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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
層間絶縁膜を介して積層される異なる層の配線をビア孔内に埋め込んだプラグで接続するようにした半導体集積回路において、
前記プラグで接続する配線の内で最上層の配線を、該ビア孔が貫通し、該ビア孔内に埋め込んだプラグの側面の一部が、該最上層の配線に接触することを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
層間絶縁膜を介して積層される異なる層の配線をビア孔内に埋め込んだプラグで接続するようにした半導体集積回路の製造方法において、
下層配線を形成した半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
該層間絶縁膜上に、上層配線を形成するための金属膜を形成する工程と、
該金属膜及び層間絶縁膜を選択的にエッチングして、下層配線に到達するビア孔を形成する工程と、
該ビア孔内に、前記下層配線と金属膜とを接続するプラグを、該プラグの側面の一部が、該最上層の配線に接触するように、形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
まず、本願の第１発明の半導体集積回路は、層間絶縁膜を介して積層される異なる層の配線をビア孔内に埋め込んだプラグで接続するようにした半導体集積回路において、
前記プラグで接続する配線の内で最上層の配線を、該ビア孔が貫通し、該ビア孔内に埋め込んだプラグの側面の一部が、該最上層の配線に接触するようにしたことにより、前記課題を解決したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、本願の第２発明の半導体集積回路の製造方法は、層間絶縁膜を介して積層される異なる層の配線をビア孔内に埋め込んだプラグで接続するようにした半導体集積回路の製造方法において、下層配線を形成した半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜上に、上層配線を形成するための金属膜を形成する工程と、該金属膜及び層間絶縁膜を選択的にエッチングして、下層配線に到達するビア孔を形成する工程と、該ビア孔内に、前記下層配線と金属膜とを接続するプラグを、該プラグの側面の一部が、該最上層の配線に接触するように、形成する工程とを有するようにしたことにより、前記課題を解決したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明では、プラグＢで接続する配線の内で最上層の配線Ａを、該プラグＢが埋め込まれたビア孔が貫通する構造を有している。又、該ビア孔内に埋め込んだプラグＢの側面の一部が、該最上層の配線Ａに接触する構造を有している。このため、ビア孔に対する上層配線Ａのアライメントがずれても、ビア抵抗の増大を抑え、電流密度の局所的な上昇を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  洗浄チャンバー内に被洗浄基板を配置し、クリーンルームエアーをフィルターを介して前記洗浄チャンバー内に導入することで、前記洗浄チャンバー内を清浄化されている雰囲気にして前記被洗浄基板の洗浄を行うことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】  前記フィルターは、前記クリーンルームエアーに含まれる有機不純物及び塵芥を少なくとも除去するものであることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】  前記フィルターは、前記有機不純物の除去を目的とした第１のフィルターと、前記塵芥の除去を目的とした第２のフィルターとを少なくとも含み、これら複数のフィルターが直列に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】  前記第１のフィルターは、前記有機不純物を吸着する材料を少なくとも含んでおり、前記第２のフィルターは、前記塵芥のろ過が可能であり、且つＰＴＦＥを含む耐ケミカル性に富む材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】  前記洗浄チャンバー内における前記クリーンルームエアーの空気の流れを調整する流量調整手段を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】  前記被洗浄基板を少なくとも水平状態で保持するとともに、回転可能に保持する回転保持手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】  前記被洗浄基板に向けて上方及び下方のうちの少なくとも一方から洗浄液を噴射する洗浄液供給手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】  前記洗浄液供給手段に高周波音波を照射する高周波音波照射手段を更に有することを特徴とする請求項７に記載の基板洗浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板洗浄装置は、洗浄チャンバー内に被洗浄基板を配置し、クリーンルームエアーをフィルターを介して前記洗浄チャンバー内に導入することで、前記洗浄チャンバー内を清浄化されている雰囲気にして前記被洗浄基板の洗浄を行う。
本発明の基板洗浄装置における他の態様は、前記フィルターは、前記クリーンルームエアーに含まれる有機不純物及び塵芥を少なくとも除去するものである。
また、本発明の基板洗浄装置におけるその他の態様は、前記フィルターは、前記有機不純物の除去を目的とした第１のフィルターと、前記塵芥の除去を目的とした第２のフィルターとを少なくとも含み、これら複数のフィルターが直列に配置されている。
また、本発明の基板洗浄装置におけるその他の態様は、前記第１のフィルターは、前記有機不純物を吸着する材料を少なくとも含んでおり、前記第２のフィルターは、前記塵芥のろ過が可能であり、且つＰＴＦＥを含む耐ケミカル性に富む材料で構成されている。
また、本発明の基板洗浄装置におけるその他の態様は、前記洗浄チャンバー内における前記クリーンルームエアーの空気の流れを調整する流量調整手段を有する。
また、本発明の基板洗浄装置におけるその他の態様は、前記被洗浄基板を少なくとも水平状態で保持するとともに、回転可能に保持する回転保持手段を更に有する。
また、本発明の基板洗浄装置におけるその他の態様は、前記被洗浄基板に向けて上方及び下方のうちの少なくとも一方から洗浄液を噴射する洗浄液供給手段を更に有する。
