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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調された光束を射出する光源と、前記光源からの光束を集光するための集光光学系と、前記光源からの光束を二次元面内に走査する前記集光光学系内に設置される走査手段と、前記走査手段によって前記光束が走査されることで画像が再現される拡散機能を有する被走査面と、前記被走査面を観察者が観察するための接眼光学系とを有する走査型画像表示装置において、前記被走査面が前記接眼光学系に対して移動可能であり、かつ当該被走査面の移動に連動して前記光源と前記集光光学系のいずれか一方、又は両方を移動する機構を有することを特徴とする走査型画像表示装置。
【請求項２】
変調された光束を射出する光源と、前記光源からの光束を集光するための集光光学系と、前記光源からの光束を二次元面内に走査する前記集光光学系内に設置される走査手段と、前記走査手段によって前記光束が走査されることで画像が再現される拡散機能を有する被走査面と、前記被走査面を観察者が観察するための接眼光学系とを有する走査型画像表示装置において、観察者の視度に合わせた表示を可能とする視度調節機能を有することを特徴とする走査型画像表示装置。
【請求項３】
前記視度調節機能は前記被走査面を前記接眼光学系に対して移動し、かつ当該被走査面の移動に連動して前記光源と前記集光光学系のいずれか一方、又は両方を移動することでなされることを特徴とする請求項２に記載の走査型画像表示装置。
【請求項４】
前記被走査面の移動と連動する前記光源と前記集光光学系のいずれか一方、又は両方の移動は、当該被走査面と当該光源が当該集光光学系について共役な位置関係を保つように行われることを特徴とする請求項１又は３に記載の走査型画像表示装置。
【請求項５】
前記被走査面は透過型の拡散板であることを特徴とする請求項１乃至４に記載の走査型画像表示装置。
【請求項６】
前記被走査面は反射型の拡散板であることを特徴とする請求項１乃至４に記載の走査型画像表示装置。
【請求項７】
前記走査手段は光束を反射する反射面を有し、当該反射面を動作させることで反射光を走査することを特徴とする請求項１乃至６に記載の走査型画像表示装置。
【請求項８】
前記走査手段は半導体プロセスを用いて製作された走査手段であることを特徴とする請求項７に記載の走査型画像表示装置。
【請求項９】
前記集光光学系と接眼光学系は少なくても一つの光学素子を共有し、当該共有される光学素子は反射作用および透過作用を有することにより前記被走査面に入射する光束と射出する光束の光路を分離することを特徴とする請求項１乃至８に記載の走査型画像表示装置。
【請求項１０】
観察者の頭部に装着され、前記接眼光学系は前記被走査面に再現された画像を虚像として観察者に提示することを特徴とする請求項１乃至９に記載の走査型画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る走査型画像表示装置は、変調された光束を射出する光源と、前記光源からの光束を集光するための集光光学系と、前記光源からの光束を二次元面内に走査する前記集光光学系内に設置される走査手段と、前記走査手段によって前記光束が走査されることで画像が再現される拡散機能を有する被走査面と、前記被走査面を観察者が観察するための接眼光学系とを有する走査型画像表示装置であって、前記被走査面が前記接眼光学系に対して移動可能であり、かつ当該被走査面の移動に連動して前記光源と前記集光光学系のいずれか一方、又は両方を移動する機構を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に形成された陰極母線及び該陰極母線に電気的に接続される炭素系材料からなる電界放出冷陰極を有すると共に、前記電界放出冷陰極から離間して配設されるゲート電極を有する冷陰極装置の作製方法において、
前記基板上に前記陰極母線を被着する工程と、絶縁層を介在して前記陰極母線に交差する前記ゲート電極を被着する工程と、前記陰極母線と前記ゲート電極とが交差する領域に前記陰極母線から前記ゲート電極を貫通する陰極孔を形成する工程と、前記ゲート電極の形成後に前記陰極孔内の前記陰極母線表面から伸びる炭素系材料による１つ又は複数の突起からなる電界放出冷陰極を形成する工程とを備えることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項２】  基板上に形成された陰極母線及び該陰極母線に電気的に接続される炭素系材料からなる電界放出冷陰極を有すると共に、前記電界放出冷陰極から離間して配設されるゲート電極を有する冷陰極装置の作製方法において、
前記基板上に前記陰極母線を形成する工程と、絶縁層を介在して前記陰極母線に交差する前記ゲート電極を形成する工程と、前記陰極母線と前記ゲート電極とが交差する領域に前記陰極母線から前記ゲート電極を貫通する陰極孔を形成する工程と、前記陰極母線と前記ゲート電極間に所定のバイアス電圧を印加し、前記陰極孔内の前記陰極母線表面から伸びる炭素系材料による１つ又は複数の突起からなる電界放出冷陰極を、その形成される領域を選択して形成する工程とを備えることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項３】  請求項１もしくは２に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記電界放出冷陰極は、エピタキシャル成長により形成されることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項４】  請求項３に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記電界放出冷陰極は、化学的気相堆積法により形成されることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項５】  請求項２乃至４の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記陰極母線と前記ゲート電極間に印加するバイアス電圧を制御し、前記炭素系材料による突起の堆積速度と堆積量とを調節することを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項６】  請求項１乃至５の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記基板を加熱あるいは冷却して、前記炭素系材料による突起の堆積速度と堆積量とを調節することを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項７】  