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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月30日(2006.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
RfO(C3F6O)a(CnF2n)(CmH2m)bCH2OCH=CH2                                〔I〕
(ここで、Rfは炭素数1以上のポリフルオロアルキル基であり、aは0または1〜30の整数であり、bは1〜10の整数であり、nおよびmはそれぞれ1または2である)で表わされる含フッ素ビニルエーテル化合物。
【請求項２】
一般式
RfO(C3F6O)a(CnF2n)(CmH2m)bCH2OH                                    〔II〕
(ここで、Rfは炭素数1以上のポリフルオロアルキル基であり、aは0または1〜30の整数であり、bは1〜10の整数であり、nおよびmはそれぞれ1または2である)で表わされる含フッ素アルコールと一般式
XCH2CH2OCH=CH2                                                〔III〕
(ここで、Xはハロゲン原子、水素原子または炭素数1〜10のアルキル基である)で表わされるアルキルビニルエーテルとを、パラジウム系触媒の存在下で、脱XCH2CH2OH化反応させることを特徴とする、一般式
RfO(C3F6O)a(CnF2n)(CmH2m)bCH2OCH=CH2                                〔I〕
(ここで、Rf、a、b、nおよびmは前記定義と同じである)で表わされる含フッ素ビニルエーテル化合物の製造法。
【請求項３】
パラジウム系触媒が(1,10-フェナントロリン)酢酸パラジウム、(2,2′-ビピリジル)酢酸パラジウムまたはビス(トリフェニルホスフィノ)酢酸パラジウムである請求項２記載の含フッ素ビニルエーテル化合物の製造法。
【請求項４】
生成含フッ素ビニルエーテル化合物の重合禁止剤としてのアルカリ金属水酸化物の存在下で反応が行われる請求項２記載の含フッ素ビニルエーテル化合物の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、同様の反応物質を用い、触媒として酢酸水銀Hg(OAc)2を用いた例も報告されているが、収率が50％程度と低いばかりではなく、環境負荷の点からも水銀系触媒の使用は好ましいものではない。
C6F13CH2CH2OH+C2H5OCH=CH2  →  C6F13CH2CH2OCH=CH2 
【非特許文献２】J. Fluorine Chem. 第４４巻第３９５〜４１２頁(１９８９)
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
かかる本発明の目的は、一般式
RfO(C3F6O)a(CnF2n)(CmH2m)bCH2OCH=CH2                                〔I〕
(ここで、Rfは炭素数1以上のポリフルオロアルキル基であり、aは0または1〜30の整数であり、bは1〜10の整数であり、nおよびmはそれぞれ1または2である)で表わされる含フッ素ビニルエーテル化合物によって達成され、このような含フッ素ビニルエーテル化合物は、一般式
RfO(C3F6O)a(CnF2n)(CmH2m)bCH2OH                                    〔II〕
(ここで、Rfは炭素数1以上のポリフルオロアルキル基であり、aは0または1〜30の整数であり、bは1〜10の整数であり、nおよびmはそれぞれ1または2である)で表わされる含フッ素アルコールと一般式
XCH2CH2OCH=CH2                                                〔III〕
(ここで、Xはハロゲン原子、水素原子または炭素数1〜10のアルキル基である)で表わされるアルキルビニルエーテルとを、パラジウム系触媒の存在下で、脱XCH2CH2OH化反応させることによって製造される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る含フッ素ビニルエーテル化合物は、一般式〔II〕で表わされる含フッ素アルコールと一般式〔III〕で表わされるアルキルビニルエーテルとを脱XCH2CH2OH化反応させることにより得られ、特に脱2-ハロエタノール化反応させた場合には90％以上の反応転化率で目的物を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一般式〔II〕で表わされる含フッ素アルコールは、C3F6O基が-CF(CF3)CF2O-基の場合には、フッ化セシウム触媒の存在下にヘキサフルオロプロペンオキシドをアニオン重合させ、得られた末端-CF(CF3)COF基を炭酸セシウムおよびヨウ素を用いて-CF(CF3)I基とした後エチレン付加を行ない、-CF(CF3)CH2CH2Iとした後、これを加水分解して-CF(CF3)CH2CH2OH基に変換させることにより得られる。この反応は、ヘキサフルオロプロペンオキサイド2量体に相当するa=0の場合にも適用される。
【非特許文献４】J. Fluorine Chemistry 第６５巻第５９〜６５頁（１９９３）
【特許文献３】特許第２，６０３，１７１号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月11日(2006.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記後縁部の幅(W3)は、前記垂直前面の幅(W1)と実質的に一致し、前記後縁部の高さ(H2)は、前記垂直前面の高さ(H1)と実質的に一致することを特徴とする請求項３に記載のエアデフレクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記後縁部の幅(W3)及び高さ（H2）の少なくとも一方は、前記垂直前面の幅(W1)又は高さ(H1)よりも小さく設定され、前記後縁部の延長線は、前記垂直前面の縁部と交差し、又は該縁部よりも車体外方に延びることを特徴とする請求項４に記載のエアデフレクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
エアデフレクタ１０の前縁部１１が、フロントウインド８の上枠部分に配置される。エアデフレクタ１０の側縁部１３が、ドア開口部９の上枠部分に沿って後方に延び、荷台３の垂直前面４に接近するようにキャブ２から若干後方に突出する。ギャップシール６が、キャブ２の側面後端部に配置され、エアデフレクタ１０の下側においてキャブ２と荷台３との隙間を部分的に閉塞する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前面レンズ４６の稜線部４２が、稜線部３２と整列するように屈曲する。前面レンズ４６の上面４１が、傾斜面３１と面一に連接し、側面４３が、側面３３と面一に連接する。上面４１及び傾斜面３１は、稜線部４２に沿って後方に拡大した形態を有する。前面レンズ４６の外縁部には、所望により、シール処理が施される。このように構成されたマーカーランプ４０は、図２に示すように、車体上方及び側方の領域から視覚的に認識することができ、しかも、前述の如く、車体前方の領域からも視覚的に認識することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
