【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック端子と、
コマンド端子と、
他の端子と、
複数の不揮発性メモリセルと、
第１揮発性メモリと、
第２揮発性メモリとを有し、
前記クロック端子は第１クロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルから読み出したデータを前記第２揮発性メモリに格納し、前記第２揮発性メモリに格納したデータを前記第１揮発性メモリに転送し、前記第１揮発性メモリから前記第１クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部へデータを出力し、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、外部から前記第１クロック信号に応じて前記他の端子を介して入力されたデータを第１揮発性メモリへ格納し、
第１揮発性メモリに格納したデータを前記第２揮発性メモリに転送し、第２揮発性メモリから所定の不揮発性メモリセルへデータの書き込みをすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項２】
前記不揮発性メモリ装置は更にクロック発生器を有し、
前記クロック発生器は第２クロック信号を生成し、
前記第２揮発性メモリから所定の不揮発性メモリセルへのデータの書き込みは  
前記第２クロック信号を用いて行われることを特徴とする請求項１の不揮発性メモリ装置。
【請求項３】
前記書込コマンドの入力に応じた処理は、それぞれの不揮発性メモリセルにおいてデータの書き込みが完了したか否かを判定するベリファイ処理を含むことを特徴とする請求項２の不揮発性メモリ装置。
【請求項４】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去することを特徴とする請求項３の不揮発性メモリ装置。
【請求項５】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４の不揮発性メモリ装置。
【請求項６】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項５の不揮発性メモリ装置。
【請求項７】
前記不揮発性メモリ装置の前記他の端子はデータ端子を有し、
前記データ端子は、前記書込コマンドの入力に応じた処理において、データを入力され、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、データを出力することを特徴とする請求項６の不揮発性メモリ装置。
【請求項８】
第１端子と、
第２端子と、
複数の不揮発性メモリセルを有するメモリアレイとを有し、
前記第１端子はクロック信号を入力され、
前記第２端子は読み出し動作と書き込み動作を含む複数の動作のいずれかを示す信号を入力され、
それぞれの不揮発性メモリセルは多値データを格納され、
前記読み出し動作において、所定の不揮発性メモリセルから多値データを読み出し、多値データを２値データへ変換し、２値データを前記クロック信号に応じて外部へ出力し、
前記書き込み動作において、２値データを前記クロック信号に応じて外部から入力され、２値データを多値データへ変換し、所定の不揮発性メモリセルへ多値データを格納することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項９】
前記それぞれの不揮発性メモリセルは複数のしきい値電圧分布のうちの１つに含まれるしきい値電圧として多値データを格納し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示す１つのしきい値電圧分布と書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書き込み動作において、所定のメモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布のうちの多値データに応じた１つに含まれるように変化させることを特徴とする請求項８の不揮発性メモリ装置。
【請求項１０】
前記複数の動作には消去動作が含まれ、
前記消去動作において、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項９の不揮発性メモリ装置。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出し動作において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項１０の不揮発性メモリ装置。
【請求項１２】
前記不揮発性メモリ装置は更に第３端子を有し、
前記第３端子は、前記クロック信号に応じて前記２値データを入力され、又は、前記クロック信号に応じて前記２値データを出力することを特徴とする請求項１１の不揮発性メモリ装置。
【請求項１３】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４の不揮発性メモリ装置。
【請求項１４】
クロック端子と、
コマンド端子と、
他の端子と、
変換回路と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルからパラレルにデータを読み出し、前記変換回路によりパラレルデータをシリアルデータに変換し、前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部へシリアルにデータを出力し、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、前記変換回路によりシリアルデータをパラレルデータに変換し、所定の不揮発性メモリセルへパラレルにデータを格納することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項１５】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを消去することを特徴とする請求項１４の不揮発性メモリ装置。
【請求項１６】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの処理において、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１５の不揮発性メモリ装置。
【請求項１７】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項１６の不揮発性メモリ装置。
【請求項１８】
前記他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドの入力に応じた処理において、データを入力され、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、データを出力することを特徴とする請求項１７の不揮発性メモリ装置。
【請求項１９】
変換回路と、
第１端子と、
第２端子と、
第３端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記第１端子はクロック信号を入力され、
前記第２端子は前記クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記クロック信号に応じてデータを出力し、
前記第３端子は読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を含む複数の動作のいずれかを指定する信号を入力され、
前記消去動作において、所定に不揮発性メモリセルに格納されているデータを消去し、
前記読み出し動作において、所定の不揮発性メモリセルからパラレルにデータを読み出し、前記変換回路によりパラレルデータをシリアルデータに変換し、前記第２端子を介して外部にシリアルデータを出力し、
前記書き込み動作において、前記第２端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、前記変換回路によりシリアルデータをパラレルデータに変換し、所定の不揮発性メモリセルへパラレルにデータを格納することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項２０】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去動作において、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書き込み動作において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１９の不揮発性メモリ装置。
【請求項２１】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出し動作において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項２０の不揮発性メモリ装置。
