【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック端子と、
コマンド端子と、
その他の端子と、
クロック発生器と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子は第１クロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記クロック発生器は第２クロック信号を生成し、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記第１クロック信号に応じて外部へデータを出力し、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、前記第１クロック信号に応じて外部からデータを入力され、所定の不揮発性メモリセルへデータの書き込みをし、
前記データの書き込みは前記第２クロック信号を用いて行われる不揮発性メモリ装置。
【請求項２】
前記書込コマンドの入力に応じた処理は、それぞれの不揮発性メモリセルにおいてデータの書き込みが完了したか否かを判定するベリファイ処理を含むことを特徴とする請求項１の不揮発性メモリ装置。
【請求項３】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２の不揮発性メモリ装置。
【請求項４】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３の不揮発性メモリ装置。
【請求項５】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項４の不揮発性メモリ装置。
【請求項６】
前記その他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドの入力に応じた処理において、データを入力され、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、データを出力することを特徴とする請求項５の不揮発性メモリ装置。
【請求項７】
クロック発生器と、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子は第１クロック信号を入力され、
前記データ端子は前記第１クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記第１クロック信号に応じてデータを出力し、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記クロック発生器は第２クロック信号を生成し、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記データ端子を介して外部にシリアルにデータを出力し、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、前記データ端子を介して外部からデータをシリアルに入力され、所定の不揮発性メモリセルへデータの書き込みをし、
前記データの書き込みは前記第２クロック信号を用いて行われることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項８】
前記書込コマンドの入力に応じた処理は、それぞれの不揮発性メモリセルにおいてデータの書き込みが完了したか否かを判定するベリファイ処理を含むことを特徴とする請求項７の不揮発性メモリ装置。
【請求項９】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項８の不揮発性メモリ装置。
【請求項１０】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項９の不揮発性メモリ装置。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項１０の不揮発性メモリ装置。
【請求項１２】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２の不揮発性メモリ装置。
【請求項１３】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１２の不揮発性メモリ装置。
【請求項１４】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項８の不揮発性メモリ装置。
【請求項１５】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１４の不揮発性メモリ装置。
【請求項１６】
クロック端子と、
コマンド端子と、
その他の端子と、
制御回路と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記制御回路は、入力されたコマンドの処理において、マイクロプログラムを格納したプログラムメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記クロック信号に応じてデータを前記その他の端子を介して出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じてデータを前記その他の端子を介して入力し、所定の不揮発性メモリセルへデータを格納することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項１７】
前記複数のコマンドには消去コマンドを含み、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去することを特徴とする請求項１６の不揮発性メモリ装置。
【請求項１８】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１７の不揮発性メモリ装置。
【請求項１９】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項１８の不揮発性メモリ装置。
【請求項２０】
前記その他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドの入力に応じた処理において、前記クロック信号に応じてデータを入力され、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、前記クロック信号に応じてデータを出力することを特徴とする請求項１９の不揮発性メモリ装置。
【請求項２１】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項１６の不揮発性メモリ装置。
【請求項２２】
制御回路と、
第１端子と、
第２端子と、
第３端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記第１端子はクロック信号を入力され、
前記第２端子は前記クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記クロック信号に応じてデータを出力し、
前記第３端子は消去動作、読み出し動作、書き込み動作を含む複数の動作のいずれかを示す信号を入力され、
前記制御回路は、マイクロプログラムを格納したメモリから読み出して実行し、
前記消去動作において、前記制御回路は、前記消去動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを消去する制御を行い、
前記読み出し動作において、前記制御回路は、前記読み出し動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを読み出し、前記第２端子を介して外部にシリアルにデータを出力する制御を行い、
前記書き込み動作において、前記制御回路は、前記書き込み動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、前記第２端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、所定の不揮発性メモリセルにデータを格納する制御を行うことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項２３】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去動作のマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書き込み動作のマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をそれぞれのメモリセルへ格納すべきデータに応じて、書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２２の不揮発性メモリ装置。
【請求項２４】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出し動作のマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項２３の不揮発性メモリ装置。
