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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学要素を有する可動部の位置及び／又は傾きを、前記可動部に非接触のままで測定する第１の測定手段と、前記第１の測定手段の測定結果に基づいて、固定部に対して非接触のままで前記可動部を相対的に６軸方向に駆動可能な駆動手段とを有することを特徴とする駆動機構。
【請求項２】  前記駆動手段が、少なくとも６組の独立に制御可能な微動機構を有することを特徴とする請求項１記載の駆動機構。
【請求項３】  前記駆動手段が、前記固定部と前記可動部のいずれか一方に第１の磁性体ブロックを、他方にコイルを有していることを特徴とする請求項１又は２記載の駆動機構。
【請求項４】  前記駆動手段が、前記可動部に第１の磁性体ブロックを、前記固定部にコイルを有していることを特徴とする請求項３記載の駆動機構。
【請求項５】  前記駆動手段が、前記固定部と前記可動部のいずれか一方に第１の磁性体ブロックを、他方に電磁石を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の駆動機構。
【請求項６】  前記駆動手段が、前記可動部に第１の磁性体ブロックを、前記固定部に電磁石を有していることを特徴とする請求項５記載の駆動機構。
【請求項７】  前記第１の磁性体ブロックが永久磁石であることを特徴とする請求項３乃至６いずれかに記載の駆動機構。
【請求項８】  前記第１の測定手段は、レーザ干渉計、エンコーダ、渦電流式センサ、静電容量センサのうち少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の駆動機構。
【請求項９】  前記可動部に対して、反重力方向に力を付加する支持手段を有することを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の駆動機構。
【請求項１０】  前記支持手段が、前記可動部に非接触のまま、前記可動部に力を付与することを特徴とする請求項９記載の駆動機構。
【請求項１１】  前記支持手段が、前記固定部と前記可動部とを連結する弾性部材を有することを特徴とする請求項９記載の駆動機構。
【請求項１２】  前記支持手段は、前記可動部の重力と実質的に同じ力を、前記可動部に対して反重力方向に付与していることを特徴とする請求項９乃至１１いずれかに記載の駆動機構。
【請求項１３】  前記固定部と前記可動部との間に、ベローズ、反発磁石、吸引磁石、ばねのいずれかを有することを特徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の駆動機構。
【請求項１４】  前記第１の測定手段が、前記固定部に対して固定されていることを特徴とする請求項１乃至１３いずれかに記載の駆動機構。
【請求項１５】  前記可動部は前記光学要素であり、該光学要素が前記第１の測定手段に用いるターゲットを有することを特徴とする請求項１乃至１４いずれかに記載の駆動機構。
【請求項１６】  前記光学要素が反射部材であることを特徴とする請求項１乃至１５いずれかに記載の駆動機構。
【請求項１７】  請求項１乃至１６いずれかに記載の駆動機構を有し、該駆動機構で前記光学要素を駆動することを特徴とする露光装置。
【請求項１８】  前記光学要素を含み、光源から発した光をマスクに導き、該マスクを介した光を被露光体に導く光学系と、該光学系及び前記固定部を支持する構造体フレームと、前記構造体に対する前記固定部の位置及び／又は傾きを測定する第２の測定手段とを有しており、前記駆動手段が、前記第１の測定手段及び前記第２の測定手段の測定結果に基づいて、前記光学要素を駆動することを特徴とする請求項１７記載の露光装置。
【請求項１９】  前記構造体フレームとは別体の基準構造体に対する前記構造体フレームの位置及び／又は傾きを測定する第３の手段を有しており、前記駆動手段が、前記第１の測定手段及び前記第２の測定手段及び前記第３の測定手段の測定結果に基づいて、前記光学要素を駆動することを特徴とする請求項１８記載の露光装置。
【請求項２０】  前記光学要素を含み、光源から発した光をマスクに導き、該マスクを介した光を被露光体に導く光学系と、該光学系及び前記固定部を支持する構造体フレームと、前記構造体フレームとは別体の基準構造体に対する前記固定部の位置及び／又は傾きを測定する第４の測定手段とを有しており、前記駆動手段が、前記第１の測定手段及び前記第４の測定手段の測定結果に基づいて、前記光学要素を駆動することを特徴とする請求項１７記載の露光装置。
【請求項２１】  前記光学系の波面収差を測定する波面収差計測手段を有し、該波面収差計測手段により、前記測定手段の校正を行うことを特徴とする請求項１７乃至２０いずれかに記載の露光装置。
【請求項２２】  前記光学系の内部が真空であることを特徴とする請求項１７乃至２１いずれかに記載の露光装置。
【請求項２３】  前記光学系を通る光が、ＥＵＶ光であることを特徴とする請求項１７乃至２２いずれかに記載の露光装置。
【請求項２４】  前記光学要素と前記駆動手段の両者を輻射により冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項１７乃至２３いずれかに記載の露光装置。
【請求項２５】  請求項１７乃至２４いずれかに記載の露光装置を用いて被露光体を露光する露光工程と、露光された前記被露光体を現像する現像工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部空間に少なくとも１つの光学素子を有し、光源からの光を導光する光学系であって、
前記少なくとも１つの光学素子の表面形状を測定する測定系と、
前記測定系の測定結果に基づいて、前記少なくとも１つの光学素子の温度制御を行う温度制御部とを有することを特徴とする光学系。
【請求項２】  前記温度制御部は、前記少なくとも１つの光学素子の表面側に配置された第１温度制御部と、前記少なくとも１つの光学素子の裏面側に配置された第２温度制御部とを有していることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項３】  前記温度制御部は、前記少なくとも１つの光学素子に曲げ応力を発生させることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学系。
【請求項４】  前記測定系は、前記光学素子面内の互いに略垂直な２方向に関する、前記光学素子の変形を計測することが可能であることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の光学系。
【請求項５】  前記略垂直な２方向が、前記少なくとも１つの光学素子に光が照射される領域の長手方向と短手方向と略一致していることを特徴とする請求項４に記載の光学系。
