Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも以下の成分：
水不溶性ポリマー；
複数の生理活性成分からなる群から選択される放出物質であって、その放出物質が粒子から構成されており、その粒子が前記ポリマーの重量に基づいて、少なくとも１０％である放出物質、
前記ポリマーの外部と、その内部に位置する前記放出物質との間の伝達橋として作用する作用物質であって、その作用物質と前記放出物質の親和性が前記ポリマーと前記放出物質との親和性より大きい作用物質；
を含む一体式組成物を含む製造物品であって、その一体式組成物が、前記作用物質から成る相互連絡チャンネルを含む、製造物品。
【請求項２】
少なくとも以下の成分：
水不溶性ポリマー；
複数の抗菌剤からなる群から選択される放出物質であって、その放出物質が粒子から構成されており、その粒子が前記ポリマーの重量に基づいて、少なくとも１０％である放出物質、
前記ポリマーの外部と、その内部に位置する前記放出物質との間の伝達橋として作用する作用物質であって、その作用物質と前記放出物質の親和性が前記ポリマーと前記放出物質との親和性より大きい作用物質；
を含む一体式組成物を含む製造物品であって、その一体式組成物が、前記作用物質から成る相互連絡チャンネルを含む、製造物品。
【請求項３】
少なくとも以下の成分：
水不溶性ポリマー；
複数の芳香性薬剤からなる群から選択される放出物質であって、その放出物質が粒子から構成されており、その粒子が前記ポリマーの重量に基づいて、少なくとも１０％である放出物質、
前記ポリマーの外部と、その内部に位置する前記放出物質との間の伝達橋として作用する作用物質であって、その作用物質と前記放出物質の親和性が前記ポリマーと前記放出物質との親和性より大きい作用物質；
を含む一体式組成物を含む製造物品であって、その一体式組成物が、前記作用物質から成る相互連絡チャンネルを含む、製造物品。
【請求項４】
少なくとも前記作用物質が、前記ポリマーおよび放出物質と組合せにおいて、融点より上に加熱される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造物品。
【請求項５】
前記作用物質が、親水性である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造物品。
【請求項６】
前記放出物質が、前記ポリマーの重量に基づいて少なくとも１０％〜６０％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造物品。
【請求項７】
少なくとも以下の成分：
水不溶性ポリマー；
複数の生理活性成分からなる群から選択される放出物質であって、その放出物質が粒子から構成されており、その粒子が前記ポリマーの重量に基づいて、少なくとも１０％である放出物質、
前記ポリマーの外部と、その内部に位置する前記放出物質との間の伝達を制御する作用物質であって、その作用物質と前記放出物質の親和性が前記ポリマーと前記放出物質との親和性より大きい作用物質；
を組合せることによって製造された一体式組成物を含む製造物品であって、その一体式組成物が、前記作用物質から成る相互連絡チャンネルを含む、製造物品。
【請求項８】
少なくとも以下の成分：
水不溶性ポリマー；
複数の抗菌剤からなる群から選択される放出物質であって、その放出物質が粒子から構成されており、その粒子が前記ポリマーの重量に基づいて、少なくとも１０％である放出物質、
前記ポリマーの外部と、その内部に位置する前記放出物質との間の伝達を制御する作用物質であって、その作用物質と前記放出物質の親和性が前記ポリマーと前記放出物質との親和性より大きい作用物質；
を組合せることによって製造された一体式組成物を含む製造物品であって、その一体式組成物が、前記作用物質から成る相互連絡チャンネルを含む、製造物品。
【請求項９】
少なくとも以下の成分：
水不溶性ポリマー；
複数の芳香性薬剤からなる群から選択される放出物質であって、その放出物質が粒子から構成されており、その粒子が前記ポリマーの重量に基づいて、少なくとも１０％である放出物質、
前記ポリマーの外部と、その内部に位置する前記放出物質との間の伝達を制御する作用物質であって、その作用物質と前記放出物質の親和性が前記ポリマーと前記放出物質との親和性より大きい作用物質；
を組合せることによって製造された一体式組成物を含む製造物品であって、その一体式組成物が、前記作用物質から成る相互連絡チャンネルを含む、製造物品。
【請求項１０】
少なくとも前記作用物質が、前記ポリマーおよび放出物質と組合せにおいて、融点より上に加熱される、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造物品。
【請求項１１】
前記作用物質が、親水性である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造物品。
【請求項１２】
前記放出物質が、前記ポリマーの重量に基づいて少なくとも１０％〜６０％である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャンネルを有する多重の入力信号を、デインターリーブされた二つの多重信号に分割するインターリーバであって、デインターリーブされたそれぞれの多重信号が前記複数のチャンネルの部分集合を有するように分割するインターリーバと、
前記デインターリーブされた双方の多重信号を個々の単一チャンネルの出力信号へと分波する単一の分波器と
を備えることを特徴とする分波システム。
【請求項２】
前記単一の分波器は、オフナー・スペクトログラフであることを特徴とする請求項１に記載の分波システム。
【請求項３】
チャンネル数Ｎを有する多重信号の分波方法であって、
前記チャンネル数Ｎを有する多重信号を、前記チャンネル数Ｎの１／２であるチャンネル数Ｍを有する二つの多重信号に分割することと、
前記チャンネル数Ｍを有する二つの多重信号を、単一の分波装置を用いて個々の単一チャンネル出力信号へと分波することと
を含むことを特徴とする分波方法。
【請求項４】
前記単一の分波装置は、オフナー・スペクトログラフであることを特徴とする請求項３に記載の分波方法。
【請求項５】
複数チャンネルを有する多重の入力信号を、デインターリーブされた二つの多重信号に分割する第１段インターリーバと、
二つの第２段インターリーバであって、前記二つの第２段インターリーバのそれぞれが、前記デインターリーブされた多重信号の一つを二回デインターリーブされた二つの多重信号へそれぞれ分割する、二つの第２段インターリーバと、
前記二回デインターリーブされた多重信号を個々の単一チャンネル出力信号へと分波する単一の分波装置と
を備えることを特徴とする分波システム。
【請求項６】
前記単一の分波装置は、オフナー・スペクトログラフであることを特徴とする請求項５に記載の分波システム。
【請求項７】
