Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先鋭端を持つタングステン電極を有するＴＩＧ溶接トーチを備える少なくとも１つのロボットアームを備え、前記トーチは、少なくとも電気アーク溶接トーチのための少なくとも１つのワイヤガイド／ノズルアッセンブリを備え、前記ワイヤ／ガイドアッセンブリは、
ａ）ガスを送給するための少なくとも１つのノズルであって、該ノズルにより長手方向に配向された第１の軸を含む少なくとも１つのノズル、
ｂ）先端を有する少なくとも１つの消耗ワイヤを案内するための少なくとも１つのワイヤガイドシステムであって、前記ワイヤガイドシステムは、第１の部分を含み、前記第１の部分は、前記ワイヤガイドシステムの下流端を含み、前記第１の部分は、前記第１の部分により配向された第２の軸を含むところの少なくとも１つのワイヤガイドシステム
を備え、
前記下流端は、前記消耗ワイヤを前記ノズル内に導き、
前記消耗ワイヤの先端および前記タングステン電極は、同じ一つの平面内にあり、
前記ノズルは、周囲壁をさらに有し、前記周囲壁は、前記ワイヤガイドシステムが通過する少なくとも１つの切り欠き部を有し、
前記第１の軸および第２の軸は、互いに対し、約５°〜約５０°の角度で配向され、
前記ワイヤは、前記ワイヤの端が前記タングステン電極の先鋭端をかすめた後、溶接される少なくとも１つの部材上の前記タングステン電極により作り出される電気的スポット中に入るように案内されるロボット溶接装置。
【請求項２】
前記ワイヤガイドシステムが、前記ノズルに固定されている請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項３】
前記第１の軸および第２の軸が、互いに対して、約１５°〜約４５°の角度で配向されている請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項４】
前記ワイヤガイドシステムが、中空かつ一般的に長方形の一般形状にある請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項５】
前記ワイヤガイドシステムが、中空チューブの形状を有し、その内径が０．６ｍｍ〜２ｍｍである請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項６】
前記ワイヤガイドシステムが、第３の部分に接する、前記第１の軸に平行な第２の部分を含み、前記第３の部分は、湾曲部を含み、前記第２の部分と前記第３の部分は、前記ノズルの外側に配置されている請求項１に記載ロボット溶接装置。
【請求項７】
前記第２の部分が、第２の軸を含み、前記第３の軸を前記第１の軸から隔てている距離が、約３０ｍｍ以下である請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項８】
前記ノズルが、前記ノズルを溶接トーチに取り付けるための取り付け手段をさらに備える請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項９】
前記取り付け手段が、前記ノズルの外側周囲壁上に設けられたねじ山を備える請求項８に記載のロボット溶接装置。
【請求項１０】
前記第１の軸と第２の軸が、約１０°〜約３０°の角度で配向されている請求項１に記載のロボット溶接装置。
【請求項１１】
２つの金属部材を互いにロボット溶接またはロボットろう付け溶接するための方法であって、
ａ）請求項１に記載のＴＩＧトーチを備えたロボットアームを有するロボット溶接装置を準備する工程、
ｂ）前記ＴＩＧトーチにワイヤを供給する工程、
ｃ）前記ワイヤを、前記ワイヤの端が前記タングステン電極の先鋭端をかすめた後、電気アークにより溶接される少なくとも１つの部材上に前記タングステン電極により作り出される電気的スポット中に入るように案内する工程、
ｄ）前記ワイヤを溶融させ、それにより前記金属部材を互いに溶接またはろう付け溶接する工程
を含む該方法。
【請求項１２】
前記部材が、０．５〜４ｍｍの厚さを有する金属シートまたは板である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記部材が、炭素鋼、ステンレス鋼、またはアルミニウムもしくはマグネシウム軽合金から作られている請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記部材が、コーティングされている請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ワイヤが、鋼、ステンレス鋼、アルミニウムもしくはマグネシウム軽合金、ニッケルもしくはニッケル合金、または銅もしくは銅合金で作られている請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月24日(2006.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極酸化されたアルミニウム板上に、側鎖にエチレン性二重結合を有する重合体、分子内に２以上のエチレン性二重結合を有するモノマーもしくはオリゴマー、光重合開始剤、及び可視光から近赤外光の波長領域に吸収を有する増感剤とを含有する感光層を有するネガ型感光性平版印刷版において、前記アルミニウム板が、陽極酸化後にケイ酸カリウムを含有しかつＳｉＯ2／Ｍ2Ｏ（Ｍはアルカリ金属を表す）のモル比が０．５〜３．５の処理液で処理されたものである感光性平版印刷版。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
かかる本発明によれば、前記モータのロータが前記円筒形状であり、前記モータの出力トルクが前記Ｉｑ電流の影響を受ける場合において、前記座標変換により前記相電圧補正量に応じた前記目標Ｉｑ電流の補正量と前記目標Ｉｄ電流の補正量とを算出して、前記目標Ｉｑ電流と前記Ｉｄ電流とを補正することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  強誘電体キャパシタからなるメモリセルがマトリクス状に配列され、
前記強誘電体キャパシタは、第１信号電極と、該第１信号電極と交差する方向に配列された第２信号電極と、少なくとも前記第１信号電極と前記第２信号電極との交差領域に配置された強誘電体層と、を含み、
