【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号が入力される第１周波数バンド増幅器と、該第１周波数バンド増幅器の出力が入力される第１周波数バンド受信ミキサとを１チップ上に有し、パッケージ外に突出するピン先端から上記第１周波数バンド増幅器に接続されるパッドまでの距離が他のリードピンの先端とそれに対応するパッドまでの距離に比べて最短となる位置に上記第１周波数バンド増幅器が配置されたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１において、
上記第１周波数バンド増幅器はバイポーラトランジスタを有し、該バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるパッドと該パッドに対応するピンの先端までの距離が最短であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
受信信号が入力される第１周波数バンド増幅器及び第２周波数バンド増幅器と、該第１周波数バンド増幅器及び第２周波数バンド増幅器の出力がそれぞれ入力される第１周波数バンド受信ミキサ及び第２周波数バンド受信ミキサとを１チップ上に有し、パッケージ外に突出するピン先端から上記第１周波数バンド増幅器又は上記第２周波数バンド増幅器に接続されるパッドまでの距離が他のリードピンの先端とそれに対応するパッドまでの距離に比べて最短となる位置に上記第１周波数バンド増幅器又は上記第２周波数バンド増幅器の回路が設けられたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項３において、
上記第１周波数バンド増幅器及び上記第２周波数バンド増幅器はそれぞれバイポーラトランジスタを有し、いずれかのバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるパッドと該パッドに対応するピンの先端までの距離が最短であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
増幅器と、該増幅器に接続されるバイアス回路とを有し、上記増幅器の接地ピンと上記バイアス回路の接地ピンとが各々設けられたことを特徴とする送受信用半導体集積回路。
【請求項６】
複数の増幅器を有し、該複数の増幅器の接地ピンが互いに隣り合わない配置とされたことを特徴とする送受信用半導体集積回路。
【請求項７】
入力ピンと出力ピンと接地ピンが接続された増幅器を有し、上記入力ピンと上記出力ピンとの間に上記接地ピンが配置されたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れかにおいて、上記増幅器はバイポーラトランジスタを有し、そのエミッタが接地ピンに接続され、そのベースが入力ピンに接続され、そのコレクタが出力ピンに接続されたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
半導体チップを内包し、かつ、四辺を有し平面図上で矩形形状に形成されている封止パッケージと、
第１の周波数帯の高周波受信信号が入力される第１の低雑音増幅器と、
前記第１の周波数帯とは異なる第２の周波数帯の高周波受信信号が入力される第２の低雑音増幅器と、
他の回路と、
前記第１の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第１の周波数帯の第１の受信ミキサと、
前記第２の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第２の周波数帯の第２の受信ミキサと、
前記半導体チップ上に配置され、かつ、前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１のパッドと、
前記半導体チップ上に配置され、かつ、前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２のパッドと、
前記半導体チップ上に配置され、かつ、前記他の回路と電気的に接続された第３のパッドと、
前記封止パッケージの外部に突出している第１のピン先端を有し、かつ、前記第１のパッドと電気的に接続されている第１の入力ピンと、
前記第１の入力ピン先端が外部に突出しているところと同じ側で前記封止パッケージの外部に突出している第２のピン先端を有し、かつ、前記第２のパッドと電気的に接続されている第２の入力ピンと、
前記第１の入力ピン先端が外部に突出しているところと同じ側で前記封止パッケージの外部に突出している第３のピン先端を有し、かつ、前記第３のパッドと電気的に接続されている他のピンと
を具備してなり、
前記第１および第２の低雑音増幅器、前記他の回路、前記第１および第２の受信ミキサ、前記第１、第２、および第３のパッド、前記第１および第２の入力ピン、並びに前記他のピンは、前記半導体チップ上に一体に集積化され、
前記第１および第２のパッドは前記半導体チップの四辺のうちの同一の一辺に配置され、
前記第１のパッドと前記第１のピン先端との間の距離および前記第２のパッドと前記第２のピン先端との間の距離は、前記第３のパッドと前記第３のピン先端との間の距離より短く、
前記第１の入力ピンには前記第１の周波数帯の高周波受信信号が印加され、かつ、前記第２の入力ピンには前記第２の周波数帯の高周波受信信号が印加されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１の出力ピンと、
前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２の出力ピンと、
を更に具備してなり、
前記第１の低雑音増幅器を通して増幅された前記第１の周波数帯の高周波受信信号が前記第１の出力ピンから出力され、かつ、前記第２の低雑音増幅器を通して増幅された前記第２の周波数帯の高周波受信信号が前記第２の出力ピンから出力されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記第１の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第１の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第１の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第１のバイポーラトランジスタを具備してなり、
前記第２の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第２の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第２の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第２のバイポーラトランジスタを具備してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１５】
