Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式Ａ：
【化１】
1999315072.tif 000001
（式中、
ＧおよびＧ’は各々独立して次式：
【化２】
1999315072.tif 000002
で表される残基を表し、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立して水素原子；炭素原子数１ないし１２のアルキル基；ヒドロキシ基；炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基；炭素原子数２ないし８のアルケニル基；Ｏにより中断された、および／またはＯＨにより置換された炭素原子数３ないし１８のアルコキシ基；各々がＣＯＯにより中断されるか、またはＣＯＯＨにより置換された炭素原子数２ないし１８のアルキル基または炭素原子数２ないし１８のアルコキシ基；ハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；アルキル基、フェニル基、シクロアルキル基から選択される炭素原子数１ないし１２の炭化水素により置換されたアミノ基；炭素原子数２ないし１８のアシルアミノ基；炭素原子数２ないし１２のアルコキシカルボニル基；炭素原
子数５ないし１２のシクロアルキルオキシカルボニル基；炭素原子数７ないし１５のフェニルアルコキシカルボニル基；フェニル基または炭素原子数１ないし１２のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基もしくはハロゲン原子により置換されたフェニル基を表し、そして
Ｘ、ＹおよびＺは独立してＲ1、Ｒ2またはＲ3に対して定義されたものと同じ意味を表すか、または炭素原子数７ないし１５のフェニルアルキル基を表す）で表される化合物の製造方法であって、
次式Ｂ：
【化３】
1999315072.tif 000003
〔式中、
Ｅ1はハロゲン原子、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基または次式：
【化４】
1999315072.tif 000004
（式中、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13はＲ1、Ｒ2およびＲ3に対して定義されたものと同じ意味を表し、そしてＲ11はまた次式：
【化５】
1999315072.tif 000005
で表される残基を表してもよい）で表される基から選択される脱離基を表し、
Ｅ2およびＥ3はＥ1に対して定義されたものと同じ脱離基を表すか、またはＧまたはＧ’に対して定義されたものと同じ意味を表す〕で表される化合物を、次式Ｃ：
【化６】
1999315072.tif 000006
で表される化合物と、有効量のプロトン酸触媒の存在下で反応させ、式Ａで表される化合物を得ることからなる、上記製造方法。
【請求項２】
脱離基Ｅ1、Ｅ2およびＥ3がＣｌを表す請求項１記載の方法。
【請求項３】
反応混合物に酸触媒が添加されない請求項２記載の方法。
【請求項４】
次式Ａ：
【化７】
1999315072.tif 000007
（式中、
Ｇは次式：
【化８】
1999315072.tif 000008
で表される残基を表し、そして
Ｇ’は次式：
【化９】
1999315072.tif 000009
で表される残基を表し、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立して水素原子；炭素原子数１ないし１２のアルキル基；ヒドロキシ基；炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基；炭素原子数２ないし８のアルケニル基；Ｏにより中断された、および／またはＯＨにより置換された炭素原子数３ないし１８のアルコキシ基；各々がＣＯＯにより中断されるか、またはＣＯＯＨにより置換された炭素原子数２ないし１８のアルキル基または炭素原子数２ないし１８のアルコキシ基；ハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；アルキル基、フェニル基、シクロアルキル基から選択される炭素原子数１ないし１２の炭化水素により置換されたアミノ基；炭素原子数２ないし１８のアシルアミノ基；炭素原子数２ないし１２のアルコキシカルボニル基；炭素原子数５ないし１２のシクロアルキルオキシカルボニル基；炭素原子数７ないし１５のフェニルアルコキシカルボニル基；フェニル基または炭素原子数１ないし１２のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基もしくはハロゲン原子により置換されたフェニル基を表し、そして
Ｘ、ＹおよびＺは独立してＲ1、Ｒ2またはＲ3に対して定義されたものと同じ意味を表すか、または炭素原子数７ないし１５のフェニルアルキル基を表す）で表される化合物の製造方法であって、
（１）次式：
【化１０】
1999315072.tif 000010
（式中、Ｅはハロゲン原子を表す）で表される化合物を次式ＩＩ：
【化１１】
1999315072.tif 000011
で表されるフェノール性化合物と反応させて次式ＩＩＩ：
【化１２】
1999315072.tif 000012
（式中、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は独立してＲ1、Ｒ2またはＲ3に対して定義されたものと同じ意味を表し、そしてＲ11はまた次式：
【化１３】
1999315072.tif 000013
で表される残基を表してもよく、そして
Ｅ1はハロゲン原子または次式：
【化１４】
1999315072.tif 000014
で表される残基を表す）で表される化合物を形成し、
（２）式ＩＩＩで表される化合物を次式ＩＶ：
【化１５】
1999315072.tif 000015
で表される化合物と、有効量のルイス酸触媒の存在下で反応させて、次式Ｖ：
【化１６】
1999315072.tif 000016
（式中、Ｅ’は次式：
【化１７】
1999315072.tif 000017
で表される残基を表す）で表される化合物を得、
（３）式Ｖで表される化合物を次式ＶＩ：
【化１８】
1999315072.tif 000018
で表される化合物と、有効量のプロトン酸またはルイス酸触媒またはプロトン酸とルイス酸触媒との組合せの存在下で反応させて、式Ａで表される化合物を得ることからなるが、
ただし、Ｒ1、Ｒ2またはＲ3のいずれもフェニル基または炭素原子数１ないし１２のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基もしくはハロゲン原子により置換されたフェニル基でない場合に有効量のプロトン酸が工程３において存在する、上記製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
