【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無機表面層と、該無機表面層の上層の有機プロセシング組成物層、及び該プロセシング組成物層の上層のフォトレジスト組成物層を含んでなる、マイクロエレクトロニクスデバイス基板。
【請求項２】  フォトレジストレリーフ像を形成させる方法であって：
プロセシング組成物のコーティング層を無機表面層の上に塗布するステップ；
該プロセシング組成物のコーティング層の上にフォトレジストのコーティング層組成物を塗布するステップ；
塗布したフォトレジスト層をパターンを有する感放射線で露光させ、その露光させたフォトレジスト層を現像してフォトレジストのレリーフ像を得るステップ、
を含んでなる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１）  無機表面層と、該無機表面層の上層の有機プロセシング組成物層、及び該プロセシング組成物層の上層のフォトレジスト組成物層を含んでなる、マイクロエレクトロニクスデバイス基板。
（２）  無機表面層が酸窒化ケイ素層である、前記（１）に記載の基板。
（３）  無機表面層が窒化ケイ素層である、前記（１）に記載の基板。
（４）  無機表面層がケイ素酸化物でキャップされている、前記（１）〜（３）の何れか１つに記載の基板。
（５）  プロセシング組成物層が、１又は複数の、窒素、酸素又は硫黄原子を有する材料を含んでなる、前記（１）〜（４）の何れか１つに記載の基板。
（６）  プロセシング組成物層がヒドロキシ基又はエポキシ基を有する材料を含んでなる、前記（１）〜（５）の何れか１つに記載の基板。
（７）  プロセシング組成物層が、１又は複数の、窒素、酸素又は硫黄原子を有する樹脂を含んでなる、前記（１）〜（６）の何れか１つに記載の基板。
（８）  プロセシング組成物層が架橋されている、前記（１）〜（７）の何れか１つに記載の基板。
（９）  プロセシング組成物層が酸又は酸発生剤化合物を含んでなる、前記（１）〜（８）の何れか１つに記載の基板。
（１０）  プロセシング組成物層の厚みが少なくとも約１５ｎｍである、前記（１）〜（９）の何れか１つに記載の基板。
（１１）  プロセシング組成物層の厚みが少なくとも約２０ｎｍである、前記（１）〜（９）の何れか１つに記載の基板。
（１２）  プロセシング組成物層の厚みが少なくとも約２５ｎｍである、前記（１）〜（９）の何れか１つに記載の基板。
（１３）  プロセシング組成物層の厚みが約１００ｎｍ以下である、前記（１０）〜（１２）の何れか１つに記載の基板。
（１４）  プロセシング組成物層の厚みが約５０ｎｍ以下である、前記（１０）〜（１２）の何れか１つに記載の基板。
（１５）  フォトレジスト組成物がポジ型の化学増幅型フォトレジストである、前記（１）〜（１４）の何れか１つに記載の基板。
（１６）  フォトレジスト組成物がネガ型のフォトレジストである、前記（１）〜（１４）の何れか１つに記載の基板。
（１７）  フォトレジスト組成物が、フェノール系ポリマー、実質的に芳香族基を含まないポリマー、及びフッ素化ポリマーから成る群より選択されるポリマーを含んでなる、前記（１）〜（１６）の何れか１つに記載の基板。
（１８）  ポリマーがアクリレートのくり返し単位を含んでなる、前記（１７）に記載の基板。
（１９）  ポリマーが光により発生した酸（以下、光酸と略す。）に不安定な基を含んでなる、前記（１７）又は（１８）に記載の基板。
（２０）  プロセシング層組成物が１種又は複数の有機成分を含んでなる、前記（１）〜（１９）の何れか１つに記載の基板。
（２１）  プロセシング層組成物が有機樹脂を含んでなる、前記（１）〜（２０）の何れか１つに記載の基板。
