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【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＵＭＴＳセル内での通話中にＧＳＭセルへの切換の準備を可能にするＵＭＴＳ移動電話網内での伝送方法であって、
それぞれ複数の時間スロットから構成されるフレーム内で情報を転送し、各フレームの時間スロットが移動電話端末に割り当てられ、
所与の移動電話端末に対して時間スロットを割り当てて、１個のフレームの持続時間の整数倍に等しい周期で空きの１つの連続時間スロットを残し、その合計持続時間は、ＧＳＭ基地局の放送管制チャネルを受信しそのＧＳＭ基地局に事前同期することを可能にする所定の期間に少なくとも等しい、ことを特徴とする方法。
【請求項２】  さらに、時間スロットの伝送能力を高めるために、データを転送する他の時間スロットのスペクトル拡散を低減することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  ＵＭＴＳセル内での通話中にＧＳＭセルへの切換の準備を可能にするＵＭＴＳ移動電話網であって、
それぞれ複数の時間スロットから構成されるフレーム内で情報を転送する伝送手段であって、各フレームの時間スロットが移動電話端末に割り当てられる伝送手段と、
所与の移動電話端末に対して時間スロットを割り当てる手段であって、１個のフレームの持続時間の整数倍に等しい周期で空きの１つの連続時間スロットを残し、その合計持続時間は、ＧＳＭ基地局の放送管制チャネルを受信しそのＧＳＭ基地局に事前同期することを可能にする所定の期間に少なくとも等しい手段とを有することを特徴とするＵＭＴＳ移動電話網。
【請求項４】  さらに、時間スロットの伝送能力を高めるために、データを転送する他の時間スロットのスペクトル拡散を低減する手段を有することを特徴とする請求項３に記載のＵＭＴＳ移動電話網。
【請求項５】  ＧＳＭ基地局の放送管制チャネルを受信しそのＧＳＭ基地局に事前同期する手段であって、１個のフレームの持続時間の整数倍に等しい周期で１つの連続時間スロットを空きのまま残し、その合計持続時間は、ＵＭＴＳセル内での通話中にＧＳＭセルへの切換の準備を可能にする、前記受信し事前同期することを可能にする所定の期間に少なくとも等しい手段を有する、ＵＭＴＳ移動端末。
【請求項６】  さらに、時間スロットの伝送能力を高めるために、データを転送する他の時間スロットのスペクトル拡散を低減する手段を有することを特徴とする請求項５に記載のＵＭＴＳ移動端末。
【請求項７】  請求項３または４に記載のＵＭＴＳ移動電話網内の移動電話端末。
【請求項８】  請求項３または４に記載のＵＭＴＳ移動電話網内の移動電話基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】駆動回路および半導体表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力側にｘ個（ｘは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側にｘ個の薄膜トランジスタを有する差動回路と、
入力側にｙ個（ｙは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側にｙ個の薄膜トランジスタを有する電流ミラー回路とを有し、
前記差動回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に入力端子に電気的に接続され、前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に出力端子に電気的に接続され、
前記電流ミラー回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタおよび前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは互いに接続され、前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトとソース、またはゲイトとドレインとが電気的に接続されていることを特徴とする駆動回路。
【請求項２】
入力側にｘ個（ｘは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側に（ｎ×ｘ）個（ｎは２以上の自然数）の薄膜トランジスタを有する差動回路と、
入力側にｙ個（ｙは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側に（ｎ×ｙ）個の薄膜トランジスタを有する電流ミラー回路とを有し、
前記差動回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に入力端子に電気的に接続され、前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に出力端子に電気的に接続され、
前記電流ミラー回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタおよび前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは互いに接続され、前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトとソース、またはゲイトとドレインとが電気的に接続されていることを特徴とする駆動回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記薄膜トランジスタが有する活性層は結晶性珪素膜で形成されていることを特徴とする駆動回路。
【請求項４】
画素マトリクス回路と、
入力側にｘ個（ｘは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側にｘ個の薄膜トランジスタを有する差動回路と、入力側にｙ個（ｙは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側にｙ個の薄膜トランジスタを有する電流ミラー回路と、を用いた駆動回路と、を有し、
前記差動回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に入力端子に電気的に接続され、前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に出力端子に電気的に接続され、
前記電流ミラー回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタおよび前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは互いに接続され、前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトとソース、またはゲイトとドレインとが電気的に接続されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
画素マトリクス回路と、
