【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を駆動する画素と、
前記画素に接続した複数の信号線と、
前記信号線にそれぞれ対応したトランジスタ及び容量素子と、
前記トランジスタを介して前記信号線と接続し、前記信号線の電圧値または電流値を取り出す検査線とを有し、
前記容量素子は、保持する電荷によって前記トランジスタを制御するものであり、
前記トランジスタは前記検査線と前記信号線との導通、非導通の状態を選択するものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
発光素子を駆動する画素と、
前記画素に接続した複数の信号線と、
前記信号線にそれぞれ対応した第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子と、
前記第１のトランジスタを介して前記信号線と接続し、前記信号線の電圧値または電流値を取り出す検査線と、検査信号線と、容量線とを有し、
前記第１のトランジスタの第２の電極は前記信号線に接続し、前記第１のトランジスタの第１の電極は前記検査線に接続し、
前記第２のトランジスタの第２の電極は前記信号線に接続し、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記第１のトランジスタのゲートと前記容量素子の第２の電極とに接続し、前記第２のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、
前記容量素子の第１の電極は前記容量線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
発光素子を駆動する画素と、
前記画素に接続した複数の信号線と、
前記信号線にそれぞれ対応した第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び容量素子と、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを介して前記信号線と接続し、前記信号線の電圧値または電流値を取り出す検査線と、検査信号線と、容量線とを有し、
前記第１のトランジスタの第２の電極は前記信号線に接続し、前記第１のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、
前記第２のトランジスタの第２の電極は前記第１のトランジスタの第１の電極に接続し、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記検査線に接続し、
前記第３のトランジスタの第２の電極は前記信号線に接続し、前記第３のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、前記第３のトランジスタの第１の電極は前記第２のトランジスタのゲートと前記容量素子の第２の電極とに接続し、
前記容量素子の第１の電極は前記容量線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
発光素子を駆動する画素と、
前記画素に接続した複数の信号線と、前記信号線に接続した信号線駆動回路と、前記信号線駆動回路に接続した少なくとも１本のビデオ配線と、
前記ビデオ配線にそれぞれ対応したトランジスタ及び容量素子と、
前記トランジスタを介して前記ビデオ配線と接続し、前記ビデオ配線の電圧値または電流値を取り出す検査線とを有し、
前記容量素子は、保持する電荷によって前記トランジスタを制御するものであり、
前記トランジスタは前記検査線と前記ビデオ配線との導通、非導通の状態を選択するものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
発光素子を駆動する画素と、
前記画素に接続した複数の信号線と、前記信号線に接続した信号線駆動回路と、前記信号線駆動回路に接続した少なくとも１本のビデオ配線と、
前記ビデオ配線にそれぞれ対応した第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子と、
前記第１のトランジスタを介して前記ビデオ配線と接続し、前記ビデオ配線の電圧値または電流値を取り出す検査線と、検査信号線と、容量線とを有し、
前記第１のトランジスタの第２の電極は前記ビデオ配線に接続し、前記第１のトランジスタの第１の電極は前記検査線に接続し、
前記第２のトランジスタの第２の電極は前記ビデオ配線に接続し、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記第１のトランジスタのゲートと前記容量素子の第２の電極とに接続し、前記第２のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、
前記容量素子の第１の電極は前記容量線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
発光素子を駆動する画素と、
前記画素に接続した複数の信号線と、前記信号線に接続した信号線駆動回路と、前記信号線駆動回路に接続した少なくとも１本のビデオ配線と、
前記ビデオ配線にそれぞれ対応した第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び容量素子と、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを介して前記ビデオ配線と接続し、前記ビデオ配線の電圧値または電流値を取り出す検査線と、検査信号線と、容量線とを有し、
前記第１のトランジスタの第２の電極は前記ビデオ配線に接続し、前記第１のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、
前記第２のトランジスタの第２の電極は前記第１のトランジスタの第１の電極に接続し、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記検査線に接続し、
前記第３のトランジスタの第２の電極は前記ビデオ配線に接続し、前記第３のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、前記第３のトランジスタの第１の電極は前記第２のトランジスタのゲートと前記容量素子の第２の電極とに接続し、
前記容量素子の第１の電極は前記容量線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体集積回路の内部バス配線毎にそれぞれトランジスタ及び容量素子を有し、
前記トランジスタを介して前記内部バス配線と接続し、前記内部バス配線の電圧値または電流値を取り出す検査線とを有し、
前記容量素子は、保持する電荷によって前記トランジスタを制御するものであり、
前記トランジスタは前記検査線と前記内部バス配線との導通、非導通の状態を選択するものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体集積回路の内部バス配線毎にそれぞれ第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子を有し、
前記第１のトランジスタを介して前記内部バス配線と接続し、前記内部バス配線の電圧値または電流値を取り出す検査線と、検査信号線と、容量線とを有し、
前記第１のトランジスタの第２の電極は前記内部バス配線に接続し、前記第１のトランジスタの第１の電極は前記検査線に接続し、
前記第２のトランジスタの第２の電極は前記内部バス配線に接続し、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記第１のトランジスタのゲートと前記容量素子の第２の電極とに接続し、前記第２のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、
前記容量素子の第１の電極は前記容量線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体集積回路の内部バス配線毎にそれぞれ第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び容量素子を有し、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを介して前記内部バス配線と接続し、前記内部バス配線の電圧値または電流値を取り出す検査線と、検査信号線と、容量線とを有し、
前記第１のトランジスタの第２の電極は前記内部バス配線に接続し、前記第１のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、
前記第２のトランジスタの第２の電極は前記第１のトランジスタの第１の電極に接続し、前記第２のトランジスタの第１の電極は前記検査線に接続し、
前記第３のトランジスタの第２の電極は前記内部バス配線に接続し、前記第３のトランジスタのゲートは前記検査信号線に接続し、前記第３のトランジスタの第１の電極は前記第２のトランジスタのゲートと前記容量素子の第２の電極とに接続し、
前記容量素子の第１の電極は前記容量線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項３、請求項６、請求項９のいずれか一項において、第１のトランジスタと第２のトランジスタが同一の導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項３、請求項６、請求項９又は請求項１０のいずれか一項において、第１のトランジスタと第３のトランジスタが異なる導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１、請求項４、請求項７のいずれか一項において、前記トランジスタに代えてアナログスイッチを用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１、請求項４、請求項７のいずれか一項において、前記トランジスタは、薄膜トランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、バイポーラトランジスタ、分子トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項２、請求項５、請求項８のいずれか一項において、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタに代えてアナログスイッチを用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項２、請求項５、請求項８のいずれか一項において、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタは、薄膜トランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、バイポーラトランジスタ、分子トランジスタのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項３、請求項６、請求項９のいずれか一項において、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、又は前記第３のトランジスタに代えてアナログスイッチを用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項３、請求項６、請求項９のいずれか一項において、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、又は前記第３のトランジスタは、薄膜トランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、バイポーラトランジスタ、分子トランジスタのいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の半導体装置を用いた電子機器。