第１組の単一チャンネル信号群を第１の多重信号へ、また第２組の単一チャンネル信号群を第２の多重信号へ合波する単一の合波装置と、
前記第１の多重信号及び前記第２の多重信号を第３の多重信号へと合波するインターリーバと
を備えることを特徴とする合波システム。
【請求項８】
前記単一の合波装置は、オフナー・スペクトログラフであることを特徴とする請求項７に記載の合波システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板上方に形成される第１の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜中に形成される第１の導体パターン、前記第１の層間絶縁膜と前記第１の導体パターンとの間に、少なくとも前記第１の導体パターンの側面を覆うように形成される第１のバリアメタル膜、前記第１の層間絶縁膜上に形成される第２の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜を介して前記第１の導体パターンの上方に形成される第２の導体パターン、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとを接続するために前記第２の層間絶縁膜中に形成されるビアコンタクト部、並びに、前記ビアコンタクト部の側面及び底面を覆うように形成される第２のバリアメタル膜を含む配線構造とを備え、
前記配線構造は、連続して延在するように形成され、前記第２のバリアメタル膜のうちの前記ビアコンタクト部の底面を覆う前記第２のバリアメタル膜の底面部分が、前記第１のバリアメタル膜の上端部の少なくとも一部と接して形成され、前記第２のバリアメタル膜は、その側面が前記第１のバリアメタル膜の側面から当該半導体装置の外側にずれた位置に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記第２のバリアメタル膜の前記底面部分は、前記第１の導体パターンの上面を少なくとも部分的に覆い、さらに前記第１のバリアメタルの上端部を覆うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記ビアコンタクト部は、前記第１の層間絶縁膜中にその一部が侵入し、前記第１のバリアメタル膜の側面の一部又は全部が、前記侵入部分に相当する前記第２のバリアメタル膜の側面により覆われることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】  前記配線構造は、前記第２の層間絶縁膜上に形成される第３の層間絶縁膜を更に含み、
前記第３の層間絶縁膜内には、前記第２の導体パターンが形成されるとともに、前記第２の導体パターンの側面と前記第２の導体パターンの底面の一部又は全部とを覆うように第３のバリアメタル膜が形成され、前記第３のバリアメタル膜のうちの前記第２の導体パターンの底面を覆う前記第３のバリアメタル膜の底面部分が、前記第２のバリアメタル膜の上端部の少なくとも一部と接して形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第２のバリアメタル膜の側面と前記第３のバリアメタル膜の側面とが上下に整列していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記ビアコンタクト部は、前記第２の導体パターンに内包されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】  連続して延在する配線構造を含む半導体装置の製造方法であって、
前記配線構造を形成するための工程として、
半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
第１の導体パターン、並びに、前記第１の層間絶縁膜及び前記第１の導体パターン間において少なくとも前記第１の導体パターンの側面を被覆する第１のバリアメタル膜を、前記第１の層間絶縁膜内に形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の導体パターンと前記第１の導体パターンの上方に形成される第２の導体パターンとを接続するためのビアコンタクト部、並びに、前記ビアコンタクト部の側面及び底面を被覆する第２のバリアメタル膜を前記第２の層間絶縁膜内に形成する工程とを含み、
前記第２のバリアメタル膜のうちの前記ビアコンタクト部の底面を被覆する前記第２のバリアメタル膜の前記底面部分が、前記第１のバリアメタル膜の上端部の少なくとも一部と接するように前記配線構造を形成するとともに、前記第２のバリアメタル膜の側面が前記第１のバリアメタル膜の側面から当該半導体装置の外側にずれた位置となるように前記配線構造を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板と、前記半導体基板上方に形成される第１の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜中に形成される第１の導体パターン、前記第１の層間絶縁膜と前記第１の導体パターンとの間に、少なくとも前記第１の導体パターンの側面を覆うように形成される第１のバリアメタル膜、前記第１の層間絶縁膜上に形成される第２の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜を介して前記第１の導体パターンの上方に形成される第２の導体パターン、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとを接続するために前記第２の層間絶縁膜中に形成されるビアコンタクト部、並びに、前記ビアコンタクト部の側面及び底面を覆うように形成される第２のバリアメタル膜を含む配線構造とを備え、前記配線構造は、連続して延在するように形成され、前記第２のバリアメタル膜のうちの前記ビアコンタクト部の底面を覆う前記第２のバリアメタル膜の底面部分が、前記第１のバリアメタル膜の上端部の少なくとも一部と接して形成され、前記第２のバリアメタル膜は、その側面が前記第１のバリアメタル膜の側面から当該半導体装置の外側にずれた位置に形成されることを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、連続して延在する配線構造を含む半導体装置の製造方法であって、前記配線構造を形成するための工程として、半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、第１の導体パターン、並びに、前記第１の層間絶縁膜及び前記第１の導体パターン間において少なくとも前記第１の導体パターンの側面を被覆する第１のバリアメタル膜を、前記第１の層間絶縁膜内に形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の導体パターンと前記第１の導体パターンの上方に形成される第２の導体パターンとを接続するためのビアコンタクト部、並びに、前記ビアコンタクト部の側面及び底面を被覆する第２のバリアメタル膜を前記第２の層間絶縁膜内に形成する工程とを含み、前記第２のバリアメタル膜のうちの前記ビアコンタクト部の底面を被覆する前記第２のバリアメタル膜の前記底面部分が、前記第１のバリアメタル膜の上端部の少なくとも一部と接するように前記配線構造を形成するとともに、前記第２のバリアメタル膜の側面が前記第１のバリアメタル膜の側面から当該半導体装置の外側にずれた位置となるように前記配線構造を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法により、上記課題を解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の向きおよび第２の向きに向けることができる磁気モーメントを有する合成フェリ磁性データ層と、
