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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
本体と着脱自在に結合することができるコードレスのプローブは、ケーシングの内側で付勢手段に保持されて変位する円筒状スリーブの先端に備えた測定端面と、該測定端面が検査対象の表面部から各種の表面性状を測定する手段を有し、
前記各種の測定を順次制御して複数のデータ収集を行う測定制御回路と、それらのデータ情報を前記本体と光通信方式で送受信処理を行うデータ処理回路を有するように構成された測定装置において、
前記測定端面を前記表面部に接触させて、該測定端面に配置した少なくとも一対の電極間の導電度から水分を検出する水分測定手段と、
前記測定端面に設けた窓を介して内部から電磁波を放射し、反射された前記電磁波から脂肪成分を演算して検出する脂肪成分測定手段を含み、
前記スリーブの前記測定端面を前記表面部に接触し押圧して測定するときに測定開始信号を発生させる手段と、
前記各種の測定手段によるデータ収集を継続的に制御して行う手段を備えたことを特徴とする表面性状の同時測定用プローブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の表面性状の同時測定用プローブにおいて、前記測定端面を有する前記スリーブが所定の位置まで押圧されて変位する状態に基づきスイッチ回路を閉じて測定開始信号を発生させ前記測定制御回路を測定状態に制御する信号と、前記データ収集を終了したときに終了状態を通知する信号と、前記データ収集過程において前記スリーブが押し込み不足を生じた場合および変位の限界位置にまで押し込まれた場合に前記測定状態を中断してデータ収集を停止させる信号を含む制御情報により処理を行う押圧制御回路を備え、前記測定制御回路との間で交信することを特徴とする表面性状の同時測定用プローブ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
即ち、測定端面を検査対象の表面部に接触し押圧して測定するときに測定開始信号を発生させる手段を備えたものである。例えば、押圧によりプローブのスリーブが所定の位置に変位した状態のときに、トグルスイッチとか近接スイッチまたはタッチセンサ等の有接点あるいは無接点のスイッチ回路により測定開始信号を発生し前記測定制御回路を動作させる。この場合、データ収集の測定状態を継続的に制御する押圧制御回路を備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図５（ｂ）は、プローブ１の測定端面１０に備えた透過体１４を、表面部８の脂肪成分８ａに押し当てた様子であって、透過体１４と表面部８とが所定の押圧力で密着された間に脂肪が拡散される形態が示されている。従って放射源１５からの電磁波が脂肪拡散部３５に照射される状態で測定する方式になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005312927.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
米と清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースを不活性ガス置換した後、密封してレトルト処理を施すレトルト粥の製造方法において、前記米として精米に対し清水を１０％以下添加あるいは無添加の状態で除糠用粘着物質により糠層が除去された無洗米、及び前記不活性ガスとして炭酸ガスをそれぞれ用いて、１３〜２０％の水分とした無洗米及び清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースの気体を７０容量％以上炭酸ガス置換した後、レトルト処理を施すことを特徴とするレトルト粥の製造方法。
【請求項２】
前記パウチのヘッドスペースの気体を９０容量％以上炭酸ガス置換した請求項１記載のレトルト粥の製造方法。
【請求項３】
米と清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースを不活性ガス置換した後、密封してレトルト処理を施すレトルト粥の製造方法において、前記米として無洗米、及び前記不活性ガスとして炭酸ガスをそれぞれ用いて、１３〜２０％の水分とした無洗米及び清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースの気体を７０容量％以上炭酸ガス置換した後、レトルト処理を施すことを特徴とするレトルト粥の製造方法（無洗米として、研磨ブラシで除糠する方法で製した無洗米、あるいは精米に対し清水を１０％超添加した状態で除糠する方法で製した無洗米を除く）。
【請求項４】
前記パウチのヘッドスペースの気体を９０容量％以上炭酸ガス置換した請求項３記載のレトルト粥の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
つまり、本発明は、
（１）  米と清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースを不活性ガス置換した後、密封してレトルト処理を施すレトルト粥の製造方法において、前記米として精米に対し清水を１０％以下添加あるいは無添加の状態で除糠用粘着物質により糠層が除去された無洗米、及び前記不活性ガスとして炭酸ガスをそれぞれ用いて、１３〜２０％の水分とした無洗米及び清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースの気体を７０容量％以上炭酸ガス置換した後、レトルト処理を施すレトルト粥の製造方法、
（２）  前記パウチのヘッドスペースの気体を９０容量％以上炭酸ガス置換した（１）のレトルト粥の製造方法、
（３）  米と清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースを不活性ガス置換した後、密封してレトルト処理を施すレトルト粥の製造方法において、前記米として無洗米、及び前記不活性ガスとして炭酸ガスをそれぞれ用いて、１３〜２０％の水分とした無洗米及び清水を耐熱性パウチに充填し、パウチのヘッドスペースの気体を７０容量％以上炭酸ガス置換した後、レトルト処理を施すレトルト粥の製造方法（無洗米として、研磨ブラシで除糠する方法で製した無洗米、あるいは精米に対し清水を１０％超添加した状態で除糠する方法で製した無洗米を除く）、
