【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された第１の導電層と、該第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域と、該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第３の不純物領域を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記第１の不純物領域は、前記第２の導電層と全てが重なるように設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記第３の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素ＴＦＴと、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴ、前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された第１の導電層と、該第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記画素ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域と、該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第３の不純物領域を有し、
前記画素ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記第１の不純物領域は、前記第２の導電層と全てが重なるように設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記第３の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された第１の導電層と、該第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域と、該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第３の不純物領域を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記第１の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記第３の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
画素ＴＦＴと、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴ、前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された第１の導電層と、該第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記画素ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域と、該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第３の不純物領域を有し、
前記画素ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記第１の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記第３の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
一つの画素に、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴとのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された第１の導電層と、該第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第１の不純物領域と、該第１の不純物領域に接して形成された第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域に接して形成された第３の不純物領域を有し、前記第３の不純物領域は、前記第２の導電層と一部が重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の不純物領域の長さは、１．０μｍ以上６μｍ以下であり、
前記第１の不純物領域が前記第２の導電層と重ならない長さは、０．５μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴはマルチゲート構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記ｐチャネル型ＴＦＴには、発光層を有する素子が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の不純物領域におけるｎ型を付与する不純物元素の濃度が、１×１０１６〜５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の不純物領域に接して設けられ、前記第１の不純物領域と同一の不純物元素又は前記第３の不純物領域と同一の不純物元素を含む半導体層と、前記ゲート絶縁膜と同じ層で形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された容量配線でなる保持容量が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、積層された導電層でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、前記ゲート絶縁膜に接して形成され、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有する導電層（Ａ）と、
前記導電層（Ａ）の上に形成され、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有する導電層（Ｂ）とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記導電層（Ａ）と前記導電層（Ｂ）との界面には、前記導電層（Ａ）の窒化膜が設けられ、
前記導電層（Ｂ）と前記第２の導電層との界面には、前記第２の導電層の窒化膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴは、ガラス基板、ステンレス基板又はプラスチック基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、透過型の液晶表示装置又は反射型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、携帯電話、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、プログラムを記録した記録媒体を用いるプレーヤー、ゴーグル型ディスプレイ、電子書籍、プロジェクターから選ばれたいずれか一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
第１の半導体層と第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層と第２の半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接して前記第１の半導体層と第２の半導体層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をマスクとして前記第１の半導体層に周期律表１５族に属する元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体層上にフォトレジストを形成し、
前記フォトレジスト及び前記第１の導電層をマスクとして前記第２の半導体層に周期律表１３族に属する元素を添加して第３の不純物領域を形成し、
前記フォトレジストを除去し、
前記第１の導電層と前記ゲート絶縁膜とに接する第２の導電層を前記第１の半導体層と前記第２の半導体層上に形成し、
前記第２の導電層をマスクとして前記第１の半導体層に周期律表１５族に属する元素を添加して第２の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
第１の半導体層と第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層と第２の半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接して前記第１の半導体層と第２の半導体層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をマスクとして前記第１の半導体層に周期律表１５族に属する元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体層上にフォトレジストを形成し、
前記フォトレジスト及び前記第１の導電層をマスクとして前記第２の半導体層に周期律表１３族に属する元素を添加して第３の不純物領域を形成し、
前記フォトレジストを除去し、
前記第１の導電層と前記ゲート絶縁膜とに接する第２の導電層を前記第１の半導体層と前記第２の半導体層上に形成し、
前記第２の導電層をマスクとして前記第１の半導体層に周期律表１５族に属する元素を添加して第２の不純物領域を形成し、
前記第２の導電層の一部を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０において、
前記第２の不純物領域から延在した半導体層上に、前記第１の導電層と該第１の導電層に接する前記第２の導電層と同一の層でなる容量配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記第２の不純物領域から延在した半導体層に、前記第１の不純物領域に添加する元素と同一の周期律表１５族に属する元素又は前記第３の不純物領域に添加する元素と同一の周期律表１３族に属する元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、前記ゲート絶縁膜に接して形成され、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有する導電層（Ａ）と、前記導電層（Ａ）上にアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有する導電層（Ｂ）とから形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１９乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、から選ばれた一種若しくは複数種の元素、又は該元素を主成分とする合金を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１９乃至請求項２５のいずれか一項において、
前記第１の不純物領域に１×１０１６〜５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で周期律表１５族に属する元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１９乃至請求項２６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、透過型の液晶表示装置又は反射型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１９乃至請求項２６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、携帯電話、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、プログラムを記録した記録媒体を用いるプレーヤー、ゴーグル型ディスプレイ、電子書籍、プロジェクターから選ばれたいずれか一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。