(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上部に形成されており、複数のゲート線及び前記複数のゲート線に連結されている複数のゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板の上部に形成されており、維持容量電極線及び前記維持容量電極線に連結されていて互いに隣接する前記ゲート線のうちの一つに隣接するように位置する維持電極を含む維持容量配線と、
前記ゲート配線及び前記維持容量配線を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層と、
前記ゲート絶縁膜または前記半導体層の上部に形成されており、前記ゲート線と交差するデータ線、前記データ線に連結され前記半導体層の上部に位置しているソース電極と、前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向して前記半導体層の上部に位置しているドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜を経て前記維持電極と重畳し維持容量を構成する第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと、を含むデータ配線と、
前記ドレイン電極及び前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと電気的に連結されている画素電極と、
互いに隣接する前記ゲート線のうち、前記維持電極から遠くに位置するゲート線と重畳してストレージキャパシタをなす第２ストレージキャパシタ用導電体パターンと、
を含み、
前記第２ストレージキャパシタ用導電体パターンは前記画素電極と重畳しており、
前記画素電極の上端は、前記維持電極から遠くに位置するゲート線と重畳し、前記画素電極の下端は、前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと重畳していることを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板。
【請求項２】
前記ドレイン電極及び前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンは互いに連結されていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
【請求項３】
前記画素電極と前記ドレイン電極と前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンとの間に形成されている保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
【請求項４】
前記ソース電極とドレイン電極との間のチャンネル部を除いた前記半導体層は、前記データ配線と同一のパターンを有することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
【請求項５】
前記半導体層と前記データ線との間に形成され、前記データ線と同一のパターンを有する抵抗接触層パターンをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
【請求項６】
前記画素電極の上端と重畳するゲート線と前記画素電極との間には、前記ゲート絶縁膜と保護膜とが形成されており、
前記画素電極の下端と重畳する第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと前記画素電極との間には、前記保護膜が形成されており、
前記画素電極の上端が前記ゲート線と重畳する範囲は、前記画素電極の下端が前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと重畳する範囲より小さいことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
【請求項７】
請求項１に記載の前記薄膜トランジスタアレイ絶縁基板を含むことを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと少なくとも一部が重畳しているブラックマトリックスをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記維持容量配線には、互いに隣接する前記ゲート線のうち、前記維持電極から遠く位置するゲート線に印加されるゲート信号が伝達されることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置に関し、より詳しくは、画素電極と重畳して保持容量を形成する維持電極を有する薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在広く使用されている平板表示装置の一つである液晶表示装置は、電場を生成する複数の電極が形成されている二枚の基板と、二つの基板の間に注入されている液晶層と、各々の基板の外側面に付着されて光を偏光させる二枚の偏光板と、からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光の量を調節する表示装置である。これは、液晶物質が有する様々な性質のうちの１つで電圧を加えれば分子の配列が変化するという性質を利用したものであるが、光の透過または反射を利用する液晶表示装置において、液晶そのものは発光しない。
【０００３】
