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【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  通路に沿って配置されたマーキングステーションと、前記通路において前記マーキングステーションの下流にある反転器と、前記通路において前記マーキングステーションの上流の位置に、前記反転器を連結する両面印刷ループと、シートの前縁を検出するために前記両面印刷ループの所定位置に配置された両面印刷センサとを有する印刷装置内におけるシートの運動を制御するための方法であって、
前記シートを処理速度で前記通路を通して移動させ、
前記両面印刷ループの一部を通すとき前記シートを両面印刷速度で移動させ、
前記両面印刷センサに到達した前記シートについて、予め定めた所定の到達時間との誤差を求め、
少なくとも前記誤差に基づいて、前記両面印刷速度から前記処理速度への前記シートの速度変更を開始するための時間を計算する、
ことから成ることを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法において、
前記計算するステップが、
前記誤差が範囲外であるかどうかを判定すること、及び
前記誤差が範囲外である場合、前記求めた誤差の代わりに代替誤差値を用いることを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】  請求項１に記載の方法において、前記印刷装置がシートにたわみを生成するための手段をさらに備え、
前記計算するステップが、前記シートのたわみ量に関する変数を考慮することを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】  請求項２に記載の方法において、
前記たわみを生成するための手段が前記マーキングステーションの上流に配置される、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる熱膨張係数を持つ第一及び第二の部品と、前記第一及び第二の部品間に取り付けられたはんだとを含み、
前記はんだがトロイド形状を有し、前記第一及び第二の部品間に形成される空洞を囲むものであることを特徴とする構造。
【請求項２】
前記はんだがインジウムベースの合金であることを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記はんだ接合の作業温度において、印加ストレスが５ＭＮ・ｍ-2の場合、前記はんだの応力破断寿命が約１０００分未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の構造。
【請求項４】
前記はんだの厚さが２０μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造。
【請求項５】
前記はんだの厚さが５μｍ以下であることを特徴とする謂求項１〜３のいずれか１項に記載の構造。
【請求項６】
前記トロイド形状が、前記第一及び第二の部品の熱膨張により前記はんだ中に大きな引張ストレス又は接線ストレスを生じることがないように設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造。
【請求項７】
前記第一の部品が、前記はんだが付着するメタライゼーション領域を持つシリコン基板を含むものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に先行請求項いずれかに記載の構造。
【請求項８】
前記第二の部品が、前記はんだが付着するメタライゼーション領域を持つ石英プレートを含むものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の構造。
【請求項９】
前記構造が、光スイッチであって、
前記第一の部品が集積回路を含み、前記第二の部品が光学プレートを含み、そして前記はんだが、前記光学プレートを前記集積回路へと取り付け、前記光学プレートと前記集積回路との間にある前記空洞を気密封止するものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１０】
異なる熱膨張係数を持つ第一及び第二の部品と、前記第一及び第二の部品間に取り付けられたはんだとを含み、前記はんだの厚さが２０μｍ未満であり、前記第一及び第二の部品の熱膨張による剪断ストレスの原因に応じて変形する傾向があるはんだ接合。
【請求項１１】
光学プレートと、集積回路と、該集積回路に前記光学プレートを取り付け、前記集積回路と前記光学プレートとの間にある空洞を気密封止するはんだ封止とを備えた光スイッチであって、
前記はんだ封止は、円環の形状であり、前記円環はそのフットプリントより大幅に大きい直径を有し、前記フットプリントが、前記円環の厚さよりも大幅に大きい
光スイッチ。
【請求項１２】
実質的に明細書に記載され、図２Ａおよび図３Ｂに例示されている構造。
【請求項１３】
実質的に明細書に記載され、図２Ａおよび図３Ｂに例示されているはんだ接合。
【請求項１４】
実質的に明細書に記載され、図２Ａおよび図３Ｂに例示されている光スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、信号補正回路を有し、
前記画素は、複数の副画素を有し、
前記複数の副画素の各々は、発光素子を有し、
前記信号補正回路は、前記複数の副画素に同じ信号を入力したときの前記発光素子の輝度の逆数を算出し、前記逆数と第１の信号の階調情報の積である第２の信号を算出し、前記第２の信号を前記複数の副画素に出力する回路であり、
前記複数の副画素の各々が含む前記発光素子は、同じ電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
画素と、信号補正回路を有し、
前記画素は、複数の副画素を有し、
前記複数の副画素の各々は、発光素子とトランジスタを有し、
前記信号補正回路は、前記複数の副画素に同じ信号を入力したときの前記発光素子の輝度の逆数を算出し、前記逆数と第１の信号の階調情報の積である第２の信号を算出し、前記第２の信号を前記複数の副画素に出力する回路であり、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は電源線に接続され、前記トランジスタのソース又はドレインの他方は前記発光素子に接続され、
前記複数の副画素の各々が含む前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、同じ電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
画素と、信号補正回路を有し、
前記画素は、複数の副画素を有し、
前記複数の副画素の各々は、発光素子、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有し、
