【事件の表示】
　平成　５年特許願第２８４５４９号「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　５月１２日出願公開、特開平　７−１２１８３９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　５年１０月１９日
　審査請求・手続補正書１　　　　　　　　　　　平成　９年１０月１７日
　拒絶理由通知（審査官の通知した）　　　　　　平成１１年　７月　１日
　意見書・手続補正書２　　　　　　　　　　　　平成１１年　９月　３日
　補正の却下の決定（手続補正書２）　　　　　　平成１２年　２月１５日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　５月１２日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月２１日
　手続補正書（審判請求書に対する）　　　　　　平成１２年　７月１８日
　手続補正書３　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　７月１８日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１０月１６日
（書類名の後の数字は、単に書類を区別するための整理番号である。）
　
２　本願発明
（１）　補正却下について
　上記手続補正書３に記載された特許請求の範囲請求項１，６は、補正却下された手続補正書２に記載された請求項１，１１と同じ文言である。
　そして、請求人は本件発明のうち請求項１、６に係るものは、補正却下されるべきではないと次のように主張している。
　「　補正後の請求項１記載の発明では「主電極層の幅寸法は、電極層の幅寸法に比べて大きい」ことを発明の構成要件として加えたが、本願の図７（Ａ）から明らかなように、主電極層２５の幅寸法は電極層１３の幅寸法よりも大きくされている。
　ところで本願では、主電極層を磁気抵抗効果素子から分離して設けたが、その目的は、主電極層の電気抵抗を低下させることにある（本願の明細書の[００２８]欄または[００３０]欄を参照）。
　そして上記目的を達成すべく、図７（Ａ）に示すように、主電極層の幅寸法を電極層の幅寸法よりも大きくすれば、前記主電極層の電気抵抗を低下させることができることは、出願当初の明細書からみて、当業者が当然に予測できる程度の事項に過ぎない。
　また主電極層の幅寸法を電極層の幅寸法よりも大きくすることにより、前記電極層の形成時に、前記電極層の形成位置がずれても、前記主電極層との接触面積が小さくなることはなく、主電極層と電極層間の導通接続を確実に行うことができるとする効果は、当然に予測し得る程度のものである。
　したがって、本願の図７（Ａ）に示す図面の内容に基づいて「主電極層の幅寸法は、電極層の幅寸法に比べて大きい」とした補正事項は、発明の構成に関する技術的事項を、当初明細書等に記載した事項の範囲から逸脱するものでなく、要旨変更には該当しないものと思料する。
　また上記と同様の理由から請求項６記載の発明も、要旨変更には該当しないものと思料する。」
　確かに、図２（Ｂ）において、主電極層２５の幅寸法は電極層１３の幅寸法よりも大きく画かれている。特許出願における図面は、概要を示すもので、設計図のような精密なものではないが、主電極層２５の幅寸法は電極層１３の幅寸法よりも大きいことを否定すべき本件明細書の記載や一般的な技術常識はない。
　従って、この点についての補正は認められるべきである。
（なお、本件出願の出願日から見て、審査官のなした補正却下は、補正却下不服の審判で不服を申立てるべきものであるが、意見を主張することまで妨げられてはいないものと解する。
　そして、上記補正却下は、上記手続補正書２の請求項３，７，９についても、要旨の変更があるとして補正却下しており、その点の審査官の決定は肯首できるものである。その点で、上記手続補正書２は要旨変更である請求項を含む補正であったので、補正却下されるべきものであり、補正却下決定は適法である。）
　
（２）　本件発明は、手続補正書３において補正した特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されたとおりであり、そのうち請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両縁部上面から下部ギャップ層の上面にかけて形成された一対の電極層と、を有する薄磁気ヘッドにおいて、
　前記磁気抵抗効果素子の上面では、前記一対の電極層どうしの間隔を埋める絶縁層が形成されており、
