Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
表１及び図１に示すように，Ｙは黄色，Ｍはマゼンタ，Ｃはシアンを具現するグループであり，色相ブロックの第１及び第２は各色相グループ（Ｙ，Ｍ，Ｃ）がプリンタヘッド１５０の第１の側端及び第２の側端に連結されることを意味する。さらに，Ｙ１は黄色を具現するために１つの電圧供給端子（Ｙ１−Ｐ）及び２つの接地端子（Ｙ１−Ｇ）からなり，Ｙ２，Ｍ１，Ｍ２，Ｃ１，及びＣ２の構成においてはＹ１と類似しているためその詳説は省略する。
上記のように、プリンタヘッドにヒータ選択信号を伝達するための配線構造を備えたＦＰＣの典型的な例が、特開平７−１７８９１０号公報や特表２００５−５０３９４９号公報に開示されている。
【特許文献１】特開平７−１７８９１０号公報
【特許文献２】特表２００５−５０３９４９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の酸化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記基板上に、前記半導体材料の酸化物からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の酸化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記基板上に、前記半導体材料の酸化物からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、薄膜トランジスタを形成し、
前記部品は、ターゲットシールド、防着板、バッキングプレート、整流板、基板ホルダー、ガス導入管又は前記チャンバーの内壁であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の窒化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記基板上に、前記半導体材料の窒化物からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の窒化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記基板上に、前記半導体材料の窒化物からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、薄膜トランジスタを形成し、
前記部品は、ターゲットシールド、防着板、バッキングプレート、整流板、基板ホルダー、ガス導入管又は前記チャンバーの内壁であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に絶縁膜を形成し、
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料であるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記絶縁膜上に、前記半導体材料からなる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に絶縁膜を形成し、
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料であるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記絶縁膜上に、前記半導体材料からなる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記部品は、ターゲットシールド、防着板、バッキングプレート、整流板、基板ホルダー、ガス導入管又は前記チャンバーの内壁であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の酸化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記薄膜トランジスタ上に、前記半導体材料の酸化物からなる絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の酸化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記薄膜トランジスタ上に、前記半導体材料の酸化物からなる絶縁膜を形成し、
前記部品は、ターゲットシールド、防着板、バッキングプレート、整流板、基板ホルダー、ガス導入管又は前記チャンバーの内壁であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の窒化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記薄膜トランジスタ上に、前記半導体材料の窒化物からなる絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
スパッタリング装置が含む部品の表面を、半導体材料の窒化物からなるターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆し、
前記スパッタリング装置のチャンバーの内部に基板を入れ、
前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記薄膜トランジスタ上に、前記半導体材料の窒化物からなる絶縁膜を形成し、
前記部品は、ターゲットシールド、防着板、バッキングプレート、整流板、基板ホルダー、ガス導入管又は前記チャンバーの内壁であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された発光素子を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体材料はシリコンであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体への有機ポリシリカキャップ層の堆積方法であって、ａ）誘電体の上にキャップ層組成物を配置する工程であって、前記キャップ層組成物が、１つまたはそれ以上のＢステージ有機ポリシリカ樹脂と１つまたはそれ以上のコーティングエンハンサーとを含む工程と、ｂ）前記Ｂステージ有機ポリシリカ樹脂を少なくとも一部硬化してキャップ層を形成する工程とを含み、前記コーティングエンハンサーが、ピンホールを含まないキャップ層を生じるのに十分な量で存在する方法。
【請求項２】
