Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】【請求項１】水道水栓に連結する給水管と、流路切替機構を有する本体と、前記本体に接続された浄化カートリッジと、原水を吐水する流路と原水を浄化カートリッジを経由して吐水する流路に切替る操作ハンドルとを備え、前記給水管は、水道水栓との連結部近傍で上方に湾曲させた第一湾曲部と、上方に湾曲させた給水管を前記本体との連結部近傍で水平に湾曲させた第二湾曲部とを有し、第二湾曲部近傍の水平部を前記本体と連結し、第二湾曲部を第一湾曲部より上方に位置させて、前記本体を前記水道水栓より高い位置に配置したことを特徴とする浄水器。【請求項２】少なくとも前記第一湾曲部近傍及び前記第二湾曲部近傍において、前記給水管の管厚を厚くしたことを特徴とする請求項１記載の浄水器。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】【課題を解決するための手段】  上記課題を解決すべく、本発明の請求項１では、水道水栓に連結する給水管と、流路切替機構を有する本体と、前記本体に接続された浄化カートリッジと、原水を吐水する流路と原水を浄化カートリッジを経由して吐水する流路に切替る操作ハンドルとを備え、前記給水管は、水道水栓との連結部近傍で上方に湾曲させた第一湾曲部と、上方に湾曲させた給水管を前記本体との連結部近傍で水平に湾曲させた第二湾曲部とを有し、第二湾曲部近傍の水平部を前記本体と連結し、第二湾曲部を第一湾曲部より上方に位置させて、前記本体を前記水道水栓より高い位置に配置したことを特徴とする。給水管に浄水器をあらかじめ強固に取付けていることにより、浄水器がぐらついたり、緩んで漏水に至ることを防止することができる。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】この構成により、洗い物をするための空間を広くとることができ、作業性が向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】  
有機物を含む廃水における化学的酸素要求量（ＣＯＤ）を低下させるための方法であって、該方法は、有機物を含む廃液に該有機物を酸化するオゾンおよび該廃水中に含まれる有機物の酸化を終結させ得る原子価イオンを導入する工程を包含し、ここで該有機物がアルコールに酸化されたときに、該原子価イオンが添加されて、原子価イオンキレートにより、該酸化を終結させる、方法。
【請求項２】  
前記原子価イオンが、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、鉄イオン、クロムイオン、チタンイオン、およびニオブイオンからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  
前記原子価イオンが、炭酸カルシウム、水酸化カルシウムおよび酸化カルシウムからなる群より選択されるカルシウムイオンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  
前記原子価イオンが、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、および酸化マグネシウムからなる群より選択されるマグネシウムイオンである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  
過酸化水素を添加する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  
炭酸カルシウムが使用される場合に、前記廃水のｐＨ値が２〜４の範囲に調整される、請求項３に記載の方法。
【請求項７】  
酸化カルシウムまたは水酸化カルシウムが使用される場合に、前記廃水のｐＨ値が９〜１３の範囲に調整される、請求項３に記載の方法。
【請求項８】  
前記原子価イオンが、１単位のＣＯＤあたり約１当量の原子価イオン〜１単位のＣＯＤあたり２当量の原子価イオンの量で添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  
前記原子価イオンが、アルミナおよび水酸化アルミニウムからなる群より選択されるアルミニウムイオンである、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】  
有機物を含む廃水における化学的酸素要求量（ＣＯＤ）を低下させるための方法であって、該方法は、有機物を含む廃液に該有機物を酸化するオゾンおよび該廃水中に含まれる有機物の酸化を終結させ得る原子価イオンを導入する工程を包含し、ここで該有機物がアルデヒドに酸化されたときに、該原子価イオンが添加されて、原子価イオンキレートにより、該酸化を終結させる、方法。
【請求項１１】  
前記原子価イオンが、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、鉄イオン、クロムイオン、チタンイオン、およびニオブイオンからなる群より選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  
前記原子価イオンが、炭酸カルシウム、水酸化カルシウムおよび酸化カルシウムからなる群より選択されるカルシウムイオンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  
前記原子価イオンが、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、および酸化マグネシウムからなる群より選択されるマグネシウムイオンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  
過酸化水素を添加する工程をさらに包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】  
炭酸カルシウムが使用される場合に、前記廃水のｐＨ値が２〜４の範囲に調整される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  
酸化カルシウムまたは水酸化カルシウムが使用される場合に、前記廃水のｐＨ値が９〜１３の範囲に調整される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】  
前記原子価イオンが、１単位のＣＯＤあたり約１当量の原子価イオン〜１単位のＣＯＤあたり２当量の原子価イオンの量で添加される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】  
前記原子価イオンが、アルミナおよび水酸化アルミニウムからなる群より選択されるアルミニウムイオンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
