【事件の表示】
　平成　８年特許願第　９８４２８号「光源駆動装置、画像形成装置、光源駆動方法および画像形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１１月　４日出願公開、特開平　９−２８９３５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、平成８年４月１９日の特許出願であって、その発明は特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】　走査光により像担持体上を走査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する画像形成装置において、
　バイアス電流と駆動電流とからなる印加電流が印加されることにより所望する光出力で発光するレーザ発振器と、
　このレーザ発振器の光出力に基づき走査光を発生する光学系と、
　この光学系から出力される走査光を像担持体に導くことにより、前記像担持体上に画像を形成する画像形成手段と、
　前記レーザ発振器が発光する印加電流を少なくとも２種類設定し、これらの印加電流を前記レーザ発振器に印加した際にそれぞれ得られる各光出力を検出する光検出手段と、
　この光検出手段で検出された各光出力を比較し、この各光出力が同一である場合、前記レーザ発振器が異常であると判断する異常検出手段と、
　前記光検出手段で検出された各光出力を基に、前記レーザ発振器の基本特性である閾値電流を算出する閾値電流算出手段と、
　前記光検出手段で検出された各光出力を基に、前記レーザ発振器の発光効率の係数を算出する発光効率算出手段と、
　前記閾値電流算出手段で算出された閾値電流を基に、その閾値電流を超えない範囲で前記バイアス電流を設定するバイアス電流設定手段と、
　前記閾値電流算出手段で算出された閾値電流および前記発光効率算出手段で算出された発光効率の係数を基に、前記レーザ発振器を所望する光出力で発光させるための印加電流を設定する印加電流設定手段と、
　この印加電流設定手段で設定された印加電流から前記バイアス電流設定手段で設定されたバイアス電流を差し引くことにより前記駆動電流を算出する駆動電流算出手段と、
　を具備したことを特徴とする画像形成装置。」
２．引用文献について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開平４−７９２８１号公報）には、次の事項が記載されている。
「この第２図において、レーザダイオード駆動回路２は、レーザダイオードの発振しきい値制御電圧Ｖ１±ΔＶ１に対しＶ１±ΔＶ１∝ｉ１±σΔｉ１となる電流を付加する直流バイアス電流駆動回路２２と、変調データ入力信号ＶＤが論理「Ｈ」レベルのとき変調制御電圧Ｖ２±ΔＶ２に対しＶ２±ΔＶ２∝ｉ２±βΔｉ２となり、変調データ入力信号ＶＤが論理「Ｌ」レベルのときｉ２±βΔｉ２≒０となるパルス電流駆動回路２３と、レーザダイオード４のモニタ光出力を受光するフォトダイオード３の電流を電圧変換およびリニア増幅する増幅器２４と、この増幅器２４の出力電圧の極大値Ｖ３を検出し一定時間Ｔ１保持する検出器２５と、増幅器２４の出力電圧の極小値Ｖ４を検出し一定時間Ｔ２保持する検出器２６と、上記極大値Ｖ３と上記極小値Ｖ４を入力としＶ５＝Ｖ３−Ｖ４（Ｖ３＞Ｖ４）を出力する減算器２７と、上記極小値Ｖ４と予め設定された比較電圧ＶＲ１を入力とし発振しきい値制御電圧Ｖ１±ΔＶ１＝Ｖ１±（Ｖ４−ＶＲ１）を出力とする比較演算器２８と、減算器２７の出力Ｖ５と共通制御入力端子１１からの基準レベルＶＲ２を入力とし変調制御電圧Ｖ２±ΔＶ２＝Ｖ２±（Ｖ５−ＶＲ２）を出力する比較演算器２９により構成されている。
　そして、比較演算器２８の発振しきい値制御電圧Ｖ１±ΔＶ１を直流バイアス電流駆動回路２２に入力し、比較演算器２９の変調制御電圧Ｖ２±ΔＶ２をパルス電流駆動回路２３に入力し、レーザダイオード駆動回路アレイを共通制御入力端子１１からの基準レベルＶＲ２により、アレイを構成している個々のレーザダイオードの光出力パワーが等しくなるよう制御するように構成されている。」（３頁左下欄３行〜同頁右下欄１３行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平７−１４７４４６号公報）には、次の事項が記載されている。
