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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１陽極および第２陽極を形成する工程と、
前記第１陽極と前記第２陽極との間にバンクを形成する工程と、
前記第１陽極の上方に第１発光層を形成する工程と、
前記第２陽極の上方に第２発光層を形成する工程と、
前記第１発光層の上方に第１形成材料を塗布し第１電子注入層を形成する工程と、
前記第２発光層の上方に第１形成材料を塗布し第２電子注入層を形成する工程と、
前記バンクと前記第１電子注入層と前記第２電子注入層との上方に陰極を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１形成材料がアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物若しくは酸化物を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に電子注入層を形成する工程と、
前記電子注入層の上方に第２電極を形成する工程と、を備え、
前記電子注入層の形成工程が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物若しくは酸化物を含む第１形成材料を塗布する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
第１陽極および第２陽極を形成する工程と、
前記第１陽極の上方に第１発光層を形成する工程と、
前記第２陽極の上方に第２発光層を形成する工程と、
前記第１発光層上に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物若しくは酸化物を含む第１形成材料を塗布する工程と、
前記第２発光層上に、有機金属錯体を含む第２形成材料を塗布する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１発光層が青色の光を発光し、前記第２発光層が青色以外の光を発光することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１形成材料がＬｉＦ微粒子を分散させた分散液であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１形成材料がＮａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓのいずれかの元素を含む溶液であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記有機金属錯体がβ−ジケトン錯体であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１形成材料が液滴吐出法を用いて塗布されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記陰極がスパッタ法で形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法によって得られた有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に第１陽極および第２陽極を形成する工程と、前記第１陽極と前記第２陽極との間にバンクを形成する工程と、前記第１陽極の上方に第１発光層を形成する工程と、前記第２陽極の上方に第２発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上方に第１形成材料を塗布し第１電子注入層を形成する工程と、前記第２発光層の上方に第１形成材料を塗布し第２電子注入層を形成する工程と、前記バンクと前記第１電子注入層と前記第２電子注入層との上方に陰極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
また、前記第１形成材料がアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物若しくは酸化物を含むものであってもよい。
また、前記目的を達成するため、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に電子注入層を形成する工程と、前記電子注入層の上方に第２電極を形成する工程と、を備え、前記電子注入層の形成工程が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物若しくは酸化物を含む第１形成材料を塗布する工程を含むことを特徴とする。
また、前記目的を達成するため、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、第１陽極および第２陽極を形成する工程と、前記第１陽極の上方に第１発光層を形成する工程と、前記第２陽極の上方に第２発光層を形成する工程と、前記第１発光層上に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物若しくは酸化物を含む第１形成材料を塗布する工程と、前記第２発光層上に、有機金属錯体を含む第２形成材料を塗布する工程と、を含むことを特徴とする。
また、前記本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１発光層が青色の光を発光し、前記第２発光層が青色以外の光を発光するものであることが望ましい。
また、前記第１形成材料がＬｉＦ微粒子を分散させた分散液であることが望ましい。
また、前記第１形成材料がＮａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓのいずれかの元素を含む溶液であることが望ましい。
また、前記有機金属錯体がβ−ジケトン錯体であることが望ましい。
また、前記第１形成材料が液滴吐出法を用いて塗布されることが望ましい。
また、前記陰極がスパッタ法で形成されることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記目的を達成するため、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法では、対向する陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を設ける有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記発光層と陰極との間に、電子輸送層形成材料を液相プロセスで設けて、電子輸送層を形成する電子輸送層形成工程を備えたことを特徴としている。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、電子輸送層を液相プロセスで形成するようにしたので、気相プロセスで行った場合の、コストが高くなるといった問題や、下地となる有機物や基板が高熱環境に晒されるといった問題を解消することができる。
