(57)【要約】      （修正有）【課題】清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載し、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制できる基板研削システムを提供する。【解決手段】基板研削システムは、載置台２０と、第１洗浄装置３０と、第２洗浄装置４０と、研削装置５０と、第１搬送領域６０と、第２搬送領域７０と、を備える。第１搬送領域は、平面視で、載置台と第１洗浄装置と第２洗浄装置との隣に、載置台と第１洗浄装置と第２洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。第２搬送領域は、研削装置と第１洗浄装置と第２洗浄装置との隣に、研削装置と第１洗浄装置と第２洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。第１洗浄装置と第２洗浄装置を結ぶ線と、第１搬送領域と第２搬送領域とを結ぶ線とが交差する。第１洗浄装置と、研削装置とは、隔壁によって隔離される。【選択図】図１
0003227448.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容するカセットが載置される載置台と、
前記基板を洗浄する第１洗浄装置と、
前記基板を洗浄する第２洗浄装置と、
前記基板を研削する研削装置と、
平面視で、前記載置台と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置との隣に、前記載置台と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される第１搬送領域と、
前記第１搬送領域にて前記基板を搬送する第１搬送装置と、
平面視で、前記研削装置と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置との隣に、前記研削装置と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される第２搬送領域と、
前記第２搬送領域にて前記基板を搬送する第２搬送装置と、を備え、
平面視で、前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置とを結ぶ線と、前記第１搬送領域と前記第２搬送領域とを結ぶ線とが交差し、
前記第１洗浄装置と、前記研削装置とは、隔壁によって隔離される、基板研削システム。
【請求項２】
前記第２洗浄装置と、前記第２搬送領域とは、隔壁によって隔離される、請求項１に記載の基板研削システム。
【請求項３】
前記第１搬送装置は、独立に移動する第１搬送アームと第２搬送アームとを有し、前記第１搬送アームで前記カセットから前記基板を取り出し、前記第２搬送アームで前記基板を前記カセットに収める、請求項１又は２に記載の基板研削システム。
【請求項４】
前記第１洗浄装置と前記第２搬送領域との間に配置される隔壁には、前記基板の通過する搬送口が形成され、
当該搬送口には、当該搬送口を開閉するシャッターが設けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板研削システム。
【請求項５】
前記研削装置で研削される前の前記基板の中心を検出する検出装置を備え、
前記検出装置と前記第１洗浄装置とは、鉛直方向に積層される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板研削システム。
【請求項６】
前記第１洗浄装置に積層して配置される第３洗浄装置を備え、
前記第１洗浄装置は、前記研削装置で研削された後の前記基板を、前記第１搬送装置で前記第２洗浄装置に搬送する前に洗浄し、
前記第３洗浄装置は、前記研削装置で研削される前の前記基板を洗浄する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板研削システム。
【請求項７】
前記第２洗浄装置は、前記研削装置で研削された後の前記基板を薬液でエッチングする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板研削システム。
【請求項８】
前記第２搬送装置は、前記基板を上方から吸着保持し、
前記第１搬送装置は、前記基板を下方から保持する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板研削システム。
【請求項９】
前記研削装置と前記第２搬送領域との間に配置される隔壁には、前記基板の通過する搬送口が形成され、
