【事件の表示】
　平成　４年特許願第１４１４８５号「光情報記録媒体及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　５年１２月２７日出願公開、特開平　５−３４５４７８、請求項の数（２１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　１．手続きの経緯・本願発明　
　本願は、平成４年６月２日の出願（優先権主張、平成３年６月４日、平成３年１０月３日、平成４年４月１７日、日本国）であって、平成１２年８月７日付けで拒絶の理由が通知され、平成１２年９月２６日付けで手続きの補正がなされ、平成１２年１０月２７日付けで拒絶の査定がなされたものであり、その請求項１ないし２１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。　
　「【請求項１】　レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相変化型記録材料を主成分として含有し、未記録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶相が存在することを特徴とする光情報記録媒体。　
　　【請求項２】　記録層の安定状態と準安定状態との間の転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体において、基板上に設けられた記録層の安定状態における組成および化学構造が主として、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２相とＩｎとＳｂからなる相との混相状態をとることを特徴とする光情報記録媒体。　
　　【請求項３】　情報未記録時には記録層の安定状態が、情報記録時には記録層の安定状態と準安定状態が存在することを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。　
　　【請求項４】　記録層の安定状態において、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態であることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。　
　　【請求項５】　記録層の安定状態において、結晶状態のＩｎＳｂＺ（0.5≦Ｚ≦2.5）が観測されないことを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
　　【請求項６】　請求項４に記載の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２の結晶子径が１０００Å以下であることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。　
　　【請求項７】　記録層の安定状態と準安定状態との間の転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体において、基板上に設けられた記録層の安定状態における組成および化学構造が主として　
　（ＡｇＳｂＴｅ２＋δ/△）Ｘ（ＩｎＳｂＺ）１−Ｘ　
　ただし、　
　　Δ＝｛（１−δ）Ｘ｝／｛1＋３Ｘ＋Ｚ（１−Ｚ）｝
　　０．４≦ｘ≦０．５５　
　　０．５≦Ｚ≦２．５　
　　−０．１５＜δ＜０．１　
で表わされることを特徴とする光記録媒体。　
　　【請求項８】　情報未記録時には記録層の安定状態が、情報記録時には記録層の安定状態と準安定状態が存在することを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項９】　記録層の安定状態において、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２が結晶状態であることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項１０】　記録層の安定状態において、結晶状態のＩｎＳｂＺ（0.5≦Ｚ≦2.5）が観測されないことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項１１】　化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２の結晶子径が１０００Å以下であることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体。　
　　【請求項１２】　基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分散した組織となっていることを特徴とする光情報記録媒体。　
　　【請求項１３】　基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから１００００Åの領域で等しくなっを特徴とする光情報記録媒体。　
　　【請求項１４】　基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分散した組織となっており、前記保護層がＡｌＮであることを特徴とする光情報記録媒体。　
　　【請求項１５】　基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから１００００Åの領域で等しくなっており、前記保護層がＡｌＮであることを特徴とする光情報記録媒体。　
　　【請求項１６】　記録層の準安定状態において、結晶状態の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２が観測されないことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項１７】　記録層の準安定状態において、結晶状態のＩｎＳｂZが観測されないことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項１８】　記録層の安定状態及び準安定状態において、Ａｇ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎの各元素の単体からなる結晶が観測されないことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項１９】　記録層の安定状態及び準安定状態において、結晶状態のＡｇＩｎＴｅ２が観測されないことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。　
　　【請求項２０】　ＡｇＩｎＴｅ２とＳｂを原材料として用いて記録層を製膜し、レーザー光、熱等により初期化を施すことにより化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２が結晶状態である安定状態の記録層を得ることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体の製造方法。　
