【事件の表示】
　平成１０年特許願第３０３３１３号「電界電子放出型サージ吸収素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２５４６６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
（１）本願は、平成１０年１０月　９日の特許出願であって、平成１３年　１月２９日に拒絶をすべき旨の査定がなされ、その査定の謄本の送達があった日（平成１３年　２月　６日）から３０日以内である平成１３年　２月２６日に、その査定を不服として審判請求したものである。
（２）そして、その審判請求の日から３０日以内である平成１３年　３月１９日に、手続補正書が提出されたが、当審において「平成１３年　３月１９日付けの手続補正を却下する。」との決定がなされた。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成１２年１０月３１日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
「【請求項１】　一面に凹部を形成すると共に、該凹部の底面にダイヤモンドの結晶よりなる多数のエミッタ・コーンで形成される電子放出部を備えた半導体よりなる第１の基板部材と、同じく一面に凹部を形成すると共に、該凹部の底面にダイヤモンドの結晶よりなる多数のエミッタ・コーンで形成される電子放出部を備えた半導体よりなる第２の基板部材とを、一方の基板部材のエミッタ・コーンが所定の間隙を隔てて他方の基板部材の電子放出部と対向するように配置し、両基板部材の周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態と成すと共に、両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成してなり、上記基板部材に形成された凹部の深さの調節により、対向する基板部材の電子放出部との距離が調節されることを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。」　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．引用例に記載された発明
(１)これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成　９年１１月１８日に頒布された「特開平９−２９８８３３号公報」(以下、「刊行物１」という。)には、
(ａ)「【発明の属する技術分野】この発明は、電源線や通信線等を伝って侵入して来る過電圧等のサージから電子機器の電子回路を保護するために、線間あるは各線とグランドとの間に挿入接続されるサージ吸収素子に関する。」(段落【０００１】)
(ｂ)「・・・上記基板部材12は、Ｓｉ中にＰやＡｓ等の不純物を混入させて成るｎ形半導体によって形成されている。また、エミッタ・コーン20も同様にｎ形半導体より成り、基板部材12と一体的に形成されている。・・・エミッタ・コーン20の表面をも含んだ基板部材12の内面には、保護膜22が被覆されている。この保護膜22は、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔｈ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｇｅ、Ａｌ、ダイヤモンド（アモルファス・カーボン）等よりなる薄膜や、Ｗ及びＺｒの二層構造、あるいは以上の各物質の中、少なくとも１種類を含んだ炭化物、酸化物、窒化物、無機化合物より構成される。・・・」(段落【００１３】，図１参照)
(ｃ)「図２は、本発明に係る第２のサージ吸収素子32を示すものである。この第２のサージ吸収素子32は、ｎ形半導体より成る第１の基板部材34と第２の基板部材36とを所定の距離を隔てて対向配置し、両部材の内面周縁を封着材16を介して気密封止することによって外囲器18を形成し、該外囲器18の内部空間を１０-6〜１０-8Torrの高真空状態となしている。」(段落【００１９】，図２参照)
(ｄ)「上記第１の基板部材34の内面は、多数のエミッタ・コーン20が所定の距離をおいてドット・マトリクス状に突設配列された電子放出部34ａと、エミッタ・コーン20が形成されずに平面状を維持している平面部34ｂとに区分けされている。また、第２の基板部材36の内面も、多数のエミッタ・コーン20が所定の距離をおいてドット・マトリクス状に突設配列された電子放出部36ａと、エミッタ・コーンが形成されずに平面状を維持している平面部36ｂとに区分けされている。図示の通り、第１の基板部材34の電子放出部34ａが第２の基板部材36の平面部36ｂと対向するように、また第２の基板部材36の電子放出部36ａが第１の基板部材34の平面部34ｂと対向するように、両基板部材は位置決めされている。そして、エミッタ・コーン20の先端部20ａと各平面部34ｂ，36ｂとの間には、所定の間隙が保たれている。」(段落【００２０】，図２参照)
