【事件の表示】
　平成　６年特許願第１６７１２４号「電極構造およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　２月　２日出願公開、特開平　８−　３２１１５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　平成１４年１月２８日付けの手続補正を却下する。
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成６年７月１９日の出願であって、平成１４年１月２８日に明細書についての補正（いわゆる審判請求時の補正）がなされたものである。
　
２．平成１４年１月２８日付けの手続補正について
（１）補正の内容
　平成１４年１月２８日付け手続補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許請求の範囲の請求項６に
「【請求項６】　ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属と、水素貯蔵金属とを堆積し、３００℃〜１０００℃程度の範囲の熱処理を行うことを特徴とする電極構造の製造方法。」とあるを、
「【請求項６】　ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属と、水素貯蔵金属とを堆積し、３００℃〜１０００℃の範囲の熱処理を行うことを特徴とするオーミック接触の電極構造の製造方法。」（以下、「補正発明」という。）
とする補正を含むものである。　
　　　　　　　　
（２）引用刊行物記載の事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、この出願前公知の刊行物；特開平６−６９５４６号公報（以下、「引用例」という。）には、下記の記載が認められる。
「【００１１】
　本発明における発光素子チップの電極形成方法としては、ＭＢＥ法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等がある。電極材料としてはｎ型半導体とｐ型あるいはｉ型半導体それぞれにオーミック接触が得られるものが好ましく、金属単体でもよく、２種以上の金属を混合して合金化したものを用いてもよい。このオーミック接触を得るための条件はｎ型半導体側の電極としては半導体の仕事関数よりも小さな仕事関数を有する金属がよく、ｐ型半導体側の電極としては半導体の仕事関数よりも大きな仕事関数を有する金属を用いるのがよい。例えば、ＩＩＩーＶ族化合物半導体であるＧａＮの場合には、ｎ型ＧａＮ層にはＡｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｎ等を電極に用いることがよく、ｉ型あるいはｐ型ＧａＮ層にはＡｕ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｗ等を電極に用いることで良好なオーミック接触が得られる。また、このオーミック電極形成後に素子チップをリード部材に接着する際に、接着性を向上させるためや、電極部の耐熱性を向上するためにオーミック電極上にＮｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｗ等の金属を積層することも好ましい。
【００１２】
　電極形成後にＡｒ、Ｎ2、Ｈｅ等の不活性ガス流中あるいは該半導体の構成元素を含むガス流中で半導体の分解温度以下で熱処理することも好ましく、これにより電極と半導体との界面抵抗を下げることが可能になり、良好なダイオード特性を得ることができる。・・・
【００２３】
　・・・真空蒸着法によりｐ型あるいはｉ型ＧａＮ層１４の電極としてＡｕを３０００オングストロームの厚さに蒸着し、リフトオフにより電極パターン２０を形成した（ｈ）。その後、Ａｒ流中で３００℃、１時間の加熱処理を行った。
【００２８】
  まず、基板６を９００℃で３０分間加熱し、ついで７５０℃の温度に保持し成膜を行う。成膜はアンモニアを３００℃に加熱したガスセル７から供給しながらＧａのルツボのシャッターを開けて行い、１．５オングストローム／ｓｅｃの成膜速度で膜厚０．５μmのｎ型ＧａＮ薄膜を作製した。さらにＭｇをチャージして３００℃に保たれた蒸発用ルツボ４のシャッターを開けＭｇドープのＧａＮ薄膜を１．５オングストローム／ｓｅｃの成膜速度で膜厚０．０５μｍの厚さで成膜して発光層を形成した。この作製した薄膜のＲＨＥＥＤパターンはストリーク状で結晶性および平坦性が良好であり、抵抗を測定したところ、１０ＭΩ以上の抵抗があり絶縁状態であった。」
　上記によれば、引用例には、
「ｐ型ＧａＮ層に、電子ビーム蒸着法によりオーミック接触が得られるＰｄを堆積し、電極を形成後、半導体の分解温度以下で熱処理するオーミック接触の電極の製造方法。」及び「接着性や耐熱性を向上するためオーミック電極上にＴｉを積層すること」が記載されている。
　
（３）対比・判断
