Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （１）非イオン性界面活性剤を含む着色料分散液と、（２）ラテックスエマルションと、の混合工程を含む、トナーの製造方法であって、
前記ラテックスエマルションは、樹脂と界面活性剤とを含み、
着色料分散液に用いる非イオン性界面活性剤は、構造式（Ｉ）と（II)で示される物質の少なくとも一方であり、
式中、Ｒ1が、疎水性脂肪族又は疎水性芳香族基であり、Ｒ2が、水素、アルキル、アリール、アルキルアリール、アルキルアリールアルキルから成るグループより選ばれ、Ｒ3が、水素又はアルキルであり、Ａが親水性ポリマー鎖であり、ｍがＡセグメントの数を示すことを特徴とするトナーの製造方法。
【化１】
2000250267.tif 000001
【化２】
2000250267.tif 000002
【請求項２】  請求項１に記載の製造方法であって、上記式中、Ｒ1がアルキル又はアリールである疎水性部分であり、樹脂ラテックスのガラス転移温度又はその下付近の温度に加熱して凝集体を形成し、次に樹脂のガラス転移温度又はその上付近の温度に加熱して凝集体を合体する工程を含むことを特徴とするトナーの製造方法。
【請求項３】  構造式（Ｉ）、（II）又は（III）で示される界面活性剤、あるいは必要に応じてそれらの混合物と、着色料との混合工程を含む着色料分散液の安定化法であって、式中、Ｒ1が、疎水性基であり、Ｒ2が、水素、脂肪族基又は芳香族基であり、Ｒ3が、水素又はアルキルであり、Ａが親水性鎖であり、ｍが繰り返しセグメントの数を示すことを特徴とする着色料分散液の安定化法。
【化３】
2000250267.tif 000003
【化４】
2000250267.tif 000004
【化５】
2000250267.tif 000005
【請求項４】  請求項１に記載の製造方法であって、前記着色料分散液に用いる非イオン性界面活性剤は、ポリエチレングリコール＝メチル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール−α−メチルエーテル−ω−メチル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール＝メチル＝デシルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール−α−メチルエーテル−ω−メチル＝ドデシルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール＝メチル＝ドデシルフェニル＝ホスファート、ビス［ポリ（エチレングリコール）−α−メチルエーテル］−ω−ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール−α，ω−メチル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール＝エチル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール−α−メチルエーテル−ω−エチル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール＝フェニル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール−α−メチルエーテル−ω−フェニル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール＝トリル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリエチレングリコール−α−メチルエーテル−ω−トリル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファート、ポリ（エチレンオキシド−コ−プロピレンオキシド）＝メチル＝ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル＝ホスファートから成るグループより選ばれ、ポリマー鎖が必要に応じて、５〜５０の繰り返し単位又はセグメントを含むことを特徴とするトナーの製造方法。
【請求項５】  請求項１に記載の製造方法であって、樹脂ラテックスのガラス転移温度より低い温度で加熱し、この樹脂ラッテクスの加熱によって凝集体を形成させることを特徴とするトナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  撮像手段と、
前記撮像手段から出力された画像信号に対して複数種類の特殊効果処理を施して、それぞれ特殊効果処理が施された第１の画像信号と第２の画像信号を出力する特殊効果処理手段と、
前記特殊効果処理手段から出力された第１の画像信号を第１の記録媒体に記録する第１の記録手段と、
前記特殊効果処理手段から出力された第２の画像信号を前記第１の記録媒体とは異なる第２の記録媒体に記録する第２の記録手段と、
前記特殊効果処理手段により前記第１の画像信号に対して施す特殊効果処理の種類と前記第２の画像信号に対して施す特殊効果処理の種類とを、前記複数種類の特殊効果処理よりそれぞれ任意に選択する選択手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記第２の記録手段は、前記第１の記録手段による前記第１の画像信号の記録中に前記第２の画像信号を記録可能であることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】  