【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板保持具の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体の結晶成長用基板を保持する基板保持具の製造方法であって、
前記基板保持具は、基板を保持する領域である基板保持部と、基板を保持しない領域である基板非保持部とを有し、
前記基板非保持部の上面部に、ショットピーニングによって径が５０ミクロン以上の凹部又は凸部を形成することを特徴とする基板保持具の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板保持具の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成する本発明は、半導体の結晶成長用基板を保持する基板保持具の製造方法であって、前記基板保持具は、基板を保持する領域である基板保持部と、基板を保持しない領域である基板非保持部とを有し、前記基板非保持部の上面部に、ショットピーニングによって径が５０ミクロン以上の凹部又は凸部を形成することを特徴とする基板保持具の製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
基板非保持部の上面部には径が５０ミクロン以上の凹部又は凸部が形成されているため、製造時の結晶成長工程の初回から基板非保持部の上面の表面積が大きいので、基板非保持部の上面に堆積する半導体結晶がデンドライト成長したとしても表面積が増加しない。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【発明の実施の形態】
（第１の参考形態）
本発明の第１の参考形態を図面を参照しながら説明する。
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線による断面図である。（ｃ）は第１の参考形態の第１変形例の基板保持具の断面図である。（ａ）に示す高融点金属であるモリブデン等からなる基板保持具である基板ホルダー１０Ａは、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する基板保持部１１と、基板ホルダー１０Ａの基板保持部１１を除く領域の上面が結晶成長用基板の結晶格子との格子不整合率が１０％以内の多結晶基板により覆われた基板非保持部１２とから構成されている。基板ホルダー１０Ａは、図１０又は図１２に示した従来の半導体製造装置におけるターンテーブル１０５上の基板ホルダー１０６に替えて使用することを想定している。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このように、本参考形態によると、基板ホルダー１０Ａの基板非保持部１２の上面が結晶成長用基板の結晶格子との格子不整合率が１０％以内の多結晶基板により覆われているため、基板非保持部１２の上面に堆積する半導体結晶がエピタキシャル成長するので、核生成がスムーズに進行し、樹枝状のデンドライト成長とならずに平坦になる。その結果、基板非保持部１２の表面積が増大することがなくなるため、製造時に結晶成長工程の回数を重ねても、基板非保持部１２からの輻射量が増加することがないので、結晶成長温度が一定となり、常に良質の半導体結晶を得ることができる。なお、格子不整合率が１０％以内の多結晶基板であれば格子不整合が起きないという事実は、多数回の試行により経験的に見いだしたものである。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（第２の参考形態）
以下、本発明の第２の参考形態を図面を参照しながら説明する。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図２（ａ），（ｂ）は本発明の第２の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるII−II線による断面図である。（ａ）に示す高融点金属であるモリブデン等からなる基板保持具である基板ホルダー２０は、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する基板保持部２１と、基板ホルダー２０の基板保持部２１を除く領域の上面が結晶成長用基板と同一の材料よりなる複数の単結晶基板により稠密に覆われた基板非保持部２２とから構成されている。基板ホルダー２０は、図１０又は図１２に示した従来の半導体製造装置におけるターンテーブル１０５上の基板ホルダー１０６に替えて使用することを想定している。
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
第１の参考形態においては、大口径の多結晶基板によって基板ホルダー１０Ａの基板非保持部１２の上面を覆ったが、本参考形態においては、結晶成長用基板と全く同一の材料よりなる複数の単結晶基板を用いて基板ホルダー２０の基板非保持部２２の上面を稠密に敷き詰めて覆っている。
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、Ｓｉ（シリコン）よりなる半導体又はＩｎＰ（インジウムリン）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）等よりなる化合物半導体の結晶は、鉄やコバルトの（１  −１  ０）面にも格子整合をとれるため、（１  −１  ０）面からなる鉄又はコバルトを用いて図１又は図２に説明した基板ホルダーの基板非保持部を被覆してもよい。
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
