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【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原版のパターンを照明する照明光学系と、前記パターンからの光を基板上に導く投影光学系とを有し、前記基板を露光する露光装置であって、
前記露光装置が少なくとも１つの光学部材と、前記少なくとも１つの光学部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に力を加える加力手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】 前記加力手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】 前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記加力手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】 前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の自重方向の変形に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記加力手段を制御することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】 前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする請求項３又は４記載の露光装置。
【請求項６】 前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に、前記少なくとも１つの光学部材の位置を調整することが可能な位置調整手段を有することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の露光装置。
【請求項７】  前記位置調整手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項６又は７記載の露光装置。
【請求項９】  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の位置に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記位置調整手段を制御することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする請求項８又は９記載の露光装置。
【請求項１１】  原版のパターンを照明し、前記パターンからの光を基板上に導いて前記基板を露光する露光装置であって、
前記露光装置が少なくとも１つの光学部材と、前記少なくとも１つの光学部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に支持する支持手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】  前記支持手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１１又は１２記載の露光装置。
【請求項１４】  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の自重方向の変形に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記支持手段を制御することを特徴とする請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする請求項１３又は１４記載の露光装置。
【請求項１６】  前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に、前記少なくとも１つの光学部材の位置を調整することが可能な位置調整手段を有することを特徴とする請求項１１乃至１５いずれかに記載の露光装置。
【請求項１７】  前記位置調整手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする請求項１６記載の露光装置。
【請求項１８】  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１６又は１７記載の露光装置。
【請求項１９】  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の位置に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記位置調整手段を制御することを特徴とする請求項１８記載の露光装置。
【請求項２０】  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする請求項１８又は１９記載の露光装置。
【請求項２１】  前記少なくとも１つの光学部材が、該露光装置で用いる光を反射する反射部材であることを特徴とする請求項１乃至２０いずれかに記載の露光装置。
【請求項２２】  請求項１乃至２１いずれかに記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光で原版のパターンを照明する照明光学系と、前記原版のパターンからの光を基板に導く投影光学系とを有する露光装置であって、
前記光源から前記基板に至る光を反射する反射部材に対して、少なくとも１つ以上の方向に力及び／又は変位を与える少なくとも１つの第１駆動手段と、少なくとも１つ以上の方向に力及び／又は変位を与える少なくとも１つの第２駆動手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】 光源からの光で原版のパターンを照明する照明光学系と、前記原版のパターンからの光を基板に導く投影光学系とを有する露光装置であって、
鏡筒と、
支持部材と、
前記光源から前記基板に至る光を反射する反射部材と、
前記鏡筒と前記支持部材とに連結され、少なくとも１つ以上の方向に力及び／又は変位を与えることが可能な少なくとも１つの第１駆動手段と、
前記支持部材と前記反射部材とに連結され、少なくとも１つ以上の方向に力及び／又は変位を与えることが可能な少なくとも１つの第２駆動手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】 前記第２駆動手段の変位量の最小単位は、前記第１駆動手段の変位量の最小単位よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】 前記第２駆動手段の制御精度は、前記第１駆動手段の制御精度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の露光装置。
