Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  撮影光学系と、
複数のレンズユニットを有するファインダ光学系と、
前記レンズユニットと係合するカムを有し、前記撮影光学系の変倍動作に連動して前記レンズユニットをカム駆動するカム部材と、
このカム部材の移動方向のうち一方向に前記カム部材を付勢する第１の付勢部材と、
前記レンズユニットを前記カムの側面に付勢する第２の付勢部材とを備え、
前記第２の付勢部材は、前記レンズユニットを介して前記カム部材に加わる付勢力のうち前記カム部材の移動に寄与する分力の方向が、前記第１の付勢部材の付勢方向と略一致するように前記レンズユニットを付勢することを特徴とするカメラ。
【請求項２】  前記カム部材は、前記第２の付勢部材の付勢力を受けた前記レンズユニットと係合する前記カムと、前記撮影光学系と連動するカムとを有することを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】  少なくとも２つの前記カムの間隔が前記第１の付勢部材の付勢方向に向かって狭くなり、
前記第２の付勢部材は、前記２つのカムに係合する２つの前記レンズユニットを光軸方向において互いに離す方向に付勢することを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラ。
【請求項４】  前記２つのカムのうち一方のカムの傾きは、該カムの第１および第２の領域を境に反転することを特徴とする請求項３に記載のカメラ。
【請求項５】  ファインダ光学系を構成する移動レンズを有するレンズユニットと、
前記レンズユニットと係合するカムを有し、前記レンズユニットを駆動するカム部材と、
前記カム部材の移動方向のうち一方向に前記カム部材を付勢する第１の付勢部材と、
前記レンズユニットを前記カムの面に当接させるように付勢する第２の付勢部材とを有し、
少なくとも２つの前記カムの間隔が前記第１の付勢部材の付勢方向に向かって狭くなり、
前記第２の付勢部材は、前記２つのカムに係合する２つの前記レンズユニットを光軸方向において互いに離す方向に付勢することを特徴とするカメラ。
【請求項６】  ファインダ光学系を構成する移動レンズをそれぞれ有する２つのレンズユニットと、
前記２つのレンズユニットのうち各レンズユニットと係合する２つのカムを有し、前記レンズユニットを駆動するカム部材と、
前記レンズユニットを前記２つのカムのそれぞれのカム面に当接させるように付勢する付勢部材とを有し、
前記２つのカムは、互いの間隔が第１の方向で広がるような傾きを有し、前記付勢部材は前記２つのカムに係合する２つの前記レンズユニットを光軸方向において互いに離す方向に付勢することを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明のカメラは、撮影光学系と、複数のレンズユニットを有するファインダ光学系と、レンズユニットと係合するカムを有し、撮影光学系の変倍動作に連動してレンズユニットをカム駆動するカム部材と、このカム部材の移動方向のうち一方向にカム部材を付勢する第１の付勢部材と、レンズユニットをカムの側面に付勢する第２の付勢部材とを備え、第２の付勢部材は、レンズユニットを介してカム部材に加わる付勢力のうちカム部材の移動に寄与する分力の方向が、第１の付勢部材の付勢方向と略一致するようにレンズユニットを付勢することを特徴とする。
また、本発明のカメラは、ファインダ光学系を構成する移動レンズを有するレンズユニットと、レンズユニットと係合するカムを有し、レンズユニットを駆動するカム部材と、カム部材の移動方向のうち一方向にカム部材を付勢する第１の付勢部材と、レンズユニットをカムの面に当接させるように付勢する第２の付勢部材とを有し、少なくとも２つのカムの間隔が第１の付勢部材の付勢方向に向かって狭くなり、第２の付勢部材は、２つのカムに係合する２つのレンズユニットを光軸方向において互いに離す方向に付勢することを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
ネットワークを介して情報提供装置にアクセス可能な情報記録装置において、
一の記録媒体に記録されたプログラム情報に対応する識別情報を取得するための識別情報取得手段と、
前記一の記録媒体に記録されたプログラム情報が他の記録媒体に記録される場合には、前記一の記録媒体が前記プログラム情報にかかる著作権保護のための保護情報を有するか否かを認識する保護情報認識手段と、
前記保護情報を認識した場合には、前記識別情報を前記ネットワークを介して前記情報提供装置に送信する識別情報送信手段と、
前記識別情報に応じて前記情報提供装置から送信された、前記プログラム情報に関連する対応情報を前記ネットワークを介して受信する対応情報受信手段と、
前記対応情報を前記他の記録媒体に記録するための情報記録手段と、を有することを特徴とする情報記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８に記載の情報提供装置において、
前記情報記録装置から、該情報記録装置毎に、あるいは、前記一の記録媒体毎に、設定されたユーザ情報を受信するためのユーザ情報受信手段を有し、
前記対応情報送信手段は、前記ユーザ情報に基づいて不正アクセスであるか否かを判断し、不正アクセスであると判断した場合には、前記情報記録装置に前記対応情報の送信を行わないことを特徴とする情報提供装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するべく、請求項１２に記載の発明は、ネットワークを介して情報提供装置にアクセス可能な情報記録装置において、一の記録媒体に記録されたプログラム情報に対応する識別情報を取得するための識別情報取得手段と、前記一の記録媒体に記録されたプログラム情報が他の記録媒体に記録される場合には、前記一の記録媒体が前記プログラム情報にかかる著作権保護のための保護情報を有するか否かを認識する保護情報認識手段と、前記保護情報を認識した場合には、前記識別情報を前記ネットワークを介して前記情報提供装置に送信する識別情報送信手段と、前記識別情報に応じて前記情報提供装置から送信された、前記プログラム情報に関連する対応情報を前記ネットワークを介して受信する対応情報受信手段と、前記対応情報を前記他の記録媒体に記録するための情報記録手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から順に、負の屈折力を有する第１レンズ群と、正の屈折力を有する第２レンズ群とを少なくとも有し、広角端から望遠端への変倍に際して、前記第１レンズ群と前記第２レンズ群との間隔が減少し、前記第１レンズ群及び前記第２レンズ群がそれぞれ移動し、前記第１レンズ群は凸レンズ成分を備える２枚以下のレンズ成分で構成され、前記第１レンズ群中の凸レンズ成分のいずれかのレンズ面に回折光学面を有し、該回折光学面の有効径（直径）をＣ、広角端におけるレンズ系全体の焦点距離をｆｗとし、次式
