【事件の表示】
　平成１０年特許願第　７６０２７号「高周波用ディレイライン及び高周波用ディレイラインの製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１１年１０月　８日出願公開、特開平１１−２７４８２２、請求項の数（２４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年３月２４日の出願であって、特許請求の範囲に係る発明は、平成１３年３月１日付手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】使用周波数の１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成された第１の内部導体と、
前記第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、開口面から反対面に向かって形成した第１の外部導体と、
前記第１の外部導体の前記開口面に取り付けられて前記第１の外部導体の前記開口面を閉塞する第２の外部導体とを具備することを特徴とする高周波用ディレイライン。
【請求項２】使用周波数の１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成された第１の内部導体と、
前記第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、開口面から反対面に向かって形成した第１の外部導体と、
前記第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、開口面から反対面に向かって形成し、前記第１の外部導体の前記開口面に取り付けられて前記第１の外部導体の前記開口面を閉塞する第２の外部導体とを具備することを特徴とする高周波用ディレイライン。
【請求項３】前記第１の内部導体は、前記第１の外部導体の前記溝の内部に誘電体からなる支持体で支持されていることを特徴とする請求項１から２の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項４】前記支持体は、前記第１の外部導体に形成された前記溝内部に、使用周波数の１／４波長の整数倍の間隔で配置されていることを特徴とする請求項３記載の高周波用ディレイライン。
【請求項５】前記第１の内部導体は、前記支持体に支持されている部分の幅が、前記支持体に支持されていない部分の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項３，４の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項６】前記支持体は、前記第１の内部導体が貫通する鍔状に形成されていることを特徴とする請求項３から５の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項７】前記支持体は、前記第１の内部導体を支持する部分の幅が、前記第１の内部導体を支持しない部分の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項３から５の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項８】前記支持体は、分割可能に構成されており、前記第１の内部導体を前記分割部分へ挟み込んで支持することを特徴とする請求項３から７の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項９】前記第１，第２の外部導体は、装置筐体の蓋部として前記装置筐体と一体的に実装されることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項１０】前記第１，第２の外部導体は、装置筐体の放熱器として前記装置筐体と一体的に実装されることを特徴とする請求項１から９の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項１１】前記第１の内部導体に並行して第２の内部導体を具備することを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項１２】前記第１の内部導体は、前記連続的に交互に折り返された形状に代えて、連続渦巻状の形状であることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の高周波用ディレイライン。
【請求項１３】導体を使用周波数の１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成して第１の内部導体とし、前記第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、導体の開口面から反対面に向かって形成して第１の外部導体とし、前記第１の外部導体の前記溝の内部に前記第１の内部導体を収納し、前記第１の外部導体の前記開口面を第２の外部導体で閉塞することを特徴とする高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項１４】導体を使用周波数の１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成して第１の内部導体とし、前記第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