【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メイン電源線と、
サブ電源線と、
アクティブサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、
前記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、前記サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、
前記アクティブサイクルにおいて、前記論理回路が動作する動作電源電圧を、前記論理回路に供給するように前記メイン電源線の電圧を制御する電圧制御手段とを備える、半導体集積回路装置。
【請求項２】  前記電圧制御手段は、
前記論理回路が動作する高電位側の動作電源電圧より高い基準電圧と前記メイン電源線の電圧とを差動的に増幅する増幅手段を含む、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】  前記電圧制御手段は、
前記論理回路が動作する低電位側の動作電源電圧より低い基準電圧と前記メイン電源線の電圧とを差動的に増幅する増幅手段を含む、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】  前記メイン電源線は、
前記論理回路が動作する高電位側の動作電源電圧に対応する第１のメイン電源線と、
前記論理回路が動作する低電位側の動作電源電圧に対応する第２のメイン電源線とを含み、
前記サブ電源線は、
前記第１のメイン電源線に対応する第１のサブ電源線と、
前記第２のメイン電源線に対応する第２のサブ電源線とを含み、
前記結合手段は、
前記第１のメイン電源線と前記第１のサブ電源線とを短絡する第１の結合回路と、
前記第２のメイン電源線と前記第２のサブ電源線とを短絡する第２の結合回路とを含み、
前記第１の論理ゲートは、
前記第１のメイン電源線の電圧と前記第２のサブ電源線の電圧とを動作電源電圧とし、
前記第２の論理ゲートは、
前記第２のメイン電源線の電圧と前記第１のサブ電源線の電圧とを動作電源電圧とし、
前記電圧制御手段は、
前記高電位側の動作電源電圧より高い基準電圧と前記第１のメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第１の増幅手段と、
前記低電位側の動作電源電圧より低い基準電圧と前記第２のメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第２の増幅手段とを含む、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】  前記電圧制御手段は、
前記アクティブサイクルにおいて、前記論理回路が動作する動作電源電圧に応答する第１の基準電圧と前記メイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第１の増幅手段と、
前記スタンバイサイクルにおいて、前記第１の基準電圧と異なる第２の基準電位と前記メイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第２の増幅手段を含む、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】  前記結合手段は、
前記アクティブサイクルにおいてオン状態となる少なくとも１以上のスイッチトランジスタから構成される、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】  前記結合手段は、
少なくとも１以上の電圧保持手段を含み、
前記少なくとも１以上の電圧保持手段のそれぞれは、
前記アクティブサイクルにおいて、前記サブ電源線の電圧を前記メイン電源線の電圧に保つ、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】  前記メイン電源線と前記サブ電源線との間に配置されるダイオード接続されるトランジスタをさらに備える、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】  外部から受ける動作指定信号に応答して、前記論理回路の前記アクティブサイクルを指定する内部動作制御信号を発生するコントロール手段をさらに備え、
前記結合手段は、
前記内部動作制御信号に応答して結合／非結合動作を行う、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】  外部から受ける動作指定信号に応答して、前記論理回路の前記アクティブサイクルを指定する内部動作制御信号を発生するコントロール手段をさらに備え、
前記電圧制御手段および前記結合手段は、
前記内部動作制御信号に応答して動作する、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】  外部から受ける動作指定信号に応答して、特定のモードを検出するコントロール手段と、
前記特定のモードが検出されたことに応答して、前記電圧制御手段における電圧の制御レベルを調整する手段とをさらに備える、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】  外部から受ける動作指定信号に応答して、特定のテストモードを検出するコントロール手段と、
前記特定のテストモードが検出されたことに応答して、前記電圧制御手段における電圧の制御レベルを調整する手段と、
前記論理回路におけるリーク電流をモニタする手段とをさらに備える、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１３】  前記結合手段は、
前記アクティブサイクルにおいてオン状態となるスイッチトランジスタから構成され、
前記スイッチトランジスタのオン／オフを制御するスイッチ制御手段をさらに備え、
前記スイッチ制御手段は、
前記スタンバイサイクルにおいて前記スイッチトランジスタのゲート電極に負バイアスを印加する、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１４】  前記スイッチ制御手段は、