【請求項５】 前記第２駆動手段の制御周波数は、前記第１駆動手段の制御周波数よりも高いことを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の露光装置。
【請求項６】 前記第１駆動手段に基く変位量を計測する第１計測手段と、前記第２駆動手段に基く変位量を計測する第２計測手段とを有することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の露光装置。
【請求項７】 前記鏡筒と前記支持部材との相対的な位置を計測する第１計測手段と、前記鏡筒と前記支持部材第２駆動手段に基く変位量を計測する第２計測手段とを有することを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の露光装置。
【請求項８】 前記露光装置が、前記原版と前記基板とを相対的に走査しながら露光を行う走査型露光装置であることを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の露光装置。
【請求項９】 前記光源から前記基板に至る光の光路が、実質的に真空であることを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】 前記光源からの光の波長が１３〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】 前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段を有し、該収差計測手段の計測結果に基づいて、前記反射部材を駆動することを特徴とする請求項１乃至１０いずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】 前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段を有し、該波面収差計測手段の計測値に基いて前記投影光学系が有する反射部材に対する補正駆動量を算出制御することを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】 前記投影光学系は複数の反射部材を有しており、前記補正駆動量が、前記複数の反射部材に対して選択的に与えられることを特徴とする請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】 前記基板を載置する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は、前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする請求項１１乃至１３いずれかに記載の露光装置。
【請求項１５】 前記原版を載置する原版駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は、前記原版駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする請求項１１乃至１４いずれかに記載の露光装置。
【請求項１６】 前記第１駆動手段及び前記第２駆動手段による前記反射部材の変位量を計測する第３計測手段と、前記第２駆動手段による前記反射部材の変位量を計測する第４計測手段とを有し、
該第３計測手段が該反射ミラーと前記鏡筒との位置変位を計測し、前記第４計測手段が前記支持部材と前記鏡筒との位置変位を計測することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項１７】 請求項１乃至１６いずれかに記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２に詳細に示すように、短繊維2bは起毛状態となるように接着剤層2aにより植毛されている。接着剤層2aの厚さは100〜500μmとするのが好ましい。接着剤層2aの厚さが100μm未満であると、接着する短繊維2bとの接着強度が弱く短繊維2bが剥がれやすくなり、500μm超であると接着強度は増すものの短繊維2bが接着剤層2a内に埋まってしまって起毛状態にならず、短繊維2bによる電磁波の反射抑制効果が得られない他、コスト高となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
樹脂成形体１の原料を成形型に充填する。樹脂成形体１の原料としては、電磁波吸収に求められる物性を具備するものであれば特に限定されないが、成形体１の成形性、生産性、製造コスト及び電波吸収体の軽量化を考慮すると、カーボンブラック等の導電性材料を添加した樹脂が好ましい。成形体１用の樹脂としては、ポリオレフィン、ポリスチレン又はオレフィンとスチレンとの共重合体が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前述の例の他、非導電性の樹脂成形体１に導電性の短繊維2bを植毛しても良い。非導電性の成形体１用の樹脂としては、導電性材料を含有しない以外、前述の例と同じでよい。樹脂成形体１が非導電性樹脂からなる場合、発泡倍率の大きな発泡樹脂を原料とすることができるため、電波吸収体の軽量化及び原料コストの削減が可能となる。また電波吸収体表面で効率的に電磁波を散乱し、遮断することができるため、少量の導電性材料で良好な電磁波吸収特性を得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
電波吸収体の形状としては、ピラミッド形状の突起を有する板状体に限定されるものではなく、ウェッジ状、波形の突起を有する板状体や、突起の無い板状体であっても良い。突起の無い板状の電波吸収体の場合、電磁波が電波吸収体内部に入るに従って誘電損失が大きくなるようなインピーダンスを有する多層構造とするのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
実施例１〜２により得られた電波吸収体の電磁波吸収量を測定した。結果を表１に示す。また実施例１で作製した電波吸収体のピラミッド部1aの先端強度を測定した。結果を表２に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
比較例１