、導体の開口面から反対面に向かって形成して第１の外部導体とし、前記第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、導体の開口面から反対面に向かって形成して第２の外部導体とし、前記第１の外部導体の前記溝の内部に前記第１の内部導体を収納し、前記第１の外部導体の前記開口面を前記第２の外部導体で閉塞することを特徴とする高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項１５】前記第１の内部導体を、前記第１の外部導体の前記溝の内部に誘電体からなる支持体で支持することを特徴とする請求項１３から１４の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項１６】前記支持体を、前記第１の外部導体に形成された前記溝内部に、使用周波数の１／４波長の整数倍の間隔で配置することを特徴とする請求項１５記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項１７】前記第１の内部導体は、前記支持体に支持されている部分の幅を、前記支持体に支持されていない部分の幅よりも狭く形成することを特徴とする請求項１５，１６の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項１８】前記支持体を、前記第１の内部導体が貫通する鍔状に形成することを特徴とする請求項１５から１７の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項１９】前記支持体は、前記第１の内部導体を支持する部分の幅を、前記第１の内部導体を支持しない部分の幅よりも狭く形成することを特徴とする請求項１５から１７の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項２０】前記支持体を、分割可能に構成し、前記第１の内部導体を前記分割部分へ挟み込んで支持することを特徴とする請求項１５から１９の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項２１】前記第１，第２の外部導体を、装置筐体の蓋部として前記装置筐体と一体的に実装することを特徴とする請求項１３から２０の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項２２】前記第１，第２の外部導体を、装置筐体の放熱器として前記装置筐体と一体的に実装することを特徴とする請求項１３から２１の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項２３】前記第１の内部導体に並行して第２の内部導体を形成することを特徴とする請求項１３から２２の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。
【請求項２４】前記第１の内部導体を、前記連続的に交互に折り返された形状に代えて、連続渦巻状の形状とすることを特徴とする請求項１３から２３の何れかに記載の高周波用ディレイラインの製造方法。」
　
第２．引用例
　１．　これに対して、原審の拒絶理由にて引用された特開昭６３−８４０５３号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
イ．「本発明は、超高速動作の半導体素子用として有用な同軸配線構造体に関する。」（１頁右下欄１１〜１２行目）
ロ．「本発明にかかる配線構造体は、第１、第２の二枚の基板を重ねて一体化し、その間に同軸配線が埋め込まれた構造とする。即ち、第１の基板は、表面に溝が形成されてこの溝内壁に第１の導体を有し、且つこの溝に誘電体を充填してその誘電体上に第２の導体を配設する。第２の基板はやはり表面に溝が形成されて、その内壁に第３の導体を有する。これら第１，第２の基板を重ねて、第１および第３の導体を外部導体とし、第２の導体を内部導体とする同軸配線を構成する。」（２頁左上欄最終行〜同頁右上欄９行目）
ハ．「第１の基板１は、絶縁体であるアルミナセラミックス基板１１を用い、その表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体膜１５を配設している。」（２頁左下欄１行目〜同頁左下欄７行目）
ニ．「第２の基板２も、第１の基板１とほぼ同様の構造である。即ち、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填する。但し、この第２の基板２には、第１の基板１の第２の導体１５に対応する配線は要らない。このようにして構成された第１の基板１と第２の基板２を重ねて一体化し、第１図（ｂ）に示されるように第１の基板１の第１の導体１３と第２の基板の第３の導体２３により外部導体を構成し、第１の基板１の第２の導体１５を内部導体として同軸配線構造が構成される。」（２頁右下欄３〜１５行目）
ホ．「本発明によれば、二枚の基板の加工によりクロストークのない同軸配線構造体を実現することができる。……超高速半導体素子用の配線構造として有用である。」（３頁左下欄１〜７行目）
　以上の記載によれば、引用例１には、
