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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を支持する支持機構と；
前記支持機構で支持される基板の表面に対向して配置された第１の面を有する振動体と；
前記基板の表面と前記振動体の前記第１の面との間に処理液を供給する処理液供給管と；
前記振動体を前記基板の表面に沿う方向に加振する振動子とを備える；
基板処理装置。
【請求項２】  前記振動体は、前記第１の面と、前記振動子を取り付ける第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面と交差する第３の面とを３面とする略三角柱で構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】  前記支持機構で支持される基板の裏面側に配置されたスクラブ洗浄体を備える、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】  前記第１の面の面積は、前記基板表面の面積の４分の１以上である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】  基板を支持する支持機構と；
前記支持機構で支持される基板の表面に対向して近接し配置された第１の面と、前記第１の面に対し所定の角度をなす第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面と交差する第３の面とを有する振動体と；
前記基板の表面と前記振動体の前記第１の面との間に処理液を供給する処理液供給管と；
前記第２の面に取り付けられ前記振動体を前記基板の表面に沿う方向に加振する振動子とを備える；
基板処理装置。
【請求項６】  前記所定の角度が、５０度以上で９０度より小さい；
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】  前記第２の面と前記第３の面とがなす角度が９０度である；
請求項２乃至請求項６のいずれか1項に記載の基板処理装置。
【請求項８】  前記第１の面と前記第２の面とが交差する箇所の近くに空洞が形成された；
請求項２乃至請求項７のいずれか1項に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４に係る発明による基板処理装置１は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、例えば図１、図２に示すように、第１の面１１の面積は、基板Ｗ表面ＷＡの面積の４分の１以上である。このように構成すると、振動体３によって基板Ｗの表面ＷＡを広く覆うことができ、振動エネルギが付与される基板Ｗの表面ＷＡの面積が広くなるので、基板Ｗの処理効率を上げることができる。  
上記目的を達成するために、請求項５に係る発明による基板処理装置１は、例えば図１、図２に示すように、基板Ｗを支持する支持機構５と；支持機構５で支持される基板Ｗの表面ＷＡに対向して近接し配置された第１の面１１と、第１の面１１に対し所定の角度βをなす第２の面１２と、第１の面１１及び第２の面１２と交差する第３の面１３とを有する振動体３と；基板Ｗの表面ＷＡと振動体３の第１の面１１との間に処理液Ｑを供給する処理液供給管６、２８、２９と；第２の面１２に取り付けられ振動体３を基板Ｗの表面ＷＡに沿う方向に加振する振動子２とを備える 。
請求項６に係る発明による基板処理装置１は、請求項５に記載の基板処理装置において、所定の角度βが、５０度以上で９０度より小さい。
請求項７に係る発明による基板処理装置１は、請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記第２の面と前記第３の面とがなす角度αが９０度である。
請求項８に係る発明による基板処理装置１は、請求項２乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置において、例えば図２に示すように、第１の面１１と第２の面１２とが交差する箇所の近くに空洞３９が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原稿の両面を光学的に読み取る両面同時読取手段と、
この両面同時読取手段で読み取った画像データを記憶する記憶手段と、
この記憶手段に記憶した画像データが原稿の両面画像データまたは片面画像データであるかを判定するデータ有無判定手段と、
このデータ有無判定手段の判定結果に基づいて、両面画像データである場合は両面出力を、片面画像データである場合は片面出力をする画像出力手段と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  原稿を光学的に読み取る読取手段と、
この読取手段に原稿を自動的に搬送し、且つ当該原稿を反転することにより裏面もこの読取手段に原稿を自動的に搬送する自動原稿送り装置と、
この自動原稿送り装置が原稿を反転することにより読み取った原稿の表裏画像データを記憶する記憶手段と、
この記憶手段に記憶されている表裏画像データのうち裏面画像データに画像データが記憶されているかどうかを判定するデータ有無判定手段と、
このデータ有無判定手段の判定結果に基づいて、裏面データが記憶されている場合には両面出力を、裏面データが記憶されていない場合には片面出力をする画像出力手段と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】  前記データ有無判定手段が画像データの有無を判定する際に、画像データが有る場合には前記記憶手段に記憶されている画像データの画質内容について判定をするデータ内容判定手段を備え、このデータ内容判定手段により判定された画像データの画質に応じて前記画像出力手段が画像出力することを特徴とする請求項１または請求項２記載の画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、両面コピーを行う際、ミスコピーを回避する機能を備えた画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明の第１の目的は、原稿の両面を同時に読み取る場合に、裏面が白紙なのか、必要な情報量があるか等の出力すべきデータの有無を判定することにより、無駄な複写動作を行わない画像形成装置を提供することである。
また、本発明の第２の目的は、ＡＤＦを使用して複写をする場合、メモリに蓄積された画像データの有無を判定し、さらに出力するべきデータであるかの判定をすることができる画像形成装置を提供することである。
