(57)【要約】      （修正有）【課題】液浸型リソグラフィ装置において、基板ホルダの摩耗を低減するための改善された基板テーブルを提供する。【解決手段】基板Ｗ上に画像を投影するように配置された投影システムＰＳと、投影システムと基板との間の空間に液浸液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステム１２と、を含む液浸システム用の基板テーブル６０であって、基板を保持するように構成された基板ホルダと、液浸液が空間に閉じ込められている間に、基板と基板ホルダとの間に流れる電流を低減するように配置された電流制御デバイスと、を含む。電流制御デバイスは、基板ホルダとグランドとの間及び／又は液体閉じ込めシステムとグランドとの間に、１０ＭΩを超えるインピーダンスを有する。【選択図】図１
0003225762.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画像を投影するように配置された投影システムと、前記投影システムと前記基板との間の空間に液浸液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムと、を含む液浸システム用の基板テーブルであって、
前記基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記液浸液が前記空間に閉じ込められている間に、前記基板と前記基板ホルダとの間に流れる電流を低減するように配置された電流制御デバイスと、
を含む、基板テーブル。
【請求項２】
前記電流制御デバイスが、前記基板ホルダとグランドとの間及び／又は前記液体閉じ込めシステムとグランドとの間に、１００ｋΩを超える、望ましくは１０ＭΩを超えるインピーダンスを提供する、請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項３】
前記インピーダンスが、可変であり、
前記電流制御デバイスが、前記インピーダンスを制御するコントローラを更に含む、請求項２に記載の基板テーブル。
【請求項４】
前記電流制御デバイスが、前記基板ホルダ、前記基板テーブル、及び前記液体閉じ込めシステムの少なくとも１つに接続された電源を含む、請求項１又は２に記載の基板テーブル。
【請求項５】
前記電流制御デバイスが、
前記基板ホルダとグランドとの間及び／又は前記液体閉じ込めシステムとグランドとの間の電流を検出する電流検出器と、
電流の前記検出に基づいて前記電源及び／又は前記インピーダンスを制御するコントローラと、
を更に含む、請求項３又は４に記載の基板テーブル。
【請求項６】
前記電流制御デバイスが、
前記基板、前記基板ホルダ、及び／又は前記液体閉じ込めシステムの一部における電位を測定する電圧センサと、
前記測定された電位に基づいて、前記電源及び／又は前記インピーダンスを制御するコントローラと、
を更に含む、請求項３又は４に記載の基板テーブル。
【請求項７】
前記電圧センサが、前記基板の下面の電位を測定するように配置され、
前記電源が、前記基板ホルダ又は基板テーブルに接続される、請求項６に記載の基板テーブル。
【請求項８】
前記電圧センサが、前記基板の上面の電位を測定するように配置され、
前記電源が、前記液体閉じ込めシステムに接続される、請求項６に記載の基板テーブル。
【請求項９】
前記基板の少なくとも一部を加熱するように構成された電気ヒータを更に含み、
前記電流制御デバイスが、前記電気ヒータと前記基板ホルダとの間に配置された接地シールドを含む、請求項１〜８の何れか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記電流制御デバイスが、前記基板とグランドとの間の直接電気経路を提供するために、前記基板と接触するように構成されたコンダクタを含む、請求項１〜９の何れか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
前記コンダクタが、絶縁外層のない硬質導電性コーティングを有するバールを含む、請求項１０に記載の基板テーブル。
【請求項１２】
前記硬質導電性コーティングが、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ドープされたＤＬＣ、並びにＴｉ、Ｗ、及びＭｏの１つ又は複数を含む合金からなる群から選択される少なくとも１つの材料から作製される、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項１３】
前記コンダクタが、前記基板ホルダから前記基板を持ち上げるように構成された作動ピンを含む、請求項１０に記載の基板テーブル。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本考案は、基板テーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを施すように構成された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、基板（例えばウェーハ）上に設けられる放射感応性材料（レジスト）の層上にパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「デザインレイアウト」又は「デザイン」ともしばしば呼ばれる）を投影し得る。
【０００３】
[0003]  半導体製造プロセスが、引き続き進歩するのと共に、回路素子の寸法は、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従って、絶えず縮小され、一方でデバイス当たりのトランジスタなどの機能素子の量は、数十年にわたって着実に増加している。ムーアの法則に遅れないために、半導体産業は、ますます小さなフィーチャを作製できるようにする技術を追いかけている。基板にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は、電磁放射を用いてもよい。この放射の波長は、基板上にパターン化されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、及び１３．５ｎｍである。
【０００４】
