Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光層を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
低指数結晶面に対し、オフ角0.3度以下の基板面にエピタキシャル成長され、
前記発光層を形成する前に形成される下層のIII族窒化物系化合物半導体層上面の凹凸が、50nm以下であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】  前記下層のIII族窒化物系化合物半導体層が、成長速度10nm/min以下で縦方向エピタキシャル成長により形成されることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】  前記下層のIII族窒化物系化合物半導体層が、不純物濃度1×1018/cm3未満であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】  前記III族窒化物系化合物半導体発光素子は、レーザダイオードであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項５】  前記下層のIII族窒化物系化合物半導体層が、ガイド層又はクラッド層であることを特徴とする請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の手段によれば、発光層を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、発光層を形成する前に形成される下層のIII族窒化物系化合物半導体層の上面の凹凸が、50nm以下であることを特徴とする。尚、ここで発光層の下層とは、発光層の直下の層に限定されない。また、複数の層を合わせて指す場合も含まれるものとする。また、上面の凹凸には極めて局部的（範囲0.1μm四方）な凹凸も、また、広範囲（範囲1μm四方）にわたる波状の凹凸も合わせた表現とする。
更に、低指数基板面に対し、オフ角0.3度以下の基板面にエピタキシャル成長されることを特徴とする。ここで低指数結晶面とは、基板面が例えばあるミラー指数の面に一致するよう作製してもそこからずれて、階段状の、よりミラー指数の高い面が基板面となることによる。即ち、その実際の基板面に比して、作製しようとした基板面はミラー指数がより小さい整数によって表される面であることを指す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項４に記載の手段によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、レーザダイオードであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項５に記載の手段によれば、下層のIII族窒化物系化合物半導体層が、ガイド層又はクラッド層であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【作用及び発明の効果】
発光層の下層の凹凸を抑制することで、下層の上方に形成される発光層と隣接層との界面も凹凸抑制されるので、散乱損失を抑制することができる（請求項１）。例えばレーザダイオードに適用すれば、閾値電流を下げることができる。この凹凸は、50nm以下が好ましく、20nm以下ならばより好ましい。
また、発光素子を、低指数基板面に対しオフ角0.3度以下の基板面にエピタキシャル成長させることで、発光層の下層の凹凸を抑制することができる（請求項１）。これは基板のオフ角から生じる基板面の段差の影響を小さくすることができるからである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記のような発光素子は、レーザダイオードに適用することで、閾値電流を小さくすることができる（請求項４）。この時、凹凸を抑制すべき下層としてはガイド層又はクラッド層が最適である（請求項５）。これは、電極形成層は一般に厚く且つ抵抗を低くする必要があるので、成長速度を小さくしたり、不純物濃度を低くすることが望ましくないからである。よってできる限り発光層に近い部分で凹凸を抑制することがより好ましい。ガイド層のみを凹凸が抑制されたそうとしても良いが、クラッド層を含めて、２層で凹凸を抑制することがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表裏導通スルーホールを有する誘電体基板を積層して形成したキャビティ内に半導体素子及び誘電体回路基板を搭載した半導体パッケージにおいて、上記キャビティを形成する複数の上記表裏導通スルーホールから上記キャビティに向かう方向に信号周波数の概略１／４伝送波長の間隔をもって、抵抗膜を形成した複数のスルーホールを配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】  表裏導通スルーホールを有する誘電体基板を積層して形成したキャビティ内に半導体素子及び誘電体回路基板を搭載した半導体パッケージにおいて、上記キャビティを形成する複数の上記表裏導通スルーホールから上記キャビティの周囲方向に信号周波数の概略１／４伝送波長の間隔をもって、抵抗膜を形成した複数のスルーホールを配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】  表裏導通スルーホールを有する誘電体基板を積層して形成したキャビティ内に半導体素子及び誘電体回路基板を搭載した半導体パッケージにおいて、上記キャビティを形成する複数の上記表裏導通スルーホールから上記キャビティに向かう方向及び上記キャビティの周囲方向に信号周波数の概略１／４伝送波長の間隔をもって、抵抗膜を形成した複数のスルーホールを配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】  表裏導通スルーホールを有する誘電体基板を積層して形成したキャビティ内に半導体素子及び誘電体回路基板を搭載した半導体パッケージにおいて、抵抗膜を形成した、長さの異なる複数のスルーホールを配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】  表裏導通スルーホールを有する誘電体基板を積層して形成したキャビティ内に半導体素子及び誘電体回路基板を搭載した半導体パッケージにおいて、上記キャビティを形成する複数の上記表裏導通スルーホールから上記キャビティに向かう方向に信号周波数の概略１／４伝送波長の間隔をもって、キャビティ共振を抑制する抵抗体を配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６】  表裏導通スルーホールを有する誘電体基板を積層して形成したキャビティ内に半導体素子及び誘電体回路基板を搭載した半導体パッケージにおいて、上記キャビティを形成する複数の上記表裏導通スルーホールから上記キャビティの周囲方向に信号周波数の概略１／４伝送波長の間隔をもって、キャビティ共振を抑制する抵抗体を配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）
【化１】
2004091734.tif 000001
［式中、Ｚは芳香族トリカルボン酸無水物残基である３価の芳香族基、Ｙ１は下記一般式（ＩＩ）で表される芳香族ジアミン残基
【化２】
