【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
反応容器内に、少なくともIII族金属とフラックスとが収容されており、III族窒化物結晶を結晶成長させるために反応容器の外部から反応容器内に窒素または窒素を含む化合物を導入することを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長方法。
【請求項２】 
反応容器内に、少なくともIII族金属とフラックスとが収容されており、反応容器内に窒素または窒素を含む化合物を導入してIII族窒化物結晶を結晶成長させるようになっており、この際、III族窒化物結晶の大きさを大きくするために、III族窒化物結晶の結晶成長時に、さらに、III族金属を追加補給することを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の結晶成長方法において、III族金属と窒素または窒素を含む化合物との比率を一定に制御して、III族窒化物結晶を結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長方法。
【請求項４】 
反応容器内に、少なくともIII族金属とフラックスとが収容されており、III族窒化物結晶を結晶成長させるために反応容器の外部から反応容器内に窒素または窒素を含む化合物を導入する手段を備えていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項５】 
反応容器内に、少なくともIII族金属とフラックスとが収容されており、反応容器内に窒素または窒素を含む化合物を導入してIII族窒化物結晶を結晶成長させるようになっており、この際、III族窒化物結晶の大きさを大きくするために、III族窒化物結晶の結晶成長時に、さらに、III族金属を追加補給する手段を備えていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項６】 
請求項４または請求項５記載の結晶成長装置において、III族窒化物結晶を結晶成長させるときに、III族金属と窒素または窒素を含む化合物との比率を一定に制御する手段を備えていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項７】 
少なくともフラックスとIII族金属と窒素あるいは窒素を含む化合物とを用いてIII族窒化物結晶を結晶成長させる結晶成長装置において、温度と圧力とが制御される反応容器内で、III族窒化物の結晶成長がなされる領域と、III族金属と窒素あるいは窒素を含む化合物とが供給される領域とが分離されていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項８】 
請求項７記載の結晶成長装置において、反応容器の外側にさらに外側容器が設けられており、III族窒化物結晶が成長するために必要な窒素圧力と大気圧との差圧が生じる領域と、III族窒化物が成長するために必要な温度になる領域とが分離されていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項９】
請求項８記載の結晶成長装置において、外側容器と反応容器との間には窒素が導入されるようになっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項１０】 
請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の結晶成長装置において、原料と接する領域が、原料およびそれらの生成物に溶出，混入しない材料で覆われていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項１１】 
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の結晶成長方法を用いて結晶成長させたIII族窒化物結晶。
【請求項１２】 
請求項１１記載のIII族窒化物結晶を用いて作製したIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項１３】 
請求項１２記載のIII族窒化物半導体デバイスにおいて、該III族窒化物半導体デバイスは、光デバイスであることを特徴とするIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項１４】 
請求項１２記載のIII族窒化物半導体デバイスにおいて、該III族窒化物半導体デバイスは、電子デバイスであることを特徴とするIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項１５】
少なくともＩＩＩ族金属とフラックスとを容器に保持する工程と、
前記容器に窒素または窒素を含む化合物を供給する工程とを備えるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１６】
前記窒素または窒素を含む化合物を追加補給する工程をさらに備える、請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１７】
前記容器の温度を任意の温度に設定する工程をさらに備える、請求項１５または請求項１６に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１８】
前記容器の温度を一定に保持する工程をさらに備える、請求項１７に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１９】
前記窒素または窒素を含む化合物の圧力を任意の圧力に設定する工程をさらに備える、請求項１５から請求項１８のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２０】
前記窒素または窒素を含む化合物は、気体であり、
前記ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、
前記気体の圧力を一定に制御する工程をさらに備える、請求項１５から請求項１９のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２１】
前記ＩＩＩ族金属は、ガリウムである、請求項１５から請求項２０のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２２】
前記フラックスは、ナトリウムである、請求項１５から請求項２１のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２３】
前記第１の工程の前に、前記容器内を前記窒素で充満させる工程をさらに備える、請求項１５から請求項２２のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２４】
ＩＩＩ族窒化物結晶からなる基板を備える半導体デバイス。
【請求項２５】
当該半導体デバイスは、光デバイスである、請求項２４に記載の半導体デバイス。
【請求項２６】
当該半導体デバイスは、電子デバイスである、請求項２４に記載の半導体デバイス。
【請求項２７】
原料を含む反応容器と、
前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管と、
前記反応容器の周囲に設けられた加熱用ヒーターと、
前記加熱用ヒーターおよび前記反応容器を覆う外側容器とを備える結晶製造装置。
【請求項２８】
前記外側容器と前記反応容器との間の領域の圧力と、前記反応容器内の圧力との圧力差を減少させる圧力制御装置をさらに備える、請求項２７に記載の結晶製造装置。
【請求項２９】
前記外側容器と前記反応容器との間の領域に、前記加熱用ヒーターを覆う断熱材をさらに備える、請求項２７に記載の結晶成長装置。
【請求項３０】
前記外側容器と前記反応容器との間の領域にガスを供給するガス供給管をさらに備える、請求項２７から請求項２９のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３１】
前記原料と反応して結晶を形成させる気体は、前記外側容器と前記反応容器との間の領域に供給されるガスと同じガスからなる、請求項３０に記載の結晶製造装置。
【請求項３２】
前記原料と反応して結晶を形成させる気体は、窒素ガスである、請求項３１に記載の結晶製造装置。
【請求項３３】
前記反応容器の内部に配置され、前記原料を保持する成長容器をさらに備える、請求項２７から請求項３２のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３４】
前記原料に接する領域は、前記原料に溶出しない材質からなる、請求項２７から請求項３３のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３５】
１ｃｍよりも大きいバルクＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項３６】
１ｃｍよりも大きいバルクＧａＮ結晶。
【請求項３７】
１ｃｍよりも大きいＩＩＩ族窒化物基板。