【事件の表示】
　平成２年特許願第４０４４６０号「有機ラジカルを用いた銅食刻法」拒絶査定に対する審判事件〔平成３年１２月２０日出願公開、特開平３−２９１３８７、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成２年１２月２０日（優先権主張　１９８９年１２月２０日　米国）の出願であって、平成１２年１月１１日付けで拒絶理由の通知がなされ、これに対して、平成１２年７月１４日に請求人（出願人）より手続補正書が提出されて明細書が補正され、平成１３年５月２５日付けで、先の拒絶の理由により拒絶査定され、その後、平成１３年８月３０日に審判請求がなされると共に、同日付けで手続補正書が提出されて明細書が補正されたものである。
　そして、その請求項１及び２に係る発明は、上記平成１３年８月３０日提出の手続補正書によって補正された明細書（以下、単に「明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりの、次のものである。
「【請求項１】閉じた室中で基体上の銅層を食刻して、パターン化された導電体を形成する方法において、前記銅層の食刻しない領域をマスキングする工程と、
前記銅層へ有機化合物を導入し、該有機化合物に高強度紫外線を照射して有機ラジカルを生成する工程であって該有機ラジカルが該銅層のマスクキングされていない領域と反応して有機反応生成物を形成する該工程と、該反応生成物を除去する工程と、を含むことを特徴とする、上記方法。
【請求項２】閉じた室中で基体上の銅層を食刻してパターン化された導電体を形成する方法において、前記銅層の食刻しない領域をマスキングする工程と、前記銅層へアミン化合物を導入し、該銅層に高強度紫外線を照射してアミンラジカルを生成する工程であって該アミンラジカルが該銅層のマスクキングされていない領域と反応して銅反応生成物を形成する該工程と、該反応生成物を除去する工程と、を含むことを特徴とする、上記方法。」
　　
II．原査定に係る拒絶理由通知及び拒絶査定の概要
　原査定においては、上記平成１２年１月１１日付けの拒絶理由通知で、刊行物１（ 特開昭６０−８６２８５号公報）及び刊行物２（特開昭６１−１７４６３９号公報）を提示して、
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第５項第２号及び第６項に規定する要件を満たしていない。」と、拒絶の理由が通知され、続いて、
「この出願については、平成１２年１月１１日付け拒絶理由通知書に記載した理由１、２によって、拒絶査定する。なお、意見書及び手続補正書の内容を検討したが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせない。」と、上記拒絶の査定がなされたものである。
　　
III．引用例の記載事実
　上記原査定の拒絶の理由１において、刊行物１及び２として引用された下記引用例１及び２（それぞれ上記刊行物１及び２に対応する。）には、以下の記載がなされている。
引用例１（特開昭６０−８６２８５号公報；刊行物１）
(1-1)「少なくとも１つのメチル基またはメチレン基を有する有機化合物を含むグロー放電中で銅をエッチングすることを特徴とする、銅のドライエッチング方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は、有機化合物を含むグロー放電中で銅をドライエッチングする方法に関する。」（第１頁左下欄第１０〜１１行）
(1-3)「本発明による方法において、銅は８０℃未満の温度で・・・極めて低い電力で除去される」（第２頁左下欄第１２〜１４行）
(1-4)「反応性イオン・エッチング及びこれに適する反応装置は、例えば米国特許第3994793号に記載されている。かかる反応装置は反応室を包含しており・・・少なくとも１つの気体入口と１つの気体出口を含んでいるケーシングによって前記反応室は包囲されており、この室の内部にはエッチされる基板を担持した円板状の陰極が水平に配置されている。」（第２頁右下欄第１５行〜第３頁左上欄第２行）
(1-5)「銅表面のエッチされない帯域は、エッチング・マスクによって覆われる。」（第３頁右下欄第１２〜１４行）
(1-6)「グロー放電中にメチル基またはメチレン基が形成され、これが銅と共に直接、または中間段階として揮発性化合物を形成し、かつ合成物質に対して実質的に不活性になると考えられる。」（第４頁右上欄第１６〜２０行）
　　
引用例２（特開昭６１−１７４６３９号公報；刊行物２）
(2-1)「光エッチング用反応性気体を電気エネルギにより活性にせしめ、該活性になった反応性気体を被エッチング面を有する基板表面に導びき、強光を選択的に照射することにより、前記表面を前記反応性気体により選択的にエッチングすることを特徴とする光エッチング方法。」（特許請求の範囲１）
(2-2)「光エッチングはその反応性気体として単なるエッチング気体を用いるにすぎない。このため、反応性気体を紫外光で分解し、活性にすること、さらにこの活性の反応性気体を光が照射されている面にてさらに活性とし、被エッチング材料と反応して被エッチング材を気化せしめることが必要である。しかし、光エネルギのみでは化学的に安定な反応性気体を化学的に活性な反応性気体とすることが困難であり、そのため、任意の反応性気体に自由に試みることができなかった。・・・・本発明はかかる問題を解決するため、反応性気体に対しエッチングを行う前工程として、電気エネルギを加え、反応性気体を活性にし、さらにこの活性になった反応性気体を用いてこれに紫外光を照射して、この照射された領域の被加工面を選択的にエッチングする方法いわゆるプラズマ励起光エッチング方法を提案するものである。」（第１頁右下欄第７行〜第２頁左上欄第１０行）
(2-3)「本発明において、被エッチング材はシリコン半導体およびアルミニュームとした。しかし反応性気体を弗化物とし、酸化珪素、窒化珪素、窒化アルミニュームに対しプラズマ励起光エッチングを行うことも可能である。またチタン、珪化チタン等の金属間化合物に対しても、塩素等の反応性気体を用いて行い得る。有機物被膜に対しても反応性気体を変えることにより行い得る。」（第３頁左下欄第３〜１０行）