（４）  前記パウチのヘッドスペースの気体を９０容量％以上炭酸ガス置換した（３）のレトルト粥の製造方法、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護剤として硬化動物性油脂、硬化植物性油脂、ロウ及びワックスより選択される少なくとも１種の物質30〜90重量％と、レシチン0.5〜７重量％及び炭素数12〜22を有する直鎖又は分枝の飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボン酸またはその塩の１種又は２種以上1〜40重量％を有する成分を、生物学的活性物質の分解減少の極めて少ない温度である70〜90℃に調整した溶融液とし、さらに、この溶融液に、生物学的活性物質を含有する核剤とする核剤調製工程を経ることなく、粉体及び/又は液状の生物学的活性物質１〜50重量％を分散及び/又は溶解した噴射用溶融液を、70〜90℃の液温にて空気中へ噴射する噴射造粒法でバイパス剤を得る製造方法であり、その噴射工程でのみ生物学的活性物質を被覆し、生物学的活性物質のルーメンバイパス率を向上させ、良好なバイパス剤としたことを特徴とする反すう動物用ルーメンバイパス剤の製造方法。
【請求項２】
炭素数12〜22を有する直鎖又は分枝の飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボン酸またはその塩がステアリン酸であることを特徴とする請求項１の反すう動物用ルーメンバイパス剤の製造方法。  
【請求項３】
保護剤がパーム硬化油及び/又はナタネ硬化油であることを特徴とする請求項１又は請求項２の反すう動物用ルーメンバイパス剤の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反すう動物用ルーメンバイパスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
つまり本発明は、（１）：保護剤として硬化動物性油脂、硬化植物性油脂、ロウ及びワックスより選択される少なくとも１種の物質30〜90重量％と、レシチン0.5〜７重量％及び炭素数12〜22を有する直鎖又は分枝の飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボン酸またはその塩の１種又は２種以上1〜40重量％を有する成分を、生物学的活性物質の分解減少の極めて少ない温度である70〜90℃に調整した溶融液とし、さらに、この溶融液に、生物学的活性物質を含有する核剤とする核剤調製工程を経ることなく、粉体及び/又は液状の生物学的活性物質１〜50重量％を分散及び/又は溶解した噴射用溶融液を、70〜90℃の液温にて空気中へ噴射する噴射造粒法でバイパス剤を得る製造方法であり、その噴射工程でのみ生物学的活性物質を被覆し、生物学的活性物質のルーメンバイパス率を向上させ、良好なバイパス剤としたことを特徴とする反すう動物用ルーメンバイパス剤の製造方法、（２）：炭素数12〜22を有する直鎖又は分枝の飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボン酸またはその塩がステアリン酸であることを特徴とする請求項１の反すう動物用ルーメンバイパス剤の製造方法、（３）：保護剤がパーム硬化油及び/又はナタネ硬化油であることを特徴とする請求項１又は請求項２の反すう動物用ルーメンバイパス剤の製造方法、に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察用容器及び培養用容器において、該容器の底面に相当直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下であり、高さが１０ｎｍ以上１mm以下である突起物集合体を有し、該突起物集合体を含む該容器表面の少なくとも一部に機能性表面構造を有することを特徴とする培養用容器。
【請求項２】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器において、液体を配する部位と該容器の底面に形成された突起物集合体とを有することを特徴とする培養用容器。
【請求項３】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器において、突起物集合体が該容器表面に液体を通すことの出来る列状に空いた領域を有することを特徴とる培養用容器。
【請求項４】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が反射防止構造であることを特徴とする培養用容器。
【請求項５】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が該突起物集合体の材質とは実質的に異なる屈折率を有する１層以上の反射防止膜であることを特徴とする培養用容器。
【請求項６】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が該突起物集合体の材質と同一であり、該突起物集合体よりも高さの低い、相当直径が１ｎｍ以上，４００ｎｍ以下である微小突起群からなることを特徴とする培養用容器。
【請求項７】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が該突起物集合体の材質と同一であり、該突起物集合体よりも高さの低い、相当直径が１ｎｍ以上，４００ｎｍ以下である微小突起群からなり、機能性表面構造を配する領域の表面積の９５％以上を該微小突起群が占めることを特徴とする培養用容器。
【請求項８】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が細胞接着を妨げる構造であることを特徴とする培養用容器。
【請求項９】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が該突起物集合体の材質よりも親水性の高い物質からなることを特徴とする培養用容器。
【請求項１０】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が該容器に配する液体に対する電位を調整できる構造であることを特徴とする培養用容器。
【請求項１１】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が該突起物集合体の材質よりも強度の高い材質からなることを特徴とする培養用容器。
【請求項１２】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器において、機能性表面構造が部分的に配されていることを特徴とする培養用容器。
【請求項１３】
請求項１に記載の観察用容器及び培養用容器における機能性表面構造が、突起物集合体の先端部のみ除去されていることを特徴とする培養用容器。
【請求項１４】
