【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び駆動回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
第１の複数のＴＦＴで構成された信号線駆動回路と、
第２の複数のＴＦＴで構成された走査線駆動回路と、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、
を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、ソース、ドレイン及びチャネル領域と、
前記チャネル領域の下方にゲート絶縁膜を介して設けられたバックゲート電極と、を有し、
前記バックゲート電極は、前記しきい値制御回路に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記しきい値制御回路は、前記第１及び第２の複数のＴＦＴをそれぞれ独立に制御することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記しきい値制御回路は、前記第１及び第２の複数のＴＦＴを共通に制御することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記しきい値制御回路は可変抵抗を有し、該可変抵抗を調整することにより前記バックゲート電極に任意の電圧を印加することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記しきい値制御回路は、前記第１及び第２の複数のＴＦＴの電流を電圧に変換する負荷と、該負荷に発生する電圧を増幅する増幅器とを有し、
前記増幅器からの出力を前記第１及び第２の複数のＴＦＴに負帰還し、かつ前記バックゲート電極に出力することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
第１の複数のＴＦＴで構成された信号線駆動回路と、
第２の複数のＴＦＴで構成された走査線駆動回路と、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、
を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、ソース、ドレイン及びチャネル領域と、
前記チャネル領域の下方にゲート絶縁膜を介して設けられたバックゲート電極と、を有し、
前記バックゲート電極は、前記しきい値制御回路に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、Ｎチャネル型ＴＦＴを含み、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの前記バックゲート電極には、グランド電位より高い電圧が印加されることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、Ｎチャネル型ＴＦＴを含み、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの前記バックゲート電極には、グランド電位より低い電圧が印加されることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、Ｐチャネル型ＴＦＴを含み、
前記Ｐチャネル型ＴＦＴの前記バックゲート電極には、電源電位より高い電圧が印加されることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項６において、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、Ｐチャネル型ＴＦＴを含み、
前記Ｐチャネル型ＴＦＴの前記バックゲート電極には、電源電位より低い電圧が印加されることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
第１の複数のＴＦＴで構成された信号線駆動回路と、
第２の複数のＴＦＴで構成された走査線駆動回路と、
前記複数の画素ＴＦＴ並びに前記第１及び第２の複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、
を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれは、ゲート電極とバックゲート電極とを有し、かつ、該ゲート電極と該バックゲート電極とは互いに接続されており、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴのそれぞれは、ゲート電極とバックゲート電極とを有し、かつ、該ゲート電極と該バックゲート電極とは互いに接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれの前記ゲート電極と前記バックゲート電極には、同一の走査線信号が加えられることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれの前記ゲート電極と前記バックゲート電極には、振幅の異なる同極性の走査線信号が加えられることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項の表示装置を用いたスチルカメラ。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項の表示装置を用いたプロジェクタ。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか一項の表示装置を用いたパーソナルコンピュータ。
【請求項１７】
請求項１乃至１３のいずれか一項の表示装置を用いた携帯情報端末。
【請求項１８】
第１の複数のＴＦＴで構成された信号線駆動回路と、
第２の複数のＴＦＴで構成された走査線駆動回路と、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、
を有するアクティブマトリクス型表示装置の駆動回路であって、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴは、ソース、ドレイン及びチャネル領域と、
前記チャネル領域の下方にゲート絶縁膜を介して設けられたバックゲート電極と、を有し、
前記バックゲート電極は、前記しきい値制御回路に電気的に接続されていることを特徴とする駆動回路。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記しきい値制御回路は、前記第１及び第２の複数のＴＦＴの電流を電圧に変換する負荷と、
前記負荷に発生する電圧を増幅して前記駆動回路に印加し、かつ前記第１及び第２の複数のＴＦＴのバックゲート電極に負帰還させる増幅器と、を有することを特徴とする駆動回路。
【請求項２０】
第１の複数のＴＦＴで構成された信号線駆動回路と、
第２の複数のＴＦＴで構成された走査線駆動回路と、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、
を有するアクティブマトリクス型表示装置の駆動回路であって、
前記第１及び第２の複数のＴＦＴのそれぞれは、ゲート電極とバックゲート電極とを有し、かつ、該ゲート電極と該バックゲート電極とは互いに接続されていることを特徴とする駆動回路。
【請求項２１】
請求項２０において、
前記信号線駆動回路は、前記第１の複数のＴＦＴの一部により構成されたアナログスイッチを有し、
前記アナログスイッチを構成するＴＦＴのそれぞれの前記ゲート電極と前記バックゲート電極には、同一の信号が加えられることを特徴とする駆動回路。
【請求項２２】
請求項２０において、
前記信号線駆動回路は、前記第１の複数のＴＦＴの一部により構成されたアナログスイッチを有し、
前記アナログスイッチを構成するＴＦＴのそれぞれの前記ゲート電極と前記バックゲート電極には、振幅の異なる同極性の信号が加えられることを特徴とする駆動回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
なお、本実施例では、配向膜には、ポリイミド膜を用いた。なお、配向膜形成後、ラビング処理を施した。なお、本実施例では、比較的小さなプレチルト角を持つようなポリイミドを用いた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３２】
打ち込まれた不純物は、熱処理やレーザー処理により活性化される。それと同時に打ち込み工程で受けた活性層１７０４の損傷も修復される。次に第一層間絶縁膜１７０８を成膜し、コンタクトホールを開孔する。このとき同時にボトムゲート接続用のコンタクトホールも開孔する。第一層間絶縁膜１７０８はどのような手法で成膜してもかまわない。また、後に成膜する配線金属膜の段差被覆（ステップカバレージ）に配慮して窒化膜との二層構造をとってもかまわない。さらに、第一層間絶縁膜１７０８として有機性樹脂膜を用いることもできる。