Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のパーティションを利用する可動媒体ライブラリとの通信を仲介する方法であって、
ブリッジユニットを設けてコマンドを外部コントローラに渡すステップであって、前記ブリッジユニットは、前記外部コントローラを使用して複数の論理ユニットを関連付けるように動作可能であること、
前記複数のパーティションそれぞれを前記複数の論理ユニットのうちの１つに関連付けるステップと、
ホストシステムから前記ブリッジユニットにおいてライブラリコマンドを受信するステップと、
前記ライブラリコマンドを前記外部コントローラに渡すステップと、
前記複数のパーティションに従って前記ライブラリコマンドを内部コントローラ用のコマンドに変換するステップであって、前記内部コントローラは、前記変換されたコマンドに関連するライブラリの動作を実行するように動作可能であること、
を含む方法。
【請求項２】  前記ライブラリコマンドを前記外部コントローラに渡すステップは、前記複数のＬＵＮの中から前記ライブラリコマンドに関連するＬＵＮを決定するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記ライブラリコマンドを前記外部コントローラに渡すステップは、前記ホストシステムが前記ＬＵＮにアクセス許可されているかどうかを決定するステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記ライブラリコマンドは、仮想デバイスを識別し、前記外部コントローラは、前記決定されたＬＵＮの各パーティションに従って前記仮想デバイスに対応する物理デバイスを決定する、請求項２記載の方法。
【請求項５】  前記ライブラリコマンドは要素状態読み出しコマンド（read element status command）であり、前記方法は、
要素状態読み出しコマンドを前記内部コントローラに送信するステップと、
前記要素状態読み出しコマンドに応答して、前記内部コントローラからのメッセージによって識別される選択されたライブラリリソースを除去するステップと、
残りのライブラリリソースの番号を付け直すステップと、
前記番号が付け直された残りのライブラリリソースを含む応答メッセージを送信するステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】  複数のパーティションを利用する可動媒体ライブラリとの通信を仲介するシステムであって、前記可動媒体ライブラリは、制御インタフェースを介して受信するコマンドに応答して、ロボティクスサブシステムを制御するように部分的に動作可能な内部コントローラを備え、前記システムは、
ライブラリコマンドを外部コントローラに渡すように動作可能なブリッジユニットであって、複数の論理ユニットを前記外部コントローラに関連付けるように動作可能なブリッジユニットを備え、
前記外部コントローラは、前記ブリッジユニットからのライブラリコマンドを処理するように動作可能であり、複数のパーティションそれぞれを前記複数のＬＵＮそれぞれに関連づけ、また、前記複数のパーティションに従って前記内部コントローラに連絡するために前記ブリッジユニットから受信したコマンドを変換するようにさらに動作可能であるシステム。
【請求項７】  前記ブリッジユニットは、ホストシステムからライブラリコマンドを受信することに応答して、前記ホストシステムのＷＷＮ（World Wide Name）を決定するように動作可能である、請求項６記載のシステム。
【請求項８】  前記ブリッジユニットは、前記複数のＬＵＮの中から前記決定されたＷＷＮを部分的に利用する前記外部コントローラに前記ライブラリコマンドを通信するＬＵＮを決定するように動作可能である、請求項７記載のシステム。
【請求項９】  前記外部コントローラは、コマンドを前記内部コントローラに渡す前に、仮想要素から物理要素への番号の付け直しを行うように動作可能である、請求項６記載のシステム。
【請求項１０】  前記外部コントローラは、前記パーティションに関連する識別照会コマンドに応答して、前記複数のパーティションのうちのパーティションに属さないライブラリリソースの識別を除去するように動作可能である、請求項６記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  デバイスアクセスが管理されるデータライブラリシステムであって、
少なくとも１つのパーティションと、
それぞれがパーティションに割り当てられる複数のデータ転送要素と、
それぞれがパーティションに割り当てられる複数のデータ収容要素スロットと、
前記パーティションそれぞれに、同じパーティションに割り当てられた前記データ収容要素スロットへの／からの媒体の移動、および前記同じパーティションに割り当てられた前記データ転送要素への／からの媒体の移動を指示する、仮想的なコントローラを備えるライブラリコントローラと、
少なくとも１人のユーザと前記データライブラリシステムの間で動作するよう配置され、各パーティションの前記データ転送要素および前記仮想的なコントローラを、各パーティションごとに同じ指定で開始する論理的なコンポーネントとして前記ユーザにそれぞれ提示する少なくとも１つのブリッジと
を備えるシステム。
【請求項２】  前記少なくとも１つのパーティションの少なくとも１つはセキュア化され、前記少なくとも１つのセキュア化された特定のパーティションの１つへのアクセスは、該特定のパーティションへのアクセスに関して、一意のホストデバイス識別子のリストに列挙される一意のホストデバイス識別子を有する前記ユーザに制限される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】  前記一意のホストデバイス識別子のリストは、前記少なくとも１つのブリッジに維持される、請求項２記載のシステム。
【請求項４】  前記少なくとも１つのブリッジは、ＳＣＳＩブリッジへのファイバチャネルである、請求項１、２、または３記載のシステム。
【請求項５】  前記一意のホストデバイス識別子は、ＷＷＮ（Ｗｏｒｌｄ  Ｗｉｄｅ  Ｎａｍｅ）である、請求項２または３記載のシステム。
【請求項６】  前記一意のホストデバイス識別子は、ｉＳＣＳＩ名である、請求項２または３記載のシステム。