０．２＜Ｃ／ｆｗ＜５．０
の条件を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
前記第１レンズ群の最も像側の面から前記回折光学面までの光軸に沿った距離をＬ１とし、前記第１レンズ群の全長をＬ（但し、絞りを含まず）としたとき、次式
０．０≦Ｌ１／Ｌ＜０．５
の条件を満足することを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】
前記回折光学面は、前記回折光学素子を有する面の曲率半径をｒａとしたとき、次式
０．０５＜｜ｆｗ／ｒａ｜＜２．０
の条件を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載のズームレンズ。
【請求項４】
前記凸レンズ成分は、前記第１レンズ群中の凸メニスカスレンズ成分であり、
前記回折光学面は、前記凸メニスカスレンズ成分のいずれかのレンズ面に形成され、前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２としたとき、次式
０．２＜ｆ２／ｆ１＜１．２
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項５】
最大像高を通過する主光線の角度が、望遠端で１０度以下である前記回折光学面を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項６】
最大像高を通過する主光線の角度が、広角端で５度以下である前記回折光学面を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項７】
前記第１レンズ群は、最も物体側に負メニスカスレンズを有し、
前記負メニスカスレンズの物体側の面の曲率半径をｒ１、前記負メニスカスレンズの像側の面の曲率半径をｒ２としたときに、次式、
１．０＜（ｒ１＋ｒ２）／（ｒ１−ｒ２）＜５．０
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項８】
前記第２レンズ群の像側に第３レンズ群を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項９】
前記第３レンズ群を光軸方向に移動させて、近距離への合焦をすることを特徴とする請求項８に記載のズームレンズ。
【請求項１０】
前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３としたときに、次式、
１．０＜ｆ３／ｆｗ＜２０．０
の条件を満足することを特徴とする請求項８又は９に記載のズームレンズ。
【請求項１１】
前記第１レンズ群は、物体側から順に、負メニスカスレンズ、正レンズで構成され、前記第２レンズ群は、３枚以下のレンズで構成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項１２】
前記回折光学面は、前記第２レンズ群の最も像側のレンズ面に形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のズームレンズ。
【請求項１３】
前記回折光学面は、レンズ表面に樹脂層で形成されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のズームレンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るズームレンズは、最大像高を通過する主光線の角度が、望遠端で１０度以下である前記回折光学面を有することを特徴とする。
本発明に係るズームレンズは、最大像高を通過する主光線の角度が、広角端で５度以下である前記回折光学面を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、前記第１レンズ群は、最も物体側に負メニスカスレンズを有し、前記負メニスカスレンズの物体側の面の曲率半径をｒ１、前記負メニスカスレンズの像側の面の曲率半径をｒ２としたときに、式  １．０＜（ｒ１＋ｒ２）／（ｒ１−ｒ２）＜５．０  の条件を満足する構成であることが好ましい。
さらに、前記第２レンズ群の像側に第３レンズ群を有する構成であることが好ましい。
さらに、前記第３レンズ群を光軸方向に移動させて、近距離への合焦をする構成であることが好ましい。
さらに、前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３としたときに、式  １．０＜ｆ３／ｆｗ＜２０．０  の条件を満足する構成であることが好ましい。
さらに、前記第１レンズ群は、物体側から順に、負メニスカスレンズ、正レンズで構成され、前記第２レンズ群は、３枚以下のレンズで構成されるのが好ましい。
さらに、前記回折光学面は、前記第２レンズ群の最も像側のレンズ面に形成されているのが好ましい。
さらに、前記回折光学面は、レンズ表面に樹脂層で形成されているのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ところで、前述したように、射出瞳を像面からさらに十分に遠ざけるためには、第２レンズ群Ｇ２の像側、すなわち、撮像素子の物体側に正の屈折力を有する第３レンズ群Ｇ３を配置することが好ましい。これは、いわゆるフィールドレンズの作用を利用するものであり、ズーミング中は固定していることが好ましく、その結果、第３レンズ群Ｇ３を光軸方向に移動させて、近距離へのフォーカシング（合焦）が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光軸方向への繰り出し繰り込み動作により撮影光学系の焦点距離を変更可能なレンズ鏡筒と、
このレンズ鏡筒に対してカメラ本体横方向に配置され、前記レンズ鏡筒を駆動するための鏡筒駆動機構と、
前記レンズ鏡筒に対してカメラ本体上方に配置されたファインダユニットと、
前記レンズ鏡筒の繰り出し繰り込み動作に応じて前記レンズ鏡筒の周方向に沿って移動し、前記ファインダユニットをカム駆動するファインダ駆動部材とを有し、
前記ファインダ駆動部材の一端に切り欠き部が形成されており、
前記鏡筒駆動機構の一部が、前記ファインダ駆動部材が所定の位置にあるときに、前記切り欠き部内に位置するように配置されていることを特徴とするカメラ。
【請求項２】  前記鏡筒駆動機構が、駆動源と、この駆動源からの駆動力を前記レンズ鏡筒に伝達するギア列とを有しており、
前記ギア列の一部が前記切り欠き部内に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】  前記駆動源および前記ギア列が、光軸方向で略重なるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載のカメラ。
