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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板中に形成された第１導電型のウェルと、前記第１導電型のウェルの中に形成されたソース／ドレインとなる一対の第２導電型の半導体領域と、前記半導体基板上に第１ゲート酸化膜を介して形成された第１ゲートと、前記第１ゲートを覆う第２絶縁膜を介して形成された第２ゲートと、前記第１ゲートとは前記第２絶縁膜を介して、前記第２ゲートとは第３絶縁膜を介して形成された第３ゲートとを含むメモリセルを具備した不揮発性半導体記憶装置において、前記一対の半導体領域間のチャネル部分に、前記ウェルよりも濃度の高い第１導電型の不純物領域が形成されていて、かつ、前記不純物領域は前記半導体領域と接しないことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】  前記チャネル部分が、前記第１，第２及び第３ゲートのうちの２つのゲート下にまたがって形成されていて、前記チャネル中に形成された前記不純物領域が、前記２つのゲート下の両方にまたがって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】  前記不純物領域は、チャネル幅方向に一様に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】  前記不純物領域は、前記半導体領域よりも前記半導体基板の深さ方向に、より深く伸びていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】  前記第１導電型がＰ型であり、かつ、前記第２導電型がＮ型であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】  前記第１導電型がＮ型であり、かつ、前記第２導電型がＰ型であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】  Ｐ型不純物がホウ素であり、かつ、Ｎ型不純物が砒素であることを特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】  Ｎ型不純物がリンであり、かつ、Ｐ型不純物がホウ素であることを特徴とする請求項６に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】  前記第１，第２及び第３ゲートのうちの何れか１つが、消去ゲートの役割をしていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】  半導体基板中に第１導電型のウェルを形成する工程と、前記第１導電型のウェルの中にソース／ドレインとなる一対の第２導電型の半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板上に第１ゲート酸化膜を介して第１ゲートを形成する工程と、前記第１ゲートを覆う第２絶縁膜を介して第２ゲートを形成する工程と、前記第１ゲートとは前記第２絶縁膜を介して、前記第２ゲートとは第３絶縁膜を介して第３ゲートを形成する工程とを含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記一対の半導体領域間のチャネル部分に、前記ウェルよりも濃度の高い第１導電型の不純物領域を形成し、かつ、前記不純物領域を前記半導体領域に接しないように形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１１】  前記半導体領域の形成と前記不純物領域の形成とを、前記第１，第２及び第３ゲートのうちの１つをマスクにして、前記半導体基板に垂直方向から互いに逆方向に傾けた方向からの各斜めイオン打ち込み法によって、それぞれ自己整合的に行うことを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１２】  前記不純物領域を形成する斜めイオン打ち込みの際にマスクとして用いるゲートを、ポリシリコン膜の単層膜，ポリシリコン膜とシリコン酸化膜の積層膜，ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の積層膜或いはポリシリコン膜とシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜の何れかとすることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１３】  前記第１導電型がＰ型であり、前記第２導電型がＮ型であることを特徴とする請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１４】  前記第１導電型がＮ型であり、前記第２導電型がＰ型であることを特徴とする請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１５】  Ｐ型不純物としてホウ素イオン或いはフッ化ホウ素イオンを用い、Ｎ型不純物として砒素を用いることを特徴とする請求項１３に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１６】  Ｎ型不純物としてリンを用い、Ｐ型不純物としてホウ素イオン或いはフッ化ホウ素イオンを用いることを特徴とする請求項１４に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成されたキャパシタと、
前記第１の絶縁膜上に前記キャパシタを覆うように形成された第２の絶縁膜とよりなる半導体装置であって、
前記キャパシタは、下部電極と、前記下部電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とよりなり、
前記下部電極は前記第１の絶縁膜上に延出する第１の延出部を有し、
前記上部電極は前記第１の絶縁膜上に延出する第２の延出部を有し、
前記第１の延出部は、前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電源パターンと、前記第２の絶縁膜中に形成された第１のコンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記第２の延出部は、前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電源パターンと、前記第２の絶縁膜中に形成された第２のコンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記第１の延出部は、前記第１の絶縁膜中に形成された第３のコンタクトホールを介して前記基板中に形成されたトランジスタに接続され、
