【事件の表示】
　平成　６年特許願第３２２０４９号「電気光学デバイスを製造する方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　８月１１日出願公開、特開平　７−２１１６７４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年１２月２６日の出願（パリ条約による優先権主張平成５年１２月３０日、米国）であって、その請求項に係る発明は、平成１０年５月７日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項２に係る発明は次のものである。
「【請求項２】半導体電気光学デバイスを製造する方法であって、
　半導体材料のウェハーあるいはバーのエピタキシアル側を横切る線のパターンを形成する工程であって、前記線は、潜在的半導体電気光学デバイスの境界を画定するものであり、
　溝が基板内に延びるように前記パターンを前記基板内までにエッチングすることによって、前記ウェハーまたはバーに少なくとも一つのエピタキシアル側の溝を形成する工程と、
　前記ウェハーを刻み込み用プラットフォーム上に取り付ける工程と、
　前記ウェハーを少なくともひとつの前記バーに分割する工程と、
　少なくともひとつの前記バーを刻み込み用プラットフォーム上に取り付ける工程と、
　前記溝とは反対側のバー基板側の対応する位置で打つことによって前記バーを個々の電気光学デバイスに分割する工程とから構成される半導体電気光学デバイスを製造する方法。」（請求項２において、「パターンを形成しする工程」は「パターンを形成する工程」の誤記であることが明らかであるから、上記のとおり認定した。以下、「本願発明」という）
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５２−７０７８１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「半導体レ一ザ結晶ウェハー表面に格子状にエッチング溝を設け、このエッチング溝に沿って半導体レ−ザ結晶を劈開して個々の半導体レーザ結晶片を製造する方法であって、
（イ）格子状に設けるエッチング溝のうち、一方のエッチング溝は、レーザ共振器鏡面となすべき結晶面方向に沿い、半導体レーザ結晶ウェハーの活性層から遠い側の表面に、活性層までは到達しない深さで設けること、
（ロ）前項の一方向のエッチング溝に交叉する他方向のエッチング溝は、半導体レーザ結晶ウェハーの活性層に近い側の表面に、活性層を越える充分な深さで設けるか、もしくは活性層から遠い側の表面に設けること、
を特徴とする半導体レーザ結晶片の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「次に本発明について図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例を説明するための図で、製造工程の概略と、そうして得た半導体レーザ結晶片の概形とを示したものである。
　第１図（ａ）はよく知られたＧａＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓダブルヘテロ接合構造をもつ（１００）面結晶であり、ＧａＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓダブルヘテロ接合のエピタキシャル層１は、厚さ約５μであり、幅約１５μの細長い領域２にわたってのみレーザ発振するようないわゆるストライプ構造が２００μ間隔で劈開方向である＜１１０＞方向に設けられている。
　第１図（ａ）では最も製作容易な細長いオーミックコンククト３が存在する電極ストライプと呼ばれる構造が示されている。
　エピタキシャル層１の表面のｐ−ＧａＡｓ層上には、ストライプ２上にそってのみＣｒ−Ａｕのオーミックコンククト３が設けられて電流が流れるようになっており、他の部分にはＳｉＯ２膜４がつけられて絶縁され、電流が流れないようになっている。厚さ約８０μのｎ−ＧａＡｓ基板５上には、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉのオーミック電極６が設けられている。その表面には、幅６０μ、深さ約５０μの溝７および８が格子状につくられている。ストライプ２と平行して走る溝７は２００μ間隔に、これと直交する溝８は２５０μ間隔に設けられている。格子状の溝７および８は、表面にフォトレジスト膜をかけ、よくしられたフォトレジスト技術を用いて溝の部分だけフォトレジスト膜を除去し、オーミツクコンククト６及びｎ−ＧａＡｓ基板５をエッチングして得られたものである。このとき、ストライプ２と平行して走る溝７はストライプ２の中間に位置し、溝７に直交する溝８はストライプ２に直交している。まずストライプ２と直交する溝８を劈開する。第１図（ａ）の場合溝８の下に残っている結晶厚は約３５μであるから、劈開は、ダイヤモンド針、安全カミソリ等で結晶端における溝８をわること、又は薄いステンレス板にはって結晶をそらすこと、又はローラーをかけること等によって容易になされる。