入力側にｘ個（ｘは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側に（ｎ×ｘ）個（ｎは２以上の自然数）の薄膜トランジスタを有する差動回路と、入力側にｙ個（ｙは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側に（ｎ×ｙ）個の薄膜トランジスタを有する電流ミラー回路と、を用いた駆動回路と、を有し、
前記差動回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に入力端子に電気的に接続され、前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に出力端子に電気的に接続され、
前記電流ミラー回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタおよび前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは互いに接続され、前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトとソース、またはゲイトとドレインとが電気的に接続されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
画素マトリクス回路と、
入力側にｘ個（ｘは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側にｘ個の薄膜トランジスタを有する差動回路と、入力側にｙ個（ｙは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側にｙ個の薄膜トランジスタを有する電流ミラー回路と、を用いた駆動回路と、を有し、
前記差動回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に入力端子に電気的に接続され、前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に出力端子に電気的に接続され、
前記電流ミラー回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタおよび前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは互いに接続され、前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトとソース、またはゲイトとドレインとが電気的に接続され、
前記画素マトリクス回路と前記駆動回路とは、同一基板上に形成されている半導体表示装置。
【請求項７】
画素マトリクス回路と、
入力側にｘ個（ｘは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側に（ｎ×ｘ）個（ｎは２以上の自然数）の薄膜トランジスタを有する差動回路と、入力側にｙ個（ｙは２以上の自然数）の薄膜トランジスタ、および出力側に（ｎ×ｙ）個の薄膜トランジスタを有する電流ミラー回路と、を用いた駆動回路と、を有し、
前記差動回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に入力端子に電気的に接続され、前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは共に出力端子に電気的に接続され、
前記電流ミラー回路が有する前記入力側の薄膜トランジスタおよび前記出力側の薄膜トランジスタのゲイトは互いに接続され、前記入力側の薄膜トランジスタのゲイトとソース、またはゲイトとドレインとが電気的に接続され、
前記画素マトリクス回路と前記駆動回路とは、同一基板上に形成されている半導体表示装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一において、前記薄膜トランジスタの前記活性層は結晶性珪素膜で形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一に記載の前記駆動回路をバッファに用いることを特徴とする半導体表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
以下、図面を参照しながら、特開平６−６２２８０号公報に開示された従来の偽輪郭補正回路について説明する。図９は、この従来の偽輪郭補正回路の構成を示すブロック図である。この偽輪郭補正回路は、乱数発生器５と、判別回路６と、加算回路７とを備えており、ｎビットのデジタル映像信号Ａを入力する。入力されたデジタル映像信号Ａを構成するｎビットのうち所定の下位ビットからなる信号Ｆは、判別回路６に供給される。乱数発生器５は、その信号Ｆのビット幅と同一ビット幅のデジタル乱数Ｈを出力する。判別回路６は、デジタル映像信号Ａの所定の下位ビットから成る上記信号Ｆの示す値と、乱数発生器５から出力されるデジタル乱数Ｈとを比較し、その比較結果に応じて、「１」または「０」を示す信号を補正信号Ｉとして出力する。加算回路７は、デジタル映像信号Ａの上位ビットＧと同じビット幅を持つ加算器であって、デジタル映像信号Ａの上位ビットＧと判別回路６から出力される補正信号Ｉとを加算して補正出力信号Ｊを生成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図７は、本実施形態の偽輪郭補正装置の構成例を示す詳細ブロック図であり、図３に示した２倍ビット変化検出回路１、信号補正回路２c 、前後平坦検出回路３、および乱数発生回路４は、図７に示す２倍ビット変化検出回路１０、信号補正回路２０、前後平坦検出回路３０、および乱数発生回路４０に、それぞれ相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
信号補正回路２０は、遅延回路２２と加減算器２４と加減算制御回路２６とから構成されている。遅延回路２２は、デジタル映像信号Ａを所定クロック数だけ遅延させ、遅延後のデジタル映像信号を出力する。加減算制御回路２６は、２倍ビット変化検出回路１０からの２倍ビット変化検出信号Ｂおよびフラグ信号Ｆlgと、前後平坦検出回路３０からの平坦検出信号Ｄと、乱数発生回路４０からの乱数信号Ｅとに基づき、加減算器２４による演算を制御するための信号として、加算指示信号Ｃadd と減算指示信号Ｃsub とから成る制御信号Ｃopを生成する。加減算器２４は、この制御信号Ｃopに応じて、遅延回路２２から出力される遅延後のデジタル映像信号に対して所定値を所定の期間だけ加算または減算し、その演算後のデジタル映像信号を補正映像信号Ｃ3 として出力する。なお、信号補正回路２０における遅延回路２２と２倍ビット変化検出回路１０における遅延回路１８とは、後述の図８に示すような動作を実現するためにデジタル映像信号Ａや２倍ビット変化検出信号Ｂ、平坦検出信号Ｄ等との間でタイミングを調整するために導入されたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