請求項１乃至６の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記冷陰極と前記ゲート電極間に第１の電圧を印加すると共に、前記陰極孔の前面に配置された電極と前記冷陰極間に第２の電圧を印加して、前記炭素系材料による突起からの放出電流を計測し、前記炭素系材料による突起の形成を制御することを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項８】  請求項７に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記放出電流の計測と、前記炭素系材料による突起の形成とを交互に行うことを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項９】  請求項１乃至８の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記絶縁膜は、ペースト材料あるいはＳＯＩの厚膜絶縁層によって形成されていることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項１０】  請求項１乃至８の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記絶縁膜は、ＰＳＧ等のリフローガラス及びリフロー技術によって形成されていることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項１１】  請求項９もしくは１０に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記ゲート電極線は、絶縁膜を介した行方向と列方向との少なくとも２組の母線によって形成されると共に、前記行方向のゲート電極線と列方向のゲート電極線とのそれぞれに所定の電圧を印加し、前記行方向のゲート電極線領域と前記列方向のゲート電極線領域とが交差する領域の陰極孔に堆積される炭素系材料による突起の生成を制御することを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項１２】  請求項１１に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記行方向のゲート電極線と前記列方向のゲート電極線とが直交するように形成されることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項１３】  請求項９乃至１２の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記行方向のゲート電極線と前記列方向のゲート電極線との間に形成される絶縁膜は、ＳＯＩの最上層のシリコン層を熱酸化して形成されることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項１４】  請求項９乃至１２の内の何れか１項に記載の冷陰極装置の作製方法において、
前記行方向のゲート電極線と前記列方向のゲート電極線との間に形成される絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜からなることを特徴とする冷陰極装置の作製方法。
【請求項１５】  炭素系材料からなる電界放出冷陰極と、該電界放出冷陰極に電気的に接続される陰極母線と、前記電界放出冷陰極から離間して配設されるゲート電極とを有する冷陰極装置において、
前記ゲート電極は絶縁層を介して前記陰極母線と交差するように形成されると共に、前記ゲート電極から前記陰極母線に至る陰極孔内に前記電界放出冷陰極が形成され、前記絶縁層が厚膜により形成されていることを特徴とする冷陰極装置。
【請求項１６】  請求項１５に記載の冷陰極装置において、
前記絶縁層は、ペースト材料もしくはＳＯＩの厚膜あるいはリフローガラスによって形成されていることを特徴とする冷陰極装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月17日(2006.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  底面および上面のそれぞれに電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子の底面側に位置する金属ブロックと、
前記半導体素子の底面電極と前記金属ブロックとの間に接して配置された、導電性を有する素子固着層と、
前記半導体素子の底面電極と導通する底面電極側リードと、
前記半導体素子の上面電極と導通する上面電極側リードと、
前記金属ブロックと、前記半導体素子とを覆い、さらに前記底面電極側リードおよび前記上面電極側リードを突き出させて封止する封止樹脂とを備える、半導体装置。
【請求項２】  底面および上面のそれぞれに電極を有する複数の半導体素子と、
前記半導体素子の底面側に位置する複数の金属ブロックと、
前記半導体素子の底面電極と前記金属ブロックとの間に接して配置された、導電性を有する複数の素子固着層と、
前記半導体素子の底面電極と導通する複数の底面電極側リードと、
前記半導体素子の上面電極と導通する複数の上面電極側リードと、
前記金属ブロックと前記半導体素子とを覆い、さらに前記底面電極側リードおよび前記上面電極側リードを突き出させて封止する封止樹脂とを備える半導体装置であって、
前記複数の底面電極側リードは、それぞれ少なくとも１つの半導体素子の底面電極と導通し、
前記複数の上面電極側リードは、それぞれ少なくとも１つの半導体素子の上面電極と導通し、
前記複数の金属ブロックは、それぞれ少なくとも１つの半導体素子の底面電極に前記素子固着層によって固着され、
前記複数の金属ブロックが互いに、前記封止樹脂を間に挟んで離れている、半導体装置。
【請求項３】  平面的に見て、前記金属ブロックの領域が前記半導体素子の領域より大きい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記底面電極側リードが、前記金属ブロックと導通することにより、前記半導体素子の底面電極と導通している、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】  前記底面電極側リードが、前記金属ブロックの表面で、前記素子固着層の近傍に配置された、導電性を有するリード固着部に接して前記金属ブロックに固着されることにより、前記金属ブロックと導通している、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  前記金属ブロックが、前記素子固着層と前記リード固着部との間に、溝および突起のうちの一方を有する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記素子固着層および前記リード固着部のうち、一方に導電性接着剤を、他方にろう材を用いた、請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】  