【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）凹溝パターンが形成された第１の絶縁膜を有するウエハの第１の主面上および前記凹溝パターン内に、銅または銅を主要成分とするメタル層を形成する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、ＣＭＰ装置内において、前記第１の主面に対して化学機械研磨を施すことにより、前記凹溝パターン内の前記メタル層を残すように、前記第１の絶縁膜を露出させる工程；
（ｃ）前記第１の絶縁膜が露出した前記ウエハの前記第１の主面を、湿潤状態に保持した状態で、前記ＣＭＰ装置内において、１００ルクス以下の照度に保たれるように遮光構造にされた部分を通って、前記ウエハを後洗浄処理部に移送する工程；
（ｄ）前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、薬液または純水により、後洗浄を施す工程；
（ｅ）前記後洗浄が施された前記ウエハの前記第１の主面を乾燥させる工程、
ここで、前記工程（ｂ）から前記工程（ｅ）は、枚葉処理方式で行われる。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凹溝パターンに残された前記メタル層は、ダマシンまたはデュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項５】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄処理部は、１００ルクス以下の照度に保たれた遮光構造にされている。
【請求項６】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記後洗浄処理部内において行われる。
【請求項７】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）から前記工程（ｅ）は、前記ＣＭＰ装置内において、一貫処理される。
【請求項８】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、純水を用いて行われる。
【請求項９】
請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）前記凹溝パターンが形成された前記第１の絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上に、前記銅を主要成分とする前記メタル層を、電気メッキにより形成する工程。
【請求項１１】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄処理部は、１００ルクス以下の照度に保たれた遮光構造にされている。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記後洗浄処理部内において行われる。
【請求項１５】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項１７】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項１９】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凹溝パターンに残された前記メタル層は、ダマシンまたはデュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄処理部は、１００ルクス以下の照度に保たれた遮光構造にされている。
【請求項２２】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄処理部は、１００ルクス以下の照度に保たれた遮光構造にされている。
【請求項２４】
請求項２３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記後洗浄処理部内において行われる。
【請求項２５】
請求項２４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凹溝パターンに残された前記メタル層は、ダマシンまたはデュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する。
【請求項２６】
請求項２５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）前記凹溝パターンが形成された前記第１の絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上に、前記銅を主要成分とする前記メタル層を、電気メッキにより形成する工程。
【請求項２７】
請求項２６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、純水を用いて行われる。
【請求項２８】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）から前記工程（ｅ）は、前記ＣＭＰ装置内において、一貫処理される。
【請求項２９】
請求項２８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項３０】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凹溝パターンに残された前記メタル層は、ダマシンまたはデュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する。
【請求項３１】
請求項３０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項３２】
請求項３１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄処理部は、１００ルクス以下の照度に保たれた遮光構造にされている。
【請求項３３】
請求項３２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記後洗浄処理部内において行われる。
【請求項３４】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記第１の絶縁膜上の前記メタル層を除去するための化学機械研磨である。
【請求項３５】
請求項３４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項３６】
請求項３５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項３７】
請求項３６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）から前記工程（ｅ）は、前記ＣＭＰ装置内において、一貫処理される。
【請求項３８】
請求項３７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄処理部は、１００ルクス以下の照度に保たれた遮光構造にされている。
【請求項３９】
請求項３８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記乾燥工程は、前記後洗浄処理部内において行われる。
【請求項４０】
請求項３９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、純水を用いて行われる。
【請求項４１】
請求項４０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）前記凹溝パターンが形成された前記第１の絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上に、前記銅を主要成分とする前記メタル層を、電気メッキにより形成する工程。
【請求項４２】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面上に絶縁膜を形成する工程；
（ｂ）前記絶縁膜をパターニングすることによって、前記絶縁膜の上面に配線溝を形成する工程；
（ｃ）前記絶縁膜上および前記配線溝内に、銅を主要な成分とする金属層を形成する工程；
（ｄ）前記配線溝内の前記金属層を残すように、化学機械研磨により、前記配線溝外の前記金属層を除去する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハを枚葉処理装置の後洗浄部に移送する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記ウエハの前記第１の主面に対して、薬液を用いて、スクラブまたはブラシ洗浄を実行する工程；
（ｇ）前記ウエハの前記第１の主面を乾燥させる工程、
ここで、前記工程（ｄ）から前記工程（ｇ）は、前記枚葉処理装置内で行われ、前記枚葉処理装置は、その内部を１００ルクス以下の照度に保つ遮光構造を有しており、
さらに、前記工程（ｅ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）前記ウエハの前記第１の主面を、水シャワーにより、湿潤状態に維持する工程。
【請求項４３】
請求項４２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、前記配線溝内に残った前記金属層は、ダマシンまたはデュアルダマシン配線の金属配線である。
【請求項４４】
請求項４３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｅ）は、前記配線溝内に残った前記金属層の腐食が実質的に進行する前に行われる。
【請求項４５】
請求項４４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｄ）の終了から前記工程（ｆ）の終了まで、前記ウエハの前記第１の主面は、湿潤状態に維持されている。
【請求項４６】
請求項４５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｄ）と前記工程（ｅ）の間において、前記金属層に対して、防食処理が施される。