Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １セルに、磁化容易軸の方向を互いに異なる方向に向けて積層され、２値の抵抗値をそれぞれ有する複数の磁気抵抗効果素子と、
前記複数の磁気抵抗効果素子を挟み、互いに異なる方向に延在する第１及び第２の配線と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】  前記第１の配線と前記複数の磁気抵抗効果素子との間に整流素子をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】  前記複数の磁気抵抗効果素子が前記第１の配線と離間して配置され、この複数の磁気抵抗効果素子に接続するトランジスタをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】  １セルに、２値の抵抗値をそれぞれ有する第１及び第２の磁気抵抗効果素子を備えた半導体記憶装置であって、
第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の配線の上方に配置され、第２の方向に向く第１の磁化容易軸を有する前記第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子の上方に配置され、前記第２の方向と異なる第３の方向に向く第２の磁化容易軸を有する前記第２の磁気抵抗効果素子と、
前記第２の磁気抵抗効果素子上に配置され、前記第１の方向と異なる第４の方向に延在する第２の配線と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】  前記第１の配線と前記第１の磁気抵抗効果素子との間に整流素子をさらに具備することを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】  前記第１の磁気抵抗効果素子が前記第１の配線と離間して配置され、この第１の磁気抵抗効果素子に接続するトランジスタをさらに具備することを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】  前記第１の方向と前記第４の方向は、９０度ずれていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】  前記第２の方向と前記第３の方向は、９０度ずれていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】  前記複数の磁気抵抗効果素子の抵抗値は、同じ書き込み状態において、互いに異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】  前記複数の磁気抵抗効果素子の各磁気抵抗効果素子を構成する非磁性層の膜厚は互いに異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】  前記複数の磁気抵抗効果素子の材料は互いに異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】  前記複数の磁気抵抗効果素子のＭＲ比は互いに異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】  前記複数の磁気抵抗効果素子の大きさは互いに異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】  前記複数の磁気抵抗効果素子は、第１の磁性層、第２の磁性層及び非磁性層の少なくとも３層で構成されるＴＭＲ素子又は第１の磁性層、第２の磁性層及び導体層の少なくとも３層で構成されるＧＭＲ素子であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】  前記複数の磁気抵抗効果素子間に、前記複数の磁気抵抗効果素子の面積よりも大きな面積を有する非磁性層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】  前記複数の磁気抵抗効果素子の中の任意の磁気抵抗効果素子のみにデータを書き込む場合、前記第１及び第２の配線に流す電流値は前記任意の磁気抵抗効果素子毎に異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】  第１の方向に延在する第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線の上方に、磁化固着層をそれぞれ備え、２値の抵抗値をそれぞれ有する複数の磁気抵抗効果素子を積層する工程と、
前記複数の磁気抵抗効果素子上に、前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記複数の磁気抵抗効果素子に対し互いに異なる温度で磁場中の熱処理を順に行い、前記複数の磁気抵抗効果素子における前記磁化固着層の磁化方向を互いに異なる方向に固定する工程と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１８】  前記第１の配線と前記複数の磁気抵抗効果素子との間に整流素子を形成することを特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１９】  第１の方向に延在する第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線の上方に、第１の磁化固着層を備え、２値の抵抗値を有する第１の磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記第１の磁気抵抗効果素子の上方に、第２の磁化固着層を備え、２値抵抗値を有する第２の磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記第２の磁気抵抗効果素子上に、前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
第１の温度で磁場中の熱処理を行い、前記第１の磁化固着層の磁化方向を第３の方向に固定する工程と、