当該搬送口には、当該搬送口を開閉するシャッターが設けられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板研削システム。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板研削システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の加工装置は、第１搬送ユニットと、位置調整機構と、第２搬送ユニットと、ターンテーブルと、チャックテーブルと、加工ユニットと、洗浄機構とを備える。第１搬送ユニットは、カセットから位置調整機構に基板を搬送する。位置調整機構は、基板の位置を調整する。第２搬送ユニットは、位置調整機構からターンテーブル上のチャックテーブルに基板を搬送する。チャックテーブルが基板を吸引保持すると、ターンテーブルが回転し、基板が加工ユニットの下方に配置される。加工ユニットは、研削ホイールで基板を研削する。第２搬送ユニットは、研削後の基板を吸引保持して旋回し、洗浄機構に搬送する。洗浄機構は、研削後の基板を洗浄する。第１搬送ユニットは、洗浄後の基板を洗浄機構からカセットに搬送する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１９−１８５６４５号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一態様は、清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載し、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る基板研削システムは、載置台と、第１洗浄装置と、第２洗浄装置と、研削装置と、第１搬送領域と、第１搬送装置と、第２搬送領域と、第２搬送装置と、を備える。前記載置台は、基板を収容するカセットが載置される。前記第１洗浄装置は、前記基板を洗浄する。前記第２洗浄装置も、前記基板を洗浄する。前記研削装置は、前記基板を研削する。前記第１搬送領域は、平面視で、前記載置台と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置との隣に、前記載置台と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。前記第１搬送装置は、前記第１搬送領域にて前記基板を搬送する。前記第２搬送領域は、平面視で、前記研削装置と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置との隣に、前記研削装置と前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。前記第２搬送装置は、前記第２搬送領域にて前記基板を搬送する。平面視で、前記第１洗浄装置と前記第２洗浄装置を結ぶ線と、前記第１搬送領域と前記第２搬送領域とを結ぶ線とが交差する。前記第１洗浄装置と、前記研削装置とは、隔壁によって隔離される。
【考案の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載でき、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、一実施形態に係る基板研削システムを示す平面図である。
【図２】図２は、図１の基板研削システムを示す側面図である。
【図３】図３は、変形例に係る基板研削システムを示す平面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
【０００９】
先ず、図１及び図２を参照して基板研削システム１０について説明する。なお、図２において、第１洗浄装置３０と検出装置３１と第３洗浄装置３２との配置を図示すべく、図１に示す第２搬送装置７１と隔壁８２とシャッター８８との図示を省略する。
【００１０】
基板研削システム１０は、載置台２０と、第１洗浄装置３０と、第２洗浄装置４０と、研削装置５０と、第１搬送領域６０と、第１搬送装置６１と、第２搬送領域７０と、第２搬送装置７１と、制御装置９０と、を備える。基板研削システム１０は、検出装置３１を更に備えてもよい。また、基板研削システム１０は、第３洗浄装置３２を更に備えてもよい。
【００１１】
