Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路であって、
ベース、エミッタ、およびコレクタを有するパワーアンプ（３００）と、
パワーアンプのベースに供給される電流を制御するバイアス制御回路（３６８）と、
ベース、コレクタ、およびエミッタを有し、該ベースはパワーアンプのベースから隔離されている基準装置（３１０）と、
を含み、
前記バイアス制御回路（３６８）は、第１入力（３５１）、第２入力（３５２）および出力（３５３）からなる演算増幅器（３６０）と、電源入力、制御入力および出力を有する電圧‐電流変換器（３５５）と、を備え、
前記演算増幅器（３６０）の第１入力（３５１）は基準装置（３１０）のベース、電圧‐電流変換機（３５５）の出力および基準装置（３１０）のコレクタに接続しており、前記演算増幅器（３６０）の第２入力（３５２）は演算増幅器（３６０）の出力（３５３）およびパワーアンプ（３００）のベースと接続している、集積回路。
【請求項２】  集積回路であって、
出力信号を生成し、かつバッテリ電源に接続されたコレクタと、接地極に接続されたエミッタと、高周波信号が注入され、かつ演算増幅器の第１の入力と出力に接続されたベースを有するパワーアンプ（３００）と、
演算増幅器の第２の入力に接続されたコレクタと、コレクタに接続されたベースと、接地極に接続されたエミッタとを有する基準装置（３１０）と、
バッテリ電源に接続された電源入力と、アナログ制御信号に接続された制御入力と、演算増幅器の第２出力および基準装置のコレクタに接続された出力と、を有する電圧−電流変換器（３５５）と、
を含む集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部の他の画像処理装置と通信する機能を有する画像処理装置であって、
前記他の画像処理装置を操作するための通信を行なう機能を有する第１の通信手段と、
前記他の画像処理装置から操作を受けるための通信を行なう機能を有する第２の通信手段と、
前記第１の通信手段と前記第２の通信手段とを切り替える切り替え手段と、
前記切り替え手段の切り替え動作を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】  前記第１の通信手段は、自身の画像処理装置が操作の主体となって、前記他の画像処理装置との間で画像ファイルを送受信するための制御を行なう機能を備え、前記第２の通信手段は、操作の主体となった前記他の画像処理装置との間で画像ファイルを送受信する機能を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】  前記切り替え手段は、ユーザによって操作可能であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】  前記制御手段は、前記他の画像処理装置に関する情報を取得して、自身の画像処理装置に関する情報と比較し、該比較結果に応じて前記切り替え手段の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】  前記制御手段が比較する情報は画像処理装置が備える特定の機能のバージョンであることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】  前記制御手段が比較する情報は画像処理装置が備える表示装置の大きさ、または解像度であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項７】  前記制御手段が比較する情報は画像処理装置の電力消費量であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項８】  前記制御手段が比較する情報は画像処理装置の電池残容量であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項９】  前記制御手段が比較する情報は画像処理装置が他の画像処理装置に電力供給する能力があるか否かに関する情報であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項１０】  前記制御手段は、画像ファイルの転送中は前記切り替え手段の切り替え動作を禁止することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】  前記第１および第２の通信手段は、ＵＳＢ規格に準拠した通信インターフェイスを備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１２】  外部の他の画像処理装置と通信するための機能を有する画像処理装置を制御するための画像処理装置の制御方法であって、
前記他の画像処理装置を操作するための通信を行なう機能を有する第１の通信手段と、前記他の画像処理装置から操作を受けるための通信を行なう機能を有する第２の通信手段とを予め定められた条件にしたがって切り替える工程を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１３】  前記他の画像処理装置に関する情報を取得して、自身の画像処理装置に関する情報と比較し、該比較結果に応じて前記第１の通信手段と第２の通信手段とを切り替える工程をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１４】  前記比較する情報は画像処理装置が備える特定の機能のバージョンであることを特徴とする請求項１３に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１５】  前記比較する情報は画像処理装置が備える表示装置の大きさ、または解像度であることを特徴とする請求項１３に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１６】  前記比較する情報は画像処理装置の電力消費量であることを特徴とする請求項１３に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１７】  前記比較する情報は画像処理装置の電池残容量であることを特徴とする請求項１３に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１８】  前記比較する情報は画像処理装置が他の画像処理装置に電力供給する能力があるか否かに関する情報であることを特徴とする請求項１３に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１９】  画像ファイルの転送中は前記第１の通信手段と第２の通信手段の切り替え動作を禁止することを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項２０】  請求項１２乃至１９のいずれか１項に記載の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項２１】  