前記底面電極側リードが、前記金属ブロックに溶接または超音波圧接されることにより、前記金属ブロックと導通している、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】  前記底面電極側リードが、前記素子固着層に接して固着されることにより、前記半導体素子の底面電極と導通している、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】  前記金属ブロックおよび前記底面電極側リードのうちの一方に突出部を、他方に前記突出部を嵌め入れる嵌入部を備え、前記突出部が前記嵌入部に嵌め入れられている、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】  前記底面電極側リードがダイパッド部を備える、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】  前記金属ブロックの底面を覆っている封止樹脂に代わって、別の種類の絶縁層が前記金属ブロックの底面を覆って露出している、請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】  前記底面電極側リードのうち、前記リード固着部と接する部分、前記素子固着部と接する部分および前記金属ブロックとの溶接部のうちのいずれかが金属ブロック側に突き出ている、請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上記本発明の半導体装置では、たとえば、底面電極側リードがダイパッド部を備えることができる（請求項１１）。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
上記本発明の半導体装置では、たとえば、金属ブロックの底面を覆っている封止樹脂に代わって、別の種類の絶縁層が金属ブロックの底面を覆い露出することができる（請求項１２）。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
上記本発明の半導体装置では、たとえば、底面電極側リードのうち、リード固着部と接する部分、素子固着部と接する部分および金属ブロックとの溶接部のうちのいずれかが金属ブロック側に突き出ることができる（請求項１３）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ディジタル集積回路（ＩＣ）における１以上の冗長な試験を排除し１以上の非効率的な試験を整理し直す方法であって、
ａ）一連の１以上の冗長な試験と１以上の非効率的な試験からなるＮ個の試験の各試験ごとに、Ｌ個の共有欠陥型を収集するステップと、
ｂ）一連の前記Ｎ個の試験の各試験を相関ベクトルとして表現し、一連の前記Ｎ個の試験をＮ個の前記相関ベクトルとして表現するステップと、
ｃ）前記Ｎ個の相関ベクトルのうち最も多くの非零成分を有する第１の相関ベクトルを見出し、ベクトルＷを前記第１の相関ベクトルの補数に初期化するステップと、
ｄ）残るＮ−１個の前記相関ベクトルを、それぞれの相関ベクトルの補数と前記ベクトルＷとの積を計算するステップと、
ｅ）前記ベクトル積を単位ベクトル上へ投影したときの投影長を計算するステップと、
ｆ）前記Ｎ−１個の相関ベクトルのうち前記投影長が最小となる前記相関ベクトルを抽出するステップと、
ｇ）前記ベクトルＷと前記投影長最小値を有する相関ベクトルの補数との積となるよう前記ベクトルＷを更新するステップと、
ｈ）前記単位ベクトル上へのベクトルの投影長が零となるまで、ｄ）からｇ）ステップを反復するステップと、
を含む方法。
【請求項２】前記投影長が最小となる相関ベクトルが、最適集合の相関ベクトルの一つとして保存される、請求項１記載の方法。
【請求項３】前記相関ベクトルが、２値Ｌ次元ベクトルを用いて表される、請求項１記載の方法。
【請求項４】２つのベクトルの乗算が、２つのベクトルの対応する成分の論理積演算から計算される成分をもつベクトルとして規定される、請求項１記載の方法。
【請求項５】前記各試験の実行時間が同一である、請求項１記載の方法。
【請求項６】Ｎ個の試験を実行する前に、失敗試験にて停止することなく一連の前記Ｎ個の試験を実行するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】２値化Ｌ次元ベクトルを用いたＬ次元欠陥型空間により前記Ｎ個の試験の各試験を表現することにより、前記Ｎ個の試験間の相関を分析するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】前記最適集合内からベクトルを抽出するステップが、残るベクトル中から単位ベクトル上への前記ベクトルＷの投影長の二乗の最小となるベクトルを割り出すステップをさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項９】前記最適集合からベクトルを抽出するステップが、零欠陥を表わすベクトル前記ベクトルＷ上へ零投影された残る全てのＮ個の相関ベクトルをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】前記Ｎ個のベクトルの投影長の大きいものから順に並べ替えて最適化集合を得るステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
タービン、例えばガスタービンにおいては、圧縮機セクションは、水平方向の中線にほぼ沿って互いに固定されて環状体を形成する２つの半円筒形の半部分で形成される静止した内側バレルを含む。内側バレルの後端部は、圧縮機の吐出ケーシングに固定され、該吐出ケーシングは、第１段ノズルを支持するノズルサポートリングを支持している。内側バレルは、一部において、バレル外側の高圧区域をバレル内側及びロータ周辺の低圧区域から隔離している。バレル両半部分は、水平方向中線において金属対金属接触面を有し、該接触面は、組立て後及び使用中の漏れを排除するために、高い公差に機械加工される。しかしながら、タービン作動中のクリープによる反りにより、内側バレルの上及び下半部分間のボルト止めされた水平方向の結合部に、約５から７ミルの隙間が残る可能性がある。その結果、内側バレルの両半部分間に漏れ経路が生じる可能性があり、また実際に生じる。
【特許文献１】米国特許第６１６２０１４号
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 長手方向に延びる前縁及び後縁（２４、２６）において互いに接合されかつ互いに間隔を置いて配置されて、ブリッジ（３６）によって分離された第１及び第２流路（３２、３４）を形成する、対向する正圧及び負圧側壁（２０、２２）と、前記ブリッジを貫通する入口孔（４６）の列と、前記側壁間の前記第２流路から前記後縁に向かって延びる出口孔（４８）の列と、前記正圧側壁（２０）に沿って前記第２流路（３４）内に配置され、かつ前記負圧側壁から間隔を置いたリブ（５０）の列と、を含み、該リブは、長手方向に細長くかつほぼ同一直線上にあり、かつ前記入口孔のそれぞれの孔に面しており、該リブに対して導かれる空気により該リブにおいて前記翼形部をクロスオーバインピンジメント冷却する、ことを特徴とするタービン翼形部（１２）。
