【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
Ａ＝（Ｗｔ／２＋Ｌｔ＋Ｗｔ／２）×（Ｗｇ／２＋Ｓｔ＋Ｗｇ／２）
＝（Ｗｔ＋Ｌｔ）×（Ｗｇ＋Ｓｔ）  ・・・（２）
図１２６に示すメッシュパターンでは、チャネルは非トレンチエッチング領域２のまわりに形成されるので、各長方形ＥＦＧＨ内におけるチャネル幅Ｗｃｈは、つぎの（３）式で表される。したがって、チャネル密度Ｐは、前記（１）式、上記（２）式および（３）式より、つぎの（４）式で与えられる。
Ｗｃｈ＝２（Ｌｔ＋Ｓｔ）  ・・・（３）
Ｐ＝２（Ｌｔ＋Ｓｔ）／Ａ
＝２（Ｌｔ＋Ｓｔ）／｛（Ｗｔ＋Ｌｔ）×（Ｗｇ＋Ｓｔ）｝  ・・・（４）
上述したメッシュ状のトレンチパターンは、従来のストライプ状のトレンチパターンよりもチャネル密度Ｐの値が大きくなる。すなわち、図１２７に示すストライプパターンにおいて、横方向に伸びるトレンチは存在しないが、長方形ＥＦＧＨを図１２６と同じように設定すると、各長方形ＥＦＧＨ内のチャネル幅Ｗｃｈは、つぎの（５）式で表される。したがって、チャネル密度Ｐは、つぎの（６）式で与えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
Ｗｃｈ＝２（Ｗｇ＋Ｓｔ）  ・・・（５）
Ｐ＝２（Ｗｇ＋Ｓｔ）／｛（Ｗｔ＋Ｌｔ）×（Ｗｇ＋Ｓｔ）｝
＝２／（Ｗｔ＋Ｌｔ）  ・・・（６）
ここで、図１２６および図１２７より明らかなように、（Ｌｔ＋Ｓｔ）の値は（Ｗｇ＋Ｓｔ）の値よりも大きくなるので、上記（６）式と前記（４）式との比較より、メッシュパターンの方がストライプパターンよりもチャネル密度Ｐが大きくなることが分かる。したがって、メッシュパターンのＴＬＰＭでは、微細化により、ストライプパターンのＴＬＰＭよりもチャネル密度Ｐを増大させることができるので、単位面積当たりのオン抵抗を低減させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお、図１に示すように、すベての非トレンチエッチング領域２において、第３のトレンチ７の数が同じであってもよいし、特に図示しないが、個々の非トレンチエッチング領域２において、第３のトレンチ７の数が異なっていてもよい。
つぎに、本発明にかかるトレンチパターンを有するＴＬＰＭの断面構造について説明する。なお、図１２〜図２３に示すＴＬＰＭの断面構造は、実施の形態１〜１１において共通である。
（第１の例）
図１２〜図１４は、トレンチ底部にソース領域が存在する１段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図１２は、図１の切断線Ａ−Ａ’に関する活性領域における断面図である。図１２に示すように、活性領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第１のトレンチ８内には、ゲート絶縁膜２２を介して、第１の導電体であるゲートポリシリコン２３が形成されている。そして、その内側は、層間絶縁膜２４を介して、第２の導電体であるソースポリシリコン２５により埋められている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第２の電極１６であるソース電極は、層間絶縁膜２６を貫通するコンタクト部（ソースコンタクト）１５を介して、ソースポリシリコン２５に電気的に接続している。また、第１のトレンチ８の底部には、第１の拡散領域であるｎ+ソース領域２７が設けられている。ソースポリシリコン２５は、ゲート絶縁膜２２を貫通して、ｎ+ソース領域２７に接触している。
第１のトレンチ８の外側はｎ-ドレイン領域２８であり、その表面層には、第２の拡散領域であるｎ+ドレイン領域２９が、第１のトレンチ８から離れて形成されている。第１の電極１４であるドレイン電極は、層間絶縁膜２６およびマスク酸化膜３０を貫通するコンタクト部（ドレインコンタクト）１３を介して、ｎ+ドレイン領域２９に電気的に接続している。また、第１のトレンチ８の底部には、Ｐベース領域３１およびｐ-ボディ領域３２が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１３は、図１の切断線Ｂ−Ｂ’で示す第１のゲート領域における断面図である。図１３に示すように、第１のゲート領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第２のトレンチ９内は、ゲート絶縁膜２２を介して、ゲートポリシリコン２３により埋められている。第２のトレンチ９の外側はｎ-ドレイン領域２８であり、その表面層には、ｎ+ドレイン領域２９が、第２のトレンチ９から離れて形成されている。第１の電極（ドレイン電極）１４は、コンタクト部１３を介して、ｎ+ドレイン領域２９に電気的に接続している。また、第２のトレンチ９の底部には、ｐ-ボディ領域３２が設けられている。