なお、本発明で「電子輸送層」は、電子輸送性を有する「電子輸送層」、あるいは、正孔をブロックして発光層に留める「正孔ブロック層」としての意味も含む。
また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記電子輸送層形成材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物あるいは酸化物を含むことを特徴としている。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、電子輸送層形成材料としてアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物あるいは酸化物を液相プロセスで設けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源アレイと、蛍光面を有する画像表示装置において、該電子源アレイは、該電子源への給電線となる電極と、該電子源アレイの電子放出部や回路接続部以外を被覆する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたスペーサ電極を有しており、スペーサ電極と立体交差する部分の前記電極の間は異なる成膜法で形成された少なくとも２重の絶縁膜で絶縁されていることを特徴とする電子源アレイを用いた画像表示装置。
【請求項２】
電子源アレイと、蛍光面を有する画像表示装置において、該電子源アレイは、該電子源への給電線となる電極と、該電子源アレイの電子放出部や回路接続部以外を被覆する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたスペーサ電極を有しており、スペーサ電極と立体交差する部分の前記電極の表面は陽極酸化されており、さらに別の成膜法で形成した層間絶縁膜で被覆されていることを特徴とする電子源アレイを用いた画像表示装置。
【請求項３】
電子源アレイと、蛍光面を有する画像表示装置において、該電子源アレイは、該電子源への給電線となる電極と、該電子源アレイの電子放出部や回路接続部以外を被覆する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたスペーサ電極を有しており、スペーサ電極と立体交差する部分の前記電極の表面は選択的に陽極酸化されており、さらに別の成膜法で形成した層間絶縁膜でいることを特徴とする電子源アレイを用いた画像表示装置。
【請求項４】
上記電極はアルミニウム、アルミニウム合金、タンタルなど陽極酸化膜が形成可能なバルブ金属であることを特徴とする請求項１乃至3記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記スペーサ電極はめっき膜であることを特徴とする請求項１乃至3記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原板上のパターンを投影光学系を介して可動のステージ上に載置した感光基板上に繰り返して投影露光する投影露光方法において、
原板と感光基板との該投影光学系の光軸方向の相対的位置を変化させて原板のパターンを該感光基板に投影露光し、該感光基板に形成したパターン像の結像状態と投影露光した際の斜入射フォーカス検出系の計測値を元に、前記投影光学系のフォーカス位置を各プロセス毎の最初に決定する第１工程と、
前記投影光学系のフォーカス状態が該第１工程と実質的に変化しない時間内において前記ステージを前記投影光学系の光軸方向に変化させて該ステージ上に設けたステージ基準マークからの光を該投影光学系を介して受光手段により受光し、該受光手段により得られる情報と斜入射フォーカス検出系の計測値に基づいて前記投影光学系に対する該ステージ基準マークのフォーカス位置を各プロセス毎の最初に検出する第２工程とを有し、
各プロセス毎に、そのプロセスの前記第１と第２工程とで得られるフォーカス位置の情報を用いて感光基板を前記投影光学系に対する原板の像面位置に合わせ、該原板上のパターンを該感光基板上に繰り返し投影露光する際、所定回数の投影露光の後、前記ステージを前記投影光学系の光軸方向に変化させて前記ステージ基準マークからの光を該投影光学系を介して前記受光手段により受光し、該受光手段と斜入射フォーカス検出系の計測値により得られる情報に基づいて前記投影光学系に対する該ステージ基準マークのフォーカス位置を検出する第３工程を有し、
各プロセス毎に、そのプロセスの前記第１と第２と第３工程とで得られるフォーカス位置の情報を用いて前記感光基板を前記投影光学系に対する原板の像面位置に合わせ、再び前記基板上のパターンを前記感光基板に露光することを特徴とする投影露光方法。
【請求項２】
前記第２工程では前記ステージ上に設けたステージ基準マークを前記投影光学系を１回だけ通過させて受光手段の受光素子面上に結像させることを特徴とする請求項１記載の投影露光方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の投影露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の投影露光方法は、原板上のパターンを投影光学系を介して可動のステージ上に載置した感光基板上に繰り返して投影露光する投影露光方法において、
原板と感光基板との該投影光学系の光軸方向の相対的位置を変化させて原板のパターンを該感光基板に投影露光し、該感光基板に形成したパターン像の結像状態と投影露光した際の斜入射フォーカス検出系の計測値を元に、前記投影光学系のフォーカス位置を各プロセス毎の最初に決定する第１工程と、
前記投影光学系のフォーカス状態が該第１工程と実質的に変化しない時間内において前記ステージを前記投影光学系の光軸方向に変化させて該ステージ上に設けたステージ基準マークからの光を該投影光学系を介して受光手段により受光し、該受光手段により得られる情報と斜入射フォーカス検出系の計測値に基づいて前記投影光学系に対する該ステージ基準マークのフォーカス位置を各プロセス毎の最初に検出する第２工程とを有し、