性質、例えば中間成分系ＰＴＦＥ／ＰＰＴＡの性質の研究で、有利な性質を達成するために混合物が１０〜５０容量％のＰＰＴＡおよび５０〜９０容量％のＰＴＦＥを含有していなければならないことが判った。混合物が１０〜３０容量％のＰＰＴＡを含有している場合に特に有利な性質が達成される。他のポリアラミドについてもこれらの性質を確認できた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ディスク（２）の円形スロート（１０）に挿入される脚（９）と、ブレード（６）と、ブレード（６）に隣接しており、スロート（１０）が円形カラー（１２）の形で開口したディスク（２）の周面（１６）上に置かれるプラットフォーム（８）と、脚（９）をプラットフォーム（８）に接続するファスナー（１１）とを有し、該脚（９）がカラー（１２）に挿入される円形ベーン（１）段の密封シール（１７、１７’、１７”）であって、該シールは、周面（１６）とプラットフォーム（８）との間に収容されるプレート（１８）を備え、該プレートにはファスナー（１１）が挿入される開口部（２３）が設けられ、該プレートは、互いに当接し、開口部（２３）を通る切断線（２１、３５）によって画定されたプラケット（２２、３４）に分割され、該開口部はベーンの脚（９）の横断面よりも小さい表面積を有し、シールは、プラケット（２２）に接合されて一緒にシールの構成要素をなすヒール（２６）を備え、このヒール（２６）がスロート（１０）の上方傾斜フランク（３０）の下に配置されることを特徴とする密封シール。
【請求項２】  切断線は縦方向の線（２１）と円形線（３５）とから成り、プラケット（２２）はヒール（２６）に対して鈍角を形成し、該プラケットはヒール（２６）とプラケット（２２）との間にあるスロット（２８）を有して延びる接続部（２７）によってヒールで接合され、シールの構成要素は、一対の構成要素のそれぞれの接続部（２７）を同じ対の他の構成要素のスロットに収容して対で相互連結し、ヒンジ（２９）を形成することを特徴とする請求項１に記載の密封シール。
【請求項３】  前記プレートが、ディスクの内側に向けて折り曲げられ、ディスク（２）の周面（１６）に設けられた円形溝（２０）内に挿入されるエッジ（１９）を有することを特徴とする請求項１による密封シール。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
排ガスの放出を低くするための新たな要求を満足するためにガソリン中の硫黄含有量を低減させる要望が増してきている。ＦＣＣガソリンは、ガソリン中の硫黄に対して最も大きく寄与している。この硫黄含有量は、水素化処理によって低減することができる。しかしながら、この水素化処理は、ＦＣＣガソリン中のオレフィン類の飽和につながり、その結果オクタン価を受け入れられないほど低下させる。ＦＣＣガソリンを軽質（低沸点）留分と重質（高沸点）留分とに分留し、そしてその際重質留分のみを水素化処理するいくつかの方法が提案されている。こうするための理由は、沸点の相関要素としての硫黄とオレフィン類の分布に関連している。表１から明らかなように、ほとんどの硫黄は、高沸点側の約３０％のＦＣＣガソリン中に存在しており、そしてほとんどのオレフィン類は、軽質側の約７０％のＦＣＣガソリン中に存在している。重質留分のみを水素化処理し、そして水素化処理した生成物を未処理の軽質留分とブレンドすることによって、中程度のオレフィン類の減少および中程度のオクタン価の低下で必要な程度の脱硫を得ることができる。しかしながら、通常オクタン価の低下は受け入れられないほど大きい。
表１:   ＦＣＣガソリンの分析
1999315288.tif 000001
本発明は、以下の４つの段階：
−ＦＣＣガソリンを３つの留分に分留すること：その際軽質留分は最も軽質の約５０〜８０％のＦＣＣガソリンからなり、中間留分は次に高沸点の約１０〜３０％のＦＣＣガソリンからなり、そして重質留分は最も高沸点の約５〜２０％のＦＣＣガソリンからなる；
−本質的に硫黄全体の除去を達成する条件下に、水素化処理器の第一の床で最も重質の留分を水素化処理すること；
−中間留分で第一の床からの留出流を急冷すること；および
−必要な全体の硫黄の低減を保証する条件下に、水素化処理器の第二および最終の床で、組み合わせられた油の流れを水素化処理すること
を包含する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ビヒクルと、着色剤と、疎水性ゲル化成分と、を含むことを特徴とする非水性インク組成物。
【請求項２】  ビヒクルと、着色剤と、アルキルアリールシクロアルカノールのゲル化成分と、を含むことを特徴とするインク組成物。
【請求項３】  請求項１に記載のインクにおいて、前記ゲル化成分は下記の式で表され、当該式中、Ｒはアルキル、アリール、アルコキシ、水素、ハロゲン化物、又はハロゲン化炭化水素であることを特徴とするインク。
【化１】
1999315245.tif 000001
【請求項４】  アコースティックインクジェットプリンタに、ビヒクルと、着色剤と、疎水性ゲル化成分と、を含むインクを組み込むことを特徴とするプリンティングプロセス。
【請求項５】  （ａ）自由表面を有する液体インクの液溜めと、前記インクの自由表面を集束音響放射で放射してオンデマンド方式で個々のインク滴をエジェクタから吐出するための１つ以上の液滴エジェクタを含むプリントヘッドとを有するアコースティックインクプリンタにおいて、前記放射は、焦点面に有限胴部直径で集束され、前記インクは、ビヒクルと、着色剤と、疎水性ゲル化成分とを含むインクであるアコースティックインクプリンタを用意し、（ｂ）前記インクの液滴を約５０℃から約１２５℃の温度で像様のパターンに記録紙上に吐出させることを特徴とするプロセス。
【請求項６】  請求項２に記載のインク組成物において、
前記ビヒクルは、液体のヘプタン、オクタン、ノナン、ドデカン、Ｉｓｏｐａｒ、Ｍａｇｉｅｓｏｌ、トルエン、キシレン、テルピン、ナフサの少なくともいずれかであることを特徴とするインク組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  難燃性熱可塑性樹脂組成物であって、
（ａ）少なくとも１種の芳香族カーボネート樹脂を含む１種以上の熱可塑性樹脂、
（ｂ）難燃化量の次の構造式の１種以上の有機燐難燃剤化合物
【化１】
1999315200.tif 000001
