(57)【要約】      （修正有）【課題】目標電極の信号を外部に引出し、計測、実証または改修する回路連接の構造を提供する。【解決手段】主に、ベース材１での各電極に形成された接触穴が堆積により導電ピア２を形成する回路連接の構造において、前記導電ピアは導電粘り材料３によってリード４の一端と接続し、前記リードの他端が導電接点と接続し、前記リードにより電極の信号は導電接点に伝導されたことを特徴とする回路連接の構造。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
主に、ベース材での各電極に形成された接触穴が堆積により導電ピアを形成する回路連接の構造において、
前記導電ピアは導電粘り材料によってリードの一端と接続し、前記リードの他端が導電接点と接続し、前記リードにより電極の信号は導電接点に伝導されたことを特徴とする、
回路連接の構造。
【請求項２】
前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項３】
前記ベース材にある各接触穴の内周面に絶縁材料を堆積して絶縁部を予めに形成して、前記絶縁部の上で導電材料を堆積して導電ピアを形成してもいいことを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項４】
前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項５】
前記導電接点は各種類の計測装置の入力端子と出力端子であることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項６】
前記導電接点は他のベース材の電極であることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項７】
前記導電接点は電子素子であることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項８】
前記導電接点は集積回路の金属接点であることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項９】
前記導電接点は回路板の金属接点であることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項１０】
前記導電接点は他のリードであることを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項１１】
前記導電粘り材料の表面に絶縁材料を被覆してもいいことを特徴とする、請求項１に記載の回路連接の構造。
【請求項１２】
前記絶縁材料は絶縁ゲルであることを特徴とする、請求項１１に記載の回路連接の構造。
【請求項１３】
前記絶縁材料は二酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることを特徴とする、請求項１１に記載の回路連接の構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、回路連接の構造に係り、特に、ベース材の上で導電ピア（ｐｉｅｒ）を形成して、導電ピアに導電粘り材料を設置することによりリードと接続し、且つ前記リードを導電接点と接続することにより、目標電極の信号が外部に引出されて計測、実証又は改修することができる回路連接の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
目下、集積回路の回路を改修する方法は、図１１乃至図１４に示すように、焦点が絞られたイオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザにより、集積回路７１の上での選ばれた電極７３に半導体製造プロセスでの各層素材７４（例えば、導電層と半導体層と絶縁層など）を穴あけ接触穴７５を形成することにより電極７３を露出して、イオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザと、ノズル７２１から噴出された気体分子とにより、前記接触穴７５内に導電体を堆積し導電ピア７６を形成してもいいし、前記接触穴７５の内周面に絶縁材料を堆積して絶縁部７７を予めに形成して、前記絶縁部７７の上で導電材料を堆積して導電ピア７６を形成してもよく、最後に、イオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザと、ノズル７２１から噴出された気体分子とにより、前記接触穴７５の導電ピア７６の間に導電体を堆積し導電ブリッジ７８を形成する。上記方法は、イオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザにより電極の互いの連結関係を変更し又は省略するが、集積回路の上で電子素子を増加し回路特性を変更することができないので、集積回路の回路改修は極めて不便であった。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
本考案の主な目的は、見本を先に作製してお客様に提出して、お客様は速めに実証することができることにより、市場での発売のスケジュールは短縮でき、製造コストは低減できる回路連接の構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するためになされた本願の第１考案は、主に、ベース材での各電極に形成された接触穴が堆積により導電ピアを形成する回路連接の構造において、前記導電ピアは導電粘り材料によってリードの一端と接続し、前記リードの他端が導電接点と接続し、前記リードにより電極の信号は導電接点に伝導されたことを特徴とする回路連接の構造であることを要旨としている。
【０００５】
本願の考案では、前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【０００６】
本願の考案では、前記ベース材にある各接触穴の内周面に絶縁材料を堆積して絶縁部を予めに形成して、前記絶縁部の上で導電材料を堆積して導電ピアを形成してもいいことを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【０００７】
本願の考案では、前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする第１考案請求項１に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【０００８】
