Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表側および裏側を有する配線基板と、
前記配線基板の表側に搭載されたフラッシュメモリチップおよび前記フラッシュメモリチップ用のコントローラチップと、
前記配線基板の表側に形成され、且つ、前記フラッシュメモリチップおよび前記コントローラチップを封止する第１封止部と、
前記配線基板の表側および前記第１封止部を覆うケースと、
前記配線基板の裏側に配置された複数の外部接続端子とを有するＩＣカードであって、
前記配線基板の裏側には、前記複数の外部接続端子が露出するように前記配線基板の裏側を覆う第２封止部が形成されており、
前記第１封止部は熱硬化性樹脂から形成されており、
前記ケースおよび前記第２封止部は熱可塑性樹脂から形成されており、
前記ケースの一部と前記第２封止部の一部は融着していることを特徴とするＩＣカード。
【請求項２】  請求項１記載のＩＣカードにおいて、
前記第２封止部に含まれるガラスフィラーの含有率は、前記第１封止部に含まれるガラスフィラーの含有率よりも少ないことを特徴とするＩＣカード。
【請求項３】  請求項１または２に記載のＩＣカードにおいて、
前記ケースに含まれるガラスフィラーの含有率は、前記第１封止部に含まれるガラスフィラーの含有率よりも少ないことを特徴とするＩＣカード。
【請求項４】  表側および裏側を有する配線基板と、
前記配線基板の表側に搭載されたフラッシュメモリチップおよび前記フラッシュメモリチップ用のコントローラチップと、
前記配線基板の表面に形成され、且つ、前記フラッシュメモリチップおよび前記コントローラチップを封止する第１封止部と、
前記配線基板の表側および前記第１封止部を覆うケースと、
前記配線基板の裏側に配置された複数の外部接続端子とを有するＩＣカードであって、
前記配線基板の裏側には、前記複数の外部接続端子が露出するように前記配線基板の裏側を覆う第２封止部が形成されており、
前記ケースおよび前記第２封止部は、前記第１封止部とは異なる材料から形成されており、
前記ケースおよび前記第２封止部に含まれるガラスフィラーの含有率は、前記第１封止部に含まれるガラスフィラーの含有率よりも少ないことを特徴とするＩＣカード。
【請求項５】  請求項４記載のＩＣカードにおいて、
前記第２封止部と前記ケースの界面部分とは融着していることを特徴とするＩＣカード。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記第２封止部の一部と前記ケースの一部は一体化していることを特徴とするＩＣカード。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記複数の外部接続端子の各端子間には、前記第２封止部が形成されていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ケースおよび前記第２封止部を構成する材料の弾性率は、前記第１封止部を構成する材料の弾性率よりも低いことを特徴とするＩＣカード。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ＩＣカードの側面には、前記ＩＣカードへの書き込み許可状態および書き込み禁止状態を切り替えるための機械的動作部が設けられていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ケースは凹部を有し、
前記第１封止部は前記凹部にはめ込まれていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１１】  請求項１０記載のＩＣカードにおいて、
前記第１封止部と前記ケースの間には、接着剤が存在しないことを特徴とするＩＣカード。
【請求項１２】  請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ケースと前記第２封止部とは同じ材料からなることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１３】  請求項１〜１２のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記第１封止部は、エポキシ樹脂からなることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１４】  請求項１〜１３のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ケースは、ポリカーボネート、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene resin）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート：polybutylene terephthalate）、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル：polyphenylene ether）、ナイロン、ＬＣＰ（液晶ポリマ：liquid crystal polymer）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート：polyethylene terephthalate）またはこれらの混合物から形成されていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１５】  請求項１〜１４のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記第２封止部は、ポリカーボネート、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene resin）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート：polybutylene terephthalate）、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル：polyphenylene ether）、ナイロン、ＬＣＰ（液晶ポリマ：liquid crystal polymer）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート：polyethylene terephthalate）またはこれらの混合物から形成されていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１６】  請求項１〜１５のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ＩＣカードの厚さは、１．４ｍｍであることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１７】  請求項１〜１６のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ＩＣカードの平面寸法は、その長辺が３２ｍｍであり、その短辺が２４ｍｍであることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１８】  請求項１〜１７のいずれか１項に記載のＩＣカードにおいて、
