【事件の表示】
　平成　２年特許願第　４０１９６号「高純度黒鉛製品の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１０月２９日出願公開、特開平　３−２４２３７４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成２年２月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年１月２２日付けの手続補正書により補正された明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「黒鉛材料をシリコン単結晶引上げ用のルツボ、ヒーター、その他の炉内部材や治具、あるいはエピタキシャル成長用のサセプター、プラズマＣＶＤ用ボード、エッチング用電極、イオン源引出し電極、イオン注入用部品の製品形状に加工した後、これを１１００℃〜２５００℃の高温においてハロゲンガス中に晒して、前記の製品形状にした黒鉛材料を高純度化処理することにより、表面から肉厚方向に２５ｍｍの深さの範囲で、不純物を５ＰＰＭ以下にすることを特徴とする高純度黒鉛製品を製造する方法。」 
ＩＩ．引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭５８−８４１８１号公報（以下、「引用例１」という。）および特開昭６３−７９７５９号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ、次の（ア）〜（エ）および（オ）〜（シ）が記載されている。
引用例１：
（ア）「ハロゲンを含むガス雰囲気中で熱処理する第１工程と、減圧あるいは真空中で熱処理する第２工程と、還元性ガス雰囲気中で熱処理する第３工程とを備えたことを特徴とするカーボン部材の純化処理方法。」（特許請求の範囲）、
（イ）「本発明は半導体基板へのエピタキシャル成長、不純物ドーピングなどに用いるカーボンボート、基板支持などのカーボン部材の純化処理方法に関する。」 （１頁左下欄１１〜１４行）、
（ウ）「また、ＶＩ族元素のＳ、Ｔｅ等はそれ自身は蒸発し易いが、カーボンと化合物を形成しやすく、単に熱処理するだけでは完全に取除くことはできない。本発明は・・・すべての不純物を完全に除去し高純度なエピタキシャル層を得るためのカーボンボートの純化処理方法を提供するものである。図に本発明の方法を実施するためのカーボンボート純化処理装置の一例の概略図を示す。まず第１工程として、ＩＩ族元素のＺｎ、Ｍｇ等やＩＶ族元素のＳｉ等を取除くために、ハロゲンを含むガス雰囲気たとえば塩化水素中でカーボンボート１を石英炉管２内に配置し、ヒータ３でこれらを１０００℃に保ち、３時間程度熱処理する。この工程で、これらの元素は塩化物となり蒸発しやすくなる。しかし塩化物でもカーボンボートの奥深くに吸着されたものは完全に取除くことはできない。そこで第２工程として塩化物となったＩＩ族あるいはＩＶ族元素を完全に取除くために、真空ポンプ４で排気した減圧中でこのカーボンボートを１０００℃で４時間程度熱処理する。減圧によりカーボンボートの奥深く吸着された塩化物も蒸発してカーボンボートから取除くことができる。さらに第３工程としてＶＩ族元素のＳ、Ｔｅ等を取除くために還元性雰囲気たとえば水素中でカーボンボートを１０００℃で５時間程度熱処理する。この工程により、カーボンと化合物を形成しているＶＩ族元素も水素化物となり蒸発してカーボンボートから取除くことができる。」（２頁左上欄１３行〜同頁左下欄１行参照）、
（エ）「このようにカーボンボートの純化処理は、第１、第２，さらに第３工程を引続き行うことが必要で、どれ１つ欠けても高純度なエピタキシャル層の成長は不可能である。またドナーかアクセプタ不純物のどちらか１方しかドーピングしないエピタキシャル成長であっても、水や石英等からのＳｉやその他の物質の汚染は避けられない。従って上記の３つの工程は必要となるとともに、各工程の熱処理温度は９５０℃〜１２００℃が望ましい。」（２頁左下欄１１〜１９行）。
引用例２：
（オ）「炭素材を順次、焼成し、黒鉛化し、且つ高純度化する高純度黒鉛材の製造方法に於いて、高純度化を真空乃至減圧下で高周波加熱手段により行うことを特徴とする高純度黒鉛材の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）、
（カ）「真空乃至減圧条件下に於ける高純度化工程に於いて、ハロゲン化反応及びハロゲン化生成物の離脱反応を同時に行わしめることを特徴とする特許請求の範に第１乃至第３項のいずれかに記載の高純度黒鉛材の製造方法。」（特許請求の範囲第５項）、