本願の考案では、前記導電接点は各種類の計測装置の入力端子と出力端子であることを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【０００９】
本願の考案では、前記導電接点は他のベース材の電極であることを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１０】
本願の考案では、前記導電接点は電子素子であることを特徴とする第１考案請求項１に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１１】
本願の考案では、前記導電接点は集積回路の金属接点であることを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１２】
本願の考案では、前記導電接点は回路板の金属接点であることを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１３】
本願の考案では、前記導電接点は他のリードであることを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１４】
本願の考案では、前記導電粘り材料の表面に絶縁材料を被覆してもいいことを特徴とする第１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１５】
本願の考案では、前記絶縁材料は絶縁ゲルであることを特徴とする第１１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【００１６】
本願の考案では、前記絶縁材料は二酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることを特徴とする第１１考案に記載の回路連接の構造であることを要旨としている。
【考案の効果】
【００１７】
本考案に係る回路連接の構造によれば、見本を先に作製してお客様に提出して、お客様は速めに実証することができることにより、市場での発売のスケジュールは短縮でき、製造コストは低減できる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本考案の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１９】
まず、本考案は多種類の実施例に適用できるので、出願者は説明を簡潔化するために、そのうちの一つの実施例を挙げて本考案の実施方法を説明するが、もちろん、本考案は各種類の回路の改修に適用できる。
【００２０】
また、図１を参照する。本考案は、複数の電極１１を有するベース材１（例えば集積回路）を含み、信号を引出そうとする電極１１の上の半導体製造プロセスでの各層素材１２を除去することにより、電極１１に対応する接触穴１３がベース材１の上で形成される。
【００２１】
また、図２を参照する。前記ベース材１にある各接触穴１３内に導電体を堆積し導電ピア２を形成してもいいし、前記接触穴１３の内周面に絶縁材料を堆積して絶縁部（図示せず）を予めに形成して、前記絶縁部（図示せず）の上で導電材料を堆積して導電ピア２を形成してもいい。
【００２２】
そうすると、図３に示すように、導電ピア２の上で導電粘り材料３（例えば導電ゲルなど）を設置し、前記導電ピア２は導電粘り材料３によってリード４の一端と接続し、図４乃至図９に示すように、前記リード４の他端が導電接点５と接続し、前記導電接点５は、図４に示す各種類の計測装置５１の入力端子と出力端子でもいいし、図５に示す他のベース材５２の電極５２１でもいいし、図６に示す集積回路５３の金属接点５３１でもいいし、図７に示す外部の電子素子５４でもいいし、図８に示す外部の回路板の金属接点でもいいし、図９に示す他のリード５６でもよく、そうすると、前記リード４により目標電極１１の信号が引出されて計測、実証または改修することができる。
【００２３】
また、電極１１に対応する導電ピア２は導電粘り材料３によってリード４と接続し、また、図１０に示すように、導電粘り材料３の表面に絶縁材料６（例えば、絶縁ゲルや二酸化シリコン（ＳｉＯ2）など）を被覆してもよく、これにより、導電粘り材料３とリード４との間の連接強度と絶縁効果とが同時に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本考案の構造を示す断面概略図１である。
【図２】本考案の構造を示す断面概略図２である。
【図３】本考案の構造を示す断面概略図３である。
【図４】本考案の使用状態を示す概略図１である。
【図５】本考案の使用状態を示す概略図２である。
【図６】本考案の使用状態を示す概略図３である。
【図７】本考案の使用状態を示す概略図４である。
【図８】本考案の使用状態を示す概略図５である。
【図９】本考案の使用状態を示す概略図６である。
【図１０】本考案の他の実施例の構造を示す断面概略図である。
【図１１】従来の構造を示す断面概略図１である。
【図１２】従来の構造を示す断面概略図２である。
【図１３】他の従来の構造を示す断面概略図である。
【図１４】もう一つの従来の構造を示す断面概略図である。
【符号の説明】
【００２５】
１        ベース材                    １１      電極
１２      半導体製造プロセスでの各層素材
１３      接触穴                      ２        導電ピア
３        導電粘り材料                ４        リード
５        導電接点                    ５１      計測装置
５２      ベース材                    ５２１    電極
５３      集積回路                    ５３１    金属接点
５４      電子素子                    ５５      回路板
５５１    金属接点                    ５６      リード
６        絶縁材料                    ７１      集積回路
７２      イオンビーム                ７２１    ノズル
７３      電極
７４      半導体製造プロセスでの各層素材
７５      接触穴                      ７６      導電ピア
７７      絶縁部                      ７８      導電ブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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