前記ＩＣカードはメモリカードであることを特徴とするＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工業機械（４０）の防音ブランケット（６０）において、
複数の可撓性パネル（１０）を具備し、各パネルはガラス繊維材料から成る少なくとも１つの層（１２、１４及び１６）と、耐薬品性材料から成る外側ケーシング（２６）と、前記パネルを隣接するパネル（１０）に結合するための装着部（３６）とを含み、
前記複数の可撓性パネル（１０）は、それぞれ、工業機械上の１つの場所に対応する前記防音ブランケットの１つの位置を割り当てられている防音ブランケット。
【請求項２】
工業機械（４０）の音を減少させる防音ブランケット（６０）において、
各々が吸音材料から成る少なくとも１つの層（１２、１４、１６）と、耐薬品性材料から成る外側ケーシング（２６）と、パネルを少なくとも１つの隣接するパネルに結合するための装着部（３６）とを含む複数の互いに結合された可撓性パネル（１０）であって、該パネルの各々に、防音ブランケットにおけるそのパネルの位置を指示する指標（６６）が付されている可撓性パネル（１０）と、
前記防音ブランケットを前記工業機械上に保持するために前記防音ブランケットに沿って延出する固着装置（３８、５４、６４）とを具備する防音ブランケット（６０）。
【請求項３】
前記ガラス繊維材料から成る少なくとも１つの層は高密度ガラス繊維から成る少なくとも１つの層（１２、１４）と、低密度ガラス繊維から成る１つの層（１６）とを含む請求項１又は２に記載の防音ブランケット。
【請求項４】
前記ガラス繊維材料から成る少なくとも１つの層は高密度ガラス繊維から成る少なくとも２つの層（１２、１４）と、低密度ガラス繊維から成る１つの層（１６）とを含む請求項１又は２に記載の防音ブランケット。
【請求項５】
前記パネルは大量装填ビニル材料から成る層（２４）を更に含む請求項１又は２に記載の防音ブランケット。
【請求項６】
前記外側ケーシング（２６）は可撓性ポリテトラフルオロエチレン又はシリコンゴムから成る断片（２８、３０）であり、前記断片が装着されてケーシングを形成する請求項１又は２に記載の防音ブランケット。
【請求項７】
前記パネル（１０）のうちの少なくとも１つは、そのパネルの場所に対応する工業機械の一部分の外面に従った形状を有する請求項１又は２に記載の防音ブランケット（６０）。
【請求項８】
前記パネルは、層を互いに固着するために前記パネルを貫通するタイロッド（３２）を含む請求項１又は２に記載の防音ブランケット（６０）。
【請求項９】
前記パネルは、層を互いに固着するために前記パネルを貫通するタイロッド（３２）を含み、前記タイロッドは前記装着部（３６）のうちの１つを更に含む請求項１又は２に記載の防音ブランケット（６０）。
【請求項１０】
隣接するパネルの装着部の間で前記ブランケット中にこれらパネルを一緒に固定するケーブルを更に具備する請求項１又は２に記載の防音ブランケット（６０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
工業環境において使用される種類の機器は、害を及ぼす可能性のある高いデシベルレベルを記録する騒音レベルを放出する場合が多い。発電装置の場合、騒音は発電機、ガスタービン又は蒸気タービン、ファン、ポンプ、冷却装置、並びにその他の機械装置及び電気装置などの、多くが同時に動作する状態にある多種多様な機械騒音源から発生すると考えられる。そのような環境で作業する人々は、近距離機械騒音レベル及び遠距離機械騒音レベルを低減する必要に直面することが多い。個々の作業員が機械騒音源にごく近接して作業する環境では、騒音規制に従い且つ作業員の聴力に対するダメージを回避するために近距離騒音レベルを制御しなければならない。機械騒音が工業プラントの付近にある領域にまで到達する可能性がある場合には、遠距離機械騒音を許容しうるレベルまで軽減し且つ近隣市町村に対して騒音を防止することが賢明であろう。
【特許文献１】米国特許３５３４８２８号明細書
【特許文献２】米国特許３７０００６８号明細書
【特許文献３】米国特許３８６００８５号明細書
【特許文献４】米国特許６２４４３７７号明細書
【特許文献５】米国特許３８８１５６９号明細書
【特許文献６】米国特許３９０５４４４号明細書
【特許文献７】米国特許３９５１２２８号明細書
【特許文献８】米国特許４０８８１５７号明細書
【特許文献９】米国特許４１６７５９８号明細書
【特許文献１０】米国特許４２６５２７７号明細書
【特許文献１１】米国特許４４４２５８５号明細書
【特許文献１２】米国特許４６３０４１６号明細書
【特許文献１３】米国特許５１２３８７４号明細書
【特許文献１４】米国特許５２７４２００号明細書
【特許文献１５】米国特許５４５４６１１号明細書
【特許文献１６】米国特許５９２９３９４号明細書
【特許文献１７】米国特許６２２３９０３号明細書
【特許文献１８】米国特許６３１８２９５号明細書
【特許文献１９】カナダ特許２２１４３０２号明細書
【非特許文献１】"Environmental Noise Control", ATCO Noise Management, pp. 1-61
【非特許文献２】"Built for Sound: Northland Power", ATCO Noise Management, pp. 1-4
【非特許文献３】"On Noise Generation and Abatement in Gas Turbine Installations", Lotton et al, pp. 1-16
【非特許文献４】GE Industrial Systems, "Series 9000 Large Synchronous Machines", pp. 1-12
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを回折するための光学装置において、
第１半導体材料でできた第１半導体層、
第２半導体材料でできた第２半導体層であって、この第２半導体層は前記第１半導体層と接触しており、前記第２半導体材料は前記第１半導体材料と適合性であり、前記第１及び第２の半導体層間でエピタキシャル成長が可能である、第２半導体層、及び
