Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の水平周波数で同期発振を行うように制御される発振器と、
同期パルスの信号源と、
前記発振器に結合された入力と前記信号源に結合された入力とを有し、これらの入力間の位相差を表す出力信号を発生する位相検出器と、
前記位相検出器に結合されており、前記出力信号を処理して前記発振器を制御するための制御信号を発生するプロセッサと、
を具え、
前記プロセッサの利得は前記複数の周波数の中の選択されたものに応じて制御される、複数の周波数で選択的に動作可能な水平周波数信号発生器。
【請求項２】  複数の周波数の水平周波数信号を発生する電圧制御発振器と、
水平同期パルスの信号源と、
前記電圧制御発振器および前記水平同期パルスを同期させる同期手段と、
前記同期手段に結合されており、前記同期手段からの電圧を濾波して、前記電圧制御発振器を同期させるように結合する能動低域通過フィルタと、
を具え、
前記能動フィルタの帯域幅は前記複数の周波数の中の１つの周波数での動作に応じて変えられる、同期回路。
【請求項３】  複数の周波数で動作可能な電圧制御発振器と、
同期パルスの信号源と、
前記発振器に結合された入力と前記信号源に結合された入力とを有し、これらの入力間の位相差を表す出力信号を発生する位相検出器と、
前記出力信号が結合され、前記出力信号を濾波して、前記発振器を制御するための電圧を発生する能動フィルタと、
を具え、
前記能動フィルタは、前記複数の周波数の中の第１の周波数において第１の利得値を有するように制御され、
前記能動フィルタは、前記複数の周波数の中の第２の周波数において第２の利得値を有するように制御される、複数の水平周波数で動作可能なビデオ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端部を取付片（１）に取り付け、バケツ等の容器の上縁部に取り付ける手段を取付片（１）に設けた、サビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項２】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端部を取付片（１）に取り付け、バケツ等の容器の上縁部がちょうどはまるくぼみ（２）を取付片（１）の下方から上方へ向けて設けた、サビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項３】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端部を固定片（１０）に取り付け、バケツ等の容器の上縁部を内外から挟んで固定する内側ばね（９）及び外側ばね（１１）を固定片（１０）から下方へと設けた、サビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項４】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端部を固定片（１０）に取り付け、バケツ等の容器の上縁部の一部を固定片（１０）との間で挟んで固定するばね（１２）を固定片（１０）から設けたサビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項５】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端部を固定片（１０）に取り付け、バケツ等の容器の上縁部を固定片（１０）との間に挟んで固定する押圧片（２０）を固定片（１０）に備えた、サビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項６】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端側に、バケツ等の容器の上縁部に取り付ける手段を設けたものとし以上のものを１本の線状のばね材で製作したサビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項７】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端側に、バケツ（Ａ）の上縁の水平部（ｂ）及び下降部（ｃ）に固定するコ字形部（３５）を設けたものとし、以上のものを一本の線状のばね材で製作したサビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【請求項８】  水平方向の引掛け片（８）を上方位置に設けた立上げ片（６）の下端側に、バケツ（Ａ）の上縁の立上り部（ａ）、水平部（ｂ）及び下降部（ｃ）に固定する門形部（３７）を設けた設けたものとし、以上のものを一本の線状のばね材で製作した、サビキ釣りにおける釣針からの魚外し具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  置換基として各々の場合４個までの炭素原子を有しうる１個または２個の飽和または不飽和炭化水素基を有する置換フェノールまたは置換フェノールエーテルの溶液を浄化に使用することからなる、組織もしくは細胞培養物、血液、血漿または血液もしくは血漿成分におけるウィルスによる汚染、および更にウィルス学において用いられる材料並びに装置を浄化する方法。
【請求項２】  コートまたは非コートウィルスにより生じる汚染の浄化に使用される請求項１記載の方法。
【請求項３】  溶液が、汚染された基質を基にして０.１重量％より少ない量で置換フェノールまたはフェノールエーテルを含有することを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  浄化を１５〜７０℃の範囲の温度および５〜９の範囲のｐＨで実施することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  浄化を１０分間から２４時間までにわたって実施することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】  使用される置換フェノールまたはフェノールエーテルを、浄化の完了後に基質から再度除去することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】  ウィルスで汚染されたクロマトグラフィーカラム／樹脂の浄化に使用される請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  