前記第２の延出部は、前記第１の絶縁膜中に形成された第４のコンタクトホールを介して前記トランジスタに接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとは、一列に整列して形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記キャパシタ誘電体膜は、強誘電体膜または高誘電体膜よりなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１（Ｂ）を参照するに、前記絶縁膜１１上には前記導体プラグ１３にコンタクトするように電源パターン１５が形成され、また前記導体プラグ１４にコンタクトするように接地パターン１６が形成される。前記電源パターン１５は前記絶縁膜１１上を延在し、図１（Ａ）に示す導体プラグ７Ｄにコンタクトする。さらに前記絶縁膜１１上には信号電極パターン１７が形成され、前記信号電極パターン１７は前記層間絶縁膜１１中を延在するコンタクトホール１１ｃ中の導体プラグ１８により、前記Ｓｉ基板１中の拡散領域１Ａに接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、基板と、前記基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたキャパシタと、前記第１の絶縁膜上に前記キャパシタを覆うように形成された第２の絶縁膜とよりなる半導体装置であって、前記キャパシタは、下部電極と、前記下部電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とよりなり、前記下部電極は前記第１の絶縁膜上に延出する第１の延出部を有し、前記上部電極は前記第１の絶縁膜上に延出する第２の延出部を有し、前記第１の延出部は、前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電源パターンと、前記第２の絶縁膜中に形成された第１のコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第２の延出部は、前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電源パターンと、前記第２の絶縁膜中に形成された第２のコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第１の延出部は、前記第１の絶縁膜中に形成された第３のコンタクトホールを介して前記基板中に形成されたトランジスタに接続され、前記第２の延出部は、前記第１の絶縁膜中に形成された第４のコンタクトホールを介して前記トランジスタに接続されることを特徴とする半導体装置により、解決する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２（Ｂ）を参照するに、前記グラウンドバウンス量は電源キャパシタの寄生インダクタンスと共に増大し、飽和するような関係は見られない。また特に、前記寄生インダクタンスの値が０．５ｎＨ以下になると、グラウンドバウンス量は急減することがわかる。このことから、電源キャパシタを備えた高速半導体論理集積回路装置においては、半導体装置の動作に伴う電源電圧の変動を抑制するのに電源キャパシタの寄生インダクタンスの値を抑制するのが特に効果的であることがわかる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに前記ＳｉＯ2膜２５上にはＰｔ電極パターン２６と、前記電極パターン２６を覆うように形成されたＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）2Ｏ3）あるいはＳＢＴ（ＳｒＢｉ2（Ｔａ,Ｎｂ）2Ｏ9）などの強誘電体膜、あるいはＴａ2Ｏ5などの高誘電体膜よりなるキャパシタ絶縁膜２７と、前記キャパシタ絶縁膜２７を覆うように形成されたＰｔなどの耐熱金属、あるいはＩｒＯ2やＳＲＯ（ＳｒＲｕＯ3）などの導電性酸化物よりなる上部電極２８が形成されており、強誘電体キャパシタＣが形成される。前記強誘電体キャパシタＣの前記下部電極２６の先端部２６Ａは前記ＳｉＯ2膜２５上を延在し、前記コンタクトホール２５ｂ中のＷプラグ２５Ｂとコンタクトする。同様に前記上部電極２８の先端部２８Ａは前記高誘電体キャパシタＣの側壁面上を前記キャパシタ絶縁膜２７に沿って延在し、前記ＳｉＯ2膜２５上において前記コンタクトホール２５ａ中のＷプラグ２５Ａとコンタクトする。図示の実施例では、前記下部電極先端部２６Ａは前記下部電極２６とは異なる導電パターンより形成されており、また前記上部電極先端部２８Ａも前記上部電極２８とは異なる導電パターンより形成されている。例えば、前記上部電極先端部２８Ａおよび下部電極先端部２６ＡはＰｔあるいはＷなどの耐熱金属パターンにより、あるいはＩｒＯ2やＳｒＲｕＯ3などの導電性酸化物パターンにより形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の半導体集積回路装置２０を、前記電源配線パターン３０Ａ，３０Ｂおよび信号配線パターン３０Ｃを形成する直前の状態で示す平面図である。従って図３（Ｂ）の平面図では、前記絶縁膜２９およびコンタクトホールの導電性プラグ２９Ａ〜２９Ｃが見えている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002368102.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  保存に安定な液体または粘稠液体フィブリノゲン製剤であって、フィブリノゲンの他に１００ｍＭまでの濃度の二価金属イオン、および適当な場合には１種またはそれ以上のさらに別の製剤成分を含み、そして０から３０℃の保存温度で少なくとも１ヶ月安定である上記フィブリノゲン製剤。
【請求項２】  二価金属イオンがカルシウムイオン、亜鉛イオンまたはこの２つの混合物である請求項１に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項３】  二価金属イオンが４０ｍＭまでの濃度で、特に好ましくは０.０２から１０ｍＭの間の濃度で存在する請求項１または２に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項４】  さらに別の製剤成分の１種が錯化剤である請求項１〜３のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項５】  錯化剤がクエン酸塩である請求項４に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項６】  錯化剤が二価金属イオンよりも高い濃度で存在する請求項４または５に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項７】  錯化剤が１５０ｍＭまでの濃度で、好ましくは５０ｍＭまでの濃度で、特に好ましくは２０ｍＭまでの濃度で存在する請求項４〜６のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項８】  １種またはそれ以上のさらに別の製剤成分として、塩化カルシウム、クエン酸ナトリウム、塩化ナトリウム、アルギニン、アプロチニン、Ｃ１インヒビター、および／またはアルブミンを含む請求項１に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項９】  ５.０〜８.０のｐＨを有する請求項１〜８のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１０】  ６.５〜７.５のｐＨを有する請求項９に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１１】  ６.０〜８.０のｐＨを有する請求項１〜８のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１２】  フィブリノゲン製剤が０から３０℃、好ましくは２から８℃で少なくとも３ヶ月の期間にわたって安定である請求項１〜１１のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１３】  フィブリノゲン製剤が０から３０℃、好ましくは２から８℃で少な