　前記下部ギャップ層上には、磁気抵抗効果素子と分離された主電極層が形成され、前記電極層により磁気抵抗効果素子と主電極層とが接続されており、前記主電極層の幅寸法は、電極層の幅寸法に比べて大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」（以下、本願発明という。）
　
３　新たに拒絶理由を通知する必要性がないことについて
　審査官は、拒絶査定の理由で、拒絶理由通知の理由２も援用している。
　そして、拒絶理由通知の理由２において、請求項１〜３，５に対しては引用文献４を、請求項４については、引用文献４，５を当てている。この対象となる請求項は、上記手続補正書１に記載されたものである。そして、手続補正書３に記載された請求項１には、この手続補正書１の請求項４（＝出願時の請求項４）の構成が含まれており、本願発明に対して、引用文献４，５が当てられていると認められるので、既に請求人（特許出願人）は、上記引用文献に対する意見を述べているので、改めて拒絶の理由を通知して、請求人（特許出願人）の意見を聞く必要性はない。（しかも、請求人は、審判請求の理由で、本願発明に対するものとして、引用文献４，５について意見を述べている。）
　
４　引用例記載の発明
　審査官引用文献名と番号を一致させるために、引用文献の番号１〜３をとばす。
　
（１）引用文献４（特開平４−１６１８７４号公報）
　拒絶の理由に用いられた、本件出願前公知の引用文献４の
　第１頁右下欄第９行〜第１８行に、
「第２図は、従来のＭＲヘッドの構成の第１の例を示す、ディスクと対向する面の断面図である。このＭＲヘッドでは、分離した電極２と下シールド７の間のギャップ４に沿って、ＭＲ素子１が形成されているため、ＭＲ素子が電極の端で９０°屈曲した構造をもっている。そのため、屈曲部分において、ＭＲ素子１が断線を生じる可能性がある。」と記載され、
　特許請求の範囲に、
「（１）分離した電極層、前記電極層の間の絶縁層、および前記電極層と前記絶縁層に接して磁気抵抗効果素子層が順次積層され、前記磁気抵抗効果素子層の内、前記絶縁層に接した部分が磁界の検出のために作用する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
　前記電極層、前記絶縁層と磁気抵抗効果素子層の接触面を平面にしたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。」と記載されている。
　
　２）引用文献５（特開平４−３３０６号公報）
　拒絶の理由に用いられた、本件出願前公知の引用文献５の
　第２頁右上欄第４行〜第７行に、
「上記従来ヘッドにおいては、信号検出用電極５ａ，５ｂの側面が摺動面に露出している。このため、ヘッド使用中に信号検出用電極５ａ，５ｂが腐蝕し、信頼性が低下する問題があった。」と記載され、
　同頁左下欄第４行〜第１１行に、
「上記信号検出用電極材料は比抵抗が大きい。このため上記信号検出用電極材料のみで電極５ａ，５ｂを構成すると電気抵抗が増加してしてしまい、発熱、ノイズの原因となる。本発明においては磁気抵抗効果膜上以外の領域に形成されている信号検出用電極は比抵抗の小さなＣｕ、Ａｌ、およびその合金薄膜、あるいは上記Ｎｂ等の薄膜との積層構造とした。」と記載され、
　同頁右下欄第４行〜第８行に、
「また、信号検出用電極５ａ，５ｂ上に積層された薄膜はＣｕ，Ａｌ，あるいはそれらの合金で形成されている。これにより信号検出用電極の電気抵抗を下げることができ、発熱、ノイズを低下できる。」と記載され、
　第２頁右下欄第１１行〜第３頁左上欄第１４行に、
「［実施例１］　第１図を用いて述べる。基板１にはＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣ板を用いた。基板１上に下部シールド膜２、および第１ギャップ層３を積層する。成膜にはスパッタリング法を用いた。下部シールド膜２はＮｉＦｅ合金で、膜厚は１μｍである。
　 また、第１ギャップ層３はＳｉＯ２で、膜厚は０．３μｍである。続いて磁気抵抗効果膜４となるＮｉＦｅ合金薄膜を蒸着法で堆積する。膜厚は０．０４μｍとした。磁気抵抗効果膜４は通常ホトリソグラフィ技術により幅（トラック幅方向の長さ）３０μｍ、高さ（トラック幅方向に対し垂直方向の長さ）１０μｍの長方形状にパターニングし、その後、信号検出用電極５ａ，５ｂを形成した。信号検出用電極５ａ，５ｂの材料としてはＮｂを用いた。
