【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プロセスのためのシステムであって、
複数のウェハと、
前記複数のウェハを処理するための反応空間を含む炉と、
前記反応空間内に挿入し、かつ前記複数のウェハを保持するように形成されたウェハボートと、
頂面及びウェハボート支持面を有するペデスタルであって、前記ウェハボート支持面が、前記ウェハボートの重量を支持し、かつ前記頂面の下にあるペデスタルと、
前記ウェハボート支持面の上方及び下方の両方に配置された断熱材であって、前記ペデスタルを画定する壁部によって前記反応空間から遮断されている断熱材とを備えるシステム。
【請求項２】
前記炉が、約１０００℃を超える温度で半導体製造プロセスを行うために形成された超高温炉である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記温度が、約１２００℃以上である、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記壁部が耐熱材を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記耐熱材が石英を備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記石英が不透明石英を備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
内管が前記反応空間の範囲を部分的に画定し、前記内管が内管径を有し、前記ペデスタルの上部の上部径が前記内管径よりも小さい、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記ペデスタルの下部の下部径が前記内管径よりも大きい、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
支持スリーブが前記内管を支持し、前記支持スリーブが、前記ペデスタルの底部プレートと共にシールを形成する、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ウェハボート支持面が、前記ペデスタルの上部の上部径を越えて外方に伸びている、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
中間支持構造が、前記ボート支持面上に直接位置し、前記ウェハボートが、上部中間支持面上に直接位置している、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記中間支持構造が支持シリンダを備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記支持シリンダの内部が複数の遮熱材を備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
半導体処理炉の下部を断熱し、上に載るウェハボートを支持するペデスタルであって、
側壁、上壁、及び底壁を有する外被部であって、前記上に載るウェハボートの重量を直接又は間接的に支えるために形成された、上方に向いているウェハボート支持面を前記側壁によって画定する外被部と、
前記ウェハボート支持面及び前記炉の下部を熱的に遮断する、前記外被部の内部に配置された断熱材であって、前記ウェハボート支持面の下方及び上方に配置され、前記外被部によって、前記ウェハボート支持面の上の雰囲気と連通するガスから遮断された断熱材とを備えるペデスタル。
【請求項１５】
前記断熱材が、前記ペデスタルの内部を実質的に占める単一の材質からなる、請求項１４に記載のペデスタル。
【請求項１６】
前記ペデスタルが上部及び下部を有し、前記上部が上部径を有し、前記下部が下部径を有し、前記下部径が前記上部径よりも大きい、請求項１４に記載のペデスタル。
【請求項１７】
前記ボート支持面が、前記上部径を越えて外側へ伸びている、請求項１６に記載のペデスタル。
【請求項１８】
前記断熱材が、前記ペデスタルの上部に設けられた第１の断熱材と、前記ペデスタルの下部に設けられた第２の断熱材とからなる、請求項１４に記載のペデスタル。
【請求項１９】
前記ペデスタルの上部及び下部が、共通の一体外被部によって囲まれている、請求項１８に記載のペデスタル。
【請求項２０】
前記第１の断熱材が、前記第２の断熱材よりも低い熱伝導性を有する、請求項１８に記載のペデスタル。
【請求項２１】
中間プレートが、前記上部及び下部を隔てている、請求項１８に記載のペデスタル。
【請求項２２】
前記中間プレートが、前記ボート支持面の下にある、請求項２１に記載のペデスタル。
【請求項２３】
前記上部及び下部が恒久的に接合されている、請求項２１に記載のペデスタル。
【請求項２４】
前記中間プレートが、上部の内部と下部の内部との間のガスと連通する少なくとも一つの上部開口を備えている、請求項２１に記載のペデスタル。
【請求項２５】
前記外被部の底面が、前記下部の内部と前記底面の下の下方雰囲気との間のガスと連通する少なくとも一つの下部開口を備えている、請求項２４に記載のペデスタル。
【請求項２６】
前記下部を画定する下部面が石英材から成り、前記上部を画定する上部面が耐熱材を備える、請求項２１に記載のペデスタル。
【請求項２７】
前記耐熱材が石英を備える、請求項２６に記載のペデスタル。
【請求項２８】
前記耐熱材が不透明石英を備える、請求項２７に記載のペデスタル。
【請求項２９】
前記耐熱材がＳｉＣを備える、請求項２６に記載のペデスタル。
【請求項３０】
前記ボート支持面が、前記中間プレートの周縁部に配設されている、請求項２９に記載のペデスタル。
【請求項３１】
上に載るウェハボートを収容するように形成された中間支持構造を収容するように形成されたペデスタルであって、前記中間支持構造が、前記ボート支持面の頂部に位置し、かつ前記ペデスタルの頂面よりも高く伸びている、請求項１４に記載のペデスタル。
【請求項３２】
前記中間支持構造が環状支持シリンダである、請求項３１に記載のペデスタル。
【請求項３３】
前記支持シリンダがＳｉＣを備える、請求項３１に記載のペデスタル。
【請求項３４】
前記支持シリンダの側部を画定する壁部が、複数の円形穴部を備える、請求項３３に記載のペデスタル。
【請求項３５】
複数の遮熱材が前記支持シリンダの内部に配置され、各遮熱材が円形プレートを備える、請求項３３に記載のペデスタル。
【請求項３６】
前記各遮熱材がＳｉＣを備える、請求項３５に記載のペデスタル。
【請求項３７】
前記複数の遮熱材のうちの下方の遮熱材が前記複数の遮熱材のうちの上方の遮熱材を支持し、前記上方の遮熱材が前記下方の遮熱材の上に直接位置している、請求項３６に記載のペデスタル。
【請求項３８】
前記ペデスタルの平面視形状が環状である、請求項１４に記載のペデスタル。
【請求項３９】
前記ボート支持面が単一の平面上にある、請求項１４に記載のペデスタル。
【請求項４０】
超高温での半導体プロセスのための方法であって、
複数のウェハを含むウェハボートを設けるステップと、
前記ウェハボートをペデスタルのウェハボート支持面上に支持するステップであって、前記ウェハボート支持面が前記ペデスタルの上端と下端との間に配置されているステップと、
前記ウェハボート支持面の上方及び下方の両方に、前記ペデスタルによって実質的に囲まれている断熱材を設けることによって前記ウェハボート支持面及び前記炉の下端部を断熱するステップと、
約１０００℃を超える温度でウェハを処理するステップと
を備える方法。
【請求項４１】
前記支持するステップは、中間支持構造の表面上に前記ウェハボートを位置させるステップと、前記ウェハボートの重量を前記ペデスタルの前記ウェハボート支持面へ伝達するステップとを備える、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記処理するステップは、約１２００℃以上で行われる、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記処理するステップは、約１３００℃以上で行われる、請求項４２に記載の方法。