観察用容器及び培養用容器において、該容器の底面に相当直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下であり、高さが１０ｎｍ以上１mm以下である突起物集合体を有し、該容器に配する液体に対する該突起物集合体の電位を調整できることを特徴とする培養用容器。
【請求項１５】
請求項１４に記載の観察用容器及び培養用容器において、液体を配する部位と該容器の底面に形成された突起物集合体とを有することを特徴とする培養用容器。
【請求項１６】
請求項１４に記載の観察用容器及び培養用容器において、突起物集合体が該容器表面に液体を通すことの出来る列状に空いた領域を有することを特徴とする培養用容器。
【請求項１７】
請求項１４に記載の観察用容器及び培養用容器において、該容器に配する液体に対する突起物集合体の電位を送風や摩擦による帯電，観察用容器及び培養用容器１００に配する培養液の交換，光の照射，温度変化，圧力負荷による圧電効果などによって調整できることを特徴とする培養用容器。
【請求項１８】
請求項１４に記載の観察用容器及び培養用容器において、該容器に配する液体に対する突起物集合体の電位を部分的に変化できる領域を有することを特徴とする培養用容器。
【請求項１９】
請求項１４に記載の観察用容器及び培養用容器において、突起物集合体が外部と電気的に接続されていることを特徴とする培養用容器。
【請求項２０】
請求項１から請求項１９のいずれかに記載の観察用容器及び培養用容器において、突起物集合体の先端に選択的にタンパク質，核酸，糖鎖，細胞のいずれかが吸着していることを特徴とする培養用容器。
【請求項２１】
請求項１から請求項２０のいずれかに記載の観察用容器及び培養用容器によって培養されたことを特徴とする培養細胞。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットプリント用インクジェットインクであって、
（ａ）ビヒクル、及び
（ｂ）顔料、
を含んで成り、前記顔料が、急峻圧力弁均質化機を用いて前記顔料に力を加えることにより均質化されて、0.1μm未満の平均顔料サイズが得られている、インクジェットプリント用インクジェットインク。
【請求項２】
前記顔料が、約10,000psi〜30,000psiの圧力にて均質化弁の中に導入される、請求項１に記載のインクジェットプリント用インクジェットインク。
【請求項３】
前記均質化を行う前に、前記ビヒクルを前記顔料とが混合される、請求項１に記載のインクジェットプリント用インクジェットインク。
【請求項４】
前記顔料が、前記均質化機に複数回通される、請求項１に記載のインクジェットプリント用インクジェットインク。
【請求項５】
前記顔料が、前記均質化機に20〜30回通される、請求項４に記載のインクジェットプリント用インクジェットインク。
【請求項６】
(a)ビヒクルと顔料の混合物を調合するステップ、及び
(b)急峻圧力弁均質化機を用いて前記顔料混合物に力を加えるステップ、
を包含する、インクジェットインクを均質化する方法。
【請求項７】
前記ステップ(b)における前記顔料混合物を約10,000psi〜30,000psiの圧力にて前記均質化弁の中に導入する、請求項６に記載のインクジェットインクを均質化する方法。
【請求項８】
0.1μm未満の平均顔料サイズを得るべく前記ステップ(b)を複数回繰り返す、請求項６に記載のインクジェットインクを均質化する方法。
【請求項９】
前記均質化の過程を繰り返す間にインク混合物を冷却するステップをさらに包含する、請求項８に記載のインクジェットインクを均質化する方法。
【請求項１０】
高精密フィルタを通してインクを濾過することにより前記均質化処理の終了を決定するステップをさらに包含する、請求項６に記載のインクジェットインクを均質化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像形成手段と、該画像形成手段へ転送する画情報を１ページ以上蓄積するためのページメモリとしての記憶手段とを有する画像形成装置において、
前記画像形成手段からの１回のＤＭＡリクエストに対して、前記記憶手段から同一のロウ・アドレスで複数ワード単位の画情報を連続して前記画像形成手段へＤＭＡ転送するＤＭＡ制御手段を設けたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  請求項１記載の画像形成装置において、
前記記憶手段に蓄積された１ページ分の画情報を複数ワード四方単位で順次縦横変換する縦横変換手段を設け、
前記ＤＭＡ制御手段が、前記縦横変換手段による縦横変換後の画情報が９０度又は２７０度回転した状態で前記画像形成手段へ転送するためのアドレスを生成するアドレス生成手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】  請求項１記載の画像形成装置において、
前記画像形成手段に、前記ＤＭＡ制御手段により連続してＤＭＡ転送される画情報のワード数よりも細かい単位でワード数を設定するワード数設定手段と、前記ＤＭＡ制御手段によりＤＭＡ転送された画情報のうち、ライン先頭から前記ワード数設定手段によって設定されたワード数分の画情報をマスクするマスク手段とを設けたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、画像形成装置において、ページメモリとして使用する記憶手段から画像形成手段への画情報のＤＭＡ転送速度を向上させることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、画像形成手段と、該画像形成手段へ転送する画情報を１ページ以上蓄積するためのページメモリとしての記憶手段とを有する画像形成装置において、上記の目的を達成するため、次の手段を設けたことを特徴とする。
請求項１の発明は、画像形成手段からの１回のＤＭＡリクエストに対して、記憶手段から同一のロウ・アドレスで複数ワード単位の画情報を連続して画像形成手段へＤＭＡ転送（バースト転送）するＤＭＡ制御手段を設けたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１の画像形成装置において、記憶手段に蓄積された１ページ分の画情報を複数ワード四方単位で順次縦横変換する縦横変換手段を設け、ＤＭＡ制御手段に、縦横変換手段による縦横変換後の画情報が９０度又は２７０度回転した状態で画像形成手段へ転送するためのアドレスを生成するアドレス生成手段を備えたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ページメモリ８は、プロッタ部２への画情報（復号化データ）を１ページ以上蓄積するメモリ（記憶手段）であり、高速ページモード又はＥＤＯモードのＤＲＡＭを使用する。なお、ページメモリ８としての記憶手段にＳＤＲＡＭを使用することもできる。