【請求項２】 前記リブ（５０）の各々は、前記入口孔（４６）のそれぞれの孔と整合され、該孔から導かれる前記空気によりインピンジメント冷却されることを特徴とする、請求項１に記載の翼形部。
【請求項３】 前記リブ（５０）の各々は、前記入口孔（４６）のそれぞれの孔とほぼ垂直に前記第２流路（３４）内で長手方向に延びることを特徴とする、請求項２に記載の翼形部。
【請求項４】 前記入口孔（４６）は、前記ブリッジ（３６）を貫通して前記リブ（５０）に向かって傾斜しており、また前記出口孔（４８）は、前記正圧側壁（２０）を貫通して前記後縁に向かって同様に傾斜していることを特徴とする、請求項３に記載の翼形部。
【請求項５】 前記正圧側壁（２０）に沿って前記第２流路（３４）内に配置され、かつ前記負圧側壁（２２）から間隔を置いた第２リブ（５０ｂ）の列を更に含み、該第２リブは、長手方向に細長くかつほぼ同一直線上にあり、かつ前記第１リブ（５０ａ）を形成する前記他の列のリブから翼弦方向に間隔を置いて配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の翼形部。
【請求項６】 前記第２流路（３４）内に配置された前記リブ（５０ａ）の単一列を含むことを特徴とする、請求項３に記載の翼形部。
【請求項７】 前記負圧側壁（２２）に沿って前記第２流路（３４）内に配置され、かつ前記正圧側壁（２０）から間隔を置いた第２リブ（５０ｄ）の列を更に含み、該第２リブは、長手方向に細長くかつほぼ同一直線上にあり、かつ前記第１リブ（５０ａ）を形成する前記他の列のリブから翼弦方向に間隔を置いて配置され、前記第２流路（３４）は、前記後縁に向かって収束していることを特徴とする、請求項３に記載の翼形部。
【請求項８】 前記第２流路内で前記正圧側壁（２０）に沿って互いに翼弦方向に間隔を置いて配置されたリブ（５０ａ、ｂ、ｃ）の３つの列を更に含み、該列の各々は、長手方向に細長くかつほぼ同一直線上にあるリブを有することを特徴とする、請求項３に記載の翼形部。
【請求項９】 長手方向に延びる前縁及び後縁（２４、２６）において互いに接合されかつ互いに間隔を置いて配置されて、ブリッジ（３６）によって分離された第１及び第２流路（３２、３４）を形成する、対向する正圧及び負圧側壁（２０、２２）と、前記ブリッジを貫通する入口孔（４６）の列と、前記側壁間の前記第２流路から前記後縁に向かって延びる出口孔（４８）の列と、前記正圧側壁（２０）に沿って前記第２流路（３４）内に配置されかつ前記負圧側壁から間隔を置いた第１リブ（５０ａ）の列と、を含み、該第１リブは、長手方向に細長くかつほぼ同一直線上にあり、かつ前記入口孔のそれぞれの孔に面しており、該第１リブに対して導かれる空気により該第１リブにおいて前記翼形部をクロスオーバインピンジメント冷却し、第２リブ（５０ｂ）の列が、前記正圧側壁（２０）に沿って前記第２流路（３４）内に配置されかつ前記負圧側壁から間隔を置いており、前記第２リブは、長手方向に細長くかつほぼ同一直線上にあり、かつ前記第１リブ（５０ａ）の列から翼弦方向に間隔を置いて配置されている、ことを特徴とするタービン翼形部（１２）。
【請求項１０】 前記第１リブ（５０ａ）の各々は、前記入口孔（４６）のそれぞれの孔とほぼ垂直に前記第２流路（３４）内で長手方向に延び、前記第２リブ（５０ｂ）の各々は、前記第１リブ（５０ａ）の列とほぼ平行に前記第２流路（３４）内で長手方向に延びている、ことを特徴とする、請求項９に記載の翼形部。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 パイロット燃料ノズル（５４）及び複数のアキシァルスワーラ（６０）を備えるパイロットミキサ（４２）と、主スワーラ及び複数の燃料噴射ポート（９８）を備える主ミキサ（４４）と、それらの間で延びるセンタボデー（４３）とを有するミキサ組立体（４１）を含む燃焼器（１６）からのエミッション量を減少させるのを促進するように、ガスタービンエンジン（１０）を運転する方法であって、燃料が前記パイロットミキサのアキシァルスワーラから下流方向に吐出されるように、前記パイロットミキサを通して前記燃焼器中に燃料を噴射する段階と、前記センタボデーから延びるリップ部（１０８）を用いて前記パイロットミキサを流出する流れを前記パイロットミキサの下流のパイロット火炎域中に向ける段階と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記センタボデー（４３）は、発散部分、後部部分（１０６）、及びそれらの間で延びるリップ部（１０８）を含んでおり、前記パイロットミキサ（４２）を流出する流れを向ける前記段階は、前記センタボデーのリップ部を用いて前記パイロット火炎域中に流れを向ける段階を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記センタボデーのリップ部（１０８）を用いて前記パイロット火炎域中に流れを向ける前記段階は、前記センタボデーの半径方向内側表面（７４）に沿った付着物の形成を減少させるのを促進するように、前記リップ部を用いて流れを向ける段階を更に含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】 前記センタボデーのリップ部（１０８）を用いて前記パイロット火炎域中に流れを向ける前記段階は、前記パイロットミキサ（４２）を流出する流れを前記主ミキサ（４４）を流出する流れから隔離するのを促進するように、前記リップ部を用いて流れを向ける段階を更に含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】 ガスタービンエンジン（１０）用の燃焼器（１６）であって、空気スプリッタ（７０）、パイロット燃料ノズル（５４）、及び該パイロット燃料ノズルの上流に位置する複数のアキシァル空気スワーラ（６０）を含み、前記空気スプリッタが前記パイロット燃料ノズルの下流に位置し、前記空気スワーラが前記パイロット燃料ノズルの半径方向外側に位置しかつ該パイロット燃料ノズルに対して同心に取り付けられている、パイロットミキサ（４２）と、該パイロットミキサの半径方向外側に位置しかつ該パイロットミキサに対して同心に整合され、また複数の燃料噴射ポート（９８）と、コニカル空気スワーラ及びサイクロン空気スワーラのうちの少なくとも１つを備えかつ前記燃料噴射ポートの上流に位置しているスワーラとを含む、主ミキサ（４４）と、前記パイロットミキサと主ミキサとの間で延び、発散部分、後部部分（１０６）、及びそれらの間で外向きに延びるリップ部（１０８）を備える半径方向内側表面（７４）を含む環状のセンタボデー（４３）と、を含むことを特徴とする燃焼器（１６）。
