(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストライプ状の複数の電極が基板上に配列されている構造を形成する表示装置用電極基板の製造方法において、
上記基板に低抵抗導電体電極を埋設して形成する第１工程と、
上記複数の電極がストライプ状に配列する方向において上記低抵抗導電体電極の幅の一部のみを覆い、かつ上記低抵抗導電体電極と平行に並んで互いに接触するように、上記低抵抗導電体電極とはエッチング特性が異なる透明電極をエッチングによって上記基板上に形成し、上記低抵抗導電体電極と上記透明電極とからなる上記電極を複数形成する第２工程と、
上記電極の一方の端部を１本おきに短絡するとともに残余の電極の他方の端部を短絡し、短絡された端部の間に電圧を印加することによって隣り合う上記電極間に形成されたリーク部分を焼失させ、リーク箇所を修正する第３工程とを備えていることを特徴とする表示装置用電極基板の製造方法。
【請求項２】
上記第２工程において、上記低抵抗導電体電極をエッチングしないエッチング液を用いて上記透明電極をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用電極基板の製造方法。
【請求項３】
上記第２工程において、上記透明電極をエッチングする速度が上記低抵抗導電体電極をエッチングする速度の５倍以上大きいエッチング液を用いて上記透明電極をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用電極基板の製造方法。
【請求項４】
上記第２工程において、上記電極が分割された画素を形成するために異なる幅の１対の第１電極と第２電極とからなり、隣り合う上記電極において、上記第１電極同士が隣り合うとともに、上記第２電極同士が隣り合うように上記電極を形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置用電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置などの表示装置で利用される電極基板であって、表示媒体に電圧を印加するための電極構造を有する電極基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マトリクス方式の一つである単純マトリクス方式は、液晶、ＥＬ(Electro Luminescence)などの多くの表示装置で利用されている。単純マトリクス方式は、例えば、透明な基板上に図１４に示すようなストライプ形状の複数の透明電極１０１…を等しい長さで両端が揃うように形成し、これらの透明電極１０１…の向きが互いに直交するように２枚の基板を対向させることによって得られたマトリクス構造において、両基板の透明電極１０１…に選択的に信号を付与してマトリクスにおける任意のドットに電界を印加する方式である。
【０００３】
ところで、上記の透明電極１０１としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）に代表される透明電極材料が広く使われている。このような電極材料を用いた電極の形成は、一般に次の手順で行われる。まず、ガラスなどの基板上に所定の膜厚で上記の電極材料を蒸着した後に、その上を覆うようにフォトレジストを形成する。そして、ストライプ状にパターニングされたフォトレジストで電極材料の必要な部分を保護した状態でエッチングを用いて不要な部分を除去することによって電極材料の層を所定の形状にパターニングする。
【０００４】
上記のようにして電極を形成する際、エッチングされるべき隣り合う電極間の部分においてエッチングされない箇所やエッチング不十分な箇所が存在すると、電極間のその箇所で短絡部分が形成され、この短絡部分を介してリーク電流が流れたり、電極材料層においてフォトレジストで保護されているはずの電極部分がエッチングされると、形成された電極が断絶するといった問題が少なからず発生する。このようなリークおよび断線は、信号を電極に選択的に付与するための妨げとなるので重大な問題である。リークおよび断線の原因としては、ＩＴＯを蒸着するときに混入する異物、フォトレジストを露光するときのフォトマスクの汚れなどの不良が挙げられるが、それらを完全に排除することは製造技術の面からもコストの面からも非常に困難である。
【０００５】
そこで、従来、隣り合う電極間の導通をプローブ検査により１本ずつ調べることで、リークの有無およびリーク箇所を検査し、その後検出されたリーク箇所に残る不要なＩＴＯをレーザーなどで焼き切るといった修正を行っていた。
【０００６】
ところで、上記の透明電極１０１としては、ＩＴＯ電極（インジウム錫酸化物）に代表される透明電極材料が広く用いられている。このような透明電極材料は、導電体としては電気抵抗が高く、通常使用される膜厚１０００Å程度でシート抵抗２００Ω／□，５０００Åと厚い膜を用いても５Ω／□程度である。これより厚い膜の場合、着色が生じたり、成膜やパターニングが困難になったりして実際に使用することができなくなる。
【０００７】
近年および将来に向けての表示装置の大型化、大表示容量化および映像信号の伝送の高速化の要求に対して、このような電気抵抗の高い透明電極では、様々な問題が生じてしまう。最も重要であるのは、電気抵抗による信号レベルの減衰および歪みである。電極端に入力された信号のレベルが電極抵抗により減衰するため、表示装置の他方の電極端側では、駆動に充分な信号波形を確保することが困難であり、その結果、表示画面における表示特性が不均一になる。
【０００８】
１Ω／□以下の任意の電極抵抗値を達成する方法としては、透明電極１０１に並列して接触する金属等の低抵抗導電体を設けることによって表示電極の抵抗値を低減させる方法が挙げられる。
【０００９】
この問題を改善する手段として、（１）特開平１−２８０７２４号公報および（２）特開平２−６３０１９号公報に、金属電極と透明電極との接触部分を小さくして、透明電極の開口部を広げる方法が開示されている。
【００１０】
（１）の先行技術では、図２０（ａ）に示すように、透明基板１０５上に形成されたストライプ状の透明電極１０１…の一側端の上端面と透明基板１０５とにわたって金属電極１０６が形成されている。また、（１）の先行技術では、図２０（ａ）に示すように、透明基板１０５における透明電極１０１・１０１間および透明電極１０１の上端面を覆うように絶縁膜１０７が形成されており、金属電極１０６が透明電極１０１の一側端の上端面と接触するように絶縁膜１０７上に形成されている。
【００１１】
一方、（２）の先行技術では、図２０（ｂ）に示すように、透明基板１０５上に透明電極１０１…ではなくストライプ状の金属電極１０６…が形成されている。この構造では、透明基板１０５における金属電極１０６・１０６間および金属電極１０６の上端面を覆うように絶縁膜１０７が形成されており、さらに、金属電極１０６の上端面と接触し、かつ金属電極１０６・１０６間を覆うように透明電極１０１…が形成されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、先行技術についての問題点について説明する。
【００１３】
まず、リークの有無およびリーク箇所をプローブ検査により検査し、検出された不要部位を焼き切る修正方法において、各工程は、完全に機械化されているので技術的に困難ではないが、プローブを電極に正確に接触させたり、レーザーを検出箇所の位置に合わせたりするための精密な位置合わせ機構が必要である。したがって、検査および修正のために高価な装置および長い処理時間を必要とするので、製造コストの上昇を招くという問題が残る。
【００１４】
図１５は、従来の電極構造を得るための電極パターニングの工程において、レジスト不良などによって本来保護されるはずの透明電極部がエッチング液にさらされた結果、図１４に示すような正常な電極構造が得られずに、一部の透明電極１０１が断絶した様子を示している。このような電極構造を有する電極基板に対し上記のプローブ検査を行う際、１本の透明電極１０１において離間したプローブ１０２・１０３間の導通を全ての透明電極１０１…について調べることで断線の有無を検査し、この電極基板が良品であるか不良品であるかの判定を行う。
【００１５】
また、従来の電極構造では図１６に示すように、隣り合う２本の透明電極１０１・１０１についてプローブ１０３・１０４の導通によってリークを検査する。これは前述の断線検査と同様であり、全ラインについて検査することでリークの有無を検査し、良品または不良品を判定する。実際には、前記の断線とリークは、プローブ１０２〜１０４によって同時に検査される。検査の結果リークの存在が確認された電極基板については、リーク箇所を特定し、そのリーク箇所にレーザーによる修正を施してリークを解消する。
【００１６】
電極基板が、断線を含まない良品であれば問題はないが、断線を含む不良品である場合はリークのように修正することができないので、その基板は不良品として廃棄せざるを得ない。また、プローブによる断線検査は勿論のことリーク検査も、ライン数（電極数）が少なくラインピッチが粗い場合は比較的容易に行うことができるが、ライン数が多くなることに伴ってラインピッチが微細になる場合は難しくなるので検査結果に誤りが生じるおそれがある。したがって、誤った断線およびリーク検査のために、断線およびリークを含む電極基板が表示装置に組み込まれた後の最終工程である表示画像検査の段階で断線およびリークが発見されるようなことがあれば、その表示装置は製品として出荷することができなくなる。このように、断線およびリーク検査が正しく行われないと、表示装置の歩留りが低下し、製造コストの上昇を招く結果になる。
【００１７】