各プロセス毎に、そのプロセスの前記第１と第２工程とで得られるフォーカス位置の情報を用いて感光基板を前記投影光学系に対する原板の像面位置に合わせ、該原板上のパターンを該感光基板上に繰り返し投影露光する際、所定回数の投影露光の後、前記ステージを前記投影光学系の光軸方向に変化させて前記ステージ基準マークからの光を該投影光学系を介して前記受光手段により受光し、該受光手段と斜入射フォーカス検出系の計測値により得られる情報に基づいて前記投影光学系に対する該ステージ基準マークのフォーカス位置を検出する第３工程を有し、
各プロセス毎に、そのプロセスの前記第１と第２と第３工程とで得られるフォーカス位置の情報を用いて前記感光基板を前記投影光学系に対する原板の像面位置に合わせ、再び前記基板上のパターンを前記感光基板に露光することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記第２工程では前記ステージ上に設けたステージ基準マークを前記投影光学系を１回だけ通過させて受光手段の受光素子面上に結像させることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
請求項３の発明のデバイスの製造方法は、請求項１又は２記載の投影露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
この検出光学系１４により計測された基準平面ミラー１３の所定の基準面よりの位置ズレは、オートフォーカス制御系３２に伝達される。オートフォーカス制御系３２は、基準平面ミラー１３が固設されたｘｙｚステージ１１を駆動する処の駆動系３３にｚ方向への移動の指令を与える。又、後述する検出光学系２７によりＴＴＬでフォーカス位置を検知する時、オートフォーカス制御系３２は基準平面ミラー１３を所定の基準位置の近傍で投影レンズ９の光軸方向（ｚ方向）に上下に駆動を行う。また、露光の際のウエハ１２の位置制御（図１の基準平面ミラー１３の位置にウエハ１２が配置される）もオートフォーカス制御系３２により行っている。
ここで要素１０，１３、１４、３２等は斜入射オートフォーカス検出系の一要素を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々のＣＡＭワードが被検索データのエラー検出機能を持つ連想メモリであって、
各々の前記ＣＡＭワードは、被検索データを記憶するとともに、当該被検索データと検索キーデータとを比較してその比較結果を出力する、少なくとも１つのデータ記憶／比較部と、エラー検出用符号を記憶するエラー検出用符号記憶部と、エラー検出部とを備え、
前記データ記憶／比較部および前記エラー検出用符号記憶部は、それぞれ対応するスイッチを介して転送線に接続され、
前記エラー検出部は、前記スイッチを順次オンすることによって、前記転送線を介して順次入力される、前記データ記憶／比較部に記憶された被検索データおよび前記エラー検出用符号記憶部に記憶されたエラー検出用符号を用いて、前記データ記憶／比較部に記憶された被検索データの中にエラーが存在するかどうかを検出することを特徴とする連想メモリ。
【請求項２】
各々の前記ＣＡＭワードは、複数の前記データ記憶／比較部を含み、各々の前記データ記憶／比較部は、それぞれ対応するスイッチを介して前記転送線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の連想メモリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、各々のＣＡＭワードが被検索データのエラー検出機能を持つ連想メモリであって、
各々の前記ＣＡＭワードは、被検索データを記憶するとともに、当該被検索データと検索キーデータとを比較してその比較結果を出力する、少なくとも１つのデータ記憶／比較部と、エラー検出用符号を記憶するエラー検出用符号記憶部と、エラー検出部とを備え、
前記データ記憶／比較部および前記エラー検出用符号記憶部は、それぞれ対応するスイッチを介して転送線に接続され、
前記エラー検出部は、前記スイッチを順次オンすることによって、前記転送線を介して順次入力される、前記データ記憶／比較部に記憶された被検索データおよび前記エラー検出用符号記憶部に記憶されたエラー検出用符号を用いて、前記データ記憶／比較部に記憶された被検索データの中にエラーが存在するかどうかを検出することを特徴とする連想メモリを提供するものである。
ここで、各々の前記ＣＡＭワードは、複数の前記データ記憶／比較部を含み、各々の前記データ記憶／比較部は、それぞれ対応するスイッチを介して前記転送線に接続されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記録するディスク状媒体と、この媒体へ情報の記録及び／又はこの媒体から情報の再生を行うヘッドと、このヘッドを搭載したアクチュエータと、このアクチュエータを駆動するボイスコイルモータと、このボイスコイルモータのコイルを保持するコイルホルダと、前記ヘッドと授受する信号を伝達するフレキシブルプリント回路と、前記コイルホルダに形成されたスリットを備え、前記スリットは、その内部に、前記フレキシブルプリント回路が挿入されたとき、該回路の端部と、前記コイルのリード線端部とを圧着接続するばね部を有することを特徴とするディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載のディスク装置において、
前記スリットは前記コイルホルダの側面に形成されるディスク装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のディスク装置において、
前記コイルホルダは樹脂材料で成型され、前記コイルはこのコイルホルダにインサートモールドされるディスク装置。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか１項に記載のディスク装置において、
前記フレキシブルプリント回路の端部は補強板が貼り付けられた構造であるディスク装置。
【請求項５】
請求項４に記載のディスク装置において、
前記補強板は金属材料又は樹脂材料で構成されるディスク装置。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか１項に記載のディスク装置において、
前記ばね部は、さらにフレキシブルプリント回路の端部とグランド線の端部とを圧着接続するディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