（式中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は各々随意にハロ又は（Ｃ1−Ｃ6）アルキルで置換されていてもよいアリール基であり、Ｘは随意にハロ又は（Ｃ1−Ｃ6）アルキルで置換されていてもよいアリーレン基であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々０又は１であり、ｎは０〜５の整数である。）、及び
（ｃ）当該組成物の加水分解安定性を改善するのに有効な量の塩基性金属酸化物であって、その水性の溶液又は懸濁液のｐＨが９より大きい無機酸化物及びこれらの混合物からなる群から選ばれる塩基性金属酸化物
を含む組成物。
【請求項２】  前記芳香族カーボネート樹脂が芳香族ポリカーボネート樹脂又は芳香族ポリ（エステル−カーボネート）樹脂を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  前記１種以上の熱可塑性樹脂が更にビニル芳香族グラフトコポリマーを含む、請求項２記載の組成物。
【請求項４】  前記１種以上の熱可塑性樹脂が、熱可塑性樹脂１００重量部に基づいて、芳香族ポリカーボネート樹脂３０〜９９重量部及びアクリロニトリル−ブタジエン−スチレングラフトコポリマー１〜７０重量部を含む、請求項３記載の組成物。
【請求項５】  当該組成物が１種以上の熱可塑性樹脂６０〜９０重量部、有機燐化合物４０〜１０重量部、及び熱可塑性樹脂と有機燐化合物との合計量を基準にして１０〜１０００ｐｐｍの塩基性金属酸化物を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項６】  Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9が各々フェニルであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄが各々１であり、Ｘが次の構造式の二価芳香族基である、請求項１記載の組成物。
【化２】
1999315200.tif 000002
【請求項７】  前記有機燐化合物が有機燐化合物１ｇ当たり水酸化カリウム１．０ミリグラム未満の滴定可能な酸価を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項８】  前記有機燐化合物が、ｎの平均値が１より大きく５より小さい有機燐化合物オリゴマーのブレンドである、請求項６記載の組成物。
【請求項９】  前記金属酸化物が酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛及びこれらの混合物からなる群から選ばれる請求項１記載の組成物。
【請求項１０】  請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の組成物を成形して製造された成形品。
【請求項１１】  難燃性熱可塑性樹脂組成物の製造方法であって、
（ａ）少なくとも１種の芳香族カーボネート樹脂を含む１種以上の熱可塑性樹脂と、
（ｂ）難燃化量の次の構造式の１種以上の有機燐難燃剤化合物
【化１】
1999315200.tif 000003
（式中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は各々随意にハロ又は（Ｃ1−Ｃ6）アルキルで置換されていてもよいアリール基であり、Ｘは随意にハロ又は（Ｃ1−Ｃ6）アルキルで置換されていてもよいアリーレン基であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々０又は１であり、ｎは０〜５の整数である。）と、
（ｃ）当該組成物の加水分解安定性を改善するのに有効な量の塩基性金属酸化物であって、その水性の溶液又は懸濁液のｐＨが９より大きい無機酸化物及びこれらの混合物からなる群から選ばれる塩基性金属酸化物と
を組み合わせることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）次の式ＩＶの金属スルホン酸塩ポリエステルコポリマー
【化１】
1999315191.tif 000001
（式中、アイオノマー単位ｘは０．１〜５０モル％であり、ｙは９９．９〜５０モル％であり、Ｒはハロゲン、アルキル、アリール、アルキルアリール又は水素であり、Ｒ1は直鎖、分岐又は環式脂肪族アルカンジオールを含む炭素原子数２〜１２のジオール反応物質から誘導されたものであり、Ａ1は二価アリール基であり、Ｍは金属である。）、及び
（ｂ）次の式ＩＩの反復単位を含有する非晶質のポリカーボネート、ポリエステルカーボネート又はポリアリーレートポリマー
【化２】
1999315191.tif 000002
（式中、Ａｒはジカルボン酸又はジカルボン酸混合物の二価芳香族残基であり、Ａｒ′は二価フェノール又は二価フェノール混合物の二価芳香族残基であり、ｘ及びｙはそれぞれモル％に基づいて０〜１００％である。）
を含む熱可塑性樹脂組成物。
【請求項２】  Ｒが水素であり、アイオノマー単位のｘ＝０．５〜１０モル％であり、Ｒ1がＣ2〜Ｃ8アルキルであり、Ａ1がイソフタル酸又はテレフタル酸或いはこれらの混合物から誘導されたものである、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項３】  式ＩＶの金属スルホン酸塩ポリエステルがアルキレンポリエステルであって、Ａ1がイソフタル酸又はテレフタル酸或いはこれらの誘導体のジ酸成分からの残基であり、Ｒ1がエチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール又はシクロヘキサンジメタノール及びこれらの誘導体からなる群から選ばれるジオール成分由来の残基である、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項４】  金属スルホン酸塩がイソスルホフタレート又はテレスルホフタレートである、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項５】  式ＩＩにおいて、ｘ＝０であり、非晶質ポリマー（ｂ）がポリカーボネート樹脂である、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項６】  式ＩＩにおいてｙ＝０であり、非晶質ポリマー（ｂ）がポリアリーレート樹脂である、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項７】  式ＩＩのポリエステルカーボネートのｘがモル％で１０〜９０であり、ｙがモル％で９０〜１０である、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項８】  Ａ及びＡｒがベンゼン又はナフタリン環から誘導され、Ａｒ′がビスフェノール−Ａから誘導される、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項９】  （ｃ）酸性ＯＨ基を有するホスファイト、酸性燐酸塩、酸性ピロ燐酸塩及びその酸性塩、周期律表第ＩＢ及びＩＩＢ族金属の燐酸塩及び燐オクソ酸からなる群から選ばれる抑制剤、ゴム質耐衝撃性改良剤、アルキルアクリレート又はメタクリレート単位を０〜８０モル％含むポリオレフィンとグリシジルアクリレート又はメタクリレートとのコポリマー、或いは非金属スルホン酸塩ポリエステルを更に含む、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項１０】  金属スルホン酸塩ポリエステル（ａ）が組成物の重量に基づいて５〜７０重量％の量存在し、成分（ｂ）が５〜７０重量％の量存在し、前記樹脂が０．