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【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】  ２枚の基板間に流体を介在させ、これら基板をシール剤によって貼り合わせる貼り合せ装置において、
内部空間が減圧可能なチャンバと、
上記チャンバ内に対向して設けられ互いの対向する面にそれぞれ基板を保持する保持面を有するとともに少なくとも一方が誘電体によって形成された一対のテーブルと、
誘電体によって形成されたテーブルに設けられた電極と、
この電極に直流電圧を印加しそのテーブルの保持面に上記基板を保持する静電気力を発生させる直流電源と、
この直流電源によって上記電極に印加される直流電圧の極性を切換える切換え手段と、
一対のテーブルを相対的に上下方向及び水平方向に駆動し一対のテーブルの保持面にそれぞれ保持された基板の水平方向の位置合せをしてからこれら基板を貼り合わせる駆動手段とを具備し、
上記電極に所定の極性の直流電圧を印加してから上記保持面に上記基板を保持した後、上記切り変え手段を操作して上記電極に異なる極性の直流電圧を印加することを特徴とする貼り合せ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明は、２枚の基板間に流体を介在させ、これら基板をシール剤によって貼り合わせる貼り合せ装置において、
内部空間が減圧可能なチャンバと、
上記チャンバ内に対向して設けられ互いの対向する面にそれぞれ基板を保持する保持面を有するとともに少なくとも一方が誘電体によって形成された一対のテーブルと、
誘電体によって形成されたテーブルに設けられた電極と、
この電極に直流電圧を印加しそのテーブルの保持面に上記基板を保持する静電気力を発生させる直流電源と、
この直流電源によって上記電極に印加される直流電圧の極性を切換える切換え手段と、
一対のテーブルを相対的に上下方向及び水平方向に駆動し一対のテーブルの保持面にそれぞれ保持された基板の水平方向の位置合せをしてからこれら基板を貼り合わせる駆動手段とを具備し、
上記電極に所定の極性の直流電圧を印加してから上記保持面に上記基板を保持した後、上記切り変え手段を操作して上記電極に異なる極性の直流電圧を印加することを特徴とする貼り合せ装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記第１、第２の極性切換え部３３，３４及び上記第１、第２のアース切換え部３７，３８の各切換えスイッチは制御手段としての制御装置３９によって切換え操作することができるようになっている。すなわち、上記第１の極性切換え部３３と第２の極性切換え部３４との第１、第２のスイッチ３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂが図３に示す状態にあるときは、上記第１の直流電源２８の陽極電圧が第１の極性切換え部３３と第１のアース切換え部３７を通じて第１の電極１９に印加される。同じく、上記第２の直流電源２９の陰極電圧は、第２の極性切換え部３４と第２のアース切換え部３８を通じて第２の電極２０に印加される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
第１、第２の電極１９，２０が設けられた上部保持テーブル１８は大気中におかれている。そのため、第１、第２の電極１９，２０にそれぞれ所定の極性の電圧を印加すると、大気中に存在する気体成分の分極現象や瞬間的な電離現象によって荷電粒子が発生し、その荷電粒子が上部保持テーブル１８の保持面１８ａに帯電したり、大気中の水分が分極して帯電する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
具体的には、図３に示すように、上部保持テーブル１８の保持面１８ａの第１の電極１９に対応する部分には、第１の電極１９に印加された直流電圧の極性と逆の極性の陰極電荷−Ｅ１が帯電し、保持面１８ａの第２の電極２０に対応する部分には第２の電極２０に印加された直流電圧の極性と逆の極性の陽極電荷＋Ｅ１が帯電する。このとき、上部保持テーブル１８の第１、第２の電極１９，２０と保持面１８ａの間の部分は同図に示すように陰極と陽極とが分極した状態になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、上部保持テーブル１８に帯電させる際、下部チャンバ２と上部チャンバ３とを閉じ、チャンバ１内を大気圧以上の圧力を含む１０Ｐａ以上の圧力雰囲気とすることが好ましい。１０Ｐａ以上の圧力であれば、その圧力雰囲気中に存在する気体成分の分極現象や瞬間的な電離現象によって荷電粒子を発生させて保持面１８ａに電荷を良好に帯電させることが可能である。なお、チャンバ１内の圧力が１０Ｐａ以下であっても、保持面１８ａに電荷を帯電させることは可能である。また、大気圧以上の圧力であっても、電圧の印加によって電離現象が生じるから、帯電可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
各電極１９，２０に印加する直流電圧の極性を切換え、第１の電極１９に陰極の電圧を印加すると、上部保持テーブル１８の第１の電極１９と保持面１８ａとの間の部分には、第１の電極１９側が陽極で、保持面１８ａ側が陰極となる分極が生じる。この分極によって保持面１８ａ側に生じる電荷−Ｅ２の極性と、予め保持面１８ａに帯電保持された電荷−Ｅ１との極性は同じ陰極になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
同様に、第２の電極２０に陽極の電圧が印加されると、上部保持テーブル１８の第２の電極２０と保持面１８ａとの間の部分には、第２の電極２０側が陰極で、保持面１８ａ側が陽極となる分極が生じる。この分極によって保持面１８ａ側に生じた電荷＋Ｅ２、予め保持面１８ａの第２の電極２０に対応する部分に帯電保持された電荷＋Ｅ１との極性が同じ陽極になる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
つまり、第２の基板８は、単に保持面１８ａに第２の基板８を保持して直流電圧を印加する場合に比べ、第１の工程で保持面１８ａに予め電荷−Ｅ１、＋Ｅ１を帯電させた分だけ、強い保持力で上記保持面１８ａに吸着保持されることとなる。換言すれば、第１、第２の電極１９，２０に印加する直流電圧を高くしなくとも、保持面１８ａに大きな静電気力を発生させることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
上部保持テーブルには一対の電極を設けるようにしたが、複数対の電極を設けるようにしてもよく、或いは電極を１つだけ設けるようにしてもよく、下部保持テーブルにも電極を設ける場合には、上部保持テーブルと同様、少なくとも１つの電極が設けられていればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