くとも６ヶ月の期間にわたって安定である請求項１２に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１４】  フィブリノゲン製剤が０から３０℃、好ましくは２から８℃で少なくとも２４ヶ月の期間にわたって安定である請求項１２に記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１５】  使用されるフィブリノゲンが１つまたはそれ以上のウイルス不活化方法またはウイルス減少方法に付されている請求項１〜１４のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１６】  リコンビナントフィブリノゲンまたは血漿フィブリノゲンを用いて製造する請求項１〜１５のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤。
【請求項１７】  フィブリノゲン欠乏状態の治療用製品としての請求項１〜１６のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤の使用。
【請求項１８】  フィブリンシーラントの成分としての請求項１〜１６のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤の使用。
【請求項１９】  フィブリンマトリックス製造用成分としての請求項１〜１６のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤の使用。
【請求項２０】  診断薬としての請求項１〜１６のいずれかに記載のフィブリノゲン製剤の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給紙ローラアセンブリと、
前記給紙ローラアセンブリに隣接して配置される分離パッドと、
取外し可能な底板を有するプリンタハウジングと、
前記分離パッドと前記取外し可能な底板の間に配置され、分離パッドアクセス口を内部に有する回路基板とを備え、
前記分離パッドは、前記取外し可能な底板に取り付けられることなく、前記底板が前記プリンタハウジングから取り外されたときにユーザによりアクセス可能となることを特徴とする、印刷装置。
【請求項２】
給紙ローラアセンブリと、
前記給紙ローラアセンブリに隣接して配置される分離パッドと、
取外し可能な底板を有するプリンタハウジングとを備え、
前記分離パッドは、前記底板が前記プリンタハウジングから取り外されたときにユーザによりアクセス可能となり、さらに、付勢部材のついた付勢部材ボスを備え、
該付勢部材は、前記分離パッドと前記付勢部材ボスの間に配置されて前記分離パッドを付勢して前記給紙ローラアセンブリの主給紙ローラと係合するようにしたことを特徴とする、印刷装置。
【請求項３】
給紙ローラアセンブリと、
前記給紙ローラアセンブリに隣接して配置される分離パッドと、
取外し可能な底板を有するプリンタハウジングとを備え、
前記分離パッドは、前記底板が前記プリンタハウジングから取り外されたときにユーザによりアクセス可能となり、さらに、第１、第２の耳状部を有するフレームを備え、該第１、第２の耳状部のそれぞれにピボットを備えることを特徴とする、印刷装置。
【請求項４】
印刷装置であって、
前記印刷装置の内部にあるブラケット内に取り外し可能に配置されたフレームに取り付けられた分離パッドと、
取外し可能な底板を有するプリンタハウジングとを備え、
前記ブラケットは前記フレームが前記印刷装置の底部から前記ブラケット内に取り付けられるように向き付けられ、
前記フレームは前記底板が前記プリンタハウジングから取り外されたときにユーザによりアクセス可能となるとともに、
前記印刷装置の回路基板に分離パッドアクセス口を更に備え、該回路基板が前記底板と前記分離パッドの間に配置されていることを特徴とする、印刷装置。
【請求項５】
印刷装置の底板を取り外すことと、
前記印刷装置の底部に到達することと、
前記印刷装置から分離パッドを引き抜くこととを含み、
前記前記印刷装置の底部に到達することにはさらに前記印刷装置の回路基板にある分離パッドアクセス口に到達することが含まれることを特徴とする、印刷装置の分離パッドを取り換える方法。
【請求項６】
印刷装置の底板を取り外すことと、
前記印刷装置の底部に到達することと、
前記印刷装置から分離パッドを引き抜くこととを含み、
前記前記印刷装置の底板を取り外すことには前記分離パッド上の付勢部材から付勢力を解放することが含まれることを特徴とする、印刷装置の分離パッドを取り換える方法。
【請求項７】
取外し可能な底板を有するプリンタハウジングと、
前記プリンタハウジング内に配置される分離パッドと、
前記分離パッドと整合配置され、該分離パッドへのアクセスを可能とする穴を有する回路基板とを備えていることを特徴とする、印刷装置。
【請求項８】
印刷装置であって、
前記印刷装置内の媒体シートを分離するための手段と、
前記印刷装置の底部を覆う取り外し可能な手段と、
前記印刷装置の底部を覆う取り外し可能な前記手段が取り外されたばあいに、前記印刷装置内の媒体シートを分離するための前記手段に手を到達させるためのアクセス手段とを備え、
前記アクセス手段はさらに前記印刷装置の回路板にある穴を有することを特徴とする、印刷装置。
【請求項９】
給紙ローラアセンブリと、
前記給紙ローラアセンブリに隣接して配置される分離パッドと、
アクセス板を有するプリンタハウジングと、
前記分離パッドと前記アクセス板の間に配置された回路板とを備え、
前記分離パッドは、前記アクセス板に取り付けられることなく、前記アクセス板が開いているときにユーザによりアクセス可能となり、前記回路板は分離パッドアクセス口を有することを特徴とする、印刷装置。
【請求項１０】
印刷媒体挿入エリアと、
給紙ローラアセンブリと、
前記給紙ローラアセンブリに隣接して配置される分離パッドと、
取外し可能なアクセス板を有するプリンタハウジングと、
前記分離パッドと前記アクセス板の間に配置された回路板とを備え、
前記取り外し可能なアクセス板は前記印刷媒体挿入エリアから分離されており、印刷媒体を支持することや包含することはなく、前記分離パッドは該アクセス板が開いているときにユーザによりアクセス可能となり、かつ、前記回路板は分離パッドアクセス口を備えることを特徴とする、印刷装置。
【請求項１１】
底面を有するプリンタハウジングと、
給紙ローラアセンブリと、