同期型半導体記憶装置１０００は、さらに、データ授受のタイミングの基準となるデータストローブ信号ＤＱＳを入出力するデータストローブバッファ１２０と、クロックバッファ１０の出力に応じて内部クロック信号ＣＬＫＯを発生するディレイロックドループ（ＤＬＬ）回路１１０と、外部とメモリセルアレイ１００との間でデータの授受を行なう入出力バッファ１５０とを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
同期型半導体記憶装置内部の信号伝搬遅延のため、外部クロック信号ＣＬＫに応じて入出力バッファ１５０がデータ出力を行なったのでは外部クロック信号ＣＬＫに対してデータ出力タイミングが遅れてしまう。これを防止するため、ＤＬＬ回路１１０は、外部クロック信号ＣＬＫ、／ＣＬＫに基づいて、内部の信号伝搬遅延に相当する時間だけ位相の早い内部クロック信号ＣＬＫＯを生成して入出力バッファ１５０に供給する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
同期型半導体記憶装置１０００は、さらに、クロックバッファ１０の出力に同期して、アドレスバッファ２０、制御信号バッファ３０の出力を受ける制御回路４０と、制御回路４０によって制御され、データの記憶を行なうメモリセルアレイ１００と、モードレジスタ５０とを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004247017.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004247017.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  順次入力されるデジタルデータに対して誤り検出符号及び誤り訂正符号を付して符号化するデータ処理装置において、
前記デジタルデータを所定バイト数からなるブロック単位にまとめて誤り検出符号を算出する検出処理回路と、
前記誤り検出符号を含む前記デジタルデータの各ブロック毎に誤り訂正符号を算出する訂正処理回路と、
制御プログラムに従って各回路の動作を制御する制御回路と、
前記制御プログラムを記憶する第１の外部メモリからシリアルに読み出される制御プログラムの各データを受け取り、前記デジタルデータを前記誤り検出符号及び前記誤り訂正符号と共に格納する第２の外部メモリに対してパラレルに供給するシリアル／パラレル変換回路と、を備え、
データ処理装置の前記制御プログラムの各データを前記第１の外部メモリから読み出して前記第２の外部メモリに供給することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】  順次入力されるデジタルデータに対して誤り検出符号及び誤り訂正符号を付して符号化するデータ処理装置において、
前記デジタルデータを所定バイト数からなるブロック単位にまとめて誤り検出符号を算出する検出処理回路と、
前記誤り検出符号を含む前記デジタルデータの各ブロック毎に誤り訂正符号を算出する訂正処理回路と、
制御プログラムに従って各回路の動作を制御する制御回路と、
前記制御プログラムを記憶する第１の外部メモリからシリアルに読み出される制御プログラムの各データを受け取り、第２の外部メモリに対してパラレルに供給するシリアル／パラレル変換回路と、
前記デジタルデータを少なくとも２ブロック分記憶可能な容量を有する内部メモリと、を備え、
データ処理装置の前記制御プログラムの各データを前記第１の外部メモリから読み出して前記第２の外部メモリに供給すると共に、
前記内部メモリは、前記デジタルデータ、前記誤り訂正符号及び前記誤り検出符号を、前記第２の外部メモリと分担して格納することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項３】  請求項１又は２に記載のデータ処理装置に、更に
前記第１の外部メモリ及び前記第２の外部メモリを備えていることを特徴とするデータ処理システム。
【請求項４】  所定バイト数からなるブロック単位で誤り訂正符号及び誤り検出符号が付されたデジタルデータに対して誤り訂正処理及び誤り検出処理を施すデータ処理装置において、
前記デジタルデータに対して誤り訂正処理を施す訂正処理回路と、
誤り訂正処理の施された前記デジタルデータに対して誤り検出処理を施す検出処理回路と、
制御プログラムに従って各回路の動作を制御する制御回路と、
前記制御プログラムを記憶する第１の外部メモリからシリアルに読み出される制御プログラムの各データを受け取り、前記デジタルデータを前記誤り訂正処理の施されたデータ及び前記誤り検出処理の施されたデータと共に格納する第２の外部メモリに対してパラレルに供給するシリアル／パラレル変換回路と、を備え、
データ処理装置の前記制御プログラムの各データを前記第１の外部メモリから読み出して前記第２の外部メモリに供給することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項５】  所定バイト数からなるブロック単位で誤り訂正符号及び誤り検出符号が付されたデジタルデータに対して誤り訂正処理及び誤り検出処理を施すデータ処理装置において、
前記デジタルデータに対して誤り訂正処理を施す訂正処理回路と、
誤り訂正処理の施された前記デジタルデータに対して誤り検出処理を施す検出処理回路と、
制御プログラムに従って各回路の動作を制御する制御回路と、
前記制御プログラムを記憶する第１の外部メモリからシリアルに読み出される制御プログラムの各データを受け取り、第２の外部メモリに対してパラレルに供給するシリアル／パラレル変換回路と、
前記デジタルデータを少なくとも２ブロック分記憶可能な容量を有する内部メモリと、を備え、
データ処理装置の前記制御プログラムの各データを前記第１の外部メモリから読み出して前記第２の外部メモリに供給すると共に、
前記内部メモリは、前記デジタルデータ、前記誤り訂正処理の施されたデータ及び前記誤り検出処理の施されたデータを、前記第２の外部メモリと分担して格納することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項６】  請求項４又は５に記載のデータ処理装置に、更に
前記第１の外部メモリ及び前記第２の外部メモリを備えていることを特徴とするデータ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
第１の極性の電荷キャリアを注入するための第１電荷キャリア注入層を成膜する工程と、
