【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持された基板とＲＦエネルギー源とを含むプラズマ増強化学気相成長真空チャンバを用いたテトラエトキシシラン前駆体ガスからの酸化ケイ素膜の製造方法であって、前記方法は：
テトラエトキシシラン及び酸素の混合物を減圧下で前記化学気相成長チャンバ内に導入して、プラズマを生成するステップと；
平均酸化ケイ素堆積速度を下げるように所定の時間間隔で前記ＲＦ電力源の電力を間欠的に減少及び増加させるステップと；
を含む、方法。
【請求項２】  前記酸化ケイ素膜を、５００オングストローム以下の膜厚に堆積する、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記酸化ケイ素膜は、アニールされる、請求項１記載の方法。
【請求項４】  プラズマ生成用に前記エネルギーを供給する前記電力源は、ほぼ５００ワット以下に間欠的に下げられる、請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記基板は、ガラスである、請求項１記載の方法。
【請求項６】  請求項１記載の方法によってつくられた二酸化ケイ素膜の層を含んでいる基板。
【請求項７】  前記供給されたエネルギーのデューティサイクルは、ほぼ１０％からほぼ４０％までである、請求項１記載の方法。
【請求項８】  前記エネルギーは、前記ＲＦ電力源から供給される、請求項１記載の方法。
【請求項９】  前記間欠的に電力を供給するステップは、ほぼ１０％とほぼ５０％の間のデューティサイクルで前記電力源のパルス電力を供給するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】  前記酸化ケイ素膜は、矩形のガラス基板上に堆積される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】  ＣＶＤチャンバ内に配置された基板上に、シリコン含有膜を堆積させる方法であって、前記方法は：
シリコン含有ガスを前記ＣＶＤチャンバ内に供給するステップと；
ＲＦ電力源を用いて前記シリコン含有ガスからプラズマを生成するステップと；
前記シリコン含有膜の堆積速度がほぼ１１００オングストローム／分未満となるように制御するよう前記ＲＦ電力源がパルス電力を供給するステップと；
を含む、方法。
【請求項１２】  前記ＲＦ電力源は、ほぼ１０％とほぼ５０％の間のデューティサイクルでパルス電力を供給する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  前記ＲＦ電力源は、ほぼ１０％とほぼ２０％の間のデューティサイクルでパルス電力を供給し、前記シリコン含有膜の堆積速度は、ほぼ３００オングストローム／分未満である、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】  前記ＲＦ電力源は、ゼロに等しい低電力値と高電力値との間でパルス電力を供給し、前記シリコン含有膜の堆積速度は、ほぼ２００オングストローム／分未満である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  前記シリコン含有膜は、矩形のガラス基板上に堆積される、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】  前記ＣＶＤチャンバは、１Ｔｏｒｒ未満の圧力下にあり、３００℃と５００℃の間の温度下にある、請求項１１記載の方法。
【請求項１７】  前記シリコン含有ガスは、２００標準立方センチメートル未満の流量で前記ＣＶＤチャンバ内に供給される、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】  前記シリコン含有ガスは、４００標準立方センチメートル未満の流量で前記ＣＶＤチャンバ内に供給される、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】  前記シリコン含有膜の均一性は、±１５．０％以下である、請求項１１記載の方法。
【請求項２０】  前記ＲＦ電力源は、ゼロワットと１５００ワットの間の電力値の間でパルス電力を供給する、請求項１１記載の方法。
【請求項２１】  各パルスの時間は、１００ｍｓｅｃと１０００ｍｓｅｃの間である、請求項１１記載の方法。
【請求項２２】  パルス間の時間は、１００ｍｓｅｃと１０００ｍｓｅｃの間である、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】  前記シリコン含有膜は、５００オングストローム未満の膜厚を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項２４】  ＣＶＤ装置であって、前記ＣＶＤ装置は：
シリコン含有膜が上に堆積される基板を収容するチャンバと；
前記チャンバの注入ポートに接続されたシリコン含有ガス供給と；