また、本発明の基板洗浄装置におけるその他の態様は、前記洗浄液供給手段に高周波音波を照射する高周波音波照射手段を更に有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、洗浄チャンバー内にクリーンルームエアーを導入する際に有機不純物等の不鈍物が入り込まないようにすることができる。また、枚葉式洗浄装置の小型化、特に、洗浄チャンバーの小型化に伴い、従来より問題となっていた基板高速回転時の排気を高効率で行うことができる。特に、本発明においては、有機不純物の除去用フィルターと塵芥の除去用フィルターとを直列に配置するようにしたので、有機不純物および塵芥を洗浄チャンバー内に入り込ますことなく、クリーンルームエアー内の空気を洗浄チャンバー内に導入することができる。また、本発明の他の特徴によれば、洗浄チャンバー内におけるクリーンルームエアーの空気の流れを調整する流量調整手段を設けたので、洗浄チャンバー内の気流の流れおよび速度を高精度で制御することができる。これにより、基板を高速に回転させている時でも効率よく排気を行うことができ、洗浄チャンバー内にケミカルミストが滞在する問題を良好に解消することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に、その表面上に酸化物を有する被処理体を搬入する工程と、
前記処理容器内を真空排気する工程と、
ＮとＨを含むガスをプラズマ発生部に導入し、及び該ガスをプラズマ化することにより活性化することにより、それぞれの活性ガス種を形成する工程と、
前記活性ガス種を被処理体に向けてフローさせ、及びフローしている前記活性ガス種にＮＦ3ガスを前記プラズマ発生部の下方の位置において添加することにより、ＮＦ3ガスの活性化されたガスを形成する工程と、
前記被処理体を所定の温度以下に冷却する工程と、
該ＮＦ3ガスの活性化されたガスを該被処理体の表面上の前記酸化物と反応させることにより、前記酸化物を変質させる工程と、
からなることを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記ＮとＨを含むガスが、Ｎ2ガスとＨ2ガスとの混合ガスであり、
前記酸化物を変質させる工程に続いて、前記Ｎ2ガス、Ｈ2ガス及びＮＦ3ガスの供給を停止し、及び前記被処理体を所定の温度に加熱することにより、前記反応膜を昇華させる工程と、
を、さらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
前記ＮとＨを含むガスが、アンモニアであることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項４】
前記被処理体を冷却する所定の温度が、常温以下であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項５】
前記被処理体を冷却する所定の温度が、２０℃乃至−２０℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項６】
前記被処理体を冷却する所定の温度が、１０℃乃至−２０℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項７】
前記反応膜を昇華させる所定の加熱温度が、１００℃以上の温度であることを特徴とする請求項２に記載の表面処理方法。
【請求項８】
プラズマ形成用ガスをプラズマ化するプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部に接続され、その内部に被処理体を載置する載置台を設けた処理容器と、
前記載置台に載置された被処理体を所定の温度に冷却する手段と、
前記プラズマ発生部にプラズマ形成用ガスとして、ＮとＨを含むガスを供給するプラズマ形成用ガス導入部と、
前記プラズマ発生部で活性化され、被処理体に向けてフローしているＮとＨを含むガスの活性ガス種に、前記プラズマ発生部の下方の位置においてＮＦ3ガスを添加するＮＦ3ガス供給部と、
を具備し、
ここにおいて、前記ＮＦ3ガスの添加により、ＮＦ3ガスの活性化されたガスが形成され、前記ＮＦ3ガスの活性化されたガスの前記被処理体上の表面層と反応させ、該表面層を変質させる、
ことを特徴とする表面処理装置。
【請求項９】
前記ＮとＨを含むガスが、アンモニアであることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１０】
前記表面処理装置が、被処理体の表面に形成された自然酸化膜を除去するための装置であることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１１】
前記載置台に載置された被処理体を冷却する所定の温度が、常温以下であることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１２】
前記載置台に載置された被処理体を冷却する所定の温度が、２０℃乃至−２０℃の範囲であることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１３】
前記載置台に載置された被処理体を冷却する所定の温度が、１０℃乃至−２０℃の範囲であることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１４】
前記ＮＦ3ガス供給部が、前記処理容器の内壁に設けられた多数のガス噴出口孔を備えることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１５】
前記ＮＦ3ガス供給部が、前記処理容器内に設けられた多数のガス噴出孔をもつシャワーヘッドを備えることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１６】
前記ＮＦ3ガス供給部が、前記プラズマ発生部の端から被処理体の方向に少なくとも２０ｃｍ離れた位置で前記ＮＦ3ガスを前記活性ガス種に添加することを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１７】
前記プラズマ発生部がプラズマ形成管よりなり、前記プラズマ形成管の開口部には、前記載置台に向かって開口した傘状の覆いが設けられていることを特徴とする請求項８に記載の表面処理装置。
【請求項１８】
前記多数のガス噴出孔が斜め方向に向かって設けられていることを特徴とする請求項１５に記載の表面処理装置。
【請求項１９】
請求項８に記載の表面処理装置に、搬送チャンバを介して、１個あるいは複数個の金属配線形成チャンバ、加熱チャンバ、及びロードロックチャンバを、被処理体が非反応性雰囲気中で搬送されるように、設けたクラスタ装置。
【請求項２０】
請求項８に記載の表面処理装置に、搬送チャンバを介して、１個あるいは複数個の金属配線形成チャンバ、加熱チャンバ、冷却チャンバ及びロードロックチャンバを、被処理体が非反応性雰囲気中で搬送されるように、設けたクラスタ装置。
【請求項２１】
