【事件の表示】
　平成　４年特許願第１０９８７６号「帯電防止ディスプレー」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　１月２１日出願公開、特開平　６−　１４２７８、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明
　本願は、平成４年４月２８日（優先権主張平成３年４月３０日）の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１〜４に係る各発明は、平成１３年３月３０日付け、および平成１４年１月８日付けの各手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、各請求項にそれぞれ記載されるとおりの帯電防止ディスプレーであると認めることができ、これら各発明の構成は、ディスプレー表示面に形成される帯電防止膜の透明性や剥離，傷等に対する耐久性の向上を企図して採用されたもので、いずれも「表示面が化学吸着単分子膜で被われ」、「前記化学吸着単分子膜は前記表示面とシロキサン結合によって結合して」いる点を要点とするものであることが認められる。
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由で引用する特開昭６３−１６０１３１号公報（以下引用例１という），特開昭６３−６７９２号公報（以下引用例２という）および特開昭６３−９６６５５号公報（以下引用例３という）には、それぞれ次のことが記載されている。
【引用例１】
（ａ）陰極線管のフェースプレート外表面に反射防止および帯電防止用の被膜を形成する方法に関し、従来技術として、SiのアルコレートSi(OR)４のアルコール溶液を吹き付け塗布して加熱温度１５０℃以下で焼成する方法があり、この方法では、上記アルコール溶液の加水分解反応によるシラノール基（帯電防止に関与）の生成と生成シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合（生成膜の付着力に関与）の生成がなされ、上記成膜後の加熱（焼成）は上記縮合反応を促進させるものであること〔第１頁の（産業上の利用分野）および（従来の技術）の項〕。
（ｂ）上記従来技術では、上記加熱が少ないと、シラノール基が残留して高い帯電防止効果が得られる反面、シロキサン結合が少ないため付着力が弱く、逆に加熱し過ぎると十分な帯電防止効果が得られないという問題があるので、そのような問題を解決するために、ポリアルキルシロキサンを含む溶液を用い、これをフェースプレート表面に塗布し、縮合反応させて被膜を形成するようにすること〔第１〜２頁の（発明が解決しようとする問題点）および（問題点を解決するための手段）の項〕。
（ｃ）上記ポリアルキルシロキサンは、アルキルシリケートの２以上の縮合体であって、これを用いる場合、従来技術と同様の加水分解によるシラノール基の生成とシロキサン結合の生成がなされるが、ゆるい焼成条件（低温度又は短時間）で十分な付着力が得られるので、帯電防止効果を損なわずに大きくできること〔第２頁の（作用）の項〕。
（ｄ）実施例では、上記被膜の平均厚さは０．７μｍあるいは０．１μｍであること（第３頁右上欄４行目、同頁左下欄４行目）。
【引用例２】
（イ）種々の電気的絶縁性物体の帯電を防止する帯電防止方法に関し〔第１頁の（産業上の利用分野の項）〕、電気的絶縁性物体の表面に、分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する電荷移動錯体の単分子膜を形成するようになすこと〔第１頁の特許請求の範囲(３）項〕。
（ロ）上記電荷移動錯体は公知の方法によって単分子膜とすることが容易で、絶縁性の樹脂成形品等にその表面形状通りに均一な薄膜を形成することができ、その膜圧が数十〜数百オングストロームと非常に薄いにもかかわらず、良好な導電性（１０６〜１０９Ω／cm２程度）を示し、帯電防止膜として良好なものであること（第３頁左下欄６〜１５行目）
（ハ）上記帯電防止膜を例えば樹脂成形品の表面に形成する好適な方法はラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）であり、このＬＢ法とは、上記電荷移動錯体のような親水性部位と疎水性部位とを有する分子において、分子は水面上で親水性基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜またはその累積膜を作成する方法であること（第３頁左下欄最下行〜同頁右下欄１１行目）。
【引用例３】
（ｉ）半導体素子の製造等に利用されるパターン状の膜形成を行うパターン形成方法に関し（第１頁「産業上の利用分野」の項）、基板上にエネルギー線に感応する感応基を含んだ感応性薄膜を形成し、この感応性薄膜にエネルギー線をパターン照射して感応基をパターン状に反応させて選択的に親水性基化した後、親水性基化した部分に選択的にシリコンを含む化学物質を化学吸着させ、更にドライエッチング処理を行うことにより薄膜パターンを形成するようになすこと〔第１頁「特許請求の範囲」(1)項〕。
