【事件の表示】
　平成　７年特許願第２９１８２６号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年　８月２０日出願公開、特開平　８−２１３６５５、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年特許願第５０２０９号（平成２年２月２８日出願）を原出願として、平成７年１０月１３日に特許法第４４条第１項の規定による分割出願として出願されたものであり、特許請求の範囲の請求項に係る発明は、平成１０年６月２４日付け、平成１３年８月６日付け及び平成１４年４月３日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１Ωｃｍ〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたシリコンドープのＮ型の層と、前記シリコンドープのＮ型の層より抵抗率の高いシリコンがドープされていないＮ型の層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　なお、平成９年１月２２日付け、平成１０年２月１６日付け及び平成１１年１０月７日付け手続補正書は、補正却下の決定がなされ、確定している。
　
２．当審における拒絶理由
　当審において補正前の請求項１〜５に係る発明について行った、平成１３年５月２５日付け拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。
２−１．特許法第２９条第１項第３号違反について
　原出願の願書に最初に添付した明細書（以下、「原出願当初明細書」という。）の記載によれば、窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子として開示されていたのはＭＩＳ構造の窒化ガリウム系発光素子のみであり、原出願当初明細書に記載された発明は、ＭＩＳ構造のＧａＮ発光ダイオードの特性を向上させるために、抵抗率の制御可能なＮ型のＧａＮ系の化合物半導体の製造技術を確立することを目的とするものである。
　しかるに、請求項１ないし請求項５には、「シリコンが添加された窒化ガリウム系化合物半導体を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」と、ＭＩＳ構造発光素子だけでなくＰＮ接合型発光素子をも含む発光素子の発明が記載されており、このような発光素子の発明は、原出願当初明細書に記載されておらず、原出願当初明細書に記載されているに等しい発明でもない。
　してみれば、本願は分割要件を満足しないものであり、その出願日は現実の出願日である平成７年１０月１３日である。
　そして、特開平３−２５２１７５号公報（原出願の公開公報）には、ＭＩＳ構造であり、本願の請求項１ないし請求項５に係る発明の構成要件をすべて備えた窒化ガリウム系発光素子が記載されている。
　よって、請求項１ないし請求項５に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　
２−２．特許法第２９条第２項について
　請求項１ないし５に係る発明は、下記の引用例１ないし引用例４に記載された発明等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　記
引用例１：天野浩工学博士授与論文（１９８９年１月１３日授与）「ＧａＮのＭＯＶＰＥ成長と光電物性及び青色発光素子への応用に関する研究」
引用例２：日本結晶成長学会誌Ｖｏｌ．１５　Ｎｏ．３＆４　１９８８　の３３４頁〜３４２頁“ＭＯＶＰＥ法によるサファイア基板上へのＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果”天野浩他
引用例３：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　７７　（１９８６）　ｐ４２４〜４２９、“ＴＨＥ　ＩＮＦＬＵＥＮＣＥ　ＯＦ　ＴＭＡ　ＡＮＤ　ＳｉＨ４　ＯＮ　ＴＨＥ　ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ　ＲＡＴＥ　ＯＦ　ＧａＩＮＡｌＸＧａ１−ＸＮ　ＣＲＹＳＴＡＬＳ　ＧＲＯＷＮ　ＦＲＯＭ　ＴＭＧ　ＡＮＤ　ＮＨ３”、　ＫｅｙｖａｎＳＡＹＹＡＨ、ｅｔ．ａｌ
引用例４：特開昭５９−２２８７７６号公報
　
２−３．特許法第３６条について
　本願明細書の【発明が解決しようとする課題】の欄に、「本発明者は、上記のＧａＮ発光ダイオードを製造する過程において、有機金属化合物気相成長法によるＧａＮ半導体の気相成長技術を確立するに至り、高純度のＧａＮ気相成長膜を得ることができた。この結果、従来、不純物のドーピングをしない場合には、低抵抗率のＮ型ＧａＮが得られたが、本発明者等の気相成長技術の確立により、不純物のドーピングなしに高抵抗率のＧａＮが得られた。」と記載され、請求項５には、シリコンが添加された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）の抵抗率は３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであることが示されているので、請求項５に係る発明を実施するためには、ノンドープで少なくとも抵抗率３×１０−１Ωｃｍ以上、キャリア濃度６×１０１６ｃｍ−３以下の高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が必要である。しかし、本件明細書には、このような高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が開示されていると認めることはできず、当業者が容易にその実施をすることができない。