バルブ２０２を１秒開放後、ただちにバルブ１９０及びバルブ３８０を２秒開放し、チャンバー内を２５ＭＰａの高圧ＣＯ２にて置換する。その後、バルブ１９０，３８０を閉鎖し、ＣＯ２をチャンバー内で２秒保持した後、プレス圧をかけてモールド３００のパターンを転写させる。このときのプレス力は２０トンである。プレスに伴いスタンパ３００とレジスト２００とのスペースに介在した余剰のＣＯ２は図示しない滞留スペースに押し出されるため、チャンバー内の圧力を維持しつつ高速でプレス可能である。本実施例においてはプレス時間を５秒としている。その後、バルブ１８０，３８０を開放し、次いでバルブ１７０を開放し、チャンバー内を減圧してレジスト２００を固化させた。減圧に要する時間は約２秒である。その後ピストン２７０を上昇させて基板１００を取り出す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
次に、ガスを酸素からＣ２Ｆ６等のフルオロカーボンガスに置換し、ガラス基板１００を反応性イオンエッチングにより、深さ１００ｎｍにエッチングした。ここにおいて、エッチング条件は、投入パワー３００Ｗ、Ｃ２Ｆ６ガス圧１Ｐａ、処理時間９０ｓｅｃとした。エッチングに用いるフルオロカーボンガスは、前記Ｃ２Ｆ６以外に、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のガスが利用可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
次に、再びガスをフルオロカーボンガスから酸素に置換し、残存レジストを除去した。その結果、図８（ｅ）に示すようなパターン付き基板１００を作製することができた。なお、このときのアッシング条件は、投入パワー１００Ｗ、酸素ガス圧１Ｐａ、処理時間１００ｓｅｃとした。その後、図示しない公知の成膜方法により磁性薄膜、保護膜を形成し、パターンドメディアを作成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004235613.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004235613.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の入力端子に入力される基準信号と他方の入力端子に入力される入力信号との位相差を検出して位相差に応じた出力パルスを生成する位相比較器と、
該位相比較器の出力信号に応じた電流を出力するチャージポンプと、
該チャージポンプの出力を平滑化するループフィルタと、
該ループフィルタの出力電圧に応じて出力信号の周波数が制御される電圧制御発振器と、
入力される分周数データにしたがって前記電圧制御発振器の出力信号を分周して前記位相比較器の他方の入力端子に帰還するプログラマブル分周器と、
入力される送信信号列を、分周数を設定する整数信号に変換して前記プログラマブル分周器の制御端子へ入力する第１の変調手段と、
入力される送信信号列を所定の信号波形に整形して前記電圧制御発振器に入力する第２の変調手段と、
前記第１及び第２の変調手段の間の出力遅延差を調整する調整手段とを具備して成ることを特徴とする位相同期回路。
【請求項２】
請求項１記載の位相同期回路において、
切替信号に応じてループ帯域を切替えるループ帯域切替え手段を更に具備して成り、
前記ループ帯域切替え手段は、位相同期回路を起動する信号が投入された時にループ帯域を広く設定され、キャリア周波数を示す定数値にしたがった周波数に収束を行い、所定時間経過した後ループ帯域を狭くするように、ループ帯域を切替えることを特徴とする位相同期回路。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載の位相同期回路において、
前記第１の変調手段は、前記送信信号列に定数を乗じる乗算器と、該乗算器の出力に対してデルタシグマ変調を行うデルタシグマ回路と、該デルタシグマ回路の出力とキャリア周波数を示す定数とを加算する加算回路とを含んで構成されることを特徴とする位相同期回路。
【請求項４】
請求項１または２のいずれかに記載の位相同期回路において、
前記第１の変調手段は、前記送信信号列を所定の信号波形に変換するディジタルフィルタと、ディジタルフィルタの出力に対してデルタシグマ変調を行うデルタシグマ回路と、該デルタシグマ回路の出力とキャリア周波数を示す定数とを加算する加算回路とを含んで構成されることを特徴とする位相同期回路。
【請求項５】
請求項３記載の位相同期回路において、
前記デルタシグマ回路は、１次または２次のデルタシグマ回路であることを特徴とする位相同期回路。
【請求項６】
請求項３記載の位相同期回路において、
前記デルタシグマ回路は、複数段縦続して接続されたデルタシグマ回路であることを特徴とする位相同期回路。
【請求項７】
請求項１または２のいずれかに記載の位相同期回路において、
前記第１の変調手段は、前記送信信号列に定数を乗じる乗算器と、該乗算器の出力に対してデルタ変調を行うデルタ変調回路と、該デルタ変調回路の出力とキャリア周波数を示す定数とを加算する加算回路とを含んで構成されることを特徴とする位相同期回路。
【請求項８】
請求項１または２のいずれかに記載の位相同期回路において、
前記第１の変調手段は、前記送信信号列を所定の信号波形に変換するディジタルフィルタと、該ディジタルフィルタの出力に対してデルタ変調を行うデルタ変調回路と、該デルタ変調回路の出力とキャリア周波数を示す定数とを加算する加算回路とを含んで構成されることを特徴とする位相同期回路。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の位相同期回路と、
前記位相同期回路の電圧制御発振器出力に接続される増幅回路と、
前記位相同期回路のループ切替えのためのループ切替信号と前記増幅回路の動作状態を制御するオン・オフ信号と前記位相同期回路への基準信号と送信信号系列とを供給する制御回路とを含んで構成され、
入力される送信信号系列を増幅して出力することを特徴とするデータ送信回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