【請求項６】 前記センタボデー内側表面のリップ部（１０８）は、流れを前記センタボデー内側表面からはく離させるように構成されていることを特徴とする、請求項５に記載の燃焼器（１６）。
【請求項７】 前記センタボデー内側表面のリップ部（１０８）は、前記センタボデーの半径方向内側表面に沿った付着物の形成を減少させるのを促進するように構成されていることを特徴とする、請求項６に記載の燃焼器（１６）。
【請求項８】 燃焼器からのエミッションを制御するように構成されている、ガスタービンエンジン（１０）の燃焼器（１６）用のミキサ組立体（４１）であって、パイロットミキサ（４２）と主ミキサ（４４）と環状のセンタボデー（４３）とを含み、前記パイロットミキサは、パイロット燃料ノズル（５４）、及び該パイロット燃料ノズルの上流にかつ半径方向外側に位置する複数のアキシァルスワーラ（６０）を含み、前記主ミキサは、前記パイロットミキサの半径方向外側にかつ該パイロットミキサに対して同心に位置し、また複数の燃料噴射ポート（９８）、及び該燃料噴射ポートの上流に位置するスワーラを含み、前記センタボデーは、前記主ミキサと前記パイロットミキサとの間で延び、かつ該パイロットミキサを流出する流れを該パイロットミキサの下流のパイロット火炎域中に向けるように構成されていることを特徴とするミキサ組立体（４１）。
【請求項９】 前記環状のセンタボデー（４３）は、発散部分、後部部分（１０６）、及びそれらの間で外向きに延びるリップ部（１０８）を備え、前記パイロットミキサ（４２）を流出する流れを前記主ミキサ（４４）を流出する流れから隔離するのを促進するように構成されている半径方向内側表面（７４）を含むことを特徴とする、請求項８に記載のミキサ組立体（４１）。
【請求項１０】 前記センタボデー内側表面のリップ部（１０８）は、前記センタボデーの半径方向内側表面に沿った付着物の形成を減少させるのを促進するように構成されていることを特徴とする、請求項９に記載のミキサ組立体（４１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
１つの最新式のリーン式ドーム燃焼器は、燃焼器の正面から見た場合に２つの環状のリングに見える、各燃料ノズル上の２つの半径方向に積み重ねられたミキサを含むので、複式環状燃焼器（ＤＡＣ）と呼ばれる。追加の列のミキサにより、異なる状態での運転に対する調整ができるようになっている。アイドリング時には、外側ミキサに燃料が供給されて、アイドリング状態で効率的に作動できるように設計されている。高出力運転時には、両方のミキサに燃料の大部分が供給され、空気が内側環状空間に供給されて、高出力運転時に最も効率的にしかもほとんどエミッションがない状態で作動できるように設計されている。これまでミキサは各ドームにより最適の作動になるように調整されてきたが、ドームの間の境界面が広い領域にわたってＣＯ反応を消炎し、そのことがこれらの設計におけるＣＯを類似のリッチ式ドーム単一環状燃焼器（ＳＡＣ）より多くすることになる。このような燃焼器は、低出力時のエミッションと高出力時のＮＯｘとの妥協の産物である。
【特許文献１】米国特許第６３８９８１５号
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
内側表面の個々のボスは製造原価を増大させる。１つの製造方法において、ケースの直径が普通の立てフライス盤の大きさと比べて小さいこともあって、複合フライス加工設定を用いなければならない。別の方法においては、電解加工、ＥＣＭが用いられる。
【特許文献１】米国特許第６４４９９５２号
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出発地点から目的地点までの設定ルートに基づいてルート案内を行うと共に、該ルート案内中にルートの再検索を行うリルート機能を備えたナビゲーション装置であって、
ユーザの操作に基づく地点を記録する地点記録手段を備え、
ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある記録地点から所定距離に自己位置が接近した場合に、新しいルートを検索するためのリルート機能を起動することを特徴とするナビゲーション装置。
【請求項２】
前記ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある前記記録地点を基点として前記新しいルートを検索することを特徴とする請求項１に記載のナビゲーション装置。
【請求項３】
出発地点から目的地点までの設定ルートに基づいてルート案内を行うと共に、該ルート案内中にルートの再検索を行うリルート機能を備えたナビゲーション装置であって、
ユーザの指定に基づく部分ルートを記録する部分ルート記録手段を備え、
ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある前記部分ルートから所定距離に自己位置が接近した場合に、新しいルートを検索するためのリルート機能を起動することを特徴とするナビゲーション装置。
【請求項４】
前記設定ルート上に前記部分ルートの端点がある場合、もしくは、前記設定ルートと前記部分ルートとが通行可能に交差している場合に、当該部分ルートを用いた新しいルートを検索するためのリルート機能を起動することを特徴とする請求項３に記載のナビゲーション装置。
【請求項５】
前記部分ルートを優先的に候補ルートとして前記新しいルートを検索することを特徴とする請求項３または４に記載のナビゲーション装置。
【請求項６】
前記部分ルート記録手段は、ユーザが表示手段に表示される地図上で指定した軌跡を前記部分ルートとして記録することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のナビゲーション装置。
【請求項７】
前記部分ルート記録手段は、ユーザが指定した特定区間における国道もしくはバイパスを前記部分ルートとして記録することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のナビゲーション装置。
【請求項８】
出発地点から目的地点までの設定ルートに基づいてルート案内を行うと共に、該ルート案内中にルートの再検索を行うナビゲーション装置におけるルート再検索方法であって、
ユーザの操作に基づく地点を記録手段に記録する工程と、
ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある記録地点から所定距離に自己位置が接近した場合に、新しいルートを検索する工程と、
を有することを特徴とするルート再検索方法。
【請求項９】
出発地点から目的地点までの設定ルートに基づいてルート案内を行うと共に、該ルート案内中にルートの再検索を行うナビゲーション装置におけるルート再検索方法であって、
ユーザの指定に基づく部分ルートを記録手段に記録する工程と、
ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある前記部分ルートから所定距離に自己位置が接近した場合に、新しいルートを検索する工程と、
