(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に複数の窒化物半導体層が積層されてなり、リッジストライプ状の導波路が設けられた窒化物半導体積層部と、前記窒化物半導体積層部上に形成され、前記導波路の上部に開口部を有する絶縁層と、前記導波路および前記絶縁層の上部に設けられた第１の電極と、前記導波路の長手方向に対して垂直な共振器端面を備える窒化物半導体レーザ素子において、
前記第１の電極の前記共振器の両端面側上部に、前記共振器端面と同一面上に端面を有する絶縁性の端部電極保護層をそれぞれ独立して設け、
前記端部電極保護層および前記絶縁層が１以上の層からなり、それぞれの前記第１の電極に接する層が同一の材料からなるものであることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記端部電極保護層および前記絶縁層が、２以上の層からなり、かつ、その積層方向の構造が前記第１の電極に関して対称であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１の電極の厚さが３０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記端部電極保護層が、前記第１の電極と接し、さらに前記第１の電極の、前記導波路の長手方向に対して垂直な方向の少なくとも片側で前記絶縁層に接することを特徴とする請求項１〜３に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１の電極および前記絶縁層の上部に第２の電極を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記端部電極保護層、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に第２の電極を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第２の電極が、端面を前記共振器端面よりも内側に有することを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記第２の電極が窒化物半導体レーザ素子の外部との電気的接合に用いるワイヤを接合するワイヤ接合部を有し、前記ワイヤ接合部において前記第２の電極の下方に前記端部電極保護層と同一の構成の補強層を備えることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
基板上に複数の窒化物半導体層を積層して窒化物半導体積層部を形成する第１ステップと、
前記第１ステップで形成した前記窒化物半導体積層部の上面にストライプ状の第１のマスク層を形成する第２ステップと、
前記窒化物半導体積層部の上部の、前記第２ステップで形成した前記第１のマスク層に覆われていない部分をエッチングすることによって前記窒化物半導体積層部にリッジストライプ状の導波路を形成する第３ステップと、
前記第１のマスク層を含めた、前記第３ステップでエッチングした前記窒化物半導体の上部に１以上の層からなる絶縁層を形成する第４ステップと、
前記第１のマスク層上の前記第４ステップで形成した前記絶縁層と前記第１のマスク層とを除去して前記絶縁層に開口部を設ける第５ステップと、
前記第５ステップで開口部が設けられた前記絶縁層および前記窒化物半導体積層部の上部に第１の電極を形成する第６ステップと、
前記絶縁層および前記第６ステップで形成した前記第１の電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍を除いて第２のマスク層を形成する第７ステップと、
前記第２のマスク層、前記第１の電極および前記絶縁層の露出している部分に、１以上の層からなり、前記第１の電極に接する層が前記絶縁層の前記第１の電極に接する層と同一の材料からなる前記端部電極保護層を形成する第８ステップと、
前記第８ステップで形成した前記第２のマスク層上の端部電極保護層と前記第２のマスク層とを除去する第９ステップと、
前記第９ステップで前記第２のマスク層を除去した後、残った前記端部電極保護層を含む、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置で、前記基板、前記窒化物半導体積層部を、前記第１の電極、前記絶縁層および前記端部電極保護層ともども劈開する第１０ステップと、を備える、窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１０ステップは、前記第９ステップで前記第２のマスク層を除去した後、前記端部電極保護層、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に第２の電極を設けるステップと、前記端部電極保護層を含む、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置で、前記基板、前記窒化物半導体積層部を、前記絶縁層、前記第１の電極および前記端部電極保護層ともども劈開するステップとからなる、請求項９に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１０ステップは、前記第９ステップで前記第２のマスク層を除去した後、前記端部電極保護層、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍を除いて第２の電極を設けるステップと、前記端部電極保護層を含む、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置で、前記基板、前記窒化物半導体積層部を、前記絶縁層、前記第１の電極および前記端部電極保護層ともども劈開するステップとからなる、請求項９に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第７ステップにおいて、前記絶縁層および前記第６ステップで形成した前記第１の電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍および窒化物半導体レーザ素子の外部との電気的接合に用いるワイヤを接合するワイヤ接合部となる位置の下方を除いて第２のマスク層を形成し、
前記第１０ステップにおいて、前記ワイヤ接合部となる位置にも前記第２の電極を形成する、請求項９〜１１のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器端面近傍の電流不均一注入とそれに伴う電流‐光出力特性の異常が発生しにくい窒化物半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
リッジストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、基板上に形成された窒化物半導体積層部の上面に形成した導波路と、この導波路の上面に開口部を設けた絶縁性保護膜を介して、窒化物半導体積層部上に電極を形成することが一般的に行われる。このような構造の窒化物半導体レーザ素子としては、例えば特許文献１で提案された、図２０に示すものが挙げられる。
【０００３】