　
３．引用刊行物
　上記引用例１（天野浩工学博士授与論文（１９８９年１月１３日授与））には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「（ａ）ＡｌＮ緩衝層をサファイア上に堆積したのちＧａＮを成長させる場合、約９５０℃に降温し、ＮＨ３を導入したのちＴＭＡを導入し・・・ＡｌＮを堆積する。その直後に基板温度を１０２５℃に昇温し、ＴＭＧを所定流量導入する。」（第９頁第１〜４行）、
「本研究において見いだされた、サファイア上にＡｌＮをＧａＮ成長前に低温堆積する方法により、今まで得ることのできなかった品質の優れたＧａＮ膜の作製が可能であることを、多面的な評価により明らかにした。」（第９１頁第１９〜２１行）、
「また無添加ＧａＮの高純度化について、ドナー不純物の低減が課題としてあげられる。現在ではまだキャリアー濃度の温度依存性から１０１８ｃｍ−３程度のドナー不純物があると算定されている。不純物の種類はまだ確定されていない。ＧａＮのより本質的な物性を明らかにするために、或は伝導性及び伝導型の制御を行うためにもドナー不純物の低減が必要である。」（第９４頁第１０〜１４行）
　また、６３頁の表５−１「ＧａＮに於けるドナー及びアクセプターの活性化エネルギー」のドナーの欄にドナーの起源としてＳｉが記載されており、第８１頁の図７−１には、サファイア基板、ＡｌＮ層、ノンドープのｎ−ＧａＮ、Ｚｎドープのｉ−ＧａＮを有し、Ｚｎドープのｉ−ＧａＮの中央部及びノンドープのｎ−ＧａＮからＺｎドープのｉ−ＧａＮの側面にＡｌ電極を設けたｍ−ｉ−ｎ構造の発光素子構造がみてとれる。
　
　同じく引用例２（日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１５　Ｎｏ．３＆４　１９８８）は、引用例１と同じ天野浩等により記載された論文であって、ＭＯＶＰＥ法によるサファイヤ基板上へのＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果に関し、以下の事項が図面とともに記載されている。
「ＧａＮは・・・青色から紫外領域にわたる発光素子として有望な材料」（第３３４頁右欄第２〜４行）、
「ＧａＮは・・・単結晶成長には主として・・・有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法などの気相エピタキシャル成長法が用いられる。・・・サファイア基板（α−Ａｌ２Ｏ３）が用いられている。」（第３３４頁右欄第５〜１２行）、
「ＭＯＶＰＥ法において成長層と基板との間にエピタキシャル温度よりも低い温度で単結晶でないバッファ層を堆積させることを提案した。すなわち、バッファ層としてＡｌＮを用いこれを通常のエピタキシャル温度（〜１２００℃）よりも低い温度で堆積させその上にＧａＮ膜を成長させることにより、ＧａＮ膜の結晶学的特性のみならず光学的特性、さらに電気的特性も従来のどの方法よりも改善されることを見いだし、更にこの方法を拡張することにより高効率のＧａＮ青色ＬＥＤが実現できる」（第３３４頁右下欄下から２行〜第３３５頁左欄第１０行）、
「ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ法によるＨａｌｌ測定の結果をＦｉｇ．４に示す。測定した試料はすべてｎ型の伝導を示した。ＡｌＮバッファ層を使用して成長させたＧａＮ膜のキャリア濃度は温度と共に増大し、室温で２〜５×１０１７ｃｍ−３である。これに対し通常の成長の場合はキャリア濃度は２桁ほど大きく温度依存性がほとんど見られなかった。またＡｌＮバッファ層を用いた場合、室温での電子移動度は３５０〜４３０ｃｍ２／Ｖ・ｓで、通常の成長の場合に比べて１桁ほども大きい。」（第３３６頁右欄下から３行〜第３３７頁左欄第７行）
　第３３６頁のＦｉｇ．４には、引用例１の図３−４（Ｐ２３）と同じｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ法による不純物無添加ＧａＮの自由電子濃度とＨａｌｌ移動度の測定温度依存性の図が記載されており、ＡｌＮバッファ層を有する場合と有しない場合のＧａＮ膜のキャリア濃度及び電子移動度のデータが示されている。
　
　同じく引用例３（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　７７　（１９８６））は、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によるＡｌＸＧａ１−ＸＮ（窒化ガリウム系化合物半導体）の製造方法に関するものであって、以下の事項が載されている。
