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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する複数の半導体素子と、
前記電極が接続されるボンディング部と、前記ボンディング部に電気的に接続しているランド部と、を有する配線パターンが形成されたフレキシブル基板と、
前記ランド部に設けられる外部電極と、
を有し、
前記フレキシブル基板の第１の領域に前記半導体素子が載置され、前記第１の領域の間の第２の領域が曲げられることで、前記複数の半導体素子のうちの１つの半導体素子における前記電極が形成された面とは反対側の面に、他の半導体素子のうちの少なくとも１つの半導体素子の前記電極が形成された面とは反対側の面が接着剤で接着され、
前記半導体素子のうちの一つは、残りの半導体素子よりも平面積が大きく形成され、
前記外部電極は、前記平面積の大きい半導体素子に対応した領域にのみ設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接着剤は、導電性の接着剤である半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２の領域に少なくとも１つの穴が形成される半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記穴は、曲げ線に沿って延びる長穴であり、
配線パターンは、前記穴上を通って形成され、
前記長穴の、前記曲げ線に沿って延びる辺が、外形端の一部となる半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置において、
複数の前記穴が形成され、
配線パターンは、前記複数の穴上を通って形成され、
前記複数の穴は、曲げ線に沿って延びる長穴であって、並列して形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接着剤は、熱伝導性の接着剤である半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体素子の電極は、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記ボンディング部に接続される半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の領域にスリットが形成され、
前記スリットによって基板が切断されてなり、対向する切断端部間に間隔が空けられてなる半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記スリットを掛け渡す接続部材が設けられてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項３又は８記載の半導体装置において、
前記穴を介して、前記配線パターン上に柔軟性を有する樹脂が設けられ、
前記樹脂が前記基板とともに曲げられてなる半導体装置。
【請求項１１】
電極を有する複数の半導体素子と、ボンディング部と前記ボンディング部に電気的に接続しているランド部とを有する配線パターンが形成されたフレキシブル基板と、を用意する工程と、
前記半導体素子を前記フレキシブル基板の第１の領域に搭載し、前記ボンディング部と前記電極を電気的に接続する工程と、
前記第１の領域の間の第２の領域で前記フレキシブル基板を曲げて、いずれか１つの前記半導体素子における前記電極が形成された面とは反対側の面に、他の半導体素子における前記電極が形成された面とは反対側の面を接着剤で接着する工程と、
前記ランド部に外部電極を形成する工程と、
を含み、
前記半導体素子のうちの一つは、残りの半導体素子よりも平面積が大きく形成され、
前記外部電極は、前記平面積の大きい半導体素子に対応した領域にのみ設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディング部と前記電極を電気的に接続する工程は、
少なくとも前記ボンディング部上に、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を設ける工程と、
前記異方性導電材料における前記ボンディング部上に前記電極を位置合わせして、前記半導体素子を前記フレキシブル基板上に載せる工程と、
前記半導体素子と前記フレキシブル基板との少なくともいずれか一方を押圧して、前記導電粒子を介して、前記ボンディング部と前記電極とを電気的に接続する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１４】
請求項１３記載の回路基板を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有し、かつ前記主表面において素子分離構造によって囲まれた活性領域を有する半導体基板と、
前記活性領域の表面に形成された１対のソース／ドレイン領域と、前記１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上に位置しかつ前記活性領域を横切って延びるゲート電極層とを有するトランジスタと、
前記ゲート電極層上に形成され、かつ前記ゲート電極層と同一の平面パターン形状を有するハードマスク層と、
前記ゲート電極層および前記ハードマスク層の側壁に形成された側壁絶縁膜と、
それぞれが前記１対のソース／ドレイン領域の各々に電気的に接続され、かつ平面において前記ゲート電極層および前記側壁絶縁膜に覆われていない前記ソース／ドレイン領域の部分全体を覆う第１および第２のプラグ導電層とを備え、
前記活性領域の延びる方向は前記ゲート電極層の延びる方向に対して直交せずに傾斜しており、
前記ハードマスク層の上面と前記第１および第２のプラグ導電層の各上面とは実質的に同一の平面を構成している、半導体装置。
【請求項２】
前記活性領域は、前記活性領域の長手方向に隣り合う他の前記活性領域とは同一の直線状になく、
前記第１および第２のプラグ導電層は、前記活性領域の長手方向に沿って配列されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１および第２のプラグ導電層の少なくとも一方は、平面視で前記活性領域の長手方向と平行な１対の辺を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
素子分離構造によって囲まれた活性領域上を横切って延びるように、かつ前記活性領域の延びる方向に対して直交せずに傾斜して延びるように、ゲート電極層とハードマスク層とが順に積層された積層パターンを形成する工程と、
前記活性領域の表面において前記ゲート電極層を挟むように１対のソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記ゲート電極層と前記１対のソース／ドレイン領域とを有するトランジスタ上を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記活性領域全体の上方領域において帯状の開口パターンを前記絶縁膜に形成し、前記開口パターンから前記１対のソース／ドレイン領域の各々を露出させる工程と、
前記開口パターンをプラグ用導電層で埋め込む工程と、
