【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９８１５０号「逆平行固定スピン・バルブ磁気抵抗センサ」拒絶査定に対する審判事件〔平成１１年　７月１３日出願公開、特開平１１−１９１２０７、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
 １　経緯
  特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１０月２０日
（優先権主張　米国１９９７（平成９）年１０月２７日）
　審査拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１１年１１月　１日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　　　　平成１２年　４月　３日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　４月２７日
　審判請求・手続補正書２　　　　　　　　　　平成１２年　８月　４日
  拒絶理由通知・補正却下（手続補正２）　　　平成１３年　８月２９日
　手続補正書３　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　９月１８日
　
２　本願発明
  本件出願の【特許請求の範囲】【請求項１】〜【請求項１４】に係る発明は、平成１３年９月１８日付け手続補正で補正されたとおりの次のものである。（なお、上記手続補正２は、補正却下が確定している。）
「【請求項１】
　フリー強磁性層と、
　逆平行結合層と、前記逆平行結合層により互いに分離される第１及び第２の強磁性層とを含み、前記第１の強磁性層が第１及び第２の強磁性サブ層を含む、逆平行（ＡＰ）固定層と、
　前記第１の強磁性サブ層と接触し、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　前記フリー強磁性層と前記ＡＰ固定層との間に配置されるスペーサ層と
　を含む、スピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２】
　前記第２の強磁性層がコバルトからなる、請求項１記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項３】
　前記第１の強磁性サブ層がＮｉ−Ｆｅからなり、前記第２の強磁性サブ層がＣｏからなる、請求項２記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項４】
　前記第１の強磁性サブ層のＮｉ−Ｆｅ組成が、８１％のＮｉ及び１９％のＦｅである、請求項３記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項５】
　前記第１の強磁性サブ層のＮｉ−Ｆｅの厚さが、２Å乃至３０Åの範囲である、請求項４記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項６】
　前記第１の強磁性層の厚さが、前記第２の強磁性層の厚さよりも大きい、請求項１記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項７】
　前記第１の強磁性層の厚さが、前記第２の強磁性層の厚さよりも小さい、請求項１記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項８】
　磁気記録ディスクと、
　前記ディスク上に磁気的に記録されたデータを検出するスピン・バルブ磁気抵抗センサであって、
　　フリー強磁性層と、
　　逆平行結合層と、前記逆平行結合層により互いに結合される第１及び第２の強磁性層とを含み、前記第１の強磁性層が第１及び第２の強磁性サブ層を含む、逆平行（ＡＰ）固定層と、
　　前記第１の強磁性サブ層と直接接触し、前記第１及び第２の強磁性サブ層の磁化方向を固定する反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　　前記フリー強磁性層と前記ＡＰ固定層との間に配置されるスペーサ層と
　を含む、スピン・バルブ磁気抵抗センサと、
　前記スピン・バルブ磁気抵抗センサを前記磁気記録ディスクを横断して移動させ、前記センサが前記ディスク上に磁気的に記録されたデータの異なる領域をアクセスすることを可能にするアクチュエータと、
　前記スピン・バルブ磁気抵抗センサに電気的に結合され、磁気的に記録されたデータからの磁場に応答して、前記逆平行固定層内で逆平行に結合される前記第１及び第２の強磁性層の固定磁化方向に対する、前記フリー強磁性層の磁化軸の回転により生じる前記センサの抵抗の変化を検出する手段と
　を含む、ディスク・ドライブ・システム。
【請求項９】
