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【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録光を案内するトラックを各々有する多層構造の記録層を備え、各々の記録層に対してユーザデータの記録が可能な光記録媒体であって、
各記録層を識別する層情報を前記トラック上の情報として備える光記録媒体。
【請求項２】
各記録層を識別する層情報がトラック上の情報としてトラック自体にプリフォーマットされている請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
多層構造の前記記録層は、奇数番層と偶数番層とでその記録位置としてグルーブトラックとランドトラックとが交互に設定されている請求項２記載の光記録媒体。
【請求項４】
各記録層を識別する層情報がトラックを構成するピット又はグルーブとしてプリフォーマットされている請求項２又は３記載の光記録媒体。
【請求項５】
各記録層を識別する層情報がトラック上の情報としてトラック自体に位相変調によりプリフォーマットされている請求項２ないし４の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項６】
各記録層を識別する層情報は、データ領域外の前記トラック上に有する、請求項１ないし５の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記トラックが各記録層毎に螺旋状に形成された光記録媒体であって、
各記録層を識別する層情報は、当該光記録媒体に対する記録再生時において前記螺旋方向が内周側から外周側に向かう場合には内周部、外周側から内周側に向かう場合には外周部に有する、請求項１ないし６の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記トラックが各記録層毎に螺旋状に形成された光記録媒体であって、
記録条件を決定するための試し書き領域を、当該光記録媒体に対する記録再生時において前記螺旋方向が内周側から外周側に向かう場合には内周部、外周側から内周側に向かう場合には外周部に有する、請求項１ないし７の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項９】
各記録層を識別する層情報は、各記録層毎に個別に有する、請求項１ないし８の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項１０】
複数の記録層のうち、最初に記録を行う第１記録層は、記録光の入射側から見て最も手前側に位置する記録層である、請求項１ないし９の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項１１】
複数の記録層のうち、最初に記録を行う第１記録層は、記録光の入射側から見て最も奥側に位置する記録層である、請求項１ないし９の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項１２】
各記録層は記録光の波長に対して透明であり、前記記録層毎の前記トラックを形成した基板上に積層されている、請求項１ないし１１の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項１３】
ＤＶＤ＋Ｒ規格に準拠し、片面２層の記録層を有する、請求項１ないし１２の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項１４】
ＤＶＤ＋ＲＷ規格に準拠し、片面２層の記録層を有する、請求項１ないし１２の何れか一記載の光記録媒体。
【請求項１５】
光情報記録装置に装填された請求項１ないし１４の何れか一記載の光記録媒体に対する記録動作に先立ち当該光記録媒体がトラック上の情報として備える各記録層を識別する層  情報を読出す条件読出しステップと、
読出された各記録層を識別する層情報に基づき記録対象となる記録層に対する記録条件を設定する記録条件設定ステップと、
設定された記録条件に従い記録対象となる記録層に対して記録動作を行う記録動作実行ステップと、
を備える情報記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１記載の発明は、記録光を案内するトラックを各々有する多層構造の記録層を備え、各々の記録層に対してユーザデータの記録が可能な光記録媒体であって、各記録層を識別する層情報を前記トラック上の情報として備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
従って、各記録層を識別する層情報をトラック（誘導ピット或いは案内溝）上の情報として備えることにより、各々の記録層に適した記録条件等を、トラックに追従させる本来の光ピックアップ動作で認識させることができ、良好なる記録動作に供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光記録媒体において、各記録層を識別する層情報がトラック上の情報としてトラック自体にプリフォーマットされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
従って、各記録層を識別する層情報としては、例えば、通常のピットや記録マーク等により記録するようにしてもよいが、トラック上の情報としてトラック自体にプリフォーマットさせておくことにより、データ領域を減らすことなく、必要な情報を埋め込んでおくことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５記載の発明は、請求項２ないし４の何れか一記載の光記録媒体において、各記録層を識別する層情報がトラック上の情報としてトラック自体に位相変調によりプリフォーマットされている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
請求項１記載の発明によれば、各記録層を識別する層情報をトラック上の情報として備えるので、各々の記録層に適した記録条件等を、トラックに追従させる本来の光ピックアップ動作で認識させることができ、良好なる記録動作に供することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の光記録媒体において、各記録層を識別する層情報としては、例えば、通常のピットや記録マーク等により記録するようにしてもよいが、トラック上の情報としてトラック自体にプリフォーマットさせておくようにしたので、データ領域を減らすことなく、必要な情報を埋め込んでおくことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に透光性領域と遮光性領域とを有し、該透光性領域の面積が該遮光性領域の面積よりも大きく、遮光性領域の少なくとも一部に発光部を有することを特徴とする透過型発光素子。