さらに、本発明の第３の目的は、両面同時読み取りスキャナを使用して両面原稿を読み取った場合に、読み取ってメモリに蓄積した裏面画像データの内容を判定し、最適な画質のモードでコピーすることができる画像形成装置を提供することである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体層の一主面に形成されている第２導電型のドレイン領域及びソース領域と、
上記半導体層の一主面に形成されている第１の絶縁膜と、
上記半導体層の上記ドレイン領域と上記ソース領域との間におけるチャネル領域上の上記第１の絶縁膜上に形成されているゲート電極と、
上記ゲート電極の上記ドレイン領域側又は上記ソース領域側の側面に形成されている第２の絶縁膜と、
上記ドレイン領域又は上記ソース領域上の上記第１の絶縁膜上に上記第２の絶縁膜に接して形成されているフローティングゲートと、
を有し、上記フローティングゲートに電荷を蓄積することにより実効的なチャネル長を変化させることができる電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
上記フローティングゲートが上記ドレイン領域上と上記ソース領域上とにそれぞれ形成されており、それらフローティングゲートが電気的に接続されている請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
上記フローティングゲートが上記ドレイン領域上と上記ソース領域上とにそれぞれ形成されており、それらフローティングゲートが互いに絶縁されている請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
上記フローティングゲートに電荷を蓄積することにより上記フローティングゲートの下方に位置する上記チャネル領域の上記ドレイン領域又は上記ソース領域に隣接する領域に反転層が形成される請求項１、２又は３に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
上記フローティングゲートに電荷を蓄積することにより上記フローティングゲートの下方に位置する上記ドレイン領域又はソース領域の一部の実効的不純物濃度が相殺される請求項１、２又は３に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
上記第２の絶縁膜が酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層構造である請求項１、２、３、４又は５に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
上記ドレイン領域又はソース領域と上記フローティングゲートとの間の上記第１の絶縁膜の一部が他の部分よりも薄く形成されている請求項１、２、３、４、５又は６に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
上記第２の絶縁膜が強誘電体膜を含む請求項１、２、３、４又は５に記載の電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の電界効果型トランジスタは、好適には、上記第２の絶縁膜が酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層構造である。
また、好適には、上記ドレイン領域又はソース領域と上記フローティングゲートとの間の上記第１の絶縁膜の一部が他の部分よりも薄く形成されている。
更に、好適には、上記第２の絶縁膜が強誘電体膜を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数枚の金属薄板の積層体からなり、そのうち少なくとも１枚を残して、他の金属薄板が厚み方向に打ち抜かれた打ち抜き部を有しており、半導体搭載用の凹部が、該打ち抜き部の内側面と、該内側面に取り囲まれた状態で露出している前記少なくとも１枚の金属薄板の平坦面とにより形成されていることを特徴とする半導体用ヒートシンク。
【請求項２】  請求項１記載の半導体用ヒートシンクであって、前記凹部の底面を構成する平坦面の面粗度が２０μｍ以下であることを特徴とする半導体用ヒートシンク。
【請求項３】  請求項１又は２記載の半導体用ヒートシンクであって、前記金属薄板の積層体が、拡散接合により積層されていることを特徴とする半導体用ヒートシンク。
【請求項４】  金属薄板を厚み方向に打ち抜く工程と、前記工程により打ち抜き部が形成された金属薄板に対し、他の金属薄板を積層する工程とを具備することを特徴とする半導体用ヒートシンクの製造方法。
【請求項５】  請求項４記載の半導体用ヒートシンクの製造方法であって、前記金属薄板同士を拡散接合により積層することを特徴とする半導体用ヒートシンクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３記載の半導体用ヒートシンクは、請求項１又は２記載の半導体用ヒートシンクであって、前記金属薄板の積層体が、拡散接合により積層されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項５記載の半導体用ヒートシンクの製造方法は、請求項４記載の半導体用ヒートシンクの製造方法であって、前記金属薄板同士を拡散接合により積層することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このようにして打ち抜き部２１を備えた第１の金属薄板２０を加工したならば、次に、図１（ｂ），（ｃ）及び図２（ｂ），（ｃ）に示したように、第２の金属薄板３０を該第１の金属薄板２０に対して積層し、一体化する。積層する手段は任意であり、溶接、接着、あるいはネジ止め等を採用することができるが、接合面同士が一体化し、積層した状態で１枚の金属板と見なすことができることから、特に拡散接合法により接合させることが好ましい。拡散接合法には、母材となる第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０とを直接密着させて接合する方法のほか、接合部に金等の異種金属（インサート金属）箔を挿入して接合する方法などがあるが、そのいずれを採用してもよい。また、接着剤を用いる場合には、熱伝導性のある樹脂を用いる必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ここで、第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０を構成する材料は、熱伝導性が高く、従来ヒートシンクとして採用されている材料であれば特に限定されるものではなく、アルミニウムや銅等を用いることができる。また、拡散接合で積層する場合には、熱膨張係数との関係から、第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０とは同種金属を用いる必要があるが、接着剤やネジ止めにより積層する場合には、異種金属、例えば、第１の金属薄板２０として銅を採用し、第２の金属薄板３０としてアルミニウムを採用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