廃水における化学的酸素要求量（ＣＯＤ）を低下させるための方法であって、該方法は、以下の工程：
有機物を含む廃液に、オゾン、および廃水中に含まれる有機物の酸化を終結させ得る原子価イオンを同時に導入する工程；ならびに
該原子価イオンを、該有機物が酸に酸化されたときに、該廃水に連続的に添加する工程であって、ここで原子価イオンキレートにより該オゾンによる酸化が終結される、工程、
を包含する、方法。
【請求項２０】
前記原子価イオンが、１単位のＣＯＤあたり約１当量の原子価イオン〜１単位のＣＯＤあたり２当量の原子価イオンの量で添加される、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷媒体上にインクを吐出することによって画像の印刷を行う印刷装置であって、
着色材を含む少なくとも１種類の有色インクと、印刷画像の画質を改善するための改善インクと、を吐出することが可能な印刷ヘッドと、
前記有色インクの吐出量が取りうる全範囲のうちの少なくとも一部の範囲において、前記改善インクの吐出量が０でない可変値となるように、前記改善インクの吐出量を前記有色インクの吐出量に基づいて調整する調整部と、
を備える、印刷装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して設けられ、その対向空間内に静磁場を発生させる１対の静磁場発生手段と、
前記静磁場領域内の静磁場の均一性を高める１対の静磁場補正手段と、
前記静磁場領域内に傾斜磁場を発生させる１対の傾斜磁場発生手段と、
前記静磁場発生手段、前記静磁場補正手段及び前記傾斜磁場発生手段を保持する磁気プレート手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置において、
前記磁気プレート手段に隣接して設けられ、前記静磁場領域内の静磁場の均一性をより高めるような断面形状をした強磁性体からなる均一度制御手段と、
前記傾斜磁場発生手段に隣接して前記静磁場補正手段とは別個に設けられ、前記傾斜磁場発生手段の発生する傾斜磁場の影響を遮蔽する平板状の抑制手段とを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】  請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記静磁場補正手段は、前記均一度制御手段及び前記強磁性抑制手段を囲むように設けられた強磁性体リングを含んで構成されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】  請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記均一度制御手段は、容易に加工可能な材料によって構成され、
前記抑制手段は、前記均一度制御手段を構成する材料よりも低い渦電流特性及び高い透磁率特性を示す材料で構成されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】  請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記均一度制御手段は、けい素鋼板及びソフトフェライトから選ばれたいずれか１の材料によって構成されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】  請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記均一度制御手段と前記抑制手段との間の空間にスペーサ手段を設けたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】  請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前抑制手段と前記スペーサ手段との間に、前記抑制手段の機械的強度を補強する補強手段を設けたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】  請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記スペーサ手段は、同心円状に成形された複数の非磁性体のリングから構成されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】  請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記スペーサ手段は、同心円状に配列された複数の非磁性体の円柱体から構成されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】  請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記傾斜磁場発生手段は、前記抑制手段に形成された複数の貫通穴を介して前記磁気プレート手段又は前記均一度制御手段に設けられた複数の支持スタッドによって支持されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】  請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記傾斜磁場発生手段は、前記抑制手段に形成された貫通穴を介して前記磁気プレート手段又は前記均一度制御手段に設けられた支持スタッドによって支持され、
前記傾斜磁場発生手段の外周部と前記静磁場補正手段との間に配置され、前記傾斜磁場発生手段を支持する支持部材を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ装置及びそれを用いたレーザ顕微鏡