2004091734.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ＣＯＯＲ（Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を示す）または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく；Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は炭素数１〜９のアルキル基または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく；Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）−、または−Ｃ（ＣＦ３）２−を示し；ｎは１以上の整数である。）を示す。］で表される繰り返し単位１種以上と、下記一般式（ＩＩＩ）
【化３】
2004091734.tif 000003
（式中、Ｚは芳香族トリカルボン酸無水物残基である３価の芳香族基、Ｙ２はシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基を示す。）で表される繰り返し単位１種以上とを主成分として含有するポリアミドイミド樹脂。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（式中、Ｚは芳香族トリカルボン酸無水物残基である３価の芳香族基、Ｙ２はシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基を示す。）で表される繰り返し単位１種以上とを主成分として含有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記一般式（ＩＩＩ）において、Ｙ２はシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基である。Ｙ２が非フェノール性芳香族ジアミン残基である場合、この芳香族ジアミンは非フェノール性であれば特に限定されるものではないが、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４´−ジフェニレンジアミン、３，３´−ジフェニレンジアミン、３，４´−ジフェニレンジアミン、各種ビス（アミノフェニル）エーテル、各種ビス（アミノフェニルオキシ）ベンゼン、各種２，２−ビス（アミノフェニルオキシフェニル）プロパンを例示できる。Ｙ２がシロキサンジアミン残基である場合、下記一般式（ＩＶ）で示されるシロキサンジアミン残基を例示できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のポリアミドイミド樹脂は、前記芳香族トリカルボン酸またはその誘導体と、前記一般式（ＩＩ）で示した二価の有機基に対応するフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族ジアミンと、前記一般式（ＩＩＩ）のＹ２で例示したシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基にそれぞれ対応するシロキサンジアミンまたは非フェノール性芳香族ジアミンとを、脱水縮合させることにより得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）
【化１】
2004091735.tif 000001
［式中、Ｚは芳香族ジカルボン酸残基である２価の芳香族基、Ｙ１は下記一般式（ＩＩ）で表される芳香族ジアミン残基
【化２】
2004091735.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、炭素数１〜９のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ＣＯＯＲ（Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を示す）または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく；Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は炭素数１〜９のアルキル基または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく；Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）−、または−Ｃ（ＣＦ３）２−を示し；ｎは１以上の整数である。）を示す。］で表される繰り返し単位１種以上と、下記一般式（ＩＩＩ）
【化３】
2004091735.tif 000003
（式中、Ｚは芳香族ジカルボン酸残基である２価の芳香族基、Ｙ２はシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基を示す。）で表される繰り返し単位１種以上とからなる芳香族ポリアミド樹脂。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（式中、Ｚは芳香族ジカルボン酸残基である２価の芳香族基、Ｙ２はシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基を示す。）で表される繰り返し単位１種以上とからなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記一般式（ＩＩＩ）において、Ｙ２はシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基である。Ｙ２が非フェノール性芳香族ジアミン残基である場合、この芳香族ジアミンは非フェノール性であれば特に限定されるものではないが、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジフェニレンジアミン、３，３’−ジフェニレンジアミン、３，４’−ジフェニレンジアミン、各種ビス（アミノフェニル）エーテル、各種ビス（アミノフェニルオキシ）ベンゼン、各種２，２−ビス（アミノフェニルオキシフェニル）プロパン、１，３−ビス−（２−（４−アミノフェニル）イソプロピル）ベンゼン、１，４−ビス−（２（４−アミノフェニル）イソプロピル）ベンゼン、２，２−ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン，２，２−ビス−（３．５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス−［３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（４−アミノベンジル）ベンゼン、１，４−ビス−（４−アミノベンジル）ベンゼン１，３−ビス−（４−アミノチオフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス−（４−アミノチオフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（（４−アミノフェニル）スルホニル）ベンゼン、１，４−ビス−（（４−アミノフェニル）スルホニル）ベンゼンを例示できる。これらの中では特に接着強さの点から、１，３−ビス−（２−（４−アミノフェニル）イソプロピル）ベンゼン、１，４−ビス−（２−（４−アミノフェニル）イソプロピル）ベンゼンが好ましい。また、Ｙ２がシロキサンジアミン残基である場合、下記一般式（ＩＶ）で示されるシロキサンジアミン残基を例示でき、これを用いると接着性、機械特性の向上に有効である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【化７】