「ＳｉはＧａＮに対して浅いドナーとして機能する」（第４２４頁第６〜７行）、
「アルミニウムのより高い組成比の範囲において、材料の抵抗を制御するために、半絶縁性のＡｌＸＧａ１−ＸＮ中にシランガスによりシリコンをドープすることが試みられた。・・・この不純物は、ＧａＮの中で約３０ｍｅＶの浅いドナーレベルを有する［１５］。」（第４２８頁左欄下から４行〜同頁右欄第２行）
　
　同じく引用例４（特開昭５９−２２８７７６号公報）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「１．ｎ型III−Ｖ族化合物半導体であるＡｌＸＧａ１−Ｘ Ｎ（０≦Ｘ≦１）と、その上のｐ型III−Ｖ族化合物半導体であるＡｌｙＧａ１−ｙ Ｎ（０≦Ｙ≦１）とから、シングル・ヘテロ接合を形成することを特徴とする半導体へテロ接合素子。」（特許請求の範囲）、
「絶縁性基板３の上に、ｎ＋型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）を実施例１と同様の方法により数μｍ厚に成長させる。ｎ＋型にするため、ｎ型よりもドナーを多く添加する」（第３頁右上欄第６〜１０行）、
「通常、このようにして作られたノンドープＧａＮエピ膜は、Ｎ−空格子点の影響でｎ型になっており、キャリア濃度１０１８〜２０ ｃｍ−３、特にドナーを添加せず、そのままｎ型エピ膜として用いる。ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜ｘ≦１）エピ膜の成長は、前記ｎ型ＧａＮ気相エピタキシャル法に、塩化物の場合はＡｌＣｌ３ を、有機金属の場合は、（ＣＨ３ ）３Ａｌを加えて行われる。
　ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）の場合、ドナ−としてＳｉをＳｉＨ４ などのガスを用いて添加する。組成ＸはＡｌおよびＧａに関するガス流量比を制御することで定められる。」（第２頁左下欄第１１行〜同頁右下欄第２行）、
「このシングル・ヘテロ接合素子を動作させるには、第２図に示すように、ｐ型上の電極に＋極性、ｎ型上の電極に−極性の直流電圧を付加し、ｐ−ｎ接合部で発光させる。印加電圧は、青色発光波長に対応するエネルギー（≧２．５ｅＶを目安にすればよく、２．５〜３Ｖに設定され、従来のＭＩＳ構造に比べて１／３〜１／４の印加電圧ですむ。電流は１０ｍＡ〜１００ｍＡである。」（第２頁右下欄第１１〜１８行）、
「有機金属をＮＨ３ ガスと熱分解反応させてＧａＮエピ膜を成長させる方法を用いる。」（第２頁左下欄第７〜８行）、
「絶縁性基板としては、Ｃ面サファイア基板、Ｒ面サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板を用いる。」（第２頁右上欄第１９〜２１行）
　第２ないし５図には、導電性基板３，７上にｎ型あるいはｎ＋型層４，９が直接積層されていることがみてとれる。
　
４．判断
４−１．特許法第２９条第１項第３号違反について
　本願発明の技術的事項である「サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子」は、原出願当初明細書に、「第１図において、発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に・・・バッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３・・・が形成されている。」（第５頁第５〜１１行）及び「上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と記す）による気相成長により製造された。・・・サファイア基板１を１０分間気相エッチングした。次に、温度を、４００℃まで低下させて、・・・バッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。次に、ＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し・・・ＴＭＧをバブリングさせたＨ２を・・・流し、シリコンを含むガスとして・・・シラン（ＳｉＨ４）を・・・・・・ＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３を形成した。」（第５頁第１９行〜第７頁第６行）と記載されていることからみて、実質的に記載されているに等しい事項である。
