Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に、第１の温度のシリサイド化反応で形成された第１シリサイド層のゲート電極と、
前記ゲート電極両側の前記シリコン基板に形成されたソース／ドレイン領域と、
前記ソース／ドレイン領域内に、前記第１の温度より高い第２の温度のシリサイド化反応で形成された第２シリサイド層のソース／ドレインシリサイド領域と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
更に前記第２シリサイド層の上に形成された前記第１シリサイド層の金属と前記第２シリサイド層の金属の両者を含む第３シリサイド層を有し、前記第２シリサイド層の金属は、前記第１シリサイド層の金属よりシリコン中の固相拡散温度が高い金属である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１シリサイド層はニッケルシリサイドであり，前記第２シリサイドはコバルトシリサイドである請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１シリサイド層の金属と前記第２シリサイド層の金属は，異なる価数の同一金属である請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に、１種類のシリサイド層で形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極両側の前記シリコン基板に形成されたソース／ドレイン領域と、
前記ソース／ドレイン領域内に、２種類のシリサイド層で形成されたソース／ドレインシリサイド領域と、
を有する半導体装置。
【請求項６】
前記ソース／ドレインシリサイド層は，固相拡散温度の高い第１金属のシリサイドで形成された深い第１シリサイド領域と，前記第１シリサイド領域内に固相拡散温度の低い第２金属が拡散して形成された浅い第２シリコン領域とを含む請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
シリコン基板上にゲート絶縁層とシリコン層と絶縁キャップ層の積層で絶縁ゲート構造を形成する工程と、
前記絶縁ゲート構造の側壁上に絶縁サイドウォールを形成する工程と、
前記絶縁サイドウォールを備えた絶縁ゲート構造両側の前記シリコン基板内に，ソース／ドレイン領域を形成する工程と，
前記ソースドレイン領域が露出した状態で、前記シリコン基板上に第１の金属層を形成し、第１の温度で第１のシリサイド化反応を行わせ，前記ソース／ドレイン領域に第１のシリサイド層を形成する工程と、
前記絶縁キャップ層を除去し，前記シリコン基板上に第２の金属層を形成し，前記第１の温度より低い第２の温度で第２のシリサイド化反応を行なわせ，前記絶縁ゲート構造のシリコン層をフルシリサイデーションすると共に、前記ソース／ドレイン領域の第１のシリサイド層の深さは実質的に増加させない工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１のシリサイド層がなかった場合に前記第２のシリサイド化反応で形成されるシリサイド層の深さは、前記第１のシリサイド層の深さより大である請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の金属層はコバルト層であり，前記第２の金属層はニッケル層である請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上にゲート絶縁層，ポリシリコン層の積層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層の表面に第１の加速エネルギでｐ型不純物を高濃度にドープする工程と、
前記ポリシリコン層，ゲート絶縁層をパターニングし，ゲート電極を形成すると共に，その両側に基板シリコン表面を露出する工程と，
前記露出した基板シリコン表面に前記第１の加速エネルギより高い第２の加速エネルギでｐ型不純物を深くイオン注入する工程と、
シリコン層を、前記ポリシリコン層表面上には成長させず、前記基板シリコン表面上にのみ成長する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
さらに、前記ポリシリコン層表面及び前記基板シリコン表面からシリサイド化反応を行なう工程を含む請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上にゲート絶縁層，ポリシリコン層，絶縁キャップ層の積層を形成する工程と、
前記絶縁キャップ層、前記ポリシリコン層，ゲート絶縁層をパターニングし，ゲート電極を形成すると共に，その両側に基板シリコン表面を露出する工程と，
前記露出した基板シリコン表面に不純物をイオン注入する工程と、
シリコン層を、前記基板シリコン表面上に成長する工程と、
前記絶縁キャップ層を除去する工程と、
前記ポリシリコン層表面及び前記基板シリコン表面からシリサイド化反応を行なう工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のワイヤ接続部と、
複数の電極を有し、かつ前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの複数の電極と前記複数のワイヤ接続部をそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記チップ搭載部、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のワイヤ接続部を封止する封止樹脂部とを有し、
前記複数のワイヤ接続部は、第１のワイヤ接合部を有し、
前記複数の電極は、第１の電極と第２の電極を有し、
前記複数のワイヤは、一端が前記第１の電極と電気的に接続される第１のワイヤと、一端が前記第２の電極と電気的に接続される第２のワイヤを有し、
前記第１のワイヤの他端は、前記第１のワイヤ接合部と電気的に接続され、
前記第２のワイヤの他端は、前記第１のワイヤ接合部と電気的に接続され、
前記第１のワイヤの他端と前記第２のワイヤの他端は、平面的に重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
タブと、
