【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、水素原子、窒素原子の一方又は両方を含むガスであるところの第一のガスと、リン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるところの第二のガスとの混合ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】  前記第一のガスが、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造である請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】  前記第一のガスが、Ｈ2、Ｎ2、ＮＨ3及びＮ2Ｈ4の内の一つ又は複数の混合ガスである請求項１又は２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】  前記第二のガスが、ＰＨ3又はＨ2Ｓ又はＳｉＨ4である請求項１〜３のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項５】  前記プラズマ生成手段が、ＥＣＲ型プラズマ源、ヘリコン波型プラズマ源、ＩＣＰ型プラズマ源、ＳＷＰ型プラズマ源又はＳＩＰ型プラズマ源である請求項１〜４のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項６】  前記有機低誘電率絶縁膜が、ポリアリールエーテル又はフッ素化ポリアリールエーテルである請求項１〜５のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項７】  層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、水素原子、窒素原子の一方又は両方を含むガスであるところの第一のガスと、リン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるところの第二のガスと、希ガスであるところの第三のガスとの混合ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項８】  前記第三のガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＲｎの内の一つ又は複数の混合ガスである請求項７に記載のドライエッチング方法。
【請求項９】  前記第一のガスが、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造である請求項７又は８に記載のドライエッチング方法。
【請求項１０】  前記第一のガスが、Ｈ2、Ｎ2、ＮＨ3及びＮ2Ｈ4の内の一つ又は複数の混合ガスである請求項７〜９のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項１１】  前記第二のガスが、ＰＨ3又はＨ2Ｓ又はＳｉＨ4である請求項７〜１０のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項１２】  前記プラズマ生成手段が、ＥＣＲ型プラズマ源、ヘリコン波型プラズマ源、ＩＣＰ型プラズマ源、ＳＷＰ型プラズマ源又はＳＩＰ型プラズマ源である請求項７〜１１のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項１３】  前記有機低誘電率絶縁膜が、ポリアリールエーテル又はフッ素化ポリアリールエーテルである請求項７〜１２のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項１４】  層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、リン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるところの第二のガスと、希ガスであるところの第三のガスとの混合ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１５】  前記第三のガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＲｎの内の一つ又は複数の混合ガスである請求項１４に記載のドライエッチング方法。
【請求項１６】  前記第二のガスが、水素原子又は窒素原子を含む分子構造である請求項１４又は１５に記載のドライエッチング方法。
【請求項１７】  前記第二のガスが、ＰＨ3又はＨ2Ｓ又はＳｉＨ4である請求項１４〜１６のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項１８】  前記プラズマ生成手段が、ＥＣＲ型プラズマ源、ヘリコン波型プラズマ源、ＩＣＰ型プラズマ源、ＳＷＰ型プラズマ源又はＳＩＰ型プラズマ源である請求項１４〜１７のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項１９】  前記有機低誘電率絶縁膜が、ポリアリールエーテル又はフッ素化ポリアリールエーテルである請求項１４〜１８のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って、層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、エッチングガスとして水素、窒素の一方又は両方を含むガス（第一のガス）とリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）との混合ガス、あるいは水素、窒素の一方又は両方を含むガス（第一のガス）とリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）と希ガス（第三のガス）との混合ガス、あるいはリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）と希ガス（第三のガス）との混合ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うドライエッチング方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明であるところの有機低誘電率絶縁膜のドライエッチング方法で使用されるガスは、水素を含むガス及び／又は窒素を含むガス（第一のガス）とリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）との混合ガス、あるいは水素を含むガス及び／又は窒素を含むガス（第一のガス）とリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）と希ガス（第三のガス）との混合ガス、あるいはリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）と希ガス（第三のガス）の混合ガスである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行う際に、エッチングガスとして水素原子、窒素原子の一方又は両方を含むガス（第一のガス）とリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）との混合ガス、あるいは水素原子、窒素原子の一方又は両方を含むガス（第一のガス）とリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）と希ガス（第三のガス）との混合ガス、あるいはリン原子、硫黄原子、シリコン原子のうち少なくとも１つを含み、酸素原子及びハロゲン原子を含まない分子構造であるガス（第二のガス）と希ガス（第三のガス）との混合ガスを用いることで、エッチング形状が良好であり且つ有機低誘電率絶縁膜の膜質の劣化のないドライエッチング方法を提供することが可能となった。