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】レーザ光源と、前記レーザ光源から発振したレーザ光をコリメート光に変換するコリメートレンズと、前記レーザ光源およびコリメートレンズを前記レーザ光の光軸に沿って保持する筒状の保持手段と、前記レーザ光の光軸付近に開口部を有し、且つ前記保持手段を介して前記レーザ光源およびコリメートレンズを冷却または加温する温度調整素子と、を具備し、前記温度調整素子を前記レーザ光の光軸に垂直な断面上で該レーザ光の光軸に対して点対称な形状としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】前記温度調整素子は、円筒状をなし、且つ内周面と外周面が冷却面と放熱面に分離され、前記内周面より前記保持手段を介して前記レーザ光源およびコリメートレンズを冷却または加温することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】レーザ光源と、前記レーザ光源から発振したレーザ光をコリメート光に変換するコリメートレンズと、前記レーザ光源およびコリメートレンズを前記レーザ光の光軸に沿って保持する筒状の保持手段と、前記保持手段を介して前記レーザ光源およびコリメートレンズを冷却または加温する複数の温度調整素子と、を具備し、前記複数の温度調整素子を前記レーザ光の光軸に垂直な断面上で該レーザ光の光軸に対して点対称となるように配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】前記レーザ光源のレーザ光発振方向と反対方向にそれぞれ配置されるレーザ光源ドライバ手段および前記レーザ光源冷却時の前記温度調整素子の放熱面に密着させた放熱板をさらに有し、前記放熱板は、前記レーザ光の光軸付近に、前記温度調整素子の開口部または中空部と連通する孔部を有し、前記温度調整素子の開口部または中空部および前記放熱板の孔部を通って前記レーザ光源のリード線を前記レーザ光源ドライバ手段に接続することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザー装置。
【請求項５】前記レーザ光源は、前記温度調整素子の開口部または中空部内に配置されることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】前記レーザ光源のレーザ光発振方向と反対方向に配置され、且つ複数の開口部が設けられた基板を有するレーザ光源ドライバ手段をさらに有し、前記複数の温度調整素子は、前記レーザ光源ドライバ手段の前記基板の複数の開口部に設けられ、前記保持手段を介して前記レーザ光源およびコリメートレンズを冷却または加温することを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】外装と、前記レーザ光源のレーザ光発振方向に配置され、前記保持手段を前記レーザ光の光軸に沿って前記外装に対して支持する断熱手段とをさらに有し、前記保持手段は材熱伝導率を１３０〜５００Ｗ／ｍ・Ｋ°の範囲の材質、前記断熱手段は材熱伝導率を５〜１００Ｗ／ｍ・Ｋ°の範囲の材質とし、これら保持手段と断熱手段の線膨張係数の差が２０×１０−６／℃以下としたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】前記断熱手段の前記保持手段および外装への取付部は、前記レーザ光の光軸に垂直な断面上で、該レーザ光の光軸に対して点対称の位置に複数の凸部が形成され、これら凸部を介して前記外装および保持手段に取り付けられることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】前記放熱板、保持手段、断熱手段および外装を、前記レーザ光の光軸に垂直な断面上で、該光軸に対して点対称な形状としたことを特徴とする請求項７または８記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】前記コリメートレンズでコリメート光に変換されたレーザ光が入射されるカップリングレンズと、該カップリングレンズにより集光される光が入射端面に入射されるファイバをさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置を光源に使用したことを特徴とするレーザ顕微鏡。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ペルチェなどの温度調整素子を備えた半導体レーザー装置及びそれを用いたレーザ顕微鏡に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ファイバ出射のレーザパワーの安定化を図ることができ、しかも高速スイッチングが可能で安価な半導体レーザ装置及びそれを用いたレーザ顕微鏡を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
さらに、放熱板、保持手段、断熱手段および外装を、レーザ光の光軸に垂直な断面上で、該光軸に対して点対称な形状としたので、レーザ光源とコリメートレンズの光軸がずれることがなく、ファイバカップリングした場合もカップリング効率が変化することがなくなる。
請求項１１記載の発明は、請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置を光源に使用したことを特徴とするレーザ顕微鏡である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、ファイバ出射のレーザパワーの安定化を図ることができ、しかも高速スイッチングが可能で安価な半導体レーザ装置及びそれを用いたレーザ顕微鏡を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、スペーサ６を金属で形成する場合は、上述の要領でスペーサ樹脂を塗布して硬化させる代わりに、スペーサ６の材料となる金属の被膜を、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の手法で形成した上で、上述の要領でレジストパターンを設け、それをマスクにして所定の領域にのみ被膜を残して、所定の平面パターンでスペーサ６を設ければよい。この場合、その被膜の膜厚をめっきにより厚くしてもよい。そして、以上のようにしてスペーサ６を形成した後、表面側にスパッタやプラズマＣＶＤなどにより、パッシベーション膜２となるＳｉＮ２５を形成する。パッシベーション膜２は、ＳｉＯ2やＰＳＧ，ＢＰＳＧなどの絶縁膜、ポリイミド、アクリレート、エポキシ、フッ素樹脂やそれら複合膜や積層膜などであってもよい。なお、パッシベーション２の形成工程はスペーサ６の形成する前に行ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次に、ｎ型シリコン基板３の表面において、その各ｐ型不純物拡散層５が形成されている領域を対象として、ｐ型不純物拡散層５の枠状周辺部５ａが残るように、その内側をアルカリエッチングにより除去して表面側凹部４５を形成し、これによってｎ型シリコン基板４３を得る。すると、表面側凹部４５の開口部に、ｐ型不純物の拡散した領域として枠状周辺部５ａが形成され、それに続く側面４５ｂと、底部４５ｂが形成される。なお、枠状周辺部５ａは必須というわけではないが、これを形成すると、表面側凹部４５の凹部エッチングのエッジ部分でのダメージにより発生する暗電流や雑音を防止する効果が得られる。なお、図１３，１４，２３ではホトダイオードアレイチップに、枠状周辺部５ａがない場合の例を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱装置および画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定支持されて配置された加熱体と、該加熱体と摺動する移動部材と、該移動部材を介して前記加熱体に圧接してニップを形成する加圧部材と、を有し、前記ニップの移動部材と加圧部材との間に被加熱材を導入して挟持搬送させて移動部材を介した加熱体からの熱により加熱する加熱装置において、