基部２０、上部パネル３０及びマーカーランプ４０を組付けたエアデフレクタ１０は、図５に示す如く、垂直前面４の上部領域を完全に覆う。空気流Ａは、緩勾配の傾斜面２１、３１に沿って上方に緩やかに偏向し、空気流Ａの一部は、側面２３、３３に沿って車体側方に緩やかに偏向する。本発明者の試験によれば、このような構成のエアデフレクタ１０を備えたキャブオーバ型トラックでは、垂直前面４の上位角部にマーカーランプ用スペースを確保した従来のエアデフレクタに比べ、空気抵抗を示すCD（Coefficient of Drag）値が約３〜４％向上することが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）電子線又はＸ線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｂ）メタ位に少なくともＯＨ基を１個有するフェノール構造を含む繰り返し単位を含有し、分子量分布が１．０〜１．５の範囲にある、水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂、及び（Ｃ）酸の作用により（Ｂ）の樹脂と架橋を生じる架橋剤、を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項２】  （Ｂ）成分の樹脂が、一般式（ａ）の繰り返し単位を含有する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化１】
2002099085.tif 000001
式中、 Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基、オキシアルキル基又はハロアルキル基を表す。ｘは０〜３の整数を表す。Ｒ2は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、あるいはアシル基を表す。Ｒ2が複数存在するとき、複数のＲ2は同じでも異なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。Ｒ3が複数存在するとき、複数のＲ3は同じでも異なっていてもよい。また複数のＲ2のうちの二つ、複数のＲ3のうちの二つ、又はＲ2とＲ3は、結合して環を形成しても良い。Ａ1は単結合、置換基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ5−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ6−、又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ7）−Ｒ8−を表す。Ｒ5、Ｒ6及びＲ8は同じでも異なっていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良く、また置換基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表す。Ｒ7は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
【請求項３】  更に（Ｄ）有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜２に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項４】  （Ａ）成分の化合物が、スルホニウム、又はヨードニウムのスルホン酸塩化合物から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】  （Ａ）成分の化合物が、Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホン酸エステル化合物、ジスルホン化合物、又はジスルホニルジアゾメタン化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位および下記一般式（IIa）または（IIb)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2002099087.tif 000001
【化２】
2002099087.tif 000002
一般式（Ｉ）中、Ｒ11〜Ｒ14は、各々独立に水素原子又はアルキル基を表す。ａは０または１である。
一般式（IIa）及び（IIb）中、Ｒ0は、水素原子又は低級アルキル基を表す。Ａは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。Ｒ1及びＲ2は低級アルキル基を表す。Ｒ3〜Ｒ8は、各々独立に水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ3とＲ4あるいはＲ5とＲ6はカルボニル基を形成してもよい。Ｒ3とＲ5は連結してアルキレン鎖を形成してもよい。ｋ及びｌは、２〜５の整数である。
【請求項２】  上記（Ａ）樹脂が更に下記一般式（III）で示される繰り返し構造単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化３】
2002099087.tif 000003
式（III）中：
Ｚ2は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ31）−を表す。ここでＲ31は、水素原子、水酸基、又は−ＯＳＯ2−Ｒ32を表す。Ｒ32は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
【請求項３】  上記（Ａ）樹脂が更に下記一般式（IV）で示される繰り返し構造単位を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
2002099087.tif 000004
Ｒ10は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｗは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。ｍ，ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下である。
【請求項４】  上記（Ａ）樹脂が更に下記一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造単位を含有することを特徴とする請求項１〜３に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化５】
2002099087.tif 000005
Ｒ21は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜４の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。Ｒ22〜Ｒ24は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ22〜Ｒ24のうち少なくとも１つは、水酸基を表す。