　  
IV．対比、判断
(IV-1)特許法第２９条第２項に係る理由（「理由１」）について
（１）請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、メチル基またはメチレン基を有する有機化合物を含むグロー放電中で銅をエッチングする銅のドライエッチング方法（摘記1-1）が記載されており、併せて、反応装置は反応室を包含しており、気体入口と気体出口を含んでいるケーシングによって前記反応室は包囲されており、この室の内部にはエッチされる基板を担持した円板状の陰極が水平に配置されていること（摘記1-4）、銅表面のエッチされない帯域は、エッチング・マスクによって覆われること（摘記1-5）、及び、グロー放電中にメチル基またはメチレン基が形成され、これが銅と共に直接、または中間段階として揮発性化合物を形成すること（摘記1-6）が記載されている。
　以上のことからすると、本願発明１は、引用例１に記載された発明と、
「閉じた室中で基体上の銅層を食刻して、パターン化された導電体を形成する方法において、前記銅層の食刻しない領域をマスキングする工程と、前記銅層へ有機化合物を導入し、有機ラジカルを生成する工程であって該有機ラジカルが該銅層のマスクキングされていない領域と反応して有機反応生成物を形成する該工程と、該反応生成物を除去する工程と、を含むことを特徴とする、上記方法。」の点で一致し、そして、（イ）本願発明１では、上記の有機ラジカルの生成工程を、「有機化合物に高強度紫外線を照射して」行うものであるのに対して、引用例１に記載された発明は、グロー放電によるものである点で、本願発明１は、引用例１に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、この相違点（イ）について検討する。
　引用例２には、光エッチング用反応性気体を電気エネルギにより活性にせしめ、該活性になった反応性気体を被エッチング面を有する基板表面に導き、強光を選択的に照射することにより、前記表面を前記反応性気体により選択的にエッチングする光エッチング方法の発明が記載されている（摘記2-1）。しかし、この引用例２に記載された発明は、反応性気体の活性化を電気エネルギーにより行うものであって、有機化合物に高強度紫外線を照射して有機ラジカルを生成する工程という、上記相違点（イ）に係る本願発明の構成を開示するものではなく、なおかつ、引用例２には、当該引用発明が、銅層の食刻（エッチング）に適用できることの記載もない。また、当該引用例２には、従前の光エッチング及びその問題点について概括的な説明がなされているが（摘記2-2）、その従前技術についても、引用例１と同様、有機化合物に高強度紫外線を照射して有機ラジカルを生成する工程という、上記相違点（イ）に係る本願発明の構成に係る記載はなく、また、銅層の食刻（エッチング）に適用できることの記載もない。
　してみれば、引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明とを組み合わせても、これら引用例に記載された発明から、本願発明１が容易に想到し得たということはできない。
　そして、本願発明１は、上記相違点（イ）に係る構成要件を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、特に高い基体温度又は室温では、マスクされていない領域から銅アミン又は有機反応生成物が異方的に揮発することにより、銅フイルムの異方性乾式食刻を達成することができ、更に銅アミン又は有機生成物が揮発性でない時でも、銅フイルムとラジカルとの完全な反応が指向性又は異方性をもって非マスク領域で起き、銅アミン又は有機銅反応生成物を生じ、それらは溶媒又は水による洗浄で異方的に容易に除去され、そして、銅アミン又は有機生成物が異方的に形成されているので、生成物の除去が揮発によろうと或いは湿式溶液によろうと、模様状銅が等方的にアンダーカットされたり或は除去されることはない（段落【0008】）という、本願明細書に記載され、そして各引用例に記載のない効果を奏したものと認めることができる。
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（２）請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）は、本願発明１における有機化合物を、その下位物質である「アミン化合物」に限定して構成した発明であるから、上記「（１）請求項１に係る発明について」の欄で本願発明１について説示したと同様、本願発明２は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
(IV-2)特許法第３６条第５〜６項に係る理由（「理由２」）について
　原査定においては、上記平成１２年１月１１日付けの拒絶理由通知で、「銅のエッチング方法は、銅を除去する技術である。しかるに、本願請求項１には、有機銅反応生成物を形成させた後に、その有機銅生成物を除去することが記載されていないので、銅のエッチング方法としての構成が不明瞭である。よって、請求項１は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものでない。」と、拒絶の理由が通知され、そして、この理由により上記拒絶の査定がなされたものである。
　そして、この理由については、平成１３年８月３０日付けの上記手続補正書による補正により、請求項１及び２に反応生成物を除去する工程が明記された結果、その拒絶の理由は解消された。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１及び２は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできず、また、原査定に係る明細書の記載不備があるということもできない。したがって、原査定の理由によって本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。