【請求項４】  前記ギア列が、ウォームホイールを有することを特徴とする請求項２又は３に記載のカメラ。
【請求項５】  前記ファインダ駆動部材が前記所定の位置にあるとき、前記鏡筒駆動機構の一部および前記切り欠き部が光軸方向で重なることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  転写材上の画像を熱定着する機能を有する画像形成装置において、
画像データに基づいて像担持体を光走査する走査手段と、
前記走査手段により走査されるレーザ光を検出して水平同期信号を発生するビーム検出手段とを有し、
前記走査手段は、
前記転写材の第１面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックに対し、前記転写材の第２面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックを前記転写材の伸縮率に応じて周波数変調する周波数変調部と、
ビーム検出から前記第１面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数に対し、ビーム検出から前記第２面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数を前記転写材の伸縮率に応じて調整する計数パルス調整部とを備えたことを特徴とする。
【請求項２】  前記転写材の第１面定着後の主走査方向の収縮率をＸ％とした場合に、  前記周波数変調部は、前記第２面の画像クロックを前記第１面の画像クロックに対して
１／（１−Ｘ／１００）倍に変調し、
前記計数パルス調整部は、前記第２面の画像クロックパルス数を前記第１面の画像クロックパルス数に対して１／（１−Ｘ／１００）倍に調整することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】  前記転写材の第１面定着後の主走査方向の収縮率をＸ％とした場合に、  前記周波数変調部は、前記第２面の画像クロックを前記第１面の画像クロックに対して
１／（１−Ｘ／１００）倍に変調し、
前記計数パルス調整部は、ビーム検出から画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数を、ビーム検出から転写材端部までの距離に相当するパルス数と、前記転写部材端部から画像を書き込むまでの距離に相当するパルス数とに分割し、
ビーム検出から前記第１面の転写材端部までの距離に相当するパルス数に対し、ビーム検出から前記第２面の転写材端部までの距離に相当するパルス数を、（前記第２面の画像クロックの周波数［ＭＨｚ］）＊（ビーム検出から前記第２面の転写材端部までの距離［ｍｍ］）とし、
前記第２面の転写材端部から画像を書き込むまでの距離に相当するパルス数を、前記第１面の転写材端部から画像を書き込むまでの距離に相当するパルスとして、ビーム検出から前記第２面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数を調整することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】  画像データに基づいて像担持体を光走査する走査手段と、前記走査手段により走査されるレーザ光を検出して水平同期信号を発生するビーム検出手段とを有し、
転写材上の画像を熱定着する機能を有する画像形成装置の画像書き出し位置調整方法であって、
前記転写材の第１面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックに対し、前記転写材の第２面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックを前記転写材の伸縮率に応じて周波数変調する周波数変調工程と、
ビーム検出から前記第１面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数に対し、ビーム検出から前記第２面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数を前記転写材の伸縮率に応じて調整する計数パルス調整工程とを実行することを特徴とする画像形成装置の画像書き出し位置調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、転写材上の画像を熱定着する機能を有する画像形成装置において、画像データに基づいて像担持体を光走査する走査手段と、前記走査手段により走査されるレーザ光を検出して水平同期信号を発生するビーム検出手段とを有し、前記走査手段は、前記転写材の第１面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックに対し、前記転写材の第２面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックを前記転写材の伸縮率に応じて周波数変調する周波数変調部と、ビーム検出から前記第１面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数に対し、ビーム検出から前記第２面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数を前記転写材の伸縮率に応じて調整する計数パルス調整部とを備えたことを特徴とする。
また、本発明は、画像データに基づいて像担持体を光走査する走査手段と、前記走査手段により走査されるレーザ光を検出して水平同期信号を発生するビーム検出手段とを有し、転写材上の画像を熱定着する機能を有する画像形成装置の画像書き出し位置調整方法であって、前記転写材の第１面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックに対し、前記転写材の第２面に転写し定着すべき画像を像担持体上に形成するときの画像クロックを前記転写材の伸縮率に応じて周波数変調する周波数変調工程と、ビーム検出から前記第１面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数に対し、ビーム検出から前記第２面の画像を書き込むまでの画像クロックのパルス数を前記転写材の伸縮率に応じて調整する計数パルス調整工程とを実行することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】定常光を放つランプ部と、ストロボ発光を行うストロボ発光部と、前記ランプ部と前記ストロボ発光部の前方に配置され、それぞれの射出面を覆う光学部材とを有する照明装置において、