「絶縁体であるアルミナセラミックス基板１１の表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体１５を配設する第１の基板１と、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填した第２の基板２とを備え、第１の基板１の第１の導体１３と第２の基板の第３の導体２３により外部導体を構成し、第１の基板１の第２の導体１５を内部導体とした同軸配線構造体。」（以下、「引用例１記載の第１発明」という。）、及び
「第１の基板１を、絶縁体であるアルミナセラミックス基板１１の表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体１５を配設することで形成し、第２の基板２を、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填し、このようにして形成された第１の基板１と第２の基板２を重ねて一体化し、第１の基板１の第１の導体１３と第２の基板の第３の導体２３により外部導体を構成し、第１の基板１の第２の導体１５を内部導体とした同軸配線構造体の製造方法。」（以下、「引用例１記載の第２発明」という。）の２つの発明が記載されているものと認められる。
　
　２．　同じく、原審の拒絶理由にて引用された特開昭６１−２２４６０１号公報（以下、「引用例２」という。）には、第５図とともに以下の事項が記載されている。
イ．「本発明は高周波等の電力の伝送手段として用いられる同軸給電線に関する。」（１頁右下欄３〜４行目）
ロ．「従来の同軸線路は第５図に示すように、径の異なる２本の筒状導体を同軸状に配してなる外部導体１および内部導体２と、上記内部導体２を外部導体１から絶縁すると共に外部導体１内に内部導体２を保持するための絶縁スペーサ３から構成されている。この絶縁スペーサ３は例えばテフロン等の絶縁物から形成されているため、外部導体１と内部導体２との間には誘電体が１より大きい絶縁物が介在していることになり、その結果絶縁スペーサ３が設けられている部分と設けられていない部分とでは同軸給電線の特性インピーダンスにずれが生じる。そこで、このずれを補正するために第５図に示す如く内部導体２の外周にアンダーカット溝４を形成し、このアンダーカット溝４に絶縁スペーサ３を固定して、絶縁スペーサ３が設けられている部分の内部導体２の径を他の部分の径よりも細くすることによりインピーダンスの整合を図っている。」（１頁右下欄６行目〜２頁左上欄３行目）
　以上の記載によれば、引用例２には、
「内部導体と、外部導体とを具備し、前記内部導体は、外部導体の内部に誘電体からなる支持体で支持され、前記内部導体は、前記支持体に支持されている部分の幅が、前記支持体に支持されていない部分の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする同軸給電線。」の発明（以下、「引用例２記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　３．また、原審の拒絶査定にて引用された特公昭４７−３３９７４号公報（以下、「引用例３」という。）には、第１図とともに次の事項が記載されている。
イ．「本発明は遅延線路……に関するものである。」（１頁左欄１９〜２１行目）
ロ．「折れ曲り線路は一種のストリップ線路で、その中心導体はジグザグ状に折れ曲がっており、隣接する導体と結合を生ずるようにしたものである。」（１頁左欄２２〜２４行目）
ハ．「１は接地用導体箱（ストリップライン支持箱）、２は中心導体、Ｌは中心導体２の折れ曲りの幅で、……この中心周波数ｆoはＬおよび折れ曲り線路内の比誘電率εrとの間の次式の関係式で定まる。
ｆo＝Ｃ／４Ｌ√εr
ここでＯ（「Ｏ」は、「Ｃ」の誤記と認められる。）は光速である。」（１頁左欄最終行〜右欄１０行目）
　以上の記載、及び上記数式はＬ＝λr／４（λr：伝搬波長）と変形できることは明らかであるから、引用例３には、
「使用周波数の１／４波長の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成された中心導体と、外部導体とを具備する遅延線路」の発明（以下、「引用例３記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　４．　同じく、原審の拒絶査定にて引用された特開昭５０−１７７４８号公報（以下、「引用例４」という。）には、第１図とともに次の事項が記載されている。
イ．「この発明は、マイクロ波通信用遅延等価器として、最近とみに実用化されているいわゆる、メアンダライン（折曲り線路）形遅延等価化（中心導体をジグザグ状に折り曲げたストリップ線路の１種で、隣接する中心導体間に結合をもたせたもの）に関するものである。」（１頁左下欄１８行目〜同頁右下欄３行目）
ロ．「セクション毎の長さ（ｌ）（第１図）は、遅延時間が最大となる周波数の波長の１／４である。」（１頁右下欄１４〜１６行目）
　以上の記載によれば、引用例４には、
「使用周波数の１／４波長の間隔で連続的に交互に折り返された形状の中心導体からなる遅延等価器。」の発明（以下、「引用例４記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　５．　同じく、原審の拒絶査定にて引用された実開昭５３−３４９３５号公報（以下、「引用例５」という。）の実用新案登録請求の範囲、図面の簡単な説明の記載及び第１図、第２図の記載によれば、引用例５には、
「長さＬで連続的に交互に折り返された形状に形成された中心導体と、接地導体とを具備し、周波数に応じて遅延時間が変化する折れ曲り線路。」の発明（以下、「引用例５記載の発明）という。）が記載されているものと認められる。