信号送信を行う位相同期回路の第１の従来例を図１に示す。この位相同期回路は、２つの入力信号ＲＥＦ、ＯＳＣの位相差を検出して位相差に応じた出力パルスを生成する位相比較器１（ＰＦＤ：Phase Frequency Detector）と、位相比較器１の出力信号に応じた電流を出力するチャージポンプ２（ＣＰ:Charge Pump）と、チャージポンプ２の出力信号を平滑化するループフィルタ３（ＬＦ:Loop Filter）と、ループフィルタ３の出力電圧Ｖctrl１が第１の制御端子に供給されて周波数が制御される電圧制御発振器（ＶＣＯ：Voltage Controlled Oscillator）４と、この電圧制御発振器４の出力信号ｆoutを分周して位相比較器１に帰還するプログラマブル分周器（ＰＤＶ：Programmable Divider）５と、入力される送信パルス列ＴＸ_ＤＡＴＡを所定の送信波形電圧Ｖctrl２に変換して電圧制御発振器４の第２の制御端子に入力するパルスの波形整形回路（ＰＳＣ：Pulse Shaping Circuit）６と、送信チャネルを表す定数値、すなわちキャリア周波数を示す定数値ＣＳにデルタシグマ変調をかけてプログラマブル分周器５の分周数設定信号を出力するデルタシグマ回路（ΔΣ）７とから構成される（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の従来例による位相同期回路の動作について説明する。位相同期回路の定常状態において、電圧制御発振器４の中心周波数は分周数を指定する定数ＣＳと基準信号ＲＥＦの周波数ｆrefの積ＣＳ×ｆrefである。送信時において送信パルス列ＴＸ＿ＤＡＴＡはガウスフィルタ（ＧＦ：Gaussian Filter）８に入力されて波形整形を受けた後、ディジタルフィルタ１０により位相同期回路のループ特性による劣化を補正した信号に変換される。ディジタルフィルタ１０の出力は、キャリア周波数を表す信号ＣＳと加算された後、デルタシグマ回路７に入力される。デルタシグマ回路７の出力は、プログラマブル分周器７に入力され分周数設定値が更新される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
＜実施形態１＞
図４は、本発明に係る位相同期回路の第１の実施形態を示す回路ブロック図である。なお、従来例の図１及び図２に示した構成部分と同じ構成部分には、同じ参照符号を付してある。この位相同期回路は、位相比較器１と、可変電流チャージポンプ１１と、ループフィルタ３と、電圧制御発振器４と、プログラマブル分周器５から構成され、さらに、基準信号ＲＥＦ、送信パルス列ＴＸ＿ＤＡＴＡ、可変電流チャージポンプ１１の電流値切替信号ＣＵＲの送出タイミングを制御する制御回路（ＣＴＬ）１６と、送信パルス列ＴＸ＿ＤＡＴＡを所定の整数値パルス列に変換してプログラマブル分周器５の分周数設定端子へ入力する第１の変調手段ＭＤ１と、送信パルス列ＴＸ＿ＤＡＴＡに所定の信号波形に整形して前記電圧制御発振器４に入力する第２の変調手段ＭＤ２とから構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの指示に従って録画予約を行う予約装置であって、
録画予約するチャンネル番号および時間帯を設定する予約設定手段と、
アナログ時計盤を表示するとともに、当該アナログ時計盤の時刻を示す領域のうち前記予約設定手段によって設定された時間帯に対応する領域に、設定されたチャンネル番号を表示する予約情報表示手段と
を有することを特徴とする予約装置。
【請求項２】
前記予約情報表示手段は、前記予約設定手段によって設定されたチャンネル番号に応じて、当該チャンネル番号の表示色を異なる色にすることを特徴とする請求項１に記載の予約装置。
【請求項３】
前記予約情報表示手段は、さらに、アナログ時計盤の時刻を示す領域のうち前記予約設定手段によって設定された時間帯に対応する領域に、その時間帯に対応する番組の番組情報を表示することを特徴とする請求項１に記載の予約装置。
【請求項４】
前記予約情報表示手段は、前記番組情報の内容に応じて、前記番組情報の表示色を異なる色にすることを特徴とする請求項３に記載の予約装置。
【請求項５】
前記予約情報表示手段は、午前１２時間分のアナログ時計盤を表示する場合と午後１２時間分のアナログ時計盤を表示する場合とで、アナログ時計盤の表示色を異なる色にすることを特徴とする請求項１に記載の予約装置。
【請求項６】
前記予約情報表示手段は、前記予約設定手段によって設定されたチャンネル番号および時間帯の録画が終了したことに応じて、その時間帯に対応する領域に録画されたことを示す録画済情報を表示することを特徴とする請求項１に記載の予約装置。
【請求項７】
前記録画済情報は、録画された時間帯における一部の画像であることを特徴とする請求項６に記載の予約装置。
【請求項８】
前記予約情報表示手段は、さらに、録画された時間帯が指定された場合、指定された時間帯に対応する複数のシーンの各々の内容を示すシーン情報を、アナログ時計盤の円周方向に配列して表示することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の予約装置。
【請求項９】
前記シーン情報は、対応するシーンに含まれる一部の画像であることを特徴とする請求項８に記載の予約装置。
【請求項１０】
前記予約設定手段は、アナログ時計盤の所望の時刻位置に時計針が合わされたことに応じて、録画予約する時間帯を設定することを特徴とする請求項１に記載の予約装置。
【請求項１１】
ユーザの指示に従って録画予約を行う予約装置の制御方法であって、
録画予約するチャンネル番号および時間帯を設定する予約設定ステップと、
アナログ時計盤を表示するとともに、当該アナログ時計盤の時刻を示す領域のうち設定された時間帯に対応する領域に、予約設定ステップで設定されたチャンネル番号を表示する予約情報表示ステップと
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
前記予約情報表示ステップにおいて、予約設定ステップで設定されたチャンネル番号に応じて、当該チャンネル番号の表示色を異なる色にすることを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【請求項１３】
前記予約情報表示ステップにおいて、さらに、アナログ時計盤の時刻を示す領域のうち前記予約設定ステップで設定された時間帯に対応する領域に、その時間帯に対応する番組の番組情報を表示することを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【請求項１４】
前記予約情報表示ステップにおいて、前記番組情報の内容に応じて、前記番組情報の表示色を異なる色にすることを特徴とする請求項１３に記載の制御方法。
【請求項１５】
前記予約情報表示ステップにおいて、午前１２時間分のアナログ時計盤を表示する場合と午後１２時間分のアナログ時計盤を表示する場合とで、アナログ時計盤の表示色を異なる色にすることを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【請求項１６】
さらに、前記予約設定ステップで設定されたチャンネル番号および時間帯の録画が終了したことに応じて、その時間帯に対応する領域に録画されたことを示す録画済情報を表示する録画済情報表示ステップを有することを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【請求項１７】
前記録画済情報は、録画された時間帯における一部の画像であることを特徴とする請求項１６に記載の制御方法。
【請求項１８】
さらに、録画された時間帯が指定された場合、指定された時間帯に対応する複数のシーンの各々の内容を示すシーン情報を、アナログ時計盤の円周方向に配列して表示するシーン情報表示ステップを有することを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の制御方法。