図２０は、窒化物半導体レーザ素子１００を、リッジストライプ状の導波路領域１１５に対して垂直方向、すなわち共振器端面に対して平行な方向で切断した断面図である。窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型導電性を示す窒化物半導体基板１０６上に、ｎ型クラック防止層１０７、ｎ型クラッド層１０８、光ガイド層１０９、活性層１１０、ｐ型キャップ層１１１、光ガイド層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｐ型コンタクト層１１４を積層し、これらの層および窒化物半導体基板１０６の一部をエッチングして凸型ストライプ状の導波路領域１１５が形成されている。窒化物半導体基板１０６の上面および導波路領域１１５の側面には、絶縁性保護膜として、導波路領域１１５の上面に開口部を有する第１の保護膜１０４が形成されており、導波路領域１１５およびその近傍はｐ型電極１０１で被覆され、さらに窒化物半導体基板１０６の上面のｐ型電極１０１以外の部分は第２の保護膜１０５が形成され、ｐ型電極１０１および第２の保護膜１０５の上にパッド電極１０２が形成され、窒化物半導体基板１０６の裏面にはｎ型電極１０３が形成されている。
【特許文献１】特開平１１‐３３０６１０号公報（第５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この従来の半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体基板１０６をその上に形成された各層ともども劈開して共振器端面が作製される。この際、ｐ型電極１０１が共振器端面においてｐ型コンタクト層１１４から剥がれることがある。このｐ型電極１０１が剥がれた部分では、ｐ型電極１０１から電流が窒化物半導体基板１０６上に形成された各層中に注入されなくなり、電流不均一注入が発生するため、電流‐光出力特性の不良が発生する可能性がある。
【０００５】
そこで本発明は、ｐ側電極、窒化物半導体層等を形成した窒化物半導体基板を劈開する際に、ｐ型電極が窒化物半導体層から剥がれにくく、電流不均一注入が発生しにくい窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、基板と、この基板上に複数の窒化物半導体層が積層されてなり、リッジストライプ状の導波路が設けられた窒化物半導体積層部と、前記窒化物半導体積層部上に形成され、前記導波路の上部に開口部を有する絶縁層と、前記導波路および前記絶縁層の上部に設けられた第１の電極と、前記導波路の長手方向に対して垂直な共振器端面を備える窒化物半導体レーザ素子において、前記第１の電極の上部に、前記共振器端面と同一面上に端面を有する端部電極保護層を備えることを特徴とする。ここで、第１の電極をｐ側電極やｐ側コンタクト電極などに用いることができる。
【０００７】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記端部電極保護層が、前記第１の電極と接し、さらに前記第１の電極の、前記導波路の長手方向に対して垂直な方向の少なくとも片側で前記絶縁層に接することを特徴とする。
【０００８】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記端部電極保護層および前記絶縁層が１以上の層からなり、それぞれの前記第１の電極に接する層が同一の材料からなるものであることを特徴とする。
【０００９】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記端部電極保護層および前記絶縁層が、２以上の層からなり、かつ、その積層方向の構造が前記第１の電極に関して対称であることを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記第１の電極の厚さが３０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする。
【００１１】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に第２の電極を備えることを特徴とする。
【００１２】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記端部電極保護層、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に第２の電極を備えることを特徴とする。ここで、第２の電極をパッド電極として用いることができる。
【００１３】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記第２の電極が、端面を前記共振器端面よりも内側に有することを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、上記構成の窒化物半導体レーザ素子において、前記第２の電極が窒化物半導体レーザ素子の外部との電気的接合に用いるワイヤを接合するワイヤ接合部を有し、前記ワイヤ接合部において前記第２の電極の下部に前記端部電極保護層と同一の構成の補強層を備えることを特徴とする。
【００１５】
また本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に複数の窒化物半導体層を積層して窒化物半導体積層部を形成する第１ステップと、前記第１ステップで形成した前記窒化物半導体積層部の上面にストライプ状の第１のマスク層を形成する第２ステップと、前記窒化物半導体積層部の上部の、前記第２ステップで形成した前記第１のマスク層に覆われていない部分をエッチングすることによって前記窒化物半導体積層部にリッジストライプ状の導波路を形成する第３ステップと、前記第１のマスク層を含めた、前記第３ステップでエッチングした前記窒化物半導体の上部に絶縁層を形成する第４ステップと、前記第１のマスク層上の前記第４ステップで形成した前記絶縁層と前記第１のマスク層とを除去して前記絶縁層に開口部を設ける第５ステップと、前記第５ステップで開口部が設けられた前記絶縁層および前記窒化物半導体積層部の上部に第１の電極を形成する第６ステップと、前記絶縁層および前記第６ステップで形成した前記第１の電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍を除いて第２のマスク層を形成する第７ステップと、前記第２のマスク層、前記第１の電極および前記絶縁層の露出している部分に前記端部電極保護層を形成する第８ステップと、前記第８ステップで形成した前記第２のマスク層上の端部電極保護層と前記第２のマスク層とを除去する第９ステップと、前記第９ステップで前記第２のマスク層を除去した後、残った前記端部電極保護層を含む、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置で、前記基板、前記窒化物半導体積層部を、前記第１の電極、前記絶縁層および前記端部電極保護層ともども劈開する第１０ステップと、を備える。
【００１６】
また本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、前記第１０ステップにおいて、前記端部電極保護層、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に第２の電極を設け、前記端部電極保護層を含む、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置で、前記基板、前記窒化物半導体積層部を、前記絶縁層、前記第１の電極および前記端部電極保護層ともども劈開する。
【００１７】