信号補正回路２０の上述の動作により、図８（ａ）および８（ｂ）に示すように、デジタル映像信号Ａにおける２倍ビット変化が、２つの１ビット変化へと補正される。すなわち、その２倍ビット変化は、その２倍ビット変化の時点からｎ１クロック前の時点における１ビット変化と、その２倍ビット変化の時点からｎ２クロック後の時点における１ビット変化とに分解される。ただし、その２倍ビット変化の前後５クロックの期間において他に２倍ビット変化またはそれ以上の変化がある場合には、その２倍ビット変化は補正されない。また、ｎ１、ｎ２は乱数信号Ｅによって決定されるため、２倍ビット変化に対する補正すなわち偽輪郭補正において生成される２つの１ビット変化の位置は、図６（ｂ）に示すように各ライン毎にずれることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記化１の構造式を持つポリチオフェン類であって、
【化１】
2003221434.tif 000001
式中、Ｒは側鎖であり、ｍは置換基の数であり、Ａは二価結合基であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれモノマーセグメント中における、Ｒ置換チエニレン、非置換チエニレン、及び二価結合基Ａの数を示し、ｚは０又は１のいずれかであり、ｎはポリマー鎖中の繰り返しモノマーセグメントの数又は重合度を示すことを特徴とするポリチオフェン類。
【請求項２】  請求項１に記載のポリチオフェン類であって、前記ポリチオフェン類は、下記化２で示され、
【化２】
2003221434.tif 000002
式中、Ｒは側鎖であり、ａは約０〜約５の整数であり、ｂ、ｃ、及びｄは約１〜約５の整数であり、ｎは重合度を示すものであって約５〜約５，０００であり、前記ポリチオフェン類の、いずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマトグラフ法より求めた、数平均分子量（Ｍｎ）は約２，０００〜約１０万であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は約４，０００〜約５０万であることを特徴とするポリチオフェン類。
【請求項３】  下記化３の構造式を持つことを特徴とするポリチオフェン類。
【化３】
2003221434.tif 000003
2003221434.tif 000004
2003221434.tif 000005
2003221434.tif 000006
【請求項４】  請求項１に記載のポリチオフェン類であって、Ｒは、アルコキシアルキル、シロキシ置換アルキル、パーハロアルキル、又はポリエーテルであることを特徴とするポリチオフェン類。
【請求項５】  請求項１に記載のポリチオフェン類であって、Ａはアリーレンであることを特徴とするポリチオフェン類。
【請求項６】  請求項１に記載のポリチオフェン類であって、二価結合基Ａは、フェニレン、ビフェニレン、フェナントレニレン、９，１０−ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、メチレン、ポリメチレン、ジオキシアルキレン、ジオキシアリーレン、及びオリゴエチレンオキシドから成る群より選ばれることを特徴とするポリチオフェン類。
【請求項７】  請求項１に記載のポリチオフェン類であって、前記ポリチオフェン類は下記化４で示され、
【化４】
2003221434.tif 000007
式中、Ｒは側鎖であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはチエニレン部分の数を示し、ｎは重合度であって約１００〜約１，０００であることを特徴とするポリチオフェン類。
【請求項８】  ポリチオフェン類の調製法であって、前記調製法は、有機溶媒に溶解した約１モル当量の適当なモノマーと、約１〜約５モル当量の塩化鉄（III）とを、約２５〜約８０℃の温度で反応させる工程を含み、前記ポリチオフェン類は下記化５の構造式を持ち、
【化５】
2003221434.tif 000008
式中、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはセグメントの数を示し、各Ｒは側鎖であり、ｎは重合度又は繰り返しセグメントの数を示すことを特徴とする調製法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３は、本発明のオイルフェンス１０の連結部１３についての別の実施例を示す図である。図３（Ａ）は、オイルフェンス１０の正面図を表す。フロートユニット１２は、図１に示した実施例と同様であるが、連結部１３の構造が異なる。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のオイルフェンスの上面図である。連結部１３はレール部材を具備し、具体的には、フロートユニット１２の一方の側面に沿って設けたレール受容体１３ａと、他方の側面に設けたレール体１３ｂとが、隣接フロートユニット間で嵌合することにより形成される。斯かる連結部１３により、隣接するフロートユニット１２同士が、矢印Ｒ１、Ｒ２のようにユニット１２の上下方向を軸として相対的に回転することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【非特許文献１】アグリオス，Ｇ．Ｎ．（Agrios, G.N.），プラント・パソロジー（Plant Pathology），第４版，２０８頁
【非特許文献２】エリス，Ｂ．Ｗ．（Ellis, B.W.）およびＦ．マーシャル・ブラッドレー（F. Marshall Bradley）編集，ナチュラル・インセクト・アンド・ディズィーズ・コントロール（Natural Insect and Disease Control），３６９頁
【非特許文献３】オルコウスキー（Olkowski, W）他、コモン・センス・ペスト・コントロール（Common Sense Pest Control），１０９頁
【特許文献１】米国特許第６，８３５，７１９号
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体積層構造を立方晶系構造の基板に付着させる第１工程であって、
前記半導体積層構造は、六方晶系構造の基板上に、六方晶系構造のｐ型半導体、多重量子発光井戸層、および六方晶系構造のｎ型半導体を順に有し、
前記半導体積層構造が有する六方晶系構造のｎ型半導体と前記立方晶系構造の基板とが接触すると共に特定の面方位を合わせるようにして、前記半導体積層構造を前記立方晶系構造の基板に付着させる第１工程、
前記半導体積層構造が付着した立方晶系構造の基板を熱処理することにより、前記半導体積層構造が有する六方晶系構造のｎ型半導体と前記立方晶系構造の基板との界面を融着させる第２工程、
前記六方晶系構造の基板を除去する第３工程、および
前記半導体積層構造が有する六方晶系構造のｐ型半導体をエッチングしてメサを形成する第４工程、
を順に有し、
さらに、前記立方晶系構造の基板上に電子素子を形成する工程を有する、集積化素子の製造方法。