前記第１及び第２の半導体層間の界面に位置決めされた回折格子であって、所定の空間周期によって間隔が隔てられた複数の空気チャンネルを含み、これらの空気チャンネルは前記第１半導体層の部分である半導体領域によって離間されている回折格子を含むことを特徴とする光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記空気チャンネルは、前記装置から除去されたパターン化されたエッチングされた誘電体ストリップによる形状を有することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、前記空気チャンネルは矩形形状を有することを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置において、前記空気チャンネルは、パターン化されたエッチングされた誘電体マスク間で前記第１半導体層内に穴をエッチングで形成したことによって得られた形状を有することを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置において、前記空気チャンネルは円形の断面形状を有することを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置において、前記空気チャンネルは互いに実質的に平行であり、これらの空気チャンネルは、光ビームの波長に基づいて所定距離離間されていることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置において、前記第１及び第２の半導体層は同じであり、前記回折格子は、共通の半導体領域内の埋設回折格子であることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置において、前記第１半導体層は前記第２半導体層と異なる半導体材料でできていることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置において、前記第１半導体層の屈折率は、前記第２半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の装置において、前記第１半導体層の屈折率は、前記第２半導体層の屈折率よりも低いことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的回折装置の製造方法において、
所定の屈折率を持つ半導体材料で形成される第１半導体層を半導体基板上で成長させる工程、
前記第１半導体層に誘電体層を付着する工程、
前記誘電体層にパターン化及びエッチングを施し、前記誘電体層に開口部を形成し、前記第１半導体層の選択的領域を露呈する工程、
前記誘電体層がマスクとして作用するように前記誘電体層の開口部を通して前記第１半導体層に穴をエッチングで形成する工程、及び
前記第１半導体層のエッチングで形成した穴で、前記第１半導体層の材料と適合性の半導体材料の結晶成長プロセスによって回折領域を成長する工程を有し、前記回折領域の材料の屈折率は、前記第１半導体層の屈折率と異なることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記回折領域成長工程は、回折領域を前記第１半導体層の上面とほぼ等しいレベルまで成長する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記回折領域成長工程の後に誘電体層を除去する工程、及び前記回折領域と接触してエピタキシャル成長プロセスを行うことにより第２半導体層を第１半導体層上で成長させる工程を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、前記第２半導体層成長工程は、前記第２半導体層の屈折率が前記第１半導体層の屈折率と異なるように、前記第１半導体層の材料と異なる半導体で形成された前記第２半導体層を成長する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法において、前記第２半導体層成長工程は、前記回折領域が埋設領域であるように前記第１半導体層と同じ材料で形成された前記第２半導体層を成長する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記回折領域を露呈するため、前記第２半導体層を通してアクセス通路をエッチングで形成する工程、及び前記回折領域の材料をエッチングで除去し、空気でできた回折領域を形成する工程を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記誘電体層にパターン化及びエッチングを施す前記工程は、前記誘電体層にパターン化及びエッチングを施して前記誘電体層にストリップを形成する工程を含み、前記回折領域成長工程は、前記第１半導体層で回折領域のストリップを成長する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
光軸（Φ）の回転角は、式（１）による良い近似で与えられる。
【数１】
2004133464.tif 000001
ここで、
Ｐ０は、コレステリック液晶の影響を受けないピッチであり、
【数２】
2004133464.tif 000002
は、広がり（スプレー）フレキソエレクトリック係数（ｅｓｐｌａｙ）と曲げ（ベント）フレキソエレクトリック係数（ｅｂｅｎｄ）の平均［＝１／２(ｅｓｐｌａｙ＋ｅｂｅｎｄ）］であり、
Ｅは、電界強度であり、および
Ｋは、広がり（スプレー）弾性定数（ｋ１１）と曲げ（ベント）弾性定数（ｋ３３）の平均[Ｋ＝１／２（ｋ１１＋ｋ３３）]であり、
およびここで比
【数３】
2004133464.tif 000003
は、フレキソ−３単性定数比と呼ばれる。
この回転角（Φ）は、フレキソエレクトリックスイッチング素子の半分のスイッチング角である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光タップにおいて使用する所定の反射面を含む装置であって、
光ビームのうちタップされた部分を前記所定の反射面へと向ける光路を備え、
前記所定の反射面は、前記光タップにおいて誘起された偏光を補償するために、少なくとも１つの所定の金属の固有の特性を使用することを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記反射面が、所定の金属膜からなるミラー面を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記金属膜が、注目する光波長に対して不透過性であるように十分な厚さを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記金属膜が、所定の誘電体材料でコーティングされる、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記誘電体材料が、注目する光波長に関係する厚さを有する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記所定の反射面が、所定の金属である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記金属が、所定の誘電体材料でコーティングされる、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記所定の反射面が、所定の金属膜でコーティングされた所定の基板であり、前記金属膜が、所定の誘電体材料でコーティングされる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの金属が、遷移金属である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記所定の反射面が、前記光タップにおいて誘起された偏光を補償するために、前記少なくとも１つの所定の金属の固有の特性をそれぞれが使用する第１反射面と第２反射面とを含み、
