【事件の表示】
　平成　４年特許願第　７３２５５号「ＥＥＰＲＯＭのデータ書換方法およびＥＥＰＲＯＭカード」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　９月１０日出願公開、特開平　５−２３３４６４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年２月２５日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成７年１１月２０日付け、及び平成９年１１月２８日付けの各手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、次のものと認める。
「アドレスによって指定される複数の記憶領域を有し，空いている上記記憶領域にアドレスの順序にしたがってデータが書込まれるＥＥＰＲＯＭの上記記憶領域に書込まれているデータを書き換える方法において，
　書き換えるべき古い部分データを含む第１のデータが書込まれている上記記憶領域をアドレスしてそこに書込まれている上記第１のデータを読み出し，
　上記ＥＥＰＲＯＭから読み出された上記第１のデータをＲＡＭに書き込み，
　上記ＲＡＭに書込まれた上記第１のデータのうち上記古い部分データを新しい部分データで書き換えることにより上記ＲＡＭにおいて第２のデータを生成し，
　アドレス順で最後にデータが書込まれた上記記憶領域の次の上記記憶領域に上記ＲＡＭから読み出した上記第２のデータを書き込み，
　上記第２のデータが書込まれた上記記憶領域の最後のアドレスを記憶し，
　上記ＲＡＭの上記第２のデータと上記ＥＥＰＲＯＭに書込まれた上記第２のデータとをそれぞれ読み出してこれらが一致するかどうかを判定する，
　ＥＥＰＲＯＭのデータ書換方法。」
　なお、本願については、平成１１年４月２６日付けで手続補正がなされたが、これは、平成１３年７月３日付けの補正の却下の決定により却下された。
　また、請求項１には、「上記ＲＡＭに書込まれた上記第１のデータのうち上記古い部分データを新しい部分データで書き換えることにより上記ＲＡＭにおいて第２の部分データを生成し」とあるが、該記載に対応する請求項３の記載は、「上記ＲＡＭに書込まれた上記第１のデータのうち上記古い部分データを新しい部分データで書き換えることにより第２のデータを生成する」となっており、また、請求項１において、上記記載に続いて「アドレス順で最後にデータが書込まれた上記記憶領域の次の上記記憶領域に上記ＲＡＭから読み出した上記第２のデータを書き込み」とあることから、上記記載中の「第２の部分データ」は「第２のデータ」の誤記と認め、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）を上記のように認定した。
　
２．引用例及び周知例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２１０６９３号公報（平成２年８月２２日出願公開、以下「引用例１」という。）、特開昭６２−４６４９３号公報（昭和６２年２月２８日出願公開、以下「引用例２」という。）、特開昭５７−１４３７９４号公報（昭和５７年９月６日出願公開、以下「引用例３」という。）、及び、原査定で周知例として引用された特開昭６３−２４７８８３号公報（昭和６３年１０月１４日出願公開、以下「周知例」という。）には、次の事項が記載されている。
［引用例１］
Ａ．「ＥＥＰＲＯＭでは、同一アドレスでの書き込み可能回数に限りがあり、頻繁に書き換えを行なうと、すぐに書込み不良となる。現在市販されているＥＥＰＲＯＭでは、同一アドレスでの書込み回数は約１００００回程度しか保証されておらず、たとえば１秒に１回ずつデータの書き換えを行なうとすると、約２時間４７分で書込み不能となる。
　このようにデータの書き換えを頻繁に行なう必要がある場合には、ＥＥＰＲＯＭの寿命は非常に短かいものとなってしまう。
　本発明の目的は、かかる問題点を解消し、ＥＥＰＲＯＭの寿命を延ばしてデータの書き換え回数を増やすことができるようにしたメモリ書込み方法を提供することにある。」（第１頁右下欄第２０行〜第２頁左上欄第１３行）
Ｂ．「本発明は、アドレスで指定される書込みエリアにデータを書き込んで該書込みエリアでのデータ書込みの可能，不能を判定し、書込みが不能のときには、このデータに対する書込みエリアを他のエリアに移すようにする。」（第２頁左上欄第１５〜２０行）