前記第２の記録手段は、前記第１の記録手段による前記第１の画像信号の記録中における記録開始の指示に応じて前記第２の画像信号を記録することを特徴とする請求項１または２記載の撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は上述した従来の技術の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、一方で任意の処理、例えば、特殊効果処理を施した撮影／記録を行なっている途中でも、それに影響されることのない通常の画像を、任意のタイミングで同時に記録したり、２つの画像信号各々に異なった任意の処理、例えば、特殊効果処理を施して任意のタイミングで同時に記録することが可能な撮像装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１に記載の撮像装置は、撮像手段と、前記撮像手段から出力された画像信号に対して複数種類の特殊効果処理を施して、それぞれ特殊効果処理が施された第１の画像信号と第２の画像信号を出力する特殊効果処理手段と、前記特殊効果処理手段から出力された第１の画像信号を第１の記録媒体に記録する第１の記録手段と、前記特殊効果処理手段から出力された第２の画像信号を前記第１の記録媒体とは異なる第２の記録媒体に記録する第２の記録手段と、前記特殊効果処理手段により前記第１の画像信号に対して施す特殊効果処理の種類と前記第２の画像信号に対して施す特殊効果処理の種類とを、前記複数種類の特殊効果処理よりそれぞれ任意に選択する選択手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の撮像装置は、請求項１に記載の撮像装置において、前記第２の記録手段は、前記第１の記録手段による前記第１の画像信号の記録中に前記第２の画像信号を記録可能であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の撮像装置は、請求項１または２に記載の撮像装置において、前記第２の記録手段は、前記第１の記録手段による前記第１の画像信号の記録中における記録開始の指示に応じて前記第２の画像信号を記録することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の撮像装置によれば、一方で任意の処理、例えば、特殊効果処理を施した撮影・記録を行っている途中でも、それに影響されることなのない通常の画像を、任意のタイミングで同時に記録したり、二つの画像信号各々に異なった任意の処理、例えば特殊効果を施して、任意のタイミングで同時に記録することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月16日(2006.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  交流電流と直流電流とが重畳された電流をスクライブライン上に形成された配線に流して該配線をジュール発熱させ、前記交流電流及び前記直流電流を個別に変化させて前記配線の温度及びストレス電流を制御することを特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項２】  前記配線の一端側に接続された第１の端子と他端側に接続された第２の端子との間に前記交流電流と直流電流とが重畳された電流を流し、前記配線の一端側に接続された第３の端子と他端側に接続された第４の端子との間の電圧を測定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項３】  前記配線の一端側に接続された第１の端子と他端側に接続された第２の端子との間に前記直流電流を流し、前記配線の一端側に接続された第３の端子と他端側に接続された第４の端子との間に前記交流電流を流し、前記第３の端子と前記第４の端子との間の電圧を測定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項４】  交流電流を発生可能で、かつ、正側及び負側の電流量を個別に設定できる電流源と、
前記電流源から出力された電流をウェハ上に形成された配線に供給する接触子と、
前記配線の電圧を測定する電圧測定器と
を有することを特徴とする半導体装置の試験装置。
【請求項５】  前記電流源は、交流電流の周波数及びデューティ比の少なくとも一方が調整可能であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の試験装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の試験方法は、交流電流と直流電流とが重畳された電流をスクライブライン上に形成された配線に流して該配線をジュール発熱させ、前記交流電流及び前記直流電流を個別に変化させて前記配線の温度及びストレス電流を制御することを特徴とする。
配線に発生するジュール熱の熱量は配線に流れる電流に関係し、エレクトロマイグレーションは直流成分に関係する。従って、配線に交流電流と直流電流とが重畳された電流を流し、交流電流と直流電流とを個別に制御することにより、配線温度とストレス電流（エレクトロマイグレーションの原因となる電流）とを個別に変化させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  容器口頸部に装着される蓋本体、開閉自在な外蓋及び可撓性吸引管を具備し、
該蓋本体は容器口頸部の頂面を覆う主壁を有し、該外蓋は該主壁を覆う閉位置と該主壁を少なくとも部分的に露呈せしめる開位置とに選択的に位置せしめられ、
該蓋本体の該主壁には貫通孔が形成されており、該吸引管は該貫通孔から延在せしめられており、
該蓋本体の該主壁には、その上面から上方に突出する突出壁が形成されており、
該外蓋は天面壁及び該天面壁の内面から垂下する垂下壁を有し、
該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該外蓋の該垂下壁は該蓋本体の該貫通孔と該突出壁との間に位置せしめられ、該吸引管は、最初に該垂下壁の作用によって下方に折り曲げられ、次いで該垂下壁と該突出壁との協働によって上方に折り曲げられて該垂下壁と該突出壁との間を通って上方に延び、しかる後に該突出壁と該外蓋との協働によって再び下方に折り曲げられ、
該外蓋が該開位置にせしめられると、該外蓋の該垂下壁は該貫通孔と該突出壁との間から後退し、該吸引管は該突出壁の上端を越えて上方に延出する、
ことを特徴とする容器蓋。
【請求項２】  該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該吸引管の、該垂下壁と該突出壁との間を延びる部分は、該垂下壁と該突出壁との間で押潰される、請求項１記載の容器蓋。
