【事件の表示】
　平成１０年特許願第３００６１３号「相変化記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年１１月１６日出願公開、特開平１１−３１６９７７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は、昭和６２年１２月２３日に出願した特願昭６２−３２６２３８号の一部を平成１０年１０月２２日に新たな特許出願としたものであって、その発明の要旨は、平成１２年１月２７日付手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「基板上に誘電体層を介して設けられた記録層の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に反射層を設けてなり、該反射層をＡｌ１−ｘＭｘ(Ｍは、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、V、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種の元素、ｘは０.０１〜０.０５の数)によって形成し、且つ該誘電体層はＳｉＯ２を含み、干渉効果を高めるように設けられていることを特徴とする相変化記録媒体。」
　
ＩＩ．引用刊行物に記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６２−５３８８６号公報(以下、「刊行物１」という。昭和６２年３月９日出願公開)には、
　（1-i）「基板上に、加熱により光の吸収係数が変化する材料から成る記録層を設け、該吸収係数の変化によって生じる光の反射率の変化により情報を記録する情報記録媒体において、該記録層が少なくともＳｂ、Ｔｅ及びＧｅの３元素から成り・・(中略)…で示される組成を有することを特徴とする情報記録媒体。」(第１頁左下欄特許請求の範囲参照)、
　（1-ii）「レーザー光などの照射によって記録を行う場合には、記録層や反射層の膜厚によってレーザー光の吸収率や熱の逸散状態が異なり、したがって記録感度が異なってくる。　記録層や反射層の好ましい膜厚範囲は、主に前記した２つの要因から決まる。　（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）ｙＧｅ１−ｙを記録層として情報記録媒体に用いる場合、この記録層単独でもよいが、その場合には十分なコントラストを得るために、記録層の膜厚は７００Å以上、好ましくは８００〜２０００Åの範囲にするのがよい。　しかし、膜厚をあまり厚くすると、光の吸収係数を変化させるための、物理化学的な状態変化を膜厚方向に一様に生じさせにくくなり、本来の高いコントラストに相当するＳ／Ｎ比を得ることができなくなる。　これに対し、記録層の上若しくは下に反射層を設ける場合、記録層の膜厚が薄い領域においても十分なコントラストを得ることができ、その結果高いＳ／Ｎ比を得ることができるので有利である。　このような反射層を設ける場合には、記録層の膜厚は反射層の材料および膜厚によって左右されるが、一般に２０〜１０００Åの範囲が好ましい。　反射層に用いることのできる材料としては、情報読み出しビ−ムに対して高い吸収係数を有する物質が好ましく、このようなものとしては、例えばＡｌ,Ｔｉ,Ｃｒ,Ｃｏ,Ｎｉ,Ｓｅ,Ｇｅ,Ｚｒ,Ａｇ,Ｉｎ,Ｓｎ,Ｓｂ,Ｔｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉなどの金属、あるいはそれらの合金を挙げることができる。」(第３頁右上欄７行〜左下欄１４行参照)こと、
　（1-iii）「記録層あるいは情報担体層の少なくとも上又は下に金属化合物から成る層を設けるのが、特性の経時的な劣化を防ぐ意味で好ましい。」(第３頁右下欄第６〜９行参照)こと、
　（1-iv）「本発明に用いる金属化合物としては、Ａｌ,Ｃｒ,Ｓｉ,Ｚｒ,Ｔｉ,Ｇｅ,Ｓｅ,Ｔｅ,Ｖ，Ｈｆ,Ｌａ,Ｓｍ,Ｙ,Ｔａ,Ｍｏの中から選ばれた元素の酸化物若しくは窒化物が好ましく、この中でも特にＳｉの酸化物若しくは窒化物が好ましい。」(第３頁右下欄第１５〜１９行参照)ことが記載され、
　（1-v）第１３図には、基板上に金属化合物層を介して記録層、反射層を順に設けた情報記録媒体の構造が示され、更に、実施例１０〜１２には該構造を有する情報記録媒体を得たことが示されていて、
