【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶素子、および半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は、金属元素を１×１０１６／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で含み、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記多結晶半導体膜の表面および前記多結晶半導体膜を構成する結晶粒の粒界は平坦であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は、金属元素を１×１０１６／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で含み、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記多結晶半導体膜の表面および前記多結晶半導体膜を構成する結晶粒の粒界は平坦であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は、金属元素を１×１０１６／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で含み、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、Ｐ−Ｖ値０．１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は、金属元素を１×１０１６／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で含み、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、Ｐ−Ｖ値０．１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は、金属元素を１×１０１６／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で含み、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、ｒｍｓ値０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は、金属元素を１×１０１６／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で含み、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、ｒｍｓ値０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は金属元素を添加して加熱処理を行った多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記多結晶半導体膜を構成する結晶粒の粒界は平坦であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は金属元素を添加して加熱処理を行った多結晶半導体膜であり、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記多結晶半導体膜を構成する結晶粒の粒界は平坦であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は金属元素を添加して加熱処理を行った多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、Ｐ−Ｖ値０．１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は金属元素を添加して加熱処理を行った多結晶半導体膜であり、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、Ｐ−Ｖ値０．１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は金属元素を添加して加熱処理を行った多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、ｒｍｓ値０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前記半導体活性層は金属元素を添加して加熱処理を行った多結晶半導体膜であり、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、ｒｍｓ値０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１４】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前期半導体記憶素子のチャネル長は０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記多結晶半導体膜を構成する結晶粒の粒界は平坦であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１５】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前期半導体記憶素子のチャネル長は０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記多結晶半導体膜を構成する結晶粒の粒界は平坦であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１６】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前期半導体記憶素子のチャネル長は０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、Ｐ−Ｖ値０．１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前期半導体記憶素子のチャネル長は０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、Ｐ−Ｖ値０．１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１８】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前期半導体記憶素子のチャネル長は０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、
前記チャネル領域は、レーザー光を照射する際に少なくとも同一チャネル領域において連続的に走査することによって結晶化された多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、ｒｍｓ値０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１９】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル領域と一導電型不純物領域からなる半導体活性層、第１ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第２ゲート絶縁膜、及び制御ゲート電極を有し、
前期半導体記憶素子のチャネル長は０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、
前記半導体活性層は同一方向に延在する複数の結晶粒が集合してなる多結晶半導体膜であり、
前記チャネル領域の表面粗さは、ｒｍｓ値０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の半導体記憶素子がマトリクス状に配置されてなるメモリセルアレイを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の半導体記憶素子がマトリクス状に配置されてなるメモリセルアレイが、プラスチック基板上もしくはセラミック基板上に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の半導体記憶素子がマトリクス状に配置されてなるメモリセルアレイを有する不揮発性メモリが積層されてなるＩＣチップを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項に記載の半導体記憶素子は、前記基板上に形成された後に剥離され、第２の基板上に貼り合わされていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２４】
請求項２０乃至請求項２３のいずれか１項に記載の前記半導体記憶装置を有することを特徴とするゲーム機、ビデオカメラ、頭部取り付け型のディスプレイ、ＤＶＤプレーヤー、パーソナルコンピュータ、携帯電話、カーオーディオ、デジタルカメラ、テレビ受像器、および携帯情報端末。