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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を分子内に少なくとも一つ有する含窒素化合物
【化１】
2002090987.tif 000001
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】  （Ａ）の樹脂が、下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐVI）で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式（II）で示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2002090987.tif 000002
（式中、Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、もしくはＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
【化３】
2002090987.tif 000003
式（II）中：
Ｒ11'，Ｒ12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｚ'は、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、置換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
【請求項３】  前記一般式（II）におけるＺ'が、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、置換基を有していてもよい有橋式脂環式構造を形成するための原子団を表すことを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】  前記一般式（II）が、下記一般式（II−Ａ）又は一般式（II−Ｂ）であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2002090987.tif 000004
式（II−Ａ）、（II−Ｂ）中：
Ｒ13'〜Ｒ16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ5、酸の作用により分解する基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ−Ａ'−Ｒ17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。
ここで、Ｒ5は、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又は下記の−Ｙ基を表す。
Ｘは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ2−又は−ＮＨＳＯ2ＮＨ−を表す。
Ａ'は単結合又は２価の連結基を表す。
また、Ｒl3'〜Ｒ16'のうち少なくとも２つが結合して環を形成してもよい。ｎは０又は１を表す。
Ｒ17'は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ5、−ＣＮ、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ6、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ6又は下記の−Ｙ基を表す。
Ｒ6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。−Ｙ基；
【化５】
2002090987.tif 000005
（−Ｙ基中、Ｒ21'〜Ｒ30'は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。ａ，ｂは１又は２を表す。）
【請求項５】  前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下記一般式（Ｉａ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化６】
2002090987.tif 000006
一般式（Ｉａ）において、Ｒａは、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を表す。
Ｒｂは、水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒａ又は−Ｎ＝Ｎ−Ｒａを表す。ＲａとＲｂとは互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項６】  前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下記一般式（II−１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。  
【化７】
2002090987.tif 000007
一般式（II−１）において、Ｒは炭素数１から２０の一価の有機残基を表す。
【請求項７】  前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下記一般式（II−２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化８】
2002090987.tif 000008
［一般式（II−２）においてＲ1〜Ｒ10は、同一または異なり、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。］
【請求項８】  分子量が２０００以下であって、酸の作用により分解し得る基を有し、アルカリ溶解性が酸の作用により増大する低分子酸分解性化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】  ２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外光による露光用組成物であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような現象を実験室的に再現できる方法が必要であり、そのためにゴムステンレス鋼積層板と水素よりもイオン化エネルギーの小さい金属、例えばアルミニウム板とを試験液中に浸漬し、その際頂部付近は液面より上部に位置するように半浸漬状態として、浸漬液露出部分同士を直接または導線を介して接触させ、例えばゴムステンレス鋼積層板と水素よりもイオン化エネルギーの小さい金属の板状体とを逆V字型で接するように試験液中に浸漬した状態として、液中では互いに接触しない状態で所定時間浸漬した後、積層板について特性値の低下状態の測定または評価を行う耐試験液性確認評価方法が先に提案されている。
