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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計算機またはディスク装置と接続される接続部を有するインタフェース部と、
メモリ部と、
プロセッサ部と、
ディスク装置とを有し、
前記インタフェース部、前記メモリ部及び前記プロセッサ部の間は相互結合網で互いに接続されていることを特徴とするストレージシステム。
【請求項２】
各々が計算機若しくはディスク装置と接続される、複数のインタフェース部と、
前記インタフェース部によって受信されたデータを格納するためのメモリ部と、
前記インタフェース部と前記メモリ部との間のデータの転送を制御するための一以上のプロセッサ部と、
前記複数のインタフェース部のいずれかと接続され、前記プロセッサ部の制御によって前記メモリ部からインタフェース部を介して受信したデータを格納する複数のディスク装置と、
前記複数のインタフェース部、前記メモリ部、及び前記プロセッサ部と接続される第一のバックプレーンと、
前記複数のディスク装置、及び前記複数のインタフェース部のいずれかと接続される第二のバックプレーンを有し、
前記第一のバックプレーンは、各々がインタフェース部、メモリ部若しくはプロセッサ部のいずれかと接続される、複数のコネクタを有しており、
インタフェース部及びプロセッサ部は各々、前記コネクタを介して前記第一のバックプレーンに接続されることにより、互いに独立に増設されること特徴とするストレージシステム。
【請求項３】
計算機と接続される第一のインタフェース部及び複数のディスク装置を有するディスク装置部と接続される第二のインタフェース部とを含む、複数のインタフェース部と、
各インタフェース部から受信したデータを格納するキャッシュメモリモジュールと、各インタフェース部との間のデータ転送を制御する制御部とを有するメモリ部と、
前記メモリ部と各インタフェース部との間のデータの送受信を制御するプロセッサ部と、
前記第二のインタフェース部と接続され、前記プロセッサ部の制御により当該第二のインタフェース部から受信したデータを格納する複数のディスク装置を有するディスク装置部、を有しており、
前記複数のインタフェース部、前記メモリ部、及び前記プロセッサ部は各々異なる回路基盤に実装されており、
インタフェース部が実装された回路基盤、メモリ部が実装された回路基盤、及びプロセッサ部が実装された回路基盤は、各々異なるコネクタを介して第一のバックプレーンに接続されており、
前記第一のバックプレーンは、インタフェース部が実装された回路基盤、メモリ部が実装された回路基盤、及びプロセッサ部が実装された回路基盤のいずれもが接続可能なコネクタを複数有し、コネクタに回路基盤が接続されることによりインタフェース部が実装された回路基盤とプロセッサ部が実装された回路基盤とが互いに独立に増設されるよう構成されており、
前記ディスク装置部は、前記第二のインタフェース部と接続されている第二のバックプレーンに接続されており、
前記第一のバックプレーンを介して、いずれかの第一のインタフェース部からライトコマンドを受信した場合には、前記プロセッサ部が、当該ライトコマンドに基づいて、前記第一のインタフェース部から前記メモリ部へのライトデータの転送を制御し、更に前記プロセサブが、前記メモリ部から前記ライトデータの格納先ディスク装置部と接続されている第二のインタフェース部への前記ライトデータの転送を制御し、前記第二のインタフェース部を介してライトデータがディスク装置に格納されることを特徴とするストレージシステム。          
【請求項４】
請求項３記載のストレージシステムであって、
前記メモリ部には更に、前記プロセッサ部によって参照される制御情報が格納される制御メモリモジュールが含まれることを特徴とするストレージシステム。
【請求項５】
請求項４記載のストレージシステムであって、
前記プロセッサ部は、いずれかの第一のインタフェース部からライトコマンドを受信した場合には、前記制御メモリモジュールに格納されている制御情報を参照して、前記ライトコマンドに基づいて受信されるライトデータを格納するための前記キャッシュメモリモジュール上の記憶領域を確保し、前記第一のインタフェース部に前記キャッシュメモリ上に確保された前記記憶領域の位置を通知して当該記憶領域に前記ライトデータを格納するよう指示し、更に前記ライトデータの格納先ディスク装置部と接続されている第二のインタフェース部に、当該記憶領域から前記ライトデータを読み出して前記ディスク装置部に送信するよう指示することを特徴とするストレージシステム。
【請求項６】
請求項４記載のストレージシステムであって、
前記プロセッサ部は、いずれかの第一のインタフェース部からリードコマンドを受信した場合には、当該リードコマンドに基づいて、前記制御メモリモジュールに格納されている制御情報を参照して、前記キャッシュメモリモジュールにリード対象のデータが格納されているか否かを確認し、前記キャッシュメモリモジュールに前記データが格納されている場合には、前記第一のインタフェース部に対して、前記データが格納されている前記キャッシュメモリモジュール上の格納位置を通知し、前記キャッシュメモリモジュールから前記データを読み出して計算機に送信するよう指示することを特徴とするストレージシステム。
【請求項７】
請求項６記載のストレージシステムであって、
前記キャッシュメモリモジュールに前記データが格納されていない場合には、前記プロセッサ部は、前記キャッシュメモリモジュール上の記憶領域を確保し、前記データの格納先ディスク装置部と接続されている第二のインタフェース部を特定し、当該第二のインタフェース部に確保した前記キャッシュメモリモジュール上の記憶領域を通知して、当該記憶領域に前記データを転送するよう指示し、更に、前記第一のインタフェース部に前記キャッシュメモリモジュール上の前記記憶領域から前記データを読み出して計算機に送信するよう指示することを特徴とするストレージシステム。
【請求項８】
請求項３記載のストレージシステムであって、前記プロセッサ部は複数のプロセッサを有しており、各プロセッサは第一のインタフェース部若しくは第二のインタフェース部のいずれかに対する処理を実行するよう構成されており、第一のインタフェース部及び第二のインタフェース部に対する処理の負荷に応じて、いずれのプロセッサがいずれのインタフェース部に対する処理を実行するかが決定されることを特徴とするストレージシステム。
【請求項９】
請求項３記載のストレージシステムであって、