前記ハードマスク層の上面が露出するまで前記プラグ用導電層と前記絶縁膜とを除去することにより、前記プラグ用導電層から前記１対のソース／ドレイン領域の各々に電気的に接続された第１および第２のプラグ導電層を形成するとともに、前記第１および第２のプラグ導電層の各上面と前記ハードマスク層の上面とを実質的に同一平面とする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記帯状の開口パターンは、直線状の平面パターンを有することを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記帯状の開口パターンは、非直線状の平面パターンを有することを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記開口パターンから前記１対のソース／ドレイン領域の各々を露出させた後に、前記絶縁膜の幅が細くなるように前記絶縁膜を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、トランジスタと、ハードマスク層と、側壁絶縁膜と、第１および第２のプラグ導電層とを備えている。半導体基板は、主表面を有し、かつ主表面において素子分離構造によって囲まれた活性領域を有している。トランジスタは、活性領域の表面に形成された１対のソース／ドレイン領域と、その１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上に位置しかつ活性領域を横切って延びるゲート電極層とを有している。ハードマスク層は、ゲート電極層上に形成され、かつゲート電極層と同一の平面パターン形状を有している。側壁絶縁膜は、ゲート電極層およびハードマスク層の側壁に形成されている。第１および第２のプラグ導電層は、それぞれが１対のソース／ドレイン領域の各々に電気的に接続され、かつ平面においてゲート電極層および側壁絶縁膜に覆われていないソース／ドレイン領域の部分全体を覆っている。活性領域の延びる方向はゲート電極層の延びる方向に対して直交せずに傾斜している。ハードマスク層の上面と第１および第２のプラグ導電層の各上面とは実質的に同一の平面を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、少なくとも発光層を含む有機層と、陰極とが基板上に順次積層された有機ＥＬ
素子であって、
前記有機層が、蛍光ドーパントを含む発光層と燐光ドーパントを含む発光層とを含み、
前記蛍光ドーパントを含む発光層が前記燐光ドーパントを含む発光層よりも陰極側に積層
されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
陽極と、少なくとも発光層を含む有機層と、陰極とが基板上に順次積層され、かつ前記
発光層の発光が前記基板とは反対側から取り出される有機ＥＬ素子であって、
前記有機層が、蛍光ドーパントを含む発光層と燐光ドーパントを含む発光層とを含み、
前記蛍光ドーパントを含む発光層が前記燐光ドーパントを含む発光層よりも陰極側に積層
されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記蛍光ドーパントが、青色蛍光ドーパントであることを特徴とする請求項１または２
に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記燐光ドーパントが、赤色燐光ドーパントであることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記燐光ドーパントが、緑色燐光ドーパントであることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記燐光ドーパントを含む発光層が、赤色燐光ドーパントと緑色燐光ドーパントとを含
むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記燐光ドーパントを含む発光層が、赤色燐光ドーパントを含む発光層と緑色燐光ドー
パントを含む発光層とからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有
機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記蛍光ドーパントを含む発光層の陰極側に隣接して、ホール・ブロック層がさらに設
けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記陰極は、金属、金属合金又は金属化合物を材料として透明に形成された電子注入層
と、前記電子注入層の前記有機層に対向する面と反対側の面を覆い、前記電子注入層を保
護する役割を果たす金属又は金属合金により透明に形成された被覆層とから構成され、前
記陰極の抵抗値が、前記陰極と同形状でかつ同位置に形成されたＩＴＯ（インジウム錫酸
化物）製の透明電極の抵抗値以下となるように形成されていることを特徴とする請求項２
に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
前記燐光ドーパントを含む発光層と前記蛍光ドーパントを含む発光層との間に、ブロック層がさらに設けられたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような本願発明の有機ＥＬ素子において、上記蛍光ドーパントが青色蛍光ドーパン
トであることが好ましい。また、上記燐光ドーパントが赤色燐光ドーパント及び緑色燐光
ドーパントの少なくとも１つであることが好ましい。また、上記燐光ドーパントを含む発
光層が、赤色燐光ドーパントと緑色燐光ドーパントとを含むことも好ましい。
また、上記燐光ドーパントを含む発光層が、赤色燐光ドーパントを含む発光層と緑色燐
光ドーパントを含む発光層とからなることが好ましい。
また、蛍光ドーパントを含む発光層の陰極側に隣接して、ホール・ブロック層をさらに
設けることが好ましい。
また、陰極は、金属、金属合金又は金属化合物を材料として透明に形成された電子注入
層と、前記電子注入層の前記有機層に対向する面と反対側の面を覆い、前記電子注入層を
保護する役割を果たす金属又は金属合金により透明に形成された被覆層とから構成され、
前記陰極の抵抗値が、前記陰極と同形状でかつ同位置に形成されたＩＴＯ（インジウム錫
酸化物）製の透明電極の抵抗値以下となるように形成されていることが好ましい。
また、燐光ドーパントを含む発光層と蛍光ドーパントを含む発光層との間に、ブロック層をさらに設けることが好ましい。ここで、ブロック層とは、正孔や電子、励起子等の移動を阻止する層である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、電流を流すことで発光する機能性有機薄膜層と、導電体薄膜層とが交互に設けられ、
前記導電体薄膜層は、第１の有機化合物とアクセプタとを含む第１の層と、前記第１の層よりも前記陽極側に設けられ第２の有機化合物とドナーとを含む第２の層とを有し、
前記第１の有機化合物はＰ型半導体であり、
前記第２の有機化合物はＮ型半導体である