前記第１の温度と異なる第２の温度で磁場中の熱処理を行い、前記第２の磁化固着層の磁化方向を第４の方向に固定する工程と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２０】  前記複数の磁気抵抗効果素子は、前記第１の配線側の磁気抵抗効果素子から前記第２の配線側の磁気抵抗効果素子へ順に熱処理が行われ、この熱処理時の温度は順に低くなるように設定されていることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２１】  前記複数の磁気抵抗効果素子の各磁気抵抗効果素子を構成する非磁性層は、互いに異なる膜厚で形成することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２２】  前記複数の磁気抵抗効果素子は、互いに異なる大きさで形成することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２３】  前記複数の磁気抵抗効果素子は、互いに異なる材料で形成することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２４】  前記複数の磁気抵抗効果素子間に、前記複数の磁気抵抗効果素子の面積よりも大きな面積を有する非磁性層を形成することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、
前記活性層は、Ｉｎを有する窒化物半導体を含んでなる井戸層と窒化物半導体を含んでなる障壁層とを有する多重量子井戸構造からなり、前記障壁層は、ｎ型不純物を含有する障壁層と、最もｐ型窒化物半導体層側に近い位置に形成され、意図的に不純物をドープしていないラストバリア層とを有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】  前記ｎ型不純物を含有する障壁層は、単一の障壁層中に不純物濃度の低い層と高い層とを有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】  前記不純物濃度の低い層は、意図的に不純物をドープしていないことを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】  前記ｐ側窒化物半導体層は、超格子構造のｐ型多層膜層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】  前記ｐ側窒化物半導体層は、ｐ型コンタクト層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】  前記ｎ型不純物を含有する障壁層は、意図的に不純物をドープしていない窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体からなる中間層、及び意図的に不純物をドープしていない窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】  前記ｎ型不純物はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎの少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の窒化物半導体素子は、下記（１）〜（７）の構成によって達成することができる。
（１）基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層は、Ｉｎを有する窒化物半導体を含んでなる井戸層と窒化物半導体を含んでなる障壁層とを有する多重量子井戸構造からなり、前記障壁層は、ｎ型不純物を含有する障壁層と、最もｐ型窒化物半導体層側に近い位置に形成され、意図的に不純物をドープしていないラストバリア層とを有することを特徴とする。これにより、素子特性が悪化することなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子を提供することができる。
さらに具体的な本発明の窒化物半導体素子としては、
（２）前記ｎ型不純物を含有する障壁層は、単一の障壁層中に不純物濃度の低い層と高い層とを有する、
（３）前記不純物濃度の低い層は意図的に不純物をドープしていない、
（４）前記ｐ側窒化物半導体層には、超格子構造のｐ型多層膜層を含む、
（５）前記ｐ側窒化物半導体層には、ｐ型コンタクト層を含む、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（６）前記ｎ型不純物を含有する障壁層は、意図的に不純物をドープしていない窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体からなる中間層、及び意図的に不純物をドープしていない窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されている。これにより障壁層に接している井戸層への不純物の拡散を最小限に防ぎ、井戸層の結晶性が悪化することを抑制できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（７）前記ｎ型不純物はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎの少なくとも１種である、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＯＦＤＭ送信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ユーザデータを送信する前に自動利得制御用信号を送信するＯＦＤＭ送信装置であって、
前記自動利得制御用信号の直後に相関値抑制用信号を挿入してＯＦＤＭ信号を生成する相関値抑制用信号挿入手段と、前記生成されたＯＦＤＭ信号を送信する送信手段と、を具備することを特徴とするＯＦＤＭ送信装置。
【請求項２】  前記相関値抑制用信号の長さを、前記自動利得制御用信号の長さよりも短くすることを特徴とする請求項１記載のＯＦＤＭ送信装置。