前記第１電荷キャリア注入層から前記第１の極性の電荷キャリアを受け取る第１成分と、第２電荷キャリア注入層から反対極性の電荷キャリアを受け取る第２成分と、前記第１成分および前記第２成分からの電荷キャリアが結合することにより光を発生する第３成分である有機発光成分とを含有し、前記第３成分が前記第１成分および前記第２成分の少なくともいずれか一方とタイプＩＩ半導体界面を形成する発光層を前記第１電荷キャリア注入層上に溶液から成膜する工程と、
前記反対極性の電荷キャリアを注入するための前記第２電荷キャリア注入層を前記発光層の上に成膜する工程と、
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法において、前記第３成分が前記第１成分および／または前記第２成分のポリマー鎖のペンダント基として供給されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の製造方法において、前記第１成分および／または前記第２成分が前記第３成分のポリマー鎖の１以上のペンダント基として供給されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第１成分、前記第２成分および第３成分の全てが他の前記第１成分、前記第２成分および前記第３成分とタイプＩＩ半導体界面を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第３成分の光学ギャップが１．８ｅＶより大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第１成分は、前記第１電荷キャリア注入層から正電荷キャリアを受け取ることが可能でありかつアミン基を含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第２成分がＦ８であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第１成分は、前記第２成分および前記第３成分の各ＬＵＭＯエネルギ準位の間にＬＵＭＯエネルギ準位を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第３成分の光学ギャップが前記第１成分および前記第２成分の光学ギャップに比して小さいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７または９のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第３成分がＦ８ＢＴまたは可溶性ＰＰＶであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第１成分、前記第２成分および前記第３成分の少なくとも１つが有機材料であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法において、前記ポリマーが共役ポリマーであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第１電荷キャリア注入層は、陽極層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の製造方法において、前記発光層と前記陽極層との間に位置する正電荷キャリア輸送層を設けることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の製造方法において、前記正電荷キャリア輸送層が前記発光層とタイプＩＩ半導体界面を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の製造方法において、前記陽極層と前記発光層との間にＰＥＤＯＴ層が設けられることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の製造方法において、前記ＰＥＤＯＴ層がＰＳＳを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の製造方法において、前記第２電荷キャリア注入層が陰極層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の製造方法において、発光層と陰極層との間に位置する負電荷キャリア輸送層を設けることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の製造方法において、前記負電荷キャリア輸送層が前記発光層とタイプＩＩ半導体界面を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の製造方法において、前記陰極層が３．５ｅＶ未満の仕事関数を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２２】
請求項１３〜２１のいずれか１項に記載の製造方法において、前記電極層、または前記電極層中の少なくとも一方が光透過性であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２３】
請求項１記載の製造方法において、前記発光層中の１以上の前記成分が、溶液からの成膜後に少なくとも部分的に相分離することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２４】
請求項２１記載の製造方法において、前記発光層中の前記成分の１以上の濃度が前記発光層の表面に近づくにつれて増加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２５】
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
第１の極性の電荷キャリアを注入するための第１電荷キャリア注入層を成膜する工程と、
前記第１電荷キャリア注入層から前記第１の極性の電荷キャリアを受け取る第１成分と、第２電荷キャリア注入層から反対極性の電荷キャリアを受け取る第２成分と、前記第１成分および前記第２成分からの電荷キャリアが結合することにより光を発生する第３成分である有機発光成分とを含有し、１以上の前記成分が溶液からの成膜後に少なくとも部分的に相分離する発光層を前記第１電荷キャリア注入層上に溶液から成膜する工程と、
前記反対極性の電荷キャリアを注入するための前記第２電荷キャリア注入層を前記発光層の上に成膜する工程と、
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