縦横変換部９は、ページメモリ８に蓄積された１ページ分の画情報を複数ワード四方単位で順次縦横変換する縦横変換手段である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ＤＭＡ制御部１０は、ページメモリ８から複数ワード単位の画情報を連続してプロッタ部２へＤＭＡ転送（バースト転送）したり、ページメモリ８から複数ワード単位の画情報を連続して縦横変換部９へＤＭＡ転送したり、縦横変換部９から複数ワード単位の画情報を連続してページメモリ８へＤＭＡ転送するＤＭＡ制御手段である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の画像形成装置によれば、ページメモリとして使用する記憶手段に蓄積された画情報を画像形成手段へより高速にＤＭＡ転送することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
請求項２の発明の画像形成装置によれば、ページメモリとして使用する記憶手段に蓄積された画情報を９０度又は２７０度回転させて画像形成手段へＤＭＡ転送する場合でも、その転送をより高速に行なうことができる。
請求項３の発明の画像形成装置によれば、画像形成手段によるライン先頭の記録開始位置の設定精度を向上させることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置のためのデータ記憶モジュールであって、
上側エッジ、下側エッジ、左側エッジ、および右側エッジを有するロータと、
前記ロータの上側エッジ、下側エッジ、左側エッジ、および右側エッジを包囲するフレームと、および
前記フレーム内に前記ロータを懸架する複数の可撓性部材とを含み、前記上側エッジに隣接する可撓性部材が前記上側エッジと揃えられ、前記下側エッジに隣接する可撓性部材が前記下側エッジと揃えられ、前記左側エッジに隣接する可撓性部材が前記左側エッジと揃えられ、前記右側エッジに隣接する可撓性部材が前記右側エッジに揃えられる、データ記憶モジュール。
【請求項２】
前記上側エッジおよび下側エッジに隣接する可撓性部材の軸方向が、前記左側エッジおよび右側エッジに隣接する可撓性部材の長さに沿って、前記左側エッジおよび右側エッジに隣接する可撓性部材と交差する、請求項１に記載の記憶モジュール。
【請求項３】
前記可撓性部材が、肉厚の薄い微細加工された梁である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
記憶装置のフレーム内の複数の記憶モジュールロータのパッキング密度を高めるための方法であって、
ロータのエッジと前記フレームとの間に延在する可撓性部材を用いて、前記フレーム内に複数の前記ロータをそれぞれ支持することを含み、前記可撓性部材が前記ロータの周囲に配置され、前記ロータの各エッジに隣接する可撓性部材が前記隣接するロータのエッジに揃えられる、方法。
【請求項５】
前記可撓性部材が、肉厚の薄い微細加工された梁である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１の組の可撓性部材の軸が、前記第１の組の可撓性部材に直角に配置された第２の組の可撓性部材と交差するように、前記複数のロータのうちの１つの両側に前記第１の組の可撓性部材を位置合わせすることをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面には、層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン信号線５２と同層で駆動電源５０と一体の駆動電源線５３が配置される。更に全面に平坦化絶縁膜１７が配置され、ソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium T in Oxide）等から成り画素毎に独立した第1の電極６１、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１が配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成して、その平坦化絶縁膜１７の第２のＴＦＴのソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium
T in Oxide）等から成る第１の電極、即ち陽極６１をスパッタによって形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハに、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記半導体層から前記基板に達する溝を形成し、前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法。
【請求項２】  前記基板に前記レーザ光を照射する際に、前記溝の底面を前記レーザ光入射面とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】  前記ウェハに前記溝を形成する際に、前記溝の前記底面を平坦かつ滑面に形成する、請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】  前記改質領域を形成する際に、前記溝と交差する方向の前記改質領域の幅を、前記溝の該方向の幅よりも狭く形成する、請求項２または３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】  前記基板に前記レーザ光を照射する際に、前記基板の裏面を前記レーザ光入射面とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】  前記基板の前記裏面が平坦かつ滑面である、請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】  前記改質領域を形成する際に、該改質領域を前記基板の厚さ方向に複数形成する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】  基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された発光ダイオードであって、
前記第２導電型半導体層から前記基板に達する溝と、
前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光が照射されて多光子吸収による改質領域が形成され、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に形成された切断起点領域と
によって切断されている、発光ダイオード。