【請求項５】（Ｂ）成分が、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する、下記一般式（Ｉ’）〜（ＩＩＩ’）で表される化合物
であることを特徴とする１〜４に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化６】
2002099087.tif 000006
上記一般式（Ｉ'）〜（III'）中：
Ｒ51〜Ｒ87は、同一又は異なって、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ88基を表す。Ｒ88は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ51〜Ｒ65、Ｒ66〜Ｒ77、Ｒ78〜Ｒ87のうち、２つ以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される１種又は２種以上を含む環を形成していてもよい。
Ｘ-は、ＲFＳＯ3-を表す。ここでＲFは、炭素数２以上のフッ素置換された直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基である。
【請求項６】  更に（Ｄ）有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜５に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月11日(2006.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  モノビニル芳香族モノマー化合物の連続重合方法であって、
モノビニル芳香族モノマー流れを反応槽装置内で重合させて生成物流れを生成させ、
揮発性成分のみが主に蒸発するに充分な温度および圧力下で上記槽内の生成物を沸騰させ、その中の揮発物を留去することにより上記反応槽内の反応温度を制御し、
上記蒸発した揮発物を上記反応槽から取り出し、
上記揮発物を部分凝縮させて、低い方の沸点を有する揮発物を高い方の沸点を有する揮発物から分離し、
その凝縮した高い方の沸点を有する揮発物を上記反応槽に戻し、
上記低い方の沸点を有する揮発物を別の凝縮および重合装置に移し、
固体および上記固体中の非揮発性液状化合物および上記生成物流れ中の非揮発性液状化合物から出る揮発性化合物の少なくとも１つの溜分を分離して、部分的に精製された流れを生成させ、
上記凝縮装置内で上記揮発物の少なくとも１つの溜分を凝縮させた後、上記揮発物を重合させることによりそこから望ましくない化合物を除去して、精製された再循環用凝縮物を生成させ、
上記精製された凝縮物を再循環させて上記反応槽装置に循環し、
上記部分的に精製された流れを先行する揮発物除去装置よりも高い真空度の追加的揮発物除去装置に通すことで、上記流れから揮発性化合物の追加的溜分を分離しかつ精製された流れを生成させ、
揮発性化合物の上記追加的溜分を上記工程から除去し、そして
上記ポリマーの精製された流れを仕上げ装置に送り込む、
工程を含む方法。
【請求項２】  重合反応槽装置中の重合したモノビニル芳香族および重合していないモノビニル芳香族の工程流れから酸、酸素化された種、キノン類およびフェノール類から成る群から選択される望ましくない種を除去する方法であって、
上記重合反応槽内で上記工程流れに揮発物除去処理を、大気圧より低い圧力下で上記工程流れ中の未反応モノマーおよびエチルベンゼンを包含する揮発物の実質的部分を沸騰、留去するに充分な温度で少なくとも１回行ない、
上記蒸発した揮発物を上記反応槽の外側で部分的に凝縮させて望ましい揮発物を主に凝縮させた後、それを上記重合反応槽装置に戻し、
上記残りの揮発物を再循環重合装置に移し、
上記反応槽の外側に位置する別の揮発物除去槽内で上記工程流れに１番目および２番目の揮発物除去処理を望ましい揮発物および望ましくない揮発物が上記工程流れから蒸発するに充分な温度および圧力下で行ない、そして
上記望ましくない揮発物を凝縮させてそれを除去する一方、望ましい重合した揮発物を該反応槽装置に再循環させて戻す、
ことを含む方法。
【請求項３】  上記凝縮させた揮発物を上記反応槽装置に戻す前にその凝縮した望ましい揮発物を再循環重合反応槽内で重合させて望ましくない種を除去しかつ上記凝縮した揮発物に含まれるモノビニル芳香族モノマーを重合させる追加的工程を更に含む請求項２記載の方法。
【請求項４】  上記反応槽の外側で行う上記１番目の揮発物除去処理を約４４０度Ｆにおいて５−１０ｍｍＨｇの圧力下で実施し、そして上記反応槽の外側で行う上記２番目の揮発物除去処理を約４４０度Ｆにおいて１−２ｍｍＨｇの圧力下で実施する請求項３記載の方法。
【請求項５】  モノビニル芳香族モノマー供給流れを少なくとも１基の重合反応槽に供給して上記モノマー供給流れを部分的に重合させることで精製されていない生成物流れを生じさせた後それを揮発物除去装置に送り込んでそこから未重合モノマーを除去し、そしてその除去した未重合モノマーを再循環流れとして再循環させて上記反応槽に戻すモノビニル芳香族重合方法であって、ここでの改良が、上記流れが再び上記重合反応槽に入るに先立って上記再循環流れを再循環反応槽に通すことで上記流れ中の該モノマーの一部を更に重合させかつ上記再循環流れ中の少なくとも１種の望ましくない異物も追加的に重合させる追加的段階を含む方法。
【請求項６】  上記再循環流れを、上記再循環反応槽に送り込むに先立ってそれを凝縮装置に通すことにより凝縮させ、そして上記凝縮装置と上記再循環反応槽の間で重合開始剤を上記流れに添加する請求項５記載の方法。
【請求項７】  上記開始剤が、過カプリル酸ｔ−ブチル、１，１−ジ（ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、エチル−３，３−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ブチレートおよび他のパーオキサイド類から成る群から選択されるモノビニル芳香族重合開始剤１００万部（全供給材料の重量）当たり１０から５００部を含んでなる第８項記載の方法。
【請求項８】  上記再循環反応槽を１００から１８０℃の範囲の温度で操作しそして反応時間を１０から６０分にする請求項７記載の方法。
【請求項９】  上記重合反応槽が連続撹拌タンク反応槽を含んでなり、プラグフロー反応槽である追加的重合反応槽を少なくとも１基更に含み、そして上記再循環反応槽が連続撹拌タンク反応槽である請求項８記載の方法。
【請求項１０】  上記モノビニル芳香族モノマーがスチレンであり、そして共役ジエンゴムであるエラストマーを上記スチレンの流れに添加して耐衝撃性ポリスチレンを最終生成物として生成させる請求項９記載の方法。
【請求項１１】  上記モノマー流れが本質的に７０から９９重量％のスチレンモノマーと１から１５重量％のエラストマーと０．００１から０．２重量％のフリーラジカル開始剤からなる請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下式(Ｉ) 
【化１】
2000044587.tif 000001
［式中、Ｒ1は水素原子又は水酸基の保護基を示し、Ｒ2はカルボキシル基の保護基を示す］で表される化合物と、下式（ＩＩ）
Ｒ3ＯＨ        (ＩＩ) 
［式中、Ｒ3はアシル基を示す］で表される酸またはその反応性誘導体を反応させて、下式(ＩＩＩ) 
【化２】
