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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
記録材上に形成された像を加熱する像加熱装置であり、
ヒータと、前記ヒータと摺擦しつつ回転する可撓性スリーブと、を有し、
前記ヒータは、基板と、前記基板に少なくとも一往復形成されている発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の電気的端部に設けられている給電電極と、を有し、少なくとも一つの前記給電電極には複数本の前記発熱抵抗体が並列に接続されていることを特徴とする像加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
記録材上に形成された像を加熱する像加熱装置であり、
ヒータと、前記ヒータと摺擦しつつ回転する可撓性スリーブと、を有し、
前記ヒータは、基板と、前記基板に設けられており、抵抗値の異なる複数の抵抗体が少なくとも２往復直列に繋がっている発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の電気的端部に設けられている給電電極と、を有することを特徴とする像加熱装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（７）記録材上に形成された像を加熱する像加熱装置であり、ヒータと、前記ヒータと摺擦しつつ回転する可撓性スリーブと、を有し、前記ヒータは、基板と、前記基板に少なくとも一往復形成されている発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の電気的端部に設けられている給電電極と、を有し、少なくとも一つの前記給電電極には複数本の前記発熱抵抗体が並列に接続されていることを特徴とする像加熱装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（１６）記録材上に形成された像を加熱する像加熱装置であり、ヒータと、前記ヒータと摺擦しつつ回転する可撓性スリーブと、を有し、前記ヒータは、基板と、前記基板に設けられており、抵抗値の異なる複数の抵抗体が少なくとも２往復直列に繋がっている発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の電気的端部に設けられている給電電極と、を有することを特徴とする像加熱装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
しかし、本実施例の図３（ａ）ではＨ１・Ｈ２・Ｈ３・Ｈ４・Ｈ５・Ｈ６＝０．６ｍｍ（３Ω）×６本の発熱抵抗体が形成されており、それぞれの発熱抵抗体間は０．４ｍｍ×５本となる。発熱領域（発熱抵抗体エッジ間）は従来例と変わらず５．６ｍｍを確保しながら発熱抵抗体総幅は３．６ｍｍのため、従来の約７割のペースト材料で発熱抵抗体を形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１・・像担持体（感光ドラム）、２・・帯電装置（帯電ローラ）、３・・露光手段、４・・現像装置、５・・転写装置（転写ローラ）、６・・クリーニング装置、７・・給紙カセット、８・・搬送ローラ、９・・トップセンサー、１０・・搬送ガイド、１１・・定着装置、１２・・搬送ローラ、１３・・排紙ローラ、１４・・排紙トレイ、１５・・給紙ローラ、２０・・加熱体（セラミックヒータ）、２０ａ・・ヒータ基板、２０ｂ・・発熱抵抗体（抵抗体パターン）、２０ｃ・・ガラスコート層、２１・・温度検知素子（サーミスタ）、２２・・ヒータホルダ、２３・・ＣＰＵ、２４・・トライアック、２５・・定着回転体（定着フィルム）、２６・・定着回転体（加圧ローラ）、２７・・温度制御手段、２８・・回転制御手段、２９・・モータ、３０・・ＣＰＵ、３１・・安全対策用温度検知素子（温度ヒューズ）、Ｎ・・定着ニップ部、Ｐ・・記録材
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を撮影するカメラを備え、記録媒体に前記カメラで撮影された映像を記録するビデオカメラにおいて、
前記記録媒体の種別を判別する媒体種別判別手段と、
AC電源が接続されているか否かの判別を行う電源判別手段と、
前記媒体種別判別手段で記録媒体が追記型記録媒体と判別された場合、記録された映像を再生専用装置で再生できるようにするための終了処理を行う終了処理手段と、
前記カメラで撮影された映像を表示する表示部と、
前記電源判別手段によりAC電源が接続されていないと判別された場合、前記終了処理を行う電力量を有する電池が接続されているときであっても、前記終了処理手段が追記型記録媒体に終了処理を行なわないよう制御する制御部と、
を備えることを特徴とするビデオカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１の電極上に、該第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成する工程と、
開閉するシャッターが設けられ、且つ、前記基板に対向して配置された蒸着源を、前記絶縁物で区切られた領域に合わせて移動させ、該絶縁物で区切られた領域に合わせて前記シャッターを開くことにより、前記第１の電極上に前記有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に前記第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記絶縁物は、ストライプ状または格子状に形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、蒸着の際、前記蒸着源と前記基板との間隔が、３０ｃｍ以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記蒸着源は、Ｘ方向またはＹ方向に移動することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記蒸着源の移動方向と、前記絶縁物で区切られた領域の長辺方向とが一致していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の電極は、発光素子の陰極、或いは陽極であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記有機化合物を含む層を形成する際に、金属材料からなるマスクを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記マスクと前記蒸着源との間に基板シャッターを設けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記金属材料はタングステン、タンタル、クロム、ニッケル、モリブデンまたは、これらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記蒸着源はルツボを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ルツボは仕切り部を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記蒸着源は複数の有機化合物を備えることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であって、