前記複数のインタフェース部、前記メモリ部、前記プロセッサ部は各々、前記第一のバックプレーンに接続されるスイッチを介して、他のストレージシステムのインタフェース部、メモリ部、プロセッサ部と接続されることを特徴とするストレージシステム。
【請求項１０】
請求項９記載のストレージシステムであって、
前記ライトデータが、前記他のストレージシステムが有する第二のインタフェース部に接続されているディスク装置部に格納される場合に、前記プロセッサ部は、前記メモリ部から当該他のストレージシステムが有する第二のインタフェース部への前記ライトデータの転送を制御することを特徴とするストレージシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ε−フィルタは、基本的に、振幅のレベルの変化量に対して非線形関数を適用して得た値を元の画像信号から減算するように作用するものである。この非線形関数は、信号の振幅が所定の閾値（ε０）より大きいとき、出力を０とする関数である。すなわち、ε−フィルタを適用した場合、画像中の、振幅が前述閾値より大きい部位では、非線形関数の出力が０であり、処理後の画像においては、その部位の元の信号が保持される一方、振幅が前述閾値以下の部位では、処理後の画像においては、その部位の信号値が元の信号値から非線形関数の出力（その絶対値が０より大きい）を引いた値になる。こうすることによって、いわゆるノイズではないが、小振幅の明暗変化を呈するシワや、シミなどの部位において、明暗変化が平滑され、シワ、シミなどを目立たなくさせることができると共に、振幅の大きいエッジ部分を保持することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005227838.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ボディ（３４）およびカバー（９１）が結合されて成る弁ハウジング（９０）と、前記ボディ（３４）およびカバー（９１）間に周縁部が挟持されるダイヤフラム（９３）と、該ダイヤフラム（９３）の中央部にダイヤフラムリテーナ（１２５，１２７）を介して保持されるダイヤフラムロッド（１２８）とを備え、弁孔（１１１）を中央部に開口させて前記ボディ（３４）内に固定配置される弁座（１１２）に着座可能な弁体（１１３）が、前記弁孔（１１１）に移動自在に挿通されて前記ダイヤフラムロッド（１２８）に一端部が着脱可能に連結される弁軸（１１４）の中間部に設けられ、前記弁軸（１１４）の他端部が前記ボディ（３４）側に設けられるガイド孔（１０５）に摺動自在に嵌合される減圧弁において、前記弁孔（１１１）および前記弁座（１１２）が設けられる弁座部材（１００）と、前記ガイド孔（１０５）を有して前記弁座部材（１００）に圧入されるガイド部材（１０６）と、前記弁体（１１３）が設けられる弁軸（１１４）とを予め組付けて構成される弁作動ユニット（１２０）が、前記弁孔（１１１）から弁軸（１１４）の一端を突出させるとともに前記ガイド孔（１０５）に前記弁軸（１１４）の他端部を摺動可能に嵌合せしめた状態で、前記ボディ（３４）に取付けられることを特徴とする減圧弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、減圧弁に関し、特に、ボディおよびカバーが結合されて成る弁ハウジングと、前記ボディおよびカバー間に周縁部が挟持されるダイヤフラムと、該ダイヤフラムの中央部にダイヤフラムリテーナを介して保持されるダイヤフラムロッドとを備え、弁孔を中央部に開口させて前記ボディ内に固定配置される弁座に着座可能な弁体が、前記弁孔に移動自在に挿通されて前記ダイヤフラムロッドに一端部が着脱可能に連結される弁軸の中間部に設けられ、前記弁軸の他端部が前記ボディ側に設けられるガイド孔に摺動自在に嵌合される減圧弁に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、ボディおよびカバーが結合されて成る弁ハウジングと、前記ボディおよびカバー間に周縁部が挟持されるダイヤフラムと、該ダイヤフラムの中央部にダイヤフラムリテーナを介して保持されるダイヤフラムロッドとを備え、弁孔を中央部に開口させて前記ボディ内に固定配置される弁座に着座可能な弁体が、前記弁孔に移動自在に挿通されて前記ダイヤフラムロッドに一端部が着脱可能に連結される弁軸の中間部に設けられ、前記弁軸の他端部が前記ボディ側に設けられるガイド孔に摺動自在に嵌合される減圧弁において、前記弁孔および前記弁座が設けられる弁座部材と、前記ガイド孔を有して前記弁座部材に圧入されるガイド部材と、前記弁体が設けられる弁軸とを予め組付けて構成される弁作動ユニットが、前記弁孔から弁軸の一端を突出させるとともに前記ガイド孔に前記弁軸の他端部を摺動可能に嵌合せしめた状態で、前記ボディに取付けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の消耗品の劣化又は消費を診断し、その診断結果を車載ディスプレイの画面に表示する車両診断システムにおいて、
前記診断にドライバーの運転挙動の情報を加味して、前記消耗品の劣化度合い又は消費度合いと、運転挙動とを、関連付けて表示し、
前記診断により、前記消耗品の劣化度合い又は消費度合いと、その要因となる運転挙動の割合とを算出し、
運転挙動が前記消耗品の劣化又は消費に影響を及ぼす要因になると診断されると、前記画面に、前記劣化度合い又は消費度合いと併せて、その運転挙動が消耗品に対してどのような影響を与えているかを通知する車両診断システム。
【請求項２】
車両の消耗品の劣化度合い又は消費度合いを算出する手段と、
ドライバーの運転挙動を検出する手段と、
前記消耗品の劣化又は消費に対して、前記運転挙動が影響を及ぼす割合である要因割合を算出する手段と、
前記車両の劣化度合い又は消費度合いと前記要因割合とを所定のフォーマットにより画像化する手段とを、備えた車両診断システム。
【請求項３】
請求項１において、前記車両診断システムは、少なくとも、基地局となるサービスセンターと、前記センターに登録した各車両との間のデータの送受信を利用して実行され、
前記各車両において、車両の消耗品の劣化度合い及び消費度合いを算出するために必要なデータと、前記ドライバーの運転挙動とを検出し、
検出された前記各種情報は、前記各車両の通信機器を介して前記センターに送られ、
前記センター側で、その情報に基づき各車両の消耗品の劣化度合い又は消費度合いと、それに影響を及ぼす前記要因割合を算出し、
その算出データが前記車両側に送られ車載ディスプレイに画面表示される車両診断システム。
【請求項４】