【請求項９】  前記改質領域が前記基板の厚さ方向に複数形成されている、請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】  基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された半導体レーザ素子であって、
前記第２導電型半導体層から前記基板に達する溝と、
前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光が照射されて多光子吸収による改質領域が形成され、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に形成された切断起点領域と
によって切断されている、半導体レーザ素子。
【請求項１１】  前記改質領域が前記基板の厚さ方向に複数形成されている、請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上述した本発明に係る発光素子の製造方法においては、基板にレーザ光を照射する際に、基板の裏面をレーザ光入射面とすることが好ましい。この製造方法によれば、溝の底面がレーザ光の入射に適さない場合であっても、ウェハの基板の内部に改質領域でもって切断起点領域を形成することができる。そして、基板の裏面が平坦かつ滑面であることがさらに好ましい。これによって、裏面におけるレーザ光の散乱を防ぐことができる。また、上述した本発明に係る発光素子の製造方法においては、改質領域を形成する際に、該改質領域を基板の厚さ方向に複数形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発光ダイオードによれば、ウェハに第２導電型半導体層から基板に達する溝によって、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層が所望の形状寸法となる。そして、ウェハの基板の内部に多光子吸収という現象により形成される改質領域でもって形成された、切断予定ラインに沿った切断起点領域により基板が切断起点領域に沿って比較的小さな力で割って切断される。したがって、積層構造を有するウェハが高精度かつ効率よく切断されて形成された発光ダイオードを提供することができる。また、この発光ダイオードにおいては、改質領域が基板の厚さ方向に複数形成されていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この半導体レーザ素子によれば、ウェハに第２導電型半導体層から基板に達する溝によって、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が所望の形状寸法となるとともに、レーザ発振のための共振面が活性層に形成される。そして、ウェハの基板の内部に多光子吸収という現象により形成される改質領域でもって形成された、切断予定ラインに沿った切断起点領域により基板が切断起点領域に沿って比較的小さな力で割って切断される。したがって、積層構造を有するウェハが高精度かつ効率よく切断されて形成された半導体レーザ素子を提供することができる。また、この半導体レーザ素子においては、改質領域が基板の厚さ方向に複数形成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  移動機からケアオブアドレスを受信する受信ステップと、
前記受信ステップにおいて受信された前記ケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて記憶する記憶ステップと、
第１のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第１のアクセスルータから前記移動機に付与された第１のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第１のケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて記憶した後に、第２のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第２のアクセスルータから前記移動機に付与された第２のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第２のケアオブアドレスが前記第１のケアオブアドレスと異なる場合に、前記第１のネットワークエリアと前記第２のネットワークエリアとが隣接または重複する地理的関係にあると判定する判定ステップと
を備えることを特徴とするネットワークエリア間の地理的関係を判定する方法。
【請求項２】  前記移動機と前記第１のアクセスルータとの接続の切断を検知し、当該切断の時刻を示す第１の時刻データを記憶する切断検知ステップをさらに備え、
前記受信ステップでは、前記ケアオブアドレスとともに当該ケアオブアドレスの送信時の時刻を示す第２の時刻データを前記移動機から受信し、
前記判定ステップでは、前記第１のケアオブアドレスと前記第２のケアオブアドレスとが異なり、且つ、前記第１の時刻データにより表される時刻と前記第２の時刻データにより表される時刻を比較した結果、これらの時刻の差が所定の閾値未満である場合に、前記第１のネットワークエリアと前記第２のネットワークエリアとが隣接または重複する地理的関係にあると判定することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  記憶手段と、
移動機からケアオブアドレスを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された前記ケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて前記記憶手段に記憶するアドレス更新手段と、
第１のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第１のアクセスルータから前記移動機に付与された第１のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第１のケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて記憶した後に、第２のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第２のアクセスルータから前記移動機に付与された第２のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第２のケアオブアドレスが前記第１のケアオブアドレスと異なる場合に、前記第１のネットワークエリアと前記第２のネットワークエリアとが隣接または重複する地理的関係にあると判定する判定手段と
