【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び半導体多層膜の上部反射鏡を備え、
前記上部反射鏡は、相互に離隔した上下２段の電流狭窄層を有するメサポストとして形成され、
前記上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域は、前記下段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域より狭いことを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】  前記メサポストは、前記上段の電流狭窄層を有する柱状の上部メサポストと、前記下段の電流狭窄層を有し、前記上部メサポストより径の大きい柱状の下部メサポストとからなる２段構造のメサポストとして形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】  前記メサポストの中心軸、前記上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域の中心、及び前記下段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域の中心が、前記基板に垂直な同一の直線上にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】  前記上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域の径が、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項５】  前記下段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域の径が、前記上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域の径より大きいことを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項６】  前記電流狭窄層の電流狭窄領域は、前記半導体多層膜の一層として設けられたＡｌ含有層のＡｌを選択的に酸化したＡｌ酸化層であり、前記電流狭窄層の電流注入領域は、酸化されずに残ったＡｌ含有層であることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項７】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔した上下２段の電流狭窄層を有する半導体多層膜の上部反射鏡を備え、
前記上部反射鏡は、それぞれ、前記上段の電流狭窄層を有し、かつ相互に同じ層構造を有する複数の柱状の上部メサポストと、前記上部メサポストを上面に有し、かつ前記上段の電流狭窄層の電流注入領域より広い電流注入領域を備える前記下段の電流狭窄層を有する柱状の下部メサポストとからなる２段構造のメサポストとして形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項８】  前記上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域の径が、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の面発光レーザ素子。
【請求項９】  前記下段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域が、前記基板に対して垂直方向に見て、前記複数の上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域を全て含むように形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１０】  前記電流狭窄層の電流狭窄領域は、前記半導体多層膜の一層として設けられたＡｌ含有層のＡｌを選択的に酸化したＡｌ酸化層であり、前記電流狭窄層の電流注入領域は、酸化されずに残った前記Ａｌ含有層であることを特徴とする請求項７に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１１】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔した上下２段の電流狭窄層を有する半導体多層膜の上部反射鏡を備え、
前記上部反射鏡は、前記上段の電流狭窄層を有する上部メサポストと、前記下段の電流狭窄層を有する柱状の下部メサポストとからなる２段構造のメサポストとして形成され、
前記上部メサポスト内には、前記上部メサポストと同じ層構造で、同じ層位置に電流狭窄層を有する複数個の小メサポストが、分離溝を介して相互に分離されて形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項１２】  前記上段の電流狭窄層に設けられた電流注入領域が、前記上部メサポストの中央に設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１３】  前記電流狭窄層の電流狭窄領域は、前記半導体多層膜の一層として設けられたＡｌ含有層のＡｌを選択的に酸化したＡｌ酸化層であり、前記電流狭窄層の電流注入領域は、酸化されずに残った前記Ａｌ含有層であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１４】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔した上下２段の８５％以上のＡｌを含む高Ａｌ含有層を有する半導体多層膜の上部反射鏡を形成する工程と、
前記上段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして、上部メサポストを形成する工程と、
前記上部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、前記高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる第１の電流注入領域として残すと共に、前記第１の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と、
前記上部メサポストの下の前記下段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして下部メサポストを形成する工程と、
前記下部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、前記高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる、前記第１の電流注入領域より広い第２の電流注入領域として残すと共に、前記第２の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と
を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項１５】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔した上下２段の８５％以上のＡｌを含む高Ａｌ含有層を有する半導体多層膜の上部反射鏡を形成する工程と、
前記上段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして、複数個の上部メサポストを形成する工程と、
前記上部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、前記高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる第１の電流注入領域として残すと共に、前記第１の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と、
前記上部メサポストの下の前記下段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして下部メサポストを形成する工程と、
前記下部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、前記高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる、前記第１の電流注入領域より広い第２の電流注入領域として残すと共に、前記第２の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と
を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項１６】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔した上下２段の８５％以上のＡｌを含む高Ａｌ含有層を有する半導体多層膜の上部反射鏡を形成する工程と、
前記上段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして、上部メサポストを形成すると共に、分離溝を介して相互に分離された複数個の小メサポストを上部メサポスト内に形成する工程と、
前記上部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化し、かつ前記分離溝を介して前記小メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、各高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる第１の電流注入領域として残すと共に、前記第１の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と、
前記上部メサポストの下の前記下段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして、下部メサポストを形成する工程と、
前記下部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、前記高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる第２の電流注入領域として残すと共に、前記第２の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と
を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】  基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔し、下段の８５％以上のＡｌを含む高Ａｌ含有層と前記下段の高Ａｌ含有層よりＡｌ組成の高い上段の高Ａｌ含有層とを有する、半導体多層膜の上部反射鏡を形成する工程と、
前記上下２段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングしてメサポストを形成する工程と、
前記メサポストの上下２段の高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、前記上段の高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる第１の電流注入領域として残すと共に、前記第１の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成すると共に、前記下段の高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる、前記第１の電流注入領域より広い第２の電流注入領域として残すと共に、前記第２の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と
を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明方法に係る面発光レーザ素子の製造方法（以下、本発明方法の第１発明と呼ぶ）は、基板上に、順次、半導体多層膜の下部反射鏡、活性層、及び相互に離隔した上下２段の高Ａｌ含有層（高Ａｌ含有層とは、後述するように、Ａｌを８５％以上含有するＡｌ含有層であり、以下同様とする。）を有する半導体多層膜の上部反射鏡を形成する工程と、
上段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして、上部メサポストを形成する工程と、
上部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる第１の電流注入領域として残すと共に、第１の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と、
上部メサポストの下の下段の高Ａｌ含有層を含む上部反射鏡をエッチングして下部メサポストを形成する工程と、
下部メサポストの高Ａｌ含有層を水蒸気酸化して、高Ａｌ含有層の中央領域を非酸化の高Ａｌ含有層からなる、第１の電流注入領域より広い第２の電流注入領域として残すと共に、第２の電流注入領域を囲むＡｌ酸化層からなる電流狭窄領域を形成する工程と
を有することを特徴としている。