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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
前記加工されたレーザ光を偏向する手段と、
被照射面において前記偏向されたレーザ光の形状を一定に保ちながら走査させる手段と、
前記偏向する手段の動作速度を、前記被照射面の中心では大きく、前記被照射面の端部では小さくなるように制御することによって、前記加工されたレーザ光の走査速度を制御する手段と、を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザ発振器と、
被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
前記加工されたレーザ光を偏向する手段と、
被照射面において前記偏向されたレーザ光の形状を一定に保ちながら走査させる手段と、
前記偏向する手段の動作速度を、前記走査させる手段の透過率が高い領域では大きく、前記走査させる手段の透過率が低い領域では小さくなるように制御することによって、前記加工されたレーザ光の走査速度を制御する手段と、を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記偏向する手段は、前記走査させる手段の透過率変化に応じた分岐比を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記偏向する手段は、ガルバノミラー又はポリゴンミラーであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記走査させる手段は、ｆθレンズ又はテレセントリックｆθレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記レーザ光の焦点を前記被照射面からずらすことにより前記レーザ光の形状を一定に保つことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記レーザ光の走査速度は前記レーザ光を集光する手段によるエネルギー分布に基づいて決定することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記レーザ光の走査速度を制御し、前記被照射面に与える照射エネルギーを均一化することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
非晶質半導体膜を形成し、
レーザ発振器から出力されたレーザ光を、前記非晶質半導体膜を被照射面として、前記被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように加工し、
前記加工されたレーザ光を偏向し、
被照射面において前記偏向されたレーザ光の形状を一定に保ちながら走査し、
前記偏向させる手段の動作速度を、前記被照射面の中心では大きく、前記被照射面の端部では小さくなるように制御することによって、前記加工されたレーザ光の走査速度を変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
非晶質半導体膜を形成し、
レーザ発振器から出力されたレーザ光を、前記非晶質半導体膜を被照射面として、前記被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように加工し、
前記加工されたレーザ光を偏向し、
被照射面において前記偏向されたレーザ光の形状を一定に保ちながら走査し、
前記偏向させる手段の動作速度を、前記走査させる手段の透過率が高い領域では大きく、前記走査させる手段の透過率が低い領域では小さくなるように制御することによって、前記加工されたレーザ光の走査速度を変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記レーザ光の走査方向は、前記非晶質半導体膜のチャネル形成領域のキャリアの移動方向と平行であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記偏向する手段は、前記走査させる手段の透過率変化に応じた分岐比を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
ガルバノミラー又はポリゴンミラーを用いて、前記加工されたレーザ光を偏向することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
ｆθレンズ又はテレセントリックｆθレンズを用いて、被照射面において前記偏向されたレーザ光の形状を一定に保ちながら走査させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
前記レーザ光の焦点を前記被照射面からずらすことにより前記レーザ光の形状を一定に保つことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか一において、
前記レーザ光の走査速度は前記レーザ光を集光する手段によるエネルギー分布に基づいて決定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか一において、
前記レーザ光の走査速度は前記被照射面に与える照射エネルギーを均一化するように変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また、結晶化後の半導体膜をＴＦＴの活性層として用いる場合、レーザー光の走査方向は、チャネル形成領域のキャリアが移動する方向と平行になるように定めるのが望ましい。
そこで、図９において矢印に示すように、チャネル形成領域のキャリアの移動する方向（チャネル長方向）と平行になるように、レーザ光の走査方向を定める。これによりレーザー光の走査方向に沿って結晶が成長し、結晶粒界がチャネル長方向と交差することを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネル内に出力する液晶駆動電圧を駆動制御する半導体集積回路であって、
前記半導体集積回路は、
前記液晶表示パネル内に前記液晶駆動電圧を出力するための第１端子と、
外部装置から電源電位あるいは基準電位が供給される第２端子と、
前記半導体集積回路内の配線層によって前記第２端子と接続される第３端子と、
前記半導体集積回路の動作中に、前記電源電位あるいは前記基準電位に固定される第４端子とを有し、
前記第３端子と前記第４端子の距離は、前記第２端子と前記第４端子の距離よりも近く、
前記第４端子は、前記第４端子に印可される電圧が前記電源電位であるか前記基準電位であるかによって、前記半導体集積回路でビット数の異なる動作モードを選択するための端子であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路において、
前記第３端子と前記第４端子は隣接して配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体集積回路において、
前記第４端子は複数個備えられていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体集積回路において、
