Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】絶縁基板上に形成した窒化タンタル薄膜の上面に中間膜を介して電極膜を形成する窒化タンタル薄膜抵抗体において、前記中間膜と電極膜との合成抵抗温度係数を第１の抵抗温度係数とし、前記薄膜抵抗体の抵抗温度係数を第２の抵抗体温度係数とした時、前記第１と第２の温度係数の和をほぼ０ｐｐｍ／℃としたことを特徴とする窒化タンタル薄膜抵抗体。    【請求項２】前記中間膜の材質はＴｉ、電極膜の材質はＡｕであり、さらに前記絶縁基板の材質はＡｌＮである事を特徴とする請求項１記載の窒化タンタル薄膜抵抗体。    【請求項３】前記第１と第２の温度係数の和を−１０ｐｐｍ／℃から０ｐｐｍ／℃としたことを特徴とする請求項１記載の窒化タンタル薄膜抵抗体。    【請求項４】  絶縁基板上に形成した窒化タンタル薄膜の上面に中間膜を介して電極膜を形成する窒化タンタル薄膜抵抗体の製造方法において、あらかじめ電送線路モデルを使用して前記中間膜と電極膜の合成抵抗温度係数である第１の抵抗温度係数を求める工程と、前記絶縁基板の片面全面に窒素雰囲気でのＲＦ反応性スパッタ法により窒化タンタル薄膜を形成し、この時の窒素分圧比を１０〜２０％とする工程と、フォトレジスト法とＤＣスパッタ法の組合せにより所望の中間膜パターン及び電極膜パターンとを形成する工程を有する事を特徴とする窒化タンタル薄膜抵抗体の製造方法。    【請求項５】  前記中間膜の材質はＴｉ、電極膜の材質はＡｕであり、さらに前記絶縁基板の材質はＡｌＮである事をを特徴とする請求項３又は請求項４記載の窒化タンタル薄膜抵抗体の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】  図１５は本発明の薄膜抵抗体の製造方法を示す。高精度薄膜抵抗を作製する場合、抵抗体自体はパターン精度で制御できるが、電極を搭載した場合の信頼性までは制御することが難しい。そこで、予め抵抗体と電極のＴＣＲをそれぞれ独立して評価し、それらを組み合わせた場合のトータル的なＴＣＲ設計を行うことで信頼性の高い抵抗器を作製する。そのサブ的なプロセスを以下に簡単に説明する。（ａ）フォトリソグラフィー（フォトレジスト法）とドライエッチング法及びリフトオフ法にてＴａＮｘ薄膜のＴＣＲ評価試料を作製し、ＴａＮｘ薄膜のＴＣＲ特性を算出する。（ｂ）電送線路モデル試料を上記（ａ）と同様な方法で作製し、電極のＴＣＲ特性を算出する。（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）で算出したＴＣＲから抵抗器とてのＴＣＲが最も小さくなる窒素分圧比を設計する。（ｄ）上記（ｃ）で得られた条件下で、実際の薄膜抵抗体を作製し、サブマウントに搭載する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2004342705.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜に加熱源としての光を照射することで前記半導体膜を熱処理する半導体製造方法であって、
半導体膜を形成した基板と加熱源とを、開口部、ガス注入口、およびガス保留部を備えた雰囲気調整部を間にして配置し、
前記加熱源からの光を、前記雰囲気調整部の前記開口部を通過させて前記基板上に形成された前記半導体膜に照射する際、前記ガス保留部内に前記ガス注入口から所定のガスを導入することで前記基板上の雰囲気を調整する
ことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
前記所定のガスが、不活性ガスである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項３】
前記所定のガスが、酸化性ガスである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項４】
基板上に形成された半導体膜に加熱源としての光を照射することで前記半導体膜を熱処理する半導体製造装置であって、
所定波長の光を発する加熱源と、
半導体膜が形成された基板を保持するステージと、
前記加熱源と前記ステージとの間に配置された雰囲気調整部とを有し、
前記雰囲気調整部は、前記加熱源から発せられた光を通過させる開口部と、所定のガスを導入するためのガス注入口と、前記ガス注入口と接続され、前記基板側に開口を有するガス保留部とを備え、
前記加熱源からの光を前記半導体膜に照射する際、前記ガス保留部内に前記ガス注入口から所定のガスを導入することで、前記基板上の雰囲気を調整できるようにした
ことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造方法では、半導体膜を形成した基板と加熱源とを、開口部、ガス注入口、およびガス保留部を備えた雰囲気調整部を間にして配置し、加熱源からの光を、雰囲気調整部の開口部を通過させて基板上に形成された半導体膜に照射する際、ガス保留部内にガス注入口から、不活性ガスや酸化性ガスなどの、所定のガスを導入することで基板上の雰囲気を調整するようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
装置構成としては、所定波長の光を発する加熱源と、半導体膜が形成された基板を保持するステージと、加熱源とステージとの間に配置された雰囲気調整部とを有するものとする。雰囲気調整部は、加熱源から発せられた光を通過させる開口部と、所定のガスを導入するためのガス注入口と、ガス注入口と接続され、基板側に開口を有するガス保留部とを備えたものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、加熱源からの光を半導体膜に照射する際、ガス保留部内にガス注入口から所定のガスを導入することで、基板上の雰囲気を調整できるようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このような仕組みを採ることで、加熱源としての光の波長を、基板上に製膜される半導体膜による吸収率が予め定められている所定値よりも高く、かつ、基板に対しての吸収率が予め定められている所定値よりも低くなるように設定することができる。つまり、熱処理対象の半導体膜とこの半導体膜が形成されているガラスや石英などの基板の双方の吸収率のバランスを採ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
双方の吸収率のバランスを如何様に採るかは、半導体膜に対する熱処理効率が高い一方で、その下地となる基板に対しては影響を与えないようなものであるものとするとよい。たとえば、加熱源としての光を発する発光源として、基板上に製膜された半導体膜による吸収率が２０％以上であって、かつ、基板に対しての吸収率が２０％以下となる波長範囲の光を発するものを使用するとよい。たとえば、ガラス基板とシリコンを半導体部材とする組合せにおいては、波長範囲を３５０ｎｍ以上で４８０ｎｍ以下とするとよい。こうすることで、基板にダメージを与えることなく、効率良く半導体膜に熱処理を施すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月4日(2006.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持する試料ステージと、
