【手続補正書】
【提出日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸化物型の少なくとも１つの非晶質または不完全結晶化マトリックスと、第ＶＢ族の少なくとも１つの元素と、少なくとも１つのゼオライト・ベータと、ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの助触媒元素と、第VIＢ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む触媒。
【請求項２】  少なくとも１つのゼオライト・ベータと、無機マトリックスからなる群から選ばれる少なくとも１つのマトリックスと、硫黄を含む少なくとも１つの混合硫化物相と、第ＶＢ族の少なくとも１つの元素と、第VIＢ族の少なくとも１つの元素と、場合によっては第VIII族の少なくとも１つの金属と、場合によってはケイ素、ホウ素またはリンからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と、場合によっては前記周期表の第VII Ａ族の少なくとも１つの元素とを含む触媒。
【請求項３】  ゼオライト・ベータのケイ素／アルミニウム全体原子比が、１０〜２００である、請求項１または２記載の触媒。
【請求項４】  第ＶＢ族の元素がニオブである、請求項１〜３のいずれか１項記載の触媒。
【請求項５】  第VIＢ族の元素が、モリブデンまたはタングステンであり、第VIII族の元素が、鉄、コバルトまたはニッケルである、請求項１〜４のいずれか１項記載の触媒。
【請求項６】  触媒の全体重量に対して重量％で
・少なくとも１つのゼオライト・ベータ０．１〜９９．８％と、
・第ＶＢ族から選ばれる少なくとも１つの元素０．１〜６０％と、
・酸化物型の少なくとも１つの非晶質または不完全結晶化無機細孔質マトリックス０．１〜９９％と、
・ゼオライト中に場合によっては含まれるケイ素は含まれない、ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの助触媒元素０．１〜２０％とを含む触媒であって、
さらに触媒が、
・第VIＢ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素０〜６０％と、
・第VII Ａ族から選ばれる少なくとも１つの元素、好ましくはフッ素０〜２０％と
を含むこともある、請求項１記載の触媒。
【請求項７】  下記近似一般式：
ＡｘＢ１−ｘＳｙ（式中、
ｘは、０．００１〜０．９９９の数であり、
ｙは、０．１〜８の数であり、
Ａは、第ＶＢ族の元素であり、
Ｂは、第VIＢ族から選ばれる元素である）の混合硫化物相を含む、請求項２〜５のいずれか１項記載の触媒。
【請求項８】  さらに元素周期律表の第VIII族の少なくとも１つの元素を含む、請求項２記載の触媒。
【請求項９】  マトリックスがアルミナである、請求項１〜８のいずれか１項記載の触媒。
【請求項１０】  さらにケイ素、ホウ素またはリンからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含む、請求項２、７または８のいずれか１項記載の触媒。
【請求項１１】  さらに第VII Ａ族の少なくとも１つの元素を含む、請求項１〜１０のいずれか１項記載の触媒。
【請求項１２】  触媒の全体重量に対して重量％で
・少なくとも１つのマトリックス０．１〜９９．９％と、
・単位格子パラメータ２．４２４〜２．４５５ｎｍを有しかつ８を越えるＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 全体モル比を有する少なくとも１つのゼオライト・ベータ０．１〜９９．８％と、
・第ＶＢ族の少なくとも１つの元素と、第VIＢ族の少なくとも１つの元素との少なくとも１つの混合硫化物相０．１〜９９．５％と
を含む触媒であって、
さらに触媒が、
・第VIII族の少なくとも１つの金属０〜３０％と、
・ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素０〜２０％と、
・第VII Ａ族から選ばれる少なくとも１つの元素０〜１５％と
を含むこともある、請求項２、７または８記載の触媒。
【請求項１３】
（ａ）  少なくとも次の化合物：少なくとも１つのマトリックスと、少なくとも１つのゼオライト・ベータと、場合によってはホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの助触媒元素と、場合によっては第VIＢ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素と、場合によっては第VII Ａ族の少なくとも１つの元素とを含む、前駆体と呼ばれる固体を乾燥させて、計量し、全体を好ましくは成形する工程と、
（ｂ）  工程（ａ）で得られる乾燥固体を、温度少なくとも１５０℃で焼成する工程と、