【請求項７】  前記論理的なコンポーネントの指定はファイバチャネル論理装置番号である、請求項１、２、または３記載のシステム。
【請求項８】  ストレージエリアネットワークに取り付けるように適合されるデータライブラリを分割および管理する方法であって、
前記データライブラリにおいて複数のパーティションを確立することであって、前記パーティションはそれぞれ少なくとも１つの収容要素スロットおよび少なくとも１つのデータ転送要素を含むこと、
同じパーティションに割り当てられた前記収容要素スロットおよび前記データ転送要素への／からの媒体の移動を制御すること、
前記パーティションそれぞれの仮想的なコントローラおよび前記データ転送要素を、前記パーティションごとに同じ指定で開始する論理的なコンポーネントとして前記データライブラリのユーザに提示すること
を含む方法。
【請求項９】  前記パーティションそれぞれにアクセス可能な一意のホストデバイス識別子のリストを割り当てることにより、前記パーティションのうち選択されたパーティションをセキュア化することをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】  前記データライブラリと前記ユーザの間に配置される少なくとも１つのブリッジに前記一意のホストデバイス識別子のリストを維持することをさらに含む、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】中央演算処理装置システムに関連付けられたメモリであって、該中央演算処理装置システムのバスに選択的に結合可能なメモリの部分的な割り当てを管理するための方法であって、
前記メモリの第１部分を、第１範囲のアドレスに割り当てるステップと、
前記割り当てられたメモリの第１部分を、前記中央演算処理装置システムのバスに選択的に結合するステップと、
前記選択的に結合されたメモリの第１部分を、前記中央演算処理装置システムのバスから分離するステップと、
前記分離されたメモリの第１部分を、第２範囲のアドレスに再割り当てするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】さらに、
前記メモリの第２部分を、第３範囲のアドレスに割り当てるステップと、
前記割り当てられたメモリの第２部分を、前記中央演算処理装置システムのバスに選択的に結合するステップと、
前記選択的に結合されたメモリの第２部分を、前記中央演算処理装置システムのバスから分離するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記割り当てるステップは、さらに、
前記メモリの第１部分の割り当てを要求するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記割り当てるステップは、さらに、
利用可能なメモリ空間を、前記中央演算処理装置システムに関連付けられたシステムメモリ空間に配置することにより、前記第１範囲のアドレスを決定するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記割り当てるステップは、さらに、
前記メモリの第１部分のために、前記システムメモリ空間内に、前記第１範囲のアドレスを予約するステップを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】前記割り当てるステップは、さらに、
前記システムメモリ空間の第１範囲のアドレスに対し、前記メモリの第１部分を要求するステップと、
前記システムメモリ空間の第１範囲のアドレスを、前記メモリの第１部分に割り振るステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】前記割り当てるステップは、さらに、
前記メモリの第１部分の利用可能性を判断するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記結合するステップは、さらに、
ポインタを、前記メモリの第１部分に戻すステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】前記分離するステップは、さらに、
前記メモリの最終アドレスを、前記分離されたメモリの第１部分に割り振るステップと、
前記分離されたメモリの第１部分を、前記メモリの最終アドレスに付け加えるステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】請求項１に記載のステップを実行するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池を備える燃料電池システムであって、
所定の水素圧力にて水素が供給されると共に、前記所定の水素圧力が平衡圧となるときの温度が前記燃料電池の定常運転時の温度よりも高い水素吸蔵合金を少なくとも含む水素吸蔵材を内包する水素貯蔵タンクと、
前記燃料電池と前記水素貯蔵タンクとの間で冷媒を循環させる冷媒流路と、
前記燃料電池および／または前記水素貯蔵タンクを通過した前記冷媒を冷却する熱交換部と
を備える燃料電池システム。
【請求項２】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
前記冷媒流路またはその一部は、前記冷媒が、前記燃料電池、前記水素貯蔵タンク、前記熱交換部の順で循環するように形成されている
燃料電池システム。
【請求項３】  請求項１または２記載の燃料電池システムであって、
前記所定の水素圧力が平衡圧となるときの温度は、前記所定の水素圧力にて水素が供給される際に、前記水素吸蔵合金における水素の吸蔵と放出とが平衡状態となる平衡温度である
燃料電池システム。
【請求項４】  請求項１ないし３いずれか記載の燃料電池システムであって、さらに、
前記燃料電池の発電量および前記水素貯蔵タンクにおける水素の吸蔵・放出状態に関わらず、前記熱交換部から排出される前記冷媒の温度が略一定となるように、前記冷媒温度を調節する冷媒温度調節部を備える
燃料電池システム。
【請求項５】  請求項４記載の燃料電池システムであって、
前記冷媒温度調整部は、前記冷媒流路内を流れる前記冷媒の流量を調節する冷媒流量調節部を含む
燃料電池システム。
【請求項６】  請求項４または５記載の燃料電池システムであって、
前記熱交換部は、前記冷媒を冷却するためのファンを備え、
前記冷媒温度調節部は、前記ファンを含む
