【事件の表示】
　平成　５年特許願第２３９６８３号「薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　４月　７日出願公開、特開平　７−　９３７２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　５年　９月２７日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　２月　９日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２３日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月２９日
　意見書・手続補正書　　　　　　　　　　　　　平成１３年１０月２９日
２　本願発明
　補正された明細書及び図面の記載から見て、本件出願の特許請求の範囲請求項１に係る発明は平成１３年１０月２９日付け手続補正書の特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「【請求項１】磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子と一体になった記録用電磁誘導型素子を持つ複合型の薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗素子の上下部に積層被膜されている上部シールドと下部シールドを有し、再生トラック両端に位置するリード層の厚みを０．１５μｍ以下とすることで、前記リード層領域の前記上部シールドと前記下部シールドとの間のシールド間隔が、再生トラック領域におけるシールド間隔に対して１〜１．３５倍に形成されていることを特徴とする薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッド。（以下、本願発明という。）」
３　引用例記載の発明
　当審の拒絶の理由に引用された特開平３−２８０２０８号公報（以下、引用例という。）の、第１頁左下欄第１６行〜第１９行には、
「［産業上の利用分野］　本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置、フロッピーディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッドに関する。」と記載され、
第２頁左上欄第１４行〜第１６行には、
「［発明が解決しようとする課題］　シールド型ＭＲヘッドの分解能を上げるためには、シールド間ギャップを縮めれば良い。」と記載され、
実施例について、第３頁左上欄第１行〜第４行には、
「第１図において、下部磁気シールド厚Ｔ１は０．８μｍ、下部シールド間ギャップＧ１は０．４μｍ、上部磁気シールド厚Ｔ２は０．６μｍ、上部シールド間ギャップＧ２は０．５μｍである。」と記載され、
同頁同欄第１０行〜左下欄第２行には、
「次に、第１図を参照して本実施例のシールド型ＭＲヘッドの製造方法を説明する。　まず、セラミック基板１上に、厚さ０．８μｍのＮｉＦｅ膜をスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラフィー技術とイオンエッチング技術を用いて下部磁気シールド２を形成する。次に、厚さ０．４μｍのＳｉＯ２絶縁膜（図示せず）をスパッタリング法により成膜した後、厚さ０．０４μｍのＮｉＦｅ膜、厚さ０．０１μｍのＴｉ膜、厚さ０．０５μｍのＣｏＺｒＭｏ膜をスパッタリング法により連続成膜し、さらに、厚さ０．２μｍのＡｕ膜を真空蒸着法により成膜する。この積層膜は、フォトリソグラフィー技術、イオンエッチング技術、および化学エッチング技術を用いて、ＭＲ素子４，中間層５およびバイアス印加膜６の３層構造ＭＲヘッドと、その両端に接続される電極７に形成される。この３層構造ＭＲヘッドでは、バイアス印加膜６とＭＲ素子４の磁気的な結合と、センス電流が発生するバイアス磁界により、ＭＲ素子４にバイアスがあたえられる。この３層構造ＭＲヘッドの上には、厚さ０．４４μｍのＳｉＯ２絶縁膜（図示せず）をスパッタリング法により成膜した後、厚さ０．６μｍのＮｉＦｅ膜をスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラフィー技術とイオンエッチング技術を用いて上部磁気シールド６を形成する。ここで、上部シールド間ギャップＧ２は、厚さ０．４４μｍのＳｉＯ２膜、厚さ０．０１μｍのＴｉ膜、および厚さ０．０５μｍのＣｏＺｒＭｏ膜の膜厚の総和により規定される。上部磁気シールド６形成後、端子（図示せず）を形成し、さらに厚さ３０μｍのＡｌ２Ｏ３保護膜をスパッタリング法により成膜してトランスジューサを完成させる。完成したトランスジューサは、機械加工により磁気ヘッドスライダに形成する。」と記載されている。
　すなわち、引用例には、上部および下部シールド間６，２において、Ｇ１＋Ｇ２＋ＭＲ素子厚（０．５μｍ＋０．４μｍ＋０．０５μｍ＋０．０１μｍ＋０．０４μｍ＝１．０μｍ）の中央付近と、さらに厚さ０．２μｍのＡｕ膜を含む端部（１．２μｍ）とを有する磁気抵抗効果ヘッドが示されている。
　そして、それのリード層領域の上部シールドと下部シールドとの間のシールド間隔は、再生トラック領域におけるシールド間隔に対して、１．２倍に形成されている。
４　本願発明と引用例との対比・判断
　本願発明と引用例とを対比すると、引用例のリード層領域の上部シールドと下部シールドとの間のシールド間隔は、再生トラック領域におけるシールド間隔に対して、１．２倍であるから、１〜１．３５倍の範囲に入っている。そして、本件明細書には、１．３５倍の一例が実施例として、１．５８倍のものが比較例として示されているのみであり、１〜１．３５倍との範囲についての限界的意義が示されていないので、両者は次の点で一致する。
（一致点）
「磁気抵抗素子を持つ薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗素子の上下部に積層被膜されている上部シールドと下部シールドを有し、前記リード層領域の前記上部シールドと前記下部シールドとの間のシールド間隔が、再生トラック領域におけるシールド間隔に対して１〜１．３５倍に形成されていることを特徴とする薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」
そして、次の点で相違している。
（相違点１）
　本願発明は、「磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子と一体になった記録用電磁誘導型素子を持つ複合型の薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッド」であるのに対して、引用例は、「磁気抵抗素子と一体になった記録用電磁誘導型素子」を持たない、薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドである点、
（相違点２）
　本願発明は、「再生トラック両端に位置するリード層の厚みを０．１５μｍ以下とする」のに対して、引用例は、リード層の厚みは０．２μｍである点。
（相違点１について）
　次に相違点について検討する。
　磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子と一体になった記録用電磁誘導型素子を持つ複合型の薄膜磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、本件出願当時周知である。
　そして、本願明細書において、記録用電磁誘導型のシールド間隔については、何ら説明されておらず、再生ヘッド部のシールド間の段差の影響についてのみ述べており、複合型とした点の効果を述べられていないから、引用例記載の再生ヘッド部を上記周知の薄膜磁気抵抗効果型ヘッドとすることは、当業者が適宜変更することができた事項であると認められ、この点に格別のことが認められない。
（相違点２について）
　本願明細書において、【００１２】、【００１３】【表１】で、リード層の膜厚０．２５μｍである比較例とリード層の膜厚０．１５μｍの唯一の実施例とを比較している。そして、実施例の方が、【００１５】【表２】で示される効果を奏することは認められるが、このことのみでは、リード層の膜厚０．１５μｍ以下とするといった、限界的意義を説明したものとは認められない。しかも、引用例の０．２μｍを、０．１５μｍとすることは、当業者にとって、格別の困難を伴うものであるとは認められないので、この点も当業者が容易になしえたものであると認められる。
（総合的判断）
　相違点１および２について総合的に判断しても格別のことが認められない。
５　まとめ
　従って、本願発明は、上記引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項に規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。