図１４は、図１の切断線Ｃ−Ｃ’で示す第２のゲート領域における断面図である。図１４に示すように、第２のゲート領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第３のトレンチ７内は、ゲート絶縁膜２２を介して、ゲートポリシリコン２３により埋められている。第３のトレンチ７の外側はｎ-ドレイン領域２８であり、その表面層には、ｎ+ドレイン領域２９が、第３のトレンチ７に接して形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第１の電極（ドレイン電極）１４は、コンタクト部１３を介して、第３のトレンチ７の両側のｎ+ドレイン領域２９に電気的に接続している。すなわち、コンタクト部１３は、第３のトレンチ７を挟む両外側のｎ+ドレイン領域２９にまたがって形成されている。ただし、コンタクト部１３は、層間絶縁膜２４により、ゲートポリシリコン２３から絶縁されている。また、第３のトレンチ７の底部には、ｐ-ボディ領域３２が設けられている。
図１２〜図１４に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて簡単に説明する。まず、ｐ-半導体基板２１にｎ-ドレイン領域２８を形成し、その表面に、本発明にかかるメッシュ状トレンチパターンのマスク酸化膜３０を形成する。マスク酸化膜３０をマスクとして、トレンチエッチングをおこない、第１〜第３のトレンチ８，９，７を形成する。ついで、第１〜第３のトレンチ８，９，７内にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲートポリシリコン２３を形成する。また、Ｐベース領域３１、ｐ-ボディ領域３２およびｎ+ソース領域２７を形成し、層間絶縁膜２４を堆積する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ついで、第１のトレンチ８の底部にコンタクトホールを開口し、第１のトレンチ８内にソースポリシリコン２５を形成する。そして、層間絶縁膜２６を堆積し、層間絶縁膜２６およびマスク酸化膜３０を貫通するコンタクトホールを開口し、イオン注入および拡散処理によりｎ+ドレイン領域２９を形成する。最後に、メタル配線層の積層およびパターニングにより、コンタクト部１３，１５、第１の電極（ドレイン電極）１４および第２の電極（ソース電極）１６を形成し、図１２〜図１４に示す断面構成が完成する。
（第２の例）
図１５〜図１７は、トレンチ底部にドレイン領域が存在する１段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図１５は、図１の切断線Ａ−Ａ’で示す活性領域における断面図である。図１５に示すように、活性領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第１のトレンチ８内には、外側から順に、ゲート絶縁膜２２、ゲートポリシリコン２３および層間絶縁膜２４が形成されており、その中央部は、第２の導電体であるドレインポリシリコン３５により埋められている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第２の電極１６であるドレイン電極は、層間絶縁膜２６を貫通するコンタクト部（ドレインコンタクト）１５を介して、ドレインポリシリコン３５に電気的に接続している。また、第１のトレンチ８の底部には、第１の拡散領域であるｎ+ドレイン領域２９およびｎ-ドレイン領域２８が設けられている。ドレインポリシリコン３５は、ゲート絶縁膜２２を貫通して、ｎ+ドレイン領域２９に接触している。