電子線を前記試料に照射する電子光学系と、
前記試料上に照射される電子線のビームスポットの形状を制御する手段と、
前記試料を負に帯電する手段とを有し、前記ビームスポット形状が非対称であることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、前記非対称なビームスポット形状は、円形状の対称部と、該対称部以外の非対称部とからなることを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の検査装置において、前記ビームスポットの形状制御手段として、非対称な形状の絞り孔を有する絞りを備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項２に記載の検査装置において、
前記試料ステージを移動する手段とを有し、該試料ステージを移動する手段は、前記試料の所望の検査箇所に対して、前記ビームスポットの非対称部が前記対称部よりも先に検査箇所に照射されるように前記ステージを移動することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項２に記載の検査装置において、
前記円形状の対称部の中心に対し、前記非対称部とは逆側に前記試料ステージを移動する移動手段を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項６】
請求項４に記載の検査装置において、
前記電子光学系は、前記電子線を前記試料上に走査させる手段を有し、
該走査させる手段は、前記ステージの移動方向とは垂直な方向に前記電子線を走査することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
試料を保持する試料ステージと、電子線源と、該電子線源により発生した電子線を前記試料上に集束する対物レンズと、前記試料近傍の電位勾配を制御する手段と、前記電子線の前記試料への照射により生成された二次電子を検出する二次電子検出器とを有し、
前記電位勾配を制御する手段により、前記制御電極と前記アース電極間の電界強度Ｅ1、制御電極とウエハ間の電界強度Ｅ2としたとき、制御電極とウエハ間距離にＥ1に対するＥ2の比を乗じたものが1.0mm以下の条件となる電極構成を特徴とする検査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の検査装置において、前記電位勾配を制御する手段として、前記電子線が通過する通過孔を備えた制御電極と、該制御電極上に設置されかつ前記電子線が通過する通過孔を備えたアース電極とを有し、
前記制御電極の通過孔の大きさは前記アース電極の通過孔の大きさよりも大きいことを特徴とする検査装置。
【請求項９】
請求項７に記載の検査装置において、前記制御手段により形成される所望の前記電位障壁を前記ウェハ上1mm以下の高さとなるよう前記制御手段の電圧および前記ウエハの印加電圧を調整したことを特徴とする検査装置。
【請求項１０】
電子線を発生し、
該発生した電子線のビームスポット形状を、円形状の対称部と該対称部以外の非対称部とを備える形状に調整し、
該ビームスポット形状を調整された電子線を試料の所望の位置に集束し、
前記非対称部が対称部よりも先に被検査箇所に照射されるように前記電子線を試料上で相対移動し、
前記試料から発生する二次電子を検出することを特徴とする検査方法。
【請求項１１】
電子線を発生し、
該電子線を試料上に照射し、
前記電子線照射による二次電子に対する電位障壁を、前記試料上1mm以下の高さに形成し、
前記電子線を試料上に走査し、
該走査による二次電子を検出することを特徴とする検査方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の検査方法において、前記試料を負に帯電することを特徴とする検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部が設けられた絶縁膜上に、前記開口部を充填した配線を形成する配線の作製方法であって、
前記開口部上に、導電体を含む組成物を吐出して、前記開口部を充填する第１の導電層を形成し、
前記絶縁膜及び前記第１の導電層上に、スパッタリング法、蒸着法又は液滴吐出法により、前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項２】
開口部が設けられた絶縁膜上に、前記開口部を充填した配線を形成する配線の作製方法であって、
前記絶縁膜上に、スパッタリング法、蒸着法又は液滴吐出法により、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、導電体を含む組成物を吐出して、前記開口部を充填し、かつ前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項３】
開口部が設けられた絶縁膜上に、前記開口部を充填した配線を形成する配線の作製方法であって、
前記絶縁膜上に、スパッタリング法、蒸着法又は液滴吐出法により、第１の導電層を形成し、
前記開口部上に、導電体を含む組成物を選択的に吐出して、前記開口部を充填し、かつ前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に、感光剤を含む組成物を選択的に吐出してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングし、
前記レジストパターンを除去することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成し、
フォトマスクを用いて前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記光を照射した前記レジストパターンを現像液で現像処理し、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングし、
前記レジストパターンを除去することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、減圧下で形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記組成物は、前記導電体を溶媒に溶解又は分散させたものであることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記導電体は、銀又は金であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項９】