【請求項２２】
変換回路と、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記データ端子は前記クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記クロック信号に応じてデータを出力し、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルからパラレルにデータを読み出し、前記変換回路によりパラレルデータをシリアルデータに変換し、前記データ端子を介して外部へデータをシリアルに出力し、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、前記データ端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、前記変換回路によりシリアルデータをパラレルデータに変換し、所定の不揮発性メモリセルへパラレルにデータを書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項２３】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを消去することを特徴とする請求項２２の不揮発性メモリ装置。
【請求項２４】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２３の不揮発性メモリ装置。
【請求項２５】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項２４の不揮発性メモリ装置。
【請求項２６】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１５の不揮発性メモリ装置。
【請求項２７】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項１９の不揮発性メモリ装置。
【請求項２８】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項２３の不揮発性メモリ装置。
【請求項２９】
クロック端子と、
コマンド端子と、
他の端子と、
データレジスタと、
コマンドレジスタと、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記コマンド端子は、前記コマンドレジスタに接続され、読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記データレジスタは、外部からのデータの入力又は外部へのデータの出力のために用いられ、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記データレジスタを介して前記他の端子から前記クロック信号に応じて外部へデータを出力し、
前記書き込みコマンドの入力に応じた処理において、前記クロック信号に応じて外部から前記他の端子を介して前記データレジスタへデータを入力され、所定の不揮発性メモリセルへ前記データレジスタに格納されているデータを書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項３０】
前記不揮発性メモリ装置は更にデコード回路を有し、
前記デコード回路は前記コマンドレジスタに入力されたコマンドをデコードすることを特徴とする請求項２９の不揮発性メモリ装置。
【請求項３１】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３０の不揮発性メモリ装置。
【請求項３２】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３１の不揮発性メモリ装置。
【請求項３３】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項３２の不揮発性メモリ装置。
【請求項３４】
前記他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドの入力に応じた処理において、データを入力され、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、データを出力することを特徴とする請求項３３の不揮発性メモリ装置。
【請求項３５】
データレジスタと、
コマンドレジスタと、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記データ端子は前記データレジスタに接続され、
前記コマンド端子は、前記コマンドレジスタに接続され、読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記データレジスタへ転送し、前記データ端子を介して前記クロック信号に応じて外部へシリアルに出力し、
前記書き込みコマンドの入力に応じた処理において、前記データ端子を介して前記クロック信号に応じて外部からシリアルにデータが入力され前記データレジスタへ格納され、所定の不揮発性メモリセルへデータを書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項３６】
前記不揮発性メモリ装置は更にデコード回路を有し、
前記デコード回路は前記コマンドレジスタに入力されたコマンドをデコードすることを特徴とする請求項３５の不揮発性メモリ装置。
【請求項３７】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３６の不揮発性メモリ装置。
【請求項３８】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３７の不揮発性メモリ装置。
【請求項３９】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドの入力に応じた処理において、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項３８の不揮発性メモリ装置。
【請求項４０】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３７の不揮発性メモリ装置。
【請求項４１】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドの入力に応じた処理において、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドの入力に応じた処理において、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項３６の不揮発性メモリ装置。
【請求項４２】
制御回路と、
クロック端子と、
コマンド端子と、
他の端子と、
複数の不揮発性メモリセルと、
第１揮発性メモリと、
第２揮発性メモリとを有し、
前記クロック端子は第１クロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記制御回路は、入力されたコマンドの処理において、マイクロプログラムをプログラムメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルから読み出したデータを前記第２揮発性メモリに格納し、前記第２揮発性メモリに格納したデータを前記第１揮発性メモリに転送し、前記第１揮発性メモリから前記第１クロック信号に応じて外部へデータを出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、外部から前記第１クロック信号に応じて入力されたデータを第１揮発性メモリへ格納し、第１揮発性メモリに格納したデータを前記第２揮発性メモリに転送し、第２揮発性メモリから所定の不揮発性メモリセルへデータの書き込みをすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項４３】
前記不揮発性メモリ装置は更にクロック発生器を有し、
前記クロック発生器は第２クロック信号を生成し、
前記第２揮発性メモリから所定の不揮発性メモリセルへのデータの書き込みは前記第２クロック信号を用いて行われることを特徴とする請求項４２の不揮発性メモリ装置。
【請求項４４】
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、更に、それぞれの不揮発性メモリセルにおいてデータの書き込みが完了したか否かを判定するベリファイ処理を行うことを特徴とする請求項４３の不揮発性メモリ装置。
【請求項４５】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去することを特徴とする請求項４４の不揮発性メモリ装置。
【請求項４６】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４５の不揮発性メモリ装置。
【請求項４７】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項４６の不揮発性メモリ装置。