【特許文献２】特開２００５−４９２５７号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このようなシリカは、一般に熱硬化性フェノール樹脂中に分散させた状態であるいは未加硫のフッ素ゴム(コンパウンド)と併用された状態で用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、ジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性フェノール樹脂としては、ジヒドロベンゾオキサジン環を有し、ジヒドロベンゾオキサジン環の開環反応によって硬化する熱硬化性フェノール樹脂であれば任意のものを使用することができ、例えばフェノール性水酸基を有する化合物、１級アミンおよびホルムアルデヒドから、次式に示される如く、ジヒドロ-2H-1,3-ベンゾオキサジン誘導体が合成される。
2006218629.tif 000001
【特許文献３】特開２００４−８３６２３号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このようにして形成された加硫接着剤層上には、未加硫のフッ素ゴムコンパウンドが約5〜120μm程度の片面厚さの加硫物層を両面に形成せしめるように、フッ素ゴムコンパウンドの有機溶媒溶液として塗布される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
塗布された未加硫ゴム層は、室温乃至約100℃の温度で約1〜15分間程度乾燥し、有機溶媒として用いられたメタノール、エタノールなどのアルコール類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類またはこれらの混合溶媒などを揮発させた後、約150〜230℃で約0.5〜30分間加熱加硫し、必要に応じて加圧して加硫することも行われる。加硫されたフッ素ゴム層は、ガスケットとしての用途上、硬度(デュロメーターA)が80以上で、圧縮永久歪(100℃、22時間)が50%以下であることが望ましく、特に配合内容によって制限されるものではない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、粘着防止が必要な場合には、その表面に粘着防止剤を塗布することもできる。粘着防止剤は、ゴム同士やゴムと金属との粘着を防止する目的で使用され、加硫フッ素ゴム層上に皮膜を形成し得るものであれば任意のものを用いることができ、例えばシリコーン系、フッ素系、グラファイト系、アミド、パラフィン等のワックス系、ポリオレフィン系またはポリブタジエン系のもの等が挙げられるが、好ましくは液状の1,2-ポリブタジエン水酸基含有物、1,2-ポリブタジエンイソシアネート基含有物およびポリオレフィン系樹脂の有機溶媒分散液からなる粘着防止剤が用いられる。
【特許文献４】特開平７−１６５９５３号公報
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
実施例１〜５、比較例１〜７
アルカリ脱脂したSUS301ステンレス鋼板(厚さ0.2mm)上に、表面処理剤皮膜中でのZr、P、Alの元素質量比率が表１に示される割合になるように、炭酸ジルコニウムアンモニウム、リン酸およびアルミナの量を調整した表面処理剤を、片面目付け量200〜300mg/m2になるように塗布し、200℃で1分間の乾燥を行った。なお表面処理剤は、pH6〜10になるように、水酸化アンモニウムで調製された。
表１
元素質量比率         
表面処理剤層成分組成比     Zr： P         Zr：Al    
表面処理剤     Zr      P     Al     Zr      P     Zr     Al  
〔Zr：P〕 
A(下限)          37      16      47      70      30      44      56  
B(上限)          30       2      68      94       6      31      69  
C(中間)          35      10      55      78      22      39      61  
〔Zr：Al〕
D(下限)          10       2      88      82      18      10      90  
E(上限)          72      20       8      78      22      90      10  
F〔Al多し〕       4       1      95      80      20       4      96  
G〔Al少ない〕    67      27       6      71      29      92       8  
H〔P多し〕       30      30      40      50      50      43      57  
I〔P少ない〕     52       2      46      96       4      53      47  
J〔Alなし〕      80      20      −      80      20     100      −  
K〔Zrなし〕      −      15      85      −     100      −     100
L〔Pなし〕       45       0      55     100      −      45      55  
この表面処理剤A〜E(実施例1〜5)およびF〜L(比較例1〜7)を塗布した鋼板上に、
レゾール型フェノール樹脂(30重量％メタノール溶液)          100重量部
