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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
図１は本発明の実施例を示すウェハ搬送装置の構成図である。図において、２０はウェハ搬送用ロボットであり、その先端にはウェハを載置するハンド２１が装着されている。ウェハ搬送用ロボット２０は、回転軸、伸縮軸、上下軸の３軸構成であり、処理ユニット内のウェハ載置用ステージ１０にウェハの搬入／搬出動作を行う。この例では、ウェハは載置ステージ１０上の３本のピン１１の上に置かれる。
教示作業に際しては、ウェハの代わりにハンド２１に教示用治具１を載置する。
また教示用治具１はハンド２１に載置可能なようにウェハと同一径を有する円板状をなしている。さらに、図示しないが教示用治具１はハンド２１に載置される際に常に一定の向きになるよう位置決め機構を有していて、ハンド２１に対する教示冶具１の位置は一定の公差範囲内に収まるようになっている。教示用治具１上には撮像手段のカメラ２と投光手段のレーザ投光器３が設けられている。カメラ２は教示用治具１の中心に下側を撮影するように設置されており、できるだけ小型・軽量であることが望ましい。また、レーザ投光器３は、スポット形や十字形状などのパターン光を照射する。
教示作業では上位制御装置３０が、ロボットコントローラ３２にロボット２０の動作指令や、レーザ投光器３のオン・オフ指令を出す。そしてカメラ２の映像を画像処理装置３１で処理し、その結果が上位制御装置３０に送られ、ここでロボットの教示位置や姿勢が計算される。なお、ここでは上位制御装置３０，画像処理装置３１，ロボットコントローラ３２を個別に示したが、これらの機能を１体の制御装置に集約してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
以上、説明したような本発明は次のような効果を奏する。
請求項１記載の搬送用ロボットによれば、撮像手段を利用することによりロボットのサーチ動作が不要となり、さらに作業者が近づけない箇所の教示が可能となる効果がある。
請求項２記載の搬送用ロボットの制御方法によれば、作業者がウェハ等の搬送の教示位置に接近することが出来ない箇所でも、載置位置とロボットのハンドとの距離を所定の値にできる効果がある。
請求項３ないし請求項８記載の搬送用ロボットの制御方法によれば、載置位置までの距離だけでなく、載置位置の面に対してロボットのハンドの面を平行にする姿勢も教示できる効果がある。
請求項９および請求項１０記載の搬送用ロボットの制御方法によれば、薄型治具を用いることにより、ウェハの載置方法がエッジグリップや縦置きの場合でも、教示できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例を示す教示用治具の中心付近の斜視図である。
【図３】教示用治具と載置ステージの位置関係を説明する側面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す教示用治具の中心付近の斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示す説明図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示す斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す位置決めマークの画像の例である。
【図８】本発明の第３の実施例を示す位置決めマークの別の画像の例である。
【図９】本発明の第４の実施例を示す斜視図である。
【図１０】従来技術の例を示すセンタリング治具の斜視図である。
【図１１】従来技術の例を示すセンシング治具の斜視図である。
【符号の説明】
１：教示用治具 ２：カメラ ３：レーザ投光器 ４：レーザ投光器の光軸
５：スポット光 ６：十字パターン光 ７：載置ステージ上の位置決めマーク
８：薄型治具 ９：薄型治具上の位置決めマーク １０：載置ステージ
１１：３本ピン １２：縦置きウェハ用のスタンド ２０：搬送用ロボット
２１：ハンド ２２：走行軸 ２３：ハンド用回転軸
２５：ロボットのウェハ挿入方向 ２６：ロボットの走行方向
２７：ハンド用回転軸の回転方向 ３０：上位制御器 ３１：画像処理装置
３２：ロボットコントローラ ８０：センタリング治具 ９０：センシング治具
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膨張クッションとインフレータとを収容するように形成されたチャンバーと、
前記チャンバーの開口と、
前記開口から離間するように突出し且つ前記膨張クッションと連結された、前記チャンバーの外延部と、
前記膨張クッションとチャンバーとを収容し得る大きさの開口側を有する容器と、
前記インフレータを収容し得る大きさを有する、前記容器の一端に設けられた口と、を備えている膨張拘束モジュール。
【請求項２】
前記膨張クッションを覆うように形成されたカバーを備える請求項１に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項３】
前記膨張クッションの一部は前記カバーに取着されており、前記カバーは、前記膨張クッションの前記一部を前記開口から離間させた状態で維持するように、前記外延部に取着されている請求項２に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項４】
前記カバーは前記外延部と容器とに取着されている請求項２に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項５】
前記カバーは前記外延部と一体的に形成されている請求項２に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項６】
前記膨張クッションは、前記インフレータを収容するように形成されている請求項１に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項７】
膨張クッションとインフレータとを収容するように形成されたチャンバーと、
前記チャンバーの開口と、
前記開口から離間するように突出し且つ前記膨張クッションと連結された、前記チャンバーの外延部と、
前記クッションを覆うように形成されたカバーと、
前記膨張クッションとチャンバーとを収容し得る大きさの開口側を有する容器と、
前記インフレータを収容し得る大きさを有する、前記容器の一端に設けられた口と、を備えている膨張拘束モジュール。
【請求項８】
前記膨張クッションの一部は、該一部を前記チャンバーの前記開口から離間させた状態で維持するように、前記外延部に取着されている請求項１又は７に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項９】
前記チャンバーと外延部とは一体的に形成されている請求項１又は７に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１０】