前記チャンバ内に供給された前記シリコン含有ガスから前記チャンバ内でプラズマを生成するために前記チャンバにＲＦパルス電力を供給するＲＦ発電機と；
を含み、
前記ＲＦ電力源は：
（ｉ）前記供給されたＲＦパルス電力のデューティサイクルと；
（ｉｉ）前記供給されたＲＦパルス電力の低電力値及び高電力値と；
（ｉｉｉ）各パルスの時間と；
を設定するよう制御可能である、ＣＶＤ装置。
【請求項２５】  前記ＲＦ発電機は、１５００ワット未満の電力を供給する、請求項２４記載のＣＶＤ装置。
【請求項２６】  前記チャンバは、１Ｔｏｒｒ未満の圧力下にあり、３００℃と５００℃の間の温度下にある、請求項２４記載のＣＶＤ装置。
【請求項２７】  前記チャンバの前記注入ポートは、２００標準立方センチメートル未満のシリコン含有ガスの流れを供給する、請求項２６記載のＣＶＤ装置。
【請求項２８】  前記チャンバの前記注入ポートは、４００標準立方センチメートル未満のシリコン含有ガスの流れを供給する、請求項２６記載のＣＶＤ装置。
【請求項２９】  前記基板は、矩形のガラス基板を含む、請求項２４記載のＣＶＤ装置。
【請求項３０】  ＣＶＤ装置であって、前記ＣＶＤ装置は：
シリコン含有膜が上に堆積される矩形のガラス基板が載置されるサセプタを有するチャンバと；
前記チャンバの注入ポートに接続されたシリコン含有ガス供給と；
前記チャンバ内に供給された前記シリコン含有ガスから前記チャンバ内でプラズマを生成するために前記チャンバにほぼ１１５０ワットのＲＦ電力を供給するＲＦ発電機と；
を含み、
前記ＲＦ電力は、ほぼ１０％とほぼ５０％の間のデューティサイクルのパルス電力で供給される、ＣＶＤ装置。
【請求項３１】  前記チャンバは、１Ｔｏｒｒ未満の圧力下にあり、３００℃と５００℃の間の温度下にある、請求項３０記載のＣＶＤ装置。
【請求項３２】  前記チャンバの前記注入ポートは、２００標準立方センチメートル未満のシリコン含有ガスの流れを供給する、請求項３１記載のＣＶＤ装置。
【請求項３３】  前記チャンバの前記注入ポートは、４００標準立方センチメートル未満のシリコン含有ガスの流れを供給する、請求項３１記載のＣＶＤ装置。
【請求項３４】  前記ＲＦ電力は、ほぼ１０％とほぼ２０％の間のデューティサイクルのパルス電力で供給される、請求項３０記載のＣＶＤ装置。
【請求項３５】  支持された基板とＲＦエネルギー源とを含むプラズマ増強化学気相成長真空チャンバを用いたＴＥＯＳ前駆体ガスからの酸化ケイ素膜の製造方法であって、前記方法は：
ＴＥＯＳ及び酸素の混合物を減圧下で前記化学気相成長チャンバ内に導入して、プラズマを生成するステップと；
所定の時間間隔で前記ＲＦエネルギー源の電力を間欠的に減少及び増加させるステップと；
を含む、方法。
【請求項３６】  前記酸化ケイ素膜を、５００オングストローム以下の膜厚に堆積する、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】  前記酸化ケイ素膜は、アニールされる、請求項３５記載の方法。
【請求項３８】  前記ＲＦエネルギー源の前記電力は、ほぼ５００ワット以下に間欠的に下げられる、請求項３５記載の方法。
【請求項３９】  前記基板は、ガラスである、請求項３５記載の方法。
【請求項４０】  基板表面上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法であって、前記方法は：
ＲＦ電力、ＴＥＯＳ前駆体ガスを実質的に含むプラズマ、及び酸素を用いてプラズマを生成するステップと；
前記プラズマに前記基板表面をさらすステップと；
前記プラズマのための前記ＲＦ電力でパルス電力を供給する間に、前記基板表面上に前記酸化ケイ素膜を堆積させるステップと；
を含む、方法。
【請求項４１】  前記ＲＦ電力のパルス電力の供給は、ゼロワットから１５００ワットまでの前記ＲＦ電力の減少及び増加を含む、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】  前記ＲＦ電力のパルス電力の供給は、ゼロワットから１５００ワットまでの前記ＲＦ電力の減少及び増加と、１００ｍｓｅｃから１０００ｍｓｅｃまでの一定値での前記ＲＦ電力の保持と、の繰り返しを含む、請求項４０記載の方法。
【請求項４３】  前記ＲＦ電力のパルス電力の供給は、１００ｍｓｅｃから１０００ｍｓｅｃまでのある時間の前記ＲＦ電力の作動と、１００ｍｓｅｃから１０００ｍｓｅｃまでのある時間の前記ＲＦ電力の切断と、の繰り返しを含む、請求項４０記載の方法。
【請求項４４】  前記酸化ケイ素膜は、二酸化ケイ素を含む、請求項４０記載の方法。
【請求項４５】  前記酸化ケイ素膜は、５００オングストローム以下の膜厚を有する、請求項４０記載の方法。
【請求項４６】  前記酸化ケイ素膜は、３００オングストローム以下の膜厚を有する、請求項４０記載の方法。
【請求項４７】  前記酸化ケイ素膜は、２００オングストローム以下の膜厚を有する、請求項４０記載の方法。
【請求項４８】  前記酸化ケイ素膜は、１００オングストロームと５００オングストロームの間の膜厚を有する、請求項４０記載の方法。