Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイン(Ｃ)を貯留するボウル(８０)、前記ボウル(８０)の底部に位置しコイン(Ｃ)を押す押出片(３９)を有する回転ディスク(２０)、および、前記回転ディスク(２０)と共に回動するコイン(Ｃ)を案内するガイド面(１５)を有するコインホッパにおいて、前記押出片(３９)は、前記回転ディスク(２０)の回転中心から周方向に伸びる直線(ＬＡ)上にほぼ位置する押進部(４２)と、前記押進部(４２)よりも周縁側に位置し、前記直線(ＬＡ)に対し鈍角をなす線(ＬＢ)上に位置する押出部(４４)を有するコインホッパ。
【請求項２】
前記回転ディスク(２０)は、コイン(Ｃ)が通過する通孔(２２)と、この通孔(２２)の下方に隣接して前記押進部(４２)と前記押出部(４４)を有する請求項１のコインホッパ。
【請求項３】
コイン(Ｃ)を貯留するボウル(８０)、前記ボウル(８０)の底部に位置し、コイン(Ｃ)が通過する通孔(２２)と、この通孔(２２)の下方に隣接する押出片(３９)
を有する回転ディスク(２０)と、前記回転ディスク(２０)が位置し、かつコイン(Ｃ)を案内するガイド面(１５)を有するほぼ円形のガイド穴(１４)と、前記ガイド穴(１４)の底部に位置し、前記通孔(２２)を通過したコイン(Ｃ)がスライドするベース(１６)と、前記ベース(１６)から突出する第１ピン(５０)及び第２ピン(５２)を有するコインホッパにおいて、前記押出片(３９)は前記回転ディスク(２０)の回転中心から周方向に伸びる直線(ＬＡ)上にほぼ位置する押進部(４２)と、前記押進部(４２)よりも周縁側に位置し、前記直線(ＬＡ)に対し鈍角をなす線(ＬＢ)上に位置する押出部(４４)を有し、前記押進部(４２)は前記第１ピン(５０)と前記第２ピン(５２)との間を移動するように位置し、前記押出部（４４）は前記第２ピン(５２)よりも外の周縁側を移動するように位置するコインホッパ。
【請求項４】
前記第１ピン(５０)と前記第２ピン(５２)を接続する直線(ＬＤ)の近傍の回転ディスク(２０)の傍に配置された固定ガイド(５８)と、前記ガイド穴(１４)のガイド面(１５)に続いて前記直線(ＬＤ)とほぼ平行する出口ガイド(７６)を有する請求項３のコインホッパ。
【請求項５】
前記直線(ＬＤ)と前記出口ガイド(７６)との距離が２１．５ミリから２１ミリであり、かつ、ベース(１６)の上面(４０)と回転ディスク(２０)の裏面(３８)との間隔(Ｄ１)が２．０ミリから２．６ミリの範囲である請求項４のコインホッパ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１ピン５０と第２ピン５２とは、一端をスライドベース１６の裏面に固定された板バネ５７の他端に固定され、それらの先端は図３に示すように、半球形に形成されている。
これにより、第１ピン５０と第２ピン５２が所定値以上の力で押し付けられた場合、スライドベース１６内へ押し下げられる。
ガイド穴１４の第１ピン５０と第２ピン５２の側方が開口され、溝状の払出口５４が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004334614.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004334614.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  可動体を位置決めする位置決め装置であって、
前記可動体を駆動する複数のアクチュエータと、
前記複数のアクチュエータを制御する制御系とを備え、
前記複数のアクチュエータは、前記可動体を第１方向に駆動する第１アクチュエータと、前記可動体を第２方向に駆動する第２アクチュエータとを含み、
前記制御系は、前記第１アクチュエータによって前記可動体を前記第１方向に駆動する際に前記可動体に作用する前記第２方向の力を低減するように前記第２アクチュエータを制御することを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】  前記制御系は、前記第１アクチュエータを駆動する第１駆動部と、前記第２アクチュエータを駆動する第２駆動部と、前記第２駆動部に与える信号を補正する第１補正部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】  前記第１補正部は、前記第１アクチュエータによって前記可動体を前記第１方向に駆動する際に前記可動体に作用する前記第２方向の力を低減するように、前記第２駆動部に与える信号を補正することを特徴とする請求項２に記載の位置決め装置。
【請求項４】  前記第１補正部は、前記第１アクチュエータの駆動を指令するための駆動指令に基づいて前記第２駆動部に与える信号を補正することを特徴とする請求項２または３に記載の位置決め装置。
【請求項５】  前記第１補正部は、前記可動体を含む構造体の位置及び／又は姿勢に基づいて前記第２駆動部に与える信号を補正することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項６】  前記第１アクチュエータは、電磁石と磁性体との間に働く吸引力によって前記可動体を駆動するように構成されたアクチュエータを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項７】  前記位置決め装置は、前記電磁石が発生する磁束を検出する磁束検出器を更に備え、前記第１補正部は、前記磁束検出器によって検出される磁束に基づいて前記第２駆動部に与える信号を補正することを特徴とする請求項２乃至６のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項８】  前記位置決め装置は、前記電磁石と前記磁性体との間隔を検出する間隔検出器を更に備え、前記第１補正部は、前記間隔検出器によって検出される間隔に基づいて前記第２駆動部に与える信号を補正することを特徴とする請求項２乃至７のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項９】  前記制御系は、更に、前記第２アクチュエータによって前記可動体を駆動する際に前記可動体に作用する前記第１方向の力を低減するように前記第１アクチュエータを制御することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項１０】  前記制御系は、前記第１駆動部に与えるべき信号を補正する第２補正部を更に含み、前記第２補正部は、前記第２アクチュエータによって前記可動体を前記第２方向に駆動する際に前記可動体に作用する前記第１方向の力を低減するように、前記第１駆動部に与える信号を補正することを特徴とする請求項２乃至９のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項１１】  