前記光学部材は、前記ランプ部から放射される光束が通過する第１の面と、前記ストロボ発光部から放射される光束が通過する第２の面とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】前記第１の面と前記第２の面のうち、少なくとも一方の面の一部は、前記ストロボ発光部または前記ランプ部から放射される光束の光軸と平行となる形状をしていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】前記光学部材の内側は、前記ストロボ発光部から放射される光束と前記ランプ部から放射される光束で挟まれる領域に突起部を有すること特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】前記光学部材の第１の面と第２の面は、光軸に対して垂直方向に近接して配置されることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の照明装置。
【請求項５】撮像装置本体に通信手段を介して固定して接続される照明装置であって、前記光学部材の前記第２の面は、前記第１の面よりも撮像装置本体側に配置されることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の照明装置。
【請求項６】前記光学部材の前記第１の面を構成する部材と前記第２の面を構成する部材は、互いに異なる材質で構成されることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（実施の第１の形態）図１及び図２は本発明の実施の第１の形態に係る撮像装置用照明装置を示す斜視図であり、図示のように、照明装置１は、後カバー１１、前カバー１２、窓部材１３、本体通信部材１４、ロック部材１５、操作つまみ１７で外観部を構成されている。なお、１２１はランプから発せられる熱を装置外に放出するための排熱口である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図３は、上記照明装置１をビデオカメラ２の接続部３を介して接続した状態を示す図であり、ビデオカメラ２の動作に連動して発光等の動作が制御されることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図４は、上記照明装置１の内部構成を示す分解斜視図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
窓部材１３を前カバー１２へ組み込むと、窓部材１３の上部端面に設けられた突起１３４と、窓部材１３の下部に設けられた湾曲面１３５の端面１３５ａが、前カバー１２の受け面１２２，１２３それぞれと当接する。この受け面１２２，１２３により、照明装置１の前方から加わる圧力に対して十分に耐えうる構成となる。特に、端面１３５ａは略面全体で前カバー１２の受け面１２３と当接するので、強力な圧力に対しても容易に破壊することがない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の実施の第２の形態に係る照明装置の射出面を覆う窓部材は、定常光を発するランプからの光束が通過するランプ放射面５１ａ，５１ｂを有するランプ窓部材５１と、ストロボ発光された光束が通過するストロボ放射面６１２ａ，６１２ｂを有するストロボ窓部材６１の、２つの部品で構成されている。ランプ窓部材５１には、ランプ放射面５１ａ，５１ｂと突起５１ｃ、さらに切り欠き部５１ｄが設けられている。また、ストロボ窓部材６１には、ストロボ放射面６１２ａ，６１２ｂと突起６１３、突起６１４、湾曲面６１５、回転止め６１６が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置の外観斜視図である。
【図２】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置の外観斜視図である。
【図３】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置をビデオカメラに接続した際の外観斜視図である。
【図４】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置の内部構成を示す分解斜視図である。
【図５】図４に示す本体ユニットの内部構成を示す分解斜視図である。
【図６】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置の内部構成を示す図である。
【図７】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置に具備される窓を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置の前面部を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の第１の形態に係る照明装置の組み立て後を示す側面図である。
【図１０】本発明の実施の第２の形態に係る照明装置に具備される窓を示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施の第２の形態に係る照明装置に具備される窓を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の第２の形態に係る照明装置の前面部を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の第２の形態に係る照明装置の組み立て後を示す側面図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１        照明装置
２        ビデオカメラ
３        接続部
１３      窓部材
１４      本体通信部材
１５      ロック部材
１６      ロック保持部材
２０      本体ユニット
２１      本体
２２      ランプ反射笠
２３      ランプ
２４      ストロボ発光ユニット
２５      キセノン管
２６      ストロボ反射笠
２８      ライトガイド
２９      反射板
５１      ランプ窓部材
６１      ストロボ窓部材
５１ａ，５１ｂ，１３１ａ，１３１ｂ      ライト放射面
１３２ａ，１３２ｂ，６１２ａ，６１２ｂ  ストロボ放射面
１３５ａ，６１５ａ                      端面
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レンズを保持し、光軸方向に繰り出し繰り込み可能なレンズ鏡筒と、このレンズ鏡筒の先端に配置されたバリア機構とを有するカメラにおいて、
前記バリア機構が、
前記レンズ鏡筒の繰り出し繰り込み動作に応じてレンズ前面を開閉するバリア羽根と、
このバリア羽根を支持し、前記レンズ鏡筒に対して光軸周り一方向への回転によって組み込まれるベース部材と、
前記バリア機構の外装を構成するカバー部材とを備えており、