切り込み６０の形成方法は任意であり、プレス加工、エッチング加工等を採用することができるが、第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０との間に接着剤を介在させて接合した場合、及び第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０として同種金属を採用した上で、両者間に異種金属箔を挿入して拡散接合した場合には、エッチング加工により切り込み６０を形成することはできないため、プレス加工などにより形成する。但し、第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０として、同種金属を採用して両者を拡散接合により直接接合した場合には、切り込み６０を形成するに当たってプレス加工、エッチング加工のいずれでも可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上記した説明では、第１の金属薄板２０と第２の金属薄板３０とを１枚ずつ用いてこれらを積層し、一体化しているが、いずれも複数枚の金属薄板を拡散接合等により予め積層して一体化しておき、その積層体を第１の金属薄板２０又は第２の金属薄板３０として用いることもできる。また、第１の金属薄板２０として複数枚の薄板の積層体を用いる場合、各薄板に形成する打ち抜き部の大きさを異ならせることにより、段違い（階段状）の凹部とすることができ、半導体の形状が帽子状あるいは逆帽子状等である場合に該凹部の底面及び内面に密着させることができ、高い放熱性を発揮させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月1日(2006.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は被処理体を汚染するおそれがなく、しかも高い精度で熱処理装置の温度コントローラの校正を行うことができる温度校正方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半田バンプ付きチップを基板にフリップチップ実装するフリップチップ実装方法において、
シリンジに充填されているフラックスを搬送治具上に塗布する工程と、
上記フラックスが塗付されたフラックス供給済み上記搬送治具を、回転テーブルを回転させて、チップ供給位置に移動する工程と、
上記半田バンプ付きチップを吸着しているチップ供給ヘッドを下降させて、フラックス供給済み上記搬送治具に上記半田バンプ付きチップを貼り付ける工程と、
上記半田バンプ付きチップが貼り付けられた上記搬送治具を、上記回転テーブルを回転させて、順次実装ヘッドのある位置へ送る工程と、  
送られてきた上記搬送治具上の上記半田バンプ付きチップを上記実装ヘッドに吸着し、保持する工程と、
実装ステージ上に載置された上記基板と、上記実装ヘッドに保持された上記半田バンプ付きチップとの関係位置を画像処理カメラにより位置合わせする工程と、
位置合わせ後に、上記基板に半田バンプ付きチップを実装する工程とからなることを特徴とするフリップチップ実装方法。
【請求項２】チップを基板にフリップチップ実装するフリップチップ実装装置において、外周の複数個所に搬送治具を設けた回転テーブルと、
シリンジホルダに保持されるフラックスが充填されたシリンジと、
ニードルホルダ兼スキージとをＸ方向に移動させるシリンダーと、
上記ニードルホルダ兼スキージとをＺ方向にボールネジを介して移動させるサーボモータと、
上記回転テーブルの外周上方に設けられ上記搬送治具上に上記チップを供給するチップ供給ヘッドと、
上記チップ供給ヘッドが上記搬送治具へ供給した上記チップを吸着する実装ヘッドと、
上記回転テーブルの外周下方に設けられた実装ステージに載置された上記基板と、上記実装ヘッドに吸着された上記チップとの位置合わせをする画像処理カメラとを有してなることを特徴とするフリップチップ実装装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001077592.tif 000001
【図２】
2001077592.tif 000002
【図３】
2001077592.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  装着されたホスト機器との間で物理的接触手段を介してデータを授受する有線通信手段と、
近距離無線通信網を介して外部の通信網とデータを送受信する近距離無線通信手段と、
上記通信網に関する情報である通信設定情報が格納される記憶手段と、
上記記憶手段に記憶された通信設定情報に基づいて、上記近距離無線通信網を介した上記通信網との接続関係を設定し、上記通信網と上記ホスト機器との間のデータの送受信を制御する通信制御手段とを備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】  上記記憶手段には、上記ホスト機器を操作するユーザに関する情報である個人情報が記憶され、上記通信制御手段は、上記記憶手段に格納された通信設定情報及び上記個人情報記憶手段に格納された個人情報を用いて、上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】  上記記憶手段には、ＰＰＰ（Point to Point Protocol）、ＩＰ（Internet Protocol）、ＴＣＰ（Transport Control Protocol）のうち少なくとも一のプロトコルが格納され、上記通信制御手段は上記記憶手段に格納された少なくとも一のプロトコルを用いて上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定し、上記ホスト機器と上記通信網との間のデータの送受信を制御することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項４】  上記ホスト機器に格納されたＰＰＰ（Point to Point Protocol）、ＩＰ（Internet Protocol）、ＴＣＰ（Transport Control Protocol）のうち少なくとも一のプロトコルを用いて上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定して上記ホスト機器と上記通信網との間でデータの送受信を行うか、上記記憶手段に格納された少なくとも一のプロトコルを用いて上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定して上記ホスト機器と上記通信網との間でデータの送受信を行うかを判定する判定手段を備え、上記記憶手段に格納された少なくとも一のプロトコルを用いて上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定して上記ホスト機器と上記通信網との間でデータの送受信を行う旨の判定結果に応じて、上記通信制御手段は上記記憶手段に格納された少なくとも一のプロトコルを用いて、上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定し、上記ホスト機器と上記通信網との間のデータの送受信を制御することを特徴とする請求項３記載の通信装置。
