【事件の表示】
　平成５年特許願第２２２６２７号「半導体装置及び光弁装置」拒絶査定に対する審判事件［平成７年４月１１日出願公開、特開平７−９８４６０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年９月７日（優先権主張　平成４年１０月２１日、平成５年２月２３日、平成５年３月１２日、平成５年６月３０日、平成５年７月２１日）の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１ないし２９に係る発明は、平成１２年８月７日付け及び平成１２年１０月３０日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし２９に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は次のとおりのものである。
 「二枚の単結晶シリコンの一方または両方の単結晶シリコンが熱酸化されシリコン酸化膜が形成され、前記シリコン酸化膜を内側にして張り合わされた後、一方の単結晶シリコンが所望の厚さにまで削られたＳＯＩウェハの、所望の厚さの単結晶シリコン層である半導体層に集積回路が形成されている半導体装置において、
　前記半導体層の上側に、前記集積回路で発生する熱を放熱する熱伝導層が形成されていることを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例記載の発明
　　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平２−２０６１１８号公報（以下、「引用例１」という。）には、ＳＯＩ構造をもつ半導体素子に関して次の発明が記載されている。
（１）［従来の技術］の項には、次のことが記載される。即ち、２頁右上欄７行〜同左下欄６行には、「近年、シリコン同士、あるいは、ＳｉＯ２同士を、直接、接合する技術が注目されている。これは、極めて清浄で、かつ、平面度の高いシリコン、あるいは、ＳｉＯ２同士を、表面に親水処理などを施した後、重ねあわせて加熱するか、あるいは、さらに高電圧を印加するなどの方法により接合するものである。そして現在、この直接接合法を用いてＳＯＩの開発が進められていることが、例えば・・・などに示されている。」と記載される。
（２）２頁左下欄７行〜末行には、「すなわち、二枚のシリコン基板表面にＳｉＯ２よりなる酸化皮膜を形成し、これを上記の方法で接合する。その後、一方の基板を、シリコンの厚さが数μｍの厚さになる迄、研磨し、この上にプレーナ技術により、回路を形成する。この方法では、バルクと同質の高品質のシリコン単結晶層を回路形成に利用できるので、微細な回路でも良好に作動する。既にこの方法によりメモリー回路を形成した例が報告されている。しかし、このような方法により製造した素子は、Ｓｉよりなる絶縁体層の熱伝導性がシリコンのみよりなる素子に比べて劣るため、高度の集積化や、多くの電流を必要とする素子への応用に難点があった。」と記載される。
（３）２頁右下欄２行〜１０行には、「上記の従来技術では、絶縁体層として熱伝導性の悪いＳｉＯ２を用いるため素子の放熱性が悪いという問題点があった。
　本発明の目的は、ＳＯＩ構造を保ちつつ、放熱性の低下を防ぐことにある。・・・
　上記の目的は、絶縁体層であるＳｉＯ２の代りに、絶縁性で、かつ、熱伝導性の良好な物質を用いることにより解決される。」と記載される。
　
　同じく特開平３−８７０４７号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のことが記載されている。
（１）特許請求の範囲には、「半導体基板上に形成された層間絶縁膜または表面保護膜を有する半導体装置において、前記層間絶縁膜または表面保護膜が絶縁性炭素膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。」が記載される。
（２）１頁左下欄１４行〜同頁右下欄１９行の［従来の技術］の項には、「従来、半導体装置は層間絶縁膜としてシリコン酸化膜、表面保護膜としてシリコン窒化膜が主に用いられていた。第４図は従来のバイポーラトランジスタの要部の断面図である。Ｐ型半導体基板１０上の素子の下に当る部分にはＮ＋埋込拡散層４が、そしてその周辺にＰ＋分離拡散層６が形成されている。埋込拡散層４上には素子の能動部分となるＮ型エピタキシャル層１１が形成されており、・・・。そして全面をシリコン窒化膜２３で覆い、素子表面の絶縁、素子表面の化学的物理的な安定化を得るための表面保護を行なっている。」と記載される。
　また、２頁左上欄１行〜５行には、「上述した従来の半導体装置は、層間の絶縁膜としてシリコン酸化膜、表面保護膜としてシリコン窒化膜が主に用いられていた。これらの膜は熱伝導率が０．０１４Ｗ／ｃｍ・ｋと低く、素子で発生した熱の放熱が悪いという欠点がある。」と記載される。
（３）［実施例］の項には、２頁右上欄１行〜同頁左下欄４行に、「第１図は本発明の第１の実施例の断面図であり、本発明をバイポーラトランジスタに適用した場合を示している。Ｐ型半導体基板１０上にＮ＋埋込拡散層４及びその周囲にＰ＋分離拡散層６が形成されている。この上にＮ型エピタキシャル層１１が形成され、・・・。絶縁性炭素膜１はこれら全体を大きく覆う形となっており、Ｐ＋分離拡散層６と共に素子間の絶縁を行ない、また表面の絶縁、安定化等の表面保護も同時に行なっている。」と記載され、