（２２）  フォトレジストレリーフ像を形成させる方法であって：
プロセシング組成物のコーティング層を無機表面層の上に塗布するステップ；
該プロセシング組成物のコーティング層の上にフォトレジストのコーティング層組成物を塗布するステップ；
塗布したフォトレジスト層をパターンを有する感放射線で露光させ、その露光させたフォトレジスト層を現像してフォトレジストのレリーフ像を得るステップ、を含んでなる方法。
（２３）  無機表面層が酸窒化ケイ素層である、前記（２２）に記載の方法。
（２４）  無機表面層が窒化ケイ素層である、前記（２２）に記載の方法。
（２５）  無機表面層がケイ素酸化物でキャップされている、前記（２２）〜（２４）の何れか１つに記載の方法。
（２６）  塗布したフォトレジスト層を、波長が３００ｎｍ未満の放射線で露光させる、前記（２２）〜（２５）の何れか１つに記載の方法。
（２７）  塗布したフォトレジスト層を、波長が約２４８ｎｍの放射線で露光させる、前記（２２）〜（２５）の何れか１つに記載の方法。
（２８）  塗布したフォトレジスト層を、波長が２００ｎｍ未満の放射線で露光させる、前記（２２）〜（２５）の何れか１つに記載の方法。
（２９）  塗布したフォトレジスト層を、波長が約１９３ｎｍ又は１５７ｎｍの放射線で露光させる、前記（２２）〜（２５）の何れか１つに記載の方法。
（３０）  プロセシング組成物層が、１又は複数の、窒素、酸素又は硫黄原子を有する材料を含んでなる、前記（２２）〜（２９）の何れか１つに記載の方法。
（３１）  プロセシング組成物層がヒドロキシ基又はエポキシ基を有する材料を含んでなる、前記（２２）〜（３０）の何れか１つに記載の方法。
（３２）  プロセシング組成物層が、１又は複数の、窒素、酸素又は硫黄原子を有する樹脂を含んでなる、前記（２２）〜（３１）の何れか１つに記載の方法。
（３３）  プロセシング組成物層が架橋されている、前記（２２）〜（３２）の何れか１つに記載の方法。
（３４）  プロセシング組成物層が酸又は酸発生剤化合物を含んでなる、前記（２２）〜（３３）の何れか１つに記載の方法。
（３５）  プロセシング組成物層の厚みが少なくとも約１５ｎｍである、前記（２２）〜（３４）の何れか１つに記載の方法。
（３６）  プロセシング組成物層の厚みが少なくとも約２０ｎｍである、前記（２２）〜（３４）の何れか１つに記載の方法。
（３７）  プロセシング組成物層の厚みが少なくとも約２５ｎｍである、前記（２２）〜（３４）の何れか１つに記載の方法。
（３８）  プロセシング組成物層の厚みが約１００ｎｍ以下である、前記（３５）〜（３７）の何れか１つに記載の方法。
（３９）  プロセシング組成物層の厚みが約５０ｎｍ以下である、前記（３５）〜（３７）の何れか１つに記載の方法。
（４０）  フォトレジスト組成物がポジ型の化学増幅型フォトレジストである、前記（２２）〜（３９）の何れか１つに記載の方法。
（４１）  フォトレジスト組成物がネガ型のフォトレジストである、前記（２２）〜（３９）の何れか１つに記載の方法。
（４２）  プロセシング層組成物が１種又は複数の有機成分を含んでなる、前記（２２）〜（４１）の何れか１つに記載の方法。
（４３）  プロセシング層組成物が有機樹脂を含んでなる、前記（２２）〜（４２）の何れか１つに記載の方法。
（４４）  フォトレジスト組成物が、フェノール系ポリマー、実質的に芳香族基を含まないポリマー、及びフッ素化ポリマーから成る群より選択されるポリマーを含んでなる、前記（２２）〜（４３）の何れか１つに記載の方法。
（４５）  ポリマーがアクリレートくり返し単位を含んでなる、前記（４４）に記載の方法。
（４６）  ポリマーが光酸に不安定な基を含んでなる、前記（４４）又は（４５）に記載の方法。
本発明のその他の態様については以下に記述する。