(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンをパターニングデバイスから基板に転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、
第１波長を使用する特定の工程のための基板計測を可能にする、ウェーハ上の計測ターゲットを提供し、
前記第１波長より小さいグリッド開口部を有する導電材料のグリッドを使用して、前の計測ターゲットを覆い隠すように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記導電材料は金属である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記導電材料はドープされた半導体材料である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記基板計測は、オーバーレイ計測、最小寸法計測、またはアライメント計測を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含むデバイス製造方法であって、
第１波長の放射を使用して基板計測を実行可能にする工程において、計測ターゲットを前記基板上に提供することと、
前記第１波長より小さいグリッド開口部を有する導電材料のグリッドを使用して、前の計測ターゲットを覆い隠すことを有する、方法。
【請求項６】
前記導電材料は金属である、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記導電材料はドープされた半導体材料である、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記基板計測は、オーバーレイ計測、最小寸法計測、またはアライメント計測を含む、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、および、オーバーレイ、最小寸法（ＣＤ）およびアライメントなど、様々な目的のための計測が行われるデバイスを製造する方法に関する。これら計測のために、ターゲットが基板上で使用され、計測は予め規定された波長（範囲）の放射および適切なディテクタを使用して実行される。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は所望のパターンを基板上に、通常、基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造で使用されることができる。その場合、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスが使用されてもよい。このパターンは基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば一部、１つ、または複数のダイを含む）に転写されることができる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）上への結像によって行われる。一般に、単一基板は連続的にパターニングされた隣接するターゲット部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分上に一度に露光することによって各ターゲット部分が照射されるステッパ、および、パターンを放射線によって所与の方向（「スキャン」方向」にスキャンし、同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるスキャナがある。パターンを基板上にインプリントすることによってパターンをパターニングデバイスから基板に転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置を使用する製造工程において、（例えばマスク内の）パターンは、レジストの光学特性か表面物理特性かどちらかの変更によって、放射感応性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われている基板上に結像される。あるいは、結像には、エッチングされた格子またはナノインプリント技術などのレジストレスプロセスを使用してもよい。この結像の前に、基板は、プライミング（priming）、レジストコートおよびソフトベークなど、様々な処置をなされて良い。露光後、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび結像された特徴の計測／検査など、他の処置にかけられてもよい。この一連の処置は、デバイス、たとえばＩＣの個々の層をパターニングするベースとして使用される。次いで、そのようなパターニングされた層は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械研磨など、全て個々の層を仕上げるように意図された様々な処理を受けてもよい。次いで、複数の層が必要な場合は、全処置、またはその変形形態が、新しい層ごとに繰り返されなければならない。結局、一連のデバイスが基板（ウェーハ）上に存在する。次いで、これらのデバイスは、ダイシングまたはソーイングなどの技法によって互いに分離され、その後、個々のデバイスはキャリアにマウントされ、ピンなどに接続されることができる。
【０００４】
レジスト（またはエッチングの場合には基板表面）の現像後の計測および検査は、製造基板を処理する通常のコース中に実行されるのでインライン（in-line）と称され、たとえば、デバイス間のスクライブレーン内で計測ターゲットを使用してリソグラフィ装置内の２つの順次工程の間でオーバーレイを計測するために使用される。複数の方法が使用されてもよく、基板表面上で２方向（直角）の連続するオーバーレイの計測、または複雑な二次元計測ターゲットを使用する直接計測を含んでもよい。
【０００５】