前記合成フェリ磁性データ層よりも低い保磁度を有する軟らかい基準層と、および
前記合成フェリ磁性データ層および前記軟らかい基準層の磁気モーメントの向きによって影響を及ぼされる電気抵抗特性を有するトンネル層とを含む、磁気メモリデバイス。
【請求項２】
前記軟らかい基準層が強磁性材料を含む、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項３】
前記軟らかい基準層が軟らかい合成フェリ磁性基準層である、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項４】
前記合成フェリ磁性データ層および前記軟らかい合成フェリ磁性基準層がそれぞれ、
前記第１の向きか、または前記第２の向きのいずれかに回転することができる磁気モーメントの向きを有する第１のサブ層と、
前記第１のサブ層と実質的に反対に維持される磁気モーメントの向きを有する第２のサブ層と、
前記第１のサブ層と前記第２のサブ層とを磁気的に結合するスペーササブ層とを含む、請求項３に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項５】
前記軟らかい合成フェリ磁性基準層が、実質的に０である正味の保磁度を有する、請求項４に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項６】
前記合成フェリ磁性データ層が、前記軟らかい合成フェリ磁性基準層よりも著しく大きな正味の保磁度を有する、請求項４に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項７】
前記第１のサブ層および前記第２のサブ層が、前記合成フェリ磁性データ層および前記軟らかい合成フェリ磁性基準層において異なる構成を有する、請求項４に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項８】
前記合成フェリ磁性データ層および前記軟らかい基準層が被覆される、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項９】
前記第１および前記第２の磁気の向きが、印加される磁界によって誘導される、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１０】
前記印加される磁界の強度が、概ね数千アンペア／メートルより小さい、請求項９に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１１】
２つの識別可能な状態のいずれかの磁化に関して動作可能な合成フェリ磁性センス層と、
前記合成フェリ磁性データ層より容易に磁化の向きを変更する軟らかい基準層と、および
電流に抵抗する抵抗層とを含み、
前記電流に対する抵抗が、第１の向きおよび第２の向きの相対的な方向に依存して変化する、磁気メモリデバイス。
【請求項１２】
前記軟らかい基準層が軟らかい合成フェリ磁性基準層である、請求項１１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１３】
前記合成フェリ磁性データ層および前記軟らかい合成フェリ磁性基準層がそれぞれ、
２つの磁気ベクトルの向きのいずれかに制御可能な第１のサブ層と、
磁性材料の前記第１のサブ層の磁気ベクトルの向きと実質的に反対の磁気ベクトルの向きを維持する第２のサブ層と、
前記第１のサブ層と前記第２のサブ層とを磁気的に結合するスペーササブ層とを含む、請求項１２に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１４】
磁性材料の前記第１のサブ層および磁性材料の前記第２のサブ層が、前記センス層の保磁度に比べて相対的に小さい合成された保磁度を有する、請求項１３に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１５】
磁性材料の前記第１のサブ層および磁性材料の前記第２のサブ層が、前記軟らかい基準層の保磁度に比べて相対的に大きい合成された保磁度を有する、請求項１４に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１６】
合成フェリ磁性データ層および軟らかい基準層を含む磁気記憶セルのアレイと、
第１の方向に前記アレイに沿って延在し、前記記憶セルに磁気的に結合される、複数の第１の導電要素と、および
第２の方向に前記アレイに沿って延在し、前記記憶セルに磁気的に結合される、複数の第２の導電要素とを含む、磁気メモリシステム。
【請求項１７】
前記第２の方向に延在する複数の第３の導電要素をさらに含み、前記第２と第３の導電要素が、絶縁体により分離されている、請求項１６に記載の磁気メモリシステム。
【請求項１８】
前記複数の第１の導電要素および前記複数の第２の導電要素の選択された要素に電流を印加するための回路をさらに含む、請求項１６に記載の磁気メモリシステム。
【請求項１９】
前記第１の導電要素の選択された要素と前記第２の導電要素の選択された要素との間に電圧を印加するための回路をさらに含む、請求項１６に記載の磁気メモリシステム。
【請求項２０】
前記第１と第２の導電要素の前記選択された要素を流れる電流を測定し、その電流に対する抵抗を測定するための回路をさらに含む、請求項１８に記載の磁気メモリシステム。
【請求項２１】
第１の磁気モーメントの向きを確立するための手段であって、前記第１の磁気モーメントの向きが、複数のサブ層における複数の磁気モーメントの合計の結果である、手段と、
前記第１の磁気モーメントの向きより軟らかい第２の磁気モーメントの向きを確立するための手段と、
電流に抵抗するための手段とを含み、
前記電流に対する抵抗が、前記磁気モーメントの向きの方向に従って変更される、磁気メモリデバイス。
【請求項２２】
前記第１の磁気モーメントの向きが、情報ビットの論理値に関連付けられている、請求項２１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項２３】
