Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に直線状凹部が形成されるように絶縁膜を形成し、
前記直線状凹部を含む領域に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を溶融し、結晶化させて、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質珪素膜の側面が前記直線状凹部の側壁に覆われるように前記結晶質珪素膜の表面をエッチング除去し、
前記エッチングされた前記結晶質半導体膜の上面部に接する第１ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１ゲート絶縁膜上に積層して電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、および制御ゲート電極を形成することを特徴とする半導体記憶素子の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に直線状凹部が形成されるように絶縁膜を形成し、
前記直線状凹部を含む領域に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザー光を照射し、前記凹部の直線方向に前記レーザー光を走査することによって、前記半導体膜を溶融し、結晶化させて、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質珪素膜の側面が前記直線状凹部の側壁に覆われるように前記結晶質珪素膜の表面をエッチング除去し、
前記エッチングされた前記結晶質半導体膜の上面部に接する第１ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１ゲート絶縁膜上に積層して電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、および制御ゲート電極を形成することを特徴とする半導体記憶素子の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に複数の第２の絶縁膜を、隣接する２つの前記第２の絶縁膜の間に直線状凹部が設けられるように形成し、
前記直線状凹部を含む領域に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を溶融し、結晶化させて、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質珪素膜の側面が前記直線状凹部の側壁に覆われるように前記結晶質珪素膜の表面をエッチング除去し、
前記エッチングされた前記結晶質半導体膜の上面部に接する第１ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１ゲート絶縁膜上に積層して電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、および制御ゲート電極を形成することを特徴とする半導体記憶素子の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に複数の第２の絶縁膜を、隣接する２つの前記第２の絶縁膜の間に直線状凹部が設けられるように形成し、
前記直線状凹部を含む領域に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザー光を照射し、前記凹部の直線方向に前記レーザー光を走査することによって、前記半導体膜を溶融し、結晶化させて、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質珪素膜の側面が前記直線状凹部の側壁に覆われるように前記結晶質珪素膜の表面をエッチング除去し、
前記エッチングされた前記結晶質半導体膜の上面部に接する第１ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１ゲート絶縁膜上に積層して電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、および制御ゲート電極を形成することを特徴とする半導体記憶素子の作製方法。
【請求項５】
前記レーザー光は連続発振レーザー光であることを特徴とする請求項２又は請求項４に記載の半導体記憶素子の作製方法。
【請求項６】
前記エッチングは、前記直線状凹部における前記結晶質半導体膜の厚さが前記直線状凹部の深さ以下となるように行われることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体記憶素子の作製方法。
【請求項７】
前記半導体膜は、珪素、珪素とゲルマニウムの化合物又は合金、珪素と炭素の化合物又は合金のいずれかでなるように形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体記憶素子の作製方法。
【請求項８】
前記電荷蓄積層は浮遊ゲート電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体記憶素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に直線状のストライプパターンで延在する複数の第１の絶縁膜を形成し、
前記基板及び前記複数の第１の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域のうち、前記複数の第１の絶縁膜の間に設けられた部分の一部をそれぞれ薄膜化し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域をマスクとして前記複数の第１の絶縁膜をエッチングし、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を介して前記第１の半導体領域上にゲート電極を形成するとともに前記第２の半導体領域上に容量配線を形成し、
前記第１の半導体領域のうち前記複数の第１の絶縁膜の間に設けられた部位を用いて薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成し、