前記移動部材に対して近接もしくは接触配置される第一の温度検知手段と、
前記加熱体の温度又は当該装置の雰囲気温度を検知する第二の温度検知手段と、
前記第一の温度検知手段の検知結果に基づいて前記加熱体への電力供給を制御する制御手段と、
前記第二の温度検知手段の検知結果に基づいて前記移動部材の走行駆動開始前に前記加熱体への通電を行うか否かを判断する判断手段と、
を有することを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記第二の温度検知手段は、前記加熱体に対し近接もしくは接触配置され、前記加熱体の温度を検知する請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
さらに、当該装置の内部または外部に配置され、当該装置の雰囲気温度を検知する第三の温度検知手段、を有し、前記判断手段は、該第二と第三の温度検知手段双方の検知結果に基づいて前記移動部材の走行駆動開始前に前記加熱体への通電を行うか否かを判断することを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記第二の温度検知手段は、当該装置の内部または外部に配置され、当該装置の雰囲気温度を検知する請求項１乃至３のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項５】
前記第一の温度検知手段が前記移動部材の内面に接触して配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項６】
前記移動部材が定着ベルトであり、前記被加熱材が加熱定着すべき未定着トナー画像を担持した記録材であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項７】
記録材上に未定着トナー画像を形成担持させる作像手段と、記録材上の未定着トナー画像を永久固着させるための画像加熱定着手段を有し、前記画像加熱定着手段が請求項１乃至６のいずれかに記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
複数色のトナー像を重ねることにより、カラー画像を形成するカラー画像形成装置であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明に係る加熱装置の代表的な構成は、固定支持されて配置された加熱体と、該加熱体と摺動する移動部材と、該移動部材を介して前記加熱体に圧接してニップを形成する加圧部材と、を有し、前記ニップの移動部材と加圧部材との間に被加熱材を導入して挟持搬送させて移動部材を介した加熱体からの熱により加熱する加熱装置において、前記移動部材に対して近接もしくは接触配置される第一の温度検知手段と、前記加熱体の温度又は当該装置の雰囲気温度を検知する第二の温度検知手段と、前記第一の温度検知手段の検知結果に基づいて前記加熱体への電力供給を制御する制御手段と、前記第二の温度検知手段の検知結果に基づいて前記移動部材の走行駆動開始前に前記加熱体への通電を行うか否かを判断する判断手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記の構成により、移動部材のスリップ、起動時のトルクアップが無くかつ過昇温による、移動部材の熱による破損や加熱体の支持部材の溶融や破損、加熱体の破損等のない安全性に優れた加熱装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素を還元する触媒を付帯する正極の電極と、
燃料を酸化する触媒を付帯する負極の電極と、
前記正極の電極と前記負極の電極により挟持された固体高分子電解質膜と、
前記正極の電極の表面に生成した水溶液を該正極の電極の周囲に搬送するように、前記正極の電極の前記固体高分子膜と接する面と対向する面に設けられた親水性材料からなる親水部と、
前記親水部により搬送された前記水溶液を吸収して取り去るように、前記親水部の外周及び前記正極の電極の周囲に設けられた吸収材と、
を備えることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
前記親水部は、前記親水性材料と結着剤を含んだペーストと、該ペーストを保持する支持体とからなることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記支持体が撥水化されたカーボンであることを特徴とする請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記親水部は、前記正極の電極の表面に生成した前記水溶液を吸収して前記吸収材に搬送する流路を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項５】
酸素を還元する触媒と粉末状の親水性材料とが混合されてなる正極の電極と、
燃料を酸化する触媒を付帯する負極の電極と、
前記正極の電極と前記負極の電極により挟持された固体高分子電解質膜と、
前記正極の電極において生成し、且つ前記親水性材料により搬送された水溶液を前記正極の電極周囲に取り去るように、前記正極の電極の外周に設けられた吸収材と、
を備えることを特徴とする燃料電池。
【請求項６】
前記親水性材料の濃度分布が、前記正極の電極の中心部から該電極の外周に向けて高くなるように配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項７】
前記吸収材の外周に配置されたヒーターを備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項８】
酸素を還元する反応触媒を固体高分子膜に固着して正極の電極を形成する工程と、
親水性材料を保持した親水部を前記正極の電極に固着する工程と、
前記正極の電極の外周に沿って吸水材を固着する工程と、
燃料を酸化する触媒が付帯された負極の電極を、前記固体高分子膜を介して前記正極の電極と隔てるように形成する工程と、
を備えることを特徴とする燃料電池の製造方法。
【請求項９】
