【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された第１電極と、
前記第１電極の上層に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜の上層に形成された第２電極とを有するキャパシタ素子を有し、
少なくとも前記第２電極の上面に水素の透過を防止する膜が形成されている
半導体装置。
【請求項２】
前記第２電極の上面の表層部分に水素の透過を防止する導電膜が形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２電極の上面の表層部分に形成された前記水素の透過を防止する導電膜として、少なくとも窒化チタン、酸化窒化チタン膜あるいは酸化イリジウムのいずれかを含有する導電膜が形成されている
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
さらに前記第１電極の下面に水素の透過を防止する膜が形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１電極の下面の表層部分に水素の透過を防止する導電膜が形成されている
請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１電極の下面の表層部分に形成された前記水素の透過を防止する導電膜として、少なくとも窒化チタン、酸化窒化チタン膜あるいは酸化イリジウムのいずれかを含有する導電膜が形成されている
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２電極の上層あるいは前記第１電極の下層の少なくともいずれかに、水分の透過を防止する絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２電極の上層および前記第１電極の下層の両側に、水分の透過を防止する絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記水分の透過を防止する絶縁膜が、少なくとも窒化シリコン膜あるいは酸化窒化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２電極の上層あるいは前記第１電極の下層の少なくともいずれかに、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子の反対側に形成された水分を蓄積する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項７記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２電極の上層および前記第１電極の下層の両側に、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子の反対側に形成された水分を蓄積する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記水分を蓄積する絶縁膜が、少なくともリンを含有する酸化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２電極の上層あるいは前記第１電極の下層の少なくともいずれかに、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子側に形成された還元防止機能を有する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項７記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２電極の上層および前記第１電極の下層の両側に、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子側に形成された還元防止機能を有する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記還元防止機能を有する絶縁膜が、少なくとも酸化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第２電極の上層あるいは前記第１電極の下層の少なくともいずれかに、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子の反対側に形成された水分を蓄積する絶縁膜と、前記水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子側に形成された還元防止機能を有する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項７記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第２電極の上層および前記第１電極の下層の両側に、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子の反対側に形成された水分を蓄積する絶縁膜と、前記水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子側に形成された還元防止機能を有する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記水分を蓄積する絶縁膜が、少なくともリンを含有する酸化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記還元防止機能を有する絶縁膜が、少なくとも酸化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項１６記載の半導体装置。
【請求項２０】
基板に形成された第１電極と、
前記第１電極の上層に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜の上層に形成された第２電極とを有するキャパシタ素子を有し、
前記第２電極の上層あるいは前記第１電極の下層の少なくともいずれかに、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子の反対側に形成された水分を蓄積する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
半導体装置。
【請求項２１】
前記第２電極の上層および前記第１電極の下層の両側に、水分の透過を防止する絶縁膜と、当該水分の透過を防止する絶縁膜の前記キャパシタ素子の反対側に形成された水分を蓄積する絶縁膜との積層絶縁膜を含む被覆絶縁膜が形成されている
請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記水分の透過を防止する絶縁膜が、少なくとも窒化シリコン膜あるいは酸化窒化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記水分を蓄積する絶縁膜が、少なくともリンを含有する酸化シリコン膜を含む絶縁膜である
請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２４】
基板に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上層にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁膜の上層に第２電極を形成する工程とを有し、
前記第２電極を形成する工程以降の工程が、少なくとも前記第２電極の上面に水素の透過を防止する膜を形成する工程を含む
半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２電極を形成する工程において、前記第２電極の上面の表層部分に水素の透過を防止する導電膜を形成する
請求項２４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第２電極の上面の表層部分に形成された前記水素の透過を防止する導電膜を形成する工程においては、少なくとも窒化チタン、酸化窒化チタン膜あるいは酸化イリジウムのいずれかを含有する導電膜を形成する
請求項２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第１電極を形成する工程以前の工程が、さらに前記第１電極の下面に水素の透過を防止する膜を形成する工程を含む
請求項２４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記第１電極を形成する工程以前の工程が、さらに前記第１電極の下面に水素の透過を防止する膜を形成する工程を含む。
また好適には、第２電極の上面の表層部分に、少なくとも窒化チタン、酸化窒化チタン膜あるいは酸化イリジウムのいずれかを含有する導電膜を形成して、上記の水素の透過を防止する膜とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記の本発明の半導体装置の製造方法によれば、酸化タンタル、ＢＳＴあるいはＳＴＯなどの高誘電率のキャパシタ絶縁膜を有するキャパシタを有する半導体装置を製造する工程において、第１電極、キャパシタ絶縁膜および第２電極からなるキャパシタ素子の少なくとも第２電極の上面に、好ましくは第２電極の上面の表層部分に、少なくとも窒化チタン、酸化窒化チタン膜あるいは酸化イリジウムのいずれかを含有する導電膜として、水素の透過を防止する膜を形成する。
上記の水素の透過を防止する膜を形成することにより、その上層あるいは下層に形成される窒化シリコン膜などの絶縁膜中にＳｉ−Ｈ基やＮ−Ｈ基などの状態で含有される水素がキャパシタ絶縁膜へと移動するのを防止できる。
従って、キャパシタ素子を被覆している絶縁膜中に含有される水素がキャパシタ絶縁膜まで移動するのを抑制し、キャパシタのデバイス特性を安定化させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】