2004091735.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
＜任意成分＞
本発明のエラストマー形成性組成物には、本発明の効果が損なわれない範囲において、通常のエラストマー形成性組成物（ポリウレタン原料）に含有されている任意成分が含有されていてもよい。かかる任意成分としては、触媒、可塑剤、消泡剤、補強剤などを挙げることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
＜比較例４＞
実施例１で調製したエラストマー形成性組成物に代えて、比較例１で調製したエラストマー形成性組成物（ウレタン系樹脂の溶液）７５部を使用して難燃性のエラストマー形成性組成物を調製し、当該エラストマー形成性組成物に繊維性基布を浸漬し、オーブンによる加熱温度を１８０℃に変更したこと以外は実施例３と同様にして厚さ０．５ｍｍの複合シートを製造した。
得られた複合シートは、繊維性基布を形成するフィラメントがエラストマーによって十分に被覆されず、むき出し状態であり、また、当該複合シートは柔軟性を有するものではなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
＜比較例５＞
実施例１で調製したエラストマー形成性組成物に代えて、比較例２で調製したエラストマー形成性組成物（ウレタン系樹脂の水性エマルジョン）７５部を使用して難燃性のエラストマー形成性組成物を調製し、当該エラストマー形成性組成物に繊維性基布を浸漬し、１２０℃のオーブンで１０分、１５０℃のオーブンで１０分の加熱に変更したこと以外は実施例３と同様にして厚さ０．５ｍｍ複合シートを製造した。
得られた複合シートは、繊維性基布を形成するフィラメントがエラストマーによって十分に被覆されず、むき出し状態であり、また、当該複合シートは柔軟性を有するものではなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月4日(2006.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
３−（２−メチル−２−オキシラニル）プロピオン酸エチル（４００ mg）、ベンジルアミン（２.７６ mL）、エタノール（４.０ mL）の混合物を９０℃で１４時間撹拌した。室温に冷却後濃縮して得られた残渣を酢酸エチルと１N塩酸で分配した。有機層を１N塩酸、食塩水で洗浄し、乾燥、濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精製して、１−ベンジル−５−ヒドロキシ−５−メチル−２−ピペリジノン（１２０ mg）を得た。
１H-NMR (３００ MHz, CDCl３) δ : １.２８ (３H, s), １.８３-１.８９ (２H, m), ２.４７ (１H, ddd, J=１８.０, ６.０ and ４.２ Hz), ２.７２ (１H, ddd, J=１８.０, １０.２ and ７.５ Hz), ３.０５-３.０９ (１H, m), ３.２０ (１H, d, J=１２.６ Hz), ４.５９ (２H, ABq, J=１４.４ Hz), ７.２３-７.３５ (５H, m).  
参考例４２
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
４−[(１E)-３−エトキシ−３−オキソプロプ−１−エン−１−イル]ピペリジン−１−カルボン酸ベンジル（２.３８ g）、１０％パラジウム炭素（５０％含水、１.６０ g）、エタノール（５０ mL）の混合物を水素雰囲気下室温で２日間撹拌した。パラジウム炭素をセライトを用いて濾去し、エタノールで洗浄した。母液を濃縮して３−（４−ピペリジニル）プロピオン酸エチル（１.０９ g）を得た。
１H-NMR (３００ MHz, CDCl３) δ : １.０３-１.１７ (２H, m), １.２６ (３H, t, J=７.２ Hz), １.２３-１.４３ (２H, m), １.５７ (２H, dt, J=１５.０ and ７.５ Hz), １.６５-１.６９ (２H, m), ２.３１ (２H, t, J=７.５ Hz), ２.５７ (１H, td, J=１２.０ and ２.７ Hz), ３.０４-３.０８ (２H, m), ４.１２ (２H, q, J=７.２ Hz).  
参考例７１
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０９】
４−フルオロ−１−ナフトニトリル（７０ mg）、３−（４−ピペリジニル）プロピオン酸エチル（９１ mg）、炭酸カリウム（７８ mg）、ジメチルスルホキシド（１.０ mL）の混合物を１００℃で１時間撹拌した。室温に冷却後反応物を水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水で洗浄し、乾燥、濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精製し、３−［１−（４−シアノ−１−ナフチル）−４−ピペリジニル］プロピオン酸エチル（１１０ mg）を得た（化合物８７）。
mp １０６-１０７ ℃.
１H-NMR (３００ MHz, CDCl３) δ : １.２８ (３H, t, J=７.２ Hz), １.５４-１.６２ (２H, m), １.６９-１.７７ (２H, m), １.８８-１.９１ (２H, m), ２.４１ (２H, t, J=７.５ Hz), ２.７９ (２H, t, J=１１.１ Hz), ３.４６-３.５２ (２H, m), ４.１６ (２H, q, J=７.２ Hz), ６.９９ (１H, d, J=７.８ Hz), ７.５５ (１H, ddd, J=８.４, ６.９ and １.５ Hz), ７.６４ (１H, ddd, J=８.４, ６.９ and １.５ Hz), ７.８０ (１H, d, J=７.８ Hz), ８.１２-８.１９ (２H, m).
IR (KBr) ２２１６, １７３２, １５７４ cm-１
Anal. Calcd. for C２１H２４N２O２: C, ７４.９７; H, ７.１９; N, ８.３３. 
Found: C, ７４.７１; H, ７.０８; N, ７.９９.
実施例８５(化合物８８の製造)
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１０】
３−（４−ピペリジニル）プロピオン酸エチル（８７０ mg）とテトラヒドロフラン（１０ mL）の混合物に水素化リチウムアルミニウム（１７８ mg）を０℃で加え、６時間撹拌した。水（０.１８ mL）、２５％水酸化カリウム溶液（０.１８ mL）、水（０.５４ mL）を順次加え、１４時間撹拌した。不溶物をセライトを用いて濾去後母液を濃縮して淡黄色油状物質（５９０ mg）を得た。本物質（１６７ mg）、４−フルオロ−１−ナフトニトリル（１００ mg）、炭酸カリウム（２０２ mg）、ジメチルスルホキシド（１.０ mL）の混合物を１００℃で３時間撹拌した。室温に冷却後反応物を水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水で洗浄し、乾燥、濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精製し、４−［４−（３−ヒドロキシプロピル）−１−ピペリジニル］−１−ナフトニトリル（１０５ mg）を得た（化合物８８）。
mp １１４-１１５ ℃.