請求項２０に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、この発明に係わる画像処理装置において、前記第１の通信手段は、自身の画像処理装置が操作の主体となって、前記他の画像処理装置との間で画像ファイルを送受信するための制御を行なう機能を備え、前記第２の通信手段は、操作の主体となった前記他の画像処理装置との間で画像ファイルを送受信する機能を備えることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明に係わる画像処理装置の制御方法は、外部の他の画像処理装置と通信するための機能を有する画像処理装置を制御するための画像処理装置の制御方法であって、前記他の画像処理装置を操作するための通信を行なう機能を有する第１の通信手段と、前記他の画像処理装置から操作を受けるための通信を行なう機能を有する第２の通信手段とを予め定められた条件にしたがって切り替える工程を有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一及び第二面を有する導電層、並びに該導電層の第一面上に配置され、且つ該導電層の第一面とじかに接触している抵抗材を含む構造物であって、該導電層の第一面が３から１０μｍのＲｚ（ｄｉｎ）値及び２から２０μｍの平均ピークツーピーク波長を有する等方性表面粗さを有する構造物。
【請求項２】
該導電層が金属箔である請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
該金属箔が銅、銀、ニッケル、白金、イリジウム、金、スズ、アルミニウム及びこれらの合金からなる群から選択される請求項２に記載の構造物。
【請求項４】
該ピークツーピーク波長が７から１０μｍである請求項１に記載の構造物。
【請求項５】
該抵抗材が白金を含む請求項１に記載の構造物。
【請求項６】
該抵抗材が更にイリジウム、ルテニウム又はこれらの混合物を含む請求項５に記載の構造物。
【請求項７】
該抵抗材が１００〜１０，０００Åの厚さを有する請求項１に記載の構造物。
【請求項８】
ａ）導電層の第一面が３から１０μｍのＲｚ（ｄｉｎ）値及び２から２０μｍの平均ピークツーピーク波長を有する等方性表面粗さを有している、第一面及び第二面を有する導電層を提供し；及びｂ）該導電層の第一面上に抵抗材を析出する工程を含む抵抗性構造物を製造する方法。
【請求項９】
抵抗器が第一及び第二面を有する導電層、並びに該導電層の第一面上に配置され、且つ該導電層の第一面とじかに接触している抵抗材を含み、該導電層の第一面が３から１０μｍのＲｚ（ｄｉｎ）値及び２から２０μｍの平均ピークツーピーク波長を有する等方性表面粗さを有する、抵抗器を含むプリント配線基板。
【請求項１０】
第一面が３から１０μｍのＲｚ（ｄｉｎ）値及び２から２０μｍの平均ピークツーピーク波長を有する等方性表面粗さを有する、第一面及び第二面を有する導電箔。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
したがって、バッテリー充電を行うのに十分な時間だけ固定エネルギー源に接続しておく必要なく、容易にバッテリーを充電する方法があると有利である。そのようなバッテリー充電の方法は、携帯型のバッテリー駆動式装置の分野における長年の要望を解決するであろう。本件に関連する先行技術文献として特許文献１がある。
【特許文献１】米国特許第６，４０４，１６８号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の通常機能を実施する機能ユニットであって、メモリアレイを有する機能ユニットと、
前記集積回路の製造及び試験に関する情報を記憶するＦｅＲＡＭアレイを含むＩＤメモリであって、前記情報が、前記集積回路の試験によって得られる結果、及び、前記集積回路上のセンスアンプのセンスアンプオフセットの代表的測定値の試験によって得られる結果を含むものである、ＩＤメモリと
からなる集積回路。
【請求項２】
第１のモードで動作中に、前記通常機能として前記機能ユニットを前記集積回路の端子に接続し、第２のモードで動作中に、前記ＩＤメモリを前記端子に接続し、前記ＩＤメモリにアクセスできるようにする、モード選択論理回路を更に含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
集積回路の試験プロセスであって、
試験結果を示す情報を前記集積回路のメモリに書き込むステップと、
前記集積回路のセルフテストを実施し、前記メモリ中の結果を該セルフテストの結果と比較するステップと、
前記集積回路の製造中に前記集積回路の試験を実施し、前記集積回路の使用中に前記集積回路のセルフテストを実施するステップと
からなる試験方法。
【請求項４】
前記メモリは強誘電体メモリである、請求項３に記載の試験プロセス。
【請求項５】
前記セルフテストは前記集積回路の動作パラメタを選択する、請求項３に記載の試験プロセス。
【請求項６】
通常データ記憶機能を提供する第１のＦｅＲＡＭアレイと、
前記第１のＦｅＲＡＭアレイから読み出されたビットライン電圧の分布を示す情報を記憶する第２のＦｅＲＡＭアレイを含むＩＤメモリであって、前記第２のＦｅＲＡＭアレイは、前記ＦｅＲＡＭ上のセンスアンプのセンスアンプオフセットの測定値を更に記憶する、ＩＤメモリと
からなる強誘電体ランダムアクセスメモリ（ＦｅＲＡＭ）。
【請求項７】
第１のモードにおいて前記第１のＦｅＲＡＭアレイを端子に接続し、第２のモードにおいて前記ＩＤメモリを前記端子に接続し、前記ＩＤメモリにアクセスできるようにする、モード選択論理回路を更に含む、請求項６に記載のＦｅＲＡＭ。
【請求項８】
前記ＦｅＲＡＭはセルフテストを実施し、該セルフテストの結果を前記ＩＤメモリに記憶された情報と比較して、前記ＦｅＲＡＭが期待どおりに動き続けているか否かを判定する、請求項６に記載のＦｅＲＡＭ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イ）まず円筒形ドーナツ管を４つに分けて組立てて作るがレザー光線を照射する部分はラッパ形碍子して作りその真中の管の２／３程度前方の所に十方依りレザー光線が管の中心に照射出来る様に１０個の穴を明けそこに１０基のレザー光線装置を設置しそしてその残り側の部分に冷却用のらせん形油圧管を捲いてその両端はその碍子の外側にもう一つの磁気製の円管を作り碍子はそれに嵌め油圧管とレザー装置のコードは１ヶ所にまとめてその円管の外に出して置きそしてその磁気製の円管にもコイルを捲いて置いて置きそしてその磁気製の円管の両端にＣ形磁気製の円管をそれぞれ取付けそれに波状コイルを設置しそして３本のコードを繋ぐＣ形磁気製の円管の先に最後の１つの円筒形碍子を取付けそしてその中にモーターでの圧縮器を設置するそしてこのモーター圧縮器のモーターのカバー部分にオイル管を設置しモーターで何段ものファンを回してＮＯ２ガスを圧縮すると云うものである更に双方のモーターと碍子に捲いてある油圧管と中央に設置してあるオイルポンプのモーターの油圧管を繋いで置きそして圧縮機のモーターのコードはオイル管の途中依り外に出して置く磁気管の材質は銅とプラスチックの化合物でコードはプラスチックの皮の銅線が妥当であるＮＯ２ガスをモーター圧縮器で圧縮すると共に十基からなるレザー光線を同時に照射しオイルポンプを作動させると管の中のＮＯ２ガスがレザー光線の作用を受けてプラズマを起す油圧管はドーナツ管の中の温度を調節する役目を持っているそして波状コイルで静電気を補足する事が出来る尚ＮＯ２ガスは圧縮機の前部分依り注入する様にする