前記光路が、前記光ビームのうちのタップされた部分を前記第１反射面に向け、
前記第２反射面が、偏光無依存な光ビームとなるべく補償された供給光を反射するように構成される、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、
少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、
前記名称と前記識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、
この識別情報記憶手段に記憶される名称が変更された場合に、名称が変更された通信相手情報の識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を、前記変更された名称に設定する名称設定手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項２】  通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、
少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、
前記名称と前記識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、
この識別情報記憶手段に、新たに通信相手情報が記録された場合に、この通信相手情報の識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を、新たに記録された名称に設定する名称設定手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項３】  通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、
少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、
前記名称と前記識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、
この識別情報記憶手段に記憶される識別情報が変更された場合に、変更前の識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を消去する消去設定手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項４】  通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、
少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、
前記名称と前記識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、
この識別情報記憶手段に記憶される識別情報が変更された場合に、この変更された識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を前記変更された識別情報に対応する名称に設定する名称設定手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項５】  通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、
通信相手の識別情報を発信および着信の少なくとも一方の通信履歴として記憶する通信履歴記憶手段と、
通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけて記憶する識別情報記憶手段と、
この識別情報記憶手段に記憶されている名称が変更されると、前記通信履歴情報に記憶されている識別情報と前記記憶情報記憶手段に記憶されている変更後の名称とを対応させるよう制御する制御手段とを具備することを特徴とする通信端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に係わる本発明は、通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、名称と識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、この識別情報記憶手段に記憶される名称が変更された場合に、名称が変更された通信相手情報の識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を、変更された名称に設定する名称設定手段とを具備して構成するようにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記の目的を達成するために、請求項２に係わる本発明は、通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、名称と識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、この識別情報記憶手段に、新たに通信相手情報が記録された場合に、この通信相手情報の識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を、新たに記録された名称に設定する名称設定手段とを具備して構成するようにした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、上記の目的を達成するために、請求項３に係わる本発明は、通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、名称と識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、この識別情報記憶手段に記憶される識別情報が変更された場合に、変更前の識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を消去する消去設定手段とを具備して構成するようにした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらにまた、上記の目的を達成するために、請求項４に係わる本発明は、通信相手を通信網上で識別する識別情報が付加された情報を送受信可能な通信端末装置において、少なくとも通信相手の識別情報とこの識別情報に対応する名称とを対応づけた通信の履歴を通信履歴情報として記憶する通信履歴記憶手段と、名称と識別情報とを対応づけて、通信相手情報として記憶する識別情報記憶手段と、この識別情報記憶手段に記憶される識別情報が変更された場合に、この変更された識別情報と同じ識別情報を有する通信履歴情報を検出し、この検出した通信履歴情報の名称を変更された識別情報に対応する名称に設定する名称設定手段とを具備して構成するようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  