【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の画素部と、
前記基板上の駆動回路と、
前記駆動回路と重なる集積回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の画素部と、
前記基板上の駆動回路と、
前記駆動回路と重なる集積回路とを有し、
前記集積回路は、前記基板と異なる別の基板上に形成された素子形成層を転写してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の画素部と、
前記基板上の駆動回路と、
前記駆動回路と重なる集積回路とを有し、
前記集積回路は、前記画素部及び前記駆動回路の一部または全部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上の画素部と、
前記基板上の駆動回路と、
前記駆動回路と重なる集積回路とを有し、
前記集積回路は、前記画素部及び前記駆動回路の一部または全部と電気的に接続され、前記基板とは異なる別の基板上に形成された素子形成層を転写してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項３において、
前記集積回路は、素子形成層を２層以上積層してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２または請求項４において、
前記集積回路は、前記素子形成層を２層以上積層してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記集積回路は、ディスプレイコントローラ、フレームメモリ、電源回路、ＣＰＵ、またはメモリのうちのいずれか一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記画素部は、発光素子または液晶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記画素部は、第１の電極、電界発光層および第２の電極を有する発光素子を有し、かつ前記第１の電極および前記第２の電極は透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記半導体装置は、アクティブマトリクス型、またはパッシブマトリクス型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の前記半導体装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を用いるプレーヤー、電子書籍、ビデオカメラ、携帯電話、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、プロジェクタ、またはカーステレオであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明において、積層回路１０６は、転写技術を用いて、各回路を順次積層形成するが、積層回路１０６だけでなく画素部や駆動回路を転写技術により形成しても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
そして、第１の基板５００上に形成される金属層５０１に用いる材料としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層、或いは、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。なお、金属層５０１の膜厚は１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとすればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ここで、スパッタリング法により金属層５０１を形成する場合には、第１の基板５００を固定するため、第１の基板５００の周縁部付近における膜厚が不均一になりやすい。そのため、ドライエッチングによって周縁部のみを除去することが好ましいが、その際、第１の基板５００もエッチングされないように、第１の基板５００と金属層５０１との間に酸化窒化シリコン膜からなる絶縁膜を１００ｎｍ程度形成することもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
なお、この熱処理を行うことにより、金属層５０１と酸化物層５０３との間に結晶構造を有する金属酸化物層５０２が形成される。なお、金属層５０１と酸化物層５０３とを積層形成する際に、金属層５０１と酸化シリコン膜との間に２ｎｍ〜５ｎｍ程度形成されていたアモルファス状態の金属酸化物層（酸化タングステン膜）もこの熱処理により結晶構造を形成するため金属酸化物層５０２に含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
なお、後の剥離を行いやすくするために、金属酸化物層５０２における密着性を部分的に低下させる処理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って金属酸化物層５０２または酸化物層５０３にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて酸化物層５０３の層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次に、第１の接着層５１２を形成することにより、有機樹脂層５１１上に第１の接着層５１２を介して第２の基板５１３を貼り付けることができる。なお、第１の接着層５１２を形成する材料としては、後の工程において、所定の処理を行うことにより接着性を弱めることのできる公知の材料を用いることができるが、本実施例では、後の工程において、光照射により接着力が低下する感光性の両面テープを用いる場合について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
さらに、第１の基板５００の露出面にも同様に第２の接着層５１４を形成し、第２の接着層５１４を介して第３の基板５１５を貼り付ける。なお、第２の接着層５１４を形成する材料は、第１の接着層５１２と同様に両面テープを用いることとする。ここで貼り付けた第３の基板５１５は、後の剥離工程で第１の基板５００が破損することを防ぐ。第２の基板５１３および第３の基板５１５としては、第１の基板５００よりも剛性の高い基板、例えば石英基板、半導体基板を用いることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、上記密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、金属層５０１が設けられている第１の基板５００を物理的手段により引き剥がす。本実施例の場合には、金属層５０１および第１の基板５００を金属酸化物層５０２の部分において、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。具体的には、酸化タングステン膜中、または酸化タングステン膜と酸化シリコン膜との界面、または酸化タングステン膜とタングステン膜との界面で分離させ、引き剥がすことができる。こうして、酸化物層５０３上に形成された素子形成層５０４を第１の基板５００から分離することができる。剥離時の状態を図６（Ａ）に示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、ここで接着される第２の素子形成層９０１は、実施例２の図８（Ａ）に示す第２の素子形成層７０１と同様の構造を有する。すなわち、第２の素子形成層９０１に形成される配線と電気的に接続された補助配線８２５を有しており、また、配線上に有機樹脂層８２２、第３の接着層８２３、第３の基板８２４を有している。なお、補助配線８２５は、第１の素子形成層と接着された際に第１の接着層８２１を介して第１の素子形成層９０２における配線８０５と電気的に接続される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
次に、第２の素子形成層９０１の表面に露出した配線に接してバンプ８２６を形成し、駆動回路を有する第４の基板８２７上に異方導電性の接着剤により形成される第４の接着層８２８を介して接着させる。これにより、第４の基板８２７上の駆動回路に形成される配線と第２の素子形成層９０１の表面に露出した配線とが、バンプ８２６を介して電気的に接続される。なお、バンプ８２６を形成する材料としては、タングステン（Ｗ）、タングステン−レニウム（Ｗ−Ｒｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）等を用いることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
