【事件の表示】
　平成３年特許願第３２０６５７号「液晶装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年６月２５日出願公開、特開平５−１５８０６９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１２月４日の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、平成１０年４月９日付け及び平成１２年１１月２０日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は次のものである。
　「基板上にソース・ドレイン部となるシリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とが積層されてなる透過型液晶装置において、前記ソース・ドレイン部及びゲート電極上に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記ソース部に接続されたソース線と、前記第１層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記ドレイン部に接続された金属配線と、前記第1層間絶縁膜及び前記ソース線及び金属配線上に形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜に形成された第３コンタクトホールを介して前記金属配線に接続される透明導電性の画素電極とを有し、前記ソース線と前記金属配線とは遮光層からなり、前記金属配線は、平面的に見て前記シリコン膜の形成領域内に収まるように配置されてなり、前記ソース線と前記画素電極とは前記第２絶縁膜を介して一部で重なり合っていることを特徴とする透過型液晶装置。」（以下、「本願発明」という）
　なお、平成１２年１月３１日付け手続補正は原審において補正却下の決定がなされ、確定している。
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平３−１６４７１６号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）特許請求の範囲には、「光反射用絵素電極、スイッチング素子、走査線及び信号線を具備して成る反射型液晶画像表示装置において、前記光反射用絵素電極を形成する導電体層が、前記信号線の上方にまでのびて形成されていることを特徴とする反射型液晶画像表示装置。」が記載されている。
（２）２頁左上欄４行〜同頁右上欄５行には、以下に示す記載がある。
　「第１図は、本発明の第一の実施例における反射型液晶画像表示装置の模式的断面図を示すものである。
　第１図において、１は石英基板、２は多結晶シリコン薄膜、３はゲート酸化膜、４は多結晶シリコンを用いたゲート電極（走査線）である。このような構成のＭＯＳ型トランジスタを形成後、第一の層間絶縁膜６としてＮＳＧ膜を積層してトランジスタを覆う。この層間絶縁膜６を、フッ酸系のウェットエッチによって、トランジスタのソース領域及びドレイン領域とのコンタクト窓を形成して、Ａｌを積層して、ソース領域上に信号線５、ドレイン領域上にドレイン電極８をそれぞれ形成する。ここで再び第二の層間絶縁膜としてＮＳＧ膜を積層して、信号線５とドレイン電極８を覆った後、ドレイン電極８上にのみ、逆スパッタによるコンタクト窓を形成する。この第二の層間絶縁膜上に、Ａｌを積層して絵素電極７を形成する。この構成では、ソース電極（信号線）５の上にも第二の層間絶縁膜を介して絵素電極７が形成されている。その結果、絵素に占める絵素電極面積の割合が大きく取ることが可能となる。」
（３）第１図には、絵素電極７と信号線５が、層間絶縁膜６（第二の層間絶縁膜）を介して一部重なり合っていることがみてとれ、またドレイン電極８は、平面的に見て多結晶シリコン薄膜２の形成領域内に収まるように配置されていることがみてとれる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比する。
（１）引用例の「石英基板１」、「多結晶シリコン薄膜２」、「ゲート酸化膜３」、「多結晶シリコンを用いたゲート電極４」、「液晶画像表示装置」が、本願発明の「基板」、「基板上にソース・ドレイン部となるシリコン膜」、「ゲート絶縁膜」、「ゲート電極」、「液晶装置」に相当することは明らかである。
（２）引用例には、「この層間絶縁膜６を・・・トランジスタのソース領域及びドレイン領域とのコンタクト窓を形成して、Ａｌを積層して、ソース領域上に信号線５、ドレイン領域上にドレイン電極８をそれぞれ形成する。」と記載されており、このことから引用例の「信号線５」が本願発明の「第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記ソース部に接続されたソース線」に相当する。　また同様に、引用例の「第一の層間絶縁膜６に形成されたコンタクト窓を介してドレイン領域上に形成されたドレイン電極８」は、本願発明の「第１層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記ドレイン部に接続された金属配線」に相当する。
（３）引用例の「第一の層間絶縁膜６及び前記信号線５及びドレイン電極８を覆う第二の層間絶縁膜」は、本願発明の「前記第1層間絶縁膜及び前記ソース線及び金属配線上に形成された第２層間絶縁膜」に相当する。
　また、引用例の「前記第二の層間絶縁膜に形成されたコンタクト窓を介して前記ドレイン電極８に接続される絵素電極７」は、本願発明の「前記第２層間絶縁膜に形成された第３コンタクトホールを介して前記金属配線に接続される画素電極」に相当する。
（４）引用例には、「信号線５の上にも第二の層間絶縁膜を介して絵素電極７が形成されている。」と記載されていること、及び第１図にみてとれる事項（引用例の上記（３）の事項）から、引用例のものも、本願発明の「前記ソース線と前記画素電極とは前記第２絶縁膜を介して一部で重なり合っている」構成に相当する事項を有している。
（５）引用例では、信号線５及びドレイン電極８として具体的にＡｌを使用しているが、Ａｌは遮光性を有する金属である。また、引用例の第１図のみてとれる事項（引用例の上記（３）の事項）から、本願発明の「前記金属配線は、平面的に見て前記シリコン膜の形成領域内に収まるように配置されて」いる構成に相当する事項を有している。
　
　以上のことから、両者は、「基板上にソース・ドレイン部となるシリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とが積層されてなる液晶装置において、前記ソース・ドレイン部及びゲート電極上に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記ソース部に接続されたソース線と、前記第１層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記ドレイン部に接続された金属配線と、前記第1層間絶縁膜及び前記ソース線及び金属配線上に形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜に形成された第３コンタクトホールを介して前記金属配線に接続される導電性の画素電極とを有し、前記ソース線と前記金属配線とは遮光層からなり、前記金属配線は、平面的に見て前記シリコン膜の形成領域内に収まるように配置されてなり、前記ソース線と前記画素電極とは前記第２絶縁膜を介して一部で重なり合っていることを特徴とする液晶装置」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明は、画素電極として「透明」導電性のものを使用し、「透過型」液晶装置であるのに対して、引用例は、画素電極としてＡｌを使用していることから透明とは言えず、また反射型液晶装置である点で相違する。
　
　上記相違点について検討する。
　画素電極として透明導電性のものを使用して液晶装置を透過型のものとするか、あるいは画素電極としてＡｌ等の光反射性のものを使用して液晶装置を反射型のものとするかは、当業者が適宜選択し得る周知の技術的事項である（必要ならば、特開平１−１５６７２５号公報を参照されたい）。
　したがって、引用例の発明のＡｌ画素電極を透明導電性画素電極に代えて、透過型液晶装置とすることは当業者にとって格別困難なことではない。
　
　本件審判請求人は、審判請求書において、「本願発明は、透過型液晶装置において、平面的に見て金属配線がシリコン膜の形成領域内に収まるように配置されているため、金属配線による開口率の低下を抑える効果を奏するものである。」と主張する。しかしながら、引用例の液晶装置も、平面的に見て金属配線がシリコン膜の形成領域内に収まるように配置されているのであるから、引用例の液晶装置を透過型とした場合に金属配線による開口率の低下が抑えられるであろうことは、当然予測し得ることである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。