【請求項６】  前記測定系により計測した、前記略垂直な２方向に関する前記光学素子の変形を抑制するように、前記温度制御部が温度制御を行うことを特徴とする請求項４又は５に記載の光学系。
【請求項７】  前記温度制御部は、前記光学素子の異なる領域に対して異なる温度制御を行うことが可能であることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の光学系。
【請求項８】  前記測定系は、前記少なくとも１つの光学素子の表面の２箇所以上の測定位置を測定することを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の光学系。
【請求項９】  前記２箇所以上の測定位置のうちの少なくとも１箇所の測定位置は、前記少なくとも１つの光学素子の前記光が照射される領域内であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１０】  前記２箇所以上の測定位置のうちの少なくとも１箇所の測定位置は、前記少なくとも１つの光学素子の前記光が照射される領域外であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１１】  前記２箇所以上の測定位置は、前記少なくとも１つの光学素子の前記光が照射される領域内であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１２】  前記２箇所以上の測定位置は、前記少なくとも１つの光学素子の前記光が照射される領域外であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１３】  前記２箇所以上の測定位置のうちの１箇所の測定位置が、前記少なくとも１つの光学素子の前記光が照射される領域の略中心であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１４】  前記２箇所以上の測定位置のうちの１箇所の測定位置が、前記少なくとも１つの光学素子の前記光が照射される領域の略外周部分であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１５】  前記測定系は、前記少なくとも１つの光学素子の表面の３箇所以上の測定位置を測定することを特徴とする請求項１乃至１４いずれかに記載の光学系。
【請求項１６】  前記少なくとも１つの光学素子は反射部材であることを特徴とする請求項１乃至１５いずれかに記載の光学系。
【請求項１７】  前記測定系は、前記反射部材の反射面の形状を測定することを特徴とする請求項１６に記載の光学系。
【請求項１８】  前記温度制御部は、前記反射部材の反射面側と前記反射部材の裏面側とにそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１６又は１７記載の光学系。
【請求項１９】  前記反射面側に配置された温度制御部は、独立に温度制御が可能な複数の領域を有しており、前記測定系の測定結果に従って、複数の領域のそれぞれを独立に温度制御することを特徴とする請求項１８に記載の光学系。
【請求項２０】  前記温度制御部は、前記反射部材の反射面を冷却し、前記反射部材の反射面の裏側の面を加熱することを特徴とする請求項１６乃至１９いずれに記載の光学系。
【請求項２１】  前記少なくとも１つの光学素子の線膨張係数が、０ｐｐｂ以上１５ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１乃至２０いずれかに記載の光学系。
【請求項２２】  前記少なくとも１つの光学素子の線膨張係数が、５ｐｐｂ以上１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれかに記載の光学系。
【請求項２３】  前記内部空間は、高真空であることを特徴とする請求項１乃至２２いずれかに記載の光学系。
【請求項２４】  前記光源からの光がＥＵＶ光であることを特徴とする請求項１乃至２３いずれかに記載の光学系。
【請求項２５】  前記温度制御部は、前記少なくとも１つの光学素子を、輻射により温度制御することを特徴とする請求項１乃至２４いずれかに記載の光学系。
【請求項２６】  前記温度制御部は、前記少なくとも１つの光学素子を温度制御するための輻射板を有し、該輻射板をペルチェ素子により温度制御していることを特徴とする請求項１乃至２５いずれかに記載の光学系。
【請求項２７】  前記輻射板と前記ペルチェ素子とが接触して配置されており、前記ペルチェ素子の前記輻射板と反対側の面には、略一定温度に保たれた放熱部が配置されていることを特徴とする請求項２６に記載の光学系。
【請求項２８】  請求項１乃至２７いずれかに記載の光学系を有する露光装置。
【請求項２９】  前記光源からの光で前記所定面に配置された被露光体を露光する露光装置であって、前記光源から前記被露光体までの光路に配置された光学素子がすべて反射部材であることを特徴とする請求項２８に記載の露光装置。
【請求項３０】  ＥＵＶを露光光とする露光装置であって、
複数のミラーからなり、光源から放射されたＥＵＶ光を反射型マスクへ導く照明光学系と、
複数のミラーからなり、前記マスクからの反射光を被露光体上に結像させる投影光学系と、
前記複数のミラーのうち少なくとも１つのミラーの表面の温度を非接触に変化させる機構と、
前記複数のミラーのうち少なくとも１つのミラーの裏面の温度を非接触に変化させる機構と、
前記ミラーの表面形状を測定する測定系と、
前記測定系による測定結果に基づき前記ミラー表面または裏面の温度を非接触に変化させる機構を制御する制御器を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３１】  請求項２８乃至３０いずれかに記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、露光された前記被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本願発明の光学系は、内部空間に少なくとも１つの光学素子を有し、光源からの光を導光する光学系であって、前記少なくとも１つの光学素子の表面形状を測定する測定系と、前記測定系の測定結果に基づいて、前記少なくとも１つの光学素子の温度制御を行う温度制御部とを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、