第１のトレンチ８の外側には、Ｐベース領域３１、第２の拡散領域であるｎ+ソース領域２７、およびｐ+プラグ領域３６が形成されている。第１の電極１４であるソース電極は、層間絶縁膜２６およびマスク酸化膜３０を貫通するコンタクト部（ソースコンタクト）１３を介して、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６に電気的に接続している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１６は、図１の切断線Ｂ−Ｂ’で示す第１のゲート領域における断面図である。図１６に示すように、第１のゲート領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第２のトレンチ９内は、ゲート絶縁膜２２を介して、ゲートポリシリコン２３により埋められている。第２のトレンチ９の外側には、Ｐベース領域３１、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６が形成されている。第１の電極（ソース電極）１４は、コンタクト部１３を介して、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６に電気的に接続している。また、第２のトレンチ９の底部には、ｎ-ドレイン領域２８が設けられている。
図１７は、図１の切断線Ｃ−Ｃ’で示す第２のゲート領域における断面図である。図１７に示すように、第２のゲート領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第３のトレンチ７内は、ゲート絶縁膜２２を介して、ゲートポリシリコン２３により埋められている。第３のトレンチ７の外側には、Ｐベース領域３１、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６が形成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第１の電極（ソース電極）１４は、コンタクト部１３を介して、第３のトレンチ７の両側のｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６に電気的に接続している。
すなわち、コンタクト部１３は、第３のトレンチ７を挟む両外側のｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６にまたがって形成されている。ただし、コンタクト部１３は、層間絶縁膜２４により、ゲートポリシリコン２３から絶縁されている。また、第３のトレンチ７の底部には、ｎ-ドレイン領域２８が設けられている。
図１５〜図１７に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて簡単に説明する。まず、ｐ-半導体基板２１の表面に、本発明にかかるメッシュ状トレンチパターンのマスク酸化膜３０を形成し、これをマスクとしてトレンチエッチングをおこない、第１〜第３のトレンチ８，９，７を形成する。ついで、ｎ-ドレイン領域２８を形成した後、第１〜第３のトレンチ８，９，７内にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲートポリシリコン２３を形成する。そして、層間絶縁膜２４を堆積する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ついで、第１のトレンチ８の底部にコンタクトホールを開口し、第１のトレンチ８内にドレインポリシリコン３５を形成する。そして、Ｐベース領域３１、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６を形成し、層間絶縁膜２６を堆積する。ついで、層間絶縁膜２６およびマスク酸化膜３０を貫通するコンタクトホールを開口し、メタル配線層の積層およびパターニングにより、コンタクト部１３，１５、第１の電極（ソース電極）１４および第２の電極（ドレイン電極）１６を形成し、図１５〜図１７に示す断面構成が完成する。
（第３の例）
図１８〜図２０は、トレンチ底部にソース領域が存在する２段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図１８、図１９および図２０は、それぞれ、図１の切断線Ａ−Ａ’で示す活性領域、図１の切断線Ｂ−Ｂ’で示す第１のゲート領域、および図１の切断線Ｃ−Ｃ’で示す第２のゲート領域における断面図である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１８〜図２０に示すように、この第３の例は、上述したＴＬＰＭの第１の例において、第１〜第３のトレンチ８，９，７の側壁の上半部に沿って、ゲート絶縁膜２２よりも厚い層間絶縁膜４１を設けたものである。また、第３の例では、ｐ-ボディ領域３２が設けられていない。その他の構成は第１の例と同じであるので、同一の符号を付して説明を省略する。
