Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレンテレフタレート系繊維とポリトリメチレンテレテレフタレート系繊維からなる混用品であって、少なくとも該ポリエチレンテレフタレート系繊維が、酸化チタンを１〜３重量％含有し、繊維断面の異型度２．０〜５．０であり、繊維の周辺方向に３以上の谷間をもち、その内１以上の谷間を持つ辺の反対側に同数又はそれより１多い谷間をもち、繊維厚さに対する谷の深さの比率が０．１〜１．０、谷角度が１００〜１６０°のＷ断面構造であることを特徴とするポリエステル混用品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ポリエチレンテレフタレート系繊維とポリトリメチレンテレテレフタレート系繊維からなる混用品に関する。更に詳しくは、ポリトリメチレンテレテレフタレート系繊維のストレッチ性とポリエチレンテレフタレート系繊維の吸水速乾性と透け防止性を生かした混用品に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）ポリエチレンテレフタレート系繊維とポリトリメチレンテレテレフタレート系繊維からなる混用品であって、少なくとも該ポリエチレンテレフタレート系繊維が、酸化チタンを１〜３重量％含有し、繊維断面の異型度２．０〜５．０であり、繊維の周辺方向に３以上の谷間をもち、その内１以上の谷間を持つ辺の反対側に同数又はそれより１多い谷間をもち、繊維厚さに対する谷の深さの比率が０．１〜１．０、谷角度が１００〜１６０°のＷ断面構造であることを特徴とするポリエステル混用品。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のうち、ポリエチレンテレフタレート系繊維とは、エチレンテレフタレート単位を５０モル％以上、好ましくは７０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、特に好ましくは９０モル％以上のものをいう。従って、第三成分として他の酸成分及び／又はグリコール成分の合計量が、５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下、さらに好ましくは２０モル％以下、特に好ましくは１０モル％以下の範囲で含有されたポエチレンテレフタレートを意味する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において、ポリエチレンテレフタレート系繊維は、酸化チタン濃度が、１．０〜３．０重量％にすることが必要である。１．０重量％未満では、透け防止効果が不足するので好ましくない。又、３．０重量％を越えると、糸切れしたり染品位が低下し易い。より好ましくは、酸化チタン濃度は、１．５〜２．５重量％、更により好ましくは、１．７〜２．３重量％の範囲である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明において、ポリエチレンテレフタレート系繊維は、谷角度が１００〜１６０°にすることが好ましい。谷角度とは図１のθで示される値である。谷角度が１００°未満でも１６０°を越えた場合でも透け防止効果は不足する。より好ましくは、谷角度が１１０〜１５０°の範囲である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
オイリングノズルの位置は、低張力で紡糸し、糸切れを少なくする為には、紡口口金下、２．５ｍ以内にするのが好ましく、より好ましくは、２ｍ以内にすることが好ましい。この際、オイリングノズル上の糸速が２０００ｍ／ｍｉｎ以下にすることが好ましい。２０００ｍ／ｍｉｎを越した場合、紡糸の際にオイリングノズル上に削りかすが直ぐに付着し、仕上げ剤の付着斑が起こり、その結果、染品位が低下し易いので好ましくない。下限については特に規定はしないが、１ステップで生産する場合には、効率を失はない為には、少なくとも１０００ｍ／ｍｉｎ以上にすることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明において、ポリトリメチレンテレフタレート系繊維とは、トリメチレンテレフタレート単位を主たる繰り返し単位とするポリエステル繊維をいい、トリメチレンテレフタレート単位を５０モル％以上、好ましくは７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、特に好ましくは９０モル％以上のものをいう。従って、第三成分として他の酸成分及び／又はグリコール成分の合計量が、５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下、さらに好ましくは２０モル％以下、特に好ましくは１０モル％以下の範囲で含有されたポリトリメチレンテレフタレートを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ＧａＮＰ層に含まれているリン原子が、この窒化物半導体結晶構造のＩＩＩ族サイトに添加されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記ＧａＮＰ層の前記母材基板に接する面から、前記ＧａＮＰ層の前記母材基板に接する面と反対側の面までの距離が、０．２μｍ以上５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載のエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板と、
前記エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板上に設けられた窒化物半導体層と
を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここで、上記構成のＥＬＯ基板の作製方法について、ＧａＮを母材基板１０１の素材とした構成を例として説明する。
まず、化学気相成長（ＣＶＤ）法により、ＧａＮ母材基板１０１の主面に接してＳｉＯ2層（保護膜）を成長させた後、このＳｉＯ2層（保護膜）をストライプ状またはドット状にエッチングして、島状保護膜１０２を形成した。
