【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  検出対象となる力を受ける受力体と、
この受力体の下方に配置された支持体と、
上端が前記受力体に接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続された第３の力伝達体と、
上端が前記受力体に接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続された第４の力伝達体と、
前記支持体に固定された固定電極と、前記第１の力伝達体の下部の変位に応じて変位する変位面に形成された変位電極と、によって構成される容量素子を有する第１のセンサと、
前記支持体に固定された固定電極と、前記第２の力伝達体の下部の変位に応じて変位する変位面に形成された変位電極と、によって構成される容量素子を有する第２のセンサと、
前記支持体に固定された固定電極と、前記第３の力伝達体の下部の変位に応じて変位する変位面に形成された変位電極と、によって構成される容量素子を有する第３のセンサと、
前記支持体に固定された固定電極と、前記第４の力伝達体の下部の変位に応じて変位する変位面に形成された変位電極と、によって構成される容量素子を有する第４のセンサと、
前記第１〜第４のセンサを構成する各容量素子を複数のグループに分け、同一グループに所属する複数の容量素子を互いに並列接続する配線と、
１つのグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、別のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、の差に基づいて、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する検出回路と、
を備えることを特徴とする力検出装置。
【請求項２】  請求項１に記載の力検出装置において、
ＸＹＺ三次元座標系を定義したときに、
第１〜第４の力伝達体が、それぞれＺ軸に平行な方向を長手方向とする構造体によって構成されており、
固定電極の形成面がＸＹ平面に平行な平面となっており、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
検出回路が、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＸ軸方向への力Ｆｘを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項３】  請求項２に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第３のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第４のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第３のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第４のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第３のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第４のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第３のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第４のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を更に有し、
検出回路が、第３のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第４のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＹ軸方向への力Ｆｙを検出する機能を更に有することを特徴とする力検出装置。
【請求項４】  請求項２または３に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
前記第１〜第４のセンサのＺ軸変位検出用容量素子が配線により互いに並列接続されており、
検出回路が、並列接続された容量素子群の全体の静電容量値により、受力体に作用したＺ軸方向への力Ｆｚを検出する機能を更に有することを特徴とする力検出装置。
【請求項５】  請求項１に記載の力検出装置において、
ＸＹＺ三次元座標系を定義したときに、
第１〜第４の力伝達体が、それぞれＺ軸に平行な方向を長手方向とする構造体によって構成されており、
固定電極の形成面がＸＹ平面に平行な平面となっており、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
検出回路が、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＺ軸方向への力Ｆｚを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項６】  請求項１に記載の力検出装置において、
ＸＹＺ三次元座標系を定義したときに、
第１〜第４の力伝達体が、それぞれＺ軸に平行な方向を長手方向とする構造体によって構成されており、
固定電極の形成面がＸＹ平面に平行な平面となっており、
第１の力伝達体は、その長手方向軸がＸＹ平面の第１象限にくるように配置され、第２の力伝達体は、その長手方向軸がＸＹ平面の第２象限にくるように配置され、第３の力伝達体は、その長手方向軸がＸＹ平面の第３象限にくるように配置され、第４の力伝達体は、その長手方向軸がＸＹ平面の第４象限にくるように配置されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項７】  請求項６に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を有し、
検出回路が、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項８】  請求項７に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
検出回路が、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する機能を更に有することを特徴とする力検出装置。
【請求項９】  請求項７または８に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるかまたは広がるかのいずれか一方の変化を生じ、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」を更に有し、
検出回路が、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値により、受力体に作用したＺ軸方向への力Ｆｚを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１０】  請求項６に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
検出回路が、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１１】  請求項１０に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