図１８〜図２０に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて簡単に説明する。まず、ｐ-半導体基板２１にｎ-ドレイン領域２８を形成し、その表面に、本発明にかかるメッシュ状トレンチパターンのマスク酸化膜３０を形成する。マスク酸化膜３０をマスクとして１段目のトレンチエッチングをおこない、第１〜第３のトレンチ８，９，７を形成する。ついで、第１〜第３のトレンチ８，９，７の側壁に沿って厚い層間絶縁膜４１を形成し、これをマスクとしてトレンチ底部に２段目のトレンチエッチングをおこなう。ついで、ゲート絶縁膜２２を形成する。これ以降は、第１の例と同じである。
（第４の例）
図２１〜図２３は、トレンチ底部にドレイン領域が存在する２段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図２１、図２２および図２３は、それぞれ、図１の切断線Ａ−Ａ’で示す活性領域、図１の切断線Ｂ−Ｂ’で示す第１のゲート領域、および図１の切断線Ｃ−Ｃ’で示す第２のゲート領域における断面図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図２１〜図２３に示すように、この第４の例は、上述したＴＬＰＭの第２の例において、第１のトレンチ８の下半部から底部にかけて、また、第２および第３のトレンチ９，７の底部に、ゲート絶縁膜２２よりも厚い層間絶縁膜４１を設けたものである。また、第４の例では、基板表面にも厚い層間絶縁膜４１が存在する。その他の構成は第２の例と同じであるので、同一の符号を付して説明を省略する。
図２１〜図２３に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて簡単に説明する。まず、ｐ-半導体基板２１の表面に、本発明にかかるメッシュ状トレンチパターンのマスク酸化膜３０を形成し、これをマスクとして１段目のトレンチエッチングをおこない、第１〜第３のトレンチ８，９，７を形成する。ついで、トレンチ側壁を窒化膜で被覆し、これをマスクとしてトレンチ底部に２段目のトレンチエッチングをおこなう。そして、ｎ-ドレイン領域２８を形成した後、厚い層間絶縁膜４１を形成し、窒化膜を除去する。ついで、第１〜第３のトレンチ８，９，７内にゲート絶縁膜２２を形成する。これ以降は、第２の例と同じである。
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置のトレンチパターンの平面レイアウトを示す図である。図２に示すように、実施の形態２は、図１２６に示すメッシュ状トレンチパターンの基本パターンにおいて、第３のトレンチ７を、第２のトレンチ９の長手方向に平行で、かつ第１のトレンチ８につながるように設けたものである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
すなわち、ゲート領域のトレンチ底部に、第１の拡散領域であるソース領域（またはドレイン領域）が存在することによって、ゲート領域のトレンチ側への電流の回り込み量が増大する。それによって、十分に低オン抵抗化を図ることが可能となる。
実施の形態１２．
図２４は、本発明の実施の形態１２にかかる半導体装置のトレンチパターンの平面レイアウトを示す図である。図２４に示すように、第１の拡散領域であるｎ+ソース領域２７（またはｎ+ドレイン領域２９）は、活性領域に形成された第１のトレンチ８の底部、およびゲート領域に形成された第２のトレンチ９の底部に沿って設けられている。なお、実施の形態１〜１１では特に言及していないが、図２４において、左端および右端の縦方向に伸びるトレンチ部分は第１のトレンチ８であり、活性領域である。また、図２４において、上端および下端の横方向に伸びるトレンチ部分は第２のトレンチ９であり、ゲート領域である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
つぎに、実施の形態１２におけるＴＬＰＭの断面構造およびその製造方法について、４つの例（第５〜第８の例）を挙げて、具体的に説明する。
（第５の例）