二つの誘電体ベースのコーティングの間に配置された、赤外線反射特性を有し特に低放射率の少なくとも一つの金属層を含み、その下側に前記金属層に直接接触する、任意にアルミニウムでドープされた酸化亜鉛ＺｎＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）に基づいた濡れ層を含むコーティングを有する薄膜積層体を設けた特にガラス製の透明基板であって、誘電体材料に基づいた二つのコーティングが各々、２．２以上の高い屈折率を有する少なくとも一つの層を含むことを特徴とする透明基板。
【請求項２】  赤外線反射特性を有する金属層が銀に基いてることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】  赤外線反射特性を有する金属層の厚みが低放射率の特性を与えるため、７〜２０nm、特に９〜１５nmであり、または太陽光保護特性を与えるため２０〜２５nmであることを特徴とする請求項１および２のいずれか一つに記載の基板。
【請求項４】  赤外線反射特性を有する前記層のすぐ上にこの層と接触して配置された保護金属層を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板。
【請求項５】  前記保護金属層が、ニオブＮｂ、チタンＴｉ、クロムＣｒもしくはニッケルＮｉから選択される単一金属またはこれら金属のうちの少なくとも二種の金属の合金（特にニッケルとクロムの合金（Ｎｉ／Ｃｒ）に基づいており、そして好ましくは厚みが２nm以下であることを特徴とする請求項４に記載の基板。
【請求項６】  前記濡れ層の厚みが５〜４０nmであり、特に１５〜３０nmであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板。
【請求項７】  前記濡れ層が、少なくとも一部が結晶化された酸化亜鉛に基づいている請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板。
【請求項８】  高い屈折率を有する前記層が各々、酸化ニオブＮｂ2 Ｏ5 、マンガンがドープされた酸化ビスマスＢｉ2 Ｏ3 ：Ｍｎ、亜鉛とチタンの混合酸化物ＺｎＴｉＯｘ、酸化チタンＴｉＯ2 、タンタルとチタンの混合酸化物ＴａＴｉＯｘ、またはジルコニウムとチタンの混合酸化物ＺｒＴｉＯｘから選択される材料に基づいていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板。
【請求項９】  反射金属層の上方の誘電体コーティングが、屈折率が２．２以上の層および屈折率が１．８以下、特に１．６より小さい層を含んでいる重ね合わされた一組の層を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板。
【請求項１０】  屈折率が１．８以下である層が、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮまたはＳｉＯＡｌに基づいていることを特徴とする請求項９に記載の基板。
【請求項１１】  反射金属層の上方の誘電体コーティングが、屈折率が２．２以上の層を含有し、その層の頂面の上にそれより低い屈折率の特に１．９〜２．１の屈折率を有する例えばＳｎＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，ＺｎＯなどの層を含む重ね合わされた一組の層を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の基板。
【請求項１２】  金属層の上方に配置された誘電体ベースのコーティングが、以下の順に堆積された下記一連の層：
ａ）屈折率ｎi-2 が大きくても２．２、特に２．２より小さくまたは１．９〜２．１である材料の１又は２以上の層；
ｂ）屈折率ｎi-1 が最後の層の屈折率ｎi より少なくとも０．３小さく、特に１．８より小さい材料の１又は２以上の層；
ｃ）屈折率ｎi が実質的にｎi-2 に等しい材料の最後の１又は２以上の層を有していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基板。
【請求項１３】  屈折率が２．２以上のＴｉＯ2 タイプの層が、反射金属層と、前記一連の層ａ），ｂ），ｃ）との間に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の基板。
【請求項１４】  前記積層体が、下記積層体：
ガラス／ＴｉＯ2 またはＮｂ2 Ｏ5 またはＺｎＴｉＯｘ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＴｉまたはＮｂ／ＴｉＯ2 またはＮｂ2 Ｏ5 またはＺｎＴｉＯｘ／ＳｎＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 または（ＺｎＯ／Ｓｉ3 Ｎ4 ）
であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板。
【請求項１５】  放射率が大きくても０．０２５であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一つに記載の基板。
【請求項１６】  請求項１〜１５のいずれか一つに記載の基板を有し、薄膜積層体が面２および／または面３および適当な場合面５に存在する、低放射率のまたは太陽光保護の多重グレージング板の特にダブルグレージング。
【請求項１７】  請求項１〜１３のいずれか一つに記載の少なくとも一つの基板を有し、光透過率ＴL が少なくとも７２％であることを特徴とする低放射率のダブルグレージング。
