【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ビニル炭素環式アリールエステル化合物とシラン化合物とを反応させてモノマーを製造し、該モノマーを重合させてシロキサンポリマーを提供し；及びｂ）該ポリマーとフォト活性成分を混合させることを含む、フォトレジスト組成物の調製方法。
【請求項２】
該炭素環式アリール化合物が置換フェニル化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該炭素環式アリール化合物が式ＣＨ２＝ＣＨ‐Ｃ６Ｈ４‐エステルを有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）Ｒであり、ここでＲが任意に置換されたＣ１〜６アルキルである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３である請求項３に記載の方法。
【請求項６】
該フェニル基が１，４‐置換又は１，３‐置換である請求項２乃至５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
該シラン化合物がトリハロシラン、トリヒドロキシシラン及びトリアルコキシシランからなる群から選択される請求項１乃至６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
該シラン化合物がトリハロシランである請求項１乃至６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
該シラン化合物がトリクロロシランである請求項１乃至６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がホスフィン試薬の存在下で反応させられる請求項１乃至９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
該ホスフィン試薬がトリフェニルホスフィンである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物が金属触媒の存在下で反応させられる請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１３】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がパラジウム化合物の存在下で反応させられる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該パラジウム化合物がＰｄ（ＩＩ）化合物である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
該シロキサンポリマーが、多反応性窒素部位を有する化合物の存在下でモノマーを重合して該シロキサンポリマーを提供することにより得られる請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１６】
該フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型レジストである請求項１乃至１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１７】
該組成物がネガ型レジストである請求項１乃至１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１８】
基体上にフォトレジスト組成物のコーティング層を塗布し；パターン化活性放射線でフォトレジストコーティング層を露光し；及び露光フォトレジストコーティング層を現像してレジストレリーフイメージを提供することを更に含む請求項１乃至１７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１９】
有機ポリマー組成物が基体に塗布され、該フォトレジスト組成物が該ポリマー組成物上に塗布される請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
該フォトレジスト層が約３００ｎｍ未満の波長を有する放射線で露光される請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
該フォトレジスト層が約２００ｎｍ未満の波長を有する放射線で露光される請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２２】
該基体がマイクロエレクトロニクスウェーハである請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２３】
フォト活性成分、及びビニル炭素環式アリールエステル化合物と反応性シラン化合物との反応によりモノマーを製造し、該モノマーを重合してシロキサンポリマーを提供することにより入手され得るシロキサンポリマーを含むフォトレジスト組成物。
【請求項２４】
該炭素環式アリール化合物が置換フェニル化合物である請求項２３に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２５】
該炭素環式アリール化合物が式ＣＨ２＝ＣＨ‐Ｃ６Ｈ４‐エステルを有する請求項２３に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２６】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）Ｒであり、ここでＲが任意に置換されたＣ１〜６アルキルである請求項２５に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２７】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３である請求項２５に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２８】
該フェニル基が１，４‐置換又は１，３‐置換である請求項２４乃至２７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２９】
該シラン化合物がトリハロシラン、トリヒドロキシシラン及びトリアルコキシシランからなる群から選択される請求項２３乃至２８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３０】
該シラン化合物がトリハロシランである請求項２３乃至２８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３１】
該シラン化合物がトリクロロシランである請求項２３乃至２８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３２】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がホスフィン試薬の存在下で反応させられる請求項２３乃至３１のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３３】
該ホスフィン試薬がトリフェニルホスフィンである請求項３２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３４】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物が金属触媒の存在下で反応させられる請求項２３乃至３３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３５】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がパラジウム化合物の存在下で反応させられる請求項３４に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３６】
該パラジウム化合物がＰｄ（ＩＩ）化合物である請求項３５に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３７】
該シロキサンポリマーが、多反応性窒素部位を有する化合物の存在下でモノマーを重合して該シロキサンポリマーを提供することにより得られる請求項２３乃至３６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３８】
該フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型レジストである請求項２３乃至３７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３９】