燃料電池システム。
【請求項７】  請求項１ないし６いずれか記載の燃料電池システムであって、
前記冷媒流路は、
前記燃料電池内を通過した後に前記水素貯蔵タンク内を通過するように前記冷媒を導く第１の冷媒路と、
前記第１の冷媒路から分岐して設けられ、前記燃料電池内を通過することなく前記水素貯蔵タンク内を通過するように前記冷媒を導く第２の冷媒路と
を備え、
前記燃料電池システムは、さらに、前記第１の冷媒路および前記第２の冷媒路を通過する前記冷媒の流量を制御する分配流量制御部を備える
燃料電池システム。
【請求項８】  請求項１ないし７いずれか記載の燃料電池システムであって、
前記燃料電池は、固体高分子型燃料電池である
燃料電池システム。
【請求項９】  少なくとも水素吸蔵合金を含有する水素吸蔵材を備えた水素貯蔵タンクにおいて、燃料電池に供給するための水素を前記水素吸蔵材に吸蔵させることによって貯蔵する水素貯蔵方法であって、
前記水素貯蔵タンクに対して、前記水素貯蔵タンクにおいて水素圧力が平衡圧となるときの該水素タンク中の前記水素吸蔵合金の温度が、前記燃料電池の定常運転時の温度よりも高くなる所定の水素圧力にて、水素を供給し、
前記水素の供給と共に、前記燃料電池と前記水素貯蔵タンクとの内部を通過可能に形成された冷媒流路内で冷媒を循環させ、
前記冷媒と熱交換を行なう熱交換部を用いて、前記燃料電池および／または前記水素貯蔵タンクの内部を通過した前記冷媒を冷却する
水素貯蔵方法。
【請求項１０】  請求項９記載の水素貯蔵方法であって、
前記所定の水素圧力が平衡圧となるときの前記水素吸蔵合金の温度は、前記所定の水素圧力にて水素が供給される際に、前記水素吸蔵合金における水素の吸蔵と放出とが平衡状態となる平衡温度である
水素貯蔵方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような燃料電池システムにおいて、
前記冷媒流路またはその一部は、前記冷媒が、前記燃料電池、前記水素貯蔵タンク、前記熱交換部の順で循環するように形成されている構成も好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような構成とすれば、燃料電池による発電を行ないながら、水素吸蔵の動作を同時に行なうことができる。すなわち、発電中の燃料電池の冷却に用いた冷媒を利用して水素吸蔵合金を冷却し、水素吸蔵の動作を促進することができる。
このような本発明の燃料電池システムにおいて、
前記所定の水素圧力が平衡圧となるときの温度は、前記所定の水素圧力にて水素が供給される際に、前記水素吸蔵合金における水素の吸蔵と放出とが平衡状態となる平衡温度であることとしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、青色発光を呈する第一発光層と、燐光材料を含み、かつ前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第二発光層と、を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間に、ホスト材料に青色発光を呈するゲスト材料が分散された第一発光層と、燐光材料を含み、かつ前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第二発光層と、を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項３】
陽極と陰極との間に、青色発光を呈する第一発光層と、ホスト材料に燐光材料が１０ｗｔ％以上の濃度で分散され、かつ前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第二発光層と、を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項４】
陽極と陰極との間に、第一ホスト材料に青色発光を呈する第一ゲスト材料が分散された第一発光層と、第二ホスト材料に燐光材料が１０ｗｔ％以上の濃度で分散され、かつ前記燐光材料からの燐光発光と前記燐光材料のエキシマー状態からの発光とを共に発する第二発光層と、を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第一発光層は前記第二発光層の陽極側に接して設けられ、かつ、前記第二発光層のイオン化ポテンシャルは、前記第一発光層のイオン化ポテンシャルに比べて０．４ｅＶ以上大きいことを特徴とする有機発光素子。
【請求項６】
請求項２において、前記第一発光層は前記第二発光層の陽極側に接して設けられ、かつ、前記第二発光層のイオン化ポテンシャルは、前記ホスト材料の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルに比べて０．４ｅＶ以上大きいことを特徴とする有機発光素子。
【請求項７】
請求項３において、前記第一発光層は前記第二発光層の陽極側に接して設けられ、かつ、前記ホスト材料の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルは、前記第一発光層のイオン化ポテンシャルに比べて０．４ｅＶ以上大きいことを特徴とする有機発光素子。
【請求項８】
請求項４において、前記第一発光層は前記第二発光層の陽極側に接して設けられ、かつ、前記第二ホスト材料の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルは、前記第一ホスト材料の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルに比べて０．