【事件の表示】
　平成　４年特許願第１４０３２４号「液晶表示装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　５年１２月１７日出願公開、特開平　５−３３３３７５、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年６月１日の出願であって、原査定の拒絶の対象となった請求項１に係る発明は、平成１２年１０月２日付けで提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである。
　「【請求項１】基板にマトリクス状に配列された複数の信号線及び走査線と、これら複数の信号線及び走査線に接続されたスイッチングトランジスタとを具えた表示部と、この表示部の外周部に配置され、前記複数の信号線及び走査線に信号を供給する複数の薄膜トランジスタを備えた周辺駆動回路とを具備した液晶表示装置の製造方法において、前記表示部に薄膜を形成することにより、前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタには水素プラズマ処理を施し、前記表示部のスイッチングトランジスタに水素プラズマ処理を施さないことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」（以下、本願発明という）
２．引用刊行物等に記載された発明
　原査定の拒絶の理由において引用された、本願出願前の特許出願である特願平２−３１５１４３号（以下、先願という）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、先願明細書という）の内容を記載した特開平４−１８４４２４号公報には、次のように記載されている。
　「１．耐熱性プラスチックフィルム上に、アクティブマトリクス用アモルファスシリコン薄膜トランジスタと周辺駆動回路用多結晶シリコン薄膜トランジスタとを有することを特徴とする表示装置。
２．耐熱性プラスチックフィルム上に、アクティブマトリックス用のアモルファスシリコン層と周辺駆動回路用アモルファスシリコン層を形成し、該周辺駆動回路用アモルファスシリコン層から多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成するにあたり、拡散および活性化工程を光プロセスとすることを特徴とする請求項１記載の製法。」（特許請求の範囲請求項１及び２）
　「本発明の製造プロセスを第４図の（１）〜（７）に沿って説明する。ａはアクテイブマトリックス部の製造プロセスであり、ｂは周辺駆動回路部の製造プロセスである。
（１）ポリイミドフィルム１上に、アクティブマトリックス部のゲート電極部２を形成する。
（２）絶縁膜３、３′を形成する。ここでアクティブマトリックス部は、ゲート絶縁膜３、周辺駆動部は、下地保護膜３′としての機能をもつ。
（３）ａ−Ｓｉ膜４を形成後、周辺駆動部のみ酸化膜５を選択的に形成する。
（４）ｎ＋コンタクト６を形成する。このときのｎ＋は周辺駆動部では、ゲート電極部６′として機能する。
（５）周辺駆動部のみゲート電極６′、ゲート酸化膜５をエッチング後、レーザあるいはプラズマにより不純物拡散、活性化を行なう。このとき、レーザ光は、Ｓｉ最表面で吸収され、下地のポリイミド膜へのダメージは（２）の工程で形成した絶縁膜３′がバッファーとなり、２５０°Ｃ以上には温度上昇がおこらない。
（６）周辺駆動部側のみ層間絶縁膜７を形成する。
（７）Ａｌ電極８を形成、加工してできあがる。このときアクティブマトリックス部側はｎ＋コンタクトも同時にエッチングして完了する。」（第２頁右上欄第１０行〜左下欄第１６行）
　「・・・周辺駆動部になるａ−Ｓｉ部をＸｅＣｌ２００ｍＪ／ｃｍ２で１０〜５０ｓｈｏｔあてて結晶化させＰｏｌｙ−Ｓｉとした。結晶化部はレーザによる直描により２００〜５００μｍに幅にスキャンした。次に、周辺駆動部のＴＦＴ４′にＥＣＲプラズマによるＯ２プリプラズマ（条件：Ｏ２１０ＳＣＣＭ、３０分）後、ＳｉＯ２をｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎした。条件はＳｉＨ４／Ｏ２＝４０／４０ＳＣＣＭ、６．４×１０−４ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー３００Ｗであった。これにより膜圧１０００Åのゲート酸化膜５を形成した。ｎ＋コンタクト６は、１００ｐｐｍＰＨ３（ＳｉＨ４ベース）で１０ＳＣＣＭ、０．１ｔｏｒｒで１０００Å形成した。さらにｎ＋コンタクト６及びＳｉＯ２よりなるゲート酸化膜５（ｂｙＥＣＲ）はＳＦ６／ＣＣｌ４＝２７／３ＳＣＣＭでｎ＋コンタクト６をエツチング後、ウエットエッチング液ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：６、１５ｓｅｃ浸漬して、所定の加工を行なった。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第１６行）
