【事件の表示】
　平成１１年特許願第１７３６７８号「ドライエッチング方法及びその装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成１３年１月９日出願公開、特開２００１−３１８５、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成１１年６月２１日の出願であって、平成１３年１月２２日付けで拒絶理由の通知がなされ、これに対して、平成１３年３月７日付けで請求人（出願人）より意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１３年４月６日付けで先の拒絶の理由により拒絶査定され、その後、平成１３年５月１０日に審判請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　そして、その請求項１〜１３に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明１３」という。）は、上記各手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載されたとおりの、次のものである。
　　
「【請求項１】複数の構成元素からなる固体材料をドライエッチングするに際し、前記複数の構成元素に対してそれぞれ異なる気相処理条件を用い、前記複数の構成元素をそれぞれ独立に順次除去することによって、前記固体材料をドライエッチングすることを特徴とする、ドライエッチング方法。
【請求項２】前記ドライエッチングは、気相中におけるガス分子をプラズマ励起することによってエッチング粒子を生成させ、このエッチング粒子を前記固体料の表面へ入射させることにより前記固体材料の前記複数の構成元素それぞれと反応させ、これによって生じた複数のエッチング誘起物をそれぞれ独立に順次除去することによって行うことを特徴とする、請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】前記エッチング粒子の前記固体材料の表面への入射エネルギーが２５ｅＶ以下であることを特徴とする、請求項２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】前記エッチング粒子の前記固体材料の表面への入射エネルギーが１０〜２０ｅＶであることを特徴とする、請求項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】前記異なる気相処理条件は、気相中におけるガス分子濃度を異なるように設定したことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載のドライエッチング方法。
【請求項６】前記異なる気相処理条件は、気相中におけるガス分子の種類を異なるように設定したことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載のドライエッチング方法。
【請求項７】前記異なる気相処理条件は、プラズマ励起によるエッチング粒子の割合が異なるように設定したことを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一に記載のドライエッチング方法。
【請求項８】前記固体材料は窒化珪素であり、前記ガス分子は水素分子であることを特徴とする、請求項２〜７のいずれか一に記載のドライエッチング方法。
【請求項９】複数の構成元素からなる固体材料をドライエッチングする装置であって、前記複数の構成元素のそれぞれに対する気相処理条件を連続的に制御し、前記複数の構成元素をそれぞれ独立に順次除去することによって、前記固体材料をドライエッチングするようにしたことを特徴とする、ドライエッチング装置。
【請求項１０】前記気相処理条件は、気相中におけるガス分子濃度であることを特徴とする、請求項９に記載のドライエッチング装置。
【請求項１１】前記気相処理条件は、気相中におけるガス分子の種類であることを特徴とする、請求項９又は１０に記載のドライエッチング装置。
【請求項１２】前記気相処理条件は、プラズマ励起によって生成するエッチング粒子の割合であることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一に記載のドライエッチング装置。
【請求項１３】真空チャンバーと、真空ポンプと、固体材料を設置するためのサセプタと、前記固体材料を覆うようにして設けられたシャッターと、ＥＣＲプラズマ発生装置と、ガス流量制御装置と、シーケンスコントローラとを具え、前記シーケンスコントローラによりガス流量及びＥＣＲプラズマの発生を制御して異なる気相処理条件を作製するとともに、前記シーケンスコントローラにより前記異なる気相処理条件の作製に同調するようにして前記シャッターの開閉を行い、前記固体材料の複数の構成元素をそれぞれ独立に順次除去することにより前記固体材料をドライエッチングすることを特徴とする、ドライエッチング装置。」
　　
II．原査定の理由
　これに対して、原査定においては、「この出願については、平成１３年１月２２日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶査定する。」として、特許法第２９条第２項及び同法第４９条の規定に基づき、拒絶の査定をしたものである。
　　
III．引用例の記載事実
　上記の拒絶理由通知書に証拠として示された刊行物（以下、「引用例１」〜「引用例４」という。）には、下記の事項の記載が認められる。
引用例１（特開平７−１９３０５６号公報）
(1-1)「半導体製造プロセスにおけるエッチング処理工程において、一つの被エッチング物質層に対する全エッチング処理期間内に複数種類のエッチングガスを各ガスの使用時間が重ならないように順次切り換えて使用し、エッチング断面形状の垂直度を表わす評価関数に基づいて上記各ガスによるエッチングの諸操作量を決定し、この決定された諸操作量の下でエッチングを進行させることを特徴とする異方性エッチング制御方法。」（請求項１）
(1-2)「本発明は半導体製造プロセスにおけるチャネル長を決定するエッチング工程に係り、特にエッチング断面形状を垂直に保ち、しかもチャネル長をばらつきなく常に設計で定められた値にするための異方性エッチング制御方法に関する。」（段落【0001】）
　　
引用例２（特開平７−２６３４１５号公報）
