【事件の表示】
　平成　６年特許願第５１３１３８号「炭化ケイ素におけるパワーＭＯＳＦＥＴ」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　６月　９日国際公開、ＷＯ９４／１３０１７、平成　８年　６月１１日国内公表、特表平　８−５０５４９２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９３年１０月２７日（パリ条約による優先権主張１９９２年１１月２４日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項に係る発明は、平成６年１１月１６日付け及び平成１２年３月８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された半導体装置にあるものと認められるところ、請求項１に記載の発明（以下、「本願第１発明」という）は下記のとおりである。
「第１伝導形の炭化ケイ素から形成されたドレイン領域と；
　炭化ケイ素から形成された前記ドレイン領域上に配置され、第２伝導形を有し、炭化ケイ素から形成されたチャンネル領域と；
　前記チャンネル領域上に配置され、前記第１伝導形を有し、炭化ケイ素から形成されたソース領域と；
　前記ソース領域の第１部分上に配置されたソース電極と；
　前記ドレイン領域の第１部分に隣接して配置されたドレイン電極と；
を含む、垂直パワー金属酸化物半導体電界効果型トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）において、
　前記垂直パワーＭＯＳＦＥＴは、
　第１伝導形の炭化ケイ素の基板と、前記第１伝導形を有する前記基板上に配置された炭化ケイ素のドレイン−ドリフト領域とを含む前記ドレイン領域；
　前記ソース領域の第２部分及び前記ドレイン−ドリフト領域の第２部分、並びに、前記チャンネル領域の部分に形成された溝；ここで、前記溝は底面及び側面を有していて、
　前記溝の前記底面及び前記側面を覆い、かつ、前記ソース領域の前記第２部分及び前記ドレイン−ドリフト領域の前記第２部分の上に重なるように、前記溝中に配置された絶縁層；ここで、前記溝の前記底面を覆っている前記絶縁層の部分は、前記溝の前記側面を覆っている前記絶縁層の部分よりも厚く、
　前記溝上に、前記ソース領域の前記第２部分及び前記ドレイン−ドリフト領域の前記第２部分に隣接して、前記チャンネル領域の前記部分に配置されたゲート電極；
　を有することを特徴とする垂直パワーＭＯＳＦＥＴ。」
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平４−２３９７７８号公報（以下、「引用例」という。）には、電界効果トランジスタが図面とともに開示されている。そして同公報の段落００２７乃至００２９には、次の事項が記載されている。
「図１に示す電界効果トランジスタ３０用には、この実施例では強いｎ形にドープされた炭化珪素の単結晶の基板１０上に同じｎ形の所定不純物濃度でドープされた炭化珪素のエピタキシャル層からなる第１半導体領域１１と、逆のｐ形の高不純物濃度でドープされた同様な炭化珪素からなる第２半導体領域１２が順次重ねられた３層構成の炭化珪素が用いられ、第２半導体領域の表面の中央部分にｎ形不純物として窒素等を高ドーズ量でイオン注入した浅い第３半導体領域１３が作り込まれる。電界効果トランジスタ３０が例えば１０００Ｖ耐圧の場合は、第１半導体領域１１の厚みは１０μｍ程度，第２半導体領域１２の厚みは１〜２μｍ，第３半導体領域１３の深さは０．５μｍ程度にそれぞれされる。さらに、第３半導体領域１３の中央部から凹所１４が第２半導体領域１２を貫いて第１半導体領域１１に達するよう掘り込まれ、その表面を覆うように薄いゲート絶縁膜２１が付けられる。この実施例のゲート２３は凹所１４を埋めるように作り込まれた多結晶シリコンとされる。