前記親水性材料と結着剤を含んだペーストを支持体に保持することにより前記親水部を形成する工程を備えることを特徴とする請求項８に記載の燃料電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の親水部２４を電極上に配置し、生成もしくはクロスオーバーしたアルカリ水を吸収し、アルカリ水の外部環境に対する影響を改善することができた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも無機粉末と有機溶剤とを含有する無機粉末含有ペーストであって、沸点が２１０〜３００℃の範囲内であり、かつ比蒸発率が１以下である有機溶剤（Ａ）と、表面張力が２９ｍＮ／ｍ以下である有機溶剤（Ｂ）とを含有することを特徴とする無機粉末含有ペースト。
【請求項２】沸点が２１０〜３００℃の範囲内であり、かつ比蒸発率が１以下である有機溶剤（Ａ）と、表面張力が２９ｍＮ／ｍ以下である有機溶剤（Ｂ）の重量比が下記に示される範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の無機粉末含有ペースト。
Ａ／Ｂ＝９９／１〜７０／３０
【請求項３】表面張力が２９ｍＮ／ｍ以下である有機溶剤の沸点が１５０〜３００の範囲内であり、かつ比蒸発率が２５以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の無機粉末含有ペースト。
【請求項４】前記有機溶媒（Ａ）が、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールジイソブチレート、２−エチルヘキサン酸、３，５，５，−トリメチルヘキサン酸、フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）、アジピン酸ビス（２−エチルヘキシル）およびイソオクタンデカンジオールからなる群から選ばれる有機溶媒である請求項１〜３のいずれかに記載の無機粉末含有ペースト。
【請求項５】前記有機溶媒（Ｂ）が、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールジイソブチレート、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、シクロヘキサノン、ｎ−ヘキサン、イソプロピルアルコール、酢酸ｎ−ブチル、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、ｏ−キシレンおよびｎ−プロピルアルコールからなる群から選ばれる有機溶媒である請求項１〜４のいずれかに記載の無機粉末含有ペースト。
【請求項６】ディスプレイの電極、誘電体、隔壁、蛍光体形成に用いられることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の無機粉末含有ペースト。
【請求項７】無機粉末含有ペーストを基板上に塗布して乾燥する工程を含むディスプレイパネル用部材の製造方法であって、無機粉末含有ペーストに請求項１〜６のいずれかに記載の無機粉末含有ペーストを用いることを特徴とするディスプレイパネル用部材の製造方法。
【請求項８】乾燥する工程が、赤外線もしくは遠赤外線により乾燥する工程であることを特徴とする請求項７に記載のディスプレイパネル用部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一の薄膜蛍光体層と第二の薄膜蛍光体層とを有する積層薄膜ＥＬ素子であって、
前記第一の薄膜蛍光体層は、次の組成式で表される蛍光体を有し、
Ｚｎ１−ｘＭｇｘＳ：Ｍｎｙ  （０．０１≦ｘ≦０．８，０．１≦ｙ≦１  ここでｙは全体の元素量に占めるｙの元素比を示す。）
前記第二の薄膜蛍光体層は、青色発光材料を主成分とする薄膜蛍光体層であることを特徴とする積層薄膜ＥＬ素子。
【請求項２】  前記基板上に第一の電極層、厚膜誘電体層、第二の電極層をこの順に備え、前記厚膜誘電体層と前記第二の電極層との間に前記第一及び第二の薄膜蛍光体層を備えることを特徴とする請求項１記載の積層薄膜ＥＬ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被記録材上にトナー等の顕画材により画像を形成し、該被記録材上の画像を熱定着手段により定着する画像形成装置において、
前記熱定着手段のヒータに電力供給する電力供給手段と、
前記熱定着手段の温度を検出する温度検出素子と、
前記温度検出素子からの出力に基づいて、前記電力供給手段からヒータへの電力の供給電力を波数制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、単位波数あたりの通電波数が予め決められた値にならないように波数制御する第１モードと、前記単位波数あたりの通電波数が前記予め決められた値になることを許容する第２モードとを有することを特徴とした画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、被記録材と後続の被記録材との距離が基準より長くなった場合、又は被記録材の両面に画像形成する場合、前記第１モードで前記電力供給手段からヒータへの供給電力を波数制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被記録材上にトナー等の顕画材により画像を形成し、該被記録材上の画像を熱定着手段により定着する画像形成装置、例えば、複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、本発明の目的は、電力供給手段からヒータへの電力の出力を波数制御で行い、該ヒータの発熱により被加熱材を加熱する熱定着手段を備えた画像形成装置において、上記のような問題点を解消すること、即ち簡単な制御で消費電流の変動を抑え、フリッカを改善することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の構成を特徴とする画像形成装置である。
（１）被記録材上にトナー等の顕画材により画像を形成し、該被記録材上の画像を熱定着手段により定着する画像形成装置において、
前記熱定着手段のヒータに電力供給する電力供給手段と、
前記熱定着手段の温度を検出する温度検出素子と、
前記温度検出素子からの出力に基づいて、前記電力供給手段からヒータへの電力の供給電力を波数制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、単位波数あたりの通電波数が予め決められた値にならないように波数制御する第１モードと、前記単位波数あたりの通電波数が前記予め決められた値になることを許容する第２モードとを有することを特徴とした画像形成装置。
（２）前記制御手段は、被記録材と後続の被記録材との距離が基準より長くなった場合、又は被記録材の両面に画像形成する場合、前記第１モードで前記電力供給手段からヒータへの供給電力を波数制御することを特徴とする（１）に記載の画像形成装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
