【事件の表示】
　平成　６年特許願第２９００２８号「１チップマイクロコンピュータ」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　６月　７日出願公開、特開平　８−１４７２６０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明
　本願は、平成６年１１月２４日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年１２月１５日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　なお、平成１３年３月１５日付けの手続補正は、本審決と同日付けで却下された。
　「プログラムデータの書き込み及び読み出しが可能な第１の不揮発性メモリと、
　前記第１の不揮発性メモリに記憶されたプログラムデータを書き換える為のプログラムデータ及び第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータが書き込まれた読み出し専用の第２の不揮発性メモリと、
　前記第１及び第２の不揮発性メモリのアドレスを択一的にアクセスするアドレス回路と、
　外部より入力されるプログラムデータを一時的に保持する保持回路と、
　前記保持回路にプログラムデータが保持されたことに応じて、前記第１の不揮発性メモリから読み出されたプログラムデータに従って前記保持回路に保持されたプログラムデータが書き込まれるＲＡＭと、
　前記第２の不揮発性メモリから読み出されるプログラムデータに従って前記第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータがセットされるアドレスレジスタと、を備え、
　前記第２の不揮発性メモリから読み出されるプログラムデータに従って、前記ＲＡＭに書き込まれたプログラムデータが前記アドレスレジスタによって指定される前記第１の不揮発性メモリのアドレスに書き込まれることを特徴とする１チップマイクロコンピュータ。」
　
２．引用例に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平５?２６６２１９号公報（以下、「引用例」という。）には、単一の半導体チップ上に形成されるマイクロコンピュータに関して、以下の記載がある。
（１）「マイクロコンピュータの内蔵ＲＯＭにはプログラム及びデータが格納される。」（段落０００４）
（２）「単一の半導体チップ上に、中央処理装置と、この中央処理装置が処理すべき情報を電気的な消去・書込みによって書換え可能な不揮発性のフラッシュメモリとを備えたマイクロコンピュータに対して、前記フラッシュメモリに対する書換えを前記半導体チップの内蔵回路例えば中央処理装置に制御させる第１動作モード」（段落０００８）
（３）「図４にはＣＰＵ制御によるフラッシュメモリＦＭＲＹの書換えに着目したブロック図が示される。…図２のマイクロコンピュータＭＣＵでは、中央処理装置ＣＰＵが実行すべき書換え制御プログラムをマスク・リード・オンリ・メモリＭＡＳＫＲＯＭに保持させておくことができる。」（段落００２７）
（４）「中央処理装置ＣＰＵは、第１動作モードが指示されると、マスク・リード・オンリ・メモリＭＡＳＫＲＯＭが保持する書換え制御プログラムを順次実行し、これにより、フラッシュメモリＦＭＲＹに対する消去並びに書込みが繰返される。」（段落００２９）
（５）「図８には中央処理装置ＣＰＵによる書き込みの一例制御手順が示される。先ず中央処理装置ＣＰＵは、フラッシュメモリＦＭＲＹの書込みスタートアドレスを設定する。次いで、書換え制御プログラムによって指定された周辺回路例えばシリアル・コミュニケーション・インタフェースＳＣＩ若しくはＩ／Ｏポートを介して、外部から送られるデータを読み込む。」（段落００３１）
　したがって、引用例には、「プログラム及びデータが格納されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに記憶されたプログラム及びデータを書き換える為の書換え制御プログラムを保持するマスク・リード・オンリ・メモリと、を備え、前記マスク・リード・オンリ・メモリから読み出される書換え制御プログラムに従って、外部から送られるデータが前記フラッシュメモリに書き込まれる１チップマイクロコンピュータ。」（以下、「引用例に記載された発明」という。）が記載されているといえる。
         　
３．対比
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比すると、
（ａ）引用例に記載された発明の「プログラム及びデータが格納されるフラッシュメモリ」は、本願発明の「プログラムデータの書き込み及び読み出しが可能な第１の不揮発性メモリ」に相当し、
（ｂ）引用例に記載された発明の「前記フラッシュメモリに記憶されたプログラム及びデータを書き換える為の書換え制御プログラム」は、本願発明の「前記第１の不揮発性メモリに記憶されたプログラムデータを書き換える為のプログラムデータ」に相当し、
（ｃ）引用例に記載された発明の「マスク・リード・オンリ・メモリ」は、本願発明の「第２の不揮発性メモリ」に対応し、
（ｄ）引用例に記載された発明の「外部から送られるデータ」は、本願発明の「外部より入力されるプログラムデータ」に相当する（引用例に記載された発明の「外部から送られるデータ」は、「フラッシュメモリに記憶されたプログラム及びデータ」に代えて新たに該フラッシュメモリに記憶されるデータであるから、当然にプログラムデータを含んでいると考えられる。したがって、引用例に記載された発明の「外部から送られるデータ」は、本願発明の「外部より入力されるプログラムデータ」に相当するといえる。）。
　
　したがって、本願発明と引用例に記載された発明とは、「プログラムデータの書き込み及び読み出しが可能な第１の不揮発性メモリと、前記第１の不揮発性メモリに記憶されたプログラムデータを書き換える為のプログラムデータが書き込まれた読み出し専用の第２の不揮発性メモリと、を備え、前記第２の不揮発性メモリから読み出されるプログラムデータに従って、外部よ
り入力されるプログラムデータが前記第１の不揮発性メモリに書き込まれる１チップマイクロコンピュータ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（１）第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータの所在
　本願発明においては、第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータが第２の不揮発性メモリに書き込まれているのに対し、引用例に記載された発明では、そうなっていない。
　
（２）第１、第２の不揮発性メモリの読み出しアドレスの指定手段