前記複数の第４端子の間に、前記第３端子が配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の半導体集積回路において、
前記ビット数の異なる動作モードは、シリアルインターフェイスモードと、前記シリアルインターフェイスモードよりもビット数の多いバスインターフェイスモードであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体集積回路において、
前記半導体集積回路が前記液晶表示パネルと接続するための基板に搭載された際に、前記第４端子は、前記基板上に形成された配線パターンを介して、前記第３端子と接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体集積回路において、
前記第１、第２、第３および第４端子は、それぞれ第１、第２、第３および第４バンプ電極を有し、
前記第３および第４バンプ電極は、前記配線パターンに接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体集積回路において、
前記第１、第２、第３および第４バンプ電極は、金を含む材料で形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８の何れか１項に記載の半導体集積回路において、
前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された回路素子を含むデバイスチップと、
前記デバイスチップの少なくとも一部分を覆うキャップと、
前記キャップを前記デバイスチップへと封止するガスケットであって、前記デバイスチップとの接合部に隆起パターンを設けた面を持つガスケットと
を具備することを特徴とする封止装置。
【請求項２】
前記隆起パターンを設けた面が、谷部分を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の封止装置。
【請求項３】
前記デバイスチップが、前記ガスケットをその上に取り付けるための接着剤を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の封止装置。
【請求項４】
前記キャップが前記デバイスチップへ冷間溶接により接合されることを特徴とする請求項１又は２に記載の封止装置。
【請求項５】
冷間溶接用メタルとして、金が用いられることを特徴とする請求項４に記載の封止装置。
【請求項６】
前記キャップが前記回路素子を気密封止するものであることを特徴とする請求項１、３又は４に記載の封止装置。
【請求項７】
前記ガスケットが、４〜３０ミクロンの範囲の幅を持つことを特徴とする請求項１、３又は４に記載の封止装置。
【請求項８】
前記ガスケットが、５〜５０ミクロンの範囲の厚さを持つことを特徴とする請求項１、３又は４に記載の封止装置。
【請求項９】
前記隆起パターンが、１〜５ミクロンの範囲の幅を持つことを特徴とする請求項１、３又は４に記載の封止装置。
【請求項１０】
前記隆起パターンで谷部分が画定され、前記谷部分のそれぞれが１〜３ミクロンの範囲の深さを持つことを特徴とする請求項１、３又は４に記載の封止装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）複数の半導体素子が形成されたウエハを準備する工程、
（ｂ）ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体を前記ダイボンドフィルムが内側になるように前記ウエハの裏面に貼り付ける工程、
（ｃ）前記セパレータフィルムを剥離する工程、
（ｄ）前記ダイボンドフィルムを前記ウエハの外周に沿って切断する工程。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂材料を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記セパレータフィルムは、前記ダイボンドフィルムよりも硬いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムは、前記ウエハをダイシングすることにより得られるチップをダイボンディングする際の接着剤層として機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）複数の半導体素子が形成されたウエハを準備する工程、
（ｂ）前記ウエハの第１の面に保護テープを貼り付ける工程、
（ｃ）前記ウエハの前記第１の面と反対側の第２の面を研削する工程、
（ｄ）ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体を前記ダイボンドフィルムが内側になるように前記ウエハの前記第２の面に貼り付ける工程、
（ｅ）前記セパレータフィルムを剥離する工程、
（ｆ）前記ダイボンドフィルムを前記ウエハの外周に沿って切断する工程、
（ｇ）前記ウエハの前記第２の面の前記ダイボンドフィルム上にダイシングテープを貼り付ける工程、
（ｈ）前記保護テープを前記ウエハの前記第１の面から剥離する工程、
（ｉ）前記ウエハをダイシングする工程。
【請求項６】  請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂材料を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムは、前記（ｉ）工程で前記ウエハをダイシングすることにより得られたチップをダイボンディングする際の接着剤層として機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも下記の逐次工程を包含する、硫黄化合物およびオレフィン化合物を含有する炭化水素溜分の脱硫方法：
−  水素および水素化脱硫触媒の存在下、該溜分の脱硫率が９０％より高くなる条件のもとでの最初の脱硫、
−  最初の脱硫で生じた硫化水素の大部分の分離、
−  硫化水素を除去された分離工程からの流出液の、水素および水素化脱硫触媒の存在下、該流出液の脱硫率が最初の脱硫でのそれよりも低くなる条件のもとでの、二回目の脱硫。
【請求項２】  水素化脱硫触媒の少なくとも一方が、少なくとも１種の周期律表第VIII族元素を含有している請求項１に記載の方法。
【請求項３】  水素化脱硫触媒の少なくとも一方が、さらに、少なくとも１種の周期律表第VIB族元素を含有している請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記水素化脱硫触媒が、ニッケルおよびコバルトからなる群から選ばれた少なくとも１種の周期律表第VIII族元素およびモリブデンおよびタングステンからなる群から選ばれた少なくとも１種の周期律表第VIB族元素を含有している請求項１に記載の方法。
