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【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多孔性コアを含むキャリヤであって、コア細孔の一部にポリマー又はポリマー混合物（１）が含まれ、キャリヤ上にポリマー又はポリマー混合物（２）がコーティングされていることを特徴とするキャリヤ。
【請求項２】  請求項１に記載のキャリヤであって、前記キャリヤコア細孔のほぼ全てに前記ポリマー（１）が含まれ、前記ポリマー（１）及び（２）の少なくとも一方に、更に伝導性成分が含まれることを特徴とするキャリヤ。
【請求項３】  キャリヤの現場調製法であって、
キャリヤコアと、モノマーと開始剤の混合物と、必要に応じて連鎖移動剤と、必要に応じて架橋剤とを混合し、
加熱によりモノマーを重合し、キャリヤ細孔中及びキャリヤ表面上でポリマー又は架橋ポリマーとし、
細孔の内部及びキャリヤ表面上にポリマー及びモノマー混合物を保持しているキャリヤコアと、水とを混合し、
加熱により、重合及び必要に応じて架橋を完了し、キャリヤ細孔中及びキャリヤ表面上でポリマー又は架橋ポリマーとし、
混合物から水を除去し、
必要に応じて乾燥させることを特徴とする調製法。
【請求項４】  請求項１に記載のキャリヤであって、
前記キャリヤのコア細孔の各々は、５０〜１００％がポリマーで充填され、さらに、前記ポリマー（１）及び（２）の少なくとも一方に伝導性成分が含まれることを特徴とするキャリヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねると共に、前記固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対して前記ビームの長手方向にボルトで締結してなるロードセル式計量装置において、
前記固定部または可動部の少なくとも一方からロードセルの中空部に向って突出する突出部または突出部材を設け、
該突出部または突出部材を前記固定部または可動部の少なくとも一方を介して前記取付部材に固定したことを特徴とするロードセル式計量装置。
【請求項２】  一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねると共に、前記固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対して前記ビームの長手方向にボルトで締結してなるロードセル式計量装置において、
前記固定部または可動部の少なくとも一方からロードセルの中空部に向って突出する突出部または突出部材を設け、
該突出部または突出部材に形成した雌ネジ部に前記ボルトをねじ込んで、前記固定部または可動部の少なくとも一方を前記取付部材に締結したことを特徴とするロードセル式計量装置。
【請求項３】  一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねると共に、前記固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対して前記ビームの長手方向にボルトで締結してなるロードセル式計量装置において、
前記固定部または可動部の少なくとも一方からロードセルの中空部に向って突出する突出部または突出部材を設け、
該突出部または突出部材に形成した雌ネジ部に前記ボルトをねじ込んで、前記突出部または突出部材を前記固定部または可動部の少なくとも一方を介して前記取付部材に固定したことを特徴とするロードセル式計量装置。
【請求項４】  請求項１，２もしくは３において、
前記突出部または突出部材を設けた前記固定部または可動部における前記ビームの外側には、前記ボルトが挿通されると共に前記ボルトの雄ネジ部が係合しないボルト挿通孔が形成されているロードセル式計量装置。
【請求項５】  請求項１において、
前記突出部材が前記ボルトの頭部で形成されていると共に、該ボルトの締結力を発揮する雄ネジ部が前記固定部または可動部に挿通されて取付部材まで突出しているロードセル式計量装置。
【請求項６】  一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねたロードセルであって、
前記固定部または可動部の少なくとも一方における前記ビームの外側には、前記固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対して前記ビームの長手方向に締結するボルトを挿通可能とするボルト挿通孔が形成され、
該ボルト挿通孔における前記ビームの外側の部分には雌ネジが形成されていないことを特徴とするロードセル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本第１発明のロードセル式計量装置は、一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねると共に、固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対してビームの長手方向にボルトで締結してなるロードセル式計量装置において、固定部または可動部の少なくとも一方からロードセルの中空部に向って突出する突出部または突出部材を設け、該突出部または突出部材を固定部または可動部の少なくとも一方を介して取付部材に固定したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
一方、本第２発明のロードセル式計量装置は、一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねると共に、固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対してビームの長手方向にボルトで締結してなるロードセル式計量装置において、固定部または可動部の少なくとも一方からロードセルの中空部に向って突出する突出部または突出部材を設け、該突出部または突出部材に形成した雌ネジ部にボルトをねじ込んで固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に締結したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本第３発明のロードセルは、一対の平行なビームの両端を互いに固定部および可動部で上下に一体に連ねたロードセルであって、固定部または可動部の少なくとも一方におけるビームの外側には、固定部または可動部の少なくとも一方を取付部材に対してビームの長手方向に締結するボルトを挿通可能とするボルト挿通孔が形成され、該ボルト挿通孔におけるビームの外側の部分には雌ネジが形成されていないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の製造方法および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  上面と側面との間の２つの内角がそれぞれ鋭角である順テーパ型のリッジ部を有する基板の製造方法であって、
