(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素の結晶成長に用いる原料ガス（１１）を導入するための原料ガス導入管（４）と、
中空部を構成する円筒状の第１側壁（８ｃ）を有し、前記中空部にて前記原料ガス導入管（４）から導入される前記原料ガス（１１）を通過させる原料ガス供給通路（１２）を構成すると共に、該前記原料ガス供給通路（１２）を通じて流れる前記原料ガス（１１）を加熱する原料ガス加熱容器（８）と、
底部（１０ｂ）および円筒状の第２側壁（１０ａ）を有する有底円筒状部材にて構成され、前記第２側壁（１０ａ）の内周面と前記原料ガス加熱容器（８）における前記第１側壁（８ｃ）の外周面とが接するように配置されると共に、前記底部（１０ｂ）の表面に種結晶となる炭化珪素単結晶基板（１３）が配置され、該炭化珪素単結晶基板（１３）の表面に前記原料ガス加熱容器（８）にて加熱された前記原料ガス（１１）を供給させる反応容器（１０）と、
前記原料ガス加熱容器（８）の中空部内に配置された中空部を有する排気管（９）と、を備え、
前記原料ガス加熱容器（８）の前記中空部のうち前記排気管（９）の外周側を前記原料ガス供給通路（１２）とし、前記排気管（９）の前記中空部を通じて、前記反応容器（１０）に供給された前記原料ガス（１１）のうち消費されなかった残りが排出されるように構成された炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項２】
前記反応容器（１０）には、該反応容器（１０）を引き上げることにより前記原料ガス加熱容器（８）および前記排気管（９）との間の距離を可変させる引上げ軸（１０ｃ）が備えられていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項３】
前記排気管（９）は底部と第３側壁（９ｂ）とを有する有底円筒状部材にて構成されていると共に、前記第３側壁（９ｂ）から径方向に突出する分岐通路（９ａ）を有した構成とされ、
前記原料ガス加熱容器（８）の前記第１側壁（８ｃ）には穴（８ｄ）が形成されており、該穴（８ｄ）内に前記分岐通路（９ａ）が隙間無く挿入されることにより、前記排気管（９）を通じて排出される前記原料ガス（１１）のうち消費されなかった残りが前記原料ガス加熱容器（８）の外周側に導かれるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項４】
中空部を構成する円筒状の第１側壁（８ｃ）を有した原料ガス加熱容器（８）の前記中空部を原料ガス供給通路（１２）とし、底部（１０ｂ）および円筒状の第２側壁（１０ａ）を有する反応容器（１０）を前記原料ガス加熱容器（８）の上方において前記第２側壁（１０ａ）の内周面が前記第１側壁（８ｃ）の外周面と接するように配置すると共に、該反応容器（１０）の内部に種結晶となる炭化珪素単結晶基板（１３）を配置し、前記原料ガス供給通路（１２）を通じて前記炭化珪素単結晶基板（１３）に炭化珪素の結晶成長に用いる原料ガス（１１）を供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板（１３）の表面に炭化珪素単結晶インゴット（１４）を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記原料ガス加熱容器（８）の前記中空部内に排気管（９）を配置し、前記原料ガス加熱容器（８）の前記中空部のうち前記排気管（９）の外周側を前記原料ガス供給通路（１２）として前記原料ガス（１１）を供給し、前記排気管（９）を通じて前記原料ガス（１１）のうち消費されなかった残りを排出することで、前記炭化珪素単結晶基板（１３）の外縁側から中心側に向かって前記原料ガス（１１）を流動させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記排気管（９）および前記原料ガス加熱容器（８）の上端から前記炭化珪素単結晶インゴット（１４）の表面までの距離が０より大きく５０ｍｍ以下の距離となるように、前記反応容器（１０）および前記炭化珪素単結晶基板（１３）を引上げることを特徴とする請求項４に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項６】
