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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  他の通信装置と相互に画像データおよび音声データを通信する通信装置において、
前記他の通信装置から送信されてきた前記音声データを受信する第１の受信手段と、
前記第１の受信手段により受信された前記音声データの出力を制御する出力制御手段と、
前記他の通信装置から送信されてきた前記画像データを受信する第２の受信手段と、
生体情報を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記生体情報に基づいて、前記第２の受信手段により受信された前記画像データの表示を制御する表示制御手段と
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】  前記検出手段は、前記生体情報として、視線ゆらぎの大きさ、瞳孔の径の大きさ、発汗量、心拍数、または血圧の少なくとも１つを検出する
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】  前記出力制御手段は、前記検出手段により検出された前記生体情報に基づいて、前記第１の受信手段により受信された前記音声データの出力を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項４】  前記出力制御手段は、前記音声データを増幅する増幅率を調整する
ことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】  前記出力制御手段は、前記音声データの周波数または位相特性を調整する
ことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項６】  前記生体情報と対応して画像データを記憶する記憶手段
をさらに備え、
前記表示制御手段は、前記記憶手段に前記画像データに対応して記憶されている前記生体情報に基づいて、前記画像データの表示を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項７】  前記生体情報と対応して画像データを記憶する記憶手段
をさらに備え、
前記出力制御手段は、前記生体情報に基づいて、前記音声データの出力を制御する
ことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項８】  他の通信装置と相互に画像データおよび音声データを通信する通信装置の通信方法において、
前記他の通信装置から送信されてきた前記音声データを受信する第１の受信ステップと、
前記第１の受信ステップの処理で受信された前記音声データの出力を制御する出力制御ステップと、
前記他の通信装置から送信されてきた前記画像データを受信する第２の受信ステップと、
生体情報を検出する検出ステップと、
前記検出ステップの処理で検出された前記生体情報に基づいて、前記第２の受信ステップの処理で受信された前記画像データの表示を制御する表示制御ステップと
を含むことを特徴とする通信方法。
【請求項９】  他の通信装置と相互に画像データおよび音声データを通信する場合の通信用プログラムであって、
前記他の通信装置から送信されてきた前記音声データを入力する第１の入力ステップと、
前記第１の入力ステップの処理で入力された前記音声データの出力を制御する出力制御ステップと、
前記他の通信装置から送信されてきた前記画像データを入力する第２の入力ステップと、
生体情報を検出する検出ステップと、
前記検出ステップの処理で検出された前記生体情報に基づいて、前記第２の入力ステップの処理で入力された前記画像データの表示を制御する表示制御ステップと
からなることを特徴とするプログラムをコンピュータに実行させる媒体。
【請求項１０】  他の通信装置と相互に画像データおよび音声データを通信する通信装置において、
ユーザを撮像する撮像手段と、
前記ユーザの音声を集音する集音手段と、
生体情報を検出する検出手段と、
前記他の通信装置から送信されてきた生体情報を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された前記生体情報に基づいて、前記撮像手段による撮像を制御する第１の制御手段と、
前記受信手段により受信された前記生体情報に基づいて、前記集音手段による集音を制御する第２の制御手段と
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項１１】  前記撮像手段は、ビデオカメラであり、
前記第１の制御手段は、前記ビデオカメラの配置位置を調整する
ことを特徴とする請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１２】  前記撮像手段は、ビデオカメラであり、
前記第１の制御手段は、前記ビデオカメラのズーム倍率を調整する
ことを特徴とする請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１３】  前記集音手段は、マイクロフォンであり、
前記第２の制御手段は、前記マイクロフォンの配置位置を調整する
ことを特徴とする請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１４】  前記集音手段は、マイクロフォンであり、
前記第２の制御手段は、前記マイクロフォンの指向性を調整する
ことを特徴とする請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１５】  他の通信装置と相互に画像データおよび音声データを通信する通信装置の通信方法において、
ユーザを撮像する撮像ステップと、
前記ユーザの音声を集音する集音ステップと、
生体情報を検出する検出ステップと、
前記他の通信装置から送信されてきた生体情報を受信する受信ステップと、
前記受信ステップの処理で受信された前記生体情報に基づいて、前記撮像ステップの処理での撮像を制御する第１の制御ステップと、
前記受信ステップの処理で受信された前記生体情報に基づいて、前記集音ステップの処理での集音を制御する第２の制御ステップと
を含むことを特徴とする通信方法。
【請求項１６】  他の通信装置と相互に画像データおよび音声データを通信する場合の通信用のプログラムであって、
ユーザを撮像する撮像ステップと、
前記ユーザの音声を集音する集音ステップと、
生体情報を検出する検出ステップと、
前記他の通信装置から送信されてきた生体情報を入力する入力ステップと、