基板に対して異なる２種類のウエットエッチングを行う工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】  前記２種類のウエットエッチングとして、基板に対して所望のリッジ形状付近までエッチングを行う第１のウエットエッチングと、リッジ部の側面に非結晶成長面を出現させる第２のウエットエッチングとを行うことを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項３】  前記２種類のウエットエッチングとして、基板の構成元素に対して選択性を持たない第１のエッチャントを用いた第１のウエットエッチングと、基板の構成元素のうち陽イオンとなり得る元素を選択的にエッチングする第２のエッチャントを用いた第２のウエットエッチングとを行うことを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項４】  第１のエッチャントとして、少なくとも硫酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いることを特徴とする請求項３記載の基板の製造方法。
【請求項５】  第２のエッチャントとして、少なくともクエン酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いることを特徴とする請求項３記載の基板の製造方法。
【請求項６】  前記２種類のウエットエッチングにより、｛１１１｝Ｂ結晶面をリッジ部の側面に出現させることを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項７】  更に、前記２種類のウエットエッチングに先立ち、
リッジ部形成領域に対応して、少なくとも一部が無機材料膜よりなるマスクパターンを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項８】  マスクパターンの厚さを２５０ｎｍ以上１μｍ以下とすることを特徴とする請求項７記載の基板の製造方法。
【請求項９】  マスクパターンの厚さを３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項７記載の基板の製造方法。
【請求項１０】  蒸着法によりマスクパターンの無機材料膜を形成することを特徴とする請求項７記載の基板の製造方法。
【請求項１１】  マスクパターンを無機材料膜と有機材料膜との多層膜により形成することを特徴とする請求項７記載の基板の製造方法。
【請求項１２】  上面と側面との間の２つの内角がそれぞれ鈍角である順テーパ型のリッジ部を有する基板に半導体層を成長させて半導体装置を製造する方法であって、
基板に対して異なる２種類のウエットエッチングを行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上面と側面との間の２つの内角がそれぞれ鈍角である順テーパ型のリッジ部を有する基板の製造方法、およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、順テーパ型で対称性の高い均一なリッジ部を有すると共に、リッジ部の側面を非結晶成長面とした基板を再現性良く作製することができる基板の製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体部品（１０、２０）の電極（１）上にバンプ（２）が形成されたバンプ形成済部品（１１、２２）に対してバンプ形成時の上記電極と上記バンプとの接合強度に比して該接合強度の改善を図る接合強度改善条件にて加熱を行う加熱装置（１１６２）と、
上記接合強度改善条件による加熱制御を上記加熱装置に行う制御装置（１１７）と、
を備えたことを特徴とするバンプ強度改善装置。
【請求項２】  上記接合強度改善条件は、所望の上記接合強度を得るための加熱時間及び該加熱温度を変数とした条件であり、上記制御装置は、上記半導体部品の材質、上記半導体部品の大きさ、上記電極の材質、上記電極の大きさ、上記バンプの材質、及び上記バンプの大きさの少なくとも一つについて、上記所望接合強度に達するための加熱温度と該加熱時間との関係情報にてなる上記接合強度改善条件を有し、該接合強度改善条件に基づいて上記加熱装置の加熱制御を行う、請求項１記載のバンプ強度改善装置。
【請求項３】  上記制御装置が有する上記接合強度改善条件は、上記半導体部品の材質及び大きさ、上記電極の材質及び大きさ、並びに上記バンプの材質及び大きさの少なくとも一組について、又は各組の組合せについて、上記所望接合強度に達するための加熱温度と該加熱時間との関係情報である、請求項２記載のバンプ強度改善装置。
【請求項４】  上記半導体部品は、半導体ウエハから切り分けたチップ部品である、請求項１から３のいずれかに記載のバンプ強度改善装置。
【請求項５】  上記加熱装置は、それぞれが少なくとも一つの上記チップ部品を載置する複数の加熱処理部（２８０１）を有する、請求項４記載のバンプ強度改善装置。
【請求項６】  上記制御装置は、上記加熱処理部に対してそれぞれ独立して、各加熱処理部に備わるそれぞれの上記チップ部品におけるバンプ形成後経過時間に応じた温度管理を行う、請求項５記載のバンプ強度改善装置。
【請求項７】  上記加熱装置は、上記半導体部品上にバンプを形成するボンディングステージ（１１６）、又は上記バンプ形成済部品におけるバンプ高さを揃えるためのバンプレベリングステージ（１１４）、又は上記バンプ形成済部品を収納するバンプ形成済部品収納部（１１５）のいずれかに設けられる、請求項１から６のいずれかに記載のバンプ強度改善装置。
【請求項８】  上記半導体部品が半導体ウエハであるとき、上記制御装置は、上記半導体ウエハ上へのほぼすべてのバンプ形成に要したバンプ形成時間（ＴＥ−ＴＳ）に基づいて上記接合強度改善条件を求め、求めた接合強度改善条件にて上記加熱装置の加熱制御を行う、請求項１記載のバンプ強度改善装置。
【請求項９】  上記加熱による上記接合強度の改善が得られる加熱適切時間（Ｔ）が上記バンプ形成時間を超えるとき、上記接合強度改善条件は、上記接合強度の目標値（Ｐ０）を得る第１加熱時間（ＴＢ）による上記半導体ウエハの加熱である、請求項８記載のバンプ強度改善装置。
