【事件の表示】
　平成　４年特許願第２６３２５４号「投影露光機」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　３月２５日出願公開、特開平　６−　８４７４９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明　
　本願は、平成４年９月４日の出願であって、その請求項１に係る発明は、明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「投影光学系（５）の露光位置と同一レベル位置に配置され、該投影光学系（５）のステージ（１３）上に取付けた被露光体である基板（Ｋ）の露光面と平行に投光する投光体（２）と、前記ステージ（１３）上の基板（Ｋ）を間に位置させて前記投光体（２）と対向配置された受光体（３）と、該受光体（３）の前記投光体（２）からの受光量が、予め設定した設定値と一致することにより、前記基板（Ｋ）の露光面が前記投影光学系（５）の露光位置に位置したと判定する判定制御部（４）と、から成るオートフォーカス機構（１）を備えた投影露光機。」
　
２．引用例　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された刊行物である、実願昭６１−１０９６８０号（実開昭６３−１６４３７号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
「目合わせ露光機のマスク受台に、投受光素子からなるプリントギャップ設定装置を固着し、該プリントギャップ設定装置の投受光経路を、チャック上に載置された半導体ウエーハの上面と露光マスクの下面の間に位置せしめたことを特徴とする半導体製造装置。」（実用新案登録請求の範囲）
「産業上の利用分野
　本考案は半導体製造装置、特に密着露光方式またはプロキシミティ露光方式の目合わせ露光機に於ける半導体ウエーハのプリントギャップ設定装置に関する。
　従来の技術
　半導体ウエーハの表面に形成されたフォトレジスト膜に紫外線を照射し半導体ウエーハの表面に所望の露光パターンを焼付ける露光工程に於いて、第３図に示すような密着露光装置が使用されている。・・・この装置に於いては露光の開始に先立って半導体ウエーハ（３）と露光マスク（４）の間に所定の厚みを持ったシツクネスゲージ（図示省略）を挿入し、この状態で半導体ウエーハ（３）を吸着チャック（２）毎上記シツクネスゲージに密着する位置迄押上げ、吸着チャック（２）の揺動を利用して半導体ウエーハ（３）と露光マスク（４）との平行度を補正し、次いで半導体ウエーハ（３）をプリントギャップ相当距離だけ吸着チャック（２）毎降下させ、シツクネスゲージを抜取った後、負圧吸引により半導体ウエーハ（３）を所定の露光位置位置に固定している。」（第１頁第１２行〜第２頁第１９行）
「プリントギャップ設定装置を、チャック上に載置された半導体ウエーハの上面に沿って投受光経路を形成する投受光素子から構成することによって、半導体ウエーハを徐々に上昇させて行き、半導体ウエーハの上面が投受光経路を遮断したかどうかの電気信号により、非接触方式でプリントギャップの設定を行うことができる。」（第４頁末行〜第５頁第６行）
「上記マスクホルダ（１５）に、発光ダイオード等の投光素子（１７）およびフォトダイオード等の受光素子（１８）からなるプリントギャップ設定装置（１０）を設け、このプリントギャップ設定装置の投受光経路を予め設定されたプリントギャップに合わせて上記吸着面（１２ｂ）上に吸引保持された半導体ウエーハ（１３）の上面と露光マスク（１４）の下面との間に位置せしめている。上記プリントギャップ設定装置（１０）の配設位置は、半導体ウエーハ（１３）の直径方向に沿って対向配置された投光素子（１７）と受光素子（１８）の間に形成された投受光経路をプリントギャップに対応して上方位置に移動してきた半導体ウエーハ（１３）がさえぎるように調整する。
　本考案装置は上記の如く構成されているから、吸着面（１２ｂ）上に吸引固定された半導体ウエーハ（１３）にプリントギャップ調整用の上下動が与えられ、投光素子（１７）と受光素子（１８）の間に形成された投受光経路を、プリントギャップ設定位置に上昇してきた半導体ウエーハ（１３）が横切ったとき、この検知信号によって吸着チャック（１２）による半導体ウエーハ（１３）のプリントギャップ調整用上下動を停止する。」（第６頁第２行〜第７頁第５行）
　なお、引用例１に記載された「プリントギャップ設定位置」は、露光位置であり、投受光素子からなるプリントギャップ設定装置の投受光経路は予め設定されたプリントギャップに合わせてあるから引用例１に記載された投受光素子は露光位置と同一レベル位置に配置されているものと認められる。
