【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｌ負荷差動回路およびそれを備える半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第２の入出力端子が電源ノードに共通に接続され、インダクタンスを可変とする第１および第２のインダクタンス可変部と、
一方入力が前記第１のインダクタンス可変部の第１の入出力端子に接続され、かつ、他方入力が前記第２のインダクタンス可変部の第１の入出力端子に接続される差動回路とを備え、
前記第１のインダクタンス可変部は、
前記第１の入出力端子を一方端としてスパイラル状に形成された第１の配線層と、
前記第１の配線層の複数の所定部のいずれか１つと前記第２の入出力端子とを選択的に導通する複数の第１のスイッチ回路とを含み、
前記第２のインダクタンス可変部は、
前記第１の入出力端子を一方端としてスパイラル状に形成された第２の配線層と、
前記第２の配線層の複数の所定部のいずれか１つと前記第２の入出力端子とを選択的に導通する複数の第２のスイッチ回路とを含み、
前記第１のインダクタンス可変部の前記複数の所定部のいずれか１つと前記第２のインダクタンス可変部の前記複数の所定部のいずれか１つとを選択的に導通する複数の第３のスイッチ回路をさらに備える、Ｌ負荷差動回路。
【請求項２】  第２の入出力端子が電源ノードに共通に接続され、インダクタンスを可変とする第１および第２のインダクタンス可変部と、
一方入力が前記第１のインダクタンス可変部の第１の入出力端子に接続され、かつ、他方入力が前記第２のインダクタンス可変部の第１の入出力端子に接続される差動回路とを備え、
前記第１のインダクタンス可変部は、
前記第１の入出力端子を一方端としてスパイラル状に形成された複数の第１の配線層と、
前記複数の第１の配線層のいずれか１つの他方端と前記第２の入出力端子とを選択的に導通する複数の第１のスイッチ回路とを含み、
前記第２のインダクタンス可変部は、
前記第１の入出力端子を一方端としてスパイラル状に形成された複数の第２の配線層と、
前記複数の第２の配線層のいずれか１つの他方端と前記第２の入出力端子とを選択的に導通する複数の第２のスイッチ回路とを含み、
前記複数の第１の配線層のいずれか１つの他方端と前記複数の第２の配線層のいずれか１つの他方端とを選択的に導通する複数の第３のスイッチ回路をさらに備える、Ｌ負荷差動回路。
【請求項３】  前記複数の第１のスイッチ回路、前記複数の第２のスイッチ回路および前記複数の第３のスイッチ回路は、各々が、第３のスイッチ回路とその両端の第１および第２のスイッチ回路で形成される複数のスイッチ回路群を形成し、
前記第１、第２および第３のスイッチ回路は、各スイッチ回路群単位で選択的に導通する、請求項１または請求項２に記載のＬ負荷差動回路。
【請求項４】  半導体基板、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成され、第１出力ノードに接続された一端からスパイラル状に配置される第１のスパイラル配線層を有する第１のインダクタンス形成部、および電源電位と前記第１のスパイラル配線層の複数の所定部との間に各々接続され選択的に導通する複数の第１のスイッチ回路を含む第１のインダクタンス可変部、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成され、第２出力ノードに接続された一端からスパイラル状に配置される第２のスパイラル配線層を有する第２のインダクタンス形成部、および前記電源電位と前記第２のスパイラル配線層の複数の所定部との間に各々接続され選択的に導通する複数の第２のスイッチ回路を含む第２のインダクタンス可変部、
各々が、前記第１のインダクタンス可変部の前記複数の所定部のいずれかと前記第２のインダクタンス可変部の前記複数の所定部のいずれかとの間に接続され、かつ選択的に導通する複数の第３のスイッチ回路、
前記第１の出力ノードと前記第２の出力ノードとの間に接続された可変容量素子、および
前記第１の出力ノードと前記第２の出力ノードとに接続された差動回路を含むＬ負荷差動回路を備える、半導体装置。
【請求項５】  前記第１のインダクタンス可変部の前記複数の第１のスイッチ回路と、前記第２のインダクタンス可変部の前記複数の第２のスイッチ回路と、前記複数の第３のスイッチ回路とは、各々が、第３のスイッチ回路とその両端の第１および第２のスイッチ回路で形成される複数のスイッチ回路群を形成し、
前記第１、第２および第３のスイッチ回路は、各スイッチ回路群単位で選択される、請求項４に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｌ負荷差動回路および半導体装置に関し、より特定的には、ＬＣ共振回路を用いた発振回路に搭載可能なＬ負荷差動回路およびそれを備える半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
それゆえ、この発明の目的は、発振回路に搭載されて、広い発振周波数範囲と低位相雑音特性とを実現するＬ負荷差動回路およびそれを備える半導体装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
この発明のある局面に従えば、Ｌ負荷差動回路は、第２の入出力端子が電源ノードに共通に接続され、インダクタンスを可変とする第１および第２のインダクタンス可変部と、一方入力が第１のインダクタンス可変部の第１の入出力端子に接続され、かつ、他方入力が第２のインダクタンス可変部の第１の入出力端子に接続される差動回路とを備える。第１のインダクタンス可変部は、第１の入出力端子を一方端としてスパイラル状に形成された第１の配線層と、第１の配線層の複数の所定部のいずれか１つと第２の入出力端子とを選択的に導通する複数の第１のスイッチ回路とを含む。第２のインダクタンス可変部は、第１の入出力端子を一方端としてスパイラル状に形成された第２の配線層と、第２の配線層の複数の所定部のいずれか１つと第２の入出力端子とを選択的に導通する複数の第２のスイッチ回路とを含む。Ｌ負荷差動回路は、第１のインダクタンス可変部の複数の所定部のいずれか１つと第２のインダクタンス可変部の複数の所定部のいずれか１つとを選択的に導通する複数の第３のスイッチ回路をさらに備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この発明の他の局面に従えば、半導体装置は、Ｌ負荷差動回路を備える。Ｌ負荷差動回路は、半導体基板と、半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成され、第１出力ノードに接続された一端からスパイラル状に配置される第１のスパイラル配線層を有する第１のインダクタンス形成部、および電源電位と第１のスパイラル配線層の複数の所定部との間に各々接続され選択的に導通する複数の第１のスイッチ回路を含む第１のインダクタンス可変部と、半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成され、第２出力ノードに接続された一端からスパイラル状に配置される第２のスパイラル配線層を有する第２のインダクタンス形成部、および電源電位と第２のスパイラル配線層の複数の所定部との間に各々接続され選択的に導通する複数の第２のスイッチ回路を含む第２のインダクタンス可変部と、各々が、第１のインダクタンス可変部の複数の所定部のいずれかと第２のインダクタンス可変部の複数の所定部のいずれかとの間に接続され、かつ選択的に導通する複数の第３のスイッチ回路と、第１の出力ノードと前記第２の出力ノードとの間に接続された可変容量素子と、第１の出力ノードと第２の出力ノードとに接続された差動回路とを含む。