前記給紙ローラアセンブリに隣接して配置される分離パッドと、
前記プリンタハウジングの前記底面にある取外し可能な底部アクセス板と、
前記分離パッドと前記取外し可能な底部アクセス板の間に配置され、分離パッドアクセス口を備える回路板と
を備えることを特徴とする印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷装置および印刷装置の分離パッドを取り換える方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）第１の無機材料を含み、実質的に結晶性であり、かつ約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の直径を有する無機コア（１２）と、
ｂ）前記無機コア（１２）を実質的に覆っている、少なくとも１つの官能基を有する少なくとも１つのイオン性安定化材料（１５）を含む少なくとも１つの外側コーティング（１４）と、
を備えるナノ粒子（１０）。
【請求項２】
前記無機コア（１２）の少なくとも約５０％が結晶性材料を含む、請求項１に記載のナノ粒子（１０）。
【請求項３】
前記無機コア（１２）が単結晶である、請求項２に記載のナノ粒子（１０）。
【請求項４】
前記無機コア（１２）が超常磁性材料を含む、請求項１のいずれかに記載のナノ粒子（１０）。
【請求項５】
前記無機コア（１２）が、第１の酸化状態にある鉄及び該第１の酸化状態と異なる第２の酸化状態にある少なくとも１つの金属を含んだ少なくとも１つのスピネルフェライトを含む、請求項１に記載のナノ粒子（１０）。
【請求項６】
前記イオン性安定化材料（１５）が、前記コア（１２）の表面と結合した少なくとも１つのイオン性ヘッド部（１６）と、該少なくとも１つのイオン性ヘッド部（１６）と結合しており前記表面と反対側で該少なくとも１つのイオン性ヘッド部（１６）から延びる少なくとも１つの尾部１８と、を備えると共に、前記少なくとも１つの官能基が前記尾部１８内に配置されている、請求項１に記載のナノ粒子（１０）。
【請求項７】
前記無機コア（１２）が元素形態の鉄を含む、請求項１に記載のナノ粒子（１０）。
【請求項８】
ａ）１〜１０００ｎｍの範囲の直径を有すると共に、第１の酸化状態にある鉄及び該第１の酸化状態と異なる第２の酸化状態にある少なくとも１つの金属を含んだ少なくとも１つのスピネルフェライトの単結晶を含む無機コア（１２）と、
ｂ）前記無機コア（１２）を実質的に覆っている、少なくとも１つの官能基を有する少なくとも１つのイオン性安定化材料（１５）を含む少なくとも１つの外側コーティング（１４）と、
を備えるナノ粒子（１０）。
【請求項９】
ナノ粒子（１０）であって、
ａ）第１の無機材料を含み、実質的に結晶性であり、かつ約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の直径を有する無機コア（１２）と、
ｂ）前記無機コア（１２）を実質的に覆っている、少なくとも１つの官能基を有する少なくとも１つのイオン性安定化材料（１５）を含む少なくとも１つの外側コーティング（１４）と、
を備えており、実質的に単分散性であるナノ粒子（１０）。
【請求項１０】
複数のナノ粒子（１０）であって、その各々が前記請求項１乃至６に記載のナノ粒子であって、実質的に単分散性である複数のナノ粒子（１０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ナノテクノロジーは、特に複数のナノ粒子の形成に関して、診断医学、分子イメージング、エレクトロニクスなど多くの分野で用途が見いだされている。磁気ナノ粒子は、磁気記録、薬物送達、生体分子分離の分野で、あるいはセンサとして利用することがある。超常磁性ナノ粒子は、例えば、磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）用造影剤内に組み込み、この中で信号発生コア原子核の役目をさせることがある。
【特許文献１】米国特許第４９７６８８３号
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立し、かつ異なる、航空機のエアデータパラメータの評価を提供するシステムであって、
複数の圧力検知ポートと、電子装置のハウジングとを有し、前記電子装置のハウジング内に配置された第１および第２の電子チャネルをさらに含む、航空機の外板に近接して配置可能な第１のデュアルチャネル電子マルチファンクションプローブ（ＭＦＰ）と、
複数の圧力検知ポートと、電子装置のハウジングとを有し、前記電子装置のハウジング内に配置された第１および第２の電子チャネルをさらに含む、航空機の外板に近接して配置可能な第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰとを備え、
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルが、航空機のエアデータパラメータの評価を提供する第１のエアデータシステムを形成するために、前記第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルと電気的に結合され、前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルが、航空機のエアデータパラメータの評価を提供する第２のエアデータシステムを形成するために、前記第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルと電気的に結合され、前記第１および第２のエアデータシステムが、互いに独立し、かつ異なっているシステム。
【請求項２】
前記第１および第２の電子ＭＦＰのそれぞれに対して、対応する複数の圧力検知ポートが、特定の電子ＭＦＰの胴部に配置され、前記電子装置のハウジングが、前記航空機の外板の内側に配置可能になっていると共に、前記胴部が、前記航空機の外板に沿って流れる気流中に突出していることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１および第２の電子ＭＦＰのそれぞれに対して、対応する複数の圧力検知ポートが、特定の電子ＭＦＰの翼部に配置され、前記電子装置のハウジングが、前記航空機の外板の内側に配置可能になっていると共に、前記翼部が、前記航空機の外板に沿って流れる気流中に突出していることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１および第２の電子ＭＦＰのそれぞれに対して、対応する複数の圧力検知ポートが、特定の電子ＭＦＰの円錐形部に配置され、前記電子装置のハウジングが、前記航空機の外板の内側に配置可能になっていると共に、前記円錐形部が、前記航空機の外板に沿って流れる気流中に突出していることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルが、前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルに含まれている回路構成と異なる回路構成を含み、前記第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルが、前記第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルに含まれている回路構成と異なる回路構成を含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１および第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの各々の第１の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、第１の技術形式からなる圧力センサを含み、前記第１および第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの各々の第２の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、前記第１の技術形式と異なる第２の技術形式からなる圧力センサを含むことを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、第１の形式のマイクロプロセッサを含み、前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、前記第１の形式のマイクロプロセッサと異なる第２のマイクロプロセッサを含むことを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、第１のソフトウェアによってプログラムされた回路構成を含み、前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、前記第１のソフトウェアと異なる第２のソフトウェアでプログラムされた回路構成を含むことを特徴とする、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、第１の形式の通信回路構成を含み、前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、前記第１の形式と異なる第２の形式の通信回路構成を含むことを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、第１の形式の電源回路を含み、前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルに含まれている前記回路構成が、前記第１の形式と異なる第２の形式の電源回路を含むことを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１のデュアルチャネル電子ＭＦＰが、前記航空機の外板の左側に近接して配置可能な左側電子ＭＦＰであり、前記第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰが、前記航空機の外板の右側に近接して配置可能な右側電子ＭＦＰであることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１および第２のデュアルチャネル電子ＭＦＰの各々が、前記航空機の外板の同じ側に近接して配置可能に構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
複数の圧力検知ポートと、電子装置のハウジングとを有し、前記電子装置のハウジング内に配置された第１および第２の電子チャネルをさらに含む、前記航空機の外板に近接して配置可能な第３のデュアルチャネル電子ＭＦＰと、
複数の圧力検知ポートと、電子装置のハウジングとを有し、前記電子装置のハウジング内に配置された第１および第２の電子チャネルをさらに含む、前記航空機の外板に近接して配置可能な第４のデュアルチャネル電子ＭＦＰとをさらに備え、
前記第３のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルが、航空機のエアデータパラメータの評価を提供する第３のエアデータシステムを形成するために、前記第４のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第１の電子チャネルと電気的に結合され、前記第３のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルが、航空機のエアデータパラメータの評価を提供する第４のエアデータシステムを形成するために、前記第４のデュアルチャネル電子ＭＦＰの第２の電子チャネルと電気的に結合され、前記第３および第４のエアデータシステムが、互いに独立し、かつ異なっていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１、第２、第３および第４のエアデータシステムが互いに独立しており、前記第１および第３のエアデータシステムが、前記第２および第４のエアデータシステムと異なっていることを特徴とする、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーキオーバヒート状態を決定する方法であって、
ブレーキを有する車両の走行速度を検出し、応答的に速度信号を生成する工程、
ブレーキの作用状況を検出し、応答的にブレーキ作用信号を生成する工程、
ブレーキの作用時間を検出し、応答的に時間信号を生成する工程、及び
速度信号、ブレーキ作用信号及び時間信号のうち少なくとも２つの信号を受け、それに基づいてブレーキオーバヒート信号を生成する工程、
を含む方法。
【請求項２】
ブレーキオーバヒート信号を受け、応答的に操作者警報装置を作動させる工程、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
所定の許容可能なオーバヒート信号範囲外にあるブレーキオーバヒート信号に応答して操作者警報装置を作動させる工程、
を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ブレーキオーバヒート信号が所定の許容可能なオーバヒート信号範囲に戻ったときを操作者に指示する工程、
を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
車両の傾斜状況を決定し、応答的に傾斜信号を生成する工程、及び
所定の許容可能な傾斜信号範囲外にある傾斜信号に応答してブレーキオーバヒート信号を生成する工程、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
経時的にブレーキオーバヒート信号の値を記録する工程、及び
ブレーキオーバヒート信号の履歴ログを提供する工程、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ブレーキオーバヒート信号が所定の許容可能なオーバヒート信号範囲に戻るのに十分な時間が経過したときを操作者に指示する工程、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
車両のブレーキオーバヒート状態を決定する方法であって、
ブレーキの作用時間、ブレーキの作用圧力、及び車両の走行速度と車両の傾斜状況のうちの少なくとも１つに基づいてブレーキオーバヒート信号を生成する工程、及び