（キ）「従来、炭素成形品の黒鉛化は以下のようにして行われていた。即ち、先ず炭素製品を焼成炉内に於いて８００乃至１０００℃に加熱し、バインダー等に含まれる易揮発成分を、分散、蒸散させて焼成する工程（工程Ａ）、次に焼成体を取り出し、黒鉛化炉・・・にて３０００℃に加熱して黒鉛化する工程（工程Ｂ）、更に、このようにして得られた黒鉛化材料を、別の反応器中でハロゲンを含むガス雰囲気中で加熱し、蒸気圧の高い物質に変化せしめて母材から揮散させ、高純度化を行う工程（工程Ｃ）から成る方法が一般的に行われていた。」（２頁左上欄３〜１７行参照）、
（ク）「また夫々の工程毎に見てみると、高純度化の具体例として例えば特開昭５８−８４１８１号に見られるように、これを三つの工程に分け、第一工程で常圧下で・・・不純物の塩素化を行い、・・・最後の第三工程で・・・残る不純物を水素化物として除く方法が知られている。・・・しかし乍らこれ等従来の高純度化工程では、たしかに高純度化出来るものではあるが、近時益々高い純度の黒鉛材が強く要望される現状に於いては、尚不充分となって来ている。」（２頁右上欄５行〜同頁左下欄２行参照）、
（ケ）「本発明が解決しようとする問題点は、従来の方法では達成出来なかった、より高純度の黒鉛材料を、より経済的に製造する方法並びにこれに使用する新しい装置を開発することであり、・・・」（２頁右下欄１４〜１７行参照）、
（コ）「本発明の製造方法は基本的には高純度化工程を真空乃至減圧下に高周波加熱手段を用いて行う方法であり、・・・更に詳しく説明すると以下の通りである。先ず・・・容器内部の空気をＮ２ガスで置換したのち、ガス排出管（１）から減圧、又は真空に引き、雰囲気を非酸化性とする。次に誘導コイル（５）に徐々に電圧を印加してサセプター（６）を加熱し、その輻射熱により被加熱炭素材（４）を８００〜１０００℃に通常１〜１０時間・・・保ったのち、徐々に昇温を続け、２４５０〜２５００℃に調節しながら５〜２４時間・・・保持する。・・・黒鉛化がある程度進んだ段階で、減圧状態のままガス供給管（８）からハロゲンガス例えばジクロルジフルオルメタンを・・・３〜８時間程度供給する。・・・また不純物の種類、例えば硫黄分等については、Ｈ２が高い精製効果を示すので、特に低硫黄グレード品については、ジクロルジフルオルメタンの供給を停止したのち、引続いてＨ２ガスを供給することも出来る。高純度化操作が完了した時点で、炉内温度を更に上げ、３０００℃にて１０〜３０時間程度保って工程を完了する。炉を冷却する工程の途中、約２０００℃に於いて容器内圧力を・・・強減圧し、冷却することにより、アウトガスの少ない高純度炭素材を得ることが出来る。・・・上記方法は黒鉛化と高純度化を一つの炉で行う方法を示しているが、本発明に於いては高純度化だけを上記方法で行ってもよいことは勿論である。」（３頁右下欄６行〜４頁左下欄５行参照）、
（サ）「第１表に本発明にかかる装置及び方法により製造せられたる高純度黒鉛材中の不純物量と、・・・高純度処理を全く行わない通常の黒鉛材の不純物量を対比して示した。」（５頁右上欄８〜１３行参照）、
（シ）試料Ａ，Ｃにおける不純物名、試料ＣにおけるＺｎ不純物の量が０．１であること、試料Ａにおける不純物の量がすべて（−）印であることなどを示す第１表（５頁左下欄）、
（ス）「試料Ａ：本発明法による製品。・・・２４５０〜２５００℃で１０ＨＲ、途中ジクロルジフルオルメタン・・・で高純度化、更に３０００℃にて２０ＨＲの条件で製造したもの。・・・。試料Ｃ：市販品（・・・高純度化する前のもの）、東洋炭素（株）製。また分析方法は・・・によった。数字の単位はｐｐｍ、（−）印は「検出されず」を現わす。」（５頁下欄参照）。
ＩＩＩ．引用例の発明
　したがって、引用例１には、エピタキシャル成長に用いるカーボンボート、基板支持などのカーボン部材を、望ましくは９５０℃〜１２００℃において、ハロゲンガスに晒し高純度化する第１工程と、減圧あるいは真空中で熱処理して高純度化する第２工程と、還元性ガス雰囲気中で熱処理して高純度化する第３工程とによって高純度化する方法に係る発明（以下、「引用例１の発明」という）が記載され、該発明において、第１工程は、ＩＩ族元素のＺｎ、Ｍｇ等やＩＶ族元素のＳｉ等を取除くための工程であり、第２工程は、カーボンボートの奥深くに吸着され塩化物となったＩＩ族あるいはＩＶ族元素を完全に取除くための工程であり、第３工程は、ＶＩ族元素のＳ、Ｔｅ等を取除くための工程であることが記載されていると認める。　