ロ）電源となる電池は２人−４人乗りの宇宙船でも２０Ｗ程度の原子力発電装置でも良いが毛を焦したものと尿と食塩と銅版と亜鉛板と和紙と空気があればそれでも一時間内利用なら可能とする
ハ）そしてＮＯ２は発電用にＣＯ２冷暖房用にするがＮＯ２とＣＯ２は動物の廃物を応用するそしてこれらは熱交換器から成る冷却圧縮器で分離して取り出しＨ２ＯのＨも宇宙空間依りピート管で取り入れるが一般的には水を機内に持ち込む事になるそれで酸素は植物の光合成から得る事が出来る従って機内には発光ダイオードも必要となって来る尚勿論植物の種類に依って色の％が違って来るはずである
ニ）圧縮機及びオイルポンプのモーターは回転子には希土類の永久磁石を使うが回転子にはまず３本の磁石を組合せ真中の合さる部分に当る所は共に内側に１／１０００匂配に曲げて削りそこに銅板を挟んでシャフトと共にナットで固定する外側の固定子は４極としコイルを捲いて外枠に嵌め込む従って電圧を掛けるのは固定子の部分だけとなるが固定子には誘導コイルをそれぞれ設置して作る更にこのモーターは５本の磁石つまり１０極でも作る事が可能である
ホ）壺の中に動物や植物と水と腐敗菌を入れて空気を送り撹拌して居るとＮＯ２ガスやメタンガスが出て来るがその気体をそのまま磁気管の中へ注入しても良い従ってＮＯ２ガスと限定する必要はないと思うそしてその残りを水を抜き取り燃せばＣＯ２は得る事が出来る以上の如く構成されたＭＨＤ連続発電装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ素子と、
前記アンテナ素子およびその近傍のみに電流分布が存在する場合と前記アンテナ素子およびその近傍以外にも電流分布が存在する場合とに切り替わるアンテナ特性切り替え部と
を備えた無線端末装置用アンテナ。
【請求項２】
前記アンテナ素子が、前記アンテナ素子の長辺とねじりの位置関係にある導電基板と平行にかつ波長に比べて十分小さい間隔で近接して配置され、
前記アンテナ特性切り替え部が、前記アンテナ素子の前記導電基板と近接する部分に接続され、前記導電基板との導通を切り替える
請求項１記載の無線端末装置用アンテナ。
【請求項３】
前記アンテナ特性切り替え部が、スイッチと、コイルとの直列接続したものである請求項１又は２に記載の無線端末装置用アンテナ。
【請求項４】
前記アンテナ特性切り替え部が、ダイオードと、コイルとの直列接続したものである請求項１又は２に記載の無線端末装置用アンテナ。
【請求項５】
前記アンテナ素子がループアンテナ、ダイポールアンテナ、およびダイバーシチアンテナのいずれかである請求項１乃至４のいずれかに記載の無線端末装置用アンテナ。
【請求項６】
前記アンテナ素子がダイポールアンテナであり、かつ２つのアンテナ素子で構成されるアレーアンテナとする請求項１乃至４のいずれかに記載の無線端末装置用アンテナ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の無線端末装置用アンテナと、
前記アンテナ素子の一端に接続したＲＦ回路部と、
を備えた無線端末装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の無線端末装置用アンテナと、
前記アンテナ素子の両端に平衡不平衡変換器が接続され、
ＲＦ回路部が前記平衡不平衡変換器に接続される、
無線端末装置。
【請求項９】
現在の通信が通話かデータ通信かを検出し、前記アンテナ特性切り替え部に通知する使用形態推定部をさらに有し、
前記アンテナ特性切り替え部が前記通知を基に、あらかじめ決められた切り替えを行う請求項７又は８記載の無線端末装置。
【請求項１０】
受信電力、あるいは到来する電波の偏波や到来する電波の方向を検出し、前記アンテナ特性切り替え部に通知する伝搬環境推定部をさらに有し、
前記アンテナ特性切り替え部が前記通知を基に、あらかじめ決められた切り替えを行う請求項７又は８記載の無線端末装置。
【請求項１１】
前記無線端末装置の傾きを検出し、前記アンテナ特性切り替え部に通知する傾き検出部をさらに有し、
前記アンテナ特性切り替え部が前記通知を基に、あらかじめ決められた切り替えを行う請求項７又は８記載の無線端末装置。
【請求項１２】
待ち受け用のアンテナをさらに有する請求項７又は８記載の無線端末装置。
【請求項１３】
スプリッターをさらに有し、前記アンテナ素子およびＲＦ回路を複数備える請求項７又は８記載の無線端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る無線端末装置用アンテナは、前記アンテナ素子が、前記アンテナ素子の長辺とねじりの位置関係にある導電基板と平行にかつ波長に比べて十分小さい間隔で近接して配置され、前記アンテナ特性切り替え部が、前記アンテナ素子の前記導電基板と近接する部分に接続され、前記導電基板との導通を切り替えるアンテナ特性切り替え部とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明に係る無線端末装置は、アンテナ素子と、このアンテナ素子の長辺とねじりの位置関係で、平行にかつ波長に比べて十分小さい間隔で近接して配置する導電基板と、アンテナ素子の両端に平衡不平衡変換器が接続され、ＲＦ回路部が前記平衡不平衡変換器に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
コンテンツデータ送信装置が送信するコンテンツデータを受信するコンテンツデータ受信装置において、コンテンツデータ送信装置が複数の信号線を介して送信したデータを受信する受信装置送受信部と、前記受信装置送受信部が受信したデータから複数のキー情報を抽出し記憶部に記憶すると共に複数のキー情報の中から暗号化に用いたキー情報を選択するキー情報抽出部と、前記受信装置送受信部が受信したデータから暗号化したコンテンツデータを取得して前記キー情報抽出部が選択したキー情報を用いて前記暗号化したコンテンツデータを復号するコンテンツ復号化部と、前記コンテンツ復号化部が復号したコンテンツデータを出力するコンテンツ出力部と、前記コンテンツデータ送信装置が複数の信号路を介して送信したデータから複数のキー情報を抽出し複数のキー情報の中からコンテンツデータの復号に用いるキー情報を選択し前記コンテンツデータ送信装置が複数の信号路を介して送信した暗号化したコンテンツデータを前記選択したキー情報を用いて復号する制御を行う受信装置制御部とを備えることを特徴とするコンテンツデータ受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本願の請求項９の発明は、コンテンツデータ送信装置が送信するコンテンツデータを