【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  切削エレメントを製作する方法であって、
非導電性ダイヤモンド結晶と添加剤とを含むダイヤモンド粉末層を提供すること、
そして前記非導電性ダイヤモンド結晶と前記添加剤とを、固形半導体材料である多結晶ダイヤモンド層に変換すること、
を含む、切削エレメント製作方法。
【請求項２】  前記変換が焼結することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記焼結が、複数の前記非導電性ダイヤモンド結晶上に半導電性表層を形成することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記焼結が、前記多結晶ダイヤモンド層全体にわたって前記添加剤を拡散させ、且つ前記多結晶ダイヤモンド層を、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して５０オーム以下の抵抗を有するように形成させる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記ダイヤモンド粉末層の提供が、該層内に適量の金属バインダ材料の粉末を提供することを含み、該粉末の量は、前記焼結により作られる前記多結晶ダイヤモンド層が１０％以下の質量パーセントの前記金属バインダ材料を含み、且つ、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して５０オーム以下の抵抗を有するような量である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】  前記添加剤がホウ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記添加剤がＬｉ、Ｂｅ及びＡｌのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記非導電性ダイヤモンド結晶が、タイプＩのダイヤモンド粒子原料を実質的に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  放電機械加工及び放電研削のうちの一方を用いて前記多結晶ダイヤモンド層を切削することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記多結晶ダイヤモンド層に存在する金属材料を浸出させることを含み、浸出後、前記多結晶ダイヤモンド層が、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して１０００オーム以下の抵抗を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記多結晶ダイヤモンド層が金属バインダ材料を実質的に含有せず、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して１０００オーム以下の抵抗を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  切削エレメントを製作する方法であって、
Ｂｅ、Ｌｉ及びＡｌのうちの少なくとも１種をドープされたダイヤモンド結晶を含むダイヤモンド粒子原料の層を提供すること、及び
焼結して前記ダイヤモンド粒子原料の層を固形半導体材料である多結晶ダイヤモンド層に変換すること、
を含む、切削エレメント製作方法。
【請求項１３】  基材を提供することを更に含み、前記焼結が前記多結晶ダイヤモンド層を前記基材に結合することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記ダイヤモンド粒子原料の層の提供が、該層内に金属マトリックス材料の粉末を提供することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記ダイヤモンド粒子原料の層の提供が、該層内に適量の金属バインダ材料の粉末を提供することを含み、該粉末の量は、前記焼結により作られる前記多結晶ダイヤモンド層が１０％以下の質量パーセントの前記金属バインダ材料を含み、且つ、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して５０オーム以下の抵抗を有するような量である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  前記多結晶ダイヤモンド層に存在する金属材料を浸出させることを更に含み、該浸出させられた多結晶ダイヤモンド層が、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して１０００オーム以下の抵抗を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】  放電機械加工及び放電研削のうちの一方を用いて、前記多結晶ダイヤモンド層を切削することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】  前記提供が、Ｂｅ、Ｌｉ及びＡｌのうちの少なくとも１種をドープされた前記ダイヤモンド結晶だけから実質的になるダイヤモンド粒子原料の層を提供することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】  Ｂｅ、Ｌｉ及びＡｌからなる群から選択された材料をドープされたダイヤモンド結晶を含んでいる多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２０】  半導体材料であることを特徴とする、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２１】  Ｐ型半導体材料であることを特徴とする、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２２】  前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して１０オーム以下の抵抗を有している、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２３】  実質的にタイプＩのダイヤモンドだけから作られた実質的に同様の多結晶ダイヤモンド材料の対応する抵抗の１０％未満の抵抗を有する、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２４】  ８０°Ｋにおいて、実質的にタイプＩのダイヤモンドだけから形成された実質的に同様の多結晶ダイヤモンド材料の対応する熱伝導率よりも約１５倍大きい熱伝導率を有する、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２５】  金属バインダ材料を実質的に含有しておらず、且つ、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して１０００オーム以下の抵抗を有している、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２６】  基材の上に形成された、請求項１９に記載の多結晶ダイヤモンド材料を含む切削エレメント。
【請求項２７】  タイプＩのダイヤモンド結晶を含み、複数の前記タイプＩのダイヤモンド結晶が半導電性表層を有している、多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２８】  不純物種を更に含んでおり、該不純物種がＬｉ、Ｂｅ、Ｂ及びＡｌからなる群から選択されている、請求項２７に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項２９】  前記半導電性表層が不純物種を含んでおり、該不純物種がＬｉ、Ｂｅ、Ｂ及びＡｌからなる群から選択されている、請求項２７に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項３０】  Ｐ型半導電性材料である、請求項２７に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項３１】  前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して抵抗が５０オーム以下である、請求項２７に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項３２】  １０％以下の質量パーセントの金属バインダを更に含む、請求項３１に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項３３】  金属バインダ材料を実質的に含有しておらず、且つ、前記材料の表面から１ｃｍ間隔を置いたプローブを使用して測定して１０００オーム以下の抵抗を有している、請求項２７に記載の多結晶ダイヤモンド材料。
【請求項３４】  基材の上に形成された、請求項２７に記載の多結晶ダイヤモンド材料を含む切削エレメント。
【請求項３５】  切削エレメントを含むドリルビットであって、前記切削エレメントが、基材と、該基材の上の多結晶ダイヤモンド層とを含んでおり、該多結晶ダイヤモンド層がタイプＩのダイヤモンド結晶を含んでおり、複数の該タイプＩのダイヤモンド結晶が半導電性表層を有している、切削エレメントを含むドリルビット。
【請求項３６】  切削エレメントを含むドリルビットであって、前記切削エレメントが、基材と、該基材上の多結晶ダイヤモンド層とを含んでおり、該多結晶ダイヤモンド層が、リチウム、ベリリウム及びアルミニウムからなる群から選択された添加剤をドープされたダイヤモンド結晶を含んでいる、切削エレメントを含むドリルビット。
【請求項３７】  前記添加剤がドープ用添加剤である、請求項１から１１までのいずれか１つに記載の方法。