Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載されている排気ガス浄化用触媒において、
担体と、
上記担体上に配置され、貴金属とＢａとＫとを担持したアルミナを有する内側触媒層と、
上記内側触媒層上に配置され、貴金属とＢａとＫとを担持したゼオライトを有する外側触媒層とを備えたことを特徴とする排気ガス浄化用触媒。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陶器素地上に表面釉薬層を形成した衛生陶器であって、前記表面釉薬層の表面が実質的にガラス成分からなり、かつその表面には粒径１０μｍ以上のシリカ粒子の存在が観察されない、衛生陶器。
【請求項２】
前記表面釉薬層全体が実質的にガラス成分からなる、請求項１に記載の衛生陶器。
【請求項３】
前記表面釉薬層が顔料を含まないものである、請求項１または２に記載の衛生陶器。
【請求項４】
前記表面釉薬層が顔料を含むものである、請求項１または２に記載の衛生陶器。
【請求項５】
その表面に、前記表面釉薬層が形成されていない部分が存在する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の衛生陶器。
【請求項６】
前記陶器素地と前記表面釉薬層との間に、さらに釉薬層が設けられてなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の衛生陶器。
【請求項７】
前記陶器素地と前記表面釉薬層との間に、着色釉薬層が設けられてなり、かつ前記表面釉薬層が透明である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の衛生陶器。
【請求項８】
ＪＩＳ−Ｂ０６５１（１９９６年）に準拠した触針式表面粗さ測定装置により測定された前記表面釉薬層の中心線平均粗さＲａが０．０７μｍ未満である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の衛生陶器。
【請求項９】
前記Ｒａが０．０５μｍ以下である、請求項８に記載の衛生陶器。
【請求項１０】
前記Ｒａが０．０３μｍ以下である、請求項８に記載の衛生陶器。
【請求項１１】
前記衛生陶器が、便器のサナ、大便器、小便器、便器のタンク、洗面台の洗面器、または手洗い器である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の衛生陶器。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の衛生陶器の製造法であって、  非晶質釉薬を陶器素地に適用して、前記表面釉薬層の前駆層を形成し、
得られた該陶器素地を１３００℃以下の温度で焼成すること
を含んでなる、方法。
【請求項１３】
前記非晶質釉薬がガラス化されたフリット釉薬である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の衛生陶器の製造法であって、
９０％粒径が２０μｍ以下である釉薬または５０％粒径が５μｍ以下である釉薬を陶器素地に適用して、前記表面釉薬層の前駆層を形成し、
得られた該陶器素地を１３００℃以下の温度で焼成すること
を含んでなる、方法。
【請求項１５】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の衛生陶器の製造法であって、  ９０％粒径が１５μｍ以下のシリカ粒子または５０％粒径が５μｍ以下のシリカ粒子と、シリカ粒子を含まない釉薬原料とからなる混合釉薬を陶器素地に適用して、前記表面釉薬層の前駆層を形成し、
得られた該陶器素地を１３００℃以下の温度で焼成すること
を含んでなる、方法。
【請求項１６】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の衛生陶器の製造法であって、
非晶質釉薬と、９０％粒径が２０μｍ以下である釉薬または５０％粒径が５μｍ以下である釉薬との混合釉薬を陶器素地に適用して、前記表面釉薬層の前駆層を形成し、
得られた該陶器素地を１３００℃以下の温度で焼成すること
を含んでなる、方法。
【請求項１７】
前記非晶質釉薬がガラス化された釉薬である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記表面釉薬層の前駆層を形成する前に、陶器素地上に着色剤を含む釉薬原料を適用して、着色釉薬層の前駆体を形成する、請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面釉薬層が、透明である請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多孔質セラミックスの製造方法及び同方法を用いた製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも内部が多孔質化した焼結後のセラミックスに超音波振動を与える多孔質セラミックスの製造方法。
【請求項２】
少なくとも内部が多孔質化した焼結後のセラミックスに超音波振動を与える処理手段を備えた多孔質セラミック製造装置。
【請求項３】
内部が多孔質化した焼結後のセラミックスが、微細気泡を含んだ原料スラリーを極低温冷媒に滴下などして接触させることにより凍結させ、これを凍結乾燥、焼結させて得られる請求項１，２に記載の多孔質セラミックスの製造方法。
【請求項４】
前記超音波振動の周波数が２ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ、好ましくは、２０ＫＨｚ〜５０ＫＨｚで出力強度が０．１〜５Ｗ／ｃｍ2ある請求項１乃至３に記載の多孔質セラミックスの製造方法及び同方法を用いた製造装置。
【請求項５】
原料セラミックスがBioactive 又はBioinert セラミックスである請求項１乃至４に記載の多孔質セラミックスの製造方法及び同方法を用いた製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  密封容器の内圧を昇圧させることによって膨出した面までの距離と、前記膨出面を圧下させ圧下後の前記膨出面までの距離との差分によって密封不良検査をなすことを特徴とする密封容器の密封不良検査方法。