検出回路が、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する機能を更に有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１２】  請求項１０または１１に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
検出回路が、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＺ軸方向の力Ｆｚを検出する機能を更に有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１３】  請求項６に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
検出回路が、第１のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１４】  請求項１３に記載の力検出装置において、
第１のセンサを構成する第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第１のセンサを構成する第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、第１のセンサを構成する第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第１のセンサを構成する第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、
第２のセンサを構成する第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第２のセンサを構成する第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、第２のセンサを構成する第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第２のセンサを構成する第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、
第３のセンサを構成する第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第３のセンサを構成する第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、第３のセンサを構成する第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第３のセンサを構成する第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、
第４のセンサを構成する第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第４のセンサを構成する第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されており、第４のセンサを構成する第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子と、第４のセンサを構成する第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子と、が物理的に単一の容量素子によって構成されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項１５】  請求項１に記載の力検出装置において、
ＸＹＺ三次元座標系を定義したときに、
第１〜第４の力伝達体が、それぞれＺ軸に平行な方向を長手方向とする構造体によって構成されており、
固定電極の形成面がＸＹ平面に平行な平面となっており、
第１の力伝達体は、その長手方向軸がＸ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体は、その長手方向軸がＸ軸の負の部分と交差する位置に配置され、第３の力伝達体は、その長手方向軸がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第４の力伝達体は、その長手方向軸がＹ軸の負の部分と交差する位置に配置されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項１６】  請求項１５に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を有し、
検出回路が、第１のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する機能を有し、第３のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第４のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１７】  請求項１６に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第１の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第２の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第３の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、第４の力伝達体が傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置され、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子」と、を更に有し、
検出回路が、第５のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、第６のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＺ軸方向の力Ｆｚを検出する機能を更に有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１８】  請求項１５に記載の力検出装置において、
第１のセンサが、「第１の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第１の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第２のセンサが、「第２の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第２のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、「第２の力伝達体がＹ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第１のグループに所属するＹ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第３のセンサが、「第３の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第３の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
