【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の被めっき面に該被めっき面の濡れ性を向上させる処理を行い、濡れ性を向上させた基板の被めっき面にめっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
基板の被めっき面に紫外線を照射して該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項３】
前記紫外線を照射した基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項２記載のめっき方法。
【請求項４】
前記紫外線は、ＵＶランプ、低圧水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、または誘電体バリア放電エキシマランプから発光される紫外線であることを特徴とする請求項２または３記載のめっき方法。
【請求項５】
基板の被めっき面にオゾンガスを暴露して該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項６】
前記オゾンガスを暴露した基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項５記載のめっき方法。
【請求項７】
前記オゾンガスは、オゾンの容積分率が１０％以上のオゾンガスであることを特徴とする請求項５または６記載のめっき方法。
【請求項８】
基板の被めっき面をオゾン水に接触させて該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項９】
前記オゾン水に接触させた基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項８記載のめっき方法。
【請求項１０】
前記オゾン水は、溶解膜による拡散溶解によりオゾンガスを純水に溶解させたオゾン水であることを特徴とする請求項８または９記載のめっき方法。
【請求項１１】
基板の被めっき面を電解イオン水に接触させて該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項１２】
前記電解イオン水に接触させた基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項１１記載のめっき方法。
【請求項１３】
前記電解イオン水は、純水または電解質を含む溶液に電気分解を行ったアノード水またはカソード水であることを特徴とする請求項１１または１２記載のめっき方法。
【請求項１４】
前記基板の被めっき面には有機質のレジスト膜が塗布され、このレジスト膜にレジストパターンが形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１５】
基板の被めっき面に紫外線を照射する紫外線照射室と、
前記紫外線照射室で紫外線を照射した基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、
前記紫外線照射室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１６】
基板の被めっき面にオゾンガスを暴露するオゾンガス暴露室と、
前記オゾンガス暴露室でオゾンガスを暴露した基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、
前記オゾンガス暴露室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１７】
基板の被めっき面にオゾン水を接触させるオゾン水処理室と、
前記オゾン水処理室でオゾン水を接触させた基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、
前記オゾン水処理室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１８】
基板の被めっき面に電解イオン水を接触させる電解イオン水処理室と、
前記電解イオン水処理室で電解イオン水を接触させた基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、
前記電解イオン水処理室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１に記載の発明は、基板の被めっき面に該被めっき面の濡れ性を向上させる処理を行い、濡れ性を向上させた基板の被めっき面にめっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
請求項２に記載の発明は、基板の被めっき面に紫外線を照射して該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。
このように、基板の被めっき面にめっきを行うのに先だって、基板の被めっき面に紫外線（ＵＶ光）を照射することにより、基板の被めっき面に僅かではあるが残留する有機物質を除去して、基板の被めっき面の濡れ性を向上させることができる。これは、ＵＶ光は、空気中の酸素に作用してオゾン分子や励起酸素原子を生成し、その結果、その励起酸素原子が基板の被めっき面に残存する有機物質を酸化分解し、ＣＯ２やＨ２Ｏとして揮発させて除去することができるからである。有機物質が完全に除去された基板の被めっき面は濡れ性が改善され、基板の被めっき面がめっき液に接触したとき、めっき欠陥の原因となる微小気泡（マイクロエアーボイド）が被めっき面に生じることをなくして、良好なめっきを行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項３に記載の発明は、前記紫外線を照射した基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項２記載のめっき方法である。
このように、紫外線を照射した基板の被めっき面を酸性液で処理することで、前述のようにして、濡れ性を改善した基板の被めっき面を活性化させ、めっき膜の被めっき面への密着を完全なものとして、めっき欠陥をなくし良好なめっきを行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項４に記載の発明は、前記紫外線は、ＵＶランプ、低圧水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、または誘電体バリア放電エキシマランプから発光される紫外線であることを特徴とする請求項２または３記載のめっき方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項５に記載の発明は、基板の被めっき面にオゾンガスを暴露して該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。
このように、基板の被めっき面にオゾンガスを暴露することによっても、前述の紫外線を照射する場合と同様に、基板の被めっき面に僅かに残存する有機物質を除去して被めっき面の濡れ性を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項６に記載の発明は、前記オゾンガスを暴露した基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項５記載のめっき方法である。
請求項７に記載の発明は、前記オゾンガスは、オゾンの容積分率が１０％以上のオゾンガスであることを特徴とする請求項５または６記載のめっき方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項８に記載の発明は、基板の被めっき面をオゾン水に接触させて該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。