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記アクセプタはルイス酸であり、前記ドナーはアルカリ金属またはアルカリ土類金属であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記ルイス酸は、ＦｅＣｌ３（ＩＩＩ）、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、またはＡｓＦ６であることを特徴とする請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
陽極と陰極との間に、電流を流すことで発光する機能性有機薄膜層と、導電体薄膜層とが交互に設けられ、
前記導電体薄膜層は、第１の有機化合物とアクセプタとを含む第１の層と、前記第１の層よりも前記陽極側に設けられ第２の有機化合物とドナーとを含む第２の層とを有し、
前記第１の有機化合物は正孔輸送材料であり、
前記アクセプタは、ＦｅＣｌ３（ＩＩＩ）、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、またはＡｓＦ６のいずれかであり、
前記第２の有機化合物は電子輸送材料であり、
前記ドナーは、Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ、またはＣｓである
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記正孔輸送材料は、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、またはＣＢＰであり、前記電子輸送材料はＡｌｑ３、ＢＣＰ，またはＰＢＤであることを特徴とする請求項４に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月13日(2006.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記ステージ装置が複数の静圧軸受を有し、前記複数の静圧軸受のうち少なくとも２つの静圧軸受は共通のサブチャンバーと連通していることを特徴とする請求項１〜６のいづれか１つに記載のステージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項１１の露光装置によってウエハを露光する工程と、該露光したウエハを現像する工程とを有するデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合対象物に形成された電極部に対して半田ボールの溶融にて接合を行う半田ボールの接合方法であって、
吸着ノズルにて前記半田ボールを吸着し、前記半田ボールを前記電極部上に搬送し、
前記吸着ノズルの吸着開口と同軸に配置されたレーザ照射部にて、レーザ光照射経路の主経路として作用する前記吸着ノズルにおける前記吸着開口、及び前記主経路の周囲に配置される副経路を通過するようにレーザ光を照射し、
前記主経路を通過したレーザ光によって前記半田ボールを溶融すると共に、前記副経路を通過したレーザ光により前記電極の少なくとも一つを加熱することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
半田接合装置であって、
半田ボールを吸着保持し、前記半田ボールを接合対象物上に形成された電極部に搬送するために前記半田ボールを吸着する吸着開口を有する吸着ノズルと、
レーザ光を照射可能なレーザ照射部と、を有し、
前記吸着開口は、前記半田ボールに照射され且つ前記半田ボールを溶融する主レーザ光として作用する前記レーザ光の一部が通過する主経路として作用し、
前記吸着ノズルは、前記電極部の少なくとも一つに照射され且つ前記少なくとも一つの電極部を加熱する副レーザ光として作用する前記レーザ光の一部が通過するように、前記吸着開口の周囲に形成された副経路を更に有することを特徴とする装置。
【請求項３】
前記副経路は前記吸着開口と繋がり且つスリット形状を有することを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記副経路はスルーホール形状の前記主経路の周囲に配置されたスルーホール形状からなることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記吸着ノズルは少なくとも前記半田ボールと接触する領域上にDLC被覆部を有することを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項６】
第一の電極及び第二の電極の間に半田ボールを介在させ、レーザ光により前記半田ボールを溶融させて前記第一の電極及び前記第二の電極を接合する半田接合装置であって、
レーザ光を照射可能なレーザ照射部と、
前記レーザ光の一部が主レーザ光として通過して前記半田ボール上に全機種レーザ光を照射し、前記半田ボールを溶融する主経路と、
前記レーザ光の一部が副レーザ光として通過して前記副レーザ光の照射領域を前記第一の電極或いは前記第二の電極の領域より小さくし、少なくとも前記第一の電極及び第二の電極の一方に前記副レーザ光を照射して、前記少なくとも前記第一の電極及び第二の電極の一方を加熱する、前記主経路の周囲に配置された副経路を有することを特徴とする装置。
【請求項７】
前記副経路は前記吸着開口と繋がり且つスリット形状を有することを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記副経路はスルーホール形状の前記主経路の周囲に配置されたスルーホール形状からなることを特徴とする請求項６記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光型ダイオードの製造方法において、
半導体基板表面にポーラス層を形成する工程、
前記ポーラス層表面を平坦化する工程、
前記ポーラス層表面に発光層を含む複数の半導体層を形成する工程、
前記半導体層に面発光型ダイオード構造を形成する工程、
前記面発光型ダイオード構造の表面に反射ミラーを形成する工程、
前記半導体基板をポーラス層から分離する工程、及び
分離面側に電極と光放射用の窓を形成する工程を有することを特徴とする面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板はゲルマニウム結晶基板であり、前記発光層を含む複数の半導体層はＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓ半導体から成ることを特徴とする請求項１に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記反射ミラーは金属層で形成され、前記金属層は部分的に金属電極を兼ねていることを特徴とする請求項１に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記反射ミラーと半導体層との間に絶縁層が設けられ、前記絶縁層と半導体層との間に部分的に光反射を低減する吸収層が挿入されていることを特徴とする請求項１、３に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記面発光型ダイオードの光放射側の電極は光放射用の窓を取り囲むように形成されており、前記電極が半導体層と接している面に光吸収層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項６】
面発光型ダイオードの製造方法において、
半導体基板表面にポーラス層を形成する工程、
