【事件の表示】
　平成　９年特許願第　４０３８８号「低ノイズ・高直線性のＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　９月１９日出願公開、特開平　９−２４６８７７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年２月２５日（パリ条約による優先権主張　１９９６年３月５日（ＵＳ）アメリカ合衆国）の出願であって、特許請求の範囲の請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１１年４月７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項３に記載された以下のとおりのものと認める。
　
「ゲート、ドレイン及びソース端子を有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備え、上記ＨＥＭＴのゲート端子が電気的に接地され、上記ソース端子が第１の外部端子に電気的に接続され、
　ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を備え、上記ＨＢＴのベース端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続され、上記エミッタ端子及び上記コレクタ端子が外部電気回路に接続するための第２及び第３の外部端子に電気的に接続される、
　ことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）３端子装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された「ＩＥＥＥ　ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＡＮＤ　ＧＵＩＤＥＤ　ＷＡＶＥ　ＬＥＴＴＥＲＳ，ＶＯＬ．６，ＮＯ．１，ＪＡＮＵＡＲＹ　１９９６、５５〜５７頁」（以下、「引用例」という。）には、本件発明の発明者が投稿した論文が掲載されており、次の事項が記載されている。
　
（１）［要約］モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）において、ＨＢＴダーリントン接続帰還型増幅器の入力端にゲート接地ＨＥＭＴを直結することでアクティブ入力整合が得られる。ＨＥＭＴとＨＢＴは選択的なＭＢＥを用いる同一チップ上に集積化される。この回路は大きなマイクロストリップ整合素子を不要にするアクティブインピーダンス整合技術を特徴としている。この新規な増幅器は直流から５ＧＨｚまでの帯域にわたり１０ｄＢ以上のゲインを有し、ＩＰ３の最大値は２７ｄＢｍ、ノイズ特性の最小値は３．７ｄＢである。ＨＢＴのみからなるダーリントン接続のものに比べ、ゲート接地ＨＥＭＴを採用したものはＩＰ３に関して６ｄＢ改善され、ノイズ特性は１．５〜２ｄＢ減少した。ゲート接地ＨＥＭＴのバイアスを調整することにより、入力反射損失は５０Ω系整合理論値に設定できる。能動的に整合されるＨＥＭＴ−ＨＢＴ増幅器は、その効率を改良するとともに、ＨＥＭＴ−ＨＢＴ　ＭＭＩＣのチップ面積およびコストの減少を可能とする能動回路技術である。（５５頁左欄［要約］）
　
（２）（図１に関し）Ｍ１はゲート接地のＨＥＭＴであり、ソースが入力端に接続され、ドレインがＨＢＴＱ１のベースに接続されている。Ｑ１のエミッタは抵抗Ｒｂｉａｓを介して接地されるとともにＨＢＴＱ２のベースにも接続されている。Ｑ１のコレクタはＲｏｕｔを介して出力端に接続されるとともに、抵抗Ｒｌｏａｄを介してＶｃｃ電源に接続されている。また、Ｑ１のコレクタとベースの間には抵抗Ｒｆｂが接続されており、Ｑ２のエミッタは抵抗Ｒｅｅを介して接地され、Ｑ２のコレクタはＱ１のコレクタに接続されている。（５６頁図１）
　
（３）図２はＨＥＭＴ−ＨＢＴからなるＭＭＩＣのマイクロ写真であり、ＨＥＭＴとＨＢＴが同一基板に３端子装置として形成されている。（５６頁図２）
　
　以上の記載及び図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記引用例には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「ゲート、ドレイン及びソース端子を有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備え、上記ＨＥＭＴのゲート端子が電気的に接地され、上記ソース端子が入力端に電気的に接続され、
　ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有する第１及び第２のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を備え、第１のＨＢＴのベース端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続され、第１のＨＢＴのエミッタ端子が抵抗Ｒｂｉａｓを介して接地され、第１のＨＢＴのコレクタ端子がＲｏｕｔ、Ｒｌｏａｄ及びＲｆｂを介してそれぞれ出力端、Ｖｃｃ電源及び第１のＨＢＴのベースに電気的に接続され、第２のＨＢＴのベースが第１のＨＢＴのエミッタに接続され、第２のＨＢＴのエミッタが抵抗Ｒｅｅを介して接地され、第２のＨＢＴのコレクタが第１のＨＢＴのコレクタに接続される、
　ことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）３端子装置。」
　
　また、例えば特開昭６０−４６０６３号公報２頁左下欄４〜５行目に記載されているように、ＩＣ中の抵抗素子を外付けにするか又は拡散により設けるかは単なる設計的事項である。ここで、「抵抗を外付けにする」ということは回路上の抵抗と例えばトランジスタの端子間にＩＣとしての出力端子を設けることである。
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比するに、本願発明の「第１の外部端子」、「ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）」はそれぞれ引用発明の「入力端」、「ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有する第１のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）」に対応している。
　したがって、本願発明と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりである。
　
＜一致点＞
「ゲート、ドレイン及びソース端子を有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備え、上記ＨＥＭＴのゲート端子が電気的に接地され、上記ソース端子が第１の外部端子に電気的に接続され、
　ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を備え、上記ＨＢＴのベース端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続される、
　ことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）３端子装置。」
　
＜相違点＞
　本願発明にかかるＨＢＴの「エミッタ端子及びコレクタ端子」は「エミッタ端子及びコレクタ端子が外部電気回路に接続するための第２及び第３の外部端子に電気的に接続される」ものであるのに対し、引用発明にかかるＨＢＴ（第１のＨＢＴ）の「エミッタ端子及びコレクタ端子」は「エミッタ端子が抵抗Ｒｂｉａｓを介して接地され、コレクタ端子がＲｏｕｔ、Ｒｌｏａｄ及びＲｆｂを介してそれぞれ出力端、Ｖｃｃ電源及び第１のＨＢＴのベースに電気的に接続され、第２のＨＢＴのベースが前記エミッタに接続され、第２のＨＢＴのエミッタが抵抗Ｒｅｅを介して接地され、第２のＨＢＴのコレクタが前記コレクタに接続される」ものである点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点について検討するに、まず、引用発明の第２のＨＢＴおよび抵抗Ｒｅｅに関する構成は所望の増幅度を得るための単なる増幅器の多段接続であって、この増幅段を設けるか否かは設計的事項である。したがって、この増幅段を除去することは容易なことである。
　また、引用発明における抵抗Ｒｆｂは、増幅器の安定動作のために所望に応じて挿入されるフィードバック抵抗であり、この抵抗を挿入するか否かも単なる設計的事項である。したがって、この抵抗を除去することは容易なことである。
　そして、上記引用発明における抵抗（Ｒｂｉａｓ、Ｒｏｕｔ、Ｒｌｏａｄ）は、上記集積回路技術の設計的事項として指摘した技術手段によれば、「外付け」の抵抗として構成し得るものである。すると、引用発明の「第１のＨＢＴのエミッタと抵抗Ｒｂｉａｓの間」および「第１のＨＢＴのコレクタと抵抗Ｒｏｕｔ及びＲｌｏａｄの間」がそれぞれＩＣとしての「第２の外部端子」および「第３の外部端子」となることは自明のことである。また、それぞれの抵抗が「外部電気回路」を構成することも自明のことである。したがって、これらの抵抗を外付け構成として、当該抵抗の接続点を「外部端子」とすることは容易なことである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び上記設計的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。