前記第２の磁気モーメントの向きが、所定の基準方向である、請求項２１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項２４】
前記電流に抵抗するための手段が、磁気抵抗トンネルを確立するための手段を含む、請求項２１に記載の磁気メモリデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  印刷シートの片面が既に使用済みのシートであるか否かを認識する認識手段と、
印刷画像に付加する付加画像を記憶する記憶手段と、
画像を形成する画像形成手段と、
片面が既に使用済みであると認識した場合に、未使用面への画像形成時に、その画像に該未使用面が今回の記録面であることを示す付加画像を付加した画像を形成するように上記各手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  印刷シートに前記付加画像を印刷する位置を設定する操作入力手段を有し、
前記制御手段は、前記操作入力手段により設定された位置に前記付加画像を印刷するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】  前記付加画像を表示する表示手段を有し、
前記記憶手段は、付加画像を複数種類記憶し、
前記制御手段は、前記表示手段に表示され、前記操作入力手段により指定された付加画像を付加した画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】  前記付加画像を外部から入力する外部入力手段を有し、
前記制御手段は、前記外部入力手段により入力した付加画像を前記記憶手段に記憶させ、
前記操作入力手段からの指定により前記外部入力手段により入力した付加画像を付加した画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項５】  時間を計時する計時手段を有し、
前記制御手段は、前記付加画像として記録日時を付加して画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】  前記制御手段は、前記操作入力手段より入力され文字を、文字コードデータとして前記記憶手段に記憶させ、
前記操作入力手段により指定された文字を付加画像として付加した画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】  前記画像形成装置は、パーソナルコンピュータと接続され、前記制御手段は、前記外部入力手段を介して前記パーソナルコンピュータから入力した文字のコードデータを前記記憶手段に記憶させ、
前記パーソナルコンピュータから入力した文字を付加画像として付加した画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項８】  前記外部入力手段は、画像を読み込むスキャナであり、前記制御手段は、前記スキャナにより入力した画像を前記記憶手段に記憶させ、
前記スキャナ手段より入力した画像を付加画像として付加した画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項９】  前記画像形成手段は、付加する画像エリアのバックグランドを白画像とする付加処理、もしくは、元画像に対して透過する画像を付加する付加処理を有し、
前記制御手段は、前記操作入力手段により指定された付加処理で付加画像を形成するように上記各手段を制御することを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
係る目的を達成するために請求項１記載の発明は、印刷シートの片面が既に使用済みのシートであるか否かを認識する認識手段と、印刷画像に付加する付加画像を記憶する記憶手段と、画像を形成する画像形成手段と、片面が既に使用済みであると認識した場合に、未使用面への画像形成時に、その画像に該未使用面が今回の記録面であることを示す付加画像を付加した画像を形成するように上記各手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、印刷シートに付加画像を印刷する位置を設定する操作入力手段を有し、制御手段は、操作入力手段により設定された位置に付加画像を印刷するように上記各手段を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像データ及び前記画像データに付随する信号を記憶するメモリと、
前記メモリの読み出し時又は書き込み時に前記画像データ及び前記画像データに付随する信号が回転するように制御するメモリ制御手段と、
を備えた画像処理装置。
【請求項２】  前記メモリ制御手段により回転された画像データを文字部ディザ処理する文字部ディザ処理手段と、
前記メモリ制御手段により回転された画像データを写真部ディザ処理する写真部ディザ処理手段と、
前記付随信号が画像の文字部／写真部を示す像域分離信号であって前記像域分離信号に基づいて前記文字部ディザ処理手段又は写真部ディザ処理手段の出力を選択する手段と、をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】  前記ディザ処理のスクリーン角がデジタル複写機の転写材搬送方向であることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】  前記メモリ制御手段は、複数画素×複数画素分を１ブロックとして前記画像データ及び付随信号が回転するように制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像回転に伴なう階調処理を行う画像処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は上記従来例の問題点に鑑み、画像を回転する／しないに関わらず画像データと付随信号の関係を維持することができる画像処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明はまた、画像を回転する場合に文字部の解像度と写真部の階調性を両立させることができる画像処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はまた、画像を回転する／しないに関わらずデジタル複写機の転写材搬送方向に発生する濃度ムラ（バンディング）を補正することができる画像処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月23日(2005.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
眼の検査用光学機器であって、
ａ）検査される前記眼の部位に投射される可視光パターンを生成する光源と、
ｂ）該光パターンを前記部位上に投射し、前記部位を照明し、また前記部位の像を生成する光学系と、