【請求項２】
発光部は透明電極と遮光性電極に挟持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなることを特徴とする請求項１に記載の透過型発光素子。
【請求項３】
透光性領域は非発光性であることを特徴とする請求項１に記載の透過型発光素子。
【請求項４】
遮光性電極の最短隣接距離は、発光部から基板面までの距離よりも短いことを特徴とする請求項２に記載の透過型発光素子。
【請求項５】
遮光性電極の最短隣接距離は、透光性基板の厚みより短いことを特徴とする請求項２に記載の透過型発光素子。
【請求項６】
遮光性電極は透光性電極と遮光層からなることを特徴とする請求項２又は４又は５に記載の透過型発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密な処理容器内の載置部に載置された基板に対し、プラズマにより原料ガスであるＣ5Ｆ8ガスを活性化させ絶縁膜を成膜するプラズマ成膜方法において、
原料ガス供給口と前記基板の表面との間の空間における電子温度が２ｅＶ以下であり、かつ電子密度が５×１０11個／ｃｍ3以上であり、
処理雰囲気の圧力が１９．９５Ｐａ以下であり、
前記基板に成膜される絶縁膜は、比誘電率が２．３以下でかつリーク電流が５×１０−８Ａ／ｃｍ2以下であるフッ素添加カーボン膜であることを特徴とするプラズマ成膜方法。
【請求項２】
マイクロ波を導波管を介して、載置部に対向して設けられた平面アンテナ部材に導き、この平面アンテナ部材に周方向に沿って形成された多数のスリットから前記マイクロ波を放出し、このマイクロ波のエネルギーによって原料ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１記載のプラズマ成膜方法。
【請求項３】
スリットの長さは、平面アンテナ部材における導波管側のマイクロ波の波長の１／２と、平面アンテナ部材におけるプラズマ発生空間側のマイクロ波の波長の１／２との間の寸法に設定されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマ成膜方法。
【請求項４】
多数のスリットは、平面アンテナ部材の中央部を中心として同心円状または渦巻き状に配列されていることを特徴とする請求項２または３記載のプラズマ成膜方法。
【請求項５】
平面アンテナ部材から円偏波または直線偏波としてマイクロ波が放射されることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のプラズマ成膜方法。  
【請求項６】
基板を載置する載置部が内部に設けられた気密な処理容器と、前記基板に絶縁膜を形成するための原料ガスであるＣ5Ｆ8ガスを前記処理容器内に供給するための原料ガス供給口と、プラズマ発生用のガスを前記処理容器内に供給するためのプラズマ発生用のガス供給口と、前記プラズマ発生用のガスをプラズマ化するためのマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段にて発生したマイクロ波を前記処理容器内に導くための導波管と、この導波管に接続されると共に前記載置部に対向して設けられ、周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材と、を備え、
プラズマによりＣ5Ｆ8ガスを活性化させ、前記原料ガス供給口と前記基板の表面との間の空間における電子温度を２ｅＶ以下とし、かつ電子密度を５×１０11個／ｃｍ3以上とし、処理雰囲気の圧力を１９．９５Ｐａ以下として、前記載置部に載置された基板に対して成膜処理を行い、比誘電率が２．３以下でかつリーク電流が５×１０−８Ａ／ｃｍ2以下であるフッ素添加カーボン絶縁膜を形成することを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項７】
スリットの長さは、平面アンテナ部材における導波管側のマイクロ波の波長の１／２と、平面アンテナ部材におけるプラズマ発生空間側のマイクロ波の波長の１／２との間の寸法に設定されていることを特徴とする請求項６記載のプラズマ成膜装置。
【請求項８】
多数のスリットは、平面アンテナ部材の中央部を中心として同心円状または渦巻き状に配列されていることを特徴とする請求項６または７記載のプラズマ成膜装置。
【請求項９】
平面アンテナ部材から円偏波または直線偏波としてマイクロ波が放射されることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載のプラズマ成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、気密な処理容器内の載置部に載置された基板に対し、プラズマにより原料ガスであるＣ5Ｆ8ガスを活性化させ絶縁膜を成膜するプラズマ成膜方法において、
原料ガス供給口と前記基板の表面との間の空間における電子温度が２ｅＶ以下であり、かつ電子密度が５×１０11個／ｃｍ3以上であり、処理雰囲気の圧力が１９．９５Ｐａ以下であり、前記基板に成膜される絶縁膜は、比誘電率が２．３以下でかつリーク電流が５×１０−８Ａ／ｃｍ2以下であるフッ素添加カーボン膜であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この方法を実施する装置の一例として、基板を載置する載置部が内部に設けられた気密な処理容器と、前記基板に絶縁膜を形成するための原料ガスであるＣ5Ｆ8ガスを前記処理容器内に供給するための原料ガス供給口と、プラズマ発生用のガスを前記処理容器内に供給するためのプラズマ発生用のガス供給口と、前記プラズマ発生用のＣ5Ｆ8ガスをプラズマ化するためのマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段にて発生したマイクロ波を前記処理容器内に導くための導波管と、この導波管に接続されると共に前記載置部に対向して設けられ、周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材と、を備えたプラズマ成膜装置を挙げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明によれば、Ｃ5Ｆ8ガを原料ガスとして、電子温度が２ｅＶ以下でかつ電子密度が５×１０11個／ｃｍ3以上であるプラズマを発生させていることから、原料ガスを過度に分解することを抑制でき、このため原料ガスの特性を生かした本来の分子構造が得られ、低誘電率で電気特性の優れた絶縁膜を得ることができる。また処理容器内の圧力を１９．９５Pa（１５０ｍTorr）以下に設定して成膜を行うようにすることによって、後述の実験例からも分かるように、プロセス条件を選択することにより低誘電率で電気特性の優れた絶縁膜を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のビームを形成するとともに、各ビーム毎に焦点を形成する光学素子と、