次に、この島状保護膜１０２が設けられた母材基板１０１を、洗浄した後、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置などの、基板加熱機構を備えた反応炉内に有機金属原料を含む原料ガスを供給する公知の結晶成長装置内に設置した。この母材基板を水素雰囲気中で熱処理（約１１００℃、約１０分間）した後、基板温度を７００℃〜１０５０℃に調熱し、反応炉内に約５０μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）と、約０．０１μｍｏｌ／ｍｉｎ〜２μｍｏｌ／ｍｉｎのホスフィン（ＰＨ3）とを供給して、０．３μｍ／ｈ以下のゆっくりした成長速度で厚さ（母材基板の主面からの厚さ）０．２μｍ〜５μｍのＧａＮＰ層１０３を成長させた。なお、各原料ガスの供給割合は、１０１３２４．７２Ｐａ、２５℃の条件で換算したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
例えば、上型温度Ｔ１が４５０℃、下型温度Ｔ２が５５０℃になった時点で、アクチュエータユニット１９を駆動して上型１４ａを上側に移動させて、光学素子材料を離型させる。上型１４ａを離型させたのち、下型温度Ｔ２を常温ＲＴ近傍まで下降させ、下型１４ｂから光学素子製品を取り出す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上述の温度制御は以下の如く実現される。つまり、上金型温度Ｔ１および下金型温度Ｔ２は、それぞれに挿入された上型温度計測手段１８ａおよび下型温度計測手段１８ｂによって測定されて、制御器１７に入力される。制御器１７にて設定された目標となる温度と上型１４ａおよび下型１４ｂの測定温度をもとに、一般的に知られるＰＩＤ制御方式などの制御方式を用いて所望の操作量を算出し、算出された操作量をインバータ出力電力調整用の外部入力手段に入力することで、目標温度への温度追従制御を上下個別に実現している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（６）チトクロームＣの吸着率
ｐＨ４に調整した５００μｇ／ｍｌのチトクロームＣ水溶液を１００ｍｌ採取し、これに試料０．３ｇを投入して３０℃の恒温インキュベ−ターで１時間浸透後、５Ｃの濾紙を用いて濾過した。この濾液中のチトクロームＣの残量を分光光度計を用いて吸光度（波長４１０ｎｍ）を測定し、初期濃度との差から吸着率を求めた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上皮のホメオスタシスを維持する化粧品又は皮膚科学的組成物製剤の製造のための、少なくとも一つのＥｃＲ受容体リガンドの使用。
【請求項２】
ＥｃＲ受容体リガンドがエクディステロイドである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
ＥｃＲ受容体リガンドがハロフェノジドである、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
ＥｃＲ受容体リガンドがメトキシフェノシドである、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
ＥｃＲ受容体リガンドがテブフェノジドである、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
ＥｃＲ受容体リガンドがヒドラジドである、請求項１に記載の使用。
【請求項７】
ＥｃＲ受容体リガンドがベンズアミドである、請求項１に記載の使用。
【請求項８】
ＥｃＲ受容体リガンドがクエルセチンである、請求項１に記載の使用。
【請求項９】
ＥｃＲ受容体リガンドがクメストロールである、請求項１に記載の使用。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の少なくとも一つのＥｃＲ受容体リガンドを含む組成物の化粧品として有効な量をヒトの皮膚へ適用することを特徴とする、上皮のホメオスタシスを維持する化粧処置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
毛髪の喪失の防止を意図する化粧品又は皮膚科学的組成物を製造するための、少なくとも一つのエクディステロイド又は少なくとも一つのエクディステロイド同族体又は少なくとも一つのエクディステロイド誘導体の使用。
【請求項２】
エクディステロイド、エクディステロイド同族体又はエクディステロイド誘導体を以下から選択することを特徴とする、請求項１に記載の使用：エクディステロン、エクディゾン、ムリステロンＡ、ポナステロンＡ、Ｂ及びＣ、イノコステロン、リムナンテオシドＡ及びリムナンテオシドＢ、アジュガステロンＢ及びアジュガステロンＣ、トゥルケステロン、ダクリハイナンステロン、カラダステロン、ポデクディゾン、スタキステロン、又は７，９(１１)−ジエン−６−オンエクディステロイド。
【請求項３】
組成物がさらに化粧品成分を含むことを特徴とする、請求項１又は２のいずれか１項に記載の使用。
【請求項４】
組成物がさらに水、アルコール及び一又は複数の化粧品として受容可能な有機溶媒を含むことを特徴とする、請求項１ないし３の１項に記載の使用。
【請求項５】
組成物がさらに一又は複数の化粧品として受容可能な添加物を含むことを特徴とする、請求項１ないし４の１項に記載の使用。
【請求項６】
化粧品又は皮膚科学的組成物が自然の原因又は医薬品が関連する原因による毛髪の喪失の阻止を意図することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
少なくとも一つのエクディステロイド又はエクディステロイド誘導体を含む組成物の化粧品として有効な量を個々の頭皮の問題となる領域へ適用することを特徴とする、毛髪の喪失を阻止する化粧処置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
Ｍｇ：缶エンドとして必要な強度を得るために基本的な合金成分であり、用途に応じて含有量が調整される。Ｍｇの好ましい含有量は１．５％以上２．８％以下の範囲であり、この範囲において、Ｍｇ含有量が多いほど、熱間圧延時に転位網が形成され、これを核として種々の方位の再結晶粒が形成されるため、熱間圧延終了時点でＣｕｂｅ方位への集中が抑制され、結果として冷間圧延後の０−１８０°耳を抑制することができる。Ｍｇ含有量が１．５％未満では十分な強度が得難く、２．８％を越えると、Ｍｇ−Ｓｉ系晶出物が多くなり、また、冷間圧延で板耳部に割れが生じ易く生産性を低下させる。Ｍｇのより好ましい含有量は１．８〜２．６％である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