ｃ）前記部位の像のデータ信号を発生する電子カメラと、を備え、
前記光源は、前記光パターンを生成するＬＣＤディスプレイを含むものである
眼の検査用光学機器。
【請求項２】
眼の網膜の検査用光学機器であって、
ａ）該網膜に投射される可視光パターンを生成する光源と、
ｂ）前記網膜に該光パターンを投射し、前記網膜の像を生成する光学系と、
ｃ）前記網膜の像のデータ信号を発生する電子カメラと、
ｄ）コンピュータ制御システムと、を備え、
前記光源は、輝度、位置、及び構成について選択可能な種々異なるパターンを生成するように構成されたディスプレイであり
前記機器は、検査時に患者が反応を入力可能な入力装置を含み、
前記機器は、前記光学系を介して網膜を照明する赤外光源を含み、
また、前記電子カメラは、前記光学系によって赤外線カメラに生成される実況画像列のデータ信号を発生する該赤外線カメラであり、
また前記機器は、単一の機器において、少なくとも下記の検査の一つを行うように構成されている
眼の検査用光学機器。
i）前記ディスプレイを用いて、眼を固視させるための固視標パターンと、固定であるが位置及び輝度は選択可能な眼の刺激用の光刺激と、を生成し、該固視標パターン及び光刺激を網膜に投射する視野検査であって、前記入力装置は、患者に前記刺激が見えた場合に、患者の反応を検出するために使用される。
ii）前記ディスプレイを用いて、眼を固視させるための固視標パターンと、固定であるが位置及び輝度は選択可能な眼の刺激用の光刺激と、を生成し、該固視標パターン及び光刺激を網膜に投射するマイクロペリメトリー（microperimetry examination）であって、前記入力装置は、患者に前記刺激が見えた場合に、患者の反応を検出するために使用される。
iii）前記ディスプレイを用いて、眼を固視させるための固視標パターンを生成して前記網膜に投射する固視安定性検査であって、同時に、前記実況画像列によって前記網膜を画像化し、前記コンピュータ制御システムは、固視標の位置移動データを収集するのに相関アルゴリズムを使用する。
iv）視野暗点境界検知（scotoma boundary detection）であって、前記ディスプレイを用いて、前記網膜に投射する可動光刺激を生成し、該投射された刺激を前記網膜上の暗点境界に向かって移動させ、また前記入力装置は、前記刺激が見えたか否かについて応答する患者の反応を検出するのに使用される。
v）色刺激検査（psychophysical examinations）であって、前記ディスプレイを用いて、種々の色刺激テストパターン（psychophysical test patterns）から選択可能で前記網膜に投射する色刺激テストパターンを生成し、また同時に、前記網膜は、前記実況画像列によって画像化される。
vi）または、比較検査であって、第一及び第二の視野検査又はマイクロペリメトリーを、同一の患者または異なる患者について、異なる時間に、どちらの検査でも同じ刺激のパターンを使って行い、第一の検査の結果に対する第二の検査の結果の変化を前記刺激のパターンの各位置について測定する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３１】  分析される体組織に加えられる圧力量を測定するステップをさらに含む、請求項３０記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】  温度を制御するステップが、体組織の温度を華氏約５０〜１０５度の範囲の温度に制御するステップをさらに含む、請求項３０記載のシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３４】  温度を制御するステップが、体組織の温度を華氏約９９〜１０１度の範囲の温度に制御するステップをさらに含む、請求項３３記載のシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４９】  体組織内の少なくとも１種類の体液内の分析対象物の濃度を測定するシステムであって、
赤外光源と、
体組織に接触し、かつ、赤外光源からの光を接触した体組織に送るように適合された体組織インターフェースと、
体組織インターフェースと受けた体組織との間に設けられた屈折率整合媒体であって、これを介して、赤外光が体組織に送られ、かつ体組織から反射されるよう設けられた屈折率整合媒体と、
体液からの反射光を受け、かつ、受けた反射光であることを示す電気信号に受けた反射光を変換するように適合された検出器と、
体液内の分析対象物との相関に基づいて作成されたアルゴリズムであって、受けたスペクトル情報を、少なくとも１種類の体液内の分析対象物の濃度に変換するアルゴリズムと電気信号を比較するように適合された中央処理装置と、を備えた、
分析対象物の濃度を測定するシステム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７９】  温度を制御するステップが、体組織の温度を華氏約５０〜１０５度の範囲の温度に制御するステップをさらに含む、請求項７７記載のシステム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８０】  温度を制御するステップが、体組織の温度を華氏約９９〜１０１度の範囲の温度に制御するステップをさらに含む、請求項７９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  ヒドロキシニトリルリアーゼが、そのままでまたは不動化された状態のいずれかで存在する、天然由来のまたは組換え型の(R)-及び(S)-ヒドロキシニトリルリアーゼである、請求項１の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  ヒドロキシニトリルリアーゼが、マニオクまたはヘベアブラシリエンシスからの天然由来の(S)-ヒドロキシニトリルリアーゼ；  ピキアパストリス、大腸菌またはサッカロマイセスセレビシエからなる群から選択された遺伝子組み換えした微生物由来の組換え型(S)-ヒドロキシニトリルリアーゼ；  プルナスアミグダラス、プルナスラウロセラサスまたはプルナスセロチナからの天然由来の(R)-ヒドロキシニトリルリアーゼ；  または組換え型(R)-ヒドロキシニトリルリアーゼである、請求項６の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  組換え型(R)-ヒドロキシニトリルリアーゼを使用する、請求項６の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
適当なNHL には天然由来(native)のものばかりでなく、組換え型(recombinant) の(R)-及び(S)-HNL もあり、これらはそのままでまたは不動化された状態で存在する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