レトロウィルス、トガウィルス、フラビウィルス、ピコルナウィルス、ヘルペスウィルス、アデノウィルス、レオウィルス、インフルエンザウィルス、パラインフルエンザウィルス、カリチウィルス、コロナウィルスまたはアストロウィルスにより生じた汚染の浄化に使用される請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  置換体として、各々の場合４個までの炭素原子を有しうる１個または２個の飽和または不飽和炭化水素残基を有する置換フェノールまたは置換フェノールエーテルの溶液を含有する、組織もしくは細胞培養物、血液、血漿または血液もしくは血漿成分におけるウィルスによる汚染、および更にウィルス学において用いられる物質並びに装置の浄化用の薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の表面に絶縁膜でなるマスクを形成し、
陽極化成処理により前記単結晶半導体基板の一部を多孔質層に変化させ、
前記マスクを除去し、
前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層の表面に第１酸化物層を形成し、
前記第１酸化物層の上から水素を添加し、前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層中に水素添加層を形成し、
前記単結晶半導体基板上の前記第１酸化物層と、支持基板上に設けられた第２酸化物層とを貼り合わせ、
第１熱処理により前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層を前記水素添加層に沿って分断し、
前記水素添加層に沿って分断する工程の後、支持基板に対して９００〜１２００℃の温度範囲で第２熱処理を行い、
前記第２熱処理の後、支持基板の上に存在する前記多孔質層を除去する
ことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１酸化物層を形成した後、当該第１酸化物層を平坦化することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記平坦化の工程として、ケミカルメカニカルポリッシングを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記支持基板として、半導体基板、石英基板、セミックス基板、金属基板又はステンレス基板のいずれかが用いられることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板の表面に絶縁膜でなるマスクを形成し、
陽極化成処理により前記単結晶半導体基板の一部を多孔質層に変化させ、
前記マスクを除去し、
前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層の表面に第１酸化物層を形成し、
前記第１酸化物層の上から水素を添加し、前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層中に水素添加層を形成し、
前記単結晶半導体基板上の前記第１酸化物層と、支持基板上に設けられた第２酸化物層とを貼り合わせ、
第１熱処理により前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層を前記水素添加層に沿って分断し、
前記水素添加層に沿って分断する工程の後、支持基板に対して９００〜１２００℃の温度範囲で第２熱処理を行い、
前記第２熱処理の後、支持基板の上に存在する前記多孔質層を除去して島状の単結晶シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記マスクは、前記島状の単結晶シリコン層となる領域に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
さらに、前記島状の単結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記島状の単結晶シリコン層にｎ型またはｐ型を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１酸化物層を形成した後、当該第１酸化物層を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記平坦化の工程として、ケミカルメカニカルポリッシングを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか一項において、
前記支持基板として、半導体基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板又はステンレス基板のいずれかが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一項に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、集積化回路。
【請求項１２】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一項に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、Ｄ／Ａコンバータ、γ補正回路、または信号分割回路。
【請求項１３】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一項に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、またはエレクトロクロミックス表示装置。
【請求項１４】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一項に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、マイクロプロセッサ。