請求項４又は請求項５において、
前記感光剤を含む組成物は、前記感光剤を溶媒に溶解又は分散させたものであることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１０】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部上に、導電体を含む組成物を吐出して、前記開口部を充填する第１の導電層を形成し、
前記絶縁膜及び前記第１の導電層上に、スパッタリング法、蒸着法又は液滴吐出法により、前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングして、前記開口部を充填したゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に開口部を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、スパッタリング法、蒸着法又は液滴吐出法により、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、導電体を含む組成物を吐出して、前記開口部を充填し、かつ前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングして、前記開口部を充填したゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に開口部を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、スパッタリング法、蒸着法又は液滴吐出法により、第１の導電層を形成し、
前記開口部上に、導電体を含む組成物を選択的に吐出して、前記開口部を充填し、かつ前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングして、前記開口部を充填したゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に、感光剤を含む組成物を選択的に吐出してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングし、
前記レジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成し、
フォトマスクを用いて前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記光を照射した前記レジストパターンを現像液で現像処理し、
前記レジストパターンをマスクとして前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングし、
前記レジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、減圧下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記組成物は、前記導電体を溶媒に溶解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記導電体は、銀又は金であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１３又は請求項１４において、
前記感光剤を含む組成物は、前記感光剤を溶媒に溶解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
フィジカルセクターナンバ（ＰＳＮ：物理セクターナンバ）は、ディスク上の絶対位置情報として付与されている。
図示するように、例えばディスク内周側から外周側に掛けてフィジカルセクターナンバの値は増加されていく。ＤＶＤ＋Ｒの場合、ＰＳＮ＝２ＦＦＦＦｈ（ｈを付した数値は１６進表現）がリードインゾーンの終端とされ、ＰＳＮ＝３００００ｈからデータゾーンが開始される。
データゾーンは、基本的にはユーザーデータの書込が行われる領域であり、またリードインゾーンは、管理情報の書込が行われる。またリードアウトゾーンは例えば再生専用ディスクとの互換維持などの目的からダミーデータの書込が行われるが、管理情報の書込が行われる場合もある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
オポジットトラックパスの場合は図４に示される。オポジットトラックパスとされるディスクでは、レイヤ０の内周から始まりレイヤ０の終わりまで記録した後に、レイヤ１の外周から内周へ向かう記録順序となる。
図４（ａ）に示すように、オポジットトラックパスの場合、レイヤ０では内周側から外周側にかけてリードインエリア、データエリア、ミドルエリアが形成される。またレイヤ１では外周側から内周側にかけて、ミドルエリア、データエリア、リードアウトエリアが形成される。
そしてデータの記録はレイヤ０の内周のStart PSN(=30000h)から始まりレイヤ０のデータエリアの最終であるEnd PSN(0)まで記録される。その続きはレイヤ１のデータエリアの外周側（反転End PSN(0)）から内周側のEnd PSN(1)までという記録順序となる。
論理ブロックアドレスＬＢＡは、図４（ｂ）に示すように、レイヤ０の内周側から外周側まで連続に割り振られた後、レイヤ１では折り返すように外周側から内周側までという方向性で、順番に連続に割り振られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
２．ディスクドライブ装置
２−１  装置構成
上記のような２層ディスク（２層ＤＶＤ＋Ｒ等）に対応する本実施の形態のディスクドライブ装置を図７で説明する。
図７は本例のディスクドライブ装置の要部のブロック図である。
ディスク１は、図示しないターンテーブルに積載され、記録再生動作時においてスピンドルモータ２によって一定線速度（ＣＬＶ）もしくは一定角速度（ＣＡＶ）で回転駆動される。そしてピックアップ３によってディスク１にエンボスピット形態、色素変化ピット形態、或いは相変化ピット形態などで記録されているデータの読み出しが行なわれることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004342217.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004342217.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  当該オス部品が金属部品であることを特徴とする請求項１，２，３，５，６のいずれかに記載の結合部材。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上のように、ステッパモータとノズル手段２０は、機械のスピンドル軸３４に対する相対的な回転のためにチャック１２と同軸に取付けられたヨークアーム４８に保持されている。