【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
あらかじめ決められた間隔を隔てて形成された一対の上部および下部磁気シールド層と，
該一対の上下磁気シールド層の間に，前記上下磁気シールド層とあらかじめ決められた距離を隔てて形成された磁気抵抗効果膜と，
該磁気抵抗効果膜に電気的に接合し、検知電流を前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に流す一対の電極とを備えており，
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両横に，一対のサイド磁気シールド層を形成し，
前記磁気抵抗効果膜による再生素子の読みにじみを前記シールド間隔と磁気スペーシングとから規定される値よりも小さくなるように前記サイド磁気シールド層と前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向端部との間隔を設定したことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、上記サイド磁気シールド層と上記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向端部との間隔を上記一対の上下磁気シールド層の間隔の２倍より狭くしたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気ヘッドにおいて、上記サイド磁気シールド層と上記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向端部との間隔を，上記一対の上下磁気シールド層の間隔より狭くしたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
あらかじめ決められた間隔を隔てて形成された一対の上部および下部磁気シールド層と，
該一対の上下磁気シールド層の間に，前記上下磁気シールド層とあらかじめ決められた距離を隔てて形成された磁気抵抗効果膜と，
該磁気抵抗効果膜に電気的に接合し、検知電流を前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に流す一対の電極とを備えており，
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両横に，一対のサイド磁気シールド層を形成し，
該サイド磁気シールド層と前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向端部との間隔を，前記上部シールドと前記下部磁気シールド層の間隔の２倍より狭くしたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果膜が，第一の強磁性層，非磁性層，第二の強磁性層，反強磁性層の順に形成された積層膜，もしくは反強磁性層，第二の強磁性層，非磁性層，第一の強磁性層の順に形成された積層膜を有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記一対のサイド磁気シールド層が，前記第一の強磁性層のトラック幅方向における延長線上に存在するように形成されていることを特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記一対の電極を，金属膜を介して，もしくは介さず直接に，前記磁気抵抗効果膜と結合するように積層したことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記サイド磁気シールド層が，強磁性層，非磁性層，強磁性層を順次形成した積層膜を有する，もしくは強磁性層，反強磁性層を順次形成した積層膜を有する，もしくは強磁性層，非磁性層，反強磁性層を順次形成した積層膜を有することを特徴とする，請求項１から７のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
あらかじめ決められた間隔を隔てて形成された一対の磁気シールド層と，
該一対の磁気シールド層の間に，あらかじめ決められた膜厚の導電層を介して形成され、検知電流がその膜厚方向に流される磁気抵抗効果膜とを備えており，
前記磁気抵抗効果膜が，第一の強磁性層，非磁性層，第二の強磁性層，反強磁性層の順に形成された積層膜，もしくは反強磁性層，第二の強磁性層，非磁性層，第一の強磁性層の順に形成された積層膜を有し，
前記磁気抵抗効果膜を形成した位置における前記磁気シールド層の間隔に比べて，前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向外側で前記磁気抵抗効果膜を形成していない位置における前記磁気シールド層の間隔を狭くすることで，該磁気シールド層の一部が，前記第一の強磁性層のトラック幅方向における延長線上にも存在するように形成されており，
前記延長線上に存在する前記磁気シールド層と前記第一の強磁性層のトラック端部との間隔を，前記磁気抵抗効果膜を形成した位置における前記磁気シールド層の間隔の２倍より狭くしたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記一対の磁気シールド層のうち少なくとも一方が，強磁性層，非磁性層，強磁性層を順次形成した積層膜を有する，もしくは強磁性層，反強磁性層を順次形成した積層膜を有する，もしくは強磁性層，非磁性層，反強磁性層を順次形成した積層膜を有することを特徴とする，請求項９に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記第一の強磁性層の磁区構造を安定化させるための磁区制御層が，前記第一の強磁性層に非磁性層を介して積層されていることを特徴とする，請求項７から１０のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記磁区制御層が，強磁性膜と反強磁性膜との積層構造を有することを特徴とする，請求項１１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする，請求項７から１０のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
