【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  大気と異なる第１の処理雰囲気下にある塗布部内に設置された基板上に液体材料を塗布する工程と、
前記基板を前記塗布部から大気と異なる第２の処理雰囲気下にある連接部を通して大気と異なる第３の処理雰囲気下にある第１の熱処理部に移送する工程と、
前記第１の熱処理部内において前記基板を加熱し膜を形成する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】  請求項１において、
前記液体材料を塗布する工程の前に、第４の処理雰囲気下にある前処理部内において前記基板に光を照射する工程と、
前記基板を前記前処理部から大気と異なる第５の処理雰囲気下にある前記連接部を通して前記塗布部へ移送する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】  請求項１において、
前記液体材料を塗布する工程の前に、第４の処理雰囲気下にある前処理部内において前記基板にプラズマを照射する工程と、
前記基板を前記前処理部から大気と異なる第５の処理雰囲気下にある前記連接部を通して前記塗布部へ移送する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記基板を加熱する工程の後に、前記基板を前記第１熱処理部から大気と異なる第６の処理雰囲気下にある連接部を通して前記大気と異なる第６の処理雰囲気下にある第２熱処理部に移送する工程と、
前記第２熱処理部内において前記第１熱処理部内における加熱温度よりも高い温度で前記膜を加熱する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】  請求項４において、
前記第２熱処理部内における加熱工程の後に、
前記基板を第３熱処理部に移送し、レーザーアニールまたはランプアニールによって前記第２熱処理部における加熱温度よりも高い温度で前記膜を加熱する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記液体材料が導電性物質を含み、前記第１の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持され、前記第２の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】  請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記液体材料がシリコン原子を含み、前記第１の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持され、前記第２の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記液体材料を塗布する工程は、インクジェット装置のノズルからの前記液体材料の液滴の吐出を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記アクティブマトリクス基板の製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１１】  大気と異なる第１の処理雰囲気下にある塗布部と、
前記塗布部に接続され、大気と異なる第２の処理雰囲気下にある連接部と、
前記連接部に接続され、大気と異なる第３の処理雰囲気下にある第１熱処理部と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造装置。
【請求項１２】  請求項１１において、
さらに、第４の処理雰囲気下にあり、光を照射する機能を備える前処理部と、を有し、
前記前処理部は前記連接部に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造装置。
【請求項１３】  請求項１１または１２において、
さらに、前記連接部に接続され、大気と異なる第６の処理雰囲気下における第２熱処理部と、を有し、前記第２熱処理部は前記第１熱処理部より高温の熱処理が可能であることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造装置。
【請求項１４】  請求項１１乃至１３のいずれかにおいて、
さらに、前記連接部に接続される第３熱処理部と、を有し、前記第３熱処理部は前記第２熱処理部より高温の熱処理が可能であることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造装置。