を備えることを特徴とするホームエージェント。
【請求項４】  前記移動機と前記第１のアクセスルータとの接続の切断を検知し、当該切断の時刻を示す第１の時刻データを前記記憶手段に記憶する切断検知手段をさらに備え、
前記受信手段は、前記ケアオブアドレスとともに当該ケアオブアドレスの送信時の時刻を示す第２の時刻データを前記移動機から受信し、
前記判定手段は、前記第１のケアオブアドレスと前記第２のケアオブアドレスとが異なり、且つ、前記第１の時刻データにより表される時刻と前記第２の時刻データにより表される時刻を比較した結果、これらの時刻の差が所定の閾値未満である場合に、前記第１のネットワークエリアと前記第２のネットワークエリアとが隣接または重複する地理的関係にあると判定することを特徴とする請求項３に記載のホームエージェント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、移動機からケアオブアドレスを受信する受信ステップと、前記受信ステップにおいて受信された前記ケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて記憶する記憶ステップと、第１のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第１のアクセスルータから前記移動機に付与された第１のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第１のケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて記憶した後に、第２のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第２のアクセスルータから前記移動機に付与された第２のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第２のケアオブアドレスが前記第１のケアオブアドレスと異なる場合に、前記第１のネットワークエリアと前記第２のネットワークエリアとが隣接または重複する地理的関係にあると判定する判定ステップとを備えることを特徴とするネットワークエリア間の地理的関係を判定する方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明はまた、記憶手段と、移動機からケアオブアドレスを受信する受信手段と、前記受信手段により受信された前記ケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて前記記憶手段に記憶するアドレス更新手段と、第１のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第１のアクセスルータから前記移動機に付与された第１のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第１のケアオブアドレスを前記移動機のホームアドレスと関連付けて記憶した後に、第２のネットワークエリアに対してサービスを提供可能な第２のアクセスルータから前記移動機に付与された第２のケアオブアドレスを前記移動機から受信し、当該第２のケアオブアドレスが前記第１のケアオブアドレスと異なる場合に、前記第１のネットワークエリアと前記第２のネットワークエリアとが隣接または重複する地理的関係にあると判定する判定手段とを備えることを特徴とするホームエージェントを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】読取手段、出力手段、及び通信手段の少なくとも１つと、画像データを格納する格納手段を有する画像処理装置であって、
紙面に印刷或いは紙面からスキャンした画像情報を取得するデータ獲得ユニットと、
現在時刻を時刻情報として生成する時刻情報生成ユニットと、
使用者からの明示的な格納命令の有無に関わらず該画像情報を該時刻情報と対応付けて自動的に蓄積保存すると共に該画像情報と対応付けられた該時刻情報の変更を不可とする蓄積ユニットと、
該蓄積ユニットに保存する前に該画像情報を一時的に不揮発メモリに保管する一時保管処理プロセスを実行し、電源切断指示に応じて起動し該一時保管処理プロセスに終了要求を送ると共に該一時保管処理プロセスが終了するまで待機した後に電源を遮断するシャットダウンプロセスを実行し、該一時保管処理プロセスが該終了要求に応じて未格納の全ての画像情報を格納してから終了するように制御するプロセッサ
を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】該時刻情報を電子透かしによって該画像情報に埋め込むことで該対応付けを行うことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】該プロセッサは、該画像情報に関する管理情報を一時的に保管する管理情報保管処理プロセスを実行し、該管理情報保管処理プロセスに終了要求を送ると共に該管理情報保管処理プロセスが終了するまで待機した後に電源を遮断するように該シャットダウンプロセスを制御し、該管理情報保管処理プロセスが該終了要求に応じて未格納の全ての管理情報を格納してから終了するように制御することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】該プロセッサは、強制終了指示に応じて該一時保管処理プロセス及び該管理情報保管処理プロセスを直ちに強制的に終了させる強制終了処理を実行することを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に画像処理装置に関し、詳しくは電子文書等の作成日時などを保証する画像処理装置に関する。
【従来の技術】
