【事件の表示】
　平成　６年特許願第１６２４７３号「ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年　２月　２日出願公開、特開平　８−　３２１１３、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成６年７月１４日の出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、平成１３年７月３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりのものと認めらる。
「【請求項１】ｐ型不純物をドープしたＧａＮ系半導体を気相成長させた後、低抵抗のｐ型半導体を得るために０．１?３℃／分の速度で室温まで冷却することを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
【請求項２】冷却を不活性ガス雰囲気下で行う請求項１記載のｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。」（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明２」という。）
　
２．引用例
　これに対し、原査定における拒絶の理由に引用された特開平５−１８３１８９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、
「【請求項１】気相成長法により、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成した後、４００℃以上の温度でアニーリングを行うことを特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）、
「本発明のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後、４００℃以上の温度でアニーリングを行うことを特徴とするものである。
【０００９】アニーリング（Annealing：焼きなまし）はｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後、反応容器内で行ってもよいし、ウエハーをから取り出してアニーリング専用の装置を用いて行ってもよい。アニーリング雰囲気は真空中、Ｎ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガス、またはこれらの混合ガス雰囲気中で行い、最も好ましくは、アニーリング温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上で加圧した窒素雰囲気中で行う。」（段落【０００８】及び【０００９】欄）、
「［実施例１］　まず良く洗浄したサファイア基板を反応容器内のサセプターに設置する。容器内を真空排気した後、水素ガスを流しながら基板を１０５０℃で、２０分間加熱し、表面の酸化物を除去する。その後、温度を５１０℃にまで冷却し、５１０℃においてＧａ源としてＴＭＧガスを２７×１０-6モル／分、Ｎ源としてアンモニアガスを４．０リットル／分、キャリアガスとして水素ガスを２．０リットル／分で流しながら、ＧａＮバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００２５】次にＴＭＧガスのみを止めて温度を１０３０℃まで上昇させた後、再びＴＭＧガスを５４×１０-6モル／分、新たにＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）ガスを３．６×１０-6モル／分で流しながら６０分間成長させて、ＭｇをドープしたＧａＮ層を４μｍの膜厚で成長させる。
【００２６】冷却後、以上を成長させたウエハーを反応容器から取り出し、アニーリング装置に入れ、常圧、窒素雰囲気中で８００℃で２０分間保持してアニーリングを行った。」（段落【００２４】乃至【００２６】欄）、及び、
「［実施例６］実施例１と同様にしてサファイア基板の上にＧａＮバッファ層を２００オングストロームの膜厚で形成する。
【００３８】次にＴＭＧガスのみを止め、温度を１０３０℃にまで上昇させた後、再びＴＭＧガスを５４×１０-6モル／分と、新たにＳｉＨ4（モノシラン）ガスを２．２×１０-10モル／分で流しながら６０分間成長させて、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ層を４μｍの膜厚で成長する。
【００３９】続いてＳｉＨ4ガスを止め、Ｃｐ2Ｍｇガスを３．６×１０-6モル／分で流しながら３０分間成長させて、ＭｇドープＧａＮ層を２．０μｍの厚さで成長させる。
【００４０】ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスを止め、水素ガスとアンモニアガスを流しながら、室温まで冷却した後、反応容器内に流れるガスを窒素ガスに置換し、窒素ガスを流しながら反応容器内の温度を１０００℃まで上昇させ、反応容器内で２０分間保持してアニーリングを行う。」（段落【００３７】乃至【００４０】欄）と記載されている。