図２に示すように、本実施例では、ヨークは実質的にディスク型の部分５８を有しており、ヨークアーム４８はその部分５８と一体的に形成されて、機械軸３４に対して相対的に実質的に放射方向に延びている。環状部分５８の周縁部は、ギヤ部が形成され、あるいは加工されている。それは、この場合空気駆動モータである主発動機５４によって駆動されるギヤピニオン６０とかみ合わされている。モータ５４は、機械に対して相対的に固定されている固定ヨーク５６に保持されており、結果としてアース部材として機能する。例えば、モータ５４が（適切な趣旨で）動力を与えられると、ピニオン６０が、ヨーク５８およびヨークアーム４８を機械軸３４周りに回転させる、このことによる効果は、ノズル手段２０の照準点１９を研磨ホイール２の周縁周りに移動すること、図においては、実線のノズル２０で描かれた初期の照準点から、破線で描かれたノズルの位置２０に対応する第２照準点１９に移動すること、である。ノズル２０は、ヨーク５８の周縁において、ギヤ部によって対応する角度に対応する範囲内でどの位置にも配置され得る。すなわち、ノズル手段２０は、研磨ホイール周縁に冷却剤噴射を方向付けるべく所望の位置に配置され得る。ノズル２０ａ，２０ｂは、実質的に放射方向に、すなわち実質的に照準点における接続に対して垂直に、冷却剤の噴射を方向付けるように構成され配置されている。ノズル手段は、全体として、機械軸３４上を中心とした周方向に回転されるので、この放射状の関係が維持される。このようにして、研磨作業中、基本機械としての多軸機械の能力が利用され得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999254324.tif 000001
【図２】
1999254324.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷方法の一部として、印刷媒体シート上の帯状人工生成物の発生を防止するインクジェットプリンタヘッドのスワス高さ誤差調整値を校正する方法において、
各区域が異なる値の前記スワス高さ誤差調整値を使用して印刷された共通画像である重複しない複数の区域を有する試験プロットをインクジェットプリンタヘッドで媒体シート上に印刷するステップと、
媒体を見る人によって認識する前記共通画像の中で、前記帯状人工生成物が存在しないか、または最小量が存在するかを示す前記共通画像を有する複数の区域の一つの区域を示す入力を受け取るステップと、
設定する値は第１の値であり、前記示した区域に対応するスワス高さ誤差調整値を設定するステップと、
印刷作業のために選択した媒体形式を識別するステップと、
識別した前記媒体形式の上に印刷する場合に使用する第２のスワス高さ誤差調整値を決定するステップと、
前記第２のスワス高さ誤差調整値を使用して媒体シート上に印刷して実行するステップと、
異なる媒体形式にそれぞれ対応する値であり、前記スワス高さ誤差調整値の一組の代わりの値を予め設定するステップと、を備え、
前記第２のスワス高さ誤差調整値を決定するステップは、識別した前記媒体形式に基づいて前記一組の代わりの値を検出することを特徴とする校正する方法。
【請求項２】
プリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法において、
各区域が異なる値の前記改行誤差調整パラメータ値を使用して印刷された共通画像である重複しない複数の区域を有する試験プロットを媒体上に印刷するステップと、
媒体を見る人によって認識する一番良い印刷品質を有する前記複数の区域の一つの区域を示す入力を受け取るステップと、
前記示した区域に対応する値に前記改行誤差調整パラメータの値を設定するステップと、
前記プリンタのライフサイクルに対応して自動的に前記改行誤差調整パラメータ値を変更するステップと、を備えたことを特徴とするプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項３】
プリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法において、
前記プリンタのライフサイクルに関係する要素を設定し、蓄積し、改行誤差調整パラメータ値を自動的に変化させるために前記要素を使用することによって、前記プリンタのライフサイクルに対応して自動的に改行誤差調整パラメータ値を変更するステップと、
前記プリンタのライフサイクルの規定値に関連して前記要素を周期的に更新するステップと、
前記プリンタの前記ライフサイクル間に前記値を検出するステップと、を備えることを特徴とするプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項４】
前記値は、前記プリンタによって印刷した枚数に関連することを特徴とする請求項３に記載のプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項５】
前記値は、前記プリンタによって印刷するページが横切る距離に関連することを特徴とする請求項３に記載のプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項６】
前記値は、前記プリンタの前記ライフサイクル間の経過時間に関連することを特徴とする請求項３に記載のプリンタの改行誤差調整パラメータを決定する方法。
【請求項７】
前記値は、前記プリンタを通る媒体のページを送る駆動ローラの回転した数に関連することを特徴とする請求項３に記載のプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項８】
プリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法において、
前記プリンタのライフサイクルに関係する要素を設定し、蓄積し、改行誤差調整パラメータ値を自動的に変化させるために前記要素を使用することによって、前記プリンタのライフサイクルに対応して自動的に改行誤差調整パラメータ値を変更するステップを備え、
前記要素は、前記プリンタが製造された時に蓄積することを特徴とするプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項９】
プリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法において、
前記プリンタのライフサイクルに関係する要素を設定し、蓄積し、改行誤差調整パラメータ値を自動的に変化させるために前記要素を使用することによって、前記プリンタのライフサイクルに対応して自動的に改行誤差調整パラメータ値を変更するステップを備え、
前記要素は、前記プリンタが開発される間に設定することを特徴とするプリンタの改行誤差調整パラメータ値を決定する方法。
【請求項１０】
前記ライフサイクルは、前記プリンタのローラの摩耗に関連することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
プリンタの改行誤差調整パラメータ値を更新する方法において、
前記プリンタのライフサイクルに関係する要素を経験的に取得し、