【請求項３】  該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該吸引管は少なくとも２個の折り曲げ部において、折り曲げに起因して吸引管内の流路が閉塞される、請求項１又は２記載の容器蓋。
【請求項４】  該外蓋は該天面壁の周縁から垂下する筒状側壁を有し、該筒状側壁の下端縁の所定部分が該蓋本体に対して旋回自在に接続されており、該下端縁の該所定部分を旋回中心として旋回せしめることによって該閉位置と該開位置とに選択的に位置せしめられ、該外蓋が該閉位置から３５乃至６０度である角度αだけ旋回せしめられることによって該開位置に位置せしめられ、該外蓋が該開位置まで旋回せしめられると該外蓋が更に旋回せしめられるのを阻止する開位置規制手段が配設されており、該外蓋が該開位置に位置せしめられると、該吸引管の少なくとも先端部は、該外蓋の下縁に沿って延在して水平に対して該角度αをなして延出する、請求項１から３までのいずれかに記載の容器蓋。
【請求項５】  該蓋本体の該主壁には、その周縁部から上方に突出する係止壁が形成されており、該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該外蓋の該側壁の下端部内周面が該蓋本体の該係止壁の上端部外周面に係止せしめられ、該蓋本体の該係止壁には、該外蓋が該開位置から該閉位置に旋回せしめられる際に、該吸引管の先端部が該係止壁の外側から内側に向けて移動せしめられる切欠が形成されている、請求項４記載の容器蓋。
【請求項６】  該蓋本体には、該係止壁の該切欠を塞ぐ作用位置と該切欠を解放する非作用位置との間を移動自在な閉塞片が付設されている、請求項５記載の容器蓋。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該吸引管の、該垂下壁と該突出壁との間を延びる部分は、該垂下壁と該突出壁との間で押潰されるのが好ましい。また、該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該吸引管は少なくとも２個の折り曲げ部において、折り曲げに起因して吸引管内の流路が閉塞されるのが好適である。好適には、該外蓋は該天面壁の周縁から垂下する筒状側壁を有し、該筒状側壁の下端縁の所定部分が該蓋本体に対して旋回自在に接続されており、該下端縁の該所定部分を旋回中心として旋回せしめることによって該閉位置と該開位置とに選択的に位置せしめられ、該外蓋が該閉位置から３５乃至６０度である角度αだけ旋回せしめられることによって該開位置に位置せしめられ、該外蓋が該開位置まで旋回せしめられると該外蓋が更に旋回せしめられるのを阻止する開位置規制手段が配設されており、該外蓋が該開位置に位置せしめられると、該吸引管の少なくとも先端部は、該外蓋の下縁に沿って延在して水平に対して該角度αをなして延出する。該蓋本体の該主壁には、その周縁部から上方に突出する係止壁が形成されており、該外蓋が該閉位置に位置せしめられると、該外蓋の該側壁の下端部内周面が該蓋本体の該係止壁の上端部外周面に係止せしめられ、該蓋本体の該係止壁には、該外蓋が該開位置から該閉位置に旋回せしめられる際に、該吸引管の先端部が該係止壁の外側から内側に向けて移動せしめられる切欠が形成されているのが好ましい。この場合、該蓋本体には、該係止壁の該切欠を塞ぐ作用位置と該切欠を解放する非作用位置との間を移動自在な閉塞片が付設されているのが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月14日(2006.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニルスルホン）二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、４，４’−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、４，４’−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記ポリイミド溶液、又はその前駆体であるポリアミド酸溶液の濃度は、通常、塗布性等を考慮して、５〜２５重量％程度のものが用いられる。有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホルアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタム、プチロラクタム、テトラヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス２−（２−メトキシエトキシ）エチルエーテル、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、クレゾール酸，ｐ−クロロフェノール、アニソール等を含む溶剤が挙げられる。好ましくは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明では、塗工工程における金属箔の走行速度に対するコートロールの周速度の比が１１５〜２００％に制御する。該速度比が１１５％未満では均一な塗工ができなくなり、ポリイミド層の厚みばらつきが発生する。また、２００％を超えても塗工ムラ、ポリイミド層の厚みムラが発生する。通常、塗工工程における金属箔の走行速度は０．５〜５ｍ／分程度、また、コートロールの周速度は０．６〜１０ｍ／分程度である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（１）金属箔の弛み（ｍｍ）
〔図３〕は金属箔の弛みの測定方法の概要を示す模式図である。〔図３〕に示す如く、幅が６８４ｍｍである金属箔５を繰り出し軸９から、前ガイドロール１０と後ガイドロール１１の上を通過させる。この時、２本のガイドロール１０及び１１間を走行する金属箔５を水平に保つ。金属箔５がガイドロール１０及び１１に接触する点間の距離は１０００ｍｍとする。後ガイドロール１１を通過した金属箔に５ｋｇの重り１２を負荷させ、繰り出し軸９にロックし、重り１２が地面に接触しないようにする。金属箔５がガイドロール１０及び１１に接触する箇所の中央位置（一方の接触点から５００ｍｍの位置）の部分から金属箔の端面を基準とし、レーザー変位計（キーエンス（株）製、形式：ＬＢ−１０００）１３を用いて全幅についてその変位を測定する。