０１〜２重量％の抑制剤及び０〜３０重量％のゴム改質剤並びに０〜６０重量％の充填剤又は強化剤を含んでいる、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）（１）７０から１４０の範囲内のムーニー（ＭＬ４）粘度を有するジエン系エラストマーの第１ラテックスを、５から２０の範囲内のムーニー（ＭＬ４）粘度を有するジエン系エラストマーの追加ラテックスと、または（２）７０から１４０の範囲内のムーニー（ＭＬ４）粘度を有するジエン系エラストマーの第１重合物を、５から２０の範囲内のムーニー（ＭＬ４）粘度を有するジエン系エラストマーの追加重合物とブレンドする工程と、それに続く（Ｂ）得られたエラストマー・ブレンドを乾燥し、回収する工程を含んでなり；
該第１高粘度エラストマー／該追加低粘度エラストマーの重量比が２０／１から１／１の範囲であり；
（Ａ）第１および追加のラテックスがスチレン／ブタジエン共重合体ラテックスであり、（Ｂ）第１および追加の重合物がスチレン／ブタジエン共重合体重合物である；
ことを特徴とするエラストマー組成物の製造法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法で調製されていることを特徴とするゴム組成物。
【請求項３】  ゴム１００ｐｈｒを基準として、５０から１００ｐｈｒの請求項２に記載のゴム組成物、および５０ｐｈｒまでの、２０から７０の範囲内のムーニー（ＭＬ４）粘度を有するという条件で、シス１，４‐ポリイソプレン、シス１，４‐ポリブタジエン、イソプレン／ブタジエン共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、トランス１，４‐ポリブタジエン、スチレン／イソプレン／ブタジエン三元共重合体および３，４‐ポリイソプレンよりなる群から選ばれる少なくとも一種の追加エラストマーを含んでなることを特徴とするゴム組成物のトレッドを有するタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ)  ポリ（ビニルアセテート）のガラス転移温度より高くまたこれの劣化または分解を起こす温度より低い温度にある、フラッシング領域と混合領域とを有する押出脱蔵装置にポリ（ビニルアセテート）、ビニルアセテートモノマーおよび溶媒を含むポリ（ビニルアセテート）ペーストを移送し、
ｂ)  ポリ（ビニルアセテート）ペーストをフラッシング領域に移送し、
ｃ)  フラッシング領域からビニルアセテートおよび溶媒をフラッシングして、ポリ（ビニルアセテート）の重量に基づき１重量％より少ないビニルアセテートを含有する実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物を生成し、
ｄ)  実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物が、フラッシング領域と混合領域との間にシールを形成するように、押出脱蔵装置のフラッシング領域から混合領域にこのポリ（ビニルアセテート）融解物を移送し、
ｅ)  実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物を加水分解性アルコールを含有する溶媒と混合して均質なポリ（ビニルアセテート）溶液を生成し、そして
ｆ)  この均質なポリ（ビニルアセテート）溶液をけん化プロセスに移送し、そしてけん化を行う
各工程からなる、前記ポリ（ビニルアセテート）ペーストからポリ（ビニルアルコール）を連続的に製造する方法。
【請求項２】  押出脱蔵装置が一つまたはそれ以上の押出機を有し、また前記ポリ（ビニルアセテート）ペースト中に含有された溶媒がメタノールまたは第三−ブタノールである請求項１記載の方法。
【請求項３】  押出脱蔵装置が同方向回転または異方向回転の二軸スクリュー押出機またはこれらの組み合わせを有する請求項１記載の方法。
【請求項４】  実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物がポリ（ビニルアセテート）の重量に基づき１重量％より少ない溶媒またはビニルアセテートモノマーを含有する請求項１記載の方法。
【請求項５】  実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物がポリ（ビニルアセテート）の重量に基づき０.５重量％より少ない溶媒またはビニルアセテートモノマーを含有する請求項１記載の方法。
【請求項６】  実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物がポリ（ビニルアセテート）の重量に基づき０.１重量％より少ない溶媒またはビニルアセテートモノマーを
含有する請求項１記載の方法。
【請求項７】  温度が８０〜１９０℃の範囲である請求項１記載の方法。
【請求項８】  温度が１４０〜１６０℃の範囲である請求項１記載の方法。
【請求項９】  フラッシュされたビニルアセテートと溶媒とを重合反応器に循環させる請求項１記載の方法。
【請求項１０】  実質的に純粋なポリ（ビニルアセテート）融解物を、ポリ（ビニルアセテート）の反復単位１個につき１〜７モル当量の加水分解性のアルコールを含む加水分解性アルコール含有溶媒中に溶解させる請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記Ｎ−ビニルホルムアミドモノマーが、前記ポリマーを製造するのに用いられるモノマーの総重量に基づいて、２０〜１００重量％のレベルで存在する請求項５の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