短繊維2bを植毛しない以外実施例１と同様にして作製した発泡ピラミッド成形体の電磁波吸収量を測定した。結果を表１に示す。また実施例１で作製した樹脂成形体１のピラミッド部1aの先端強度を測定した。結果を表２に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【表１】
2004319603.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも表面にイオン性基を有する微粒子を含有し、微粒子が有機ポリマーまたは無機化合物を主成分とすることを特徴とする固体電解質。
【請求項２】  イオン性基が少なくともスルホン酸基、スルホンイミド基、硫酸基、ホスホン酸基、リン酸基およびカルボン酸基から選ばれた１種あるいは２種以上であることを特徴とする請求項１記載の固体電解質。
【請求項３】  イオン性基がスルホン酸基またはスルホンイミド基であることを特徴とする請求項１記載の固体電解質。
【請求項４】  微粒子の表面と内部のイオン性基濃度比（表面：内部）が３：１以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体電解質。
【請求項５】  少なくとも一次粒子の数平均粒径が１μｍ以下の微粒子を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体電解質。
【請求項６】  請求項１〜５いずれかに記載の固体電解質からなることを特徴とする電解質膜。
【請求項７】  請求項６記載の電解質を用いたことを特徴とする燃料電池。
【請求項８】  炭素数１〜３のアルコール、ジメチルエーテルまたはこれらと水の混合物を燃料とする直接型燃料電池であることを特徴とする請求項７に記載の燃料電池。
【請求項９】  請求項７または８記載の燃料電池を用いてなる移動体電源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を達成するために、本発明は下記の構成を有する。すなわち、本発明の固体電解質は、少なくとも表面にイオン性基を有する微粒子を含有し、微粒子が有機ポリマーまたは無機化合物を主成分とすることを特徴とするもので、次の好ましい態様を含んでいる。
（１）イオン性基が、少なくともスルホン酸基、スルホンイミド基、硫酸基、ホスホン酸基、リン酸基およびカルボン酸基から選ばれる１種あるいは２種以上であること。
（２）イオン性基がスルホン酸基またはスルホンイミド基であること。
（３）微粒子の表面と内部のイオン性基濃度比が３：１以上であること。
（４）少なくとも一次粒子の数平均粒径が１μｍ以下の微粒子を含むこと。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の固体電解質は、少なくとも表面にイオン性基を有する微粒子を含有し、微粒子が有機ポリマーまたは無機化合物を主成分とすることを特徴とするものである。ここで、イオン性基を有する微粒子とは、微粒子表面にイオン性基が化学的に結合したものである。イオン性基を導入することにより高いイオン伝導性を得ることが可能である。また、本発明の固体電解質を電解質膜として用いる場合には、当該電解質膜中に微粒子が含まれることにより、アルコール、ジメチルエーテルまたはこれらと水の混合物による膨潤が抑制されて燃料クロスオーバーが低減し、膜の強度低下も抑えられるという効果を奏するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の固体電解質に含まれる微粒子は、有機ポリマーあるいは無機化合物であり、イオン性基を有することが必要である。イオン性基を有しない場合、高イオン伝導性を得ることが困難になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の固体電解質に含まれる微粒子の構造は、ＭＣＯ（メタノールクロスオーバー）低減の点からは、微粒子内部にはイオン性基をなるべく有さないことが好ましい。微粒子の表面と内部のイオン性基濃度比（表面：内部）は３：１以上が好ましく、５：１以上がより好ましく、１０：１以上が最も好ましい。このような微粒子を用いれば、高イオン伝導性と低ＭＣＯの両立が可能となる。ここで微粒子の表面とは、一次粒子半径において外側から５％以内の層を指し、内部とは一次粒子半径の中央５％以内と定義する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の固体電解質に含まれる微粒子は、有機ポリマーまたは無機化合物を主成分とする微粒子が好適である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
有機ポリマー微粒子の場合、モノマーを有機溶媒などの均一溶液中に混合し、重合しても良いし、モノマーを含む相と水相からなる不均一系で重合してもよい。この際、モノマー相はモノマー単独であってもよいし、反応速度を制御する目的で適切な溶媒を添加してもよい。また、重合開始剤等の触媒やその他添加剤が含まれていてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の固体電解質を構成する微粒子は、上記した有機ポリマーまたは無機化合物にイオン性基を導入し、表面にイオン性基を有する微粒子である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
有機ポリマー微粒子にイオン性基としてスルホン酸基を導入する方法を例示すると、前記有機ポリマーをクロロホルムなどの溶媒中でクロロスルホン酸のようなスルホン化剤と反応させたり、濃硫酸や発煙硫酸中で反応させることによりスルホン基を導入することができる。スルホン化剤は、有機ポリマーをスルホン化するものであれば特に制限はない。この方法で有機ポリマーをスルホン化する場合には、スルホン化の度合いはスルホン化剤の使用量、反応温度および反応時間により、容易に制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  両側縁部がガイドレールでガイドされて実装機に搬送されるプリント基板の前記側縁部近傍に設けられた部品実装時の基準孔に位置合わせして上記プリント基板に実装されるアース端子であって、
一側に前記プリント基板のハンダ付け部に接続される接続部を形成した主体部と、
この主体部の上記接続部を避けた部位に該主体部の他側を開口して設けられて前記基準孔の少なくとも半分を囲繞する略半円形状の切欠とを具備し、
前記略半円形状の切欠を囲む前記主体部の他側部は、前記切欠が位置合わせされる前記基準孔の半分の位置より僅かに延出して前記基準孔に装着される取り付けねじの受け部をなすことを特徴とするアース端子。
【請求項２】  前記略半円形状の切欠は、前記基準孔と略同径をなす円孔を横切るラインにて前記主体部の他側部を直線状に切り落として上記円孔を開口した形状を有する請求項１に記載のアース端子。