前記カバー部材が、光軸方向に延び、前記ベース部材を貫通して前記レンズ鏡筒と係合する係合部と、前記レンズ鏡筒に形成された突起部に当接することで前記ベース部材の光軸周り他方向への変位を阻止するための凸部とを有することを特徴とするカメラ。
【請求項２】  前記ベース部材が、前記レンズ鏡筒とのバヨネット係合により前記レンズ鏡筒に組み込まれることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】  前記ベース部材が、この外周に前記係合部と当接する切り欠き部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光軸上に一部が位置する回転自在なカラーホイールにおいて、
前記光源からの熱線を吸収する熱吸収ガラスからなり、回転手段により回転自在であり、当該回転により吸収した熱を放熱する熱吸収ディスクと、
前記熱吸収ディスクの面上に形成され、複数色のセグメントに分割されたカラーフィルター層と、
を備えたことを特徴とするカラーホイール。
【請求項２】  前記熱吸収ディスクの面上に、光源からの紫外線を吸収する紫外線吸収層を備えたことを特徴とする請求項１に記載のカラーホイール。
【請求項３】  前記熱吸収ディスクの一方の面に形成される、複数色のセグメントに分割されたカラーフィルター層と、
前記熱吸収ディスクの他方の面に形成される、光源からの紫外線を吸収する紫外線吸収層と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のカラーホイール。
【請求項４】  光源と、
前記光源の光路上に一部が位置するよう設けられるものであり、前記光源からの熱線を吸収する熱吸収ガラスからなる熱吸収ディスクと、前記熱吸収ディスクの面上に形成され、複数色のセグメントに分割されたカラーフィルター層と、によりなるカラーホイールと、
前記熱吸収ディスクを回転させ、当該回転により前記熱吸収ディスクに吸収された熱を放熱させる回転手段と、
前記光路のカラーホイール後段に配置されるライトトンネルと、
前記ライトトンネルから出射した光を調整して照射するレンズと、
前記レンズを介して照射される光に対し、カラーによる色表示を行う表示デバイスと、
前記表示デバイスから出射された光を投射する投射レンズと、
を備えたことを特徴とする投射装置。
【請求項５】  前記カラーホイールの面に対して送風を行うファンを設けたことを特徴とする請求項４に記載の投射装置。
【請求項６】  前記熱吸収ディスクの面上に、光源からの紫外線を吸収する紫外線吸収層を備えたことを特徴とする請求項４または５に記載の投射装置。
【請求項７】  前記光源と前記カラーホイールとの間に、前記光源からの紫外線を吸収する紫外線吸収フィルターを設けたことを特徴とする請求項４または５に記載の投射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかるカラーホイールは、光源からの光軸上に一部が位置する回転自在なカラーホイールにおいて、前記光源からの熱線を吸収する熱吸収ガラスからなり、回転手段により回転自在であり、当該回転により吸収した熱を放熱する熱吸収ディスクと、前記熱吸収ディスクの面上に形成され、複数色のセグメントに分割されたカラーフィルター層と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる投射装置は、光源と、前記光源の光路上に一部が位置するよう設けられるものであり、前記光源からの熱線を吸収する熱吸収ガラスからなる熱吸収ディスクと、前記熱吸収ディスクの面上に形成され、複数色のセグメントに分割されたカラーフィルター層と、によりなるカラーホイールと、前記熱吸収ディスクを回転させ、当該回転により前記熱吸収ディスクに吸収された熱を放熱させる回転手段と、前記光路のカラーホイール後段に配置されるライトトンネルと、前記ライトトンネルから出射した光を調整して照射するレンズと、前記レンズを介して照射される光に対し、カラーによる色表示を行う表示デバイスと、前記表示デバイスから出射された光を投射する投射レンズと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ソースおよびドレインの両領域の間の電荷担体の経路に設けられた第１導電型半導体のチャネル領域と、そのチャネル領域に接して位置する第２導電型半導体層とを備える接合型電界効果トランジスタであって、
前記第２導電型半導体層が、イオン注入法および不純物拡散法のいずれかにより、半導体基板表層およびエピタキシャル成長膜のいずれかに第２導電型不純物を導入して形成された層である、接合型電界効果トランジスタ。
【請求項２】  表面に位置する第２導電型半導体層を含む半導体基板と、
前記第２導電型半導体層に接して位置するチャネル領域を含む第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に、前記チャネル領域の両側に分かれて位置する第１導電型のソース、ドレイン領域と、
前記第２導電型半導体層を含む半導体基板のいずれかの部分に接して位置するゲート電極とを備え、
前記第２導電型半導体層が、イオン注入法および不純物拡散法のいずれかにより、前記半導体基板の表面に第２導電型不純物を導入して形成された層である、接合型電界効果トランジスタ。
【請求項３】  前記ゲート電極が、前記半導体基板の第２導電型半導体層の上に接して位置する、請求項１または２に記載の接合型電界効果トランジスタ。
【請求項４】  前記ゲート電極が、平面的に見て前記ソース、ドレイン領域の外側の前記第２導電型半導体層を除いた部分の前記半導体基板の上に接して位置している、請求項１または２に記載の接合型電界効果トランジスタ。
【請求項５】  前記第２導電型半導体層が、前記半導体基板およびエピタキシャル成長膜のいずれかの表面の内側に位置する内側第２導電型半導体層と、前記半導体基板およびエピタキシャル成長膜のいずれかの表面を形成するように前記内側第２導電型半導体層の上に接し、前記内側第２導電型半導体層より濃度の低い表面側第２導電型半導体層とからなる、請求項１〜４のいずれかに記載の接合型電界効果トランジスタ。
【請求項６】  半導体基板およびエピタキシャル成長膜のいずれかの表面に第２導電型不純物を、イオン注入法および不純物拡散法のいずれかにより導入する工程と、
前記第２導電型半導体層の上に、チャネル領域を含む第１導電型半導体層を形成する工程と、