前記信号補正回路は、前記複数の副画素に同じ信号を入力したときの前記発光素子の輝度の逆数を算出し、前記逆数と第１の信号の階調情報の積である第２の信号を算出し、前記第２の信号を前記複数の副画素に出力する回路であり、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は電源線に接続され、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記発光素子に接続され、前記第１のトランジスタのゲートは前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方はソース線に接続され、前記第２のトランジスタのゲートはゲート線に接続され、
前記複数の副画素の各々が含む前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、同じ電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
画素と、信号補正回路を有し、
前記画素は、複数の副画素を有し、
前記複数の副画素の各々は、発光素子を有し、
前記信号補正回路は、前記複数の副画素に同じ信号を入力したときの前記発光素子の輝度の逆数を算出し、最も低い前記輝度と前記逆数の積をそれぞれ算出し、前記積と第１の信号の階調情報の積である第２の信号を算出し、前記第２の信号を前記複数の副画素に出力する回路であり、
前記複数の副画素の各々が含む前記発光素子は、同じ電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
画素と、信号補正回路を有し、
前記画素は、複数の副画素を有し、
前記複数の副画素の各々は、発光素子とトランジスタを有し、
前記信号補正回路は、前記複数の副画素に同じ信号を入力したときの前記発光素子の輝度の逆数を算出し、最も低い前記輝度と前記逆数の積をそれぞれ算出し、前記積と第１の信号の階調情報の積である第２の信号を算出し、前記第２の信号を前記複数の副画素に出力する回路であり、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は電源線に接続され、前記トランジスタのソース又はドレインの他方は前記発光素子に接続され、
前記複数の副画素の各々が含む前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、同じ電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
画素と、信号補正回路を有し、
前記画素は、複数の副画素を有し、
前記複数の副画素の各々は、発光素子、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有し、
前記信号補正回路は、前記複数の副画素に同じ信号を入力したときの前記発光素子の輝度の逆数を算出し、最も低い前記輝度と前記逆数の積をそれぞれ算出し、前記積と第１の信号の階調情報の積である第２の信号を算出し、前記第２の信号を前記複数の副画素に出力する回路であり、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は電源線に接続され、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記発光素子に接続され、前記第１のトランジスタのゲートは前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方はソース線に接続され、前記第２のトランジスタのゲートはゲート線に接続され、
前記複数の副画素の各々が含む前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、同じ電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記発光素子は、赤、緑または青色を発光する発光素子であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
カラーフィルタまたは蛍光フィルタを有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の前記発光装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来技術】
工業用部品のＸ線検査システムにリニア検出器を使用することは公知である。リニア検出器は改良されたコントラスト解像度を提供でき、従ってデジタルＸ線撮影法（ＤＲ）及びコンピュータ断層撮影法（ＣＴ）に適している。改良されたコントラスト解像度は、得られる画像への散乱Ｘ線の分散を減少させるＸ線コリメーションの使用により得られる。理想的には、Ｘ線源は、検査される部品上の検査領域を定めるフラットなＸ線ビーム平面を形成するように垂直方向にコリメートされる。不都合なことに、Ｘ線の焦点からのＸ線ビームには垂直方向の開きが存在する。この開きは、部品を望ましい検査区域の外側のＸ線に曝し、そのことがＸ線散乱を生じさせる。開きを最小にするためには、線源コリメータのアパーチャの寸法を縮小させることができるが、このことはＸ線焦点の垂直方向の遮蔽を招き、Ｘ線源の有効出力を減少させ、そのため部品検査時間を増大させる。垂直方向のコリメーションはまた、ターゲットとＸ線検出器との間で行われることができるが、この手法は、部品と検出器との距離を増加させ、コリメーションの効果を低下させる。そのことはまた、検査の有効視野（及び、従って検査可能な部品寸法）を縮小させ、焦点ぶれの影響を増大させる。
【特許文献１】米国特許第６４９６５５７号
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の検査方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単体の半導体素子に一定の電圧を印加し、時間経過後の前記半導体素子の第１の電流値の変化量を求め、
複数の半導体素子からなる回路にパルス状の電源電圧を印加し、時間経過後の前記回路の第２の電流値の変化量を求め、
前記第１の電流値の変化量と、前記第２の電流値の変化量との相関を求め、
前記複数の半導体素子からなる回路に電源電圧を印加し、時間経過後の前記電源電圧の変化量を求め、
前記第２の電流値と、前記電源電圧の変化量との相関を求めることにより半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
単体の半導体素子に一定の電圧を印加し、時間経過後の前記半導体素子の第１の電流値の変化量を求め、
複数の半導体素子からなる回路にパルス状の電源電圧を印加し、時間経過後の前記回路の第２の電流値の変化量を求め、
前記第１の電流値の変化量と、前記第２の電流値の変化量との相関を求め、