　こうして得られた劈開バーは第１図（ｂ）に示されており、ほぼ９０％近い劈開の歩留りが得られる。溝８を劈開すれば−対の平行な劈開面９（図に右下りの斜線を施して示す）により共振器が出来たわけであり、次いで溝７を劈開すれば、第１図（ｃ）に示すような形状のレーザ結晶片（ペレット）が得られる。溝７に拾う劈開面１０（第１図（ｃ）に左下りの斜線を施して示す）は共振器をつくるわけではないから必ずしも完全な劈開面である必要はない。従って安全カミソリ等で割るか、ステンレス板にはって結晶を強くそらすこと、又はローラーをかけること等により第１図（ｃ）に示すようなペレットを容易に得ることができる。このプロセスの歩留りは９０％を越した。
　こうしてできあがったペレットは第１図（ｃ）に示したように殆ど形状が揃っている。溝７及び８の巾だけ（６０μ）形状に大小があるわけではなく、溝の中央部分でエッチングが最も深くなるため、劈開は溝の中央に沿って生じる。従ってペレット間の形状の違いを約３０μ以下にすることができる。
　以上図を用いて説明した方法によれば高度に熟練した劈開技術を何ら必要としないことは明らかであるとともに、歩留りの向上、形状の均一化等に著しい効果を示す。半導体レーザの製造技術における最大の難関である劈開を本発明により克服することができる。
　上記実施例に於て溝７及び８をエッチングで作る際オーミック金属６も除去したがオーミック金属６をつくる前にエッチングしておけばオーミック金属６のエッチングをする必要はない。エッチングの代りにイオン加工で溝をつくってもよい。溝巾、溝間隔も上記に限ることはない。特に溝の深さについては、ＧａＡｓ系の場合残りの結晶厚が６０μ以下になるようにすれば本発明の効果は得られるが、薄い程歩留りが向上する。ストライプ構造、ストライプ巾も上記に限ることなく、レーザ結晶もＧａＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓダブルヘテロ接合構造に限らない。共振器をつくる側の勢開面だけ平行平滑であればよくストライプと平行な方向の劈開面は必ずしも完全である必要はないから結晶面、溝方位も上記に限らず、共振器をつくる面の溝方向のみ結晶の劈開方向であればよい。
　第２図は、本発明の他の実施例を説明するための図である。第２図に付した記号は上１桁に２を付加したのみで、下２桁は第１図の各記号に対応する。それぞれに対する説明もまた対応したものとなるので省略する。レーザ共振器鏡面を構成しない方の側面（エッチング溝２０７と劈開面２１０とで構成される）は、第１図に示した例とはエッチング溝２０７および劈開面２１０の配置が逆転して現われる。したがって仕上った半導体レーザ結晶片の外形は第１図に示したものとは異なりかなり変形した四角錐台様を呈するが、本発明の作用効果に何の変化も生じないことは当然である。」（２頁右下欄１５行〜４頁左上欄９行）
　第２図には、エッチング溝２０７がエピタキシャル層２０１の側に形成されていること及びエッチング溝２０７に形成された劈開面２１０により半導体レーザ結晶片が形成されていることがみてとれる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用刊行物に記載された発明を対比する。
（１）引用刊行物における「半導体レーザ結晶片の製造方法」は、本願発明の「半導体電気光学デバイスを製造する方法」に相当することは明らかである。
（２）引用刊行物には、「半導体レ一ザ結晶ウェハー表面に格子状にエッチング溝を設け、このエッチング溝に沿って半導体レ−ザ結晶を劈開して個々の半導体レーザ結晶片を製造する方法であって、・・・（ロ）前項の一方向のエッチング溝に交叉する他方向のエッチング溝は、半導体レーザ結晶ウェハーの活性層に近い側の表面に、活性層を越える充分な深さで設ける」（特許請求の範囲）と記載されている。また第２図に、エッチング溝２０７がエピタキシャル層２０１の側に形成されていること及びエッチング溝２０７に形成された劈開面２１０により半導体レーザ結晶片が形成されていることがみてとれることは上記のとおりであり、引用刊行物において「半導体電気光学デバイスの境界を画定」していることは明らかであるから、引用刊行物は、本願発明の「半導体材料のウェハーのエピタキシアル側を横切る線のパターンを形成する工程であって、前記線は、潜在的半導体電気光学デバイスの境界を画定する」との技術的事項に相当する事項を有する。
