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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式（Ｉ）で示される単量体を構成成分とする重合体（Ａ）の存在下で、単量体混合物を懸濁重合して得られる酸基含有ビニル系共重合体を有する水性組成物。
【化１】
2004168889.tif 000001
（式中、Ｒ１はＨ、又はＣＨ３、Ｒ２は炭素数１〜１０の炭化水素、ＸはＯ、ＮＨ、又はＮ（ＣＨ３）、ＭはＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、又はＮＨ４を示す。）
【請求項２】  さらに、塩基性化合物を添加して得られる、請求項１記載の水性組成物。
【請求項３】  重合転化率が９０％以上となった時に、塩基性化合物を添加して得られる、請求項２記載の水性組成物。
【請求項４】  塩基性化合物の添加後、さらに、水溶性重合開始剤を添加し重合して得られる、請求項２記載の水性組成物。
【請求項５】  酸基含有ビニル系共重合体が水性溶媒中に溶解している、請求項１記載の水性組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】炭フッ化水素系樹脂からなる膜状の基材に放射線を照射する放射線照射工程と、放射線が照射された前記基材に重合性アルケニルベンゼンを接触させて該重合性アルケニルベンゼンのグラフト重合鎖である側鎖を形成するグラフト反応工程と、前記側鎖にスルホン酸基を導入するスルホン酸基導入工程とが設けられ、前記グラフト反応工程、前記スルホン酸基導入工程の少なくとも一つの工程で前記基材に対し反応液を散布して反応させることを特徴とする固体高分子電解質膜の製造方法。
【請求項２】 前記スルホン酸基導入工程には、前記側鎖にハロゲン化スルホニル基を導入するスルホン化反応工程と、該ハロゲン化スルホニル基を加水分解する加水分解工程とが設けられ、前記スルホン化反応工程、前記加水分解工程の少なくとも一つの工程で前記基材に対し反応液を散布して反応させることを特徴とする請求項１記載の固体高分子電解質膜の製造方法。
【請求項３】 前記反応液が前記基材に接液した後に該基材の表面を流れるように散布されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体高分子電解質膜の製造方法。
【請求項４】 前記基材の前記反応液が接液する接液部は水平面から傾斜して設けられ、前記接液部の下方に向かう方向と前記反応液の散布方向とのなす角度が鋭角をなしているを特徴とする請求項３記載の固体高分子電解質膜の製造方法。
【請求項５】 前記反応液を散布する工程において、前記散布は反応槽内で行われ、該反応槽の底部に反応液が貯留されている貯留部が設けられ、該貯留部内に不活性ガスが導入されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体高分子電解質膜の製造方法。
【請求項６】 前記基材に散布され前記基材に付着しなかった前記反応液は回収され再び散布されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体高分子電解質膜の製造方法。
【請求項７】 前記グラフト反応工程、前記スルホン酸基導入工程、前記スルホン化反応工程、前記加水分解工程の少なくとも一つの工程の反応終了後に設けられた洗浄工程で、前記基材に対し洗浄液を散布して洗浄することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の固体高分子電解質膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
固体高分子電解質膜の製造方法の中の１つとしては、炭フッ化水素系樹脂の主鎖に放射線を照射してラジカルを形成させた後、スチレン及びジビニルベンゼン等の重合性アルケニルベンゼンからなる架橋剤を導入し、その後スルホン酸基を導入する方法がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記技術的課題を解決するために、本発明の請求項１において講じた技術的手段（以下、第１の技術的手段と称する。）は、炭フッ化水素系樹脂からなる膜状の基材に放射線を照射する放射線照射工程と、放射線が照射された前記基材に重合性アルケニルベンゼンを接触させて該重合性アルケニルベンゼンのグラフト重合鎖である側鎖を形成するグラフト反応工程と、前記側鎖にスルホン酸基を導入するスルホン酸基導入工程とが設けられ、前記グラフト反応工程、前記スルホン酸基導入工程の少なくとも一つの工程で前記基材に対し反応液を散布して反応させることを特徴とする固体高分子電解質膜の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
基材１として、炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重合体のエチレン−四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）フィルムを使用した。基材１の膜厚は５０μｍ、幅は幅１００ｍｍ、長さ２１００ｍｍである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（比較例１）
基材として、実施例１と同様の炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重合体のエチレン−四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）フィルムを使用した。基材の膜厚は５０μｍ、幅は幅５０ｍｍ、長さ５０ｍｍである。この基材を、実施例１のグラフト反応工程おいて、貯留部３０の反応液中に浸漬して反応させた。その洗浄も同様に浸漬する形で実施した。その後のスルホン化反応、加水分解処理は実施例１と同様にして行い、実施例１と同じ評価をした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、炭フッ化水素系樹脂からなる膜状の基材に放射線を照射する放射線照射工程と、放射線が照射された前記基材に重合性アルケニルベンゼンを接触させて該重合性アルケニルベンゼンのグラフト重合鎖である側鎖を形成するグラフト反応工程と、前記側鎖にスルホン酸基を導入するスルホン酸基導入工程とが設けられ、前記グラフト反応工程、前記スルホン酸基導入工程の少なくとも一つの工程で前記基材に対し反応液を散布して反応させることを特徴とする固体高分子電解質膜の製造方法であるので、固体高分子電解質膜を低コストで製造できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車両の左右ドア部に配置されるドアスピーカと、