前記タブの周囲に配置された複数のリードと、
複数の電極を有し、かつ前記タブ上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの複数の電極と前記複数のリードをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記タブ、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードの一部を封止する封止樹脂部とを有し、
前記複数のリードは、第１のリード部を有し、
前記複数の電極は、第１の電極と第２の電極を有し、
前記複数のワイヤは、一端が前記第１の電極と電気的に接続される第１のワイヤと、一端が前記第２の電極と電気的に接続される第２のワイヤを有し、
前記第１のワイヤの他端は、前記第１のリード部と電気的に接続され、
前記第２のワイヤの他端は、前記第１のリード部と電気的に接続され、
前記第１のワイヤの他端と前記第２のワイヤの他端は、平面的に重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記複数のリードの表面は銀めっき層が形成され、前記複数のワイヤは金から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１のワイヤの他端と前記第２のワイヤの他端の間には、金ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル放送受信機における周波数ダイバシチ受信装置であって、
複数のブランチによる受信データの合成を行う合成部と、
前記複数のブランチのフレーム保護状態に応じて、前記合成部において合成対象とするブランチを決定するブランチ制御部と、
を具備することを特徴とする周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項２】
前記ブランチ制御部は、フレーム保護状態にあるブランチを合成対象から外す決定をする、請求項１に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項３】
前記ブランチ制御部は、フレーム保護状態が誤りか否かを判定し、誤ったフレーム保護状態である場合には、当該ブランチを合成対象とする決定をする、請求項１に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項４】
前記ブランチ制御部は、全てのブランチがフレーム保護状態とされた場合に、少なくとも一つのブランチを動作させる決定をする、請求項１に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項５】
前記ブランチ制御部は、全てのブランチのフレーム保護状態の各々について誤りか否かを判定し、一つのブランチのフレーム保護状態のみが誤りである場合には当該一つのブランチのみを動作させる決定をし、複数のブランチのフレーム保護状態が誤りである場合には当該複数のブランチによる合成動作をさせる決定をする、請求項４に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項６】
前記ブランチ制御部は、全てのブランチのフレーム保護状態の各々について誤りか否かを判定し、全てのブランチのフレーム保護状態が誤りでない場合には、いずれか一つのブランチのみを動作させる決定をする、請求項４に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項７】
周波数ダイバシチ受信装置を備えたディジタル放送受信機であって、
前記周波数ダイバシチ受信装置は、
複数のブランチによる受信データの合成を行う合成部と、
前記複数のブランチのフレーム保護状態に応じて、前記合成部において合成対象とするブランチを決定するブランチ制御部と、
を具備することを特徴とするディジタル放送受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明によれば、ディジタル放送受信機における周波数ダイバシチ受信装置であって、複数のブランチによる受信データの合成を行う合成部と、前記複数のブランチのフレーム保護状態に応じて、前記合成部において合成対象とするブランチを決定するブランチ制御部と、を具備することを特徴とする周波数ダイバシチ受信装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の一つの面によれば、前記ブランチ制御部は、全てのブランチがフレーム保護状態とされた場合に、少なくとも一つのブランチを動作させる決定をする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の一つの面によれば、前記ブランチ制御部は、全てのブランチのフレーム保護状態の各々について誤りか否かを判定し、一つのブランチのフレーム保護状態のみが誤りである場合には当該一つのブランチのみを動作させる決定をし、複数のブランチのフレーム保護状態が誤りである場合には当該複数のブランチによる合成動作をさせる決定をする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の一つの面によれば、前記ブランチ制御部は、全てのブランチのフレーム保護状態の各々について誤りか否かを判定し、全てのブランチのフレーム保護状態が誤りでない場合には、いずれか一つのブランチのみを動作させる決定をする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明によれば、周波数ダイバシチ受信装置を備えたディジタル放送受信機であって、前記周波数ダイバシチ受信装置は、複数のブランチによる受信データの合成を行う合成部と、前記複数のブランチのフレーム保護状態に応じて、前記合成部において合成対象とするブランチを決定するブランチ制御部と、を具備することを特徴とするディジタル放送受信機が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して互いに接続される複数の情報処理装置であって、
再生可能な情報を情報記録媒体に記録する情報記録手段と、
情報を特定する情報特定データ、特定された情報における再生区間データ及び再生順序データを有する指定情報を作成する指定情報作成手段と、