前記排気管（９）および前記原料ガス加熱容器（８）の上端から前記炭化珪素単結晶インゴット（１４）の表面までの距離が５以上かつ２０ｍｍ以下の距離となるように、前記反応容器（１０）および前記炭化珪素単結晶基板（１３）を引上げることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、歩留まり良く炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶を製造できる炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガスを原料とするＳｉＣ単結晶の成長技術として、特許文献１に示されるＳｉＣ単結晶製造装置がある。図３は、このＳｉＣ単結晶製造装置の断面図である。
【０００３】
この図に示されるように、ＳｉＣ単結晶製造装置では、真空容器Ｊ１の周囲に加熱コイルＪ２を配置し、真空容器Ｊ１内を排気管Ｊ３にて真空引きしながらガス導入管Ｊ４を通じてＳｉＣの原料ガスＪ５を導入することにより、断熱材Ｊ６の内部の反応容器Ｊ７に備えられた種結晶となるＳｉＣ単結晶基板Ｊ８の表面にＳｉＣ単結晶インゴットＪ９を成長させる。そして、ガス導入管Ｊ４から供給される原料ガスＪ５を加熱して分解するために、ガス導入管Ｊ４の供給口に中空形状の原料ガス加熱容器Ｊ１０を備え、原料ガス加熱容器Ｊ１０の中空部を通じて原料ガスＪ５をＳｉＣ単結晶基板Ｊ８の表面に供給し、原料ガス加熱容器Ｊ１０の側壁面と反応容器Ｊ７の内壁面との間の隙間による開孔Ｊ１１を通じて消費されなかった原料ガスＪ５を流動させ、排気管Ｊ３を通じて真空容器Ｊ１から排出している。
【０００４】
これにより、反応容器Ｊ７の内径寸法が最大径となるＳｉＣ単結晶インゴットＪ９を得ることができる。
【０００５】
しかしながら、上記の構造のＳｉＣ単結晶製造装置では、消費されなかった原料ガスＪ５を排気するために、反応容器Ｊ７の内壁面と原料ガス加熱容器Ｊ１０の外周面との間の開孔Ｊ１１をある程度空けなければならない。また、原料ガスＪ５を加熱して分解するために原料ガス加熱容器Ｊ１０の側壁の厚みをある程度の厚さにしなければならない。これらの理由により、ＳｉＣ単結晶基板Ｊ８には中心側優位で原料ガスＪ５が供給されるため、ＳｉＣ単結晶インゴットＪ９は中央部の成長速度が大きく、外周部の成長速度が小さくなる。その結果、ＳｉＣ単結晶インゴットＪ９の表面形状が凸状になり、種結晶として用いたＳｉＣ単結晶基板Ｊ８の径よりもＳｉＣ単結晶インゴットＪ９の径の方が小さくなり、歩留まりが悪くなるという問題がある。
【０００６】
これに対し、特許文献２において、原料ガス加熱容器Ｊ１０の側壁の内径がＳｉＣ単結晶基板Ｊ９に近づくほど大きくなるように、側壁の内壁面をテーパ面としたものが提案されている。このように原料ガス加熱容器Ｊ１０の側壁の内壁面をテーパ面とすることにより、原料ガスＪ５を供給できる範囲を広げることが可能となり、ＳｉＣ単結晶インゴットＪ９の径を拡大することが可能になる。
【特許文献１】特許第３９４１７２７号公報
【特許文献２】特開２００２−１５４８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２のように原料ガス加熱容器Ｊ１０の側壁の内壁面をテーパ面とする場合、原料ガス加熱容器Ｊ１０の内壁面の位置がガス導入管Ｊ４側で加熱コイルＪ２から遠ざかるため、原料ガスＪ５の加熱を十分に行うことができず、原料ガスＪ５の分解が十分に行えなくなるという問題が発生し得る。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みて、ＳｉＣ単結晶インゴットの径を大きくできるようにすることで歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明では、ＳｉＣの結晶成長に用いる原料ガス（１１）を導入するための原料ガス導入管（４）と、中空部を構成する円筒状の第１側壁（８ｃ）を有し、中空部にて原料ガス導入管（４）から導入される原料ガス（１１）を通過させる原料ガス供給通路（１２）を構成すると共に、該原料ガス供給通路（１２）を通じて流れる原料ガス（１１）を加熱する原料ガス加熱容器（８）と、底部（１０ｂ）および円筒状の第２側壁（１０ａ）を有する有底円筒状部材にて構成され、第２側壁（１０ａ）の内周面と原料ガス加熱容器（８）における第１側壁（８ｃ）の外周面とが接するように配置されると共に、底部（１０ｂ）の表面に種結晶となるＳｉＣ単結晶基板（１３）が配置され、該ＳｉＣ単結晶基板（１３）の表面に原料ガス加熱容器（８）にて加熱された原料ガス（１１）を供給させる反応容器（１０）と、原料ガス加熱容器（８）の中空部内に配置された中空部を有する排気管（９）と、を備え、原料ガス加熱容器（８）の中空部のうち排気管（９）の外周側を原料ガス供給通路（１２）とし、排気管（９）の中空部を通じて、反応容器（１０）に供給された原料ガス（１１）のうち消費されなかった残りが排出されるように構成されていることを第１の特徴としている。