【請求項２】  前記膨出面の圧下を間欠的に多段回に分けて行なうことを特徴とする請求項１に記載の密封容器の不良検査方法。
【請求項３】  前記膨出面の圧下を所定時間継続して行なうことを特徴とする請求項１に記載の密封容器の密封不良検査方法。
【請求項４】  密封容器の内圧を昇圧させることによって膨出した面までの距離と、この昇圧前の前記膨出面に相当する面までの距離との差分により前記密封容器の大破検査をなすことを特徴とする密封容器の密封不良検査方法。
【請求項５】  密封容器の内圧を昇圧させることによって膨出した面までの距離と、前記膨出面を圧下させ圧下後の前記膨出面までの距離との差分によって密封不良検査をなすとともに、前記密封容器の内圧を昇圧させる前に予め前記膨出面に相当する面までの距離を計測し、前記内圧の昇圧後の当該膨出面に相当する面までの距離の差分によって前記密封容器の大破検査をなすこと特徴とする密封容器の密封不良検査方法。
【請求項６】  容器本体とシール蓋とからなる密封容器のシール不良を検査する密封不良検査方法であって、容器本体の側面を押圧して内圧を昇圧させ、これによって膨出したシール蓋を押圧し、このシール蓋の押圧前後の高さ寸法の差分を求め、当該差分値が設定閾値より大きいときにシール不良として検出することを特徴とする密封容器の密封不良検査方法。
【請求項７】  密封容器の内圧を昇圧させる手段と、この昇圧手段によって膨出する面を圧下する手段と、膨出する面に対向され前記圧下手段による圧下の前後において膨出面までの距離を測定する手段と、前記圧下手段による圧下前後の前記膨出面までの距離の差分を演算し密封不良の判別をなす判別手段とを有してなることを特徴とする特徴とする密封容器の密封不良検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、
マスクを用い、少なくとも１層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第１のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層を、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に残すようにエッチングする工程と、
前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記基底層の段差の上段の上面の前記マスクを有したまま、側面を核として、前記マスク上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、マスクを用い、少なくとも１層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第１のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層を、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に残すようにエッチングする工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記基底層の段差の上段の上面の前記マスクを有したまま、側面を核として、前記マスク上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とする。尚、本明細書で基底層とは、単層のIII族窒化物系化合物半導体層の場合と、III族窒化物系化合物半導体層を少なくとも１層含む多重層を一括して表現するために用いる。また、マスク上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体とは、ほとんど成長しないの意味であり、実質的に横方向エピタキシャル成長（ＥＬＯ）で覆われると観測できれば充分である。尚、ここで島状態とは、エッチングにより形成された段差の上段の様子を概念的に言うものであって、必ずしも各々が分離した領域を言うものでなく、ウエハ上全体をストライプ状又は格子状に形成するなどのように極めて広い範囲において段差の上段が連続していても良いものとする。また、段差の側面とは必ずしも基板面及びIII族窒化物系化合物半導体表面に対して垂直となるものを言うものでなく、斜めの面でも良い。この際、段差の底部に底面の無い、断面がＶ字状のものでも良い。これらは特に言及されない限り以下の請求項でも同様とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマを発生するための手段と、
試料を前記プラズマに導入して被分析物のイオンを形成するための手段と、
前記被分析物のイオンを前記プラズマから取り入れるための、スキマーコーンを含むインタフェース手段と、
取り入れられた前記被分析物のイオンを移送するためのイオンレンズ手段と、及び
移送された前記被分析物のイオンを分離及び検出するための測定手段とからなる誘導結合プラズマ質量分析装置であって、
前記インタフェース手段が前記スキマーコーンの背後に順次配置される第1及び第2のイオン引き出し電極を少なくとも含み、
前記第1のイオン引き出し電極に正及び負の間で切り換え可能な電圧が印加され、及び
前記第2のイオン引き出し電極に負の電圧が印加されることを特徴とする誘導結合プラズマ質量分析装置。
【請求項２】  前記正に切り換えられた電圧が前記プラズマの電位と実質的に同じである、請求項1の誘導結合プラズマ質量分析装置。
【請求項３】  誘導結合プラズマ質量分析方法であって、
プラズマを発生させるステップと、
試料を前記プラズマに導入して被分析物のイオンを形成するステップと、
前記被分析物のイオンをインタフェース手段を介して前記プラズマから取り入れるステップと、
取り入れられた前記被分析物のイオンをイオンレンズ手段を介して移送するステップと、及び
移送された前記被分析物のイオンを分離及び検出するステップとからなり、
前記インタフェース手段が順次配置される第1及び第2のイオン引き出し電極を少なくとも含むものにおいて、
前記第1のイオン引き出し電極に前記プラズマとほぼ同じ第1の電圧を印加するステップと、及び
前記第2のイオン引き出し電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧を印加するステップとをさらに含むことを特徴とする、誘導結合プラズマ質量分析方法。
