【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置された能動素子と、
前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、
第１の絶縁膜と、を含み、
前記第１の絶縁膜は、前記配線又は電極と前記能動素子との間に配置され、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上方に配置された能動素子と、
前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線と、
第１の絶縁膜と、
第２の絶縁膜と、を含み、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜と前記基板との間に配置され、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は接していること、
を特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項２に記載の配線基板において、
前記第２の絶縁膜は前記能動素子を覆っていること、
を特徴とする配線基板。
【請求項５】
基板と、
前記基板の上方に配置された能動素子と、
前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、
第１の絶縁膜と、
第３の絶縁膜と、を含み、
前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と前記基板との間に配置され、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１、２及び５のいずれかに記載の配線基板において、
さらに前記能動素子に接続された画素電極を備えていること、
を特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項５に記載の配線基板において、
前記第３の絶縁膜は、前記能動素子を覆っていること、
を特徴とする配線基板。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上方に配置された能動素子と、
前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、
第１の絶縁膜と、を含み、
前記第１の絶縁膜は、多孔質材料からなること、
を特徴とする配線基板。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上方に配置された能動素子と、
前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、
第１の絶縁膜と、
前記能動素子に接続された画素電極と、を含み、
前記第１の絶縁膜は、前記配線又は電極と前記能動素子との間に配置され、
前記第１の絶縁膜は、前記画素電極の周囲に配置され、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項１０】  請求項１、２、５、８、及び９のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１の絶縁膜は、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、のうちの少なくとも１つを含むこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項１、２、５、及び９のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１の絶縁膜は、多孔質材料からなること、
を特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項１、２、５、８、及び９のいずれかに記載の配線基板において、
前記第２の絶縁膜は、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウムの微粒子を分散したゲル、フッ素系ポリマー、多孔性ポリマー、及び所定の材料に微粒子を含有したもののうちの少なくとも１つを含むこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項９に記載の配線基板において、
さらに、前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を覆う保護膜を備えること、
を特徴とする配線基板。
【請求項１４】
請求項９又は１３に記載の配線基板において、
前記第１の絶縁膜の少なくとも１部は、バリア層によって覆われていること、
を特徴とする配線基板。
【請求項１５】
請求項１、２、５、８、及び９のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１の絶縁膜の比誘電率が３以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項１６】
請求項１、２、５、８、及び９のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１の絶縁膜の比誘電率が２．５以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項１７】
基板と、
第１の電極と第２の電極との間に配置された電気光学素子と、
前記第１の電極及び前記第２の電極との間のうち少なくとも一方と前記基板との間に配置された第１の絶縁膜と、を含み、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は４以下であること、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
基板と、
第１の電極と第２の電極との間に配置された電気光学素子と、
前記第１の電極及び前記第２の電極との間のうち少なくとも一方と前記基板との間に配置された第１の絶縁膜と、を含み、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いこと、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
基板と、
第１の電極と第２の電極との間に配置された電気光学素子と、
前記第１の電極及び前記第２の電極との間のうち少なくとも一方と前記基板との間に配置された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の電極の周囲に配置され、
前記第１の絶縁膜の比誘電率は４以下であること、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】  
請求項１７乃至１９のいずれかに記載の電気光学装置において、
さらに第２の絶縁膜を含んでいること、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２１】  
請求項２０に記載の電気光学装置において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜と前記基板との間に配置されていること、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２２】