[0004]  液浸リソグラフィ装置において、液浸液は、装置の投影システムと基板との間の空間に入れられる。この明細書において、液浸液が、投影システムと投影システムに面する表面との間の空間に使用中に閉じ込められる局所液浸に対する言及が、説明において行われる。対向面は、基板表面、又は基板表面と共面の支持ステージ（又は基板テーブル）の表面である（以下のテキストにおいて「基板表面」へのどんな言及もまた、追加又は代替として、明らかな別段の言明がなければ、基板テーブルの表面も指し、逆も同様である）。投影システムとステージとの間に存在する流体取扱構造は、液浸空間に液浸液を閉じ込めるために用いられる。液体によって満たされる空間は、基板の上面より平面視で小さく、空間は、投影システムに対してほぼ静止したままであり、一方で基板及び基板ステージは、真下で移動する。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置において、露光される基板（製品基板と呼ばれてもよい）は、基板ホルダ（時にはウェーハテーブルと呼ばれる）上に保持される。基板ホルダは、投影システムに対して移動可能な基板テーブル上で支持されてもよい。基板ホルダは、通常、剛性材料で作製された、且つ支持される製品基板に対して平面視で類似の寸法を有する固体本体を含む。固体本体における基板に面する面は、複数の突出部（バールと呼ばれる）を設けられる。バールの先端面は、平面に合致し、且つ基板を保持する。バールは、幾つかの利点、即ち、基板ホルダ上の汚染粒子が、バールの間に落ちるものと思われ、従って基板の変形を引き起こさないことと、バールの端部が平面に合致するようにバールを機械加工することのほうが、固体本体の表面を平坦にするより簡単であることと、バールの特性が、例えば基板のクランピングを制御するために、調整され得ることと、を提供する。
【０００６】
[0006]  しかしながら、基板ホルダのバールは、例えば、基板の繰り返される取り付け及び取り外しゆえに、使用中に摩耗する。バールの不均一な摩耗は、露光中に基板の非平坦性につながり、それは、プロセスウインドウの低減に、且つ極端な場合には結像誤差につながる可能性がある。非常に正確な製造仕様ゆえに、基板ホルダは、製造に費用がかかり、その結果、基板ホルダの可使時間を増加させることが望ましい。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
[0007]  例えば、特に液浸型リソグラフィ装置において、基板ホルダの摩耗を低減するための改善された手段を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008]  一態様によれば、
基板上に画像を投影するように配置された投影システムと、投影システムと基板との間の空間に液浸液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムと、を含む液浸システム用の基板テーブルであって、
基板を保持するように構成された基板ホルダと、
液浸液が空間に閉じ込められている間に、基板と基板ホルダとの間に流れる電流を低減するように配置された電流制御デバイスと、
を含む、基板テーブルが提供される。
【０００９】
[0009]  ここで、添付の概略的な図面を参照して、単に例として本考案の実施形態を説明する。添付の概略的な図面において、対応する参照符号は、対応する部分を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】[0010]リソグラフィ装置を概略的に表現する。
【図２】[0011]リソグラフィ投影装置で使用するための液浸液閉じ込め構造を概略的に表現する。
【図３】[0012]実施形態に従って更なる液浸閉じ込め構造を概略的に表現する側断面図である。
【図４】[0013]使用された基板ホルダのバール高さにおける変形を示す図表である。
【図５】[0014]基板ホルダと基板との間の空間における湿度を示す図表である。
【図６】[0015]本考案の実施形態における露光プロセス中の基板の電気的状態を表す単純化された回路図である。
【図７】[0016]本考案の実施形態において使用可能なコネクタを表現する。
【図８】[0017]本考案の別の実施形態における露光プロセス中の基板の電気的状態を表す単純化された回路図である。
【図９】[0018]本考案の別の実施形態における露光プロセス中の基板の電気的状態を表すより詳細な回路図である。
【図１０】[0019]本考案の別の実施形態における露光プロセス中の基板の電気的状態を表す単純化された回路図である。
【図１１】[0020]本考案の別の実施形態における露光プロセス中の基板の電気的状態を表す単純化された回路図である。
【図１２】[0021]本考案の別の実施形態における露光プロセス中の基板の電気的状態を表す単純化された回路図である。
【考案を実施するための形態】
【００１１】
[0022]  本文献において、「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば４３６、４０５、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を備えた）紫外線放射を含む全てのタイプの電磁放射を包含するために用いられる。
【００１２】
[0023]  このテキストで用いられるときに「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分に作成されることになっているパターンに対応して、パターン化された断面を入射放射ビームに与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指すように広く解釈され得る。「ライトバルブ」という用語もまた、この文脈において用いることができる。典型的なマスク（透過又は反射、バイナリ、移相、ハイブリッド等）に加えて、他のかかるパターニングデバイスの例は、プログラム可能なミラーアレイ及びプログラム可能なＬＣＤアレイを含む。
【００１３】
