【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とした、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射されることによって行われ、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）とが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とした、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射されることによって行われ、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に、０＜Ｉ０’／Ｉ０＜１の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のレーザー光は、前記基板と前記島状半導体層の間に設けられた絶縁膜よって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とした、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射されることによって行われ、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に、１＜Ｉ０’／Ｉ０の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のレーザー光は、前記島状半導体層上に設けられた絶縁膜によって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とした、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射されることによって行われ、
前記第２のレーザー光は、前記半導体膜の裏面側に設けられた反射体で反射されて前記半導体膜の裏面に照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とした、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射されることによって行われ、
前記第２のレーザー光は、前記島状半導体層の裏面側に設けられた反射体で反射されて前記島状半導体層の裏面に照射され、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）とが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とした、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射されることによって行われ、
前記第２のレーザー光は、前記島状半導体層の裏面側に設けられた反射体で反射されて前記島状半導体層の裏面に照射され、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に、０＜Ｉ０’／Ｉ０＜１の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２のレーザー光は、前記基板と前記島状半導体層の間に設けられた絶縁膜によって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９のいずれか一において、
前記第２のレーザー光は、前記基板と前記反射体との間に充填された気体によって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記反射体は、Ａｌ、Ａｇ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａのいずれかの金属元素を含む金属膜を表面に形成した基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とし光学系によって分割された、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射することによって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とし光学系によって分割された、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射することによって行われ、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）とが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とし光学系によって分割された、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射することによって行われ、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に、０＜Ｉ０’／Ｉ０＜１の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第２のレーザー光は、前記第２のレーザー光の光路に設けられた減光フィルターによって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、
前記第２のレーザー光は、前記基板と前記島状半導体層の間に設けられた絶縁膜によって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を島状にパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層にレーザー光を照射して前記島状半導体層を結晶化する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶化は、１つのレーザーを発振源とし光学系によって分割された、前記島状半導体層の表面に照射される第１のレーザー光と、前記島状半導体層の裏面に照射される第２のレーザー光とが、同時に照射することによって行われ、
前記第１のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と、前記第２のレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に、１＜Ｉ０’／Ｉ０の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第１のレーザー光は、前記第１のレーザー光の光路に設けられた減光フィルターによって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８において、
前記第１のレーザー光は、前記島状半導体層上に設けられた絶縁膜によって、減衰されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一において、
前記第１のレーザー光と、前記第２のレーザー光とは、線状レーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一において、
前記半導体膜は、非晶質半導体膜若しくは微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２１のいずれか一において、
前記レーザーは、エキシマレーザー、固体レーザー、ガスレーザー、金属蒸気レーザー、または半導体レーザーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。