この光学素子で形成された前記ビームの各焦点を被処理面側に転写して結像させる光学系と、
を備えた構成としたことを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項２】
前記被処理面を持つ被処理物、前記光学素子又は前記光学系を各光軸方向に移動させることにより、前記ビームの前記被処理面に対する照射面積を変更させる構成を備えたことを特徴とする請求項１記載のレーザ処理装置。
【請求項３】
複数のビームを形成するとともに、各ビーム毎に焦点を形成する工程と、
前記ビームの各焦点を被処理面側に転写して結像させ、前記被処理面にビーム照射によりレーザ処理を施す工程と、
からなることを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項４】
前記レーザ処理は、前記被処理面に対して複数回のビーム照射を行うとともに、該ビームの前記被処理面に対する照射面積を同一又は異ならせたことを特徴とする請求項３記載のレーザ処理方法。
【請求項５】
前記被処理面を持つ被処理物、光学素子又は光学系を各光軸方向に移動させることにより、前記ビームの前記被処理面に対する照射面積を変更させることを特徴とする請求項３記載のレーザ処理方法。
【請求項６】
前記レーザ処理は、前記被処理面に対する穿孔、表面改質又は熱処理を含み、前記被処理面に前記ビームの焦点数に応じた処理を同時に行うことを特徴とする請求項３、４又は５記載のレーザ処理方法。
【請求項７】
複数のレーザビームを形成すると共に、仮想被処理面上に前記各レーザビーム毎に焦点を形成する光学素子と、
前記仮想被処理面と被処理面との間に配置され、前記仮想被処理面に対する像面を前記被処理面に応じた位置に形成して前記仮想被処理面から前記被処理面への縮小転写を行い、前記仮想被処理面上の前記各焦点を前記被処理面に転写して結像させる縮小転写光学系と、
を備えたことを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項８】
一方面側からレーザビームを照射され、反対面側へ前記レーザビームを分割した複数のレーザビームを出射すると共に、被処理面上の処理対象箇所に対応した配列で、前記反対面側に位置する仮想被処理面上に前記各レーザビーム毎に焦点を形成する光学素子と、
前記仮想被処理面と被処理面との間に配置され、前記仮想被処理面に対する像面を前記被処理面に応じた位置に形成して前記仮想被処理面から前記被処理面への縮小転写を行い、前記仮想被処理面上の前記各焦点を前記被処理面に転写して結像させる縮小転写光学系と、
を備えたことを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項９】
一方面側からレーザビームを照射され、光透過領域内に入射された前記レーザビームを遮らずに複数のレーザビームに分割して反対面側へ出射すると共に、被処理面上の処理対象箇所に対応した配列で、前記反対面側に位置する仮想被処理面上に前記各レーザビーム毎に焦点を形成する光学素子と、
前記仮想被処理面と前記被処理面との間に配置され、前記仮想被処理面に対する像面を前記被処理面に応じた位置に形成して前記仮想被処理面から前記被処理面への縮小転写を行い、前記仮想被処理面上の前記各焦点を前記被処理面に転写して結像させる縮小転写光学系と、
を備えたことを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項１０】
レーザビームを出力するエキシマレーザ光源と、
前記レーザビームの断面積を拡大して拡大ビームを生成する拡大光学系と、
密接配置された複数のレンズからなり、一方面側から前記拡大ビームを照射され、前記拡大ビームを前記レンズ毎の複数のビームに分割して反対面側へ出射すると共に、被処理面上の処理対象箇所に対応した配列で、前記反対面側に位置する仮想被処理面上に前記各ビーム毎に焦点を形成するマイクロレンズアレイと、
前記仮想被処理面と前記被処理面との間に配置され、前記仮想被処理面に対する像面を前記被処理面に応じた位置に形成して前記仮想被処理面から前記被処理面への縮小転写を行い、前記仮想被処理面上の前記各焦点を前記被処理面に転写して結像させる縮小転写光学系と、
を備えたことを特徴とするレーザ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を物体に導く光学系と、
該物体を保持する保持手段と、
該保持手段の保持面側に該保持面に対して非接触に配置された第１の冷却手段と、
該保持手段の裏面側に該裏面に対して非接触に配置された第２の冷却手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１の冷却手段は、輻射による冷却を行うことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２の冷却手段は、輻射による冷却を行うことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１の冷却手段は、輻射板と、
該輻射板を冷却するペルチェ素子とを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２の冷却手段は、輻射板と、
該輻射板を冷却するペルチェ素子とを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記物体の温度を計測する温度計測手段と、
該計測された前記物体の温度に基づいて前記第１の冷却手段の温度を制御する制御部とを更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記温度計測手段は、
前記物体の温度を前記物体に接触せずに計測することを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記保持手段の温度を計測する温度計測手段と、
該計測された前記保持手段の温度に基づいて前記第２の冷却手段の温度を制御する制御部とを更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】
前記温度計測手段は、
前記保持手段の温度を前記保持手段に接触しつつ計測することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】  
前記物体はパターンが形成されたレチクルであり、
前記保持手段はレチクルチャックであることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１１】
前記物体はウエハであり、
