【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ下に配列され、前記半導体ウェーハを支持するステージの役割を行うボトム電極を含むことを特徴とする半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２】
前記半導体ウェーハ上に配列された固体板の上部電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３】
前記半導体ウェーハ上に配列されたリング状の上部電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項４】
前記半導体ウェーハ下に配列された下部エッジ電極をさらに含み、前記固体板の上部電極及び前記下部エッジ電極が前記半導体ウェーハのエッジ及び背面でプラズマを反復的に生成することを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項５】
前記半導体ウェーハ下に配列された下部エッジ電極をさらに含み、前記リング状の上部電極及び前記下部エッジ電極が前記半導体ウェーハのエッジ及び背面でプラズマを反復的に生成することを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項６】
前記ボトム電極、前記固体板の上部電極及び前記下部エッジ電極のうち何れか一つはカソードまたはアノードであることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項７】
前記固体板の上部電極とギャップを有して隣接配列された絶縁板をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項８】
前記リング状の上部電極とギャップを有して隣接配列された絶縁板をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項９】
前記ボトム電極と前記下部エッジ電極間に配列された隔離体をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１０】
前記絶縁板と前記半導体ウェーハ間の距離は、プラズマが前記半導体ウェーハの中央領域で形成されるのを実質的に防止するために十分に小さく設定されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１１】
前記絶縁板と前記半導体ウェーハ間の距離は、プラズマが前記半導体ウェーハの中央領域で形成されるのを根本的に防止するために十分に小さく設定されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１２】
前記絶縁板は突出部を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１３】
前記突出部は傾斜面と絶壁面とを含み、前記絶壁面は前記固体板の上部電極とギャップを形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１４】
前記突出部は前記半導体ウェーハの中央領域にエッチングガスが流れることを実質的に防止することを特徴とする請求項１２に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１５】
前記ギャップは前記半導体ウェーハ上のエッチング領域のサイズを調節することを特徴とする請求項１３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１６】
付加的に交換可能な絶縁板をさらに含み、それぞれ前記固体板の上部電極に隣接配列され、それぞれ相異なるサイズのギャップを有することを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１７】
前記ボトム電極は複数の開放型グルーブを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１８】
前記複数の開放型グルーブは直線または曲線であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項１９】
前記半導体ウェーハ上に配列された上部エッジ電極をさらに含み、前記固体板の上部電極、前記下部エッジ電極及び前記上部エッジ電極が前記半導体ウェーハのエッジ及び背面でプラズマを反復的に生成することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２０】
前記ボトム電極、前記上部エッジ電極、前記固体板の上部電極及び前記下部エッジ電極のうち何れか一つはカソードまたはアノードであることを特徴とする請求項１９に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２１】
前記固体板の上部電極とギャップを有して隣接配列された絶縁板をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２２】
前記絶縁板と前記半導体ウェーハ間の距離は、プラズマが前記半導体ウェーハの中央領域で形成されるのを実質的に防止するために十分に小さく設定されていることを特徴とする請求項２１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２３】
前記絶縁板は突出部を含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２４】
前記突出部は傾斜面と絶壁面とを含み、前記絶壁面は前記上部エッジ電極とギャップを形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２５】
前記突出部は前記半導体ウェーハの中央領域にエッチングガスが流れることを実質的に防止することを特徴とする請求項２３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２６】
前記ギャップは前記半導体ウェーハ上のエッチング領域のサイズを調節することを特徴とする請求項２４に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２７】
付加的に交換可能な絶縁板をさらに含み、それぞれ前記固体板の上部電極に隣接配列され、それぞれ相異なるサイズのギャップを有することを特徴とする請求項２１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２８】
前記ボトム電極は複数の開放型グルーブを含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項２９】
前記複数の開放型グルーブは直線または曲線であることを特徴とする請求項２８に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３０】
前記半導体ウェーハのエッジ及び背面でプラズマを反復的に生成させるためのエッジビード電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３１】
前記固体板の上部電極とギャップを有して隣接配列された絶縁板をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３２】
前記絶縁板と前記半導体ウェーハ間の距離は、プラズマが前記半導体ウェーハの中央領域で形成されるのを実質的に防止するために十分に小さく設定されていることを特徴とする請求項３１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３３】
前記絶縁板は突出部を含むことを特徴とする請求項３１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３４】
前記突出部は傾斜面と絶壁面とを含み、前記絶壁面は前記上部エッジ電極とギャップを形成することを特徴とする請求項３３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３５】
前記突出部は前記半導体ウェーハの中央領域にエッチングガスが流れることを実質的に防止することを特徴とする請求項３３に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３６】
前記ギャップは前記半導体ウェーハ上のエッチング領域のサイズを調節することを特徴とする請求項３４に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３７】
付加的に交換可能な絶縁板をさらに含み、それぞれ前記固体板の上部電極に隣接配列され、それぞれ相異なるサイズのギャップを有することを特徴とする請求項３１に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３８】
前記ボトム電極は複数の開放型グルーブを含むことを特徴とする請求項３０に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項３９】
前記複数の開放型グルーブは直線または曲線であることを特徴とする請求項３８に記載の半導体ウェーハのエッジエッチング装置。
【請求項４０】
半導体ウェーハをチャンバ内に入れる段階と、
前記チャンバ内の圧力を増加させる段階と、
前記圧力をさらに増加させつつ前記チャンバに少なくとも一つのエッチングガスを供給する段階と、
前記チャンバに電力を供給し、前記半導体ウェーハのエッジビードまたは背面で前記半導体ウェーハをエッチングする段階と、
前記電力及び前記エッチングガスを中断させる段階と、
排気ガスで前記チャンバを排気させる段階と、
前記チャンバから前記排気ガスをパージする段階と、
を含む半導体ウェーハエッチング方法。
【請求項４１】
半導体ウェーハ下に前記半導体ウェーハを支持するステージの役割を行うボトム電極を配列する段階と、
前記半導体ウェーハのエッジビードまたは背面で前記半導体ウェーハをエッチングする段階と、
前記半導体ウェーハと絶縁板間のギャップを０.２ないし約１.０ｍｍに維持させる段階と、
を含む半導体ウェーハエッチング方法。
【請求項４２】
半導体ウェーハ上に突出部を含む絶縁板を配列する段階と、
前記半導体ウェーハのエッジビードまたは背面で前記半導体ウェーハをエッチングする段階と、
前記半導体ウェーハと前記絶縁板間のギャップを０.２ないし約１.０ｍｍに維持させる段階と、
を含む半導体ウェーハエッチング方法。
【請求項４３】
半導体ウェーハ下に複数の開放型グルーブを含むボトム電極を配列する段階と、
前記半導体ウェーハのエッジビードまたは背面で前記半導体ウェーハをエッチングする段階と、
を含む半導体ウェーハエッチング方法。
【請求項４４】
絶縁物質よりなる本体と、
傾斜面と絶壁面とを含む突出部と、
を含む絶縁板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
絶縁層３３０は、３０００ないし８０００ÅのＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）またはＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ）でありうる。タングステン層３４０は、ＷＦ６ガスを使用して形成され、３００ないし１０００Åの厚さを有しうる。第１及び第２窒化物層３５０は、それぞれ１５００ないし３５００Å及び１５０ないし７５０Åの厚さを有し、ＳｉＨ４＋ＮＨ３ガスを使用して形成されうる。酸化物層３６０は、ＳｉＨ４＋Ｏ２ガスを使用して形成され、１０００ないし５０００Åの厚さを有しうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005005701.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005005701.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005005701.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ａ】
2005005701.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ｂ】
2005005701.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2005005701.tif 000006