【請求項４】  誘導結合プラズマ質量分析方法であって、
プラズマを発生させるステップと、
試料を前記プラズマに導入して被分析物のイオンを形成するステップと、
前記被分析物のイオンをインタフェース手段を介して前記プラズマから取り入れるステップと、
取り入れられた前記被分析物のイオンをイオンレンズ手段を介して移送するステップと、及び
移送された前記被分析物のイオンを分離及び検出するステップとからなり、
前記インタフェース手段が順次配置される第1及び第2のイオン引き出し電極を少なくとも含むものにおいて、
前記第1のイオン引き出し電極に第1の電圧を印加して、前記プラズマを前記インタフェース手段内部に入り込ませ、その位置を前記第1のイオン引き出し電極に対して調節するステップと、及び
前記第2のイオン引き出し電極に前記第1の電圧より低い第2の電圧を印加して、前記インタフェース手段の内部での、前記第2のイオン引き出し電極に対面する前記プラズマの表面形状を調節するステップとをさらに含むことを特徴とする、誘導結合プラズマ質量分析方法。
【請求項５】  前記第2のイオン引き出し電極に印加される前記第2の電圧を所定範囲内で掃引し、前記被分析物のイオンの分離及び検出に対するマトリックス効果を測定するステップをさらに含み、この測定に応じて前記第2の電圧を決定する、請求項4の誘導結合プラズマ質量分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月11日(2006.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  有底円筒状の缶の底部側を肩部と口頸部に成形する工程を経た後で、口頸部にカール部とネジ部を成形することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の印刷済みボトル型缶の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  有底円筒状の缶の底部側を肩部と口頸部に成形する工程を経た後で、合成樹脂製のネジ付き筒状体を口頸部に外挿して固着することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の印刷済みボトル型缶の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。各実施例、比較例にお
いては、樹脂硬化物、複合材料の物性の測定は次に示すとおりとした。
＜樹脂硬化物（マトリックス樹脂）の引張破壊歪み＞
１８０℃で２時間加熱し樹脂組成物を硬化させ、樹脂硬化物から、厚さ２ｍｍの樹脂硬化物板を作製し、これよりＪＩＳ  Ｋ７１１３記載の方法に従ってダンベル型試験片加工機で試験片を作製する。次に、試験片に歪みゲージを付着し、速度１ｍｍ／分で引張試験を行い、引張破壊歪み（％）を求める。
＜プリプレグの厚さ＞
プリプレグを２枚の表面の平滑なテフロン板間に挟持して密着させ、７日間かけて徐々に１５０℃迄温度を上昇させてゲル化、硬化させて板状の樹脂硬化物を作製する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
この積層体について、ＪＩＳ  Ｋ７０７３に従い、０゜引張強度（ＭＰａ）を求める。
＜積層体の圧縮強度ＣＨＷ（吸水後）＞
上記積層体を７１℃の温水中に２週間浸漬し、充分に吸水させた後、ＪＩＳ  Ｋ７０７６に従い、８２℃の環境下で繊維方向から圧縮負荷することにより、圧縮強度ＣＨＷ（ＭＰａ）を求める。
＜積層体（複合材料）の板端剥離強度ＥＤＳ＞
プリプレグを(±25°/±25°/90°)s構成で、擬似等方的に１０枚積層し、オートクレーブにて、１８０℃で２時間、０．５９ＭＰａの圧力下、昇温速度１．５℃／分で成型して積層体を作製する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
この積層体について、ＪＩＳ  Ｋ７０７３に従い、引張試験を行った後、板端剥離が生じる強度を測定して板端剥離強度ＥＤＳ（ＭＰａ）とする。
＜積層体（複合材料）の衝撃後圧縮強度ＣＡＩ＞
プリプレグを(＋45°/0°/−45°/90°)3s構成で、擬似等方的に２４枚積層し、オートクレーブにて、１８０℃で２時間、０．５９ＭＰａの圧力下、昇温速度の影響観察のため、昇温速度０．５℃／分と１．５℃／分の２条件で樹脂を硬化せしめて積層体を作製する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 芳香族ジカルボン酸またはそのエステル形成誘導体からなるジカルボン酸成分と、１，４−ブタンジオールを主成分とするジオール成分とを用い、触媒の存在下で、エステル化反応もしくはエステル交換反応およびそれに続く重縮合反応を行うことによりポリエステルを製造するに際し、前記エステル化反応もしくはエステル交換反応を減圧下で行い、かつ重合反応終了以前の任意の段階で、アルカリ性化合物を添加することを特徴とするポリエステルの製造法。
【請求項２】 前記ジカルボン酸成分が、テレフタル酸を主成分とする芳香族ジカルボン酸からなることを特徴とする請求項１に記載のポリエステルの製造法。
【請求項３】 前記アルカリ性化合物が、ナトリウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびカルシウム化合物から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載のポリエステルの製造法。
【請求項４】 前記アルカリ性化合物を、生成するポリエステル１００重量部に対し、０．００１〜０．１重量部添加することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリエステルの製造法。
【請求項５】 前記エステル化反応もしくはエステル交換反応の反応触媒として、チタン化合物および／またはスズ化合物を使用することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリエステルの製造法。
