【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と、下記一般式(IIa)及び(IIｂ) のうち少なくともいずれかで表される繰り返し単位、下記一般式(III)で表される繰り返し単位、および
以下のような特性を有する繰り返し単位（ＩＶ）：
〔一般式（Ｉ）〜(III)で表される繰り返し単位に対応する単量体と共重合可能であり、
ラクトン構造を含む基、ラクタム構造を含む基、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＯＣＯＲａ、−ＮＨＣＯＲａ、−ＮＨＳＯ2Ｒａ、−Ｎ（Ｒ）ＣＯＲａ、−Ｎ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲａ、−ＣＯＮＨＲａ、−ＣＯＮＨＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒａ）（Ｒｂ）、−ＣＮの群から選ばれる少なくとも１つの官能基を含有し（ここで、Ｒ、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に置換されていても良い、炭素数１〜１０のアルキルまたはアリール基を表す。）、酸に対して実質的に分解しない。〕
を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
一般式（Ｉ）
【化１】
2001290272.tif 000001
式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。ｎは０または１を表す。
一般式（IIａ)
【化２】
2001290272.tif 000002
式（IIａ）中、Ｙは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。Ｌは単結合もしくは２価の連結基を表す。Ｑは水素原子または酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
一般式 (IIｂ)
【化３】
2001290272.tif 000003
式（IIｂ）中、Ｘ1とＸ2は、それぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ2−から選ばれた基を表す。Ｌ1とＬ2は、それぞれ独立に単結合もしくは２価の連結基を表す。Ａ1は、−Ｑ’又は−ＣＯＯＱ’を表すが、Ｘ1が酸素原子で、Ｌ1が単結合を表す場合にはＡ1は−Ｑ’を表す。Ａ2は水素原子、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＨ、―ＣＯＯＲ'、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ''、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良い環状炭化水素基、アルコキシ基、又は−ＣＯＯＱ’を表す（ここでＲ'、Ｒ''はそれぞれ独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。）。Ｑ’は酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
一般式(III)
【化４】
2001290272.tif 000004
式(III)中、Ｚは酸素原子、又はＮ−Ｒ4を表す。Ｒ4は水素原子、水酸基、直鎖または分岐を有するアルキル基あるいは―Ｏ―ＳＯ2−Ｒ5を表す。Ｒ5はアルキル基、トリハロメチル基を表す。
【請求項２】  上記繰り返し単位（ＩＶ）が、上記繰り返し単位（ＩＶ）における特性を有し、且つ下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位であることを特徴とする請求項１記載のポジ型フォトレジスト組成物。
一般式（ＩＶ）
【化５】
2001290272.tif 000005
式（ＩＶ）中、Ｙは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。Ｘ3は−ＣＯ2−、−Ｏ−、−ＣＯＮ（Ｒ）−から選ばれる基を表す（ここでＲは前記と同義である。）。Ｌ3は単結合もしくは２価の連結基を表す。Ａ3は下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表される基のいずれかを表す。
一般式（Ｖ）
【化６】
2001290272.tif 000006
式（Ｖ）中、Ｘ4は、カルボニル結合またはエステル結合を環の中に含んでいてもよい脂環式炭化水素基を表す。Ｒｃは、それぞれ独立に水素原子、アルキル、置換基として−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＯＣＯＲａ、−ＮＨＣＯＲａ、−ＮＨＳＯ2Ｒａ、−Ｎ（Ｒ）ＣＯＲａ、−Ｎ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲａ、−ＣＯＮＨＲａ、−ＣＯＮＨＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒａ）（Ｒｂ）、−ＣＮの群から選ばれる少なくとも１つの官能基を含有するアルキル基あるいは、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＯＣＯＲａ、−ＮＨＣＯＲａ、−ＮＨＳＯ2Ｒａ、−Ｎ（Ｒ）ＣＯＲａ、−Ｎ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲａ、−ＣＯＮＨＲａ、−ＣＯＮＨＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒａ）（Ｒｂ）、又は−ＣＮの群から選ばれる基を表す（ここで、Ｒ、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ上記と同義である。）。ｍ１は０以上５以下の整数である。
一般式（ＶＩ）
【化７】
2001290272.tif 000007
式（ＶＩ）中、Ｒｃ１、Ｒｃ３は、各々独立に、水素原子、置換されていても良い炭素数１〜１０のアルキル基、置換基として−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＯＣＯＲａ、−ＮＨＣＯＲａ、−ＮＨＳＯ2Ｒａ、−Ｎ（Ｒ）ＣＯＲａ、−Ｎ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲａ、−ＣＯＮＨＲａ、−ＣＯＮＨＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒａ）（Ｒｂ）、又は−ＣＮの群から選ばれる少なくとも１つの官能基を含有するアルキル基あるいは、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲａ、−ＣＯＮＨＲａ、−ＣＯＮＨＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒａ）（Ｒｂ）、又は−ＣＮの群から選ばれる基を表す。ただし、Ｒｃ１、Ｒｃ３は同時に水素ではない。
Ｒｃ２は、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＯＣＯＲａ、−ＮＨＣＯＲａ、−ＮＨＳＯ2Ｒａ、−Ｎ（Ｒ）ＣＯＲａ、−Ｎ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲａ、−ＣＯＮＨＲａ、−ＣＯＮＨＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒ）ＳＯ2Ｒａ、−ＣＯＮ（Ｒａ）（Ｒｂ）、又は−ＣＮの群から選ばれる基を表す。ここで、Ｒ、Ｒａ、Ｒｂは前記と同義である。
【請求項３】  前記一般式(IV)のＡ3が、下記一般式（ＶＩＩ）で表される基であることを特徴とする請求項２記載のポジ型フォトレジスト組成物。
一般式（ＶＩＩ）
【化８】
2001290272.tif 000008
式（ＶＩＩ）中、Ｘ5は−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−から選ばれる基を表す。Ｒｃ、ｍ１は前記と同義である。ｍ5は０〜２の整数を表す。
【請求項４】  前記一般式（ＶＩＩ）で表される基が、下記一般式（VIII）又は一般式(IX)で表される基であることを特徴とする請求項３記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化９】
2001290272.tif 000009
【請求項５】  前記一般式（Ｖ）におけるＸ4が、アダマンタン残基であることを特徴とする請求項２記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項６】  前記（Ａ）の樹脂とともに、
（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）上記（Ａ）、（Ｂ）を溶解する有機溶剤、及び
（Ｄ）有機塩基性化合物
を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項７】  上記（Ｂ）成分が、活性光線または放射線の照射により有機スルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項６に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項８】  更に、（Ｅ）フッ素系、シリコン系及びノニオン系界面活性剤のうち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。