Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンとα−オレフィンの（共）重合用の触媒の形成に用いることのできる、以下の式（ＩＩ）をもつメタロセン錯体：
【化１】
2000038409.tif 000001
［式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムから選ばれる金属を示し、
Ａ’とＡ”はそれぞれ独立して、金属Ｍに配位している、アニオン性のη５ −シクロペンタジエニル環を含む有機基を示し、
Ｒ’とＲ”はそれぞれ独立して、金属Ｍとσ結合しているアニオン性の基を示し、
Ｂは、水素とは異なる不飽和原子により、Ａ’基の環、及び−ＣＨ２ −メチレン基とそれぞれ結合している、炭素数が１〜３０の二価の不飽和有機残基を示す］。
【請求項２】
該二価の有機残基「Ｂ」が、炭素数が６〜２０のオルト−フェニレン基、もしくは炭素数が１０〜２０のペリ−ナフタリン基から選ばれるものである、請求項１に記載の錯体。
【請求項３】
式（ＩＩ）のＲ’基とＲ”基のそれぞれが独立して、水素化合物、ハロゲン化物、Ｃ１ 〜Ｃ２０アルキルもしくはアルキルアリール基、Ｃ３ 〜Ｃ２０アルキルシリル基、Ｃ５ 〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ６ 〜Ｃ２０アリールもしくはアリールアルキル基、Ｃ１ 〜Ｃ２０アルコキシルもしくはチオアルコキシル基、Ｃ１ 〜Ｃ２０カルボキシレートもしくはカルバメート基、Ｃ２ 〜Ｃ２０ジアルキルアミド基、及び  Ｃ４ 〜Ｃ２０アルキルシリルアミド基から選ばれるものである、請求項１または２に記載の錯体。
【請求項４】
互いに接触している少なくとも以下の二つの成分からなる、エチレンと他のα−オレフィンの（共）重合用の触媒：
（ｉ）請求項１〜３のいずれか一項に記載の、少なくとも一種のメタロセン錯体、及び
（ｉｉ）周期表の第２族、第３族、もしくは第４族の元素から選ばれる、炭素ではない
元素Ｍ’の少なくとも一種の有機化合物からなる助触媒。
【請求項５】
成分（ｉｉ）中の該元素Ｍ’が、硼素、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、ガリウム、及び錫ら選ばれるものである、請求項４に記載の触媒。
【請求項６】
該成分（ｉｉ）が高分子量のアルミノキサンであって、式（ＩＩ）をもつ錯体中の金属Ｍとアルミノキサン中のＡｌの原子比が１００〜５，０００である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項７】
該成分（ｉｉ）が、式（ＩＩ）をもつ錯体と反応して、この錯体からσ−結合しているＲ’基、もしくはＲ”基を引き抜いて、一方で少なくとも一種の中性の化合物を生成し、他方で、金属Ｍを含むメタロセンカチオンと、金属Ｍ’を含む非配位有機アニオンとからなるイオン化合物（負の電荷は多中心構造上に非局在化している）を生成することができる、Ｍ’の少なくとも一種の有機金属化合物、もしくはその混合物からなるものである、請求項４または５に記載の触媒。
【請求項８】
成分（ｉｉ）中の金属Ｍ’と成分（ｉ）中の金属Ｍの原子比が１〜６である、請求項７に記載の触媒。
【請求項９】
該成分（ｉｉ）が、以下の式の内の一つをもつ化合物の群から選ばれるイオン電離化合物からなるものである、請求項７または８に記載の触媒。
【化２】
2000038409.tif 000002
式中、下付文字「ｘ」は０〜３の整数であり、
ＲＣ 基はそれぞれ独立して、炭素数が１〜１０のアルキル基、もしくはアリール基を示し、また
ＲＤ 基はそれぞれ独立して、炭素数が６〜２０の、部分的に、もしくは全体的にフッ素化されたアリール基を示す。
【請求項１０】
低圧（０．１〜１．０ＭＰａ）、中圧（１．０〜１０ＭＰａ）、もしくは高圧（１０〜１５０ＭＰａ）で、２０〜２４０℃の温度で、必要に応じて不活性希釈剤の存在下で、一つ、もしくはそれ以上の工程で、連続的に、またバッチでエチレン、もしくはα−オレフィンを（共）重合させる方法であって、少なくともエチレン、もしくは少なくとも一種のα−オレフィンを、上記の内の一つの条件下で、請求項４〜９のいずれか一項に記載の触媒と接触させることを特徴とする方法。
【請求項１１】
エチレンを、炭素数が３〜１０の少なくとも一種のα−オレフィンと共重合させる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に於ける式（ＩＩ）をもつ錯体の形成にリガンドとして用いることのできる、以下の一般式（ＩＶ）をもつビス−シクロペンタジエニル化合物：
【化３】
2000038409.tif 000003
［  式中、Ｂは、水素とは異なる不飽和原子により、Ａ’基の環、及び−ＣＨ２ −メチレン基とそれぞれ結合している、炭素数が１〜３０の二価の不飽和有機残基を示し、また
Ａ’Ｈ基とＡ”Ｈ基はそれぞれ独立して、以下の式（ＩＶ−２(bis)）により表すことのできるシクロペンタジエニル環を含む中性の有機基を示す］、
【化４】
2000038409.tif 000004
［式中、置換基Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 、及びＲ４ は、それぞれ独立して、水素；ハロゲン；又は炭素、及び水素とは異なる一種、もしくはそれ以上のヘテロ原子を必要に応じて含む脂肪族もしくは芳香族Ｃ１ 〜Ｃ２０ヒドロカルビル基を示すか、或いは
置換基Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 、及びＲ４ は、互いに隣り合ういずれか少なくとも二つが互いに結合して、シクロペンタジエニル環の結合を含む飽和もしくは不飽和Ｃ４ 〜Ｃ２０環状構造を形成していて、該構造が上で具体的に述べたヘテロ原子の内の一つ、もしくはそれ以上を必要に応じて含み、
環の中心に示されている水素原子は、シクロペンタジエニル環のどの炭素原子とも同じように結合しており、また
点で描かれた円は、シクロペンタジエニル環の残りの四つの原子上の二つの共役二重結合を図式的に示す］。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸線を有する主軸と；
主軸上で共に回転するよう設けられたプーリーハブとファンハブと；
ファンハブに調整可能なピッチを有するように設けられた複数のファンブレードと；
主軸に設けられファンブレードのピッチ調整をなすためにファンブレードを相互接続するピッチシフタと；
ファンブレードにより発生されるトルクと反対の向きのトルクを発生する位置で各ファンブレードに設けられた釣合重りと
からなる可変ピッチファン。
【請求項２】  各ファンブレードはコードを有し、釣合重りはコードに垂直に設けられる請求項１記載の可変ピッチファン。
【請求項３】  釣合重りはブレードをバランス不足にする請求項１記載の可変ピッチファン。
