Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メモリを記憶手段としてデータの読み書きを行うメモリシステムに対して、複数のＤＭＡコントローラ及び制御手段からのリード要求とライト要求を受け付け可能で該要求をメモリ制御部に実行させ、またセルフリフレッシュ要求及び解除要求を受け付け可能で該要求を前記メモリ制御部に実行させるメモリアクセスアービタであって、
内部にバッファを有し、前記セルフリフレッシュ解除動作中において前記リード要求及びライト要求を受けた場合にライト要求にのみ応答することを特徴とするメモリアクセスアービタ。
【請求項２】  前記セルフリフレッシュ解除動作中において実行されたライト要求におけるアドレスとデータを前記バッファに格納しておき、その後、該アドレスと同一アドレスに対して前記ＤＭＡコントローラあるいは制御手段からリード要求を受けた場合に前記バッファに格納しているデータを返して応答することを特徴とする請求項１記載のメモリアクセスアービタ。
【請求項３】  メモリを記憶手段としてデータの読み書きを行うメモリシステムに対する、複数のＤＭＡコントローラ及び制御手段からのリード要求とライト要求を受け付け可能で、またセルフリフレッシュ要求及び解除要求を受け付け可能なメモリアクセスアービタと、
前記メモリアクセスアービタによるアービトレイションに基づき前記要求をメモリシステムに対して実行するメモリ制御部と、を有し、
前記メモリアクセスアービタは内部にバッファを有し、前記セルフリフレッシュ解除動作中において前記リード要求及びライト要求を受けた場合にライト要求にのみ応答して前記メモリ制御部に実行させることを特徴とするメモリ制御装置。
【請求項４】  前記メモリアクセスアービタは前記セルフリフレッシュ解除動作中において実行されたライト要求におけるアドレスとデータを前記バッファに格納し、その後、該アドレスと同一アドレスに対して前記ＤＭＡコントローラあるいは制御手段からリード要求を受けた場合に前記バッファに格納しているデータを返して応答することを特徴とする請求項３記載のメモリ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、請求項１記載の発明は、メモリを記憶手段としてデータの読み書きを行うメモリシステムに対して、複数のＤＭＡコントローラ及び制御手段からのリード要求とライト要求を受け付け可能でこの要求をメモリ制御部に実行させ、またセルフリフレッシュ要求及び解除要求を受け付け可能でこの要求をメモリ制御部に実行させるメモリアクセスアービタであって、内部にバッファを有し、セルフリフレッシュ解除動作中においてリード要求及びライト要求を受けた場合にライト要求にのみ応答することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、セルフリフレッシュ解除動作中において実行されたライト要求におけるアドレスとデータをバッファに格納しておき、その後、そのアドレスと同一アドレスに対してＤＭＡコントローラあるいは制御手段からリード要求を受けた場合にバッファに格納しているデータを返して応答することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３記載の発明は、メモリを記憶手段としてデータの読み書きを行うメモリシステムに対する、複数のＤＭＡコントローラ及び制御手段からのリード要求とライト要求を受け付け可能で、またセルフリフレッシュ要求及び解除要求を受け付け可能なメモリアクセスアービタと、メモリアクセスアービタによるアービトレイションに基づき上記要求をメモリシステムに対して実行するメモリ制御部と、を有し、メモリアクセスアービタは内部にバッファを有し、セルフリフレッシュ解除動作中においてリード要求及びライト要求を受けた場合にライト要求にのみ応答してメモリ制御部に実行させることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明において、メモリアクセスアービタはセルフリフレッシュ解除動作中において実行されたライト要求におけるアドレスとデータをバッファに格納し、その後、そのアドレスと同一アドレスに対してＤＭＡコントローラあるいは制御手段からリード要求を受けた場合にバッファに格納しているデータを返して応答することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、記憶手段としてＤＤＲ−ＳＤＲＡＭを用いて構成されるメモリシステムに対するメモリアクセスのアービトレイションを行うメモリアクセスアービタ及びこれを備えるメモリ制御装置において、請求項１記載の発明では、セルフリフレッシュ解除後所定クロック間リードアクセス不可であるメモリで構成されたメモリシステムに対し、セルフリフレッシュ解除後の所定クロック間においても、複数のＤＭＡＣあるいは制御手段から要求されるメモリアクセスに対し、優先順位に関わらずライト要求については応答するのでメモリアクセスの処理が向上できるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１のパスに対応する複数のディスクドライブと、
ホストコンピュータに接続され、該ホストコンピュータからのデータを受信して前記複数のディスクドライブに転送するコントローラと、
前記コントローラに含まれ、前記ホストコンピュータからのデータを受信するホストインタフェースと、
前記コントローラに含まれ、前記ホストコンピュータから送信されたデータを前記複数のディスクドライブに転送するディスクドライブインタフェースと、
前記コントローラと少なくとも一つの第２のパスで接続されたスイッチと、を有し、
前記スイッチは、さらに前記第１のパスによりそれぞれのディスクドライブと接続されて、前記スイッチと前記それぞれのディスクドライブの間でポイントツーポイント接続を形成し、
前記第２のパスの数は、前記第１のパスの数より少なく、
前記複数のディスクドライブは、前記ホストコンピュータから前記スイッチを経由して送られたデータを格納し、また、前記複数のディスクドライブのそれぞれはＩＤ番号を有し、
前記スイッチは、前記ディスクドライブインタフェースから受け取ったデータに基づいて、前記第１のパスの一つにより、前記複数のディスクドライブの中から選択されたディスクドライブに対してデータを転送するように、前記第１のパスと前記第２のパスのスイッチングを制御することを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項２】
複数の第１のパスに対応する複数のディスクドライブと、