（２）均一塗布性
ＦＭＣＬ試料を縦横１００ｍｍの正方形に切り取り、塩化第二鉄水溶液（４０重量％）を用いて金属箔層に化学エッチング処理を施し、ポリイミド層のみとする。ポリイミド層を透過光で観察して、直径１０μｍ以上の穴の有無を観察する。
（３）ポリイミド層の厚みムラ（μｍ）
前項と同様にしてポリイミド層のみを得る。接触式膜厚計（Heidenhain（株）製、形式：２０００６８Ｇ）を用いて、横方向に任意に１０点厚みを測定し、その最大値と最低値の差を厚みムラとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【表１】
2001158061.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  塩化シアンとベンゼンスルフィン酸塩類との反応により得られたベンゼンスルホニルシアニド類を含有する炭化水素溶液を調製し、該溶液に不活性気体を通気することを特徴とするベンゼンスルホニルシアニド類含有溶液の製造方法。
【請求項２】  ベンゼンスルフィン酸塩類がベンゼンスルフィン酸ナトリウムまたはｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウムである請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】  不活性気体が窒素ガスである請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】  炭化水素がトルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンのうちの少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、塩化シアンとベンゼンスルフィン酸塩類との反応によって、工業的スケールでベンゼンスルホニルシアニド類を製造するにあたり、保存安定性に優れるベンゼンスルホニルシアニド類含有溶液の製造方法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、塩化シアンとベンゼンスルフィン酸塩類との反応により得られたベンゼンスルホニルシアニド類に、炭化水素溶液中で不活性気体を通気することを特徴とするベンゼンスルホニルシアニド類含有溶液の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金または白金合金中に、平均粒子直径が０．０５〜１μｍであるセラミックス微粒子が分散した白金系材料を１３００〜１６００℃の温度で、３０分〜１０時間、加熱することを特徴とする白金系材料の熱処理方法。
【請求項２】
セラミックス微粒子の量が前記白金系材料中０．０５〜３．０質量％である請求項１に記載の熱処理方法。
【請求項３】
セラミックス微粒子の７０質量％以上が酸化ジルコニウムからなる請求項１または２に記載の熱処理方法。
【請求項４】
１３００〜１６００℃で３０分〜１０時間加熱処理した、白金または白金合金中に平均粒子直径が０．０５〜１μｍであるセラミックス微粒子を分散させた白金系材料からなるガラス製造用部材。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フロアに設けたシートにチャイルドシートを装着するためのストライカを、前記シートのフロア取付金具の構成部品のうち、前記フロアとの相対移動または相対回動を行わない構成部品に取付けてなることを特徴とするチャイルドシートの取付構造。
【請求項２】  前記ストライカをブラケットに固着し、該ブラケットを上記シートのフロア取付金具に取付けたことを特徴とする請求項１に記載のチャイルドシートの取付構造。
【請求項３】  前記ブラケットを上記シートのフロア取付金具を介して上記フロアに取付けてなることを特徴とする請求項２に記載のチャイルドシートの取付構造。
【請求項４】  前記フロア取付金具がシートバックの左右両側またはいずれか一方のフロア取付金具であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のチャイルドシートの取付構造。
【請求項５】  前記フロア取付金具がリクライニング機構またはヒンジであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のチャイルドシートの取付構造。
【請求項６】  上記ブラケットは、上記フロア取付金具を上記フロアに取付けるための取付穴を用いて上記フロアに共締めされることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載のチャイルドシートの取付構造。
【請求項７】  上記ブラケットは、更に上記フロアに対して直接取付けられることを特徴とする請求項２〜５のいずれか記載のチャイルドシートの取付構造。
【請求項８】  上記ブラケットは、上記フロア取付金具のみを上記フロアに取付けるための取付穴を回避して位置することを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載のチャイルドシートの取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るチャイルドシートの取付構造は、かかる課題を解決するためになされたものであり、フロアに設けたシートにチャイルドシートを装着するためのストライカを、前記シートのフロア取付金具の構成部品のうち、前記フロアとの相対移動または相対回動を行わない構成部品に取付けてなることを特徴とする。また、前記ストライカをブラケットに固着し、該ブラケットを上記シートのフロア取付金具に取付けても良い。さらに、前記ブラケットを上記シートのフロア取付金具を介して上記フロアに取付けても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱劣化性及び柔軟性に優れるアクリル系重合体組成物に関する。また本発明は、該アクリル系重合体組成物からなる耐熱劣化性及び柔軟性に優れる成形品に関する。