車室内天井部の前方エリアに配置されるフラットパネルスピーカと、を有することを特徴とする車載用スピーカ装置。
【請求項２】  車両の左右ドア部に配置されるドアスピーカと、
車室内天井部の隅側に配置されるフラットパネルスピーカと、を有することを特徴とする車載用スピーカ装置。
【請求項３】  前記ドアスピーカ及び／又は前記フラットパネルスピーカへの入力信号の音響特性を調整する音響特性調整手段を設えたことを特徴とする、請求項１又は２記載の車載用スピーカ装置。
【請求項４】  前記音響特性は、信号レベル及び／又は、周波数特性及び／又は、遅延特性であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の車載用スピーカ装置。
【請求項５】  前記フラットパネルスピーカは、前記ドアスピーカによる音と前記フラットパネルスピーカによる音の合成音を聴取位置付近に定位させるように配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の車載用スピーカ装置。
【請求項６】  前記フラットパネルスピーカから出力される音を乱反射させることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一つに記載の車載用スピーカ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車両の左右ドア部に配置されたドアスピーカと、
車室内天井部の後方エリアに配置されたフラットパネルスピーカと、を有することを特徴とする車載用スピーカ装置。
【請求項２】  前記フラットパネルスピーカは、前記天井部の隅側に配置される、請求項１記載の車載用スピーカ装置。
【請求項３】  前記フラットパネルスピーカは、前記ドアスピーカによる音と前記フラットパネルスピーカによる音の合成音を聴取位置付近に定位させるように配置されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の車載用スピーカ装置。
【請求項４】  前記フラットパネルスピーカから出力される音を乱反射させることを特徴とする請求項２又は３記載の車載用スピーカ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像取込装置であって、
電子画像センサと、
動き検出ルーチン、所定画像間隔および少なくとも１つの所定動き閾値を含むメモリと、
前記電子画像センサ、シャッタボタンおよび前記メモリと通信し、前記所定画像間隔によって分離される画像の取込みを行い、現画像を１つまたは複数の前の画像と比較し、前記現画像と前記前の画像との間の動きが前記少なくとも１つの所定動き閾値より低い時を決定し、前記現画像を最終画像として格納する、プロセッサと、
を備える画像取込装置。
【請求項２】  画像取込方法であって、
前記画像取込方法を開始するためにシャッタボタン押下を検出するステップと、
前の画像を取込むステップと、
現画像を取込むステップと、
前記現画像と１つまたは複数の前の画像とを比較するステップと、
前記現画像が動きに関して安定しているか否かを決定するステップと、
前記現画像を前の画像であるように変換し、新たな画像を現画像として取込むステップを繰返し、比較ステップと前記現画像が安定していないか否かを決定するステップとを繰返すステップと、
を含み、
前記現画像を取込むステップと前記比較し決定するステップとを、前記現画像が安定していると決定されるまで繰返す、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】第１の波長範囲内の光を吸収可能な第１のフォトディテクタ素子と、第２の波長範囲内の光を吸収可能な第２のフォトディテクタ素子とを有する二色フォトディテクタを含み、
前記第１のフォトディテクタ素子は前記第２のフォトディテクタ素子の上に高架された関係にあり、
前記第１のフォトディテクタ素子は前記第２のフォトディテクタ素子から電気的に絶縁されている、ディジタルイメージセンサ。
【請求項２】基板をさらに含み、前記第２のフォトディテクタ素子が前記基板中に形成されている、請求項１に記載のディジタルイメージセンサ。
【請求項３】前記第１のフォトディテクタ素子と前記第２のフォトディテクタ素子との間に誘電体層をさらに含み、前記誘電体層は前記第１のフォトディテクタ素子を前記第２のフォトディテクタ素子から電気的に絶縁する、請求項２に記載のディジタルイメージセンサ。
【請求項４】前記第１のフォトディテクタ素子が、前記第１の波長範囲内の光を吸収すると共に前記第２の波長範囲内の光を通過させるように選択された厚さを持つアモルファスシリコンから形成されており、
前記第２のフォトディテクタ素子が、前記第１のフォトディテクタ素子が通過させた前記第２の波長範囲内の光を検出する、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のディジタルイメージセンサ。
【請求項５】前記第１のフォトディテクタ素子および前記第２のフォトディテクタ素子を駆動するための回路をさらに含み、前記第１のフォトディテクタ素子が前記回路の上に高架された関係にある、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のディジタルイメージセンサ。
【請求項６】二色フォトディテクタのアレイのデモザイク方法であって、
前記二色フォトディテクタのアレイ内にある４個の二色フォトディテクタから成るブロックから８つのカラー値を生成するステップであって、前記４個の二色フォトディテクタから成るブロック内にある各二色フォトディテクタは、下部フォトディテクタ素子の上に高架された関係にありかつ電気的に絶縁された上部フォトディテクタ素子を含み、前記４個の二色フォトディテクタのブロック内にある二色フォトディテクタの第１の対は前記８つのカラー値のうち受光した第１の波長範囲内の光に関連する２つのカラー値と、前記８つのカラー値のうち受光した第２の波長範囲内の光に関連する２つのカラー値とを生成し、前記４個の二色フォトディテクタのブロック内にある二色フォトディテクタの第２の対は前記８つのカラー値のうち受光した第３の波長範囲内の光に関連する２つのカラー値と、前記８つのカラー値のうち受光した第４の波長範囲内の光に関連する２つのカラー値とを生成し、前記８つのカラー値は第１の色空間を構成する、ステップと、
前記第１の色空間を第２の色空間へと変換するための色変換マトリクスを求めるステップであって、前記第２の色空間は、輝度色平面、第１のクロミナンス色平面、及び第２のクロミナンス色平面を含む、ステップと、
前記８つのカラー値を前記色変換マトリクスに適用することにより、前記８つのカラー値を、前記輝度色平面内の４つの輝度値、前記第１のクロミナンス色平面内の１つの第１のクロミナンスカラー値、及び前記第２のクロミナンス色平面内の１つの第２のクロミナンスカラー値へと変換するステップと、
を含むデモザイク方法。
【請求項７】前記適用するステップが、