【請求項４８】
前記不揮発性メモリ装置は更にデータ端子を有し、
前記データ端子は、前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記第１クロック信号に応じてデータを入力され、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記第１クロック信号に応じてデータを出力することを特徴とする請求項４７の不揮発性メモリ装置。
【請求項４９】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項４２の不揮発性メモリ装置。
【請求項５０】
制御回路と、
第１端子と、
第２端子と、
他の端子と、
複数の不揮発性メモリセルを有するメモリアレイとを有し、
前記第１端子はクロック信号を入力され、
前記第２端子は読み出し動作と書き込み動作を含む複数の動作のいずれかを示す信号を入力され、
それぞれの不揮発性メモリセルは多値データを格納され、
前記制御回路は、マイクロプログラムをプログラムメモリから読み出して実行し、
前記読み出し動作において、前記制御回路は、前記読み出し動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルから多値データを読み出し、多値データを２値データへ変換し、２値データを前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部へ出力する制御を行い、
前記書き込み動作において、前記制御回路は、前記書き込み動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、２値データを前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部から入力され、２値データを多値データへ変換し、所定の不揮発性メモリセルへ多値データを格納する制御を行うことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項５１】
前記それぞれの不揮発性メモリセルは複数のしきい値電圧分布のうちの１つに含まれるしきい値電圧として多値データを格納し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示す１つのしきい値電圧分布と書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書き込み動作のマイクロプログラムに基づいて、所定のメモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布のうちの多値データに応じた１つに含まれるように変化させることを特徴とする請求項５０の不揮発性メモリ装置。
【請求項５２】
前記複数の動作には消去動作が含まれ、
前記消去動作において、前記制御回路は、前記消去動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項５１の不揮発性メモリ装置。
【請求項５３】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出し動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項５２の不揮発性メモリ装置。
【請求項５４】
前記他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記クロック信号に応じて前記２値データを入力され、又は、前記クロック信号に応じて前記２値データを出力することを特徴とする請求項５３の不揮発性メモリ装置。
【請求項５５】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項５０の不揮発性メモリ装置。
【請求項５６】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項４５の不揮発性メモリ装置。
【請求項５７】
制御回路と、
クロック端子と、
コマンド端子と、
他の端子と、
変換回路と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記制御回路は、入力されたコマンドの処理において、マイクロプログラムを格納されたプログラムメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからパラレルにデータを読み出し、前記変換回路によりパラレルデータをシリアルデータに変換し、前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部へシリアルにデータを出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、前記変換回路によりシリアルデータをパラレルデータに変換し、所定の不揮発性メモリセルへパラレルにデータを格納することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項５８】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを消去することを特徴とする請求項５７の不揮発性メモリ装置。
【請求項５９】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項５８の不揮発性メモリ装置。
【請求項６０】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項５９の不揮発性メモリ装置。
【請求項６１】
前記他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じてデータを入力され、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じてデータを出力することを特徴とする請求項６０の不揮発性メモリ装置。
【請求項６２】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項５７の不揮発性メモリ装置。
【請求項６３】
制御回路と、
変換回路と、
第１端子と、
第２端子と、
第３端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記第１端子はクロック信号を入力され、
前記第２端子は前記クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記クロック信号に応じてデータを出力し、
前記第３端子は読み出し動作及び書き込み動作を含む複数の動作のいずれかを指定する信号を入力され、
前記制御回路は、マイクロプログラムを格納したプログラムメモリから読み出し実行し、
前記読み出し動作において、前記制御回路は、前記読み出し動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからパラレルにデータを読み出し、前記変換回路によりパラレルデータをシリアルデータに変換し、前記第２端子を介して外部にシリアルデータを出力し、
前記書き込み動作において、前記制御回路は、前記書き込み動作に対応したマイクロプログラムに基づいて、前記第２端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、前記変換回路によりシリアルデータをパラレルデータに変換し、所定の不揮発性メモリセルへパラレルにデータを格納することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項６４】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書き込み動作のマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項６３の不揮発性メモリ装置。
【請求項６５】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出し動作のマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか否かによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項６４の不揮発性メモリ装置。
【請求項６６】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項６３の不揮発性メモリ装置。
【請求項６７】
制御回路と、
変換回路と、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記データ端子は前記クロック信号に応じてデータを入力され、又は前記クロック信号に応じてデータを出力し、
