランダムあるいは決められた順に生成される文字列の組から成るマスキング文字列を生成するステップと、
該公開文書に含まれる該公開制限単語を、該マスキング文字列に置き換えて表示するステップと、を有することを特徴とする文書公開方法。
【請求項２】
上記マスキング文字列として、上記公開制限単語の種別を示す文字列に単語を区別するための色情報を用いる、または、上記単語を区別するための文字列に上記公開制限単語の種別を区別するための色情報を用いることを特徴とする請求項１記載の文書公開方法。
【請求項３】
公開文書および公開制限単語データを格納する記憶装置と、演算部と、表示装置とを有する文書公開装置であって、
上記演算部は、上記公開制限単語データを用いて上記記憶装置に格納された公開文書に含まれる公開制限単語を特定し、該公開制限単語の種別を示す文字列と該種別内の単語を区別するための文字列とを組み合わせたマスキング文字列を生成し、上記公開文書に含まれる上記公開制限単語を上記マスキング文字列に置き換える置き換え処理を行い、
上記表示装置は、該置き換え処理を行った公開文書を表示することを特徴とする文書公開装置。
【請求項４】
請求項３記載の文書公開装置であって、上記種別内の単語を区別するための文字列として色情報を用いることを特徴とする文書公開装置。
【請求項５】
公開文書および公開制限単語データを格納する記憶装置と、演算部と、表示装置とを有する文書公開装置の演算部に、
上記記憶装置から上記公開文書を読み出すステップと、
上記公開制限単語データを用いて上記読み出した公開文書に含まれる公開制限単語を特定するステップと、
該公開制限単語の種別を示す文字列と該種別内の単語を区別するための文字列とを組み合わせたマスキング文字列を生成するステップと、
上記公開文書に含まれる上記公開制限単語を上記マスキング文字列に置き換えるステップとを実行させ、
上記表示装置に上記置き換えを行った公開文書を表示させることを特徴とする文書公開プログラム。
【請求項６】
請求項５記載の文書公開プログラムであって、上記種別内の単語を区別するための文字列として色情報を用いることを特徴とする文書公開プログラム。
【請求項７】
文書データを形態素解析し単語に分割するステップと、
該分割された単語から、１つ以上の単語の組を抽出し、該抽出した単語の組を計数し、単語情報を生成するステップと、
該単語の組を構成する単語に含まれる公開制限単語を特定するステップと、
該公開制限単語の種別を示す文字列と、ランダムあるいは決められた順に生成される文字列の組から成るマスキング文字列を生成するステップと、
該単語情報に含まれる該公開制限単語を該マスキング文字列に置き換えて表示するステップと、を有することを特徴とする文書処理方法。
【請求項８】
単語の組で検索要求を受け、該単語の組に公開制限単語が含まれている場合は、検索ができない旨と、検索が可能な条件を提示し、検索実行の要否を選択させることを特徴とする請求項７に記載の文書処理方法。
【請求項９】
公開文書および公開制限単語データを格納する記憶装置と、演算部と、表示装置とを有する文書処理装置であって、
上記演算部は、文書データを形態素解析し単語に分割し、
該分割された単語から、１つ以上の単語の組を抽出し、該抽出した単語の組を計数し、単語情報を生成し、
該単語の組を構成する単語に含まれる公開制限単語を特定し、
該公開制限単語の種別を示す文字列と、ランダムあるいは決められた順に生成される文字列の組から成るマスキング文字列を生成し、
該単語情報に含まれる該公開制限単語を該マスキング文字列に置き換えて表示することを特徴とする文書処理装置。
【請求項１０】
上記演算部は、単語の組で検索要求を受け、該単語の組に公開制限単語が含まれ、該公開制限単語の上位概念で検索可能な場合は、該上位概念であれば検索できる旨を表示し、検索実行の要否を選択させることを特徴とする請求項９に記載の文書処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば、特許文献１には、横断歩道上の人物をステレオカメラを用いて検出する手法が開示されている。また、特許文献２には、３次元データを特定平面に投影し、投影された面積より混雑度を計測する手法が開示されている。また、非特許文献１には、複数のステレオカメラを用いて人物検出および人物追跡を行う手法が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、ステップＳ４〜Ｓ５において、コンピュータ２０は、上記の人物４０表面上の全ての点（以下では、これらの点を任意の点Ｐで代表させ説明を行う）を、床面３０上すなわちＸＹ平面上に投影することによりヒストグラムを作成する。具体的には、図３に示すように、床面３０を、ヒストグラムを作成する単位となる領域であるビン５０（図３においては、点線で囲まれた矩形）に分割し、全てのビン５０上の全てのＺ座標において、それぞれ、点Ｐが存在するかどうか（すなわち、任意のビン５０の任意のＺ座標において、人物４０表面が計測されるかどうか）を確認する。そして、確認された点Ｐの個数をビン５０毎にＺ軸方向に加算する。これにより、加算された点Ｐの個数が比較的に多いビン５０においては、人物４０（の表面）が存在していると判断することができる。即ち、投影される点Ｐの個数のヒストグラムのピークから人物４０の位置を求めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このように、本実施の形態に係る人物検出方法においては、点Ｐを床面３０に投影するときにステレオ距離に基づく広がりや高さ（重み）を与えるので、ステレオ距離による誤差を低減できる。従って、ヒストグラム上に安定したピークを得ることができるので、精度をより高めることができる。また、ステレオ距離による誤差を低減できることにより、ステレオカメラ１０を設置するときに、人物４０との距離を考慮する必要がなくなるので、ステレオカメラ１０の設置場所に関する制限を緩和することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のコート樹脂としては、シリコーン樹脂が表面張力の調整がしやすく、キャリア表面へのスペント現象が生じにくいので好ましい。シリコーン樹脂は、構成分子の主鎖がポリシロキサン構造であるシリコーン樹脂であって、このようなシリコーン樹脂の代表例としては、下記一般式（１）で示されるポリシロキサン構造のものが挙げられる。