(2-1)「シリコン膜と酸化シリコン膜を交互に積層した積層構造の上にエッチングマスクを形成する工程と、前記積層構造をドライエッチングチェンバ中に装架し、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＳＦ6 からなるＡ群、ＣＯ、ＣＨＦ3 、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ2Ｆ6 、Ｃ3Ｆ8 、Ｃ4Ｆ8からなるＢ群、Ｃｌ2 、ＨＢｒ、Ｂｒ2 からなるＣ群から２つの群を選択し、シリコン膜と酸化シリコン膜の１方を前記２つの群から選んだそれぞれの少なくとも１種類のガスの第１の比率の組み合わせでエッチし、他方を前記組み合わせに含まれるガスであって前記第１のガス比率とは異なる第２のガス比率のガスでエッチし、連続的に前記積層構造をエッチする工程とを含む半導体装置の製造方法。」（請求項１）
(2-1)「本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に多層構成のキャパシタを有するＤＲＡＭ等の製造のようにシリコン膜と酸化シリコン膜の交互積層を加工する工程を含む半導体装置の製造技術に関する。」（段落【0001】）
　　
引用例３（特開平８−３１６２００号公報）
(3-1)「所定の開口径を有するマスク層が形成された被処理基体を処理容器内に設置する工程と、反応性ガスを導入すると共に、この反応性ガスを活性化して、前記基体表面に溝を形成する工程と、複数の互いに異なる処理条件を含む処理条件群から、エッチングの進行に応じて、前記開口径とエッチング深さの組合せでエッチング特性を評価するエッチング特性評価項目により処理条件を選択する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。」（請求項１）
(3-2)「本発明は、ドライエッチング方法及びドライエッチング装置に係り、特に高アスペクト比の溝を形成するエッチング技術に関する。」（段落【0001】）
　　
引用例４（特開平３−７１６２９号公報）
(4-1)「スパッタ処理を行う半導体製造装置であって、スパッタ反応室内に配設されるターゲットの直上部に、該ターゲットを随時覆うように移動可能で該スパッタ反応室と電気的に絶縁された可動式シャッターを設け、該スパッタ反応室内にエッチングガスを導入し該シャッターで該ターゲットを覆った状態で、該シャッターと該スパッタ反応室間に交流電圧を印加しプラズマ反応によって該スパッタ反応室内に堆積された反応生成物をエッチオフすることを可能にしたことを特徴とする半導体製造装置。」（特許請求の範囲(1)）
　　
IV．対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と、引用例１〜４に記載されたものとを対比すると、引用例１〜４のいずれにも、本願発明１の特定事項である、（イ）ドライエッチングにおいて、「複数の構成元素に対してそれぞれ異なる気相処理条件を用い、前記複数の構成元素をそれぞれ独立に順次除去する」とした点についての記載はなく、この点で本願発明１は、引用例１〜４に記載されたものと相違している。
　そして本願発明１は、当該相違点（イ）に係る特定事項を含む、前記認定の特定事項を有することにより、複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する（段落【0006】）という、本願明細書に記載され、そして上記各引用例に開示のない作用効果を奏したと認めることができる。
　してみれば、本願発明１は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（２）本願発明２〜８について
　本願発明２〜８は、請求項１又はその下位の請求項を引用して、本願発明１ないしその下位の発明を更に限定したものであるから、上記「（１）本願発明１について」の欄で、本願発明１について記載したと同様、本願発明２〜８は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（３）本願発明９について
　本願発明９と、引用例１〜４に記載されたものとを対比すると、引用例１〜４のいずれにも、（ロ）ドライエッチング装置において、「複数の構成元素のそれぞれに対する気相処理条件を連続的に制御し、前記複数の構成元素をそれぞれ独立に順次除去する」とした本願発明９の特定事項の点についての記載はなく、この点で本願発明９は、引用例１〜４に記載されたものと相違している。
　そして本願発明９は、当該相違点（ロ）に係る特定事項を含む、前記認定の特定事項を有することにより、前記「（１）本願発明１について」の欄に記載した作用効果を奏したと認めることができる。
　してみれば、本願発明９は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（４）本願発明１０〜１２について
　本願発明１０〜１２は、請求項９又はその下位の請求項を引用して、本願発明９ないしその下位の発明を更に限定したものであるから、上記「（３）本願発明９について」の欄で、本願発明９について記載したと同様、本願発明１０〜１２は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（５）本願発明１３について
　本願発明１３と、引用例１〜４に記載されたものとを対比すると、引用例１〜４のいずれにも、（ハ）ドライエッチング装置において、「シーケンスコントローラによりガス流量及びＥＣＲプラズマの発生を制御して異なる気相処理条件を作製するとともに、前記シーケンスコントローラにより前記異なる気相処理条件の作製に同調するようにして前記シャッターの開閉を行い、前記固体材料の複数の構成元素をそれぞれ独立に順次除去する」とした本願発明１３の特定事項の点についての記載はなく、少なくともこの点で本願発明１３は、引用例１〜４に記載されたものと相違している。
　そして本願発明１３は、当該相違点（ハ）に係る特定事項を含む、前記認定の特定事項を有することにより、前記「（１）本願発明１について」の欄に記載した作用効果を奏したと認めることができる。
　してみれば、本願発明１３は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
　以上のとおりであるから、本願発明１〜１３は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできず、したがって、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。