また本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、前記第１０ステップにおいて、前記端部電極保護層、前記第１の電極および前記絶縁層の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍を除いて第２の電極を設け、前記端部電極保護層を含む、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置で、前記基板、前記窒化物半導体積層部を、前記絶縁層、前記第１の電極および前記端部電極保護層ともども劈開する。
【００１８】
また本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、前記第７ステップにおいて、前記絶縁層および前記第６ステップで形成した前記第１の電極の上部に、前記導波路の長手方向に垂直な劈開位置近傍および、窒化物半導体レーザ素子の外部との電気的接合に用いるワイヤを接合するワイヤ接合部となる位置の下方を除いて第２のマスク層を形成し、前記第１０ステップにおいて、前記ワイヤ接合部となる位置にも前記第２の電極を形成する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、共振器端面を形成するために、基板上に窒化物半導体積層部、第１の電極（ｐ側電極）等が形成されてなるウエハを劈開する際に、第１の電極の上部に設けられた端部電極保護層によって第１の電極が保護されるため、第１の電極は窒化物半導体積層部から剥がれにくくなり、よって、電流不均一注入が発生しにくい窒化物半導体レーザ素子を実現することができる。
【００２０】
また本発明によると、劈開時において端部電極保護層が、第１の電極の、導波路の長手方向に対して垂直な方向の少なくとも片側で絶縁層に接するため、端部電極保護層と絶縁層とで第１の電極を包むように保護することとなり、第１の電極を窒化物半導体積層部からより剥がれにくくすることができる。また、端部電極層と絶縁層とを、互いに接する面で同じ材料とすることにより、接合強度を向上させることができ、劈開時に第１の電極を窒化物半導体積層部からさらに剥がれにくくすることができる。
【００２１】
また本発明によると、第２の電極（パッド電極）を設けることにより、窒化物半導体レーザ素子の外部との電気的接合に用いるワイヤ等を接合する強度を向上させることができる。
【００２２】
また本発明によると、第２の電極の、外部との電気的接合に用いるワイヤ等との接合部の直下に、端部電極保護層と同じ構成の補強層を設けることにより、新たな工程を設けたり、作業時間を増加させたりすることなく、ワイヤを接合する強度をより向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態について、図１〜１０を用いて説明する。図１は第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図、図２は第１の実施形態に係る窒化物半導体積層部周辺の部分正面図、図３〜９は第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図および部分斜視図、図１０は第１の実施形態に係るウエハの部分平面図である。
【００２４】
第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、図１に示すようにｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化物半導体積層部２０が形成されている。窒化物半導体積層部２０は、図２に示すようにｎ型ＧａＮ基板１１側から順に、ｎ型ＧａＮ層２１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２２、ｎ型ＧａＮ光導波層２３、ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の活性層２４、ｐ型ＧａＮ光導波層２５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２６およびｐ型ＧａＮコンタクト層２７が積層されてなるものである。
【００２５】
窒化物半導体積層部２０には、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２６の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層２７の一部を図２に破線で示すように除去して形成した幅２μｍのリッジストライプ状の導波路１２が形成されている。また、窒化物半導体積層部２０の上部には、導波路１２の上面に相当する部位に開口部１５ａを有する絶縁膜１５が設けられている。絶縁膜１５は、厚さ１５００ÅのＳｉＯ2と厚さ５００ÅのＴｉＯ2を、窒化物半導体積層部２０側からこの順に積層した構造を有する。絶縁膜１５の上部および導波路１２の上面には厚さ５００ÅのＰｄよりなるｐ側電極１６が設けられており、絶縁膜１５の開口部１５ａを通じて導波路１２の上面とオーミックコンタクトしている。また、劈開面１３、１４はそれぞれレーザ光の出射側の共振器端面および反射側の共振器端面である。また、劈開面１３、１４に沿って、厚さ５００ÅのＴｉＯ2と厚さ１５００ÅのＳｉＯ2からなる端部電極保護層１８が形成されている。さらに、ｎ型ＧａＮ基板１１の裏面には、ｎ型ＧａＮ基板１１側から順に、厚さ５００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌを積層したｎ側電極１７が設けられている。
【００２６】
次に、第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法について図２〜１０を用いて説明する。
【００２７】
まず、図２および図３に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１上（図３では不図示）に、有機金属気相成長（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法、分子線エピタキシャル成長（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法などの結晶成長法により、窒化物半導体積層部２０を形成する。
【００２８】
次に、図４に示すように、窒化物半導体積層部２０の表面に、幅２μｍのストライプ状の第１のレジストマスク４１を形成する。続いて図５に示すように、第１のレジストマスク４１をマスクとして反応性イオンエッチング法によって窒化物半導体積層部２０を上面からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２６の途中までエッチングし、導波路１２を形成する（図２参照）。この場合のプロセスガスとしては、例えばＣｌ2、ＳｉＣｌ4、ＢＣｌ3などの塩素系ガスを用いる。
【００２９】
次に、図６に示すように、第１のレジストマスク４１を含めた窒化物半導体積層部２０の上面全体に、厚さ１５００ÅのＳｉＯ2と厚さ５００ÅのＴｉＯ2を電子ビーム蒸着法によりこの順に積層して絶縁膜１５を形成する。続いて、図７に示すように、リフトオフ法によって第１のレジストマスク４１の上部の絶縁膜１５と第１のレジストマスク４１とを除去し、絶縁膜１５に開口部１５ａを設ける。開口部１５ａを設けた後、図８に示すように、絶縁膜１５および導波路１２の上面に厚さ５００ÅのＰｄからなるｐ側電極１６を形成する。
【００３０】