４ｅＶ以上大きいことを特徴とする有機発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第一発光層からの発光スペクトルの最大ピークは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域に位置することを特徴とする有機発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記燐光材料は５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の領域に２つ以上のピークを有する発光を示し、かつ、前記２つ以上のピークのいずれかがエキシマー発光であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第一発光層からの発光スペクトルの最大ピークは４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域に位置し、かつ、前記燐光材料は５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の領域に２つ以上のピークを有する発光を示し、かつ、前記２つ以上のピークのいずれかがエキシマー発光であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第一発光層はＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、クマリン系色素、ビス（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）（アセチルアセトナト）イリジウムのいずれかであることを特徴とする有機発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記燐光材料は、白金を中心金属とする有機金属錯体であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項１４】
請求項１３において、前記有機金属錯体は、下記構造式（１）〜（４）で表される物質のいずれかであることを特徴とする有機発光素子。
【化１】
2004281274.tif 000001
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の有機発光素子を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
カラーフィルターを有することを特徴とする請求項１５に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池システムであって、
燃料電池と、
発電に用いられるガスを、前記燃料電池に給排するガス配管系と、
前記ガス配管系の少なくとも一部に設置され、前記ガス中の水を回収する気液分離器と、
前記気液分離器内に回収された水の、凍結時と非凍結時とにおける流動特性の相違に基づき、前記気液分離器内に回収された水の凍結を判定する凍結判定手段とを備える燃料電池システム。
【請求項２】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
前記凍結判定手段による凍結判定は、前記燃料電池システムの起動前に行われ、
前記燃料電池システムは、更に、前記水の凍結が検出された場合には、前記燃料電池システムの起動を禁止するシステム起動禁止手段を備える、燃料電池システム。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載の燃料電池システムであって、
前記気液分離器内の水中を可動する可動部材と、
前記可動部材を作動させる作動手段と、
前記可動部材の動作状態を検出する動作検出手段と、を備え、
前記凍結判定手段は、前記動作検出手段による検出結果に基づき、凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項４】  請求項３記載の燃料電池システムであって、
前記可動部材の動作によって導通状態が変化する接点を備え、
前記動作検出手段は、前記導通状態の変化を検出する燃料電池システム。
【請求項５】  請求項１または請求項２記載の燃料電池システムであって、
前記燃料電池から排出されたアノードオフガスが、再び、前記燃料電池へ供給されるアノードオフガス循環系に、
前記気液分離器と、
前記燃料電池システムの発電に用いられる水素ガスを排出するアノードオフガス配管と、
前記アノードオフガス配管から分岐して、前記気液分離器内の水面下に連結する連結バイパスと、
前記水素ガスの経路を、前記アノードオフガス配管と前記連結バイパスとのいずれかに切り換える切換手段と、
前記アノードオフガス配管の圧力を測定する圧力測定手段とを備え、
前記凍結判定手段は、前記経路を前記連結バイパス側に切り換えた状態での、前記圧力測定手段により測定される圧力値に基づき、凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項６】  請求項１または請求項２記載の燃料電池システムであって、
前記凍結判定手段は、前記気液分離器内の水の凍結時と非凍結時とにおける体積の相違に基づき凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項７】  請求項６記載の燃料電池システムであって、
前記気液分離器内の水面より下部の圧力を測定する圧力測定手段を備え、
前記凍結判定手段は、前記測定された圧力値に基づき凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項８】  請求項６記載の燃料電池システムであって、
前記気液分離器内の水面より下部のいずれかの部分に設けられ、圧力によって変形する弾性部材を備え、
前記凍結判定手段は、前記弾性部材の変形状態に基づき凍結を判定する燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上述した課題の少なくとも一つを解決するために、本発明は、気液分離器内に回収された水の凍結を判定する燃料電池システムを提供する。本発明の燃料電池システムは、燃料電池と、発電に用いられるガスを、燃料電池に給排するガス配管系と、ガス配管系の少なくとも一部に設置され、ガス中の水を回収する気液分離器と、気液分離器内に回収された水の、凍結時と非凍結時とにおける流動特性の相違に基づき、気液分離器内に回収された水の凍結を判定する凍結判定手段と、を備えることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
流動性とは、その時々の条件に応じて動きが変わることを意味しており、例えば、容器に溜められた水は、非凍結時には、容器を傾ければ、その動きに応じて水も動き、非凍結時には、氷に状態変化しているため、容器を傾けたとしても、容器内の氷が動くことはない。すなわち、水は、非凍結時には流動性を保持しており、凍結時には、流動性を失していると言うことができる。従って、本発明の燃料電池システムによれば、かかる流動性に基づき、気液分離器内の水の凍結を判定することとしたため、容易に気液分離器内に回収された水の凍結を判定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