受信するコンテンツデータ受信装置において、コンテンツデータ送信装置が複数の信号線を介して送信したデータを受信する受信装置送受信部と、前記受信装置送受信部が受信したデータから複数のキー情報を抽出し記憶部に記憶すると共に複数のキー情報の中から暗号化に用いたキー情報を選択するキー情報抽出部と、前記受信装置送受信部が受信したデータから暗号化したコンテンツデータを取得して前記キー情報抽出部が選択したキー情報を用いて前記暗号化したコンテンツデータを復号するコンテンツ復号化部と、前記コンテンツ復号化部が復号したコンテンツデータを出力するコンテンツ出力部と、前記コンテンツデータ送信装置が複数の信号路を介して送信したデータから複数のキー情報を抽出し複数のキー情報の中からコンテンツデータの復号に用いるキー情報を選択し前記コンテンツデータ送信装置が複数の信号路を介して送信した暗号化したコンテンツデータを前記選択したキー情報を用いて復号する制御を行う受信装置制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
後述するが、機器認証データ、キー情報送信データ及びコンテンツ送信データは、それぞれ複数のデータ列からなる。送信装置送受信部２５は、送信装置制御部２６の制御により、キー情報生成部２３から出力される暗号化されたキー情報、送信装置ＩＤ認証部２４から出力される暗号化された受信装置ＩＤ情報、コンテンツ暗号化部２２から出力される暗号化されたコンテンツデータをそれぞれ分割し、分割したそれぞれのデータを機器認証データ、キー情報送信データ、コンテンツ送信データが有する複数のデータ列にそれぞれ格納する処理を行い、それぞれのデータをコンテンツデータ受信装置３０に送信する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
送信装置制御部２６は、コンテンツデータ送信装置２０とコンタンツデータ受信装置３０との間の接続確認が終了すると、送信装置ＩＤ認証部２４の送信ＩＤ記憶部２４ａに記憶されている複数の受信装置ＩＤ情報の中からコンテンツデータ受信装置３０に対応する１つの受信装置ＩＤ情報を抽出し、当該受信装置ＩＤ情報を暗号化した受信装置ＩＤ情報を分割し、分割したそれぞれのデータを複数のデータ列からなる機器認証データにそれぞれ格納し、機器認証データを送信装置送受信部２５から第１データ線〜第６データ線を介してコンテンツデータ受信装置３０に送信する制御を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
コンテンツ送信データは、図５（ａ）に示すように、第１データ列、第２データ列、・・・、第６データ列からなる。各データ列は、暗号化されたコンテンツデータを分割し、分割した情報のいずれかの情報を格納するデータ領域と、コンテンツ送信データに関する情報を格納する送信データ情報領域とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
この場合、２回目以降のコンテンツ送信データの送信において、１回の送信により送信できる暗号化コンテンツテータのデータ量が、上述した図５（ａ）のフォーマットで送信する暗号化コンテンツデータのデータ量より多いため、コンテンツデータ送信装置２０からコンテンツデータ受信装置３０に、より短時間で多くの暗号化コンテンツデータを送信することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
緊急コールバック方法であって、
各スイッチによりPublic Service Answering Point (PSAP)への経路選択が行われる緊急無線電話の発呼側番号として使用するために、無線ネットワークにおいて異なる緊急交換番号を各スイッチに割り当てて、呼の被呼側番号として前記スイッチに割り当てられた緊急交換番号を受信する各スイッチが、前記呼を、緊急コールバックであると認識するステップを含む緊急コールバック方法。
【請求項２】
それぞれの割り当てられた緊急交換番号がポーティング可能でない請求項１に記載の方法。
【請求項３】
緊急コールバック方法であって、
緊急電話を開始する移動局の通信要求を処理する無線ネットワーク内のスイッチの緊急交換番号と移動局の識別子をPublic Service Answering Point (PSAP)に送信して、呼の被呼側番号として前記スイッチに割り当てられた緊急交換番号を受信する各スイッチが、前記呼を、緊急コールバックであると認識するステップを含む緊急コールバック方法。
【請求項４】
緊急コールバック方法であって、
緊急電話を開始する移動局の通信要求を処理する無線ネットワーク内のスイッチの緊急交換番号と移動局の識別子をPublic Service Answering Point (PSAP)で受信するステップと、
移動局による緊急電話が中断したときに緊急交換番号を呼び出すことによりPSAPで移動局へのコールバックを開始して、呼の被呼側番号として前記スイッチに割り当てられた緊急交換番号を受信する各スイッチが、前記呼を、緊急コールバックであると認識するステップを含む緊急コールバック方法。
【請求項５】
さらに、
コールバックを開始するときに移動局の識別子をスイッチに発信するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
発信するステップにより移動局の識別子が一般アドレス・パラメータで送信される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
緊急コールバック方法であって、
無線通信システムのスイッチで、被呼側番号と移動局識別子を受信して、呼の被呼側番号として前記スイッチに割り当てられた緊急交換番号を受信する各スイッチが、前記呼を、緊急コールバックであると認識するステップと、
被呼側番号がスイッチに割り当てられている緊急交換番号と一致した場合に移動局識別子により識別された移動局を呼び出すステップを含む緊急コールバック方法。
【請求項８】
受信するステップにおいて、移動局の識別子を一般アドレス・パラメータで受信する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
呼び出すステップが、スイッチの他のタスクよりも高い優先度で実行される請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
スイッチが移動交換局である請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
障害からの保護のためのスイッチング装置を有するネットワークノードであって、
前記スイッチング装置は、
二つの光ファイバ入力ポート及び二つの光ファイバ出力ポートを有し、前記入力ポートと前記出力ポートとをスルー接続する第１動作モード、及び、前記入力ポートと前記出力ポートとをクロス接続する第２動作モードで動作する第１の光スイッチモジュール及び第２の光スイッチモジュールを備え、
前記光スイッチモジュールの入力ポート及び出力ポートの各々には、前記第１動作モードでスルー接続される複数の現用光ファイバ伝送ラインが接続され、