（ｃ）  工程（ｂ）で定義された前駆体固体を、第ＶＢ族の少なくとも１つの元素、好ましくはニオブを含む溶液により含浸させる工程と、
（ｄ）  湿潤固体を、温度１０〜１２０℃で湿潤雰囲気下に置く工程と、
（ｅ）  工程（ｄ）で得られた湿潤固体を、温度６０〜１５０℃で乾燥させる工程と、
（ｆ）  工程（ｅ）で乾燥された固体を、乾燥空気下に温度少なくとも１５０℃、好ましくは少なくとも約２５０℃で焼成する工程と
を包含する、請求項１または６記載の触媒の調製方法。
【請求項１４】  少なくとも１つの焼成が、調製工程のうちのいずれか１工程の終了時に温度少なくとも１５０℃で行われる、請求項１３記載の触媒の調製方法。
【請求項１５】  触媒の硫化を、水素／硫化水素混合物の流体下に、あるいはさらには純硫化水素下に温度１５０〜８００℃で行う、請求項１３または１４記載の調製方法。
【請求項１６】  次の工程：
（ａ）  少なくとも次の化合物：第ＶＢ族の少なくとも１つの元素源、第VIＢ族の少なくとも１つの元素源、場合によっては水、場合によっては第VIII族の元素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素源、場合によってはケイ素、リンおよびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素源、および場合によってはハロゲン類、すなわち第VII Ａ族の元素から選ばれる元素を含む反応混合物を生成する工程と、
（ｂ）  前記混合物を、硫黄化合物の存在下に一般に約４０℃を越える加熱温度で、少なくとも常圧に等しい圧力で前記混合硫化物相を得るまで維持する工程とを含む、請求項１２記載の触媒中に含まれる塊状（未担持）混合硫化物相の調製方法。
【請求項１７】  次の工程：
（ａ）  少なくとも次の化合物：無機マトリックスからなる群から選ばれる、好ましくは酸化物型の、好ましくは非晶質または不完全結晶化の、一般に細孔質である少なくとも１つのマトリックスと、単位格子パラメータ２．４２４〜２．４５５ｎｍを有しかつ８を越えるＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 全体モル比を有する少なくとも１つのゼオライト・ベータと、第ＶＢ族の少なくとも１つの元素源と、第VIＢ族の少なくとも１つの元素源と、場合によっては水と、場合によっては第VIII族の元素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と、場合によってはケイ素、リンおよびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素源と、場合によってはハロゲン類、すなわち第VII Ａ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素源とを含む反応混合物を生成する工程と、
（ｂ）  硫黄化合物の存在下に一般に約４０℃を越える加熱温度で、少なくとも１つのマトリックスと、少なくとも１つのゼオライト・ベータと、少なくとも１つの混合硫化物相とを含む固体を得るまで前記混合物を維持する工程と
を含む、請求項１２記載の触媒中に含まれる担持混合硫化物相の調製方法。
【請求項１８】  自生圧力下、ＣＳ2 の存在下に温度４０〜７００℃で混合物の硫化を行う、請求項１６または１７記載の方法。
【請求項１９】  炭化水素仕込原料の水素化クラッキング方法における請求項１〜１３のいずれか１項記載の、または請求項１２〜１８のいずれか１項記載により調製される触媒の使用法。
【請求項２０】  温度が２００℃を越え、圧力が０．１ＭＰａを越え、水素量が仕込原料１リットル当たり最小限水素５０リットルであり、毎時空間速度が毎時触媒１容積当たり仕込原料０．１〜２０容積である、請求項１９記載の使用法。
【請求項２１】  温和な水素化クラッキング方法における使用法であって、転換率のレベルが５５％未満であり、温度が２３０℃を越え、圧力が２ＭＰａを越えかつ１２ＭＰａ未満であり、水素量が仕込原料１リットル当たり最小限水素１００リットルであり、毎時空間速度が毎時触媒１容積当たり仕込原料０．１５〜１０容積である、請求項１９記載の使用法。
【請求項２２】  水素化クラッキング方法における使用法であって、転換率が５５％を越え、温度が２３０℃を越え、圧力が５ＭＰａを越え、水素量が仕込原料１リットル当たり最小限水素１００リットルであり、毎時空間速度が毎時触媒１容積当たり仕込原料０．１５〜１０容積である、請求項１９記載の使用法。
【請求項２３】  水素化処理工程が、温度３５０〜４６０℃で圧力少なくとも２ＭＰａ、仕込原料１リットル当たり少なくとも水素１００リットルの水素量で、毎時触媒１容積当たり仕込原料０．１〜５容積の毎時空間速度で、水素化クラッキング工程に先立って行われる、請求項１９〜２２のいずれか１項記載の使用法。