【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれた凹部とから成る電子放出部が、複数、一体に設けられたカソード電極を、支持体上に備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
【請求項２】
カソード電極及び支持体上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられたゲート電極と、ゲート電極及び絶縁層を貫通した開口部とを更に有し、
開口部の底部には、１又は複数の電子放出部が露出していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項３】
凹部が略球面を成していることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項４】
（Ａ）複数の球体を被覆したカソード電極を支持体上に形成する工程と、
（Ｂ）球体を除去することによって、球体を被覆したカソード電極の部分を除去し、以て、電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれ、且つ、球体の形状の一部を反映した凹部とから成る電子放出部を、カソード電極に形成する工程、
を有することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程（Ｂ）の後、更に、
（Ｃ）カソード電極及び支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（Ｄ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（Ｅ）ゲート電極の射影像とカソード電極の射影像とが重複する領域において、少なくとも絶縁層に開口部を形成し、以て、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程、
を有することを特徴とする請求項４に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｅ）の後、更に、
（Ｆ）絶縁層を等方的にエッチングすることにより、ゲート電極の端部と隆起部の先端部とを絶縁層から突出させる工程、
を更に備えていることを特徴とする請求項５に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
前記工程（Ｂ）の後、更に、
（Ｃ）電子放出部が底部に露出した開口部を有する絶縁層を、カソード電極及び支持体上に形成する工程と、
（Ｄ）絶縁層上に、開口部に連通する貫通孔を有するゲート電極を設ける工程、
を有することを特徴とする請求項４に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程（Ｄ）の後、更に、
（Ｅ）絶縁層を等方的にエッチングすることにより、ゲート電極の端部と隆起部の先端部とを絶縁層から突出させる工程、
を更に備えていることを特徴とする請求項７に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項９】
（Ａ）複数の球体を被覆したカソード電極を支持体上に形成する工程と、
（Ｂ）カソード電極及び支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（Ｃ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（Ｄ）球体を除去することによって、少なくとも球体を被覆したカソード電極の部分を除去し、以て、ゲート電極及び絶縁層を貫通した開口部を形成すると共に、電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれ、且つ、球体の形状の一部を反映した凹部とから成る電子放出部を、開口部の底部に位置するカソード電極に形成する工程、
を有することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（Ｄ）の後、更に、
（Ｅ）絶縁層を等方的にエッチングすることにより、ゲート電極の端部と隆起部の先端部とを絶縁層から突出させる工程、
を更に備えていることを特徴とする請求項９に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１１】
（Ａ）支持体上に複数の球体を配置する工程と、
（Ｂ）電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれ、且つ、球体の形状の一部を反映した凹部とから成る電子放出部が球体の周囲に形成されたカソード電極を、支持体上に設ける工程と、
（Ｃ）球体を除去する工程、
を有することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（Ｃ）の後、更に、
（Ｄ）カソード電極及び支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（Ｅ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（Ｆ）ゲート電極の射影像とカソード電極の射影像とが重複する領域において、少なくとも絶縁層に開口部を形成し、以て、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程、
を有することを特徴とする請求項１１に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（Ｆ）の後、更に、
（Ｇ）絶縁層を等方的にエッチングすることにより、ゲート電極の端部と隆起部の先端部とを絶縁層から突出させる工程、
を更に備えていることを特徴とする請求項１２に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（Ｃ）の後、更に、
（Ｄ）電子放出部が底部に露出した開口部を有する絶縁層を、カソード電極及び支持体上に形成する工程と、
（Ｅ）絶縁層上に、開口部に連通する貫通孔を有するゲート電極を設ける工程、
を有することを特徴とする請求項１１に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（Ｅ）の後、更に、
（Ｆ）絶縁層を等方的にエッチングすることにより、ゲート電極の端部と隆起部の先端部とを絶縁層から突出させる工程、
を更に備えていることを特徴とする請求項１４に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１６】
（Ａ）支持体上に複数の球体を配置する工程と、
（Ｂ）電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれ、且つ、球体の形状の一部を反映した凹部とから成る電子放出部が球体の周囲に形成されたカソード電極を支持体上に設ける工程と、
（Ｃ）球体の上方に開口部が形成された絶縁層を、カソード電極及び支持体上に設ける工程と、
（Ｄ）開口部と連通する貫通孔を有するゲート電極を絶縁層上に形成する工程と、
（Ｅ）開口部の底部に露出した球体を除去する工程、
を有することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１７】
（Ａ）支持体上に複数の球体を配置する工程と、
（Ｂ）電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれ、且つ、球体の形状の一部を反映した凹部とから成る電子放出部が球体の周囲に形成されたカソード電極を支持体上に設ける工程と、
（Ｃ）カソード電極及び支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（Ｄ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（Ｅ）球体の上方の少なくとも絶縁層に開口部を形成する工程と、
（Ｆ）開口部の底部に露出した球体を除去する工程、
を有することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（Ａ）は、支持体上に複数の球体を配置した後、球体を被覆するカソード電極を形成する工程から成ることを特徴とする請求項４又は請求項９に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１９】
支持体上への複数の球体の配置は、球体の散布によって行うことを特徴とする請求項１１、請求項１６、請求項１７及び請求項１８のいずれか１項に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（Ａ）は、球体とカソード電極材料とを分散媒中に分散させて成る組成物から成る組成物層を支持体上に形成し、以て、支持体上に複数の球体を配置し、カソード電極材料から成るカソード電極で球体を被覆した後、分散媒を除去する工程から成ることを特徴とする請求項４又は請求項９に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２１】
球体の除去は、球体の状態変化及び／又は化学変化に基づいて行うことを特徴とする請求項４、請求項９、請求項１１、請求項１６及び請求項１７のいずれか１項に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２２】
球体は有機材料から成り、燃焼によって球体を除去することを特徴とする請求項２１に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２３】
前記工程（Ａ）は、球体を分散媒中に分散させて成る組成物から成る組成物層を支持体上に形成し、以て、支持体上に複数の球体を配置した後、分散媒を除去する工程から成ることを特徴とする請求項１１、請求項１６及び請求項１７のいずれか１項に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２４】
球体は、疎水性の表面処理層を有することを特徴とする請求項１１、請求項１６及び請求項１７のいずれか１項に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２５】
球体の除去は、球体に外力を与えることによって行うことを特徴とする請求項１１、請求項１６及び請求項１７のいずれか１項に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項２６】
複数の冷陰極電界電子放出素子が支持体上に形成されて成るカソードパネルと、
基板と、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子によって発光する蛍光体層と、電子を蛍光体層に向かって誘導するためのアノード電極から成るアノードパネルとが真空空間を挟んで対向配置され、
冷陰極電界電子放出素子は、電子を放出する隆起部と、隆起部に囲まれた凹部とから成る電子放出部が、複数、一体に設けられたカソード電極から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項２７】
アノード電極とカソード電極とは異なる方向に延びており、アノード電極の射影像とカソード電極の射影像とが重複する領域に位置する電子放出部から電子が放出されることを特徴とする請求項２６に記載の冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項２８】
冷陰極電界電子放出素子は、カソード電極及び支持体上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられたゲート電極と、ゲート電極及び絶縁層を貫通した開口部とを更に有し、
開口部の底部には、１又は複数の電子放出部が露出していることを特徴とする請求項２６に記載の冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項２９】
ゲート電極とカソード電極とは異なる方向に延びており、ゲート電極の射影像とカソード電極の射影像とが重複する領域に位置する電子放出部から電子が放出されることを特徴とする請求項２８に記載の冷陰極電界電子放出表示装置。