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載のＯＦＤＭ送信装置を具備することを特徴とする基地局装置。
【請求項４】  請求項１または請求項２に記載のＯＦＤＭ送信装置を具備することを特徴とする通信端末装置。
【請求項５】  ユーザデータを送信する前に自動利得制御用信号を送信するＯＦＤＭ送信方法であって、
前記自動利得制御用信号の直後に相関値抑制用信号を挿入してＯＦＤＭ信号を生成する相関値抑制用信号挿入工程と、前記生成されたＯＦＤＭ信号を送信する送信工程と、を具備することを特徴とするＯＦＤＭ送信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＯＦＤＭ方式の無線通信に用いられるＯＦＤＭ送信装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、マルチパス環境下においても正確にシンボル同期タイミングを検出し、同期ずれを防止するＯＦＤＭ送信装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明のＯＦＤＭ送信装置は、ユーザデータを送信する前に自動利得制御用信号を送信するＯＦＤＭ送信装置であって、前記自動利得制御用信号の直後に相関値抑制用信号を挿入してＯＦＤＭ信号を生成する相関値抑制用信号挿入手段と、前記生成されたＯＦＤＭ信号を送信する送信手段と、を具備する構成を採る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（実施の形態１）
以下、図１から図３を用いて、本実施の形態に係るＯＦＤＭ送受信装置について説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係るＯＦＤＭ送受信装置の概略構成を示す要部ブロック図であり、図２は、本発明の実施の形態１に係るＯＦＤＭ送受信装置が生成する送信信号のフレーム構成を示す模式図であり、図３は、本発明の実施の形態１に係るＯＦＤＭ送受信装置の受信系における受信信号の相関結果を示す模式図である。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  天井または壁に設けられた開口部と、
前記開口部の周囲で第１の設備機器を固定するビスと、
室内側で前記開口部を囲う枠体と、
前記枠体の対向する部分に架け渡されるとともに、前記対向部分の長手方向にスライド可能な調節部材とを備え、
前記調整部材は架け渡された方向に長孔が形成されるとともに、前記ビスが前記長孔に挿通されて固定され、
第２の設備機器が前記枠体に対して固定されたことを特徴とする設備機器の取付構造。
【請求項２】  前記枠体の対向部分にはその長手方向に長孔が形成され、前記調節部材は前記対向部分の長穴に挿通されるビスにてスライド可能に固定されることを特徴とする請求項１記載の設備機器の取り付け構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明では、天井または壁に設けられた開口部と、前記開口部の周囲で第１の設備機器を固定するビスと、室内側で前記開口部を囲う枠体と、前記枠体の対向する部分に架け渡されるとともに、前記対向部分の長手方向にスライド可能な調節部材とを備え、前記調整部材は架け渡された方向に長孔が形成されるとともに、前記ビスが前記長孔に挿通されて固定され、第２の設備機器が前記枠体に対して固定されたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように構成された本発明によれば、後付けの設備機器（第２の設備機器）を固定するために新たにビス等のねじ穴加工を施したり、別個の開口を開設する必要が無く、既設の設備機器（第１の設備機器）の固定に用いられているビスを利用して固定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに請求項２記載の発明では、前記枠体の対向部分にはその長手方向に長孔が形成され、前記調節部材は前記対向部分の長穴に挿通されるビスにてスライド可能に固定されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このように構成された本発明によれば、簡易な構成で調節部材を枠体の対向部分の長手方向にスライド可能に固定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車両を目的地まで誘導する機能を備えたナビゲーションシス
テムにおいて、
３次元地図データを記憶する３次元地図データ記憶手段と、
案内地点を視点位置に設定する視点位置設定手段と、
前記視点位置、及び前記３次元地図データに基づいて、前記車両が前記案内地
点へ近づき、通過し、離れていく様子を示した３次元俯瞰図を描画する３次元俯
瞰図描画手段とを備えていることを特徴とするナビゲーションシステム。
【請求項２】  車両を目的地まで誘導する機能を備えたナビゲーションシス
テムにおいて、
３次元地図データを記憶する３次元地図データ記憶手段と、
案内地点を視点位置に設定する視点位置設定手段と、
前記視点位置、及び前記３次元地図データに基づいて、前記案内地点から見た
該案内地点の周辺の３次元俯瞰図を描画する３次元俯瞰図描画手段とを備えてい
ることを特徴とするナビゲーションシステム。
【請求項３】  前記３次元俯瞰描画手段が、前記案内地点から見た該案内地
点の周囲を３６０度見渡した３次元描画図を描画するように構成されていること
を特徴とする請求項２記載のナビゲーションシステム。
【請求項４】  車両を目的地まで誘導する機能を備えたナビゲーションシス
テムにおいて、
３次元地図データを記憶する３次元地図データ記憶手段と、
前記車両外近傍を視点位置に設定する視点位置設定手段と、
前記視点位置、及び前記３次元地図データに基づいて、前記車両が走行してい
る様子を示した３次元俯瞰図を描画する３次元俯瞰図描画手段とを備えているこ
とを特徴とするナビゲーションシステム。
【請求項５】  前記３次元俯瞰描画手段が、前記３次元俯瞰図の所定位置に
車体の一部を重畳表示するように構成されていることを特徴とする請求項４記載
のナビゲーションシステム。