前記入力ステップの処理で入力された前記生体情報に基づいて、前記撮像ステップの処理での撮像を制御する第１の制御ステップと、
前記入力ステップの処理で入力された前記生体情報に基づいて、前記集音ステップの処理での集音を制御する第２の制御ステップと
からなることを特徴とするプログラムをコンピュータに実行させる媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため請求項１又は請求項６に係る発明においては、符号化装置又は符号化方法に適用して、総合の符号化データに割り当てる符号量を複数系統に割り振った当初設定の符号量を、制御コードの変更により変化する符号量により補正して、目標符号量を設定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
請求項１又は請求項６に係る構成によれば、総合の符号化データに割り当てる符号量を複数系統に割り振った当初設定の符号量を、制御コードの変更により変化する符号量により補正して、目標符号量を設定することにより、１つの画面を分割して複数系統により符号化処理した後、１の符号化器により符号化処理したフォーマットによる総合の符号化データに変換する場合でも、この総合の符号化データにおける符号量を所望の符号量とすることができ、これによりＶＢＶバッファの破綻を有効に回避することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なおここで、Ｔｂは、トランスポートストリームＴＰの目標符号量の１／６の符号量であり、Ｈは、ヘッダーの符号量、ΔＭは、更新により変化するマクロブロックアドレスインクリメントの符号量である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
これによりこの実施の形態では、符号化器３３Ｂ〜３３Ｆについては、符号化処理結果よりヘッダーを取り除くと共に、マクロブロックアドレスインクリメントを変更したとき、トランスポートストリームＴＰの目標符号量の１／６の符号量Ｔｐとなるように目標符号量が設定されるようになされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
具体的に、中央処理ユニットは、例えば動きベクトルを検出する際に検出される差分絶対値和を困難度のデータとして使用して、この困難度のデータにより一定の符号化処理の条件により発生する符号量を検出する。さらにこの困難度のデータにより制御コードの変更により変化する複数系統の符号化データ全体の符号量を適応的に配分する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2000299868.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2000299868.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像バッファに格納された各画素の画像値を予め定めた順序で符号化する符号化方法であって、
当該符号化対象画素の周囲にあり且つ符号化対象画素よりも先に復号化される画素である周囲画素について当該周囲画素の画素値から当該周囲画素間の相関の強さを求めるステップと、
該求めた相関の強さから前記符号化対象画素に対して相関の強い画素が存在する方向を評価する評価ステップと、
該評価結果に基いて前記周囲画素の画素値から参照画素値を決定する参照画素値決定ステップと、
該参照画素値と前記符号化対象画素の画素値との差分値を求めるステップとを有し、
該差分値を前記符号化対象画素に対応する画素値として符号化して出力することを特徴とする符号化方法。
【請求項２】
前記参照画素値決定ステップは、
前記評価ステップで、縦方向の前記周囲画素間の相関が強いと評価された場合は前記符号化対象画素の縦方向にある前記周囲画素の画素値を参照画素値とし、横方向の前記周囲画素間の相関が強いと評価された場合は前記符号化対象画素の横方向にある前記周囲画素の画素値を参照画素値として決定することを特徴とする請求項１に記載の符号化方法。
【請求項３】
請求項１に記載の周囲画素間の相関の強さを求めるステップは、
符号化対象画素の縦方向及び横方向にある周囲画素の画素値を用いて斜め方向にある画素に対応する仮画素値を算出するステップと、
当該符号化対象画素の斜め方向にある周囲画素の画素値と当該算出した仮画素値の比較により斜め方向の相関の強さを求めるステップを含み、
前記評価ステップにより斜め方向の相関が強いと評価された場合には、前記参照画素値決定ステップでは、前記仮画素値を前記参照画素値として決定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の符号化方法。
【請求項４】
請求項1乃至請求項３のいずれかの方法で符号化された画像情報の復号を行う復号方法であって、
符号化データを復元して復元値を求めるステップと、復号対象画素の周囲にあり既に復号化されて画素値が求められている周囲画素間の相関の強さを評価する評価ステップと、
該評価結果に基いて当該復号対象画素を符号化した際に用いた参照画素値を決定するステップと、
該参照画素値と前記復元値とを加算して前記復号対象画素の画素値を決定するステップとを有することを特徴とする復号方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】符号化方法及び復号方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は次のように構成される。本発明は画像バッファに格納された各画素の画像値を予め定めた順序で符号化する符号化方法であって、当該符号化対象画素の周囲にあり且つ符号化対象画素よりも先に復号化される画素である周囲画素について当該周囲画素の画素値から当該周囲画素間の相関の強さを求めるステップと、  該求めた相関の強さから前記符号化対象画素に対して相関の強い画素が存在する方向を評価する評価ステップと、該評価結果に基いて前記周囲画素の画素値から参照画素値を決定する参照画素値決定ステップと、該参照画素値と前記符号化対象画素の画素値との差分値を求めるステップとを有し、該差分値を前記符号化対象画素に対応する画素値として符号化して出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成において、前記参照画素値決定ステップは、前記評価ステップで、縦方向の前記周囲画素間の相関が強いと評価された場合は前記符号化対象画素の縦方向にある前記周囲画素の画素値を参照画素値とし、横方向の前記周囲画素間の相関が強いと評価された場合は前記符号化対象画素の横方向にある前記周囲画素の画素値を参照画素値として決定することとしてもよい。
