【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
プラズマを形成するための高周波電力の周波数を４０ＭＨｚ以上とし、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】  平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
チャンバー内に配置された一対の平行平板電極の一方に被処理体を支持させた状態で、その被処理体を支持した電極にプラズマを形成するための４０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】  平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
チャンバー内に配置された一対の平行平板電極の一方に被処理体を支持させた状態で、その被処理体を支持させた電極にプラズマを形成するための４０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、さらにその電極にその自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるようにイオン引き込みのための５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの高周波電力を重畳して印加し、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】  平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
チャンバー内に配置された一対の平行平板電極の一方に被処理体を支持させた状態で、他方の電極にプラズマを形成するための４０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、被処理体を支持した電極にその自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるようにイオン引き込みのための５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの高周波電力を印加し、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】  前記基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスとして、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒのいずれかを用いることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】  前記処理ガスは、電離促進ガスとしてのＡｒと分子性ガスとしてのＮ２およびＨ２とを有することを特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】  前記処理ガスは、電離促進ガスとしてのＡｒと分子性ガスとしてのＮＨ３とを有することを特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】  前記プラズマ形成用の高周波電力の周波数は１００ＭＨｚであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項９】  前記一対の平行平板電極の電極間距離が４０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１０】  前記被処理体の径は、３００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１１】  被処理基板の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、
前記被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、その一方に前記被処理基板が支持される一対の平行平板電極と、
前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記チャンバー内を排気する排気系と、
前記被処理基板が支持される電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する高周波電源と
を具備し、
前記高周波電源から供給される高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ以上であり、
前記処理ガス供給系は、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１２】  被処理基板の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、
前記被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、その一方に前記被処理基板が支持される一対の平行平板電極と、
前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記チャンバー内を排気する排気系と、
前記被処理基板が支持される電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、
前記被処理基板が支持される電極に重畳してイオン引き込みのための高周波電力を供給する第２の高周波電源と
を具備し、
前記第１の高周波電源から前記被処理基板が支持される電極に供給される高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ以上であり、
前記第２の高周波電源から前記被処理基板が支持される電極に供給される高周波電力は、その周波数が５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの範囲で、その電極の自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるように印加され、
前記処理ガス供給系は、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１３】  被処理基板の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、
前記被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、その一方に前記被処理基板が支持される一対の平行平板電極と、
前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記チャンバー内を排気する排気系と、
前記一対の平行平板電極のうち被処理基板が支持されない電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、
前記被処理基板が支持される電極にイオン引き込みのための高周波電力を供給する第２の高周波電源と
を具備し、
前記第１の高周波電源から前記被処理基板が支持されない電極に供給される高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ以上であり、
前記第２の高周波電源から前記被処理基板が支持される電極に供給される高周波電力は、その周波数が５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの範囲で、その電極の自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるように印加され、