前記プリンタで前記要素を結合し、
前記要素を自動的に、周期的に更新し、
前記値を変更するために前記要素を用いることを特徴とする更新方法。
【請求項１２】
前記プリンタは、駆動ローラを備え、
前記プリンタのライフサイクルの値は、前記プリンタのライフサイクル間の前記駆動ローラの変化に基づくことを特徴とする請求項１１に記載の更新方法。
【請求項１３】
前記プリンタのライフサイクルの間の前記駆動ローラの変化を検出するステップを有することを特徴とする請求項１２に記載の更新方法。
【請求項１４】
前記駆動ローラの変化は、前記プリンタのプリント量に関連することを特徴とする請求項１３に記載の更新方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置の画素の現像を制御する方法において、
前記画素を全て現像することに対応する時間枠で、少なくとも２回信号をパルスさせることによって前記画素を分割現像するステップを備え、
前記少なくとも２回のパルス信号は、前記時間枠の中で前記画素の少なくとも２つの副サイズの部分の現像を実行し、
少なくとも２回のパルス信号の内の第１のパルスは、前記時間枠の最初から始まり、少なくとも２回のパルス信号の内の第２のパルスは、前記時間枠の最後に終わることを特徴とする制御方法。
【請求項２】
前記画像形成装置は、その上に潜像を形成する感光体（ＯＰＣ）を備え、
前記画素の分割現像は、前記ＯＰＣの露光を含み、
前記画素の少なくとも２つの直接隣接しない区域を前記少なくとも２回のパルス信号に対応して放電させ、少なくとも２つの直接隣接しない区域でトナーを堆積させることを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記画素は媒体の上のスポットに対応し、
前記画素の分割現像は前記少なくとも２回のパルス信号に対応して前記スポットの少なくとも２つの直接隣接しない区域で前記媒体上にインクを堆積させることによって前記スポットを分割現像することを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項４】
前記分割現像は、
（ａ）少なくとも２つのパルス信号に対応して前記画素の第１の部分を現像するステップと、
（ｂ）少なくとも２つのパルス信号に対応して前記画素の第１の部分と直接隣接しない前記画素の第２の部分を少なくとも現像するステップと、を備えることを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項５】
前記画素は、任意の数の利用可能なクロック信号により規定され、
前記画素の第１の部分の現像は、前記任意の数のクロック信号のうちのクロック信号の第１の部分集合により規定される第１の時間枠の期間の現像であり、
前記画素の第２の部分の現像は、前記任意の数のクロック信号のうちのクロック信号の第２の部分集合により規定される第２の時間枠の期間の現像であり、
前記クロック信号の第１および第２の部分集合は、互いに不連続であり、前記任意の数のクロック信号の中に制限されていることを特徴とする請求項４に記載の制御方法。
【請求項６】
前記画像形成装置は、電子写真式プリンタ、インクジェット・プリンタ、ファクシミリ装置、またはディジタル複写機から選定されていることを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項７】
画素形成装置において、
前記画像形成装置で全ての画素を分割現像する分割現像装置を備え、
前記分割現象装置は、前記画素を全て現像することに対応する時間枠で、少なくとも２回信号をパルスさせる信号発信装置を有し、
前記少なくとも２回のパルス信号は、前記時間枠の中で前記画素の少なくとも２つの副サイズの部分の現像を実行し、
少なくとも２回のパルス信号の第１のパルスは、前記時間枠の最初から始まり、少なくとも２回のパルス信号の第２のパルスは、時間枠の最後に終わることを特徴とする画素形成装置。
【請求項８】
前記信号発信装置は、少なくとも２回信号をパルスさせ、前記パルスは前記時間枠の中で、互いに直接隣接しないことを特徴とする請求項７に記載の画素形成装置。
【請求項９】
前記画像形成装置は、電子写真式プリンタ、インクジェット・プリンタ、ファクシミリ装置、またはディジタル複写機から選定されていることを特徴とする請求項７に記載の画素形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図４は、取り付けられたＬａｖａシール５０を示し、このシールにおいては、ハウジングが封密状態で取り付けられることができるように、該ハウジングは側面６４をカットすることにより修正されなければならなかった。
【特許文献１】米国特許第４６９３５３８号
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被検部に光を照射するための光源と、該被検部上で光を走査するための走査部と、該走査部からの光を前記被検部上に集光する集光光学系と、前記被検部からの戻り光を検出するための光検出部を具備した共焦点光学装置において、前記光走査部は微小な開口部を有する反射面を備え、前記集光光学系は前記光走査部からの光を反射する反射面と少なくとも1つの負の屈折力を有する面とを備えていることを特徴とする共焦点光学装置。
【請求項２】  前記走査部において、前記反射面は前記被検部と共役な位置あるいはその近傍に配置されており、前記開口部の大きさは回折限界程度あるいはそれよりも小さく設定されていることを特徴とする請求項１に記載の共焦点光学装置。
【請求項３】  前記反射面のうち少なくとも１面は１次元走査可能な走査ミラーから成る請求項２に記載の共焦点光学装置。
【請求項４】  前記反射面のうち何れか１面は光源からの光を互いに直交する方向に２次走査可能な走査ミラーから成っている請求項２に記載の共焦点光学装置。
【請求項５】  前記反射面のうち何れか１面は凸面ミラーであることを特徴とする請求項２に記載の共焦点光学装置。
【請求項６】  前記凸面ミラーは前記集光光学系のレンズ面に形成された反射膜であることを特徴とする請求項２に記載の共焦点光学装置。
【請求項７】  光源から光走査部へ光を伝送する手段として、光ファイバーを用いたことを特徴とする請求項１に記載の共焦点光学装置。
【請求項８】  前記光ファイバーがシングルモードファイバーから成る請求項７に記載の共焦点光学装置。
【請求項９】  前記シングルモードファイバーの端面が前記開口を有するミラーの近傍に位置せしめられて共焦点ピンホールとなるようにしたことを特徴とする請求項８に記載の共焦点光学装置。
【請求項１０】  前記光ファイバーがマルチモードファイバーから成る請求項２に記載の共焦点光学装置。
【請求項１１】  前記集光光学系の前記被検部から第１番目のレンズ面は無パワーか負パワーを有している請求項１に記載の共焦点光学装置。