図２５および図２６は、トレンチ底部にソース領域が存在する１段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図２５は、図２４の切断線Ｊ−Ｊ’で示す活性領域における断面図である。図２５に示すように、第５の例の活性領域における断面構成は、図１２に示す第１の例の活性領域における断面構成においてｐ-ボディ領域３２が設けられていないものである。したがって、説明が重複するので、第５の例の活性領域における断面構成の説明を省略する。
図２６は、図２４の切断線Ｋ−Ｋ’で示すゲート領域における断面図である。図２６に示すように、ゲート領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第２のトレンチ９の底部には、第１の拡散領域であるｎ+ソース領域２７が設けられている。また、第２のトレンチ９の底部には、チャネル領域となるＰベース領域３１がｎ+ソース領域２７を囲むように設けられている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
第２のトレンチ９内は、ゲート絶縁膜２２を介して、ゲートポリシリコン２３により埋められている。ゲートポリシリコン２３上には、層間絶縁膜２４が設けられている。第２のトレンチ９の外側は、拡張ドレイン領域となるｎ-ドレイン領域２８である。ｎ-ドレイン領域２８上には、マスク酸化膜３０が設けられている。層間絶縁膜２４およびマスク酸化膜３０上には、さらに層間絶縁膜２６が積層されている。
図２５および図２６に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて図２７〜図５６を参照しながら説明する。まず、ｐ-半導体基板２１にｎ-ドレイン領域２８を形成し、ｎ-ドレイン領域２８の表面にマスク酸化膜３０を形成する（図２７：活性領域、図２８：ゲート領域）。そして、マスク酸化膜３０の表面に、メッシュパターンのレジストマスク５１を形成する（図２９：活性領域、図３０：ゲート領域）。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
ついで、マスク酸化膜３０に、たとえば図２４に示すメッシュ状トレンチパターンを形成し、マスク酸化膜３０をマスクとしてトレンチエッチングをおこない、第１および第２のトレンチ８，９を形成する（図３１：活性領域、図３２：ゲート領域）。そして、犠牲酸化をおこない、第１および第２のトレンチ８，９内に犠牲酸化膜５２を形成する（図３３：活性領域、図３４：ゲート領域）。
ついで、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｐ型不純物としてたとえばホウ素をイオン注入してＰベース領域３１を形成する（図３５：活性領域、図３６：ゲート領域）。Ｐベース領域３１の形成につづいて、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｎ型不純物としてたとえば砒素をイオン注入する（図３７：活性領域、図３８：ゲート領域）。そして、ｎ+ソース領域２７を形成する（図３９：活性領域、図４０：ゲート領域）。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
ついで、ソースポリシリコン２５を堆積する（図４９：活性領域、図５０：ゲート領域）。このソースポリシリコン２５をエッチングする（図５１：活性領域、図５２：ゲート領域）。このエッチングにより、活性領域においては、第１のトレンチ８内に開口するコンタクトホール内にのみソースポリシリコン２５が残り、そのコンタクトホールがソースポリシリコン２５で埋められる。また、ゲート領域では、ソースポリシリコン２５は残らない。
ついで、層間絶縁膜２６を堆積し、その表面にレジストマスク５４を形成する（図５３：活性領域、図５４：ゲート領域）。このレジストマスク５４をマスクとして、層間絶縁膜２６およびマスク酸化膜３０を貫通するコンタクトホールを開口し、ｎ型不純物としてたとえば砒素をイオン注入する（図５５：活性領域、図５６：ゲート領域）。そして、拡散処理をおこなってｎ+ドレイン領域２９を形成する。最後に、メタル配線層の積層およびパターニングにより、コンタクト部１３，１５、第１の電極（ドレイン電極）１４および第２の電極（ソース電極）１６を形成し、図２５および図２６に示す断面構成が完成する。
（第６の例）
