Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ブレ補正装置及びカメラ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  撮像光学系と、
振れを検出し、振れに応じた第１の振れ検出信号を出力する第１の振れ検出部と、
前記第１の振れ検出部とは別の手法により振れを検出し、振れに応じた第２の振れ検出信号を出力する第２の振れ検出部と、
前記撮像光学系により得られた画像を電子的に撮像する撮像手段と、
前記第１の振れ検出部からの前記第１の振れ検出信号に基づき前記撮像光学系及び前記撮像手段を含む撮像系の少なくとも一部を動かすことにより像ブレを補正する光学式ブレ補正部と、
動画撮像時に、前記第２の振れ検出部からの前記第２の振れ検出信号に基づき前記撮像手段により撮像された画像からの切り出し位置を変更することにより像ブレを補正する動画ブレ補正部と、
を備えるブレ補正装置。
【請求項２】  請求項１に記載のブレ補正装置において、
前記動画ブレ補正部は、前記第２の振れ検出信号に加えて前記第１の振れ検出信号に基づき前記撮像手段により撮像された画像からの切り出し位置を変更すること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項３】  撮像光学系と、
振れを検出し、振れに応じた第１の振れ検出信号を出力する第１の振れ検出部と、
前記第１の振れ検出部とは別の手法により振れを検出し、振れに応じた第２の振れ検出信号を出力する第２の振れ検出部と、
前記撮像光学系により得られた画像を電子的に撮像する撮像手段と、
前記第１の振れ検出部からの前記第１の振れ検出信号に基づき前記撮像光学系及び前記撮像手段を含む撮像系の少なくとも一部を動かすことにより像ブレを補正する光学式ブレ補正部と、
を備え、
静止画撮像時には、前記第１の振れ検出信号に基づき前記光学式ブレ補正部により像ブレを補正し、
動画撮像時には、検出された振れの周波数を予め定められた閾値と比較し、前記閾値よりも高い周波数の振れ成分は前記第１の振れ検出部により振れを検出し、前記閾値よりも低い周波数の振れ成分は前記第２の振れ検出部により振れを検出すること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項４】  請求項３に記載のブレ補正装置において、
前記閾値は、前記第１の振れ検出部が有するドリフト成分を検出できる周波数であること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項５】  撮像光学系と、
振れを検出し、振れに応じた第１の振れ検出信号を出力する第１の振れ検出部と、
前記第１の振れ検出部とは別の手法により振れを検出し、振れに応じた第２の振れ検出信号を出力する第２の振れ検出部と、
前記撮像光学系により得られた画像を電子的に撮像する撮像手段と、
前記第１の振れ検出部からの前記第１の振れ検出信号に基づき前記撮像光学系及び前記撮像手段を含む撮像系の少なくとも一部を動かすことにより像ブレを補正する光学式ブレ補正部と、
を備え、
静止画撮像時には、前記第１の振れ検出信号に基づき前記光学式ブレ補正部により像ブレを補正し、
動画撮像時には、前記第１の振れ検出信号に基づいてブレ補正動作を行いながら前記第２の振れ検出信号の監視を行い、前記第２の振れ検出信号からドリフト成分が検出された場合には、前記ドリフト成分を補正するようにブレ補正動作を行うこと、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項６】  請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、
前記光学式ブレ補正部は、前記撮像光学系の少なくとも一部を形成するブレ補正光学系を動かすことによりブレ補正動作を行うこと、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項７】  請求項６に記載のブレ補正装置において、
前記ブレ補正光学系は、光軸に略直交する方向に移動することにより像ブレを補正するシフト光学系であること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項８】  請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、
前記第１の振れ検出部は、振動ジャイロセンサを有しており、
前記第２の振れ検出部は、前記撮像手段により撮像された画像を画像処理することにより振れを検出すること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項９】 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載のブレ補正装置と、
前記撮像光学系により得られた画像を撮像する撮像手段とを有すること
を特徴とするカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静止画撮影と動画撮影を電子的に撮影する撮影装置において、像のブレを補正するブレ補正装置及びカメラに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の課題は、静止画撮影及び動画撮影のいずれにおいても、像ブレを良好に補正することができるブレ補正装置及びカメラを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項８の発明は、請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、前記第１の振れ検出部（７）は、振動ジャイロセンサを有しており、前記第２の振れ検出部（９ａ）は、前記撮像手段により撮像された画像を画像処理することにより振れを検出すること、を特徴とするブレ補正装置である。
請求項９の発明は、請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載のブレ補正装置と、前記撮像光学系により得られた画像を撮像する撮像手段（４）とを有することを特徴とするカメラである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室内に、少なくとも２種類のプロセスガスを交互に供給して、前記基板上に所望の膜を生成する半導体製造装置であって、
前記反応室を排気する排気配管と、
前記排気配管を介して前記反応室を排気する真空排気装置と、
前記排気配管を開閉する排気バルブと、
前記プロセスガスの内の第１のプロセスガスを前記反応室に供給する第１の供給配管と、
前記プロセスガスの内の第２のプロセスガスを前記反応室に供給する第２の供給配管と、
前記第１の供給配管を開閉する第１の供給バルブと、
前記第２の供給配管を開閉する第２の供給バルブと、
前記第１のプロセスガスをプラズマ励起するプラズマ励起手段と、
少なくとも前記排気バルブ、前記第１と第２の供給バルブおよび前記プラズマ励起手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、少なくとも前記排気バルブ、前記第１と第２の供給バルブおよび前記プラズマ励起手段を制御して、