前記基板が配置される成膜室には、蒸着源と、該蒸着源を移動する手段と、前記蒸着源に設けられたシャッターとを有し、
前記蒸着源及び前記シャッターを移動させ、且つ、前記シャッターの開閉を行うことで選択的に成膜を行うものであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記蒸着源はルツボを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記ルツボは仕切り部を有することを特徴とする成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法および成膜装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  以下の製造工程：
ａ）金属充填材、セラミック充填材並びに有機先駆物質からなる３種類の粉末を準備する、
ｂ）３種類の粉末を混合する、
ｃ）該混合物を、高融点の金属からなる貫通部材を包囲する型に充填する、
ｄ）混合物をプレス、特に加熱プレスもしくは熱間等水圧プレスによりグリーン成形体を形成する、
ｅ）シールすべき開口を有する仕上げ焼成したセラミック成形体を準備する、
ｆ）開口にグリーン成形体を挿入する、
ｇ）グリーン成形体を熱分解し、それにより負の収縮を示す多孔質成形体が生じ、それにより一方ではセラミック体と成形体並びに他方では成形体と貫通部材の間のシーリングを行う、
ｈ）加熱しながら多孔質成形体を十分に湿潤する金属で含浸させ、それにより気孔率を少なくとも５分の１に低下させかつ真空密の金属複合体材料を形成する
からなることを特徴とする、金属セラミック結合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従って、フォトンが必要とされないときに不必要なフォトンの生成を排除し、或いは検知器の応答時間又は画像取得の速度に基づいて画質への影響を最小限にする方法及び装置が望まれる。従って、不必要なＸ線放射の放出を減少させるために、Ｘ線放射出力を画像の記録と同期させることが望ましい。
【特許文献１】米国特許第５８７５２２８号
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メス型BNCコネクタ部品であって、
一方の端部の近傍に差し込みピン（29）を有するとともに肩部を有する穿孔を備えるメス型BNCコネクタシェル（30）と、
中心に開口を有する中心導体支持ビード（32）であって、前記肩部を有する穿孔内にぴったりと適合し、前記差し込みピンの位置する側とは反対の端部から前記肩部を有する穿孔内に挿入されると前記肩部を有する穿孔内の肩部に配置される中心導体支持ビード（32）と、
前記差し込みピンの位置する側とは反対の端部において前記肩部を有する穿孔内にねじにより取り付けられ、前記中心導体支持ビードに接触し、前記肩部に対して前記中心導体支持ビードを保持するねじ山付き保持部材（34）と、
前記中心導体支持ビードの中心開口を介するねじによる押圧により、前記肩部を有する穿孔の軸と同軸に保持されているメス型中心導体ピン（31）であって、前記肩部を有する穿孔とエア誘電体型伝送線を形成するメス型中心導体ピン（31）と、
前記ねじ山付き保持部材の穿孔を同軸的に貫通する接続中心導体（33）であって、前記中心導体支持ビードの中心開口を介して前記メス型中心導体ピンとねじ式に嵌合して上記ねじによる押圧をもたらし、前記メス型BNCコネクタ部品からの及び前記メス型BNCコネクタ部品への信号を搬送する伝送線の一部となる接続中心導体（33）と
からなるメス型BNCコネクタ部品。
【請求項２】
前記ねじ山付き保持部材がメス型APC3.5コネクタシェルからなり、前記接続中心導体がAPC3.5メス型中心導体ピンからなる請求項１記載のメス型BNCコネクタ部品。
【請求項３】
前記ねじ山付き保持部材が、クランプタイプのケーブルアタッチメントからなる請求項１記載のメス型BNCコネクタ部品。
【請求項４】
前記ねじ山付き保持部材がRFコネクタとは異なる種類のコネクタシェルからなり、前記接続中心導体がRFコネクタとは異なる種類に属する中心導体ピンからなる請求項１記載のメス型BNCコネクタ部品。
【請求項５】
オス型BNCコネクタ部品であって、
肩部を有する穿孔を備えるオス型BNCコネクタシェル（39）であって、一方の端部に、差し込みピンを有するメス型BNCコネクタシェルに挿入するための嵌合シリンダーが形成されているオス型BNCコネクタシェル（39）と、
前記嵌合シリンダーがメス型BNCコネクタシェルへと挿入されると、差し込みピンと係合し戻り止め（38）で終端する螺旋状溝（37）を有するとともに外側ねじ山領域（53）を有する差し込みラッチ（36）と、
前記差し込みラッチが、前記オス型BNCコネクタシェルに対して及び前記嵌合シリンダー上で滑動的にかつ回転することなく固定されることと、
中心に開口を有する中心導体支持ビード（48）であって、前記肩部を有する穿孔内にぴったりと適合し、前記嵌合シリンダーの位置する側とは反対の端部から前記肩部を有する穿孔内に挿入されると前記肩部を有する穿孔内の内部肩部に配置される中心導体支持ビード（32）と、
前記嵌合シリンダーの位置する側とは反対の端部において前記肩部を有する穿孔内にねじにより取り付けられ、前記中心導体支持ビードに接触し、前記内部肩部に対して前記中心導体支持ビードを保持するねじ山付き保持部材（50）と、
前記中心導体支持ビードの中心開口を介するねじによる押圧により、前記肩部を有する穿孔の軸と同軸に保持されているオス型中心導体ピン（47）であって、前記嵌合シリンダーの内部とエア誘電体型伝送線を形成するオス型中心導体ピン（47）と、
前記ねじ山付き保持部材の穿孔を同軸的に貫通する接続中心導体（49）であって、前記中心導体支持ビードの中心開口を介して前記オス型中心導体ピンとねじ式に嵌合して上記ねじによる押圧をもたらし、前記オス型BNCコネクタ部品への及び前記オス型BNCコネクタ部品からの信号を搬送する伝送線の一部となる接続中心導体（49）と、
前記オス型BNCコネクタシェルが、前記差し込みラッチが固定されている位置の近傍に外部肩部（52）を有することと、