Ｃ．「第１図はこの実施例を示すブロック図であって１はマイクロプロセッサ、２はＥＥＰＲＯＭである。第２図は第１図におけるＥＥＰＲＯＭ２のアドレスマップ図であって、３は書込みエリアのアドレス記憶エリア、４，５，６はデータの記録エリアである。また、第３図はこの実施例の制御フローチャートである。
　第１図において、ＥＥＰＲＯＭ２には、第２図に示すように、書込みエリアを指定するアドレスの記憶エリア３が設けられている。マイクロプロセッサ１は選択情報によってＥＥＰＲＯＭ２でのデータの書込みあるいは読出し制御を行なう。データ書込みの場合には、マイクロプロセッサ１はＥＥＰＲＯＭ２のアドレス記憶エリア３からアドレスを読み取り、これによってＥＥＰＲＯＭ２のデータ書込みエリアを指定してデータを書き込む。」（第２頁右上欄第１５行〜左下欄第１０行、及び第１、２図参照）
Ｄ．「次に、この実施例の書込み制御動作を第３図を用いて説明する。
　まず、マイクロプロセッサ１はＥＥＰＲＯＭ２のアドレス記憶エリア３からアドレスを読み取り、ＥＥＰＲＯＭ２のこのアドレスで指定されるエリアを書込みエリアとしてデータの書込みを行なう（第３図ステップ１０）。この書込みエリアを第２図でエリア４とする。そして、この書込みエリア４からこのデータを読み出し、これと元のデータとを比較する（ベリファイ・第３図ステップ１１）。両者が一致したときには、ベリファイエラーがないとして指定されたこの書込みエリア４でのこのデータの書き換えが完了とするが、ベリファイエラーがあると（以上、第３図ステップ１２）、再度同じデータを書込みエリア４に書き込み、上記のようにベリファイを行なう（第３図ステップ１３〜１５）。このとき、ベリファイエラーがないときには、書込みエリア４でのデータ書き換えが行なわれたものとする。
　このように、データ書込みとベリファイを２回行なってもベリファイエラーがあると、この書込みエリア４はデータの書込みが不能とし、書込みエリアを次のエリア５に変更し（第３図ステップ１６）、ステップ１０に戻って再びこの書込みエリア５がデータ書込み可能かどうかを判定する。」（第２頁左下欄第１１行〜右下欄第１５行、及び第３図参照）
　上記Ａ〜Ｄの記載から、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、引用例１記載の発明という。）
　アドレスによって指定される複数の書込みエリア４，５，６を有し，上記書込みエリア４，５，６にデータが書込まれるＥＥＰＲＯＭ２の上記書込みエリア４に書込まれているデータを書き換える方法において，
　古いデータが書込まれていた書込みエリア４に対して新しいデータの書込みが不能の場合、次の書込みエリア５に新しいデータを書込み，
　上記ＥＥＰＲＯＭ２に書込む前のデータと上記ＥＥＰＲＯＭ２に書込まれたデータとをそれぞれ読み出してこれらが一致するかどうかを判定する，
　ＥＥＰＲＯＭのデータ書換方法。
　
［引用例２］
Ａ．「第４図はＥＥＰ−ＲＯＭを備えたマイクロ・コンピュータの一例を示す。
　・・・（中略）・・・
　ＥＥＰ−ＲＯＭ２は、記憶セルアレイ２１、アドレスデコーダ２２、ラッチ回路Ａ，Ｂ、およびデータ選択回路２３などを有する。
　記憶セルアレイ２１には、例えば２バイト（２×８ビット）を１ワードとする記憶行が５行配列され、全体として１０バイト（２バイト×５ワード＝１０バイト）の記憶容量をもっている。Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ〜Ｄ５ａ，Ｄ５ｂはそれぞれ１バイトずつの記憶データを示す。各記憶データＤ１ａ，Ｄ１ｂ〜Ｄ５ａ，Ｄ５ｂは、２バイト（１ワード）を単位として消去、書き込みされるようになっている。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第２０行、及び第４図参照）
Ｂ．「第５図および第６図において、例えばＥＥＰ−ＲＯＭ２内の１バイトの記憶データＤａ１（「Ｄ１ａ」の誤記と認められる。）を書き換える場合には、・・・（中略）・・・以上のようにして、ＥＥＰ−ＲＯＭ２内の任意の１バイトデータを指定して書き換えることができるようになっている。」（第２頁右下欄第３行〜第３頁左上欄第４行、及び第５、６図参照）
　
［引用例３］