コロイダルシリカ(日産化学製品スノーテックスMEK-ST；        40  〃
固形分濃度30重量％のメチルエチルケトン溶液)
前記配合例のフッ素ゴムコンパウンド                         80  〃
(30重量％メチルエチルケトン溶液)
メチルエチルケトン                                       1100  〃
よりなる加硫接着剤Aを皮膜量が1500mg/m2となるように塗布し、室温で乾燥させた後、220℃で5分間の焼付け処理を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体の駆動システムにおいて、
信号をシリアルデータに変換し、前記シリアルデータを送出するコントローラと、
前記コントローラから離間して設けられた発光体と、
前記コントローラと接続し、前記コントローラからの前記シリアルデータをパラレル信号に変換するとともに、前記パラレル信号に基づいて前記発光体を駆動させるドライバＩＣとを有し、
前記コントローラは、前記発光体に対する輝度変調と時間とを組み合わせた制御点灯を行うためのレジスタを有し、前記レジスタに設定を与えると、前記コントローラは、当該設定に沿ったシリアルデータに変換することを特徴とする発光体の駆動システム。
【請求項２】
前記シリアルデータに含まれるドライバアドレスコードが変更されることで、前記発光体の数を可変に設定されることを特徴とする請求項１に記載された発光体の駆動システム。
【請求項３】
前記シリアルデータに含まれるＬＥＤデータコードが変更されることで、前記発光体の輝度を可変に設定されることを特徴とする請求項１また２に記載された発光体の駆動システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、ブロー成形用２分割金型において、片方の分割型にラックを固定し、もう一方の分割型に該ラックに連動するピニオンと、該ピニオンに連動するギアと、該ギアに連動する回動腕とを設け、金型の開閉に連動して該回動腕が開閉することを最も主要な特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、ブロー成形において、下吹込みピン及び該下吹込みピンの内側に設けられた水吹出しピンを有しパリソン下部にセットされた下吹き装置により、該下吹込みピンからパリソン内部にエアーを吹出すと同時または、同時以降のタイミングで該水吹出しピンから水を噴霧し、パリソン内部を冷却することを最も主要な特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
低速ＣＬ，高速ＣＤ値
低速ＣＬ比は、レイノルズ数８００００，スピン量２０００ｒｐｍ時のボールの揚力係数ＣＬに対するレイノルズ数７００００，スピン量２０００ｒｐｍのときの揚力係数ＣＬの比率を算出した。同様に、高速ＣＤ値は、レイノルズ数１８００００，スピン量２５２０ｒｐｍ時の抗力係数を測定して得た値である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
すなわち、この孔食試験は冒頭で述べたＩ型孔食を生じ易い条件で行ったものであり、遊離炭酸を４０ｍｇ／ｌ含有し且つｐＨ６．５〜７に調整した試験水を、室温において、各管材に０．５ｍ／ｓの流速で６月間連続的に通水させることにより行った。そして、各管材の耐孔食性を評価するために、６月間の通水後において各管材の内周面に生じている孔食数（単位面積当たりの孔食個数（個／ｄｍ２））及び最大孔食深さ（μｍ）を測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
すなわち、各管材Ｎｏ．７、Ｎｏ．７９、Ｎｏ．９０、Ｎｏ．１６２及びＮｏ．２０５と同材質の銅基合金を、中周波溶解炉を使用して、木炭の被覆下において大気溶解し、直径２２０ｍｍ、長さ４００ｍｍの円柱状鋳塊を作成し、これを９００℃に加熱して外径６７ｍｍ、肉厚５ｍｍに押出後、抽伸と焼鈍を繰り返し、外径１２．７ｍｍ、肉厚０．６ｍｍの銅基合金管を得た。そして、この銅基合金管を、最終５００℃で３０分間の熱処理を施した上で、熱交換器に組立てて、水質条件がＩ型孔食の生じ易い３つの地域▲１▼〜▲３▼において、１８月間実際に使用した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  炭素数２〜３０の活性水素を１個もつ化合物の残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１つ結合した構造を有する重合体（ａ）、炭素数４〜３０の活性水素を２個もつ化合物の残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１以上結合した構造を有する重合体（ｂ）、炭素数１〜３０の活性水素を３個以上もつ化合物の残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１以上結合した構造を有する重合体（ｃ）、及び、アミン残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１つ結合した構造を有する重合体（ｄ）からなる群より選択される少なくとも１種の重合体を含む
ことを特徴とする水硬性材料用収縮低減剤。
【請求項２】  前記カルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖は、下記一般式（１）；
【化１】
2001247346.tif 000001
（式中、Ｒ１及びＲ２
は、同一若しくは異なって、水素原子、炭素数１〜１８の炭化水素基、又は、カルボキシル基を有する側鎖を表す。Ｚ１
及びＺ２ は、同一若しくは異なって、水素原子、又は、カルボキシル基を有する側鎖を表す。但し、カルボキシル基を有する側鎖は、不飽和カルボン酸系単量体を必須成分とするエチレン性不飽和単量体成分が重合して形成されてなる構造を有するものである。）で表される繰り返し単位を有する構造であり、該繰り返し単位は、カルボキシル基を有する側鎖をもつ繰り返し単位を必須とする
ことを特徴とする請求項１記載の水硬性材料用収縮低減剤。
【請求項３】  前記エチレン性不飽和単量体成分は、α，β−不飽和ジカルボン酸系単量体と（メタ）アクリル酸とを必須成分として含む
ことを特徴とする請求項２記載の水硬性材料用収縮低減剤。