【請求項１０】  上記加熱による上記接合強度の改善が得られる加熱適切時間（Ｔ）が上記バンプ形成時間以下であるとき、上記接合強度改善条件は、上記バンプ形成時間から上記加熱適切時間を差し引いた第２加熱時間（ＴＡ）による上記半導体ウエハの加熱である、請求項８記載のバンプ強度改善装置。
【請求項１１】  上記加熱装置は、上記半導体ウエハを載置し上記半導体ウエハにおけるバンプ形成順に対応した複数の加熱処理部（２８０１）を有し、上記制御装置は、上記加熱処理部に対してそれぞれ独立して、各加熱処理部に対応する上記半導体ウエハにおけるバンプ形成後経過時間に応じた温度管理を行う、請求項８から１０のいずれかに記載のバンプ強度改善装置。
【請求項１２】  請求項１から１１のいずれかに記載されたバンプ強度改善装置（１１７、１１６２）と、
半導体部品（１０、２０）を載置しかつ加熱して上記半導体部品の電極（１）上にバンプ（２）を形成するバンプ形成部（１１３）と、
を備えたことを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項１３】  上記バンプ強度改善装置に備わる制御装置（１１７）は、さらに、上記バンプ形成部におけるバンプ形成時に上記半導体部品に損傷を生じさせない非損傷温度に上記バンプ形成部を温度制御し、バンプ形成後、上記加熱装置に対して上記非損傷温度を超える温度による接合強度改善条件による加熱制御を行う、請求項１２記載のバンプ形成装置。
【請求項１４】  半導体部品（１０、２０）の電極（１）上にバンプ（２）が形成されたバンプ形成済部品（１１、２２）を搬入し、
上記バンプ形成済部品に対して、バンプ形成時の上記電極と上記バンプとの接合強度に比して該接合強度の改善を図る接合強度改善条件に基づいて加熱制御を行う、
ことを特徴とするバンプ強度改善方法。
【請求項１５】  上記接合強度改善条件は、所望の上記接合強度を得るための加熱時間及び該加熱温度を変数とした条件であり、上記半導体部品の材質、上記半導体部品の大きさ、上記電極の材質、上記電極の大きさ、上記バンプの材質、及び上記バンプの大きさの少なくとも一つについて、上記所望接合強度に達するための加熱温度と該加熱時間との関係情報にてなる条件であり、該関係情報に基づいて上記加熱制御が行われる、請求項１４記載のバンプ強度改善方法。
【請求項１６】  上記接合強度改善条件は、上記半導体部品の材質及び大きさ、上記電極の材質及び大きさ、並びに上記バンプの材質及び大きさの少なくとも一組について、又は各組の組み合わせについて、上記所望接合強度に達するための加熱温度と該加熱時間との関係情報にてなる条件であり、該関係情報に基づいて上記加熱制御が行われる、請求項１５記載のバンプ強度改善方法。
【請求項１７】  上記バンプ形成済部品の搬入前にて、上記半導体部品の上記電極上に上記バンプを形成し、
該バンプ形成時には、上記半導体部品に損傷を生じさせない非損傷温度に、上記バンプが形成されるバンプ形成部を温度制御し、
上記バンプ形成後、上記非損傷温度を超える温度による上記接合強度改善条件による加熱制御を行う、請求項１４から１６のいずれかに記載のバンプ強度改善方法。
【請求項１８】  ほぼ全てのバンプ形成に要したバンプ形成時間（ＴＥ−ＴＳ）に基づいて上記接合強度改善条件を求め、求めた接合強度改善条件にて上記加熱制御を行う、請求項１４から１７のいずれかに記載のバンプ強度改善方法。
【請求項１９】  上記加熱による上記接合強度の改善が得られる加熱適切時間（Ｔ）が上記バンプ形成時間を超えるとき、上記接合強度改善条件は、上記接合強度の目標値（Ｐ０）を得る第１加熱時間（ＴＢ）による加熱である、請求項１８記載のバンプ強度改善方法。
【請求項２０】  上記加熱による上記接合強度の改善が得られる加熱適切時間（Ｔ）が上記バンプ形成時間以下であるとき、上記接合強度改善条件は、上記バンプ形成時間から上記加熱適切時間を差し引いた第２加熱時間（ＹＡ）による加熱である、請求項１８記載のバンプ強度改善方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】歪み補償超格子構造のアバランシェ増倍層を有するアバランシェフォトダイオードであって、
歪み補償超格子構造のアバランシェ増倍層がＩｎxＡｌ1-xＡｓなる障壁層と、ＩｎyＧａ1-yＡｓzＰ1-zなる井戸層とを含むアバランシェフォトダイオード。［ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ下記（数１）、（数２）、（数３）を満たす。］
（数１）
０≦ｘ＜０．５２
（数２）
１≧ｙ＞０．８
（数３）
０≦ｚ＜０．６
【請求項２】  反射率６０％以上の反射率を有する多層膜構造を有することを特徴とする請求項１記載のアバランシェフォトダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、歪み補償超格子構造のアバランシェ増倍層を有するアバランシェフォトダイオードであって、歪み補償超格子構造のアバランシェ増倍層がＩｎxＡｌ1-xＡｓなる障壁層と、ＩｎyＧａ1-yＡｓzＰ1-zなる井戸層とを含む請求項１記載のアバランシェフォトダイオードである。［ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ下記（数４）、（数５）、（数６）を満たす。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項２に記載の発明は、反射率６０％以上の反射率を有する多層膜構造を有することを特徴とする請求項１記載のアバランシェフォトダイオードであり、多層膜層と素子表面との間に定在波がたつことによって効率良い光の吸収が行われ、光吸収層の膜厚を薄くできるため、応答速度をより速くすることができるという効果を有する。また、この構造は請求項１における超格子層とは独立の関係であるので、請求項１の効果を維持しつつより応答性を高めることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  点状の粘着剤の塗布面を基材用紙の表面に形成してなり、前記各塗布面は、仮想格子内に納めて配列し、全体として均一な粘着力を実現することを特徴とする粘着シート。
【請求項２】  前記仮想格子は、ピッチ２〜８．４mmとすることを特徴とする請求項１記載の粘着シート。
【請求項３】  前記各塗装面は、間隙０．４〜７．２mmとすることを特徴とする請求項１または請求項２記載の粘着シート。