さらに、ウンモやイオウ等のファンデアワールス材料によって基板非保持部を被覆しても、ファンデアワールス材料は表面に結合手を有していないため、Ｓｉよりなる半導体、ＩｎＰ又はＧａＡｓ等よりなる化合物半導体の結晶は自己の格子定数により成長するので、格子不整合が生じない。従って、第１及び第２の参考形態と同様の効果を得ることができる。
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図面を参照しながら説明する。
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図３（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る基板ホルダーを示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIII・−III・線による断面図である。（ａ）に示す高融点金属であるモリブデン等からなる基板保持具である基板ホルダー３０は、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する基板保持部３１と、基板ホルダー３０の基板保持部３１を除く領域の上面部に径が５０μｍ以上の凹部又は凸部が形成された基板非保持部３２とから構成されている。基板ホルダー３０は、図１０又は図１２に示した従来の半導体製造装置におけるターンテーブル１０５上の基板ホルダー１０６に替えて使用することを想定している。
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本実施形態の特徴として、モリブデン等の高融点金属よりなる基板非保持部３２は、ショットピーニング等によってその上面部には５０μｍ以上の径が凹部又は凸部が形成されているため、製造時における初回の結晶成長工程においても、基板非保持部３２の表面積は十分に大きいので、結晶成長工程の回数を重ねても、基板非保持部３２の表面積はほとんど変化しない。その結果、基板非保持部３２からの輻射量が変化しないので、結晶成長温度が一定となり、良質の半導体結晶を得ることができる。
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（第３の参考形態）
以下、本発明の第３の参考形態を図面を参照しながら説明する。
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図４（ａ），（ｂ）は本発明の第３の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIV−IV線による断面図である。（ａ）に示す高融点金属であるモリブデン等からなる基板保持具である基板ホルダー４０は、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する基板保持部４１と、基板ホルダー４０の基板保持部４１を除く領域の上面が３か所のネジ４２ａにより取り付けられたステンレス又はモリブデンよりなる均熱板によって覆われた基板非保持部４２とから構成されている。基板ホルダー４０は、図１０又は図１２に示した従来の半導体製造装置におけるターンテーブル１０５上の基板ホルダー１０６に替えて使用することを想定している。
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本参考形態の特徴として、基板ホルダー４０の基板非保持部４２の上面を覆う均熱板は３本のネジ４２ａのみにより基板ホルダー４０に取り付けられており、均熱板と基板ホルダー４０の基板非保持部４２とは空間が形成されているため、基板ホルダー４０の熱が均熱板に直接に伝わりにくいので、均熱板の温度は基板保持部４１に接している結晶成長用基板の温度よりも低くなる。その結果、均熱板の温度は結晶成長用基板の温度よりも低くなるため、原料ガスの熱分解が進みにくくなるので、均熱板の上面に結晶が成長しにくくなると共に、均熱板からの輻射量が減少する。従って、製造時に結晶成長工程の回数を重ねても、基板非保持部４２の表面積はほとんど変化せず、基板非保持部４２からの輻射量が変化しないので、結晶成長温度が一定となり、良質の半導体結晶を得ることができる。
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（第４の参考形態）
以下、本発明の第４の参考形態を図面を参照しながら説明する。
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図５（ａ），（ｂ）は本発明の第４の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＶ−Ｖ線による断面図である。（ａ）に示す高融点金属であるモリブデン等からなる基板保持具である基板ホルダー５０は、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する基板保持部５１と、基板ホルダー５０の基板保持部５１を除く領域の上面部が基板保持部５１の上面部よりも低くなるように形成された基板非保持部５２とから構成されている。基板ホルダー５０は、図１０又は図１２に示した従来の半導体製造装置におけるターンテーブル１０５上の基板ホルダー１０６に替えて使用することを想定している。
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本参考形態の特徴として、基板ホルダー５０の基板非保持部５２の上面部は、基板保持部５１の上面部よりも低くなるように形成されているため、基板保持部５１の上面部を基準に設定された原料ガスの熱分解が進行する境界層を外れるので、基板非保持部５２の上面での原料ガスの熱分解が進みにくくなり、これにより、基板非保持部５２の上面に結晶が成長しにくくなる。従って、製造時に結晶成長工程の回数を重ねても、基板非保持部５２の表面積はほとんど変化しないため、基板非保持部５２からの輻射量が変化しないので、結晶成長温度が一定となり、良質の半導体結晶を得ることができる。
