Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンピュータ断層撮影装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線源から放射された放射線ビームに対し被検体を相対回転させる回転手段を有し、放射線検出器によって得られる多数の前記回転の位置における前記被検体の多数の透過データから前記被検体の断面像を得るコンピュータ断層撮影装置において、
前記回転の軸を前記放射線源の方向に相対移動させるｘ移動機構と、
該ｘ移動したとき透過データ上で移動する回転中心位置を、予想する回転中心予想手段と、
前記被検体の多数の透過データを前記回転の間に加算した加算透過データ上で前記予想された回転中心位置を反映して回転中心位置を求める回転中心求出手段と
を具備することを特徴とするコンピュータ断層撮影装置。
【請求項２】
放射線源から放射された放射線ビームに対し被検体を相対回転させる回転手段を有し、放射線検出器によって得られる多数の前記回転の位置における前記被検体の多数の透過データから前記被検体の断面像を得るコンピュータ断層撮影装置における前記回転の中心位置を求める方法おいて、
前記回転の軸を前記放射線源の方向に相対移動させるｘ移動機構と、
該ｘ移動したとき透過データ上で移動する回転中心位置を予想する回転中心予想手段と、
前記被検体の多数の透過データが作るサイノグラム上で、多数点での透過データと、仮想回転中心を設定することで決るこの多数点とそれぞれ逆向き放射線経路をなす多数点での透過データとの相関をとり、前記予想された回転中心位置を反映して前記仮想回転中心を変更して所定条件を満たす前記相関を与える前記仮想回転中心を回転中心位置として求める回転中心救出手段と
を具備することを特徴とするコンピュータ断層撮影装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のコンピュータ断層撮影装置において、
前記予想された回転中心位置を前記放射線検出器で検出した被検体の透過データに重ねて表示する表示手段を更に具備することを特徴とするコンピュータ断層撮影装置。
【請求項４】
放射線源から放射された放射線ビームに対し被検体を相対回転させる回転手段を有し、放射線検出器によって得られる多数の前記回転の位置における前記被検体の多数の透過データから前記被検体の断面像を得るコンピュータ断層撮影装置において、
前記回転の軸を前記放射線源の方向に相対移動させるｘ移動機構と、
該ｘ移動したとき透過データ上で移動する回転中心位置を予想する回転中心予想手段と、
前記予想された回転中心位置を前記放射線検出器で検出した被検体の透過データに重ねて表示する表示手段と
を具備することを特徴とするコンピュータ断層撮影装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
またさらに上記課題を達成するために本発明は、放射線源から放射された放射線ビームに対し被検体を相対回転させる回転手段を有し、放射線検出器によって得られる多数の前記回転の位置における前記被検体の多数の透過データから前記被検体の断面像を得るコンピュータ断層撮影装置において、前記回転の軸を前記放射線源の方向に相対移動させるｘ移動機構と、該ｘ移動したとき透過データ上で移動する回転中心位置を予想する回転中心予想手段と、前記被検体の多数の透過データが作るサイノグラム上で、多数点での透過データと、仮想回転中心を設定することで決るこの多数点とそれぞれ逆向き放射線経路をなす多数点での透過データとの相関をとり、前記予想された回転中心位置を反映して前記仮想回転中心を変更して所定条件を満たす前記相関を与える前記仮想回転中心を回転中心位置として求める回転中心求出手段を具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この構成によれば、回転中心予想手段により拡大率変化や機構誤差によって透過データ上で移動する回転中心位置を予想し、回転中心求出手段によりサイノグラム上で、予想位置に重点をおいて相関をとって回転中心を求めるので、被検体による回転中心救出のエラーが生じにくくなる。これにより、エラーが生じやすいオフセットスキャンに対しても被検体の透過データ自身から回転中心を求めることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、被検体のスキャンデータ自身からエラーしにくく回転中心を求めることができ、また容易にオフセットスキャンができるＣＴスキャナを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  芯金を成型金型内周面と同心軸上に保持するための蓋体を両端に有する円筒状の成型金型を用いて、ポリマー原料と添加剤を配合し混練された未加硫原料組成物を円筒状に成型した後、得られた成型品を該芯金と共に該金型内に配置して加硫と発泡を行って得る画像形成装置用発泡ローラにおいて、該芯金として多孔質体を用いることを特徴とする画像形成装置用発泡ローラ。
【請求項２】  前記多孔質体の平均孔径が１〜１００μｍである請求項１に記載の画像形成装置用発泡ローラ。
【請求項３】  前記多孔質体の体積抵抗が１０9Ω・ｃｍ以下である請求項１又は２に記載の画像形成装置用発泡ローラ。
【請求項４】  前記円筒状の未加硫原料組成物が、未加硫未発泡原料組成物の外周上に少なくとも一層の未加硫非発泡原料組成物を形成してなるものである請求項１〜３のいずれかに記載の画像形成装置用発泡ローラ。
【請求項５】  前記画像形成装置用発泡ローラが導電性を有する請求項１〜４のいずれかに記載の画像形成装置用発泡ローラ。
【請求項６】  電子写真感光体表面に接触配置されて該電子写真感光体表面を帯電する帯電ローラである請求項１〜５のいずれかに記載の画像形成用装置発泡ローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エステティック施術の手技の説明表示の使用方法であって、
デコルテ部分の解剖学的特徴を記載したエステティック施術の手技の説明表示をエステティックの施術者に提示するステップを含むことを特徴とする、エステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項２】
前記解剖学的特徴の記載に、頭頚部、胸部及びその背面の筋肉、血管及びリンパ節の構造を記載することを特徴とする、請求項１に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項３】
前記頭頚部、胸部及びその背面の筋肉の構造として、僧帽筋、胸鎖乳突筋及び大胸筋を記載することを特徴とする、請求項２に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項４】
前記解剖学的特徴の記載に、さらに眼周囲部の血管、リンパ節の存在状況を記載することを特徴とする請求項１〜３何れか１項に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項５】
