【事件の表示】
　平成　５年特許願第３３７１０５号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　８月　４日出願公開、特開平　７−２０１７００］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１２月２８日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおり、
「基板の上に金属材料よりなる配線層を形成する工程と、前記配線層の上に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に、前記配線層と同一の金属材料を用いて、金属−シリコン−酸素を有する化合物を含む反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターンに従って、前記配線層および前記反射防止膜のパターニングを行なう工程と、を含む半導体装置の製造方法。」
にあるものと認める。
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）当審における拒絶の理由で引用した特開平４−２９９８４５号公報（以下、刊行物１という）には、次の事項が記載されている。
・「基体上に絶縁膜を介して形成された配線層上に、該配線層と同一材料の反応性スパッタ膜が形成されていることを特徴とする配線構造。」（【請求項１】）
・「【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置のＡｌ配線と該Ａｌ配線上に形成される反射防止膜の構造と、その配線形成方法に関する。」（段落【０００１】）
・「そこで、従来では、上記ハレーションを防止するため、Ａｌ配線層１３上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やチタンナイトライド（ＴｉＮ）等の反射防止膜を形成し、露光時に発生するＡｌ配線層１３からの反射光を防止、低減させる方法が用いられている。即ち、図５Ａに示すように、シリコン基板１１上に絶縁膜１２を介してＡｌ配線層１３を形成した後、該Ａｌ配線層１３上に上記反射防止膜１７を形成し、更に該反射防止膜１７上にフォトレジスト膜１４を形成する。」（段落【０００７】〜【０００８】）
・「一方、従来においては、上記反射防止膜１７としてシリコンナイトライド（ＳｉＮ）膜を用いるという例・・が提案されているが、この方法の場合、Ａｌ配線層とＳｉＮ膜の形成を夫々別のスパッタ装置で行うか、又は、別に予備排気室を有するスパッタ装置で行う必要があり、半導体装置の製造に関する設置空間の拡大化並びに製造工程の複雑化を招くという不都合があり、製造コストの高価格化につながる。また、ＳｉＮ層とＡｌ配線層を同時にパターニングすることができないため、選択的にエッチングガスを代える必要があり、上記パターニング処理が煩雑になるという不都合もある。」（段落【００１６】）
・「まず、図２Ａに示すように、シリコン基板１上に絶縁膜２を介してＡｌ配線層５を形成する。このとき、既知のスパッタ装置にＡｌターゲットを取り付け、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中にてＡｌターゲットをスパッタすることにより、上記Ａｌ配線層５を形成する。次に、図２Ｂに示すように、上記Ａｌ配線層５上に反応性スパッタ膜４を形成する。このとき、上記Ａｌ配線層５の形成に用いたスパッタ装置を用いて形成する。即ち、装置内の雰囲気をアルゴン（Ａｒ）ガスから窒素（Ｎ２）ガスに代えたのち、この窒素ガス雰囲気中にてＡｌターゲットをスパッタする。この場合、スパッタされたＡｌと窒素（Ｎ２）が反応してＡｌ窒化物が生成され、該Ａｌ窒化物がＡｌ配線層５上に被着してＡｌ窒化膜４となる。ここで、上記スパッタ蒸着のスパッタ時間を調整して、後工程で行われるフォトレジスト膜６に対する露光・現像処理で使用される露光波長、例えばｇ線やｉ線に対し、その反射防止特性が得られる程度の膜厚に制御する。こうすることにより、上記反応性スパッタ膜４が反射防止膜として機能することになる。次に、図２Ｃに示すように、上記反応性スパッタ膜４上にフォトレジスト膜６を形成する。次に、図３Ａに示すように、上記フォトレジスト膜６に対し、露光・現像処理を行って反応性スパッタ膜４上にフォトレジスト膜６によるレジストマスク７を形成する。このレジストマスク７の形成時、特に、露光処理時における露光光線のＡｌ配線層５での反射が反射防止膜の機能を有する反応性スパッタ膜４にて低減化されるため、レジストマスク７の形状劣化（ハレーション）は発生しなくなり、高精度にフォトレジスト膜６をパターニングすることができる。次に、図３Ｂに示すように、上記レジストマスク７の窓７ａを通して露出する反応性スパッタ膜４並びにその下層のＡｌ配線層５を塩素系のガスによりドライエッチングしてＡｌ配線層５による配線パターン３を形成する。このドライエッチング時、例えば、クロロホルムガスを混入させて異方的に上記反応性スパッタ膜４及びＡｌ配線層５をエッチングして上記配線パターン３を形成する。この場合、反応性スパッタ膜４とＡｌ配線層５とが同一のエッチングガスによってパターニングすることができるため、この配線パターン３の形成工程が大幅に簡略化される。その後、反応性スパッタ膜４上のレジストマスク７を除去して、図１で示す本例に係る配線構造Ａを得る。」（段落【００２９】〜【００３６】）