【請求項６】  車両を目的地まで誘導する機能を備えたナビゲーションシス
テムにおいて、
３次元地図データを記憶する３次元地図データ記憶手段と、
前記車両のフロント・ウインドウ・ガラスの上部中央を視点位置に設定する視
点位置設定手段と、
前記視点位置、及び前記３次元地図データに基づいて、バックミラーで見てい
るような３次元俯瞰図を描画する３次元俯瞰図描画手段とを備えていることを特
徴とするナビゲーションシステム。
【請求項７】  車両を目的地まで誘導する機能を備えたナビゲーションシス
テムにおいて、
３次元地図データを記憶する３次元地図データ記憶手段と、
描画条件を複数パターン記憶する描画条件記憶手段と、
該描画条件記憶手段に記憶された描画条件の中から、ユーザーが所望の描画条
件を選択するための描画条件選択手段と、
選択された描画条件、及び前記３次元地図データに基づいて、所望の３次元俯
瞰図を描画する３次元俯瞰図描画手段とを備えていることを特徴とするナビゲー
ションシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出対象となる微少突起を表面に有する物品を副走査方向に前記微少突起の幅よりも大きな走査幅で光ビームを振らせて繰り返し走査をしかつ前記微少突起が前記走査幅において前記光ビームにより複数回走査される速度で主走査方向に走査をして、焦点誤差検出光学系において前記走査幅に亙って得られる前記光ビームの反射光の結像をこれを受光する長さに亙って分割された光学センサで受光し、この光学センサにより得られる検出信号を複数個得て、これら複数個の前記検出信号に基づいて前記微少突起の高さを算出することを特徴とする微少突起物の高さ検出方法。
【請求項２】
検出対象となる微少突起を表面に有する物品を副走査方向に前記微少突起の幅よりも大きな走査幅で光ビームを振らせて繰り返し走査をする第１の走査手段と、前記微少突起が前記走査幅において前記光ビームにより複数回走査される速度で主走査方向に走査する第２の走査手段と、前記走査幅に亙って得られる前記光ビームの反射光の結像をこれを受光する長さに亙って分割された光学センサで受光する焦点誤差検出光学系と、前記光学センサにより得られる検出信号を複数個得て、これら複数個の前記検出信号に基づいて前記微少突起の高さを算出する高さ算出手段とを備えることを特徴とする微少突起物の高さ検出装置。
【請求項３】
検出対象となる微少突起を表面に有する物品を副走査方向に前記微少突起の幅よりも大きな走査幅で光ビームを振らせて繰り返し走査をする第１の走査手段と、前記微少突起が前記走査幅において前記光ビームにより複数回走査される速度で主走査方向に走査する第２の走査手段と、前記走査幅に亙って得られる前記光ビームの反射光の結像をこれを受光する長さに亙って分割された光学センサで受光する焦点誤差検出光学系と、前記光学センサにより得られる検出信号を複数個得て、これら複数個の前記検出信号に基づいて前記微少突起の欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えることを特徴とする微少突起物の欠陥検出装置。
【請求項４】
バンプを表面に有する物品を副走査方向に前記バンプの幅よりも大きな走査幅で光ビームを振らせて繰り返し走査をする第１の走査手段と、前記バンプが前記走査幅において前記光ビームにより複数回走査される速度で主走査方向に走査する第２の走査手段と、前記走査幅に亙って得られる前記光ビームの反射光の結像をこれを受光する長さに亙って分割された光学センサで受光する焦点誤差検出光学系と、前記光学センサにより得られる検出信号を複数個得て、これら複数個の前記検出信号に基づいて前記バンプの欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えることを特徴とするバンプ検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】地図表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  地図情報を表示する表示手段と、
前記地図情報における複数の地点を設定する地点設定手段と、
車両の位置を検出する位置検出手段と、
前記車両が、前記複数の地点のうちのいずれか１つの地点から、他の基準地点に移動したと判断された場合、前記位置検出手段により検出された位置に基づき、前記２つの地点間の少なくとも前記地図情報に存在する道路以外の道路情報を生成する地図情報生成手段と、
前記地図情報生成手段により生成された道路情報を記憶する記憶手段とを備えたことを特徴とする地図表示装置。
【請求項２】  前記車両が、前記記憶手段に記憶された地図情報に対応する道路を走行した場合に、
前記車両が走行した道路に対応する前記記憶手段に記憶されている道路情報を、前記位置検出手段により検出された位置に基いて補正する補正手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の地図表示装置。
【請求項３】  前記記憶手段に記憶されている道路情報に基づく道路と、前記地図情報に存在する道路とは異なる形態で表示することを特徴とする請求項１または請求項２記載の地図表示装置。
【請求項４】  前記追加地図情報記憶手段に記憶されている道路情報の少なくとも一部を選択的に削除する削除手段を備えたことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の地図表示装置。
【請求項５】  前記記憶手段に記憶された道路情報から地図表示に用いる道路情報を選択する道路情報選択手段を備えたことを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の地図表示装置。
【請求項６】  出発地から目的地までの経路探索を行なう経路探索手段を有し、 前記憶手段に記憶された道路情報から経路探索に用いる道路情報を選択する道路情報選択手段を備えたことを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の地図表示装置。
【請求項７】  地図情報を表示する表示手段と、
