【事件の表示】
　平成４年特許願第５３９８８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成５年１０月８日出願公開、特開平５−２５９１３０、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年３月１３日の出願であって、その請求項１、２に係る発明（以下、「本願発明１、２」という。）は、平成１３年１２月２１日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体基板上に少なくとも三層の半導体層が積層された半導体装置であり、上層から順に第１の半導体層、第２の半導体層および第３の半導体層の各半導体層を含む半導体装置の製造工程において、
エッチングイオンの運動エネルギーにより半導体構成元素を脱離させる物理的エッチングを主要なエッチング機構とする第１のエッチングを用いて、前記第１の半導体層を除去する工程と、
　次いでエッチングイオンと半導体構成元素との反応生成物を脱離させる化学反応エッチングが前記第１のエッチングと比較して主要なエッチング機構であり、前記第３の半導体層に対して前記第２の半導体層を選択的にエッチングする第２のエッチングを用いて、前記第３の半導体層を全面的に露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項２】半導体基板上に少なくとも二層の半導体層が積層された半導体装置であり、上層から順に第１の半導体層、第２の半導体層の各半導体層を含む半導体装置の製造工程において、
前記第１の半導体層にエッチングマスクを設け、エッチングイオンの運動エネルギーにより半導体構成元素を脱離させる物理的エッチングを主要なエッチング機構とする第１のエッチングを用いて前記エッチングマスクを設けた部分以外の第１の半導体層を厚さ方向に一部除去する工程と、
次いで前記除去して残る第１の半導体層を前記第２の半導体層に対して選択的に除去する湿式エッチングを用いて、前記第２の半導体層のうち前記エッチングマスクを設けた部分以外を全面的に露出する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
［２］引用例の記載事項
（１）原審の拒絶の理由に引用された引用例１の特開平３−２２５３０２号公報には、マスクで覆われた部分以外の半導体第２クラッド層をエッチングにより除去してリブ型光導波路を形成する工程について、以下の事項が記載されている。
　「従来のＲＩＢＥ法によるドライエッチングでは、ウエハの表面状態にエッチング深さの制御性が左右されてしまい、制御性のよいエッチング深さが得られない。
　これに対し、本発明においては、リブ部形成時のドライエッチング工程において、先ず比較的反応性の低いガスによる第１のエッチング工程を行う（実施例では、ＡｒガスによるＲＩＢＥ法を行っている。）から、ウエハの表面状態によらず、エッチング深さの制御性が改善される。さらにこの後に比較的反応性の高いガスによる第２のエッチング工程を行う（実施例では、Ｃｌ２によるＲＩＢＥ法を行っている。）から、マスクとの選択比が確保され、マスクの後退による垂直性の低下の心配がない上に、エッチング面のダメージが少ない。このため、終始反応性の高いガスのみで行うエッチングに比べてエッチング深さの制御性がよく、かつ、終始反応性の低いガスのみで行うエッチングに比べて垂直性がよくエッチング面のダメージが少ない。」（２頁左下欄６行〜右下欄３行参照）
　
（２）同じく引用された引用例２の特開平３−１６０７３３号公報には、以下の事項が記載されている。
　「ウエハ上のレジスト６を形成し、該レジスト６を第１のゲート電極のパターンにパターニングし、開口７を形成する。この開口７からＣＣｌ２系のガスを用いて露出した第２のＧａＡｓ層５をＲＩＥすると、第２のＧａＡｓ層５のみが除去される（第２図Ａ）。すなわち、第２のＡｌＧａＡｓ層４がＲＩＥのエッチング停止層として働いており、第２のＡｌＧａＡｓ層４の表面が露出する。
　フッ酸・・・を用いてウエットエッチングを施し、第２のＡｌＧａＡｓ層４を除去する（第２図Ｂ）。このとき、第２のＡｌＡｓ層４は第１のＧａＡｓ層３に対して１００倍以上の大きなエッチングの選択比を有しているので、第２のＡｌＡｓ層４のみが除去される。」（２頁左下欄末行〜右下欄１４行）
　
（３）同じく引用された引用例３の特開平１−１７９４８２号公報には、以下の事項が記載されている。
　「半導体レーザーウエハー上方にストライプ上のフォトマスク１７を形成し［第１図（ａ）］、このマスクを通して、活性層１４の手前までエッチングする［同図（ｂ）］。このエッチングは、・・・反応性イオンビームエッチング、Ａｒイオンミリング等が利用できる。
　次に、・・・活性層からリッジの底面までの距離ＸＲを直接測定する。