前記金属配線形成チャンバが、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｓｉ、Ｗ、ＷＮ、Ｃｕ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮの内の少なくとも一つの膜を形成するためのチャンバである、ことを特徴とする請求項１９又は２０に記載のクラスタ装置。
【請求項２２】
前記金属配線形成チャンバが、少なくとも１００℃以上の温度に前記被処理体を加熱する手段を具備している、ことを特徴とする請求項１９又は２０に記載のクラスタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、該真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と、前記試料に高周波電圧を印加するための高周波電源からなる装置による微細パタンのエッチング処理を行う方法において、
前記試料に印加する高周波電圧を周期的にオンオフし、パタン面積が広い疎な部分とパタン面積が狭い密な部分のエッチング速度の差を少なくすることを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の表面処理方法において、
前記高周波電圧のオン時の試料に入射するイオンエネルギーが４００ｅＶ以上になるように、高周波電圧の振幅を設定することを特徴とする表面処理方法。
【請求項３】
請求項２記載の表面処理方法において、
高周波電圧の周波数が１５ＭＨｚ以下の場合は高周波電圧オン時の振幅を５００Ｖ以上とし、１５ＭＨｚ以上の場合は８００Ｖ以上とすることを特徴とする表面処理方法。
【請求項４】
請求項１記載の表面処理方法において、
エッチングガスの圧力を０．１Ｐａから５Ｐａの間に設定し、パタン面積が広い疎な部分とパタン面積が狭い密な部分のエッチング速度の差を少なくすることを特徴とする表面処理方法。
【請求項５】
請求項１記載の表面処理方法において、
前記試料上で測定したイオンの飽和電流密度を２ｍＡ／ｃｍ2 以下にし、パタン面積が広い疎な部分とパタン面積が狭い密な部分のエッチング速度の差を少なくすることを特徴とする表面処理方法。
【請求項６】
請求項１記載の表面処理方法において、
発光分光を用いてエッチングの終点を判定することを特徴とする表面処理方法。
【請求項７】
試料をプラズマによりエッチング処理する表面処理方法において、
前記試料に印加する高周波電圧を周期的にオンオフし、発光分光法によりエッチングの終点を検出することを特徴とする表面処理方法。
【請求項８】
請求項７記載の表面処理方法において、
前記オンオフ周期を１００Ｈｚ以上とすることを特徴とする表面処理方法。
【請求項９】
請求項７記載の表面処理方法において、
パタン面積が広い疎な部分とパタン面積が狭い密な部分を有する試料のエッチング終点判定を行うことを特徴とする表面処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造においてガス雰囲気をプラズマ励起することによって被加工物の表面層をエッチングするに際し、
前記ガス雰囲気が、
臭素原子を含むガスおよび炭化水素もしくはその誘導体のガス、
または、
炭化水素の臭素化物もしくはその誘導体のガス、
を含むことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記炭化水素は、アルケン類もしくはアルキン類であることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記炭化水素の臭素化物は、臭化ビニルであることを特徴とする請求項１または２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
半導体装置を製造するために被加工物を装着したエッチング槽内に臭素原子および炭素原子を含むガス雰囲気を供給する工程と、
このガス雰囲気をプラズマ励起することによって、前記被加工物の表面層の第１の部分をエッチングするとともに、このプラズマ励起において生成される臭素化合物を前記表面層の第２の部分に堆積させる工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
前記ガス雰囲気が、前記第１の部分に対するエッチング効果を有する活性種を前記プラズマ励起によって生成するガスをさらに含み、前記第１の部分のエッチングが、主として該活性種によって行われることを特徴とする請求項４に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記エッチングにおいて生成される臭素化合物は、臭素原子と炭素原子との結合を有する物質であることを特徴とする請求項４または５に記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記第２の部分が、前記エッチングによって形成された側壁表面であることを特徴とする請求項６に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記ガス雰囲気は、前記臭素と炭素との結合を有する物質を前記側壁表面に、この側壁表面を保護するのに充分な量だけ堆積させるのに、充分な量の臭素原子および炭素原子を含むことを特徴とする請求項７に記載のエッチング方法。
【請求項９】
前記第２の部分が、前記エッチングによって露出する下地表面であることを特徴とする請求項６に記載のエッチング方法。
【請求項１０】
前記ガス雰囲気は、前記臭素と炭素との結合を有する物質を前記下地表面に、下地選択性を向上させるのに充分な量だけ堆積させるのに、充分な量の臭素原子および炭素原子を含むことを特徴とする請求項９に記載のエッチング方法。
【請求項１１】
前記下地表面がゲート酸化膜表面であることを特徴とする請求項９または１０に記載のエッチング方法。
【請求項１２】
前記表面層が、シリコン酸化物もしくは有機物を主成分とすることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかにに記載のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記炭化水素は、アルケン類もしくはアルキン類であることが好ましい。
また、前記炭化水素の臭素化物は、臭化ビニルであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記ガス雰囲気は、前記臭素と炭素との結合を有する物質を前記下地表面に、下地選択性を向上させるのに充分な量だけ堆積させるのに、充分な量の臭素原子および炭素原子を含むことが好ましい。
また、前記下地表面がゲート酸化膜表面であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
エッチングに用いたサンプルは、レジスト（800nm)／ＢＡＲＣ（110nm)／ＨＴＯ（100nm)／ＷＳi(100nm)／polyＳi(280nm)／Ｇate Ｏxide(8nm) ／Ｓi 基板の構造を有する。本実施例は、本発明をＢＡＲＣ層のエッチングおよびポリシリコン層エッチングのオーバーエッチングに対し、適用したものである。
