【事件の表示】
　平成　４年特許願第１３２１４４号「浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１２月１０日出願公開、特開平　５−３２５１３８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　４年　５月２５日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　１月１６日
　意見書・手続補正書　　　　　　　　　　　平成１３年　３月２６日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　４月１３日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　５月２４日
　
２　本願発明
  本件出願の【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項２】に係る発明は、補正された明細書の請求項１，２に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「磁性基板と、前記磁性基板上に積層された下地絶縁層と、前記下地絶縁層上に積層され、バイアス層、磁気抵抗効果層、導電性リード層を備えた再生用ヘッドとしての磁気抵抗素子部と、前記下地絶縁層上であって、少なくとも前記磁気抵抗素子部の導電性リード層の外周部に積層された、窒化膜や酸化膜からなる非磁性層と、前記非磁性層上、及び、前記磁気抵抗素子部の導電性リード層上に積層された絶縁膜と、前記絶縁膜上に順次積層された下部磁性層、磁気ギャップ、上部磁性層とを備えた浮上型薄膜磁気ヘッドであって、
　前記磁気抵抗素子部の膜厚と前記非磁性層の膜厚の差が前記絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする浮上型薄膜磁気ヘッド。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例記載の発明
（１）引用例１
　本件出願前公知の刊行物である特開昭６１−２６７９１４号公報（公開日　昭和６１年１１月２７日、以下、引用例１という。）の
ａ）第２頁左下欄第２行〜第１０行に、従来例として、
「　更に、ＭＲヘッドの電極２と上部及び下部磁気シールド５、６との接触は、前述した摺動面に露出した部分のみならず、ＭＲヘッドの内部でも生ずる。これは、高分解能特性を達成するため、上部及び下部絶縁層３、４の厚みを電極２の厚みより薄く形成した場合に顕著である。これは、上部絶縁層３の電極２部分におけるステップカバレージが悪化し、この部分を通じて、電極２と磁気シールド５の接触が生じるからである。」と記載され、
　
ｂ）第２頁左下欄第１８行〜２０行に、発明の目的として、
「本発明は、この様な欠点を招来することなく、高記録密度の再生が可能な信頼性の高い磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を提供することにある。」と記載され、
　
ｃ）第３頁右上欄第１５行〜左下欄第１８行に、
「（実施例）
　第１図は、本発明の一実施例における製造工程を示す、ＭＲヘッドの媒体摺動面から見た正面図である。
　まず、第１図（ａ）において、Ｓｉ、ガラス、セラミック等の表面が滑らかな基板７上に、高透磁率磁性体（例えば、パーマロイ合金、アモルファス軟磁性体等）からなる下部磁気シールド６及び非磁性で電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）から成る下部絶縁層４が所定の厚みに被着された構成を有する基体１１上に、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＣｏ合金薄膜からなるＭＲ素子１と、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｍｏ等の導電性材料から成るバッファ層９と、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の電気的良導体からなる電極層２とＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ等から成る接着層１０が順次積層されている。ＭＲ素子１とバッファ層９の積層体は第１の導電膜１２、電極層２と接着層１０の積層体は第２の導電膜１３を構成する。これ等の第１の導電膜１２及び第２の導電膜１３は、イオンミリング等の手法によりエッチングされ、所定のパターン形状に加工される。
　接着層１０は特に必要とするものではないが、その後に被着される絶縁層と電極層２との接着を強固にする上で有効である。」と記載され、
　
ｄ）第３頁右下欄第２行〜第１０行に、
「　次に、第１図（ｂ）において、所定の形状に加工された第１の導電膜１２、第２の導電膜１３、更には基体１１の全面を覆う様に、非磁性で電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）から成る補助絶縁層８が成膜される。更に、補助絶縁層８の上には、レジストが塗布され、露光、現像のプロセスをへて、所要部分が開口されたマスク１４を形成する。次いで、基体を回転させながら、斜め入射イオンビームにより、エッチングする。」と記載され、