存在し得る、非重合性原料、中間体及び副生物は、特定のモノマーの選択にのみ依存するのではなく、モノマーを製造するのに用いられる方法にも依存する。たとえば、特開平６−１７９６４４（特願平４−３３４，５２８号）は、それに開示された方法で製造されたＮ−ビニルホルムアミド中に存在し得る非重合性汚染物質を開示している。開示された汚染物質は、Ｎ−（α−ヒドロキシエチル）ホルムアミド、Ｎ−（α−アルコキシエチル）ホルムアミド、未反応ホルムアミド及びエチリデンビス（ホルムアミド）を包含する。さらに、ギ酸イオンが、モノマーのホルムアミジノ基の加水分解の結果として存在し得る。米国特許第４，５７８，５１５号に開示されているＮ−ビニルホルムアミドを製造する方法においては、エチリデンビス（ホルムアミド）が中間体として言及されている。そこに開示されたほとんどの反応は平衡が存在するという事実により、他の副生物、たとえば、α−置換エチリデンホルムアミドが存在し得る。米国特許第４，８１４，５０５号においては、Ｎ−ビニルホルムアミドの前駆体としてホルミルアラニンニトリルが言及されており、したがって、ここに開示された方法により製造されたＮ−ビニルホルムアミド中にはそれが存在し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】吸水剤およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部架橋剤の存在下に不飽和カルボン酸を必須に含む単量体成分を重合して得られる吸水性樹脂の表面近傍を架橋処理した後、該表面架橋処理された吸水性樹脂に水とイオン封鎖剤を添加し造粒する、吸水剤の製造方法。
【請求項２】  表面架橋処理時の吸水性樹脂の含水率（湿量基準）が１〜５０％である、請求項１に記載の吸水剤の製造方法。
【請求項３】  表面架橋処理された吸水性樹脂１００重量部に対して、水０．１〜２０重量部、イオン封鎖剤０．０００１〜１０重量部を配合する、請求項１または２に記載の吸水剤の製造方法。
【請求項４】  表面架橋処理された吸水性樹脂が、０．７ｐｓｉの荷重下における０．９重量％塩化ナトリウム水溶液に対する６０分間での加圧下吸収倍率が少なくとも２０(g/g)を有するものである、請求項１から３までのいずれかに記載の吸水剤の製造方法。
【請求項５】  内部架橋剤の存在下に不飽和カルボン酸を必須に含む単量体成分を重合して得られるポリアクリル酸部分中和架橋体であってその表面近傍が架橋処理してなる吸水性樹脂を含み、該吸水性樹脂は、吸水性樹脂１００重量部に対し０．０００１〜１０重量部の配合割合で、カルボキシル基を３個以上有するアミノカルボン酸およびその塩から選ばれるイオン封鎖剤が配合され、造粒されてなる、吸水剤。
【請求項６】  前記吸水性樹脂が、０．７ｐｓｉの荷重下における０．９重量％塩化ナトリウム水溶液に対する６０分間での加圧下吸収倍率が少なくとも２０(g/g)を有するものである、請求項５に記載の吸水剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は吸水剤の製造方法および吸水剤に関する。更に詳しくは、尿吸収時の劣化の少ない吸水剤の製造方法および吸水剤に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は尿を吸収したときの経時的な劣化の少ない、耐尿性に優れた吸水剤の製造方法および吸水剤を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、本発明の吸水剤の製造方法は、内部架橋剤の存在下に不飽和カルボン酸を必須に含む単量体成分を重合して得られる吸水性樹脂の表面近傍を架橋処理した後、該架橋処理された吸水性樹脂に水とイオン封鎖剤を添加し造粒することを含む。
本発明の吸水剤は、内部架橋剤の存在下に不飽和カルボン酸を必須に含む単量体成分を重合して得られるポリアクリル酸部分中和架橋体であってその表面近傍が架橋処理してなる吸水性樹脂を含む吸水剤であって、
該吸水性樹脂は、吸水性樹脂１００重量部に対し０．０００１〜１０重量部の配合割合で、カルボキシル基を３個以上有するアミノカルボン酸およびその塩から選ばれるイオン封鎖剤が配合され、造粒されてなるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって実行可能な命令からなるソフトウエアプログラムを具体的に組み入れ、コンピュータによって読出し可能なコンピュータプログラム記憶媒体であって、前記コンピュータが、命令アドレスをプリフェッチするための方法を実行するためのマイクロプロセッサを含み、前記命令アドレスをプリフェッチするための方法が、
シフトレジスタ内の予め選択されたビット位置が予め選択された論理値に設定され、かつ前記マイクロプロセッサが、プリフェッチ命令アドレスの受け入れ準備ができているとき、
前記プリフェッチ命令アドレスをアドレスレジスタへ書き込むステップと、
前記プリフェッチ命令アドレスを命令キャッシュへ書き込むステップと、
前記プリフェッチ命令アドレスを、次のプリフェッチ命令アドレスのアドレスの値にインクリメントするステップと、
前記命令キャッシュが前記プリフェッチ命令アドレスを受け入れたとき、
前記シフトレジスタが左側入力と右側入力とを有し、各入力が前記シフトレジスタ内に論理値をシフトする能力を有していて、前記予め選択された論理値の補数を前記左側入力において前記シフトレジスタ内にシフトするステップと、
前記マイクロプロセッサが前記命令キャッシュ内のキャッシュラインからの最後の命令をフェッチするとき、前記予め選択された論理値に等しい値を、前記右側入力において前記シフトレジスタ内にシフトするステップとを含む、コンピュータプログラム記憶媒体。
【請求項２】
命令アドレスをプリフェッチするためのコンピュータが使用可能な方法であって、
シフトレジスタ内の予め選択されたビット位置が予め選択された論理値に設定され、マイクロプロセッサが、前記プリフェッチ命令アドレスを受け入れる準備ができているとき、
前記プリフェッチ命令アドレスをアドレスレジスタへ書き込むステップと、
前記プリフェッチ命令アドレスを命令キャッシュへ書き込むステップと、
前記プリフェッチ命令アドレスを、次のプリフェッチ命令アドレスのアドレスの値にインクリメントするステップと、
前記命令キャッシュが前記プリフェッチ命令アドレスを受け入れたとき、
前記シフトレジスタが左側入力と右側入力とを有し、各入力が前記シフトレジスタ内に前記論理値をシフトする能力を有していて、前記予め選択された論理値の補数を前記左側入力において前記シフトレジスタ内にシフトするステップと、
前記マイクロプロセッサが前記命令キャッシュ内のキャッシュラインからの最後の命令をフェッチするとき、前記予め選択された論理値に等しい値を、前記右側入力において前記シフトレジスタ内にシフトするステップとを含む、コンピュータが使用可能な方法。