前記強誘電体層は、前記第１信号電極と前記第２信号電極との交差領域のみにブロック状に配置された、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項２】  請求項１において、
基体上に前記強誘電体キャパシタが配置され、前記基体の露出面の一部が覆われるように、前記第１信号電極および前記強誘電体層からなる積層体の相互間に、誘電体層が設けられている、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項３】  請求項２において、
前記基体上において、さらに前記基体および前記第１信号電極の露出面が誘電体層によって覆われた、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項４】  請求項２または３において、
前記誘電体層は、前記強誘電体層より小さい誘電率を有する材料からなる、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項５】  請求項２〜４のいずれかにおいて、
前記基体上に、該基体の表面と異なる表面特性を有する表面修飾層が形成された、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項６】  請求項５において、
前記表面修飾層は、前記強誘電体キャパシタが形成されない領域に配置され、該表面修飾層の表面が前記強誘電体キャパシタを構成する材料に対して前記基体の表面より低い親和性を有する、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項７】  請求項５において、
前記表面修飾層は、前記強誘電体キャパシタが形成される領域に配置され、該表面修飾層の表面が前記強誘電体キャパシタを構成する材料に対して前記基体の表面より高い親和性を有する、強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイ。
【請求項８】  強誘電体キャパシタからなるメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイの製造方法であって、
基体上に、所定パターンの第１信号電極を形成する工程、
前記第１信号電極上に、該第１信号電極に沿ってライン状に強誘電体層を形成する工程、
前記第１信号電極と交差する方向に第２信号電極を形成する工程、および
前記強誘電体層をさらにパターニングして、前記第１信号電極と前記第２信号電極との交差領域のみにブロック状に形成する工程、
を含む、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項９】  請求項８において、
前記基体上に、前記第１信号電極および前記強誘電体層の少なくとも一方を形成するための材料が優先的に堆積される表面特性を有する第１の領域と、前記第１の領域に比較して前記第１信号電極および前記強誘電体層の少なくとも一方を形成するための材料が堆積され難い表面特性を有する第２の領域と、を形成する工程、および
前記第１信号電極および前記強誘電体層の少なくとも一方を形成するための材料を付与し、前記第１の領域に該部材を選択的に形成する工程、を含む、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１０】  請求項９において、
前記基体の表面に、前記第１および第２の領域を形成する、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１１】  請求項１０において、
前記第１の領域では、前記基体の表面を露出させ、
前記第２の領域では、前記第１信号電極および前記強誘電体層の材料に対する親和性が、前記基体の第１の領域での露出面より低い表面特性を有する表面修飾層を形成する、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１２】  請求項１０において、
前記第２の領域では、前記基体の表面を露出させ、
前記第１の領域では、前記第１信号電極および前記強誘電体層の材料に対する親和性が、前記基体の第２の領域での露出面より高い表面特性を有する表面修飾層を形成する、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１３】  請求項８〜１２のいずれかにおいて、
前記強誘電体層および前記第２信号電極は、同一マスクを用いたエッチングによってパターニングされる、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１４】  請求項８〜１３のいずれかにおいて、
前記基体の露出面が覆われるように、前記第１信号電極および前記強誘電体層からなる積層体の相互間に、誘電体層が設けられる、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１５】  請求項１４において、
前記基体および前記第１信号電極の露出面が覆われるように、さらに、前記強誘電体層および前記第２信号電極からなる積層体の相互間に、誘電体層が設けられる、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１６】  請求項１４または１５において、
前記誘電体層は、前記強誘電体層より小さい誘電率を有する材料からなる、メモリセルアレイの製造方法。
【請求項１７】  請求項１〜７に記載のメモリセルアレイを含む、強誘電体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヘテロバイポーラトランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたベース層と、
前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、
前記ベース層はＳｉＧｅＣ系の混晶よりなり、
前記ベース層中においてＣの濃度が、前記エミッタ層に面する第１の界面から前記コレクタ層に面する第２の界面まで増加し、
前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項２】  基板と、