【請求項２】前記熱処理が窒素ガス雰囲気中で行われる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項３】前記六方晶系構造のｐ型半導体が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはその積層構造で構成される、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項４】前記六方晶系構造の基板がサファイアからなる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項５】前記立方晶系構造の基板が、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＧｅＰからなる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項６】前記熱処理が９００℃で行われる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項７】前記六方晶系構造の基板の
【数１】
2003101153.tif 000001
方向と、前記立方晶系構造の基板の＜１１０＞方向とを一致させて、前記六方晶系構造のｎ型半導体上に立方晶系構造の基板を付着させる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項８】前記電子素子は受光素子である、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の集積化素子の製造方法は、第１工程、第２工程、第３工程、および第４工程を順に有し、
第１工程は、半導体積層構造を立方晶系構造の基板に付着させる工程であって、
半導体積層構造は、六方晶系構造の基板上に、六方晶系構造のｐ型半導体、多重量子発光井戸層、および六方晶系構造のｎ型半導体を順に有し、
半導体積層構造が有する六方晶系構造のｎ型半導体と立方晶系構造の基板とが接触すると共に特定の面方位を合わせるようにして、半導体積層構造を立方晶系構造の基板に付着させる工程であり、
第２工程は、半導体積層構造が付着した立方晶系構造の基板を熱処理することにより、半導体積層構造が有する六方晶系構造のｎ型半導体と立方晶系構造の基板との界面を融着させる工程であり、
第３工程は、六方晶系構造の基板を除去する工程であり
第４工程は、半導体積層構造が有する六方晶系構造のｐ型半導体をエッチングしてメサを形成する工程である。
さらに、前記立方晶系構造の基板上に電子素子を形成する工程を有する。
熱処理は窒素ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
六方晶系構造を有する基板の
【数２】
2003101153.tif 000002
方向と、立方晶系構造を有する基板の＜１１０＞方向とを一致させて、六方晶系構造を有するｎ型半導体上に立方晶系構造を有する基板を付着させることが好ましい。また、前記電子素子は受光素子であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】α−グルコシダーゼ阻害剤を含有してなる、ハイリスク耐糖能異常から糖尿病への移行抑制剤。
【請求項２】α−グルコシダーゼ阻害剤を含有してなる、ハイリスク耐糖能異常治療剤。
【請求項３】α−グルコシダーゼ阻害剤がボグリボースである請求項１または２記載の剤。
【請求項４】ハイリスク耐糖能異常が、７５ｇ経口ブドウ糖負荷試験での２時間後血糖値が１７０から１９９ｍｇ／ｄｌを示す耐糖能異常である請求項１から３のいずれか１項に記載の剤。
【請求項５】７５ｇ経口ブドウ糖負荷試験での２時間後血糖値が正常値になるまで投与することを特徴とする請求項２または３記載の剤。
【請求項６】ハイリスク耐糖能異常患者に１３週間以上投与することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の剤。
【請求項７】糖尿病がインスリン非依存型糖尿病である請求項１または３記載の剤。
【請求項８】経口投与用製剤である請求項１から３のいずれか１項に記載の剤。
【請求項９】１日当たりの投与量が0.15〜15mgである請求項１から３のいずれか１項に記載の剤。
【請求項１０】食前60分以内に投与することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の穿通可能な隔膜で閉鎖される補充口を有する第１の室と、当該第１の室から注入部位へと作用液を運搬するための運搬機構とを有する第１の外被体と、
前記第１の外被体と別に配置され、第２の穿通可能な隔膜で閉鎖される供給口を有する第２の室を有する第２の外被体と、
前記第１の室と前記注入部位を連絡する第１の液連絡路と、
前記第２の室と前記注入部位を連絡する第２の液連絡路であって、所定の最低圧よりも低い圧で作用液が第２の室に供給される場合に前記第２の室から注入部位への作用液の注入を防止する圧力制御弁を前記第２の液連絡路が有し、ここで、所定の最低圧よりも高い圧で作用液が前記第２の室に供給される場合にのみ前記圧力制御弁が開放する、第２の液連絡路と
を備える、作用液を投与するための埋込型装置。
【請求項２】
前記第１の液連絡路が前記第１の室に接続された注入管路を有し、前記第２の液連絡路が前記第２の室に接続された供給管路と注入管路とを有し、前記圧力制御弁が供給管路において配置されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記圧力制御弁が溝付き円板を有する請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記溝付き円板がシリコーンを有する請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記所定の最低圧が２〜４バールである請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記所定の最低圧が２．５〜３．５バールである請求項５に記載の装置。
【請求項７】
第１の穿通可能な隔膜で閉鎖される補充口を有する補充可能な第１の室を補充するステップであって、ここで、第１の外被体が補充可能な第１の室と、前記補充可能な第１の室から注入部位へと作用液を運搬するための運搬機構とを有し、第１の液連絡路が前記補充可能な第１の室を注入部位に接続する、ステップと、
第２の穿通可能な隔膜を通して第２の室を補充するステップであって、ここで、第２の外被体が前記第１の外被体と別に配置され、前記第２の室が当該第２の室と前記注入部位を連絡する第２の液連絡路を有する、ステップと
前記第１の液連絡路を通して注入部位に作用液を補充するステップと、
前記作用液が所定の最低圧よりも低い圧力である場合に、第２の室から注入部位に作用液が注入されることを防止するステップであって、ここで、作用液ボーラスが所定の最低圧より高い圧で第２の室に供給される場合にのみ開放する圧力制御弁を有する第２の液連絡路を通して、作用液ボーラスが第２の室から注入部位へと供給される、ステップと
を含む、作用液を投与するための方法。
【請求項８】