Ｍｎ：強度を高めるよう機能する。Ｍｎの好ましい含有量は０．４〜１．０％の範囲であり、この範囲において、Ｍｎの含有量が多いほど、Ｍｎ固溶量の増加、あるいはＡｌ−Ｍｎ系微細析出物の増加により、熱間圧延時の粒界移動が妨げられるため、熱間圧延終了時点で、Ｃｕｂｅ方位への集中を抑制することができ、結果として冷間圧延後の０−１８０°耳を４５°耳より小さく制御することができる。Ｍｎ含有量が０．４％未満では上記の効果が十分でなく、１．０％を越えると、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系晶出物が増え過ぎて冷間圧延時の耳割れが生じ易くなり、また缶蓋の開口の安定性が低下し易い。Ｍｎのより好ましい含有範囲は０．４６〜０．９％である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
Ｆｅ：Ｍｎとともに数μｍ程度までの大きさのＡｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系晶出物を形成し、これが熱間圧延時の再結晶核となって種々の方位の結晶粒を形成し、このため熱間圧延終了時点で、結晶粒の方位がＣｕｂｅ方位へ集中するのを抑制することができ、結果として冷間圧延後の０−１８０°耳を４５°耳より小さく制御することができる。Ｆｅの好ましい含有量の上限は０．３５％以下、さらに好ましくは０．２８％以下の範囲であり、Ｆｅの含有量が０．３５％を越えると前記の金属間化合物が増え過ぎて冷間圧延時に耳割れが生じ易く、缶蓋の開口の安定性が低下し易くなる。Ｆｅの含有量が０．０５％未満ではＡｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系晶出物の量が少なくなり上記の効果が得られないばかりか、鋳造時の地金純度と関係し、０．０５％未満では高純度の地金を使用しなければならずコスト高となるため、Ｆｅ含有量は０．０５％以上とするのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ヒトに齲食を起こすいわゆる齲食原因菌は無菌ラットを用いた実験的研究ならびに数々の疫学的研究から連鎖球菌群に属するStreptococcus mutansとS. sobrinusであることが明らかにされている（非特許文献１）。本発明者らは細菌が保有する巨大構造物ペプチドグリカンを代謝分解する酵素（溶菌酵素）を研究する過程でS. mutansが産生する溶菌酵素に着目し、研究をすすめている（非特許文献２）。ペプチドグリカンは生物の中で真性細菌及び古細菌のみが有する構造物で、糖鎖とペプチド鎖がおりなすメッシュワーク構造をとり、菌体を包み込み、約２０気圧といわれる内圧を受け止めて細菌の形を保持するための骨格にあたる構造である。ペプチドグリカンはその特異性から、古くから抗菌化学療法剤の標的と関連づけて考えられてきた。いわゆる抗生物質の端緒となったペニシリンGに始まるβ-ラクタム系薬剤を始め、多くの抗菌化学療法剤はペプチドグリカン生合成系に作用する薬物である。動物細胞が薬剤標的を持たないことからβ-ラクタム系薬剤は優れた選択毒性を示し、副作用の少ない薬剤として汎用されてきた。
一方、馬場久衛らは、S. mutansが産生する本件に近似の酵素AL-7に関し発表しており（非特許文献３〜５）、この酵素AL-7がS.Sanguis及びS.mutansの加熱菌体を選択的に溶解することを明らかにしている。
これら以外にも、S.mutansの産生する酵素に関していくつかの例が知られている（特許文献１〜２等）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この結果、図１に示すように、高分子量域に２本の溶菌バンドが認められた。粗酵素標品をSDS-電気泳動にかけた後、ゲル中のタンパク質をクマシーブリリアントブルーで染色し、先のZymogramと比較検討することから溶菌バンドに対応するタンパク質バンドを見極めた。そのタンパク質バンド２本（ふたつの溶菌活性に対応）を含むゲルを切り出し、ナイロン（登録商標）膜に転写し、気相アミノ酸シークエンサー(Model 49X Procise)にかけた。得られたアミノ酸配列(配列番号１)をもとにTIGR unfinished Streptococcus mutans UAB159 DNA sequence databaseを用いて、対応するアミノ酸配列に相当する塩基配列(配列番号２)を含有するDNA断片を見出した。
得られた二つのDNA断片は、同じタンパク質をコードしており、一方は合成されたタンパク質が分泌された後に、菌体上で他のタンパク質分解酵素によって限定分解を受けた結果生じた産物であることが明らかとなった。すなわち、Lyt100は24個のシグナル配列を持ち、成熟型で104.424 kDa、そののちアミノ末端側182残基が限定分解を受けてはずれ、89.680 kDaとなることが明らかになった。
この全長のタンパク質をコードしているDNAをもとにプライマーを作成し（配列番号３、４）、S. mutans C67-1染色体を鋳型として成熟型酵素タンパク質をコードしているDNAを増幅した。このDNAを発現ベクターpQE30に組み込み、E. coli M-15を形質転換した。得られた形質転換体の一つをGY122と名付けた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネートモノオールおよびポリオール、ならびにポリオキシテトラメチレンモノオールおよびポリオールからなる群から選ばれる少なくとも一種を開始剤として用い、有機配位子を有する複合金属シアン化物錯体触媒の存在下に、前記開始剤に対してアルキレンオキシドを開環付加重合するポリエーテル類の製造法であって、前記開始剤の数平均分子量（Ｍｎ1）および重量平均分子量（Ｍｗ1）、ならびに前記開始剤にアルキレンオキシドを開環付加重合して得られる前記ポリエーテル類の数平均分子量（Ｍｎ2）および重量平均分子量（Ｍｗ2）の間に以下の関係：
Ｍｎ1＝３００〜２００００；
Ｍｗ1／Ｍｎ1≧１．２；
Ｍｎ2／Ｍｎ1≧１．５；および
（Ｍｗ2／Ｍｎ2）／（Ｍｗ1／Ｍｎ1）＜０．８
をもたせることを特徴とするポリエーテル類の製造法。
【請求項２】