（３）引用刊行物には、「厚さ約８０μのｎ−ＧａＡｓ基板・・・の表面には・・・溝７および８が格子状につくられている。・・・格子状の溝７および８は、表面にフォトレジスト膜をかけ、よくしられたフォトレジスト技術を用いて溝の部分だけフォトレジスト膜を除去し、オーミックコンタクト６及びｎ−ＧａＡｓ基板５をエッチングして得られたものである。」及び「第２図は、本発明の他の実施例を説明するための図である。・・・レーザ共振器鏡面を構成しない方の側面（エッチング溝２０７と劈開面２１０とで構成される）は、第１図に示した例とはエッチング溝２０７および劈開面２１０の配置が逆転して現われる。」と記載され、また第２図には上記事項がみてとれることから、引用刊行物は、本願発明の「溝が基板内に延びるように前記パターンを前記基板内までにエッチングすることによって、前記ウェハーに少なくとも一つのエピタキシアル側の溝を形成する工程」の技術的事項に相当する事項を有する。
（４）引用刊行物には、「まずストライプ２と直交する溝８を劈開する。・・・劈開は、ダイヤモンド針、安全カミソリ等で結晶端における溝８をわること・・・又はローラーをかけること等によって容易になされる。こうして得られた劈開バーは第１図（ｂ）に示されており・・・溝８を劈開すれば一対の平行な劈開面９・・・により共振器が出来たわけであり、次いで溝７を劈開すれば、第１図（ｃ）に示すような形状のレーザ結晶片（ペレット）が得られる。」と記載されていることから、引用刊行物は、本願発明の「前記ウェハーを少なくともひとつの前記バーに分割する工程と、」及び「前記バーを個々の電気光学デバイスに分割する工程」の技術的事項に相当する事項を有する。
　
　上記（１）〜（４）の考察から、両者は、「半導体電気光学デバイスを製造する方法であって、半導体材料のウェハーのエピタキシアル側を横切る線のパターンを形成する工程であって、前記線は、潜在的半導体電気光学デバイスの境界を画定するものであり、溝が基板内に延びるように前記パターンを前記基板内までにエッチングすることによって、前記ウェハーに少なくとも一つのエピタキシアル側の溝を形成する工程と、前記ウェハーを少なくともひとつの前記バーに分割する工程と、前記バーを個々の電気光学デバイスに分割する工程とから構成される半導体電気光学デバイスを製造する方法」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明のものは、ウェハーを少なくともひとつのバーに分割する際及びバーを個々の電気光学デバイスに分割する際において、「前記ウェハーを刻み込み用プラットフォーム上に取り付ける工程」及び「少なくともひとつの前記バーを刻み込み用プラットフォーム上に取り付ける工程」とを有しているのに対し、引用刊行物には、上記事項に関する記載がない点。
相違点２：
　本願発明のものは、前記バーを個々の電気光学デバイスに分割する工程において、「前記溝とは反対側のバー基板側の対応する位置で打つことによって」分割するのに対し、引用刊行物には、「劈開は、ダイヤモンド針、安全カミソリ等で結晶端における溝８をわること・・・又はローラーをかけること等によって容易になされる。」との記載はあるものの、上記事項は記載されていない点。
　
　上記相違点について検討する。
相違点１について：
　ウェハー等を分割して個々の電気光学デバイスを作成する際に、プラットフォーム上に取り付けることは常套手段（例えば、特開平４−７４６０６号公報（特に支持台２）、特開平１−１６６５９３号公報（特に固定治具５，６）を参照）であるから、上記相違点１の技術的事項とすることは、当然に備える部材を単に記載したものであって格別のものではない。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
相違点２について：
　個々の電気光学デバイスに分割する際に、溝とは反対側の裏面より力を加えることは、原審において引用された刊行物である特開昭５５−２７６２３号公報、特開昭５７−９３５４５号公報に見られるように自明のことである。そして、その際単に力を加えるのではなく、対応する位置を打撃により行うことも周知（必要であれば特開昭６２−２９６５７９号公報（特に打撃用ハンマー５）参照）のことにすぎないから、上記相違点２の技術的事項とすることは、周知技術を引用刊行物の製造方法に適用することにより当業者が容易になし得る程度の事項である。
　
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。