(57)【要約】【課題】基板が要らなく厚さを大幅に削減できる発光ダイオード構造を提供すること。【解決手段】少なくとも二つの電極と、少なくとも二つの電極を定位する第１の封止ゾル層と、少なくとも二つの電極に接続する少なくとも一つのチップと、チップ及び電極を覆う第２の封止ゾル層とを含む。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
主に、少なくとも二つの電極と、
電極を定位する第１の封止ゾル層と、
前記電極に接続する少なくとも一つのチップと、
チップ及び電極を覆う第２の封止ゾル層とを含んで、基板のない超薄型発光ダイオードを形成することを特徴とする、
発光ダイオード構造。
【請求項２】
前記少なくとも一つのチップが、ボンディングワイヤで少なくとも二つの電極に接合することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項３】
前記少なくとも一つのチップが、フリップチップの方式で少なくとも二つの電極に接合することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項４】
前記少なくとも一つのチップが、ボンディングワイヤ及びフリップチップの方式で少なくとも二つの電極に接合することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項５】
前記第１の封止ゾル層は、ポリメタクリル酸メチル基材（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、略称「ＰＭＭＡ」）、ポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ、略称「ＰＤＭＳ」）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、略称「ＰＣ」）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、略称「ＰＩ」）、エポキシ樹脂（略称「ＳＵ―８」）、スピンオンガラス（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ、略称「ＳＯＧ」）、シリカゾル或いは樹脂のうち何れか一つであることを特徴とする、、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項６】
前記第１の封止ゾル層は、シリカゾルであることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項７】
前記第２の封止ゾル層は、樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項８】
前記第２の封止ゾル層において、蛍光粉がドープされることを特徴とする、請求項６又は７に記載の発光ダイオード構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、基板が要らなく、厚さを大幅に削減できる発光ダイオード構造に係わり、発光ダイオード構造或は類似構造に適応できる発光ダイオード構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、略称「ＬＥＤ」）は、小型で高い発光効率の固態光源である。発光ダイオードが半導体素子であるため、その使用寿命が長く安定度が高いので、様々な異なる光源、例えば、スクリーン光源、バックライト光源、交通信号ランプ、緊急出口指示ランプ、照明ランプ等の用途にすることに適合している。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
ＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）技術を言えば、伝統的な光発光ダイオード構造は、図４に示すように、主に、電極Ｂ及び凹溝Ａ１を有する基板Ａが設けられ、基板Ａの凹溝Ａ１内にチップＣが結合され、該チップＣがさらにボンディングワイヤＤにより電極Ｂに接合し、その後、凹溝Ａ１内にさらに封止ゾルＥを充填して、複数の素子を一体に結合している。
【０００４】
しかしながら、上記の発光ダイオード構造は、使用上に非常に便利でも、該発光ダイオード構造は所定の厚さを有し、従来のパッケージ技術が、基板の厚さを０．３ｍｍまでに縮減できても、機器、特に携帯式の電子製品にとっては、各部材の体積を減少させ、電子製品をより軽薄、短小化に対応することが技術的に難しい。
【０００５】
前記した従来の欠点を鑑みて本考案は成されたもので、基板が要らなく厚さを大幅に削減できる発光ダイオード構造を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案の主な目的は、基板が不要であり、厚さを大幅に削減できる発光ダイオード構造を提供することにある。
【０００７】
前記目的を達成するために、本考案は、主に、少なくとも二つの電極と、少なくとも二つの電極を定位する第１の封止ゾル層と、少なくとも二つの電極に接続する少なくとも一つのチップと、チップ及び電極を覆う第２の封止ゾル層とを含むことによって、基板のない超薄型発光ダイオードを形成する。
【０００８】
すなわち、本願の第１考案は、少なくとも二つの電極と、電極を定位する第１の封止ゾル層と、前記電極に接続する少なくとも一つのチップと、チップ及び電極を覆う第２の封止ゾル層とを含んで、基板のない超薄型発光ダイオードを形成することを特徴とする、発光ダイオード構造を提供する。
本願の第２考案は、前記少なくとも一つのチップが、ボンディングワイヤで少なくとも二つの電極に接合することを特徴とする、前記第１考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