（ii）上記化学物質として、少なくとも一端に塩素結合した直鎖状シロキサン分子を用いること〔第１頁「特許請求の範囲」(2)項〕。
（iii）上記直鎖状シロキサン分子を用いる場合、化学吸着により上記感応性薄膜の露光された部分に選択的にシロキサン分子の単分子膜が形成されること（第３頁左上欄２〜６行目）。
３．対比
  本願の請求項１〜４に記載の各発明（以下これらをまとめて本願発明という）と上記各引用例１〜３とを対比してみると、各引用例との対比においてそれぞれ次のことが認められる。
【引用例１との対比】
  引用例１記載の被膜形成方法は、陰極線管のフェースプレート（本願発明でいうディスプレイの表示面）に帯電防止用の被膜を形成するものであるから〔前掲記載（ａ）〕、この点では本願発明と共通するものであるが、上記被膜を、本願発明の前記要点のような「表示面とシロキサン結合により結合して」いる「化学吸着単分子膜」とすることについては引用例１には開示がない。上記被膜は、引用例１の前掲記載（ａ），（ｂ）から明らかなように、フェースプレートに被膜形成剤溶液を吹き付け塗布した後、加熱焼成して形成されるもので、その膜厚も、引用例１の前掲記載（ｄ）に示されるように、０．７μｍあるいは０．１μｍ程度と比較的厚いことからすると、引用例１の上記被膜が本願発明のような“単分子膜”（本願明細書の説明では膜圧がナノメータレベル）ではないことが明らかである。また、引用例１の前掲記載（ａ），（ｃ）によれば、引用例１の被膜形成方法では、被膜の付着力に関与するシロキサン結合が生成されているが、このシロキサン結合は、被膜形成剤溶液中でその加水分解により生じたシラノール基の縮合反応により生成されるというのであるから、かかるシロキサン結合が本願発明の前記要点のような“表示面と結合する”シロキサン結合であるとはいえないし、またこれを示唆するものともいえない。
【引用例２との対比】
  引用例２の帯電防止方法は、電気的絶縁性物体の表面に帯電防止膜として単分子膜を形成する点では本願発明の前記要点と共通するものであるが、この単分子膜は、引用例２の前掲記載(イ）〜（ハ）によれば、いわゆるＬＢ法等の物理的成膜法によって上記絶縁性物体の表面に形成されるものと認められるから、かかる単分子膜は、本願発明の前記要点のような「化学吸着単分子膜」ではなく、したがってまた、「表示面とシロキサン結合して」いるものでもないことが明らかである。上記単分子膜を「表示面とシロキサン結合して」いる「化学吸着単分子膜」とすることについては、引用例２には何等開示がない。
【引用例３との対比】
  引用例３のパターン形成方法では、感応性薄膜の露光された部分に化学吸着によってシロキサン分子の単分子膜が形成されるというのであるから〔前掲記載（iii）〕、上記単分子膜は「化学吸着単分子膜」であるといえ、また、上記シロキサン分子の単分子膜を形成する化学吸着がシロキサン結合によるものであることは明らかであるから、このようなシロキサン結合による化学吸着単分子膜の形成手法においては、引用例３のパターン形成方法は本願発明の前記要点と類似しているといえる。
　しかしながら、引用例３の上記単分子膜の形成手法は、半導体素子の製造等に利用される薄膜パターンを形成するためのものあるから、本願発明のような帯電防止ディスプレイにおける単分子膜の形成とはおよそ前提を異にする。引用例３では、上記単分子膜を上記感応性薄膜の露光部分に化学吸着（シロキサン結合）させることによって形成することを開示しているだけで、本願発明の前記要点のようなディスプレイ表示面への化学吸着単分子膜の生成については、引用例３には何等開示がない。
４．判断
  以上の対比結果によれば、本願発明の前記要点、すなわち、ディスプレイ表示面の帯電防止膜の透明性や耐久性の向上を企図して、「表示面が化学吸着単分子膜で被われ」、「前記化学吸着単分子膜は前記表示面とシロキサン結合によって結合して」いるようにする点は、引用例１〜３のいずれにも開示がないものであることが認められる。引用例３の開示内容は、上記のとおり、化学吸着単分子膜の形成手法において本願発明の上記要点と類似するものではあるが、同形成手法は、専ら半導体素子の製造等に利用される薄膜パターンの形成を企図するもので、そのような形成手法によってディスプレイ表示面での帯電防止膜を生成するようなことは引用例３では全く予定外の事項であり、また、引用例１，２が開示する帯電防止膜の形成でも、帯電防止膜を特に上記化学吸着単分子膜として生成してその透明性や耐久性の向上を図るようなことを示唆するに足る開示はない。
　したがって、本願発明の上記要点が引用例１〜３の開示内容から想到容易なものであるとすることはできず、また他に同要点を想到容易なものとすべき合理的理由も見出せない。それ故、上記要点を有する本願発明が当業者に容易に想到し得たものであるとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１〜４に係る各発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとする原査定の理由によっては本願を拒絶することはできない。
  また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。