ホストコンピュータに接続され、該ホストコンピュータからのデータを受信するコントローラと、
少なくとも一つの第２のパスによって前記コントローラと接続されたスイッチと、を有し、
前記スイッチは、さらに前記第１のパスによりそれぞれのディスクドライブと接続されて、前記スイッチと前記それぞれのディスクドライブの間でポイントツーポイント接続を形成し、
前記第２のパスの数は、前記第１のパスの数より少なく、
前記複数のディスクドライブは、前記ホストコンピュータから前記スイッチを経由して送られたデータを格納し、また、前記複数のディスクドライブのそれぞれはＩＤ番号を有し、
前記スイッチは、前記第１のパスにより、前記複数のディスクドライブの中の少なくとも一つのディスクドライブに対してデータを転送するように、前記少なくとも一つのディスクドライブの前記ＩＤ番号の情報に基づいて、前記第１のパスと前記第２のパスのスイッチングを制御することを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項３】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記スイッチを複数有し、複数のスイッチのそれぞれは、前記第２のパスのそれぞれによって前記コントローラに接続されていることを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項４】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記スイッチは、前記複数のディスクドライブの間で動的にスイッチングすることを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項５】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記コントローラは、前記ホストコンピュータから送信されたデータからパリティデータを生成し、
前記複数のディスクドライブの少なくとも一つは、前記パリティデータを格納することを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項６】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記コントローラは、前記ホストコンピュータから送信されたデータからパリティデータを生成し、
前記複数のディスクドライブのいくつかは、前記パリティデータを付加しないでデータを格納することを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項７】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記複数のディスクドライブの少なくとも一つはスペアディスクドライブであり、該スペアディスクドライブは前記複数のディスクドライブの他の一つのディスクドライブからのデータを格納することを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項８】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記複数のディスクドライブのうち第１のディスクドライブは、前記複数のディスクドライブのうち第２のディスクドライブと関連付けられた第１のパスとは独立して前記スイッチと通信することが可能であることを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項９】
請求項２に記載のディスクサブシステムにおいて、
前記第２のパスは、ファイバチャネルインタフェースパスであることを特徴とするディスクサブシステム。
【請求項１０】
複数の第１のパスに対応する複数のディスクドライブと、
ホストコンピュータに接続され、該ホストコンピュータからのデータを受信するコントローラと、
少なくとも一つの第２のパスによって前記コントローラと接続されたスイッチと、を有し、
前記スイッチは、さらに前記第１のパスによりそれぞれのディスクドライブと接続され、
前記第２のパスの数は、前記第１のパスの数より少なく、
前記複数のディスクドライブは、前記ホストコンピュータから前記スイッチを経由して送られたデータを格納し、また、前記複数のディスクドライブのそれぞれはＩＤ番号を有し、
前記スイッチは、前記コントローラからのデータを受信し、前記複数のディスクドライブの夫々に、前記複数の第１のパスの夫々を通して、独立したデータ転送を行うことを特徴とするディスクサブシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  像レンダリングシステムにおける像の属性に関連したシステム性能の変化を補償するための方法であって、
第１の像属性を選択し、
第２の像属性を選択し、
上記第１属性及び第２属性の少なくとも１つの値を変化させ、
上記第１属性及び第２属性の組合せの変化した値に基づいて診断像をレンダリングし、
上記レンダリングされた診断像から像のクオリティを感知し、
上記感知された像のクオリティに基づき第１属性／第２属性のトーン再現曲線データを計算し、
上記変化した第１及び第２属性の組合せ値を有する像をレンダリングする際に使用するために上記第１属性／第２属性のトーン再現曲線データを記憶し、
上記第１及び第２属性値を有する製作像のための製作像データを受け取り、そして
上記記憶された第１属性／第２属性トーン再現曲線データを、上記受け取られた製作像データに適用して、補償された像データを発生する、
という段階を備えた方法。
【請求項２】  プリントジョブ像をレンダリングする方法において、
第１の像属性を選択し、
第２の像属性を選択し、
プリントジョブ像に関連した第１属性及び第２属性の少なくとも１つに対する値の変化を受け取り、
上記第１及び第２属性の変化した値の組み合わせに基づいて診断像をレンダリングし、
上記レンダリングされた診断像から像のクオリティを感知し、
上記感知された像のクオリティに基づき第１属性／第２属性のトーン再現曲線データを計算し、
上記変化した第１及び第２属性値を有する像をレンダリングする際に使用するために上記第１属性／第２属性のトーン再現曲線データを記憶し、
上記記憶された第１属性／第２属性のトーン再現曲線データに基づいてプリントジョブ像のコントーン値を調整し、そして
上記調整されたコントーン値に基づいてプリントジョブ像をレンダリングするという段階を備えた方法。
【請求項３】  １組の像アスペクト補償トーン再現曲線を備え、上記組の各トーン再現曲線は、２つ以上の像アスペクトの特定の組合せに関連付けられ、
更に、レンダリングされた像から１つ以上の像クオリティを測定するよう動作する像クオリティセンサと、