　
ｅ）第４頁左上欄第１２行〜第１７行に、
「バッファ層９には、イオンミリングによるエッチング速度が極めて遅い材料（例えば、前述したＣｒ、Ｔｉ）が好適である。
　次の工程として、第１図（ｄ）に示す如く、電極層２をマスクとして、バッファ層９の表面に露出した部分をエッチングし、ＭＲ素子１を露出させる。」と記載され、
　
ｆ）第４頁右上欄第７行〜第１８行に、
「更に、バッファ層９のエッチングの後、マスク１４を除去する。以上の工程の結果、媒体摺動面から見たＭＲ素子１の両端には、バッファ層９及び台形状断面を有する第２の導電膜１３で構成される１対の電極が完成する。
　その後、第１図（ｅ）において、基板１１上のパターン全面を覆う様に、非磁性で電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）から成る上部絶縁層３が所定の厚みに成膜される。ついで、高透磁率磁性体（例えば、パーマロイ合金、アモルファス軟磁性体等）が成膜され、所定のパターンに加工されて、上部磁気シールド５となる。」と記載され、
　
ｇ）第４頁左下欄第３行〜第８行
　「（発明の効果）
　以上、説明した様な本発明の製造方法をへて完成したＭＲヘッドは、第１図（ｅ）に示す如く、第２の導電膜１３で構成される電極と、上部磁気シールド５との間隔は、補助絶縁層８と上部絶縁３とで保持され（る。）」と記載されている。
　
ｈ）　即ち、引用例１には、ＭＲヘッドの製造法とともに、ＭＲヘッドも示されており、それは再生ヘッドといえる。そして、第１図を参照すると、次の磁気ヘッドが示されている。
　「上部絶縁層３の電極２部分におけるステップカバレージが悪化し、この部分を通じて、電極２と磁気シールド５の接触が生じる」ことを防止することを目的とし、
　「Ｓｉ、ガラス、セラミック等の表面が滑らかな基板７と、基板７上に高透磁率磁性体（例えば、パーマロイ合金、アモルファス軟磁性体等）からなる下部磁気シールド６、下部磁気シールド６上に被着された電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）からなる下部絶縁層４、下部絶縁層４上に、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＣｏ合金薄膜からなるＭＲ素子１と、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｍｏ等の電気的良導体からなるバッファ層９と、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の電気的良導体からなる電極層２と、電極層２及び電極層２の外周部に積層された、非磁性で電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）から成る補助絶縁層８、ＭＲ素子部を含む全面を覆う非磁性で電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）から成る上部絶縁層３、上部絶縁膜上の高透磁率磁性体（例えば、パーマロイ合金、アモルファス軟磁性体等）膜である上部磁気シールドを有する薄膜ＭＲヘッド。」
　
（２）引用例２
　本件出願前に公知の刊行物である特開昭６２−１７５９２３号公報（公開日　昭和６２年８月１日　以下、引用例２という。）の
ａ）第２頁右上欄第４行〜第１７行に、
「［発明が解決しようとする問題点］
　ところでこの様な従来のＹＭＲ型磁気ヘッドでは、第１磁性層２上にギャップ層３、第１無機絶縁層４などを介してバイアス印加用導電体５、第２無機絶縁層６、磁気抵抗効果膜７を積層状に設ける場合、その配設面に比較的膜厚の厚い第１磁極層２により段差が生じ、また該第１磁極層２上に直接配設されるＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などからなるギャップ層３や第１無機絶縁層４、また第２無機絶縁層６等はステップカバレージ性に劣ることから、この第１磁極層２の各段差側部より両接続端がはみ出した形に配設される前記バイアス印加用導体膜５や磁気抵抗効果膜７が段差切れを起こし易い欠点があった。」と記載され、
　
ｂ）第３頁左上欄第３行〜第１４行に、
「［作用］
　本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板１上に設けられた第１磁極層２の媒体対向面を除く段差縁端部周辺に、予めレジスト材などからなる段差補整用の有機絶縁層２１が設けられているため、段差部がなだらかになる。
　従って、該有機絶縁層２１上を含む第１磁極層２上に順に積層したＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などからなるギャップ層３及び第１無機絶縁層４、バイアス印加用導体膜５、第２無機絶縁層６を介して磁気抵抗効果膜７を設けることにより、該磁気抵抗効果膜７の段差切れが解消する。」と記載されている。
　
（３）周知例１（段差調整用無機絶縁層）