　また、引用例２には、炭素製品をハロゲンを含むガス雰囲気中で加熱し高純度化する方法が一般的に行われていた方法であり、その方法の一つとして前記引用例１の発明があり、その発明を改良してより高純度の黒鉛材料を製造する方法として、真空乃至減圧下、２４５０〜２５００℃の条件において、ハロゲンを含むガスを供給して高純度化処理し、低硫黄グレード品が望まれればさらにＨ２ガスによる高純度化処理を施すことからなる、高純度化操作が完了したのちの炉を冷却する工程で、容器内圧力を強減圧し、アウトガスの少ない高純度炭素材を得ることが記載されていると認める。
ＩＶ．対比
　本願発明と引用例１の発明とを対比すると、後者の「基板支持のカーボン部材」がカーボンボートと同様に加工品であるサセプターの製品形状に加工したものを示すことは上記（イ）の記載および「基板支持」という表現から明らかであり、他方、前者の「黒鉛材料をサセプターの製品形状に加工した」ものがカーボンを構成元素とするものであることは自明であるから、後者の「エピタキシャル成長に用いる基板支持のカーボン部材」は、前者の「黒鉛材料をエピタキシャル成長用のサセプターの製品形状に加工した」ものに対応し、ともに「エピタキシャル成長用のカーボンを構成元素とするサセプターの製品形状に加工したもの」である点で共通するものであり、さらに、後者の「望ましくは９５０℃〜１２００℃」は、前者の「１１００℃〜２５００℃」と重複するものであるから、
　本願発明と引用例１の発明とは、「エピタキシャル成長用のカーボンを構成元素とするサセプターの製品形状に加工したものを、１１００℃〜１２００℃の高温においてハロゲンガス中に晒して、前記のサセプターの製品形状に加工したものを高純度化処理する方法」である点において一致し、
　以下の点で一応の相違を有するものである。
（１）前者は、「サセプターの製品形状に加工したもの」について、黒鉛材料を加工したものとしているのに対し、後者は、単に「カーボン部材」とするのみで、黒鉛材料を加工したものであるのか否か不明である点、
（２）前者は、減圧あるいは真空中で熱処理したり、還元性ガス雰囲気中で熱処理したりする別工程を必要としないものであるのに対し、後者はそれらの別工程を必要とするものである点、
（３）前者は、「サセプターの製品形状に加工したものを高純度化処理する方法」について、「高純度黒鉛製品を製造する方法」としているのに対し、後者はこの点の明示がない点、
（４）前者は、高純度化処理に際し、「表面から肉厚方向に２５ｍｍの深さの範囲で、不純物を５ＰＰＭ以下にする」ものであるのに対し、後者はこのような限定を有さない点、
（５）前者は、処理温度について、１２００℃〜２５００℃も採用できるとしているのに対し、後者は、望ましくは１２００℃としているのみで、２５００℃まで採用できるか否かについて示すところがない点。
Ｖ．当審の判断
Ａ．上記（１）の相違点について
　サセプターの製品形状に加工したものを製造するに際し、黒鉛材料を加工する方法を用いることは、従来より知られていることである［必要ならば、本願の明細書の下記（い）の記載、特開平１−１９７３６３号公報の下記（ろ）の記載を参照］から、引用例１の発明におけるサセプターの製品形状に加工したものを製造するに際し、黒鉛材料を加工する方法を採用し、相違点（１）に係る本願発明の構成を想到することは当業者に容易なことである。
（い）「（従来の技術）黒鉛製品としては、・・・エピタキシャル成長用のサセプター・・・等が知られており、・・・黒鉛製品は、これを高純度のものとして形成するか、不純物を出さないものとして形成する必要があるものである。・・・高純度黒鉛製品を製造するために、従来は、まず円柱や角柱形状に形成された黒鉛素材を高純度化し、これを製品形状に加工することが行われていた。」（本願明細書１頁１８行〜３頁１０行参照）。
（ろ）「［従来の技術］半導体エピタキシャル成長炉に用いられるサセプタ等の半導体部材としては、・・・高純度黒鉛製・・・部材が多く用いられている。高純度黒鉛製・・・半導体部材は、通常、高純度黒鉛塊を機械加工して所望の形状とした後、・・・超音波洗浄を行なって製品とされている。」（１頁左下欄１５行〜同頁右下欄６行参照）。
Ｂ．上記（２）の相違点について
　引用例１の発明は、減圧あるいは真空中で熱処理したり、還元性ガス雰囲気中で熱処理したりする別工程を必要するものであるが、当該の、減圧あるいは真空中で熱処理する工程は、カーボンボートの奥深くに吸着され塩化物となったＩＩ族あるいはＩＶ族元素を完全に取除くためのものであり、還元性ガス雰囲気中で熱処理する工程は、ＶＩ族元素のＳ、Ｔｅ等を取除くためのものであることは前記したとおりであり、また、そこで用いられる黒鉛材料がＶＩ族元素のＳ、Ｔｅ等を必須成分するものに限られず、公知の黒鉛材料を用いうるものであることは明らかである。