　補正発明と引用例に記載された事項（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の「ＧａＮ層」は、補正発明の「ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層」において、ｘ＝０，ｙ＝１の場合に相当する。又、本願明細書の段落番号２２には、「【００２２】本発明に用いられる窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下の金属としては、例えばＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｔａが挙げられる。また、水素貯蔵金属としては、例えばＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｄが挙げられる。」と記載されているから、補正発明の「窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属」でＴｉが、「水素貯蔵金属」でＰｄが一致する。又、引用例のオーミック電極（Ｐｄ）上に積層されたＴｉは、接着性、耐熱性を向上させるボンディング用の電極であるから、Ｐｄ及びＴｉの二層がｐ型ＧａＮ層の電極を構成していることは明らかである。一方、補正発明は、本願明細書の【００２６】に「金属性窒化物層および金属水素化物層は、どちらが半導体層側であってもよい。」と記載されているように、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属（Ｔｉ）と水素貯蔵金属（Ｐｄ）の堆積順序を特定するものではない。
　したがって、両者は、
「ｐ型ＧａＮ半導体層上に、ＰｄとＴｉを堆積し、熱処理を行うオーミック接触の電極構造の製造方法。」
で一致し、下記の点で一応相違する。
　相違点；補正発明は、熱処理温度を３００℃〜１０００℃と規定しているのに対し、引用発明は、半導体の分解温度以下で熱処理するとしている点。　
　上記相違点に付き検討する。
　引用発明における半導体の分解温度については、具体的な温度の記載はない。しかし、前掲の通り、（１）引用例の【００２８】に「基板６を９００℃で３０分間加熱し、ついで７５０℃の温度に保持し、ＭｇドープのＧａＮ薄膜を形成する」旨の記載があり、半導体の成膜温度が半導体の分解温度以下であることは明らかであること、また、（２）【００２３】には、電極材料としてＡｕを用いる場合の実施例としてではあるが、３００℃で熱処理を行うことが記載されていること、からみて、熱処理温度を３００℃〜１０００℃とすることは常識的な範囲であって、補正発明の熱処理温度は、引用発明の半導体の分解温度以下の温度に比して格別異なるものではない。
　よって、補正発明は、引用例に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（４）むすび
　したがって、上記手続補正は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１５９条第１項の規定により準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１４年１月２８日付けでなされた明細書についての補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願にかかる発明は、平成１２年１１月２７日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項６の記載は次のとおりである。
「【請求項６】　ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属と、水素貯蔵金属とを堆積し、３００℃〜１０００℃程度の範囲の熱処理を行うことを特徴とする電極構造の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．引用刊行物に記載された発明との対比・判断
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物には、前記２．（２）において記載された事項が記載されている。
　そこで、本願発明と引用刊行物に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、引用発明の「ＧａＮ層」は、本願発明の「ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層」において、ｘ＝０，ｙ＝１の場合に相当する。又、本願明細書の段落番号２２には、「【００２２】本発明に用いられる窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下の金属としては、例えばＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｔａが挙げられる。また、水素貯蔵金属としては、例えばＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｄが挙げられる。」と記載されているから、本願発明の「窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属」にはＴｉが、「水素貯蔵金属」にはＰｄが含まれる。又、引用例のオーミック電極（Ｐｄ）上に積層されたＴｉは、接着性、耐熱性を向上させるボンディング用の電極であるから、Ｐｄ及びＴｉの二層がｐ型ＧａＮ層の電極を構成していることは明らかである。一方、本願発明は、本願明細書の【００２６】に「金属性窒化物層および金属水素化物層は、どちらが半導体層側であってもよい。」と記載されているように、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属（Ｔｉ）と水素貯蔵金属（Ｐｄ）の堆積順序を特定するものではない。
　したがって、両者は、
「ｐ型ＧａＮ半導体層上に、ＰｄとＴｉを堆積し、熱処理を行う電極構造の製造方法。」で一致し、下記の点で一応相違する。
　相違点；本願発明は、熱処理温度を３００℃〜１０００℃程度としているのに対し、引用発明は、半導体の分解温度以下で熱処理するとしている点。
　上記相違点については、前記２．（３）で検討したとおりであるから、本願発明は、上記刊行物に記載された発明である。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。