少なくとも１つのコーティングエンハンサーが、高沸騰溶媒、界面活性剤、除去可能なポリマー、およびこれらの混合物から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記除去可能なポリマーが、シリル含有モノマーとポリ（酸化アルキレン）モノマーとから選ばれる少なくとも１つのモノマーを、重合単位として含むポリマーポロゲン粒子である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記コーティングエンハンサーが、３重量％より多く２５重量％までの量で存在する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
さらに、有機ポリシリカ樹脂を完全に硬化する工程に先立って、または該工程の間に、キャップ層から１つまたはそれ以上のコーティングエンハンサーを除去する工程をさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ａ）誘電体を供給する工程、ｂ）誘電体上にキャップ層組成物を配置する工程であって、前記キャップ層組成物が、１つまたはそれ以上のＢステージ有機ポリシリカ樹脂と１つまたはそれ以上の除去可能なポロゲンとを含む工程、およびｂ）前記１つまたはそれ以上のＢステージ有機ポリシリカ樹脂を少なくとも一部硬化してキャップ層を形成する工程を含み、前記１つまたはそれ以上の除去可能なポロゲンは、ピンホールを含まないキャップ層を生じるのに十分な量で存在する、デバイスの製造方法。
【請求項７】
有機ポリシリカ誘電体の第一層と、前記第一層の上に配置された第二層とを含む構造物であって、前記第二層が１つまたはそれ以上のＢステージ有機ポリシリカ樹脂と１つまたはそれ以上の除去可能なポロゲンとを含む組成物であり、前記除去可能なポロゲンは、ピンホールを含まない第二層を生じるのに十分な量で存在する構造物。
【請求項８】
誘電体の層と、前記誘電体の上に配置された多孔質キャップ層とを含む構造物。
【請求項９】
前記誘電体が、多孔質有機ポリシリカ物質を含む、請求項８に記載の構造物。
【請求項１０】
前記誘電体が、第一エッチング選択性を有し、前記誘電体上に配置された多孔質キャップ層が第二エッチング選択性を有し、これらのエッチング選択性は１０％またはそれ以上の差を有する、請求項８に記載の構造物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）重合性の官能基を含むトリアジン又はイソシアヌレート化合物
（ii）シアネートエステル化合物、又は
（iii ）ブロックド  イソシアネート化合物、
の溶液が第1に堆積され、そして第2に接着剤と半導体ダイが堆積されている銅被覆リードフレームであって、そこでは該接着剤が該トリアジン、イソシアヌレート、シアネートエステル、又はブロックド  イソシアネート化合物の溶液と接しており、そして該接着剤が該トリアジン、イソシアヌレート、シアネートエステル、又はブロックド  イソシアネート化合物と反応性の重合性官能基を含有するものである、銅被覆リードフレーム。
【請求項２】
該溶液が0.05〜20%（w/w）という濃度範囲の水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項３】
該溶液が0.1〜10%（w/w）という濃度範囲の水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項４】
該溶液が0.1〜2%（w/w）という濃度範囲の有機溶液であることを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項５】
該トリアジンが構造
【化１】
2004165647.tif 000001
を有し、ここでR1、R2及びR3がエポキシ、アリル、アミン、ビニルエーテル、ヒドロキシル、アクリレート又はメタクリレート基を含有する有機部分を表すことを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項６】
該イソシアヌレートが構造
【化２】
2004165647.tif 000002
を有し、ここでR1、R2及びR3がエポキシ、アリル、アミン、ビニルエーテル、ヒドロキシル、アクリレート又はメタクリレート基を含有する有機部分を表すことを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項７】
該シアネートエステルが構造
【化３】
2004165647.tif 000003
を有し、ここでR4は
【化４】
2004165647.tif 000004
であり、
R5がH又はCH3であることを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項８】
該ブロックド  イソシアネート化合物がトリレン・ジイソシアネート、ヘキサンジイソシアネート三量体、ヘキサンジイソシアネート・ビュレット、イソホロンジイソシアネート及びイソホロンジイソシアネート三量体から成る群から選択されるイソシアネートと、3,5-ジメチルピラゾール、オキシム、メチルエチルケトキシム、ε−カプロラクタム及びジエチルメロネートから成る群から選択されるブロック基との付加物であることを特徴とする請求項１に記載の銅被覆リードフレーム。
【請求項９】
金属リードフレームと該金属リードフレームに接着剤で接着された半導体チップを含む半導体パッケージであって、該金属リードフレームが重合性の官能基を有するトリアジン又はイソシアヌレート化合物の溶液で被覆され、該接着剤が該トリアジン又はイソシアヌレート化合物の該重合性官能基と反応する官能基を含有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１０】
該トリアジンが構造
【化５】
2004165647.tif 000005
を有し、ここでR1、R2及びR3がエポキシ、アリル、アミン、ビニルエーテル、ヒドロキシル、アクリレート又はメタクリレート基を含有する有機部分を表すことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
該イソシアヌレートが構造
【化６】
2004165647.tif 000006
を有し、ここでR1、R2及びR3がエポキシ、アリル、アミン、ビニルエーテル、ヒドロキシル、アクリレート又はメタクリレート基を含有する有機部分を表すことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
該接着剤が、エポキシ、ビニルエーテル、ビニルシラン、チオール−エン、シンナミル及びスチレン系出発化合物から誘導される樹脂、フマレート、マレエート、アクリレート、メタクリレート及びマレイミドから成る群から選択されることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