【請求項５】  最初の脱硫を、２５０℃と３５０℃との間の温度で、１〜３ＭＰａの圧力下、１ｈ−１〜１０ｈ−１の液空間速度、５０リットル／リットル〜５００リットル／リットルのＨ２／ＨＣ（炭化水素）比で行う、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】  二回目の脱硫を、２００℃と３００℃との間の温度で、１〜３ＭＰａの圧力下、１ｈ−１〜１０ｈ−１の液空間速度、５０リットル／リットル〜５００リットル／リットルのＨ２／ＨＣ（炭化水素）比で行う、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】  二回目の脱硫の脱硫率が８０％より高い請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  最初の脱硫と二回目の脱硫との脱硫率の差が絶対値で少なくとも１パーセントである請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  さらに、該溜分中に含まれているジオレフィンを選択的に水素化する追加の工程を包含し、該工程は最初の脱硫よりも前に行うものである請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】  さらに、軽質硫黄化合物を重質化する追加の工程を包含し、該工程は最初の脱硫よりも前に行うものである請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】  さらに、該溜分を、
−  硫黄化合物の小部分を含有する軽質画分、
−  硫黄化合物の大部分を含有する重質画分
という少なくとも２つの画分に分離する追加の工程を包含し、少なくとも該重質画分を次に最初の脱硫工程に従って処理する請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  請求項１〜１１のいずれかに記載の方法を、重質炭化水素原料の接触分解またはコーキングもしくは水蒸気分解で生じたガソリンに適用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
Ｃ7+留分は幾つかの理由のために異性化が困難である。Ｃ5 ／Ｃ6 −パラフィンと違って、単一分岐のＣ7+異性体はオクタン価が低過ぎる。オクタン価はメチルヘキサン類については約５０であり、そして直鎖状分子は、他の炭化水素と混合した場合には０に等しいかまたはそれどころかマイナス（RON ）である。多重分岐したパラフィンだけが価値あるブレンド成分であるが、その濃度は熱力学によって制限されている。多重分岐したＣ7+異性体の最大４０％は２３０℃においてｎ−ヘプタンを異性化触媒に一度通すことによって生成され得る。このオクタン価は１５０℃で５０％に増加する。全ての単一分岐異性体および直鎖状異性体は生成物から除くべきであり、１００％に近い選択率で回収されるべきである。直鎖状異性体の分離は慣用の技術であるが、多重分岐した異性体から単一分岐異性体を分離する効果的でかつ経済的な方法は操作上できない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第一異性化段階では単一分岐パラフィンが形状選択分子フルイで直鎖状分子から製造される。この酸性分子フルイは立体的理由のために更なる（二重および三重の）分岐を許さない。このものは短軸が４Åの最小幅を有しそして長軸が７Åの最大幅を有しそして両方の軸の平均値が４．５〜６．５Åの範囲にあるべき孔を有している。この材料は直径が８Åより大きいあらゆる空洞を有しているべきでない。分子フルイは以下の構造タイプのいずれかでよい：ＡＥＬ（例えばＳＡＰＯ−１１、ＭｅＡＰＯ−１１）、ＡＦＯ（例えばＳＡＰＯ−４１またはＭｅＡＰＯ−４１），ＦＥＲ（例えばフェリエライト、ＦＵ−９またはＺＳＭ−３５）、ＭＦＳ（例えばＺＳＭ−５７）、ＭＴＴ（例えばＺＳＭ−２３、ＥＵ−１３またはＩＳＩ−４）、ＭＷＷ（例えばＭＣＭ−２２またはＩＴＱ−１）およびＴＯＮ（例えばＴｈｅｔａ−１、ＺＳＭ−２２、ＩＳＩ−１またはＮＵ−１０）がある。有利な材料はＡＦＯタイプである。触媒（酸性状態）は更に一般に結合剤（例えばアルミナ）および０．０５〜１重量％の負荷量の貴金属を含有している。貴金属は十分な選択率を達成しそして不活性化を抑制するために最も適している。一般にＰｔまたはＰｄまたはそれらの混合物である。この反応は水素と炭化水素との比０．１〜５での水素の存在下で１５０℃〜４００℃の温度範囲、１〜４０ｂａｒの範囲で変動する総圧力および０．１〜３０ｈ-1の液体空時得率（ＬＨＳＶ）のもとで進める。有利な条件は２５０℃〜３００℃の温度、ＬＨＳＶ＝０．５〜５ｈ-1、５〜１５ｂａｒの圧力および１〜３の水素：炭化水素−比である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第一段階での他の可能な方法は非形状選択性触媒を使用しそして単一分岐異性体と多重分岐異性体との間の熱力学的平衡から十分に離れて運転することである。多重分岐異性体はそれの単一分岐対応物よりも非常に早く熱分解する。多重分岐異性体の濃度が十分に低ければクラッキングを制限することができる。単一分岐異性体は定義上、直鎖状分子の異性化の最初の生成物である。この反応は、後続の反応（多重分岐異性体への異性化およびクラッキング）の程度が、該クラッキングが５％以下である程の少ない段階で常に中止する。適する触媒の代表的な例は、担持されたまたは担持されていないタングステン酸化物またはタングステン含有化合物をベースとする物質である。ジルコニア、ハフニア、酸化チタンまたはＳｎＯ2 に担持されたタングステン酸化物触媒が特に好ましい。しかしながら原則としてＩＶ族元素の酸化物に担持されたＶＩ族元素のあらゆる酸化物が潜在的な使用候補物質である。使用できる他の群の物質はケギン(Keggin)イオン構造よりなるヘテロポリ酸である。最も一般的な例はホスホタングステン酸およびシリコタングステン酸である。ＡｌＣｌ3 をベースとするフリーデルクラフト触媒はこの用途にも使用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１および図２に記載した様な工程順序を図３にも例示する。反応器Ｒ１からの留出液は導管２を通して分離装置Ｓ１に通される。分離装置Ｓ１では直鎖状パラフィンが単一分岐パラフィンから分離されそしてＲ１に戻される。単一分岐パラフィンは、多重分岐パラフィンに更に異性化するために反応器Ｒ２に供給される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
２５ｇの吸着剤（ＡＰＯ−４１）を水素雰囲気で１５０℃に予備加熱する。５ｍＬの供給物（表３）を吸着剤中にポンプ供給し、そしてこの混合物が平衡である時に圧力が２．２ｂａｒに増加する。１５ｍＬ／分の水素流を吸着剤に通して一定の水準の圧力を維持しそして生成物を凝縮させそして最初の８分の間、集める。生成物の組成を表３に示す。反応器内の温度が２５０℃に上昇しそして水素と一緒に脱着された炭化水素を第一反応器に直接的に送り込む。吸着剤を冷却しそして次のサイクルのために調整する。吸着剤が弱い酸サイトを有するときに、分離の他に２，４−ＤＭＰおよび２−ＭＨから２，３−ＤＭＰおよび３−ＭＨへのメチルシフトが起こる。これは生成物のより高いオクタン価のために有益である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