また、周囲画素間の相関の強さを求めるステップは、符号化対象画素の縦方向及び横方向にある周囲画素の画素値を用いて斜め方向にある画素に対応する仮画素値を算出するステップと、当該符号化対象画素の斜め方向にある周囲画素の画素値と当該算出した仮画素値の比較により斜め方向の相関の強さを求めるステップを含み、前記評価ステップにより斜め方向の相関が強いと評価された場合には、前記参照画素値決定ステップでは、前記仮画素値を前記参照画素値として決定することとしてもよい。
上記の目的を達成するために本発明は次のように構成することもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記のようにして符号化された画像情報の復号を行う復号方法であって、符号化データを復元して復元値を求めるステップと、復号対象画素の周囲にあり既に復号化されて画素値が求められている周囲画素間の相関の強さを評価する評価ステップと、該評価結果に基いて当該復号対象画素を符号化した際に用いた参照画素値を決定するステップと、該参照画素値と前記復元値とを加算して前記復号対象画素の画素値を決定するステップとを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  与えられた画像を記録手段に書き込み、当該記録した画像を表示手段により再生出力すると共に、前記画像以外のデータの書き込みが前記記録手段に対して可能な画像処理装置において、
前記記録手段に対して前記画像または該画像以外のデータの書き込みが行われている間、供給電源の供給能力が予め定めた第１の能力より小さくなったか否かを判定する判定手段と、
肯定判定が得られた場合には、前記表示手段に対する電力供給を低下させる制御手段とを具えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】  請求項１に記載の画像処理装置において、前記第１の能力より大きい第２の能力を予め定めておき、前記判定手段は前記供給電源の供給能力が前記第２の能力より小さくなったか否かを判定し、肯定判定が得られた場合には警告を行うことを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】  請求項２に記載の画像処理装置において、前記警告手段は前記画像を表示する表示手段とは別の表示手段であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】  請求項１〜請求項３のいずれかに記載の画像処理装置において、前記判定手段の前記第１の能力についての判定結果が肯定判定となった場合には前記制御手段は前記記録手段への書き込みが終了した時に装置全体への電力供給を断することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】  請求項１〜請求項４のいずれかに記載の画像処理装置において、前記供給電源は電池であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】  請求項１〜請求項５のいずれかに記載の画像処理装置において、前記記録手段は装置本体に着脱自在な携帯用記録媒体であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】  与えられた画像を記録手段に書き込み、当該記録した画像を表示手段により再生出力すると共に、前記画像以外のデータの書き込みが前記記録手段に対して可能な画像処理方法において、
前記記録手段に対して前記画像または該画像以外のデータの書き込みが行われている間、供給電源の供給能力が予め定めた第１の能力より小さくなったか否かを判定する判定ステップと、
肯定判定が得られた場合には、前記表示手段に対する電力供給を低下させる制御ステップとを具えたことを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】  請求項７に記載の画像処理方法において、前記第１の能力より大きい第２の能力を予め定めておき、前記供給電源の能力が前記第２の能力より小さくなったか否かを判定する警告判定ステップをさらに有し、該警告判定ステップにおいて肯定判定が得られた場合には警告を行うことを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】  請求項８に記載の画像処理方法において、前記警告ステップでは前記画像を表示する表示手段とは別の表示手段に警告を行うことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】  請求項７〜請求項９のいずれかに記載の画像処理方法において、前記判定ステップの前記第１の能力についての判定結果が肯定判定となった場合には前記記録手段への書き込みが終了した時に装置全体への電力供給を断する電源断ステップをさらに具えたことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】  請求項７〜請求項１０のいずれかに記載の画像処理方法において、前記供給電源は電池であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】  請求項７〜請求項１１のいずれかに記載の画像処理方法において、前記記録手段は装置本体に着脱自在な携帯用記録媒体であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】  与えられた画像を記録手段に書き込み、当該記録した画像を表示手段により再生出力すると共に、前記画像以外のデータの書き込みが前記記録手段に対して可能なプログラムであって、
画像処理装置において実行されるプログラムを記録した記録媒体において、該プログラムは、前記記録手段に対して前記画像または該画像以外のデータの書き込みが行われている間、供給電源の供給能力が予め定めた第１の能力より小さくなったか否かを判定する判定ステップと、
肯定判定が得られた場合には、前記表示手段に対する電力供給を低下させる制御ステップとを具えたことを特徴とする記録媒体。