請求項１において、前記車両診断システムは、少なくとも、基地局となるサービスセンターと、前記センターに登録した各車両との間のデータの送受信を利用して実行され、
前記各車両において、車両の消耗品の劣化度合い又は消費度合いを算出するために必要なデータと、前記ドライバーの運転挙動とを検出し、
検出された前記各種情報は、前記各車両の通信機器を介して前記センターに送られ、
前記センター側で、その情報に基づき各車両の消耗品の劣化度合い又は消費度合いを求めるための関数パラメータと、それに影響を及ぼす要因割合を算出するための関数パラメータとが算出され、それらのパラメータが各車両に送られ、
そのパラメータに基づく関数により前記各車両で自車の前記消耗品の劣化度合い又は消費度合いとその要因割合とを算出して車載ディスプレイに画面表示する車両診断システム。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記センターにおいて、前記各車両の消耗品の劣化又は消費に影響を及ぼす運転挙動による経済的損失を金銭に換算し、その損失額は対応する車両に送信されて、そのディスプレイに表示される車両診断システム。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれか１項において、前記車両診断システムは、前記センターとカーディーラとの間でも情報の送受信が行われ、前記各車両の消耗品の劣化又は消費に関する情報が前記カーディーラによっても取り入れ可能であり、また、前記カーディーラで消耗品の交換が行われた場合には、その情報が前記センターに送られ各車両の管理データが更新され、またカーディーラで車両点検がされた場合には、その情報が前記センターに送られて管理データが更新される車両診断システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の元素に対して大気圧下でプラズマを照射したときの波長と発光強度との関係から発光強度のピーク値を有する特定の波長を選定する選定ステップ、
大気圧下でプラズマを被分析対象物体に照射し、前記選定ステップで選定された波長において前記被分析対象物体の発光強度を測定するモニタリングステップ、及び
前記モニタリングステップにおける測定された発光強度と、前記選定ステップにおける波長の発光強度とを比較して、前記被分析対象物体に含まれる前記元素の有無を判定する判定ステップ、
を有することを特徴とする成分分析方法。
【請求項２】
前記特定の元素が鉛元素であり、前記特定の波長が４２７ｎｍ、６６６ｎｍ若しくは７３０ｎｍであり、前記特定の波長において発光強度が発光ピークを有するとき、前記被分析対象物体が鉛元素を含むと判定する請求項１に記載の成分分析方法。
【請求項３】
前記モニタリングステップの前段階において、前記被分析対象物体を研磨する研磨ステップを有し、前記研磨ステップにおいて前記被分析対象物体の表面に研磨粉が分散配置される請求項１に記載の成分分析方法。
【請求項４】
前記モニタリングステップの前段階において、前記被分析対象物体を研磨具を用いて研磨する研磨ステップを有し、前記モニタリングステップにおいて、前記研磨ステップで用いた前記研磨具の研磨面にある前記被分析対象物体に前記プラズマを照射して、前記プラズマによる前記被分析対象物体の発光強度を測定する請求項１に記載の成分分析方法。
【請求項５】
被分析対象物体を載置する試料台、
内部にガス流路を有する放電電極、
前記放電電極にガスを供給するガス供給部、
前記放電電極に電力を供給する電源、
前記放電電極と前記被分析対象物体との間に生じるプラズマに近接して配置される発光入力部を有し、プラズマの照射により生じる前記被分析対象物体からの光を透過する透光材料で形成された透光部、
前記透光部からの光における特定の波長の光のみを透過するフィルタ、及び
前記フィルタを透過した光の発光強度を測定し、前記被分析対象物体に含まれる特定の元素の有無を判定する制御装置、
を具備することを特徴する成分分析装置。
【請求項６】
前記特定の元素が鉛元素であり、前記特定の波長が４２７ｎｍ、６６６ｎｍ若しくは７３０ｎｍであり、前記特定の波長において発光強度が発光ピークを有するとき、前記制御装置は前記被分析対象物体が鉛元素を含むと判定し、当該データを記憶するよう構成された請求項５に記載の成分分析装置。
【請求項７】
前記放電電極の外周面覆うように光を透過する材料で形成された筒状の透光部が設けられ、かつ前記放電電極のプラズマに対向する端部に光を透過する材料で形成された発光入力部が形成されており、さらに前記透光部の外周面を覆うように接地された導体部が設けられた請求項５に記載の成分分析装置。
【請求項８】
前記放電電極のプラズマに対向する端部が被分析対象物体に対して所望の距離を有するよう前記放電電極にスペーサを設けた請求項５に記載の成分分析装置。
【請求項９】
前記放電電極のプラズマに対向する端部にスイッチが設けられており、前記スイッチが検査時に被分析対象物体に接触して分析処理が稼動するよう構成された請求項５に記載の成分分析装置。
【請求項１０】
前記放電電極の外部に排気路を有し、一体的に構成された請求項５に記載の成分分析装置。
【請求項１１】
前記放電電極のプラズマに対向する端部にミラー、レンズ、及び光検知素子を有するモニター部を設けた請求項５に記載の成分分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
第１方向及び該第１方向に交差する第２方向に沿う主面を有し且つ該主面には該第２方向に延びる複数の端子が該第１方向に並設されている第１回路基板と、
一端が前記表示パネルに他端が前記第１回路基板の前記複数の端子に夫々電気的に接続される少なくとも一つの第２回路基板とを備え、
前記複数の端子は、前記第２回路基板側に位置する第１の端部と、前記第１の端部とは反対側に位置する第２の端部とを有し、
前記複数の端子のうち隣接する一対の端子の離間距離は、前記第１の端部では第１の離間距離であり、前記第２の端部では第２の離間距離であり、前記第１の端部と前記第２の端部に挟まれた領域の少なくとも一部では第３の離間距離であり、