未加硫ゴムの混合物は、下記の方法によって製造される。上記のゴム成分、シラン含有ブタジエン油、無定形シリカ、および場合により存在するカーボンブラックを、場合により、添加剤および所望によりさらなる添加剤と一緒に、混錬機（例えば、密閉式バンバリーミキサー）において、約120〜200℃の温度で3〜10分間にわたって混錬する。混錬処理の開始時に、シリカの分散分布を改善するために、シラン含有ブタジエン油を含むことなく、コンパウンドを1．5分間まで混錬し、その後、シラン含有ブタジエン油をコンパウンドに加えることは有利である。この全混錬処理（すなわち、混合段階）は、固体添加剤（主にシリカおよび場合によりカーボンブラック）の分散を改善するために数回繰り返すことができる。本発明によるゴムコンパウンドの場合、有利なことに、160〜180℃の温度での混錬機における1回の混合段階で十分である。その後、このようにして調製された未加硫混合物に、促進剤、硫黄、および100℃未満の融点を有する硫黄供与体などの加硫剤、場合により別の加硫剤、または加硫遅延剤を加え、密閉式バンバリーミキサーまたは混合ロールのいずれかで、120℃未満の温度で5〜30分間さらに混合し、次いで、仕上がったゴムコンパウンドを、ゴムシートとしてまたはストリップの形態で引き取る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003327755.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記構造式（１）
【化１】
2003327610.tif 000001
（ここで、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ、
１）  電子吸引基、
２）  炭素原子数１〜８のアルキル基、または、
３）  ２つのカルボニル基に対してβ位、γ位またはδ位の位置に電子吸引基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、から成る群から選択され、かつ、２つの置換基が共に前記アルキル基２）である場合には前記アルキル基２）は、メチル基又はエチル基である。）で表される化学構造を有しており、かつ、分子量が１０００以下の化合物であって、尚かつ、上記構造式（１）中に示される下記構造部分（２）
【化２】
2003327610.tif 000002
を該化合物中に質量基準で１７％〜５４％の割合で含有する化合物を主たる成分とすることを特徴とする光重合開始剤。
【請求項２】  下記構造式（３）
【化３】
2003327610.tif 000003
（ここで、Ｒ3は、それぞれ炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ５は、１価乃至５価の脂肪族炭化水素基又はアルキレンオキシ基含有脂肪族炭化水素基を示し、ｎは１〜５の自然数を表し、かつ、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ、
１）  電子吸引基、
２）  炭素原子数１〜８のアルキル基、または、
３）  ２つのカルボニル基に対してβ位、γ位またはδ位の位置に電子吸引基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基、から成る群から選択され、かつ、２つの置換基が共に前記アルキル基２）である場合には前記アルキル基２）は、メチル基又はエチル基である。）で表される化学構造を有しており、かつ、分子量が１０００以下の化合物であって、尚かつ、上記構造式（１）中に示される下記構造部分（２）
【化４】
2003327610.tif 000004
を該化合物中に質量基準で１７％〜４７％の割合で含有する化合物を主たる成分とすることを特徴とする光重合開始剤。
【請求項３】  前記構造式（１）においてＲ1及びＲ2が同一である請求項１記載の光重合開始剤。
【請求項４】  前記構造式（３）においてＲ1及びＲ2が同一である請求項２記載の光重合開始剤。
【請求項５】  前記化合物が、下記構造式（４）
【化５】
2003327610.tif 000005
で表される構造を有するものである請求項１記載の光重合開始剤。
【請求項６】  前記化合物が、
【化６】
2003327610.tif 000006
で表される構造を有するものである請求項２記載の光重合開始剤。
【請求項７】  下記構造式（６）
【化７】
2003327610.tif 000007
（Ｒ6は、炭素原子数１〜８のアルキル基、Ｃ１−４アルキルカルボニル基、シアノ基、Ｃ１−４アルキルカルボニルメチル基、Ｃ１−４アルキルカルボニルエチル基、Ｃ１−４アルコキシカルボニルエチル基、カルボキシル基又はシアノ基で置換された炭素原子数１〜８のアルキル基、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立的に水素原子又はメチル基を表す。但し、Ｒ9及びＲ10は、の少なくとも一方は水素原子である。また、Ｒ11は炭素原子数２〜１２の２価〜４価の脂肪族炭化水素基を、Ｒ12はメチル基、又は炭素原子数１〜１８のアルコキシ基を表す。ｎは２〜４の自然数を、ｍは０〜１５の整数を表す。）
で表される構造を有することを特徴とする新規化合物。
【請求項８】  （ｉ）請求項１〜６の何れか１つに記載の光重合開始剤、及び（ii）ラジカル重合性エチレン系不飽和基含有化合物を必須成分とすることを特徴とする光硬化性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】下記一般式（Ｉ）の化学構造を有する化合物又はその薬理上許容される塩若しくは誘導体、カチオン系防腐剤および塩基性アミン化合物を含有する点眼剤。
【化１】
2003327530.tif 000001
［式中、Ｒ1は、下記構造式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）、（Ｉｄ）、（Ｉｅ）又は（Ｉｆ）：
【化２】
2003327530.tif 000002
を有する基を示す］
【請求項２】請求項１において、Ｒ1が、構造式（Ｉａ）、（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）を有する基である点眼剤。
【請求項３】請求項１において、一般式（Ｉ）の化学構造を有する化合物が、下記から選択される化合物である点眼剤：
・４−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−２−プロピル−１−｛４−［２−（テトラゾール−５−イル）フェニル］フェニル｝メチルイミダゾール−５−カルボン酸、および
・２−エトキシ−１−［２’−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ビフェニル−４−イル］メチル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール−７−カルボン酸。
【請求項４】請求項１において、一般式（Ｉ）の化学構造を有する化合物が、下記化合物である点眼剤：
・ ４−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−２−プロピル−１−｛４−［２−（テトラゾール−５−イル）フェニル］フェニル｝メチルイミダゾール−５−カルボン酸。