また、一般式（２）のようなＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を主鎖とする３次元的網状構造のオルガノポリシロキサンを含むものでもよい。その中でもジメチルポリシロキサン系シリコーン樹脂、及びメチルフェニルシロキサン系シリコーン樹脂が好ましい。さらにまた、摩擦帯電性の調整等のため、必要に応じて変性したシリコーン樹脂を用いてもよい。変性シリコーン樹脂としては、アルキド変性、ウレタン変性、エポキシ変性、アクリル変性、及びポリエステル変性等がある。シリコーン樹脂は分子量や電気抵抗等の諸特性を多様に調整することが可能であり、また多種多様なものも市販されている。本発明では、これらの市販品を適宜選択、併用し、さらに熱処理条件を選定することによっても目的とする表面張力や他の特性を有するものとすることができる。本発明に使用可能なシリコーン樹脂としては、例えば、信越化学社製の商品名：ストレートシリコーンレジンＫＲ２１１、ＫＲ２１２、ＫＲ９２１８、ＫＲ２５１、ＫＲ２５５、Ｋ１１４Ａ、シリコーンゴムＫＲ１１４Ａ等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に画素部を構成し光電変換により生じた信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域の前記基板表面側に設けた第２導電型の高濃度不純物領域と、１つの前記画素部につき３以上の転送電極を備え前記転送電極下の前記半導体基板に設けた第２導電型のチャネルストップ用不純物領域と、垂直ＣＣＤ間で同相の転送パルスを伝達する前記転送電極を有する配線領域とを備える固体撮像装置であって、
前記転送電極は少なくとも前記画素部の対向する二辺の一方に位置する配線領域に形成された第１電極と、前記二辺の他方に位置する配線領域に形成された第２電極とを備え、前記第１電極は水平転送期間に前記転送パルスのハイレベル電圧を印加し、前記第２電極は水平転送期間に前記転送パルスのローレベル電圧を印加し、
前記半導体基板の上から見たとき前記電荷蓄積領域は前記第２電極と重なるよう配置し、前記第２電極の下では前記高濃度不純物領域と前記チャネルストップ用不純物領域とが離反していることを特徴とすること固体撮像装置。
【請求項２】  半導体基板に画素部を構成し光電変換により生じた信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域の前記基板表面側に設けた第２導電型の高濃度不純物領域と、１つの前記画素部につき３以上の転送電極を備え前記転送電極下の前記半導体基板に設けた第２導電型のチャネルストップ用不純物領域と、垂直ＣＣＤ間で同相の転送パルスを伝達する前記転送電極を有する配線領域とを備える固体撮像装置であって、
前記転送電極は少なくとも前記画素部の対向する二辺の一方に位置する配線領域に形成された第１電極と、前記二辺の他方に位置する配線領域に形成された第２電極とを備え、前記第１電極は水平転送期間に前記転送パルスのハイレベル電圧を印加し、前記第２電極は水平転送期間に前記転送パルスのローレベル電圧を印加し、
前記半導体基板の上から見たとき前記電荷蓄積領域は前記第２電極と重なるよう配置し、前記第２電極の下では前記高濃度不純物領域と前記チャネルストップ用不純物領域との間に前記チャネルストップ用不純物領域よりも不純物濃度が低濃度である第２導電型の第２不純物領域を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】  前記電荷蓄積領域は前記第１電極下の前記チャネルストップ用不純物領域の下まで拡張され、
前記電荷蓄積領域の前記第２電極の下まで拡張された部分は、前記チャネルストップ用不純物領域の下まで拡張された部分よりも大きい
ことを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
複数個の電子源を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための支持体と、
前記表示領域内で前記前面基板と背面基板間に介挿されてこれら両基板にそれぞれ固定材を介して固定された複数の間隔保持部材とを有し、
前記支持体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封着部材を介して気密封着してなる表示装置であって、
前記間隔保持部材をヒステリシス特性を有する物質を含む固定材を介して固定してなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記間隔保持部材の一端側をヒステリシス特性を有する物質を含む固定材を介して一方の基板に固定し、他端側を非晶質フリットガラスからなる固定材を介して他方の基板に固定してなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記間隔保持部材はその少なくとも一端側にヒステリシス特性を有する物質を含む固定材と非晶質フリットガラスからなる固定材を並設して固定されなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記間隔保持部材は一端側にヒステリシス特性を有する物質を含む固定材と非晶質フリットガラスからなる固定材を並設して一方の基板に固定され、他端側に非晶質フリットガラスからなる固定材を介して他方の基板に固定されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記間隔保持部材は前記前面基板側をヒステリシス特性を有する物質を含む固定材で、又背面基板側を非晶質フリットガラスからなる固定材でそれぞれ固定してなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記ヒステリシス特性を有する物質を含む固定材が結晶化フリットガラスであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記封着部材が非晶質フリットガラスからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
複数個の電子源を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための支持体と、
前記表示領域内で前記前面基板と前記背面基板間に介挿されてこれら両基板に固定材を介して固定された複数の間隔保持部材とを有し、
