Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルからの光を基板に投影する投影光学系を有し、ペリクルが設けられたレチクルおよび前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
前記ペリクルに対して斜入射する検出光を照射する投光手段と、
前記検出光が前記ペリクルの表面で反射して生じた第１反射光の位置と、該ペリクルの裏面で反射して生じた第２反射光の位置とを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記第１反射光の位置と前記第２反射光の位置とに基づいて、前記投影光学系の収差を調整する調整手段とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記調整手段は、前記検出手段により検出された前記第１反射光の位置と前記第２反射光の位置とに基づいて、前記ペリクルの厚みを算出し、該厚みに基づいて、前記収差を調整することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記調整手段は、前記第１反射光の位置に基づいて、前記ペリクルの面形状を算出し、該面形状に基づいて、前記収差を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
レチクルからの光を基板に投影する投影光学系を有し、ペリクルが設けられたレチクルおよび前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
前記レチクルのパターン面に光束を斜入射させ、該光束による該パターン面からの反射光を検出することにより、前記投影光学系の光軸の方向における該パターン面の位置を計測する計測手段と、
前記ペリクルに対して斜入射する検出光を照射する投光手段と、
前記検出光が前記ペリクルの表面で反射して生じた第１反射光の位置と、該ペリクルの裏面で反射して生じた第２反射光の位置とを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記第１反射光の位置と前記第２反射光の位置との間のずれ量に基づいて、前記計測手段による計測値を補正し、該補正された計測値に基づいて、前記レチクルのたわみまたは前記投影光学系の像を補正する補正手段とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記補正手段は、更に、前記検出手段により検出された前記第１反射光の位置と前記第２反射光の位置とに基づいて、前記ペリクルの面形状および厚みを算出し、該面形状および該厚みに基づいて、前記投影光学系の収差を調整することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記計測手段は、前記投光手段からの前記検出光を前記光束として用いることを特徴と
する請求項４または５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記補正手段は、前記ずれ量に基づいて、前記ペリクルの厚みを算出し、該厚みに基づいて、前記計測手段による計測値を補正するための補正量を算出することを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記補正手段は、前記ペリクルの各位置について算出された厚みに基づいて、前記計測手段による計測値を補正するための補正量を算出することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の露光装置を用いて、レチクルを介し基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レチクルおよび投影光学系を介して感光性の基板を露光する露光装置に関し、特に、半導体回路素子や液晶表示素子などの回路デバイスを製造するリソグラフィ工程で使用される露光装置に好適なものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ペリクルに起因した露光処理への悪影響を低減することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記の目的を達成するための本発明による露光装置は以下の構成を備える。すなわち、
レチクルからの光を基板に投影する投影光学系を有し、ペリクルが設けられたレチクルおよび前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
前記ペリクルに対して斜入射する検出光を照射する投光手段と、
前記検出光が前記ペリクルの表面で反射して生じた第１反射光の位置と、該ペリクルの裏面で反射して生じた第２反射光の位置とを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記第１反射光の位置と前記第２反射光の位置とに基づいて、前記投影光学系の収差を調整する調整手段とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上記の目的を達成するための本発明の他の態様による露光装置は、
レチクルからの光を基板に投影する投影光学系を有し、ペリクルが設けられたレチクルおよび前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
前記レチクルのパターン面に光束を斜入射させ、該光束による該パターン面からの反射光を検出することにより、前記投影光学系の光軸の方向における該パターン面の位置を計測する計測手段と、
前記ペリクルに対して斜入射する検出光を照射する投光手段と、
前記検出光が前記ペリクルの表面で反射して生じた第１反射光の位置と、該ペリクルの裏面で反射して生じた第２反射光の位置とを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記第１反射光の位置と前記第２反射光の位置との間のずれ量に基づいて、前記計測手段による計測値を補正し、該補正された計測値に基づいて、前記レチクルのたわみまたは前記投影光学系の像を補正する補正手段とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、ペリクルに起因した露光処理への悪影響を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光で反射型マスクを照明する照明光学系と、該反射型マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを有する露光装置において、