前記複数のアクチュエータは、前記可動体を前記第１及び第２方向以外の１又は複数の方向に駆動する第３アクチュエータを更に含み、前記制御系は、前記第１アクチュエータによって前記可動体を前記第１方向に駆動する際に前記可動体に作用する前記第１方向以外の力を低減するように前記第２及び前記第３アクチュエータを制御することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項１２】  前記第１方向及び前記第２方向が互いに直交する方向となるように前記第１アクチュエータ及び前記第２アクチュエータが配置されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項１３】  前記第１アクチュエータは、一対のユニットを対向配置して構成されたアクチュエータを含み、各ユニットは、電磁石と磁性体とを有し、前記電磁石と前記磁性体との間に吸引力を作用させることにより当該ユニット側に前記可動体を移動させるように構成されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項１４】  基板ステージと、前記基板ステージ上の基板にパターンを投影する投影系とを備え、前記基板ステージが請求項１乃至１３のいずれかに記載の位置決め装置によって位置決めされる露光装置。
【請求項１５】  基板上に感光剤を塗布する工程と、
請求項１４に記載の露光装置によって前記感光剤にパターンを転写又は描画する工程と、
該パターンを現像する工程とを含むリソグラフィー工程とを含ことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部機器からシリアル通信により供給される複数の命令に基づいてアプリケーションデータが不揮発性メモリに記憶され、この記憶されるアプリケーションにより処理を実行し、上記不揮発性メモリと同じメモリ空間を持つ揮発性メモリを有する携帯可能電子媒体において、
外部機器からの少なくとも１つずつの命令電文の実行結果を上記不揮発性メモリに記憶する状態で揮発性メモリに記憶する第１の記憶手段と、
一連の処理として実行されるすべての命令に対する上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時に、上記揮発性メモリの記憶内容を上記不揮発性メモリに記憶する第２の記憶手段と、
上記第１の記憶手段と上記第２の記憶手段とを有するＩＣモジュールを埋設するＩＣカード本体と、
を有することを特徴とする携帯可能電子媒体。
【請求項２】
上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時が、外部機器から発行段階から運用段階に移行させる命令が送られてきた際であることを特徴とする請求項１に記載の携帯可能電子媒体。
【請求項３】
上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時が、外部機器から特定の命令が送られてきた際であることを特徴とする請求項１に記載の携帯可能電子媒体。
【請求項４】
上記不揮発性メモリに複数のアプリケーションデータが記憶されるものであり、上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時が、外部機器から複数のアプリケーションデータに対する全ての命令群が送られてきた際であることを特徴とする請求項１に記載の携帯可能電子媒体。
【請求項５】
上記不揮発性メモリのメモリ空間が、上記不揮発性メモリのページと称する記憶単位ごとの領域により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の携帯可  能電子媒体。
【請求項６】
上位装置と携帯可能電子媒体とがシリアル通信により接続され、上位装置からの発行用の複数の命令電文によりファイルとファイル制御情報を記憶する不揮発性メモリと上記不揮発性メモリと同じメモリ空間を持つ揮発性メモリとを有する携帯可能電子媒体の発行システムにおいて、
上記上位装置が、
携帯可能電子媒体の発行用の複数の命令電文を生成する生成手段と、
この生成手段により生成された少なくとも１つずつの命令電文を携帯可能電子媒体へ送信する送信手段とを有し、
上記携帯可能電子媒体は、
上記上位装置から供給される少なくとも１つずつの命令電文によりファイルとファイル制御情報を不揮発性メモリに記憶する状態で揮発性メモリに記憶する第１の記憶手段と、
一連の処理として実行されるすべての命令に対する上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時に、上記揮発性メモリの記憶内容を上記不揮発性メモリに記憶する第２の記憶手段とを有する
ことを特徴とする携帯可能電子媒体の発行システム。
【請求項７】  上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時が、外部機器から発行段階から運用段階に移行させる命令が送られてきた際であることを特徴とする請求項６に記載の携帯可能電子媒体の発行システム。
【請求項８】  上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時が、外部機器から特定の命令が送られてきた際であることを特徴とする請求項６に記載の携帯可能電子媒体の発行システム。
【請求項９】  上記不揮発性メリに複数のアプリケーションデータが記憶されるものであり、上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時が、外部機器から複数のアプリケーションデータに対する全ての命令群が送られてきた際であることを特徴とする請求項６に記載の携帯可能電子媒体の発行システム。
【請求項１０】  上記不揮発性メモリのメモリ空間が、上記不揮発性メモリのページと称する記憶単位ごとの領域により構成されていることを特徴とする請求項６に記載の携帯可能電子媒体の発行システム。
【請求項１１】  上位装置と携帯可能電子媒体とがシリアル通信により接続され、上位装置からの発行用の複数の命令電文によりファイルとファイル制御情報を記憶する不揮発性メモリと上記不揮発性メモリと同じメモリ空間を持つ揮発性メモリとを有する携帯可能電子媒体の発行方法において、
上位装置により、携帯可能電子媒体の発行用の複数の命令電文を生成し、
この生成された少なくとも１つずつの命令電文を携帯可能電子媒体へ送信し、
上記上位装置から供給される少なくとも１つずつの命令電文によりファイルとファイル制御情報を不揮発性メモリに記憶する状態で揮発性メモリに記憶し、
一連の処理として実行されるすべての命令に対する上記揮発性メモリへの記憶処理終了時に、上記揮発性メモリの記憶内容を上記不揮発性メモリに記憶する
