【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有するデンドリック高分子において、前記繰り返し単位が置換基を有してもよい２価の有機基である線状部Ｘと、置換基を有してもよい３価の有機基である分岐部Ｙとからなる下記一般式（１）で表される構造であって、前記線状部Ｘが、下記一般式（３）で表され且つ前記分岐部Ｙと少なくとも部分的に共役し、前記分岐構造の末端となる繰り返し単位のＹに、前記繰り返し単位とは異なる末端構造が接続され、末端構造はホール伝導性、電子伝導性、又はイオン伝導性を持つ構造であり、半導体特性を示すことを特徴とするデンドリック高分子。
【化１】
2004107625.tif 000001
（式中Ｚは、チエニレンと少なくとも部分的に共役した、置換基を有してもよい２価の有機基又は単結合であり、Ｒ４、Ｒ５は、水素、アルキル基及びアルコキシ基から選択される。）
【請求項２】  請求項１において、電気的外力が印加された状態で金属状態になることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項３】  請求項１において、光励起が印加された状態で金属状態になることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項４】  請求項１〜３の何れかにおいて、ドーピング試薬を実質的に含有していないことを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項５】  請求項１〜４の何れかにおいて、さらに、前記分岐構造の開始点となる前記繰り返し単位のＸに、コアとなる中心構造が接続されていることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項６】  請求項５において、前記コアは、前記繰り返し単位が２つ以上直接接続する２価以上の基であることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項７】  請求項１〜６の何れかにおいて、末端構造が下記式（Ｉ）で表わされる構造から選択されることを特徴とするデンドリック高分子。
【化２】
2004107625.tif 000002
【請求項８】  請求項１〜７の何れかにおいて、前記分岐部Ｙが、分岐中心として、鎖式炭化水素（脂肪族炭化水素）、環式炭化水素（脂環式化合物及び芳香族化合物）、及び複素環式化合物（芳香族性を持つもの及び芳香族性を持たないもの）から選択される化合物を含むことを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項９】  請求項８において、前記分岐部Ｙが、下記式（２）から選択されることを特徴とするデンドリック高分子。
【化３】
2004107625.tif 000003
【請求項１０】  請求項１〜９の何れかにおいて、前記置換基Ｚは、置換または非置換の鎖式炭化水素（脂肪族炭化水素）、環式炭化水素（脂環式化合物及び芳香族化合物）、及び複素環式化合物（芳香族性を持つもの及び芳香族性を持たないもの）から選択される１種で構成される基、１種が複数個連続して構成される基又は複数種が連続して構成される基であることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項１１】  請求項１０において、前記置換基Ｚは、置換または非置換の不飽和脂肪族炭化水素、及び環式若しくは複素環式の芳香族化合物から選択される１種で構成される基、１種が複数個連続して構成される基又は複数種が連続して構成される基であることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項１２】  請求項１１において、前記置換基Ｚが、下記式（４）から選択される１種で構成される基、１種が複数個連続して構成される基又は複数種が連続して構成される基であることを特徴とするデンドリック高分子。
【化４】
2004107625.tif 000004
【請求項１３】  請求項１〜９の何れかにおいて、前記繰り返し単位が、下記一般式（５）で表されることを特徴とするデンドリック高分子。
【化５】
2004107625.tif 000005
（式中Ｒ９、Ｒ１０は、水素、アルキル基及びアルコキシ基から選択され、ｎは１〜１０までの整数を表す。）
【請求項１４】  請求項１〜１３の何れかにおいて、前記デンドリック高分子がデンドリマーであることを特徴とするデンドリック高分子。
【請求項１５】  請求項１〜１４の何れかのデンドリック高分子を用いたことを特徴とする電子デバイス素子。
【請求項１６】  請求項１５において、電荷輸送デバイス素子であることを特徴とする電子デバイス素子。
【請求項１７】  請求項１５において、スイッチングトランジスタ素子であることを特徴とする電子デバイス素子。
【請求項１８】  請求項１５において、発光デバイス素子であることを特徴とする電子デバイス素子。
【請求項１９】  請求項１５において、光電変換デバイス素子であることを特徴とする電子デバイス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有するデンドリック高分子において、前記繰り返し単位が置換基を有してもよい２価の有機基である線状部Ｘと、置換基を有してもよい３価の有機基である分岐部Ｙとからなる下記一般式（１）で表される構造であって、前記線状部Ｘが、下記一般式（３）で表され且つ前記分岐部Ｙと少なくとも部分的に共役し、前記分岐構造の末端となる繰り返し単位のＹに、前記繰り返し単位とは異なる末端構造が接続され、末端構造はホール伝導性、電子伝導性、又はイオン伝導性を持つ構造であり、半導体特性を示すことを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化６】
2004107625.tif 000006
（式中Ｚは、チエニレンと少なくとも部分的に共役した、置換基を有してもよい２価の有機基又は単結合であり、Ｒ４、Ｒ５は、水素、アルキル基及びアルコキシ基から選択される。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、電気的外力が印加された状態で金属状態になることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第３の態様は、第１の態様において、光励起が印加された状態で金属状態になることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れかの態様において、末端構造が下記式（Ｉ）で表わされる構造から選択されることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【化７】
2004107625.tif 000007
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れかの態様において、前記分岐部Ｙが、分岐中心として、鎖式炭化水素（脂肪族炭化水素）、環式炭化水素（脂環式化合物及び芳香族化合物）、及び複素環式化合物（芳香族性を持つもの及び芳香族性を持たないもの）から選択される化合物を含むことを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の第９の態様は、第８の態様において、前記分岐部Ｙが、下記式（２）から選択されることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【化８】
2004107625.tif 000008
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れかの態様において、前記置換基Ｚは、置換または非置換の鎖式炭化水素（脂肪族炭化水素）、環式炭化水素（脂環式化合物及び芳香族化合物）、及び複素環式化合物（芳香族性を持つもの及び芳香族性を持たないもの）から選択される１種で構成される基、１種が複数個連続して構成される基又は複数種が連続して構成される基であることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の第１１の態様は、第１０の態様において、前記置換基Ｚは、置換または非置換の不飽和脂肪族炭化水素、及び環式若しくは複素環式の芳香族化合物から選択される１種で構成される基、１種が複数個連続して構成される基又は複数種が連続して構成される基であることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の第１２の態様は、第１１の態様において、前記置換基Ｚが、下記式（４）から選択される１種で構成される基、１種が複数個連続して構成される基又は複数種が連続して構成される基であることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の第１３の態様は、第１〜９の何れかの態様において、前記繰り返し単位が、下記一般式（５）で表されることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の第１４の態様は、第１〜１３の何れかの態様において、前記デンドリック高分子がデンドリマーであることを特徴とするデンドリック高分子にある。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明の第１５の態様は、第１〜１４の何れかの態様のデンドリック高分子を用いたことを特徴とする電子デバイス素子にある。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の第１６の態様は、第１５の態様において、電荷輸送デバイス素子であることを特徴とする電子デバイス素子にある。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の第１７の態様は、第１５の態様において、スイッチングトランジスタ素子であることを特徴とする電子デバイス素子にある。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明の第１８の態様は、第１５の態様において、発光デバイス素子であることを特徴とする電子デバイス素子にある。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の第１９の態様は、第１５の態様において、光電変換デバイス素子であることを特徴とする電子デバイス素子にある。