【事件の表示】
　平成１１年特許願第１３６２５１号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」において、平成１３年３月１９日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原決定を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２年１２月２６日出願した特願平２−４１４８４３号の一部を平成１１年５月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年３月１９日付けで手続補正書が提出されたところ、平成１３年７月１８日付けでその補正についての却下の決定がなされた。
　
２．補正の内容
　上記手続補正は、補正前の請求項１
「【請求項１】　ドナー不純物を添加してｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N:0≦x1≦1,0≦y1≦1)から成るｎ層を結晶成長させ、
　窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:0≦x2≦1,0≦y2≦1)から成る活性層を結晶成長させ、
　アクセプタ不純物を添加してｐ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx33a1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦1,0≦y3≦1)から成るｐ層を結晶成長させる
　ことから成る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」を
「【請求項１】  シリコン(Si)の添加されたｎ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N:0≦x1≦1,0≦y1≦1)から成るｎ層と、
  窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:0≦x2≦1,0≦y2≦1)から成る活性層と、
　マグネシウム(Mg)の添加されたｐ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦1,0≦y3≦1)から成るｐ層と、
　前記ｎ層に対する負電極と、
　前記ｐ層に対する正電極とを有し
　前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、
　前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている
  ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」とし、
補正前の請求項８，９
「【請求項８】　前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】　前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成し、前記ｎ層に対する電極は前記基板の裏面に形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項、又は、請求項６に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」を請求項６，７として、
「【請求項６】  前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項７】  前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成されており、前記ｎ層に対する電極が前記基板の裏面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」とするとともに、段落【０００８】を上記請求項１に合わせて補正することを含むものである。
　
３．原決定の理由
　本件補正の却下の決定の理由は、次のとおりのものである。
(１)補正後の請求項１には、「前記ｎ層に対する負電極と、前記ｐ層に対する正電極とを有し前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」ことが記載されており、また発明の詳細な説明の【０００８】にも同様のことが記載されている(以下、補正後の請求項１について検討する。)
　これに対し、願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明の【００２４】には、「ドナー不純物をドーピングする場合、その濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。又、ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成長初期に高濃度にドーピングし、ｐｎ接合付近ではドーピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。」と記載されており、言い換えると、ｎ層にオーム性電極を形成する際、その電極形成を容易にするために、ｎ層に均一にドナー不純物をドーピングするかわりに、ｎ層を成長する際の初期の段階で高濃度にドナー不純物をドーピングし、ｎ層を成長する際のｐｎ接合となる付近ではドーピングしないか或いは低濃度にドーピングすることが記載されており、すなわち、ｎ層内でドーピング濃度を変えることが記載されている。
　補正後の請求項１には、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され」と記載されていることから、負電極と接触する部分はｎ層の外にある部分ということになるが、そのようなことは、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されておらず、また同明細書及び図面の記載からみて自明のこととも認められない。
　ｐ層についてもｎ層と同様であるから、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」ことは、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されておらず、また、同明細書及び図面の記載からみて自明のこととも認められない。
　
(２)補正後の請求項６において、「前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又は、ＧａＮから成る基板上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」と記載されている。
　一方、願書に最初に添付した明細書には、Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又はＧａＮから成る基板上に形成することについて、【００３０】に「ｎ型のSi、6H-SiC或いはGaN を基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う。しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。」と記載されており、また【００４５】〜【００４７】、図２にはＳｉ基板の場合が、【００４８】〜【００５０】、図３には６Ｈ−ＳｉＣ基板の場合が、【００５１】〜【００５３】、図４にはＧａＮ基板の場合が記載されており、いずれの記載においても、ｎ層電極は基板裏面に電極を形成することが記載されている。
　補正後の請求項６が引用するところの請求項１には、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され」ていることが記載されているが、基板がＳｉ、６Ｈ−ＳｉＣ、又はＧａＮの場合は負電極は基板裏面に形成されるのであるから、負電極と接触する基板裏面がｎ層よりも高キャリア濃度に形成されていることになるが、そのようなことは、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されておらず、また、同明細書及び図面の記載からみて自明のこととも認められない。
　そもそもｎ層のオーム性電極形成を容易にするために高濃度にドーピングすることが記載された、願書に最初に添付した明細書の【００２４】は、サファイア基板とする場合について記載された【００１８】〜【００２９】の記載の一部であり、【００３０】にて「ｎ型のSi、6H-SiC或いはGaN を基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う」ことが記載されてはいるものの、電極形成についてはサファイア基板と同様の手段で作製されるものではないから、【００３０】の後半にて「しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。」と記載されているのであり、これは同様の手段の範囲を越えるものである。