前記支持体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封着部材を介して気密封着してなる表示装置であって、
前記間隔保持部材はその少なくとも一端側に温度粘度特性の異なる二種類の固定材を介して固定されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【化２４】
ＬｉＣ（Ｃp Ｆ2p+1ＳＯ2 ）( Ｃq Ｆ2q+1ＳＯ2 ) （Ｃr Ｆ2r+1 ＳＯ2 ）
式中、ｐ，ｑおよびｒは１以上の整数である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  相手側コネクタハウジングに対して嵌合可能とされたハウジング本体部と、前記ハウジング本体部の外面との間に撓み空間を保有する弾性変位可能な片持ち状をなすとともに前記相手側コネクタハウジングに設けられたロック受け部に対して係止可能とされたロックアームとを備えるとともに、このロックアームの自由端側に操作部が設けられ、そこへの押圧操作により前記ロックアームと前記ロック受け部との係止を解除するようにしたコネクタであって、
前記コネクタ本体部の外面側には、前記ロックアームの幅方向外側に前記ロックアームに沿って伸びその後端位置が前記ロックアームの操作部とほぼ等しい位置か、或いはそれより突出して形成される一対の側壁部を有する保護部が形成されるとともに、この側壁部は前記ロックアームの操作部の一部を含むように同ロックアームの基端側に設けられる基部と、前記ロックアームの操作部のうちの自由端側に設けられるとともに前記基部の内面間の幅寸法より対向する内面間の間隔が広く形成された広幅部とから構成されることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】  前記基部の内面が前記ロックアームの一端側から他端側にかけて真っ直ぐに伸びるように形成されるものにおいて、
前記広幅部は前記基部の内面の終端から前記側壁部の外面側に向けて拡開するような傾斜状をなす構成であることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、相手側コネクタハウジングに対して嵌合可能とされたハウジング本体部と、前記ハウジング本体部の外面との間に撓み空間を保有する弾性変位可能な片持ち状をなすとともに前記相手側コネクタハウジングに設けられたロック受け部に対して係止可能とされたロックアームとを備えるとともに、このロックアームの自由端側に操作部が設けられ、そこへの押圧操作により前記ロックアームと前記ロック受け部との係止を解除するようにしたコネクタであって、前記コネクタ本体部の外面側には、前記ロックアームの幅方向外側に前記ロックアームに沿って伸びその後端位置が前記ロックアームの操作部とほぼ等しい位置か、或いはそれより突出して形成される一対の側壁部を有する保護部が形成されるとともに、この側壁部は前記ロックアームの操作部の一部を含むように同ロックアームの基端側に設けられる基部と、前記ロックアームの操作部のうちの自由端側に設けられるとともに前記基部の内面間の幅寸法より対向する内面間の間隔が広く形成された広幅部とから構成されるところに特徴を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント配線板の処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  識別記号または記憶媒体を備えたプリント配線板の前記識別記号または前記記憶媒体を判読する工程と、プリント配線板を分別する工程と、プリント配線板を焼却する工程とを備え、
前記識別記号は前記プリント配線板のハロゲン化合物含有の有無を示すものであり、
前記記憶媒体は前記プリント配線板のハロゲン化合物含有の有無が情報として入力されているものであり、
プリント配線板を分別する工程は、前記識別記号または前記記憶媒体を判読することによりプリント配線板にハロゲン化合物の含有しているものとプリント配線板にハロゲン化合物の含有していないものとを区分する工程であり、
プリント配線板を焼却する工程は、プリント配線板にハロゲン化合物の含有していないもののみを焼却することを特徴とするプリント配線板の処理方法。
【請求項２】  識別記号は、導体パターン、ソルダレジスト、ロードマップのいづれかにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の処理方法。
【請求項３】  記憶媒体は、プリント配線板に実装または内蔵されているＩＣチップであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ等の各種電子機器に広く用いられるプリント配線板の処理方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、識別記号または記憶媒体を備えたプリント配線板の前記識別記号または前記記憶媒体を判読し、プリント配線板に使用されている材料がハロゲン化合物を含有しているものと、含有していないものを分別し、ハロゲン化合物を含有するプリント配線板の焼却等の加熱処理を回避することで、ダイオキシン等の有害物質の発生を防ぐことができる。
また、予めリサイクルしようとするプリント配線板がハロゲンフリーであるか否かであることを区別するために、プリント配線板上にバーコード、２次元コード等の識別記号を付与することを特徴とし、これを判読することによって、当該プリント配線板がハロゲンフリーであることを認識できるという作用を有し、さらに判読作業を自動化することにより、分別作業を自動化できるという特徴も有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明は、識別記号を導体パターン、ソルダレジスト、ロードマップ（別名、部品配置図）、またはサービスマップのいづれかにより形成することを特徴とするものであり、導体パターンあるいはソルダレジストあるいはロードマップ形成時に同時に識別記号を形成することで効率化を図ることができる。