【請求項１５】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一項に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、リア型またはフロント型プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯電話、電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】少なくとも前記基板の成長面は窒化物半導体からなり、前記溝は、前記窒化物半導体に対して＜１１−２０＞方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体構造。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  本発明に係る窒化物半導体構造は、前記基板が窒化物半導体基板を有し、前記窒化物半導体基板は、＜１１−２０＞方向に沿って溝が設けられていることを特徴とする。本発明の窒化物半導体構造は、少なくとも前記基板の成長面は窒化物半導体からなり、前記溝は、前記窒化物半導体に対して＜１−１００＞方向に沿って設けられることを特徴とする。また、本発明の窒化物半導体構造は、前記溝の底部の窒化物半導体が多結晶であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】  また、サファイア基板Ｃ面上にエピタキシャル成長した窒化物半導体であるＧａＮの配向関係は、（０００１）sapphire／／（０００１）GaN、［１−２１０］sapphire／／［−１０１０］GaNであることが知られており、結局、サファイア基板に対して［１１−２０］方向に溝部を形成することは、ＧａＮに関しては［１−１００］方向に溝部１１０を形成したことになる。従って、本実施の形態１の溝部は、基板の劈開方向かつ基板直上に結晶成長した窒化物半導体の＜１−１００＞方向に沿って形成されていることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】  また、従来例では選択成長によるマスクパターンが窒化物半導体の成長中に熱的損傷を受け、マスクパターンの構成要素が不純物として窒化物半導体成長膜内に影響をもたらしていた。しかしながら、本実施の形態で作製された成長膜層内には上記の不純物となる構成要素は一切含まれておらず、窒化物半導体成長膜のフォトルミネッセンス（ＰＬ）測定によれば、窒化物半導体成長膜（ＧａＮ単膜）のバンド端付近の発光強度と不純物によるディープレベルからの発光強度との相対比を比較したところ、本実施の形態で得られた相対強度比はマスクパターンを利用したそれと比べて１桁以上改善されていた。これは、本実施の形態で得られた窒化物半導体の成長膜が非常に高品質であることを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】  （実施の形態１０）図６は、本実施の形態１０によって作製されたＬＤ素子構造を示している。本実施の形態では、実施形態２で作製されたｎ型ＧａＮ膜付き加工構造基板２００直上に、ＭＯＣＶＤ装置を用いて発光素子構造としてＬＤ素子構造を作製した例である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】  （実施の形態１１）図７は、本実施の形態１１によって作製された発光素子構造としてＬＥＤ素子構造を示す。本実施の形態では、上記実施の形態で作製された窒化物半導体構造上に、ＭＢＥ装置を用いてＬＥＤ素子構造を作製した例について説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】    窒化物半導体膜上に形成された溝部の深さｈが溝部の幅ｂに対してｈ≧ｂであるときは、溝部が十分に深く原料ガスが溝部の底部まで到達しないために、溝部が埋没することなく空洞部が形成される。従って、十分に溝の深さが深い場合は本実施の形態１２ではなく、例えば実施の形態２または３と同様に空洞部が形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】    窒化物半導体膜上に形成された溝部の深さｈが溝部の幅ｂに対してｈ≧ｂであるときは、溝部が十分に深く原料ガスが溝部の底部まで到達しないために、溝部が埋没することなく空洞部が形成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2000106455.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】傘
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 先端に滑止め部材が設けられた柄を有することを特徴とする傘。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は雨傘、日傘等傘の改良、特に柄の改良に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、先端に滑止め部材が設けられた柄を有することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
柄の先端に滑止め部材を設けたことにより、机上等滑り易い面に傘を懸垂した際、握り部と机との接触面に摩擦力が生じ、滑りにくくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを注入表面(14a) に衝突させるためのイオン注入装置(10)であって、
(a) １つまたはそれ以上の加工物がイオン処理のために挿入される内部領域(42)を形成する処理室(12)と、
(b) この処理室(12)内にイオンプラズマを作り出すためのエネルギー源(40)と、
(c) 前記加工物(14)の注入表面(14a) がイオンプラズマ内に配置されるように、前記処理室(12)の内部領域(42)内に前記加工物(14)を位置決めるための支持体(30)と、
(d) 前記加工物の支持体と電気的に接続され、イオンを前記支持体に引きつけるために電気パルスを加えるためのパルス発生器(50)と、
(e) 前記注入表面(14a) と平行で、電気的にバイアスされたイオン集中表面(69)を含む１つまたはそれ以上の線量測定カップ(60)と、
(f) このカップ(60)からの信号をモニターして、前記加工物(14)のイオン注入を制御するための注入制御装置(195) とを備えることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
線量測定カップ(60)は、
(a) 前記集中表面から二次電子を、また、前記プラズマから電子を反発させるように負にバイアスされた電極(63)と、