前記プラズマ励起手段により活性化される前記第１のプロセスガスを前記基板に晒す際には、前記反応室が前記真空排気装置により排気された状態で、前記第１のプロセスガスを前記第１の供給配管を介して前記前記反応室に供給し、
前記プラズマ励起手段により活性化されない前記第２のプロセスガスを前記基板に晒す際には、前記第２のプロセスガスを前記第２の供給配管を介して２〜４秒間前記反応室に供給し前記反応室内の圧力を上昇させ、その後、上昇した圧力雰囲気中に２〜４秒間前記基板を晒すようにすることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
少なくとも２種類のプロセスガスを、先行する残留プロセスガスの排出工程を挟んで、処理室内に収容された基板に交互に晒して、前記基板上に所望の膜を生成する半導体製造装置であって、
前記反応室を排気する排気配管と、
前記排気配管を介して前記反応室を排気する真空排気装置と、
前記排気配管を開閉する排気バルブと、
前記プロセスガスの内の第１のプロセスガスを前記反応室に供給する第１の供給配管と、
前記プロセスガスの内の第２のプロセスガスを前記反応室に供給する第２の供給配管と、
前記第１の供給配管を開閉する第１の供給バルブと、
前記第２の供給配管を開閉する第２の供給バルブと、
前記第１のプロセスガスをプラズマ励起するプラズマ励起手段と、
少なくとも前記排気バルブ、前記第１と第２の供給バルブおよび前記プラズマ励起手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、少なくとも前記排気バルブ、前記第１と第２の供給バルブおよび前記プラズマ励起手段を制御して、
前記プラズマ励起手段により活性化される前記第１のプロセスガスを前記基板に晒す際には、前記反応室の圧力を減圧状態とし、
前記第１のプロセスガスの残留分を前記反応室から排出する際には、前記反応室内の圧力を２０Ｐａ以下に排出し、
前記プラズマ励起手段により活性化されない前記第２のプロセスガスを前記基板に晒す際には、前記処理室内の圧力を、前記残留分ガスの排出時の圧力よりも２４６Ｐａ以上昇圧させるようにすることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記第１のプロセスガスを前記基板に晒す際には、前記反応室が前記真空排気装置により排気された状態で、前記第１のプロセスガスを前記第１の供給配管を介して前記反応室に供給され、
前記第２のプロセスガスを前記基板に晒す際には、前記反応室からの排気が止められた状態で、前記第２のプロセスガスを前記第２の供給配管を介して前記反応室に供給されるように更に制御することを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、信号線、走査線が格子状に配設され、単位格子毎にスイッチング素子と画素電極とが形成されたアクティブマトリクス基板において、
上記画素電極は、上記信号線及び走査線と平面的に重畳しておらず、かつ、上記画素電極と上記信号線との隙間をＸ１、上記画素電極と上記走査線との隙間をＹ１としたとき、Ｘ１＞Ｙ１の関係を満たすことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
上記単位格子毎に、金属膜からなる蓄積容量電極を備えた蓄積容量が備えられており、上記蓄積容量電極は、上記信号線及び走査線と平面的に重畳しておらず、かつ、上記蓄積容量電極と上記信号線との隙間をＸ２、上記蓄積容量電極と上記走査線との隙間をＹ２としたとき、Ｘ２＞Ｙ２の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
アクティブマトリクス基板上に、検出対象の電磁波に感応して電荷を生成する半導体膜が形成されており、上記アクティブマトリクス基板における画素電極が、上記半導体膜で生成された電荷に対する電荷収集電極として作用する電磁波検出器において、
上記アクティブマトリクス基板は、基板上に、信号線、走査線が格子状に配設され、単位格子毎にスイッチング素子と画素電極とが形成されてなる構成であり、
上記画素電極は、上記信号線及び走査線と平面的に重畳しておらず、かつ、上記画素電極と上記信号線との隙間をＸ１、上記画素電極と上記走査線との隙間をＹ１としたとき、Ｘ１＞Ｙ１の関係を満たすことを特徴とする電磁波検出器。
【請求項４】
上記アクティブマトリクス基板に対し、上記画素電極の形成側と反対側に、光源を備えていることを特徴とする請求項３に記載の電磁波検出器。
【請求項５】
上記アクティブマトリクス基板は、上記単位格子毎に、金属膜からなる蓄積容量電極を備えた画素容量が備えられており、上記蓄積容量電極は、上記信号線及び走査線と平面的に重畳しておらず、かつ、上記蓄積容量電極と上記信号線との隙間をＸ２、上記蓄積容量電極と上記走査線との隙間をＹ２としたとき、Ｘ２＞Ｙ２の関係を満たすことを特徴とする請求項４に記載の電磁波検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換素子および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に設けられた面電極と、
該面電極と対向して設けられた対向電極と、
前記面電極と前記対向電極との間に位置し、少なくとも一部が多孔質な電子輸送層と、
該電子輸送層と接触する色素層と、
前記電子輸送層と前記対向電極との間に位置し、前記色素層と接触する正孔輸送層とを有し、
前記面電極の構成材料より電気抵抗の小さい材料で構成された集電体を、前記面電極に接触するよう設け、前記面電極全体の導電性を向上するよう構成した光電変換素子であって、
前記集電体は、第１の線状体と、該第１の線状体から分枝または交叉するよう前記第１の線状体に接続され、前記第１の線状体より幅の狭い第２の線状体とを備えることを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】  前記第２の線状体は、異なる前記第１の線状体同士を接続する請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】  前記第１の線状体の幅（平均）をＡ［ｍｍ］とし、前記第２の線状体の幅（平均）をＢ［ｍｍ］としたとき、Ａ／Ｂが１〜１００である請求項１または２に記載の光電変換素子。
【請求項４】  前記集電体は、前記第２の線状体から分枝または交叉するよう前記第２の線状体に接続され、前記第２の線状体より幅の狭い第３の線状体を備える請求項１ないし３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項５】  前記第３の線状体は、前記第１の線状体と前記第２の線状体とを、または、異なる前記第２の線状体同士を接続する請求項４に記載の光電変換素子。
【請求項６】  前記第２の線状体の幅（平均）をＢ［ｍｍ］とし、前記第３の線状体の幅（平均）をＣ［ｍｍ］としたとき、Ｂ／Ｃが１〜１００である請求項４または５に記載の光電変換素子。
