【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶デバイスであって、
ライトワンスメモリと、
不揮発性メモリと、及び
前記ライトワンスメモリにユーザデータを書き込み、かつユーザデータおよび誤り訂正データのうちの少なくとも一つを前記不揮発性メモリに格納するための回路とを含む、データ記憶デバイス。
【請求項２】
前記回路が、ユーザデータの不完全なブロックを前記不揮発性メモリに格納し、新しいユーザデータが受信されるとき、前記格納されたユーザデータを用いて完全なブロックを形成し、また前記回路が、前記完全なブロックのための誤り訂正データを生成し、前記ユーザデータの完全なブロックと、前記誤り訂正データとを前記ライトワンスメモリに書き込む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記回路が、ユーザデータの不完全なブロックを前記ライトワンスメモリに書き込み、前記ユーザデータおよびパディングを含む完全なブロックのための誤り訂正データを生成し、前記誤り訂正データのうちの少なくともいくつかを前記不揮発性メモリに格納する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
最終的な誤り訂正データが、前記ライトワンスメモリに書き込まれ、暫定的な誤り訂正データが、前記不揮発性メモリに書き込まれる、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ユーザデータの不完全なブロックが、前記ライトワンスメモリ内の開始アドレスと終了アドレスとの間に書き込まれ、また前記回路が、前記不揮発性メモリに前記終了アドレスも書き込む、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記回路が、前記ライトワンスメモリからの前記不完全なブロックにアクセスし、前記不完全なブロックをパディングし、前記誤り訂正データにアクセスし、前記誤り訂正データを用いて、前記パディングされたブロックにおいて誤り訂正を実行する、請求項３に記載のデバイス。
【請求項７】
前記デバイスが新しいユーザデータを受信し、その新しいユーザデータを前記誤り訂正されたユーザデータに付加する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記誤り訂正データがＲＳ−ＰＣコードワードを含む、請求項３に記載のデバイス。
【請求項９】
前記不揮発性メモリの記憶容量が、完全なユーザデータブロックサイズより小さい、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
データ記憶デバイスであって、
基板と、
前記基板上にある少なくとも１つの段の固体ワンタイムプログラマブルメモリと、
前記基板内の不揮発性メモリと、及び
ユーザデータを前記ライトワンスメモリに書き込み、前記ユーザデータを用いて誤り訂正データを生成し、前記誤り訂正データのうちの少なくともいくつかを前記不揮発性メモリに格納するための回路とを含む、データ記憶デバイス。
【請求項１１】
前記回路が、ユーザデータの不完全なブロックを前記ライトワンスメモリに書き込み、前記不完全なブロックおよびパディングを含む完全なブロックのための誤り訂正データを生成し、前記誤り訂正データを前記不揮発性メモリに格納する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
最終的な誤り訂正データが、前記ライトワンスメモリに書き込まれ、暫定的な誤り訂正データが、前記不揮発性メモリに書き込まれる、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ユーザデータの不完全なブロックが、前記ライトワンスメモリ内の開始アドレスと終了アドレスとの間に書き込まれ、また前記回路が、前記不揮発性メモリに前記終了アドレスも書き込む、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記回路が、前記ライトワンスメモリからの前記不完全なブロックにアクセスし、前記不揮発性メモリからの前記誤り訂正データにアクセスし、前記不完全なブロックをパディングし、前記誤り訂正データを用いて、前記パディングされたブロックにおいて誤り訂正を実行する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記デバイスが新しいユーザデータを受信し、その新しいユーザデータを前記誤り訂正されたユーザデータに付加する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記誤り訂正データがＲＳ−ＰＣコードワードを含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１７】
ライトワンスメモリと、
ユーザデータの不完全なブロックをバッファリングするための手段と、
前記不完全なブロックを前記ライトワンスメモリに格納するための手段と、
前記不完全なブロックにパディングを付加してパディングされたブロックを形成するための手段と、
前記パディングされたブロックのための誤り訂正データを生成するための手段と、及び
前記誤り訂正データのうちの少なくともいくつかを前記不揮発性メモリに格納するための手段とを含む、装置。
【請求項１８】
ライトワンスメモリと不揮発性メモリとを含むデータ記憶デバイスのための装置であって、その装置が、
前記ライトワンスメモリにユーザデータを書き込み、かつユーザデータおよび誤り訂正データのうちの少なくとも一つを前記不揮発性メモリに格納するための制御回路を含む、装置。
【請求項１９】
前記回路が、ユーザデータの不完全なブロックを前記ライトワンスメモリに書き込み、前記ユーザデータおよびパディングを含む完全なブロックのための誤り訂正データを生成し、前記誤り訂正データのうちの少なくともいくつかを前記不揮発性メモリに格納する、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
最終的な誤り訂正データが、前記ライトワンスメモリに書き込まれ、暫定的な誤り訂正データが、前記不揮発性メモリに書き込まれる、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記ユーザデータの不完全なブロックが、前記ライトワンスメモリ内の開始アドレスと終了アドレスとの間に書き込まれ、また前記回路が、前記不揮発性メモリに前記終了アドレスも書き込む、請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
前記回路が、前記ライトワンスメモリからの前記不完全なブロックにアクセスし、前記誤り訂正データにアクセスし、前記誤り訂正データを用いて、前記不完全なブロックのユーザデータにおいて誤り訂正を実行する、請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】
前記デバイスが新しいユーザデータを受信し、その新しいユーザデータを前記誤り訂正されたユーザデータに付加する、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
不揮発性メモリとライトワンスメモリとを含むデバイスに書き込みを行う方法であって、その方法が、
ユーザデータの不完全なブロックをバッファリングし、
前記不完全なブロックを前記ライトワンスメモリに格納し、
前記不完全なブロックにパディングを付加してパディングされたブロックを形成し、
前記パディングされたブロックのための誤り訂正データを生成し、及び
前記誤り訂正データのうちの少なくともいくつかを前記不揮発性メモリに格納することを含む、方法。
【請求項２５】
前記ユーザデータの不完全なブロックが、前記ライトワンスメモリ内の開始アドレスと終了アドレスとの間に書き込まれ、前記方法が、前記不揮発性メモリに前記終了アドレスを書き込むことをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ライトワンスメモリからの前記不完全なブロックにアクセスし、
前記誤り訂正データにアクセスし、
前記不完全なブロックをパディングし、及び
前記誤り訂正データを用いて、前記パディングされたブロックにおいて誤り訂正を実行することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
新しいユーザデータを受信し、
前記新しいユーザデータを前記誤り訂正されたユーザデータに付加して完全なブロックを形成し、
前記完全なブロックのための新しい誤り訂正データを生成し、及び
前記新しい誤り訂正データ及び前記新しいユーザデータを前記ライトワンスメモリに書き込むことをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ユーザデータはブロックでＯＴＰメモリに書き込まれる。しかしながら、そのブロックがＯＴＰメモリに書き込まれる前に、ＥＣＣコードワードのような誤り訂正データが付加される。誤りは、記憶媒体内の欠陥および読出しチャネル内のノイズに起因して生じる可能性がある。ユーザデータにおいて誤りが生じる場合、誤り訂正データによって誤りを訂正することが可能である。