前記複合金属シアン化物錯体触媒が、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉｓｏ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアルコール、ｉｓｏ−ペンチルアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、エチレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ｉｓｏ−プロピルアルコール、およびジオキサンから選ばれる１種または２種以上を有機配位子として有することを特徴とする、請求項１に記載のポリエーテル類の製造法。
【請求項３】
前記複合金属シアン化物錯体触媒が、開環付加重合直後のポリエーテル類中に、１０〜８０ｐｐｍ存在することを特徴とする、請求項１又は２に記載のポリエーテル類の製造法。
【請求項４】
前記アルキレンオキシドの開環付加重合温度が、３０〜１８０℃である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリエーテル類の製造法。
【請求項５】
前記アルキレンオキシドが、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、１，２−ブチレンオキシド、２，３−ブチレンオキシド、エピクロロヒドリン、オキセタン、スチレンオキシド、テトラヒドロフランの群から選ばれる１種または２種以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリエーテル類の製造法。
【請求項６】
前記ポリエーテル類は、開始剤に、一種類のアルキレンオキシドを単独重合させるか、二種以上のアルキレンオキシドをブロック共重合および／またはランダム共重合させたポリエーテル類であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリエーテル類の製造法。
【請求項７】
Ｍｎ2／Ｍｎ1が、１．５〜５．０である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のポリエーテル類の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポリエーテル類の製造法
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次に、金属粉末をＴｉ粉末に変更した例を説明する。
図１（ｂ）での粉末１２をＴｉ粉末に変更し、他の条件はそのままで図１（ｅ）まで進めた。ただし、真空炉２０の温度条件及び圧力条件は次のとおりとした。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
実施の形態１  図１に示すものであり、袋素材帯Ｆとして熱可塑性合成樹脂をインフレーション方式によりチューブラーフイルムの両側又は片側ガゼット折り込み１０したものを用い、又はガゼット折り込み１０の片側のガゼット折り込み底１１又はガゼット折り込みのない側縁を順次切開１２し、この袋素材帯Fを通常製袋すべき袋の幅相当寸法ピッチの間隔で間歇移送しその停止時毎に前記切開１２とは反対側のガゼット折り込み１３の各二枚毎のフイルムをその折り曲げ縁１４より斜め４５度にハの字に溶着して傾斜溶着部１５を順次形成し、これと同一ステーションの先の切開１２によって形成された折り返し部１６部分を含めて、一括に手提げ用の長孔１８を穿孔する。折り返し部１６の無い袋素材帯Fを用いる場合はそのまま長孔１８を穿孔してある。よって前記長孔１８及びその周りのフイルムによって形成されている吊り下げ手２２は袋の厚みと同じである。  このステーションより、袋素材帯Ｆの搬送方向を基準として下流側の別のステーションにおいて、前記ハの字の傾斜溶着部１５の丁度中間を袋素材帯Ｆの横断方向に、双方のガゼット折り込み１０及び１３の部分を含めて、横断方向にやや広幅例えば５ｍｍ乃至７ｍｍに溶着するか、或いはこれと同時にその溶着部の幅のセンターを溶断し、両側に溶着部１７のある底ガゼット両サイド溶着型の袋Ｂを順次製袋する。  前記溶着部１７をやや広幅に溶着する代わりに、細い二本溶着の場合もある。前記の溶断の代わりに溶着ステーションの下流側のステーションにおいて二本の溶着部の間を切断する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次にその下流側に任意のステーションS２において、袋の底と手提げ部を形成する袋素材帯F１の横断方向に両ガゼット折り込み１３ａを含む四枚のフイルムを溶着し、その溶着部１７ａの幅の中央を溶断２６とする。このとき前記溶着部１７ａの位置は前記傾斜溶着部１５ａの延長線上であり、ガゼット折り込み底１９ａの交点Pを通る位置とする。  或いは広幅に熱溶着部１７ａを形成し、更に次のステーションにおいて溶着幅の中央を切断する。吊り下げ手２２ａのトップの吊り下げ手溶着部１７ｂとに分割される（図９参照）。或いは同一ステーションにおいて、同時に溶断する。  このようにして密閉袋B０を順次製袋し、これらを整然と適宜枚数ずつ重ね、前記の吊り下げ手及び開口部を形成するため、密閉袋Ｂ０の一端の両側のガゼット折り込み１３ａ部からＵ字乃至緩やかなＷ字形状に総型カッターによって一括打ち抜き３３し、実施の形態４の吊り下げ手２２ａのある袋Ｂ１を製造する。  この袋の製袋方法に用いる溶着装置３０は左右２組設けてあり、相互に相接近離反し（図１０参照）、任意の場所で機枠に固定自在に設けてあり、袋素材帯Ｆ２の幅に対応可能に設けてある。また片側の傾斜溶着装置を更に溶着装置３０ａを付加して、袋素材帯Ｆ１の片側のみがハ字型の溶着装置としてある。  このようにすれば、図９の左側の溶着装置３０のヒートシーラ３２を長孔１８を設ける穿孔刃に取り替えれば、実施の形態1乃至３の製袋にも使用でき、実施の形態４に使用するときは、前記溶着装置３０ａのヒートシーラを外して使用しないか、この電熱スイッチを切っておけばよく、前記のすべての実施の形態の製袋に対応できる。  その他実施の形態１と同一符号の所は同一の部分を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上域に帯状カバーフイルムの搬送軌道を、その下域に、前記帯状カバーフイルムの搬送軌道に沿ってトレイの搬送軌道をそれぞれ配置する一方、前記トレイ搬送軌道下域の一定高さレベルを保つベースプレート上に脚材を介して固定したプラットホームを、前記のトレイの搬送軌道に配置し、前記トレイの搬送軌道から前記プラットホームに送り込まれるトレイのフランジ部分を、前記プラットホームの周りに配置した枠型のシール台で下から支えて前記トレイに盛り付けた被包装物と一体に前記帯状フイルムに向けて押し上げ、さらに前記帯状フイルムを前記シール台でもって上域のコイルスプリングの反力が作用する加圧要素に押し付けると共に、前記トレイフランジを上域のシール枠に押つけて前記カバーフイルムを前記トレイのフランジに圧溶着するシール装置であって、前記シール台の下側に箱ブロックを連結する共に、前記箱ブロックの内側に、前記プラットホーム周囲に近接囲繞する筒型のポンプ壁を設ける一方、前記シール台における前記トレイ載置域外側に開口した吸引穴の他端を、前記ポンプ壁内部のポンプ空間に開口する装置。
