【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸窒化シリコン層、
該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がフォト酸レイビルポリマー、フォト酸発生化合物、および接着促進成分を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。
【請求項２】
接着促進成分が、該フォトレジスト組成物のリソグラフィー加工中に酸窒化シリコン層と反応するかまたは錯体形成できる請求項１記載の基体。
【請求項３】
接着促進成分が、１以上のエポキシまたは環状窒素部分を含む請求項１または２記載の基体。
【請求項４】
接着促進成分がフォト酸レイビル部位を含まない請求項１〜３のいずれか一つに記載の基体。
【請求項５】
接着促進成分が約１５００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項１〜４のいずれか一つに記載の基体。
【請求項６】
接着促進成分が約１０００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項１〜４のいずれか一つに記載の基体。
【請求項７】
接着促進成分が約５００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項１〜４のいずれか一つに記載の基体。
【請求項８】
接着促進成分が非ポリマーである請求項１〜７のいずれか一つに記載の基体。
【請求項９】
接着促進成分がポリマーである請求項１〜６のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１０】
フォト酸レイビルポリマーがフッ素置換を有する請求項１〜９のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１１】
フォト酸レイビルポリマーが、重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項１〜９のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１２】
フォト酸レイビルポリマーが、フォト酸レイビルエステルまたはアセタール基を含む請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１３】
フォト酸レイビルポリマーがコポリマーである請求項１〜１２のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１４】
フォト酸レイビルポリマーが、ターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項１〜１３のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１５】
フォト酸レイビルポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項１〜１４のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１６】
フォト酸レイビルポリマーが芳香族基を含む請求項１〜１５のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１７】
フォト酸レイビルポリマーがフェノール基を含む請求項１〜１５のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１８】
フォト酸レイビルポリマーが芳香族基を少なくとも実質的に含まない請求項１〜１５のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１９】
基体表面上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物が独立した成分として、フォト酸レイビルポリマー、フォト酸発生化合物、および接着促進添加剤を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。
【請求項２０】
フォト酸レイビルポリマー、フォト酸発生化合物、および接着促進成分を含むフォトレジスト組成物のコーティング層を基体上に施用し；施用されたフォトレジスト層をパターン化された活性化放射線に露光し、露光されたフォトレジスト層を現像して、フォトレジストリリーフイメージを得ることを含む、フォトレジストリリーフイメージを形成する方法。
【請求項２１】
施用されたフォトレジスト層を３００ｎｍ未満の波長を有する放射線に暴露する請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
施用されたフォトレジスト層を約２４８ｎｍの波長を有する放射線に暴露する請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
施用されたフォトレジスト層を約２００ｎｍ未満の波長を有する放射線に暴露する請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
施用されたフォトレジスト層を約１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有する放射線に暴露する請求項２０記載の方法。
【請求項２５】
接着促進成分が、１またはそれ以上のエポキシまたは環状窒素部分を含む請求項２０〜２４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２６】
接着促進成分がフォト酸レイビル部位を含まない請求項２０〜２５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２７】
接着促進成分が約１５００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項２０〜２６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２８】
接着促進成分が約１０００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項２０〜２６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２９】
接着促進成分が約５００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項２０〜２６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３０】
接着促進成分が非ポリマーである請求項２０〜２９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３１】
接着促進成分がポリマーである請求項２０〜２７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３２】
フォト酸レイビルポリマーがフッ素置換を有する請求項２０〜３１のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３３】
フォト酸レイビルポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項２０〜３２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３４】
フォト酸レイビルポリマーがフォト酸レイビルエステルまたはアセタール基を含む請求項２０〜３３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３５】
フォト酸レイビルポリマーがコポリマーである請求項２０〜３４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３６】
フォト酸レイビルポリマーが、ターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項２０〜３５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３７】
フォト酸レイビルポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項２０〜３６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３８】
フォト酸レイビルポリマーが芳香族基を含む請求項２０〜３７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３９】
フォト酸レイビルポリマーがフェノール基を含む請求項２０〜３７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項４０】
フォト酸レイビルポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項２０〜３７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項４１】
フォト酸レイビルポリマー、フォト酸発生化合物、および接着促進成分を含むフォトレジスト組成物。
【請求項４２】
接着促進成分が１またはそれ以上のエポキシまたは環状窒素部分を含む請求項４１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４３】
接着促進成分がフォト酸レイビル部位を含まない請求項４１または４２記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４４】
接着促進成分が約１５００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項４１〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４５】
接着促進成分が約１０００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項４１〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４６】
接着促進成分が約５００ダルトンまたはそれ以下の分子量を有する請求項４１〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４７】
接着促進成分が非ポリマーである請求項４１〜４６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４８】
接着促進成分がポリマーである請求項４１〜４５のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４９】
フォト酸レイビルポリマーがフッ素置換を有する請求項４１〜４８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５０】
フォト酸レイビルポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項４１〜４９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５１】
フォト酸レイビルポリマーがフォト酸レイビルエステルまたはアセタール基を含む請求項４１〜５０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５２】
フォト酸レイビルポリマーがコポリマーである請求項４１〜５１のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５３】
フォト酸レイビルポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項４１〜５２のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５４】
フォト酸レイビルポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項４１〜５３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５５】
フォト酸レイビルポリマーが芳香族基を含む請求項４１〜５４のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５６】
フォト酸レイビルポリマーがフェノール基を含む請求項４１〜５４のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５７】
フォト酸レイビルポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項４１〜５４のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５８】
その上に請求項４１〜５７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を有する基体を含む製造物品。
【請求項５９】
基体がマイクロエレクトロニックウェハ基体である請求項５８記載の物品。
【請求項６０】
基体が光電子デバイス基体である請求項５８記載の物品。
【請求項６１】
フォトレジストコーティング層がＳｉＯＮまたはＳｉ３Ｎ４表面コーティング上にある請求項５８〜６０のいずれか一つに記載の物品。