移動体無線通信機の受信動作のための半導体集積回路装置であって、
半導体チップを内包し、かつ、四辺を有し平面図上で矩形形状に形成されている封止パッケージと、
第１の周波数帯の高周波受信信号が入力される第１の高周波入力フィルタと、
前記第１の周波数帯とは異なる第２の周波数帯の高周波受信信号が入力される第２の高周波入力フィルタと、
他の回路と、
前記第１の高周波入力フィルタと電気的に接続されている第１の入力ピンと、
前記第２の高周波入力フィルタと電気的に接続されている第２の入力ピンと、
を具備してなり、
前記第１および第２の入力ピンは、前記半導体チップ上に一体に集積化され、
前記第１および第２の高周波入力ピンは、それぞれ前記第１および第２の高周波入力フィルタと前記半導体チップの四辺のうちの一辺にて接続され、
前記第１および第２の高周波入力ピンは前記一辺に配置され、
前記第１の入力ピンには前記第１の周波数帯の高周波受信信号が印加され、かつ、前記第２の入力ピンには前記第２の周波数帯の高周波受信信号が印加される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１の周波数帯の高周波受信信号が入力される第１の低雑音増幅器と、
前記第２の周波数帯の高周波受信信号が入力される第２の低雑音増幅器と、
他の回路と、
前記第１の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第１の周波数帯の第１の受信ミキサと、
前記第２の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第２の周波数帯の第２の受信ミキサと、
を更に具備してなり、
前記第１および第２の低雑音増幅器、前記他の回路、前記第１および第２の受信ミキサは、前記半導体チップ上に一体に集積化され、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１のパッドと前記封止パッケージの外部に突出しかつ前記第１のパッドと電気的に接続された前記第１および第２の高周波入力ピンのうちの１つのピン先端である第１のピン先端との問の距離は、前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２のパッドと前記封止パッケージの外部に前記第１のピン先端が突出しているところと同じ側にて突出しかつ前記第２のパッドと電気的に接続された前記第１および第２の高周波入力ピンのうちの他方のピン先端である第２のピン先端との間の距離より短く、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された前記第１のパッドと前記封止パッケージの外部に突出しかつ前記第１のパッドと電気的に接続された前記第１および第２の高周波入力ピンのうちの１つのピン先端である前記第１のピン先端との間の距離は、前記他の回路と電気的に接続された第３のパッドと前記封止パッケージの外部に前記第１のピン先端が突出しているところと同じ側にて突出しかつ前記第３のパッドと電気的に接続された第３のピン先端との問の距離より短く、
前記第１のピン先端を有する前記第１の入力ピンには前記第１の周波数帯の高周波受信信号が印加され、かつ、前記第２のピン先端を有する前記第２の入力ピンには前記第２の周波数帯の高周波受信信号が印加される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１の出力ピンと、
前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２の出力ピンと
を更に具備してなり、
前記第１の低雑音増幅器を通して増幅された前記第１の周波数帯の高周波受信信号が前記第１の出力ピンから出力され、かつ、前記第２の低雑音増幅器を通して増幅された前記第２の周波数帯の高周波受信信号が前記第２の出力ピンから出力されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２０】
請求項１８において、
前記第１の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第１の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第１の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第１のバイポーラトランジスタを具備してなり、
前記第２の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第２の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第２の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第２のバイポーラトランジスタを具備してなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２１】
請求項２０において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、潮第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２２】
第１の周波数帯の高周波受信信号が入力される第１の低雑音増幅器と、
前記第１の周波数帯とは異なる第２の周波数帯の高周波受信信号が入力される第２の低雑音増幅器と、
他の回路と、
前記第１の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第１の周波数帯の第１の受信ミキサと、
前記第２の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第２の周波数帯の第２の受信ミキサと、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続され、前記第１の周波数帯の高周波受信信号が印加される第１の入力ピンと、
前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続され、前記第２の周波数帯の高周波受信信号が印加される第２の入力ピンと、
前記他の回路と電気的に接続されている第３の入力ピンと
を具備してなり、
前記第１および第２の低雑音増幅器、前記他の回路、前記第１および第２の受信ミキサは、単一の半導体チップ上に一体に集線化され、