【請求項１２】  前記光検出部は、光源から被検部に照射される照明光と、該照明光で前記被検部を照明した時に該被検部から発生する蛍光とを分離する波長分離素子と、前記照明光と前記蛍光を検出する光学素子を有していることを特徴とする請求項１に記載の共焦点光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明による共焦点光学装置は、被検部に光を照射するための光源と、該被検部上で光を走査するための走査部と、該走査部からの光を前記被検部上に集光する集光光学系と、前記被検部からの戻り光を検出するための光検出部を具備した共焦点光学装置において、前記光走査部は微小な開口部を有する反射面を備え、前記集光光学系は前記光走査部からの光を反射する反射面と少なくとも1つの負の屈折力を有する面とを備えていることを特徴としている。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記走査部において、前記反射面が前記被検部と共役な位置あるいはその近傍に配置されており、前記開口部の大きさは回折限界程度あるいはそれよりも小さく設定されていることを特徴としている。これにより、開口に共焦点ピンホールとしての作用を持たせることができ、分解能，Ｓ／Ｎに適したピンホールの設定と、組立て性向上を図ることができる。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記反射面のうち少なくとも１面が１次元走査可能な走査ミラーから成ることを特徴としている。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記反射面のうち何れか１面が光源からの光を互いに直交する方向に２次走査可能な走査ミラーから成っていることを特徴としている。これにより、部品点数の削減と光学系の細径化が可能となる。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記反射面のうち何れか１面が凸面ミラーであることを特徴としている。これにより、走査ミラーからの反射光の反射面位置での光束を大きく確保することができ、良好なＳ／Ｎを確保することができる。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記凸面ミラーが前記集光光学系のレンズ面に形成された反射膜であることを特徴としている。これにより、フレア等が抑えられ、且つ光学系をシンプルにすることができる。
また、本発明による共焦点光学装置は、光源から光走査部へ光を伝送する手段として、光ファイバーを用いたことを特徴としている。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記光ファイバーがシングルモードファイバーから成ることを特徴としている。これにより、最も簡単な構成の共焦点光学系を実現することができる。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記シングルモードファイバーの端面が前記開口を有するミラーの近傍に位置せしめられて共焦点ピンホールとなるようにしたことを特徴としている。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記光ファイバーがマルチモードファイバーから成ることを特徴としている。これにより、共焦点光学系の効率アップを図ることができる。
また、本発明による共焦点光学装置は、前記集光光学系の前記被検部から第１番目のレンズ面が無パワーか負パワーを有していることを特徴としている。
更に、本発明による共焦点光学装置は、前記光検出部が、光源から被検部に照射される照明光と、該照明光で前記被検部を照明した時に該被検部から発生する蛍光とを分離する波長分離素子と、前記照明光と前記蛍光を検出する光学素子を有していることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の対物レンズを保持するレボルバと、
前記対物レンズを介して得られる観察像を観察する観察光学系と、
前記観察光学系の光路中に配置可能であり、前記観察像を拡大する変倍系と、
前記観察光学系の光路中に配置された前記対物レンズを検出する対物レンズ検出手段と、
前記対物レンズを切り換える切換手段とを備えた顕微鏡装置において、
前記切換手段から前記対物レンズを最大倍率に切り換える切換信号を入力したとき、前記対物レンズ検出手段からの検知信号を参照して前記変倍系を前記観察光学系中に配置する制御手段を備えていることを特徴とする顕微鏡装置。
【請求項２】  前記対物レンズ検出手段は前記レボルバの位置情報に基づいて前記観察光学系の光路中に配置された前記対物レンズを検知することを特徴とする請求項１に記載の顕微鏡装置。
【請求項３】  可視光用対物レンズと紫外光用対物レンズとを保持するレボルバと、
前記対物レンズを介して得られる観察像を観察する観察光学系と、
前記観察光学系の光路中に配置可能であり、前記観察像を拡大する変倍系と、
前記観察光学系の光路中に配置された前記対物レンズを検出する対物レンズ検出手段と、
前記対物レンズを切り換える切換手段とを備えた顕微鏡装置において、
前記切換手段から前記紫外光用対物レンズの最大倍率に切り換える切換信号を入力したとき、前記対物レンズ検出手段からの検知信号を参照して前記変倍系を前記観察光学系中に配置する制御手段を備えていることを特徴とする顕微鏡装置。
【請求項４】  前記対物レンズ検出手段は前記レボルバの位置情報に基づいて前記観察光学系の光路中に配置された前記対物レンズを検知することを特徴とする請求項３に記載の顕微鏡装置。
【請求項５】  複数の対物レンズを保持するレボルバと、
前記対物レンズを介して得られる観察像を観察する観察光学系と、
前記観察光学系の光路中に配置可能であり、前記観察像を拡大する変倍系と、
前記観察光学系の光路中に配置された前記対物レンズを検出する対物レンズ検出手段と、
前記対物レンズを切り換える切換手段とを備えた顕微鏡装置において、
前記対物レンズ検出手段が所定の前記対物レンズを検出した際に、前記観察光学系中において前記変倍系を変倍制御する制御手段を備えていることを特徴とする顕微鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
レボルバの位置に対応させて対物レンズを予め登録しておくことによって観察光学系に配置された可視光用対物レンズと紫外光用対物レンズとを検知することができる。
請求項５に記載の発明は、複数の対物レンズを保持するレボルバと、前記対物レンズを介して得られる観察像を観察する観察光学系と、前記観察光学系の光路中に配置可能であり、前記観察像を拡大する変倍系と、前記観察光学系の光路中に配置された前記対物レンズを検出する対物レンズ検出手段と、前記対物レンズを切り換える切換手段とを備えた顕微鏡装置において、前記対物レンズ検出手段が所定の前記対物レンズを検出した際に、前記観察光学系中において前記変倍系を変倍制御する制御手段を備えていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正の屈折力を有する第１のレンズ群（ＬＧ１）と、
