【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、少なくとも前記基板と接する第１の層と前記半導体層と接する第２の層とを有し、
前記第１の層は、水素濃度が１．５〜５ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が２〜１５ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が５０〜６０ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であり、
前記第２の層は、水素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が６０〜６５ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、前記基板と接する領域から前記半導体層と接する領域にかけて連続的に組成が変化し、
前記基板と接する領域は、水素濃度が１．５〜５ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が２〜１５ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が５０〜６０ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であり、
前記半導体層と接する領域は、水素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が６０〜６５ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、少なくとも前記基板と接する第１の層と前記半導体層と接する第２の層とを有し、
前記第１の層は、シリコンに対する酸素の組成比が１．４〜１．８で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０５〜０．５の酸化窒化シリコン膜であり、
前記第２の層は、シリコンに対する酸素の組成比が１．７〜２で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０２〜０．０６の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板に接して絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して半導体膜とを有し、
前記絶縁膜は、前記基板と接する領域から前記半導体層と接する領域にかけて連続的に組成が変化し、
前記基板と接する領域は、シリコンに対する酸素の組成比が１．４〜１．８で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０５〜０．５の酸化窒化シリコン膜であり、
前記半導体層と接する領域は、シリコンに対する酸素の組成比が１．７〜２で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０２〜０．０６の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜中の窒素濃度は、前記半導体層側の界面に向かって連続的に減少することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜中の酸素濃度は、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末から選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体層を形成する工程と、前記半導体層と基板との間の絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記絶縁膜を形成する工程は、少なくとも前記基板と界面を形成する第１の層を形成する工程と前記半導体層と界面を形成する第２の層を形成する工程とを有し、
前記第１の層を形成する工程は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２から酸化窒化シリコン膜を形成し、
前記第２の層を形成する工程は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏから酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体層を形成する工程と、前記半導体層と基板との間の絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記絶縁膜を形成する工程は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏと少なくともＨ２から酸化窒化シリコン膜を形成する工程であって、前記基板と接する領域から前記半導体層と接する領域にかけて、Ｈ２流量を減少させ、Ｎ２Ｏ流量を増加させて酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
半導体層を形成する工程と、前記半導体層と基板との間の絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記絶縁膜を形成する工程は、少なくとも前記基板と界面を形成する第１の層を形成する工程と前記半導体層と界面を形成する第２の層を形成する工程とを有し、
前記第１の層を形成する工程は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２のガス流量比がＸｈ＝０．５〜５（Ｘｈ＝Ｈ２／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）、Ｘｇ＝０．９４〜０．９７（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）の範囲で酸化窒化シリコン膜を形成し、
前記第２の層を形成する工程は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２のガス流量比がＸｈ＝０（Ｘｈ＝Ｈ２／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）、Ｘｇ＝０．９７〜０．９９（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）範囲で酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８または請求項１０のいずれか一項において、前記絶縁膜の第１の層と第２の層とを形成する工程は、プラズマＣＶＤ装置の同一の成膜室で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
半導体層を形成する工程と、前記半導体層と基板との間の絶縁膜を形成する工程と
を有し、
前記絶縁膜を形成する工程は、前記基板と接する領域から前記半導体膜と接する領域にかけて、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２のガス流量比がＸｈ＝０．５〜５（Ｘｈ＝Ｈ２／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）、Ｘｇ＝０．９４〜０．９７（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）の範囲から、Ｘｈ＝０（Ｘｈ＝Ｈ２／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）、Ｘｇ＝０．９７〜０．９９（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ）の範囲に変化させて酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
同一成膜室で、
水素濃度が１．５〜５ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が２〜１５ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が５０〜６０ａｔｏｍｉｃ％の基板と接する第１の酸化窒化シリコン膜と、
水素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が６０〜６５ａｔｏｍｉｃ％の半導体層と接する第２の酸化窒化シリコン膜と、
半導体層とを連続的に成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
同一成膜室で、
基板と接する領域は、水素濃度が１．５〜５ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が２〜１５ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が５０〜６０ａｔｏｍｉｃ％、
半導体層と接する領域は、水素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が６０〜６５ａｔｏｍｉｃ％と連続的に組成が変化する酸化窒化シリコン膜と、
半導体層とを連続的に成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
同一成膜室で、
シリコンに対する酸素の組成比が１．４〜１．８で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０５〜０．５の基板と接する第１の酸化窒化シリコン膜と、
シリコンに対する酸素の組成比が１．７〜２で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０２〜０．０６の半導体層と接する第２の酸化窒化シリコン膜と、
半導体層とを連続的に成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
同一成膜室で、
基板と接する領域は、シリコンに対する酸素の組成比が１．４〜１．８で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０５〜０．５、
半導体層と接する領域は、シリコンに対する酸素の組成比が１．７〜２で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０２〜０．０６と連続的に組成が変化する酸化窒化シリコン膜と、
半導体層とを連続的に成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至１６のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜中の窒素濃度は、前記半導体層側の界面に向かって連続的に減少することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項８乃至１６のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜中の酸素濃度は、前記半導体膜側の界面に向かって連続的に増加させることを特徴とする半導体装置の作製方法。