　
第３．対比・判断
　１．　本願の請求項１に係る発明について
（１）対比
　本願の請求項１に係る発明と引用例１記載の第１発明とを対比するに、
　ア．引用例１記載の第１発明における「第２の導体１５」、「溝１２」は、それぞれ、本願の請求項１に係る発明における「第１の内部導体」、「第１の内部導体を収納する溝」に相当する。
　イ．引用例１記載の第１発明における、溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した「アルミナセラミックス基板１１」は、本願の請求項１に係る発明の「第１の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板」である点で一致する。
　ウ．引用例１記載の第１発明における「アルミナセラミックス基板２１」は、本願の請求項１に係る発明の「第１の外部導体の開口面を閉塞する第２の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板の開口面を閉塞する第２の基板」である点で一致する。
　エ．引用例１記載の第１発明における「同軸配線構造体」と本願の請求項１に係る発明の「高周波用ディレイライン」とは、共に、内部導体と外部導体が同軸の関係にあることは明らかであるから、両者は「同軸の構造体」である点で一致するといえる。
　したがって、本願の請求項１に係る発明と引用例１記載の第１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
　
（２）一致点
「第１の内部導体と、前記第１の内部導体に沿い前記第１の内部導体を収納する溝を形成した第１の基板と、前記第１の基板の開口面に取り付けられて前記第１の基板の前記開口面を閉塞する第２の基板とを具備する同軸の構造体。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　ａ．同軸の構造体に関し、本願の請求項１に係る発明は、高周波用ディレイラインであるのに対し、引用例１記載の第１発明は、同軸配線構造体である点。
　ｂ．第１の内部導体に関し、本願の請求項１に係る発明は、第１の内部導体が１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返される形状を有するのに対し、引用例１記載の第１発明はそのような構成となっていない点。
　ｃ．第１の基板に関し、本願の請求項１に係る発明は、第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、開口面から反対面に向かって形成した第１の外部導体であるのに対して、引用例１記載の第１発明は、絶縁体であるアルミナセラミックス基板１１の表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体１５を配設する第１の基板１である点。
　ｄ．第２の基板に関し、本願の請求項１に係る発明は、第１の外部導体の開口面に取り付けられて前記第１の外部導体の前記開口面を閉塞する第２の外部導体であるのに対して、引用例１記載の第１発明は、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填した第２の基板２である点。
　
（４）当審の判断
　そこで上記相違点について検討するに、同軸の構造体に関し、引用例１には「本発明は、超高速動作の半導体素子用として有用な同軸配線構造体に関する。」（１頁右下欄１１行ないし１２行）の記載があり、この記載によれば引用例１記載の第１発明の「同軸配線構造体」は、超高速動作の半導体素子として有用な同軸配線構造体であると認められ、遅延動作をする本願の請求項１に係る発明の「高周波用ディレイライン」とは似て非なるものであって、このことは、引用例１に記載された発明が超高速動作を目的とするものであるのに対して、本願の請求項１に係る発明が遅延動作を目的とするものであることから明らかである。そして、両者が同軸の構造体で共通するものの適用する対象が異なるのであるから、超高速動作をすることを対象とする引用例１記載の発明に、遅延動作を前提とする技術が開示されている引用例２ないし５記載の発明を適用することは、当業者といえども考えないとみるのが自然であって、適用することは困難というべきである。
　また、高周波用ディレイラインにおいて、上記の相違点ａ〜ｄに係る技術が周知・慣用であるともいえない。
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　２．　本願の請求項２に係る発明について
（１）対比
　本願の請求項２に係る発明と引用例１記載の第１発明とを対比するに、
　ア．引用例１記載の第１発明における「第２の導体１５」、「溝１２」、「溝２２」は、それぞれ、本願の請求項２に係る発明における「第１の内部導体」、第１の外部導体に形成されされた「溝」、第２の外部導体に形成されされた「溝」に相当する。
　イ．引用例１記載の第１発明における、溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した「アルミナセラミックス基板１１」は、本願の請求項２に係る発明の「第１の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板」である点で一致する。