Ａ．「メモリデバイス単位で電気的に消去可能なＰＲＯＭを備えるメモリ装置において，ｎヶの前記ＰＲＯＭによって１つのグループを構成し，且つｍヶのグループを設け，各グループ単位で該ＰＲＯＭの電気的消去を行うとともに，前記ＰＲＯＭｎヶ相当の容量を有するＲＡＭを前記各グループと接続して設け，前記ＰＲＯＭに蓄えられた情報を該ＲＡＭに移し，且つ該ＲＡＭで情報書替え後該ＰＲＯＭに該ＲＡＭの情報を移すことを特徴とするメモリ装置。」（第１頁左下欄第１８行〜右下欄第７行）
Ｂ．「ＲＡＭ３が設けられ，書替えの必要な加工プログラムの一部が収容された１つのＥＥＰＲＯＭ４全体の情報を読出し，ＲＡＭ３に収容する。
　このＲＡＭ３を用いて外部の図示しない入力ユニットより必要な部分の情報を書替え，その後書替えられたＲＡＭ３の情報全体を当該ＥＥＰＲＯＭ４に書替え収容する。
　このようにして，ＥＥＰＲＯＭ４１ヶ単位の書替えができる。」（第３頁右上欄第１２〜２０行）
　
［周知例］
「第２図は本発明に係る携帯可能電子装置としてのＩＣカードの構成例を示すもので、複数の任意の長さの連続したデータ列が記憶される第１のメモリ１１と、この第１のメモリ１１内のデータ列を管理する管理データ、たとえば各データ列の位置を管理するそれぞれの先頭番地と長さとが記憶される第２のメモリ１２と、これら第１，第２のメモリ１１，１２に対してデータの読出しおよび書込みを行なうためのＣＰＵなどの制御素子（制御部）１３・・・（中略）・・・とから構成されており、・・・（中略）・・・なお、第１，第２のメモリ１１，１２は、たとえばＥＥＰＲＯＭなどの消去可能な不揮発性メモリによって構成されており、これらは１つのメモリであっても、あるいは別々のメモリであってもよい。
　第３図は複数のデータ列が管理されている概念図を示している。第１のメモリ１１には、それぞれｌ１，ｌ２，ｌ３の長さのデータ列の領域が順に確保されており、それぞれの先頭番地はａ１，ａ２，ａ３である。第２のメモリ１２には、それぞれのデータ列の先頭番地ａ１，ａ２，ａ３と長さｌ１，ｌ２，ｌ３とが対応して順に記憶されている。
　次に、第１図に示すフローチャートを参照して本発明のデータ記憶方法について詳細に説明する。まず、書込もうとする目的のデータ列の先頭番地を第２のメモリ１２から読出し（ＳＴ１）、目的のデータ列を第１のメモリ１１の上記先頭番地から書込む（ＳＴ２）。次に、書込んだデータ列を上記先頭番地から読出し（ＳＴ３）、書込んだ目的のデータ列（書込む前のデータ列で、制御素子１３内のＲＡＭに保持されている）と上記読出したデータ列とを比較する（ＳＴ４）。この比較の結果、書込んだ目的のデータ列と読出したデータ列とが全て一致していれば（ＳＴ５）、データ列が正常に書込まれたとして処理は終了する（ＳＴ６）。上記比較の結果、一致していなければ（ＳＴ５）、データ列が正常に書込まれなかったとして第１のメモリ１１の未使用領域を探す（ＳＴ７）。ここで、第３図から第１のメモリ１１の未使用領域の先頭番地はａ４である。
　次に、第１のメモリ１１の未使用領域の長さと目的のデータ列の長さとを比較する（ＳＴ８）。・・・（中略）・・・上記比較の結果、未使用領域の長さが目的のデータ列の長さ以上の場合は（ＳＴ９）、第２のメモリ１２の目的のデータ列に対応する先頭番地を未使用領域の先頭番地に書換える（ＳＴ１１）。このとき、未使用領域の先頭番地は目的のデータ列の長さだけ下がり、その長さもデータ列の長さだけ小さくなることになる。そして、再び処理の先頭ステップ（ＳＴ１）へ戻り、上記処理を繰返す。」（第２頁右下欄第２行〜第３頁右上欄第２０行、及び第１〜３図参照）
　
３．対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、まず、引用例１記載の発明における「書込みエリア」が、本願発明における「記憶領域」に相当する。
　そして、引用例１記載の発明においては、「古いデータが書込まれていた書込みエリア４に対して新しいデータの書込みが不能の場合、次の書込みエリア５に新しいデータを書込」むものであり、本願発明においては、「アドレス順で最後にデータが書込まれた上記記憶領域の次の上記記憶領域に上記ＲＡＭから読み出した上記第２のデータを書き込」むものであるが、ともに、古いデータが書込まれていた記憶領域とは別の記憶領域に新しいデータを書き込むものであるということができる。
　また、本願発明における「上記ＲＡＭの上記第２のデータ」は、ＥＥＰＲＯＭに対して書込む前のデータであることは明らかである。
　よって、本願発明と引用例１記載の発明とは、
　アドレスによって指定される複数の記憶領域を有し，上記記憶領域にデータが書込まれるＥＥＰＲＯＭの上記記憶領域に書込まれているデータを書き換える方法において，