前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】  前記保護層は、防湿保護層であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】  前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、蛍光体保護層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】  前記蛍光体保護層は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムであって、前記防湿保護層の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向と同方向となっていることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】  前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、反射層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項６】  前記反り矯正層が遮光層であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の放射線検出装置。
【請求項７】  前記センサパネルは、支持基板の一方の面に放射線を直接電気信号に変換する複数の光電変換素子が形成されている直接型センサパネルであることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
【請求項８】  ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、
得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、
前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項９】  ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、
前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項１〜７のいずれかに記載の放射線検出装置を含むことを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以上、本発明の実施の形態及び実施例について説明したが、本発明の好適な実施の態様を以下のとおり列挙する。
［実施態様１］  支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、
前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする放射線検出装置。
［実施態様２］  前記保護層は、防湿保護層であることを特徴とする実施態様１に記載の放射線検出装置。
［実施態様３］  前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、蛍光体保護層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする実施態様２に記載の放射線検出装置。
［実施態様４］  前記蛍光体保護層は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムであって、前記防湿保護層の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向と同方向となっていることを特徴とする実施態様３に記載の放射線検出装置。
［実施態様５］  前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、反射層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする実施態様２に記載の放射線検出装置。
［実施態様６］  前記反り矯正層が遮光層であることを特徴とする実施態様１〜５のいずれかに記載の放射線検出装置。
［実施態様７］  前記センサパネルは、支持基板の一方の面に放射線を直接電気信号に変換する複数の光電変換素子が形成されている直接型センサパネルであることを特徴とする実施態様１又は２に記載の放射線検出装置。
［実施態様８］  ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二の保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、
得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、
前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
［実施態様９］  ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二の保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、
前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
［実施態様１０］  実施態様１〜７のいずれかに記載の放射線検出装置を含むことを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に信号を入出力するためのインタフェイスの回路を作り込む入出力セル領域を、所望の回路を作り込むコア領域の周囲に設けた半導体集積回路において、
当該半導体集積回路の外部からテスト信号を入力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号入力部と、
当該半導体集積回路の外部へテスト信号を出力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号出力部と、
前記テスト信号入力部から入力されたテスト信号を、前記テスト信号出力部へと伝達する複数のビアやコンタクトを含み、又これらを電気的に直列に順次接続した複数の配線パターンを含む、前記コア領域及び前記入出力セル領域の間の領域に作り込んだテスト回路と、を有するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
外部に信号を入出力するためのインタフェイスの回路を作り込む入出力セル領域を、所望の回路を作り込むコア領域の周囲に設けた半導体集積回路において、
当該半導体集積回路の外部からテスト信号を入力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号入力部と、
当該半導体集積回路の外部へテスト信号を出力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号出力部と、