【請求項３】  前記接続部は、前記主体部を面方向に折曲形成した伸縮部を介して前記主体部の端部に設けられるものである請求項１に記載のアース端子。
【請求項４】  前記主体部は、前記切欠きと前記接続部との間に、実装機による吸着領域を形成したものである請求項１に記載のアース端子。
【請求項５】  前記接続部は、溝により区画されて前記主体部の中心線に対して対称に複数個並べて配置される請求項１に記載のアース端子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図１２においてプリント基板２の実装面積を更に広くするためにプリント基板２の基準孔２ｂを筐体への取付孔と兼用させる場合、図１１に示す従来のアース端子１は、円形の孔１ｃを囲むねじ締め部１ｂの形状が大きくなり、しかも基準孔２ｂが側縁部２ａの近傍に設けられているためにプリント基板２への実装機による搭載ができない側縁部２ａの領域（デッドスペース）に掛かってしまい、搭載が不可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るアース端子は、両側縁部がガイドレールでガイドされて実装機に搬送されるプリント基板の前記側縁部近傍に設けられた部品実装時の基準孔に位置合わせして上記プリント基板に実装されるものであって、一側に前記プリント基板のハンダ付け部に接続される接続部を形成した主体部と、この主体部の上記接続部を避けた部位に該主体部の他側を開口して設けられて前記基準孔の少なくとも半分を囲繞する略半円形状の切欠とを具備し、前記略半円形状の切欠を囲む前記主体部の他側部は、前記切欠が位置合わせされる前記基準孔の半分の位置より僅かに延出して前記基準孔に装着される取り付けねじの受け部をなすことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成のアース端子は、前記切欠をプリント基板に設けられた基準孔に合致させ、且つ前記接続部を上記プリント基板のハンダ付け部に載置して該プリント基板に実装される。この際、ねじの受け部をなす前記切欠の周縁部が前記基準孔の周縁部の少なくとも半分を囲繞するだけであり、通常、前記基準孔は前記ガイドレールにより覆われることのない位置に設けられるので、前記ガイドレールに干渉することなくアース端子を実装することが可能となる。また前記接続部は、前記主体部を面方向に折曲形成した伸縮部を介して前記主体部の端部に設けられるので、アース端子の実装位置にずれがあっても、これに起因するストレスを吸収することができる。更には前記主体部の前記切欠きと前記接続部との間に、実装機による吸着領域が形成されているので、実装機による自動実装を容易に行い得る。また前記接続部を、溝により区画して前記主体部の中心線に対して対称に複数個並べて配置しているので、プリント基板への半田付けを安定に、しかも強固に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
評価方法
（１）磁性層の厚みの測定
テープ状磁気記録媒体を長手方向に約０．１μｍの厚みにダイヤモンドカッターで切り出し、透過型電子顕微鏡を用いて倍率３万倍で観察し、その写真撮影を行った。写真のプリントサイズはＡ４版であった。得られた写真における磁性層、非磁性層の強磁性粉末や非磁性粉末の形状差に着目して磁性層表面、磁性層／非磁性層界面に線を引き、Ｚｅｉｓｓ社製画像処理装置ＪＢＡＳ２で測定した。結果を表２に示す。
（２）ポリウレタン樹脂のＴｇ
エーアンドディ社製動的粘弾性測定装置レオバイプロンを用いて周波数１１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎで測定し、損失弾性率のピーク温度から求めた。
（３）ポリウレタンの重量平均分子量
東ソー製高速ＧＰＣ ＨＬＣ８０２０を用いてＴＨＦ溶媒、流速１ｃｃ／ｍｉｎ、検出器ＲＩの条件で測定し、標準ポリスチレン換算で求めた。
（４）抗磁力Ｈｃの測定
振動試料型磁束計（東英工業製）を用いて、Ｈｍ７９６ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で測定した。結果を表２に示す。
（５）強磁性粉末の粒子径の測定
透過型電子顕微鏡写真で強磁性粉末を撮影し、その写真から強磁性粉末の短軸径と長軸径とを直接読みとる方法と、画像解析装置カールツァイス社製ＩＢＡＳＳ１で透過型顕微鏡写真をトレースして読みとる方法とを適宜併用して強磁性粉末の平均粒子径を求めた。結果を表２に示す。
（６）中心線平均面粗さ
ＷＹＫＯ社製ＴＯＰ０３Ｄを用いて、媒体表面をＭＩＲＡＵ法で約２５０ｎｍ×２５０ｎｍの面穫のＲａを測定した。測定波長は約６５０ｎｍで球面補正、円筒補正を加えた。
（７）繰り返し摩擦係数上昇
５０℃２０％ＲＨ環境下で、磁性層表面をＤＤＳ４ドライブで使用されているガイドポールに接触させて荷重２０ｇ（Ｔ１）をかけ、８ｍｍ／ｓｅｃ．になるように張力（Ｔ２）をかけ、引っ張りＴ２／Ｔ１よりガイドポールに対する磁性面の摩擦係数を測定し為測定は繰り返し１００パスまで行い、１パス目の摩擦係数を１としたときの１００パス目の摩擦係数を求めた。結果を表２に示す。
（８）塗膜ダメージ
（７）の繰り返し摩擦係数の測定後、試料の磁性層表面を微分干渉光学顕微鏡で観察し、以下のランクで評価した。結果を表２に示す。
優秀：キズが全くみられない。
良好：キズが見られるが、キズのない部分の方が多い。
不良：キズのない部分よりもキズがある部分の方が多い。
（９）ＰＷ５０測定方法
二つのリール間でテープを走行させる独自の走行系を組み立てて、その間にテープガイトを設けて、サーボライト走行は行わずに、精度よく走行させた。記緑ヘッドはトラック幅２５μｍでギャップ幅０．３μｍのものを採用し、再生ヘッドはトラック幅１２μｍでシールド間隔を変更したＭＲセンサーを持ったＳＡＬタイプのマージンヘッドを採用した。線記録密度１５０ｋＦＣＩで最適記録電流を設定し、１００ｋＨｚの矩形波を記録再生して、孤立波のＰＷ５０（孤立波の半値幅）を測定した。走行速度は２．５５ｍ／ｓｅｃで行った。結果を表２に示す。
（１０）テープ状磁気記録媒体のＳ／Ｎ
ＤＬＴ７０００ドライブを改造したものに、記録ヘッド（ＭｌＧ、ギヤツプ０．１５μｍ、１．８Ｔ）と、再生ヘッド用ＭＲヘッド（最適Ｂｒ・ｔ：０．０３５Ｔ・μｍ）とを取り付けた。これらのヘッドは固定ヘッドである。Ｓ／Ｎは、線記録密度１００ｋＦＣＩでの再生出力とノイズ（キャリア周波数より１ＭＨｚ離れた周波数での信号成分）とから求めた。尚、再生出力及びＳ／Ｎは比較例２の磁気テープを基準とする相対評価とした。結果を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  装填された記録媒体から再生に必要な情報を取得する情報取得手段と、前記取得された情報に基づいて前記記録媒体から記録情報を再生する制御を行う再生制御手段と、を備える情報再生装置において、