(b) プラズマイオンを反発させるために正にバイアスされたイオン集中表面(69)とをさらに有することを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項３】
１つまたはそれ以上の線量測定カップ(60)は、ほぼ円形の開口(62)を有することを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項４】
セクターリング形状を有する開口を備える多数の線量測定カップ(60)をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項５】
負にバイアスされた電極(63)は、プラズマパラメータに基づいた、所定の直径を有する開口を有することを特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。
【請求項６】
プラズマのパラメータは、負にバイアスされた電極表面(67)でのプラズマシースの厚さであることを特徴とする請求項５記載のイオン注入装置。
【請求項７】
負にバイアスされた電極(63)の開口は、プラズマシースの厚さの２倍よりも小さいことを特徴する請求項５記載のイオン注入装置。
【請求項８】
負にバイアスされた電極(63)は、加工物の支持体(30)に対して約−２００ボルトにバイアスされていることを特徴する請求項２記載のイオン注入装置。
【請求項９】
正にバイアスされたイオン集中表面(69)は、加工物の支持体(30)に対して約＋２０ボルトにバイアスされていることを特徴する請求項２記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
イオンが線量測定カップ(60)に進入可能となる孔を有する金属スクリーン(90)を更に備えていることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項１１】
前記スクリーンの孔の大きさは、０．０４ｃｍであり、前記スクリーンの透過率は、１／２であることを特徴とする請求項１０記載のイオン注入装置。
【請求項１２】
負にバイアスされた電極(63)は、加工物の支持体(30)に対して約−５０Ｖにバイアスされていることを特徴とする請求項１０記載のイオン注入装置。
【請求項１３】
正にバイアスされたイオン集中表面(69)は、加工物の支持体(30)に対して約＋１０ボルトにバイアスされていることを特徴する請求項１０記載のイオン注入装置。
【請求項１４】
注入制御装置(195) によって使用される線量測定カップ(60)からの信号は、線量測定カップ(60)の集中表面(69)を通る電流から導かれることを特徴する請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項１５】
制御されるイオン注入工程のパラメータは、加工物(14)の注入持続時間であることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項１６】
線量測定カップ(60)は、アースに対するストレー容量を除いて変位電流の誤差を解消するために加工物の支持体(30)に埋設されていることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項１７】
線量測定カップ(60)からの信号は、変位電流の誤差を生じさせるストレー容量を防止するために、高帯域光ファイバー伝送器(85)によって引き出されることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、イオンを加工物の注入表面に衝突させるために、イオンプラズマによりイオンの集中を生じさせるプラズマ侵入(plasma immersion)に使用される線量測定カップを有するイオン注入装置を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は各請求項に記載の構成を有している。請求項１の記載の発明によれば、イオンを注入表面に衝突させるためのイオン注入装置は、
(a) １つまたはそれ以上の加工物がイオン処理のために挿入される内部領域を形成する処理室と、(b) この処理室内にイオンプラズマを作り出すためのエネルギー源と、(c) 前記加工物の注入表面がイオンプラズマ内に配置されるように、前記処理室の内部領域内に前記加工物を位置決めるための支持体と、(d) 前記加工物の支持体と電気的に接続され、イオンを前記支持体に引きつけるために電気パルスを加えるためのパルス発生器と、(e) 前記注入表面と平行で、電気的にバイアスされたイオン集中表面を含む１つまたはそれ以上の線量測定カップと、(f) このカップからの信号をモニターして、前記加工物のイオン注入を制御するための注入制御装置とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 活物質が充填された三次元多孔金属基体に金属端子板を重ね、金属端子板側から金属端子板上にレーザーを照射することにより三次元多孔金属基体と金属端子板とを溶接することを特徴とする電極の製造方法。
【請求項２】 活物質が充填された三次元多孔金属基体の金属端子板を溶接する箇所をレーザーによる溶接の前にプレスすることを特徴とする請求項１記載の電極の製造方法。
【請求項３】 活物質が充填された三次元多孔金属基体の金属端子板を溶接する個所の活物質を予め除去しておくことを特徴とする請求項１又は２記載の電極の製造方法。
【請求項４】請求項１、２又は３記載の方法で製造された電極を備えたことを特徴とする電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を解決するためのものであって、その製造方法は、活物質が充填されてなる三次元多孔金属基体に金属端子板を重ね、金属端子板側から金属端子板上にレーザーを照射することにより三次元多孔金属基体と金属端子板とを溶接することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の製造方法においては、Ｎｉ（ＯＨ）2を含んで成る活物質が充填された三次元多孔金属基体を用いることが好ましい。また、活物質はレーザー溶接前に予め除去しておくのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）下記一般式（Ｉ）及び（ＶＩＩ）で示される繰り返し単位を各々少なくとも一つ有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
