【事件の表示】
　平成３年特許願第２２６２０６号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成５年３月１９日出願公開、特開平５−６６４１３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
本願は、平成３年９月５日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１０年９月４日付け、平成１２年５月１１日付け、平成１２年８月３日付け及び平成１２年１１月２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された次の事項により特定されるものと認める。
  「マトリクス状に配列された画素電極及びこの画素電極を駆動する第１の薄膜トランジスタからなる液晶表示部を有し、且つこの液晶表示部に接続された第２の薄膜トランジスタからなる周辺駆動回路部を有するアクティブマトリクス基板と、
　前記アクティブマトリクス基板に対して前記液晶表示部及び周辺駆動回路を含んで対向するように配置された対向基板と、
　前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、
　前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタの双方にはポリシリコンが用いられ、
　前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタの双方が少なくとも２層のＰＳＧ膜もしくはＢＳＧ膜とポリイミド配向膜と前記液晶層とで多重に保護されることを特徴とする液晶表示装置。」（請求項１において、「アクディブ」は「アクティブ」の誤記であることが明らかであるから、上記のとおり認定した。以下、「本願発明」という）
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平２−２２４２５５号公報（以下、「引用例１」という。）は、薄膜半導体装置に関するものであり、次の事項が図面とともに記載されている。
（１）第３図には従来のレーザアニール技術を用いて絶縁基板上に多結晶シリコン膜により形成された回路の一例で、同図（ｂ）は同図（ａ）に示した３段のインバータ回路の平面パターンであることがみてとれる。
　そして、３頁左上欄１行〜８行には、「ここでトランジスタＱ５およびＱ６は大きな駆動能力を得るためにチャネル幅を１５００μｍと大きくしている。このためＱ５，Ｑ６の活性層となるシリコン膜２０１の面積Ｓｉは１４０×１５００＝２．１×１０５μｍ２とトランジスタＱ１、Ｑ２の活性層となる最も小さなシリコン膜の２０１の面積Ｓｉ＝２．８×１０３μｍ２に比べ７５倍の大きさになっている。」と記載される。
（２）３頁右上欄１７行〜同頁右下欄１５行には、実施例として次のことが記載される。
　「以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１図は第３図に示したものと同様な回路を発明の方法により絶縁基板上に構成したものである。本実施例においては、チャネル幅１５００μｍの出力段のトランジスタＱ５、Ｑ６は、互いに分離されたチャネル幅５０μｍのサブトランジスタを３０個並列に接続することで構成されている。各々のサブトランスの活性層は、４０×５０μｍ２のシリコン膜２０３（「２０７」は誤記。以下同様。）であり、これらのシリコン膜２０３は熱的に絶縁されている。従って、シリコン膜の２０１，２０２，２０３をレーザ照射によって結晶化した時に、各々のシリコン膜の熱容量値が近い値となっているため膜の結晶性のバラツキを小さくできることにより良好なインバータ特性が得られる。
　第４図は、第１の実施例に示した装置の製造プロセスの概略を示したものである。
　ガラス基板１０１上に減圧ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜１０２を１００ｎｍ堆積する。次にこのａ−Ｓｉ膜１０２を通常のホットエッチング工程により複数の膜に分離する。次にキャッピング膜として常圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜１０３を１００ｎｍ堆積する。ここで波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザを・・・・ＳｉＯ２１０３の上からＳｉ膜に照射し再結晶化して多結晶Ｓｉ膜１０８を得る。次にＳｉＯ２膜１０３をフッ酸処理により除去後、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２膜１０４，１５０ｎｍを常圧ＣＶＤにより、続いてゲート電極としてａ−Ｓｉ膜１０５，１５０ｎｍを減圧ＣＶＤ法により形成する。次に、ゲートＳｉ膜１０５とゲート絶縁膜１０４を所定の形状にパターニング後、イオン注入法によりゲート電極およびソース、ドレイン領域に３１Ｐイオンを注入し、６００℃で１０時間熱処理として抵抗層を得る。次に、保護膜としてＰＳＧ膜１０６を常圧ＣＶＤ法により堆積し、コンタクトスルホール開口後、Ａｌ電極１０７をスパッタ法により堆積し、これをパターニングして第１図の構造の回路を得る。」
（３）第５図には、薄膜トランジスタ駆動型液晶表示装置を構成したものがみてとれ、図中３０１は走査配線、３０２は信号配線、３０３は薄膜トランジスタ、３０４は走査側駆動回路、３０５は信号側駆動回路、３０６は液晶層、３０７は対向電極、３０８はカラーフィルタ、３０９はガラス基板、３１０は偏光板を表す。
　