前記指定情報を設定された送信先に送る指定情報送信手段と、
前記送信先情報が登録された送信先情報登録手段と、
他の装置から送信された指定情報を受信する指定情報受信手段と、
受信した指定情報の情報特定データで特定される情報が前記情報記録手段に記録されているか否かを判断する情報存在判定手段と、
この情報存在判定手段で情報が記録されていることが確認された場合に、前記受信した指定情報に基づいて情報を再生する情報再生手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置において、
放送されている番組を受信する放送受信手段を備え、
前記情報記録手段は、前記放送受信手段で受信した番組と、この番組を特定する番組特定データとを情報記録媒体に記録し、
前記情報特定データは番組特定データである、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の情報処理装置であって、
前記番組特定データは、放送局を特定するチャンネルデータと、番組の開始日時及び終了時刻を特定する番組開始データ、番組終了データとを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
放送されている番組を受信する放送受信手段と、番組の記録を指示する記録制御データ及び記録制御データを特定するための識別データを含む記録指示情報を受信する記録指示情報受信手段と、を備え、
前記情報記録手段は、受信した記録指示情報に基づいて所定の番組及び前記識別データを前記情報記録媒体に記録可能に構成され、
前記情報特定データは、前記識別データである、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の情報処理装置であって、
前記記録指示情報は、その記録指示情報を発信した発信者を示す発信者データ及び送信した送信者を示す送信者データを有する宛先データを含み、
前記情報記録手段において、前記記録指示情報に基づいて情報記録処理が実行されて完了した際に、前記宛先データに記録された各宛先に対して記録指示情報内の識別データ及び処理完了データを有する情報記録処理完了データを送信する情報記録完了データ送信手段と、
他の装置からの前記情報記録処理完了データを受信し、その送信者データおよび識別データを記憶する情報記録処理完了データ受信記録手段とを備え、
前記指定情報送信手段は、送信する指定情報の情報特定データに対応する識別データを有する情報記録処理完了データを送信した送信者データを前記送信先として設定して指定情報を送信することを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記情報記録手段、前記指定情報作成手段、前記指定情報送信手段、前記送信先情報登録手段、前記指定情報受信手段、前記情報存在判定手段、及び前記情報再生手段は１つの装置に組み込まれていることを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の情報処理装置と、
これらの情報処理装置を互いに接続するネットワークとを備えた、
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項８】
ネットワークを介して互いに接続される複数の情報処理装置の間で実行される情報処理方法であって、
情報を特定する情報特定データ、特定された情報における再生区間データ及び再生順序データを有する指定情報を受信し、この受信した指定情報の情報特定データで特定される情報が、再生可能な情報を情報記録媒体に記録する情報記録手段に記録されているか否かを判断し、情報が記録されていることが確認された場合に、前記受信した指定情報に基づいて情報を再生する、
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
ネットワークを介して互いに接続される複数の情報処理装置の間で実行される情報処理方法であって、
複数の情報処理装置のうち一の装置において、情報を特定する情報特定データ、特定された情報における再生区間データ及び再生順序データを有する指定情報を作成し、この指定情報を、複数の情報処理装置のうち他の装置であって設定された送信先に送り、
前記他の装置において、前記送信先の情報を登録し、前記一の装置から送信された指定情報を受信し、この受信した指定情報の情報特定データで特定される情報が再生可能な情報を情報記録媒体に記録する情報記録手段に記録されているか否かを判断し、情報が記録されていることが確認された場合に、前記受信した指定情報に基づいて情報を再生する、
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の情報処理方法において、
放送受信手段で受信した放送番組と、この番組を特定する番組特定データとを前記情報記録手段で記録する、
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１１】
請求項８から請求項１０のいずれかに記載の情報処理方法を実行させる  ことを特徴とする情報処理プログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の情報処理プログラムが読み取り可能に記録された  ことを特徴とする情報処理プログラムを記録した記録媒体。
【請求項１３】
ネットワークを介して互いに接続される複数の情報処理装置であって、
再生可能な情報を情報記録媒体に記録する情報記録手段と、
情報を特定する情報特定データ、特定された情報における再生開始位置を示すデータを有する指定情報を作成する指定情報作成手段と、
前記指定情報を設定された送信先に送る指定情報送信手段と、
前記送信先情報が登録された送信先情報登録手段と、
他の装置から送信された指定情報を受信する指定情報受信手段と、
受信した指定情報の情報特定データで特定される情報が前記情報記録手段に記録されているか否かを判断する情報存在判定手段と、
この情報存在判定手段で情報が記録されていることが確認された場合に、前記受信した指定情報に基づいて情報を再生する情報再生手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