【請求項２】
ポンプ壁の内外を連通するポートを形成し、該ポートの外側の端に、流量調整弁を備える空気吸入ラインを設けた請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ポンプ壁の内外を連通するポートの外側の端に、流量調整弁を備える不活性ガス吸入ラインを設けた請求項１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
なお前記上域の、シール枠の周囲に配置するフイルム押さえ機構は、前記トレイが前記上域のシール枠に接触するよりも以前に、上昇する前記のシール台に弾性圧着して前記トレイの周りで前記フイルムを前記シール台に密着させる。結局このフイルム押さえ機構は、前記トレイに盛り上げ配置した被包装物に山形に被さる前記フイルムを緊張状に前記シール台に押し付け、同フイルムを、皺を取り除いた状態でトレイに溶着するという看護的な働きをする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上域に帯状カバーフイルムの搬送軌道を、その下域に、前記帯状カバーフイルムの搬送軌道に沿ってトレイの搬送軌道をそれぞれ配置する一方、前記トレイ搬送軌道下域の一定高さレベルを保つベースプレート上に脚材を介して固定したプラットホームを、前記のトレイの搬送軌道に配置し、前記トレイの搬送軌道から前記プラットホームに送り込まれるトレイのフランジ部分を、前記プラットホームの周りに配置した枠型のシール台で下から支えて前記トレイに盛り付けた被包装物と一体に前記帯状フイルムに向けて押し上げ、さらに前記帯状フイルムを前記シール台でもって上域のコイルスプリングの反力が作用する加圧要素に押し付けると共に、前記トレイフランジを上域のシール枠に押つけて前記カバーフイルムを前記トレイのフランジに圧溶着するシール装置であって、前記シール台の下側に箱ブロックを連結する共に、前記箱ブロックの内側に、前記プラットホーム周囲に近接囲繞する筒型のポンプ壁を設ける一方、前記シール台における前記トレイ載置域外側に開口した吸引穴の他端を、前記ポンプ壁内部のポンプ空間に開口して構成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図２は装置全体の正面図であり、一方図３は同側面図であって、これら両図面において装置の全体構造の説明をすると、枠型の４本柱からなるメインフレーム１６を、その上下ほぼ中間に固定するベースプレート２０の両側スライダー２４を介して両側一対のレール１７上にスライド自在に支持し、前記ベースプレート２０の中間下面に固定した雌ねじ部材２２を、モータ２５を動力源とするねじ棒２３に係合するので、前記ねじ棒２３の正逆転によって前記メインフレーム１６は、前記レール１７に沿って矢印５３，５４の方向に往復動する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また図３においては前記トレイの運搬軌道の上に、各トレイ１０と同速度で移動する帯状のカバーフイルム４１をリール４２の回転で巻き取る機構を設置する。前記フイルム４１は、基本的には１ピッチずつ断続移動する構成であるが、前記トレイ１０と対向するフイルム面の移動は、前記トレイ１０の移動と同調する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１における枠型のシール台２８は、下側の箱ブロック５５に支えられ該ブロック内側には同ブロック５５と一体の筒型ポンプ壁５６を、前記プラットホーム２７の周りに近接して配置する。なお前記シール台２８の上面に、前記トレイ１０を取り囲むように形成した連続的な溝５７は、上域から切断刃５０が突入するフイルムカット溝であり、この溝５７と、前記ポンプ壁５６内に形成したポンプ空間５８との間に、空気の吸引穴６０を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図７の状態にあるシール台２８が、図８下方の矢印６１の方向から作用する動力により上昇する過程で、同シール台２８はトレイ１０を支えて持ち上げるが、このとき脚２６を介して下域のベースプレート２０に固定するプラットホーム２７と、前記トレイ１０との間のポンプ空間５８の容積を次第に拡大するので、該空間５８の真空化によりカバーフイルム４１下域の空気を吸引穴６０を通して前記ポンプ空間５８に吸い込み、前記フイルム４１の下域を負圧化する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006044732.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（iv）この時間分解型光路分布［li］は、被計測媒体と同一の散乱特性（不均一であってよい）と境界条件をもつが、屈折率分布が一様で、且つ吸収がない仮想媒体を仮想して計算することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
次に、光入射位置ｐから仮想媒体内にインパルス光を入射し、時間t'＝０において光入射位置ｐから入射した光子が時間t'＝t'においてvoxe1ｉ内に存在する光子存在確率密度Ｕpi(t')を計算する。続いて、光検出位置ｑから仮想媒体内にインパルス光を入射し、時間t-t'＝０において光検出位置ｑから入射した光子が時間 t-t'においてvoxe1ｉ内に存在する光子存在確率密度Ｕqi(t-t')を計算する。そして、（２．２）式に従って、有限格子モデル内に光入射位置ｐからインパルス光を入射する場合に、光検出位置において時間ｔの時点で検出されるインパルス応答ｓ(t)を構成する光路長がｌとなる光子集合が、光検出位置において検出される以前の時間t'(0≦t'≦t)の時点にvoxe1ｉに存在する光子存在確率密度Ｕi(t',t)を計算する（Ｓ５）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