前記複数の半導体素子からなる回路に電源電圧を印加し、時間経過後の前記電源電圧の変化量を求め、
前記第２の電流値と、前記電源電圧の変化量との相関を求めることにより半導体装置の予想される劣化を求める半導体装置の検査方法であって、
前記回路に対するオフストレス、オンストレス、及びトランジェントストレスによる劣化をそれぞれ分離した状態で半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項３】
ＴＥＧを構成する単体の半導体素子に一定の電圧を印加し、時間経過後の前記半導体素子の第１の電流値の変化量を求め、
ＴＥＧを構成する複数の半導体素子からなる回路にパルス状の電源電圧を印加し、時間経過後の前記回路の第２の電流値の変化量を求め、
前記第１の電流値の変化量と、前記第２の電流値の変化量との相関を求め、
前記複数の半導体素子からなる回路に電源電圧を印加し、時間経過後の前記電源電圧の変化量を求め、
前記第２の電流値と、前記電源電圧の変化量との相関を求めることにより前記ＴＥＧと同一基板に形成された半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項４】
ＴＥＧを構成する単体の半導体素子に一定の電圧を印加し、時間経過後の前記半導体素子の第１の電流値の変化量を求め、
ＴＥＧを構成する複数の半導体素子からなる回路にパルス状の電源電圧を印加し、時間経過後の前記回路の第２の電流値の変化量を求め、
前記第１の電流値の変化量と、前記第２の電流値の変化量との相関を求め、
前記複数の半導体素子からなる回路に電源電圧を印加し、時間経過後の前記電源電圧の変化量を求め、
前記第２の電流値と、前記電源電圧の変化量との相関を求めることにより前記ＴＥＧと同一基板に形成された半導体装置の予想される劣化を求める半導体装置の検査方法であって、
前記回路に対するオフストレス、オンストレス、及びトランジェントストレスによる劣化をそれぞれ分離した状態で半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項５】
単体の半導体素子に一定の電圧を印加し、時間経過後の前記半導体素子の第１のオン電流値の変化量を求め、
複数の半導体素子からなる回路にパルス状の電源電圧を印加し、時間経過後の前記回路の第２のオン電流値の変化量を求め、
前記第１のオン電流値の変化量と、前記第２のオン電流値の変化量との相関を求め、
前記複数の半導体素子からなる回路に電源電圧を印加し、時間経過後の前記電源電圧の変化量を求め、
前記第２のオン電流値と、前記電源電圧の変化量との相関を求めることにより半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項６】
単体の半導体素子に一定の電圧を印加し、時間経過後の前記半導体素子の第１のオン電流値の変化量を求め、
複数の半導体素子からなる回路にパルス状の電源電圧を印加し、時間経過後の前記回路の第２のオン電流値の変化量を求め、
前記第１のオン電流値の変化量と、前記第２のオン電流値の変化量との相関を求め、
前記複数の半導体素子からなる回路に電源電圧を印加し、時間経過後の前記電源電圧の変化量を求め、
前記第２のオン電流値と、前記電源電圧の変化量との相関を求めることにより半導体装置の予想される劣化を求める半導体装置の検査方法であって、
前記回路に対するオフストレス、オンストレス、及びトランジェントストレスによる劣化をそれぞれ分離した状態で半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記回路に印加する電源電圧の違いによる劣化を考慮して半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記パルス状の電源電圧の立ち上がり又は立ち下がりを考慮して前記半導体装置の予想される劣化を求めることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定デバイスに対する測定を実施するための干渉計・偏光計組み合わせシステムであって、
第１の端部と第２の端部を備える第１の干渉計アームと、
第１の端部と第２の端部を備える第２の干渉計アームと、
前記第１の干渉計アームの前記第１の端部及び前記第２の干渉計アームの前記第１の端部に光学的に結合される、光ビームを発生するための可調レーザ源と、
前記第２の干渉計アームの前記第２の端部に光学的に結合されて、前記光ビームの第２の部分を受光し、前記第１の干渉計アームの前記第２の端部に選択的に光学的に結合されて、前記光ビームの第１の部分を選択的に受光する偏光計
を備え、
前記偏光計は、前記第２の干渉計アームの前記第１の端部と前記第２の端部の間に前記被測定デバイスが挿入されると、前記光ビームの前記第１の部分及び前記第２の部分の検出から生じる強度信号に対応する電気信号を発生するように構成されることからなる、システム。
【請求項２】
さらに、前記可調レーザ源からの前記光ビームの偏光を調整可能にする偏光コントローラを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
さらに、前記偏光計に電気的に結合されたプロセッサを備え、前記プロセッサが、前記偏光計から前記電気信号を受信して、前記電気信号に基づいて、前記被測定デバイスの光学パラメータを求めるように構成されることからなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記光学パラメータが主偏光状態の色分散である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記可調レーザ源に光学的に結合されて、前記可調レーザ源からの前記光ビームの周波数をモニタ可能にする波長基準ユニットをさらに含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記プロセッサが、前記波長基準ユニットに電気的に結合されて、光路長の不整合を数値的に補正できるようになっていることからなる、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記偏光計によって選択的に受光される前記光ビームの前記第１の部分は、受光されるようには選択されないことからなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記偏光計が、前記光ビームの前記第２の部分の偏光に対応する電気信号を発生することからなる、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記偏光計が４つの光検出器を備えることからなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
被測定能動素子に対する測定を実施するための干渉計・偏光計組み合わせシステムであって、