【請求項５】請求項１乃至請求項４から選択されるいずれか１項において、カチオン系防腐剤が、第四級アンモニウム塩である点眼剤。
【請求項６】請求項５において、第四級アンモニウム塩が、塩化ベンザルコニウムまたはセトリマイドである点眼剤。
【請求項７】請求項１乃至請求項６から選択されるいずれか１項において、塩基性アミン化合物が、トロメタモール、リドカインおよびニコチン酸アミドから選ばれる少なくとも一種である点眼剤。
【請求項８】請求項１乃至請求項７から選択されるいずれか１項において、更に、ホウ酸類を含有する点眼剤。
【請求項９】請求項１乃至請求項７から選択されるいずれか１項において、更に、エチレンジアミン四酢酸類を含有する点眼剤。
【請求項１０】請求項１乃至請求項７から選択されるいずれか１項において、更に、ホウ酸類およびエチレンジアミン四酢酸類を含有する点眼剤。
【請求項１１】下記一般式（Ｉ）の化学構造を有する化合物又はその薬理上許容される塩若しくは誘導体を有効成分として含有する点眼剤であって、該有効成分が点眼基剤中に分子分散していることを特徴とする点眼剤。
【化３】
2003327530.tif 000003
［式中、Ｒ1は、下記構造式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）、（Ｉｄ）、（Ｉｅ）又は（Ｉｆ）：
【化４】
2003327530.tif 000004
を有する基を示す］
【請求項１２】請求項１１において、防腐剤としてカチオン系防腐剤を配合した点眼剤。
【請求項１３】請求項１１において、有効成分が下記から選択される化合物又はその薬理上許容される塩である点眼剤：
・４−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−２−プロピル−１−｛４−［２−（テトラゾール−５−イル）フェニル］フェニル｝メチルイミダゾール−５−カルボン酸、および
・２−エトキシ−１−［２’−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ビフェニル−４−イル］メチル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール−７−カルボン酸。
【請求項１４】請求項１１において、有効成分が下記化合物又はその薬理上許容される塩である点眼剤：
・４−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−２−プロピル−１−｛４−［２−（テトラゾール−５−イル）フェニル］フェニル｝メチルイミダゾール−５−カルボン酸。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明方法においては、層状粘土鉱物を一時的な支持体すなわち鋳型として用い、前記一般式（Ｉ）で表わされるケイ素化合物を加水分解してシリカキセロゲルを製造するが、この際用いる層状粘土鉱物としては、例えばスメクタイト、モンモリロナイト、ヘクトライト、サポナイト、バーミキュライト、タルク、パイロフィライト、雲母、マガディアイト、アイラライト、カネマイトなどの陽イオン交換能をもつ天然粘土や人工合成粘土がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
参考例２
実施例１の出発原料であるバーミキュライト及び生成物である多孔質シリカキセロゲルの化学構造の差異を示すために、両者の赤外吸収スペクトルを図２Ａ及びＢとして示す。なお、比較のためにシリカゲル市販品（和光純薬社製、「ＷＡＫＯゲルＱ−６３」）の赤外吸収スペクトルもＣとして併記した。
この図において、バーミキュライトのスペクトルの７００ｃｍ-1と１０００ｃｍ-1にみられるピークはそれぞれＳｉ−ＯとＡｌ−Ｏに基づく振動ピークである。
そして、多孔質シリカキセロゲルのスペクトルでは、７００ｃｍ-1のピークが消失しているが、これはＡｌが溶出除去されたためである。また、１０００ｃｍ-1のピークは、９５０ｃｍ-1と１１００ｃｍ-1のピークに分裂しているが、これは市販品の場合に類似していることから、バーミキュライトの層構造を形成していたＳｉＯの四面体ユニットが崩壊し、非晶質シリカに変化したためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スライバがフィードテーブルに取付けた複数の駆動されるフィードローラによってケンスから抜取られてドラフト装置のバックローラ対に送られ、さらにフィードローラが互いに異なる周速を有している練条機の如き紡績機械のドラフト装置にスライバを供給する装置において、フィードローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ；５ａ、５ｂ、５ｃ）の周速（Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６）が個別的に調節可能であり、少なくとも１つの独立の駆動装置（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）が存在していることを特徴とする練条機の如き紡績機械のドラフト装置にスライバを供給する装置。
【請求項２】  各々のフィードローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ；５ａ、５ｂ、５ｃ）に独立の駆動モータの如き駆動装置（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）が連携している請求項１記載の装置。
【請求項３】  駆動装置（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）として回転数制御された電動モータが用いられる請求項１または２記載の装置。
【請求項４】  電動モータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）に所定のモータ回転数（ｎ１〜ｎ６）を調節するための制御調節装置（４６）が連結している請求項３記載の装置。
【請求項５】  電動モータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）がサーボモータである請求項３または４記載の装置。
【請求項６】  サーボモータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）が直流モータである請求項５記載の装置。
【請求項７】  サーボモータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）が周波数制御されたかご形誘導電動機である請求項５記載の装置。
【請求項８】  モータ回転数（ｎ１〜ｎ６）の無段調節が設けられている請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】  電子制御調節装置（４６）がモータ回転数（ｎ１〜ｎ６）に対する目標値設定器を有している請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】  モータ回転数（ｎ１〜ｎ６）に対する目標値設定器に記憶部材（４７）および／または測定部材が連携している請求項９記載の装置。