前記保持手段はウエハチャックであることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１２】
反射型レチクルのパターンに基づいて被処理体を露光する露光装置において、光源からの光により前記反射型レチクルを照明する照明光学系と、
該反射型レチクルを保持するレチクルチャックと、
該レチクルチャックの裏側に該裏側の面に対して非接触に配置された冷却手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
被処理体を露光する露光装置において、
光源からの光を前記被処理体に導く光学系と、
該被処理体を保持するチャックと、
該チャックの保持面の裏側に該裏側の面に対して非接触に配置された冷却手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
光源からの光を物体に導く工程と、
該物体又は該物体を保持する保持手段を、該保持手段の保持面側及びその裏面側から輻射によって冷却する工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光を検出するための半導体層、及び前記半導体層と電気的に接続した第１電極を有する受光素子と、
前記受光素子を配設するための絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の第１面及び第２面に露出するように設けられた第２電極と、
を有し、且つ、前記受光素子が前記絶縁性基板の第１面上に配設されると共に、前記第１電極と前記絶縁性基板の前記第１面に露出した前記第２電極とが電気的に接続されている、
ことを特徴とする光検出装置。
【請求項２】  前記第１電極、及び第２電極は、各々、少なくとも一対で構成されてることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】  前記第２電極は、金属電極であることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項４】  前記絶縁性基板は、可視光を吸収することを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項５】  前記受光素子は、透明基板上に前記半導体層及び第１電極が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項６】  前記受光素子の前記半導体層は、少なくともＡｌ，Ｇａ，Ｉｎの一つ以上の元素と窒素とを含む窒化物から構成されることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項７】  前記第２電極が絶縁基板の表裏に露出するように設けられており、前記受光素子が前記絶縁性基板の表面上に配設されると共に、前記第１電極と前記絶縁性基板の前記表面に露出した前記第２電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項８】  光検出装置を、回路基板に表面実装する光検出装置の実装方法であって、
前記光検出装置は、
光を検出するための半導体層、及び前記半導体層と電気的に接続した第１電極
を有する受光素子と、
前記受光素子を配設するための絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の第１面及び第２面に露出するように設けられた第２電極と、
を有し、且つ、前記受光素子が前記絶縁性基板の第１面上に配設されると共に、前記第１電極と前記絶縁性基板の前記第１面に露出した前記第２電極とが電気的に接続されており、
前記光検出装置を、その前記絶縁性基板の第２面に露出した第２電極と前記回路基板の外部端子とが接続するように、前記回路基板に表面実装することを特徴とする光検出装置の実装方法。
【請求項９】  前記第１電極、及び第２電極は、各々、少なくとも一対で構成されてることを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【請求項１０】  前記第２電極は、金属電極であることを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【請求項１１】  前記絶縁性基板は、可視光を吸収することを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【請求項１２】  前記受光素子は、透明基板上に前記半導体層及び第１電極が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【請求項１３】  前記受光素子の前記半導体層は、少なくともＡｌ，Ｇａ，Ｉｎの一つ以上の元素と窒素とを含む窒化物から構成されることを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【請求項１４】  前記第２電極が絶縁基板の表裏に露出するように設けられており、前記受光素子が前記絶縁性基板の表面上に配設されると共に、前記第１電極と前記絶縁性基板の前記表面に露出した前記第２電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【請求項１５】
前記絶縁性基板は凹部を有し、且つ当該凹部に前記受光素子を埋設していることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項１６】
前記絶縁性基板は凹部を有し、且つ当該凹部に前記受光素子を埋設していることを特徴とする請求項８に記載の光検出装置の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明においては、前記第２電極が絶縁基板の表裏に露出するように設けられており、前記受光素子が前記絶縁性基板の表面上に配設されると共に、前記第１電極と前記絶縁性基板の前記表面に露出した前記第２電極とが電気的に接続されている構成が好適な形態である。
本発明においては、前記絶縁性基板は凹部を有し、且つ当該凹部に前記受光素子を埋設していることがよい。これにより、受光素子の端面からの光入射を防止することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反応容器内にてハフニウム有機化合物とシラン系ガスとを反応させてハフニウムシリケート膜を基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】  反応容器内は加熱雰囲気であり、ハフニウム有機化合物は蒸気で反応容器内に供給されることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】  シラン系のガスは、モノシランガス及び／またはジシランガスであることを特徴とする請求項１または２記載の成膜方法。
【請求項４】  基板上にハフニウム及び酸素を含むハフニウム化合物膜を成膜する工程と、