【請求項３】
命令アドレスをプリフェッチするための装置であって、
入力および出力を有するインクリメンタと、
ＳＥＴ  ＡおよびＳＥＴ  Ｂ制御ポートと、入力ＩＮＰＵＴ  ＡおよびＩＮＰＵＴ  Ｂと、出力とを有するアドレスレジスタであって、そのアドレスレジスタの前記出力は、前記インクリメンタの前記入力に接続され、前記インクリメンタの前記出力は前記ＩＮＰＵＴ  Ｂに接続される、アドレスレジスタと、
左側入力と、右側入力と、２つ以上のビット位置とを含むシフトレジスタであって、そのシフトレジスタは、ＳＥＴ  Ｂを介して前記アドレスレジスタに接続され、各入力が、論理値を前記シフトレジスタ内にシフトする能力を有し、プロセッサ制御回路によってプリフェッチ条件が検出されたとき、前記アドレスレジスタは前記ＩＮＰＵＴ  Ａを介して、前記プリフェッチ条件に関連するターゲット命令アドレスを受け入れる能力を有しており、前記シフトレジスタが、前記左側入力に接続されるビット位置を前記予め選択された論理値の補数に、かつ前記シフトレジスタの全ての他のビット位置を前記予め選択された論理値に初期化されることができ、前記シフトレジスタ内の予め選択されたビット位置が前記予め選択された論理値に設定され、かつマイクロプロセッサが前記プリフェッチ命令アドレスを受け入れる準備ができているとき、前記ＳＥＴ  Ｂが前記アドレスレジスタに格納されたアドレスの前記インクリメンタによるインクリメントをイネーブルにし、命令キャッシュが前記プリフェッチ命令アドレスを受け入れたとき、前記シフトレジスタは前記予め選択された論理値の前記補数を前記左側入力において前記シフトレジスタ内にシフトする能力を有し、前記マイクロプロセッサが前記命令キャッシュのキャッシュラインからの最後の命令をフェッチするとき、前記シフトレジスタは、前記予め選択された論理値に等しい値を、前記右側入力において前記シフトレジスタ内にシフトする能力を有する、シフトレジスタとを含む、命令アドレスをプリフェッチするための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
公的プリンタドライバ設定のセットを記憶する公的メモリユニットを有するホストコンピュータと、
前記ホストコンピュータに前記ネットワークを介して接続された少なくとも１つのクライアントコンピュータと
を備える、公的プリンタドライバ設定のセットを共有化するネットワークであって、
ここで、前記クライアントコンピュータにおいて印刷アプリケーションが起動されると、該クライアントコンピュータが、前記ホストコンピュータを呼び出すことによって前記公的メモリユニットから適切な公的プリンタドライバ設定のセットを取り出し、前記クライアントコンピュータが、該クライアントコンピュータのユーザ用の私的プリンタドライバ設定のセットを記憶するクライアントメモリユニットを有しており、前記公的プリンタドライバ設定または前記私的プリンタドライバ設定の各セットには、その一般的様相を表す個々のラベルが添付されている、ネットワーク。
【請求項２】
前記ホストコンピュータは、該ホストコンピュータの管理者の私的プリンタドライバ設定のセットを記憶するホスト私的メモリユニットをさらに備えていることを特徴とする、請求項１に記載のネットワーク。
【請求項３】
前記クライアントメモリユニットは、ユーザ用の私的記憶領域を複数有し、第１のユーザは個人的な私的記憶領域にアクセス可能であることを特徴とする、請求項１に記載のネットワーク。
【請求項４】
前記第１のユーザは、前記公的プリンタドライバ設定のセットすべてのラベルと、前記個人的な私的記憶領域に記憶されているこれらのセットのラベルと、を含む個人的なリストを作成することを特徴とする、請求項３に記載のネットワーク。
【請求項５】
前記第１のユーザは、印刷アプリケーションがクライアントコンピュータ上で起動されると、前記個人的なリストから第１のラベルを選択することを特徴とする、実施態様４に記載のネットワーク。
【請求項６】
前記第１のラベルが、公的プリンタドライバ設定の特定のセットを表す場合、前記クライアントコンピュータは、前記ホストコンピュータを呼び出すことによって、前記公的メモリユニットから前記公的プリンタドライバ設定の特定のセットを取り出すことを特徴とする、請求項５に記載のネットワーク。
【請求項７】
前記第１のラベルが、私的プリンタドライバ設定の特定のセットを表す場合、前記クライアントコンピュータは、前記個人的なクライアント私的記憶領域から、前記私的プリンタドライバ設定の特定のセットを取り出すことを特徴とする、請求項５に記載のネットワーク。
【請求項８】
前記ホストコンピュータに接続されるプリンタであって、前記クライアントコンピュータが前記ネットワークを介して前記プリンタに印刷する、前記プリンタをさらに備えていることを特徴とする、請求項１に記載のネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、ＩＤＴ電極を備えた共振子の複数を接続して成るラダー型回路を形成した弾性表面波装置であって、前記ラダー型回路は、入力信号を最初に通過させる第１共振子の前段に並列に接続される第１並列共振子と、前記第１共振子の後段に並列に接続される第２並列共振子とを有し、前記第１共振子と前記第２並列共振子との間に、１以上の共振子を直列接続させて、複数の共振子を直列接続した共振子群を形成していることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記圧電基板がタンタル酸リチウム単結晶であり、かつ前記共振子群は、該共振子群を構成する共振子の個数と、共振子のＩＤＴ電極対数の平均値との積が、１３０〜４５０の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、ＩＤＴ電極を備えた共振子の複数を接続して成るラダー型回路を形成した弾性表面波装置であって、前記ラダー型回路は、入力信号を最初に通過させる第１共振子の前段に並列に接続される第１並列共振子と、前記第１共振子の後段に並列に接続される第２並列共振子とを有し、前記第１共振子と前記第２並列共振子との間に、１以上の共振子を直列接続させて、複数の共振子を直列接続した共振子群を形成していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１に、本発明に係るＳＡＷ装置Ｓ１の主要部における模式的な平面図（電極形成領域の上面図）を示す。