[0024]  図１は、リソグラフィ装置を概略的に表現する。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（照明器ともよばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成された、且つ一定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置付けるように構成された第１のポジショナにＰＭ接続されたマスク支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストをコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構成された、且つ一定のパラメータに従って基板テーブル６０を正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル６０と、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。
【００１４】
[0025]  動作において、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから、例えばビーム送出システムＢＤを介して放射ビームＢを受信する。照明システムＩＬは、放射を導き、成形し、且つ／又は制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気などの様々なタイプの光学コンポーネント、及び／若しくは他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの何れかの組み合わせを含んでもよい。照明器ＩＬは、パターニングデバイスＭＡの平面において、放射ビームＢの断面に所望の空間及び角度の強度分布を有するために、放射ビームＢを調整するように用いられてもよい。本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、用いられている露光放射用に、且つ／又は液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因用に適切なように、屈折、反射、反射屈折、アナモルフィック、磁気、電磁気、及び／若しくは静電気光学システム、又はそれらの何れかの組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するように広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のどんな使用も、「投影システム」ＰＳというより一般的な用語と同義なものとして考えられてもよい。
【００１５】
[0026]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１０を満たすために、基板Ｗの少なくとも一部が、比較的高い屈折率を有する液浸液（例えば水）によってカバーされてもよいタイプであり、それはまた、液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技術に関するより多くの情報が、米国特許第６，９５２，２５３号において与えられ、その特許は、参照によって本明細書で援用される。
【００１６】
[0027]  リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル６０（「二重ステージ」とも名付けられる）を有するタイプであってもよい。かかる「多重ステージ」機械において、基板テーブル６０は、並列で用いられてもよく、且つ／又は基板Ｗの後続の露光の準備ステップは、もう一方の基板テーブル６０上の別の基板Ｗが、もう一方の基板Ｗ上にパターンを露光するために使用されている間に、基板テーブル６０の１つに位置する基板Ｗ上で実行されてもよい。
【００１７】
[0028]  基板テーブル６０に加えて、リソグラフィ装置は、測定ステージ（図１には表現されていない）を含んでもよい。測定ステージは、センサ及び／又はクリーニングデバイスを保持するように配置される。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するように配置されてもよい。測定ステージは、複数のセンサを保持してもよい。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の一部、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を供給するシステムの一部を清掃するように配置されてもよい。測定ステージは、基板テーブル６０が、投影システムＰＳから離れている場合に、投影システムＰＳの下に移動してもよい。
【００１８】
[0029]  動作において、放射ビームＢは、マスク支持体ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス、例えばマスクＭＡ上に入射し、且つパターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（デザインレイアウト）によってパターン化される。マスクＭＡを横断すると、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＩＦの支援で、基板テーブル６０は、例えば、合焦され整列された位置で放射ビームＢの経路に相異なるターゲット部分Ｃを位置付けるために、正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び恐らく別の位置センサ（図１に明示的には表現されていない）は、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置付けるために用いられてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスク整列マークＭ１、Ｍ２及び基板整列マークＰ１、Ｐ２を用いて整列されてもよい。図示のような基板整列マークＰ１、Ｐ２は、専用のターゲット部分を占めるが、それらは、ターゲット部分間の空間に位置してもよい。基板整列マークＰ１、Ｐ２は、これらが、ターゲット部分Ｃ間に位置している場合に、スクライブレーン整列マークとして知られている。
【００１９】