前記負バイアスを含めて、少なくとも３値以上のバイアスを供給する供給手段と、
前記供給手段の供給するバイアスを切換えて前記ゲート電極に印加する切替制御手段とを含む、請求項１３記載の半導体集積回路装置。
【請求項１５】  メイン電源線と、
サブ電源線と、
アクティブサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に非結合するスイッチトランジスタと、
前記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、前記サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、
前記スイッチトランジスタのオン／オフを制御するスイッチ制御手段とを備え、
前記スイッチ制御手段は、
前記スタンバイサイクルにおいて前記スイッチトランジスタのゲート電極に負バイアスを印加する、半導体集積回路装置。
【請求項１６】  前記スイッチ制御手段は、
前記負バイアスを含めて、少なくとも３値以上のバイアスを供給する供給手段と、
前記供給手段の供給するバイアスを切換えて前記ゲート電極に印加する切替制御手段とを含む、請求項１５記載の半導体集積回路装置。
【請求項１７】  外部から受ける動作指定信号に応答して、電圧制御信号を発生するコントロール手段と、
前記コントロール手段の制御に応じて動作する複数の内部回路とを備え、
前記複数の内部回路のそれぞれは、
メイン電源線と、
サブ電源線と、
対応する前記電圧制御信号に応答して、アクティブサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、
前記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、前記サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路とを含む、半導体集積回路装置。
【請求項１８】  前記コントロール手段は、
パイプライン処理における前記複数の内部回路における動作タイミングに応答して、対応する前記電圧制御信号を発生する、請求項１７記載の半導体集積回路装置。
【請求項１９】  行列状に配置される複数のメモリセルをさらに含み、
前記複数の内部回路のそれぞれは、前記メモリセルを選択するための処理を行なう、請求項１８記載の半導体集積回路装置。
【請求項２０】  前記アクティブサイクルにおいて、前記論理回路が動作する動作電源電圧を、前記論理回路に供給するように前記メイン電源線の電圧を制御する電圧制御手段をさらに備える、請求項１７記載の半導体集積回路装置。
【請求項２１】  メイン電源線と、
サブ電源線と、
アクティブサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、
前記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、前記サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、
前記論理回路におけるリーク電流をモニタするモニタ手段とを備える、半導体集積回路装置。
【請求項２２】  前記モニタ手段は、
基準電流を供給する電流供給手段と、
前記電流供給手段から前記メイン電源線に流入する電流量と、前記電流供給手段から前記サブ電源線に流入する電流量とを比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果を外部に出力する出力手段とを含む、請求項２１記載の半導体集積回路装置。
【請求項２３】  前記結合手段は、
スイッチトランジスタで構成され、
前記モニタ手段は、
基準電流を供給する電流供給手段と、
前記スイッチトランジスタに対応するテスト用トランジスタと、
前記テスト用トランジスタのゲートに印加する制御電圧を供給する制御手段とを含み、
前記制御手段は、
前記電流供給手段から前記テスト用トランジスタへの基準電流の流入量に応答して、前記制御電圧を調整し、
前記スイッチトランジスタのゲート電極は、
前記スタンバイサイクルにおいて、前記制御手段から前記制御電圧を受ける、請求項２１記載の半導体集積回路装置。
【請求項２４】  主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に互いに分かれて延在するメイン電源線およびサブ電源線と、
アクティブサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、
前記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、前記サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、
前記結合手段と前記論理回路との間に延在する前記メイン電源線および前記サブ電源線の少なくともいずれかの部分に電気的に接続するように前記半導体基板内に形成された第１不純物領域と、
前記第１不純物領域との間でｐｎ接合を形成するように前記半導体基板内に形成された第２不純物領域とを備えた、半導体集積回路装置。
【請求項２５】  前記第１および第２の不純物領域は、接合容量を形成するように構成されている、請求項２４記載の半導体集積回路装置。
【請求項２６】  主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に互いに分かれて延在するメイン電源線およびサブ電源線と、
アクティブサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、前記メイン電源線と前記サブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、