施設情報記憶手段に記憶されている施設情報の少なくとも一部を削除する削除手段を備えたことを特徴とする地図表示装置。
【請求項８】  地図情報を表示する表示手段と、
施設情報記憶手段に新たに施設情報を記憶する施設情報追加手段を備えたことを特徴とする地図表示装置
【請求項９】  地図情報を表示する表示手段と、
出発地から目的地までの経路探索を行なう経路探索手段と、
地図情報記憶手段に記憶された道路情報から前記経路探索手段に用いる道路情報の少なくとも一部を削除する道路情報削除手段を備えたことを特徴とする地図表示装置。
【請求項１０】  地図情報を表示する表示手段と、  
地図情報記憶手段に記憶された道路情報から前記地図表示手段に用いる道路情報の少なくとも一部を削除する道路情報削除手段を備えたことを特徴とする地図表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
上記目的を達成するために本発明は、地図情報を表示する表示手段と、前記地図情報における複数の地点を設定する地点設定手段と、車両の位置を検出する位置検出手段と、前記車両が、前記複数の地点のうちのいずれか１つの地点から、他の基準地点に移動したと判断された場合、前記位置検出手段により検出された位置に基づき、前記２つの地点間の少なくとも前記地図情報に存在する道路以外の道路情報を生成する地図情報生成手段と、前記地図情報生成手段により生成された道路情報を記憶する記憶手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記車両が、前記記憶手段に記憶された地図情報に対応する道路を走行した場合に、前記車両が走行した道路に対応する前記記憶手段に記憶されている道路情報を、前記位置検出手段により検出された位置に基いて補正する補正手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記記憶手段に記憶されている道路情報に基づく道路と、前記地図情報に存在する道路とは異なる形態で表示することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記追加地図情報記憶手段に記憶されている道路情報の少なくとも一部を選択的に削除する削除手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記記憶手段に記憶された道路情報から地図表示に用いる道路情報を選択する道路情報選択手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、出発地から目的地までの経路探索を行なう経路探索手段を有し、 前記憶手段に記憶された道路情報から経路探索に用いる道路情報を選択する道路情報選択手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、地図情報を表示する表示手段と、 施設情報記憶手段に記憶されている施設情報の少なくとも一部を削除する削除手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、地図情報を表示する表示手段と、施設情報記憶手段に新たに施設情報を記憶する施設情報追加手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、地図情報を表示する表示手段と、出発地から目的地までの経路探索を行なう経路探索手段と、地図情報記憶手段に記憶された道路情報から前記経路探索手段に用いる道路情報の少なくとも一部を削除する道路情報削除手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、地図情報を表示する表示手段と、  地図情報記憶手段に記憶された道路情報から前記地図表示手段に用いる道路情報の少なくとも一部を削除する道路情報削除手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に配置された光電変換素子と、該光電変換素子を保護する保護層と、前記保護層の上部に配置されたシンチレータとを有する半導体装置において、
前記保護層が平坦な表面を有し、
前記保護層と前記シンチレータとの間に分離防止層が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記分離防止層は、金属層又は金属化合物層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記金属層又は前記金属化合物層は、熱伝導率が２．０ｗ／ｍ・ｋ以上の金属材料を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記金属層は、クロム、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタルのうち、少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記金属化合物層は、透明導電層、硫化アンチモン（Ｓｂ2Ｓ3）層、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）層、酸化チタン（ＴｉＯ2）層、硫化カドミウム（ＣｄＳ）層、酸化セリウム（ＣｅＯ2）層、硫化亜鉛（ＺｎＳ）層、塩化鉛（ＰｂＣｌ2）層、酸化カドミウム（ＣｄＯ）層、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）層、酸化タングステン（ＷＯ3）層、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）層、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）層、酸化カルシウム（ＣａＯ）層、弗化カルシウム（ＣａＦ2）層、弗化リチウム（ＬｉＦ）層、弗化マグネシウム（ＭｇＦ2 ）層、弗化ナトリウム（ＮａＦ）層、弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）層のうち少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記シンチレータが、柱状結晶構造のＣｓＩであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記分離防止層が、パターニングされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】  さらにスイッチ素子を有し、該スイッチ素子の上部には前記シンチレータが配置されていないことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記保護層は、前記光電変換素子上に配置される第１の保護層と、該第１の保護層上に配置される第２の保護層とを有し、
