【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部に空洞を含む半導体基板であって、
前記空洞の内面の少なくとも一部に設けられ、前記空洞の上の前記半導体基板内に引っ張り応力を発生させる応力発生膜と
を含むことを特徴とする半導体基板。
【請求項２】  前記応力発生膜は、絶縁膜および前記半導体基板の構成元素とは異なる半導体元素を含む半導体膜の一方であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】  前記応力発生膜上の前記半導体基板の厚さ／（前記応力発生膜上の前記半導体基板の厚さ＋前記応力発生膜の厚さ）の比が０．１以上０．９以下であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
【請求項４】  半導体からなる半導体基板であって、内部に空洞を有し、かつ前記空洞の内部に前記半導体からなる柱が存在し、前記空洞上の半導体基板の厚さをｔ、前記柱から最も近い前記半導体からなる領域と前記柱との間の距離をｗ、前記半導体のヤング率をＥ（Ｎ／μｍ2 ）、前記空洞上の前記半導体基板にかかる荷重をＰ（Ｎ／μｍ2 ）とした場合に、ｗ≦ｔ（Ｅ／０．０５６８Ｐ）1/4の条件を満たすことを特徴とする半導体基板。
【請求項５】  半導体からなる半導体基板であって、内部に空洞を有し、かつ前記空洞の内部に前記半導体からなる柱が存在し、前記半導体からなる領域は、前記空洞の端部および前記空洞内に存在する前記柱とは別の前記半導体からなる柱の一方であることを特徴とする半導体基板。
【請求項６】  請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体基板と、
前記半導体基板の前記空洞、前記絶縁部材および前記応力発生膜のいずれかの上の半導体領域上に形成された半導体素子と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  基板の内部に複数の球状の空洞を３次元的に周期的に配列してなることを特徴とする３次元周期構造体。
【請求項８】  前記複数の球状の空洞は、前記基板の深さ方向に関しては同一線上に等間隔で配列され、前記基板内の同一平面内に関しては格子状に配列されていることを特徴とする請求項７に記載の３次元周期構造体。
【請求項９】  前記複数の球状の空洞はサイズが異なる複数の球状の空洞を含み、前記基板の深さ方向に関しては複数の同じサイズの空洞が同一線上に等間隔で配列され、前記基板内の同一平面内に関しては複数のサイズの異なる空洞が格子状に配列されていることを特徴とする請求項７に記載の３次元周期構造体。
【請求項１０】  前記空洞は、角の取れた多面体で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の３次元周期構造体。
【請求項１１】  前記空洞の内部に水素が存在することを特徴とする請求項７に記載の３次元周期構造体。
【請求項１２】  請求項７に記載の３次元周期構造体と、
この３次元周期構造体と繋がった半導体素子と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】  半導体基板の表面に複数の第１のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチを１つの平板状の空洞に変える工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法
【請求項１４】  前記平板状の空洞を形成した後、前記半導体基板の表面に前記平板状の空洞に達する第２のトレンチを形成する工程と、
前記第２のトレンチおよび前記平板状の空洞の内部を絶縁膜で埋め込む工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１５】  前記平板状の空洞を形成した後、熱酸化により前記平板状の空洞の内面に酸化膜を形成することを特徴とする請求項１３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１６】  前記第２のトレンチを形成した後、熱酸化により前記平板状の空洞の内面に酸化膜を形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１７】  半導体基板の表面に、複数の第１のトレンチを形成するとともに、前記第１のトレンチよりも開口面が広い第３のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチと前記第３のトレンチとを、平板状の空間領域を有し、かつ前記半導体基板の表面に開口面を有する閉じていない１つの空洞に変える工程と、
前記空洞の内部を絶縁膜で埋め込む工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法
【請求項１８】  前記第１のトレンチの間隔をＤ、前記第１のトレンチの開口面の面積と同じ面積を有する円の半径をＲとした場合に、Ｄ＜４Ｒとなるように、前記複数の第１のトレンチを配列形成することを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１９】  前記第１のトレンチのアスペクト比が２．５以上であることを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれ１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項２０】  半導体基板の表面にアスペクト比が５以上の複数の第１のトレンチおよびアスペクト比が４以下の複数の第４のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチを１つの空洞に変え、かつ前記複数の第４のトレンチを消滅させ、これらの第４のトレンチおよび前記空洞が形成された領域を含む前記半導体基板の表面を平坦にする工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法
【請求項２１】  半導体基板の表面に複数のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に第１の熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチを１つの空洞に変える工程と、
前記半導体基板に第２の熱処理を施し、前記空洞の内部の圧力を変えることによって、前記半導体基板が存在する雰囲気の圧力と前記空洞の内部の圧力との差を小さくする工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法
【請求項２２】  前記第１の熱処理を高温・減圧下で行い、前記第２の熱処理を低温・高圧下で行うことを特徴とする請求項２１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項２３】  前記第１の熱処理を１１００℃以上の高温下で行うことを特徴とする請求項２１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項２４】  前記第２の熱処理は、水素濃度が１００％の雰囲気中で行うことを特徴とする請求項２１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項２５】  前記第２の熱処理は、大気圧以上の高圧下で行うことを特徴とする請求項２１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項２６】  前記第１の熱処理と前記第２の熱処理が連続工程であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項２７】  半導体基板の表面に複数の第１のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチを１つの平板状の空洞に変える工程と、
前記半導体基板に前記空洞に達する第２の溝を形成する工程と、
熱酸化法により前記空洞の内面に、前記空洞の上の前記半導体基板内に引っ張り応力を発生させるための熱酸化膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法
【請求項２８】  半導体基板の表面に複数の第１のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板を構成する第１の半導体元素とは異なる第２の半導体元素を含む第１の半導体膜を、前記複数の第１のトレンチを含む前記半導体基板の表面に形成する工程と、
前記半導体基板に第１の熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチを１つの平板状の空洞に変える工程と、
前記半導体基板に前記空洞に達する第２の溝を形成する工程と、
前記半導体基板に第２の熱処理を施すことによって、前記空洞の内面に、前記空洞の上の前記半導体基板内に引っ張り応力を発生させるための、前記第１および第２の半導体元素を含む第２の半導体膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法
【請求項２９】  半導体基板の表面に複数の第１のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチをそれぞれ複数の球状の空洞に変える工程と
を含むことを特徴とする３次元周期構造体の製造方法。
【請求項３０】  前記熱処理を１１００℃以上の高温下、水素濃度が１００％の減圧下の雰囲気中で行うことを特徴とする請求項２９に記載の３次元周期構造体の製造方法。
【請求項３１】  半導体基板の表面に複数のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数のトレンチを１つの平板状の空洞に変える工程と、
前記半導体基板をエッチングし、前記空洞上の前記半導体基板の一部を選択的に残して、上面、側面および底面の周囲が空間である、光を通す導波路としての半導体領を前記半導体基板に組み込むように形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３２】  前記第１のトレンチの深さ方向に垂直な平面による、前記第１のトレンチの断面積は、前記第１のトレンチの底面以外のところで最小となることを特徴とする請求項１３または１７に記載の半導体基板の製造方法。