所定の許容可能なオーバヒート信号範囲外にあるブレーキオーバヒート信号に応答して警報装置を作動させる工程、
を含む方法。
【請求項９】
機械本体、
車両と関連した操作室、及び
少なくとも１つの車輪、車輪と関連した少なくとも１つのブレーキ、ブレーキと関連したブレーキオーバヒート警報システムを含む、機械本体に原動力を提供するグランドエンゲージングシステムとを備える車両であって、
ブレーキオーバヒート警報システムは、
電子コントロールモジュールと、
機械速度信号を生成するように構成された機械速度センサ、
ブレーキ作用時間信号を生成するように構成されたブレーキ作用センサ、
を含み、
電子コントロールモジュールは、機械速度信号及びブレーキ作用時間信号を受け、応答的にブレーキオーバヒート信号を生成する車両。
【請求項１０】
操作者警報装置及びブレーキオーバヒートイベント記録装置のうちの少なくとも一方が、所定の許容可能なオーバヒート信号範囲外にあるブレーキオーバヒート信号に応答して作動される、請求項９に記載の車両。
【請求項１１】
機械傾斜センサは、機械傾斜信号を生成し、電子コントロールモジュールは、機械傾斜信号に応答してブレーキオーバヒート信号を生成する、請求項９に記載の車両。
【請求項１２】
警報信号時間信号は、ブレーキオーバヒート信号が所定の許容可能なオーバヒート信号範囲に戻ったときを操作者に指示する、請求項１０に記載の車両。
【請求項１３】
警報信号は、ブレーキオーバヒート信号が所定の許容可能なオーバヒート信号範囲に戻ったであろうときを指示する、請求項９に記載の車両。
【請求項１４】
いかなる温度も直接的に測定することなく、車両のブレーキオーバヒート状態を決定する方法であって、
少なくとも車輪速度及びブレーキ作用時間を測定する工程、
少なくとも車輪速度及びブレーキ作用時間を使用し、ルックアップテーブルからオーバヒート情報を決定する工程、及び
ルックアップテーブルが車輪速度とブレーキ作用時間との特定の組み合わせに起因するオーバヒート状態を指示する場合、車両の操作者にブレーキオーバヒート状態の存在を知らせる警報を作動させる工程、
を含む方法。
【請求項１５】
いかなる温度も直接的に測定することなく、車両のブレーキオーバヒート状態を決定する請求項１４に記載の方法であって、
ブレーキの作用圧力を測定する工程、及び
少なくとも車輪速度、ブレーキ作用時間及びブレーキ作用圧力を使用し、ルックアップテーブルからオーバヒート情報を決定する工程、
をさらに含む方法。
【請求項１６】
車両のブレーキオーバヒート状態を決定する方法であって、
少なくとも車輪速度及びブレーキ作用時間を測定する工程、
少なくとも車輪速度及びブレーキ作用時間を車両に搭載された電子コントロールモジュール（ＥＣＭ）で加工処理する工程であって、ＥＣＭは、少なくとも車輪速度及びブレーキ作用時間を使用し、ブレーキの温度を直接測定することなく、ブレーキオーバヒート状態の存在を決定する、工程、及び
ＥＣＭがブレーキオーバヒート状態を指示するとき、車両の操作者に知らせる警報を作動させる工程、
を含む方法。
【請求項１７】
車両のブレーキオーバヒート状態を決定する請求項１６に記載の方法であって、
ブレーキ作用圧力を測定する工程、
ＥＣＭが少なくとも車輪速度、ブレーキ作用時間及びブレーキ作用圧力を使用し、ブレーキの温度を直接測定することなく、ブレーキオーバヒート状態の存在を決定する工程、
をさらに含む方法。
【請求項１８】
車両のブレーキオーバヒート状態を決定する請求項１５に記載の方法であって、
車両の傾斜を測定し、
ＥＣＭが少なくとも車輪速度、ブレーキ作用時間及び車両の傾斜を使用し、ブレーキの温度を直接測定することなく、ブレーキオーバヒート状態の存在を決定する工程、
をさらに含む方法。
【請求項１９】
車両を支持する少なくとも１つの車輪、
少なくとも１つの車輪と関連したブレーキ、
メモリとプロセッサを含み、該プロセッサは、ブレーキの温度が所定の閾値を越えたという理由で、ブレーキオーバヒートイベントが起きたときを計算するために、センサからの入力を使用する、車両に搭載された電子コントロールモジュール（ＥＣＭ）、
を含み、
プロセッサは、ブレーキオーバヒートイベントが起きるたびに操作者に刑法する操作者警報装置を作動させ、
操作者警報装置が作動するたびに、プロセッサは、また、各ブレーキオーバヒートイベントに関する情報をメモリに蓄積させ、ブレーキオーバヒートイベントのブレーキオーバヒート履歴ログを作成し、
プロセッサは、また、車両の動きが操作者警報装置の各作動に応答して停止したかどうかに関する情報をメモリに記録させ、ブレーキオーバヒート履歴ログの一部を形成させることを特徴とする車両。
【請求項２０】
プロセッサは、ブレーキの温度を直接測定することなくブレーキオーバヒートイベントが起きたとき、計算することを特徴とする請求項１９に記載の車両。
【請求項２１】
センサは、車輪速度センサ及びブレーキ作用時間センサを含み、
センサのいずれも温度を直接測定することがないことを特徴とする請求項２０に記載の車両。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの軸により特徴づけられる切頭体形状の容積部分をなし内側と外側とからなる切頭体形状の振動面と、
上記振動面に機械的に連結され、上記内側から軸方向に突出し、上記切頭体形状の容積部分に接する第２の容積部分をなし、上記切頭体形状の容積部分と第２の容積部分とが内側の容積部分をなすようにした支持構造と、
上記振動面を軸方向に振動させて上記内側の容積部分に空気の運動を生ぜしめるように上記振動面に連結された振動モータ装置と、
からなり、上記振動モータ装置とは別個の発熱する装置をさらに含み、該発熱する装置が上記内側の容積部分に空気の運動を生ぜしめるように装着されていることを特徴とする音響駆動源を備える音響装置。
【請求項２】
上記発熱する装置が音響装置へのオーディオ信号を増幅するための増幅器であることを特徴とする請求項１に記載の音響装置。
【請求項３】
上記振動モータ装置の実質的な部分が上記内側の容積部分内にあることを特徴とする請求項１に記載の音響装置。
【請求項４】
乗り物のドアに装着されるように構成されて、上記内側が乗り物の内部に面し、上記外側が車の外部に面し、上記振動面が上記発熱する装置と車の外部との間にあるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の音響装置。
【請求項５】
上記発熱する装置が音響駆動源のオーディオ信号を増幅するための増幅器であることを特徴とする請求項４に記載の音響装置。
【請求項６】
乗客区画に面する側と外部に面する側とを有する車のドアに装着するためのラウドスピーカー装置であって、
振動圧力波放射面を含む音響駆動源と、
該音響駆動源により変換するためオーディオ信号を増幅するための増幅器と、
からなり、上記放射面が上記増幅器の組立体と上記外部に面する側との間にあるように配置されていることを特徴とするラウドスピーカー装置。
【請求項７】
１つの軸により特徴づけられる切頭体形状の容積部分をなし内側と外側とからなる切頭体形状の振動面と、
上記振動面に機械的に連結され、上記内側から軸方向に突出し、上記切頭体形状の容積部分に接する第２の容積部分をなし、上記切頭体形状の容積部分と第２の容積部分とが内側の容積部分をなすようにした支持構造と、
