【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  平衡型の一対の端子を少なくとも一つ有する高周波素子と、
前記高周波素子の端子と接続された外部入出力端子とを備え、
前記平衡型の一対の端子と、その平衡型の一対の端子にそれぞれ接続された前記外部入出力端子との間の各インピーダンス値は互いに異なる高周波デバイス。
【請求項２】  前記各インピーダンス値の異なりは、前記高周波素子の前記平衡型の一対の端子のうち、他方に対して相対的に位相が進んでいる一方の端子の方が大きい請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項３】  前記平衡型の一対の端子の少なくとも一方と、その平衡型の一対の端子の前記一方に接続された前記外部入出力端子との間に設けられた第１のリアクタンス素子を備えた請求項２に記載の高周波デバイス。
【請求項４】  前記平衡型の一対の端子の他方と、その平衡型の一対の端子の前記他方に接続された前記外部入出力端子との間に設けられた、前記第１のリアクタンス素子とインピーダンス値が異なる第２のリアクタンス素子をさらに備えた請求項３に記載の高周波デバイス。
【請求項５】  前記第１のリアクタンス素子および／または第２のリアクタンス素子は、前記高周波素子を前記高周波デバイス内にワイヤーボンディング実装を行う際のワイヤーのインダクタンス成分として実現されている請求項３または４に記載の高周波デバイス。
【請求項６】  前記第１のリアクタンス素子と前記第２のリアクタンス素子のインピーダンス値の差を終端インピーダンスで規格化した値が０．２以下である請求項４に記載の高周波デバイス。
【請求項７】  一方の主面上に設けられた表層電極と、その内層に設けられた少なくとも１層以上の内層電極と、前記表層電極と前記内層電極とを接続するビアホール電極とを有する積層基板とを備え、
前記外部入出力端子は、前記表層電極として実現され、
前記高周波素子は、前記積層基板の他方の主面上に実装され、
前記第１のリアクタンス素子および／または第２のリアクタンス素子は、前記内層電極によるインダクタンス成分で実現されている請求項３または４に記載の高周波デバイス。
【請求項８】  前記平衡型の一対の端子の少なくとも一方と、その平衡型の一対の端子の前記一方に接続された前記外部入出力端子との間にその一端が接続され、他端が接地された第１のサセプタンス素子を備えた請求項２に記載の高周波デバイス。
【請求項９】  前記平衡型の一対の端子の他方と、その平衡型の一対の端子の前記他方に接続された前記外部入出力端子との間にその一端が接続され、他端が接地された、前記第１のサセプタンス素子とアドミッタンス値が異なる第２のサセプタンス素子を備えた請求項８に記載の高周波デバイス。
【請求項１０】  前記第１のサセプタンス素子と前記第２のサセプタンスのアドミッタンス値の差を終端インピーダンスで規格化した値が５以上である請求項９に記載の高周波デバイス。
【請求項１１】  積層した複数の誘電体層と、
前記誘電体層間に設けられた層間電極と、
前記層間電極の全部または一部を接続する、複数の前記誘電体層にまたがって設けられたビアホール導体とを備え、
前記層間電極および前記ビアホール導体は、複数のストリップラインおよび複数のコンデンサを形成し、
前記第１のリアクタンス素子および第２のリアクタンス素子は、前記複数のストリップライン、前記複数のコンデンサおよび前記ビアホール導体により構成されている請求項４に記載の高周波デバイス。
【請求項１２】  積層した複数の誘電体層と、
前記誘電体層間に設けられた層間電極と、
前記層間電極の全部または一部を接続する、複数の前記誘電体層にまたがって設けられたビアホール導体とを備え、
前記層間電極および前記ビアホール導体は、複数のストリップラインおよび複数のコンデンサを形成し、
前記第１のサセプタンス素子および第２のサセプタンス素子は、前記複数のストリップライン、前記複数のコンデンサおよび前記ビアホール導体により構成されている請求項４に記載の高周波デバイス。
【請求項１３】  前記高周波素子は、高周波フィルタである請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項１４】  前記高周波フィルタは、
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた、少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極とを備えた弾性表面波フィルタである請求項１３に記載の高周波デバイス。
【請求項１５】  前記圧電基板上に形成された、前記平衡型の一対の端子のそれぞれと前記インターディジタルトランスデューサ電極との間に設けられた第１および第２の引き回し電極を備え、
前記第１および第２の引き回し電極の形状又は長さが異なる請求項１４に記載の高周波デバイス。
【請求項１６】  前記インターディジタルトランスデューサ電極は、少なくとも第１、第２および第３の３つのインターディジタルトランスデューサ電極から構成され、
前記弾性表面波フィルタは、平衡型の弾性表面波フィルタであって、
前記第１のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は不平衡型の入出力端子に接続され、他方の電極指は接地され、
前記第２のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は前記平衡型の一対の端子の一方の第１の端子に接続されると共に、他方の電極指は接地され、
前記第３のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は前記平衡型の一対の端子の他方の第２の端子に接続されると共に、他方の電極指は接地されている請求項１４に記載の高周波デバイス。
【請求項１７】  前記インターディジタルトランスデューサ電極は、少なくとも第１、第２および第３の３つのインターディジタルトランスデューサ電極から構成され、
前記弾性表面波フィルタは、平衡型の弾性表面波フィルタであって、
前記第１のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は前記平衡型の一対の端子の一方の第１の端子に接続されると共に、他方の電極指は前記平衡型の一対の端子の他方の第２の端子に接続され、