この時、薄膜トランジスタアレイ基板は、液晶表示装置で各画素を独立的に駆動するための回路基板として使用される。薄膜トランジスタアレイ基板は、走査信号を伝達する走査信号配線またはゲート配線、及び画像信号を伝達する画像信号線またはデータ配線が形成されており、ゲート配線及びデータ配線と連結されている薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを通じて配線と連結されて画像を表示するのに使用される画素電極と、を含む。また、画素電極と重畳して維持容量を形成する維持電極を含み、このような維持電極は、ゲート配線の形状を変更して形成することもでき、ゲート配線と分離して別途に形成することもできる。
【０００４】
このような液晶表示装置は、光源から出る光を透過させて画像を表示するので、高い開口率を確保することが重要な課題である。
しかしながら、保持容量を十分に確保するためには画素電極と重畳する維持電極を広い面積で形成しなければならず、このような場合には開口率が減少する問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が目的とする技術的課題は、維持容量を十分に確保することができると同時に高い開口率を有する、薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような問題を解決するために、本発明では、絶縁基板と、前記絶縁基板の上部に形成されており、複数のゲート線及び前記複数のゲート線に連結されている複数のゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁基板の上部に形成されており、維持容量電極線及び前記維持容量電極線に連結されていて互いに隣接する前記ゲート線のうちの一つに隣接するように位置する維持電極を含む維持容量配線と、前記ゲート配線及び前記維持容量配線を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層と、前記ゲート絶縁膜または前記半導体層の上部に形成されており、前記ゲート線と交差するデータ線、前記データ線に連結され前記半導体層の上部に位置しているソース電極と、前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向して前記半導体層の上部に位置しているドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜を経て前記維持電極と重畳し維持容量を構成する第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと、を含むデータ配線と、前記ドレイン電極及び前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと電気的に連結されている画素電極と、互いに隣接する前記ゲート線のうち、前記維持電極から遠くに位置するゲート線と重畳してストレージキャパシタをなす第２ストレージキャパシタ用導電体パターンと、を含み、前記第２ストレージキャパシタ用導電体パターンは前記画素電極と重畳しており、前記画素電極の上端は、互いに隣接する前記ゲート線のうち前記維持電極から遠くに位置するゲート線と重畳し、前記画素電極の下端は、前記第１ストレージキャパシタ用導電体パターンと重畳しているものである。
【０００８】
この時、ドレイン電極及び第１ストレージキャパシタ用導電体パターンは互いに連結されているのが好ましい。また、画素電極とドレイン電極と第１ストレージキャパシタ用導電体パターンとの間に形成されている保護膜をさらに含むのが好ましい。
【０００９】
この時、ソース電極とドレイン電極との間のチャンネル部を除いた半導体層は、データ配線と同一のパターンを有することができ、半導体層とデータ配線との間に形成されていてデータ配線と同一のパターンを有することもできる。
【発明の効果】
【００１０】
このように、本発明では、維持容量配線を画素領域の縁部に配置して画素電極と連結されているストレージキャパシタ用導電体パターンと重畳させることによって、維持容量を十分に確保すると同時に開口率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付した図面を参考にして、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１２】
図面においては、各層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、基板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がないことを意味する。
【００１３】
それでは、本発明の実施例による薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置について、図面を参考にして詳細に説明する。
本発明による液晶表示装置には、互いに交差して画素領域を定義するゲート線及びデータ線が形成されており、ゲート線及びデータ線が交差する部分には、ゲート線に連結されているゲート電極と、データ線に連結されているソース電極と、ゲート電極を中心にソース電極と対向するドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタが形成されている。画素領域には、薄膜トランジスタを通じてデータ線と電気的に連結されている画素電極が形成されており、画素電極と重畳して維持容量を構成する維持電極が形成されている。この時、維持電極は画素領域の縁部に位置し、画素領域の縁部で光の透過領域である開口部を有するブラックマトリックスと重畳している。また、画素領域の縁部には狭い面積で維持容量を十分に確保するために、維持電極と画素電極との間に位置して画素電極と電気的に連結されているストレージキャパシタ用導電体パターンが形成されている。
【００１４】