【００１０】
このように、原料ガス加熱容器（８）内に排気管（９）を配置することにより、反応容器（１０）内において原料ガス（１１）を反応容器（１０）の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させることができる。これにより、ＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の成長面の広範囲にわたって原料ガス（１１）を供給できるため、ＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の径を大きくでき、歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することが可能となる。
【００１１】
この場合、反応容器（１０）には、該反応容器（１０）を引き上げることにより原料ガス加熱容器（８）および排気管（９）との間の距離を可変させる引上げ軸（１０ｃ）を備えると好ましい。このような引上げ軸（１０ｃ）を設けることにより、反応容器（１０）およびＳｉＣ単結晶基板（１３）と共にＳｉＣ単結晶インゴット（１４）を引上げることができ、結晶成長に合せてＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の表面の位置を一定位置に保持することが可能となる。
【００１２】
このような排気管（９）は、例えば、底部と第３側壁（９ｂ）とを有する有底円筒状部材にて構成されていると共に、第３側壁（９ｂ）から径方向に突出する分岐通路（９ａ）を有した構成とされる。このような構成とされる場合、原料ガス加熱容器（８）の第１側壁（８ｃ）に穴（８ｄ）を形成し、該穴（８ｄ）内に分岐通路（９ａ）が隙間無く挿入されるようにすることで、排気管（９）を通じて排出される原料ガス（１１）のうち消費されなかった残りが原料ガス加熱容器（８）の外周側に導かれるように構成できる。
【００１３】
以上では、本発明をＳｉＣ単結晶の製造装置の発明として把握した場合について説明したが、本発明をＳｉＣ単結晶の製造方法の発明として把握することも可能である。
【００１４】
すなわち、本発明では、中空部を構成する円筒状の第１側壁（８ｃ）を有した原料ガス加熱容器（８）の中空部を原料ガス供給通路（１２）とし、底部（１０ｂ）および円筒状の第２側壁（１０ａ）を有する反応容器（１０）を原料ガス加熱容器（８）の上方において第２側壁（１０ａ）の内周面が第１側壁（８ｃ）の外周面と接するように配置すると共に、該反応容器（１０）の内部に種結晶となるＳｉＣ単結晶基板（１３）を配置し、原料ガス供給通路（１２）を通じてＳｉＣ単結晶基板（１３）にＳｉＣの結晶成長に用いる原料ガス（１１）を供給することにより、ＳｉＣ単結晶基板（１３）の表面にＳｉＣ単結晶インゴット（１４）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、原料ガス加熱容器（８）の中空部内に排気管（９）を配置し、原料ガス加熱容器（８）の中空部のうち排気管（９）の外周側を原料ガス供給通路（１２）として原料ガス（１１）を供給し、排気管（９）を通じて原料ガス（１１）のうち消費されなかった残りを排出することで、ＳｉＣ単結晶基板（１３）の外縁側から中心側に向かって原料ガス（１１）を流動させることを第２の特徴としている。
【００１５】
このように、原料ガス加熱容器（８）内に排気管（９）を配置することにより、反応容器（１０）内において原料ガス（１１）を反応容器（１０）の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにしている。これにより、ＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の成長面の広範囲にわたって原料ガス（１１）を供給できるため、ＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の径を大きくでき、歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することが可能となる。