１H-NMR (３００ MHz, CDCl３) δ : １.３０ (１H, t, J=５.４ Hz), １.４３-１.５４ (４H, m), １.５７-１.７２ (３H, m), １.９０-１.９２ (２H, m), ２.８０ (２H, t, J=１１.７ Hz), ３.４９-３.５４ (２H, m), ３.７０ (２H, td, J=６.６ and ５.４ Hz), ７.００ (１H, d, J=８.１ Hz), ７.５６ (１H, ddd, J=８.４, ６.９ and １.５ Hz), ７.６５ (１H, ddd, J=８.４, ６.９ and １.５ Hz), ７.８２ (１H, d, J=８.１ Hz), ８.１４-８.２０ (２H, m).
IR (KBr) ２９３２, ２２１６, １５７２ cm-１
Anal. Calcd. for C１９H２２N２O: C, ７５.９２; H, ７.６５; N, ８.８５.
Found: C, ７５.７９; H, ７.７１; N, ８.６９.
実施例８６(化合物８９の製造)
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体であり、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および／またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことを特徴とする酸化物焼結体。
【請求項２】
比抵抗が１ｋΩｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体。
【請求項３】
比抵抗が５０Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体。
【請求項４】
比抵抗が１Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体。
【請求項５】
比抵抗が１×１０-2Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体。
【請求項６】
比抵抗が１×１０-3Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物焼結体。
【請求項７】
タングステンの含有量が、Ｗ／Ｉｎ原子比で０．００１以上０．１７以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項８】
主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体であり、主として、タングステンとスズが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および／またはタングステン酸インジウム化合物結晶相および／またはスズ酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことを特徴とする酸化物焼結体。
【請求項９】
比抵抗が１ｋΩｃｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物焼結体。
【請求項１０】
比抵抗が６０Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物焼結体。
【請求項１１】
比抵抗が１Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物焼結体。
【請求項１２】
比抵抗が１×１０-2Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物焼結体。
【請求項１３】
比抵抗が１×１０-3Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物焼結体。
【請求項１４】
タングステンの含有量が、Ｗ／Ｉｎ原子比で０．００１以上０．１７以下であり、スズの含有量が、Ｓｎ／Ｉｎ原子比で０．００１以上０．１５以下であることを特徴とする請求項８から１３のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板の表面に形成された残留圧縮応力層と、このガラス板の内部に形成された残留引張応力層とで構成され、これらの層における残留応力のバランスにより強度の増強された強化ガラス板であって、
前記強化ガラス板は、その周縁部を包含する正面視で環状の周縁領域と、この周縁領域の内周側を占有する中央領域とを有し、
前記中央領域における平均表面圧縮応力は、前記周縁領域における平均表面圧縮応力よりも大きいことを特徴とする強化ガラス板。
【請求項２】
前記強化ガラス板の周縁領域における平均表面圧縮応力は、９０ＭＰａ以上である請求項１に記載の強化ガラス板。
【請求項３】
前記中央領域と前記周縁領域との境界は、
前記強化ガラス板が、その重心を起点として破砕された場合に、前記重心から前記周縁部に向かって進行するクラックの先端と、
前記クラックと同時に発生するとともに前記強化ガラス板を前記クラックの進行速度の１．７〜２．３倍の速度で伝搬し、前記強化ガラス板の周縁部で正反射して来た弾性波と
が衝突する点を結んだ線によって規定される請求項１または２に記載の強化ガラス板。
【請求項４】
前記中央領域における平均表面圧縮応力は、前記周縁領域における平均表面圧縮応力よりも８〜４７％大きい請求項１〜３の何れか一項に記載の強化ガラス板。
【請求項５】
前記強化ガラス板の厚さは、２．８ｍｍ以下であり、
前記中央領域における平均表面圧縮応力は、１００ＭＰａ以上であり、
前記周縁領域における平均表面圧縮応力は、９０ＭＰａ以上である請求項１〜４の何れか一項に記載の強化ガラス板。
【請求項６】
ガラス板を軟化点近くまで加熱した後、このガラス板の表面を冷却手段を使って冷却することにより、前記ガラス板の表面に残留圧縮応力層を形成し、かつ内部に残留引張応力層を形成する強化ガラス板の製造方法であって、
前記強化ガラス板は、その周縁部を包含する正面視で環状の周縁領域と、この周縁領域の内周側を占有する中央領域とを有し、
前記中央領域を冷却するための第１の冷却手段の冷却能を、前記周縁領域を冷却するための第２の冷却手段の冷却能よりも１６〜７８％高くしたことを特徴とする強化ガラス板の製造方法。
【請求項７】
前記中央領域と前記周縁領域との境界は、
前記強化ガラス板が、その重心を起点として破砕された場合に、前記重心から前記周縁部に向かって進行するクラックの先端と、
前記クラックと同時に発生するとともに前記強化ガラス板を前記クラックの進行速度の１．７〜２．３倍の速度で伝搬し、前記強化ガラス板の周縁部で正反射して来た弾性波と
