【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の島状の半導体膜と、前記第１の島状の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極とを有する第１のｎチャネル型ＴＦＴと、
第２の島状の半導体膜と、前記第２の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極とを有する第２のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＮＭＯＳ回路と、
第３の島状の半導体膜と、前記第３の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極とを有するｐチャネル型ＴＦＴと、
第４の島状の半導体膜と、前記第４の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第４のゲート電極とを有する第３のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＣＭＯＳ回路とを有し、
前記第１の島状の半導体膜は、チャネル形成領域とソース領域との間、又はチャネル形成領域とドレイン領域との間の一方にのみに第１の低濃度不純物領域を有し、
前記第２の島状の半導体膜は、前記第２のゲート電極の下部にのみに第２の低濃度不純物領域を有し、
前記第４の島状の半導体膜は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように第３の低濃度不純物領域を有し、
前記第１乃至第３の低濃度不純物領域の上面は、当該低濃度不純物領域の下面よりも面積が狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の島状の半導体膜と、前記第１の島状の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極とを有する第１のｎチャネル型ＴＦＴと、
第２の島状の半導体膜と、前記第２の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極とを有する第２のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＮＭＯＳ回路と、
第３の島状の半導体膜と、前記第３の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極とを有するｐチャネル型ＴＦＴと、
第４の島状の半導体膜と、前記第４の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第４のゲート電極とを有する第３のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＣＭＯＳ回路とを有し、
前記第１の島状の半導体膜は、チャネル形成領域とソース領域との間、又はチャネル形成領域とドレイン領域との間の一方にのみに第１の低濃度不純物領域を有し、
前記第２の島状の半導体膜は、前記第２のゲート電極の下部にのみに第２の低濃度不純物領域を有し、
前記第４の島状の半導体膜は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように第３の低濃度不純物領域を有し、
前記第１乃至第３の低濃度不純物領域の上面は、当該低濃度不純物領域の下面よりも幅が狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の島状の半導体膜と、前記第１の島状の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極とを有する第１のｎチャネル型ＴＦＴと、
第２の島状の半導体膜と、前記第２の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極とを有する第２のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＮＭＯＳ回路と、
第３の島状の半導体膜と、前記第３の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極とを有するｐチャネル型ＴＦＴと、
第４の島状の半導体膜と、前記第４の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第４のゲート電極とを有する第３のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＣＭＯＳ回路とを有し、
前記第１の島状の半導体膜は、チャネル形成領域とソース領域との間、又はチャネル形成領域とドレイン領域との間の一方にのみに第１の低濃度不純物領域を有し、
前記第２の島状の半導体膜は、前記第２のゲート電極の下部にのみに第２の低濃度不純物領域を有し、
前記第４の島状の半導体膜は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように第３の低濃度不純物領域を有し、
前記第１乃至第３の低濃度不純物領域の上面は、当該低濃度不純物領域の下面よりも面積が広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の島状の半導体膜と、前記第１の島状の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極とを有する第１のｎチャネル型ＴＦＴと、
第２の島状の半導体膜と、前記第２の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極とを有する第２のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＮＭＯＳ回路と、
第３の島状の半導体膜と、前記第３の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極とを有するｐチャネル型ＴＦＴと、
第４の島状の半導体膜と、前記第４の島状の半導体膜を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第４のゲート電極とを有する第３のｎチャネル型ＴＦＴと、を有するＣＭＯＳ回路とを有し、
前記第１の島状の半導体膜は、チャネル形成領域とソース領域との間、又はチャネル形成領域とドレイン領域との間の一方にのみに第１の低濃度不純物領域を有し、
前記第２の島状の半導体膜は、前記第２のゲート電極の下部にのみに第２の低濃度不純物領域を有し、
前記第４の島状の半導体膜は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように第３の低濃度不純物領域を有し、
前記第１乃至第３の低濃度不純物領域の上面は、当該低濃度不純物領域の下面よりも幅が広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載された半導体装置は、液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載された半導体装置は、発光装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載された半導体装置は、中央処理部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載された半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面上に第１乃至第４の島状の半導体膜を形成し、