2000044587.tif 000002
［式中の記号は前記と同義である］で表される化合物を製造する方法において、反応後、有機溶媒相をメチルエチルケトンの存在下水洗することを特徴とする、下式(ＩＩＩ) 
【化３】
2000044587.tif 000003
［式中の記号は前記と同義である］で表される化合物の製造方法。
【請求項２】  反応溶媒がメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトニトリルよりなる群より選ばれる溶媒を一種以上含む請求項１記載の製造方法。
【請求項３】一般式（ＩＩＩ）
【化４】
2000044587.tif 000004
［式中、Ｒ1は水素原子又は水酸基の保護基を示し、Ｒ2はカルボキシル基の保護基、Ｒ3はアシル基を示す］で表される化合物をケトン系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、高極性非プロトン溶媒、ニトリル系溶媒またはそれらの混合溶媒に溶解した溶液に、貧溶媒を添加することにより化合物（ＩＩＩ）を高純度の結晶として得る前記式（ＩＩＩ）で表される化合物の製造方法。
【請求項４】前記式（ＩＩＩ）を含有する溶液を濃縮し、貧溶媒を添加することを特徴とする請求項３記載の製造方法。
【請求項５】前記式（ＩＩＩ）を含有する溶媒を濃縮しつつ、貧溶媒を添加することを特徴とする請求項３または４記載の製造方法。
【請求項６】前記式（ＩＩＩ）を含有する溶媒がメチルエチルケトンを含有する請求項３〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】貧溶媒が、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒または炭化水素系混合溶媒である請求項３〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】請求項１または２記載の方法で得られた前記式（ＩＩＩ）で表される化合物を含有する反応液から水層を分液した後、溶媒層に貧溶媒を添加することを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】Ｒ1が水素原子、Ｒ2がｐ-ニトロベンジル基、Ｒ3がジフェニルホスホリル基である請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エラストマーシール材において、
前記シール材が、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物から成り、且つ、２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が９０以上である表面を有することを特徴とする白色エラストマーシール材。
【請求項２】  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が７５を超える表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも１重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、過酸化水素水溶液に浸漬することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
【請求項３】  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が８０以上の表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、過酸化水素水溶液に浸漬することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
【請求項４】  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が７５を超える表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも１重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材に、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、紫外線を照射することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
【請求項５】  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が８０以上の表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材に、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、紫外線を照射することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
【請求項６】  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が７５を超える表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも１重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、オゾンに曝すことを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
【請求項７】  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が８０以上の表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、オゾンに曝すことを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
【発明の効果】
本発明により、耐熱性および耐薬品性に優れ、さらに赤外線の照射による温度上昇が少ない耐久性に優れた白色エラストマーシール材を提供することができる。さらに、本発明の製造方法により、白色エラストマーシール材の生産性を上げることができる。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  エラストマーシール材において、
前記シール材が、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物から成り、且つ、２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が９０以上である表面を有することを特徴とする白色エラストマーシール材。
２．  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が７５を超える表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも１重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、過酸化水素水溶液に浸漬することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