載置台２０は、カセットＣが載置されるものである。カセットＣは、基板Ｗを鉛直方向に間隔をおいて複数枚収容する。基板Ｗは、シリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。基板Ｗは、半導体基板又はガラス基板の表面に形成されるデバイス層を更に含んでもよい。デバイス層は、電子回路を含む。また、基板Ｗは、複数の基板を接合した重合基板であってもよい。載置台２０は、Ｙ軸方向に一列に配置される複数の載置板２１を含む。複数の載置板２１のそれぞれに、カセットＣが載置される。なお、載置板２１の数は特に限定されない。同様に、カセットＣの数も特に限定されない。
【００１２】
第１洗浄装置３０は、基板Ｗを洗浄する。例えば、第１洗浄装置３０は、研削装置５０で研削された後の基板Ｗを擦り洗いする。第１洗浄装置３０は、スポンジ又はブラシ等の洗浄体を含み、洗浄体で研削屑等のパーティクルを除去する。洗浄体は、基板Ｗの研削された上面を擦り洗いすればよく、基板Ｗの上方に配置される。但し、洗浄体は、基板Ｗの上下両方に配置されてもよく、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。
【００１３】
第２洗浄装置４０も、基板Ｗを洗浄する。例えば、第２洗浄装置４０は、研削装置５０で研削された後の基板Ｗを薬液でエッチングする。第２洗浄装置４０は、基板Ｗを保持するスピンチャックと、薬液を吐出するノズルとを含む。ノズルは、回転する基板Ｗの上面の中心に薬液を供給する。薬液は、遠心力によって基板Ｗの上面の中心から周縁に向けて濡れ広がる。薬液は、一般的なものであってよく、例えばフッ硝酸、又はアルカリ溶液等であってよい。薬液は、基板Ｗの研削された上面をエッチングし、研削痕を除去する。第２洗浄装置４０は、基板Ｗの下面にも薬液を供給してもよく、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。
【００１４】
研削装置５０は、基板Ｗを研削する。研削は、研磨を含む。研削に用いる砥粒は、固定砥粒、及び遊離砥粒のいずれでもよい。研削装置５０は、例えば、テーブル５１と、４つのチャック５２と、３つの研削機構５３と、を有する。
【００１５】
テーブル５１は、回転中心線Ｒ１の周りに４つのチャック５２を等間隔で保持し、回転中心線Ｒ１を中心に回転する。４つのチャック５２のそれぞれは、テーブル５１と共に回転し、搬入出位置Ａ０と、１次研削位置Ａ１と、２次研削位置Ａ２と、３次研削位置Ａ３と、搬入出位置Ａ０とにこの順番で移動する。
【００１６】
搬入出位置Ａ０は、基板Ｗの搬入が行われる位置と、基板Ｗの搬出が行われる位置とを兼ねる。なお、本実施形態では搬入位置と搬出位置とは同じ位置であるが、搬入位置と搬出位置とは異なる位置であってもよい。１次研削位置Ａ１は、基板Ｗの１次研削が行われる位置である。２次研削位置Ａ２は、基板Ｗの２次研削が行われる位置である。３次研削位置Ａ３は、基板Ｗの３次研削が行われる位置である。
【００１７】
４つのチャック５２は、それぞれの回転中心線を中心に回転自在に、テーブル５１に取り付けられる。１次研削位置Ａ１、２次研削位置Ａ２および３次研削位置Ａ３において、チャック５２はそれぞれの回転中心線を中心に回転する。
【００１８】
１つの研削機構５３は、１次研削位置Ａ１にて、基板Ｗを１次研削する。別の研削機構５３は、２次研削位置Ａ２にて、基板Ｗを２次研削する。残りの研削機構５３は、３次研削位置Ａ３にて、基板Ｗを３次研削する。
【００１９】
なお、研削機構５３の数は、１つ以上であればよい。また、チャック５２の数は、研削機構５３の数よりも多ければよい。但し、テーブル５１が無くてもよい。テーブル５１が無い場合、チャック５２の数は、研削機構５３の数と同数であってもよく、１つであってもよい。
【００２０】
第１搬送領域６０は、平面視（Ｚ軸方向視）で、載置台２０と第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０との隣に、載置台２０と第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０とで三方を囲まれるように配置される。具体的には、載置台２０は第１搬送領域６０のＸ軸方向負側に配置され、第１洗浄装置３０は第１搬送領域６０のＸ軸方向正側に配置され、第２洗浄装置４０は第１搬送領域６０のＹ軸方向負側に配置される。
【００２１】
第１搬送装置６１は、第１搬送領域６０にて基板Ｗを搬送する。つまり、第１搬送装置６１は、第１搬送領域６０の隣に配置される複数の装置間で、基板Ｗを搬送する。第１搬送装置６１は、独立に移動する第１搬送アーム６１ａと第２搬送アーム６１ｂとを有する。第１搬送アーム６１ａと、第２搬送アーム６１ｂは、それぞれ、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。第１搬送アーム６１ａと、第２搬送アーム６１ｂは、それぞれ、基板Ｗを下方から保持する。