前記照明光学系は、前記反射型マスクの照明領域を規定する視野絞りと、該視野絞りの開口からの光を前記反射型マスクに導く結像系とを有し、
前記結像系は、共軸光学系であり、
前記結像系の前記反射型マスク側の主光線は、該共軸に対して傾斜角を持ち、
該傾斜角は、前記投影光学系の前記反射型マスク側の主光線と前記反射型マスク表面の法線とがなす角と等しいことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記照明光学系は、前記結像系からの光を反射して前記反射型マスクへと導く平面ミラーを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記結像系の前記視野絞り側の主光線は、前記共軸と平行であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記照明光学系は、前記結像系の瞳面近傍に配置された開口絞りを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記照明光学系は、前記開口絞りの開口の大きさ又は形状を変更する機構を有することを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記視野絞りは、円弧形状の開口を持つ円弧スリットを有し、
前記円弧の曲率中心は、前記共軸上又はその近傍にあることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記照明光学系は、前記光源からの光で複数の２次光源を形成する反射型インテグレータと、該複数の２次光源からの光束を前記視野絞りに重ねて円弧形状の照明領域を形成するミラー系とを有し、
該円弧の曲率中心は、前記共軸近傍にあることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
前記結像系は、４枚のミラーを有し、
前記４枚のミラーのうち前記視野絞りから１枚目のミラーと４枚目のミラーの反射面は、凹面であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】
前記４枚のミラーのうち前記視野絞りから３枚目のミラーの反射面は、凸面であることを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記４枚のミラーのうち前記視野絞りから２枚目のミラーの反射面は、凹面であることを特徴とする請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記結像系は、その瞳面の近傍に反射面を持つミラーを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１２】
前記光源からの光は、２０ｎｍ乃至５ｎｍの波長の光であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射面を照明する照明光学系において、
光源部からの波長２０ｎｍ〜５ｎｍの光を平行な光にする光学系と、
前記光学系からの光で複数の２次光源を形成する反射型インテグレータと、
前記複数の２次光源からの光を前記被照射面に重ねるミラー系と、を備え、
前記光学系は第１ミラーと第２ミラーからなり、
前記第１ミラーは、前記光源部からの光を前記第２ミラーに導き、
前記第１ミラーは前記光軸上に開口部を持ち、前記開口部を前記第２ミラーで反射した光が通過し、
前記光源部の発光点は、前記光学系の光軸上若しくはその近傍にあることを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記開口部は、前記光源部の集光ミラーの光軸上にあることを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項３】
前記第１ミラーは凹面ミラーであり、前記第２ミラーは凸面ミラーであることを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項４】
前記凸面ミラーは、少なくとも２つ以上のロッドにより固定されており、前記ロッドのうち少なくとも２つは、冷却水が流れる流路を持つことを特徴とする請求項３記載の照明光学系。
【請求項５】
マスクを照明する請求項１乃至４のいずれか一項記載の照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての照明光学系は、被照射面を照明する照明光学系において、光源部からの波長２０ｎｍ〜５ｎｍの光を平行な光にする光学系と、前記光学系からの光で複数の２次光源を形成する反射型インテグレータと、前記複数の２次光源からの光を前記被照射面に重ねるミラー系と、を備え、前記光学系は第１ミラーと第２ミラーからなり、前記第１ミラーは、前記光源部からの光を前記第２ミラーに導き、前記第１ミラーは前記光軸上に開口部を持ち、前記開口部を前記第２ミラーで反射した光が通過し、前記光源部の発光点は、前記光学系の光軸上若しくはその近傍にあることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動するステージと、基板を吸着保持する基板保持部材と、該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させる吸着手段とを備えたステージ装置であって、
前記吸着手段は、前記基板保持部材の剛性よりも低い剛性で該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記吸着手段は、前記基板保持部材の剛性よりも低い剛性を有する弾性体を介して前記基板保持部材または前記ステージに取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記吸着手段は、前記基板保持部材側に設けられた第１部材と前記ステージ側に設けられた第２部材とに分離されており、これらの第１部材と第２部材との少なくとも一方が、前記基板保持部材の剛性よりも低い剛性を有する弾性体を介して前記基板保持部材または前記ステージに取り付けられていることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記吸着手段は、電磁力を利用したものであり、該吸着手段と前記基板保持部材または前記ステージとの接触面が前記基板保持部材の給電経路および／または前記基板と前記基板保持部材の冷却用伝熱経路を構成していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項５】
前記吸着手段は、空隙を介して前記基板保持部材を前記ステージに吸着保持させることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記基板保持部材の基板保持面の平面度を計測して前記吸着手段の吸着面の複数箇所における前記基板保持部材との離間距離を調整する手段をさらに有することを特徴とする請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記基板保持部材の複数箇所に前記平面度を計測するための歪センサを設けたことを特徴とする請求項６に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記吸着手段は、該吸着手段を移動して該吸着手段の吸着面と前記基板保持部材との離間距離を変化させるアクチュエータを介して前記ステージまたは前記基板保持部材に取り付けられていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項９】
前記吸着手段は、前記基板保持部材側に設けられた第１部材と前記ステージ側に設けられた第２部材とに分離されており、これらの第１部材と第２部材との少なくとも一方が、前記アクチュエータを介して前記基板保持部材または前記ステージに取り付けられていることを特徴とする請求項８に記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記第１部材および第２部材は、一方が励磁手段であり、他方が強磁性体であることを特徴とする請求項３または９に記載のステージ装置。
【請求項１１】
前記ステージの移動方向における前記ステージと前記基板保持部材との相対変位を計測する手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項１２】
移動するステージと、基板を吸着保持する基板保持部材と、該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させる吸着手段とを備えたステージ装置であって、
前記ステージの移動方向における前記ステージと前記基板保持部材との相対変位を計測する手段を有することを特徴とするステージ装置。
【請求項１３】
移動するステージと、基板を吸着保持する基板保持部材と、該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させる吸着手段とを備えたステージ装置であって、
前記基板保持部材の両面に静電吸着手段を設けたことを特徴とするステージ装置。
【請求項１４】
原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して被露光基板に投影し、前記投影光学系に対し原版と被露光基板の両方、または被露光基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを被露光基板に繰り返し露光する露光装置において、
前記原版および被露光基板の少なくとも一方を移動させるステージ装置が、請求項１〜１３のいずれか１つに記載のステージ装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明に係る第１のステージ装置は、移動するステージと、基板を吸着保持する基板保持部材と、該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させる吸着手段とを備えたステージ装置であって、前記吸着手段は、前記基板保持部材の剛性よりも低い剛性で該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させることを特徴とする。
具体例としては、前記吸着手段を、前記基板保持部材の剛性よりも低い剛性を有する弾性体を介して前記基板保持部材または前記ステージに取り付ける。または、前記吸着手段が、空隙を介して前記基板保持部材を前記ステージに吸着保持させるように構成する。
また、本発明に係る第２のステージ装置は、移動するステージと、基板を吸着保持する基板保持部材と、該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させる吸着手段とを備えたステージ装置であって、前記ステージの移動方向における前記ステージと前記基板保持部材との相対変位を計測する手段を有することを特徴とする。
また、本発明に係る第３のステージ装置は、移動するステージと、基板を吸着保持する基板保持部材と、該基板保持部材を前記ステージに吸着保持させる吸着手段とを備えたステージ装置であって、前記基板保持部材の両面に静電吸着手段を設けたことを特徴とする。
本発明に係る露光装置は、原版面に描かれたパターンを投影光学系を介して被露光基板に投影し、前記投影光学系に対し原版と被露光基板の両方、または被露光基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを被露光基板に繰り返し露光する露光装置において、前記原版および被露光基板の少なくとも一方を移動させるステージ装置が、上記した本発明に係るステージ装置のいずれかであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
かかる要求を満足させるべく、本出願人は先に、ジビニルベンゼン共重合ブチルゴム100重量部当り約2〜100重量部の偏平状充填剤を添加することにより、気体遮蔽性を改善せしめた過酸化物架橋性ゴム組成物を提案している。しかし、昨今の高機能化(耐熱性向上)、超寿命化(電解液遮蔽性向上)の要求に対しては十分な特性を示し難くなっているのが現状である。
【特許文献１】特開２００２−０６９２５４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】信号伝送用基板装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層および第２導電層を含んだ積層構造を有する信号伝送用基板装置であって、通信素子を差し込むための複数の開口部を備え、前記第１導電層および前記第２導電層は、前記開口部に差し込まれた通信素子により前記第１導電層と前記第２導電層との間の電圧を制御されることで信号を通信素子の周囲に広がって伝搬する電圧変動として発信させるものであって、発信信号には、次に信号を受け取るべき通信素子を特定するＩＤまたは送信元の通信素子を特定するＩＤが含まれており、信号を受信した通信素子は、信号に含まれるＩＤにより自身宛てか判定する機能または信号の発信元を特定する機能を有しているのであって、