内部にねじ山を切った貫通する穿孔を有するドローナット（46）であって、前記ねじ山付き保持部材から前記嵌合シリンダーに向かう方向、前記内部ねじ山が前記外部肩部上を通り前記差し込みラッチの前記外部ねじ山と回転式に係合する方向において、前記外部肩部の近傍で前記オス型BNC導体シェルの外側をぴったりと滑動する小径部分をその一方の端部に有するドローナット（46）と
からなるオス型BNCコネクタ部品。
【請求項６】
前記ドローナット（46）が、円筒形であり、前記オス型BNCコネクタ上に留められている請求項５記載のオス型BNCコネクタ部品。
【請求項７】
前記ねじ山付き保持部材がメス型APC3.5コネクタシェルからなり、前記接続中心導体がAPC3.5メス型中心導体ピンからなる請求項５記載のオス型BNCコネクタ部品。
【請求項８】
前記ねじ山付き保持部材がクランプタイプのケーブルアタッチメントからなる請求項５記載のオス型BNCコネクタ部品。
【請求項９】
前記ねじ山付き保持部材がRFコネクタとは異なる種類のコネクタシェルからなり、前記接続中心導体がRFコネクタとは異なる種類に属する中心導体ピンからなる請求項５記載のオス型BNCコネクタ部品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられた電界効果トランジスタに接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子を備え、
前記第１の電極は、前記第１の電極の中央部に向かう凹部形状を成す傾斜面を前記第１の電極の端部に有し、該傾斜面は、前記有機化合物を含む層からの発光を反射することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板に設けられた電界効果トランジスタに接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子を備え、
前記第１の電極は端部よりも膜厚の薄い凹部形状となっている部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板に設けられた電界効果トランジスタに接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子を備え、
前記第１の電極は、多層構造であり、前記第１の電極における端部よりも積層数が少ない部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体基板に設けられた電界効果トランジスタに接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子を備え、
前記第１の電極は、窪みを有し、前記窪みの底部の幅は、窪みの上部の幅よりも小さく、前記窪みの傾斜面は、前記有機化合物を含む層からの発光を反射することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の電極は光を透過する導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の電極は、凹部形状であり、前記絶縁物をマスクとして自己整合的に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極である、または前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の電極は、前記電界効果トランジスタのドレイン電極またはソース電極の一部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の電極は、前記電界効果トランジスタのドレイン電極またはソース電極と異なる材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の電極は、凹部形状を成す傾斜面を有し、前記傾斜面の傾斜角度は、３０°を超え、７０°未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲率半径を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記第１の電極は、チタンを含む第１の金属層と、窒化チタンまたは窒化タングステンを含む第２の金属層と、アルミニウムを含む第３の金属層と、窒化チタンを含む第４の金属層との積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は、赤色発光する材料、緑色発光する材料、もしくは青色発光する材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、封止材に設けられたカラーフィルタと組み合わされたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、封止材に設けられた色変換層または着色層と組み合わされたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記電界効果トランジスタは、ＭＩＳＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、またはＴＦＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記半導体基板には、ＣＰＵ、メモリ素子、薄膜ダイオード、光電変換素子、または抵抗素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
第１の電極と、該第１の電極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する第２の電極とを有する発光素子を有する半導体装置の作製方法であって、
半導体基板に電界効果トランジスタを形成し、
前記電界効果トランジスタのドレイン電極またはソース電極の一部である前記第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成し、
前記絶縁物をマスクとしてエッチングを行うことにより、金属層の積層からなる前記第１の電極に斜面が形成されるように前記第１の電極を部分的に薄くし、