【請求項５】  上記通信制御手段は、上記ホスト機器から入力されたパスワード情報を用いて上記記憶手段に記憶された個人情報が使用可能か否かを判定し、判定結果に基づいて、上記ホスト機器と上記通信網との接続を設定することを特徴とする請求項２記載の通信装置。
【請求項６】  上記記憶手段は、上記ホスト機器から上記有線通信手段を介して入力されたデータを一旦記憶し、上記通信制御手段は、上記記憶手段に記憶されたデータを上記通信網の間で送受信を行うように制御することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項７】  上記制御手段は、公衆通信網と上記ホスト機器との接続関係を設定し、上記ホスト機器と上記通信網との間でデータの送受信を制御することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項８】  ホスト機器との間で物理的接触手段を介してデータを授受する有線通信部と、近距離無線通信網を介して外部の通信網とデータを送受信する近距離無線通信部とを備えた通信装置の通信方法において、
上記通信装置の内部に記憶した近距離無線通信網外の通信網に関する情報である通信設定情報を用いて、近距離無線通信網を介した上記無線制御装置と通信網との接続関係を設定し、
上記通信装置と通信網との接続関係を用いて、上記通信装置と通信網との間でデータの送受信を行うとともに、上記ホスト機器と通信装置との間でデータの授受を行って、
上記ホスト機器と通信網との間のデータの送受信を制御することを特徴とする通信方法。
【請求項９】  単一筐体内に、装着されたホスト機器との間で物理的接触手段を介してデータを授受する有線通信手段と、
近距離無線通信網を介して外部の通信網とデータを授受する近距離無線通信手段と、
上記通信網に関する情報である通信設定情報が格納される記憶手段と、
上記記憶手段に記憶された通信設定情報に基づいて、上記近距離無線通信網を介した上記通信網との接続関係を設定し、上記通信網と上記ホスト機器との間のデータの送受信を制御する通信制御手段とを収容し、上記通信制御手段の一方側に上記有線通信手段を配置し、上記通信制御手段の他方側に上記近距離無線通信手段を配置したことを特徴とする通信装置。
【請求項１０】  少なくとも一部がホスト機器に設けられた凹状接続部に着脱自在な所定の外形寸法で構成された筐体内に、  
装着された上記ホスト機器との間で物理的接触手段を介してデータを授受する有線通信手段と、  
近距離無線通信網を介して外部の通信網とデータを授受する近距離無線通信手段と、
上記通信網に関する情報である通信設定情報が格納される記憶手段と、
上記記憶手段に記憶された通信設定情報に基づいて、上記近距離無線通信網を介した上記通信網との接続関係を設定し、上記通信網と上記ホスト機器との間のデータの送受信を制御する通信制御手段とを設けたことを特徴とする通信装置。
【請求項１１】  上記筐体は、板型形状であり、上記筐体の一方端には上記近距離無線通信手段が配置され、上記筐体の他方端には上記有線通信手段が配置されることを特徴とする請求項１０記載の通信装置。
【請求項１２】  上記筐体は、他方端を上記ホスト機器から外部に露呈して上記ホスト機器の凹状接続部に接続されることを特徴とする請求項１１記載の通信装置。
【請求項１３】  上記近距離無線通信手段は、板状に成形されたチップアンテナを含み、このチップアンテナを介して上記近距離無線通信網との間でデータを送受信することを特徴とする請求項１１記載の通信装置。
【請求項１４】  上記チップアンテナは、上記筐体の他方端の厚さが一方端の厚さよりも大きい突出部を有して上記筐体の他方端に収容されることを特徴とする請求項１３記載の通信装置。
【請求項１５】  ユーザにより操作され公衆通信網と接続してデータを授受する公衆通信接続手段と、
近距離無線通信網に含まれる他の機器との間で当該近距離無線通信網を介してデータの送受信を行う近距離無線通信手段と、
上記公衆通信網を介して接続する外部の通信網に関する情報である通信設定情報が格納される通信設定情報記憶手段と、
上記通信設定情報記憶手段に格納された通信設定情報を用いて、上記公衆通信網を介して上記通信網との接続を設定する通信接続設定手段と、
上記通信接続設定手段により設定された上記通信網との接続関係を用いて、上記他の機器と上記通信網との間でデータの送受信を行うように制御する制御手段とを備えることを特徴とする通信端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１の面と拡散防止板を対向させて配置し、上記半導体基板の上記第１の面と反対側の第２の面に第１の不純物拡散を行った後、上記第２の面を上記拡散防止板に対向させて配置し上記第１の面に第２の不純物拡散を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
第１の半導体基板の第１の面と第２の半導体基板の第１の面を対向させて配置し、上記第１の半導体基板の上記第１の面と反対側の第２の面、および、上記第２の半導体基板の上記第１の面と反対側の第２の面に第１の不純物拡散を行った後、上記第１の半導体基板の第２の面と上記第２の半導体基板の第２の面を対向させて配置し、上記第１の半導体基板の上記第１の面、および、上記第２の半導体基板の上記第１の面に第２の不純物拡散を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の太陽電池の製造方法において、上記第１の不純物拡散の不純物がボロンで、上記第２の不純物拡散の不純物がリンであることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の第１の面と拡散防止板を対向させて配置し、上記半導体基板は上記第１の面に不純物拡散による上記第１の面を持ち、上記半導体基板の上記第１の面と反対側の第２の面に第１の不純物拡散を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項５】