【００２２】
第１搬送アーム６１ａは、カセットＣから基板Ｗを取り出す。一方、第２搬送アーム６１ｂは、基板ＷをカセットＣに収める。第１搬送アーム６１ａと第２搬送アーム６１ｂとが別々に設けられるので、カセットＣからの基板Ｗの取出と、カセットＣへの基板Ｗの収容とを相次いで速やかに実施できる。また、第１搬送アーム６１ａと第２搬送アーム６１ｂとが別々に設けられるので、研削前の基板Ｗと研削後の基板Ｗ間での、第１搬送装置６１を介したパーティクルの移動を防止できる。第１搬送アーム６１ａは洗浄前の基板Ｗを保持するのに対し、第２搬送アーム６１ｂは洗浄後の基板Ｗを保持する。第２搬送アーム６１ｂが第１搬送アーム６１ａの上方に配置されれば、洗浄後の基板Ｗが洗浄前の基板Ｗの上方に配置される。その結果、洗浄前の基板Ｗから洗浄後の基板Ｗへのパーティクルの落下を防止できる。
【００２３】
第２搬送領域７０は、平面視で、研削装置５０と第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０との隣に、研削装置５０と第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０とで三方を囲まれるように配置される。具体的には、研削装置５０は第２搬送領域７０のＸ軸方向正側に配置され、第１洗浄装置３０は第２搬送領域７０のＹ軸方向正側に配置され、第２洗浄装置４０は第２搬送領域７０のＸ軸方向負側に配置される。
【００２４】
第２搬送装置７１は、第２搬送領域７０にて基板Ｗを搬送する。つまり、第２搬送装置７１は、第２搬送領域７０の隣に配置される複数の装置間で、基板Ｗを搬送する。第２搬送装置７１は、基板Ｗを保持する吸着パッド７１ａを含む。吸着パッド７１ａは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。吸着パッド７１ａは、基板Ｗを上方から吸着保持する。
【００２５】
検出装置３１は、研削装置５０で研削される前の基板Ｗの中心を検出する。平面視にて、研削装置５０のチャック５２の中心と基板Ｗの中心とを位置合わせできる。検出装置３１は、基板Ｗの中心に加えて、基板Ｗの結晶方位を検出してもよく、具体的には基板Ｗの結晶方位を表すノッチ又はオリエンテーションフラットを検出してもよい。チャック５２と共に回転する回転座標系において、基板Ｗの結晶方位を所望の方位に位置合わせできる。
【００２６】
検出装置３１は、基板研削システム１０の設置面積を低減すべく、第１洗浄装置３０に対して鉛直方向に積層されてもよい。なお、検出装置３１は第１洗浄装置３０の上方に配置されるが、検出装置３１と第１洗浄装置３０の配置は逆でもよく、検出装置３１は第１洗浄装置３０の下方に配置されてもよい。
【００２７】
第３洗浄装置３２は、第１洗浄装置３０及び第２洗浄装置４０とは異なり、研削装置５０で研削される前の基板Ｗを洗浄する。清浄な基板Ｗを研削装置５０のチャック５２に載置でき、異物の噛み込み等を抑制できるので、基板Ｗの研削品質を向上できる。
【００２８】
第３洗浄装置３２は、例えば、第１洗浄装置３０と同様に、基板Ｗを擦り洗いする。第３洗浄装置３２は、スポンジ又はブラシ等の洗浄体を含み、洗浄体で異物を除去する。洗浄体は、基板Ｗを研削装置５０のチャック５２に載置する際に異物の噛み込みを抑制すべく、基板Ｗの下面を擦り洗いすればよく、基板Ｗの下方に配置される。但し、洗浄体は、基板Ｗの上下両方に配置されてもよく、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。
【００２９】
第３洗浄装置３２は、基板研削システム１０の設置面積を低減すべく、第１洗浄装置３０に対して鉛直方向に積層されてもよい。なお、第３洗浄装置３２は第１洗浄装置３０の上方に配置されるが、第３洗浄装置３２と第１洗浄装置３０の配置は逆でもよく、第３洗浄装置３２は第１洗浄装置３０の下方に配置されてもよい。第３洗浄装置３２は図２では第１洗浄装置３０と検出装置３１の間に配置されるが、これらの順番は特に限定されない。
【００３０】
制御装置９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板研削システム１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板研削システム１０の動作を制御する。
【００３１】
次に、基板研削システム１０の動作について説明する。下記の動作は、制御装置９０による制御下で実施される。
【００３２】