前記所定の最低圧が２〜４バールである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記所定の最低圧が２．５〜３．５バールである請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ガス流の放射状拡散の前に、このガス流は、管24から導入される反応体ガスと混合される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーヤの手又は足の動きを検出するためのプレーヤ動き検出手段と、
プレーヤの「仮想の相手」を画面に表示するための相手表示手段と、
前記プレーヤ動き検出手段からのプレーヤの動きを示す情報に基づいて、前記プレーヤの動きに対応する相手の動き又はダメージを求めるための相手動き等求め手段と、
前記相手動き等求め手段からの情報に基づいて前記相手の動き又はダメージを表示するための相手動き等表示手段と、
を含むことを特徴とする全身動作入力型のゲーム及びイベント装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被検体部位を画像化するためのフェーズドアレイ音響装置であって：
多数のトランスデューサ素子を含む送信アレイと；
被検体部位に放射される送信音響ビームを生成するように構成及び配列されている前記トランスデューサ素子に接続される幾つかの送信ビームフォーマチャンネルを含む送信ビームフォーマと；
幾つかの受信サブアレイに割り付けられている多数のトランスデューサ素子を含む受信アレイと；
前記幾つかの受信サブアレイに接続する幾つかのグループ内受信プロセッサと、このグループ内受信プロセッサの各々が前記接続するサブアレイの前記トランスデューサ素子から、前記送信音響ビームからのエコーに呼応してトランスデューサ信号を受信するように配列され、前記グループ内受信プロセッサの各々が、
前記受信したトランスデューサ信号を遅延させるように配列されている遅延素子を形成する電荷結合素子と、
前記遅延されたトランスデューサ信号を受信して、前記遅延されたトランスデューサ信号を加算するように構成されている加算素子とを含み、受信ビームフォーマと、この受信ビームフォーマが、
前記幾つかのグループ内受信プロセッサに接続されている幾つかの処理チャンネルと、この処理チャンネルの各々が前記グループ内受信プロセッサから受信した遅延信号によって前記エコーから受信ビームを合成するように構成及び配列されているビームフォーマ遅延機構を含み、
前記処理チャンネルから信号を受信して加算するように構成及び配列されているビームフォーマ加算機構とを含み、そして；
前記受信ビームフォーマから受信した信号を基にして前記被検体部位の画像を形成するように構成及び配列されている画像生成器とを含むことを特徴とするフェーズドアレイ音響装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上記の裁断機では、力の流れが比較的不都合であり、かつ変形が避けられない。さらに、制御運動が煩雑でありかつ小さいプレス力しか可能でない。最後に、アクセスしやすさが制限されかつ潤滑油の注油に費用がかかる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題は、冒頭に述べた種類の裁断機において、本発明により、上下に往復動可能なナイフが対向ナイフの下に配置され、かつ裁断するために下から対向ナイフに向かって運動可能であることにより解決される。それと共に、従来技術に対して、ナイフが固定対向ナイフの上方にではなく、この固定対向ナイフの下方に配置されている。それにより、特に次の多数の利点が生ずる。
−滴下する油により製品が汚染するおそれもなく、全ての可動部品を油浴に配置することができる。それにより、ナイフの案内を油で最適に潤滑することができ、それにより磨耗もナイフの遊びも実質的に減らすことができる。
−対向ナイフが支持体とともに簡単な仕方で離れるように回動することができ、それによりナイフはナイフ交換のためにいっそう良く近づきやすくかつその上、怪我の危険を低下させることができる。
−対向ナイフは、支持体を裁断ナイフに対して水平に変位させることによりこれまでよりいっそう簡単に調整できる。
−裁断ナイフを簡単な仕方でかつ怪我の危険もなく上方に向かって撤去することができる。
−裁断力をフレームを介して伝達する必要がないので、直接の力の流れの結果として、同時にいっそう軽い機械フレームでもって実質的にいっそう高いプレス力が可能である。
−これまで移送ベルトの上方に配置されたナイフのためのヨークが省かれたので、裁断移送の視界がいっそう良くなり、かつそれによりいっそう簡単なかついっそう迅速な調整が可能である。
−対向ナイフの固定刃が上方に存在するので、製品の厚さが上方ベルトの持ち上げに全く影響を与えない。これにより、上方ベルト持ち上げのための装置をいっそう簡単に形成することができる。
−ストッパーや裁断移送の領域の危険なニップ箇所が局部的に防護することができるので、怪我のおそれもなく付加的な保護フードなしで調整が可能である。
−ナイフのためのヨークが省けるので、さらに構造高さを例えば３００mmだけ減少させることができるという利点がある。
−最後に、チップ吸引のための通路が構造的に簡単に実現可能でありかつそれとともに、これまで必要な比較的大きなカバーフードを省くことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
感熱型接着剤とは、熱ラミネートによって被着体に接着できる熱溶融性樹脂から構成される。ここで熱溶融性樹脂とは常温（２０℃）付近では粘着性をほとんど示さず、熱をかけると粘着性を示し、熱と圧力をかけることによって被着体に接着する樹脂をいう。このような樹脂としては、エチレン／酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン／アクリル共重合体樹脂、ポリウレタン樹脂、熱可塑性エラストマー樹脂等の公知の熱溶融性樹脂が使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ソリトンの同期変調によるソリトン光信号のインライン再生装置であって、
再生すべき信号のビットのクロック速度を抽出することができるクロック信号の取り込み手段（Ｃ３、ＣＬＫ）と、
前記クロック信号によりソリトンの振幅および／または位相を変調することができる変調手段（ＭＯＤ）とを備え、
前記変調手段が、マッハツェンダ変調器（ＭＯＤ）の第一分岐部（Ｆ５）、第二分岐部（Ｆ６）に各々配置された第一半導体光増幅器（ＳＯＡ１）と第二半導体光増幅器（ＳＯＡ２）とを含むマッハツェンダ変調器（ＭＯＤ）を備え、各々の利得が取り込まれたクロック信号に基づいて変調されることを特徴とする装置。