前記第１、第２、および第３の入力ピンは前記半導体チップの四辺のうちの同一の一辺に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２４】
請求項２２において、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１の出力ピンと、
前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２の出力ピンと
を更に具備してなり、
前記第１の低雑音増幅器を通して増幅された前記第１の周波数帯の高周波受信信号が前記第１の出力ピンから出力され、かつ、前記第２の低雑音増幅器を通して増幅された前記第２の周波数帯の高周波受信信号が前記第２の出力ピンから出力されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２６】
請求項２４において、
前記第１の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、第１の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第１の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第１のバイポーラトランジスタを具備してなり、
前記第２の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第２の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第２の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第２のバイポーラトランジスタを具備してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２８】
移動体無線通信機の受信動作のための半導体集積回路装置であって、
半導体チップを内包し、かつ、四辺を有し平面図上で矩形形状に形成されている封止パッケージと、
第１の周波数帯の高周波受信信号が入力される第１の低雑音増幅器と、
前記第１の周波数帯とは異なる第２の周波数帯の高周波受信信号が入力される第２の低雑音増幅器と、
第１の周波数帯の高周波受信信号が入力される第１の高周波入力フィルタと、
前記第１の周波数帯とは異なる第２の周波数帯の高周波受信信号が入力される第２の高周波入力フィルタと、
前記第１の高周波入力フィルタと電気的に接続されている第１の入力ピンと、
前記第２の高周波入力フィルタと電気的に接続されている第２の入力ピンと、
を具備してなり、
前記第１および第２の低雑音増幅器並びに前記第１および第２の入力ピンは、前記半導体チップ上に一体に集積化され、
前記第１および第２の高周波入力ピンは、それぞれ前記第１および第２の高周波入力フィルタと前記半導体チップの四辺のうちの一辺にて接続されるよう構成され、
前記第１および第２の高周波入力ピンは前記一辺に配置され、
前記第１の入力ピンには前記第１の周波数帯の高周波受信信号が印加され、かつ、前記第２の入力ピンには前記第２の周波数帯の高周波受信信号が印加される
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２９】
請求項２８において、
前記第１の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第１の周波数帯の第１の受信ミキサと、
前記第２の低雑音増幅器からの出力信号が入力される前記第２の周波数帯の第２の受信ミキサと、
を更に具備してなり、
前記第１および第２の低雑音増幅器並びに前記第１および第２の受信ミキサは、前記半導体チップ上に一体に集積化され、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１のパッドと前記封止パッケージの外部に突出しかつ前記第１のパッドと電気的に接続された前記第１および第２の高周波入力ピンのうちの１つのピン先端である第１のピン先端との間の距離は、前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２のパッドと前記封止パッケージの外部に前記第１のピン先端が突出しているところと同じ側にて突出しかつ前記第２のパッドと電気的に接続された前記第１および第２の高周波入力ピンのうちの他方のピン先端である第２のピン先端との間の距離より短く、
前記第１のピン先端を有する前記第１の入力ピンには前記第１の周波数帯の高周波受信信号が印加され、かつ、前記第２のピン先端を有する前記第２の入力ピンには前記第２の周波数帯の高周波受信信号が印加されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３０】
請求項２９において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３１】
請求項２９において、
前記第１の低雑音増幅器と電気的に接続された第１の出力ピンと、
前記第２の低雑音増幅器と電気的に接続された第２の出力ピンと
を更に具備してなり、
前記第１の低雑音増幅器を通して増幅された前記第１の周波数帯の高周波受信信号が前記第１の出力ピンから出力され、かつ、前記第２の低雑音増幅器を通して増幅された前記第２の周波数帯の高周波受信信号が前記第２の出力ピンから出力されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３２】
請求項３１において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３３】
請求項３１において、
前記第１の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第１の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第１の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第１のバイポーラトランジスタを具備してなり、
前記第２の低雑音増幅器は、接地電位が印加されるエミッタと、前記第２の入力ピンと電気的に接続されたベースと、前記第２の出力ピンと電気的に接続されたコレクタとを有する第２のバイポーラトランジスタを具備してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３４】
請求項３３において、
前記第１の受信ミキサは前記第１の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられ、かつ、前記第２の受信ミキサは前記第２の周波数帯の局所発振信号を受信するよう設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。