【請求項７】  少なくとも前記第１の線状体は、格子状に配設されている請求項１ないし６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項８】  少なくとも前記第１の線状体は、ハニカム状に配設されている請求項１ないし６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項９】  前記集電体は、その少なくとも一部が前記面電極に埋入するよう設けられている請求項１ないし８のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１０】  前記集電体は、その少なくとも一部が前記基板に埋入するよう設けられている請求項１ないし９のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１１】  前記基板は、主として樹脂材料で構成され、
前記集電体は、該集電体が形成された前記基板に対して熱プレス処理を施すことにより、その少なくとも一部を前記基板に埋入するよう設けられたものである請求項１０に記載の光電変換素子。
【請求項１２】  前記集電体の少なくとも一部が埋入するよう設けられた前記基板は、主として熱硬化性樹脂の前駆体で構成されたシート材上に、前記集電体を形成した後、該集電体が形成された前記シート材に対して熱プレス処理を施すことにより得られたものである請求項１０に記載の光電変換素子。
【請求項１３】  前記集電体は、その平均高さが０．２ｍｍ以下である請求項１ないし１２のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１４】  前記面電極に垂直な方向から見たとき、前記面電極全体の面積に対する前記集電体が占める面積の比率は、０．０１〜３０％である請求項１ないし１３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１５】  前記集電体で囲まれる領域の最小単位は、それぞれ、ほぼ同一の面積である請求項１ないし１４のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１６】  前記集電体で囲まれる領域の最小単位は、それぞれ、ほぼ同一の形状である請求項１ないし１５のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１７】  前記集電体は、インクジェット法を用いて形成されたものである請求項１ないし１６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１８】  前記基板は、主として樹脂材料で構成された可撓性基板である請求項１ないし１７のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１９】  請求項１ないし１８のいずれかに記載の光電変換素子を用いることを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換素子および電子機器に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、大型化した場合においても、十分な光電変換効率を得ることができる光電変換素子、およびかかる光電変換素子を用いる電子機器を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の光電変換素子では、前記基板は、主として樹脂材料で構成された可撓性基板であることが好ましい。
本発明の電子機器は、本発明の光電変換素子を用いることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反射型のレチクルを搭載するレチクルステージを有する移動ステージ装置において、
空間をレチクルの反射面を含む平面で分割した際に、前記レチクルで反射させる露光光の光束が通過する空間とは反対側の空間に前記レチクルステージを移動させるためのガイド面を配置したことを特徴とする移動ステージ装置。
【請求項２】  前記レチクルステージは、前記移動ステージ装置のベースに対して非接触で移動可能に支持されていることを特徴とする請求項１に記載の移動ステージ装置。
【請求項３】  前記レチクルステージは、前記移動ステージ装置のベースに設けられた前記ガイド面上を該ガイド面に沿って走査方向に非接触で往復移動する粗動ステージと、該粗動ステージ上に配置され６軸位置決め機構を備えた微動ステージとを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の移動ステージ装置。
【請求項４】  前記レチクルの反射面とガイド面との間に、前記粗動ステージの駆動点を配置したことを特徴とする請求項３に記載の移動ステージ装置。
【請求項５】  前記粗動ステージの推力発生機構は、走査方向に平行に複数配置されたリニアモータであり、該リニアモータをそれぞれ独立に制御することにより、前記粗動ステージの回転姿勢の制御を行なうことを特徴とする請求項３に記載の移動ステージ装置。
【請求項６】  前記リニアモータの固定子は、前記ベースに対して非接触で移動可能に支持されており、前記粗動ステージの移動反力により前記粗動ステージの駆動方向と反対方向に移動するカウンターマスを備えることを特徴とする請求項５に記載の移動ステージ装置。
【請求項７】  前記リニアモータの駆動点と前記固定子の重心位置が、少なくとも前記走査方向において略一致していることを特徴とする請求項５または６に記載の移動ステージ装置。
【請求項８】  前記粗動ステージの加速または減速に伴う発生力を前記微動ステージに非接触で伝達する電磁石をさらに備えることを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載の移動ステージ装置。
【請求項９】  前記レチクルの反射面は鉛直下向きに配置され、前記微動ステージは、前記粗動ステージに対して６軸方向に位置制御可能である６軸位置決め機構と、前記微動ステージの自重を支持する自重支持機構により、前記粗動ステージに対して非接触で支持されるとともに６軸方向に位置決めされることを特徴とする請求項３乃至８のいずれかに記載の移動ステージ装置。
【請求項１０】  前記自重支持機構は、磁力により前記微動ステージを前記粗動ステージ側に押し上げるように自重を支持することを特徴とする請求項９に記載の移動ステージ装置。
【請求項１１】  前記６軸位置決め機構による前記微動ステージの位置制御が行なわれていない場合、前記微動ステージは前記磁力により粗動ステージ側に押し付けられ、前記粗動ステージに設けられた位置決め部に突き当たることにより位置及び姿勢が規制されることを特徴とする請求項９または１０に記載の移動ステージ装置。
【請求項１２】  前記位置決め部は、３個の球状体を円錐溝とＶ溝と平面にそれぞれ係合させることにより位置決めを行なうことを特徴とする請求項１１に記載の移動ステージ装置。
【請求項１３】  前記微動ステージの天板上に、前記微動ステージの鉛直方向であるＺ軸方向位置とローリングとピッチングを計測するための干渉計と、鉛直方向と垂直なＹ軸方向位置およびヨーイングを計測するための干渉計と、Ｙ軸及びＺ軸に直交するＸ軸方向位置を計測するための干渉計が搭載され、前記レチクルステージを支持しているベースと振動絶縁された投影光学系を支持しているベース上に、前記Ｚ軸方向位置とローリングとピッチングを計測するための長尺ミラーと、前記Ｙ軸方向位置およびヨーイングを計測するための短尺ミラーと、前記Ｘ軸方向位置を計測するための長尺ミラーとが搭載されていることを特徴とする請求項３乃至１２のいずれかに記載の移動ステージ装置。