　信号検出用電極５ａ，５ｂの形成は以下の方法で行なった。磁気抵抗効果４の表面をわずかにスパッタクリーニングした後、Ｎｂ膜を堆積する。スパッタクリーリングは磁気抵抗効果膜４と信号検出用電極５ａ，５ｂとの電気的接続を良好にするために行なう。Ｎｂ膜の厚さは０．２μｍである。Ｎｂ膜のパターニングは平行平板型反応性プラズマエッチング法で行なった。」
第３頁右上欄第１行〜第８行に、
「信号検出用電極５ａ，５ｂを形成後、磁気抵抗効果膜４上以外の信号検出用電極５ａ，５ｂ上に低電気抵抗膜６を形成する。これは、上記Ｎｂ膜のみで信号検出用電極５ａ，５ｂを形成すると電極５ａ，５ｂの電気抵抗が大きくなりすぎ、発熱、ノイズの原因となるためである。ここでは低電気抵抗膜６としてＣｕを用いた。Ｃｕ合金，Ａｌ，Ａｌ合金でも有効である。膜厚は１μｍとした。」と記載され、
同頁左下欄第１２行〜右下欄第１２行に、
「［実施例２］
　実施例１で述べたＮｂ以外の材料でも同様の効果が得られる。Ｎｂ以外の材料としてはＴｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｒ，あるいはそれらを主とする合金がある。これらの材料のうちＴｉ，Ｐｔ，ＴａはＮｂと同様にＣＦ４を主とする反応ガスでパターニングが可能である。ヘッド構造も第１に示したものと同じでよい。
　Ｃｒ，Ａｕの場合にはＣｌを含んだ反応ガスが必要となる。例えばＣｒはＣＣｌ４＋Ｏ２，ＡｕはＣＣｌ２Ｆ４が有効である。これらの反応ガスを用いた場合においても、磁気抵抗効果膜４（ＮｉＦｅ膜）がＣｌと化学反応しエッチングされる可能性は少ない。しかし、磁気抵抗効果膜４が非常に薄いこと、Ｃｌが反応性に富んでいることから、第２図に示すように磁気抵抗効果膜表面に保護膜７をあらかじめ形成しておくことが望ましい。ここでは保護膜７としてＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３膜を用いた。膜厚は０．１μｍとした。なお、この保護膜７が第２ギャップ層の１部を兼ねることも可能である。」と記載されている。
　さらに、特許請求の範囲には、
「１．磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜に電流を流すために設けられた信号検出用電極、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部、該磁気抵抗効果膜の両面に形成されたシールド膜、および該磁気抵抗効果膜と該シールド膜との間に設けられたギャップ層、かつ該信号検出用電極の間隔が再生時にトラック幅となる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該信号検出用電極の少なくとも該磁気抵抗効果膜上に形成された部分の信号検出用電極膜がＮｂ，Ｔｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｒあるいはこれら１つ以上を主とする合金のうちの少なくとも１つ以上の材料で構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」と記載されている。
　そして、信号検出用電極５ａ，５ｂとしてはＮｂを平行平板型反応性プラズマエッチング法でエッチングしてしており、磁気抵抗効果膜４上以外の信号検出用電極５ａ，５ｂ上に低電気抵抗膜６を形成するが、その幅は信号検出用電極５ａ，５ｂと同じとも広いとも規定されていない。図面からは同程度の幅と認められる。
　これらの記載からすると、引用文献５には、「第１ギャップ層と、前記第１ギャップ層上に形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜上以外の領域に比抵抗の小さい低電気抵抗膜からなる信号検出用電極とが形成され、前記磁気抵抗効果膜と前記低電気抵抗膜からなる信号検出用電極とが、少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極により接続され、前記低電気抵抗膜からなる信号検出用電極のトラック幅方向の幅は前記少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極のトラック方向の幅と同程度であり、信号検出用電極５ａ，５ｂ間に保護膜が形成されている磁気抵抗効果型ヘッド。」の発明が記載されているものと認める。
　
５．本願発明と引用文献との対比
　
（１）本願発明と引用文献５記載の発明との対比