[0030]  この明細書において、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は、３つの軸、即ちｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を有する。３つの軸のそれぞれは、他の２つの軸に対して直角である。ｘ軸を中心とする回転は、Ｒｘ回転と呼ばれる。ｙ軸を中心とする回転は、Ｒｙ回転と呼ばれる。ｚ軸を中心とする回転は、Ｒｚ回転と呼ばれる。ｘ軸及びｙ軸が、水平面を定義するのに対して、ｚ軸は、垂直方向にある。デカルト座標系は、本考案を限定せず、説明のためにのみ用いられる。代わりに、円筒座標系などの別の座標系が、本考案を明確にするために用いられてもよい。デカルト座標系の向きは、例えば、ｚ軸が、水平面に沿った成分を有するように、異なってもよい。
【００２０】
[0031]  コントローラ５００は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御し、且つ以下で更に説明される動作プロセスを特に実行する。コントローラ５００は、中央処理ユニットと、揮発性及び不揮発性記憶手段と、キーボード及びスクリーンなどの１つ又は複数の入力及び出力デバイスと、１つ又は複数のネットワーク接続部と、リソグラフィ装置の様々な部分への１つ又は複数のインターフェースと、を含む適切にプログラムされた汎用コンピュータして具体化することができる。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間の１対１の関係が必要ではないことが認識されよう。１つのコンピュータが、複数のリソグラフィ装置を制御し得る。複数のネットワーク接続されたコンピュータが、１つのリソグラフィ装置を制御するために使用され得る。コントローラ５００はまた、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又はクラスタにおいて、１つ又は複数の関連するプロセスデバイス及び基板取扱デバイスを制御するように構成されてもよい。コントローラ５００はまた、製造工場のリソセル若しくはクラスタ及び／又は全体的制御システムの監視制御システム６００に従属するように構成することができる。
【００２１】
[0032]  投影システムＰＳの最終レンズ素子１００と基板Ｗとの間に液体を供給するための機構は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは、浴槽タイプの機構、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。本考案は、特に局所液浸システムに関する。
【００２２】
[0033]  局所液浸システム用に提案された機構において、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終レンズ素子１００と、投影システムＰＳに面するステージ又はテーブルの対向面と、の間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延びる。テーブルの対向面は、テーブルが使用中に移動され、めったに静止しないので、このように呼ばれる。一般に、テーブルの対向面は、基板Ｗの表面、基板Ｗを囲む基板テーブル６０、又は両方を指す。
【００２３】
[0034]  図２及び３は、閉じ込め構造１２の変形に存在し得る相異なるフィーチャを示す。本明細書で説明されるフィーチャは、図示のように又は必要に応じて、個々に又は組み合わせで選択されてもよい。
【００２４】
[0035]  図２は、最終レンズ素子１００の底面近くの液体閉じ込め構造１２の２つの変形を示す。左側は、１つの変形を示し、右側は、別の変形を示す。２つの変形のフィーチャは、単一液体閉じ込め構造に組み合わされてもよい。最終レンズ素子１００は、逆フラストロ（frustro）−円錐形状３０を有する。フラストロ−円錐形状３０は、平面の底面及び円錐面を有する。フラストロ−円錐形状３０は、平面から突き出て、底部平面を有する。底部平面は、最終レンズ素子１００の底面の光学活性部分であり、投影ビームは、最終レンズ素子１００を通過し得る。液体閉じ込め構造１２は、フラストロ−円錐形状３０の少なくとも一部を囲む。液体閉じ込め構造１２は、フラストロ−円錐形状３０の円錐面の方に面する内面を有する。内面及び円錐面は、相補的な形状を有する。液体閉じ込め構造１２の上面は、ほぼ平面である。液体閉じ込め構造１２は、最終レンズ素子１００のフラストロ−円錐形状３０のまわりにちょうど収まってもよい。液体閉じ込め構造１２の底面は、ほぼ平面であり、使用中に底面は、基板テーブル６０及び／又は基板Ｗの対向面と平行であってもよい。底面と対向面との間の距離は、３０〜５００マイクロメートルの範囲、望ましくは８０〜２００マイクロメートルの範囲であってもよい。
【００２５】
[0036]  液体閉じ込め構造１２は、最終レンズ素子１００よりも、基板Ｗ及び基板テーブル６０の対向面に接近して延びる。従って、液浸空間１０は、液体閉じ込め構造１２の内面と、フラストロ−円錐形状３０の平面と、対向面と、の間で画定される。使用中に、液浸空間１０は、液体で満たされる。液体は、最終レンズ素子１００と液体閉じ込め構造１２との間の相補的な表面間の緩衝空間の少なくとも一部を満たす。実施形態において、液体は、相補的な内面と円錐面との間の液浸空間１０の少なくとも一部を満たす。
【００２６】
[0037]  液体は、液体閉じ込め構造１２の表面に形成された開口部を通して液浸空間１０に供給される。液体は、液体閉じ込め構造１２の内面における供給口２０を通して供給されてもよい。代替又は追加として、液体は、液体閉じ込め構造１２の下面に形成された下部供給口２３から供給される。下部供給口２３は、投影ビームの経路を囲んでもよく、それは、アレイの一連の開口部で形成されてもよい。液体は、投影システムＰＳの下の液浸空間１０を通るフローが薄層状であるように、液浸空間１０を満たすために供給される。液体閉じ込め構造１２の下の下部供給口２３からの液体の供給は、更に、液浸空間１０へのバブルの侵入を防ぐ。この液体供給は、液体シールとして機能する。
【００２７】