このように、基板の被めっき面をオゾン水に接触させることによっても、前述の紫外線を照射する場合と同様に、基板の被めっき面に僅かに残存する有機物質を文化し除去して被めっき面の濡れ性を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項９に記載の発明は、前記オゾン水に接触させた基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項８記載のめっき方法である。
請求項１０に記載の発明は、前記オゾン水は、溶解膜による拡散溶解によりオゾンガスを純水に溶解させたオゾン水であることを特徴とする請求項８または９記載のめっき方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項１１に記載の発明は、基板の被めっき面を電解イオン水に接触させて該被めっき面の濡れ性を向上させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。
電解イオン水のアノード水（酸化性水）は有機物質を除去する効果があり、カソード水（還元性水）はパーティクルを効果的に除去する効果がある。このため、基板の被めっき面に電解イオン水を接触させることにより、基板の被めっき面の濡れ性を向上させたり、基板の被めっき面に付着したパーティクルを効果的に除去をして、クリーニング性を向上させたりすることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項１２に記載の発明は、前記電解イオン水に接触させた基板の被めっき面を酸性液で処理した後、該被めっき面にめっきを行うことを特徴とする請求項１１記載のめっき方法である。
請求項１３に記載の発明は、前記電解イオン水は、純水または電解質を含む溶液に電気分解を行ったアノード水またはカソード水であることを特徴とする請求項１１または１２記載のめっき方法である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
基板の被めっき面に酸性めっき液を用いためっきを行い、めっき後の基板のめっき面を純水で洗浄し、めっき後の基板のめっき面を弱アルカリ性水溶液で洗浄するようにしてもよい。
例えば、シリコンウェーハや他の基板に、銅、ニッケルまたははんだ等からなる半導体回路の配線やバンプを、強酸性のめっき液を用いためっきで形成した場合、例えば、めっき後の基板のめっき面（めっき膜表面）を純水で洗浄し、弱アルカリ性水溶液で更に洗浄することで、純水による洗浄では洗浄されずに、基板のめっき面上に僅かに残留した酸性成分を弱アルカリ性溶液で中和して、めっき表面の酸化や表面変質などの不具合を防止することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
前記弱アルカリ性水溶液は、例えば電解イオン水を用いた弱アルカリ性水溶液である。
前記弱アルカリ性水溶液は、リン酸３ナトリウム水溶液、リン酸３カリウム水溶液、または希釈アンモニア水であってもよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
請求項１４に記載の発明は、前記基板の被めっき面には有機質のレジスト膜が塗布され、このレジスト膜にレジストパターンが形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載のめっき方法である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項１５に記載の発明は、基板の被めっき面に紫外線を照射する紫外線照射室と、前記紫外線照射室で紫外線を照射した基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、前記紫外線照射室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置である。
前記装置フレーム内に収納され、基板を搬送する搬送装置と、前記装置フレームとの間で基板の出し入れを行うロード・アンロード室とを更に有するようにしてもよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記装置フレーム内に、前記紫外線を照射した基板の被めっき面を酸性液で処理する酸処理室を更に有するようにしてもよい。
前記紫外線照射室は、例えばＵＶランプ、低圧水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、または誘電体バリア放電エキシマランプから発光される紫外線を基板の被めっき面に照射するように構成されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項１６に記載の発明は、基板の被めっき面にオゾンガスを暴露するオゾンガス暴露室と、前記オゾンガス暴露室でオゾンガスを暴露した基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、前記オゾンガス暴露室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
前記オゾンガス暴露室は、例えば基板の被めっき面に、オゾンの容積比率が１０％以上のオゾンガスを暴露するように構成されている。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
請求項１７に記載の発明は、基板の被めっき面にオゾン水を接触させるオゾン水処理室と、前記オゾン水処理室でオゾン水を接触させた基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、前記オゾン水処理室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
前記オゾン水処理室は、例えば溶解膜による拡散溶解によりオゾンガスを純水に溶解させたオゾン水を基板の被めっき面に接触させるように構成されている。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
請求項１８に記載の発明は、基板の被めっき面に電解イオン水を接触させる電解イオン水処理室と、前記電解イオン水処理室で電解イオン水を接触させた基板の被めっき面にめっきを行うめっき室と、前記電解イオン水処理室及び前記めっき室を内部に収納した装置フレームとを有することを特徴とするめっき装置である。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
前記電解イオン水処理室は、例えば純水または電解質を含む溶液に電気分解を行ったアノード水またはカソード水を基板の被めっき面に接触させるように構成されている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
基板の被めっき面に酸性めっき液を用いためっきを行うめっき室と、めっき後の基板のめっき面を純水で洗浄する純水洗浄室と、めっき後の基板のめっき面を弱アルカリ性溶液で洗浄する弱アルカリ処理室と、前記めっき室、前記純水洗浄室及び前記弱アルカリ処理室を内部に収納した装置フレームとを有していてもよい。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
前記弱アルカリ処理室は、例えばイオン水を用いた弱アルカリ性水溶液で基板のめっき面を洗浄するように構成されている。
前記弱アルカリ処理室は、リン酸３ナトリウム、リン酸３カリウム、または希釈アンモニア水で基板のめっき面を洗浄するように構成されていてもよい。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
前記めっき室は、例えば電気めっきでめっきを行う。
前記装置フレーム内で、基板は、例えば水平状態で搬送されて処理される。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
前記装置フレームは、ドライステーションとウェットステーションに区分され、基板は、ドライステーション内で水平姿勢で搬送されて処理され、ウェットステーション内で鉛直姿勢で搬送されて処理されることが好ましい。
前記ウェットステーション内において、基板は基板ホルダに保持されて搬送され、処理されるようにしてもよい。