【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、Ｘ線撮像装置、及び撮像装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  放射線または可視光を電気信号へ変換して電荷を発生する変換素子と、
前記変換素子で発生した電荷を転送するための転送手段とを有する画素が基板上に２次元に複数配置された２次元センサーと、
前記転送手段により転送された電荷を増幅して読み出す読み出し手段と、
を有する撮像装置であって、
前記放射線または可視光の露出を制御するために前記放射線または可視光を検知する露出制御用光検知手段を前記２次元センサーに有し、
前記転送手段と前記読み出し手段とを接続する信号伝達経路と、前記露出制御用光検知手段の信号転送経路とを共通にしたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記転送手段と前記読み出し手段とを接続する信号伝達経路上に、前記露出制御用光検知手段を１個ないしは複数個設けたことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記露出制御用光検知手段は、前記変換素子、または前記転送手段と同様の製造プロセスによって製造されて成ることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】  前記変換素子は、絶縁性の基板上に、
第１の電極層と、
第１の導電型のキャリア、および前記第１の導電型のキャリアとは正負の異なる第２の導電型のキャリアの両方のキャリアの通過を阻止する第１の絶縁層と、
非単結晶の半導体で形成される光電変換半導体層と、
第２の電極層と、
前記第２の電極層と前記光電変換半導体層との間に形成され、前記光電変換半導体層に第１の導電型のキャリアが注入されることを阻止する注入阻止層と、
金属で形成される第３の電極層とを少なくとも有し、
前記第２の電極層は、前記注入阻止層上に形成され、可視光に対し透明であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】  前記変換素子は、
絶縁性の基板上に形成される第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成され、第１の導電型のキャリア、および前記第１の導電型のキャリアとは正負の異なる第２の導電型のキャリアの両方のキャリアの通過を阻止する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に、非単結晶の半導体を用いて形成される光電変換半導体層と、
前記光電変換半導体層上に形成され、前記光電変換半導体層に第１の導電型のキャリアが注入されることを阻止する注入阻止層と、
前記注入素子層上に形成され、可視光に対し透明である第２の電極層と、
前記第２の電極層と前記光電変換半導体層との間に、金属を用いて形成される第３の電極層とを少なくとも有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】  前記変換素子は、絶縁性の基板上に、
第１の電極層と、
第１の導電型の電荷の注入を阻止する第１の注入阻止層と、
非結晶の半導体で形成される光電変換半導体層と、
前記第１の導電型の電荷とは正負の異なる第２の導電型の電荷の注入を阻止する第２の注入阻止層と、
前記第２の注入阻止層上に形成され、可視光に対し透明である第２の電極層と、
金属で形成される第３の電極層とを少なくとも有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】  前記変換素子は、
絶縁性の基板上に形成される第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成され、第１の導電型のキャリアの注入を阻止する第１の注入阻止層と、
前記第１の注入阻止層上に、非結晶の半導体を用いて形成される光電変換半導体層と、
前記光電変換半導体層上に形成され、前記第１の導電型のキャリアとは正負の異なる第２の導電型のキャリアの注入を阻止する第２の注入阻止層と、
前記第２の注入阻止層上に形成され、可視光に対し透明である第２の電極層と、
前記第２の電極層と、前記第２の注入阻止層との間に、金属を用いて形成される第３の電極層とを少なくとも有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】  請求項１〜７の何れか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の受光面上に配置される蛍光体とを有し、
前記蛍光体は、Ｘ線を可視光へ変換することを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項９】  前記撮像装置の露出制御用光検知手段により検知されたＸ線に基づく電気信号を読み出す電気信号読み出し手段と、
前記電気信号読み出し手段により読み出された電気信号から露出量を判断し、判断した露出量に基づいてＸ線源を自動的に制御するＸ線源制御手段とを有することを特徴とする請求項８に記載のＸ線撮像装置。
【請求項１０】  前記電気信号読み出し手段は、前記前記転送手段と前記読み出し手段とを接続する信号伝達経路に接続されていることを特徴とする請求項９に記載のＸ線撮像装置。
【請求項１１】  絶縁性の基板上に第１の導電体層を形成し、前記形成した第１の導電体層をエッチングして、センサー用電極とゲート電極とを形成する工程と、
前記センサー用電極上と前記ゲート電極上とを含む全面に、第１の絶縁体層と、第１及び第２のアモルファス半導体層とを順次形成する工程と、
前記センサー用電極上の所定領域に形成された第１の絶縁体層と、第１及び第２のアモルファス半導体層とを取り除いた後に、第２の導電体層を全面に形成し、形成した第２の導電体層をエッチングして、前記センサー用電極の上方にセンサーバイアス線を形成するとともに、前記ゲート電極の上方にソース電極層とドレイン電極層と信号線とを形成する工程と、
前記センサーバイアス線と、前記第２のアモルファス半導体層とが露出している領域上に、可視光に対して透明である電極を形成する工程とを含むことを特徴とする撮像装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像装置、Ｘ線撮像装置、及び撮像装置の製造方法に関し、特に、露出を制御するために用いて好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の撮像装置は、放射線または可視光を電気信号へ変換して電荷を発生する変換素子と、前記変換素子で発生した電荷を転送するための転送手段とを有する画素が基板上に２次元に複数配置された２次元センサーと、前記転送手段により転送された電荷を増幅して読み出す読み出し手段と、を有する撮像装置であって、前記放射線または可視光の露出を制御するために前記放射線または可視光を検知する露出制御用光検知手段を前記２次元センサーに有し、前記転送手段と前記読み出し手段とを接続する信号伝達経路と、前記露出制御用光検知手段の信号転送経路とを共通にしたことを特徴とする。
本発明のＸ線撮像装置は、前記撮像装置と、前記撮像装置の受光面上に配置される蛍光体とを有し、前記蛍光体は、Ｘ線を可視光へ変換することを特徴とする。
本発明の撮像装置の製造方法は、絶縁性の基板上に第１の導電体層を形成し、前記形成した第１の導電体層をエッチングして、センサー用電極とゲート電極とを形成する工程と、前記センサー用電極上と前記ゲート電極上とを含む全面に、第１の絶縁体層と、第１及び第２のアモルファス半導体層とを順次形成する工程と、前記センサー用電極上の所定領域に形成された第１の絶縁体層と、第１及び第２のアモルファス半導体層とを取り除いた後に、第２の導電体層を全面に形成し、形成した第２の導電体層をエッチングして、前記センサー用電極の上方にセンサーバイアス線を形成するとともに、前記ゲート電極の上方にソース電極層とドレイン電極層と信号線とを形成する工程と、前記センサーバイアス線と、前記第２のアモルファス半導体層とが露出している領域上に、可視光に対して透明である電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】削除
【補正の内容】