先ず、第１搬送装置６１が、カセットＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを第３洗浄装置３２に搬送する。この間、基板Ｗは、第１搬送アーム６１ａによって保持される。
【００３３】
次に、第３洗浄装置３２が、研削装置５０で研削する前の基板Ｗを洗浄する。清浄な基板Ｗを研削装置５０のチャック５２に載置でき、異物の噛み込み等を抑制できる。それゆえ、基板Ｗを平坦に研削でき、基板Ｗの厚み偏差の悪化を抑制できる。第３洗浄装置３２は、基板Ｗの下面を洗浄する。第３洗浄装置３２は、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第１搬送装置６１が第３洗浄装置３２から検出装置３１に基板Ｗを搬送する。この間、基板Ｗは、第１搬送アーム６１ａによって保持される。
【００３４】
なお、未研削の基板Ｗが清浄な場合、又は研削装置５０が未研削の基板Ｗを洗浄する機構を有する場合、第３洗浄装置３２は無くてもよい。その場合、第１搬送装置６１は、カセットＣから検出装置３１に基板Ｗを搬送する。
【００３５】
次に、検出装置３１が、基板Ｗの中心を検出する。検出装置３１は、基板Ｗの結晶方位をも検出してもよく、具体的にはノッチ等をも検出してもよい。その後、第２搬送装置７１が、検出装置３１から研削装置５０のチャック５２に基板Ｗを搬送する。この間、制御装置９０は、検出装置３１の検出結果に基づき第２搬送装置７１を制御し、チャック５２の中心と基板Ｗの中心とを位置合わせする。また、制御装置９０は、検出装置３１の検出結果に基づき第２搬送装置７１を制御し、チャック５２と共に回転する回転座標系において、基板Ｗの結晶方位を所望の方位に位置合わせする。
【００３６】
次に、研削装置５０が、基板Ｗの上面を研削する。基板Ｗは、テーブル５１と共に回転し、搬入出位置Ａ０と、１次研削位置Ａ１と、２次研削位置Ａ２と、３次研削位置Ａ３と、搬入出位置Ａ０とにこの順番で移動する。この間、１次研削と、２次研削と、３次研削とが実施される。その後、第２搬送装置７１が、研削装置５０のチャック５２から第１洗浄装置３０に基板Ｗを搬送する。
【００３７】
次に、第１洗浄装置３０は、基板Ｗの上面を洗浄し、研削屑等のパーティクルを除去する。第１洗浄装置３０は、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第１搬送装置６１が、第１洗浄装置３０から第２洗浄装置４０に基板Ｗを搬送する。この間、基板Ｗは、第１搬送アーム６１ａによって保持されてもよいし、第２搬送アーム６１ｂによって保持されてもよい。
【００３８】
次に、第２洗浄装置４０は、基板Ｗの上面をエッチングし、研削痕を除去する。第２洗浄装置４０は、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第１搬送装置６１が、第２洗浄装置４０からカセットＣに基板Ｗを搬送し、カセットＣに基板Ｗを収める。この間、基板Ｗは、第２搬送アーム６１ｂによって保持される。その後、今回の処理が終了する。
【００３９】
ところで、図１に示すように、平面視で、載置台２０と研削装置５０との間にて、第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０と第１搬送領域６０と第２搬送領域７０とが行列状に配置される。平面視で、第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０を結ぶ線と、第１搬送領域６０と第２搬送領域７０とを結ぶ線とが交差する。
【００４０】
本実施形態によれば、本実施形態とは異なり第１搬送領域６０がＸ軸方向正側に隔壁８１まで延長される場合に比べて、第１搬送領域６０のＸ軸方向寸法が短縮されており、その短縮によって空いた領域に第１洗浄装置３０が配置される。従って、洗浄装置の搭載数の増加による、基板研削システム１０の設置面積の増加を抑制できる。
【００４１】
また、本実施形態によれば、載置台２０と第１搬送領域６０が隣り合う。それゆえ、本実施形態とは異なり載置台２０と第１搬送領域６０との間に、基板Ｗを一時的に保管するトランジション装置と、平面視でトランジション装置と載置台２０とで挟まれる第３搬送領域と、第３搬送領域にて基板Ｗを搬送する第３搬送装置とが設けられる場合に比べて、基板研削システム１０の設置面積を低減できる。
【００４２】
ところで、図１に示すように、第１洗浄装置３０は研削装置５０と第２搬送領域７０の両方の隣に配置され、第２搬送領域７０は研削装置５０の隣に配置される。基板Ｗは、研削装置５０にて研削された後、第２搬送領域７０を介して研削装置５０から第１洗浄装置３０に搬送される。第１洗浄装置３０と研削装置５０とは、隔壁８１、８２によって隔離される。