３）ヒータとしてのセラミックヒータの構成は実施例に示したものに限られるものではないこと、また本発明においてヒータはセラミックヒータに限られるものではないことは勿論である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に一対の電極が対向して配された透光性セラミック製の発光管を備え、前記発光管内に希ガスと、水銀と、金属ハロゲン化物とが封入されたメタルハライドランプであって、
前記メタルハライドランプの点灯姿勢が、前記一対の電極を結ぶ線が鉛直方向となる姿勢であるとともに、
前記金属ハロゲン化物が、ハロゲン化ジスプロシウム、ハロゲン化ホルミウム、およびハロゲン化ツリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ハロゲン化ナトリウムおよびハロゲン化セシウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ハロゲン化タリウムとを含み、
かつ、前記発光管内には、前記金属ハロゲン化物を構成する金属と結合して化学量論的組成の前記金属ハロゲン化物を形成するために必要な量を超えた過剰のハロゲンが存在しており、
前記発光管の単位容積あたりの前記水銀の封入量が７．０ｍｇ／ｃｍ３以下であり、
かつ、前記金属ハロゲン化物を構成する金属原子のモル数と前記過剰のハロゲン原子のモル数とが
０＜Ｘ／Ｍ≦０．１５
（式中、Ｘは前記過剰のハロゲン原子のモル数、Ｍは前記金属ハロゲン化物を構成する金属原子のモル数）
の関係を満たすことを特徴とするメタルハライドランプ。
【請求項２】
内部に一対の電極が対向して配された透光性セラミック製の発光管を備え、前記発光管内に希ガスと、水銀と、金属ハロゲン化物とが封入されたメタルハライドランプであって、
前記メタルハライドランプの点灯姿勢が、前記一対の電極を結ぶ線が水平方向となる姿勢であるとともに、
前記金属ハロゲン化物が、ハロゲン化ジスプロシウム、ハロゲン化ホルミウム、およびハロゲン化ツリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ハロゲン化ナトリウムおよびハロゲン化セシウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ハロゲン化タリウムとを含み、
かつ、前記発光管内には、前記金属ハロゲン化物を構成する金属と結合して化学量論的組成の前記金属ハロゲン化物を形成するために必要な量を超えた過剰のハロゲンが存在しており、
前記発光管の単位容積あたりの前記水銀の封入量が７．０ｍｇ／ｃｍ３以下であり、
かつ、前記金属ハロゲン化物を構成する金属原子のモル数と前記過剰のハロゲン原子のモル数とが
０＜Ｘ／Ｍ≦０．１０
（式中、Ｘは前記過剰のハロゲン原子のモル数、Ｍは前記金属ハロゲン化物を構成する金属原子のモル数）
の関係を満たすことを特徴とするメタルハライドランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、水銀の封入量を７．０ｍｇ／ｃｍ３以下とするとともに、金属ハロゲン化物を構成する金属原子のモル数Ｍと過剰のハロゲン原子のモル数Ｘとが
０＜Ｘ／Ｍ≦０．１５
の関係を満たすようにする。このような構成によれば、過剰のハロゲンによる管壁黒化の抑制効果が得られる範囲内で、発光管内での水銀蒸気やハロゲン蒸気の対流が過度に大きくなることを防止し、放電アークの揺れを最小限度とすることができる。これにより、ランプの点灯状態を安定化することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項２の発明によれば、メタルハライドランプの点灯姿勢が、一対の電極を結ぶ線が水平方向となる姿勢である場合に、発光管内に過剰のハロゲンを存在させるとともに、水銀の封入量を７．０ｍｇ／ｃｍ３以下とし、かつ金属ハロゲン化物を構成する金属原子のモル数Ｍと過剰のハロゲン原子のモル数Ｘとが
０＜Ｘ／Ｍ≦０．１０
の関係を満たすようにする。このような構成によれば、過剰のハロゲンによる管壁黒化の抑制効果が得られる範囲内で、発光管内での水銀蒸気やハロゲン蒸気の対流が過度に大きくなることを防止し、放電アークの湾曲を抑制できる。これにより、発光管の失透を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐ層とｎ層との間にｉ層を介在させてなるｐ／ｉ／ｎ型太陽電池において、
該ｉ層は、酸化数を制御しながらスパッタ成膜された酸化チタンよりなることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】  請求項１において、ｉ層の酸化チタンの禁止帯幅が０．７ｅＶ以上２．５ｅＶ以下であることを特徴とする太陽電池。
【請求項３】  請求項１又は２において、ｉ層をスパッタ成膜する際、複数のカソードを配置し、各カソードに交互に間欠的な電圧を印加して成膜することを特徴とする太陽電池。
【請求項４】  請求項１または２において、ｉ層をスパッタ成膜する際、通常は負電圧に印加されているターゲットに対して、間欠的に正の電圧を印加することによって該ターゲットのチャージアップを抑制して成膜することを特徴とする太陽電池。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれか１項において、ターゲットが金属チタンであり、酸素ガスを流しながら反応性スパッタリングを行うことによってｉ層を成膜することを特徴とする太陽電池。
【請求項６】  請求項１ないし４のいずれか１項において、ターゲットが導電性酸化チタンであることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】  請求項６において、酸素ガスを流しながら反応性スパッタリングを行うことによってｉ層を成膜することを特徴とする太陽電池。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれか１項において、スパッタ時における放電の発光波長をモニタリングすることによって酸化チタンの酸素含有量を制御して成膜することを特徴とする太陽電池。
【請求項９】  請求項３または４において、パルス電圧を印加し、且つパルス幅を変化させることによりガスの反応性を制御し、膜中に取り込まれる酸素量を制御して成膜することを特徴とする太陽電池。
【請求項１０】  請求項１ないし９のいずれか１項において、ｐ層が３価の金属の酸化物をドープした酸化チタンよりなることを特徴とする太陽電池。
【請求項１１】  請求項１ないし９のいずれか１項において、ｐ層がホウ素をドープしたシリコンよりなることを特徴とする太陽電池。
【請求項１２】  請求項１ないし１１のいずれか１項において、ｎ層が５価の原子の酸化物をドープした酸化チタンであることを特徴とする太陽電池。
