【事件の表示】
　平成　５年特許願第２３２９２２号「高周波高電圧電源装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　３月３１日出願公開、特開平　７−　８７７３５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年９月２０日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、平成１０年９月１４日付け、平成１２年６月２９日付け及び平成１２年１０月４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載のとおりと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「【請求項１】電源周波数をそれより高い周波数に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路の電力を高周波を発生するマグネトロンに供給するため高電圧に昇圧する高圧トランスと、前記昇圧された電力を高圧コンデンサと高圧ダイオードとにより半波整流しかつ昇圧する半波倍電圧回路とから成り、前記高圧コンデンサは板状セラミックの両面に電極を設け、その電極の外周は板状セラミックの外周より内側に設けられた高圧セラミックコンデンサにより構成し、前記インバータ回路は電源周波数をそれより高い６０ＫＨｚを超える周波数に変換する構成とした高周波高電圧電源装置。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、以下の記載がある。
（１）特開平１−１６７９７９号公報（平成１年７月３日公開、以下、「引用例１」という。）
　ａ．「従来の動作周波数が約２０ＫＨｚのマグネトロン用インバータ回路の昇圧トランス７の高圧側には高圧コンデンサ１３と、ＰＮ高圧ダイオード１４による倍電圧整流回路による直流をマグネトロン１６のアノードとカソード間（Ａ−Ｋ間）に供給していた。」（公報１頁左欄１７行〜右欄２行）
　ｂ．「このような従来回路ではＰＮ高圧ダイオード１４の逆回復時間の制限があり、インバータ動作周波数を５０ＫＨｚ以上にすると、ＰＮ高圧ダイオード１４の損失電力の影響でＰＮ高圧ダイオード１４が熱的に破壊する故障が多発するという問題があった。」（１頁右欄４行〜９行）
　ｃ．「第１図において、１は商用電源、２，３は雑音防止用コンデンサ、４は全波整流ダイオードである。５は雑音防止用のチョークコイルである。平滑コンデンサ６と昇圧トランス７の１次コイル８と共振コンデンサ９の並列回路を逆ダイオード１１と並列接続されたトランジスタ１０でスイッチングされインバータの高周波回路は構成されている。昇圧トランス７の２次巻線１２は高圧コンデンサ１３とＰＮ高圧ダイオード１４とＦ・Ｒ・Ｄの直列接続された倍電圧整流回路を介してマグネトロン１６のＡ−Ｋ間に接続されている。」（２頁左上欄５行〜１６行）
　ｄ．「第４図、第５図に動作周波数を３０ＫＨｚとした場合の特性を示す。」（第２頁左下欄第１２行〜１３行）
　ｅ．「以上述べてきたように本発明によれば、きわめて簡単な回路構成で損失電力の少ないマグネトロン用インバータの高圧整流回路が実現できる。さらに５０ＫＨｚ，１００ＫＨｚと高周波化する場合の上限も高くできる。」（２頁右下欄１９行〜３頁左欄３行）
　これらの記載事項と図面を考慮すると、引用例１には、「電源周波数よりも高い周波数に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路の電力を高周波を発生するマグネトロンに供給するため高電圧に昇圧する昇圧トランスと、前記昇圧された電力を高圧コンデンサと高圧ダイオードとにより半波整流しかつ昇圧する半波倍電圧回路とから成り、前記インバータ回路は電源周波数をそれより高い３０乃至１００ＫＨｚの周波数に変換する構成としたマグネトロン用インバータ」の発明（以下、「引用例１に記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
（２）特開平２−２２２１２８号公報（以下、「引用例２」という。）
　引用刊行物２には、セラミック誘電体を用いて小型で高性能、高生産性のコンデンサを提供する点（２頁左上欄８乃至１０行）
（３）特開平１−１６０００３号公報（以下、「引用例３」という。）
　引用刊行物３には、「小型で容量の大きく、数百メガヘルツの高周波帯域にも適用可能なフィルム巻型コンデンサーを提供することができ」（公報３頁左上欄１６行〜２０行）および「高い誘電率をもつセラミック粒子を絶縁性を有する高分子中に単一層を形成するように分散させ、該セラミック粒子を高分子フィルムの表裏両面にて露出させることにより、高い誘電率を有する可撓性のフィルムが得られるとの知見を得、さらにこの知見に基づいて検討を進め、本発明のコンデンサーを完成するに至ったものである。」（２頁右上欄２行〜８行）と記載されている。
  
３．対比
  本願発明と引用例１に記載の発明を対比すると、引用例１に記載の発明の「昇圧トランス」、「マグネトロン用インバータの高圧整流回路」は、本願発明の「高圧トランス」、「高周波高電圧電源装置」に相当し、引用例１記載の発明におけるインバータ周波数が３０乃至１００ＫＨｚは、本件発明の６０ＫＨｚを超える周波数で一致するから、両者は「電源周波数をそれより高い周波数に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路の電力を高周波を発生するマグネトロンに供給するため高電圧に昇圧する高圧トランスと、前記昇圧された電力を高圧コンデンサと高圧ダイオードとにより半波整流しかつ昇圧する半波倍電圧回路とから成り、前記インバータ回路は電源周波数をそれより高い６０ＫＨｚを超える周波数に変換する構成とした高周波高電圧電源装置。」で一致し、
  本願発明は、高圧コンデンサとして「板状セラミックの両面に電極を設け、その電極の外周は板状セラミックの外周より内側に設けられた高圧セラミックコンデンサ」を用いているのに対し、引用例１に記載の発明ではコンデンサの構成について特に言及していない点で相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
    引用例１には、その指摘事項ｂ．に記載のようにインバータ周波数を５０ＫＨz以上にすると、ＰＮ高圧ダイオード１４が損失電力の影響でＰＮダイオードが熱的に崩壊する故障が多発することが記載されており、このように電気回路を高周波に設定すると低周波時には無視できた放電特性やインダクタンス・キャパシタンス要素が無視できなくなり、低周波時とは異なる振る舞いをすること、特に、周波数に直接関係するインピーダンス素子（コンデンサ、インダクタンス）においてはその影響が大きいことは自明のことであるので、引用例１に記載の発明において、従来よりも高い周波数に設定することにより、高圧コンデンサに悪影響が生じることは当然予測しうることと認められる。
　そして、高周波時における特性が良好なコンデンサとしてセラミックコンデンサが存在することは引用例４，５に記載されており、さらに、セラミックコンデンサを高圧用に適するようにした構成として「板状セラミックの両面に電極を設け、その電極の外周は板状セラミックの外周より内側に設けられた」ものは、例えば、特開昭４９−７５０号公報、特開昭５０−８４８６２号公報、特開平３−８３３１１号公報等に記載されているように周知のものであるので、引用例１に記載の発明においても、その高圧コンデンサとしてセラミックコンデンサを用いる際、上記周知の構成のセラミックコンデンサを用いることは、当業者が容易に考えられるものと認められる。
　そして、得られる効果も当然期待しうる程度のことにすぎないと認められる。
５．むすび
  したがって、本願発明は、引用例１乃至３に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。