【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の表面上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が積層されたストライプ構造の半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記基板の表面上に前記第１導電型半導体層、前記活性層、及び前記第２導電型半導体層が積層されたウェハの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記ストライプ構造の長手方向と直交する方向に延びる切断予定ラインに沿って前記ウェハのレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記基板を切断するとともに前記活性層を劈開させる工程を備える、半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】  前記改質領域を形成する際に、該改質領域を前記基板の厚さ方向に複数形成する、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】  前記改質領域を形成する際に、複数の前記切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成すると共に、該改質領域を各切断予定ラインに沿った方向に複数形成する、請求項１または２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】  半導体基板の表面上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が積層されたストライプ構造の半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記半導体基板の表面上に前記第１導電型半導体層、前記活性層、及び前記第２導電型半導体層が積層されたウェハの前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより溶融処理領域を形成し、この溶融処理領域によって、前記ストライプ構造の長手方向と直交する方向に延びる切断予定ラインに沿って前記ウェハのレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記半導体基板を切断するとともに前記活性層を劈開させる工程を備える、半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】  前記溶融処理領域を形成する際に、該溶融処理領域を前記半導体基板の厚さ方向に複数形成する、請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】  前記溶融処理領域を形成する際に、複数の前記切断予定ラインに沿って前記溶融処理領域を形成すると共に、該溶融処理領域を各切断予定ラインに沿った方向に複数形成する、請求項４または５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】  前記基板を切断する際に、前記ウェハに応力を印加する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】  前記基板の内部に前記レーザ光を照射する際に、前記基板の裏面を前記レーザ光入射面とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】  前記基板の前記裏面が平坦かつ滑面である、請求項８に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】  前記切断起点領域を形成する際に、複数の前記切断予定ラインに沿って前記切断起点領域を形成し、前記基板を切断する際に、前記切断起点領域に沿って前記基板を複数の棒状部材に切断し、その後、前記複数の棒状部材をチップ状に切断する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】  前記切断起点領域を形成する際に、前記複数の切断予定ラインと交差する方向に沿って別の切断起点領域を形成し、前記基板を切断する際に、前記別の切断起点領域に沿って前記複数の棒状部材をチップ状に切断する、請求項１０に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】  基板の表面上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が積層されたストライプ構造の半導体レーザ素子であって、
前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光が照射されて多光子吸収による改質領域が形成され、この改質領域により前記ウェハのレーザ光入射面から所定距離内側に形成された切断起点領域によって前記ストライプ構造の長手方向と直交する方向に前記基板が切断されているとともに、該方向に前記活性層が劈開されている、半導体レーザ素子。
【請求項１３】  前記改質領域が前記基板の厚さ方向に複数形成されている、請求項１２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１４】  半導体基板の表面上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が積層されたストライプ構造の半導体レーザ素子であって、
前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光が照射されて溶融処理領域が形成され、この溶融処理領域により前記ウェハのレーザ光入射面から所定距離内側に形成された切断起点領域によって前記ストライプ構造の長手方向と直交する方向に前記半導体基板が切断されているとともに、該方向に前記活性層が劈開されている、半導体レーザ素子。
【請求項１５】  前記溶融処理領域が前記半導体基板の厚さ方向に複数形成されている、請求項１４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１６】  前記切断起点領域とは別の切断起点領域により、前記ストライプ構造の長手方向と交差する方向に前記基板が切断されている、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
これらの半導体レーザ素子の製造方法によれば、ウェハの（半導体）基板の内部に（多光子吸収という現象により）形成される改質領域（または溶融処理領域）でもって、切断予定ラインに沿った切断起点領域を形成することができ、（半導体）基板を切断起点領域に沿って比較的小さな力で効率よく割って切断することができる。そして、（半導体）基板を切断することにより活性層が切断予定ラインに沿って精度良く劈開される。したがって、この製造方法によれば、活性層の劈開による共振面を効率良く、且つ精度良く形成することができる。なお、これらの半導体レーザ素子の製造方法においては、改質領域を形成する際に、該改質領域を基板の厚さ方向に複数形成してもよい。或いは、溶融処理領域を形成する際に、該溶融処理領域を半導体基板の厚さ方向に複数形成してもよい。また、これらの半導体レーザ素子の製造方法においては、改質領域を形成する際に、複数の切断予定ラインに沿って改質領域を形成すると共に、該改質領域を各切断予定ラインに沿った方向に複数形成してもよい。或いは、溶融処理領域を形成する際に、複数の切断予定ラインに沿って溶融処理領域を形成すると共に、該溶融処理領域を各切断予定ラインに沿った方向に複数形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上述した本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、基板の内部にレーザ光を照射する際に、基板の裏面をレーザ光入射面とすることが好ましい。この製造方法によれば、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層のいずれかがレーザ光を透過しない場合であっても、ウェハの基板の内部に改質領域でもって切断起点領域を形成することができる。そして、基板の裏面が平坦かつ滑面であることがさらに好ましい。これによって、裏面におけるレーザ光の散乱を防ぐことができる。また、上述した本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、切断起点領域を形成する際に、複数の切断予定ラインに沿って切断起点領域を形成し、基板を切断する際に、切断起点領域に沿って基板を複数の棒状部材に切断し、その後、複数の棒状部材をチップ状に切断することが好ましい。そして、切断起点領域を形成する際に、複数の切断予定ラインと交差する方向に沿って別の切断起点領域を形成し、基板を切断する際に、別の切断起点領域に沿って複数の棒状部材をチップ状に切断することがさらに好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この半導体レーザ素子によれば、ウェハの（半導体）基板の内部に（多光子吸収という現象により）形成される改質領域（溶融処理領域）でもって形成された切断起点領域によって、ストライプ構造の長手方向と直交する方向に沿って（半導体）基板が比較的小さな力で効率よく割って切断される。そして、（半導体）基板を切断することにより活性層が精度良く劈開される。したがって、活性層の劈開による共振面が効率よく、且つ精度良く形成された半導体レーザ素子を提供することができる。なお、この半導体レーザ素子においては、改質領域（溶融処理領域）が基板の厚さ方向に複数形成されていてもよい。また、この半導体レーザ素子においては、上記切断起点領域とは別の切断起点領域により、ストライプ構造の長手方向と交差する方向に基板が切断されていることが好ましい。