金属リードフレームと該金属リードフレームに接着剤で接着された半導体チップを含む半導体パッケージであって、該金属リードフレームがシアネートエステル化合物又はブロックド  イソシアネート化合物の溶液で被覆され、該接着剤がシアネートエステル、イソシアネート、エポキシ及びカルボキシル、ヒドロキシル又はアミン官能基を含有する樹脂から成る群から選択されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１４】
該シアネートエステルが構造
【化７】
2004165647.tif 000007
を有し、ここでR4は
【化８】
2004165647.tif 000008
であり、
R5がH又はCH3であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
該ブロックド  イソシアネート化合物がトリレンジイソシアネート、ヘキサンジイソシアネート三量体、ヘキサンジイソシアネート・ビュレット、イソホロンジイソシアネート及びイソホロンジイソシアネート三量体から成る群から選択されるイソシアネートと3,5-ジメチルピラゾール、オキシム、メチルエチルケトキシム、ε−カプロラクタム、ノニルフェノール及びジエチルメロネートから成る群から選択されるブロック基との付加物であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像センサであって、
ａ）半導体基板と、
ｂ）光センサであって、
ｉ）前記基板を覆う透明材料からなる１層以上の層で構成された第１のスタックを含む第１感光領域であって、前記第１感光領域が、光の波長の関数としての最小値群と最大値群を有する分光応答性を持つ第１感光領域と、
ｉｉ）前記基板を覆う透明材料からなる１層以上の層で構成された第２のスタックを含む第２感光領域であって、前記第２感光領域が、最大値群と最小値群を有する分光応答性を持つ第２感光領域と、
ｉｉｉ）前記基板を覆う透明材料からなる１層以上の層で構成された第３のスタックを含む第３感光領域であって、前記第３感光領域が、最大値群と最小値群を有する分光応答性を持つ第３感光領域と、を含む光センサと、
を含み、
前記個別領域の分光応答性の少なくとも１個の最大値または最小値が、実質的に、最小値または最大値と一致することによって、前記光センサの平均分光応答性が有する光の波長の変動が、前記個別感光領域それぞれの個々の分光応答性が有するものより小さくなること、
を特徴とする撮像センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像センサであって、前記個別領域内の前記層の数および材料が同一で、１層以上の層において厚さが異なることを特徴とする撮像センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像センサであって、複数の前記個別スタック内の前記層の数と材料のいずれか一方または両方が異なることを特徴とする撮像センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体ウエハの反り防止方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウエハ搭載部に半導体ウエハを搭載し、前記ウエハ搭載部に予め設けられた溝及び排気口を介して当該半導体ウエハをエアー吸引することで、半導体ウエハの反りを防止することを特徴とする半導体ウエハの反り防止方法。
【請求項２】  前記溝が前記ウエハ搭載部の中心から複数の同心円状に形成され、内側の溝から順次エアー吸引することを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの反り防止方法。
【請求項３】  前記複数の同心円状の溝にそれぞれ接続されたエアー排出管にバルブを設け、前記各バルブを順次開放して内側の溝から順次エアー吸引することを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハの反り防止方法。
【請求項４】  前記ウエハ搭載部は、その中心から放射状に配置された直線状の溝を有し、前記同心円状の溝及び前記直線状の溝から前記半導体ウエハをエアー吸引することを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の半導体ウエハの反り防止方法。
【請求項５】 前記ウエハの表面にガラス基板が貼り合わされていることを特徴とする請求項１乃至請求項４記載の半導体ウエハの反り防止方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハの反り防止方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来より、ＣＳＰの一種として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体ウエハの反り防止方法は、ウエハ搭載部に半導体ウエハを搭載し、前記ウエハ搭載部に予め設けられた溝及び排気口を介して当該半導体ウエハをエアー吸引することで、半導体ウエハの反りを防止することを特徴とするものである。
また、前記溝が前記ウエハ搭載部の中心から複数の同心円状に形成され、内側の溝から順次エアー吸引することを特徴とする。
更に、前記複数の同心円状の溝にそれぞれ接続されたエアー排出管にバルブを設け、前記各バルブを順次開放して内側の溝から順次エアー吸引することを特徴とする。
また、前記ウエハ搭載部は、その中心から放射状に配置された直線状の溝を有し、前記同心円状の溝及び前記直線状の溝から前記半導体ウエハをエアー吸引することを特徴とする。
更に、前記ウエハの表面にガラス基板が貼り合わされていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置の製造工程における、半導体ウエハの反り防止方法について図面を参照しながら説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、少なくとも放射状の溝または同心円状の溝を形成したウエハ搭載部に
半導体ウエハを搭載し、外部のポンプにより当該溝のエアーを半導体ウエハの中心から順次排出することで、半導体ウエハ端部の反りを解消できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
上記発明を、例えばスクリーン印刷作業時等に用いることで、半導体ウエハの平坦性が問題となる工程の精度を向上させることができ、半導体装置の歩留まりや信頼性を向上できる。
【補正による請求項の数】      １
【納付金額】                  ２０００