　　【請求項２１】　記録層を、主にＡｇＩｎＴｅ２とＳｂとからなるターゲットを用い、スパッタ法により製膜することを特徴とする請求項２０記載の光記録媒体の製造方法。　
　
　２．原査定の理由　
　原査定の拒絶の理由は、本願請求項１ないし２１に係る発明は、その出願前日本国内で頒布された、　
　特開平３−９８８０号公報（以下、「引用文献」という。）　
　に記載された発明であるか、又は、同引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。　
　３．当審の判断　
　3.1　引用文献の記載　
　引用文献には、　
　(a)「【請求項１】電磁波によって、結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に相変化する記録層を基板上に有する相変化型情報記録媒体において、該記録層が下記一般式で示される四元化合物を含有する記録層を設けたことを特徴とする相変化型情報記録媒体。　
一般式　
　　　　Ｘ・(ＹＩ,ＹＩＩ)Ｚ２　
　（但しＸは、周期律表第Ib族元素から選ばれた元素、　
　ＹＩは周期律表第IIIb族元素から選ばれた元素、　
　ＹＩＩは周期律表第Vb族元素から選ばれた元素、　
　Ｚは周期律表第VIb族元素から選ばれた元素を表わす。）　
　（特許請求の範囲）　
　(b)「〔発明が解決しようとする課題〕
　本発明の目的は、・・・・・・高速消去、記録感度、消去感度の向上、記録部の安定性等の特性を全て満足する新規な相転移性四元化合物を用いたオーバーライト可能な相変化型情報記録媒体を提供しようとするものである。」（第２頁左上欄第８〜１４行）　
　(c)「具体的には、ＸとしてはCu、Ag、Au、Cuが、ＹＩとしてはAl、Ga、Inが、ＹＩＩとしてはSb、Biが、ＺとしてはSe、Teなどを挙げることができる。」（第２頁右上欄第７〜９行）　
　(d)「以上のような本発明の新規な相転移性四元化合物の具体的な例としては、　
　Ag(Inｘ・Sb１−ｘ)Te２、　
　Ag(Inｘ・Sb１−ｘ)Se２、　
　Ag(Gaｘ・Sb１−ｘ)Te２、、・・・・・・・・・等が挙げられる。」（第２頁左下欄第９〜右下欄第５行）　
　(e)「実施例１　
　 Ag２５(In１２．５Sb１２．５)Te５０の組成を有するスパッタ用ターゲットを作製し、直径130mm、厚み1.2mmのガラス基板上にスパッタ法により1000Å厚の記録層を形成した後、保護膜として窒化ケイ素を1000Å厚同じくスパッタ法で形成した。　
得られた記録層は非晶質であるため記録層の初期化（結晶化）をほどこした。記録層を形成する際、テストピースとしてスライドガラス上に同じ膜を形成しておき、この膜から本記録層の光学特性、熱的特性をそれぞれ分光光度計及びDSCにより測定した。　
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・以下、本発明の記録層を用いることにより記録感度及び消去感度はGeTe,Sb2Te3系記録層に比較し大きく向上し、消去率、くり返し特性も改良されていることが確認された。」（第３頁右上欄第１９行〜第４頁左上欄第１行）と記載され、　
　(f)実施例２及び３には、Ag２５(In１５Sb１０)Te５０  又はAg２５(In１０Sb１５)Te５０  の組成を有するスパッタ用ターゲットを作製しガラス基板上にスパッタ法により記録層を設けた旨記載されている。　
　
　3.2　対比判断　
  （請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）について）　
　本願発明１は、「記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相変化型記録材料を主成分として含有し、未記録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶相が存在する」との構成要件を採用することにより、「消去比が高く、低パワーで記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体を提供する」目的を達成することができるものである。　
　一方、引用文献には、四元化合物よりなる記録層を設けた高速消去、記録感度、消去感度の向上、記録部の安定性を満足する相変化型情報気録媒体が記載され、該四元化合物を構成する元素として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを採用することができ、その具体的な化合物の例として、「Ａｇ(Ｉｎｘ・Ｓｂ１−ｘ)Ｔｅ２が挙げられ、実施例には、Ａｇ２５(Ｉｎ１２．５Ｓｂ１２．５)Ｔｅ５０ 、Ａｇ２５(Ｉｎ１５Ｓｂ１０)Ｔｅ５０  又はＡｇ２５(Ｉｎ１０Ｓｂ１５)Ｔｅ５０の組成が具体的に示されている。　
　そこで、本願発明１と引用文献に記載の記録媒体とを対比すると、両者の目的とするところは一致するが、本願発明１が、「未記録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶相が存在する記録層を設けた記録媒体」であるのに対し、引用文献には、「Ａｇ(Ｉｎｘ・Ｓｂ１−ｘ)Ｔｅ２からなる四元化合物よりなる記録層を設けた記録媒体」である点で両者は相違する。
　引用文献には、本願発明１の構成要件である「未記録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶相が存在する記録層」についてはどこにも記載されてはいないし、それを示唆する記載も見あたらない。　
　そして、本願発明１は、「未記録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶相が存在する記録層」を採用することによって、上記目的を達成することができるものであるから、本願発明１が、引用文献に記載された発明であるとも、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。　
　
　（請求項２ないし２１に係る発明について）　
　請求項２ないし２１に係る発明は、「未記録および消去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ２微結晶相が存在する記録層」を実質上その構成要件とするものであるから、本願発明１と同様の理由により、引用文献に記載された発明であるとも、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。　
　４．まとめ　
　以上のとおりであるから、原査定の理由及び証拠によっては本願請求項１ないし２１に係る発明を拒絶することはできない。　
　又、他に本願請求項１ないし２１に係る発明を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり審決する。