前記第２の半導体領域、前記第２の絶縁膜、及び前記容量配線により保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の第１の絶縁膜と、第１の半導体領域及び第２の半導体領域との間に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記複数の第１の絶縁膜の幅は０．１〜１０μｍであり、互いに隣接する前記複数の第１の絶縁膜の間隔は０．０１〜２μｍであり、膜厚は０．０１〜３μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に直線状のストライプパターンで延在する複数の第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域のうち、前記複数の第２の絶縁膜の間に設けられた部分の一部をそれぞれ薄膜化し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域をマスクとして前記複数の第２の絶縁膜をエッチングし、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜を介して前記第１の半導体領域上にゲート電極を形成するとともに前記第２の半導体領域上に容量配線を形成し、
前記第１の半導体領域のうち前記複数の第２の絶縁膜の間に設けられた部位を用いて薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成し、
前記第２の半導体領域、前記第３の絶縁膜、及び前記容量配線により保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に直線状のストライプパターンで延在する複数の第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成した後、大気に触れさせることなく連続的に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域のうち、前記複数の第２の絶縁膜の間に設けられた部分の一部をそれぞれ薄膜化し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域をマスクとして前記複数の第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜をエッチングし、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域上に第４の絶縁膜を形成し、
前記第４の絶縁膜を介して前記第１の半導体領域上にゲート電極を形成するとともに前記第２の半導体領域上に容量配線を形成し、
前記第１の半導体領域のうち前記複数の第２の絶縁膜の間に設けられた部位を用いて薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成し、
前記第２の半導体領域、前記第４の絶縁膜、及び前記容量配線により保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第３の絶縁膜として、酸化膜または酸窒化珪素膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、前記複数の第２の絶縁膜の幅は０．１〜１０μｍであり、互いに隣接する前記複数の第２の絶縁膜の間隔は０．０１〜２μｍであり、膜厚は０．０１〜３μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、窒酸化珪素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、窒酸化アルミニウム、または酸化アルミニウムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれか一において、前記第２の絶縁膜として、酸化珪素または酸窒化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物上に感光材を含むポジ型レジストから成るレジストパターンを形成した後、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンを前記感光材を含むポジ型レジストのガラス転移温度以上の温度でベーク処理すること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
被加工物上に感光材を含むポジ型レジストから成るレジストパターンを形成した後、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンを前記感光材を含むポジ型レジストのガラス転移温度以上の温度でベーク処理し、
前記レジストパターンをマスクにして前記被加工物に対してドライエッチング処理をすること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
被加工物上に感光材を含むポジ型レジストから成るレジストパターンを形成した後、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンを前記感光材を含むポジ型レジストのガラス転移温度以上の温度でベーク処理し、
前記レジストパターンをマスクにして前記被加工物に対してドライエッチング処理し、
前記レジストパターンを除去処理すること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
被加工物上に感光材を含むポジ型レジストをスピン塗布してレジスト膜を成膜し、
前記レジスト膜にプリベーク処理を行い、
前記レジスト膜にマスクを介して露光処理を行い、
前記レジスト膜に現像処理を行ってレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンを前記感光材を含むポジ型レジストのガラス転移温度以上の温度でベーク処理し、
前記レジストパターンをマスクにして前記被加工物に対してドライエッチング処理し、
前記レジストパターンを除去処理すること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか１項において、前記ドライエッチング処理によって前記被加工物の端部にテーパー形状を作製すること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１層ゲート電極膜を成膜し、