前記８つのカラー値を前記色変換マトリクスに適用することにより、前記４つの輝度値、前記１つの第１のクロミナンス値及び前記１つの第２のクロミナンス値に対応する６つの未知の値を含む８つの式を得るステップと、
最小二乗法を用いて前記８つの式を解いて、前記６つの未知の値を求めるステップと、
をさらに含む、請求項６に記載のデモザイク方法。
【請求項８】前記色変換マトリクスを求めるステップが、
前記第１の色空間と前記第２の色空間との間で変換を行うための基本色変換マトリクスを求めるステップであって、前記基本色変換マトリクスは、前記第１、第２、第３及び第４の波長範囲からのカラー値を、前記輝度値、前記１つの第１のクロミナンス値及び前記１つの第２のクロミナンス値へと変換するものである、ステップと、
前記基本色変換マトリクスを、前記８つのカラー値を前記４つの輝度値、前記１つの第１のクロミナンス値、及び前記１つの第２のクロミナンスカラー値へと変換可能な前記色変換マトリクスへと拡張するステップと、
をさらに含む、請求項７に記載のデモザイク方法。
【請求項９】行及び列に配列された複数の二色フォトディテクタのフォトディテクタ位置を持つイメージセンサから得られたディジタルイメージをデモザイクする方法であって、
前記二色フォトディテクタの各々は、下部フォトディテクタ素子から高架された関係にありかつ電気的に絶縁された上部フォトディテクタ素子を含んでおり、前記イメージセンサは、４つの異なる波長範囲内の光に関連するカラー値を生成するものであり、
前記方法が、
前記４つの異なる波長範囲内の光に関連するカラー値のセットを受け取るステップと、
前記４つの異なる波長範囲のうち第１及び第２の波長範囲に関連する前記カラー値のセット内の第１及び第２のカラー値を生成する選択されたフォトディテクタ位置について、前記カラー値のセットを使用して前記４つの異なる波長範囲の第３の波長範囲に関連する水平方向の勾配及び垂直方向の勾配を求めるステップであって、前記水平方向の勾配及び垂直方向の勾配が前記フォトディテクタ位置の前記行及び列の配置に対応する、ステップと、
前記選択されたフォトディテクタ位置について前記第３の波長範囲内の光に関連する欠損した第３のカラー値を、前記水平方向の勾配及び垂直方向の勾配を用いて補間するステップと、
を含むデモザイク方法。
【請求項１０】前記補間するステップが、
前記水平方向の勾配と、前記第３の波長範囲内の光に関連し、かつ前記選択されたフォトディテクタ位置に垂直方向に隣接するフォトディテクタ位置に関連する前記カラー値のセット内のカラー値の平均とを乗じるステップと、
前記垂直方向の勾配と、前記第３の波長範囲内の光に関連し、かつ前記選択されたフォトディテクタ位置に水平方向に隣接するフォトディテクタ位置に関連する前記カラー値のセット内のカラー値の平均とを乗じるステップと、
をさらに含む、請求項９に記載のデモザイク方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】可撓性フィルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、次いで、該可撓性フィルムの他の面に回路パターンを形成してから、回路パターン付き可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法において、該回路パターンを形成する工程の前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】回路パターンを形成する工程がウエット工程を有し、該ウエット工程前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】回路パターンを形成する工程が加熱工程を有し、該加熱工程前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】可撓性フィルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、次いで、該可撓性フィルムの他の面に回路パターンを形成し、さらに、該回路パターン上に電子部品を接合してから、電子部品と回路パターンの付いた可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法において、該回路パターン上に電子部品を接合する工程の前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする回路基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成するために、本発明は以下の構成からなる。
（１）可撓性フィルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、次いで、該可撓性フィルムの他の面に回路パターンを形成してから、回路パターン付き可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法において、該回路パターンを形成する工程の前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）回路パターンを形成する工程がウエット工程を有し、該ウエット工程前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする（１）記載の回路基板の製造方法。
（３）回路パターンを形成する工程が加熱工程を有し、該加熱工程前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする（１）記載の回路基板の製造方法。
（４）可撓性フィルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、次いで、該可撓性フィルムの他の面に回路パターンを形成し、さらに、該回路パターン上に電子部品を接合してから、電子部品と回路パターンの付いた可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法において、該回路パターン上に電子部品を接合する工程の前に紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射することを特徴とする回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光素子の少なくとも一部をフォトレジストで被覆し、
フォトレジストの一部を露光し、ここでフォトレジストの該部分は発光素子とフォトレジストの界面に当たっている発光素子の内部からの光によって露光されるものであり、及び
フォトレジストを現像することを含み、ここで現像はフォトレジストの露光部分及び未露光部分のうちの一方を除去することである方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＧａＡｓを含む基板と、
