【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０質量％以上６０質量％以下、ＳｉＯ２換算で２５質量％以上６０質量％以下、ＳｒＯ換算で７．５質量％超５０質量％以下、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下（０質量％を含む）のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ，Ｋ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ａｇのうちの少なくとも一種を含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記副成分のＮａ，Ｋ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ａｇの含有量はそれぞれ、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％、ＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％、０．０１〜５質量％のＡｇであることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項３】
ｆＱ値が５ＴＨｚ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項４】
Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物を主成分とし、副成分としてＢｉを必須とするマイクロ波用誘電体磁器組成物であって、組織にＡｌ２Ｏ３結晶相と少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶相を備え、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上であることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項５】
更にＮａやＫを含む長石族結晶相を備えることを特徴とする請求項４に記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項６】
誘電率が５．７５〜９．０９であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項７】
Ｐｂを含まないことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法であって、Ａｌ２Ｏ３以外の元素をガラス化する第１の熱処理工程と、当該第１の熱処理工程のしかる後に、組織にＡｌ２Ｏ３の他に少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶相を形成するような、かつｆＱ値が５ＴＨｚ以上となるような第２の熱処理工程を有することを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法。
【請求項９】
前記第２の熱処理工程を第１の熱処理工程の熱処理温度超、１０００℃以下の熱処理温度で行うことを特徴とする請求項８に記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれかに記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いることを特徴とするマイクロ波用電子部品。
【請求項１１】
前記マイクロ波用誘電体磁器組成物からなる誘電体層に電極を形成し、当該誘電体層を複数積層してなることを特徴とする請求項１０に記載のマイクロ波用電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記のことを鑑みてＰｂＯを含まず、かつ、ホウ素化合物をも含有しない磁器組成物であって、εが６〜９程度で、Ｑ値が高く、τｆが小さく、しかも１０００℃以下の低温、さらに好ましくは、９００℃以下の低温で焼成することが可能なマイクロ波用誘電体磁器組成物を提供すること、またその製造方法を提供すること、またそれを用いたマイクロ波用電子部品を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０質量％以上６０質量％以下、ＳｉＯ２換算で２５質量％以上６０質量％以下、ＳｒＯ換算で７．５質量％超５０質量％以下、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下（０質量％を含む）のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ，Ｋ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ａｇのうちの少なくとも一種を含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明においては、前記副成分のＮａ，Ｋ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ａｇの含有量はそれぞれ、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％、ＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％、０．０１〜５質量％のＡｇであるのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、そのｆＱ値は５ＴＨｚ以上であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の発明は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物を主成分とし、副成分としてＢｉを必須とするマイクロ波用誘電体磁器組成物であって、組織にＡｌ２Ｏ３結晶相と少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶相を備え、ｆＱ値が５ＴＨｚ以上であることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更にＮａやＫを含む長石族結晶相を備えるのも好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、その誘電率が５．７５〜９．０９であるのも好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして、Ｐｂを含まないことも特徴とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第３の発明は、第１又は第２の発明において、Ａｌ２Ｏ３以外の元素をガラス化する第１の熱処理工程と、当該第１の熱処理工程のしかる後に、組織にＡｌ２Ｏ３の他に少なくともＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ又はＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含む化合物結晶相を形成するような、かつｆＱ値が５ＴＨｚ以上となるような第２の熱処理工程を有することを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記第２の熱処理工程を第１の熱処理工程の熱処理温度超、１０００℃以下の熱処理温度で行うのが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第４の発明は、第１又は第２の発明のマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いることを特徴とするマイクロ波用電子部品である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明において、前記マイクロ波用誘電体磁器組成物からなる誘電体層に電極を形成し、当該誘電体層を複数積層してマイクロ波用電子部品とするのも好ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明のマイクロ波用誘電体磁器組成物は、例えば主成分がＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０質量％以上６０質量％以下、ＳｉＯ２換算で２５質量％以上６０質量％以下、ＳｒＯ換算で７．５質量％超５０質量％以下、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下（０質量％を含む）のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉを含有し、前記合計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％のＢｉを含有し、更にＮａ，Ｋ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ａｇのうちの少なくとも一種を含有し、１０００℃以下の温度で焼成できるマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
これにより、本発明の誘電体磁器組成物は、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を内部電極として用い、一体焼結を行うことができる。よって、本発明の誘電体材料の有する高いＱ値を用い、しかも電気抵抗による損失を抑えた内部電極を用い、極めて損失の小さいマイクロ波用電子部品を構成することができる。これにより、誘電体共振器、フィルタ、積層インダクター又は積層コンデンサ、および、これらを複合化した高周波積層基板等に応用して、優れたマイクロ波特性および低損失な回路デバイスを実現することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また本発明では、前記マイクロ波用誘電体磁器組成物に副成分としてＮａ（Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％）、Ｋ（Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％）、Ｃｏ（ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％）、Ｍｎ（ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％）、Ａｇ：０．０１〜５質量％のうち少なくとも１種以上を含有させることが好ましい。
Ｎａ、Ｋ，Ｃｏの副成分は、仮焼工程においてＡｌ２Ｏ３以外の成分がガラス化する際、このガラスの軟化点を低下させる効果があり、より低温で収縮を開始する材料が得られる事、および、焼成工程において、１０００℃以下の焼成温度でＱの高い誘電特性を得る事を可能とするものであり、含有させることが好ましい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
またＣｕ、Ｍｎ、Ａｇは、主に焼成工程において誘電体磁器組成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼結を達成するために添加されるものである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、ＳｒがＳｒＯ換算で７．５質量％以下だと、１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。又、５０質量％より多いと、やはり１０００℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。