この工程で得られたハフニウム化合物膜を、窒素及び水素からなる化合物のガスにより加熱雰囲気下でアニールすることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】  窒素及び水素からなる化合物のガスはアンモニアガスである請求項４記載の薄膜改質方法。
【請求項６】  ハフニウム化合物は、ハフニウム有機化合物とシラン系ガスとを反応させて得られたハフニウムシリケート膜であることを特徴とする請求項４または５に記載の成膜方法。
【請求項７】  基板が搬入される反応容器と、
この反応容器内の処理雰囲気を加熱する加熱手段と、
ハフニウム有機化合物の蒸気を前記反応容器に供給するための第１のガス供給手段と、
シラン系のガスを前記反応容器に供給するための第２のガス供給手段と、
前記反応容器内にてハフニウム有機化合物とシラン系ガスとを反応させてハフニウムシリケート膜を基板上に成膜するように前記加熱手段、第１のガス供給手段及び第２のガス供給手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、ゲート電極、絶縁材料層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機半導体素子において、該有機半導体層は電荷搬送性の有機基が表面に結合した炭素材料からなることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項２】  前記電荷搬送性の有機基は、脂肪族基、環式有機基、又は脂肪族部分と環式部分とを有する有機基であることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体素子。
【請求項３】  前記炭素材料がカーボンブラック粒子であり、前記電荷搬送性有機基が、置換基を有していても良いアリールアミノ基を含有する官能基、置換基を有していても良い複素環を含有する官能基、置換基を有していても良い縮合芳香環を含有する官能基のいずれかであることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の有機半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
よって、本発明は、
基板上に、ゲート電極、絶縁材料層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機半導体素子において、該有機半導体層は電荷搬送性の有機基が表面に結合した炭素材料からなることを特徴とする有機半導体素子である。ここで、前記電荷搬送性の有機基は、脂肪族基、環式有機基、又は脂肪族部分と環式部分とを有する有機基であることが好ましい。また、前記炭素材料がカーボンブラック粒子であり、前記電荷搬送性有機基が、置換基を有していても良いアリールアミノ基を含有する官能基、置換基を有していても良い複素環を含有する官能基、置換基を有していても良い縮合芳香環を含有する官能基のいずれかであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る有機半導体素子は、
（１）基板上に、ゲート電極、絶縁材料層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機半導体素子において、該有機半導体層は電荷搬送性の有機基が表面に結合した炭素材料からなることを特徴とする有機半導体素子である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
なお本発明にかかわる有機半導体素子の有機半導体層を構成する炭素材料は、導電特性あるいは半導体特性を有する材料である。その炭素材料を処理している有機材料は上述のような電荷搬送性基を有している有機材料のような有機半導体材料である以外に、絶縁体である有機材料であってもよい。その場合でも、炭素材料が導電特性あるいは半導体特性を有しているために、本発明の有機半導体素子は有機半導体層が半導体特性を有することになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ゲート電極、絶縁材料層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機半導体素子が提供される。本発明によればキャリア移動度とオン／オフ比に優れた有機半導体素子が低コストで容易に作製できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルと、プリント基板と、前記液晶表示パネルの背面側に設けられた導光体と、発光素子とを備えた液晶表示装置であって、
前記プリント基板は貫通孔を有し、
前記プリント基板は直接的に、または、接続用フレキシブルプリント基板を介して間接的に、前記液晶表示パネルに電気的に接続されており、
前記発光素子は、モールドと、発光部と、電極とを有し、
前記発光素子の前記電極は、前記プリント基板に接続されており、
前記発光素子の前記モールドの少なくとも一部は、前記貫通孔内に位置しており、
前記発光部は、前記導光体の側面に対向して配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記発光素子の前記電極は、前記プリント基板の第１の面側で前記プリント基板に接続されており、
前記発光素子の発光部は、前記プリント基板の前記第１の面側とは反対側である第２の面側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記発光素子以外の電子部品が、前記プリント基板の前記第１の面側に実装されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記発光素子の投光方向は、前記プリント基板の面に対してほぼ平行な方向であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記プリント基板は可撓性のプリント基板であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記プリント基板は硬質のプリント基板であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記発光素子の前記発光部の前記プリント基板側の端部の位置が前記プリント基板の表面の位置とほぼ等しいことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記プリント基板の前記貫通孔から突き出た部分の前記発光素子の厚さよりも前記導光体の厚さの方が薄いことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記発光素子を複数有し、