【請求項１４】  請求項１に記載の画像処理装置において、前記制御手段は、画像を表示する前記表示手段に対する電力供給を低下させている場合に、前記書き込み中であることを示す他の表示手段を利用することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１５】  請求項１４に記載の画像処理装置において、前記他の表示手段は、前記表示手段よりも消費電力が小さいことを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１４の発明は、請求項１に記載の画像処理装置において、前記制御手段は、画像を表示する前記表示手段に対する電力供給を低下させている場合に、前記書き込み中であることを示す他の表示手段を利用することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１５の発明は、請求項１４に記載の画像処理装置において、前記他の表示手段は、前記表示手段よりも消費電力が小さいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
請求項４、１０の発明によれば、データの書き込みが終了した時点で装置全体への電力供給源を断することで、電圧低下に伴う装置への悪影響を阻止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
請求項５、１１の発明では、電池の電圧低下の度合いを緩和し、電池そのものの保護を図ることもできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
請求項６，１２の発明では、書き込みされるデータの保護の他、記録媒体自体の保護をも図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度情報と前記輝度情報に対してサンプリング数が低減されてなる色情報とをメモリに格納して処理する画像処理装置において、
前記輝度情報と対応する前記色情報とを組にして、１つのアドレスに対して割り当てて、前記輝度情報と前記色情報とを前記メモリに格納する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
１つの色情報が共通に割り当てられてなる複数の画素の前記輝度情報に対して、同一の前記色情報を繰り返し割り当てて、
前記輝度情報と対応する前記色情報とを組にして前記メモリに格納する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記色情報が、色差データである
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
輝度情報と前記輝度情報に対してサンプリング数が低減されてなる色情報とをメモリに格納して処理する画像処理方法において、
前記輝度情報と対応する前記色情報とを組にして、１つのアドレスに対して割り当てて、前記輝度情報と前記色情報とを前記メモリに格納する
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
１つの色情報が共通に割り当てられてなる複数の画素の前記輝度情報に対して、同一の前記色情報を繰り返し割り当てて、
前記輝度情報と対応する前記色情報とを組にして前記メモリに格納する
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記色情報が、色差データである
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000299879.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に形成された電極上に、複数の導電性金属層を積層してなるバリアメタルを介して突起電極が接合されてなる構成とされた半導体装置において、
前記バリアメタルを構成する複数の前記導電性金属層の内、前記突起電極と接する最上部に位置する最上部導電性金属層が、該最上部導電性金属層より下部に位置する前記導電性金属層の側面部を被覆する構成としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置において、
前記バリアメタルは、
前記電極上に形成されており、前記電極との接合性の良好な材質よりなる単一または複数の導電性金属被膜により形成された第１の導電性金属層と、
前記最上部導電性金属層を構成し、前記突起電極との接合性の良好な材質よりなる単一または複数の導電性金属被膜により形成された第３の導電性金属層と、
前記第１及び第３の導電性金属層の双方に対し接合性の良好な材質によりなる単一または複数の導電性金属被膜により形成されており、前記第１の導電性金属層と第３の導電性金属層との間に介装される第２の導電性金属層とを積層した構成とされており、
かつ、前記第３の導電性金属層の材質は、前記突起電極の材質に対し耐拡散性を有する材質か、または耐酸化性を有する材質が選定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項２記載の半導体装置において、
前記第１の導電性金属層は、
チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びタングステン（Ｗ）のいずれか一の金属からなる導電性金属被膜からか、または、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及びタングステン（Ｗ）のいずれか一の金属を含む合金からなる導電性金属被膜により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項２または３記載の半導体装置において、
前記第２の導電性金属層は、
銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びパラジウム（Ｐｄ）のいずれか一の金属からなる導電性金属被膜からか、または、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びパラジウム（Ｐｄ）のいずれか一の金属を含む合金からなる導電性金属被膜により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記突起電極は、
錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、及び銀（Ａｇ）のいずれか一の金属からなる金属からなる導電性金属被膜からか、または、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、及び銀（Ａｇ）のいずれか一の金属を含む合金からなる導電性金属被膜により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  半導体基板上に形成された電極上に、複数の導電性金属層を積層することによりバリアメタルを形成するバリアメタル形成工程と、
該バリアメタル形成工程の終了後に、形成された前記バリアメタル上に突起電極を形成する突起電極形成工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記バリアメタル形成工程は、