【００１６】
この場合、排気管（９）および原料ガス加熱容器（８）の上端からＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の表面までの距離が０より大きく５０ｍｍ以下の距離となるように、反応容器（１０）およびＳｉＣ単結晶基板（１３）を引上げる。好ましくは、排気管（９）および原料ガス加熱容器（８）の上端からＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の表面までの距離が５以上かつ２０ｍｍ以下の距離となるように、反応容器（１０）およびＳｉＣ単結晶基板（１３）を引上げると良い。これは、５ｍｍ未満だと原料ガス（１１）の流速が大きくなり過ぎ、結晶欠陥が入り易くなるためであり、２０ｍｍ以上だとＳｉＣ単結晶インゴット（１４）の表面に原料が届き難くなり成長速度が低下するためである。
【００１７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の概略断面図である。以下、この図を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
【００２０】
図１に示すように、ＳｉＣ単結晶製造装置は、真空容器１、加熱コイル２、排気管３、原料ガス導入管４、第１、第２断熱材６、７、原料ガス加熱容器８、排気管９および反応容器１０などを有して構成されている。
【００２１】
真空容器１は、例えば石英などにより構成され、中空部を有する円筒状部材で構成されており、立設した状態で配置されている。この真空容器１の下方位置には原料ガス導入管４と排気管３が備えられており、原料ガス導入管４を通じて真空容器１内にＳｉＣの原料ガス１１を導入すると共に、導入された原料ガス１１のうち消費されなかった残りが排気管３を通じて排出される構成となっている。なお、原料ガス１１は実際には視認できないが、図中では原料ガス１１の流れを矢印で示してある。
【００２２】
加熱コイル２は、真空容器１の外周を囲むように複数配置されており、本実施形態では、反応容器１０近傍を加熱する上側コイル２ａと原料ガス加熱容器８近傍を加熱する下側コイル２ｂとにより構成されている。この加熱コイル２は、例えば高周波誘導コイル（ＲＦコイル）にて構成される。
【００２３】
第１断熱材６は、例えば炭素（カーボン）にて構成され、中空部を有する有底円筒状部材で構成されており、開口部側が下方を向けられた状態で立設されている。この第１断熱材６の中空部内に第２断熱材７や原料ガス加熱容器８、排気管９および反応容器１０が配置されている。なお、第１断熱材６の底面の中央部には、開口部６ａが形成されており、この開口部６ａを通じて後述する反応容器１０を引き上げるための引上げ軸１０ｃが挿入されている。
【００２４】
第２断熱材７は、例えば炭素（カーボン）にて構成され、中空部７ａが形成された円筒状部材で構成されており、中空部７ａが原料ガス導入管４と接続されている。このため、第２断熱材７の中空部７ａが原料ガス１１の導入通路として機能し、原料ガス導入管４を通じて導入される原料ガス１１が第２断熱材７の中空部７ａを通じて反応容器１０側に導かれるように構成されている。
【００２５】
原料ガス加熱容器８は、例えば炭素（カーボン）にて構成され、有底円筒状部材で構成されている。原料ガス加熱容器８の底部８ａには開口部８ｂが形成されており、開口部８ｂが第２断熱材７の中空部７ａと繋がるように底部８ａ側を第２断熱材７に接触させた状態としている。また、原料ガス加熱容器８の側壁（第１側壁）８ｃのうち底部８ａから所定高さの位置には、等間隔に複数の穴（本実施形態の場合は４つの穴）が形成されており、この穴８ｄ内に後述する排気管９の分岐通路９ａが挿入されている。なお、原料ガス加熱容器８を一部品として構成しても良いが、排気管９を中に挿入しやすいように、複数部品として構成すると好ましい。
【００２６】
排気管９は、例えば炭素（カーボン）にて構成され、少なくとも中空部を有する円筒状部材、本実施形態の場合には有底円筒状部材で構成されている。排気管９の中心軸は原料ガス加熱容器８の中心軸と同軸的に配置され、排気管９が原料ガス加熱容器８内の中央位置に配置されている。図２に、この排気管９の上面図を示す。
【００２７】