前記解剖学的特徴の記載に於いて、デコルテ部分を強調することを特徴とする、請求項１〜４何れか１項に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項６】
前記エステティック施術手技の説明表示方法の施術において、デコルテ部分への施術が含まれていることを特徴とする、請求項１〜５何れか１項に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項７】
請求項１〜６何れか１項に記載のエステティックの施術手技の説明表示方法に於いて、前記解剖学的特徴の記載が淡いピンクのイメージに配色されていることを特徴とする、請求項１〜６何れか１項に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項８】
前記淡いピンクのイメージの配色が、白地を背景に淡いピンク色の縁取りと表題の淡いピンク色の囲みによって創出されていることを特徴とする、請求項７に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【請求項９】
淡いピンク色がＨＢＳ表色系に於ける色座標で、明度が７．５〜９．５、色相が２４ＲＰ〜６ｙＯ、彩度が３ｓ〜９ｓの領域の色であることを特徴とする、請求項８に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この様な状況に鑑み、本発明者らは、目の周囲の体液循環改善や顔のたるみ改善を目的としたデコルテ部分へのエステティックの施術手技の説明表示に於いて、エステティック施術を行う場所と、施術のポイントを的確に施術者に伝える或いは理解させ、前記効果を最大限に引き出せる施術手技を身につけさせることの出来る、説明表示を求め、鋭意研究努力を重ねた結果、エステティック施術者に対する、エステティック施術の手技の説明表示であって、デコルテ部分の解剖学的特徴の記載を構成要素とする説明表示がこの様な要件を備えていることを見出し、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、以下に示す技術に関するものである。
（１）エステティック施術の手技の説明表示の使用方法であって、
デコルテ部分の解剖学的特徴を記載したエステティック施術の手技の説明表示をエステティックの施術者に提示するステップを含むことを特徴とする、エステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（２）前記解剖学的特徴の記載に、頭頚部、胸部及びその背面の筋肉、血管及びリンパ節の構造を記載することを特徴とする、（１）に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（３）前記頭頚部、胸部及びその背面の筋肉の構造として、僧帽筋、胸鎖乳突筋及び大胸筋を記載することを特徴とする、（２）に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（４）前記解剖学的特徴の記載に、さらに眼周囲部の血管、リンパ節の存在状況を記載することを特徴とする（１）〜（３）何れか１つに記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（５）前記解剖学的特徴の記載に於いて、デコルテ部分を強調することを特徴とする、（１）〜（４）何れか１つに記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（６）前記エステティック施術手技の説明表示方法の施術において、デコルテ部分への施術が含まれていることを特徴とする、（１）〜（５）何れか１つに記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（７）（１）〜（６）何れか１つに記載のエステティックの施術手技の説明表示方法に於いて、前記解剖学的特徴の記載が淡いピンクのイメージに配色されていることを特徴とする、（１）〜（６）何れか１つに記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（８）前記淡いピンクのイメージの配色が、白地を背景に淡いピンク色の縁取りと表題の淡いピンク色の囲みによって創出されていることを特徴とする、（７）に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
（９）淡いピンク色がＨＢＳ表色系に於ける色座標で、明度が７．５〜９．５、色相が２４ＲＰ〜６ｙＯ、彩度が３ｓ〜９ｓの領域の色であることを特徴とする、（８）に記載のエステティックの施術手技の説明表示の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が流下可能な遊技盤と、
所定の契機に基づき複数の図柄を変動可能な表示部を備えた可変表示手段とを備えた遊技機であって、
前記遊技盤に設けられ、前記可変表示装置を囲むように環状又はほぼ環状に配置された複数の第１の発光手段群と、
前記遊技盤に設けられ、前記第１の発光手段群よりも外周側において環状又はほぼ環状に配置された複数の第２の発光手段群と、
前記表示部における所定の演出表示タイミング、前記第１の発光手段群の発光タイミング、及び、前記第２の発光手段群の発光タイミングを制御する制御手段とを設けたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技球が流下可能な遊技盤と、
所定の契機に基づき複数の図柄を変動可能な表示部を備えた可変表示手段とを備えた遊技機であって、
前記遊技盤に設けられ、前記可変表示装置を囲むように環状又はほぼ環状に配置された複数の第１の発光手段群と、
前記遊技盤に設けられ、前記第１の発光手段群よりも外周側において環状又はほぼ環状に配置された複数の第２の発光手段群と、
前記第２の発光手段群よりも外周側において環状又はほぼ環状に配置された複数の第３の発光手段群と、
前記表示部における所定の演出表示タイミング、前記第１の発光手段群の発光タイミング、前記第２の発光手段群の発光タイミング、及び、前記第３の発光手段群の発光タイミングを制御する制御手段とを設けたことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
遊技領域を画定するレール部材が略環状に設けられるとともに、
前記第３の発光手段群のうち少なくとも一部は、前記レール部材よりも外側に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記制御手段は、
所定の発光手段群を一斉に発光させ、その後当該所定の発光手段群を消灯させ、
その後所定の発光手段群とは別の発光手段群を一斉に発光させ、その後当該別の発光手段群を消灯させる処理を実行可能であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記全ての発光手段群を同一時期に発光させる処理を実行可能であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記表示部において暗転表示する処理と、
