【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８０５５３号「弾性表面波素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年１０月　６日出願公開、特開２０００−２７８０８５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】本願発明
　本願は、平成１１年３月２４日に特許出願されたものであって、その発明を特定するために必要な事項は、平成１２年４月１７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面に記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載されたとおりの「弾性表面波素子」であって、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。（なお、平成１３年３月２３日付けの手続補正は却下された。）
「【請求項１】　一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるペロブスカイト系化合物結晶が成長するようなバルク材料からなる下地基板と、該下地基板上に積層された前記ペロブスカイト系化合物結晶からなるバッファ層と、該バッファ層上に積層されたKNbO3単結晶からなる圧電体層と、該圧電体層の上面または下面に設けられた電極層とを有することを特徴とする弾性表面波素子。」
【２】引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由で引用された特開平１０ー２００３７１号公報（以下「引用例１」という。）には、その実施例及び図面に係わる記載を参酌すると、以下のような記載が認められる。
(1-1)「【請求項１】　単結晶基板又は多結晶基板と、該基板上に形成された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された電極とを備えてなる弾性表面波装置において、該圧電体薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛薄膜よりなることを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項２】　請求項１において、該チタン酸ジルコン酸鉛薄膜はゾルゲル法により形成された薄膜であることを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項３】　請求項１又は２において、該圧電体薄膜は、前記基板上に形成された誘電体薄膜のバッファー層上に形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項４】　請求項３において、該バッファー層は、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムの薄膜であることを特徴とする弾性表面波装置。
　　【請求項５】　請求項３又は４において、該バッファー層はゾルゲル法により形成された薄膜であることを特徴とする弾性表面波装置。」（第1欄第1〜19行、特許請求の範囲）
(1-2)「【課題を解決するための手段】　本発明の弾性表面波装置は、単結晶又は多結晶基板と、該基板上に形成されたＰＺＴ薄膜よりなる圧電体薄膜とを備え、このＰＺＴ薄膜は、好ましくはゾル・ゲル法により形成された薄膜であることを特徴とする。
　　【0015】また、該圧電体薄膜が該基板上に形成された誘電体薄膜のバッファー層上に形成されていることを特徴とする。
　　【0016】本発明では、他の圧電材料に比べ、電気機械結合係数k2が大きく、かつＱ値の大きい、温度特性の良好なＰＺＴを薄膜化し、更に、高音速、高安定基板上に成膜することにより、マイクロ波帯域に対応し、広帯域な高安定の弾性表面波装置を実現できる。
　　【0017】特に、単結晶基板に半導体でもある単結晶Si等を用いると、モノリシック集積化が図れ、小型、高性能な弾性表面波装置が形成できる。
　　【0018】このように、弾性表面波装置の圧電体薄膜としてＰＺＴ薄膜を用いることで、これからますます広がるデジタル通信にはなくてはならない広帯域で高周波対応かつ、温度特性の良好な弾性表面波装置を実現することが可能となる。」（第3欄第4行〜第4欄第3行、段落【0014】〜【0018】）
(1-3)「【0020】本発明において、単結晶又は多結晶基板の材質としてサファイア,MgO,SrTiO3,Siなどを用いることができる。これらのうち、特に、単結晶サファイア、単結晶Siが望ましい。
　　【0021】また、櫛形電極を構成する導電性膜としては、Al,Pt,Au,Ag,Cu等を主成分とする膜を用いることができる。これらのうち、特にAlを主成分とする膜が望ましい。