第一に、本発明をＢＡＲＣエッチング工程のみに適用して、従来の場合と比較を行った。このときのＢＡＲＣエッチング条件の概略を次の表２に示す。なお、この表２においてＸはアルケン類炭化水素の臭素化物、具体的には、臭化ビニルを示している。本実施例のＢＡＲＣ用エッチングガス雰囲気は、メインエッチングガスであるＯ2 と、ＣＢrxを生成するための、臭素を含むガスＨＢr およびアルケン類炭化水素の臭素化物のガスＸと、希釈ガスであるＡr とを含んでいる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
第二に、ポリシリコンのオーバーエッチング工程に本発明を適用した例を示す。次の表５に、その際のオーバーエッチング条件を示す。なお、表５において、Ｘはアルケン類炭化水素の臭素化物、具体的には臭化ビニルを示す。この例における主たるエッチング種はＢr ラジカルであり、メインの反応は、Ｓi + ４Ｂr →  Ｓi Ｂr4である。本実施例のポリシリコン用エッチングガス雰囲気は、メインエッチングガスであるＨＢr と、ＣＢrxを生成するための、臭素原子を含むガスＢr2およびアルケン類炭化水素の臭素化物であるＸとを含む。Ｘ単独、もしくはそれとＨＢr との組み合わせでもＣＢrxを生成することが可能であるが、Ｂr2と組み合わせることによりＢr ／Ｃ比の高い堆積物を生成し、高い側壁および下地に対する保護効果を得ている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）透明導電層と、
ｂ）透明導電層の背面に配置されたバインダー層と、
ｃ）発光粒子を含んでなる粒子の実質的に単層からなり、バインダー層を介して透明導電層の背面に接着された発光粒子層と、
ｄ）発光粒子層の背面側に配置され、絶縁体粒子を含んでなる絶縁層と、
ｅ）絶縁層の背面側に配置された背面電極
とを有してなるエレクトロルミネッセンス素子において、
上記発光粒子は上記バインダー層中に包埋されており、透明導電層の幅方向寸法は発光層の幅方向寸法よりも大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】  蛍光体粒子間の隙間部分には高誘電率の充填材はほとんど又は全く充填されない請求項１に記載のするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】  前記透明導電層、前記発光粒子層、前記絶縁層および前記背面電極は、前記透明導電層の長さ方向に沿って連続して延在し、
さらに、前記透明導電層の背面に電気的に接続され、前記透明導電層の幅方向寸法よりも小さな幅方向寸法を有し、かつ、前記透明導電層の長さ方向に沿って連続して延在するする少なくとも１つのバスをさらに含んでなり、そのバスは前記背面電極とは電気的に接続されていない請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】  ａ）透明導電層と、
ｂ）透明導電層の背面に配置されたバインダー層と、
ｃ）発光粒子を含んでなる粒子の実質的に単層からなり、バインダー層を介して透明導電層の背面に接着された発光粒子層と、
ｄ）発光粒子層の背面側に配置され、絶縁体粒子を含んでなる絶縁層と、
ｅ）絶縁層の背面側に配置された背面電極
とを有してなるエレクトロルミネッセンス素子において、
上記発光粒子は上記絶縁層に実質的に埋設されておらず、
記透明導電層、前記発光粒子層、前記絶縁層および前記背面電極は、前記透明導電層の長さ方向に沿って連続して延在し、
さらに、前記透明導電層の背面に電気的に接続され、前記透明導電層の幅方向寸法よりも小さな幅方向寸法を有し、かつ、前記透明導電層の長さ方向に沿って連続して延在するする少なくとも１つのバスをさらに含んでなり、そのバスは前記背面電極とは電気的に接続されていないことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体層と、前記半導体層の上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記半導体層の上に形成され、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続された信号線とを含む薄膜トランジスタであって、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記信号線は、
Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料からなる下層配線層と、
前記下層配線層の上に形成された、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第２の金属、または前記第２の金属を主成分とする合金からなる主配線層と、
前記主配線層の上に形成された、前記第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料からなる上層配線層とを含み、
前記下層配線層と前記上層配線層の材料の含有する窒素量が異なっている薄膜トランジスタ。
【請求項２】  半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極に接続された走査線とを含む薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極および前記走査線の少なくとも一方は、
Ｍｏに窒素を含有させた材料、またはＭｏの合金に窒素を含有させた材料からなる下層配線層と、
前記下層配線層の上に形成された、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属、または前記金属を主成分とする合金からなる主配線層と、
前記主配線層の上に形成された、Ｍｏに窒素を含有させた材料、またはＭｏの合金に窒素を含有させた材料からなる上層配線層とを含み、
前記下層配線層と前記上層配線層の材料の含有する窒素量が異なっている薄膜トランジスタ。
【請求項３】  半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極に接続された走査線と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続された信号線とを含む薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極、前記走査線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記信号線のうちの少なくとも１つは、
Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料からなる下層配線層と、