凍結は、種々のタイミングで判定可能であり、例えば、凍結判定を、燃料電池システムの起動前に行うこととすれば、気液分離器内の水の凍結が検出された場合には、燃料電池システムの起動を禁止することが可能である。従って、凍結時に燃料電池を無理に発電させることによる劣化を抑制すると共に、システムの異常を回避することができる。また、凍結が検出された場合には、例えば、バッテリーなどの電源からヒータを起動して解凍を行い、解凍を検知した場合には、燃料電池システムを起動することとしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
格納すべき情報を、所定の単位に分割して、磁気ディスク媒体に記録する際に、記録ヘッドのコイルへ通電する記録電流の制御方法において、
前回の記録終了から所定の期間を経過後に記録する場合には、記録を開始するときの記録電流を、記録を終了するときの記録電流より大きく設定し、記録開始後に前記記録を終了するときの記録電流と同一電流値まで段階的に減少させ、
記録開始から所定の期間内に記録する場合には、記録電流を、記録を終了するときの記録電流と、ほぼ等しくすることを特徴とする磁気ディスク装置の記録電流の制御方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ディスク装置の記録電流の制御方法において、
記録電流の増減は、オーバーシュートの増減により為される磁気ディスク装置の記録電流の制御方法。
【請求項３】
請求項１記載の磁気ディスク装置の記録電流の制御方法において、
前記記録開始から所定の期間とは、数十マイクロセカンド乃至１ミリセカンドの期間である磁気ディスク装置の記録電流の制御方法。
【請求項４】
格納すべき情報を、所定の単位に分割して、磁気ディスク媒体に記録する際に、コイルに通電することで記録を行う磁気ヘッドを用いる磁気ディスク装置であって、
前記所定の単位毎にコイルに通電する記録電流の値を設定する機能を有し、一連の記録動作の途中で記録電流を多段的に減少させて記録を行う磁気ディスク装置。
【請求項５】
請求項４記載の磁気ディスク装置において、前記所定の単位がセクタである磁気ディスク装置。
【請求項６】
請求項４記載の磁気ディスク装置は、前記記録電流の設定に代え、オーバーシュートを設定する機能を有し、
前記記録電流を変えて記録することは、オーバーシュートを変えることで為される磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と、前記主磁極に磁束を供給するためのリターンパスと、前記主磁極及び前記リターンパスを励磁するための導体コイルとを備える記録ヘッドを有する垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記主磁極の磁極幅は２００ｎｍ以下であり、
前記主磁極は、高飽和磁束密度層と低飽和磁束密度層との磁性多層膜を有し、
前記高飽和磁束密度層は、Ｆｅ−Ｃｏ合金を含有し、
前記磁性多層膜では、前記低飽和磁束密度層を介して対向する一対の前記高飽和磁束密度層の磁化の向きが反平行配列をしていることを特徴とする垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
主磁極と、前記主磁極に磁束を供給するためのリターンパスと、前記主磁極及び前記リターンパスを励磁するための導体コイルとを備える記録ヘッドを有する垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記主磁極の磁極幅は２００ｎｍ以下であり、
前記主磁極は、高飽和磁束密度層と低飽和磁束密度層との磁性多層膜を有し、
前記低飽和磁束密度層の厚みが、０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下の範囲であり、
前記高飽和磁束密度層の厚さが、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記高飽和磁束密度層の厚さが、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記高飽和磁束密度層は、Ｆｅ−Ｃｏ合金を含有することを特徴とする請求項２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記高飽和磁束密度層が強磁性体層であり、前記低飽和磁束密度層が非磁性層であることを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁性多層膜に含まれる前記高飽和磁束密度層の層数は、４層以上であることを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記磁性多層膜に含まれる前記高飽和磁束密度層の層数は、１０層以上であることを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁性多層膜は、前記主磁極の媒体対向面に対して垂直な平面に平行な方向に積層されていることを特徴とする請求項１及び２に記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記高飽和磁束密度層は、一般式（Ｆｅ７０−ｘＣｏ３０＋ｘ）１００−ｙＭｙ（但し０≦ｘ≦２０、０≦ｙ≦１５、Ｍは、Ｎｉ，Ｂ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ａｌ，Ａｌ−Ｏ，Ｓｉ，Ｓｉ−Ｏもしくはこれらの組み合わせからなる。）で表される合金を含有することを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記高飽和磁束密度層の結晶構造は、主に体心立方格子構造を有することを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記低飽和磁束密度層の結晶構造は、主に面心立方格子構造を有することを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記低飽和磁束密度層は、Ｎｉ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ及びＴａのうち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記磁性多層膜では、前記低飽和磁束密度層を介して向かい合う一対の前記高飽和磁束密度層の膜厚が異なることを特徴とする請求項１及び２に記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記主磁極の前記高飽和磁束密度層のうち、最も基板から遠い側の層と最も基板に近い側の層の厚さは、それ以外の高飽和磁束密度層よりも薄いことを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