図１および図２に示すように、排気管９の側壁（第２側壁）９ｂのうち底部近傍には分岐通路９ａが形成されている。図２に示すように、分岐通路９ａは、排気管９の側壁から径方向に突出するように延設されており、等間隔に複数個（本実施形態では４個）形成されている。各分岐通路９ａは、例えば円筒形状とされており、そのサイズが原料ガス加熱容器８の側壁８ｃに備えられた穴８ｄと同サイズとされ、穴８ｄ内に挿入されている。このため、穴８ｄと分岐通路９ａとの間には殆ど隙間が形成されず、これらの間を通じて原料ガス１１が漏れ出さないようになっている。
【００２８】
また、排気管９の側壁９ｂの外径は原料ガス加熱容器８の側壁８ｃの内径よりも小さくされており、これら排気管９の側壁９ｂと原料ガス加熱容器８の側壁８ｃの間の隙間を原料ガス供給通路１２として、原料ガス１１が通過できるようになっている。
【００２９】
反応容器１０は、例えば炭素（カーボン）にて構成され、望ましくは、原料ガス１１との反応を防止するために炭化タンタルによって被覆されていると良い。反応容器１０は、有底円筒状部材で構成されており、開口部側が原料ガス加熱容器８側を向けられ、開口部内に原料ガス加熱容器８が入り込むようにして配置されている。そして、反応容器１０の側壁１０ａの内周面と原料ガス加熱容器８の側壁８ｃの外周面とが隙間無く接している。反応容器１０の各部の厚みは、反応容器１０の熱により原料ガス１１を加熱して分解できる程度とされ、例えば５ｍｍ程度とされる。
【００３０】
この反応容器１０の底部１０ｂの表面に、反応容器１０の内径とほぼ同サイズとされた種結晶となるＳｉＣ単結晶基板１３が貼り付けられ、このＳｉＣ単結晶基板１３の表面にＳｉＣ単結晶インゴット１４が成長させられる。また、反応容器１０の底部１０ｂの裏面には引上げ軸１０ｃが備えられており、この引上げ軸１０ｃにより反応容器１０を引き上げることで、ＳｉＣ単結晶基板１３やＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長面の高さ、すなわち成長面と原料ガス加熱容器８や排気管９との距離を一定に保てるようにでき、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の長尺成長が可能とされている。この距離は、例えば０より大きく５０ｍｍ以下とされ、５ｍｍ以上かつ２０ｍｍ以下であると好ましい。これは、５ｍｍ未満だと原料ガス１１の流速が大きくなり過ぎ、結晶欠陥が入り易くなるためであり、２０ｍｍ以上だとＳｉＣ単結晶インゴット１４の表面に原料が届き難くなり成長速度が低下するためである。
【００３１】
以上のようにして、ＳｉＣ単結晶製造装置が構成されている。次に、このような構造のＳｉＣ単結晶製造装置を用いたＳｉＣ単結晶の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、反応容器１０の底部１０ｂの表面に種結晶となるＳｉＣ単結晶基板１３を配置する。そして、原料ガス導入管４を通じて、真空容器１内にＳｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む原料ガス１１、例えば、モノシラン（Ｓｉを含有するガス）とプロパン（Ｃを含有するガス）とキャリアガスを所定の割合で混合したものを導入する。このとき、原料ガス１１の流量を図示しないマスフローコントローラにて制御する。
【００３３】
これにより、原料ガス導入管４から導入された原料ガス１１は、第２断熱材７の中空部７ａおよび原料ガス加熱容器８の開口部８ｂを通じて原料ガス加熱容器８の内部を通過し、原料ガス加熱容器８の底部８ａおよび側壁８ｃと排気管９との間の隙間を通じて反応容器１０に貼り付けられたＳｉＣ単結晶基板１３の表面に導かれる。このとき、下側コイル２ｂへの通電により、原料ガス加熱容器８が加熱されるため、原料ガス１１が所望の温度まで加熱されてＳｉＣ単結晶基板１３の表面に供給される。
【００３４】
そして、上側コイル２ａへの通電により、ＳｉＣ単結晶基板１３を原料ガス加熱容器８よりも所定温度低温となるように加熱すると、ＳｉＣ単結晶基板１３の表面を成長面としてＳｉＣ単結晶インゴット１４が成長していく。一方、原料ガス１１のうちＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長に寄与せずに消費されなかった残りは、排気管９の開口部から分岐通路９ａを経て第１断熱材６と第２断熱材７との間の隙間を通じて排気管３に導かれ、排気管３を通じて排出される。
【００３５】