前記チャンバーはプラスチック製である請求項１又は７に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１１】
前記チャンバーの前記開口は、該チャンバーの全長に渡って延びている請求項１又は７に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１２】
前記カバーは前記膨張クッションを取り囲むように形成されている請求項７に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１３】
前記カバーは、前記クッションを覆うべく、少なくとも前記容器の開口側の一部を横切るように前記外延部から延びるように形成されている請求項７に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１４】
インフレータを収容するように形成された膨張クッションと、
前記クッションと前記インフレータとを収容するように形成されたチャンバーと、
前記チャンバーの開口と、
前記開口から離間するように突出し且つ前記膨張クッションと連結された、前記チャンバーの外延部と、
前記クッション及びチャンバーの周りに配置されるように形成されたカバーと、
前記カバーが前記クッション及びチャンバーの周りに配置された状態で前記カバー、クッション及びチャンバーを収容し得る大きさの開口側を有する容器と、
前記インフレータを収容し得る大きさを有する、前記容器の一端に設けられた口と、を備えている膨張拘束モジュール。
【請求項１５】
前記外延部に設けられた一組のタブと、
それぞれ、前記一組のタブを受け止めるとともに、前記カバーを前記クッション及びチャンバーの周りに固定するように、前記カバーに配置されている第１組及び第２組の開口と、を備えている請求項１４に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１６】
前記カバーは織物製である請求項７又は１４に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１７】
前記膨張クッションの内部に配置されたインフレータが作動したときに前記インフレータによって発生する熱から前記クッションを保護するべく、前記インフレータを収容するように形成された熱シールドを備える請求項６又は１４に記載の膨張拘束モジュール。
【請求項１８】
前記熱シールドは織物製である請求項１７に記載の膨張拘束モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ガス供給源からのガスと液体の供給を受けてミストを生成し容器内に噴射する噴射器と、前記容器内の前記ミストを前記容器から導出する導管と、前記導管に連通するキャリアガス噴出口とを備えたミスト生成装置において、
前記ガス供給源から前記噴射器へガスを供給するガス供給路内に設置された第１の圧力制御手段と、
前記ガス供給源から前記キャリアガス噴出口へキャリアガスを供給するキャリアガス供給路内に設置され、二次側圧力を前記第１の圧力制御手段の二次側圧力を一定の比率で減圧した圧力に制御する第２の圧力制御手段とを備えたことを特徴とするミスト生成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ガス供給源からのガスと液体の供給を受けてミストを生成し容器内に噴射する噴射器と、前記容器内の前記ミストを前記容器から導出する導管と、前記導管に連通するキャリアガス噴出口とを備えたミスト生成装置において、
前記ガス供給源から前記噴射器へガスを供給するガス供給路内に設置された第１の圧力制御手段と、
前記ガス供給源から前記キャリアガス噴出口へキャリアガスを供給するキャリアガス供給路内に設置され、二次側圧力を前記第１の圧力制御手段の二次側圧力を一定の差圧で減圧した圧力に制御する第２の圧力制御手段とを備えたことを特徴とするミスト生成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
ガス供給源からのガスと液体の供給を受けてミストを生成し容器内に噴射する噴射器と、前記容器内の前記ミストを前記容器から導出する導管と、を備えたミスト生成装置において、
前記容器内の圧力を減圧する内圧減圧手段を有することを特徴とするミスト生成装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明のミスト生成装置は、ガス供給源からのガスと液体の供給を受けてミストを生成し容器内に噴射する噴射器と、前記容器内の前記ミストを前記容器から導出する導管と、前記導管に連通するキャリアガス噴出口とを備えたミスト生成装置において、前記ガス供給源から前記噴射器へガスを供給するガス供給路内に設置された第１の圧力制御手段と、前記ガス供給源から前記キャリアガス噴出口へキャリアガスを供給するキャリアガス供給路内に設置され、二次側圧力を前記第１の圧力制御手段の二次側圧力を一定の比率で減圧した圧力に制御する第２の圧力制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他のミスト生成装置は、ガス供給源からのガスと液体の供給を受けてミストを生成し容器内に噴射する噴射器と、前記容器内の前記ミストを前記容器から導出する導管と、前記導管に連通するキャリアガス噴出口とを備えたミスト生成装置において、前記ガス供給源から前記噴射器へガスを供給するガス供給路内に設置された第１の圧力制御手段と、前記ガス供給源から前記キャリアガス噴出口へキャリアガスを供給するキャリアガス供給路内に設置され、二次側圧力を前記第１の圧力制御手段の二次側圧力を一定の差圧で減圧した圧力に制御する第２の圧力制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の更に他のミスト生成装置は、ガス供給源からのガスと液体の供給を受けてミストを生成し容器内に噴射する噴射器と、前記容器内の前記ミストを前記容器から導出する導管と、を備えたミスト生成装置において、前記容器内の圧力を減圧する内圧減圧手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の刃と、第２の刃と、該両刃を回動自在に支持する支持手段と、を有する鋏を用いた切断装置において、
前記第１の刃と前記第２の刃を前記支持手段を中心にして相対的に回動させる回動力付勢手段と、
前記第１の刃又は前記第２の刃に前記回動力付勢手段が当接する当接部を設け、
該当接部を前記回動力付勢手段の移動方向に対し斜面に形成して、該斜面を介して前記回動力付勢手段の移動力を前記第１の刃又は前記第２の刃の回動力と摺接力とに分配することにより、前記回動力付勢手段が前記第１の刃又は前記第２の刃の少なくとも一方の刃が前記支持手段を支点として他方の刃に摺接する力を付与する摺接力付与手段を兼ねるようにしたことを特徴とする切断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の切断装置は、第１の刃と、第２の刃と、該両刃を回動自在に支持する支持手段と、を有する鋏を用いた切断装置において、前記第１の刃と前記第２の刃を前記支持手段を中心にして相対的に回動させる回動力付勢手段と、前記第１の刃又は前記第２の刃に前記回動力付勢手段が当接する当接部を設け、
