【事件の表示】
　平成１０年特許願第３６０１５９号「磁気抵抗効果素子の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１２年　７月　４日出願公開、特開２０００−１８７８１３、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１２月１８日
　拒絶理由通知１　　　　　　　　　　　　　平成１３年０３月１４日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　　　平成１３年０５月２１日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０６月１５日
　審判請求書・手続補正書２　　　　　　　　平成１３年０７月２５日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１０月３１日
　補正却下（手続補正２）　　　　　　　　　平成１４年　６月１２日
　拒絶理由通知２　　　　　　　　　　　　　平成１４年　７月１０日
　意見書・手続補正書３　　　　　　　　　　平成１４年　９月１７日
　
２　本願発明
　本件特許出願の特許請求の範囲請求項１〜８に係る発明は、明細書・図面及び上記手続補正１，３の記載から見て、手続補正書３に記載された特許請求の範囲請求項１〜８のとおりである。但し、一部誤記を訂正して認定してる。
「【請求項１】　巨大磁気抵抗効果を有する中央領域と、該中央領域の両側に位置する端部領域とからなる巨大磁気抵抗効果素子であって、該端部領域が永久磁石層を含み、該永久磁石層の該中央領域上面に重なる部分の長さをＬ１、該中央領域上面の素子幅をＬ２としたときに、０＜Ｌ１／Ｌ２≦１０％である巨大磁気抵抗効果素子を製造するに際し、当該中央領域を形成する膜層を形成した後に所定の当該中央領域を残す為に所定のレジストを使用してパターニングを行い、次いで当該パターニングされた中央領域上に当該レジストを残存させた状態でイオンビームスパッタ法を用いて、イオンビームの飛翔工程が直線的でかつ平行的となる条件で当該端部領域を形成する事を特徴とする巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項２】　当該中央領域に残存する当該レジストは、２層構造を有しており、当該中央領域膜層に接する側にある当該下層レジストの幅が、当該中央領域膜層と接していない当該上側レジストの幅より狭くなるように構成する事を特徴とする請求項１記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項３】　当該２層を構成する当該レジストのそれぞれの成分は、所定のエッチング処理液に対してエッチングスピードが互いに異なる様に構成されている事を特徴とする請求項２に記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項４】　当該中央領域の幅を規定する当該レジストマスクが２層で構成され、当該中央領域の表面に接する側の当該レジストの厚さが０．０５〜０．３μｍである事を特徴とする請求項２及び３に記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項５】　当該磁化フリー層を含む中央領域の幅を規定するパターニングがイオンビームエッチングによって形成され、当該パターニング後に当該磁気抵抗効果素子が大気暴露されることなく、連続的にイオンビームスパッタ法による永久磁石膜および電極膜の形成がされることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項６】　当該イオンビームスパッタ法に於けるスパッタ膜形成時のガス圧力が３×１０−５Ｔｏｒｒ以上３×１０−４Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする、請求項１乃至５の何れかに記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項７】　当該イオンビームスパッタ法に於けるスパッタ膜形成時に際して、ターゲット面と基板との距離が２０ｃｍ以上１００ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。
　【請求項８】　当該イオンビームスパッタ法が、Ｘｅのイオンビームを用いることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の巨大磁気抵抗効果素子の製造方法。」
　但し、手続補正書３の請求項１において、「並行的」は、詳細な説明【００４７】の記載から見て、「平行的」であると認定した。
　
３　当審の拒絶理由２の概要
（１）　３６条違反
　出願当初の明細書では、その【請求項１】に、「…当該第１の機能膜の端縁側壁部の少なくとも一部に当該第２の機能膜の端縁部の少なくとも一部が当接せしめられている接合構成体に於いて、当該第１の機能膜に当接する当該第２の機能膜の端縁部の少なくとも一部が、当該第１の機能膜の端縁部表面に重ね合わされる重畳率が０〜１０％である事を特徴とする接合構造。」、その【請求項５】に、「少なくとも磁気抵抗効果を有する中央領域と、該中央領域の両側に位置する端部領域とからなる磁気抵抗効果素子に於いて、当該中央領域と当該端部領域との重畳率が０〜１０％である事を特徴とする磁気抵抗効果素子。」と記載され、【００２４】、【００２７】に同様の記載があり、【００３６】に、「即ち、本発明に於ける当該重畳率は、図１１に示す様に、当該接合構造或いは磁気抵抗効果素子を所定の方向の断面で見た場合に於いて、当該断面に於ける当該第１の機能膜６０若しくは磁気抵抗効果素子３０に於ける当該中央領域１０の幅、つまり感磁部の幅Ｌ２に対する当該第２の機能膜７０の端縁部７１が当該第１の機能膜表面に対して重なっている長さＬ１との比（Ｌ１／Ｌ２）で表されるものである。」と定義されている。