　　【0022】単結晶又は多結晶基板上の圧電体薄膜は、ゾルゲル法により成膜した厚さ5μm以下のＰＺＴ薄膜を、この薄膜上の櫛型電極間に電界をかけて分極処理することにより形成される。」（第4欄第7〜18行、段落【0020】〜【0022】）
(1-4)「【0026】ＰＺＴ薄膜よりなる圧電体薄膜をバッファー層を介して基板上に形成した場合には、基板として安価な単結晶Si基板を用いることも可能となる。即ち、酸化膜付きSi基板であれば、表面が平滑であり、熱処理時の元素の拡散も防止でき、かつ機械的強度も十分であることにより、ゾルゲル法により、良好な膜質のバッファー層及びＰＺＴ薄膜を形成することができる。しかして、単結晶Si基板上に誘電体薄膜のバッファー層を介してＰＺＴ薄膜を形成する場合には、バッファー層の鉛拡散防止作用により、ＰＺＴ膜の鉛欠損が防止されるという効果が奏され、良好なＰＺＴ薄膜を形成することができる。このバッファー層を形成しないと、SiにＰＺＴの鉛が拡散するため、単結晶Si基板上にＰＺＴ薄膜を形成することができない。」（第4欄第45行〜第5欄第8行、段落【0026】）
(1-5)「【0029】このバッファー層としては、ゾルゲル法により形成された厚さ0.01〜2μmのチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）又はチタン酸バリウム（ＢＴＯ）等の誘電体薄膜よりなるバッファー層が好ましい。バッファー層の厚さは特に、0.01〜0.2μmの範囲であることが望ましい。
　　【0030】バッファー層としてのＢＳＴ、ＳＴＯ又はＢＴＯ薄膜及びその上のＰＺＴ薄膜は、好ましくは次のようにして形成される。」（第5欄第19〜28行、段落【0029】〜【0030】）
（２）同じく引用された特開平１０ー６５４８８号公報（以下「引用例２」という。）は、弾性表面波の電子装置に関するもので、以下のような記載が認められる。
(2-1)「【請求項５】基板上に作製されたポタジュームナイオベート(KNbO3)圧電性薄膜を用いた弾性表面波基板及び擬似弾性表面波基板、及びこの薄膜を用いた圧電性弾性波変換器、及びこれらの基板、及び変換器を用いた電子装置。
　　【請求項６】特許請求の範囲第５項において、基板として、サファイヤ、水晶、熔融石英、シリコン半導体、InP,InAs,InSbを用いた弾性表面波基板、擬似弾性表面波基板、及びポタジュームナイオベート薄膜とこれらの基板との間に薄膜をもつ弾性表面波基板、及び擬似弾性表面波基板、及びこれらの基板を用いた電子装置。」（請求項5乃至6、第1欄第23〜34行）
(2-2)「【課題を解決するための手段】　本特許では、ニオブ酸リチュウム単結晶より大きな圧電定数をもつポタジュームナイオベート(KNbO3)単結晶、及び薄膜を用いた弾性表面波基板、及び弾性波変換器に関するものであり、高性能の弾性表面波機能素子、及び弾性波機能素子を得ること目的としている。
　また、ポタジュームナイオベート単結晶上を伝搬する擬似弾性表面波を用いることにより、更に大きな電気機械結合係数の基板が得られることに関する特許である。」（第2欄第7〜15行）
（３）同じく引用された特開平１１ー３１９４２号公報（以下「引用例３」という。）は、弾性表面波モジュール素子に関するもので、以下のような記載が認められる。
(3-1)「【課題を解決するための手段】　前記目的を達成するため、本発明に係る弾性表面波モジュール素子の構成は、基板上にLiTaO3薄膜が形成され、その上にLiTaO3よりも電気機械結合係数の大きい圧電性薄膜が積層形成され、さらにその上に弾性表面波送信用及び受信用の電極が形成されたことを特徴とする。この弾性表面波モジュール素子の構成によれば、電気信号が電気機械結合係数の大きい圧電性薄膜によって高効率に弾性表面波に変換され、この弾性表面波が減衰率の小さいLiTaO3薄膜中を伝搬することとなるので、弾性表面波モジュール素子の電力効率を高めることができる。
　　【0007】また、前記本発明の弾性表面波モジュール素子の構成においては、圧電性薄膜が、LiNbO3、Li2B4O7、ZnO、AlN、Ta2O5、Pb-Nd-Ti-Mn-In-O、Pb-Zn-Ti-O、KNbO3からなる群から選ばれた１つであるのが好ましい。この好ましい例によれば、圧電性薄膜とLiTaO3薄膜との格子整合性が高くなり、その結果、弾性表面波モジュール素子の動作を安定させることができる。
　　【0008】また、前記本発明の弾性表面波モジュール素子の構成においては、基板が、サファイア、Si、SiC、GaAs、ガラス、ダイヤモンドからなる群から選ばれた１つであるのんが好ましい。この好ましい例によれば、LiTaO3薄膜との温度特性の補償が可能となり、その結果、弾性表面波モジュール素子の動作を安定させることができる。」（第2欄第35行〜第3欄第10行、段落【0006】〜【0008】）