【化１】
2002357902.tif 000001
式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ2、Ｒ3は同じでも異なっていても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基又は置換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ4は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、又は式（ＩＩ）の基を表す。
【化２】
2002357902.tif 000002
式中、Ｒ5、Ｒ6は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基もしくはシクロアルキル基を表す。Ｒ7は置換基を有していても良いアルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロシクロアルキル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。またＲ5〜Ｒ7の２つが結合し、環を形成しても良い。
【化３】
2002357902.tif 000003
式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ2、Ｒ3は同じでも異なっていても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基又は置換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ19〜Ｒ20は同じでも異なっていても良く、置換基を有していても良い、アルキル基、単環又は多環のシクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｗは２価の連結基を表し、Ｘは単結合、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＣＯ−、−ＣＯ2−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−から選ばれる基を表し、Ｒ22はヘテロ原子を有していてもよい炭素数１〜３０の１価の炭化水素基を表す。
【請求項２】（Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＶＩ）で示される繰り返し単位を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2002357902.tif 000004
式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ2、Ｒ3は同じでも異なっていても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基又は置換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ19〜Ｒ21は同じでも異なっていても良く、置換基を有していても良い、アルキル基、単環又は多環のシクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ19〜Ｒ21の内２つは結合して環を形成していても良い。
【請求項３】（Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
2002357902.tif 000005
式中、Ｒ8、Ｒ9は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ10は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基、もしくは−Ａ1−ＣＮ基を表す。Ａ1は単結合、置換基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ11−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ12−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ13）−Ｒ14−を表す。Ｒ11、Ｒ12、 Ｒ14は同じでも異なっていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。Ｒ13は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
【請求項４】  更に（Ｃ）酸拡散抑制剤として、塩基性窒素原子を有する化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】  （Ｂ）成分の化合物が、活性光線又は放射線の照射により、炭素原子数２以上のパーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロアリールスルホン酸もしくはパーフルオロアルキル基が置換したアルールスルホン酸を発生するスルホニウム塩又はヨードニウム塩の化合物から選択されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  像担持体に近接対向される複数の現像剤担持体を有する現像装置において、隣り合う第１、第２の現像剤担持体を所定の空隙を保ちながら回転可能に支持する容器を有し、前記容器の変形による応力を緩衝させる応力緩衝手段を、前記容器の少なくとも１箇所に設けたことを特徴とする現像装置。
【請求項２】  前記応力緩衝手段は、前記容器の少なくとも１部を形成する応力緩衝部材であり、該応力緩衝部材は前記容器のその他の部分を形成する材料とは異なる弾性材料にて形成される特徴とする請求項１の現像装置。
【請求項３】  前記応力緩衝部材を形成する弾性材料は、ゴム系材料、ＰＶＣ系材料、ポリエステル系材料、ポリエチレン系材料、ポリウレタン系材料、シリコーン系ゴム材料を含む群より選択されることを特徴とする請求項２の現像装置。
【請求項４】  前記応力緩衝部材と、前記現像剤容器のその他の部分とは、接着、ビス止めを含む接合手段により接合されることを特徴とする請求項２又は３の現像装置。
【請求項５】  前記容器の前記応力緩衝部材はポリエチレン系材料又はシリコーンゴム系材料によって形成され、前記容器のその他の部分と一体成形されることを特徴とする請求項２の現像装置。