全ての前記発光手段群を消灯する処理と、
前記消灯処理後、前記表示部において前記暗転表示とは異なる演出表示する処理と、
前記第１の発光手段群を発光させる処理と、
前記第１の発光手段群の発光処理後、第２の発光手段群を発光させる処理と
を実行可能であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の遊技機。
【請求項７】
前記第１の発光手段群は、前記表示部の周囲のセンターフレームに設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の遊技機。
【請求項８】
前記第２の発光手段群は、少なくとも前記遊技盤に配設されたランプ風車を含んでいることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の遊技機。
【請求項９】
遊技領域を画定するレール部材が略環状に設けられるとともに、
当該レール部材と、いずれかの発光手段群とが略同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４の発明は、幅員の長い、いわゆるシステム洗面化粧台に関するもので、底板、左右の側板、背板で上面と前面を開放した複数の箱体を並置連結し、洗面器を備えた一の天板にて被い、夫々の箱体の前面を被う前板を備えた引き出しを複数段配置し、最下段の引き出しの前板は底板に近い箇所を凹ませて蹴込としたキャビネットを備えたことを特徴とする。
請求項５の発明は、同じくシステム洗面化粧台に係り、扉付きの収納庫を備えるようにしたもので、底板、左右の側板、背板で上面と前面を開放した複数の箱体を並置連結し、洗面器を備えた一の天板にて被い、箱体内に背板側に配管スペースを設けた中底板を設け、中底板の上は前面に扉を設けた収納庫とし、下段を引き出しとしてその前板の底板に近い箇所を凹ませて蹴込としたキャビネットを備えたことを特徴とする。
請求項６の発明は、これまでの発明を前提に、収納スペースを広げるために、給水、給湯、排水用の配管を背板に近い内外にまとめるようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の原断層像を積み上げて構成された三次元原画像の各原断層像のスライス位置を示すスライス位置表示画像を表示する表示手段と、
前記表示手段に表示されたスライス位置表示画像を用いて、前記原断層像のうち所望の原断層像を指定する指定手段と、
前記指定手段によって指定された前記原断層像の読影注意箇所を抽出する抽出手段と、
前記読影抽出箇所を表すマーカーを前記指定手段によって指定された原断層像に合成して前記表示手段に表示させる合成手段と、
を備える読影支援装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記三次元原画像と視点位置、視線方向とに基づいて構成されたＭＩＰ画像を表示し、
前記抽出手段は、前記ＭＩＰ画像の読影注意箇所を抽出し、
前記合成手段は、前記読影注意箇所を示すマーカーを前記ＭＩＰ画像に合成して前記表示手段に表示させることを特徴とする、請求項１に記載の読影支援装置。
【請求項３】
前記表示手段は、前記三次元原画像と支点位置、視線方向とに基づいて構成された重み付け投影画像を表示し、
前記抽出手段は前記重み付け投影画像の読影注意箇所を抽出し、
前記合成手段は、前記読影注意箇所を示すマーカーを前記重み付け投影画像に合成して前記表示手段に表示させることを特徴とする、請求項１に記載の読影支援装置。
【請求項４】
前記複数の原断層像のうち所望の原断層像を示す画像番号を指定する手段をさらに備え、
前記表示手段は、前記指定された画像番号の原断層像を表示し、
前記抽出手段は、前記表示手段に表示された原断層像の読影抽出箇所を抽出し、
前記合成手段は、前記読影注意箇所を示すマーカーを前記原断層像に合成して前記表示手段に表示させることを特徴とする、請求項１に記載の読影支援装置。
【請求項５】
前記表示手段は、前記マーカーが合成された画像と、前記三次元画像に基づいて構成された陰影付け三次元画像とを同時に表示することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の読影支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、複数の原断層像を積み上げて構成された三次元原画像の各原断層像のスライス位置を示すスライス位置表示画像を表示する表示手段と、前記表示手段に表示されたスライス位置表示画像を用いて、前記原断層像のうち所望の原断層像を指定する指定手段と、前記指定手段によって指定された前記原断層像の読影注意箇所を抽出する抽出手段と、前記読影抽出箇所を表すマーカーを前記指定手段によって指定された原断層像に合成して前記表示手段に表示させる合成手段と、を備えたことを特徴とする読影支援装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、表示手段はスライス位置表示画像を表示し、指定手段は表示されたスライス位置表示画像を用いて前記原断層像のうち所望の原断層像を指定し、抽出手段は前記指定手段によって指定された前記原断層像の読影注意箇所を抽出し、合成手段は前記読影抽出箇所を表すマーカーを前記指定手段によって指定された原断層像に合成して前記表示手段に表示させる。このように、原断層像にマーカーを合成することによって読影注意箇所の位置が判別しやすく、読影効率を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手術機器と、
光学式受信装置を有し、前記手術機器の少なくとも位置を検出して表示する位置検出表示装置と、
前記手術機器に取り付けられて、前記光学式受信装置によって検出される複数の信号部材と、
を具備し、
前記位置検出表示装置と前記手術機器との間で光通信を行うべく、該光通信のための送受信部を、前記光学式受信装置と、前記複数の信号部材で囲まれる範囲内又は前記複数の信号部材が一体に構成された信号板とに設けたことを特徴とする手術支援システム。
【請求項２】
手術機器と、
光学式受信装置を有し、前記手術機器の少なくとも位置を検出して表示する位置検出表示装置と、
前記手術機器に取り付けられて、前記光学式受信装置によって検出される複数の信号部材と、
を具備し、
前記位置検出表示装置と前記手術機器との間で光通信を行うべく、該光通信のための受信部を前記光学式受信装置に設け、前記光通信のための送信部を、前記複数の信号部材で囲まれる範囲内又は前記複数の信号部材が一体に構成された信号板に設けたことを特徴とする手術支援システム。
【請求項３】
前記信号部材の少なくとも１つが前記手術機器の送信部を兼ねていることを特徴とする請求項１又は２記載の手術支援システム。
【請求項４】