からなり、さらに
上記振動面を軸方向に振動させて上記内側の容積部分に空気の運動を生ぜしめるように上記振動面に連結された振動モータ装置と、
上記振動モータ装置とは別個の発熱する装置と、
上記発熱する装置から熱を伝達するように上記発熱する装置に熱的に連結されたヒートシンクと、
を含み、上記発熱する装置とヒートシンクとが上記内側の容積部分内にあるように上記音響駆動源が構成されていることを特徴とする音響装置。
【請求項８】
上記ヒートシンクと上記増幅器とが完全に上記内側容積内にあることを特徴とする請求項７に記載の音響装置。
【請求項９】
上記ヒートシンクがフィンを含み、該フィンが複数の縁部を含み、該複数の縁部の１つが上記振動面に実質的に平行であることを特徴とする請求項７に記載の音響装置。
【請求項１０】
上記フィンが上記突出部材に実質的に垂直な平面により特徴づけられる第１及び第２の対向する平坦な面を含むことを特徴とする請求項９に記載の音響装置。
【請求項１１】
１つの中心角により特徴づけられ２つの端部を有する円弧の形状の突出部材を含み、上記ヒーシンクが上記突出部材に機械的、熱的に連結された複数のフィンをさらに含むことを特徴とする音響装置のヒートシンク。
【請求項１２】
上記中心角が３６０°であって、上記弧が完全な円となり２つの端部が一致するようにしたことを特徴とする請求項１１に記載の音響装置。
【請求項１３】
上記中心角が実質的に１８０°であって、上記弧が実質的に半円であることを特徴とする請求項１１に記載の音響装置。
【請求項１４】
上記突出部材が上記２つの端部の少なくとも一方に向かってテーパ状になっていることを特徴とする請求項１１に記載の音響装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
スペクトル拡散通信システム用のシグナリング符号を割り当てる方法であって、
直交シグナリング符号の複数の組み合わせを編成するステップと、
前記シグナリング符号の複数の組み合わせのそれぞれからの少なくとも３つの奇数個の直交シグナリング符号の組み合わせについて、請求項１〜４のいずれかに記載の方法を使用して少なくとも１つの個別の符号スパーに対応する少なくとも１つのシグナリング符号を予測するステップ（３０４）と、
前記シグナリング符号の複数の組み合わせのうち、他のシグナリング符号の組み合わせよりも、アクティブなシグナリング符号に一致する符号スパーの発生が少ないシグナリング符号の複数の組み合わせからシグナリング符号の組み合わせを識別するステップ（３０６）
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数信号源と、
信号出力点と、
前記無線周波数信号源と前記信号出力点との間に結合され、第１および第２の信号処理回路をそれぞれ備える信号処理装置と、
を含む同調装置であって、
前記第１および第２の信号処理回路が、それぞれの第１および第２の可同調要素を備え、
前記同調装置は更に、
前記第１の可同調要素に結合された、第１の制御信号を生成するための第１のコントローラと、
前記第２の可同調要素に結合された、第２の制御信号を生成するための第２のコントローラと、
を含み、
前記第１の制御信号の偏移範囲が、前記第２の制御信号の偏移範囲よりも高い同調装置。
【請求項２】
前記第２の信号処理回路が、第１の周波数帯域信号処理回路および第２の周波数帯域処理回路を含む、請求項１に記載の同調装置。
【請求項３】
前記第１の信号処理回路が発振器回路を含み、前記第２の信号処理回路が無線周波数同調回路を備える、請求項１に記載の同調装置。
【請求項４】
前記第１のコントローラが位相ロック・ループを含み、前記第２のコントローラがディジタル・アナログ変換器を含む、請求項１に記載の同調装置。
【請求項５】
前記第１の可同調要素が、前記第１の制御信号に応答する第１および第２の局部発振器回路を含み、前記第２の可同調要素が、前記第２の制御信号に応答する第１および第２の可同調フィルタ要素を含む、請求項１に記載の同調装置。
【請求項６】
前記第１の可同調フィルタ要素が、選択された周波数を前記第２の制御信号の前記偏移範囲に応答して通過させる第１の単同調の可同調フィルタおよび第１の複同調の可同調フィルタを含み、前記第２の可同調フィルタ要素が、選択された周波数を前記第２の制御信号の前記偏移範囲に応答して通過させる第２の単同調の可同調フィルタおよび第２の複同調の可同調フィルタを含む、請求項５に記載の同調装置。
【請求項７】
前記第１および第２の単同調の可同調フィルタがそれぞれ、前記第２の制御信号の前記偏移範囲に応答するバラクタを含み、前記第１および第２の複同調の可同調フィルタがそれぞれ、前記第２の制御信号の前記偏移範囲にそれぞれ別々に応答する２つのバラクタを含む、請求項６に記載の同調装置。
【請求項８】
無線周波数信号受信手段と、
信号出力手段と、
前記無線周波数信号受信手段と前記信号出力手段との間に結合された無線周波数信号処理手段と、
を含む同調装置であって、
前記無線周波数信号処理手段が、無線周波数信号を処理するための第１の無線周波数信号処理手段および無線周波数信号を処理するための第２の無線周波数信号処理手段をそれぞれ備え、
前記第１の無線周波数信号処理手段が第１の無線周波数信号同調手段を備え、
前記第２の無線周波数信号処理手段が第２の無線周波数信号同調手段を備え、
前記同調装置は更に、
前記第１の同調手段に結合された、第１の制御信号を生成するための第１の制御手段と、
前記第２の同調手段に結合された、第２の制御信号を生成するための第２の制御手段と、
を含み、
前記第２の制御手段の偏移範囲が前記第１の制御手段の偏移範囲よりも高い同調装置。
【請求項９】
前記無線周波数信号を処理するための第１の無線周波数信号処理手段が、第１の周波数帯域信号を処理する手段および第２の周波数帯域信号を処理する手段を含む、請求項８に記載の同調装置。
【請求項１０】
前記第２の無線周波数信号処理手段がミクシング手段を含む、請求項８に記載の同調装置。
【請求項１１】
前記第２の制御手段が位相ロック・ループ手段を含み、前記第１の制御手段がディジタル・アナログ変換器を含む、請求項８に記載の同調装置。
【請求項１２】
前記第２の同調手段が、前記第２の制御信号に応答して局部発振器信号を生成する第１および第２の手段を含み、前記第１の同調手段が、無線周波数信号を可同調濾波する第１および第２の手段を含む、請求項８に記載の同調装置。
【請求項１３】
前記無線周波数信号を可同調濾波する前記第１の手段が、選択された周波数を前記第１の制御信号の前記偏移範囲に応答して通過させる第１の単同調の可同調フィルタ手段および第１の複同調の可同調フィルタ手段を含み、前記無線周波数信号を可同調濾波する前記第２の手段が、選択された周波数を前記第１の制御信号の前記偏移範囲に応答して通過させる第２の単同調の可同調フィルタ手段および第２の複同調の可同調フィルタ手段を含む、請求項１２に記載の同調装置。
【請求項１４】
前記第１および第２の単同調の可同調フィルタ手段がそれぞれ、前記第１の制御信号の前記偏移範囲に応答するバラクタを含み、前記第１および第２の複同調の可同調フィルタ手段がそれぞれ、前記第１の制御信号の前記偏移範囲にそれぞれ別々に応答する２つのバラクタを含む、請求項１３に記載の同調装置。