第１の半導体基板の第１の面と第２の半導体基板の第１の面を対向させて配置し、上記第１、上記第２の半導体基板の上記第１の面は共に不純物拡散による上記第１の面を持ち、上記第１の半導体基板の上記第１の面に対向した上記第１の半導体基板の第２の面と、上記第２の半導体基板の上記第１の面に対向した上記第２の半導体基板の第２の面に第２の不純物拡散を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の第１の面と拡散防止板を対向させて配置し、すくなくとも上記半導体基板または拡散防止板のいずれかの表面に凹凸構造があることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の太陽電池の製造方法において、上記凹凸が２μｍ以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項８】
第１の半導体基板の第１の面と第２の半導体基板の第１の面を対向させて配置し、すくなくとも上記第１、第２の半導体基板のいずれかの表面に凹凸構造があり、上記第１の半導体基板の上記第１の面に対向した上記第１の半導体基板の第２の面と、上記第２の半導体基板の上記第１の面に対向した上記第２の半導体基板の第２の面に第１の不純物拡散を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法
【請求項９】
半導体基板の第１の面と拡散防止板を対向させて配置し、上記対向して配置された半導体基板と拡散防止板、又は上記対向して配置された２枚の半導体基板の間隔を低減するために、上記半導体基板又は拡散防止板を設置するボート上の溝が斜面で構成されたボートを用いることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板または拡散防止板が水平に支持されており、上記第１の面に対向した上記半導体基板の第２の面に不純物拡散を行い、縦型炉を用いて上記不純物の拡散を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板の第１の面と拡散防止板を対向させて配置し、上記第１または第２の不純物拡散の不純物のボロンを用いて形成したボロン拡散層の上記半導体基板表面に垂直な断面のボロン濃度プロファイルの、上記半導体基板の最表面の不純物濃度が該ボロン濃度プロファイルのボロン濃度の最大値の５０％以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板、絶縁層、及び半導体層がこの順に積層された積層構造を有するＳＯＩ基板と、
前記ＳＯＩ基板の素子分離領域において、前記半導体層の上面から前記絶縁層の上面に達しないように所定の深さに形成された第１の素子分離絶縁膜と、
前記ＳＯＩ基板の素子形成領域において、前記半導体層の前記上面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上から前記第１の素子分離絶縁膜上に延在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記第１の素子分離絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記ＳＯＩ基板の前記素子分離領域において、前記層間絶縁膜の上面と前記半導体層の前記上面との間で前記層間絶縁膜及び前記第１の素子分離絶縁膜を選択的に貫通し、前記第１の素子分離絶縁膜上に存在する前記ゲート電極に接触し、内部が導体で充填されたコンタクトホールと
を備える半導体装置。
【請求項２】  前記ゲート電極は、自身の側壁部が前記第１の素子分離絶縁膜上に存在するように形成され、
前記コンタクトホールは、前記ゲート電極の前記側壁部に接触する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記コンタクトホールと接触する部分の前記半導体層の前記上面内に形成された不純物領域をさらに備え、
前記不純物領域の不純物濃度は前記半導体層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記半導体装置は複数であり、
隣接する前記半導体装置同士の間に形成され、前記半導体層の前記上面から前記絶縁層の前記上面に達する第２の素子分離絶縁膜をさらに備える、請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項５】  （ａ）半導体基板、絶縁層、及び半導体層がこの順に積層された積層構造を有するＳＯＩ基板を準備する工程と、
（ｂ）前記ＳＯＩ基板の素子分離領域において、前記半導体層の上面から前記絶縁層の上面に達しないように所定の深さに第１の素子分離絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記ＳＯＩ基板の素子形成領域において、前記半導体層の前記上面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記ゲート絶縁膜上から前記第１の素子分離絶縁膜上に延在するゲート電極を形成する工程と、
（ｅ）前記ゲート電極及び前記第１の素子分離絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記ＳＯＩ基板の前記素子分離領域において、前記層間絶縁膜の上面と前記半導体層の前記上面との間で前記層間絶縁膜及び前記第１の素子分離絶縁膜を選択的に貫通し、前記第１の素子分離絶縁膜上に存在する前記ゲート電極に接触するコンタクトホールを形成する工程と、
（ｇ）前記コンタクトホール内に導体を充填する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項６】  （ｈ）前記工程（ｆ）と前記工程（ｇ）との間に実行され、前記コンタクトホールを介して前記半導体層の前記上面内に不純物を導入することにより、前記半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する工程をさらに備える、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  （ｉ）前記工程（ｆ）よりも前に実行され、前記第１の素子分離絶縁膜の底面と前記半導体層の前記上面との間に、前記第１の素子分離絶縁膜の材質とは異なる材質から成る絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記工程（ｆ）は、
（ｆ−１）前記絶縁膜をエッチングストッパとして、前記層間絶縁膜及び前記第１の素子分離絶縁膜を選択的に除去する工程と、
（ｆ−２）前記工程（ｆ−１）により露出した前記絶縁膜を除去する工程と
を有する、請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）前記ＳＯＩ基板の深さ方向にエッチングレートの高い異方性エッチングにより、前記素子分離領域における前記半導体層の前記上面を掘り下げて凹部を形成する工程と、
（ｂ−２）前記凹部内を充填する前記第１の素子分離絶縁膜を形成する工程と
を有する、請求項５〜７のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記半導体装置は複数であり、