【請求項６】  前記応力緩衝手段は、前記容器の少なくとも一部の応力緩衝形状からなることを特徴とする請求項１の現像装置。
【請求項７】  前記応力緩衝形状として、前記容器の肉厚を部分的に変化させることを特徴とする請求項６の現像装置。
【請求項８】  前記応力緩衝形状として、前記容器に部分的にリブ形状を設けることを特徴とする請求項６の現像装置。
【請求項９】  各現像剤担持体の回転軸方向両端部近傍に、像担持体との所定の空隙を保つための離間部材が設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかの項に記載の現像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
最高濃縮度を４．９乃至５．０ｗｔ％の範囲とした核燃料物質ペレットを被覆管内に充填した燃料棒群が９行９列以上の正方格子配列に規則正しく配置され、尚且つ、前記燃料棒複数本相当の領域を占める水ロッドを備え、前記燃料棒群は可燃性毒物非含有燃料棒１と可燃性毒物含有燃料棒２とからなる核分裂性物質平均濃縮度が４ｗｔ％以上の沸騰水型原子炉用燃料集合体において、前記燃料集合体を、上下端を除いた発熱有効長のおよそ３０％を占める上部側に位置する上部側領域Ｕと下部側に位置する下部側領域Ｌとに区分し、更に、前記下部側領域Ｌ内で上部に位置する下部側上領域Ｌ１と下部側に位置する下部側下領域Ｌ２とに区分した時、前記可燃性毒物含有燃料棒２は、上下端を除く有効長領域に可燃性毒物を含むと共に前記集合体中で最高濃度の可燃性毒物を下部側下領域Ｌ２にのみ含む第１の可燃性毒物含有燃料棒２ａと、前記集合体中で最低濃度の可燃性毒物を下部領域側上領域Ｌ１に含まず尚且つ下部側下領域Ｌ２に含む第２の可燃性毒物含有燃料棒２ｂとを含み、更に、前記第２の可燃性毒物含有燃料棒２ｂに含まれる可燃性毒物を除外して平均した可燃性毒物濃度が、上部側領域Ｕ、下部側上領域Ｌ１、下部側下領域Ｌ２の順に大きく、尚且つ、下部側領域Ｌの核分裂性物質の平均濃縮度が上部側領域Ｕよりも大きくなるよう構成されていることを特徴とする沸騰水型原子炉用燃料集合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第１の可燃性毒物含有燃料棒２ａの下部側下領域Ｌ２の可燃性毒物の最高濃度は、前記燃料集合体中の他の可燃性毒物の濃度よりも１．５ｗｔ％以上大きく、また、前記第２の可燃性毒物含有燃料棒２ｂの下部側下領域Ｌ２の可燃性毒物の最低濃度は、前記集合体中の他の可燃性毒物の濃度よりも１．５ｗｔ％以上小さく、更に、前記第２の可燃性毒物含燃料棒２ｂの本数割合は、集合体中の燃料棒総本数の２乃至６％であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の沸騰水型原子炉用燃料集合体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記水ロッドが、９本分の燃料棒領域を占める角管状の１本の水ロッドであることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の沸騰水型原子炉用燃料集合体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載された発明に係る沸騰水型原子炉用燃料集合体は、最高濃縮度を４．９乃至５．０ｗｔ％の範囲とした核燃料物質ペレットを被覆管内に充填した燃料棒群が９行９列以上の正方格子配列に規則正しく配置され、尚且つ、前記燃料棒複数本相当の領域を占める水ロッドを備え、前記燃料棒群は可燃性毒物非含有燃料棒１と可燃性毒物含有燃料棒２とからなる核分裂性物質平均濃縮度が４ｗｔ％以上の沸騰水型原子炉用燃料集合体において、前記燃料集合体を、上下端を除いた発熱有効長のおよそ３０％を占める上部側に位置する上部側領域Ｕと下部側に位置する下部側領域Ｌとに区分し、更に、前記下部側領域Ｌ内で上部に位置する下部側上領域Ｌ１と下部側に位置する下部側下領域Ｌ２とに区分した時、前記可燃性毒物含有燃料棒２は、上下端を除く有効長領域に可燃性毒物を含むと共に前記集合体中で最高濃度の可燃性毒物を下部側下領域Ｌ２にのみ含む第１の可燃性毒物含有燃料棒２ａと、前記集合体中で最低濃度の可燃性毒物を下部領域側上領域Ｌ１に含まず尚且つ下部側下領域Ｌ２に含む第２の可燃性毒物含有燃料棒２ｂとを含み、更に、前記第２の可燃性毒物含有燃料棒２ｂに含まれる可燃性毒物を除外して平均した可燃性毒物濃度が、上部側領域Ｕ、下部側上領域Ｌ１、下部側下領域Ｌ２の順に大きく、尚且つ、下部側領域Ｌの核分裂性物質の平均濃縮度が上部側領域Ｕよりも大きくなるよう構成されているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４に記載された発明に係る沸騰水型原子炉用燃料集合体は、請求項１〜３の何れかに記載の第１の可燃性毒物含有燃料棒２ａの下部側下領域Ｌ２の可燃性毒物の最高濃度は、前記燃料集合体中の他の可燃性毒物の濃度よりも１．５ｗｔ％以上大きく、また、前記第２の可燃性毒物含有燃料棒２ｂの下部側下領域Ｌ２の可燃性毒物の最低濃度は、前記集合体中の他の可燃性毒物の濃度よりも１．５ｗｔ％以上小さく、更に、前記第２の可燃性毒物含燃料棒２ｂの本数割合は、集合体中の燃料棒総本数の２乃至６％であるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項８に記載された発明に係る沸騰水型原子炉用燃料集合体は、請求項１〜７の何れかに記載の燃料集合体において、水ロッドが９本分の燃料棒領域を占める角管状の１本の水ロッドであるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