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カメラモジュールおよびシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レンズ、画像センサ、画像処理回路を内蔵したレンズ一体型のカメラモジュールであって、
前記画像処理回路は、前記レンズを含む光学系の中心軸からの距離を２乗した値を補正値に用いて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項２】  請求項１記載のカメラモジュールにおいて、
前記補正手段は、前記補正値を、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値と、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値とを加算して求めることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項３】  請求項２記載のカメラモジュールにおいて、
前記補正手段は、前記補正値を、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値と、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値とを加算して同心円距離計算により求めることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項４】  請求項３記載のカメラモジュールにおいて、
前記補正値を、前記レンズを含む光学系の特性に対応する関数として格納しておく不揮発性メモリを有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項５】  請求項３記載のカメラモジュールにおいて、
前記補正値を、前記レンズを含む光学系の特性に対応する関数として格納しておく、外部から書き換え可能な揮発性メモリを有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項６】  レンズ、画像センサ、画像処理回路を内蔵したレンズ一体型のカメラモジュールであって、
前記画像処理回路は、前記レンズを含む光学系の中心軸からの同心円距離計算により求めた値を補正値に用いて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項７】  レンズ、画像センサ、画像処理回路を内蔵したレンズ一体型のカメラモジュールであって、
前記画像処理回路は、前記レンズを含む光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値、または前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値と、所定の係数とを乗算した値を補正値に用いて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項８】  請求項７記載のカメラモジュールにおいて、
前記補正手段は、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値、または前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値の他方と、所定の係数とを乗算した値を補正値に用いることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項９】  請求項７記載のカメラモジュールにおいて、
前記補正手段は、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値、または前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値の他方の、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離の値、または前記光学系の中心軸からの水平方向への距離の値と、所定の係数とを乗算した値を補正値に用いることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項１０】  レンズ、画像センサ、画像処理回路を内蔵したレンズ一体型のカメラモジュールであって、
前記画像センサの出力と、前記画像処理回路の出力とを選択して出力する選択手段を有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項１１】  請求項１０記載のカメラモジュールにおいて、
前記画像処理回路は、前記レンズを含む光学系の中心軸からの距離に応じて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項１２】 レンズからの光を受けて前記光を電気信号に変換する画像センサと、前記電気信号を信号処理する信号処理装置とを有するシステムであって、
前記レンズを含む光学系の中心軸からの距離を２乗した値を補正値に用いて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするシステム。
【請求項１３】 請求項１２記載のシステムにおいて、
前記補正手段は、前記補正値を、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値と、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値とを加算して求めることを特徴とするシステム。
【請求項１４】 請求項１３記載のシステムにおいて、
前記補正手段は、前記補正値を、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値と、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値とを加算して同心円距離計算により求めることを特徴とするシステム。
【請求項１５】 請求項１４記載のシステムにおいて、
前記補正値を、前記レンズを含む光学系の特性に対応する関数として格納しておく不揮発性メモリを有することを特徴とするシステム。
【請求項１６】 請求項１４記載のシステムにおいて、
前記補正値を、前記レンズを含む光学系の特性に対応する関数として格納しておく、外部から書き換え可能な揮発性メモリを有することを特徴とするシステム。
【請求項１７】 レンズからの光を受けて前記光を電気信号に変換する画像センサと、前記電気信号を信号処理する信号処理装置とを有するシステムであって、
前記信号処理装置は、前記レンズを含む光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値と、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値とにより算出された補正値を用いて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするシステム。
