【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に設けられた発光層とを有する発光素子及び前記発光素子と接続されたトランジスタが設けられた発光装置であって、
前記発光層におけるドーパントの濃度が０．１ｗｔ％以上０．４ｗｔ％以下であり、
前記トランジスタ上には、第１のパッシベーション膜が設けられ、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と接続された配線と、前記陽極とが、前記第１のパッシべーション膜上に接して設けられ、
前記陽極上には、前記発光層が設けられ、
前記発光層上には、前記陰極が設けられ、
前記陰極上には、第２のパッシベーション膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に設けられた発光層とを有する発光素子及び前記発光素子と接続されたトランジスタが設けられた発光装置であって、
前記発光層におけるドーパントの濃度が０．１ｗｔ％以上０．４ｗｔ％以下であり、
前記トランジスタ上には、第１のパッシベーション膜が設けられ、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と接続された配線と、前記陰極とが、前記第１のパッシべーション膜上に接して設けられ、
前記陰極上には、前記発光層が設けられ、
前記発光層上には、前記陽極が設けられ、
前記陽極上には、第２のパッシベーション膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に設けられた発光層とを有する発光素子及び前記発光素子と接続されたトランジスタが設けられた発光装置であって、
前記発光層におけるドーパントの濃度が０．１ｗｔ％以上０．４ｗｔ％以下であり、
前記トランジスタ上には、第１のパッシベーション膜が設けられ、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と接続された配線と、前記陽極とが、前記第１のパッシべーション膜上に接して設けられ、
前記配線上及び前記第１のパッシベーション膜上には、開口部を有する有機樹脂膜が設けられ、
前記陽極と、前記陰極と、前記発光層とが前記開口部において重なっており、
前記陽極上には、前記発光層が設けられ、
前記発光層上には、前記陰極が設けられ、
前記有機樹脂膜と、前記陰極とが、第２のパッシベーション膜で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に設けられた発光層とを有する発光素子及び前記発光素子と接続されたトランジスタが設けられた発光装置であって、
前記発光層におけるドーパントの濃度が０．１ｗｔ％以上０．４ｗｔ％以下であり、
前記トランジスタ上には、第１のパッシベーション膜が設けられ、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と接続された配線と、前記陰極とが、前記第１のパッシべーション膜上に接して設けられ、
前記配線上及び前記第１のパッシベーション膜上には、開口部を有する有機樹脂膜が設けられ、
前記陽極と、前記陰極と、前記発光層とが前記開口部において重なっており、
前記陰極上には、前記発光層が設けられ、
前記発光層上には、前記陽極が設けられ、
前記有機樹脂膜と、前記陽極とが、第２のパッシベーション膜で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記有機樹脂膜の、前記開口部における断面が描いている曲線の曲率半径が、０．２〜２μｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記有機樹脂膜は、ポジ型の感光性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記有機樹脂膜は、ネガ型の感光性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１または第２のパッシベーション膜は、窒化炭素膜またはＲＦスパッタ法で形成された窒化珪素膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１または第２のパッシベーション膜は、ＤＬＣ、ボロンナイトライドまたはアルミナを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記トランジスタを飽和領域で動作させることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記発光素子は、初期の真性輝度を３２０ｃｄ／ｍｍ２とし、なおかつデューティー比を７０％として、１００時間点灯させたときの真性輝度の低下量が、前記初期の真性輝度の１０％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記発光素子は、初期の真性輝度を３２０ｃｄ／ｍｍ２とし、なおかつデューティー比を７０％として、１０００時間点灯させたときの真性輝度の低下量が、前記初期の真性輝度の２０％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記発光素子と前記トランジスタがそれぞれ複数設けられた画素部を有し、
前記画素部は基板上に形成されており、
デューティー比を７０％としたときの前記発光素子の輝度を２００ｎｔとすると、前記基板のうち、画素部と重なる部分の温度が４０℃以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記発光素子と前記トランジスタがそれぞれ複数設けられた画素部を有し、
前記画素部は基板上に形成されており、
デューティー比を７０％としたときの前記発光素子及び前記トランジスタの消費電力を６００ｍＷとすると、前記基板のうち、画素部と重なる部分の温度が４０℃以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記発光素子と前記トランジスタがそれぞれ複数設けられた画素部を有し、
前記画素部は基板上に形成されており、
デューティー比を７０％としたときの前記発光素子の輝度を１３０ｎｔとすると、前記基板のうち、画素部と重なる部分の温度が３５℃以下であることを特徴とする発光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
キナクリドンなどのドーパントはπ−πスタッキングしやすいため、濃度が高くなると容易に会合する。そしてπ―πスタッキングによって会合した分子は、通常の蛍光（モノマー発光）よりも長波長領域に発光（エキシマー発光）を示し、その強度も低い。従ってドーパントの量を増やすと、モノマー発光に対するエキシマー発光の割合が相対的に増大するため、発光強度が減少する（濃度消光）。逆にドーパントの量を減らすと、ドーパント同士の平均距離が増大し、分子が会合、より具体的には二量子化するのを抑制することができる。よってドーパントの量が低いほどエキシマー発光が抑制されて、モノマー発光が優先的に生じると考えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また蛍光色素のドープは、発光効率の改善のみならず発光波長の変換のために行なわれることもある。例えば、トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）単独でカバーできる波長は、緑よりも長波長側の領域であり、発光は黄色がかった緑である。しかしドーパントであるキナクリドン誘導体が添加によって、緑色に発光する。モノマー発光よりもエキシマー発光が優先的に生じると高い純度の緑色の発光が得られにくい。しかし本発明では、ドーパントが二量子化されるのを防ぐことができるので、エキシマー発光よりもモノマー発光が優先的に生じやすく、色純度をより高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明ではドーパントが二量子化されるのを防ぐことができるので、エキシマー発光よりもモノマー発光が優先的に生じやすく、色純度をより高めることができる。