前記電極と電気的に接続するよう、前記半導体基板上の略全面に前記電極との接合性の良好な材質よりなる単一または複数の第１の導電性金属被膜を形成する第１の金属被膜形成工程と、
前記第１の導電性金属被膜上に、前記第１の導電性金属被膜との接合性の良好な材質よりなる単一または複数の第２の導電性金属被膜を形成する第２の金属被膜形成工程と、
前記第２の導電性金属被膜のみパターニング処理することにより、少なくとも前記電極の形成領域を含む面積を有した第２の導電性金属層を形成する第２の導電性金属層形成工程と、
前記第２の導電性金属層形成工程の終了後、少なくとも前記第２の導電性金属層を覆うよう、前記第２の導電性金属被膜及び前記突起電極との接合性が良好な材質よりなる単一または複数の第３の導電性金属層を形成する第３の導電性金属層形成工程と、
前記第３の導電性金属層形成工程の終了後、前記第１の導電性金属被膜を前記第３の導電性金属層をマスクとして除去することにより、第１の導電性金属層を形成する第１の導電性金属層形成工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
請求項１記載の発明は、
半導体基板上に形成された電極上に、複数の導電性金属層を積層してなるバリアメタルを介して突起電極が接合されてなる構成とされた半導体装置において、
前記バリアメタルを構成する複数の前記導電性金属層の内、前記突起電極と接する最上部に位置する最上部導電性金属層が、該最上部導電性金属層より下部に位置する前記導電性金属層の側面部を被覆する構成としたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  半導体基板の主表面に設けられたｐ型半導体埋込層と、
前記ｐ型半導体埋込層の上に設けられたｎ型半導体層からなるカソード領域と、
前記カソード領域の側周面を取り囲んで前記側周面に接して形成されたｐ型半導体層からなるアノード領域とを備え、
前記ｐ型半導体埋込層のアクセプタ濃度は、前記アノード領域のアクセプタ濃度よりも高く、
前記ｐ型半導体埋込層は、前記カソード領域およびアノード領域の底面と電気的に接する、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置においては、半導体基板の主表面に設けられたｐ型半導体埋込層と、ｐ型半導体埋込層の上に設けられたｎ型半導体層からなるカソード領域と、カソード領域の側周面を取り囲んで側周面に接して形成されたｐ型半導体層からなるアノード領域とを備え、ｐ型半導体埋込層のアクセプタ濃度は、アノード領域のアクセプタ濃度よりも高く、ｐ型半導体埋込層は、カソード領域およびアノード領域の底面と電気的に接する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に、チャネル形成領域、不純物領域、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の開口部を介して、前記不純物領域に電気的に接続された配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線上に、前記第１の開口部と離れた位置に設けられた第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に、前記第２の開口部の内側に形成された第３の開口部を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に、前記第３の開口部を介して、前記配線に接続された画素電極と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に、チャネル形成領域、不純物領域、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の開口部を介して、前記不純物領域に電気的に接続された配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線上に、前記第１の開口部と離れた位置に設けられた第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に、前記第２の開口部の内側に形成され、前記第２の開口部よりも小さい第３の開口部を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に、前記第３の開口部を介して、前記配線に接続された画素電極と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に、チャネル形成領域、不純物領域、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、第１の開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、前記第１の開口部を介して、前記不純物領域に電気的に接続された配線と、
前記絶縁膜及び前記配線上に、前記第１の開口部と離れた位置に設けられた第２の開口部を有するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に、前記第２の開口部の内側に形成された第３の開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に、前記第３の開口部を介して、前記配線に接続された画素電極と、を有し、
前記平坦化膜は、樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に、チャネル形成領域、不純物領域、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、第１の開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、前記第１の開口部を介して、前記不純物領域に電気的に接続された配線と、
前記絶縁膜及び前記配線上に、前記第１の開口部と離れた位置に設けられた第２の開口部を有するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に、前記第２の開口部の内側に形成され、前記第２の開口部よりも小さい第３の開口部を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に、前記第３の開口部を介して、前記配線に接続された画素電極と、を有し、