　同じく特開昭５９−２０４８７９号公報（以下、「引用例２」という。）には、カラー液晶画像表示装置に関するものであり、次の事項が図面とともに記載されている。
（１）第４図には、液晶表示体を構成する従来のアクティブ・マトリックス基板をポリシリコンゲートＴＦＴを用いた場合の１例で、第２図の単位画素を示すものが記載される。
　図中、単位画素セル２１内には石英透明基板１０上に第１層目のＳｉ薄膜によりソース１１，チャネル１３，ドレイン１２が形成されゲート絶縁膜１４を介してゲート電極及びゲート配線層２０となす第２層目のＳｉ導電層、更には酸化シリコンの絶縁膜１５を介して第３層目の配線層であるデータ線配線１６と第４層目の透明駆動電極１７が配置されていることがみてとれる。
（２）第１０図には、この発明の高信頼性、長寿命のアクティブ・マトリックス型カラー液晶パネルの構造図が示され、４頁右上欄２行〜５行には、「第１０図−８，９は、ＳｉＯ２等の絶縁膜で、８，９のどちらか一方だけ、あるいは８，９の両面に形成しても、液晶の耐電気分解性の効果は十分である。」と記載される。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１の第５図に記載される液晶表示装置は、薄膜トランジスタ駆動型液晶表示装置であって、且つ液晶表示部に接続された走査側駆動回路３０４、信号側駆動回路３０５を有するものである。また、引用例１の上記（１）の記載から、走査側駆動回路３０４、信号側駆動回路３０５は、薄膜トランジスタＱ１、Ｑ２を使用するものである。また、引用例１の第５図の記載からして、対向基板は、アクティブマトリックス基板に対して液晶表示部及び走査側駆動回路３０４、信号側駆動回路３０５を含んで対向するように配置されている。
　よって、引用例１の第５図に記載される液晶表示装置は、本願発明にいう「マトリクス状に配列された画素電極及びこの画素電極を駆動する第１の薄膜トランジスタからなる液晶表示部を有し、且つこの液晶表示部に接続された第２の薄膜トランジスタからなる周辺駆動回路部を有するアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対して前記液晶表示部及び周辺駆動回路を含んで対向するように配置された対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置」に相当するといえる。
　また、引用例１の第５図に記載される液晶表示装置では前記薄膜トランジスタに「多結晶Ｓｉ」が使用されており、これは本件発明にいう「ポリシリコン」に相当する。
　さらに、引用例１の上記（１）の記載、及び同（２）の記載中の「シリコン膜の２０１，２０２，２０３をレーザ照射によって結晶化した時に、各々のシリコン膜の熱容量値が近い値となっているため膜の結晶性のバラツキを小さくできることにより良好なインバータ特性が得られる。第４図は、第１の実施例に示した装置の製造プロセスの概略を示したものである。・・・次に、保護膜としてＰＳＧ膜１０６を常圧ＣＶＤ法により堆積し、コンタクトスルホール開口後、Ａｌ電極１０７をスパッタ法により堆積し、これをパターニングして第１図の構造の回路を得る。」との記載から、引用例１の液晶表示部の薄膜トランジスタと周辺回路部の薄膜トランジスタの双方がＰＳＧ膜で保護されているといえる。
　したがって、本願発明と引用例１に記載された発明は、「マトリクス状に配列された画素電極及びこの画素電極を駆動する第１の薄膜トランジスタからなる液晶表示部を有し、且つこの液晶表示部に接続された第２の薄膜トランジスタからなる周辺駆動回路部を有するアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対して前記液晶表示部及び周辺駆動回路を含んで対向するように配置された対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタの双方にはポリシリコンが用いられ、前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタの双方がＰＳＧ膜と前記液晶層とで多重に保護される液晶表示装置」である点で一致するが、次の点で相違する。
（１）ＰＳＧ膜が、本願発明のものは少なくとも２層であるのに対して、引用例１では、ＰＳＧ膜の層数について言及がない点、
（２）本願発明のものは、ＰＳＧ膜上にポリイミド配向膜が設けられるのに対して、引用例１には、そのことについて言及がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点（１）について：
　保護膜は、多層であれば単層の場合よりも保護が十分になることは当業者が容易に想起し得ることであり、実際、上記引用例２に示されるように保護膜を２層とする技術はよく知られている。
　相違点（２）について：
　液晶表示装置においてポリイミド配向膜を設けることはきわめて慣用された周知の技術的事項であり、引用例１の液晶表示装置のＰＳＧ膜上にポリイミド配向膜を設けることができない特別の事情もない（必要であれば特開昭６３−１７８５６２号公報、特開平２−２３６５２９号公報参照）。そして、引用例１の液晶表示装置のＰＳＧ膜上にポリイミド配向膜を設ける際、周辺駆動回路部の第２の薄膜トランジスタ上のＰＳＧ膜上にも設けることに格別の困難性はないから、上記相違点（２）の技術的事項とすることは、周知技術を引用例１に適用することにより当業者が容易になし得る程度の事項である。
　
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用例１に記載された発明及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。