更に、漏洩磁界の空間分布を抵抗変化ないし電圧変化に変換する磁気抵抗効果型センサを有する再生ヘッドを備えることを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記リターンパスは、前記主磁極に直接磁束を送り込むヨーク部分と、媒体に対向した面を持つ補助磁極の少なくとも２つの部分からなり、いずれも前記高飽和磁束密度層より低い飽和磁束密度を持つ強磁性体からなることを特徴とする請求項１及び２記載の垂直記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
磁気記録媒体と、垂直記録用薄膜磁気ヘッドと、前記垂直記録用薄膜磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上で位置決めする機構と、前記垂直記録用薄膜磁気ヘッドに記録電流および再生電流を流すとともに保存データの符号化および読み出しデータの復号化を行う磁気ディスク装置において、
垂直記録用薄膜磁気ヘッドは、主磁極と前記主磁極に磁束を供給するためのリターンパスと、前記主磁極及び前記リターンパスを励磁するための導体コイルとを備え、前記主磁極の磁極幅は２００ｎｍ以下であり、前記主磁極は、高飽和磁束密度層と低飽和磁束密度層との磁性多層膜を有し、前記低飽和磁束密度層の厚みが０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下の範囲であり、前記高飽和磁束密度層の厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は、書き込まれたデータを一軸磁気異方性により保持する高保磁力の強磁性体からなる記録層と、前記記録素子との相互作用により記録磁界発生に寄与する低保磁力の磁束キーパ層を含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１８】
磁気記録媒体と、垂直記録用薄膜磁気ヘッドと、前記垂直記録用薄膜磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上で位置決めする機構と、前記垂直記録用薄膜磁気ヘッドに記録電流および再生電流を流すとともに保存データの符号化および読み出しデータの復号化を行う磁気ディスク装置において、
垂直記録用薄膜磁気ヘッドは、主磁極と前記主磁極に磁束を供給するためのリターンパスと、前記主磁極及び前記リターンパスを励磁するための導体コイルとを備え、前記主磁極の磁極幅は２００ｎｍ以下であり、前記主磁極は、高飽和磁束密度層と低飽和磁束密度層との磁性多層膜を有し、前記高飽和磁束密度層は、Ｆｅ−Ｃｏ合金を含有し、前記磁性多層膜では、前記低飽和磁束密度層を介して対向する一対の前記高飽和磁束密度層の磁化の向きが反平行配列をし、
前記磁気記録媒体は、書き込まれたデータを一軸磁気異方性により保持する高保磁力の強磁性体からなる記録層と、前記記録素子との相互作用により記録磁界発生に寄与する低保磁力の磁束キーパ層を含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１９】
前記薄膜磁気ヘッドの前記高飽和磁束密度層の膜厚中心の間隔は、記録再生動作時の前記主磁極と前記キーパ層表面との距離の２倍より小さいことを特徴とする請求項１７及び１８記載の磁気ディスク装置。
【請求項２０】
前記磁気記録媒体の前記磁束キーパ層は、高飽和磁束密度層と低飽和磁束密度層との磁性多層膜または強磁性層と非磁性層との磁性多層膜または強磁性層と反強磁性層との磁性多層膜からなることを特徴とする請求項１７及び１８記載の磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれか１項に記載の非水電解液と、リチウムを吸蔵・放出可能な材料からなる、正極及び負極を備えた非水電解液電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の非水電解液電池は、このような本発明の非水電解液と、リチウムを吸蔵・放出可能な材料からなる、正極及び負極を備えたものであり、高温保存性、更に二次電池の場合には連続充電特性に優れる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＶデータが入力されるデータ入力手段と、
前記入力手段に入力されたＡＶデータを所定の領域に一時記録する記録媒体と、
前記記録媒体に記録されるＡＶデータから、過去および未来を含む任意の範囲を選択可能な選択手段と、
前記一時記録と並行し、前記選択手段で選択された範囲のＡＶデータを確保するように前記記録媒体を制御する制御手段と、
を備えてなることを特徴とするデータ記録装置。
【請求項２】
ＡＶデータが入力されるデータ入力手段と、
前記入力手段に入力されたＡＶデータを所定の領域に一時記録するハードディスクと、
前記ハードディスクに記録されるＡＶデータから、過去および未来を含む任意の範囲を選択可能な選択手段と、
前記一時記録と並行し、前記選択手段で選択された範囲のＡＶデータを確保するように前記ハードディスクを制御する制御手段と、
を備えてなることを特徴とするデータ記録装置。
【請求項３】
記録媒体にデータを記録するデータ記録装置において、
前記記録媒体にデータを記録するデータ記録手段と、
前記記録媒体からデータを任意に選択するデータ選択手段と、
前記記録媒体に前記選択されたデータを確保するデータ確保手段を備え、
前記データ記録手段の動作と並行して、