該当接部を前記回動力付勢手段の移動方向に対し斜面に形成して、該斜面を介して前記回動力付勢手段の移動力を前記第１の刃又は前記第２の刃の回動力と摺接力とに分配することにより、前記回動力付勢手段が前記第１の刃又は前記第２の刃の少なくとも一方の刃が前記支持手段を支点として他方の刃に摺接する力を付与する摺接力付与手段を兼ねるようにしたことを特徴とする切断装置、を有して構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
一方、発光層部２４と反射金属層１０ｃとの間には、発光層部側コンタクト金属層としてＡｕＧｅＮｉコンタクト金属層３２（例えばＧｅ：１５質量％、Ｎｉ：１０質量％）が形成されており、素子の直列抵抗低減に貢献している。ＡｕＧｅＮｉコンタクト金属層３２は、発光層部２４の主表面上に分散形成され、その形成面積率は１％以上２５％以下である。また、Ｓｉ単結晶基板７と結合用金属層１０ｋとの間には、Ｓｉ単結晶基板７の主表面と接する形で、基板側コンタクト金属層としてのＡｕＳｂコンタクト金属層３１（例えばＳｂ：５質量％）が形成されている。なお、ＡｕＳｂコンタクト金属層３１に代えてＡｕＳｎコンタクト金属層を用いてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、工程５に進み、上記基板貼り合わせ体５０を、例えば１０％フッ酸水溶液からなるエッチング液に浸漬し、バッファ層２と電流拡散層２０との間に形成したＡｌＡｓ剥離層３を選択エッチングすることにより、ＧａＡｓ単結晶基板１（発光層部２４からの光に対して不透明である）を、発光層部２４とこれに接合されたＳｉ単結晶基板７との積層体５０ａから剥離する。なお、ＡｌＡｓ剥離層３に代えてＡｌＩｎＰよりなるエッチストップ層を形成しておき、ＧａＡｓに対して選択エッチング性を有する第一エッチング液（例えばアンモニア／過酸化水素混合液）を用いてＧａＡｓ単結晶基板１をＧａＡｓバッファ層２とともにエッチング除去し、次いでＡｌＩｎＰに対して選択エッチング性を有する第二エッチング液（例えば塩酸：Ａｌ酸化層除去用にフッ酸を添加してもよい）を用いてエッチストップ層をエッチング除去する工程を採用することもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
Ａｌ系金属層からなる反射金属層１０ｃは、第一Ａｕ系金属層１０ａに包まれる形となり、Ａｌ系反射金属層１０ｃの外周面が、耐食性の高い第一Ａｕ系金属層１０ａの外周縁部１０ｅにより保護されるので、工程５において、発光層成長用基板（ＧａＡｓ単結晶基板１）をエッチングしても、その影響がＡｌ系反射金属層１０ｃに及びにくくなる。ＧａＡｓ単結晶基板１を発光層成長用基板として用い、これをアンモニア／過酸化水素混合液をエッチング液として用いて溶解・除去する場合、Ａｌは該エッチング液に特に腐食されやすいが、上記の構造を採用すれば、問題なくＧａＡｓ単結晶基板１を溶解除去できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005044849.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005044849.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005044849.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】 
基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は、断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であることを特徴とする熱処理装置。  
【請求項２】 
基板を処理室内に搬入する工程と、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であり、前記基板支持体の板状部材に基板を支持する工程と、基板を前記基板支持体に支持した状態で熱処理する工程と、基板を処理室より搬出する工程とを有する基板の製造方法。
【請求項３】
基板と接触して基板を支持する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は、断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であることを特徴とする基板支持体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを用意する工程と、
前記セラミックグリーンシートを１枚ずつまたは複数枚毎に積層ステージ上において熱圧着することにより積層していき、積層体を得る積層工程とを備え、前記熱圧着に際し、下面が平坦な加圧面とされているプレス部材と、前記１枚または複数枚のセラミックグリーンシートが積層されていくシート積層面を上面に有する積層ステージとが用いられ、
前記積層ステージとして、上面のシート積層面が平坦であり、該シート積層面の下方において、前記セラミックグリーンシートの内側領域の下方に相当する位置に空間が設けられている積層ステージが用いられ、
前記積層工程において、１枚または複数枚のセラミックグリーンシートの外周部分に加わる圧力をＰ１、前記外周部分の内側の内側領域に加わる圧力をＰ２としたときに、１０Ｐ２＞Ｐ１＞Ｐ２となるようにして前記熱圧着が行われることを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】  前記積層ステージが、上面が平坦なテーブルと、前記テーブルの上面に配置されており、下面に前記セラミックグリーンシートの外周部分に相当する領域において下方に突出した凸部が形成されており、該凸部で囲まれた領域が凹部とされている積層治具とを備える、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】  前記積層治具が、平板状の第１の部材と、第１の部材の下面に形成されており、下方に突出した前記凸部を構成している第２の部材とを有する、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】  前記積層治具が、上面が平坦であり、かつ下面に前記凹部を有し、凹部の外側の領域が前記凸部を構成しているプレートである、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】  前記積層ステージが、前記１枚または複数枚のセラミックグリーンシートの前記内側領域に相当する領域が凹部とされている上面を有するテーブルと、前記テーブルの上面に積層されており、かつ平板状の部材からなる積層治具とを有する、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】  前記積層工程により得られた積層体を厚み方向に加圧する加圧工程と、