【請求項１４】  露光装置であって、請求項１乃至１３のいずれかに記載の移動ステージ装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１５】  デバイスの製造方法であって、基板に感光材を塗布する工程と、感光材が塗布された基板の該感光材に請求項１４に記載の露光装置によりパターンを転写する工程と、パターンが転写された基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原版ステージと、前記原版ステージに渡たすべき原版をプリアライメントするプリアライメント装置と、前記原版ステージと前記プリアライメント装置との間で原版を搬送し又は２枚の原版を交換する操作機構とを有し原版のパターンで基板を露光する露光装置に対して、原版を搬送する原版搬送装置であって、
少なくとも２枚の原版を保持可能な保持部で原版を保持して搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と、
を備え、前記制御部は、露光に使用すべき順番が１番目の原版が前記原版ステージに搭載される場合において、順番が２番目の原版が前記プリアライメント装置に提供され、順番が３番目の原版が前記保持部に保持されるように、前記搬送機構を制御することを特徴とする原版搬送装置。
【請求項２】  前記制御部は、前記露光装置において露光に使用された原版を次の露光に使用すべき順番が予め設定された順番内である場合には、該順番が２番目であれば該原版が前記プリアライメント装置に保持され、該順番が３番目であれば該原版が前記保持部に保持されるように前記搬送機構を制御し、該順番が前記予め設定された順番外である場合には、該原版を原版供給部に返すように前記搬送機構を制御することを特徴とする請求項１に記載の原版搬送装置。
【請求項３】  前記制御部は、最初に露光に使用すべき原版が前記原版ステージに搭載される場合において、前記順番が４番目の原版が、原版を検査、操作又は処理する付加装置に提供されるように、前記搬送機構を制御することを特徴とする請求項２に記載の原版搬送装置。
【請求項４】  前記付加装置は、原版に付着した異物を検査する装置を含むことを特徴とする請求項３に記載の原版搬送装置。
【請求項５】  前記制御部は、前記露光装置において露光に使用された原版を次の露光に使用すべき順番が予め定められた順番内である場合には、該順番が２番目であれば該原版が前記プリアライメント装置に保持され、該順番が３番目であれば該原版が前記保持部に保持され、該順番が４番目であれば該原版が前記付加装置に提供されるように前記搬送機構を制御し、該順番が前記予め定められた順番外である場合には、該原版を原版供給部に返すように前記搬送機構を制御することを特徴とする請求項３に記載の原版搬送装置。
【請求項６】  前記原版供給部は、原版が収容されたカセットを保持し該カセットを開閉する機構を有し、前記搬送機構は、該カセット内の原版を受け取ったり、原版を該カセットに渡したりするように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の原版搬送装置。
【請求項７】  原版のパターンで基板を露光する露光装置であって、
原版ステージと、
前記原版ステージに渡たすべき原版をプリアライメントするプリアライメント装置と、
前記原版ステージと前記プリアライメント装置との間で原版を搬送し又は２枚の原版を交換する操作機構と、
少なくとも２枚の原版を保持可能な保持部で原版を保持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、露光に使用すべき順番が１番目の原版が前記原版ステージに搭載される場合において、順番が２番目の原版が前記プリアライメント装置に提供され、順番が３番目の原版が前記保持部に保持されるように、前記搬送機構を制御することを特徴とする露光装置。
【請求項８】  前記制御部は、最初に露光に使用すべき原版が前記原版ステージに搭載される場合において、前記順番が４番目の原版が原版を検査、操作又は処理する付加装置に提供されるように、前記搬送機構を制御することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】  前記付加装置は、原版に付着した異物を検査する装置を含むことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】  原版ステージと、前記原版ステージに渡たすべき原版をプリアライメントするプリアライメント装置と、前記原版ステージと前記プリアライメント装置との間で原版を搬送し又は２枚の原版を交換する操作機構とを有し原版のパターンで基板を露光する露光装置に対して、原版を搬送する原版搬送方法であって、
少なくとも２枚の原版を保持可能な保持部で原版を保持して搬送する搬送機構を制御する制御工程を含み、前記制御工程では、露光に使用すべき順番が１番目の原版が前記原版ステージに搭載される場合において、順番が２番目の原版が前記プリアライメント装置に提供され、順番が３番目の原版が前記保持部に保持されるように、前記搬送機構を制御することを特徴とする原版搬送方法。
【請求項１１】  前記制御工程では、最初に露光に使用すべき原版が前記原版ステージに搭載される場合において、前記順番が４番目の原版が原版を検査、操作又は処理する付加装置に提供されるように、前記搬送機構を制御することを特徴とする請求項１０に記載の原版搬送方法。
【請求項１２】  デバイス製造方法であって、
請求項１０に記載の原版搬送方法に従って順番が１番目の第１原版を前記原版ステージに配置する工程と、
前記第１原版に代えて順番が２番目の第２原版を前記原版ステージに配置する工程と、
前記第２原版に代えて順番が３番目の第３原版を前記原版ステージに配置する工程とを含み、
前記第１乃至第３原版が前記原版ステージに配置される都度、配置された原版のパターンが基板に転写されることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】  前記第３原版に代えて順番が４番目の第４原版を前記原版ステージに配置する工程を更に含み、
前記第１乃至第４原版が前記原版ステージに配置される都度、配置された原版のパターンが基板に転写されることを特徴とする請求項１２に記載のデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体層内に形成され、第１導電型半導体のソースと、第１導電型半導体のドレインと、前記ソースとドレインとの間に介在する第２導電型半導体のボディ領域とを有する半導体素子を、複数、搭載した集積半導体装置であって、
一の半導体素子におけるドレインの少なくとも所定部分における不純物濃度が、他の半導体素子におけるドレインの所定部分の不純物濃度と異なる、集積半導体装置。
【請求項２】  前記一の半導体素子と他の半導体素子との耐圧が相違する、請求項１に記載の集積半導体装置。
