【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主表面上に堆積した高融点金属膜と反応して形成された第１高融点金属シリサイド膜をソース／ドレイン領域の上面に有するシリコン基板と、
前記ソース／ドレイン領域に挟まれた領域の前記シリコン基板上に形成され、シリコンを含む膜と該シリコンを含む膜の上に堆積した高融点金属膜が反応して形成された第２高融点金属シリサイド膜を上面に有するゲート電極と、
前記ゲート電極の表面を覆うように形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜および第１高融点金属シリサイド膜の表面を覆うように形成された、所定のエッチング条件におけるエッチング速度が前記第１絶縁膜より大きな第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜を貫通して前記ソース／ドレイン領域の一方の表面に至るように形成されたコンタクトホールと、
前記第１および第２絶縁膜を貫通し、前記ゲート電極および前記ソース／ドレイン領域の他方の両方に至るように形成されたシェアードコンタクトホールとを備えた、半導体装置。
【請求項２】  前記第１絶縁膜と前記ゲート電極との間に、前記第１絶縁膜の熱膨張率と前記ゲート電極を構成する材料の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する緩衝膜をさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記ゲート電極が多結晶シリコン膜を含み、
前記第１絶縁膜がシリコン窒化膜を含み、
前記多結晶シリコン膜と前記シリコン窒化膜との間に形成された前記緩衝膜がシリコン酸化膜を含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第１絶縁膜がシリコン窒化膜を含み、
前記第２高融点金属シリサイド膜と前記シリコン窒化膜との間に形成された前記緩衝膜がシリコン酸化膜を含む、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記シェアードコンタクトホールが形成される領域の前記第１および第２絶縁膜の全てが除去された、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記第１および第２絶縁膜に覆われた導電層と、
前記第１および第２絶縁膜を貫通し、前記導電層に至るコンタクトホールとをさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】  シリコン基板とその主表面上に堆積した高融点金属膜とが反応して形成された第１高融点金属シリサイド膜をソース／ドレイン領域の前記シリコン基板表面に形成する工程と、
前記シリコン基板上に、シリコンを含む膜と該シリコンを含む膜の上に堆積した高融点金属膜が反応して形成された第２高融点金属シリサイド膜を有するゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の表面を覆うように第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜および前記第１高融点金属シリサイド膜を覆うように、所定のエッチング条件におけるエッチング速度が前記第１絶縁膜より大きな第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜を貫通し、前記ソース／ドレイン領域の一方の表面に至るコンタクトホールを形成する工程と、
前記ゲート電極上面および前記ソース／ドレイン領域の他方の上面とを露出させるように、前記第１および第２絶縁膜を除去するシェアードコンタクトホールを形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記ゲート電極を形成する前記工程の後、前記第１絶縁膜を形成する前記工程の前に、前記第１絶縁膜の熱膨張率と前記ゲート電極を構成する材料の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する緩衝膜を前記ゲート電極の表面に形成する工程をさらに備える、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記ゲート電極として多結晶シリコン膜を含む膜を形成し、
前記第１絶縁膜としてシリコン窒化膜を形成し、
前記緩衝膜として前記多結晶シリコン膜と前記第１絶縁膜との間にシリコン酸化膜を形成する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記第１絶縁膜としてシリコン窒化膜を形成し、
前記緩衝膜として前記第１高融点金属シリサイド膜と前記第１絶縁膜との間にシリコン酸化膜を形成する、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  前記シェアードコンタクトホールを形成する前記工程において、該シェアードコンタクトホールが形成される領域の前記第１および第２絶縁膜の全てを除去する、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  前記シリコン基板の表面上に前記ゲート電極と異なる他のゲート電極をさらに備え、前記シェアードコンタクトホールを形成する前記工程において、前記第１および第２絶縁膜とに覆われた前記他のゲート電極に向かって、該他のゲート電極の表面を露出させるようなコンタクトホールを前記第１および第２絶縁膜にさらに形成する、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の本発明における半導体装置は、主表面上に堆積した高融点金属膜と反応して形成された第１高融点金属シリサイド膜をソース／ドレイン領域の上面に有するシリコン基板と、ソース／ドレイン領域に挟まれた領域のシリコン基板上に形成され、シリコンを含む膜とこのシリコンを含む膜の上に堆積した高融点金属膜が反応して形成された第２高融点金属シリサイド膜を上面に有するゲート電極と、ゲート電極の表面を覆うように形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜および第１高融点金属シリサイド膜の表面を覆うように形成された、所定のエッチング条件におけるエッチング速度が第１絶縁膜より大きな第２絶縁膜と、第２絶縁膜を貫通してソース／ドレイン領域の一方の表面に至るように形成されたコンタクトホールとを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このような構造にすることにより、ゲート電極が、所定のエッチン条件において第２絶縁膜よりエッチング速度が大きな、すなわち、所定のエッチングガスに対するエッチング速度が第２絶縁膜に対して相対的に大きな第１絶縁膜により覆われているため、第１絶縁膜に対して自己整合的に、ソース／ドレイン領域の一方の上面に至るコンタクトホールを第２絶縁膜に形成することができる。そのため、多少コンタクトホールの形成位置がゲート電極側にずれても、ゲート電極は第１絶縁膜により保護される。そのため、トランジスタの構造を微細化しても、現状のアライメント精度で半導体装置を形成できる。