３．  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が８０以上の表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、過酸化水素水溶液に浸漬することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
４．  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が７５を超える表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも１重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材に、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、紫外線を照射することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
５．  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が８０以上の表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材に、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、紫外線を照射することを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
６．  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が７５を超える表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも１重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、オゾンに曝すことを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
７．  ２度視野、Ｃ光源の条件下で、Ｗ（Ｌａｂ）表色系により表された白色度が８０以上の表面を有するシール材の製造方法において、パーフルオロエラストマーと、組成物の重量に基づいて少なくとも３重量％の白色顔料とを含有する組成物からシール材を成形し、成形されたシール材を、該シール材の初期白色度を少なくとも５ポイント高めるのに十分な時間、オゾンに曝すことを特徴とする白色エラストマーシール材の製造方法。
８．  ２．〜７．のいずれか１項に記載された白色エラストマーシール材の製造方法により製造されたことを特徴とする白色エラストマーシール材。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  活性アルミナが、Ｍ2 Ｏで表わして、５００〜８０００重量ｐｐｍに含まれるアルカリ金属の含有量を示し、結晶構造が少なくとも５重量％のη相のアルミナを含むことを特徴とする活性アルミナ。
【請求項２】  結晶構造が多くとも６０重量％のη相のアルミナを含むことを特徴とする、請求項１記載の活性アルミナ。
【請求項３】  活性アルミナが水酸化アルミニウムの焼成から生じ、それによって結晶構造が少なくとも５重量％のバイヤライト相の三水酸化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項１または２記載の活性アルミナ。
【請求項４】  アルカリ金属の含有量が、Ｍ2 Ｏで表わして、１０００〜３６００ｐｐｍに含まれ、結晶構造が８〜４０重量％のη相のアルミナを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の活性アルミナ。
【請求項５】  アルカリ金属の含有量が、Ｍ2 Ｏで表わして、１２００〜２９００ｐｐｍに含まれ、結晶構造が１２〜３５重量％のη相のアルミナを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の活性アルミナ。
【請求項６】  活性アルミナが少なくとも４０ｍ2 ／ｇの比表面積を示すことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の活性アルミナ。
【請求項７】  活性アルミナが少なくとも０．１５ｍｌ／ｇの全細孔容積を示すことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の活性アルミナ。
【請求項８】  ４００℃における１−ブテンの炭素鎖の異性化能力が，熱力学的平衡に対して少なくとも６０％であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項記載の活性アルミナ。
【請求項９】  ３００℃における１−ブテンの炭素鎖の異性化能力が，熱力学的平衡に対して多くとも９７％であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項記載の活性アルミナ。
【請求項１０】  次の工程から成ることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項記載の活性アルミナの調製方法：
１．下記のものを混合する：
−水バン土石相の三水酸化アルミニウムの急速な脱水により生じるアルミナ（Ａ）、および
−バイヤライト相の三水酸化アルミニウム（Ｂ）、
ここで重量比Ａ／Ｂは１００／０．１〜１００／３０に含まれ、
２．場合によっては、この混合物を成形し、
３．バイヤライト相の三水酸化アルミニウムの割合が少なくとも５重量％になるまで混合物を熟成し、
４．少なくとも２５０℃の温度で混合物を焼成する。
【請求項１１】  請求項１〜９のいずれか１項記載の活性アルミナ、または請求項１０記載の方法から生じる活性アルミナの、触媒、触媒の担体および／または吸着剤としての使用。
【請求項１２】  アルコール類の脱水用の触媒としての、請求項１１記載の使用。
【請求項１３】  オレフィン類の異性化用の触媒としての、請求項１１記載の使用。
【請求項１４】  有機ハロゲン化物の乾燥剤としての、請求項１１記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
アルミナは、多数の化学反応、特に酸性の操作上の条件を必要とする反応の触媒として使用される。それは、例えばアルコール類の脱水反応またはオレフィン類の炭素鎖の異性化の場合である。そのような反応において、アルミナが活性になるほど、転化率は一層上昇する。従って、上昇した酸性の性質を示すアルミナが必要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
従って、本発明によるアルミナは、一方では、アルカリ金属の含有量によって特徴付けられる。アルカリ金属は好ましくはナトリウムである。ナトリウムの場合、Ｎａ2 Ｏの含有量は、好ましくは５００〜５０００重量ｐｐｍ、より好ましくは１０００〜３６００重量ｐｐｍ、更に１２００〜２９００重量ｐｐｍである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