【請求項４】  請求項１、２又は３記載の水硬性材料用収縮低減剤の製造方法であって、不飽和カルボン酸系単量体を必須成分とするエチレン性不飽和単量体成分をポリエーテル化合物にグラフト重合して重合体を製造する工程を含む
ことを特徴とする水硬性材料用収縮低減剤の製造方法。
【請求項５】  前記ポリエーテル化合物は、炭素数２〜３０の活性水素を１個もつ化合物のアルキレンオキサイド付加物、炭素数４〜３０の活性水素を２個もつ化合物のアルキレンオキサイド付加物、炭素数１〜３０の活性水素を３個以上もつ化合物のアルキレンオキサイド付加物、及び、アミンのアルキレンオキサイド付加物からなる群より選択される少なくとも１種を含む
ことを特徴とする請求項４記載の水硬性材料用収縮低減剤の製造方法。
【請求項６】  水硬性材料用収縮低減剤とセメント分散剤とを含んでなる水硬性材料用添加剤組成物であって、該水硬性材料用収縮低減剤は、炭素数１〜３０の活性水素を１個もつ化合物の残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１つ結合した構造を有する重合体（Ａ）、炭素数１〜３０の活性水素を２個もつ化合物の残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１以上結合した構造を有する重合体（Ｂ）、炭素数１〜３０の活性水素を３個以上もつ化合物の残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１以上結合した構造を有する重合体（Ｃ）、及び、アミン残基にカルボキシル基を有する側鎖をもつオキシアルキレン鎖が１つ結合した構造を有する重合体（Ｄ）からなる群より選択される少なくとも１種の重合体を含む
ことを特徴とする水硬性材料用添加剤組成物。
【請求項７】 前記セメント分散剤は、高性能ＡＥ減水剤であることを特徴とする請求項６記載の水硬性材料用添加剤組成物。
【請求項８】 前記水硬性材料用添加剤組成物は、水硬性材料用収縮低減剤と高性能ＡＥ減水剤との配合割合（水硬性材料用収縮低減剤／高性能ＡＥ減水剤）が固形分の重量比で、１／１００〜１００／１である
ことを特徴とする請求項７記載の水硬性材料用添加剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  癌の治療方法において、そのような治療を必要とする哺乳類に、同時にまたは連続的に、（ｉ）パクリタキセル(paclitaxel)およびドセタキセル(docetaxel) から選ばれる化合物と、（ｉｉ）下記式の化合物
【化１】
2001247459.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、ハロゲン、ＣＦ３、ＣＮ、ＮＯ２、ＮＨ２、ＯＨ、ＯＲ、ＮＨＣＯＲ、ＮＨＳＯ２Ｒ、ＳＲ、ＳＯ２ＲおよびＮＨＲから成る群からそれぞれ独立に選ばれ、各Ｒは独立に、ヒドロキシ、アミノおよびメトキシから選ばれる１つ以上の置換基で場合によっては置換されたＣ１〜Ｃ６アルキルであり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のそれぞれは、１〜８位の使用できるどの位置に存在してもよく；
かつ式（Ｉ）の炭素環式芳香環のそれぞれにおいて、メチン（−ＣＨ＝）基の２つまでがアザ（−Ｎ＝）基で置換されてもよく；
かつＲ１、Ｒ２およびＲ３のいずれか２つは付加的に一緒に結合して−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−基を表わしてもよく、この基は、それが結合している炭素または窒素原子と共に縮合六員芳香環を形成してもよい）
またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルとを投与する段階を含む方法。
【請求項２】  哺乳類がヒトである、請求項１記載の方法。
【請求項３】  式（Ｉ）の化合物が下記式の化合物
【化２】
2001247459.tif 000002
またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルである、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  式（Ｉａ）の化合物が、５，６−ジメチルキサンテノン−４−酢酸またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルである、請求項３記載の方法。
【請求項５】  薬剤の製造における請求項１記載の式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルの使用であって、該薬剤は、該薬剤と、パクリタキセルおよびドセタキセルから選ばれる化合物とを連続的にまたは同時に共投与することにより哺乳類の癌を治療するためのものである、使用。
【請求項６】  薬剤の製造におけるドセタキセルおよびパクリタキセルから選ばれる化合物の使用であって、該薬剤は、該薬剤と、請求項１記載の式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルとを連続的にまたは同時に共投与することにより哺乳類の癌を治療するためのものである、使用。
【請求項７】  １つ以上の薬学的に許容し得る担体または賦形剤との組み合わせで、請求項１記載の式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルと、パクリタキセルおよびドセタキセルから選ばれる化合物とを含む、癌を治療するのに適した薬剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
他の面において、本発明は、薬剤の製造における上に定義した式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルの使用であって、該薬剤は、該薬剤と、パクリタキセルおよびドセタキセルから選ばれる化合物とを連続的にまたは同時に共投与(co-administration)することにより哺乳類の癌を治療するためのものである、使用を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更に他の面において、本発明は、薬剤の製造におけるドセタキセルおよびパクリタキセルから選ばれる化合物の使用であって、該薬剤は、該薬剤と、上記に定義した式（Ｉ）の化合物またはその薬学的に許容し得る塩もしくはエステルとを連続的にまたは同時に共投与することにより哺乳類の癌を治療するためのものである、使用を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
