【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１および第２の端面と、側面とを有するワイヤーと；
前記第１および第２の端面を露出すると共に、前記側面を被覆するようにして前記ワイヤーに電気的に接続された導電性粉部材と；
前記導電性粉部材を有せずに露出された前記第１および第２の端面に隣接する前記側面の第１および第２の部分と；
内側部分と外側部分と、少なくとも前記導電性粉部材の一部、前記ワイヤー側面の一部および前記内側部分の一部を囲む絶縁性物質とを有する前記第１の部分と；
前記第１の部分の外側部分の一部および前記絶縁性物質の一部の上に配置された導電性物質の第１の部材により形成された第１の端子と；
前記導電性粉部材の上に配置された導電性物質の第２の部材により形成され、前記導電性粉部材の第２の末端に電気的に接続された第２の端子と；
を具備してなることを特徴とする表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項２】
前記第１の端子は陽極であり、前記第２の端子は陰極末端である請求項１記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項３】
前記導電性粉部材は粉体からなる請求項１記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項４】
前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項３記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項５】
前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項３記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項６】
前記粉体は、前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積された請求項３記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項７】
前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項１記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項８】
前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項１記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項９】
対向する第１および第２の端部と、側面とを有するワイヤーと；
前記側面の回りに電気泳動的に堆積された導電性粉部材と；
前記導電性粉部材の回りに形成された誘電性フィルムと；
前記誘電性フィルムの回りに形成された固体電解質と；
前記固体電解質の回りに形成された導電性対電極層と；
前記導電性粉部材、誘電性フィルム、固体電解質及び導電性対電極層を有せずに露出された前記第１および第２の端部に隣接する前記側面の第１および第２の部分と；
内側部分と外側部分と、前記導電性対電極層、前記側面の第２の部分および前記第１の部分の内側部分の回りに形成された絶縁層とを有する前記第１の部分と；
前記第１の部分の外側部分および前記絶縁層の一部の上に配置された誘電性物質の陽極端子と；
前記導電性対電極層を露出する前記絶縁層に形成された開口部と、前記開口部の中に配置された誘電性物質の陰極端子と；
を具備してなることを特徴とする表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１０】
前記導電性対電極層は、固体電解質の回りに接触する黒鉛質炭素層および前記黒鉛系炭素層の回りの銀層を有する請求項９記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１１】
前記側面の第１および第２の部分は、前記導電性粉部材、前記誘電性フィルム、前記固体電解質および前記導電性対電極層を通って切断するレーザーにより形成される請求項９記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１２】
前記絶縁層の開口部は、前記絶縁層を通って切断するレーザーにより形成される請求項９記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１３】
前記陽極端子と陰極端子は、前記絶縁層の外側周辺の回りに水平配列する請求項９記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１４】
前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項９記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１５】
前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項９記載の表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１６】
対向する第１および第２の端部と、外側周辺とを有するワイヤーと；
前記ワイヤー上に形成された複数の離隔した表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーと
を備え、各表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーは、
前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積され、露出したワイヤーの第１および第２の部分により画定され、前記第１の部分は内側部分および外側部分を有する導電性粉部材と；
前記導電性粉部材、露出したワイヤーの第２の部分および前記第１の部分の内側部分の回りに形成された絶縁層と；
前記第１の部分の外側部分および前記絶縁層の一部の上に配置された誘電性物質の陽極端子と；
前記絶縁層に形成された開口部の中に配置され、前記導電性粉部材と接触する誘電性物質の陰極端子と；
を具備してなることを特徴とするリール・ツー・リールプロセスを使用して製造される連続表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１７】
更に各表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーの間に切断点を備えた請求項１６記載の連続表面実装型ＭＥＬＦコンデンサー。
【請求項１８】
対向する第１および第２の端部を有するワイヤーを提供する工程と；
陰極末端および陽極末端を有する誘電性物質を前記ワイヤーの両端部を残した回りに形成する工程と；
絶縁性材料を前記誘電性物質の上方且つ前記ワイヤーの両端部の回りに適用する工程と；
前記誘電性物質の陰極末端の一部を露出する工程と；
誘電性材料の陽極層が前記ワイヤーの端部と電気的に接触するように、誘電性材料の陽極層を前記ワイヤーの第１の端部の回りに且つ前記誘電性物質の陽極末端に隣接する絶縁材料の上方に適用する工程と；
誘電性材料の陰極層を前記誘電性物質の陰極末端の露出部分の上に適用する工程と；
を具備してなることを特徴とする表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーの製造方法。
【請求項１９】
前記ワイヤーをリール・ツー・リールプロセスに適用させるべく配置する工程を更に含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記粉体を前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積する工程を更に含む請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記誘電性物質は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記誘電性物質は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記誘電性物質は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
前記誘電性物質は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項１８記載の方法。
【請求項２５】
前記露出する工程は、レーザー切断を用いて行われる請求項１８記載の方法。
【請求項２６】
対向する第１および第２の端部を有するワイヤーを提供する工程と；
リール・ツー・リールプロセスを使用する前記ワイヤー上に複数の離隔した表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーを形成する工程と；
を具備してなることを特徴とする連続表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーの形成方法。
【請求項２７】
導電性粉部材を越えて延伸するワイヤーの両端部を有する、前記ワイヤー上に誘電性物質を電気泳動的に堆積する工程と；
前記誘電性物質の一部分の回りと前記ワイヤーの両端部の回りに絶縁層を形成する工程と；
前記誘電性物質の非絶縁部分の回りに陽極層を形成する工程と；
前記ワイヤーの第２の端部の回りに陰極層を形成する工程と；
を更に含む請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記ワイヤー上に導電性粉部材を電気泳動的に堆積する工程を更に含む請求項２６記載の方法。
【請求項２９】
前記誘電性物質は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項２６記載の方法。
【請求項３０】
前記誘電性物質は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項２６記載の方法。
【請求項３１】
前記誘電性物質は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項２６記載の方法。
【請求項３２】
前記誘電性物質は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項２６記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面実装型ＭＥＬＦコンデンサーおよびその製造方法