負の屈折力を有する第２のレンズ群（ＬＧ２）と、
正の屈折力を有する第３のレンズ群（ＬＧ３）と、
負の屈折力を有する第４のレンズ群（ＬＧ４）と、
正の屈折力を有する第５のレンズ群（ＬＧ５）とから構成されるレンズ構造を有するマイクロリソグラフィ用投影対物レンズにおいて、
像側開口数は０．６５より大きく、光学系絞り（ＡＳ）は第５のレンズ群（ＬＧ５）に位置し且つ第５のレンズ群（ＬＧ５）の少なくとも２つのレンズは光学系絞り（ＡＳ）の前方に位置していることを特徴とするマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項２】  正の屈折力を有する第１のレンズ群（ＬＧ１）と、負の屈折力を有する第２のレンズ群（ＬＧ２）と、正の屈折力を有する第３のレンズ群（ＬＧ３）と、負の屈折力を有する第４のレンズ群（ＬＧ４）と、正の屈折力を有する第５のレンズ群（ＬＧ５）とから構成されるレンズ構造を有するマイクロリソグラフィ用投影対物レンズにおいて、光学系絞りは第５のレンズ群（ＬＧ５）に位置し、第５のレンズ群（ＬＧ５）の少なくとも２つのレンズ（Ｌ１８，Ｌ１９，Ｌ２０，Ｌ２１）は光学系絞り（ＡＳ）の前方に位置し、且つ第５のレンズ群（ＬＧ５）は少なくとも１３個のレンズ（Ｌ１８〜Ｌ３１）を有することを特徴とするマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項３】  光学系絞り（ＡＳ）は２つの収束レンズ（Ｌ２１，Ｌ２２）の間に配置され、且つ像側に少なくとも１つの収束レンズ（Ｌ２３）がすぐ続いていることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項４】  第５のレンズ群（ＬＧ５）の第１のレンズ（Ｌ１８）は屈折力の弱い、厚い物体側が凹面のメニスカスレンズであることを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項５】  光学系絞り（ＡＳ）の後に物体側が凹面のレンズ（２２５，３２５）が続いていることを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項６】  物体側が凹面のレンズ（３２５）は厚いメニスカスレンズであることを特徴とする請求項５記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項７】  物体側が凹面のレンズ（２２５）の後に細い空隙を挟んで収束レンズ（２２６）が続くことを特徴とする請求項５記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項８】  光学系絞り（ＡＳ）の後に、細い空隙により互いに離間されている物体側が凹面の一対のレンズ（Ｌ２４，Ｌ２６）が続くことを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項９】  空隙は物体側が凹面であることを特徴とする請求項８記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１０】  開口数の７０％まで遮光したとき、歪みは１０nm以下のままであることを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１１】  光束のふくらみ部分（Ｂ１）を形成する正の屈折力を有する第１のレンズ群（ＬＧ１）と、
光束のくびれ部分（Ｔ１）を形成する負の屈折力を有する第２のレンズ群（ＬＧ２）と、
光束の第２のふくらみ部分（Ｂ２）を形成する正の屈折力を有する第３のレンズ群（ＬＧ３）と、
光束の第２のくびれ部分（Ｔ２）を形成する負の屈折力を有する第４のレンズ群（ＬＧ４）と、
光束の第３のふくらみ部分（Ｂ３）を形成する正の屈折力を有する第５のレンズ群（ＬＧ５）とから構成されるレンズ構造を有するマイクロリソグラフィ用投影対物レンズにおいて、
光学系絞り（ＡＳ）は第５のレンズ群（ＬＧ５）、特に、光束が最大の直径となるレンズ（Ｌ２２）及びそれに隣接する２つのレンズ（Ｌ２１，Ｌ２３）の領域に配置されていることを特徴とするマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１２】  光学系絞り（ＡＳ）は第５のレンズ群（ＬＧ５）の２つの収束レンズ（Ｌ２１，Ｌ２２）の間に配置されていることを特徴とする請求項１、２または１１に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１３】  第２のレンズ群（ＬＧ２）は少なくとも２つの負レンズ（２０６，２０８〜２１０）と、１つの正レンズ（２０７）とを含むことを特徴とする請求項１、２または１１に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１４】  第１のレンズ（２０１）は物体側が凹形であることを特徴とする請求項１、２または１１に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１５】  第４のレンズ群（ＬＧ４）の領域の第２のくびれ部分（Ｔ２）の周囲に、３つの負レンズ（Ｌ１５〜Ｌ１７）が配置されていることを特徴とする請求項１１項に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１６】  最後の物体側レンズ（Ｌ３１）の前の全てのレンズにおける縁部ビームのｉ角の正弦（ｓｉｎｉrand）は物体側開口数（ＮＡ）より小さい（ｓｉｎｉrand＜ＮＡ）ことを特徴とする請求項１、２または１１に記載のマイクロリソグラフィ用投影対物レンズ。
【請求項１７】  光源（１）であるＤＵＶエキシマーレーザーと、
照明光学系（Ｂ）と、
マスク保持／調整装置（７，７１）と、
請求項１から１６の少なくとも１項に記載の投影対物レンズ（Ｐ）と、
物体保持／調整装置（９，９１）とを具備するマイクロリソグラフィの投影露光装置。
【請求項１８】  照明光学系（Ｂ）は様々な照明モード、すなわち様々なコヒーレンスレベルで照明し且つ投影対物レンズ（Ｐ）は様々な照明モードに対して１０nm以下、好ましくは６nm以下の歪みを保持することを特徴とする請求項１６記載の投影露光装置。
【請求項１９】  請求項１７及び９の特徴を有する投影露光装置により複数のマイクロリソグラフィ用露光を使用して微細構造素子を製造する方法において、様々な露光に際して様々な照明モード及び／又は開口数が設定される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レンズ系の光軸上前方に装着し、レンズ系全体の焦点距離を変化させるコンバーターレンズであって、正の第１レンズと負の第２レンズの２枚のレンズと、少なくとも１つの回折光学素子面を有し、該第１レンズと第２レンズの焦点距離を各々ｆ１，ｆ２とするとき、
１．２５＜｜ｆ１／ｆ２｜＜２．５
なる条件を満足することを特徴とするコンバーターレンズ。