第４のセンサが、「第４の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が狭まる位置に配置され、第１のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、「第４の力伝達体がＸ軸正方向に傾斜したときに、電極間隔が広がる位置に配置され、第２のグループに所属するＸ軸傾斜検出用容量素子」と、を有し、
検出回路が、第１のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、第２のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する機能を有することを特徴とする力検出装置。
【請求項１９】  請求項２、１３、１８のいずれかに記載の力検出装置において、
特定の力伝達体についてのＸ軸傾斜検出用容量素子が、当該力伝達体の長手方向軸上に原点を有し、Ｘ軸に平行なｘ軸およびＹ軸に平行なｙ軸をもつｘｙ二次元座標系を定義したときに、ｘ軸の正の部分および負の部分にそれぞれ配置された電極を有する一対の容量素子によって構成されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項２０】  請求項３、１３、１８のいずれかに記載の力検出装置において、
特定の力伝達体についてのＹ軸傾斜検出用容量素子が、当該力伝達体の長手方向軸上に原点を有し、Ｘ軸に平行なｘ軸およびＹ軸に平行なｙ軸をもつｘｙ二次元座標系を定義したときに、ｙ軸の正の部分および負の部分にそれぞれ配置された電極を有する一対の容量素子によって構成されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項２１】  請求項４，５，７〜１２、１６、１７のいずれかに記載の力検出装置において、
特定の力伝達体についてのＺ軸変位検出用容量素子が、当該力伝達体の長手方向軸を中心に配置された円もしくは円環状の電極を有する容量素子によって構成されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項２２】  請求項２１に記載の力検出装置において、
同一平面上に同心配置された円もしくは円環状からなる複数の電極により、複数のＺ軸変位検出用容量素子が形成されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項２３】  請求項１〜２２のいずれかに記載の力検出装置において、
各力伝達体の上端が受力体に対して可撓性をもった接続部材を介して接続されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項２４】  請求項２３に記載の力検出装置において、
受力体を板状の部材により構成し、各力伝達体を柱状の部材により構成し、受力体と各力伝達体とを接続する接続部材を、板状の受力体の肉薄部によって構成したことを特徴とする力検出装置。
【請求項２５】  請求項１〜２４のいずれかに記載の力検出装置において、
各力伝達体を柱状の部材により構成し、接続部材として機能するダイアフラムの中央に力伝達体の下面を接合し、前記ダイアフラムの周囲を支持体に固定することにより、力伝達体を支持体に接続したことを特徴とする力検出装置。
【請求項２６】  請求項２５に記載の力検出装置において、
可撓性および導電性を有するダイアフラムを接続部材として用い、このダイアフラムの中央に力伝達体の下面を接合し、前記ダイアフラムの周囲を支持体に固定することにより、力伝達体を支持体に接続するようにし、前記ダイアフラム自身を変位電極として用いるようにしたことを特徴とする力検出装置。
【請求項２７】  請求項２５または２６に記載の力検出装置において、
複数の固定電極のうちの少なくとも一部を支持体の上面に形成し、少なくとも一部の容量素子がダイアフラムの下方に形成されるようにしたことを特徴とする力検出装置。
【請求項２８】  請求項２５〜２７のいずれかに記載の力検出装置において、
力伝達体を挿通するための開口を有する補助基板を、ダイアフラムの上方に配置されるように支持体に固定し、複数の固定電極のうちの少なくとも一部を前記補助基板の下面に形成し、少なくとも一部の容量素子がダイアフラムの上方に形成されるようにしたことを特徴とする力検出装置。
【請求項２９】  力検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
まず、図６に示すように、従来から公知の多軸力センサを用いて、ｘ軸正方向の力＋ｆｘを検出することを考えよう。このような多軸力センサを開示した一般的な公知文献では、この図６に示す原理により、「容量素子Ｃ１（固定電極Ｅ１とダイアフラム５１）の静電容量値Ｃ１と、容量素子Ｃ２（固定電極Ｅ２とダイアフラム５１）の静電容量値Ｃ２と、の差（Ｃ１−Ｃ２）を求めることにより、力伝達体６０に作用した力のｘ軸方向成分ｆｘを求めることができる」旨の説明がなされている。しかしながら、この説明は、厳密な意味では正しくない。なぜなら、静電容量値の差（Ｃ１−Ｃ２）は、実は、作用した力ｆｘそれ自身ではなく、作用した力ｆｘに起因して生じたｙ軸まわりのモーメントＭｙになっているからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
最後に、図１５に示す第６の式に基づいてモーメントＭｚを検出する検出回路は、図２１に示すように、支持体３００上に形成された２０枚の固定電極のうちの１６枚に対して、図示のような配線を施すことにより構成することができる。すなわち、８枚の固定電極Ｅ１２，Ｅ１３，Ｅ２２，Ｅ２４，Ｅ３１，Ｅ３４，Ｅ４１，Ｅ４３を第１のグループに所属する電極として端子Ｔｍｚ１に接続し、８枚の固定電極Ｅ１１，Ｅ１４，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３２，Ｅ３３，Ｅ４２，Ｅ４４を第２のグループに所属する電極として端子Ｔｍｚ２に接続すればよい。端子Ｔｍｚ１と中間体２００との間に生じる静電容量の値は、第１のグループに所属する８組の容量素子Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ２２，Ｃ２４，Ｃ３１，Ｃ３４，Ｃ４１，Ｃ４３の静電容量値の和になり、端子Ｔｍｚ２と中間体２００との間に生じる静電容量の値は、第２のグループに所属する８組の容量素子Ｃ１１，Ｃ１４，Ｃ２１，Ｃ２３，Ｃ３２，Ｃ３３，Ｃ４２，Ｃ４４の静電容量値の和になるので、両者の差を求める回路を用意すれば、モーメントＭｚの検出が可能になる。図２１の下段に示す式（図１５に示すモーメントＭｚの式と等価）は、端子Ｔｍｚ１から取り出された電気信号と、端子Ｔｍｚ２から取り出された電気信号と、の差に基づいて、モーメントＭｚの検出が行われることを示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