次に、図９に示すように、絶縁膜１５の上部に、ｐ側電極１６を覆うように第２のレジストマスク４２を形成する。このとき第２のレジストマスク４２は、劈開後に劈開面１３、１４となる劈開位置３１から５０μｍ後退した位置に形成する。
【００３１】
第２のレジストマスク４２を形成した後、第２のレジストマスク４２の上部および絶縁膜１５の露出している部分に、厚さ５００ÅのＴｉＯ2と厚さ１５００ÅのＳｉＯ2とをこの順に形成し、有機溶剤を用いて第２のレジストマスク４２とその上部に形成されたＴｉＯ2とＳｉＯ2とを除去することで、図１０に示すように、ウエハ３０が完成する。このようにしてｐ側電極１６上に残ったＴｉＯ2とＳｉＯ2とを端部電極保護層１８とする。この後、ｎ型ＧａＮ基板１１の裏面、すなわち窒化物半導体積層部２０が形成されていない側の面を、厚みが１００ミクロン程度になるまで研磨した上で、ｎ型ＧａＮ基板１１の裏面全体に、厚さ５００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌを順に電子ビーム蒸着法により形成して、図１に示したところのｎ側電極１７とする。次に、劈開位置３１で、窒化物半導体積層部２０およびｎ型ＧａＮ基板１１を、端部電極保護層１８、絶縁膜１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７ともども劈開することによって、ウエハ３０をバー状に分割して、レーザ光の出射側の共振器端面である劈開面１３および反射側の共振器端面である劈開面１４を得る。最後に、得られたバーを分割位置３２で分割して、図１に示す構造の窒化物半導体レーザ素子１０を得る。
【００３２】
このような構造とすることにより、窒化物半導体積層部２０、絶縁膜１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を形成したｎ型ＧａＮ基板１１すなわちウエハ３０を劈開する際に、ｐ側電極１６にはｐ型ＧａＮコンタクト層２７から引き剥がされる方向に応力が加わるが、ｐ側電極１６は端部電極保護層１８に押さえられているために剥がれにくい。よって、窒化物半導体レーザ素子１０は、電流不均一注入が発生しにくく、電流‐光出力特性の不良が発生する可能性が低い。
【００３３】
第１の実施形態では、端部電極保護層１８を、絶縁膜１５と同様にＳｉＯ2とＴｉＯ2とからなる２層構造とした。端部電極保護層１８と絶縁膜１５とを必ずしも同一の材料構成とする必要はない。しかし、同一の材料構成として、端部電極保護層１８と絶縁膜１５との硬さを同一とした方が、これらの間に挟まれるｐ側電極１６が劈開面１３、１４に沿ってきれいに割れることを発明者は見出した。
【００３４】
ここで、「同一の材料構成」とは、（１）端部電極保護層１８と絶縁膜１５が、いずれも単層からなり、同一の材料から構成されていること、または、（２）端部電極保護層１８と絶縁膜１５のうち少なくとも一方が２層以上からなり、端部電極保護層１８のｐ側電極１６に接する層と絶縁膜１５のｐ側電極１６に接する層とが同一の材料から構成されていることを意味する。
【００３５】
これら（１）および（２）のいずれの場合も、そうでない場合と比べてｐ側電極１６が劈開面１３、１４に沿ってきれいに割れる。特に、第１の実施形態のように絶縁膜１５と端部電極保護層１８とが材料、厚さともにｐ側電極１６に関して対称となる構成とした場合に、ｐ側電極１６は劈開面１３、１４に沿って最もきれいに割れる。
【００３６】
なお、絶縁膜１５と端部電極保護層１８とをｐ側電極１６に関して対称となる構成とする場合には、絶縁膜１５とｐ側電極１６との界面での密着性およびｐ側電極１６と端部電極保護層１８との界面での密着性に注意を払うことが好ましい。これらの界面の少なくとも一方の密着性が不十分な場合、劈開位置３１で劈開した際に密着性すなわち接合強度が不十分な方の界面から上の構造が剥がれてしまい、ｐ側電極１６を絶縁膜１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２７から剥がすことなく劈開面１３、１４に沿ってきれいに割るという意図した効果を得られないためである。
【００３７】
しかし、ｐ側電極１６を、図１に示すウエハ３０の上面全体に形成する構造から、リッジストライプ状の導波路１２上およびその近傍のみに形成する構造とすることで、このような絶縁膜１５との相互関係にある制約を大きく軽減することが可能となる。この点について、第２の実施形態で説明する。
【００３８】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態について、図１１および図１２を用いて説明する。図１１は第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図、図１２は第２の実施形態に係るウエハの部分平面図である。第２の実施形態は、ｐ側電極が基板の上方の全面にではなく、導波路上およびその近傍にのみ設けられている点以外は第１の実施形態と同じであり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。また、製造方法も第１の実施形態とほぼ同じである。
【００３９】
第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、図１１に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化物半導体積層部２０が形成されている。窒化物半導体積層部２０は第１の実施形態と同様の図２に示す構成である。窒化物半導体積層部２０には幅２μｍのリッジストライプ状の導波路１２が形成されており、窒化物半導体積層部２０の上部には、導波路１２の上面に相当する部位に開口部１５ａを有する絶縁膜１５が設けられている。絶縁膜１５は厚さ３５００ÅのＳｉＯ2からなる。また、導波路１２の上面およびその近傍には、厚さ５００ÅのＰｄからなるｐ側電極１６が設けられており、絶縁膜１５の開口部１５ａを通じて導波路１２の上面とオーミックコンタクトしている。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の裏面には、ｎ型ＧａＮ基板１１側から順に、厚さ５００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌを積層したｎ側電極１７が設けられている。
【００４０】
ｐ側電極１６の幅は、出射側の劈開面１３および反射側の劈開面１４近傍においては２０μｍ、劈開面１３、１４から離れた窒化物半導体レーザ素子１０の中央付近では２００μｍとなっている。ｐ側電極１６は、導波路１２の上面とその両側９μｍの領域はくまなく覆っているものの、図１に示す第１の実施形態の場合とは異なり窒化物半導体レーザ素子１０の上面全体は覆っていない。窒化物半導体レーザ素子１０の中央付近で幅の広がっている部分は、窒化物半導体レーザ素子１０と外部との電気的接合のために、例えば金ワイヤをボンディングする領域として設けられている。このような形状のｐ側電極１６は、リフトオフ法などを利用することで容易に形成することが可能である。
【００４１】