前記基板上に形成された複数の半導体層と、
量子井戸活性層である前記複数の半導体層の複数であって、前記量子井戸活性層がＩｎ、Ｇａ、Ａｓ及びＮを含むものと、
前記量子井戸活性層の一方の側に配置された第１の反射器及び前記量子井戸活性層の反対側に配置された第２の反射器と、
前記第１の反射器と前記量子井戸活性層との間に配置された、Ｇａ及びＡｓを含む第１のクラッド層と、
前記第２の反射器と前記量子井戸活性層との間に配置された第２のクラッド層とを含んでなり、
前記半導体層の１つが窒素を含む不活性層であり、窒素を含む前記不活性層が前記第１のクラッド層と前記第１の反射器との間に配置されている非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【請求項２】  基板と、
前記基板上に形成された複数の半導体層と、
量子井戸活性層を含む前記半導体層の１つと、
前記量子井戸活性層の前記基板と同じ側に配置された第１の反射器及び前記量子井戸活性層のその反対側に配置された第２の反射器と、
前記第１の反射器と前記量子井戸活性層との間に配置された第１のクラッド層と、
前記第２の反射器と前記量子井戸活性層との間に配置された第２のクラッド層とを含んでなり、
前記半導体層の１つがＩｎ、Ｇａ、Ａｓ及びＰを含む不活性層であり、前記不活性層が前記第１のクラッド層と前記第１の反射器との間に配置されている非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【請求項３】  前記不活性層が約６００Åの厚さを有する請求項２に記載の非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【請求項４】  前記不活性層が少なくとも約２００Åの距離だけ前記量子井戸活性層から離れている請求項２に記載の非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【請求項５】  前記不活性層がＧａＡｓ1-xＮxを含む請求項２に記載の非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【請求項６】  前記ｘの値が０と０．１との間にある請求項５に記載の非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【請求項７】  前記複数の半導体層のうちの２つがトンネル接合部を含む請求項２に記載の非対称垂直空胴表面放出レーザ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面から所定の深さを有する素子分離用溝を形成し、
前記素子分離用溝を含む前記半導体基板の表面に誘電体膜を形成し、
前記素子分離用溝に化学気相成長膜を埋め込み、
前記素子分離用溝を除く部位の前記誘電体膜をエッチングにより除去し、
絶縁膜と導電性膜を順に形成し、
前記誘電体膜と接触する部位の前記絶縁膜を前記導電性膜を介して覆うパターンを有するレジストを形成し、
前記レジストの上から異方性エッチングを行うことにより表面の露出した部位の前記導電性膜を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レジストがトランジスタのゲート電極形成のためのパターンを有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジストが前記化学気相成長膜と接触する部位の前記絶縁膜を前記導電性膜を介して覆う請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記化学気相成長膜が多結晶シリコン膜である請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記化学気相成長膜が前記誘電体膜と材質が同じである請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記誘電体膜がシリコン酸化膜である請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられたトレンチ分離部と、
内壁膜として前記トレンチ分離部の内壁に沿って形成された第１の膜と、
前記トレンチ分離部内を満たし、前記第１の膜の内部表面に接して形成された第２の膜と、
前記第１の膜および前記第２の膜を覆い、前記トレンチ分離部上に形成された導電性膜と、
を有する半導体装置。
【請求項８】
前記導電性膜とは異なる領域にゲート電極をさらに有し、
前記導電性膜と前記ゲート電極が同一工程で形成されている請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導電性膜が設けられた第１の領域および前記ゲート電極が設けられた第２の領域を覆う絶縁膜をさらに有し、
前記絶縁膜は、前記第１の領域において前記第１の膜および前記第２の膜と前記導電性膜とを絶縁するとともに、前記第２の領域において前記ゲート電極と前記半導体基板とを絶縁する、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の膜が化学気相成長膜である請求項７記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記化学気相成長膜が多結晶シリコン膜である請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記化学気相成長膜が前記第１の膜と材質が同じである請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の膜がシリコン酸化膜である請求項７記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は上述したような従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、素子分離部形成の際におけるゴミの発生を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するための本発明の半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられたトレンチ分離部と、
内壁膜として前記トレンチ分離部の内壁に沿って形成された第１の膜と、
前記トレンチ分離部内を満たし、前記第１の膜の内部表面に接して形成された第２の膜と、
前記第１の膜および前記第２の膜を覆い、前記トレンチ分離部上に選択的に形成された導電性膜と、
を有する構成である。
また、上記目的を達成するための本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板の表面から所定の深さを有する素子分離用溝を形成し、
前記素子分離用溝を含む前記半導体基板の表面に誘電体膜を形成し、
前記素子分離用溝に化学気相成長膜を埋め込み、