「【０００２】
  【従来の技術】
  半導体レーザ素子の電流−光出力特性は図８に示すように、閾値流値Ｉｔｈ以下で半導体レーザ素子は発光しない。このために、従来の半導体レーザ駆動回路では通常、半導体レーザ素子に閾値電流値Ｉｔｈ付近の値まで直流バイアス電流Ｉｂを流し、この直流バイアス電流Ｉｂに重畳したかたちでパルス電流Ｉｐを流すことにより、半導体レーザ素子を発光させるようにしている。
　【０００３】
　さらに、半導体レーザ素子の光出力を一定化する手段として、自動出力調整手段（以下ＡＰＣ回路と記す）が用いられている。従来のＡＰＣ回路を図７に示す。
　図７において、１は半導体レーザ、１Ａは半導体レーザ１の半導体レーザ素子、１Ｂは受光素子で、半導体レーザ１の半導体レーザ素子１Ａの光出力のレベルを検出する。２はＡＰＣ回路で、半導体レーザ素子１Ａの光出力を一定にするために受光素子１Ｂの出力を用いてフィードバックする。３はパルス電流変調手段で、半導体レーザ素子１Ａをパルス駆動する回路である。即ち、半導体レーザ素子１Ａの出力光を受光素子１Ｂの直流バイアス電流Ｉｂを可変し、一定の光出力を得るように構成されていた。さらに、半導体レーザ素子１Ａと受光素子１Ｂが個々にバラツキがあるために、個々の半導体レーザ１に対して、初期に直流バイアス電流Ｉｂとパルス電流Ｉｐを可変抵等で調整する必要があった。
　【０００４】
  【発明が解決しようとする課題】
  しかしながら、上述したように従来のＡＰＣ回路を備えた半導体レーザ駆動回路では、温度や経年変化等により半導体レーザ素子の閾値電流値Ｉｔｈが変化した場合には、その変化に応じて直流バイアス電流Ｉｂが変化するように動作する。即ち、半導体レーザ素子の変換効率が低下したときには直流バイアス電流を増加させ、光出力のレベルを一定化させるように動作する。従って図７に示すように、半導体レーザ素子の入力されるパルス変調信号が論理０のレベルにある時点においてもΔＰに相当する分だけ発光する場合が生じ、消光比の劣化を招き信号の品質を低下させる問題点と、ピークパワーが増加することで半導体レーザ素子の寿命を低下する問題点とを有していた。また、半導体レーザ素子と受光素子が個々にバラツキがあるために、個々の半導体レーザ１に対して、初期に直流バイアス電流Ｉｂとパルス電流Ｉｐを可変抵抗等で調整する必要があるために調整作業が必要となり、高価になるという問題点があった。
　【０００５】
　本発明は上記のような問題点を解決するもので、光出力のレベルを一定に保持するために、バイアス電流とパルス電流をコントロールし、直流バイアス電流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路を提供することを目的とする。
　【０００６】
  【課題を解決するための手段】
  上記目的を達成するため、本発明の第１発明〜第４発明では、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段を有して、半導体レーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の変化等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定するようにした。
　【０００７】
  【作用】
　本発明は上記のように構成し、半導体レーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の変化等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定することで光出力のレベルを一定に保持することが可能となる。」（３頁左欄８行【０００２】〜同頁右欄３４行【０００７】）
「【０００８】