また、劈開面１３、１４に沿って、図１１に示すように厚さ３５００ÅのＳｉＯ2からなる端部電極保護層１８が形成されている。端部電極保護層１８の幅（図１１のＡ）は劈開面１３、１４においてｐ側電極１６の幅（図１１のＢ）よりも広く、ここでは１００μｍに設定されている。よって、端部電極保護層１８はｐ側電極１６の外側で絶縁膜１５と直接接合している。端部電極保護層１８の導波路長手方向（図１１の矢印Ｃで示す方向）の長さは出射側、反射側ともに５０μｍである。端部電極保護層１８は、窒化物半導体積層部２０、絶縁膜１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１、すなわち図１２に示すウエハ３０を、劈開位置３１で劈開する前に形成されており、ウエハ３０をバー状に劈開する際に、ｎ型ＧａＮ基板１１等とともに図１１に示す形状に分割される。
【００４２】
第２の実施形態では、絶縁膜１５および端部電極保護層１８は第１の実施形態と異なり、いずれも単層のＳｉＯ2からなるものである。単層構造は、第１の実施形態のＳｉＯ2とＴｉＯ2のような２層構造と比べて製造の工程が簡単であるが、絶縁膜１５とｐ側電極１６との界面およびｐ側電極１６と端部電極保護層１８との界面が、いずれもＳｉＯ2とＰｄが接してなるものとなる点に注意する必要がある。
【００４３】
一般にＳｉＯ2とＰｄとは密着性に乏しく、容易に剥がれてしまう。そのため、上記２つの界面が、いずれもＳｉＯ2とＰｄが接してなる場合には、第１の実施形態のように端部電極保護層１８がｐ側電極１６としか接合していない構造とすると、劈開の際にこれらの二つの界面の少なくとも一方から上の構造が剥がれる可能性がある。絶縁膜１５上にｐ側電極１６を形成する際、成膜温度を例えば２００℃程度にするなどして相互の拡散を促す事で、絶縁膜１５とｐ側電極１６の界面の接合強度は高める事がある程度可能である。しかし、ｐ側電極１６上に端部電極保護層１８を形成する際には、第１の実施形態で図９を用いて説明したように第２のレジストマスク４２が形成されている。したがって、成膜温度を上げると第２のレジストマスク４２の焼きつきがおこるため、ｐ側電極１６と端部電極保護層１８との密着性すなわち接合強度を十分確保できるような高温成膜ができない。このため、どちらかというと、ｐ側電極１６と端部電極保護層１８との界面が問題となりやすい。
【００４４】
しかし、第２の実施形態では、端部電極保護層１８が同じＳｉＯ2からなる絶縁膜１５とｐ側電極１６の外側で直接接合している。ＳｉＯ2同士の接合強度は、絶縁膜１５とｐ側電極１６との界面およびｐ側電極１６と端部電極保護層１８との界面での接合強度のいずれよりも十分に高く、劈開の際にｐ側電極１６がｐ型ＧａＮコンタクト層２７から剥がれる可能性は低い。
【００４５】
なお、第２の実施形態において、端部電極保護層１８と絶縁膜１５とは上述のＳｉＯ2のように同一の材料からなるものとすることが好ましいが、異なる材料からなるものとしてもよい。その場合、端部電極保護層１８と絶縁膜１５とが直接接合する界面での接合強度が、絶縁膜１５とｐ側電極１６との界面およびｐ側電極１６と端部電極保護層１８との界面での接合強度のいずれよりも高くなるような材料の組み合わせとする必要がある。
【００４６】
ところで、第２の実施形態では端部電極保護層１８は、劈開面１３、１４に沿ってｐ側電極１６の上とその両側の一部にだけ形成されているが、第１の実施形態のように劈開面１３、１４にそってくまなく形成されたものとしてもよい。いずれの場合もｐ側電極１６を、絶縁膜１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２７から剥がすことなく劈開面１３、１４に沿ってきれいに割るという本発明の効果に差はない。しかし、ウエハ３０を劈開する前に、劈開位置３１に針を用いて傷入れする工程がある場合、劈開位置３１に端部電極保護層１８があると針が絶縁膜１５に十分な深さまで入らず、傷入れした劈開位置３１にそってウエハ３０を分割しても、劈開面１３、１４を平滑に形成できない可能性がある。このような場合、端部電極保護層１８は、第２の実施形態のようにｐ側電極１６の上部とその周囲に限定し、劈開面１３、１４近傍ではｐ側電極１６を端部電極保護層１８、絶縁膜１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２７とで取り囲むようにして形成し、絶縁膜１５の端部電極保護層１８が形成されていない部分に針を入れるようにすればよい。
【００４７】
なお、図１１に示した、第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子では、リッジストライプ状の導波路１２の両側で端部電極保護層１８と絶縁膜１５とが直接接合している。しかし必ずしも、完成した素子において両側に当該接合部がある必要はなく、ウエハ３０をバー状に分割する際に両側に当該接合部がありさえすればよい。
【００４８】
図１３は、第２の実施形態に係る別のウエハの部分平面図である。図１３に示すウエハ３０は、既に説明した図１２に示すウエハ３０において破線で示した分割位置３２の位置を、よりリッジリッジストライプ状の導波路１２に近いところに変更した配置となっている。このような設計をした場合、図１４に示す完成した窒化物半導体レーザ素子１０は、端部電極保護層１８と絶縁膜１５とが直接接合している部分を、リッジストライプ状の導波路１２の片側、−図１４においてはリッジストライプ状の導波路１２の、向かって左側−、のみにしか有しない。しかしながら、図１３に破線で示した劈開位置３１で、窒化物半導体積層部２０およびｎ型ＧａＮ基板１１を劈開する事でウエハ３０をバー状に分割するのは、分割位置３２における分割の前である。よって、劈開位置３１で劈開する時点では、図１１に示した第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子と同様に、リッジストライプ状の導波路１２の両側で端部電極保護層１８と絶縁膜１５とが直接接合している。このため、ｐ側電極１６を、絶縁膜１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層２７から剥がすことなく劈開面１３、１４に沿ってきれいに割るという本発明の効果は、些かも損なわれていない。
【００４９】
なお、第１の実施形態および第２の実施形態では、ｐ側電極１６の厚さが５００Åとなっている。ｐ側電極１６の厚さは５００Åに限定されるものではなく、３０〜１０００Åが好ましい。３０Åよりも薄い場合、ｐ型ＧａＮコンタクト層２７とオーミック接合を確保するのが困難となるからであり、また、１０００Åよりも厚い場合、劈開の際にｐ側電極１６が端部電極保護層１８を突き破り、端部電極保護層１８がｐ型ＧａＮコンタクト層２７からｐ側電極１６が剥がれるのを防ぐ役割を果たさない可能性があるからである。端部電極保護層１８を、ｐ側電極１６で突き破れない程度に厚くすることは可能であるが、その場合、ウエハ３０を劈開した際に、劈開面１３、１４の窒化物半導体積層部２０部分と略同一平面となるように端部電極保護層１８が割れる可能性は低いため、結局ｐ側電極１６がｐ型ＧａＮコンタクト層２７から剥がれるのを防ぐことができなくなる。
【００５０】
ところが、ｐ側電極１６の厚さが高々１０００Åでは、窒化物半導体レーザ素子の外部との電気的接合のために、例えば金ワイヤをｐ側電極１６にボンディングする際、接合強度が十分に確保できず、金ワイヤが剥がれる可能性がある。この点は、ｐ側電極１６の上に、さらにパッド電極層を設けることによって解決できる。この点について次の第３の実施形態で説明する。
【００５１】
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態について、図１５を用いて説明する。図１５は第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図である。第３の実施形態は、ｐ側電極をｐ側コンタクト電極とし、絶縁膜、ｐ側コンタクト電極および端部電極保護層上にパッド電極が設けられている点以外は第２の実施形態と同じであり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。また、製造方法は第１の実施形態とほぼ同じである。