前記下層配線層の上に形成された、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第２の金属、または前記第２の金属を主成分とする合金からなる主配線層と、
前記主配線層の上に形成された、前記第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料からなる上層配線層とを含み、
前記下層配線層と前記上層配線層の材料の含有する窒素量が異なっている薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話などの移動体通信システムにおいて端末の小型化および低消費電力化が強く求められている。そのため、これを構成するトランジスタ等の半導体装置においても同様な要求がなされている。例えば現在の移動体通信の柱ともいえるデジタルセルラー用パワーアンプについては、単一正電源の動作が可能で、かつ低電圧高効率駆動のものが求められている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようにＨＦＥＴは大きな利点を有するが、上述の構造による場合、ドレイン電極１９に注入された電流は、ドレイン電極直下のキャップ層１６および第１の障壁層１５を横切り、チャネル層１４に達し、そのままソース電極１８下に流れ、障壁層１５およびソース電極１８下のキャップ層１６を横切ってソース電極１８に達する。ところで、一般的に、第１の障壁層１５には、高抵抗領域１５ｂを含むため、ソースおよびドレイン間の抵抗が充分小さくならず、電流損失が大きく、また、ジュール熱の発生等による電流部分の劣化を招きやすいという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明による半導体装置の一実施の形態を説明する。図１は、単一のＨＦＥＴが、半導体基板６１上に形成された半導体装置の一例の概略断面図を示すが、本発明装置は、この例に限られるものではない。この例では、例えば半絶縁性ＧａＡｓ単結晶による基体３１上に、不純物が添加されていない、すなわちアンドープのＧａＡｓより成るバッファ層３２がエピタキシャル成長され、この上に、III-Ｖ族化合物半導体より成る第２の障壁層３３、チャネル層３４および第１の障壁層３５が、順次エピタキシャル成長により積層されて成る。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  半導体基板の一方主面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に接着部材を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上面上および前記接着部材の側面上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に導体を形成する工程とを備え、
前記バリア層は、前記導体を構成している物質の拡散を防止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  一方主面に絶縁膜を有し、前記一方主面に半導体装置の構成要素が作り込まれる半導体基板と、
前記絶縁膜上に形成される接着部材と、
前記絶縁膜の上面上および前記接着部材の側面上に形成されるバリア層と、
前記バリア層上に形成されて前記構成要素と電気的に接続される第１の導体とを備え、
前記バリア層は、前記第１の導体を構成している物質の拡散を防止することを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の一方主面に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に接着部材を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上面上および前記接着部材の側面上にバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に導体を形成する工程とを備え、前記バリア層は、前記導体を構成している物質の拡散を防止することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１１の発明に係る半導体装置は、一方主面に絶縁膜を有し、前記一方主面に半導体装置の構成要素が作り込まれる半導体基板と、前記絶縁膜上に形成される接着部材と、前記絶縁膜の上面上および前記接着部材の側面上に形成されるバリア層と、前記バリア層上に形成されて前記構成要素と電気的に接続される第１の導体とを備え、前記バリア層は、前記導体を構成している物質の拡散を防止することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
図４１および図４２は、図３２および図２６のＮＭＯＳＦＥＴにおけるゲート付近の構造を拡大した模式図である。チャネルを３つの領域に分けることができる。すなわち、図４１は側壁のポリシリコンがＰ型の場合、図４２は側壁のポリシリコンがＮ型の場合を示している。図４１は図３２，図４２は図２６のゲート電極に相当する。Ｐ型チャネル領域１００のしきい値電圧をＶTHとする。上述の議論から、Ｐ型チャネル領域１０１のしきい値電圧ＶTHPP、Ｐ型チャネル領域１０２のしきい値電圧ＶTHNPである。いま、０＜ＶTHNN＜ＶTHPPであるので、図４１と図４２ではＮＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧は図４１のほうが大きくなる。これは、Ｐ型シリコン基板とＰ型ポリシリコンとの仕事関数差がＰ型シリコン基板とＮ型ポリシリコンとの仕事関数差よりも大きいからである。従って、図４１の方が図４２に比べて、チャネル領域の空乏層電荷をソース／ドレインがチャージシェアする割合が小さくなり、その結果、ゲート電極が制御できる空乏層電荷は大きくなるので、しきい値電圧のロールオフは緩やかになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、接着部材と導体の接着力の分だけ導体と半導体基板の接着力が向上し、導体が半導体基板から剥がれ難くなるという効果がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
請求項９記載の半導体装置によれば、接着部材と導体の接着力の分だけ導体と半導体基板の接着力が向上し、導体が半導体基板から剥がれ難くなるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置された光電変換部とを有する画素を備え、該画素が２次元に複数個配列された光電変換装置において、
前記光電変換部は、画素電極と共通電極との間に半導体層を有し、