　また、本願発明の技術的事項である「前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１Ωｃｍ〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたシリコンドープのＮ型の層と、前記シリコンドープのＮ型の層より抵抗率の高いシリコンがドープされていないＮ型の層であること」は、原出願当初明細書に、「次に、ＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し・・・ＴＭＧをバブリングさせたＨ２を・・・流し、シリコンを含むガスとして・・・シラン（ＳｉＨ４）を・・・流して・・・ＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３を形成した。続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、・・・キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以下のＧａＮから成る低キャリア濃度Ｎ層４を形成した。」（第６頁第１８行〜第７頁第１２行）、「上記の製造過程において、高キャリア濃度Ｎ＋層３を気相成長させるとき・・・シラン（ＳｉＨ４）を・・・制御することにより、高キャリア濃度Ｎ＋層３の抵抗率は、第８図に示すように、３×１０−１Ωｃｍから８×１０−３Ωｃｍまで変化させることができる。」（第９頁第１３行〜第１０頁第１１行）、「本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長過程において、シリコンを含むガスと、他の原料ガスは同時に流され両ガスの混合比率が制御される。この結果、窒化ガリウム系化合物半導体気相成長膜にシリコンが取り込まれ、そのシリコンはドナーとして作用する。」（第４頁第１１〜１６行）及び「このようにして、高キャリア濃度Ｎ＋層３と低キャリア濃度Ｎ層４とを抵抗率の制御可能状態で形成することができた。」（第１０頁第１０〜１２行）と記載されていることからみて、実質的に記載されているに等しい事項である。
　上記のように、本願発明の個別の技術的事項は、すべて原出願当初明細書に記載されているに等しい事項である。
　
　そして、原出願当初明細書の特許請求の範囲には「有機金属化合物気相成長法による窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）の製造方法であって、・・・導電率の制御されたＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体・・・の気相成長膜を得ることを特徴とする製造方法。」と記載され、該記載は素子のタイプに関係するものとして記載されていない。
　さらに、【産業上の利用分野】の欄には「本発明は、導電率の制御されたＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関し、特に、青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子・・・である。」（第１頁第１６〜１９行）と記載されており、上記「Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体・・・の気相成長膜」が「青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に用いるものであることは明らかである。
　
　してみると、素子のタイプに関係のない製造方法で作られた膜が青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のものであることが原出願当初明細書から読みとれ、個々の事項についても原出願当初明細書に実質的に記載があるのであるから、本件出願が分割要件を満足しないとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本件の出願日が現実の出願日に繰り下がることはなく、したがって拒絶理由に引用された特開平３−２５２１７５号公報（原出願の公開公報）は、本件出願前公知の文献ではないから、特許法第２９条第１項第３号にいう刊行物には当たらない。
　
４−２．特許法第２９条第２項について
　引用刊行物の上記記載事項より、引用例１には、「サファイア基板と、サファイア基板上にＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長）法により、次に堆積する窒化ガリウム化合物半導体層より低温で成長させたＡｌバッファ層、ノンドープのＮ型の窒化ガリウム化合物半導体層、Ｚｎドープのｉ型の窒化ガリウム化合物半導体層を堆積し、Ｚｎドープのｉ型の窒化ガリウム化合物半導体層の中央部及びノンドープのｎ型の窒化ガリウム化合物半導体層からＺｎドープのｉ型の窒化ガリウム化合物半導体層の側面にＡｌ電極を設けた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、「サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされた層と、シリコンがドープされていないＮ型の層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明の気相成長膜が、前記気相成長時にドーピングされた「シリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１Ωｃｍ〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたシリコンドープのＮ型の」層と、「前記シリコンドープのＮ型の層より抵抗率の高い」シリコンがドープされていないＮ型の層からなるのに対し、引用例１には、気相成長膜であるＮ型の窒化ガリウム化合物半導体として、サファイア基板及びＡｌＮ層上に、ノンドープのｎ−ＧａＮ及びＺｎドープのｉ−ＧａＮの２層のＧａＮ層が記載されており、該引用例第６３頁表５−１「ＧａＮに於けるドナー及びアクセプターの活性化エネルギー」のドナーの欄にドナーの起源としてＳｉが記載されてはいるものの、それ以外の上記事項については言及のない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例１のＧａＮにドナーを作用させて抵抗率を所定の数値範囲の値に設定可能にすることが容易であるといえるためには、引用例１において、まず、