【請求項１３】  請求項１ないし１１のいずれか１項において、ｎ層がヒ素及び／又はリンをドープしたシリコンであることを特徴とする太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回転基台上に保持された基板を水平面内にて回転させつつ所定の処理液による処理を行う基板処理装置であって、
前記回転基台上に設けられ、基板の周縁部を把持して当該基板を略水平姿勢にて保持する把持手段と、
前記把持手段によって保持された基板を略鉛直方向に沿った軸を中心として回転させる回転手段と、
前記把持手段よりも上方に配置され、前記把持手段によって保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、
前記把持手段によって保持された基板の周辺部から飛散する前記所定の処理液を受け止める飛散防止手段と、
を備え、
前記飛散防止手段が、
前記所定の処理液を導く回収流路を形成するための案内部材を有し、
前記回収流路の開口部の上下間隔が、前記回転基台と前記雰囲気遮断板との間隔以上とされており、かつ、前記開口部の近傍において前記回収流路を形成する案内部材の上面の高さ位置が、前記雰囲気遮断板の上面の高さ位置以下となるように配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】  回転基台上に保持された基板を水平面内にて回転させつつ所定の処理液による処理を行う基板処理装置であって、
前記回転基台上に設けられ、基板の周縁部を把持して当該基板を略水平姿勢にて保持する把持手段と、
前記把持手段によって保持された基板を略鉛直方向に沿った軸を中心として回転させる回転手段と、
前記把持手段よりも上方に配置され、前記把持手段によって保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、
前記把持手段によって保持された基板の周辺部から飛散する前記所定の処理液を受け止める飛散防止手段と、
を備え、
前記飛散防止手段が、
前記所定の処理液を導く回収流路を形成するための複数の案内部材と、
前記複数の案内部材から、前記回収流路を形成する案内部材を選択する選択手段と、
を有し、
前記回収流路の開口部の上下間隔が、前記回転基台と前記雰囲気遮断板との間隔以上とされており、かつ、前記開口部の近傍において前記回収流路を形成する案内部材の下面の高さ位置が、前記回転基台の下面の高さ位置以上となるように配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】  請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記開口部の近傍において前記回収流路を形成する案内部材の上面の高さ位置が、前記雰囲気遮断板の上面の高さ位置以下となるように配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記回収流路が、前記開口部の上下間隔とほぼ同じ上下間隔で、基板から周囲に遠ざかるとともに、下方に向かって曲面を描く形状であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記回収流路が、
基板のほぼ全周に渡って前記所定の処理液を下方に向って導くことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】  請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記回収流路に連通接続され、前記所定の処理液を吸引する吸引手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記飛散防止手段が、さらに、回収流路を形成する複数の案内部材を有し、
複数の回収流路を有することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記回収流路に連通接続され、前記所定の処理液を吸引する吸引手段をさらに備える。
また、請求項７の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記飛散防止手段が、さらに、回収流路を形成する複数の案内部材を有し、複数の回収流路を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極上に水素を含有する第１無機絶縁膜を形成し、
４００乃至５００℃の温度で熱処理した後、
前記第１無機絶縁膜上に、珪素と窒素を含み疎水性表面を有する第２無機絶縁膜を形成し、
前記第２無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層上に水素を含有する第１無機絶縁膜を形成し、
熱処理をして前記第１無機絶縁膜の含有水素量を低減した後、
前記第１無機絶縁膜上に、珪素と窒素を含み疎水性表面を有する第２無機絶縁膜を形成し、
前記第２無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記熱処理は、４００℃乃至５００℃の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記疎水性表面は、水の接触角が３０度以上で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記疎水性表面は、水の接触角が４０度以上で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２無機絶縁膜は、酸素を含み、かつ、前記窒素を２５原子％以上含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記疎水性表面は、非堆積性ガスにより窒素プラズマ処理、またはフッ素プラズマ処理により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記疎水性表面は、前記非堆積性ガスであるＮ２Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、Ｆ２、ＣＦ４もしくはＳｉＦ４から選ばれた一種、または複数種により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記有機絶縁膜は、有機樹脂材料で形成すること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記有機絶縁膜は、感光性または非感光性アクリル、ポリアミドまたはポリイミドから選ばれた一種、または複数種を含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
半導体層上に第１無機絶縁膜と、