が衝突する点を結んだ線によって規定される請求項６に記載の強化ガラス板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の冷却手段の冷却能は、５２０Ｗ／ｃｍ２℃以上であり、
前記第２の冷却手段の冷却能は、３５０Ｗ／ｃｍ２℃以上であることを特徴とする請求項６または７の何れか一項に記載の強化ガラス板の製造方法。
【請求項９】
ガラス板を軟化点近くまで加熱するための加熱炉と、このガラス板の表面に冷却媒体を吹き付けるための複数のノズルを有した冷却手段とを備え、前記加熱されたガラス板の表面に前記冷却媒体を吹き付けることで、前記ガラス板の表面に残留圧縮応力層を形成し、かつ内部に残留引張応力層を形成する強化ガラス板の製造装置であって、
前記強化ガラス板は、その周縁部を包含しかつ正面視で環状の周縁領域と、この周縁領域の内周側を占有する中央領域とを有し、
前記中央領域を冷却するノズルの先端と前記ガラス板の表面との距離は、前記周辺領域を冷却するノズルの先端と前記ガラス板の表面との距離よりも１０〜５０ｍｍ短いことを特徴とする強化ガラス板の製造装置。
【請求項１０】
前記中央領域と前記周縁領域との境界は、
前記強化ガラス板が、その重心を起点として破砕された場合に、前記重心から前記周縁部に向かって進行するクラックの先端と、
前記クラックと同時に発生するとともに前記強化ガラス板を前記クラックの進行速度の１．７〜２．３倍の速度で伝搬し、前記強化ガラス板の周縁部で正反射して来た弾性波と
が衝突する点を結んだ線によって規定されることを特徴とする請求項９に記載の強化ガラス板の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そこで、このような原理を踏まえるとともに、上述の従来技術の課題を解決すべく本発明は、ガラス板の表面に形成された残留圧縮応力層と、このガラス板の内部に形成された残留引張応力層とで構成され、これらの層における残留応力のバランスにより強度の増強された強化ガラス板であって、前記強化ガラス板は、その周縁部を包含する正面視で環状の周縁領域と、この周縁領域の内周側を占有する中央領域とを有し、前記中央領域における平均表面圧縮応力は、前記周縁領域における平均表面圧縮応力よりも大きいことを特徴とする強化ガラス板を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】
各々が積層された第１電極と、前記第１電極上に形成された有機材料層と、前記有機材料層上に形成された第２電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の複数からなる表示パネル領域を含む基板と、前記基板上の前記表示パネル領域を囲む領域に形成された、前記第２電極に電気的に接続された導電性の接続ラインと、からなり、前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して低抵抗としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項２】
前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して肉厚の導電性肉厚部からなることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項３】
前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して表面積を大としたことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項４】
前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して低抵抗材料により構成したことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項５】
前記接続ライン及び肉厚部の合計膜厚が、前記第２電極の膜厚より大であることを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項６】
前記接続ラインは、前記第２電極の形成材料と同一材料であり、かつ前記第２電極の膜厚とほぼ同一の厚さで形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項７】
前記肉厚部は、前記接続ラインの形成材料と同一材料で形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルは、各々が積層された第１電極と、前記第１電極上に形成された有機材料層と、前記有機材料層上に形成された第２電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の複数からなる表示パネル領域を含む基板と、前記基板上の前記表示パネル領域を囲む領域に形成された、前記第２電極に電気的に接続された導電性の接続ラインと、からなり、前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して低抵抗としたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して肉厚の導電性肉厚部からなることを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して表面積を大としたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記接続ラインは前記表示パネル領域上に形成された前記第２電極に比して低抵抗材料により構成したことを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記接続ライン及び肉厚部の合計膜厚が、前記第２電極の膜厚より大であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記接続ラインは、前記第２電極の形成材料と同一材料であり、かつ前記第２電極の膜厚とほぼ同一の厚さで形成されたことを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記肉厚部は、前記接続ラインの形成材料と同一材料で形成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  環状カーボネート、鎖状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含む非水溶媒に電解質が溶解されてなり、還元電位が、リチウムを基準として、１ボルト未満であることを特徴とする非水電解液。
【請求項２】  還元電位が、リチウムを基準として、０．８ボルト以下である請求項１に記載の非水電解液。