ことを特徴とする携帯可能電子媒体の発行方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明の携帯可能電子媒体は、外部機器からシリアル通信により供給される複数の命令に基づいてアプリケーションデータが不揮発性メモリに記憶され、この記憶されるアプリケーションにより処理を実行し、上記不揮発性メモリと同じメモリ空間を持つ揮発性メモリを有するものにおいて、外部機器からの少なくとも１つずつの命令電文の実行結果を上記不揮発性メモリに記憶する状態で揮発性メモリに記憶する第１の記憶手段と、一連の処理として実行されるすべての命令に対する上記第１の記憶手段による揮発性メモリへの記憶処理終了時に、上記揮発性メモリの記憶内容を上記不揮発性メモリに記憶する第２の記憶手段と、上記第１の記憶手段と上記第２の記憶手段とを有するＩＣモジュールを埋設するＩＣカード本体とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回転自在の回転部材の回転操作で第１の入力が可能な第１の入力部と、前記回転部材を囲むように設けられて、第１の入力と組み合わせた第２の入力が可能な第２の入力部とを有することを特徴とする入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】レンズ群を保持するレンズ保持枠と、前記レンズ保持枠を光軸方向に駆動するセンサ付きステッピングモータと、を備えるレンズ鏡筒であって、
前記センサ付きステッピングモータは、
駆動力を発生するアクチュエータ部と、
前記アクチュエータ部に同軸に回転可能に取り付けられたセンサマグネットと、前記センサマグネットに対向して配設された磁気センサと、を含むセンサ部と、
アクチュエータ部で発生した駆動力を前記レンズ保持枠に伝達する連結部と、
を備え、
前記アクチュエータ部、前記センサ部及び前記連結部は、前記アクチュエータ部と前記センサ部との間に前記連結部が位置するようにして、配置されることを特徴とする、
レンズ鏡筒。
【請求項２】前記センサ付きステッピングモータが設けられている位置の光軸像面側の場所に、一部を切り欠いた切り欠き部を備え、
前記切り欠き部に、撮像装置の一部分を重ねて配置したことを特徴とする請求項１記載のレンズ鏡筒。
【請求項３】請求項１又は２に記載のレンズ鏡筒を用いた撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の第１のレンズ鏡筒は、レンズ群を保持するレンズ保持枠と、前記レンズ保持枠を光軸方向に駆動するセンサ付きステッピングモータと、を備えるレンズ鏡筒であって、前記センサ付きステッピングモータは、駆動力を発生するアクチュエータ部と、前記アクチュエータ部に同軸に回転可能に取り付けられたセンサマグネットと、前記センサマグネットに対向して配設された磁気センサと、を含むセンサ部と、アクチュエータ部で発生した駆動力を前記レンズ保持枠に伝達する連結部と、を備え、前記アクチュエータ部、前記センサ部及び前記連結部は、前記アクチュエータ部と前記センサ部との間に前記連結部が位置するようにして、配置されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光ビームの収差を補正するための液晶光学素子であって、
第１の透明基板と、
第２の透明基板と、
前記第１及び第２の透明基板の間に封入された液晶と、
前記第１及び第２の透明基板の一方の面上に形成された波面収差補正用の電極パターンとを有し、
前記電極パターンは、
第１の電圧が印加される第１の透明電極と、
前記第１の電圧とは異なった第２の電圧が印加される第２の透明電極と、
前記第１及び第２の透明電極とを接続する透明抵抗膜とを有し、
前記透明抵抗膜は、前記透明電極より高い抵抗率を有する、
ことを特徴とする液晶光学素子。
【請求項２】  前記波面収差補正用に透明電極パターンは、球面収差補正又はコマ収差補正用の透明電極パターンである請求項１に記載の液晶光学素子。
【請求項３】  光ビームの収差を補正するための液晶光学素子であって、
第１の透明基板と、
第２の透明基板と、
前記第１及び第２の透明基板の間に封入された液晶と、
前記第１及び第２の透明基板の一方の面上に形成された球面収差補正用の電極パターンとを有し、
前記電極パターンは、
同心円状に設けられた複数の透明電極と、
前記複数の透明電極間を接続する複数の透明抵抗膜とを有し、
前記複数の透明抵抗膜がそれぞれほぼ同じ抵抗値を有するように、前記複数の透明電極間の間隔がそれぞれ設定されており、
前記透明抵抗膜は、前記透明電極より高い抵抗率を有する、
ことを特徴とする液晶光学素子。
【請求項４】  前記透明抵抗膜は、１０ＫΩ／ｃｍ２以上且つ２００ＫΩｃｍ２以下の抵抗値を有する請求項１〜３の何れか一項に記載の液晶光学素子。
【請求項５】  前記透明抵抗膜は、実質的に前記透明電極間にのみ設けられている請求項１〜４の何れか一項に記載の液晶光学素子。
【請求項６】  前記透明抵抗膜は、前記透明電極の上に所定のマージンを持って乗り上げるように設けられている請求項５に記載の液晶光学素子。
【請求項７】  前記透明電極は、前記透明抵抗膜の上に所定のマージンを持って乗り上げるように設けられている請求項５に記載の液晶光学素子。
【請求項８】  前記透明抵抗膜は、前記透明電極全体を覆うように設けられている請求項１〜４の何れか一項に記載の液晶光学素子。
【請求項９】  前記透明電極は、前記透明抵抗膜の上に設けられている請求項１〜４の何れか一項に記載の液晶光学素子。
【請求項１０】  光学装置であって、
光ビームを出力する光源と、
前記光ビームの波面収差補正用の電極パターンを有する液晶光学素子と、
前記電極パターンへ電圧を印加するための電源とを有し、
前記電極パターンは、
第１の透明電極と、
第２の透明電極と、
前記第１及び第２の透明電極とを接続する透明抵抗膜とを有し、
前記第１及び第２の透明電極に、前記透明抵抗膜によって前記電圧が分圧されて、それぞれ印加され、
前記透明抵抗膜は、前記透明電極より高い抵抗率を有する、
ることを特徴とする光学装置。
【請求項１１】  前記波面収差補正用に透明電極パターンは、球面収差補正又はコマ収差補正用の透明電極パターンである請求項１０に記載の光学装置。
【請求項１２】  光学装置であって、
光ビームを出力する光源と、
前記光ビームの球面収差補正用の電極パターンを有する液晶光学素子と、
前記電極パターンへ電圧を印加するための電源とを有し、
前記電極パターンは、
同心円状に設けられた複数の透明電極と、
前記複数の透明電極間を接続する複数の透明抵抗膜とを有し、
前記透明抵抗膜によって前記電圧が分圧されて、前記複数の透明電極にそれぞれ印加され、
前記複数の透明抵抗膜がそれぞれほぼ同じ抵抗値を有するように、前記複数の透明電極間の間隔がそれぞれ設定され、