第１導電型のソース、ドレイン領域を形成する工程と、を備える接合型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】  前記第２導電型不純物を導入する工程と前記チャネル領域を含む第１導電型半導体層を形成する工程との間、および前記ソース、ドレイン領域を形成する工程の後、のいずれかにおいて、前記処理中の半導体基板およびエピタキシャル成長膜のいずれかを不活性ガス中で１４００℃以上に加熱するアニール工程とを備える、請求項６に記載の接合型電界効果トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のＪＦＥＴの製造方法は、半導体基板およびエピタキシャル成長膜のいずれかの表面に第２導電型不純物を、イオン注入法および不純物拡散法のいずれかにより導入する工程と、第２導電型半導体層の上に、チャネル領域を含む第１導電型半導体層を形成する工程と、第１導電型のソース、ドレイン領域を形成する工程と、を備える（請求項６）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立したライト・バック機能を備えた検知回路であって、
入力信号を基準信号と比較して出力信号を生成するセンス増幅器と、
前記センス増幅器の出力信号に結合されたイネーブル信号及びライトバック出力信号を有する３安定ライト・バック・ブロックと、
前記センス増幅器の出力信号を受信するデータ・バッファと
からなり、
前記センス増幅器は、
電源に接続されたソースと、第１のドレインとを有するｐチャネル・トランジスタと、
前記ｐチャネル・トランジスタのドレイン及びアースに接続された第１の脚及び第２の脚とを含み、
前記第１の脚及び前記第２の脚のそれぞれが、
前記第１のドレインに接続されたソースを有する第１のｐチャネル・トランジスタと、
第１のノードにおいて前記第１のｐチャネル・トランジスタのドレインに接続されたソースを有する第２のｐチャネル・トランジスタと、
並列に接続された２つのｎチャネル・トランジスタであって、該２つのｎチャネル・トランジスタのドレインが第２のノードにおいて前記第２のｐチャネル・トランジスタのドレインに接続され、該２つのｎチャネル・トランジスタのソースがアースに接続されている２つのｎチャネル・トランジスタと、
前記第１のｐチャネル・トランジスタのゲートに直列に接続された第３のｎチャネル・トランジスタと、
前記第１の脚の第１のノードと前記第２の脚の第２のノードとの間に接続された第１のｎチャネル・トランジスタとを含み、
前記第１の脚と前記第２の脚のそれぞれについて、前記第２のノードが、他方の脚の前記第２のｐチャネル・トランジスタのゲートと、前記２つのｎチャネル・トランジスタのうちの一方のゲートとに接続される、検知回路。
【請求項２】
独立したライト・バック機能を備えた検知回路であって、
入力信号を基準信号と比較して出力信号を生成するセンス増幅器と、
前記センス増幅器の出力信号に結合されたイネーブル信号及びライトバック出力信号を有する３安定ライト・バック・ブロックと、
前記センス増幅器の出力信号を受信するデータ・バッファと
からなり、前記データ・バッファが、
データ出力信号を生成するドレインを有するとともに、制御信号を受信するゲートを有する第１のｎチャネル・トランジスタと、
前記第１のｎチャネル・トランジスタのソースに接続されたドレインと、アースに接続されたソースと、前記センス増幅器の出力信号を受信するゲートとを有する第２のｐチャネル・トランジスタとを含む、検知回路。
【請求項３】
前記データ・バッファは、
電源に接続されたソースと、前記センス増幅器の出力信号を受信するゲートと、ドレインとを有する第１のｐチャネル・トランジスタと、
前記第１のｐチャネル・トランジスタのドレイン及び前記第１のｎチャネル・トランジスタのドレインに接続され、ＶＤＤに接続されたゲートを有する第２のｐチャネル・トランジスタと
を更に含む、請求項２に記載の検知回路。
【請求項４】
前記データ・バッファは、
電源に接続されたソースと、前記センス増幅器の出力信号を受信するゲートと、ドレインとを有する第１のｐチャネル・トランジスタと、
前記第１のｐチャネル・トランジスタのドレイン及び前記第１のｎチャネル・トランジスタのドレインに接続され、前記第１のｎチャネル・トランジスタのゲート制御信号の補完信号に接続されたゲートを有する第２のｐチャネル・トランジスタと
を更に含む、請求項２に記載の検知回路。
【請求項５】
独立したライト・バック機能を備えた検知回路であって、
入力信号を基準信号と比較して出力信号を生成するセンス増幅器と、
前記センス増幅器の出力信号に結合されたイネーブル信号及びライトバック出力信号を有する３安定ライト・バック・ブロックと
からなり、前記３安定ライト・バック・ブロックが、
電源に接続されたソースを有する第１のｐチャネル・トランジスタと、
前記第１のｐチャネル・トランジスタのドレインに接続されたソースを有する第２のｐチャネル・トランジスタと、
前記第２のｐチャネル・トランジスタのドレインに接続されたドレインを有し、前記入力信号に接続される前記ライトバック出力信号を形成する、第１のｎチャネル・トランジスタと、
前記第１のｎチャネル・トランジスタのソースに接続されたドレインを有するとともに、アースに接続されたソースを有する第２のｎチャネル・トランジスタと
を含み、前記第１のｐチャネル・トランジスタのゲート及び前記第２のｎチャネル・トランジスタのゲートが、補完出力信号を受信する、検知回路。
【請求項６】
電源に接続されたソースと、第１のドレインとを有するｐチャネル・トランジスタと、
前記ｐチャネル・トランジスタ(MP1)のドレイン及びアースに接続された第１の脚及び第２の脚と、
前記第１の脚の第１のノードと前記第２の脚の第１のノードとの間に接続された第１のｎチャネル・トランジスタとからなり、
前記第１の脚と前記第２の脚のそれぞれが、
前記第１のドレインに接続されたソースを有する第１のｐチャネル・トランジスタと、
第１のノードにおいて前記第１のｐチャネル・トランジスタのドレインに接続されたソースを有する第２のｐチャネル・トランジスタと、
並列に接続された２つのｎチャネル・トランジスタであって、第２のノードにおいて前記第２のｐチャネル・トランジスタのドレインに接続されるとともに、さらにアースに接続された２つのｎチャネル・トランジスタと
を更に含む、センス増幅器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年1月4日(2006.1.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】単一多結晶シリコン層埋め込み式消去型プログラマブル・ロム
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体素子に関し、特に単一多結晶シリコン層を埋め込みんだワンタイムプログラミング（ＯＴＰ）メモリに関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