前記光スイッチモジュールの入力ポート及び出力ポートの各々には、前記第１動作モードでスルー接続されると共に、前記第２動作モードでクロス接続される複数の予備用光ファイバ伝送ラインが接続され、
前記各予備用光ファイバ伝送ラインの末端は、一つの前記スイッチモジュールの出力ポートに接続されると共に、他端が、他の前記スイッチモジュールの入力ポートに接続され、
それによって、前記スイッチモジュールが前記第２動作モードになると、現用光ファイバ伝送ライン及び／又はスイッチモジュールが選択的に迂回されることを特徴とするネットワークノード。
【請求項２】
Ｎが３以上の整数である、Ｎ個の前記光スイッチモジュールを備え、
前記スイッチモジュールのいずれか一つがＮ番目のスイッチモジュールであるとして、
Ｎ−１番目の前記スイッチモジュールの前記出力ポートは、前記予備用光ファイバ伝送ラインの一つによって、Ｎ番目の前記スイッチモジュールの前記入力ポートに接続され、
Ｎ−１番目の前記スイッチモジュールの前記入力ポートは、他の前記予備用光ファイバ伝送ラインの一つによって、Ｎ−２番目の前記スイッチモジュールの前記出力ポートに接続され、
それによって、前記第１動作モードでは、全ての前記予備用光ファイバ伝送ラインが前記第１動作モードにおける単一の閉じたループとなるように接続されることを特徴とする請求項１に記載のネットワークノード。
【請求項３】
前記スイッチモジュールは第１グループを構成し、
前記ネットワークノードは、リングトポロジネットワーク内に存在し、
前記スイッチモジュールのうち略半数は、前記現用光ファイバ伝送ラインにおいて前記リングトポロジネットワークの一方に送信し、
前記スイッチモジュールのうちの他の略半数は、前記リングトポロジネットワークの前記一方と逆方向に送信し、
さらに、前記ネットワークノードは、前記第１グループの鏡像として構成された第２グループの追加の光スイッチモジュールを備え、
前記第１グループ及び前記第２のグループの入力ポートと出力ポートとの間には、前記現用光ファイバ伝送ラインの略３分の１が接続されることを特徴とする請求項２に記載のネットワークノード。
【請求項４】
前記ネットワークノードは、複数の他のノードを有するメッシュトポロジネットワーク内に存在し、
前記ネットワークノードは、次々に他のノードと関連して、前記リングトポロジネットワーク形成することを特徴とする請求項３に記載のネットワークノード。
【請求項５】
前記スイッチモジュールを二つ備え、
一方の前記スイッチモジュールの前記出力ポートは、前記予備用光ファイバ伝送ラインによって、他方の前記スイッチモジュールの前記入力ポートに接続され、
他方の前記スイッチモジュールの出力ポートは、他の前記予備用光ファイバ伝送ラインによって、前記一方のスイッチモジュールの入力ポートに接続され、
それによって、前記第１動作モードでは、前記予備用光ファイバ伝送ラインが前記第１動作モードにおける単一の閉じたループとなるように接続されることを特徴とする請求項１に記載のネットワークノード。
【請求項６】
前記スイッチモジュールは第１グループを構成し、
前記ネットワークノードは、リングトポロジネットワーク内に存在し、
前記スイッチモジュールのうち略半数は、前記現用光ファイバ伝送ラインにおいて前記リングトポロジネットワークの一方に送信し、
前記スイッチモジュールのうちの他の略半数は、前記リングトポロジネットワークの前記一方と逆方向に送信し、
さらに、前記ネットワークノードは、前記第１グループの鏡像として構成された第２のグループの追加の光スイッチモジュールを備え、
前記第１グループ及び第２のグループの入力ポートと出力ポートとの間には、前記現用光ファイバ伝送ラインの略３分の１が接続されることを特徴とする請求項５に記載のネットワークノード。
【請求項７】
前記ネットワークノードは、複数の他のノードを有するメッシュトポロジネットワーク内に存在し、
前記ネットワークノードは、次々に他のノードと関連して、前記リングトポロジネットワークを形成することを特徴とする請求項６に記載のネットワークノード。
【請求項８】
障害からの保護のために切替動作を行うネットワークノードの動作方法であって、
二つの光ファイバ入力ポート及び二つの光ファイバ出力ポートを有する第１光のスイッチモジュール及び第２の光スイッチモジュールを設け、
前記第１及び第２のスイッチモジュールは、第１動作モードにおいて前記入力ポートと前記出力ポートとをスルー接続し、第２動作モードにおいて前記入力ポートと前記出力ポートとをクロス接続し、
複数の現用光ファイバ伝送ラインを、前記第１動作モードでスルー接続される、前記のスイッチモジュールの前記入力ポート及び前記出力ポートに接続し、
複数の予備用光ファイバ伝送ラインを、前記第１動作モードでスルー接続されると共に、前記第２動作モードでクロス接続される前記のスイッチモジュールの前記入力ポート及び前記出力ポートに接続し、
前記予備用光ファイバ伝送ラインの各々を、一つの前記スイッチモジュールの出力ポートと他の前記スイッチモジュールの入力ポートとの間に接続し、
前記スイッチモジュールのモードを選択的に変更して、一つの現用光ファイバ伝送ライン及び／又は一つのスイッチモジュールを迂回することを特徴とするネットワークノードの動作方法。
【請求項９】
前記スイッチモジュールのモードの選択的な変更によって、前記現用光ファイバ伝送ラインを迂回するモードの組合せと、前記スイッチモジュールを迂回するモードの組合せとが提供されることを特徴とする請求項８に記載のネットワークノードの動作方法。
【請求項１０】
前記光スイッチモジュールを設ける手順において、Ｎが３以上の整数である、Ｎ個の前記スイッチモジュールを設け、
前記スイッチモジュールのいずれか一つがＮ番目のスイッチモジュールであるとして、
一つの予備用光ファイバ伝送ラインを、Ｎ−１番目の前記スイッチモジュールの前記出力ポートとＮ番目の前記スイッチモジュールの前記入力ポートとの間に接続し、
他の予備用光ファイバ伝送ラインを、Ｎ−１番目の前記スイッチモジュールの前記入力ポートとＮ−２番目の前記スイッチモジュールの前記出力ポートとの間に接続し、
それによって、前記第１動作モードでは、前記予備用光ファイバ伝送ラインを単一の閉じたループとなるように接続することを特徴とする請求項８に記載のネットワークノード動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
活性層と、
活性層上下に設けられる上部及び下部ウェーブガイド層と、
前記活性層及びウェーブガイド層によるサンドウィッチの上下に設けられる上部及び下部クラッド層と、
前記活性層と上部及び下部ウェーブガイド層と上部及び下部クラッド層とからなる積層を支持する基板を具備し、