前記第２および前記第３のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は、共通の不平衡型の入出力端子に接続されると共に、他方は接地されている請求項１４に記載の高周波デバイス。
【請求項１８】  前記第２の電極指の一方と前記第１の端子との間に接続された第１の共振器と、
前記第３の電極指の一方と前記第２の端子に接続された第２の共振器とを備えた請求項１６または１７に記載の高周波デバイス。
【請求項１９】  前記第１の共振器および前記第２の共振器の形状は互いに異なる請求項１８に記載の高周波デバイス。
【請求項２０】  前記平衡型の一対の端子の一方と、前記平衡型の端子の他方とを接続するインダクタを備えた請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項２１】  送信手段および／または受信手段を備え、
前記送信手段または前記受信手段は、請求項１から２０のいずれかに記載の高周波デバイスを用いた通信機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このようなフィルタに関しては、良好なバランス特性を得るために、弾性表面波フィルタを構成する各ＩＤＴ電極９０２〜９０４、および第１，第２の反射器電極９０５，９０６の設計およびレイアウトは、不平衡型入出力端子９０９が接続された電極指９０２ａからみて、対称に近づくように施工されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、第７の本発明は、一方の主面上に設けられた表層電極と、その内層に設けられた少なくとも１層以上の内層電極と、前記表層電極と前記内層電極とを接続するビアホール電極とを有する積層基板とを備え、
前記外部入出力端子は、前記表層電極として実現され、
前記高周波素子は、前記積層基板の他方の主面上に実装され、
前記第１のリアクタンス素子および／または第２のリアクタンス素子は、前記内層電極によるインダクタンス成分で実現されている第３または第４の本発明の高周波デバイスである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、第１６の本発明は、前記インターディジタルトランスデューサ電極は、少なくとも第１、第２および第３の３つのインターディジタルトランスデューサ電極から構成され、
前記弾性表面波フィルタは、平衡型の弾性表面波フィルタであって、
前記第１のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は不平衡型の入出力端子に接続され、他方の電極指は接地され、
前記第２のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は前記平衡型の一対の端子の一方の第１の端子に接続されると共に、他方の電極指は接地され、
前記第３のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は前記平衡型の一対の端子の他方の第２の端子に接続されると共に、他方の電極指は接地されている第１４の本発明の高周波デバイスである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、第１７の本発明は、前記インターディジタルトランスデューサ電極は、少なくとも第１、第２および第３の３つのインターディジタルトランスデューサ電極から構成され、
前記弾性表面波フィルタは、平衡型の弾性表面波フィルタであって、
前記第１のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は前記平衡型の一対の端子の一方の第１の端子に接続されると共に、他方の電極指は前記平衡型の一対の端子の他方の第２の端子に接続され、
前記第２および前記第３のインターディジタルトランスデューサ電極の一方の電極指は、共通の不平衡型の入出力端子に接続されると共に、他方は接地されている第１４の本発明の高周波デバイスである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
さらに、平衡型入出力端子の第１の端子１１０と第２のインダクタ１１６との間の接続点１２１と、第２の端子１１１と第３の入出力端子１１５との間の接続点１２２には、インピーダンス整合用として第１のインダクタ１１２が接続されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
ここで図１５に、サセプタンス素子を接続した場合の平衡型フィルタデバイスの構成を示す。図において、図５と同一部または相当部には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。また、サセプタンス素子１５１０は、弾性表面波フィルタ５００の平衡型入出力端子の第１の端子５０４と第２の入出力端子５０２との間を接続するように設けられている。また、サセプタンス素子１５２０は、弾性表面波フィルタ５００の平衡型入出力端子の平衡型入出力端子の第２の端子５０５と第３の入出力端子５０３との間を接続するように設けられている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
また、本実施の形態では、高周波スイッチとの複合電子部品を例として述べたが、ローパスフィルタやバンドパスフィルタ等、他の高周波回路との複合電子部品においても同様の効果が得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
ここで図１６に、そのようなフィルタの一例を示す。フィルタ１６００は、不平衡型入出力端子１６０１と、平衡型の一対の入出力端子の第１の端子１６０２，１６０３，および各端子間に接続されたコンデンサ１６１０〜１６１４および、コンデンサ１６１０とコンデンサ１６１１との間に一端が、他端がコンデンサ１６１３と接続された第１のλ／２共振器１６２０と、一端がコンデンサ１６１１とコンデンサ１６１２との間に接続され、他端がコンデンサ１６１３とコンデンサ１６１４との間に接続され、第２のλ／２共振器１６３０を備えた不平衡出力−平衡出力バンドパスフィルタである。このようなフィルタでも、上記各実施の形態に示したような実装を行うことにより、平衡型の一対の入出力端子の第１の端子１６０２，１６０３のインピーダンス値を異ならせて、位相バランス特性を容易に改善させることができる。