第１の端部と第２の端部を備える第１の干渉計アームと、
第１の端部と第２の端部を備える第２の干渉計アームと、
前記第１の干渉計アームの前記第１の端部及び前記第２の干渉計アームの前記第１の端部に光学的に結合される、光ビームを発生するための可調レーザ源と、
飽和トーンを発生するための飽和トーン発生器であって、前記被測定能動デバイスが光学的に刺激を受けるように、前記飽和トーンを受けて前記被測定能動デバイスに送り込むための前記第２の干渉計アームの前記第１の端部に光学的に結合される、飽和トーン発生器と、
前記第２の干渉計アームの前記第２の端部に光学的に結合されて、前記光ビームの第２の部分を受光し、前記第１の干渉計アームの前記第２の端部に選択的に光学的に結合されて、前記光ビームの第１の部分を選択的に受光する偏光計
を備え、
前記偏光計は、前記第２の干渉計アームの前記第１の端部と前記第２の端部の間に前記被測定能動デバイスが挿入されると、前記光ビームの前記第１の部分及び前記第２の部分の検出から生じる強度信号に対応する電気信号を発生するように構成されることからなる、システム。
【請求項１１】
被測定デバイスに対する測定を実施するための干渉計・偏光計組み合わせシステムであって、
光ビームを発生するための可調レーザ源と、
前記可調レーザ源に光学的に結合された第１の光路と、
前記可調レーザ源に光学的に結合された第２の光路と、
前記第２の光路に光学的に結合されて、前記光ビームの第２の部分を受光し、前記第１の光路に選択的に光学的結合を施されて、前記光ビームの第１の部分を選択的に受光する偏光計
を備え、
前記偏光計は、前記第２の光路に前記被測定デバイスが光学的に結合されると、前記光ビームの前記第１の部分及び前記第２の部分の検出から生じる強度信号に対応する電気信号を発生するように構成されることからなる、システム。
【請求項１２】
被測定デバイスに対する測定を行うための干渉計・偏光計組み合わせシステムであって、
可調レーザ源と、
偏光計と、
第１の光路であって、前記被測定デバイスが前記第１の光路の一部をなす場合に、前記偏光計に前記可調レーザ源を光学的に結合する、第１の光路と、
前記偏光計に対する前記可調レーザ源の光学的結合を選択的に施す第２の光路
を備え、
前記可調レーザ源が、前記第２の光路によって前記偏光計に光学的に結合される場合、及び、前記被測定デバイスが、前記第１の光路の一部をなす場合には、前記偏光計による光学的干渉測定の実施が可能になることからなる、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学システム（６０）を使用して物体（６４）の表面形状（６２）を測定するための方法であって、
測定セル（６６）内に前記物体を位置決めする段階と、
前記セルを流体で満たす段階と、
前記測定セル内の前記物体に向けて光線を透過する段階と、
前記物体の表面の照度を測定する段階と、
前記表面の照度に基づいて前記物体の画像を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記セル（６６）を流体で満たす前記段階が、前記セルを半透明な流体で満たす段階を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
測定セル（６６）内に前記物体を位置決めする前記段階が、前記セル内に形成され、測定される前記物体の表面形状（６２）にほぼ類似した形状を有する少なくとも１つの壁面（８２）を有する空洞（８０）内に前記物体を位置決めする段階を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記測定セル（６６）内に前記物体を位置決めするのに先だって、測定される前記物体（６４）の表面（６２）を光学的に均一な皮膜で被覆する段階を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
測定される前記物体（６４）の表面（６２）を被覆する前記段階が、前記物体の表面の反射率を制御するのを助けるように前記物体の表面を被覆する段階を更に含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
翼形状物体（６４）の表面形状（６２）を測定するための光学システム（６０）であって、
前記翼形状物体を内部に受け入れる大きさにされ、半透明な流体で満たされた空洞（８０）を有する測定セル（６６）と、
該測定セルに向けて光線を透過するための光源（７０）と、
前記翼形状物体の照度を測定するための画像取得装置（７２）と、
を含み、
該画像取得装置が、前記翼形状物体の照度に基づいて該翼形状物体の表面の画像を生成するように構成されている、
ことを特徴とする光学システム。
【請求項７】
前記測定セルの空洞（８０）が、該空洞を形成し、前記翼形状物体（６４）の表面（６２）の形状の輪郭とほぼ類似した輪郭を有する少なくとも１つの壁面（８２）を更に含むことを特徴とする、請求項６に記載の光学システム（６０）。
【請求項８】
前記光源（７０）と前記測定セル（６６）との間にビームスプリッタ（７４）を更に含むことを特徴とする、請求項６又は７に記載の光学システム（６０）。
【請求項９】
前記ビームスプリッタ（７４）は、光線が前記翼形状物体（６４）の表面（６２）に対してほぼ直角になるように、前記測定セル（６６）に向けて光線を導くように構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の光学システム（６０）。
【請求項１０】
前記測定セル（６６）が基準表面（９０）を更に含むことを特徴とする、請求項６乃至９のいずれかに記載の光学システム（６０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ＣＭＭはまた、物体の寸法情報を取得するためにも使用されてきた。このシステムでは、プローブが、物体の表面に接触するように三次元座標測定空間内で位置決めされて、その時点でのプローブの先端の位置が測定される。この作業を多数回繰り返して、表面形状を求める。ＣＭＭは高価であり、またこのような確認作業は、ブレード翼形部の表面輪郭及び位置を正確にマッピングするために、多くの時間がかかることになる。更に、少なくとも一部の公知のＣＭＭでは、ブレード翼形部の前縁及び後縁のような小さい半径を持つ表面形状を測定する場合に、ＣＭＭの精度が悪化する場合がある。
【特許文献１】米国特許第６４６７３３９号
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）が構造化光システム（１４）により部品上に投射され、該部品から反射された光が評価のために画像形成システム（１５）により捕捉される、部品（Ａ）を光ゲージ試験するための試験方法において、該部品の合否を評価するための最適情報を得るために該試験方法において使用されるそれぞれの構成要素を配置しかつ位置合わせするための方法であって、