各工程では、一般に、前の工程での計測からの計測ターゲットへの干渉による起こりうるすべてのエラーをも排除するために、スクライブレーンスペースのそれぞれ異なる部分が計測のために使用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
計測が基板上でより少ない「実装面積（real estate）」を必要とするリソグラフィ装置のためのオーバーレイ計測方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成されたリソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、第１波長を使用する特定の工程のための基板計測を可能にするウェーハ上の計測ターゲットを提供し、導電材料のグリッド内で計測ターゲットを変換するように構成され、グリッドは第１波長より小さいグリッド開口部を有する。
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含むデバイス製造方法であって、工程において基板上に計測ターゲットを提供し、第１波長の放射を使用する基板計測の実行を可能にすること、および導電材料のグリッド内で計測ターゲットを変換することを含み、グリッドは第１波長より小さいグリッド開口部を有する、方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の実施形態によれば、本発明の一実施形態に従って製造されるデバイスが提供される。
【００１０】
次に、本発明の諸実施形態は、対応する参照符号は対応する部分を示す添付の概略図面を参照しながら、例としてのみ、説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。該装置は、放射線Ｂ（たとえばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む。支持体（たとえばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスをある決まったパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続される。基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板をある決まったパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続される。投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射線Ｂに与えられたパターンを基板Ｗの（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成される。
【００１２】
照明システムは、放射を誘導、形成、および／または制御する、屈折、反射、磁気、電磁、静電またはその他のタイプの光学構成要素、あるいはそれらの組合せなど、様々なタイプの光学構成要素を含んでもよい。
【００１３】
支持体は、パターニングデバイスを支持し、たとえばその重量を支える。支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境で保持されている否かなど、その他の条件に応じたやり方でパターニングデバイスを保持する。支持体は、パターニングデバイスを保持する機械的、真空、静電またはその他のクランプ技法を使用することができる。支持体は、たとえば必要に応じて固定式でも可動式でもよいフレームでもテーブルであればよい。支持体は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに関する所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書中の用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より全般的な用語「パターニングデバイス」と同義であるとみなされてもよい。
【００１４】
本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生成するために、放射線の断面にパターンを与えるために使用されることができるいかなるデバイスをも指すと広く解釈されるべきである。放射線に与えられたパターンは、たとえばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合は、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確には対応しなくてもよいことに留意すべきである。一般に、放射線に与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分で生成されるデバイス内の特定機能層に対応する。
【００１５】
パターニングデバイスは透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスク、はリソグラフィではよく知られていて、バイナリ、Alternating位相シフト、および減衰位相シフト、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、入射放射線を様々な方向に反射するために、それぞれが個別にチルトされることができる小さいミラーのマトリックス配列を使う。チルトされたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射線内にパターンを与える。
【００１６】
本明細書中で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射に適当な、または液浸液の使用あるいは真空の使用など他の要因に適当な、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁および静電光学システム、またはそれらのいかなる組合せをも含めて、いかなるタイプの投影システムをも包含すると広く解釈されるべきである。本明細書中の用語「投影レンズ」の使用は、より全般的な用語「投影システム」と同義であるとみなされてもよい。