前記透明抵抗膜は、前記透明電極より高い抵抗率を有する、
ることを特徴とする光学装置。
【請求項１３】  前記透明抵抗膜は、１０ＫΩ／ｃｍ２以上且つ２００ＫΩｃｍ２以下の抵抗値を有する請求項１０〜１２の何れか一項に記載の光学装置。
【請求項１４】  前記透明抵抗膜は、実質的に前記透明電極間にのみ設けられている請求項１０〜１３の何れか一項に記載の光学装置。
【請求項１５】  前記透明抵抗膜は、前記透明電極の上に所定のマージンを持って乗り上げるように設けられている請求項１４に記載の光学装置。
【請求項１６】  前記透明電極は、前記透明抵抗膜の上に所定のマージンを持って乗り上げるように設けられている請求項１４に記載の光学装置。
【請求項１７】  前記透明抵抗膜は、前記透明電極全体を覆うように設けられている請求項１０〜１３の何れか一項に記載の光学装置。
【請求項１８】  前記透明電極は、前記透明抵抗膜の上に設けられている請求項１０〜１３の何れか一項に記載の光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】樹脂、ナフトキノンジアジド化合物、沸点１００℃〜２５０℃の溶媒１種以上を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、前記樹脂として、
（ア）樹脂を固形分３０重量％で乳酸エチルに溶解し、
（イ）６インチシリコンウェハー上に９０℃で２０分のプリベーク後に膜厚１μｍ±０．２μｍになるように樹脂膜を形成し、
（ウ）プリベーク後の樹脂膜を、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸漬したときの、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項２】前記溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂が、ポリイミド前駆体またはポリベンゾオキサゾール前駆体である請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項３】前記溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂が、アルカリ可溶性基をエステル化したポリイミド前駆体またはポリベンゾオキサゾール前駆体である請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項４】前記溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂が、一般式（１）で表される構造を有する請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１】
2004334089.tif 000001
（ここで、Ｒ１は炭素数２〜３０の２価から６価の有機基。Ｒ２は炭素数２〜４０の２価から６価の有機基。Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ同一または異なり、水素、炭素数１〜２０の１価の有機基、酸またはアルカリにより脱離する基から選ばれる１種。Ｙ、Ｚはそれぞれ同一または異なり、水酸基、エーテル基、アミノ基、アミド基、チオール基、チオエーテル基から選ばれる少なくとも１つを含む１価の基。ａ、ｂ、ｃ、ｄは０〜４の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＞０である。ｎは１０から１００万までの整数を表す。）
【請求項５】さらにメチロール化合物を含んでいることを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項６】前記溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂１００重量部に対し、前記した条件で測定した溶解速度が５０ｎｍ／秒〜１５０ｎｍ／秒であるノボラック樹脂を１〜７０重量部含んでいることを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、樹脂、ナフトキノンジアジド化合物、沸点１００℃〜２５０℃の溶媒１種以上を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、前記樹脂として、
（ア）樹脂を固形分３０重量％で乳酸エチルに溶解し、
（イ）６インチシリコンウェハー上に９０℃で２０分のプリベーク後に膜厚１μｍ±０．２μｍになるように樹脂膜を形成し、
（ウ）プリベーク後の樹脂膜を、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸漬したときの、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物をその骨子とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明に使用する樹脂としては、
（ア）樹脂を固形分３０重量％で乳酸エチルに溶解し、
（イ）６インチシリコンウェハー上に９０℃で２０分のプリベーク後に膜厚１μｍ±０．２μｍになるように樹脂膜を形成し、
（ウ）プリベーク後の樹脂膜を、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸漬したときの、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が０．１ｎｍ／秒〜３ｎｍ／秒の範囲である樹脂を使用する必要がある。かかる条件を満たしうる樹脂としては、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ノボラック樹脂、部分的にエステル化したポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシベンゾエート、アクリル酸共重合アクリル系樹脂などがある。特に好ましいのは、エステル化を進めたポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体である。これらの樹脂は、例えば、エステル化などのアルカリ現像液不溶化処理により、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物からなるポジ型レジストの未露光部並みに溶解速度が低下されたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
プリベーク後の膜は、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に浸漬され、溶解速度が測定される。溶解速度の測定には公知の装置を使用することができる。例えば、溶解速度モニター装置を用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