前記素子分離用溝を除く部位の前記誘電体膜をエッチングにより除去し、
絶縁膜と導電性膜を順に形成し、
前記誘電体膜と接触する部位の前記絶縁膜を前記導電性膜を介して覆うパターンを有するレジストを形成し、
前記レジストの上から異方性エッチングを行うことにより表面の露出した部位の前記導電性膜を除去するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域中に配され、該第1の半導体領域と共に光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、
前記第１の半導体領域中に配された第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域に転送するゲート電極と、
前記ゲート電極の一部が上部に配された素子分離領域と、
を有する光電変換装置において、
前記素子分離領域上に配されているゲート電極の一部は、前記第１の半導体領域と第３の半導体領域との接合面に形成される空乏層上に配されていないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域中に配され、該第1の半導体領域と共に光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、
前記第１の半導体領域中に配された第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域をリセットする電圧を供給するためのゲート電極と、
前記ゲート電極の一部が上部に配された素子分離領域と、
を有する光電変換装置であって、
前記素子分離領域上に配されているゲート電極の一部は、前記第１の半導体領域と第３の半導体領域との接合面に形成される空乏層上に配されていないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光電変換装置において、前記素子分離領域の下部に、前記第１の半導体領域に比べて不純物濃度が高い第１導電型の第４の半導体領域が配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の光電変換装置において、前記第１導電型はＰ型であり、前記ゲート電極がＮ型のポリシリコンで形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の光電変換装置において、前記光電変換素子が電荷を蓄積している状態にあるときに、前記ゲート電極の電位が前記第１導電型のキャリア濃度を高める電位であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光電変換装置において、前記第１導電型はＰ型であり、前記ゲート電極の電位が負であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の光電変換装置において、前記光電変換素子が１次元又は２次元のアレイ状に配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記ゲート電極は、前記素子分離領域を介して、該素子分離領域下部の第１導電型のキャリア濃度を高める機能を有していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１に記載の光電変換装置において、前記ゲート電極は、前記第２の半導体領域をソース、前記第３の半導体領域をドレインとするＭＯＳトランジスタのゲートとして機能しており、前記素子分離領域は、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル幅を規定していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の光電変換装置と、前記光電変換装置に画像を結像するレンズと、前記光電変換装置からの画像信号を記憶する手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域中に配され、該第1の半導体領域と共に光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、前記第１の半導体領域中に配された第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域に転送するゲート電極と、前記ゲート電極の一部が上部に配された素子分離領域と、
を有する光電変換装置において、前記素子分離領域上に配されているゲート電極の一部は、前記第１の半導体領域と第３の半導体領域との接合面に形成される空乏層上に配されていないことを特徴とする光電変換装置が提供される。
また、本発明によれば、第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域中に配され、該第１の半導体領域と共に光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、前記第１の半導体領域中に配された第２導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域をリセットする電圧を供給するためのゲート電極と、前記ゲート電極の一部が上部に配された素子分離領域と、を有する光電変換装置であって、前記素子分離領域上に配されているゲート電極の一部は、前記第１の半導体領域と第３の半導体領域との接合面に形成される空乏層上に配されていないことを特徴とする光電変換装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
金属磁性粒子を、水素もしくは不活性ガス中、温度４００℃以上９００℃未満で第１の熱処理をする工程と、
前記金属磁性粒子が絶縁被膜によって取り囲まれた複数の複合磁性粒子を形成する工程と、
前記複数の複合磁性粒子を加圧成形することによって成形体を形成する工程とを備える、軟磁性材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路を有する回路基板と、
前記回路で発生した熱を伝導する熱伝導手段と、
前記回路で発生した熱による前記熱伝導手段の温度よりも使用環境温度が低い電子素子と、
前記回路基板と前記熱伝導手段と前記電子素子とを支持する支持手段と、を有し、
前記支持手段は、前記熱伝導手段と前記電子素子との間に配置され、
前記支持手段への前記熱伝導手段の投影面と、前記支持手段への前記電子素子の投影面とが重ならないような配置である電子機器。
【請求項２】
回路を有する回路基板と、
前記回路で発生した熱を伝導する熱伝導手段と、
前記回路で発生した熱による前記熱伝導手段の温度よりも使用環境温度が低い電子素子と、
前記回路基板と前記熱伝導手段と前記電子素子とを支持する支持手段と、を有し、
前記支持手段は、前記熱伝導手段と前記電子素子との間に配置され、