　補正後の請求項７についても同様である。
　したがって、この補正は、出願当初の明細書に記載された「発明の構成に関する技術的事項」が実質的に変更されたものであるから、明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
４．出願人の主張
　出願人は、段落【００２４】の記載、
「ドナー不純物をドーピングする場合、その濃度に関してはｎ層に均一にドーピングしても良い。又、ｎ層のオーム性電極形成を容易にするためにｎ層成長初期に高濃度にドーピングし、ｐｎ接合付近ではドーピングしないか或いは低濃度にドーピングしても良い。」、及び、段落【００３０】の記載、
「ｎ型のSi、6H-SiC或いはGaN を基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う。しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。」を引用しながら、上記３．（１）及び（２）の原決定の理由に対し、概ね、以下（１）及び（２）の主張をしている。
　
（１）「前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され」たｎ型層の部分から、当該「前記ｎ層」に近づくにしたがってキャリア濃度が低くなっても、或いはある境界を境にキャリア濃度が大きく変化するものでも、段落【００２４】の記載の内容そのものである。段落【００２４】の記載内容を「キャリア濃度が変化する１個のｎ層」とのみ解釈する必要はなく、却って、「そのような２個以上部分である」或いは「２層以上である」と解釈することに、何ら不自然なことはない。
　即ち、補正後の請求項１の記載は、本願の願書に最初に添付された明細書及び図面のいずれの記載とも整合性がとれており、且つ当該明細書及び図面の記載から自明の事項である。
　
（２）Si、6H-SiC又はGaNから成る基板上に形成される場合であっても、本願図１に示した層構造を形成することに、何ら不都合は無い。且つ、本願の明細書に、そのような層構造を形成することが可能なように形成方法は詳細に記載されている。
　基板がSi、6H-SiC又はGaNのような伝導体又は半導体である場合は、補正後の請求項６に記載のような方法でｎ層に対する電極を形成する必要は必ずしもない。しかし、何らかの都合、或いは制限により補正後の請求項６に記載のような方法でｎ層に対する電極を形成する場合が、例え基板がSi、6H-SiC又はGaNのような伝導体又は半導体であっても起こり得ることは否定できない。
　尚、本願明細書段落【００４７】、【００５０】、【００５３】は本願図２，３，４のような構成の場合について述べているに過ぎず、本願図１のような構成で基板１としてSi、6H-SiC又はGaNを用いる場合を積極的に排除しているわけではない。
　即ち、補正後の請求項６の記載は、本願の願書に最初に添付された明細書及び図面のいずれかの記載とも整合性がとれており、且つ当該明細書及び図面の記載から自明の事項である。
　
５．当審の判断
（１）請求項１について
　請求項１に係る発明は、「負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点を構成要件としている。
　一方、願書に最初に添付された明細書の段落（以下、単に「段落」という。）【００３７】及び段落【００３８】には、「【００３７】ヘテロ接合を利用する場合も、同一組成の結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度は高濃度にしても良い。
【００３８】ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物のドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度はアクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。」と記載されている。
　また、段落【００３７】及び段落【００３８】の記載は、段落【００２１】乃至段落【００３０】に記載されたｐｎ接合構造の発光素子の基本的方法の一例として示されているものであって、段落【００２８】及び段落【００２９】にそれぞれｐ層に対する電極がｐ層に接触すること及びｎ層に対する電極がｎ層に接触することが記載されている。
　そして、段落【００３７】に記載された「オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度は高濃度にしても良い。」なる記載における該高濃度の領域は、負電極に対するｎ層や正電極に対するｐ層よりも高濃度であることは明らかである。
　さらに、段落【００３８】には、「特にオーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。」と記載されており、この記載は、ｎ層またはｐ層以外に高キャリア濃度となる部分を形成することを示すものである。
　したがって、本願請求項１の、「負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点は、願書に最初に添付された明細書または図面に記載されており、明細書の要旨を変更するものではない。
　なお、上記事項は、分割前の元の特許出願の当初明細書の段落【００３８】及び段落【００３９】にも記載された事項である。
　
（２）請求項６及び７について
　請求項６及び７に係る発明は、いずれも請求項１を引用しているので、前者は、「前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Si、6H-SiC、又は、GaNから成る基板上に形成」され、かつ、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点を、後者は、「前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Si、6H-SiC、又は、GaNから成る基板上に形成されており、前記ｎ層に対する電極が前記基板の裏面に形成」され、かつ、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点を、それぞれ構成要件としている。
　一方、段落【００３０】には、「ｎ型のSi、6H-SiC或いはGaN を基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う。しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。」と記載されている。
　また、請求項１に記載された「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点は、（１）で述べたように、願書に最初に添付された明細書または図面に記載されている事項である。
　そして、この点を、段落【００３０】に記載されているような「ｎ型のSi、6H-SiC或いはGaN を基板として用いる場合」及び「ｎ層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する」場合に適用するにあたり、適用できない特段の事情が見当たらない。
　よって、請求項６に係る発明の構成要件である「前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Si、6H-SiC、又は、GaNから成る基板上に形成」し、かつ、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点及び請求項７に係る発明の構成要件である「前記ｎ層、前記活性層、前記ｐ層は、Si、6H-SiC、又は、GaNから成る基板上に形成されており、前記ｎ層に対する電極が前記基板の裏面に形成」され、かつ、「前記負電極と接触する部分は、前記ｎ層よりも高キャリア濃度に形成され、前記正電極と接触する部分は、前記ｐ層よりも高キャリア濃度に形成されている」点は、いずれも願書に最初に添付された明細書または図面に記載されており、明細書の要旨を変更するものではない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、上記手続補正は特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原決定は妥当でない。
　よって、結論のとおり決定する。