２つ以上の像アスペクトに関する像データ及び情報を受け取り、２つ以上の像アスペクトに関する情報に基づいて上記１組の像アスペクト補償トーン再現曲線からトーン再現曲線を選択し、上記選択されたトーン再現曲線及び上記受け取られた像データから受け取った情報に基づいて変更された像データを発生し、そして上記像クオリティセンサにより発生された情報に基づいて上記１組の像アスペクト補償トーン再現曲線の一部分を更新するように動作する像アスペクト補償プロセッサと、
上記変更された像データと、２つ以上の像アスペクトとに基づいて像をレンダリングするように動作するレンダリング装置と、
を備えた像処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色半導体レーザと、対物レンズとを含む光ピックアップにおいて、凹レンズと回折光学素子の組み合わせによって構成される色収差補正素子が、前記青色半導体レーザと前記対物レンズの間の光学系に具備されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
請求項１に記載の光ピックアップにおいて、前記色収差補正素子は、平凹レンズと平行平板に構成された回折光学素子の平面部同士を張り合わせた光学素子であることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項３】
請求項１に記載の光ピックアップにおいて、前記色収差補正素子は、平凹レンズの平面部に回折光学素子が構成された特殊平凹レンズであることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の光ピックアップにおいて、前記回折光学素子の焦点距離が３０ｍｍ以上４５ｍｍ以下であり、前記凹レンズの焦点距離は前記回折光学素子の焦点距離の負の値であることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項５】
青色半導体レーザと、対物レンズとを含む光ピックアップを有する光ディスク装置において、  凹レンズと回折光学素子の組み合わせによって構成される色収差補正素子が、前記青色半導体レーザと前記対物レンズの間の光学系に具備されている光ピックアップを有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光ディスク装置において、前記光ピックアップの前記色収差補正素子は、平凹レンズと平行平板に構成された回折光学素子の平面部同士を張り合わせた光学素子である光ピックアップを有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
請求項５に記載の光ディスク装置において、前記光ピックアップの前記色収差補正素子は、平凹レンズの平面部に回折光学素子が構成された特殊平凹レンズである光ピックアップを有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の光ディスク装置において、前記光ピックアップの前記回折光学素子の焦点距離が３０ｍｍ以上４５ｍｍ以下であり、前記凹レンズの焦点距離は前記回折光学素子の焦点距離の負の値である色収差補正素子を備えた光ピックアップであることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
青色半導体レーザと、対物レンズとを含む光ピックアップに対して、前記青色半導体レーザと前記対物レンズの間の光学系に、配置されて用いられ、凹レンズと回折光学素子との組み合わせによって構成される色収差補正光学系。
【請求項１０】
対物レンズが正の屈折力をもつガラスレンズであることを特徴とする請求項９記載の色収差補正光学系。
【請求項１１】
前記青色半導体レーザの波長変動によっても焦点ずれが0.1μｍ以下になるように構成されていることを特徴とする請求項９記載の色収差補正光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部機器との接続のための複数種類のインターフェースをもつＤＶＤ再生装置において、前記複数種類のインターフェースに共通単一の兼用コネクタを配し、この兼用コネクタと各インターフェースとの間にセレクタを介在し、セレクタの切り換えによって、あるインターフェースと前記兼用コネクタとの接続状態と別のインターフェースと前記兼用コネクタとの接続状態とを切り換えるように構成してあることを特徴とするＤＶＤ再生装置。
【請求項２】  前記複数種類のインターフェースとして信号ライン数の異なるインターフェースがあり、前記兼用コネクタは信号ライン数の多い方のインターフェースに対応したものとして構成されており、前記セレクタは信号ライン数の少ない方のインターフェースに対応したものとして構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＶＤ再生装置。
【請求項３】  前記信号ライン数の多い方のインターフェースの信号ライン数をＭ本とし、前記信号ライン数の少ない方のインターフェースの信号ライン数をＮ本として、前記セレクタの一方の入出力に前記信号ライン数の多い方のインターフェースのＮ本の信号ラインと前記信号ライン数の少ない方のインターフェースのＮ本の信号ラインとを接続し、前記セレクタの他方の入出力のＮ本の信号ラインおよび前記信号ライン数の多い方のインターフェースの残りの（Ｍ−Ｎ）本の信号ラインと前記兼用コネクタとを接続してあることを特徴とする請求項２に記載のＤＶＤ再生装置。
【請求項４】  前記信号ライン数の多い方のインターフェースがＡＴＡＰＩインターフェースであり、前記信号ライン数の少ない方のインターフェースがＡＶインターフェースであることを特徴とする請求項３に記載のＤＶＤ再生装置。
【請求項５】  前記セレクタの切換制御端子に対してセレクタ切換信号を供給するためのセレクタ切換信号ラインを前記兼用コネクタに接続してあることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載のＤＶＤ再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数種類のディスクに対する再生互換性を有する互換型ＤＶＤ再生装置であって、ディスクの挿入に伴って前記ディスクに対する読み取りを通じてディスク種類識別情報を取得して不揮発性メモリに登録し、ディスクの排出がない状態では前記不揮発性メモリでの前記ディスク種類識別情報の登録を保持するとともに、電源投入時には前記不揮発性メモリから前記ディスク種類識別情報を読み取るように構成してあることを特徴とする互換型ＤＶＤ再生装置。