【００１７】
本明細書中で示されているように、装置は（たとえば透過型マスクを使う）透過型のものである。あるいは、装置は（たとえば上記で触れられたようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使う、または反射型マスクを使う）反射型のものでもよい。
【００１８】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものでもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルが並列に使用されてもよく、１つまたは複数のテーブルが露光に使用されている間に、１つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップが実行されてもよい。
【００１９】
リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間のスペースを満たすために、基板の少なくとも一部分が比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水で覆われるタイプのものでもよい。液浸液はまた、リソグラフィ装置内の、たとえばマスクと投影システムの間の他のスペースに与えられてもよい。液浸法は投影システムの開口数を増やす技術分野ではよく知られている。本明細書中で使用される用語「液浸」は、基板などの構造体が液体内に浸漬されなければならないことを意味するものではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在すればよいことを意味するものである。
【００２０】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射を受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザである場合、分離型の装置であってよい。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部分を形成するとはみなされず、放射線は、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合、たとえば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置と一体の構成部分であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要があればビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれてもよい。
【００２１】
イルミネータＩＬは、放射線の角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調整されることができる。さらに、イルミネータＩＬはインテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他の構成要素を含んでもよい。イルミネータは、放射線断面が所望の均一性および強度分布を有するように調整するために使用されてもよい。
【００２２】
放射線Ｂは、支持体（たとえば、マスクテーブルＭＴ）上で保持されているパターニングデバイス（たとえば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射線Ｂは、マスクＭＡを横切った後、放射線の焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けを借りて、たとえば様々なターゲット部分Ｃを放射線Ｂの通路に置くために、正確に移動させられることができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび他の位置センサ（図１には明確には示されていない）は、たとえばマスクライブラリからの機械的取出し後またはスキャン中にマスクＭＡを放射線Ｂの通路に関して正確に置くために使用されることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（粗動位置決め）の助けを借りて実現されてもよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現されてもよい。ステッパの場合は（スキャナと対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されてもよく、固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントされてもよい。図示されているように基板アライメントマークは、専用ターゲット部分を占めているが、ターゲット部分間のスペースに配置されてもよい（これらはスクライブレーン（けがき線）アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが提供される場合は、マスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。
【００２３】
図示されている装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用されることができる。
【００２４】
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれ、放射線に与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、別のターゲット部分Ｃが露光されることができるように、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。
【００２５】