前記画素電極は前記半導体層とショットキー接合を形成する層を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  前記光電変換部は、導電型の半導体層と、光電変換層を形成する半導体層とを有し、前記共通電極に前記導電型の半導体層を利用することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】  前記半導体層が非単結晶シリコンからなる請求項１記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記導電型の半導体層がＮ型水素化微結晶又は非晶質シリコンからなり、前記半導体層が水素化非晶質シリコンからなる請求項２記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記ショットキー接合を形成する層が金属からなる請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】  前記ショットキー接合を形成する層が酸化物半導体からなる請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】  前記画素電極を形成する層が前記スイッチング素子の電極を形成する層と共通であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】  前記スイッチング素子が水素化非晶質シリコンあるいは多結晶シリコンを活性層として利用した薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】  前記光電変換部の半導体層が画素全面に存在することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】  前記導電型の半導体層の画素に対応する部分の一部とその他の部分の膜厚が異なることを特徴とする請求項９記載の光電変換装置。
【請求項１１】  前記導電型の半導体層の一部に導電体を含むことを特徴とする請求項８記載の光電変換装置。
【請求項１２】  基板上に、スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置された光電変換部と有する画素を備え、該画素が２次元に複数個配列された光電変換装置において、
前記光電変換部は、画素電極と光電変換層となる半導体層と共通電極となる第一導電型の半導体層を有し、
前記第一導電型の半導体層の画素に対応する部分の一部とその他の部分の膜厚が異なることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１３】  前記半導体層が非単結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１２記載の光電変換装置。
【請求項１４】  前記画素電極と前記半導体層との間に、第二導電型の半導体層を有し、前記第一導電型の半導体層が第一導電型の水素化微結晶又は非晶質シリコンからなり、前記半導体層が水素化非晶質シリコンからなり、前記第二導電型の半導体層が画素分割された第二導電型の水素化微結晶又は非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項１２記載の光電変換装置。
【請求項１５】  前記スイッチング素子が水素化非晶質シリコンあるいは多結晶シリコンを活性層として利用した薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１２乃至１４記載の光電変換装置。
【請求項１６】  前記半導体層が画素全面に存在することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】  前記第一導電型の半導体層の一部に導電体を形成したことを特徴とする請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項１８】  基板上に、スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置された光電変換部とを有する画素を備え、該画素が２次元に複数個配列された光電変換装置の製造方法において、
前記基板上に設けられた前記スイッチング素子の電極につながる画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に、前記画素電極とショットキー障壁を形成する光電変換部の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、導電型の半導体層からなる共通電極を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に、スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置された光電変換部とを有する画素を備え、該画素が２次元に複数個配列された光電変換装置において、前記光電変換部は、画素電極と共通電極との間に半導体層を有し、前記画素電極は前記半導体層とショットキー接合を形成する層を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記光電変換装置において、前記光電変換部は、導電型の半導体層と、光電変換層を形成する半導体層とを有し、前記共通電極に前記導電型の半導体層を利用することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記光電変換装置において、前記導電型の半導体層がＮ型水素化微結晶又は非晶質シリコンからなり、前記半導体層が水素化非晶質シリコンからなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記光電変換装置において、前記画素電極を形成する層が前記スイッチング素子の電極を形成する層と共通であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、上記光電変換装置において、基板上に、スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置された光電変換部と有する画素を備え、該画素が２次元に複数個配列された光電変換装置において、前記光電変換部は、画素電極と光電変換層となる半導体層と共通電極となる第一導電型の半導体層を有し、前記第一導電型の半導体層の画素に対応する部分の一部とその他の部分の膜厚が異なることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明は、基板上に、スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置された光電変換部とを有する画素を備え、該画素が２次元に複数個配列された光電変換装置の製造方法において、前記基板上に設けられた前記スイッチング素子の電極につながる画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に、前記画素電極とショットキー障壁を形成する光電変換部の半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に、導電型の半導体層からなる共通電極を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  大気側と大気圧雰囲気の第１搬送空間とを区画すると共に，開閉型のカセットを載置可能な複数のロードポートを直線上に配して成るロードポートサイトと；