【請求項４】  フレキソ印刷方式により粘着剤の塗布面を基材用紙の表面に形成して粘着シートを製造するに際し、外径１〜５mmの凸部をピッチ２〜８．４mmの仮想格子内に納めて配列する版材を介して粘着剤を塗布することを特徴とする粘着シートの製造方法。
【請求項５】  版材の凸部のまわりに生じるのりだまりの幅を０．１〜１．５mmにコントロールすることを特徴とする請求項４記載の粘着シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するためのこの出願に係る第１発明（請求項１に係る発明をいう、以下同じ）の構成は、点状の粘着剤の塗布面を基材用紙の表面に形成してなり、各塗布面は、仮想格子内に納めて配列し、全体として均一な粘着力を実現することをその要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
なお、仮想格子は、ピッチ２〜８．４mmとすることができ、各塗装面は、間隙０．４〜７．２mmとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２発明（請求項４に係る発明をいう、以下同じ）の構成は、フレキソ印刷方式により粘着剤の塗布面を基材用紙の表面に形成して粘着シートを製造するに際し、外径１〜５mmの凸部をピッチ２〜８．４mmの仮想格子内に納めて配列する版材を介して粘着剤を塗布することをその要旨とする。なお、版材の凸部のまわりに生じるのりだまりの幅を０．１〜１．５mmにコントロールすることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【作用】
かかる第１発明の構成によるときは、基材用紙に形成する点状の粘着剤の塗布面は、仮想格子内に納められて配列されており、このようにして配列する塗布面は、全体として、均一かつ適切な粘着力を発現することができ、引剥し作業が困難になるおそれがない。なお、仮想格子のピッチ２〜８．４mm、各塗布面の間隙０．４〜７．２mmとして、塗布面は、幅０．１〜１．５mmののりだまりを含むものとし、間隙とは、隣接する点状の塗布面間の最小間隙をいうものとする。また、仮想格子内に納める各塗布面の形状は、円形の他、三角形、四角形等の任意の多角形や、＋、−、×、＜、＞等の任意の符号形状としてもよいものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、この出願に係る第１発明によれば、基材用紙に形成する点状の粘着剤の塗布面を仮想格子内に納めて配列することによって、引剥し時において基材用紙の剥離線が塗布面によって細かく分断されるから、全体として均一かつ適切な粘着力を容易に実現することができるという優れた効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の香料組成物は、３，７−ジメチル−１−オクテン−３−オールおよび３，７−ジメチル−１−オクテン−３−イルアセテートのうちの一方または両方を必須の香気成分として含有する。３，７−ジメチル−１−オクテン−３−オールおよび３，７−ジメチル−１−オクテン−３−イルアセテートは、それぞれ特徴的な香気を有している。すなわち、３，７−ジメチル−１−オクテン−３−オールは、リリー、ライラック、スイートピー、ローズなどの人造花精油の調合に極めて重要なリナロールに似た香気を有している。また、３，７−ジメチル−１−オクテン−３−イルアセテートはベルガモット油に似た果実様香気を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  （Ｃ）成分が、（ｃ１）芳香族ビニル単量体成分および（ｃ２）シアン化ビニル単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体と、（ｃ３）アルキル（メタ）アクリレート単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体の組み合わせからなることを特徴とする請求項１、２および３のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  さらにポリテトラフルオロエチレンを含む請求項１、２、３および４のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［３］式（３）において、置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄがすべてフェニル基であるオリゴマー系有機リン化合物である上記［２］記載の難燃性樹脂組成物、
［４］（Ｃ）成分が、（ｃ１）芳香族ビニル単量体成分および（ｃ２）シアン化ビニル単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体と、（ｃ３）アルキル（メタ）アクリレート単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体の組み合わせからなることを特徴とする上記［１］、［２］及び［３］のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物、
［５］さらにポリテトラフルオロエチレンを含む上記［１］、［２］、［３］および［４］のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  （Ａ）成分の重量平均分子量が１５，０００以上２５，０００以下であり、（Ｂ）成分の重量平均分子量が５０，０００以上１５０，０００以下である請求項１又は２記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  （Ｃ）成分が、（ｃ１）芳香族ビニル単量体成分および（ｃ２）シアン化ビニル単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体と、（ｃ３）アルキル（メタ）アクリレート単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体の組み合わせからなることを特徴とする請求項１、２および３のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  成分（ｄ１）の平均縮合度Ｎが１以上１．２未満である請求項１、２、３および４のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  （Ｅ）成分が分子量が５００以上のフェノール系酸化防止剤である請求項１、２、３、４および５のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  さらにポリテトラフルオロエチレンを含む請求項１、２、３、４、５および６のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［３］（Ａ）成分の重量平均分子量が１５，０００以上２５，０００以下であり、（Ｂ）成分の重量平均分子量が５０，０００以上１５０，０００以下である上記［１］又は［２］記載の難燃性樹脂組成物、