前記ポーラス層表面を平坦化する工程、
前記ポーラス層表面に発光層を含む複数の半導体層を形成する工程、
前記複数の半導体層の最上層に金属電極層を形成する工程、
前記金属層表面に支持基体を貼り付ける工程、
前記半導体基板をポーラス層から分離する工程、
分離後の前記半導体層に面発光型ダイオード構造を形成する工程を含むことを特徴とする面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板はゲルマニウム結晶基板であり、前記発光層を含む複数の半導体層はＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓ半導体から成ることを特徴とする請求項６に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記金属電極層は反射ミラー機能を有することを特徴とする請求項６に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項９】
前記支持基体は発光に対して透明であり、且つ、発光領域に対応する前記金属電極層が部分的に除去されていることを特徴とする請求項６に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記金属電極層と半導体層との間に、部分的に光反射を低減する吸収層が挿入されていることを特徴とする請求項６、８に記載の面発光型ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から５又は請求項６から１０のいずれか１項に記載の面発光型ダイオードの製造方法で製造された面発光型ダイオード。
【請求項１２】
請求項１から５又は請求項６から１０のいずれか１項に記載の面発光型ダイオードの製造方法で製造された面発光型ダイオードアレイ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の面発光型ダイオードアレイを配列して構成されたＬＥＤプリンタヘッド。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＬＥＤプリンタヘッドを有するプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、面発光型ダイオードの製造方法において、半導体基板表面にポーラス層を形成する工程、前記ポーラス層表面を平坦化する工程、前記ポーラス層表面に発光層を含む複数の半導体層を形成する工程、前記半導体層に面発光型ダイオード構造を形成する工程、前記面発光型ダイオード構造の表面に反射ミラーを形成する工程、前記半導体基板をポーラス層から分離する工程、及び分離面側に電極と光放射用の窓を形成する工程を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、面発光型ダイオードの製造方法において、半導体基板表面にポーラス層を形成する工程、前記ポーラス層表面を平坦化する工程、前記ポーラス層表面に発光層を含む複数の半導体層を形成する工程、前記複数の半導体層の最上層に金属電極層を形成する工程、前記金属層表面に支持基体を貼り付ける工程、前記半導体基板をポーラス層から分離する工程、分離後の前記半導体層に面発光型ダイオード構造を形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送しつつ下方より溶融半田を供給して遊技機用集積回路素子を半田付け実装する自動半田付け装置において用いる治具であって、
前記素子のパッケージの厚みに略等しい又は僅かに大きな間隔を隔てて互いに平行に設けられた一対の保持部と、その一対の保持部の基端側を連結する基端部とから平面視略コの字形に形成され、前記基板上に載置された前記素子に装着されてその素子を固定保持することを特徴とする遊技機用集積回路素子の実装用治具。
【請求項２】
前記素子のパッケージ側面には、少なくとも一つの凹溝が設けられており、
前記一対の保持部の内側面には、前記凹溝に係合可能な係合凸部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機用集積回路素子の実装用治具。
【請求項３】
下面全体が平坦状に形成され、且つ上面の一部に上面凸部が設けられたことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機用集積回路素子の実装用治具。
【請求項４】
前記一対の保持部の下面側先端部に面取り部が形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機用集積回路素子の実装用治具。
【請求項５】
前記一対の保持部の内側先端部に、先端方向に向かって前記間隔を拡大させる先端テーパ部が形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機用集積回路素子の実装用治具。
【請求項６】
前記一対の保持部の内側下部に、下方に向かって前記間隔を拡大させる下側テーパ部が形成されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の遊技機用集積回路の実装用治具。
【請求項７】
少なくとも前記一対の保持部の内側面が低摩擦材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の遊技機用集積回路の実装用治具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子が形成された半導体チップが、そのマウント体上に、融着材を介して載置融着された半導体発光装置であって、
上記マウント体の上記半導体チップの載置側の面が、上記半導体チップが載置融着される平坦面と、該平坦面から上記半導体チップの配置部の後方に延在する凹部とを有し、
上記マウント体の上記半導体チップが載置される平坦面と上記凹部に差し渡って上記融着材による金属層、もしくは上記融着材とのぬれ性にすぐれた金属層が被着され、
上記半導体チップが上記平坦面上で融着された構成とすることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
上記融着材とのぬれ性にすぐれた金属層が、Ａｕあるいは用いられる融着材３と同一材の単金属もしくは合金によって構成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記マウント体の上記凹部が、上記半導体チップの後端縁位置ないしは該後端縁位置の近傍で該位置より半導体チップ下に入り込んだ位置から後方に漸次窪む傾斜面を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記半導体チップが、ＧａＮ系半導体発光素子を有する半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
半導体発光素子が形成された半導体チップが、そのマウント体上に、融着材を介して載置融着される半導体発光装置の製造方法であって、
上記半導体チップが載置融着される平坦面と、該平坦面から上記半導体チップの配置部の後方に延在する凹部とを有する半導体チップが載置融着される平坦面と、該平坦面から連続して配置された凹部を有する半導体チップのマウント体の上記平坦面上に、上記半導体チップを融着材を介して圧潰融着する工程を有し、