【請求項１５】  請求項１１乃至１４のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造装置を含むことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１６】  請求項１５に記載の電気光学装置の製造装置を含むことを特徴とする電子機器の製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板の製造方法は、大気と異なる第１の処理雰囲気下にある塗布部内に設置された基板上に液体材料を塗布する工程と、前記基板を前記塗布部から大気と異なる第２の処理雰囲気下にある連接部を通して大気と異なる第３の処理雰囲気下にある第１の熱処理部に移送する工程と、前記第１の熱処理部内において前記基板を加熱し膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。上記の製造方法は、前記液体材料を塗布する工程の前に、第４の処理雰囲気下にある前処理部内において前記基板に光を照射する工程と、前記基板を前記前処理部から大気と異なる第５の処理雰囲気下にある前記連接部を通して前記塗布部へ移送する工程と、を有するものが好ましい。または、前記液体材料を塗布する工程の前に、第４の処理雰囲気下にある前処理部内において前記基板にプラズマを照射する工程と、前記基板を前記前処理部から大気と異なる第５の処理雰囲気下にある前記連接部を通して前記塗布部へ移送する工程と、を有するものであってもよい。
加えて、上記の製造方法は、前記基板を加熱する工程の後に、前記基板を前記第１熱処理部から大気と異なる第６の処理雰囲気下にある連接部を通して前記大気と異なる第６の処理雰囲気下にある第２熱処理部に移送する工程と、前記第２熱処理部内において前記第１熱処理部内における加熱温度よりも高い温度で前記膜を加熱する工程と、を有することが好ましい。さらに、前記第２熱処理部内における加熱工程の後に、前記基板を第３熱処理部に移送し、レーザーアニールまたはランプアニールによって前記第２熱処理部における加熱温度よりも高い温度で前記膜を加熱する工程と、を有することが好ましい。
さらに、上記の製造方法は、前記液体材料が導電性物質を含み、前記第１の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持され、前記第２の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持されていることが好ましい。または、前記液体材料がシリコン原子を含み、前記第１の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持され、前記第２の処理雰囲気下における酸素または酸化性気体は１０ｐｐｍ以下に維持されていることが好ましい。
また、上記の製造方法において、前記液体材料を塗布する工程は、インクジェット装置のノズルからの前記液体材料の液滴の吐出を含むことが好ましい。
本発明にかかる薄膜の形成方法は、基板上に薄膜の構成成分を含有する液体材料を塗布する塗布工程と、前記基板に熱処理を施す熱処理工程とを有し、前記各工程の処理雰囲気をそれぞれ独立して制御するようにしたことを特徴としている。
この薄膜の形成方法によれば、前記各工程の処理雰囲気をそれぞれ独立して制御するようにしたので、各工程の処理雰囲気を、酸素等の酸化性ガス雰囲気や、水素等の還元性ガス雰囲気、又は、窒素等の不活性ガス雰囲気から適宜選択し、各処理に好適なガス雰囲気とすることができる。
例えば、酸化性ガスを供給することにより、紫外光を照射してオゾンを発生させ、基板上の有機系不純物を分解し、基板表面を親水性とすることができる。また、表面処理後の基板を他の処理室へ移動させる際に、不活性ガスを導入することにより、酸化性ガスが他の処理チャンバに漏洩することを抑止することができる。さらに、良好な膜質改善を行うために、不活性ガスの代わりに還元性ガスとしても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明にかかるアクティブマトリクス基板の製造装置は、大気と異なる第１の処理雰囲気下にある塗布部と、前記塗布部に接続され、大気と異なる第２の処理雰囲気下にある連接部と、前記連接部に接続され、大気と異なる第３の処理雰囲気下にある第１熱処理部と、を有することを特徴とする。上記の製造装置は、さらに、第４の処理雰囲気下にあり、光を照射する機能を備える前処理部と、を有し、前記前処理部は前記連接部に接続されていることが好ましい。また、さらに、前記連接部に接続され、大気と異なる第６の処理雰囲気下における第２熱処理部と、を有し、前記第２熱処理部は前記第１熱処理部より高温の熱処理が可能であることが好ましい。さらに、前記連接部に接続される第３熱処理部と、を有し、前記第３熱処理部は前記第２熱処理部より高温の熱処理が可能であることが好ましい。
本発明の薄膜形成装置は、基板上に薄膜の構成成分を含有する液体材料を塗布する塗布装置と、前記の液体材料が塗布された基板を加熱する熱処理装置とを備えてなり、前記塗布装置および前記熱処理装置には、前記基板に各処理を施す処理室内の雰囲気をそれぞれ独立して制御する制御機構が備えられていることを特徴としている。
この薄膜形成装置によれば、各処理を施す処理室内の雰囲気をそれぞれ独立して制御する制御機構が備えられているので、この制御機構によって各処理室の雰囲気をそれぞれ制御することにより、これら各処理室の雰囲気を、酸素等の酸化性ガス雰囲気や、水素等の還元性ガス雰囲気、又は、窒素等の不活性ガス雰囲気から適宜選択し、各処理に好適なガス雰囲気とすることができる。
例えば、導電膜や半導体膜を熱処理する場合は、酸化による膜質低下を防止するため、不活性ガス雰囲気が望ましく、また、例えば、得られた薄膜に含まれる酸素を除去するためには、熱処理室を還元性雰囲気にするのが望ましく、また、例えば、得られた薄膜の酸素含有量を増やしたり、薄膜を酸化物に焼成する場合には、酸化性雰囲気で熱処理するのが望ましい。前記の構成により、これらの膜質改善のための処理を最適な条件に設定することが出来る。