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、同時にスキャンされ、放射線に与えられたパターンはターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに関連する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大率（縮小率）および像反転特性によって決定されてもよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を限定し、スキャン運動の長さはターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。
【００２６】
３．他のモードでは、マスクテーブルＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴは、移動あるいはスキャンされ、放射線に与えられたパターンは、ターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使われ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中に連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で触れられたようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に利用されることができる。
【００２７】
前述の使用モードの組合せおよび／または変形例、あるいは完全に異なる使用モードが使われてもよい。
【００２８】
基板６の表面の１つまたは複数の特性は、図２に示されているものなどの光波散乱計測構成を使用して決定されてもよい。光波散乱計は、放射を基板６に誘導する広帯域（白色光）放射源２を含んでもよい。拡大された（extended）広帯域放射源が、少なくとも５０ｎｍの波長を有する放射線を基板表面に提供するように構成されてもよい。反射された放射は、鏡面反射放射のスペクトル１０（波長の関数としての強度）を計測する分光計ディテクタ４に送られる。
【００２９】
光波散乱計は、垂直入射光波散乱計でも、斜め入射光波散乱計でもよい。様々な波長の単一角度での反射ではなく、単一波長の様々な角度での反射が計測される光波散乱計の変形形態が使用されてもよい。
【００３０】
以下で説明される１つまたは複数の実施形態では、図３に示されているように、複数の角度および波長で基板表面６から反射された角度分解スペクトル（angle-resolved spectrum）の特性を高ＮＡレンズの瞳面４０で計測することによって基板６の特性を計測するように構成された光波散乱計が使用される。光波散乱計は、放射を基板上に投影するように構成された放射源２、および反射されたスペクトルを検出するように構成されたディテクタ３２を含む。瞳面は、放射の半径方向の位置が入射角を規定する平面であり、角度位置は、放射の方位角、およびいかなる実質的に共役な面をも規定する。ディテクタ３２は高ＮＡレンズの瞳面内に配置される。ＮＡは高く、一実施形態では、少なくとも０．９または少なくとも０．９５である。液浸光波散乱計は、１を超えるＮＡを有するレンズを有することもある。
【００３１】
従前の角度分解光波散乱計測は、単に散乱光の強度を計測するだけであった。本発明の一実施形態は、複数の波長が様々な角度で同時に計測されることができるようにする。様々な波長および角度に関して光波散乱計で計測される特性は、横磁気（transverse magnetic）（ＴＭ）偏光および横電気（transverse electric）（ＴＥ）偏光の強度ならびにＴＭ偏光とＴＥ偏光の間の位相差を含んでもよい。
【００３２】
光源２の焦点は、干渉フィルタ３０を介し、レンズシステムＬ２を使用して合わせられ、顕微鏡対物レンズＬ１によって基板６上に合わせられる。次いで、放射は、散乱スペクトルを検出してもらうために、投影された瞳面４０の後部にある部分反射表面３４によって反射されてＣＣＤディテクタ３２の中に入る。瞳面４０はレンズシステムＬ１の焦点距離のところにある。ディテクタおよび高ＮＡレンズは瞳面に配置される。瞳面は、高ＮＡレンズの瞳面が、通常、レンズの内側に配置されるので、補助レンズを用いて再結像されてもよい。
【００３３】
反射光の瞳面は、たとえばフレームごとに４０ミリ秒の積分時間で、ＣＣＤディテクタ３２上に結像される。このようにして、基板６の二次元角度分散スペクトルがディテクタ３２上に結像される。ディテクタ３２は、たとえば、ＣＣＤディテクタのアレイでも、ＣＭＯＳディテクタのアレイでもよい。スペクトルの処理は対称的な検出構成を提供し、したがってセンサは回転対称にされることができる。これによって、基板６上のターゲットがセンサに関するどの回転方位ででも計測されることができるので、コンパクトな基板テーブルの使用が可能になる。基板６上の全てのターゲットは、基板６の並進および回転の組合せによって計測されることができる。
【００３４】
１組の干渉フィルタ３０は、たとえば、４０５〜７９０ｎｍの、あるいは２００〜３００ｎｍなどのさらに低い範囲の注目する波長を選択するために利用可能であってよい。干渉フィルタは、１組の様々なフィルタを含むのではなく、調整可能であってよい。１つまたは複数の干渉フィルタの代わりに格子が使用されてもよい。
【００３５】
基板６は格子でもよい。（また、反射面３４が格子であってもよい。）格子は、一連のバーが、現像後、ソリッドレジストラインで形成されるように印刷されてもよい。あるいは、バーは基板にエッチングされてもよい。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムＰＬ内のコマ収差、および照明の対称性に対して鋭敏であり、そのような収差の存在は印刷格子の変形として現れる。したがって、印刷格子の光波散乱計測データは、格子の再構成に使用される。ライン幅および形状など、格子の１つまたは複数のパラメータは、印刷ステップおよび／またはその他の光波散乱計測工程の知識から再構成工程にインプットされてもよい。