  【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の第１の実施例の光ファイバーモジュールのＬＤ駆動回路の構成図である。なお、図１において、１は半導体レーザ、１Ａは半導体レーザ１の半導体レーザ素子、１Ｂは受光素子で、半導体レーザ素子１Ａの光出力のレベルを検出する。４は受光パワー検出手段としてのパワーモニター回路で、半導体レーザ素子１Ａの光出力を検出する受光素子１Ｂの出力を検出する。５はＡ／Ｄ変換器で、パワーモニター回路４のアナログ信号をデジタル信号に変換する。６はマイクロコンピュータ（以下マイコンと記す）で、全体の制御及び後述する半導体レーザ素子１Ａの閾値電流を計算する。７はバイアス電流制御手段で、半導体レーザ素子１Ａにバイアス電流Ｉｂを流す回路である。８はＤ／Ａ変換器Ａで、バイアス電流制御回路７のバイアス電流Ｉｂの電流値をマイコン６の指令値のデジタル信号をアナログ信号に変換する。９はパルス電流変調手段で、半導体レーザ素子１Ａに直流バイアス電流Ｉｂに重畳したかたちでパルス変調Ｉｐを流すことにより半導体レーザ素子１Ａをパルス駆動する回路である。１０はパルス電流制御手段で、パルス電流変調回路９の動作のＯＮ，ＯＦＦとパルス電流を制御する回路である。１１は信号セレクト回路で、マイコン６の指令であるＡＣＴＩＶＥ信号の指令に応じて半導体レーザ素子１Ａを変調する入力信号を選択する。
　【０００９】
　通常の半導体レーザ素子１Ａを変調する場合の動作は、マイコン６はＡＣＴＩＶＥ信号をＯＮ、上位のシステムに動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＦＦにし、パルス電流制御回路１０を動作モード、バイアス電流Ｉｂの値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、入力信号に応じたパルス駆動を行うことで半導体レーザ素子１Ａを変調する。
　【００１０】
　次に、バイアス電流の設定方法について、図１、図２を用いて説明する。図２は、半導体レーザ素子１Ａに流すバイアス電流Ｉｂと受光素子１Ｂの検出する受光パワーの関係を示した図である。半導体レーザ素子１Ａを駆動するバイアス電流Ｉと受光パワーの関係は、閾値電流値Ｉｔｈ以上の領域においては比例関係ににあり、式（１）の関係の一次式で表される。
　【００１１】
　　Ｐ＝ＡＩ＋Ｚ　（Ｉ＞ｔｈ）……………式（１）
　また、閾値電流値Ｉｔｈは受光パワーＰ＝０の値から、式（２）より求めることが可能である。
　　Ｉｔｈ＝−Ｚ／Ａ　　　　　……………式（２）
　そこで、電源ＯＮ時、一定周期、又は、システムエラー等が発生した場合に、
マイコン６は、信号セレクト回路１１のＡＣＴＩＶＥ信号をＯＦＦし、上位のシステムに非動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、パルス電流制御回路１０を非動作モードにすることで半導体レーザ素子１Ａのパルス電流変調回路９を非動作モードにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ１に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。
　【００１２】
　その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ１を検出する。さらに、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ｄ／Ａ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ２を検出する。検出した受光パワーＰ１とＰ２及びその時のバイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）に代入し、演算することで、受光感度Ａ及びオフセットＺを算出する。次に、算出したＡ及びＺの値を式（２）に代入することで閾値電流値Ｉｔｈが検出可能となる。半導体レーザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ以下を含めてパルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、検出した閾値電流値Ｉｔｈより若干高めのバイアス電流ＩｂをＤ／Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施する。
　【００１３】