前記加圧工程により加圧された積層体を切断し、個々の積層セラミック電子部品単位の積層体を得る工程と、個々の積層セラミック電子部品単位の積層体を焼成し、焼結体を得る工程とをさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを用意する工程と、前記セラミックグリーンシートを１枚ずつまたは複数枚毎に積層ステージ上において熱圧着することにより積層していき、積層体を得る積層工程とを備え、前記熱圧着に際し、下面が平坦な加圧面とされているプレス部材と、前記１枚または複数枚のセラミックグリーンシートが積層されていくシート積層面を上面に有する積層ステージとが用いられ、前記積層ステージとして、上面のシート積層面が平坦であり、該シート積層面の下方において、前記セラミックグリーンシートの内側領域の下方に相当する位置に空間が設けられている積層ステージが用いられ、前記積層工程において、１枚または複数枚のセラミックグリーンシートの外周部分に、加わる圧力をＰ１、前記外周部分の内側の内側領域に加わる圧力をＰ２としたときに、１０Ｐ２＞Ｐ１＞Ｐ２となるようにして熱圧着が行われることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
また、積層ステージとして、積層面が平坦であり、シート積層面の下方において、セラミックグリーンシートの内側領域の下方に相当する位置に空間が設けられている積層ステージが用いられているので、該空間の外側でセラミックグリーンシートが該空間の上方部分に比べて相対的に強く加圧されるため、本発明に従って、セラミックグリーンシートの外周部分の熱圧着・積層に際しての収縮を確実に抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体貼り合わせ結合体の実施形態を、図面を参照して説明する。
図１及び図２は、本発明の半導体貼り合わせ結合体１００の第二実施形態及び一実施形態を示す概念図である。半導体貼り合わせ結合体１００は、第一半導体層と第二半導体層とが結合金属層５を介して結合されている。また、結合金属層５は、第一半導体層の貼り合わせ面Ａ上に形成された第一結合金属層５ａと、第二半導体層の貼り合わせ面Ｂ上に形成された第二結合金属層５ｂとが結合して形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の半導体貼り合わせ結合体の第二実施形態の概略を表す図
【図２】
本発明の半導体貼り合わせ結合体の第一実施形態の概略を表す図
【図３】
図２の半導体貼り合わせ結合体における凸部の配置形態を表す図
【図４】
３層構造の半導体貼り合わせ結合体の概略を表す図
【図５】
選択的に結合金属層が形成された半導体貼り合わせ結合体の概略を表す図
【図６】
本発明の発光素子の第一実施形態の概略を表す図
【図７】
図６の発光素子の製造工程を表す図
【図８】
本発明の発光素子の第二実施形態の概略を表す図
【符号の説明】
１      発光素子
２      発光層部
３      電流拡散層
４      化合物半導体層
５      結合金属層
５ａ    第一結合金属層
５ｂ    第二結合金属層
６ａ    第一凸部
６ｂ    第二凸部
７      シリコン単結晶基板（素子基板）
８      拡散阻止層
１００  半導体貼り合わせ結合体
Ａ、Ｂ  貼り合わせ面
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月21日(2006.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体デバイスの熱雑音による電流変化を利用してビット列を発生する第１の乱数発生部と、前記第１の乱数発生部で発生されたビット列を入力し、帰還路付きのシフトレジスタを用いて乱数を発生する第２の乱数発生部を有し、
前記第１の乱数発生部は、前記電流変化に基いて発振周波数が変化される発振器を用いて第１のクロック信号を発生する第１のクロック発生部と、前記第１のクロック信号よりも周波数の低い第２のクロック信号を発生する第２のクロック発生部と、前記第２クロック信号に同期して前記第１クロック信号をラッチするサンプル部を有し、前記サンプル部からの出力に基いて前記ビット列を発生することを特徴とする乱数発生装置。
【請求項２】  前記第２のクロック発生部は、前記電流変化に基いて発振周波数が変化される発振器を有することを特徴とする請求項１記載の乱数発生装置。
【請求項３】  前記第１のクロック発生部は、前記電流変化を受ける第１の発振器と前記第１の発振器の発振出力を入力して発振する第２の発振器とを有することを特徴とする請求項１又は２記載の乱数発生装置。
【請求項４】  前記第１の発振器は前記電流変化を生ずる電流源を有することを特徴とする請求項３記載の乱数発生装置。
【請求項５】  前記電流源が動作電源系の同相のノイズ成分をキャンセルする差動アンプを出力段に有することを特徴とする請求項４記載の乱数発生装置。
【請求項６】  前記第１の乱数発生部は、前記サンプル部からの出力をｎビット単位でそのｎビットの論理値１と０の偏りに応じた論理値１又は０に変換して前記第２の乱数発生部に前記ビット列を出力するビットスムース部を有することを特徴とする請求項１記載の乱数発生装置。
【請求項７】  前記ｎビットを可変可能に指定する制御レジスタを有し、前記制御レジスタはバスに接続されることを特徴とする請求項６記載の乱数発生装置。
【請求項８】前記第２の乱数発生部で発生される乱数を保持するデータレジスタを有し、前記データレジスタはバスに接続されることを特徴とする請求項６記載の乱数発生装置。
【請求項９】  半導体基板に請求項７又は８記載の乱数発生装置を有し、前記バスに接続された中央処理装置を有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１０】  前記乱数発生装置は、発生された乱数を保持する乱数レジスタを有し、乱数発生に応じて割り込み要求信号を出力し、前記中央処理装置によって前記乱数レジスタへアクセスされることを特徴とする請求項９記載の半導体集積回路。
【請求項１１】  請求項８記載の乱数発生装置を有し、前記バスに接続された中央処理装置を有し、
前記乱数発生装置は、前記データレジスタに乱数を保持することに応じて割り込み要求信号を出力し、
前記中央処理装置は、前記割り込み要求信号に応じて、前記データレジスタの値を読み出し、所定の処理を実行することを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  歪補正手段を有する画像処理装置であって、
該画像処理装置は、さらに、