前記活性層及びこの上下の各ウェーブガイド層間に、各々に対応するウェーブガイド層に比べてエネルギーギャップが小さく、活性層に比べてはエネルギーギャップが大きいか等しい光制限層が設けられていることを特徴とする半導体光電素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的を達成するために本発明によれば、活性層と、活性層上下に設けられる上部及び下部ウェーブガイド層と、前記活性層及びウェーブガイド層によるサンドウィッチの上下に設けられる上部及び下部クラッド層と、前記積層を支持する基板を具備し、前記活性層及びこの上下の各ウェーブガイド層間に、各々に対応するウェーブガイド層に比べてエネルギーギャップが小さく、活性層に比べてはエネルギーギャップが大きいか等しい光制限層（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｌａｙｅｒ；ＯＣＬ）が設けられていることを特徴とする半導体光電素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングプロセスのためのＷｉｒｅ・Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、のための最適なボンド接着パラメータを決定する方法であって、それによって、この決定にちなんで、多数のボンド接着サイクルが行われ、それによって、各ボンド接着サイクルに関して、ワイヤ接続が、半導体チップ（５）の接続ポイント（４）と基板（９）の接続ポイント（８）との間で行われ、そのワイヤ接続において、キャピラリ（１）から突出するワイヤ端部がボール（３）に溶融され、そして、次に、ボンド接着位置において、前記ワイヤボール（３）が、前記半導体チップ（５）の接続ポイント（４）に取り付けられ、次に、前記ワイヤ（２）が、必要とされる長さにまで引き出され、ワイヤループに形成され、そして、前記基板（９）の接続ポイント（８）に取り付けられ、それによって、最適化されるボンド接着パラメータが、予め定められた範囲内で別個のステップにおいてそれぞれ変えられ、各ボンド接着サイクルｎにおいて、前記ワイヤボール（３）を前記半導体チップ（５）の接続ポイント（４）に取り付け後、以下のステップ：
ａ）予め定められたボンド接着力ＦＢｌを印加するステップと、
ｂ）予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップであって、それによって、前記キャピラリ（１）を移動する伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が時間ｔの経過の間モニタされるステップと、
ｃ）電流Ｉｎ（ｔ）が低減するとすぐに、前記キャピラリ（１）を停止するステップと、
ｅ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉｎ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｎ，ｍａｘを決定するステップ
が行われることと、
ｎボンディングプロセスで設定されている値Ｉｎ，ｍａｘから、ボンド接着パラメータのためのこれらの値は、Ｉｎ，ｍａｘが最大に達するための最適なボンド接着パラメータとして決定されること
を特徴とする方法。
【請求項２】
ボンディングプロセスのためのＷｉｒｅ・Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、のための最適なボンド接着パラメータを決定する方法であって、それによって、この決定にちなんで、多数のボンド接着サイクルが行われ、それによって、各ボンド接着サイクルに関して、ワイヤ接続が、半導体チップ（５）の接続ポイント（４）と基板（９）の接続ポイント（８）との間で行われ、そのワイヤ接続において、キャピラリ（１）から突出するワイヤ端部がボール（３）に溶融され、そして、次に、ボンド接着位置において、前記ワイヤボール（３）が、前記半導体チップ（５）の接続ポイント（４）に取り付けられ、次に、前記ワイヤ（２）が、必要とされる長さにまで引き出され、ワイヤループに形成され、そして、前記基板（９）の接続ポイント（８）に取り付けられ、それによって、最適化されるボンド接着パラメータが、予め定められた範囲内で別個のステップにおいてそれぞれ変えられ、各ボンド接着サイクルｎに関して、前記ワイヤ（２）を前記基板（９）の接続ポイント（８）に取り付け後、以下のステップ：
ａ）予め定められたボンド接着力ＦＷｌを印加するステップと、
ｂ）予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップであって、それによって、前記キャピラリ（１）を移動する前記伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が時間ｔの経過の間モニタされるステップと、
ｃ）電流Ｉｎ（ｔ）が低減するとすぐに、前記キャピラリ（１）を停止するステップと、
ｆ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉｎ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｎ，ｍａｘを決定するステップ
が行われることと、
ｎボンディングプロセスで設定されている値Ｉｎ，ｍａｘから、ボンド接着パラメータのためのこれらの値は、Ｉｎ，ｍａｘが最大に達するための最適なボンド接着パラメータとして決定されること
を特徴とする方法。
【請求項３】
ボンド接着力Ｆ、超音波変数Ｐおよび少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧの予め定められた値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１を有するＷｉｒｅ・Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のワイヤ送りキャピラリによって製造されるボンド接着接続の品質の現場でのモニタリングの方法であって、テストされるために、選択されたボンド接着接続が、以下のように：
‐前記ボンド接着力Ｆ、前記超音波変数Ｐおよび前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧのための予め定められた値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２で、ボンド接着接続を行うステップであって、それによって、前記値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２の少なくとも１つが、前記対応する値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１未満である、前記ボンド接着力Ｆ、前記超音波変数Ｐおよび前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧのための予め定められた値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２で、ボンド接着接続を行うステップと、
‐以下のステップ：
ａ）予め定められたボンド接着力Ｆ３を印加するステップと、