【請求項２】  前記電源投入時に前記不揮発性メモリから読み取ったディスク種類識別情報に対応した再生条件パラメータ情報をプログラムメモリから読み出し、信号処理部に転送格納するように構成してあることを特徴とする請求項１に記載の互換型ＤＶＤ再生装置。
【請求項３】  前記ディスクの排出がない状態の検出を、前記ディスクが所定のディスク再生位置にないことの検出をもって行うように構成してあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の互換型ＤＶＤ再生装置。
【請求項４】  前記ディスクの排出がない状態の検出を、前記不揮発性メモリにディスク種類識別情報が登録されていることの検出をもって行うように構成してあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の互換型ＤＶＤ再生装置。
【請求項５】  ディスクの排出に伴って、前記不揮発性メモリに登録しているディスク種類識別情報を消去することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の互換型ＤＶＤ再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に１本または複数本の筒状炭素分子を起立した状態で有する
ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】  前記筒状炭素分子は、単層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブもしくはカーボンナノファイバを含む
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項３】  前記筒状炭素分子は、固形化された材料からなる支持部材によって、前記基板上に起立した状態に支えられている
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項４】  前記支持部材は、導電性ポリマーを含んで形成されたものである
ことを特徴とする請求項３記載の電子放出素子。
【請求項５】  前記支持部材は、導電性金属酸化物を含んで形成されたものである
ことを特徴とする請求項３記載の電子放出素子。
【請求項６】  前記基板は、上面が平坦な突起を備え、前記突起の平坦な上面に、前記筒状炭素分子が起立した状態で設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項７】  前記基板は、前記筒状炭素分子に対して電圧を印加するための電極を備えている
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。
【請求項８】  基板上に１本または複数本の筒状炭素分子を起立した状態で有する電子放出素子と、
前記筒状炭素分子に所定の電圧を印加し、前記筒状炭素分子から電子を放出させるための電極と、
前記電子放出素子から放出された電子を受けて発光する蛍光部と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項９】  筒状炭素分子と所定の粘性を有する材料とを混合して塗布材料を作製する混合工程と、
前記塗布材料を第１の基板および第２の基板のうちの少なくとも一方に塗布する塗布工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを塗布材料を介して密着させる密着工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを各基板面に対して略鉛直方向に引き離すことにより前記筒状炭素分子を起立させる素子形成工程と
を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スイッチ装置及びこのスイッチ装置を用いたホーンスイッチ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  方形状の長溝部を有するケースと、前記長溝部に上下移動可能に保持された長尺状の操作つまみと、この操作つまみの長尺方向に一列に複数個配設され、前記操作つまみの上下移動に伴って操作される操作体と、この操作体の下方にそれぞれ配設された可動接点と、この可動接点が載置され、前記可動接点と接離する固定接点が設けられた基台とを備え、前記操作つまみが押圧操作される際には、前記複数個の操作体のうち少なくとも一つが操作されて下方に配設された可動接点が固定接点と接触するようにしたことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項２】  前記操作つまみは、前記ケースの長溝部に上下移動可能に保持されると共に、長尺状の中央部を支点として左右に揺動可能に保持されていることを特徴とする請求項１記載のスイッチ装置。
【請求項３】  前記操作つまみの下方には、この操作つまみの中央部を前記ケースの長溝部の内底面から離間させる突出受部を設け、この突出受部を前記操作つまみの揺動支点としたことを特徴とする請求項２記載のスイッチ装置。
【請求項４】  前記突出受部を、前記ケースの長溝部の内底面から突出させて形成したことを特徴とする請求項３記載のスイッチ装置。
【請求項５】  前記可動接点は、ドーム状のラバー接点からなり、前記固定接点は、回路基板上に形成された印刷接点であることを特徴とする請求項１記載のスイッチ装置。
【請求項６】請求項１に記載したスイッチ装置をステアリングホイールのパッド部に両側に平行に装着し、前記操作つまみは、前記ケースの長溝部に上下移動可能に保持され、長尺状の中央部を支点として左右に揺動可能に保持され、前記操作つまみの下方には、この操作つまみの中央部を前記ケースの長溝部の内底面から離間させる突出受部を設け、この突出受部を前記操作つまみの揺動支点とするとともに、前記突出受部を、前記ケースの長溝部の内底面から突出して形成したことを特徴とするホーンスイッチ。
【請求項７】前記可動接点と固定接点とからスイッチ部が構成され、前記可動接点は、ドーム状のラバー接点からなり、前記固定接点は、回路基板上に形成された印刷接点であることを特徴とする請求項６に記載のホーンスイチ。
【請求項８】前記支点の左右両側にスイッチ部を1個ずつ配置したことを特徴とする請求項６に記載のホーンスイッチ。
【請求項９】前記支点の左右両側に作動力調整のためのドーム状ラバーを１個ずつ配置したことを特徴とする請求項８に記載のホーンスイッチ。