前記平坦化膜は、樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記第２の絶縁膜は、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜のいずれかを含むものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３または請求項４において、
前記パッシベーション膜は、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜のいずれかを含むものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記樹脂膜は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンまたはメチルシルセスキオキサンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート電極と前記チャネル形成領域をそれぞれ２つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート電極と前記チャネル形成領域をそれぞれ３つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、導電性を有する珪素膜、金属膜、シリサイド膜及び窒化膜から選択された１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、導電性を有する珪素膜、金属膜、シリサイド膜及び窒化膜から選択された複数が積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、導電性を有する珪素膜、金属膜、シリサイド膜及び窒化膜から選択された１つであり、
前記導電性を有する珪素膜は、リンドープシリコン膜またはボロンドープシリコン膜であり、
前記金属膜は、タングステン膜、タンタル膜、モリブデン膜またはチタン膜であり、
前記シリサイド膜は、タングステンのシリサイド膜、タンタルのシリサイド膜、モリブデンのシリサイド膜またはチタンのシリサイド膜であり、
前記窒化膜は、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜または窒化チタン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、導電性を有する珪素膜、金属膜、シリサイド膜及び窒化膜から選択された複数が積層されており、
前記導電性を有する珪素膜は、リンドープシリコン膜またはボロンドープシリコン膜であり、
前記金属膜は、タングステン膜、タンタル膜、モリブデン膜またはチタン膜であり、
前記シリサイド膜は、タングステンのシリサイド膜、タンタルのシリサイド膜、モリブデンのシリサイド膜またはチタンのシリサイド膜であり、
前記窒化膜は、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜または窒化チタン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項の前記半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  ＳＯＩ構造のＳＯＩ層に形成され、前記第１の入力信号を受けるゲートと、前記信号処理用ＭＩＳトランジスタの前記第１端に接続された第１端と、前記第１の入力信号が前記第２及び第１の論理を採るのに対応して前記第１端との間がそれぞれオン／オフする第２端と、ボディ領域とを有する他の信号処理用ＭＩＳトランジスタと、
前記第１の入力信号の前記第２の遷移と、前記第２の遷移によって前記第１の入力信号が採る前記第２の論理から前記第１の論理へと遷移する前記第１遷移が行われる間において、前記他の信号処理用ＭＩＳトランジスタの前記ボディ領域をフローティング状態にする第１動作から、前記ボディ領域から少数キャリアを引き抜く第２動作へと動作が切り替わる、他の少数キャリア引き抜き手段と
を更に備える、請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の半導体装置は、ＳＯＩ構造のＳＯＩ層に形成され、前記第１の入力信号を受けるゲートと、前記信号処理用ＭＩＳトランジスタの前記第１端に接続された第１端と、前記第１の入力信号が前記第２及び第１の論理を採るのに対応して前記第１端との間がそれぞれオン／オフする第２端と、ボディ領域とを有する他の信号処理用ＭＩＳトランジスタと、前記第１の入力信号の前記第２の遷移と、前記第２の遷移によって前記第１の入力信号が採る前記第２の論理から前記第１の論理へと遷移する前記第１遷移が行われる間において、前記他の信号処理用ＭＩＳトランジスタの前記ボディ領域をフローティング状態にする第１動作から、前記ボディ領域から少数キャリアを引き抜く第２動作へと動作が切り替わる、他の少数キャリア引き抜き手段とをさらに備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
なお、実施の形態１では、遅延手段として１単位のインバータ１を用いたが、インバータ１の代わりに実施の形態２で示した３個の直列接続インバータ１１〜１３を用いて入力信号ＩＮ３をＣＭＯＳインバータ２の入力端に与えるように構成しても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
したがって、ＰＭＯＳトランジスタＱ１のオフ状態時の大部分の期間においてボディ領域は電位固定されているため、ソフトエラーの影響は受けず、オン状態時の大部分の期間においてボディ領域はフローティング状態に設定されているため、閾値電圧の絶対値が低下しており電流駆動能力が向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2000299466.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この増幅回路５０の出力側に、周波数特性重み付け手段、例えば重み付け回路５２が設けられている。この重み付け回路５２は、例えばコンデンサやインダクタンスを構成要素とするリアクタンス型の低域通過フィルタであり、その周波数特性は、図２に概略的に示すように、周波数が高くなるに従って利得が低下していくものである。そして、共同受信信号中のうち、最も周波数が低い最低周波数信号の付近で最も利得が高く、共同受信信号中の最も周波数が高い最高周波数信号の付近でかなり利得が低いものである。なお、この最高周波数よりも高い周波数の信号が入力された場合、更に利得が低くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電解質膜に炭素数が４以下のアルコールを含浸し、次いで前記電解質膜の片面もしくは両面に、触媒と電解質を含む触媒層を形成することを特徴とする、触媒層−電解質接合体の製造方法。