他方では、本発明によるアルミナは結晶構造によって特徴付けられる：後者は少なくとも５重量％、好ましくは８重量％のη相のアルミナを含む。一般にこのηアルミナの含有量は、多くとも６０重量％である。８〜４０重量％、更に１２〜３５重量％の範囲に含まれるηアルミナの含有量を示す、本発明によるアルミナが特に好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ηアルミナはバイヤライト相の三水酸化アルミニウムの焼成から生じる。従って本発明によるアルミナは、結晶構造が少なくとも５重量％のバイヤライト相の三水酸化アルミニウムを含む水酸化アルミニウムの焼成から生じる。好ましくは、この水酸化アルミニウム前駆体は、多くとも６０重量％のバイヤライト相の三水酸化アルミニウムを含む。検査はＸ線回折によって行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この酸性度は同様に最適化され、その結果、熱力学的平衡に対する、３００℃における本発明によるアルミナによる１−ブテンの炭素鎖の異性化の能力は、多くとも９７％、好ましくは多くとも９５％、更に好ましくは多くとも９２％である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次いで、この化合物の混合物は、場合によっては成形されるが、少なくとも５重量％、好ましくは少なくとも８％のバイヤライト相の三水酸化アルミニウムの割合を示す混合物を得るように熟成される。一般にこの比は多くとも６０％である。好ましい変法によれば、この比は８〜４０％に含まれる。熟成は混合物の水熱処理である。温度は一般に、３０〜１５０℃に含まれる。熟成を加圧下で行なうことができる。バイヤライトの比の検査はＸ線回折により行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】  ｎ型の電子伝導を示すドーパントとして１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３の濃度の酸素を添加してあり、Ｓｉ不純物濃度は酸素ドーパント濃度より低く、他材料の基板部分を持たないことを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。 
【請求項２】  ｎ型キャリア濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３でありｎ型ドーパントとしての酸素の活性化率が１００％であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム単結晶基板。
【請求項３】  炭素の不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以下である事を特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム単結晶基板。 
【請求項４】  酸素、キャリア濃度が５×１０１７ｃｍ−３〜５×１０１９ｃｍ−３であり、Ｓｉ不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム単結晶基板。 
【請求項５】  ＧａＡｓ（１１１）基板の上に、マスクを付け、［１１−２］方向に一辺を持つ正三角形の頂点に位置する窓をマスクに設け、キャリアガスとしてＨ２を用いＧａ金属とＨＣｌによりＧａＣｌを作りアンモニアによってＧａＮを生成するＨＶＰＥ法又はキャリアガスとしてＨ２を用いＧａ有機金属とＨＣｌによってＧａＣｌを作りアンモニアによってＧａＮを生成するＭＯＣ法によってＧａＮバッファ層を成長させ、さらに酸素又は水を含むＨＣｌ、ＮＨ３ガス、Ｈ２ガスを原料およびキャリアガスとして用いＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法によってマスク厚みを越えてＧａＮエピタキシャル層を厚く生成し、ＧａＡｓ基板とマスクを除去して、酸素濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３であるｎ型ＧａＮの自立膜とすることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。 
【請求項６】  ＧａＡｓ（１１１）基板の上に、マスクを付け、［１１−２］方向または［１−１０］方向に平行な複数の窓を設けて［１１−２］方向または［１−１０］方向に平行なストライプ状のマスクとし、キャリアガスとしてＨ２を用いＧａ金属とＨＣｌによりＧａＣｌを作りアンモニアによってＧａＮを生成するＨＶＰＥ法又はキャリアガスとしてＨ２を用いＧａ有機金属とＨＣｌによってＧａＣｌを作りアンモニアによってＧａＮを生成するＭＯＣ法によってＧａＮバッファ層を成長させ、さらに酸素又は水を含むＨＣｌ、ＮＨ３ガス、Ｈ２ガスを原料及びキャリアガスとして用いＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法によってマスク厚みを越えてＧａＮエピタキシャル層を厚く生成し、ＧａＡｓ基板とマスクを除去して、酸素濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３であるｎ型ＧａＮの自立膜とすることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  式Ｉ
【化１】
2000044452.tif 000001
［式中、ジエン系は、Ｚ，Ｚ；Ｚ，Ｅ；Ｅ，Ｚ又はＥ，Ｅ配置又はその混合物を有し、変数は、相互に無関係に下記のものを表わす：Ｒ１及びＲ２は、水素、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ２〜Ｃ１０−アルケニル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルケニル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ１２−ジアルキルアミノ、ヘタリール、非置換であってもよいし、１個以上の基、例えばハロゲン、シアノ、ニトロ、アミノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ４−ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ又はその他の基によって置換されていてもよいアリール、水中での溶解性を付与し、カルボキシレート、スルホネート又はアンモニウム基から成る群から選択される置換基；Ｒ３は、水素、ＣＯＯＲ５、ＣＯＲ５、ＣＯＮＲ５Ｒ６、ＣＮ；Ｒ４は、ＣＯＯＲ６、ＣＯＲ６、ＣＯＮＲ５Ｒ６；Ｒ５は、水素、［Ｘ］ｏ−Ｒ７、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＳＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＰＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−Ｎ（Ｒ８）３＋Ａ−；Ｒ６は、［Ｘ］ｏ−Ｒ７、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＳＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＰＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−Ｎ（Ｒ８）３＋