前記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対し所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、前記サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対し所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、
前記第１および第２の論理ゲートに含まれる絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極層と同一の層から分離して形成され、かつ前記結合手段と前記論理回路との間に延在する前記メイン電源線および前記サブ電源線の少なくともいずれかの部分と絶縁層を挟んで対向する導電層とを備えた、半導体集積回路装置。
【請求項２７】  前記導電層は、容量を形成するように用いられている、請求項２６記載の半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る半導体集積回路装置は、メイン電源線と、サブ電源線と、アクティブサイクルにおいて、メイン電源線とサブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、メイン電源線とサブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、記メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、アクティブサイクルにおいて、論理回路が動作する動作電源電圧を、論理回路に供給するようにメイン電源線の電圧を制御する電圧制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、電圧制御手段は、論理回路が動作する高電位側の動作電源電圧より高い基準電圧とメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する増幅手段を含む。
請求項３に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、電圧制御手段は、論理回路が動作する低電位側の動作電源電圧より低い基準電圧とメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する増幅手段を含む。
請求項４に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、メイン電源線は、論理回路が動作する高電位側の動作電源電圧に対応する第１のメイン電源線と、論理回路が動作する低電位側の動作電源電圧に対応する第２のメイン電源線とを含み、サブ電源線は、第１のメイン電源線に対応する第１のサブ電源線と、第２のメイン電源線に対応する第２のサブ電源線とを含み、結合手段は、第１のメイン電源線と第１のサブ電源線とを短絡する第１の結合回路と、第２のメイン電源線と第２のサブ電源線とを短絡する第２の結合回路とを含み、第１の論理ゲートは、第１のメイン電源線の電圧と第２のサブ電源線の電圧とを動作電源電圧とし、第２の論理ゲートは、第２のメイン電源線の電圧と第１のサブ電源線の電圧とを動作電源電圧とし、電圧制御手段は、高電位側の動作電源電圧より高い基準電圧と第１のメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第１の増幅手段と、低電位側の動作電源電圧より低い基準電圧と第２のメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第２の増幅手段とを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、電圧制御手段は、アクティブサイクルにおいて、論理回路が動作する動作電源電圧に応答する第１の基準電圧とメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第１の増幅手段と、スタンバイサイクルにおいて、第１の基準電圧と異なる第２の基準電位とメイン電源線の電圧とを差動的に増幅する第２の増幅手段を含む。
請求項６に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、結合手段は、アクティブサイクルにおいてオン状態となる少なくとも１以上のスイッチトランジスタから構成される。
請求項７に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、結合手段は、少なくとも１以上の電圧保持手段を含み、少なくとも１以上の電圧保持手段のそれぞれは、アクティブサイクルにおいて、サブ電源線の電圧をメイン電源線の電圧に保つ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１４に係る半導体集積回路装置は、請求項１３に係る半導体集積回路装置であって、スイッチ制御手段は、負バイアスを含めて、少なくとも３値以上のバイアスを供給する供給手段と、供給手段の供給するバイアスを切換えてゲート電極に印加する切替制御手段とを含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１５に係る半導体集積回路装置は、メイン電源線と、サブ電源線と、アクティブサイクルにおいてメイン電源線とサブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいてメイン電源線とサブ電源線とを電気的に非結合するスイッチトランジスタと、メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、スイッチトランジスタのオン／オフを制御するスイッチ制御手段とを備え、スイッチ制御手段は、スタンバイサイクルにおいてスイッチトランジスタのゲート電極に負バイアスを印加する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項１６に係る半導体集積回路装置は、請求項１５に係る半導体集積回路装置であって、スイッチ制御手段は、負バイアスを含めて、少なくとも３値以上のバイアスを供給する供給手段と、供給手段の供給するバイアスを切換えてゲート電極に印加する切替制御手段とを含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１７に係る半導体集積回路装置は、外部から受ける動作指定信号に応答して、電圧制御信号を発生するコントロール手段と、コントロール手段の制御に応じて動作する複数の内部回路とを備え、複数の内部回路のそれぞれは、メイン電源線と、サブ電源線と、対応する電圧制御信号に応答して、アクティブサイクルにおいて、メイン電源線とサブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、メイン電源線とサブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路とを含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１８に係る半導体集積回路装置は、請求項１７に係る半導体集積回路装置であって、コントロール手段は、パイプライン処理における複数の内部回路のそれぞれにおける動作タイミングに応答して、対応する電圧制御信号を発生する。
請求項１９に係る半導体集積回路装置は、請求項１８に係る半導体集積回路装置であって、行列状に配置される複数のメモリセルをさらに含み、複数の内部回路のそれぞれは、メモリセルを選択するための処理を行なう。
請求項２０に係る半導体集積回路装置は、請求項１７に係る半導体集積回路装置であって、アクティブサイクルにおいて、論理回路が動作する動作電源電圧を、論理回路に供給するようにメイン電源線の電圧を制御する電圧制御手段をさらに備える。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項２１に係る半導体集積回路装置は、メイン電源線と、サブ電源線と、アクティブサイクルにおいて、メイン電源線とサブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいて、メイン電源線とサブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、論理回路におけるリーク電流をモニタするモニタ手段とを備える。
請求項２２に係る半導体集積回路装置は、請求項２１に係る半導体集積回路装置であって、モニタ手段は、基準電流を供給する電流供給手段と、電流供給手段からメイン電源線に流入する電流量と、電流供給手段からサブ電源線に流入する電流量とを比較する比較手段と、比較手段の比較結果を外部に出力する出力手段とを含む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項２３に係る半導体集積回路装置は、請求項２１に係る半導体集積回路装置であって、結合手段は、スイッチトランジスタで構成され、モニタ手段は、基準電流を供給する電流供給手段と、スイッチトランジスタに対応するテスト用トランジスタと、テスト用トランジスタのゲートに印加する制御電圧を供給する制御手段とを含み、制御手段は、電流供給手段からテスト用トランジスタへの基準電流の流入量に応答して、制御電圧を調整し、スイッチトランジスタのゲート電極は、スタンバイサイクルにおいて、制御手段から制御電圧を受ける。
請求項２４に係る半導体集積回路装置は、主表面を有する半導体基板と、半導体基板の主表面上に互いに分かれて延在するメイン電源線およびサブ電源線と、アクティブサイクルにおいてメイン電源線とサブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいてメイン電源線とサブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対して所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、結合手段と論理回路との間に延在するメイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかの部分に電気的に接続するように半導体基板内に形成された第１不純物領域と、第１不純物領域との間でｐｎ接合を形成するように半導体基板内に形成された第２不純物領域とを備える。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項２５に係る半導体集積回路装置は、請求項２４に係る半導体集積回路装置であって、第１および第２の不純物領域は接合容量を形成するように構成されている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項２６に係る半導体集積回路装置は、主表面を有する半導体基板と、半導体基板の主表面上に互いに分かれて延在するメイン電源線およびサブ電源線と、アクティブサイクルにおいてメイン電源線とサブ電源線とを電気的に結合し、スタンバイサイクルにおいてメイン電源線とサブ電源線とを電気的に非結合する結合手段と、メイン電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対し所定の論理処理を施して出力する第１の論理ゲートと、サブ電源線上の電圧を動作電源電圧として動作し、与えられた入力に対し所定の論理処理を施して出力する第２の論理ゲートとを含む論理回路と、第１および第２の論理ゲートに含まれる絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極層と同一の層から分離して形成され、かつ結合手段と論理回路との間に延在するメイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかの部分と絶縁層を挟んで対向する導電層とを備える。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項２７に係る半導体集積回路装置は、請求項２６に係る半導体集積回路装置であって、導電層は、容量を形成するように用いられている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