前記第１搬送空間に配され，ふたつの被処理体を保持可能であると共に，各被処理体を個別独立に搬送可能な第１搬送アームと；
前記第１搬送空間に隣接して設けられ，前記被処理体の位置合わせを行う被処理体位置合わせ装置と；
各々が前記第１搬送空間と第１ゲートバルブにより隔離され，各々が気密に構成された第２搬送空間と第２ゲートバルブにより隔離されると共に，各々がひとつの被処理体を収容可能な，ふたつのロードロック室と；
前記第２搬送空間に配され，ふたつの被処理体を保持可能であると共に，各被処理体を個別独立に，前記各ロードロック室と前記第２搬送空間の周囲に配される複数の真空処理室との間で受け渡し可能な，第２搬送アームと；
前記第２搬送空間と前記各真空処理室とを隔離する第３ゲートバルブと；を備え、
前記ロードロック室は，被処理体を冷却する冷却装置を含んでいることを特徴とする，処理装置。
【請求項２】  前記第１搬送アームは，前記ロードポートの配置方向に平行に移動可能であり，前記被処理体位置合わせ装置は，前記第１搬送アームの移動方向側に設けられることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】  前記被処理体位置合わせ装置は，ふたつの前記ロードロック室に挟持される位置に設けられることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】  前記ロードロック室は，被処理体を加熱する加熱装置を備えていることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載の処理装置。
【請求項５】  前記第１搬送空間内には，清浄気体が循環していることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載の処理装置。
【請求項６】  前記各ロードポートは，前記カセットの落下防止用ストッパを備えていることを特徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載の処理装置。
【請求項７】  前記ストッパは，昇降自在に構成されていることを特徴とする，請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】  前記ストッパは，前記カセットを前記第１搬送空間側に押圧することを特徴とする，請求項６または７のいずれかに記載の処理装置。
【請求項９】  前記カセットは，前記カセットの開閉される開口部の周囲に形成されたフランジ部を備え；
前記ストッパは，前記フランジ部を前記第１搬送空間側に押圧することを特徴とする，請求項６に記載の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また，ロードロック室に，被処理体を冷却する冷却装置を備えたり，被処理体を加熱する加熱装置を備えれば，第２搬送空間の周囲にそれら冷却装置や加熱装置を設ける必要がない。その結果，被処理体を加熱装置や冷却装置に搬送する工程を省略できるので，第２搬送アームの搬送回数を減少させることができ，スループットをさらに向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また，第１搬送空間内に，清浄気体を循環させれば，第１搬送空間内や，ロードロック室内や，開放されたカセット内にパーティクルが侵入することを防ぎ，被処理体に該パーティクルが付着することを防止できるため，歩留りを向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに，各ロードポートに，カセットの落下防止用ストッパを備えれば，各ロードポート上に載置されたカセットを確実に保持することができ，カセットが所定位置からずれたり，ロードポート上から落下することを防止できる。従って，第１搬送空間内に清浄気体を供給し循環させると共に，第１搬送空間内の圧力を各ロードポートが配された大気側の圧力よりも相対的に高く設定した場合に，カセットに該圧力が付加されても，上述の如くカセットのずれや落下を防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また，ストッパを，昇降自在に構成すれば，各ロードポートへのカセットの搭載作業，および各ロードポートからのカセットの離脱作業に影響を及ぼすことなく，ストッパを設けることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに，ストッパでカセットを第１搬送空間側に押圧すれば，上述の如く第１搬送空間内と大気側との間に圧力差が生じている場合でも，カセット内と第１搬送空間内とを気密に連通させることができ，カセット内や第１搬送空間内へのパーティクルの侵入を確実に防止できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また，カセットの開閉される開口部の周囲に形成されたフランジ部をカセットに設け，ストッパでフランジ部を第１搬送空間側に押圧しても，上記と同様に，カセットの保持を確実に行うことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また，本発明の第２の観点によれば，真空処理室内で被処理体に所定の処理を施す処理装置において，開閉型のカセットを載置可能なロードポートと，ロードポートに設けられ，カセットを開閉するドアオープナと，カセット内と所定空間内との間で被処理体を搬送する搬送アームが配された搬送空間と，カセット内と搬送空間内とを連通する開口部が形成され，ロードポート側の雰囲気と搬送空間側の雰囲気とを気密に遮断する壁部と，ロードポートに設けられ，カセットの開閉される開口部を壁部に向けて押圧するストッパと，を備えることを特徴とする処理装置が提供される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに，ストッパを昇降自在に構成するとともに，昇降時にカセットを押圧するように構成することが好ましい。かかる構成によれば，カセットの受け渡し作業を妨げずに，カセットの保持を確実に行うことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに，カセットの開口部の周囲にフランジ部を形成し，ストッパでフランジ部を壁部に向けて押圧することが好ましい。かかる構成を採用しても，カセットの搬入搬出作業を妨げずに，カセットの確実な保持を達成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  薬袋に印刷する各データ項目の項目内容に対応し、少なくとも、調剤日に対応する季節画像、患者の生年月日又は年齢に対応する年齢識別画像、患者に対応する顔画像、患者区分に対応する患者区分画像、及び、注意事項に対応する注意事項画像のいずれか１つを含む画像を記憶する画像記憶手段と、