前記光学式受信装置の位置検出部が前記位置検出表示装置の受信部を兼ねていることを特徴とする請求項１又は２記載の手術支援システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、第２の発明に係る手術支援システムは、手術機器と、光学式受信装置を有し、前記手術機器の少なくとも位置を検出して表示する位置検出表示装置と、前記手術機器に取り付けられて、前記光学式受信装置によって検出される複数の信号部材と、を具備し、前記位置検出表示装置と前記手術機器との間で光通信を行うべく、該光通信のための受信部を前記光学式受信装置に設け、前記光通信のための送信部を、前記複数の信号部材で囲まれる範囲内又は前記複数の信号部材が一体に構成された信号板に設ける。
また、第３の発明に係る手術支援システムは、第１の発明又は第２の発明において、前記信号部材の少なくとも１つが前記手術機器の送信部を兼ねている。
また、第４の発明に係る手術支援システムは、第１の発明又は第２の発明において、前記光学式受信装置の位置検出部が前記位置検出表示装置の受信部を兼ねている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束の作用により発熱する誘導発熱体を有する回転体と、該回転体の外周面に対向して配置されて該回転体に誘導発熱のための磁束を生起させる磁束生成手段と、該回転体と相互に圧接可能な加圧部材とを備え、上記回転体と加圧部材とでシート状媒体上に担持されている未定着トナー対して熱・圧力を作用させて上記シート状媒体に該トナーを浸透させる定着装置において、
上記磁束生成手段は、上記回転体に対向する側に該磁束生成手段を覆うことが可能な被覆部を備え、該被覆部には平滑仕上げされて上記回転体と対向する面が備えられていることを特徴とする定着装置。
【請求項２】
請求項１記載の定着装置において、
上記被覆部は、上記磁束生成手段本体に対して着脱可能な構成であることを特徴とする定着装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の定着装置において、
上記被覆部は非磁性体で構成されていることを特徴とする定着装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちの一つに記載の定着装置において、
上記被覆部における上記回転体と対向する側の面には離型層が設けられていることを特徴とする定着装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のうちの一つに記載の定着装置において、
上記被覆部における上記回転体と対向する側の面には離型剤が塗布されることを特徴とする定着装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちの一つに記載の定着装置において、
上記被覆部における上記回転体に対向する面は、上記回転体との間の隙間を移動可能なクリーニングシートにより拭き取り清掃されることを特徴とする定着装置。
【請求項７】
請求項６記載の定着装置において、
上記クリーニングシートは、上記回転体の移動方向に移動することを特徴とする定着装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の定着装置において、
上記クリーニングシートは、上記回転体に対向する面に弾性体層が設けられていることを特徴とする定着装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のうちの一つに記載の定着装置において、
上記クリーニングシートは熱的な良導体を含み、上記回転体と上記磁束生成手段との間の隙間内に進入した後、一旦停止させたうえで上記隙間内から排出される動作が設定されていることを特徴とする定着装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちの一つに記載の定着装置を用いることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱現像感光材料を加熱し熱現像する熱現像部を備える熱現像装置であって、
熱現像後の熱現像感光材料を排出する排出口と、
前記熱現像部で加熱された熱現像感光材料を前記排出口へ向け搬送する後工程部と、
前記後工程部の上方に設けられ、前記後工程部で発生するガスを下方から上方へ案内する傾斜面と、
前記傾斜面により案内されたガスを前記傾斜面の最上部近傍で吸引する吸引手段と、を備えることを特徴とする熱現像装置。
【請求項２】
前記熱現像部及び前記後工程部を収納するハウジングと、
前記ハウジングと一体に構成され、前記排出口から排出された熱現像感光材料を載置する排出トレイと、を有し、
前記排出トレイは、前記傾斜面に沿って傾斜して設けられており、
前記排出口は、前記傾斜して設けられた排出トレイの傾斜下方に位置していることを特徴とする請求項１に記載の熱現像装置。
【請求項３】
前記吸引手段により吸引されたガスを脱臭する脱臭部と、
前記傾斜面で案内されたガスを吸引し、前記脱臭部へ導くように配置されたダクトと、を有し、
前記脱臭部で脱臭されたガスが排出されることを特徴とする請求項１または２に記載の熱現像装置。
【請求項４】
前記後工程部の近傍に設けられ、前記後工程部で発生したガスを前記ダクトに導くガス案内部材を有することを特徴とする請求項３に記載の熱現像装置。
【請求項５】
前記熱現像部を内部に配置し、上部に吸引口を設けたケーシングと、
前記吸引口に連通し、前記脱臭部に接続された第２のダクトと、を有することを特徴とする請求項３または４に記載の熱現像装置。
【請求項６】
前記熱現像感光材料は、少なくともハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱現像装置。
【請求項７】
前記後工程部における熱現像感光材料を冷却する冷却装置を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱現像装置。
【請求項８】
少なくともハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料を加熱し熱現像する熱現像部を備える熱現像装置であって、
熱現像後の熱現像感光材料を排出する排出口と、
前記熱現像部で加熱された熱現像感光材料を前記排出口へ向け搬送する後工程部と、
前記後工程部の上方に傾斜して設けられ、該傾斜下方側に位置する前記排出口から排出された熱現像感光材料を載置しかつ熱現像感光材料を載置する面の反対側の傾斜面が前記後工程部で発生するガスを案内する排出トレイと、
前記傾斜面により案内されたガスを脱臭する脱臭部と、