粉末電極主材および粉末導電材を含む粉末電極材料、フッ化ビニリデン系重合体および溶剤からなる電極合剤において、せん断発熱により電極合剤の温度上昇が認められる固形分濃度で混練した後、残りの液状体を投入し再混練することにより形成された電極合剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明を解決するための手段】
本発明の電極合剤は、上述の目的を達成するために開発されたものであり、より詳しくは、粉末電極主材および粉末導電材を含む粉末電極材料、フッ化ビニリデン系重合体および溶剤からなり、せん断発熱により電極合剤の温度上昇が認められる固形分濃度で混練した後、残りの液状体を投入し再混練することにより形成されたことを特徴とするものである。さらには、必要に応じせん断発熱により電極合剤の温度上昇が認められる固形分濃度で混練する際、混練物の温度を３０〜８０℃に保ち混練を行うことを特徴とする物である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明者らは、上述の知見に基づき、更に研究した結果、電極合剤製造過程の高固形分濃度での混練においては、高いせん断応力が加わることからくる発熱が起ることを見出し、この発熱を利用して高固形分濃度混練時の合剤温度を高い温度に保つことにより、極性溶媒に対するフッ化ビニリデン系重合体の溶解性を高めることが可能であり、これによって高重合度のフッ化ビニリデン系重合体をバインダーに用いた際にも、ゲル化を抑制出来、バインダーのゲル化による生産性の低下を防止し得ることを見出して、本発明に到達した物である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、粉末電極主材および粉末導電剤を含む粉末電極材料、フッ化ビニリデン系重合体および溶剤からなる非水系電気化学素子の電極形成用合剤（電極合剤）を調整するにあたり、せん断発熱により電極合剤の温度上昇が認められる固形分濃度で混練した後、残りの液状体を投入し再混練することにより、合剤中の粉末電極材料およびフッ化ビニリデン系重合体の分散が均一になる。さらには、せん断発熱により電極合剤の温度上昇が認められる固形分濃度で混練する際、混練物の温度を３０〜８０℃に保ち混練を行うことによりある程度高分子化したフッ化ビニリデン系重合体を高濃度で含むスラリーを用いて電極を形成するに際しても、合剤中のフッ化ビニリデン系樹脂のゲル化を効果的に防止し、高性能の非水系電気化学素子用電極を高い生産効率で製造することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置を用いてマスクのパターンが露光される被露光体であって、
前記マスクと前記被露光体とを位置合わせするための観察光学系と、前記露光装置で露光された前記被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置の両者により観察可能な位置合わせ用マークを有することを特徴とする被露光体。
【請求項２】
マスクに露光用照明光を照射する照明光学系と、前記露光用照明光を被露光体上に投影する投影光学系と、露光装置に設置され前記被露光体上にある位置合わせ用マークを観察する観察光学系と、前記露光装置で露光された被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置とにおいて、前記観察光学系でも前記合わせずれ計測装置でも観察及び計測が可能である位置合わせ用マークを有する被露光体。
【請求項３】
前記位置合わせ用マークは、前記マスクと前記被露光体の位置を合わせる指標となり、且つ、前記合わせずれ計測装置にも用いられる基準マークと、
前記基準マークとの相対位置関係を測定するための合わせずれ用マークとからなることを特徴とする請求項１記載の位置合わせ用マークを有する被露光体。
【請求項４】
前記位置合わせ用マークは、前記基準マークが前記露光装置の位置合わせに使用され、前記合わせずれ計測装置では前記基準マーク及び前記合わせずれマークの対向する箇所が用いられる事を特徴とした請求項１記載の位置合わせ用マークを有する被露光体。
【請求項５】
前記位置合わせ用マークは、前記基準マークの一部が前記露光装置の位置合わせに使用され、且つ合わせずれ計測装置でも前記一部が使用される事を特徴とした請求項１記載の位置合わせ用マークを有する被露光体。
【請求項６】
マスクに形成された所望のパターンをウェハに転写する際に、前記ウェハに形成された位置合わせ用マークを用いて前記マスクとウェハとの位置を合わせる位置合わせ方法であって、
前記位置合わせ用マークを用いて所定のステージ位置にウェハを配置する工程と、
前記ウェハの所定箇所に前記マスクを介してレジスト像マークを形成する工程と、
前記位置合わせ用マークと前記レジスト像マークとの相対位置関係を測定する工程と、
前記相対位置関係が許容される範囲内であるかどうか判断する工程とを有することを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項７】
マスクに形成された所望のパターンをウェハに露光する露光装置であって、
前記ウェハに形成された位置合わせ用マークを観察する観察光学系を有し、
前記位置合わせ用マークの近傍に、前記マスクを介してレジスト像マークを形成することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
前記観察光学系により前記位置合わせ用マークの位置を観察し、前記位置合わせ用マークが観察結果に基づいて前記マスクと前記ウェハとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記レジスト像マークは、前記位置合わせ用マークの内側にあることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項１０】
前記位置合わせ用マークは、前記レジスト像マークの内側にあることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項１１】
前記位置合わせ用マークと前記レジスト像マークは少なくとも一部が重なっていることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の被露光体とマスクとの位置合わせを行い、前記被露光体を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項６記載の位置合わせ方法を用いて前記被露光体と前記マスクとの位置合わせを行い、前記被露光体を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項７乃至１３のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、
