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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に情報記録面を有する記録媒体上に光スポットを集光させて情報の記録或いは再生を行い、且つ、光源部と、前記光源部からの光束を前記情報記録面上に集光させる対物レンズと、前記情報記録面からの戻り光束を第一の光検出器上に導く光学系と、第一の光検出器上に導かれた光束から記録媒体のトラックに追従するサーボ信号或いは情報再生信号を生成する手段とを備えた光情報記録再生装置において、
前記情報記録面は前記透明基板の前記対物レンズから遠い面上に設けられていて、前記透明基板の前記情報記録面よりも前記対物レンズに近い面からの反射光束を第二の光検出器上に導く光学系と、前記第二の光検出器上に導かれた光束から前記透明基板の対物レンズに対する相対傾きを検知し、チルト信号を生成する手段とを備えたことを特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項２】
前記記録媒体と前記対物レンズとの相対チルトを補正するチルト補正手段を備え、前記チルト信号に基づいて前記記録媒体と対物レンズとの相対チルトを補正することを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項３】
前記第二の光検出器は、前記第一の検出器より前記対物レンズから離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項４】
前記対物レンズの焦点距離をｆ１、前記透明基板厚をｔ、前記透明基板の屈折率をｎ、前記対物レンズと前記情報記録面よりも対物レンズに近い面からの反射光束を第二の光検出器上に導く光学系に含まれるセンサレンズより決定される横倍率をＭ、前記対物レンズと前記センサレンズ間の光学的距離をｄとする場合、
（Ｍ／ｆ１）×｛２×ｔ／ｎ×（ｆ１−ｄ）−ｆ１2｝≦１５０〔ｍｍ〕
の関係が成り立つことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項５】
前記透明基板厚ｔが、ｔ≦０．３〔ｍｍ〕であることを特徴とする請求項４に記載の光情報記録再生装置。
【請求項６】
前記対物レンズの焦点距離ｆ１と前記透明基板厚ｔの比が、ｔ／ｆ１≦０．１であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項７】
前記第二の光検出器と前記センサレンズ間に前記反射光束の周辺部を遮光する手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項８】
前記センサレンズのＦナンバー（Ｆｎｏ．）が、Ｆｎｏ．≧２０であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
チルト信号＝（３７ａ＋３７ｃ−３７ｄ−３７ｆ）−ｋ×（３７ｂ−３７ｅ）  …（３）式
但し、ｋは１よりも大きな定数である。４１は外側センサ（３７ａ、３７ｃ、３７ｄと３７ｆ）の左右の出力和を差動する増幅器、４２は外側センサ（３７ｂと３７ｅ）の左右の出力を差動する増幅器である。４３は差動増幅器４１の出力とｋを乗じた差動増幅器４２の出力を差動する増幅器である。チルト信号はトラッキング制御を閉じた場合に精度良く検出することができ、図７や図８のチルトセンサ３８を用いたチルト補正精度が高々０．５度程度なのに対し、０．１度の精度が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明は、上記目的を達成するため、透明基板上に情報記録面を有する記録媒体上に光スポットを集光させて情報の記録或いは再生を行い、且つ、光源部と、前記光源部からの光束を前記情報記録面上に集光させる対物レンズと、前記情報記録面からの戻り光束を第一の光検出器上に導く光学系と、第一の光検出器上に導かれた光束から記録媒体のトラックに追従するサーボ信号或いは情報再生信号を生成する手段とを備えた光情報記録再生装置において、前記情報記録面は前記透明基板の前記対物レンズから遠い面上に設けられていて、前記透明基板の前記情報記録面よりも前記対物レンズに近い面からの反射光束を第二の光検出器上に導く光学系と、前記第二の光検出器上に導かれた光束から前記透明基板の対物レンズに対する相対傾きを検知し、チルト信号を生成する手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
δ０＝（ｔ／ｎ）×ｔａn（２θ）  …（９）式
ずれ量δ０を対物レンズやセンサレンズを介して観察できれば、（８）式で与えられる光学系の横倍率Ｍを乗じたずれ量δ２（＝Ｍ×δ０）が分かり、光ディスク基板の傾きθを簡単に知ることが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層が酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒを主成分とする合金磁性材料であって、残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式の記録媒体において、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第１格子面間隔制御層、面心立方結晶構造の金属あるいは合金から形成される中間層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第２格子面間隔制御層、記録層の順に具備し、  
かつ、該中間層の膜厚が６ｎｍ未満であることを特徴とする磁気記録媒体。  
【請求項２】
該中間層が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかの金属、あるいは、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのうちの少なくとも１種の元素を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。  
【請求項３】
該記録層中の酸化物含有率は、５〜２０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。  
【請求項４】
該記録層中の酸化物がＳｉ酸化物であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。  
【請求項５】
該記録層の厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。  
【請求項６】