また、予め形成されたソルダレジストの上あるいはロードマップインキの上にレーザー等によって、識別記号を刻み込むプリント配線板であり、プリント配線板の形成に使用する材料としてソルダレジストあるいはロードマップインキが最終使用する材料である場合、材料がハロゲンフリーであることを確認した後、レーザー等で識別記号を形成することもできる。これにより、ハロゲン化合物を含有するプリント配線板とハロゲンフリーのプリント配線板を確実に区分することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３に記載の発明は、予めハロゲンフリーであることを情報として入力された記憶媒体を付与されていることを特徴とするプリント配線板であり、ハロゲン化合物を含有したプリント配線板との分別の際に、情報の読取装置を通すだけで、自動的に分別作業が行われるという作用を有する。
具体的には記憶媒体をＩＣチップとし、それをプリント配線板上に実装することを特徴とするものであり、電子機器の機能を達成するための部品を実装する際に同時に実装することができるため、効率よくＩＣを付与できるという作用を有する。
また、記憶媒体としてのＩＣチップを予めプリント配線板の内部に埋め込むこともでき、表面をＩＣチップの実装に使用しないため、表面の配線密度を向上することができ、電子機器の機能を達成するための部品の実装密度を低下させないという作用を有する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このようなＳＬＳ法の不確実性を補い、改良するために、「特登録０３２０４９８６」では、パターニングされた非晶質シリコン薄膜による単一種結晶の選別成長法（Ｈ．Ｊ．Ｓｏｎｇ  ａｎｄ  Ｊ．Ｓ．Ｉｍ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．ｖｏｌ．６８，３１６５（１９９６））とＳＬＳ法を併用するアイデアが記載されている。この併用案は、非晶質シリコン薄膜を、遮光された部分を含む小領域と、小領域に接続する細いブリッジ領域と、ブリッジ領域のもう一つの端に接続する主領域からなる孤立した島にパターニングし、この順でＳＬＳによるレーザービーム照射を行うものである。第一のショットにおいて小領域の遮光された部分の非晶質シリコンは完全には溶融せず微細な多結晶群となり、一方その周囲の領域は完全に溶融するために、前者を種結晶としてその周囲に多くの結晶粒が成長する。二回目以降のショットではそれら結晶粒がさらに横方向成長するが、非晶質シリコン薄膜の島状パターンに制限されて、横方向成長はブリッジ領域にしか伝搬しない。ブリッジ領域は細いためにここを横方向成長により伝搬できる結晶粒は選別（ｇｒａｉｎ  ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）される。そして以降のショットにおいて選別された結晶粒を種結晶として主領域のＳＬＳによる結晶化が進行する。ここで、小領域の遮光された領域に単一の結晶粒が成長するか、あるいは、ブリッジ部で確実に単一の結晶粒のみを選別できるなら、主領域も連続した結晶粒からなる単一の結晶粒となる可能性がある。しかし現実には、前者のような薄膜の面内に温度分布を与える方法でそこに単一の結晶粒のみを融け残すことは極めて困難であり、他方後者のような伝搬結晶粒の選別における単一結晶粒の収率を高めるにはブリッジを限りなく細くする必要があり、微細加工技術上の困難に直面する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図１に例示した本発明の実施形態では、溶融再固化領域６のひとつの端が必ず位置制御された結晶粒３とその周囲の領域の境界（二回目の溶融再固化工程では、これはランダムな微結晶再固化領域９との結晶粒界１０に対応する）に位置する例を示したが、必ずしもこの限りではなく、溶融再固化領域６はこの境界を含んでさえいればよい。たとえば、図２に示すように、溶融再固化領域６がこの境界を跨がって位置制御された結晶粒３の一部を含んでいてもよい。ただ、結晶粒３の全域を含んでしまわなければよいのである。溶融再固化を段階的に反復する場合、この態様は、工程として隣接する溶融再固化領域６が互いに重複する領域を有することに等しい。原理的には、図１の態様と図２の態様を混在させることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）第１面、及び前記第１面に対向する第２面と、
（ｂ）前記第１面に形成されたパッドと、
（ｃ）前記第２面に形成されたバンプ電極と、
（ｄ）前記第１面と前記第２面との間を貫通する接続部と、
（ｅ）前記第１面に形成され、かつ前記パッドと前記接続部をそれぞれ電気的に接続する第１配線と、
（ｆ）前記第２面に形成され、かつ前記バンプ電極と前記接続部をそれぞれ電気的に接続する第２配線とを含み、
（ｇ）前記パッドの平面パターンの一部と前記バンプ電極の平面パターンの一部が重なり、
（ｈ）前記第１配線の平面パターンの一部と前記第２配線の平面パターンの一部が重なっている配線基板を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  （ａ）第１面、及び前記第１面に対向する第２面と、
（ｂ）前記第１面に形成された複数のパッドと、
（ｃ）前記第２面に形成された複数のバンプ電極と、
（ｄ）前記第１面と前記第２面との間を貫通する複数の接続部と、
（ｅ）前記第１面に形成され、かつ前記複数のパッドと前記複数の接続部をそれぞれ電気的に接続する複数の第１配線と、
（ｆ）前記第２面に形成され、かつ前記複数のバンプ電極と前記複数の接続部をそれぞれ電気的に接続する複数の第２配線とを含み、
（ｇ）前記複数のパッドのうち特定のパッドの平面パターンの一部と前記複数のバンプ電極のうち特定のバンプ電極の平面パターンの一部が重なり、
（ｈ）前記複数の第１配線のうち特定の第１配線の平面パターンの一部と前記複数の第２配線のうち特定の第２配線の平面パターンの一部が重なっている配線基板を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項２記載の半導体装置において、
前記配線基板は、その平面形状が四角形から成り、
前記複数のバンプ電極は、前記配線基板の各辺に沿って４列に形成され、
前記（ｇ）では、前記複数のパッドのうち前記特定のパッドの平面パターンの一部が、２列目および３列目のバンプ電極のそれぞれの平面パターンの一部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項３記載の半導体装置において、
前記複数のバンプ電極は第１のピッチで格子状に配置され、