前記プリント基板は、前記複数の発光素子に対応して前記貫通孔を複数有し、前記複数の貫通孔は、前記導光体の端部からの距離がそれぞれほぼ等しいことを特徴とする請求項１〜８の何れかに液晶表示装置。
【請求項１０】
前記貫通孔と前記発光素子は位置決め手段を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  上記敷物本体は、四辺を有する矩形状であるとともに、その各辺には、互いに係合可能な構成とされた第３係合部および第４係合部の一方が設けられている、請求項１ないし４のいずれかに記載の敷物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
スノコとして使用し得る敷物としては、従来より、たとえば図１１ないし図１３に示したようなものが一般的に使用されている。この図に示した敷物５は、全体として矩形状とされた敷物本体６に対して、たとえば木材により短冊状に形成された複数の踏み板７を、その幅方向に並ぶようにして取り付けた構成とされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、踏み板が適切に位置決めされた状態を維持しつつ、ボルト８締めによって踏み板７を敷物本体６に取り付けるのは困難であり、このような作業には熟練を要する。このため、上記構成の敷物５が多数枚が同時に使用され、敷物５自体が簡易に大量かつ安価に生産できることが当然に要求されることを考慮すれば、踏み板７を敷物本体６に取り付ける作業に熟練を要することは作業効率的にもコスト的にも相当に不利である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
好ましい実施の形態においてはさらに、上記敷物本体は、四辺を有する矩形状であるとともに、その各辺には、互いに係合可能な構成とされた第３係合部および第４係合部の一方が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
敷物本体２は、図３に示したように軟質の合成樹脂、たとえば軟質塩化ビニル、ポリプロピレンあるいはポリエチレンなどによって全体として矩形状に形成されており、その上面側には、周壁２１ａ，２１ｂおよび複数の仕切壁２２によって囲まれるようにして長矩形状の取付部２０が４つ並設されている。周壁２１ａ，２１ｂは、敷物本体２の四辺を構成するようにして設けられており、各取付部２０の長手方向に延びる部分２１ａが連続壁とされている一方、幅方向に延びる部分２１ｂが隣り合う取付部２０の境目において分断された非連続壁とされている。仕切壁２２は、図３および図４に良く表れているように、隣り合う取付部２０の間において、各取付部２０の長手方向に並ぶようにして一定間隔隔てて設けられているとともに、当該仕切壁２２の両サイドに溝部２２ａを形成するようにして落とし込み状に設けられており、図３および図７に良く表れているように隣り合う仕切壁２２の間が上下に貫通する連通空間２２ｂとされている。すなわち、各取付部２０の側端部には、仕切壁２２に沿うようにして長手方向に延びるようにして一連に溝が設けられた格好とされている。とくに、本実施形態では、敷物本体２が軟質樹脂によって形成されていることから、さらに容易に折り曲げることができる。そして、敷物１の踏み板３に付着した水などが、連通空間２２ｂを介して、敷物１の上面側から下面側に流れるようになされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このため、踏み板３は、敷物本体２の取付部２０の幅方向に対してスライド移動可能とされているとともに、蟻ほぞ２３とほぞ穴３０とを係合させた状態では、踏み板３は、その厚み方向への移動が制限されている。そして、取付部２０が周壁２１ａ，２１ｂや仕切壁２２によって囲まれていることから、踏み板３の取り付け状態では、敷物本体２の平面方向（接線方向）への移動も制限されており、とくに、踏み板３の幅方向へのスライド移動は、通常状態では、仕切壁２２に阻害されている。一方、図５に示したように、敷物本体２は、仕切壁２２に沿って一連に設けられた溝での折り曲げが容易であるのは上記した通りである。したがって、上記した溝に沿って敷物本体２を大きく折り曲げた状態では、取付部２０の蟻ほぞ２３の延長上に仕切壁２２がない状態、すなわち踏み板３の移動が仕切壁２２に阻害されない状態を造り出すことができる。このため、本実施形態の敷物１では、敷物本体２を折り曲げない状態では踏み板３の厚み方向および平面方向（長手方向および幅方向）への移動が確実に制限されて良好に取り付けられている一方、敷物本体２を折り曲げることにより容易に踏み板３を取り付け、取り外すことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2000320115.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  オルタネータの回転軸に外嵌固定自在なスリーブと、このスリーブの周囲にこのスリーブと同心に配置した従動プーリと、これらスリーブの外周面の軸方向中間部と従動プーリの内周面の軸方向中間部との間に設け、この従動プーリが上記スリーブに対し所定方向に相対回転する傾向となる場合にのみこれら従動プーリとスリーブとの間での回転力の伝達を自在とする一方向クラッチと、この一方向クラッチを軸方向両側から挟む位置で上記スリーブの外周面と上記従動プーリの内周面との間に設け、この従動プーリに加わるラジアル荷重を支承しつつこれらスリーブと従動プーリとの相対回転を自在とする１対のサポート軸受とを備え、これら１対のサポート軸受のうちの一方のサポート軸受をラジアルころ軸受とし、他方のサポート軸受をラジアル玉軸受としたオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置に於いて、このラジアル玉軸受を構成する各玉の直径を、上記ラジアルころ軸受を構成する各ころの直径よりも大きくした事を特徴とするオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置。
【請求項２】  スリーブの内径側に存在する部分のうち、軸方向に関してラジアル玉軸受が配置された側の端部に、オルタネータの回転軸の先端寄り部分を内嵌自在な嵌合孔部を形成しており、反対側の端部に、工具の先端部を係止する為の係止孔部を形成しており、この係止孔部は、断面形状が六角形で、外接円の直径が上記嵌合孔部の内径よりも大きい、請求項１に記載したオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