　しかしながら、端部領域は中央領域の両側にあることは明らかであり、その両側の端子部と【００３６】の定義されるＬ１との関係は何ら示されていない。両側の端部領域のＬ１は、厳密には一致しないことも当業者には明らかであるが、その際の重畳率はどのように定義されるか明確ではない。
　してみると、重畳率は、明細書において、明記されていないものであり、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反している。
　
（２）　同一（２９条第１項２，３号違反）
引用例３　特開平７−５７２２３号公報、
引用例４　特開平８−２５５３１５号公報、
引用例５　特開平８−４５０３２号公報、
引用例６　特開平８−４５０２９号公報
　
　重畳率０％とは、Ｌ１＝０，即ち重なりがないことを示していると解釈される。本願の【００１７】で、「検討の結果、実効再生トラック幅が１μｍ以下となる素子においては、茎高さを０．０５μｍ以下とすることによって、当該ノイズを問題の無い水準にまで抑制できることが分かった。
　しかしながら、フォトレジストを０．０５μｍの厚さでウエハ上に均一膜厚に塗布することは、実際の生産工程に於いて効率よく実行することは不可能であり、急激な歩留まりの低下を招くことも、一方で明らかとなった。」と記載しており、効率よく実行することは不可能といえても、作製すること自体は可能であり、請求項１〜８記載の発明は周知のスピンバルブ型磁気抵抗素子と同一である。よって、特許法第２９条第１項第２号の規定により特許を受けることができない。
 　また、請求項１〜８記載の発明は、特開平７−５７２２３号公報、特開平８−２５５３１５号公報、特開平８−４５０３２号公報、特開平８−４５０２９号公報に示されるＧＭＲと同一であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　重畳率１０％以下としても、ＧＭＲのトラック幅を規定していないのであるから、トラック幅の長い従来のＧＭＲにおいては、１０％以下となるものが存在し、それと同一である。
　
（３）　先願発明と同一（２９条の２違反）
引用例７　特願平６−３５７５１１号（特開平１１−１８５２２３号）
引用例８　特願平１０−２４２３０２号（特開２０００−７６６２５号）
　
　請求項１〜１５記載の発明は上記引用例７，８記載の先願発明と同一であり、特許法第２９条の２に規定により特許を受けることができない。
　
（４）　容易（２９条第２項違反）
引用例１　特開平８−３６７１２号公報（審査時の引用例１）
引用例２　特開平７−２５４１１３号公報（審査時の引用例２）
　
　上記引用例１，２の端部構造を、上記引用例３〜６に示されているスピン型の磁気抵抗効果素子に適用することに格別の困難性はない。
　（なお、ＧＭＲと限定しても、トラック幅が小さい磁気抵抗効果素子となるものではない。）
　従って、請求項１〜１５記載の発明は引用例１〜６記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４　拒絶理由の検討
（１）　３６条についての検討
　請求項１において、「端部領域が永久磁石層を含み、該永久磁石層の該中央領域上面に重なる部分の長さをＬ１、該中央領域上面の素子幅をＬ２と」明示され、定義のない重畳率を用いずに、単に「０＜Ｌ１／Ｌ２≦１０％である」と補正したので、不明瞭な記載は解消した。
　なお、この明確化により、端部領域が永久磁石層を含み、該永久磁石層の該中央領域上面に重なる部分の長さは、「中央領域の両側に位置する端部領域」と、端部領域がされていることから、中央領域の両側の合計値であると認める。してみると、図面の第１１図において、Ｌ１が片側にのみ記入されているが、これは誤記で、両側にありその合計であると認める。
　
（２）　２９条の２について
　補正により請求項１は「当該パターニングされた中央領域上に当該レジストを残存させた状態でイオンビームスパッタ法を用いて、イオンビームの飛翔工程が直線的でかつ平行的となる条件で当該端部領域を形成する」構成を有する。
　引用例７，８には、この点が示されておらず、しかもイオンビームスパッタ法を用いて端部領域を形成しており、スパッタ条件として、イオンビームの飛翔工程が直線的でかつ平行的となる条件で形成しているために、永久磁石膜の端部が磁化フリー層の端部とよく位置あわせされるという顕著な効果を奏するので、実質的に同一であるとはいえない。
　請求項２〜８は、請求項１を引用した従属形式の発明であり、請求項１が同一でない以上、請求項２〜８の発明も同一ではない。
　
（３）　２９条第１項及び２項について
　補正により請求項１は「当該パターニングされた中央領域上に当該レジストを残存させた状態でイオンビームスパッタ法を用いて、イオンビームの飛翔工程が直線的でかつ平行的となる条件で当該端部領域を形成する」構成を有する。
　これにより、永久磁石膜の端部が磁化フリー層の端部とよく位置あわせされるという明細書第００４７段落、第００４８段落、第００７４段落他記載の顕著な効果が得られる。
　引用例１〜６には端部構造を説明する箇所はあっても、製造方法としてイオンビームスパッタ法を用いた例は示されていない。
　本願発明では、イオンビームスパッタ法を用いて端部領域を形成しており、スパッタ条件として、イオンビームの飛翔工程が直線的でかつ平行的となる条件で形成しているために、永久磁石膜の端部が磁化フリー層の端部とよく位置あわせされるという顕著な効果を奏する。
　イオンビームスパッタ法により、磁気抵抗効果素子の中央領域を作製することは周知であるが、イオンビームスパッタ法によって端部領域を作製することは技術的に出来ないものではないが、作製に時間がかかるこの方法により、端部を形成することは上記各引用例には示されていない。しかも、この方法を採ることにより上記の効果を奏する。
　したがって、これら本願発明の特徴および効果について何ら記載も示唆もない引用例１〜６に記載の発明と本願発明は同一でも、これらから容易に発明できたものでもない。
　請求項２〜８は、請求項１を引用した従属形式の発明であり、請求項１が同一でない以上、請求項２〜８の発明も同一でも、容易に発明できたものでもない。
　
５　まとめ
　いずれの拒絶理由に理由がなく、また他に拒絶の理由を発見しない。
　従って、上記のとおり審決する。