前記記録媒体の種類の選択をユーザに促す選択要求手段と、
前記記録媒体の種類の選択をユーザから受付ける選択受付手段と、を備え、
前記情報取得手段は、前記選択された記録媒体の種類に応じて再生に必要な情報を当該記録媒体から取得することを特徴とする情報再生装置。
【請求項２】  請求項１に記載の情報再生装置において、
前記記録媒体の種類を判別する判別手段と、
前記判別手段による判別モードと、前記選択受付手段による選択受付モードとの何れか一方のモードの選択をユーザから受付けるモード選択受付手段を備え、
前記情報取得手段は、前記選択されたモードによる記録媒体の種類に応じて再生に必要な情報を当該記録媒体から取得することを特徴とする情報再生装置。
【請求項３】  請求項２に記載の情報再生装置において、
前記判別手段は、前記記録媒体がＣＤ或いはＤＶＤであるかの種類を判別する第１判別と、前記記録媒体がシングルセッション或いはマルチセッションであるかの種類を判別する第２判別と、前記記録媒体がＣＤオーディオ或いはＣＤロムであるかの種類を判別する第３判別と、の少なくとも何れか一つの判別を行い、
前記選択受付手段は、前記記録媒体がＣＤ或いはＤＶＤであるかの種類の選択を受付ける第１選択受付と、前記記録媒体がシングルセッション或いはマルチセッションであるかの種類の選択を受付ける第２選択受付と、前記記録媒体がＣＤオーディオ或いはＣＤロムであるかの種類の選択を受付ける第３選択受付と、の少なくとも何れか一つの選択受付を行うことを特徴とする情報再生装置。
【請求項４】  請求項２に記載の情報再生装置において、
前記選択受付手段は、前記判別手段による前記記録媒体の種類の判別中に、当該記録媒体の種類の選択を受付けることを特徴とする情報再生装置。
【請求項５】  請求項４に記載の情報再生装置において、
前記判別手段は、前記記録媒体がＣＤ或いはＤＶＤであるかの種類を判別する第１判別と、前記記録媒体がシングルセッション或いはマルチセッションであるかの種類を判別する第２判別と、前記記録媒体がＣＤオーディオ或いはＣＤロムであるかの種類を判別する第３判別と、の少なくとも何れか一つの判別を行い、
前記選択受付手段は、前記判別手段による前記第１判別中に前記記録媒体がＣＤ或いはＤＶＤであるかの種類の選択を受付ける第１選択受付と、前記判別手段による前記第２判別中に前記記録媒体がシングルセッション或いはマルチセッションであるかの種類の選択を受付ける第２選択受付と、前記判別手段による前記第３判別中にＣＤオーディオ或いはＣＤロムであるかの種類の選択を受付ける第３選択受付と、の少なくとも何れか一つの選択受付を行うことを特徴とする情報再生装置。
【請求項６】  請求項５に記載の情報再生装置において、
前記判別手段は、前記第１判別中に前記選択受付手段による前記第１選択受付があった場合には、当該第１判別を中止し前記第２判別に移行することを特徴とする情報再生装置。
【請求項７】  請求項５又は６に記載の情報再生装置において、
前記判別手段は、前記第２判別中に前記選択受付手段による前記第２選択受付があった場合には、当該第２判別を中止し前記第３判別に移行することを特徴とする情報再生装置。
【請求項８】  請求項１に記載の情報再生装置において、
前記選択受付手段は、前記情報取得手段による前記再生に必要な情報の取得中に、前記記録媒体の種類の選択を受付けることを特徴とする情報再生装置。
【請求項９】  請求項８に記載の情報再生装置において、
前記選択要求手段は、前記ユーザに対し前記記録媒体の種類の選択を音声により促すことを特徴とする情報再生装置。
【請求項１０】  請求項１乃至９の何れか一項に記載の情報再生装置において、
前記選択受付手段は、前記ユーザから発せられた音声を認識することにより前記記録媒体の種類の選択を受付けることを特徴とする情報再生装置。
【請求項１１】  情報再生装置における情報再生方法において、
装填された記録媒体の種類の選択をユーザに促す工程と、
前記記録媒体の種類の選択をユーザから受付ける工程と、前記選択された記録媒体の種類に応じて再生に必要な情報を当該記録媒体から取得する工程と、
前記取得された情報に基づいて前記記録媒体から記録情報を再生する工程と、
を備えることを特徴とする情報再生方法。
【請求項１２】  情報再生装置に含まれるコンピュータを、
装填された記録媒体の種類の選択をユーザに促し、
前記記録媒体の種類の選択をユーザから受付け、
前記選択された記録媒体の種類に応じて再生に必要な情報を当該記録媒体から取得し、
前記取得された情報に基づいて前記記録媒体から記録情報を再生制御するように機能させることを特徴とする情報再生処理プログラム。
【請求項１３】  請求項１２に記載の情報再生処理プログラムがコンピュータ読み取り可能に記録されたことを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記第１チャンバー４は、図１および図４に示すように、略密閉型の略箱状体であり、その天井部には、上記第１搬送室３の出口３６（図３参照）からフィルム１０ａを導入する導入口４５が形成されており、その底部には、その導入されたフィルム１０ａを上記第２ガス遮断室５に排出する排出口４６が形成されている。また、第１チャンバー４の内部には、複数の丸棒状の電極４１からなる相対向する一対の電極群が垂直方向に起立して設けられている。すなわち、相対向する各側の電極群は、複数（図では、５本）の丸棒状の電極４１が隙間をあけて平行に並べられて略平面状に形成されており、それら略平面状の電極群が垂直方向に起立している。丸棒状の電極４１の長手方向は、第１チャンバー４の手前側の壁面から奥側の壁面に延びており、各側の電極群では、丸棒状の電極４１が縦（上下）に整列している。さらに、第１チャンバー４は、相対向する電極群の間隔を開け、フィルム１０ａの装着や第１チャンバー４の内部のメンテナンス等をし易くするため、上記ガイドレールＲに沿って、図示の左右の２つの分割チャンバー部材４ａ，４ｂに分割されるようになっており、分割されていない状態では、分割面が気密に当接している。なお、図において、４３は手動分割するための把手である。また、第１チャンバー４は、大気圧プラズマに用いるガスの供給源と接続されており、第１チャンバー４内をそのガスの雰囲気にするようになっている。そして、上記導入口４５から導入されたフィルム１０ａは、相対向する電極群の間を通って走行して、排出口４６に導かれるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記第２チャンバー６は、上記第１チャンバー４と同様のものである。