前記第１乃至第４の島状の半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記第１乃至第４の島状の半導体膜上に第１乃至第４のゲート電極を形成し、
前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜にｎ型を付与する不純物元素を添加して前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜のそれぞれにソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記第１、第２及び第４のゲート電極及び前記第１のゲート電極の一部並びに前記第１の島状の半導体膜の一部上に設けられたレジストとをマスクとして前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜にｎ型を付与する不純物元素を、前記第１乃至前記第４の島状の半導体膜表面に対して３０°〜６０°の角度から添加して前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜のそれぞれに第１乃至第３の低濃度不純物領域を形成し、
前記第３のゲート電極をマスクとして前記第３の島状の半導体膜にｐ型を付与する不純物元素を添加して前記第３の島状の半導体膜にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の低濃度不純物領域は、前記レジストのマスクにより、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間、又は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間の一方にのみ形成され、
前記第２の低濃度不純物領域は、前記第２のゲート電極の下部にのみ形成され、
前記第３の低濃度不純物領域は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に第１乃至第４の島状の半導体膜を形成し、
前記第１乃至第４の島状の半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記第１乃至第４の島状の半導体膜上に第１乃至第４のゲート電極を形成し、
前記第１、第２及び第４のゲート電極及び前記第１のゲート電極の一部並びに前記第１の島状の半導体膜の一部上に設けられたレジストとをマスクとして前記第１の島状の半導体膜のソース領域、ドレイン領域の一部及び第１の低濃度不純物領域となる領域と、前記第２及び第４の島状の半導体膜のソース領域、ドレイン領域、及び第２並びに第３の低濃度不純物領域となる領域にｎ型を付与する不純物元素を前記第１乃至前記第４の島状の半導体膜表面に対して３０°〜６０°の角度から添加し、
前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜にｎ型を付与する不純物元素を添加することによって、前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜のそれぞれに、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域及び第１乃至第３の低濃度不純物領域を形成し、
前記第３のゲート電極をマスクとして前記第３の島状の半導体膜にｐ型を付与する不純物元素を添加して前記第３の島状の半導体膜にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の低濃度不純物領域は、前記レジストのマスクにより、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間、又は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間の一方にのみ形成され、
前記第２の低濃度不純物領域は、前記第２のゲート電極の下部にのみ形成され、
前記第３の低濃度不純物領域は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に第１乃至第４の島状の半導体膜を形成し、
前記第１乃至第４の島状の半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記第１乃至第４の島状の半導体膜上に第１乃至第４のゲート電極を形成し、
前記第３のゲート電極をマスクとして前記第３の島状の半導体膜にｐ型を付与する不純物元素を添加して前記第３の島状の半導体膜にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記第１、第２及び第４のゲート電極及び前記第１のゲート電極の一部並びに前記第１の島状の半導体膜の一部上に設けられたレジストとをマスクとして前記第１の島状の半導体膜のソース領域、ドレイン領域の一部及び第１の低濃度不純物領域となる領域と、前記第２及び第４の島状の半導体膜のソース領域、ドレイン領域及び、第２並びに第３の低濃度不純物領域となる領域にｎ型を付与する不純物元素を前記第１乃至前記第４の島状の半導体膜表面に対して３０°〜６０°の角度から添加し、
前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜にｎ型を付与する不純物元素を添加することによって、前記第１、第２及び第４の島状の半導体膜のそれぞれにチャネル形成領域、第１乃至第３の低濃度不純物領域、ソース領域及びドレイン領域を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の低濃度不純物領域は、前記レジストのマスクにより、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間、又は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間の一方にのみ形成され、
前記第２の低濃度不純物領域は、前記第２のゲート電極の下部にのみ形成され、
前記第４の低濃度不純物領域は、前記第４のゲート電極の一部と重なるように形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記島状の半導体膜は、絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加し、
加熱処理又はレーザ照射により前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜をパターニングすることによって形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記金属元素を前記島状の半導体膜のソース領域又はドレイン領域へゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記ゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減するために加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３において、前記ゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減するために前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。