【００５２】
第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、図１５に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化物半導体積層部２０が形成されている。窒化物半導体積層部２０は第１の実施形態と同様の図２に示す構成である。窒化物半導体積層部２０には幅２μｍのリッジストライプ状の導波路１２が形成されており、窒化物半導体積層部２０の上部には、導波路１２の上面に相当する部位に開口部１５ａを有する絶縁膜１５が設けられている。絶縁膜１５は厚さ１５００ÅのＳｉＯ2と厚さ５００ÅのＴｉＯ2からなる。また、導波路１２の上面およびその近傍には、厚さ５００ÅのＰｄからなるｐ側コンタクト電極１６が設けられており、絶縁膜１５の開口部１５ａを通じて導波路１２の上面とオーミックコンタクトしている。ｐ側コンタクト電極１６は、第２の実施形態ではｐ側電極１６として窒化物半導体レーザ素子１０の中央付近で幅の広がっている部分が設けられていたが、第３の実施形態では全体に同じ幅であるものとしてよい。
【００５３】
また、図１５に示すように、劈開面１３、１４に沿って厚さ５００ÅのＴｉＯ2と厚さ１５００ÅのＳｉＯ2からなる端部電極保護層１８が形成されている。端部電極保護層１８の幅は劈開面１３、１４においてｐ側電極１６の幅よりも広く設定されている。よって、端部電極保護層１８はｐ側電極１６の外側で絶縁膜１５と直接接合している。端部電極保護層１８の導波路長手方向（図１５の矢印Ｄで示す方向）の長さは出射側、反射側ともに５０μｍである。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の裏面には、ｎ型ＧａＮ基板１１側から順に、厚さ５００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌを積層したｎ側電極１７が設けられている。
【００５４】
第３の実施形態では、ｐ側コンタクト電極１６と端部電極保護層１８の全体を覆うように、劈開面１３から劈開面１４まで厚さ５００ÅのＰｄと厚さ６０００ÅのＡｕを順に積層したパッド電極１９が設けられている。パッド電極１９は、窒化物半導体レーザ素子１０の外部との電気的接合のために、例えば金ワイヤをボンディングするためのものである。金ワイヤの接合強度を十分に確保できる程度にパッド電極１９を厚くすることにより、金ワイヤを剥がれにくくすることができ、窒化物半導体レーザ素子１０の信頼性を高めることができる。端部電極保護層１８は、パッド電極１９、ｐ側コンタクト電極１６、ｎ側電極１７、絶縁膜１５および窒化物半導体積層部２０が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１すなわちウエハ（不図示）を劈開する前に形成されており、劈開の際にｎ型ＧａＮ基板１１等とともに図１５に示す形状に分割される。
【００５５】
パッド電極１９は、図１５に示すように絶縁膜１５が露出する部分を残して形成してもよいし、窒化物半導体レーザ素子１０の上面全体に形成してもよい。絶縁膜１５が露出する部分を残す場合は、残す部分をレジストマスクで覆ってからパッド電極１９を蒸着してリフトオフする方法や、一旦、残す部分も含めてパッド電極１９を蒸着した後、残す部分上のパッド電極１９のみをウェットエッチングで除去する方法などを利用することで容易に形成することが可能である。
【００５６】
第３の実施形態のように、比較的厚いパッド電極１９が劈開面１３、１４まで配置されている場合、劈開時にパッド電極１９が劈開面１３、１４の近傍で端部電極保護層１８などから剥がれる可能性がある。ただし、パッド電極１９が剥がれた場合でも、ｐ側コンタクト電極１６は劈開面１３、１４の近傍でもｐ型ＧａＮコンタクト層２７と密着しているため、電流の不均一注入は惹起されない。しかし、剥がれたパッド電極１９の一部が劈開面１３、１４側に垂れ下がって窒化物半導体積層部２０に接触し、ショートを惹起したり、劈開後に劈開面１３、１４に保護コートを行う際の障害となったりする可能性がある。この点は、パッド電極１９を劈開面１３、１４の近傍に形成しないことで解決できる。この点について次の第４の実施形態で説明する。
【００５７】
＜第４の実施形態＞
本発明の第４の実施形態について、図１６を用いて説明する。図１６は第４の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図である。第４の実施形態は、パッド電極が窒化物半導体レーザ素子の上面の中央部分にのみ設けられている点以外は第３の実施形態と同じであり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。また、製造方法も第３の実施形態とほぼ同じである。
【００５８】
第４の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、図１６に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化物半導体積層部２０が形成されている。窒化物半導体積層部２０は第１の実施形態と同様の図２に示す構成である。また、導波路１２、絶縁膜１５、端部電極保護層１８、ｐ側コンタクト電極１６およびｎ側電極１７が第３の実施形態と同様に設けられている。
【００５９】
第４の実施形態では、ｐ側コンタクト電極１６の中央部を覆うように、厚さ５００ÅのＰｄと厚さ６０００ÅのＡｕを順に積層したパッド電極１９が設けられている。ただし、第３の実施形態とは異なり、端部電極保護層１８の上部や、劈開面１３、１４の近傍には配置されていない。このようなパッド電極１９のパターニングは、第３の実施形態の場合と同様、リフトオフ法などを利用することで容易に可能である。
【００６０】
このように構成することにより、パッド電極１９は劈開の対象とはならない。よって、第３の実施形態のようにパッド電極１９が劈開時に剥がれてショートを惹起したり、劈開面１３、１４に保護コートを行う際の障害となったりすることがない。
【００６１】
また、第４の実施形態では、パッド電極１９には、窒化物半導体レーザ素子１０の外部との電気的接合のための領域が導波路１２のリッジストライプ形状直上の外側部分に設けられている。この領域は、例えば金ワイヤをボンディングする際のボールの直径よりも多少大きい程度、例えば約１２０μｍ四方であれば、ボンディングを行う上では問題ない。この点では、窒化物半導体レーザ素子１０の共振器長すなわち劈開面１３と劈開面１４との間隔が、一般的な５００μｍ程度である場合、図１６に示すように端部電極保護層１８にかからない窒化物半導体レーザ素子１０の上面の中央部にのみ形成しても、この領域は十分な大きさを確保することができる。
【００６２】