前記斜面が形成された前記第１の電極及び前記絶縁物上に前記有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に、光を透過する金属薄膜からなる前記第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記第１の電極は、光を反射する金属層と、エッチングストッパーとなる金属層との積層を有し、前記光を反射する金属層がエッチングされることにより、前記第１の電極に形成された斜面には、光を反射する金属材料が露呈していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極よりも仕事関数が大きい金属層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至２１のいずれか一において、前記第１の電極は、チタンを含む第１の金属層と、窒化チタンまたは窒化タングステンを含む第２の金属層と、アルミニウムを含む第３の金属層と、窒化チタンを含む第４の金属層との積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれか一において、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲率半径を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至２３のいずれか一において、前記電界効果トランジスタは、ＭＩＳＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、またはＴＦＴであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  点状の一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光される光が出射する光出射面を有する板状の導光体であって、
前記光出射面及びその反対側の裏面のうちの一方に、前記光出射面に沿った面内での前記導光体に入射した光の指向性の方向にほぼ沿って延び、且つ互いに略平行に配列された複数の凹凸構造列が形成されており、少なくとも前記一次光源の近傍において、前記複数の凹凸構造列のその延在方向と直交する断面形状は、その各微小領域での接線と前記凹凸構造列形成面とのなす傾斜角度の絶対値が２０°以上５０°以下の角度成分の存在割合が１０％以上であることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項２】  少なくとも前記一次光源の近傍において、０°以上８０°以下の全ての角度α°について、前記傾斜角度の絶対値がα°以上α°＋１０°以下の角度成分の存在割合が６０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置用導光体。
【請求項３】  前記凹凸構造列形成面は、前記一次光源の近傍に位置し前記凹凸構造列が形成された領域Ａと、該領域Ａに近接して位置し前記凹凸構造列が形成された領域Ｂとを有しており、前記領域Ａと前記領域Ｂとで前記断面形状が異なることを特徴とする、請求項１または２に記載の面光源装置用導光体。
【請求項４】  前記凹凸構造列形成面は、金型の凹凸構造列形状転写面の一部または全部をブラスト処理し、前記金型を用いた成形により前記凹凸構造列形状転写面を転写して得られたものであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の面光源装置用導光体。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載の面光源装置用導光体と、該導光体の前記光入射端面に隣接して配置されている前記一次光源と、前記導光体の光出射面に隣接して配置されている少なくとも１つの光偏向素子とを備えており、該光偏向素子は、前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、前記導光体に隣接する光偏向素子の前記入光面に、前記導光体の光入射端面の形成されている入射端縁と略平行の方向に延び且つ互いに平行な複数のレンズ列を備えていることを特徴とする面光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ＳＯＦＣは、電力発生における高効率及び低汚染という能力を実証してきたが、ＳＯＦＣ内の構成要素の温度調整に関連して幾つかの問題を残している。ＳＯＦＣは、典型的には冷却流路（交互の平形単一セルのセクションにおける）又は上昇管（管形式ＳＯＦＣにおける）を含み、これらの冷却流路又は上昇管内では、廃熱を伝達又は除去する目的のために酸化剤、典型的には空気が使用され、スタック温度を規定の限界に又は該限界以下に維持しかつＳＯＦＣ内において所定の熱勾配を維持するようになっている。しかしながら、そのような冷却流路又は上昇管は、典型的には平滑な表面を備え、この平滑な表面は、該流路又は管と酸化剤との間で低い熱伝達率をもたらす望ましくない特性を有する。
【特許文献１】米国特許第５８２０６５５号
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハウジングと、
同ハウジング内に配置され、かつ陽極と陰極とを備えるであって、該電極アセンブリは第１の端部と第２の端部とを有し、第１の端部には陽極および陰極への接続部を備える、電極アセンブリと、
同じくハウジング内に配置され、かつ第一表面と第二表面とを有するスペーサであって、第二表面は第一表面よりも小さい面積を有するスペーサとを備え、
前記電極アセンブリは、前記ハウジングの全長より少なくとも２％短く、前記スペーサは、前記電極アセンブリと前記ハウジングとの間であり、かつ前記電極アセンブリの第２の端部と前記ハウジングとの間に配置されている電池セル。
【請求項２】  請求項１に記載のセルであって、スペーサの挿入によって、スペーサとハウジングの角部との間に少なくとも一箇所の空隙が提供される、電池セル。
【請求項３】  請求項２に記載のセルであって、前記スペーサは、ＡＢＳ、ポリカーボネート、ポリカーボネート−ＡＢＳ、スチレン、およびポリスチレンのうちから選択される材料から製造された電池セル。
【請求項４】  請求項３に記載のセルであって、前記第二表面の表面積は、前記第一表面の表面積の８０％未満である電池セル。
【請求項５】  請求項４に記載のセルであって、スペーサの横断面がＴ形状である電池セル。
【請求項６】  請求項１に記載のセルであって、さらに第二のスペーサを備え、該第二のスペーサは、電極アセンブリに対して第一のスペーサと対向する位置に配置され、該第二のスペーサはさらに陰極と陽極との接触を防止する電池セル。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置を相互接続する方法であって、
基板上に複数の導体を形成し、
少なくとも２つの電子装置と前記基板を位置合わせし、それぞれの電子装置が少なくとも１つのパッドを含み、それぞれの導体が２つの前記のパッドと整列され、
前記２つのパッドにそれぞれの導体をボンディングし、
前記導体から前記基板を取り外すことを含む、電子装置を相互接続する方法。
【請求項２】