【請求項１９】
前記シーン情報は、対応するシーンに含まれる一部の画像であることを特徴とする請求項１８に記載の制御方法。
【請求項２０】
前記予約設定ステップにおいて、アナログ時計盤の所望の時刻位置に時計針が合わされたことに応じて、録画予約する時間帯を設定することを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によれば、ユーザの指示に従って録画予約を行う予約装置であって、録画予約するチャンネル番号および時間帯を設定する予約設定手段と、アナログ時計盤を表示するとともに、当該アナログ時計盤の時刻を示す領域のうち前記予約設定手段によって設定された時間帯に対応する領域に、設定されたチャンネル番号を表示する予約情報表示手段とを有することを特徴とする予約装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基地局と通信装置とを含む無線通信システムにおけるネットワークＩＤの設定方法であって、
前記基地局は、
指定された情報に対する第１の演算によって求められた情報を、前記基地局が使用するネットワークＩＤとして設定する工程を有し、
前記通信装置は、
前記基地局から送信されたネットワークＩＤを識別する工程と、
該識別されたネットワークＩＤに対して第２の演算を実行し、該演算による演算結果が予め定められた値になったことに応じて、前記識別したネットワークＩＤを、前記通信装置が使用するネットワークＩＤとして設定する工程と、
を有することを特徴とするネットワークＩＤの設定方法。
【請求項２】  前記第１の演算は、前記基地局において実行されることを特徴とする請求項１に記載のネットワークＩＤの設定方法。
【請求項３】  前記第１の演算は、ネットワークＩＤ生成機能を有する情報処理装置において実行され、
前記基地局は、前記情報処理装置が前記第１の演算を行って求めた情報を、前記基地局が使用するネットワークＩＤとして設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークＩＤの設定方法。
【請求項４】  前記指定された情報は、文字列であり、前記第１の演算は、前記文字列を変換するための演算であることを特徴とする請求項１に記載のネットワークＩＤの設定方法。
【請求項５】  前記第１の演算は、前記情報に対して予め定められた演算を行って求めた情報の予め定められた位置に予め定められた値を付加する処理、あるいは、前記情報から得られるデータを並び替える処理、あるいは、特定の処理の繰り返し処理、あるいは、前記情報に対する誤り訂正符号処理、あるいは、前記情報に対する暗号化処理、を含むことを特徴とする請求項１に記載のネットワークＩＤの設定方法。
【請求項６】  前記第２の演算は、前記識別されたネットワークＩＤが前記第１の演算により求められた情報であれば、演算結果が必ず前記予め定められた値になる演算であることを特徴とする請求項１に記載のネットワークＩＤの設定方法。
【請求項７】  前記第１の演算は、ハミング符号化処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のネットワークＩＤの設定方法。
【請求項８】  基地局と通信装置とを含む無線通信システムであって、
前記基地局は、
指定された情報に対する第１の演算によって求められた情報を、前記基地局が使用するネットワークＩＤとして設定する第１の設定手段を有し、
前記通信装置は、
前記基地局から送信されたネットワークＩＤを識別する識別手段と、
前記識別手段により識別されたネットワークＩＤに対して第２の演算を実行する演算手段と、
前記演算手段による演算結果が予め定められた値になったことに応じて、前記識別したネットワークＩＤを、前記通信装置が使用するネットワークＩＤとして設定する第２の設定手段と、
を有することを特徴とする無線通信システム。
【請求項９】  無線リンクを介して基地局と通信を行う通信装置におけるネットワークＩＤの設定方法であって、
前記基地局から送信されたネットワークＩＤを識別する識別工程と、
前記識別工程において識別されたネットワークＩＤに対して予め定められた演算を実行する演算工程と、
前記演算工程における演算結果が予め定められた値になったことに応じて、前記識別工程において識別されたネットワークＩＤを、前記通信装置が使用するネットワークＩＤとして設定する設定工程と、
を有することを特徴とする通信装置におけるネットワークＩＤの設定方法。
【請求項１０】  前記演算工程における演算結果が前記予め定められた値でない場合は、他の基地局が送信するネットワークＩＤの識別を前記識別工程において実行することを特徴とする請求項９に記載の通信装置におけるネットワークＩＤの設定方法。
【請求項１１】  前記予め定められた演算は、前記基地局が送信するネットワークＩＤが、第２の演算により求められた情報である場合には、前記予め定められた演算の結果が必ず前記予め定められた値になる演算であることを特徴とする請求項９に記載の通信装置におけるネットワークＩＤの設定方法。
【請求項１２】  無線リンクを介して基地局と通信を行う通信装置であって、
前記基地局から送信されたネットワークＩＤを識別する識別手段と、
前記識別手段により識別されたネットワークＩＤに対して予め定められた演算を実行する演算手段と、
前記演算手段による演算結果が予め定められた値になったことに応じて、前記識別手段により識別されたネットワークＩＤを、前記通信装置が使用するネットワークＩＤとして設定する設定手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１３】  通信装置の基地局におけるネットワークＩＤの設定方法であって、
指定された情報に対する第１の演算によって求められた情報を、前記基地局が使用するネットワークＩＤとして設定する設定工程と、
前記設定工程において設定されたネットワークＩＤをパケットに含めて送信する送信工程と、
を有し、
前記第１の演算によって求められた情報は、該情報に第２の演算を行うと必ず予め定められた値が求められることを特徴とする基地局におけるネットワークＩＤの設定方法。
【請求項１４】  前記第１の演算を行う演算工程をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の基地局におけるネットワークＩＤの設定方法。
【請求項１５】  前記第１の演算は、ネットワークＩＤ生成機能を有する情報処理装置において実行され、
前記設定工程は、前記情報処理装置により実行された前記第１の演算によって求められた情報を、前記基地局が使用するネットワークＩＤとして設定する
ことを特徴とする請求項１３に記載の基地局におけるネットワークＩＤの設定方法。
【請求項１６】  通信装置の基地局であって、
指定された情報に対する第１の演算によって求められた情報を、前記基地局が使用するネットワークＩＤとして設定する設定手段と、