【請求項２】  第一半導体光増幅器（ＳＯＡ１）および第二半導体光増幅器（ＳＯＡ２）の利得各々を変調するために、前記取り込み手段（Ｃ３、ＣＬＫ）の出力部において、クロック光信号をそれぞれ前記マッハツェンダ変調器（ＭＯＤ）の第一分岐部（Ｆ５）および第二分岐部（Ｆ６）に結合された第一および第二クロック光信号に分割する手段（ＤＩＶ）をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  再生すべきソリトン信号と逆方向に伝播するよう、第一および第二クロック光信号が各々、半導体光増幅器（ＳＯＡ１、ＳＯＡ２）の下流側で、マッハツェンダ変調器（ＭＯＤ）の第一分岐部（Ｆ５）および第二分岐部（Ｆ６）に結合されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】  再生すべきソリトン信号と同方向に伝播するよう、第一および第二クロック光信号が各々、半導体光増幅器（ＳＯＡ１、ＳＯＡ２）の上流側で、マッハツェンダ変調器（ＭＯＤ）の第一分岐部（Ｆ５）および第二分岐部（Ｆ６）に結合されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】  第一および第二クロック光信号の遅延手段（ＤＥＬ＿ＣＬＫ１、ＤＥＬ＿ＣＬＫ２）、および第一および第二クロック光信号の振幅の調整手段（Ａ＿ＣＬＫ１、Ａ＿ＣＬＫ２）が、前記分割手段（ＤＩＶ）と前記半導体光増幅器（ＳＯＡ１、ＳＯＡ２）との間に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】  クロック信号の前記取り込み手段（Ｃ３、ＣＬＫ）が、光電変換（ＰＤ）および逆変換（ＬＤ）手段、ならびに電子増幅（ＡＥ１、ＡＥ２）およびろ波（Ｂ／２、Ｂ）手段と電子信号成形手段（ＮＲＺ）を具備する、このクロック信号の光電取り込みユニットを備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】  前記クロック信号取り込み手段が、光電変換または逆変換を有さない、クロック信号の全光学的取り込みユニット（Ｃ７、ＣＯＮＬ、Ｃ８、ＦＬ、Ｉ、ＡＯＬ）を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】  半導体光増幅器の利得を変調する第一および第二クロック光信号の波長（λｃ）が、変調すべきソリトンの波長（λｓ）とは異なることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】  前記クロック信号の前記取り込み手段が、第一および第二半導体光増幅器の利得の電気制御回路を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】  各半導体光増幅器の増幅が、変調すべきソリトンの偏光状態とは無関係であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】  各半導体光増幅器の動作状態が飽和状態にきわめて近いことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】  自身が生じる損失以上の合計増幅利得を有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】  マッハツェンダ変調器（ＭＯＤ）の上流側および／または下流側に配置され、変調の前および／または後にソリトンのスペクトル−時間特性を制御することができるろ波手段（ＢＰ）をさらに備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】  「３Ｒ」再生器としての請求項１２に記載の再生装置の使用方法。
【請求項１５】  再生すべきソリトン信号の振幅および位相とは無関係に変調するための、請求項１から１３のいずれか一項に記載の再生装置の使用方法。
【請求項１６】  請求項１から１３のいずれか一項に記載の少なくとも一つの再生装置を備えることを特徴とする光ファイバによるソリトン信号の伝送システム。
【請求項１７】  さらに、ソリトンのインラインろ波手段（ＢＰ１、ＢＰ２、．．．）を備えることを特徴とする請求項１６に記載の光ファイバによるソリトン信号の伝送システム。
【請求項１８】  伝送システムのソリトン信号の各光増幅器が請求項１２に記載の再生装置により構成されることを特徴とする請求項１６または１７に記載の伝送システム。
【請求項１９】  異なる波長のソリトン信号の同期再生を行うために、信号を、異なる波長および同じクロック速度を有する複数のソリトン信号に多重化するユニットの下流側、かつ対応する分割ユニットの上流側に配置された請求項１から１３のいずれか一項に記載の少なくとも一つの再生装置を備えることを特徴とする請求項１６から１８のいずれか一項に記載の伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
−１＜ＳＦ3  ＜１０                                      ・・・（８）
ただし、ＳＦ3 ：第３レンズ群の負レンズのシェイピングファクターであり、
ＳＦ3  ＝（ｒ31＋ｒ32）／（ｒ31−ｒ32）で定義され、
ｒ31：第３レンズ群の負レンズの物体側の面の曲率半径、
ｒ32：第３レンズ群の負レンズの像側の面の曲率半径、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
居室内に据付られ、熱交換器を有する室内機と、
外部環境に設けられる室外機と、
前記室内機と前記室外機とを接続する冷媒配管と、
居室と外部環境とを隔てる壁面に設けられ、前記冷媒配管が貫通する冷媒配管貫通孔と、
外部環境から外気を導入し、前記室内機の背面から前記熱交換器の上流側に外気を供給する給気部と、
居室と外部環境とを隔てる壁面に設けられ、前記給気部が貫通する給気部貫通孔と、
を備えたことを特徴とする換気機能付き空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月30日(2006.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
印刷に用いる媒体にドットを形成可能な印刷素子が連続して配列された印刷ヘッドを備え、当該印刷ヘッドによって前記媒体にドットを形成することで画像を印刷するようにした印刷装置において使用される印刷用データを生成するのに使用する印刷用データ生成装置であって、
前記画像を構成する複数の画素に対応する画素データを含んでなる画像データを取得する画像データ取得手段と、
同一値の画素データに対して前記印刷ヘッドが前記印刷素子の配列方向に形成するドットの濃度変化に基づいて生成されており、且つ当該各印刷素子の濃度変化特性を補正するための補正情報を記憶する補正情報記憶手段と、
前記画像データに対応する前記各印刷素子のドット形成内容に関する情報を規定した印刷用データを生成する印刷用データ生成手段と、を備え、
前記印刷用データ生成手段は、前記画像データ及び前記補正情報に基づき、前記印刷ヘッドによる印刷結果の濃度変化特性を線グラフで示したときに、当該線グラフが勾配を有する線を描く印刷用データを生成することを特徴とする印刷用データ生成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
〔形態２４〕  一方、上記目的を達成するために、形態２４の印刷用データ生成装置は、 印刷に用いる媒体にドットを形成可能な印刷素子が連続して配列された印刷ヘッドを備え、当該印刷ヘッドによって前記媒体にドットを形成することで画像を印刷するようにした印刷装置において使用される印刷用データを生成するのに使用する印刷用データ生成装置であって、