前記基板上に形成されたコレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたベース層と、
前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、
前記ベース層はＳｉＧｅ二元系混晶よりなり、
前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、基板と、前記基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、前記ベース層はＳｉＧｅＣ系の混晶よりなり、前記ベース層中においてＣの濃度が、前記エミッタ層に面する第１の界面から前記コレクタ層に面する第２の界面まで増加し、前記エミッタ層のうち前記ベース層に接する第１の領域と、前記コレクタ層のうち前記ベース層に接する第２の領域の少なくとも一方が、Ｃを含むことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタにより解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
続いて図２に示すように、この挿入孔３から削孔ロッド１を引き抜くのに伴って、少なくとも削孔ロッド１先端面と挿入孔３底面との間に、セメントペーストを主体とし且つ骨材を含まない高粘度グラウト材Ｇを順次注入充填する。図示例では、高粘度グラウト材Ｇを、削孔ロッド１内の図示しない圧送管路を介して削孔ビット１Ａの先端側に臨む図示しない吐出口から、削孔ビット１Ａの先端側挿入孔部分（以下置換部分ともいう）Ｓに対してグラウト材Ｇを注入させている。かくして、削孔ロッド１の占有空間をグラウト材Ｇにより置換し、その置換したグラウト材Ｇにより挿入孔３の孔壁を維持させる。図３は、グラウト材Ｇによる置換が完了し、挿入孔３全体（底から口元まで全体）にわたりグラウト材Ｇが充填されている状態を示している。しかし、本発明では、必ずしも挿入孔３の長手方向全体にグラウト材Ｇを充填しなくても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を結像する少なくとも一対のレンズと、
上記少なくとも一対のレンズの結像面に配置され、それぞれのレンズを通った光線を受光して像信号を生成する受光素子と、
上記レンズと上記受光素子との間の光路中に挿入され、少なくとも一対のアパーチャーと少なくとも一対のスリットとが設けられた板部材と、
上記一対のアパーチャーを通過した光線が形成する像に対する上記受光素子の像信号より相関演算を行い、該像信号の位相差を出力する相関演算手段と、
を有する測距装置であって、
上記相関演算手段は、上記一対のスリットを通過した光線が形成する像の距離を上記受光素子の像信号より求め、上記位相差を補正することを特徴とする測距装置。
【請求項２】
上記スリットは、上記一対のレンズの基線長と同じ間隔で上記板部材に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の測距装置。
【請求項３】
上記スリットに拡散板を含む光学部材を挿入することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の測距装置。
【請求項４】
光源と、
上記光源からの光を上記拡散板に導くためのライトガイド手段と、
をさらに具備することを特徴とする請求項３に記載の測距装置。
【請求項５】
上記受光素子は、上記アパーチャーを通った光線の像信号を生成する受光素子領域と、上記スリットを通った光線の像信号を生成する受光素子領域とを有しており、
上記像信号を生成する積分動作を上記各受光素子領域について独立に実行することを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、または請求項４に記載の測距装置。
【請求項６】
上記光源は、上記受光素子とともに同一チップ上に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の測距装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、第１の発明による測距装置は、被写体像を結像する少なくとも一対のレンズと、上記少なくとも一対のレンズの結像面に配置され、それぞれのレンズを通った光線を受光して像信号を生成する受光素子と、上記レンズと上記受光素子との間の光路中に挿入され、少なくとも一対のアパーチャーと少なくとも一対のスリットとが設けられた板部材と、上記一対のアパーチャーを通過した光線が形成する像に対する上記受光素子の像信号より相関演算を行い、該像信号の位相差を出力する相関演算手段と、を有する測距装置であって、上記相関演算手段は、上記一対のスリットを通過した光線が形成する像の距離を上記受光素子の像信号より求め、上記位相差を補正するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、第２の発明による測距装置は、上記第１の発明による測距装置において、上記スリットは、上記一対のレンズの基線長と同じ間隔で上記板部材に設けられているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、第３の発明による測距装置は、上記第１または第２の発明による測距装置において、上記スリットに拡散板を含む光学部材を挿入するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第４の発明による測距装置は、上記第３の発明による測距装置において、光源と、上記光源からの光を上記拡散板に導くためのライトガイド手段と、をさらに具えたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第５の発明による測距装置は、上記第１、第２、第３、または第４の発明による測距装置において、上記受光素子が、上記アパーチャーを通った光線の像信号を生成する受光素子領域と、上記スリットを通った光線の像信号を生成する受光素子領域とを有しており、上記像信号を生成する積分動作を上記各受光素子領域について独立に実行するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第６の発明による測距装置は、上記第４の発明による測距装置において、上記光源は、上記受光素子とともに同一チップ上に構成されているものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】  本発明は、この様な状況をふまえて為されたものであり、生体の状況のモニタリングや生体処置剤の選択等に好適な、生体状況の鑑別方法を提供することを課題とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題の解決手段】  発明者らは、この様な状況に鑑みて、生体の状況のモニタリングや生体処置剤の選択等に好適な、生体状況の鑑別方法を求めて鋭意研究を重ねた結果、毛髪及び／又はその一部分の分析結果を指標に用いることにより、肌状態及び／又は体調の鑑別がなし得ることを見いだし、発明を完成させるに至った。