適当な(S)-ヒドロキシニトリルリアーゼは、(S)-ヒドロキシニトリルリアーゼ、例えばマニオク(Manioc)またはヘベアブラシリエンシス由来の(S)-ヒドロキシニトリルリアーゼ、及び組換え型(S)-HNL である。好ましくは、天然のHNL はヘベアブラシリエンシス由来のものである。適当な組換え型(S)-HNL は、例えば、遺伝子を組換えた微生物、例えばピキアパストリス(Pichia pastoris) 、大腸菌またはサッカロマイセスセレビシエ(Saccharomyces cerevisiae)から得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
好ましいものは、ピキアパストリス由来の組換え型(S)-HNL である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
適当な(R)-HNL は、例えば、プルナスアミグダラス、プルナスラウロセラサス(Prunus laurocerasus) またはプルナスセロチナ(Prunus serotina) 由来の(R)-ヒドロキシニトリルリアーゼか、あるいは組換え型(R)-HNL である。好ましくは、プルナスアミグダラス由来の(R)-ヒドロキシニトリラーゼか、または組換え型(R)-HNL が使用される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
好ましくは、組換え型(R)-HNL が使用される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
アセタールまたはケタール１ｇ当たり、約10〜150,000 IU、好ましくは1,200 〜40,000 IU 活性量のヒドロキシニトリルリアーゼが加えられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【実施例】
例１
組換え型(R)-HNL 溶液５ml(240 IU/ml) を、クエン酸溶液を用いて2.4 のpHに調節した。次いで、1,1-ジメトキシ-2- フェニルエタン182 μl(1.1mmol)及び青酸0.1ml(2.3mmol)を加えた。この反応溶液を室温で攪拌した。転化率及び生じた(R)-2-ヒドロキシ-3- フェニルプロパノニトリルのエナンチオマー過剰率を、シクロデキストリンカラムでGCにより測定した。
反応の進行
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
例２
3-クロロ-1,1- ジエトキシプロパン185 μｌ(1.1mol)を、pH値が2.4 の組換え型(R)-HNL 溶液５ml(430 IU/ml) に加えた。青酸0.1ml(2.3mmol)を上記混合物に加え、そしてこれを室温で攪拌した。20時間の反応時間の後、得られた混合物を分析し、98％を超える(R)-3-クロロ-2- ヒドロキシブタノニトリルが確認された。アセタールは完全に反応していた。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
例３
青酸0.1ml(2.3mmol)を、pH値が2.4 の組換え型(R)-HNL 溶液５ml（800 IU/ml)に０℃で加えた。次いで、4-ヒドロキシ- β, β,5,5- テトラメチル-1,3- ジオキサン-2- エタノール（二量体性ヒドロキシピバルアルデヒド）110mg(0.55mmol) を加え、そしてこの混合物を０℃で攪拌した。22時間の反応時間の後、95％が反応して、84％eeの(R)-2,4-ジヒドロキシ-3,3- ジメチルブタノニトリルを生成した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
例４：  基質としてアルデヒドを用いた比較例
4-ヒドロキシ- β, β,5,5- テトラメチル-1,3- ジオキサン-2- エタノール（二量体性ヒドロキシピバルアルデヒド）110mg(0.55mmol) を110 ℃で溶融しそしてこの温度で40分間モノマー化(monomerize)した。遊離した3-ヒドロキシ-2,2- ジメチルプロパノールを、pH値が2.4 の組換え型(R)-HNL 溶液５ml(3,200 IU/ml) と混合した。次いで、青酸0.1ml(2.3mmol)を０℃で加えることによって反応を開始した。０℃で23.5時間の反応時間の後、97％が反応して、70％eeの(R)-2,4-ジヒドロキシ-3,3- ジメチルブタノニトリルを生成した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の工程を含む、Ａ群とＢ群の各群を構成する検体の中から検体間で、物理的、化学的または生物的な対応関係を有する組み合わせを決定する方法。
（１）ｍ個（ｑｎ−１≦ｍ≦ｑｎ-1、ｍとｎは、ｍ≧３、n≧２の自然数）のＡ群の検体Ａｉ（３≦ｉ≦ｍ）、およびｘ個（ｘは自然数）のＢ群の検体Ｂｊ（１≦ｊ≦ｘ）を用意し、
（２）Ａ群の検体Ａｉそれぞれをｇ桁（ｎ≦ｇ）のｑ進法（ｑ≧２の自然数）によって番号付けし、
（３）ｑ進法で表した番号の１桁目を構成するｒ種類の数値Ｒに対してｒ−１種類の数値を選択し、
（４）各数値を持つ検体Ａｉを各数値ごとに混合してｒ−１種類の混合物Ｃ１（Ｒ）とし（Ｒはｑ進法で表した番号のある桁を構成する数値から選択された任意の数値である）、
（５）同様にしてｋ桁目（１≦ｋ≦ｇ）について同じくｒ−１種類からなる混合物Ｃｋ（Ｒ）を得、
（６）各桁におけるｒ−１種類の混合物Ｃ１（Ｒ）からＣｇ（Ｒ）のそれぞれについて、Ｂ群の検体Ｂｊとの検体間の相互作用を検出し、
（７）各混合物について、Ｂ群の検体Ｂｊと相互作用が検出された場合にＲに対応する数値を、検出されなかった場合に（１）において選択しなかった数値を与えることによって、ｑ進法のｋ桁目を構成する数値を決定し、
（８）（７）で得たｑ進法に対応するＡ群の検体Ａｉを照合することにより、Ａ群の検体ＡｉとＢ群の検体Ｂｉの対応関係を決定する。
【請求項２】  検体間の対応関係が、Ａ群とＢ群の各群を構成する検体間における相互作用を伴う請求項１の方法。
【請求項３】  Ａ群の検体とＢ群の検体との、検体間の相互作用に基づく対応関係が、１：１もしくは１：多である請求項２の方法。
【請求項４】  ｇ＝ｎである請求項１の方法。
【請求項５】  Ａ群検体にｑｎ−１までの検体固有の番号を与える請求項４の方法。
【請求項６】  更に付加的に、Ａ群の検体すべてを混合して得た混合物Ｃａと、Ｂ群の検体Ｂｊとの相互作用を検出する工程を含む請求項１から５のいずれかの方法。
【請求項７】１つのＡ群の検体に２シリーズ以上の番号付けを行い、各シリーズについて請求項１の方法を繰り返す工程を含む、Ａ群とＢ群の各群を構成する検体の中から検体間で、物理的、化学的または生物的な対応関係を有する組み合わせを決定する方法。
【請求項８】  Ａ群の検体がオリゴヌクレオチドであり、Ｂ群の検体がDNAである請求項１から７のいずれかの方法。