このような本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の構造について、具体的に説明する。
まず、図１乃至図３を参考にして、本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の構造について詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。図２及び図３は、図１に示した薄膜トランジスタアレイ基板のII-II´及びIII-III´線による断面図である。ここで、点線で囲まれた部分はブラックマトリックス（BM）の開口部であり、光が透過する領域である。
【００１６】
絶縁基板１１０上に、銀または銀合金またはアルミニウムまたはアルミニウム合金などのように低抵抗を有する単一膜またはこれを含む多層膜からなるゲート配線及び維持容量配線が形成されている。ゲート配線は、横方向にのびているゲート線１２１、ゲート線１２１の一端に連結されていて外部からゲート信号の印加を受けてゲート線１２１に伝達するゲートパッド１２５、及びゲート線１２１に連結されている薄膜トランジスタのゲート電極１２３を含む。また、維持容量配線は、横方向にのびていて、薄膜トランジスタアレイ基板と対向する共通基板に形成されている共通電極に印加された共通信号及びゲート信号が伝達される維持容量電極線１３１、及び維持容量電極線１３１に連結されており、画素の開口率を向上させるために画素領域の縁部でブラックマトリックス（BM）と重畳していて、後に形成される画素電極１９０に連結されているストレージキャパシタ用導電体パターン１７７と重畳して維持容量を構成する維持電極１３３を含む。ここで、ゲート配線１２１、１２５、１２３及び維持容量配線１３１、１３３が多層膜である場合には、一つの膜は低抵抗を有する導電物質を含み、他の膜は他の物質との接触特性に優れたパッド用の導電物質を含むことができる。
【００１７】
基板１１０上には窒化ケイ素（SiNX）などからなるゲート絶縁膜１４０がゲート配線１２１、１２５、１２３を覆っている。
ゲート電極１２５に対するゲート絶縁膜１４０の上部には、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンの半導体からなる半導体層１５０が形成されており、半導体層１５０の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる抵抗接触層１６３、１６５が各々形成されている。
【００１８】
抵抗接触層１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上に、銀または銀合金またはアルミニウムまたはアルミニウム合金などのように低抵抗を有する単一膜またはこれを含む多層膜からなるデータ配線が形成されている。データ配線は、縦方向に形成されてゲート線１２１と交差して画素領域を定義するデータ線１７１、データ線１７１の分枝であり抵抗接触層１６３の上部までのびているソース電極１７３、データ線１７１の一端に連結されていて外部から画像信号の印加を受けるデータパッド１７９、及びソース電極１７３と分離されていてゲート電極１２３に対してソース電極１７３の反対側に位置する抵抗接触層１６５の上部に形成されているドレイン電極１７５を含む。また、データ配線は、維持容量を十分に確保するために後に形成される画素電極１９０と電気的に連結されると同時に、画素の開口率を確保するために画素領域の縁部で維持電極１３３と重畳して保持容量を形成するストレージキャパシタ用導電体パターン１７７を含む。この時、ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７も画素領域の縁部でブラックマトリックス（BM）と重畳しているので画素の開口率を十分に確保することができ、ゲート絶縁膜１４０だけを経て維持電極１３３と重畳しているので狭い重畳面積で最適の維持容量を確保することができる。この実施例では、ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７はドレイン電極１７５に連結されているが、分離されることもできる。
【００１９】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７７、１７９及びこれらのデータ配線で覆われていない半導体層１５０の上部には、酸化ケイ素または窒化ケイ素の無機物質または有機物質、またはSi:O:CやSi:O:Fなどを含んでＣＶＤ法で形成される低誘電率絶縁物質からなる保護膜１８０が形成されている。この時、保護膜１８０は単一膜でも多層膜でもよい。特に、半導体層１５０には、窒化ケイ素の絶縁膜が接し、パッドが形成されているパッド部では有機物質を完全に除去するのが好ましい。
【００２０】
保護膜１８０にはストレージキャパシタ用導電体パターン１７７及びデータパッド１７９を各々露出する接触孔１８７、１８９が形成されており、保護膜１８０には、ゲート絶縁膜１４０と共にゲートパッド１２５を露出する接触孔１８２が形成されている。
【００２１】
保護膜１８０の上部には、接触孔１８７を通じてストレージキャパシタ用導電体パターン１７７及びドレイン電極１７５と電気的に連結されていて画素領域に位置する画素電極１９０が形成されている。また、保護膜１８０上には、接触孔１８２、１８９を通じて各々ゲートパッド１２５及びデータパッド１７９と連結されている補助ゲートパッド９２及び補助データパッド９７が形成されている。ここで、画素電極１９０及び補助ゲート９２及びデータパッド９７は、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなる。しかし、反射型の液晶表示装置である場合には、画素電極１９０は、銀または銀合金またはアルミニウムまたはアルミニウム合金などのように反射性導電物質からなることもできる。