先ず始めに光投射器（１４）と前記画像形成システムの少なくとも１つのカメラ（１６）とを物体試験片と位置合わせし、
該試験片上に一連の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）を投射して、該試験片からの光反射の画像を捕捉し、
該画像を評価して各々の光ストライプの特性を求め、
該光ストライプの特性が前記試験片の区域（Ｓ）全体にわたり実質的に一様である場合には、前記試験用配置及び位置合わせを許容し、
前記特性のうちのいずれかが前記区域全体にわたり実質的に一様でない場合には、前記試験用配置及び位置合わせを修正する、
段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
許容できる試験用配置及び位置合わせが達成された後に、前記構造化光システム１０と前記画像形成システム１５とを使用して部品（Ａ）を試験する段階を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試験用配置及び位置合わせを修正する前記段階が、前記試験片（Ｓ）に対して前記構造化光システム（１０）を位置決めし直すことを含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記試験片（Ｓ）が固定具（１２）上に取り付けられており、前記試験用配置及び位置合わせを修正する前記段階が、前記固定具を調整するか又は移動させることにより、前記構造化光システム１０に対して前記試験片（Ｓ）を配向し直すことを含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
一連の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）が構造化光システム（１４）により部品上に投射され、該部品から反射された光が評価のために画像形成システム（１５）により捕捉される、部品（Ａ）を光ゲージ試験するための試験方法において、該部品の合否を評価するための最適情報を得るために該試験方法において使用されるそれぞれの構成要素を配置しかつ位置合わせするための方法であって、
先ず始めに光投射器（１４）と前記画像形成システムの少なくとも１つのカメラ（１６）とを物体試験片と位置合わせする段階と、
該試験片上に一連の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）を投射して、該試験片からの光反射の画像を捕捉する段階と、
該画像を評価して、前記光ストライプの幅にわたって延びるピクセルの数を求めること、各々の光ストライプの中心と区域（Ｓ）の長さに沿った中心性の偏差とを求めること、及び、前記光ストライプの幅にわたる強度分布を求めることを含む、各々の光ストライプの特性を求める段階と、
前記カメラがグレースケールレベルの範囲内で各グレースケールレベルを識別することができるか否かを判定することを含む、前記部品（Ａ）及び該部品からの反射光の画像を捕捉するために使用される各々のカメラ（１６）を焦点合わせする段階と、
何等かの歪みが存在するか否かを判定するために前記画像形成システム（１５）の光学要素（１６ｗ、１６ｐ）を検査する段階と、
前記光ストライプの特性が前記試験片の区域（Ｓ）全体にわたり実質的に一様であり、前記画像形成システム（１５）内の各々のカメラ（１６）が焦点合わせされており、かつ測定されるあらゆる歪みが実質的に排除されている場合には、前記試験用配置及び位置合わせを許容する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記光ストライプの幅を形成する前記ピクセルの数が、（Ｘ）ピクセルと（Ｙ）ピクセルとの間にありかつ前記試験片の区域（Ｓ）の長さに沿って実質的に一定であり、各々の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）の中心が、前記区分（Ｓ）の長さに沿った０．０７ピクセル以下（＜０．０７ｐｉｘｅｌｓ）の標準偏差を有し、前記強度分布が正規分布であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
各々のカメラ（１６）を焦点合わせする前記段階が、該カメラがグレースケールレベルの範囲内で該グレースケールレベルを識別することができるか否かを判定することを含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記カメラ（１６）を焦点合わせする前記段階が、該カメラから一定距離だけ離して較正光源（Ｃ）を配置し、該光源を該カメラの視界に入れることを含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
一連の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）が構造化光システム（１４）により部品上に投射され、該部品から反射された光が評価のために画像形成システム（１５）により捕捉される、部品（Ａ）を光ゲージ試験するための試験方法において、該部品の合否を評価するための最適情報を得るために該試験方法において使用されるそれぞれの構成要素を配置しかつ位置合わせするための方法であって、
先ず始めに光投射器（１４）と前記画像形成システムの少なくとも１つのカメラ（１６）とを物体試験片と位置合わせし、
該試験片上に一連の光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）を投射して、該試験片からの光反射の画像を捕捉し、
該画像を評価して、前記光ストライプの幅にわたって延びるピクセルの数と、各々の光ストライプの中心と区域（Ｓ）の長さに沿った中心性の偏差と、前記光ストライプの幅にわたる強度分布とを含む、各々の光ストライプの特性を求め、
該光ストライプの特性が前記試験片の区域（Ｓ）全体にわたり実質的に一様である場合には、前記試験用配置及び位置合わせを許容し、
前記特性のうちのいずれかが前記区域全体にわたり実質的に一様でない場合には、前記試験用配置及び位置合わせを修正する、
段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記カメラがグレースケールレベルの範囲内で各グレースケールレベルを識別することができるか否かを判定することを含む、前記部品（Ａ）及び該部品からの反射光の画像を捕捉するために使用される各々のカメラ（１６）を焦点合わせする段階と、何等かの歪みが存在するか否かを判定するために前記画像形成システム（１５）の光学要素（１６ｗ、１６ｐ）を検査する段階とを更に含むことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