ｂ）予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップであって、それによって、前記キャピラリ（１）を移動する前記伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が、時間ｔの経過の間モニタされる、予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップと、
ｃ）電流Ｉ（ｔ）が低減するとすぐに、前記キャピラリ（１）を停止するステップと、
ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｍａｘを決定するステップ
によりテストを行うステップと、
‐前記値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１で、前記ボンド接着接続を行うステップ
により行われることを特徴とする方法。
【請求項４】
前記値Ｐ２が、前記値Ｐ１未満であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
誘電体層の一方主面に第１導体層が、前記誘電体層の他方主面に第２導体層が配設されるとともに、前記誘電体層の厚み方向に、前記第２導体層と第1非導体形成領域によって隔てられ、且つ前記第１導体層に接続される複数の第１貫通導体と、前記第１導体層と第2非導体形成領域によって隔てられ、且つ前記第２導体層に接続される複数の第２貫通導体とが形成されてなるコンデンサにおいて、
前記第１貫通導体及び前記第２貫通導体は、互いに隣接しあう第１貫通導体及び前記第２貫通導体によって貫通導体群を形成するとともに、該貫通導体群が平面的に分散配置して複数群設けられていることを特徴とするコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のコンデンサは、誘電体層の一方主面に第１導体層が、前記誘電体層の他方主面に第２導体層が配設されるとともに、前記誘電体層の厚み方向に、前記第２導体層と第1非導体形成領域によって隔てられ、且つ前記第１導体層に接続される複数の第１貫通導体と、前記第１導体層と第2非導体形成領域によって隔てられ、且つ前記第２導体層に接続される複数の第２貫通導体とが形成されてなるコンデンサにおいて、
前記第１貫通導体及び前記第２貫通導体は、互いに隣接しあう第１貫通導体及び前記第２貫通導体によって貫通導体群を形成するとともに、該貫通導体群が平面的に分散配置して複数群設けられているコンデンサである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）電子線又はＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（ｂ）アルカリ可溶性樹脂、
（ｃ）酸により架橋する架橋剤及び
（ｄ）有機塩基性化合物
を含有するネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物において、水分含有量が０．５重量％以下であることを特徴とするネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項２】  水分含有量が０．０１重量％以上であることを特徴とする請求項１に記載のネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項３】  アルカリ可溶性樹脂が、下記一般式（１）で表わされる構造単位を含み、重量平均分子量が３，０００を超え３００，０００以下であるアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物。
【化１】
2003076020.tif 000001
式中、 Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ2は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、あるいはアシル基を表す。Ｒ3、Ｒ4は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。
Ａは単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ5−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ6−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ7）−Ｒ8−を表す。
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8は同じでも異なっていても良く、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基の単独、又はこれらの基とエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造もしくはウレイド構造の群より選択される少なくとも１種が一緒になって形成した２価の基を表す。
Ｒ7は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
ｎは１〜３の整数を表す。また複数のＲ2、又はＲ2とＲ3もしくはＲ4が結合して環を形成しても良い。
【請求項４】  アルカリ可溶性樹脂が、重量平均分子量が３，０００を超え、３００，０００以下であって、下記条件（ａ）および（ｂ）を満たすアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物。
（ａ）炭素数６以上２０以下の芳香環及び該芳香環に直接あるいは連結基を介して結合したエチレン性不飽和基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を少なくとも一種有すること。
（ｂ）該芳香環のπ電子と芳香環上の置換基の非共有電子対の電子数の間に次の関係が成り立つこと。
【数１】
2003076020.tif 000002
（ここで、Ｎπは、π電子総数を表し、Ｎloneは該置換基としての炭素数１以上１２以下の直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、または水酸基の非共有電子対の総電子数を表す。２つ以上のアルコキシ基または水酸基は隣り合う二つが互いに結合して５員環以上の環構造を形成してもよい。）
【請求項５】  アルカリ可溶性樹脂が、以下の一般式（３）〜（７）で表される繰り返し単位の少なくとも一つを構成成分として有することを特徴とする請求項４に記載のネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物。
【化２】
2003076020.tif 000003
【化３】
2003076020.tif 000004