溶解速度の測定
４インチシリコンウェハーに測定に、使用する樹脂を乳酸エチルに固形分が３０％になるように溶解し、この溶液をミカサ（株）製のスピンコーター１Ｈ−３６０ＤＳを用いて、９０℃で２０分のプリベーク後の膜厚が１．０±０．２μｍになるように塗布した。塗布後、忍足製作所製のイナートオーブンを用いて９０℃で２０分プリベークした。このプリベークしたウェハーを溶解速度測定装置（リンテック製）に入れ、アルカリ現像液として２．３８％のテトラメチルアンモニウム水溶液（三菱化学（株）製ＥＬＭ−Ｄ）を用いて測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記イエロー発色感光性ハロゲン化銀乳剤層中に、下記一般式（ＩＩ）で表される少なくとも一種の増感色素によって分光増感されたハロゲン化銀乳剤を含むことを特徴とする請求項１に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【化２】
2004334131.tif 000001
一般式（ＩＩ）において、Ｘ１およびＸ２は各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、窒素原子、炭素原子を表す。Ｙ１はフラン環、ピロール環、チオフェン環、またはベンゼン環を形成するのに必要な原子群を表し、さらに他の５〜６員の炭素環または複素環と縮合していても置換基を有していてもよい。Ｙ２はベンゼン環または５〜６員の不飽和複素環を形成するのに必要な原子群を表し、さらに他の５〜６員の炭素環または複素環と縮合していても置換基を有していてもよい。なお、Ｙ１およびＹ２が縮環している２つの炭素原子の間の結合は、単結合であっても２重結合であってもよい。Ｒ１およびＲ２の一方はスルホ基以外の酸基で置換されたアルキル基を表し、他方はスルホ基で置換されたアルキル基を表す。Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は各々独立にメチン基を表し、ｎ１は０又は１を表す。
Ｍ１は対イオンを表し、ｍ１は分子中の電荷を中和させるために必要な０以上の数を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一般式（ＩＩ）において、Ｘ１およびＸ２は各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、窒素原子、炭素原子を表す。Ｙ１はフラン環、ピロール環、チオフェン環、またはベンゼン環を形成するのに必要な原子群を表し、さらに他の５〜６員の炭素環または複素環と縮合していても置換基を有していてもよい。Ｙ２はベンゼン環または５〜６員の不飽和複素環を形成するのに必要な原子群を表し、さらに他の５〜６員の炭素環または複素環と縮合していても置換基を有していてもよい。なお、Ｙ１およびＹ２が縮環している２つの炭素原子の間の結合は、単結合であっても２重結合であってもよい。Ｒ１およびＲ２の一方はスルホ基以外の酸基で置換されたアルキル基を表し、他方はスルホ基で置換されたアルキル基を表す。Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は各々独立にメチン基を表し、ｎ１は０又は１を表す。
Ｍ１は対イオンを表し、ｍ１は分子中の電荷を中和させるために必要な０以上の数を表す。
（３）前記一般式（ＩＩ）で表される増感色素が下記一般式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表されることを特徴とする（２）に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）下記一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2004334135.tif 000001
一般式（Ａ１）中、
Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ3は、水素原子、又は極性基もしくは酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
【請求項２】  Ｒ3が極性基を有する基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】  Ｒ3が酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】  （Ａ）成分の樹脂が、更に、下記一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2004334135.tif 000002
【化３】
2004334135.tif 000003
【化４】
2004334135.tif 000004
一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）中、
Ｘ1〜Ｘ5及びＲdは、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但
し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
【請求項５】  （Ａ）成分の樹脂が、更に、ビニルエーテルに由来する繰り返し単位を少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも複屈折材料部と、該複屈折材料部のビーム入射端面の少なくとも一部に固定配置された位相差部とより構成され、
上記複屈折材料部に、伝搬方向がほぼ平行で且つほぼ同一偏光とされる第１及び第２のビームもしくはビーム群が入射され、
上記第１又は第２のビームもしくはビーム群のうちの少なくとも一方のビームもしくはビーム群が、上記位相差部を介して上記複屈折材料部に入射され、上記位相差部により偏光方向が変換されて、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群のうち少なくとも一方のビームもしくはビーム群が、上記複屈折材料部内での伝搬方向が変換され、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群が、上記複屈折材料部の出射位置、もしくは出射又は入射界面において合波されてほぼ同一な方向に出射される
ことを特徴とするビーム合波素子。
【請求項２】
上記位相差部が１／２波長板である
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項３】
上記位相差部と並置して補助位相差部が上記複屈折材料部のビーム入射端面に配置され、