[4] 有機薄膜素子の構成
有機薄膜素子の全体構成は、基板支持体上に透明導電層／発光性有機薄膜層／背面電極、透明導電層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／背面電極、透明導電層／ホール輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／背面電極、透明導電層／ホール輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／背面電極、透明導電層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極、透明導電層／ホール注入層／ホール輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極等をこの順に積層した構成、これらを逆に積層した構成等であってよい。発光性有機薄膜層は蛍光発光性化合物及び／又は燐光発光性化合物を含有し、通常、透明導電層から発光が取り出される。各層に用いる化合物の具体例については、例えば「月刊ディスプレイ」1998年10月号別冊の「有機ELディスプレイ」（テクノタイムズ社）等に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  ワークピースの外周縁の一部が載せられる上面、およびこの上面よりも上方に立ち上がったストッパ面を有する第１の支持部と、
上記第１の支持部とは間隔を隔てて設けられ、かつ上記ワークピースの外周縁の他の一部が載せられる上面を有する第２の支持部と、
上記ワークピースを上記第１および第２の支持部の上面上において上記第２の支持部側から上記第１の支持部側に押動可能であり、かつ上記第１の支持部のストッパ面に上記ワークピースの外周面の一部を当接させることにより上記ワークピースをクランプするための押動手段と、
を備えている、ワークピースの保持機構であって、
上記第１および第２の支持部のそれぞれの上面は、上記第１および第２の支持部間の中央部寄りほど高さが低くなる傾斜面とされており、かつ、
上記第１の支持部の上面の傾斜角よりも上記第２の支持部の上面の傾斜角の方が大きくされていることを特徴とする、ワークピースの保持機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願発明によって提供されるワークピースの保持機構は、ワークピースの外周縁の一部が載せられる上面、およびこの上面よりも上方に立ち上がったストッパ面を有する第１の支持部と、上記第１の支持部とは間隔を隔てて設けられ、かつ上記ワークピースの外周縁の他の一部が載せられる上面を有する第２の支持部と、上記ワークピースを上記第１および第２の支持部の上面上において上記第２の支持部側から上記第１の支持部側に押動可能であり、かつ上記第１の支持部のストッパ面に上記ワークピースの外周面の一部を当接させることにより上記ワークピースをクランプするための押動手段と、を備えているワークピースの保持機構であって、上記第１および第２の支持部のそれぞれの上面は、上記第１および第２の支持部間の中央部寄りほど高さが低くなる傾斜面とされており、かつ上記第１の支持部の上面の傾斜角よりも上記第２の支持部の上面の傾斜角の方が大きくされていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】投影露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レチクルを介してウエハを露光するための露光装置であって、
光源からの光を前記ウエハに導くための光学系と、
前記光学系の光路を囲むチャンバーと、
前記チャンバー内に配された樹脂製部品と、
流体を冷媒として用いて前記樹脂製部品を冷却する冷却手段と
を有し、
前記流体の温度を摂氏１８度以下にしたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】 前記樹脂製部品は、熱源の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】 前記樹脂製部品は、樹脂製配管であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】 前記樹脂製配管により冷却される第１のユニットと、該第１のユニットとは異なる第２のユニットと、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの間に配置されたペルチェ素子とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】 前記チャンバー内を真空にするための排気手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の露光装置。
【請求項６】 前記流体の温度が、前記チャンバーの内壁面の温度より１０度以上低いことを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の露光装置。
【請求項７】 前記樹脂製配管は、内側の第１の樹脂製配管と、外側の第２の樹脂製配管とを有する２重構造をなし、前記冷却手段は、前記第１の樹脂製配管の外側かつ前記第２の樹脂製配管の内側に前記流体を流すように構成されていることを特徴とする請求項３乃至６いずれかに記載の露光装置。
【請求項８】 前記第１の流体と前記第２の流体とは温度が異なることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】 前記第２の流体の温度は、前記第１の流体の温度より低いことを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】 レチクルを介してウエハを露光するための露光装置であって、
光源からの光を前記ウエハに導くための光学系と、
前記光学系の光路を囲むチャンバーと、
前記チャンバー内に配された樹脂製部品と、
輻射によって前記樹脂製部品を冷却する冷却手段と