前記傾斜面により案内されたガスを前記傾斜面の最上部近傍で吸引する吸引手段と、を備えることを特徴とする熱現像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による熱現像装置は、熱現像感光材料を加熱し熱現像する熱現像部を備える熱現像装置であって、熱現像後の熱現像感光材料を排出する排出口と、前記熱現像部で加熱された熱現像感光材料を前記排出口へ向け搬送する後工程部と、前記後工程部の上方に設けられ、前記後工程部で発生するガスを下方から上方へ案内する傾斜面と、前記傾斜面により案内されたガスを前記傾斜面の最上部近傍で吸引する吸引手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この熱現像装置によれば、熱現像後に後工程部で熱現像感光材料から発生するガスを後工程部の上方の傾斜面で案内し傾斜面の最上部近傍で吸引することで、例えば脱臭部へ導くことができるので、後工程部で発生したガスが装置外部に漏れ難くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記熱現像装置において前記熱現像部及び前記後工程部を収納するハウジングと、前記ハウジングと一体に構成され、前記排出口から排出された熱現像感光材料を載置する排出トレイと、を有し、前記排出トレイは、前記傾斜面に沿って傾斜して設けられており、前記排出口は、前記傾斜して設けられた排出トレイの傾斜下方に位置していることが好ましい。また、前記吸引手段により吸引されたガスを脱臭する脱臭部と、前記傾斜面で案内されたガスを吸引し、前記脱臭部へ導くように配置されたダクトと、を有し、前記脱臭部で脱臭されたガスが排出されることが好ましい。なお、前記ダクトは脱着自在に構成することが好ましい。ダクトには有機溶媒等が付着し易いく汚れ易いが、取り外すことで熱現像装置のメンテナンス時等における清掃が容易となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記後工程部の近傍に設けられ、前記後工程部で発生したガスを前記ダクトに導くガス案内部材を有することが好ましい。ガスが発生し易い後工程部近傍にガス案内部材を設けたので、発生ガスがガス案内部材に沿って上昇し、ダクトの吸引口により導き易くなるので、発生ガスを効率よく脱臭フィルタに導き吸引することができ、装置外部に漏れ難くすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記熱現像部を内部に配置し、上部に吸引口を設けたケーシングと、前記吸引口に連通し、前記脱臭部に接続された第２のダクトと、を有することが好ましい。また、前記熱現像感光材料は、少なくともハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有するものであることが好ましい。また、前記後工程部における熱現像感光材料を冷却する冷却装置を設けることが好ましく、後工程部において熱現像感光材料からガスの発生を抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による別の熱現像装置は、少なくともハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料を加熱し熱現像する熱現像部を備える熱現像装置であって、熱現像後の熱現像感光材料を排出する排出口と、前記熱現像部で加熱された熱現像感光材料を前記排出口へ向け搬送する後工程部と、前記後工程部の上方に傾斜して設けられ、該傾斜下方側に位置する前記排出口から排出された熱現像感光材料を載置しかつ熱現像感光材料を載置する面の反対側の傾斜面が前記後工程部で発生するガスを案内する排出トレイと、前記傾斜面により案内されたガスを脱臭する脱臭部と、前記傾斜面により案内されたガスを前記傾斜面の最上部近傍で吸引する吸引手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潜像を有する熱現像感光材料を加熱し熱現像する熱現像部と、前記熱現像後の熱現像感光材料を収納する収納部と、を備える熱現像装置において、
前記収納部は前記熱現像部の上方に設けられ、かつ下方からの熱を断熱する断熱構造を有することを特徴とする熱現像装置。
【請求項２】
前記収納部は、前記熱現像部を覆うように形成されたハウジングに一体に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱現像装置。
【請求項３】
前記収納部は前記熱現像感光材料が載る収納面にリブ構造を備え、前記リブ構造により前記収納面上の前記熱現像感光材料と前記収納面との間に中空部分が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の熱現像装置。
【請求項４】
前記収納部は、傾斜して設けられており、
前記熱現像感光材料が載置される面の裏面に沿って傾斜した前記収納部の下方から上方へ空気を流す空冷手段を有することを特徴とする請求項１，２または３に記載の熱現像装置。
【請求項５】
前記空冷手段は、前記裏面に空気を送る冷却ファンを備えることを特徴とする請求項４に記載の熱現像装置。
【請求項６】
前記収納部は、前記収納された熱現像感光材料に外部光が直射することを抑えるように配置された遮光部材を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱現像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による第１の熱現像装置は、潜像を有する熱現像感光材料を加熱し熱現像する熱現像部と、前記熱現像後の熱現像感光材料を収納する収納部と、を備える熱現像装置において、前記収納部は前記熱現像部の上方に設けられ、かつ下方からの熱を断熱する断熱構造を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）下記一般式（１）で表される酸分解性基含有繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、酸分解性基含有繰り返し単位の平均含有率が異なる樹脂（Ａ）を少なくとも２種含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2003043690.tif 000001
一般式（１）において、Ｒは水素原子又はメチル基を表し、Ａは単結合又は連結基を表し、ＡＬＧは下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）のいずれかを表す。
【化２】
2003043690.tif 000002
（式中、Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、及びＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