これに対して、上記公報に記載された従来構造の場合、上記ラジアル玉軸受を上記スリーブの内径が大きい部分に、上記ラジアルころ軸受をこのスリーブの内径が小さい部分に、それぞれ配置している。この為、上述の様にラジアルころ軸受とラジアル玉軸受との転がり疲れ寿命をほぼ等しくしつつ、オルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置の直径方向に関する小型化を図ろうとすると（上記スリーブの外径を小さくすると）、このスリーブのうち、上記ラジアル玉軸受を配置した部分の直径方向の肉厚が過度に小さくなる。この為、このラジアル玉軸受の内径側部分で、上記スリーブの剛性確保を図る事が難しくなる。従って、上記公報に記載された従来構造の場合には、１対のサポート軸受である、ラジアルころ軸受とラジアル玉軸受との転がり疲れ寿命をほぼ等しくしつつ、直径方向の小型化を図る為の設計が難しい。
本発明のオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置は、上述の様な事情に鑑みて、１対のサポート軸受以外に別個の部材を設ける事なく、スラスト荷重を支承可能にすると共に、１対のサポート軸受である、上記ラジアルころ軸受とラジアル玉軸受との転がり疲れ寿命をほぼ等しくして、バランスの良い設計を可能にすべく発明したものである。又、オルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置の直径方向の小型化を十分に図れる構造を、低コストで実現すべく発明したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置は、前述の特開平８−２２６４６２号公報に記載された従来構造と同様、オルタネータの回転軸に外嵌固定自在なスリーブと、このスリーブの周囲にこのスリーブと同心に配置した従動プーリと、これらスリーブの外周面の軸方向中間部と従動プーリの内周面の軸方向中間部との間に設け、この従動プーリが上記スリーブに対し所定方向に相対回転する傾向となる場合にのみこれら従動プーリとスリーブとの間での回転力の伝達を自在とする一方向クラッチと、この一方向クラッチを軸方向両側から挟む位置で上記スリーブの外周面と上記従動プーリの内周面との間に設け、この従動プーリに加わるラジアル荷重を支承しつつこれらスリーブと従動プーリとの相対回転を自在とする１対のサポート軸受とを備える。そして、これら１対のサポート軸受のうちの一方のサポート軸受をラジアルころ軸受とし、他方のサポート軸受を、ラジアル荷重に加えてスラスト荷重も支承自在な、深溝型のラジアル玉軸受としている。  特に、本発明のオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置に於いては、上記ラジアル玉軸受を構成する各玉の直径を、上記ラジアルころ軸受を構成する各ころの直径よりも大きくしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【作用】
上述の様に構成する本発明のオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置の場合、ラジアル玉軸受を構成する各玉の直径を、ラジアルころ軸受を構成する各ころの直径よりも大きくする事により、これら両軸受の耐久性能を等しくして、バランスの良い設計が可能になる。又、本発明の場合には、１対のサポート軸受のうちの一方のサポート軸受をラジアルころ軸受とし、他方のサポート軸受を、深溝型のラジアル玉軸受としている為、別個の部材を設ける事なく、ラジアル荷重に加えてスラスト荷重も支承可能になる。又、本発明を実施する場合に、例えば、直径方向に関する設置スペースが嵩む上記ラジアル玉軸受を、一方向クラッチの軸方向両側部分のうち、上記スリーブの内径（若しくは１乃至複数個の孔部の外接円の直径）が小さい部分に配置すれば、上記スリーブのうち、この内径が小さい部分では、直径方向の肉厚に余裕がある。この為、直径方向に関する小型化を図るべく、上記スリーブの外径を小さくしても、このスリーブのうち、上記ラジアル玉軸受を配置した部分の肉圧を十分に確保して、このスリーブの剛性を十分に確保できる。従って、本発明の場合には、１対のサポート軸受である、ラジアルころ軸受とラジアル玉軸受との転がり疲れ寿命をほぼ等しくしつつ、直径方向に関する小型化を十分に図れる。尚、後述する、本発明の実施の形態の各例に於いては、従動プーリの内周面を単一円筒面状に形成し、スリーブの外周面を段付きではあるが比較的単純な２段の円筒面状に形成した為、機械加工が容易で、コストの低減を図れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
本発明のオルタネータ用一方向クラッチ内蔵型プーリ装置は、以上に述べた通り構成され作用する為、１対のサポート軸受として、ころ軸受と玉軸受とを１個ずつ使用しても、両軸受の寿命を同じ様にしつつ、直径方向に関する小型化を十分に図れる。この結果、重量の軽減にも寄与できる。又、各部の加工が容易で、製造コストが嵩む事もない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この様な一方向クラッチ１０ａを構成する、上記各ローラ２１は、上記一方向クラッチ用内輪１３と上記外輪１８とが所定方向に相対回転する場合には、これら一方向クラッチ用内輪１３の外周面と外輪１８の内周面との間の隙間のうち、直径方向に亙る幅が狭くなった部分に食い込み、これら一方向クラッチ用内輪１３と外輪１８との間で回転力の伝達を行なわせる。これに対して、上記一方向クラッチ用内輪１３と上記外輪１８とが逆方向に相対回転する場合に上記各ローラ２１は、上記隙間のうちの幅が広くなった部分に移動して当該部分で転動自在となり、これら一方向クラッチ用内輪１３と外輪１８との間で回転力の伝達を行なわせない。尚、この様な一方向クラッチ１０ａの構成及び作用は、従来から広く知られており、本発明の要旨でもない為、詳しい説明は省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）下記一般式（Ｘ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）、
下記一般式（Ｙ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）、及び
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2002207294.tif 000001
（式（Ｘ）中、Ｒ1、Ｒ2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、直鎖、分岐、環状アルキル基を表わす。ｍは１〜２０の整数を表わす。）
【化２】
2002207294.tif 000002
（Ｒ3は置換基を有していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基を表わす。ｎは０〜５の整数を表わす。）
【化３】
2002207294.tif 000003
（式（Ｙ）中、Ｒ4は炭素数１〜４の低級アルキル基を表わす。）
