【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１導電型の第１の半導体層の表面部に選択的に形成された複数の第２導電型の第２の半導体層と、
前記複数の第２導電型の第２の半導体層の表面部にそれぞれ形成された、少なくとも１つの第１導電型の第３の半導体層と、
前記複数の第２導電型の第２の半導体層および前記少なくとも１つの第１導電型の第３の半導体層にそれぞれ接続された複数の第１の主電極と、
前記第１導電型の第１の半導体層の裏面側に形成された第４の半導体層と、
前記第４の半導体層に接続された第２の主電極と、
前記複数の第２導電型の第２の半導体層、前記少なくとも１つの第１導電型の第３の半導体層、および、前記第１導電型の第１の半導体層の各表面上に、ゲート絶縁膜を介して形成された制御電極と、
前記第１導電型の第１の半導体層に設けられ、前記複数の第２導電型の第２の半導体層の少なくとも一方に接続された、前記複数の第２導電型の第２の半導体層よりも低い不純物濃度を有する少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層と
を具備したことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、前記複数の第２導電型の第２の半導体層間の、前記第１導電型の第１の半導体層の表面部に設けられることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項３】  前記複数の第２導電型の第２の半導体層はストライプ状に配置され、
前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その第２導電型の第２の半導体層に沿う第１の方向に沿って設けられることを特徴とする請求項２に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項４】  前記複数の第２導電型の第２の半導体層はストライプ状に配置され、
前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その第２導電型の第２の半導体層に沿う第１の方向に直交する第２の方向に沿って設けられることを特徴とする請求項２に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項５】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、前記第１導電型の第１の半導体層内に埋設されることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項６】  前記制御電極はプレナー型構造を有することを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項７】  前記制御電極はスプリットゲート構造を有することを特徴とする請求項６に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項８】  前記制御電極はテラスゲート構造を有することを特徴とする請求項６に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項９】  前記制御電極はトレンチ型構造を有することを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１０】  前記制御電極はトレンチ型構造を有し、
前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その制御電極の底面および少なくとも一方の側面に沿って設けられることを特徴とする請求項９に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１１】  前記複数の第２導電型の第２の半導体層は格子状に配置され、
前記少なくとの１つの第２導電型の第５の半導体層は、その第２導電型の第２の半導体層間にそれぞれ矩形状に設けられることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１２】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、隣接する２つの前記第２導電型の第２の半導体層間に設けられることを特徴とする請求項１１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１３】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、隣接する４つの前記第２導電型の第２の半導体層間に設けられることを特徴とする請求項１１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１４】  隣接する前記第２導電型の第５の半導体層の間隔が、隣接する前記第２導電型の第２の半導体層の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１３に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１５】  前記複数の第２導電型の第２の半導体層は格子状に配置され、
前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その第２導電型の第２の半導体層間にそれぞれストライプ状に設けられることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１６】  前記複数の第２導電型の第２の半導体層は格子状に配置され、
前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その第２導電型の第２の半導体層のいくつかの周囲を囲むようにして設けられることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１７】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は千鳥状に設けられることを特徴とする請求項１６に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１８】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層はストライプ状に設けられることを特徴とする請求項１６に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項１９】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は一方向に設けられることを特徴とする請求項１８に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２０】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は二方向に設けられることを特徴とする請求項１８に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２１】  前記第４の半導体層は第１導電型の半導体層からなることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２２】  前記第４の半導体層は第２導電型の半導体層からなることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２３】  前記第４の半導体層と（前記）第１導電型の第１の半導体層との間には、さらに、第１導電型の第６の半導体層が設けられていることを特徴とする請求項２２に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２４】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その表面積が、隣り合う前記第２導電型の第２の半導体層間の、前記第１導電型の第１の半導体層の表面積の３０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２５】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層は、その有効不純物量が、
１×１０12から３．２×１０12ｃｍ-2
であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２６】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層の有効不純物量（Ｎｐ）と隣り合う前記第２導電型の第２の半導体層の間隔（Ｌｊ）との比が、
Ｎｐ／Ｌｊ＜２×１０15ｃｍ-3
であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２７】  前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層の有効不純物量（Ｎｐ）と隣り合う前記第２導電型の第２の半導体層の間隔（Ｌｊ）およびその接合深さ（Ｘｊ）の積との比が、
Ｎｐ／（Ｌｊ・Ｘｊ）＜５×１０18ｃｍ-4
であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２８】  前記第２の主電極に電圧を印加したときの、前記制御電極と前記第２の主電極との間の容量が、低電圧では減少し、高電圧では一定もしくは増加することを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項２９】  前記第２の主電極に印加される電圧が定格電圧の１／３から２／３のとき、前記制御電極と前記第２の主電極との間の容量が増加し始めることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。
【請求項３０】  前記第２の主電極に印加される電圧が定格電圧の１／３から２／３のとき、前記少なくとも１つの第２導電型の第５の半導体層が完全に空乏化することを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型半導体装置。