（ｊ）隣接する前記半導体装置同士の間に、前記半導体層の前記上面から前記絶縁層の前記上面に達する第２の素子分離絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記工程（ｂ）及び（ｊ）は、
（ｘ−１）前記素子分離領域における前記半導体層の前記上面を掘り下げて、前記絶縁層の前記上面に達しない深さに第１の凹部を形成する工程と、
（ｘ−２）前記第１の凹部の底面を選択的に掘り下げて、前記絶縁層の前記上面に達する第２の凹部を形成する工程と、
（ｘ−３）前記第１及び第２の凹部内を絶縁膜によって充填する工程と
によって実行される、請求項５〜８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記半導体層の前記上面内に形成されるソース・ドレイン領域をさらに備え、
前記第１の素子分離絶縁膜は、平面視において前記ソース・ドレイン領域を囲み、
前記第２の素子分離絶縁膜は、平面視において前記第１の素子分離絶縁膜を囲む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１１】  前記半導体層の前記上面内に形成されるソース・ドレイン領域をさらに備え、
前記第１の素子分離絶縁膜は、前記コンタクトホールの周囲に形成され、
前記第２の素子分離絶縁膜は、平面視において前記ソース・ドレイン領域を囲む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１２】  前記半導体層の前記上面内に形成され、その底面が前記絶縁層の前記上面に達するソース・ドレイン領域をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このように本実施の形態１に係る半導体装置及びその製造方法によれば、ＳＯＩ基板を用いたＤＴＭＯＳに関して、素子分離絶縁膜として部分分離を採用し、ゲート電極のパッド部を素子分離絶縁膜上にまで延在して形成した。そして、ゲート電極のパッド部とＳＯＩ層（ボディー領域）とを、素子分離絶縁膜内に形成したコンタクトホール内を充填する導体によって互いに電気的に接続した。従って、ゲート電極のパッド部とボディー領域との間に素子分離絶縁膜が存在し、両者の間の距離が長いため、ゲート電極のパッド部とボディー領域との間に生じる寄生容量を低減でき、動作の遅延を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、コンタクトホールはＳＯＩ基板の素子分離領域に形成されるため、従来の半導体装置と比較すると、ＳＯＩ基板の素子形成領域の面積を半分程度に削減することができる。しかも、ゲート電極のパッド部の中央にコンタクトホールを形成するのではなく、ゲート電極のパッド部の側端部に接触するようにコンタクトホールを形成したため、ゲート電極のパッド部の面積を削減することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
実施例
FeCl2・4H2O 184gおよびFeCl3・6H2O 500gを溶解させた水溶液1850ml中に、撹拌しながら6N NaOH水溶液をpHが11になる迄滴下し、その後80℃で30分間熟成、冷却し、塩をデカンテーションで除去して、マグネタイトの水性サスペンション(マグネタイト濃度10重量%)を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英試料の所望の深さの被分析層の表面を露出させる工程と、
前記石英試料の厚さを求める工程と、
前記被分析層を化学的に分解して分解物を得る工程と、
前記被分析層の厚さを求める工程と、
前記分解物と前記被分析層の厚さとから前記被分析層中に含まれる金属含有量を求める工程と、
を具備する、石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項２】
請求項１に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記被分析層の表面を露出させる工程が、前記石英試料表面をフッ酸（ＨＦ）でエッチングする工程であることを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記分解物を得る工程が、
前記被分析層表面に分解液を所定時間保持せしめ、前記被分析層を分解させる工程と、
前記分解液を回収する工程と、
前記回収した分解液中の金属量を分析する工程と、
を具備することを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項４】
請求項３に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記分解液が、フッ酸（ＨＦ）単独、又は、フッ酸（ＨＦ）を含む混合液であることを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記金属量を分析する工程が、原子吸光分析法、誘導結合プラズマ原子発光分析法、又は誘導結合プラズマ質量分析法により行なわれることを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項６】
石英試料の所定の深さに位置する被分析層の表面を露出させる第１の工程と、
前記石英試料の厚さを求める第２の工程と、
前記被分析層を化学的に分解して分解物を得る第３の工程と、
前記被分析層の厚さを求める第４の工程と、
前記分解物と前記被分析層の厚さとから前記被分析層中に含まれる金属含有量を求める第５の工程と、
前記被分析層の更に厚さ方向内側に隣接する被分析層の表面を露出させる第６の工程と、前記第２の工程〜前記第６の工程を繰り返すことにより前記石英試料の厚さ方向の金属分布を求めることを特徴とする、石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項７】
請求項６に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記第１の工程及び第６の工程が、前記石英試料表面をフッ酸（ＨＦ）でエッチングする工程であることを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記分解物を得る第３の工程が、
前記被分析層表面に分解液を所定時間保持せしめ、前記被分析層を分解させる工程と、
前記分解液を回収する工程と、
前記回収した分解液中の金属量を分析する工程と、
を具備することを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項９】
請求項８に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記分解液が、フッ酸（ＨＦ）単独、又は、フッ酸（ＨＦ）を含む混合液であることを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の石英中に含有される金属の分析方法であって、