【請求項１８】  ２枚のガラスが空気の層によって隔てられているとき、係数ｋが１．４Ｗ／ｋ．ｍ2 以下であり、または２枚のガラスがアルゴンの層によって隔てられているとき係数ｋが１．１Ｗ／ｋ．ｍ2 以下であることを特徴とする２枚のガラスを有する請求項１７に記載のダブルグレージング。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
A)  エチレンと、一つまたはそれ以上のヒドロキシル基を含む少なくとも一種の更に別のオレフィン性不飽和モノマーとの少なくとも一種のコポリマー10〜90重量％、及び
B)  少なくとも一種の極性窒素含有化合物90〜10重量％
を含む、燃料油用の添加剤。
【請求項２】  成分A)の上記オレフィン性不飽和のコモノマーが、以下の式１
CH2 =CH-OCOR1    (1)
[ 式中、R 1 は、C 1 -C30- ヒドロキシアルキル、好ましくはC 1 -C12- ヒドロキシアルキル、特にC 2 -C6 - ヒドロキシアルキル、または対応するヒドロキシオキシアルキル基である] 
で表される化合物、特に2-ヒドロキシエチルビニルエステル、2-ヒドロキシプロピルビニルエステル、3-ヒドロキシプロピルビニルエステルまたは4-ヒドロキシブチルビニルエステルである、請求項１に記載の添加剤。
【請求項３】  成分A)のオレフィン性不飽和コモノマーが、以下の式２
CH2 =CR 2 -COOR 3    (2)
[ 式中、R 2 は水素またはメチルであり、そしてR 3 はC 1 -C30- ヒドロキシアルキル、好ましくはC 1 -C12- ヒドロキシアルキル、特にC 2 -C6 - ヒドロキシアルキル、または対応するヒドロキシオキシアルキル基である] 
で表される化合物、特にヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシイソプロピルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレートまたはグリセロールモノアクリレートである、請求項１または２に記載の添加剤。
【請求項４】  成分A)のオレフィン性不飽和コモノマーが、以下の式３
CH2 =CH-OR4       (3) 
[ 式中、R 4 はC 1 -C30- ヒドロキシアルキル、好ましくはC 1 -C12- ヒドロキシアルキル、特にC 2 -C6 - ヒドロキシアルキル、または対応するヒドロキシオキシアルキル基である] 
で表される化合物、特に2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシプロピルビニルエーテル、ヘキサンジオールモノビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテルまたはシクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテルである、請求項１〜３のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項５】  成分A)のオレフィン性不飽和コモノマーが、３〜30個、特に４〜16個、特に好ましくは５〜12個の炭素原子を有するヒドロキシアルケン、なかでも、ジメチルビニルカルビノール（＝2-メチル-3- ブテン-2- オール）、アリルオキシプロパンジオール、2-ブテン-1,4- ジオール、1-ブテン-3- オール、3-ブテン-1- オール、2-ブテン-1- オール、1-ペンテン-3- オール、1-ペンテン-4- オール、2-メチル-3- ブテン-1- オール、1-ヘキセン-3- オール、5-ヘキセン-1- オールまたは7-オクテン-1,2- ジオールである、請求項１〜４のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項６】  成分A)中のヒドロキシル- 官能化コモノマーのモル割合が0.5 〜13％、特に３〜10％である、請求項１〜５のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項７】  成分A)のコポリマーのOH価が１〜800mgKOH/gである、請求項１〜６のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項８】  成分A)のコポリマーの溶融粘度が10,000mPas未満、好ましくは10〜1000mPasである、請求項１〜７のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項９】  成分A)のコポリマーが、エチレン及びヒドロキシル- 官能化コモノマーの他に、ビニルエステル、アクリル酸、アクリレート、ビニルエーテル及び／またはアルケンからなる群から選択される一種、二種または三種の更に別のコモノマーを含む、請求項１〜８のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項１０】  極性窒素化合物が、アシル基（＞C ＝O)と、式NR6 R 7 R 8 の窒素化合物との反応によって生ずる化合物であり、この際、R 6 、R 7 及びR 8 は同一かまたは異なり、そしてこれらの基の少なくとも一つはC 8 -C36- アルキル、C 6 -C36- シクロアルキル、C 8 -C36- アルケニル、特にC 12-C24- アルキル、C 12-C24- アルケニルまたはシクロヘキシルであり、そしてその他の基が水素、C 1 -C36- アルキル、C 2 -C36- アルケニル、シクロヘキシル、または式-(A-O)x -Eもしくは-(CH2 ) n -NYZで表される基であり、またここで、A はエチレンまたはプロピレン基であり、ｘは１〜50の数であり、E は、H 、C 1 -C30- アルキル、C 5 -C12- シクロアルキルまたはC 6 -C30- アリールであり、ｎは２、３または４であり、そしてY 及びZ は、互いに独立して、H 、C 1 -C30- アルキルまたは-(A-O)x -Eである、請求項１〜９のいずれか一つに記載の添加剤。
【請求項１１】  請求項１〜１０のいずれか一つに記載の添加剤であって、次式
【化１】
2000129276.tif 000001
［式中、Ｒ47は、線状もしくは分枝状のＣ4 −Ｃ50アルキルまたはＣ4 〜Ｃ50アルケニルであり、Ｒ48はエトキシ及び／またはプロポキシであり、ｎは５〜１００の数であり、そしてｐは０〜５０の数である］
で表されるアルキルフェノール−アルデヒド樹脂を更に含有し、そして該添加剤：上記樹脂の重量混合比が１：１０〜２０：１である、上記添加剤。
【請求項１２】  硫黄を最大で0.5 重量％の量で含む中間留分と請求項１〜11のいずれか一つに記載の添加剤とを含む燃料油。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
【化２】
2000129276.tif 000002
[ 式中、R 47は、線状もしくは分枝状のC 4 -C50- アルキルまたはC 4 -C50- アルケニルであり、R 48はエトキシ及び／またはプロポキシであり、ｎは５〜100 の数であり、そしてｐは０〜50の数である] 