　前記第２の強磁性層がコバルトからなる、請求項８記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１０】
　前記第１の強磁性サブ層がＮｉ−Ｆｅからなり、前記第２の強磁性サブ層がＣｏからなる、請求項９記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１１】
　前記第１の強磁性サブ層のＮｉ−Ｆｅ組成が、８１％のＮｉ及び１９％のＦｅである、請求項１０記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１２】
　前記第１の強磁性サブ層のＮｉ−Ｆｅの厚さが、２Å乃至３０Åの範囲である、請求項１０記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１３】
　前記第１の強磁性層の厚さが、前記第２の強磁性層の厚さよりも大きい、請求項８記載のディスク・ドライブ・システム。
【請求項１４】
　前記第１の強磁性層の厚さが、前記第２の強磁性層の厚さよりも小さい、請求項８記載のディスク・ドライブ・システム。」
　
３　引用例記載の発明
（１）特開平９−１６９２０号公報（以下、引用例１という。）
　引用例１の特許請求の範囲には、
「【請求項１】非磁性材料のスペーサ層によって分離された強磁性材料の第１層および第２層であって、強磁性材料の前記第１層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき強磁性材料の前記第２層の磁化方向に対してある角度をなし、強磁性材料の前記第２層が、第１および第２の強磁性フィルムと、第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が相互に逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含まれるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合フィルムとを備える強磁性材料の第１層および第２層と、酸化ニッケル（Ｎｉ１-xＣｏx）Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒよりなるグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層であって、印加磁界の存在下で前記第２強磁性層中の前記強磁性フィルムのうちの一枚の磁化を固定された方向に維持するように前記交換バイアス層が前記強磁性フィルムのうちの一枚に隣接しかつ接触し、それによって印加磁界の存在下で前記第１強磁性層の磁化は自由に回転するが、前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性フィルムの磁化方向は固定され互いに逆平行のままとなる、反強磁性材料の交換バイアス層とを備える磁気抵抗センサ。」と記載されている。
　即ち、引用例１には、逆平行（ＡＰ）固定ＳＶセンサが示されている。
　
（２）特開平６−２３６５２７号公報（以下、引用例２という。）
　引用例２の特許請求の範囲に、
「【請求項１】非磁性材料スペーサ層によって分離されており、印加磁界がゼロのとき、第１の強磁性材料層の磁化方向が第２の強磁性材料層の磁化方向に対してほぼ垂直である、第１および第２の強磁性材料層と、前記第１の強磁性層に隣接しかつこれと接触する非磁性導電材料背部層と、前記第２の強磁性層の磁化を所望の方向に維持する手段とを備えることを特徴とする磁気抵抗センサ。
（中略）
【請求項１８】前記第１および第２の強磁性層のうちの少なくとも一方が多層構造を備えることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。」と記載されている。
【００１４】に、
「図２を参照すると、本発明の原理によるＭＲスピン・バルブ・センサ３０は、たとえばガラス、セラミック、半導体などの適切な基板３１を備えており、基板３１上に、非磁性または磁性導電材料の薄膜層３３、第１の軟強磁性材料の薄膜層３５、非磁性金属材料の薄膜層３７、および第２の強磁性材料の薄膜層３９が付着されている。第１の軟強磁性材料薄膜層３５は、非磁性または磁性導電材料薄膜層３３上に直接、かつ該層と物理的に接触するように形成されて二層を形成する。２つの強磁性材料層３５、３９の磁化は、外部印加磁界がある場合、矢印３２および３８で示すように、互いに約９０゜の角度に配向される。また、第２の強磁性材料薄膜層３９の磁化方向は、矢印３８で示す好ましい方向に固定される。したがって、第２の強磁性材料薄膜層３９の磁化方向は固定されているが、第１の軟強磁性材料薄膜層３５は、図２の第１の軟強磁性材料薄膜層３５上の点線矢印で示すように、（図２に示す磁界ｈなどの）外部印加磁界に応じて自由に方向を回転する。」と記載され、
【００２３】に、
