【事件の表示】
　平成　３年特許願第１１０５８３号「オリフィスプレートの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１１月２５日出願公開、特開平　４−３３８５５１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．本願は、平成３年５月１５日に出願されたものであって、特許を受けようとする発明は、平成１３年９月２５日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】　ステンレス板等の導電性基板の表面上に、直接的に金属酸化物、金属窒化物、またはそれらの混合物からなる非導電性の金属化合物の層を被着させて形成し、該金属化合物層上にフォトレジストパターンを形成した後、ドライエッチング装置により、露出している上記金属化合物層を上記基板が露出するまでエッチングすると共に、上記フォトレジストパターンを除去して、そのフォトレジストパターンのあとに金属化合物パターンを形成し、その金属化合物パターンが形成された上記基板上に離型被膜を形成して基板を作製し、これを原盤として電鋳法により電鋳膜を被着した後、上記基板から剥離することを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。（以下、「本願発明」という。）」
　なお、導電性基板の表面上に、非導電性の金属化合物の層を被着し、フォトレジストパターンを除去した後、基板上には非導電性の金属化合物が形成されることとなるから、平成１３年９月２５日付け手続補正書において記載されている「酸化物パターン」は、誤記であると認定し、「金属化合物パターン」として認定した。
　
ＩＩ．これに対して、当審の拒絶の理由に引用した特開昭６３−１１４９９６号公報（以下、「引用例」という。）には、
　「（２）基板上に導電フィルム層を形成し、前記導電フィルム層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にフォトレジスト層を形成し、次に前記フォトレジスト層上にフォトマスクを配置し、次に前記フォトマスクを介して前記フォトレジスト層を露光、現像し、次に前記導電フィルム層に前記フォトマスクに対応したパターンを形成するようにした型の製造方法。」（特許請求の範囲第２項）
　「本発明による再使用可能なマンドレルは導電フィルム層、および絶縁層を備えたガラス基板を持っている。絶縁層をエッチングして鋳型（モールド）を形成する。本発明による再使用可能なマンドレルを形成する方法は研磨したシリコンウェーハ、ガラス基板、あるいはプラスティック基板のような滑らかな基板上に金属フィルムのような導電フィルムを沈積する。次にこの方法は、金属化した基板上に絶縁フィルムを沈積し、標準的な写真製版プロセスを用いて該絶縁フィルム上にレジストパターンを定め、そしてプラズマエッチングプロセスによってマスクしてない絶縁フィルム部分を除去して鋳型を形成する。最後にフォトレジストを取り除き、こうしてマンドレルは使用可能になる。」（２頁左下欄５行〜１９行）
　「第１Ａ図は本発明による再使用可能な型（マンドレル）１−９の平面図、第１Ｂ図はその断面図である。この再使用可能マンドレルはガラス基板、研磨されたシリコンウェーハ、あるいはプラスティック基板１−７上に沈積された導電薄膜フィルム層１−３を持っている。この導電薄膜フィルム１−３は１００オングストロームから２００ミクロンの範囲が可能である。再使用可能なマンドレルの他の実施例として、導電厚膜フィルム層を導電薄膜フィルム層の代わりに用いることができる。厚膜フィルム層は２５ミクロンから１０ミリの厚さが可能であるが、それ以外の範囲の厚さであってもよい。フィルム層１−３はクロム層１−１１およびステンレススティール層１−５から成る。クロム層１−１１は基板１−７にしっかりと固着し、またステンレススティール層１−５が付着する表面を提供する。絶縁層１−１はフィルム層１−３の上にある。この絶縁層１−１はパターンされ化、エッチングされて鋳型（モールド）を作る。第２Ａ図から第２Ｇ図は上述した再使用可能なマンドレルを製造するためのプロセスを示しており、２−１に示したようなガラス基板、あるいはシリコンウェーハ、あるいは研磨したシリコンウェーハ、あるいはプラスティック、あるいは滑らかで非導電性の表面をもつものから始める。プレーナマグネトロンプロセスのような真空蒸着プロセスにより導電導膜フィルム２−３を沈積する。この薄膜フィルム２−３はクロムおよびステンレススティールから構成する。しかしながら、異なる導電物質を用いてもよい。次の真空蒸着プロセスにより薄膜フィルム層２−３上に絶縁層２−５を沈積する。