上記マウント体は、上記半導体チップの載置面と上記凹部に差し渡って上記融着材による金属層、もしくは上記融着材とのぬれ性にすぐれた金属層が被着され、
上記半導体チップは、上記マウント体の上記平坦面上において上記融着材によって融着し、
上記半導体チップの圧潰によって上記半導体チップと上記マウント体の上記平坦面との間から溢出した融着材が上記金属層によって上記凹部内に流延して、該溢出融着材が上記半導体チップの上記後端側発光面に付着することを防止するようにしたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
上記融着材とのぬれ性にすぐれた金属層が、Ａｕあるいは用いられる融着材３と同一材の単金属もしくは合金によって構成されたことを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
上記マウント体の上記凹部が、上記半導体チップの後端縁位置ないしは該後端縁位置の近傍で該位置より半導体チップ下に入り込んだ位置から後方に漸次窪む傾斜面を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
上記半導体チップが、ＧａＮ系半導体発光素子を有する半導体チップであることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が導電部材を介して支持基板の導電パターンに対向して接合されている発光素子と、その発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質を含有した波長変換部材と、を備えており、
前記波長変換部材は、前記発光素子の側面方向に配置される第一の波長変換部材と、前記発光素子の主面を被覆する第二の波長変換部材と、を有し、
前記第一の波長変換部材が、前記導電部材から離間されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記波長変換部材は、さらに前記支持基板から少なくとも部分的に離間されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第一の波長変換部材は、前記発光素子の主面を含む平面から突出する上端部を有し、
前記第二の波長変換部材は、前記上端部の少なくとも一部を被覆する請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第二の波長変換部材は、前記発光素子の側面と前記第一の波長変換部材との間に介在されている請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第二の波長変換部材の上に封止部材が配置されている請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記封止部材が、前記発光素子の主面を含む平面から突出された第一の波長変換部材の上端部により位置決めされている請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記封止部材が、光拡散剤を含有する請求項５または６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記封止部材が、凸レンズ形状を有する請求項５から７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記波長変換部材は、アンダーフィルを介して前記支持基板から離間されている請求項２に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記蛍光物質は、ＡｌとＹ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｍから選択された少なくとも一つの元素とを含み、かつ希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体、または、Ｎを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから選択された少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体、から選択された少なくとも一種の蛍光体である請求項１から９のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第二の波長変換部材に含有される粒子状蛍光物質の中心粒径は、前記第一の波長変換部材に含有される粒子状蛍光物質の中心粒径より大きい請求項１から１０のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１２】
発光素子と、該発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発光する蛍光物質を含有する波長変換部材とを有する発光装置の形成方法において、
蛍光物質と該蛍光物質を固着させる結着剤との混合物を前記発光素子の外周に沿うように供給する第一の工程と、
前記混合物を障壁として位置決めし、前記発光素子の主面側に蛍光物質と結着剤との混合物を供給する第二の工程と、
前記混合物のうち少なくとも一方を硬化させる第三の工程とを含むことを特徴とする発光装置の形成方法。
【請求項１３】
前記第一の工程により供給された混合物は、前記第二の工程の前に硬化される請求項１２に記載の発光装置の形成方法。
【請求項１４】
前記発光装置の形成方法は、前記第一の工程の前に、前記発光素子の電極が導電部材を介して支持基板の導電パターンに接合される工程を含む請求項１２または１３に記載の発光装置の形成方法。
【請求項１５】
前記第二の工程により供給される混合物中の粒子状蛍光物質の中心粒径は、前記第一の工程により供給される混合物中の粒子状蛍光物質の中心粒径より大きい請求項１２から１４のいずれか一項に記載の発光装置の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】    １０    通信ネットワーク
２０    定置式水素ステーション端末
３０    水素充填所端末
４０    水素供給情報・提供システム
５０    水素充填車・配車システム
６０    カ−ナビゲ−ション
７０    携帯電話
１      水素製造所
２      配管
３      定置式水素ステーション
４      水素充填所
５      水素充填車
６      燃料電池車
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006173068.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線に対して電磁結合される２次巻線が巻回される巻軸を、該巻軸の中心軸が延在する方向に互いに離間して配設された複数の仕切鍔により、該方向に並ぶ複数の巻回部に区分してなる絶縁性の２次側ボビンを備え、
前記仕切鍔の各々には、該仕切鍔に隣接する低圧側の巻回部から高圧側の巻回部へ前記２次巻線を渡すための溝部が形成され、
前記溝部の近傍位置において、前記高圧側の巻回部の巻軸表面が、前記低圧側の巻回部の巻軸表面に対して径方向外方に位置するように構成されている高圧トランスであって、