コンピュータが読込み実行することで、画像データを周波数変換し、変換後のデータを所定サイズの複数のブロックに分割し、分割したブロック内の各係数値のビット情報を上位から下位に向かうパス順に符号化データを生成し、各ブロックの上位から下位に向かうどのパス位置までの符号化データを用いて圧縮符号化データにするかを、目標符号量Ｒmaxと各パス位置における符号データ量の増加量と画像の歪みで表わされるレート・歪み勾配λに基づき決定する画像データ符号化装置として機能するコンピュータプログラムであって、
周波数変換したデータの各ブロックについて、各パス段階での符号データを記憶する第１の記憶手段と、
前記各ブロックにおける各パス段階における増加する符号量と歪み量、及び、増加する符号量に対する歪み量に関する情報を記憶する第２の記憶手段と、
有意ビット長ｎを有し、ｉ＝ｎ−１とする最上位ビットｉを“１”とする仮レート・歪み勾配情報を設定する設定手段と、
該設定手段で設定された仮レート・歪み勾配情報以上のレート・歪み勾配情報となる符号データの総符号量Ｒを、前記第２の記憶手段を参照することで算出する算出手段と、
該算出手段で算出した総符号量Ｒと前記目標符号量Ｒmaxとを比較する比較手段と、
該比較手段の比較結果に応じて、Ｒ＞Ｒｍａｘである場合には前記ｉを“１”だけ減じ、前記仮レート・歪み勾配情報のビットｉを“１”に更新し、前記Ｒ＜Ｒｍａｘである場合には前記ビットｉを“０”に修正し、前記ｉを“１”だけ減じ、前記仮レート・歪み勾配情報のビットｉを“１”に更新する更新手段と、
前記比較手段でＲ＝Ｒｍａｘとなる、或いは、前記仮レート・歪み勾配情報の全ビット情報が確定するまで、或いは、前記仮レート・歪み勾配情報までの符号を集めた符号量と前記Ｒｍａｘの差が所定値以内となるまで、仮レート・歪み勾配情報のビット情報の探索処理を行うべく、前記算出手段及び判断手段の処理を繰り返すビット探索手段とを備え、
前記ビット探索手段によって得られた最終の仮レート・歪み勾配情報を目標レート・歪み勾配情報λとし、当該レート・歪み勾配λに基づいて、前記第１の記憶手段に記憶された該当するパス段階での符号化データを読出し、圧縮符号化データとして出力する
として機能することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
コンピュータが読込み実行することで、画像データを周波数変換し、変換後のデータを所定サイズの複数のブロックＢ0,Ｂ1,…Ｂnに分割し、分割したブロック内の各係数値のビット情報を上位から下位に向かうパス順に符号化する画像データ符号化装置として機能するコンピュータプログラムであって、
周波数変換したデータの各ブロックについて、各パス段階での符号データを記憶する第１の記憶手段と、
前記各ブロックにおける各パス段階における画像の歪みを示す情報と、符号量変化情報との関係情報を記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段で記憶された情報に従って、各ブロックにおける符号化データを切り捨てるパス位置を決定するためのレート・歪み閾値λを、初期値として全ブロックのレート・歪みの最大値Ｓmaxと最小値Ｓminに基づき決定するλ決定手段と、
該λ決定手段で決定したレート・歪み閾値λにしたがって、各ブロックのどのパス段階までの符号化データの採用するかを判定し、判定された符号化データを前記第１の記憶手段より読出して所定形式の圧縮符号化データとして出力する出力手段とを備え、
更に、前記λ決定手段における前記最大値Ｓmax,最小値Ｓminを更に限定する限定手段を備え、当該限定手段は
与えられた閾値をレート・歪みの閾値とし、当該レート・歪みの閾値に従って前記ブロックＢ0,Ｂ1,Ｂ2…Ｂnを巡回し、ブロック符号量を累積加算するための複数のカウンタ手段と、
前記Smax、Smin間を複数に分割して複数の候補閾値を求め、前記複数のカウンタ手段それぞれに、前記候補閾値を小さな順に設定し、前記複数のカウンタ手段による符号量の累積加算のための巡回処理を並列に実行させる巡回制御手段と、
該巡回制御手段による巡回処理中、所定符号量を越えた符号量を持つカウンタ手段が存在するか否かを判定する第１の判定手段と、
該第１の判定手段で前記所定符号量を越えた符号量を有するカウンタ手段が存在すると判定した場合、当該カウンタ手段に、未設定の候補閾値のひとつを再設定すると共に、当該カウンタ手段が累積加算した符号量を零クリアするリセット手段と、
前記巡回制御手段による巡回処理中、全ブロックの符号量の累積加算に成功したカウンタ手段が在るか否かを判定する第２の判定手段と、
該第２の判定手段で、全ブロックの符号量の累積加算に成功したカウンタ手段が在ると判定した場合、当該カウンタ手段にセットされていた閾値候補を限定後の最大値Ｓmax、設定済みの候補閾値の中で当該閾値候補より小さく、且つ、最大の値を限定後の最小値Sminとして決定する決定手段
として機能することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
コンピュータが読込み実行することで、画像データを周波数変換し、変換後のデータを所定サイズの複数のブロックＢ0,Ｂ1,…Ｂnに分割し、分割したブロック内の各係数値のビット情報を上位から下位に向かうパス順に符号化する画像データ符号化装置として機能するコンピュータプログラムであって、
周波数変換したデータの各ブロックについて、各パス段階での符号データを記憶する第１の記憶手段と、
前記各ブロックにおける各パス段階における画像の歪みを示す情報と、符号量変化情報との関係情報を記憶する第２の記憶手段と、
該第２の記憶手段に記憶された情報に基づき、全ブロックの符号量変化に対する歪みを示すレート・歪みの最大値Ｓmaxと最小値Ｓminを求めるレート・歪み値決定手段と、
該レート・歪み値決定手段で決定した最大値Smax、最小値Sminを更に限定すると共に、限定後のSmax及びSminを適用する前記ブロックB0,B1…における境界ブロックBiを決定する限定手段と、
該限定手段で得られた境界ブロックBiまでのブロック群については、限定後のSminを、符号化データを切り捨てるパス位置を決定するためのレート・歪み閾値λとして符号データを前記第１の記憶手段より読出し、前記境界ブロックBiに後続するブロック群については限定後のSmaxを前記レート・歪み閾値λにして符号データを前記第１の記憶手段より読出し、所定形式の圧縮符号化データとして出力する出力手段とを備え、
前記限定手段は、