（１）不純物を含むノンドープのＧａＮ層にドナー材料を添加して伝導性の制御を行うこと自体が可能であること、
（２）ドナー不純物を低減して高純度化した状態のＮ型ＧａＮが得られているか、またはドナー不純物の低減方法が明らかであって高純度化したＮ型ＧａＮが得られることが明らかであること
のいずれかが明確である必要がある。
　
（１）について：
　引用例１には「また無添加ＧａＮの高純度化について、ドナー不純物の低減が課題としてあげられる。現在ではまだキャリアー濃度の温度依存性から１０１８ｃｍ−３程度のドナー不純物があると算定されている。不純物の種類はまだ確定されていない。ＧａＮのより本質的な物性を明らかにするために、或は伝導性及び伝導型の制御を行うためにもドナー不純物の低減が必要である。」（第９４頁第１０〜１４行）と記載されている。
　技術水準としての文献である高木克己・山田祥二共著「わかりやすい半導体光物性」（１９７４−５−１０、増補改訂版、（株）産報）（「図１．３５に示すようにドナ−電子のほとんど全部が導電帯に励起されています。従って自由電子濃度ｎはドナー濃度とほとんど同じになります。このことを利用すると、半導体内の自由電子濃度を測定してドナー濃度を求めたり、あるいは逆に故意に適当量の不純物を加えて希望の抵抗値の結晶を作ったりすることができます。・・・このようにして希望の抵抗値の試料を作ることができるのですが、そのためには素材の純度を充分に高くして素材中にはじめから混入していた不純物が抵抗値に影響しないようにしておかなければなりません。半導体を取り扱う際に，純度を非常に問題とする理由の１つはここにあります。」（第５３頁第１行〜２１行））及び高橋清著「森北電気工学シリーズ４、半導体工学−半導体物性の基礎−」（１９７５−８−１、森北出版）（「半導体の電気伝導は不純物（化学的不純物）の種類・量、ならびに結晶性（物理的不純物）に強く左右される。したがって半導体デバイスの製作に当たっては、できるだけ純粋な単結晶を作り、それに使用目的に応じた種類の化学的不純物を必要量だけ添加する方法がとられる。」（第２９７頁））を参酌すると、引用例１は、ＧａＮにおいても一般的な半導体と同様に、できるだけドナー不純物の少ない単結晶を作り、所望の化学的不純物を添加して伝導性の制御を行うべきことを開示してはいるものの、該記載は逆に、引用例１において得られたＧａＮが不要なドナー不純物を含むものであって、所望のドープ材をドープして伝導性を制御するためには該不純物を低減する必要があるが、引用例１に記載されたＧａＮは不純物の種類も不明で且つ高純度化の課題を有するものであるから、このような不純物を含んだままのノンドープのＧａＮにはドナーとなる材料をドープするべきではないことを記載したものと見ることができる。
　よって、引用例１は、ドナーとなる材料をドープして抵抗率を制御するようなＧａＮを記載するものでも、不純物を含むノンドープのＧａＮ層にドナー材料を添加して伝導性の制御を行うことを記載するものでもない。
（引用例４を見ると、ノンドープのＮ型ＧａＮはむしろそのままｎ型エピ膜として使用することが記載（第２頁左下欄１１〜１５行）されており、このことからも不純物を含むノンドープのＮ型ＧａＮがドナーとなる材料をドープして制御する対象ではないことが分かる。）
　
（２）について：
　引用例１では、不純物の種類も不明で且つ高純度化の課題を有するものであるから、「伝導性及び伝導型の制御を行うためにもドナー不純物の低減が必要」との希望的記載だけでは、どのような不純物を、どのように除去して、どの程度の抵抗率までのＮ型ＧａＮとするのかが不明であり、結局高純度化した状態のＮ型ＧａＮ、即ちドナーを作用させて抵抗率を所望の値に設定可能なＧａＮを記載しているとも、それを得ることが明らかであるともいえない。
　
　してみると、引用例１は、不純物を含むノンドープのＧａＮ層にドナー材料を添加して伝導性の制御を行うことを記載するものとも（上記「（１）について」参照）、ドナー不純物を低減して高純度化した状態のＮ型ＧａＮが得られているか、またはドナー不純物の低減方法が明らかであって高純度化したＮ型ＧａＮが得られることが明らかであるとも（上記「（２）について」参照）いえないのであるから、引用例１にドナーの起源としてＳｉが記載されまた引用例３に「ＳｉはＧａＮに対してドナーとして働く」と記載されているとしても、引用例１にはこれを適用すべき事項が記載されているとはいえない。