　次に、温度変化等により、半導体レーザ素子１Ａの閾値電流値Ｉｔｈが変化した場合は、同様に、マイコン６は、信号セレクト回路１１のＡＣＴＩＶＥ信号をＯＦＦし、上位のシステムに非動作モードであるＤＩＳＡＢＬＥ信号をＯＮにし、パルス電流制御回路１０を非動作モードにすることで半導体レーザ素子１Ａのパルス電流変調回路９を非動作モードにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、閾値電流値Ｉｔｈ以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ１に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ１’を検出する。さらに、マイコン６は、Ｄ／Ａ変換器Ａ８に、Ｉ１以上のバイアス電流Ｉｂの値がＩ２に相当する値をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定することで、半導体レーザ素子１ＡをＤＣ発光させる。その時の半導体レーザ素子１Ａの発光パワーを受光素子１Ｂにて受光し、パワーモニター回路４、Ａ／Ｄ変換器５を介してマイコン６は受光パワーＰ２’を検出する。検出した受光パワーＰ１’とＰ２’及びその時のバイアス電流Ｉ１とＩ２の値を式（１）に代入し、演算することで、受光感度Ａ’及びオフセットＺ’を算出する。次に、算出したＡ’及びＺ’の値を式（２）に代入することで閾値電流値Ｉｔｈ’が検出可能となる。半導体レーザ素子１Ａは閾値電流値Ｉｔｈ’以下を含めてパルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、検出した閾値電流値Ｉｔｈ’より若干高めのバイアス電流Ｉｂ’をＤ／Ａ変換器Ａ８に設定し、通常の動作モードを実施することで、温度などの要因で、閾値電流値Ｉｔｈが変化した場合にも自動的に最適バイアス電流の設定が可能となる。」（３頁右欄３５行【０００８】〜４頁右欄４１行【００１３】）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開平６−２６７１０１号公報）には、次の事項が記載されている。
「【００１５】
　また、本発明による半導体レーザ装置では、半導体レーザの駆動電流と発光量を監視して装置の異常を検出する異常検出手段と、異常を検出したとき半導体レーザの駆動電流を所望の値に制限する電流制限手段をさらに有することが望ましい。これにより、半導体レーザの破損や記録媒体上の貴重な記録データが破壊を防ぐことができるようになる。
　【００１６】
　この異常検出手段は、具体的には半導体レーザの発光の有無を検出する発光検知手段と、半導体レーザの駆動電流が予め設定された過大電流以上であることを検出する第１の電流検知手段と、半導体レーザの駆動電流が過大電流より少なくしきい値電流以上の電流とであることを検出する第２の電流検知手段と、半導体レーザの駆動電流がしきい値電流以下の電流であることを検出する第３の電流検知手段とを備えることにより、半導体レーザあるいは光検出器の接続の断線を検出するように構成される。検出結果は前記電流制限手段の制御に用いられるとともに、必要に応じて外部へ出力される。」（３頁左欄４３行【００１５】〜同頁右欄９行【００１６】）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開平７−２２６５５５号公報）には、次の事項が記載されている。
「【０００９】
　請求項２の発明では、上記目的を達成するために、レーザ光を出力するレーザダイオードと、レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する受光素子と、受光素子での検出光量と所定の設定値との差に応じた信号値を有する帰還信号を生成しレーザ光の光量を略一定に保つようにレーザダイオードを帰還信号によりフィードバック制御する制御回路と、レーザダイオードに与えることができる帰還信号の許容範囲が設定され帰還信号の信号値が許容範囲を越えると異常信号を出力する自己診断回路とを備えて成ることを特徴とする。
　【００１０】
　【作用】
　請求項１の構成によれば、帰還信号を外部に取り出す出力部を備えているから、帰還信号の有無や信号値を調べることによって装置の動作を容易に確認することができる。