与えられた閾値をレート・歪みの閾値とし、当該レート・歪みの閾値に従って前記ブロックＢ0,Ｂ1,Ｂ2…Ｂnを巡回し、ブロック符号量を累積加算するための複数のカウンタ手段と、
前記レート・歪み値決定手段で決定したSmax、Smin間を複数に分割して複数の候補閾値を求め、前記複数のカウンタ手段それぞれに、前記候補閾値を小さな順に設定し、前記複数のカウンタ手段による符号量の累積加算のための巡回処理を並列に実行させる巡回制御手段と、
該巡回制御手段による巡回処理中、所定符号量を越えた符号量を持つカウンタ手段が存在するか否かを判定する第１の判定手段と、
該第１の判定手段で前記所定符号量を越えた符号量を有するカウンタ手段が存在すると判定した場合、当該カウンタ手段に、未設定の候補閾値のひとつを再設定すると共に、当該カウンタ手段が累積加算した符号量を零クリアするリセット手段と、
前記巡回制御手段による巡回処理中、全ブロックの符号量の累積加算に成功したカウンタ手段が在るか否かを判定する第２の判定手段と、
該第２の判定手段で、全ブロックの符号量の累積加算に成功したカウンタ手段が在ると判定した場合、当該カウンタ手段にセットされていた閾値候補を限定後の最大値Ｓmax、設定隅の候補閾値の中で当該閾値候補より小さく、且つ、最大の値を限定後の最小値Sminとして決定する第１の決定手段と、
該第１の決定手段で決定された夫々のSmaxに基づく全ブロックの累積符号量を初期符号量Ｒとし、ブロックBjにおける前記Smaxにより決まる打ち切りパス候補ｋ1j、Sminにより決まる打ち切りパス候補K2jとしたときの、それぞれのパス候補におけるブロックBjの符号量をＲj(k1j),Ｒj(k2j)とし、最大許容符号量をＲmaxとしたとき、
Ｒ＋Σ（Ｒj(k2j)−Ｒj(k1j)）＜Ｒmax
（ここで、j=0,1,2,…)
を満たさなくなったブロックの番号jで示されるブロックを、前記境界ブロックＢiとして決定する第２の決定手段
として機能することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項９に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
コンピュータが読込み実行することで、画像データを帯域分割し、帯域分割後のデータを所定サイズの複数のブロックに分割し、分割したブロック内の各係数値のビット情報を上位から下位に向かうパス順に符号化データを生成し、各ブロックの上位から下位に向かうどのパス位置までの符号化データを用いて圧縮符号化データにするかを、目標符号量と各パス位置における符号データ量の増加量と画像の歪みで表わされるレート・歪み勾配λに基づき決定する画像データ符号化装置として機能するコンピュータプログラムであって、
帯域分割したデータの各ブロックについて、各パス段階での符号データを記憶する第１の記憶手段と、
前記各ブロックにおける各パス段階におけるレート・歪み勾配情報を記憶する第２の記憶手段と、
レート・歪み勾配情報及びブロックを特定する属性情報で構成される比較要素情報を、２分木構造の各ノードに相当する位置に記憶するための複数の記憶保持手段をメモリに確保する確保手段と、
前記２分木構造の末端に位置する複数のノードの記憶保持手段に、前記第２の記憶手段で記憶された各ブロックの所定パス段階でのレート・歪み勾配情報及びブロックを特定する情報で構成される比較要素情報を設定すると共に、２つの子ノードの記憶保持手段に記憶された比較要素情報中のレート・歪み勾配情報の大小判定することで一方の子ノードの比較要素情報を２つの子ノードに共通する親ノードの記憶保持手段に記憶保持する処理を、末端に位置するノードから順に行う処理手段と、
該処理手段によって最上位のノード位置の記憶保持手段に記憶保持された比較要素情報を注目比較要素情報としたとき、当該注目比較要素情報で特定されたブロックのレート・歪み勾配情報のパス段階での符号データ量を累積加算するための所定の符号量記憶手段に累積加算すると共に、前記注目比較要素情報のレート・歪み勾配情報のパス段階を次のパス段階のレート歪み勾配情報に変更し、当該変更した注目比較要素情報の比較要素情報で、変更前の注目比較要素情報を記憶していた末端のノード位置の記憶保持手段を更新する末端ノード更新手段と、
該末端ノード更新手段で更新された記憶保持手段の、親ノードから最上位のノードに至る経路上の記憶保持手段の比較判定と更新を行う２分木更新手段と、
前記符号量記憶手段に累積される符号量が前記目標符号量に到達したか否かを判断し、未到達であると判断した場合には、前記末端ノード更新工程及び前記２分木更新手段を繰り返す判断手段と、
該判断手段で前記符号量記憶手段に累積される符号量が予め設定した目標符号量に到達したと判断した際の、最上位のノード位置の記憶保持手段に記憶保持された比較要素情報のレート・歪み勾配情報に基づいて、最終的なレート・歪み勾配情報λを求め、当該レート・歪み勾配λに基づいて、前記第１の記憶手段に記憶された該当するパス段階での符号化データを読出し、圧縮符号化データとして出力する
として機能することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
コンピュータが読込み実行することで、画像データを帯域分割し、帯域分割後のデータを所定サイズの複数のブロックに分割し、分割したブロック内の各係数値のビット情報を上位から下位に向かうパス順に符号化データを生成し、各ブロックの上位から下位に向かうどのパス位置までの符号化データを用いて圧縮符号化データにするかを、目標符号量と各パス位置における符号データ量の増加量と画像の歪みで表わされるレート・歪み勾配λに基づき決定する画像データ符号化装置として機能するコンピュータプログラムであって、
帯域分割したデータの各ブロックについて、各パス段階での符号データを記憶する第１の記憶手段と、
前記各ブロックにおける各パス段階における増加する符号量と歪み量、及び、増加する符号量に対する歪み量を示すレート・歪み勾配情報を記憶する第２の記憶手段と、
初期のレート・歪み勾配情報を設定し、設定されたレート・歪み勾配情報に基づく符号量を前記第２の記憶手段に記憶された情報に基づいて求め、当該符号量と目標符号量との大小関係から、前記レート・歪み勾配情報の取り得る範囲を絞り込むための閾値を、所定の条件が満たされるまで段階的に変更し求めていく閾値処理手段と、