請求項２０に記載の電気光学装置において、
前記第２の絶縁膜は、少なくとも一部が物質の通過を防止する保護膜であること、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２３】
請求項１乃至１６のいずれかに記載の配線基板と、
機能膜と、を含むこと、
を特徴とする電子装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の電子装置において、
前記機能膜は電気光学材料を含むこと、
を特徴とする電子装置。
【請求項２５】
請求項１７乃至１９のいずれかに記載の電気光学装置又は請求項２３又は２４に記載の電子装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するために手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る配線基板は、基板と、前記基板の上方に配置された能動素子と、前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、第１の絶縁膜と、を含み、前記第１の絶縁膜は、前記配線又は電極と前記能動素子との間に配置され、前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いことを特徴とする。
本発明に係る他の配線基板は、基板と、前記基板の上方に配置された能動素子と、前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、を含み、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜と前記基板との間に配置され、前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いことを特徴とする。
上記の配線基板において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は接していることが好ましい。
上記の配線基板において、前記第２の絶縁膜は前記能動素子を覆っていることが好ましい。
本発明に係る他の配線基板は、基板と、前記基板の上方に配置された能動素子と、前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、第１の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、を含み、前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と前記基板との間に配置され、前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いことを特徴とする。
上記の配線基板において、さらに前記能動素子に接続された画素電極を備えていてもよい。
上記の配線基板において、前記第３の絶縁膜は、前記能動素子を覆っていてもよい。
本発明に係る他の配線基板は、基板と、前記基板の上方に配置された能動素子と、
前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、第１の絶縁膜と、を含み、前記第１の絶縁膜は、多孔質材料からなることを特徴とする。
本発明に係る他の配線基板は、基板と、前記基板の上方に配置された能動素子と、前記能動素子を駆動する電気的信号又は駆動電力を供給する配線又は電極と、第１の絶縁膜と、前記能動素子に接続された画素電極と、を含み、前記第１の絶縁膜は、前記配線又は電極と前記能動素子との間に配置され、前記第１の絶縁膜は、前記画素電極の周囲に配置され、前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いことを特徴とする。
上記の配線基板において、前記第１の絶縁膜は、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
上記の配線基板において、前記第１の絶縁膜は、多孔質材料からなっていてもよい。
上記の配線基板において、前記第２の絶縁膜は、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウムの微粒子を分散したゲル、フッ素系ポリマー、多孔性ポリマー、及び所定の材料に微粒子を含有したもののうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
上記の配線基板において、さらに、前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を覆う保護膜を備えていてもよい。
上記の配線基板において、前記第１の絶縁膜の少なくとも１部は、バリア層によって覆われていてもよい。
上記の配線基板において、前記第１の絶縁膜の比誘電率が３以下であってもよい。
上記の配線基板において、前記第１の絶縁膜の比誘電率が２．５以下であってもよい。
本発明に係る電気光学装置は、基板と、第１の電極と第２の電極との間に配置された電気光学素子と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間のうち少なくとも一方と前記基板との間に配置された第１の絶縁膜と、を含み、前記第１の絶縁膜の比誘電率は４以下であることを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置は、基板と、第１の電極と第２の電極との間に配置された電気光学素子と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間のうち少なくとも一方と前記基板との間に配置された第１の絶縁膜と、を含み、前記第１の絶縁膜の比誘電率は、前記基板の比誘電率より低いことを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置は、基板と、第１の電極と第２の電極との間に配置された電気光学素子と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間のうち少なくとも一方と前記基板との間に配置された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜は、前記第１の電極の周囲に配置され、前記第１の絶縁膜の比誘電率は４以下であること、を特徴とする。
上記の電気光学装置において、さらに第２の絶縁膜を含んでいることが好ましい。
上記の電気光学装置において、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜と前記基板との間に配置されていてもよい。
上記の電気光学装置において、前記第２の絶縁膜は、少なくとも一部が物質の通過を防止する保護膜であってもよい。
本発明に係る電子装置は、上記の配線基板と、機能膜と、を含むこと、
を特徴とする。
上記の電子装置において、前記機能膜は電気光学材料を含んでいてもよい。
本発明に係る電子装置は、上記の電気光学装置又は上記の電子装置を備えることを特徴とする。
本発明の第１の配線基板は、配線を含む基体と、基体の上面に配置された４以下の比誘電率を有する部材と、を含み、前記上面には、前記部材が形成されていない領域が設けられていることを特徴とする。