しかし、このパッド電極１９の配置では、以下に説明するようにボンディング以外の点で注意を要する場合がある。ｐ側コンタクト電極１６の厚さが、例えば５０Åと非常に薄い場合、ｐ側コンタクト電極１６の内部抵抗が無視できない程度の大きさとなる。第４の実施形態では、端部電極保護層１８とパッド電極１９との間で、導波路１２を覆うｐ側コンタクト電極１６が露出しており、ｐ側コンタクト電極１６のパッド電極１９で覆われていない部分が広い。このとき窒化物半導体レーザ素子１０の外部からパッド電極１９に供給された電流が、ｐ側コンタクト電極１６の内部抵抗によりｐ側コンタクト電極１６の全体に十分に広がらず、パッド電極１９に比較的近い部分のみで活性層２４方向に注入されてしまう可能性がある。この場合、ｐ側コンタクト電極１６が露出している領域では、電流が注入されず利得が発生しないため、電流−光出力特性の異常を招来する危険性がある。より具体的には、ｐ側コンタクト電極１６のパッド電極１９により覆われていない部分の導波路長手方向の長さが１００μｍ以上で、その厚みが１００Å以下である場合は、上記のような問題が発生する危険性を無視できなくなる。
【００６３】
また、導波路１２を覆うｐ側コンタクト電極１６が薄いと、外部から意図せずに加わる応力が導波路１２および窒化物半導体積層部２０に損傷を与え、窒化物半導体レーザ素子１０の信頼性の劣化を招来する可能性がある。
【００６４】
これらのような懸念は、パッド電極１９を図１６に示す第４の実施形態に比べてより劈開面１３、１４の近傍まで広げ、端部電極保護層１８とパッド電極１９とでｐ側コンタクト電極１６の上面全体を覆うようにすることで払拭することが可能である。これについて、次の第５の実施形態で説明する。
【００６５】
＜第５の実施形態＞
本発明の第５の実施形態について、図１７を用いて説明する。図１７は第５の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０の斜視図である。第５の実施形態は、パッド電極１９が端部電極保護層１８とともにｐ側コンタクト電極１６の上面全体を覆うように設けられている点、およびｐ側コンタクト電極１６の厚みが異なる以外は第４の実施形態と同様であり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。また、製造方法も第４の実施形態とほぼ同じである。
【００６６】
第５の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、図１７に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化物半導体積層部２０が形成されている。窒化物半導体積層部２０は第１の実施形態と同様の図２に示す構成である。また、導波路１２および絶縁膜１５が第４の実施形態と同様に設けられており、厚さ１００Åのｐ側コンタクト電極１６が第４の実施形態と同様の位置に、同様の形状で設けられている。ｎ側電極１７についても、第４の実施形態と同様である。
【００６７】
第５の実施形態では、図１７に示すように、厚さ５００ÅのＰｄと厚さ６０００ÅのＡｕを順に積層したパッド電極１９が、ｐ側コンタクト電極１６の端部電極保護層１８で覆われていない部分と端部電極保護層１８の一部とを覆うように設けられている。よって、ｐ側コンタクト電極１６の上面で露出している部分はない。端部電極保護層１８の導波路長手方向の長さは出射側、反射側ともに５０μｍである。また、パッド電極１９は、第４の実施形態と同様に劈開面１３、１４の近傍には配置されていない。このようなパッド電極１９のパターニングは、第３の実施形態の場合と同様、リフトオフ法やウェットエッチング法などを利用することで容易に可能である。
【００６８】
このように構成することにより、第４の実施形態と同様に、パッド電極１９が劈開時に剥がれて、ショートを惹起したり劈開後に劈開面１３、１４に保護コートを行う際の障害となったりするのを防ぐことができる。また、ｐ側コンタクト電極１６の導波路１２を覆う部分は、出射側、反射側それぞれ導波路長手方向に５０μｍの部分は端部電極保護層１８によって覆われており、それ以外の部分はパッド電極１９によってくまなく覆われている。このため、ｐ側コンタクト電極１６が厚さ１００Åと比較的薄く、内部抵抗が大きい場合でも、窒化物半導体レーザ素子１０の外部からパッド電極１９に供給された電流は、ｐ側コンタクト電極１６がパッド電極１９によって覆われている部分では十分な厚みを有するパッド電極１９およびｐ側コンタクト電極１６を介して、またｐ側コンタクト電極１６が端部電極保護層１８によって覆われている部分でもその導波路長手方向の長さがたかだか５０μｍしかないためｐ側コンタクト電極１６自体を介して、問題なく導波路１２の全体に十分に広がることができる。さらに、外部から意図せずに応力が加わっても、ｐ側コンタクト電極１６が露出している場合と比べて導波路１２および窒化物半導体積層部２０に損傷を与えにくくすることができる事は言うまでもない。したがって、窒化物半導体レーザ素子１０を、電流の不均一注入による電流−光出力特性の異常や、外部から応力が加わった際の信頼性の低下が、生じにくいものとすることができる。
【００６９】
以上述べてきた、本発明の第３〜第５の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子は、いずれも端部電極保護層１８を出射側の劈開面１３および反射側の劈開面１４の近傍のみに形成し、また、外部との電気的接合のために例えば金ワイヤのボンディングをパッド電極１９に行うものであった。しかし、端部電極保護層１８を形成するのと同時に、同じ構造の膜を金ワイヤのボンディングを行う部位の直下にも形成することで、窒化物半導体レーザ素子の製造工程に新たな工程を増やすことなく、ボンディングの際に窒化物半導体積層部２０に対して与える損傷を軽減することが可能となる。これについて、次の第６の実施の形態で説明する。
【００７０】
＜第６の実施形態＞
本発明の第６の実施形態について、図１８および図１９を用いて説明する。図１８は第６の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図、図１９は図１８のＥ−Ｅ断面図である。第６の実施形態は、パッド電極１９の、金ワイヤのボンディングを行う部位の直下に端部電極保護層１８と同じ構成の膜が設けられている点が異なる以外は第５の実施形態と同様であり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。また、製造方法も第５の実施形態とほぼ同じである。
【００７１】
第６の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、図１８および図１９に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化物半導体積層部２０が形成されている。窒化物半導体積層部２０は第１の実施形態と同様の図２に示す構成である。また、導波路１２、絶縁膜１５およびパッド電極１９が第５の実施形態と同様に設けられており、厚さ１００Åのｐ側コンタクト電極１６が第５の実施形態と同様の位置に、同様の形状で設けられている。ｎ側電極１７についても、第５の実施形態と同様である。
【００７２】
第６の実施形態では、図１８に示すように金ワイヤをボンディングするワイヤ接合部１９ａがパッド電極１９を盛り上げて設けられている。ワイヤ接合部１９ａでは、図１９に示すようにパッド電極１９の直下に端部電極保護層１８と同じ構造の補強層１８ａが設けられている。
【００７３】
このように構成することにより、金ワイヤなどの接合強度を高めて窒化物半導体レーザ素子１０の信頼性を高めるために、パッド電極１９のワイヤ接合部１９ａに金ワイヤなどをボンディングする際の超音波の出力や荷重を高めても、窒化物半導体積層部２０に与える損傷およびそれに起因する窒化物半導体レーザ素子１０の信頼性の低下を大幅に低減することができる。