【請求項６】 前記重縮合反応終了以前の任意の段階で、更にリン化合物を添加することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリエステルの製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のメチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物には、エンド体をエキソ体に異性化して水素化後、不可避不純物としてコハク酸無水物が含有される。これは、異性化反応が酸触媒存在下、１８０℃前後の高温で行われるため、マレイン酸無水物とメチルシクロペンタジエンに解離しながら異性化するため、一部がマレイン酸無水物として残り、これが水添されてコハク酸無水物となる。メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物中に含有されるコハク酸無水物は、０．４重量％以下、好ましくは０．２重量％以下である必要がある。不純物のコハク酸無水物は溶解性が低く、０．４重量％を超えて存在すると水素化後コハク酸無水物の析出が顕著となり問題となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物中に含有されるコハク酸無水物を減少させるには、減圧蒸留等の方法によって行うことができる。例えば１３８℃、２ｍｍＨｇにて、初留を５〜１０％カットし、さらに１７３℃、２ｍｍＨｇの条件で残りを精製することにより、コハク酸無水物を０．２重量％にすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物の当量比は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基に対して、０．７〜１．２に相当する量を用いるのが好ましく、より好ましくは０．８〜１．１である。メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物の量が０．７当量比未満では、硬化後の強度や硬度が低下し、１．２当量比を超えると色相が悪化し、さらに強度も低下する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
８.用途
本発明のエポキシ樹脂組成物からのエポキシ硬化物は、絶縁破壊電圧、クリープ特性、高温の強度に優れているため、絶縁封止材料として用いることができる。この絶縁封止材料は、具体的には、次の分野において用いることができる。半導体、プリント基板分野としては、半導体の液状封止樹脂（ＴＣＰ、ＣＯＧ、フリップチップ用アンダーフィル等）、導電性接着剤（表面実装部品、フリップチップ実装用等）、異方導電性ペースト、ダイボンディングペースト、多層プリント基板の接着剤、スルーホ−ル目地材、ビルドアップ基盤のビアホール目地材。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【実施例】
以下、本発明を実施例で詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定して解釈されるものではない。本実施例における試験方法は以下の通りである。
（１）曲げ強度：ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
（２）曲げ強度保持率：空気循環式オーブンを２００℃に加熱し、曲げ試験片を７２０時間静置後、ＪＩＳ Ｋ６９１１に準拠して曲げ試験を行った。
（３）熱変形温度（ＨＤＴ）：ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
（４）クリープ特性：ＪＩＳ Ｋ７１１５に準拠して測定した。
（５）プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）：直径７０ｍｍ、厚さ３ｍｍの試験片を作成し、プレッシャークッカーテスターにて１２２℃、２．２ａｔｍの飽和水蒸気に７２時間曝露後の重量増加率を測定した。
（６）硬化収縮率：ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
（７）熱膨張係数：ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
（８）絶縁破壊電圧：ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
（９）着色性：１２０℃で２時間及び１３０℃で３時間硬化処理後の試験片を目視で観察し、下記の基準で判断した。
◎：無色透明
△：やや着色
×：かなり着色
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】上記ピリジン系化合物がキノリン、イソキノリンおよび４−ｔ−ブチルピリジンからなる群より選ばれた少なくとも１種である請求項４または５に記載のベンゾ［ｂ］チオフェン誘導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記本発明の第１、第２の側面において、脱炭酸反応の温度は特に限定されるものではないが、加熱下に反応を行うのが好ましい。触媒として金属触媒を用いるのであるが、このときに、ピリジン系化合物を存在させると反応速度を促進させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【実施例７】
撹拌機、温度計および冷却管を備えた５００ｍＬ容の四つ口フラスコにベンゾ［ｂ］チオフェン−２−カルボン酸４０ｇ（０．２２５モル）、ベンゾ［ｂ］チオフェン４０ｇ（０．３０モル）、キノリン０．３ｇおよび銅１６ｇを仕込み、２１０℃で２時間反応した。得られた反応液に、ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−カルボン酸８０ｇ（０．