前記テスト信号入力部から入力されたテスト信号を、前記テスト信号出力部へと伝達する複数のビアを含み、又これらを電気的に直列に順次接続した複数の配線パターンを含む、前記コア領域及び前記入出力セル領域の間の領域に作り込んだテスト回路と、を有するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
前記テスト回路の途中の箇所から引き出した前記テスト信号を出力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号中途引出し出力部を、更に有するようにしたことを特徴とする請求項１又は請求項２の半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、外部に信号を入出力するためのインタフェイスの回路を作り込む入出力セル領域を、所望の回路を作り込むコア領域の周囲に設けた半導体集積回路において、当該半導体集積回路の外部からテスト信号を入力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号入力部と、当該半導体集積回路の外部へテスト信号を出力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号出力部と、前記テスト信号入力部から入力されたテスト信号を、前記テスト信号出力部へと伝達する複数のビアやコンタクトを含み、又これらを電気的に直列に順次接続した複数の配線パターンを含む、前記コア領域及び前記入出力セル領域の間の領域に作り込んだテスト回路と、を有するようにしたことにより、前記課題を解決したものである。
あるいは、本発明は、外部に信号を入出力するためのインタフェイスの回路を作り込む入出力セル領域を、所望の回路を作り込むコア領域の周囲に設けた半導体集積回路において、当該半導体集積回路の外部からテスト信号を入力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号入力部と、当該半導体集積回路の外部へテスト信号を出力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号出力部と、前記テスト信号入力部から入力されたテスト信号を、前記テスト信号出力部へと伝達する複数のビアを含み、又これらを電気的に直列に順次接続した複数の配線パターンを含む、前記コア領域及び前記入出力セル領域の間の領域に作り込んだテスト回路と、を有するようにしたことにより、前記課題を解決したものである。
又、上記の半導体集積回路において、前記テスト回路の途中の箇所から引き出した前記テスト信号を出力するための、前記入出力セル領域に設けるテスト信号中途引出し出力部を、更に有するようにしたことにより、前記課題を解決したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】可撓性フィルムの片面に有機物層を介して補強板を貼り合わせ、次いで、該可撓性フィルムの他の面に回路パターンを形成した後、該回路パターンに、半導体部品と、他の基板上に形成された回路パターンとを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】回路パターンを他の基板上に形成された回路パターンと接合した後、可撓性フィルムを補強板から剥離することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成するために、本発明は以下の構成からなる。
（１）可撓性フィルムの片面に有機物層を介して補強板を貼り合わせ、次いで、該可撓性フィルムの他の面に回路パターンを形成した後、該回路パターンに、半導体部品と、他の基板上に形成された回路パターンと接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）回路パターンを他の基板上に形成された回路パターンと接合した後、可撓性フィルムを補強板から剥離することを特徴とする上記（１）記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において補強板として用いられる基板は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス類、インバー合金、ステンレススチール、チタンなどの金属、アルミナ、ジルコニア、窒化シリコンなどのセラミックスやガラス繊維補強樹脂板などが採用できる。いずれも線膨張係数や吸湿膨張係数が小さい点で好ましいが、回路パターン製造工程の耐熱性、耐薬品性に優れている点や大面積で表面平滑性が高い基板が安価に入手しやすい点や塑性変形しにくい点で無機ガラス類からなる基板が好ましい。中でもアルミノホウケイ酸塩ガラスに代表されるホウケイ酸系ガラスは、高弾性率でかつ熱膨張係数が小さく、液晶ディスプレイパネルに用いられるため、特に好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【実施例】
実施例１
可撓性フィルムとして、厚さ２５μｍ、２９０ｍｍ幅のポリイミドフィルム（“カプトン”１００ＥＮ 東レデュポン（株）製）を準備した。リール・ツーリール方式のスパッタ装置に長尺のポリイミドフィルムを装着し、厚さ６ｎｍのクロム：ニッケル＝２０：８０（重量比）の合金膜と厚さ１００ｎｍの銅膜をこの順にポリイミドフィルム上に積層した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上記空気遮断用フィルムを剥がし、カッター付きロール式ラミネータで、ガラスの有機物層側に、銅膜が形成されたポリイミドフィルムを貼り付けた。ガラスに貼り合わせたポリイミドフィルムは、ガラス終端に合わせてカットした。ポリイミドフィルムのガラスとの貼り合わせ面とは反対側の面を銅膜面とした。その後、ガラス基板側から紫外線を照射し、有機物層を硬化した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の表面電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面電極に接続される突起電極であり、立方体形状の金バンプと、
前記金バンプと接続する金層を表面に備えた配線が形成されたチップ支持基板とを備え、
前記半導体チップに設けられた前記金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  複数の表面電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面電極に接続される突起電極であり、円柱形状の金バンプと、
前記金バンプと接続する金層を表面に備えた配線が形成されたチップ支持基板とを備え、
前記半導体チップに設けられた前記金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１または２記載の半導体装置であって、前記配線を四角形にすることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項１または２記載の半導体装置であって、前記配線を円形にすることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  表面が金層の細長い配線が設けられたチップ支持基板と、