を有することを特徴とするルート再検索方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のルート再検索方法を演算手段に実行させることを特徴とするルート再検索プログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のルート再検索プログラムが演算手段に読み取り可能に記録されたことを特徴とする記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、出発地点から目的地点までの設定ルートに基づいてルート案内を行うと共に、該ルート案内中にルートの再検索を行うリルート機能を備えたナビゲーション装置であって、ユーザの操作に基づく地点を記録する地点記録手段を備え、ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある記録地点から所定距離に自己位置が接近した場合に、新しいルートを検索するためのリルート機能を起動することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、出発地点から目的地点までの設定ルートに基づいてルート案内を行うと共に、該ルート案内中にルートの再検索を行うリルート機能を備えたナビゲーション装置であって、ユーザの指定に基づく部分ルートを記録する部分ルート記録手段を備え、ルート案内中の設定ルート上もしくはその近傍にある前記部分ルートから所定距離に自己位置が接近した場合に、新しいルートを検索するためのリルート機能を起動することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面を備えた感光性基板と、
前記基板の前記複数の表面の１つにおける少なくとも１つの入射ポート、及び前記複数の表面のもう１つにおける少なくとも１つの出射ポートと、
少なくとも２つの光ビームの光源と、及び
前記基板内の選択された交差線に前記光ビームを集束させるための手段とからなり、
前記交差線が、１つの入射ポートと１つの出射ポートとの間に描かれ、それによって、前記交差線に対応する導波路が前記感光性基板に形成される、光スイッチ。
【請求項２】
前記基板の複数の平面に、複数の前記入射ポートと複数の前記出射ポートが存在する、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項３】
前記光ビームの光源が、少なくとも１つのレーザである、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記光ビームの光源が、少なくとも１つのＬＥＤである、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記光ビームが、間隔をあけた位置から前記基板に集束させられる、請求項３に記載の光スイッチ。
【請求項６】
前記光ビームが、間隔をあけた位置から前記基板に集束させられる、請求項４に記載の光スイッチ。
【請求項７】
前記基板内の交差点に前記光ビームを方向付けるための、少なくとも一対のミラーをさらに含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項８】
前記感光性基板の屈折率が、波長の異なる２つの交差光ビームにさらされる場合に、単一光ビームにさらされる場合に比べて大きく変化する、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項９】
前記感光性基板の屈折率が、同じ波長の２つの交差光ビームにさらされる場合に、単一光ビームにさらされる場合に比べて大きく変化する、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項１０】
前記基板の前記導波路を消去するための手段をさらに含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項１１】
前記入射ポートと前記出射ポートに結合された光ファイバをさらに含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のチップを基板上に組み付ける方法であって、
拘束力を加えることにより前記基板を凸状の弧状に湾曲させ、
前記湾曲した基板に前記チップを配置し、
該チップの配置に続いて熱サイクルを行わせ、
前記熱サイクルが完了すると前記拘束力を解いて前記基板を均衡状態に戻す、
諸ステップから成ることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記チップの配置ステップは、前記チップを相互に当接するように配置することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記熱サイクルによって接着剤が硬化されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記接着剤の硬化によって、前記チップが前記基板に接着されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】  全幅のアレイを作るように複数のチップを基板上に組み付ける方法であって、
曲率半径を選択することと、
前記曲率半径を、凸状に拘束したプレートの第１面に適用することと、
前記基板の一方の面を、前記凸状に拘束したプレートの前記第１面に配置することと、
拘束力を前記基板の前記第１面と反対側の面に加えて前記基板を弧状にすることと、
前記チップを接着剤とともに前記湾曲した基板上に配置することと、
前記接着剤を硬化する熱サイクルを行わせることと、
前記拘束力を解いて前記基板を均衡状態に戻すこと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項６】  前記チップの配置ステップは、前記チップを相互に当接するように配置することを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記曲率半径は、該曲率半径が適用されない場合に比べて、前記均衡状態におけるチップとチップの間の隙間がより小さくなるように選択されていることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  複数のチップを基板上に組み付ける方法であって、
拘束力を加えることにより前記基板を第１の湾曲で弧状にすることと、
前記チップを前記湾曲した基板上に配置することと、
拘束力を加えることにより前記基板を第２の湾曲で弧状にすることと、
熱サイクルを行わせることと、
前記拘束力を解いて前記基板を均衡状態に戻すこと、
から成ることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月4日(2006.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のＬＥＤを配列したＬＥＤアレイチップを複数直列配置するＬＥＤアレイの製造方法において、