　以上の記載からすれば、先願明細書には、「耐熱性プラスチックフィルム上に、アクティブマトリックス用のアモルファスシリコン薄膜トランジスタと周辺駆動回路用多結晶シリコン薄膜トランジスタとを有する表示装置の製造方法において、耐熱性プラスチックフィルム上にアクティブマトリックス部及び周辺駆動回路部のアモルファスシリコン膜を形成した後、周辺駆動回路部のみ酸化膜を形成し、レーザあるいはプラズマにより不純物拡散、活性化を行ない、層間絶縁膜を形成する表示装置の製造方法」の発明（以下、先願発明という）が記載されているものと認められる。
　また、原審における拒絶理由通知において引用された各刊行物には、次のことが記載されている。
特開平４−１３３０２９号公報（以下、刊行物１という）
　液晶装置において、駆動用のドライバー動作をする薄膜トランジスタは、非晶質半導体をレーザアニールにより結晶性を高めて、移動度が５０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上にすること、ドライバーＴＦＴ部分を結晶化処理する際に、メタルマスクにより光シャッター部分のスイッチング素子ＴＦＴ部分を覆いフラッシュランプアニール等の手法により、大面積を一度に結晶化させ処理時間の短縮をはかることが記載されている。
特開平２−２７３２０号公報（以下、刊行物２という）
　アクティブマトリクス方式の表示装置において、ガラス基板上にＡ−Ｓｉ膜を形成した後に、周辺駆動回路部のみにエキシマレーザを照射する工程を有し、周辺駆動回路部のＴＦＴがＰｏｌｙ−Ｓｉで構成され、画素部のＴＦＴより結晶性を高くすることが記載されている。
特開平３−１３５５２５号公報（以下、刊行物３という）
　感光セルが薄膜トランジスタと薄膜感光素子で構成される固体イメージセンサーの製造方法において、絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成した後に、絶縁基板上に水素プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形成し薄膜感光素子を形成することが記載されている。
３．先願発明等との対比、判断
　本願発明と、先願発明とを対比すると、本願発明において、表示部に薄膜を形成することにより、周辺駆動回路の薄膜トランジスタに水素プラズマ処理を施し、表示部のスイッチングトランジスタに水素プラズマ処理を施さないようにする工程を有するのに対して、先願発明において、周辺駆動回路部のみ酸化膜を形成し、レーザあるいはプラズマにより不純物拡散、活性化を行ない、層間絶縁膜を形成する工程を有する点において、特に両者は相違し、他の点においては実質的に相違しない。
　そこで、この相違点について検討する。
　本願発明において、表示部に薄膜を形成するのは、水素プラズマ処理の際に表示部のスイッチングトランジスタに水素プラズマ処理を施さないようにするためのものであり、水素プラズマ処理の後には除去され、スイッチングトランジスタの要素にはならず、水素プラズマ処理は、スイッチングトランジスタの形成工程において行なわれるものではない。これに対して、先願発明においては、周辺駆動回路部のみにレーザあるいはプラズマにより不純物拡散、活性化を行なう処理がなされるが、この処理は周辺駆動回路部の形成工程の一段階として行なわれ、この処理後にさらに層間絶縁膜、電極が形成される。また、このプラズマ処理は水素プラズマ処理ではなく、アクティブマトリックス部にプラズマ処理を施さないために薄膜を形成するものでもない。
　水素プラズマ処理に関しては、刊行物３に記載される固体イメージセンサーの製造方法において用いられているが、これは水素プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形成し薄膜感光素子を形成するためのものであり、素子形成の一工程として用いられるものであって、本願発明における水素プラズマ処理のように、形成された薄膜トランジスタに対して行なうものではない。
　そうすると、刊行物３に記載の技術事項を勘案しても、本願発明と先願発明との上記相違は実質的なものであり、また、本願発明は、この相違点を含む構成により、明細書に記載の格別な作用効果を奏するものであるから、先願発明と同一ではない。
　また、本願発明における、「表示部に薄膜を形成することにより、周辺駆動回路の薄膜トランジスタには水素プラズマ処理を施し、表示部のスイッチングトランジスタ水素プラズマ処理を施さない」ようにすることについて、刊行物１〜３のいずれにも記載されていず、また、この点について示唆するところもないので、本願発明は、刊行物１〜３に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、先願発明と同一ではなく、また、刊行物１〜３に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。又、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。