記録層が酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒを主成分とする合金磁性材料であって、残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式の記録媒体において、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第１格子面間隔制御層、面心立方結晶構造の金属あるいは合金から形成される中間層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第２格子面間隔制御層、記録層の順に具備し、  
かつ、該中間層の膜厚が、該第１格子面間隔制御層と該第２格子面間隔制御層の合計膜厚の３０％未満であることを特徴とする磁気記録媒体。  
【請求項７】
請求項１記載の磁気記録媒体に対して、上記記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、磁気ヘッドと、上記磁気記録媒体を上記磁気ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動装置とを備えた垂直磁気記録方式の磁気記録装置。 
【請求項８】
記録層が酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒを主成分とする合金磁性材料であって、残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式の磁気テープにおいて、ベースフィルム上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第１格子面間隔制御層、面心立方結晶構造の金属あるいは合金から形成される中間層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第２格子面間隔制御層、記録層の順に具備し、  
かつ、該中間層の膜厚が６ｎｍ未満であることを特徴とする磁気テープ。  
【請求項９】
記録層が酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒを主成分とする合金磁性材料であって、残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式の磁気テープにおいて、ベースフィルム上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第１格子面間隔制御層、面心立方結晶構造の金属あるいは合金から形成される中間層、ＲｕもしくはＲｕを主成分とする合金により形成される第２格子面間隔制御層、記録層の順に具備し、  
かつ、該中間層の膜厚が、該第１格子面間隔制御層と該第２格子面間隔制御層の合計膜厚の３０％未満であることを特徴とする磁気テープ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この場合、カソード電極層、絶縁層及びゲート電極層を処理基板上に順次積層し、ゲート電極層に１個のゲート孔開口部を形成し、このゲート孔開口部を通じて絶縁層に、ゲート孔開口部より大きな開口面積を有するホールを形成した後、ホール底部に触媒層を設け、この触媒層の上にカーボン系エミッタ材料を成長せしめてエミッタを構成し、カソード基板を得ることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平２００１−２３６８７９号公報（発明の詳細な説明参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬性を有するコンタンクトを有するコネクタ部が相互に回動可能に連結されていて、かつ、前記コンタンクト間が接続媒体を通じて電気的に接続されている同軸ケーブル用コネクタであって、
前記各コネクタ部の連結部分を通る接続媒体を、軟性を有するリード線としている同軸ケーブル用コネクタ。
【請求項２】
前記リード線は、前記コネクタ部を相互に回動させた場合であっても撓んでいる長さとされている請求項１記載の同軸ケーブル用コネクタ。
【請求項３】
前記リード線は、前記連結部分で螺旋状に収容されていて、当該連結部分を通るリード線の中心軸を、前記コネクタ部の回動軸上としている請求項１又は２記載の同軸ケーブル用コネクタ。
【請求項４】
前記請求項１から３のいずれか１項に記載の同軸ケーブル用コネクタが取り付けられていることを特徴とする同軸ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２２９３８９号公報  上記に対し、２台のカメラを用いて別方向から画像を得て処理を行うステレオ画像処理と称される技術もあるが、通常の監視システムでは１対象に対しカメラは１台であり、ステレオ画像処理を行うことは現実的ではない。また、仮にステレオ画像処理が可能な場合にあっても、計算負荷が大きく、専用の画像処理ボードが必要になるという問題が発生する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも３つの電極層と、前記電極層より１つ少ない有機ＥＬ発光体構造とを有し、前記基板側から順に、前記電極層と前記有機ＥＬ発光体構造が交互に成膜され、前記基板側から数えて奇数番目に成膜された電極層群と、前記基板側から数えて偶数番目に成膜された電極層群と、がそれぞれ等電位に接続され、前記２つの電極層群の間に交流電圧が印加されることにより、前記基板側から数えて奇数番目に成膜された有機ＥＬ発光体構造群と、前記基板側から数えて偶数番目に成膜された有機ＥＬ発光体構造群と、が交互に発光することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
前記有機ＥＬ発光体構造は、少なくとも一層の発光層を含む発光ユニットを複数個有する発光ユニットの積層体であり、前記複数の発光ユニットは電荷発生層によって仕切られており、かつ、前記電荷発生層は１．０×１０2Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する電気的絶縁層である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
前記電極層のすべてが透明電極層である請求項１又は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
前記電極層のいずれか１層が不透明電極層である請求項１又は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
前記不透明電極層は金属電極である請求項４記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
