【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子放出素子を有する電子源と、前記電子源より放出される電子が照射されるターゲットとを内包する気密容器を有しており、該気密容器内に第１の部材を有する電子線装置において、
前記第１の部材表面の二次電子放出係数は垂直入射条件において二次電子放出係数δ＝１を満足する入射エネルギーを２個有しており、前記δ＝１条件をみたす２つのエネルギーのうち大きい方のエネルギーを第２クロスポイントエネルギーとしたとき、第２クロスポイント以下の入射エネルギーにおいて、入射角θ、０度での一次電子に対する二次電子放出係数のそれぞれを、
【数１】
2000311632.tif 000001
として、ｍ1、ｍ2を、
ｍ1＝０．６８２７３、
ｍ2＝０．８６２１２
とするときに、
下式：
【数２】
2000311632.tif 000002
一般式（１）
におけるパラメーターである二次電子放出係数の入射角度増倍係数ｍ0を、入射エネルギーが１ｋｅＶ（＝１．６０２×１０-16Ｊ）でかつ入射角を０度にして測定した二次電子放出係数の値及び入射角θを２０度、４０度、６０度、及び８０度にしてそれぞれ測定した二次電子放出係数の値から前記一般式（１）に最小自乗法による回帰分析を行って求めたときに、その値が１０以下であることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】  前記第２クロスポイント以下の入射エネルギーにおいて、前記第１の部材表面の二次電子放出係数の入射角度増倍係数ｍ0を、入射エネルギーが１ｋｅＶ（＝１．６０２×１０-16Ｊ）でかつ入射角を０度にして測定した二次電子放出係数の値及び入射角θを２０度、４０度、６０度、及び８０度にしてそれぞれ測定した二次電子放出係数の値から前記一般式（１）に最小自乗法による回帰分析を行って求めたときに、その値が５以下である請求項１に記載の電子線装置。
【請求項３】  前記第１の部材は表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えている請求項１もしくは２に記載の電子線装置。
【請求項４】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えている基板と、該凹凸形状部を被覆する膜とを有しており、該膜の膜厚は、前記基板の凹凸形状の最高部と最深部の高さの差よりも小さい請求項１乃至３いずれかに記載の電子線装置。
【請求項５】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、前記電子源からの電子線の軌道及び前記ターゲットの側で反射された電子線の軌道のいずれに対しても、前記二次電子放出係数の入射角度依存性を低減するような方向に形成されている請求項１乃至４いずれかに記載の電子線装置。
【請求項６】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、前記第１の部材の表面と平行な方向のいずれに沿っても凹凸が形成されている請求項１乃至５いずれかに記載の電子線装置。
【請求項７】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、平均周期が１００μｍ以下である請求項１乃至６いずれかに記載の電子線装置。
【請求項８】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、平均周期が１０μｍ以下である請求項１乃至６いずれかに記載の電子線装置。
【請求項９】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、平均粗さが０．１μｍ以上１００μｍ以下である請求項１乃至８いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１０】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、少なくとも２種以上の凹凸の繰返し周期よりなる請求項１乃至９いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１１】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に凹凸形状を備えており、該凹凸形状は、前記第１の部材の材料表面を非均一に除去することによって得られたものである請求項１乃至１０いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１２】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に膜を備えており、該膜は、１０7［Ω／□］〜１０14［Ω／□］の面積抵抗値を有する請求項１乃至１１いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１３】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に膜を備えており、該膜は、少なくとも１種の金属、もしくは炭素、もしくは珪素、もしくはゲルマニウムを有しており、窒化物もしくは酸化物もしくは炭化物からなる請求項１乃至１２いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１４】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に膜を備えており、該膜は、該膜を平滑基板上に平滑表面を有するように形成した際に、垂直入射条件で測定した二次電子放出係数が３．５以下となる組成の膜である請求項１乃至１３いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１５】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に膜を備えており、該膜において、表面の酸素濃度が膜内部の酸素濃度よりも大である請求項１乃至１４いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１６】  前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に膜を備えており、該膜は、スパッタ法、真空蒸着法、湿式印刷、スプレイ法、もしくはディッピング法のいずれかの方法による形成されたものである請求項１乃至１５いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１７】  前記第１の部材は、前記電子源と当接しており、前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に設けた第１の膜と、前記電子源との当接部に設けた導電性膜とを有しており、前記第１の膜と導電性膜とは接触している請求項１乃至１６いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１８】  前記第１の部材は、前記気密容器内に設けられ前記電子源より放出される電子を制御する電極と当接しており、前記第１の部材は、表面の少なくとも一部に設けた第１の膜と、前記電極との当接部に設けた低抵抗膜とを有しており、前記第１の膜と低抵抗膜とは接触している請求項１乃至１７いずれかに記載の電子線装置。
【請求項１９】  前記第１の部材は、スペーサである請求項１乃至１８いずれかに記載の電子線装置。
【請求項２０】  前記気密容器内部に前記電子源より放出される電子を制御する電極を更に有する請求項１乃至１９いずれかに記載の電子線装置。
【請求項２１】  前記電子源が有する電子放出素子と前記電極の間の印加電圧が３ｋＶ以上である請求項２０に記載の電子線装置。
【請求項２２】  前記第１の部材は、少なくとも表面の一部に膜を有しており、該膜は、前記電子源及び前記電極の双方に電気的に接続される請求項２０もしくは２１に記載の電子線装置。
【請求項２３】  前記電子源は、電子放出素子として冷陰極素子を有する請求項１乃至２２いずれかに記載の電子線装置。
【請求項２４】  前記ターゲットは、電子の照射により画像を形成するものである請求項１乃至２３いずれかに記載の電子線装置。
【請求項２５】  前記ターゲットは蛍光体を備える請求項１乃至２４いずれかに記載の電子線装置。
【請求項２６】  電子放出素子を有する電子源と、前記電子源より放出される電子が照射されるターゲットとを内包する気密容器を有しており、該気密容器内に第１の部材を有する電子線装置において、
前記第１の部材は、表面に膜を有しており、該膜の下地が凹凸形状を備えており、該膜の膜厚は、前記下地の凹凸形状の最高部と最深部の高さの差よりも小さい事を特徴とする電子線装置。