前記２次側ボビンが備える前記複数の巻回部のうち少なくとも１組の２つの巻回部は、前記中心軸と直交する面内における各々の巻軸表面の断面形状が扁平な形状となるように、かつ該各々の巻軸表面の断面形状において長軸に相当する各々の軸線が前記中心軸の延在する方向から見て互いに交差するように構成されていることを特徴とする高圧トランス。
【請求項２】
前記２つの巻回部は、各々の前記軸線が、前記中心軸の延在する方向から見て互いに略直角に交差するように、かつ当該高圧トランスが実装される回路基板面に対して略４５度の角度で交わるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の高圧トランス。
【請求項３】
前記２次側ボビンが備える前記複数の巻回部のうち、前記巻軸において最も低圧側に位置する巻回部は、前記中心軸と直交する面内における該巻軸表面の断面形状が略円形となるように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の高圧トランス。
【請求項４】
第１の前記２次側ボビンと第２の前記２次側ボビンとが、各々の前記巻軸の一端部を絶縁性の鍔状隔壁部を介して互いに突き合わせるように設けられており、該第１の２次側ボビンの巻軸と該第２の２次側ボビンの巻軸の内部には、前記中心軸の延在する方向に延びるコア挿通孔がそれぞれ略同軸に形成され、前記鍔状隔壁部には、該第１の２次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアと、該第２の２次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアとの間に、所定の磁気ギャップを確保する絶縁性のスペーサが挿入されるスペーサ挿入孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜３までのうちいずれか１項記載の高圧トランス。
【請求項５】
２次側端子が植設された２次側端子台が、前記第１の２次側ボビン、前記第２の２次側ボビン、および前記鍔状隔壁部と、一体に形成されていることを特徴とする請求項４記載の高圧トランス。
【請求項６】
前記１次巻線が巻回される巻軸をそれぞれ有してなる第１の１次側ボビンおよび第２の１次側ボビンが、各々の該巻軸の一端部を絶縁性の鍔状隔壁部を介して互いに突き合わせるように設けられており、該第１の１次側ボビンの巻軸および該第２の１次側ボビンの巻軸の内部には、該巻軸の中心軸の延在する方向に延びるコア挿通孔がそれぞれ略同軸に形成され、前記鍔状隔壁部には、該第１の１次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアと、該第２の１次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアとの間に、所定の磁気ギャップを確保する絶縁性のスペーサが挿入されるスペーサ挿入孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜５までのうちいずれか１項記載の高圧トランス。
【請求項７】
１次側端子が植設された１次側端子台が、前記第１の１次側ボビン、前記第２の１次側ボビン、および前記鍔状隔壁部と、一体に形成されていることを特徴とする請求項６記載の高圧トランス。
【請求項８】
２つのＥ型コアを備えてなることを特徴とする請求項４〜７までのうちいずれか１項記載の高圧トランス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、第１の前記２次側ボビンと第２の前記２次側ボビンとが、各々の前記巻軸の一端部を絶縁性の鍔状隔壁部を介して互いに突き合わせるように設けられており、該第１の２次側ボビンの巻軸と該第２の２次側ボビンの巻軸の内部には、前記中心軸の延在する方向に延びるコア挿通孔がそれぞれ略同軸に形成され、前記鍔状隔壁部には、該第１の２次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアと、該第２の２次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアとの間に、所定の磁気ギャップを確保する絶縁性のスペーサが挿入されるスペーサ挿入孔が設けられている構成とすることもできる。
また、２次側端子が植設された２次側端子台が、前記第１の２次側ボビン、前記第２の２次側ボビン、および前記鍔状隔壁部と、一体に形成されていることが好ましい。
また、前記１次巻線が巻回される巻軸をそれぞれ有してなる第１の１次側ボビンおよび第２の１次側ボビンが、各々の該巻軸の一端部を絶縁性の鍔状隔壁部を介して互いに突き合わせるように設けられており、該第１の１次側ボビンの巻軸および該第２の１次側ボビンの巻軸の内部には、該巻軸の中心軸の延在する方向に延びるコア挿通孔がそれぞれ略同軸に形成され、前記鍔状隔壁部には、該第１の１次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアと、該第２の１次側ボビンの前記コア挿通孔に挿通されるコアとの間に、所定の磁気ギャップを確保する絶縁性のスペーサが挿入されるスペーサ挿入孔が設けられている構成とすることもできる。
また、１次側端子が植設された１次側端子台が、前記第１の１次側ボビン、前記第２の１次側ボビン、および前記鍔状隔壁部と、一体に形成されていることが好ましい。
さらに、２つのＥ型コアを備えた構成とすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この２つ目の巻回部ＳＡ２の巻軸表面５１Ａ２は、図６に示すように、上記溝部５５Ａ（図中仮想線で示す）と近接した領域がこの溝部５５Ａの先端部分と略面一となるように構成されている。すなわち、上記仕切鍔５３Ａを挟んで隣接する２つの巻回部ＳＡ１，ＳＡ２は、上記溝部５５Ａの近傍位置において、高圧側の巻回部ＳＡ２の巻軸表面５１Ａ２が低圧側の巻回部ＳＡ１の巻軸表面５１Ａ１に対して、巻回部ＳＡ２に巻回された第１の２次巻線８Ａの厚みと同程度だけ径方向外方に位置するように構成されている。これにより、１つ目の巻回部ＳＡ１に巻回された第１の２次巻線８Ａの最上層と、２つ目の巻回部ＳＡ２に巻回される第１の２次巻線８Ａの最上層との各々の位置を、互いに離間させることができるので、溝部５５Ａの形成位置において２つの巻回部ＳＡ１，ＳＡ２間で絶縁破壊が生じることを防止することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作キーが配設されたキー側筐体部と、
モニター画面が配設されたモニター側筐体部と、
カメラモジュールとを備え、
前記キー側筐体部と前記モニター側筐体部とを、前記キー側筐体部の長手方向端部近傍においてヒンジで開閉可能に連結したカメラ付き携帯端末であって、
前記カメラモジュールは、その光軸方向が前記キー側筐体部の長手方向とほぼ一致するように、前記キー側筐体部の前記長手方向端部近傍に実装される、カメラ付き携帯端末。
【請求項２】
操作キーが配設されたキー側筐体部と、
モニター画面が配設されたモニター側筐体部と、
カメラモジュールとを備え、
前記キー側筐体部と前記モニター側筐体部とを、前記キー側筐体部の長手方向端部近傍においてヒンジで開閉可能に連結したカメラ付き携帯端末であって、