【請求項１０】前記支点の左右両側にスイッチ部を2個ずつ配置したことを特徴とする請求項6に記載のホーンスイッチ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明では第１の解決手段として、方形状の長溝部を有するケースと、前記長溝部に上下移動可能に保持された長尺状の操作つまみと、この操作つまみの長尺方向に一列に複数個配設され、前記操作つまみの上下移動に伴って操作される操作体と、この操作体の下方にそれぞれ配設された可動接点と、この可動接点が載置され、前記可動接点と接離する固定接点が設けられた基台とを備え、前記操作つまみが押圧操作される際には、前記複数個の操作体のうち少なくとも一つが操作されて下方に配設された可動接点が固定接点と接触するようにした構成とした。
また、第２の解決手段として、前記操作つまみは、前記ケースの長溝部に上下移動可能に保持されると共に、長尺状の中央部を支点として左右に揺動可能に保持されている構成とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第３の解決手段として、前記操作つまみの下方には、この操作つまみの中央部を前記ケースの長溝部の内底面から離間させる突出受部を設け、この突出受部を前記操作つまみの揺動支点とした構成とした。
また、第４の解決手段として、前記突出受部を、前記ケースの長溝部の内底面から突出させて形成した構成とした。
また、第５の解決手段として、前記可動接点は、ドーム状のラバー接点からなり、前記固定接点は、回路基板上に形成された印刷接点である構成とした。
また本発明は、ステアリングホイールのパッド部の両側に平行に装着される方形状の長溝部を有するケースと、長溝部に上下移動可能に保持された長尺状の操作つまみと、この操作つまみの長尺方向に沿って一列に複数個配設され、操作つまみの上下移動に伴って操作される操作体と、この操作体の下方にそれぞれ配設された可動接点と、この可動接点が載置され、この可動接点と接離する固定接点が設けられた基台とを備え、操作つまみが押圧操作される際には、複数個の操作体のうち少なくとも一つが操作されて下方に配設された可動接点が固定接点と接触し、操作つまみは、ケースの長溝部に上下可動可能に保持され、長尺状の中央部を支点として左右に揺動可能に保持されており、操作つまみの下方には、この操作つまみの中央部をケースの長溝部の内底面から離間させる突出受部を設け、この突出受け部を操作つまみの揺動支点とするとともに、突出受部を、ケースの長溝部の内定面から突出させて形成したホーンスイッチの構成とした。
かかる構成により、構成部材が少なくて組立が容易となり、コストの低減化が図れ、ホーンつまみの押圧時の操作性が良く、たとえホーンつまみの長尺方向の端側が押圧された場合であっても、また、如何なる部分が押圧された場合であっても、確実に操作できるホーンスイッチを提供できる。
さらに本発明は、可動接点と固定接点とからスイッチ部が構成され、可動接点は、ドーム状のラバー接点からなり、固定接点は、回路基板上に形成される構成にした。
かかる構成により、操作つまみの長尺方向の端側が押圧された場合であっても、また、如何なる部分が押圧された場合であっても、支点の両側のスイッチ部をオンさせることがなく、かつ、ダブルクリックを生じさせることなく、確実にスイッチ部をオンさせることができる。
さらにまた本発明は、支点の左右両側にスイッチ部を1個ずつ配置する構成とした。
かかる構成により、軽い押圧力であっても、確実にスイッチをオンさせることができる。
また本発明は、支点の左右両側に作動力調整のためのドーム状ラバーを１個ずつ配置する構成とした。
かかる構成により、作動力を調整して確実にスイッチをオンさせることができる。
また本発明は、支点の左右両側にスイッチ部を2個ずつ配置する構成とした。
かかる構成により、スイッチ部のひとつに接触不良などが生じても問題を生じることなくスイッチをオンすることができ、信頼性の高いホーンスイッチを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子線露光方法、該方法を用いたデバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子線を偏向してブランキングアパーチャ上を移動させることで前記荷電粒子線の基板上への照射を制御して、前記基板を露光する荷電粒子線露光方法において、
前記ブランキングアパーチャ上での前記荷電粒子線の直径は、前記ブランキングアパーチャの開孔の直径よりも大きいことを特徴とする荷電粒子線露光方法。
【請求項２】  請求項１に記載の荷電粒子線露光方法を用いて基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項３】 荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、
前記荷電粒子線を通過させる開孔を有し、前記偏向器による偏向動作に応じて前記荷電粒子線の前記基板上への照射を制御するためのブランキングアパーチャと、を備え、
前記ブランキングアパーチャ上での前記荷電粒子線の直径は、前記ブランキングアパーチャの前記開孔の直径よりも大きいことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項４】 縮小電子光学系をさらに備え、前記ブランキングアパーチャは前記縮小電子光学系の瞳に配置されることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子線でウエハ等の基板上に微細なパターンを露光する荷電粒子線露光方法、その方法を用いるデバイス製造方法及び荷電粒子露光装置に関する。
このような荷電粒子線露光方法は、主に電子線露光装置およびイオンビーム露光装置等の荷電粒子線露光装置において半導体集積回路等、微細パターンを有するデバイスを露光するために適用される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決しようとする手段】
上記の課題を達成するため本発明の荷電粒子線露光方法は、荷電粒子線を偏向してブランキングアパーチャ上を移動させることで前記荷電粒子線の基板上への照射を制御して、前記基板を露光する荷電粒子線露光方法において、
前記ブランキングアパーチャ上での前記荷電粒子線の直径は、前記ブランキングアパーチャの開孔の直径よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明のデバイス製造方法は、前記荷電粒子線露光方法を用いて基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とする。
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、