(ｅ)「両基板部材の内面（電子放出部及び平面部）には、上記と同様の物質（Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔｈ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｇｅ、Ａｌ等）より成る保護膜22がそれぞれ形成されている。また、第１の基板部材の外面には、Ａｌより成る第１の層24ａ及びＮｉより成る第２の層24ｂの二層構造を備えた第１の電極層24が形成されており、該第１の電極層24には第１の外部端子38が接続されている。さらに、第２の基板部材36の外面には、Ａｌより成る第１の層26ａ及びＮｉより成る第２の層26ｂの二層構造を備えた第２の電極層26が形成されており、該第２の電極層26には第２の外部端子40が接続されている。」(段落【００２１】)
(ｆ)「この第２のサージ吸収素子32は、上記のようにエミッタ・コーン20を第１の外部端子38側及び第２の外部端子40側にそれぞれ設けることにより、第１の電極層24と第２の電極層26との間で電子を双方向に放出可能な構造とした点に特徴を有するものであり、極性に気遣うことなく利用できると共に、何らかの理由によって逆方向に過電圧が印加される場合にも対処できる利点を有する。」(段落【００２２】)
(ｇ)「この第２のサージ吸収素子32の動作電圧（定格電圧）も、エミッタ・コーン先端部20ａの先鋭度や、エミッタ・コーン先端部20ａと各平面部34ｂ，36ｂとの間の距離を調節することにより、10数Ｖ〜数ｋＶの広い範囲内で自由に設定することができる。」(段落【００２３】)
との記載がある。
　ところで、段落【００２３】の記載によれば、動作電圧を調節するために、エミッタ・コーン先端部20ａと各平面部34ｂ，36ｂとの間の距離を調節するのであるが、ここでは、封着材16が第１の基板部材34と第２の基板部材36との間の距離を調節する機能を果たしていることは、その構成から明らかである。
　したがって、これらの記載から、刊行物１には、
「Ｓｉ中にＰやＡｓ等の不純物の混入によって半導体化した多数のエミッタ・コーンで形成される電子放出部を備えたｎ形半導体よりなる第１の基板部材３４と、同じく、Ｓｉ中にＰやＡｓ等の不純物の混入によって半導体化した多数のエミッタ・コーンで形成される電子放出部を備えたｎ形半導体よりなる第２の基板部材３６とを、一方の基板部材のエミッタ・コーンが所定の間隙を隔てて他方の基板部材の平面部と対向するように配置し、両基板部材３４，３６の周縁を気密封止して外囲器１８を形成し、該外囲器１８内を高真空状態と成すと共に、両基板部材３４，３６の外面にそれぞれ外部電極３８，４０を形成してなり、封着材１６の厚さの調節により、対向する基板部材３４，３６の電子放出部３４ａ，３６ａとの距離が調節され、エミッタ・コーン先端部２０ａの先鋭度や、エミッタ・コーン先端部２０ａと各平面部３４ｂ，３６ｂとの間の距離の調節により、動作電圧が制御されることを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。」
が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
(２)同じく、本願の出願の日前である平成　９年　２月１４日に頒布された「特開平９−４５２１５号公報」(以下、「刊行物２」という。)には、
(ａ)「【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド材料からの電子放出を利用する電子デバイスに関する。」(段落【０００１】)
(ｂ)「【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンドのもつ優れた電子放出特性を更に活用するためには、電子放出面の表面積を大きくする必要がある。即ち、突出ができるだけ多く形成されたダイヤモンド表面を電子放出面として利用することが好ましい。また、この突起はできるだけ鋭いことが好ましい。」(段落【０００６】)
(ｃ)「本発明は、以上の状況に鑑みてなされたものであり、効率的にダイヤモンド表面から電子を放出させることが可能な電子デバイスを提供することを目的とする。」(段落【０００７】)