このような問題に対し、特開昭６２−１４３０２５号公報には、ストライプ状に形成された電極を１本ずつ交互にその端部を反対側に引き出して、それぞれの側に引き出された端部同士を短絡し、その間に電圧を印加することによって電極間のリーク検査を容易に行う先行技術が開示されている。この方法では、電極間にリークがあると確認された基板については、リーク箇所を従来の修正方法と同様にレーザーを用いて修正する。しかしながら、この先行技術に用いられる電極構造では電極間のリークの有無を容易に検査することができたとしても、その場所を特定することは容易ではない。
【００１８】
前述のプローブ検査では、電極を１本ずつ検査するために、電極の単位面積抵抗（シート抵抗）、電極の形状（幅、長さなど）と検出される電流値の関係からリーク箇所の座標を正確に判定することができる。しかしながら、予め電極の端部同士を短絡しておく上記の先行技術の方法は、電極間のリークの有無を上記のプローブ検査法よりも迅速に判定できるものの、リーク箇所の特定が困難であるためにプローブ検査法のようにリークの修正を十分行うことができない。したがって、上記の先行技術は実用に供するには不十分であると言える。
【００１９】
また、上記のプローブ検査法では、断線についての検査が可能ではあるものの、断線部分を修正することができない。このため、断線の発生した基板を不良品として廃棄せざるを得ず、さらなる製造コストの上昇を招く結果となる。さらに、上記の先行技術でも勿論、断線を解消するための有効な対策を提供し得ない。このような問題は、表示装置の大型化および高精細化に伴って、より深刻になっている。
【００２０】
一方、図２０（ａ）および（ｂ）に示すいずれの構造においても、透明基板１０５の電極形成面すなわち液晶やＥＬの発光層に電界を印加する基板表面に金属電極１０６…と透明電極１０１…とを接触させた部位に段差が形成される。この段差が、液晶表示装置では、液晶の配向性に悪影響を及ぼすことが避けられず、また、ＥＬ表示装置では、異常放電を発生させてしまう。また、これらの構造では、絶縁膜１０７を用いており、その絶縁膜１０７に透明電極１０１…と金属電極１０６…との接続を確保するためのスルーホールを形成する工程を含めて、それぞれの構造を実現するための多くのプロセス数を必要とする。それゆえ、これらの装置の製造歩留りが低くなり、結果として製造コストの削減が困難であった。
【００２１】
また、図２０（ａ）の構造では、透明電極１０１が金属電極１０６によって覆われる部分が少ないので、この電極基板を表示装置に組み込んだ場合、表示装置の開口率は比較的大きく確保できる。しかしながら、図２０（ｂ）の構造では、透明電極１０１において金属電極１０６と重なる部分が大きく、図２０（ａ）の構造の構造に比べて開口率が小さい。
【００２２】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、表示用電極のエッチング時に発生する断線およびリークのない表示装置用電極基板、および上記のエッチング時に発生する断線を防止し、かつ簡単な方法で電極間のリーク部分を修正することが可能な表示装置用電極基板の製造方法を提供することを目的としている。さらに、本発明は、電極基板の平坦性および開口率を向上させるとともに、製造のプロセス数を削減できる構造および製造方法を提供することを目的としている。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置用電極基板は、上記の課題を解決するために、ストライプ状の複数の電極が基板上に配列されている構造を有する表示装置用電極基板において、上記電極が以下のように構成されていることを特徴としている。
【００２４】
すなわち、上記電極は、平行に並んで互いに接触する少なくとも２つの電極部によって形成され、該各電極部を構成する導電体のエッチング特性が互いに異なっており、１本おきに一方の端部で互いに短絡される一方、残余の他方の端部で互いに短絡された状態で、短絡された両側の端部間に電圧が印加されることによって上記電極間に形成されたリーク部分が切断されている。
【００２５】
上記の構造では、電極を形成する少なくとも２つの電極部を構成するそれぞれの導電体が異なるエッチング特性を示す。これにより、例えば、ある電極部の上に他の電極部を形成する際に、レジストパターンに不良が生じていたために、エッチングによって形成された電極部が断絶しても、すでに形成されている下層の電極部は同じ箇所でエッチングによって侵されることはない。このように、異なる電極部が同一箇所で断絶することが防がれるので、電極全体は必ずいずれかの電極部でつながっている構造を得ることができる。
【００２６】
さらに、電極が１本おきに一方の端部で短絡され、残余の電極が他方の端部で短絡された状態で両側の端部の間に電圧が印加されると、隣り合う電極間に形成されたリーク部分が切断される。このとき、通常ごく細く形成されるリーク部分に大きい電流が流れることによってリーク部分が焼失する。
【００２７】
上記の電極基板は、さらに、上記導電体が、同一のエッチング液によってエッチングされない材料からなることが好ましい。例えば、電極が２つの電極部からなる場合、あるエッチング液に対して一方の電極部を構成する導電体はエッチングされるが他方の電極部を構成する導電体はエッチングされない。それゆえ、導電体に容易にエッチング選択性を付与することができる。
【００２８】
あるいは、上記の電極基板は、さらに、上記導電体が、それぞれの導電体間で同一のエッチング液によりエッチングされる速度が５倍以上異なる材料からなることが好ましい。例えば、電極が２層の電極部からなる場合、下層の電極部を構成する導電体のエッチング速度（ｒ1 ）を、上層の電極部を構成する導電体のエッチング速度（ｒ2 ）に対してかなり低くする。すなわち、ｒ1 ≦ｒ2 ／５となるように両エッチング速度を設定する。これによって、上層の電極部を形成するために導電体をエッチングする際に、レジストパターンの不良のために、形成された上層の電極部がレジストパターンの不良部分を介してのエッチングによって断絶しても、すでに形成されている下層の電極部がエッチング液によって侵される速度は非常に低いので、下層の電極部が上層の電極部と同じ箇所で断絶することはない。
【００２９】
上記の各電極基板は、さらに、上記電極部のうち少なくとも１つが透明電極であり、他の１つが低抵抗導電体電極であることが好ましい。通常、レジストパターンの不良などによって形成される電極間のリーク部分は、ごく細いので電極に比較してその抵抗が高い。それゆえ、透明電極に低抵抗導電体電極が並設されると、透明電極および低抵抗導電体電極からなる電極の全体の抵抗値が非常に小さく抑えられるので、リーク部分へのジュール発熱の集中が高くなる。このため、電極の両端部の間に印加する電圧を比較的低い電圧に設定しても、リーク部分を焼失しうる大きい電流を透明電極に流すことができる。この結果、リーク部分は焼失するが、透明電極が損傷することはない。
【００３０】
上記の各電極基板は、さらに、上記低抵抗導電体電極が、上記基板に埋設されるとともに、上記透明電極によって一部のみ覆われるように上記透明電極と接触することが好ましい。このような構造では、低抵抗導電体電極が基板に埋設されるので、低抵抗導電体電極が透明電極上に形成される構造と比べて、電極基板表面を平坦に形成することができる。また、低抵抗導電体電極が透明電極によって一部のみ覆われるので、透明電極によって形成される画素部が遮光性を有する低抵抗導電体電極によって覆われる面積が少なくなる。しかも、本電極基板では、前述の従来の基板構造が有していた透明電極と金属電極との間に介在する絶縁膜が不要であるので、構造が簡素化される。
【００３１】
上記の各電極基板は、さらに、上記電極が、分割された画素を形成するために異なる幅の１対の第１電極と第２電極とからなり、隣り合う上記電極において、上記第１電極同士が隣り合うとともに、上記第２電極同士が隣り合うように配置されていることが好ましい。電極が上記第１および第２電極からなる構造において、電極の端部を１本おきに反対側に引き出すと、電圧印加のための１本おきの電極の短絡が容易になる（図１３参照）。このような電極構造では、電極の端部がそれぞれの側で駆動回路を接続すると、これらの駆動回路の負荷が大きく異なる結果、電極駆動時の電力消費に伴う発熱などが不均一になる問題が生じる。これに対し、上記のように、隣り合う電極において、第１電極同士が隣り合うとともに、第２電極同士が隣り合うことによって（図１２参照）、両駆動回路の負荷が等しくなるので、電極駆動時の電力消費を均一に保つことができる。
【００３２】
本発明の表示装置用電極基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、ストライプ状の複数の電極が基板上に配列されている構造を形成する表示装置用電極基板の製造方法において、以下の第１および第２工程を備えていることを特徴としている。
【００３３】
すなわち、上記第１工程は、導電体をエッチングすることによって上記電極を構成する少なくとも２つの電極部が平行に並んで互いに接触するように、該各電極部を構成する導電体のエッチング特性を互いに異ならせて上記電極を複数形成する工程であり、上記第２工程は、上記電極の一方の端部を１本おきに短絡するとともに残余の電極の他方の端部を短絡し、短絡された端部の間に電圧を印加することによって隣り合う上記電極間に形成されたリーク部分を切断する工程である。
【００３４】
上記の方法では、第１工程において各電極部を構成する導電体のエッチング特性を互いに異ならせることによって、例えば、ある電極部の上に他の電極部を形成する際に、レジストパターンに不良が生じていたために、エッチングによって形成された電極部が断絶しても、すでに形成されている下層の電極部は同じ箇所でエッチングによって侵されることはない。このように、異なる電極部が同一箇所で断絶することが防止されるので、電極全体は必ずいずれかの電極部でつながっている構造を得ることができる。