【請求項９】  Ａ群の検体としてSTSマーカーを、Ｂ群の検体としてゲノムライブラリーを用い請求項８の方法を実施することを含むSTSマッピング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  全投影面積の７０％以上が下記（ｉ）から（iv）を満たすハロゲン化銀粒子で占められていることを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。
（i）（１１１）面を主表面とする沃塩臭化銀平板粒子、
（ii）円相当径３．０μｍ以上、
（iii）少なくとも一つのコーナー部にエピタキシャル接合を有する、
（iv）エピタキシャル部に少なくとも１本の転位線を有する。
【請求項２】  前記（iv）の要件が下記（iv’）の要件を満たすことを特徴とする、請求項１に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
（iv’）エピタキシャル部に網目状の転位線を有する。
【請求項３】  前記（iii）の要件が下記（iii’）の要件を満たすことを特徴とする、請求項１又は２に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
（iii’）全てのコーナー部にエピタキシャル接合を有する。
【請求項４】  全投影面積の７０％以上がさらに下記（ｖ）の要件を満たすハロゲン化銀粒子で占められていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
（ｖ）平均ヨウ化銀含有率の異なる少なくとも３層からなる構造を有する。
【請求項５】  全投影面積の７０％以上がさらに下記（vi）及び（vii）の要件を満たすハロゲン化銀粒子で占められていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
（vi）最も平均ヨウ化銀含有率の高い層の平均ヨウ化銀含有率が５モル％以上である。
（vii）平板状ホスト粒子部の平均ヨウ化銀含有率が５モル％以上である。
【請求項６】  全投影面積の７０％以上がさらに下記（viii）の要件を満たすハロゲン化銀粒子で占められていることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
（viii）前記の平板状ホスト粒子部が、前記のエピタキシャル部以外の領域に１粒子当たり５本以上の転位線を含有する。
【請求項７】  全投影面積の７０％以上がさらに下記（ix）の要件を満たすハロゲン化銀粒子で占められていることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のハロゲン化銀写真乳剤。
（ix）アスペクト比が８．０以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＶＩ）で示される繰り返し単位を各々少なくとも一つ有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物及び
（Ｃ）溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2003015297.tif 000001
一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＶＩ）中、Ｒ1、Ｒ5、Ｒ17a及びＲ17は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6及びＲ7は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。Ｒ50〜Ｒ55は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但し、Ｒ50〜Ｒ55の内、少なくとも１つは、フッ素原子又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｒ4は、下記一般式（ＩＶ）又は（Ｖ）の基を表す。Ｒ18は、−Ｃ（Ｒ18d）（Ｒ18e）（Ｒ18f）又は−Ｃ（Ｒ18d）（Ｒ18e）（ＯＲ18g）を表す。Ｒ18d〜Ｒ18gは、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。Ｒ18d、Ｒ18e、Ｒ18fの内の２つ又はＲ18d、Ｒ18e、Ｒ18gの内の２つが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ18d、Ｒ18e、Ｒ18fの内の少なくとも１つ又はＲ18d、Ｒ18e、Ｒ18gの内の少なくとも１つはフッ素原子を含有する基である。
【化２】
2003015297.tif 000002
一般式（ＩＶ）中、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は、同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ11〜Ｒ13の内の２つが結合し、環を形成してもよい。
一般式（Ｖ）中、Ｒ14及びＲ15は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ16は、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。Ｒ14〜Ｒ16の内の２つが結合し、環を形成してもよい。
【請求項２】  上記一般式（ＶＩ）中、Ｒ18が、下記一般式（ＶＩ−Ｂ）で表されることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。  
【化３】
2003015297.tif 000003
一般式（ＶＩ−Ｂ）中、Ｒ18hは、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｚは、一般式（ＶＩ−Ｂ）中の炭素原子とともに単環又は多環の脂環基を構成する原子団を表す。但し、Ｒ18h又はＺのいずれかにフッ素原子を含有する。
【請求項３】  上記一般式（Ｉ）のＲ1、一般式（ＩＩ）のＲ5及び一般式（ＶＩ）のＲ17の少なくとも１つが、トリフルオロメチル基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】  （Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＩＩＩ）又は（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１つ有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2003015297.tif 000004
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ9及びＲ10は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。