前記荷電粒子線を通過させる開孔を有し、前記偏向器による偏向動作に応じて前記荷電粒子線の前記基板上への照射を制御するためのブランキングアパーチャと、を備え、
前記ブランキングアパーチャ上での前記荷電粒子線の直径は、前記ブランキングアパーチャの前記開孔の直径よりも大きいことを特徴とする。
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、縮小電子光学系をさらに備え、前記ブランキングアパーチャは前記縮小電子光学系の瞳上に配置されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、荷電粒子線を偏向してブランキングアパーチャ上を移動させることにより、荷電粒子線をオン・オフして基板を露光する荷電粒子線描画方法において、ブランキングアパーチャの開孔中心に電子ビームが位置しなくても、所望のパターンを露光できる荷電粒子線露光方法、その方法を用いる荷電粒子線露光装置を提供することができる。
また、この方法を用いてデバイスを製造すれば、従来以上に歩留まりの高いデバイスを製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子線をラスタースキャンして基板を露光する荷電粒子線描画方法において、
前記基板上における前記荷電粒子線のラスタースキャン方向の大きさを、該ラスタースキャン方向と直交する方向の大きさに比べて狭める調整ステップを有することを特徴とする荷電粒子線描画方法。
【請求項２】  前記基板上における前記荷電粒子線の前記ラスタースキャン方向の大きさを計測する第１の計測ステップと、
前記基板上における前記荷電粒子線の前記ラスタースキャン方向と直交する方向の大きさを計測する第２の計測ステップと、をさらに備え、
前記第１の計測ステップの結果を移動平均した結果と前記第２の計測ステップの結果を評価して、その評価結果に基づいて前記調整ステップを実行することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画方法。
【請求項３】  請求項１または２に記載の荷電粒子線描画方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決しようとする手段】
上記の課題を達成するため、本発明の荷電粒子線描画方法は、荷電粒子線をラスタースキャンして基板を露光する荷電粒子線描画方法において、
前記基板上における前記荷電粒子線のラスタースキャン方向の大きさを、該ラスタースキャン方向と直交する方向の大きさに比べて狭める調整ステップを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、本発明の荷電粒子線描画方法は、前記基板上における前記荷電粒子線の前記ラスタースキャン方向の大きさを計測する第１の計測ステップと、
前記基板上における前記荷電粒子線の前記ラスタースキャン方向と直交する方向の大きさを計測する第２の計測ステップと、をさらに備え、
前記第１の計測ステップの結果を移動平均した結果と前記第２の計測ステップの結果を評価して、その評価結果に基づいて前記調整ステップを実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置決め装置、露光装置、加工装置、並びに静圧軸受
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  構造体を流体により中立浮上させて非接触で軸支する軸受手段と、
前記構造体を軸支するための流体の圧力を制御する制御手段と、
前記構造体を移動させて目標位置に位置決めする駆動手段とを備え、
前記制御手段は、前記構造体の移動により前記軸受手段に生じる変動成分を打ち消すように前記流体の圧力を制御することを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】  前記軸受手段は、互いに隣接して配置される第１及び第２の軸受手段を備え、前記制御手段は、前記構造体の移動により前記第２の軸受手段に生じる変動成分を打ち消すように前記流体の圧力を制御することを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】  前記制御手段は、前記流体の流れに抵抗を与えて前記軸受手段から噴出する流体の圧力を可変とする絞り手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の位置決め装置。
【請求項４】  前記絞り手段は、前記流体が通過する孔の入口を絞る弁を備え、前記制御手段は、当該弁の位置を制御することにより前記流体の流路面積を変化させて当該流体の圧力を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位置決め装置。
【請求項５】  前記絞り手段は、前記流体が通過する孔の入口を非接触で絞るシャッターを備え、前記制御手段は、当該シャッターの位置を制御することにより前記流体の絞り量を変化させて当該流体の圧力を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位置決め装置。
【請求項６】  前記シャッターの駆動源として、バイモルフアクチュエータ又は電磁石を有するアクチュエータ又は超磁歪素子アクチュエータを用いることを特徴とする請求項５に記載の位置決め装置。
【請求項７】  前記シャッターは、前記アクチュエータによって当該シャッターの変位を増幅する手段を備えることを特徴とする請求項６に記載の位置決め装置。
【請求項８】  前記位置決め装置を真空雰囲気に保持されたチャンバ内に配置し、
前記軸受手段から噴出した流体がチャンバ内に放出されないように、当該流体を回収する回収手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の位置決め装置。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれか１項に記載の位置決め装置を備え、当該位置決め装置によって基板または原版あるいはその双方を位置決めすることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】  請求項１乃至８のいずれか１項に記載の位置決め装置を備え、当該位置決め装置によって対象物に機械加工を施すことを特徴とする加工装置。
【請求項１１】  構造体を流体により中立浮上させて非接触で軸支する静圧軸受であって、
前記構造体を軸支するための流体の圧力を可変とする可変手段と、