前記画像を構成する複数の画素に対応する画素データを含んでなる画像データを取得する画像データ取得手段と、
同一値の画素データに対して前記印刷ヘッドが前記印刷素子の配列方向に形成するドットの濃度変化に基づいて生成されており、且つ当該各印刷素子の濃度変化特性を補正するための補正情報を記憶する補正情報記憶手段と、
前記画像データに対応する前記各印刷素子のドット形成内容に関する情報を規定した印刷用データを生成する印刷用データ生成手段と、を備え、
前記印刷用データ生成手段は、前記画像データ及び前記補正情報に基づき、前記印刷ヘッドによる印刷結果の濃度変化特性を線グラフで示したときに、当該線グラフが勾配を有する線を描く印刷用データを生成することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
すなわち、本形態は、前記印刷装置のような実際に印刷を実行するための印刷手段を含むのではなく、例えば、元のＭ値（Ｍ≧２）の画像データに基づいて印刷ヘッドの濃度変化特性に応じた印刷用データを生成するようにしたものである。 従って、形態４の印刷装置と同様の作用及び効果を得ることができると共に、例えば、本形態で生成した印刷用データを印刷装置に送るだけで当該印刷装置で印刷処理を実行できる構成とすることが可能であり、このような構成にすることで、専用の印刷装置を用意することなく、既存のインクジェット方式の印刷装置をそのまま利用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
〔形態３２〕  一方、上記目的を達成するために、形態３２の印刷用データ生成プログラムの記憶されたコンピュータが読み取り可能な記憶媒体は、形態２８乃至形態３１のいずれか１の印刷用データ生成プログラムの記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であることを特徴としている。
これによって、形態２８乃至形態３１のいずれか１の印刷用データ生成プログラムと同様の作用及び効果が得られると共に、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ、ＭＯなどの記録媒体を介して前記印刷プログラムを容易に授受することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ここで、図３は、印刷部１３の備える、本発明の印刷ヘッド２００の構造を示す図である。
図３に示すように、この印刷ヘッド２００は、ブラック（Ｋ）インクを専用に吐出する複数個のノズルＮがノズル配列方向に直線状に配列された複数のブラックノズルモジュール５０ａ〜５０ｎから構成されるブラックヘッドユニット５０と、同じくイエロー（Ｙ）インクを専用に吐出する複数個のノズルＮがノズル配列方向に直線状に配列された複数のイエローノズルモジュール５２ａ〜５２ｎから構成されるイエローヘッドユニット５２と、同じくマゼンタ（Ｍ）インクを専用に吐出する複数個のノズルＮがノズル配列方向に直線状に配列された複数のマゼンタノズルモジュール５４ａ〜５４ｎから構成されるマゼンタヘッドユニット５４と、同じくシアン（Ｃ）インクを専用に吐出する複数個のノズルＮがノズル配列方向に直線状に配列された複数のシアンノズルモジュール５６ａ〜５６ｎから構成されるシアンヘッドユニット５６といった４つのヘッドユニット５０、５２、５４及び５６を含んだ構成となっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
ステップＳ１１２では、印刷部１３において、印刷用データ生成部１１からの印刷用データに基づき、印刷処理を実行してステップＳ１００に移行する。
次に、図５に基づき、ステップＳ１０８の印刷用データ生成処理を詳細に説明する。 図５は、印刷装置１００の印刷用データ生成部１１における、印刷用データ生成処理を示すフローチャートである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
この印刷用データ生成処理は、印刷ヘッド２００の各ヘッドユニットの同一値の画素データに対してヘッドユニットが印刷素子（ノズル）の配列方向に形成するドットの濃度変化特性を示す線グラフが、所定の勾配を有する線を描く印刷用データを生成する処理であって、ステップＳ１０８において実行されると、図５に示すように、まず、ステップＳ２００に移行するようになっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
また、上記実施の形態においては、Ｎ値化画像データ全体に対して上記補正処理を行う例を説明したが、これに限らず、所定面積以上のベタ画像部分に対してのみ上記補正処理行うようにしても良い。
また、上記実施の形態においては、図５のフローチャートに示すように、ステップＳ２０２でＮ値化処理を行った後に、ステップＳ２０４〜ステップＳ２１０を経てＮ値化された画像データの画素値を補正するようにしたが、これに限らず、例えば、図１２のフローチャートに示すようにＣＭＹＫ画像データを補正後にＮ値化処理を施すなど異なる手順で行うようにしても良い。以下、図１２に基づき、印刷用データ生成部１１における印刷用データ生成処理の別の形態の流れを説明する。図１２は、図５に示す印刷用データ生成処理の別の形態を示すフローチャートである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ある試料中の同じ固相に多数会合した固相会合ファクターＦの検出または測定方法であって、Ｆへの結合アフィニティーを有するリガンドＬ少なくとも１個とトランスミッターＴによりなる第１の安定な複合体およびＦへの結合アフィニティーを有するリガンドＬ少なくとも１個とレシーバーＲよりなる第２の安定な複合体に、複合体Ｆ−Ｌ−Ｔおよび複合体Ｆ−Ｌ−Ｒが形成されるように、そして、ＴとＲが相互に十分近接した場合に生じるシグナルが測定されるように、試料を接触させることからなる、前記方法。
【請求項２】  ある試料中の同じ固相に第１の固相会合ファクターＦｘ少なくとも１個および第２の固相会合ファクターＦｙがともに会合する上記ＦｘおよびＦｙの同時検出または同時測定方法であって、Ｆｘへの結合アフィニティーを有するリガンドＬｘ少なくとも１個とトランスミッターＴよりなる第１の安定な複合体少なくとも１種、そして更に、Ｆｙへの結合アフィニティーを有するリガンドＬｙ少なくとも１個とレシーバーＲよりなる第２の安定な複合体に、複合体Ｆｘ−Ｌｘ−Ｔおよび複合体Ｆｙ−Ｌｙ−Ｒが形成されるように、そして、ＴとＲが相互に十分近接した場合に生じるシグナルが測定されるように、試料を接触させることからなる前記方法。
【請求項３】  安定な複合体Ｌ−Ｔ、Ｌ−Ｒ、Ｌｘ−ＴまたはＬｙ−Ｒが各々粒子を有し、ＬまたはＬｘがＴと共に第１の粒子に固定され、ＬまたはＬｙがＲと共に第２の粒子に固定される請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  固相が細胞である、請求項１または２記載の方法。
【請求項５】  細胞が赤血球、白血球、顆粒球、リンバ球、単球、血小板のような血液細胞または他の組織または臓器由来の細胞である、請求項４記載の方法。
