【事件の表示】
　平成　５年特許願第２２７０３７号「磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　３月３１日出願公開、特開平　７−　８５４２４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　平成　５年　９月１３日
　拒絶理由　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　７月２６日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　　平成１１年　９月３０日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　２月１０日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２３日
　手続補正書２　　　　　　　　　　　　　平成１２年　４月１７日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月２３日
　
２　本願発明
　本願発明は、補正された明細書および図面の記載から見て、その特許請求の範囲請求項１〜７に係る発明は、特許請求の範囲請求項１〜７に記載されたとおりのものであり、そのうち、【特許請求の範囲】【請求項１】のものは、次のとおりである。
「基板と、前記基板の上に設けられためっき法により形成されたシールド層と、前記シールド層の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するリード層とを備え、前記シールド層の最大表面粗さが１２０Å以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」（以下、本願発明という。）
　
３　引用例記載の発明
　拒絶査定の理由に引用された本願出願前公知の刊行物である、特開昭６３−１８４３７７号公報（以下、引用例１という。）の、
（ａ）その特許請求の範囲に、「（１）表面粗さ１００オングストローム以下の絶縁膜と、該絶縁基板の表面上に形成された強磁性金属薄膜と、該金属薄膜の両側に接続して形成された各電極と、を有することを特徴とする強磁性磁気抵抗素子。
（２）強磁性金属薄膜は、ニッケル族、ニッケル−コバルト等の合金から構成される特許請求の範囲第１項記載の強磁性磁気抵抗素子。」と記載され、
（ｂ）第２頁左上欄第１０行〜第１３行には、「ニッケル−鉄、またはニッケル−コバルト等の合金を厚さ３００〜１５００オングストローム堆積した強磁性金属薄膜（ＭＲ層という）２」と記載され、
（ｃ）第２頁左上欄第１５行〜同頁右上欄第６行には、「第３図に本実施例のＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値変化を示し、その比較として従来のＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値変化を第５図に示す。又第４図にＭＲ層３（ママ）の膜厚が３００オングストロームのＭＲ素子のバルクハウゼンノイズの発生確率と基板の表面粗さ（５０〜４００Å）との関係を示した。　これらの図によれば、ＭＲ層２の膜厚に対し基板表面の粗さを小さくするとＭＲ層２の異方性分散が小さくなり第５図に示すバルクハウゼンノイズの発生を防止することができる。」と記載され、
（ｄ）第２頁左下欄第１行〜第３行には、「またこの絶縁基板としては適当な基板上に絶縁薄膜が形成されたものを用いることもできる。」と記載されている。
  即ち上記（ａ）〜（ｄ）および第１図〜第５図により、引用例１には、基板上に、表面粗さ１００オングストローム以下の絶縁薄膜が形成された絶縁基板と、該絶縁薄膜の表面上に形成されたニッケル−鉄からなる強磁性金属薄膜であるＭＲ層２と、該金属薄膜の両側に接続して形成された各電極と、を有することを特徴とする強磁性磁気抵抗素子が示されたいる。
　
　拒絶査定の理由に引用された本願出願前公知の刊行物である、特開平１−３１５０２３号公報（以下、引用例２という。）の、
（ｅ）第１頁右下欄第６行〜第２０行には、「第２図は、従来の磁気ディスクの例を示す説明図で、…、磁気ディスク１’は基板２とその表面に形成した磁気記録層４とからなる。　この基板２は、Ａｌ板２ａの片側表面にメッキによりＮｉＰ層２ｂを形成したもので、このＮｉＰ層２ｂの表面は研磨による鏡面仕上げが施されている。このＮｉＰ層２ｂの研磨面には、研磨時に生じる研磨傷５が一定方向に入っている。この研磨傷５の平均表面粗さは０．００２μｍ程度であり、非常に小さいので図ではモデル的に表示してある。」と記載され、
（ｆ）第２頁右上欄第１２行〜第１８行には、「（課題を解決するための手段）　本発明の磁気ディスク等の磁気記録媒体は、非磁性体基板の表面に研磨による鏡面仕上げを施した基板を用い、この基板の表面にＣｒ層及びＣｏ合金層よりなる磁気記録層を形成した磁気記録媒体において、この基板と磁気記録層の間に膜厚略５０Å以上のＡｌ層を形成したものである。」と記載されている。