ＳＡＷ装置Ｓ１は、圧電基板Ｋ上にＩＤＴ電極Ｉと反射器Ｒとを備えた共振子の複数（１，２，１１）を接続してラダー型回路を形成したものであって、入力信号を最初に通過させる第１共振子１１ａの前段に並列に接続される第１並列共振子２ｂと、この第１共振子１１ａの後段に並列に接続される第２並列共振子２ａとを有し、第１共振子１１ａと第２並列共振子２ａとの間に、１以上の共振子を直列接続させて、複数の共振子を直列接続した共振子群１１を形成したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板上に、ＩＤＴ電極を備えた共振子の複数を接続して成るラダー型回路を形成した弾性表面波装置であって、前記ラダー型回路は、入力信号を最初に通過させる第１共振子の前段に並列に接続される第１並列共振子と、前記第１共振子の後段に並列に接続される第２並列共振子とを有し、前記第１共振子と前記第２並列共振子との間に、１以上の共振子を直列接続させて、複数の共振子を直列接続した共振子群を形成したことにより、入力信号による電気的及び機械的ストレスはラダー型回路を構成する共振子及び、共振子を構成するＩＤＴ電極指に分散され、高い耐電力性を有し信頼性に非常に優れた弾性表面波装置を提供することできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明に係るＳＡＷ装置を模式的に説明する平面図である。
【図２】
従来のＳＡＷ装置の平面図である。
【図３】
共振子群を構成する共振子の数とＩＤＴ電極対数との積と、耐電力との関係を示すグラフである。
【図４】
共振子群を構成する共振子の数とＩＤＴ電極対数との積と、挿入損失との関係を示すグラフである。
【図５】
ＳＡＷ装置の耐電力試験前の周波数特性を示すグラフである。
【図６】
ＳＡＷ装置の耐電力試験後の周波数特性を示すグラフである。
【図７】
対数を説明するための図であり、（ａ）はＩＤＴ電極の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】
１：直列共振子
２：並列共振子
２ａ：第２並列共振子
２ｂ：第１並列共振子
３：入力電極
４：出力電極
５：接地電極
１１：共振子群
１１ａ：第１共振子
Ｋ：圧電基板
Ｉ：ＩＤＴ電極
Ｒ：反射器
Ｓ１：本発明に係るＳＡＷ装置
Ｊ１：従来のＳＡＷ装置
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001156588.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機高分子材料からなる基体と、
上記基体上の酸化物電極膜と、
上記酸化物電極膜上の、少なくとも一種類のＩＶ族元素を含む半導体薄膜とを有する半導体装置において、
上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面に、直径３ｎｍ以上の粒子状生成物が実質的に含まれていない
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面に、直径１ｎｍ以上の粒子状生成物が実質的に含まれていないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  上記酸化物電極膜はＩＴＯ、酸化スズ、フッ酸ドープ酸化スズ、酸化亜鉛または酸化亜鉛−酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は非還元性雰囲気中で成膜されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は水素ガスを含まない雰囲気中で成膜されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は水素ガスを使用しないスパッタリング法により成膜されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は水素ガスを使用しないスパッタリング法により成膜されたものであり、その他の少なくとも一部分の上記半導体薄膜はプラズマエンハンスト化学気相成長法により成膜されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】  上記半導体薄膜は水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファスゲルマニウム、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムまたは水素化アモルファスシリコンカーバイドからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】  上記半導体装置は薄膜太陽電池であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】  有機高分子材料からなる基体と、
上記基体上の酸化物電極膜と、
上記酸化物電極膜上の、少なくとも一種類のＩＶ族元素を含む半導体薄膜とを有する半導体装置において、
上記半導体薄膜の成膜初期に非還元性雰囲気中で成膜を行った
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】  上記酸化物電極膜はＩＴＯ、酸化スズ、フッ酸ドープ酸化スズ、酸化亜鉛または酸化亜鉛−酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は非還元性雰囲気中で成膜されたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は水素ガスを含まない雰囲気中で成膜されたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１４】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は水素ガスを使用しないスパッタリング法により成膜されたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１５】  上記酸化物電極膜と上記半導体薄膜との界面の近傍の部分の上記半導体薄膜は水素ガスを使用しないスパッタリング法により成膜されたものであり、その他の少なくとも一部分の上記半導体薄膜はプラズマエンハンスト化学気相成長法により成膜されたものであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１６】  上記半導体薄膜は水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファスゲルマニウム、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムまたは水素化アモルファスシリコンカーバイドからなることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１７】  上記半導体装置は薄膜太陽電池であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１８】  有機高分子材料からなる基体と、