図５７は、トレンチ底部にソース領域が存在する２段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図２４の切断線Ｊ−Ｊ’で示す活性領域における断面構成は、図２５に示す構成において、第１のトレンチ８の側壁の上半部に沿って、ゲート絶縁膜２２よりも厚い層間絶縁膜４１を設けたものであり、図１８に示す構成と同じになる。また、図２４の切断線Ｋ−Ｋ’で示す活性領域における断面構成は、図２６に示す構成において、第２のトレンチ９の側壁の上半部に沿って、ゲート絶縁膜２２よりも厚い層間絶縁膜４１を設けたものである。重複する説明については省略する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図１８および図５７に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて図５８〜図７１を参照しながら説明する。まず、上述した第５の例と同様にして、ｐ-半導体基板２１にｎ-ドレイン領域２８を形成し、その表面にマスク酸化膜３０を形成する。そして、第１および第２のトレンチ（一段目）８，９を形成し、その内側に犠牲酸化膜５２を形成する（図２７〜図３４）。
ついで、層間絶縁膜４１を堆積する（図５８：活性領域、図５９：ゲート領域）。そして、この層間絶縁膜４１をエッチングし、第１および第２のトレンチ（一段目）８，９の側壁にのみ層間絶縁膜４１を残す（図６０：活性領域、図６１：ゲート領域）。ついで、残った層間絶縁膜４１をマスクとして再度トレンチエッチングをおこない、二段目の第１および第２のトレンチ８，９を形成する（図６２：活性領域、図６３：ゲート領域）。そして、二段目の第１および第２のトレンチ８，９の内側に犠牲酸化膜５５を形成する（図６４：活性領域、図６５：ゲート領域）。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
ついで、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｐ型不純物としてたとえばホウ素をイオン注入する（図６６：活性領域、図６７：ゲート領域）。Ｐベース領域３１の形成につづいて、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｎ型不純物としてたとえば砒素をイオン注入する（図６８：活性領域、図６９：ゲート領域）。そして、ｎ+ソース領域２７を形成する（図７０：活性領域、図７１：ゲート領域）。
ついで、犠牲酸化膜５５を除去した後、上述した第５の例の図４１〜図５６と同様にして、ゲート絶縁膜２２およびゲートポリシリコン２３を形成する。さらに、層間絶縁膜２４を形成し、ソースコンタクトのためのコンタクトホールを開口し、その中をソースポリシリコン２５で埋める。ついで、層間絶縁膜２６を堆積し、層間絶縁膜２６およびマスク酸化膜３０を貫通するコンタクトホールを開口し、イオン注入および拡散処理によりｎ+ドレイン領域２９を形成する。そして、コンタクト部１３，１５、第１の電極（ドレイン電極）１４および第２の電極（ソース電極）１６を形成し、図１８および図５７に示す断面構成が完成する。
（第７の例）
図７２および図７３は、トレンチ底部にドレイン領域が存在する１段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図７２は、図２４の切断線Ｊ−Ｊ’で示す活性領域における断面図である。図７２に示すように、第７の例の活性領域における断面構成は、図１５に示す第２の例の活性領域における断面構成において最上層の層間絶縁膜２６が設けられていないものである。したがって、説明が重複するので、第７の例の活性領域における断面構成の説明を省略する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図７３は、図２４の切断線Ｋ−Ｋ’で示すゲート領域における断面図である。図７３に示すように、ゲート領域では、ｐ-半導体基板２１に形成された第２のトレンチ９の底部には、ｎ+ドレイン領域２９が設けられている。また、第２のトレンチ９の底部には、拡張ドレイン領域となるｎ-ドレイン領域２８がｎ+ドレイン領域２９を囲むように設けられている。第２のトレンチ９内は、ゲート絶縁膜２２を介して、ゲートポリシリコン２３により埋められている。ゲートポリシリコン２３上には、層間絶縁膜２４が設けられている。