前記不透明電極層は１層のみからなり、前記基板側から数えて第１番目、または、前記基板から最も遠い位置に成膜されている請求項４又は請求項５記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ここで、電極層１１ａ〜１８ａのすべてが透明電極で構成され、基板１０がガラス基板のように透明であれば、有機ＥＬ発光体構造１１ｂ〜１７ｂも透明であるため、基板１０側及び第８電極層１８ａ側のいずれからも発光を得ることが出来る。一方、第１電極層１１ａもしくは第８電極層１８ａのどちらかを不透明電極（金属からなる光反射電極を含む）とし、第２電極層１２ａ〜第７電極層１７ａを透明電極で構成すると、有機ＥＬ発光体構造１１ｂ〜１７ｂから出射された光は、基板１０側と第８電極層１８ａ側の一方から出射することが出来る。不透明電極は、第１電極層１１ａ〜１８ａのいずれであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
有機ＥＬ発光体構造１１ｂ〜１７ｂは、前記ＫＯＤＡＫ社の特許文献等に見られる典型的な構造、すなわち「陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」を代表とする有機ＥＬ発光ユニット（陰極と陽極に挟まれた「ホール輸送層／発光層／電子輸送層」の層構造部分）が１個のみからなる構造であっても良いし、本出願人らが提案してきた前述のいわゆるＭＰＥ（マルチフォトンエミッション）有機ＥＬ素子構造のように、複数の有機ＥＬ発光ユニット（従来型有機ＥＬにおいて陰極と陽極に挟まれた「ホール輸送層／発光層／電子輸送層」の層構造部分）が、絶縁性の（すなわちフローティング状態の）ＣＧＬ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：電荷発生層）を介して順次積層されて、複数の有機ＥＬ発光ユニットが同時に発光する構造であっても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
＜測定例＞
実施例１の有機エレクトロルミネッセント素子２０に直流電圧又は交流電圧を印加したときの測定条件及び結果について説明する。
まず、上述のように互いに等電位である第１電極層２２及び第３電極層２６を陽極（＋）に、第２電極層２４を陰極（−）にバイアスして、直流電圧を印加して、第１有機ＥＬ発光体構造２３のみの発光（諸）特性を計測した。この条件では、第２有機ＥＬ発光体構造２５には逆バイアスが印加されることになるので発光しない。このときの第１有機ＥＬ発光体構造２３の特性を図７、図８の○プロットで示す。また、第１有機ＥＬ発光体構造２３からの発光のスペクトル（直流電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2、８．０Ｖ）を図１０の一点鎖線で示す。なお、この発光スペクトルの測定に要する積算時間は０．２秒程度に設定されている。さらに、このときの第１有機ＥＬ発光体構造２３の発光状況を図１１（写真）及び図１２（発光部分４３）に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に、第１電極層２２及び第３電極層２６を陰極（−）に、第２電極層２４を陽極（＋）にバイアスして、直流電圧を印加して、第２有機ＥＬ発光体構造２５のみの発光（諸）特性を計測した。なお、この条件では、第１有機ＥＬ発光体構造２３には逆バイアスが印加されることになるので発光しない。このときの第２有機ＥＬ発光体構造２５の特性を図７、図８の●プロットで示す。また、第２有機ＥＬ発光体構造２５からの発光のスペクトル（直流電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2、８．３Ｖ）を図１０の点線で示す。このときの第２有機ＥＬ発光体構造２５の発光状況を図１１及び図１２（発光部分４５）に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管軸方向と直交する方向から見て管壁に丸波部分と角波部分とが管軸方向に多数形成されている波形合成樹脂管であって、
上記角波部分の輪郭は、管軸方向から見て上記丸波部分の外周円に外接する方形に形成されるとともに、その方形の各角部が、上記外周円の外側近傍でその外周円に沿って円弧状に丸められていることを特徴とする波形合成樹脂管。
【請求項２】
二つの上記角波部分とこれに連続する一つの上記丸波部分を基本パターンとし、この基本パターンが管軸方向に繰り返し形成されることにより上記波形合成樹脂管が構成されている請求項１記載の波形合成樹脂管。
【請求項３】
上記波形合成樹脂管が、その内部に内管が挿入されて多層構造に構成されている請求項１または２記載の波形合成樹脂管。
【請求項４】
上記波形合成樹脂管の一方端部に雄側継手部が設けられ、他方端部に雌側継手部が設けられている請求項１から３のいずれか１項に記載の波形合成樹脂管。
【請求項５】
上記雄側継手部として、上記波形合成樹脂管の端部から延設された挿口部と、この挿口部先端においてその円周上に等間隔に配設された係止用突部とを備えてなる請求項４記載の波形合成樹脂管。
【請求項６】
上記挿口部の基端部にリング状シール材を装着するための溝部が形成されている請求項５記載の波形合成樹脂管。
【請求項７】
上記雌側継手部として、上記挿口部を収納する受口部と、この受口部内に設けられ上記挿口部の係止用突部を係止する抜け止め手段とを備えてなる請求項４〜６のいずれか１項に記載の波形合成樹脂管。
【請求項８】
上記抜け止め手段として、上記受口部内に形成された環状溝と、その環状溝に装着されるリング状支持体と、このリング状支持体から挿込み方向と逆方向に向けて収束する状態で延設される複数の係止片とを有し、これらの係止片は、上記挿口部の挿入時に上記係止用突部に押圧されて先を広げる方向に弾性変形し、上記係止用突部が通過することにより収束状態に復帰し、上記係止用突部の後部を係止するように構成されている請求項７記載の波形合成樹脂管。
【請求項９】
上記リング状支持体および上記係止片の少なくともいずれか一方に、管軸方向にスリットが形成されている請求項８記載の波形合成樹脂管。
【請求項１０】
突き合わされた請求項１〜３のいずれか１項に記載の波形合成樹脂管の接続部分に、二つ割りされた一対の継手部を装着し固定する管継手構造であって、上記継手部は、
一方の波形合成樹脂管における丸波部分と角波部分の間の谷部に嵌合し得るアーチ部と、他方の波形合成樹脂管における丸波部分と角波部分の間の谷部に嵌合し得るアーチ部と、二つの上記波形合成樹脂管の突き合わせ部分に当接されるアーチ部と、上記各アーチ部の裾側端部を管軸方向に連結する連結部とを有し、
二つ割りされた上記継手部を一体化させるべく上記波形合成樹脂管に装着した際に上記連結部同士が対向し締結手段で締め付け固定できるように構成されるとともに、上記連結部は上記角波部分の角部において円弧状に丸められることによって生じたコーナースペースに収まるように構成されていることを特徴とする管継手構造。
【請求項１１】