　ウ．引用例１記載の第１発明における、溝２２の内壁に第２の導体１５を形成した「アルミナセラミックス基板２１」は、本願の請求項２に係る発明の「第１の外部導体の開口面を閉塞する第２の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板の開口面を閉塞する第２の基板」である点で一致する。
　エ．引用例１記載の第１発明における「同軸配線構造体」と本願の請求項２に係る発明の「高周波用ディレイライン」とは、共に、内部導体と外部導体が同軸の関係にあることは明らかであるから、両者は「同軸の構造体」である点で一致するといえる。
　したがって、本願の請求項２に係る発明と引用例１記載の第１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
　
（２）一致点
「第１の内部導体と、前記第１の内部導体に沿い前記第１の内部導体を収納する溝を形成した第１の基板と、前記第１の内部導体に沿い前記内部導体を収納する溝が形成され、前記第１の基板の開口面に取り付けられて第１の基板の前記開口面を閉塞する第２の基板とを具備する同軸の構造体。」
　
（３）相違点
　ａ．同軸の構造体に関し、本願の請求項２に係る発明は、高周波用ディレイラインであるのに対し、引用例１記載の第１発明は、同軸配線構造体である点。
　ｂ．第１の内部導体に関し、本願の請求項２に係る発明は、第１の内部導体が１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返される形状を有するのに対し、引用例１記載の第１発明はそのような構成となっていない点。
　ｃ．第１の基板に関し、本願の請求項２に係る発明は、第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、開口面から反対面に向かって形成した第１の外部導体であるのに対して、引用例１記載の第１発明は、絶縁体であるアルミナセラミックス基板１１の表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体１５を配設する第１の基板１である点。
　ｄ．第２の基板に関し、本願の請求項２に係る発明は、第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、開口面から反対面に向かって形成し、前記第１の外部導体の前記開口面に取り付けられて前記第１の外部導体の前記開口面を閉塞する第２の外部導体であるのに対して、引用例１記載の第１発明は、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填した第２の基板２である点。
 　
（４）当審の判断
　上記１．（４）と同じ理由により、本願の請求項２に係る発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　３．本願の請求項１３に係る発明について
（１）対比
　本願の請求項１３に係る発明と引用例１記載の第２発明とを対比するに、
　ア．引用例１記載の第２発明における「第２の導体１５」、「溝１２」は、それぞれ、本願の請求項１３に係る発明における「第１の内部導体」、「第１の内部導体を収納する溝」に相当する。
　イ．引用例１記載の第２発明における、溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した「アルミナセラミックス基板１１」は、本願の請求項１３に係る発明の「第１の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板」である点で一致する。
　ウ．引用例１記載の第２発明における、溝２２の内壁に第２の導体１５を形成した「アルミナセラミックス基板２１」は、本願の請求項１３に係る発明の「第１の外部導体の開口面を閉塞する第２の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板の開口面を閉塞する第２の基板」である点で一致する。
　エ．引用例１記載の第２発明における「同軸配線構造体の製造方法」と本願の請求項１３に係る発明の「高周波用ディレイラインの製造方法」とは、共に、内部導体と外部導体が同軸の関係にあることは明らかであるから、両者は「同軸の構造体の製造方法」である点で一致するといえる。
　したがって、本願の請求項１３に係る発明と引用例１記載の第２発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
　
（２）一致点
「導体を形成して第１の内部導体とし、前記第１の内部導体に沿い前記第１の内部導体を収納する溝を形成して第１の基板とし、前記第１の基板の溝内部に前記第１の内部導体を収納し、前記第１の基板の開口面を第２の基板で閉塞する、同軸の構造体の製造方法。」
　
（３）相違点
　ａ．同軸の構造体に関し、本願の請求項１３に係る発明は、高周波用ディレイラインの製造方法であるのに対し、引用例１記載の第２発明は、同軸配線構造体の製造方法である点。
　ｂ．第１の内部導体に関し、本願の請求項１３に係る発明は、導体を使用周波数の１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成するに対して引用例１記載の第２発明はそのように形成するものではない点。
　ｃ．第１の基板に関し、本願の請求項１３に係る発明は、第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、導体の開口面から反対面に向かって形成するのに対して、引用例１記載の第２発明は、アルミナセラミックス基板１１の表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体１５を配設することで形成する点。