前記第１導電層は、積層構造において前記第２導電層とは異なる高さに形成され、前記開口部は、前記第１導電層および前記第２導電層を、積層構造においてそれぞれ異なる高さにて露出しており、
通信素子が前記開口部に差し込まれると、前記第１導電層および前記第２導電層の露出部が通信素子の電極にそれぞれ接続されるように構成されていることを特徴とする信号伝送用基板装置。
【請求項２】
前記開口部は、階段状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の信号伝送用基板装置。
【請求項３】
前記第１導電層および前記第２導電層は、階段状に形成された前記開口部の平坦部で露出されることを特徴とする請求項２に記載の信号伝送用基板装置。
【請求項４】
前記開口部は、テーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の信号伝送用基板装置。
【請求項５】
前記開口部は、筒状または側面に凹凸のある筒状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の信号伝送用基板装置。
【請求項６】
複数の前記開口部は、所定の間隔で設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の信号伝送用基板装置。
【請求項７】
第１導電層および第２導電層を含んだ積層構造を有する信号伝送用基板装置であって、前記第１導電層および前記第２導電層は、前記第１導電層および前記第２導電層に接続する通信素子により前記第１導電層と前記第２導電層との間の電圧を制御されることで信号を通信素子の周囲に広がって伝搬する電圧変動として発信させるものであって、発信信号には、次に信号を受け取るべき通信素子を特定するＩＤまたは送信元の通信素子を特定するＩＤが含まれており、信号を受信した通信素子は、信号に含まれるＩＤにより自身宛てか判定する機能または信号の発信元を特定する機能を有しているのであって、
前記第１導電層は、積層構造において前記第２導電層とは異なる高さに形成され、通信素子に対する前記第１導電層の接点と前記第２導電層の接点は、積層構造において同一面に設けられ、
通信素子が前記第１導電層の接点と前記第２導電層の接点とが設けられた面に配置されると、前記第１導電層および前記第２導電層の接点が通信素子の電極にそれぞれ接続されるように構成されていることを特徴とする信号伝送用基板装置。
【請求項８】
前記第１導電層の接点および前記第２導電層の接点は積層構造表面に設けられ、それぞれの接点は、積層構造の高さ方向に延びる導電路によりそれぞれの導電層と接続されることを特徴とする請求項７に記載の信号伝送用基板装置。
【請求項９】
積層構造の表面には、前記第１導電層および前記第２導電層から延びる導電路の表出部の組が複数存在し、
各組における表出部同士の間隔は、実質的に等しく設定されていることを特徴とする請求項８に記載の信号伝送用基板装置。
【請求項１０】
表出部の各組は、積層構造の表面において所定の間隔で配置されていることを特徴とする請求項９に記載の信号伝送用基板装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
接着剤層と少なくとも１層の有機絶縁性フィルムを有する半導体装置用接着剤シートであって、該接着剤層の硬化前の貯蔵弾性率Ｅが１００℃において５ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲にあることを特徴とする半導体装置用接着剤シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明の半導体装置用接着剤シートは、接着剤層と、少なくとも１層の有機絶縁性フィルムを有する半導体装置用接着剤シートであって、その接着剤層の硬化前の貯蔵弾性率Ｅが１００℃において５ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲にあることを特徴とする半導体装置用接着剤シートである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の半導体装置用接着剤シートは、接着剤層の硬化前の貯蔵弾性率Ｅが１００℃において５ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲にあることが必要であり、その貯蔵弾性率Ｅが５ＭＰａ〜２０ＭＰａであれば、熱硬化時間を短くしても発泡が起こらない。これは、ポリイミドフィルム等の吸水率が０．３％以上の有機絶縁性フィルムにおいて顕著である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前に、本発明で用いる評価方法について述べる。
［評価方法］
（１）評価用サンプル作成方法
（ａ）半導体装置用接着剤シートの作成
実施例および比較例に記載の接着剤組成物を、モノクロルベンゼン／メタノール＝２／１重量比の溶剤に、濃度２５重量％となるように３０℃で２４時間撹拌、混合して接着剤組成物溶液を作成した。この接着剤組成物溶液を、乾燥後に１２μｍ厚の接着剤層となるように、シリコーン処理により離型性を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）保護フィルム（５０μｍ）上に、バーコータで塗工し、１００℃、１分および１６０℃で５分間で乾燥した。なお、下記の実施例４および比較例９については、離型性のないポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、これを３５ｍｍ幅にカットしたものを接着剤付きテープとして用いた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
（ｂ）接着剤付きテープの作成（実施例１〜３、比較例１〜８）
上記（ａ）の半導体装置用接着剤シートを、７５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、”ユーピレックス”（登録商標）７５Ｓ）に、１３０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロールラミネートし、表３に示す熱処理をエアオーブン中で行って３５ｍｍ幅の接着剤付きテープを作成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（実施例２〜４、比較例１〜９）