次に、光入射位置ｐから仮想媒体内にインパルス光を入射し、時間t'＝０において光入射位置ｐから入射した光子が時間t'＝t'においてvoxe1ｉ内に存在する光子存在確率密度Ｕpi(t')を計算する。続いて、光検出位置ｑから仮想媒体内にインパルス光を入射し、時間t-t'＝０において光検出位置ｑから入射した光子が時間t'-tにおいてvoxe1ｉ内に存在する光子存在確率密度Ｕqi(t-t')を計算する。そして、（２．２）式に従って、有限格子モデル内に光入射位置ｐからインパルス光を入射する場合に、光検出位置において時間ｔの時点で検出されるインパルス応答ｓ(t)を構成する光路長がｌとなる光子集合が、光検出位置において検出される以前の時間t'(0≦t'≦t)の時点にvoxe1ｉに存在する光子存在確率密度Ｕi(t',t)を計算する（Ｓ５）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2001264245.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001264245.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、
光学的なパワーを有する部材として、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含むとともに正のパワーを有する結像光学系と、負のパワーを有する曲面ミラーと、を含み、かつ、全体で正のパワーを有する投影光学系を備え、
前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線は前記スクリーン面に斜めに入射し、以下の条件式(2)及び(3)を満足することを特徴とするリアプロジェクション光学系；
0.5＜dL／Fx＜2.5 …(2)
0.5＜dL／Fy＜2.5 …(3)
ただし、
dL：パネル表示面の画面対角線の長さ、
Fx：投影光学系のx方向の焦点距離、
Fy：投影光学系のy方向の焦点距離、
Fx＝Δ／sinθx
Fy＝Δ／sinθy
であり、ここで、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、投影光学系に画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が投影光学系の最終面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθx，θyとする。
【請求項２】  さらに以下の条件式(4)及び(5)を満足することを特徴とする請求項１記載のリアプロジェクション光学系；
1.0＜fpx／Fx＜5.5 …(4)
1.0＜fpy／Fy＜5.5 …(5)
ただし、
fpx：結像光学系のx方向の焦点距離、
fpy：結像光学系のy方向の焦点距離、
fpx＝Δ／sinθpx
fpy＝Δ／sinθpy
であり、ここで、結像光学系の第１面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、結像光学系の第１面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、結像光学系に画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が結像光学系の最終面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθpx，θpyとする。
【請求項３】  さらに以下の条件式(6)及び(7)を満足することを特徴とする請求項１記載のリアプロジェクション光学系；
-1.5＜fpx／fnx＜-0.03 …(6)
-1.5＜fpy／fny＜-0.03 …(7)
ただし、
fpx：結像光学系のx方向の焦点距離、
fpy：結像光学系のy方向の焦点距離、
fnx：曲面ミラーのx方向の焦点距離、
fny：曲面ミラーのy方向の焦点距離、
fpx＝Δ／sinθpx
fpy＝Δ／sinθpy
fnx＝Δ／sinθnx
fny＝Δ／sinθny
であり、ここで、結像光学系の第１面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、結像光学系の第１面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、結像光学系に画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が結像光学系の最終面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθpx，θpyとし、また、曲面ミラーの反射面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、曲面ミラーの反射面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、曲面ミラーに画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が曲面ミラーの反射面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθnx，θnyとする。
【請求項４】  さらに以下の条件式(8)を満足することを特徴とする請求項１記載のリアプロジェクション光学系；
1.0＜(d2×cosθ)／d1＜3.0 …(8)
ただし、
d1：結像光学系の最終面から曲面ミラーまでの画面中心光線の光路長、
d2：曲面ミラーからスクリーン面までの画面中心光線の光路長、
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の発明のリアプロジェクション光学系は、パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、光学的なパワーを有する部材として、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含むとともに正のパワーを有する結像光学系と、負のパワーを有する曲面ミラーと、を含み、かつ、全体で正のパワーを有する投影光学系を備え、
前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線は前記スクリーン面に斜めに入射し、以下の条件式(2)及び(3)を満足することを特徴とするリアプロジェクション光学系。