　また、同じく特開平６−１３２２２９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、
「ＩｎＰ基板上にＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル層を成長させるに際し、ＩｎＰウィンドウ層の成長速度を１．０μｍ／ｈｒ以下とし、成長後の冷却速度を０．２５℃／ｈｒ以下としたことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。」（特許請求の範囲第２項）、
「ＩｎＰエピタキシャルウェーハはＭＯＣＶＤ法によって得ているが、この方法では成長終了後の急速な冷却過程によってエピタキシャル成長層の熱歪が大きくなりクロスハッチと称する欠陥が発生する。クロスハッチとは結晶格子に沿って欠陥が生じエピタキシャルウェーハ表面に線として格子状に見られるもの。クロスハッチは過度になれば肉眼でも認められるが、軽微なものは顕微鏡で観察でき縦横に走った細かい縞模様の凹凸となって認められる。」（段落【０００４】欄）、
「【課題を解決するための手段】クロスハッチの発生原因を検討した結果、ＩｎＰウィンドウ層の生成条件が大きく影響していることが判明した。
　即ち、ＩｎＰウィンドウ層はなるべく緩やかに成長させ、成長後もなるべく徐冷して熱歪が急激にかからないようにすることが効果がある。
　具体的にはウィンドウ層の成長速度を通常２．２μｍ／ｈｒ程度であるのを１．０μｍ／ｈｒ以下に限定する。１．０μｍ／ｈｒ以上だと結晶性が劣化しクロスハッチが発生し易くなる弊害がある。好ましくは、０．８μｍ／ｈｒ以下である。
　成長速度の調整は、Ｉｎの原料となる有機金属の供給量を変化すれば良い。
【０００７】次に、成長終了後の冷却速度を通常１℃／ｓｅｃ程度で実施しているものを成長温度（約６５０℃）から３００℃までは０．２５℃／ｓｅｃ以下に限定する。この温度領域の冷却速度が早すぎると熱歪が大きくなるからである。
　３００℃以下になったら１℃／ｓｅｃ以上の通常の速度で冷却しても良い。冷却速度の減速は、ヒーターの出力を制御すると共に、キャリアガスとして流していた水素ガスの流通を停止し、サセプタの回転を停止することにより行う。冷却速度を調節し、特にウェーハ表面から急激に熱が奪われるのを防ぐことにより、エピタキシャル層の内部の温度分布ができるだけ均一になるようにする。」（段落【０００６】及び【０００７】欄）、及び、
「本発明はＩｎＰに特有の物性を利用した物ではないので他の物質系（例えば、ＧａＡｓ，ＧａＰ等）についても有効と思われる気相成長法である。」（段落【００１５】欄）と記載されている。
　
３．対比・判断
３−１．本願発明１について
　本願発明１と上記刊行物１記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを比較すると、両者は、ｐ型不純物をドープしたＧａＮ系半導体を気相成長させることを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法、である点で一致し、以下の点で相違している。
　
（相違点）
　ｐ型不純物をドープしたＧａＮ系半導体を気相成長させた後、本願発明１は、低抵抗のｐ型半導体を得るために０．１〜３℃／分の速度で室温まで冷却しているのに対し、引用発明１は、冷却してから、アニーリングを施す点
　
　以下、上記相違点について検討する。
　上記刊行物２には、ＩｎＰ層をエピタキシャル成長させるに際し、成長層のクロスハッチの発生を抑えるために、緩やかに成長させ、成長後も徐冷する技術が開示されており、クラックの発生を抑えるという目的の本願発明１と上記刊行物２記載の発明（以下、「引用発明２」という。）とは、結晶欠陥の発生を防止するという点で共通している。
　しかしながら、本願発明１は、本来「低抵抗のｐ型半導体を得る」ことが目的であり、「ｐ型不純物をドープしたＧａＮ系半導体を気相成長させた後、」「０．１〜３℃／分の速度で室温まで冷却」することにより、この目的を達成するものであって、半導体層の低抵抗化については何ら考慮されず、単にクロスハッチの発生を抑えるために徐冷している引用発明２とは、この目的が大きく異なるものである。しかも、本願発明１と引用発明２とは、成長させるエピタキシャル層の物性や冷却する速度においても、大きく相違している。
　したがって、引用発明１に引用発明２を適用して、本願発明１を構成することは、当業者が容易になしえたこととはいえない。
　
３−２．本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の構成要件を全て含むものであるから、上記３−１で述べた理由により、当業者が容易になしえたものとはいえない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明１、２は、刊行物１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。