【００３５】
さらに、第２工程において、電極の端部を１本おきに短絡し、残余の電極の他方の端部を短絡した状態で両側の端部の間に電圧が印加されると、上記電極間に形成されたリーク部分が切断される。このとき、通常ごく細く形成されるリーク部分に大きい電流が流れることによってリーク部分が焼失する。
【００３６】
上記の製造方法における上記第１工程では、さらに、同一のエッチング液によってエッチングされない材料を上記導電体として用いることが好ましい。例えば、電極が２つの電極部からなる場合、あるエッチング液に対して一方の電極部を構成する導電体はエッチングされるが他方の電極部を構成する導電体はエッチングされない。それゆえ、導電体に容易にエッチング選択性を付与することができる。
【００３７】
あるいは、上記の製造方法における上記第１工程では、さらに、それぞれの導電体間で同一のエッチング液によりエッチングされる速度が５倍以上異なる材料を上記導電体として用いることが好ましい。これによって、例えば、電極が２層の電極部からなる場合、上層の電極部を形成するために導電体をエッチングする際に、レジストパターンの不良のために、エッチングによって形成された上層の電極部が断絶しても、すでに形成されている下層の電極部がエッチング液によって侵される速度は非常に低いので、下層の電極部が上層の電極部と同じ箇所で断絶することはない。
【００３８】
上記の各上記第１工程では、さらに、上記電極部のうち少なくとも１つを透明電極として形成し、他の１つを低抵抗導電体電極として形成することが好ましい。これにより、透明電極および低抵抗導電体電極からなる電極全体の抵抗値が非常に小さく抑えられるので、隣り合う電極間でごく細く形成されて抵抗値が高くなっているリーク部分へのジュール発熱の集中が大きくなる。このため、電極の両端部の間に印加する電圧を比較的低い電圧に設定しても、リーク部分を焼失しうる大きな電流を透明電極に流すことができる。この結果、リーク部分は焼失するが、透明電極が損傷することはない。
【００３９】
さらに、上記の第１工程において、上記低抵抗導電体電極を上記基板に埋設して形成した後に、上記低抵抗導電体電極を一部のみ覆い、かつ上記低抵抗導電体電極と接触するように上記透明電極を上記基板上に形成することが好ましい。このような第１工程によって得られた構造では、低抵抗導電体電極が基板に埋設されるので、低抵抗導電体電極が透明電極上に形成される構造と比べて、電極基板表面を平坦に形成することができる。また、低抵抗導電体電極が透明電極によって一部のみ覆われるので、透明電極によって形成される画素部が遮光性を有する低抵抗導電体電極によって覆われる面積が少なくなる。しかも、本第１工程では、前述の従来の基板構造が有していた透明電極と金属電極との間に介在する絶縁膜を作製するプロセスが不要であるので、製造プロセスが簡素化される。
【００４０】
上記の各製造方法における上記第１工程では、さらに、分割された画素を形成するために異なる幅の１対の第１電極と第２電極とからなり、隣接する上記電極において、上記第１電極同士が隣接するとともに、上記第２電極同士が隣接するように上記電極を形成することが好ましい。このように第１および第２電極を配置することによって、第１および第２電極を交互に反対方向に引き出してそれぞれの側の端部に駆動回路を接続する場合、両駆動回路の負荷が等しくなるので、電極駆動時の電力消費を均一に保つことができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図１ないし図１３および図１７ないし図１９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４２】
本実施の形態に係る表示装置は、図１７に示すように、互いに対向する２枚のガラス基板１・２を透光性基板として備えている。なお、透光性かつ絶縁性を有しておれば、ガラス基板１・２の代わりにポリメチルメタクリレートのような樹脂からなる基板を用いてもよい。
【００４３】
ガラス基板１の表面には、例えば前述のＩＴＯからなる複数の信号電極３…（電極部）が互いに平行に配置されている。一方、ガラス基板２の表面には、例えばＩＴＯからなる複数の透明な走査電極５…（電極部）が信号電極３…と直交するように互いに平行に配置されている。
【００４４】
上記のガラス基板１・２は、一定の間隔（セルギャップ）をおいて対向するように貼り合わされている。そのガラス基板１・２の間に形成される空隙には、液晶表示装置の場合は液晶の注入によって液晶層が形成され、ＥＬ装置の場合は発光層が形成される。
【００４５】
続いて、表示装置が液晶表示装置である場合について、より詳細に説明する。本液晶表示装置は、図２に示すように、互いに対向する２枚のガラス基板１・２を備えている。ガラス基板１における上記の信号電極３…が配置されている面には、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる透明な絶縁膜４が積層される。一方、ガラス基板２における上記の走査電極５…が配置されている面は、ＳｉＯ2 などからなる透明な絶縁膜６で覆われている。
【００４６】
上記の絶縁膜４・６上には、ラビング処理などの一軸配向処理が施された配向膜７・８がそれぞれ形成されている。配向膜７・８としては、ポリイミド、ナイロン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの有機高分子からなる膜やＳｉＯ2 斜方蒸着膜が用いられる。
【００４７】
上記のようにして信号電極３…、絶縁膜４および配向膜７が形成されたガラス基板１と、走査電極５…、絶縁膜６および配向膜８が形成されたガラス基板２とは、一定の間隔（セルギャップ）をおいて対向するようにシール剤９で貼り合わされている。そのガラス基板１・２の間に形成される空隙には、液晶層１０を形成するように液晶が充填されている。液晶は、シール剤９に設けられた図示しない注入口から注入され、その注入口が封止剤１１で封止されることにより封入される。
【００４８】
ガラス基板１・２のそれぞれの外面には、偏光軸が互いに直交するように配置された２枚の偏光板１２・１３が設けられている。また、表示面積が広い場合には、セルギャップを一定に保持するためのスペーサ１４…が配向膜７・８の間に配置される。
【００４９】
上記の信号電極３…および走査電極５…が対向する各方形の領域により、図示しない画素領域が形成されている。この画素領域においては、信号電極３と走査電極５とにそれぞれ電圧が印加されると、信号電極３と走査電極５との間に生じる電界によって液晶分子の配向状態が切り替わることにより、表示状態を明と暗と（さらには中間調と）で変化させて表示を行うようになっている。
【００５０】
また、ガラス基板１上には、信号電極３…の一方の側端に接触するように補助電極１５…が並設され、ガラス基板２上には、走査電極５…の一方の側端に接触するように補助電極１６…が並設されている。補助電極１５・１６は、信号電極３および走査電極５の配線抵抗を低下させるように、両電極３・５の抵抗値より低い抵抗値の、例えばＣｕ、Ｔａといった金属材料によって形成されている。補助電極１５・１６は、信号電極３および走査電極５に対し、それぞれエッチング選択性を有する材料によって形成されている。
【００５１】
信号電極３…および補助電極１５…を有する電極基板ならびに走査電極５…および補助電極１６…を有する電極基板は、例えば次のようにして作製される。なお、以下の説明では、ガラス基板１上に信号電極３…および補助電極１５…を形成する手順のみを示すが、ガラス基板２上に走査電極５…および補助電極１６…を形成する場合も同様の手順にしたがう。
【００５２】
まず、ガラス基板１上にＩＴＯを２０００Å蒸着して透明電極膜を形成し、その上に電極パターンに対応するレジストパターンを形成する。次に、透明電極膜をエッチングすることによって信号電極３…を形成する。さらに、この上から例えばＣｕを２０００Å蒸着して金属層を形成する。その後、レジストパターンを剥離することによってレジストパターン上の金属層をリフトオフした結果、信号電極３…間に残った金属層の一部が金属電極パターンを形成する。
【００５３】
この金属電極パターンは、隣り合う信号電極３・３の両方に接触しているので、一方の信号電極３にのみ接触するように加工される。このとき、信号電極３…および金属電極パターンの上に、金属電極パターンにおける他方の信号電極３に接触する一部を除くようにレジストパターンを形成し、金属電極パターンをエッチングする。その結果、補助電極１５…が形成される。
【００５４】
続いて、信号電極３…および走査電極５…の構成について図３に基づいて説明する。なお、ここでは、信号電極３および走査電極５を透明電極２２（電極部）とし、補助電極１５・１６を金属電極２３（電極部および低抵抗導電体電極）として共通化する。
【００５５】
図３に示すように、透明電極２２は、それぞれ同じ長さに形成されているが、一つおきに端部が揃うように互いに平行に配置されている。具体的には、奇数番目の透明電極２２−１〜２２−Ｎ（ここではＮ＝７）のそれぞれの一端が偶数番目の透明電極２２−２〜２２−Ｍ（ここではＭ＝８）それぞれの一端より突出し、偶数番目の透明電極２２−２〜２２−Ｍのそれぞれの他端が奇数番目の透明電極２２−１〜２２−Ｎのそれぞれの他端より突出している。
【００５６】
透明電極２２…および金属電極２３としては、前述の構造以外に、例えば図４（ａ）ないし（ｃ）に示すような構造が挙げられる。なお、以降、便宜上、ガラス基板１・２を基板２１として共通化する。
【００５７】
