【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  炭化水素仕込物の転換方法であって、前記仕込物を、少なくとも１つの触媒床を含みかつ少なくとも一部外側にある反応帯域に組み合わされる、頂部の蒸気蒸留物と底部の流出物とを生じる蒸留帯域内で処理し、反応帯域内で、触媒と水素を含むガス流体との存在下に少なくとも１つの炭化水素の少なくとも一部の少なくとも１つの転換反応を行ない、反応帯域の仕込物は、少なくとも１つの採取レベルの高さで採取されかつ蒸留帯域内を流れる液体の少なくとも一部であり、反応帯域の流出物は、少なくとも１つの再導入レベルの高さで蒸留帯域内に少なくとも一部再導入されて、蒸留の継続を確保するようにする方法において、蒸留帯域に再導入される反応帯域の流出物の一部が、再導入レベルの下方に位置する採取レベルの高さで採取される反応帯域の仕込物の温度よりも低い温度に導かれることを特徴とする、炭化水素仕込物の転換方法。
【請求項２】  蒸留帯域に再導入される流出物の一部が、再導入レベルの下方に位置する採取レベルの高さで採取される反応帯域の仕込物の温度よりも少なくとも１０℃低い温度に導かれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】  反応帯域の仕込物の単一採取レベルを含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  反応帯域の流出物の再導入レベルが、反応帯域の仕込物の採取レベルの上方の少なくとも２番目の理論棚段である、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  さらに液体形態の安定化蒸留物を、少なくとも１つの抜き出しレベルの高さで抜き出し、前記レベルが、前記蒸気蒸留物の抜き出しレベルの下方に位置しかつ反応帯域の仕込物の採取レベルの上方に位置する、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  反応帯域が、全体として蒸留帯域の外側にある、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】  蒸留が、絶対圧力０．１〜２．５ＭＰａ下に還流率０．１〜２０、温度１０〜３００℃で行なわれる、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  蒸留帯域の外側にある転換反応の一部において、この転換工程に要求される絶対圧力は、０．１〜６ＭＰａであり、温度は、３０〜４００℃であり、触媒に対して計算される、転換帯域内の空間速度が、一般に０．５〜６０ｈ-1（毎時触媒１容積当たり仕込物の容積）であり、水素流量が、作用される転換反応の化学量論に相当する流量の１〜１０倍である、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  １分子当たり炭素原子数少なくとも５を有し、かつ場合による少なくとも１つのオレフィンとベンゼンとを含む少なくとも１つの不飽和化合物を含む炭化水素により大部分が構成される仕込物を処理する、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】  反応帯域が、水素化帯域であり、この水素化帯域で、水素化触媒の存在下に１分子当たり炭素原子数多くとも６を含みかつ仕込物中に含まれる不飽和化合物の少なくとも一部の水素化を行なう、請求項９記載の方法。
【請求項１１】  蒸留が、絶対圧力０．２〜２ＭＰａ下に還流率０．１〜１０で行なわれ、蒸留帯域の頂部温度が、３０〜１８０℃であり、蒸留帯域の底部温度が、１２０〜２８０℃である、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】  蒸留帯域の外側にある水素化反応の一部において、この水素化工程に要求される絶対圧力は、０．１〜６ＭＰａであり、温度は、１００〜４００℃であり、触媒に対して計算される水素化帯域内の空間速度が、一般に１〜６０ｈ-1（毎時触媒１容積当たり仕込物の容積）であり、水素流量が、作用される水素化反応の化学量論に相当する流量の１〜１０倍である、請求項９〜１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】  蒸留帯域の内側にある水素化反応の一部において、水素化反応が、温度１００〜２００℃、絶対圧力０．２〜３ＭＰａで行なわれ、水素化帯域に供給される水素流量が、作用される水素化反応の化学量論に相当する流量の１〜１０倍である、請求項９〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】  水素化帯域内で使用される触媒が、ニッケルおよび白金よりなる群の中から選ばれた少なくとも１つの金属を含む、請求項９〜１３のいずれか１項記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
より特別には、本発明による方法は、蒸留帯域に組み合わされる水素化帯域におけるベンゼンおよび他の不飽和化合物の水素化方法に適用されるものである。特別な適用において、本発明による方法は、１分子当たり炭素原子数少なくとも５、好ましくは５〜９を含みかつ場合によるオレフィンおよびベンゼンを含む少なくとも１つの不飽和化合物を含む炭化水素により大部分が構成される仕込物の処理方法である。この方法では、前記仕込物が、少なくとも１つの触媒床を含む少なくとも一部が外側にある水素化反応帯域に組み合わされる蒸留帯域において処理される。水素化反応帯域において、水素化触媒と水素を好ましくは大部分含むガス流体との存在下に、仕込物中に含まれる、１分子当たり炭素原子数多くとも６を含む、すなわち１分子当たり炭素原子数６まで（６は含まれる）を含む不飽和化合物の少なくとも一部の水素化が行なわれる。反応帯域の仕込物は、採取レベルの高さで採取されかつ蒸留帯域内を流れる液体の少なくとも一部、好ましくは大部分である。反応帯域の流出物は、少なくとも１つの再導入レベルの高さで蒸留帯域内に少なくとも一部、好ましくは大部分再導入されて、蒸留の継続を確保するようにして、最終的に不飽和化合物に非常に乏しい蒸留物を排出させるようにする。前記方法は、蒸留帯域に再導入される反応帯域の流出物の一部が、再導入レベルの下方に位置する採取レベルの高さで採取される水素化反応帯域の仕込物の温度よりも低い温度を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【発明の効果】
本発明による反応帯域に組み合わされる循環還流物を含む蒸留帯域内での処理による炭化水素転換方法およびベンゼンの水素化におけるその使用法は、上述のように、炭化水素仕込物の転換方法であって、前記仕込物を、少なくとも１つの触媒床を含みかつ少なくとも一部外側にある反応帯域に組み合わされる、頂部の蒸気蒸留物と底部の流出物とを生じる蒸留帯域内で処理し、反応帯域内で、触媒と水素を含むガス流体との存在下に少なくとも１つの炭化水素の少なくとも一部の少なくとも１つの転換反応を行ない、反応帯域の仕込物は、少なくとも１つの採取レベルの高さで採取されかつ蒸留帯域内を流れる液体の少なくとも一部であり、反応帯域の流出物は、少なくとも１つの再導入レベルの高さで蒸留帯域内に少なくとも一部再導入されて、蒸留の継続を確保するようにする方法において、蒸留帯域に再導入される反応帯域の流出物の一部が、再導入レベルの下方に位置する採取レベルの高さで採取される反応帯域の仕込物の温度よりも低い温度に導かれることを特徴とするもので、本発明の方法によれば、蒸留帯域の還流率を減少させることが可能であり、従って先行技術による方法を用いて得られる転換率以上の炭化水素転換率を伴って蒸留帯域のサイズの縮小を得ることが可能になり、さらに先行技術の方法に比して必要な熱の総交換面積を減少させることが可能になる。