(3-2)「【0011】また、前記本発明の弾性表面波モジュール素子の製造方法においては、基板上への薄膜形成を、少なくとも２つの蒸発源を用いて行うのが好ましい。この好ましい例によれば、LiTaO3薄膜上に圧電性薄膜をエピタキシャル成長させることができるので、弾性表面波モジュール素子の動作をさらに安定させることができる。また、この場合には、蒸発源として、スパッタリングターゲットを用いるのが好ましい。この好ましい例によれば、LiTaO3薄膜、圧電性薄膜の構成元素の組成比率、結晶状態を容易に制御することができるので、弾性表面波モジュール素子の動作をさらに安定させることができる。」（第2欄第29〜40行、段落【0011】）
【３】対比・判断
（対比）
　本願発明と上記引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１における「単結晶又は多結晶基板」は本願発明における「下地基板」に対応するものであり、本願発明における「下地基板」について、本願請求項１には「一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるペロブスカイト系化合物結晶が成長するようなバルク材料」と規定されるものであるが、その下地基板の具体的な材料は「SrTiO3、MgO、Pt、Al2O3、GaAs、Siから選ばれる少なくとも１つ以上の結晶化合物」（本願請求項４、参照）と記載されているのであるから、引用例１における単結晶又は多結晶基板の材料として記載された「サファイヤ、MgO、SrTiO3、Siなどを用いる」（段落【0020】）構成を含むものである。また、引用例１における「バッファー層」は、「チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムの薄膜」（請求項３、参照）から形成されるものであり、本願発明における「前記ペロブスカイト系化合物結晶からなるバッファ層」に対応させることができ、さらに本願発明のバッファ層の具体的な材料は「SrTiO3、SrZrO3、SrMoO3、SrSnO3、SrHfO3から選ばれる」（段落【0011】）ものであるから、両者は具体的な材料の選定においても「SrTiO3」で共通する（「一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）」で表される）ものである。
　したがって、両者は、以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
（一致点）
「一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるものが成長するような材料からなる下地基板と、該下地基板上に積層されたバッファ層と、該バッファ層上に積層された圧電体層と、該圧電体層の上面または下面に設けられた電極層とを有する弾性表面波素子。」
（相違点）
(i)下地基板が、本願発明にあっては、一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるペロブスカイト系化合物結晶が成長するようなバルク材料からなるものであるのに対して、引用例１にあっては、一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の薄膜が形成されるようなものではあるが、ペロブスカイト系化合物結晶が成長するようなバルク材料との記載がない点、
(ii)バッファ層が、本願発明にあっては、ペロブスカイト系化合物結晶からなるものであるのに対して、引用例１にあっては、このような記載がない点、
(iii)圧電体層が、本願発明にあっては、KNbO3単結晶からなるものであるのに対して、引用例１にあっては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜からなるものである点、
（検討）
　上記相違点(i)〜(iii)について、以下に検討する。
　相違点(i)(ii)について、これらはいずれも「ペロブスカイト系化合物結晶」に係わるものであるから、併せて検討する。
　本願発明において、この「ペロブスカイト系化合物結晶」で構成することの技術的意義は、その明細書の記載によれば、「下地基板上にKNbO3圧電体層を直接積層するのではなく、下地基板上に、まず一般式SrZO3で表されるペロブスカイト系化合物結晶からなるバッファ層を形成し」（段落【0012】）として、「一般式SrZO3で表されるペロブスカイト系化合物結晶の一例としてSrZrO3、SrSnO3等が挙げられ、下地基板の一例としてSrTiO3等が挙げられる。……。したがって、SrTiO3(110)単結晶基板上に直接KNbO3(010)単結晶をエピタキシャル成長させるよりも、バッファ層として、KNbO3(010)単結晶面とミスフィットの小さいSrZrO3(200)やSrSnO3(220)を介してSrTiO3(110)単結晶基板上にKNbO3(010)単結晶をエピタキシャル成長させた方が、結晶配向性の高い結晶を成長させることができる。」（段落【0013】）ということから、一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるものの結晶構造を特許請求の範囲に明確に規定したものと認められる。