本願の第３考案は、前記少なくとも一つのチップが、フリップチップの方式で少なくとも二つの電極に接合することを特徴とする、前記第１考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
本願の第４考案は、前記少なくとも一つのチップが、ボンディングワイヤ及びフリップチップの方式で少なくとも二つの電極に接合することを特徴とする、前記第１考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
本願の第５考案は、前記第１の封止ゾル層は、ポリメタクリル酸メチル基材（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、略称「ＰＭＭＡ」）、ポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ、略称「ＰＤＭＳ」）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、略称「ＰＣ」）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、略称「ＰＩ」）、エポキシ樹脂（略称「ＳＵ―８」）、スピンオンガラス（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ、略称「ＳＯＧ」）、シリカゾル或いは樹脂のうち何れか一つであることを特徴とする、前記第１考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
本願の第６考案は、前記第１の封止ゾル層は、シリカゾルであることを特徴とする、前記第１考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
本願の第７考案は、前記第２の封止ゾル層は、樹脂であることを特徴とする、前記第１考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
本願の第８考案は、前記第２の封止ゾル層において、蛍光粉がドープされることを特徴とする、前記第６又は７考案に記載の発光ダイオード構造を提供する。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に図面を参照しながら、本考案の特徴及び具体的な実施の形態について説明する。
図１は、本考案の第１の実施例である。
図１を参照すると、先に第１の封止ゾル層２０により部分的に結合される二電極１０、１１が設けられ、該第１の封止ゾル層２０は、ＰＩ或いはＳＵ８などの材質よりなり、該チップ３０は半田ボール２５を介してフリップチップの方式で二電極１０、１１の第１の封止ゾル層２０に封止されない部分に接合し、さらに、第２の封止ゾル層４０により二電極１０、１１の一部やチップ３０を完全に覆うことで、底部基板のない発光ダイオードを形成する。
【００１０】
図２に示されるように、該第１の封止ゾル層２０が、二電極１０、１１を定位した後に、さらに、該チップ３０を第１の封止ゾル層２０の天井部に置き、二ボンディングワイヤ２６、２７により該チップ３０を二電極１０、１１に接合し、最後に、さらに第２の封止ゾル層４０によりチップ３０及び二ボンディングワイヤ２６、２７を覆い、基板のない超薄型の発光ダイオードを形成する。
【００１１】
又、図３を参照すると、該二電極１０、１１は、長さが異なるように設けても良い、また同様に、第１の封止ゾル層２０により二電極１０、１１を定位させ、該チップ３０は半田ボール２５によりフリップチップの方式で電極１０の天井部に接合し、また、該チップ３０はボンディングワイヤ２６により他一の電極１１に接合し、さらに、第２の封止ゾル層４０によりチップ３０及びボンディングワイヤ２６を覆い、基板のない超薄型の発光ダイオードを形成する。
【００１２】
また、該図１、図２、図３の第１の封止ゾル層２０は、ポリメタクリル酸メチル基材（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＭＭＡに略称する）、ポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ、ＰＤＭＳに略称する）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣに略称する）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩに略称する）、エポキシ樹脂（ＳＵ―８に略称する）、スピンオンガラス（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ、ＳＯＧに略称する）、シリカゾル或いは樹脂などよりなり、第２の封止ゾル層４０は、シリカゾル、樹脂、シリカゾルと蛍光粉の混合物、或いは樹脂と蛍光粉の混合物よりなるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本考案に係る第１の実施例の組合の断面図である。
【図２】本考案に係る第２の実施例の組合の断面図である。
【図３】本考案に係る第３の実施例の組合の断面図である。
【図４】従来構造の組合の断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
１０，１１・・電極
２０・・・・・第１の封止ゾル層
２５・・・・・半田ボール
２６，２７・・ボンディングワイヤ
３０・・・・・チップ
４０・・・・・第２の封止ゾル層
Ａ・・・・・・基板
Ａ１・・・・・凹溝
Ｂ・・・・・・電極
Ｃ・・・・・・チップ
Ｄ・・・・・・ボンディングワイヤ
Ｅ・・・・・・封止ゾル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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