【００３６】
光波散乱計は、スペクトルを検出し、、また、不連続点が計測されることが可能であることより１つまたは複数の格子特性が計算され得る、対称な瞳面像の生成に使用されてもよい。
【００３７】
光波散乱計は、反射されたスペクトル内の非対称を計測することによって２つのミスアライメントされた周期的構造体のオーバーレイを計測するように適応されてもよく、非対称はオーバーレイの大きさと関連がある。光波散乱計は、反射されたスペクトル内の非対称および／または検出構成を計測することによって２つのミスアライメントされた格子または周期的構造体のオーバーレイを計測するように適応されてもよく、非対称はオーバーレイの大きさに関連している。対称的検出構成により、あらゆる非対称が明確に識別可能である。このことが、格子のミスアライメントを計測する簡便な方法を提供する。
【００３８】
基板パターンの１つのタイプが図４に示されている。基準格子１４は、その上に（または、格子１４の上に作られた誘電体層１６の上に）印刷された計測格子１２を有する。図４に示されているように、計測格子１２が基準格子１４に関してオフセットされる量が、オーバーレイ２２として知られている。
【００３９】
放射源２は物体を面法線に関して対称に照射してもよく、光波散乱計ディテクタは散乱放射を複数の角度から計測するが、斜角から物体を照射する放射源２も可能であることに留意されたい。
【００４０】
オーバーレイ計測は角度散乱スペクトル内の非対称の計測に基づく。対称構造体は対称角度スペクトルを生じ、ターゲット内の非対称は角度散乱スペクトル内の非対称として現れる。この特性は、角度分解光波散乱計測を使用するオーバーレイ計測法のベースである。
【００４１】
幅２０（図４参照）を有するバー（またはライン要素）１８で作られた、オーバーラップしているがミスアライメントされた２つの格子（計測格子１２および基準格子１４）は、１の合成非対称ターゲットを形成する。結果として生じる角度散乱スペクトル内の非対称が、図３に示されている角度分解光波散乱計測４で検出され、オーバーレイ２２を得るために使用される。
【００４２】
リソグラフィ装置を使用するデバイスの既知の製造方法では、様々な計測のためのターゲット、特に前述のオーバーレイ計測格子１２が、基板６のスクライブレーンスペース１５内、すなわち基板６の部分間の様々な位置に配置され、デバイスは様々の工程によって形成される。特定の計測のための各ターゲット１２は、前の計測に使用されたターゲットとは別の位置に、たとえば、位置Ａ〜Ｆを有する図５ａに示されているようなカスケード形式で配置される。デバイスを製造するために、１５、さらには２０もの層が処理される必要があり、結果的に、１５、さらには２０もの位置Ａ〜Ｆが必要とされるので、スクライブレーン１５内には多くの実装面積が必要とされる。
【００４３】
本発明の一実施形態によれば、図５ｂに概略的に示されているように、限られた数のターゲットの位置Ａ〜Ｃしか必要がない。これは、計測放射波長より小さいグリッド開口部を有する導電材料のグリッド１７を使用して、前の計測ターゲットを覆い隠すことによって可能にされる。この説明で使用される用語波長は、グリッド１７が、たとえば、液浸リソグラフィに関して上記で説明されたような水の層内に配置されている媒体内の有効波長を指し、これはフリースペース（free space）の波長とは異なっていてもよい。図６に一実施形態が概略的に示されていて、導電材料のラインのグリッド１７を含み、ライン間の距離ｄは計測放射波長λより小さい。ライン間の距離ｄは、たとえば１００〜２００ｎｍの幅のライン（またはワイヤ）を使用して、たとえば約５００ｎｍの大きさである。
【００４４】
このようにして、一種のファラデーシールドが形成され、これが計測放射波長λのための前の計測ターゲットを覆い隠し、それによって後の計測のための特定の場所の再使用が可能となる。一実施形態では導電材料が金属であり、これによって金属堆積などを使用する全ての工程、たとえば、基板６上でビア、金属導体、またはボンディングパッドが生成されるバックエンド工程、またはメタルゲートが生成される工程が、計測場所でグリッドを形成することができるようになり得る。これらによって本発明による導電グリッド１７を生成することも可能なので、本発明は、ドープされた半導体材料層が形成される工程にも適用可能である。
【００４５】
グリッド１７はまた、別の外観、たとえば、計測放射波長λより小さい直径の円形開口部を備えた前の計測ターゲットを覆う長方形フィールドであっても良い。
【００４６】
本発明の一実施形態では、計測ターゲットに３つの位置が必要とされるだけである。これは図７に示されている基板６の一部分の断面図を参照しながら明らかにされる。第１層１１ａでは、既知のプロセスを使用して基準格子１４ａが第１位置Ａ上に作られ、この第１層１１ａを仕上げた後で、計測格子１２ａが基準格子１４ａの上に印刷され、第２層１１ｂの計測（たとえばオーバーレイ計測）が実行されることができる。第２層１１ｂでの計測を終了した後で、この第２層１１ｂは処理されてもよく、第３層１１ｃに関連する計測のための基準格子１４ｂがスクライブレーンスペース内の第２位置Ｂ上に生成される。再度、計測格子１２ｂが基準格子１４ｂの上に印刷され、計測が実行される。次に、第３層１１ｃが処理されて次の基準格子１４ｃを第３位置Ｃ上に形成するが、グリッド１７ａも位置Ａ上に形成され、それによって、下にある計測格子１２ａおよび基準格子１４ａを覆い隠す。計測格子１２ｃが基準格子１４ｃの上に印刷されてもよく、第４層１１ｄに関連する計測が実行されてもよい。
【００４７】
しかし、第３層１１ｃ内のグリッド１７ａの結果として、別の基準格子１４ｄが位置Ａ上の第４層１１ｄ内に形成されてもよい。また、下にある計測格子１２ｂおよび基準格子１４ｂを覆い隠すために、グリッド１７ｂが第２位置Ｂ上に形成される。これは、次の層になる度に繰り返されてもよく、計測ターゲット１２、１４は、３つの位置Ａ〜Ｃしか必要としない。