【請求項３】  前記一の半導体素子が高い耐圧性能を有し、前記他の半導体素子が一の半導体素子よりも低い耐圧性能を有し、前記一の半導体素子の前記ドレインの少なくとも所定部分における不純物濃度が、前記他の半導体素子のドレインの所定部分における不純物濃度よりも低い、請求項１または２に記載の集積半導体装置。
【請求項４】  前記他の半導体素子の耐圧が１００Ｖ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項５】  前記ソースは前記半導体層の表層側に位置し、前記ボディ領域はそのソースを前記半導体層の内側から包囲するように配置されている、請求項１〜４のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項６】  前記一のドレインおよび他のドレインは、ともに、前記半導体層の表層側に位置して配線が接続されるコンタクト部を含むドレイン収束領域と、前記ドレイン収束領域の第１導電型不純物の濃度より低い濃度の第１導電型半導体であって、前記ソース、ボディ領域およびドレイン収束領域以外の部分の前記半導体層からなるドレインドリフト領域とから構成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項７】  前記一のドレインのドレインドリフト領域および他のドレインのドレインドリフト領域の少なくとも一方において、前記ソースと前記ドレイン収束領域とを結ぶ部分に、それぞれのドレインドリフト領域より高濃度の第１導電型不純物を含むドレインドリフト層を備える、請求項６に記載の集積半導体装置。
【請求項８】  前記複数の半導体素子は、素子耐圧１００Ｖ以上の半導体素子と、素子耐圧１００Ｖ未満の半導体素子に分類され、前記素子耐圧１００Ｖ以上の半導体素子は、その半導体素子のドレインドリフト領域の底部から表面までの厚みｄと、その第１導電型不純物濃度Ｎとの積Ｎ・ｄが０．８〜１．２Ｅ１２（ｃｍ−２）の範囲にあり、前記素子耐圧１００Ｖ未満の半導体素子は、そのドレインドリフト領域の底部から表面までの厚みｄと、その第１導電型不純物濃度Ｎとの積Ｎ・ｄが０．８Ｅ１２（ｃｍ−２）より大きい、請求項１〜７のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項９】  前記素子耐圧１００Ｖ未満の半導体素子のドレインドリフト領域の前記積Ｎ・ｄが１．２Ｅ１２（ｃｍ−２）より大きい、請求項８に記載の集積半導体装置。
【請求項１０】  耐圧によらず前記複数のすべての半導体素子のドレインドリフト領域の底部から表面までの厚みｄと、その第１導電型不純物濃度Ｎとの積Ｎ・ｄが０．８Ｅ１２（ｃｍ−２）以上の範囲にある、請求項１〜７のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項１１】  一の半導体素子におけるドレインの少なくとも所定部分における不純物、および他の半導体素子におけるドレインの所定部分の不純物は、ともに、前記半導体層の表層側で濃度が高く、内側に向って濃度が低くなる、請求項１〜１０のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項１２】  前記半導体素子が、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタおよびダイオードのうちのいずれかである、請求項１〜１１のいずれかに記載の集積半導体装置。
【請求項１３】  半導体層内に形成された、第１導電型半導体のソースと、第１導電型半導体のドレインと、前記ソースとドレインとの間に介在する第２導電型半導体のボディ領域とを有する半導体素子を、複数、搭載した集積半導体装置の製造方法であって、
一の半導体素子におけるドレインの少なくとも所定部分と、他の半導体素子におけるドレインの所定部分とに、同じ機会に不純物を注入する工程において、一の半導体素子のドレインに対応する部分では第１の開口率を有し、また他の半導体素子のドレインに対応する部分では第１の開口率と異なる第２の開口率を有する、注入マスクを用い、
前記不純物注入工程の後に、前記集積半導体装置に熱処理を施し前記不純物を拡散させる工程とを備える、集積半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  前記一の半導体素子の耐圧は前記他の半導体素子の耐圧より高く、前記第１の開口率が前記第２の開口率より小さい注入マスクを用いる、請求項１３に記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  前記一の半導体素子と他の半導体素子とは隣接して位置するものであり、前記不純物注入工程より前に、前記一の半導体素子と他の半導体素子とを隔てる壁状の素子分離絶縁膜を、前記半導体層に設ける工程を備える、請求項１３または１４に記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  前記注入マスクとして、マスク部および開口部がストライプ状のマスクを用い、前記半導体素子のソースからドレインへのキャリア流路の方向に沿わせて、前記ストライプの延びる方向を配置して、前記注入マスクを用いる、請求項１３〜１５のいずれかに記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  前記注入マスクとして、マスク部のなかに開口部がドット状に散在するメッシュ状マスクを用いる、請求項１３〜１５のいずれかに記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１８】  前記注入マスクとして、マスク部が開口部内にドット状に散在するように配置された、ドット状マスクを用いる、請求項１３〜１５のいずれかに記載の集積半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）では、異なるしきい値電圧を有するＭＯＳＦＥＴを搭載したＩＣ（Integrated Circuit）を製造するために、ウェル領域の不純物濃度を複数種類とする構成が用いられてきた。すなわち、高いしきい値電圧を有するＭＯＳＦＥＴのウェル領域は不純物濃度を低くし、それより低いしきい値電圧を有するＭＯＳＦＥＴのウェル領域の不純物濃度は高くする（特許文献１）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＥＵＶ光を用いてレチクルに形成されたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介してウェハチャックに吸着された被処理体に露光する露光装置であって、
前記被処理体の露光時以外も前記ＥＵＶ光を射出する光源部と、
前記被処理体の露光時は前記ＥＵＶ光を前記被処理体まで入射させ、前記被処理体の露光時以外は前記ＥＵＶ光が前記ウェハチャックに入射することを防止する入射制御機構とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記入射制御機構は、
前記ＥＵＶ光を吸収する吸収部材と、
前記投影光学系と前記被処理体との間であって前記ＥＵＶ光の光路上の位置と、前記ＥＵＶ光の光路から外れた位置とに前記吸収部材を駆動可能な駆動手段と、