磁束を発生させるコイルと前記磁束を集める一対の磁気コアとを備えた記録素子と，あらかじめ決められた間隔を隔てて形成された一対の磁気シールド層と，該一対の磁気シールド層の間に，あらかじめ決められた膜厚の導電層を介して形成され、検知電流がその膜厚方向に流される磁気抵抗効果膜とを備えており，前記磁気抵抗効果膜が，第一の強磁性層，非磁性層，第二の強磁性層，反強磁性層の順に形成された積層膜，もしくは反強磁性層，第二の強磁性層，非磁性層，第一の強磁性層の順に形成された積層膜を有し，前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両横に，一対のサイド磁気シールド層を形成し，該サイド磁気シールド層と前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向端部との間隔を，前記一対の上下磁気シールド層の間隔の２倍より狭くした再生素子とを有する磁気ヘッドと，
入力された信号に基づいて，前記磁気ヘッドを用いて情報を媒体に記録するとともに，前記磁気記録ヘッドからの出力信号に基づいて情報を再生する，記録再生動作制御手段とを備えた磁気記録再生装置。
【請求項１５】
磁束を発生させるコイルと前記磁束を集める一対の磁気コアとを備えた記録素子と，あらかじめ決められた間隔を隔てて形成された一対の磁気シールド層と，該一対の磁気シールド層の間に，あらかじめ決められた膜厚の導電層を介して形成され、検知電流がその膜厚方向に流される磁気抵抗効果膜とを備えており，前記磁気抵抗効果膜が，第一の強磁性層，非磁性層，第二の強磁性層，反強磁性層の順に形成された積層膜，もしくは反強磁性層，第二の強磁性層，非磁性層，第一の強磁性層の順に形成された積層膜を有し，前記磁気抵抗効果膜を形成した位置における前記磁気シールド層の間隔に比べて，前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向外側で前記磁気抵抗効果膜を形成していない位置における前記磁気シールド層の間隔を狭くすることで，該磁気シールド層の一部が，前記第一の強磁性層のトラック幅方向における延長線上にも存在するように形成されており，前記延長線上に存在する前記磁気シールド層と前記第一の強磁性層のトラック端部との間隔を，前記磁気抵抗効果膜を形成した位置における前記磁気シールド層の間隔の２倍より狭くした再生素子とを有する磁気ヘッドと，
入力された信号に基づいて，前記磁気ヘッドを用いて情報を媒体に記録するとともに，前記磁気記録ヘッドからの出力信号に基づいて情報を再生する，記録再生動作制御手段と，を備えた磁気記録再生装置。
【請求項１６】
前記磁気ヘッドは，前記媒体に対向する面を持っており，該媒体対向面における前記記録素子を構成する前記磁気コアの幅のうち，より狭い方のコア幅が，前記磁気抵抗効果膜の幅Ｔｗｒに，前記磁気記録ヘッドと前記媒体との間の磁気的なスペーシングｄと前記間隔ｘの１／２を加えた値（Ｔｗｒ＋ｄ＋ｘ／２）と同じ，もしくはこれより広いことを特徴とする，請求項１４または１５のいずれかに記載の磁気記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図６には，第一の強磁性膜１１が存在する面における，本実施例によるヘッドの平面図を示す。第一の強磁性膜１１の両横には，距離ｘを隔てて幅５１のサイドシールド層３３が存在する。一対の電極や磁区制御層は，第一の強磁性膜１１に積層して形成されているので，図示した平面には存在しない。よって距離ｘを２０ｎｍと極端に小さく設定することができた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
この再生素子の上に，厚さ５００ｎｍのアルミナからなる非磁性分離層６４を形成し，その上に，厚さ２μｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金などからなる下部コア６２を形成して記録素子を積層した。下部コア６２は最も上側に凸部を有しており，この部分は飽和磁束密度が約２．４テスラのＦｅ−Ｃｏ合金を用いた。この凸部の上には，厚さ１００ｎｍのアルミナからなる非磁性ギャップ層６３を形成し，さらのその上には，厚さ１μｍのＦｅ−Ｃｏ合金と厚さ２μｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金の積層膜からなる上部コア６１を形成した。上部コア６１と下部コア６２が対向する部分の記録コア幅５３は，１５０ｎｍとした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
この再生素子の上に，厚さ５００ｎｍのアルミナからなる非磁性分離層６４を形成し，その上に，厚さ２μｍのＮｉ−Ｆｅ合金からなる副磁極７２を形成した。副磁極の上部には，厚さ２００ｎｍのＦｅ−Ｃｏ合金からなる主磁極７１を形成した。主磁極７１は、図中に拡大して示すように、上部の幅が広く下部の幅が狭い逆台形となるように形成し，上部の幅５４を１３０ｎｍとした。主磁極７１と副磁極７２との間の距離は，約５μｍである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
磁気ディスク装置の誤動作を少なくするため，記録素子の記録コア幅５３，もしくは５４を，再生素子の磁気的再生トラック幅と同じ，もしくはこれより広くなるように形成すると良い。具体的には，記録コア幅が，磁気抵抗効果膜の幅Ｔｗｒに，磁気ヘッドと媒体との間の磁気的なスペーシングｄと，サイドシールド‐磁気抵抗効果膜間隔ｘの１／２を加えた値（Ｔｗｒ＋ｄ＋ｘ／２）と同じ，もしくはこれより広くなるように形成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
実施例１では面内用記録素子の記録コア幅５３を１５０ｎｍとし，実施例２では垂直用記録素子の記録コア幅５４を１３０ｎｍとした。どちらの場合にも，磁気抵抗効果膜１０の幅Ｔｗｒは１００ｎｍ，磁気ヘッドとディスク媒体との間の磁気的なスペーシングｄは１５ｎｍ，サイドシールド‐磁気抵抗効果膜間隔ｘは２０ｎｍであったので，Ｔｗｒ＋ｄ＋ｘ／２は１２５ｎｍとなる。上記コア幅５３，５４は，これよりも大きくしたので，ヘッドの位置決め誤差などによって，再生出力が小さくなったり，隣に書かれたトラックの信号成分を読んだりすることで，装置が誤動作することはなかった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004178656.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004178656.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2004178656.tif 000003