まず、図４（ａ）に示す構造では、基板２１に金属電極２３…が埋設されるとともに、その上を覆うように透明電極２２が形成されている。金属電極２３は、基板２１の表面に現れた端面で透明電極２２と接触している。次に、図４（ｂ）に示す構造では、金属電極２３が透明電極２２上に形成されている。そして、図４（ｃ）に示す構造では、透明電極２２と金属電極２３とがともに基板２１上に形成されており、透明電極２２の一部が金属電極２３の上端面を覆っている。
【００５８】
図４（ｂ）および（ｃ）に示す構造では、上記のように、電極抵抗を低下させるために、透明電極２２と金属電極２３とが積層されている。これらの構造では、先行技術（図２０（ａ）および（ｂ）参照）として挙げた構造のように、絶縁膜に設けられたスルーホールを介して透明電極２２と金属電極２３とが接触することはないので、その接触を確保するためのプロセスを削減することができる。しかしながら、これらの構造では、金属電極２３を設けたことによって基板上に突出する部分が形成されるので、基板表面の平坦性を図るには不十分である。
【００５９】
これに対し、図４（ａ）に示す構造は、特開平９−１２７４９４号公報にも開示されているが、金属電極２３…が透明電極２２…上に現れないため、基板表面の平坦性を高めることができる。しかしながら、この構造では、金属電極２３を覆うように透明電極２２が形成されるため、透光性を有さない金属電極２３によって透明電極２２によって形成される画素の開口率が低下する。このため、表示輝度およびコントラストの低下が避けられない。このことは、図４（ｂ）および（ｃ）に示す構造にも共通している。
【００６０】
これに対し、開口率を高くするために、図５（ａ）ないし（ｃ）に示すような構造を採ることも可能である。図５（ａ）および（ｃ）に示す構造では、図４（ａ）および（ｃ）の構造における金属電極２３の位置が透明電極２２から露出するようにずれている。図５（ｂ）に示す構造では、図４（ｂ）の構造における金属電極２３の一部が基板２１上に形成されている。
【００６１】
特に、図５（ａ）に示す構造では、金属電極２３が基板２１に埋設されており、基板２１の表面は、金属電極２３が設けられない構造と同様に平坦である。また、透明電極２２は、その底面で金属電極２３の一部と接触するように基板２１上に形成されている。これにより、電極抵抗が金属電極２３を備えない構造に比べて低減するとともに、開口率が図４（ａ）の構造および先行技術の構造（図２０（ａ）および（ｂ）参照）に比べて高くなる。
【００６２】
従来の技術で述べたように（図１５参照）、金属電極２３が設けられていない透明電極１０１…のみの場合では、一部の透明電極１０１が、その形成時におけるエッチングの際に完全に断絶するおそれがある。これに対し、図６に示すように、上記のようにエッチング選択性を有する導電体によって形成された透明電極２２と金属電極２３とを設けることによって、エッチングの際にレジスト不良などによりいずれか一方が断絶しても、両方がともに断絶することはほとんどない。したがって、断線故障を大幅に低減することができる。
【００６３】
ここで、２種類の導電体によって断線を防止できる原理について説明する。図７（ｂ）に示す第１の導電体３１と第２の導電体３２とは、いわゆるエッチング選択性を有する材料からなっており、第１の導電体３１は第２の導電体３２をエッチングするためのエッチング液ではエッチングされない。また、図７（ａ）に示すように、第１の導電体３１をエッチングした際に断絶部３１ａが形成されると、図７（ｂ）に示すように、その上を覆うように第２の導電体３２を形成すれば、第２の導電体３２にも断絶部３２ａが形成されても、第１の導電体３１と第２の導電体３２とではエッチング特性が異なるため、断絶部３２ａにおいて第１の導電体３１が断絶することはない。
【００６４】
このように、第１の導電体３１および第２の導電体３２の双方が断絶しても、エッチング選択性を有する材料からなる第１の導電体３１および第２の導電体３２を積層することによって、電極全体の導通状態が確保される。第１の導電体３１および第２の導電体３２はエッチング選択性を有する物質からなるが、同一のエッチング液に対してエッチング時間が大きく異なる場合でも同一箇所が断線することはないので、このような場合でも以下に述べるように断線を防止することができる。したがって、このような場合は、必ずしも第１の導電体３１および第２の導電体３２がエッチング選択性を有していなくてもよい。
【００６５】
エッチングは、導電体の厚み分だけ行えば十分であると考えられるが、実際には次のような不都合が生じる。すなわち、厚み分だけのエッチング（ジャストエッチング）では、後述の各実施例における電極構造のようにライン間隔がかなり狭い（μｍオーダー）透明電極を多数本形成する場合、大型の基板において、全体にわたってリーク部分が形成されることなくエッチングすることが非常に困難である。したがって、通常、ジャストエッチングの２００〜３００％エッチングする、いわゆるオーバーエッチングが広く行われており、定格（ジャストエッチング）の２〜３倍の時間をかけてエッチングを行うことが常識となっている。
【００６６】
このため、レジストパターンに不良が生じている場合、その不良部分では、図７（ｂ）では、第２の導電体３２がその厚み分だけエッチングされた後に第１の導電体３１がエッチング液にさらされてしまう。それゆえ、上下層をそれぞれ形成する第１の導電体３１と第２の導電体３２とが同一のエッチング液によりエッチングされるときの両導電体３１・３２間のエッチング速度に大きな差があることが必要である。
【００６７】
具体的には、上層の第２の導電体３２のエッチング速度が、少なくとも下層の第１の導電体３１のエッチング速度の２〜３倍程度であることが必要である。また、両導電体３１・３２間のエッチング速度が５倍以上異なることがより望ましい。すなわち、第１の導電体３１のエッチング速度（ｒ1 ）を、第２の導電体３２のエッチング速度（ｒ2 ）に対してｒ1 ≦ｒ2 ／５となるように設定する。このようなエッチング速度差があることによって、第２の導電体３２のエッチング時におけるオーバーエッチングのために第１の導電体３１がエッチング液にさらされても、そのエッチング速度が低いので、第１の導電体３１が断絶することはない。
【００６８】
続いて、前述の電極構造におけるリーク検査について説明する。
【００６９】
本実施の形態では、図１に示すように、奇数番目の透明電極２２−１〜２２−７の一端が導電性ペースト４１によって短絡される一方、偶数番目の透明電極２２−２〜２２−８の一端が導電性ペースト４２によって短絡されており、導電性ペースト４１・４２間にＤＣ電圧を印加する。したがって、導電性ペースト４１・４２間の導通の有無を調べることによって、容易にリークを検査することができる。また、このような検査方法では、短絡部Ｓが存在しても、一般にはごく細く形成される短絡部Ｓの両端に電圧が印加されると、大きな電流が流れることでその短絡部Ｓが焼失するので、リーク箇所を検出する必要はなく、リーク検査と同時にリーク修正を行うことができる。
【００７０】
前述の先行技術（特開昭６２−１４３０２５号公報）のように、１本ずつ交互に反対側に引き出された電極の端部をそれぞれの側で短絡して、その短絡部間に電圧を印加することによって電極間のリーク検査を行う場合、上記の電極が金属電極を含んでいないので、電極全体の抵抗値が高くなる。それゆえ、実用的な電圧を印加してもリーク箇所に大きな電流が流れないため、電流によってリーク箇所を焼き切ることができない。これに対し、短絡された端部間に高電圧を印加すれば電極間のリーク箇所は焼失するが、表示に供される電極も損傷してしまう。
【００７１】
通常、レジスト不良などによって形成される電極間の短絡部Ｓは、上記のようにごく細いので、表示に供される透明電極２２に比較してその抵抗値が高い。したがって、短絡部Ｓにはジュール発熱が集中する。本実施の形態では、透明電極２２に金属電極２３が並設されていることで、透明電極２２および金属電極２３からなる電極の全体の抵抗値が非常に低く抑えられるので、短絡部Ｓへのジュール発熱の集中がより大きくなる。このため、上記のＤＣ電圧を高く設定せずに実用的な値に設定するだけで、短絡部Ｓを焼失しうる大きな電流を透明電極に流すことができる。この結果、短絡部Ｓは焼失するが、表示に必要な本来の透明電極２２が損傷することはない。
【００７２】
通常、ＩＴＯの低抗値は２０００Åの厚さで１５Ω／□（シート抵抗）程度であり、Ｔａ（０．１Ω／□）、Ｃｕ（０．０５Ω／□）などと比較すると非常に大きい。
【００７３】
前述の実用的な電圧とは、表示用の透明電極２２が損傷しない程度の範囲（±３０Ｖ程度を越えない範囲）の電圧である。ただし、実際の表示装置においては、この範囲を越える電圧が透明電極２２に印加されることもあるが、液晶の容量と透明電極２２（信号電極３および走査電極５）および金属電極２３の合成抵抗である配線抵抗とによって負荷が大きくなっている信号電極３と走査電極５との間に電圧を印加するので、透明電極２２にはこれが損傷するような大きな電流は流れない。
【００７４】
また、上記の検査方法ではＤＣ電圧を印加しているが、ＡＣ電圧を印加してもよい。
【００７５】
なお、本実施の形態では、導電性ペースト４１・４２の代わりに、導電性シートなどを用いることができる。また、図示はしないが、初めから奇数番目の透明電極２２−１〜２２−７の端部同士を短絡する電極パターンと、偶数番目の透明電極２２−２〜２２−８の端部同士を短絡する電極パターンとを予め形成しておき、リーク検査および修正の後にこれらの電極パターンの部分だけを切り離すことも実用的である。
【００７６】
さらに、透明電極２２および金属電極２３の対は、図１のように交互に突出するような構造ではなく、全ての端部が揃っている構造（図１４参照）であってもよい。このような構造では、直線状の導電性ペースト４１・４２を用いることはできないが、透明電極２２および金属電極２３の対を１つおきに短絡するような形状の導電性ペーストを用いればよい。
【００７７】