前記特定のパッドの平面パターンと前記特定のバンプ電極の平面パターンとの距離は前記第１のピッチ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項２記載の半導体装置において、
前記複数のパッドは、電源電位または接地電位が印加されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】 請求項２記載の半導体装置において、
前記複数の接続部のうち前記特定の第１配線と電気的に接続される特定の接続部は、前記特定のパッドよりも内側に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】 請求項２記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第１面上であり、かつ前記複数のパッドの内側には半導体チップが搭載され、
前記半導体チップの表面に形成された複数のボンディングパッドと前記配線基板の前記複数のパッドを複数の導電性ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記のアルミニウム含有ペーストを、大きさが５インチ（１２７ｍｍ）×５インチ（１２７ｍｍ）で厚みが２８０μｍのｐ型シリコン半導体基板に、１８０メッシュのスクリーン印刷版を用いて塗布・印刷した。塗布量は、焼成後のアルミニウム電極層の厚みが表１に示す厚み（アルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）混合層の厚み（Ｂ）とアルミニウム（Ａｌ）焼結層の厚み（Ｃ）との合計）になるように調整した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このようにして作製した各試料の断面を光学顕微鏡で観察して、アルミニウムシリコン混合層６とアルミニウム焼結層５の厚みを１０箇所測定し、その平均値を表１の「Ａｌ−Ｓｉ混合層厚みＢ（μｍ）」、「Ａｌ焼結層厚みＣ（μｍ）」に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【表１】
2005005436.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
１０３はレーザースキャナであり、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調したレーザー光を出力して、回転する感光ドラム１０１の一様帯電処理面を走査露光Ｌする。これにより感光ドラム面に走査露光パターンに対応した静電潜像が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
電磁誘導加熱による発熱箇所は、定着ローラ１のコイル対向部で特に大きくなる。また、コイルの一本一本によって発生する磁束（不図示）によっても定着ローラ１は発熱される。これだけでは、定着ローラ１の略半分しか発熱されないが、定着ローラ１が回転することで温度のムラなく加熱している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
磁束はコア６の内部を交互に通過する向きで発生させる。電源からの入力電力には電流が交互に流れる交流電源が適している。発生した磁束の通過するところに定着ローラ１の金属部がある。その金属部では磁束が交互に通過しているため、磁束を金属が横切るのと同じ効果になり、金属部で発熱が起こる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このような構成の定着装置においては、図１０に示されるように、不図示の画像形成装置における転写部位において静電的に形成されたトナー像ｔを担持するシート状の転写材Ｐがニップ部Ｎを通過すると、加熱されたトナー像が転写材に溶融固着されて機外に排出されるものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図１及び図２において、磁束発生手段４は従来と同様にホルダー１２に保持されている。すなわち、励磁コイル５（以下コイルと称す）と磁性体コア１３（以下コアと称す）をホルダー１２で保持する構成である。定着ローラ１４は金属層である両端部１４ａ・１４ｂをベアリング１５によってそれぞれ定着側板１６・１７に回動可能に支持されている。定着ローラ１４の一端部１４ａには定着駆動ギア１８が固定配置され、該ギア１８から定着ローラに駆動が入力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ホルダー１２はＰＰＳ等の耐熱樹脂で作られているが、熱が加わると若干の膨張現象が生じる。特に図２に示す矢印Ａ方向（ホルダー長手方向）の膨張が著しいため、ホルダー１２を矢印Ａ方向に規制固定するとホルダー９が圧縮されて割れてしまう等の問題点が生じる。よってホルダー１２の一端部（図の例では左端部）に規制フランジ１２−ａを設け、規制フランジ１２−ａをホルダー支持台１９に突き当て、ホルダー１２の反対側の端部（図の例では右端部）を板バネ２２によって一端部側のホルダー支持台１９に付勢して、上記フランジ１２−ａをホルダー支持台１９の内側面に圧接させることによりホルダー１２の位置を規制している。板バネ２２はビス２３によってホルダー支持台２０に固定されている。これにより、ホルダー１２が矢印Ａ方向に膨張しても板バネ１９の付勢力に抗して伸びることが可能となり、ホルダー１２の破損を防止できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
２４は加圧ローラ８を回動可能に支持するベアリング、２５はベアリング２４を支持する加圧支持アーム、２６は支持アーム２５を付勢し加圧ローラ８を定着ローラ１４に付勢する加圧バネである。ビス２７を回転することによって加圧バネ２６の作用長を変化させ、定着ローラ１４との定着ニップ部Ｎにおいて加圧ローラ８の加圧力を調整する機構になっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
定着ローラ１４の芯金１４−ａとして用いる強磁性層の物質としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの金属を用いる。強磁性の金属（透磁率の大きい金属）を使うことで、磁束発生手段４から発生する磁束を強磁性の金属内により多く拘束させることができる。すなわち、磁束密度を高くすることができる。それにより、効率的に強磁性金属の表面（芯金表面）にうず電流を発生させ、発熱させられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
