【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲートを有し、第１の端子と第２の端子との間に結合された第１のトランジスタと、
第２のゲートを有し、前記第２の端子と第３の端子との間に結合された第２のトランジスタと、
インピーダンス部品とを備え、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが、前記第１の端子と前記第３の端子との間において信号電流を導通しえるように構成され、前記インピーダンス部品は、前記信号電流の歪みを減少するために、前記第１のゲートにおける第１のゲート信号電圧を絶縁し又は前記第２のゲートにおける第２のゲート信号電圧を絶縁するように構成されて前記第１のゲート及び前記第２のゲートに結合されていることを特徴とする、スイッチ装置。
【請求項２】
前記インピーダンス部品は、前記第１のゲートと第４の端子との間に結合され前記第１のゲートにバイアス電圧を供給するための第１の抵抗と、前記第２のゲートと前記第４の端子との間に結合され前記第２のゲートに前記バイアス電圧を供給する第２の抵抗とを備え、前記第２の端子の電圧に対して前記バイアス電圧が、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを不導通状態から導通状態に切り換えるのに相対的に十分であることを特徴とする、請求項１に記載のスイッチ装置。
【請求項３】
前記第１のゲートと前記第１の端子又は第２の端子との間のインピーダンスの値に対する前記第１の抵抗の抵抗値の比が、１より大きいことを特徴とする、請求項２に記載のスイッチ装置。
【請求項４】
前記第１のゲート信号電圧が前記第１の端子の電圧と前記第２の端子の電圧のほぼ中間にある値を有することを可能にするために、前記比が十分であることを特徴とする、請求項３に記載のスイッチ装置。
【請求項５】
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが、実質的に整合した電気的特性を有し、前記第１の端子の電圧と前記第２の端子の電圧の差が、実質的に前記第３の端子の電圧と前記第２の端子の電圧の差に大きさ等しく極性が逆であるように、前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗が、実質的に同じ値を有する、ことを特徴とする、請求項４に記載のスイッチ装置。
【請求項６】
前記第１のゲート信号電圧及び前記第２のゲート信号電圧が、異なることを特徴とする、請求項２に記載のスイッチ装置。
【請求項７】
前記第１、第２のトランジスタが、電界効果トランジスタであることを特徴とする、請求項１に記載のスイッチ装置。
【請求項８】
スイッチ装置における信号電流を制御するための電流制御方法であって、
第１のゲートを有し、第１の端子と第２の端子との間に結合された第１のトランジスタを備えることと、
第２のゲートを有し、前記第２の端子と第３の端子との間に結合された第２のトランジスタを備えることと、
前記第１の端子と前記第３の端子との間において信号電流を導通させ、かつ、前記信号電流の歪みを減少するために、前記第１のゲートにおける第１のゲート信号電圧、又は前記第２のゲートにおける第２のゲート信号電圧を絶縁することと
を含むことを特徴とする、電流制御方法。
【請求項９】
前記第１のゲート信号電圧が前記第１の端子の電圧と前記第２の端子の電圧のほぼ中間にある値をとりえるように、第４の端子と前記第１のゲートとの間にインピーダンスを備えることを特徴とする、請求項８に記載の電流制御方法。
【請求項１０】
前記第２のゲート信号電圧が前記第２の端子の電圧と前記第３の端子の電圧のほぼ中間にある値をとりえるように、第４の端子と前記第２のゲートとの間にインピーダンスを備えることを特徴とする、請求項８に記載の電流制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スイッチ装置及び電流制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図３は、本発明によるスイッチ装置６０の第１の実施例を示す略図である。スイッチ装置６０は、入力端子６４すなわち入力ポート６４とバイアス端子６６すなわちバイアスポート６６との間に結合されたトランジスタ６２を含む。トランジスタ６８は、バイアス端子６６と出力端子７０即ち出力ポート７０との間に結合されている。トランジスタ６２及び６８は、入力端子６４と出力端子７０との間において信号電流を導通するように構成されている。図示した実施例において、抵抗７４及び抵抗７６は、ともにインピーダンス部品７８を構成する。インピーダンス部品７８は、入力端子６４と出力端子７０との間を通る信号の歪みを減少するために、ゲート８０における第１のゲート信号電圧を絶縁しかつゲート８２における第２のゲート信号電圧を絶縁するように動作する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
１つの実施例において、トランジスタ６２及びトランジスタ６８は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。１つの実施例において、ＦＥＴ６２及びＦＥＴ６８は、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタである。別の実施例において、ＦＥＴ６２及びＦＥＴ６８は、ガリウムひ素金属半導体電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）である。別の実施例において、ＦＥＴ６２及びＦＥＴ６８は、エンハンスメントモードのシュードモヒック高電子移動度トランジスタ（Ｅ−ｐＨＥＭＴ）である。種々の別の実施例においては、トランジスタ６２及びトランジスタ６８は、別の適当なタイプのトランジスタである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図示した実施例において、抵抗７４は、バイアス端子８６に供給されたバイアス電圧をゲート８０に結合し、かつゲート８０における第１のゲート信号電圧を絶縁する。入力端子６４に結合されたトランジスタ６２のゲート８０とドレイン／ソースとの間のインピーダンス、又はバイアス端子６６に結合されたトランジスタ６２のゲート８０とドレイン／ソースとの間のインピーダンスが、少なくともゲート８０に結合される第１のゲート信号電圧が抵抗７４の導通状態によって感知できるほど変化しないような値より大きい場合、絶縁が起こる。トランジスタ６２のゲート８０とドレイン又はソースいずれかとの間のインピーダンスは、ゲート８０とドレイン／ソース又はソース／ドレイン領域との間に存在する寄生容量の結果として生じる。寄生容量は、寄生電流へ変位電流経路を提供し、これらの寄生電流により、ゲート８０における電圧は、入力端子６４における電圧とバイアス端子６６における電圧との間にある値に浮動することがある。１つの実施例において、抵抗７４のインピーダンスと、ゲート８０と入力端子６４又はバイアス端子６６との間のインピーダンスに対する比は、第１のゲート信号電圧が入力端子６４における入力端子電圧とバイアス端子６６におけるバイアス端子電圧との間のほぼ中間にある値を有することを可能にする値１より大きな適当な値である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図６は、本発明によるスイッチ装置１６０の第２の実施例を示す略図である。スイッチ装置１６０の第２の実施例は、抵抗７４がトランジスタ１１０に置き換えられ、かつ抵抗７６がトランジスタ１１２に置き換えられることを除いて、図３に示したスイッチ装置６０の第１の実施例と同様である。第２の実施例において、トランジスタ１１０及びトランジスタ１１２は、一緒になってインピーダンス部品１７８を構成している。インピーダンス部品１７８は、入力端子６４と出力端子７０との間に通される信号の歪みを減少するために、ゲート８０における第１のゲート信号電圧を絶縁し又はゲート８２における第２のゲート信号電圧を絶縁するように動作する。第２の実施例において、トランジスタ１１０は、ゲート１１４に供給される電圧バイアスを受け、かつトランジスタ１１２は、ゲート１１６に供給される電圧バイアスを受ける。第２の実施例において、ゲート１１４及びゲート１１６におけるバイアスは、トランジスタ１１０及びトランジスタ１１２を導通状態にバイアスするために十分である。