前記第１の離間距離及び前記第２の離間距離は、前記第３の離間距離よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１回路基板の前記主面は、前記第２方向沿いよりも前記第１方向沿いに長く延びている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１回路基板には複数の前記第２回路基板が前記第１方向沿いに並設され、該第１回路基板の前記複数の端子は前記第１方向沿いに該複数の第２回路基板の夫々に対応した複数の群に分けられ且つ該複数の群の夫々に対応する該第２回路基板に電気的に接続されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示パネルは対向する一対の辺と該一対の辺の一つに交差する方向に延びる他の一対の辺とを有する矩形状に成形され、前記複数の第２回路基板は該表示パネルの該一対の辺及び該他の一対の辺のいずれか一つの辺に並設されている請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第２回路基板の各々には前記表示パネルの駆動回路素子が搭載されている請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１回路基板の前記主面において前記複数の端子が前記第１方向に並設された領域は、前記第２方向よりも該第１方向沿いに長く延びている請求項１から請求項５のいずれか1項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２回路基板は前記第１回路基板の前記複数の端子の一つに夫々接続される複数の接続端子を有し、
前記複数の端子の前記第２方向の長さは、前記複数の接続端子の前記第２方向の長さよりも大きい請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２回路基板は可撓性の基板である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
表示パネルと、
第１方向及び該第１方向に交差する第２方向に沿う主面を有し且つ該主面には該第２方向に延びる複数の端子が該第１方向に並んで形成されている第１回路基板と、
一端が前記表示パネルに他端が前記第１回路基板の前記複数の端子に夫々電気的に接続される少なくとも一つの第２回路基板とを備え、
前記第２回路基板の前記他端には前記第１回路基板の前記複数の端子の一つに夫々接続され且つ前記第２方向沿いに延びる複数の接続端子が形成され、
前記複数の端子の前記第２方向の長さは、前記複数の接続端子の前記第２方向の長さより大きく、
前記複数の端子は、前記第２回路基板側に位置する第１の端部と、前記第１の端部とは反対側に位置する第２の端部とを有し、
前記複数の端子の幅は、前記第１の端部では第１の幅であり、前記第２の端部では第２の幅であり、前記第１の端部と前記第２の端部に挟まれた領域の少なくとも一部では第３の幅であり、
前記第３の幅は、前記第１の幅及び前記第２の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１回路基板は、第１絶縁膜と複数の第１配線とを有し、
前記第１絶縁膜は、前記複数の第１配線を覆うとともに、前記複数の第１配線の一部を露出する開口部を有し
前記複数の端子は、前記開口部から露出された前記複数の第１配線の一部によって形成される請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の端子において、前記第３の幅を有する領域の前記第２方向の長さは、前記複数の接続端子の前記第２方向の長さよりも小さい請求項９または請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２回路基板は、第２絶縁膜と複数の第２配線とを有し、
前記第２絶縁膜は、前記複数の第２配線を覆うとともに、前記複数の第２配線の一部を露出し、
前記複数の接続端子は、前記第２絶縁膜から露出された前記複数の第２配線の一部によって形成される請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
さらに、前記論理回路からのクロック信号をそれぞれ位相の異なる複数のクロック信号に分割して出力する分割回路を備え、
前記アナログデジタル変換器は、それぞれ前記複数のクロック信号に対応して設けられ、それぞれ対応する前記複数のクロック信号に同期して動作し、前記デバイスのアナログ信号をデジタルデータに変換して出力する複数のアナログデジタル変換回路を含む、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のテスト回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記アナログデジタル変換器は、
それぞれ異なったオフセット電源電圧を有する複数のオフセット電源、および
それぞれ前記複数のオフセット電源に対応して設けられ、それぞれ対応する前記複数のオフセット電源のオフセット電源電圧によって定められる電圧レンジにおいて、前記デバイスのアナログ信号をデジタルデータに変換して出力する複数のアナログデジタル変換回路を含む、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のテスト回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、ここでは、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間において、基準電位ＶＯＬ〜ＶＯＨの範囲内で電圧レンジが７つ（“００００１”〜“０１１１１”）に分割される場合について説明したが、任意の基準電位ＶＯＬ〜ＶＯＨの範囲内で任意の数に分割された電圧レンジでＡＤ変換を行なうことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上のように、この実施の形態１では、被測定デバイスのアナログ信号ＡＮＳを、任意の基準電位ＶＯＬ，ＶＯＨによって定められる振幅電圧において、任意の数に分割された電圧レンジでＡＤ変換を行なうことができる。これにより、傾斜したアナログ信号波形の過渡状態を含めた高精度な評価および解析が可能となる。また、アナログ信号の波形の傾斜した立上がり部分および立下がり部分に限定してＡＤ変換を行なうため、大容量のメモリを必要としない。さらに、比較判定部３の内部に発振回路１４を設けたことによって、判定回路１３によるファンクションテストと、解析部６による傾斜波形テストとを並列して行なうことができる。したがって、簡易な構成で高性能かつ安価なテスト回路が実現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお、ここでは、基準電位ＶＯＬ〜ＶＯＨの範囲内で電圧レンジが７つ（“００００１”〜“０１１１１”）に分割される場合について説明したが、任意の基準電位ＶＯＬ〜ＶＯＨの範囲内で任意の数に分割された電圧レンジでＡＤ変換を行なうことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005227057.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示単位を構成するドット領域が設けられており、誘電異方性が負の液晶を含んでなる液晶表示装置において、