表１および表２に示した化合物を用い、表３の配合比で実施例１と同様に接着剤層の貯蔵弾性率および接着剤付きテープの発泡評価し、半導体接続用基板の接着性の評価を行った。結果を表３に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表３】
2005093861.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ部とロジック部とを同一の半導体基板に有するメモリ混載の半導体装置であって、
前記半導体基板の主表面に形成された１対のソース／ドレイン領域、および前記１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層を有する、前記ロジック部の第１トランジスタと、
前記半導体基板の主表面に形成された１対のソース／ドレイン領域、および前記１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層を有する、前記メモリ部の第２トランジスタとを備え、
前記第１トランジスタの前記１対のソース／ドレイン領域の各々は、高濃度領域と、前記高濃度領域に隣接した低濃度領域とを有しており、
前記第２トランジスタの前記１対のソース／ドレイン領域の各々は、高濃度領域を有し、低濃度領域を有しない、半導体装置。
【請求項２】
前記第１のトランジスタの前記１対のソース／ドレイン領域および前記ゲート電極層の各々と、前記第２のトランジスタの前記１対のソース／ドレイン領域および前記ゲート電極層の各々との表面に形成されたシリサイド層をさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタの各々は、前記ゲート電極層の側壁を覆うように形成された側壁絶縁層をさらに有し、
前記第１トランジスタの前記低濃度領域は、前記ゲート電極層を挟むように形成され、
前記第１トランジスタの前記高濃度領域は、前記ゲート電極層および前記側壁絶縁層を挟むように形成され、
前記第２トランジスタの前記高濃度領域は、前記ゲート電極層および前記側壁絶縁層を挟むように形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
メモリ部とロジック部とを同一の半導体基板に有するメモリ混載の半導体装置の製造方法であって、
前記ロジック部と前記メモリ部とのそれぞれにおいて、前記半導体基板の主表面上にゲート絶縁層とゲート電極層とを積層して形成する工程と、
前記ロジック部において、前記ゲート電極層をマスクとして前記半導体基板の主表面に不純物を導入することにより、前記ゲート電極層を挟むように前記半導体基板の主表面に１対の低濃度領域を形成する工程と、
前記メモリ部の前記ゲート電極層の側壁を覆う側壁絶縁層と、前記ロジック部の前記ゲート電極層の側壁を覆う側壁絶縁層とを形成する工程と、
前記ロジック部と前記メモリ部とのそれぞれにおいて、前記ゲート電極層および前記側壁絶縁層をマスクとして前記半導体基板の主表面に不純物を導入し、前記ゲート電極層および前記側壁絶縁層を挟むように前記半導体基板の主表面に１対の高濃度領域を形成する工程とを備え、
前記ロジック部においては高濃度領域と、前記高濃度領域に隣接した低濃度領域とを有するソース／ドレイン領域を形成し、
前記メモリ部においては高濃度領域を有し、低濃度領域を有しないソース／ドレイン領域を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ロジック部と前記メモリ部とのそれぞれにおいて前記ゲート電極層と前記ソース／ドレイン領域とが形成された半導体基板の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の前記ソース／ドレイン領域に接する部分および前記ゲート電極層に接する部分をシリサイド化する工程と、
前記金属膜のシリサイド化していない部分を除去する工程とさらに備えたことを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置は、メモリ部とロジック部とを同一の半導体基板に有するメモリ混載の半導体装置であって、ロジック部の第１トランジスタと、メモリ部の第２トランジスタとを備えている。ロジック部の第１トランジスタは、半導体基板の主表面に形成された１対のソース／ドレイン領域、およびその１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層を有している。メモリ部の第２トランジスタは、半導体基板の主表面に形成された１対のソース／ドレイン領域、およびその１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層を有している。第１トランジスタの１対のソース／ドレイン領域の各々は、高濃度領域と、高濃度領域に隣接した低濃度領域とを有している。第２トランジスタの１対のソース／ドレイン領域の各々は高濃度領域を有し、低濃度領域を有しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置によれば、メモリ部の第２トランジスタの１対のソース／ドレイン領域の各々は高濃度領域を有し、ロジック部のようにＬＤＤ領域となるような低濃度領域を有していない。このため、その低濃度領域が高濃度化することによるパンチスルーの発生をメモリ部において防止することができ、それによりセルトランジスタのオフ時におけるリーク電流の増大を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、メモリ部の第２トランジスタの１対のソース／ドレイン領域の各々が高濃度領域を有し、低濃度領域を有していないため、メモリ部においてロジック部のような低濃度領域を形成する必要がない。このため、メモリ部に低濃度領域を形成することによる製造工程の増加はなく、製造工程を簡略化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品に荷重と超音波振動を加えて上記部品を基板に接合するボンディングヘッドにおいて、
超音波を発生する振動子と、
上記振動子に連結する領域と、加圧装置からの荷重を受ける領域と、光加熱装置からの光を受ける領域と、上記部品を保持する領域を有する振動ホーンと、