上記波形合成樹脂管の突き合わせ部分に取り付けられるアーチ部の内側にシール材が装着されている請求項１０記載の管継手構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の波形合成樹脂管において、二つの角波部分とこれに連続する一つの丸波部分を基本パターンとし、この基本パターンを管軸方向に繰り返し形成することにより波形合成樹脂管を構成すれば、積層された波形合成樹脂管を互いに管軸方向にずらした場合であっても常に両波形合成樹脂管における角波部分のフラット面同士が当接し、脱落を防止することができる。
また、本発明の波形合成樹脂管は、その内部に内管を挿入することにより多層構造に構成することができる。それにより、流体を流す場合の流路抵抗を減少させたり、ケーブルを挿通する場合の通りを良くすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置するステージと、
少なくとも前記ステージが設置される真空容器と、
前記試料に対してイオンビームを照射して試料片に加工するイオンビーム照射光学装置と、
前記試料片を保持する試料保持機構と、
前記試料保持機構を移動させる移動機構とを備え、
上記試料保持機構は、その先端に少なくとも２個の梁を有し、
前記真空容器内で前記試料片を上記２個の梁で挟んで保持し、前記試料から前記微小試料片を摘出することを特徴とする試料加工装置。
【請求項２】
試料を載置するステージと、
該ステージを少なくとも内部に有する真空容器と、
前記試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射光学系と、
前記試料にイオンビームを照射して前記試料から試料片を摘出する試料保持機構と、
該試料保持機構を移動させる移動手段とを有し、
該試料保持機構は、第一の梁と該第一の梁に対向して配置された第二の梁を有し、
前記第一の梁と前記第二の梁との間の押し付け力により前記試料片を摘出することを特徴とする試料加工装置。
【請求項３】
請求項１または２載の試料加工装置において、
前記移動機構は、前記試料保持機構の位置をＸ，Ｙ，Ｚの３軸に移動させる駆動系を有することを特徴とする試料加工装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の試料加工装置において、
前記試料保持機構は、前記梁と前記溝を含む梁部材を軸中心に回転させる回転機構と、前記梁と前記試料面との成す角度を調整する角度調整機構のうちの少なくともいずれかを有することを特徴とする試料加工装置。
【請求項５】
請求項１または２記載の試料加工装置において、
前記梁は前記ステージ面に対して１５度から６５度の範囲で傾斜していることを特徴とする試料加工装置。
【請求項６】
請求項１から３に記載の試料加工装置において、
前記試料保持機構が、前記摘出した微小試料片を少なくとも２個の上記梁で挟んで保持した状態で上記試料加工装置から分離脱着し、透過電子顕微鏡もしくは走査電子顕微鏡に再装着できることを特徴とする試料加工装置。
【請求項７】
試料を載置してＸ，Ｙ，Ｚ、回転、傾斜の５軸を有しユーセントリック動作が可能なステージと、
少なくとも上記ステージを内部に有する真空容器と、
上記真空容器外から前記試料の一部である微小試料片を挟んで摘み上げる試料保持機構と、
該試料保持機構の３次元的な位置を制御可能な移動機構と、
少なくとも前記試料と前記微小試料片が観察可能な顕微鏡を備えた  
ことを特徴とする試料加工装置。
【請求項８】
請求項７記載の試料加工装置において、
上記顕微鏡は、光学顕微鏡、走査電子顕微鏡、走査イオン顕微鏡のうちの少なくともいずれかであることを特徴とする試料加工装置。
【請求項９】
試料基板にイオンビームを照射するイオンビーム照射光学系と、
前記試料基板に前記イオンビームを照射して分離した試料片を摘出する試料保持機構と、
該試料保持機構を移動させる移動手段とを有し、
該試料保持機構は、分離した前記試料片を摘出する第一の把持部と該第一の把持部に対向して配置された第二の把持部を有し、
前記第一の把持部と前記第二の把持部との間の押し付け力により前記試料片を摘出できることを特徴とする加工装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の加工装置において、
前記試料基板に電子ビームを照射できる電子顕微鏡を備え、
前記試料保持機構が前記試料片を把持した状態で、該試料片に対して前記電子ビームを照射できることを特徴とする加工装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の加工装置において、
前記移動機構は前記試料保持機構を前記電子ビームに対して回転できる回転機構を有することを特徴とする加工装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の加工装置において、
前記移動機構により前記試料片を把持した状態で前記試料保持機構を回転させ、回転後の前記試料片に対して前記電子ビームを照射できることを特徴とする加工装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の加工装置において、
前記第一の把持部と前記第二の把持部との間隔は、摘出される前記試料片の一辺よりも狭いことを特徴とする加工装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の加工装置において、
前記試料保持機構は前記ステージに対して１５度から６５度の範囲で傾斜していることを特徴とする加工装置。
【請求項１５】
請求項９に記載の加工装置において、
前記試料保持機構は、前記試料片を圧入して保持し、引き抜いて前記試料片を分離することを特徴とする加工装置。
【請求項１６】
アシストガスを用いない試料加工方法であって、
試料基板にイオンビームを照射して分離可能な微小試料片に加工する工程と、
２つの梁部材で微小試料片を挟んで保持する工程と、
上記イオンビームの照射によって上記試料から上記微小試料片を分離する工程と、
試料保持機構によって上記分離した微小試料片を上記試料から摘出する工程を、
同一の真空容器内で実行し、透過電子顕微鏡または走査電子顕微鏡の試料に加工すること
を特徴とするアシストガスを用いない試料加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】試料加工装置および試料加工方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  記録紙を積載した装置前面からセット可能な本体カセットを有する本体給紙部と、手差しにより記録紙を給紙する手差し給紙部と、前記記録紙を搬送する搬送手段と、を有する記録装置において、
前記本体給紙部は前記本体カセット後方側より記録紙を前記搬送手段へと供給し、
前記手差し給紙部は、前記搬送手段により前記本体給紙部から搬送された前記記録紙を排出する排出口でもあることを特徴とする記録装置。
【請求項２】  手差し給紙モードを有し、手差し給紙モード時は前記搬送手段の搬送方向の切替制御を行うことを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項３】  前記搬送手段は静電吸着ベルトであることを特徴とする請求項１または２記載の記録装置。