前記コマンド端子は読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記制御回路は、入力されたコマンドに対応したマイクロプログラムを格納したメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからパラレルにデータを読み出し、前記変換回路によりパラレルデータをシリアルデータに変換し、前記データ端子を介して外部へデータをシリアルに出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記データ端子を介して外部からシリアルにデータを入力され、前記変換回路によりシリアルデータをパラレルデータに変換し、所定の不揮発性メモリセルへパラレルにデータを書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項６８】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されているデータを消去することを特徴とする請求項６７の不揮発性メモリ装置。
【請求項６９】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項６８の不揮発性メモリ装置。
【請求項７０】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項６９の不揮発性メモリ装置。
【請求項７１】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項６７の不揮発性メモリ装置。
【請求項７２】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項５８の不揮発性メモリ装置。
【請求項７３】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項６３の不揮発性メモリ装置。
【請求項７４】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記消去コマンドのマイクロプログラムに基づいて、所定のメモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させ、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項６８の不揮発性メモリ装置。
【請求項７５】
制御回路と、
クロック端子と、
コマンド端子と、
他の端子と、
データレジスタと、
コマンドレジスタと、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記コマンド端子は、前記コマンドレジスタに接続され、読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記データレジスタは、外部からのデータの入力又は外部へのデータの出力のために用いられ、
前記制御回路は、入力されたコマンドの処理において、マイクロプログラムを格納したメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記データレジスタを介して前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部へデータを出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じて前記他の端子を介して外部からデータを入力され、前記データレジスタを介して所定の不揮発性メモリセルへデータを書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項７６】
前記不揮発性メモリ装置は更にデコード回路を有し、
前記デコード回路は前記コマンドレジスタに入力されたコマンドをデコードすることを特徴とする請求項７５の不揮発性メモリ装置。
【請求項７７】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項７６の不揮発性メモリ装置。
【請求項７８】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項７７の不揮発性メモリ装置。
【請求項７９】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項７８の不揮発性メモリ装置。
【請求項８０】
前記他の端子はデータ端子であり、
前記データ端子は、前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じてデータを入力され、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、前記クロック信号に応じてデータを出力することを特徴とする請求項７９の不揮発性メモリ装置。
【請求項８１】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項７５の不揮発性メモリ装置。
【請求項８２】
制御回路と、
データレジスタと、
コマンドレジスタと、
クロック端子と、
データ端子と、
コマンド端子と、
複数の不揮発性メモリセルとを有し、
前記クロック端子はクロック信号を入力され、
前記データ端子は前記データレジスタに接続され、
前記コマンド端子は、前記コマンドレジスタに接続され、読み出しコマンド及び書込コマンドを含む複数のコマンドを入力され、
前記制御回路は、入力されたコマンドに対応したマイクロプログラムを格納したメモリから読み出して実行し、
前記読み出しコマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記読み出しコマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルからデータを読み出し、前記データレジスタへ転送し、前記データレジスタから前記データ端子を介して前記クロック信号に応じて外部へシリアルに出力し、
前記書込コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記書込コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、前記データ端子を介して前記クロック信号に応じて外部からシリアルにデータが入力され前記データレジスタへ格納され、所定の不揮発性メモリセルへデータを書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項８３】
前記不揮発性メモリ装置は更にデコード回路を有し、
前記デコード回路は前記コマンドレジスタに入力されたコマンドをデコードすることを特徴とする請求項８２の不揮発性メモリ装置。
【請求項８４】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布と書き込み状態を示すしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項８３の不揮発性メモリ装置。
【請求項８５】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項８４の不揮発性メモリ装置。
【請求項８６】
前記不揮発性メモリ装置は更に第１回路を有し、
前記第１回路は、前記読み出しコマンドのマイクロプログラムに基づいて、それぞれの不揮発性メモリセルのしきい値電圧が消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるか、又は書き込み状態を示すしきい値電圧分布に含まれるかによりデータの状態を決定することを特徴とする請求項８５の不揮発性メモリ装置。
【請求項８７】
前記制御回路内に前記マイクロプログラムを実行するシーケンサが含まれていることを特徴とする請求項８２の不揮発性メモリ装置。
【請求項８８】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項７６の不揮発性メモリ装置。
【請求項８９】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項８８の不揮発性メモリ装置。
【請求項９０】
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、複数のしきい値電圧分布の１つに含まれるしきい値電圧を有し、
前記複数のしきい値電圧分布は、消去状態を示すしきい値電圧分布とそれぞれが異なる書き込み状態を示す複数のしきい値電圧分布とを含み、
前記書込コマンドのマイクロプログラムに基づいて、１つ以上の不揮発性メモリセルのしきい値電圧をデータに応じた書き込み状態を示す１つのしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項８３の不揮発性メモリ装置。
【請求項９１】
前記複数のコマンドには消去コマンドが含まれ、
前記消去コマンドが入力された場合に、前記制御回路は、前記消去コマンドに対応したマイクロプログラムに基づいて、所定の不揮発性メモリセルに格納されたデータを消去し、
前記データの消去は、前記所定の不揮発性メモリセルのしきい値電圧を消去状態を示すしきい値電圧分布に含まれるように変化させることを特徴とする請求項９０の不揮発性メモリ装置。