　そして、引用例２には、炭素製品をハロゲンを含むガス雰囲気中で加熱し高純度化する方法における、Ｈ２ガス、すなわち、還元性ガス雰囲気中で熱処理する工程は、低硫黄グレード品が望まれれば追加する任意の工程であること［上記（コ）参照］、および、ＳやＴｅを不純物として含まない黒鉛材料が市販されている通常のものであることが記載されている［上記（サ）〜（ス）参照］。
　してみると、引用例１の発明において、黒鉛材料として、引用例２に記載の前記市販されている通常のものを使用し、その際、引用例２の、市販されている黒鉛材料を真空乃至減圧下において加熱処理するだけで高純度の黒鉛材料とすることができるとの記載、および、黒鉛材料に不純物としてＳやＴｅを含まない市販品を原料とする場合、引例例１の発明における各工程の機能からみて、ＳやＴｅを除去する工程、すなわち、還元性ガス雰囲気中での熱処理する工程が必要でないことは自明であること、に基づき、引用例１の発明において、黒鉛材料に上記のそれぞれの別工程を行わないようにすることは、当業者が容易に想到できることである。
　なお、本願発明における「不純物」は、その明細書中に、用いる黒鉛材料がＳやＴｅなどのＶＩ族元素を不純物として必ず含む旨の記載もなく、表１，２に、各種の不純物元素が列記されているのにＳやＴｅなどのＶＩ族元素が記載されていないことからみて、ＳやＴｅなどのＶＩ族元素を含まない場合も含むものと認める。
　してみると、上記相違点（２）に係る本願発明の構成は当業者が容易に想到することができた程度のものである。
Ｃ．相違点（３）について
　「サセプターの製品形状に加工したものを高純度化処理する方法」が、その結果として、「高純度黒鉛製品を製造する方法」にもなることは明らかであるから、相違点（３）は実質的な差違でない。
Ｄ．上記（４）の相違点について
　本願発明における相違点（３）に係る構成は、以下の理由により、半導体等を製造するための黒鉛製品に要求される高純度化が達成できたことを５ＰＰＭ以下という数値により示した程度のものと認めらる。
　すなわち、本願の明細書には、その７頁１７行から８頁１行（公開公報３頁左上欄１７行〜同頁右上欄１行）に「本発明によれば、この高純度黒鉛製品中の不純物量を５ｐｐｍ以下にすることが十分可能である」と記載され、その実施例１、実施例２、表１および表２には、２２００℃の高温下でハロゲンガスによる高純度化処理をすると、黒鉛のための出発原料が２５００ＰＰＭまでであれば、肉厚が５０ｍｍのルツボ形状の黒鉛製品における、表面から肉厚方向に２５ｍｍの深さ、すなわち、黒鉛製品の肉厚の中心までの不純物を５ＰＰＭ以下とできる旨が、限られた実施例に基づく結果として記載されているにすぎない。
　他方、引用例２には、同様の目的のもとに、引用例１の発明よりさらに高純度化した黒鉛製品として、０．１ＰＰＭまで測定できる装置を用いても検出されない程度、すなわち、５ＰＰＭ以下の不純物濃度とできることが記載されている［上記（オ）、（カ）、（ケ）、（サ）〜（ス）参照］。
　してみると、引用例１の発明において、引用例２の記載および前記Ａ，Ｂに記載した事項を参考にして、本願発明の前記相違点（１）、（２）および（３）に係る構成に想到することは、当業者にとって容易なことである。
Ｅ．上記（５）の相違点について、
　引用例１の発明は、その処理温度について、望ましくは１２００℃としており、１２００℃を越えた温度が採用できないとしているわけでなく、引用例２には、引用例１の発明の改良方法として２４５０〜２５００℃を採用し、０．１ＰＰＭまで測定できる装置を用いても検出されない程度の不純物濃度にまで高純度化できるとされているのであるから、引用例１の発明における処理温度を、引用例２の記載を参考にして、１２００℃〜２５００℃とすることは当業者にとって容易なことである。
Ｆ．まとめ
　してみれば、本願発明における引用例１の発明との相違点は、いずれも、当業者が容易に想到できるものであり、高純度化された黒鉛製品が製造できるという本願発明の効果も各引用例から予想されるものにすぎない。
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
ＶＩ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。