【請求項４】  前記本体給紙部及び前記手差し給紙部の給紙操作面を、前記記録装置の操作面に設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の記録装置。
【請求項５】  前記手差し給紙モードは、前記手差し給紙部から前記搬送手段により排出方向と逆方向に搬送して給紙し、記録紙の後端が加圧コロを通過する前に前記搬送手段の搬送方向を正方向に変えることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項記載の記録装置。
【請求項６】  前記手差し給紙モードは、前記手差し給紙部から前記搬送手段により排出方向と逆方向に搬送して給紙し、給紙された記録紙の先端を装置外部に出すことを特徴とする請求項２から５のいずれか１項記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、記録紙を積載した装置前面からセット可能な本体カセットを有する本体給紙部と、手差しにより記録紙を給紙する手差し給紙部と、前記記録紙を搬送する搬送手段と、を有する記録装置において、前記本体給紙部は前記本体カセット後方側より記録紙を前記搬送手段へと供給し、前記手差し給紙部は、前記搬送手段により前記本体給紙部から搬送された前記記録紙を排出する排出口でもあることを特徴とする記録装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、手差し給紙モードを有し、手差し給紙モード時は前記搬送手段の搬送方向の切替制御を行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、前記搬送手段は静電吸着ベルトであることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項記載の発明において、前記本体給紙部及び前記手差し給紙部の給紙操作面を、前記記録装置の操作面に設けたことを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項２から４のいずれか１項記載の発明において、前記手差し給紙モードは、前記手差し給紙部から前記搬送手段により排出方向と逆方向に搬送して給紙し、記録紙の後端が加圧コロを通過する前に前記搬送手段の搬送方向を正方向に変えることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項２から５のいずれか１項記載の発明において、前記手差し給紙モードは、前記手差し給紙部から前記搬送手段により排出方向と逆方向に搬送して給紙し、給紙された記録紙の先端を装置外部に出すことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色、緑色及び青色の発光素子が、それぞれマトリクス状に配置された画素部と、
前記画素部の両面側にクロスニコルをなすように配置された第１の偏光板及び第２の偏光板と、
前記画素部と前記第１の偏光板との間に配置された第１のλ／４板と、
前記画素部と前記第２の偏光板との間に配置された第２のλ／４板とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
赤色、緑色及び青色の発光素子が、それぞれマトリクス状に配置された画素部と、
前記画素部の両面側にクロスニコルをなすように配置された第１の偏光板及び第２の偏光板と、
前記画素部と前記第１の偏光板との間に配置された第１のλ／４板と、
前記画素部と前記第２の偏光板との間に配置された第２のλ／４板とを有し、
前記画素部の両面側から、前記赤色、緑色及び青色の発光素子による表示を認識することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
赤色、緑色及び青色の発光素子が、それぞれマトリクス状に配置された画素部と、
前記画素部の両面側にクロスニコルをなすように配置された第１の偏光板及び第２の偏光板と、
前記画素部と前記第１の偏光板との間に配置された第１のλ／４板と、
前記第１の偏光板と前記第１のλ／４板との間に配置される第１のλ／２板と、
前記画素部と前記第２の偏光板との間に配置された第２のλ／４板と、
前記第２の偏光板と前記第２のλ／４板との間に配置される第２のλ／２板とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
赤色、緑色及び青色の発光素子が、それぞれマトリクス状に配置された画素部と、
前記画素部の両面側にクロスニコルをなすように配置された第１の偏光板及び第２の偏光板と、
前記画素部と前記第１の偏光板との間に配置された第１のλ／４板と、
前記第１の偏光板と前記第１のλ／４板との間に配置される第１のλ／２板と、
前記画素部と前記第２の偏光板との間に配置された第２のλ／４板と、
前記第２の偏光板と前記第２のλ／４板との間に配置される第２のλ／２板とを有し、
前記画素部の両面側から、前記赤色、緑色及び青色の発光素子による表示を認識することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
赤色、緑色及び青色の発光素子が、それぞれマトリクス状に配置された画素部と、
前記画素部の両面側にクロスニコルをなすように配置された第１の円偏光板及び第２の円偏光板とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
赤色、緑色及び青色の発光素子が、それぞれマトリクス状に配置された画素部と、
前記画素部の両面側にクロスニコルをなすように配置された第１の円偏光板及び第２の円偏光板とを有し、
前記画素部の両面側から、前記赤色、緑色及び青色の発光素子による表示を認識することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記発光素子は電極を有し、前記電極は、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記複数の発光素子と前記電極との間に、前記電極と接するようにベンゾオキサゾール誘導体が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の偏光板が設けられる第１の基板と、前記第２の偏光板が設けられる第２の基板との間には、透光性を有するシール材が充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記発光装置は、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、またはパーソナルコンピュータであることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記発光装置は、映像音声双方向通信装置、または汎用遠隔制御装置であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明支持体上に、物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する感光材料を露光し、物理現像処理により前記物理現像核層上に像様に金属銀を析出させ、次いで前記物理現像核層の上に設けられた層を除去する透明導電性フィルムの製造方法であって、前記物理現像を、臭化物を含む物理現像処理液で行うことを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体ウェハに第１導電型の半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体領域の上に、前記ゲート電極の上を含む全面にわたって第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を上面側からエッチングにより除去することにより、前記第１の絶縁膜から前記ゲート電極の側面を覆う第１のサイドウォールを形成する工程と、
前記半導体ウェハを複数一括して処理可能なイオン注入装置を用いて、前記半導体領域に第２導電型の第１不純物イオンを注入することにより、前記半導体領域における前記ゲート電極の両側部分に第１の不純物拡散領域を形成する工程とを備え、
前記第１の不純物拡散領域を形成する工程において、前記第１不純物イオンの注入を複数回に分けて行い、それぞれのイオン注入の際に前記半導体ウェハをそのウェハ面内で回転することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記反応室と接続され、前記反応室の真空度を保ちながら前記半導体ウェハを前記反応室内に搬送するための予備排気室をさらに備えていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
次に、図８（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜１０９をエッチングすることにより第１のサイドウォール１０６Ａの側方を覆う第２のサイドウォール１０９Ａを形成する。その後、第２のサイドウォール１０９Ａをマスクとして用いたイオン注入により、ｐ型不純物からなるソースドレイン領域１１０を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
前記の目的を達成するため、本発明は、エクステンション領域となる不純物拡散領域をイオン注入により形成する際に、不純物イオンの注入角が半導体ウェハの中央部と周縁部とで変化しないように不純物イオンの注入方向に対する半導体ウェハの角度を調整する構成とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
具体的に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハに第１導電型の半導体領域（ウェル拡散領域）を形成する工程と、半導体領域上にゲート電極を形成する工程と、半導体領域の上に、ゲート電極の上を含む全面にわたって第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を上面側からエッチングにより除去することにより、第１の絶縁膜からゲート電極の側面を覆う第１のサイドウォールを形成する工程と、半導体ウェハを複数一括して処理可能なイオン注入装置を用いて、半導体領域に第２導電型の第１不純物イオンを注入することにより、半導体領域におけるゲート電極の両側に第１の不純物拡散領域（エクステンション領域）を形成する工程とを備え、第１の不純物拡散領域を形成する工程において、第１不純物イオンの注入を複数回に分けて行い、それぞれのイオン注入の際に半導体ウェハを半導体ウェハをそのウェハ面内で回転する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示し、（ａ）は工程順の構成断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す工程における半導体ウェハの様子を示す平面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法により形成されたエクステンション領域の断面構成を示し、（ａ）は半導体ウェハの中央部を示し（ｂ）は半導体ウェハの周縁部におけるエクステンション領域の形成位置を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法により形成された半導体装置におけるソースドレインの非対称性の分布を示す図である。
【図６】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置を示す構成断面図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体装置の製造装置におけるディスクを示す平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は従来のＭＯＳトランジスタの製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は従来のＭＯＳトランジスタの製造方法を示す工程順の構成断面図である。
【図９】従来のバッチ式イオン注入装置を示す斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は従来のバッチ式イオン注入装置におけるイオンビームに対するディスクの角度を説明する図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は従来のバッチ式イオン注入装置におけるイオンビームの注入角を説明する図である。
【図１２】従来のバッチ式イオン注入装置における半導体ウェハ中心からの距離とイオンビームの注入角との関係を示すグラフである。
【図１３】従来のバッチ式イオン注入装置を用いて形成されたＭＯＳトランジスタにおけるソースドレインの非対称性の分布を示す図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は従来のバッチ式イオン注入装置において、ツイスト角の設定値を変化させた場合の半導体ウェハ中心からの距離とイオンビーム注入角の変化量との関係を示すグラフである。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は従来のバッチ式イオン注入装置を用いて形成したエクステンション領域を示す断面構成図であり、（ａ）は半導体ウェハの中央部に形成されるエクステンション領域を示し、（ｂ）は半導体ウェハの周縁部に形成されるエクステンション領域を示している。