前記データ確保手段が動作すること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項４】
第一の領域と第二の領域からなる記録媒体に
データを記録するデータ記録装置において、
前記記録媒体の第一の領域に
データを記録するデータ記録手段と、
前記記録媒体の第一の領域から
データを任意に選択するデータ選択手段を備え、
前記データ記録手段の動作と並行して、
前記選択したデータを前記第二の領域のデータとしてデータを確保する
データ確保手段が動作すること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項５】
請求項４記載のデータ記録装置において、
前記第一の領域及び第二の領域は、
異なる記録媒体であること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項６】
請求項４記載のデータ記録装置において、
前記データ記録手段は、
前記第一の領域にエンドレスに記録すること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項７】
請求項３、４記載のデータ記録装置において、
前記データ記録手段と前記データ確保手段は、
各々時分割に動作させる時分割並行動作手段を備えること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項８】
請求項４記載のデータ記録装置において、
前記記録媒体は同一のディスク状記録媒体であって、
前記第一の記録領域と前記第二の記録領域の記録可能サイズを
各々設定し領域の区分を行う領域区分設定手段を備えてなること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項９】
請求項３、４記載のデータ記録装置において、
前記データは、映像及び／又は音声のデータであること
を特徴とするデータ記録装置。
【請求項１０】
ＡＶデータを記録するデータ記録装置における記録方法であって、
データ入力手段によりＡＶデータが入力され、
前記入力手段に入力されたＡＶデータを記録媒体の所定の領域に一時記録し、
前記記録媒体に記録されるＡＶデータから、過去および未来を含む任意の範囲を選択し、
前記一時記録と並行して、前記選択された範囲のＡＶデータを確保するように前記記録媒体を制御する、
ことを特徴とするデータ記録装置の記録方法。
【請求項１１】
ＡＶデータを記録するデータ記録装置における記録方法であって、
データ入力手段によりＡＶデータが入力され、
前記入力手段に入力されたＡＶデータをハードディスクの所定の領域に一時記録し、
前記ハードディスクに記録されるＡＶデータから、過去および未来を含む任意の範囲を選択し、
前記一時記録と並行して、前記選択された範囲のＡＶデータを確保するように前記ハードディスクを制御する、
ことを特徴とするデータ記録装置の記録方法。
【請求項１２】
記録媒体にデータを記録するデータ記録装置における記録方法であって、
前記記録媒体にデータを記録し、
前記記録媒体からデータを任意に選択し、
前記記録媒体に前記選択されたデータを確保し、
かつ、前記データの確保は、前記データを記録する動作と並行して動作する
ことを特徴とするデータ記録装置の記録方法。
【請求項１３】
第一の領域と第二の領域からなる記録媒体に
データを記録するデータ記録装置における記録方法であって、
前記記録媒体の第一の領域にデータを記録し、
前記記録媒体の第一の領域からデータを任意に選択し、
前記データを記録する動作と並行して、
前記選択されたデータを前記第二の領域のデータとしてデータを確保する
ことを特徴とするデータ記録装置の記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ記録装置及び記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的は特許請求の範囲に記載の発明により達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明によれば、映像信号及び又は音声信号の一時記録と、前記一時記録した映像信号及びまたは音声信号から、過去から未来にわたる任意の指定区間の映像信号及びまたは音声信号の確保とを、並行して処理することができることから、前記映像信号及びまたは音声信号の一時記録を止めることなく、任意の指定区間の映像信号及びまたは音声信号を確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
シリコン基板などは、一般に０．６ｍｍ程度の薄さであり、太陽電池の受光部１１の面積が約１０ｍｍ角の場合、フロート６０を付けて水溶液２０に浮かせた場合、受光部１１が水溶液２０の内側に向いてしまうことがあるので、基板１またはフロート６０に錘７０を付けて、常に受光部１１が太陽光などの外来光側を向くようにさせるものである。このようにすると、たとえ反転しても錘７０の作用で自動的に受光部１１が水溶液２０の上方に向きを変える事ができて常に外来光を受けているので、発電効率を上げさせることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、炭化珪素などの結晶からなるｐｎ接合の半導体接合ダイオード９０を用いた場合には、これらのｐｎ接合を構成する不純物濃度にも依るが順方向立ち上がり１．８ボルト程度もあり、必ずしも複数の半導体接合ダイオード９０を直列接続しなくとも、１個でも足りることになる。このように請求項４に記載してある「半導体接合ダイオード（９０）が必要な個数だけ直列接続してあるダイオード列（９５）」とは、１個の半導体接合ダイオード９０も含まれるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  強磁性素材の外周側に連結部が形成される如き空隙を形成し、次いで、該強磁性素材の外周側より高周波を印可して、前記連結部を発熱させて、前記強磁性素材の一部に弱磁性部を形成することを特徴とする複合磁性部材の製造方法。
【請求項２】  板状の強磁性素材を用いることを特徴とする請求項１に記載の複合磁性部材の製造方法。