前記電子装置の少なくとも１つが、オプトエレクトロニクス装置、半導体レーザ、フォトダイオード、電子光学装置、発光ダイオード、電界吸収型変調器、半導体光増幅器、及びそれらの組合せからなるグループから選択された装置である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導体を形成することが、フォトリソグラフィーパターンを形成し、前記導体の２次元の形状を決めることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記導体を形成することが、さらに、めっきを使用して、前記導体の所望の厚さを得ることを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記導体を形成することが、導電材料のシートをスタンピングし、前記導体の２次元の形状を決めることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記導体が、接着剤によって前記基板に取り付けられている請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記導体が、テーパ付きの形状、曲線形状、メッシュ付き形状、直線形状、及びそれらの組合せの形状からなるグループから選択される２次元の形状を有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板が、シリコンベースの材料、ガラスベースの材料、ポリイミドベースの材料、アクリルベースの材料、セロハンベースの材料、及びそれらの組合せの材料からなるグループから選択された材料からなる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記導体の所定の１つが前記パッドの所定の１つに接触する点において、前記基板がスルーホールを有し、前記ボンディングすることが、前記スルーホール内へボンディングチップを挿入することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記導体の所定の１つが前記パッドの所定の１つに接触する点において、前記基板がスルーホールを有し、前記ボンディングすることが、前記スルーホール内へレーザビームを照射することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、レーザビームの波長において実質的に透明であり、前記ボンディングすることが、前記導体上のボンディング点のセットに対して、前記基板を介して前記レーザビームを照射することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板を取り外すことが、前記導体と前記基板との間の接着性を変更することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記接着性を変更することが、熱プロセス、化学プロセス、露光プロセス、及びそれらの組合せからなるグループから選択されたプロセスを介して生じる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
相互接続された電子装置のパッケージであって、
それぞれが少なくとも１つのパッドを含む複数の電子装置と、及び
少なくとも２つのそれぞれの前記電子装置上における１つのパッドにボンディングされている導体とを含み、前記導体が、前記電子装置間において自己支持し、かつ少なくとも２つの前記パッドの表面と実質的に同一平面の表面を有する、相互接続された電子装置のパッケージ。
【請求項１５】
前記電子装置の少なくとも１つが、オプトエレクトロニクス装置、半導体レーザ、フォトダイオード、電子光学装置、発光ダイオード、電界吸収型変調器、半導体光増幅器、及びそれらの組合せからなるグループから選択された装置である請求項１４に記載の相互接続された電子装置のパッケージ。
【請求項１６】
前記導体が、２次元の形状を有し、その形状が、テーパ付きの形状、曲線形状、メッシュ付き形状、直線形状、及びそれらの組合せの形状からなるグループから選択されている請求項１４に記載の相互接続された電子装置のパッケージ。
【請求項１７】
相互接続された電子装置のパッケージであって、
それぞれが少なくとも１つのパッドを含む複数の電子装置と、及び
前記複数の電子装置の１つの電子装置の１つのパッドを前記複数の電子装置の他の電子装置の１つのパッドに電気的に接続する導電手段と、当該導電手段が、前記電子装置間で自己支持し、かつ前記パッドの表面に対して実質的に平行な表面を有する相互接続された電子装置のパッケージ。
【請求項１８】
前記電子装置の少なくとも１つが、オプトエレクトロニクス装置、半導体装置、フォトダイオード、電子光学装置、発光ダイオード、電界吸収型変調器、半導体光増幅器、及びそれらの組合せからなるグループから選択されている請求項１７に記載の相互接続された電子装置のパッケージ。
【請求項１９】
前記導電手段が、前記パッドの表面に平行な面内で２次元の形状を有し、その形状が、テーパ付きの形状、曲線形状、メッシュ付き形状、直線形状、及びそれらの組合せの形状からなるグループから選択されている請求項１７に記載の相互接続された電子装置のパッケージ。
【請求項２０】
電子装置を相互接続するための装置であって、
基板と、
前記基板に取り外し可能に取り付けられた複数の導体とを含み、前記導体が前記基板に取り付けられてない場合、前記導体が互いに物理的に独立している、電子装置を相互接続するための装置。
【請求項２１】
それぞれの導体が、テーパ付きの形状、曲線形状、メッシュ付き形状、直線形状、及びそれらの組合せの形状からなるグループから選択された２次元の形状を有する請求項２０に記載の電子装置を相互接続するための装置。
【請求項２２】
前記基板が、シリコンベースの材料、ガラスベースの材料、ポリイミドベースの材料、アクリルベースの材料、セロハンベースの材料、及びそれらの組合せの材料からなるグループから選択された材料からなる請求項２０に記載の電子装置を相互接続するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】  請求項２２〜２７のいずれか１項に記載の方法で製造される配線転写シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４４】  請求項２〜２１のいずれか１項に記載の配線転写シートを使用し、工程（２）において、配線層が形成される電気絶縁性基材の表面において電気絶縁性基材が露出する領域に複数の凸部を形成する請求項４３に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５０】  請求項２〜２１のいずれか１項に記載の配線転写シートを使用し、工程（５）において、配線層が形成される電気絶縁性基材の表面において電気絶縁性基材が露出する領域に複数の凸部を形成する請求項４９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体製造において使用する方法であって、
電磁エネルギの入射ビームで半導体ウェーハを照射するステップであって、該半導体ウェーハが少なくとも２つの層を有し、各層中にオーバーレイ・アライメント・フィーチャをもっているステップと、
該半導体ウェーハから回折された電磁エネルギの特性を決定するステップと、