【請求項４】  釣合重りはブレードをバランスさせる請求項１記載の可変ピッチファン。
【請求項５】  釣合重りはブレードをバランス過度にする請求項１記載の可変ピッチファン。
【請求項６】
軸線を有する主軸と；
主軸上で共に回転するよう設けられたプーリーハブと筐体とファンハブと；
ファンハブに調整可能なピッチを有するように設けられた複数のファンブレードと；
主軸から軸方向に延在するピストン軸とシリンダーの一つと、その他のピストン軸とシリンダーを構成する主軸の一部分と；
シリンダー及びピストン軸の一つに設けられたピッチシフタと；
ピストン軸とシリンダーとの間の相対的な回転運動を防ぐ止め具とからなり、ピッチシフタはシリンダーとピストン軸の一つの軸方向の動きをファンブレードのピッチ変化に変換するシリンダーとピストン軸とファンブレードの一つを相互接続する可変ピッチファン。
【請求項７】  止め具はピストン軸の円形でない外面により形成される請求項６記載の可変ピッチファン。
【請求項８】  主軸はシリンダーを画成するボアを有し、ピストン軸の円形でない外面は主軸の円形でない面により受容される請求項７記載の可変ピッチファン。
【請求項９】  筐体は軸受上の主軸で回転運動をするよう設けられ、軸受用の潤滑剤はピストン軸を通して通路により供給される請求項８記載の可変ピッチファン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ａ）送込みコンベア領域と、少なくとも１つの中間コンベア領域と、送出しコンベア領域を含み、これら各領域が少なくとも１つの駆動ローラと複数の従動ローラを有し、該駆動ローラがクラッチ機構によって駆動体に連結されてなる複数のコンベア領域と、
ｂ）前記それぞれの領域において物品の存在の有無を検出することができるように設けられた各領域のセンサと、
ｃ）各領域のクラッチ機構と連結されて各領域に設けられたソレノイドと、
ｄ）前記クラッチ機構の作動によって該領域のローラ動作を可能とするとともに該クラッチ機構の不作動によって該領域のローラ動作を阻止するように動作する各領域のクラッチ機構を、各領域のスペース内における物品の存在の有無及び下流側の領域のスペース内における物品の存在の有無に基づいて、電気的に作動又は不動作とするために、前記ソレノイドを励磁又は消磁するリレーと、
を備えてなる集積コンベア制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車体／クローラーの組立体であって、
第１の端部を備えた第１のビームと、第１の端部を備えた第２のビームとを備える車体と、
前記第１のビームの第１の端部に取り付けられた第１のクローラー組立体とを有し、該第１のクローラー組立体が、前記第１のビームに対して単一の線形経路に沿って移動するように束縛され、
前記第１のクローラー組立体に直接接触し、前記第１のクローラー組立体と前記第２のビームの第１の端部の両方に取り付けられた第２のクローラー組立体とを有する、
から成る車体／クローラーの組立体。
【請求項２】  前記第１のクローラー組立体は、中央フレームと、該中央フレームの第１の側部に設けられた前記第１のクローラートラックと、前記中央フレームの前記第１の側部と反対側の第２の側部に設けられた第２のクローラートラックとを有する、請求項１記載の車体／クローラーの組立体。
【請求項３】  前記第１のクローラー組立体は、前記第２のクローラー組立体と整合され、前記単一の線形経路に沿った方向に束縛された、請求項１記載の車体／クローラーの組立体。
【請求項４】  車体／クローラーの組立体であって、
第１の端部を備えた第１のビームと、第１の端部を備えた第２のビームとを備える車体と、
前記第１のビームの第１の端部に取り付けられた第１のクローラー組立体とを有し、
前記第１のクローラー組立体に直接接触し、前記第１のクローラー組立体と前記第２のビームの第１の端部の両方に取り付けられた第２のクローラー組立体と、
水平方向雌型部材と、
前記第１のクローラー組立体を第２のクローラー組立体に連結するように、前記水平方向雌部材を通って延びる雄型アタッチメント装置とを有し、
該雄型アタッチメント装置と前記水平方向雌型部材とは、前記第１のクローラー組立体及び第２のクローラー組立体がこれらの動作位置から５°〜４５°の角度範囲で互いに対して位置決めされたときに前記雄型アタッチメント装置が前記雌型部材を通って延びるようにする協働形状を備える、
車体／クローラーの組立体。
【請求項５】  前記雌型部材が細長い開口部を有し、前記固定ピボット点要素が、面取りされた形状を持った端部を備えた、垂直方向に延びたピンを有する、請求項４記載の車体／クローラーの組立体。
【請求項６】  第１のクローラー組立体と、該第１のクローラー組立体に取り付けられた第２のクローラー組立体とを有し、該第２のクローラー組立体のかなりの部分が前記第１のクローラー組立体の走行方向と整合され、交わるように束縛されている、クローラー。
【請求項７】  前記第１のクローラー組立体が前記第２のクローラー組立体の走行方向と整合されている、請求項６記載のクローラー。
【請求項８】  水平方向雌型部材と、
動作位置において前記第１のクローラー組立体を第２のクローラー組立体に連結するように、前記水平方向雌部材を通って延びる雄型アタッチメント装置とを有し、前記動作位置では、前記第２のクローラー組立体のかなりの部分が前記第１のクローラー組立体の前記走行方向と整合され、交わるように束縛され、
前記雄型アタッチメント装置と前記水平方向雌型部材とは、前記第１のクローラー組立体及び第２のクローラー組立体が前記動作位置から５°〜４５°の角度範囲で互いに対して位置決めされたときに前記雄型アタッチメント装置が前記雌型部材を通って延びて、前記第１のクローラー組立体のトラックが、作動時に前記第１のクローラー組立体に並進運動を提供する面に係合することができないようにする、協働形状を備える、
請求項６記載のクローラー。
【請求項９】  第１のクローラー組立体を第２のクローラー組立体に組み付ける方法であって、
第１のクローラー組立体を第２のクローラー組立体に隣接して位置決めし、
前記第１のクローラー組立体のかなりの部分が前記第２のクローラー組立体の走行方向と整合され、交わるように、前記第１のクローラー組立体を前記第２のクローラー組立体に取り付けることを含む、
方法。
【請求項１０】  前記位置決め工程が、前記第１のクローラー組立体を前記第２のクローラー組立体に対して或る角度に位置決めし、
前記第１のクローラー組立体を前記第２のクローラー組立体に対して回動させることを含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】  前記クローラー組立体が垂直方向ピンを有し、前記第２のクローラー組立体は、前記垂直方向ピンに係合する開口部を備えるアタッチメント装置を有し、
前記位置決め工程が、
前記開口部の長手方向軸線が前記垂直方向ピンの垂直軸線に対して０°〜４５°の角度をなすように前記第２のクローラー組立体を位置決めし、