本実施の形態の電極基板の構成およびリーク検査方法は、すべて透明電極を用いる構造を対象としているが、反射型表示装置のように一方の基板に透明電極を設ける必要のない構成においても同様に適用できる。すなわち、複数のエッチング選択性のある金属、あるいはエッチング時間の大きく異なる金属を積層して電極を形成することで断線を防ぐことができる。また、反射型表示装置においては、一方の基板に反射板を兼ねた金属電極が設けられているが、これを表示用電極として利用できるため、電極抵抗値が透明電極を用いる場合よりもかなり低くなり、電流によって容易にリーク箇所を修正することができる。反射金属電極の場合は、光を透過させる透明電極と異なり、金属電極の積層によって開口率が低下するという問題は生じない。したがって、反射型の液晶表示素子においては、図８に示すように、積層される電極５１・５２（反射金属電極）の幅は同じでよい。
【００７８】
【実施例】
続いて、本実施の形態を以降の各実施例に基づいて、より詳細に説明する。
【００７９】
〔実施例１〕
本実施例に係る電極基板は、図４（ａ）に示す構造をなしており、透明電極２２がＩＴＯで形成され、金属電極２３がＴａで形成されている。ＩＴＯは２０００Åの膜厚および１００μｍの幅で形成され、Ｔａは２０００Åの膜厚および１０μｍの幅で形成されている。また、透明電極２２および金属電極２３は、３００ｍｍの長さに形成されており、リーク検査用として１本毎に突出する部分の長さは３０ｍｍである。したがって、透明電極２２において表示部分として使用される部分の長さは２７０ｍｍである。さらに、１対の透明電極２２および金属電極２３からなる電極同士の間隔は１０μｍである。
【００８０】
このように構成される電極基板の作製プロセスについて説明する。
【００８１】
まず、図９（ａ）に示すように、ガラスまたは樹脂からなる基板２１上に金属電極２３の逆パターンに対応したレジストパターン２４を形成し、図９（ｂ）に示すように、基板２１を２０００Åエッチングして、基板２１に凹部２１ａ…を形成する。このとき、ガラスからなる基板２１を用いた場合、フッ酸溶液を用いたウエットエッチングで基板２１を処理する一方、樹脂からなる基板２１を用いた場合、酸素プラズマを用いたドライエッチングで基板２１を処理する。
【００８２】
次に、図９（ｃ）に示すように、この上から２０００Åの厚さでＴａからなる金属層２５を、スパッタリング、ＥＢ蒸着、メッキなどの方法によって形成する。その後、基板２１をアセトン、ディメチルスルホキシド、水酸化ナトリウム溶液などに浸漬してレジストパターン２４を剥離することによって、レジストパターン２４上の金属層２５をリフトオフした結果、図９（ｄ）に示すように、凹部２１ａ…に金属電極２３…を形成する。
【００８３】
さらに、図９（ｅ）に示すように、２０００Åの厚さでＩＴＯからなる透明電極膜２６を、スパッタリングまたはＥＢ蒸着によって形成する。さらに、図９（ｆ）に示すように、レジストパターン２７を、金属層２５を完全に覆うように位置合わせを行った上で露光および現像によって透明電極膜２６上に形成する。そして、図９（ｇ）に示すように、透明電極膜２６を臭化水素（ＨＢｒ）、塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3 ）などの溶液でエッチングすることによって透明電極２２…が形成される。
【００８４】
臭化水素溶液は、ＩＴＯのエッチング液として最適である。また、Ｔａは臭化水素も含めてほとんどの酸に侵されることがない。
【００８５】
ここで、１本毎に互いに反対側に突出した透明電極２２…の端部を図１に示すように導電性ペースト４１・４２で短絡したところ、その間に導通が確認され、電極間でリークが生じていることがわかった。そこで、短絡した端子間に±１０Ｖ，１Ｈｚの電圧を５秒間印加した後の電極基板上に透明電極２２…を覆うように前述のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗布してラビング処理を行う。さらに、２枚の電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせ、その間にネマティック液晶Ｅ７（メルク社製）を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークのないことが確認された。
【００８６】
Ｔａは、ほとんどの酸に侵されることがないので、エッチングでＴａをパターニングすることは難しい。したがって、本実施例のようにリフトオフを用いて図４（ａ）の構造を得ることが望ましい。また、その安定性を活かして開口率の高い図５（ａ）の構造を得ることもできる。この構造の作製プロセスについては、後述の実施例５において説明する。
【００８７】
〔実施例２〕
本実施例に係る電極基板は、図４（ｂ）に示す構造をなしており、透明電極２２がＩＴＯで形成され、金属電極２３がＣｕで形成されている。ＩＴＯは２０００Åの膜厚および１００μｍの幅で形成され、Ｃｕは２０００Åの膜厚および１０μｍの幅で形成されている。また、透明電極２２および金属電極２３は、３００ｍｍの長さに形成されており、リーク検査用として１本毎に突出する部分の長さは３０ｍｍである。したがって、透明電極２２において表示部分として使用される部分の長さは２７０ｍｍである。さらに、１対の透明電極２２および金属電極２３からなる電極同士の間隔は１０μｍである。
【００８８】
このように構成される電極基板の作製プロセスについて説明する。
【００８９】
まず、図１０（ａ）に示すように、基板２１上にＩＴＯを２０００Å蒸着して透明電極膜２６を形成し、その上に電極パターンに対応するレジストパターン２４を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、臭化水素溶液により透明電極膜２６をエッチングすることによって透明電極２２…を形成する。さらに、図１０（ｃ）に示すように、この上からＣｕを２０００Å蒸着して金属層２５を形成する。その後、図１０（ｄ）に示すように、透明電極２２…上方の領域における金属層２５上に金属電極２３…に対応するレジストパターン２７を形成する。そして、図１０（ｅ）に示すように、金属層２５をリン酸／酢酸混合液でエッチングすることによって金属電極２３…が形成される。
【００９０】
臭化水素溶液はＩＴＯのエッチング液として最適である一方、リン酸／酢酸混合液はＣｕのエッチング液に適している。また、ＩＴＯは、リン酸／酢酸混合液でエッチングされることがない。したがって、図１０（ｄ）に示す金属層２５（Ｃｕ）のエッチングにおいてレジストパターン２７に不良があっても、透明電極２２は、その不良部分を介してエッチングされることはないので断絶しない。
【００９１】
ここで、１本毎に交互に反対側に突出した透明電極２２…の端部を図１に示すように導電性ペースト４１・４２で短絡したところ、その間に導通が確認され、電極間でリークが生じていることがわかった。そこで、短絡した端子間に±１０Ｖ，１Ｈｚの電圧を５秒間印加した後の電極基板上に透明電極２２…を覆うように前述のＰＶＡを塗布してラビング処理を行う。さらに、２枚の電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせて、その間にネマティック液晶Ｅ７を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークのないことが確認された。
【００９２】
なお、本実施例では、図４（ｂ）の構造を有する電極基板について述べたが、上記の作製プロセスによって開口率の高い図５（ｂ）の構造を有する電極基板を得てもよい。
【００９３】
〔実施例３〕
本実施例に係る電極基板は、図４（ｃ）に示す構造をなしており、透明電極２２がＩＴＯで形成され、金属電極２３がＣｕで形成されている。ＩＴＯは２０００Åの膜厚および１００μｍの幅で形成され、Ｃｕは２０００Åの膜厚および１０μｍの幅で形成されている。また、透明電極２２および金属電極２３は、３００ｍｍの長さに形成されており、リーク検査用として１本毎に突出する部分の長さは３０ｍｍである。したがって、透明電極２２において表示部分として使用される部分の長さは２７０ｍｍである。さらに、１対の透明電極２２および金属電極２３からなる電極同士の間隔は１０μｍである。
【００９４】
このように構成される電極基板の作製プロセスについて説明する。
【００９５】
まず、図１１（ａ）に示すように、基板２１上にＣｕを２０００Å蒸着して金属層２５を形成し、その上に金属電極２３…に対応するレジストパターン２７を形成する。次に、図１１（ｂ）に示すように、リン酸／酢酸混合液により金属層２５をエッチングすることによって金属電極２３…を形成する。さらに、図１１（ｃ）に示すように、この上からＩＴＯを２０００Å蒸着して透明電極膜２６を形成する。その後、図１１（ｄ）に示すように、透明電極膜２６上に電極パターンに対応するレジストパターン２４を形成する。そして、透明電極膜２６を臭化水素溶液でエッチングすることによって、図１１（ｅ）に示すように、透明電極２２…が形成される。
【００９６】
臭化水素溶液は、ＩＴＯのエッチング液として最適である一方、Ｃｕに対してもエッチング効果がある。しかし、ＩＴＯとＣｕとでは臭化水素溶液に対するエッチング速度が異なる。例えば、４０℃，４７％の臭化水素溶液に対して、ＩＴＯのエッチング速度は約１０００Å/minであり、Ｃｕのエッチング速度は約１５０Å/minである。このため、ＩＴＯが２０００Åエッチングされる間に、Ｃｕは３００Åしかエッチングされない。これにより、たとえ透明電極膜２６のエッチングにおいてレジストパターン２４の不良のために下層の金属電極２３がオーバーエッチングされても、金属電極２３が断絶することはない。
【００９７】