一般式（３）〜（７）において、 Ｒ101は、水素原子あるいはメチル基を表す。Ｌは二価の連結基を表す。Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rlはそれぞれ独立に、炭素数１から１２の直鎖状、分岐状、あるいは、環状のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、あるいは水素原子を表す。また、これらは互いに連結して炭素数２４以下の５員以上の環を形成しても良い。l,m,n,p,q,r,s,t,u,v,w,xは０〜３までの整数を表し、l+m+n=2,3、 p+q+r=0,1,2,3、 s+t+u=0,1,2,3、 v+w+x=0,1,2,3を満たす。
【請求項６】  アルカリ可溶性樹脂が、部分アルキルエーテル化したポリヒドロキシスチレン又はヒドロキシスチレン／スチレン共重合体であることを特徴とする請求項４に記載のネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載のネガ型電子線又はＸ線用化学増幅レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 (ａ）側鎖にシリコン原子を有し、かつアルカリには不溶性又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマー及び
（ｂ）活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、上記（ａ）が下記一般式（Ａ）で表される基を有する繰り返し単位及び下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2003076022.tif 000001
【化２】
2003076022.tif 000002
一般式(Ａ）中、Ｒ1は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を表す。複数のＲ1は同一であっても異なっていてもよい。
一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）中、Ｒa1〜Ｒa5は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒa1〜Ｒa5の内の２つは、結合して環を形成していてもよい。
【請求項２】  （ａ）のポリマーが、更に下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも１種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
2003076022.tif 000003
一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）中；
Ｒa11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒa12〜Ｒa16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒa12〜Ｒa14のうち少なくとも１つ、もしくはＲa15、Ｒa16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒa17〜Ｒa21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒa17〜Ｒa21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒa19、Ｒa21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。
Ｒa22〜Ｒa25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒa22〜Ｒa25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【請求項３】  前記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基が、下記一般式（ＩＩ）で表される基であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2003076022.tif 000004
一般式（ＩＩ）中、Ｒa28は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒa29〜Ｒa31は、同じでも異なっていてもよく、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシ基あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基又はアシル基を表す。ｐ、ｑ、ｒは、各々独立に、０又は１〜３の整数を表す。
【請求項４】  前記（ａ）の樹脂が、下記一般式（ａ’）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
2003076022.tif 000005
一般式（ａ’）中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１から４の置換もしくは非置換のアルキル基を表す。Ｒa32〜Ｒa34は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は水酸基を表す。Ｒa32〜Ｒa34のうち少なくとも１つは水酸基を表す。
【請求項５】  前記（ａ）が、下記繰り返し単位（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）を少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【化６】
2003076022.tif 000006
一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）において、
Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ3及びＲ9は、アルキレン基又はフェニレン基を表す。  
Ｒ4は、アルキレン基、フェニレン基、又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ′−を表す。
ここでＲ′はアルキレン基を表す。
Ｒ5は水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ6は、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アセトキシ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ7及びＲ8は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
ｌは０〜２の整数を表す。
ｍは０〜４の整数を表す。
Ａは、一般式（Ａ）で表される基である。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。