【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重ならないように配置された第１および第２電極と、前記第１および第２電極を電気的に分離し、主面に被処理基板の裏面が載置される絶縁体部と、前記絶縁体部の裏面から前記主面に貫通する貫通孔と有する静電チャック部と、
一端が配線を介して基準電位に接続され前記貫通孔を通過可能な導通針と、
前記導通針を前記絶縁体部の裏面から前記主面に向かって前記貫通孔内を移動させて前記被処理基板の裏面に前記導通針の他端を突き立てるように駆動する導通針駆動装置と、
前記第１および第２電極に極性が異なる電圧を与えることが可能であるとともに前記第１および第２電極に極性が同じ電圧を与えることが可能で、かつ前記第１および第２電極に与える電圧の値を可変とすることの可能な電圧コントローラと、
を備えたことを特徴とする被処理基板の保持装置。
【請求項２】
前記電圧コントローラは、一方がＯＮ状態の時には他方がＯＦＦ状態となる第１及び第２スイッチと、前記第１電極に電圧を印加する第１電源と、前記第１スイッチを介して前記第２電極に前記第１電源と異なる極性の電圧を印加する第２電源と、前記第２スイッチを介して前記第２電極に前記第１電源と同じ極性の電圧を印加する第３電源とを備えたことを特徴とする請求項１記載の被処理基板の保持装置。
【請求項３】
前記電圧コントローラは、一方がＯＮ状態の時には他方がＯＦＦ状態となる第１及び第２スイッチと、前記第１電極に電圧を印加するとともに前記第１スイッチを介して前記第２電極に電圧を印加する第１電源と、前記第２スイッチを介して前記第２電極に前記第１電源と異なる極性の電圧を印加する第２電源とを備えたことを特徴とする請求項１記載の被処理基板の保持装置。
【請求項４】
互いに重ならないように配置されるとともに絶縁体によって電気的に分離される第１および第２電極と、裏面から主面に貫通する貫通孔とを有する静電チャック部の前記主面に被処理基板を載置し、前記第１および第２電極に絶対値が同じで極性が異なる電圧を印加する工程と、
一端が基準電位に接続される導通針の他端を、前記貫通孔を通して前記被処理基板の裏面に突き立て、前記導通針を流れる電流および前記導通針の接触抵抗のいずれか一方の値に基づいて、前記被処理基板のチャッキングの良否を判定する工程と、
前記被処理基板のチャッキングが良好と判定された場合に前記第１および第２電極に絶対値および極性が同じ電圧を印加する工程と、
を備えたことを特徴とする被処理基板の保持方法。
【請求項５】
被処理基板を、静電チャック電極を有する静電チャック部の主面に載置し、その後、前記被処理基板の裏面に導通針を当ててフリッティング電圧を印加することにより、前記被処理基板と前記導通針との導通を取り、その後、前記静電チャック部の前記静電チャック電極に電圧を印加して前記被処理基板を前記静電チャック部にチャッキングすることを特徴とする被処理基板の保持方法。
【請求項６】
各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極の内の導通機構側の電極に電力を供給した後に導通機構側の電極とは異なる電極に電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子ビームを照射して所定の処理を施す電子ビーム照射機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極の内の導通機構側に最も近い電極のみに電力を供給した後に導通機構側の電極とは異なる電極に電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子ビームを照射して所定の処理を施す電子ビーム照射機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極の内の導通機構側の電極に電力を供給し導通機構と被処理基板とを電気的に導通自在とした後に導通機構側の電極とは異なる電極に電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子ビームを照射して所定の処理を施す電子ビーム照射機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
各々独立して電力が供給自在に構成された複数の電極を備え被処理基板を静電的に吸着自在に構成された静電チャック機構と、
前記被処理基板の少なくとも裏面と接触し被処理基板自体と電気的に導通自在に構成された導通機構と、
前記複数の電極に同一極性の電力を供給し導通機構と被処理基板とを電気的に導通自在とした後に導通機構側の電極とは異なる電極に前記同一極性とは異なる極性の電力を印加するよう制御する制御機構と、
前記被処理基板に電子ビームを照射して所定の処理を施す電子ビーム照射機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記静電チャック機構にて静電的に吸着保持された被処理基板の平面度を検出する検出機構をさらに設けたことを特徴とする請求項６，７または８項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子ビームを照射して所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記被処理基板の裏面の一部の領域を静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面の一部の領域と異なる領域を静電的に吸着する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子ビームを照射して所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記被処理基板の裏面の第一の領域を静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面の前記第一の領域とは異なる第二の領域を静電的に吸着する工程と、
この後、被処理基板の平面度を検出する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子ビームを照射して所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる前にこの接触位置に近い前記被処理基板の裏面の第一の領域を静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面の前記第一の領域とは異なる第二の領域を静電的に吸着する工程と、
この後、被処理基板の平面度を検出する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
静電的に吸着保持された被処理基板に対して電子ビームを照射して所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記被処理基板の裏面を同一極性の電力にて複数個所静電的に吸着する工程と、
前記被処理基板の裏面から被処理基板と電気的に導通する導通機構を接触させる工程と、
前記被処理基板の裏面を同一極性及び前記同一極性と異なる複数の極性の電力にて部分的に静電的に吸着する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
前記被処理基板の吸着後さらに被処理基板の平面度を検出する工程と、を備えたことを特徴とする請求項１１または１４に記載の基板処理方法。