Ａ−；Ｘは、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ２−ＣＨ３）−Ｚ−；Ａは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＳＯ４Ｒ９；Ｙは、水素、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｌｉ＋、Ａｌ３＋、Ｎ（Ｒ８）４＋；Ｚは、Ｏ、ＮＨ；Ｒ７及びＲ８は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ６−アシル；Ｒ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル；ｎは、１〜３；ｏは、１〜１５０］の４，４−ジアリールブタジエンの、単独又はＵＶ領域で吸収し、化粧品及び製剤用に自体公知である化合物と一緒の、ヒトの皮膚又はヒトの毛髪を太陽光線から保護するための化粧品及び製剤中における水溶性の光安定性ＵＶフィルターとしての使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  式Ｉ
【化３】
2000044452.tif 000002
［式中、ジエン系は、Ｚ，Ｚ；Ｚ，Ｅ；Ｅ，Ｚ又はＥ，Ｅ配置又はその混合物を有し、変数は、相互に無関係に下記のものを表わす：Ｒ１及びＲ２は、水素、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ２〜Ｃ１０−アルケニル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルケニル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ１２−ジアルキルアミノ、ヘタリール、非置換であってもよいし、１個以上の基、例えばハロゲン、シアノ、ニトロ、アミノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ４−ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ又はその他の基によって置換されていてもよいアリール、水中での溶解性を付与し、カルボキシレート、スルホネート又はアンモニウム基から成る群から選択される置換基；Ｒ３は、水素、ＣＯＯＲ５、ＣＯＲ５、ＣＯＮＲ５Ｒ６、ＣＮ；Ｒ４は、ＣＯＯＲ６、ＣＯＲ６、ＣＯＮＲ５Ｒ６；Ｒ５は、水素、［Ｘ］ｏ−Ｒ７、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＳＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＰＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−Ｎ（Ｒ８）３＋Ａ−；Ｒ６は、［Ｘ］ｏ−Ｒ７、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＳＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−ＰＯ３Ｙ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン−Ｎ（Ｒ８）３＋Ａ−；Ｘは、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｚ−、−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ２−ＣＨ３）−Ｚ−；Ａは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＳＯ４Ｒ９；Ｙは、水素、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｌｉ＋、Ａｌ３＋、Ｎ（Ｒ８）４＋；Ｚは、Ｏ、ＮＨ；Ｒ７及びＲ８は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ６−アシル；Ｒ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル；ｎは、１〜３；ｏは、１〜１５０］の４，４−ジアリールブタジエン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 総義歯を含む義歯その他の取り外しできる義歯を機械的に擦ることで清浄化する義歯用歯みがきクリームであって、
（ａ）前記クリームに清浄化作用を与えるのに十分な量の過酸化物と、
（ｂ）燐酸塩と組み合わされて、前記過酸化物を安定させ、これの劣化を防ぐのに十分な量の重炭酸塩と、
（ｃ）前記重炭酸塩と組み合わされて、前記過酸化物を安定させ、これの劣化を防ぐのに十分な量の燐酸塩と、
を含むことを特徴とする義歯用歯みがきクリーム。
【請求項２】 総義歯を含む義歯その他の取り外しできる義歯を機械的に擦ることで清浄化する義歯用歯みがきクリームであって、
（ａ）過酸化物酸、一価の過酸化物塩及び二価の過酸化物塩からなるグループから選ばれる、前記クリームに清浄化作用を与えるのに十分な量の過酸化物と、
（ｂ）燐酸塩と組み合わされて、前記過酸化物を安定させ、これの劣化を防ぐのに十分な量の重炭酸ナトリウムと、
（ｃ）前記重炭酸ナトリウムと組み合わされて、前記過酸化物を安定させ、これの劣化を防ぐのに十分な量のアルカリモノフルオロ燐酸塩と、
を含むことを特徴とする義歯用歯みがきクリーム。
【請求項３】 総義歯を含む義歯その他の取り外しできる義歯を機械的に擦ることで清浄化する義歯用歯みがきクリームであって、
（ａ）過酸化物酸、一価の過酸化物塩及び二価の過酸化物塩からなるグループから選ばれる、０．１〜１０重量％の過酸化物と、
（ｂ）燐酸塩と組み合わされて、前記過酸化物を安定させ、これの劣化を防ぐのに十分な量の重炭酸ナトリウムと、
（ｃ）前記重炭酸ナトリウムと組み合わされて、前記過酸化物を安定させ、これの劣化を防ぐのに十分な量のアルカリモノフルオロ燐酸塩と、
を含み、
前記（ａ）に対する（ｂ）の重量比率が約２：１から約１０：１であり、前記（ａ）に対する（ｃ）の重量比率が約０．１：１から約１．６：１であることを特徴とする義歯用歯みがきクリーム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  積み重ねられた平坦物の状態、特に印刷機の給紙装置におけるパイル（１）の状態を検出する方法であって、少なくとも１つの光線（２）がパイル側部（３）に向けられ、この場所から反射されるとともに、前記状態に対する度合いとして評価される検出方法において、
少なくとも１つの光線（２）が、前記パイル側部（３）へ向けられるとともにパイル上部縁（４）の上方の領域へ向けられるようになっており、パイル側部（３）にわたって反射のある領域（13）および反射のない領域（14）が、前記パイル上部縁（４）の状態を検出するために利用されるようになっていることを特徴とする、積まれた平坦物の状態を検出する方法。
【請求項２】  平行な光線から構成される光スクリーン（５）を用いる請求項１記載の方法。
【請求項３】  光線（２）が平行に動かされるとともに、これにより走査範囲（６）が走査される請求項１記載の方法。