前記設定手段により設定されたネットワークＩＤをパケットに含めて送信する送信手段と、
を有し、
前記第１の演算により求められた情報は、該情報に第２の演算を行うと必ず予め定められた値が求められることを特徴とする基地局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【発明の効果】
本発明によれば、通信装置において、接続すべき基地局を認識し、かつ、キーボードなどの入力手段を使わずにネットワークＩＤの設定を行えるようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
接合への流動性金属の侵入によってプログラム可能な第１の素子、および第２の素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に開口されたコンタクト孔であって、該コンタクト孔の上端よりも低い高さを有する柱状の絶縁領域を中央部に有する第１のコンタクト孔の、底面の周辺部において、前記流動性金属を主成分とする膜からなる第１の電極が前記第１の素子に接触する第１のコンタクトと、
前記絶縁膜に開口された第２のコンタクト孔に埋め込まれた高融点金属からなるプラグを介して、前記第２の素子に第２の電極が接続された第２のコンタクトとを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、接合への流動性金属の侵入によってプログラム可能な第１の素子、および第２の素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に開口されたコンタクト孔であって、該コンタクト孔の上端よりも低い高さを有する柱状の絶縁領域を中央部に有する第１のコンタクト孔の、底面の周辺部において、前記流動性金属を主成分とする膜からなる第１の電極が前記第１の素子に接触する第１のコンタクトと、
前記絶縁膜に開口された第２のコンタクト孔に埋め込まれた高融点金属からなるプラグを介して、前記第２の素子に第２の電極が接続された第２のコンタクトとを有することを特徴とする半導体装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体接合部を有する半導体基板の表面側に表面電極を有するとともに、裏面側にアルミニウム電極からなる裏面電極を有する太陽電池素子において、
前記アルミニウム電極中に多数の気孔部を設けたことを特徴とする太陽電池素子。
【請求項２】
前記気孔部の平均最大径が０．０４〜５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池素子。
【請求項３】
前記気孔部が前記アルミニウム電極中に３〜５０体積％存在することを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池素子。
【請求項４】前記気孔部は、前記アルミニウム電極中に均一に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項５】
前記気孔部は、前記アルミニウム電極表面側よりも前記半導体基板側に多く存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項６】
前記気孔部は、前記半導体基板側よりも前記アルミニウム電極表面側に多く存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項７】
半導体接合部を有する半導体基板の表面側に表面電極を有するとともに、裏面側にアルミニウム電極からなる裏面電極を有する太陽電池素子の製造方法において、
前記半導体基板の裏面側に、多数の気孔形成剤を含有させたアルミニウムペーストを塗布する工程と、
塗布された前記アルミニウムペーストを焼成する工程と、を備えた太陽電池素子の製造方法。
【請求項８】
前記気孔形成剤の比重は、アルミニウムの比重と近似することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項９】
前記気孔形成剤は、カーボンからなることを特徴とする請求項８又は９に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１０】
前記焼成工程において、所定温度領域で温度を一定時間維持することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項１１】
アルミニウム粉末、バインダー、有機溶剤及び気孔形成剤を含有して成る太陽電池素子電極形成用アルミニウムペーストであって、
前記気孔形成剤の比重は、アルミニウムの比重と近似することを特徴とする太陽電池素子電極形成用アルミニウムペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記気孔部は、前記アルミニウム電極中に均一に形成されていることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記気孔部は、前記アルミニウム電極表面側よりも前記半導体基板側に多く存在することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記気孔部は、前記半導体基板側よりも前記アルミニウム電極表面側に多く存在することが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また本発明は、半導体接合部を有する半導体基板の表面側に表面電極を有するとともに、裏面側にアルミニウム電極からなる裏面電極を有する太陽電池素子の製造方法において、前記半導体基板の裏面側に、多数の気孔形成剤を含有させたアルミニウムペーストを塗布する工程と、塗布された前記アルミニウムペーストを焼成する工程と、を備えて構成されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、前記気孔形成剤の比重は、アルミニウムの比重と近似することが望ましい。
また、前記気孔形成剤は、カーボンからなることが望ましい。
また、前記焼成工程において、所定温度領域で温度を一定時間維持することが望ましい。
さらに本発明は、アルミニウム粉末、バインダー、有機溶剤及び気孔形成剤を含有して成る太陽電池素子電極形成用アルミニウムペーストであって、前記気孔形成剤の比重は、アルミニウムの比重と近似することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置及び位置決め方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１及び第２ステージで基板の位置決めを行ない、位置決めされた基板を用いて露光処理を実行する露光装置であって、
前記第１ステージに載置された基板に対して、第１撮像機構を用いて該基板上のマークの位置検出を行ない、その検出結果に基づいて位置決めを行なう第１位置決め手段と、
前記第１ステージ上より前記第２ステージ上へ該基板を移載する移載手段と、