　（1-vi）実施例１２として、「実施例１２　　実施例５と同様のアクリル基板上に、電子ビーム蒸着法によって、ＳｉＯ２膜を５００Åの厚さで形成させたのち、Ｓｂ，Ｔｅを電子ビーム法、Ｇｅを抵抗加熱法により３元共蒸着させて、Ｓｂ０．２Ｔｅ０．４５Ｇｅ０．３５の組成比の膜を４００Å形成させ、さらにこの上に、電子ビーム蒸着法により、Ｓｂを３００Å、ＳｉＯ２を５００Åの厚さでそれぞれ形成させた。　　このサンプルを、実施例９と同様の方法で評価したところ、ＢＥＲは１×１０−６であった。　次に、このサンプルを６０℃、９０％ＲＨの環境下に２０日間放置したのち、以前に記録した信号のＢＥＲを調べたところ、１×１０−６でありまったく変化が認められなかった。」（第７頁右下欄１９行〜第８頁左上欄１２行参照）ことが記載されている。
　これらの記載からすると、引用例１には、「基板上にＳｉの窒化物や酸化物等の金属化合物層を介して設けられた記録層の光の吸収係数を熱的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行う情報記録媒体において、記録層上にＡｌ等の金属やそれらの合金の反射層を設け、且つ該誘電体層はＳｉＯ２を含むように設けられた情報記録媒体。」の発明が記載されているものと認める。
　
　同じく特開昭６２−１３７７４３号公報(以下、「引用例２」という。昭和６２年６月２０日出願公開)には、
　（2-i）「反射金属層を有する情報記録媒体において、上記反射金属層が、０.１重量%〜１０重量%のチタンを少くとも含むアルミニウム合金より成ることを特徴とする情報記徴体。」(第１頁左下欄特許請求の範囲参照)、
　（2-ii）「本発明は、書き込み、或いは読み出しにレ−ザ−光を用いるビデオディスク、コンパクトディスク等レ−ザ−ディスク、すなわち光学式ディスク、或いは光磁気ディスクのような各種ディスクに適用して好適な情報記録媒体に係わる。」(第１頁左下欄第１０〜１４行参照)こと、
　（2-iii）「本発明は、情報記録媒体の反射金属層をチタンＴｉを含むアルミニウムＡｌ合金層によって構成し、反射金属層の化学的、機械的安定性を向上させ、格段に経時変化が向上した情報記録媒体を提供する。」(第１頁左下欄第１６〜２０行参照)こと、
　（2-iv）「上述したＴｉを含むＡｌ合金より成る反射金属層(３)による情報記録媒体は、安定したすぐれた特性を有する。これは、Ｔｉを含むＡｌ合金より成る反射金属層(３)が耐蝕性にすぐれ、また結晶成長が生じにくいことに因る。　しかしながら、この反射金属層（３）において、Ｔｉが、０．１重量％未満では、上述した耐蝕性及び結晶成長の回避の効果が生じにくく、また１０重量%(注：Ａｌ１−ｘＴｉｘで示すと、ｘは０.０５９となる。)を超えると、Ｔｉの偏祈が生じ、光学的特性、すなわち均一で高い反射特性が得難くなってくることを認めたものであり、」(第２頁右上欄下から第６行〜左下欄４行参照)ことが記載され、
　（2-v）実施例３には、レ−ザ−光の照射により光透過率特性が変化する３層からななる記録層(第１の層Ｓｂ２Ｓｅ３ 、第２の層Ｂｉ２Ｔｅ３ 、第３の層Ｓｂ２Ｓｅ３)の上にＴｉの割合が３.０wt%のＡｌ−Ｔｉ合金(注：Ａｌ１−ｘＴｉｘで示すと、ｘは０.０１７となる。)及び５.０wt%のＡｌ−Ｔｉ合金(注：同じくｘは０.０２９となる。)からなる反射層を設けた情報記録媒体が示されている(第４図参照)。
　注：Ａｌ−Ｔｉ合金におけるＡｌ１−ｘＴｉｘのｘの計算方法
　　　Ａｌの原子量２６.９８≒２７，　Ｔｉの原子量４７.９０≒４８
　　　として、Ｔｉのwt%をＡとすると、
　　　　　　　　Ａ＝{４８ｘ／[２７(１−ｘ)+４８ｘ]}×１００
　　　　　故に、ｘ＝２７Ａ／(４８００−２１Ａ)
　　　ここに、Ａ＝３.０のときｘ≒０.０１７　、
　　　　　　　Ａ＝５.０のときｘ≒０.０２９　、
　　　　　　　Ａ＝１０．０のときｘ≒０．０５９
　
ＩＩＩ．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１の「Ｓｉの窒化物や酸化物等の金属化合物層」及び「記録層の光の吸収係数を熱的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行う情報記録媒体」は、本願発明の「誘電体層」及び「記録層の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行う相変化記録媒体」に相当するから、両者は、「基板上に誘電体層を介して設けられた記録層の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行う相変化記録媒体において、記録層上に反射層を設け、且つ該誘電体層はＳｉＯ２を含むように設けられた相変化記録媒体。」である点で一致する。