２頁右下欄末行〜３頁左上欄４行に、「絶縁性炭素膜は、その最大の特長としては、熱伝導率が２０Ｗ／ｃｍ・ｋと、シリコン酸化膜の０．０１４Ｗ／ｃｍ・ｋと比較し巨大（約１４００倍）であるという点であり、よって放熱性は高く素子の温度上昇防止の効果が大きい。」と記載される。
（４）３頁右下欄８〜１１行の［発明の効果］の項には、「本発明は、半導体装置の層間絶縁膜、及び表面保護膜を絶縁性炭素膜で構成することにより、放熱効果を増大させることができるという効果がある。」と記載される。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
（１）引用例１には、「二枚のシリコン基板表面にＳｉＯ２よりなる酸化皮膜を形成し、これを上記の方法で接合する。その後、一方の基板を、シリコンの厚さが数μｍの厚さになる迄、研磨し、この上にプレーナ技術により、回路を形成する。この方法では、バルクと同質の高品質のシリコン単結晶層を回路形成に利用できるので、微細な回路でも良好に作動する。既にこの方法によりメモリー回路を形成した例が報告されている。そして現在、この直接接合法を用いてＳＯＩの開発が進められている」（引用例１（２））と記載されている。また、上記のＳｉＯ２酸化皮膜の接合方法として、「近年・・・ＳｉＯ２同士を、直接、接合する技術が注目されている。これは、極めて清浄で、かつ、平面度の高い・・・ＳｉＯ２同士を、表面に親水処理などを施した後、重ねあわせて加熱するか、あるいは、さらに高電圧を印加するなどの方法により接合するものである。」（引用例１（１））と記載されている。このＳｉＯ２酸化皮膜の接合方法に関する記載は、引用例１のものが、本願発明の「二枚の単結晶シリコンの両方の単結晶シリコンにシリコン酸化膜が形成され、前記シリコン酸化膜を内側にして張り合わされた後、一方の単結晶シリコンが所望の厚さにまで削られたＳＯＩウェハ」、「所望の厚さの単結晶シリコン層である半導体層に」、「回路が形成されている半導体装置」との技術的事項に相当する事項を有することを示している。
（２）引用例１には、上述したように、「微細な回路でも良好に作動する。」、「メモリー回路を形成」と記載（引用例１（２））され、技術水準を勘案すれば該「微細回路」等が集積回路を含むことは明らかであるから、所望の厚さに研磨された単結晶シリコン半導体層に形成される「回路」は、本願発明の「集積回路」に相当する。
（３）引用例１には、「本発明の目的は、ＳＯＩ構造を保ちつつ、放熱性の低下を防ぐことにある。・・・絶縁体層であるＳｉＯ２の代りに、絶縁性で、かつ、熱伝導性の良好な物質を用いることにより解決される。」（引用例１（３））と記載されており、これは引用例１のものが、本願発明の「集積回路で発生する熱を放熱する熱伝導層が形成されている」との技術的事項に相当する事項を有することを示している。
　
　したがって、本願発明と引用例１に記載された発明とでは、「二枚の単結晶シリコンの両方の単結晶シリコンにシリコン酸化膜が形成され、前記シリコン酸化膜を内側にして張り合わされた後、一方の単結晶シリコンが所望の厚さにまで削られたＳＯＩウェハの、所望の厚さの単結晶シリコン層である半導体層に集積回路が形成されている半導体装置において、前記集積回路で発生する熱を放熱する熱伝導層が形成されていることを特徴とする半導体装置」である点で両者は一致し、次の点で相違する。
相違点：
（１）「熱伝導層」が、本願発明のものは、「半導体層の上側に」形成されているのに対して、引用例１のものは、シリコン回路層３の下側の層である点。
（２）シリコン酸化膜の形成が、本願発明はシリコンの熱酸化によるのに対して、引用例１には、シリコン酸化膜の形成法が具体的に記載されていない点。
　
　上記相違点について検討する。
相違点（１）について　
　半導体層の上側にＳｉＯ２等の絶縁体層を形成することは半導体装置における常套手段であり、引用例１のようなＳＯＩ構造をもつ半導体装置においても例外ではない。
　そして、素子で発生した熱の放熱効果を増大させるために、半導体装置に形成する表面保護膜等を、熱伝導率の低い膜に換えて絶縁性炭素膜のような放熱性が良い高熱伝導率の膜とすることは、引用例２（特に引用例２（４）には、「半導体装置の層間絶縁膜、及び表面保護膜を絶縁性炭素膜で構成することにより、放熱効果を増大」というように、層間絶縁膜及び表面保護膜のいずれをも放熱性が良い高熱伝導率の膜とすることが記載されている。）に示されるように公知の技術である。
　よって、上記相違点（１）の技術的事項とすることは、引用例２に示される公知技術を引用例１に適用することにより当業者が容易になし得ることである。
相違点（２）について
　シリコン基板表面を熱酸化することによりシリコン酸化膜を形成することは周知の技術であるから、上記相違点（２）の技術的事項とすることは、当業者が任意になし得ることである。
　
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。