(ｄ)「図２は、本実施例において作製されたデバイスの断面図であり、（ａ）〜（ｆ）まで順に、本実施例の製造工程を表す。本実施例では、図１に示されるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、図２（ａ）〜（ｆ）の順に示される順に、デバイスを作製した。」(段落【００２７】，図面第１，２図参照)
(ｅ)「まず、図１のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置のチャンバ内の基板ホルダに、厚さ３００μｍのＳｉ（１００）基板１０を載置した（図２（ａ））。」(段落【００２８】，図面第１，２図参照)
(ｆ)「次いで、以下に示す操作条件で、マイクロ波プラズマＣＶＤにより、Ｓｉ基板１０の上にボロンドープダイヤモンド層１２及びノンドープダイヤモンド層１３を成長させた（図２（ｂ））。このダイヤモンド層（第１のダイヤモンド部）１２及び１３は、後に述べるようにエッチングされ、一部はエミッタ材料を構成し、残りの一部は基板とゲート電極との絶縁層として機能する。操作条件は、次の通り、ジボランガスを導入するドープ層形成とジボランガスを導入しないノンドープ層形成の２段階であった：・・・」(段落【００２９】)
(ｇ)「この条件により、厚さ１μｍのボロンドープダイヤモンド層１２が形成され、その上に厚さ１μｍのノンドープダイヤモンド層が形成された。このボロンドープ層１２及びノンドープ層１３は共に多結晶であった。また、ボロンドープ層１２のボロン濃度を、ＳＩＭＳ（secondary ion mass spectroscopy ）で測定したところ、１００ｐｐｍであった。」(段落【００３０】)
(ｈ)「次に、ボロンドープダイヤモンド層１２をエッチングして、多数の突起を有する電子放出部１２２を形成した。図２（ｃ）で示されるデバイスを、ドライエッチング装置に移送して、次の通りの条件で反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行った：」(段落【００３２】)
との記載がある。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
(３)同じく、本願の出願の日前である平成　２年１１月１４日に頒布された「特開平２−２７８６８１号公報」(以下、「刊行物３」という。)には、
(ａ)「(1)少なくとも一つの導電性尖頭体(7、22)が突出している第1導体(2)からなる第1電極構造体(16、20)を用意し、少なくとも一つの導電性尖頭体が突出している第2基体からなる第2電極構造体(17、21)を用意し、該第1電極構造体に対して該第2電極構造体を反転させ、そして該基体間に空間(1 9、28)を介在させ、かつ各構造体の各尖頭体を該空間に延接させた状態で、両電極構造体を接合することを特徴とする電子放出装置の製造方法。」(特許請求の範囲，図面第１〜３図参照)
(ｂ)「上記各電界放出装置では、それぞれの基体を介して各組のチップを電気的に接続できるので、両構造体に電位差を与えることができる。すなわち、一方を他方に対してネガティブ・バイアスできる。電位差が十分大きな場合には、場合に応じて、ネガティブ・バイアス構造体のチップから他方の構造体のチップ又は平面領域に電界放出を起こすことができる。各装置の各電極構造体が電極チップを備えているので(換言すれば、装置は対称的なので)、バイアスを逆にすると、電流が装置内を反対方向に流れる。」(公報第４頁右上欄第１２行〜左下欄第２行)
(ｃ)「本発明装置は、例えば、精巧な電子機器を保護するサージアレスター(surge arrester）として使用することができる。このような装置は、保護すべき機器両端に接続するが、これは、電圧サージを受取ると、導電体になり、従って作動して、機器を損傷するサージを短絡する。」(公報第４頁左下欄第３〜８行)
との記載がある。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．本願発明と引用発明との対比
(１)本願発明と刊行物１に記載された発明(以下「引用発明」という。)とを対比すると、両者は、