前記開口部が前記垂直方向ピンに係合するように前記第２のクローラー組立体を下降させ、
前記係合が行われた前記第２のクローラー組立体を引き続き下降させて、前記第２のクローラー組立体を回転係合させてこれを前記第１のクローラー組立体に対する動作整合位置に配置することを含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１２】  フレームと、該フレームに取り付けられた巻上ドラムとを有する、クローラークレーン用マスト。
【請求項１３】  前記巻上ドラムが前記フレーム内に配置された、請求項１２記載のマスト。
【請求項１４】  ワイヤロープシステムを備えたフレームを有するクローラークレーンを分解する方法であって、
ワイヤロープシステムを取り外すことなしに、前記フレームを前記クローラークレーンから取り外すし、
前記フレームを所定場所に輸送することを含む、
方法。
【請求項１５】  ワイヤロープシステムを取り外すことなしに、前記フレームの一部を取り外すことを含む、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この課題は、
a)  アルカリ金属水酸化物及び／またはアルカリ土類金属水酸化物の存在下に単  体黄燐とハロゲン化アルキルとを反応させ、アルキル亜ホスホン酸の、亜リン  酸の及び次亜リン酸のアルカリ金属塩及び／またはアルカリ土類金属塩を主成  分として含む混合物を成形させ、
b)  上記a)によって得られる混合物からアルキル亜ホスホン酸を除去し、
c)  このアルキル亜ホスホン酸をエステル化する、
ことを特徴とする、冒頭に述べたタイプの方法によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アルミナ系微粒子、研磨促進剤および水を含有し、該アルミナ系微粒子のα化率が６５〜９０％で比表面積が３０〜８０ｍ２／ｇであることを特徴とする半導体装置用金属膜研磨スラリー。
【請求項２】  該アルミナ系微粒子がアルミナ水和物を含む請求項１に記載の金属膜研磨スラリー。
【請求項３】  該アルミナ系微粒子の最大粒子径が、１．０μｍ以下である請求項１または２に記載の半導体装置用金属膜研磨スラリー。
【請求項４】  該アルミナ系微粒子の平均粒子径が、０．０５〜０．５μｍである請求項１または２に記載の半導体装置用金属膜研磨スラリー。
【請求項５】  該アルミナ系微粒子の濃度が、０．５〜２０重量％である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用金属膜研磨スラリー。
【請求項６】  研磨促進剤が、無機系研磨促進剤であり、その添加量が２〜７wt％である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用金属膜研磨スラリー。
【請求項７】  研磨促進剤が、有機系研磨促進剤であり、その添加量が０．１〜５wt％である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用金属膜研磨スラリー。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置用金属膜研磨スラリーを、金属膜と絶縁膜とを有する半導体基板に供給し、金属膜を化学的機械研磨する工程を含む半導体装置の研磨方法。
【請求項９】  金属がタングステン、アルミニウムまたは銅である請求項８に記載の半導体装置の研磨方法。
【請求項１０】  絶縁膜の研磨レートに対する金属膜の研磨レートの比を１９０以上で研磨する請求項８または９に記載の半導体装置の研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（ａ）〜（ｃ）を含んでなることを特徴とする低ＶＯＣコーティング組成物。
（ａ）平均エポキシド官能性が＞１であるエポキシ官能性樹脂成分、
（ｂ）アミン官能性が＞１である脂肪族アミンまたは脂肪族ブロックドアミン官能性成分、および
（ｃ）分子量が＜１０００であり、アセトアセトネート官能性が≧１であるアセトアセトネート官能性オリゴマー。
【請求項２】
アミン成分が、ポリアミドアミン、ポリアミン、ケチミンおよびアルジミンからなる群から選択される、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項３】
顔料をさらに含有する、請求項１または２に記載のコーティング組成物。
【請求項４】
触媒をさらに含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコーティング組成物。
【請求項５】
可塑剤をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のコーティング組成物。
【請求項６】
下記（ａ）〜（ｃ）を含んでなることを特徴とする低ＶＯＣコーティング組成物。
（ａ）平均エポキシド官能性が＞１であるエポキシ官能性樹脂成分、
（ｂ）アミン官能性が＞１である脂肪族アミンまたは脂肪族ブロックドアミン官能性成分、および
（ｃ）分子量が＜１０００であり、アセトアセテート官能性が≧１であるアセトアセトネート官能性オリゴマー。
【請求項７】
アミン成分が、ポリアミドアミン、ポリアミン、ケチミンおよびアルジミンからなる群から選択される、請求項６に記載のコーティング組成物。
【請求項８】
顔料をさらに含有する、請求項６または７に記載のコーティング組成物。
【請求項９】
触媒をさらに含有する、請求項６〜８のいずれか１項に記載のコーティング組成物。
【請求項１０】
可塑剤をさらに含有する、請求項６〜９のいずれか１項に記載のコーティング組成物。
【請求項１１】
コーティング組成物の慣用の成分をさらに含んでなる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のコーティング組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】式（Ｉａ）
【化１】
2000038521.tif 000001
のジアニリノテレフタル酸をポリリン酸またはポリリン酸エステルによって環化し、次いでキナクリドンとポリリン酸またはポリリン酸エステルを含む該閉環混合物を加水分解することによる、式（Ｉ）
【化２】
2000038521.tif 000002
〔式中、同じまたは異なる置換基Ｒ１及びＲ２は、水素原子、塩素原子、臭素原子もしくはフッ素原子であるか、Ｃ１−Ｃ６−アルキル基によって置換され得るＣ１−Ｃ４−アルキル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシもしくはカルボキサミド基であるか、フェノキシ環であるか、または、別の芳香族の環、脂肪族の環もしくは複素環と融合し得るＣ６−Ｃ１０−アリール環である〕で表される、未置換のまたは置換された直鎖状キナクリドンを基材とする顔料、混晶顔料及び顔料調製物の製造方法であって、