前記金属量を分析する工程が、
原子吸光分析法、誘導結合プラズマ原子発光分析法、又は誘導結合プラズマ質量分析法により行なわれることを特徴とする石英中に含有される金属の分析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の石英中に含有される金属の分析方法は、石英試料の所望の深さの被分析層の表面を露出させる工程と、前記石英試料の厚さを求める工程と、前記被分析層を化学的に分解して分解物を得る工程と、前記被分析層の厚さを求める工程と、前記分解物と前記被分析層の厚さとから前記被分析層中に含まれる金属含有量を求める工程と、を具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記分析方法において、前記分解物を得る工程として、前記被分析層表面に分解液を所定時間保持せしめ、前記被分析層を分解させる工程と、前記分解液を回収する工程と、前記回収した分解液中の金属量を分析する工程と、を具備する工程を挙げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この分析方法において、前記分解液として、フッ酸（ＨＦ）単独、又は、フッ酸（ＨＦ）を含む混合液を挙げることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の他の分析方法は、石英試料の所定の深さに位置する被分析層の表面を露出させる第１の工程と、前記石英試料の厚さを求める第２の工程と、前記被分析層を化学的に分解して分解物を得る第３の工程と、前記被分析層の厚さを求める第４の工程と、前記分解物と前記被分析層の厚さとから前記被分析層中に含まれる金属含有量を求める第５の工程と、前記被分析層の更に厚さ方向内側に隣接する被分析層の表面を露出させる第６の工程と、前記第２の工程〜前記第６の工程を繰り返すことにより前記石英試料の厚さ方向の金属分布を求めることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記分析方法において、前記第１の工程及び第６の工程として、前記石英試料表面をフッ酸（ＨＦ）でエッチングする工程を挙げることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また上記分析方法において、前記分解物を得る第３の工程として、前記被分析層表面に分解液を所定時間保持せしめ、前記被分析層を分解させる工程と、前記分解液を回収する工程と、前記回収した分解液中の金属量を分析する工程と、を具備する工程を挙げることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この分析方法において、前記分解液として、フッ酸（ＨＦ）単独、又は、フッ酸（ＨＦ）を含む混合液を挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（２）ＥＳＣＡによるウエハ表面汚染の測定
８インチシリコンミラーウエハをダイアモンドカッターで表面を汚染しないように１ｃｍ角に切断した。切断したウエハの表面をＥＳＣＡを用いて下記の条件で測定し、珪素に対する炭素の比（以下、Ｃ／Ｓｉ比という）を求め、有機物によるシリコンウエハの汚染状況を調べる。
＜ＥＳＣＡ測定条件及ぴＣ／Ｓｉ比算出法＞
Ｘ線源：ＭｇＫα線（１２５３．６ｅＶ）、Ｘ線出力：３００Ｗ、測定真空度：２×１０-7Ｐａ以下、Ｃ／Ｓｉ：（炭素のピーク面積）／（珪素のピーク面積）
＜Ｃ／Ｓｉ比の評価方法＞
試料を貼着する前のシリコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ値は０．１０（ブランク値）である。従って、試料を貼着した後のシリコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ値が０．１０〜０．１２程度のものを汚染無し、それを超えるものを汚染有りと判定する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノルボルネン骨格を有する不飽和ポリエステル（ａ）、重合性単量体（ｂ）及び全炭素数が８〜３０のアルキルコハク酸及び／またはアルケニルコハク酸（ｃ）を含む硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
上記、ノルボルネン骨格を有する不飽和ポリエステル（ａ）において、ノルボルネン骨格の導入率が、該不飽和ポリエステル（ａ）を構成する全多塩基酸成分に対して５〜１００モル％であり、重量平均分子量が５５００〜５００００の範囲である、請求項１記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
上記、ノルボルネン骨格を有する不飽和ポリエステル（ａ）の数平均分子量が１５００以下である、請求項１または２に記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれかに記載の硬化性樹脂組成物を含んでなる成形材料。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポリエステル樹脂組成物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱可塑性ポリエステル樹脂（Ａ成分）９５〜１０重量％、ポリアミド樹脂（Ｂ成分）４〜５０重量％、および、α−オレフィンとα，β−不飽和グリシジルエステルとからなるオレフィン系共重合体（Ｃ成分）１〜４０重量％とからなる樹脂組成物１００重量部に対し、強化充填材（Ｄ成分）０〜１５０重量部が配合されてなることを特徴とするポリエステル樹脂組成物。
【請求項２】  熱可塑性ポリエステル樹脂（Ａ成分）がポリブチレンテレフタレートである、請求項１に記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項３】  ポリアミド樹脂（Ｂ成分）が脂肪族ポリアミド樹脂である、請求項１または請求項２に記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項４】  α−オレフィンとα，β−不飽和グリシジルエステルとからなるオレフィン系共重合体（Ｃ成分）が、エチレン−グリシジルメタクリレート−メチルアクリレート共重合体である、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項５】  強化充填材（Ｄ成分）がガラス繊維である、請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のポリエステル樹脂組成物。