以下、本発明についてその実施の形態を中心に詳細に説明を加える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  請求項４に記載のフィルム状試験片の引張試験装置において、トレーの中央に試験片の接合片部を収容する位置決め切欠孔を設けたことを特徴とするフィルム状試験片の引張試験装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここで、回転位置を検出するためには、図２（ａ）に示すような磁気ドラム２１を採用し、前記着磁面を、当該磁気ドラム２１の円形外周面２２とし、ここに、Ｎ、Ｓ極の着磁パターンを形成すればよい。この着磁パターンは、円筒状部材である磁気ドラム２１の外周面にリングマグネットを貼りつけてもよいし、磁性材からなる円筒状部材の外周面に直接に着磁してもよい。あるいは、小さな磁石片を円筒状部材の外周面に貼りつける構成としてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この場合においても、着磁パターンは、円環状部材である回転ディスク３１の上面あるいは下面に、リングマグネットを貼りつけてもよいし、磁性材からなる円環状部材の上面あるいは下面に、直接に着磁してもよい。あるいは、小さな磁石片を上面あるいは下面に貼りつける構成としてもよい。さらには、図３（ｂ）に示すように、回転ディスクを２トラック３１’、３１”とし、これらに、Ｎ、Ｓ極が逆のパターンで着磁し、各パターンを、それぞれ磁気検出素子３４’〜３７’からなる検出器３８’、および磁気検出素子３４”〜３６”からなる検出器３７”により検出し、これらの出力に基づき、差動方式により、検出を行うようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ここで、この構成は、図２に示す回転ドラム方式のアブソリュートセンサにも同様に適用できる。この場合には、上記の図２の構成において、円筒状部材（磁気ドラム２１）における外周面２２および内周面（図示せず）のうちの一方の面を着磁パターンに従って着磁された着磁面とし、当該円筒状部材（磁気ドラム２１）の他方の面を、前記着磁パターンのｍ倍の着磁ピッチ（ｍ：正の整数）で、Ｎ、Ｓ極が交互に形成された第２の着磁面とし、この第２の着磁面に対向させて、２個の磁気検出素子が配列された構成の第２の検出器を配置し、前記検出器および前記第２の検出器の検出出力に基づき、前記円筒状部材あるいは前記検出器の側の絶対位置を検出すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この場合には、着磁部材（回転ディスク）７１の回転に伴って、図８に示すように、４個の磁気検出素子７４〜７７から得られる４ビットの検出パターンが変化する。しかし、この検出パターンにおいては、回転ディスクのアドレス３、１１に磁気検出素子７４が対向した回転位置において得られる検出パターンが同一となってしまう。同様に、回転ディスクのアドレス７、１５が磁気検出素子７４に位置した回転位置においも検出パターンが同一となってしまう。このことは、４ビットの検出パターンの１０進換算値から明らかである。この結果、絶対位置検出が不可能になってしまう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、前記検出器はｎ個の光検出素子を備え、各光検出素子は相互に異なる前記パターン形成区画部分に対峙するように配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、前記ｋ個の光検出素子は、相互に異なる位置であって、且つ、前記ｎ個の光検出素子のそれぞれとも異なる位置において前記パターン形成面に対向配置されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２１  円筒状部材
２２  外周面
２３〜２６  磁気検出素子
２７  検出器
３１  円環状部材
３２  上面
３３  下面
３４〜３７  磁気検出素子
３８  検出器
４１、４２  磁気検出素子
４３  第２の検出器
７０  着磁面
７１  着磁部材
７４〜７７  磁気検出素子
７９  磁気検出素子
９０  磁気誘導式のセンサ
９１  ステータ
９２  ロータ
９３  一次側コイル
９４  二次側コイル
１０１  貫通孔（磁束透過部分）
１０５〜１０８  二次側コイル
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2000352523.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2000352523.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000352523.tif 000003
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2000352523.tif 000004
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2000352523.tif 000005
