【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気トランスデューサを含むスライダー胴体を形成するステップと、
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記スライダー胴体上に前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄く、異方性があるようにマスキング層を形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。
【請求項２】
前記ボイドを形成した後で、かつ前記パッド層を形成する前に、前記ボイドの底部表面上よりも側壁上において、より薄くなるように接着層又はシード層を異方性をつけて形成し、前記マスキング層を取り除くステップは、側壁上の接着層又はシード層を取り除くステップを含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記接着層又はシード層は炭化物形成材料であることを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記接着層又はシード層はシリコンであることを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
前記マスキング層を異方性があるように膜形成するステップは、更にイオンビームを用いて前記パッド層の表面に実質的に垂直な方向で前記マスキング層を膜形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト材料を剥離するステップは、機械的な研磨の使用を含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記フォトレジスト材料を剥離するステップは、ソーダブラストの使用を含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
前記フォトレジスト材料を剥離するステップは、溶剤を使用した洗浄を含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
灰化により前記パッド層から前記フェンスを除去するステップは、更に前記フェンスを酸素を含んだプラズマに曝すステップを含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
前記パッド層はダイアモンド状カーボンであることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
前記マスキング層は保護酸化物形成材料であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項１２】
前記マスキング層を異方性があるように膜形成するステップは、更にバイアススパッタリングを用いて、前記パッド層の表面に実質的に垂直な方向に前記マスキング層を膜形成するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項１３】
磁気トランスデューサを含むスライダー胴体を形成するステップと、
前記スライダー胴体の表面にフォトレジスト材料を膜形成するステップと、
パッドの位置と形状を決めるために前記フォトレジスト材料中にボイドを形成するステップと、
前記フォトレジストとボイドの上に接着層又はシード層を垂直に膜形成するステップと、
パッド層を酸素プラズマに曝されたときに蒸発する第一の材料で前記接着層又はシード層の上に膜形成するステップと、
マスキング層を酸素プラズマに曝されたときに保護酸化物を形成する第二の材料で垂直に膜形成するステップと、
前記ボイド部以外にある前記接着層又はシード層、パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
酸素を含むプラズマにより灰化することによって前記パッド層から前記フェンス材料を取り除くステップと、
前記マスキング層と前記ボイド内の接着層又はシード層とを取り除くステップと、
を有することを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。
【請求項１４】
前記接着層又はシード層はシリコンであることを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項１５】
前記パッド層はダイアモンド状カーボンであることを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項１６】
前記マスキング層はシリコンであることを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項１７】
前記接着層又はシード層はシリコンであり、前記パッド層はダイアモンド状カーボンであって、前記マスキング層はシリコンであることを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項１８】
前記マスキング層を除去するステップは、更にスパッターエッチングを含むことを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項１９】
前記フォトレジスト材料を剥離するステップは、更にフォトレジスト材料を機械的に研磨するステップを含むことを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項２０】
前記フォトレジスト材料を剥離するステップは、更にソーダブラスト或いは溶剤を使用した洗浄を含むことを特徴とする請求項１３記載の製造方法。
【請求項２１】
磁気トランスデューサを含むスライダー胴体を形成するステップと、
前記スライダー胴体上のパッドの位置と形状を決めるためにフォトレジスト材料中に側壁を有するボイドを形成するステップと、
前記ボイドの側壁にフェンスを形成し、一つの表面を有するパッド層を前記スライダー胴体上に膜形成するステップと、
前記パッド層の表面上よりも前記側壁のフェンス上でより薄くなるマスキング層を異方性があるように膜形成するステップと、
灰化により前記パッド層から前記フェンスを取り除くステップと、
前記ボイド部以外にある前記パッド層及びマスキング層を取り除くために前記フォトレジスト材料を剥離するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサのスライダーのパッドの製造方法。
【請求項２２】
前記接着層又はシード層は、前記ボイドを形成した後で、かつ前記パッド層を膜形成する前に、前記ボイドの底部表面上よりも前記側壁上においてより薄く、異方性があるように膜形成することを特徴とする請求項２１記載の製造方法。
【請求項２３】
前記接着層又はシード層は炭化物形成材料であることを特徴とする請求項２２記載の製造方法。
【請求項２４】
前記接着層又はシード層はシリコンであることを特徴とする請求項２２記載の製造方法。
【請求項２５】
前記マスキング層を異方性があるように膜形成するステップは、更にイオンビームを用いて前記パッド層の表面に実質的に垂直な方向に前記マスキング層を膜形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の製造方法。
【請求項２６】
前記フォトレジスト材料を剥離するステップは機械的な研磨を使用することを特徴とする請求項２１記載の製造方法。
【請求項２７】
灰化により前記パッド層から前記フェンスを除去するステップは、更に前記フェンスを酸素を含んだプラズマに曝すステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の製造方法。
【請求項２８】
前記マスキング層は酸化物形成材料であることを特徴とする請求項２１記載の製造方法。
【請求項２９】
前記マスキング層を異方性があるように膜形成するステップは、更にバイアススパッタリングを用いて、前記パッド層の表面に実質的に垂直な方向に前記マスキング層を膜形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の製造方法。