【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過する複数の基板を有し、
前記複数の各基板には、半導体素子を有する回路が形成されており、
前記複数の基板のうち少なくとも１つは、発光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板とは異なる基板のうち、少なくとも１つは受光素子を有する基板であり、
前記発光素子は、前記発光素子を有する基板上の第１の回路から出力された第１の電気信号を光信号として出力し、
前記受光素子は、前記光信号を第２の電気信号に変換し、前記受光素子を有する基板上の第２の回路に入力することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光を透過する複数の基板を有し、
前記複数の各基板には、半導体素子を有する回路が形成されており、
前記複数の基板のうち少なくとも１つは、発光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板とは異なる基板のうち、少なくとも１つは受光素子を有する基板であり、
前記発光素子は、前記発光素子を有する基板上の第１の回路から出力された第１の電気信号を光信号として出力し、
前記受光素子は、前記光信号を第２の電気信号に変換し、前記第２の電気信号が波形整形されて前記受光素子を有する基板上の第２の回路に入力することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
光を透過する複数の基板を有し、
前記複数の各基板には、半導体素子を有する回路が形成されており、
前記複数の基板のうち少なくとも１つは、発光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板とは異なる基板のうち、少なくとも１つは受光素子を有する基板であり、
前記受光素子を有する基板上には複数の画素を有する画素部が形成されており、
前記発光素子は、前記発光素子を有する基板上の第１の回路から出力された第１の電気信号を光信号として出力し、
前記受光素子は、前記光信号を第２の電気信号に変換し、前記画素部に入力することで、前記第１の回路と前記画素部間の信号の伝送が行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
光を透過する複数の基板を有し、
前記複数の各基板には、半導体素子を有する回路が形成されており、
前記複数の基板のうち少なくとも１つは、発光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板とは異なる基板のうち、少なくとも１つは受光素子を有する基板であり、
前記受光素子を有する基板上には複数の画素を有する画素部が形成されており、
前記発光素子は、前記発光素子を有する基板上の第１の回路から出力された第１の電気信号を光信号として出力し、
前記受光素子は、前記光信号を第２の電気信号に変換し、前記第２の電気信号により、前記画素部に画像が表示されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記発光素子を有する基板は、受光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記受光素子を有する基板は、発光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記発光素子を有する基板は、複数の発光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記受光素子を有する基板は、複数の受光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記発光素子と前記受光素子との間に、透光性を有する樹脂のみが存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記発光素子と前記受光素子との間に、気体のみが存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記発光素子と前記受光素子との間に、光導波路を設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間に形成された電界発光層とを有し、
前記陽極及び前記陰極は金属を含み、なおかつ光を反射し、
前記陽極と前記陰極のいずれか一方に形成された開口部から放射される光を用いて、前記光信号が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記光を透過する基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記光を透過する基板はプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
光を透過する複数の基板を有し、
前記複数の各基板には、ＣＰＵコア、キャッシュメモリが形成されており、
前記複数の基板のうち少なくとも１つは、発光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板とは異なる基板のうち、少なくとも１つは受光素子を有する基板であり、
前記発光素子から発せられた光信号を前記受光素子において電気信号に変換することで、前記複数の基板に形成された各ＣＰＵコア間の信号の伝送が行なわれることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項１６】
光を透過する複数の基板を有し、
前記複数の各基板には、ＣＰＵコア、キャッシュメモリが形成されており、
前記複数の基板のうち少なくとも１つは、発光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板とは異なる基板のうち、複数の基板は受光素子を有する基板であり、
前記発光素子を有する基板において、前記ＣＰＵコアまたは前記キャッシュメモリから出力された第１の電気信号が前記発光素子によって光信号に変換され、
前記複数の受光素子を有する基板において、前記光信号が前記受光素子において第２の電気信号に変換され、前記第２の電気信号が波形整形されて前記ＣＰＵコアまたは前記キャッシュメモリに入力されることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、
前記発光素子を有する基板は、受光素子を有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項１８】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記受光素子を有する基板は、発光素子を有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記発光素子を有する基板は、複数の発光素子を有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２０】
請求項１５乃至請求項１９のいずれか１項において、
前記受光素子を有する基板は、複数の受光素子を有することを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２１】
請求項１５乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記発光素子と前記受光素子との間に、透光性を有する樹脂のみが存在していることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２２】
請求項１５乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記発光素子と前記受光素子との間に、気体のみが存在していることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２３】
請求項１５乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記発光素子と前記受光素子との間に、光導波路を設けることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２４】
請求項１５乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間に形成された電界発光層とを有し、
前記陽極及び前記陰極は金属を含み、なおかつ光を反射し、
前記陽極と前記陰極のいずれか一方に形成された開口部から放射される光を用いて、前記光信号が形成されることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２５】
請求項１５乃至請求項２４のいずれか１項において、
前記光を透過する基板はガラス基板であることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【請求項２６】
請求項１５乃至請求項２４のいずれか１項において、
前記光を透過する基板はプラスチック基板であることを特徴とするマイクロプロセッサ。