キナクリドンとポリリン酸またはポリリン酸エステルを含む該閉環混合物を、得られる加水分解混合物中のオルトリン酸の最終濃度が５０重量％以上になる量の水または水性オルトリン酸に計量添加することを特徴とする方法。
【請求項２】  最終オルトリン酸濃度が７５〜９８重量％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  ５０〜９５重量％、好ましくは７５〜９０重量％の濃度の水性オルトリン酸を用いて加水分解を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  加水分解混合物中のオルトリン酸の濃度勾配が毎分１０％を上回るように計量添加することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】  加水分解を、水性オルトリン酸または水の凍結温度〜２００℃の範囲、好ましくは２０〜１５０℃の範囲の温度で行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】  加水分解をスタティックミキサーまたは機械的ミキサー中で行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】  計量添加の終了後に、リン酸を含有する加水分解混合物を２０〜２００℃、好ましくは５０〜１７５℃の温度で後処理することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】  加水分解後に、水性媒体、水性−有機性媒体もしくは有機性媒体中で仕上げ処理を行うか、または、加水分解後に、得られた粗結晶質の未精製顔料を好ましくは乾式または湿式の粉砕によって微細分割し、所望の場合には仕上げ処理を行うことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】  当該方法の所望の任意の時点で有機溶媒、界面活性剤及び／または顔料分散剤を添加することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】  粉砕スペース１リットルあたり２．５ｋＷを上回る出力密度を有しているボールミルを使用し、１ｍｍ未満の直径をもつ粉砕媒体の作用下に１２ｍ／秒を上回る撹拌器先端速度で、液体媒体、水性媒体、水性−有機性媒体又は有機性媒体中の粗結晶質顔料を所望の微細分割度まで湿式粉砕することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  仕上げ処理をアルカノールまたはカルボキサミドと共に行うことを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】  仕上げ処理を５０〜２００℃の温度で１〜２４時間行うことを特徴とする請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】  当該方法中の所望の任意の時点に、１種以上の式（ＩＩ）
Ｐ−Ｘｍ                                （ＩＩ）
〔式中、
Ｐは、同じまたは異なるＲ１及びＲ２が水素原子またはメチル基を表す式（Ｉ）の直鎖状キナクリドンのｍ価の基であり、
Ｘは、式（ＩＩＩ）
−ＣＯＯＭ                            （ＩＩＩ）
の基、または、式（ＩＶ）
−ＳＯ３Ｍ                              （ＩＶ）
の基を表し、Ｍは、水素イオンＨ＋を表すか、または、当量のｒ価の金属カチオンＭｒ＋／ｒ（ここで、ｒは１、２及び３の数のいずれかである）を表すか、または、Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６（ここに置換基Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに独立に各々が、ヒドロキシル、ジ（Ｃ１−Ｃ４−アルキル）アミノ、カルボキシルもしくはカルボキサミド基によって置換され得る水素原子、Ｃ１−Ｃ３０−アルキル、Ｃ２−Ｃ３０−アルケニルもしくはＣ５−Ｃ３０シクロアルキル基を表す）の構造を有するアンモニウムイオンを表すか、または、式−（ＣＨＲ１４−ＣＨ２−Ｏ−）ｋ−Ｈ（ここにＲ１４は水素またはＣ１−Ｃ４−アルキルを表し、ｋは１〜３０の数を表す）のポリオキシアルキレン基を表すか、あるいは、
Ｘは、式（Ｖ）
【化３】
2000038521.tif 000003
の基を表し、ここにＲ８及びＲ９は互いに独立に各々が、水素原子、Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ２−Ｃ２０−アルケニルもしくはＣ５−Ｃ７−シクロアルキル基を表すか、または、Ｒ８とＲ９とが隣接の窒素原子と一緒に脂肪族または芳香族の５員環または６員環の複素環系を形成し、どの場合にも環の１〜３個の成員が窒素、酸素及びイオウから成る群から選択された同じまたは異なるヘテロ原子からなり、Ｒ７は水素原子またはＣ１−Ｃ４−アルキル基であり、ｎは１〜６の数であり、ｏは０または１を表すか、あるいは、
Ｘは、式（ＶＩ）
【化４】
2000038521.tif 000004
の基を表し、ここにＲ１０、Ｒ１２及びＲ１３は、水素原子、フッ素原子、塩素原子または臭素原子であり、Ｒ１１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、Ｃ１−Ｃ５−アルキル基、Ｃ１−Ｃ６−アルコキシ基またはベンゾイルアミノ基を表しており、
ｍは１〜４の数である〕の顔料分散剤を添加することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】  単位重量のキナクリドンあたり０．１〜２０重量％、好ましくは３〜１０重量％の顔料分散剤を添加することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部から提供される電子番組ガイドに基づいて、情報を通知する情報通知装置であって、
前記外部より第１電子番組ガイドを受信する受信手段と、
ユーザが視聴した番組の第２電子番組ガイドを記録する記録手段と、
前記第１及び第２電子番組ガイドに基づいて、前記ユーザの番組の視聴傾向を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果に基づいて、所定番組に関する番組情報を通知先端末へ通知する通知手段と
を備えることを特徴とする情報通知装置。
【請求項２】  前記情報通知装置の動作を制御するための環境情報を設定する設定手段を更に備える
ことを特徴とする請求項１に情報通知装置。
【請求項３】  前記判定手段は、前記第１及び第２電子番組ガイドに基づいて、前記ユーザの番組の視聴傾向を示す番組視聴傾向度を算出する算出手段を更に備え、