「多数のエミッタ・コーンで形成される電子放出部を備えた半導体よりなる第１の基板部材と、同じく、多数のエミッタ・コーンで形成される電子放出部を備えた半導体よりなる第２の基板部材とを、一方の基板部材のエミッタ・コーンが所定の間隙を隔てて他方の基板部材と対向するように配置し、両基板部材の周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態と成すと共に、両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成してなり、対向する基板部材の電子放出部との距離が調節されることを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。」
である点で一致し、
(イ)本願発明においては、基板部材の一面に凹部を形成すると共に、該凹部の深さの調節により、対向する基板部材の電子放出部との距離が調節されるのに対して、引用発明においては、基板部材に凹部を形成することなく、封着材の厚さの調節により、対向する基板部材の電子放出部との距離が調節される点、
(ロ)本願発明においては、電子放出部が、ダイヤモンド結晶よりなる多数のエミッタ・コーンからなるものであるのに対して、引用発明においては、該電子放出部が、Ｓｉ中にＰやＡｓ等の不純物を混入させて成る半導体によって形成される多数のエミッタ・コーンからなるものである点、
(ハ)本願発明においては、一方の基板部材のエミッタ・コーンが所定の間隙を隔てて他方の基板部材の電子放出部と対向するように配置したものであるのに対して、引用発明においては、一方の基板部材のエミッタ・コーンが所定の間隙を隔てて他方の基板部材の平面部と対向するように配置したものである点、
で相違する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．判　断
(１)相違点(イ)について
　上記相違点(イ)について検討するに、本願発明において、基板部材の一面に凹部を形成すると共に、該凹部の底面に多数のエミッタ・コーンからなる電子放出部を形成することの目的の一つは、上記凹部の深さの調節により、対向する基板部材の電子放出部との距離が調節されることにある(段落【００２１】参照)。
　そして、対向する基板部材の電子放出部との距離を調節するに際し、引用発明のように封着材16の厚さを調節する構成とするか、或いは、本願発明のように基板部材に形成する凹部の深さを調節するかは、異なる部材間の距離の調節という目的に鑑みれば、当業者が適宜選択し得る事項と言えるものである。
　したがって、引用発明において、封着材の厚さを調節することに換えて、基板部材の一面に凹部を形成し、該凹部の深さを調節することにより、上記相違点(イ)に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
(２)相違点(ロ)について
　上記相違点(ロ)について検討するに、刊行物２には、Ｓｉ基板１０の上にボロンドープダイヤモンド層１２及びノンドープダイヤモンド層１３を成長させ、このダイヤモンド層（第１のダイヤモンド部）１２及び１３は、エッチングされ、一部は多数の突起を有するエミッタ材料を構成することが記載されている(段落【００２９】参照)。そして、このエミッタ材料の電気的特性を考慮すれば、これが、電界電子放出型サージ吸収素子として適用できることは、当業者において明らかなことである。
　したがって、電子放出部を形成するエミッタ・コーンを、Ｓｉ中にＰやＡｓ等の不純物を混入させて成る半導体によって構成することに換えて、刊行物２に記載されたごとくの、ダイヤモンド結晶により構成することにより、上記相違点(ロ)に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
(３)相違点(ハ)について
　上記相違点(ハ)について検討するに、本願発明において、一方の基板部材のエミッタ・コーンが所定の間隙を隔てて他方の基板部材の電子放出部と対向するように配置することの目的の一つは、両方向に電子放出可能となり、極性に気遣うことなく回路に接続できるようにすることである(段落【００１３】，【００５９】参照)。
　一方、刊行物３には、本願発明と同一の技術分野に属し、かつ、各電極を対象的な構造にすることにより、逆バイアスにしたとき、電流が装置内を反対方向に流れることができる装置であって、サージアレスターとして使用することができるものが記載されている。そして、引用発明の電極構造に、刊行物２に記載の電極構造を適用するに際し、これを阻害する要因を見出すことができない。
　したがって、引用発明の電極構造に、刊行物３に記載の電極構造を適用することにより、上記相違点(ハ)に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１，２，３に記載された各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。