【請求項１８】 請求項１７記載のシステムにおいて、
前記補正手段は、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値と所定の第一係数とを乗算した第一乗算値と、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値とに基づいた前記補正値を用いることを特徴とするシステム。
【請求項１９】 請求項１７記載のシステムにおいて、
前記補正手段は、前記光学系の中心軸からの垂直方向への距離を２乗した値と所定の第二係数とを乗算した第二乗算値と、前記光学系の中心軸からの水平方向への距離を２乗した値とに基づいた前記補正値を用いることを特徴とするシステム。
【請求項２０】 レンズからの光を受けて前記光を電気信号に変換する画像センサと、前記電気信号を信号処理する信号処理装置とを有するシステムであって、
前記画像センサの出力と、前記信号処理装置の出力とを選択して出力する選択手段を有することを特徴とするシステム。
【請求項２１】 請求項２０記載のシステムにおいて、
前記信号処理装置は、前記レンズを含む光学系の中心軸からの距離に応じて、前記画像センサの画素位置に対応した光強度の補正を行う補正手段を有することを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】  前記カセットの識別情報は、前記指示された有価媒体自動預け払い機の識別情報を含む識別情報であり、前記指示された有価媒体自動預け払い機の識別情報は、該識別情報に含まれることを特徴とする請求項１２または１３に記載の有価媒体の補充処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ、及び非接触式ＩＣカード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非接触式ＩＣカード等に設けられた電力受信用のアンテナに接続されるものであって該アンテナと共に共振回路を構成する非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップにおいて、
前記ＩＣチップの温度を検出する検出手段と、
この検出手段により前記ＩＣチップの温度が高くなったことが検出されたときに前記共振回路の共振周波数を変える周波数変更手段とを備えたことを特徴とする非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項２】  前記共振回路の共振周波数を調整するためのものであって前記アンテナの一端が接続された一方の端子に一端が接続されたコンデンサと、このコンデンサの他端と前記アンテナの他端が接続された他方の端子との間に接続された切替スイッチとを備えたことを特徴とする請求項１記載の非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項３】  前記検出手段は、前記ＩＣチップの温度を検知する温度検知素子を備えて構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項４】  前記検出手段は、前記ＩＣチップの内部の電圧を検知する電圧検知手段を備えて構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項５】  前記検出手段は、前記アンテナの両端の電圧を検知する電圧検知手段を備えて構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項６】  前記共振回路の共振周波数を、通常時は、前記非接触式ＩＣカード等に対してリード・ライトするリードライト装置側の共振周波数に一致させるように構成している場合には、前記周波数変更手段は、前記ＩＣチップの温度が高くなったことが検出されたときに前記共振回路の共振周波数を通常時よりも低くするように制御することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項７】  前記共振回路の共振周波数を、通常時は、前記非接触式ＩＣカード等に対してリード・ライトするリードライト装置側の共振周波数よりも少し高くするように構成している場合には、前記周波数変更手段は、前記ＩＣチップの温度が高くなったことが検出されたときに前記共振回路の共振周波数を通常時よりも高くするように制御することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の非接触式ＩＣカード等搭載用のＩＣチップ。
【請求項８】  電力受信用のアンテナと、請求項１ないし７のいずれかに記載のＩＣチッブと、を備えたことを特徴とする非接触式ＩＣカード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば、ＩＣチップの温度を検出する検出手段を備え、この検出手段によりＩＣチップの温度が高くなったことが検出されたときに共振回路の共振周波数を変える周波数変更手段を備えたので、ＩＣチップの温度が高くなると、アンテナの受信効率が低下する。これにより、高出力の電磁波を送信するリードライト装置によって非接触式ＩＣカード等をリード・ライトする場合において、ＩＣチップの温度が高くなると、アンテナの受信効率が低下して受信電力が小さくなるから、ＩＣチップの発熱を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項６の発明では、前記共振回路の共振周波数を、通常時は、前記ＩＣカード等に対してリード・ライトするリードライト装置側の共振周波数に一致させるように構成している場合、前記周波数変更手段は、前記非接触式ＩＣチップの温度が高くなったことが検出されたときに前記共振回路の共振周波数を通常時よりも低くするように制御することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項７の発明では、前記共振回路の共振周波数を、通常時は、前記非接触式ＩＣカード等に対してリード・ライトするリードライト装置側の共振周波数よりも少し高くするように構成している場合、前記周波数変更手段は、前記ＩＣチップの温度が高くなったことが検出されたときに前記共振回路の共振周波数を通常時よりも高くするように制御することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一の方向に配列された複数のステーション上でワークを順送するワーク順送ユニット装置において、前記ワークを前記複数のステーションに位置決めするためのキャリアと、前記キャリアを支持する第１のプレートと、前記第１のプレートを前記一の方向に直動案内すべく前記第１のプレートを支持する第１の直動案内部材と、前記第１の直動案内部材を支持する第２のプレートと、前記第２のプレートを前記一の方向に直交する他の方向に直動案内すべく前記第２のプレートを支持すると共に、前記ワーク順送ユニット装置に設けられた第２の直動案内部材と、前記第１のプレートを前記一の方向に移動する第１の駆動機構と、前記第２のプレートを前記他の方向に移動する第２の駆動機構とを備えることを特徴とするワーク順送ユニット装置。