前記第１層ゲート電極膜上に第２層ゲート電極膜を成膜し、
前記第２層ゲート電極膜上に感光材を含むポジ型レジストをスピン塗布してレジスト膜を成膜し、
前記レジスト膜にプリベーク処理を行い、
前記レジスト膜にマスクを介して露光処理を行い、
前記レジスト膜に現像処理を行ってレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを前記感光材を含むポジ型レジストのガラス転移温度以上の温度でベーク処理し、
前記レジストパターンをマスクとしてテーパーエッチング処理及び異方性エッチング処理を行って、概矩形形状の第２層ゲート電極膜及び順テーパー形状の第１層ゲート電極膜とで構成されるゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１層ゲート電極膜は窒化タンタル膜であり、
前記第２層ゲート電極膜はタングステン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記レジストパターンをマスクとして、タングステン膜をテーパーエッチングして順テーパー形状を有するタングステン膜を形成し、
前記タングステン膜をマスクとして、前記窒化タンタル膜を異方性エッチングし、
前記レジストパターンをマスクとして、前記タングステン膜を異方性エッチングして、概矩形形状のタングステン膜及び順テーパー形状の窒化タンタル膜とで構成されるゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記感光材はジアゾナフトキノンであること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記感光材を含むポジ型レジストはジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系のレジストであり、
前記感光材はジアゾナフトキノンであること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を提供し、
上記基板の上に（ｏｎ  ｏｒ  ｏｖｅｒ）薄膜を適用（ａｐｐｌｙ）し、
上記薄膜の上に（ｏｎ  ｏｒ  ｏｖｅｒ）ゾル・ゲル層を適用（ａｐｐｌｙ）し、当該ゾル・ゲル層が、上記薄膜に存在する、少なくともいくつかの空隙，亀裂，あるいは他の表面浸入欠陥を充填するものであり、そして、
上記ゾル・ゲル層をキュアして（ｃｕｒｉｎｇ）、上記ゾル・ゲル層と上記薄膜層とを結合してゾル・ゲル／薄膜層にする、
ステップを含む、薄膜を有する基板において表面浸入欠陥（ｓｕｒｆａｃｅ  ｐｅｎｅｔｒａｔｉｎｇ  ｄｅｆｅｃｔｓ）の効果を削減する方法。
【請求項２】  上記ゾル・ゲルをキュアすることにとって、上記適用するステップの結果として形成される上記薄膜層における対応する特性と実質的に同じである、少なくとも一つの特性を示す上記ゾル・ゲル／薄膜層が形成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】  基板、
上記基板の上に（ｏｎ  ｏｒ  ｏｖｅｒ）形成された多孔性の薄膜層、及び、
上記多孔性の薄膜層内の空隙，亀裂，あるいは他の表面浸入欠陥を充填するゾル・ゲル材料、
を備える、多孔性空隙あるいは他の表面浸入欠陥の効果が削減された処理された薄膜層。
【請求項４】  ゾル・ゲル層をキュアすることによって、当該ゾル・ゲル層が上記多孔性薄膜層と結合して、処理された薄膜層を形成する、
請求項３に記載の処理された薄膜。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルはそれぞれ複数の半導体膜を有し、
前記半導体膜は、チャネル長方向に走査されたレーザー光によって結晶化されており、
前記半導体膜のチャネル形成領域は、矩形状またはストライプ状の凹凸を有する下地膜の凹部上に設けられ、
前記チャネル形成領域は、前記凹部の長手方向及び前記チャネル長方向に沿って設けられ、
前記複数のセルは、前記チャネル長方向に沿って列を成しており、
前記複数のセルどうしを電気的に接続する複数の配線は、前記複数のセルの列の間にそれぞれ設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  
複数のセルはそれぞれ複数の半導体膜を有し、
前記半導体膜は、チャネル長方向に走査されたレーザー光によって結晶化されており、
前記半導体膜の一つのチャネル形成領域は、矩形状またはストライプ状の凹凸を有する下地膜の複数の凹部上に設けられ、
前記チャネル形成領域は、前記凹部の長手方向及び前記チャネル長方向に沿って設けられ、
前記半導体膜の不純物領域は、前記下地膜の複数の凹部及び凸部にわたって設けられ、
前記複数のセルは、前記チャネル長方向に沿って列を成しており、
前記複数のセルどうしを電気的に接続する複数の配線は、前記複数のセルの列の間にそれぞれ設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体膜において、前記チャネル形成領域は、前記不純物領域よりも膜厚が薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
複数のセルはそれぞれ複数の半導体膜を有し、
前記半導体膜は、チャネル長方向に走査されたレーザー光によって結晶化されており、
前記半導体膜は、矩形状またはストライプ状の凹凸を有する下地膜の凹部上に、前記凹部の長手方向及び前記チャネル長方向に沿って設けられ、
前記複数のセルは、前記チャネル長方向に沿って列を成しており、
前記複数のセルどうしを電気的に接続する複数の配線は、前記複数のセルの列の間にそれぞれ設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体膜は、前記下地膜の凹部上のみに設けられ、且つ前記下地膜の凸部と接するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体膜は、前記下地膜の凹部上に設けられ、且つ前記凸部と一部重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記セルの、前記チャネル長方向に対して垂直な方向における幅は、前記レーザー光の幅よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記下地膜は酸化アルミニウムからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記下地膜の凸部の高さは０．０１μｍから３μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
