【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ側半導体層、活性層、ｐ側半導体層から成る積層体の内部に、開口部を有する電流狭窄層が形成された窒化物半導体レーザ素子であって、
前記電流狭窄層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦０．１，０．５≦ｙ≦１、０．５≦ｘ＋ｙ≦１）から成り、
前記開口部内に、前記電流狭窄層のうち下地層に接触する部分が残存した残膜部を有し、該残膜部を通じて前記活性層への電流注入が可能であることを特徴とする窒化物半導体レーザ。
【請求項２】
前記残膜部の膜厚が、１０Å以上１００Å未満であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項３】
前記電流狭窄層の総膜厚が、１００Å以上８００Å以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項４】
前記電流狭窄層が、前記活性層のｐ側に形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項５】
前記窒化物半導体レーザが、前記活性層の少なくとも片側に光ガイド層を備え、前記電流狭窄層が前記光ガイド層中に形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項６】
前記光ガイド層が、実質的にＡｌを含まない窒化ガリウム系化合物半導体から成ることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項７】
前記電流狭窄層の開口部上方における転位密度が、その周囲の転位密度よりも低いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項８】
前記残膜部におけるエッチピット密度が、電流狭窄層表面のエッチピット密度よりも低いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項９】
前記電流狭窄層の開口部を埋める層が、実質的にＡｌを含まない窒化ガリウム系化合物半導体から成ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項１０】
前記電流狭窄層のうち前記残膜部を除く部分が、前記積層体の側面及び／又は端面から離間するよう形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項の記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記電流狭窄層は、長手方向の端面が前記積層体の端面より内側になるように形成されている請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項１２】
前記積層体の端面を共振器端面とする請求項１０又は１１に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項１３】
前記残膜部は、共振器の端面まで形成されることを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項１４】
前記ｐ側半導体層の最表面の少なくとも一部が接するようにｐ側オーミック電極が形成され、該ｐ側オーミック電極の幅が、前記開口部の幅以上であり、かつ、前記電流狭窄層の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記ｐ側オーミック電極は、レーザ光の導波方向と略平行な方向の長さが、前記電流狭窄層よりも短いことを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１６】
ｎ側半導体層、活性層、ｐ側半導体層から成る積層体の内部に、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦０．１，０．５≦ｙ≦１、０．５≦ｘ＋ｙ≦１）から成り、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層が形成された窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、
活性層のｐ側又はｎ側に、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦０．１，０．５≦ｙ≦１、０．５≦ｘ＋ｙ≦１）から成る電流狭窄層を形成する工程と、
前記電流狭窄層の一部を、該電流狭窄層のうち下地層に接する部分が残存する残膜部を有するように除去することにより、ストライプ状の開口部を形成する工程と、
前記電流狭窄層の表面をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体レーザの製造方法。
【請求項１７】
前記開口部の形成を、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって行うことを特徴とする請求項１６に記載の窒化物半導体レーザの製造方法。
【請求項１８】
前記電流狭窄層の表面エッチングを、還元性ガスを用いたガスエッチングによって行うことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の窒化物半導体レーザの製造方法。
【請求項１９】
前記残膜部が、電流狭窄層の表面をエッチングする工程においてエッチングストップ層として機能することを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザの製造方法。
【請求項２０】
前記積層体の共振器端面をエッチング又はへき開により形成する工程を備えた請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本件発明は、このような知見に着想を得て完成されたものであり、
本発明の窒化物半導体レーザは、下記（１）〜（２０）の構成によって達成することができる。
（１）ｎ側半導体層、活性層、ｐ側半導体層から成る積層体の内部に、開口部を有する電流狭窄層が形成された窒化物半導体レーザ素子であって、前記電流狭窄層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦０．１，０．５≦ｙ≦１、０．５≦ｘ＋ｙ≦１）から成り、前記開口部内に、前記電流狭窄層のうち下地層に接触する部分が残存した残膜部を有し、該残膜部を通じて前記活性層への電流注入が可能であることを特徴とする。
さらに本発明の具体的な窒化物半導体レーザ素子としては、
（２）前記残膜部の膜厚が、１０Å以上１００Å未満である、
（３）前記電流狭窄層の総膜厚が、１００Å以上８００Å以下である、
（４）前記電流狭窄層が、前記活性層のｐ側に形成される、
（５）前記窒化物半導体レーザが、前記活性層の少なくとも片側に光ガイド層を備え、前記電流狭窄層が前記光ガイド層中に形成される、
（６）前記光ガイド層が、実質的にＡｌを含まない窒化ガリウム系化合物半導体から成る、
（７）前記電流狭窄層の開口部上方における転位密度が、その周囲の転位密度よりも低い、
（８）前記残膜部におけるエッチピット密度が、電流狭窄層表面のエッチピット密度よりも低い、
（９）前記電流狭窄層の開口部を埋める層が、実質的にＡｌを含まない窒化ガリウム系化合物半導体から成る、
（１０）前記電流狭窄層のうち前記残膜部を除く部分が、前記積層体の側面及び／又は端面から離間するよう形成されている、
（１１）前記電流狭窄層は、長手方向の端面が前記積層体の端面より内側になるように形成されている、
（１２）前記積層体の端面を共振器端面とする、
（１３）前記残膜部は、共振器の端面まで形成される、
（１４）前記ｐ側半導体層の最表面の少なくとも一部が接するようにｐ側オーミック電極が形成され、該ｐ側オーミック電極の幅が、前記開口部の幅以上であり、かつ、前記電流狭窄層の幅よりも狭い、
（１５）前記ｐ側オーミック電極は、レーザ光の導波方向と略平行な方向の長さが、前記電流狭窄層よりも短い、
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の窒化物半導体レーザに係る製造方法としては、
（１６）ｎ側半導体層、活性層、ｐ側半導体層から成る積層体の内部に、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦０．１，０．５≦ｙ≦１、０．５≦ｘ＋ｙ≦１）から成り、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層が形成された窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、活性層のｐ側又はｎ側に、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦０．１，０．５≦ｙ≦１、０．５≦ｘ＋ｙ≦１）から成る電流狭窄層を形成する工程と、前記電流狭窄層の一部を、該電流狭窄層のうち下地層に接する部分が残存する残膜部を有するように除去することにより、ストライプ状の開口部を形成する工程と、前記電流狭窄層の表面をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。
さらに具体的には、
（１７）前記開口部の形成を、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって行う、
（１８）前記電流狭窄層の表面エッチングを、還元性ガスを用いたガスエッチングによって行う、
（１９）前記残膜部が、電流狭窄層の表面をエッチングする工程においてエッチングストップ層として機能する、
（２０）前記積層体の共振器端面をエッチング又はへき開により形成する工程を備える、
ことを特徴とする。