　よって、本願発明の技術的事項である「前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して」との事項、及び所定の数値範囲において『「抵抗率を」「所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である」』との事項が、当業者が容易になし得るとはいえない。
　
　上記のとおり、本願発明の技術的事項である「前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して」との事項、及び所定の数値範囲において『「抵抗率を」「所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である』との事項が、当業者が容易になし得るとはいえない以上、上記事項を前提としてなされる抵抗率の具体的な数値限定が容易になし得るとはいうことはできないが、念のため上記以外の相違点である抵抗率の具体的な数値限定（「３×１０−１Ωｃｍ〜８×１０−３Ωｃｍの範囲」）について以下検討する。
（イ）引用例２のノンドープＮ型ＧａＮの抵抗率は、１０−２Ωｃｍ程度であると認められるが、引用例１が同じ条件で製造されたものかどうかは明確ではないから、引用例１及び引用例２の抵抗率が同程度であるかは明確でない。仮に、両者の抵抗率が同程度であるとしても、上記したように、引用例１のような不純物を含むＧａＮはそのままではドナーとなる材料をドープして制御する対象ではない。
（ロ）引用例２を参酌して、引用例１のノンドープのＮ型ＧａＮが本願発明の数値範囲に入っていると認められるとしても、高純度化したときにＧａＮが１０−２Ωｃｍとは異なる値となることは明らかであるから、上記数値は本願発明の制御すべき数値範囲の根拠とはならない。
（ハ）引用例１のものは、不純物を含むＧａＮであって、そのままではドナーとなる材料をドープして制御する対象ではないから、これにドナー材料をドープすることが導けるものではないが、仮にドープしたとした場合には、１０−２Ωｃｍより抵抗率の小さなある数値になることがいえるにしても、３×１０−１Ωｃｍ〜８×１０−３Ωｃｍの所望の値に設定することが導けるものではない。
（ニ）引用例１には、高純度化した状態のＮ型ＧａＮが記載されておらず、したがって高純度化したときにどの程度のキャリア濃度・抵抗率になるのかが不明なのであるから、Ｓｉをドナーとしてドーピングした場合に、どの数値に制御すればよいのかあるいはどの数値範囲が制御可能なのかが不明であるばかりでなく、上記のように数値限定の具体的な数値も導くことができないので、上記の抵抗率の数値限定を容易に導くことができるとはいえない。
　よって、引用例１ないし４を見ても、抵抗率の具体的な数値を、「３×１０−１Ωｃｍ〜８×１０−３Ωｃｍの範囲」とすることが、当業者が容易になし得ることとは言えない。
　
　さらに、本願発明は、気相成長膜のうち“シリコンがドープされていないＮ型の層”が、「前記シリコンドープのＮ型の層より抵抗率の高い」と規定されているものであって、上記したと同様にその前提となる事項について容易といえない以上、この点を容易ということはできない。
　
　結局、上記相違点とすることは、引用例１ないし４から当業者が容易になし得るということは出来ない。
　そして、本願発明の技術的事項により、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
４−３．特許法第３６条について
　本願明細書には、「続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、−１５℃に保持したＴＭＧをバブリングさせたＨ２を１００ｃｃ／分で２０分間流して、膜厚約１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以下のＧａＮから成る低キャリア濃度Ｎ層４を形成した。」（【００１４】）と記載されており（該事項は、原出願当初明細書から記載されている事項である。）、該キャリア濃度は「キャリア濃度６×１０１６ｃｍ−３以下」である。
　とすれば、本願明細書には、本願発明を実施し得るような高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が開示されていると認めるほかはない。
　
　なお、当審における平成１４年４月３日付け拒絶理由が、同日付けの手続補正書により解消していることは明らかである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件の出願日が現実の出願日に繰り下がることはなく、したがって本願発明が拒絶理由に引用された特開平３−２５２１７５号公報と同一であるということはできず、また本願発明は、引用例１ないし４に記載された発明から当業者が容易になし得るということはできず、さらに本件明細書には、高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が開示されておらず、当業者が容易にその実施をすることができないとすることもできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。