　古いデータが書込まれていた記憶領域とは別の記憶領域に新しいデータを書き込み，
　上記ＥＥＰＲＯＭに書込む前のデータと上記ＥＥＰＲＯＭに書込まれたデータとをそれぞれ読み出してこれらが一致するかどうかを判定する，
　ＥＥＰＲＯＭのデータ書換方法
である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点（１）：ＥＥＰＲＯＭに対してデータが書込まれる態様が、本願発明においては、「空いている記憶領域にアドレスの順序にしたがってデータが書込まれる」のに対し、引用例１記載の発明においては、そのような特定がされていない点。
　相違点（２）：ＥＥＰＲＯＭに書込まれているデータを書き換えるに当たり、本願発明においては、「書き換えるべき古い部分データを含む第１のデータが書込まれている記憶領域をアドレスしてそこに書込まれている上記第１のデータを読み出し，ＥＥＰＲＯＭから読み出された上記第１のデータをＲＡＭに書き込み，上記ＲＡＭに書込まれた上記第１のデータのうち上記古い部分データを新しい部分データで書き換えることにより上記ＲＡＭにおいて第２のデータを生成」しているのに対し、引用例１記載の発明においては、そのようにしているとはされていない点。
　相違点（３）：書き換えたデータをＥＥＰＲＯＭに書込むに当たり、本願発明においては、「アドレス順で最後にデータが書込まれた記憶領域の次の記憶領域にＲＡＭから読み出した第２のデータを書き込み，上記第２のデータが書込まれた上記記憶領域の最後のアドレスを記憶し」ているのに対し、引用例１記載の発明においては、そのようにしているとはされていない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点（１）〜（３）について検討する。
［相違点（１）について］
　一般に、メモリの空いている記憶領域に対してデータを書込む場合、アドレスの順序にしたがってデータを書込むことは、周知例でも「第１のメモリ１１には、それぞれｌ１，ｌ２，ｌ３の長さのデータ列の領域が順に確保されており」とあるように、ごく普通に行われていることにすぎないから、相違点（１）が格別なこととは認められない。
　
［相違点（２）について］
　ＥＥＰＲＯＭに書込まれているデータを書き換えるに当たり、書き換えるべき古い部分データを含むデータが書込まれている記憶領域をアドレスしてそこに書込まれている上記データを読み出し、上記データのうち上記古い部分データを新しい部分データで書き換えることにより新しいデータを生成することは、引用例２に記載されている事項にすぎず、また、データを一旦ＲＡＭに移して書き換えを行うようにすることも、引用例３に記載されている事項にすぎない。
　よって、相違点（２）は、ＥＥＰＲＯＭに書込まれているデータを書き換えるに際して、当業者が適宜に採用し得る事項にすぎないものと認められる。
　
［相違点（３）について］
　ＥＥＰＲＯＭにデータを書込む際に、アドレス順で最後にデータが書込まれた記憶領域の次に位置する未使用領域にデータを書込むようにすることは、周知例に見られるような周知の事項にすぎない。
　そして、上記周知例において、未使用領域に書込まれたデータ列は、先頭番地と長さとにより管理されるものであり、先頭番地と長さが判ればデータ列の最後の番地が判ることは自明のことであるので、これは、記憶領域の最後のアドレスが管理されることと等価である。
　よって、書き換えたデータをＥＥＰＲＯＭに書込むに当たり、アドレス順で最後にデータが書込まれた記憶領域の次の記憶領域にＲＡＭから読み出した第２のデータを書き込み，上記第２のデータが書込まれた上記記憶領域の最後のアドレスを記憶するようにすることは、当業者が適宜に設計できる事項にすぎないものと認められる。
　
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知事項から当業者ならば容易に予測することができる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　なお、請求人は、平成１３年８月２０日付けの審判請求理由補充書において、特許請求の範囲の補正案を提示しているが、たとえ、該補正案のように特許請求の範囲を補正したとしても、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることを付言する。
　よって、結論のとおり審決する。