更に、別の本発明では、水ロッドは、９本分の燃料棒領域を占める角管状の１本の水ロッドとする。即ち、本発明の燃料集合体に用いる水ロッドは、燃料集合体の圧力損失を過度に大きくすることなく運転中の非沸騰水領域を充分確保することができるように、９本分の燃料棒領域を占める角管状の１本の水ロッドとすることが望ましい。この構成の水ロッドは、非沸騰水領域が広いため、燃料集合体の横断面における燃料棒の相対出力分布を平坦化させる効果があり、局所ピーキング係数の低減、ひいては、運転中の線出力密度の低減を実現し易くスペクトルシフト運転に好適である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以上の２つの実施例は、従来例との比較を目的とし、高燃焼度化に好適な燃料集合体として９×９格子配列に９本分の燃料棒領域を占める角管状の１本の水ロッドを持つ燃料集合体を例として示した。しかしながら本発明の燃料集合体は、１０×１０格子配列の燃料集合体であっても、また、水ロッドは角管状に限らず丸管状のものであってもよい。さらに、発熱有効長が他の燃料棒よりも短い、いわゆる部分長燃料棒を有する燃料集合体であっても、本発明の作用効果は失われない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  器具の操作方法であって、前記器具は少なくとも複数の器具部品を収容するハウジングを含んでなり、前記ハウジング内に収容された前記器具部品は、少なくとも第１操作状態と第２操作状態を有し、前記器具部品は、器具が第１操作状態にある場合には第１時間速度で熱を放出し、第２操作状態にある場合には第２時間速度で熱を放出し、前記器具部品にはコントローラが含まれ、前記コントローラは、器具を前記第１および第２状態でそれぞれ操作した時間の記録を保存し、かつ器具を第１および第２状態の各々で操作することによって生じるハウジング内部の発熱を前記記録から計算するものである、前記方法。
【請求項２】  前記器具内に収容された前記器具部品が温度の指標となる出力を生じるデバイスを含むものであり、ハウジング内部の発熱の計算値に基づいて表示温度を調整する工程をさらに含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】  ハウジング内部の発熱の計算値に基づいて表示温度を調整する前記工程が、ハウジング内部の発熱の計算値を表示温度から差し引く工程を含んでなる、請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記器具がサンプルの医療上有意な成分の濃度を測定する器具を含むものであり、ストリップを用意し、前記ストリップへサンプルを適用(dosing)し、前記ストリップを収容するポートを前記器具へ設け、サンプル適用後のストリップを前記ポートへ挿入し、ハウジング内の周囲温度を測定し、測定した周囲温度を、前記第１および第２状態の各々で前記器具を操作することによって生じるハウジング内部の発熱に基づいて調整周囲温度へ調整し、前記調整周囲温度に基づいてサンプルの医療上有意な成分の濃度を測定することをさらに含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記器具がサンプルの医療上有意な成分の濃度を測定する器具を含むものであり、ストリップを用意し、前記ストリップへサンプルを適用し、前記ストリップを収容するポートを前記器具へ設け、サンプル適用後のストリップを前記ポートへ挿入し、ハウジング内の周囲温度を測定し、測定した周囲温度を、前記第１および第２状態の各々で前記器具を操作することによって生じるハウジング内部の発熱に基づいて調整周囲温度へ調整し、前記調整周囲温度に基づいてサンプルの医療上有意な成分の濃度を測定することをさらに含んでなる、請求項２記載の方法。
【請求項６】  前記器具がサンプルの医療上有意な成分の濃度を測定する器具を含むものであり、ストリップを用意し、前記ストリップへサンプルを適用し、前記ストリップを収容するポートを前記器具へ設け、サンプル適用後のストリップを前記ポートへ挿入し、ハウジング内の周囲温度を測定し、測定した周囲温度を、前記第１および第２状態の各々で前記器具を操作することによって生じるハウジング内部の発熱に基づいて調整周囲温度へ調整し、前記調整周囲温度に基づいてサンプルの医療上有意な成分の濃度を測定することをさらに含んでなる、請求項３記載の方法。
【請求項７】  前記ストリップが、サンプルの医療上有意な成分と反応してストリップの２つの端子間に反応の指標となるシグナルを発生させる化学物質を含んでなり、前記ストリップへサンプルを適用した後、前記ストリップを前記ポートへ収容することにより第１濃度の測定を行うことを含んでなる、請求項１、２、３、４、５または６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】  前記医療上有意な成分がグルコースであり、前記化学物質がグルコースと反応して、前記ストリップの端子間に電圧および電流の少なくとも一方をサンプルのグルコース濃度の指標として発生させる、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  クレジットカード識別情報と店舗識別情報・利用金額を受信する受信ステップと、
前記店舗識別情報に対応する取引形態を記憶した第一の記憶手段より前記受信ステップで受信した店舗識別情報に対応する取引形態を抽出する取引形態抽出ステップと、
前記クレジットカード識別情報と前記取引形態に対応する利用限度額を記憶した第二の記憶手段より前記受信ステップで受信したクレジットカード識別情報と前記取引形態抽出ステップで抽出した取引形態に対応する利用限度額を抽出する利用限度額抽出ステップと、
前期利用限度額抽出ステップで抽出した利用限度額と前記受信ステップで受信した利用金額とを比較して該利用金額が該利用限度額の範囲内かどうかの判定を行う判定ステップと、
をコンピュータが実行することを特徴とするクレジットカード管理方法。
【請求項２】  クレジットカード識別情報と店舗識別情報・利用金額を受信する受信ステップと、
前記店舗識別情報に対応する取引形態を記憶した第一の記憶手段より前記受信ステップで受信した店舗識別情報に対応する取引形態を抽出する取引形態抽出ステップと、
前記クレジットカード識別情報と前記取引形態に対応する利用限度額を記憶した第二の記憶手段より前記受信ステップで受信したクレジットカード識別情報と前記取引形態抽出ステップで抽出した取引形態に対応する利用限度額を抽出する利用限度額抽出ステップと、
前期利用限度額抽出ステップで抽出した利用限度額と前記受信ステップで受信した利用金額とを比較して該利用金額が該利用限度額の範囲内かどうかの判定を行う判定ステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項３】  店舗識別情報に対応する取引形態を記憶する第一の記憶手段と、
クレジットカード識別情報と前記取引形態に対応する利用限度額を記憶する第二の記憶手段と、
クレジットカード識別情報と店舗識別情報・利用金額を受信する受信手段と、