【００４８】
前述のように、それぞれが基板層内の基準格子１４、および基準格子１４の上に印刷された計測格子１２を必要とする、オーバーレイ計測ターゲットに関連して、様々な実施形態が使用されてもよい。また、クリティカルディメンション（ＣＤ）計測またはアライメント計測などさらに他のタイプの計測ターゲットを使用することができる、他のタイプの計測に関連して、様々な実施形態が使用されてもよい。たとえば、アライメント計測の場合、アライメントマークが単一層で使用される。これらのアライメントマークは、（現像されていない）アライメントマークの上の層内の本発明によるグリッド１７を使用して覆い隠すことができる。
【００４９】
前述のいずれか１つの実施形態によるグリッド１７は、基板６のスクライブレーンスペース１５で利用される。完成した基板６またはウェーハにおいて、さらには完成したダイの縁部エリアにおいても、このグリッド１７は、依然として存在し、かつ可視である。したがって、本方法の使用もまた、本発明の実施形態に従って製造されたデバイスにおいて可視である。
【００５０】
本文でＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して具体的な参照がなされることもあるが、本明細書中で説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システムの製造、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど、他の利用形態を有してもよいことを理解すべきである。そのような代替利用形態では、本明細書中の用語「ウェーハ」または「ダイ」のいかなる使用も、それぞれ、より全般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であるとみなされてもよいことを理解すべきである。本明細書中で触れられる基板は、たとえばトラック（通常、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールで、露光の前または後で処理されてもよい。利用可能な場合は、本明細書中の開示はそのようなまたはその他の基板処理ツールで利用されてもよい。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回処理されてもよく、その結果、本明細書中で使用される用語基板はまた、複数の処理済層をすでに含む基板を指してもよい。
【００５１】
光学リソグラフィにおいて、本発明の実施形態の使用に対して上記で具体的な参照がなされたこともあるが、本発明は他の利用形態、たとえばインプリントリソグラフィで使用されてもよく、可能であれば、光学リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に生成されるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジストの層にプレスされてもよく、レジストは、この基板上で、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを印加することによって、硬化される。パターニングデバイスは、レジストから取り外され、レジストが硬化された後でそこにパターンを残す。
【００５２】
本明細書中で使用される用語「放射」および「ビーム」は、（たとえば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、および（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含めて、全てのタイプの電磁放射を包含する。
【００５３】
用語「レンズ」は、可能であれば、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学構成要素を含めて、様々なタイプの光学構成要素のいずれか１つまたはそれらの組合せを指してもよい。
【００５４】
本発明の具体的な実施形態が上記で説明されてきたが、本発明は説明された以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。たとえば、本発明は、上記で開示されたような方法を記載した機械可読命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムまたはコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（たとえば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ってもよい。
【００５５】
上記の説明は、例示的であって、限定的ではない。したがって、添付の特許請求の範囲の範囲を逸脱することなく、説明された本発明に対して変更が行われてもよいことは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による非対称を計測するために使用されてもよい光波散乱計測構成を示す簡略化された概略図である。
【図３】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置で使用されてもよい光波散乱計測構成を示す概略図である。
【図４】本発明の方法実施形態で利用される基板内の基準格子および計測格子を示す断面図である。
【図５ａ】順次基板計測に使用されるスクライブレーンを示す上面図である。
【図５ｂ】本発明の一実施形態による基板計測に使用されるスクライブレーンを示す上面図である。
【図６】前の計測の計測ターゲットを覆い隠すために利用されるグリッドを示す上面図である。
【図７】本発明が利用される基板を示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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