各ＬＥＤアレイチップの両端に位置するＬＥＤの電極を前記ＬＥＤ発光領域の中心から所定量だけチップ内側に偏らせるステップと、
各チップの両端において、前記所定量と実質的に同量のチップ材料を除去することによって、各ＬＥＤチップのサイズを低減するステップと、
ＬＥＤのピッチがほぼ２１．２μｍで均一となるようにギャップを介して２個以上直列配置するステップと、
を特徴とするプリントバー用のＬＥＤアレイの製造方法。
【請求項２】  複数のＬＥＤを配列したＬＥＤアレイチップをギャップを介して、複数直列配置したＬＥＤアレイを備えるプリントバーにおいて、
各ＬＥＤチップが、
発光中心が前記ＬＥＤの中央になるように配置された発光領域の上の電極とワイヤボンドパッドとそれらを接続する配線電極と
前記チップの両端のＬＥＤと、各端部に対応した電極と、
を備えており、
チップの両端のＬＥＤの電極は前記ＬＥＤ発光領域の中心から内側に偏らせられており、前記ＬＥＤからの発光中心が前記ＬＥＤ発光領域の中心よりチップの外縁に近づけられていることと、
前記アレイにおける各ＬＥＤチップ間のギャップにより、ＬＥＤの発光ピッチがほぼ２１．２μｍで均一であることと、
を特徴とするプリントバー。
【請求項３】  チップの間にギャップを介して、直列配置された複数のＬＥＤアレイチップと、
各ＬＥＤを関連回路に電気的に接続するとともに、各ＬＥＤからの発光の強度分布中心を形成するように設定されている各チップ上の各ＬＥＤと関連がある電極と、
各チップ上の一対の端部ＬＥＤと、
を備えるＬＥＤアレイにおいて、ほぼ２１．２μｍの均一なピッチを各チップ上の各ＬＥＤの間で維持するために、各端部ＬＥＤの前記電極を所定量だけ内側に偏らせていることを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項４】  ＬＥＤアレイチップの両端のＬＥＤ上の電極は発光中心をＬＥＤアレイチップの端に近づけるためにＬＥＤの中心から内側に偏らせていることと、
隣接したＬＥＤアレイチップのギャップはチップ配列装置の配列精度以上であり、ＬＥＤアレイチップの熱膨張の影響を受けない余裕があり、ＬＥＤ間の均一なピッチを保持することと、
を特徴とする複数のＬＥＤを配列した、少なくとも２つ以上のＬＥＤアレイチップをお互いに隣接して配置したＬＥＤアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜をエッチングして、マーカーと、第１の島状半導体膜とを形成し、
前記マーカーを位置基準として、光強度のピーク位置から、強度が５０％になるまでの減衰領域巾が１０μｍ以下であるレーザー光を、前記第１の島状半導体膜に選択的に照射することによって当該第１の島状半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された第１の島状半導体膜の外周部分をエッチングして、第２の島状半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜をエッチングして、マーカーと、島状半導体膜とを形成し、
前記マーカーを位置基準として、光強度のピーク位置から、強度が５０％になるまでの減衰領域巾が１０μｍ以下であるレーザー光を、前記島状半導体膜に選択的に照射することによって当該島状半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された島状半導体膜の外周部分をエッチングして、トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記レーザー光は、パルス発振のレーザー発振装置を光源とし、当該レーザー光のパルス幅は５０ｎｓ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または２において、前記レーザー光は、パルス発振のレーザー発振装置を光源とし、前記レーザー光がパルス発振するごとに、前記非単結晶半導体膜面上における前記レーザー光のビームスポットの位置を、０．３μｍ以上かつ５μｍ以下の距離で移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記ビームスポットの長尺方向の中心軸と、前記ビームスポットの移動方向との角度が、直角であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４において、前記ビームスポットの移動方向は、前記薄膜トランジスタのチャネル長方向に対して、水平方向であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１または２において、前記レーザー光は、パルス発振の固体レーザー発振装置を光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１または２において、前記レーザー光は、ＹＡＧレーザー発振装置、ＹＶＯ４レーザー発振装置、ＹＬＦレーザー発振装置、ＹＡｌＯ３レーザー発振装置、ガラスレーザー発振装置、ルビーレーザー発振装置、Ｔｉ：サファイアレーザー発振装置、フォルステライトレーザー発振装置またはＮｄ：  ＹＬＦレーザー発振装置から選ばれた一種または複数種を光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記レーザー光は、第２高調波、第３高調波、または第４高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザと、
該レーザから発振するレーザ光の進行方向を変化させ、被照射面における前記レーザ光の照射位置を移動させる手段と、
該手段に基づいて前記レーザ光の前記被照射面に対する入射角度θを一定に制御する手段とを有するレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザと、
該レーザから発振するレーザ光の被照射面における形状を楕円状または矩形状にする手段と、
前記レーザ光の進行方向を変化させ、前記被照射面における前記レーザ光の照射位置を第１の方向に移動させる手段と、
該手段に基づいて水平面と前記被照射面とのなす角度を制御して前記レーザ光の前記被照射面に対する入射角度θを一定とする手段と、
前記被照射面を有する被照射体を移動させ、前記被照射面における前記レーザ光の照射位置を第２の方向に移動させる手段とを有するレーザ照射装置。
【請求項３】
レーザと、
該レーザから発振するレーザ光の被照射面における形状を楕円状または矩形状にするシリンドリカルレンズと、
前記レーザ光を集光する凸レンズと、
前記レーザ光の照射位置を第１の方向に移動させるガルバノミラーと、
前記被照射面を有する被照射体を移動させ、前記被照射面における前記レーザ光の照射位置を第２の方向に移動させるステージとを有し、
