【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータを、
入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させる手段と、
前記抽出されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項２】
コンピュータを、
シリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルを基板上に形成するためのＣＡＤマスクの情報を入力する手段と、
前記入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させる手段と、
前記抽出されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項３】
コンピュータを、
入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項４】
コンピュータを、
シリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルを基板上に形成するためのＣＡＤマスクの情報を入力する手段と、
前記入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項５】
コンピュータを、
入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の有する各駆動装置の速度、駆動装置の切り替えに要する時間を考慮して、前記基板１枚当たりに要するレーザー処理時間を最小にする前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項６】
コンピュータを、
シリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルを基板上に形成するためのＣＡＤマスクの情報を入力する手段と、
前記入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の有する各駆動装置の速度、駆動装置の切り替えに要する時間を考慮して、前記基板１枚当たりに要するレーザー処理時間を最小にする前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項７】
コンピュータを、
入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の有する各駆動装置の速度、駆動装置の切り替えに要する時間、及び前記コンピュータが各駆動装置に対する駆動命令を生成してから各駆動装置が実駆動を行うまでに要する時間を考慮して、前記基板１枚当たりに要するレーザー処理時間を最小にする前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項８】
コンピュータを、
シリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルを基板上に形成するためのＣＡＤマスクの情報を入力する手段と、
前記入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、レーザー装置の有する各駆動装置の速度、駆動装置の切り替えに要する時間、及び前記コンピュータが各駆動装置に対する駆動命令を生成してから各駆動装置が実駆動を行うまでに要する時間を考慮して、前記基板１枚当たりに要するレーザー処理時間を最小にする前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項９】
コンピュータを、
入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、少なくとも前記シリコンアイランドの形成される領域を含むように、前記基板上に形成された半導体膜上にレーザー光を走査する領域及び走査する方向を特定する手段と、
前記特定されたレーザー光の走査領域及び走査方向に基づいて、レーザー装置の有する各駆動装置の速度、駆動装置の切り替えに要する時間、及び前記コンピュータが各駆動装置に対する駆動命令を生成してから各駆動装置が実駆動を行うまでに要する時間を考慮して、前記基板１枚当たりに要するレーザー処理時間を最小にし、且つ前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１０】
コンピュータを、
シリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルを基板上に形成するためのＣＡＤマスクの情報を入力する手段と、
前記入力されたシリコンアイランド、コンタクトホール、及び配線メタルのＣＡＤマスクの情報に基づいて、前記シリコンアイランドを前記基板上に形成する位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報を自動抽出させ、データベースに格納する手段と、
前記データベースに格納されたシリコンアイランドの位置情報、前記シリコンアイランドの形状情報、及び、前記シリコンアイランドにおけるソース・チャネル・ドレインの方向情報に基づいて、少なくとも前記シリコンアイランドの形成される領域を含むように、前記基板上に形成された半導体膜上にレーザー光を走査する領域及び走査する方向を特定する手段と、
前記特定されたレーザー光の走査領域及び走査方向に基づいて、レーザー装置の有する各駆動装置の速度、駆動装置の切り替えに要する時間、及び前記コンピュータが各駆動装置に対する駆動命令を生成してから各駆動装置が実駆動を行うまでに要する時間を考慮して、前記基板１枚当たりに要するレーザー処理時間を最小にし、且つ前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得する手段と、
前記レーザー装置の最適な駆動条件に基づいて、前記レーザー装置を制御する手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
線形計画法、分枝限定法、神経回路網、及び焼きなまし法のうちのいずれかの最適化アルゴリズムを用いて、前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得することを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
遺伝的アルゴリズムに代表される進化論的手法を用いて、前記レーザー装置の最適な駆動条件を取得することを特徴とするプログラム。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図７にＴＦＴの活性層の一例を示す。図７（Ａ）ではチャネル形成領域が１つ設けられている活性層を示しており、チャネル形成領域５２０を挟むようにソース領域またはドレイン領域となる不純物領域５２１、５２２が設けられている。本発明のレーザー装置を用いて半導体膜を結晶化させるとき、レーザー光の走査方向は矢印に示すように、チャネル形成領域のキャリアが移動する方向と平行になるように、走査方向を定めるようにする。５２３はビームスポットの形状を示しており、ビームスポット５２３のうち、斜線で示した領域５２４において、良好な結晶を得るために必要なエネルギー密度を満たしている。活性層全体に、斜線で示した領域５２４のレーザー光が照射されるようにすることで、活性層の結晶性をより高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、図７（Ｂ）では、チャネル形成領域が３つ設けられている活性層を示しており、チャネル形成領域５３０を挟むように不純物領域５３３、５３４が設けられている。また、チャネル形成領域５３１を挟むように不純物領域５３４、５３５が設けられており、さらにチャネル形成領域５３２を挟むように不純物領域５３５、５３６が設けられている。そして、本発明のレーザー装置を用いて半導体膜を結晶化させるとき、レーザー光の走査方向は矢印に示すように、チャネル形成領域のキャリアが移動する方向と平行になるように、走査方向を定めるようにする。