【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、
少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層からなるメサストライプ構造と、
該メサストライプ構造上に積層された第２導電型の第３クラッド層とを有し、
該第２クラッド層の少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる半導体レーザ素子において、
該第２クラッド層上に該第２クラッド層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる第２導電型のメサ保護層を有する半導体レーザ素子。
【請求項２】  基板上に、
少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層からなるメサストライプ構造と、
該メサストライプ構造の両側を埋め込んで電流狭窄に寄与する埋め込み層と、
該メサストライプ構造上および該埋め込み層上にわたって積層された第２導電型の第３クラッド層とを有し、
該第２クラッド層の少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子において、
該第２クラッド層上に該第２クラッド層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる第２導電型のメサ保護層を有する埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項３】  前記埋め込み層上面と前記第３クラッド層下面が直接接している請求項２に記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項４】  前記埋め込み層の上面のＡｌ組成比が０．３以下である請求項２または請求項３に記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項５】  基板上に、
少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層からなるメサストライプ構造と、
該メサストライプ構造の両側を埋め込んで電流狭窄に寄与する埋め込み層と、
該メサストライプ構造上および該埋め込み層上にわたって積層された第２導電型の第３クラッド層とを有し、
該埋め込み層の少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子において、
該埋め込み層上に該埋め込み層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる埋め込み保護層を有する埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項６】  前記第２クラッド層の上面のＡｌ組成比が０．０５未満である請求項５に記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項７】  基板上に、
少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層からなるメサストライプ構造と、
該メサストライプ構造の両側を埋め込んで電流狭窄に寄与する埋め込み層と、
該メサストライプ構造上および該埋め込み層上にわたって積層された第２導電型の第３クラッド層とを有し、
該第２クラッド層の少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなり、該埋め込み層の少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子において、
該第２クラッド層上に該第２クラッド層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる第２導電型のメサ保護層を有し、該埋め込み層上に該埋め込み層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる埋め込み保護層を有する埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項８】  前記埋め込み保護層の導電型が第２導電型である請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項９】  前記埋め込み層が少なくとも３層からなり、その導電型が基板側から順に第２導電型、第１導電型および第２導電型である請求項８に記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項１０】  前記メサ保護層が、ＧａＡｓまたはＡｌ組成比が０．０５未満のＡｌＧａＡｓからなる請求項１乃至請求項３のいずれか、または請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項１１】  前記埋め込み保護層が、ＧａＡｓまたはＡｌ組成比が０．３未満のＡｌＧａＡｓからなる請求項５乃至請求項９のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項１２】  前記メサ保護層または前記埋め込み保護層は、発振光に対する光吸収が殆ど無いか、または全く無い材料からなる請求項２乃至請求項１１のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項１３】  前記メサ保護層または前記埋め込み保護層の層厚が、２０ｎｍ以下である請求項２乃至請求項１２のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子。
【請求項１４】  基板上に、少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２クラッド層を有する半導体多層膜構造を形成する工程と、
少なくとも該第２クラッド層、該活性層および該第１クラッド層の一部を除去してメサストライプ構造を形成する工程と、
該メサストライプ構造の両側に電流狭窄に寄与する埋め込み層を形成する工程と、
該メサストライプ構造上および該埋め込み層上にわたって第２導電型の第３クラッド層を形成する工程と
を含み、
該第２クラッド層および該埋め込み層のうちの少なくとも一方の少なくとも最上部をＡｌを含む材料で形成する埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法において、
該第３クラッド層を形成する工程の前に、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムのうちの少なくとも１種類を含む溶液で表面処理を施す埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１５】  基板上に、少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層、少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる第２導電型の第２クラッド層および該第２クラッド層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる第２導電型のメサ保護層を有する半導体多層膜構造を形成する工程と、
少なくとも該メサ保護層、該第２クラッド層、該活性層および該第１クラッド層の一部を除去してメサストライプ構造を形成する工程と、
該メサストライプ構造の両側に電流狭窄に寄与し、かつ、少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる埋め込み層を形成する工程と、
該メサストライプ構造上および該埋め込み層上にわたって第２導電型の第３クラッド層を形成する工程と
を含む埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法において、
該第３クラッド層を形成する工程の前に、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムのうちの少なくとも１種類を含む溶液で表面処理を施す埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１６】  基板上に、少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性層、少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる第２導電型の第２クラッド層を有する半導体多層膜構造を形成する工程と、
少なくとも該第２クラッド層、該活性層および該第１クラッド層の一部を除去してメサストライプ構造を形成する工程と、
該メサストライプ構造の両側に電流狭窄に寄与し、かつ、少なくとも最上部がＡｌを含む材料からなる埋め込み層および該埋め込み層の最上部よりもＡｌ組成比が小さい材料からなる埋め込み保護層を順次形成する工程と
を含む埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法において、
該第３クラッド層を形成する工程の前に、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムのうちの少なくとも１種類を含む溶液で表面処理を施す埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】  前記表面処理を施す面のＡｌ組成比が０．４５以下である請求項１４乃至請求項１６のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１８】  前記表面処理をフッ化水素酸およびフッ化アンモニウム水溶液を混合した溶液を用いて行う請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１９】  請求項２乃至請求項１３のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子、または請求項１４乃至請求項１８のいずれかに記載の埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子の製造方法により作製された半導体レーザ素子と、光学部品とを組み込んで一体化した光モジュール。