４５モル）を添加し、引き続き２１０℃で４時間、反応を行なった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記問題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、従来法と同様にしてアミノ酸金属塩とジアルキルカーボネートとを反応させた反応液から水溶性有機溶媒と副生アルコールとを除去した後、中和反応を行う前に非水溶性有機溶媒を用いて抽出を行うと副生物であるＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸エステルが効率よく除去できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の製造方法において、かかるアミノ酸塩は、最初からこのような塩の形ものを用いることもできるが、原料の入手のし易さの観点から、反応系内で予めアミノ酸と塩基とを接触させて塩を調製し、これをそのまま使用するのが好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このときに好適に使用できるアミノ酸を具体的に例示すれば、グリシン、フェニルグリシン、Ｎ−メチルグリシン、Ｎ−エチルグリシン、Ｎ−ベンジルグリシン、ヒドロキシフェニルグリシン、アラニン、Ｎ−メチルアラニン、Ｎ−エチルアラニン、Ｎ−ベンジルアラニン、β−アラニン、Ｎ−メチル−β−アラニン、Ｎ−エチル−β−アラニン、Ｎ−ベンジル−β−アラニン、セリン、ホモセリン、イソセリン、Ｏ−ベンジル−セリン、システイン、Ｓ−アセトアミド−システイン、シスチン、ホモシスチン、トレオニン、Ｏ−ベンジル−トレオニン、メチオニン、ホモメチオニン、バリン、Ｎ−メチルバリン、Ｎ−エチルバリン、Ｎ−ベンジルバリン、ノルバリン、Ｎ−メチルノルバリン、Ｎ−エチルノルバリン、Ｎ−ベンジルノルバリン、ロイシン、Ｎ−メチルロイシン、Ｎ−エチルロイシン、Ｎ−ベンジルロイシン、ノルロイシン、Ｎ−メチルノルロイシン、Ｎ−エチルノルロイシン、Ｎ−ベンジルノルロイシン、イソロイシン、Ｎ−メチルイソロイシン、Ｎ−エチルイソロイシン、Ｎ−ベンジルイソロイシン、フェニルアラニン、Ｎ−メチルフェニルアラニン、Ｎ−エチルフェニルアラニン、Ｎ−ベンジルフェニルアラニン、ヒドロキシフェニルアラニン、チロシン、Ｏ−ベンジルチロシン、チロニン、Ｏ−ベンジルチロニン、プロリン、ヒドロキシプロリン、Ｏ−ベンジルヒドロキシプロリン、トリプトファン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、ホモグルタミン酸、グルタミン、アルギニン、Ｎ−トシルアルギニン、Ｎ−ベンジルアルギニン、オルニチン、ヒスチジン、α−アミノ酪酸、β−アミノ酪酸、γ−アミノ酪酸、α−アミノイソ酪酸、リジン等を挙げることができる
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
これらのジカーボネート化合物のほとんどは試薬および工業原料として入手可能である。また、試薬や工業原料として入手できないものに関しては以下の方法にて合成可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の製造方法では、先ず、前記アミノ酸塩とジカーボネートとを水溶性有機溶媒と水との混合溶液中で反応（以下、この時の反応を「炭化水素オキシカルボニル化反応」ともいう。）させる。該炭化水素オキシカルボニル化反応では、最終目的物であるＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸の前駆体となる塩が生成し、反応に伴うジアルキルジカーボネートの分解により炭酸ガス（二酸化炭素）とアルコールとが副生する。また、このとき、その生成メカニズムの詳細は不明であるが、目的物のＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸のカルボキシル基と上記副生アルコールが脱水縮合した構造を有するＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸エステルも副生する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明の製造方法では、次いでこのようにして反応液から副生アルコール等を除去して得られる水性溶液から非水溶性有機溶媒を用いて副生物であるＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸エステルを抽出し、除去する。なお、上記分離工程後に得られる水性溶液には、水、Ｎ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸塩の他に、場合によっては、塩基、水溶性有機溶媒、副生アルコール、未反応のアミノ酸塩、未反応のジカーボネート化合物等が含まれており、この時の抽出・除去操作では、同時に未反応のジカーボネート化合物も抽出・除去される。このため、該操作を行うことにより、目的物の純度が高くなるばかりでなく、最終的にＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸を結晶として単離する際の結晶性が著しく向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
上記の抽出・分離操作は、前記水性溶液に非水溶性有機溶媒を加え、攪拌した後、静置して水相と非水溶性有機溶媒相とを分離させ、分液することにより好適に行うことが出来る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
従来の製造方法であれば、この段階でＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸を結晶として単離すると、該化合物中に、Ｎ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸エステルが混在しているため結晶純度が低かったが、本発明の製造方法では、Ｎ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸エステルが混在しないため、この段階で結晶として単離しても高純度のものが得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