　そうすると、引用例１には「密着露光方式またはプロキシミティ露光方式の露光機のマスク受台に、露光位置と同一レベル位置に配置された投受光素子からなるプリントギャップ設定装置を固着し、吸着チャックの吸着面に吸引保持された半導体ウエーハが上昇してきて半導体ウエーハの直径方向に沿って対向配置された投光素子と受光素子の間に形成された投受光経路を横切ったとき、この検知信号によって吸着チャックによる半導体ウエーハのプリントギャップ調整用上下動を停止する」ことが記載されていると認められる。
　
３．対比　
　そこで、本願発明と前記引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１に記載された「吸着チャックの吸着面」、「吸引保持された」、「半導体ウエーハ」、「半導体ウエーハの直径方向に沿って」、「投光素子」及び「受光素子」は、それぞれ本願発明の「ステージ上」、「取付けた」、「被露光体である基板」、「露光面と平行」、「投光する投光体」及び「受光体」に相当する。そうすると、両者は、
「露光位置と同一レベル位置に配置され、ステージ上に取付けた被露光体である基板の露光面と平行に投光する投光体と、前記ステージ上の基板を間に位置させて前記投光体と対向配置された受光体と、から成る露光機。」の点で一致し、
（１）本願発明では、露光機が投影光学系を用いた投影露光機であるのに対し、引用例１に記載されたものは密着露光方式またはプロキシミティ露光方式の露光機である点（以下、「相違点１」という。）
（２）本願発明では、受光体の投光体からの受光量が、予め設定した設定値と一致することにより、基板の露光面が露光位置に位置したと判定する判定制御部とからなるオートフォーカス機構を備えているのに対し、引用例１に記載されたものは、投光素子と受光素子の間に形成された投受光経路を、上昇してきた半導体ウエーハが横切ったことを検知し、この検知信号によってプリントギャップ調整用上下動を停止させている点（以下、「相違点２」という。）で両者は相違する。
　
４．当審の判断　
　そこで上記相違点について検討する。
　まず、相違点２について検討すると、引用例１に記載された、投光素子と受光素子の間に形成された投受光経路を、上昇してきた半導体ウエーハが横切ったことを検知するということは、半導体ウエーハによって投光素子からの光がさえぎられた状態、すなわち受光素子が受光する投光素子からの受光量が０になったことを検知していることになる。そうすると、引用例１に記載されたものは受光素子の投光体からの受光量が０に予め設定されているということができる。そして、本願の予め設定された設定値は０を排除するものではないから、受光体の受光量が、予め設定した設定値と一致することを検知する点においては本願発明と引用例１に記載されたものとの間に実質的な差異はなく、また、引用例１に記載されたものは、投光素子からの受光量が０になったことを検知した検知信号によって半導体ウエーハのプリントギャップ調整用上下動を停止し、半導体ウエーハの露光面が露光位置であるプリントギャップ位置に位置するようにするのであるから、投光素子からの光量が０になったことを検知して検知信号を出力することは基板の露光面が露光位置に位置したと判定して判定信号を出力することに相当し、そのことを制御する制御部に相当する構成を引用例１に記載されたものが有することも明らかである。
　なお、審判請求の理由において請求人は「本願発明の請求項１記載の発明にあっては、受光体の受光量の設定値、すなわち投光体から受光体への光の透過量の設定値を変えることにより、露光位置を、投光体から受光体に照射される光束の範囲内で、自由に変更設定することができる」旨主張しているが、本願発明の請求項１には設定値を自由に変更設定できるための構成は記載されていないから、該主張は採用することができない。
　そうすると、本願発明と引用例１に記載されたものとでは実質的に相違点１のみで相違することとなるが、投影光学系を用いた投影露光機がオートフォーカス機構を備えることは、特開平２−２９７９１８号公報、特開平２−１８５０１６号公報、特開平２−７４０２４号公報、特開昭６４−１０６２４号公報等より周知の事項であり、該周知の投影露光機のオートフォーカス機構として引用例１に記載された露光機の半導体ウエーハを露光位置へ位置合わせする機構を採用することは当業者であれば容易に想到し得ることである。また、そのことによる効果も引用例１の記載から予測される程度のものにすぎない。
　
５．むすび　
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。