そして、前記したように引用例１における単結晶基板又は多結晶基板と本願発明における下地基板は、ともに共通の材料（すなわち、サファイヤ、MgO、SrTiO3、Siなど）で構成され、またこの基板と圧電体層との間には同じようなバッファー層（チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の薄膜）が形成されるものである。ただ、この引用例１におけるバッファー層の「チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の薄膜」は、その結晶構造がどのようなものであるかの記載はないものの、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)は通常ペロブスカイト構造として自明のもの（岩波「理化学辞典」、参照）であり、また、この薄膜の形成方法について、本願発明におけるバッファ層の形成方法は、その実施の形態に記載されるように「下地基板12上に、ゾル-ゲル法、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、CVD法等によりバッファ層13となるSrSnO3、SrZrO3等のペロブスカイト系化合物結晶、圧電体層14となるKNbO3単結晶を順次成膜し」（段落【0022】）というものであり、引用例１におけるバッファー層の形成方法は、「バッファー層としては、ゾルゲル法により形成された」（段落【0029】）ものであるから、この引用例１のバッファー層（チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の薄膜）においても本願発明と同様の結晶構造、すなわち「ペロブスカイト系化合物結晶」として構成することができるものと認められる。
　したがって、引用例１における単結晶基板又は多結晶基板、及びバッファー層を、本願発明のように「一般式SrZO3（ただし、Ｚ：原子価４の元素）で表されるペロブスカイト系化合物結晶が成長するようなバルク材料」、及び「ペロブスカイト系化合物結晶」により構成することは当業者が適宜になし得るものと認められる。
　なお、「バッファ層」に係わる作用効果について、請求人は「引用例２、３（注、審決引用例１）のＰＴやＰＺＴを圧電体層に用いたＳＡＷ素子はＢＳＴ、ＳＴＯ、ＢＴＯ等のバッファ層を有しているが、引用例におけるバッファ層の意義、あるいは機能、作用は、バッファ層の使用により、安価な単結晶Si基板が使用できること、ＰＴ、ＰＺＴ圧電体層からの鉛の拡散を防止できること（引用例２の第２頁〜第３頁の段落［0010］、引用例３（注、審決引用例１）の第３頁〜第４頁の段落［0026］参照）にあり、その上に形成するKNbO3単結晶薄膜の結晶性を良好にするという本願発明におけるバッファ層の意義、機能、作用とは全くかけ離れている。」（審判請求の理由第6頁末2行〜第7頁第5行）とし、引用例を組み合わせることは適宜になし得るものではない旨主張している。
　しかしながら、引用例１の当該段落【0026】には「ＰＺＴ薄膜よりなる圧電体薄膜をバッファー層を介して基板上に形成した場合には、基板として安価な単結晶Si基板を用いることも可能となる。即ち、酸化膜付きSi基板であれば、表面が平滑であり、熱処理時の元素の拡散も防止でき、かつ機械的強度も十分であることにより、
ゾルゲル法により、良好な膜質のバッファー層及びＰＺＴ薄膜を形成することができる。しかして、
　相違点(iii)について、電気機械結合係数が高い材料を弾性表面波素子の圧電体層として選択することは当業者に自明の技術的事項（引用例１の前記摘記した段落【0016】参照）であり、さらにこのような圧電体層としてKNbO3単結晶を用いることは、前記引用例２、３に記載されているところである。そして、この電気機械結合係数が高いKNbO3単結晶材料を基板上に形成する際、結晶性等を良好となすためにバッファ層を介在することも前記したように引用例３に開示されているとおりであるから、弾性表面波素子の圧電体層をKNbO3単結晶となすことは当業者が容易になし得ることと認められる。
　したがって、本願発明のように構成することは、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得ることと認められる。
　また、本願発明により奏する作用効果も、当業者が予測し得る程度のものであって格別のものとは認められない。
【４】むすび
　以上のとおりであって、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、前記引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、特許請求の範囲のその余の請求項に記載された発明について論及するまでもでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。