【００２２】
このような本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の構造では、維持容量配線１３１、１３３を画素領域の縁部にブラックマトリックス（BM）と重畳するように配置して画素の開口率を確保すると同時に、ゲート絶縁膜１４０だけを経て画素電極１９０と連結されるストレージキャパシタ導電体パターン１７７に重畳され、維持容量を形成することによって保持容量を十分に確保することができる。
【００２３】
一方、製造費用を最少化するために、半導体層及びデータ配線を一つの感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で製造された液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板では、半導体層及びデータ配線が類似したパターンを有している。
【００２４】
次に、このような液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の構造について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、図４乃至図６を参考にして、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板で、特にマスクを用いて製造された液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板について詳細に説明する。
【００２５】
図４は、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の配置図である。図５及び図６は、各々図４に示した薄膜トランジスタアレイ基板のV-V´線及びVI-VI´線による断面図である。
【００２６】
まず、絶縁基板１１０上に、低抵抗導電物質からなる導電膜を含むゲート配線１２１，１２５，１２３が形成されている。ゲート配線１２１，１２５，１２３は、ゲート線１２１、ゲートパッド１２５、及びゲート電極１２３を含む。そして、維持容量配線は、基板１１０の上部に、ゲート線１２１と平行で、上部基板の共通電極に入力される共通電圧または外部からのゲート電圧の印加受ける維持容量電極線１３１、及び維持容量電極線１３１に連結されている維持電極１３３を含む。維持電極１３３は、後述する画素電極１９０と連結された第１ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７と重畳して、画素の電荷保存能力を向上させる維持容量を構成する。後述する画素電極１９０と連結されている第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６と隣接する画素行にゲート信号を伝達する前段のゲート線１２１との重畳により発生する維持容量が十分である場合には、維持容量配線１３１、１３３は形成しないこともある。
【００２７】
このような構造では、前段のゲート線１２１と後述する第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６とを重畳させて維持容量を形成するため、維持容量配線１３１、１３３には、前段のゲート線１２１に印加されるゲート信号が伝達されるのが好ましい。
【００２８】
ゲート配線１２１、１２５、１２３及び維持容量配線１３１、１３３上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されて、ゲート配線１２１、１２５、１２３及び維持容量配線１３１、１３３を覆っている。
【００２９】
ゲート絶縁膜１４０上には、多結晶シリコンからなる半導体パターン１５２、１５６が形成されており、半導体パターン１５２、１５６上には、ｎ型不純物またはリン（P）などのp型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンなどからなる抵抗接触層パターンまたは中間層パターン１６３、１６５、１６６が形成されている。
【００３０】
抵抗接触層パターン１６３、１６５上には、第１実施例のように低抵抗を有する導電物質からなる導電膜を含むデータ配線１７１，１７３，１７５，１７９が形成されている。データ配線は、縦方向に形成されているデータ線１７１、データ線１７１の一端に連結されて外部から画像信号の印加を受けるデータパッド１７９、及びデータ線１７１の分枝である薄膜トランジスタのソース電極１７３からなるデータ線部１７１，１７３，１７９を含み、さらに、データ線部１７１、１７９、１７３と分離されていてゲート電極１２３または薄膜トランジスタのチャンネル部（C）に対してソース電極１７３の反対側に位置する薄膜トランジスタのドレイン電極１７５を含む。また、データ配線は、維持電極１３３上に位置している第１ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７、及び前段のゲート線１２１の上部の抵抗接触層パターン１６６上に位置して後述する画素電極１９０と重畳している第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６を含む。維持容量配線１３１、１３３を形成しない場合には、第１ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７も形成しない。
【００３１】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７６、１７７、１７９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金またはクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金またはタンタルまたはチタニウムからなる導電膜を含むことができる。