【請求項６】  熱可塑性ポリエステル樹脂（Ａ成分）、ポリアミド樹脂（Ｂ成分）、α−オレフィンとα，β−不飽和グリシジルエステルとからなるオレフィン系共重合体（Ｃ成分）からなる樹脂組成物１００重量部に対し、エポキシ樹脂（Ｅ成分）１〜３０重量部が配合されてなる、請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のポリエステル樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属蒸気を第１の反応容器内に閉じ込めることを特徴とする結晶成長方法。
【請求項２】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるときに、窒素原料が第１の反応容器の外部から第１の反応容器内に通過する領域を、アルカリ金属蒸気が塞がないようにすることを特徴とする結晶成長方法。
【請求項３】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液の表面より上部の温度を、アルカリ金属蒸気が凝縮しない温度以上に制御することを特徴とする結晶成長方法。
【請求項４】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるときに、窒素原料が第１の反応容器の外部から第１の反応容器内に通過する領域を、温度制御することを特徴とする結晶成長方法。
【請求項５】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるときに、第１の反応容器の外側に第２の反応容器を設け、第２の反応容器の外側から窒素原料を導入し、第２の反応容器内の窒素原料を第１の反応容器内に導入しつつ、第１の反応容器内にアルカリ金属蒸気を閉じ込めることを特徴とする結晶成長方法。
【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の結晶成長方法において、窒素原料を、第１の反応容器あるいは第２の反応容器の水平方向から、もしくは、水平方向よりも下側方向から、第１の反応容器あるいは第２の反応容器内に導入することを特徴とする結晶成長方法。
【請求項７】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長装置であって、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液が保持されている第１の反応容器の外側には、混合融液内あるいは混合融液表面で、ＩＩＩ族窒化物が結晶成長可能な温度に制御できるように第１の加熱装置が設けられており、さらに、混合融液の表面より上部の温度を制御できるように、第２の加熱装置が第１の加熱装置の上部に設けられていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項８】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長装置であって、窒素原料が第１の反応容器の外部から第１の反応容器内に通過する領域を温度制御するために、前記領域の外側には第３の加熱装置が設けられていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項９】 第１の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともＩＩＩ族金属を含む混合融液と第１の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長装置であって、第１の反応容器の外側には第２の反応容器が設けられており、第２の反応容器の外側から窒素原料を導入し、第２の反応容器内の窒素原料を第１の反応容器内に導入しつつ、第１の反応容器内にアルカリ金属蒸気を閉じ込めるようになっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項１０】 請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の結晶成長装置において、窒素原料を、第１の反応容器あるいは第２の反応容器の水平方向から、もしくは、水平方向よりも下側方向から、第１の反応容器あるいは第２の反応容器内に導入するようになっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項１１】 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の結晶成長方法を用いて結晶成長させたＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項１２】 請求項１１記載のＩＩＩ族窒化物結晶を用いて作製されたＩＩＩ族窒化物半導体デバイス。
【請求項１３】
アルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素原料とを含む混合融液を保持する反応容器と、
前記反応容器の温度を前記アルカリ金属が凝縮する温度以上に加熱する加熱装置とを備える結晶製造装置。
【請求項１４】
前記窒素原料を前記反応容器内へ供給する供給管をさらに備える、請求項１３に記載の結晶製造装置。
【請求項１５】
前記供給管の温度を制御する制御手段をさらに備える、請求項１４に記載の結晶製造装置。
【請求項１６】
前記制御手段は、前記窒素原料が前記供給管を通過可能な温度に前記供給管の温度を制御する、請求項１５に記載の結晶製造装置。
【請求項１７】
前記制御手段は、前記供給管内のアルカリ金属を除去可能な温度に前記供給管の温度を制御する、請求項１５に記載の結晶製造装置。
【請求項１８】
アルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素原料とを含む混合融液を反応容器内に保持する工程と、
前記反応容器の温度を前記アルカリ金属が凝縮する温度以上に加熱する工程とを備えるIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１９】
前記窒素原料を前記反応容器内へ供給する工程をさらに備える、請求項１８に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２０】
前記窒素原料を前記反応容器内へ供給する供給管の温度を制御する工程をさらに備える、請求項１９に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２１】
前記温度を制御する工程は、前記窒素原料が前記供給管を通過可能な温度に前記供給管の温度を制御する、請求項２０に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２２】
前記温度を制御する工程は、前記供給管内のアルカリ金属を除去可能な温度に前記供給管の温度を制御する、請求項２０に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。