　図１の電界効果トランジスタ３０では、第２半導体領域１２がｐ形のウエル，第３半導体領域１３がｎ形のソース領域，第１半導体領域１１とその下の基板１０がｎ形のドレイン領域をそれぞれ構成し、これらから接続用端子をそれぞれ導出するため絶縁膜２４を表面と裏面に付けてそれに開口された窓内で所定個所に導電接触する電極膜２５を設ける。図示のように、第２半導体領域１２と第３半導体領域１３の表面はこの電極膜２５により短絡されてそれからソース端子Ｓが導出される。基板１０と導電接触する電極膜２５からドレイン端子Ｄが，ゲート２３に導電接触する電極膜２５からゲート端子Ｇがそれぞれ導出される。
　この電界効果トランジスタ３０は、ゲート絶縁膜２１を介してゲート２３と対向するｐ形の第２半導体領域１２の部分をチャネル形成領域とするｎチャネル形で、通常のようにゲート端子Ｇに与える電圧によってこのチャネル形成を制御してソース端子Ｓとドレイン端子Ｄの間を遮断または導通状態にすることができる。導通時に電流が基板１０と第１半導体領域１１内を縦方向に流れる縦形であり、遮断時には第１半導体領域１１内に空乏層が延びる。前述のように、この第１半導体領域１１の炭化珪素の最大電界強度が高くその厚みをシリコンの場合より約１桁薄くできるので、本発明による電界効果トランジスタ３０は高耐圧用に適し、かつ順方向電圧を１桁以上低減できる。また、高入力インピーダンスかつ高スイッチング速度である電界効果トランジスタの特長は本発明の場合もそのまま活かされシリコンの場合と同程度である。このほか、炭化珪素は熱伝導率がシリコンより３倍程度も高いので冷却が容易な利点がある。なお、大電流用の電界効果トランジスタでは図３に示すような複合構造とするのが有利である。」
　また同公報の段落００３４には、次の事項が記載されている。
「ゲート絶縁膜２１はシリコンの場合と同様に熱酸化膜とするのが最も簡単であり、酸素を含むふん囲気内の短時間の熱酸化により炭化珪素の場合も酸化シリコン膜をゲート絶縁膜２１に適する例えば０．０５〜０．１μｍの膜厚で付けることができる。」
　更に図１の記載から次の事項が読み取れる。
（ａ）ドレイン電極（ドレイン端子に接続の電極膜２５）は、ドレイン領域（基板１０及び領域１１）の一部分に隣接して配置されていること。
（ｂ）ソース領域１３は、ソース電極（ソース端子に接続の電極膜２５）が形成された部分（「第１の部分」と略称する）及び凹所（１４）が形成された部分（「第２の部分」と略称する）を有すること。
（ｃ）ウエル領域（１２）及び領域（１１）の一部分に、底面及び側面を有する凹所（１４）が形成されていること。
　以上構成についてまとめると、引用例には、「ｎ形の炭化珪素から形成されたドレイン領域（基板１０及び領域１１）と；
　炭化珪素から形成された前記ドレイン領域上に配置され、ｐ形を有し、炭化珪素から形成されたウエル領域１２と；
　前記ウエル領域上に配置され、前記ｎ形を有し、炭化珪素から形成されたソース領域１３と；
　前記ソース領域の第１の部分上に配置されたソース電極（ソース端子に接続の電極膜２５）と；
　前記ドレイン領域の一部分に隣接して配置されたドレイン電極（ドレイン端子に接続の電極膜２５）と；
を含む、電界効果型トランジスタ（３０）において、
　前記電界効果型トランジスタ（３０）は、
　ｎ形の炭化珪素の基板１０と、前記ｎ形を有する前記基板上に配置された炭化珪素の領域（１１）とを含む前記ドレイン領域；
　前記ソース領域（１３）の第２の部分及び領域（１１）の一部分、並びに、前記ウエル領域（１２）に形成された凹所（１４）；ここで、前記凹所は底面及び側面を有していて、
　前記凹所（１４）の前記底面及び前記側面を覆い、かつ、前記ソース領域（１３）の第２の部分及び前記領域（１１）の一部分の上に重なるように、前記溝中に配置されたゲート絶縁膜（２１）、
　前記凹所上に、前記ソース領域（１３）の第２の部分及び前記領域（１１）の一部分に隣接して、前記ウエル領域（１２）の前記部分に配置されたゲート（２３）；
　を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。」が記載されているものと認められる。
３．対比、判断
