【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、マスク層を形成する工程と、
前記基板の素子分離領域とする領域における前記マスク層、第１の絶縁膜及び基板をエッチングして、前記基板に所定の深さの溝を形成する工程と、
前記マスク層上及び前記溝内を埋めるように、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記マスク層上の前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
前記マスク層を所定量等方的にエッチングすることにより、前記第２の絶縁膜の前記マスク層との境界近傍に、前記第１の絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の前記基板表面部に不純物領域を形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の導電型不純物を含有する第１導電型領域を有する半導体基板の当該第１導電型領域に少なくとも一部が隣接するように、第２の不純物を含有する第２導電型領域を形成する工程と、
前記半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、マスク層を形成する工程と、
前記半導体基板の素子分離領域とする領域であって、前記第１導電型領域と第２導電型領域の境界部を含む領域をエッチングして、前記半導体基板に所定の深さの溝を形成する工程と、
前記マスク層上及び前記溝内を埋めるように、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記マスク層上の前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
前記マスク層を所定量等方的にエッチングすることにより、前記第２の絶縁膜の前記マスク層との境界近傍に、前記第１の絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の前記基板表面部に不純物領域を形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程は、前記基板上に、前記マスク層とエッチング選択性を有する材料からなる絶縁膜を形成する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程は、前記基板上に酸化シリコン膜を形成する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜上にマスク層を形成する工程は、前記第１の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜と研磨選択性を有する材料からなる膜を形成する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜上にマスク層を形成する工程は、前記第１の絶縁膜上に窒化シリコン膜を形成する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記所定の深さの溝を形成する工程の後、第２の絶縁膜を形成する工程の前に、前記溝の内壁部に熱酸化膜を形成する工程をさらに有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記マスク層上及び前記溝内部を埋めるように、第２の絶縁膜を形成する工程は、前記マスク層上及び前記溝内部を埋めるように、酸化シリコン膜を形成する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜を形成する工程の後、前記マスク層上の前記第２の絶縁膜を除去する工程の前に、前記第２の絶縁膜を加熱処理する工程をさらに有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記マスク層上の前記第２の絶縁膜を除去する工程は、前記マスク層を研磨ストッパーとして、化学的機械研磨法により、前記第２の絶縁膜を前記マスク層上表面が露出するまで研磨・平坦化する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記マスク層を所定量等方的にエッチングすることにより、前記第２の絶縁膜の前記マスク層との境界近傍に、前記第１の絶縁膜に達する第２の開口部を形成する工程は、前記マスク層を、ウェットエッチング法により等方的にエッチングすることにより、前記第２の絶縁膜の前記マスク層との境界近傍に、前記第１の絶縁膜に達する開口部を形成する工程を有する、
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記開口部の前記基板表面部に不純物領域を形成する工程は、前記開口部の前記基板表面部に、前記開口部の前記基板に含まれる不純物と同じ導電型の不純物を含有する不純物領域を形成する工程を有する、
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に、マスク層を形成する工程と、
前記基板の素子分離領域とする領域における前記マスク層をエッチングすることにより、前記基板に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の前記基板表面部に不純物領域を形成する工程と、
前記マスク層の側壁部に側壁保護膜を形成する工程と、
前記マスク層及び前記側壁保護膜をマスクとして、前記開口部の前記基板をエッチングすることにより、前記基板に所定の深さの溝を形成する工程と、
前記マスク層及び側壁保護膜上、並びに前記溝内を埋めるように、絶縁膜を形成する工程と、
前記マスク層上の前記絶縁膜を除去する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１の導電型不純物を含有する第１導電型領域を有する半導体基板の当該第１導電型領域に少なくとも一部が接するように、第２導電型の不純物を含有する第２導電型領域を形成する工程と、
前記半導体基板上に、マスク層を形成する工程と、
前記半導体基板の素子分離領域とする領域であって、前記第１導電型領域と第２導電型領域の境界部を含む領域上の前記マスク層をエッチングすることにより、前記半導体基板に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の前記半導体基板表面部に不純物領域を形成する工程と、
前記マスク層の側壁部に側壁保護膜を形成する工程と、
前記マスク層及び前記側壁保護膜をマスクとして、前記開口部の前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に所定の深さの溝を形成する工程と、
前記マスク層及び側壁保護膜上、並びに前記溝内を埋めるように、絶縁膜を形成する工程と、
前記マスク層上の前記絶縁膜を除去する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体基板上にマスク層を形成する工程は、前記半導体基板上に前記基板材料と研磨選択性を有する材料からなる層を形成する工程を有する、
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体基板上にマスク層を形成する工程は、前記半導体基板上に窒化シリコン層を形成する工程を有する、
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記マスク層及び側壁保護膜上、並びに前記溝内を埋めるように、絶縁膜を形成する工程は、前記マスク層及び側壁保護膜上、並びに前記溝内を埋めるように、酸化シリコン膜を形成する工程を有する、
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記開口部を形成する工程の後、前記絶縁膜を形成する工程の前に、前記溝内壁部に熱酸化膜を形成する工程をさらに有する、
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁膜を形成する工程の後、前記マスク層上の前記絶縁膜を除去する工程の前に、前記第絶縁膜を加熱処理する工程をさらに有する、
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記マスク層上の前記絶縁膜を除去する工程は、前記マスク層を研磨ストッパーとして、化学的機械研磨法により、前記マスク層上表面が露出するまで前記絶縁膜を平坦化研磨する工程を有する、
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記開口部の前記半導体基板表面部に不純物領域を形成する工程は、前記開口部の前記半導体基板表面部に、前記開口部の前記半導体基板に含まれる不純物と同じ導電型の不純物を含有する不純物領域を形成する工程を有する、
請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
第１の導電型不純物を含有する第１導電型領域及び第２の導電型不純物を含有する第２導電型領域とを有する半導体基板と、
前記第１導電型領域と第２導電型領域の境界部を含む領域に形成された所定の深さの溝と、
前記溝内に埋め込まれた絶縁膜からなる素子分離領域と、
前記半導体基板の前記絶縁膜との境界近傍の前記半導体基板表面部に形成された不純物領域と、
前記素子分離領域を除く前記半導体基板上にあって、前記第１導電型領域上に形成された第１の電界効果トランジスタと、前記第２導電型領域上に形成された第２の電界効果トランジスタとを有する、
半導体装置。
【請求項２３】
前記第２導電型領域は、前記半導体基板中に形成された第２導電型ウェルである、
請求項２２記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記絶縁膜は、前記半導体基板材料と研磨選択性を有する材料からなる、
請求項２２記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記半導体基板と前記絶縁膜と境界近傍の前記基板表面部に形成された不純物領域は、少なくとも、前記半導体基板の前記第１導電型領域の前記絶縁膜との境界近傍に形成された第１の導電型不純物を含有する第１の不純物領域と、前記半導体基板の前記第２導電型領域の前記絶縁膜との境界近傍に形成された第２の導電型不純物を含有する第２の不純物領域からなる、
請求項２２記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】