[0038]  液体は、内面に形成された回収口２１から回収されてもよい。回収口２１を通した液体の回収は、下方圧力の印加によってもよく、液浸空間１０を通る液体フローの速度の結果として、回収口２１を通る回収であってよく、又は回収は、両方の結果であってもよい。回収口２１は、平面視で観察された場合に、供給口２０の対向側に位置してもよい。追加又は代替として、液体は、液体閉じ込め構造１２上面に位置するオーバーフロー口２４を通して回収されてもよい。オーバーフロー口２４は、液浸液上面２２が高く上昇し過ぎることを防ぐ。
【００２８】
[0039]  追加又は代替として、液体は、液体閉じ込め構造１２の下から底部回収口を通して回収されてもよい。底部回収口は、メニスカス３３を液体閉じ込め構造１２に保持する（又は「固定する」）働きをしてもよい。メニスカス３３は、液体閉じ込め構造１２と対向面との間に形成され、それは、液体空間と気体外部環境との間の境界として働く。底部回収口は、単相流の液体を回収し得る多孔質部材２５又は多孔質板であってもよい。底部回収口は、一連のピニング開口部３２であってもよく、それらを通して液体が回収される。ピニング開口部３２は、二相流における液体を回収し得る。
【００２９】
[0040]  液体閉じ込め構造１２の内面に対して、任意選択的に外側へ放射状に、ガスナイフ開口部２６がある。ガスは、液浸空間１０における液浸液の閉じ込めを支援するために、高速でガスナイフ開口部２６を通して供給されてもよい。供給されるガスは、加湿されてもよく、それは、二酸化炭素を含んでもよい。供給されるガスは、ほぼ二酸化炭素及び水蒸気からなってもよい。ガスナイフ開口部２６の外側へ放射状に、ガスナイフを通して供給されたガスを回収するためのガス回収口１８がある。例えば大気又はガス源に開いた更なる開口部が、液体閉じ込め構造１２の底面に存在してもよい。例えば、更なる開口部は、ガスナイフ開口部２６とガス回収口１８との間、及び／又はピニング開口部３２とガスナイフ開口部２６との間に存在してもよい。
【００３０】
[0041]  図３に示されている、図２と共通のフィーチャは、同じ参照番号を共有する。液体閉じ込め構造１２は、フラストロ−円錐形状３０の円錐面を補足する内面を有する。液体閉じ込め構造１２の下面は、フラストロ−円錐形状３０の底部平面より対向面に接近している。
【００３１】
[0042]  液体は、閉じ込め構造１２の内面に形成された供給口３４を通して液浸空間１０に供給される。供給口３４は、恐らくフラストロ−円錐形状３０の底面より下で、内面の底部の方に位置している。供給口３４は、投影ビームの経路を中心にして離間されて内面に位置している。
【００３２】
[0043]  液体は、液体閉じ込め構造１２の下面における回収口を通して液浸空間１０から回収される。対向面が、液体閉じ込め構造１２の下で移動するときに、メニスカス３３は、対向面の移動と同じ方向で、回収口の表面の上で移動し得る。回収口は、多孔質部材２５又は多孔質板から形成されてもよい。液体は、単相で回収されてもよい。実施形態において、液体は、二相流で回収されてもよい。二相流は、それが液体及びガスに分離される液体閉じ込め構造１２内のチャンバ３５に収容される。液体及びガスは、別個のチャネル３６、３８を通してチャンバ３５から回収される。
【００３３】
[0044]  液体閉じ込め構造１２の下面の内周３９は、プレート４０を形成するために、内面から離れて液浸空間１０に延びる。内周３９は、投影ビームの形状及びサイズと一致する大きさにされ得る小開口を形成する。プレート４０は、その両側に液体を分離するように働き得る。供給された液体は、開口部の方へ内側に流れて、内部開口部を通して流れ、且つ次にプレート４０の下で周囲の回収口の方へ外側に放射状に流れる。
【００３４】
[0045]  実施形態において、液体閉じ込め構造１２は、２つの部分、即ち内部１２ａ及び外部１２ｂであってもよい。便宜上、この配置は、図３の右側部分に示されている。２つの部分は、対向面と平行な平面において、互いに対して相対的に移動してもよい。内部１２ａは、供給口３４を有してもよく、それは、オーバーフロー回収部２４を有してもよい。外部１２ｂは、プレート４０及び回収口を有してもよい。内部１２ａは、２つの部分間に流れる液体を回収するための中間回収部４２を有してもよい。
【００３５】
[0046]  リソグラフィ装置において、高精度で投影システムによって投影されたパターンの空中像の最良焦点の平面において露光されるように、基板の上面を配置することが必要である。これを達成するために、基板は、基板ホルダ上に保持される。基板を支持する基板ホルダの表面は、先端が名目上の支持平面と共面である複数のバールを設けられる。バールは、多数であるが、それらの先端の合計断面積が基板表面積の数パーセント、例えば５％未満であるように、支持平面と平行な断面積が小さい。バールは、形状が一般に円錐形状であるが、そうする必要はない。基板ホルダと基板との間の空間のガス圧力は、基板ホルダに基板を留める力を生み出すために、基板上の圧力に対して低減される。
【００３６】
[0047]  バールは、幾つかの目的に役立つ。例えば、汚染粒子が基板ホルダ又は基板上に存在する場合に、恐らくそれは、バールの場所に位置せず、従って基板を歪めないであろう。加えて、バールの先端が平面に正確に一致するようにバールを製造することのほうが、非常に低い平坦性を備えた大きな面積を製造することより簡単である。
【００３７】
[0048]  基板ホルダのバールは、使用中に摩耗する。摩耗は、一般に不均一であり、従って摩耗された基板ホルダによって保持された基板表面に非平坦性をもたらす。かかる摩耗が過度になった場合に、基板ホルダを修理又は交換することが必要である。基板ホルダの修理及び交換は、修理プロセス又は新しい基板ホルダの製造のコストのためだけでなく、必要とされるリソグラフィ装置の休止時間のために費用がかかる。
【００３８】
[0049]  バールの摩耗の主な原因が、基板ホルダ上への基板の取り付け及び取り外しプロセスであるとこれまで考えられてきた。しかしながら、基板ホルダのバールの酸化もまた、特に液浸リソグラフィ装置において、バールの摩耗の重大な原因であると判断された。図４は、液浸リソグラフィ装置において露光用に使用された基板ホルダにおける摩耗の典型的なパターンを表現する。基板ホルダの摩耗のパターンが、基板ホルダの周囲領域近くに分散された６つの花弁状エリアを有することが理解されよう。花弁状エリアは、バールの平均高さと比較して相対的に高い。何故なら、花弁状エリアの外側のエリアが、腐食されたからである。摩耗のこのパターンの可能な原因を調査するために、図４の基板ホルダが用いられた液浸リソグラフィ装置における露光中に、湿度レベルが、基板と基板ホルダとの間の空間においてシミュレートされた。図５に示されている結果は、図４に示されている摩耗パターンと同様に配置された６つの花弁状エリアを有する花弁状パターンを示す。花弁状エリアは、低湿度のエリアであり、且つ基板ホルダの排出口のまわりに集中される。