本発明のアクリル系重合体組成物は、良好な耐熱劣化性を有し、かつ柔軟性にも優れるため、例えば、パッキン類、ローラー等の素材として有用である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ことを特徴とするアクリル系重合体組成物を提供することによって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
さらに、反応当初又は反応途中の溶液を布帛、紙などの繊維集合体からなる基材に含浸させた後、反応を行うことからなる方法、反応後の組成物を溶融条件下で上記基材に含浸させることからなる方法等により、アクリル系重合体組成物が繊維集合体基材に含浸された形態の複合材を製造することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記の（Ａ）成分および／または（Ｂ）成分を含む樹脂成分１００重量部に対し、下記の（Ｄ）成分５〜４０重量部と、（Ｅ）成分１〜２０重量部が配合されていることを特徴とする難燃性樹脂組成物。
（Ａ）重量平均粒子径が３００ｎｍ以上であるジエン系ゴム（ａ−１）１〜３０重量％の存在下で、グラフト交叉剤と架橋剤とを含むアルキル（メタ）アクリレート単量体成分（ａ−２）９９〜７０重量％を乳化重合して得られる複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））２０〜８０重量部に、
芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ａ−３）８０〜２０重量部が乳化グラフト重合されたグラフト共重合体（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）。
（Ｂ）ポリオルガノシロキサン（ｂ−１）１〜２０重量％の存在下で、多官能性単量体０．０１〜１０重量部と、アルキル（メタ）アクリレート６０〜９９．９重量部と、これらと共重合可能なビニル単量体０〜３０重量部からなる単量体混合物（ｂ−２）（合計１００重量部）９９〜８０重量％をラジカル重合して得られる複合ゴム質重合体（（ｂ−１）＋（ｂ−２））２０〜８０重量部に、
芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ｂ−３）８０〜２０重量部が乳化グラフト重合されたグラフト共重合体（（ｂ−１）＋（ｂ−２）＋（ｂ−３）＝１００重量部）。
（Ｄ）臭素系難燃剤
（Ｅ）アンチモン化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、下記の（Ａ）成分および／または（Ｂ）成分からなる樹脂成分１００重量部に対し、下記の（Ｄ）成分５〜４０重量部と、（Ｅ）成分１〜２０重量部が配合されている難燃性樹脂組成物を要旨とする。
（Ａ）重量平均粒子径が３００ｎｍ以上であるジエン系ゴム（ａ−１）１〜３０重量％の存在下で、グラフト交叉剤と架橋剤とを含むアルキル（メタ）アクリレート単量体成分（ａ−２）９９〜７０重量％を乳化重合して得られる複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））２０〜８０重量部に、
芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ａ−３）８０〜２０重量部が乳化グラフト重合されたグラフト共重合体（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）。
（Ｂ）ポリオルガノシロキサン（ｂ−１）１〜２０重量％の存在下で、多官能性単量体０．０１〜１０重量部と、アルキル（メタ）アクリレート６０〜９９．９重量部と、これらと共重合可能なビニル単量体０〜３０重量部からなる単量体混合物（ｂ−２）（合計１００重量部）９９〜８０重量％をラジカル重合して得られる複合ゴム質重合体（（ｂ−１）＋（ｂ−２））２０〜８０重量部に、
芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ｂ−３）８０〜２０重量部が乳化グラフト重合されたグラフト共重合体（（ｂ−１）＋（ｂ−２）＋（ｂ−３）＝１００重量部）。
（Ｄ）臭素系難燃剤
（Ｅ）アンチモン化合物
上記樹脂成分には、さらに熱可塑性樹脂（Ｃ）が含まれてもよい。
また、上記樹脂成分は、（Ａ）成分および／または（Ｂ）成分からなるグラフト共重合体３０〜９５重量％と、（Ｃ）成分７０〜５重量％とからなることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
グラフト共重合体（Ａ）は、複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））２０〜８０重量部に対して、単量体成分（ａ−３）８０〜２０重量部を乳化グラフト重合させて得られる（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）。このような重量割合で乳化グラフト重合すると、最終的に得られる難燃性樹脂組成物の耐衝撃性と顔料着色性がともに優れるため好ましい。単量体成分（ａ−３）の量が２０重量部未満の場合は、最終的に得られる難燃性樹脂組成物の顔料着色性が低下し、一方、８０重量部を超えると耐衝撃性が低下する場合がある。さらに好ましくは、グラフト共重合体（Ａ）（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）中、複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））が４０〜７０重量部で、単量体成分（ａ−３）は６０〜３０重量部である。このような場合、最終的に得られる難燃性樹脂組成物は良好な耐衝撃性と顔料着色性をバランス良く発現するため好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