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2000352523.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図７において、エアクリーナ８２の後方側下部には、第１未浄化室９１に外部から空気を導入するための吸入ダクト９３が設けられる。この吸入ダクト９３は、後上がりに傾斜して第１未浄化室内９１内に配置されるとともに下端部が第１ケース部材８５における大ケース部８５ａに支持される小径管９４と、該小径管９４よりも大径にして前記大ケース部８５ａに一体に形成される大径管９５とから成るものであり、小径管９４の下端は大径管９５の上端に開口され、大径管９５の下端はパワーユニットＰの後方で下方に向けて開口している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
一方のリンク１２４1 において、揺動支軸１３１およびボルト１３４の中心を結ぶ直線よりも前方側にはボックス状のラバー支持部１３５が設けられ、このラバー支持部１３５に装着されるストッパラバー１２６を当接させる当接面１３６が、後部フレーム１２の下面に形成される。また前記リンク１２４1 において、揺動支軸１３１およびボルト１３４の中心を結ぶ直線よりも後方側にはボックス状のラバー支持部１３７が設けられ、このラバー支持部１３７に装着されるストッパラバー１２７を当接させる当接面１３８が、後部フレーム１２の下面に形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  互いに対向配置された固定側の破砕用歯板と回動側の破砕用歯板との間に投入された被破砕物を破砕するジョークラッシャの破砕用歯板であって、  前記被破砕物を破砕する破砕面と、  前記破砕面から離れた位置に形成されており、前記ジョークラッシャに対して着脱される際に吊り上げるための吊上げ用器具が引っ掛けられる吊上部と、を備えた、ジョークラッシャの破砕用歯板。    【請求項２】  互いに対向配置された固定側の破砕用歯板と回動側の破砕用歯板との間に投入された被破砕物を破砕するジョークラッシャの破砕用歯板であって、  前記被破砕物を破砕する破砕面と、  前記破砕面を除く面に形成されており、前記ジョークラッシャに対して着脱される際に吊り上げるための吊上げ用器具が引っ掛けられる吊上部と、を備えた、ジョークラッシャの破砕用歯板。    【請求項３】  前記吊上部は、前記ジョークラッシャに取り付けられた状態における上端部付近に左右一対の部材として形成されている、請求項１または２に記載のジョークラッシャの破砕用歯板。    【請求項４】  前記吊上げ部は、前記ジョークラッシャに取り付けられた状態における上端部付近および下端部付近に左右一対の部材として形成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載のジョークラッシャの破砕用歯板。    【請求項５】  前記吊上部は、前記破砕面に隣接する側面から端面側あるいは背面側に抜ける貫通孔と、前記貫通孔の一部を横断するように形成された棒状部材と、を有している、請求項１から４のいずれか１項に記載のジョークラッシャの破砕用歯板。    【請求項６】  前記吊上部が有する前記貫通穴は、前記破砕面と前記背面とに対して斜めになるように形成されている、請求項５に記載のジョークラッシャの破砕用歯板。    【請求項７】  請求項１から６のいずれか１項に記載のジョークラッシャの破砕用歯板と、  前記破砕用歯板の固定側が取り付けられる固定部と、  前記固定部が設けられるケース部と、  前記ケース部に対して回動可能な状態で取り付けられており、前記破砕用歯板の移動側が着脱可能な状態で取り付けられるスイングアームと、を備えたジョークラッシャ。    【請求項８】  ジョークラッシャにおいて、  ケース（２）と、  前記ケース（２）に設けられた固定部（１０）と、  前記固定部（１０）に着脱自在に取付けられた固定歯（２０）と、  前記ケース（２）に回転自在に支持された偏心駆動軸（３）と、  前記偏心駆動軸（３）に回動自在に取付けられたスイングアーム（４）と、  前記スイングアーム（４）の前記固定歯（２０）に対向する部位に着脱自在に取付けられた動歯（４０）と、を備え、  前記固定歯（２０）及び前記動歯（４０）の少なくともいずれか一方は、着脱時に吊り上げるための吊上部（２６，２６ａ，２６ｂ）を有し、前記吊上部（２６，２６ａ，２６ｂ）は、前記固定歯（２０）又は前記動歯（４０）の破砕面（２１，４１）から該破砕面（２１，４１）と反対の背面（２２，４２）の方向における隔離した位置に設けられたことを特徴とするジョークラッシャの歯板吊り上げ構造。    【請求項９】  請求項１記載のジョークラッシャの歯板吊り上げ構造において、  前記吊上部（２６，２６ａ，２６ｂ）は、前記固定歯（２０）及び動歯（４０）の少なくともいずれか一方の上部と下部にそれぞれ設けられたことを特徴とするジョークラッシャの歯板吊り上げ構造。    【請求項１０】  請求項１又は２記載のジョークラッシャの歯板吊り上げ構造において、  前記吊上部（２６）は、前記固定歯（２０）及び動歯（４０）の少なくともいずれか一方の外周面に設けられた穴部（２７）と、前記穴部（２７）を横断して設けた棒状部材（２８）と、を有することを特徴とするジョークラッシャの歯板吊り上げ構造。    【請求項１１】  請求項１、２又は３記載のジョークラッシャの歯板吊り上げ構造において、  前記吊上部（２６，２６ａ）は、前記破砕面（２１，４１）側から前記背面（２２，４２）側に向けて傾斜して設けられていることを特徴とするジョークラッシャの歯板吊り上げ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は特に、高温でのガスの反応を含むプロセスのための反応器において、断熱材料の層によって取り囲まれた高温での運転に適するガス不透過性バスケットを有し、該断熱材料は高圧での運転に適する反応器シェルによって取り囲まれており、該バスケットが入口通路、および固定触媒床を取り囲む壁よりなり、そして
該入口通路が供給ガスに対して気密な移送手段を形成する反応器シェルに接合されていることを特徴とする、上記反応器に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