「次に、図８を参照すると、本発明によるＭＲスピン・バルブ・センサの他の好ましい実施例は、たとえばガラス、セラミック、半導体などの適切な基板８１上のバッファ層８３上に付着された、第１の非磁性導電材料背部層８５、第１の軟強磁性材料薄膜層８７、非磁性金属材料薄膜スペーサ層８９、第２の軟強磁性材料薄膜層９１、および第２の非磁性導電材料背部層９３を備えている。当技術分野で周知のように、たとえば、第２の非磁性導電材料背部層９３の上にＴａなどの高抵抗材料の保護キャッピング層（図示せず）を設けると、操作および以後の処理段階中の構造の酸化を最小限に抑えあるいは防止することができる。ＭＲセンサ８０に感知電流を印加すると、感知電流に伴う磁界が各強磁性層８７、９１にバイアス磁界を提供し、その結果、各層の磁化方向がセンサ磁化容易軸に対して大きさが等しく向きが反対の角度に配向されるようになる。磁化方向は、強磁性層８７、９１のどちらでも固定されず、したがって印加された磁界に自由に応答する。第１の背部層および第１の強磁性層が、第１の二層を形成する。同様に、第２の背部層および第２の強磁性層が第２の二層を形成する。磁気信号が印加されると、両方の二層、すなわち自由層の磁化方向が、磁化容易軸に対して大きさがほぼ等しく向きが反対の角度だけ回転し、したがって、各層の磁化間の角度が、一方の強磁性層が固定されたスピン・バルブ構造に比べて２倍変化する。この種の電流バイアスＭＲスピン・バルブ・センサは、１９９２年１１月１７日に出願され、本出願人に譲渡された、参照により本明細書に合体した同時係属の米国特許出願第０７／９７７３８２号に記載されている。」と記載されている。
　即ち、引用例２には、強磁性層を多層構造にすることが示されている。しかしながら、【００１４】の記載から、引用例２において強磁性材料薄膜層が導電材料薄膜層に対してフィルタ層としての働きを有するために、強磁性材料薄膜層が導電材料薄膜層と直接接触することが必須の構成要件となっている。
　
４　本願発明と引用例との対比
（１）請求項１に係る発明（以下、本願発明１という。）と引用例との対比
　本願発明１と引用例１とを対比すると、逆平行結合層と、前記逆平行結合層により互いに分離される第１及び第２の強磁性層とを含む逆平行（ＡＰ）固定層であることは一致するが、本願発明１が、「前記第１の強磁性層が第１及び第２の強磁性サブ層を含む」点で、相違している。そして、引用例２は、強磁性材料薄膜層が導電材料薄膜層と直接接触するのであり、引用例２の多層膜を引用例１の逆平行形の強磁性膜に適応しても、本願発明のような、逆平行となる第１および第２の強磁性膜のうちの１つである第１の強磁性膜（ＡＦＭ）を、第１および第２のザブ強磁性膜とすることにはならない。
　このサブ層によって、「Ｎｉ−Ｆｅサブ層の追加は、Ｃｏサブ層をＮｉＯ　ＡＦＭ層から分離し、このことが積層型ＡＰ固定層構造の固定場及び磁気モーメントの制御を改善する上、第１の固定層の飽和保磁力を低減」（段落番号００１６）し、「ＮｉＯ　ＡＦＭ層４３０と第１のＣｏ層４２２との間のＮｉ−Ｆｅ層４３５の導入は、第１のＣｏ層４２２の磁気モーメントの制御を劇的に改善する。この改善された構造により、２つのＣｏ膜４２２、４２６の磁気モーメント制御が、実質的に、Ｎｉ−Ｆｅ付着層の厚さの制御に軽減される。Ｃｏ層４２２、４２６の等しい厚さにより、積層型ＡＰ固定層４２０の正味の磁気モーメントが、Ｎｉ−Ｆｅ層４３５の磁気モーメントに等しくなる。薄いＮｉ−Ｆｅ層４３５は、小さな良好に制御された正味の磁気モーメントを保証し、このことは磁場の存在の下で、積層型ＡＰ固定層４２０の磁化方向が安定なことを保証し、従って磁化方向が予測可能となる。」（段落番号００２８）という本願発明特有の効果を奏する。　してみると、この相違点は格別のことであり、引用例１，２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。（２）請求項２〜７について
　請求項２〜７の発明は、直接または実質的に請求項１を引用する従属形式の発明であり、上記（１）で検討したと同様である。
（３）請求項８について
　請求項８は、ディスク・ドライブ・システムの発明であるが、「逆平行結合層と、前記逆平行結合層により互いに結合される第１及び第２の強磁性層とを含み、前記第１の強磁性層が第１及び第２の強磁性サブ層を含む、逆平行（ＡＰ）固定層」を構成としている点では、請求項１と同じであり、上記（１）で検討したと同様である。
（４）請求項９〜１４について
　請求項９〜１４の発明は、直接または実質的に請求項８を引用する従属形式の発明であり、上記（３）で検討したと同様である。
　
５　まとめ
　従って、請求項１〜１４に係る発明は、上記引用例１、２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、他に拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。