前記歪補正手段が歪補正処理を行う入力画像範囲を算出する歪補正範囲算出部を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】  前記歪補正範囲算出部は、
補間座標を生成する座標生成部と、
前記生成された補間座標に対して所定の歪補正式を適用して変換した座標を出力する歪補正座標変換部と、
前記変換された座標位置から前記入力画像範囲を算出する補正範囲検出部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】  前記座標生成部は、歪補正後の出力画像範囲における辺縁部の各画素に対応する座標のみを用いて補間座標を生成することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】  前記出力画像範囲は矩形であって、前記座標生成部は、該出力画像範囲の４辺の各画素に対応する座標のみを用いて補間座標を生成することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】  前記歪補正範囲算出部は、座標変換により生成された座標に対し、前記出力画像範囲の４辺の各辺に対応する画素の座標の最大値と最小値および前記出力画像範囲の４頂点に対応する座標の少なくともいずれかから前記入力画像範囲を算出することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の画像処理装置。
【請求項６】  前記歪補正座標変換部は、前記所定の補正式に含まれる演算を時系列に処理することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項７】  前記座標生成部は、前記歪補正処理のための補間座標に対して所定の間引きを行って座標を求めることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項８】  前記歪補正範囲算出部は、歪補正処理を行う複数入力信号に対して順次範囲算出を繰り返して前記入力画像範囲を算出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項９】  前記範囲算出を繰り返し処理で行い、入力画像範囲に対して歪補正後の画像範囲が所定の範囲になるような補正倍率Ｍを決定することを特徴とする請求項１又は８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】  前記歪補正範囲算出部は、
前記歪補正処理部が歪補正実行中に、次に歪補正を行う画像入力範囲を算出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】  歪補正処理を行う画像処理方法であって、
前記歪補正処理を行うに際して、歪補正処理を行う入力画像範囲を算出することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】  前記歪補正処理の実行中に、次の歪補正処理を行う画像入力範囲を算出することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【式３】
2005044098.tif 000001
しかしながら、光学的に表現される上記の[式３]を用いて歪補正を行った場合、補正画像に過不足が生じる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
このように、歪補正処理を行うに際して、歪補正処理を行う入力画像範囲を算出することにより、歪補正後の画像の出力範囲の一部または全部に相当する領域が入力画像内に占める範囲を算出することで、歪補正によって得られる補正画像は画像出力範囲に対して過不足なく出力することが可能となり、画像出力範囲に対して補正画像がはみ出したり不足したりすることのないようにできる。
請求項１２の発明は、前記歪補正処理の実行中に、次の歪補正処理を行う画像入力範囲を算出することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【式１】
2005044098.tif 000002
[式１]におけるＺは、歪中心（Ｘd，Yｄ）から今注目している点（Ｘ，Ｙ）までの距離である。[式１]によって、補正画像の点（Ｘ，Ｙ）に対して歪んでいる元画像の方の座標（Ｘ’，Ｙ’）が算出される。[式１]について補足説明すると、Ｍは光学系のデータを用いて理論的に補正した際、補正後に画像がはみ出したり、不足したりする現象を補正するための補正倍率である。Ｓx，Ｓyは間引き取込みなど、縦横で空間的なサンプリング間隔が異なる現象の補正をするためのサンプリング比である。Ｘoff，Ｙoffは歪補正処理によって、歪補正処理後に、被写体位置が撮影時の位置とはずれてしまう現象の補正をする中心ずれの値である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【式２】
2005044098.tif 000003
図９は、歪補正処理の動作を説明するフローチャートである。まず、ステップＳ11で、歪補正[式１]の補正倍率Ｍを決定する。補正倍率Ｍの決定の仕方は図１０のフローチャートにて後述する。次に、ステップＳ12では、決定した補正倍率Ｍを使って、図６〜図８の説明で述べたようにブロックライン処理に必要な入力範囲を補間に必要な部分も考慮して算出し、ステップＳ13でこの算出した入力範囲と、歪補正処理に必要な設定値を設定する。そして、ステップＳ14で、ブロックライン毎の歪補正処理と次ブロックラインの入力範囲算出を同時実行する。その後、画像の最下段のブロックラインの歪補正処理が行われるまで、ブロックライン毎の歪補正処理と次ブロックラインの入力範囲算出を実行する。ステップＳ15において出力画像全体について歪補正処理が終了したか否かを判定することで、ステップＳ14を繰り返し、画像全体について歪補正処理が終わるまで続行して終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指定された形状のキャラクタを表示させるためのキャラクタデータ、および前記キャラクタデータで指定された形状のキャラクタの動きを指示するためのモーションデータが付加されたオーディオデータを再生する場合に、
前記キャラクタデータを解析して、そのキャラクタデータで指定された形状の画像データを生成する画像データ作成ステップと、
その生成された画像データを、前記モーションデータで示された動きに従い、前記オーディオデータの再生に合わせて表示させる処理を行う画像データ表示ステップとを有し、
前記キャラクタデータは、前記キャラクタの各部のパーツの形状のデータであり、前記モーションデータは前記キャラクタの特定位置のパーツを特定のオーディオ再生時間に、どの座標位置に変化して表示させるかを示したデータであることを特徴とする
オーディオ再生方法。
【請求項２】
請求項１記載のオーディオ再生方法において、
前記キャラクタデータは、立体形状のキャラクタを示すデータであり、所定の操作入力に基づいて、表示されるキャラクタを、任意の視点から見た形状のキャラクタとした