【請求項２】  電解質膜に炭素数が４以下のアルコール類を含浸し、次いで前記電解質膜を平板上に配置して、次いで前記電解質膜の上面に開口部を有する額縁状シートを配し、次いで前記額縁状シートその開口部から電解質膜に触媒と電解質を含む触媒分散物を塗布することを特徴とする、請求項１記載の触媒層−電解質接合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の触媒層−電解質接合体の製造方法においては、開口部を有する額縁状シートの厚みにより、触媒層の厚みを制御することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の製造方法で作製された触媒層−電解質接合体を電気化学装置に用いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記電気化学装置が固体高分子電解質型燃料電池もしくは直接メタノール燃料電池であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一方、先にも述べたようにディスプレイ装置の薄型化・軽量化が必要になってきている。特に、ＰＤＰは匡体自身の薄型化・軽量化が容易であるために壁掛け型のディスプレイ用への応用が期待されている。しかしながら、上述した支持板付きの電磁波フィルターを用いた場合、支持板が原因でディスプレイの薄型化・軽量化が困難となる。そのため、支持板の薄型・軽量化が検討された。しかし、ガラスの場合は、薄型化すると割れやすく、プラスチック板の場合は、機械的強度がなくなり、しかも経時による反りの発生の問題等が起こり、薄型化・軽量化のための対策を施すことには限界があった。
また、匡体に直接電磁波シールド層を形成したプラスチックフィルムを直接貼り合わせることが検討されたが、特にＰＤＰの場合には、経時により泡が発生したり、極端な場合にはプラスチックフィルムが匡体から剥がれるなどの問題が発生していた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電磁波シールド用フィルターは、透明プラスチックフィルム、電磁波シールド層及び粘着剤層から形成される。各層の厚みは、透明プラスチックフィルムが２５〜３００μｍ、電磁波シールド層が０．１〜３μｍ、粘着剤層が１〜５０μｍであり、全体の厚みは２６〜３５０μｍ程度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
透明プラスチックフィルムの全光線透過率は、６５％以上であることが好ましい。７０％以上である事が更に好ましく、７５％以上である事が最も好ましい。これらの透明プラスチックフィルムの全光線透過率は９２％を超える事は一般的にはない。ただし、反射防止層などを形成して光線透過率を上げる事により上記の値を超える事は可能である。また、透明プラスチックフィルムの厚みには特に規定を設けないが、ハンドリング性の観点から２５〜３００μｍ程度が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明においては、電磁波シールドフィルターを構成する電磁波シールド層は、金属メッシュにより形成される。電磁波シールド層の性能は、その表面抵抗値に密接に関係する。通常、電磁波シールドフィルターは、ディスプレイの前面板として用いるために透明性が要求される。本発明とは直接関係ないが、電磁波シールド層を高屈折率薄膜層と金属薄膜層とを交互に積層した透明導電性薄膜により形成したものは、通常、主に電磁界の遮蔽機能は金属層に持たせる。しかし、金属層を厚くすると透明性が低下するため、実質的には金属層の合計厚みは０．５μｍより厚くすることは不可能である。この程度の金属層の厚みでは、クラスＡの取得は可能であるが、より市場の大きい民生機器対応のクラスＢを取得することは困難である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
透明プラスチックフィルムの片表面に金属薄膜層を形成する方法としては、たとえば、圧延等によって形成した金属薄膜とプラスチックフィルムとをラミネートする方法、無電解めっき等の湿式の方法を用いてプラスチックフィルム表面に直接形成する方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空下でプラスチックフィルム表面に形成する方法、および、これらの方法を組み合わせた方法などが挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係わる電磁波シールドフィルターは、透明プラスチックフィルムの片面に粘着剤層を形成される。該層を形成することにより、ディスプレイ本体に直接貼り合わせることが可能となる。そのため、本発明の電磁波シールドフィルターは、従来の電磁波シールドフィルターでは必要不可欠であった支持板を削除する事が可能であり、ディスプレイ全体の薄型化、軽量化を達成する事が可能である。粘着剤層を形成する面は、電磁波シールド層の表面でも構わないが、透明プラスチックフィルムの表面が好ましい。ただし、先にも述べたように電磁波シールド層は、接地されていないとその効果を十分に発揮することが出来ないため、一部分は接地されるような構造であることが好ましいことを考慮すると後者が好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
透明性、無色性、ハンドリング性の観点から、粘着剤層の厚みは、１〜５０μｍ程度であることが好ましい。粘着剤層を接着剤で形成する場合は、その厚みは上記範囲内で薄くするとよい。具体的には１〜２０μｍ程度である。ただし、上記のようにディスプレイ自体の表示色を変化させず、透明性も上記の範囲に入っている場合には、厚みが上記範囲を超えてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