すなわち、上記第２チャンバー６は、図１および図４に示すように、略密閉型の略箱状体であり、その底部には、上記第２ガス遮断室５の出口５６（図５参照）からフィルム１０ａを導入する導入口６５が形成されており、その天井部には、その導入されたフィルム１０ａを上記第２搬送室７に排出する排出口６６が形成されている。また、第２チャンバー６の内部には、複数の丸棒状の電極６１からなる相対向する一対の電極群が垂直方向に起立して設けられている。すなわち、相対向する各側の電極群は、複数（図では、５本）の丸棒状の電極６１が隙間をあけて平行に並べられて略平面状に形成されており、それら略平面状の電極群が垂直方向に起立している。丸棒状の電極６１の長手方向は、第２チャンバー６の手前側の壁面から奥側の壁面に延びており、各側の電極群では、丸棒状の電極６１が縦（上下）に整列している。さらに、第２チャンバー６は、相対向する電極群の間隔を開け、フィルム１０ａの装着や第１チャンバー４の内部のメンテナンス等をし易くするため、上記ガイドレールＲに沿って、図示の左右の２つの分割チャンバー部材６ａ，６ｂに分割されるようになっており、分割されていない状態では、分割面が気密に当接している。なお、図において、６３は手動分割するための把手である。また、第２チャンバー６は、大気圧プラズマに用いるガスの供給源と接続されており、第２チャンバー６内をそのガスの雰囲気にするようになっている。そして、上記導入口６５から導入されたフィルム１０ａは、相対向する電極群の間を通って走行して、排出口６６に導かれるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  平坦な透光性の絶縁膜を所定のマスクパターンに沿ってエッチングし、隣接するマイクロレンズ間に凸形状領域を形成する絶縁膜エッチング工程と、
前記絶縁膜上に、透光性のレンズ膜を積層するレンズ膜積層工程と、
前記レンズ膜をエッチバック処理により、前記凸形状領域上に凹部形状領域を形成するエッチバック工程と、を有し、
前記レンズ膜は、前記レンズ膜の上層の物質よりも高い屈折率を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項２】  平坦な透光性の絶縁膜を所定のマスクパターンに沿ってエッチングし、隣接するマイクロレンズ間に凸形状領域を形成する絶縁膜エッチング工程と、
前記絶縁膜上に、透光性の下層レンズ膜を積層する下層レンズ膜積層工程と、
前記下層レンズ膜をエッチバック処理により、前記凸形状領域上に凹部形状領域を形成するエッチバック工程と、
前記下層レンズ膜上に、透光性の上層レンズ膜を積層する上層レンズ膜積層工程と、を有し、
前記上層レンズ膜は、前記上層レンズ膜の上層の物質よりも高い屈折率を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項３】  請求項１又は２に記載のマイクロレンズの製造方法であって、
前記絶縁膜エッチング工程は、異方的なエッチングの後に等方的なエッチングを行うことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項４】  請求項３に記載のマイクロレンズの製造方法であって、
前記絶縁膜上の物質は、前記絶縁膜よりも高い屈折率を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  太陽電池素子の光入射面側に表面部材を有する太陽電池モジュールにおいて、前記表面部材がフッ化物重合体フィルムから成り、前記フッ化物重合体フィルムの光入射面が放電処理されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】  前記フッ化物重合体フィルムの光入射面の水の表面接触角が７５°以上９５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】  前記放電処理が少なくとも不活性ガスと炭酸ガスとを含む混合ガス中での放電処理であることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
Ｐｂもアルミニウム材表層部に濃化し、初期のエッチピット発生を均一化して局部エッチピットの発生を抑止する。０．３質量ｐｐｍ未満または２質量ｐｐｍを越えると静電容量が低下するため、０．３〜２質量ｐｐｍとする。好ましいＰｂ含有量は０．４〜０．８質量ｐｐｍである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
【表１】
2004319794.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
【表２】
2004319794.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
この結果、試験Ｎｏ．１−３、１−４、１−６、１−９は本発明の組成、酸化膜特性、立方体方位面積率、ＰｂおよびＣｕの濃化状態を満足しており、静電容量が高くかつ均一であった。試験Ｎｏ．１−２では、Ｓｉ，Ｆｅが本発明の範囲を下回るまで純度を高めているが、静電容量の向上は他の組成と大差がなく、本発明の範囲以上にＳｉ、Ｆｅを精製しても格別の効果は得られないことを確認した。Ｎｏ．１−３，１−４では、Ｎｏ．１−１よりＣｕの量が増大し、静電容量は増大する。Ｎｏ．１−５は、組成ではＮｏ．１−４と同じであるが、酸化膜の溶解時間が増大し、（Ｆ１）（Ｆ２）（Ｆ３）式を充足せず静電容量も減少した。Ｎｏ．１−６ではさらにＣｕ量が７４ｐｐｍに増大して静電容量は増大しているが、Ｎｏ．１−７ではＣｕが本発明の範囲を超えて静電容量が減少する傾向が見られた。１−９ではＳｉ，Ｆｅが範囲内にあるが、Ｎｏ．１−１０ではＰｂが下限値を下回り、Ｎｏ．１−１２ではＰｂが上限値を上回り、いずれも静電容量が減少した。
〔試験２〕
表１のＮｏ．１２〜２３はＺｎ，Ｍｎ，Ｇａを含有するアルミニウム鋳塊である。これらのアルミニウム鋳塊に対し、試験１に準拠して製造条件を変えて表３示す試験Ｎｏ．２−１〜２−１２に示す厚さ１０５μｍのアルミニウム箔を製作し、コイル材とした。また、酸化膜溶解時間の測定、立方体方位密度の測定、酸化膜厚さの測定、Ｃｕ、Ｐｂの濃化状態の測定、静電容量の測定も実施例１に準拠し、これらの結果を表３に示す。また、静電容量は試験Ｎｏ．２−１（Ｚｎ、Ｍｎ，Ｇａ濃度が１ｐｐｍ未満）での静電容量を１００％として、各元素の濃度の影響を相対的に評価し、それぞれ最大値と最小値を求めた。さらに、静電容量比の変動について最大値と最小値との差が５％未満のものは均一性が優れているとして○、５％以上のものは均一性が劣っているとして×で表した。さらに、静電容量比の最小値が９６％以上でかつ前項の変動が５％未満のものを静電容量が高くかつ均一であり総合的に優れているとして○、それ以外のものを総合的に劣っているとして×で示した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