［４］（Ｃ）成分が、（ｃ１）芳香族ビニル単量体成分および（ｃ２）シアン化ビニル単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体と、（ｃ３）アルキル（メタ）アクリレート単量体成分が（ｃ４）ゴム質重合体にグラフト重合された共重合体の組み合わせからなることを特徴とする上記［１］、［２］および［３］のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物、
［５］成分（ｄ１）が平均縮合度Ｎが１以上１．２未満である上記［１］、［２］、［３］および［４］のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物、
［６］（Ｅ）成分が分子量が５００以上のフェノール系酸化防止剤である上記［１］、［２］、［３］、［４］、および［５］のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物、
［７］さらにポリテトラフルオロエチレンを含む上記［１］、［２］、［３］、［４］、［５］および［６］のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物、である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 化合物の２次元構造から３次元構造をコンピューターで作成する方法であって、下記の工程：
(1)乱数を用いて異なる複数の初期３次元構造を発生させ、それら各初期構造について、２次元構造情報に基づく制限のもとで距離行列のエラーファンクションの最適化を行いプロ三次元構造を得る工程；
(2)工程(1)で得られたプロ三次元構造を適切なポテンシャルエネルギーファンクションにより構造最適化する工程；及び
(3)工程(1)及び(2)を繰り返し、最小エネルギーの３次元構造を選択する工程；を含む方法。
【請求項２】 工程(1)において、乱数により発生させた複数の初期構造から、２次元構造情報に基づく制限に加え、所望のコンフォメーションを生成するようにバイアスをかけたエラーファンクションによりプロ３次元化構造を得る工程を行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】 ２次元構造情報が、少なくとも含まれる原子の原子番号、化学構造式からの２次元座標、原子間の結合表、結合次数、及び不斉中心の立体化学を含む情報である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】 付加情報を加えた複数の２次元構造情報群として生成すべき立体異性体、幾何異性体、異なるイオン化状態、及び互変異性体からなる群から選ばれる１又は２以上の構造を自動的に準備し、それぞれの異性体構造について工程(1)、(2)、及び(3)を行う請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】 請求項１から３のいずれか１項に記載の方法により、一つの入力２次元構造あたり、立体異性体、コンフォマー、幾何異性体、異なるイオン化状態、互変異性体、等価体からなる群から選ばれる複数の３次元構造を出力データベースとして供給する方法。
【請求項６】 コンピューターを用いた生理活性化合物の創製に用いられる３次元構造データベースの構築方法であって、化合物の２次元構造を含むデータベースから請求項１から５のいずれか１項に記載の方法により化合物の３次元構造を含むデータベースを作成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ジシクロペンタジエン誘導体（１）
【化１】
2000319222.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれが同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基またはアリール基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、またそれぞれの基が互いに環を形成していても良い。）
を、重合防止剤の存在下に１５０℃以上に加熱し、ここにジエノフィル誘導体（２）
【化２】
2000319222.tif 000002
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４は同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基またはアリール基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、またそれぞれの基が互いに環を形成していても良い。Ｘ、Ｙは同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基、アリール基または電子吸引基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、Ｘ、Ｙの少なくとも１つは電子吸引基である。）
を滴下して反応させ、密閉系の反応装置を使用すること無く、簡便な工程によって、高収率でノルボルネン誘導体（３）
【化３】
2000319222.tif 000003
（式中、Ｒ１５〜Ｒ２２はそれぞれが同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基またはアリール基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、またそれぞれの基が互いに環を形成していても良い。Ｘ、Ｙは同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基、アリール基または電子吸引基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、Ｘ、Ｙの少なくとも１つは電子吸引基である。）
を得ることを特徴とするノルボルネン誘導体の製造方法。
【請求項２】  前記したジシクロペンタジエン誘導体（１）の置換基Ｒ１〜Ｒ１２が水素である請求項１記載のノルボルネン誘導体の製造方法。