ここで、１本毎に互いに反対側に突出した透明電極２２…の端部を図１に示すように導電性ペースト４１・４２で短絡したところ、その間に導通が確認され、電極間でリークが生じていることがわかった。そこで、短絡した端子間に±１０Ｖ，１Ｈｚの電圧を５秒間印加した後の電極基板上に透明電極２２…を覆うように前述のＰＶＡを塗布してラビング処理を行う。さらに、２枚の電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせて、その間にネマティック液晶Ｅ７を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークのないことが確認された。
【００９８】
なお、本実施例では、図４（ｃ）の構造を有する電極基板について述べたが、上記の作製プロセスによって開口率の高い図５（ｃ）の構造を有する電極基板を得てもよい。
【００９９】
〔比較例１〕
本比較例では、臭化水素溶液に代えて塩化第２鉄溶液で透明電極膜２６（ＩＴＯ）をエッチングする以外は、実施例３と同様にして電極基板を作製した。塩化第２鉄溶液は、臭化水素溶液と同様にＩＴＯのエッチング液として最適である一方、Ｃｕに対してもエッチング効果がある。例えば、５０℃の３０％塩化第２鉄溶液に対して、ＩＴＯのエッチング速度は約１０００Å／ｍｉｎであり、Ｃｕのエッチング速度は約５０００Å／ｍｉｎである。それゆえ、ＩＴＯが２０００Åエッチングされる間にＣｕが１００００Åエッチングされるので、透明電極膜２６のエッチングにおいてレジストパターン２４に不良があれば、金属層２５が断絶してしまう。
【０１００】
さらに、上記の電極基板上に透明電極２２…を覆うように前述のＰＶＡを塗布してラビング処理を行う。さらに、２枚の電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせて、その間にネマティック液晶Ｅ７を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線の発生が確認された。
【０１０１】
〔実施例４〕
本実施例に係る電極基板は、図１２に示すように、２分割された画素を形成するように、異なる幅の２本の分割電極２２ａ・２２ｂを一組とする透明電極２２（画素分割電極）を面積階調表示用として備えている。本実施の形態をこのような画素分割電極に適用した場合、通常、図１３に示すように、広い幅の分割電極２２ａ（第１電極）と狭い幅の分割電極２２ｂ（第２電極）とが交互に配置され、かつ分割電極２２ａ…同士と分割電極２２ｂ…同士とがそれぞれ同じ側に突出するように配置される。
【０１０２】
しかしながら、このような構造では、幅の異なる分割電極２２ａ…と分割電極２２ｂ…とがそれぞれ個別の駆動回路（図示せず）によって駆動されるので、これらの駆動回路の負荷が大きく異なる結果、電極駆動時の電力消費に伴う発熱などが不均一になる問題が生じる。これに対し、図１２に示すように、分割電極２２ａ・２２ｂの位置を透明電極２２の１本おきに入れ替えることによって、両駆動回路の負荷が等しくなるので、電極駆動時の電力消費を均一に保つことができる。
【０１０３】
なお、図１２および図１３では金属電極２３の図示を省略している。
【０１０４】
ここで、実施例１と同様にして図１２の電極構造を有する電極基板を２枚作製し、これらの電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせて、その間にネマティック液晶Ｅ７を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークのないことが確認された。また、一方の駆動回路の駆動による消費電力と他方の駆動回路の駆動による消費電力には差がなく、それぞれの駆動回路により駆動される電極の発熱の不均一もなかった。
【０１０５】
〔比較例２〕
第２の比較例として、ＩＴＯからなる透明電極２２…を備えるが金属電極２３…を備えていないことを除いては実施例１ないし４の電極基板と同じ電極基板をそれぞれ作製した。これらの電極基板において、１本ごとに互いに反対側に突出した透明電極２２…の端部を実施例１ないし４と同様に導電性ペースト４１・４２で短絡したところ、その間に導通が確認され、電極間でリークが生じていることがわかった。そこで、短絡された端部間に±１０Ｖ，１Ｈｚの電圧を５秒間印加した後の電極基板上に透明電極２２…を覆うようにＰＶＡを塗布してラビング処理を行う。さらに、２枚の電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせて、その間にネマティック液晶Ｅ７を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。これらの液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークが確認された。再度、上記の電極基板と同じ４種類の電極基板を作製し、各電極基板について、導電性ペースト４１・４２で短絡された端部間に±２０Ｖ、±５０Ｖ、±８０Ｖという異なる電圧を印加することで修正処理を施した３つの電極基板を用意し、それぞれの電極基板を用いて実施例１ないし４と同様に液晶表示素子を作製した。
【０１０６】
これらの液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、印加電圧が±１０Ｖであるときと同様に断線およびリークが確認された。さらに、印加電圧を±１００Ｖにしたところ、一部の透明電極２２…が部分的に焼失していることが確認された。
【０１０７】
このように、金属電極２３…を備えていない電極基板では、電極抵抗が高いので、隣接する透明電極２２・２２間に形成される短絡部を電流によって焼失させることができない。また、この短絡部を焼失させるために、より高電圧を印加した結果、表示に供される透明電極２２…が損傷してしまった。
【０１０８】
〔実施例５〕
本実施例に係る電極基板は、図５（ａ）に示す構造をなしており、透明電極２２がＩＴＯで形成され、金属電極２３がＴａで形成されている。ＩＴＯは２０００Åの膜厚、１０５μｍの幅および１２０μｍのラインピッチ（隣り合う透明電極２２・２２同士の間隔は１５μｍ）で形成され、Ｔａは５０００Åの膜厚および２０μｍの幅で形成されている。また、透明電極２２および金属電極２３は、３００ｍｍの長さに形成されており、リーク検査用として１本毎に突出する部分の長さは３０ｍｍである。したがって、透明電極２２において表示部分として使用される部分の長さは２７０ｍｍである。金属電極２３は、１０μｍの幅の部分で透明電極２２と接触している。
【０１０９】
このように構成される電極基板の作製プロセスについて説明する。
【０１１０】
まず、図１８（ａ）ないし（ｅ）に示すように、実施例１の図９（ａ）ないし（ｅ）に示すプロセスと同様のプロセスによって、基板２１に金属電極２３…を埋設し、基板２１上に透明導電膜２６を形成する。さらに、実施例１とは異なり、図１８（ｆ）に示すプロセスでは、レジストパターン２７を、金属層２５の一部を覆うように位置合わせを行った上で露光および現像によって透明電極膜２６上に形成する。そして、図１８（ｇ）に示すように、透明電極膜２６を４７％の臭化水素の水溶液でエッチングすることによって透明電極２２…が形成される。
【０１１１】
臭化水素溶液は、ＩＴＯのエッチング液として非常に適している。また、Ｔａは臭化水素も含めてほとんどの酸に侵されることがない。したがって、図１８（ｇ）のプロセスにおいて透明電極膜２６をエッチングする際に、金属電極２３…が臭化水素の水溶液でエッチングされることはない。
【０１１２】
ここで、１本毎に交互に反対側に突出した透明電極２２…の端部を図１に示すように導電性ペースト４１・４２で短絡したところ、その間に導通が確認され、電極間でリークが生じていることがわかった。そこで、短絡した端子間に±１０Ｖ，１Ｈｚの電圧を５秒間印加した後の電極基板上に透明電極２２…を覆うように前述のＰＶＡを塗布してラビング処理を行う。さらに、２枚の電極基板をそれぞれの透明電極２２…がマトリクス状に交差するように貼り合わせて、その間にネマティック液晶Ｅ７を注入してＴＮ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子の全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークのないことが確認された。
【０１１３】
なお、以降の実施例６ないし１２においても、同様のＴＮ液晶表示素子を作製し、それらの全面に表示試験を行ったところ、断線およびリークのないことが確認された。
【０１１４】
〔実施例６〕
本実施例に係る電極基板は、実施例５の電極基板と同様、図５（ａ）に示す構造をなしているが、その作製プロセスにおいて実施例５の電極基板と異なる。具体的には、図１８（ｇ）のプロセスで透明電極膜２６をエッチングする際に、エッチング液として５０℃、３０％の塩化第２鉄溶液を用いている。このような塩化第２鉄溶液に対して、透明電極膜２６は約１０００Å／ｍｉｎのエッチング速度でエッチングされる。
【０１１５】
塩化第２鉄溶液は、臭化水素溶液と同様、ＩＴＯのエッチング液として非常に適している。また、Ｔａは塩化第２鉄にも侵されることがない。したがって、図１８（ｇ）のプロセスにおいて透明電極膜２６をエッチングする際に、金属電極２３…が塩化第２鉄溶液でエッチングされることはない。
【０１１６】
〔実施例７〕
本実施例に係る電極基板は、実施例５の電極基板と同様、図５（ａ）に示す構造をなしているが、金属電極２３がＴａではなくＣｕで形成されている。ＩＴＯは２０００Åの膜厚および１１０μｍの幅で形成され、Ｃｕは５０００Åの膜厚および１０μｍの幅で形成されている。また、ＩＴＯは１２０μｍのラインピッチ（隣り合う透明電極２２・２２同士の間隔は１０μｍ）で形成され、また、金属電極２３は、５μｍの幅で透明電極２２と接触している。