前記カメラモジュールは、前記キー側筐体部およびモニター側筐体部を閉じた状態で、両者の厚み方向に跨るように、前記キー側筐体部の前記長手方向端部近傍に実装される、カメラ付き携帯端末。
【請求項３】
前記キー側筐体部は、
前記長手方向端部近傍に、前記キー側筐体部の他の部分に比べて部分的に厚みが厚くなった肉厚部分を有し、
前記肉厚部分の厚みは、前記他の部分の厚みと前記モニター側筐体部の厚みとの合計にほぼ等しく、
前記カメラモジュールは前記肉厚部分内に収納される、請求項１または請求項２記載のカメラ付き携帯端末。
【請求項４】
前記キー側筐体部は、
前記カメラモジュールが実装された側の長手方向側面に設けられたカメラウインドウを有し、
前記カメラモジュールは、その光軸方向に垂直な面が、前記肉厚部分の厚み方向と平行となるように実装される、請求項１記載のカメラ付き携帯端末。
【請求項５】
前記ヒンジは、前記キー側筐体部と前記モニター側筐体部とを繋ぐヒンジ筐体部内に収納され、
前記ヒンジ筐体部は、前記キー側筐体部の前記肉厚部分の幅方向両側面に係合し、
前記ヒンジ筐体部の前記肉厚部分と係合する側とは反対側に、前記モニター側筐体部が係合し、
前記ヒンジ筐体部は、前記肉厚部分の前記幅方向両側面に垂直な第１の回動軸を中心にに回動し、
前記モニター側筐体部は、その幅方向の中心軸に一致する第２の回動軸を中心に独立して回動する、請求項１または請求項２記載のカメラ付き携帯端末。
【請求項６】
前記第１の回動軸は、前記肉厚部分の前記幅方向両側面からそれぞれ垂直に突出する２つのヒンジ軸によって構成され、
前記ヒンジ筐体部は、
前記２つのヒンジ軸に係合するように並行に設けられた２つの腕部と、該２つの腕部に対して垂直に設けられた胴体部とで構成され、
前記モニター側筐体部と前記キー側筐体部とが折り畳まれた状態で前記ヒンジ筐体部が、前記肉厚部分よりも突出せず、前記モニター側筐体部を前記第１の回動軸の周りに回動させる際には、前記胴体部と前記肉厚部分とが干渉しないように構成される、請求項５記載のカメラ付き携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る請求項１記載のカメラ付き携帯端末は、操作キーが配設されたキー側筐体部と、モニター画面が配設されたモニター側筐体部と、カメラモジュールとを備え、前記キー側筐体部と前記モニター側筐体部とを、前記キー側筐体部の長手方向端部近傍においてヒンジで開閉可能に連結したカメラ付き携帯端末であって、前記カメラモジュールは、その光軸方向が前記キー側筐体部の長手方向とほぼ一致するように、前記キー側筐体部の前記長手方向端部近傍に実装される。
本発明に係る請求項２記載のカメラ付き携帯端末は、操作キーが配設されたキー側筐体部と、モニター画面が配設されたモニター側筐体部と、カメラモジュールとを備え、前記キー側筐体部と前記モニター側筐体部とを、前記キー側筐体部の長手方向端部近傍においてヒンジで開閉可能に連結したカメラ付き携帯端末であって、前記カメラモジュールは、前記キー側筐体部およびモニター側筐体部を閉じた状態で、両者の厚み方向に跨るように、前記キー側筐体部の前記長手方向端部近傍に実装される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る請求項１記載のカメラ付き携帯端末によれば、カメラモジュールは、その光軸方向がキー側筐体部の長手方向とほぼ一致するように配置されているので、カメラモジュールが大型化しても、モニター画面の配設空間を制限することが抑制されるので、モニター画面の大型化が顕著に阻害されることがない。
本発明に係る請求項２記載のカメラ付き携帯端末によれば、キー側筐体部およびモニター側筐体部の厚み方向に跨るように実装されたカメラモジュールを有しているので、カメラモジュールの収納スペースを確保することが容易であり、カメラモジュールの機能が向上し、カメラモジュールの光軸に垂直な面の面積が広くなったような場合でも、カメラ付き携帯端末全体の厚さを大幅に増加することなく、収納することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上の複数のダイを試験するシステムであって、前記複数のダイの少なくとも１つから前記複数のダイのその他の少なくとも１つに試験データを伝達するべく、前記半導体ウエハ上の複数のダイを相互接続する通信システムを有することを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記複数のダイが入力試験データを取得するための少なくとも１つのアクセスパッドを、さらに、備えたことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
入力試験データに応答して前記複数のダイが生成する出力試験データを取得するための少なくとも１つのアクセスパッドを、さらに、備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記複数のダイの少なくとも１つの試験データを処理するデータ処理システムを更に備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
半導体ウエハ上の複数のダイを試験する方法であって、
ウエハ上に製造された複数のダイを有する半導体ウエハにおいて試験データを取得する段階と、
前記半導体ウエハ上に製造され、前記複数のダイの中のいくつかのダイを相互接続する通信システムを介して、前記いくつかのダイに前記試験データを同時に伝達する段階と、を有し、
前記試験データの少なくとも一部は、前記いくつかのダイの少なくとも１つから前記いくつかのダイのその他の少なくとも１つに伝達されることを特徴とする方法。
【請求項６】
前記試験データを取得する段階が、前記半導体ウエハ上に製造されたテストシステムから前記試験データを取得する段階であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  製造中の半導体ウェーハを解析するためのコンピュータ化された方法であって、
フィーチャの表面特性を表す振幅変調波形信号を生成するために、半導体ウェーハ表面上の複数のパターン・フィーチャの内の少なくとも１つを走査するステップと、
前記フィーチャの選択されたいくつかのものに対応する前記波形信号の要素を抽出し、および前記フィーチャの受容性を決定するために、前記抽出された要素に関連したわん曲した形状と前記抽出された要素とを比較するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記走査するステップは、表面画像を生成するために、走査電子ビーム顕微鏡（ＳＥＭ）で走査するステップを含み、前記生成するステップは前記ＳＥＭ画像を振幅変調波形に変換するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記表面特性は、線幅および線間隔を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】  最も狭いポイントの辺りのフィーチャの幅と最も広いポイントの辺りの線間隔に相当する前記波形フィーチャの幅とを比較するステップをさらに含む請求項３記載の方法。
【請求項５】  前記比較するステップは、前記抽出された波形要素を理想的な表面フィーチャの波形要素特性にカーブ・フィットさせるステップを含む請求項３記載の方法。