前記ドット領域には、誘電体と、前記誘電体と平面的に重ならない位置に設けられた配向制御構造物と、が設けられており、
前記液晶に電圧を印加したときに、前記誘電体と前記配向制御構造物との間において前記液晶が相反する方向に傾倒しないよう前記誘電体の誘電率、並びに前記液晶の長軸方向及び短軸方向の誘電率の関係が設定されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を含む液晶層を挟持した液晶表示装置であって、
表示単位を構成するドット領域内において、前記一対の基板のうち一方の基板側には誘電体が設けられ、他方の基板側には前記誘電体と平面的に重ならない位置に配向制御構造物が設けられ、
前記誘電体の誘電率をεt1、前記液晶の長軸方向の誘電率をε//、短軸方向の誘電率をε⊥としたときに、ε⊥＞ε//＞εt1の関係を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を含む液晶層を挟持した液晶表示装置であって、
表示単位を構成するドット領域内において、前記一対の基板のうち一方の基板側には、誘電体と、前記誘電体と平面的に重ならない位置に配置された配向制御構造物とが設けられ、前記誘電体の誘電率をεt1、前記液晶の長軸方向の誘電率をε//、短軸方向の誘電率をε⊥としたときに、εt1＞ε//の関係を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記配向制御構造物は、前記ドット領域内の電極に形成された開口スリット、又は前記電極の縁端部であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記配向制御構造物は、誘電率εt2を有した他の誘電体であり、前記液晶の誘電率ε//に対して、ε//＞εt2の関係を有していることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配向制御構造物は、前記ドット領域の電極に形成された開口スリットと、前記開口スリットの内側に設けられ、誘電率εt2がε//＞εt2の関係を有する他の誘電体とを有することを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を含む液晶層を挟持した液晶表示装置であって、
表示単位を構成するドット領域内において、前記一対の基板のうち一方の基板側には第１の誘電体が形成され、他方の基板側には前記第１の誘電体と平面方向で重ならない位置に第２の誘電体が形成され、
前記第１の誘電体の誘電率をεt1、前記第２の誘電体の誘電率をεt2、前記液晶の長軸方向の誘電率をε//、短軸方向の誘電率をε⊥としたときに、εt1＞ε//、及びεt2＞ε//の関係を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記ドット領域内に、反射表示を行う反射表示領域と、透過表示を行う透過表示領域とが設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２０ｍｍ以上の直径と０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、基板表面の法線と、基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線とのなす角度が基板内で３゜以下であり、基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線のばらつきが基板内で４゜以下であり、表面、裏面ともに研磨されていることを特徴とするＧａＮ単結晶基板。 
【請求項２】  研磨後の基板の反りが２インチ径（５０ｍｍ径）に換算して２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項３】  基板表面は、ＧａＮ（０００１）面であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項４】  （１１１）ＧａＡｓ基板の上に［１１−２］方向に一定間隔をおいて並び［−１１０］方向には半ピッチずれた点状の窓を有するマスク又は［１１−２］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスク若しくは［−１１０］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、ＧａＮバッファ層を設け、ＨＶＰＥ法によりＧａＮをエピタキシャル成長させＧａＡｓ基板およびマスクを除去し、ＧａＮ自立膜とし、少なくとも一面を研磨することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項５】  （１１１）ＧａＡｓ基板の上に［１１−２］方向に一定間隔をおいて並び［−１１０］方向には半ピッチずれた点状の窓を有するマスク又は［１１−２］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスク若しくは［−１１０］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、ＧａＮバッファ層を設け、ＨＶＰＥ法によってＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板およびマスクを除去してＧａＮ基板を得て、そのＧａＮ基板の上にＨＶＰＥ法によってＧａＮ単結晶をエピタキシャル成長せしめ、エピタキシャル成長したＧａＮインゴットから、切断又は劈開により分断して複数のＧａＮ基板とし、ＧａＮ基板の少なくとも一面を研磨することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月16日(2006.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プリフィックスを有し、新しいデパッケタイザ・クラスを収容するパッケージをインストールし；
パッケージ・マネージャによって制御されるリストにパッケージ・プリフィックスを付加し；
データ・ストリームを受け取り；
前記データ・ストリーム中のデータのタイプに依存する複数のデパッケタイザの１つを選択し；