【請求項３】  還元電位が、リチウムを基準として、０．７ボルト〜０．８ボルトの範囲にある請求項２に記載の非水電解液。
【請求項４】  環状カーボネート、鎖状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含む非水溶媒に電解質が溶解されてなる非水電解液において、有機塩素化合物を塩素原子換算で１０ｐｐｍ以下の量で含有する非水電解液。
【請求項５】  有機塩素化合物の含有量が塩素原子換算で５ｐｐｍ以下である請求項４に記載の非水電解液。
【請求項６】  環状カーボネート、鎖状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含み、有機塩素化合物を塩素原子換算で１０ｐｐｍ以下の量で含有する非水溶媒。
【請求項７】  有機塩素化合物の含有量が塩素原子換算で５ｐｐｍ以下である請求項６に記載の非水溶媒。
【請求項８】  有機塩素化合物の含有量が塩素原子換算で２．５ｐｐｍ以下である請求項７に記載の非水溶媒。
【請求項９】  正極、結晶面間隔（ｄ002）が０．３４ｎｍ以下のグラファイト負極、および環状カーボネート、鎖状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含む非水溶媒に電解質が溶解されている電解液からなるリチウム二次電池において、該電解液として、還元電位が、リチウムを基準として、１ボルト未満である電解液が用いられていることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１０】  電解液の還元電位が、リチウムを基準として、０．８ボルト以下である請求項９に記載のリチウム二次電池。
【請求項１１】  電解液の還元電位が、リチウムを基準として、０．７ボルト〜０．８ボルトの範囲にある請求項１０に記載のリチウム二次電池。
【請求項１２】  正極、結晶面間隔（ｄ002）が０．３４ｎｍ以下のグラファイト負極、および環状カーボネート、鎖状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含む非水溶媒に電解質が溶解されている電解液からなるリチウム二次電池において、該電解液中に、有機塩素化合物が塩素原子換算で１０ｐｐｍ以下の量で含まれているリチウム二次電池。
【請求項１３】  電解液中の有機塩素化合物の含有量が塩素原子換算で５ｐｐｍ以下である請求項１２に記載のリチウム二次電池。
【請求項１４】  環状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含む非水溶媒に電解質が溶解されてなる非水電解液であって、有機塩素化合物を塩素原子換算で１０ｐｐｍを超える量にて含有することなく、そして還元電位が、リチウムを基準として、１ボルト未満であることを特徴とする非水電解液。
【請求項１５】  還元電位が、リチウムを基準として、０．７ボルト〜０．８ボルトの範囲にある請求項１４に記載の非水電解液。
【請求項１６】  有機塩素化合物を塩素原子換算で５ｐｐｍを超える量にて含有することのない請求項１４に記載の非水電解液。
【請求項１７】  有機塩素化合物を塩素原子換算で２．５ｐｐｍを超える量にて含有することのない請求項１６に記載の非水電解液。
【請求項１８】  非水溶媒中のビニレンカーボネートの含有量が０．０１〜１０質量％の範囲にある請求項１４に記載の非水電解液。
【請求項１９】  正極、結晶面間隔（ｄ002）が０．３４ｎｍ以下のグラファイト負極、および環状カーボネートおよびビニレンカーボネートを含む非水溶媒に電解質が溶解されている電解液からなるリチウム二次電池において、該電解液として、有機塩素化合物を塩素原子換算で１０ｐｐｍを超える量にて含有することなく、そして還元電位が、リチウムを基準として、１ボルト未満である電解液が用いられていることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２０】  電解液の還元電位が、リチウムを基準として、０．７ボルト〜０．８ボルトの範囲にある請求項１９に記載のリチウム二次電池。
【請求項２１】  有機塩素化合物を塩素原子換算で５ｐｐｍを超える量にて含有することのない請求項１９に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモートアクセスリンク（１９）を介して録画されるべきテレビ番組を選択するシステムであって、
該システムは、
ユーザの家庭内に置かれたユーザテレビ機器（２２）を含む双方向テレビ番組ガイド機器（１７）であって、ローカル双方向テレビ番組ガイドがインプリメントされた双方向テレビ番組ガイド機器（１７）と、
該ユーザの家庭の外部に置かれ得るリモート番組ガイドアクセスデバイス（２４）であって、リモートアクセス双方向テレビ番組ガイドがインプリメントされたリモート番組ガイドアクセスデバイス（２４）と
を備え、
該リモートアクセス双方向テレビ番組ガイドは、複数のテレビ番組を含む番組リストと該ユーザの操作により該番組リスト内を移動可能なハイライト領域とを有する番組リスト画面を表示し、該ハイライト領域を用いて該番組リストに含まれる該複数のテレビ番組のうちの１つを選択することにより、該リモートアクセス双方向テレビ番組ガイドを用いて、該ローカル双方向テレビ番組ガイドによって録画されるべきテレビ番組を該リモートアクセスリンク（１９）を介して遠隔的に選択する機会を該ユーザに提供するように構成されており、
該ローカル双方向テレビ番組ガイドは、該ユーザによって選択された該テレビ番組を該双方向テレビ番組ガイド機器（１７）を用いて録画するように構成されている、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信リンクを通じて、接続元の無線通信装置に一つ又は複数種別のサービスを提供可能な無線通信装置であって、
前記無線通信リンクの確立後に、前記無線通信リンクを介したデータ通信によってサービスを提供する少なくとも一つのサービス提供部と、
前記無線通信リンクの確立前に、前記接続元から送出され、前記接続元が要求するサービスを表すサービス情報を含む発見要求を受信する無線通信部と、
前記無線通信部が受信した発見要求で要求されるサービスと、前記サービス提供部が提供するサービスとが一致するか否かを判断する第一の判断部と、
前記サービス提供部が現在サービスを提供可能か否かを、前記サービス提供部における現在のサービス提供環境に基づいて判断する第二の判断部とを備え、
前記無線通信部はさらに、前記第一の判断部と前記第二の判断部の判断結果に基づいて、サービスを提供可能と判断した場合にのみ、今回受信した発見要求に対して、当該サービスを現在提供可能であると判断したことを示す発見応答を送出する、無線通信装置。
【請求項２】