【請求項３】  前記したジエノフィル誘導体（２）の置換基Ｒ１３およびＲ１４が水素である請求項１記載のノルボルネン誘導体の製造方法。
【請求項４】  前記したジエノフィル誘導体（２）の置換基Ｘの電子吸引基がニトリル基、カルボニル基またはスルホニル基である請求項１または請求項３記載のノルボルネン誘導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち本発明は、ジシクロペンタジエン誘導体（１）
【化４】
2000319222.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれが同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基またはアリール基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、またそれぞれの基が互いに環を形成していても良い。）
を、重合防止剤（フェノール、置換フェノール類、ヒドロキノン、置換ヒドロキノン類、イオウ、銅、銅塩など）の存在下に１５０℃以上に加熱し、ここにジエノフィル誘導体（２）
【化５】
2000319222.tif 000005
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４は同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基またはアリール基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、またそれぞれの基が互いに環を形成していても良い。Ｘ、Ｙは同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基、アリール基または電子吸引基（ニトリル基、カルボニル基またはスルホニル基など）を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、Ｘ、Ｙの少なくとも１つは電子吸引基である。）
を滴下して反応させ、密閉系の反応装置を使用すること無く、簡便な工程によって、高収率でノルボルネン誘導体（３）
【化６】
2000319222.tif 000006
（式中、Ｒ１５〜Ｒ２２はそれぞれが同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基またはアリール基を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、またそれぞれの基が互いに環を形成していても良い。Ｘ、Ｙは同一でも異なっていても良く、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラルキル基、アリール基または電子吸引基（ニトリル基、カルボニル基またはスルホニル基など）を表し、それぞれの基は直鎖、分岐もしくは環状構造であり、さらに他の置換基で置換されていても良く、Ｘ、Ｙの少なくとも１つは電子吸引基である。）
を得ることを特徴とするノルボルネン誘導体の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前述した従来の公知の送水装置は、仕切壁で仕切られた各水室（Ａ，Ｂ，Ｃ）の１つ宛の下部に、水槽本体の外からの操作でその水室の内部と連通、遮断できる開閉弁Ｖ1 をポンプＰ1 ，Ｐ2 の数だけ設け（Ｖ1 −Ａ，Ｖ2 −Ａ、Ｖ1 −Ｂ，Ｖ2 −Ｂ、Ｖ1 −Ｃ，Ｖ2 −Ｃ）、図３（ａ）の場合は、ポンプＰ1 の収容筒１１の後端に取付けた二股の連絡管１７−１を水室Ａの開閉弁Ｖ1 −Ａと、水室Ｂの開閉弁Ｖ1 −Ｂとに接続し、ポンプＰ2 の収容筒１１の後端に取付けた二股の連絡管１７−２を水室Ａの開閉弁Ｖ2 −Ａと、水室Ｂの開閉弁Ｖ2 −Ｂとに接続する。また、図３（ｂ）の場合は、ポンプＰ1 の収容筒１１の後端に取付けた三股の連絡管１７−１を水室Ａの開閉弁Ｖ1 −Ａと、水室Ｂの開閉弁Ｖ1 −Ｂと、水室Ｃの開閉弁Ｖ1 −Ｃとに接続し、ポンプＰ2 の収容筒１１の後端に取付けた三股の連絡管１７−２を水室Ａの開閉弁Ｖ2 −Ａと、水室Ｂの開閉弁Ｖ2 −Ｂと、水室Ｃの開閉弁Ｖ2 −Ｃとに接続する。尚、開閉弁は通常の開閉バルブでもよいが、その一例の構成、及び作用、効果は前述の特開公報や実公平５−２９４２０号公報に図解されているので、それを参照されたい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
これによって、水室Ａを清掃するときは開閉弁Ｖ1 −Ａ，Ｖ2 −Ａを閉じて水室Ａ内の水がポンプＰ1 ，Ｐ2 の収容筒１１，１１に入らないようにし、水室Ａの底のドレンを開いて室内の水を外に排出し、水室Ａの内部を洗浄する。その間はポンプＰ1 ，Ｐ2 を前述のように制御して運転し、水室Ｂ，水室Ｂの他に水室Ｃがあるときは水室Ｂ，Ｃの水を開閉弁Ｖ1 −Ｂ，Ｖ2 −ＢやＶ1 −Ｃ，Ｖ2 −Ｃで吸入して送水する。こうして、各水室に設けてある各ポンプＰ1 ，Ｐ2 用の２つの開閉弁Ｖ1 ，Ｖ2 を順番に閉じることにより、全部の水室を順番に清掃することができる。又、１つの水室の清掃が終わったら、その水室のドレンを閉じ、閉じてあった２つの開閉弁を開にすることにより他の水室から水を補給すると共に、全部の水室の低下した水位をレベルスイッチで検出して外からも共通の給水管で水を補給し、全部の水室の水位を元通りに回復させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
２１は両端が閉じた吸水主管で、水槽本体の内部を仕切る全部の仕切壁１０′の下部をシールして貫通し、図１（ａ）では２つの水室Ａ，Ｂ内に、図１（ｂ）では３つの水室Ａ，Ｂ，Ｃ内に位置する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
各水室の下部には水槽本体の外からの操作でその水室の内部と連通、遮断できる前述の開閉弁Ｖ1を１つ宛設け（Ｖ1−Ａ，Ｖ1−Ｂ，Ｖ1−Ｃ）、この各開閉弁を枝管２２により上記吸水主管２１の各室内に位置する部分に接続する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
更に、水槽本体を複数の水室に区劃する仕切壁を貫通するのは吸水主管だけであるから、仕切壁をシールして貫通させる数は仕切壁の数だけで、従来に較べて減少すると共に、配管を立体交叉させる必要がないので配管工事を容易に行える。しかも、吸水主管、枝管、吸水管は水室の底に整然と配列しているので水室の清掃、底の洗浄の邪魔にならず、清掃、洗浄も容易に行える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０    水槽本体