【請求項１５】
テレビジョン信号受信機における同調方法であって、
複数の無線周波数信号を受信するステップと、
第１の偏移範囲を有する第１の制御信号を第１のコントローラにより生成するステップと、
前記複数の無線周波数信号に前記第１の制御信号に従って同調して、前記無線周波数信号のうちの選択された１つを得るステップと、
前記第１の偏移範囲よりも高い第２の偏移範囲を有する第２の制御信号を第２のコントローラにより生成するステップと、
前記第２の制御信号に従って局部発振器信号を生成するステップと、
前記局部発振器信号を前記無線周波数信号のうちの前記選択された１つとミクシングして、ＩＦ信号を生成するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１６】
第１の偏移範囲を有する第１の制御信号を第１のコントローラにより生成する前記ステップが、ディジタル・アナログ変換器を含む第１のコントローラにより、第１の偏移範囲を有する第１の制御信号を生成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
第２の偏移範囲を有する第２の制御信号を第２のコントローラにより生成する前記ステップが、位相ロック・ループを含む第２のコントローラにより、第２の偏移範囲を有する第２の制御信号を生成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の無線周波数信号に前記第１の制御信号に従って同調するステップが、単同調の可同調フィルタと複同調の可同調フィルタの第１と第２の対のうちの一方を介して、前記第１の制御信号に従って前記無線周波数信号のうちの１つを選択するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
単同調の可同調フィルタと複同調の可同調フィルタの第１と第２の対のうちの一方を介して、前記第１の制御信号に従って前記無線周波数信号のうちの１つを選択するステップが、バラクタ・ダイオードを介した単同調の可同調フィルタとデュアル・バラクタ・ダイオードを介した複同調の可同調フィルタの第１と第２の対のうちの一方を介して、前記第１の制御信号に従って前記無線周波数信号のうちの１つを選択するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キー入力部の操作によって制御され、無線信号でデータを送受信することにより通話を行うとともに、着信時には呼び出し音を拡声して報知する携帯電話機において、
呼び出し音を再生するための報知信号データを複数個保持することが可能であって、該携帯電話機本体から取り外しが可能な報知信号データメモリ部と、
書き換え可能なＲＡＭメモリ部と、
該報知信号データを再生して呼び出し音として拡声する報知手段と、
使用者の該キー入力部の操作によって設定された、該報知信号データメモリ部に保持された複数の該報知信号データのうち１つを該ＲＡＭメモリ部に転送し、該ＲＡＭメモリ部に転送された該報知信号データを着信時に呼び出し音として再生するように該報知手段を制御する制御部とを備えたことを特徴とする携帯電話機。
【請求項２】
請求項１記載の携帯電話機において、前記呼び出し音の音量を調節する音量調節手段を有することを特徴とする携帯電話機。
【請求項３】
請求項１記載の携帯電話機において、前記報知信号データメモリ部は、プログラム及びデータの保持を保持するメモリ部とは別のメモリ部であることを特徴とする携帯電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、携帯電話機に関し、特に呼び出し音を発生させるためのＬＳＩを搭載した携帯電話機に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明では、キー入力部の操作によって制御され、無線信号でデータを送受信することにより通話を行うとともに、着信時には呼び出し音を拡声して報知する携帯電話機において、呼び出し音を再生するための報知信号データを複数個保持することが可能であって、該携帯電話機本体から取り外しが可能な報知信号データメモリ部と、  書き換え可能なＲＡＭメモリ部と、該報知信号データを再生して呼び出し音として拡声する報知手段と、使用者の該キー入力部の操作によって設定された、該報知信号データメモリ部に保持された複数の該報知信号データのうち１つを該ＲＡＭメモリ部に転送し、該ＲＡＭメモリ部に転送された該報知信号データを着信時に呼び出し音として再生するように該報知手段を制御する制御部とを備えるようにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような構成にすることで、曲データを保持するための報知信号データメモリ部の空きエリアに応じて、曲数を増やすことも可能になるので、新しい曲を登録する度に消去しなければならなかった古い曲も、メモリの空きエリア次第で残す事が可能になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
更に、曲データを保持するための報知信号データメモリ部を取り外し可能なメモリとすることで、登録されている曲データごとメモリを交換することが可能になる。従って、この取り外し可能メモリを購入すれば、曲データの登録という煩わしい作業を省き、短時間で簡単に誰でも曲データの交換が可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以上のように本発明では、報知信号データの追加／変更が可能になることから、取り外し可能な報知信号データメモリ部の空き容量次第では、保持しておける報知信号データの数を増やすことができ、これまで登録していた報知信号データを削除しなくても、新曲の登録を行なうことが可能になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明では取り外し可能な報知信号データメモリ部に報知信号データを記録しているので、音源ＬＳＩ自体の作り換えを行なうことなく、新曲の登録を行なうことが可能になり、新曲の登録までの時間が非常に早くなる。また、自作メロディ機能における登録するという煩わしい作業を省き、短時間で簡単に誰でも新しい報知信号データを追加することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、入力端子部ＩＮ内のいずれかの入力端子に接続されている機器からの情報は、メインマイコン１３による当該入力端子の切換処理に基づき端子情報Ｓtとして、制御信号Ｓcdを用いたメインマイコン１３の制御の下、デコード部１１に出力されて復号処理に供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  インサートが（１）スズ、鉛、ゲルマニウムおよびケイ素より成る群から選ばれる第ＩＶａ族の金属で連結されている硬化ポリジエンゴム、（２）約２０ｐｈｒから約１３０ｐｈｒの充填材、（３）０．１ｐｈｒから５ｐｈｒの脂肪酸および（４）約０．１ｐｈｒから約１０ｐｈｒの１，３−ビス（シトラコンイミドメチル）ベンゼンを含んでなる、請求項１に記載のランフラットタイヤ。