【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記いずれかの構造で示される含フッ素化合物を有してなる撥液膜。
【化１】
2005200304.tif 000001
【化２】
2005200304.tif 000002
【化３】
2005200304.tif 000003
【化４】
2005200304.tif 000004
【化５】
2005200304.tif 000005
【化６】
2005200304.tif 000006
【化７】
2005200304.tif 000007
【化８】
2005200304.tif 000008
【化９】
2005200304.tif 000009
【化１０】
2005200304.tif 000010
【化１１】
2005200304.tif 000011
【化１２】
2005200304.tif 000012
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化１３】
2005200304.tif 000013
【請求項２】
下記いずれかの構造で示される含フッ素化合物を有してなる撥液膜。
【化１４】
2005200304.tif 000014
【化１５】
2005200304.tif 000015
【化１６】
2005200304.tif 000016
【化１７】
2005200304.tif 000017
【化１８】
2005200304.tif 000018
【化１９】
2005200304.tif 000019
【化２０】
2005200304.tif 000020
【化２１】
2005200304.tif 000021
【化２２】
2005200304.tif 000022
【化２３】
2005200304.tif 000023
【化２４】
2005200304.tif 000024
【化２５】
2005200304.tif 000025
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化２６】
2005200304.tif 000026
【請求項３】
下記いずれかの構造で示される含フッ素化合物が色素骨格を有する機能性化合物と結合
している撥液膜。
【化２７】
2005200304.tif 000027
【化２８】
2005200304.tif 000028
【化２９】
2005200304.tif 000029
【化３０】
2005200304.tif 000030
【化３１】
2005200304.tif 000031
【化３２】
2005200304.tif 000032
【化３３】
2005200304.tif 000033
【化３４】
2005200304.tif 000034
【化３５】
2005200304.tif 000035
【化３６】
2005200304.tif 000036
【化３７】
2005200304.tif 000037
【化３８】
2005200304.tif 000038
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化３９】
2005200304.tif 000039
【請求項４】
下記いずれかの構造で示される含フッ素化合物が色素骨格を有する機能性化合物と結合
している撥液膜。
【化４０】
2005200304.tif 000040
【化４１】
2005200304.tif 000041
【化４２】
2005200304.tif 000042
【化４３】
2005200304.tif 000043
【化４４】
2005200304.tif 000044
【化４５】
2005200304.tif 000045
【化４６】
2005200304.tif 000046
【化４７】
2005200304.tif 000047
【化４８】
2005200304.tif 000048
【化４９】
2005200304.tif 000049
【化５０】
2005200304.tif 000050
【化５１】
2005200304.tif 000051
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化５２】
2005200304.tif 000052
【請求項５】
基板と、該基板上に形成される撥水膜と、該撥水膜上に形成される配線と、を有する配線基板であって、該撥水膜は請求項３又は４に記載の撥水膜であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記撥水膜は前記配線が形成されていない非配線部分に形成されてなることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
基板と、該基板に形成されるゲート電極，ゲート絶縁層，ソース電極，ドレイン電極，有機半導体層、及び保護層と、を有する半導体装置であって、
前記基板，ゲート電極，ゲート絶縁層，ソース電極，ドレイン電極，有機半導体，保護層の何れか二つの間に、請求項３又は４に記載の撥水膜を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記ソース電極，前記ドレイン電極のうち少なくとも一方が透明導電極を用いてなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
基板と、
該基板に形成される透明電極と、
該透明電極上に形成される正孔輸送層と、
該正孔輸送層上に形成される発光層と、
該発光層上に形成される金属電極と、を有する有機電界発光素子であって、
前記基板，透明電極，正孔輸送層，発光層，金属電極の何れか二つの間に、請求項３又は４に記載の撥水膜を有してなることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１０】
基板と、前記基板上に形成されるカラーフィルター層、該カラーフィルター層を保護する保後層と、を有するカラーフィルター基板であって、
前記保護層と前記基板との間に、請求項３又は４に記載の撥水膜を有することを特徴とするカラーフィルター基板。
【請求項１１】
基材と、該基材に形成される感応部位と、を有するｐＨセンサであって、
前記感応部位は、請求項３又は４に記載の撥液膜を有してなることを特徴とするｐＨセンサ。
【請求項１２】
基材と、該基材に形成される感応部位と、を有するｐＨセンサであって、