１０′  水槽本体の仕切壁
Ａ，Ｂ，Ｃ  水室
Ｖ1   開閉弁
Ｐ1 ，Ｐ2   ポンプ
１１  ポンプの収容筒
２１  吸水主管
２２  枝管
２３  吸水管
３０  導入弁
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000319950.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】サラソウジュ及びインドボダイジュの抽出物を含有することを特徴とする皮膚外用剤。
【請求項２】サラソウジュの極性溶媒抽出物を含有することを特徴とする皮膚外用剤。
【請求項３】老化防止剤である請求項１又は２のいずれか一項記載の皮膚外用剤。
【請求項４】サラソウジュ及びインドボダイジュの抽出物の中から選ばれる１種又は２種を含有することを特徴とする抗炎症剤。
【請求項５】サラソウジュ及びインドボダイジュの抽出物の中から選ばれる１種又は２種を含有することを特徴とする美白剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  ガラス板に所定の切断線を切り込むカッターを備えたカッター手段と、該カッター手段に連結されたカッター保持部材と、該カッター保持部材を介して前記カッター手段をガラス板に対して移動させる移動手段とを備え、該移動手段でカッター保持部材を移動させることにより、カッター手段のカッターでガラス板に所定の切断線を切り込む切断線切込方法において、
前記カッター保持部材をカッターに対して所定量オフセットして配設するとともに前記カッター保持部材の移動軌跡を前記ガラス板の所定の切断線よりも外周側に位置させながら前記カッター保持部材を移動させ、カッターのガラス板への当接部を前記移動軌跡の内周側で移動させて、ガラス板に所定の切断線を切り込むことを特徴とするガラス板の切断線切込方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  
【課題を解決するための手段】  
本発明は、前記目的を達成するために、ガラス板に所定の切断線を切り込むカッターを備えたカッター手段と、該カッター手段に連結されたカッター保持部材と、該カッター保持部材を介して前記カッター手段をガラス板に対して移動させる移動手段とを備え、該移動手段でカッター保持部材を移動させることにより、カッター手段のカッターでガラス板に所定の切断線を切り込む切断線切込方法において、前記カッター保持部材をカッターに対して所定量オフセットして配設するとともに前記カッター保持部材の移動軌跡を前記ガラス板の所定の切断線よりも外周側に位置させながら前記カッター保持部材を移動させ、カッターのガラス板への当接部を前記移動軌跡の内周側で移動させて、ガラス板に所定の切断線を切り込むことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】請求項１、２、５及び６記載のポリイミド並びに請求項３、４、７及び８記載のポリアミド酸の少なくとも１以上を含有する溶液または懸濁液。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の所定イベントの発生と第２の所定イベントの発生との間の時間間隔中にディジタル通信ネットワーク内の接続にわたって発生するセルストリーム内の第１タイプのセルの伝送速度を決定するよう構成され且つ配置された、イベントベースのセル帯域幅決定手段であって、
前記セルストリームを受け取るために、前記ディジタル通信ネットワークに結合されるよう構成されたタイムスタンプ手段であって、前記第１の所定イベントが発生する第１時間と、前記第２の所定イベントが発生する、前記第１時間に続く第２時間とを記録することからなる、タイムスタンプ手段と、
前記時間間隔中に前記セルストリーム内において発生する前記第１タイプのセルの数をカウントするよう構成された、セルカウンタと、
前記タイムスタンプ手段と前記セルカウンタとに接続され、前記第１タイプのセルの数を前記時間間隔で除算して前記第１タイプのセルの伝送速度を生成するよう構成された、速度計算手段
とを備える、決定手段。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図５は、セル帯域幅決定手段302の一実施形態のアーキテクチャを示すブロック図である。RMセルタイムスタンプ手段501は、ATMセルストリーム401を受信し、この実施形態では、以下で説明する後続の処理のためにATMセル202のパケット化を行う。本発明によれば、RMセルタイムスタンプ手段402は、ATMセル202,204の各々のタイムスタンプを行い、受信時間を示す値を、RMセルをカプセル化するパケットの所定フィールド中に置く。詳細には、モジュール間バス354からのATMセルストリーム401がタイムスタンプ手段502によって受信される。該タイムスタンプ手段502は、カウンタ504からの32ビット入力を受信し、該カウンタ504はクロック506により循環動作する。該クロック506が10メガヘルツで発振して、前記カウンタ504が約10ナノ秒（ns）の分解能で動作できるようになっていることが好ましい。タイムスタンプ手段502は、この32ビットのタイムスタンプを、パケット化手段508により生成されたパケットにおけるセル帯域幅決定手段302により受信された各ATMセルに付加する。パケット化されたATMセルを含むパケットストリーム510は、ユーザセルカウンタ503に供給される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに詳しくは、図面を参照すれば、混成集積のための微小光学レンズを製造する第一の工程は、図１〜９に示されるように、フォトリソグラフィープロセスによって半導体材料から微小光学レンズを形成することに関係する。レンズを製造するプロセスの第一の工程は、図１に示すように、フォトレジスト材料２０の層をリン化インジウム（InＰ）の基板ウェファー２４の表面２２の全体にコーティングすることである。好ましいフォトレジスト材料２０はエチレンとヘキサメチルジシラザン（hexamethyldisilazane：ＨＭＤＳ）中に２-エトキシエチルアセテート（６０％）とｎ-ブチルアセテート（５％）を溶解したものであり、これは、半導体ウェファーをエッチングするためにリン化インジウム（InＰ）および同類の半導体材料またはその他の硬質材料上に深いプロフィールの乾式エッチングを行うのに適しているために好ましい。