最後に、図２９に示す第６の式に基づいてモーメントＭｚを検出する検出回路は、図３５に示すように、支持体３００上に形成された２０枚の固定電極のうちの８枚に対して、図示のような配線を施すことにより構成することができる。すなわち、４枚の固定電極Ｅ１３，Ｅ２４，Ｅ３２，Ｅ４１を第１のグループに所属する電極として端子Ｔｍｚ１に接続し、４枚の固定電極Ｅ１４，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ４２を第２のグループに所属する電極として端子Ｔｍｚ２に接続すればよい。端子Ｔｍｚ１と中間体２００との間に生じる静電容量の値は、第１のグループに所属する４組の容量素子Ｃ１３，Ｃ２４，Ｃ３２，Ｃ４１の静電容量値の和になり、端子Ｔｍｚ２と中間体２００との間に生じる静電容量の値は、第２のグループに所属する４組の容量素子Ｃ１４，Ｃ２３，Ｃ３１，Ｃ４２の静電容量値の和になるので、両者の差を求める回路を用意すれば、モーメントＭｚの検出が可能になる。図３５の下段に示す式（図２９に示すモーメントＭｚの式と等価）は、端子Ｔｍｚ１から取り出された電気信号と、端子Ｔｍｚ２から取り出された電気信号と、の差に基づいて、モーメントＭｚの検出が行われることを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
前述したとおり、力伝達体のＺ軸方向への変位に関して、容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６の静電容量値の増減は、容量素子Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５の静電容量値の増減と全く逆になる。したがって、モーメントＭｘを検出するには、図１９の下段に示すモーメントＭｘの式の代わりに、
Ｍｘ＝（Ｃ３５＋Ｃ４５＋Ｃ１６＋Ｃ２６）
−（Ｃ１５＋Ｃ２５＋Ｃ３６＋Ｃ４６）
なる式を用いることができる。たとえば、補助基板４００の下面の、図１９に示す４枚の固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５，Ｅ４５に対応する位置に、それぞれこれらの電極と同一形状、同一サイズの固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６を設けるようにし（後述するように、実際には、開口Ｈ１〜Ｈ４の存在により、このような配置はできないが）、固定電極Ｅ１６，Ｅ２６を端子Ｔｍｘ３に接続し、固定電極Ｅ３６，Ｅ４６を端子Ｔｍｘ４に接続する配線を施し、最終的に、端子Ｔｍｘ３を図１９に示す端子Ｔｍｘ２に接続し、端子Ｔｍｘ４を図１９に示す端子Ｔｍｘ１に接続すればよい。なお、支持体３００側の電極構成が、図２２に示す形態の場合は、図２３〜図２６に示す固定電極Ｅ１５（Ｍｘ），Ｅ２５（Ｍｘ），Ｅ３５（Ｍｘ），Ｅ４５（Ｍｘ）と同一形状、同一サイズの固定電極Ｅ１６（Ｍｘ），Ｅ２６（Ｍｘ），Ｅ３６（Ｍｘ），Ｅ４６（Ｍｘ）を補助基板４００側に形成すればよい。もっとも、実際には、補助基板４００には、開口Ｈ１〜Ｈ４が形成されているため、同一形状、同一サイズの固定電極が形成できない。したがって、実用上は、支持体３００上に形成する電極の形状やサイズも若干修正する必要がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
また、モーメントＭｙを検出するには、図２０の下段に示すモーメントＭｙの式の代わりに、
Ｍｙ＝（Ｃ１５＋Ｃ４５＋Ｃ２６＋Ｃ３６）
−（Ｃ２５＋Ｃ３５＋Ｃ１６＋Ｃ４６）
なる式を用いることができる。すなわち、補助基板４００の下面の、図１９に示す４枚の固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５，Ｅ４５に対応する位置に、それぞれこれらの電極と同一形状、同一サイズの固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６を設けるようにし、固定電極Ｅ１６，Ｅ４６を端子Ｔｍｙ３に接続し、固定電極Ｅ２６，Ｅ３６を端子Ｔｍｙ４に接続する配線を施し、最終的に、端子Ｔｍｙ３を図２０に示す端子Ｔｍｙ２に接続し、端子Ｔｍｙ４を図２０に示す端子Ｔｍｙ１に接続すればよい。なお、支持体３００側の電極構成が、図２２に示す形態の場合は、本来は、図２３〜図２６に示す固定電極Ｅ１５（Ｍｙ），Ｅ２５（Ｍｙ），Ｅ３５（Ｍｙ），Ｅ４５（Ｍｙ）と同一形状、同一サイズの固定電極Ｅ１６（Ｍｙ），Ｅ２６（Ｍｙ），Ｅ３６（Ｍｙ），Ｅ４６（Ｍｙ）を補助基板４００側に形成すればよい。もっとも、実際には、開口Ｈ１〜Ｈ４の存在により同一形状、同一サイズの電極形成は無理なので、支持体３００上に形成する電極の形状やサイズも若干修正する必要がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０１】
結局、このような配線は、第１の力伝達体Ｔ１がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ１５と、第２の力伝達体Ｔ２がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ２６と、第３の力伝達体Ｔ３がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ３６と、第４の力伝達体Ｔ４がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ４５と、を一方のグループとし、第１の力伝達体Ｔ１がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ１６と、第２の力伝達体Ｔ２がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ２５と、第３の力伝達体Ｔ３がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に広がるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ３５と、第４の力伝達体Ｔ４がＺ軸正方向に変位したときには、電極間隔が全体的に狭まるが、傾斜したときには、電極間隔の一部分は狭まるが別な一部分は広がるような変化を生じる位置に配置されたＺ軸変位検出用容量素子Ｃ４６と、を他方のグループとして、同一グループに所属する複数の容量素子を互いに並列接続するための配線ということができる。そして、このような配線を施すことにより、一方のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、他方のグループに所属するＺ軸変位検出用容量素子群の全体の静電容量値と、の差により、受力体に作用したＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出することが可能になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
たとえば、モーメントＭｘを検出するには、図３３の下段に示すモーメントＭｘの式の代わりに、
Ｍｘ＝（Ｃ４５＋Ｃ３６）−（Ｃ３５＋Ｃ４６）
なる式を用いることができる。すなわち、補助基板４００の下面の、図３３に示す２枚の固定電極Ｅ３５，Ｅ４５に対応する位置に、それぞれこれらの電極と同一形状、同一サイズの固定電極Ｅ３６，Ｅ４６を設けるようにし、固定電極Ｅ３６を端子Ｔｍｘ３に接続し、固定電極Ｅ４６を端子Ｔｍｘ４に接続する配線を施し、最終的に、端子Ｔｍｘ３を図３３に示す端子Ｔｍｘ２に接続し、端子Ｔｍｘ４を図３３に示す端子Ｔｍｘ１に接続すればよい。なお、支持体３００側の電極構成が、図３６に示す形態の場合は、図３９，図４０に示す固定電極Ｅ３５（Ｍｘ），Ｅ４５（Ｍｘ）と同一形状、同一サイズの固定電極Ｅ３６（Ｍｘ），Ｅ４６（Ｍｘ）を補助基板４００側に形成すればよい。もっとも、実際には、開口Ｈ３，Ｈ４の存在により同一形状、同一サイズの電極形成は無理である。そこで、支持体３００側に形成する固定電極Ｅ３５，Ｅ４５，Ｅ３５（Ｍｘ），Ｅ４５（Ｍｘ）を円形ではなく、円環状にするなどの工夫が必要になる。