で表されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）乳酸系樹脂、及び、（Ｂ）セルロース４０質量％〜６０質量％とリグニン１０質量％〜３０質量％とを含有する天然繊維、を含む樹脂組成物であって、（Ａ）乳酸系樹脂と（Ｂ）天然繊維とを質量比で９９：１〜７０：３０の割合で含有し、かつ、前記（Ａ）乳酸系樹脂が、Ｌ乳酸：Ｄ乳酸＝１００：０〜９７：３、又は、Ｌ乳酸：Ｄ乳酸＝０：１００〜３：９７である樹脂組成物を用いてなることを特徴とするペレット。
【請求項２】
構成成分が外見上均一に分散していることを特徴とする請求項１記載のペレット。
【請求項３】
前記樹脂組成物の結晶化熱量ピーク温度（Ｔｃ）が１００℃以上であることを特徴とする請求項１または２記載のペレット。
【請求項４】
前記（Ｂ）天然繊維を（Ａ）乳酸系樹脂に含浸させた被覆物と、（Ａ）乳酸系樹脂とを混練して形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のペレット。
【請求項５】
（Ｂ）セルロース４０質量％〜６０質量％とリグニン１０質量％〜３０質量％とを含有する天然繊維を、Ｌ乳酸：Ｄ乳酸＝１００：０〜９７：３、又は、Ｌ乳酸：Ｄ乳酸＝０：１００〜３：９７である（Ａ）乳酸系樹脂に含浸させて被覆物を形成する工程と、前記被覆物に更に（Ａ）乳酸系樹脂を添加して混練する工程と、次いで、ペレットを形成する工程と、を備えたことを特徴とするペレットの製造方法。
【請求項６】
前記被覆物を形成する工程において、引き抜き成形が適用されることを特徴とする請求項５記載のペレットの製造方法。
【請求項７】
（Ａ）乳酸系樹脂と（Ｂ）天然繊維とを質量比で９９：１〜７０：３０の割合で含有する樹脂組成物を用いてなる射出成形体の曲げ弾性率を向上させることを特徴とする成形体の曲げ弾性率向上方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）天然繊維が、セルロース４０質量％〜６０質量％とリグニン１０質量％〜３０質量％とを含有することを特徴とする請求項７記載の成形体の曲げ弾性率向上方法。
【請求項９】
前記（Ａ）乳酸系樹脂が、Ｌ乳酸：Ｄ乳酸＝１００：０〜９７：３、又は、Ｌ乳酸：Ｄ乳酸＝０：１００〜３：９７であることを特徴とする請求項７又は８記載の成形体の曲げ弾性率向上方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雨水を集めて流す雨水排水桝と、雨水排水桝底面よりやや高い位置に設けられる下水道に接続された排水管と、この排水管よりやや高い位置に底面を有し地中に埋設された箱型のピットと、このピットの底面と前記桝とを連結する管と、前記ピット内に置かれた箱型の浮体と、この浮体に立設した防水板と、構築物の防水すべき位置に設けた受け枠とよりなり、防水板が受け枠に案内されて上下動しうる構成としたことを特徴とする浮体利用の簡易防水板。
【請求項２】
前記ピットの上部に傾斜誘導材を備え、傾斜屋根を有する前記箱型浮体の頂部に防水板を立設したことを特徴とする請求項１記載の浮体利用の簡易防水板。
【請求項３】
前記受け枠は、左右の縦枠に併設したガイド溝と弾性帯を有し、前記ガイド溝にはガイド溝より深い凹地よりなるストッパ部を有し、前記弾性帯の下端をつなぐ弾性帯を横枠に設け、前記防水板は、前記受け枠のガイド溝を上下に摺動する突起体よりなるガイドを前記ストッパ部と同位地に備え、前記弾性帯と同位置にガイドより高さの低い凸状歯を備えたことを特徴とする請求項１、２記載の浮体利用の簡易防水板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そして本発明は上記の目的を達成するために、雨水を集めて流す雨水排水桝と、雨水排水桝底面よりやや高い位置に設けられる下水道に接続された排水管と、この排水管よりやや高い位置に底面を有し地中に埋設された箱型のピットと、このピットの底面と前記桝とを連結する管と、前記ピット内に置かれた箱型の浮体と、この浮体に立設した防水板と、構築物の防水すべき位置に設けた受け枠とよりなり、防水板が受け枠に案内されて上下動しうる構成としたことを特徴とする浮体利用の簡易防水板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  水素ガスの添加量が５％以上２０％以下の範囲であることを特徴とする請求項５記載の光学薄膜の成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
実験の結果、スパッタガス中に添加する水素ガスの量は、５％以上で顕著な効果が現れ、２０％を越えると、基板近傍の反応に寄与するフッ素ガスも一部ＨＦ分子化されてしまうため、金属フッ化物反応の促進が阻害されることが判明している。従って、スパッタガス中の水素濃度は５％以上２０％以下の範囲で制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１、１ａ、１ｂ  密封板付転がり軸受
２    内輪軌道
３    内輪
４    外輪軌道
５    外輪
６    転動体
７    係止溝
８、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ  密封板
９    芯金
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  弾性材
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ  シールリップ
１２、１２ａ、１２ｂ  端縁部
１３    シール溝
１４    側壁面
１５    側壁面
１６    空間
１７    傾斜側面
１８    傾斜側面
１９    くびれ部
２０    傾斜側面
２１    底面
２２、２２ａ  内周面
２３    曲面部
２４    グリースリップ
２５、２５ａ  ダストリップ
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2001140907.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド樹脂とガラス繊維とを含む樹脂組成物からなることを特徴とする転がり軸受用シール。
【請求項２】
吸水しておりその吸水率が０．３〜３．５ｗｔ％であるとともに、前記ポリアミド樹脂が４，６−ナイロン、６−ナイロン、又は６，６−ナイロンであることを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受用シール。
【請求項３】