前記第２のステージに載置された前記基板に対して、前記第１撮像機構より高倍率の第２撮像手段を用いて前記マークの位置検出を行ない、その検出結果に基づいて位置決めを行なう第２位置決め手段とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記第２のステージに載置された基板を用いて予め定められた処理を実行する処理手段を更に備え、
前記第２位置決め手段及び／又は前記処理手段による処理の実行中に、前記第１ステージに新たに載置された基板について前記第１位置決め手段による位置決めを実行可能としたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記第１位置決め手段は、基板の外形を基準として位置決めを行なうことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】  前記第１位置決め手段は、基板の外形を基準として位置決めした後、前記基板のマークを撮像、計測して当該基板の位置決めを行なうことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】  前記第１位置決め手段は、前記基板のマークを撮像、計測して得られた結果に基づいて該マークが基準位置に来るように前記第１ステージを駆動することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】  前記第１位置決め手段は、前記基板のマークを撮像、計測して得られた結果に基づいて該マークが基準位置に来るように更に外形基準で位置決めを行なうことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項７】  前記第２位置決め手段は、前記マークを撮像して位置を計測し、位置決めを行なうことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】  第１及び第２ステージで基板の位置決めを行ない、位置決めされた基板を用いて露光処理を実行する露光装置における位置決め方法であって、
前記第１ステージに載置された基板に対して、第１撮像機構を用いて該基板上のマークの位置検出を行ない、その検出結果に基づいて位置決めを行なう第１位置決め工程と、
前記第１ステージ上より前記第２ステージ上へ該基板を移載する移載工程と、
前記第２のステージに載置された前記基板に対して、前記第１撮像機構より高倍率の第２撮像工程を用いて前記マークの位置検出を行ない、その検出結果に基づいて位置決めを行なう第２位置決め工程とを備えることを特徴とする位置決め方法。
【請求項９】  前記第２のステージに載置された基板を用いて予め定められた処理を実行する処理工程を更に備え、
前記第２位置決め工程及び／又は前記処理工程による処理の実行中に、前記第１ステージに新たに載置された基板について前記第１位置決め工程による位置決めを実行可能としたことを特徴とする請求項８に記載の位置決め方法。
【請求項１０】  前記第１位置決め工程は、基板の外形を基準として位置決めを行なうことを特徴とする請求項８に記載の位置決め方法。
【請求項１１】  前記第１位置決め工程は、基板の外形を基準として位置決めした後、前記基板のマークを撮像、計測して当該基板の位置決めを行なうことを特徴とする請求項８に記載の位置決め方法。
【請求項１２】  前記第１位置決め工程は、前記基板のマークを撮像、計測して得られた結果に基づいて該マークが基準位置に来るように前記第１ステージを駆動することを特徴とする請求項１１に記載の位置決め方法。
【請求項１３】  前記第１位置決め工程は、前記基板のマークを撮像、計測して得られた結果に基づいて該マークが基準位置に来るように更に外形基準で位置決めを行なうことを特徴とする請求項１１に記載の位置決め方法。
【請求項１４】  前記第２位置決め工程は、前記マークを撮像して位置を計測し、位置決めを行なうことを特徴とする請求項８乃至１３のいずれかに記載の位置決め方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コア基板の基板面上に、金属層を真空吸着し、
該金属層の表面上に、絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成した後、
該金属層とコア基板との間の真空を破ることにより、該コア基板から該金属層とともに該積層体を分離することで、配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】  コア基板の基板面上に接着層を介して第１の金属層を接着し、該第１の金属層に第２の金属層を真空吸着し、
該第２の金属層の表面上に、前記積層体を形成した後、
該第１の金属層と該第２の金属層との間の真空を破ることにより、該第１の金属層から該第２の金属層とともに該積層体を分離することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】  前記第１の金属層よりも大判に形成された前記第２の金属層を使用し、該第１の金属層に該第２の金属層を真空吸着するとともに、該第２の金属層の外周縁部を前記コア基板の基板面に設けられた接着層を介して当該コア基板に接着し、
該第２の金属層の表面上に、前記積層体を形成した後、
該第１の金属層の外周縁部よりも内側位置で該積層体を切断することにより、該第１の金属層を該積層体とともに分離することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】  前記積層体はビルドアップ法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】  前記コア基板から前記積層体を分離する前に、
当該積層体の前記第２の金属層が形成された面と反対側の絶縁層の表面に第３の金属層を形成することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】  前記第２の金属層の表面には表面金属層が更に形成されており、該表面金属層は該第２の金属層のみをエッチング除去するエッチング液に侵されない金属であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】  前記表面金属層のみをエッチング除去することで露出する配線パターンにバンプが形成されることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、配線基板の製造方法において、コア基板の基板面上に、金属層を真空吸着し、該金属層の表面上に、絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成した後、該金属層とコア基板との間の真空を破ることにより、該コア基板から該金属層とともに該積層体を分離することで、配線基板を形成することを特徴とする。
なお、コア基板には樹脂基板、両面銅張り基板、金属板等の所要の強度を有する基板を使用することができる。