　
　拒絶査定の理由に引用された本願出願前公知の刊行物である、特開昭６３?２３２１６号公報（以下、引用例３という。）の、
（ｇ）その特許請求の範囲には、「基板（１）上に形成した絶縁膜（６）上に、薄い金属膜（１０）をスパッタ又は蒸着等で形成した後、磁気抵抗素子（２）を形成し、その上部に該磁気抵抗素子（２）の磁気特性を制御するシャント膜（３）を形成し、さらに絶縁膜（７）を形成し、その後シールド膜（４）を上部に形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」と記載され、
（ｈ）第２頁右上欄第６行〜第１２行には、「〔発明が解決しようとする問題点〕　従来のＭＲ膜の形成方法では、基板１上の絶縁膜６がスパッタで形成されている為、絶縁膜６上にＭＲ膜２を形成していたため、磁気特性が悪いことがわかった。この原因は、表面が粗いとこまかな磁区が多数発生し、これがＨｃを大きくすると推定される。」と記載され、
（ｉ）同頁左下欄第１０行〜右下欄第８行には、「本問題点は、ＭＲ膜２の下地膜である絶縁膜６上に、薄い金属膜（例えばチタンＴｉ膜１００Å以下）１０をスパッタ等で成膜する本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって解決される。　〔作用〕　即ち、ＭＲ膜の下地膜である絶縁膜６の粗い面（谷の部分）が、薄い金属膜１０により埋められて（薄いチタンＴｉ膜１００Å以下は連続膜ではない、その結果絶縁膜の谷の部分を埋める形になる）滑らかとなる。その滑らかな上に形成されたＭＲ膜２の保持力Ｈｃは磁区の発生も少なくなり、第２図のＢ−Ｈ特性図の（イ）のように小さくなる。また、ＭＲ膜２と薄い金属膜１０は接しているが、線膨張係数が共に小さいので、成膜時の残留応力は小さくなる。歪みがＭＲ膜２に加わることもなく、感度の良いＭＲ膜を得ることができる。」と記載されている。
　
４　本願発明と引用例との対比
　引用例１の「絶縁薄膜」も、本願発明の「シールド層」も、層を形成することは明らかであり、引用例１のものも磁気抵抗効果型磁気ヘッドであることは明らかであり、引用例１の「ニッケル−鉄からなる強磁性金属薄膜であるＭＲ層２」は、本願発明の「磁気抵抗効果型素子」に相当するので、本願発明と引用例１のものは、次の点で一致する。
（一致点）
「基板と、前記基板の上に設けられた層と、前記層の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するリード層とを備えた、磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」
（相違点）
　そして、次の点で両者は相違する。
（１）本願発明は、「めっき法により形成されたシールド層」であるのに対して、引用例１のものは、絶縁膜である点、及び
（２）本願発明は「前記シールド層の最大表面粗さが１２０Å以下である」のに対して、引用例１のものは、表面粗さ１００オングストローム以下の絶縁薄膜である点。
（相違点の検討）
（相違点（１）について）
　磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、基板、シールド層、磁気抵抗効果型薄膜と、リード層を備えたものは周知の構造であり、シールド層をめっき法により形成することは、周知の形成方法である（例えば、特開平１−２４１１０６号公報、特開昭５８−５６２２３号公報参照）ので、シールド層をメッキ法にて形成することに格別のことが認められないので、この相違点は格別ではない。
（相違点（２）について）
　ＭＲ膜の下の表面粗さがＭＲ膜の磁気特性に影響を与えることは引用例３に示されており、引用例２においても磁気記録膜においても表面粗さが、その上の磁性膜の磁気特性に影響を与えることが示されており、当業者にとって、ＭＲ膜下の膜表面粗さは小さい方が望ましいことは周知の課題であるといえる。そして、引用例１においては、ＭＲ膜下の絶縁膜を１００オングストローム以下としており、これを本願発明の如く１２０Å以下とすることに本件明細書の記載を参照しても格別のこととは認められない。
　また、本願発明では、シールド層の上に設けられた磁気抵抗効果素子としており、ＭＲ膜下のシールド層の表面粗さを１２０Åとすることに、ＭＲ膜の下の層であることに違いがなく、シールド層の表面粗さを規定したことにも格別のことが認められない。
　
５　まとめ
　上記相違点はそれぞれ格別のものではなく、また、それらを総合的に見ても格別のものとは認められないので、本願発明は、上記引用例１〜３及び周知例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項２〜７を検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。