【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に第１の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物上に水素を含む半導体膜を形成し、
前記半導体膜が含む水素を拡散する加熱処理を行って、前記金属膜と前記第１の酸化物の界面に形成された第２の酸化物と、前記第２の酸化物が還元された第３の酸化物を含む膜を形成し、
前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜の内部、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記金属膜との界面、又は前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記第１の酸化物との界面において、前記半導体膜と前記基板とを分離することを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に第１の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物上に水素を含む窒化膜を形成し、
前記窒化膜が含む水素を拡散する加熱処理を行って、前記金属膜と前記第１の酸化物の界面に形成された第２の酸化物と、前記第２の酸化物が還元された第３の酸化物を含む膜を形成し、
前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜の内部、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記金属膜との界面、又は前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記第１の酸化物との界面において、前記窒化膜と前記基板とを分離することを特徴とする剥離方法。
【請求項３】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に第１の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物上に水素を含む半導体膜を形成し、
前記半導体膜が含む水素を拡散する加熱処理を行って、前記金属膜と前記第１の酸化物の界面に形成された第２の酸化物と、前記第２の酸化物が還元された第３の酸化物を含む膜を形成し、
前記第１の酸化物と前記半導体膜を含む被剥離層に第２の基板を接着し、
前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜の内部、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記金属膜との界面、又は前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記第１の酸化物との界面において、前記第２の基板に接着された前記被剥離層と前記第１の基板とを分離することを特徴とする剥離方法。
【請求項４】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に第１の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物上に水素を含む窒化膜を形成し、
前記窒化膜が含む水素を拡散する加熱処理を行って、前記金属膜と前記第１の酸化物の界面に形成された第２の酸化物と、前記第２の酸化物が還元された第３の酸化物を含む膜を形成し、
前記第１の酸化物と前記窒化膜を含む被剥離層に第２の基板を接着し、
前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜の内部、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記金属膜との界面、又は前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記第１の酸化物との界面において、前記第２の基板に接着された前記被剥離層と前記第１の基板とを分離することを特徴とする剥離方法。
【請求項５】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に第１の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物上に水素を含む半導体膜を形成し、
前記半導体膜が含む水素を拡散する加熱処理を行って、前記金属膜と前記第１の酸化物の界面に形成された第２の酸化物と、前記第２の酸化物が還元された第３の酸化物を含む膜を形成し、
前記第１の酸化物と前記半導体膜を含む被剥離層に接着材を用いて第２の基板を接着し、
前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜の内部、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記金属膜との界面、又は前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記第１の酸化物との界面において、前記第２の基板に接着された前記被剥離層と前記第１の基板とを分離し、
前記第２の基板に接着された前記被剥離層に第３の基板を接着し、
前記接着材を除去することにより、前記第２の基板と前記被剥離層を分離することを特徴とする剥離方法。
【請求項６】
第１の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上に第１の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物上に水素を含む窒化膜を形成し、
前記窒化膜が含む水素を拡散する加熱処理を行って、前記金属膜と前記第１の酸化物の界面に形成された第２の酸化物と、前記第２の酸化物が還元された第３の酸化物を含む膜を形成し、
前記第１の酸化物と前記窒化膜を含む被剥離層に接着材を用いて第２の基板を接着し、
前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜の内部、前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記金属膜との界面、又は前記第２の酸化物と前記第３の酸化物を含む膜と前記第１の酸化物との界面において、前記第２の基板に接着された前記被剥離層と前記第１の基板とを分離し、
前記第２の基板に接着された前記被剥離層に第３の基板を接着し、
前記接着材を除去することにより、前記第２の基板と前記被剥離層を分離することを特徴とする剥離方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、前記接着材は、紫外線を照射することにより、除去することを特徴とする剥離方法。
【請求項８】
請求項５又は請求項６において、前記接着材は、加熱することにより、除去することを特徴とする剥離方法。
【請求項９】
請求項５又は請求項６において、前記接着材は、水洗することにより、除去することを特徴とする剥離方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記金属膜は、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの金属または混合物の積層であることを特徴とする剥離方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記金属膜は、タングステンからなる膜であることを特徴とする剥離方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体膜としてＣＶＤ法により珪素膜を形成することを特徴とする剥離方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記半導体膜の加熱処理は、４００度以上で行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物として酸化珪素膜を形成することを特徴とする剥離方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物としてスパッタ法により酸化珪素膜を形成することを特徴とする剥離方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物として酸化窒化珪素膜を形成することを特徴とする剥離方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記加熱処理により、前記第２の酸化物及び前記第３の酸化物はそれぞれ結晶化されることを特徴とする剥離方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記第２の酸化物は、酸化タングステン（ＷＯ３）であることを特徴とする剥離方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第３の酸化物は、酸化タングステン（ＷＯ２）であることを特徴とする剥離方法。