前記被処理体の露光時以外に前記吸収部材が前記ＥＵＶ光を吸収するように、前記駆動手段の駆動を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】  前記入射制御機構は、
前記投影光学系から導かれる前記ＥＵＶ光の光路から外れた位置に前記ウェハチャックを移動可能なステージと、
前記被処理体の露光時以外に前記ＥＵＶ光が前記ウェハチャックに入射することを防止するように、前記ステージを制御する制御部とを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】  前記入射制御機構は、
前記ＥＵＶ光を吸収する吸収部材と、
前記制御部に制御され、前記被処理体の露光時以外に前記吸収部材が前記ＥＵＶ光を吸収するように、前記投影光学系と前記被処理体との間であって前記ＥＵＶ光の光路上の位置に前記吸収部材を駆動する駆動手段とを更に有することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】  レチクルに形成されたパターンが露光される被処理体の固定に使用されるウェハチャックであって、
前記被処理体と接触すると共に、当該被処理体を吸着する突起部と
前記被処理体と非接触な凹部とを有することを特徴とするウェハチャック。
【請求項６】  前記突起部と前記被処理体との接触率は、２０％以下であることを特徴とする請求項５記載のウェハチャック。
【請求項７】  ＥＵＶ光を露光光として利用し、当該露光光を投影光学系を介して請求項５又は６記載のウェハチャックに固定された被処理体に照射して当該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項８】  光を用いてレチクルに形成されたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介してウェハチャックに吸着された被処理体を露光する前の待機方法であって、
前記レチクル、前記投影光学系を構成する光学部材の少なくとも一部に前記光を入射するステップと、
前記ウェハチャックに前記光が入射することを遮断するステップとを有することを特徴とする待機方法。
【請求項９】  前記光の経路の雰囲気は、真空下又は減圧下であることを特徴とする請求項８記載の待機方法。
【請求項１０】  ＥＵＶ光を用いてレチクルに形成されたパターンを照明し、当該パターンを光学部材で含む光学系を介してウェハチャックに吸着された被処理体を露光する露光方法であって、
前記レチクル及び前記光学系が含む前記光学部材の温度分布が定常状態であるかどうか判断するステップと、
前記判断ステップで前記レチクル及び前記光学部材の温度分布が定常状態でないと判断した場合に、前記ＥＵＶ光によって前記被処理体を介して前記ウェハチャックの温度が上昇することを防止するステップと、
前記レチクル及び前記光学系が含む前記光学部材の温度分布が定常状態となった時点で前記ＥＵＶ光を前記被処理体に入射させるステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１１】  請求項１乃至４、７のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
管路を流れる被測定流体と交差した磁束を生成する複数の磁極コアと、前記夫々の磁極コアに外部磁界を印加する励磁コイルとを備えた残留磁場方式の電磁流量計において、
前記管路と接する一対のプレートコアを備えた
ことを特徴とする、電磁流量計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このような目的を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、管路を流れる被測定流体と交差した磁束を生成する複数の磁極コアと、前記夫々の磁極コアに外部磁界を印加する励磁コイルとを備えた残留磁場方式の電磁流量計において、前記管路と接する一対のプレートコアを備えたことを特徴とする、電磁流量計である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱庫内に収容された収容物を熱風で加熱する加熱調理器であって、前記加熱庫は、隔壁によって収容物を収容する収容領域と熱風を前記収容領域に案内する熱風案内領域とに区分けされ、前記案内領域における熱風の流れ方向を変えて吹き出す風向可変手段が前記隔壁の一部を利用して形成されたことを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
風向可変手段は、熱風案内領域側に設けられ、前記熱風案内領域から収容領域に熱風を吹き出す吹出口と、該吹出口から吹き出された熱風の向きを変える風向可変部とを備えたことを特徴とする請求項１記載の加熱調理器。
【請求項３】
熱風を吹き出すための遠心ファンが熱風案内領域内に設けられ、前記遠心ファンと対向する隔壁に、複数の風向可変手段が前記遠心ファンの回転方向に沿って設けられたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特許文献１では、表示器を見やすい位置にするために、表示器が一体とされたカバーのケースに対する取付位置を変更するために専用工具等が必要である。取付位置を変更するには、一旦、ビス止めされたビスを専用工具を使用して取り外し、表示器の姿勢を変更して再度ビス止めしなければならない。特に、カバーとケースとは装置内への水の浸入を考慮すると、十分にビス止めしなければならない。このようなビスの取り外し、取り付け作業は時間がかかって面倒である。
特許文献２では、表示部本体に設けられたＶ溝と、板ばねに形成された舌片とを備えて節度機構が構成されているため、節度機構を構成するＶ溝や舌片の構造が複雑であり、これらの加工に手間がかかる。しかも、板ばねを中間継手の立ち上がり部に固定する構造であるため、中間継手が複雑な構造となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
プリント基板５は、差圧エレメント４で検出された圧力値を演算する回路が略円板状の板部５Ａに設けられたもので、その演算結果は表示部６に表示される。
板部５Ａには表示部６を操作するためのスイッチ５Ｂが複数設けられている。板部５Ａの周縁部はケース２の開口端縁部と当接可能とされる（図８参照）。
表示部６はプリント基板５と電気的に接続されており、プリント基板５で演算された圧力値を液晶表示するものである。
表示部６は平面矩形の薄板状に形成されており、プリント基板５の平面と平行に板部５Ａの上面に取り付けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（７）ホルダ７の表面には物理量の単位が表示されているから、表示部６と近接した位置に単位が表示されることになり、検出値の読み取りを容易に行うことができる。
（８）本実施形態では、係合部の爪部と溝部をそれぞれ等間隔に配置した４本としたから、表示部６の姿勢を９０度毎に変更することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査対象物を載置して少なくとも一軸方向に移動可能なステージ手段と、
