【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上に、ＳｉＧｅ層を有するゲート電極形成膜を堆積する工程、
（ｃ）前記ゲート電極形成膜をパターニングすることにより、前記ＳｉＧｅ層を有するゲート電極を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体基板に対して、Ｇｅとの反応性の乏しい第１のガスおよびＳｉのエッチング機能を有する第２のガスの混合ガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のガスが、不活性ガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】  請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記不活性ガスが、アルゴンガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のガスが、窒素ガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２のガスが、フッ素を含むガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】  請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記フッ素を含むガスが、ＣＨＦ3であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のガスの濃度は、前記第２のガスの濃度よりも相対的に高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ＳｉＧｅ層のＧｅの濃度が全体の１０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ＳｉＧｅ層のＧｅの濃度が全体の２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ＳｉＧｅ層のＧｅの濃度が全体の４０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後のゲート電極の両側面におけるサイドエッチング量は、前記（ｃ）工程後に残されたゲート電極形成膜であって前記ＳｉＧｅ層以外の部分におけるチャネル長方向の長さの４０％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後のゲート電極のＳｉＧｅ層におけるチャネル長方向の長さは、前記（ｄ）工程後のゲート電極の前記ＳｉＧｅ層以外の部分におけるチャネル長方向の長さと等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、  前記半導体基板に前記ゲート電極を有するｎチャネル型の電界効果トランジスタおよびｐチャネル型の電界効果トランジスタを形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）工程後の半導体基板を、真空状態を維持した状態で、前記（ｄ）工程に移行させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記ゲート電極形成膜にホウ素を導入する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記ＳｉＧｅ層上に多結晶シリコン層を堆積する工程を有し、
前記（ｄ）工程後、
（ｅ）前記ゲート電極の側面に側壁絶縁膜を形成する工程、
（ｆ）前記ゲート電極の上面と、前記半導体基板の主面一部とを露出させる工程、（ｇ）前記半導体基板上に高融点金属膜を堆積する工程、
（ｈ）前記ゲート電極の上面と、前記半導体基板の主面の一部とに高融点金属シリサイド層を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】  （ａ）半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上にゲート電極形成膜を堆積する工程、
（ｃ）前記ゲート電極形成膜をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体基板に対して、Ｇｅとの反応性の乏しい第１のガスおよびＳｉのエッチング機能を有する第２のガスの混合ガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程を有し、
前記（ｂ）工程は、ＳｉＧｅ層を堆積する工程および前記ＳｉＧｅ層よりも上層に多結晶シリコン層を堆積する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のガスが、不活性ガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】  請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記不活性ガスが、アルゴンガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のガスが、窒素ガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２のガスが、フッ素を含むガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】  請求項２１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記フッ素を含むガスが、ＣＨＦ3であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ＳｉＧｅ層のＧｅの濃度が全体の１０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後のゲート電極の両側面におけるサイドエッチング量は、前記（ｃ）工程後に残された前記多結晶シリコン層のチャネル長方向の長さの４０％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程後、
（ｅ）前記ゲート電極の側面に側壁絶縁膜を形成する工程、
（ｆ）前記ゲート電極の上面と、前記半導体基板の主面一部とを露出させる工程、
（ｇ）前記半導体基板上に高融点金属膜を堆積する工程、
（ｈ）前記ゲート電極の上面と、前記半導体基板の主面の一部とに高融点金属シリサイド層を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２６】  請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程後、前記半導体基板のｎチャネル型の電界効果トランジスタの形成領域に第１の不純物を導入する工程、
前記（ｄ）工程後、前記半導体基板のｐチャネル型の電界効果トランジスタの形成領域に、前記第１の不純物で形成される半導体領域とは反対の導電型の半導体領域を形成する第２の不純物を導入する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２７】  （ａ）半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上にゲート電極形成膜を堆積する工程、
（ｃ）前記ゲート電極形成膜をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体基板に対して、Ｇｅとの反応性の乏しい第１のガスおよびＳｉのエッチング機能を有する第２のガスの混合ガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程を有し、
前記（ｂ）工程は、ＳｉＧｅ層を堆積する工程、前記ＳｉＧｅ層よりも上層に金属層を堆積する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２８】  請求項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後のゲート電極の両側面におけるサイドエッチング量は、前記（ｃ）工程後に残された前記金属層のチャネル長方向の長さの４０％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】  請求項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記ＳｉＧｅ層にホウ素を導入した後、前記金属層を堆積する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。