【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アクセス命令に応じてプリチャージ動作を自動実行するオートプリチャージ機能を有する半導体記憶装置の制御装置であって、
上記半導体記憶装置に対するアクセス要求を受信する要求受信回路と、
上記要求受信回路により受信したアクセス要求に基づいて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するか否か判定する判定回路と、
上記判定回路による判定結果に応じて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令または上記オートプリチャージ機能を無効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給する命令出力回路と、
上記半導体記憶装置における所定の領域を示すアドレス情報を設定する領域設定回路とを備え、
上記アクセス要求は、上記半導体記憶装置に対してアクセスするアクセスアドレス情報を有し、
上記判定回路は、上記領域設定回路に設定されたアドレス情報と、上記要求受信回路により受信したアクセス要求のアクセスアドレス情報とを比較して、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するか否か判定することを特徴とする半導体記憶装置の制御装置。
【請求項２】  上記領域設定回路は、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令にてアクセスする上記半導体記憶装置の領域を示すアドレス情報を設定し、
上記判定回路は、上記要求受信回路により受信したアクセス要求のアクセスアドレス情報が上記領域設定回路に設定されたアドレス情報に含まれる場合には、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給すると判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項３】  上記領域設定回路は、上記オートプリチャージ機能を無効にする上記アクセス命令にてアクセスする上記半導体記憶装置の領域を示すアドレス情報を設定し、
上記判定回路は、上記要求受信回路により受信したアクセス要求のアクセスアドレス情報と上記領域設定回路に設定されたアドレス情報とが異なる場合には、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給すると判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項４】  上記要求受信回路は、上記アクセス要求とともにアクセスタイプを示す信号を受信し、
上記判定回路は、上記要求受信回路により受信したアクセスタイプを示す信号に応じて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給すると判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項５】  上記アクセス要求は、転送するデータ量を示すデータサイズ情報を有し、
上記要求受信回路により受信したアクセス要求のデータサイズ情報に基づいて、上記半導体記憶装置に対するアクセス回数を算出する転送回数演算回路をさらに備え、
上記判定回路は、上記転送回数演算回路により算出されたアクセス回数に基づいて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するか否か判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項６】  上記転送回数演算回路は、上記半導体記憶装置に対するアクセス回数を計数するための計数回路を備え、
上記判定回路は、上記計数回路による計数値に応じて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するか否か判定することを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項７】  上記要求受信回路は、複数のマスタ回路からそれぞれ出力される上記半導体記憶装置に対するアクセス要求を受信し、
上記判定回路は、上記要求受信回路により受信したアクセス要求を出力したマスタ回路に応じて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するか否か判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項８】  上記要求受信回路により受信したアクセス要求に対し、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するマスタ回路を設定するマスタ設定回路をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項９】  上記要求受信回路により受信したアクセス要求がリードアクセス要求であった際に、上記アクセス要求により指定される領域のデータに加え、上記指定される領域に連続した所定の領域のデータを読み出すための先読み制御回路をさらに備え、
上記判定回路は、上記要求受信回路により受信したアクセス要求がリードアクセス要求のときには、上記オートプリチャージ機能を無効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給すると判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の制御装置。
【請求項１０】  アクセス命令に応じてプリチャージ動作を自動実行するオートプリチャージ機能を有する半導体記憶装置の制御方法であって、
上記半導体記憶装置に対するアクセス要求を受信し、
受信した上記アクセス要求が有する上記半導体記憶装置に対してアクセスするアクセスアドレス情報と、設定された上記半導体記憶装置における所定の領域を示すアドレス情報との比較を行って上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給するか否か判定し、
上記判定結果に応じて、上記オートプリチャージ機能を有効にする上記アクセス命令または上記オートプリチャージ機能を無効にする上記アクセス命令を上記半導体記憶装置に供給することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体記憶装置の制御装置は、半導体記憶装置に対するアクセス要求に基づいて、プリチャージ動作を自動実行するオートプリチャージ機能を有効にするアクセス命令を半導体記憶装置に供給するか否か判定し、その判定結果に応じたアクセス命令を半導体記憶装置に供給する。半導体記憶装置に対するアクセス要求は、半導体記憶装置に対してアクセスするアクセスアドレス情報を有し、そのアクセスアドレス情報と、設定された半導体記憶装置における所定の領域を示すアドレス情報とを比較して、オートプリチャージ機能を有効にするアクセス命令を供給するか否か判定する。
上記のように構成した本発明によれば、半導体記憶装置に対するアクセス要求が、オートプリチャージ機能を有効にするアクセス命令を供給するのに適しているか否か判断して、適切なアクセス命令であるコマンドを半導体記憶装置に供給することができるようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、受信した半導体記憶装置に対するアクセス要求が有する半導体記憶装置に対してアクセスするアクセスアドレス情報と、設定された半導体記憶装置における所定の領域を示すアドレス情報とを比較して、プリチャージ動作を自動実行するオートプリチャージ機能を有効にするアクセス命令を半導体記憶装置に供給するか否か判定し、その判定結果に応じて、オートプリチャージ機能を有効にするアクセス命令またはオートプリチャージ機能を無効にするアクセス命令を半導体記憶装置に供給する。
これにより、半導体記憶装置に対するアクセス要求が、オートプリチャージ機能を有効にするアクセス命令を供給するのに適しているか否か判断して、アクセス命令であるコマンドを半導体記憶装置に適切に供給することができ、データ転送効率を向上させることができる。