上記補助位相差部には、上記位相差部に入射されない方のビームもしくはビーム群が入射され、その偏光方向が、上記補助位相差部の通過前後で変換されない構成とされる
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項４】
上記位相差部及び上記補助位相差部内における上記第１及び第２のビームもしくはビーム群が伝搬する物理長が互いにほぼ等しい
ことを特徴とする請求項３に記載のビーム合波素子。
【請求項５】
上記補助位相差部が、光学的等方性を有する材料、もしくは透過板より成る
ことを特徴とする請求項３に記載のビーム合波素子。
【請求項６】
上記位相差部及び／又は上記複屈折材料部の少なくとも１以上の入射端面及び／又は出射端面に反射防止機能を有する光学膜が形成されて成る
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項７】
上記補助位相差部の入射端面又は出射端面又はその両方に反射防止機能を有する光学膜が形成されて成る
ことを特徴とする請求項３に記載のビーム合波素子。
【請求項８】
上記ビーム合波素子への入射ビームがレーザダイオード光である
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項９】
上記ビーム合波素子の入射前又は出射後又はその両方に、上記第１及び第２のビームまたはビーム群に対し、拡がり角を小さくするか、コリメートビームに変換するか、又は集光するかのいずれか１つ以上の作用を有する光学系が設けられて成る
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項１０】
上記位相差部及び／又は上記複屈折材料部の入射端面及び／又は出射端面にレンズが形成されて成る
ことを特徴とする請求項９に記載のビーム合波素子。
【請求項１１】
上記位相差部が位相遅延膜より成る
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項１２】
上記複屈折材料部が、２以上の複屈折素子より構成される
ことを特徴とする請求項１に記載のビーム合波素子。
【請求項１３】
少なくとも複屈折材料部と、該複屈折材料部のビーム入射端面の少なくとも一部に固定配置された位相差部とを用いて、
上記複屈折材料部に、伝搬方向がほぼ平行で且つほぼ同一偏光とされる第１及び第２のビームもしくはビーム群を入射させ、
上記第１又は第２のビームもしくはビーム群のうちの少なくとも一方のビームもしくはビーム群を、上記位相差部を介して上記複屈折材料部に入射させ、上記位相差部により偏光方向を変換させ、
上記第１又は第２のビームもしくはビーム群のうち少なくとも一方のビームもしくはビーム群の上記複屈折材料部内での伝搬方向を変換させて、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群を、上記複屈折材料部の出射位置、もしくは出射又は入射界面において合波させてほぼ同一な方向に出射させる
ことを特徴とするビーム合波方法。
【請求項１４】
上記位相差部を１／２波長板とする
ことを特徴とする請求項１３に記載のビーム合波方法。
【請求項１５】
上記位相差部と並置して補助位相差部を上記複屈折材料部のビーム入射端面に配置して、
上記補助位相差部には、上記第１及び第２のビームもしくはビーム群のうち上記位相差部に入射されないビームもしくはビーム群を入射させ、その偏光方向を上記補助位相差部の透過前後で変換されない構成とする
ことを特徴とする請求項１３に記載のビーム合波方法。
【請求項１６】
少なくとも複屈折材料部と、該複屈折材料部のビーム出射端面の少なくとも一部に固定配置された位相差部とより構成され、
上記複屈折材料部において、入射ビームの特定偏光方向成分の伝搬方向が変換されて、互いに異なる偏光の第１及び第２のビームもしくはビーム群として分離されて出射され、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群のうち少なくとも一方のビームもしくはビーム群が上記位相差部によって偏光方向が変換されることによって、上記第１及び第２のビームもしくはビーム群が、伝搬方向がほぼ平行で、ほぼ同一の偏光方向の２つのビームもしくはビーム群として出射される
ことを特徴とするビーム分離素子。
【請求項１７】
少なくとも複屈折材料部と、該複屈折材料部のビーム出射端面の少なくとも一部に固定配置された位相差部とを用いて、
上記複屈折材料部において、入射ビームの特定偏光方向成分の伝搬方向を変換させて、互いに異なる偏光の第１及び第２のビームもしくはビーム群として分離して出射させ、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群のうち少なくとも一方のビームもしくはビーム群を上記位相差部によって偏光方向を変換することによって、上記第１及び第２のビームもしくはビーム群を、伝搬方向がほぼ平行で、ほぼ同一の偏光方向の２つのビーム群として出射させる
ことを特徴とするビーム分離方法。
【請求項１８】
伝搬方向がほぼ平行で且つほぼ同一偏光とされる第１及び第２のビームもしくはビーム群が、少なくとも複屈折材料部と該複屈折材料部のビーム入射端面の少なくとも一部に位相差部が固定配置されて成るビーム合波素子に入射され、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群のうちの少なくとも一方のビームもしくはビーム群が上記位相差部を介して上記複屈折材料部に入射され、上記位相差部により偏光方向が変換され、
上記第１又は第２のビームもしくはビーム群のうち少なくとも一方のビームもしくはビーム群が、上記複屈折材料部内での伝搬方向が変換され、
上記第１及び第２のビームもしくはビーム群が、上記複屈折材料部の出射位置、もしくは出射又は入射界面において合波されてほぼ同一な方向に出射されて、レーザの励起光として出射される
ことを特徴とする励起光出力装置。
【請求項１９】
上記レーザがファイバーアンプレーザもしくはファイバーレーザである
ことを特徴とする請求項１８に記載の励起光出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）酸により分解する基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有するポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）有機塩基性化合物を含有し、該活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物（Ｂ）の含有量がレジスト組成物の全固形分に対し６〜２０質量％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項２】  該ポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン（Ａ）が、側鎖に下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