　引用例記載の発明の構成と本願第１発明の構成とを対比する。引用例記載の発明における「炭化珪素」、「ｎ形」、「ｐ形」、「ウエル領域」、「炭化珪素の領域（１１）」、「炭化珪素の領域（１１）の一部分」、「凹所」、「ゲート絶縁膜（２１）」、「ソース領域の第１の部分」、「ソース領域の第２の部分」、「ドレイン領域の一部分」及び「電界効果型トランジスタ」は、それぞれ本願発明の「炭化ケイ素」、「第１伝導形」、「第２伝導形」、「チャンネル領域」、「ドレイン−ドリフト領域」、「ドレイン−ドリフト領域の第２部分」、「溝」、「絶縁層」、「ソース領域の第１部分」、「ソース領域の第２部分」、「ドレイン領域の第１部分」及び「垂直パワー金属酸化物半導体電界効果型トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）」或いは「垂直パワーＭＯＳＦＥＴ」に相当するから、両者は、
「第１伝導形の炭化ケイ素から形成されたドレイン領域と；
　炭化ケイ素から形成された前記ドレイン領域上に配置され、第２伝導形を有し、炭化ケイ素から形成されたチャンネル領域と；
　前記チャンネル領域上に配置され、前記第１伝導形を有し、炭化ケイ素から形成されたソース領域と；
　前記ソース領域の第１部分上に配置されたソース電極と；
　前記ドレイン領域の第１部分に隣接して配置されたドレイン電極と；
を含む、垂直パワー金属酸化物半導体電界効果型トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）において、
　前記垂直パワーＭＯＳＦＥＴは、
　第１伝導形の炭化ケイ素の基板と、前記第１伝導形を有する前記基板上に配置された炭化ケイ素のドレイン−ドリフト領域とを含む前記ドレイン領域；
　前記ソース領域の第２部分及び前記ドレイン−ドリフト領域の第２部分、並びに、前記チャンネル領域の部分に形成された溝；ここで、前記溝は底面及び側面を有していて、
　前記溝の前記底面及び前記側面を覆い、かつ、前記ソース領域の前記第２部分及び前記ドレイン−ドリフト領域の前記第２部分の上に重なるように、前記溝中に配置された絶縁層、
　前記溝上に、前記ソース領域の前記第２部分及び前記ドレイン−ドリフト領域の前記第２部分に隣接して、前記チャンネル領域の前記部分に配置されたゲート電極；
　を有することを特徴とする垂直パワーＭＯＳＦＥＴ。」の点で一致し、本願発明では、「前記溝の前記底面を覆っている前記絶縁層の部分は、前記溝の前記側面を覆っている前記絶縁層の部分よりも厚」いのに対し、引用例記載の発明では「ゲート絶縁膜２１はシリコンの場合と同様に熱酸化膜とするのが最も簡単であり、酸素を含むふん囲気内の短時間の熱酸化により炭化珪素の場合も酸化シリコン膜をゲート絶縁膜２１に適する例えば０．０５〜０．１ μｍの膜厚で付けることができる。」旨の記載はあるが、「前記溝の前記底面を覆っている前記絶縁層の部分は、前記溝の前記側面を覆っている前記絶縁層の部分よりも厚」いかどうか明記が無い点で相違している。
　以下相違点について検討する。
　縦型パワーＭＯＳＦＥＴの技術分野では、溝部を有する縦型パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、「溝の底面を覆っている絶縁層の部分を、溝の側面を覆っている絶縁層の部分よりも厚く形成すること」は、電界集中による絶縁破壊防止等のために用いられる周知技術である。なおこの点について必要があれば、拒絶査定時に周知例として引用した特開平１−１９２１７４号公報の他、特開昭６３−９４６８７号公報、特開平２−１０２５７９号公報、特開平３−２１１８８５号公報も参照されたい。
  また引用例には、当業者が、「溝の底面を覆っている絶縁層の部分を、溝の側面を覆っている絶縁層の部分よりも厚く形成すること」を阻害するような特段の記載も認められない。
　更に上記周知技術を炭化ケイ素を素材とする縦型パワーＭＯＳＦＥＴに適用するに当たって、これを阻害するような特段の事情も認められない。
　そして、上記の各技術事項に照らせば、引用例に開示された縦型パワーＭＯＳＦＥＴに上記周知技術を適用して「前記溝の前記底面を覆っている前記絶縁層の部分は、前記溝の前記側面を覆っている前記絶縁層の部分よりも厚」く形成することは、当業者であれば格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
４．結論
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。