選択された前記デパッケタイザとインターフェースするように構成されるハンドラを見つけるため前記データ・ストリーム中のデータのタイプに依存するプリフィックスのリストを探索し；
選択された前記デパッケタイザに前記データ・ストリームのパケットを提供し；
フレームにパケットを組み込み；
前記フレームを前記ハンドラに提供し；
メディア・データに前記フレームをデコードする：
複数のデパッケタイザを有するコンピュータ・システムにおいて、データ・ストリームのためのデパッケタイザを選択するように構成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード点灯回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードを直列接続した発光ダイオード群を発光させる点灯回路であって、
昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ回路と、その入力端子に接続される直流電源と、前記昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ回路の出力端子に接続される発光ダイオード群と、前記発光ダイオード群と接続される電流検出用抵抗を備え、
前記電流検出用抵抗の端子間電圧を検出し、制御回路の基準電圧との比較に基づいて発光ダイオードを定電流制御することを特徴とする発光ダイオード点灯回路。
【請求項２】
前記基準電圧を変化させることで、前記発光ダイオードの電流値を変化させ調光することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード点灯回路。
【請求項３】
前記発光ダイオードに白色発光ダイオードを使用することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード点灯回路。
【請求項４】
それぞれ発光色が異なる発光ダイオードを接続した発光ダイオード点灯回路を３回路以上構成し、各発光ダイオード点灯回路による発光ダイオードの輝度を調整することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光ダイオード点灯回路。
【請求項５】
前記発光ダイオード点灯回路を液晶バックライトに用いたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオード点灯回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード群を発光させる点灯回路であって、特にはノートパソコンや液晶テレビなどの、ディスプレイに使用される液晶バックライト駆動回路に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の発光ダイオードを直列接続した発光ダイオード群を発光させる点灯回路であって、昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ回路と、その入力端子に接続される直流電源と、前記昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ回路の出力端子に接続される発光ダイオード群と、前記発光ダイオード群と接続される電流検出用抵抗を備え、前記電流検出用抵抗の端子間電圧を検出し、制御回路の基準電圧との比較に基づいて発光ダイオードを定電流制御することを特徴とする発光ダイオード点灯回路である。
本発明においては、前記基準電圧を変化させることで、前記発光ダイオードの電流値を変化させ調光するのが好ましい。
前記発光ダイオードに白色発光ダイオードを使用するのも好ましい。
また、それぞれ発光色が異なる発光ダイオードを接続した発光ダイオード点灯回路を３回路以上構成し、各発光ダイオード点灯回路による発光ダイオードの輝度を調整するのも好ましい。
前記発光ダイオード点灯回路を液晶バックライトに用いるのも好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、水銀を使用しない光源の発光ダイオードを数多く同時に安定発光させることができる発光ダイオード点灯回路である。本発明においては、発光ダイオードを直列接続することで、順電圧が異なるものを組合わせて用いても良く、入力電源の電圧が変動しても安定発光できるように、発光ダイオードの電流を定電流制御する。
例えば７５個の発光ダイオードを直列接続すると、１個あたり２Ｖとしても、１５０Ｖの電圧を供給可能な電源が必要であるが、本発明では９Ｖ〜２０Ｖの任意電圧の電源を受け、昇圧型のＤＣ／ＤＣコンバータを用いることで、発光ダイオードに１５０Ｖの電圧を与える。
また、２５個の発光ダイオードを直列接続して、回路構成を３回路に分割するとで、電圧は取扱い易い５０Ｖにできる。このとき、赤色、緑色、青色、３種類の発光ダイオードを、３回路に分離制御すれば、発光色を白色に調整できる。
（実施例１）
本発明による一実施例を図１に示す。図１は昇圧型のチョッパ回路構成にする場合である。コンデンサ７１は、電源１に並列接続している。電源１の正端子は、インダクタ３１を経由して半導体スイッチ５１のドレイン端子とダイオード６１のアノード端子に接続している。ダイオード６１のカソード端子は、コンデンサ７２と制御回路４１の電源端子４１１と発光ダイオード２０１のアノード端子に接続している。発光ダイオード２０１〜２２５は、直列接続している。発光ダイオード２２５のカソードは、制御回路４１の検出端子４１５と抵抗８２に接続している。電源１の負端子は、半導体スイッチ５１のソース端子と制御回路４１の共通端子４１２とコンデンサ７２と抵抗８２に接続している。半導体スイッチ５１のゲート端子は、制御回路４１の駆動端子４１３に接続している。発光輝度設定用の可変抵抗器８１は制御回路４１に接続している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２を用いて、図１の動作を詳細に説明する。電源１と並列接続のコンデンサ７１はリップル電流の平滑用で、無くても動作に障害はない。半導体スイッチ５１は、制御回路４１のパルス電圧信号を受けて開閉する。半導体スイッチ５１が閉しているときは、電源１からインダクタ３１を通して、半導体スイッチ５１のドレイン端子からソース端子を経由して、電源１の負端子へ電流が流れる。このインダクタ３１の電流は図２の「５１の電流波形」になり、半導体スイッチ５１が閉している時間に、時間とともに上昇する。半導体スイッチ５１が開すると、インダクタ３１の電流は流れ続けようと逆起電力が発生して、図２の「５１の電圧波形」に示す通り、半導体スイッチ５１のドレイン端子電圧は上昇する。この逆起電力により、電源１の電圧より高い電圧を発生する。このとき、インダクタ３１の電流は、半導体スイッチ５１からダイオード６１へ転流する。ダイオード６１へ転流した電流は、図２の「６１の電流波形」に示す通り、発光ダイオード２０１〜２２５と抵抗８２を経由して、電源１の負端子は流れる。コンデンサ７２は、発光ダイオード２０１〜２２５に流れる電流のリップル分を平滑するものである。抵抗８２の端子間電圧を検出して、制御回路４１の内部の基準電圧と検出電圧と比較、その誤差電圧を増幅した電圧信号をパルス幅信号に変換する。このパルス幅信号は、駆動端子４１３より半導体スイッチ５１を開閉駆動する。この制御回路は、負帰還制御動作により、抵抗８２の端子間電圧は、制御回路４１の内部基準電圧と等しく安定する。この電圧を、２Ｖに設定して、抵抗８２は、１００Ωを採用すれば、発光ダイオード２０１〜２２５と抵抗８２の電流は、２０ｍＡに安定する。