【０１１７】
このように構成される電極基板を作製する際には、図１８（ｃ）のプロセスおいて、Ｃｕを５０００Å蒸着して金属層２５を形成し、レジストパターン２４上の金属層２５をリフトオフすることによって、金属電極２３…を形成する（図１８（ｄ））。そして、ＩＴＯからなる透明電極膜２６を、図１８（ｇ）のプロセスにおいて４７％の臭化水素の水溶液にてエッチングすることによって、透明電極２２…を形成する。
【０１１８】
金属層２５を形成するＣｕは、Ｔａなどの他の金属に比較して抵抗値が低く、狭い幅で電極抵抗を低減できるため、開口率を向上する点で有利である。また、臭化水素溶液は、４０℃でＩＴＯを約１０００Å／ｍｉｎのエッチング速度でエッチングする一方、Ｃｕを約１５０Å／ｍｉｎのエッチング速度でエッチングするだけである。これにより、たとえ透明電極膜２６におけるエッチング部分の下の金属電極２３がオーバーエッチングされても、金属層２５が消失することはない。
【０１１９】
〔比較例３〕
本比較例では、臭化水素溶液に代えて塩化第２鉄溶液で透明電極膜２６（ＩＴＯ）をエッチングする以外は、実施例７と同様にして電極基板を作製した。塩化第２鉄溶液は、臭化水素溶液と同様にＩＴＯのエッチング液として最適である一方、Ｃｕに対してもエッチング効果がある。例えば、５０℃の３０％塩化第２鉄溶液に対して、ＩＴＯのエッチング速度は約１０００Å／ｍｉｎであり、Ｃｕのエッチング速度は約５０００Å／ｍｉｎであるので、ＩＴＯが２０００Åエッチングされる間にＣｕが１００００Åエッチングされる。このため、本電極基板においては金属電極２３が消失してしまい、図５（ａ）に示す基板構造を得ることができなかった。
【０１２０】
〔実施例８〕
本実施例に係る電極基板において、金属電極２３は、図１９（ａ）に示すように、第１層２３ａ、第２層２３ｂおよび第３層２３ｃからなる３層構造をなしており、１０μｍの幅で形成されている。第１および第３層２３ａ・２３ｃは、ともに厚さ１０００ÅのＴａによって形成されている。第１および第３層２３ａ・２３ｃの間に挟持される第２層２３ｂは、厚さ５０００ÅのＣｕによって形成されている。また、透明電極２２の幅、透明電極２２のラインピッチおよび金属電極２３と透明電極２２との接触幅は、実施例７の電極基板と同様、それぞれ１１０μｍ、１２０μｍおよび５μｍである。
【０１２１】
このように構成される電極基板を作製する際には、図１８（ｃ）のプロセスにおいて、１つの金属で金属層２５を形成する代わりに、図１９（ｂ）に示すように、Ｔａからなる第１膜２５ａ、Ｃｕからなる第２膜２５ｂ、Ｔａからなる第３膜２５ｃを順次成膜する。そして、図１８（ｅ）のプロセスにおいて、透明電極膜２６として通常のＩＴＯを２０００Å成膜し、図１８（ｇ）のプロセスにおいて、ＩＴＯを臭化水素の４７％水溶液でエッチングする。
【０１２２】
前述のように、臭化水素溶液は、４０℃でＩＴＯを約１０００Å／ｍｉｎのエッチング速度でエッチングする一方、Ｔａを全くエッチングすることはない。また、Ｃｕは、同じ臭化水素溶液で約１５０Å／ｍｉｎの速度でエッチングされるだけであるが、多少なりともエッチングされるため、実施例７の電極基板のように金属層２５がＣｕのみからなる構造では、凹部２１ａから剥離する可能性があり、電極基板の歩留りを低下させるおそれがある。しかしながら、金属電極２３において、Ｃｕからなる第２層２３ｂをＴａからなる第１および第３層２３ａ・２３ｃで挟持する構造を採用することによって、第２層２３ｂが直接臭化水素溶液に触れることがないため、図１９（ａ）に示す基板構造を容易に得ることができる。
【０１２３】
〔実施例９〕
本実施例に係る電極基板は、実施例８の電極基板と同様、図１９（ａ）に示す構造をなしているが、その作製プロセスにおいて実施例８の電極基板と異なる。具体的には、図１８（ｇ）のプロセスで透明電極膜２６をエッチングする際に、エッチング液として５０℃、３０％の塩化第２鉄溶液を用いている。
【０１２４】
比較例３のように、塩化第２鉄溶液はＣｕを素早くエッチングしてしまうが、図１９（ａ）に示す第２層２３ｂ（Ｃｕ）が、塩化第２鉄でエッチングされない第１および第３層２３ａ・２３ｃ（Ｔａ）に挟持されている。したがって、第２層２３ｂが塩化第２鉄溶液によるエッチングプロセスを経ても消失することはないので、所望の基板構造を容易に得ることができる。
【０１２５】
〔実施例１０〕
本実施例に係る電極基板は、図５（ａ）に示す構造をなしており、透明電極２２の幅、透明電極２２のラインピッチおよび金属電極２３と透明電極２２との接触幅は、実施例７の電極基板と同様、それぞれ１２０μｍ、１１０μｍおよび５μｍである。
【０１２６】
この電極基板の作製を作製する際には、図１８（ｄ）のプロセスにおいて、Ｃｕからなる金属層２５を、１０μｍの幅、かつ５０００Åの厚さで形成する。そして、図１８（ｅ）のプロセスにおいて、アモルファスＩＴＯ（出光興産社製、ＩＤＩＸＯ）からなる透明電極膜２６を２０００Åの厚さで成膜する。さらに、図１８（ｇ）のプロセスにおいて、透明電極膜２６を蓚酸の水溶液でエッチングする。ＩＤＩＸＯは、５％、２５℃の蓚酸溶液により２００Å／ｍｉｎのエッチング速度でエッチングされるが、その一方、Ｃｕは同じ蓚酸溶液によっても全くエッチングされない。このため、所望の基板構造を容易に得ることができる。
【０１２７】
〔実施例１１〕
本実施例では、実施例５および６で作製した電極基板を用いて図２に示す図２に示す液晶表示装置を作製した。この液晶表示装置は、強誘電性液晶によって形成される液晶層１０を含んだ強誘電性液晶表示装置である。
【０１２８】
上記の電極基板において、金属電極２３と重ならない透明電極２２の透光部は９５μｍの幅を有している。これによって、本液晶表示装置では、６２．６７％の開口率が得られた。また、この液晶表示装置では、電極抵抗による信号の減衰および歪み、ならびに基板表面段差による配向不良がなく、高輝度かつ高コントラスト（２００以上のコントラスト比）の特性が得られた。
【０１２９】
〔比較例４〕
本比較例では、実施例１１の電極基板を先行技術の構成（図２１（ａ）参照）に示す構造で作製し、図２に示す液晶表示装置（強誘電性液晶表示装置）を作製した。この液晶表示装置でも、電極抵抗による信号の減衰および歪みがなく、高輝度かつ高コントラスト（２００以上のコントラスト比）の特性を得ることができた。
【０１３０】
しかしながら、この液晶表示装置では、基板表面段差による配向不良が発生し、表示の均一性が損なわれていた。
【０１３１】
〔実施例１２〕
本実施例では、実施例７ないし１０で作製した電極基板を用いて、実施例１１と同様、図２に示す液晶表示装置（強誘電性液晶表示装置）を作製した。
【０１３２】
上記の電極基板において、金属電極２３と重ならない透明電極２２の透光部は１０５μｍの幅を有している。これによって、本液晶表示装置では、７６．５６％の開口率が得られた。また、この液晶表示装置では、電極抵抗による信号の減衰および歪み、ならびに基板表面段差による配向不良がなく、高輝度かつ高コントラスト（２５０以上のコントラスト比）の特性が得られた。
【０１３３】
〔比較例５〕
本比較例では、実施例１２の電極基板を先行技術の構成（図２１（ａ）参照）に示す構造で作製し、図２に示す液晶表示装置（強誘電性液晶表示装置）を作製した。この液晶表示装置でも、電極抵抗による信号の減衰および歪みがなく、高輝度かつ高コントラスト（２５０以上のコントラスト比）の特性を得ることができた。
【０１３４】
しかしながら、この液晶表示装置では、基板表面段差による配向不良が発生し、表示の均一性が損なわれていた。
【０１３５】
以上、本発明の実施例１ないし１２について説明したが、本発明はこれらの実施例１ないし１２に限定されるものではない。
【０１３６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の表示装置用電極基板は、基板上にストライプ状に配列される複数の電極を有し、この電極が、平行に並んで互いに接触する少なくとも２つの電極部によって形成され、該各電極部を構成する導電体のエッチング特性が互いに異なっており、１本おきに一方の端部で互いに短絡される一方、残余の他方の端部で互いに短絡された状態で、短絡された両側の端部間に電圧が印加されることによって上記電極間に形成されたリーク部分が切断されている構成である。
【０１３７】
これにより、異なる電極部が同一箇所で断絶することが防がれるので、電極全体は必ずいずれかの電極部でつながっている構造を得ることができる。また、電極が１本おきに一方の端部で短絡され、残余の電極が他方の端部で短絡された状態で両側の端部の間に電圧が印加されると、隣り合う電極間に通常ごく細く形成されるリーク部分に大きい電流が流れることによってリーク部分が焼失する。したがって、ほとんど断絶することのない電極構造を提供するとともに、リーク部分の検出およびレーザーなどによらずに簡単にリーク部分の修正を行うことができるという効果を奏する。
【０１３８】
本発明の表示装置用電極基板は、さらに、上記導電体が、同一のエッチング液によってエッチングされない材料からなるので、導電体に容易にエッチング選択性を付与することができる。したがって、電極の断絶を確実に防止することができるという効果を奏する。
【０１３９】
あるいは、本発明の表示装置用電極基板は、さらに、上記導電体が、それぞれの導電体間で同一のエッチング液によりエッチングされる速度が５倍以上異なる材料からなるので、例えば、電極が２層の電極部からなる場合、上層の電極部を形成するために導電体をエッチングする際に、レジストパターンの不良のために、エッチングによって形成された上層の電極部が断絶しても、すでに形成されている下層の電極部がエッチング液によって侵される速度は非常に低いため、下層の電極部が上層の電極部と同じ箇所で断絶することはない。したがって、エッチング液の共通化が図られる結果、製造コストを低減することができるという効果を奏する。