これらの特性から該少なくとも２つの層の間のオーバーレイ・アライメントを決定するステップとを含み、
該特性を決定するステップは、入射ビームと、該入射電磁エネルギに相対する回折された電磁エネルギの半導体ウェーハの面の間の角度の関数として、位相変化および振幅変化を決定する処理をさらに含む方法。
【請求項２】  複数のワークピースオーバーレイ・アライメント・フィーチャのためのスペクトル分解特性のライブラリを確立するステップ；および
前記ライブラリの前記特性と前記ワークピースから回折された前記放射エネルギの特性との間のベスト・フィット（最も適合するもの）を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記オーバーレイ・アライメントを前記決定するステップは、前記決定された特性を複数の参照特性と比較するステップ、前記ベスト・フィット参照特性を決定するステップ、および前記ベスト・フィット特性に基づいてオーバーレイ・アライメントを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  第１の層内の前記オーバーレイ・アライメント・フィーチャは、第２の層内の前記オーバーレイ・アライメント・フィーチャに関して所定の角度で定義されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】  半導体デバイス構造の多重層の間のオーバーレイ・アライメントを決定するためのスキャタロメトリを使用する方法であって、
入射ビームの電磁エネルギの散乱および反射によって形成され、すくなくとも２つの層の間のアライメントを表わすような少なくともいくつかの特性をもつ、半導体デバイスからの散乱放射特性のデータベースを確立するステップ；
前記半導体デバイス構造を、既知の波長の入射電磁放射にさらすステップ；
前記デバイス構造からの散乱放射のパターンを、前記入射放射に応答して、検出するステップ；および
前記検出されたパターンを、層のアライメントを決定するために、データベース内に格納されている特性と比較するステップを含む方法。
【請求項６】  製造において使用する方法であって、
一方が他方をオーバーレイする少なくとも２つのフィーチャを有するワークピースに電磁放射を照射するステップと、
該ワークピースから回折された放射のスペクトル分解特性を取得するステップと、
該２つのフィーチャの相対的なアライメントを特性づける特性を分析するステップと、
電磁エネルギの入射ビームで半導体ウェーハを照射するステップであって、該半導体ウェーハが少なくとも２つの層を有し、各層中にオーバーレイ・アライメント・フィーチャをもっているようなステップと、
該半導体ウェーハから回折された電磁エネルギの特性を決定するステップと、
該特性から少なくとも２つの層の間のオーバーレイ・アライメントを決定するステップであって、少なくとも２つの層の間の垂直距離を決定する処理をさらに含むステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材上に設けられた第１の電極と、該第１の電極上に接して設けられた有機半導体層と、該有機半導体層に接して設けられた第２の電極と、前記有機半導体層に接続された第３の電極とを有する有機半導体素子であって、前記有機半導体層がｐ型もしくはｎ型であることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項２】  前記第１の電極が、前記有機半導体層と接する部分と、前記有機半導体層と接する部分を囲む余白部からなることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体素子。
【請求項３】  前記有機半導体層が、前記第２の電極と接する部分と、前記有機半導体層と接する部分を囲む余白部からなり、当該余白部で前記第３の電極が接続されていることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の有機半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は簡素な構成の有機半導体素子を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
よって本発明は、基材上に設けられた第１の電極と、該第１の電極上に接して設けられた有機半導体層と、該有機半導体層に接して設けられた第２の電極と、前記有機半導体層に接続された第３の電極とを有する有機半導体素子であって、前記有機半導体層がｐ型もしくはｎ型であることを特徴とする有機半導体素子である。ここで、前記第１の電極が、前記有機半導体層と接する部分と、前記有機半導体層と接する部分を囲む余白部からなることが好ましい。また、前記有機半導体層が、前記第２の電極と接する部分と、前記有機半導体層と接する部分を囲む余白部からなり、当該余白部で前記第３の電極が接続されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板材料をコーティング材料でコーティングする方法であって、
接着促進剤をコーティング材料と混合するステップと、
該混合物を前記半導体基板材料に塗布するステップと、
を含む方法。
【請求項２】  前記半導体基板材料および前記コーティング材料の両方に適合する接着促進剤を選択するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】  最終製品に必要な特性を選択するステップと、
該特性を提供するために半導体基板材料およびコーティング材料を選択するステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記半導体基板材料および前記コーティング材料に適合する接着促進剤を選択するステップをさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】  前記コーティング材料は液体である、請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記半導体基板材料は可撓性のウェブである、請求項１記載の方法。
【請求項７】  前記コーディング材料はＮＯＡ８３Ｈからなる、請求項１記載の方法。
【請求項８】  前記コーティング材料は、ポリウレタン、アクリル酸塩および光重合開始剤からなる、請求項１記載の方法。
【請求項９】  前記選択された接着促進剤は有機シラン化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項１０】  前記選択された接着促進剤はコーティング材料としても適当な化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項１１】  前記接着促進剤はＶＭ−６５２である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】  前記接着促進剤の適合性は、液体−固体接触面の接触角を参照することにより特定される、請求項２記載の方法。