矩形またはストライプ状の凹凸を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
レーザー光を、前記凹凸の長手方向に沿って前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜の上面を、前記凹凸の凸部の一部が露出されるようにエッチングし、
前記エッチングされた半導体膜を、前記凹凸の凹部にのみに設けられる島状の半導体膜となるようにパターニングし、
前記パターニングによって露出された前記凹凸の凸部を除去し、
前記複数の島状の半導体膜を有するセルを複数形成する半導体装置の作製方法であって、
前記複数の島状の半導体膜はチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル長方向を、前記凹凸の長手方向に沿って形成し、
前記複数のセルは、前記チャネル長方向に沿って列を成し、
前記複数のセルどうしを電気的に接続する複数の配線を、前記複数のセルの列の間に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の基板の表側に金属膜と、金属酸化膜と、矩形またはストライプ状の凹凸を有する下地膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
レーザー光を、前記凹凸の長手方向に沿って前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜の上面を、前記凹凸の凸部の一部が露出されるようにエッチングし、
前記エッチングされた半導体膜を、前記凹凸の凹部にのみに設けられる島状の半導体膜となるようにパターニングし、
前記複数の島状の半導体膜でセルを複数形成し、
前記複数のセルを間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
加熱処理を施すことで前記金属酸化膜の脆性を高め、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記下地膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記下地膜に第２の接着剤を用いてプラスチック基板を貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除く半導体装置の作製方法であって、
前記複数の島状の半導体膜はチャネル形成領域を有し、
前記複数の島状の半導体膜のチャネル長方向を、前記凹凸の長手方向に沿って形成し、
前記複数のセルは、前記チャネル長方向に沿って列を成し、
前記複数のセルどうしを電気的に接続する複数の配線が、前記複数のセルの列の間に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記セルの、前記チャネル長方向に対して垂直な方向における幅は、前記レーザー光幅よりも短いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記下地膜は酸化アルミニウムからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記下地膜の凸部の高さは０．０１μｍから３μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタが形成された画素部及び駆動回路を有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
下地膜上に形成された少なくとも２つの不純物領域及び該少なくとも２つの不純物領域に挟まれているチャネル形成領域を有する活性層と、
前記活性層に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記複数のチャネル形成領域と重なっているゲート電極とを有し、
前記駆動回路においてのみ、前記下地膜は矩形またはストライプ形状の複数の凸部を有しており、
前記駆動回路が有する薄膜トランジスタの前記活性層は、前記凸部と接するように、前記複数の凸部間に存在しており、かつ、結晶化されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタが形成された画素部及び駆動回路を有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
下地膜上に形成された少なくとも２つの不純物領域及び該少なくとも２つの不純物領域に挟まれているチャネル形成領域を有する活性層と、
前記活性層に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記複数のチャネル形成領域と重なっているゲート電極とを有し、
前記駆動回路においてのみ、前記下地膜は矩形またはストライプ形状の複数の凸部を有しており、
前記駆動回路が有する薄膜トランジスタの前記活性層は、その一部が前記凸部と重なるように、前記複数の凸部間に存在しており、かつ、結晶化されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタが形成された画素部及び駆動回路を有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
下地膜上に形成された少なくとも２つの不純物領域及び該少なくとも２つの不純物領域に挟まれているチャネル形成領域を有する活性層と、
前記活性層に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記複数のチャネル形成領域と重なっているゲート電極とを有し、
前記駆動回路においてのみ、前記下地膜は矩形またはストライプ形状の複数の凸部を有しており、
前記駆動回路が有する薄膜トランジスタの前記活性層は、その一部が前記凸部と重なるように、前記複数の凸部間に存在し、かつ、結晶化されており、
