【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に段を形成する工程と、
前記段に重なるように前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に膜厚の大きい第１部分と膜厚の小さい第２部分とを形成する工程と、
前記半導体膜に前記基板とは反対側からレーザ光を照射し、前記第１部分の一部と、前記第２部分の全部とを溶融し、結晶化する工程と、
前記結晶化した半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上の前記第２部分と重なる位置にゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レーザ光の照射により、前記第１部分の前記基板と接する部分が溶融されないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レーザ光の照射により前記第１部分のうち溶融されない部分を結晶の成長核として前記第２部分の結晶化がすすむ、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記段の前記第１部分に接する部分に、前記半導体膜と格子定数の異なる膜が形成されており、前記膜を結晶の成長核として前記第２部分の結晶化がすすむ、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に段を形成する工程と、
前記段に重なるように前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に膜厚の大きい第１部分と膜厚の小さい第２部分とを形成する工程と、
前記半導体膜に前記基板とは反対側からレーザ光を照射し、前記第１部分の全部と、前記第２部分の全部とを溶融し、結晶化する工程と、
前記結晶化した半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上の前記第２部分と重なる位置にゲート電極を形成する工程と、を含み、
前記段の前記第１部分に接する部分に、前記半導体膜と格子定数の異なる膜が形成されており、前記膜を結晶の成長核として前記第２部分の結晶化がすすむ、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記レーザ光がパルスレーザ、又はＣＷレーザを用いたものである、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された段と、
前記基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を含み、
前記半導体膜が膜厚の大きい第１部分と膜厚の小さい第２部分とを有し、前記ゲート電極が前記第２部分上に形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第１部分が前記段と前記基板とが角度をなす部分に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の半導体装置において、
前記段が絶縁膜である、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記段の膜厚が前記半導体膜の膜厚の０．５倍から３倍の範囲内に設定されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれかに記載の半導体装置において、
前記段の前記第１部分に接する部分に、前記半導体膜と格子定数の異なる膜が形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれかに記載の半導体装置において、
平面視において前記第１部分の形状が前記第２部分に対して突出している、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７ないし１２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２部分が前記段上に形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項７ないし１２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２部分が前記基板上に形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項７ないし１４のいずれかに記載の半導体装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板上に段を形成する工程と、前記段に重なるように前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に膜厚の大きい第１部分と膜厚の小さい第２部分とを形成する工程と、前記半導体膜に前記基板とは反対側からレーザ光を照射し、前記第１部分の一部と、前記第２部分の全部とを溶融し、結晶化する工程と、前記結晶化した半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上の前記第２部分と重なる位置にゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記半導体装置の製造方法において、前記レーザ光の照射により、前記第１部分の前記基板と接する部分が溶融されないことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記半導体装置の製造方法において、前記レーザ光の照射により前記第１部分のうち溶融されない部分を結晶の成長核として前記第２部分の結晶化がすすむことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記半導体装置の製造方法において、前記段の前記第１部分に接する部分に、前記半導体膜と格子定数の異なる膜が形成されており、前記膜を結晶の成長核として前記第２部分の結晶化がすすむことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板上に段を形成する工程と、前記段に重なるように前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に膜厚の大きい第１部分と膜厚の小さい第２部分とを形成する工程と、前記半導体膜に前記基板とは反対側からレーザ光を照射し、前記第１部分の全部と、前記第２部分の全部とを溶融し、結晶化する工程と、前記結晶化した半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上の前記第２部分と重なる位置にゲート電極を形成する工程と、を含み、前記段の前記第１部分に接する部分に、前記半導体膜と格子定数の異なる膜が形成されており、前記膜を結晶の成長核として前記第２部分の結晶化がすすむ、ことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
上記半導体装置の製造方法において、前記レーザ光がパルスレーザ、又はＣＷレーザを用いたものであることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、本発明にかかる半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された段と、前記基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を含み、前記半導体膜が膜厚の大きい第１部分と膜厚の小さい第２部分とを有し、前記ゲート電極が前記第２部分上に形成されている、ことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記半導体装置において、前記第１部分が前記段と前記基板とが角度をなす部分に位置することことが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記半導体装置において、前記段が絶縁膜であることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記半導体装置において、前記段の膜厚が前記半導体膜の膜厚の０．５倍から３倍の範囲内に設定されていることが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
上記半導体装置において、前記段の前記第１部分に接する部分に、前記半導体膜と格子定数の異なる膜が形成されていることが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上記半導体装置において、平面視において前記第１部分の形状が前記第２部分に対して突出していることが好ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記半導体装置において、前記第２部分が前記段上に形成されていることが好ましい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
上記半導体装置において、前記第２部分が前記基板上に形成されていることが好ましい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本発明にかかる電気光学装置は上記半導体装置を含むことを特徴とする。また、本発明にかかる電子機器は上記電気光学装置を含むことを特徴とする。