【００３９】
[0050]  どんな特定の理論によっても拘束されることを望まなければ、バールの摩耗のかなりの量が、比較的高湿度のエリアにおけるバール（ＳｉＳｉＣ）の材料及び／又はその上の（例えばダイヤモンド状カーボンの）コーティングの酸化によって引き起こされると信じられる。本明細書において、「基板ホルダの酸化」という用語は、基板ホルダによって保持される基板の平坦性に影響する可能性があるバール及び／又はその上の何れかのコーティングの酸化を指すために用いられる。加えて、酸化が、基板と基板ホルダとの間に電流を流れさせる基板と基板ホルダとの間の電位差によって、加速されると信じられる。基板と基板ホルダとの間の電位差は、基板表面にわたる液浸液（例えば水）のフローゆえの摩擦電気効果によって引き起こされ得る。かかる電位差は、感光性層及び／又は何れかの上塗り用に使用されるレジストに依存し得る。基板と基板ホルダとの間の電位差はまた、感光性層に入射する露光放射（例えばＤＵＶ）によって引き起こされる可能性がある。
【００４０】
[0051]  従って、それに応じて、液浸リソグラフィ装置において、液浸液が液浸空間１０に閉じ込められている間に、基板と基板ホルダとの間に流れる電流を低減するように配置された電流制御デバイスを提供することが提案される。
【００４１】
[0052]  本考案の一実施形態において、電流制御デバイスは、基板ホルダとグランドとの間の１０ｋΩを超えるか、１００ｋΩを超えるか、望ましくは１ＭΩを超えるか、又は１０ＭΩを超えるインピーダンス（例えば抵抗）を提供する。幾つかの状況において、１００ＭΩの高さのインピーダンスが適切であり得る。接地経路のインピーダンスを増加させることは、接地経路の抵抗が必要より高くならないように、基板が基板テーブルに取り付けられた場合に、基板の電位が等しくなるためにかかる時間を増加させる可能性がある。実施形態において、接地経路のインピーダンスは、約１ＧΩ未満又は約１００ＭΩ未満であってもよい。図６は、かかる実施形態の単純化された電気回路を示す。
【００４２】
[0053]  実施形態は、例えば摩擦電気効果及び／又は照射によって基板表面上に生成された電位差ΔＵｓｕｒｆａｃｅを表す電圧源６１と、基板の抵抗６２  Ｒｗａｆｅｒと、基板と基板ホルダとの間の抵抗６３  ＲＷ２ＷＴと、基板ホルダとグランドとの間の抵抗６４  Ｒｇｒｏｕｎｄと、を含む直列回路によって表すことができる。回路は、グランドを通って完成される。基板Ｗの上面は、液浸液及び液体閉じ込めシステム１２を介してグランドに接続される。
【００４３】
[0054]  基板ホルダＷＴの酸化が、基板と基板ホルダとの間の抵抗６３  ＲＷ２ＷＴにわたる電位差ΔＵｏｘによって少なくとも部分的に駆り立てられると信じられる。基板と基板ホルダとの間の抵抗６３  ＲＷ２ＷＴ、及び基板ホルダとグランドとの間の抵抗６４  Ｒｇｒｏｕｎｄは、基板表面上に生成される電位差ΔＵｓｕｒｆａｃｅを分割する分圧器を形成する。従って、抵抗Ｒｇｒｏｕｎｄを増加させることによって電位差ΔＵｏｘは低減され、基板ホルダＷＴとグランドとの間の電流フローは低減され、従って基板ホルダＷＴの酸化は低減される。
【００４４】
[0055]  抵抗６４（Ｒｇｒｏｕｎｄ）は、基板ホルダＷＴとグランドとの間の電気経路における何れかの便利なポイントに設けることができる。例えば、基板ホルダＷＴは、普通、基板テーブル６０に電気的に接続される。多心ケーブルが、基板テーブル６０上のセンサ及びアクチュエータに電力及び信号接続を提供する。図７に示されているように、適切な値の抵抗器７１が、基板テーブル６０に接続されたコンダクタと接地されたシールド７３との間のコネクタ７２に設けられ得る。
【００４５】
[0056]  リソグラフィ装置が、図６に表現された単純化された等価回路よりかなり複雑であることが認識されよう。より詳細な表現が、図８で与えられる。
【００４６】
[0057]  図８に示されているように、基板Ｗは、基板ホルダＷＴ上に保持され、今度は基板ホルダＷＴが、基板テーブル６０の凹部に取り付けられる。基板テーブル６０はまた、電気コネクタボックス６０４に電気的に接続される１つ又は複数のアクチュエータ６０１及びセンサ６０２を含む。可撓性多心ケーブル（しばしばケーブルスラブ６０５と呼ばれる）は、可動基板テーブル６０とリソグラフィ装置の静的部分との間に、電力及びシグナリングの両方のための全ての必要な電気接続を提供する。ケーブルスラブ６０５は、接地接続部６０６を含み、本考案の電流制御デバイスを形成するインピーダンスは、接地接続部６０６に挿入することができる。接地接続部６０６は、電力校正器６０７及び電流モニタ６０８などの様々な他のコンポーネントを介して機械接地６０９に接続される。液体閉じ込め構造１２は、計測フレームＭＦ、並びにパワーロックアウト６１０、回路遮断器６１１、及び配電キャビネット６１２などの他のコンポーネントを介して接地される。基板の露光又は測定プロセス中の一定の時刻に、液浸液が、基板Ｗ及びセンサ６０２と同時に接触することが可能である。かかる時刻中に、基板Ｗと液体閉じ込め構造１２との間の電流６２０に加えて、基板−センサ電流６２１が、基板Ｗとセンサ６０２との間に発生する可能性があり、センサ−構造電流６２２が、センサ６０２と液体閉じ込め構造１２との間に発生する可能性がある。基板−センサ電流６２１及びセンサ−構造電流６２２の大きさが著しい場合に、それらは、電流制御デバイスを形成するインピーダンス６４の適切な値を決定する際に考慮されてもよい。
【００４７】