【請求項２】  前記第２の直動案内部材は、前記第２のプレートを前記一の方向両端で支持する一対のリニアガイドでなり、前記第２の駆動機構は、前記第２のプレートの両端部に一対設けられてなる請求項１に記載のワーク順送ユニット装置。
【請求項３】  前記複数のステーションのそれぞれに加工ユニットが設けられ、前記第１のプレートの前記一の方向の運動及び前記第２のプレートの前記他の方向の運動の各タイミングに応じて前記複数の加工ユニットを制御するコントローラを備えてなる請求項１又は２に記載のワーク順送ユニット装置。
【請求項４】  前記複数のステーションのそれぞれに加工ユニットが設けられ、前記第２のプレートに前記複数の加工ユニットを動作させるカムを備えてなる請求項１乃至３のいずれか１項に記載のワーク順送ユニット装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第２の駆動機構１３１は、さらにボールねじナット１３５とともに動く可動部に設けられた不図示の被検出体を検出するリミットセンサ１５１，１５２，１５３をベッド１０２のプレート上の所定の位置に有する。リミットセンサ１５１は、ボールねじナット１２５がＹ方向に関してベッド１０２上の原点位置にあることを検出する。リミットセンサ１５２，１５３はオーバラン検出用であり、リミットセンサ１５２は、ボールねじナット１２５がＹ方向に関して第２のサーボモータ１３６寄りの限界位置にあることを検出し、リミットセンサ１５３は、ボールねじナット１２５がＹ方向に関して第２のサーボモータ１２６と反対寄りの限界位置にあることを検出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
さらに、本実施の形態によれば、第１及び第２のプレート１１１，１１３、第１及び第２の直動案内部材１１２，１１４、及び第１及び第２の駆動機構が１２１，１３１がベッド１０２の上方のみに配置されているので、装置の設計及び制作の自由度を高くすることができ、ベッドとして通常のものを使用することができ、加えて、仮に、ステーション１０４の数が増大しても直動案内ベアリング１１２−２の数を増やすことにより容易に対応することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、本実施の形態に係るワーク順送ユニット装置の変形例として、第１の駆動機構１２１、及び第２の駆動機構１３１のそれぞれを、リニアサーボモータで構成してもよい。この構成によって、ワーク順送ユニット装置の構造をさらに簡素化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000255741.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000255741.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記マスターシリンダ本体部の長軸方向の一端部には、前記マスターシリンダ本体部の長軸方向と直交する方向にブレーキホースの取付け座が形成され、
前記取付け座には、前記ブレーキホースの取付け部が締着され、
前記サブタンクの長軸方向の一端部が、前記ブレーキホースの取付け座を越えて延出させられ、そこに、前記ブレーキ用作動油の補給口が設けられたことを特徴とする請求項１記載のブレーキ用マスターシリンダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項２記載のように請求項１記載の発明を構成することにより、マスターシリンダ本体部の長軸方向の一端部には、マスターシリンダ本体部の長軸方向と直交する方向にブレーキホースの取付け座が形成され、該取付け座には、ブレーキホースの取付け部が締着され、サブタンクの長軸方向の一端部が、ブレーキホースの取付け座を越えて延出させられ、そこに、ブレーキ用作動油の補給口が設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、ブレーキ用作動油の補給等のメンテナンス時には、ブレーキホースの取付け座が、このメンテナンス作業の作業性を阻害することがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、バンジョウボルト21の軸線は、マスターシリンダ本体部６内のシリンダ室６a の軸線に対し、サブタンク７がマスターシリンダ本体部６と一体に設けられる側と反対の方向にわずかにシフトされている。このようにすることにより、ブレーキホース８の取付け座を収めるスペースが確保されるとともに、バンジョウボルト21の締着作業がし易くなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
次に、ディスク型ブレーキ装置１の作用について説明する。
いま、車両走行中に制動が必要とされたとき、ブレーキペダルが踏まれて、リンク機構10を介してピストン９がシリンダ室６ａ内を前進すると、シリンダ室６ａ内の作動油は加圧されるが、この加圧された作動油は、ブレーキホース８を介してキャリパ５に送られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…ディスク型ブレーキ装置、２…ブレーキ用マスターシリンダ、３…後輪、４…ブレーキディスク、５…キャリパ、６…マスターシリンダ本体部、６a …シリンダ室、７…サブタンク、７a …作動油貯留室、８…ブレーキホース、９…ピストン、10…リンク機構、11…スウィングアーム、12、13…ステー、14…ピボットプレート、15…ブラケット、16…ロアリヤフレーム、17…ボルト連結部、18…アッパリヤフレーム、19…排気マフラー、20…目玉金具、21…バンジョーボルト、22…締結具、23…隔壁、24…第１のポート、25…第２のポート、26…第１の開口部、27…第２の開口部、28…盲栓、29…蓋、29a …ダイアフラム、29a-1 、29a-2 、29a-3 …袋単体、29b-1 、29b-2 、29b-3 …細溝、30…キャップ、30a …通路、30b …細溝部分、31…ボルト、32…自在継手、33…取付け座、34…オイルシール、35…第３の開口部、36…押え板、36a …通路、37…蓋、38…オイルセパレーター、38a …小孔通路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】自車両進行方向の走行路方向に指向させて撮像する撮像手段と、この撮像手段からの撮像信号から得られる画像情報を基に上記自車両の進行方向を認識する認識手段とを備えた車両の進行方向認識装置において、