・「また、レジストマスク７の形成に先立って、予めＡｌ配線層５上に上記反応性スパッタ膜４を形成するようにしたので、反応性スパッタ膜４が反射防止膜の役割を果たし、次工程の露光処理において、露光光線のＡｌ配線層５での反射を低減することができ、従来、露光光線の反射によって生じていたレジストマスク７の形状劣化（ハレーション）を防止することができる。また、Ａｌ配線層５を形成するスパッタ装置を用いて上記反応性スパッタ膜４を形成することができ、しかも、配線パターン３の形成時、上記反応性スパッタ膜４とＡｌ配線層５を同一のエッチングガスにてパターニングすることができるため、製造工程の簡略化並びに製造コストの低廉化を効率よく図ることができる。」（段落【００３９】〜【００４０】）
　上記記載事項から、上記刊行物１には、
「シリコン基板の上にＡｌ配線層を形成する工程と、前記Ａｌ配線層の上に、Ａｌ窒化膜からなる反応性スパッタ膜を形成する工程と、前記反応性スパッタ膜の上に、フォトレジスト膜を形成し、露光・現像処理を行い、前記フォトレジスト膜によるレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクの窓を通して、反応性スパッタ膜とＡｌ配線層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む半導体装置の製造方法。」
なる発明（以下、引用発明という）が記載されていると認められる。
　
（２）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６３−２１４７５４号公報（以下、刊行物３という）には、次の事項が記載されている。
・「ＭｏＳｉ２膜は光に対する反射率が５０％前後と高く、ウエハへのパターン転写の際にパターンの解像性をウエハとマスクの間の光の多重散乱で低下させることになり、サブミクロンパターンを有する超ＬＳＩデバイスの製造に困難を来すことになる。」（公報第２頁右上欄第８〜１３行）
・「酸化された遷移金属のシリサイド膜は光源波長に対する反射率が最小になる膜厚で、遷移金属のシリサイド膜を両側から挟んだ３層膜にしているので、反射率が低く、解像度の低下が防止されることになる。」（公報第２頁左下欄第１０〜１４行）
・「上述のようにＭｏＳｉ２膜の上にＭｏＳｉ２Ｏｘ膜を４０〜５０ｎｍ膜厚に形成すると、最小反射率の特性が得られるので、高い解像性を得ることができる。」（公報第３頁左上欄第５〜８行）
　上記記載事項から、上記刊行物２には、酸化された遷移金属のシリサイド膜を反射防止膜に使用する構成が記載されている。
　
（３）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６４−４６９３２号公報（以下、刊行物６という）には、次の事項が記載されている。
・「この発明では、金属シリサイド窒化膜または金属シリサイド酸化窒化膜を被エッチング膜上に形成する。これにより、アルミ合金などからなる被エッチング膜の高い反射率を低減できる。・・または金属シリサイド酸化窒化膜の酸素・窒素の含有率を変えることにより、反射率を広い範囲で自由に選択できる。」（公報第２頁右下欄第８〜１５行）
・「（ａ）　前記金属シリサイド窒化膜に代えて、金属シリサイド酸化窒化膜を使用することもできる。・・Ｍｏ以外の金属としてはＣｒ、Ｗなどが使用されるが、Ｍｏが最も好ましい。」（公報第３頁右下欄第２〜１０行）
　上記記載事項から、上記刊行物６には、金属シリサイド酸化窒化膜を反射防止膜に使用する構成が記載されている。
　
（４）当審における拒絶の理由で引用した特開昭６４−４４０４４号公報（以下、刊行物７という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体装置におけるメタルシリサイド配線の敷設方法に関する。」（公報第１頁右下欄第１０〜１２行）
・「近時下層配線には、多結晶シリコンにかわって、チタンシリサイド（ＴｉＳｉｘ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉｘ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ）等の高融点金属のシリサイド即ちメタルシリサイドが多く用いられるようになってきた。」（公報第２頁左上欄第２〜７行）