記録媒体たる光ディスクへの前記熱伝導手段の投影面と、前記記録媒体たる光ディスクへの前記電子素子の投影面とが重ならないような配置である電子機器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子機器であって、
前記電子素子はレーザである電子機器。
【請求項４】
請求項１に記載の電子機器であり、
前記熱伝導手段は、端部に突起部を形成し、
前記熱伝導手段の突起部は、前記支持手段と平行な面と略垂直な面へ曲がっており、前記電子機器の筐体と接触している電子機器。
【請求項５】
請求項２に記載の電子機器であり、
前記熱伝導手段は、端部に突起部を形成し、
前記熱伝導手段の突起部は、前記光ディスクと平行な面と略垂直な面へ曲がっており、前記電子機器の筐体と接触している電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか記載の電子機器であって、
前記電子機器はＤＶＤに情報を記録するＤＶＤカメラであり、
前記熱伝導手段は、銅板であり、
前記支持手段は、ステンレス板である電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至５いずれか記載の電子機器であって、
前記電子機器は、撮影レンズを有し、
前記撮影レンズを支持する第二の支持手段を有する電子機器。
【請求項８】
請求項７に記載の電子機器であって、
前記第二の支持手段は前記撮影レンズの種類に応じて交換できる電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャッターボタンの操作によるシャッターの動作により予め設定の所定枚数の写真を所定の間隔にて連続して撮影可能な連写機能を有するデジタルカメラであって、連写撮影を設定する連写撮影設定部と、画像データを記録する画像記録手段と、前記画像記録手段に記録する画質モードを少なくとも２種類から選択する画質モード選択手段と、前記画像記録手段の記録可能容量を算出する記録容量算出手段と、前記連写撮影設定部による連写撮影設定時に前記記録容量算出手段による記録可能容量の算出結果が、設定された連写撮影の画質モードにて所定枚数の撮影に要する記録容量に対して不足する場合に、画質モードが他の画質モードに選択され、前記所定枚数の連写撮影を可能に構成したことを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項２】
シャッターボタンの操作によるシャッターの動作により予め設定の所定枚数の写真を所定の間隔にて連続して撮影可能な連写機能を有するデジタルカメラであって、連写撮影を設定する連写撮影設定部と、画像データを記録する画像記録手段と、前記画像記録手段の記録可能容量を算出する記録容量算出手段と、前記連写撮影設定部による連写撮影設定時に前記記録容量算出手段による記録可能容量の算出結果が、設定された連写撮影の画質モードにて所定枚数の撮影に要する記録容量に対して不足する場合に、警告を行った後、前記所定枚数よりも少ない枚数にて連写撮影を可能に構成したことを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項３】
シャッターボタンの操作によるシャッターの動作により予め設定の所定枚数の写真を所定の間隔にて連続して撮影可能な連写機能を有するデジタルカメラであって、連写撮影を設定する連写撮影設定部と、画像データを記録する画像記録手段と、前記画像記録手段の記録可能容量を算出する記録容量算出手段と、前記連写撮影設定部による連写撮影設定時に前記記録容量算出手段による記録可能容量の算出結果が、設定された連写撮影の画質モードにて所定枚数の撮影に要する記録容量に対して不足する場合に、警告を行った後、前記画質モード選択手段により他の画質モードに選択あるいは撮影枚数設定手段により撮影枚数の再設定を可能にしたことを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項４】
シャッターはセルフタイマーの動作に基づいて動作されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のデジタルカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像回路と、記憶手段と、画像処理回路と、表示回路と、制御回路とを備え、
前記撮像回路は静止画撮影機能と動画撮影機能を有し、
前記記憶手段は前記撮像回路が出力する静止画データまたは動画データを記憶する機能を有し、
前記画像処理回路は静止画データまたは動画データを処理する機能を有し、
前記表示回路は前記画像処理回路が処理した静止画データまたは動画データを表示するものであり、
前記制御回路は前記撮像回路および前記画像処理回路を制御するものであって、静止画撮影と動画撮影を交互に行うよう前記撮像回路を制御し、動画データを静止画データより優先して処理するよう前記画像処理回路を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１記載の撮像装置であって、
前記制御回路は前記の動画データを静止画データより優先して処理する制御においては、静止画データと、その直後に撮影された動画データの処理の順序を入替え、後で撮影された動画データの処理を終えてから、その直前の静止画データを処理するよう前記画像処理回路を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１記載の撮像装置であって、
前記制御回路は前記の動画データを静止画データより優先して処理する制御においては、静止画撮影に続いて動画撮影を始めた後で、静止画データの処理を中断して動画データの処理を開始し、動画データの処理終了後に静止画データの処理を再開するよう前記画像処理回路を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１記載の撮像装置であって、
前記制御回路は前記の動画データを静止画データより優先して処理する制御においては、静止画撮影に続いて動画撮影を始めた後で、静止画データの処理と動画データの処理を交互に行うよう前記画像処理回路を制御し、動画データの処理終了後は静止画データの処理を行うよう前記画像処理回路を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置であって、前記撮像回路は出力した静止画データ量を制御回路に通知する手段を有し、前記制御回路は通知された静止画データ量に従って前記画像処理回路を制御する事を特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置であって、静止画用レジスタ群と動画用レジスタ群を備え、前記制御回路は有効なレジスタ群を選択するものであり、前記画像処理回路は選択されたレジスタ群の指示に従って処理を行う事を特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静止画データと動画データとを選択的に出力する撮像手段と、