【０１４０】
上記の各電極基板は、さらに、上記電極部のうち少なくとも１つが透明電極であり、他の１つが金属電極であるので、透明電極および金属電極からなる電極全体の抵抗値が非常に低く抑えられる一方、通常、ごく細く形成される抵抗値の高いリーク部分へのジュール発熱の集中が大きくなる。それゆえ、比較的低い電圧の印加によっても、透明電極を損傷させることなく、リーク部分を焼失しうる大きな電流を透明電極に流すことができる。したがって、より確実にリーク部分を修正することができるという効果を奏する。
【０１４１】
上記の各電極基板は、さらに、上記低抵抗導電体電極が、上記基板に埋設されるとともに、上記透明電極によって一部のみ覆われるように上記透明電極と接触するので、低抵抗導電体電極が透明電極上に形成される構造と比べて、電極基板表面を平坦に形成することができ、また、透明電極によって形成される画素部が遮光性を有する低抵抗導電体電極によって覆われる面積が少なくなる。しかも、本電極基板では、前述の従来の基板構造が有していた透明電極と金属電極との間に介在する絶縁膜が不要であるので、構造が簡素化される。したがって、簡素な構造で電極基板の平坦性および開口率の向上を容易に図ることができるという効果を奏する。
【０１４２】
上記の各電極基板は、さらに、上記電極が、分割された画素を形成するために異なる幅の１対の第１電極と第２電極とからなり、隣り合う上記電極において、上記第１電極同士が隣り合うとともに、上記第２電極同士が隣り合うように配置されているので、電極の端部を１本おきに反対側に引き出して、電極の端部にそれぞれの側で駆動回路を接続する場合、両駆動回路の負荷が等しくなる結果、電極駆動時の電力消費を均一に保つことができる。したがって、表示品位に悪影響を与える電極からの発熱の不均一を抑えることができるという効果を奏する。
【０１４３】
本発明の表示装置用電極基板の製造方法は、導電体をエッチングすることによって上記電極を構成する少なくとも２つの電極部が平行に並んで互いに接触するように、該各電極部を構成する導電体のエッチング特性を互いに異ならせて電極を基板上にストライプ状に複数形成する第１工程と、上記電極の一方の端部を１本おきに短絡するとともに残余の電極の他方の端部を短絡し、短絡された端部の間に電圧を印加することによって隣り合う上記電極間に形成されたリーク部分を切断する第２工程とを備えている。
【０１４４】
これにより、異なる電極部が同一箇所で断絶することが防止されるので、電極全体は必ずいずれかの電極部でつながっている構造を得ることができる。また、電極の端部を１本おきに短絡し、残余の電極の他方の端部を短絡した状態で両側の端部の間に電圧を印加すると、隣り合う電極間に通常ごく細く形成されるリーク部分に大きい電流が流れることによってリーク部分が焼失する。したがって、ほとんど断絶することのない電極構造を提供するとともに、リーク部分の検出およびレーザーなどによらずに簡単にリーク部分の修正を行うことができるという効果を奏する。
【０１４５】
本発明の製造方法は、さらに、上記第１工程において、同一のエッチング液によってエッチングされない材料を上記導電体として用いるので、導電体に容易にエッチング選択性を付与することができる。したがって、電極の断絶を確実に防止することができるという効果を奏する。
【０１４６】
あるいは、本発明の製造方法は、さらに、上記第１工程において、それぞれの導電体間で同一のエッチング液によりエッチングされる速度が５倍以上異なる材料を上記導電体として用いるので、例えば、電極が２層の電極部からなる場合、レジストパターンの不良のために、エッチングによって形成された上層の電極部が断絶しても、すでに形成されている下層の電極部がエッチング液によって侵される速度は非常に低いため、下層の電極部が上層の電極部と同じ箇所で断絶することはない。したがって、エッチング液の共通化が図られる結果、製造コストを低減することができるという効果を奏する。
【０１４７】
本発明の上記の各製造方法は、さらに、上記第１工程において、上記低抵抗導電体電極を上記基板に埋設して形成した後に、上記低抵抗導電体電極を一部のみ覆い、かつ上記低抵抗導電体電極と接触するように上記透明電極を上記基板上に形成するので、低抵抗導電体電極が透明電極上に形成される構造と比べて、電極基板表面を平坦に形成することができ、また、透明電極によって形成される画素部が遮光性を有する低抵抗導電体電極によって覆われる面積を少なくすることができる。しかも、本第１工程では、前述の従来の基板構造が有していた透明電極と金属電極との間に介在する絶縁膜を作製するプロセスが不要であるので、製造プロセスが簡素化される。したがって、簡素なプロセスで電極基板の平坦性および開口率の向上を容易に図ることができるという効果を奏する。
【０１４８】
本発明の上記の各製造方法は、さらに、上記第１工程において、上記電極部のうち少なくとも１つを透明電極として形成し、他の１つを金属電極として形成するので、透明電極および金属電極からなる電極全体の抵抗値が非常に小さく抑えられる一方、通常、ごく細く形成されるて抵抗の高いリーク部分へのジュール発熱の集中が大きくなる。それゆえ、比較的低い電圧の印加によっても、透明電極を損傷させることなく、リーク部分を焼失しうる大きな電流を透明電極に流すことができる。したがって、より確実にリーク部分を修正することができるという効果を奏する。
【０１４９】
本発明の上記の各電極基板の製造方法は、さらに、上記第１工程において、分割された画素を形成するために異なる幅の１対の第１電極と第２電極とからなり、隣り合う上記電極において、上記第１電極同士が隣り合うとともに、上記第２電極同士が隣り合うように上記電極を形成するので、電極の端部を１本おきに反対側に引き出して、電極の端部にそれぞれの側で駆動回路を接続する場合、両駆動回路の負荷が等しくなる結果、電極駆動時の電力消費を均一に保つことができる。したがって、表示品位に悪影響を与える電極からの発熱の不均一を抑えることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態に係る電極基板における断線の検出および短絡部の修正を行うための構成を示す平面図である。
【図２】上記電極基板を有する液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図３】上記電極基板における透明電極の配置構成を示す平面図である。
【図４】（ａ）ないし（ｃ）は上記電極基板における他の透明電極の配置構成を示す断面図である。
【図５】（ａ）ないし（ｃ）は上記電極基板におけるさらに他の透明電極の配置構成を示す断面図である。
【図６】図１の電極基板における一部の透明電極および補助電極に断絶が生じた状態を示す平面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は本実施の形態に係る電極構造における断線が防止できるメカニズムを２層構造の電極の作製工程を例に示す斜視図である。
【図８】上記電極基板を有する反射型の液晶表示素子の構成を示す断面図である。
【図９】（ａ）ないし（ｇ）は図４（ａ）または図５（ａ）の電極基板の各作製プロセス（本発明の実施例１）における構造を示す断面図である。
【図１０】（ａ）ないし（ｅ）は図４（ｂ）または図５（ｂ）の電極基板の各作製プロセス（本発明の実施例２）における構造を示す断面図である。
【図１１】（ａ）ないし（ｅ）は図４（ｃ）または図５（ｃ）の電極基板の各作製プロセス（本発明の実施例３）における構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例４に係る分割画素用の電極構造を示す平面図である。
【図１３】上記実施例４の電極構造の比較例としての分割画素用の電極構造を示す平面図である。
【図１４】従来の電極基板における電極構造を示す平面図である。
【図１５】図１４の電極構造の断線検査の方法を示す平面図である。
【図１６】図１４の電極構造のリーク検査の方法を示す平面図である。
【図１７】本発明の実施の一形態に係る電極基板を有する表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１８】（ａ）ないし（ｇ）は図５（ａ）の電極基板の各作製プロセスにおける構造を示す断面図である。
【図１９】（ａ）は本発明の実施例８に係る電極基板の一部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の電極基板を作製する際の図１８（ｄ）のプロセスに代わるプロセスにおける電極基板を示す断面図である。
【図２０】（ａ）および（ｂ）は、従来の他の電極基板の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１・２      ガラス基板（基板）
３          信号電極（電極部）
５          走査電極（電極部）
１５・１６    補助電極（電極部）
２１          基板
２２          透明電極（電極部）
２２ａ        分割電極（第１電極）
２２ｂ        分割電極（第２電極）
２３          金属電極（電極部、低抵抗導電体電極）
Ｓ            短絡部（リーク部分）
【図１】
0004511652.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004511652.tif 000017
【図１７】
0004511652.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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