【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明基板と、
該透明基板に設けられた半透明膜または遮光膜と、
該半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンのうちパターンが局所的に欠損した部分である白欠陥部と、
該白欠陥部内に設けられた透過率が０％〜２％または２％〜６％の遮光部と、
該遮光部の周辺部分に形成され、前記遮光部より透過率が大きな半透明部とを備えた、フォトマスク。
【請求項２】  前記半透明部は、前記透明基板の主表面に垂直な方向から見て、前記完成パターンの外周縁の内側の領域から外側の領域にわたるように形成された、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】  前記半透明部は、透過率の異なる複数種類の部分を含む、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】  透明基板と、
該透明基板に設けられた半透明膜または遮光膜と、
該半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンのうちパターンが局所的に欠損した部分である欠陥部と、
該欠陥部およびその近傍に設けられた半透明部とを備えた、フォトマスク。
【請求項５】  前記半透明部の透過率が、前記半透明膜または遮光膜の透過率よりも大きい、請求項４に記載のフォトマスク。
【請求項６】  請求項１に記載のフォトマスクの製造方法であって、
前記遮光部は、ＦＩＢ照射により堆積された第１の堆積膜であり、
前記半透明部は、ＦＩＢ照射により堆積された、前記第１の堆積膜よりも膜厚が小さい第２の堆積膜である、フォトマスクの製造方法。
【請求項７】  請求項１に記載のフォトマスクの製造方法であって、前記半透明部は、ＦＩＢ照射により前記透明基板に金属イオンが注入されることにより形成される、フォトマスクの製造方法。
【請求項８】  前記半透明部は、前記ＦＩＢ照射によって、前記透明基板がエッチングされることにより形成される、請求項７に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】  露光波長をλとし、かつ、透明基板の光の屈折率をｎとして、
前記半透明部の前記ＦＩＢ照射によるエッチング深さｄが、実質的にｄ＝λ／２（ｎ−１）の偶数倍になるように、前記ＦＩＢ照射の条件が設定された、請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】  前記ＦＩＢ照射は、チャンバ内において行われ、
前記ＦＩＢ照射を用いた金属イオン注入により前記半透明部を形成する際に、前記チャンバ内の雰囲気に前記透明基板のエッチングを抑制するガスを注入する、請求項７に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１１】  請求項１に記載のフォトマスクの製造方法であって、前記半透明部または前記遮光部は、ＦＩＢ照射が用いられて、前記透明基板の表面が粗面化されることにより形成される、フォトマスクの製造方法。
【請求項１２】  請求項１に記載のフォトマスクの製造方法であって、
前記遮光部は、レーザＣＶＤにより堆積された第１の堆積膜であり、
前記半透明部は、レーザＣＶＤにより堆積された、前記第１の堆積膜よりも膜厚が小さい第２の堆積膜である、フォトマスクの製造方法。
【請求項１３】  透明基板と、該透明基板に設けられた半透明膜または遮光膜とを備えているフォトマスクの製造方法であって、
該半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンの外周よりもはみ出した部分である黒欠陥部が形成された場合に、前記黒欠陥部および前記黒欠陥部を構成する凸形状のうちの突出部に隣接する仮想パターンの外縁部を除去する工程と、
前記黒欠陥部およびその近傍が除去された部分の前記透明基板に半透明部を形成する工程とを備えた、フォトマスクの製造方法。
【請求項１４】  透明基板上に半透明膜または第１遮光膜が形成されたフォトマスクの白欠陥を修正する欠陥修正装置であって、
前記半透明膜または第１遮光膜のパターンの位置、形状および寸法を検出する検出器と、
該検出器により検出されたパターンと前記半透明膜または第１遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンとを比較する比較手段と、
該比較手段の比較結果によって認識した前記パターンに発生した前記白欠陥部の修正に必要な領域にＦＩＢビームまたはレーザビームを照射する照射源と、
前記白欠陥部内に、透過率がほぼ０％〜２％または２％〜６％の第２遮光膜を堆積させるためのガスを供給するガス供給機構と、
前記ＦＩＢビームまたはレーザビームが前記フォトマスクに照射される位置を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記第２遮光膜を堆積した後、該第２遮光膜の周辺部分に、前記第２遮光膜より透過率が大きな半透明部を形成するように、前記透明基板に前記ＦＩＢビームまたはレーザビームを照射する制御を実行するプログラムが内蔵されている、フォトマスクの製造装置。
【請求項１５】  透明基板上に半透明膜または遮光膜が形成されたフォトマスクの黒欠陥を修正する欠陥修正装置であって、
前記半透明膜または遮光膜のパターンの位置、形状および寸法を検出する検出器と、
該検出器により検出されたパターンと前記半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンとを比較する比較手段と、
該比較手段の比較結果によって認識した前記パターンに発生した黒欠陥部の修正に必要な領域にＦＩＢビームまたはレーザビームを照射する照射源と、
前記ＦＩＢビームまたはレーザビームが前記フォトマスクに照射される位置を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記黒欠陥および前記黒欠陥を構成する凸形状のうちの突出部に隣接する仮想パターンの外縁部の前記半透明膜または前記遮光膜が除去された部分に、前記半透明膜または前記遮光膜よりも透過率が大きな半透明部を形成するように、前記透明基板に前記ＦＩＢビームまたはレーザビームを照射する制御を実行するプログラムが内蔵されている、フォトマスクの製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面のフォトマスクは、透明基板と、透明基板に設けられた半透明膜または遮光膜と、半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンのうちパターンが局所的に欠損した部分である白欠陥部とを備えている。また、そのフォトマスクは、白欠陥部内に設けられた透過率が０％〜２％または２％〜６％の遮光部と、遮光部の周辺部分に形成され、前記遮光部より透過率が大きな半透明部とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一般に、透過率がほぼ０％の遮光部の配置を調整することにより完成パターンに近似するパターンを半導体基板上に転写する場合、遮光部の配置のズレが半導体基板上に転写されたパターンの配置に大きく影響する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第２の局面のフォトマスクは、透明基板と、透明基板に設けられた半透明膜または遮光膜とを備えている。また、そのフォトマスクは、半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンのうちパターンが局所的に欠損した部分である欠陥部と、欠陥部およびその近傍に設けられた半透明部とを備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
その欠陥修正装置は、半透明膜または第１遮光膜のパターンの位置、形状および寸法を検出する検出器と、検出器により検出されたパターンと半透明膜または第１遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンとを比較する比較手段とを備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の第２の局面のフォトマスクの製造装置は、透明基板上に半透明膜が形成されたフォトマスクの黒欠陥を修正する欠陥修正装置である。その欠陥修正装置は、半透明膜または遮光膜のパターンの位置、形状および寸法を検出する検出器と、検出器により検出されたパターンと半透明膜または遮光膜に欠陥がない場合の仮想パターンとを比較する比較手段とを備えている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、制御手段は、黒欠陥および黒欠陥を構成する凸形状のうちの突出部に隣接する仮想パターンの外縁部の半透明膜または遮光膜が除去された部分に、半透明膜または遮光膜よりも透過率が大きな半透明部を形成するように、透明基板にＦＩＢビームまたはレーザビームを照射する制御を実行するプログラムが内蔵されている。