このようにして得られた、非水溶性有機溶液（抽出溶液）から非水溶性有機溶媒を減圧留去して濃縮後、濃縮液から目的物の性状に応じて目的物を単離する事が出来る。非水溶性有機溶媒を減圧留去する際の条件は非水溶性有機溶媒の種類等に応じて適宜決定すればよいが、減圧留去の際の温度については、目的物からのＮ−炭化水素オキシカルボニル基の脱離の防止、および留去時間の短縮の観点から０℃〜１００℃、特に２０℃〜８０℃の範囲で行うのが好適である。濃縮後、該化合物が固体、油状または液状で、容易に溶媒と分離できる場合はそのまま分離して単離しても良いし、反応液に貧溶媒を添加して結晶化させてから固液分離して単離してもよい。ここで、結晶化させる時の温度、貧溶媒の種類は使用するアミノ酸の種類や抽出に使用する非水溶性有機溶媒の種類によっても異なるため、これらに応じて適宜選択すれば良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
なお、用途によっては、濃縮後、濃縮液からＮ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸を単離せずに、該濃縮液をそのまま使用することもできる。例えば、Ｎ−炭化水素オキシカルボニルアミノ酸をペプチドカップリング反応、増炭反応に使用する場合には、特に単離する必要はない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この水性ワックス剤にはカチオン界面活性剤が含有されているが、このカチオン界面活性剤については特に制限されず、例えば四級化アンモニウム塩、エチレンオキシドなどのアルキレンオキシド付加型の四級化アンモニウム塩、アルキルアミン塩などが挙げられ、中でも好適には一般式（Ｉ）
【化１】
2001114078.tif 000001
（式中、Ｒは炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ´は炭素数８〜３０の脂肪族基、Ｒ″は炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数８〜３０の脂肪族基、Ｘ‐は適当なアニオンを示す）
で表わされるアルキルアンモニウム塩、又は一般式（ＩＩ）
【化２】
2001114078.tif 000002
（式中、Ｒ´及びＸ‐は前記したと同じ意味を有する。）
で表わされるアルキルアミン塩が挙げられる。
これら一般式中のＸ‐としては、例えばハロゲンイオン、酢酸イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオン、ナイトレートイオン、サルフェートイオン、アルキルサルフェートイオン、スルホネートイオン、アルキルスルホネートイオンなど、中でもハロゲンイオン特に塩素イオン、酢酸イオンが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体を収納可能な本体部と、
前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、
前記本体部に形成されたガイド溝とを備え、
前記ディスプレイ部は、前記ディスプレイ部から前記ガイド溝に向かって減径するテーパー部を有するガイド部と、
前記テーパー部と前記ガイド溝とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とする車載用ディスプレイ装置。
【請求項２】
記録媒体を収納可能な本体部と、
前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、
前記本体部に形成された奥行方向に溝幅が減少するテーパー面を有するガイド溝とを備え、
前記ディスプレイ部は、ガイド部と、前記ガイド部と前記テーパー面とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とする車載用ディスプレイ装置。
【請求項３】
記録媒体を収納可能な本体部と、
前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、
前記本体部に形成された奥行方向に溝幅が減少するテーパー面を有するガイド溝とを備え、
前記ディスプレイ部は、前記ディスプレイ部から前記ガイド溝に向かって減径するテーパー部を有するガイド部と、前記テーパー部と前記テーパー面とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とする車載用ディスプレイ装置。
【請求項４】
記録媒体を収納可能な本体部と、
前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、
前記本体部に形成された内面に段差部を有するガイド溝とを備え、
前記ディスプレイ部は、前記本体部から前記ディスプレイ部に向かって減径するテーパー部を有するガイド部と、前記テーパー部と前記段差部とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とする車載用ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記押圧手段は、前記ディスプレイ部に設けられた弾性体により、前記ガイド部をディスプレイ部側から本体部側に向けて押圧するものであることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか一つに記載の車載用ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記押圧手段は、前記ディスプレイ部に設けられた弾性体により、前記ガイド部を本体部側からディスプレイ部側に向けて押圧するものであることを特徴とする請求項４に記載の車載用ディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を達成するもので、記録媒体を収納可能な本体部と、前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、前記本体部に形成されたガイド溝とを備え、前記ディスプレイ部は、前記ディスプレイ部から前記ガイド溝に向かって減径するテーパー部を有するガイド部と、前記テーパー部と前記ガイド溝とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、記録媒体を収納可能な本体部と、前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、前記本体部に形成された奥行方向に溝幅が減少するテーパー面を有するガイド溝とを備え、前記ディスプレイ部は、ガイド部と、前記ガイド部と前記テーパー面とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、記録媒体を収納可能な本体部と、前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、前記本体部に形成された奥行方向に溝幅が減少するテーパー面を有するガイド溝とを備え、前記ディスプレイ部は、前記ディスプレイ部から前記ガイド溝に向かって減径するテーパー部を有するガイド部と、前記テーパー部と前記テーパー面とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、記録媒体を収納可能な本体部と、前記本体部に設けられた記録媒体の挿入排出口を覆うように配置され、前記本体部に対して変位可能なディスプレイ部と、前記本体部に形成された内面に段差部を有するガイド溝とを備え、前記ディスプレイ部は、前記本体部から前記ディスプレイ部に向かって減径するテーパー部を有するガイド部と、前記テーパー部と前記段差部とを弾性的に押圧保持する押圧手段と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記押圧手段は、前記ディスプレイ部に設けられた弾性体により、前記ガイドローラをディスプレイ部側から本体部側に向けて押圧する構成であっても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記押圧手段は、前記ディスプレイ部に設けられた弾性体により、前記ガイド部を本体部側からディスプレイ部側に向けて押圧する構成であっても良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、感知膜に半導体薄膜を用いた場合、感知膜単体では複数の還元性ガスに感応してしまい、或る特定のガスだけに選択的に感応することができない。そこで、感知膜の上にフィルタ層を設け、検知ガスより酸化活性の強いガスを燃焼させることが有効である。また、感知膜単体では水蒸気などの妨害物質共存下で感度が低下すると言う問題があり、これに対してもフィルタ層を設けることが有効である。ただし、フィルタ層に対してヒーターが小さい場合、フィルタ層が十分に加熱されずに温度分布が生じるため、所定の性能を発揮できないという問題が指摘されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  隣接する各相主回路導体の外周にそれぞれ装着された電流センサの電流検出コイルを相互に前記主回路導体の延在方向にずらし、隣接する前記電流センサの電流検出コイル幅部が前記主回路導体の延在方向からみて互いに重なるように配置したことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】  絶縁ケ−スの中に、各相主回路導体の所定の相間距離に対応して絶縁管を配置し、前記絶縁管の外周に電流検出コイルを装着したことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】  各相の絶縁管相互間の距離は、電流検出コイル幅の寸法と電流検出コイルの取付裕度寸法の和としたことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】  絶縁管は、絶縁ケースの一側壁に一体に形成したことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項５】  絶縁管は、絶縁ケースとは分離可能に形成され、絶縁ケースを構成する側壁にて支持されることを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項６】  各相主回路導体に対応する絶縁管を横一列に配置し、中央相と両側相に装着する電流検出コイルを主回路導体の延在方向にずらして電流検出コイル幅部を互いに重ねて配置したことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項７】  各相主回路導体に対応する絶縁管を横一列に配置し、中央相と両側相に装着する電流検出コイルを主回路導体の延在方向にずらして電流検出コイル幅部を互いに重ねて配置するとともに、さらに零相電流検出コイルを重ねて配置したことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項８】  零相電流検出コイル枠を樹脂にて形成し、このコイル枠を絶縁管の外周に挿入して装着することを特徴とする請求項７に記載の電流センサ。
【請求項９】  両側相の電流検出コイルを中央相の電流検出コイルよりも零相電流検出コイル側に配置したことを特徴とする請求項７に記載の電流センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、絶縁ケ−スの中に各相主回路導体の所定の相間距離に対応して絶縁管を配置し、この絶縁管の外周に電流検出コイルを装着したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、各相の絶縁管相互間の距離を、電流検出コイル幅の寸法と電流検出コイルの取付裕度寸法の和としたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、絶縁管を絶縁ケースから分離可能に形成し、絶縁ケースを構成する側壁にて支持するようにしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、絶縁ケ−スの中に各相主回路導体の所定の相間距離に対応して絶縁管を配置し、この絶縁管の外周に電流検出コイル及び零相電流検出コイルを装着したので、内部に電流検出コイル及び零相電流検出コイルを精度よく配置できるとともに、絶縁物製のケース内に一体にまとまっているため主回路導体への装着が容易となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