【請求項６】  前記カーブ・フィットさせるステップは、ユニフォームおよび擬似平行フィーチャ側壁を評価するために、線間隔に対応する波形フィーチャを解析することを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】  前記カーブ・フィットさせるステップは、凸の最も狭いポイントのために、線間隔に対応する波形フィーチャを解析することを含む請求項５記載の方法。
【請求項８】  前記少なくとも１つの前記パターン・フィーチャは、パターン・コンダクタ間のエッチ間隔、および前記間隔内部からのイオン・ビーム反射を表す前記抽出された要素を含む請求項１記載の方法。
【請求項９】  フィーチャの受容性を決定するために、上部および底のレベルにおける前記振幅変調波形のセグメントの間隔の幅の比を識別するステップをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】  フィーチャの受容性を決定するために、パターン・コンダクタ間の間隔に対応するフィーチャ要素の底と円とを比較するステップをさらに含む請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体製品を形成するための方法において、
基板の上にＣｕ相互接続構造を形成し、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ表面を含むことと、
前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分をケイ化銅に転化し、それにより、ケイ化銅領域を形成することを含む方法。
【請求項２】  前記転化が、３００℃〜４００℃の範囲内の温度のシランにより、３００〜１０００ｓｃｃｍの範囲内のシラン流量を使用して、前記露出したＣｕ表面の前記少なくとも一部分を不動態化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記転化が、１〜１０トルの範囲内の圧力のシランにより、５００〜１０００ワットの範囲内の出力を含み、５〜２０分の範囲の時間の間、前記露出したＣｕ表面の前記少なくとも一部分を不動態化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記転化が、前記Ｃｕ相互接続構造を浸食し、エレクトロマイグレーションを低減するのに十分な高さで接触抵抗を抑制するのに十分な低さのケイ化銅厚を含むように、前記ケイ化銅領域を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記転化後に、前記Ｃｕ相互接続構造の上に複合誘電体層を形成することをさらに含み、前記複合誘電体層を形成することが、炭化ケイ素および窒化ケイ素フィルムのうちの一方を形成し、次にその上に低ｋ誘電体フィルムを形成することを含み、
前記転化および前記複合誘電体層を形成することが原位置に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記Ｃｕ相互接続構造を形成することが、ある表面の上に前記Ｃｕ相互接続構造を形成することを含み、前記露出したＣｕ表面が前記Ｃｕ相互接続構造の上部Ｃｕ表面であり、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ側壁をさらに含み、
前記転化が、前記露出したＣｕ側壁の少なくとも一部分をケイ化銅に転化し、それにより、側壁ケイ化銅領域を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  基板の上に形成され、上面を含むＣｕ相互接続構造を含み、前記上面の少なくとも一部分がケイ化銅から形成され、前記Ｃｕ相互接続が銅線であり、誘電体材料によって横方向および下方に直接結合される、半導体製品。
【請求項８】  ケイ化銅から形成される前記上面の前記一部分のうちの第１のセクションの上を含む前記Ｃｕ相互接続構造の上に形成される誘電体材料をさらに含み、前記誘電体材料がＳｉＮフィルムおよびＳｉＣフィルムのうちの一方の上に形成される低ｋ誘電体フィルムを含み、
後続導体構造が、前記誘電体材料内の開口部を通って、ケイ化銅から形成される前記上面の前記一部分のうちの第２のセクションに接触する、請求項７に記載の半導体製品。
【請求項９】  基板の上に形成され、上面を含むＣｕ相互接続構造を含み、前記上面の少なくとも一部分がケイ化銅から形成され、ケイ化銅から形成される前記上面の前記少なくとも一部分が第１の領域を含み、前記上面のその他の領域が実質的にＣｕから形成され、前記Ｃｕ相互接続構造の上に形成される誘電体層をさらに含み、前記誘電体層が前記その他の領域を覆い、それを通る開口部を含み、前記開口部が前記第１の領域を露出し、前記第１の領域に接触する導体材料をそこに含む、半導体製品。
【請求項１０】  基板の表面の上に形成され、上面と露出側壁とを含み、前記上面の少なくとも一部分と前記側壁の一部分がケイ化銅で形成されるＣｕ相互接続構造と、
前記Ｃｕ相互接続構造の上に形成される誘電体材料であって、炭化ケイ素および窒化ケイ素のうちの一方から形成される誘電体材料と、
前記上面の前記一部分のうちの１つのセクションに接触する後続導体構造とを含む、半導体製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を受信し、それに応答して主信号を発生する主信号経路と、該主信号から望ましくない信号成分を除去する、該主信号経路内のフィルタと、
非線形性を有する電力増幅器と、前記入力信号をデジタル方式で処理するために、該電力増幅器の該非線形性を逆にモデル化したプレディストーション信号を発生するデジタル・プレディストーション・モジュールと、
該プレディストーション信号と前記主信号とを組み合わせて、組み合わせ信号を発生する手段であって、該組み合わせ信号を前記電力増幅器に供給するために、前記フィルタと前記電力増幅器との間に配置されている手段と
を含んでなる、ベースバンドから導き出されるプレディストーションを組み込む送信機。
【請求項２】
前記フィルタが中間周波数フィルタである請求項１に記載の送信機。
【請求項３】
前記プレディストーション・モジュールが、非線形変換関数を利用して前記入力信号をデジタル方式で処理し、前記プレディストーション信号を発生するものである請求項１に記載の送信機。
【請求項３】
移動通信装置をさらに含んでおり、前記送信機が前記移動通信装置内に配置されている請求項１に記載の送信機。
【請求項４】
前記フィルタが、低帯域通過特性を有するベースバンドフィルタである請求項１に記載の送信機。
【請求項５】
電力増幅器の非線形性を逆にモデル化したプレディストーション信号を、入力信号からデジタル方式で導き出すステップと、
該入力信号から主信号を発生するステップと、
該主信号から望ましくない信号成分を取り除くために、フィルタリングするステップと、
該フィルタリングするステップの後に、前記プレディストーション信号と前記主信号とを組み合わせて、前記電力増幅器を駆動するための組み合わせ信号を発生するステップと
を含んでなる、非線形性を有する電力増幅器にベースバンドから導き出されるプレディストーションを与える方法。
【請求項６】
前記プレディストーション信号は、非線形変換関数によって得られるものである請求項５に記載の方法。