定着ローラ１４の両端部１４ａ・１４ｂの内面には保護層１４−ｃを配置している。電磁誘導加熱による発熱点は芯金１４−ａ内面つまり図３に示す点Ｂであり、この部分から定着ローラ１４内・外に熱量は伝熱される。点Ａ〜Ｄの温度は芯金１４−ａ、トナー離型層１４−ｂ、保護層１４−ｃの各層の断面積および熱伝導率によって決まる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005005061.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性ペースト、回路パターンの形成方法、突起電極の形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に回路パターンまたは突起電極を形成する材料として用いられる導電性ペーストであって、
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で発熱ピークとして観測される準安定合金相と吸熱ピークで観測される融点を、それぞれ複数有する合金からなる第１の合金粒子と、
前記準安定合金相を有さず前記融点を複数有する合金からなる第２の合金粒子と、
溶融時に第１および第２の合金粒子の表面酸化膜を除去する酸化膜除去剤と、
を含有することを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】  第１の合金粒子は、
Ｃｕと、Ｓｎと、Ａｇ、Ｂｉ、およびＩｎより選ばれる少なくとも一つの元素とからなり、ＣｕとＳｎとの質量比「Ｃｕ／Ｓｎ」が０．５以上であり、示差走査熱量測定による発熱ピークは５０℃以上４００℃以下の温度範囲内にあり、示差走査熱量測定の結果から得られる「発熱ピークの面積／（発熱ピークの面積と吸熱ピークの面積との合計値）」の値が０．１以上０．９以下であり、
第２の合金粒子は、
Ｉｎと、Ｓｎと、Ｃｕ、Ａｇ、およびＢｉ、より選ばれる少なくとも一つの元素とからなり、ＩｎとＳｎとの質量比「Ｉｎ／Ｓｎ」が０．５以上１．５以下であり、複数の融点のうちの最低値が５０℃以上１５０℃以下である請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】  第１および第２の合金粒子の平均粒径は０．１μｍ以上５０μｍ以下である請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ペーストを用いて回路パターンを基板に印刷し、熱処理することを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項５】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ペーストを用いて突起電極のパターンを基板に印刷し、熱処理することを特徴とする突起電極の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサより得られた画像を処理するための画像処理方法であって、
前記画像センサの画素毎の解像度を表す解像度分布をメモリから取得する第１取得工程と、
前記解像度分布によって表される対応する画素の解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング工程とを備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記解像度分布によって表される画素の解像度が低くなるにつれて、高周波成分が高くなる空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】
前記画像センサより得られた画像に基づいてＸ線量分布を取得する第２取得工程を更に備え、
前記フィルタリング工程では、前記解像度分布によって表される解像度と前記Ｘ線量分布より得られるＸ線量とに基づいて画素毎に空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記空間フィルタは、更に画像の撮影部位を考慮して選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項５】
前記フィルタリング工程では、前記画素に対応する解像度が低くなるにつれて空間フィルタの強調度が増加するように空間フィルが選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記フィルタリング工程では、前記Ｘ線量が多くなるにつれて空間フィルタの強調度が増加するように空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記解像度分布が、前記画像センサに対して測定されたプリサンプリング変調伝達関数（presampling MTF）に基づいて作成されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記解像度分が、前記画像センサにＸ線を一様に照射して得られたＸ線デジタル画像の標準偏差に基づいて得られることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項９】  画像処理装置であって、
蛍光体を針状に結晶させた、Ｘ線を光に変換する蛍光板と、
前記光を電気信号に変換するための画像センサと、
前記画像センサの画素毎の解像度を表す解像度分布を保持する保持手段と、
前記解像度分布によって表される対応する画素の解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】  Ｘ線撮影装置であって、
Ｘ線を照射するＸ線源と、
蛍光体を針状に結晶させた、前記Ｘ線を光に変換する蛍光板と、
前記光を電気信号に変換するための画像センサと、
前記画像センサの画素毎の解像度を表す解像度分布を保持する保持手段と、
前記解像度分布によって表される対応する画素の解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング手段と、