単量体混合物（ｂ−２）は、多官能性単量体０．０１〜１０重量部と、アルキル（メタ）アクリレート６０〜９９．９重量部と、これらと共重合可能なビニル単量体０〜３０重量部（合計１００重量部）からなる。多官能性単量体としては、例えばアリルメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブチレングリコールジメタクリレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等の多官能性アルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらは単独でまたは二種以上併用して用いることができるが、得られるグラフト共重合体（Ｂ）の耐衝撃性と低温度成形時の光沢が、ともに優れることから、アリルメタクリレートと１，３−ブチレングリコールジメタクリレートを併用することが好ましい。また、多官能性単量体は、単量体混合物（ｂ−２）（合計１００重量部）中、通常０．１〜１０重量部、好ましくは０．２〜５重量部、さらに好ましくは０．２〜１重量部である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
グラフト共重合体（Ｂ）は、複合ゴム質重合体（（ｂ−１）＋（ｂ−２））２０〜８０重量部に、芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ｂ−３）８０〜２０重量部を乳化グラフト重合して得られる（（ｂ−１）＋（ｂ−２）＋（ｂ−３）＝１００重量部）。
グラフト重合体（Ｂ）（（ｂ−１）＋（ｂ−２）＋（ｂ−３）＝１００重量部）中、単量体（ｂ−３）が２０重量部未満では、最終的に得られる難燃性樹脂組成物の顔料着色性が低下する傾向を示し、また、８０重量部を超えると複合ゴム重合体（（ｂ−１）＋（ｂ−２））量が低くなるため、耐衝撃性が低くなりやすい。好ましくは、顔料着色性と耐衝撃性がともに優れることから、単量体（ｂ−３）は７０〜３０重量部、さらに好ましくは６５〜３５重量部である。
グラフト共重合体（Ｂ）の粒子径は、最終的に得られる難燃性樹脂組成物の耐衝撃性と顔料着色性がともに優れることから、重量平均粒子径が７０〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは１００〜１５０ｎｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  下記（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分とを含むことを特徴とする熱可塑性樹脂組成物。
（Ａ）重量平均粒子径が３００ｎｍ以上であるジエン系ゴム（ａ−１）１〜３０重量％の存在下で、グラフト交叉剤と架橋剤とを含むアルキル（メタ）アクリレート単量体成分（ａ−２）９９〜７０重量％を乳化重合して得られる複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２）２０〜８０重量部に、芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ａ−３）８０〜２０重量部が乳化グラフト重合されたグラフト共重合体（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）。
（Ｂ）エチレン−プロピレン−非共役ジエン系ゴムグラフト共重合体
（Ｃ）熱可塑性樹脂
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明は、下記（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分とを含むことを特徴とする熱可塑性樹脂組成物を要旨とする。
（Ａ）重量平均粒子径が３００ｎｍ以上であるジエン系ゴム（ａ−１）１〜３０重量％の存在下で、グラフト交叉剤と架橋剤とを含むアルキル（メタ）アクリレート単量体成分（ａ−２）９９〜７０重量％を乳化重合して得られる複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））２０〜８０重量部に、芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれる少なくとも一種の単量体（ａ−３）８０〜２０重量部が乳化グラフト重合されたグラフト共重合体（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）。
（Ｂ）エチレン−プロピレン−非共役ジエン系ゴムグラフト共重合体
（Ｃ）熱可塑性樹脂
上記ジエン系ゴム（ａ−１）は、酸基含有共重合体ラテックスからなる肥大化剤で肥大化されたものであることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂（Ｃ）は、芳香族アルケニル化合物成分、シアン化ビニル化合物成分、（メタ）アクリル酸エステル成分から選ばれた少なくとも一種の単量体成分を構成成分とする（共）重合体であることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂組成物は、ブタジエン系重合体に、芳香族アルケニル化合物、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステルおよびシアン化ビニル化合物から選ばれた少なくとも一種の単量体がグラフト重合されたグラフト共重合体（Ｄ）を、さらに含有することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
グラフト共重合体（Ａ）は、複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））２０〜８０重量部に対して、単量体成分（ａ−３）８０〜２０重量部を乳化グラフト重合させて得られる（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）。このような重量割合で乳化グラフト重合すると、最終的に得られる熱可塑性樹脂組成物の耐衝撃性と顔料着色性がともに優れるため好ましい。単量体成分（ａ−３）の量が２０重量部未満の場合は、最終的に得られる熱可塑性樹脂組成物の顔料着色性が低下し、一方、８０重量部を超えると耐衝撃性が低下する場合がある。さらに好ましくは、グラフト共重合体（Ａ）（（ａ−１）＋（ａ−２）＋（ａ−３）＝１００重量部）中、複合ゴム質重合体（（ａ−１）＋（ａ−２））が４０〜７０重量部で、単量体成分（ａ−３）は６０〜３０重量部である。このような場合、最終的に得られる熱可塑性樹脂組成物は良好な耐衝撃性と顔料着色性をバランス良く発現するため好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