前記第一の記憶手段より前記受信手段で受信した店舗識別情報に対応する取引形態を抽出する取引形態抽出手段と、
前記第二の記憶手段より前記受信手段で受信したクレジットカード識別情報と前記取引形態抽出手段で抽出した取引形態に対応する利用限度額を抽出する利用限度額抽出手段と、
前期利用限度額抽出手段で抽出した利用限度額と前記受信手段で受信した利用金額とを比較して該利用金額が該利用限度額の範囲内かどうかの判定を行う判定手段と、
を備えたことを特徴とするクレジットカード管理装置。
【請求項４】  クレジットカード識別情報と店舗識別情報・利用金額を受信する受信ステップと、
前記店舗識別情報に対応する取引形態を記憶した第一の記憶手段より前記受信ステップで受信した店舗識別情報に対応する取引形態を抽出する取引形態抽出ステップと、
前記クレジットカード識別情報と前記取引形態に対応する利用限度額を記憶した第二の記憶手段より前記受信ステップで受信したクレジットカード識別情報と前記取引形態抽出ステップで抽出した取引形態に対応する利用限度額を抽出する利用限度額抽出ステップと、
前期利用限度額抽出ステップで抽出した利用限度額と前記受信ステップで受信した利用金額とを比較して該利用金額が該利用限度額の範囲内かどうかの判定を行う判定ステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項５】  クレジットカード識別情報と取引形態・利用金額を受信する受信ステップと、
クレジットカード識別情報と取引形態に対応する利用限度額を記憶した記憶手段より前記受信ステップで受信したクレジットカード識別情報と取引形態とに対応する利用限度額を抽出する利用限度額抽出ステップと、
前記利用限度額抽出ステップで抽出した利用限度額と前記受信ステップで受信した利用金額とを比較して、該利用金額が前記利用限度額の範囲内かどうかの判定を行う判定ステップと、
をコンピュータが実行することを特徴とするクレジットカード管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  火災感知器などの火災用端末が接続された火災受信機あるいはスプリンクラ消火設備等消火用端末が接続された消火制御盤等の防災受信機が伝送用インターフェースを介して通信ネットワークに接続され、伝送用ＩＦを通じて通信ネットワークに接続された他の機器と所定の伝送方法に従って情報の送受信を行う防災システムにおいて、
上記防災受信機および上記伝送用ＩＦの少なくとも一方に、通信ログを記憶する記憶手段を設けたことを特徴とする記載の防災システム。
【請求項２】  上記記憶手段として、ＥＥＰ−ＲＯＭ、あるいはコンパクトフラッシュメモリ等の着脱自在なメモリパック等の電気的に書き換え自在な不揮発性メモリを用いたことを特徴とする請求項１記載の防災システム。
【請求項３】  上記記憶手段には、情報をＣＳＶ形式もしくはテキスト形式で記憶するようにしたこと特徴とする請求項１記載の防災システム。
【請求項４】  上記記憶手段には、制御データおよび監視データの少なくとも一方をＣＳＶファイル形式またはテキストファイル形式で記憶するようにしたこと特徴とする請求項１記載の防災システム。
【請求項５】  上記制御データおよび監視データの少なくとも一方をコンパクトフラッシュメモリ等の着脱容易なＩＣカードにＣＳＶファイル形式やテキストファイル形式等で記憶させるようにしたこと特徴とする請求項４記載の防災システム。
【請求項６】  上記防災受信機および伝送用ＩＦの少なくとも一方に、上記記憶手段に記憶されているデータを外部に出力する際に、該データをＣＳＶファイル形式あるいはテキストファイル形式に変換して出力させる変換出力手段を設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の防災システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  防災設備が通信ネットワークを介して外部に接続された防災システムであって、
上記防災設備が、
該防災設備の最新の状態を更新記憶する第１の記憶手段と、
外部から最新の状態の要求があったときに上記第１の記憶手段から状態データを読み出して送信する送信手段と
を備えたことを特徴とする防災システム。
【請求項２】  上記防災設備に、上記防災設備の状態変化のログを記憶する第２の記憶手段とを設けたことを特徴とする請求項１記載の防災システム。
【請求項３】  外部からの要求を判別し、最新の状態の要求があったときは上記第１の記憶手段から状態データを、ログの要求があったときは上記第２の記億手段から要求のあったログデータを読み出して送信する送信手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の防災システム。
【請求項４】  上記防災設備に、上記防災設備の最新の設定状態を更新記憶する第３の記憶手段を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の防災システム。
【請求項５】  上記送信手段は、上記防災設備の最新の設定状態の要求があったときは上記第３の記憶手段から要求のあった設定状態データを読み出して送信することを特徴とする請求項４記載の防災システム。
【請求項６】  上記防災設備に、外部からアクセス可能なホームページを作成するホームページ作成手段を設け、該ホームページ作成手段により上記防災設備に状態変化があったときに、該状態変化をホームページに更新記憶させることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の防災システム。
【請求項７】  上記防災設備をインターネット用サーバーに接続し、該防災設備に状態変化があったときにその状態変化データを上記サーバーに送信する送信手段を設け、上記サーバーは受信した状態変化データに基づき防災用ホームページを更新作成する作成手段を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の防災システム。
【請求項８】  上記防災設備は、該防災設備に状態変化があったときに、その状態変化をホームページに更新記憶させる必要があるか否かを判別する判別手段を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の防災システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】