【請求項１３】  半導体基板をコーティングする方法であって、
コーティング材料を接着促進剤と混合することによりコーティング混合物を生成するステップと、
該混合物を前記半導体基板に塗布するステップと、
を含む方法。
【請求項１４】  前記コーティング混合物は、前記コーティング材料と比較して向上した接着特性を有する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  前記コーティング材料はＮＯＡ８２Ｈからなり、前記接着促進剤はＶＭ−６５２である、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】  コーティング材料で半導体基板材料をコーティングする装置であって、
接着促進剤をコーディング材料と混合する手段と、
接着促進剤とコーティング材料との前記混合物を半導体基板に塗布する手段とを含む、装置。
【請求項１７】  コーティングされた半導体基板であって、
半導体基板と、
前記半導体基板に塗布された接着促進剤と感光性樹脂とからなるコーティング混合物と、
を具備する半導体基板。
【請求項１８】  前記半導体基板は可撓性非晶質シリコンコートウェブである、請求項１７記載のコーティングされた半導体基板。
【請求項１９】  前記コーティング混合物は、ＶＭ−６５２とＮＯＡ８３Ｈを含む、請求項１７記載のコーティングされた半導体基板。
【請求項２０】  前記コーティング混合物は、スピンコートを用いて前記半導体基板に塗布される、請求項１９記載のコーティングされた半導体基板。
【請求項２１】  半導体基板をコーティングする方法であって、
ＶＭ−６５２をＮＯＡ８３Ｈと混合することによりコーティング混合物を形成するステップと、
前記半導体基板を前記コーティング混合物でスピンコーティングするステップであって、コーティングされた半導体基板を形成し、
前記コーティング混合物を硬化させるために前記コーティングされた半導体基板を紫外線光源にさらすステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の裏面をエッチングする工程と、
その後、前記エッチングされた第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備えることにより、前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ2以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングする工程は、前記第１半導体層の裏面を反応性エッチングによりエッチングする工程を含む、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記反応性エッチングによりエッチングする工程は、
Ｃｌ2ガスとＢＣｌ3ガスとを用いて反応性エッチングによりエッチングする工程を含む、請求項３に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記反応性エッチングによりエッチングする工程におけるＣｌ2ガスに対するＢＣｌ3ガスの流量比は、３０％以上７０％以下である、請求項４に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記ｎ側電極を形成する工程に先立って、前記エッチングされた第１半導体層の窒素面を、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素、イオウおよびアンモニウムの少なくとも１つを含む溶液に浸す工程をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングする工程に先立って、前記第１半導体層の裏面を研磨する工程をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングする工程は、前記第１半導体層の裏面をウェットエッチングによりエッチングする工程を含む、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記ウェットエッチングによりエッチングする工程は、王水、ＫＯＨおよびＫ2Ｓ2Ｏ8からなるグループから選択される少なくとも１つのエッチング液を用いてエッチングする工程を含む、請求項８に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の窒素面を反応性エッチングによりエッチングする工程と、
その後、前記エッチングされた第１半導体層の窒素面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備えることにより、前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ2以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０9ｃｍ-2以下であり、
前記ｎ側電極と前記第１半導体層とのコンタクト抵抗は、０．０５Ωｃｍ2以下である、窒化物系半導体素子。
【請求項１２】
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０6ｃｍ-2以下であることを特徴とする請求項１１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１３】
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上である、請求項１１または１２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１４】
前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１５】
前記第１半導体層の裏面は、研磨により形成された面であり、その研磨により形成された当該裏面における前記ｎ側電極との界面近傍の転位密度が、１×１０9ｃｍ-2以下とされたことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１６】
前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が研磨された層であることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１７】
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の裏面近傍における転位密度を１×１０9ｃｍ-2以下とする工程と、