前記画像を薬袋に印刷する画像印刷手段と、
処方データに基づいて前記画像記憶手段から該当する画像を読み込み、前記画像印刷手段により薬袋に印刷させる制御手段とを備えたことを特徴とする薬袋印刷装置。
【請求項２】 前記患者区分は、患者毎の薬剤の服用方法であることを特徴とする請求項１に記載の薬袋印刷装置。
【請求項３】 前記患者区分画像は、服用方法を示す画像であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薬袋印刷装置。
【請求項４】 前記服用方法を示す画像は、服用状態を示す略画であることを特徴とする請求項３に記載の薬袋印刷装置。
【請求項５】 前記注意事項画像は、処方した薬剤の取り扱い上、注意しなければならない事項を示す画像であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薬袋印刷装置。
【請求項６】 前記季節画像は、調剤日に対応する四季画像であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薬袋印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、薬袋印刷装置を、薬袋に印刷する各データ項目の項目内容に対応し、少なくとも、調剤日に対応する季節画像、患者の生年月日又は年齢に対応する年齢識別画像、患者に対応する顔画像、患者区分に対応する患者区分画像、及び、注意事項に対応する注意事項画像のいずれか１つを含む画像を記憶する画像記憶手段と、前記画像を薬袋に印刷する画像印刷手段と、処方データに基づいて前記画像記憶手段から該当する画像を読み込み、前記画像印刷手段により薬袋に印刷させる制御手段とを備えた構成としたものである。
前記患者区分は、患者毎の薬剤の服用方法であってもよい。
前記患者区分画像は、服用方法を示す画像であってもよい。
前記服用方法を示す画像は、服用状態を示す略画であってもよい。
前記注意事項画像は、処方した薬剤の取り扱い上、注意しなければならない事項を示す画像であってもよい。
前記季節画像は、調剤日に対応する四季画像であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
特に、季節画像により、調剤日を大雑把に把握することができ、服用時期の異常に簡単に気付くことができる。年齢識別画像により、人目に触れる薬袋に患者の年齢を印刷することなく患者の年代を把握して患者への対応準備ができる。顔画像により、患者の間違いを防止できる。患者区分画像により、性別を判断できると共に、患者への服薬指導等を適切に行うことが可能である。注意事項画像により、患者への説明を忘れることなく適切に対処でき、患者が見落とすこともない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インクジェット列と、印刷に供されないインク液滴を回収し、回収した流体を流体装置へ戻す捕獲器手段とを有するインクジェットプリンタ装置において、捕獲器板を備えた捕獲器が上記インクジェット列の幅方向にわたって均一にインクを除去するように、上記捕獲器内の流体の流れを改善する方法において、
複数の分岐部で構成された分岐構造体を用いて流れチャンネル形状を形成する工程と、
上記分岐部の各々を分岐節において連結トランクに連結する工程と、
上記分岐部の各々からの流れを上記連結トランクに導き、各分岐部からの流体を最下方の分岐節において上記捕獲器組立体から流出させて流体タンクへ戻す工程と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】  一定の分岐レベルからの複数の分岐部において生じる圧力降下は互いに等しいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  各分岐節での圧力降下を最小化する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  上記分岐節において流体を漏斗状に流すことにより当該分岐節での膨張損失を最小化する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  流れ形状を形成するために応力を生じさせない製造プロセスを使用する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  流れ形状を上記捕獲器板内に製造する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  捕獲器として画定される第１の区分と捕獲器板として画定される第２の区分とを有し、インクジェットプリンタとともに使用される捕獲器組立体の帰還流体流れ形状を製造する方法において、
上記捕獲器組立体の第１の区分内及び第２の区分内の少なくとも一方に帰還流体流れ形状を画定する工程と、
上記帰還流体流れ形状を形成する際に、上記捕獲器組立体に応力を生じさせない製造プロセスを使用する工程と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項８】  上記流れ形状を画定するために複数の分岐部を備えた分岐構造体を使用する工程を更に有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】  上記分岐部の各々を連結トランクに連結する工程を更に有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  上記分岐部の各々からの流れを上記連結トランクに導く工程を更に有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明はインクジェット印刷ヘッドから流体を除去する改善された手段を提供する。複数の分岐部グループで構成された分岐構造体は流れ形状を構成し、各グループの分岐部は連結トランクを有する。次いで、流体流れを各分岐部から連結トランクへ下方に導くことができる。これらの流れチャンネルの面に垂直なポートを使用して、流体をＢ１分岐部で除去する。分岐節での圧力降下は、組合わさった分岐部からの流れを連結されたトランクへ下方に導くことにより、最小化される。分岐節での膨張損失は、分岐節において流体を漏斗状に流す(funneling down)ことにより、最小化され、トランクは結合された分岐部の組み合わせよりも狭いチャンネルを有する。