レーザ光源から出射されたレーザビームを長手方向にはほぼ平行光であるスリット状ビームにして前記ステージ手段に載置された被検査対象物の表面の法線方向に対して所定の傾きを有し、前記スリット状ビームの長手方向に沿った照明方向から前記被検査対象物の表面に照明する照明光学系と、
前記被検査対象物上に存在する回路パターンの少なくとも繰り返しパターンからの回折光パターンを遮光する空間フィルタを有し、前記照明光学系によって照明されたスリット状ビームによって前記被検査対象物上に存在する異物等の欠陥から得られる反射散乱光による像を結像する結像光学系と、
該結像光学系で結像された像を受光して前記ステージの移動と同期して光電変換信号を出力するイメージセンサと、
該イメージセンサから出力された信号に基づいて異物等の欠陥を示す信号を抽出処理する画像処理部とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
前記イメージセンサをＴＤＩセンサで構成したことを特徴とする請求項１記載の欠陥検査装置。
【請求項３】
前記照明光学系において、前記スリット状ビームを、シリンドリカルレンズを用いて形成することを特徴とする請求項１又は２記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
前記照明光学系において、前記スリット状ビームの前記長手方向に沿った照明方向を平面上回路パターンの主要な直線群に対して傾けることを特徴とする請求項１又は２記載の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記照明光学系において、前記スリット状ビームが前記照明の入射面に平行な形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに一つに記載の欠陥検査装置。
【請求項６】
前記検出光学系において、光軸を被検査対象基板の法線に対して傾けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の欠陥検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  像担持体上にトナー画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段が形成したトナー画像を転写位置にて転写材に転写する転写手段と、
前記転写手段により転写されたトナー画像を転写材上に定着させる定着手段と、
前記定着手段によりトナー画像が定着された転写材を反転させる反転手段と、
前記反転手段により反転された前記転写材を前記転写位置へ搬送させる両面搬送手段と、
前記定着手段により転写材上に定着されたトナー画像の濃度又は色度を所定の検知位置にて検知する検知手段であって、前記所定の検知位置は、前記転写材が前記両面搬送手段を通過してから前記転写位置に至るまでの搬送路上の所定位置である検知手段と、
前記検知手段の検知結果に基づいて前記画像形成手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  像担持体上にトナー画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段が形成したトナー画像を転写位置にて転写材に転写する転写手段と、
前記転写手段により転写されたトナー画像を転写材上に定着させる定着手段と、
前記定着手段によりトナー画像が定着された転写材を反転させる反転機構部を有する反転手段と、
前記定着手段により転写材上に定着されたトナー画像の濃度又は色度を所定の検知位置にて検知する検知手段であって、前記所定の検知位置は、前記反転機構部内の所定位置である検知手段と、
前記検知手段の検知結果に基づいて前記画像形成手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】  更に、転写材を前記画像形成装置から排出する排出手段を有し、前記排出手段は、第１面にトナー画像が形成された転写材が前記検知手段で検知された後に、前記転写材を前記画像形成装置から排出することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】  前記排出手段は、前記転写材の前記第１面が前記検知手段で検知された後であって、更に第２面にトナー画像が形成された前記転写材の前記第２面が前記検知手段で検知された後に、前記転写材を前記画像形成装置から排出することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】  前記画像形成手段は、転写材の前記第１面及び前記第２面に各々階調の異なる複数の基準トナー画像を形成し、前記制御手段は、前記検知手段が検知する前記複数の基準トナー画像の検知結果に基づいて前記画像形成手段を制御することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】  前記画像形成手段は、像担持体上にトナー画像を形成するための画像形成部と、画像形成すべき画像信号を所定の補正係数を用いた演算により補正し、前記画像形成部へ送信する画像処理部とを有し、前記制御手段は、前記検知手段の検知結果に基づいて前記画像処理部における前記補正演算に係る係数を調整することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】  前記像担持体は中間転写体であり、前記画像形成手段は、感光体と、前記感光体上の静電潜像を現像剤で現像する現像手段からなる複数の画像形成部を有し、複数色のトナー画像を前記中間転写体上に順次重ね合わせることでカラートナー画像を形成し得ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】  前記像担持体は感光体であり、前記画像形成手段は、前記感光体上の静電潜像を現像剤で現像する現像手段を有する複数の画像形成部を有し、前記転写手段は、前記画像形成部が前記感光体上に現像したトナー画像を順次転写材に転写することで転写材上にカラートナー画像を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項９】  記録媒体に複数色からなる画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により画像が形成された記録媒体を反転させるべく、記録媒体の搬送方向を第１の方向から前記第１の方向と異なる第２の方向へ切り替える搬送方向切り替え手段と、
前記画像形成手段により記録媒体上に形成された画像の色度を所定の検知位置にて検知する検知手段であって、前記所定の検知位置は、前記搬送方向切り替え手段により前記記録媒体の搬送方向が前記第２の搬送方向に切り替えられた後に前記記録媒体が搬送される搬送路上であって、前記画像形成手段に至るまでの所定位置である検知手段と、