　他方、（１）ＳｉＯ２を含む誘電体層に関して、本願発明では「干渉効果を高めるように」設けられているのに対して、引用例１に記載の発明ではそのような効果で特定していない点で形式的に相違し、そして、（２）反射層の材質に関して、本願発明ではＡｌ１−ｘＭｘ（Ｍは、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、V、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種の元素、ｘは０.０１〜０.０５の数）によって形成されたものであるとしているのに対して、引用例１に記載の発明にはＡｌ等の金属やそれらの合金が開示されているものの、その合金組成について言及されていない点で相違している。
　
ＩＶ．相違点についての当審の判断
  （１）の相違点について検討する。
  引用例１には、ＳｉＯ２を含むことによって、干渉効果を高めるように設けられているとは記載されていないけれども、引用例１に記載の発明では、本願発明で特定するＳｉＯ２との同一の誘電体層を設けるのであるから、その生じる作用効果に相違が生じるはずもなく、また、本願発明では「干渉効果をさらに強める為記録層の基板側に接して高屈折率の誘電体を設ける。・・・・誘電体として例えば、ＺｎＳ，Ｔａ２Ｏ５，ＳｉＯ２ ・・等が用いられる。」（本願明細書段落【０００６】）と説明されているだけであり、格別に干渉効果を高めるための条件すら記載していないことを勘案すれば、誘電体層としてＳｉＯ２を含ませれば足りるものというしかないので、（１）の形式的な相違点である「干渉効果を高めるように」と記載することによって実質的な相違があるというべきではない。
　（２）の相違点について検討する。
　引用例２には、引用例１に記載の記録媒体と同様のレ−ザ−光を照射することによって熱的変化により光透過率特性が変化する記録層を有する書き込み型情報記録媒体などの記録媒体の反射層を形成する材料として、本願発明と同じ範囲でＴｉを含有するＡｌ合金が化学的、機械的特性において優れたものであり、しかも均一で高い反射の特性を有する旨が記載されているし、Ｔｉが１０重量％を越えると均一で高い反射特性が得られなくなる旨も記載されている。
　そして、引用例１記載の記録媒体においても反射層として化学的、機械的特性に優れたものを用いることは当然考慮されることであり、反射層としてはコントラストの点で高反射率が好ましいことは周知のこと(該点は、本願明細書中にも記載がある。段落【０００２】〜【０００３】参照)であり、しかも、引用例１には反射層に用いることのできる材料としてＡｌやＴｉなどや又はその合金の使用が示唆されていることを考慮すると、引用例１記載の記録媒体の反射層の材質として、引用例２に記載の化学的、機械的特性に優れ均一で高い反射率特性が得られるＴｉの割合が３.０wt%及び５.０wt%のＡｌ−Ｔｉ合金を採用することは、当業者であれば容易に想起することと認められる。
　そして、本願発明の感度及びコントラストに関する効果は引用例１の反射層に引用例２に記載のＡｌ−Ｔｉ合金を使用することによって付随する効果であって、該効果をもって進歩性があるとすることはできない。　　なお、そもそも、Ａｌ−Ｔｉ合金の組成のｘ＝０．０１〜０．０５との数値限定は、本願当初明細書に記載はなく、当初記載の０．０１〜０．１５の範囲を単に減縮したにすぎないところ、唯一の実施例として示されたＡｌ−Ｔａの例（図１）をもってしては、合金組成が異なるＡｌ−Ｔｉにまで、その減縮した数値限定に格別の臨界的意義が明らかであったとは認められない。
　なお、審判請求理由において、引用例２は相変化記録媒体に関するものではない旨（審査段階の意見書によれば、結晶相が変化する効果を利用したものではない旨）を請求人は主張しているけれども、引用例２記載の反射層は各種光学ディスクに用いられ反射層について言及されているものであって、一実施例（実施例３）の記録材料に限定されるいわれもないし、周知の（結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることにより記録を行う）相変化記録媒体を特に除外するものではなく、また除外すべき理由もないから、引用例の実施例３の記録材料について結晶状態の熱的変化によるのか否かについて検討したころで、上記容易性の判断を左右するものではない。
　
Ｖ．まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。