【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明絶縁性基板上に、薄膜トランジスタと、透明な導電材料から成る陽極、発光層及び不透明な導電材料から成る陰極が順に積層されたエレクトロルミネッセンス素子と、を各画素に備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記陽極の一部は前記透明絶縁性基板の直上に形成されており、前記発光層からの光が前記透明絶縁性基板を透過して外部に出射することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】  前記薄膜トランジスタの上方には、該薄膜トランジスタと前記エレクトロルミネッセンス素子とを必要領域を除いて絶縁し、離間する絶縁層が形成され、
該絶縁層は各画素内に開口部を備え、該開口部によって露出した前記透明絶縁性基板の表面を前記陽極が覆っていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】  前記絶縁層は、各画素内に、該画素の中央側から外側に向かって径の広がる開口部を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】  前記透明な導電材料は酸化インジウム錫から成ることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと一体形成した容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなり、第１のＴＦＴ３０のゲート電極１１と同時にゲート電極４１を形成する。このゲート電極４１は容量電極５５と接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉ
Ｏ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコン
タクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶縁膜１７及び層間絶縁膜１５のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層、キナクリド
ン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６２、マグ
ネシウム・インジウム合金から成る陰極６３がこの順番で積層形成された構造である。このうち発光層は、各表示画素で発光させる色を異ならせる場合には、図４（ｂ）に示すように陽極６１に対応して島状に形成される。この陰極６３は、図３に示した有機ＥＬ表示装置を形成する基板１０の全面、即ち紙面の全面に設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、表示画素付近には、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース１３ｓと一体形成した容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するた
めに設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図１及び図２に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなり、第１のＴＦＴ３０のゲート電極１１と同時にゲート電極４１を形成する。ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層４３を順に形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
その能動層４３には、ゲート電極４１上方に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、その両側にイオンドーピングしてソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
露出した絶縁性基板１０上に陽極６１の材料であるＩＴＯを堆積してエッチングする。その陽極６１の周辺に絶縁膜６４（点線で示す領域の外側）を形成する。これは、陽極６１の厚みによる段差に起因する発光層の断切れによって生じる陰極６３と陽極６１との短絡を防止するために設ける。そして、陽極６１上に前述の各層の材料を堆積して発光層６２を形成する。更にその上には不透明材料であるマグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）との合金から成る各有機ＥＬ素子に共通の陰極６３をＴＦＴ４０の上方を含む基板１０の全面に形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
こうして作製した有機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子が絶縁性基板１０の直上に設けられるため、発光層から発光した光がＴＦＴ４０を構成する各絶縁膜、即ち平坦化絶縁膜１７、層間絶縁膜１５、ゲート絶縁膜１２によって反射されて絶縁基板１０側から取り出せない光を減少させることができるので、明るい表示を得ることができる有機ＥＬ表示装置を得られる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
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【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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