【請求項２】  前記回折光学素子面は光軸に対して回転対称な形状を有することを特徴とする請求項１記載のコンバーターレンズ。
【請求項３】  前記回折光学素子面は正の屈折力を有することを特徴とする請求項１又は２記載のコンバーターレンズ。
【請求項４】  前記回折光学素子面は前記正の第１レンズに設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載のコンバーターレンズ。
【請求項５】  前記回折光学素子面は負の第２レンズに設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載のコンバーターレンズ。
【請求項６】  前記回折光学素子面は１層あるいは互いに分散の異なる材質よりなる２層以上の構成より成っていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項のコンバーターレンズ。
【請求項７】  レンズ系の光軸上前方に装着し、レンズ系全体の焦点距離を変化させるコンバーターレンズであって、前記光軸上前方側から順に、正の第１レンズと負の第２レンズの２枚のレンズから成っており、該コンバーターレンズは回折光学素子面を１面のみ有しており、該第１レンズと第２レンズの焦点距離を各々ｆ１，ｆ２とするとき、
１．２５＜｜ｆ１／ｆ２｜＜２．５
なる条件を満足することを特徴とするコンバーターレンズ。
【請求項８】  前記１面の回折光学素子面は、前記第１レンズの後方側の面に設けられていることを特徴とする請求項７記載のコンバーターレンズ。
【請求項９】  請求項１乃至８いずれかに記載のコンバーターレンズを有することを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明のコンバーターレンズは、レンズ系の光軸上前方に装着し、レンズ系全体の焦点距離を変化させるコンバーターレンズであって、正の第１レンズと負の第２レンズの２枚のレンズと、少なくとも１つの回折光学素子面を有し、該第１レンズと第２レンズの焦点距離を各々ｆ１，ｆ２とするとき、
１．２５＜｜ｆ１／ｆ２｜＜２．５
なる条件を満足することを特徴としている。
請求項２の発明は請求項１の発明において、前記回折光学素子面は光軸に対して回転対称な形状を有することを特徴としている。
請求項３の発明は請求項１又は２の発明において、前記回折光学素子面は正の屈折力を有することを特徴としている。
請求項４の発明は請求項１又は２の発明において、前記回折光学素子面は前記正の第１レンズに設けられていることを特徴としている。
請求項５の発明は請求項１又は２の発明において、前記回折光学素子面は負の第２レンズに設けられていることを特徴としている。
請求項６の発明は請求項１から５のいずれか１項の発明において、前記回折光学素子面は１層あるいは互いに分散の異なる材質よりなる２層以上の構成より成っていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項７の発明のコンバーターレンズは、レンズ系の光軸上前方に装着し、レンズ系全体の焦点距離を変化させるコンバーターレンズであって、前記光軸上前方側から順に、正の第１レンズと負の第２レンズの２枚のレンズから成っており、該コンバーターレンズは回折光学素子面を１面のみ有しており、該第１レンズと第２レンズの焦点距離を各々ｆ１，ｆ２とするとき、
１．２５＜｜ｆ１／ｆ２｜＜２．５
なる条件を満足することを特徴としている。
請求項８の発明は請求項７の発明において、前記１面の回折光学素子面は、前記第１レンズの後方側の面に設けられていることを特徴としている。
請求項９の発明のカメラは、請求項１乃至８いずれかに記載のコンバーターレンズを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を走査駆動信号により走査する光スキャナ機能と前記光スキャナ機能から体腔内の観察対象に照射された光の前記観察対象からの戻り光を受光する受光機能とを有する先端部と、
前記戻り光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記変換された電気信号を前記走査駆動信号と同期して書き込み記憶する画像メモリと、
前記画像メモリを読み出して処理する演算部と、
を備えたことを特徴とする共焦点光走査装置。
【請求項２】
体腔内を観察可能な内視鏡を備え、
前記先端部は、前記内視鏡に設けられた鉗子チャンネルに挿入され、
前記先端部の少なくとも一部が前記内視鏡の視野範囲内に配置されることを特徴とする請求項1に記載の共焦点光走査装置。
【請求項３】
通常観察用の撮像素子を有する挿入部と、前記挿入部の先端から突出した突起部と、を備える内視鏡と、
前記突起部に設けられ、光源からの光を走査駆動信号により走査する光スキャナ機能と前記光スキャナ機能から体腔内の観察対象に照射された光の前記観察対象からの戻り光を受光する受光機能とを有する光学ユニットと、
前記戻り光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記変換された電気信号を前記走査駆動信号と同期して書き込み記憶する画像メモリと、
前記画像メモリを読み出して処理する演算部と、
を備えたことを特徴とする共焦点光走査装置。
【請求項４】
前記先端部は、前記内視鏡の視野範囲内に識別表示を有することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれか一つに記載の共焦点光走査装置。
【請求項５】
前記識別表示は、前記先端部の先端側面に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の共焦点光走査装置。
【請求項６】
前記識別表示は、前記先端部の先端面に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の共焦点光走査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の共焦点光走査装置は、光源からの光を走査駆動信号により走査する光スキャナ機能と前記光スキャナ機能から体腔内の観察対象に照射された光の前記観察対象からの戻り光を受光する受光機能とを有する先端部と、前記戻り光を電気信号に変換する光電変換部と、前記変換された電気信号を前記走査駆動信号と同期して書き込み記憶する画像メモリと、前記画像メモリを読み出して処理する演算部と、を備えて構成される。
請求項３に記載の共焦点光走査装置は、通常観察用の撮像素子を有する挿入部と、前記挿入部の先端から突出した突起部と、を備える内視鏡と、前記突起部に設けられ、光源からの光を走査駆動信号により走査する光スキャナ機能と前記光スキャナ機能から体腔内の観察対象に照射された光の前記観察対象からの戻り光を受光する受光機能とを有する光学ユニットと、前記戻り光を電気信号に変換する光電変換部と、前記変換された電気信号を前記走査駆動信号と同期して書き込み記憶する画像メモリと、前記画像メモリを読み出して処理する演算部と、を備えて構成される。