前記第１無機絶縁膜上に珪素と窒素を含み疎水性表面を有する第２無機絶縁膜と、
前記第２無機絶縁膜の疎水性表面に密接して形成された有機絶縁膜とを有し、
前記第２無機絶縁膜中の水素濃度は、前記第１無機絶縁膜中の水素濃度より高いこと
を特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極上に第１無機絶縁膜と、
前記第１無機絶縁膜上に珪素と窒素を含み疎水性表面を有する第２無機絶縁膜と、
前記第２無機絶縁膜の疎水性表面に密接して形成された有機絶縁膜とを有し、
前記第２無機絶縁膜中の水素濃度は、前記第１無機絶縁膜中の水素濃度より高いこと
を特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記疎水性表面は、水の接触角が３０度以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１または請求項１２において、
前記疎水性表面は、水の接触角が４０度以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２無機絶縁膜は、酸素を含み、かつ、前記窒素を２５原子％以上含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記第２無機絶縁膜は、窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記有機絶縁膜は、有機樹脂材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記有機絶縁膜は、感光性または非感光性アクリル、ポリアミドまたはポリイミドから選ばれた一種、または複数種を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  温度調節手段と、熱流測定手段と、熱流制御手段と、加重手段と、評価対象熱電素子とを備え、該評価対象熱電素子の温接点と前記温度調節手段とを熱伝導可能に接続し、該評価対象熱電素子の冷接点と前記熱流測定手段の一方とを熱伝導可能に接続し、前記熱流測定手段の他方と前記熱流制御手段とを熱伝導可能に接続し、前記加重手段によって前記評価対象熱電素子と前記温度調節手段との接続部分に一定の加重を与え、前記熱流測定手段を通過する熱流をゼロにするように前記熱流制御手段を制御する熱電素子性能評価装置。
【請求項２】  前記熱流測定手段が、前記評価対象熱電素子と同じ断面形状であることを特徴とする請求項１に記載の熱電素子性能評価装置。
【請求項３】  前記熱流測定手段が、一様な熱伝導率の材質で一様な断面形状であり、断面のほぼ中央部で熱流が流れる方向に平行な線上の少なくとも２点以上の温度を測ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電素子性能評価装置。
【請求項４】  前記熱流測定手段が、熱電素子と温度測定板とを有することを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に記載の熱電素子性能評価装置。
【請求項５】  前記評価対象熱電素子および前記熱流測定手段とが真空雰囲気内にあることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の熱電素子性能評価装置。
【請求項６】  前記評価対象熱電素子と前記熱流測定手段との間に薄板状のヒーターを有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の熱電素子性能評価装置。
【請求項７】  温度調節手段と、熱流測定手段と、熱流制御手段と、加重手段と、評価対象熱電素子とを備え、該評価対象熱電素子の温接点と前記温度調節手段とを熱伝導可能に接続し、該評価対象熱電素子の冷接点と前記熱流測定手段の一方とを熱伝導可能に接続し、前記熱流測定手段の他方と前記熱流制御手段とを熱伝導可能に接続し、前記加重手段によって前記評価対象熱電素子と前記温度調節手段との接続部分に一定の加重を与える構造を有し、前記温度調節手段によって前記評価対象熱電素子の温接点の温度を一定に保ち、前記熱流測定手段を通過する熱流をゼロにするように前記熱流制御手段を制御し、前記評価対象熱電素子の温接点および冷接点の２つの温度を測定することにより熱電素子の性能を評価する熱電素子の性能評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号基板と、信号記録層と、前記信号記録層の上に設けられた厚み１０μｍ以上２００μｍ以下の透明保護層とを有し、中心穴を有する光情報記録媒体であって、
情報の記録又は再生は前記透明保護層を通して前記信号記録層に光を照射して行われ、
前記信号記録層が形成された領域に対応する信号領域と前記中心穴との間の領域に保持領域を有し、
前記中心穴と前記保持領域とに挟まれた領域の光投入面側に前記透明保護層の表面よりも突出した突起部を有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記突起部は、前記中心穴の縁端から半径方向に０．１ｍｍ以上離れて設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記信号記録層への情報の記録又は再生は、開口数が０．７以上０．９以下である光ヘッドを用いて行われ、前記突起部の前記透明保護層の表面からの高さが０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記突起部の前記透明保護層表面からの高さが０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記中心穴の直径が１５ｍｍであって、前記突起部が直径１７．５ｍｍ以上２２．０ｍｍ以下の領域にあり、前記突起部の前記透明保護層の表面からの高さが０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
前記突起部は、前記保持領域の表面を基準にした高さが０．３２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
前記突起部は、前記保持領域の表面を基準にした高さが０．２７５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
前記突起部は、前記保持領域の表面を基準にした高さが０．２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
前記信号記録領域に情報の記録又は再生を行う光の波長が４１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜８いずれか一項に記載の光情報記録媒体。