すなわち、オレフィン系重合体組成物を、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム等から選ばれるオレフィン系重合体（ａ）に対する良溶媒で十分に溶解（又は膨潤）させ、該溶液（又は膨潤液）から沈殿物を遠心分離等の方法で採取する。得られた沈殿物（固体及び／又はゲル状物）について、溶解（又は膨潤）及び沈殿物採取からなる同様の一連の操作を、溶解度パラメーターが異なる５種類以上の溶媒（又は混合溶媒系）を用い、１種類の溶媒（又は混合溶媒系）に対して２回以上繰り返して行う。ここで、溶解度パラメーターが異なる５種類以上の溶媒としては、例えば、ヘキサン［１４.９(ＭＰａ)０.５］、オクタン［１５.６(ＭＰａ)０.５］、シクロヘキサン［１６.８(ＭＰａ)０.５］、トルエン［１８.２(ＭＰａ)０.５］、クロロホルム［１９.０(ＭＰａ)０.５］、アセトン［２０.３(ＭＰａ)０.５］及びオクタノール［２１.１(ＭＰａ)０.５］からなる７種類の溶媒の組合わせが挙げられる。このようにして最終的に沈殿固体が得られた場合には、該沈殿固体を金属酸化物（ｂ）とみなすことができるため、該沈殿固体を十分に洗浄、乾燥させたものを試料として使用して、ＦＴ−ＩＲを用いた拡散反射法等の分析法によりアリール基を定量分析することができる。一方、上記の操作で最終的に採取された物質が少なくとも部分的にゲル状物である場合には、オレフィン系重合体組成物をフッ化水素、水酸化ナトリウム、硫酸などの酸性物質又は塩基性物質を用い、金属酸化物自体を分解することなくオレフィン系重合体と金属酸化物との間の結合のみを切断できるような条件で処理し、この処理後の組成物に対し、５種以上の溶媒を用いて上記のような溶解（又は膨潤）及び沈殿物採取からなる一連の操作を行い、得られた沈殿固体を金属酸化物（ｂ）とみなして上記と同様な方法でアリール基の定量分析に供することができる。なお、後者の場合のようにオレフィン系重合体組成物を酸性物質又は塩基性物質で処理すると、その際、金属原子−酸素原子間の結合の一部が切断することがあるため、最終的に得られた沈殿固体は、本来オレフィン系重合体組成物に含有されていた金属酸化物（ｂ）とは組成が若干異なることがあるが、アリール基の含有率を定量する目的であれば通常、精度上の問題はない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エポキシ樹脂（Ａ）、アミン系硬化剤（Ｂ）、接着性付与剤（Ｃ）およびキシレンホルムアルデヒド樹脂（Ｄ）からなる透水性舗装材用樹脂組成物。
【請求項２】  該（Ａ）が、下記一般式（１）で表されるヘテロ環含有化合物（Ｅ）を含むものである請求項１記載の樹脂組成物。
【化１】
2001158854.tif 000001
［式（１）中、ｎは１〜１０の整数、Ｘ1、Ｙ1及びＺ1は、それぞれ独立に酸素又は硫黄原子；Ｒ1は環状エーテル基含有化合物（Ｆ）の残基又は水素原子；Ｒ2は炭素数２〜１０の炭化水素基である。］
【請求項３】  該（Ｃ）が、（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）の合計１００質量部に対して、０．０５〜２０質量部である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂組成物に、さらに骨材が含まれてなる透水性舗装材。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記複数のパターンのそれぞれにおける前記構成部分を、ストライプ形状とするようにしたことを特徴とする請求項２記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  前記下地層を、前記基体上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を結晶成長させることにより形成するようにしたこと
を特徴とする請求項１１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、製造が簡単でかつ貫通転位の少ない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜膜、それらを製造するための窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法、およびそれらを用いたデバイスの製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図１（Ｆ）に示したように、例えばＭＯＣＶＤ法などを用いて、中間結晶層１４の表面にさらにＧａＮの結晶層を成長させることにより、表面結晶層１６を形成する。すなわち、中間結晶層１４の表面において第２のマスクパターン１５のストライプ１５０によって覆われていない面からＧａＮの結晶を成長させ、第２のマスクパターン１５を完全に覆う厚さにまで成長させる。表面結晶層１６の厚さは例えば８μｍである。このようにして、図１（Ｆ）に示したような結晶基板１０が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