オーディオ再生方法。
【請求項３】
請求項１記載のオーディオ再生方法において、
前記モーションデータは、VRML（virtual reality modeling language）で記述されていることを特徴とする
オーディオ再生方法。
【請求項４】
指定された形状のキャラクタを表示させるためのキャラクタデータ、および前記キャラクタデータで指定された形状のキャラクタの動きを指示するためのモーションデータが付加されたオーディオデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持されたオーディオデータを再生処理するオーディオ再生手段と、
前記オーディオ再生手段で再生させたオーディオデータにキャラクタデータおよび前記モーションデータが付加されている場合に、そのキャラクタを解析して、そのキャラクタデータで指定された形状の画像データを生成させる画像処理手段と、
前記画像処理手段で生成された画像データを、前記モーションデータで示された動きに従い、前記オーディオ再生手段での再生に合わせて表示させる表示手段とを備え、
前記キャラクタデータは、前記キャラクタの各部のパーツの形状のデータであり、前記モーションデータは前記キャラクタの特定位置のパーツを特定のオーディオ再生時間に、どの座標位置に変化して表示させるかを示したデータであることを特徴とする
オーディオ再生装置。
【請求項５】
請求項４記載のオーディオ再生装置において、
前記保持手段が保持するオーディオデータに付加されたキャラクタデータは、立体形状のキャラクタを示すデータであり、
前記立体形状のキャラクタの視点を指示する操作手段を備え、
前記操作手段により指示された視点に基づいて、前記画像処理手段で生成される画像データを、該当する視点のキャラクタの画像とした
オーディオ再生装置。
【請求項６】
請求項４記載のオーディオ再生装置において、
前記モーションデータは、VRML（virtual reality modeling language）で記述されていることを特徴とする
オーディオ再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の供給元から供給される原料ガスを用いて燃料ガスを生成する燃料処理器と、前記燃料処理器を加熱するためのバーナと、前記燃料処理器から供給される燃料ガスと外部から供給される酸化剤ガスとを用いて発電を行う燃料電池と、前記供給元から前記燃料処理器へ原料ガスを供給するための原料ガス供給路と、前記燃料処理器から前記燃料電池へ燃料ガスを供給するための燃料ガス供給路と、前記燃料電池から前記バーナへ前記燃料電池にて反応に利用されなかった未反応ガスを供給するための未反応ガス供給路と、前記原料ガス供給路、前記燃料ガス供給路及び前記未反応ガス供給路のうち少なくとも１つの供給路を流れるガスの通流／遮断を行うための複数の弁と、前記複数の弁の開閉動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、運転を終了させる場合に、特定の位置よりガスの通流方向の上流に位置する前記弁を閉状態とするとともに、残りの弁を開状態とし、所定時間経過した後に、前記閉状態とされた弁のうち、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁を一時的に開状態とすることにより、前記閉状態とされた弁により形成される経路に原料ガスの元圧を与えるように構成されており、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁が複数ある場合には、当該複数の弁のうち上流側の弁から順次一時的に開状態とするように構成されている、燃料電池システム。
【請求項２】
前記閉状態とされた弁により形成される経路の圧力を測定する圧力測定手段を更に備え、
前記制御部は、前記圧力測定手段による測定値が所定値以下となったときに、前記閉状態とされた弁のうち、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁を一時的に開状態とすることにより、前記閉状態とされた弁により形成される経路に原料ガスの元圧を与えるように構成されている、請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記閉状態とされた弁により形成される経路の温度を測定する温度測定手段を更に備え、
前記制御部は、前記温度測定手段による測定値が所定値以下となったときに、前記閉状態とされた弁のうち、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁を一時的に開状態とすることにより、前記閉状態とされた弁により形成される経路に原料ガスの元圧を与えるように構成されている、請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
外部の供給元から供給される原料ガスに含まれる硫黄成分を除去する脱硫器を更に備え、
当該脱硫器は、前記ガスの通流／遮断を行うための複数の弁よりも上流に配設されている、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の燃料電池システム。
【請求項５】
外部の供給元から供給される原料ガスを用いて燃料ガスを生成する燃料処理器と、前記燃料処理器を加熱するためのバーナと、前記燃料処理器から供給される燃料ガスと外部から供給される酸化剤ガスとを用いて発電を行う燃料電池と、前記供給元から前記燃料処理器へ原料ガスを供給するための原料ガス供給路と、前記燃料処理器から前記燃料電池へ燃料ガスを供給するための燃料ガス供給路と、前記燃料電池から前記バーナへ前記燃料電池にて反応に利用されなかった未反応ガスを供給するための未反応ガス供給路と、前記原料ガス供給路、前記燃料ガス供給路及び前記未反応ガス供給路のうち少なくとも１つの供給路を流れるガスの通流／遮断を行うための複数の弁とを備える燃料電池システムの運転方法であって、
運転を終了させる場合に、特定の位置よりガスの通流方向の上流に位置する前記弁を閉状態にし、残りの弁を開状態にするステップと、
所定時間経過した後に、前記閉状態とされた弁のうち、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁を一時的に開状態とすることにより、前記閉状態とされた弁により形成される経路に原料ガスの元圧を与えるステップと
を有し、
前記経路に原料ガスの元圧を与えるステップにおいて、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁が複数ある場合には、当該複数の弁のうち上流側の弁から順次一時的に開状態にする、燃料電池システムの運転方法。
【請求項６】