前記処理ガス供給系は、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１４】  前記プラズマ形成用の高周波電力の周波数は１００ＭＨｚであることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１５】  前記一対の平行平板電極の電極間距離が４０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明の第１の観点では、平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、プラズマを形成するための高周波電力の周波数を４０ＭＨｚ以上とし、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第２の観点では、平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、チャンバー内に配置された一対の平行平板電極の一方に被処理体を支持させた状態で、その被処理体を支持した電極にプラズマを形成するための４０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第３の観点では、平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、チャンバー内に配置された一対の平行平板電極の一方に被処理体を支持させた状態で、その被処理体を支持させた電極にプラズマを形成するための４０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、さらにその電極にその自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるようにイオン引き込みのための５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの高周波電力を重畳して印加し、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第４の観点では、平行平板型のプラズマエッチング装置を用いて被処理体上の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、チャンバー内に配置された一対の平行平板電極の一方に被処理体を支持させた状態で、他方の電極にプラズマを形成するための４０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、被処理体を支持した電極にその自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるようにイオン引き込みのための５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの高周波電力を印加し、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いて前記有機系材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第５の観点では、被処理基板の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、前記被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、その一方に前記被処理基板が支持される一対の平行平板電極と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記チャンバー内を排気する排気系と、前記被処理基板が支持される電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する高周波電源とを具備し、前記高周波電源から供給される高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ以上であり、前記処理ガス供給系は、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第６の観点では、被処理基板の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、前記被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、その一方に前記被処理基板が支持される一対の平行平板電極と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記チャンバー内を排気する排気系と、前記被処理基板が支持される電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記被処理基板が支持される電極に重畳してイオン引き込みのための高周波電力を供給する第２の高周波電源とを具備し、前記第１の高周波電源から前記被処理基板が支持される電極に供給される高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ以上であり、前記第２の高周波電源から前記被処理基板が支持される電極に供給される高周波電力は、その周波数が５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの範囲で、その電極の自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるように印加され、前記処理ガス供給系は、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第７の観点では、被処理基板の有機系材料膜を無機材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、前記被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、その一方に前記被処理基板が支持される一対の平行平板電極と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記チャンバー内を排気する排気系と、前記一対の平行平板電極のうち被処理基板が支持されない電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記被処理基板が支持される電極にイオン引き込みのための高周波電力を供給する第２の高周波電源とを具備し、前記第１の高周波電源から前記被処理基板が支持されない電極に供給される高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ以上であり、前記第２の高周波電源から前記被処理基板が支持される電極に供給される高周波電力は、その周波数が５００ｋＨｚ〜２７ＭＨｚの範囲で、その電極の自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下になるように印加され、前記処理ガス供給系は、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第１の観点によれば、プラズマ形成用として電極に印加する高周波電力の周波数を４０ＭＨｚ以上と従来よりも高くすることにより、有機系材料膜のエッチングに必要なプラズマ密度を確保しつつ低い自己バイアス電圧を実現することができ、有機系材料膜を無機系材料膜に対して高エッチング選択比でエッチングすることができるとともに、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒに代表される基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いることにより、プラズマ密度（電子密度）を低下させることなく、その分布を大幅に改善することができる。つまり、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上のガスは電離しやすいため、これを添加することにより処理ガスの電離が促進される。