　上記記載事項から、上記刊行物７には、高融点金属シリサイドを配線層に使用する構成が記載されている。
　
３．対比・判断
（１）引用発明の、「前記Ａｌ配線層の上に、Ａｌ窒化膜からなる反応性スパッタ膜を形成する工程」は、刊行物１の【請求項１】、段落【００１６】及び段落【００４０】等の記載を参照すると、配線層と反応性スパッタ膜を同一の材料から形成するという技術思想を具体化して構成したものであることは明かである。
（２）引用発明の「前記反応性スパッタ膜の上に、フォトレジスト膜を形成し、露光・現像処理を行い、前記フォトレジスト膜によるレジストマスクを形成する工程」は、本願発明の「前記反射防止膜の上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状のパターンを有するレジスト膜を形成する工程」に相当する。
（３）引用発明の「前記レジストマスクの窓を通して、反応性スパッタ膜とＡｌ配線層をエッチングしてパターニングする工程」は、本願発明の「前記レジスト膜のパターンに従って、前記配線層および前記反射防止膜のパターニングを行なう工程」に相当する。
　以上のことから、本願発明と引用発明は、
「基板の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に、前記配線層と同一の材料を用いて、反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターンに従って、前記配線層および前記反射防止膜のパターニングを行なう工程と、を含む半導体装置の製造方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
（イ）本願発明は、「前記配線層の上に、絶縁層を形成する工程を有するのに対して、引用発明は、そのような構成を有しない点。
（ロ）引用発明では、配線層がＡｌであり、反応性スパッタ膜（反射防止膜）がＡｌ窒化物であるのに対して、本願発明では、配線層が金属材料であり、反射防止膜が金属−シリコン−酸素を有する化合物である点。
　以下、上記相違点について検討する。
（イ）について
　本願発明において、「絶縁層」がどのような目的で配置されているかが不明であるところ、単に構成として、配線層の上に絶縁層を、該絶縁層の上に反射防止膜を形成する構成は、特開平５−２９１２５２号公報、特開平４−２３４１０９号公報（「吸収膜１１」、「緩衝膜１２」が、それぞれ、本願発明の「絶縁層」、「反射防止膜」に相当する）、特開平４−３３０７６８号公報（「シリコン窒化膜」が、本願発明の「絶縁層」に相当する）に示されるように周知のものであるから、引用発明において、「Ａｌ配線層」のうえに絶縁層を、該絶縁層の上に「Ａｌ窒化膜からなる反応性スパッタ膜」を形成することは、当業者が容易になし得ることである。
　請求人は、本願発明の、「前記配線層の上に、絶縁層を形成する工程」について、平成１４年１月２３日付意見書において、「屈折率の異なる絶縁層と反射防止膜との２層構造とすることによって、反射防止効果を最適化することが可能となります。その結果、より低い反射率を得られるという本願発明特有の効果を得ることが可能になります。」と主張している。しかし、本願発明は、「屈折率の異なる絶縁層を反射防止膜との２層構造」という構成は有していないことは、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載から明かである（該構成は、本願明細書の発明の詳細な説明にも、また、本願の出願当初の明細書にも記載されていない。）から、請求人の上記主張は、本願発明の構成によらない効果の主張であり、到底採用できない。
（ロ）について
　配線層として、Ａｌ以外の金属材料を使用することは、上記刊行物７に示されるように周知であるから、引用発明において、配線層として、Ａｌの他、種々の金属材料を使用することは、当業者が適宜選択し得る程度のことにすぎない。
　また、反射防止膜として、金属−シリコン−酸素を有する化合物を使用することは、上記刊行物３、６に示されるように周知であるから、引用発明において、反応性スパッタ膜（反射防止膜）として、金属−シリコン−酸素を有する化合物を使用することは、当業者が適宜選択し得ることにすぎない。
　そして、引用発明では、配線層と反応性スパッタ膜（反射防止膜）を同一の材料を用いて形成するのであるから、配線層と反応性スパッタ膜（反射防止膜）の材料を選択する際に、同一の材料を選択することはいうまでもない。（なお、刊行物７に記載された配線層の材料、刊行物３、６に記載された反射防止膜の材料には、同一の材料が含まれており、配線層と反射防止膜の材料を具体的に選択する際に、同一の材料を選択することに何ら困難なものはない。）
　したがって、本願発明は、刊行物１、３、６、７に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。