【請求項３】  複数枚の板状の強磁性素材の外周側に、連結部が形成される如き空隙を同形状に形成した後、これらの強磁性素材を連結部が一致するように積層し、次いで該強磁性素材の外周側より高周波を印可して、前記連結部を発熱させて、前記強磁性素材の一部に弱磁性部を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の複合磁性部材の製造方法。
【請求項４】  高周波の印可は、強磁性素材を相対的に移動させながら行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の複合磁性部材の製造方法。
【請求項５】  強磁性素材は、質量％でＣ：０．３０〜１．２０％、Ｓｉ：０．１０〜２．０％、Ｍｎ：０．１０〜４．０％、Ｎｉ：４．０％以下（０を含む）、Ｃｒ：４．０〜２０．０％、Ａｌ：２．０％以下（０を含む）、残部が実質的にＦｅの組成でなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の複合磁性部材の製造方法。
【請求項６】  モータのロータコアとして前記強磁性素材を用い、弱磁性部はロータコア内の磁束遮断域とすることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載される複合磁性部材の製造方法を用いたモータの製造方法。
【請求項７】  強磁性素材の外周側に連結部が形成される如き空隙を有し、前記連結部は、非溶融のオーステナイトを主体とする金属組織に内部より加熱変態させた弱磁性部を形成していることを特徴とする複合磁性部材。
【請求項８】  強磁性素材は板状であることを特徴とする請求項７に記載の複合磁性部材。
【請求項９】  強磁性部の飽和磁化量が１．２Ｔ以上、弱磁性部の飽和磁化量が０．５Ｔ以下とすることを特徴とする請求項７または８に記載の複合磁性部材。
【請求項１０】  強磁性素材は、同形状で複数枚の板状であって、連結部が一致するように積層されていることを特徴とする請求項７乃至９の何れかに記載の複合磁性部材。
【請求項１１】  強磁性素材は、質量％でＣ：０．３０〜１．２０％、Ｓｉ：０．１０〜２．０％、Ｍｎ：０．１０〜４．０％、Ｎｉ：４．０％以下（０を含む）、Ｃｒ：４．０〜２０．０％、Ａｌ：２．０％以下（０を含む）、残部が実質的にＦｅの組成でなることを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の複合磁性部材。
【請求項１２】  前記複合磁性部材をモータのロータコアとし、弱磁性部はロータコア内の磁束遮断域とすることを特徴とする請求項７乃至１１の何れかに記載される複合磁性部材を用いたモータ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）アノード；
ｂ）カソード；
ｃ）該アノードと該カソードとの間に配置された複数の有機電場発光ユニットであって、少なくとも正孔輸送層及び電子輸送層を含むもの；並びに
ｄ）各隣接有機電場発光ユニット間に配置された連結ユニットであって、順に、ｎ型ドープト有機層、界面層及びｐ型ドープト有機層を含み、該界面層が該ｎ型ドープト有機層と該ｐ型ドープト有機層との間における拡散又は反応を防止するもの
を含んで成るカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項２】
該界面層がスペクトルの可視領域において９０％以上の光透過率を有する、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項３】
該界面層が、電子エネルギーバンドギャップが４．０ｅＶ未満である少なくとも１種の材料を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項４】
該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的酸化物又は非化学量論的酸化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項５】
該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的硫化物又は非化学量論的硫化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項６】
該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的セレン化物又は非化学量論的セレン化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項７】
該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的窒化物又は非化学量論的窒化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項８】
該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的炭化物又は非化学量論的炭化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項９】
該界面層が少なくとも１種の金属材料を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項１０】
該界面層が、仕事関数が４．０ｅＶより高い少なくとも１種の金属材料を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項１１】
該界面層の厚さが０．１nm〜１０nmの範囲内にある、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項１２】
該界面層の厚さが０．１nm〜５nmの範囲内にある、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項１３】
該界面層が熱蒸発法で調製されたものである、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項１４】
該界面層が電子ビーム蒸発法で調製されたものである、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
【請求項１５】
該界面層がイオンスパッタ法で調製されたものである、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。