その後、転位密度が１×１０9ｃｍ-2以下とされた前記第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備えることにより、前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ2以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第１半導体層の裏面近傍における転位密度を１×１０9ｃｍ-2以下とする工程は、前記第１半導体層の裏面近傍の結晶欠陥を除去する工程を含む、請求項１７に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第１半導体層の裏面近傍における転位密度を１×１０9ｃｍ-2以下とする工程に先立って、前記第１の半導体層の裏面を研磨する工程をさらに備える、請求項１７または１８に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  励起レーザーをターゲットに照射し、発生したプラズマで極端紫外線領域又はＸ線領域の照明光を発生させる光源を生成し、前記照明光で反射型レチクルを照明するための照明光学系と、前記照明光を前記照明光学系の第１ミラーの手前で集光させる楕円ミラーと、前記レチクルで反射したパターンを被露光体上に縮小投影するための投影光学系を有する露光装置において、
前記励起レーザーの光軸方向が前記励起レーザーの前記プラズマが発生する位置を越えて進行した場合の光束が前記光学系を含む装置構成部位及び前記楕円ミラーと非干渉になるように設定されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記照明光学系の第１ミラーに入射する前記照明光の光軸方向に対して前記励起レーザーの光軸がずれていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】  前記ターゲットに入射する励起レーザーと前記ターゲットから出射する励起レーザーがともに前記楕円ミラーが備えた通過部を通過することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】  前記ターゲットに入射する励起レーザーが前記楕円ミラーが備えた通過部を通過し、前記ターゲットから出射する励起レーザーが前記照明光が通過する開口部を通過することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】  前記ターゲットから出射する励起レーザーが前記楕円ミラーが備えた通過部を通過し、前記ターゲットに入射する励起レーザーが前記照明光が通過する開口部を通過することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】  前記照明光の光軸方向に対して前記励起レーザーの光軸方向を３次元的に傾斜して配置する手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】  前記ターゲットを超えて前記励起レーザーが前記照明光学系に到達することを妨げる遮光部材とを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】  前記プラズマの発光点で発生するデブリが前記照明光学系に到達することを防止するデブリ除去部材を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】  前記デブリ除去部材は、前記励起レーザーの透過率が約９０％以上であり、前記遮光部材は、前記励起レーザーの透過率が約１０％以下であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１０】  前記遮光部材は、金属に反射防止膜を形成した構成を有する請求項１記載の露光装置。
【請求項１１】  前記光源から見て、第１ミラーに入射する前記照明光の光軸方向から前記励起レーザーの光軸方向に向かって最も外側に配置されている前記露光装置の構成要素に前記励起レーザーの前記光源を越えて進行した場合の光束が照射されないように、前記照明光の光軸方向に対する前記励起レーザーの光軸のなす角度は決定されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１２】  前記遮蔽部材を冷却する冷却機構を更に有することを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項１３】  前記遮蔽部材は、前記照明光学系及び前記投影光学系が格納されているチャンバーの外側に設置されることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項１４】  前記照明光の光軸方向において前記楕円ミラーの開口部が前記励起レーザーの集光点より第１ミラー側に位置する請求項１記載の露光装置。
【請求項１５】  励起レーザーをターゲットに照射し、発生したプラズマで極端紫外線領域又はＸ線領域の照明光を発生させる光源を生成し、前記照明光で反射型レチクルを照明するための照明光学系と、前記照明光を前記照明光学系の第１ミラーに導く集光ミラーと、前記レチクルで反射したパターンを被露光体上に縮小投影するための投影光学系を有する露光装置において、
前記照明光の光軸方向において前記集光ミラーの開口部が前記励起レーザーの集光点より第１ミラー側に位置し、
前記励起レーザーの光軸方向が前記励起レーザーの前記プラズマが発生する位置を越えて進行した場合の光束が前記光学系を含む装置構成部位及び前記ミラーと非干渉になるように設定されていることを特徴とする露光装置。
【請求項１６】  前記集光ミラーは楕円形状である請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】  請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて前記被露光体を投影露光するステップと、
前記投影露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このようなＴＦＴアレイを製造するための少なくとも１つの公知の製造法は典型的には、ボトム・ゲートＴＦＴとデータ及び走査アドレス線とを製造することを含む。幾種類かの公知のボトム・ゲートＴＦＴでは、底部のゲート金属がチャンネル領域を遮蔽し、すなわち、バック・ライトからの光を阻止する光阻止要素として作用する。ＴＦＴにおいては望ましくない光子の漏れを生じることがあるので、この光阻止層は望ましい。例えば、ディジタルＸ線パネルにおいて、装置の頂部に配置されたシンチレータから光が生成され、従ってＴＦＴ領域は光子に直接に露出される。このため、ＴＦＴチャンネル領域を不所望な光から遮蔽するために余分な光阻止層が必要になり、それに伴って余分なフォトリソグラフィ工程が必要になる。
【特許文献１】米国特許第６４９００１４号