さらに、各相の絶縁管相互間の距離を、電流検出コイル幅の寸法と電流検出コイルの取付裕度寸法の和としたので、相間距離の短い電流センサを得ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】被着体の間隙に接着剤とともに、その間隔を一定に保つために剛体を存在させて接着した試験体の引張せん断接着強さ（ｆ２）と、被着体の間隙に接着剤を存在させ、その間隔を一定に保つための剛体を存在させずに接着した試験体の引張せん断接着強さ（ｆ１）の比（ｆ２／ｆ１）を求めることを特徴とする接着剤の評価方法。
【請求項２】径の大きな管の内面と、径の小さい管または円柱の外面の間隙に接着剤を充填し接着接合する際に、請求項１に記載の方法で評価した（ｆ２／ｆ１）が０．７から１．０である接着剤を使用して接着することを特徴とする径の大きな管と、径の小さい管または円柱の接合方法。
【請求項３】請求項２に記載の方法で接着接合した径の大きな管と、径の小さい管または円柱の接合体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レーザ光源と、
被加工物を保持する保持部と、
前記保持部に保持された被加工物の被加工部に前記レーザ光源からのレーザ光を照射するレーザ照射部材と、
前記レーザ照射部材と前記被加工物とを相対的に移動させる相対移動機構と、
前記レーザ照射部材と前記被加工物の被加工部との間の距離を調整する距離調整機構と、
前記被加工物における加工点を検出する加工点検出器とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】  被加工物を保持部により保持し、
前記保持部に保持された被加工物の被加工部にレーザ光源からのレーザ光をレーザ照射部材を介して照射し、
前記レーザ照射部材と前記被加工物の被加工部との間の距離を調整しつつ、前記レーザ照射部材と前記被加工物とを相対的に移動させて前記レーザ光により前記被加工物を加工し、
加工中に前記被加工物における加工点を検出することを特徴とするレーザ加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記加工点検出器は、上記被加工物の被加工部又は該被加工部と同等の位置にある点に当接する当接部材と、上記当接部材の位置を検知するセンサとを備えていてもよい。このような構成により、センサにより検知された当接部材の位置に基づいて現在の加工点（加工深さ）を検出することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記加工点検出器は、上記被加工物に向けて測定光を発する投光アレイと、上記投光アレイからの測定光を受光する受光アレイとを備えていてもよい。このような構成により、投光アレイから発された測定光のうち、受光アレイで受光される測定光を検出することで、現在の加工点（加工深さ）を検出することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記加工点検出器の投光アレイ及び受光アレイの少なくとも一方を上記被加工物の長手方向に移動させながら上記測定光を測定し、測定信号の大きさに基づいて検出すべき加工点の長手方向位置を決定してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記加工点検出器は、加工中の上記被加工物に測定光を通過させて上記加工点を光学的に直接検出してもよい。
上記測定光を加工材料端面を透過させ、その反射光を検出することにより上記加工点を検出してもよい。
すなわち、上記加工点検出器は、加工中の上記被加工物に測定光を照射し、加工済み部と未加工部との反射光量の差から上記加工点を検出してもよい。例えば、被加工物が実質的に透明な場合や、切断される被加工物が薄いために切断される被加工物に測定光を通過させることができる場合などにおいては、加工中の被加工物に測定光を通過させて加工点の位置を光学的に直接検出することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記レーザ照射部材の照射側の端部の位置と上記加工点検出器により検出された加工点の位置とから上記レーザ照射部材と上記被加工物の被加工部との間の距離を求め、該求められた距離に基づいて、上記被加工物又は上記レーザ照射部材の移動速度、又は上記レーザ光源のエネルギ強度を調整してもよい。このようにすれば、加工条件を最適化することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記距離調整機構は、上記距離が所定の閾値を超えた場合に、上記被加工物における加工の進行方向に上記レーザ照射部材を移動させてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記被加工物の被加工部又は該被加工部と同等の位置にある点に当接する当接部材の位置をセンサにより検知して上記加工点を検出してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
投光アレイから上記被加工物に向けて発された測定光を受光アレイにより受光して上記加工点を検出してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記投光アレイ及び上記受光アレイの少なくとも一方を上記被加工物の長手方向に移動させながら上記測定光を測定し、測定信号の大きさに基づいて検出すべき加工点の長手方向位置を決定してもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
加工中の上記被加工物に測定光を通過させて上記加工点の位置を光学的に直接検出してもよい。
上記測定光を加工材料端面を透過させ、その反射光を検出することにより上記加工点を検出してもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記レーザ照射部材の照射側の端部の位置と上記加工点検出器により検出された加工点の位置とから上記レーザ照射部材と上記被加工物の被加工部との間の距離を求め、該求められた距離に基づいて、上記被加工物又は上記レーザ照射部材の移動速度、又は上記レーザ光源のエネルギ強度を調整してもよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記距離が所定の閾値を超えた場合に、上記被加工物における加工の進行方向に上記レーザ照射部材を移動させてもよい。