反応器内側の金属製バスケット（３）には触媒固定床（４）が導入含有されている。この気密なバスケットは入口（６）の所で反応器シェルに固定されている。金属製バスケットの機能は触媒の固定床を含むことおよび供給ガスが断熱材料に入るのを防止することである。それによって固定床のバイパスおよび触媒床の外側での意図しない反応が防止される。反応したガスはグリッド（５）を通り固体床を離れる。金属製バスケットに接合された追加的な流れ通路があってもよいが、その必要性はない。ガスが気密なバスケットを離れた後に、反応したガスは、断熱層内側面（８）が多孔質である時に断熱層中に浸透し入り込む。反応器を加圧した時に、これは発生し得るし、金属製バスケットの外側に入り込む一部のガスは反応したガスだけで構成されている。このガスは出口（７）を通って反応器を離れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
１・・・耐圧シェル
２・・・断熱層
３・・・金属製バスケット
４・・・触媒固定床
５・・・ガス用グリッド
６・・・入口
７・・・出口
８・・・断熱層内側面
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】【請求項１】  振動情報の記録媒体として用いられることを主たる目的とする素材であり、精製水にＦｅ化合物含有鉱石を所定期間接触させて得られるＦｅ化合物接触水と塩化ナトリウムを所定の比率で混合し、その後精製水により所定の倍率で希釈して所定時間攪拌する工程を所定回数繰り返して得られることを特徴とする振動情報記録水。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼に視力検査視標を呈示して被検眼の視力を検査する視力検査装置において、被検眼に視標を呈示する視環境を変化させる視環境可変手段と、異なる視環境状態の視標呈示により検査された視力結果の差分を演算し、その差分に基づいて段階的に分類した評価結果を算出する評価手段と、該評価結果を出力する出力手段と、を備えることを特徴とする視力検査装置。
【請求項２】
請求項１の視力検査装置において、前記視環境可変手段は前記視標呈示手段による呈示視標のコントラストを変化させる手段であることを特徴とする視力検査装置。
【請求項３】
請求項１の視力検査装置において、被検眼に向けてグレア光を投光するグレア投光手段を備え、前記視環境可変手段は前記グレア光の投光状態を異なるものにする手段であることを特徴とする視力検査装置。
【請求項４】
被検眼に視力検査視標を呈示して被検眼の視力を検査する視力検査装置において、前記視標の背景輝度を変化させる背景輝度可変手段と、前記視標の透過率を変化させる視標透過率可変手段と、を備えることを特徴とする視力検査装置。
【請求項５】
被検眼の視力を検査する視力検査装置であって、被検眼に呈示する検査視標の光学距離を変更可能な視標呈示手段を備え、該視標呈示手段により検査視標を所定の光学距離にて呈示することにより被検眼の静止視力を検査し、検査視標の光学距離を所定速度で変化させることにより被検眼の動体視力を検査可能な視力検査装置において、被検眼にグレア光を投光するグレア投光手段を備え、前記視標呈示手段による検査視標の呈示時にグレア光を投光してグレア検査を可能にしたことを特徴とする視力検査装置。
【請求項６】
請求項５の視力検査装置において、前記グレア投光手段はグレア光を発する光源と、該光源と被検眼との間に置かれ、前記光源を被検眼に対して実距離よりも離れた位置から投影しているように見せるための投影レンズと、を有することを特徴とする視力検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とする。
（１）  被検眼に視力検査視標を呈示して被検眼の視力を検査する視力検査装置において、被検眼に視標を呈示する視環境を変化させる視環境可変手段と、異なる視環境状態の視標呈示により検査された視力結果の差分を演算し、その差分に基づいて段階的に分類した評価結果を算出する評価手段と、該評価結果を出力する出力手段と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の視力検査装置において、前記視環境可変手段は前記視標呈示手段による呈示視標のコントラストを変化させる手段であることを特徴とする。
（３）  （１）の視力検査装置において、被検眼に向けてグレア光を投光するグレア投光手段を備え、前記視環境可変手段は前記グレア光の投光状態を異なるものにする手段であることを特徴とする。
（４）  被検眼に視力検査視標を呈示して被検眼の視力を検査する視力検査装置において、前記視標の背景輝度を変化させる背景輝度可変手段と、前記視標の透過率を変化させる視標透過率可変手段と、を備えることを特徴とする。
（５）  被検眼の視力を検査する視力検査装置であって、被検眼に呈示する検査視標の光学距離を変更可能な視標呈示手段を備え、該視標呈示手段により検査視標を所定の光学距離にて呈示することにより被検眼の静止視力を検査し、検査視標の光学距離を所定速度で変化させることにより被検眼の動体視力を検査可能な視力検査装置において、被検眼にグレア光を投光するグレア投光手段を備え、前記視標呈示手段による検査視標の呈示時にグレア光を投光してグレア検査を可能にしたことを特徴とする。
（６）  （５）の視力検査装置において、前記グレア投光手段はグレア光を発する光源と、該光源と被検眼との間に置かれ、前記光源を被検眼に対して実距離よりも離れた位置から投影しているように見せるための投影レンズと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
現在の方法は、患者から骨髄を採取してシリンジに移すステップと、その後で骨移植片を処置するステップの２つのステップを含む。骨移植片を作るために、吸引した骨髄を１回或いは２回以上骨移植片にフラッシュして骨髄に含まれている幹細胞を骨移植片の内部に集積して濃度を高める。この方法は極めて効果的であるが、通常は骨髄の吸引処置に約２０分かかり、移植片の処置に更に２０分かかる。
【特許文献１】米国特許第４，３６６，８２２号
【特許文献２】米国特許第６，７９６，９５７号
【特許文献３】米国特許第５，１９７，４８５号
【特許文献４】米国特許第５，５７５，２９３号
【特許文献５】米国特許第６，７３６，７９９号
【特許文献６】米国特許第５，１０８，３８１号
【特許文献７】米国特許出願公開第２００３／１３０５９４号
