【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液と気体とを混合して生成した前記処理液の液滴を、回転する基板に供給することで、該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
前記液滴を吐出しながら前記基板の端縁と前記基板の回転中心との間を移動自在に設けられた第１ノズルと、
前記基板の端縁部に前記液滴を吐出する少なくとも１本以上の第２ノズルと、
前記基板の端縁と前記基板の回転中心との間で前記第１ノズルを移動させる第１ノズル移動機構と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第２ノズルは前記端縁部の前記基板中心に最も近い中心隣接位置と前記基板の端縁との間を移動自在に設けられる一方、
前記第１ノズル移動機構は前記中心隣接位置と前記基板の端縁との間で前記第２ノズルを移動させる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２ノズルが前記端縁部の前記基板中心に最も近い中心隣接位置と前記基板の端縁との間を移動自在に設けられた請求項１記載の基板処理装置であって、
前記中心隣接位置と前記基板の端縁との間で前記第２ノズルを移動させる第２ノズル移動機構をさらに備えている基板処理装置。
【請求項４】
前記第１ノズルから吐出される液滴による処理条件が、前記第２ノズルから吐出される液滴による処理条件と相違している請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１ノズルから吐出される液滴による処理条件を変更可能に構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１ノズルと前記基板との間隔を調整して前記処理条件を変更させる間隔調整機構をさらに備えている請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１ノズルから吐出される液滴の前記基板に対する角度を調整して前記処理条件を変更させる角度調整機構をさらに備えている請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１ノズルに前記処理液を供給する処理液供給手段と、
前記第１ノズルに前記気体を供給する気体供給手段と、
前記第１ノズルに供給される前記処理液および前記気体のうちの少なくとも一方の流量を調整して前記処理条件を変更させる流量調整機構と
をさらに備えている請求項５ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２ノズルから吐出される液滴による処理条件を変更可能に構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方は、前記処理液が導入される処理液導入口と、前記気体が導入される気体導入口と、前記処理液導入口から導入された処理液を前記基板に向けて吐出する処理液吐出口と、該処理液吐出口に近接して配置され前記気体導入口から導入された気体を前記基板に向けて吐出する気体吐出口とが形成されたケーシングを有し、
該ケーシング外の上記処理液吐出口の近傍で前記処理液吐出口から吐出される処理液と前記気体吐出口から吐出される気体とを混合させることによって前記処理液の液滴を生成し、前記処理液の液滴を前記基板に噴射する二流体ノズルである請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
処理液と気体とを混合して生成した前記処理液の液滴を、回転する基板に供給することで、該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
前記液滴を吐出しながら前記基板の端縁と前記基板の回転中心との間を移動自在に設けられた第１の外部混合型二流体ノズルと、
前記液滴を吐出しながら前記基板の端縁部と前記基板の回転中心の外側との間を移動自在に設けられた少なくとも１本以上の第２の外部混合型二流体ノズルと
を備え、
前記基板の全面に対して前記第１の外部混合型二流体ノズルによる洗浄処理を実行するのに加えて、前記基板の端縁部に対して前記第２の外部混合型二流体ノズルによる洗浄処理を実行することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要がある。そこで、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の発明では、洗浄処理に適した処理液、つまり洗浄液と、圧縮空気とを二流体ノズルに供給し、この二流体ノズルにおいて洗浄液に空気を混合させて混合物（洗浄液の液滴）を生成している。そして、混合物を二流体ノズルから基板に向けて吐出している。一方、基板は一定速度で回転している。そして、基板面内での混合物の供給位置が基板中心と基板端縁との間を通るように二流体ノズルを往復移動させることによって基板全面にわたって混合物を吐出させ、基板表面に付着しているパーティクル（微小異物）などを離脱させて洗浄除去するようになっている。また、特許文献２に記載の発明では、基板を回転させて洗浄手段で基板の洗浄面を洗浄する基板洗浄装置において、１本の支持アームに複数の洗浄手段を設け、基板の洗浄面をこれら複数の洗浄手段で同時に洗浄するように構成している。また、特許文献３に記載の発明では、基板を所定の速度で回転させながら、基板表面に物理的な力を作用させる処理機構が取り付けられたアームを、基板上の所定の範囲内で複数回走査させ、物理的な力により基板表面の付着物を除去する基板洗浄方法であって、物理的な力を作用させる回数を、基板の中心部付近よりも外周部に対して多くしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１１３４２９号公報（第４頁−第５頁、図３）
【特許文献２】特開平１０−３０８３７０号公報（段落０００９）
【特許文献３】特開平１１−２４４７９６号公報（段落０００６）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、第１ノズルおよび第２ノズルの少なくとも一方を、以下のように構成された外部混合型のノズルで構成することができる。この外部混合型ノズルは、処理液が導入される処理液導入口と、気体が導入される気体導入口と、処理液導入口から導入された処理液を基板に向けて吐出する処理液吐出口と、該処理液吐出口に近接して配置され気体導入口から導入された気体を基板に向けて吐出する気体吐出口とが形成されたケーシングを有し、該ケーシング外の上記処理液吐出口の近傍で処理液吐出口から吐出される処理液と気体吐出口から吐出される気体とを混合させることによって処理液の液滴を生成し、処理液の液滴を基板に噴射する二流体ノズルである。
また、この発明は、処理液と気体とを混合して生成した処理液の液滴を、回転する基板に供給することで、該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、液滴を吐出しながら基板の端縁と基板の回転中心との間を移動自在に設けられた第１の外部混合型二流体ノズルと、液滴を吐出しながら基板の端縁部と基板の回転中心の外側との間を移動自在に設けられた少なくとも１本以上の第２の外部混合型二流体ノズルとを備え、基板の全面に対して第１の外部混合型二流体ノズルによる洗浄処理を実行するのに加えて、基板の端縁部に対して第２の外部混合型二流体ノズルによる洗浄処理を実行する。