【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ少なくとも５ｍＷ以上の光出力範囲で自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有するバンドギャップが２．６ｅＶ以上の窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、少なくとも５ｍＷ以上の光出力範囲で自励発振特性を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記電気的に２領域以上に分離された電極の１つが共振器を形成する２つの端面の１つに接触しているとともに該端面は導電性材料を含有する反射膜を備えており、かつ該反射膜により前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記電気的に２領域以上に分離された電極の１つが共振器を形成する２つの端面の出射面と反対側の端面に接触しているとともに、該端面は導電性材料を含有する反射膜を備えており、かつ該反射膜により前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記導電性材料はＡｌを含有することを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記電気的に２領域以上に分離された電極の１つ以上の領域において、前記ｐ電極と前記ｎ電極の間に抵抗が設けられていることを特徴とする請求項１〜４、９〜１１のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】
前記ｐ電極と前記ｎ電極の間に設けられた抵抗によって自励発振特性を調整することを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１４】
前記活性層にはｎ型不純物としてＳｉを添加しているとともに、そのＳｉの濃度が１×１０17／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１５】
ｐ−ｎジャンクションから前記活性層までを含む領域において、ｎ型不純物としてＳｉが添加されているとともに、そのＳｉの平均濃度が１×１０17／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１６】
前記ｐ電極および前記ｎ電極の少なくとも一方が前記共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されており、かつ該分離された電極の１つ以上の領域において前記ｐ電極と前記ｎ電極が電気的に短絡されているとともに、その領域分離された電極のうち、前記ｐ電極と前記ｎ電極とが短絡されている領域の合計長さＬ１が、短絡されていない領域の合計長さＬ２に対して０．０２≦Ｌ１／Ｌ２≦０．３０の範囲にあることを特徴とする請求項５〜１５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１７】
前記少なくとも２領域以上に分離された電極の少なくとも一つは、前記活性層に逆バイアスがかけられ、他方は前記活性層に順バイアスがかけられるように配線されていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１８】
前記少なくとも２領域以上に分離された電極の少なくとも一つは、前記活性層に逆バイアスと順バイアスとを切り替えてかけられるように配線されていることを特徴とする請求項１７に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の窒化物半導体発光素子は、少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、共振器、ｐ電極およびｎ電極を含むものであって、ｐ電極およびｎ電極の少なくとも一方が共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されていることを特徴としている。また、本発明の窒化物半導体発光素子は、該分離された電極の１つ以上の領域において、ｐ電極とｎ電極が電気的に短絡されていることを特徴としている。