【請求項２】  請求項１に記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  ピックアップヘッドの下面に複数個形成された吸着孔に直径が０．０２〜０．３ｍｍのボールを吸着する工程、光源から光を前記ピックアップヘッドの下面に照射して前記ピックアップの下面の照度を３０，０００〜１４０，０００ルックスとする工程、前記吸着孔を通った前記光源からの前記光を光センサで検出し前記ボールの吸着ミスを検査する工程、前記吸着孔に吸着された前記ボールをワークピースに搭載するボール搭載方法において、前記吸着孔の形状比を３〜７とすることを特徴とするボール搭載方法。    【請求項２】  ボールをピックアップヘッドへ供給するボール供給部と、前記ボールを吸着する複数個の吸着孔がその下面に形成されている前記ピックアップヘッドと、このピックアップヘッドのキャビティを減圧する真空ポンプと、前記ピックアップヘッドを移動させる駆動装置と、ワークピースを移動する駆動装置とからボール搭載装置を用いて、前記ボールを前記ピックアップヘッドに減圧吸着する工程と、このピックアップヘッドを移動する工程と、前記ワークピースに搭載する工程と、前記ワークピースを次工程へ送る工程とからなるボール搭載方法において、  直径が０．０２〜０．３ｍｍの前記ボールを用い、且つ形状比が３〜７の前記吸着孔を用いることを特徴とするボール搭載方法。    【請求項３】  前記吸着孔の直径が０．０２／３〜０．１ｍｍであることを特徴とする請求項１または２記載のボール搭載方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回線状態を判定する判定手段と、複数の再送方式の中から前記回線状態に応じて再送方式を選択して、送信制御を行う送信制御手段と、前記送信制御手段によって制御された送信信号を送信する送信手段と、を具備することを特徴とする通信装置。
【請求項２】  前記送信手段は、選択された再送方式に関する情報を、前記送信信号に付加して送信する、ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の通信装置を具備することを特徴とする通信端末装置。
【請求項４】  請求項１又は２に記載の通信装置を具備することを特徴とする基地局装置。
【請求項５】  回線状態を判定する判定工程と、複数の再送方式の中から前記回線状態に応じて再送方式を選択して、送信制御を行う送信制御工程と、前記送信制御手段によって制御された送信信号を送信する送信工程と、を具備することを特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の周波数帯と第１の周波数帯よりも低い第２の周波数帯とを受信する複バンド受信機であって、
第１の周波数帯を受信するための受信回路とアンテナ入力との間に設けられ、第１の周波数帯のみを通過させる誘電体共振器を有する帯域フィルタと、
第２の周波数帯を受信するための受信回路とアンテナ入力との間に設けられ、第１の周波数帯のみを除去する帯域除去フィルタとを具備する複バンド受信機。
【請求項２】  帯域除去フィルタを通過した第２の周波数帯の信号を増幅する利得可変の高周波増幅器と、
帯域フィルタを通過した第１の周波数帯の信号の周波数を第２の周波数帯へ周波数変換する周波数変換器とをさらに具備し、
周波数変換器の出力は高周波増幅器の出力に結合され、受信機が第１の周波数帯を受信するとき高周波増幅器はその利得が最小になるように制御される請求項１記載の複バンド受信機。
【請求項３】  帯域除去フィルタは帯域フィルタとアンテナ入力との間に設けられたストリップ線路の近傍に設けられる請求項１記載の複バンド受信機。
【請求項４】  帯域フィルタは誘電体共振器のアンテナ側に容量性リアクタンスを有する請求項１記載の複バンド受信機。
【請求項５】  帯域除去フィルタは、受信回路に直列に接続され第１の周波数に共振周波数を有する並列共振回路を含む請求項１記載の複バンド受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一実施例に係る複バンド受信機を示す図である。
【図２】
帯域フィルタ１４の外観を示す斜視図である。
【図３】
帯域フィルタ１４の等価回路図である。
【図４】
本発明の第２の実施例に係る複バンド受信機のブロック図である。
【図５】
帯域除去フィルタ１２の詳細を示す図である。
【図６】
帯域除去フィルタの他の例を示す図である。
【符号の説明】
１０…アンテナ端子
１２…帯域除去フィルタ
１４…帯域フィルタ
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上方に形成された一電極と、
前記一電極に誘電体膜を介して対向し、前記誘電体膜上に形成された下部導電体層と、前記下部導電体層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された上部導電体層とを含むプレート電極と、を具備し、
前記一電極、前記誘電体膜、及び前記下部導電体層は第１のキャパシタを構成し、前記下部導電体層、前記バリア層、及び前記上部導電体層は第２のキャパシタを構成し、前記第２のキャパシタの容量は、前記第１のキャパシタの容量よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上方に分散されて形成された複数の分散電極と、
前記複数の分散電極に誘電体膜を介して対向し、前記誘電体膜上に形成された下部導電体層と、前記下部導電体層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された上部導電体層とを含むプレート電極と、を具備し、
前記分散電極、前記誘電体膜、及び前記下部導電体層は第１のキャパシタを構成し、前記下部導電体層、前記バリア層、及び前記上部導電体層は第２のキャパシタを構成し、前記第２のキャパシタの容量は、前記第１のキャパシタの容量よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上方に分散されて形成された複数の分散電極と、
前記複数の分散電極に誘電体膜を介して対向し、このプレート電極は前記誘電体膜上に形成された下部導電体層と、前記下部導電体層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された上部導電体層とを含むプレート電極と、を具備し、
前記バリア層は、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、及びＩｒの少なくとも１つを含む金属酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ストレージ電極、及びこのストレージ電極に誘電体膜を介して対向したプレート電極を含むセルキャパシタを有したメモリセルと、
前記プレート電極に与える電位を発生させる回路と、
前記回路の出力端子と前記プレート電極との間に直列に接続されたキャパシタと