前記露光した被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月24日(2006.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】実装用基板及びその製造方法、プリント配線母板加工用金型、並びに、プリント回路板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
プリント配線母板から不要部分を順次打ち抜くことによって形成され、その両端に第１直線部及び第２直線部を有し、かつ前記第１直線部及び第２直線部がそれぞれ互いに一直線上に並ぶように配置された１又は２以上のプリント回路板部と、
その一端が前記第１直線部を介して前記各プリント回路板部と一体化し、かつその他端に、前記プリント配線母板の搬送方向に対して平行な１又は２以上の縦スリット素片を、これらが互いに連通するように順次打ち抜くことによって形成される連続した第３直線部を有する第１枠部と、
その一端が前記第２直線部を介して前記各プリント回路板部と一体化している第２枠部と、
前記第１直線部上又はその近傍であって前記第１直線部と平行な線上に沿って形成された第１Ｖカットと、
前記第２直線部上又はその近傍であって前記第２直線部と平行な線上に沿って形成された第２Ｖカットとを備えた実装用基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１から５までのいずれかに記載の実装用基板から前記第１枠部及び前記第２枠部を分離するプリント回路板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項６から９までのいずれかに記載の方法により得られる実装用基板から前記第１枠部及び前記第２枠部を分離するプリント回路板の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装用基板及びその製造方法、プリント配線母板加工用金型、並びに、プリント回路板の製造方法に関し、さらに詳しくは、プリント回路板を保持したまま、プリント回路板への電子部品の自動実装、ハンダ付け等を行うための実装用基板及びその製造方法、このような実装用基板を製造するために用いられるプリント配線母板加工用金型、並びに、このような実装用基板から得られるプリント回路板の製造方法に関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明が解決しようとする課題は、極めて複雑な形状を有する異形のプリント回路板であっても適用することができる実装用基板及びその製造方法、プリント配線母板加工用金型、並びに、プリント回路板の製造方法を提供することにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明が解決しようとする課題は、反りがなく、プリント回路板の取り外しが容易であり、自動実装やハンダ付けの際にプリント回路板が脱落することのない実装用基板及びその製造方法、プリント配線母板加工用金型、並びに、プリント回路板の製造方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板をチャンバ内に容れてプラズマ化学的気相成長法により前記半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成した後に前記半導体基板を前記チャンバから取り出す工程と、
前記半導体基板を取り出した後、前記チャンバ内にクリーニング用のガスを供給して前記チャンバ内をクリーニングする工程と、
前記チャンバ内をクリーニングした後、該チャンバ内を絶縁薄膜で被覆する工程と、
前記絶縁薄膜で被覆した後、前記チャンバへのN2の供給と前記チャンバの真空引きとを１サイクルとする不活性ガスパージを複数サイクル行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記不活性ガスパージにおいて、水分不添加のN2を使用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜として層間絶縁膜又は反射防止絶縁膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記チャンバとして、前記半導体基板を加熱する抵抗加熱型のヒータを備えたチャンバを使用することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
プラズマ化学的気相成長法により絶縁膜の成膜が行われるチャンバ内をクリーニング用のガスでクリーニングする工程と、
前記チャンバ内をクリーニングした後、該チャンバ内を絶縁薄膜で被覆する工程と、
前記絶縁薄膜で被覆した後、前記チャンバへのN2の供給と前記チャンバの真空引きとを１サイクルとする不活性ガスパージを複数サイクル行う工程と、
を有することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、半導体基板をチャンバ内に容れてプラズマ化学的気相成長法により前記半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成した後に前記半導体基板を前記チャンバから取り出す工程と、前記半導体基板を取り出した後、前記チャンバ内にクリーニング用のガスを供給して前記チャンバ内をクリーニングする工程と、前記チャンバ内をクリーニングした後、該チャンバ内を絶縁薄膜で被覆する工程と、前記絶縁薄膜で被覆した後、前記チャンバへのN2の供給と前記チャンバの真空引きとを１サイクルとする不活性ガスパージを複数サイクル行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