該閾値処理工程で求めた閾値を基準レート・歪み勾配情報とし、当該基準レート・歪み勾配情報の近傍のレート歪み勾配情報を、前記第２の記憶手段に記憶された各ブロック毎に求め、求めた各ブロックのレート歪み勾配情報とブロックを特定する属性情報で構成される比較要素情報を、２分木構造の各ノードに相当する位置に記憶するための複数の記憶保持手段に配置し、２分木を生成する２分木生成手段と、
該２分木生成手段で生成された２分木の各ノードに設定された各ブロック毎のレート・歪み勾配情報の大小を比較し、各ノード位置に記憶された比較要素情報をソートし、最上位のノード位置の記憶保持手段に記憶保持された比較要素情報のレート・歪み勾配情報に基づく符号量と目標符号量と比較し、当該比較結果が所定の条件が満たさない場合には最上位のノードの記憶保持手段に記憶保持された比較要素情報のレート・歪み勾配情報を更新し、２分木の再更新を行うソート手段とを備え、
該ソート手段のソート処理により、前記所定の条件が満たすと判断した場合、最上位のノードの記憶保持手段に記憶保持された比較要素情報のレート・歪み勾配情報に基づいて、レート・歪み勾配の閾値とそれに対応する総符号量の更新を繰り返し、最終的なレート・歪み勾配情報λを求め、当該レート・歪み勾配λに基づいて、前記第１の記憶手段に記憶された該当するパス段階での符号化データを読出し、圧縮符号化データとして出力する
として機能することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを起立した状態で対向配置するステップと、
前記第１の基板及び前記第２の基板とともに気密容器を形成するための枠と、前記第１の基板及び前記第２の基板の一方とを接合するステップと、
を有しており、前記接合するステップは、前記第１の基板と前記第２の基板を対向配置した状態で、前記枠と前記一方の基板を突き当てることによって形成される、該枠と該一方の基板との隅部に沿った小領域毎に、前記枠と前記一方の基板とを接合が可能な温度以上の温度に加熱した低融点金属を含む封着材の供給と固化とを順次行い、前記枠と前記一方の基板とを接合する
ことを特徴とする気密容器の製造方法。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板とを起立した状態で対向配置するステップと、
前記第１の基板及び前記第２の基板とともに気密容器を形成するための枠と、前記第１の基板及び前記第２の基板の一方とを接合するステップと、
を有しており、前記接合するステップは、前記第１の基板と前記第２の基板を対向配置した状態で、前記枠と前記一方の基板を突き当てることによって形成される該枠と該一方の基板との隅部に沿って封着材を設け、該封着材を前記隅部に沿った小領域毎に前記枠と前記一方の基板とを接合可能な温度以上の温度にする加熱と固化とを順次行うことで、前記枠と前記一方の基板とを接合する
ことを特徴とする気密容器の製造方法。
【請求項３】
前記接合するステップは、真空雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の気密容器の製造方法。
【請求項４】
表示素子と、該表示素子を内包する気密容器と、を有する画像表示装置の製造方法であって、前記気密容器は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法で製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
表示素子と少なくとも該表示素子に接続された表示用電極とを有する気密容器と、前記表示用電極に電圧を印加する駆動回路と、テレビジョン信号に基づいて映像信号を発生させて前記駆動回路に該発生させた映像信号を供給するコントローラと、を有するテレビジョン装置の製造方法であって、前記気密容器は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法で製造されることを特徴とするテレビジョン装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ基板と、
前記テープ基板の第１の面上に形成された第１および第２配線層と、
前記第１の面上に形成され、前記第１配線層に接続された第１テストパッドと、
前記テープ基板の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成された第２テストパッドと、
前記テープ基板に埋め込まれ、前記第２配線層と前記第２テストパッドとを接続するビアと、
を備え、
前記第１テストパッドおよび前記第２テストパッドは少なくとも一部の領域が互いに重なるように配置されていることを特徴とするテープキャリア。
【請求項２】
請求項１記載のテープキャリアにおいて、
前記第１の面上には、前記第１テストパッドが複数形成され、
前記第２の面上には、前記第２テストパッドが複数形成され、
前記複数の第１テストパッド間の間隔と、前記複数の第２テストパッド間の間隔は等しく、
前記テープ基板の一端と前記複数の第１テストパッドのうち最も前記一端に近い前記第１テストパッドとの距離と、前記テープ基板の他端と前記複数の第２テストパッドのうち最も前記他端部に近い前記第２テストパッドとの距離が等しくなっているテープキャリア。
【請求項３】
テープ基板と、
前記テープ基板の第１の面上に形成された配線層と、
前記第１の面上に形成され、前記配線層に接続された複数の第１テストパッドと、
前記テープ基板の前記第１の面とは反対側の第２の面上に形成された複数の第２テストパッドと、
前記テープ基板に埋め込まれ、前記配線層と前記第２テストパッドとを接続するビアと、
を備え、
前記複数の第１および第２のテストパッドは、電源端子を含み、
前記電源端子は前記テープ基板の中心線を基準として、左右対称に配置されていることを特徴とするテープキャリア。
【請求項４】
前記第１テストパッドおよび前記第２テストパッドは互いに重なるように配置されていることを特徴とする請求項３記載のテープキャリア。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の一態様に係るテープキャリアによれば、テープ基板と、前記テープ基板の第１の面上に形成された第１および第２配線層と、前記第１の面上に形成され、前記第１配線層に接続された第１テストパッドと、前記テープ基板の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成された第２テストパッドと、前記テープ基板に埋め込まれ、前記第２配線層と前記第２テストパッドとを接続するビアと、を備え、前記第１テストパッドおよび前記第２テストパッドは少なくとも一部の領域が互いに重なるように配置されていることを特徴とする