前記撮像手段の出力を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された静止画データと動画データとを選択的に画像処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段で画像処理された動画データを表示する表示手段と、
一画面分の静止画データについて前記信号処理手段で画像処理している途中で、その処理を中断して、前記信号処理手段に動画データを画像処理させ、その後、中断した静止画データの画像処理を前記信号処理手段に再開させるよう制御することが可能な制御手段と、
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記撮像手段の出力状況及び前記信号処理手段の画像処理状況を監視し、その監視結果に基づいて、前記信号処理手段での静止画データの画像処理と動画データの画像処理との切り替えを制御する、
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記信号処理手段で画像処理された動画データを記憶する表示用メモリをさらに備え、
前記表示用メモリは、前記動画データの１フレーム分の容量よりも小さい容量の記憶領域を有する、
請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記信号処理手段における静止画データの画像処理について、前記信号処理手段に対する指示を記憶する静止画用一時記憶手段と、
前記信号処理手段における動画データの画像処理について、前記信号処理手段に対する指示を記憶する動画用一時記憶手段と、をさらに備え、
前記制御手段は、
前記信号処理手段が静止画データについて画像処理している場合、前記静止画用一時記憶手段に記憶されている指示を前記信号処理手段に出力させつつ、前記信号処理手段での画像処理が進むにつれて前記静止画用一時記憶手段に記憶されている指示を順次更新する一方、前記動画用一時記憶手段に記憶されている指示内容を変えないよう保持し、
前記信号処理手段が動画データについて画像処理している場合、前記動画用一時記憶手段に記憶されている指示を前記信号処理手段に出力させつつ、前記信号処理手段での画像処理が進むにつれて前記動画用一時記憶手段に記憶されている指示を順次更新する一方、前記静止画用一時記憶手段に記憶されている指示を変えないよう保持する、
請求項１〜３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像手段は、動画データを出力し始めてからのデータ量を前記制御手段に通知し、
前記制御手段は、前記撮像手段からの通知に従って、前記撮像手段の出力状況を監視する、
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記撮像手段が動画データについて画像処理し始めたときからの経過時間を監視することにより、前記撮像手段の出力状況を監視する、
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の撮像装置は、静止画データと動画データとを選択的に出力する撮像手段と、撮像手段の出力を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された静止画データと動画データとを選択的に画像処理する信号処理手段と、信号処理手段で画像処理された動画データを表示する表示手段と、一画面分の静止画データについて信号処理手段で画像処理している途中で、その処理を中断して、信号処理手段に動画データを画像処理させ、その後、中断した静止画データの画像処理を信号処理手段に再開させるよう制御することが可能な制御手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して印刷シミュレーションを行う画像処理装置であって、
印刷シミュレーションのターゲットプリンタとしてネットワーク上のカラープリンタ、および、プレビュー表示を行う前記ネットワーク上のカラーモニタを選択するデバイス選択手段と、
前記ターゲットプリンタの印刷出力の観察条件、および、前記プレビュー表示用のモニタの観察条件を設定する設定手段と、
前記プレビュー表示のカラーマッチング処理に必要なプロファイルを選択し、前記選択したプロファイルを前記ターゲットプリンタに設定するプロファイル選択手段と、
前記ターゲットプリンタに設定したプロファイルに、前記印刷出力の観察条件に関する情報および前記モニタの観察条件に関する情報を埋め込む埋込手段と、
カラーマッチング処理を施すべき画像データを前記ターゲットプリンタへ送信し、前記選択したプロファイルに従うカラーマッチング処理が施された画像データを前記ターゲットプリンタから受信する通信手段と、
前記受信した画像データに基づく画像を前記プレビュー表示用のモニタに表示させる出力手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理装置と前記プレビュー表示用のモニタは同一サイトに存在し、前記ターゲットプリンタは他サイトに存在し、両サイトは前記ネットワークを介して接続されていることを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項３】
前記プロファイルは、前記ターゲットプリンタに接続されたプロファイルデータベース、前記画像処理装置と同一のサイトに存在するプロファイルデータベースの順に探索されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項４】
前記プロファイルは、前記ターゲットプリンタに接続されたプロファイルデータベース、前記ターゲットプリンタと同一のサイトに存在するプロファイルデータベース、前記画像処理装置と同一のサイトに存在するプロファイルデータベースの順に探索されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項５】
さらに、前記受信するカラーマッチング処理済みの画像データのデータフォーマットを指定する指定手段を有し、
前記通信手段は前記データフォーマットの指定を前記ターゲットプリンタに通知することを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項６】
前記ターゲットプリンタは、前記カラーマッチング処理を施した画像データをビットマップデータに展開し、前記展開したビットマップデータを前記指定データフォーマットの画像データに変換して前記画像処理装置へ送信することを特徴とする請求項5に記載された画像処理装置。
【請求項７】
画像処理装置を制御して、ネットワークを介して印刷シミュレーションを行う画像処理方法であって、