これまで被試験部品に対する構造化光システムの位置合わせは、位置合わせが適正となる時を技術者が目視で求めることにより手動的になされてきた。本発明は光学窓をチェックして該光学窓が正しく位置合わせされた時を求めるような試験用配置の方法に関するものである。構造化光システムから投射される光線もまた、検査され、それら光線が一定であり、有効な試験データを得るために必要な規格内にあることが保証される。
【特許文献１】特開平０４−０９５８１２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出システムであって、
前記着座領域に隣接して設けられた乗員検出センサを有し、該乗員検出センサが前記乗員の電気的性質に応答する容量性検出システムを有し、
前記乗員検出センサに作動接続された制御プロセッサを有し、該制御プロセッサが、
前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定するように動作でき、
前記少なくとも２つのカテゴリのうちの或るカテゴリから別のカテゴリに前記乗員の特性の変更を制限するための特性決定変更パラメータを、第１の期間、適用し、
前記第１の期間後、前記特性決定変更パラメータを変更する、
システム。
【請求項２】  前記特性決定変更パラメータが特性決定閾値を含み、前記制御プロセッサは、前記少なくとも２つのカテゴリのうちの１つが一層包括的であるように、前記特性決定閾値を変更するように動作できる、請求項１記載のシステム。
【請求項３】  前記乗員検出センサが電極アンテナを有する、請求項１記載のシステム。
【請求項４】  前記制御プロセッサと接続されたエアバッグコントローラを有する、請求項１記載のシステム。
【請求項５】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出方法であって、
（ａ）前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定し、
（ｂ）特性決定変更パラメータを第１の期間適用し、該特性決定変更パラメータが時間以外であり、
（ｃ）前記第１の期間後、特性決定変更パラメータを変更し、
（ｄ）第２の期間後、異なる特性決定変更パラメータを変更することを含み、前記第２の期間は、前記第１の期間とオーバーラップし、前記第１の期間とは異なり、前記異なる特性決定変更パラメータが時間以外である、
方法。
【請求項６】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出方法であって、
（ａ）前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定し、
（ｂ）特性決定変更パラメータを特性決定精度の蓋然性の関数として決定し、
（ｃ）前記工程（ａ）の特性決定の変更を特性決定変更パラメータによって制限することを含み、
前記工程（ｂ）が、前記少なくとも２つのカテゴリのうちの第１のものの発生回数と総判断回数との比を定めることを含む、
方法。
【請求項７】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出方法であって、
（ａ）前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定し、
（ｂ）特性決定変更パラメータを第１の期間適用し、
（ｃ）第１の期間後、前記特性決定変更パラメータを変更することを含み、
前記工程（ｂ）が、前期第１の期間、ヒステリシスを前記工程（ａ）に適用し、前記工程（ｃ）が前記ヒステリシスの時間の長さを増加させることを含む、
方法。
【請求項８】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出方法であって、
（ａ）前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定し、
（ｂ）特性決定変更パラメータを第１の期間適用し、
（ｃ）前記第１の期間後、前記特性決定変更パラメータを変更し、
（ｄ）前記特性決定変更パラメータとは異なる信頼パラメータを決定することを含み、
前記第１の期間が前記信頼パラメータの関数である、
方法。
【請求項９】  前記工程（ｄ）が、前記少なくとも２つのカテゴリのうちの第１のものの発生回数と総判断回数との比を定めることを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出方法であって、
（ａ）前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定し、
（ｂ）特性決定変更パラメータを第１の期間適用し、
（ｃ）前記第１の期間後、前記特性決定変更パラメータを変更し、
（ｄ）第１の信頼パラメータ、第２の信頼パラメータを第１の時点、第２の時点で決定することを含み、前記第１の時点が前記第２の時点と異なり、前記第１の信頼パラメータが前記第１の信頼パラメータが前記第１の時点における第１の総判断回数の関数であり、前記第２の信頼パラメータが前記第２の時点における第２の総判断回数の関数である、
方法。
【請求項１１】  着座領域にいる乗員の検出を制御する車内乗客検出方法であって、
（ａ）前記着座領域の前記乗員を少なくとも２つのカテゴリのうちの１つとして特性決定し、
（ｂ）特性決定変更パラメータを第１の期間適用し、
（ｃ）前記第１の期間後、前記特性決定変更パラメータを変更し、
（ｄ）前記乗員を特性決定することに応答して、前記特性決定変更パラメータを、前記少なくとも２つのカテゴリのうちの異なるカテゴリとして、現在のヒステリシス期間連続的に、リセットすることを含む、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
運転中のＢＷＲの内部構造体は、様々な腐食及び割れの発生を受けやすい。応力腐食割れ（ＳＣＣ）は、高温水に曝される構造部材、配管、制御棒案内管、ファスナ、及び溶接部のような原子炉構成部品内で起こる１つのよく知られた現象である。原子炉構成部品は、例えば膨張差、原子炉冷却水を封じ込めるために必要とされる作動圧力、並びに溶接、冷間加工及び他の不均一な金属処理からの残留応力のような他の原因などに関連する様々な応力を受ける。その上に、水の化学的性質、溶接、熱処理及び放射線は、構成部品の金属のＳＣＣに対する発生率を増大させる可能性がある。
【特許文献１】特開平１０−１９１５２２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットが結合されるマイクロアレイであって、
（ａ）基質表面と、
（ｂ）該基質表面に付着させられて、前記ターゲットに結合し、第１の信号を生じる非構造化プローブと、
（ｃ）前記基質表面に付着させられて第２の信号を生じる構造化プローブと、
（ｄ）前記非構造化プローブ及び前記構造化プローブを励起させるための光源が含まれており、前記非構造化プローブによって前記第１の信号が生じ、前記構造化プローブによって前記第２の信号が生じることと、前記非構造化プローブによって生じる前記第１の信号と前記構造化プローブによって生じる前記第２の信号を比較することが可能であり、前記非構造化プローブに関して、前記第１の信号のより正確な読み取り値を求めることが可能であることを特徴とするマイクロアレイ。