【表３】
2004319794.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
試験Ｎｏ．２−１〜２−４、２−９は、最小静電容量が９６％以上得られた。Ｎｏ．２−５は溶解時間が本発明範囲外であったため、静電容量が低く均一性に劣るものであった。Ｎｏ．２−６はＺｎが、Ｎｏ．２−７はＭｎが、Ｎｏ．２−８はＧａが、それぞれ好ましい上限値を超えたため、静電容量の低いものであった。Ｎｏ．２−１０は、Ｚｎ，Ｍｎ，Ｇａを請求範囲内で含有するが、酸化膜の溶解時間が短く、またＮｏ．２−１２は溶解時間が長く、いずれも静電容量が低下した。
〔試験３〕
表１のＮｏ．２０の鋳塊を用い、表４、５に示す試験Ｎｏ．３−１〜３−２０アルミニウム箔を製作してコイル材とした。製造工程において、中間洗浄時の素材厚さ、中間焼鈍条件、軽圧下冷間圧延出側の箔表面温度、最終焼鈍条件を表４に示すように種々変化させ、最終箔厚はいずれも１０５μｍとした。また、これらの工程以外は試験１と同様に行った。表４において、中間焼鈍前の洗浄時の素材厚が本発明の規定範囲（最終製品厚さの１．２〜３倍）を逸脱するもの、中間焼鈍条件が本発明の規定範囲（露点温度：−７０〜−２０℃、１６０〜３００℃×２〜３０時間）を逸脱するもの、最終焼鈍条件が本発明の規定範囲（露点温度：−７０〜−２０℃、Ｆ６、Ｆ７式）を逸脱するものについては、試験Ｎｏ．に＊を付して表す。また、軽圧下冷間圧延出側の素材温度のみが本発明の推奨範囲（５０℃以下）を逸脱するものについては試験Ｎｏ．に＊＊を付して表す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
【表４】
2004319794.tif 000004
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
【表５】
2004319794.tif 000005
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
その他、Ｎｏ．３−１６〜Ｎｏ．３−１９はＮｏ．３−１よりも高い静電容量を得られた。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
工程（７）
まず、ＣＣＤチップ１５を実装するパッケージ２７を用意する。このパッケージ２７は、ＣＣＤチップ載置部２７ａ及びＣＣＤチップ載置部２７ａに対向して形成された突部２７ｂを含み、突部２７ｂのＣＣＤチップ載置部２７ａと対向する面側に電極パッド２９を有している。ＣＣＤチップ載置部２７ａには、突部２７ｂ（電極パッド２９）と対向する位置に、開口２７ｃが形成されている。パッケージ２７の材料としては、セラミック等を用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004319791.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンと該配線パターンの欠陥部が少なくとも形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータから該欠陥部の抵抗値を推定する半導体の検査方法であって、
前記標準試料に第１の照射条件で電子線を照射して第１の電子線画像を取得し、
画像中の画素信号強度と前記検査パラメータとを座標軸とする空間に対し、前記第１の電子線画像の欠陥箇所の画素信号強度の分布１を求め、
前記標準試料に第２の照射条件で電子線を照射して第２電子線画像を取得し、
前記空間に対し、該第２の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度の分布２を求め、
被検査試料に前記第１の照射条件で電子線を照射して第３の電子線画像を取得し、
該被検査試料に前記第２の照射条件で電子線を照射して第４の電子線画像を取得し、
前記空間上で、信号強度が前記第３の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布１との交線１を求め、
前記空間上で、信号強度が前記第４の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布２との交線を求め、
前記交線１と前記交線２との交点を求め、該交点の座標から検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項２】
配線パターンと該配線パターンの電気的欠陥とが形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータの値を求める半導体の検査方法であって、
前記標準試料に対し、電子線の照射条件を前記検査パラメータの数に等しい回数だけ変えて照射することにより、複数の電子線画像を取得し、
前記電子線画像における欠陥箇所の画像信号強度を、前記検査パラメータを座標軸とする多次元空間に対してマッピングすることにより、前記複数の照射条件に対応する複数の標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布を求め、
被検査試料に対し前記複数の照射条件で電子線を照射して電子線画像を取得し、
前記標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布と、対応する照射条件下で得られた被検査試料の画像信号における欠陥箇所信号強度に等しい面で切った時に得られる交線を求め、
該交線を前記複数の標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布に対して求め、
得られた複数の交線間の交点の座標を求めることにより、前記所望の検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体の検査方法において、
前記標準試料としてウエルと不純物拡散層が形成された試料を用い、
前記検査パラメータとして、前記ウエルの静電容量と該拡散層の抵抗値を用いることを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体の検査方法において、
前記分布１および分布２を予め取得して記憶手段に格納しておき、
被検査試料の検査を行なう毎に、格納された分布１と分布２とを読み出して、