前記ステージは、前記レーザ光に対する前記ガルバノミラーの角度に基づいて、水平面に対する前記被照射面の角度を制御し、前記レーザ光の前記被照射面に対する入射角度θを一定とすることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項３において、前記ステージは、前記カルバノミラーの動きに合わせて、前記水平面に対する前記被照射面の角度を変化させることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
レーザと、
該レーザから発振するレーザ光の被照射面における形状を楕円状または矩形状にするシリンドリカルレンズと、
前記レーザ光を集光する凸レンズと、
前記レーザ光の照射位置を第１の方向に移動させる第１のガルバノミラーと、
前記レーザ光の照射位置を第２の方向に移動させる第２のガルバノミラーと、
ステージとを有し、
前記ステージは、前記レーザ光に対する前記第１のガルバノミラーまたは前記第２のガルバノミラーの角度に基づいて、水平面に対する前記被照射面の角度を制御し、前記レーザ光の前記被照射面に対する入射角度θを一定とすることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項５において、前記ステージは、前記第１のカルバノミラーまたは前記第２のカルバノミラーの動きに合わせて、前記水平面に対する前記被照射面の角度を変化させることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
レーザと、
該レーザから発振するレーザ光の被照射面における形状を楕円状または矩形状にするシリンドリカルレンズと、
前記レーザ光を集光する凸レンズと、
前記レーザ光の照射位置を第１の方向に移動させるポリゴンミラーと、
前記被照射面を有する被照射体を移動させ、前記被照射面における前記レーザ光の照射位置を第２の方向に移動させるステージとを有し、
前記ステージは、前記レーザ光に対する前記ポリゴンミラーの角度に基づいて、水平面に対する前記被照射面の角度を制御し、前記レーザ光の前記被照射面に対する入射角度θを一定とすることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項７において、前記ステージは、前記ポリゴンミラーの動きに合わせて、前記水平面に対する前記被照射面の角度を変化させることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか一において、前記ステージは、前記被照射面を有する被照射体を固定する手段を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項３乃至９のいずれか一において、前記ステージには、ゴニオメータ、またはマニュピレータが設けられていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項２乃至１０のいずれか一において、前記第１の方向と前記第２の方向は、平面で互いに直交する方向であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記レーザは連続発振またはパルス発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記入射角度θは、前記被照射面に対して、θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２ｄ））を満たす角度であることを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図４（Ａ）において、ポリゴンミラー３３で反射されたレーザ光３４は、基板のＸ方向における垂線となす角度θで非晶質構造を有する半導体膜３５に入射する。なお、この時、レーザ光は、基板のＹ方向に対して垂直に入射させる。即ち、図４（Ａ）において、レーザ光の入射角度はθとなる。この時、ポリゴンミラー３３の角度に連動させてステージ３７を水平面に対して角度αとなるように傾け、入射角度θに保つ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
従って、それぞれのドライバー部において、キャリアの流れる方向を妨げることのない大粒径の結晶粒を形成することが好ましい。つまり、ソースドライバー部においては、ガルバノミラーによって、ある一方向に大粒径の結晶粒を形成し同じ方向にチャネル形成領域を形成することでキャリアの流れを良好なものとし、ゲートドライバー部においては、ガルバノミラーによって、ある一方向に大粒径の結晶粒を形成し同じ方向にチャネル形成領域を形成することでキャリアの流れを良好なものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
陰極５１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線５０８を経由してＦＰＣ５０９に電気的に接続されている。さらに、画素部５０２及びゲート側駆動回路５０３に含まれる素子は全て陰極５１７、有機樹脂５１８、及び保護膜５１９で覆われている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体装置（２０）を製作する方法であって、
第１のヒートスプレッダ（２２）と、第１のヒートスプレッダ（２２）に重なるパッケージ基板（２４）と、パッケージ基板（２４）を貫通して延び、第１のヒートスプレッダ（２２）の中に延びるキャビティ（２１）とを有するパッケージ装置を提供する工程；
第１のヒートスプレッダ（２２）に第１のダイ（２８）をキャビティ（２１）内で接着する工程；
第１のダイ（２８）に第２のヒートスプレッダ（４０）を接着する工程；
第１のダイ（２８）とパッケージ基板（２４）間に複数のワイヤボンド接続（４６）を形成する工程；および
ワイヤボンド接続（４６）と、第１のダイ（２８）と、第２のヒートスプレッダ（４０）の少なくとも一部分とを封止する工程；から成る方法。
【請求項２】半導体装置（２０）であって、
第１のヒートスプレッダ（２２）；
第１のヒートスプレッダ（２２）の中に延びるキャビティ（２１）；
キャビティ（２１）内に位置し、第１のヒートスプレッダ（２２）に取り付けられた第１の半導体ダイ（２８）；および
第１の半導体ダイ（２８）に重なる第２のヒートスプレッダ（４０）を備え、第１の半導体ダイ（２８）は、ダイ接着材料を用いて、第２のヒートスプレッダ（４０）に接続されている、半導体装置（２０）。
【請求項３】半導体装置（２０）であって、
第１の表面と第２の表面を有し、第１の表面内に能動回路を備えた半導体ダイ（３６）；および
半導体ダイ（３６）の前記第１の表面に接続されたヒートスプレッダ（４０）を備え、前記ヒートスプレッダは前記半導体ダイの第１の表面の一部上に設けられた金属層にはんだ付けされる、半導体装置（２０）。