また、コア基板の基板面上に金属層を真空吸着する方法としては、たとえば、コア基板の基板面の上に金属層を真空吸着した際に、基板の外周に接着剤を塗布する等により真空吸着領域をエアシールする方法がある。後工程で、エアシール部を除去あるいはエアシール部の内側で基板を切断することによって真空吸着領域の真空を破ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主表面を有し、その主表面に間隔を隔てて第１および第２のトレンチが形成された半導体基板と、
前記第１および第２のトレンチを充填する第１および第２の分離絶縁膜と、
前記第１の分離絶縁膜と前記第２の分離絶縁膜との間に位置する前記主表面上に形成され、前記第１の分離絶縁膜と前記第２の分離絶縁膜との各々に接触するバーズビーク形状の端部を有するシリコンを含むゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第１の分離絶縁膜と前記第２の分離絶縁膜との間の中間部において０を超え５０ｎｍ未満の厚みを有し、前記端部上において前記厚みよりも薄いシリコン膜とを備える、半導体装置。
【請求項２】  前記シリコン膜上に接続されたシリコンを含む導電膜をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記ゲート絶縁膜は第１の頂面を有し、前記第１および第２の分離絶縁膜の各々は第２の頂面を有し、前記主表面から前記第２の頂面までの距離は、前記主表面から前記第１の頂面までの距離よりも大きい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記シリコン膜はリンを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第１および第２のトレンチの側面を規定する前記半導体基板の部分には、肩部分が形成される、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】  半導体基板の主表面にシリコンを含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に０を超え５０ｎｍ未満の厚みを有するシリコン膜を形成する工程と、
間隔を隔てた位置において前記シリコン膜をそれぞれ露出させるマスク膜を、前記シリコン膜上に形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記シリコン膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体基板を順次エッチングすることにより、前記シリコン膜の側壁を露出させるとともに、前記半導体基板に第１および第２のトレンチを形成する工程と、
前記シリコン膜の側壁を酸化することにより前記ゲート絶縁膜に隣接する位置にバーズビーク部を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記バーズビーク部を形成する工程の後に、前記第１および第２のトレンチを充填する第１および第２の分離絶縁膜を形成する工程と、前記マスク膜を除去する工程と、前記シリコン膜ならびに前記第１および第２の分離絶縁膜を覆うように、シリコンを含む導電膜を形成する工程とをさらに備える、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記第１および第２の分離絶縁膜の各々は第２の頂面を有し、前記主表面から前記第２の頂面までの距離は２０ｎｍ以上である、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記第１および第２の分離絶縁膜の各々は第２の頂面を有し、前記主表面から前記第２の頂面までの距離は、前記ゲート絶縁膜の厚みと前記シリコン膜の厚みとの和以上である、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記導電膜の厚みは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項７から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  前記第１および第２の分離絶縁膜の各々は第２の頂面を有し、前記導電膜は、前記第２の頂面の少なくとも一部を覆うように形成されている、請求項７から１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  前記マスク膜を除去する工程の後に、前記シリコン膜を除去する工程をさらに備える、請求項７から１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  前記ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、前記半導体基板に不純物を注入しウェル領域を形成する工程をさらに備える、請求項７から１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  前記ウェル領域を形成する工程の前に、前記半導体基板上にアライメント用マークを形成する工程と、前記アライメント用マークを基準に開口部を有するレジスト膜を形成する工程とをさらに備え、
前記ウェル領域を形成する工程は、前記レジスト膜をマスクとして前記半導体基板に不純物を注入しウェル領域を形成する工程を含む、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  前記マスク膜を除去する工程の後に、前記半導体基板に不純物を注入しウェル領域を形成する工程をさらに備える、請求項７から１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  前記第１および第２のトレンチを形成する工程は、前記マスク膜をマスクとして、前記シリコン膜、前記ゲート絶縁膜および前記半導体基板を順次エッチングして前記半導体基板により底面が規定される凹部を形成する工程と、前記シリコン膜および前記ゲート絶縁膜の側壁と接触し、かつ前記凹部の底面の一部分を覆い前記凹部の底面の他の部分を露出させる側壁絶縁膜を形成する工程と、前記側壁絶縁膜をマスクとして、前記側壁絶縁膜から露出した前記半導体基板の部分をエッチングすることにより前記第１および第２のトレンチを形成する工程とを含む、請求項６から１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  前記バーズビーク部を形成する工程の前に、前記側壁絶縁膜を除去する工程をさらに備える、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置は、主表面を有し、その主表面に間隔を隔てて第１および第２のトレンチが形成された半導体基板と、第１および第２のトレンチを充填する第１および第２の分離絶縁膜と、第１の分離絶縁膜と第２の分離絶縁膜との間に位置する主表面上に形成され、第１の分離絶縁膜と第２の分離絶縁膜との各々に接触するバーズビーク形状の端部を有するシリコンを含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、第１の分離絶縁膜と第２の分離絶縁膜との間の中間部において０を超え５０ｎｍ未満の厚みを有し、端部上において厚みよりも薄いシリコン膜とを備える。