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】 請求項１乃至１０いずれかに記載の露光装置を用いてレチクルを介しウエハを露光する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レチクルを介してウエハを露光するための露光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、露光空間、光路空間内の不活性ガスの純度をより高くしなければならない場合、また真空度をより高める（気圧をより下げる）場合、残留ガスや不活性ガス以外の光学素子への付着堆積物の材料となる（コンタミネイションの原因となる）ガスの濃度をより下げなければならない場合などには、特許文献１の構成だけでは不十分であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この問題点を解決するために、本願発明の露光装置は、レチクルを介してウエハを露光するための露光装置であって、光源からの光を前記ウエハに導くための光学系と、前記光学系の光路を囲むチャンバーと、前記チャンバー内に配された樹脂製部品と、流体を冷媒として用いて前記樹脂製部品を冷却する冷却手段とを有し、前記流体の温度を摂氏１８度以下にしたことを特徴とする露光装置である。
また、本願発明の別の露光装置は、レチクルを介してウエハを露光するための露光装置であって、光源からの光を前記ウエハに導くための光学系と、前記光学系の光路を囲むチャンバーと、前記チャンバー内に配された樹脂製部品と、輻射によって前記樹脂製部品を冷却する冷却手段とを有することを特徴とする露光装置である。
さらに、本願発明のデバイス製造方法は、上記いずれかの露光装置を用いてレチクルを介しウエハを露光する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、樹脂製部品表面からの有機成分の脱離を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）犠牲材料層をデバイス基体上に配置するステップと；ｂ）オーバーレイ材料を犠牲材料層上に配置するステップと；次に、ｃ）エアギャップを形成するために犠牲材料層を除去するステップとを含み；犠牲材料層が架橋ポリマーを含む、電子、光電子または電子機械デバイスを製造する方法。
【請求項２】
犠牲材料が光描画性である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
デバイス基体が金属線を含む、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
ｉ）形状を形成するためにオーバーレイ材料および犠牲材料層をパターン形成するステップと；ｉｉ）金属を形状内に堆積するステップとをさらに含み、ステップｉ）およびｉｉ）がステップｂ）の後かつステップｃ）の前に実施される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
オーバーレイ材料が十分な多孔質を持ち、犠牲材料がそれを通じて除去されるようにする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
所望の機械的特性を提供するために場合によりオーバーレイ材料を硬化するステップと、所望の電気機械形状を形成するために犠牲材料をパターン形成するステップと、犠牲材料層を除去するステップとをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
金属線および金属線の間に配置された犠牲材料層とを含む第一の層と、金属線および犠牲材料の上に配置された第二の層とを含み；犠牲材料層が架橋ポリマーを含む、電子デバイス。
【請求項８】
金属線および金属線の間に配置された犠牲材料と、犠牲材料上にかつ金属線に隣接して配置されたオーバーレイ材料とを含む、電子デバイス。
【請求項９】
基体上に形成された銅線であって、その上に配置された１以上の銅拡散バリアを持つ銅線と、銅線銅拡散バリアの少なくとも一部の間に形成されたエアギャップと、銅拡散バリアとエアギャップ上に配置された多孔質オーバーレイ材料とを含む、電子デバイス。
【請求項１０】
基体上に配置された金属線と、金属線の少なくとも一部の間に形成されたエアギャップと、オーバーレイ材料であって、エアギャップの上で、かつ金属線に隣接して配置されたオーバーレイ材料とを含む、電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくともｎ型コンタクト層、及び、Ｉｎを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記基板とｎ型コンタクト層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体であって、アモルファス領域を有する光吸収層が形成されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記光吸収層は３００ｎｍから可視光域までの光を吸収することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記光吸収層上には、Ｉｎの解離を抑えるブロック層を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記光吸収層の屈折率は、ブロック層の屈折率以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記光吸収層の膜厚が、１００〜１０００Åであることを特徴とする請求項１乃至４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記基板は、少なくとも光導波路領域の直下は低転位領域としていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記基板の低転位領域は、少なくとも活性層の形成面の直下に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記基板は、異種基板表面の周期的なストライプ状、格子状、又は島状の部分を成長起点として横方向成長し、互いに接合する前に横方向成長を停止することにより周期配列されたＴ字状断面を有する第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の上面、又は上面及び横方向成長した側面を核として成長し、前記支持基板全面を覆う第２の窒化物半導体層とを備え、前記第２の窒化物半導体層が互いに接合する部分の下に空間が形成されている下地層を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第２の窒化物半導体層には低転位領域が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記基板の低転位領域における転位数が１×１０７個／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項６乃至９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層とＩｎを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記基板は導電性基板であり、該基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間に、アモルファス領域を有するＩｎ含有窒化物半導体層とＩｎの解離を抑えるブロック層とが順に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
基板上に、少なくともｎ型コンタクト層、及び、Ｉｎを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記基板上にＩｎを含む窒化物半導体からなる光吸収層を成長する工程と、前記光吸収層上にブロック層を成長する工程と、前記ブロック層上に光吸収層のＩｎの分解が発生する程度の温度でｎ型コンタクト層を成長する工程と、を備えた窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記窒化物半導体レーザ素子において、前記基板の低転位領域における転位数が１×１０７個／ｃｍ２以下であることを特徴とする。下地層の結晶性はその上に成長させる光吸収層、ブロック層、ｎ型コンタクト層等に引き継がれる。光吸収層はｎ型コンタクト層を成長時にアモルファス領域を形成するが、下地層の上に光吸収層を成長させる工程で、いきなり光吸収層にアモルファス領域を形成すると、この上にブロック層等を積層することができない。そこで、前記低転位領域における転位数が１×１０７個／ｃｍ２以下であれば光吸収層は結晶性よく成長させることができ、この上に成長させるブロック層の結晶性が安定する。ブロック層を成長した後、その上にｎ型コンタクト層を高温で成長させて光吸収層にアモルファス領域を形成する。これによってｎ型コンタクト層上に成長させる他の層は結晶性よく積層できる。本発明における基板とはサファイア等の単体基板だけではなく、その上に半導体層を下地層として成長させたテンプレート基板も含む。
更に、本発明における窒化物半導体レーザ素子は、光吸収層をアンドープとすることでバルク抵抗の上昇による順方向電圧（Ｖｆ）の上昇を避けることができ、電気の流れに関与しない位置に光吸収層を形成することを考慮して、光吸収層をｎ型コンタクト層と基板との間に形成するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本願発明における窒化物半導体レーザ素子は、基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層とＩｎを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記基板は導電性基板であり、該基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間に、アモルファス領域を有するＩｎ含有窒化物半導体層とＩｎの解離を抑えるブロック層とが順に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に成膜を行うプラズマ処理装置用のサセプタであって、前記半導体基板に比較して大きな基板載置面を有し、前記基板載置面が、前記半導体基板の外周部に対応する部分に形成された溝を有し、かつ前記溝が、前記基板載置面に対する前記半導体基板の載置位置がばらついても、前記半導体基板の外周部が前記溝内に堆積した堆積物に接触しないような、幅および深さを有することを特徴とするプラズマ処理装置用のサセプタ。
【請求項２】
前記プラズマ処理装置がシリコン窒化膜の成膜を行うものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置のサセプタ。
【請求項３】
チャンバ内に取り付けられたサセプタ上への半導体基板の載置と、前記半導体基板上へのプラズマＣＶＤによる成膜とを繰り返し行うことにより複数の半導体基板上への成膜を行うプラズマ処理装置のチャンバ内を清掃する清掃方法であって、前記サセプタが、前記半導体基板に比較して大きな基板載置面を有し、前記複数の半導体基板上への成膜の間に、少なくとも１回、前記チャンバ内に付着した堆積物をプラズマエッチングにより除去するセルフクリーニングを行うとともに、前記複数の半導体基板上への成膜の後に、前記サセプタの基板載置面の前記半導体基板の外周部に対応する部分に固着した堆積物を、固着力を低下させることによって除去することを特徴とするプラズマ処理装置の清掃方法。
【請求項４】
前記成膜が、シリコン原料ガスとアンモニアガスとを利用したシリコン窒化膜の成膜であり、前記セルフクリーニングを、フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチングにより行うことを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置の清掃方法。
【請求項５】