0.5＜dL／Fx＜2.5 …(2)
0.5＜dL／Fy＜2.5 …(3)
ただし、
dL：パネル表示面の画面対角線の長さ、
Fx：投影光学系のx方向の焦点距離、
Fy：投影光学系のy方向の焦点距離、
Fx＝Δ／sinθx
Fy＝Δ／sinθy
であり、ここで、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、投影光学系に画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が投影光学系の最終面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθx，θyとする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、
前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含む結像光学系と、平面ミラーと、曲面ミラーと、スクリーン面に対してほぼ平行に対向する対向ミラーと、を備え、
前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、スクリーン面に入射する画面中心光線とスクリーン面の法線とが成す平面に対して、前記平面ミラーに入射する画面中心光線が平行でないことを特徴とするリアプロジェクション光学系。
【請求項２】  パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、
少なくとも１つの透過型光学素子から成る透過型の結像光学系と、曲面ミラーと、前記結像光学系と前記曲面ミラーとの間で光路を折り曲げる平面ミラーと、を備え、
前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、スクリーン面に入射する画面中心光線とスクリーン面の法線とが成す平面に対して、前記平面ミラーに入射する画面中心光線が平行でないことを特徴とするリアプロジェクション光学系。
【請求項３】  前記結像光学系が正のパワーを有し、前記曲面ミラーが負のパワーを有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のリアプロジェクション光学系。
【請求項４】  さらに以下の条件式(1)を満足することを特徴とする請求項３記載のリアプロジェクション光学系；
0.2＜d1／H＜1.0 …(1)
ただし、
d1：結像光学系の最終面から曲面ミラーまでの画面中心光線の光路長、
H：スクリーン面に入射する画面中心光線とスクリーン面の法線とが成す平面に対して平行方向のスクリーン面の大きさ、である。
【請求項５】  前記結像光学系及び前記曲面ミラーを含むとともに光学的なパワーを有する全ての部材から成る光学系を投影光学系とするとき、さらに以下の条件式(3)及び(4)を満足することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のリアプロジェクション光学系；
0.5＜dL／Fx＜2.5 …(3)
0.5＜dL／Fy＜2.5 …(4)
ただし、
dL：パネル表示面の画面対角線の長さ、
Fx：投影光学系のx方向の焦点距離、
Fy：投影光学系のy方向の焦点距離、
Fx＝Δ／sinθx
Fy＝Δ／sinθy
であり、ここで、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、投影光学系に画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が投影光学系の最終面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθx，θyとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の発明のリアプロジェクション光学系は、パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含む結像光学系と、平面ミラーと、曲面ミラーと、スクリーン面に対してほぼ平行に対向する対向ミラーと、を備え、前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、スクリーン面に入射する画面中心光線とスクリーン面の法線とが成す平面に対して、前記平面ミラーに入射する画面中心光線が平行でないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の発明のリアプロジェクション光学系は、パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、少なくとも１つの透過型光学素子から成る透過型の結像光学系と、曲面ミラーと、前記結像光学系と前記曲面ミラーとの間で光路を折り曲げる平面ミラーと、を備え、前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、スクリーン面に入射する画面中心光線とスクリーン面の法線とが成す平面に対して、前記平面ミラーに入射する画面中心光線が平行でないことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第５の発明のリアプロジェクション光学系は、上記第１〜第４のいずれか一つの発明の構成において、前記結像光学系及び前記曲面ミラーを含むとともに光学的なパワーを有する全ての部材から成る光学系を投影光学系とするとき、さらに以下の条件式(3)及び(4)を満足することを特徴とする。
0.5＜dL／Fx＜2.5 …(3)
0.5＜dL／Fy＜2.5 …(4)
ただし、
dL：パネル表示面の画面対角線の長さ、
Fx：投影光学系のx方向の焦点距離、
Fy：投影光学系のy方向の焦点距離、
Fx＝Δ／sinθx
Fy＝Δ／sinθy
であり、ここで、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線の進む方向をz軸の方向とし、投影光学系の第１面に入射する画面中心光線と入射法線とで決定される平面(すなわち入射面)に垂直な方向をx軸の方向とし、z軸及びx軸に直交する方向をy軸の方向とするローカルな左手系の直交座標系(x,y,z)において、投影光学系に画面中心光線からx軸，y軸の方向にそれぞれ微小量Δだけ平行シフトした光線を入射させ、その光線が投影光学系の最終面から射出されるときに画面中心光線と成す角度をθx，θyとする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、
光学的なパワーを有する部材として、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含むとともに正のパワーを有する結像光学系と、負のパワーを有する曲面ミラーと、を含む投影光学系を備え、
前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、以下の条件式(1)を満足することを特徴とするリアプロジェクション光学系；
1.0＜(d2×cosθ)／d1＜3.0 …(1)
ただし、
d1：結像光学系の最終面から曲面ミラーまでの画面中心光線の光路長、
d2：曲面ミラーからスクリーン面までの画面中心光線の光路長、
である。
【請求項２】  パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、
光学的なパワーを有する部材として、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含むとともに正のパワーを有する結像光学系と、負のパワーを有する曲面ミラーと、を含む投影光学系を備え、
前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、以下の条件式(3)を満足することを特徴とするリアプロジェクション光学系；
0.5＜dL／F'＜2.5 …(3)
ただし、
dL：パネル表示面の画面対角線の長さ、
F'：投影光学系の近似焦点距離、
F'＝(1+β)2／(β×D)
β：投影倍率、
D：パネル表示面からスクリーン面までの画面中心光線の光路長、
であり、近似焦点距離F'は方向によって異なる場合があるが、すべての方向における焦点距離の意味を含むものとする。
【請求項３】  さらに以下の条件式(4)を満足することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のリアプロジェクション光学系；
1.0＜fp／F'＜5.5 …(4)
ただし、
fp：結像光学系の焦点距離、
F'：投影光学系の近似焦点距離、
F'＝(1+β)2／(β×D)
β：投影倍率、
D：パネル表示面からスクリーン面までの画面中心光線の光路長、
であり、近似焦点距離F'は方向によって異なる場合があるが、すべての方向における焦点距離の意味を含むものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の発明のリアプロジェクション光学系は、パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、光学的なパワーを有する部材として、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含むとともに正のパワーを有する結像光学系と、負のパワーを有する曲面ミラーと、を含む投影光学系を備え、前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、以下の条件式(1)を満足することを特徴とする。
1.0＜(d2×cosθ)／d1＜3.0 …(1)
ただし、
d1：結像光学系の最終面から曲面ミラーまでの画面中心光線の光路長、
d2：曲面ミラーからスクリーン面までの画面中心光線の光路長、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の発明のリアプロジェクション光学系は、パネル表示面の画像をスクリーン面上に投影するリアプロジェクション光学系であって、光学的なパワーを有する部材として、前記パネル表示面から前記スクリーン面への光路順に、少なくとも１つの透過型光学素子を含むとともに正のパワーを有する結像光学系と、負のパワーを有する曲面ミラーと、を含む投影光学系を備え、前記パネル表示面の画面中心から絞りの中心を通り前記スクリーン面の画面中心に到達する光線を画面中心光線とするとき、画面中心光線はスクリーン面に斜めに入射し、以下の条件式(3)を満足することを特徴とする。
0.5＜dL／F'＜2.5 …(3)
ただし、
dL：パネル表示面の画面対角線の長さ、
F'：投影光学系の近似焦点距離、
F'＝(1+β)2／(β×D)
β：投影倍率、
D：パネル表示面からスクリーン面までの画面中心光線の光路長、
であり、近似焦点距離F'は方向によって異なる場合があるが、すべての方向における焦点距離の意味を含むものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月4日(2006.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
上記（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ組成においてＭとしてＧｅを用いる組成について更に説明する。この組成としては、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶点組成を基本として大幅に過剰のＳｂを含むＳｂ７０Ｔｅ３０合金を母体とし、さらにＧｅを含む、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９）であらわされる組成を用いることが好ましい。Ｇｅ量は、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｙの値として０．０１以上、特に、０．０２以上であることが好ましい。一方、このようにＳｂ含有量が多いＳｂＴｅ共晶組成では、Ｇｅ量が多すぎると、ＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するとともに、ＳｂＧｅ合金も析出しうるために、記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Ｇｅをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和する。このため、通常Ｇｅ量は、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｙの値として、０．０６以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
【表１】
2004119003.tif 000001