前記経路に原料ガスの元圧を与えるステップは、前記閉状態とされた弁により形成される経路の圧力が所定値以下となったときに、前記閉状態とされた弁のうち、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁を一時的に開状態とすることにより、前記閉状態とされた弁により形成される経路に原料ガスの元圧を与える、請求項５に記載の燃料電池システムの運転方法。
【請求項７】
前記経路に原料ガスの元圧を与えるステップは、前記閉状態とされた弁により形成される経路の温度が所定値以下となったときに、前記閉状態とされた弁のうち、前記通流方向の最下流に位置する弁よりも上流に位置する弁を一時的に開状態とすることにより、前記閉状態とされた弁により形成される経路に原料ガスの元圧を与える、請求項５に記載の燃料電池システムの運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣ（Table of Contents）を読み出すＴＯＣ読出手段と、
現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出手段と、
上記ＴＯＣ読出手段によって読み出した上記ＴＯＣの情報と、上記データ読出手段によって読み出した上記データの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定手段と
を具えることを特徴とする最終セッション判定回路。
【請求項２】
上記最終セッション判定手段は、上記次のセッションのＴＯＣを越えた場所のデータが上記データ読出手段により読出可能か否かを判断することにより上記現セッションが最終セッションであるか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の最終セッション判定回路。
【請求項３】
上記最終セッション判定手段は、上記次のセッションのＴＯＣを越えた場所のデータが物理消去による意味の無い消去済みデータであるか否かを判断することにより上記現セッションが最終セッションであるか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の最終セッション判定回路。
【請求項４】
上記最終セッション判定手段は、上記次のセッションのＴＯＣを越えた場所のデータと上記現セッションに関するデータとの整合性を検証し、その検証結果に基づいて当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の最終セッション判定回路。
【請求項５】
上記光ディスクは、ＣＤ（Compact Disc）またはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）である
ことを特徴とする請求項１に記載の最終セッション判定回路。
【請求項６】
マルチセッション方式の光ディスクを再生する再生装置において、
上記マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出手段と、
現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出手段と、
上記ＴＯＣ読出手段によって読み出した上記ＴＯＣの情報と、上記データ読出手段によって読み出した上記データの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定手段と、
上記最終セッション判定手段によって最終セッションを判定し終わった後に再生処理を開始する再生手段と
を具えることを特徴とする再生装置。
【請求項７】
マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出ステップと、
現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出ステップと、
上記ＴＯＣ読出ステップで読み出した上記ＴＯＣの情報と、上記データ読出ステップで読み出した上記データの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定ステップと
を具えることを特徴とする最終セッション判定方法。
【請求項８】
再生装置に対して、
マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出ステップと、
現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出ステップと、
上記ＴＯＣ読出ステップで読み出した上記ＴＯＣの情報と、上記データ読出ステップで読み出した上記データの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定ステップと
を実行させるための最終セッション判定プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる課題を解決するため本発明においては、マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出手段と、現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出手段と、ＴＯＣ読出手段によって読み出したＴＯＣの情報と、データ読出手段によって読み出したデータの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定手段とを設けるようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明においては、マルチセッション方式の光ディスクを再生する再生装置において、マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出手段と、現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出手段と、ＴＯＣ読出手段によって読み出したＴＯＣの情報と、データ読出手段によって読み出したデータの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定手段と、最終セッション判定手段によって最終セッションを判定し終わった後に再生処理を開始する再生手段とを設けるようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに本発明においては、マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出ステップと、現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出ステップと、ＴＯＣ読出ステップで読み出したＴＯＣの情報と、データ読出ステップで読み出したデータの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定ステップとを設けるようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに本発明においては、再生装置に対して、マルチセッション方式の光ディスクにおける各セッションのＴＯＣを読み出すＴＯＣ読出ステップと、現セッションを読み出すと共に、当該現セッションに対して次のセッションのＴＯＣを超えた場所のデータを読み出すデータ読出ステップと、ＴＯＣ読出ステップで読み出したＴＯＣの情報と、データ読出ステップで読み出したデータの内容とを基に所定の判断基準の下で当該現セッションが最終セッションであるか否かを判定する最終セッション判定ステップとを実行させるようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