印刷シミュレーションのターゲットプリンタとしてネットワーク上のカラープリンタ、および、プレビュー表示を行う前記ネットワーク上のカラーモニタを選択し、
前記ターゲットプリンタの印刷出力の観察条件、および、前記プレビュー表示用のモニタの観察条件を設定し、
前記プレビュー表示のカラーマッチング処理に必要なプロファイルを選択し、前記選択したプロファイルを前記ターゲットプリンタに設定し、
前記ターゲットプリンタに設定したプロファイルに、前記印刷出力の観察条件に関する情報および前記モニタの観察条件に関する情報を埋め込み、
カラーマッチング処理を施すべき画像データを前記ターゲットプリンタへ送信し、
前記選択したプロファイルに従うカラーマッチング処理が施された画像データを前記ターゲットプリンタから受信し、
前記受信した画像データに基づく画像を前記プレビュー表示用のモニタに表示させることを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
請求項7に記載された画像処理をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項8に記載されたコンピュータプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明にかかる画像処理は、ネットワークを介して印刷シミュレーションを行う画像処理方法であって、印刷シミュレーションのターゲットプリンタとしてネットワーク上のカラープリンタ、および、プレビュー表示を行う前記ネットワーク上のカラーモニタを選択し、前記ターゲットプリンタの印刷出力の観察条件、および、前記プレビュー表示用のモニタの観察条件を設定し、前記プレビュー表示のカラーマッチング処理に必要なプロファイルを選択し、前記選択したプロファイルを前記ターゲットプリンタに設定し、前記ターゲットプリンタに設定したプロファイルに、前記印刷出力の観察条件に関する情報および前記モニタの観察条件に関する情報を埋め込み、カラーマッチング処理を施すべき画像データを前記ターゲットプリンタへ送信し、前記選択したプロファイルに従うカラーマッチング処理が施された画像データを前記ターゲットプリンタから受信し、前記受信した画像データに基づく画像を前記プレビュー表示用のモニタに表示させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
所定の撮影領域における被写体である利用者を撮影する撮像手段と、前記撮像手段により得られる撮影画像を含む合成画像を写真として出力する出力手段とを備える自動写真作成装置であって、
前記利用者による操作を受け付ける入力手段と、
前記入力手段により受け付けられた操作に応じて、複数の前記撮影画像を所定の位置に配置することにより所定のレイアウト合成画像を生成するレイアウト合成手段と、
前記入力手段により受け付けられた操作に応じて、所定の付加画像を前記レイアウト合成画像に合成することにより前記合成画像を生成する落書き合成手段と
を備えることを特徴とする、自動写真作成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、所定の撮影領域における被写体である利用者を撮影する撮像手段と、前記撮像手段により得られる撮影画像を含む合成画像を写真として出力する出力手段とを備える自動写真作成装置であって、
前記利用者による操作を受け付ける入力手段と、
前記入力手段により受け付けられた操作に応じて、複数の前記撮影画像を所定の位置に配置することにより所定のレイアウト合成画像を生成するレイアウト合成手段と、
前記入力手段により受け付けられた操作に応じて、所定の付加画像を前記レイアウト合成画像に合成することにより前記合成画像を生成する落書き合成手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記撮像手段に対向して前記利用者の背後に配置されており、撮影対象となるべき被撮影面を有する背景提示手段をさらに備え、
前記画像処理手段は、前記撮像手段により取得された像に含まれる前記被撮影面の像が占める領域に前記動画を合成することにより、前記合成動画を生成することを特徴とする、請求項１に記載の自動写真作成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第２の発明は、第１の発明において、
前記撮像手段に対向して前記利用者の背後に配置されており、撮影対象となるべき被撮影面を有する背景提示手段をさらに備え、
前記画像処理手段は、前記撮像手段により取得された像に含まれる前記被撮影面の像が占める領域に前記動画を合成することにより、前記合成動画を生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
また、係数種データ生成装置２００は、変換回路２０６で得られた、空間クラスタップのデータに対応した複数の輝度値のレベル分布パターンに基づいて空間クラスを検出し、そのクラス情報を出力する空間クラス検出回路２０８を有している。この空間クラス検出回路２０８は、上述した画像信号処理部１０４の空間クラス検出回路１１６と同様に構成される。この空間クラス検出回路２０８からは、各輝度値の再量子化コードｑｉが空間クラスを示すクラス情報として出力される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
そして、入力端子２０１に供給されるＨＤ信号より得られる注目位置の画素データとしての各ＨＤ画素データｙと、この各ＨＤ画素データｙにそれぞれ対応して第１のタップ選択回路２０３で選択的に取り出される予測タップのデータｘｉと、各ＨＤ画素データｙにそれぞれ対応してクラス合成回路２１０より出力されるクラスコードＣＬと、パラメータｒ，ｚの値とから、正規方程式生成部２１１では、クラスおよび出力画素の組み合わせ毎に、係数種データｗi0〜ｗi9（ｉ＝１〜ｎ）を生成するための正規方程式（（１３）式参照）が生成される。そして、係数種データ決定部２１２で各正規方程式が解かれて係数種データｗi0〜ｗi9が求められ、この係数種データｗi0〜ｗi9は係数種メモリ２１３に格納される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
しかし、例えばＲＯＭ１２１にクラスおよびパラメータｒ，ｚの値の各組み合わせに対応した係数データＷｉ自体を格納しておくことも考えられる。その場合、画像信号処理部１０４では、そのＲＯＭ１２１から、クラス合成回路１１８で取得されたクラスコードＣＬが示すクラスおよびユーザ操作によって調整されたパラメータｒ，ｚの値に対応した係数データＷｉを読み出して、推定予測演算回路１２２に供給するようにされる。このようにＲＯＭ１２１に係数データＷｉ自体を格納しておくことで、演算の手間を省くことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2005142744.tif 000001