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これにより、テストパッド間の間隔を狭くすることができ、テストパッドの面積を小さくすることなく、テープ基板に配置可能なテストパッドの個数を増やすことができる。
また、本発明の一態様に係るテープキャリアによれば、テープ基板と、前記テープ基板の第１の面上に形成された配線層と、前記第１の面上に形成され、前記配線層に接続された複数の第１テストパッドと、前記テープ基板の前記第１の面とは反対側の第２の面上に形成された複数の第２テストパッドと、前記テープ基板に埋め込まれ、前記配線層と前記第２テストパッドとを接続するビアと、を備え、前記複数の第１および第２のテストパッドは、電源端子を含み、前記電源端子は前記テープ基板の中心線を基準として、左右対称に配置されていること特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これにより、測定治具を変更することなく、第１テストパッドおよび第２テストパッドをプロービングすることが可能となり、多ピン測定に対応しつつ、電気的特性検査を効率よく行うことができる。
また、本発明の一態様に係るテープキャリアによれば、テープ基板上に形成された配線層と、前記テープ基板上に形成され、前記配線層に接続された第１テストパッドと、前記テープ基板の裏面に形成された第２テストパッドと、前記テープ基板に埋め込まれ、前記配線層と前記第２テストパッドとを接続するビアとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対側に位置する第１及び第２の面、並びに前記第１の面に配置された複数の電極を有する第１及び第２の半導体チップと、
各々がインナー部及びアウター部を有し、前記各々のインナー部が複数の第１のボンディングワイヤを介して前記第１の半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数の第１のリードと、
各々がインナー部及びアウター部を有し、前記各々のインナー部が複数の第２のボンディングワイヤを介して前記第２の半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数の第２のリードと、
互いに反対側に位置する第１及び第２の面を有し、前記第１の面に前記第１の半導体チップが接着され、前記第２の面に前記第２の半導体チップが接着されたダイパッドと、
前記第１及び第２の半導体チップ、前記複数の第１及び第２のリードのインナー部、前記複数の第１及び第２のボンディングワイヤ、並びに前記ダイパッドを封止する樹脂封止体とを有し、
前記第１及び第２のリードの各々のインナー部は、前記ダイパッドの周囲に配置され、
前記第１及び第２のリードの各々のインナー部の厚さ方向における中心は、前記ダイパッドの厚さの範囲内の高さに位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードのインナー部、並びに前記ダイパッドは、前記樹脂封止体の厚さ方向において同じ高さに配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードのインナー部、並びに前記ダイパッドは、前記樹脂封止体の厚さ方向の中心に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードのインナー部、並びに前記ダイパッドは、各々の厚さ内に前記樹脂封止体の厚さ方向の中心が位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
更に、前記ダイパッドと一体的に形成された吊りリードを有し、
前記吊りリードは、樹脂封止体の厚さ方向に屈曲することなく真っ直ぐ延び、前記樹脂封止体の厚さ方向において前記第１及び第２のリードのインナー部と同じ高さに位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１のボンディングワイヤのループ高さは、前記樹脂封止体の厚さ方向において、前記第１の半導体チップの第２の面の高さよりも低く、
前記第２のボンディングワイヤのループ高さは、前記樹脂封止体の厚さ方向において、前記第２の半導体チップの第２の面よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の半導体チップは、互いに反対側に位置する第１及び第２の辺を有し、
前記第１の半導体チップの複数の電極は、前記第１の半導体チップの第１の辺に沿って配置され、
前記第２の半導体チップの複数の電極は、前記第２の半導体チップの第１の辺に沿って配置され、
前記複数の第１のリードは、前記第１の半導体チップの第１の辺側に配置され、
前記複数の第２のリードは、前記第１の半導体チップの第２の辺側に配置され、
前記第１及び第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップの第１の辺、及び前記第２の半導体チップの第２の辺が前記第１のリード側に位置するように夫々の第１の面を向かい合わせ、更に前記第１の半導体チップの複数の電極が前記第２の半導体チップの第２の辺よりも外側に位置し、前記第２の半導体チップの複数の電極が前記第１の半導体チップの第２の辺よりも外側に位置するように夫々の位置をずらした状態で前記ダイパッドに接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドは、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとが重なり合う重合領域よりも大きい外形サイズになっていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト型構造の圧電膜を有するアクチュエータであって、