−（Ｊ１）ｋ−（Ｊ２）ｌ−（Ｊ３）ｍ−（Ｊ４）ｎ−（Ｊ５）ｐ（１）
式中、Ｊ１はアルキレン基を表し、Ｊ２はアリーレン基またはシクロアルキレン基を表し、Ｊ３は２価の連結基を表し、Ｊ４は２〜４価の連結基を表し、Ｊ５は酸の作用により分解する基を表す。
ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を表す。但し、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、同時に０であることはない。ｐは１〜３の整数を表す。
【請求項３】  有機塩基性化合物（Ｂ）の添加量がレジスト組成物の全固形分に対し０．０５〜１．０質量％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】  露光光源が、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】  低圧圧力の冷媒を外部より吸入する低圧吸入部および中間圧力の冷媒を外部より吸入する中間圧力吸入部を有する密閉容器と、前記密閉容器内に収納され、密閉容器外から前記低圧吸入部により吸入された低圧圧力の冷媒を圧縮して中間圧力まで昇圧する低段側圧縮機構部と、前記密閉容器内に収納され、前記低段側圧縮機構部により圧縮された中間圧力の冷媒および密閉容器外から前記中間圧力吸入部により吸入された中間圧力の冷媒を混合した後の冷媒を圧縮して高圧圧力まで昇圧する高段側圧縮機構部と、を備え、前記密閉容器内を低圧圧力雰囲気としたことを特徴とする二段圧縮機。
【請求項２】  前記低段側圧縮機構部と前記高段側圧縮機構部から成る圧縮機構部を駆動するモータと、前記モータおよび前記圧縮機構部を密閉容器内に弾性支持する弾性支持部材と、を備え、前記モータあるいは前記圧縮機構部が前記密閉容器の内壁面に接触しないように間隙を設けたことを特徴とする請求項１に記載の二段圧縮機。
【請求項３】  冷媒として二酸化炭素を使用するようにしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の二段圧縮機。
【請求項４】  冷媒として炭化水素系冷媒を使用するようにしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の二段圧縮機。
【請求項５】  冷媒と相溶性を有する潤滑油を密閉容器内に封入するようにしたことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の二段圧縮機。
【請求項６】  低圧圧力の冷媒を密閉容器外から吸入する低圧圧力吸入部および中間圧力の冷媒を前記密閉容器外から吸入する中間圧力吸入部および高圧圧力の冷媒を前記密閉容器外に吐出する高圧圧力吐出部を有し、前記密閉容器内に２つの圧縮機構部を備え前記密閉容器内が低圧圧力雰囲気である二段圧縮機と、前記高圧圧力吐出部から吐出された高圧圧力の冷媒を凝縮する凝縮器と、前記凝縮器により凝縮された高圧圧力の冷媒を中間圧力へ減圧する第一減圧手段と、前記第一減圧手段により中間圧力に減圧された冷媒を第一温度帯で蒸発させて前記中間圧力吸入部に送出する第一蒸発器と、前記第一減圧手段により中間圧力に減圧された冷媒を低圧圧力に減圧する第二減圧手段と、前記第二減圧手段により低圧圧力に減圧された冷媒を前記第一温度帯よりも低温の第二温度帯で蒸発させて前記低圧圧力吸入部に送出する第二蒸発器と、によって構成される冷凍サイクルを備えたことを特徴とする冷凍サイクル装置。
【請求項７】  冷却温度帯を少なくとも２つ以上有する冷蔵庫において、請求項６に記載の冷凍サイクルを備え、第一蒸発器を第一の冷却温度帯の冷却用に、第二蒸発器を前記第一の冷却温度帯よりも低温の第二の冷却温度帯の冷却用に適用したことを特徴とする冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の発明に係わる二段圧縮機は、低圧圧力の冷媒を外部より吸入する低圧吸入部および中間圧力の冷媒を外部より吸入する中間圧力吸入部を有する密閉容器と、密閉容器内に収納され、密閉容器外から低圧吸入部により吸入された低圧圧力の冷媒を圧縮して中間圧力まで昇圧する低段側圧縮機構部と、密閉容器内に収納され、低段側圧縮機構部により圧縮された中間圧力の冷媒および密閉容器外から中間圧力吸入部により吸入された中間圧力の冷媒を混合した後の冷媒を圧縮して高圧圧力まで昇圧する高段側圧縮機構部と、を備え、密閉容器内を低圧圧力雰囲気としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、この発明の第２の発明に係る二段圧縮機は、前記低段側圧縮機構部と前記高段側圧縮機構部から成る圧縮機構部を駆動するモータと、モータおよび圧縮機構部を密閉容器内に弾性支持する弾性支持部材と、を備え、モータあるいは圧縮機構部が密閉容器の内壁面に接触しないように間隙を設けたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この発明の第３の発明に係る二段圧縮機は、冷媒として二酸化炭素を使用するようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【発明の効果】
本発明の第１の発明に係わる二段圧縮機は、低圧圧力の冷媒を外部より吸入する低圧吸入部および中間圧力の冷媒を外部より吸入する中間圧力吸入部を有する密閉容器と、密閉容器外から低圧吸入部により吸入された低圧圧力の冷媒を圧縮して中間圧力まで昇圧する低段側圧縮機構部と、密閉容器内に収納され、低段側圧縮機構部により圧縮された中間圧力の冷媒および密閉容器外から中間圧力吸入部により吸入された中間圧力の冷媒を混合した後の冷媒を圧縮して高圧圧力まで昇圧する高段側圧縮機構部と、を備え、密閉容器内を低圧圧力雰囲気としたので、高圧圧力側からの冷媒の逆流漏れを生じない高効率で信頼性の高い二段圧縮機を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、この発明の第２の発明に係る二段圧縮機は、前記低段側圧縮機構部と前記高段側圧縮機構部から成る圧縮機構部を駆動するモータと、モータおよび圧縮機構部を密閉容器内に弾性支持する弾性支持部材と、を備え、モータあるいは圧縮機構部が密閉容器の内壁面に接触しないように間隙を設けたので、圧縮機構部及びモータ部の振動・騒音が密閉容器外に直接伝達するのを防止でき低振動で低騒音な二段圧縮機を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、この発明の第３の発明に係る二段圧縮機は、冷媒として二酸化炭素を使用するようにしたので、引火が原因による圧縮機故障を抑制できる信頼性の高い二段圧縮機を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