　磁極層本体の膜厚と同膜厚のＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などからなる段差調整用の無機絶縁層を設け、磁極層本体及び段差調整用の無機絶縁物層上に、絶縁膜、ＭＲ膜、バイアス印加用導体膜を段差切れがなく設けこと（特開昭６２−２１２９１１号公報）
　
（４）周知例２（複合型ヘッド）
　磁気抵抗素子部で再生し、記録ヘッドで記録する複合型ヘッドにおいて、磁気抵抗素子部と記録ヘッドを、絶縁膜、下部磁性層、磁気ギャップ、上部磁性層の積層構造とすることは、特開平２−２０８８１２号公報、特開昭６４−８２３１２号公報、特開昭６１−１４５７１８号公報に見られるように周知である。
　
４　本願発明と引用例記載の発明との対比
（１）一致点
　本願発明の「磁性基板」、「下地絶縁層」、「磁気抵抗効果層」、「導電性リード層」、「非磁性層」は
引用例１の「基板７と下部磁気シールド６」、「下部絶縁層４」、「ＭＲ素子１」、「電極層２」、「補助絶縁層８」に相当するから、
本願発明と引用例１とは次の点で一致する。
「磁性基板と、前記磁性基板上に積層された下地絶縁層と、前記下地絶縁層上に積層され、磁気抵抗効果層、導電性リード層を備えた再生用ヘッドとしての磁気抵抗素子部と、前記非磁性層上、及び、前記磁気抵抗素子部の導電性リード層上に積層された絶縁膜とからなる、薄膜磁気ヘッド」
　
（２）相違点
（相違点１）
　そして、本願発明においては、「バイアス層、磁気抵抗効果層、導電性リード層を備えた再生用ヘッドとしての磁気抵抗素子部」であるのに対して、引用例１のものは、バイアス層がない点、
（相違点２）
　本願発明においては、「前記下地絶縁層上であって、少なくとも前記磁気抵抗素子部の導電性リード層の外周部に積層された、窒化膜や酸化膜からなる非磁性層を有し、前記磁気抵抗素子部の膜厚と前記非磁性層の膜厚の差が前記絶縁膜の膜厚よりも小さい」のに対して、引用例１のものは、「電極層２及び電極層２の外周部に積層された、非磁性で電気的絶縁体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等）から成る補助絶縁層８であ」り、電極層と、補助絶縁層との膜厚の関係は明示されていない点、
（相違点３）
　本願発明は、「前記絶縁膜上に順次積層された下部磁性層、磁気ギャップ、上部磁性層とを備えた」のに対して、引用例１のものは、複合型ではない点、
（相違点４）
　本願発明は、浮上型薄膜磁気ヘッドであるが、引用例１のものは明記されていない点。
　
５　相違点の検討
（１）相違点１について
　バイアス層を有する磁気抵抗素子部は、引用例２にも見られるようによく知られているものであり、この点に格別のことが認められない。
　
（２）相違点２について
　引用例２においては、第１磁極層２の媒体対向面を除く段差縁端部周辺に、あらかじめレジスト材などからなる段差補整用の有機絶縁性２１が設けており、また、周知例１においては、磁極層本体の膜厚と同膜厚のＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などからなる段差調整用の無機絶縁層を設けている。引用例２及び周知例１とも、この上に設けるギャップ層３、第１無機絶縁層４、バイアス印加用導電体５、第２無機絶縁層６、磁気抵抗効果膜７の各層の段差切れを防止するものであるが、段差部での段差を解消するために、その外周部に段差調整用の膜を設ける解決策は、示されている。本願発明では、導電性リード部での段差を解消しているが、磁極層の段差部であっても、段差切れを解消するとの目的は同じであり、段差調整用の層を構成することは、当業者が容易に想到できたものであると認められる。その際導電性リード部の外周部に、周知例１で見られる窒化膜や酸化膜からなる非磁性層を適応することは設計的事項である。
　そして、前記磁気抵抗素子部の膜厚と前記非磁性層の膜厚の差が前記絶縁膜の膜厚よりも小さくすることは、段差解消の目的からして当然の要求であり、この点に格別のことが認められない。
（なお、本願発明において、非磁性層は、少なくとも前記磁気抵抗素子部の導電性リード層の外周部に積層されている構成であり、リード層の上部にあるかどうかは、記載されておらず、引用例１の如く、電極部の上部にあっても、本来相違点にならない。外周部のみに積層するとしても、引用例２及び周知例１に示されている。）
　
（３）相違点３について
　磁気抵抗効果素子を有し、複合型の薄膜ヘッドは、周知例２に見られるように周知である。この構成にすることは、当業者が容易に想到できたものであると認められる。
　
（４）相違点４について
　浮上型薄膜磁気ヘッドは周知のものであり、浮上型とした点についても格別のことが認められないので、この相違点は格別のものではない。
　
６　まとめ
　以上のように、相違点１〜４はいずれも格別のものではなく、総合的に見ても格別ではないので、本願発明は、引用例１，２及び周知例に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許を受けることができない。
　してみると、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れない。
　よって結論のとおり審決する。