【特許文献８】米国特許第６，４０６，４５４号
【特許文献９】米国特許第４，３９３，８７９号
【特許文献１０】米国特許出願公開第２００２／０４５９０３号
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００２／１６１４４９号
【特許文献１２】米国特許第５，８２４，０８４号
【特許文献１３】米国特許第６，１３５，３２０号
【特許文献１４】米国特許第６，０４９，０２６号
【特許文献１５】米国特許第４，８３６，４２９号
【特許文献１６】米国特許第４，７５５，１７２号
【特許文献１７】米国特許第４，３８１，００６号
【特許文献１８】米国特許出願公開第２００２／１２７７２０号
【特許文献１９】欧州特許第０，９３１，５１９号
【特許文献２０】国際公開第２００３／５７０４６号
【特許文献２１】国際公開第２００２／４０９６３号
【特許文献２２】国際公開第２００３／０６０９９号
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
病院、特に病院の放射線科で採用されているコンピュータ・ネットワークは、典型的には、患者及び手順データを入力し記憶するための病院（又は放射線科）情報システム（ＨＩＳ）と、画像収集装置を制御するための収集ワークステーションと、収集した画像データを支払い請求データのような他の情報と共に保管（アーカイブ）するための画像保管及び通信システム（ＰＡＣＳ）とを含んでいる。使用時に、患者データ及び所要のイメージング手順が、ＨＩＳシステムに入力されて、収集ワークステーションにダウンロードされるか、さもなければ伝送される。この代わりに、或いはＨＩＳでの入力に加えて、患者データをワークステーションに直接入力するか又はワークステーションで編集することができる。データを入力した後、画像がワークステーションで収集され、その収集したデータは保管及び記憶のためにＰＡＣＳに伝送される。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／１３３３７３号
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｍｅ／Ｐ原子比（Ｍｅは置換メタルの原子数、Ｐはリンの原子数を示す。）が０．００１〜０．０２０の範囲にあるＡＥＬ構造のメタル置換アルミノホスフェートおよび白金を含むイソブチレン合成用触媒。
【請求項２】  置換メタルが、マンガン、コバルト、亜鉛、マグネシウム、ニッケルおよび鉄からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項１記載のイソブチレン合成用触媒。
【請求項３】  ＡＥＬ構造のメタル置換アルミノホスフェートと白金の質量比が１００：０．１〜１００：５であることを特徴とする請求項１または２記載のイソブチレン合成用触媒。
【請求項４】  スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウムおよび鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む請求項１〜３記載のイソブチレン合成用触媒。
【請求項５】  スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウムおよび鉛の合計と白金との原子比が１：５〜５：１であることを特徴とする請求項４記載のイソブチレン合成用触媒。
【請求項６】  ｎ−ブタンと請求項１〜５記載のイソブチレン合成用触媒を接触させるイソブチレンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、Ｍｅ／Ｐ原子比（Ｍｅは置換メタルの原子数、Ｐはリンの原子数を示す。以下、メタル置換率と言う。）が０．００１〜０．０２０の範囲にあるＡＥＬ構造のメタル置換アルミノホスフェートおよび白金を含むイソブチレン合成用触媒である。ＡＥＬ構造のメタル置換アルミノホスフェートの置換メタルとしては、マンガン、コバルト、亜鉛、マグネシウム、ニッケルおよび鉄からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属が好ましい。ＡＥＬ構造のメタル置換アルミノホスフェートと白金の質量比は１００：０．１〜１００：５が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ＡＥＬ構造のメタル置換アルミノホスフェートと白金との質量比は１００：０．１〜１００：５が好ましく、１００：０．７〜１００：４がより好ましく、１００：０．５〜１００：２が特に好ましい。このような領域では、白金の分散度が高いので触媒の活性が高くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、逆浸透法は、半透膜の一方の側に海水を接させて海水の浸透圧以上に加圧すると真水が半透膜を通って押し出される現象を利用したものであり、加圧圧力が高いほど多量の塩分濃度の低い淡水が得られ、通常の逆浸透法淡水化プラントでは、５０〜６０気圧の圧力を加え、塩分濃度１５０ｐｐｍ程度の淡水が得られている。最近は多くの大型プラントが建設されており、一日の造水能力が１０万トン以上のものも稼働している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図５は下記特許文献１に実施例として例示されている電気透析法による海水淡水化装置の一例であって、脱塩すべき原水は、活性炭フィルタ１０１で有機物を除去された後、３個の流量調節弁１０２、１０２'、１０２"を通って陽極室１０３、脱イオン水室１０４、陰極室１０５に送られる。陽極室１０３、脱イオン水室１０４、陰極室１０５は、多孔性の隔膜１０７、１０７'により区切られている。多孔性膜の他に、陽イオン交換及び陰イオン交換両方の機能を有するバイポーライオン交換膜を使用すると更に高効率でイオン交換可能である。陽極室１０３、陰極室１０５にはＰｔ電極１０６、１０６'がそれぞれ設置されている。Ｐｔ電極１０６、１０６'に電圧可変直流電源１０８により一定電圧が印加されると、脱イオン水室１０４の中の水中に含まれる陰イオンは、隔膜１０７を通って陽極室１０３側へ移動し、一方、陽イオンは隔膜１０７'を通って陰極室１０５側へ移動して、脱イオン水室１０４からは溶存イオン濃度の低い脱イオン水が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このような構成の流通式電気化学セル１を採用することにより、両電極間の距離が入口端から出口端へと長くなっているため、入口端では両電極間の電位傾度が大きいために各種イオンは急速に各電極に向かって動く。しかし、出口端へ向かうに従って、両電極間の距離が長くなるので電位傾度は小さくなり、本来各種イオンの移動速度は理論的には遅くなるが、流通式電気化学セルの高さが次第に低くなっているために流通式電気化学セルを移動している海水の移動速度が速くなるため、実質的に横方向のイオンの移動速度の低下は少なくなり、各イオンの移動効率が向上し、両電極５、５'の中央部にできるイオン濃度の低い部分の幅が広くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