　ｄ．第２の基板に関し、本願の請求項１３に係る発明は、導体の開口面から反対面に向かって形成して第１の外部導体とするのに対して、引用例１記載の第２発明は、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填することで第２の基板とする点。
　
（４）当審の判断
　上記１．（４）と同じ理由により、本願の請求項１３に係る発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
４．本願の請求項１４に係る発明ついて
（１）対比
　本願の請求項１４に係る発明と引用例１記載の第２発明とを対比するに、
　ア．引用例１記載の第２発明における「第２の導体１５」、「溝１２」は、それぞれ、本願の請求項１４に係る発明における「第１の内部導体」、「第１の内部導体を収納する溝」に相当する。
　イ．引用例１記載の第２発明における、溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した「アルミナセラミックス基板１１」は、本願の請求項１４に係る発明の「第１の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板」である点で一致する。
　ウ．引用例１記載の第２発明における、溝２２の内壁に第２の導体１５を形成した「アルミナセラミックス基板２１」は、本願の請求項１４に係る発明の「第１の外部導体の開口面を閉塞する第２の外部導体」に対応し、両者は、「第１の基板の開口面を閉塞する第２の基板」である点で一致する。
　エ．引用例１記載の第２発明における「同軸配線構造体の製造方法」と本願の請求項１４に係る発明の「高周波用ディレイラインの製造方法」とは、共に、内部導体と外部導体が同軸の関係にあることは明らかであるから、両者は「同軸の構造体の製造方法」である点で一致するといえる。
　したがって、本願の請求項１４に係る発明と引用例１記載の第２発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
　
（２）一致点
「導体を形成して第１の内部導体とし、前記第１の内部導体に沿い前記第１の内部導体を収納する溝を形成して第１の基板とし、前記第１の基板の溝内部に前記第１の内部導体を収納し、前記第１の基板の開口面を第２の基板で閉塞する、同軸の構造体の製造方法。」
　
（３）相違点
　ａ．同軸の構造体に関し、本願の請求項１４に係る発明は、高周波用ディレイラインの製造方法であるのに対し、引用例１記載の第２発明は、同軸配線構造体の製造方法である点。
　ｂ．第１の内部導体に関し、本願の請求項１４に係る発明は、導体を使用周波数の１／４波長の奇数倍の間隔で連続的に交互に折り返された形状に形成するに対して引用例１記載の第２発明はそのように形成するものではない点。
　ｃ．第１の基板に関し、本願の請求項１４に係る発明は、第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、導体の開口面から反対面に向かって形成するのに対して、引用例１記載の第２発明は、アルミナセラミックス基板１１の表面に溝１２を形成し、この溝１２の内壁に第１の導体１３を形成した後、この溝内に誘電体としてポリイミド１４を充填し、更にそのポリイミド１４上に第２の導体１５を配設することで形成する点。
　ｄ．第２の基板に関し、本願の請求項１４に係る発明は、第１の内部導体の折り返し形状に沿い、なおかつ前記第１の内部導体との間隔を一定に維持して前記第１の内部導体を収納する溝を、導体の開口面から反対面に向かって形成して第２の外部導体とするに対して、引用例１記載の第２発明は、アルミナセラミックス基板２１に溝２２を形成し、この溝２２の内壁に第３の導体２３を形成し、更にこの溝２２にポリイミド２４を充填することで第２の基板とする点。
　
（４）当審の判断
　上記１．（４）と同じ理由により、本願の請求項１４に係る発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
５．本願の請求項３ないし１２に係る発明について
　本願の請求項３ないし１２に係る発明は、請求項１または２に係る発明を引用する形式で記載された発明であって、請求項１または２に係る発明を更に限定したものであるから、請求項１または２に係る発明と同様の理由により、引用例１ないし５に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
６．本願の請求項１５ないし２４に係る発明について
　本願の請求項１５ないし２４に係る発明は、請求項１３または１４に係る発明を引用する形式で記載された発明であって、請求項１３または１４に係る発明を更に限定したものであるから、請求項１３または１４に係る発明と同様の理由により、引用例１ないし５に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
第４．むすび
　したがって、本願の請求項１ないし２４に係る発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはすることはできない。
　他に拒絶すべき理由を発見することはできない。
　よって、結論のとおり審決する。