上記撮像手段の指向する方向を少なくとも上記自車両進行方向の走行路の勾配の変化に応じて可変に設定する指向方向設定手段と、この指向方向設定手段で設定した方向に上記撮像手段の指向する方向を変更する指向方向変更手段とを具備したことを特徴とする車両の進行方向認識装置。
【請求項２】自車両進行方向の走行路方向に指向させて撮像する撮像手段と、この撮像手段からの撮像信号から得られる画像情報を基に上記自車両の進行方向を認識する認識手段とを備えた車両の進行方向認識装置において、
上記撮像手段の指向する方向を上記自車両進行方向の走行路の屈曲状態に応じて可変に設定する指向方向設定手段と、この指向方向設定手段で設定した方向に上記撮像手段の指向する方向を変更する指向方向変更手段とを具備したことを特徴とする車両の進行方向認識装置。
【請求項３】自車両進行方向の走行路方向に指向させて撮像する撮像手段と、この撮像手段からの撮像信号から得られる画像情報を基に上記自車両の進行方向を認識する認識手段とを備えた車両の進行方向認識装置において、
上記撮像手段の指向する方向を少なくとも上記自車両進行方向の走行路の勾配の変化と上記自車両進行方向の走行路の屈曲状態に応じて可変に設定する指向方向設定手段と、この指向方向設定手段で設定した方向に上記撮像手段の指向する方向を変更する指向方向変更手段とを具備したことを特徴とする車両の進行方向認識装置。
【請求項４】位置と高度情報を得るナビゲーション装置を搭載し、上記指向方向設定手段は、上記自車両の走行路の現在の勾配を上記位置と高度情報を基に演算し、上記自車両進行方向の走行路の勾配の変化を上記自車両進行方向の画像情報上で上記自車両の走行路の左側道路端と右側道路端とを進行方向に延出して求めた交点の上下方向の位置変化で求め、上記現在の勾配と上記自車両進行方向の走行路の勾配の変化に応じて可変に設定することを特徴とする請求項１又は請求項３記載の車両の進行方向認識装置。
【請求項５】上記指向方向変更手段は、上記撮像手段に内蔵された撮像素子からの入力素子の範囲を電気的にシフトすることで、上記撮像手段の指向する方向を変更することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一つに記載の車両の進行方向認識装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、画像情報上で、この交点が通常より上側に位置する場合は自車両進行方向の走行路の勾配が増加することが判定でき、交点が通常より下側に位置する場合は自車両進行方向の走行路の勾配が減少することが判定できる。そして、通常範囲から上又は下にずれている場合に、交点が通常位置に戻るように、ナビゲーション装置からの位置と高度情報を基に演算した走行路の現在の勾配での撮像手段の指向する方向を可変する。さらに、請求項５記載の発明による車両の進行方向認識装置は、請求項１乃至請求項４の何れか一つに記載の車両の進行方向認識装置において、上記指向方向変更手段は、上記撮像手段に内蔵された撮像素子からの入力素子の範囲を電気的にシフトすることで、上記撮像手段の指向する方向を変更するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
パワー系バッテリとして１００〜３００Ｖ程度の高電圧のバッテリを用いる場合、パワー系バッテリ１５ｂは図７に示すように車体から絶縁される。これは感電等による人体への安全性の面からである。また、電動コンプレッサ２１の密閉容器２１ｂは車体に接地されており、このため、電動コンプレッサの巻線２１ａの絶縁不良により、巻線２１ａが密閉容器２１ｂに短絡すると、パワー系バッテリ１５ｂの高圧側が車体と短絡され、短絡電流（以下「地絡電流」という。）が流れる。この地絡電流は図７の場合は小電流であるが、機器の故障等を招きかねない。そこで、一般に、この地絡電流を検出するための地絡検出回路が設けられ、地絡電流が検出されると電流遮断手段を作動させてこの地絡電流を遮断するようになっている。図７では、地絡検出回路４１ａ、４１ｂがパワー系バッテリ１５ｂの陽極および陰極端子側にそれぞれ設けられており、地絡検出回路４１ａ、４１ｂが地絡電流を検出すると電流遮断手段であるブレーカ４３ａ、４３ｂを作動させることにより地絡電流から空調装置等を保護している。なお、この地絡検出回路４１ａ、４１ｂ内の抵抗は非常に大きな抵抗値を有しているので、この抵抗を介しての地絡は安全上問題ないように設計されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ところが、図７に示すように、従来の電流検出回路３５ｂはパワー系バッテリ１５ｂの陰極側すなわちグランド電位側に設けられているため、３６Ｖ程度の電圧をパワー系バッテリとして採用するハイブリッド自動車においては地絡電流は電流検出回路３５ｂを経由しない。したがって、電動コンプレッサの巻線２１ａと密閉容器２１ｂの短絡（地絡）が検出されない。地絡が発生すると、バッテリ１５ｂが短絡状態となり、大電流によってバッテリ１５ｂ電圧の急激な低下による各種機器の動作不具合を引き起すため、３６Ｖ程度の電圧をパワー系バッテリとして採用するハイブリッド自動車において、この地絡電流に対する保護手段が要望される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、複数の動力源を切り換えて又は協調させて車輪を駆動し、低い電圧のバッテリを搭載したハイブリッド自動車に使用される空調装置の保護回路において、従来技術で述べたような地絡検出回路やブレーカを別途設けることなく簡単な構成でかつ確実に地絡電流等の異常電流から電動コンプレッサ等の保護をより向上させる保護回路を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、地絡電流等の異常電流は大電流である。このため、制御部３３は、電動コンプレッサ２１に流入する電流を監視し、異常電流が検出されたときに電動コンプレッサ２１に流入する電流値を制限するように直流変換回路３１の動作を制御する。