複数の表面に突起電極である金バンプが設けられた半導体チップとを備え、
各々の前記金バンプを数個に分断し、独立した立方体を数個直列に形成するとともに、
当該金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  表面が金層の細長い配線が設けられたチップ支持基板と、
複数の表面に突起電極である金バンプが設けられた半導体チップとを備え、
各々の前記金バンプを数個に分断し、独立した円柱を数個直列に形成するとともに、
当該金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  請求項５または６記載の半導体装置であって、前記配線を数個に分断し、独立した四角形を数個直列に形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項５または６記載の半導体装置であって、前記配線を数個に分断し、独立した円形を数個直列に形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  複数の表面電極が形成された半導体チップと
前記半導体チップの前記表面電極に接続される突起電極である金バンプと、
前記金バンプと接続する金層を表面に備えた配線が形成されたチップ支持基板とを備え、
前記半導体チップに設けられた前記金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続するものであって、
超音波振動方向と同一方向の前記金バンプを立方体にすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  複数の表面電極が形成された半導体チップと
前記半導体チップの前記表面電極に接続される突起電極である金バンプと、
前記金バンプと接続する金層を表面に備えた配線が形成されたチップ支持基板とを備え、
前記半導体チップに設けられた前記金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続するものであって、
超音波振動方向と同一方向の前記金バンプを円柱にすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】  請求項９または１０記載の半導体装置であって、超音波振動方向と同一方向の前記配線を四角形にすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】  請求項９または１０記載の半導体装置であって、超音波振動方向と同一方向の前記配線を円形にすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】  表面が金層の細長い配線が設けられたチップ支持基板と、  複数の表面に突起電極である金バンプが設けられた半導体チップとを備え、
前記半導体チップに設けられた前記金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続するものであって、
超音波振動方向と同一方向の前記金バンプを数個に分断し、独立した立方体を数個直列に形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】  表面が金層の細長い配線が設けられたチップ支持基板と、
複数の表面に突起電極である金バンプが設けられた半導体チップとを備え、
前記半導体チップに設けられた前記金バンプとこれに対応する前記配線とを位置合わせし、加圧しながら超音波を印加して、前記金バンプと前記配線の金層とによる金−金接合で前記半導体チップを前記チップ支持基板にフリップチップ接続するものであって、
超音波振動方向と同一方向の前記金バンプを数個に分断し、独立した円柱を数個直列に形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】  請求項１３または１４記載の半導体装置であって、超音波振動方向と同一方向の前記表面電極を数個に分断し、独立した四角形を数個直列に形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】  請求項１３または１４記載の半導体装置であって、超音波振動方向と同一方向の前記表面電極を数個に分断し、独立した円形を数個直列に形成することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板ホルダ及びこれを備えた表面検査装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 開口部を有し、基板を保持するための枠部と、
前記枠部の前記開口部に架設される補助保持部と、
前記補助保持部の配列方向と交差する方向に設けられ、外的要因及び内的要因の振動を吸収又は減衰する振動吸収手段と、
を具備することを特徴とする基板ホルダ。
【請求項２】 前記振動吸収手段は、前記補助保持部と前記枠部との間を連結するように設けられることを特徴とする請求項１記載の基板ホルダ。
【請求項３】 前記補助保持部は、前記枠部の開口部内に複数並設され、
前記振動吸収部材は、各補助保持部との間及び前記枠部と前記補助保持部との間のうち少なくとも一方に設けられることを特徴とする請求項１記載の基板ホルダ。
【請求項４】 前記補助保持部材は、前記枠部の開口部内に同心円状に複数並設され、前記振動吸収手段は、各補助保持部との間及び前記枠部と前記補助保持部との間のうち少なくとも一方に設けられることを特徴とする請求項１記載の基板ホルダ。  
【請求項５】 前記補助保持部材は、前記枠部の開口部中心に放射状に複数設けられ、前記振動吸収手段は、各補助保持部の間及び前記枠部と前記補助保持部との間のうち少なくとも一方に設けられることを特徴とする請求項１または４記載の基板ホルダ。
【請求項６】 前記振動吸収手段は、前記各補助保持部を連結するように一直線状に配置されることを特徴とする請求項３乃至５記載の基板ホルダ。
【請求項７】 前記振動吸収手段は、各補助保持部との間及び前記枠部と補助保持部との間のうち少なくとも一方に散在して配置されることを特徴とする請求項３乃至５記載の基板ホルダ。
【請求項８】 前記振動吸収手段は、前記各補助保持部材の間隔または前記枠部と前記補助保持部材との間隔よりも長い柱状に形成され、前記各補助保持部材の間又は前記枠部と前記補助保持部材との間のうち少なくとも一方に圧入保持されることを特徴とする請求項１乃至７項記載の基板ホルダ。
【請求項９】  前記振動吸収手段は、カバー及びコーティングのうち少なくとも一方が施されていることを特徴とする請求項１乃至８記載の基板ホルダ。