【請求項２】  （ａ）下記一般式（Ｉ）、一般式（II）及び一般式（III）で示される構造単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ'）、
下記一般式（IV）、一般式（Ｖ）及び一般式（VI）で示される構造単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ'）、及び
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
2002207294.tif 000004
（式（Ｉ）〜（III)中、Ｒ5は酸安定基を表わす。Ｗは前記一般式（Ｘ）で示される基を表わす。ｘ、ｙは１〜１００、ｚは０〜１００、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）
【化５】
2002207294.tif 000005
（式（IV）〜（VI)中、Ｒ6は水素原子、メチル基を表わす。Ｒ7は直鎖、分岐、環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基を表わす。Ｗ'は前記一般式（Ｙ）で示される基を表わす。ｘ'、ｙ'は１〜１００、ｚ'は０〜１００、但しｘ'＋ｙ'＋ｚ'＝１００）
【請求項３】  （ｂ）の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、スルホニウム塩構造を有する化合物又はジアゾジスルホン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項４】  （ｂ）の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、スルホニウム塩構造を有する化合物及びジアゾジスルホン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回転するインキュベータロータ円周上に複数の素子室を設け、該素子室に検体が点着された乾式分析素子を収納してインキュベーションするインキュベータにおいて、
前記インキュベータロータの素子室より内側から下方の回転中心に向かう斜面を設け、該斜面の下端部における径の狭まった部分に円筒状の回転軸を設け、該回転軸を軸受部材で支持し、前記斜面および回転軸の内部を測定後の乾式分析素子の廃却穴に設けたことを特徴とするインキュベータ。
【請求項２】  前記斜面が水平面に対して３０゜以上の傾きを有することを特徴とする請求項１に記載のインキュベータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のインキュベータは、回転するインキュベータロータ円周上に複数の素子室を設け、該素子室に検体が点着された乾式分析素子を収納してインキュベーションするインキュベータにおいて、前記インキュベータロータの素子室より内側から下方の回転中心に向かう斜面を設け、該斜面の下端部における径の狭まった部分に円筒状の回転軸を設け、該回転軸を軸受部材で支持し、前記斜面および回転軸の内部を測定後の乾式分析素子の廃却穴に設けたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記斜面を、水平面に対して３０゜以上の乾式分析素子が滑落可能な角度に設けるのが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の効果】
上記のような本発明によれば、測定後の乾式分析素子の廃却穴を、インキュベータロータの素子室より内側から下方の回転中心に向かう斜面と該斜面の下端部における径の狭まった部分に設けた円筒状の回転軸とで構成し、この回転軸を軸受部材で支持するようにしたことにより、軸受部材の径が小さくなりコストの低減化が図れると共に、測定後の乾式分析素子の搬送距離が短くて搬送部材の長さや搬送ストロークの長さが増大することなく乾式分析素子の廃却が容易に行え、装置の小型軽量化が図れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、インキュベータロータの外周部の素子室に近いところから、回転軸に向かう斜面形状をもつ廃却穴構造および回転軸支持構造としたことにより、インキュベータロータは軽量ながらも剛性を確保して振れの少ない構造に設けることができ、摺動材を用いることなく、測光ヘッドに対する回転偏位が小さく測定精度を向上でき、搬送機構の簡素化とともに装置の小型軽量化が実現可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この斜面を水平面に対して３０゜以上の角度に設けると、乾式分析素子の落下が確実となり、素子室の近傍から廃却穴が開口していることと相俟って、乾式分析素子を容易に廃却できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
翻訳装置を、
アプリケーションプログラム毎かつ翻訳対象毎に設定された翻訳環境設定情報を共通のファイルに記憶する手段、
前記アプリケーションプログラムに表示されるダイアログ画面を通じてアプリケーションプログラム毎かつ翻訳対象毎の翻訳環境が指定されて、指定された翻訳環境を前記翻訳環境設定情報に設定する手段、
指定された前記翻訳環境設定情報を利用して翻訳を実行する手段、
として機能させるための翻訳プログラム。
【請求項２】
前記翻訳装置を、前記翻訳環境としてデフォルト値が指定されて、指定されたデフォルト値を前記翻訳環境設定情報に設定する手段として更に機能させるための請求項１に記載の翻訳プログラム。
【請求項３】
アプリケーションプログラム毎かつ翻訳対象毎に設定された翻訳環境設定情報を共通のファイルに記憶する手段と、
前記アプリケーションプログラムに表示されるダイアログ画面を通じてアプリケーションプログラム毎かつ翻訳対象毎の翻訳環境が指定されて、指定された翻訳環境を前記翻訳環境設定情報に設定する手段と、
指定された前記翻訳環境設定情報を利用して翻訳を実行する手段と、
を有する翻訳装置。
【請求項４】
前記翻訳環境としてデフォルト値が指定されて、指定されたデフォルト値を前記翻訳環境設定情報に設定する手段を更に有する請求項３に記載の翻訳装置。
【請求項５】
アプリケーションプログラム毎かつ翻訳対象毎に設定された翻訳環境設定情報を共通のファイルに記憶するステップと、
前記アプリケーションプログラムに表示されるダイアログ画面を通じてアプリケーションプログラム毎かつ翻訳対象毎の翻訳環境が指定されて、指定された翻訳環境を前記翻訳環境設定情報に設定するステップと、
指定された前記翻訳環境設定情報を利用して翻訳を実行するステップと、
を有する翻訳方法。
【請求項６】
前記翻訳環境としてデフォルト値が指定されて、指定されたデフォルト値を前記翻訳環境設定情報に設定するステップを更に有する請求項５に記載の翻訳方法。