本発明の実施例では、プラズマ強化形化学蒸気蒸着プロセスを用いてシリコン窒化物の絶縁層２−５を沈積する。しかしながら、異なる非導電物質を用いて実施例としてもよい。次に、フォトレジスト層２−７を絶縁層２−５上に形成する。フォトマスク２−１１に依存して、ポジ、あるいはネガ、どちからのフォトレジスタを絶縁層２−５に付ける。次にフォトマスク２−１１をフォトレジスト層２−７の上に置き、第２Ｅ図に示すように紫外線にさらす。次に、フォトレジスト層２−７を現像してフォトマスク２−１１のパターンをフォトレジスト層２−７に得る。このパターン化されたフォトレジスト層２−７は絶縁層２−５用のマスクの役割を果たす。次にプラズマエッチングのようなエッチングプロセスにより露出した絶縁フィルム２−５の部分を取り除く。残ったフォトレジストを除去した後の再使用可能なマンドレル２−９には第２Ｇ図に示すように、ステンレススティール層２−１５上にパターン化された絶縁層２−１３が残る。これで、この再使用可能なマンドレルを素子製造用に使用する準備が完了する。」（３頁右上欄７行〜右下欄１８行）
　「この方法は、素子を形成するのに必要な鋳型をもっているエッチド薄膜フィルムマンドレル、あるいは再使用可能なマンドレル上に金属を電鋳する。エッチドマンドレルのエッチング薄膜フィルムは恒久的に素子の一部分になる。しかしながら、再利用可能なマンドレルはいったん素子をマンドレルから取りはずせば次の電鋳サイクルに使える。薄膜フィルムマンドレルには品質の高い精密な素子を作り出すという利点がある。この利点は薄膜フィルムの表面に欠陥がないこと、標準写真製版および、エッチングプロセスで精密な鋳型を作ることから生ずるものである。さらに、薄膜フィルムマンドレルは高い品質の精密な素子を安価に製造するのに有利である。」（２頁右下欄１９行〜３頁左上欄１２行）
　「オリフィスプレート４−７を製造するための再使用可能マンドレル４−９を第４Ａ図に示す。マンドレル４−９はクロム／ステンレススティール薄膜フィルム４−３を持つ。このフィルム４−３上にオリフィスプレート４−７を形成するためのシリコン窒化物パターン４−５がある。ひとたびこのマンドレルを電鋳処理に使用するとオリフィスプレート４−７が第４Ｂ図に示すように形成される。第４Ｃ図はオリフィス４−１を持つオリフィスプレート４−７の断面図を示す。」（４頁左上欄１４行〜右上欄４行）
　これらを含む明細書及び図面の記載から、引用例には、次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「シリコンウェーハ、ガラス基板、あるいはプラスティック基板のような滑らかな基板上に金属フィルムのような導電フィルムを沈積させ、前記導電フィルムはクロム層およびステンレススティール層からなり、前記クロム層およびステンレススティール層の表面上に、シリコン窒化物からなる非導電性の金属化合物の層を沈積させ、該シリコン窒化物層上にフォトレジストパターンを形成した後、露出している上記金属化合物層を上記ステンレススティール層が表面に沈積された基板が露出するまでプラズマエッチングのようなエッチングプロセスを用いてエッチングすると共に、上記フォトレジストパターンを除去して、そのフォトレジストパターンのあとにシリコン窒化物パターンを形成し、そのシリコン窒化物パターンが形成されたステンレススティール層が表面に沈積された基板を作製し、これを型として電鋳処理により電鋳物質を電鋳した後、上記ステンレススティール層が表面に沈積された基板から取りはずすことを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。」
　
ＩＩＩ．本願発明と引用例発明とを対比するに、
　引用例発明の「シリコン窒化物の絶縁層２−５」は、本願発明の段落【００１９】に「非導電物としてＳｉＯ2 を用いたが、例えば、ＭｇＯ，Ａｌ2 Ｏ3 またはＴｉＯ2 等の他の酸化物、ＡｌＮ，『ＳｉＮ等の窒化物』、またはそれらの混合物であるＳｉＡｌＯＮ等を用いても良い。さらに、非導電性な金属化合物ならば何を用いても良い。」と「ＳｉＮ等の窒化物」が記載されているから、「導電性基板の表面上に金属窒化物からなる非導電性の金属化合物の層を被着させて形成する」に相当し、引用例発明の「型」は、本願発明の「原盤」に相当し、引用例発明の型と、本願発明の原盤は、ともに電鋳法により電鋳膜を被着した後、オリフィスプレートを形成するのである。また、引用例発明の「シリコンウェーハ、ガラス基板、あるいはプラスティック基板のような滑らかな基板上に金属フィルムのような導電フィルムを沈積させ、前記導電フィルムはクロム層およびステンレススティール層からなり、」と本願発明の「ステンレス板等の導電性基板」とは「少なくとも表面に導電性層を有する基板」という点で共通する。