前記検知手段が検知した前記複数色からなる画像の色度に基づいて、前記複数色の各色の濃度を調整すべく前記画像形成手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】  記録媒体を前記画像形成装置から排出する排出手段を有し、前記排出手段は、第１面に画像が形成された記録媒体が前記検知手段で検知された後に、前記記録媒体を前記画像形成装置から排出することを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】  前記排出手段は、前記記録媒体の前記第１面が前記検知手段で検知された後であって、更に第２面に画像が形成された前記記録媒体の前記第２面が前記検知手段で検知された後に、前記転写材を前記画像形成装置から排出することを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】  前記画像形成手段は、記録媒体の前記第１面及び前記第２面に各々階調の異なる複数の基準画像を形成し、前記制御手段は、前記検知手段が検知する前記複数の基準画像の検知結果に基づいて前記画像形成手段を制御することを特徴とする請求項１１に記載の画像形成装置。
【請求項１３】  前記画像形成手段は、記録媒体に画像を形成するための画像形成部と、画像形成すべき画像信号を所定の補正係数を用いた演算により補正し、前記画像形成部へ送信する画像処理部とを有し、前記制御手段は、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記複数色の各色の濃度を調整すべく前記画像処理部における前記補正演算に係る係数を調整することを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像スリーブにトナー供給源を封止する方法であって、
トナー粒子に静電荷を与えて帯電したトナー粒子を作り出すステップと、
前記現像スリーブのそれぞれの端部の上に、引力を有する誘引電荷を誘導するステップであって、前記静電荷および前記誘引電荷によって、前記トナー粒子が前記現像スリーブの前記端部に引き寄せられ前記帯電したトナー粒子の障壁を生じさせ、前記帯電したトナー粒子の漏れを防止するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
トナー粒子に静電荷を与える前記ステップは、前記トナー供給源内で撹拌装置を回転させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記現像スリーブのそれぞれの端部の上に誘引電荷を誘導する前記ステップは、帯電シールを電源に取り付けるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記現像スリーブのそれぞれの端部の上に誘引電荷を誘導する前記ステップは、前記帯電したトナー粒子を前記帯電シールに引き寄せるように、前記トナー粒子に与えられた負電荷と前記帯電シール上の電荷とを調整するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記現像スリーブのそれぞれの端部の上に誘引電荷を誘導する前記ステップは、印刷可能媒体の任意の部分に印刷するように、前記トナー粒子に与える負電荷と前記帯電シール上の電荷との差を調整するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
トナー供給源と現像スリーブとの間の境界面を封鎖するシール装置であって、静電気的に帯電した帯電トナー粒子と、前記現像スリーブのそれぞれの端部の上の帯電シールとを備えることを特徴とするシール装置。
【請求項７】
前記帯電シールは、
絶縁体内に封入された内部導体と、
前記現像スリーブの外面に接触しているシール表面とから成ることを特徴とする請求項６に記載のシール装置。
【請求項８】
前記帯電シールは、前記帯電トナー粒子の漏れを防止する前記帯電トナー粒子から形成される障壁をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のシール装置。
【請求項９】
前記現像スリーブ内に配置された磁性を有する中心部をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のシール装置。
【請求項１０】
トナー供給容器と、
前記トナー供給容器内に保管されているトナーを撹拌して静電荷を与えるように作動するトナー撹拌器と、
有機感光ドラムと、
前記供給容器から前記トナーを移送して前記トナーを前記有機感光ドラムに与えるように作動する現像ローラと、
前記現像ローラの両端部に配置された端部シールであり、前記トナーを引き付けるように前記端部シール上の電荷を維持するために電圧源に接続された１対の端部シールと、
前記有機感光ドラムに対向するように配置され、前記有機感光ドラムから媒体上にトナー粒子を引き寄せるように構成された転写ローラと、
前記トナーを前記媒体上に定着させる定着アセンブリとを備えることを特徴とするトナーカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学システム（10）であって、
電子を生成するように動作する電子放出器（150）と、及び
前記電子放出器から電子を受け取るように構成され、電子を光に変換するように動作する電気／光変換器（160）とを含み、
前記光学システム（10）が、そこから変調光を放射するように光を変調するように動作する、光学システム（10）。
【請求項２】
前記電気／光変換器が、電子を光に変換するための少なくとも１つの燐光材料を含む、請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記電気／光変換器からの光を受光するように構成され、光を変調して変調光を生成するように動作する電気光学変調器（509）を更に含む、請求項１又は２に記載の光学システム。
【請求項４】
前記電気光学変調器と光学的に通信し、前記電気光学変調器から変調光を受光してその変調光を導くように動作する回折素子（820）を更に含む、請求項３に記載の光学システム。
【請求項５】
前記電気光学変調器が、電気光学素子（510）及び駆動回路（512）を含み、前記電気光学素子が薄膜電気光学素子である、請求項３又は４に記載の光学システム。
【請求項６】
前記電気／光変換器から光を受光し、少なくとも選択された周波数の光の伝播を許容するように構成された光フィルタ（824）を更に含む、請求項１〜５の何れかに記載の光学システム。
【請求項７】
第１の基板（502）及び第２の基板（504）を含む統合パッケージ（310）を更に含み、
前記電子放出器が前記第１の基板によって支持され、及び
前記電気／光変換器が、前記第２の基板によって支持される、請求項１〜６の何れかに記載の光学システム。
【請求項８】
変調光を生成するための方法であって、
電子ビームを生成し、
前記電子ビームを光に変換し、及び
前記光を変調することからなる、方法。
【請求項９】
統合パッケージ（310）を提供することを更に含み、
前記光を変調することが、変調光ビームを前記統合パッケージから放射するように光を変調することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記統合パッケージが電子放出器（150）を含み、
前記電子ビームを生成することが、前記電子放出器によって電子ビームを生成することを含む、請求項９に記載の方法。