前記算出手段は、前記第１及び第２電子番組ガイドの各番組情報を比較し、一致する番組情報数に基づいて前記番組視聴傾向度を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報通知装置。
【請求項４】  前記環境情報は、前記電子番組ガイドの各番組情報のカテゴリ別に設定する情報を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の情報通知装置。
【請求項５】  前記環境情報は、前記通知手段による通知の有無を決定する情報を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の情報通知装置。
【請求項６】  前記環境情報は、少なくとも前記ユーザのメールアドレスを含み、
前記メールアドレス宛ての電子メールを作成する作成手段と、
前記電子メールを送信する送信手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報通知装置。
【請求項７】  前記環境情報は、前記電子メールの内容を定義する情報を含む
ことを特徴とする請求項６に記載の情報通知装置。
【請求項８】  外部から提供される電子番組ガイドに基づいて、情報を通知する情報通知方法であって、
受信手段が、前記外部より第１電子番組ガイドを受信する受信工程と、
記録手段が、ユーザが視聴した番組の第２電子番組ガイドを記録する記録工程と、
判定手段が、前記第１及び第２電子番組ガイドに基づいて、前記ユーザの番組の視聴傾向を判定する判定工程と、
通知手段が、前記判定工程の判定結果に基づいて、所定番組に関する番組情報を通知先端末へ通知する通知工程と
を備えることを特徴とする情報通知方法。
【請求項９】  前記情報通知方法の動作を制御するための環境情報を設定する設定工程を更に備える
ことを特徴とする請求項８に情報通知方法。
【請求項１０】  前記判定工程は、前記第１及び第２電子番組ガイドに基づいて、前記ユーザの番組の視聴傾向を示す番組視聴傾向度を算出する算出工程を更に備え、
前記算出工程は、前記第１及び第２電子番組ガイドの各番組情報を比較し、一致する番組情報数に基づいて前記番組視聴傾向度を算出する
ことを特徴とする請求項８に記載の情報通知方法。
【請求項１１】  前記環境情報は、前記電子番組ガイドの各番組情報のカテゴリ別に設定する情報を含む
ことを特徴とする請求項８に記載の情報通知方法。
【請求項１２】  前記環境情報は、前記通知工程による通知の有無を決定する情報を含む
ことを特徴とする請求項８に記載の情報通知方法。
【請求項１３】  前記環境情報は、少なくとも前記ユーザのメールアドレスを含み、
前記メールアドレス宛ての電子メールを作成する作成工程と、
前記電子メールを送信する送信工程と
を更に備えることを特徴とする請求項８に記載の情報通知方法。
【請求項１４】  前記環境情報は、前記電子メールの内容を定義する情報を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の情報通知方法。
【請求項１５】  外部から提供される電子番組ガイドに基づいて、情報を通知する情報通知をコンピュータに機能させるためのプログラムであって、
前記外部より第１電子番組ガイドを受信する受信工程と、
ユーザが視聴した番組の第２電子番組ガイドを記録する記録工程と、
前記第１及び第２電子番組ガイドに基づいて、前記ユーザの番組の視聴傾向を判定する判定工程と、
前記判定工程の判定結果に基づいて、所定番組に関する番組情報を通知先端末へ通知する通知工程と
をコンピュータに機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
基板の上に陽極を形成する陽極形成工程と、
該陽極の上に有機層を形成する有機層形成工程と、
該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成する陰極形成工程と、
該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜する透明導電膜形成工程とからなり、
前記透明導電膜形成工程は、成膜の初期にはスパッタリングに要する電力を低く設定し、成膜の進行に応じて該電力を高く設定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】  前記透明導電膜形成工程は、成膜の初期にはスパッタリングに要する電力を０．４Ｗ／ｃｍ２未満に設定し、成膜の進行に応じて該電力を０．４Ｗ／ｃｍ２以上に設定することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】  前記透明導電膜形成工程は、成膜の進行に伴って該電力を段階的に高く設定すること特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】  前記透明導電膜形成工程は、成膜の進行に伴って該電力を連続的に高く上げていくことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】  前記透明導電膜形成工程は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を成膜することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】  前記透明導電膜形成工程は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を室温で成膜することを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】  陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
基板の上に陽極を形成し、該陽極の上に有機層を形成し、該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成し、該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜した積層構造を有し、
前記透明導電膜は、該陰極と接する下方部分がスパッタリングに要する電力を低く設定して成膜されたものであり、陰極と接しない上方部分が該電力を高く設定して成膜されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】  画素を選択するための走査線と、画素を駆動するための輝度情報を与えるデータ線とが基板の上にマトリクス状に配設され、