前記第２の保護層が平坦な表面を有し、
前記第２の保護層の平坦な表面と前記シンチレータとの間に分離防止層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記半導体装置に放射線を照射するための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明は、基板上に配置された光電変換素子と、該光電変換素子を保護する保護層と、前記保護層の上部に配置されたシンチレータとを有する半導体装置において、前記保護層が平坦な表面を有し、前記保護層と前記シンチレータとの間に分離防止層が配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  柱状結晶構造のシンチレータが配置された第１の基体と、
複数の光電変換素子が配置された第２の基体と、を有する半導体装置において、
前記第１の基体には前記シンチレータ上に有機樹脂からなるシンチレータ保護層が配置され、
前記第２の基体には前記複数の光電変換素子上に有機樹脂からなるフォトセンサ保護層が配置され、
前記シンチレータ保護層と前記フォトセンサ保護層とが接着層を介して貼り合わされ、
前記接着層が前記シンチレータ形成領域の全域に対向して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記シンチレータ形成領域の全域より前記接着層の全域の方が面積が大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  柱状結晶構造のシンチレータが配置された第１の基体と、
複数の光電変換素子が配置された第２の基体と、を有する半導体装置において、
前記第１の基体には前記シンチレータ上に有機樹脂からなるシンチレータ保護層が配置され、
前記第２の基体には前記複数の光電変換素子上に有機樹脂からなるフォトセンサ保護層が配置され、
前記シンチレータ保護層と前記フォトセンサ保護層とが接着層を介して貼り合わされ、
前記接着層の側面の前記第１の基体と前記第２の基体との間に封止材が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  前記シンチレータと前記シンチレータ保護層との間に、金属層と金属化合物層のうち、少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第１の基体は、ガラス、アモルファスカーボン、有機樹脂シートのうち、少なくとも１つを備えてなることを特徴とする請求項１又は３記載の半導体装置。
【請求項６】  前記第１の基体と前記シンチレータとの間に、反射層を有することを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記反射層は、アースされていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】  前記複数の光電変換素子と前記フォトセンサ保護層との間に無機材料からなる第１の保護層を有することを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記無機材料が窒化物であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記半導体装置に放射線を照射するための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明は、柱状結晶構造のシンチレータが配置された第１の基体と、複数の光電変換素子が配置された第２の基体と、を有する半導体装置において、前記第１の基体には前記シンチレータ上に有機樹脂からなるシンチレータ保護層が配置され、前記第２の基体には前記複数の光電変換素子上に有機樹脂からなるフォトセンサ保護層が配置され、前記シンチレータ保護層と前記フォトセンサ保護層とが接着層を介して貼り合わされ、前記接着層が前記シンチレータ形成領域の全域に対向して配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、当該例では、後述する環境温度を判定したＣＰＵにより上記移動歯車３１の回転位置（クラッチ位置）を変化させ、コイルバネ２８を介した可動板２６の固定板２７への摩擦面押圧力を調整することにより、連結時ではズーム操作リング１４を駆動するためのトルク、切断時ではズーム操作リング１４の手動操作トルク（追加される負荷）を変えることになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図５には、電動ＯＦＦ時のクラッチ位置の制御が示されており、気温２５℃を含む常温範囲Ｇでは、最適な操作トルクを得るための位置Ｐ10に設定されるが、気温が低下するに従って段階的に摩擦押圧力が下がるように、Ｐ9 ，Ｐ8 ，Ｐ7 ，Ｐ6 の位置、また気温が上昇するに従って段階的に摩擦押圧力が上がるようにＰ11，Ｐ12，Ｐ13の位置を設定する。なお、このような段階的な制御ではなく、各図の制御線Ｃ11，Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22のように、連続的な制御としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図６には、このようなクラッチ位置の常温時、低温時及び高温時の制御の一例が示されており、図６（Ａ）に示されるように、上記クラッチ作動モータ３７（或いは移動歯車３１）による移動範囲がクラッチ位置Ｐ0 （例えば押圧力０）からＰE （摩擦面押圧力最大）であるとすると、常温時では、クラッチ機構の切断位置がＰ10（電動ＯＦＦ位置）に設定され、連結位置がＰ30（電動ＯＮ位置）に設定される。一方、図６（Ｂ）に示されるように、低温時では例えば、-５℃であったとすると、切断位置がＰ8 （電動ＯＦＦ位置）に補正され、連結位置がＰ32（電動ＯＮ位置）に補正される。従って、低温時では常温時に比べ、電動時の摩擦面押圧力が大きくなるので、レンズ操作リング１４の駆動トルクが大きくなると同時に、手動時の摩擦押圧力が逆に小さくなるので、レンズ操作リング１４の付加トルクが小さくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