【００４３】
隔壁８１は、互いに隣り合う第１洗浄装置３０と研削装置５０の間に配置される。一方、隔壁８２は、互いに隣り合う第１洗浄装置３０と第２搬送領域７０の間に配置される。隔壁８１、８２は、研削装置５０にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置５０から第１洗浄装置３０へ流出するのを抑制する。
【００４４】
隔壁８２には、基板Ｗの通過する搬送口８２ａが形成される。搬送口８２ａには、搬送口８２ａを開閉するシャッター８８が設けられる。シャッター８８は、基本的に搬送口８２ａを閉塞しており、基板Ｗの通過時に搬送口８２ａを開放する。搬送口８２ａが常時開放されている場合に比べて、搬送口８２ａを介した研削装置５０から第１洗浄装置３０へのパーティクルの流出を抑制できる。
【００４５】
隔壁８３は、互いに隣り合う第２洗浄装置４０と第２搬送領域７０の間に配置され、第２洗浄装置４０と第２搬送領域７０を隔離し、ひいては第２洗浄装置４０と研削装置５０とを隔離する。隔壁８３は、研削装置５０にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置５０から第２洗浄装置４０へ流出するのを抑制する。
【００４６】
隔壁８１、８２、８３を基準として、研削装置５０とは反対側（Ｘ軸方向負側）に、清浄度の高いエリアが形成される。清浄度の高いエリアに、複数の洗浄装置、例えば第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０と第３洗浄装置３２とを搭載できる。従って、洗浄装置の搭載数が多く、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Ｗが汚れるのを抑制できる。
【００４７】
次に、図３を参照して、変形例に係る基板研削システム１０について説明する。以下、本変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。本変形例では、上記実施形態の隔壁８２の代わりに、隔壁８４が設けられる。隔壁８４は、互いに隣り合う第２搬送領域７０と研削装置５０の間に配置される。
【００４８】
隔壁８１、８４は、研削装置５０にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置５０から第１洗浄装置３０へ流出するのを抑制する。また、隔壁８１、８４は、研削装置５０にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置５０から第２洗浄装置４０へ流出するのを抑制する。
【００４９】
隔壁８４には、基板Ｗの通過する搬送口８４ａが形成される。搬送口８４ａには、搬送口８４ａを開閉するシャッター８９が設けられる。シャッター８９は、基本的に搬送口８４ａを閉塞しており、基板Ｗの通過時に搬送口８４ａを開放する。搬送口８４ａを介した研削装置５０から第１洗浄装置３０へのパーティクルの流出を抑制できる。
【００５０】
隔壁８１、８４を基準として、研削装置５０とは反対側（Ｘ軸方向負側）に、清浄度の高いエリアが形成される。清浄度の高いエリアに、複数の洗浄装置、例えば第１洗浄装置３０と第２洗浄装置４０と第３洗浄装置３２とを搭載できる。従って、洗浄装置の搭載数が多く、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Ｗが汚れるのを抑制できる。
【００５１】
なお、本変形例では上記実施形態の隔壁８２の代わりに隔壁８４が設けられるが、本変形例の隔壁８４と上記実施形態の隔壁８２との両方が設けられてもよい。
【００５２】
以上、本開示に係る基板研削システムについて説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。実用新案登録請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【００５３】
１０  基板研削システム
２０  載置台
３０  第１洗浄装置
４０  第２洗浄装置
５０  研削装置
６０  第１搬送領域
６１  第１搬送装置
７０  第２搬送領域
７１  第２搬送装置
【図１】
0003227448.tif 000003
【図２】
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【図３】
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