【請求項１０】  前記補助保持部は、前記基板を吸着保持する吸着手段を有することを特徴とする請求項１１乃至９記載の基板ホルダ。
【請求項１１】  請求項１乃至１０に記載の基板ホルダを備えたことを特徴とする表面検査装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の本発明は、開口部を有し、基板を保持するための枠部と、枠部の開口部に架設される補助保持部と、補助保持部の配列方向と交差する方向に設けられ、外的要因及び内的要因の振動を吸収又は減衰する振動吸収手段と、を具備することを特徴とする基板ホルダである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１は大型基板ホルダの構成図である。この大型基板ホルダは、例えばフラットパネルディスプレイの大型のガラス基板１の表面を検査する表面検査装置に適用される。基板ホルダ本体２は、枠状に形成されている。この基板ホルダ本体２の開口部３内には、補助保持部としての桟４がＸ方向に架設されている。これら桟４は、基板ホルダ本体２の開口部３内の互いに対向する２辺間に所定の間隔で並設されている。これら桟４は、互いの板面が向かい合って配置された帯状の２枚の保持板４ａ、４ｂとから構成される。これら保持板４ａ、４ｂの間には、透過照明光が通過するための空間部４ｃが形成されている。これら保持板４ａ、４ｂの間には、例えば透明な防止材を挟んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）基板、
ｂ）前記基板上に配置された陽極、
ｃ）前記陽極上に配置された有機発光構造体、
ｄ）前記有機発光構造体上に配置され、陰極の高エネルギー堆積を可能にするように選ばれた物質からなる、ポルフィリン系化合物を含む陰極バッファー層、及び
ｅ）前記陰極バッファー層上に配置され、前記有機発光構造体と前記陰極バッファー層との間の界面に界面電子注入層を提供するように前記バッファー層を横切って拡散する電子注入ドーパントを備えている陰極を含んでなる有機発光素子。
【請求項２】  前記ポルフィリン系化合物が、金属フタロシアニンである請求項１記載の有機発光素子。
【請求項３】  前記陰極材料が４ｅＶより高い仕事関数を有するように選ばれ、そして前記電子注入ドーパント物質が４ｅＶ未満の仕事関数を有するように選ばれる請求項１記載の有機発光素子。
【請求項４】  前記陰極材料が元素金属および導電性金属酸化物から成る群より選ばれる請求項３記載の有機発光素子。
【請求項５】  前記電子注入ドーパント物質が周期律表のＩＡ族及びＩＩＡ族から選ばれる請求項３記載の有機発光素子。
【請求項６】  前記電子注入ドーパント物質が、０．５〜１０の原子重量パーセント範囲の濃度のところで前記陰極材料中に提供される請求項３記載の有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディジタル音声信号のサンプリングレートを変換する方法であって、
符号化される前に第１のサンプリング周波数（ｆｓ１）でサンプリングされ、符号化された音声信号の周波数領域表現を受領し、
上記受領された音声信号を復号化する間に上記受領された音声信号のうち第２のサンプリング周波数（ｆｓ２）の半分より高い周波数を表す部分を削減し、
上記復号化されたディジタル音声信号を上記第１のサンプリング周波数（ｆｓ１）よりも小さい上記第２のサンプリング周波数（ｆｓ２）で再びサンプリングする、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  上記符号化された音声信号がサブバンド符号化システムを使用して符号化されており、復号化において逆のシステムが使用されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  ディジタル音声信号の符号化及び復号化がＭＰＥＧオーディオ標準に対応し、復号化が最初の２０のサブバンドに限られることを特徴とする、請求項２記載の方法。
【請求項４】  音声信号の符号化及び復号化はドルビーＡＣ−３標準に対応し、復号化においてスペクトル線は削減された値又はゼロに設定されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】  ディジタル音声信号のサンプリングレートを変換するための装置であって、
符号化される前に第１のサンプリング周波数（ｆｓ１）でサンプリングされ、符号化された音声信号の周波数領域表現を受領する手段と、
上記受領された音声信号を復号化する間に上記受領された音声信号のうち第２のサンプリング周波数（ｆｓ２）の半分より高い周波数を表す部分を削減する手段（FTC）と、
上記復号化されたディジタル音声信号を上記第１のサンプリング周波数（ｆｓ１）よりも小さい上記第２のサンプリング周波数（ｆｓ２）で再びサンプリングする手段、
とを有することを特徴とする装置。
【請求項６】  ＭＰＥＧオーディオ又はドルビーＡＣ−３標準によってオーディオデータを復号化するオーディオデコーダの一部であることを特徴とする、請求項５記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温処理中に半導体加工物への累積温度勾配を減少するための放射加熱装置であって、
放射熱エネルギーを放出する複数のランプ(10,12,14,16) と、
各々が各ランプと組み合わされ、前記加工物が包含される領域に前記放射熱エネルギーを向かわせるための複数のランプ反射器(32,34,36,2,4,6,8)とを備え、
前記加工物が与えられたとき、加工物の温度が約４００℃以下となり、また、前記ランプによって放射された熱が温度傾斜状態中に高くなるとき、前記加工物の端縁部が中心部よりも熱くなり、前記ランプによって放射された熱が温度定常状態中に低くなるとき、前記加工物の端縁部が中心部よりも冷くなり、
前記温度傾斜状態および前記温度定常状態の両方において、端縁部の温度が中心部よりも高くなるかまたは低くなるかによって、前記半導体加工物上の温度勾配の絶対値が低い状態に保たれることを特徴とする放射加熱装置。
【請求項２】
各ランプ反射器が、
背面反射器(2) と、この背面反射器から前記加工物が包含される領域に向かって伸びている筒状反射器(32,34,36)とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の放射加熱装置。
【請求項３】
ランプ反射器は、１つのリング形状に配置されていることを特徴とする請求項２記載の放射加熱装置。
【請求項４】
前記筒状反射器の断面は、非円形であることを特徴とする特徴とする請求項３記載の放射加熱装置。
【請求項５】
前記筒状反射器の断面は、円形を分割したユニット構造の切頭断面形状であることを特徴とする請求項４記載の放射加熱装置。
【請求項６】