リン化インジウムの基板ウェファー２４は、そのエッチング特性と収差の小さい高屈折率レンズを形成する能力のために選ばれる。基板ウェファー２４とフォトレジストコーティング２０のために他の材料を用いることができることに留意することが重要である。例えば、基板ウェファー２４はいかなるIII-V族半導体であってもよく、それはリン化インジウム（InＰ）、ヒ素化ガリウム（ＧaＡs）、ヒ素化インジウム（InＡs）、およびリン化ガリウム（ＧaＰ）を含む。フォトレジストコーティング材料２０には、キシレン溶剤中の２-エトキシエチルアセテートとｎ-ブチルアセテート、キシレン中の２-エトキシエチルアセテートとｎ-ブチルアセテートおよび予備コーティングした二酸化ケイ素（ＳiＯ2）、キシレン中の２-エトキシエチルアセテートとｎ-ブチルアセテートおよび予備コーティングした窒化ケイ素（Ｓi3Ｎ4）、および二酸化ケイ素（ＳiＯ2）と予備コーティングした複合窒化ケイ素（ＳixＮy）または酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次いで、図１６に示すように、マスク５２が赤外線カメラを用いて基板ウェファー２４に対して選択的に整列される。赤外線カメラは、レンズアームのパターン５４を基板ウェファー２４の反対側の表面２２の上に形成されたレンズ４２の配列にそろえるために、基板ウェファー２４を見通すように用いることができる。標準的なフォトリソグラフィー工程を用いて、フォトレジスト材料４６の層はマスク５２を通して紫外線源５５に露光される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１８に示すように、フォトレジスト材料４６の層は現像されて、基板ウェファー２４の表面４８の上にフォトレジストマスク５６が形成される。図１９に示すように、フォトレジストマスク５６を有する基板ウェファー２４の表面４８は、レンズアーム５８を形成するためのフォトレジストマスク５６を囲む領域と谷状の領域６０を囲む領域で乾式エッチングされる。レンズアーム５８は、電子共鳴（ＥＣＲ）エッチングを用いてアルゴンと塩酸（Ａr/ＨＣl）の混合物で乾式エッチングされることによって形成される。しかし、乾式エッチングプロセスは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、またはイオンミリングを用いて行ってもよい。乾式エッチングの混合物には、アルゴンと塩素と水素（Ａr/Ｃl2/Ｈ2）、アルゴンと臭化水素酸（Ａr/ＨＢr）、アルゴンと臭素（Ａr/Ｂr2）、アルゴンと塩素（Ａr/Ｃl2）、アルゴンとメタンと水素（Ａr/ＣＨ4/Ｈ2）、ヨウ化メチル（Ｈ3ＣI）、ヨウ化臭素（IＢr3）、メタンと水素とフッ化硫黄（ＣＨ4/Ｈ2/ＳＦ6）、ヨウ化エチル（Ｃ2Ｈ5I）、ヨウ化イソエチル（Ｃ2Ｈ7I）、六フッ化炭素と水素（Ｃ2Ｆ6/Ｈ2）、またはジクロロジフルオロカーボンと酸素（ＣＣl2Ｆ2/Ｏ2）がある。基板ウェファー２４の反対側の表面２２の上に形成されたレンズ４２を湿式化学エッチング溶液による侵食から保護し、またレンズアームの形成に必要な深いプロフィールをエッチングするために、この工程における乾式エッチングは、湿式化学エッチングの上に行われるのが好ましいことに留意することが重要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
1999298046.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
1999298046.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
1999298046.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
（２．従来技術の説明）
腸の処理を提供するように設計されたそのようなシステムの一つが、３２０３４フロリダ州フェルナンディーナビーチのザッシメディカルエボリューション社によって市場に出されている。ザッシのシステムは、長くて柔軟なカテーテルからなり、その基端部は、排泄物の収集容器に取り外し可能に接続されている。カテーテルの末端部は、患者の腸へ直腸を通して挿入されるように設計されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ザッシのカテーテルの末端部は、腸へのカテーテルの挿入と位置づけを許容する弾力のある部分を含む。カテーテルは、２つの膨張性のバルーンをもち、一方のバルーンはカテーテル管内に位置している。他方はバルーンの内側部分でカテーテルを取り囲んでいる。バルーンは、カテーテルの末端部を閉鎖し、直腸又は瘻孔をカテーテルで密封するために、それぞれ独立して膨張可能である。独立した膨張管が、それぞれのバルーンに提供される。第３の管が、腸へ洗浄流体を届ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このタイプの２重バルーンシステムは、複雑でコスト高である。他の周知の直腸のカテーテルは欠点を有する。その欠点は、膨張中及び膨張後に、バルーンによって周囲組織に及ぼされる圧力に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
他のタイプのカテーテルは、フォーリーカテーテルとしても知られており、一般に尿のカテーテル法に用いる器具の大きな型である。これらのカテーテルは、カテーテルの末端部の外部に配置されたバルーンを備え、長年の間患者の直腸の適所にカテーテルを保持するために用いられてきた。そのようなカテーテルシステムは、頻繁に浣腸の使用のために用いられているが、直腸から収集システムまでの糞便物質の収集や誘導のためにも用いられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
周知の従来技術のシステムは、この問題で不利を招く。バルーンによって組織に供給された圧力を制限する手段は現れていないため、バルーンシステムは、組織が十分に血液に富まないという結果をもたらす圧力で膨張されることがある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、都合よく直腸又は瘻孔にカテーテルの端部を挿入するために、その端部は、十分な堅さを持たなければならない。もしカテーテルの端部が十分に堅くなければ、カテーテルの端部を挿入し、正しく位置づけることが相当困難になることがある。周知の直腸のカテーテルの末端部は、腸へのカテーテルの挿入と位置づけとを許容するように、硬い部分を含む。