【００７４】
補強層１８ａは、例えば図９に示した端部電極保護層１８を形成するのに用いる第２のレジストマスク４２を、補強層１８ａを形成する部分も開いた形状とするだけで、容易にリフトオフ法を用いて形成することができ、したがって、補強層１８ａを形成するために、新たな工程を設けたり、作業時間を増加させたりする必要もない。
【００７５】
また、第６の実施形態では、２つの端部電極保護層１８と補強層１８ａを、それぞれ分離して形成しているが、これらのうち２つ以上を一体化させた構造としても、何ら問題はない。
【００７６】
なお、第６の実施形態は、図１７に示す第５の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０の変形として説明したが、図１５に示す第３の実施形態、図１６に示す第４の実施例に係る窒化物半導体レーザ素子１０の変形としても実現可能である。
【００７７】
以上、本発明について第１〜第６の実施形態に基づいて説明したが、本発明の内容は、以上の実施形態の説明に記載した内容に限定されるものではない。
【００７８】
次に、本発明の変形例について説明する。本明細書において、「窒化物半導体」とは、窒化ガリウム（ＧａＮ）のＧａが部分的に他のＩＩＩ族元素に置き換えられた半導体、例えばＧａsＡｌtＩｎ1-s-tＮ（０＜ｓ≦１、０≦ｔ＜１、０＜ｓ＋ｔ≦１）を含み、各構成元素の一部が不純物元素に置き換えられた半導体や、他の不純物が添加された半導体をも含むものとする。
【００７９】
また、第１および第２の実施形態のｐ側電極１６および第３〜第６の実施形態のｐ側コンタクト電極１６は、厚さ１００Åまたは５００ÅのＰｄからなるものであったが、Ｐｄ代えてＮｉやＴｉなどでも、また、これらの上にＡｕ、Ｍｏなどの別の金属が積層された構造であっても、さらに、厚さがこれらの実施形態の通りでなくてもよい。
【００８０】
また、第３〜第６の実施形態のパッド電極１９は厚さ５００ÅのＰｄと厚さ６０００ÅのＡｕをこの順に積層した２層構造であったが、ＡｕおよびＰｄはそれぞれＮｉ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｍｏなどでも、また複数の金属が積層された構造であっても、また、厚さがこれらの実施形態の通りでなくてもよい。
また、第１〜第６の実施形態のｎ側電極１７は、厚さ５００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌを順に積層したとの２層構造であったが、Ｔｉに代えてＨｆやＶでも、またＡｌに代えてＡｕでも、また厚さがこれらの実施形態の通りでなくても、またこれらの金属の上に、さらに別の金属層が形成された３層以上の構造を有する形態であってもよい。
【００８１】
また、第１〜第６の実施形態の絶縁膜１５および端部電極保護層１８はＳｉＯ2からなるものまたはＳｉＯ2とＴｉＯ2との２層構造であったが、ＴｉＯ2の単層や、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＮなど、他の無機誘電体や、ＡｌＧａＮなどの窒化ガリウム系化合物半導体、およびそれらを組み合わせた積層構造などで置き換えても何ら問題はなく、その厚さも実施形態の説明に例示したものに限られない。また、その形成方法についても、実施形態の説明に例示した電子ビーム蒸着法によらずとも、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などによるものであっても構わない。
【００８２】
また、本発明の第１〜第６の実施形態では、ドライエッチング法として反応性イオンエッチング法を用いたが、反応性イオンビームエッチング法や、誘導結合プラズマエッチング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；電子サイクロトロン）プラズマエッチング法などでも、同様のプロセスガスを使用することによって、同様のエッチングが可能である。
【００８３】
また、本発明の第１〜第６の実施形態では、リッジストライプ状の導波路を形成するための第１のマスク層、および、端部電極保護層を形成するための第２のマスク層に、レジストマスクを用いたが、ＡｌＮなどの無機誘電体やＴｉなどの金属や、それらを組み合わせた積層構造であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図２】第１の実施形態に係る窒化物半導体積層部周辺の部分正面図
【図３】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図
【図４】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図
【図５】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図
【図６】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図
【図７】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図
【図８】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分断面図
【図９】第１の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す部分斜視図
【図１０】第１の実施形態に係るウエハの部分平面図
【図１１】第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図１２】第２の実施形態に係るウエハの部分平面図
【図１３】第２の実施形態に係る別のウエハの部分平面図
【図１４】第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図１５】第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図１６】第４の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図１７】第５の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図１８】第６の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の斜視図
【図１９】図１８のＥ−Ｅ断面図
【図２０】従来の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図
【符号の説明】
【００８５】
１０      窒化物半導体レーザ素子
１１      ｎ型ＧａＮ基板
１２      導波路
１３      劈開面
１４      劈開面
１５      絶縁層
１５ａ    開口部
１６      ｐ側電極、ｐ側コンタクト電極
１７      ｎ側電極
１８      端部電極保護層
１８ａ    補強層
１９      パッド電極
１９ａ    ワイヤ接合部
２０      窒化物半導体積層部
３０      ウエハ
３１      劈開位置
３２      分割位置
４１      第１のレジストマスク
４２      第２のレジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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