データ信号を入力し、前記データ信号において一方の論理値の数が他方の論理値の数より多い場合に前記データ信号を反転し、反転または非反転の前記データ信号および前記データ信号が反転および非反転のいずれであるかを示す前記データ信号のフラグ信号を前記メモリセルに書き込むデータ入力回路と、
反転または非反転の前記データ信号および該データ信号の前記フラグ信号を前記メモリセルから読み出し、前記フラグ信号が反転を示す場合、反転または非反転の前記データ信号を再度反転するデータ出力回路とを備え、
前記複数のメモリセルの各々は、
データを記憶保持するデータ記憶部と、
前記データ記憶部からデータを読み出す読出ポート部とを含み、
前記読出ポート部は、
行方向に配置される読出ワード線と、
列方向に配置される読出ビット線と、
ソースが第１の電源線に接続され、ゲートが前記データ記憶部に接続される第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記読出ビット線との間に接続され、ゲートが前記読出ワード線に接続される第２のトランジスタとを有する、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記データ入力回路は、
前記データ信号における一方の論理値の数と他方の論理値の数とを比較し、該比較結果に応じて前記フラグ信号を反転または非反転とする多数決論理判定回路と、
前記フラグ信号に応じて、前記データ信号の反転信号および非反転信号のいずれか一方を選択するセレクタ回路と、
書込制御信号に応じて、前記セレクタ回路からの出力信号を前記メモリセルに書き込む書込みドライバ回路とを含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記データ出力回路は、
前記メモリセルから読み出されるデータが一方の論理値であるか他方の論理値であるかを逐次判定するセンスアンプ回路と、
前記フラグ信号に応じて、前記センスアンプ回路からの出力信号の反転信号および非反転信号のいずれか一方を選択するセレクタ回路と、
データ出力制御信号に応じて、前記セレクタ回路からの出力信号をデータ出力信号として出力するバッファ回路とを含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記データ入力回路は、前記データ信号のビット分割を行い、該ビット分割に応じて前記フラグ信号のフラグビットを複数設ける、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記データ入力回路は、
クロック信号に同期して、前記データ信号をラッチするとともに、多数決線対の電位レベルを制御する複数のフリップフロップ回路と、
前記多数決線対の電位レベルに応じて、多数決論理判定信号を出力するセンスアンプ回路と、
前記多数決論理判定信号に応じて、前記複数のフリップフロップ回路からの出力信号の反転信号および非反転信号のいずれか一方を選択する複数のセレクタ回路と、
書込制御信号に応じて、前記複数のセレクタ回路からの出力信号を前記メモリセルに書き込む複数の書込みドライバ回路とを含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
行列状に配置され、それぞれがデータを記憶保持するデータ記憶部と、前記データ記憶部からデータを読み出す読出ポート部とを含む複数のデータを記憶するデータビット用メモリセルと、行ごとに設けられ前記データビット用メモリセルの記憶データの反転情報を記憶するフラグビット用メモリセルとを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの行方向に行ごとに前記データビット用メモリセルの読出ポートおよび前記フラグビット用メモリセルに接続される複数の読出ワード線と、
前記メモリセルアレイの列方向に列ごとに前記メモリセルの読出ポートに接続される複数の読出ビット線と、
前記データビット用メモリセルに書き込まれるデータ入力信号において、一方の論理値が他方の論理値に比較し読み出し時にメモリセルに流れる電流が多いものであり、一方の論理値の数が他方の論理値の数より多い行がある場合、その行のフラグビット用メモリセルにその行の前記データビット用メモリセルのデータが反転データである旨を示すデータを書き込み、その行の前記データ入力信号を反転したデータをその行のデータビット用メモリセルに書き込むデータ入力回路と、
前記フラグビット用メモリセルのデータが反転である旨を示すデータである場合、対応の行の前記データビット用メモリセルのデータを反転して読み出すデータ出力回路とを備える、半導体記憶装置。
【請求項７】
前記データ入力回路は、
前記データ入力信号における一方の論理値の数と他方の論理値の数とを比較し、該比較結果に応じて、対応行の前記フラグビット用メモリセルの信号を反転または非反転を示すデータとする多数決論理判定回路と、
前記フラグビット用メモリセルの信号に応じて、前記データ入力信号の反転信号および非反転信号のいずれか一方を選択するセレクタ回路と、
書込制御信号に応じて、前記セレクタ回路からの出力信号を前記メモリセルに書き込む書込みドライバ回路とを含む、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
導電性の金属からなる表面を有する粒子と、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面を被覆する絶縁微粒子とからなる被覆導電性粒子であって、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子は表面に複数の突起を有し、前記金属からなる表面を有する粒子における前記突起部分の表面と他の部分の表面とが同じ金属により一体的に構成されていることを特徴とする被覆導電性粒子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、導電性の金属からなる表面を有する粒子と、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面を被覆する絶縁微粒子とからなる被覆導電性粒子であって、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子は表面に複数の突起を有し、前記金属からなる表面を有する粒子における前記突起部分の表面と他の部分の表面とが同じ金属により一体的に構成されている被覆導電性粒子である。