　そうすると、両者は「少なくとも表面に導電層を有する基板の表面上に金属窒化物からなる非導電性の金属化合物の層を被着させて形成し、該金属化合物層上にフォトレジストパターンを形成した後、露出している上記金属化合物層を少なくとも表面に導電層を有する基板が露出するまでエッチングし、上記フォトレジストパターンを除去して、そのフォトレジストパターンのあとに上記金属化合物パターンを形成し、これを原盤として電鋳法により電鋳膜を被着した後、少なくとも表面に導電性層を有する基板から剥離することを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１
　非導電性の金属化合物の層を被着させたのが、本願発明では、「ステンレス板等の導電性基板の表面上に、直接的に」であるのに対して、引用例発明では、「シリコンウェーハ、ガラス基板、あるいはプラスティック基板のような滑らかな基板上に沈積したクロム層およびステンレススティール層からなる導電フィルムの表面上に」である点。
　相違点２
　露出している非導電性の金属化合物層を基板が露出するまでエッチングし、フォトレジストパターンを除去することに関して、本願発明では、ドライエッチング装置により、としているのに対して、引用例発明では、プラズマエッチングのようなエッチングプロセスを用いてエッチングし、としている点。
　相違点３
　本願発明では、金属化合物パターンが形成された少なくとも表面に導電性を有する基板上に離型被膜を形成するのに対して、引用例発明では、離型被膜が形成されているか明らかでない点。
　　
　そこで、相違点１について検討するに
　引用例発明の基板は、シリコンウェーハ、ガラス基板、あるいはプラスティック基板のような滑らかな基板上にクロム層およびステンレススティール層からなる導電フィルムを沈積したもので、クロム層およびステンレススティール層の関係は、「基板上にクロム層をしっかりと固着し、またステンレススティール層１−５が付着する表面を提供する。絶縁層１−１はフィルム層１−３の上にある。」（３頁右上欄１９行〜左下欄４行）と記載され、基板上にステンレススティール層があり、そして、前記ステンレススティール層の上に絶縁層が直接的にあることは明らかである。本願発明の基板はステンレス板等の導電性基板と記載されているのみで、どのような基板であるか記載されていないが、基板それ自体がステンレス板である場合もありえ、その際は、その表面はステンレスであることは明らかである。そうすると、本願発明は引用例発明の表面がステンレススティールからなる基板と同じである。
　相違点２ついて検討するに、
　引用例発明のプラズマエッチングも、ドライエッチングの１つであり、エッチング技術として異なるところがない。
　相違点３について検討するに、
　電鋳に使用する型の表面に離型被膜を施こすことは、周知技術（例えば、特開平１−３０１８８０号公報、特開昭６２−２３９４４６号公報）であるから、基板の表面に離型被膜を形成することは当業者が容易に想到することができたものと認められる。
　そして、本願発明の作用効果も前記引用例記載のもの及び周知技術から当業者が予測できる程度ものと認められる。
　なお、本願発明を上記のとおり認定したが、「酸化物パターン」が誤記でなく、「金属酸化物、金属窒化物、またはそれらの混合物からなる非導電性の金属化合物」の部分を「金属酸化物」に限定する補正をし忘れたと考えられないこともない。しかしながら、本願明細書においては、「尚、本実施例にあっては、非導電物としてＳｉＯ2 を用いたが、例えば、ＭｇＯ，Ａｌ2 Ｏ3 またはＴｉＯ2 等の他の酸化物、ＡｌＮ，ＳｉＮ等の窒化物、またはそれらの混合物であるＳｉＡｌＯＮ等を用いても良い。さらに、非導電性な金属化合物ならば何を用いても良い。」（段落【００１９】参照）とされているとともに、金属窒化物、または金属酸化物と金属窒化物の混合物をエッチングによってすべて酸化物にするということは記載されていない。そうすると、上述の際は、本願発明が「金属酸化物」としているのに対して、引用例発明が「シリコン窒化物」とする点でも両者は相違するが、窒化物に代えて酸化物とすることは当業者が容易に想到し得ることであり、その作用効果も予測し得ることである。
 
ＩＶ． 以上のとおりであるから、本願特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、前記引用例１及び周知技術に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。