この発明に従った半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面にシリコンを含むゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に０を超え５０ｎｍ未満の厚みを有するシリコン膜を形成する工程と、間隔を隔てた位置においてシリコン膜をそれぞれ露出させるマスク膜を、シリコン膜上に形成する工程と、マスク膜をマスクとしてシリコン膜、ゲート絶縁膜および半導体基板を順次エッチングすることにより、シリコン膜の側壁を露出させるとともに、半導体基板に第１および第２のトレンチを形成する工程と、シリコン膜の側壁を酸化することによりゲート絶縁膜に隣接する位置にバーズビーク部を形成する工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被処理体にプラズマ処理を行なう処理室を有するプラズマ処理装置において、
前記処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
前記プラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
前記多チャンネルの信号を単数あるいは複数の出力１つの信号に変換し、その出力信号を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納するデータベースと、
前記演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
前記判断部からの信号によって前記プラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部
とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】  前記演算処理部における、前記多チャンネル信号の単数あるいは複数の信号への変換処理が多変量解析を用いて行なわれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】  前記演算処理部の変換処理がフィルタベクトルを用いて行なわれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】  前記演判断部における前記処理室内の状態の判断が、あるひとまとまりのプラズマ発光データを多変量解析して作成した前記出力信号と、１回前のひとまとまりにおける出力信号との差を取り、その差のひとまとまりの中の平均値およびひとまとまりの中の最大値と最小値の差ならびにひとまとまりの中の標準偏差を求め、それらの値を予め設定された閾値と比較することによってなされることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】  前記判断部における前記処理室内の状態の判断が、あるひとまとまりのプラズマ発光データを多変量解析して作成した前記出力信号と１回前のひとまとまりにおける出力信号との差を取り、その差のひとまとまりの中の平均値およびひとまとまりの中の最大値と最小値の差ならびにひとまとまりの中の標準偏差を求め、それらの値を予め設定された複数の閾値と比較することでそれぞれの値に対して得点を算出し、その合計の値を予め設定された閾値と比較することによってなされることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】  前記処理室内の状態の判断が、シーズニングの終点に至ったことの判断であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】  前記演算処理部における、前記多チャンネルの信号の単数あるいは複数の信号への変換処理が、主成分解析を用いて行われることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】  基板にプラズマ処理を行なう処理室と、
処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
採光されたプラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
多チャンネルの信号を単数あるいは複数の出力信号に変換し、その出力信号を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納したデータベースと、
演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
判断部からの信号によってプラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部とを有するプラズマ処理装置を用いる処理方法において、
分光部により出力された多チャンネルの信号を変換してあるひとまとまりの出力信号を作成する過程、
出力信号と前のひとまとまりの出力信号の間の差をとる過程、
ひとまとまりの間の差のひとまとまりの中の平均値および最大値と最小値との差ならびに標準偏差と予め設定された閾値とを比較する過程
を有することを特徴とするプラズマ処理方法
【請求項９】  基板にプラズマ処理を行う処理室と、
処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
採光されたプラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
多チャンネル信号を単数あるいは複数の信号に変換し、その信号出力を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納したデータベースと、
演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
判断部からの信号によってプラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部とを有するプラズマ処理装置を用いる処理方法において、
ウェットクリーニングの後に真空引きを行う過程と、
真空度が十分か否かを自動的に判断する過程と、
装置異常がないかを自動的に判断する過程と、
分光部より出力された多チャンネルの信号を変換してあるひとまとまりの出力信号を作成する過程と、
出力信号と前のひとまとまりの出力信号との差をとる過程と、
ひとまとまりの間の差のひとまとまりの中の平均値および最大値と最小値との差ならびに標準偏差と予め設定された閾値とを比較する過程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。