半導体スイッチ５１の開閉を停止して開にすれば、昇圧動作が停止する。電源１の電圧が２０Ｖ以下であれば、２５個の発光ダイオード２０１〜２２５が直列接続のため、１個あたり０．８Ｖで、発光ダイオードには電流が流れずに消灯できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ビフェニルテトラカルボン酸一無水物の含有量が０．４％以下であることを特徴とするビフェニルテトラカルボン酸二無水物。
【請求項２】  ２０℃のビフェニルテトラカルボン酸二無水物を昇温速度１０℃／ｍｉｎで２４８℃まで昇温させ、２４８℃到達後３０分経過するまでの総気化水分量が、該ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中の水分濃度として５００ｐｐｍ以下であり、且つこの昇温過程に於いて、２１０℃以降の総気化水分量が、該ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中の水分濃度として２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のビフェニルテトラカルボン酸二無水物。
【請求項３】  水分含有量が２００ｐｐｍ以下であり且つ温度が３０℃以下の不活性ガス雰囲気下でビフェニルテトラカルボン酸二無水物を粉砕することにより、ビフェニルテトラカルボン酸一無水物の含有量が０．４％以下であるビフェニルテトラカルボン酸二無水物を得ることを特徴とする、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の製造方法。
【請求項４】  請求項３において、得られたビフェニルテトラカルボン酸二無水物が、
２０℃のビフェニルテトラカルボン酸二無水物を昇温速度１０℃／ｍｉｎで２４８℃まで昇温させ、２４８℃到達後３０分経過するまでの総気化水分量が、該ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中の水分濃度として５００ｐｐｍ以下であり、且つこの昇温過程に於いて、２１０℃以降の総気化水分量が、該ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中の水分濃度として２００ｐｐｍ以下である、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の製造方法。
【請求項５】  水分含有量が２００ｐｐｍ以下であり且つ温度が３０℃以下の不活性ガス雰囲気下でビフェニルテトラカルボン酸二無水物を粉砕して、ビフェニルテトラカルボン酸一無水物の含有量が０．４％以下であるビフェニルテトラカルボン酸二無水物を得た後、これを芳香族ジアミン類と重合させるか又はこれを芳香族ジアミン類と重合させて得たポリアミック酸を閉環イミド化することにより、ポリイミドを得ることを特徴とする、ポリイミドの製造方法。
【請求項６】  請求項５において、粉砕して得たビフェニルテトラカルボン酸二無水物が、２０℃のビフェニルテトラカルボン酸二無水物を昇温速度１０℃／ｍｉｎで２４８℃まで昇温させ、２４８℃到達後３０分経過するまでの総気化水分量が、該ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中の水分濃度として５００ｐｐｍ以下であり、且つこの昇温過程に於いて、２１０℃以降の総気化水分量が、該ビフェニルテトラカルボン酸二無水物中の水分濃度として２００ｐｐｍ以下である、ポリイミドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスプレイの隔壁形成用ガラスペーストならびにそれを用いたディスプレイ用部材およびディスプレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも感光性有機成分、ガラス転移点が４００〜５５０℃、荷重軟化点が４５０〜６００℃の低融点ガラスおよび酸化剤を含有することを特徴とするディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項２】酸化剤が、無機酸化剤を含有することを特徴とする請求項１記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項３】無機酸化剤の平均粒径が０．０１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項４】酸化剤が、マンガン化合物および／またはクロム酸化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項５】低融点ガラス１００重量部に対し、酸化剤を０．０１〜３重量部含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項６】さらにアルミナ、チタニア、シリカおよび高融点ガラスの群から選ばれた少なくとも一種類のフィラーを含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項７】低融点ガラスが酸化リチウムおよびまたは酸化ビスマスを含有することを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペースト。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のディスプレイの隔壁形成用ガラスペーストを用いて隔壁を形成したことを特徴とするディスプレイ用部材。
【請求項９】隔壁にマンガン化合物および／またはクロム酸化合物を含有することを特徴とするディスプレイ用部材。