前記駆動回路が有する薄膜トランジスタの前記活性層における前記チャネル形成領域は、当該活性層における前記少なくとも２つの不純物領域よりも膜厚が薄いことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記複数の凸部の高さが０．０１μｍ乃至３μｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記活性層は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＮｄ：ＹＶＯ４レーザーから選ばれた一種または複数種を用いて出力されたレーザー光によって結晶化されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記活性層は、連続発振のレーザー光によって結晶化されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
薄膜トランジスタを有する画素部及び駆動回路を含む表示装置の作製方法であって、
前記駆動回路においてのみ矩形またはストライプ状の複数の凸部を有するように、前記画素部及び前記駆動回路に下地膜を成膜し、
前記下地膜上に半導体膜を成膜し、
レーザー光を前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
前記結晶性が高められた半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出されるようにエッチングし、
前記エッチングされた半導体膜をパターニングすることで、複数の島状の半導体膜を形成し、当該パターニングによって、前記駆動回路において形成された複数の島状の半導体膜は、前記複数の凸部間に存在するように形成し、
前記複数の凸部を除去し、
前記複数の各島状の半導体膜を用いて複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記複数の凸部の高さが０．０１μｍ乃至３μｍであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記レーザー光は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＮｄ：ＹＶＯ４レーザーから選ばれた一種または複数種を用いて出力されていることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明では公知のレーザーを用いることができる。レーザー光は連続発振であることが望ましいが、パルス発振であってもある程度本発明の効果を得ることができると考えられる。レーザーは、気体レーザーもしくは固体レーザーを用いることができる。気体レーザーとして、エキシマレーザー、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザーなどがあり、固体レーザーとして、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーなどが挙げられる。固体レーザーとしては、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍがドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶を使ったレーザーが適用される。当該レーザーの基本波はドーピングする材料によって異なり、１μｍ前後の基本波を有するレーザー光が得られる。基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の電子部品が半田実装部において半田により実装されたプリント回路板の修復方法において、あらかじめ前記プリント回路板の信頼性試験を実施し、該信頼性試験から前記半田実装部の寿命を推定しておき、市場から回収した前記プリント回路板の状態に基づいて、前記寿命から使用された期間を差し引くことにより、各半田実装部の余寿命を算出し、前記余寿命から修復を必要とする半田実装部を特定し、前記特定された半田実装部を再度半田付けし、再び市場の投入することを特徴とするとプリント回路板の修復方法。
【請求項２】  前記修復を必要とする半田実装部の特定は、該半田実装部の余寿命がプリント回路板を再利用品に必要な特定の期間よりも短い場合に行うことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板の修復方法。
【請求項３】  前記信頼性試験は熱疲労試験であることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント回路板の修復方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、前記課題を解決するために、複数の電子部品が半田実装部において半田により実装されたプリント回路板の修復方法において、あらかじめ前記プリント回路板の信頼性試験を実施し、該信頼性試験から前記半田実装部の寿命を推定しておき、市場から回収した前記プリント回路板の状態に基づいて、前記寿命から使用された期間を差し引くことにより、各半田実装部の余寿命を算出し、前記余寿命から修復を必要とする半田実装部を特定し、前記特定された半田実装部を再度半田付けし、再び市場の投入するプリント回路板の修復方法を提供している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光素子及び受光素子を装着し、前記投光素子と受光素子の端子に接続される配線パターンとを有する一枚の配線基板と、
該発光素子と該受光素子の外面を被覆する光透過性の樹脂材料からなる包囲部材層と、を有する光半導体用のパッケージであって、
前記包囲部材層は前記投光素子と受光素子の間に前記配線基板面までは達しない直線の溝を有することを特徴とする光半導体用のパッケージ。
【請求項２】  前記溝には遮光性樹脂で充填されていることを特徴とする請求項１の光半導体用のパッケージ。
【請求項３】  前記配線基板上の配線パターンの一部が、前記溝の下を通過していることを特徴とする請求項１、２の光半導体用のパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このズームレンズを構成する４つのレンズ群２０１ａ〜２０１ｄは、固定された前玉レンズ２０１ａ、光軸に沿って移動することで変倍動作を行うバリエーターレンズ群２０１ｂ、固定されたアフォーカルレンズ２０１ｃ、および光軸に沿って移動することで変倍時の焦点面維持と焦点合わせを行うフォーカシングレンズ群２０１ｄからなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ガイドバー１１上における前玉保持枠９のスリーブ部の後端と後部鏡筒１５との間にはバネ１４が配置されており、このバネ１４の付勢力により前玉保持枠９は被写体方向に付勢されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