【図１６】従来の半導体装置の製造方法において、第１のサイドウォールの膜厚を変化させた場合の半導体ウェハ中心からの距離とソースドレインの非対称性との関係を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月30日(2006.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
〈実施例１〉
図３（ａ）は、第１の発明に基づく実施例１の極柱を示す要部正面図、（ｂ）は要部上面図で、３は極柱、８はインサート成型により極柱３の外周面に形成されたＰＰ樹脂からなる樹脂リング体をそれぞれ示す。
〈実施例２〉
図４は、第１の発明に基づく実施例２の極柱を示す要部正面図で、３は極柱、８はインサート成型により極柱３の外周面に形成されたＰＰ樹脂からなる樹脂リング体で、樹脂リング体８の外周に沿って凹部９が形成されている。
〈実施例３〉
図５は、第１の発明に基づく実施例３の極柱を示す。図において、３は極柱、７はリング状パッキン、８はＰＰ樹脂からなる樹脂リング体、９は前記樹脂リング体に形成した凹部をそれぞれ示す。図５に示すように、実施例３では、表面に凹凸を設けた極柱が用いられているので、一体成型する際に、樹脂部が前記凹部に流入し、樹脂リング体の内周面と極柱外周面との接触面積が大きくなり、液密性がより改善されることが理解できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成された発光素子の製造方法において、
実質的に発光に寄与し、その組成に少なくともインジウム(In)を含む発光層の成長温度ＴL（但し８００℃以上）と、
発光層に接するｎ型半導体層の成長温度Ｔnと、
発光層に接するｐ型半導体層の成長温度Ｔpとが、
０＜Ｔn−Ｔp≦（Ｔn−ＴL）／３
を充たし、
前記発光層の発光波長のピークが、380nm以下である
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
エピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成された発光素子の製造方法において、
実質的に発光に寄与し、その組成に少なくともインジウム(In)を含む発光層の成長温度ＴL（但し８００℃以上）と、
発光層に接するｎ型半導体層の成長温度Ｔnと、
発光層に接するｐ型半導体層の成長温度Ｔpとが、
０＜Ｔn−Ｔp≦（Ｔn−ＴL）／４
を充たし、
前記発光層の発光波長のピークが、380nm以下である
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
エピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成された発光素子の製造方法において、
実質的に発光に寄与し、その組成に少なくともインジウム(In)を含む発光層の成長温度ＴL（但し８００℃以上）と、
発光層に接するｎ型半導体層の成長温度Ｔnと、
発光層に接するｐ型半導体層の成長温度Ｔpとが、
０＜Ｔn−Ｔp≦（Ｔn−ＴL）／５
を充たし、
前記発光層の発光波長のピークが、380nm以下である
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記発光層と、前記ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層を、有機金属気相成長法により形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記温度Ｔpが、１０００℃以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光層は、単一量子井戸又は多重量子井戸であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明の特徴は、エピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成された発光素子の製造方法において、実質的に発光に寄与し、その組成に少なくともインジウム(In)を含む発光層の成長温度ＴL（但し８００℃以上）と、発光層に接するｎ型半導体層の成長温度Ｔnと、発光層に接するｐ型半導体層の成長温度Ｔpとが、
Ｔn−Ｔpが正で、且つＴn−ＴLの１／３以下、或いは１／４以下、或いは１／５以下とし、発光層の発光波長のピークが、380nm以下であることである（請求項１乃至３）。尚、ここで成長温度とは、エピタキシャル成長における基板の温度を言うものとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
更には、発光層は、単一量子井戸又は多重量子井戸であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
［耐アルカリ性］
耐アルカリ性の評価としては、アルカリ処理後の重量減量率（％）を測定した。アルカリ処理後の重量減量率は、各試料から１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさの試験片を３枚採取し、水分平衡状態となした時の重量Ｗ０（ｍｇ）を測定したのち、３１％のＫＯＨ水溶液に浸漬して、９０±２℃の雰囲気中で３０日間保存する。その後、取り出した試料を中性に達するまで水洗乾燥し、再び水分平衡状態となした時の重量Ｗ２（ｍｇ）を測定し、次の式（２）によりアルカリ処理後の重量減量率（％）を求めた。
重量減量率（％）＝[（Ｗ０−Ｗ２）／Ｗ０]×１００      （２）
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、負極と、非水溶媒と電解質塩とを含む非水電解質と、を有する非水電解質二次電池において、
正極活物質はコバルト以外の異種元素としてＴｉ、Ｚｒの少なくとも一種が添加されたコバルト酸リチウムを含み、前記非水溶媒はジエチルカーボネートを２５℃を基準として１０〜３０体積％含む、ことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記コバルト酸リチウムは、コバルト以外の異種元素として、さらにＭｇ、Ａｌの少なくとも一種が添加されたことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項３】
請求項１または２に記載の非水電解質二次電池において、
正極活物質１ｇあたりの電解液量が０．３２ｍｌ以下である、
ことを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明は、正極と、負極と、非水溶媒と電解質塩とを含む非水電解質と、を有する非水電解質二次電池において、正極活物質はコバルト以外の異種元素としてＴｉ、Ｚｒの少なくとも一種が添加されたコバルト酸リチウムを含み、前記非水溶媒はジエチルカーボネートを２５℃を基準として１０〜３０体積％含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品を搭載したプリント基板の前記部品を搭載した面を支持する為のバックアップ装置に於いて、
