【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基部半導体層と、
前記基部半導体層の上に形成された素子分離用絶縁膜と、
前記素子分離用絶縁膜によって分離された素子形成領域において前記基部半導体層の上に形成された半導体素子であって、第１の導電体層を有する半導体素子とを備えた半導体装置において、
前記素子分離用絶縁膜および第１の導電体層の上に位置する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上に位置する第２の導電体層とを備え、
第１の導電体層を前記素子形成領域内においてのみ形成するとともに、
前記素子形成領域内においてのみ第１の導電体層と第２の導電体層とを接続し、
第１導電型の第１の半導体領域と、
第１導電型の第２の半導体領域であって第１の半導体領域に対して所定距離を隔てて設けられた第２の半導体領域と、
第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に設けられた第２導電型のチャンネル形成領域と、
チャンネル形成領域の上に設けられたゲート絶縁膜とを備え、
前記第１の導電体層はゲート絶縁膜の上に設けられており、前記チャンネル形成領域、ゲート絶縁膜および第１の導電体層の実質的な平面形状が第１の半導体領域を取巻く第１の環形状をしており、第１の導電体層と第２の導電体層は第１の導電体層の環形状上で接続されていてその第１環形状から延出しておらず、また前記第２の半導体領域の実質的な平面形状がチャンネル形成領域を取巻く環形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１の半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜に連続する絶縁膜であって前記第１の導電体層と第２の導電体層との接続部の下の絶縁膜の膜厚が、該接続部の下の絶縁膜以外の部分にあるゲート絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１の半導体装置において、
前記第１の導電体層のチャンネル長方向の幅であって第２の導電体層との接続部分における幅が当該接続部分以外の幅より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項１の半導体装置において、
前記半導体素子が高耐圧の半導体素子であり、
当該半導体装置が当該高耐圧の半導体素子の他に低耐圧の半導体素子をも備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１の半導体装置において、
前記チャンネル形成領域、ゲート絶縁膜および第１の導電体層の平面形状が第１の半導体領域を取巻く矩形環形状であり、この矩形環形状の第１の導電体層の角部において第１の導電体層と前記第２の導電体層とを接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項５の半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜に連続する絶縁膜であって前記第１の導電体層と第２の導電体層との接続部の下の絶縁膜の膜厚が、該接続部の下の絶縁膜以外の部分にあるゲート絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項５の半導体装置において
前記第１の導電体層のチャンネル長方向の幅であって第２の導電体層との接続部分における幅が当該接続部分以外の部分における幅より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項５の半導体装置において、
前記半導体素子が高耐圧の半導体素子であり、
当該半導体装置が当該高耐圧の半導体素子の他に低耐圧の半導体素子をも備えていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段、発明の作用および効果】
請求項１の半導体装置は、基部半導体層と、前記基部半導体層の上に形成された素子分離用絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜によって分離された素子形成領域において基部半導体層の上に形成された半導体素子であって、第１の導電体層を有する半導体素子とを備えた半導体装置において、素子分離用絶縁膜および第１の導電体層の上に位置する層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に位置する第２の導電体層とを備え、第１の導電体層を素子形成領域内においてのみ形成するとともに、素子形成領域内においてのみ第１の導電体層と第２の導電体層とを接続し、  第１導電型の第１の半導体領域と、第１導電型の第２の半導体領域であって第１の半導体領域に対して所定距離を隔てて設けられた第２の半導体領域と、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に設けられた第２導電型のチャンンネル形成領域と、チャンネル形成領域の上に設けられたゲート絶縁膜と、を備え、前記第１の導電体層はゲート絶縁膜の上に設けられており、前記チャンネル形成領域、ゲート絶縁膜および第１の導電体層の平面形状が第１の半導体領域を取巻く第１の環形状をしており、第１の導電体層と第２の導電体層は第１の導電体層の環形状上で接続されていてその第１環形状から延出しておらず、また前記第２の半導体領域の平面形状がチャンネル形成領域を取巻く環形状であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、たとえばＭＯＳ形電界効果トランジスタのように第１の導電体層に印加する電圧に応じて第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に流れる電流を制御するような半導体素子、を備えた半導体装置においても、集積度、耐圧、製造コスト等を犠牲にすることなく、容易に素子分離を行なうことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、チャンネル形成領域、ゲート絶縁膜および第１の導電体層の平面形状が第１の半導体領域を取巻く環形状であり、第２の半導体領域の平面形状がチャンネル形成領域を取巻く環形状であるので、たとえば高耐圧ＭＯＳ形電界効果トランジスタのように第１の導電体層に高電圧が印加されるような半導体素子、を備えた半導体装置においても、集積度、耐圧、製造コスト等を犠牲にすることなく、容易に素子分離を行なうことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項２の半導体装置は、前記ゲート絶縁膜に連続する絶縁膜であって前記第１の導電体層と第２の導電体層との接続部の下の絶縁膜の膜厚が、該接続部の下の絶縁膜以外の部分にあるゲート絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項３の半導体装置は、第１の導電体層のチャンネル長方向の幅であって第２の導電体層との接続部分における幅が当該接続部分以外の幅より広いことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項４の半導体装置は、半導体素子が高耐圧の半導体素子であり、
当該半導体装置が当該高耐圧の半導体素子の他に低耐圧の半導体素子をも備えていることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項５の半導体装置は、チャンネル形成領域、ゲート絶縁膜および第１の導電体層の平面形状が第１の半導体領域を取巻く矩形環形状であり、この矩形環形状の第１の導電体層の角部において第１の導電体層と前記第２の導電体層とを接続したことを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
したがって、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に流れる電流の小さい矩形環形状の角部において第１の導電体層と第２の導電体層とを接続することで、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に流れる電流に与える影響を最小限にしつつ、第１の導電体層と第２の導電体層とを接続することができる。また、第１の導電体層と第２の導電体層との接続に必要な幅が第１の導電体層の幅より広い場合であっても、第１の導電体層の面積の増加を最小限に抑えることができる。このため、集積度の低下を抑えることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】