電子透かしシステムは、電子文書登録時に作成日時や著作者等の情報を電子文書内に埋め込むことにより、これらの情報を保証する。即ち、電子透かしシステムに電子文書を登録した時点に遡及して、これらの情報を保証可能な仕組みになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、利用者が意識的にデータを登録することなく自動的にデータの保証が可能な装置において、獲得後の登録すべきデータを電源遮断等から保護可能な装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明によれば、読取手段、出力手段、及び通信手段の少なくとも１つと、画像データを格納する格納手段を有する画像処理装置は、紙面に印刷或いは紙面からスキャンした画像情報を取得するデータ獲得ユニットと、現在時刻を時刻情報として生成する時刻情報生成ユニットと、使用者からの明示的な格納命令の有無に関わらず該画像情報を該時刻情報と対応付けて自動的に蓄積保存すると共に該画像情報と対応付けられた該時刻情報の変更を不可とする蓄積ユニットと、該蓄積ユニットに保存する前に該画像情報を一時的に不揮発メモリに保管する一時保管処理プロセスを実行し、電源切断指示に応じて起動し該一時保管処理プロセスに終了要求を送ると共に該一時保管処理プロセスが終了するまで待機した後に電源を遮断するシャットダウンプロセスを実行し、該一時保管処理プロセスが該終了要求に応じて未格納の全ての画像情報を格納してから終了するように制御するプロセッサを含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の画像処理装置は、該時刻情報を電子透かしによって該画像情報に埋め込むことで該対応付けを行うことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の画像処理装置において、該プロセッサは、該画像情報に関する管理情報を一時的に保管する管理情報保管処理プロセスを実行し、該管理情報保管処理プロセスに終了要求を送ると共に該管理情報保管処理プロセスが終了するまで待機した後に電源を遮断するように該シャットダウンプロセスを制御し、該管理情報保管処理プロセスが該終了要求に応じて未格納の全ての管理情報を格納してから終了するように制御することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４記載の発明によれば、請求項３記載の画像処理装置において、該プロセッサは、強制終了指示に応じて該一時保管処理プロセス及び該管理情報保管処理プロセスを直ちに強制的に終了させる強制終了処理を実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法。
【請求項２】  前記基板に前記レーザ光を照射する前に、前記切断予定ラインに沿って前記半導体層に溝を形成し、前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせる、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】  前記基板に前記レーザ光を照射する際に、前記溝の底面を前記レーザ光入射面とする請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】前記ウェハに前記溝を形成する際に、前記溝の前記底面を平坦かつ滑面に形成する、請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】  前記改質領域を形成する際に、前記溝と交差する方向の前記改質領域の幅を、前記溝の該方向の幅よりも狭く形成する、請求項３または４に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】  前記基板に前記レーザ光を照射する際に、前記基板の裏面をレーザ光入射面とする、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】  前記基板の前記裏面が平坦かつ滑面である、請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】  前記改質領域を形成する際に、該改質領域を前記基板の厚さ方向に複数形成する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】  前記基板がサファイア基板である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】  基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された発光ダイオードであって、
前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光が照射されて多光子吸収による改質領域が形成され、この改質領域により前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に形成された切断起点領域によって切断されている、発光ダイオード。
【請求項１１】  前記改質領域が前記基板の厚さ方向に複数形成されている、請求項１０に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】  前記基板がサファイア基板である、請求項１０または１１に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】  基板と、III−Ｖ族化合物半導体からなり該基板の表面上に積層された第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層とを有するウェハを切断予定ラインに沿ってチップ状に切断することにより形成された半導体レーザ素子であって、
前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光が照射されて多光子吸収による改質領域が形成され、この改質領域により前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に形成された切断起点領域によって切断されている、半導体レーザ素子。
【請求項１４】  前記改質領域が前記基板の厚さ方向に複数形成されている、請求項１３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１５】  前記基板がサファイア基板である、請求項１３または１４に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上述した本発明に係る発光素子の製造方法においては、基板にレーザ光を照射する際に、基板の裏面をレーザ光入射面とすることが好ましい。この製造方法によれば、溝の底面がレーザ光の入射に適さない場合であっても、ウェハの基板の内部に改質領域でもって切断起点領域を形成することができる。そして、基板の裏面が平坦かつ滑面であることがさらに好ましい。これによって、裏面におけるレーザ光の散乱を防ぐことができる。また、上述した本発明に係る発光素子の製造方法においては、改質領域を形成する際に、該改質領域を基板の厚さ方向に複数形成してもよい。また、上述した本発明に係る発光素子の製造方法は、基板がサファイア基板であることを特徴としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発光ダイオードによれば、ウェハの基板の内部に多光子吸収という現象により形成される改質領域でもって形成された、切断予定ラインに沿った切断起点領域により基板が切断起点領域に沿って比較的小さな力で割って切断される。