　そのＸＲ値と、・・・ウエットエッチング速度をもとに、ウエハーを目標のＸＲ・・・になるように、さらにウエットエッチングする（同図ｅ）。」（３頁右上欄６行〜左下欄５行）
　なお、上記活性層１４の手前までのエッチングにより、キャップ層１６、ｐ型半導体クラッド層１５がエッチングされることは、第１図より明らかである。
　
［３］対比・判断
（１）本願発明１について
　引用例１に記載された方法では、半導体第２クラッド層（本願発明１の「第１の半導体層」に相当する。）をエッチングする際に、先ず比較的反応性の低いＡｒガスによるＲＩＢＥ法の第１のエッチングを行い、次に比較的反応性の高いＣｌ２ガスによるＲＩＢＥ法の第２のエッチングを行っており、また、引用例２に記載された方法では、ＣＣｌ２系のガスを用いて第２のＧａＡｓ層（同じく「第１の半導体層」に相当する。）をＲＩＥによりエッチングを行い、第２のＧａＡｓ層のみを除去し、次に、フッ酸を用いて第２のＡｌＧａＡｓ層（同じく「第２の半導体層」に相当する。）にウエットエッチングを施し、第２のＡｌＧａＡｓ層のみを除去して、第１のＧａＡｓ層（同じく「第３の半導体層」に相当する。）を露出させている。さらに、引用例３は、フォトマスクを設けた部分以外のｎ型半導体クラッド層（同じく「第１の半導体層」に相当する。）を活性層の手前までエッチングするために、Ａｒイオンミリングし、次にウエットエッチングするものである。
　しかしながら、引用例１〜３に記載された方法は、いずれも本願発明１のように、物理的エッチングを用いて第１の半導体層のみを第２の半導体層まで除去するものではないし、また、引用例１〜３には、本願発明１のように、物理的エッチングを用いて第１の半導体層のみを第２の半導体層まで除去する点については、何らの記載も示唆もない。
　してみると、引用例１〜３に記載された方法を如何に組み合わせてみても、上記の点を容易に想到することはできない。
　
（２）本願発明２について
　　引用例１に記載された方法（第１図、第２図（ｃ）参照。）では、マスクで覆われた部分以外の半導体第２クラッド層（本願発明２の「第１の半導体層」に相当する。）をエッチングする際に、先ず比較的反応性の低いＡｒガスによるＲＩＢＥ法の第１のエッチングを行い、次に比較的反応性の高いＣｌ２ガスによるＲＩＢＥ法の第２のエッチングを行っているものの、本願発明２のように、第２のエッチングによりマスクで覆われた部分以外の半導体第２クラッド層を全面的に除去して、下層の半導体層を露出させるものではない。
　また、引用例２に記載された方法では、ＣＣｌ２系のガスを用いて第２のＧａＡｓ層（同じく「第１の半導体層」に相当する。）をＲＩＥによりエッチングを行い、第２のＧａＡｓ層のみを除去し、次にフッ酸を用いてウエットエッチングを施し、第２のＡｌＧａＡｓ層（同じく「第２の半導体層」に相当する。）のみを除去しており、本願発明２のように、物理的エッチング用いてエッチングマスクを設けた部分以外の第１の半導体層を厚さ方向に一部除去し、次いで除去して残る第１の半導体層を第２の半導体層に対して選択的に除去する湿式エッチングを用いて、第２の半導体層のうちエッチングマスクを設けた部分以外を全面的に露出するものではない。
　さらに、引用例３に記載された方法は、ｎ型半導体クラッド層（同じく「第１の半導体層」に相当する。）を活性層の手前までエッチングするために、Ａｒイオンミリングし、次にウエットエッチングするものの、ウエットエッチングによりフォトマスクを設けた部分以外のｎ型半導体層を全面的に露出させるものではないから、本願発明２のように、厚さ方向に一部除去して残る第１の半導体層を第２の半導体層に対して選択的に除去する湿式エッチングを用いて、第２の半導体層のうちエッチングマスクを設けた部分以外を全面的に露出するものではない。
　そして、引用例１〜３には、本願発明２のように、厚さ方向に一部除去して残る第１の半導体層を第２の半導体層に対して選択的に除去する湿式エッチングを用いて、第２の半導体層のうちエッチングマスクを設けた部分以外を全面的に露出する点については、何らの記載も示唆もない。
　してみると、引用例１〜３に記載された方法を如何に組み合わせてみても、上記の点を容易に想到することはできない。
　
　そして、本願発明１、２は、化学反応的なドライエッチングが困難な半導体層を含む半導体装置も、従来の物理的及び化学反応的なエッチング装置を組み合わせて加工ができ、また、物理的なエッチングを行った半導体表面を化学的にエッチングし、エッチングを一定の半導体層で自動停止させるので、物理的エッチングで生じたマスク周囲の溝を取り除くことが可能となるという、明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
［４］むすび
　したがって、本願発明１、２は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。