さらに、本実施例では、第２の素子形成層９０１の上に存在する金属酸化物層８０２の一部をアンモニア水溶液などのアルカリ性の水溶液や酸性水溶液などを用いて除去する。なお、この処理は必要に応じて行えばよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
次に、第１の基板を受け渡し室（Ａ）１１０４ａから、搬送室（Ｂ）１１０２ｂの搬送手段（Ｂ）１１０３ｂにより、スクライブ室１１０７に搬送する。なお、スクライブ室１１０７において、スクライバーにより基板の一部を分断することにより、後工程において、基板を剥離し易くすることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
次に、基板を受け渡し室（Ｂ）１１０４ｂから、搬送室（Ｃ）１１０２ｃの搬送手段（Ｃ）１１０３ｃにより、基板貼付室（１）１１１０に搬送する。なお、基板貼付室（１）１１１０において、先に基板上に貼り付けられた両面テープ上に新たな第２の基板（実施例２における第２の基板５１３）を貼り付けることができる。また、基板貼付室（１）１１１０の隣には、基板が備えられ、基板の供給が可能な基板供給室（１）１１１１が接続されている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
次に、基板貼付室（３）１１２２に搬送される。ここで、素子形成層（第２の基板を含む）が、非水溶性の異方導電性接着剤により第４の基板に接着される。なお、この場合における第４の基板は、貼り付けられる素子形成層が集積回路の１層目である場合には、駆動回路が形成された基板のことを示すが、貼り付けられる素子形成層が集積回路の２層目である場合には、基板上に駆動回路及び１層目の集積回路が形成された基板のことを示すものとする。また、基板貼付室（３）１１２２の隣には、このような第４の基板が備えられた基板供給室
（３）１１２３が接続されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
次に、基板を受け渡し室（Ｂ）１１０４ｂから、搬送室（Ｂ）１１０２ｂの搬送手段（Ｂ）１１０３ｂにより、ＵＶ照射室（２）１１２４に搬送する。なお、ＵＶ照射室（２）１１２４において、先に基板上に貼り付けられた両面テープ（実施例２における第１の接着層５１２）に紫外線を照射することにより、両面テープの接着力を低下させることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図１２（Ａ）において、基板１２０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、ここでは、発光素子１２１５の第１の電極１２１１と電気的に接続され、発光素子１２１５に供給される電流を制御する機能を有する電流制御用ＴＦＴ１２２２と、電流制御用ＴＦＴ１２２２のゲート電極に印加されるビデオ信号を制御するためのスイッチング用ＴＦＴ１２２１を示す。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
次に、層間絶縁膜１２０８上に電流制御用ＴＦＴ１２２２のソース領域１２０３と電気的に接続された配線１２０７、およびドレイン領域１２０４と電気的に接続された第１の電極１２１１が設けられる。なお、第１の電極１２１１が陽極である場合には、電流制御用ＴＦＴ１２２２をｐチャネル型で形成し、陰極である場合には電流制御用ＴＦＴ１２２２をｐチャネル型で形成するのが望ましい。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
なお、本発明は上記構成に限られることはなく、第１の電極１２３１を遮光性の陽極で形成し、第２の電極１２３３を透光性の陰極となるように形成することもできる。この場合には、第２の電極１２３３側から光が出射される。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
図１３（Ａ）に示すように第１の電極１３０１が陽極で、第２の電極１３０３が陰極であるにもかかわらず、いずれもＩＴＯにより形成されている。しかし、この場合には、電界発光層１３０２の構造に特徴がある。すなわち、陰極となる第２の電極１３０３と接して形成される電界発光層には、仕事関数の小さいＬｉ、Ｃｓ等のアルカリ金属がドーピングされたドーピング層１３０４を有している。これにより、陰極側の電界発光層１３０２の仕事関数を小さくすることができるので、陰極となる第２の電極１３０３の電極材料にＩＴＯを用いた場合にも陰極として機能させることができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
素子が形成された基板１４０１と対向基板１４１３とは、シール剤（図示せず）で貼り合わされている。なお、シール剤にはフィラーが混入されていて、このフィラーとスペーサによって均一な間隔（好ましくは２．０〜３．０μｍ）を維持しつつ２枚の基板が貼り合わされている。また、両基板の間には液晶１４１２が注入されており、封止剤によって完全に封止されている。なお、液晶１４１２には公知の液晶材料を用いることができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
なお、本発明においては、第１の電極に反射性を有する金属膜（具体的には、アルミニウム（合金）膜等）を用いて形成することもできる。この場合には、光が対向基板１４１３側から入射し、液晶１４１２で変調された後、再び対向基板１４１３側から出射する。なお、このような構造とした場合には、第１の電極の下方に光が透過することがないため、メモリ素子や抵抗素子等を設けることもできる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
図１５（Ａ）は表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。なお、表示部２００３のモジュールは、転写技術を用いて形成された集積回路を有している。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
図１５（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。なお、表示部２２０３のモジュールは、転写技術を用いて形成された集積回路を有している。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
図１５（Ｃ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。なお、表示部２３０２のモジュールは、転写技術を用いて形成された集積回路を有している。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
図１５（Ｄ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、スピーカー部２４０７、記録媒体読み込み部２４０５、操作キー２４０６等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
図１５（Ｅ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体２５０１、表示部２５０２、記憶媒体２５０３、操作スイッチ２５０４、アンテナ２５０５等を含む。なお、表示部２５０２のモジュールは、転写技術を用いて形成された集積回路を有している。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
図１５（Ｆ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。なお、表示部２６０２のモジュールは、転写技術を用いて形成された集積回路を有している。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
ここで図１５（Ｇ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。なお、表示部２７０３のモジュールは、転写技術を用いて形成された集積回路を有している。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０１  基板
１０２  画素部
１０３  ソース側駆動回路
１０４  １０５  ゲート側駆動回路
１０６  積層回路
１０７  ＦＰＣ
【手続補正３１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004247373.tif 000001
【手続補正３２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2004247373.tif 000002
【手続補正３３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2004247373.tif 000003