各画素は、供給される電流量に応じて発光する有機エレクトロルミネッセンス素子と、走査線によって制御され且つデータ線から与えられた輝度情報を画素に書き込む機能を有する第一の能動素子と、該書き込まれた輝度情報に応じて該有機エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流量を制御する機能を有する第二の能動素子とを含む表示装置において、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでおり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、該基板の上に陽極を形成し、該陽極の上に有機層を形成し、該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成し、該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜した積層構造を有し、
前記透明導電膜は、該陰極と接する下方部分がスパッタリングに要する電力を低く設定して成膜されたものであり、陰極と接しない上方部分が該電力を高く設定して成膜されたものであることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次いで、図３（ａ）に示すように、固体撮像素子１３をフレキシブル配線板１２上に実装する。このとき、固体撮像素子１３の撮像エリア１３ａ側に形成された電極パッド１５には、接合部材であるバンプ１６が形成されており、このバンプ１６が半硬化型接着樹脂１４中のフレキシブル配線板１２の配線パターン上に当接するように位置合わせされる。これにより、固体撮像素子１３は、撮像エリア１３ａが透明基板１１側を向くようにして、フレキシブル配線板１２上に実装される。また、固体撮像素子１３を透明基板１１側に押圧する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
フレキシブル配線板４２の配線パターン上には、固体撮像素子４３が実装されている。この固体撮像素子４３は、その撮像エリア４３ａを透明基板４１側に向けるようにして実装されている。また、固体撮像素子４３の撮像エリア４３ａ側に形成されている電極パッド４６には、接合部材であるバンプ４７が形成されており、このバンプ４７がフレキシブル配線板４２の配線パターン上に圧接されることにより、固体撮像素子４３がフレキシブル配線板４２上に実装される。これにより、フレキシブル配線板４２の開口部を介して透明基板４１と撮像エリア４３ａが対向するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2001085653.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜上にマスクを形成し、
前記非晶質半導体膜中に前記マスクを用いて選択的に１５族元素を添加することでゲッタリング領域を形成し、
前記マスクを除去した後、前記非晶質半導体膜上の全面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜の結晶化と前記金属元素のゲッタリングを１回の熱処理で行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜上にマスクを形成し、
前記非晶質半導体膜中に前記マスクを用いて選択的に１５族元素を添加することでゲッタリング領域を形成し、
前記マスクを除去した後、前記非晶質半導体膜上の全面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜の結晶化と前記金属元素のゲッタリングを同一の熱処理工程で行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜上にマスクを形成し、
前記非晶質半導体膜中に前記マスクを用いて選択的に１５族元素を添加することでゲッタリング領域を形成し、
前記マスクを除去した後、前記非晶質半導体膜上の全面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜の結晶化と前記金属元素のゲッタリングを段階的に温度を変化させる同一の熱処理工程で行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜上にマスクを形成し、
前記非晶質半導体膜中に前記マスクを用いて選択的に１５族元素を添加することでゲッタリング領域を形成し、
前記マスクを除去した後、前記非晶質半導体膜上の全面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化させた後、前記第１の熱処理の温度に対して温度を変化させた第２の熱処理により前記金属元素のゲッタリングを行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一における前記マスクは、フォトレジストにより形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｉｎから選ばれた一種または複数種類を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記金属元素として、Ｎｉを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化シリコン膜の形成方法及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  成膜対象の基板を加熱する工程と、
所定の温度に加熱された前記基板上に四塩化シリコンガスとアンモニアガスとを供給する工程と
を備え、
前記基板上において前記四塩化シリコンガスの分圧はアンモニアガスの分圧に対して０．５以上とする
ことを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
【請求項２】  請求項１記載の窒化シリコン膜の形成方法において、
前記基板の加熱温度は、６００〜７００℃とすることを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
【請求項３】  請求項１又は２記載の窒化シリコン膜の形成方法により形成された窒化シリコン膜を備えた半導体装置であって、
前記窒化シリコン膜は、キャパシタの誘電体膜である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項１又は２記載の窒化シリコン膜の形成方法により形成された窒化シリコン膜を備えた半導体装置であって、
前記窒化シリコン膜は、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜である
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
１トランジスタ１キャパシタで構成されるダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のキャパシタを構成する誘電体膜として、成膜原料の入手の容易さや取り扱いの容易さなどから窒化シリコン膜が用いられている。