上記振動ホーンを光で加熱する上記光加熱装置と
上記光加熱装置と上記振動ホーンとを連結する取付部材と、
からなることを特徴とするボンディングヘッド。
【請求項２】
上記光加熱装置は、ハロゲンランプの光を集光して上記振動ホーンを加熱し、
上記光加熱装置からの上記光を受ける上記領域は、上記光の吸収率が５０％以上であることを特徴とする請求項１記載のボンディングヘッド。
【請求項３】
ヘッドに保持された部品に振動を加えて、この部品を基板に接合するボンディング方法において、  
ランプの光を集光しで上記ヘッドを加熱する工程と、
上記ヘッドに上記部品を保持する工程と、
上記基板を所定位置に移動する工程と、
上記部品を上記基板に押圧する工程と、
押圧された上記部品に振動を加えて上記部品を上記基板に接合する工程と
からなることを特徴とするボンディング方法。
【請求項４】
上記ヘッドの温度が１００〜３００℃であることを特徴とする請求項６記載のボンディング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  操縦運転装置を取囲んでトラクタ車体に搭載されているトラクタのキャビンにおいて、
キャビンの骨格体である左右の後ピラーを座席の真横よりも後方側に配置し、かつ上下方向において中途部が突出する外方弯曲状に形成していることを特徴とするトラクタのキャビン。
【請求項２】  前記後ピラーの後縁部で平面視Ｕ字形のリヤガラスの装着部を構成しており、該リヤガラスを球面状で外方に拡大した形状としていることを特徴とする請求項１に記載のトラクタのキャビン。
【請求項３】  前記後ピラーの前側に後下りの傾斜軸心廻りで開閉動作するドアを装着し、前記後ピラーを立設している左右のフェンダに、空調装置の制御部、肘乗せ台、ラジオカセットを装着していることを特徴とする請求項１又は２に記載のトラクタのキャビン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  操縦運転装置を取囲んでトラクタ車体に搭載されているトラクタのキャビンにおいて、
板金製のキャビン天井部と板金製の左右フェンダとを板金製の後部ピラーで連結しており、この連結部がキャビン天井部および左右フェンダに向って前後方向に延伸する末広がり形状とされていることを特徴とするトラクタのキャビン。
【請求項２】  前記キャビン天井部と左右のステップとを板金製の前部ピラーで連結しており、この連結部がキャビン天井部に向って前後方向に延伸する末広がり形状とされていることを特徴とする請求項１に記載のトラクタのキャビン。
【請求項３】  前記前部ピラーがキャビン外方に弯曲突出されていることを特徴とする請求項２に記載のトラクタのキャビン。
【請求項４】  前記末広がり形状部分がキャビンの内外方向に弯曲する三次元構成とされていることを特徴とする請求項１に記載のトラクタのキャビン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤、
（Ｃ）酸の作用により架橋する架橋剤、及び
（Ｄ）下記溶剤Ａ群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｂ群から選択される少なくとも１種を含有する混合溶剤、もしくは溶剤Ａ群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｃ群から選択される少なくとも１種を含有する混合溶剤
Ａ群：プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
Ｂ群：プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシプロピオン酸アルキル
Ｃ群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート
を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項２】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤、
（Ｃ）酸の作用により架橋する架橋剤、及び
（Ｄ）下記溶剤Ａ群から選択される少なくとも１種、下記溶剤Ｂ群から選択される少なくとも１種、及び下記溶剤Ｃ群から選択される少なくとも１種を含有する混合溶剤
Ａ群：プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
Ｂ群：プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシプロピオン酸アルキル
Ｃ群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート
を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項３】（Ａ）成分の樹脂が一般式（１）で表される構造単位を含有する樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化１】
2002148806.tif 000001
式（１）中、Ｒ1aは、水素原子又はメチル基を表す。
【請求項４】（Ａ）成分の樹脂が、下記一般式（２）で表わされる樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化２】
2002148806.tif 000002
式（２）中、Ｒ1a〜Ｒ5aは、各々独立に水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ6a〜Ｒ11aは、水素原子、炭素数１〜４個のアルキル基あるいはアルコキシ基、水酸基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ14aを表す。Ｒ14aは、水素原子または炭素数１〜４個のアルキル基を表す。）を表す。
Ｒ12aは、−ＣＯＯＲ15a（Ｒ15aは、水素原子又は炭素数１〜４個のアルキル基を表す）を表す。
０＜ｌ≦１００
０≦ｍ、ｎ、ｏ、ｐ＜１００
ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１００
【請求項５】（Ｂ）成分の感放射線性酸発生剤が、下記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化３】
2002148806.tif 000003