[0058]  リソグラフィ装置の様々な部分を冷却するために用いられる冷却水が、グランドへの並列経路を提供する電位を有することが注目される。かかる冷却水を通したグランドへの経路が、電流制御デバイスの抵抗より低い抵抗を有する場合に、受動電流制御デバイスの有効性が低減される可能性がある。この状況は、冷却水の純度を高く、従ってその導電率を低く維持することによって回避することができる。冷却水の導電率が、電流制御デバイスの有効性に影響するほど十分に増加する場合でさえ、それは、より純粋な水でリフレッシュさせることができる。能動電流制御デバイスが用いられる場合に、冷却水の導電率は、重要ではなくなり得る。
【００４８】
[0059]  本考案の別の実施形態において、電流制御デバイスは、液体閉じ込め構造１２とグランドとの間の１０ｋΩを超えるか、１００ｋΩを超えるか、望ましくは１ＭΩを超えるか、又は１０ＭΩを超えるインピーダンス（例えば抵抗）を提供する。図９は、かかる実施形態の単純化された電気回路を示す。この図において、図６のコンポーネントと等価なコンポーネントは、同じ参照符号によって示され、且つ簡潔にするために再度は説明されない。インピーダンス６４は、液体閉じ込め構造１２からグランドへの電気経路に位置するが、図６の実施形態におけるのとちょうど同じ方式で、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間に流れる電流を制限するように機能する。
【００４９】
[0060]  上記の実施形態において、電流制御デバイスを形成するインピーダンス６４は、可変インピーダンスであってもよい。かかる可変インピーダンスは、グランドに流れる電流及び／又は基板Ｗの電位の測定値に基づいて制御されてもよい。
【００５０】
[0061]  本考案の更なる実施形態が、図１０に示されており、そこでは、先ほどの実施形態の部分と等価な部分は、同じ参照符号を与えられ、且つ簡潔にするために再度は説明されない。この実施形態において、電流制御デバイスは、電流センサ１１０、コントローラ１１１（例えば演算増幅器）、及び可変電圧源１１２を含む。電流センサ１１０は、基板ホルダＷＴとグランドとの間の電気経路に配置され、且つそこを流れる電流を測定する。コントローラ１１１は、電流センサ１１０の出力を受信し、且つそれに比例する制御信号を生成する。可変電圧源１１２は、電流センサ１１０とグランドとの間の電気経路に配置され、制御信号を受信し、且つそれに応じて、その出力電圧を設定する。従って、電流センサ１１０、コントローラ１１１、及び可変電圧源１１２は、グランドに流れる電流及び従って基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間に流れる電流を低減するフィードバックループとして構成される。
【００５１】
[0062]  図１１は、図１０の実施形態の変形を表現する。図１１の実施形態において、電流センサ１１０、コントローラ１１１、及び可変電圧源１１２を再び含む電流制御デバイスは、基板テーブル６０とグランドとの間ではなく、液体閉じ込めシステム１２とグランドとの間の電気経路に配置される。それにもかかわらず、図１１の電流制御デバイスは、図１０の電流制御デバイスと同じ方式で機能する。
【００５２】
[0063]  更なる変形（図には示されていない）において、基板テーブル６０からグランドに流れる電流は、液体閉じ込めシステム１２に印加される電圧を制御するために測定し用いることができるか、又は液体閉じ込めシステム１２からグランドへの電流フローは、基板ホルダＷＴに印加される電圧を制御するために測定し用いることができる。
【００５３】
[0064]  図１０及び１１の実施形態において、可変電圧源は、電流源などの異なる電源によって取り替えられてもよい。代替又は追加として、電流センサ１１０は、電圧センサによって取り替えることができる。電圧センサは、基板Ｗ又は基板ホルダＷＴの電位を測定するように配置されてもよい。例えば、静電電圧計が、基板Ｗの上部の電位を測定するために液体閉じ込め構造１２に位置するか、又は基板Ｗの底部の電位を測定するために基板ホルダＷＴに位置することができる。
【００５４】
[0065]  液浸型リソグラフィ装置は、液浸液の蒸発の冷却効果を打ち消し、且つ基板ホルダＷＴ及び基板Ｗを一定の温度に維持するのを支援するために、基板ホルダＷＴに１つ又は複数の基板テーブルヒータを設けられてもよい。かかる基板テーブルヒータは、基板ホルダＷＴ及びグランドへの経路から電気的に分離されてもよいが、ヒータは、接地経路に容量的にリンクされてもよい。これは、基板テーブルヒータを含む実施形態の単純化された電気等価回路図である図１２に、コンデンサ１２１及び１２２によって表現されている。電圧源１２３は、基板テーブルヒータに流れる電流によって誘導される電位差ΔＵｈｅａｔｅｒｓを表し、電流は、ＡＣであってもよく、又は可変成分を含んでもよい。
【００５５】
[0066]  基板テーブルヒータに流れる電流の影響を低減するために、導電性シールド１２４が、基板テーブルヒータと基板ホルダＷＴからの接地経路との間に設けられ、且つグランドに電気的に接続される。導電性シールド１２４は、基板テーブルヒータを囲むファラデーケージを形成してもよい。導電性シールド１２４は、基板テーブルヒータを包む導電性箔又はメッシュによって形成することができる。代替又は追加として、導電性シールド１２４は、適当な場所に基板テーブルヒータを固定するために用いられる導電性接着剤を含んでもよい。
【００５６】
[0067]  ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対する特定の言及が、このテキストにおいて行われ得るが、本明細書で説明されるリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気領域メモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の用途を有し得ることを理解されたい。当業者は、かかる代替用途の文脈において、本明細書における「ウェーハ」又は「ダイ」という用語のどんな使用も、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義なものとして考えられ得ることを認識されよう。本明細書で言及される基板は、例えば、トラック（典型的には、基板にレジスト層を施し、且つ露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール、及び／又は検査ツールにおいて、露光の前又は後で処理されてもよい。適用可能な場合に、本明細書の開示は、かかる及び他の基板処理ツールに適用されてもよい。更に、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために、一度ならず処理されてもよく、その結果、本明細書で用いられる基板という用語はまた、１つ又は複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。