実施形態例におけるクラッチ位置の設定例を示し、図（Ａ）は常温時の一例図、図（Ｂ）は低温時の一例図、図（Ｃ）は高温時の一例図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001074996.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  変倍スイッチの操作に応じて単一のズーム速度でズームを行うズーム手段と、
表示装置に複数のズームスピードの選択項目を選択可能に表示させる表示手段と、
前記表示手段に表示された複数のズームスピードから選択された一のズームスピードに応じて、前記ズーム手段で変倍スイッチの操作に応じて単一のズーム速度でズームを行うよう制御手段とを有することを特徴とする変倍装置。
【請求項２】  前記ズーム手段とは異なり、操作部材の回転角度に応じて可変速ズームを行うズーム手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の変倍装置。
【請求項３】  前記ズームスピードの選択はダイアルを回すことにより選択可能であることを特徴とする請求項１又は２記載の変倍装置。
【請求項４】  前記ズームスピードの選択はダイアルを回すことにより選択可能であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の変倍装置。
【請求項５】  請求項１から４のいずれか１項に記載の変倍装置と、前記ズーム手段で変倍された画像を撮像する撮像手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本願発明の変倍技術は、変倍スイッチの操作に応じて単一のズーム速度でズームを行うズーム手段と、表示装置に複数のズームスピードの選択項目を選択可能に表示させる表示手段と、前記表示手段に表示された複数のズームスピードから選択された一のズームスピードに応じて、前記ズーム手段で変倍スイッチの操作に応じて単一のズーム速度でズームを行うよう制御手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、当該例では、後述するＣＰＵにより上記移動歯車３１の回転位置（クラッチ位置）を変化させ、コイルバネ２８を介した可動板２６の固定板２７への押圧力（摩擦力）を調整することにより、連結時にクラッチ機構が与えるズーム操作リング１４の手動操作トルクがズームスイッチ１８の操作量（深さ）に応じて変化するようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001074995.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１〜３何れか１項に記載の肌の鑑別法に於ける、その指標となる薄膜上に広がる光輪について、異なる透過光の拡散パターン(広がり具合)を有する複数のパネラーにメークアップ化粧料を塗布し、その美しさを判定し、数値に変換し、該美しさの数値の軸と透過光の拡散パターン（広がり具合）より変換された数値の軸とを有するメークアップ化粧料の特性表記用平面。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
（１）本発明の肌の鑑別法の指標となる光輪の面積
本発明の肌の鑑別法は、皮膚の立体構造を刻印した透明度を有する薄膜に、薄膜に対して垂直乃至はその近傍の角度で可視光を照射し、薄膜上に広がる透過光の拡散パターン(広がり具合)を指標とする。ここで、肌の立体構造を透明度を有する薄膜上に刻印する方法としては、例えば、ＰＶＰ等の高分子薄膜を酢酸エチルなどの溶剤で軟化させ、これを肌上に密着させて、凹凸を写し取り、溶剤を揮散させて、硬度を戻して固定した、いわゆるレプリカを作成する方法(レプリカ法)や、レプリカの凹凸を更に高分子液を塗布、固化させて剥離し、転写して得た転写薄膜（転写薄膜法）を作成する方法が好ましく例示できる。この内、レプリカ法においては、薄膜上に写し取られる凹凸は皮膚の凹凸と逆になり、後者の転写薄膜法では、皮膚の凹凸をそのまま写し取ることが出来る。どちらも使用可能であるが、手間がかかるものの、そのままの状態を再現できる転写薄膜法を用いるのが好ましい。この場合、レプリカ作成は、レプリカそのものを使用するわけではないので、透明性を有することは必要とせず、この為、レプリカ剤の選択にあたっては、皮膚からの剥離特性の良さ、転写高分子膜の剥離性の良さ、硬化速度の適切さを指標に選択することが好ましい。本発明者らの検討の範囲内においては、硬化性フルオロシリコーンゴムを用いることが好ましいことがわかっている。かくして得られた、皮膚の立体構造を刻印された透明性を有する薄膜は、これに垂直乃至はその近傍の角度で可視光を照射し、これによって生じる光輪を測定される。この場合、光の照射方向は立体構造の刻印された側からでも、その裏面側からでもかまわないが、実際の化粧の光学的効果を勘案するならば、刻印側から行うのが好ましい。可視光としては、特段の限定はないが、通常の光に近いものがよ