【請求項１０】隔壁および誘電体にマンガン化合物および／またはクロム酸化合物を含有することを特徴とするディスプレイ用部材。
【請求項１１】請求項８〜１０のいずれかに記載のディスプレイ用部材を用いたことを特徴とするディスプレイ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイの隔壁形成用ガラスペーストおよびそれを用いたディスプレイ用部材およびディスプレイ並びにディスプレイ用部材の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は下記の構成を有する。すなわち本発明のディスプレイの隔壁形成用ガラスペーストは、少なくとも感光性有機成分、低融点ガラスおよび酸化剤を含有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のディスプレイ用部材は上記ディスプレイの隔壁形成用ガラスペーストを用いて製造した隔壁にマンガン化合物および／またはクロム酸化合物を含有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  長い共役端部から短い共役端部に向かう反射屈折縮小投影光学系において、
異なった相対的配向を有する複数のレチクル特徴を有するレチクル；
前記レチクルに隣接して配置された第１の１／４波長板、それにより円偏光された光が前記レチクル通過して前記レチクル特徴の異なった相対的配向から生じる回折非対称を回避することができる；
前記第１の１／４波長板に隣接して配置された第１レンズ群、該レンズ群内の少なくとも１つは第１の非球面を有する；
前記第１レンズ群に隣接して配置された偏向鏡；
前記第１レンズ群及び前記偏向鏡に引き続く第２レンズ群、該第２レンズ群内の少なくとも１つのレンズは第２の非球面を有する；
前記第２レンズ群に隣接して配置されたビームスプリッタ；
前記ビームスプリッタに隣接して配置された凹面鏡；
前記ビームスプリッタと前記凹面鏡の間に配置された第２の１／４波長板；
前記ビームスプリッタに隣接し前記凹面鏡の反対側に配置された第３レンズ群、該第３レンズ群はその中にフッ化カルシウムからなるレンズの大部分を有し、前記第３レンズ群内の少なくとも１つのレンズは第３の非球面表面を有する；及び
前記ビームスプリッタと前記第３レンズ群の間に配置された第３の１／４波長板
からなり、それによりレチクルの縮小された像が感光性表面に投影されることを特徴とする反射屈折縮小投影光学系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】  ほぼ以下の第４表に記載の構造データに基づく構造からなり：
【表１】
2002090626.tif 000001
かつ非球面定数Ａ（１）及びＡ（２）が以下の方程式及び第４Ａ表に基づき設けられており：
【数１】
2002090626.tif 000002
【表２】
2002090626.tif 000003
それにより像野が形成されることを特徴とする縮小光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
これらの液状ソルダーレジスト組成物は、エポキシアクリレートにカルボキシル基を導入することによって、光感光性や希アルカリ水溶液での現像性を付与させたものであるが、この組成物にはさらに、その塗膜を露光、現像処理して所望のレジストパターンを形成した後、通常、熱硬化させるために、熱硬化性成分として、一般的にはエポキシ樹脂を含有させ、上記のエポキシアクリレートに導入した側鎖のカルボキシル基とエポキシ基とを反応させ、密着性、硬度、耐熱性、電気絶縁性などに優れるレジスト膜を形成させている。この場合、一般的にはエポキシ樹脂とともに、エポキシ樹脂用硬化剤が併用される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる樹脂、及び
（Ｂ）活性光線または放射線の照射により、少なくとも１つ以上の、フッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】  （Ｄ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する分子量３０００以下の化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】  （Ｆ）含窒素塩基性化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】  （Ｇ）フッ素系またはシリコン系界面活性剤をさらに含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】  （Ｂ）成分が、下記式（Ｉ）〜（III）のいずれかの式で表される構造を有する、少なくとも１つ以上の、フッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物であることを特微とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化１】
2002090988.tif 000001
（上記式中、Ｒ1 〜Ｒ37は、水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−Ｓ−Ｒ38基を表す。ここでＲ38は直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。Ｘ-はフッ素原子を含有する基の少なくとも１つ以上で置換された芳香族スルホン酸のアニオン。）
【請求項６】  式（Ｉ）〜（III）におけるＸ-が、少なくとも１つ以上のパーフルオロアルキル基で置換された芳香族スルホン酸アニオンであることを特微とする請求項５に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】  （Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が、下記一般式（IV）及び（Ｖ）で表される繰り返し構造単位を含む樹脂であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2002090988.tif 000002
（上記一般式（IV）中、Ｌは、水素原子、置換されていてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。）
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。