【事件の表示】
　平成　７年特許願第２６２６０１号「相変化型光ディスク」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　３月２８日出願公開、特開平　９−　８１９６８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成７年９月１４日の出願で、その請求項１に係る発明（以後「本願発明」という）は平成１２年９月２２日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載される以下の事項によって特定されるとおりのものと認められる。
「【請求項１】透光性の基板上に少なくとも、第１の誘電体層と、レーザー光の照射により可逆的に結晶とアモルファスの間を相変化する相変化記録層と、第２の誘電体層と、反射層と、保護膜とを積層し、前記透光性の基板に形成した案内溝とこの案内溝間とに情報を記録する相変化型光ディスクにおいて、
　前記透光性の基板に記録領域のアドレス情報を示すプリピットを形成し、
　前記第１の誘電体層の膜厚を８０−１５０ｎｍ、前記相変化記録層の膜厚を２０−６０ｎｍ、前記第２の誘電体の膜厚を５−５０ｎｍ、前記反射層の膜厚を５０−１５０ｎｍ、および前記保護層の膜厚を５−１５μｍにし、
　前記案内溝の幅を前記案内溝間の幅より狭くしたことを特徴とする相変化型光ディスク。」
　なお、平成１２年１１月１７日付け手続補正は、補正の後も、その発明がなお、出願の際独立して特許を受けることができないとして、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下された。
II．先願明細書に記載の発明
　本件の拒絶の理由となった先願：特願平８−５９１２２号（特開平８−３２１０７８号公報参照）は本願の出願日である平成７年９月１４日以前の平成７年３月２３日に出願された特願平７−８４１３６号を優先権主張の基礎とする出願で、その明細書（以後「先願明細書」という）には光記録媒体に関し、以下の記載がある。
「【００１０】
　しかしながら、我々がさらに鋭意検討を進めた結果、グルーブとランドの幅を１：１に保ったままグルーブ幅を狭くして狭トラックピッチ化による高密度化を進めると、繰り返しオーバーライト後の前マークの消え残りや記録マークのジッタの悪化の点でランド部での特性悪化が著しく、逆にグルーブでは狭トラックピッチ化しても繰り返し記録オーバーライト後の消去特性やジッタが悪化しにくいことが判明した。」（優先権基礎出願明細書の【００１０】に対応）、
「【００３２】
　本発明では、ランド幅がグルーブ幅よりも広いため、ランド上の記録マークの幅がグルーブ上の記録マークの幅よりも広くなり、その結果としてランドでの再生信号振幅又はＣＮ比（キャリア対ノイズ比）がグルーブでのそれに比べて大きくなり、双方の信号品質に差が生じる場合がある。
　このような場合には、グルーブでの再生信号振幅又はＣＮ比がランドより大きくなるように層構成を選択をすることが有効である。」（優先権基礎出願明細書の【００３１】に対応）、
「【００５４】
　実施例１
　基板材料はポリカーボネート（波長６８０ｎｍのレーザー光に対して屈折率１．５６）を用いた。
　ランド幅及びグルーブ幅が異なる複数の領域を用い、繰り返しオーバーライト特性を比較した。
　それぞれの領域（領域１〜３）とランド幅及び溝幅を表１に示した。
【表１】
        表１                               
│　　　│ ランド幅（μｍ）│グルーブ幅（μｍ）│
│領域１│　０．９３ 　　　│　　０．６７　　　│
│領域２│　０．８５ 　　　│　　０．７５　　　│
│領域３│　０．７７　　　 │　　０．６３　　　│
【００５６】
　下部誘電体保護層及び上部誘電体保護層はＺｎＳとＳｉＯ２ （４：１モル比）の混合物とし、下部誘電体保護層の膜厚を１００ｎｍ、上部誘電体保護層の膜厚を２０ｎｍとした。
【００５７】
　記録層はレーザー照射によってアモルファス層と結晶相で可逆的に相変化を起こすＧｅとＳｂとＴｅを主成分とする材料を用い、組成比はＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅをおよそ２２：２５：５３（原子比）とした。記録層の膜厚は２５ｎｍとした。
　反射層にはＡｌにＴａを２．５ｍｏｌ％を含有する材料を用い、膜厚は１００ｎｍとした。
【００５８】
　全ての薄膜はスパッタリングにより下部誘電体保護層／記録層／上部誘電体保護層／反射層の順に成膜した。
　スパッタリングによる成膜直後は記録層はアモルファス状態であるため、レーザー光により全面アニールを施し、結晶状態に相変化させ、これを初期（未記録）状態とした。」（優先権基礎出願明細書の【００５２】〜【００５６】に対応）
　これ等の記載から、先願明細書には、
「ポリカーボネートからなる基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物から成る下部誘電体保護層と、レーザー照射によってアモルファス層と結晶相で可逆的に相変化を起こすＧｅとＳｂとＴｅを主成分とする材料から成る記録層と、下部誘電体保護層と同材料から成る上部誘電体保護層と、ＡｌにＴａを含有する材料から成る反射層とをスパッタリングにより順に成層し、ランドとグルーブとに情報を記録する光記録媒体において、
　前記下部誘電体保護層の膜厚を１００ｎｍ、前記記録層の膜厚を２５ｎｍ、前記上部誘電体保護層の膜厚を２０ｎｍ、前記反射層の膜厚を１００ｎｍにし、
　前記グルーブの幅をランドの幅より狭くしたことを特徴とする光記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
III．対比・判断
　本願発明を先願明細書に記載の発明と対比すると、先願明細書に記載の発明の「下部誘電体保護層」、「記録層」、「上部誘電体保護層」、「グルーブ」、「ランド」、「光記録媒体」は本願発明の「第１の誘電体層」、「相変化記録層」、「第２の誘電体層」、「案内溝」、「案内溝間」、「相変化型光ディスク」に相当することが明らかであることから、両者は、
 「透光性の基板上に少なくとも、第１の誘電体層と、レーザー光の照射により可逆的に結晶とアモルファスの間を相変化する相変化記録層と、第２の誘電体層と、反射層を積層し、前記透光性の基板に形成した案内溝とこの案内溝間とに情報を記録する相変化型光ディスクにおいて、
　前記第１の誘電体層の膜厚を１００ｎｍ、前記相変化記録層の膜厚を２５ｎｍ、前記第２の誘電体の膜厚を２０ｎｍ、前記反射層の膜厚を１００ｎｍにし、
　前記案内溝の幅を前記案内溝間の幅より狭くしたことを特徴とする相変化型光ディスク。」で一致し、
　本願発明が、
１．反射層の上に膜厚５−１５ｎｍの保護層を有し（相違点１）、
２．透光性の基板に記録領域のアドレス情報を示すプリピットを形成されており（相違点２）、
点で一応相違するが、
　相違点１の反射層の上に設ける保護層は光デイスクには通常備えられるものであり、相違点２のアドレス用のプリビットも光デイスクにおいて周知慣用される構成（必要ならば特開平６−２０３４１１号公報、特開平７−２９１８６号公報、特開平７−４４８７３号公報、特開平１−２４１０４３号公報、特開平１−１５０２４７号公報等参照のこと）であることから実質的な相違とは言えない。
　以上から、本願発明は先願明細書に記載の発明と実質的に同一であると認める。
IV．結び
　以上のとおりであるから、本願発明は、先願明細書に記載の発明と同一と認められ、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また本願出願の時に、その出願人が他の出願である上記先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。