第２のトレンチ９の外側には、Ｐベース領域３１が設けられており、その表面層には、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６が形成されている。ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６の表面上には、マスク酸化膜３０が設けられている。第１の電極（ソース電極）１４は、マスク酸化膜３０を貫通するコンタクト部１３を介して、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６に電気的に接続し
ている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
図７２および図７３に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて図７４〜図１０３を参照しながら説明する。まず、ｐ-半導体基板２１の表面にマスク酸化膜３０を形成する（図７４：活性領域、図７５：ゲート領域）。そして、マスク酸化膜３０の表面に、メッシュパターンのレジストマスク５１を形成する（図７６：活性領域、図７７：ゲート領域）。
ついで、マスク酸化膜３０に、たとえば図２４に示すメッシュ状トレンチパターンを形成し、マスク酸化膜３０をマスクとしてトレンチエッチングをおこない、第１および第２のトレンチ８，９を形成する（図７８：活性領域、図７９：ゲート領域）。そして、犠牲酸化をおこない、第１および第２のトレンチ８，９内に犠牲酸化膜５２を形成した後、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｎ型不純物としてたとえばリンをイオン注入する（図８０：活性領域、図８１：ゲート領域）。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
ｎ-ドレイン領域２８の形成につづいて、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｎ型不純物としてたとえば砒素をイオン注入する（図８２：活性領域、図８３：ゲート領域）。そして、ｎ+ドレイン領域２９を形成する（図８４：活性領域、図８５：ゲート領域）。犠牲酸化膜５２を除去した後、第１および第２のトレンチ８，９内にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲートポリシリコン２３を堆積する（図８６：活性領域、図８７：ゲート領域）。
ついで、ゲートポリシリコン２３をエッチングし、シャドウ酸化をおこなってシャドウ酸化膜５３を形成する（図８８：活性領域、図８９：ゲート領域）。活性領域においては、ゲートポリシリコン２３は、第１のトレンチ８の側壁にのみ残る。ゲート領域においては、第２のトレンチ９の開口幅が第１のトレンチ８の開口幅よりも狭いため、第２のトレンチ９はゲートポリシリコン２３により完全に埋められる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
Ｐベース領域３１の形成につづいて、レジストマスク５６を形成し、Ｐベース領域３１にｎ型不純物としてたとえば砒素をイオン注入してｐ+プラグ領域３６を形成する（図９８：活性領域、図９９：ゲート領域）。そして、ｎ+ソース領域２７を形成する。ｎ+ソース領域２７の形成につづいて、レジストマスク５７を形成し、ｐ型不純物としてたとえばホウ素をイオン注入する（図１００：活性領域、図１０１：ゲート領域）。
ｐ+プラグ領域３６の形成につづいて、レジストマスク５８を形成する（図１０２：活性領域、図１０３：ゲート領域）。そして、エッチングをおこない、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６を露出させる。レジストマスク５８を除去した後、メタル配線層の積層およびパターニングにより、コンタクト部１３，１５、第１の電極（ソース電極）１４および第２の電極（ドレイン電極）１６を形成し、図７２および図７３に示す断面構成が完成する。
（第８の例）
図１０４および図１０５は、トレンチ底部にドレイン領域が存在する２段トレンチ構造のＴＬＰＭの断面構造を示す図である。図２４の切断線Ｊ−Ｊ’で示す活性領域における断面構成は、図７２に示す構成において、第１のトレンチ８の下半部から底部にかけて、ゲート絶縁膜２２よりも厚い層間絶縁膜４１を設けたものである。また、図２４の切断線Ｋ−Ｋ’で示す活性領域における断面構成は、図７３に示す構成において、第２のトレンチ９の底部に、ゲート絶縁膜２２よりも厚い層間絶縁膜４１を設けたものである。重複する説明については省略する。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