この窒化シリコン膜の形成では、シリコン塩化物のガスであるジクロロシラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）とアンモニアガスとを原料とした化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられている。このＣＶＤ法による窒化シリコン膜の成膜のとき、ジクロロシラン（ＤＣＳ）の供給量が多くなると成膜雰囲気に、塩化アンモニウムを主成分とする副生成物であるパーティクルが発生する問題があるため、ジクロロシランの供給量を、アンモニアの供給量の１／５程度にしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
窒化シリコン膜３０４を形成した後、図３（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法によりシリコンを堆積することでポリシリコン膜３０５を膜厚２０〜２００ｎｍ程度に形成し、引き続いて、ポリシリコン膜３０５上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜３０６を膜厚２０〜１００ｎｍ程度に形成する。窒化シリコン膜３０６の形成は、窒化シリコン膜３０４の形成と同様である。
次いで、図３（ｅ）に示すように、窒化シリコン膜３０４，ポリシリコン膜３０５，窒化シリコン膜３０６を、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により加工し、ゲート電極３０５ａおよびゲート電極３０５ａ下部のゲート絶縁膜３０４ａとゲート電極３０５ａ上部のキャップ層３０６ａとを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディジタル信号処理装置及び方法、並びにビデオカメラ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アナログ入力信号を要求ビット数よりも多くのビット数のディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、
上記Ａ／Ｄ変換手段からのディジタル出力信号に対して乗算係数を乗算するディジタル乗算手段と、
上記ディジタル乗算手段からのディジタル出力信号のビット数を上記要求ビット数に変換するビット数変換手段と
を有することを特徴とするディジタル信号処理装置。
【請求項２】  上記乗算係数は、上記アナログ入力信号のレベルに応じて制御されることを特徴とする請求項１記載のディジタル信号処理装置。
【請求項３】  上記ビット数変換手段からの出力信号のレベルを検出するレベル検出手段を有し、このレベル検出手段からの出力信号に応じて上記乗算係数を制御することを特徴とする請求項１記載のディジタル信号処理装置。
【請求項４】  撮像手段と、
この撮像手段からの撮像信号を要求ビット数よりも多くのビット数のディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、
上記Ａ／Ｄ変換手段からのディジタル出力信号に対して乗算係数を乗算するディジタル乗算手段と、
上記ディジタル乗算手段からのディジタル出力信号のビット数を上記要求ビット数に変換するビット数変換手段と、
上記ビット数変換手段からの出力信号に対してカメラ信号処理を施すカメラ信号処理手段と
を有することを特徴とするビデオカメラ装置。
【請求項５】  上記乗算係数は、上記撮像信号のレベルに応じて制御されることを特徴とする請求項４記載のビデオカメラ装置。
【請求項６】  上記カメラ信号処理手段は、上記撮像信号の明るさを検出する明るさ検出手段を有し、この明るさ検出手段からの出力信号に応じて上記乗算係数を制御することを特徴とする請求項４記載のビデオカメラ装置。
【請求項７】  アナログ入力信号が入力される入力ステップと、
入力された前記アナログ信号を要求ビット数よりも多くのビット数のディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換ステップと、
Ａ／Ｄ変換されたディジタル出力信号に対して乗算係数を乗算するディジタル乗算ステップと、
乗算係数が乗算されたディジタル出力信号のビット数を上記要求ビット数に変換するビット数変換ステップと
を有することを特徴とするディジタル信号処理方法。
【請求項８】  上記乗算係数は、上記アナログ入力信号のレベルに応じて制御されることを特徴とする請求項７記載のディジタル信号処理方法。
【請求項９】  上記ビット数変換ステップにて生成された出力信号のレベルを検出するレベル検出ステップをさらに有し、該レベル検出ステップより出力される出力信号に応じて上記乗算係数を制御することを特徴とする請求項７記載のディジタル信号処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディジタル信号処理装置及び方法、並びにビデオカメラ装置に関し、特に、アナログ入力信号をディジタル信号に変換するためのＡ／Ｄ変換を含む処理を行うディジタル信号処理装置及び方法、並びにビデオカメラ装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、Ａ／Ｄ変換前のアナログ信号に対してゲイン制御増幅を不要とし、構成の簡略化、電圧や電流の低減、マイクロコンピュータ等での制御の容易化、及び精度の向上が図れるようなディジタル信号処理装置及び方法、並びにビデオカメラ装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、本発明に係るディジタル信号処理装置は、アナログ入力信号を要求ビット数よりも多くのビット数のディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、上記Ａ／Ｄ変換手段からのディジタル出力信号に対して乗算係数を乗算するディジタル乗算手段と、上記ディジタル乗算手段からのディジタル出力信号のビット数を上記要求ビット数に変換するビット数変換手段とを有することを特徴としている。