【請求項１１】  記憶部材（４７）が加工された繊維材料に関するデータを含んでいる請求項１０記載の装置。
【請求項１２】  測定部材が練条機に配置されている請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】  スライバ（３ａ〜３ｎ）のドラフトに対する少なくとも１つの測定部材（５０）が設けられている請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】  種々のケンス列（１′ａ、１′ｂ、１′ｃもしくは１″ａ、１″ｂ、１″ｃ）のための互いに共軸に配置された２つのフィードローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ；５ａ、５ｂ、５ｃ）に対する駆動モータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）が存在している請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】  駆動モータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）とフィードローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ；５ａ、５ｂ、５ｃ）との間に伝動部材が配置されている請求項１４記載の装置。
【請求項１６】  駆動モータとフィードローラとの間にギアなどの伝動装置（５１）が配置されている請求項１４記載の装置。
【請求項１７】  駆動モータ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）として、ドラムモータやロータモータなどの内蔵モータが設けられている請求項１４から１６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１８】  内蔵モータにおいて内側に位置する回転子（１５）が外側に位置する固定子（１６）によって囲まれている請求項１から１７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１９】  内蔵モータにおいて内側に位置する固定子が外側に位置する回転子によって囲まれている請求項１から１７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２０】  モータの外側に位置する回転子が中空円筒の形をしたフィードローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ；５ａ、５ｂ、５ｃ）として用いられている請求項１から１７までのいずれか１項記載の装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリンダの如きローラの回転方向に沿って前後して配置された２個のカーディング部材と該カーディング部材を支持する支持体から成り、カードのローラに対向して所定位置に配置された少なくとも１個のカーディングセグメントであって、該カーディング部材の針布とローラの針布とが互いに向き合っており、且つローラに対する位置が調節可能なカーディングセグメントにおいて、前記２個のカーディング部材（１９ａ、１９ｂ）が、ローラの回転軸線（４ｃ）に平行に配置されたカーディング部材（１９ａ、１９ｂ）の回動軸線（２０、２３）を中心として一緒に回動可能（Ａ、Ｂ：Ｃ、Ｄ）に配置されており、カーディング部材（１９ａ、１９ｂ）の針布（１９′ａ、１９′ｂ）とローラの針布（４ｂ）との間の間隔（ａ、ｂ）が調節可能であることを特徴とする、カードのシリンダの如きローラに少なくとも１個固定して配置したカーディングセグメント。
【請求項２】  ２個のカーディング部材（１９ａ、１９ｂ）が支持体（１８）内部で一緒に回動可能に配置されている、請求項１記載のカーディングセグメント。
【請求項３】  ２個のカーディング部材（１９ａ、１９ｂ）が支持体（１８）と一緒に回動可能に配置されている、請求項１または２記載のカーディングセグメント。
【請求項４】  カーディング部材（１９ａ、１９ｂ）が固定面（２７ａ、２７ｂ）を基準にして回動可能に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項５】  支持体（１８）が回動可能に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項６】  回動軸線（２０）がカーディング部材（１９ａ、１９ｂ）の間の中線に対応している、請求項１から５までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項７】  回動軸線（２０）がカーディング部材（１９ａまたは１９ｂ）の端部範囲に対応している、請求項１から５までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項８】  支持体（１８）の一方の端部に回動調節装置が配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項９】  回動調節装置が少なくとも１つの調節ねじ（３４１、３４２）を有している、請求項８記載のカーディングセグメント。
【請求項１０】  支持体（１８）に少なくとも１つの回動継手（３２ａ、３３ａ；３２ｂ、３３ｂ）が付属している、請求項１から９までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項１１】  回動継手が可動の湾曲した面（３２ａ、３２ｂ）を有しており、この面が位置固定の湾曲した面（３３ａ、３３ｂ）と係合している、請求項１０記載のカーディングセグメント。
【請求項１２】  回動継手（３２ａ、３３ａ；３２ｂ、３３ｂ）が支持体（１８）の長手方向中軸線に対応している、請求項１０または１１記載のカーディングセグメント。
【請求項１３】  少なくとも１つの調節ねじ（３４１、３４２）が開口部で支持体（１８）に対するプレート（２４ｂ″）を貫通している、請求項１から１２までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項１４】  少なくとも１つの調節ねじ（３４１、３４２）が位置固定の支承部材（２７ｂ）上に支持されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項１５】  調節ねじ（３４１、３４２）の支持端部がボール状に形成されている、請求項１３または１４記載のカーディングセグメント。