　請求項２の構成によれば、レーザダイオードに与えることができる帰還信号の許容範囲が設定され帰還信号の信号値が許容範囲を越えると異常信号を出力する自己診断回路を備えているから、許容範囲を適当な範囲に設定すれば異常信号の有無によってレーザダイオードの劣化を破壊の前に知ることができる。
　【００１１】
　【実施例】
　本実施例に示すレーザ駆動装置は、図１に示すように、図３に示した従来構成に、帰還信号に基づいてレーザダイオードＬＤの劣化を検出するコンパレータよりなる自己診断回路７を出力部として追加した構成を有する。すなわち、自己診断回路７には帰還信号の信号値について上限値が設定されており、この上限値と帰還信号の信号値とを比較する。そして、レーザダイオードＬＤの劣化に伴い、帰還信号の信号値が増大して上限値を越えると異常信号を発生する。すなわち、上限値はレーザダイオードＬＤの劣化時における帰還信号の信号値に応じて設定される。異常信号は出力端子Ｏから外部に出力される。
　【００１２】
　上述のような自己診断回路７を設けたことによって、外的な要因や寿命によってレーザダイオードＬＤが劣化したときには、異常信号が出力端子Ｏから外部に出力され、レーザダイオードＬＤの劣化を知ることができるのである。また、上述したレーザ駆動装置を組み込んだ機器が故障した場合には、異常信号の発生の有無によって故障の原因がレーザダイオードＬＤにあるのか他の箇所にあるのかを容易に判断することができる。なお、レーザダイオードＬＤを組み込んだ機器が故障した場合には故障原因がレーザダイオードＬＤにある比率が高いから、フィードバック系以外の箇所に自己診断機能を設ける場合に比べて、レーザダイオードＬＤの劣化を自己診断する機能を設けることはとくに有効である。」（３頁左欄８行【０００９】〜同頁右欄１３行【００１２】）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開平６−３１９８０号公報）には、次の事項が記載されている。
「【００４１】
　【実施例】
　請求項１記載の発明の一実施例を図１〜図３に基づいて説明する。本発明の説明に入る前に、まず、レーザ走査光学系の基本構成について述べる。図３は、半導体レーザアレイ（以下、ＬＤＡと呼ぶ）を光源として用いたレーザ走査光学系の一例を示すものである。今、ＬＤＡ１２の主走査方向（レーザビームが走査される方向）、副走査方向（記録媒体が送られる方向）に僅かに離れた発光部としての２個の半導体レーザ（以下、ＬＤと呼ぶ）１２ａ，１２ｂから発散し、これにより出射したレーザビームはコリメートレンズ１３で平行光となり、シリンダレンズ１４によって回転多面鏡１５の反射面の近傍に副走査方向に絞り込まれる。回転多面鏡１５の回転によって偏向走査されたレーザビームは、結像レンズ１６（一般に、ｆθレンズと呼ばれる）で記録媒体１７上に微小ビームとして、かつ、各レーザビームが記録密度に応じたピッチとなるように絞り込まれる。この結像レンズ１６は、主走査方向と副走査方向で焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、副走査方向には回転多面鏡１５の反射面と記録媒体１７が幾何光学的に共役な関係となるように設計されている。これは、回転多面鏡１５の各反射面の回転軸に対する角度誤差（反射面の倒れ）による走査線間のピッチの変動を低減するための補正光学系を構成するためである。前記シリンダレンズ１４は、記録媒体１７上での副走査方向のレーザビーム径を適正な大きさとする機能をもつ。
　【００４２】
　次に、本発明の主要部の構成を図１に基づいて説明する。なお、図３の構成と同一部分についての説明は省略し、その同一部分については同一符号を用いる。
　ここでは、２個の発光部としてのＬＤ１２ａ，１２ｂをもつＬＤＡ１２で２ライン同時に記録する場合の例について述べたものである。２個のＬＤ１２ａ，１２ｂから出射する２本のレーザビームの出射光路中には、レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割するビーム分割手段としてのハーフミラー１８が配設されている。また、このハーフミラー１８により分割された複数のレーザビームをＬＤＡ１２のＬＤ１２ａ，１２ｂの数に対応して独立して受光する２個の受光素子１９ａ，１９ｂが配設されている。これら受光素子１９ａ，１９ｂからの出力信号に応じてＬＤＡ１２の発光出力を制御する発光出力制御手段としてのＬＤ制御部２０ａ，２０ｂが配設されている。また、前記ハーフミラー１８と前記受光素子１９ａ，１９ｂとの間の光路中には、集光素子としての結像レンズ２１が配置されている。前記シリンダレンズ１４と回転多面鏡１５との間には、光路偏向用のミラー２２が設けられている。さらに、走査線上の走査開始側の画像範囲外の領域には、受光素子６（図２９参照）が配置されている。
　【００４３】
　このような構成において、ＬＤ１２ａ，１２ｂから出射された光は、コリメートレンズ１３により平行化され、ハーフミラー１８により分割され、これにより反射された光（出力制御用のビーム）は結像レンズ２１により拡大結像され、その結像位置に配置されたビーム数と同数の受光素子１９ａ，１９ｂによりビームを受光する。これら個々の受光素子１９ａ，１９ｂで光電変換された各ＬＤ１２ａ，１２ｂの光出力信号（受光信号）は、ＬＤ制御部２０ａ，２０ｂに入力される。このＬＤ制御部２０ａ，２０ｂでは、各ＬＤ１２ａ，１２ｂが所定の出力となるように駆動電流の制御をする。なお、ハーフミラー１８を透過した光は、シリンダレンズ１４、ミラー２２を介して、回転多面鏡１５に導かれることにより、その後図３と同様な光路を辿り記録媒体１７の面上に画像の記録が行われる。
　【００４４】
　上述したように、ＬＤＡ１２の個々のＬＤ１２ａ，１２ｂの出力を高精度に検出、制御することが可能であり、これにより光量変化による濃度変動のない高品位な画像が出力可能な半導体レーザアレイ記録装置を提供することができる。
　【００４５】
　また、図２は、図１の変形例を示すものであり、ビーム分割手段としてハーフ凹面ミラー２３を用いたものであり、このように結像性をもつ分割素子を用いることにより前記結像レンズ２１は不要となる。」（６頁右欄１０行【００４１】〜７頁左欄３１行【００４５】）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特開平４−１０７５６号公報）には、次の事項が記載されている。
「第２図は本発明を適用する好適なレーザープリンタの概略構成図、第３図はレーザープリンタの概略回路図、第４図は画像読み取りを行うための画像入力装置の概略構成図、第５図は上記画像入力装置とレーザープリンタとで構成された複写装置の画像信号系統回路ブロック図である。
　第２図において、１０は半導体レーザーダイオード（ＬＤ）であり、ＬＤ１０より発生したレーザービームはコリメータレンズ１１により平行ビームにされ、回転多面鏡よりなる光走査装置１２で偏向され、走査光波偏光レンズ１３を介して、その結像スポットが回転多面鏡１２のモータＭによる回転に従い、矢印Ｘ方向に反復走査されると同時に、感光体１４が回転駆動される。第１光検出器１５は情報書込領域外に設けられ、回転多面鏡１２で偏向されたレーザービームを検出して同期信号を発生する。信号処理回路２は画像信号（ビデオデータ；Ｖｉｄｅｏ）をＬＤ駆動回路３に出力するが、そのタイミングを第１光検出器１５からの同期信号により制御する。
　ＬＤ駆動回路３は信号処理回路２からの画像信号に応じてＬＤ１０を駆動し、画像信号で変調されたレーザービームが感光体１４に照射されて静電潜像が形成される。この静電潜像は図示しない現像器で現像され、同じく図示しない転写器で記録紙等に転写される。
ＬＤ１０から後方に射出されるレーザービームは第２光検出器１６に入射して光強度が検出され、電流制御回路４が第２光検出器１６の出力信号に応じてＬＤ駆動回路３を制御してＬＤ１０の出力光量を一定に制御する（第３図参照）。この方法では前方に射出されるレーザービームの一部を光検出器に導く方法のように、実際に利用できるレーザービームの光強度を低下させることがないので有利である。」（２頁右下欄９行〜３頁右上欄３行）
「第１３図はＵＤＣ４１で計数する計数値の増加につれて増加するバイアス電流ＩＢとＬＤ１０から射出されるレーザー光の光出力Ｐの光検出出力ＶＤの関係を示すグラフであり、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ｜ＶＤ−ＶＤ’｜＜Ｖｒｅｆの時点および｜ＶＤ−ＶＤ’｜≧Ｖｒｅｆの時点の状態を示している。図において、ＩＤ’は電流値ＩＤの時点よりも、ＯＳＣ４５から発生する周期パルスの１パルス前の時点の電流値を表す。