すなわち、制御部３３は、地絡電流、相間短絡電流または負荷変動による過電流を検出したときに、それらの異常電流からインバータ装置２３ａや電動コンプレッサ２１等を保護するためにインバータ装置２３等に流れる電流を制限するように直流交流変換回路３１のスイッチング動作を制御する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図５に示すように地絡電流はグランドライン２４ｂを経由しないため電流検出回路３５によっては検出されない。そこで、地絡の発生については電圧変化検出回路３７により検出する。つまり、地絡が発生すると、パワー系バッテリ１５の両端子は短絡され、パワー系バッテリ１５の端子間電圧は急激に低下する。この点から、電圧変化検出回路３７によりパワー系バッテリ１５の出力電圧の変化を監視することにより、その電圧が急激に降下したときに地絡が発生したことを検出できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上のように、上記実施形態における空調装置の保護回路によれば、３６Ｖ程度のパワー系バッテリを搭載したハイブリッド自動車において、簡単な回路構成で地絡電流、相間短絡電流、過負荷による過電流等の異常電流を検出でき、これらの異常電流から電動コンプレッサ等の保護の向上を実現することができる。また、本発明に係る保護回路はハイブリッド自動車における空調装置に限られず、走行用モータを駆動するバッテリと独立したバッテリを空調装置の電源として使用する電気自動車や、空調装置をバッテリで駆動するガソリン車においても、それらの空調装置に対して同様に適用できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
本発明の自動車用空調装置に用いる電動コンプレッサの保護回路によれば、３６Ｖ程度のバッテリを搭載し、このバッテリの電力を用いて空調装置の電動コンプレッサを駆動する場合において、簡単な回路構成で地絡電流を検出し遮断できるため、地絡電流から電動コンプレッサ等の保護の向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱可塑性樹脂を含む不織布と吸水性シートが接着剤層を介してまたは直接積層されたシートであって、接着剤層を介して積層したシートの場合には不織布および接着剤層において、また直接積層したシートの場合には不織布において、周囲から独立したフィルム状部分の面積が３ｍｍ2 以下であり、該熱可塑性樹脂を含む不織布の平均流量細孔径が４０〜１０００μｍであることを特徴とする食品搬送用シート。
【請求項２】  熱可塑性樹脂を含む不織布と吸水性シートの間に、接着剤層としてホットメルト用樹脂からなる交絡した繊維層を介在させたことを特徴とする請求項１に記載の食品搬送用シート。
【請求項３】  熱可塑性樹脂を含む不織布がポリプロピレンを含み、その繊維径が７〜１００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の食品搬送用シート。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかに記載の食品搬送用シートを用いた米飯用シート。
【請求項５】  不織布または吸水性シート上に、加熱溶融したホットメルト用樹脂を、紡孔から吐出すると同時に、該紡孔近傍の細孔から噴出される加熱流体で繊維状に延伸することにより、交絡した繊維層を形成した後、該ホットメルト用樹脂からなる繊維層と吸水性シートまたは不織布を積層して圧着することを特徴とする食品搬送用シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）熱可塑性樹脂を含む不織布と吸水性シートが接着剤層を介してまたは直接積層されたシートであって、接着剤層を介して積層したシートの場合には不織布および接着剤層において、また直接積層したシートの場合には不織布において、周囲から独立したフィルム状部分の面積が３ｍｍ2 以下であり、該熱可塑性樹脂を含む不織布の平均流量細孔径が４０〜１０００μｍであることを特徴とする食品搬送用シート。
（２）熱可塑性樹脂を含む不織布と吸水性シートの間に、接着剤層としてホットメルト用樹脂からなる交絡した繊維層を介在させたことを特徴とする（１）に記載の食品搬送用シート。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（３）熱可塑性樹脂を含む不織布がポリプロピレンを含み、その繊維径が７〜１００μｍであることを特徴とする（１）または（２）に記載の食品搬送用シート。
（４）前記食品搬送用シートを用いた米飯用シート。
（５）不織布または吸水性シート上に、加熱溶融したホットメルト用樹脂を、紡孔から吐出すると同時に、該紡孔近傍の細孔から噴出される加熱流体で繊維状に延伸することにより、交絡した繊維層を形成した後、該ホットメルト用樹脂からなる繊維層と吸水性シートまたは不織布を積層して圧着することを特徴とする食品搬送用シートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出する吐出手段を複数有するラインヘッドによりインクを目標対象物に吐出塗布するインクジェット記録装置において、
前記ラインヘッドを２ライン以上上下に設けられ、各吐出手段が前記インクを着弾する着弾目標にインクを吐出することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
請求項１のインクジェット記録装置において、
前記２ライン以上のインク吐出手段のライン間の位置関係を調整する調整部を備えたことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項３】
請求項１のインクジェット記録装置において、
前記吐出手段の不良を検出する吐出不良検出部を備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
請求項３のインクジェット記録装置において、
前記吐出不良検出部は、前記対向電極に発生する電流を測定して前記吐出電極の不良を検出するインクジェット記録装置。
【請求項５】
請求項３のインクジェット記録装置において、
前記吐出不良検出手段は、予め定められたテストパターンを印字し、印字されたテストパターンを撮像するＣＣＤカメラと、前記ＣＣＤカメラで撮像した画像を画像処理する処理手段と、処理画像から吐出不良を判断することを特徴とするインクジェット記録装置
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置において、
前記吐出手段から吐出されるインクの飛翔方向を制御する飛翔方向制御手段を備えたことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項７】
請求項６記載のインクジェット記録装置において、
前記飛翔方向制御手段は、吐出電極の電界を制御して行うことを特徴とするインクジェット記録装置。