前記背面反射器は、楕円形状であることを特徴とする請求項５記載の放射加熱装置。
【請求項７】
前記背面反射器は、拡散型であることを特徴とする請求項５記載の放射加熱装置。
【請求項８】
前記筒状反射器は、鏡面型であることを特徴とする請求項７記載の放射加熱装置。
【請求項９】
前記筒状反射器のユニット構造は、隣接配置されていることを特徴とする請求項５記載の放射加熱装置。
【請求項１０】
前記背面反射器は、拡散型であることを特徴とする請求項２記載の放射加熱装置。
【請求項１１】
前記筒状反射器のユニット構造は、隣接配置されていることを特徴とする請求項１０記載の放射加熱装置。
【請求項１２】
低温処理中に放射加熱エネルギーを用いて加熱されるべき半導体ウエハへの累積温度勾配を減少するための装置であって、
前記ウエハの温度が約４００℃以下に維持されかつ前記ウエハの端縁部が中心部よりも温度が高くなる温度傾斜状態において前記半導体ウエハに放射加熱エネルギーを加えるための第１手段と、
前記温度傾斜状態が完了した後で、前記ウエハの温度が約４００℃以下に維持されかつ前記ウエハの中心部が端縁部よりも温度が高くなる温度定常状態において、前記放射加熱エネルギーを前記ウエハに加えるための第２手段とを含み、
前記温度傾斜状態および前記温度定常状態の両方において、端縁部の温度が中心部よりも高くなるかまたは低くなるかによって、前記半導体加工物上の温度勾配の絶対値が低い状態に保たれることを特徴とする装置。
【請求項１３】
前記放射加熱エネルギーは、放射エネルギー加熱ユニットによって発生され、前記放射加熱エネルギーを加えるための第２手段は、前記加熱ユニットによって発生した熱を、前記温度傾斜状態において達成される加熱温度レベル以下のレベルに低下させるための手段(58)を含んでいることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記放射加熱エネルギーを加えるための第１，第２手段は、それぞれ複数の反射器ユニットからなる１つのリングを構成し、
各反射器ユニットは、楕円形状の背面反射器と、この反射器から伸びる筒状反射器(32,34,36)から構成され、かつ前記筒状反射器は、円形を分割した切頭断面を有することを特徴とする請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記背面反射器は拡散型であり、前記筒状反射器は鏡面型であることを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
処理される半導体加工物が置かれている加工物領域に放射エネルギーを向けるための装置であって、
前記加工物領域(42)にある半導体加工物を支持するための手段を有する処理室(46)と、前記加工物領域に放射エネルギーを向けるための複数の放射エネルギー反射器ユニットとを備え、
これらの反射器ユニットの各々は、
背面反射器(2) と、
この背面反射器から加工物領域の方に伸びる筒状反射器(32,34,36)と、
前記背面反射器の前側で前記筒状反射器内に配置され、前記筒状反射器の断面が円形を分割した切頭断面形状であり、さらに、前記加工物領域が、前記背面反射器から離れる方向に前記筒状反射器から移動する放射エネルギー源(10)とを含むことを特徴とする装置。
【請求項１７】
前記背面反射器は、楕円形状を有することを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記背面反射器は拡散型であり、前記筒状反射器は鏡面型であることを特徴とする請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記反射器は、１つのリング形状に配置されていることを特徴とする請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
半導体処理のための放射加熱装置において、
リング状に配置された楕円形反射器の配列を改良するための反射器構造体が、少なくとも内側に鏡面を有する円筒バンド(32)と、
この円筒バンドから内側に伸びる鏡面を有し、その外側端部が前記円筒バンドに接し、前記外側端部に対向するエッジが内側端部となっている複数の放射状に伸びる仕切り板(34)と、
前記円筒バンドに対面する側に少なくとも鏡面を有し、前記仕切り板の内側端部に連結している複数の平坦なプレート(36)と、を含んでいることを特徴とする放射加熱装置。
【請求項２１】
低温度処理中に半導体ウエハが放射エネルギーで加熱される際の累積温度勾配を減少する方法であって、
温度傾斜状態時に前記放射エネルギーを加えて、ウエハの外側領域が中心部よりも温度が高くなるようにし、
前記温度傾斜状態が完了した後で、温度定常状態時に前記放射エネルギーを加えて、ウエハの中心部が前記外側領域よりも温度が高くなるようにする各ステップを備え、
前記ウエハの温度は、前記温度傾斜状態及び前記温度定常状態の両方において、約４００℃以下であり、前記温度傾斜状態および前記温度定常状態の両方において、端縁部の温度が中心部よりも高くなるかまたは低くなるかによって、前記半導体加工物上の温度勾配の絶対値が低い状態に保たれることを特徴とする方法。
【請求項２２】
前記処理中の所定の時間において、前記累積温度勾配は、ゼロであることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第１の基板上に有し、この第１の基板と第２の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置の製造方法において、
前記第１の基板の一方の面上に、断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端 側へ傾斜状となるような凹部としての段差を形成する工程と、
前記段差を含む前記第１の基板上に、触媒ＣＶＤ法又は高密度プラズマＣＶＤ法等に  より前記段差をシードとして単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層をグラフォエピタ  キシャル成長させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
【請求項２】  前記段差をドライエッチングによって絶縁基板に形成し、前記単結晶シリコン層を２００〜８００℃で形成する、請求項１に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項３】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを基板上に有する電気光学装置用の駆動基板の製造方法において、
前記基板の一方の面上に、断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端側へ傾 斜状となるような凹部としての段差を形成する工程と、