〔一般式（Ｉ）〜(III)において、Ｒ1〜Ｒ37は、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ38で示せる基を表す。−Ｓ−Ｒ38中のＲ38は、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ1〜Ｒ38は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ1〜Ｒ15の場合、その中から選択される二つ以上は互いに直接末端で結合しあい、あるいは酸素、イオウ及び窒素から選ばれる元素を介して結合しあって環構造を形成していてもよい。Ｒ16〜Ｒ27の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。Ｒ28〜Ｒ37の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。
Ｘ-は酸のアニオンである。アニオンを形成している酸は、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸の中から選択される酸である。又はその酸は、アルキル基、アルコキシル基、アシル基、アシロキシル基、スルホニル基、スルホニルオキシ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基からなる群から選択された少なくとも１種の有機基を有する。〕
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料台に試料を載置する工程と、前記試料台の試料載置面に対しイオンビームを相対的に傾斜させて前記試料に照射する第１の加工工程と、
前記試料載置面内で前記試料を回転し前記試料に前記イオンビームを照射する第２の加工工程と、前記第２の加工工程で前記試料より分離した試料片を摘出する工程と、を有することを特徴する試料作製方法。
【請求項２】
試料台に試料を載置する工程と、
当該試料台の試料載置面に対し第一の角度に傾斜したイオンビームを前記試料に照射して夫々が対向する2つの穴部を形成する工程と、
当該第一の角度に傾斜した前記イオンビームを照射して前記2つの穴部を繋ぐ第一の溝部を形成する工程と、
前記試料台を当該試料載置面の法線方向に対して回転させて前記溝部に対向し、かつ前記２つの穴部を繋ぐ第二の溝部を形成する工程と、
前記第一、第二の溝部及び前記２つの穴部に囲まれた前記試料の一部を摘出する工程とを有することを特徴とする試料作製方法。
【請求項３】
請求項２に記載の試料作製方法において、
前記試料載置面に対し傾斜する前記イオンビームの前記第一の角度は0度を超えて大きくとも90度未満であることを特徴とする試料作製方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の試料作製方法において、
前記試料載置面に対し傾斜する前記イオンビームの前記第一の角度は30度以上75度以下であることを特徴とする試料作製方法。
【請求項５】
請求項２に記載の試料作製方法において、
前記試料に前記イオンビームを照射している間は前記試料台は傾斜しないことを特徴とする試料作製方法。
【請求項６】
イオンビームの照射光学系と、上記イオンビームの照射によって試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、上記試料基板を載置する試料台とを少なくとも有する試料作製装置を用いて、試料から微小試料を分離または分離準備する試料作製方法において、試料へのイオンビーム照射軸と試料表面とのなす角度を、０度を超えて大きくとも９０度未満としてイオンビームを試料に照射し、次に試料を、試料表面法線を回転軸として回転させ、試料へのイオンビーム照射軸と試料表面とのなす角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。
【請求項７】
イオンビームの照射光学系と、該イオンビームの照射によって試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、前記試料を載置する試料台とを少なくとも有する試料作製装置において、前記試料への前記イオンビーム照射軸と前記試料台の試料載置面とのなす角度が３０度から７５度の範囲であり、前記試料載置面の法線を回転軸として回転させる手段を有し、上記試料基板の所望の部分を分離した摘出微小試料を別の部材に移し変える移送手段と、上記微小摘出試料を載置する試料ホルダの保持手段とを有し、
前記試料台は前記試料に前記イオンビームを照射している間は傾斜しないことを特徴とする試料作製装置。
【請求項８】
イオンビームの照射光学系と、該イオンビームの照射によって試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、試料基板を載置する試料台とを少なくとも有し、試料基板から微小試料を分離または分離準備する試料作製装置において、試料へのイオンビーム照射軸と試料表面とのなす角度は０度を超えて大きくとも９０度未満であり、試料台が試料表面法線を回転軸として回転させる機能を有し、回転後に試料を分離または分離準備するイオンビームの照射位置を、上記イオンビームまたは別に設けた電子ビーム照射系からの電子ビームの照射によって試料から発生する二次粒子によって形成する二次粒子像を画像処理した結果を利用して、決定する機能を有し、
前記試料台は前記試料台に前記イオンビームを照射している間は傾斜しないことを特徴とする試料作製装置。
【請求項９】
イオンビームの照射光学系と、該イオンビームの照射によって試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、試料基板を載置する試料台とを少なくとも有し、試料基板から微小試料を分離または分離準備する試料作製装置において、試料へのイオンビーム照射軸と試料表面とのなす角度が、０度を超えて大きくとも９０度未満であり、試料台が試料表面法線を回転軸として回転させる機能を有し、回転後に試料を分離または分離準備するイオンビームの照射位置を、上記イオンビームの照射または別に設けた電子ビーム照射系からの電子ビームによって試料から発生する二次粒子によって形成する二次粒子像を表示する画像表示手段を利用することによって決定する機能を有することを特徴とする試料作製装置。
【請求項１０】