一般式（ＶＩＩ）中、Ｒ19及びＲ20は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ21は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は−Ａ1−ＣＮ基を表す。Ａ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
【請求項５】  （Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＶＩＩＩ）〜（ＸＶＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
2003015297.tif 000005
一般式（ＶＩＩＩ）〜（ＸＶＩＩ）中、Ｒ25、Ｒ26及びＲ27は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表す。Ｒ28、Ｒ29及びＲ30は、同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28、Ｒ29とＲ30とは、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ31、Ｒ35、Ｒ37、Ｒ40及びＲ44は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ41、Ｒ42及びＲ43は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基若しくはアルコキシ基を表す。Ｒ36及びＲ39は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ38は、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｂ1及びＢ2は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｂ3は、２価の連結基を表す。ｎは、０又は１を表す。  
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）カチオン部がヨードニウム又はスルホニウムで構成され、アニオン部がＲFＳＯ3-（式中、ＲFは、炭素数１〜２０のフッ素置換されたアルキル基である）で示されるアニオンで構成されているスルホン酸塩から選択され、かつ、アニオン部のＲFの炭素数の差が２〜１５の範囲にある少なくとも二つの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤、及び
（Ｂ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2003015296.tif 000001
一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）中；
Ｒ1〜Ｒ5は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ1〜Ｒ5の内の２つは、結合して環を形成してもよい。
【請求項２】（Ａ）成分について、ＲFの炭素数が相対的に大である光酸発生剤としてはアニオン部のＲFが炭素数４〜２０の範囲にある直鎖状フッ素置換アルキル基である光酸発生剤の群から選択され、ＲFの炭素数が相対的に小である光酸発生剤としてはアニオン部のＲFが炭素数１〜５の範囲にある直鎖状フッ素置換アルキル基である光酸発生剤の群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項３】  少なくとも１つの光酸発生剤のカチオン部が下記一般式（Ｉ）、（II）又は（III）で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2003015296.tif 000002
上記一般式（Ｉ）〜（III）中：
Ｒ1〜Ｒ37は、各々独立に、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ38基を表す。Ｒ38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ1〜Ｒ15、Ｒ16〜Ｒ27、Ｒ28〜Ｒ37のうち、２つ以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される１種又は２種以上を含む環を形成していてもよい。
【請求項４】  （Ｂ）の樹脂が、更に下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも１種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化３】
2003015296.tif 000003
一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）中；
Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、もしくはＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【請求項５】  前記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基が、下記一般式（pＩa）で表される基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
2003015296.tif 000004
一般式（pＩa）中、Ｒ28は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ29〜Ｒ31は、同じでも異なっていてもよく、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシ基あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基又はアシル基を表す。ｐ、ｑ、ｒは、各々独立に、０又は１〜３の整数を表す。
【請求項６】  前記（Ｂ）の樹脂が、下記一般式（ａ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化５】
2003015296.tif 000005
一般式（ａ）中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１から４の置換もしくは非置換のアルキル基を表す。Ｒ32〜Ｒ34は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は水酸基を表す。Ｒ32〜Ｒ34のうち少なくとも１つは水酸基を表す。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。