また、上述の課題を解決するために、本発明に係るディジタル信号処理方法は、アナログ入力信号が入力される入力ステップと、入力された前記アナログ信号を要求ビット数よりも多くのビット数のディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換ステップと、Ａ／Ｄ変換されたディジタル出力信号に対して乗算係数を乗算するディジタル乗算ステップと、乗算係数が乗算されたディジタル出力信号のビット数を上記要求ビット数に変換するビット数変換ステップとを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直交信号のＹ軸信号を整流する第１の全波整流回路と、直交信号のＸ軸信号を整流する第２の全波整流回路と、前記第１の全波整流回路の出力を切り替える第１の切り替え回路と、前記第２の全波整流回路の出力を切り替える第２の切り替え回路と、前記第１の切り替え回路の出力と前記第２の切り替え回路の出力を比較して比較制御信号を出力する比較回路と、タイミングパルス制御信号を発生させるタイミング発生回路と、前記比較回路からの比較制御信号に基づいて前記第１の切り替え回路の出力と前記第２の切り替え回路の出力と前記タイミングパルス制御信号とでＣＯＲＤＩＣアルゴリズムを利用し直交信号の位相成分を出力するＣＯＲＤＩＣアルゴリズム回路と、タイミングパルス制御信号に基づいて前記ＣＯＲＤＩＣアルゴリズム回路の出力をホールドさせて第１の切り替え回路へ出力する第１のロードホールド回路と、タイミングパルス制御信号に基づいて前記ＣＯＲＤＩＣアルゴリズム回路の出力をホールドさせて第１の切り替え回路へ出力する第２のロードホールド回路と、前記Ｙ軸信号と前記Ｘ軸信号を入力して前記直交信号の位相が４象限のうちどこに存在するかを検出する象限検出回路と、タイミングパルス制御信号に基づいて前記象限検出回路の出力をホールドさせる第３のロードホールド回路と、前記タイミングパルス制御信号に基づいて固定データを切り替えて出力する固定データ切り替え回路と、前記比較回路からの比較制御信号に基づいて前記固定データ切り替え回路の出力の極性を切り替える極性切り替え回路と、前記タイミングパルス制御信号に基づいて前記極性切り替え回路の出力を累積加算する累積加算回路と、累積加算回路の出力と前記第３のロードホールド回路の出力とを加算する加算回路と、前記タイミングパルス制御信号に基づいて前記加算回路の出力をホールドさせて出力する第４のロードホールド回路とを備えたことを特徴とするアークタンジェント回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主収縮方向において、１００℃から１０℃毎に１５０℃までの各温度で、１分間加熱する処理後の、前記処理前の長さに対する変化率の最大値である最大熱収縮率が６０％以上であり、主収縮軸方向が円筒形断面方向となる円筒形チューブ状の透明容器のラベル形状としてボトルに装着させ、熱収縮後の、容器外側から内側へ容器の回転対称軸に垂直な方向から近紫外線を照射した場合の、下記式１で表される近紫外線の透過率の平均値Ｔが０．５以下であり、かつフィルム表面の静摩擦係数が０．２７以下であることを特徴とする熱収縮性ポリスチレン系樹脂フィルムから構成されることを特徴とするラベル。
Ｔ＝Ａ／Ｂ                          式１
Ａ：熱収縮性ポリスチレン系樹脂フィルムを透明容器に装着させた状態でのフィルム及び容器を透過する光エネルギー密度の平均値（ｎ＝１０）
Ｂ：熱収縮性ポリスチレン系樹脂フィルムを透明容器に装着させない状態での透明容器を透過する光エネルギー密度の平均値（ｎ＝１０）
【請求項２】  シンジオタクティック構造を有するポリスチレン系樹脂を含有するポリスチレン系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の熱収縮性ポリスチレン系樹脂フィルムから構成されることを特徴とするラベル。
【請求項３】 請求項１または２記載のラベルを装着してなる容器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第１の面（１４）上にコーティング（２０）を有する部品（１０）の貫通穴（１２）から、前記コーティング（２０）に連続し、前記貫通穴（１２）を完全には塞いでいない付着物（２２）を取り除く方法であって、液体含有ジェット（３４）を前記第１の面（１４）の反対側にある前記部品（１０）の第２の面（１６）から前記貫通穴（１２）に指向させる段階を含み、前記ジェット（３４）は、非研磨性の粒子状媒体を含み、前記粒子状媒体が該ジェット（３４）内に存在しない場合には該貫通穴（１２）から実質的に全ての付着物（２２）のを取り除くには不十分な圧力でノズル（３６）から放出され、該付着物（２２）の除去が、液体によってではなく、主として該ジェット（３４）で推進された粒子状媒体によって行われることを特徴とする方法。
【請求項２】 前記コーティング（２０）が、前記部品（１０）の前記第１の面（１４）上にあるセラミック層であり、前記付着物（２２）が、該部品（１０）の該第１の面（１４）から前記貫通穴（１２）を通って延びる前記セラミック層の一部であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記部品（１０）が空冷部品（１０）であり、前記貫通穴（１２）が、該部品（１０）の前記第１及び第２の面（１４、１６）を横切る冷却穴（１２）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】 前記ジェット（３４）の圧力が、１０００バールより高くないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】 前記ジェット（３４）の圧力が、９７０バールより高くないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】 第１の面（１４）上のコーティング（２０）と、前記コーティング（２０）に連続する付着物（２２）が取り除かれた貫通穴（１２）とを有する部品（１０）であって、非研磨性の粒子状媒体を含む液体含有ジェット（３４）を、前記粒子状媒体が該ジェット（３４）内に存在しない場合には前記貫通穴（１２）から実質的に全ての付着物（２２）を取り除くのに不十分な圧力でノズル（３６）から放出することにより、該ジェットが第１の面（１４）の反対側にある部品（１０）の第２の面（１６）から貫通穴（１２）に向けて指向させられて付着物（２２）が取り除かれており、前記前記部品（１０）の面（１６、２４）と前記貫通穴（１２）を定める前記コーティング（２０）が、該貫通穴（１２）の吐出係数を増加させるようにばり取りされ、滑らかにされていることを特徴とする部品（１０）。
【請求項７】 前記コーティング（２０）が、前記部品（１０）の前記第１の面上のセラミック層（２０）であることを特徴とする請求項６に記載の部品（１０）。
【請求項８】 前記セラミック層（２０）が、プラズマ溶射されたセラミック層であることを特徴とする請求項７に記載の部品（１０）。
【請求項９】 前記部品（１０）が空冷部品（１０）であり、前記貫通穴（１２）が、該部品（１０）の前記第１及び第２の面（１４、１６）を横切る冷却穴（１２）であることを特徴とする請求項８に記載の部品（１０）。
【請求項１０】 前記部品（１０）の前記面（１６、２４）及び前記貫通穴（１２）を定める前記コーティング（２０）が、前記付着物（２２）の侵食又は研磨によるのではなく、主として該付着物（２２）を衝撃破損させ、該面（１６、２４）を衝撃平坦化することによってばり取りされ、滑らかにされたものであることを特徴とする請求項６に記載の部品（１０）。