【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する半導体装置の作製方法であって、
直線状のストライプパターンによって複数の凹部および凸部が形成された絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記非晶質半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記ソース領域または前記ドレイン領域となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に直線状のストライプパターンを有する絶縁膜を形成することによって複数の凹部および凸部を形成し、
前記複数の凹部および凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記非晶質半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記ソース領域または前記ドレイン領域となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記トランジスタを電気的に接続する配線とが設けられた半導体装置の作製方法であって、
直線状のストライプパターンによって複数の凹部および凸部が形成された絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記非晶質半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記配線となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記トランジスタを電気的に接続する配線とが設けられた半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に直線状のストライプパターンを有する絶縁膜を形成することによって複数の凹部および凸部を形成し、
前記複数の凹部および凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記非晶質半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記配線となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する半導体装置の作製方法であって、
直線状のストライプパターンによって複数の凹部および凸部が形成された絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化することによって第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記第１の結晶性半導体膜に照射して第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記ソース領域または前記ドレイン領域となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に直線状のストライプパターンを有する絶縁膜を形成することによって複数の凹部および凸部を形成し、
前記複数の凹部および凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化することによって第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記第１の結晶性半導体膜に照射して第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記ソース領域または前記ドレイン領域となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記トランジスタを電気的に接続する配線とが設けられた半導体装置の作製方法であって、
直線状のストライプパターンによって複数の凹部および凸部が形成された絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化することによって第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記第１の結晶性半導体膜に照射して第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記配線となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記トランジスタを電気的に接続する配線とが設けられた半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に直線状のストライプパターンを有する絶縁膜を形成することによって複数の凹部および凸部を形成し、
前記複数の凹部および凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化することによって第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記ストライプパターンに交差するように線状のレーザー光または強光を走査しながら前記第１の結晶性半導体膜に照射して第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜の一部をエッチング除去して、前記凹部上に設けられた第１の結晶性半導体領域、及び前記凸部と前記凹部とを覆って設けられた第２の結晶性半導体領域を有する島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体領域が前記チャネル形成領域となり、前記第２の結晶性半導体領域が前記配線となるように前記島状の結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１、３、５または７のいずれか一において、
前記凹部の幅は０．１〜１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１、３、５、７または９のいずれか一において、
前記凹部の深さは０．１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２、４、６または８のいずれか一において、
前記絶縁膜の直線状のストライプパターンの幅は０．１〜１０μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項２、４、６、８または１１のいずれか一において、
隣接する前記凸部との間隔は０．０１〜２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２、４、６、８、１１または１２のいずれか一において、
前記直線状のストライプパターンを有する絶縁膜の膜厚は０．０１〜３μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第２の結晶性半導体領域は、前記第１の結晶性半導体領域よりも膜厚が薄い部分を含んで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第１の結晶性半導体領域の膜厚は、前記凸部と等しい膜厚で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜としては、Ｓｉが２５〜３５原子％、酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、水素が０．１〜１０原子％で含まれるものを用いれば良い。また、窒酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）膜としては、Ｓｉが２５〜３５原子％、酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜３５原子％、水素が１５〜２５原子％で含まれるものを用いれば良い。また、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）膜としては、Ａｌが３０〜４０原子％、酸素が５０〜７０原子％、窒素が１〜２０原子％で含まれるものを用いれば良い。また、窒酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）膜としては、Ａｌが３０〜５０原子％、酸素が３０〜４０原子％、窒素が１０〜３０原子％で含まれるものを用いれば良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
そして、レジストマスク１８０１をマスクとしてドライエッチング法またはウェットエッチング法により結晶性半導体膜３０７をエッチングし、下地となる第３絶縁膜３０５を露出させる。この工程により凹部のみに選択的に結晶性半導体膜１８０２を残存させることができる。また、レジストマスク１８０１の下には元の膜厚で結晶性半導体膜１８０３が残存する。本実施の形態は、結晶性半導体膜１８０２を薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用い、結晶性半導体膜１８０３を薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域として用いることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法