したがって、出口端３側に設けられた分離板７、７'の間に形成された淡水出
口室８にはイオン濃度が低くなった淡水が得られ、この淡水は出口流路９より回
収することができる。なお、分離板７、７'の間隔及び長さにより得られる淡水
中のイオン濃度は変化し、正負各イオンの移動速度の差異を考慮して両分離板を
設ける位置を実験的に定める必要はあるが、両分離板７、７'を間隔を狭くすれ
ばするほど、塩分濃度の低い淡水を得ることができるが、得られる淡水流量は少
なくなる。したがって、必要とする塩分濃度及び淡水の流量を考慮の上で分離板
７、７'の間隔及び長さを定めればよい。また、得られた淡水の塩分濃度が高す
ぎるとしても、もう一度上述の海水淡水化装置を通すことにより、すなわち、上
記の海水淡水化装置を少なくとも２個用い、全段の海水淡水化装置で得られた淡
水を次段の海水淡水化装置の入口に導入することにより、次段の海水淡水化装置
の出口室からより塩分濃度が低い淡水を得ることができることは当業者にとり自
明であろう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（実施例３）
図４は本発明の実施例３を表す図である。図４に記載の海水淡水化装置１０において、図２に記載のものと構成が相違している部分は、第２の流通式電気化学セル２１の負極側出口流路２８が、第１の流通式電気化学セル１１の正極側出口流路１８とは合流せず、ポンプ５４に直結されて直接廃棄されるようになっている点である。このような構成を採用すれば、流路５１から得られる水は塩素イオンに富んだ水となっており、又流路５５から得られる水はナトリウムイオンに富んだ水となっており、それぞれの水の性質に応じた用途に提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004167335.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004167335.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持体上に形成された感光層を画像様に露光した後、印刷機上にて未露光部を除去することによって画像形成する方法に用いられる感光性画像形成材料において、
該感光層は、表面が粗面化された支持体又は多孔質の支持体上に形成された親水性の下引き層であって、該支持体上に形成後は水及び有機溶媒に対して非溶解性である下引き層を介して設けられており、
かつ、該感光層は、界面活性剤を含む光重合性組成物により形成されていることを特徴とする感光性画像形成材料。
【請求項２】  該界面活性剤が、非イオン性界面活性剤及びフッ素系界面活性剤よりなる群から選ばれる少なくとも１種の界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性画像形成材料。
【請求項３】  該下引き層の平均皮膜量が０．００１〜１ｇ／ｍ２であり、かつ前記支持体の平均粗さＲａが０．１〜２μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の感光性画像形成材料。
【請求項４】  該下引き層がＳｉを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性画像形成材料。
【請求項５】  該感光性画像形成材料は、印刷用の原版であって、露光後の該感光性画像形成材料を印刷機に取り付けてブランケットやその他ロールと接触させ、必要に応じて湿し水及び／又はインキを版面に供給し、ロールを回転してその版面を擦ることにより未露光部を除去することによって画像形成する方法に用いられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の感光性画像形成材料。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
擁壁と傾斜地との間に、独立気泡率の低い硬質発泡ウレタンと独立気泡率の高い硬質発泡ウレタンとが充填されてなる軽量盛土構造であって、
独立気泡率の低い硬質発泡ウレタンは、傾斜地の底部及び傾斜地に接して厚みが０．１〜０．３ｍとなるように配置され、
独立気泡率の高い硬質発泡ウレタンは、残りの空間に配置されてなることを特徴とする軽量盛土構造。
【請求項２】
前記独立気泡率の低い硬質発泡ウレタンは、独立気泡率が３〜１５％であり、前記独立気泡率の高い硬質発泡ウレタンは、独立気泡率が８５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の軽量盛土構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の請求項１記載の軽量盛土構造は、擁壁と傾斜地との間に、独立気泡率の低い硬質発泡ウレタンと独立気泡率の高い硬質発泡ウレタンとが充填されてなる軽量盛土構造であって、独立気泡率の低い硬質発泡ウレタンは、傾斜地の底部及び傾斜地に接して厚みが０．１〜０．３ｍとなるように配置され、独立気泡率の高い硬質発泡ウレタンは、残りの空間に配置されてなることを特徴とする。また、請求項２記載の軽量盛土構造は、前記請求項１記載の構成に加え、前記独立気泡率の低い硬質発泡ウレタンは、独立気泡率が３〜１５％であり、前記独立気泡率の高い硬質発泡ウレタンは、独立気泡率が８５％以上であることを特徴とする。