本実施形態では、カム板１６の端面カム１６ａが前玉保持枠９のカムフォロア９ａの被写体側の部分に当接しているだけであるため、上記外力が前玉保持枠９に作用した場合（外力がバネ１４の付勢力よりも大きかった場合）、端面カム１６ａからのカムフォロア９ａの離脱が許容され、前玉保持枠９のカム板１６に対する像面方向への離脱が許容される。このため、外力によるカム板１６やカムフォロア９ａへのダメージが防止される。したがって、カム板１６やカムフォロア９aの強度を外力によるダメージを考慮して大きくする必要がなくなり、カム板１６やカムフォロア９ａ、ひいてはレンズ鏡筒全体のコンパクト化に有効である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を実施するのに適したズームレンズ鏡筒のレンズ配置（ワイド状態）およびズーム作動を示す図。
【図２】  本発明を実施するのに適したズームレンズ鏡筒のレンズ配置（テレ状態）。
【図３】  本発明の第１実施形態であるレンズ鏡筒（テレ状態）の断面図。
【図４】  上記第１実施形態のレンズ鏡筒（ワイド状態）の断面図。
【図５】  上記第１実施形態のレンズ鏡筒が外力を受けたときの動作を示す説明図。
【図６】  本発明の第２実施形態であるレンズ鏡筒における前玉周辺の構成図。
【図７】  上記第２実施形態における前玉周辺の分解図。
【図８】  従来のレンズ鏡筒の構成図。
【図９】  従来のレンズ鏡筒の電気回路ブロック図。
【符号の説明】
１・・前玉レンズ群
２・・バリエータレンズ群
３・・アフォーカルレンズ群
４・・フォーカシングレンズ群
５・・ＣＣＤ
６，７，８・・ズーム中のレンズ移動軌跡
９，２１・・前玉保持枠
１０，１５・・鏡筒本体
１１・・ガイドバー
１２・・アフォーカル保持枠
１３・・フォーカシング保持枠
１４・・バネ
１７・・バリエータ保持枠
１８・・リードスクリュー
１９・・ラック
２０・・ステップモータ本体
２２・・カムフォロアーブロック
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来より、感光性樹脂層をパターンを介して露光し、その後現像することによって得られる標識板用感光性樹脂積層体としては、特開昭58-55927公報や特開平9-6267号公報などに開示されており、レリーフを有する展示パネルや点字を含む標識板等に利用されている。
しかし、昨今の標識板には表示板加工時に曲げ加工を行ったり、透明な標識板を作成するなどの市場要求がある。ところが一般的に使用されているフェノール板を支持体とする感光性樹脂積層体は表識板加工時に曲げ加工を行ったり、透明な標識板を作成するには不適であった。そこで曲げ加工が容易で、かつ意匠性にすぐれた標識板に加工するのに好適な感光性樹脂積層体が求められていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明者らは、誠意、研究、検討した結果、遂に本発明を完成するに到った。すなわち本発明は、（１）支持体上に、直接または接着層を介して感光性樹脂層を有する感光性樹脂積層体において、前記支持体が、ショアーD硬さが３５°以上、厚みが１ｍｍ以上であり、かつ熱変形温度が60℃から90℃であることを特徴とする感光性樹脂積層体、（２）支持体の全光線透過率が70％以上である前記（１）記載の感光性樹脂積層体である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】情報を表示する表示画面と、地図情報を記憶する地図情報記憶部と、自車の位置を測位して自車位置を検出する自車位置検出手段と、地図情報に基づき自車位置が存在する道路がトンネルか否かを検出するトンネル走行検出手段と、ＧＰＳ衛星の現在時刻情報と自車位置の緯度・経度により日の出、日没時刻を計算し昼間か夜間かを判断する昼夜判断手段と、トンネル走行検出手段および昼夜判断手段からの指示により表示画面の明度や彩度を自動的に切り替える表示画面明度・彩度切換え手段を備えたことを特徴とするカーナビゲーション装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】地図情報を記憶する地図情報記憶ステップと、自車の位置を測位して自車位置を検出する自車位置検出ステップと、地図情報に基づき自車位置が存在する道路がトンネルか否かを検出するトンネル走行検出ステップと、ＧＰＳ衛星の現在時刻情報と自車位置の緯度・経度により日の出、日没時刻を計算し昼間か夜間かを判断する昼夜判断ステップと、前記トンネル走行検出ステップによりトンネル上であると判断した場合は表示画面を暗くし、トンネル上でないと判断した場合は前記昼夜判断ステップが昼間と判断した場合は表示画面を明るくさせ、夜間と判断した場合は表示画面を暗くさせる表示画面明度・彩度切換えステップを備えることを特徴とする表示画面の明度・彩度の切換え方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、地図情報に基づき自車位置が存在する道路がトンネルなのか否かを検出するトンネル走行検出手段と、ＧＰＳ衛星の現在時刻情報と自車位置の緯度・経度により日の出、日没時刻を計算し昼間か夜間かを判断する昼夜判断手段を有し、トンネル走行検出手段および昼夜判断手段からの指示