【請求項１６】  少なくとも１つの調節ねじ（３４１、３４２）がカウンターナット（３５１、３５２）を有している、請求項１３から１５までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項１７】  支持体（１８）が両端部でそれぞれ固定ねじ（２８ａ、２８ｂ）などの固定部材によって位置固定の支承部材（２７ａ、２７ｂ）に取り付けられている、請求項１から１６までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項１８】  ねじ（２６ｂ）が支持体（１８）と支承部材（２７ａ、２７ｂ）との間の間隔を調節できる、請求項１から１７までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項１９】  支持体（１８）が位置固定可能である（２４ａ′、２５ａ；２４ｂ′、２５ｂ）、請求項１から１８までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２０】  カーディング部材（２２ａ、２２ｂ）が位置固定可能である、請求項１から１９までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２１】  テーカイン（３ｃ）と後部フラット転向ローラ（１３ａ）との間の前側カーディング区域に少なくとも１つのカーディングセグメントが配置されている、請求項１から２０までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２２】  ドッファ（５）と前部フラット転向ローラ（１３ｂ）との間の後側カーディング区域に少なくとも１つのカーディングセグメント（１７；１９ａ、１９ｂ）が配置されている、請求項１から２１までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２３】  ドッファ（５）とテーカイン（３ｃ）との間の下側カーディング区域に少なくとも１つのカーディングセグメント（１７；１９ａ、１９ｂ）が配置されている、請求項１から２２までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２４】  カードのシリンダに固定フラット部材のみが付属しており、シリンダ（４）に複数のカーディングセグメント（１７；１９ａ、１９ｂ）が存在している、請求項１から２３までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２５】  少なくとも１つの端部範囲にねじ（２６ａもしくは２６ｂ）が設けられており、このねじによってセグメント（１７）のそれぞれ対応している端部範囲でカーディング部材（１９ａ、１９ｂ）の針布（１９′ａ、１９′ｂ）とシリンダ（４）の針布（４ｂ）との間の間隔が全幅にわたって調節可能である、請求項１から２４までのいずれか１項記載のカーディングセグメント。
【請求項２６】  ねじ（２６ａ、２６ｂ）にカウンターナット（３６ａもしくは３６ｂ）が付属している、請求項２５記載のカーディングセグメント。
【請求項２７】  ねじ（２６ａ）にプレート（２４ｂ″）のための少なくとも１つのロックナット（３７）が付属している、請求項２５または２６記載のカーディングセグメント。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  上下に相前後して接続して配置されて繊維材料が装入される２個のホッパと、該２個のホッパの下流に配置された計量装置から成り、上側のホッパの下端部は少なくとも１個の低速回転する送出しローラによって閉じられ、下側のホッパの下端部は少なくとも１個の制御可能な遮断フラップによって閉じられ、前記少なくとも１個の送出しローラの下流に高速回転する開繊ローラが配置されている綿花または化学繊維の如き繊維材料を供給および計量する装置において、送出しローラ（５）がフィードローラとしてディッシュプレート（６）と協働するように配置され、且つ開繊ローラ（７）が送出しローラ（５）とディッシュプレート（６）との間の把持間隙の出口に直接配置されていることを特徴とする綿花および化学繊維の如き繊維を供給および計量するための装置。
【請求項２】  送出しローラ（５）の回転方向（５ａ）が反転可能である請求項１記載の装置。
【請求項３】  運転時に送出しローラ（５）の回転方向（５ａ）と開繊ローラ（７）の回転方向（７ｂ）とが互いに反対に向けられている請求項１または２記載の装置。
【請求項４】  開繊ローラ（７）が複数のピン（７ａ）を備えており、これらのピン（７ａ）の間に、幅方向に見て隙間が存在している請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】  開繊ローラ（７）が４００〜６００ｍ／ｓｅｃの周速を有している請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】  開繊ローラ（７）が２００〜３００ｍｍの直径を有している請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】  送出しローラ（５）の周速が調節可能である請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】  繊維混合物を製造するために、本発明の繊維を供給および計量する装置が複数個配置されている請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】  ディッシュプレート（６）が位置固定である請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】  ディッシュプレート（６）が、ばねの如き付勢手段によって負荷されて可動である請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】  送出しローラ（５）とディッシュプレート（６）との間の把持間隙の大きさが調節可能である請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】  送出しローラ（５）が針布（５ａ）を有している請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】  送出しローラ（５）の周速が１〜２ｍ／ｍｉｎである請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  側鎖に有機基を有するノルボルネン系重合体であって、該重合体のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００であり、側鎖の有機基が、炭素原子数を３〜３０個含有して且つカルボキシル基及び少なくとも１つのその他の極性基をそれぞれ含有するものであることを特徴とするノルボルネン系重合体。
【請求項２】  側鎖の有機基中のその他の極性基が酸素、窒素、硫黄から選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を含有する極性基である請求項１記載のノルボルネン系重合体。
【請求項３】  側鎖の有機基中のその他の極性基がエステル結合又はアミド結合を有するものである請求項１又は２いずれかに記載のノルボルネン系重合体。
【請求項４】  請求項１乃至３いずれかに記載のノルボルネン系重合体を主要成分とする接着用樹脂。
【請求項５】  ノルボルネン系重合体に、ラジカル発生剤存在下で炭素−炭素不飽和結合を有する無水カルボン酸を反応させた後に、活性水素を有する化合物を反応させることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のノルボルネン系重合体の製造方法。
