【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー照射方法及びレーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザー発振装置と、
前記複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を集光し、基板におけるレーザー光を互いに一部重ね合わせる光学系と、
前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅を制限するスリットと、
前記基板の位置を制御する位置制御手段と、
を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
複数のレーザー発振装置と、
前記複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を集光し、基板におけるレーザー光を各中心が直線上にあるように互いに一部重ね合わせる光学系と、
前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅を制限するスリットと、
前記基板の位置を制御する位置制御手段と、
を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
複数のレーザー発振装置と、
前記複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を集光し、基板におけるレーザー光を各レーザー光の長軸が直線を描くように互いに一部重ね合わせる光学系と、
前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅を制限するスリットと、
前記基板の位置を制御する位置制御手段と、
を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記各中心を結ぶことで得られる直線と前記基板の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記各中心を結ぶことで得られる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項６】
請求項３において、
前記各レーザー光の長軸によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
請求項３において、
前記各レーザー光の長軸によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
レーザー光の照射が減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下において行われることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ルビーレーザーまたはＹ２Ｏ３から選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、前記レーザー光は連続発振であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＹ２Ｏ３から選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項において、前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、前記レーザー発振装置の数は２以上８以下であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１４】
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して互いに一部重ね合わせ、
前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅をスリットにより制限し、
被処理物を移動させることで、前記幅が制限されたレーザー光を前記被処理物に照射することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１５】
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各中心が直線上にあるように互いに一部重ね合わせ、
前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅をスリットにより制限し、
被処理物を移動させることで、前記幅が制限されたレーザー光を前記被処理物に照射することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１６】
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各レーザー光の長軸が直線を描くように互いに一部重ね合わせ、
前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅をスリットにより制限し、
被処理物を移動させることで、前記幅が制限されたレーザー光を前記被処理物に照射することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１７】
請求項１５において、
前記各中心を結ぶことで得られる直線と前記被処理物の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１８】
請求項１５において、
前記各中心を結ぶことで得られる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１９】
請求項１６において、
前記各レーザー光の長軸によって描かれる直線と前記被処理物の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２０】
請求項１６において、
前記各レーザー光の長軸によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項２０のいずれか１項において、
レーザー光の照射が減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下において行われることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか１項において、前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ルビーレーザーまたはＹ２Ｏ３から選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２３】
請求項１４乃至請求項２２のいずれか１項において、前記レーザー光は連続発振であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２４】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか１項において、前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＹ２Ｏ３から選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項において、前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２６】
請求項１４乃至請求項２５のいずれか１項において、前記レーザー発振装置の数は２以上８以下であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２７】
請求項１４乃至請求項２６のいずれか１項において、前記レーザー光の照射は、ＳＬＳ法を用いて行われることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２８】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して互いに一部重ね合わせ、
前記重ね合わされたレーザー光の、前記基板上の移動方向における幅をスリットにより制限し、
前記基板を移動させることで、前記幅が制限されたレーザー光を前記半導体膜に照射し、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各中心が直線上にあるように互いに一部重ね合わせ、
前記重ね合わされたレーザー光の、前記基板上の移動方向における幅をスリットにより制限し、
前記基板を移動させることで、前記幅が制限されたレーザー光を前記半導体膜に照射し、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各レーザー光の長軸が直線を描くように互いに一部重ね合わせ、
前記重ね合わされたレーザー光の、前記基板上の移動方向における幅をスリットにより制限し、
前記基板を移動させることで、前記幅が制限されたレーザー光を前記半導体膜に照射し、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２９において、
前記各中心を結ぶことで得られる直線と前記基板の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項２９において、
前記各中心を結ぶことで得られる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項３０において、
前記各レーザー光の長軸によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項３０において、
前記各レーザー光の長軸によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項２８乃至請求項３４のいずれか１項において、
レーザー光の照射が減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下において行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
請求項２８乃至請求項３５のいずれか１項において、前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ルビーレーザーまたはＹ２Ｏ３から選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３７】
請求項２８乃至請求項３６のいずれか１項において、前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３８】
請求項２８乃至請求項３５のいずれか１項において、前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＹ２Ｏ３から選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３９】
請求項３６乃至請求項３８のいずれか１項において、前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４０】
請求項２８乃至請求項３９のいずれか１項において、前記レーザー発振装置の数は２以上８以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４１】
請求項２８乃至請求項４０のいずれか１項において、前記レーザー光の照射は、ＳＬＳ法を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。