バックアップ基板上に、先端側が前記プリント基板の一方の面に当接する長さを有し、且つ弾性座屈特性を有する支持部材を、それぞれ間隔をおいて複数個配置した構成を有する
ことを特徴とするプリント基板のバックアップ装置。
【請求項２】
前記支持部材は、縦断面形状を矩形又は台形とし、且つ弾性座屈特性を有する発泡プラスチックにより構成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント基板のバックアップ装置。
【請求項３】
前記支持部材を構成する発泡プラスチックは、導電性を有することを特徴とする請求項２記載のプリント基板のバックアップ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷回路基板と、この印刷回路基板に取付けられる放熱体と、この放熱体に熱伝導的に取付けられる半導体電子部品とを具備し、前記印刷回路基板には、この印刷回路基板の外側周縁部に形成される端面スルーホールを備え、前記半導体電子部品には、前記端面スルーホールと電導的に接続されるリード端子を備えたことを特徴とする半導体回路基板。
【請求項２】
印刷回路基板と、この印刷回路基板に取付けられる放熱体と、この放熱体に熱伝導的に取付けられる半導体電子部品とを具備し、前記印刷回路基板には、この印刷回路基板の平面部の一部を切抜いて形成した基板開口部と、この基板開口部の内側周縁部に形成される端面スルーホールとを備え、前記半導体電子部品には、前記端面スルーホールと電導的に接続されるリード端子を備えたことを特徴とする半導体回路基板。
【請求項３】
前記放熱体の長手方向が、前記印刷回路基板の面にほぼ直交するように前記放熱体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体回路基板。
【請求項４】
前記放熱体の長手方向が、前記印刷回路基板の面にほぼ平行になるように前記放熱体を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体回路基板。
【請求項５】
前記放熱体と半導体電子部品との間において、半導体電子部品のリード端子側が、前記端面スルーホール側へ近接するように介入した楔状スペーサを備えたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明によれば、印刷回路基板と、この印刷回路基板に取付けられる放熱体と、この放熱体に熱伝導的に取付けられる半導体電子部品とを具備し、前記印刷回路基板には、この印刷回路基板の外側周縁部に形成される端面スルーホールを備え、前記半導体電子部品には、前記端面スルーホールと電導的に接続されるリード端子を備えたことを特徴とする半導体回路基板を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明によれば、印刷回路基板と、この印刷回路基板に取付けられる放熱体と、この放熱体に熱伝導的に取付けられる半導体電子部品とを具備し、前記印刷回路基板には、この印刷回路基板の平面部の一部を切抜いて形成した基板開口部と、この基板開口部の内側周縁部に形成される端面スルーホールとを備え、前記半導体電子部品には、前記端面スルーホールと電導的に接続されるリード端子を備えたことを特徴とする半導体回路基板を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電極を有するプロセスカートリッジを装着可能な画像形成装置であって、電装基板と、該電装基板からの電圧を前記電極に伝えるための接点ばねと、前記電装基板と前記接点ばねを支持する本体フレームと、を備える画像形成装置において、
前記接点ばねに設けられ、前記電極と接触する揺動部と、
前記本体フレームに設けられ、前記揺動部を収める揺動部スリットと、
前記本体フレームに設けられた経路開口部であって、前記揺動部を前記揺動部スリットに取り付ける際に、前記揺動部を前記揺動部スリットに収める前に前記揺動部を通過させる経路開口部と、
を有し、
該経路開口部の幅を、前記揺動部スリットに近づくとともに狭く、かつ、前記揺動部スリットに最も近い位置において前記揺動部の幅よりも狭く、設定して、前記揺動部スリットに最も近い位置において、前記経路開口部は前記揺動部を傾けた状態で通過させるようにしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  前記経路開口部の下側に前記揺動部スリットに近づくとともに高さが高くなるテーパリブを設けたことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】  前記経路開口部の上側に前記揺動部スリットに近づくとともに高さが高くなるテーパリブを設けたことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、接点ばねを本体フレームに取り付ける際に組付性を損なうことなく接点ばねの筐体からの抜け止めを図ることができる画像形成装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、電極を有するプロセスカートリッジを装着可能な画像形成装置であって、電装基板と、該電装基板からの電圧を前記電極に伝えるための接点ばねと、前記電装基板と前記接点ばねを支持する本体フレームと、を備える画像形成装置において、
前記接点ばねに設けられ、前記電極と接触する揺動部と、
前記本体フレームに設けられ、前記揺動部を収める揺動部スリットと、
前記本体フレームに設けられた経路開口部であって、前記揺動部を前記揺動部スリットに取り付ける際に、前記揺動部を前記揺動部スリットに収める前に前記揺動部を通過させる経路開口部と、
を有し、
該経路開口部の幅を、前記揺動部スリットに近づくとともに狭く、かつ、前記揺動部スリットに最も近い位置において前記揺動部の幅よりも狭く、設定して、前記揺動部スリットに最も近い位置において、前記経路開口部は前記揺動部を傾けた状態で通過させるようにしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記経路開口部の下側に前記揺動部スリットに近づくとともに高さが高くなるテーパリブを設けたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記経路開口部の上側に前記揺動部スリットに近づくとともに高さが高くなるテーパリブを設けたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
従って、本発明によれば、接点ばねを本体フレームに取り付ける際の組付性を損なうことなく接点ばねの本体ユニットからの抜け止めを図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、接点ばねを本体フレームに取り付ける際の組付性を損なうことなく接点ばねの本体フレームからの抜け止めを図ることができるという効果が得られる。