右側の側板９は、図５に示すように、側板８と同径の扁平有底筒状の装着部９ａと、装着部９ａの斜め前下方の縁部に装着部９ａの外周円と交差する外周円となるように偏芯して形成された突出部９ｂとを有している。突出部９ｂは、三日月状に円弧で形成されている。装着部９ａの底部には、後述するピニオンギア３２が支持されるボス部９ｃが形成されている。また、ボス部９ｃの両側には、第２側カバー７を位置決めするための２本の位置決めピン９ｄ，９ｅが立設されている。位置決めピン９ｄ，９ｅの先端は、小径の頭部が形成されており、頭部が第２側カバー７に形成された位置決め孔７ｅ，７ｆに挿入されることで、側板９と第２側カバー７とが位置決めされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
カバー本体３３は、側板８を覆うように外方に僅かに凸に湾曲した金属製の部材であり、意匠性の向上を図るとともに軽量化を図るために外周部に直径が異なる多数の丸孔３３ｂが周方向及び径方向に間隔を隔てて設けられている。カバー本体３３の外周側の内面には、揺動軸３４を固定するためのねじ穴３３ａが形成されている。ねじ穴３３ａの周囲には、外周縁部から中心側に突出するボス部３３ｃが形成されており、ボス部３３ｃの底部との境界部分には、略周方向に沿って直線的に切り欠かれた係止部３３ｄが形成されている。また、カバー本体３３の中心よりやや偏倚した内面には、内方に突出する取付部３３ｅ（図３）が形成されている。取付部３３ｅは、カバー本体３３が側板８に装着されたとき、スプール支持部１３の操作凸部１６に近接した位置にスプール支持部１３に当接可能に配置され、スプール支持部１３が緩み方向に回転しないようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
大径部３６ａと側板８との間には揺動軸３４の外周側にコイルばね３５が圧縮状態で装着されている。パイプ部材３６の大径部３６ａを除く部分の外周面には、平行な面取り部３６ｂが形成されており、側板８には面取り部３６ｂを軸方向移動自在かつ回転不能に支持するための小判孔３８ａを有する支持部材３８がねじ止めされている。パイプ部材３６の基端には揺動軸３４の軸方向の移動を規制する規制円板３９が止め輪３９ａにより固定されている。この規制円板３９と工具係止部３４ｂとでパイプ部材３６を挟持することで、揺動軸３４は、パイプ部材３６に対して軸方向に移動不能に支持される。またこの規制円板３９が側板８に当接することにより、第１側カバー６が開くときの軸方向位置が決定される。これにより、第１側カバー６は、側板８に揺動自在かつ軸方向に所定距離移動可能に装着され側板８に対して脱落することなく開閉自在となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
〔その他の構成〕
クラッチレバー１７は、図１に示すように、１対の側板８，９間の後部でスプール１２後方に配置されている。クラッチレバー１７は側板８，９間で上下方向にスライドする。クラッチレバー１７のハンドル装着側には、係合軸１７ａが側板９を貫通して一体形成されている。この係合軸１７ａは、クラッチ制御機構２２に係合している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
クラッチプレート５５は、扇形に形成された板状部材であり、側板９に形成された案内部９ｇにより回転方向に案内されている。また、クラッチプレート５５は、位置決めピン９ｅに形成された鍔部９ｊにより案内部９ｇとの間に隙間が形成され、浮き上がりが防止されている。クラッチプレート５５の一端は、クラッチレバー１７の下方への移動に連動して図１１反時計回りに移動するようにクラッチレバー１７の係合軸１７ａの下端に接触する位置に延びている。クラッチプレート５５の他端は、クラッチカム５６に係止されており、クラッチプレート５５とクラッチカム５６とは連動してスプール軸２０回りに回動する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
遠心ブレーキ機構２５は、図３及び図６に示すように、スプール１２と一体回転するようにスプール軸２０に固定された回転部材６６と、回転部材６６に周方向に間隔を隔てて配置され径方向に移動自在に装着された筒状の摺動子６７と、リング部１４の内周面に固定され摺動子６７に接触可能なブレーキライナー６８とを有している。回転部材６６は、軸受部１５の外周側に配置される円板部６６ａを有しており、円板部６６ａには、周方向に間隔を隔てて、たとえば６つの凹部６６ｂが形成されている。各凹部６６ｂには、対向する２対の係止突起７０ａ，７０ｂが径方向に間隔を隔てて形成されている。係止突起７０ａは、外周部に互いに突出して形成され、摺動子６７を抜け止めするための突起である。係止突起７０ｂは、係止突起７０ａより内周側に形成され、摺動子６７がブレーキライナー６８に接触しないようにするための突起である。また、凹部６６ｂの底面には、径方向に延びるガイド軸６９が放射状に配置されている。このガイド軸６９に摺動子６７が移動自在に案内される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リモートコントロールシステムを構成し、ＩＤコードを記憶
するＩＤコード記憶手段を備えた送信機において、
時刻をカウントする時計手段と、
数値（以下、カウント値とも記す）をカウントするカウンタと、
前記送信機をＩＤコードが登録可能となる登録可能状態に設定する設定手段と
、
前記送信機が登録可能状態であるときに、前記時計手段から出力される時刻デ
ータ、及び前記カウンタから出力されるカウント値を読み取り、読み取られた時
刻データとカウント値とを組み合わせたものをＩＤコードとして前記ＩＤコード
記憶手段に登録する登録制御手段とを備えていることを特徴とする送信機。
【請求項２】  ＩＤコードを記憶する第１のＩＤコード記憶手段を備えた送
信機と、ＩＤコードを記憶する第２のＩＤコード記憶手段を備えた受信機とを含
んで構成されたリモートコントロールシステムにおいて、
前記送信機が、
該送信機でＩＤコードが登録されると、該ＩＤコードを前記受信機でも登録さ
せるために、該受信機に対して、前記ＩＤコードを登録するための指令コードを
付加したＩＤコードを送信する送信手段を備え、
前記受信機が、
前記ＩＤコードを検出するＩＤコード検出手段と、
前記指令コードが付加されたＩＤコードを検出すると、該ＩＤコードを前記第
２のＩＤコード記憶手段に登録する登録制御手段とを備えていることを特徴とす
るリモートコントロールシステム。