【請求項２５】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項２２の不揮発性メモリ装置。
【請求項２６】
制御回路と、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記データ端子は前記クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記クロック信号に応じてデータを出力し、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記制御回路は、入力されたコマンドに対応したマイクロプログラムを格納するメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを読み出し、前記クロック信号に同期して前記データ端子を介して外部にシリアルにデータを出力する制御を行い、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に同期して前記データ端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、所定の不揮発性メモリセルにデータを格納する制御を行うことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項２７】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去する制御を行うことを特徴とする請求項２６の不揮発性メモリ装置。
【請求項２８】
前記複数のメモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１に含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記制御回路は、前記消去動作において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変させ、
前記書き込み動作において、所定のメモリセルのしきい値電圧をそれぞれのメモリセルへ格納すべきデータに応じて、書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２７の不揮発性メモリ装置。
【請求項２９】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項２８の不揮発性メモリ装置。
【請求項３０】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項２９の不揮発性メモリ装置。
【請求項３１】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１７の不揮発性メモリ装置。
【請求項３２】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２２の不揮発性メモリ装置。
【請求項３３】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２７の不揮発性メモリ装置。
【請求項３４】
制御回路と、
クロック端子と、
コマンド端子と、
その他の端子と、
クロック発生器と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子は第１クロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記クロック発生器は第２クロック信号を生成し、
前記制御回路は、入力されたコマンドの処理において、マイクロプログラムを格納したメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記第１クロック信号に応じて前記他の端子を介してデータを出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記第１クロック信号に応じて前記他の端子を介してデータを入力し、所定の不揮発性メモリセルへデータを格納し、
前記データの書き込みは前記第２クロックを用いて行われる不揮発性メモリ装置。
【請求項３５】
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、更に、それぞれのメモリセルにおいてデータの書き込みが完了したか否かを判定するベリファイ処理を行うことを特徴とする請求項３４の不揮発性メモリ装置。
【請求項３６】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をそれぞれの不揮発性メモリセルへ格納すべきデータに応じて、書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３５の不揮発性メモリ装置。
【請求項３７】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３６の不揮発性メモリ装置。
【請求項３８】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項３７の不揮発性メモリ装置。
【請求項３９】
前記その他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記第１クロック信号に応じてデータを入力され、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記第１クロック信号に応じてデータを出力することを特徴とする請求項３８の不揮発性メモリ装置。
【請求項４０】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項３４の不揮発性メモリ装置。
【請求項４１】
制御回路と、
クロック発生器と、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子は第１クロック信号を入力され、
前記データ端子は前記第１クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記第１クロック信号に応じてデータを出力し、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記クロック発生器は第２クロック信号を生成し、
前記制御回路は、入力されたコマンドに対応したマイクロプログラムを格納したメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記第１クロック信号に応じて前記データ端子を介して外部にシリアルにデータを出力する制御を行い、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記第１クロック信号に応じて前記データ端子を介して外部からシリアルにデータを入力し、所定の不揮発性メモリセルへデータを格納する制御を行い、
前記データの書き込みは前記第２クロック信号を用いて行われることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項４２】
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、それぞれのメモリセルにおいてデータの書き込みが完了したか否かを判定するベリファイ処理を行うことを特徴とする請求項４１の不揮発性メモリ装置。
【請求項４３】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をそれぞれの不揮発性メモリセルへ格納すべきデータに応じて、書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４２の不揮発性メモリ装置。
【請求項４４】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４３の不揮発性メモリ装置。
【請求項４５】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項４４の不揮発性メモリ装置。
【請求項４６】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項４１の不揮発性メモリ装置。
【請求項４７】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３５の不揮発性メモリ装置。
【請求項４８】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４７の不揮発性メモリ装置。
【請求項４９】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４２の不揮発性メモリ装置。
【請求項５０】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４９の不揮発性メモリ装置。