【請求項６】  細胞が外因性細胞である、請求項４記載の方法。
【請求項７】  細胞が細菌、寄生虫またはウイルスである請求項６記載の方法。
【請求項８】  Ｆ、Ｆｘおよび／またはＦｙが組み込み膜蛋白、膜会合蛋白または脂質である請求項４記載の方法。
【請求項９】  組み込み膜蛋白がインテグリンまたはセレクチンであるか、または、ＭＨＣ複合体由来であるか、またはクラスター表示による他の蛋白である請求項８記載の方法。
【請求項１０】  膜会合蛋白がフィブリノーゲン、抗体、補体因子、レクチン、ＭＨ
Ｃ複合体の処理抗原、凝固系酵素またはアネキシンファミリーの蛋白である請求項８記載の方法。
【請求項１１】  脂質がアシルグリセロール、ホスホグリセリド、スフィンゴリピド、ワックス、テルペン、ステロイドおよび／またはプロスタグランジングループから誘導される請求項８記載の方法。
【請求項１２】  脂質がリン脂質でありＬがアネキシンファミリーの蛋白であるか、または凝固系の反応性蛋白である請求項８記載の方法。
【請求項１３】  リン脂質がホスファチジルセリンまたはホスファチジルエタノールアミンであり、Ｌが蛋白Ｃまたは蛋白Ｔである請求項１２記載の方法。
【請求項１４】  リガンドが媒介結合成分を介してＦ、ＦｘまたはＦｙに結合する請求項１または２記載の方法。
【請求項１５】  Ｌ、ＬｘまたはＬｙがビオチン−アビジン架橋を介して粒子に結合する請求項３記載の方法。
【請求項１６】  Ｌ、ＬｘまたはＬｙが抗体、抗原、レクチン、補酵素、アポ蛋白、受容体のリガンド、基質類縁体またはアネキシンである請求項１または２記載の方法。
【請求項１７】  エネルギー転移がＴとＲとの間で起こる請求項１または２記載の方法。
【請求項１８】  エネルギー転移を、放射活性過程により、または感光性染料の励起およびそれにより起こる直接または間接の電子移動により行うことができる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】  電子移動を活性酸素を用いて行う請求項１８記載の方法。
【請求項２０】  エネルギー転移によりレシーバーに発光、化学ルミネセンスまたは蛍光が生じる請求項１７記載の方法。
【請求項２１】  シグナル生成を調節する物質を添加する請求項１または２記載の方法。
【請求項２２】  細胞型、サブグループまたは細胞の活性化状態の特徴を調べるのに用いる請求項１または２記載の方法。
【請求項２３】  細菌の表面抗原の検出を病原体の同定に用いる請求項１または２記載の方法。
【請求項２４】  細胞の表面マーカーの検出に用いる請求項１または２記載の方法。
【請求項２５】  クラミジアの検出に用いる請求項２３記載の方法。
【請求項２６】  組織のタイピングまたは組織適合性の特定に用いる請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層（３）、熱絶縁材料の周囲壁（６）、及び基層（３）上に又はこれに隣接して支持されている発熱エレメント（４）を包含する輻射電気ヒータにおいて、少なくとも１つのカバーシート（７）が周囲壁（６）の外面（８）に横たわるように配置され、空間により発熱エレメントから離間され、この少なくとも１つのカバーシートが、ガラスフィラメント、セラミックフィラメント又は金属フィラメントから成る布の形状をなしていることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項２】
請求項１記載のヒータにおいて、金属フィラメントが織布の形状をなしていることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヒータにおいて、金属フィラメントが耐高温合金から成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項４】
請求項３記載のヒータにおいて、合金がステンレス鋼から成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項５】
請求項１記載のヒータにおいて、ガラス又はセラミックフィラメントが、製織、編成又はななこ織された布の形状をなしていることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項６】
請求項１又は５記載のヒータにおいて、セラミックフィラメントがアルミノシリケート材料、アルミノボロシリケート材料又はジルコニアから成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項７】
請求項１又は５記載のヒータにおいて、ガラスフィラメントが、Ｅガラス、Ｃガラス、Ｒガラス、Ｓガラス及びそれらの変態から選択されたガラス繊維から成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のヒータにおいて、布の単位面積当りの重量が１ｋｇ／ｍ２以下であることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項９】
請求項８記載のヒータにおいて、布の単位面積当りの重量が５０〜３００ｇ／ｍ２の範囲にあることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載のヒータにおいて、基層（３）の絶縁材料が微孔性熱絶縁材料から成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項１１】
請求項１０記載のヒータにおいて、絶縁材料がディッシュ状支持体（２）に設けられていることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項１２】
請求項１１記載のヒータにおいて、ディッシュ状支持体（２）が金属から成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のヒータにおいて、ワイヤ、リボン又はランプ形状の１つ又はそれ以上の発熱エレメント（４）を包含することを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のヒータにおいて、多孔部材（１０，１０Ａ，１０Ｂ）が、布状の少なくとも１つのカバーシート（７）に接触して又はこれに隣接して設けられていることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【請求項１５】
請求項１４記載のヒータにおいて、多孔部材（１０）が、金属、セラミック又は他の適宜の耐火材料の多孔シート（１０Ａ）又は格子構造（１０Ｂ）から成ることを特徴とする輻射電気ヒータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によると、基層、熱絶縁材料の周囲壁、及び基層上に又はこれに隣接して支持されている発熱エレメントを包含する輻射電気ヒータにおいて、少なくとも１つのカバーシートが周囲壁の外面に横たわるように配置され、空間により発熱エレメントから離間され、この少なくとも１つのカバーシートが、ガラスフィラメント、セラミックフィラメント又は金属フィラメントから成る布の形状をなしていることを特徴とする輻射電気ヒータが提供されている。