該組成物がネガ型レジストである請求項２３乃至３７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４０】
（ａ）請求項２３乃至３９のいずれか一つに記載のフォトレジストのコーティング層を基体に塗布し；及び（ｂ）該フォトレジスト層を露光し、現像してレリーフイメージを生じさせることを含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項４１】
有機ポリマー組成物が基体に塗布され、該フォトレジスト組成物が該ポリマー組成物上に塗布される請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
該フォトレジスト層が約３００ｎｍ未満の波長を有する放射線で露光される請求項４０又は４１に記載の方法。
【請求項４３】
該フォトレジスト層が約２００ｎｍ未満の波長を有する放射線で露光される請求項４０又は４１に記載の方法。
【請求項４４】
該フォトレジスト層が約２４８ｎｍ又は１９３ｎｍの波長を有する放射線で露光される請求項４０又は４１に記載の方法。
【請求項４５】
その上に請求項２３乃至３９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物の層がコートされたマイクロエレクトロニクスウェーハ基体又はフラットパネルディスプレー基体を含む製品。
【請求項４６】
ビニル炭素環式アリールエステル化合物と反応性シラン化合物との反応によりモノマーを製造し、該モノマーを重合してシロキサンポリマーを提供することを含むＳｉポリマーを製造する方法。
【請求項４７】
該炭素環式アリール化合物が置換フェニル化合物である請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
該炭素環式アリール化合物が式ＣＨ２＝ＣＨ‐Ｃ６Ｈ４‐エステルを有する請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）Ｒであり、ここでＲが任意に置換されたＣ１〜６アルキルである請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３である請求項４８に記載の方法。
【請求項５１】
該フェニル基が１，４‐置換又は１，３‐置換である請求項４７乃至５０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５２】
該シラン化合物がトリハロシラン、トリヒドロキシシラン及びトリアルコキシシランからなる群から選択される請求項４６乃至５１のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５３】
該シラン化合物がトリハロシランである請求項４６乃至５２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５４】
該シラン化合物がトリクロロシランである請求項４６乃至５２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５５】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がホスフィン試薬の存在下で反応させられる請求項４６乃至５４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５６】
該ホスフィン試薬がトリフェニルホスフィンである請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物が金属触媒の存在下で反応させられる請求項４６乃至５６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５８】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がパラジウム化合物の存在下で反応させられる請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
該パラジウム化合物がＰｄ（ＩＩ）化合物である請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
該シロキサンポリマーが、多反応性窒素部位を有する化合物の存在下でモノマーを重合して該シロキサンポリマーを提供することにより得られる請求項４６乃至５９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６１】
請求項４６乃至６０のいずれか一つに記載の方法により得られるポリマー。
【請求項６２】
ビニル炭素環式アリールエステル化合物と反応性シラン化合物とを反応させてモノマーを提供することを含むＳｉモノマーを製造する方法。
【請求項６３】
該炭素環式アリール化合物が置換フェニル化合物である請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
該炭素環式アリール化合物が式ＣＨ２＝ＣＨ‐Ｃ６Ｈ４‐エステルを有する請求項６２に記載の方法。
【請求項６５】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）Ｒであり、ここでＲが任意に置換されたＣ１〜６アルキルである請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３である請求項６４に記載の方法。
【請求項６７】
該フェニル基が１，４‐置換又は１，３‐置換である請求項６２乃至６６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６８】
該シラン化合物がトリハロシラン、トリヒドロキシシラン及びトリアルコキシシランからなる群から選択される請求項６２乃至６７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６９】
該シラン化合物がトリハロシランである請求項６２乃至６７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７０】
該シラン化合物がトリクロロシランである請求項６２乃至６７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７１】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がホスフィン試薬の存在下で反応させられる請求項６２乃至７０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７２】
該ホスフィン試薬がトリフェニルホスフィンである請求項７１に記載の方法。
【請求項７３】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物が金属触媒の存在下で反応させられる請求項６２乃至７２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７４】
該シラン化合物と該炭素環式アリール化合物がパラジウム化合物の存在下で反応させられる請求項７３に記載の方法。
【請求項７５】
該パラジウム化合物がＰｄ（ＩＩ）化合物である請求項７４に記載の方法。
【請求項７６】
該シロキサンポリマーが、多反応性窒素部位を有する化合物の存在下でモノマーを重合して該シロキサンポリマーを提供することにより得られる請求項６２乃至７５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７７】
請求項６２乃至７６のいずれか一つに記載の方法により得られるモノマー。
【請求項７８】
ＣＨ３（ＳｉＣｌ３）ＣＨ‐Ｃ６Ｈ４‐エステルである化合物。
【請求項７９】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）Ｒであり、ここでＲが任意に置換されたＣ１〜６アルキルである請求項７８に記載の化合物。
【請求項８０】
該エステルが‐ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３である請求項７８に記載の化合物。
【請求項８１】
該フェニル基が１，４‐置換又は１，３‐置換である請求項７８乃至８０のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項８２】
ビニル炭素環式アリールエステル化合物と反応性シラン化合物とを反応させることによりモノマーを製造し、該モノマーを重合させてＳｉポリマーを提供することを含む工程によりＳｉポリマーを提供すること：及び該ポリマーをフォト活性成分と混合すること、を含むフォトレジスト組成物を製造する方法。