り好ましく、例えばキセノンランプを光源とするものが好適に例示できる。更に、光輪の測定に関しては、直接物差しなどで直径などの数値として測定することも可能であるが、歪みなどが存在し、影響を及ぼす場合もあるので、デジタルカメラなどで撮影しデジタル情報として得ることが、後に画像処理などの処理が容易にできるので好ましい。この様な、測定装置一例を図１に示す。かくして得られた透過光の拡散パターン（広がり具合）はそのままの直径などの価としても使用は可能であるが、更に正確に鑑別するためには、画像処理を行うのが好ましい。この画像処理は、光輪の広がり具合を数値に表すことのできる処理であれば、特段の限定はされないが、好ましい例として、画像を二値化やスムージングなどの処理によりなめらかな形状とし、これから横方向への拡散指数（ＬＤＩ）を算出しこれを代表値として用いることが挙げられる。この数値は次式により算出される。この価は、後記実施例に示す如く、地肌或いは化粧後自然な美しさ（生き生き度）と高い相関関係を有するため、肌の鑑別或いはメークアップ化粧料の鑑別の指標として使用できる。（式）ＬＤＩ＝１−（４×π×面積÷（周囲長）２）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
＜実施例１＞無作為に選別した年齢１１〜６８歳の女性５０名について、その頬部より、硬化性フッ化シリコーンゴムを用いてレプリカを取り、これにエポキシ系樹脂接着剤（クイック５；コニシボンド製）を塗工して皮膜を形成させ、剥離させて図１の装置を用いて生成する光輪をデジタルカメラにて撮影し、これを汎用画像処理ソフト（ウィンルーフ）を用いて、二値化、穴埋め、ゴミ除去及びスムージングを行い、しかる後に、上述の（式）に従ってＬＤＩ値をそれぞれについて求めた。更に、これらのパネラーについて、下記に示す処方のファンデーションを用いてメークアップ化粧を施し、顔の下半部をビデオマイクロスコープで変換し、これについて、「自然な」美しさを専門パネラーの合議により判定した。判定基準は美しくない（評点１）〜美しい（評点１０）の１０段階評価とした。これを本発明の特性表記用平面にプロットしたところ、図２に示す如く、極めて相関性良く直線回帰した。（相関係数０．７）これより、本発明の特性表記用平面が、肌の鑑別や化粧料の機能特性の鑑別に有用であることもわかる。光輪の広がりを表す写真をＬＤＩの違いを示しながら図３〜図５に示す。尚、一次回帰式はｙ＝２３．５７ｘ−７．７１２であった。
（化粧料）
顔料（パネラーの肌色に合わせて、混合比を調整）     ２０ 重量部
二酸化チタン、黄色酸化鉄、ベンガラ、紺青、群青
セリサイト                                         ２０ 重量部
マイカ                                             １０ 重量部
タルク                                             １５ 重量部
メチルシロキサン網状重合体                         １０ 重量部
シリカ                                               ５ 重量部
オレイン酸オクチルドデシル                           ７ 重量部
ジメチコン                                           ７ 重量部
スクワラン                                           ６ 重量部
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスクロマトグラフと組み合わせて使用され、ガスクロマトグラフからの試料の質量分析を行う質量分析装置において、
筐体の内部に配置され、前記試料をイオン化するイオン源を格納したイオン源ボックスと、前記筐体の左右側の側面に配置され、前記ガスクロマトグラフからの試料を導入する導入口とを備え、
前記イオン源及び前記イオン源ボックスは、左右両側に分岐可能な分岐口を備え、
前記一方の分岐口を封鎖し、前記他方の分岐口と、この他方の分岐口に対応する前記筐体の側面に配置される導入口とをトランスファーラインで接続したことを特徴とする質量分析装置。
【請求項２】
前記ガスクロマトグラフからの試料を導入する導入口は、筐体表面から突出して、または、筐体の色、材質とは異なる色、材質により形成されていることを特徴とする請求項１記載の質量分析装置。
【請求項３】
前記イオン源ボックスは筐体中央部に配置され、前記イオン源ボックス内の真空状態を解除するグリップが、前記イオン源に接続されるトランスファーラインに係合して回動可能に配置されたことを特徴とする請求項１または２記載の質量分析装置。
【請求項４】
前記筐体の正面から上面に掛けて、前記イオン源ボックスを取り出し可能に、く字状に形成された開閉カバーが設けられたことを特徴とする請求項１、２または３記載の質量分析装置。
【請求項５】
前記開閉カバーは、正面視において前記イオン源ボックスの高さ方向を露出し、上面視において前記イオン源ボックスの奥行き方向を露出することを特徴とする請求項４記載の質量分析装置。
【請求項６】
前記グリップが、前記イオン源ボックス内の真空状態を解除する回動位置にあるとき、前記イオン源ボックスが取り出し可能であることを特徴とする請求項４または５記載の質量分析装置。
【請求項７】
前記開閉カバーは、筐体表面から突出して、または、筐体の色、材質と異なる色、材質により形成されていることを特徴とする請求項４、５または６記載の質量分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば前記目的は、ガスクロマトグラフと組み合わせて使用され、ガスクロマトグラフからの試料の質量分析を行う質量分析装置において、筐体の内部に配置され、前記試料をイオン化するイオン源を格納したイオン源ボックスと、前記筐体の左右側の側面に配置され、前記ガスクロマトグラフからの試料を導入する導入口とを備え、前記イオン源及び前記イオン源ボックスは、左右両側に分岐可能な分岐口を備え、前記一方の分岐口を封鎖し、前記他方の分岐口と、この他方の分岐口に対応する前記筐体の側面に配置される導入口とをトランスファーラインで接続したことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記目的は、前記ガスクロマトグラフからの試料を導入する導入口は、筐体表面から突出して、または、筐体の色、材質とは異なる色、材質により形成されていることにより達成される。