　本願発明は、第１及び第２の不揮発性メモリのアドレスを択一的にアクセスするアドレス回路を具備しているのに対し、引用例に記載された発明は、そのようなアドレス回路を具備していない。
　
（３）外部より入力されるプログラムデータの取り込み手段
　本願発明は、外部より入力されるプログラムデータを一時的に保持する保持回路を具備し、該保持回路にプログラムデータが保持されたことに応じて、第１の不揮発性メモリから読み出されたプログラムデータに従って該保持回路に保持されたプログラムデータをＲＡＭに書き込むように構成されているのに対し、引用例に記載された発明は、そのような保持回路を具備しておらず、第１の不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）から読み出されたプログラムデータに従って保持回路に保持されたプログラムデータをＲＡＭに書き込むようにも構成されていない。
         　
（４）外部より入力されるプログラムデータの第１の不揮発性メモリへの書き込み手段
　本願発明は、第２の不揮発性メモリから読み出されるプログラムデータに従って、第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータがアドレスレジスタにセットされ、外部より入力されＲＡＭに書き込まれたプログラムデータが、該アドレスレジスタによって指定される該第１の不揮発性メモリのアドレスに書き込まれるように構成されているのに対し、引用例に記載された発明はそのように構成されていない。
         　
４．当審の判断
　
（１）上記相違点（１）について
　引用例に記載された発明のように、外部より入力されるプログラムデータによって不揮発性メモリ上のプログラムデータを書き換えることを可能とした１チップマイクロコンピュータにおいては、（ア）常に、ある定まったアドレス範囲のプログラムデータを一括して書き換えるようにする構成と、（イ）検知されたプログラムデータの不具合等に応じて、必要な部分のプログラムデータのみを書き換えるようにする構成、の２とおりの構成を考えることができ、それぞれ一長一短を有していること（（ア）の構成は、予め内部に書き込みアドレス記憶しておくことが可能で、外部からのアドレス指定を省略できるという長所と、所望の範囲に限定した書き換えができないといった短所を有しているのに対し、（イ）の構成はそれと逆の長所短所を有している。）は、自明のことである。
　そして、該（ア）の構成を採用し、予め内部に書き込みアドレスを記憶させておくようにする場合に、該アドレスをどこに記憶しておくかは、単なる設計事項に過ぎない。
　したがって、引用例に記載された発明において、第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータを第２の不揮発性メモリに書き込んでおくようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　なお、審判請求人は、審判請求書において、本願発明には、「外部からアドレスデータを入力する必要がなくなる」という利点がある旨主張しているが、これは、上記（ア）の場合の長所のみを採り上げて主張するに過ぎないものであるから、採用の限りでない。
         　
（２）上記相違点（２）について
　プログラムデータを記憶するメモリが複数存在する場合であっても、該複数のメモリに同時にアクセスする必要がない場合には、１つのアドレス回路によって該複数のメモリのアドレスを択一的にアクセスするように構成するのが適当であることは、自明のことである。
　一方、引用例に記載された発明においても、第１の不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）と第２の不揮発性メモリ（マスク・リード・オンリ・メモリマスク・リード・オンリ・メモリ）に同時にアクセスする必要がないことは明らかである。
　したがって、引用例に記載された発明において、第１及び第２の不揮発性メモリのアドレスを択一的にアクセスするアドレス回路を具備するようにすることも、当業者が容易になし得たことである。
         　
（３）上記相違点（３）について
　一般に、データ受信装置において、外部から入力されるデータを一時的に保持する保持回路を設け、該保持回路にデータが保持されたことに応じて該保持回路に保持されたデータをＲＡＭに書き込ませるようにすることは、周知である（必要なら、特開平４?１６５７３５号公報の［従来の技術］の項の記載参照。）。
　そして、保持回路に保持されたデータをＲＡＭに書き込ませるためのプログラムをどこに記憶させておくかは、単なる設計事項に過ぎない。
　したがって、引用例に記載された発明において、外部より入力されるプログラムデータを一時的に保持する保持回路を具備し、該保持回路にプログラムデータが保持されたことに応じて、第１の不揮発性メモリから読み出されたプログラムデータに従って該保持回路に保持されたプログラムデータをＲＡＭに書き込むように構成することも、当業者が容易になし得たことである。
　
（４）上記相違点（４）について
　メモリの書き換えを行うべきアドレスデータを、アドレスラッチにセットし、該アドレスラッチにより該メモリへの書き込みアドレスを指定するようにすることは、通常行われていることである（原査定の拒絶の理由に引用された特開平３?２３８６９７号公報にも示されている。）。
　また、外部より入力されるデータを一旦ＲＡＭに書き込み、該ＲＡＭから所望の不揮発性メモリに書き込むようにすることも、通常行われていることである（この点は、審判請求人も審判請求書において「また、引用文献１には「内蔵ＲＡＭを、書き換えのための作業領域若しくはデータバッファ領域として利用する」技術が記載されている」と認めている。）。
　そして、アドレスデータをアドレスラッチにセットするためのプログラムや、ＲＡＭに書き込まれたデータを不揮発性メモリに書き込むためのプログラムをどこに記憶させておくかは、単なる設計事項に過ぎない。
　したがって、引用例に記載された発明において、第２の不揮発性メモリから読み出されるプログラムデータに従って、第１の不揮発性メモリの書き換えを行うべきアドレスデータがアドレスレジスタにセットされ、外部より入力されＲＡＭに書き込まれたプログラムデータが、該アドレスレジスタによって指定される該第１の不揮発性メモリのアドレスに書き込まれるように構成することも、当業者が容易になし得たことである。
　
（５）本願発明の効果について
　本願発明の効果は、引用例に記載の発明と周知・慣用手段から予測できる範囲内のものである。
         　
５．むすび
　以上のとおりであるので、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知・慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。