図１０４および図１０５に示す断面構成を有するＴＬＰＭの製造プロセスについて図１０６〜図１２５を参照しながら説明する。まず、上述した第７の例と同様にして、ｐ-半導体基板２１の表面にマスク酸化膜３０を形成する。そして、第１および第２のトレンチ（一段目）８，９を形成し、その内側に犠牲酸化膜５２を形成した後、第１および第２のトレンチ８，９（一段目）の底面にｎ型不純物としてたとえばリンをイオン注入する（図７４〜図８１）。
ついで、第１および第２のトレンチ（一段目）８，９の内側を犠牲酸化した後、窒化膜５９を堆積する（図１０６：活性領域、図１０７：ゲート領域）。この窒化膜５９をエッチングし、第１および第２のトレンチ（一段目）８，９の側壁にのみ残す（図１０８：活性領域、図１０９：ゲート領域）。ついで、残った窒化膜５９をマスクとして再度トレンチエッチングをおこない、二段目の第１および第２のトレンチ８，９を形成する。また、先にイオン注入したリンによってｎ-ドレイン領域２８を形成する（図１１０：活性領域、図１１１：ゲート領域）。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ついで、二段目の第１および第２のトレンチ８，９の底面およびｐ-半導体基板２１の表面に犠牲酸化膜６０を形成する（図１１２：活性領域、図１１３：ゲート領域）。ｐ-半導体基板２１の基板表面を覆うレジストマスク６１を形成し、第１および第２のトレンチ８，９の底面にｎ型不純物としてたとえば砒素をイオン注入する（図１１４：活性領域、図１１５：ゲート領域）。そして、レジストマスク６１を除去し（図１１６：活性領域、図１１７：ゲート領域）、犠牲酸化膜６０を除去する（図１１８：活性領域、図１１９：ゲート領域）。
ついで、第１および第２のトレンチ８，９内の底に層間絶縁膜４１を形成する。また、その際、先にイオン注入した砒素が拡散し、ｎ+ドレイン領域２９が形成される（図１２０：活性領域、図１２１：ゲート領域）。窒化膜５９を除去した後、第１および第２のトレンチ８，９の側壁にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲートポリシリコン２３を堆積する（図１２２：活性領域、図１２３：ゲート領域）。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
ついで、ゲートポリシリコン２３をエッチングする（図１２４：活性領域、図１２５：ゲート領域）。活性領域においては、ゲートポリシリコン２３は、層間絶縁膜４１上で第１のトレンチ８の側壁にのみ残る。ゲート領域においては、第２のトレンチ９の開口幅が第１のトレンチ８の開口幅よりも狭いため、第２のトレンチ９はゲートポリシリコン２３により完全に埋められる。
ついで、上述した第７の例の図９０〜図１０３と同様にして、層間絶縁膜２４を形成し、ドレインコンタクトのためのコンタクトホールを開口し、その中をドレインポリシリコン３５で埋める。ついで、Ｐベース領域３１、ｎ+ソース領域２７およびｐ+プラグ領域３６を形成する。そして、メタル配線層の積層およびパターニングにより、コンタクト部１３，１５、第１の電極（ソース電極）１４および第２の電極（ドレイン電極）１６を形成し、図１０４および図１０５に示す断面構成が完成する。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
以上、詳述したように、実施の形態１２によれば、第１の拡散領域であるソース領域（またはドレイン領域）が、活性領域のトレンチ底部だけでなく、ゲート領域のトレンチ底部にも存在するので、ゲート領域のトレンチ側への電流の回り込み量が増大する。したがって、十分に低オン抵抗化を図ることができる。
以上において本発明は、上述した各実施の形態に限らず、種々変更可能である。たとえば、非トレンチエッチング領域２は、長方形以外の四角形や、五角形以上の多角形などでもよい。また、ＴＬＰＭの断面構造も、図１２〜図２３に示す構成に限らず、たとえばトレンチ底部にソース領域が存在するＴＬＰＭにおいて、第１および第２のゲート領域のトレンチ９，７の底部に、ｎ+ソース領域２７とＰベース領域３１を設けた構成としてもよい。また、トレンチ底部にドレイン領域が存在するＴＬＰＭにおいて、第１および第２のゲート領域のトレンチ９，７の底部に、ｎ+ドレイン領域２９とＰベース領域３１を設けた構成としてもよい。