　（ＩＤ−ＩＤ’）はＵＤＣ４１の１カウント分の駆動電流制御信号による電流値に等しく常に一定値であるから、ＵＤＣ４１の計数増につれてＬＤ駆動電流ＩＤは一定間隔で増大し、その時点の光検出出力ＶＤと１ステップ前の光検出出力ＶＤ’の差の絶対値が次々に基準電圧Ｖｒｅｆと比較されて行くことになる。
　第１３図（ａ）に示されるように、ＬＤ駆動電流ＩＤがＬＤ１０の光出力が急激に増大する時点の閾値電流ＩＴより小さい中は｜ＶＤ−ＶＤ’｜＜Ｖｒｅｆであり、ＬＤ駆動電流ＩＤが閾値電流ＩＴより大きくなった時点で｜ＶＤ−ＶＤ’｜≧Ｖｒｅｆが満足されるようにＶｒｅｆの値を設定しておけば、上記ＬＤ光出力制御によりバイアス電流ＩＢは、ほぼ閾値電流ＩＴに固定される。従って、変調電流ＩＭは常に最適状態で階調設定される。」（６頁右下欄１０行〜７頁左上欄１４行）
３．本願発明と引用文献に記載の発明との対比・判断
　引用文献６に記載の「半導体レーザダイオード（ＬＤ）」、「光走査装置１２」、「第２光検出器１６」そして「レーザビームプリンタ、レーザーファクシミリ等の画像形成装置」は、本願発明の「レーザ発振器」、「レーザ発振器の光出力に基づき走査光を発生する光学系と、この光学系から出力される走査光を像担持体に導くことにより、像担持体上に画像を形成する画像形成手段」、「レーザ発振器が発光する光出力を検出する光検出手段」そして「画像形成装置」に相当する。
　そこで、本願発明と引用文献６に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は、「バイアス電流と駆動電流とからなる印加電流が印加されることにより所望する光出力で発光するレーザ発振器と、このレーザ発振器の光出力に基づき走査光を発生する光学系と、この光学系から出力される走査光を像担持体に導くことにより、前記像担持体上に画像を形成する画像形成手段と、前記レーザ発振器が発光する光出力を検出する光検出手段とを備え、走査光により像担持体上を走査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する画像形成装置」であるという点で一致し、次の２点（以下、相違点１及び２という。）で相違している。
　相違点１：本願発明は「前記レーザ発振器が発光する印加電流を少なくとも２種類設定し、これらの印加電流を前記レーザ発振器に印加した際にそれぞれ得られる各光出力を検出する光検出手段と、前記光検出手段で検出された各光出力を基に、前記レーザ発振器の基本特性である閾値電流を算出する閾値電流算出手段と、前記光検出手段で検出された各光出力を基に、前記レーザ発振器の発光効率の係数を算出する発光効率算出手段と、前記閾値電流算出手段で算出された閾値電流を基に、その閾値電流を超えない範囲で前記バイアス電流を設定するバイアス電流設定手段と、前記閾値電流算出手段で算出された閾値電流および前記発光効率算出手段で算出された発光効率の係数を基に、前記レーザ発振器を所望する光出力で発光させるための印加電流を設定する印加電流設定手段と、この印加電流設定手段で設定された印加電流から前記バイアス電流設定手段で設定されたバイアス電流を差し引くことにより前記駆動電流を算出する駆動電流算出手段」とからなる「光源駆動装置」を具備するのに対して、引用発明の「光源駆動装置」はそのようになっていない点。
　相違点２：本願発明の「光源駆動装置」は「レーザ発振器」の「異常検出手段」を備え、「レーザ発振器が発光する印加電流を少なくとも２種類設定し、これらの印加電流を前記レーザ発振器に印加した際にそれぞれ得られる各光出力を比較し、この各光出力が同一である場合、前記レーザ発振器が異常であると判断する」のに対して、引用発明の「光源駆動装置」は「レーザ発振器」の「異常検出手段」を備えていない点。
　そこで、上記相違点１及び２について以下に検討する。
　相違点１について
　引用文献２に記載された光ファイバーモジュールの半導体レーザ駆動回路及び引用文献６に記載された半導体レーザ駆動回路は共に、自動出力制御回路を有するものであって、両者は共通する装置及び課題を有するものであるから、引用文献２の半導体レーザ駆動回路を引用文献６の「光源駆動装置」として適用できることは当業者に明らかである。