イオンビームの照射光学系と、イオンビームの照射によって試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、試料基板を載置する試料台とを少なくとも有し、試料基板から微小試料を分離または分離準備するために、その微小試料の周りに、試料基板に対して複数の入射方向からイオンビームを照射して、微小試料を分離または分離準備する試料作製装置において、そのイオンビーム照射光学系に試料へのイオンビーム照射軸を少なくとも１５度変えられる、イオンビーム傾斜機能を持たせたことを特徴とする試料作製装置。
【請求項１１】
試料へのイオンビーム照射軸を少なくとも１５度変えられる、イオンビーム傾斜機能が、電気的偏向機構により実現されることを特徴とする請求項１０記載の試料作製装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
１…脱アルカリ設備、２…充填塔（向流接触装置）、４…混合槽（混合接触装置）、６…セトラー、７…中和槽、９…加熱手段、１８，２８…移送路（移送手段）、Ｃ…酸水溶液、Ｐ…廃油、Ｐ´…脱アルカリ廃油。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が１１０〜１３０℃のポリエチレンワックス（Ａ）を、長鎖脂肪族１級アルコールにエチレンオキシドを付加重合した分子量が７００〜２４００の界面活性剤（Ｂ）の存在下に水中に分散してなる水性インキ用添加剤であって、
前記界面活性剤（Ｂ）がＨＬＢ値６〜１４である水性インキ用添加剤添加剤。
【請求項２】
長鎖脂肪族１級アルコールにエチレンオキシドを付加重合したＨＬＢ値３〜５の界面活性剤（Ｃ）を併用する請求項１記載の添加剤。
【請求項３】
ポリエチレンワックス（Ａ）の６０℃における針入度が５以下である請求項１または２記載の添加剤。
【請求項４】
ポリエチレンワックス（Ａ）の分散粒子の平均粒子径が０．５〜１０μｍである請求項１ないし３いずれか記載の添加剤。
【請求項５】
ポリエチレンワックス（Ａ）の分子量が１０００〜３０００でありかつ分散度が１．１０以下である請求項１ないし４いずれか記載の添加剤。
【請求項６】
請求項１ないし５記載の水性インキ用添加剤を水性インキに添加してなる水性インキ。
【請求項７】
融点が１１０〜１３０℃のポリエチレンワックス（Ａ）を、
長鎖脂肪族１級アルコールにエチレンオキシドを付加重合した、分子量が７００〜２４００の、ＨＬＢ値６〜１４である界面活性剤（Ｂ）の存在下に水中に分散することを特徴とする水性インキ用添加剤の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は融点が１１０〜１３０℃のポリエチレンワックス（Ａ）を、長鎖脂肪族１級アルコールにエチレンオキシドを付加重合した分子量が７００〜２４００の界面活性剤（Ｂ）の存在下に水中に分散してなる水性インキ用添加剤であって、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記界面活性剤（Ｂ）がＨＬＢ値６〜１４である前記水性インキ用添加剤に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は前記水性インキ用添加剤を水性インキに添加してなる水性インキに関する。
また、本発明は融点が１１０〜１３０℃のポリエチレンワックス（Ａ）を、
長鎖脂肪族１級アルコールにエチレンオキシドを付加重合した、分子量が７００〜２４００の、ＨＬＢ値６〜１４である界面活性剤（Ｂ）の存在下に水中に分散することを特徴とする水性インキ用添加剤の製造方法に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の水性インキ用添加剤は、融点が１１０〜１３０℃のポリエチレンワックス（Ａ）を、長鎖脂肪族１級アルコールにエチレンオキシドを付加重合した、分子量が７００〜２４００の、ＨＬＢ値６〜１４である界面活性剤（Ｂ）の存在下に水中に分散してなる水性インキ用添加剤である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダーと顔料と熱膨張性微小球とを含有する熱膨張層を備えてなり、前記熱膨張層が構造物の表面に配置されて使用される仮設用マーキング材からなり、
前記構造物の表面としての路面に配置して使用される路面標示体。
【請求項２】
前記熱膨張性微小球が所定温度以上で膨張するように形成され、前記熱膨張性微小球の膨張に伴い前記熱膨張層が膨張するように形成されてなり、
作業雰囲気温度においては前記構造物の表面に密着し、前記所定温度以上では前記熱膨張層が膨張して前記構造物の表面から剥離可能となる請求項１に記載の路面標示体。
【請求項３】
前記熱膨張性微小球の前記所定温度以上における体積が、前記作業雰囲気温度における体積の１０倍以上である請求項２に記載の路面標示体。
【請求項４】
前記熱膨張層の前記構造物と接触する側の面に対して反対側を向いた面に、透明ビーズを含むビーズ層が配設されてなる請求項１〜３のいずれかに記載の路面標示体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［１］バインダーと顔料と熱膨張性微小球とを含有する熱膨張層を備えてなり、前記熱膨張層が構造物の表面に配置されて使用される仮設用マーキング材からなり、前記構造物の表面としての路面に配置して使用される路面標示体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［２］前記熱膨張性微小球が所定温度以上で膨張するように形成され、前記熱膨張性微小球の膨張に伴い前記熱膨張層が膨張するように形成されてなり、作業雰囲気温度においては前記構造物の表面に密着し、前記所定温度以上では前記熱膨張層が膨張して前記構造物の表面から剥離可能となる［１］に記載の路面標示体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［３］前記熱膨張性微小球の前記所定温度以上における体積が、前記作業雰囲気温度における体積の１０倍以上である［２］に記載の路面標示体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［４］前記熱膨張層の前記構造物と接触する側の面に対して反対側を向いた面に、透明ビーズを含むビーズ層が配設されてなる［１］〜［３］のいずれかに記載の路面標示体。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（比較例）
次に示す溶融型塗料を用い、実施例と同様にして路面標示体を得た。この塗料は、キクテック株式会社製の溶融型路面標示材で、２００℃にて溶融して路面上に塗布し、冷却固化して白線を形成した。