【請求項２】
前記構造化プローブは、生体分子であることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項３】
前記生体分子は、蛋白質、アミノ酸、オリゴヌクレオチド、ペプチド、ヌクレオチド、炭水化物、多糖類、及び、脂質から構成される群から選択されることを特徴とする、請求項２に記載のマイクロアレイ。
【請求項４】
前記非構造化プローブは、生体分子であることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項５】
前記生体分子は、、蛋白質、アミノ酸、オリゴヌクレオチド、ペプチド、ヌクレオチド、炭水化物、多糖類、及び、脂質から構成される群から選択されることを特徴とする、請求項４に記載のマイクロアレイ。
【請求項６】
前記ターゲットは、生体分子であることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項７】
前記生体分子は、蛋白質、アミノ酸、オリゴヌクレオチド、ペプチド、ヌクレオチド、炭水化物、多糖類、及び、脂質から構成される群から選択されることを特徴とする、請求項６に記載のマイクロアレイ。
【請求項８】
前記非構造化プローブは、ラベルを付けられ、前記第１の信号を生じることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項９】
前記ターゲットは、ラベルを付けられ、前記第１の信号を生じることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項１０】
前記光源は、ルミネセンス光であることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項１１】
前記発光源は、蛍光、燐光、生物ルミネセンス光のいずれかから選択されることを特徴とする、請求項１０に記載のマイクロアレイ。
【請求項１２】
前記構造化プローブは、自己アニーリングすることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロアレイ。
【請求項１３】
前記構造化プローブは、前記ターゲットのアニーリングを阻止するため、それ自体で折りたたみ可能であることを特徴とする、請求項１２に記載のマイクロアレイ。
【請求項１４】
前記構造化プローブは、擬似ノット、ヘア・ピン、トリプレックス、クヮドラプレックスのいずれかであることを特徴とする、請求項１３に記載のマイクロアレイ。
【請求項１５】
マイクロアレイ基質表面に付着した非構造化プローブによって生じる第１の信号のより正確な読み取り値を求めるための方法であって、
（ａ）前記マイクロアレイ基質表面上のターゲットに付着した非構造化プローブを照射して、第１の信号を生じさせるステップと、
（ｂ）前記マイクロアレイ基質表面に付着した構造化プローブを照射して、第２の信号を生じさせるステップと、
（ｃ）前記ターゲットに結合した前記非構造化プローブから生じる前記第１の信号と、前記マイクロアレイ基質表面に付着した前記構造化プローブから生じる前記第２の信号を比較して、前記第１の信号のより正確な信号強度読み取り値を求めるステップが含まれていることを特徴とする方法。
【請求項１６】
マイクロアレイに付着した非構造化プローブによって生じる信号強度レベルを求めるための方法であって、
（ａ）前記マイクロアレイ上のターゲットに付着した非構造化プローブを照射して、第１の信号を生じさせるための第１の光源を設けるステップと、
（ｂ）前記マイクロアレイ上の構造化プローブを照射して、第２の信号を生じさせるための第２の光源を設けるステップと、
（ｃ）前記ターゲットに付着した前記非構造化プローブから生じる前記第１の信号強度レベルと、前記マイクロアレイ基質表面に付着した前記構造化プローブから生じる第２の信号強度レベルを比較して、前記第１の信号の改善された信号強度レベルを較正するステップが含まれていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの機能ボード、及び少なくとも１つの電圧変換機を含み、その際、前記電圧変換機によって発生された電圧が前記機能ボードに供給されるように、前記機能ボード及び前記電圧変換機が接続されており、制御信号を供給し、前記電圧変換機によって供給された前記電圧を制御するための電力制御回路を含む電気システムにおいて、前記電圧変換機がターンオフされた場合に、前記電力制御回路の前記制御信号をクランプすることを特徴とする、電気システム。
【請求項２】  前記の電圧変換機がターンオフされた場合、前記電力制御回路の前記出力信号が制限されることを特徴とする、請求項１に記載の電気回路。
【請求項３】  前記電気制御回路は入力端子と出力端子との間に接続されたスイッチを備えた演算増幅器を含み、前記電圧変換機がターンオフされた場合に、前記スイッチが閉じることを特徴とする、請求項１に記載の電気回路。
【請求項４】  前記演算増幅器の前記入力端子が、電圧変換機によって供給される実際の電圧を転送する前記電気制御回路の第１の入力端子と、基準電圧を転送する前記電気制御回路の第２の入力端子とにそれぞれ接続されており、かつ、前記スイッチが前記第１の入力端子に接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の電気回路。
【請求項５】  前記スイッチに対して並列にコンデンサが接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の電気回路。
【請求項６】  制御信号を転送する前記演算僧服器の前記出力端子が、電圧変換機に接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の電気回路。
【請求項７】  前記機能ボードが、通信システムの前記チャネルをテストするためのいわゆるチャネルボードであることを特徴とする、請求項１に記載の電気システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  試料表面に略平行な第一の走査軸と、試料表面に略平行かつ前記第一の走査軸に垂直な第二の走査軸からなる平面内をプローブでラスタ走査をすると同時に、前記試料表面の凹凸に沿うように前記プローブを前記第一の走査軸および前記第二の走査軸双方に垂直な第三の走査軸方向に、相対的に移動させることによって試料表面の微小な構造を観察する走査型プローブ顕微鏡のプローブ位置を補正するプローブ位置補正方法であり、
前記プローブの前記第三の走査軸方向の移動にともなって生じる前記プローブの前記平面内の移動量を測定する段階と、
前記移動量に基づき前記プローブ位置を補正する段階を含むことを特徴としたプローブ位置補正方法。