前記ガラス繊維は、アスペクト比が３以上且つ平均繊維径が０．３〜１５μｍであるとともに、前記樹脂組成物における前記ガラス繊維の含有率が１０〜５０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の転がり軸受用シール。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下端部外周に複数の攪拌羽根を突設し、かつ１個以上の吐出口を設けた杭芯体となる中空鋼管を流路として固化液を注入し、かつ回転埋設し、前記中空鋼管の周囲で固化液を固化させることによりソイルセメントの状態にしてなることを特徴とする合成杭。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
下端部外周に複数の攪拌羽根を突設し、かつ１個以上の吐出口を設けた杭芯体となる中空鋼管を流路とし、固化液を注入しながら順次中空鋼管を継ぎ足して回転埋設し、中空鋼管の周囲で固化液を固化させることにより、ソイルセメントの状態にして造成してなることを特徴とする合成杭の施工法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
下端部外周に複数の攪拌羽根を突設し、かつ１個以上の吐出口を設けた杭芯体となる中空鋼管を流路とし、固化液を所要の高さで注入、噴出しながら回転埋設し、中空鋼管の周囲の所要の高さで固化液を固化させることにより、ソイルセメントの状態にして造成してなることを特徴とする合成杭の施工法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は下端部外周に複数の攪拌羽根を突設し、かつ１個以上の吐出口を設けた杭芯体となる中空鋼管を流路として固化液を注入し、かつ回転埋設し、前記中空鋼管の周囲で固化液を固化させることによりソイルセメントの状態にして造成してなる。また下端部外周に複数の攪拌羽根を突設し、必要によりその上方に共回り防止装置を設けてある。また中空鋼管の中間外周面に螺旋翼状または鍔状の突起を形成してある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
施工に際しては下端部外周に複数の攪拌羽根を突設し、かつ１個以上の吐出口を設けた杭芯体となる中空鋼管を流路とし、固化液を注入しながら順次中空鋼管を継ぎ足して回転埋設し、そのままの状態で中空鋼管の周囲で固化液を固化させることにより、ソイルセメントの状態に造成する。そして必要により所要の高さで固化液を注入、噴出し固化させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001140251.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】糸条物の加撚方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  捲き状態にある被加撚物を回転させることなく解舒走行中に加撚することを特徴とする加撚方法。
【請求項２】  走行状態の糸条物を加撚するに当たり加撚装置の１回転当たり、２回の撚を附与することを特徴とする請求項１に記載の加撚方法。
【請求項３】  被加撚物の加撚装置に対する進行方向は入側と出側が互いに反対方向であることを特徴とする請求項１または２に記載の加撚方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
排気マニホルド６０はシリンダブロック２２の側方に設けられており、エンジン２０の排気口２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄに接続される排気管６１，６２，６３，６４を上下に振り分けて排気口２３ａ〜２３ｄの上下においてそれぞれ合流管６２ａ、６５を構成し、かつこれら合流管６２ａ、６５をさらに合流させて排気マニホルドからの排気出口６７を形成した構造となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以上のような小型船舶によれば、次のような作用効果が得られる。
（ａ）排気マニホルド６０を側部に有する多気筒エンジン２０を、そのクランクシャフト２１が船体１１の前後方向に沿うように配置し、排気マニホルド６０が、エンジン２０の排気口２３ａ〜２３ｄに接続される排気管６１〜６４を上下に振り分けて排気口２３ａ〜２３ｄの上下においてそれぞれ合流管６２ａ，６５を構成し、かつこれら合流管６２ａ，６５をさらに合流させて排気マニホルドからの排気出口６７を形成した構造となっているので、従来のもの（図１１（ｂ））に比べて排気マニホルドを小型化することができる。
詳しく説明すると、図１１（ｂ）に示した従来の排気マニホルド４は、その各排気管４ｃを、排出口（４ａ）から一旦前方へ管路を進めたうえ屈曲して後方の排出口４ｂへ向かうように構成してあり、これらの排気管４ｃは全て排出口４ｂで合流している。すなわち、４本の排気管４ｃは、これが排出口４ｂに至るまではそれぞれ完全に独立しているために、排気マニホルド４は全体として大型化せざるを得ない。
これに対し、この実施の形態における排気マニホルド６０は、エンジン２０の排気口２３ａ〜２３ｄに接続される排気管６１〜６４が上下に振り分けられて排気口２３ａ〜２３ｄの上下においてそれぞれ合流管６２ａ，６５を構成し、かつこれら合流管６２ａ，６５がさらに合流して排気マニホルドからの排気出口６７を形成している。すなわち、エンジンの排気口２３ａ〜２３ｄの上下に振り分けられた排気管６１〜６４が多段階的に合流するので、その分、従来のもの（図１１（ｂ））に比べて排気マニホルドを小型化することができる。
したがって、この小型船舶によれば、排気マニホルドを側部に有する多気筒エンジン２０を、船体１１内に配置しやすくなる。
（ｂ）排気マニホルド６０の排気出口６７に排気ターボチャージャ７０が接続されているので、高出力を得ることが可能となる。
そして、排気出口６７は船体１１の内部空間１６の高さ方向略中央部に配置されており、この排気出口６７に排気ターボチャージャ７０が接続されているので、結果として、図１に示すように、排気ターボチャージャ７０を船体１１の内部空間１６の高さ方向略中央部に配置することが可能となり、しかも容易に配置することができるようになる。
したがって、船体１１内に侵入した水が排気ターボチャージャ７０に触れにくくなり、排気ターボチャージャ７０が破損しにくくなる。
すなわち、この小型船舶によれば、排気ターボチャージャ７０によって、高出力を得ることが可能となるにもかかわらず、船体１１内に侵入した水が排気ターボチャージャ７０に触れにくくなるので、排気ターボチャージャ７０が破損しにくくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０    小型船舶
１１    船体
２０    エンジン
２１    クランクシャフト
２３ａ〜２３ｄ    排気口
６０    排気マニホルド
６１〜６４    排気管
６２ａ，６５  合流管
６７    排気出口
７０    排気ターボチャージャ