により表示画面の明度や彩度を自動的に切り替える表示画面明度・彩度切換え手段を備えた構成のカーナビゲーション装置とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、情報を表示する表示画面と、地図情報を記憶する地図情報記憶部と、自車の位置を測位して自車位置を検出する自車位置検出手段と、地図情報に基づき自車位置が存在する道路がトンネルか否かを検出するトンネル走行検出手段と、ＧＰＳ衛星の現在時刻情報と自車位置の緯度・経度により日の出、日没時刻を計算し昼間か夜間かを判断する昼夜判断手段と、トンネル走行検出手段および昼夜判断手段からの指示により表示画面の明度や彩度を自動的に切り替える表示画面明度・彩度切換え手段を備えたカーナビゲーション装置であり、昼間のトンネル走行では表示画面が自動的に暗くなり、夜間になれば表示画面が自動的に暗くなり、操作性の高いものとすることができるという作用を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項３に記載の発明は、地図情報を記憶する地図情報記憶ステップと、自車の位置を測位して自車位置を検出する自車位置検出ステップと、地図情報に基づき自車位置が存在する道路がトンネルか否かを検出するトンネル走行検出ステップと、ＧＰＳ衛星の現在時刻情報と自車位置の緯度・経度により日の出、日没時刻を計算し昼間か夜間かを判断する昼夜判断ステップと、前記トンネル走行検出ステップによりトンネル上であると判断した場合は表示画面を暗くし、トンネル上でないと判断した場合は前記昼夜判断ステップが昼間と判断した場合は表示画面を明るくさせ、夜間と判断した場合は表示画面を暗くさせる表示画面明度・彩度切換えステップを備えることを特徴とする表示画面の明度・彩度の切換え方法であり、昼間のトンネル走行では表示画面を自動的に暗くし、夜間になれば表示画面を自動的に暗くし、操作性の高いものとすることができるという作用を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目的地までの経路案内を行なうナビゲーション装置において、
前記ナビゲーション装置の動作環境を検出する動作環境検出手段と、
前記動作環境検出手段により検出された複数の動作環境に応じて、出力する効果音を選択する効果音選択手段とを備えたことを特徴とするナビゲーション装置。
【請求項２】
前記効果音選択手段は、動作環境と音データを対応付けて記憶する動作環境対効果音記憶手段と、
前記動作環境検出手段が検出した複数の動作環境に対応する音データを前記動作環境対効果音記憶手段から検索し、該検出した音データを効果音として設定する効果音設定手段と、
前記動作環境対効果音記憶手段に記憶された音データを変更する音データ変更手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載のナビゲーション装置。
【請求項３】
前記ナビゲーション装置は、表示装置に表示された地図上における自車位置に自車位置マークを表示するとともに、該自車位置マークを複数の自車位置マークから選択できるナビゲーション装置であって、
前記動作環境検出手段は自車位置マークの選択状態を検出することを特徴とする請求項１または請求項２記載のナビゲーション装置。
【請求項４】
前記動作環境検出手段は、自車両が走行している道路の道路種別を動作環境として検出することを特徴とする請求項１または請求項２記載のナビゲーション装置。
【請求項５】
前記動作環境検出手段は、自車両が走行している道路の道路構造を動作環境として検出することを特徴とする請求項１または請求項２記載のナビゲーション装置。
【請求項６】
前記動作環境検出手段は、自車両が走行している道路の道路環境を動作状態として検出することを特徴とする請求項１または請求項２記載のナビゲーション装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決する為の手段】上記課題を達成するために目的地までの経路案内を行なうナビゲーション装置において、前記ナビゲーション装置の動作環境を検出する動作環境検出手段と、前記動作環境検出手段により検出された複数の動作環境に応じて、出力する効果音を選択する効果音選択手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また前記効果音選択手段は、動作環境と音データを対応付けて記憶する動作環境対効果音記憶手段と、前記動作環境検出手段が検出した複数の動作環境に対応する音データを前記動作環境対効果音記憶手段から検索し、該検出した音データを効果音として設定する効果音設定手段と、前記動作環境対効果音記憶手段に記憶された音データを変更する音データ変更手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また前記ナビゲーション装置は、表示装置に表示された地図上における自車位置に自車位置マークを表示するとともに、該自車位置マークを複数の自車位置マークから選択できるナビゲーション装置であって、前記動作環境検出手段は自車位置マークの選択状態を検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気式エンコーダおよび磁気式エンコーダ付モータ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】回転体に固定され、且つ、前記回転体の回転軸と垂直な一方向に磁化された円板状の永久磁石と、前記永久磁石の半径方向または軸方向に空隙を介して対向するように固定体に配置された磁界検出素子と、前記磁界検出素子からの信号を処理する信号処理回路とを備えた磁気式エンコーダにおいて、
前記磁界検出素子は、前記回転体の回転中心に対して同心円状に配置されると共に、互いに周方向に機械角で６０度位相がずれている２個１対の磁界検出素子を互いに機械角で１８０度位相をずらした位置に３対設けてあり、前記信号処理回路は、互いに１８０度位相をずらして対向する１対の磁界検出素子同士の出力信号の差を取ることにより偶数次の高調波成分を除去すると共に、前記３対の磁界検出素子に対して３個設けられた第１差動増幅器と、前記３個の第１差動増幅器により偶数次の高調波成分を除去した差動出力信号を任意に二つずつ組み合わせることにより、前記偶数次の高調波成分を除去した後の差動出力信号に含まれる３次の高調波成分を除去する第２差動増幅器と、前記第２差動増幅器で得た信号から回転角の絶対位置を演算する角度演算回路とより構成してあることを特徴とする磁気式エンコーダ。
【請求項２】前記磁界検出素子が、ホール素子またはＭＲ素子である請求項１に記載の磁気式エンコーダ。