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
また、各参考形態における基板ホルダーの基板非保持部の部材が成長する半導体結晶と異なる部材を用いている場合に、該半導体結晶と同等の輻射率を有する部材によって基板非保持部を作製すると、製造時における初回の結晶成長工程における基板非保持部の輻射率と成長工程の回数を重ねた後の基板非保持部の輻射率とが変化しなくなる。従って、図１１（ａ）により説明した基板ホルダーの表面からの輻射光を測定することにより温度補正を行なう際に、輻射率が変化しないので、正確に基板ホルダーの表面温度を測定することができる。
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、本発明の各参考形態に係る基板ホルダーは、半導体結晶用の原料となるガスを加熱分解するための反応室と、反応室の外部から原料となるガスを反応室に導くガス導入部と、ガス導入部の直下にガス導入部から吹き出す原料となるガスの流れを遮るように設けられ、ターンテーブル用駆動軸により高速に回転するターンテーブルと、ターンテーブルに固定され、結晶成長用基板を保持する基板保持具と、結晶成長用基板を加熱する加熱手段としてのヒータとを備えた半導体製造装置における基板保持具に適用することができるが、前記の半導体装置の全体構成については図９に基づき説明した従来のものと同様であるので、説明を省略する。
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（第５の参考形態）
以下、本発明の第５の参考形態に係る結晶成長方法を説明する。
【手続補正６３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
結晶成長用基板を保持する基板保持部及び基板保持部を除く基板非保持部を有する各参考形態や従来の基板ホルダーにおける基板非保持部の部材と、結晶成長させる半導体結晶との格子不整合率が１０％以内にならない場合は、部材や部材の形状による程度の差こそあれ、基板非保持部にデンドライト型の結晶が堆積する。
【手続補正６４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
（第６の参考形態）
以下、本発明の第６の参考形態に係る半導体製造方法における基板温度の測定方法を図面を参照しながら説明する。
【手続補正６５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本参考形態は、ドーパントの取り込み効率が基板温度によって大きく変化することに着目して基板温度を測定する。例えば、ＩｎＰよりなる半導体結晶を製造するときのｐ型ドーパントとしてＺｎ（亜鉛）を添加する際には、同率のＺｎ元素を含む原料ガスを添加したとしても、図６に示すように、基板温度によってＩｎＰよりなる半導体結晶のホール濃度が変化することが分かる。これは、結晶内に取り込まれるＺｎの濃度が基板温度によって異なるためである。
【手続補正６６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
このように、本参考形態によると、半導体の成膜処理だけでなく拡散処理をも含めた熱処理工程において、あらかじめ所望の半導体の基板温度と、該半導体のドーパントの添加量とキャリア濃度との比との関係を表わす基板温度評価関数を準備工程として求めておき、基板温度評価関数を用いて成膜処理又は拡散処理の温度を制御するため、良質の半導体結晶を得ることができる。
【手続補正６７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
（第７の参考形態）
以下、本発明の第７の参考形態に係る半導体製造方法における基板温度の測定方法を説明する。
【手続補正６８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
このように、本参考形態によると、半導体の成膜処理だけでなく拡散処理をも含めた熱処理工程において、あらかじめ所望の半導体の基板温度と、該半導体のエネルギーバンドギャップと格子定数とが共に等しくなるような少なくとも第１のＶ族ガス及び第２のＶ族ガス、例えばアルシン及びホスフィンの供給比との関係を表わす基板温度評価関数を準備工程として求めておき、基板温度評価関数を用いて成膜処理又は拡散処理の温度を制御するため、４元混晶からなる良質なIII-Ｖ族の半導体結晶を得ることができる。
【手続補正６９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
以下、具体的に、本発明の第６又は第７の参考形態に係る半導体製造方法を図面を参照しながら説明する。
【手続補正７０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
まず、第６の参考形態に示したキャリア濃度と基板温度との関係から、又は第７の参考形態に示した少なくとも第１のＶ族ガス及び第２のＶ族ガスの供給比と基板温度との関係から基板温度評価関数を定義しておく。
【手続補正７１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
（第８の参考形態）
以下、本発明の第８の参考形態を図面を参照しながら説明する。