前記段差を含む前記基板上に、触媒ＣＶＤ法又は高密度プラズマＣＶＤ法等により前  記段差をシードとして単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層をグラフォエピタキシャ  ル成長させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【請求項４】  前記段差をドライエッチングによって絶縁基板に形成し、前記単結晶シリコン層を２００〜８００℃で形成する、請求項３に記載した電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、画素電極（例えばマトリクス状に配列された複数の画素電極：以下、同様）が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第１の基板（即ち、駆動用の基板：以下、同様）上に有し、この第１の基板と第２の基板（即ち、対向基板：以下、同様）との間に液晶などの所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置の製造方法、及びこの電気光学装置用の駆動基板の製造方法において、
前記第１の基板の一方の面上に、断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端 側へ傾斜状となるような凹部としての段差を形成する工程と、
前記段差を含む前記第１の基板上に、触媒ＣＶＤ（化学的気相成長）法又は高密度プ  ラズマＣＶＤ法等により前記段差をシードとして単結晶シリコン層の如き単結晶半導体  層をグラフォエピタキシャル成長させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程（例えば前記単結晶シリコン層の析出後に、この単結晶シリコ  ン層に所定の処理を施してチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域を形成する工  程と、前記チャネル領域の上部にゲート絶縁膜及びゲート電極からなるゲート部、更に  はソース及びドレイン電極を形成して、前記周辺駆動回路部の少なくとも一部を構成す  るトップゲート型の第１の薄膜トランジスタ（特にＭＯＳＦＥＴ：以下、同様）を能動  素子として形成する工程とを行う工程、又は、抵抗、キャパシタンス、インダクタンス  等の受動素子を形成する工程）と
を有することを特徴とする、電気光学装置、及びその駆動基板の製造方法に係るものである。なお、本発明において、上記単結晶半導体層は単結晶シリコン層は勿論、単結晶化合物半導体層も含む概念である（以下、同様）。また、上記能動素子は薄膜トランジスタやその他のダイオード等の素子を含む概念である（以下、同様）。その代表例としての薄膜トランジスタとは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（これにはＭＯＳ型と接合型があるが、いずれでもよい。）とバイポーラトランジスタとがあるが、本発明はいずれのトランジスタにも適用できる（以下、同様）。また、上記受動素子は抵抗、インダクタンス、キャパシタンス等を含む概念であり、例えばシリコンナイトライド（以後ＳｉＮと呼ぶ。）等の高誘電体膜を前記単結晶シリコン層（電極）で挟み込んで形成したキャパシタンスがある（以下、同様）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は、反射型光電センサーの減衰シートをセンサーユニットの直前にセットし、反射部材を近距離に設置した状態を示す図である。１は、投光素子１１とレンズ１２を備えた投光部、２は、受光素子２１とレンズ２２を備えた受光部である。投光部１の光軸Ｐ１と受光部２の光軸Ｐ２とが平行となるよう、互いに隣接して共通の基台３に固定されている。基台３は、水平（左右）方向及び、垂直（上下）方向に所定の角度だけ回転することができるような形で、センサーユニットのケース（図示省略）内に支持されている。Ｍは、再帰反射性を有する反射部材である。投光部と受光部の光学系の口径をカバーする大きさの再帰反射鏡であり、長方形の板状の形となっている。Ｆは、減衰シートであり、センサーユニット内のレンズ１２とレンズ２２の直前にセットされる。減衰シートＦは、光を透過させない紙などのシート状の材料に開口部を設けたものであり、レンズ前面の所定の位置に固定されるよう位置決め用のガイド部（図示省略）等を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光電変換素子を有する光電変換パネル上に、放射線を光に変換する波長変換体が配置され、前記波長変換体上に導電体層が配置されている放射線検出装置において、前記導電体層が前記光電変換パネルの回路内の定電位配線を通して一定電位に接続されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】  前記定電位配線は、電気実装部品によって一定電位に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】  前記定電位配線と前記導電層との接続部が、複数の前記光電変換素子が配置されている光電変換素子エリアとボンディングパッド部との間に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】  前記導電体層は、前記放射線を透過し且つ前記光を反射する反射層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】  前記波長変換体は、前記光電変換パネル上に配置されたアルカリハライド蛍光体と、該アルカリハライド蛍光体と前記導電層との間に配置された保護層と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】  前記導電層上に、更に一定電位に接続された導電シートを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療用診断装置、非破壊検査装置等に用いられる放射線検出装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、光電変換素子の側近に位置する導電層の電位を安定させるためのシンプル且つ製造し易い構造を提供すると同時に周囲の封止を簡単にでき、低コストで外来ノイズや静電気に強い放射線検出装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、光電変換素子を有する光電変換パネル上に、放射線を光に変換する波長変換体が配置され、前記波長変換体上に導電体層が配置されている放射線検出装置において、前記導電体層が前記光電変換パネルの回路内の定電位配線を通して一定電位に接続されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】