続いて、ｎ−電極１１０を形成する位置に対応して、クラッド層１０２、ガイド層１０３、活性層１０４、キャップ層１０５、ガイド層１０６、クラッド層１０７およびｐ型コンタクト層１０８をフォトリソグラフィ法などにより除去し、ｎ型コンタクト層１０１を露出させる。続いて、表面全体を絶縁膜１１２で覆うと共に、ｎ−電極１１０とｐ−電極１１１を形成する。なお、ｎ−電極１１０は、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐｔ（白金）およびＡｕ（金）を積層して加熱処理により合金化した構造を有している。また、ｐ−電極１１１は、Ｎｉ（ニッケル）、ＰｔおよびＡｕを積層して加熱処理により合金化した構造を有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、第１の実施の形態による効果について説明する。図２に符号Ｔで示した転位は、基体１１と下地結晶層１２との界面で発生し、下地結晶層１２などの成長に伴って基体１１の表面にほぼ直交する方向に延びる。このとき、第１のマスクパターン１３と第２のマスクパターン１５が結晶基板１０の厚さ方向に互いに重なり合わない領域（すなわち、一方のパターンの開口部と他方のパターンのストライプとが重なり合う領域）Ｒでは、転位の一部は第１のマスクパターン１３のストライプ１３０によって成長を阻まれ、残りの転位は第２のマスクパターン１５のストライプ１５０によって成長を阻まれる。すなわち、この領域Ｒにおいては、転位が結晶基板１０の表面に達することが確実に防止される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
［第２の変形例］
次に、本実施形態の第２の変形例について説明する。この変形例では、第２のマスクパターンの形状が異なる以外は、第１の実施の形態と同様である。以下、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細説明は省略する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、第１のマスクパターン２３のストライプ２３０の配列周期と第２のマスクパターン２５のストライプ２５０の配列周期が異なっているため、両マスクパターンのストライプ２３０およびストライプ２５０が互いに平行になるようにしさえすれば、第１のマスクパターン２３および第２のマスクパターン２５が重なり合わない領域Ｒを生じさせることができる。すなわち、製造工程を複雑にすることなく、貫通転位のない結晶基板または結晶膜を形成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１１（Ａ）に示したように、第１および第２の実施の形態と同様、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物であるＧａＮと格子定数および熱膨張係数が近い例えばＡｌ2 Ｏ3 からなる基体３１を用いる。次に、図１１（Ｂ）に示したように、基体３１の上に、例えばＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法あるいはその他の気相成長法を用いてＧａＮを結晶成長させることにより、下地結晶層３２を形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次に、図１１（Ｄ）に示したように、下地結晶層３２の表面に例えばＭＯＣＶＤ法などを用いてＧａＮの結晶層を成長させ、中間結晶層３４を形成する。続いて、図１１（Ｅ）に示したように、例えばドライエッチングにより中間結晶層３４の表面にストライプ状の凹部３５０を多数形成し、第２の凹凸パターン３５とする。この第２の凹凸パターン３５の凹部３５０は、第１の凹凸パターン３３と平行な方向に４μｍの間隔を開けて形成された幅４μｍの平行なストライプ状に形成されており、その配列周期ｐ2 は８μｍとなる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、第１の凹凸パターン３３の配列周期と第２の凹凸パターン３５の配列周期が異なっているため、両凹凸パターンの凹部３３０および凹部３５０が互いに平行になるようにしさえすれば、第１の凹凸パターン３３および第２のマスクパターン３５が重なり合わない領域Ｒを生じさせることができる。すなわち、第１および第２の実施の形態と同様、製造工程を複雑にすることなく、貫通転位のない結晶基板または結晶膜を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ヘテロダイン検出システムであって、
入力信号を減衰させるための調整可能な減衰器と、
前記減衰器から前記入力信号を受信し、かつ局部発振器信号を受信するように結合された光カプラと、
前記光カプラからの合成光信号を受信するように結合された光受信器と、
減衰制御モジュールとを含み、
前記減衰制御モジュールが、
前記局部発振器信号に応答し、かつ前記入力信号の無い状態で前記出力信号の基礎測定値を取得し、
前記入力信号に応答し、異なる減衰レベルの関数として前記出力信号のサンプル測定値を取得し、及び
前記基礎測定値と前記サンプル測定値の関数として前記減衰器に関する最適減衰レベルを求めることを行い、その最適減衰レベルを求めることが、
前記サンプル測定値から前記入力信号の強度雑音特性を特定し、及び
前記最適減衰レベルを求めることにおいて前記強度雑音特性を利用することを含む、光ヘテロダイン検出システム。
【請求項２】
前記サンプル測定値が、前記局部発振器信号の無い状態で取得される、請求項１に記載の光ヘテロダイン検出システム。
【請求項３】
光ヘテロダイン検出システムであって、
入力信号を減衰させるための調整可能な減衰器と、
前記減衰器から前記入力信号を受信し、かつ局部発振器信号を受信するように結合された光カプラと、
前記光カプラからの合成光信号を受信するように結合され、少なくとも１つの光検出器を含む光受信器であって、前記少なくとも１つの光検出器が、関連する電圧限界、及び前記少なくとも１つの光検出器に関連する直流（ＤＣ）電圧を測定するための中間の検出点を有する、光受信器と、
減衰制御モジュールとを含み、
前記減衰制御モジュールが、
前記中間の検出点から測定される際に、対応するＤＣ電圧が前記少なくとも１つの光検出器の前記電圧限界に達するまで、前記調整可能な減衰器の減衰レベルをデクリメントし、及び
前記ＤＣ電圧が到達した減衰レベルに応じて最小減衰レベルを確立することを行う、光ヘテロダイン検出システム。
【請求項４】
前記中間の検出点が、前記ＤＣ電圧をフィルタリングするように構成されたフィルタの前に配置される、請求項３に記載の光ヘテロダイン検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記撮影条件決定手段は、露光量調整のための露光時間を決定する請求項５〜７のいずれかに記載のマルチバンド画像撮影装置。