前記複数の半導体基板上への成膜の後に、前記固着した堆積物の除去に加えて、前記チャンバ内に付着した固着していない堆積物の、拭き取りによる除去を行うことを特徴とする請求項３又は４に記載のプラズマ処理装置の清掃方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかのプラズマ処理装置の清掃方法で清掃を行ったプラズマ処理装置内で半導体基板への成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、半導体基板上に成膜を行うプラズマ処理装置用のサセプタであって、前記半導体基板に比較して大きな基板載置面を有し、前記基板載置面が、前記半導体基板の外周部に対応する部分に形成された溝を有し、かつ前記溝が、前記基板載置面に対する前記半導体基板の載置位置がばらついても、前記半導体基板の外周部が前記溝内に堆積した堆積物に接触しないような、幅および深さを有することを特徴とするプラズマ処理装置用のサセプタを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明においては、前記プラズマ処理装置がシリコン窒化膜の成膜を行うものであるのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記目的を達成するために、本発明は、チャンバ内に取り付けられたサセプタ上への半導体基板の載置と、前記半導体基板上へのプラズマＣＶＤによる成膜とを繰り返し行うことにより複数の半導体基板上への成膜を行うプラズマ処理装置のチャンバ内を清掃する清掃方法であって、前記サセプタが、前記半導体基板に比較して大きな基板載置面を有し、前記複数の半導体基板上への成膜の間に、少なくとも１回、前記チャンバ内に付着した堆積物をプラズマエッチングにより除去するセルフクリーニングを行うとともに、前記複数の半導体基板上への成膜の後に、前記サセプタの基板載置面の前記半導体基板の外周部に対応する部分に固着した堆積物を、固着力を低下させることによって除去することを特徴とするプラズマ処理装置の清掃方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明においては、前記成膜が、シリコン原料ガスとアンモニアガスとを利用したシリコン窒化膜の成膜であり、前記セルフクリーニングを、フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチングにより行うのが好ましい。
また、本発明においては、前記固着した堆積物の除去は、前記サセプタを前記チャンバ内に取り付けたままの状態で行ってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明においては、前記複数の半導体基板上への成膜の後に、前記固着した堆積物の除去に加えて、前記チャンバ内に付着した固着していない堆積物の、拭き取りによる除去を行うのが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明においては、前記複数の半導体基板上への成膜の後に、さらに、前記セルフクリーニングを行ってから、前記固着した堆積物の除去を行ってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明においては、上記いずれかのプラズマ処理装置の清掃方法で清掃を行ったプラズマ処理装置内で半導体基板への成膜を行うのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、上記したスパッタ粒子の略垂直入射は、その一例として、ターゲットと基板との距離を、用いるウェハ直径を上回る離間距離に設定し、且つ、スパッタされた粒子の平均自由工程がこの離間距離を上回るような真空度を用いてスパッタ成膜することで実現できる。また、基板とターゲットの間にコリメータを挿入する場合もあるが、この方法は、コリメータそのものがスパッタされ、ダストの発生源ともなるので注意が必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気ネットワーク（１）の第１の部分（４）につながれた第１の電気装置（１０；３０）と前記電気ネットワーク（１）の第２の部分（６）につながれた第２の電気装置（２０；４０）の相対的位置を特定する方法において、
−前記第１の部分（４）の通電から前記第１の電気装置（１０；３０）による信号の伝送まで、前記第１の部分（４）における変化または電気的周期の第１の数（Ｎ）を前記第１の電気装置（１０；３０）により測定するステップと、
−前記第２の部分（６）の通電から、前記第１の電気装置（１０；３０）からの信号の受信まで、前記第２の部分（６）における変化または電気的周期の第２の数（Ｍ）を前記第２の電気装置（２０；４０）により測定するステップと、
−前記第１の数（Ｎ）と前記第２の数（Ｍ）を比較するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
電気ネットワーク（１）の第１の部分（４）につながれた第１の電気装置（１０；３０）の前記電気ネットワーク（１）の第２の部分（６）につながれた第２の電気装置（２０；４０）に対する相対的位置を特定する方法において、
−前記第１の部分（４）の通電から前記第２の電気装置（２０；４０）との通信の開始まで、前記第１の部分（４）における変化または電気的周期の第１の数（Ｎ）を前記第１の電気装置（１０；３０）により測定するステップと、
−前記第２の部分の通電から通信の開始まで前記第２の電気装置（２０；４０）により測定される前記第２の部分（６）における変化または電気的周期の第２の数（Ｍ）を前記第１の装置（１０；３０）が受けとるステップと、
−前記第１の数（Ｎ）と前記第２の数（Ｍ）を比較するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項３】
電気ネットワーク（１）の第１の部分（４）につながれた第１の電気装置（１０；３０）と前記電気ネットワーク（１）の第２の部分（６）につながれた第２の電気装置（２０；４０）の相対的位置を特定する方法において、
−特定の基準に従って、前記第１の部分（４）の通電から前記第２の電気装置（２０；４０）との通信の開始まで、前記第１の部分（４）における電気信号に関する第１の特性（Ｎ）を測定するステップと、
−前記基準に従って、前記第２の部分（６）の通電から前記第１の電気装置（１０；３０）からの信号の受信まで、前記第２の電気装置（２０；４０）による前記第２の部分（６）における電気信号に関する第２の特性（Ｍ）を測定するステップと、
−前記第１の特性（Ｎ）と前記第２の特性（Ｍ）を比較するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
電気ネットワーク（１）の第２の電気装置（３０）が第２の部分（４）につながれているとき、前記電気ネットワーク（１）の第１の部分（６）につながれた第１の電気装置（４０）によるデジタルコンテンツの暗号解読をする方法において、
−特定の基準に従って、前記第１の部分（６）における電気信号に関する第１の特性（Ｍ）を測定するステップと、
−前記基準に従って、前記第２の部分（４）における電気信号に関する第２の特性（Ｎ）を測定するステップと、
−前記第１の特性が前記第２の特性と等価なときにのみ暗号解読を行う方法。