また、請求項１に記載の半導体装置は、第１および第２絶縁膜を貫通し、ゲート電極およびソース／ドレイン領域の他方の両方に至るように形成されたシェアードコンタクトホールを備えている。
このような構造にすることにより、一方のソース／ドレイン領域に至るように自己整合的にコンタトホールが形成され、他のソース／ドレイン領域およびゲート電極に至るようにシェアードコンタクトホールが形成されるため、コンタクトプラグを形成するためのコンタクトホールの数が減少する。そのため、トランジスタ構造を微細化してもコンタクトプラグを形成し易くなるため、さらに半導体装置の微細化が可能な構造となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項５に記載の本発明における半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、シェアードコンタクトホールが形成される領域の第１および第２絶縁膜の全てが除去されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
請求項６に記載の本発明における半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、第１および第２絶縁膜とに覆われた導電層と、第１および第２絶縁膜を貫通し、導電層に至るコンタクトホールとをさらに備えている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項７に記載の本発明における半導体装置の製造方法は、シリコン基板とその主表面上に堆積した高融点金属膜とが反応して形成された第１高融点金属シリサイド膜をソース／ドレイン領域のシリコン基板表面に形成する工程と、シリコン基板上に、シリコンを含む膜とこのシリコンを含む膜の上に堆積した高融点金属膜が反応して形成された第２高融点金属シリサイド膜を有するゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の表面を覆うように第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜および第１高融点金属シリサイド膜を覆うように、所定のエッチング条件におけるエッチング速度が第１絶縁膜より大きな第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜を貫通し、ソース／ドレイン領域の一方の表面に至るコンタクトホールを形成する工程とを備えている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、第１および第２高融点金属シリサイド膜を別工程で形成することにより、それぞれを所望の膜厚に制御することができる。
また、請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、ゲート電極上面およびソース／ドレイン領域の他方の上面とを露出させるように、第１および第２絶縁膜を除去するシェアードコンタクトホールを形成する工程を備えている。
このような製造方法を用いることにより、一方のソース／ドレイン領域の上面に至るように、第１絶縁膜に自己整合的にコンタクトホールが形成できるとともに、他のソース／ドレイン領域およびゲート電極に至るようにシェアードコンタクトホールを形成できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項８に記載の本発明における半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、ゲート電極を形成する工程の後、第１絶縁膜を形成する工程の前に、第１絶縁膜の熱膨張率とゲート電極を構成する材料の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する緩衝膜をゲート電極の表面に形成する工程をさらに備えている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
請求項９に記載の本発明における半導体装置の製造方法は、請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、ゲート電極として多結晶シリコン膜を含む膜を形成し、第１絶縁膜としてシリコン窒化膜を形成し、緩衝膜として多結晶シリコン膜と第１絶縁膜との間にシリコン酸化膜を形成する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
請求項１０に記載の本発明における半導体装置の製造方法は、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法において、第１絶縁膜としてシリコン窒化膜を形成し、緩衝膜として第１高融点金属シリサイド膜と第１絶縁膜との間にシリコン酸化膜を形成する。
このような製造方法を用いることにより、シリコン酸化膜で緩衝膜を形成するため、既存の製造方法を用いることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項１１に記載の本発明における半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、シェアードコンタクトホールを形成する工程において、このシェアードコンタクトホールが形成される領域の第１および第２絶縁膜の全てを除去する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
請求項１２に記載の本発明における半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、シリコン基板の表面上に前記ゲート電極と異なる他のゲート電極をさらに備え、シェアードコンタクトホールを形成する工程において、第１および第２絶縁膜とに覆われた他のゲート電極に向かって、この他のゲート電極の表面を露出させるようなコンタクトホールを第１および第２絶縁層にさらに形成する。