【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被処理基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜の処理方法であって、
水素ガスを解離して水素ラジカルを形成する工程と、
前記フッ素添加カーボン膜を前記水素ラジカルに曝す工程とを含むことを特徴とするフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項２】  前記水素ラジカルは、前記水素ガスを含むプラズマガスをプラズマ励起することで形成されることを特徴とする請求項１記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項３】  前記プラズマガスはＨｅガスを含むことを特徴とする請求項２記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項４】  前記プラズマ励起は、基板処理装置によって行われるマイクロ波プラズマ励起であり、前記基板処理装置はマイクロ波を導入するマイクロ波アンテナを有し、前記マイクロ波アンテナは同軸導波管により給電され、開口部を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体上に前記開口部を覆うように設けられた複数のスロットを有するマイクロ波放射面と、前記アンテナ本体と前記マイクロ波放射面との間に設けられた誘電体よりなることを特徴とする請求項２または３記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項５】  前記基板処理装置は、
外壁により画成され、前記被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、
前記処理容器を排気する排気口と、
前記処理容器上に、前記被処理基板に対面するように前記外壁の一部として設けられたマイクロ波透過窓と、
前記マイクロ波透過窓上に設けられた、マイクロ波電源が電気的に接続された前記マイクロ波アンテナと、
前記処理容器中に前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給部と、
前記保持台上の前記被処理基板と前記マイクロ波透過窓との間に前記被処理基板に対面するように設けられた荷電粒子除去構造よりなることを特徴とする請求項４記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項６】  前記荷電粒子除去構造は導電材料からなり、接地されていることを特徴とする請求項５記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項７】  前記荷電粒子除去構造は、前記水素ラジカルを通過させる複数の開口部と、荷電粒子を衝突させる衝突部を有することを特徴とする請求項５または６記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項８】  前記プラズマガス供給部は前記処理容器と前記マイクロ波透過窓の間に挿入されて前記外壁の一部を形成することを特徴とする請求項５〜７のうち、いずれか１項記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項９】  前記プラズマガス供給部は、前記マイクロ波透過窓と前記荷電粒子除去構造の間に、前記プラズマガスを供給する構造であることを特徴とする請求項８記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法。
【請求項１０】  前記マイクロ波プラズマ励起は、実質的に前記処理容器内の前記マイクロ波透過窓と前記荷電粒子除去構造の間に形成される空間で生じることを特徴とする請求項５〜９のうち、いずれか１項記載のフッ素添加カーボン膜の形成方法。
【請求項１１】  被処理基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜を処理する基板処理装置であって、
水素ガスを解離して水素ラジカルを形成する工程と、
前記フッ素添加カーボン膜を前記水素ラジカルに曝す工程とを実施することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記の課題を解決するために、
請求項１に記載したように、
被処理基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜の処理方法であって、
水素ガスを解離して水素ラジカルを形成する工程と、
前記フッ素添加カーボン膜を前記水素ラジカルに曝す工程とを含むことを特徴とするフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記水素ラジカルは、前記水素ガスを含むプラズマガスをプラズマ励起することで形成されることを特徴とする請求項１記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記プラズマガスはＨｅガスを含むことを特徴とする請求項２記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項４に記載したように、
前記プラズマ励起は、基板処理装置によって行われるマイクロ波プラズマ励起であり、前記基板処理装置はマイクロ波を導入するマイクロ波アンテナを有し、前記マイクロ波アンテナは同軸導波管により給電され、開口部を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体上に前記開口部を覆うように設けられた複数のスロットを有するマイクロ波放射面と、前記アンテナ本体と前記マイクロ波放射面との間に設けられた誘電体よりなることを特徴とする請求項２または３記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記基板処理装置は、
外壁により画成され、前記被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、
前記処理容器を排気する排気口と、
前記処理容器上に、前記被処理基板に対面するように前記外壁の一部として設けられたマイクロ波透過窓と、
前記マイクロ波透過窓上に設けられた、マイクロ波電源が電気的に接続された前記マイクロ波アンテナと、
前記処理容器中に前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給部と、
前記保持台上の前記被処理基板と前記マイクロ波透過窓との間に前記被処理基板に対面するように設けられた荷電粒子除去構造よりなることを特徴とする請求項４記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記荷電粒子除去構造は導電材料からなり、接地されていることを特徴とする請求項５記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項７に記載したように、
前記荷電粒子除去構造は、前記水素ラジカルを通過させる複数の開口部と、荷電粒子を衝突させる衝突部を有することを特徴とする請求項５または６記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項８に記載したように、
前記プラズマガス供給部は前記処理容器と前記マイクロ波透過窓の間に挿入されて前記外壁の一部を形成することを特徴とする請求項５〜７のうち、いずれか１項記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項９に記載したように、
前記プラズマガス供給部は、前記マイクロ波透過窓と前記荷電粒子除去構造の間に、前記プラズマガスを供給する構造であることを特徴とする請求項８記載のフッ素添加カーボン膜の処理方法により、また、
請求項１０に記載したように、
前記マイクロ波プラズマ励起は、実質的に前記処理容器内の前記マイクロ波透過窓と前記荷電粒子除去構造の間に形成される空間で生じることを特徴とする請求項５〜９のうち、いずれか１項記載のフッ素添加カーボン膜の形成方法により、また、
請求項１１に記載したように、
被処理基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜を処理する基板処理装置であって、
水素ガスを解離して水素ラジカルを形成する工程と、
前記フッ素添加カーボン膜を前記水素ラジカルに曝す工程とを実施することを特徴とする基板処理装置により、解決する。
［作用］
本発明によれば、フッ素添加カーボン膜を水素ラジカル中に曝すことにより、加熱処理を行うことなく、フッ素添加カーボン膜のリーク電流を低下させることが可能になる。そのため、熱によるフッ素添加カーボン膜の変質を生じることなく、リーク電流の低い膜質に優れたフッ素添加カーボン膜を形成することが可能になる。