【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス用基板の平坦度決定方法であって、前記基板の主表面上に形成する露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜の膜応力に起因した前記基板の平坦度変化量を見込んで、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度を決定することを特徴とする電子デバイス用基板の平坦度決定方法。
【請求項２】
電子デバイス用基板の平坦度決定方法であって、前記基板の主表面上に形成する露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜の膜応力に起因した前記基板の平坦度変化量、および、前記薄膜をパターニングして得られた薄膜パターン占有率、薄膜パターンの位置、薄膜パターンの形状のうち少なくとも何れか一つによる平坦度変化量を見込んで、転写用マスクの平坦度が所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度を決定することを特徴とする電子デバイス用基板の平坦度決定方法。
【請求項３】
電子デバイス用基板の平坦度を測定した後、前記基板の平坦度が、請求項１または請求項２に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度となるように、前記基板の主表面の形状が該基板表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に局所的にエッチングおよび／または圧力を加えて研磨することにより前記基板の平坦度を調整することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板の平坦度の調整は、回転自在な研磨定盤と、該研磨定盤上に設けられた研磨パッドと、該研磨パッドの表面に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、前記研磨パッド上に基板を保持する基板保持手段と、前記研磨パッドに前記基板保持手段によって保持された基板を加圧することにより基板表面を研磨する基板加圧手段と、前記加圧手段は、基板表面の分割された複数領域に対して、任意に独立して加圧できるように複数の加圧体を有しており、該加圧体には個々に圧力制御可能な圧力制御手段が設けられた研磨装置を用い、該基板主表面の形状が基板表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域は、他の領域よりも前記圧力制御手段によって前記加圧体の基板に対する圧力を大にし、凸状になっている領域に対向する基板の裏面側より押圧し基板主表面を研磨することによって行われることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板に加えるべき圧力を、予め記憶手段に記憶してある複数種類の圧力分布を有する荷重タイプから所望の平坦度にする最適な荷重タイプを選択し、該荷重タイプに応じた圧力分布で研磨を行い、前記基板の平坦度を調整することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項６】
電子デバイス用基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記基板上に形成される前記薄膜に応じて請求項１に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度を有する前記基板を用いることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項７】
電子デバイス用基板の主表面上に薄膜パターンを形成して転写用マスクを製造する転写用マスクの製造方法であって、
前記基板上に形成される前記薄膜、および、前記基板主表面に形成されるパターン占有率、薄膜パターンの位置、薄膜パターンの形状のうち少なくとも何れか一つに応じて請求項２に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度を有する前記基板を用いることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【請求項８】
電子デバイス用基板の主表面上にクロムを主成分とする薄膜をスパッタリング法により形成してフォトマスクブランクを製造するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記基板は前記薄膜を形成する側の基板主表面の表面形状が凸形状の基板とすることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
電子デバイス用基板の主表面上に主成分として珪素を含有し、さらに酸素および／または窒素を含有する薄膜をスパッタリング法により形成してフォトマスクブランクを製造するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記基板は前記薄膜を形成する側の基板主表面の表面形状が凹形状の基板とすることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度を有する前記基板とすることを特徴とする請求項８または請求項９に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
電子デバイス用基板の主表面上に薄膜パターンを形成して転写用マスクを製造する転写用マスクの製造方法であって、前記基板上に形成される前記薄膜、および、前記基板主表面に形成されるパターン占有率、薄膜パターンの位置、薄膜パターンの形状のうち少なくとも何れか一つに応じて請求項２に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度を有する前記基板を用いて、請求項８または請求項９に記載の製造方法により製造したフォトマスクブランクを用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１２】
電子デバイス用基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成したマスクブランクの製造方法であって、
予め既知の平坦度および表面形状を有する電子デバイス用基板の主表面上に、マスクブランクを製造するのと同じ成膜条件にて前記薄膜を成膜し、該薄膜の膜応力に起因した基板の平坦度変化量を求め、マスクブランクが所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度および表面形状を決定して、前記基板の主表面が決定した平坦度および表面形状を有する基板を準備する工程と、
前記基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成する工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記基板を準備する工程は、前記電子デバイス用基板の平坦度および表面形状を測定する工程と、前記基板の平坦度および表面形状が、前記決定した平坦度および表面形状となるように、前記基板の主表面の形状が該基板表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に局所的にエッチングおよび／または圧力を加えて研磨することにより前記基板の平坦度および表面形状を調整する工程と、を有することを特徴とする請求項１２に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜はクロムを主成分とする材料であって、前記基板の表面形状は凸形状とすることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜は主成分として硅素を含有し、さらに酸素および／または窒素を含有する材料であって、前記基板の表面形状は凹形状とすることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