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記上部導電体層の抵抗は、前記下部導電体層及び前記バリア層の抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項１及び請求項２いずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記バリア層は、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、及びＩｒの少なくとも１つを含む金属酸化物であることを特徴とする請求項１及び請求項２いずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バリア層は、シリコン窒化物であることを特徴とする請求項１及び請求項２いずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記誘電体膜は、酸化物であることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記酸化物は、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｏ３、ＰｂＺｒＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９、ＳｒＢｉ２（Ｔａ，Ｎｂ）２Ｏ９、及びＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１３の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記下部導電体層は、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＴｉの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記上部導電体層は、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｔａ、及びＮｂの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記プレート電極に与える電位を発生させる回路を、さらに具備することを特徴とする請求項１及び請求項２いずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記回路は、プレート電位発生回路であることを特徴とする請求項４及び請求項１２いずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体装置は、ダイナミック型ＲＡＭであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記回路は、駆動パルス線ドライバであることを特徴とする請求項４及び請求項１２いずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体装置は、強誘電体型ＲＡＭであることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】【請求項１】Ｓｉ単結晶基板上に、発光部として一般式ＡｌaＧａbＩｎcＮqＭ1-q（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素を表し、０＜ｑ≦１）で表記される層を含むＩＩＩ族窒化物半導体光デバイスにおいて、Ｓｉ単結晶基板と発光部との間に、多結晶Ｓｉから成る障壁層と、含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶からなる緩衝層を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。【請求項２】障壁層が、非晶質（アモルファス）Ｓｉから成ることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。【請求項３】障壁層の層厚が、２ｎｍ以上で１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。【請求項４】緩衝層の発光部側の表層部を、ＢＰ1-QＮQ（０＜Ｑ＜１）から構成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。【請求項５】緩衝層の発光部側の表層部を、ＢＡｓ1-RＮR（０＜Ｒ＜１）から構成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。【請求項６】緩衝層をＢＰから構成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。【請求項７】ＩＩＩ族窒化物半導体光デバイスがさらに正・負のオーミック電極を有し、その電極のどちらか一方が、Ａｌ、Ａｌ・Ｓｂ、Ａｕなる群から選ばれた何れか１つを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板に密接して形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満である絶縁膜から成る下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜から成る下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜上に第１の保護絶縁層を形成する工程と、
前記第１の保護絶縁層上に熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上である熱伝導層を選択的に形成する工程と、
前記第１の保護絶縁層および前記熱伝導層上からレーザー光を照射して、前記非晶質半導体膜を結晶化させ、結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記結晶質半導体膜を選択的にエッチングして、島状半導体膜を形成する工程と、
前記島状半導体膜を水素化して、水素が添加された島状半導体膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板に密接して形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満である絶縁膜から成る下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜から成る下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜上に第２の保護絶縁層を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁層に開孔を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁層上および開孔部に第１の保護絶縁層を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁層の開孔に概略合わせて、前記第１の保護絶縁層上に熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上である熱伝導層を選択的に形成する工程と、
前記第１の保護絶縁層および前記熱伝導層上からレーザー光を照射して、前記非晶質半導体膜を結晶化させ、結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記結晶質半導体膜を選択的にエッチングして、島状半導体膜を形成する工程と、