前記無線通信部は、前記サービス提供部が現在提供可能なサービスを表す提供サービス情報を含む発見応答を送出する、請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
接続先の前記無線通信装置が、無線通信リンクを確立後、遠隔の機器から取得したデータを前記接続元の無線通信装置に向けて送出し、
前記サービス提供環境は少なくとも、接続先の前記無線通信装置と前記遠隔の機器との通信環境を含む、請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記サービス提供環境は少なくとも、接続先の前記無線通信装置の種類、接続先の前記無線通信装置における電波の受信状態、接続先の前記無線通信装置の通信速度及び通信コスト、並びに接続先の前記無線通信装置が搭載する電池の残量及びプロセッサの処理能力のいずれかを含む、請求項３に記載の無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
N個の基本ソースメモリに分けられ、一連の入力データを記憶するソースメモリ手段と、
クロック信号によりクロックされ、N個の出力を有し、該クロック信号の１サイクルあたりにN個のデータを生成する処理手段を備え、該N個のデータは、前記N個の基本ソースメモリの相対ソースアドレスにそれぞれ記憶されるN個の入力データにそれぞれ関連し、
N個の単一ポートターゲットメモリと、
それぞれの相対ソースアドレスについて、１つのターゲットメモリの番号および対応する相対ターゲットアドレスをもつ、N個のインターリービングテーブルと、
リング構造で接続されるN個のセルを備え、
該セルはそれぞれ、前記処理手段の出力、１つのインターリービングテーブル、１つのターゲットメモリのポートの間で接続され、該セルはそれぞれ、前記処理手段および２つの隣接するセルからデータを受け取り、少なくともいくつかの受け取ったデータを前記隣接セルの少なくとも１つに送るか、または受信したもののいくつかを関連するターゲットメモリに逐次書き込むかを、前記インターリービングテーブルの内容にしたがって行う電子装置。
【請求項２】
前記セルはそれぞれ、
処理手段の対応出力と、対応インターリービングテーブルと、２つの隣接セルとに接続される配分手段を備え、
該配分手段は、ターゲットメモリの対応する番号および対応する相対ターゲットアドレスを含むターゲット情報にそれぞれ関連して生成されたデータを受信し、対応する方向情報とともに、ターゲット情報に関連して生成されたデータを送り、
前記配分手段と、対応するターゲットメモリと、２つの隣接するセルに接続されるソーティング・バッファ手段を備え、
該ソーティング・バッファ手段は、ターゲット情報に関連する対応データおよび対応する方向情報を受信し、実際に通過すべきものを、対応する方向情報に関連してこれらのデータから選択し、逐次送信する、
請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記配分手段は、
対応する処理手段の出力と、対応するインターリービング出力とに接続されるローカルディストリビュータを備え、該ローカルディストリビュータは、ターゲット情報に関連して生成されたローカルデータを受信し、ターゲット情報に関連して生成されたローカルデータを、方向情報とともに送り、
ターゲット情報に関連する右隣接セルにより送られる右入力データを受信し、ターゲット情報に関連する右入力データを、方向情報とともに送信する右入力ディストリビュータと、
ターゲット情報に関連する左隣接セルにより送られる左入力データを受信し、ターゲット情報に関連する左入力データを、方向情報とともに送信する左入力ディストリビュータと、
を備える請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
ソートバッファ手段は、
３つの入力を持ち、それぞれローカル、右入力、左入力の、ディストリビュータに接続されるローカルアウトソーティング・バッファを備え、該ローカルアウトソーティング・バッファは、ターゲット情報および対応する方向情報に関連する対応データを受信し、これらのデータから、ターゲットメモリに記憶されるべきものを、対応する方向情報に関連して選択し、前記ターゲットメモリに、相対目的地アドレスに関連して逐次書き込みを行い、
２つの入力を持ち、それぞれローカルおよび右隣接セルの左入力の、ディストリビュータに接続される左出力ソーティング・バッファを備え、該左出力ソーティング・バッファは、ターゲット情報および方向情報に関連した対応データを受信し、左隣接セルの前記右入力ディストリビュータに送られるべきものを、これらのデータについて方向情報に関連して選択し、ターゲット情報を持つ前記選択されたデータを逐次送信し、
２つの入力を持ち、それぞれローカルおよび右隣接セルの左入力の、ディストリビュータに接続される右出力ソーティング・バッファを備え、該右出力ソーティング・バッファは、ターゲット情報と方向情報に関連する対応データを受信し、右隣接セルの左入力ディストリビュータに送られるべきものを、これらのデータから方向情報に関連して選択し、ターゲット情報を持つ前記選択されたデータを逐次送信する、
請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記ソーティング・バッファはそれぞれ、
参照方向情報に関連し、ソーティング・バッファの入力を形成する入力と、入力の数に等しい出力の数と、前記参照方向情報を受けとる制御入力手段とを有し、入力で受けとったデータから、前記参照方向情報と同一の方向情報を有するものを選択し、選択されたデータを後続の出力に送るソーティング手段と、
所定数の基本レジスタをもつレジスタ手段を備え、各基本レジスタは、ターゲット情報をもつ選択されたデータを記憶し、
実際に書き込まれる値の番号によりシフトされる前に、選択されたデータを後続の基本レジスタに書き込む書き込みポインタ手段と、
前記基本レジスタを逐次読み出す読み出しポインタ手段と、
を備える請求項２から４のいずれか１つに記載の電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信信号を送受信するトランシーバと、
接触表面と、
前記接触表面と別の通信装置との接触を検出する接触回路と、
前記接触回路により検出された通信装置との間のみでの通信を可能とするコントローラと、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
少なくとも２台の通信装置を備え、
前記各通信装置は、無線周波数を用いて情報を送受信するトランシーバを備え、
前記トランシーバは、アドレスが割り当てられており、
画像を捉えるカメラと、
画像を表示するディスプレイと、
接触表面と、