【手続補正７２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図９は本発明の第８の参考形態に係る半導体製造装置の正面図である。図９に示すように、本半導体製造装置は、半導体結晶用の原料ガスを加熱分解するための反応室６１と、反応室６１の外部から原料ガスを反応室６１に導くガス導入部６２と、ガス導入部６２の直下にガス導入部６２から吹き出す原料ガスの流れ６３を遮るように設けられ、ターンテーブル用駆動軸６４により毎分５００回以上で回転するターンテーブル６５の上面に固定されており、結晶成長用基板を保持する基板保持部と基板保持部を除く基板非保持部とからなるステンレス又はモリブデン等の金属により形成された基板保持具としての基板ホルダー６６と、ターンテーブル６５の温度を検出する第１の温度検出器としてのモニタ用熱電対６７と結晶成長用基板を加熱する加熱手段としてのヒータ６８と、ヒータ６８の温度を検出する第２の温度検出器としてのコントロール用熱電対６９とから構成されている。
【手続補正７３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
このように本参考形態によると、図１２に示した基板ホルダーの表面の輻射光を測定することなく、ターンテーブルの近傍に設置したモニタ用熱電対６７により基板ホルダー６６の温度を測定するため、結晶成長工程の回数を重ねるごとに基板温度の測定誤差が増大することがないので、基板ホルダーの温度制御を正確にできるようになり、従って、良質の半導体結晶を製造することができる。
【手続補正７４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
以下、本発明の第８の参考形態に係る製造装置を用いた製造方法を説明する。
【手続補正７５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
【発明の効果】
本発明により得られる基板保持具によると、製造時の結晶成長工程の初回から基板保持具の基板非保持部の表面積が大きいため、基板保持具の基板非保持部の上に堆積する半導体結晶がデンドライト成長したとしても表面積が増加しないので、結晶成長工程の処理回数にかかわらず、基板保持具からの輻射量が変化しなくなる。これにより、基板保持具の温度が変化しなくなるので、基板保持具に保持されている結晶成長用基板の結晶成長温度を一定に保つことができる。
【手続補正８０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第１の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、
（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線による断面図であり、
（ｃ）は第１の参考形態の第１変形例に係る基板保持具の断面図である。
【図２】
本発明の第２の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、
（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるII−II線による断面図である。
【図３】
本発明の第１の実施形態に係る基板ホルダーを示す図であって、
（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるIII・−III・線による断面図である。
【図４】
本発明の第３の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、
（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるIV−IV線による断面図である。
【図５】
本発明の第４の参考形態に係る基板ホルダーを示す図であって、
（ａ）は平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるＶ−Ｖ線による断面図である。
【図６】
本発明の第６の参考形態に係る半導体製造方法における半導体結晶の基板温度とホール濃度との相関関係を表わすグラフ図である。
【図７】
本発明の第６又は第７の参考形態に係る半導体製造方法における基板ホルダーに堆積した結晶の成長膜厚と基板温度との関係を表わした評価関数のグラフ図である。
【図８】
本発明の第６又は第７の参考形態に係る半導体製造方法における基板ホルダーに堆積した結晶の成長膜厚と設定温度との相関関係を表わすグラフ図である。
【図９】
本発明の第８の参考形態に係る半導体製造装置の正面図である。
【図１０】
（ａ）は従来の半導体製造装置の正面図であって、
（ｂ）〜（ｄ）は従来の結晶成長工程ごとの基板ホルダーの断面図である。
【図１１】
従来の基板ホルダーに堆積した結晶の成長膜厚と基板温度との相関関係を表わしたグラフ図である。
【図１２】
（ａ）は従来の温度補正装置を有する半導体製造装置の正面図であって、
（ｂ）は従来の基板ホルダーの平面図である。
【符号の説明】
１０Ａ    基板ホルダー
１０Ｂ    基板ホルダー
１１      基板保持部
１２      基板非保持部
２０      基板ホルダー
２１      基板保持部
２２      基板非保持部
３０      基板ホルダー
３１      基板保持部
３２      基板非保持部
４０      基板ホルダー
４１      基板保持部
４２      基板非保持部
４２ａ    ネジ
５０      基板ホルダー
５１      基板保持部
５２      基板非保持部
６１      反応室
６２      ガス導入部
６３      ガスの流れ
６４      ターンテーブル用駆動軸
６５      ターンテーブル
６６      基板ホルダー
６７      モニタ用熱電対
６８      ヒータ
６９      コントロール用熱電対