前記フィルタリング処理手段で処理された画像を出力する出力手段とを備えることを特徴とするＸ線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明による画像処理方法は、
画像センサより得られた画像を処理するための画像処理方法であって、
前記画像センサの画素毎の解像度を表す解像度分布をメモリから取得する第１取得工程と、
前記解像度分布によって表される対応する画素の解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  サファイア基板上にＧａＮ系半導体からなる半導体層をエピタキシャル成長させて、複数の光素子を区分的に形成する素子形成工程と、
半導体層にけがき線を形成するけがき工程と、
外力を印加して、サファイア基板および半導体層をけがき線方向に沿って分割し、各光素子の光学端面に劈開面を形成する劈開工程とを含み、
けがき工程において、光素子の光学端面以外の領域にけがき線を形成するとともに、けがき線方向に沿ったけがき断面形状は端部で丸みを帯びていることを特徴とするＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【請求項２】  けがき工程において、円周上に刃が形成された回転刃具を半導体層に対して押圧しながら従動回転させて、けがき線を形成することを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【請求項３】  回転刃具は、２つの円錐台を底面同士で接合した形状を有することを特徴とする請求項２記載のＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【請求項４】  回転刃具は、ダイヤコートされた刃を有することを特徴とする請求項２記載のＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【請求項５】  けがき工程において、所定ピッチで配列した複数の回転刃具を用いて、複数のけがき線を同時に形成することを特徴とする請求項２記載のＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【請求項６】  基板上にＧａＮ系半導体からなる半導体層をエピタキシャル成長させて、複数の光素子を区分的に形成する素子形成工程と、
半導体層にけがき線を形成するけがき工程と、
外力を印加して、基板および半導体層をけがき線方向に沿って分割し、各光素子の光学端面に劈開面を形成する劈開工程とを含み、
前記けがき工程は、光素子の光学端面以外の領域にけがき線を形成し、前記けがき線方向に沿ったけがき断面形状は端部で丸みを帯びていることを特徴とするＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【請求項７】  前記基板が異種基板であることを特徴とする請求項６記載のＧａＮ系半導体光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する為の研磨用品であって：
支持部と;
前記支持部上に配置された導電性布地と；
前記導電性布地上に配置された導電性材料層と；を備える、前記研磨用品。
【請求項２】
前記支持部は、ポリウレタン、充填材混合のポリウレタン、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、テフロン（商標）ポリマー、ポリスチレン、エチレン-プロピレン-ジエン-メチレン（ＥＰＤＭ）、又はそれらの組合せから選択される誘電性ポリマー材料を備える、請求項１に記載の研磨用品。
【請求項３】
前記支持部は、導電性材料を備える、請求項１に記載の研磨用品。
【請求項４】
前記導電性材料は、導電性貴金属、導電性ポリマー、又はそれらの組合わせを備える、請求項３の研磨用品。
【請求項５】
前記導電性材料は、銅を備える、請求項３の研磨用品。
【請求項６】
前記導電性布地は、導電性材料で覆われた織成繊維の布地を備える、請求項１の研磨用品。
【請求項７】
前記導電性材料で覆われた織成繊維の布地は、繊維を形成するように織成された導電性材料で覆われた複数の繊維、導電性材料で覆われた繊維、又は、それらの組合せを形成する為に織成された複数の繊維を備える、請求項６の研磨用品。
【請求項８】
前記導電性材料で覆われた繊維は、核生成材料または前記繊維及び前記導電性材料間に配置されたバインダ材料を更に備える、請求項７の研磨用品。
【請求項９】
前記研磨用品は、銅で覆われたナイロン繊維を備える、請求項６の研磨用品。
【請求項１０】
前記織成繊維の布地は、流体電解液が通過する為に、穿孔され、通路を形成するように織成されるか、又はそれらの組合せになっている、請求項６の研磨用品。
【請求項１１】
前記繊維は、ポリアミド、ナイロンポリマー、ポリウレタン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ジエン含有ポリマー、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル・エチレン・スチレン、アクリルポリマー、又はそれらの組合せの群から選択されたポリマー材料を備え、前記導電性材料は、金属、カーボン材料、導電性セラミック材料、金属非有機材料、又はそれらの組合せを備える、請求項６の研磨用品。
【請求項１２】
前記導電性材料層は、金、すず、パラジウム、パラジウム-すず合金、白金、鉛、または、他の導電性金属、合金、銅より柔らかいセラミック組成を備える、請求項１の研磨用品。
【請求項１３】
前記研磨用品は、内部にウインドウが形成されている、請求項１の研磨用品。
【請求項１４】
前記導電性材料層は、ポリマーバインダ内に配置された導電性充填材を備える、請求項１の研磨用品。
【請求項１５】
前記導電性充填材は、金、すず、パラジウム、パラジウム-すず合金、白金、鉛、それらの合金、又はそれらの組合せを備える、請求項１４の研磨用品。
【請求項１６】
前記導電性材料層は、ポリウレタン・マトリクスで分散されるすず粒子を備える、請求項１４の研磨用品。
【請求項１７】
基板を処理する為の研磨用品であって：
支持部と;
前記支持部上に配置された介在層と;
前記介在層上に配置された導電性裏当てと;
前記導電性裏当て上に配置された導電性材料層と；を備える、前記研磨用品。
【請求項１８】
前記支持部は、電極上に配置されている、請求項１７の研磨用品。
【請求項１９】
前記研磨用品は、内部にウインドウが形成されている、請求項１７の研磨用品。