不揮発性記憶媒体は、異なる形式を含む素子であって、例えばＥＡＲＯＭ（電気的書き換え可能メモリ electrically alterable read only memory）、ＥＥＰＲＯＭ（電気的消去型プログラマブル・ロムelectrically erasable programmable read only memory）を含み、異なる形式の素子は、それぞれ特定の進歩的な応用がなされている。これらは、より高い持久性と、高速化のニーズに向かって発展している。ＥＥＰＲＯＭは多層の多結晶シリコンの製造工程及び多層酸化ケイ素誘電層を必要とし、複数のフォトマスクの使用することによって製造工程の時間が長くなる。よって、目下研究の焦点はどのようにして異なる製造工程をまとめ、上述の記憶媒体の製造工程と相補性金属酸化膜半導体（complementarymetal-oxide semiconductor :CMOS）とを如何に整合して設計するかについても、ますます重視されてきている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
目下多くの研究はＥＰＲＯＭ、もしくはＥＥＰＲＯＭについて、単一の多結晶シリコン層製造工程を課題とし、コントロールゲートをケイ素材に埋設してイオンドーピングエリアを形成する方向に向かっている。かかる趨勢によって、単一の多結晶シリコン層製造工程と互換性を具えるＥＰＲＯＭ、もしくはワンタイムプログラミング・メモリ（one-time prigramming：ＯＴＰ）が重要な役割を担うことになる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
また、Lucent Technologies, Inc.は、２０００年５月３１日に一種の単一多結晶シリコン層消去型プログラマブル記憶媒体を米国特許United States Patent 6,191,980として提示した。該記憶体は制御素子と、スイッチング素子と、消去素子とによって多結晶シリコンフローティングゲート電極を共用する。該特許による記憶媒体はデータの消去を安全に行うことができ、接触面のブレイクダウンが発生しない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
また、台湾のMosel Vitelic, Inc. (Hsinchu, TW)は、一種の多結晶シリコン層記憶媒体を１９９８年６月１７日米国に特許出願し、２０００年３月２８日に特許が与えられた。発明の名称は”single-poly flash memory cell for embedded application and related methods”であって、米国特許第６,044,018に開示される該記憶媒体は、多結晶シリコン層記憶媒体に係る製造方法であって、フローティングゲートに於いてNMOS（ｎ型金属酸化膜半導体）とPMOS（p型金属酸化膜半導体）とを電気的に接続するものである。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
文献IEEE transaction on electron device, vol. 37, No.3, March 1990 p.675, には一種の多結晶シリコン層プログラマブルリードオンリーメモリ（PROM）が開示される。その構造上の特徴は、埋め込み式のリードオンリーメモリを基板内のドーピングエリアに植設してコントロールゲートとすることにある。この他の特徴としてCMOS製造工程の整合の便宜を図る為に、メモリセルをトランジスターと、互いにカップリングするコンデンサとに分離させたことにある。該メモリセルの構造は、従来の２層の多結晶シリコンによる記憶媒体と異なる。更にCMOS製造工程との整合技術については、文献IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Vol. 29, No. 3, 1994, p. 311を参考にすることができる。その構造は、NMOS及びPMOSを含んでなり、ゲート電極をフローティングゲートとするPMOSゲート電極下方の反転層（inversion layer）及びp+ドーピングエリアをコントロールゲートとする正電圧をp+ドーピングエリアに印加すると、フローティングゲートの電圧がＮＭＯＳとＰＭＯＳの静電容量率（capacitance ratio）によって決まる。ＮＭＯＳとＰＭＯＳの適宜な電圧を選択することによって、特定の操作モードを得ることができる。該文献によればＣＭＯＳ製造工程と整合させることができる。即ち、いわゆるＳＩＰＰＯＳ（single poly pure ＣＭＯＳ）構造である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
図１に従来の単一多結晶シリコン層による不揮発性記憶媒体のレイアウトを開示する。該記憶媒体は、フローティングゲートの下方にあって、基板に埋設されるｎ＋ドーピング領域を含む。このような構造は基板の面積をかなり浪費し、半導体技術発展の趨勢に背くものである、図２には他のレイアウトによる構造を開示する。図示による不揮発性記憶媒体はコンデンサとＰＭＯＳによって構成される。但し、この構造もまたコンデンサを製造する面積を必要とする。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
第２導電領域（６）は、前記第１導電領域（４）の側面で且つ基板上に位置し、イオン打ち込み領域（２）と交差する積層領域を具え、上述のようにフローティングゲートとする。ここで注意すべき点は、周知の技術におけるコントロールゲートとフローティングゲートとをカップリングして操作の状態を制御しないことにある。この発明における操作のシステムはチャネルホットエレクトロン注入（CHE）によって複数のビットのプログラミングを完成させる。プログラミングモードにおいてデバイス素子のフローティングゲートは熱電子を充電させ、フローティングゲート電圧を０よりも小さい電圧にし、デバイスの素子の起動状態を保持させる(cell keep on)。消去モードにおいては紫外線照射方式で消去を行ってもよい。