これにより、電界強度が低い被処理体の端部近傍部分においても処理ガスを十分に電離させることができ、全体的に均一に電離される結果、電子密度すなわちプラズマ密度が均一になるのである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、および最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスとして、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒのいずれかを用いることが好ましい。特にＡｒは、準安定状態が存在し、そこから約４ｅＶで電離状態に遷移することができ、最大電離断面積も大きく、かつこれらの中では安価なことから最も有効である。Ｘｅ、Ｋｒも準安定状態が存在し、そこから比較的低エネルギーで電離状態に遷移することができ、最大電離断面積も大きい。具体的な処理ガスの成分としては、電離促進ガスとしてのＡｒと分子性ガスとしてのＮ２およびＨ２とを有するものを用いることができ、さらには電離促進ガスとしてのＡｒと分子性ガスとしてのＮＨ３とを有するものを用いることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このチャンバー１内には、被処理基板であるウエハＷを水平に支持するとともに下部電極として機能する支持テーブル２が設けられている。支持テーブル２は例えば表面が酸化処理されたアルミニウムで構成されており、チャンバー１の底壁から突出する支持部３上に絶縁部材４を介して支持されている。また、支持テーブル２の上方の外周には導電性材料または絶縁性材料で形成されたフォーカスリング５が設けられている。このフォーカスリング５としては、ウエハＷの直径が３００ｍｍφの場合に３４０〜３８０ｍｍφの直径のものが採用される。フォーカスリング５の外側にはバッフル板１４が設けられている。また、支持テーブル２とチャンバー１の底壁との間には空洞部７が形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
エッチングのための処理ガスとしては、Ｎ２、Ｈ２、Ｏ２、ＣＯ、ＮＨ３、ＣｘＨｙ（ただし、ｘ、ｙは自然数である）で表されるガス等の分子性ガスに、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上のガス（以下、電離促進ガスと呼ぶ）を添加したものを用いる。このような電離促進ガスを添加することにより、プラズマ密度（電子密度）を低下させることなく、その分布を大幅に改善することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このような電離促進ガスとしては、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒが好適である。その中でも特にＡｒが好適である。Ａｒの基底状態からの電離エネルギーは１５．８ｅＶであり、Ｎ２やＨ２等の分子性ガスと大差はないが、Ａｒには５秒程度保持可能な準安定状態が基底状態から１１．５５ｅＶ、１１．７２ｅＶのエネルギーレベルの部分に存在し、その準安定状態からは、約４ｅＶで電離状態に遷移することができる。また、図３に示すように、Ａｒは最大電離断面積が３×１０−１６ｃｍ２程度であり、Ｎ２やＨ２等の分子性ガスよりも大きい。したがって、処理ガスにＡｒを添加することにより、処理ガスの電離を著しく促進する。Ｘｅ、Ｋｒも準安定状態が存在し、比較的低いエネルギーで電離状態に遷移することができ、また、図４に示すようにＡｒよりも最大電離断面積が大きい。同じ希ガスでもＨｅやＮｅは図４に示すように最大電離断面積が小さい。また、Ｈｅ、Ｎｅは電離エネルギーが大きい。例えばＨｅでは基底状態からの電離エネルギーが２４．６ｅＶである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
このようにプラズマ形成用の高周波電力の周波数が高くなって４０ＭＨｚ以上となれば、自己バイアス電圧の絶対値が５００Ｖ以下と小さいので、Ａｒのようなエッチング作用の大きい原子ガスを処理ガスとして用いても、そのエネルギーが小さく無機材料膜４３をエッチングする能力はあまり高くない。むしろ、Ａｒに代表される電離促進ガス、つまり、低いエネルギーで電離し、最大電離断面積が大きいガスを用いることにより電子密度すなわちプラズマ密度を均一化することが可能となる。本実施形態では、上述したように、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒに代表される基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスを添加するため、処理ガスが電離しやすいものとなり、電界強度が低い被処理体の端部近傍部分においても処理ガスを十分に電離させることができ、全体的に均一に電離される結果、電子密度すなわちプラズマ密度が均一となる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々変更可能である。例えば、上記実施形態では、磁場形成手段として永久磁石からなる複数のセグメント磁石をチャンバーの周囲にリング状に配置してなるマルチポール状態のリング磁石を用いたが、処理空間の周囲に磁場を形成してプラズマを閉じこめることができればこれに限定されるものではない。また、このようなプラズマ閉じこめ用の周辺磁場は必ずしも必要ではなく、磁場が存在しない状態でエッチングを行ってもよい。また、処理空間に水平磁場を印加して直交電磁界中でプラズマエッチングを行うプラズマエッチング処理であってもよい。さらに、上記実施形態では有機系材料膜としてｌｏｗ−ｋ膜を用いたが、これに限定されることなく、多層レジストに用いられる有機系材料膜等の他の膜も適用可能である。さらにまた、電離促進ガスとしてＡｒを中心に説明し、他にＸｅ、Ｋｒを例示したが、基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上のガスであればこれらに限るものではない。さらにまた、上記実施形態では無機系材料膜をマスクとして有機系材料膜をエッチングした場合について示したが、本発明は、これに限らず、無機系材料膜に対して選択的に有機系材料膜をエッチングする必要がある場合全てに適用可能である。例えば、Ｓｉウエハ等の被処理基板上に形成されたＳｉＯ２等の無機材料膜をエッチングする際のマスクとして用いられたレジストを除去するアッシングに本発明を適用することが可能である。つまり、アッシングは下地の無機系材料膜を極力エッチングすることなく、有機系材料膜であるレジスト膜を選択的に効率良く除去する必要があることから、本発明をアッシングに適用することにより、良好なアッシング特性を得ることができる。さらにまた、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、これに限らず他の基板のプラズマ処理にも適用することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ形成用として電極に印加する高周波電力の周波数を４０ＭＨｚ以上と従来よりも高くすることにより、有機系材料膜のエッチングに必要なプラズマ密度を確保しつつ低い自己バイアス電圧を実現することができ、有機系材料膜を無機系材料膜に対して高エッチング選択比でエッチングすることができるとともに、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒに代表される基底状態からの電離エネルギーもしくは準安定状態からの電離エネルギーが１０ｅＶ以下、かつ最大電離断面積が２×１０−１６ｃｍ２以上の電離促進ガスと、分子性ガスとを含む処理ガスを用いることにより、プラズマ密度（電子密度）を低下させることなく、その分布を大幅に改善することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004214336.tif 000001
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004214336.tif 000002