【００５７】
[0068]  光リソグラフィの文脈において、本考案の実施形態の使用に対して上記で特定の言及がなされたが、本考案が他の用途で使用され得ることが認識されよう。
【００５８】
[0069]  本考案の特定の実施形態が、上記で説明されたが、本考案が、説明されたもの以外で実施されてもよいことが認識されよう。
【００５９】
[0070]  上記の説明は、限定ではなく実例となるように意図されている。従って、以下で明らかにされる実用新案登録請求の範囲の範囲から逸脱せずに、説明されるような本考案に対する修正がなされ得ることが、当業者には明白であろう。
【図１】
0003225762.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003225762.tif 000009
【図８】
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【図９】
0003225762.tif 000011
【図１０】
0003225762.tif 000012
【図１１】
0003225762.tif 000013
【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年1月29日(2020.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画像を投影するように配置された投影システムと、前記投影システムと前記基板との間の空間に液浸液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムと、を含む液浸システム用の基板テーブルであって、
前記基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記液浸液が前記空間に閉じ込められている間に、前記基板と前記基板ホルダとの間に流れる電流を低減するように配置された電流制御デバイスと、
を含む、基板テーブル。
【請求項２】
前記電流制御デバイスが、前記基板ホルダとグランドとの間及び／又は前記液体閉じ込めシステムとグランドとの間に、１００ｋΩを超える、望ましくは１０ＭΩを超えるインピーダンスを提供する、請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項３】
前記電流制御デバイスが、
前記基板ホルダとグランドとの間及び／又は前記液体閉じ込めシステムとグランドとの間の電流を検出する電流検出器と、
電流の前記検出に基づいて前記インピーダンスを制御するコントローラと、
を更に含む、請求項２に記載の基板テーブル。
【請求項４】
前記電流制御デバイスが、
前記基板、前記基板ホルダ、及び／又は前記液体閉じ込めシステムの一部における電位を測定する電圧センサと、
前記測定された電位に基づいて、前記インピーダンスを制御するコントローラと、
を更に含む、請求項２又は３に記載の基板テーブル。
【請求項５】
前記インピーダンスが、可変であり、
前記電流制御デバイスが、前記インピーダンスを制御する、請求項２〜４の何れか一項に記載の基板テーブル。
【請求項６】
前記電流制御デバイスが、前記基板ホルダ、前記基板テーブル、及び前記液体閉じ込めシステムの少なくとも１つに接続された電源を含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の基板テーブル。
【請求項７】
前記電流制御デバイスが、
前記基板ホルダとグランドとの間及び／又は前記液体閉じ込めシステムとグランドとの間の電流を検出する電流検出器と、
電流の前記検出に基づいて前記電源を制御するコントローラと、
を更に含む、請求項６に記載の基板テーブル。
【請求項８】
前記電流制御デバイスが、
前記基板、前記基板ホルダ、及び／又は前記液体閉じ込めシステムの一部における電位を測定する電圧センサと、
前記測定された電位に基づいて、前記電源を制御するコントローラと、
を更に含む、請求項６又は７に記載の基板テーブル。
【請求項９】
前記電圧センサが、前記基板の下面の電位を測定するように配置され、
前記電源が、前記基板ホルダ又は基板テーブルに接続される、請求項８に記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記電圧センサが、前記基板の上面の電位を測定するように配置され、
前記電源が、前記液体閉じ込めシステムに接続される、請求項８又は９に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
前記基板の少なくとも一部を加熱するように構成された電気ヒータを更に含み、
前記電流制御デバイスが、前記電気ヒータと前記基板ホルダとの間に配置された接地シールドを含む、請求項１〜１０の何れか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１２】
前記電流制御デバイスが、前記基板とグランドとの間の直接電気経路を提供するために、前記基板と接触するように構成されたコンダクタを含む、請求項１〜１１の何れか一項に記載の基板テーブル。
【請求項１３】
前記コンダクタが、絶縁外層のない硬質導電性コーティングを有するバールを含む、請求項１２に記載の基板テーブル。
【請求項１４】
前記硬質導電性コーティングが、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ドープされたＤＬＣ、並びにＴｉ、Ｗ、及びＭｏの１つ又は複数を含む合金からなる群から選択される少なくとも１つの材料から作製される、請求項１３に記載の基板テーブル。
【請求項１５】
前記コンダクタが、前記基板ホルダから前記基板を持ち上げるように構成された作動ピンを含む、請求項１２〜１４の何れか一項に記載の基板テーブル。