【請求項２０】
前記支持部は、ポリウレタン、充填材混合のポリウレタン、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、テフロン（商標）ポリマー、ポリスチレン、エチレン-プロピレン-ジエン-メチレン（ＥＰＤＭ）、又はそれらの組合せから選択される誘電性ポリマー材料を備える、請求項１７の研磨用品。
【請求項２１】
前記支持部は、導電性材料を備える、請求項１７の研磨用品。
【請求項２２】
前記導電性材料は、導電性貴金属、導電性ポリマーを備える、請求項２１の研磨用品。
【請求項２３】
前記導電性材料は、銅を備える、請求項２１の研磨用品。
【請求項２４】
前記介在層は、誘電性材料を備える、請求項１７の研磨用品。
【請求項２５】
前記誘電性材料は、ポリウレタン、ポリエステル、マイラーシート、エポキシポリマー材料、又はポリカーボネートを備える、請求項１７の研磨用品。
【請求項２６】
前記導電性裏当ては、金属フォイル、金属スクリーン、織布もしくは不織布繊維で覆われた金属を備える、請求項１７の研磨用品。
【請求項２７】
前記織布もしくは不織布繊維で覆われた金属は、導電性材料で覆われた繊維を備える、請求項２６の研磨用品。
【請求項２８】
前記導電性材料で覆われた繊維は、核生成材料または前記繊維及び前記導電性材料間に配置されたバインダ材料を更に備える、請求項２７の研磨用品。
【請求項２９】
前記研磨用品は、銅で覆われたナイロン繊維を備える、請求項２７の研磨用品。
【請求項３０】
前記繊維は、ポリアミド、ナイロンポリマー、ポリウレタン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ジエン含有ポリマー、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル・エチレン・スチレン、アクリルポリマー、又はそれらの組合せの群から選択されたポリマー材料を備え、前記導電性材料は、金属、カーボン材料、導電性セラミック材料、金属非有機材料、又はそれらの組合せを備える、請求項２７の研磨用品。
【請求項３１】
前記導電性材料層は、ポリマーバインダに配置された導電性充填材を備える、請求項１７の研磨用品。
【請求項３２】
前記導電性充填材は、金、すず、パラジウム、パラジウム-すず合金、白金、鉛、それらの合金、又はそれらの組合せを備える、請求項３１の研磨用品。
【請求項３３】
前記導電性材料層は、ポリウレタン・マトリクスで分散されるすず粒子を備える、請求項３１の研磨用品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の有機樹脂で形成される膜の表面を酸性又は塩基性を呈する溶液で処理したのち、前記第一の有機樹脂で形成される膜上に第二の有機樹脂を含む溶液を塗布することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第一の有機樹脂で形成される膜は、酸性又は塩基性を呈する溶液と反応して、官能基（１）のいずれか一つまたは複数を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【化１】
2005005602.tif 000001
【請求項３】
有機樹脂で形成される膜の表面を酸性又は塩基性を呈する溶液で処理し、
前記有機樹脂で形成される膜上にレジストを含む溶液を塗布し、フォトマスクを用いて露光し、現像してレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、前記有機樹脂で形成される膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記有機樹脂で形成される膜は、酸性又は塩基性を呈する溶液と反応して、官能基（２）のいずれか一つまたは複数を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【化２】
2005005602.tif 000002
【請求項５】
請求項１又は２において、前記第一の有機樹脂は、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フラン樹脂、又はジアリルフタレート樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３又は４において、前記有機樹脂は、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フラン樹脂、又はジアリルフタレート樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１、２又は５において、前記第二の有機樹脂は、官能基（３）のいずれか一つまたは複数を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【化３】
2005005602.tif 000003
【請求項８】
請求項１、２、５又は７において、前記第二の有機樹脂は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、又はジアリルフタレート樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３、４又は６において、前記レジストは、官能基（４）のいずれか一つまたは複数を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【化４】
2005005602.tif 000004
【請求項１０】
請求項３、４、６又は９において、前記レジストは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、又はジアリルフタレート樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記酸性を呈する溶液は、フェノール、スルホン酸、カルボン酸、又はこれらの誘導体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記塩基性を呈する溶液は、ヒドロキシルアミン、アミノアルコール、ヒドラジン、セミカルバジド、又はこれらの誘導体、若しくはアンモニアを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。