【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
所定の容器内において、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む物質との混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、ＩＩＩ族金属と窒素から構成されるＩＩＩ族窒化物を結晶成長させるＩＩＩ族窒化物結晶成長方法であって、混合融液の表面を混合融液内に窒素が導入可能な状態にして、ＩＩＩ族窒化物を成長させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項２】 
請求項１記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、前記アルカリ金属の純度、および／または、ＩＩＩ族金属を含む物質の純度、および／または、窒素を含む物質の純度は、混合融液の表面の少なくとも一部が多結晶もしくは非品質のＩＩＩ族窒化物で覆われない状態となるのに必要な純度となっていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項３】 
請求項１または請求項２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、前記アルカリ金属には、Ｎａが用いられることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項４】 
請求項１または請求項２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、前記ＩＩＩ族金属には、Ｇａが用いられることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項５】 
請求項１または請求項２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、少なくとも窒素を含む物質には、窒素ガス，アンモニアガスまたはアジ化ナトリウムが用いられることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項６】 
請求項１または請求項２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、前記所定の容器は、ＢＮで形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、前記所定の容器は、ＡｌＮで形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項８】 
請求項１または請求項２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、前記所定の容器は、パイロリティックＢＮで形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長方法。
【請求項９】 
アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む物質との混合融液を保持する混合融液保持容器と、混合融液保持容器が設置される反応容器と、前記反応容器内に少なくとも窒素を含む物質を導入するための窒素導入手段とを少なくとも有しており、前記混合融液が混合融液保持容器と接する領域は、不純物が少ない十分な純度を有していることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
【請求項１０】 
請求項９記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記混合融液保持容器は、パイロリティックＢＮで形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１１】 
請求項９記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記混合融液保持容器の内側には、ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置によって結晶成長されるＩＩＩ族窒化物と同種のＩＩＩ族窒化物が予め塗布されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１２】 
アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む物質との混合融液を保持する反応容器と、前記反応容器内に少なくとも窒素を含む物質を導入するための窒素導入手段とを少なくとも有し、前記反応容器は、容器外壁と、混合融液を実質的に保持するための容器内壁とにより構成されており、前記混合融液が前記容器内壁と接する領域は、不純物が少ない十分な純度を有していることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１３】 
請求項１２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記容器外壁はステンレスで形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１４】
請求項１２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記容器内壁はパイロリティックＢＮで形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１５】 
請求項１２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記容器内壁の内側には、ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置によって結晶成長されるＩＩＩ族窒化物と同種のIII族窒化物が予め塗布されていてことを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１６】 
請求項９または請求項１２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記アルカリ金属には、Ｎａが用いられることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１７】 
請求項９または請求項１２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、前記ＩＩＩ族金属には、Ｇａが用いられることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１８】 
請求項９または請求項１２記載のＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、少なくとも窒素を含む物質には、窒素ガス，アンモニアガスまたはアジ化ナトリウムが用いられることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶成長装置。
【請求項１９】
アルカリ金属とＩＩＩ族金属とを含む混合融液を保持する反応容器と、
前記反応容器内へ窒素を含む物質を表面から前記混合融液に供給する供給手段とを備える結晶製造装置。
【請求項２０】
前記混合融液に接する前記反応容器の領域は、不純物が少ない十分な純度を有する、請求項１９に記載の結晶製造装置。
【請求項２１】
前記反応容器は、パイロリティックＢＮからなる、請求項２０に記載の結晶製造装置。
【請求項２２】
前記反応容器の内面は、ＩＩＩ族窒化物が塗布されている、請求項２０に記載の結晶製造装置。
【請求項２３】
前記反応容器は、
容器外壁と、
前記混合融液を実質的に保持するための容器内壁とを含み、
前記混合融液に接する前記容器内壁の領域は、前記不純物が少ない十分な純度を有する、請求項２０に記載の結晶製造装置。
【請求項２４】
前記容器外壁は、ステンレスからなる、請求項２３に記載の結晶製造装置。
【請求項２５】
前記容器内壁は、パイロリティックＢＮからなる、請求項２３または請求項２４に記載の結晶製造装置。
【請求項２６】
前記アルカリ金属は、Ｎａである、請求項１９から請求項２５のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項２７】
前記ＩＩＩ族金属は、Ｇａである、請求項１９から請求項２６のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項２８】
前記窒素を含む物質は、窒素ガス、アンモニアガスおよびアジ化ナトリウムのいずれかである、請求項１９から請求項２７のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項２９】
前記純度は、９９．９％以上である、請求項１９から請求項２８のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３０】
前記純度は、９９．９５％以上である、請求項１９から請求項２８のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３１】
アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液を反応容器内に保持する工程と、
前記反応容器内へ窒素を含む物質を前記混合融液の表面から供給する工程とを備えるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項３２】
前記アルカリ金属の純度は、９９％以上である、請求項３１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項３３】
前記アルカリ金属の純度は、９９．９％以上である、請求項３１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項３４】
前記アルカリ金属の純度は、９９．９５％以上である、請求項３１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項３５】
アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液に窒素を含む物質を供給してＩＩＩ族窒化物結晶を製造する工程と、
前記製造されたIII族窒化物結晶を用いてデバイスを製造する工程とを備えるデバイスの製造方法。
【請求項３６】
前記III族窒化物結晶を製造する工程において、前記III族窒化物結晶は、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の結晶成長方法を用いて製造される、請求項３５に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３７】
前記アルカリ金属の純度は、９９％以上である、請求項３６に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３８】
前記アルカリ金属の純度は、９９．９％以上である、請求項３６に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３９】
前記アルカリ金属の純度は、９９．９５％以上である、請求項３６に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４０】
前記III族窒化物結晶を製造する工程において、前記III族窒化物結晶は、請求項３１から請求項３４のいずれか１項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法を用いて製造される、請求項３５に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４１】
前記デバイスは、発光デバイスまたは電子デバイスである、請求項３５から請求項４０のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。