そして、基板が切断予定ラインに沿って切断されることにより、基板上に積層された第１導電型半導体層（及び第２導電型半導体層）も切断予定ラインに沿って切断される。したがって、III−Ｖ族化合物半導体からなる第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を有するウェハが高精度かつ効率よく切断されて形成された発光ダイオードを提供することができる。また、この発光ダイオードにおいては、改質領域が基板の厚さ方向に複数形成されていてもよい。また、この発光ダイオードにおいては、基板がサファイア基板であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この半導体レーザ素子によれば、ウェハの基板の内部に多光子吸収という現象により形成される改質領域でもって形成された、切断予定ラインに沿った切断起点領域により基板が切断起点領域に沿って比較的小さな力で割って切断される。そして、基板が切断予定ラインに沿って切断されることにより、基板上に積層された第１導電型半導体層（、活性層、及び第２導電型半導体層）も切断予定ラインに沿って切断される。したがって、III−Ｖ族化合物からなるｎ型半導体層１７ａを有するウェハが高精度かつ効率よく切断されて形成された半導体レーザ素子を提供することができる。また、この半導体レーザ素子においては、改質領域が基板の厚さ方向に複数形成されていてもよい。また、この半導体レーザ素子においては、基板がサファイア基板であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  照明源と、
該照明源によって放射された電磁エネルギーを受け取る照明光学モジュールと、
レチクルステージと、
ウェーハステージと、
該ウェーハステージに近接した像平面を有する投影光学モジュールとを有しているリソグラフィ装置であって、
前記照明光学モジュールは部分コヒーレンス調整モジュールを有しており、該部分コヒーレンス調整モジュールは瞳面を形成する一次元光学変換素子を伴い、当該一次元光学変換素子はアパーチャを伴うアパーチャデバイスを有しており、前記一次元光学変換素子の瞳面に近接して配置されている該アパーチャは、軸に沿って前記一次元光学変換素子に入射する電磁エネルギーの角分布を変化させ、
前記レチクルステージは前記照明光学モジュールの近傍に配置されており、前記照明光学モジュールを出る電磁エネルギーは、前記レチクルステージによって保持されているレチクルの一部分を照明し、
前記投影光学モジュールは、前記レチクルステージおよび前記ウェーハステージの近傍に配置されており、
前記レチクルステージによって保持されているレチクルを通過する電磁エネルギーは前記投影光学モジュールに入射し、前記投影光学モジュールによって、前記ウェーハステージによって保持されているウェーハの感光性基板上に結像させられ、
前記アパーチャデバイスのアパーチャの形状が調整されて、前記ウェーハステージに近接する像平面での電磁エネルギーの角分布がコントロールされる、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  リソグラフィ装置における線幅のコントロールを改善するための装置であって、
瞳面を形成する一次元光学変換素子を有しており、当該一次元光学変換素子はアパーチャを伴うアパーチャデバイスを有しており、前記一次元光学変換素子の瞳面に近接して配置されている該アパーチャは、軸に沿った前記一次元光学変換素子に入射する電磁エネルギーの角分布を変化させる、
ことを特徴とする、リソグラフィ装置における線幅のコントロールを改善するための装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題は、本発明による装置および方法によって解決される。本発明による装置は、照明源と、該照明源によって放射された電磁エネルギーを受け取る照明光学モジュールと、レチクルステージと、ウェーハステージと、該ウェーハステージに近接した像平面を有する投影光学モジュールとを有しているリソグラフィ装置であって、照明光学モジュールは部分コヒーレンス調整モジュールを有しており、部分コヒーレンス調整モジュールは瞳面を形成する一次元光学変換素子を伴い、一次元光学変換素子はアパーチャを伴うアパーチャデバイスを有しており、一次元光学変換素子の瞳面に近接して配置されている該アパーチャは、軸に沿って前記一次元光学変換素子に入射する電磁エネルギーの角分布を変化させ、レチクルステージは照明光学モジュールの近傍に配置されており、照明光学モジュールを出る電磁エネルギーは、レチクルステージによって保持されているレチクルの一部分を照明し、投影光学モジュールは、レチクルステージおよび前記ウェーハステージの近傍に配置されており、レチクルステージによって保持されているレチクルを通過する電磁エネルギーは前記投影光学モジュールに入射し、前記投影光学モジュールによって、ウェーハステージによって保持されているウェーハの感光性基板上に結像させられ、アパーチャデバイスのアパーチャの形状が調整されて、ウェーハステージに近接する像平面での電磁エネルギーの角分布がコントロールされる。本発明による、リソグラフィ装置における線幅のコントロールを改善するための装置は、瞳面を形成する一次元光学変換素子を有しており、一次元光学変換素子はアパーチャを伴うアパーチャデバイスを有しており、一次元光学変換素子の瞳面のすぐ近くに配置されているアパーチャは、軸に沿った一次元光学変換素子に入射する電磁エネルギーの角分布を変化させる。本発明による、リソグラフィ装置における電磁エネルギーの角分布を照明野位置の関数としてコントロールする方法は、（１）照明源から電磁エネルギーを放射するステップと、（２）照明源から放射された電磁エネルギーを、瞳面を有する一次元光学変換素子を含む照明光学モジュールに通すステップと、（３）電磁エネルギーの一部分を、一次元光学変換素子に入射する軸に沿った電磁エネルギーの角分布を変化させるために、アパーチャデバイスのアパーチャに通すステップと、ここでアパーチャデバイスのアパーチャは一次元光学変換素子の瞳面に近接して配置されており、（４）電磁エネルギーを照明光学モジュールからレチクルステージ内のマスク領域に通すステップと、（５）ウェーハステージに近接した像平面を形成するために少なくとも１つの光学素子を有する投影光学モジュールを用いて、レチクルステージ内のマスク領域を通過する電磁エネルギーを結像させるステップと、（６）アパーチャデバイスのアパーチャの形状を調整して、ウェーハステージに近接する像平面での電磁エネルギーの角分布をコントロールするステップとを有する。