この後、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長に伴い、成長速度と同等の速度で引上げ軸１０ｃを引き上げることにより反応容器１０、ＳｉＣ単結晶基板１３およびＳｉＣ単結晶インゴット１４を引上げると、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長表面の高さ、すなわち成長面と原料ガス加熱容器８や排気管９との距離を一定に保てるようにでき、ＳｉＣ単結晶インゴット１４を長尺成長させることが可能となる。
【００３６】
このようにＳｉＣ単結晶インゴット１４を得るに際し、本実施形態では、原料ガス加熱容器８内に排気管９を備え、原料ガス加熱容器８を通じてＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長表面に供給される原料ガス１１が原料ガス加熱容器８の中空部のうちの最も外周側から供給されることになる。さらに、原料ガス１１のうち消費されなかった残りを原料ガス加熱容器８内に備えた排気管９を通じて排出しているため、反応容器１０内において原料ガス１１を反応容器１０の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させることが可能となる。
【００３７】
このため、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長面の広範囲、すなわち成長面の外縁側から中心側にわたって原料ガス１１を供給できる。これにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の径を大きくでき、歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することが可能となる。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態では、反応容器１０内において原料ガス１１を反応容器１０の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにしている。これにより、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の成長面の広範囲にわたって原料ガス１１を供給できるため、ＳｉＣ単結晶インゴット１４の径を大きくでき、歩留まり良くＳｉＣ単結晶を製造することが可能となる。
【００３９】
（他の実施形態）
上記実施形態では、反応容器１０内において原料ガス１１を反応容器１０の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにする一例として、原料ガス加熱容器８内に排気管９を配置すると共に、排気管９に分岐通路９ａを備えることにより、真空容器１の外周側に備えられた排気管３に消費されたなかった原料ガス１１の残りを導くようにしている。しかしながら、これは単なる一例であり、反応容器１０内において原料ガス１１を反応容器１０の中心から離れた外周側から中心側に向かって流動させるようにする構造であればどのような構造であっても構わない。
【００４０】
また、原料ガス加熱容器８の形状を有底円筒状としたが底部８ａが無い円筒状とし、側壁８ｃのみによって中空部を構成しても構わない。また、原料ガス導入管４から原料ガス加熱容器８に至るまでに断熱材７を配置したが、原料ガス加熱容器８を原料ガス導入管４側に伸ばした形状、つまり原料ガス加熱容器８と断熱材７とが一体となったような形状としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＳｉＣ単結晶製造装置の断面図である。
【図２】図１に示すＳｉＣ単結晶製造装置に備えられた排気管９の上面模式図である。
【図３】従来のＳｉＣ単結晶製造装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…真空容器、２…加熱コイル、２ａ…上側コイル、２ｂ…下側コイル、
３…排気管、４…原料ガス導入管、６…断熱材、６ａ…開口部、７…断熱材、
７ａ…中空部、８…原料ガス加熱容器、８ａ…底部、８ｂ…開口部、８ｃ…側壁、
８ｄ…穴、９…排気管、９ａ…分岐通路、１０…反応容器、１０ａ…側壁、
１０ｂ…底部、１０ｃ…引上げ軸、１１…原料ガス、１２…原料ガス供給通路、
１３…ＳｉＣ単結晶基板、１４…ＳｉＣ単結晶インゴット
【図１】
0004535116.tif 000002
【図２】
0004535116.tif 000003
【図３】
0004535116.tif 000004