【００３２】
接触層パターン１６３、１６５、１６６は、その下部の半導体パターン１５２、１５６とその上部のデータ配線１７１、１７３、１７５、１７６、１７７、１７９との間の接触抵抗を低くする役割を果たし、データ配線１７１、１７３、１７５、１７６、１７７、１７９と同一の形状を有する。つまり、抵抗接触パターン１６２，１６５，１６６はデータ線部抵抗接触パターン１６３，ドレイン電極用抵抗接触パターン１６３、第２ストレージキャパシタ用抵抗接触層パターン１６６を含む。データ線部抵抗接触層パターン１６３はデータ線部１７１、１７９、１７３と同一の形状を有し、ドレイン電極用抵抗接触層パターン１６３はドレイン電極１７５及び第１ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７と同一の形状を有し、第２ストレージキャパシタ用抵抗接触層パターン１６６はストレージキャパシタ用導電体パターン１７６と同一の形状を有する。
【００３３】
一方、半導体パターン１５２、１５６は、薄膜トランジスタのチャンネル部（C）を除けば、データ配線１７１、１７３、１７５、１７６、１７７、１７９及び抵抗接触層パターン１６３、１６５、１６６と同一な形状である。具体的には、半導体パターンはストレージキャパシタ用半導体パターン１５６と薄膜トランジスタ用半導体パターン１５２とを含むが、ストレージキャパシタ用半導体パターン１５６と第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６とストレージキャパシタ用接触層パターン１６６とは同一な形状であるのに対し、薄膜トランジスタ用半導体パターン１５２はデータ配線及び接触層パターンの他の部分と多少異なる。つまり、薄膜トランジスタのチャンネル部（C）では、ソース電極１７３とドレイン電極１７５とが分離されており、データ線部抵抗接触層１６３とドレイン電極用接触層パターン１６５とも互いに分離されている。しかし、薄膜トランジスタ用半導体パターン１５２はここで分離されないで連結されて薄膜トランジスタのチャンネルを生成する。
【００３４】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７６、１７７、１７９及びデータ配線で覆われない半導体層パターン１５２の上部には、窒化ケイ素及び酸化ケイ素、低い誘電率を有した絶縁物質である有機物質またはSi:O:C、Si:O:Fなどを含んでＣＶＤ法で形成された低誘電率CVD物質からなる保護膜１８０が形成されている。
【００３５】
保護膜１８０は、第１ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７、データパッド１７９、及び第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６を露出する接触孔１８７、１８９、１８６を有しており、また、ゲート絶縁膜１４０と共にゲートパッド１２５を露出する接触孔１８２を有している。
【００３６】
保護膜１８０上には、薄膜トランジスタから画像信号の印加を受けて上部基板の電極と共に電場を生成する画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ITO及びIZOなどの透明な導電物質から形成され、接触孔１８７を通じてドレイン電極１７５及び第１ストレージキャパシタ用導電体パターン１７７と物理的・電気的に連結されて画像信号の伝達を受ける。画素電極１９０は、また、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重畳して開口率を高めているが、重畳しないこともある。また、画素電極１９０は、接触孔１８６を通じて第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６とも連結されて第２ストレージキャパシタ用導電体パターン１７６に画像信号を伝達する。一方、ゲートパッド１２５及びデータパッド１７９上には、接触孔１８２、１８９を通じて各々これらと連結される補助ゲートパッド９５及び補助データパッド９７が形成されており、これらはパッド１２５、１７９と外部回路装置との接着性を補完してパッド１２５，１７９を保護する役割を果たすものある。したがって必須ではなく、これらの適用は選択的である。
【００３７】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の配置図。
【図２】図１に示した薄膜トランジスタ基板のII-II´線による断面図。
【図３】図１に示した薄膜トランジスタ基板のIII-III´線による断面図。
【図４】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の配置図。
【図５】図４に示した薄膜トランジスタ基板のV-V´線による断面図。
【図６】図４に示した薄膜トランジスタ基板のVI-VI´線による断面図。
【符号の説明】
【００３９】
１１０  絶縁基板
１２１  ゲート線
１３１  維持容量配線
１３３  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１６３，１６５  抵抗接触層
１７１  データ線
１７５  ドレイン電極
１７７  ストレージキャパシタ用導電体パターン
１８２，１８９  接触孔
１９０  画素電極
【図１】
0004511931.tif 000002
【図２】
0004511931.tif 000003
【図３】
0004511931.tif 000004
【図４】
0004511931.tif 000005
【図５】
0004511931.tif 000006
【図６】
0004511931.tif 000007