前記島状半導体膜を水素化して、水素が添加された島状半導体膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ガラス基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記ガラス基板に密接して形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満である絶縁膜から成る下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜から成る下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜上に第１の保護絶縁層を形成する工程と、
前記第１の保護絶縁層上に熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上である熱伝導層を選択的に形成する工程と、
前記第１の保護絶縁層および前記熱伝導層上からレーザー光を照射して、前記非晶質半導体膜を結晶化させ、結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記結晶質半導体膜を選択的にエッチングして、単結晶構造を有する島状半導体膜を形成する工程と、
前記単結晶構造を有する島状半導体膜を水素化して、水素が添加された単結晶構造を有する島状半導体膜を形成する工程とを有し、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は、前記水素が添加された単結晶構造を有する島状半導体膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ガラス基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記ガラス基板に密接して形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満である絶縁膜から成る下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜から成る下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜上に第２の保護絶縁層を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁層に開孔を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁層上および開孔部に第１の保護絶縁層を形成する工程と、
前記第２の保護絶縁層の開孔に概略合わせて、前記第１の保護絶縁層上に熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上である熱伝導層を選択的に形成する工程と、
前記第１の保護絶縁層および前記熱伝導層上からレーザー光を照射して、前記非晶質半導体膜を結晶化させ、結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記結晶質半導体膜を選択的にエッチングして、単結晶構造を有する島状半導体膜を形成する工程と、
前記単結晶構造を有する島状半導体膜を水素化して、水素が添加された単結晶構造を有する島状半導体膜を形成する工程とを有し、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は、前記水素が添加された単結晶構造を有する島状半導体膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記レーザー光の照射に代えて、熱アニール法の後にレーザー光の照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記熱伝導層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ホウ素、から選ばれた一種または複数種を成分とする材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記熱伝導層は、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｍ（ＭはＡｌまたは希土類元素から選ばれた少なくとも一種）を含む化合物材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記絶縁膜から成る下地膜は、少なくとも、含有酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％未満であり、かつ、含有窒素濃度が１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％未満である酸化窒化シリコン膜から成る一層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器、プロジェクター、有機エレクトロルミネッセンス材料を用いた表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信方法及び情報管理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して情報を交換する通信方法において、
上記ネットワークに接続された端末機器の情報を上記ネットワークに接続された情報管理手段に登録し、
上記ネットワークに接続された送信元端末機器から上記ネットワークに接続された送信先端末機器に対して所定の情報を送信する際、上記登録された情報に基づいて上記送信元端末機器から上記送信先端末機器への上記情報の送信経路を決定する
ことを特徴とする通信方法。
【請求項２】
上記情報管理手段は、
上記送信元端末機器から送信される上記情報を上記送信先端末機器で受信可能な情報に変換する
ことを特徴とする請求項１に記載の通信方法。
【請求項３】
ネットワークに接続された情報管理装置において、
上記ネットワークに接続された端末機器の情報を登録する登録手段と、
上記ネットワークに接続された送信元端末機器から上記ネットワークに接続された送信先端末機器に対して所定の情報を送信する際、上記登録された情報に基づいて上記送信元端末機器から上記送信先端末機器への上記情報の送信経路を決定する通信経路決定手段と
を具えることを特徴とする情報管理装置。
【請求項４】
上記情報管理手段は、
上記送信元端末機器から送信される上記情報を上記送信先端末機器で受信可能な情報に変換する変換手段を具える
ことを特徴とする請求項３に記載の情報管理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は通信方法及び情報管理装置に関し、携帯端末装置を用いたユーザに対してユーザの近傍に存在する端末装置を介してユーザに種々の情報を提供する通信方法及び情報管理装置に適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、サーバ側でユーザの使用端末、すなわち情報の送信先を特定し得る通信方法及び情報管理装置を提案しようとするものである。