　そして、引用文献２に記載された上記「光源駆動装置」は、「半導体レーザ素子のバイアス電流値を２点以上変化させて、半導体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と量子効率の変化等を検出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、量子効率の変化等に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定することで光出力のレベルを一定に保持する」（３頁右欄【０００７】）ものであるから、引用文献２は、本願発明の「前記レーザ発振器が発光する印加電流を少なくとも２種類設定し、これらの印加電流を前記レーザ発振器に印加した際にそれぞれ得られる各光出力を検出する光検出手段と、前記光検出手段で検出された各光出力を基に、前記レーザ発振器の基本特性である閾値電流を算出する閾値電流算出手段と、前記光検出手段で検出された各光出力を基に、前記レーザ発振器の発光効率の係数を算出する発光効率算出手段と、前記閾値電流算出手段で算出された閾値電流を基に前記バイアス電流を設定するバイアス電流設定手段と、前記閾値電流算出手段で算出された閾値電流および前記発光効率算出手段で算出された発光効率の係数を基に、前記レーザ発振器を所望する光出力で発光させるための印加電流を設定する印加電流設定手段と、この印加電流設定手段で設定された印加電流から前記バイアス電流設定手段で設定されたバイアス電流を差し引くことにより前記駆動電流を算出する駆動電流算出手段」との事項を有するものであることは明らかである。
　そこで、本願発明の「光源駆動装置」と引用文献２に記載の「光源駆動装置」とを対比すると、本願発明の「光源駆動装置」は「閾値電流を超えない範囲でバイアス電流を設定」するのに対して、引用文献２に記載の「光源駆動装置」は「バイアス電流を閾値電流を超えない範囲で設定」しているか否かが不明であるという点で差異が認められる。
　ところが、レーザプリンタ等の「画像形成装置」において、その「光源駆動装置」の「半導体レーザ発振器」の「バイアス電流」を「閾値電流を超えない範囲で設定」することは周知の慣用技術（特開昭６３−２９３５６５号公報、特開平３−１７２８６７号公報等参照）である。
　してみると、引用発明において、引用文献２に記載の「光源駆動装置」を採用する際、その「半導体レーザ発振器」の「バイアス電流」を「閾値電流を超えない範囲で設定」することは当業者であれば容易になし得ることである。
　相違点２について
　レーザプリンタ等の「画像形成装置」の「光源駆動装置」の「半導体レーザ駆動電流の大きさと光検出手段の出力」により異常を検出することは周知の慣用技術（引用文献３（特開平６−２６７１０１号公報）及び引用文献４（特開平７−２２６５５５号公報）等参照）であり、引用発明に上記周知の慣用技術を付加することは当業者が容易に想到し得た事項である。
　本願発明は、上記周知の慣用技術をより具体的に「レーザ発振器が発光する印加電流を少なくとも２種類設定し、これらの印加電流を前記レーザ発振器に印加した際にそれぞれ得られる各光出力を比較し、この各光出力が同一である場合、前記レーザ発振器が異常である」と判断する構成としているが、「半導体レーザ駆動電流の大きさと光検出手段の出力」により「半導体レーザ発振器」の異常を判断する手法は、当業者であれば必要に応じて種々適宜に案出できるものであり、本発明のように具体的な構成としたことにより「半導体レーザ発振器」の異常を検出するという動作機能に格別の差異が生じるものでもなく、「レーザ発振器が発光する印加電流を２種類設定し、これらの印加電流を前記レーザ発振器に印加した際にそれぞれ得られる各光出力を比較し、この各光出力が同一である場合、前記レーザ発振器が異常である」と判断することは、上記周知の慣用手段を各種光源駆動装置に付加する際に当業者が普通に考慮する範囲のものである。
　したがって、相違点２は格別の相違ではない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１〜６に記載の発明及び周知慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。