【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配列され、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換する複数の光センサと、前記光センサから読み出された信号電荷に基づいて出力信号を生成する出力回路とを備える固体撮像装置において、
前記出力回路に設けられ、前記光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部における導電部の膜厚Ｄ１と、その他の領域の導電部の膜厚Ｄ２とが、Ｄ１＜Ｄ２であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
半導体基板上に入射光をその光量に応じた量の電荷に変換する複数の光センサをマトリクス状に配列して形成する工程と、前記光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部における導電部の膜厚Ｄ１と、その他の領域の導電部の膜厚Ｄ２とが、Ｄ１＜Ｄ２となるように、前記変換部の導電部および前記その他の領域の導電部を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電部を形成する工程は、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成する工程と、前記変換部の導電部のみを薄膜化する工程とを有することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電部を形成する工程は、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成する工程と、前記変換部の導電部のみをエッチングする工程とを有することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電部を形成する工程は、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成する工程と、前記その他の領域の前記導電部上にさらに導電層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
マトリクス状に配列して半導体基板上に形成された複数の光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部ならびにその他の領域に一様に絶縁膜を形成する工程と、前記変換部における絶縁膜をエッチングする工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチングし、前記変換部および前記その他の領域にコンタクトホールを形成する工程と、前記前記変換部および前記その他の領域のコンタクトホールに導電部を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項２記載の発明による固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に入射光をその光量に応じた量の電荷に変換する複数の光センサをマトリクス状に配列して形成する工程と、前記光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部における導電部の膜厚Ｄ１と、その他の領域の導電部の膜厚Ｄ２とが、Ｄ１＜Ｄ２となるように、前記変換部の導電部および前記その他の領域の導電部を形成する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、好ましい態様として、例えば請求項３記載のように、請求項２記載の固体撮像装置の製造方法において、前記導電部を形成する工程は、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成する工程と、前記変換部の導電部のみを薄膜化する工程とを有してもよい。また、例えば請求項４記載のように、請求項２記載の固体撮像装置の製造方法において、前記導電部を形成する工程は、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成する工程と、前記変換部の導電部のみをエッチングする工程とを有してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、好ましい態様として、例えば請求項５記載のように、請求項２記載の固体撮像装置の製造方法において、前記導電部を形成する工程は、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成する工程と、前記その他の領域の前記導電部上にさらに導電層を形成する工程とを有してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項６記載の発明による固体撮像装置の製造方法は、マトリクス状に配列して半導体基板上に形成された複数の光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部ならびにその他の領域に一様に絶縁膜を形成する工程と、前記変換部における絶縁膜の膜厚をエッチングする工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチングし、前記変換部および前記その他の領域にコンタクトホールを形成する工程と、前記前記変換部および前記その他の領域のコンタクトホールに導電部を形成する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、請求項２記載の発明によれば、光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部における導電部の膜厚Ｄ１と、その他の領域の導電部の膜厚Ｄ２とが、Ｄ１＜Ｄ２となるように、前記変換部の導電部および前記その他の領域の導電部を形成するようにしたので、寄生容量が減少し、変換効率を向上することでき、既存のＣＣＤ撮像素子の感度、飽和信号量等の特性向上を図ることができるという利点が得られる。また、感度、飽和信号量等の特性を維持しつつ、単位画素サイズを縮小できるので、光学系縮小や多画素化を図ることができるという利点が得られる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、請求項３記載の発明によれば、前記導電部を形成する工程において、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成した後、前記変換部の導電部のみを薄くしたので、寄生容量が減少し、変換効率を向上することでき、既存のＣＣＤ撮像素子の感度、飽和信号量等の特性向上を図ることができるという利点が得られる。また、感度、飽和信号量等の特性を維持しつつ、単位画素サイズを縮小できるので、光学系縮小や多画素化を図ることができるという利点が得られる。
また、請求項４記載の発明によれば、前記導電部を形成する工程において、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成した後、前記変換部の導電部のみをエッチングして薄くしたので、寄生容量が減少し、変換効率を向上することでき、既存のＣＣＤ撮像素子の感度、飽和信号量等の特性向上を図ることができるという利点が得られる。また、感度、飽和信号量等の特性を維持しつつ、単位画素サイズを縮小できるので、光学系縮小や多画素化を図ることができるという利点が得られる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、請求項５記載の発明によれば、前記導電部を形成する工程において、前記変換部および前記その他の領域に同一膜厚の導電部を形成した後、前記その他の領域の前記導電部上にさらに導電層を形成し、その他の領域における導電部に比べ、変換部における導電部が薄くなるようにしたので、寄生容量が減少し、変換効率を向上することでき、既存のＣＣＤ撮像素子の感度、飽和信号量等の特性向上を図ることができるという利点が得られる。また、感度、飽和信号量等の特性を維持しつつ、単位画素サイズを縮小できるので、光学系縮小や多画素化を図ることができるという利点が得られる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、請求項６記載の発明によれば、マトリクス状に配列して半導体基板上に形成された複数の光センサから読み出された信号電荷を電圧変換する変換部ならびにその他の領域に一様に絶縁膜を形成した後、前記変換部における絶縁膜の膜厚をエッチングして薄くしたので、寄生容量が減少し、変換効率を向上することでき、既存のＣＣＤ撮像素子の感度、飽和信号量等の特性向上を図ることができるという利点が得られる。また、感度、飽和信号量等の特性を維持しつつ、単位画素サイズを縮小できるので、光学系縮小や多画素化を図ることができるという利点が得られる。