【請求項６】  ノルボルネン系重合体に、ラジカル発生剤存在下で炭素−炭素不飽和結合を有する無水カルボン酸を反応させた後に、活性水素を有する化合物のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を反応させ、次いで、加水分解することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のノルボルネン系重合体の製造方法。
【請求項７】  活性水素を有する化合物が、ヒドロキシル基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基及びスルホキシル基の群から選ばれる少なくとも一種の極性基を有するものである請求項５乃至６いずれかに記載のノルボルネン系重合体の製造方法。
【請求項８】  請求項１乃至３いずれかに記載のノルボルネン系重合体又は請求項４に記載の接着用樹脂を有機溶媒に溶解または分散させてなるワニス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エポキシ−アクリルハイブリッドエマルションの製造方法であって、前記方法は、
（Ｉ）水及びモノマーの総重量に基づいて０．１〜５重量％の少なくとも１種の界面活性剤の存在において、少なくとも１種のアクリレートモノマーを用いてポリエポキシドを溶解させて混合物を形成させること、そこで、前記ポリエポキシドは３００〜１０，０００の分子量を有し、前記アクリレートモノマーは、式
【化１】
1999286504.tif 000001
（式中、Ｒ1 は水素またはメチルで、Ｒ2 は、水素、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基及び１〜４個の炭素原子を有するヒドロキシアルキル基からなる群から選択される）を有するものである、
（II）室圧４２２Kg／cm2 （６，０００psi ）〜１０５５Kg／cm2 （１５，０００psi ）を有するミクロ流動化装置またはホモジナイザー中で前記混合物をミクロ流動化または均質化させて、プレエマルションを形成させること、そこで、前記ポリエポキシド及びアクリルモノマーの液滴の当初の直径は１〜１０ミクロンから０．０１〜０．５ミクロンまで低下されるものである、及び
（III）前記プレエマルションを、フリーラジカル重合触媒の存在において、３０℃〜１００℃の温度で重合させて安定なエポキシ−アクリルハイブリッドエマルションを形成させること、そこで、前記ポリエポキシドはエマルション中の総樹脂固形分に基づいて２０〜９５重量％の量で存在する、
を含む前記製造方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法であって、前記ポリエポキシドがアクリルモノマー中に溶解されて液体混合物を与え、該混合物が界面活性剤及びフリーラジカル重合触媒を含有する水に増分的に添加され、重合温度まで加熱される、前記方法。
【請求項３】  エポキシ−アクリルハイブリッドエマルションの製造方法であって、前記方法は、
（Ｉ）水及びモノマーの総重量に基づいて０．１〜５重量％の少なくとも１種の界面活性剤の存在において、少なくとも１種のアクリレートモノマーとカルボキシルモノマーを用いて、ポリエポキシドを溶解させて混合物を形成すること、そこで、前記ポリエポキシドは３００〜１０，０００の分子量を有し、前記アクリレートモノマーは、式
【化２】
1999286504.tif 000002
（式中、Ｒ1 は水素またはメチルで、Ｒ2 は、水素、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基及び１〜４個の炭素原子を有するヒドロキシアルキル基からなる群から選択される）を有するものである、
（II）前記混合物を室圧４２２Kg／cm2 （６，０００psi ）〜１０５５Kg／cm2 （１５，０００psi ）を有するミクロ流動化またはホモジナイザー中でミクロ流動化または均質化させて、プレエマルションを形成させること、及び
（III）前記プレエマルションをフリーラジカル重合触媒の存在において、３０℃〜１００℃の温度で重合させて安定なエポキシ−アクリルハイブリッドエマルションを形成させること、そこで、前記ポリエポキシドはエマルション中の総樹脂固形分に基づいて３０〜９５重量％の量で存在する、
を含む前記方法。
【請求項４】  前記ポリエポキシドがビスフェノールＡのジグリシジルエーテル及びビスフェノールＦのグリシジルエーテルからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記ポリエポキシドの分子量が３５０〜４，０００である請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記ポリエポキシドが前記エマルション中の総樹脂固形分に基づいて５１〜９０重量％の量で存在する請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記ミクロ流動化装置またはホモジナイザーが５６２Kg／cm2 （８，０００psi ）〜８４４Kg／cm2 （１２，０００psi ）の室圧を有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記ポリエポキシド及びアクリレートモノマーが水中で液滴を形成し、そこで、前記液滴の平均直径が、ミクロ流動化または均質化の前に１〜１０ミクロンである請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記液滴の平均直径が、ミクロ流動化または均質化の間に１ミクロン未満まで低下される請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  ハウジングと、
ハウジング内に、軸線に沿って当該ハウジング内において横断変位するように摺動自在に支持されており、一方の側面に歯を有したラックバーと、
ラックバーの歯と駆動的に噛み合う歯を有して、ハウジング内に回転自在に支持されており、回転により軸線に沿ってラックバーを横断的に変位させるピニオンと、
ハウジング内に、ラックバーの歯と実質的に対向するラックバーの側面に向かって動くように摺動自在に配されており、二つの対向した軸受け面を規定して、ラックバーに向かって開口している開口を有した支持ヨークと、
支持ヨークをラックバーに向かって偏倚させて、ハウジングと支持ヨークとの間に配されているバネと、
軸受け面の一つに近接して位置した大径側面を有する実質的に円錐形であり、該軸受け面の一つに回転自在に配されて、ラックバーと正接係合している第一分割ローラ部と、
軸受け面の他の一つに近接して位置した大径側面を有する実質的に円錐形であり、該軸受け面の他の一つに回転自在に配されて、ラックバーと正接係合している第二分割ローラ部とを含む分割ローラと、
ローラ部の夫々に形成されたボア内に配された低摩擦ラジアル軸受けと、
ローラ部と支持ヨークの軸受け面との間に軸線方向に配された低摩擦スラスト軸受けとを具備し、
バネは、分割ローラをラックバーに対して押圧するように支持ヨークに対して作用し、ローラ部間に隙間を規定し、スラスト軸受けを支持ヨークの軸受け面に対して押圧するように、分割ローラの当該ローラ部をお互いから離反させる自動車用ステアリングギア。