検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体の検査方法において、
前記標準試料として、複数のコンタクトホールが作り込まれた標準試料を用い、
該複数のコンタクトホールは各々膜厚の異なる非導電成膜が底部に形成され、
前記標準試料の所望のコンタクトホール箇所の画素信号強度の前記残膜厚に対する較正曲線を予め求めておき、
前記被検査試料の欠陥箇所の画素信号強度と前記較正曲線とを比較することにより、被検査試料のコンタクトホールの残膜厚を推定することを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体の検査方法において、  
前記第３の電子線画像および第４の電子線画像を画面に表示し、
入力手段により特定される画像中の欠陥箇所の画素信号強度の平均強度を計算し、
前記第３の電子線画像または第４の電子線画像の欠陥箇所の画素信号強度として、該平均強度を用いることを特徴とする半導体の検査方法。
【請求項７】
配線パターンと該配線パターンの欠陥部とが形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータの値を推定する機能を備えた半導体検査装置において、
前記標準試料に第１の照射条件および第２の照射条件で電子線を照射して得られた第１の電子線画像および第２の電子線画像が格納された記憶手段と、
被検査試料を保持する試料ステージと、
該被検査試料に対し電子線を照射し電子線画像を取得する手段と、
得られた電子線画像の画素信号を演算する演算部とを有し、
前記記憶手段には、
前記検査パラメータとを座標軸とする空間上で、前記第１の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度の分布１と、前記空間上での、前記第２の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度の分布２とが格納され、
該演算部は、前記検査パラメータとを座標軸とする空間上で、被検査試料に前記第１の照射条件で電子線を照射して得られる第３の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布１との交線１を求め、
前記被検査試料に前記第２の照射条件で電子線を照射して得られる第４の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布２との交線２を求め、
前記交線１と前記交線２との交点を求め、該交点の座標から前記検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体検査装置において、前記第３の電子線画像ないし第４の電子線画像を表示する表示手段と、
前記第３の電子線画像ないし第４の電子線画像の欠陥箇所を特定するための画面入力手段とを備えたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項９】
半導体基板上に形成された配線パターンと、該配線パターン上に形成された複数の種類の電気的欠陥部とを有することを特徴とする標準試料。
【請求項１０】
請求項９に記載の標準試料において、
複数のコンタクトホール内に形成された電極と、該電極の下に形成された非導電性膜とを有し、
前記非導電成膜の膜厚は、前記複数のコンタクトホール毎に各々異なることを特徴とする標準試料。
【請求項１１】
請求項９に記載の標準試料において、
前記電気的欠陥として、前記半導体基板と前記配線パターンの接合部にリークが生じていることを特徴とする標準試料。
【請求項１２】
請求項９に記載の標準試料において、
第１のコンタクトホール内に形成された第１の電極と、第２のコンタクトホール内に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極とをショートする導電膜とを備えたことを特徴とする標準試料。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれか１項に記載の標準試料を用いて感度較正が行なわれた半導体検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【発明の効果】
以上のように、本発明のテープフィーダーによれば、カバーテープに対接する中間ローラを、カバーテープ剥離用のシャッター部材に対し相対位置を固定した状態に設けて、中間ローラをシャッター部材の移動に追従させるものであるため、テープ剥離時におけるカバーテープのストローク量を、シャッター部材の後退量に正確に対応させることができる。このため、シャッター部材後退時におけるカバーテープの長さを正確にコントロールできて、カバーテープに終始安定した張力を付与できるため、カバーテープを精度良くスムーズに剥離することができる。更にテープ取替時にカバーテープ剥離量（シャッター部材の移動量）を変更した際には、その変更と同時に、中間ローラのストローク量を、シャッター部材の移動量に対応させて正確に変更できるため、中間ローラのストローク量を個別に変更調整するような面倒な作業が不要となり、テープ取替作業を簡単に行うことができるという効果がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０…電子部品封入テープ（積層テープ）
１０ａ…ベーステープ
１０ｂ…カバーテープ
１０ｅ…電子部品
２…テープ処理ステージ
２１…テープ剥離部
３…送り機構（テープ送り機構）
４…フィードレバー
５…シャッター部材
５２…剥離用折返し部
５３…カバー片
５５…中間ローラ
５６、５７…排出ギア（排出ローラ）
５８ａ…引張コイルばね（付勢手段）
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜を貫通して前記第１の絶縁膜に達するとともに、前記第１主電極及び前記第２主電極のうちの他方と電気的に接続される、第２のコンタクトを形成する第２のコンタクト形成工程と、
前記第２のコンタクト上に、該第２のコンタクトと電気的に接続される配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層及び前記プレート線を覆い、かつその表面が平坦な第３の絶縁膜を形成する第３の絶縁膜形成工程と、
前記配線層上に、その頂面が前記第３の絶縁膜の表面と実質的に同一面位置にある、第３のコンタクトを形成する第３のコンタクト形成工程と、
前記第３のコンタクト上に、該第３のコンタクトと電気的に接続されるビット線を形成するビット線形成工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。