【請求項２】  前記移動量を測定する段階は、変位計測器によって前記移動量を測定することを特徴とする請求項１記載のプローブ位置補正方法。
【請求項３】  前記移動量を測定する段階は、断面形状が既知の凹凸パターンを有する試料を測定し観察像を得る段階と、前記観察像から得られる前記平面に対して垂直な断面像を得る段階と、前記断面像と前記凹凸パターンの断面形状とを比較する段階からなることを特徴とする請求項１記載のプローブ位置補正方法。
【請求項４】  前記断面像と前記断面形状とを比較する段階は、前記断面像から断面形状を表す関数を求める段階と、前記関数と前記凹凸パターンの断面形状を表す関数とを比較する段階からなることを特徴とする請求項３記載のプローブ位置補正方法。
【請求項５】  前記断面像と前記断面形状とを比較する段階は、前記断面像から側壁角度を求める段階と、前記側壁角度と前記凹凸パターンの側壁角度を比較する段階からなることを特徴とする請求項３記載のプローブ位置補正方法。
【請求項６】  前記断面像と前記断面形状とを比較する段階は、前記断面像および前記凹凸パターンの断面形状の同一の高さにおける傾きを比較することを特徴とする請求項３記載のプローブ位置補正方法。
【請求項７】  前記断面像と前記断面形状とを比較する段階は，前記断面像および前記凹凸パターンの断面形状の同一の高さにおける任意の基準点からの距離を比較することを特徴とする請求項３記載のプローブ位置補正方法。
【請求項８】  前記変位計測手段は、光学的変化、電気的変化、磁気的変化、力学的変化の少なくとも一つを利用した変位センサーであることを特徴とする請求項２記載のプローブ位置補正方法。
【請求項９】  前記プローブ位置を補正する段階において、前記移動量に基づいて、試料の観察像を構成する画素の座標を補正することを特徴とする請求項１記載のプローブ位置補正方法。
【請求項１０】  前記プローブ位置を補正する段階において、観察像を得るとともに前記移動量を補正するように、前記第一の走査軸方向および前記第二の走査軸方向へプローブを移動させることを特徴とする請求項１記載のプローブ位置補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査型プローブ顕微鏡のプローブ位置を補正するプローブ位置補正方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
以上のような課題を解決する本発明の第１の態様は、試料表面を、試料表面にほぼ平行な第一の走査軸と、試料表面にほぼ平行かつ第一の走査軸に垂直な第二の走査軸からなる平面内を微少なプローブでラスタ走査をすると同時に、試料表面の凹凸に沿うようにプローブを第一の走査軸および第二の走査軸双方に垂直な第三の走査軸方向に、相対的に移動させることによって試料表面の微小な構造を観察する走査型プローブ顕微鏡のプローブ位置を補正するプローブ位置補正方法であり、第三の走査軸方向へのプローブの移動にともなって生じるプローブの平面の面内方向への移動量を測定する段階と、移動量を測定する段階において得られた移動量に基づきプローブ位置を補正する段階を含むことを特徴とするプローブ位置補正方法にある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子システム内における被給電要素の電流挙動を決定するための方法であって、
前記電子システムの第１のプリント回路基板の電気的なバイアを少なくとも部分的に包囲するように該第１のプリント回路基板に導電性ループを形成し、
前記被給電要素を電源とアースとのうちの一方に接続するために、該被給電要素を前記バイアに接続し、及び、
前記システム内における前記被給電要素に給電している間に、前記導電性ループからの電流を測定する
といった各ステップを含む、方法。
【請求項２】
電子システム内における被給電要素の電流挙動を評価するためのテスト方法であって、
前記電子システムの第１のプリント回路基板の複数の電気的なバイアを少なくとも部分的に包囲するように該第１のプリント回路基板に１つか又は複数の導電性ループを形成し、
１つか又は複数の被給電要素を電源とアースとのうちの１つか又は両方に接続するために、該被給電要素を前記バイアに接続し、及び、
前記導電性ループからの電流を測定する
といった各ステップを含む、方法。
【請求項３】
第１のプリント回路基板による少なくとも１つの導電性ループと、被給電要素が第２のプリント回路基板を通して給電される時に、ループを通る電流を測定するための計量器とを備え、前記第１のプリント回路基板は、前記ループと、前記被給電要素と前記第２のプリント回路基板との間とを通した電気的な接続を形成することからなる、電力評価システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象の入力信号を受信するための入力を有するスペクトラム分析ユニットを含む測定装置であって、前記入力信号は所定の周波数帯域内に位置するキャリヤ信号を含み、前記スペクトラム分析ユニットは前記周波数帯域内における前記キャリヤ信号の位置を含むユーザ定義パラメータのセットを記憶するように構成され、且つ前記ユーザ定義パラメータのセットを使用して前記キャリヤ信号に関連する量を測定するように構成される、測定装置。
【請求項２】
前記ユーザ定義パラメータのセットは前記キャリヤ信号の帯域幅を更に含む、請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記ユーザ定義パラメータのセットは測定帯域幅を更に含み、前記スペクトラム分析ユニットは該測定帯域幅にわたって前記量を測定するように構成される、請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
前記ユーザ定義パラメータのセットは該ユーザ定義パラメータのセットの識別を更に含む、請求項１に記載の測定装置。
【請求項５】
前記ユーザ定義パラメータのセットは前記キャリヤ信号が前記所定の周波数帯域内の位置にあるか否かを示す指示を更に含む、請求項１に記載の測定装置。
【請求項６】
測定される前記キャリヤ信号に関連する量は電力である、請求項１に記載の測定装置。
【請求項７】
測定対象の入力信号を受信するための入力を有するスペクトラム分析ユニットを含む測定装置のための測定方法であって、
所定の周波数帯域内に位置するキャリヤ信号を含む入力信号を受信するステップと、
前記所定の周波数帯域内の前記キャリヤ信号の位置を含むユーザ定義パラメータのセットを記憶するステップと、
前記ユーザ定義パラメータのセットを使用して前記キャリヤ信号に関連する量を測定するステップと
からなる測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんの反応温度が５０℃ないし１４０℃である請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。