電子デバイス用基板の主表面上に所望のパターンを形成した転写用マスクの製造方法であって、
予め既知の平坦度および表面形状を有する電子デバイス用基板の主表面上に、転写用マスクを製造するのと同じ薄膜パターン占有率、薄膜パターン位置、薄膜パターン形状のうち少なくとも何れか一つを満足するように薄膜パターンを形成し、該薄膜パターンによる膜応力に起因した基板の平坦度変化量を求め、転写用マスクが所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度および表面形状を決定して、前記基板の主表面が決定した平坦度および表面形状を有する基板を準備する工程と、
前記基板の主表面上に所望のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【請求項１７】
前記基板を準備する工程は、前記電子デバイス用基枚の平坦度および表面形状を測定する工程と、前記基板の平坦度および表面形状が、前記決定した平坦度及び表面形状となるように、前記基板の主表面の形状が該基板表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に局所的にエッチングおよび／または圧力を加えて研磨することにより前記基板の平坦度および表面形状を調整する工程と、を有することを特徴とする請求項１６に記載の転写用マスクの製造方法。
【請求項１８】
前記薄膜はクロムを主成分とする材料であって、前記基板の表面形状は凸形
状とすることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１９】
前記薄膜は主成分として硅素を含有し、さらに酸素および／または窒素を含有する材料であって、前記基板の表面形状は凹形状とすることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載のマスクブランクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
スパッタリング法によって形成される珪素を主成分とし、さらに酸素および／
または窒素を含有する薄膜は、一般に圧縮応力を有するので基板上に形成した場合、表面形状が凸形状となる。従って、高平坦度のマスクブランクを作製する場合には、使用する前記基板は前記薄膜を形成する側の基板主表面の表面形状が凹形状の基板を用いることが好ましい。主成分として珪素を含み、さらに酸素および／または窒素を含有する皮膜として、代表的な材料は、金属シリサイド酸化物、金属シリサイド窒化物、金属シリサイド酸化窒化物、金属シリサイド酸化炭化物、金属シリサイド窒化炭化物、金属シリサイド酸化窒化炭化物（金属：遷移元素（Ｍｏ，Ｔａ，Ｗなど））や、酸化珪素、酸化窒化珪素などが挙げられる。また、珪素を主成分とし、さらに酸素および／または珪素を含有する薄膜は単層でも複数層としても良い。
（１０）（１）に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度を有する前記基板を用いることを特徴とする（８）または（９）に記載のマスクブランクの製造方法。
（１１）電子デバイス用基板の主表面上に薄膜パターンを形成して転写用マスクを製造する転写用マスクの製造方法であって、前記基板上に形成される前記薄膜、および、前記基板主表面に形成されるパターン占有率、薄膜パターンの位置、薄膜パターンの形状のうち少なくとも何れか一つに応じて請求項２に記載の平坦度決定方法により決定した所望の平坦度を有する前記基板を用いて、（８）または（９）に記載の製造方法により製造したフォトマスクブランクを用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
（１２）電子デバイス用基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成したマスクブランクの製造方法であって、
予め既知の平坦度および表面形状を有する電子デバイス用基板の主表面上に、マスクブランクを製造するのと同じ成膜条件にて前記薄膜を成膜し、該薄膜の膜応力に起因した基板の平坦度変化量を求め、マスクブランクが所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度および表面形状を決定して、前記基板の主表面が決定した平坦度および表面形状を有する基板を準備する工程と、
前記基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成する工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（１３）前記基板を準備する工程は、前記電子デバイス用基板の平坦度および表面形状を測定する工程と、前記基板の平坦度および表面形状が、前記決定した平坦度および表面形状となるように、前記基板の主表面の形状が該基板表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に局所的にエッチングおよび／または圧力を加えて研磨することにより前記基板の平坦度および表面形状を調整する工程と、を有することを特徴とする（１２）に記載のマスクブランクの製造方法。
（１４）前記薄膜はクロムを主成分とする材料であって、前記基板の表面形状は凸形状とすることを特徴とする（１２）または（１３）に記載のマスクブランクの製造方法。
（１５）前記薄膜は主成分として硅素を含有し、さらに酸素および／または窒素を含有する材料であって、前記基板の表面形状は凹形状とすることを特徴とする（１２）または（１３）に記載のマスクブランクの製造方法。
（１６）電子デバイス用基板の主表面上に所望のパターンを形成した転写用マスクの製造方法であって、予め既知の平坦度および表面形状を有する電子デバイス用基板の主表面上に、転写用マスクを製造するのと同じ薄膜パターン占有率、薄膜パターン位置、薄膜パターン形状のうち少なくとも何れか一つを満足するように薄膜パターンを形成し、該薄膜パターンによる膜応力に起因した基板の平坦度変化量を求め、転写用マスクが所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度および表面形状を決定して、前記基板の主表面が決定した平坦度および表面形状を有する基板を準備する工程と、前記基板の主表面上に所望のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
（１７）前記基板を準備する工程は、前記電子デバイス用基枚の平坦度および表面形状を測定する工程と、前記基板の平坦度および表面形状が、前記決定した平坦度及び表面形状となるように、前記基板の主表面の形状が該基板表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に局所的にエッチングおよび／または圧力を加えて研磨することにより前記基板の平坦度および表面形状を調整する工程と、を有することを特徴とする（１６）に記載の転写用マスクの製造方法。
（１８）前記薄膜はクロムを主成分とする材料であって、前記基板の表面形状は凸形状とすることを特徴とする（１６）または（１７）に記載のマスクブランクの製造方法。
（１９）前記薄膜は主成分として硅素を含有し、さらに酸素および／または窒素を含有する材料であって、前記基板の表面形状は凹形状とすることを特徴とする（１６）または（１７）に記載のマスクブランクの製造方法。