【請求項４】  光線（２）が、隅領域（７）を走査する請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記パイル側部（３）の状態が、三角測量法にしたがって検出される請求項１から４のいずれか１項に記載の検出方法。
【請求項６】  前記パイル側部（３）の状態が、反射する光（８）の強度によって決定される請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  前記パイル（１）を動かすことによりパイル上面（９）を該パイル上面（９）の水平な目的位置に運ぶために、前記パイル側部（３）の形状が少なくともその上部領域で検出される請求項１から６のいずれか１項に記載の検出方法。
【請求項８】  前記少なくとも１つの光線（２）がレーザ光線である請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】  不明確な信号（26）を伴う測定範囲が、前記評価用に除かれる請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】  前記パイル側部（３）における少なくとも１つの部分領域(19)で、前記パイル（１）の状態が、平均値をとることによって検出される請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】  前記パイル上部縁（４）の領域（20）で、該パイル上部縁（４）の状態が、曲線の変わり目（21）により決定される請求項１から10のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】  前記パイル（１）の状態の検出が、機械、特に印刷機における少なくとも１つの所定の機械隅領域内のみで行われる請求項１から11のいずれか１項に記載の検出方法。
【請求項１３】  前記パイル上面（９）が静止するように前記機械の隅領域が選択される請求項12に記載の検出方法。
【請求項１４】  信号評価の際に信号パターンについて重み付けを行う請求項１から13のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】  前記信号評価 がファジイ論理によって行われる請求項１から14のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】  請求項１から15記載の方法を実施するための検出装置であって、少なくとも１つの光源（11）および前記反射する光（８）用の少なくとも１つの受信装置（12）を含む距離センサ（10）と、評価装置とを有する検出装置において、
前記距離センサ（10）が、前記少なくとも１つの光線（２）が前記パイル側部（３）上へそしてまた前記パイル上部縁（４）の上方の領域上へ向けられるように配置され、前記評価装置が、前記反射のある領域（13）および前記反射のない領域（14）に基づいて前記パイル上部縁（４）の状態を検出するように構成されていることを特徴とする検出装置。
【請求項１７】  前記光源（11）が光スクリーン（５）を照射し、そして、反射された光スクリーン（８'）を感知する前記受信装置（12）が備えられている請求項16記載の装置。
【請求項１８】  前記距離センサ（10）が、走査範囲内で光線（２）を平行に動かす請求項16記載の検出装置。
【請求項１９】  前記距離センサ（10）が、隅領域（７）内で光線（２）を動かす請求項16記載の装置。
【請求項２０】  前記光源（11）、前記受信装置（12）、および前記パイル側部（３）が三角形を形成し、この三角形から、前記評価装置が前記パイル側部（３）の状態を検出する(三角測量法)請求項16から19のいずれか1項に記載の装置。
【請求項２１】  前記反射光（８'）の強度から前記パイル側部（３）の距離を検出し、これによりパイル（１）の状態を検出するように、前記評価装置が構成されている請求項16から19のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項２２】  前記距離センサ（10）および前記評価装置が前記パイル側部（３）の形状を少なくともその上部範囲で検出するように、そしてまた、前記パイル上面（９）がその水平な目的位置へ運ばれるように、駆動装置によって前記パイル（１）を動かすための信号に変換するように前記距離センサ（10）および前記評価装置が構成されている請求項16から21のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項２３】  前記光源（11）が少なくとも１つのレーザ光線を照射する請求項16から22のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項２４】  不明確な信号（26）が前記評価用に除かれるように、前記評価装置が構成されている請求項16から23のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項２５】  前記光源（11）と前記光（２）の照射（23）との間に前記距離センサ（10）を通して光ファイバ（22）が配置されている請求項16から24のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項２６】  前記反射光（８、８'）の前記受信装置（12）と前記評価装置との間に光ファイバ（22'）が配置されている請求項16から25のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項２７】  前記受信された反射光（８'）が、CCD列（24）によって前記評価装置用の電気信号に変換される請求項16から25のいずれか1項に記載の検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  各々が正常用油圧回路と故障の場合に使用されるための非常用油圧回路とからなる油圧回路のそれぞれに作動油を給送する二つの圧力源を備え、前記二つの油圧回路が結合されているブレーキ弁を介して種々のブレーキの各々に通じている、各車輪がブレーキペダルによって作動されるブレーキを備える航空機車輪のセットを制動する制動装置であって、前記正常用油圧回路（１０１；２０１；３０１）の前記ブレーキ弁及び前記非常用油圧回路（１０２；２０２；３０２）の前記ブレーキ弁の一方又は両方が、結合されている電子制御装置（１２０；２２０；３２０；３１０）によって電気的に制御される直動形弁（１５０；２５０；３５０；３５１）によって構成されていることを特徴とする、航空機車輪のセットを制動する制動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
非常用油圧回路２０２に関して、図２に示されるように、線２２４によって表される操縦者の制御の下で電気ブレーキ命令を受信すると共に非常用油圧回路の二つの直動形弁２５０のそれぞれに圧力命令を供給する非常用油圧回路の電子制御装置２２０がある。
非常用油圧回路２０２は、二つの枝２１６及び２１７に作動油を給送する共通枝２１５に通じる給送入口２１４を有する。枝２１７は、線２２６によって表されるように、電子制御装置２２０から電気制御信号を受信する電磁弁２１９を備える。電磁弁２１９の下流側には、各々が直動形弁２５０を備えると共に直動形弁２５０の下流側にシャトル式逆止め弁２２３を備える二つの枝２２２に供給する共通枝２２１がある。直動形弁２５０はそれぞれ線２２７によって表されるように制御装置２２０から電気制御命令を受信する。