前記可変手段により前記流体の圧力を制御する制御手段とを具備することを特徴とする静圧軸受。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［態様１］
構造体を流体により中立浮上させて非接触で軸支する軸受手段と、前記構造体を軸支するための流体の圧力を制御する制御手段と、前記構造体を移動させて目標位置に位置決めする駆動手段とを備え、前記制御手段は、前記構造体の移動により前記軸受手段に生じる変動成分を打ち消すように前記流体の圧力を制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［態様６］
上記態様５において、前記シャッターの駆動源として、バイモルフアクチュエータ又は電磁石を有するアクチュエータ又は超磁歪素子アクチュエータを用いることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［態様７］
上記態様６において、前記シャッターは、前記アクチュエータによって当該シャッターの変位を増幅する手段を備えることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
［態様８］
上記態様１から７のいずれかにおいて、前記位置決め装置を真空雰囲気に保持されたチャンバ内に配置し、前記軸受手段から噴出した流体がチャンバ内に放出されないように、当該流体を回収する回収手段を更に備えることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［態様９］
上記態様１から８のいずれかの位置決め装置を備え、当該位置決め装置によって基板または原版あるいはその双方を位置決めすることを特徴とする露光装置。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［態様１０］
上記態様１から８のいずれかの位置決め装置を備え、当該位置決め装置によって対象物に機械加工を施すことを特徴とする加工装置。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
［態様１１］
構造体を流体により中立浮上させて非接触で軸支する静圧軸受であって、前記構造体を軸支するための流体の圧力を可変とする可変手段と、前記可変手段により前記流体の圧力を制御する制御手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
基板を熱処理する処理室と、該処理室を加熱するヒータと、該ヒータまたは前記処理室の温度を測定する温度計測手段とを備え、
該温度計測手段は、二つの異なる材質の一対の導線が、熱起電力特性が前記一対の導線のいずれか一方と同等または近似の材質からなり、円板形状ないし多角形の平板形状で形成されている接合部材の主面にそれぞれ接合されてなることを特徴とする基板処理装置。  
【請求項２】 
基板を熱処理する処理室と、該処理室を加熱するヒータとを備える基板処理装置に用いられる前記ヒータまたは前記処理室の温度を測定する温度計測手段であって、
二つの異なる材質の一対の導線が、熱起電力特性が前記一対の導線のいずれか一方と同等または近似の材質からなり、円板形状ないし多角形の平板形状で形成されている接合部材の主面にそれぞれ接合されてなることを特徴とする温度計測手段。
【請求項３】
前記接合部材は、表面積を増大するよう検温対象となる表面に凹凸を設けていることを特徴とする請求項２の温度計測手段。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】彎曲面が一端部に形成されており複数枚の基板を収納して処理する処理室と、前記彎曲面の外方に配設されたヒータと、このヒータが発生する熱を前記処理室の前記彎曲面側に位置する前記基板側に反射させる反射鏡と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヒューズ配線と、
前記ヒューズ配線の上方に絶縁膜を介して形成されたヒューズ部と、
前記ヒューズ配線と前記ヒューズ部とを接続する接続部とを備えたヒューズを複数有し、
複数の前記ヒューズの前記ヒューズ部は互いに千鳥配置とされるように配設され、
複数の前記ヒューズの前記ヒューズ配線の上方にそれぞれレーザを反射または吸収する層が設けられていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】  ヒューズ配線と、
前記ヒューズ配線の上方であって絶縁膜内に形成されたヒューズ部とを備え、
前記ヒューズ部上に位置する前記絶縁膜の厚みが、前記ヒューズ配線上に位置する前記絶縁膜の厚みより小さい半導体装置。
【請求項３】  前記ヒューズ部と前記ヒューズ配線とは同材質で形成され、
前記ヒューズ配線の延在方向に垂直な方向の断面における前記ヒューズ部の断面積は、前記ヒューズ配線の延在方向に垂直な方向の断面における該ヒューズ配線の断面積よりも小さい、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記絶縁膜は、高密度プラズマ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）によって形成された酸化膜を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】  前記ヒューズ配線の耐熱性は、前記ヒューズ部の耐熱性よりも高い、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  前記ヒューズ配線と前記ヒューズ部と前記接続部とを一体の導電層で形成した、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、ヒューズ配線と、ヒューズ配線の上方に絶縁膜を介して形成されたヒューズ部と、ヒューズ配線とヒューズ部とを接続する接続部とを備えたヒューズを複数有し、複数のヒューズのヒューズ部は互いに千鳥配置とされるように配設され、複数のヒューズのヒューズ配線の上方にそれぞれレーザを反射または吸収する層が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属配線に電気的に接続されるセルを含み、
前記セルは、キャパシタと、前記キャパシタのストレージノードにソース／ドレイン領域を接続されたメモリトランジスタと、前記キャパシタのストレージノードにゲート電極を接続された検索トランジスタと、前記金属配線のうちのマッチ線と前記検索トランジスタのソース／ドレイン領域とを電気的に接続するコンタクトとを備え、