上記基体上の酸化物電極膜と、
上記酸化物電極膜上の、少なくとも一種類のＩＶ族元素を含む半導体薄膜とを有する半導体装置において、
上記半導体薄膜の成膜初期に非還元性雰囲気中で成膜を行うようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】  上記基体は透明基体であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】  上記酸化物電極膜は透明電極膜であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】  上記酸化物電極膜はＩＴＯ、酸化スズ、フッ酸ドープ酸化スズ、酸化亜鉛または酸化亜鉛−酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】  上記非還元性雰囲気は水素ガスを含まない雰囲気であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】  上記半導体薄膜の成長初期に水素ガスを使用しないスパッタリング法により成膜を行うようにしたことを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】  上記半導体薄膜の成長初期に水素ガスを使用しないスパッタリング法により成膜を行い、その後の少なくとも一部分の上記半導体薄膜の成膜をプラズマエンハンスト化学気相成長法により行うようにしたことを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】  上記半導体薄膜はアモルファス半導体薄膜であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】  上記半導体薄膜は水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファスゲルマニウム、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムまたは水素化アモルファスシリコンカーバイドからなることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】  上記半導体装置は薄膜太陽電池であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信データの属性に応じて、上記送信データを少なくとも第１と第２の二つのデータ領域に配置し、各データ領域において上記送信データを変調して送信シンボルを形成する送信データ処理手段、
上記第１のデータ領域に第１の同期信号を挿入する第１の同期信号生成手段と、
上記第２のデータ領域を少なくとも２つのサブ領域に分割し、各サブ領域毎に第２の同期信号を挿入する第２の同期信号生成手段と
を含む送信装置と、
受信信号に含まれる上記第１の同期信号に応じて、受信処理における基準クロック信号を生成する基準クロック生成手段と、
上記受信信号に含まれる上記第２の同期信号に応じて、上記第２のデータ領域における各サブ領域の復調タイミングを制御する復調タイミング制御手段と
を含む受信装置とを有する通信システム。
【請求項２】
送信データの属性に応じて、少なくとも第１と第２の二つのデータ領域に配置された複数の送信データによって一つの伝送単位が形成され、それぞれの上記伝送単位に第１の同期信号が挿入され、上記第２のデータ領域において、複数の送信データからなる少なくとも２つのサブ領域それぞれに第２の同期信号が挿入される変調信号を受信する受信装置であって、
受信信号から上記第１の同期信号を検出する第１の同期検出手段と、
上記第１の同期検出手段によって検出された上記第１の同期信号に応じて、受信処理における基準クロック信号を生成する基準クロック生成手段と、
上記受信信号から上記第２の同期信号を検出する第２の同期検出手段と、
上記第２の同期検出手段によって検出された上記第２の同期信号に応じて、上記第２のデータ領域における各サブ領域の復調タイミングを制御する復調タイミング制御手段と
を有する受信装置。
【請求項３】
上記基準クロックをカウントし、上記第１の同期検出手段によって検出された上記第１の同期信号のタイミングに応じて、カウント値を制御するカウンタを有し、
上記第２の同期検出手段は、上記カウンタのカウント値に応じて、上記第２の同期信号を検出するタイミングを粗調整する
請求項２記載の受信装置。
【請求項４】
上記第１及び第２の同期信号は、疑似乱数データ列である
請求項２記載の受信装置。
【請求項５】
上記第１の同期検出手段は、上記第１の同期信号と同じ疑似乱数データ列を用いて、上記受信信号との相互相関値を計算し、算出した上記相互相関値が予め設定されたしきい値との比較結果に応じて、上記第１の同期信号を検出する
請求項４記載の受信装置。
【請求項６】
上記第２の同期検出手段は、上記第２の同期信号と同じ疑似乱数データ列を用いて、上記受信信号との相互相関値を計算し、算出した上記相互相関値が予め設定されたしきい値との比較結果に応じて、上記第２の同期信号を検出する
請求項４記載の受信装置。
【請求項７】
上記第１及び第２の同期信号は、所定の符号長をもつＭ系列である
請求項２記載の受信装置。
【請求項８】
上記第１及び第２の同期信号は、ゴールド符号である
請求項２記載の受信装置。
【請求項９】
上記第１及び第２の同期信号は、所定のデータ系列をＯＦＤＭ変調した変調信号のうち、実数部の信号に応じて生成される
請求項２記載の受信装置。
【請求項１０】
上記第１の同期信号生成手段は、所定のデータ系列をＯＦＤＭ変調した変調信号のうち、虚数部の信号に応じて生成される
請求項２記載の受信装置。
【請求項１１】
上記第１の同期信号を形成する符号系列と上記第２の同期信号を形成する符号系列は、位相が異なるだけの互いに同一の符号系列である
請求項２記載の受信装置。
【請求項１２】
上記各伝送単位において、上記第２のデータ領域に続き、第３のデータ領域が設けられ、当該第３のデータ領域に第３の同期信号が挿入され、
上記第３の同期信号を検出する第３の同期検出手段と、
上記第３の同期検出手段によって検出された上記第３の同期信号に応じて、上記第３のデータ領域における復調のタイミングを制御する第２の復調タイミング制御手段と
を有する請求項２記載の受信装置。
【請求項１３】
上記第３の同期信号は、上記第２の同期信号と同じ疑似乱数データ列によって構成されている
請求項１２記載の受信装置。