請求項１２に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、テストモードに応答して、階層電源システムにおけるリーク電流をモニタすることが可能となる。
請求項１３および請求項１４に係る半導体集積回路装置は、請求項１に係る半導体集積回路装置であって、階層電源システムにおいてスタンバイサイクルにおけるスイッチトランジスタを介して流れるリーク電流を低減させることができる。また、３値以上のバイアス制御を行なうことにより、スイッチトランジスタのゲート電極の充放電に伴う基板電圧の浮きを防止することが可能となり、メモリセルの動作マージンを拡大することが可能となる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７８】
請求項１５および請求項１６に係る半導体集積回路装置によれば、スタンバイサイクルにおいて階層電源システムでのスイッチトランジスタのゲート電極に負バイアスを印加することにより、スタンバイサイクルにおけるリーク電流を低減することが可能となる。また、３値以上のバイアス制御をかけることにより、スイッチトランジスタのゲート電極の充放電に伴う基板電圧の浮きを抑え、チップの動作マージンを拡大することが可能となる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
請求項１７に係る半導体集積回路装置は、階層電源システムを用いて、動作タイミングに応答して、電源線間のショートタイミングを制御する。これにより、たとえば、チップが活性化してすぐに動作する内部回路と、その後に動作する内部回路とに対して、個別に消費電流を低減させることが可能となる。また、ロウ系の各々の回路、コラム系の各々の回路を個別に制御することも可能である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
請求項１８に係る半導体集積回路装置は、請求項１７に係る半導体集積回路装置であって階層電源システムにおけるリーク電流を、パイプライン処理に従って制御することが可能となる。
請求項１９に係る半導体集積回路装置は、請求項１８に係る半導体集積回路装置であって階層電源システムにおけるリーク電流を、たとえば、それぞれのバンクにおけるメモリ選択動作に従って制御することが可能となる。
請求項２０に係る半導体集積回路装置は、請求項１７に係る半導体集積回路装置であって、階層電源システムを用いて、電源線の電圧を調整することにより、スタンバイサイクルにおけるリーク電流を低減させることができるとともに、アクティブサイクルにおける動作電源電圧を確保することが可能となる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
請求項２１に係る半導体集積回路装置は、階層電源システムにおけるリーク電流を外部からモニタすることが可能となる。
請求項２２に係る半導体集積回路装置は、請求項２１に係る半導体集積回路装置であって、メイン電源線に流入する電流とサブ電源線に流入する電流とを比較することにより、リーク電流を検出し、検出したリーク電流量を外部に出力することが可能となる。
請求項２３に係る半導体集積回路装置は、請求項２１に係る半導体集積回路装置であって、テスト用（ダミー）トランジスタに流れる電流量に応答して、テスト用トランジスタのゲート電圧を制御する制御回路を設ける。この制御回路の出力する電圧をスイッチトランジスタに印加することにより、スイッチトランジスタにおけるリーク電流を低減させることが可能となる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
請求項２４に係る半導体集積回路装置によれば、第１および第２不純物領域により構成されるｐｎ接合によって接合容量を形成できる。これにより、メイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかの電位を固定できるため、回路動作に伴う電源ドロップを軽減することができる。また、このような接合容量を多数分散配置することで、より一層電源ドロップを軽減することができる。また、この第１不純物領域を第１および第２の論理ゲート形成領域の横に配置することで、論理ゲート部の活性領域の形成が安定する。
請求項２５に係る半導体集積回路装置は、請求項２４に係る半導体集積回路装置であって、第１および第２不純物領域は接合容量を形成するように構成されている。これにより、上述したようにメイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかの電位を固定できるため、回路動作に伴う電源ドロップを軽減することができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
請求項２６に係る半導体集積回路装置は、メイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかと対向する導電層を有しているため、これらの対向する導電層間で容量を形成することができる。これにより、メイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかの電位を固定できるため、回路動作に伴う電源ドロップを軽減することができる。また、このような容量を多数分散配置することで、より一層電源ドロップを軽減することができる。また、この導電層を第１および第２の論理ゲート形成領域の横に配置することで、回路部のゲート電極層の形成が安定する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
請求項２７に係る半導体集積回路装置は、請求項２６に係る半導体集積回路装置であって、導電層は容量を形成するように用いられている。これにより、上述したように対向する導電層間で容量を形成することができ、メイン電源線およびサブ電源線の少なくともいずれかの電位を固定できるため、回路動作に伴う電源ドロップを軽減することができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】削除
【補正の内容】