【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含むものであり、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記アルミニウム合金膜を構成する合金成分の一部または全部が、導電性析出物として存在しており、前記接触界面において、長径が０．０１μｍを超えるサイズの導電性析出物が、１００μｍ２当りに０．１３個を超える個数で存在することを特徴とする表示デバイス。
【請求項２】
ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＡｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｒ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｂｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含むものであり、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記アルミニウム合金膜を構成する合金成分の一部または全部が、導電性析出物として面積率０．５％を超えて存在していることを特徴とする表示デバイス。
【請求項３】
前記合金成分として、少なくともＮｉが含まれている請求項1または２に記載の表示デバイス。
【請求項４】
前記アルミニウム合金膜において、電気抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項５】
前記アルミニウム合金膜が、更に他の合金成分としてＮｄ，Ｙ，Ｆｅ，Ｃｏよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含むものである請求項１〜４のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項６】
前記合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含有すると共に、Ｘ２（Ｘ２＝Ｎｄ，Ｙの少なくとも１種）を０．１〜６原子％含み、それらの含有量が、下記式（Ｉ）の関係を満たすものである請求項５に記載の表示デバイス。
０．７≦０．５×ＣＸ１＋ＣＸ２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ２は、アルミニウム合金中のＮｄ，Ｙの含有量（原子％）をそれぞれ表す］
【請求項７】
前記合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）とＸ３（Ｘ３＝Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１種）を含み、それらの含有量が、下記式（II）の関係を満たすものである請求項５に記載の表示デバイス。
１≦ＣＸ１＋ＣＸ３≦６……（II）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ３は、アルミニウム合金中のＦｅ，Ｃｏの含有量（原子％）をそれぞれ表す］
【請求項８】
前記画素電極が、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）もしくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）である請求項１〜７のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項９】
ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極、および、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記画素電極は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗからなる高融点金属を介さずに直接接続しており、前記アルミニウム合金膜が、合金成分としてＮｉを０．１〜６原子％含むものであり、前記アルミニウム合金膜と画素電極が直接接触した接触界面において、前記Ｎｉの一部または全部が濃化層として存在しており、該濃化層は、アルミニウム合金膜の表面から１〜１０ｎｍの厚さ域におけるＮｉ含有量が、アルミニウム合金膜内部の平均Ｎｉ含有量を超え、該平均Ｎｉ含有量＋８原子％以下であるＮｉ濃化層を有していることを特徴とする表示デバイス。
【請求項１０】
前記アルミニウム合金膜が反射膜として機能する請求項１〜９のいずれかに記載の表示デバイス。
【請求項１１】
前記アルミニウム合金膜をタブ接続電極として使用する請求項１〜９のいずれかに記載の表示デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示デバイス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は薄膜状の表示デバイスに関し、特に、半導体や液晶ディスプレイの如きアクティブおよびパッシブマトリクス型のフラットパネルディスプレイ、反射膜、光学部品などに使用される画素電極とアルミニウム合金膜を構成要素として含む新規な表示デバイスに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記アルミニウム合金膜の中でもとりわけ好ましいのは、前記合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）とＸ２（Ｘ２＝Ｎｄ，Ｙの少なくとも１種）を含み、それらの含有量が下記式（Ｉ）を満たすもの、
０．７≦０．５×ＣＸ１＋ＣＸ２≦４．５……（Ｉ）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ２は、アルミニウム合金中のＮｄ，Ｙの含有量（原子％）をそれぞれ表す］
あるいは、合金成分として、Ｘ１（Ｘ１＝Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも１種）とＸ３（Ｘ３＝Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも１種）を含み、それらの含有量が、下記式（II）の関係を満たすものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
１≦ＣＸ１＋ＣＸ３≦６……（II）
［式中、ＣＸ１はアルミニウム合金中のＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉの含有量（原子％）、ＣＸ３は、アルミニウム合金中のＦｅ，Ｃｏの含有量（原子％）をそれぞれ表す］。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記表示デバイスを製造するための方法としては、ガラス基板上に前述した様な合金成分を含むアルミニウム合金膜を形成した後、１５０〜４００℃の温度で熱処理することにより、アルミニウムを主相とする前記アルミニウム合金膜と前記画素電極の接触界面に、上記アルミニウム合金膜中に含まれる前記合金元素の一部もしくは全部を含む第２相からなる導電性析出物を形成させる方法が有用である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明で用いるスパッタリングターゲットは、前述した様なアルミニウム合金膜を形成するための有用なターゲット材であって、合金成分としてＡｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含有すると共に、Ｎｄ，Ｙ，Ｆｅ，Ｃｏよりなる群から選択される少なくとも１種を０．１〜６原子％含有している。