前記ストレージノードは、前記コンタクトに対面する側の側壁において、前記コンタクトを前記マッチ線の方向に沿って正面に見る箇所を含む部分が、前記側壁の残りの部分よりも前記コンタクトに対して後退した形状を有する、半導体装置。
【請求項２】  金属配線に電気的に接続されるセルを含み、
前記セルは、キャパシタと、前記キャパシタのストレージノードにソース／ドレイン領域を接続されたメモリトランジスタと、前記キャパシタのストレージノードにゲート電極を接続された検索トランジスタと、前記金属配線のうちのマッチ線と前記検索トランジスタのソース／ドレイン領域とを電気的に接続するコンタクトとを備え、
前記ストレージノードは、前記コンタクトに対面する側の側壁において、平面的に見て、矩形から、前記コンタクトをマッチ線の方向に沿って正面に見る前記側壁の辺縁部を含む領域が、その辺縁部の残りの部分を残して切り欠かれたあとの形状を有している、半導体装置。
【請求項３】  前記ストレージノードが、平面的に見て、前記マッチ線の方向に沿って延びる短冊状の第１短冊部と、その第１短冊部の前記コンタクト側の先端部と異なる側部から前記マッチ線に交差する方向に突き出て延びる第２短冊部とを有し、前記第２短冊部の側部が、前記コンタクトを前記マッチ線の方向に沿って正面に見る箇所を含む部分を有する、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】  金属配線に電気的に接続されるセルを含み、
前記セルは、
キャパシタと、
前記キャパシタのストレージノードにソース／ドレイン領域を接続されたメモリトランジスタと、
前記キャパシタのストレージノードにゲート電極を接続された検索トランジスタと、
前記金属配線のうちの第１の方向に延在するマッチ線と前記検索トランジスタのソース／ドレイン領域とを電気的に接続するコンタクトとを備え、
前記ストレージノードは、平面視で前記第１の方向において、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より大きい第２の幅を有する第２の部分とを含む半導体装置。
【請求項５】  前記コンタクトは、前記第１の部分と前記第１の方向に隣接する、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】  前記ストレージノードは、平面視で、前記第１の方向に垂直な第２の方向に延びる、前記ストレージノードの一つの中心線に対して対称で、前記第１の方向に延びる、前記ストレージノードの他の中心線に対して非対称である、請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】  前記ストレージノードは、平面視で、前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に対向する辺を有し、前記第１の部分側の第１の辺より前記第２の部分側の第２の辺の長さが大きい、請求項４記載の半導体装置。
【請求項８】  前記ストレージノードは前記第２の部分から前記第１の部分に向かって順次幅が減少している、請求項４記載の半導体装置。
【請求項９】  前記キャパシタは筒形状を有し、
前記ストレージノードと誘電体膜をはさむように位置するセルプレートが、前記筒の上端から筒の外方に、前記キャパシタが埋め込まれた層間絶縁膜の上に沿って広がるセルプレート平坦部を有し、
そのセルプレート平坦部が、平面的に見て前記コンタクトを含む孔パターンを有し、
該孔パターンは、前記マッチ線に沿う方向の長さが、そのマッチ線に交差する方向よりも長い、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離溝を有する半導体装置の製造方法において、
（ａ）絶縁物が埋め込まれた素子分離溝で囲まれた領域に、トランジスタが形成される第１の活性領域と、当該第１の活性領域のチャネル幅方向における両端に配置される第２の活性領域と、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域との間の側壁絶縁膜とを形成する工程と、
（ｂ）前記第１及び第２の活性領域に不純物を注入する工程と、
（ｃ）高温雰囲気中で前記不純物をアニールする工程とを有し、
前記第１の活性領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極が形成され、
更に、（ｄ）前記第２の活性領域上に前記ゲート絶縁膜より厚いダミーゲート絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ａ）において、前記第２の活性領域は所定の不純物が含まれた多結晶または非晶質膜により形成され、
前記工程（ｃ）の後において、前記第１の活性領域よりも第２の活性領域のほうが不純物濃度が高くなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
素子分離溝を有する半導体装置の製造方法において、
半導体基板表面の素子分離領域をエッチングして素子分離溝を形成して、前記半導体基板表面に第１の活性領域を形成する工程と、
前記素子分離溝の側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記側壁絶縁膜の外側に第２の活性領域を形成する工程と、
前記第２の活性領域膜の外側に前記素子分離溝を埋める絶縁物層を形成する工程と、
前記第１及び第２の活性領域に不純物を注入する工程と、
高温雰囲気中で前記不純物をアニールする工程とを有し、
前記第１の活性領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極が形成され、
更に、前記第２の活性領域の表面に、前記ゲート絶縁膜よりも厚いダミーゲート絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
素子分離溝を有する半導体装置において、
絶縁物が埋め込まれた素子分離溝と、
前記素子分離溝で囲まれた領域に、トランジスタが形成される第１の活性領域と、当該第１の活性領域のチャネル幅方向における両端に配置される第２の活性領域とを有し、前記第１及び第２の活性領域に不純物が注入されている活性領域と、
前記第１の活性領域上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極とを有し、
前記第２の活性領域上に形成され前記ゲート絶縁膜よりも厚いダミーゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１及び第２の活性領域の表面であって前記ゲート電極直下において、前記第１の活性領域の不純物濃度が前記第２の活性領域の不純物濃度より高いことを特徴とする半導体装置。