この場合フローティングゲートに電荷の保存がない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板内に形成された第１ウェル領域と、前記第１ウェル領域中に形成されたソース又はドレインとなる第１拡散層と、前記第１ウェル上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上部に多結晶シリコン層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを有する第１ＭＯＳ型電界効果トランジスタを１つのメモリセルとして、前記メモリセルが複数個行列上に配置されたメモリセルアレイから構成されたメモリセル領域を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記多結晶シリコン層間絶縁膜が、少なくとも、第１の酸化シリコン層と、窒素とシリコンとを主構成元素とする層と、五酸化タンタル層の３層を含む積層膜で構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】  請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記多結晶シリコン層間絶縁膜が、少なくとも、第１の酸化シリコン層と、窒素とシリコンを主構成元素とする層と、五酸化タンタル層と、第２の酸化シリコン層の４層を含む積層膜で構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】  請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記多結晶シリコン層間絶縁膜を構成する前記窒素とシリコンを主構成元素とする層に含有される酸素の原子数密度が窒素の原子数密度よりも小さいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】  請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記多結晶シリコン層間絶縁膜を構成する第１の酸化シリコン膜の膜厚が５ｎｍ以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】  請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記多結晶シリコン層間絶縁膜を構成する前記窒素とシリコンを主構成元素とする層の膜厚が１．５ｎｍ以上であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】  請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記多結晶シリコン層間絶縁膜を構成する第２の酸化シリコン膜の膜厚が２ｎｍ以上であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】  半導体基板内に形成された第１ウェル領域と、前記第１ウェル領域中に形成されたソース又はドレインとなる第１拡散層と、前記第１ウェル上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上部に多結晶シリコン層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを有する第１ＭＯＳ型電界効果トランジスタを１つのメモリセルとして、前記メモリセルが複数個行列上に配置されたメモリセルアレイから構成されたメモリセル領域を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記多結晶シリコン層間絶縁膜が積層膜で構成されており、その少なくとも１層が五酸化タンタル層であって、その比誘電率が５０以上であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】  請求項７に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記五酸化タンタル層が、少なくとも酸化シリコン層を含む層を介して浮遊ゲートに接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】  請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記多結晶シリコン層間絶縁膜を構成する前記酸化シリコン層を含む層が、窒素を含有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】  請求項７に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記五酸化タンタル層が、少なくとも酸化シリコン層を含む層を介して制御ゲートに接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】  半導体基板内に形成された第１ウェル領域と、前記第１ウェル領域中に形成されたソース又はドレインとなる第１拡散層と、前記第１ウェル上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上部に多結晶シリコン層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを有する第１ＭＯＳ型電界効果トランジスタを１つのメモリセルとして、前記メモリセルが複数個行列上に配置されたメモリセルアレイから構成されたメモリセル領域と、
半導体基板内に形成された第２ウェル領域と、前記第２ウェル領域中に形成されたソース又はドレインとなる第２拡散層と、前記第２ウェル上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する第２ＭＯＳ型電界効果トランジスタを１つの単位として、前記第２ＭＯＳ型電界効果トランジスタが複数個配置された周辺回路領域とからなる不揮発性半導体記憶装置において、
前記多結晶シリコン層間絶縁膜が、少なくとも五酸化タンタル層を含む積層膜で構成されており、かつ、周辺回路領域のゲート電極の多結晶シリコンの膜厚とメモリセル領域の制御ゲートを構成する多結晶シリコンの膜厚とが等しく形成されてあることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】  半導体基板内に形成された第１ウェル領域と、前記第１ウェル領域中に形成されたソース又はドレインとなる第１拡散層と、前記第１ウェル上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上部に多結晶シリコン層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを有する第１ＭＯＳ型電界効果トランジスタを１つのメモリセルとして、前記メモリセルが複数個行列上に配置されたメモリセルアレイから構成されたメモリセル領域と、
半導体基板内に形成された第２ウェル領域と、前記第２ウェル領域中に形成されたソース又はドレインとなる第２拡散層と、前記第２ウェル上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する第２ＭＯＳ型電界効果トランジスタを１つの単位として、前記第２ＭＯＳ型電界効果トランジスタが複数個配置された周辺回路領域とからなる不揮発性半導体記憶装置において、
前記多結晶シリコン層間絶縁膜が、少なくとも五酸化タンタル層を含む積層膜で構成されており、かつ、前記第２ＭＯＳ電界効果トランジスタの少なくとも一部が前記五酸化タンタル層を含む積層膜をゲート絶縁膜としていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に係り、特に微細化，高集積化，高速化，高信頼化の可能な技術に関する。