【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９５０８１号「電流源回路及び利得制御増幅器」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２４７５０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１０年１０月１６日の出願であって、平成１１年１０月２８日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
 「【請求項１】　電流源回路において、カレントミラー回路の基準側電流経路にＭＯＳトランジスタを直列に設けてなすことを特徴とする電流源回路。」
　
　なお、平成１２年８月１０日付け手続補正は、当該補正により補正された発明が本願特許出願の際独立して特許を受けることができないという理由により、本日付けで決定をもって却下した。
　
　２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２１２１４７号公報（平成７年８月１１日公開、以下、「引用例１」という。）には、下記ア．、イ．の記載がある。
　ア．「【００１６】
　さらに、本発明の電流電圧変換回路は、帰還抵抗部３の両端に接続される電圧クランプ手段２を備えている。この電圧クランプ手段２は、帰還抵抗部３の両端にかかる電圧をクランプしてアンプ１が飽和するのを防止するためのものである。さらに、本発明の電流電圧変換回路は、アンプ１の入力側に設けられる電流吸収手段５を備えている。この電流吸収手段５は、アンプ１への入力電流Ｉｉが大きくなった場合にこの大きな入力電流Ｉｉに相当する電流Ｉａを吸収するものである。
【００１７】
　さらに、本発明の電流電圧変換回路は、外部からの制御信号Ｖｓにより、電流吸収手段５が動作するか否かを選択する切替選択手段４を備えている。
　好ましくは、本発明が適用される光磁気ディスク内の光磁気ディスクにおいてデータの書き込みを行う場合、大きな入力電流が発生したときに、切替選択手段４により、電流吸収手段５が動作する。
【００１８】
　さらに、本発明の実施態様による電流電圧変換回路は、入力電流を増幅するためのアンプ１と、このアンプ１の出力側と入力側との間に接続される帰還抵抗とにより、前記入力電流を望ましいレベルの出力電圧に変換する場合に、帰還抵抗の両端に接続され、かつ、この帰還抵抗の両端にかかる電圧をクランプしてこのアンプ１が飽和するのを防止するためのダイオード素子と、アンプ１の入力側に接続され、このアンプ１への入力電流が大きくなった場合にこの大きな入力電流を吸収する第１のトランジスタ素子と、この第１のトランジスタ素子と協働してカレントミラー回路部を形成する第２のトランジスタ素子と、この第２のトランジスタ素子に対し予め定められた一定の電流を供給する定電流源と、この定電流源と第２のトランジスタ素子との間に設けられ、外部からの制御信号Ｖｓに応じてオン／オフ切替動作を行う切替スイッチとを備えている。さらに、電圧クランプ手段２としてのダイオード素子は、電流吸収手段５内の第１のトランジスタ素子が飽和するのを防止する機能も有する。
【００１９】
　このような構成では、切替スイッチがオンの状態になったときに、第２のトランジスタ素子に一定の電流が供給されて、カレントミラー回路部内の第１のトランジスタ素子により上記の大きな入力電流がすべて吸収されるように機能し、切替スイッチがオフの状態になったときに、第１および第２のトランジスタ素子がいずれも非動作状態になる。
」（段落【００１６】〜【００１９】）、
　
　イ．「【００２６】
　【実施例】
　以下添付図面（図２〜図１０）を用いて本発明の実施態様を詳細に説明する。
　図２は、本発明の第１の実施例を示す回路図である。ただし、ここでは、光磁気ディスク装置に適用される電流電圧変換回路の主要部を示す。さらに、説明を簡単にするために、２つのホトダイオード（例えば、図１に示す）中の一方のホトダイオードのみを図示することとする。なお、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表すこととする。
【００２７】
　図２において、１０はホトダイオードを表している。このホトダイオード１０に光が当たると、この光の強さに応じて入力電流Ｉｉが流れてアンプ１に入力される。さらに、このホトダイオード１０は、本質的にジャンクション容量を有している。このジャンクション容量の大きさは、代表的に、数ｐＦに相当する。
　さらに、図２において、アンプ１の主要部は、入力端子ＩＮに接続される１つのトランジスタ素子と、出力端子ＯＵＴに対しダーリントン接続により接続される２つのトランジスタ素子とを備えている。さらに、これらのトランジスタ素子は、適切な大きさの抵抗１４、１５および１６により結合されている。この場合、上記トランジスタ素子は、エミッタ接地形のバイポーラトランジスタ１１と、ダーリントン接続によるエミッタホロア形のバイポーラトランジスタ１２、１３により構成される。
【００２８】
　さらに、アンプ１の出力端子ＯＵＴと入力端子ＩＮとの間には、帰還抵抗部としての帰還抵抗３０が接続される。この帰還抵抗３０の抵抗値を適切な値に設定することにより、アンプ１の入力電流Ｉｉを、装置の仕様上望ましいレベルの出力電圧Ｖｏに変換することができる。
　さらに、図２におけるＰは、本発明の構成部分を表している。本発明の構成部分Ｐは、帰還抵抗３０の両端に接続されるダイオード素子を備えている。このダイオード素子は、帰還抵抗３０の両端にかかる電圧をクランプして電流吸収手段５（図１）のバイポーラトランジスタ５１の飽和を防ぎ、かつ、アンプ１内のバイポーラトランジスタ１１のベース電位が下がるのを防止する機能を有しており、好ましくは、ＰＮ接合形のダイオード２０から構成される。
【００２９】
　さらに、本発明の構成部分Ｐは、アンプ１の入力端子ＩＮ｛反転入力端子（−）｝に接続される第１のトランジスタ素子を備えている。この第１のトランジスタ素子は、クランプ用のダイオード２０、および、ホトダイオード１０からの電流Ｉａを引き込んで吸収するものであり、好ましくは、バイポーラトランジスタ５１により構成される。さらに、本発明の構成部分Ｐは、この第１のトランジスタ素子と協働してカレントミラー回路部を形成する第２のトランジスタ素子と、この第２のトランジスタ素子に対し予め定められた一定の電流Ｉｂを供給する定電流源５３とを備えている。上記第２のトランジスタ素子は、好ましくは、バイポーラトランジスタ５２により構成される。
【００３０】
　さらに、本発明の構成部分Ｐにおいては、は、定電流源５３と第２のトランジスタ素子との間に半導体のアナログスイッチ等からなる切替スイッチ４０を設けている。この切替スイッチ４０は、外部のマイクロプロセッサ等の制御装置４５からの制御信号Ｖｓに応じてオン／オフ切替動作を行うものである。
　さらに詳しく説明すると、切替スイッチ４０がオンの状態になったときに、第２のトランジスタ素子（バイポーラトランジスタ５２）に一定の電流が供給されて、前記カレントミラー回路部内の第１のトランジスタ素子（バイポーラトランジスタ５１）により上記の大きな電流Ｉａがすべて吸収され、切替スイッチ４０がオフの状態になったときに、第１および第２のトランジスタ素子がいずれも非動作状態になる。」（段落【００２６】〜【００３０】）。
　
　前記記載事項及び図２の記載を勘案すると、
　引用例１には、
　「定電流源（５３）とカレントミラー回路（５２、５１）とを有する回路において、定電流源の出力と前記カレントミラー回路の基準側（５２）の電流経路に半導体スイッチ（切替スイッチ４０）を直列に設けてなる回路。」を構成とする発明（以下、「引用例１に記載された発明」という。）が記載されている。
　
　３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載された発明の「回路」は、電流源を構成する回路であるので、本願発明の「電流源回路」である。また、本願発明の「ＭＯＳトランジスタ」は、半導体スイッチであることは当業者に自明の事項である。
　そうしてみると、本願発明と引用例１に記載された発明とは、
  「電流源回路において、カレントミラー回路の基準側電流経路に半導体スイッチを直列に設けてなる電流源回路。」、
である点において、一致し、下記（１）において、相違している。
 
（１）半導体スイッチについて、本願発明は、「ＭＯＳトランジスタ」で構成するのに対し、引用例１に記載された発明には、そのような記載はない点。
 　
　次に、前記相違点（１）について検討する。
  
　相違点（１）について、
　半導体スイッチとしてＭＯＳトランジスタを用いることは本願出願前周知であり、引用例１に記載された発明において、半導体スイッチ（切替スイッチ）をＭＯＳトランジスタで構成することは当業者が容易に成し得たことである。
　
　４．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。