前記接触表面と別の前記通信装置の接触表面との間の接触を検出する接触回路と、
前記接触回路により検出された通信装置のアドレスを含むアドレスリストを特定するコントローラと、
を備え、
前記各コントローラは、前記アドレスリスト上にアドレスを有する通信装置とのみ通信可能なように作動することを特徴とする通信システム。
【請求項３】
各々に接触表面を備える少なくとも２台の通信装置の間の無線通信ネットワークを形成する方法であって、
１台の通信装置が、備える接触表面と他の少なくとも１台の通信装置の接触表面との接触を検出したときにその接触された旨を登録するステップと、
少なくとも一つのモードの通信を、前記登録された接触を有する通信装置の間の通信に限定するステップと、
を含むことを特徴とする無線通信ネットワーク形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体共振器アンテナであって、アース面に備えられた第１面が第１金属層により覆われる誘電体材料の平行六面体ブロックから構成される、誘電体共振器アンテナであり、
所定の周波数について前記誘電体共振器アンテナの寸法が小さくされるように、前記第１面に垂直な少なくとも１つの第２面が、該第２面の幅より小さい幅且つ該第２面の高さに等しいか又はその高さより小さい高さに亘って前記第１金属層と接する第２金属層により覆われている；
ことを特徴とする誘電体共振器アンテナ。
【請求項２】
請求項１に記載のアンテナであって、前記第２面を覆う前記第２金属層は前記第２面の幅について中央に位置付けされている、ことを特徴とするアンテナ。
【請求項３】
請求項１及び２に記載のアンテナであって、前記第２面を覆う前記第２は第１面に平行な第３面を覆う第３金属層により拡張されている、ことを特徴とするアンテナ。
【請求項４】
請求項３に記載のアンテナであって、前記第３面を覆う前記第３金属層は第３面の長さより小さい幅で伸びている、ことを特徴とするアンテナ。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載のアンテナであって、第３面を覆う前記第３金属層の幅は第２面を覆う前記第２金属層の幅とは異なる、ことを特徴とするアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央集権化された無線ネットワークを複数の他のネットワークへ接続するブリッジ装置であって、
前記複数の他のネットワークの各々は、互いに通信可能な複数の無線装置を有し、
前記中央集権化された無線ネットワークは、アクセスポイントを有し、
前記アクセスポイントは、前記中央集権化された無線ネットワークを管理するように設計されると共に、無線装置と関連付けられて当該無線装置を前記中央集権化された無線ネットワークのメンバーとし、当該中央集権化された無線ネットワークの他のメンバーと通信できるように設計され、
前記ブリッジ装置は、
個々のネットワークへ接続するための複数のポートを管理するブリッジ・モジュールと、
前記ブリッジ装置に接続されたネットワークのうち前記中央集権化された無線ネットワーク以外のネットワークの無線装置について前記アクセスポイントとの関連付けを管理するリンク管理モジュールと、を有し、
前記ブリッジ装置は、前記中央集権化された無線ネットワークの前記アクセスポイントへ関連付けられるように設計される、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項２】
請求項１記載のブリッジ装置であって、
前記ブリッジ装置に取り付けられたすべてのネットワークについてのスパニングツリーを決定する手段と、
前記スパニングツリーの決定をイネーブル又はディスエブルする手段と、を更に有することを特徴とするブリッジ装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のブリッジ装置であって、
個々の接続されたネットワークについてフィルタリング・テーブルを、デフォルト処理を用いて、更新する手段と、
前記更新する手段の前記デフォルト処理をイネーブル又はディスエブルする手段と、を更に有し、
前記フィルタリング・テーブルは、ネットワーク上のメッセージを別のネットワークへ転送すべきか否かを判断するための情報を有する、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項４】
請求項３記載のブリッジ装置であって、
前記デフォルト処理は、個々のネットワーク上で検出されたメッセージの送信元アドレスの分析に基づき、
前記デフォルト処理をイネーブル又はディスエブルする手段は、メッセージ検出に基づいた更新をイネーブル又はディスエブルするように構成される、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載のブリッジ装置であって、
所定のネットワークについてのフィルタリング・テーブルを該所定のネットワークに固有の装置発見処理に基づいて更新する手段を更に有する、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項６】
請求項３乃至５記載のブリッジ装置であって、
前記デフォルト処理は、イーサネット（登録商標）ネットワークに対してイネーブルされる、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項７】
請求項３乃至５のいずれか一項記載のブリッジ装置であって、
前記デフォルト処理は、ＵＳＢネットワークに対してディスエブルされる、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項記載のブリッジ装置であって、
フィルタリング・テーブルが修正されたときに前記リンク管理モジュールへのメッセージを生成する手段を更に有し、
前記メッセージを生成する手段は、各ネットワークについて、イネーブルされた状態とディスエブルされた状態とを持つ、ことを特徴とするブリッジ装置。
【請求項９】
請求項８記載のブリッジ装置であって、
前記メッセージを生成する手段は、イーサネット（登録商標）ネットワークに対してイネーブルされる、ことを特徴とするブリッジ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
電子部品１０３及び１０６が小型化すると、高熱伝導性の部材１０５内部の小さなボイドを、確実に除去する必要がある。本実施例のパワーモジュール２０７によれば、製造時に（後述）高熱伝導性の部材１０５内部に生じたボイドの中の空気が、スルーホール１０２及び高熱伝導性の部材１０５と多層回路基板１０１の表面との間の空隙から確実に抜けるため、放熱を必要とする電子部品１０３と高熱伝導性の部材１０５とが均一に密着する。