前記感応部位は、測定対象である検体を接触させた後、前記感応部位の前記検体と接触した部分の接触各を計測することにより検体のｐＨを求めることができるものであることを特徴とするｐＨセンサ。
【請求項１３】
基材と、該基材に形成される感応部位と、を有するイオンセンサであって、
前記感応部位は、測定対象である検体を接触させた後、前記感応部位の前記検体と接触した部分の接触各を計測することにより検体のｐＨを求めることができるものであることを特徴とするイオンセンサ。
【請求項１４】
基材に撥液膜を形成し、
該撥液膜の一部の領域に光を照射して撥液性を低下させ、
撥液性を低下した前記撥液膜の一部の領域に配線材料が溶解又は分散された液を塗布及び乾燥させる配線基板の製造方法であって、
前記撥水膜に、下記何れかの構造で示される含フッ素化合物を用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【化２７】
2005200304.tif 000053
【化２８】
2005200304.tif 000054
【化２９】
2005200304.tif 000055
【化３０】
2005200304.tif 000056
【化３１】
2005200304.tif 000057
【化３２】
2005200304.tif 000058
【化３３】
2005200304.tif 000059
【化３４】
2005200304.tif 000060
【化３５】
2005200304.tif 000061
【化３６】
2005200304.tif 000062
【化３７】
2005200304.tif 000063
【化３８】
2005200304.tif 000064
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化３９】
2005200304.tif 000065
【請求項１５】
基材に撥液膜を形成し、
該撥液膜の一部の領域に光を照射して撥液性を低下させ、
撥液性を低下した前記撥液膜の一部の領域に配線材料が溶解又は分散された液を塗布及び乾燥させる配線基板の製造方法であって、
前記撥水膜に、下記何れかの構造で示される含フッ素化合物を用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【化４０】
2005200304.tif 000066
【化４１】
2005200304.tif 000067
【化４２】
2005200304.tif 000068
【化４３】
2005200304.tif 000069
【化４４】
2005200304.tif 000070
【化４５】
2005200304.tif 000071
【化４６】
2005200304.tif 000072
【化４７】
2005200304.tif 000073
【化４８】
2005200304.tif 000074
【化４９】
2005200304.tif 000075
【化５０】
2005200304.tif 000076
【化５１】
2005200304.tif 000077
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化５２】
2005200304.tif 000078
【請求項１６】
基板上に透明電極を形成する工程、
該透明基板の上に正孔注入層を形成する工程、
該正孔注入層の上に発光層を形成する工程、
該発光層の上に金属電極を形成する工程、を有する有機電界発光素子の製造方法であって、
前記複数の工程のうち少なくとも一つは、その工程を行う前に、下記いずれかの構造で示される含フッ素化合物を有してなる撥液膜を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。
【化２７】
2005200304.tif 000079
【化２８】
2005200304.tif 000080
【化２９】
2005200304.tif 000081
【化３０】
2005200304.tif 000082
【化３１】
2005200304.tif 000083
【化３２】
2005200304.tif 000084
【化３３】
2005200304.tif 000085
【化３４】
2005200304.tif 000086
【化３５】
2005200304.tif 000087
【化３６】
2005200304.tif 000088
【化３７】
2005200304.tif 000089
【化３８】
2005200304.tif 000090
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化３９】
2005200304.tif 000091
【請求項１７】
基板上に透明電極を形成する工程、
該透明基板の上に正孔注入層を形成する工程、
該正孔注入層の上に発光層を形成する工程、
該発光層の上に金属電極を形成する工程、を有する有機電界発光素子の製造方法であって、
前記複数の工程のうち少なくとも一つは、その工程を行う前に、下記いずれかの構造で示される含フッ素化合物を有してなる撥液膜を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。
【化４０】
2005200304.tif 000092
【化４１】
2005200304.tif 000093
【化４２】
2005200304.tif 000094
【化４３】
2005200304.tif 000095
【化４４】
2005200304.tif 000096
【化４５】
2005200304.tif 000097
【化４６】
2005200304.tif 000098
【化４７】
2005200304.tif 000099
【化４８】
2005200304.tif 000100
【化４９】
2005200304.tif 000101
【化５０】
2005200304.tif 000102
【化５１】
2005200304.tif 000103
Ｘは下記構造。Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
【化５２】
2005200304.tif 000104
【請求項１８】
基板と、
該基板に形成されるゲート電極，ゲート絶縁層，複数のソース電極、及び該複数のソース電極に交差して配置されるドレイン電極と、を有する半導体装置であって、
前記基板，ゲート電極，ゲート絶縁層，ソース電極，ドレイン電極が形成されたいずれかの層の上に、請求項５又は６に記載の撥水膜を有していることを特徴とする半導体装置。