前記ペロブスカイト型構造のＡサイト成分の成分量ａと、Ｂサイト成分の成分量ｂと、の関係が、０．８＜ａ／ｂ＜１．０であり、前記圧電膜の断面における粒界の幅が０．０１μｍ以上、０．０５μｍ以下であることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記Ａサイトの成分が鉛であることを特徴とする請求項１のアクチュエータ。
【請求項３】
前記Ｂサイトの成分が、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｓｃ，Ｎｉ，Ｉｎのうち少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記圧電膜が、単一配向結晶膜あるいは単結晶膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記粒界部の占有面積が０．５％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記圧電膜の膜厚が１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のアクチュエータを有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、ペロブスカイト型構造でＡサイト成分がＢサイト成分より量論比で１より小さい組成成分を有する圧電膜を有するアクチュエータおよびインクジェットヘッドである。さらには、圧電膜のペロブスカイト型構造の単位体積あたりのＡサイト元素の成分量をａとし、Ｂサイト元素の成分量をｂとした場合、ａ／ｂが０．８より大きく、１．０未満であり、前記圧電膜の断面における粒界の幅が０．０１μｍ以上、０．０５μｍ以下であることを特徴とするアクチュエータおよびインクジェットヘッドである。より好ましくは、ａ／ｂが０．８５より大きく、０．９６以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１に記載の熱伝導体であって、
前記第１の領域を構成する第１の材料と、前記第２の領域を構成する第２の材料とが異なることを特徴とする熱伝導体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光レーザと、前記面発光レーザから出射される光の少なくとも一部を受光する受光素子と、を備えた半導体素子であって、
前記面発光レーザは、ｐ型の半導体層からなる第１ＤＢＲミラーと、ｎ型の半導体層からなる第２ＤＢＲミラーと、前記第１ＤＢＲミラーと前記第２ＤＢＲミラーとの間に設けられた活性層と、を有し、
前記受光素子は、前記第１ＤＢＲミラーの前記活性層が設けられた面とは反対の面に形成されたｎ型半導体層と前記ｎ型半導体層とショットキー接合をした金属膜とを有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記第１ＤＢＲミラーの前記活性層が設けられた面には、前記第１ＤＢＲミラーにオーミック接合したアノード電極が設けられており、
前記第２ＤＢＲミラーの前記活性層が設けられた面とは反対の面には、前記第２ＤＢＲミラーにオーミック接合したカソード電極が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記前記第１ＤＢＲミラーと前記ｎ型半導体層との界面は、間接遷移半導体層内に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記ｎ型半導体層には、前記ｎ型半導体層とオーミック接合した電極であるバイアス用電極が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項５】
発光レーザと、前記面発光レーザから出射される光の少なくとも一部を受光する受光素子と、を備えた半導体素子であって、
前記面発光レーザは、ｐ型の半導体層からなる第１ＤＢＲミラーと、ｎ型の半導体層からなる第２ＤＢＲミラーと、前記第１ＤＢＲミラーと前記第２ＤＢＲミラーとの間に設けられた活性層と、を有し、
前記受光素子は、前記第１ＤＢＲミラーの前記活性層が設けられた面とは反対の面に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の前記第１ＤＢＲミラーが設けられた面とは反対の面に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層とショットキー接合またはオーミック接合した金属膜とを有することを特徴とする半導体素子。
【請求項６】
請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の半導体素子を備えたデバイスであって、
前記アノード電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、
前記カソード電極に接続された接続されたスイッチング回路と、
前記金属膜から流出する電流を検出する電流モニタ回路と、を有し、
前記電流制御回路は前記モニタ回路が検出した電流値に基づいて前記電流量を制御するものであることを特徴とするデバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のデバイスを備えた電子機器。
【請求項８】
上層に犠牲層を有しさらに該犠牲層の上層に機能層を有する半導体基板を用意する工程と、
前記機能層に複数の半導体デバイスを形成する工程と、
前記複数の半導体デバイスを各々分割し、深さが前記犠牲層に達する分離溝を、前記機能層側から前記半導体基板を分割することなく該半導体基板に形成する工程と、
前記分離溝を形成した後に、前記機能層及び前記複数の半導体デバイスに転写フィルムを貼り付ける工程と、
前記分離溝にエッチング液を注入し、前記犠牲層を選択的にエッチングし前記半導体基板から前記機能層及び前記複数の半導体デバイスを切り離す工程と、
前記機能層の前記転写フィルムが貼り付けられている面とは反対の面に金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記半導体デバイスを形成する工程は、面発光レーザのアノード電極となる第１の電極及び面発光レーザのカソード電極となる第２の電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子、半導体素子の製造方法、デバイス及び電子機器