【請求項３】請求項１または２に記載の磁気式エンコーダと、それによって回転位置を検出されるモータを備えたことを特徴とする磁気式エンコーダ付モータ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、産業用ロボット、ＮＣ工作機械等に用いられるモータの回転位置を検出する磁気式エンコーダおよび磁気式エンコーダ付モータに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来技術では、磁界検出素子を４個配置し、差動信号を角度演算回路により分割することで、偶数次の高調波を除去することはできるものの、奇数次の高調波を除去することができないため、特に奇数次の高調波のうち３次高調波によりエンコーダの精度が悪化するという問題があった。本発明は上記問題を解決するためになされたもので、磁界検出素子の検出信号に重畳した奇数次の高調波のうち、３次の高調波成分を除去し、高精度の位置情報を得ることができる磁気式エンコーダおよび磁気式エンコーダ付モータを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の本発明は、回転体に固定され、且つ、前記回転体の回転軸と垂直な一方向に磁化された円板状の永久磁石と、前記永久磁石の半径方向または軸方向に空隙を介して対向するように固定体に配置された磁界検出素子と、前記磁界検出素子からの信号を処理する信号処理回路とを備えた磁気式エンコーダにおいて、前記磁界検出素子は、前記回転体の回転中心に対して同心円状に配置されると共に、互いに周方向に機械角で６０度位相がずれている２個１対の磁界検出素子を互いに機械角で１８０度位相をずらした位置に３対設けてあり、前記信号処理回路は、互いに１８０度位相をずらして対向する１対の磁界検出素子同士の出力信号の差を取ることにより偶数次の高調波成分を除去すると共に、前記３対の磁界検出素子に対して３個設けられた第１差動増幅器と、前記３個の第１差動増幅器により偶数次の高調波成分を除去した差動出力信号を任意に二つずつ組み合わせて和を取ることにより、前記偶数次の高調波成分を除去した後の差動出力信号に含まれる３次の高調波成分を除去する第２差動増幅器と、前記第２差動増幅器で得た信号から回転角の絶対位置を演算する角度演算回路とより構成してあることを特徴とするものである。
また、請求項２に記載の本発明は、前記磁界検出素子を、ホール素子またはＭＲ素子としたものである。
また、請求項３に記載の本発明は、磁気式エンコーダ付モータに係わるものであって、請求項１または２に記載の磁気式エンコーダと、それによって回転位置を検出されるモータを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の透明基板と、前記一対の透明基板の内面に対向に設けられる透明対向電極と、前記対向電極の間に配置される液晶層とを備えた液晶電気光学素子であって、前記液晶層は、側鎖型高分子液晶により配向安定化された強誘電性液晶からなることを特徴とする液晶電気光学素子。
【請求項２】
両外面に偏光軸が略垂直になるように配置した一対の偏光層を備えており、一方の偏光層の偏光軸が強誘電性液晶層の安定方向のダイレクターと略平行であることを特徴とする請求項１に記載の液晶電気光学素子。
【請求項３】
一対の透明基板と、前記一対の透明基板の内面に対向に設けられる透明対向電極と、前記対向電極の間に配置される液晶層とを備える液晶電気光学素子であって、前記液晶層が側鎖型高分子液晶により配向安定化された強誘電性液晶からなり、前記一対の透明基板の両外面に偏光軸が略垂直になるように一対の偏光層を、一方の偏光層の軸が前記液晶層の配向方向と一致するように配置して測定した場合に、前記液晶層の光透過率または反射率が印加電圧の極性に依存する非対称性を示すことを特徴とする液晶電気光学素子。
【請求項４】
明状態の透過率Tmaxと暗状態の透過率Tminの比Tmin／Tmaxが印加電圧１０Vに対して０．２以下の前記非対称の特性を持つ液晶光ダイオードからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶電気光学素子。
【請求項５】
前記液晶層が、シェブロン層構造、擬似ブックシェルフ構造またはブックシェルフ構造をもつことを特徴とする請求項１乃至4のいずれか１項に記載の液晶電気光学素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶電気光学素子を２つ重ね、２つの液晶電気光学素子の両外側に又は２つの液晶電気光学素子の間と両外側に偏光層を配置してなる二層型液晶電気光学素子を用いたことを特徴とする液晶光演算素子。
【請求項７】
光論理素子の中間調特性を利用して、二値論理のみならず多値論理に用いることを特徴とする請求項６に記載の液晶光演算素子。
【請求項８】
請求項４または５に記載の液晶電気光学素子２つを重ね、２つの液晶電気光学素子両外側に偏光層を配置してなる二層型液晶電気光学素子が用いられた液晶表示素子であって、二層の液晶電気光学素子を同時に駆動することにより電気光学特性における正負印加電圧に対し対称な特性を示すことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項９】
請求項６に記載の光演算素子を用い、２つの液晶電気光学素子に対し電圧を印加しその極性による光透過率または反射率の変化によって、論理和（OR）、論理積（AND）、排他的論理和（XOR）、論理積の否定（NAND）、および排他的論理和の否定（XNOR）などの光論理演算を行う光論理演算方法。
【請求項１０】
液晶電気光学素子のリターディション（R＝２πΔnｄ／λ、Δｎ  複屈折率、ｄ  合計の液晶層の厚さ、λ  光の波長）の値いかんによって異なる論理演算結果を得ることを特徴とする請求項９に記載の光論理演算方法。
【請求項１１】
一対の透明基板と、前記一対の透明基板の内面に対向に設けられる透明対向電極と、前記対向電極の間に配置される液晶層とを備えた液晶電気光学素子の製造方法であって、前記液晶層は、強誘電性液晶に、光硬化性液晶モノマーが添加されており、かつ、該液晶がカイラルスメクチック相となる温度で、実質的に直流電圧を印加した状態で前記硬化性液晶モノマーを紫外光照射により硬化（高分子化）し、側鎖型高分子液晶により安定化することを特徴とする液晶電気光学素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、液晶層が電気光学特性における正負印加電圧に対し強い非対称的な特性を示す液晶光ダイオードと呼べる液晶電気光学素子及びその製造法を提供することである。
また、本発明の課題は、液晶層が電気光学特性における正負印加電圧に対し対称的な特性を示すＶ字型液晶電気光学素子及び液晶光演算素子と、液晶電気光学素子の製造法とを提供することである。