【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含み、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるものであり、前記アルミニウム合金膜を構成する合金成分の一部または全部が、析出物もしくは濃化層として存在していることを特徴とする表示デバイス。
【請求項２】
前記合金成分として、少なくともＮｉが含まれている請求項１に記載の表示デバイス。
【請求項３】
前記アルミニウム合金膜において、合金成分の一部もしくは全部が析出物として存在し、電気抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である請求項１または２に記載の表示デバイス。
【請求項４】
前記アルミニウム合金膜には、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と前記画素電極の接触界面に、第２相からなる長径が０．０１μｍを超えるサイズの導電性析出物が、１００μｍ２当りに０．１３個を超える個数で存在する請求項１〜３のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項５】
前記アルミニウム合金膜が、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と前記画素電極の接触界面に、第２相からなる導電性析出物が、面積率０．５％を超えて存在する請求項１〜３のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項６】
前記アルミニウム合金膜が、合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含み、更にＸ２（Ｘ２＝Ｎｄ）を０．１〜6原子％含んでおり、それらの含有量が、下記式（Ｉ）の関係を満たすものである請求項１〜５のいずれかに記載の表示デバイス。
０．７≦０．５×ＣＸ１＋ＣＸ２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ２は、アルミニウム合金中のＮｄの含有量（原子％）をそれぞれ表す］
【請求項７】
前記アルミニウム合金膜が、合金成分として、Y１（Y１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含み、更にY２（Y２＝Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含んでおり、それらの含有量が、下記式（II）の関係を満たすものである請求項１〜５のいずれかに記載の表示デバイス。
１≦０．５×ＣY１＋ＣY２≦６……（II）
［式中、ＣY１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣY２は、アルミニウム合金中のＦｅ，Ｃｏの含有量（原子％）をそれぞれ表す］
【請求項８】
前記画素電極が、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）もしくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）である請求項１〜７のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項９】
Ｎｉを含む前記アルミニウム合金膜は、アルミニウム合金膜の表面から１〜１０ｎｍの厚さ域におけるＮｉ含有量が、アルミニウム合金膜内部の含有量＋８原子％以下であるＮｉ濃化層を有している請求項２に記載の表示デバイス。
【請求項１０】
前記アルミニウム合金膜が反射膜として機能する請求項１〜９のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項１１】
前記アルミニウム合金膜をタブ接続電極として使用する請求項１〜９のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項１２】
ガラス基板上に配置されたアルミニウム合金膜と、これに電気的に接続された透明電極によって形成された画素電極を有し、前記アルミニウム合金膜と画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続している表示デバイスにおいて、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含み、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるものであり、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と画素電極の接触界面に、第２相からなる長径が０．０１μｍを超えるサイズの導電性析出物が、１００μｍ２当りに０．１３個を超える個数で存在すること特徴とするパッシブマトリクス駆動の表示デバイス。
【請求項１３】
ガラス基板上に配置されたアルミニウム合金膜と、これに電気的に接続された透明電極によって形成された画素電極を有し、該アルミニウム合金膜と画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続している表示デバイスにおいて、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含み、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるものであり、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と画素電極の接触界面に、第２相からなる導電性析出物が面積率０．５％を超えて存在することを特徴とするパッシブマトリクス駆動の表示デバイス。
【請求項１４】
前記アルミニウム合金膜には少なくともＮｉが含まれ、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と画素電極の接触界面に第２相からなる長径が０．０５μｍを超えるサイズの導電性析出物が、１００μｍ２当りに２１個を超える個数で存在する請求項１２に記載の表示デバイス。
【請求項１５】
前記アルミニウム合金膜には少なくともＮｉが含まれると共に、Ｎｄが０．１〜６原子％含まれ、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と画素電極の接触界面に、第２相からなる長径が０．０２μｍを超えるサイズの導電性析出物が、１００μｍ２当りに３３個を超える個数で存在する請求項１２に記載の表示デバイス。
【請求項１６】
ガラス基板上に、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含み、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金膜を形成した後、１５０〜４００℃の温度で加熱することにより、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜とその上に形成される画素電極の接触界面に、前記アルミニウム合金膜中に含まれた前記合金元素の一部もしくは全部を含む第２相からなる導電性析出物を形成させることを特徴とする表示デバイスの製法。
【請求項１７】
前記アルミニウム合金膜が、更に他の合金成分としてＮｄを０．１〜６原子％含むものである請求項１６に記載の表示デバイスの製法。
【請求項１８】
前記アルミニウム合金膜をスパッタリング法によって形成する請求項１７または１８に記載の表示デバイスの製法。
【請求項１９】
前記アルミニウム合金膜上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜にコンタクトホールエッチングを行った後、引き続いて、アルミニウム合金膜の表面から１〜２００ｎｍをエッチングすることによって、該アルミニウム合金膜中に含まれる合金成分の一部もしくは全部を含む第２相からなる導電性析出物を部分的に露出させる請求項１６〜１８のいずれかに記載の表示デバイスの製法。
【請求項２０】
前記エッチングを、前記アルミニウム合金をエッチングし得るガスを用いたドライエッチングによって行う請求項１９に記載の表示デバイスの製法。
【請求項２１】
前記エッチングを、前記アルミニウム合金をエッチングし得る薬液を用いたウエットエッチングによって行う請求項１９に記載の表示デバイスの製法。
【請求項２２】
前記アルミニウム合金膜のエッチング後、アミン化合物を５質量％以上含むフォトレジスト剥離液を用いて洗浄する請求項１９に記載の表示デバイスの製法。
【請求項２３】
アルミニウム合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜6原子％含み、更にＸ２（Ｘ２＝Ｎｄ）を０．１〜６原子％含んでおり、それらの含有量が、下記式（Ｉ）の関係を満たすことを特徴とするアルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット。
０．７≦０．５×ＣＸ１＋ＣＸ２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ２は、アルミニウム合金中のＮｄの含有量（原子％）をそれぞれ表す］
【請求項２４】
アルミニウム合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、合金成分として、Y１（Y１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含み、更にY２（Y２＝Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含んでおり、それらの含有量が、下記式（II）の関係を満たすことを特徴とするアルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット。
１≦０．５×ＣY１＋ＣY２≦６……（II）
［式中、ＣY１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣY２は、アルミニウム合金中のＦｅ，Ｃｏの含有量（原子％）をそれぞれ表す］