又は、上記した課題は、プラズマ化学的気相成長法により絶縁膜の成膜が行われるチャンバ内をクリーニング用のガスでクリーニングする工程と、前記チャンバ内をクリーニングした後、該チャンバ内を絶縁薄膜で被覆する工程と、前記絶縁薄膜で被覆した後、前記チャンバへのN2の供給と前記チャンバの真空引きとを１サイクルとする不活性ガスパージを複数サイクル行う工程と、を有することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法によって解決する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、この不活性ガスパージにおいて水分不添加のN2を使用するので、チャンバ内に水分が残留せず、チャンバ内において次に成膜される絶縁膜の屈折率が水分により変動されるのが防止される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  埋め込み絶縁層を有する基板の製造方法であって、
半導体領域を含む第１基板の前記半導体領域の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層を通して前記半導体領域中にイオンを注入してイオン注入層を形成する注入工程と、
前記注入工程の後に前記絶縁層をエッチングによって薄化する絶縁層薄化工程と、
前記絶縁層薄化工程の後に前記絶縁層を挟んで前記第１基板に第２基板を結合させて結合基板を作製する結合工程と、
前記結合基板を前記イオン注入層を利用して分割し、前記第２基板の上に前記絶縁層を有しその上に前記半導体領域の一部である半導体層を有する基板を得る分割工程と、
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】  分割後の第２基板の表面に残留するイオン注入層を除去する除去工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】  前記除去工程は、分割後の第２基板の表面をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】  前記除去工程は、分割後の第２基板の表面を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項５】  分割後の第２基板の前記半導体層を薄化する半導体層薄化工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項６】  前記半導体層薄化工程は、前記半導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】  前記半導体層薄化工程は、前記半導体層を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項８】  前記絶縁層形成工程では、エピタキシャル層を表面に有する第１基板の上に前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
高圧噴射流体システムは効果的であることが知られているが、大まかに言って塊の組織（bulk tissue）を除去するのに限定して用いられている。より詳しく言うと、流体導入チューブを回収チューブに対して、流れている高圧噴射流体上に位置決めすることは、噴射流体の流路内の２つのチューブの間に配置された組織のみが除去されるようにしている。流体回収チューブは、使用者が凹状の組織に、平坦な組織に、または、僅かに凸状の組織にでさえも、噴射流体を向けることを妨げている。したがって、組織の精密な彫刻および浸食（erosion）を行うことは困難である。
【特許文献１】米国特許第５，９４４，６８６号
【特許文献２】米国特許第６，３７５，６３５号
【特許文献３】米国特許第６，６６９，７１０号
【特許文献４】米国特許第６，５１１，４９３号
【特許文献５】米国特許第５，８７１，４６２号
【特許文献６】米国特許第４，６９０，６７２号
【特許文献７】米国特許出願公開第２００２／１７７８０２号
【特許文献８】欧州特許第１，４３３，４２３号
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アシディチオバスルス・フェロオキシダンス（Acidithiobacillus ferrooxidans）に属し、DSMZ（Deutsche Sammlung von Mikroorganismen und Zellkulturen GmbH, Braunschweig、ドイツ共和国）にて登録番号DSM16786にて寄託され、鉄、元素硫黄および硫化鉱物または鉱石のバイオリーチングの結果生じた化合物を酸化して化学合成無機栄養的に生育するグラム陰性細菌で、図１に記載された16S rDNA配列をもち、約15Kbの自己複製配列を有する染色体外を有し、かつ硫化金属鉱石の優れたリーチング能力を有する、単離された細菌Wenelen DSM 16786株。
【請求項２】
鉱物種として黄銅鉱（カルコパイライト）、斑銅鉱（ボルナイト）、銅藍（コベライト）および、その他銅含有鉱物種を含む混合硫化鉱石からの優れた銅リーチング活性を有する、請求項１の単離細菌。
【請求項３】
請求項１に記載のWenelen  DSMZ 16786株を単独または混合微生物として含むことを特徴とする、硫化金属鉱石のリーチングに用いられる細菌接種物（イノクラム）。
【請求項４】
請求項１に記載のWenelen  DSMZ 16786株を含む細菌リーチング溶液をｐH１．３から４の条件で接種し、方法における温度が１０から６０℃であることを特徴とする硫化金属鉱石の鉱物リーチング方法。
【請求項５】
請求項４に記載の鉱物リーチング方法において、鉱物にWenelen  DSMZ 16786株を含む細菌リーチング溶液を好ましくはｐH１．６から２．８の条件で接種し、方法における温度が好ましくは２０から５０℃である鉱物リーチング方法。
【請求項６】
前記金属鉱石または精鉱が他鉱物種の中で、黄銅鉱（カルコパイライト）を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記鉱物がバット、攪拌槽およびリアクター、ヒープ、ダンプ、鉱さいダムまたは、原位置にてリーチングされることを特徴とする、請求項４から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載のWenelen  DSMZ 16786株を混合した溶媒抽出工程から再生された溶液を、前記鉱物に接種し、好ましくはｐH２から３、温度が２０から３０℃にて操業されることを特徴とする鉱物リーチング方法。
【請求項９】
鉱石および精鉱がその他化合物とともに黄銅鉱（カルコパイライト）を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記鉱物がバット、攪拌槽およびリアクター、ヒープ、ダンプ、鉱さいダムまたは、原位置にてリーチングされることを特徴とする、請求項８または９に記載の方法。