【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に設けられたｎチャネル型薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成された一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接して形成された一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ガラス基板上に設けられたｎチャネル型薄膜トランジスタ及びｐチャネル型薄膜トランジスタで形成されたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成された一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接して形成された一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
各画素にｎチャネル型薄膜トランジスタが設けられた画素部と、ｎチャネル型薄膜トランジスタ及びｐチャネル型薄膜トランジスタで形成されたＣＭＯＳ回路とがガラス基板上に設けられた半導体装置であって、
前記ＣＭＯＳ回路のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ＣＭＯＳ回路のｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成された一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接して形成された一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
各画素にｎチャネル型薄膜トランジスタが設けられた画素部と、ｎチャネル型薄膜トランジスタ及びｐチャネル型薄膜トランジスタで形成されたＣＭＯＳ回路とがガラス基板上に設けられた半導体装置であって、
前記ＣＭＯＳ回路のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ＣＭＯＳ回路のｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に形成された第１の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
各画素に二つのｎチャネル型薄膜トランジスタが設けられた画素部をガラス基板上に有し、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの一方に発光層を有する素子が接続されている半導体装置であって、
前記二つのｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とをそれぞれ有し、
前記二つのｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成された一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接して形成された一導電型の第２の不純物領域とをそれぞれ有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、少なくとも一つの前記ｎチャネル型薄膜トランジスタはマルチゲート構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
各画素にｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとが設けられた画素部をガラス基板上に有し、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタに発光層を有する素子が接続されている半導体装置であって、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、かつ前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成された一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接して形成された一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
各画素にｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとが設けられた画素部をガラス基板上に有し、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタに発光層を有する素子が接続されている半導体装置であって、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタ及び前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上面及び側面に接して形成され、さらに前記ゲート絶縁膜上に延在して設けられた第２の導電層とをそれぞれ有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第１のチャネル形成領域と、前記第１のチャネル形成領域に接して形成された一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接して形成された一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第２のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域に接して形成された前記一導電型と逆の導電型の第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記ゲート絶縁膜上に延在した前記第２の導電層と重なる領域と、前記第２の導電層と重ならない領域とを有し、
前記第３の不純物領域は、前記第２の導電層と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または８において、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタはマルチゲート構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の導電層は、前記ゲート絶縁膜に接して形成される導電層（Ａ）と、前記導電層（Ａ）の上に形成される一または複数の導電層から形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記導電層（Ａ）は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料から形成され、前記導電層（Ａ）の上に形成される一または複数の導電層のうち、少なくとも一つの導電層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）から選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記第２の導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料から形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記第１の不純物領域に含まれる不純物元素の濃度は１×１０１６〜１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体装置は、透過型あるいは反射型の液晶表示装置、またはＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項５乃至９のいずれか一において、前記半導体装置は、ＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、携帯型情報端末、ゴーグル型ディスプレイ、プロジェクションＴＶ、携帯型電子書籍、パーソナルコンピュータ、デジタルビデオディスクプレーヤー、デジタルカメラ、プロジェクター、液晶テレビから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。