尚、銅薄膜の形成方法は、ターゲットに銅を用い、圧力が１×１０−３Ｐａになるように排気した後、全圧が０．２６Ｐａになるようにアルゴンガスを導入した。この状態でマグネトロンＤＣスパッタリング法により行なった。また、銅薄膜を格子状にエッチングする方法は、まず、微細パターンをレジスト（東京応化工業株式会社製、商品名：TYPE-P-RZ30）を用いて公知のスクリーン印刷装置を用いて形成した。微細パターンの形状は、金属部の幅が５０μｍ、開口部の幅が０．１５ｍｍのパターンが格子状になっている。エッチング液として２０重量％硝酸水溶液を用いて、２０℃で１分間エッチング処理を行い、水洗した。最後に、レジストの除去を行うため、２０℃で５重量％水酸化カリウム水溶液に１分間浸して水洗し、８０℃で１５分間乾燥させることにより行った。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面実装部品装着装置及び装着方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タレット方式のヘッドに部品を吸装着する複数のノズルを備え、所定の装着順に従って前記ノズルに部品を吸着し、部品認識を行い、回路基板の所望の位置に装着する表面実装部品装着装置において、
前記所定の装着順に従った吸装着動作時、他のノズルでの部品吸着あるいは装着時に部品認識ができないノズルを算出する予測処理手段と、
前記装着順に従ってノズルを所定の位置に移動するとともに、前記予測処理手段により算出されたノズルに吸着された部品が装着されるまでの移動中に前記部品の認識時間を割り当てるようノズルの位置制御を行うノズル位置制御手段と、
を有することを特徴とする表面実装部品装着装置。
【請求項２】
前記予測処理手段は、所定のノズルが部品吸着後認識位置に到達した時に吸装着位置にあるノズルが部品の吸着あるいは装着を行うか否かの予測を行うことを特徴とする請求項１記載の表面実装部品装着装置。
【請求項３】
前記ノズル位置制御手段は、前記予測処理手段により算出されたノズルが部品を吸着し、部品認識位置に到達した際に、前記部品の認識時間の間状態を保持することを特徴とする請求項１記載の表面実装部品装着装置。
【請求項４】
タレット方式のヘッドに部品を吸装着する複数のノズルを備え、所定の装着順に従って前記ノズルに部品を吸着し、部品認識を行い、回路基板の所望の位置に装着する表面実装部品の装着方法において、
前記所定の装着順に従った吸装着動作時、他のノズルでの部品吸着あるいは装着時に部品認識ができないノズルを算出する予測処理工程と、
前記装着順に従ってノズルを所定の位置に移動するとともに、前記予測処理工程において算出されたノズルに吸着された部品が装着されるまでの移動中に前記部品の認識時間を割り当てるようノズルの位置制御を行うノズル位置制御工程と、
を有することを特徴とする表面実装部品の装着方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面実装部品装着装置及び装着方法に関し、特にタレット方式のヘッドに部品を吸装着する複数のノズルを備えた表面実装部品装着装置及び装着方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、装着に要する時間を最短にする表面実装部品装着装置及び装着方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、タレット方式のヘッドに部品を吸装着する複数のノズルを備え、所定の装着順に従って前記ノズルに部品を吸着し、部品認識を行い、回路基板の所望の位置に装着する表面実装部品装着装置において、前記所定の装着順に従った吸装着動作時、他のノズルでの部品吸着あるいは装着時に部品認識ができないノズルを算出する予測処理手段と、前記装着順に従ってノズルを所定の位置に移動するとともに、前記予測処理手段により算出されたノズルに吸着された部品が装着されるまでの移動中に前記部品の認識時間を割り当てるようノズルの位置制御を行うノズル位置制御手段とを有するようにしたものである。
また、本発明は、タレット方式のヘッドに部品を吸装着する複数のノズルを備え、所定の装着順に従って前記ノズルに部品を吸着し、部品認識を行い、回路基板の所望の位置に装着する表面実装部品の装着方法において、前記所定の装着順に従った吸装着動作時、他のノズルでの部品吸着あるいは装着時に部品認識ができないノズルを算出する予測処理工程と、前記装着順に従ってノズルを所定の位置に移動するとともに、前記予測処理工程において算出されたノズルに吸着された部品が装着されるまでの移動中に前記部品の認識時間を割り当てるようノズルの位置制御を行うノズル位置制御工程とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このような表面実装部品装着装置及び装着方法は、予め他のノズルでの部品吸着時あるいは部品装着時に部品認識を行うことができないノズルを算出しておき、算出したノズルが部品を吸着した後、回路基板への部品装着が終了するまでの間に該当ノズルが部品認識位置を通過した際に部品の認識時間を割り当てる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  上下の導体パターンを導体スルーホールを介して接続してなる磁性体層と、この磁性体層に接続される一対の外部電極とを備え、前記磁性体層における上下の導体パターン間に位置するとともに前記導体スルーホールを有してなる磁性体シートを少なくとも２枚以上重ねて構成し、かつ、前記導体スルーホールの直径を０．０３ｍｍから０．１５ｍｍとし、さらに、前記磁性体シートの１枚の厚みを２５μｍから１２５μｍとした積層チップインダクタ。
【請求項２】  上下の導体パターン間に位置する磁性体シートの総厚みが１５０μｍから３００μｍである請求項１記載の積層チップインダクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、上下の導体パターンを導体スルーホールを介して接続してなる磁性体層と、この磁性体層に接続される一対の外部電極とを備え、前記磁性体層における上下の導体パターン間に位置するとともに前記導体スルーホールを有してなる磁性体シートを少なくとも２枚以上重ねて構成し、かつ、前記導体スルーホールの直径を０．０３ｍｍから０．１５ｍｍとし、さらに、前記磁性体シートの１枚の厚みを２５μｍから１２５μｍとし上下の導体パターン間の間隔を広げたもので、この範囲の厚みとすることにより、磁性体シート成形が容易となり、しかも、導体スルーホールの直径を０．０３ｍｍから０．１５ｍｍとした場合、磁性体シートの厚みが１５０μｍ以上であればその穴開け加工が困難であるのに対し、磁性体シートの厚みを１２５μｍ以下としているため、その穴開け加工が容易となり、また導体スルーホールの接続信頼性も確保でき、さらに、高周波でのインピーダンス特性を改善するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また請求項２に記載の発明は、上下の導体パターン間に位置する磁性体シートの総厚を１５０μｍから３００μｍに限定したものであり、特に５００ＭＨｚ以上でのインピーダンスを向上させるものである。