　本願発明と引用文献５記載の発明とを対比すると、引用文献５記載の「第１ギャップ層」、「磁気抵抗効果膜」、「磁気抵抗効果膜上以外の領域に比抵抗の小さい低電気抵抗膜からなる信号検出用電極」、「少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極」、「磁気抵抗効果型ヘッド」は、それぞれ本願発明の「下部ギャップ層」、「磁気抵抗効果素子」、「主電極層」、「接続電極層」、「薄膜磁気ヘッド」に相当するから、本願発明と引用文献５とは、次の点で一致する。
　
（一致点）
「下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両縁部上面から下部ギャップ層の上面にかけて形成された一対の電極層と、を有する薄磁気ヘッドにおいて、
　前記磁気抵抗効果素子の上面では、前記一対の電極層どうしの間隔に絶縁層が形成されており、
　前記下部ギャップ層上には、磁気抵抗効果素子と分離された主電極層が形成され、前記電極層により磁気抵抗効果素子と主電極層とが接続されている
　薄膜磁気ヘッド。」
　
そして、本願発明と引用文献５記載の発明とは、次の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「一対の電極層どうしの間隔を埋める絶縁層が形成されて」いるのに対して、引用文献５記載の発明の保護膜７は、電極間にあるが、埋めるほど厚くはない点、
（相違点２）
　本願発明は、「前記主電極層の幅寸法は、電極層の幅寸法に比べて大きい」のに対して引用文献５記載の発明の主電極に相当する層は、同程度の幅である点。
　
（２）相違点の検討
（相違点１について）
　一対の電極層どうしの間隔を埋める絶縁層が形成されていることに関して、本件明細書の【００２５】に、「上部シールド層４のさらに上面には上部コア層５と保護膜７が形成され、上部シールド層４と上部コア層５との間にインダクティブ記録ヘッドのギャップＧが形成されている。図１に示すように、ＭＲ素子１２の上面ではほぼ同じ膜厚の電極層１３，１３と絶縁層２１ａが密着して形成されているため、その上に積層される上部絶縁材料層２２と上部シールド層４の膜厚は均一で凹凸がほとんどなくなる。上部絶縁材料層２２が均一な膜厚に形成されているため、電極層１３とシールド層４との間の絶縁耐圧が低下することがなく、また前記磁気ギャップＧｌも高精度に設定できる。また上部コア層５も平滑に高精度に成膜することが可能であり、インダクティブ記録ヘッドの磁気ギャップＧも高精度に設定できる。」と記載されている。
　しかしながら、引用文献４には、電極層、前記絶縁層と磁気抵抗効果素子層の接触面を平面にしたことによって、屈曲部分において、ＭＲ素子１が断線を生じることを防止する技術が示されている。そして、電極とその間に同程度の厚さの絶縁膜を設ければ、その上に形成される膜は、ＭＲ膜に限らず、段差が生ぜず、平坦であることは明らかであり、本願発明の「一対の電極層どうしの間隔を埋める絶縁層を形成」することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　従って、相違点１は格別ではない。
　
（相違点２について）
  引用文献５記載の発明において、磁気抵抗効果膜上以外の領域に比抵抗の小さい低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）を形成するのは、該電極の抵抗値を下げることで信号検出用電極全 体の電気抵抗を下げ発熱やノイズの改善を図るためである。
　この目的は、本願発明の目的と軌を一にするものといえる。
　そして、電気抵抗が比抵抗に比例し、断面積に反比例することは周知のことであり、電極層でいえば断面積とは膜の厚さ×幅に相当することを勘案し、そして前記目的を勘案すれば、引用例の実施例に記載のように、磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）であるＮｂ膜の厚さを０．２μｍとし、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）であるＣｕ膜の厚さを１μｍとしたのは、該Ｃｕ膜の膜厚を大きくすることで抵抗値をより下げ、信号検出用電極全体の抵抗をより下げるためであると認められる。　更に、引用例記載の発明において低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）の抵抗値をより下げるために膜厚を大きくすることに加え幅をも大きくすること、即ち、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）の幅（トラック幅方向）を磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）の幅（トラック幅方向）より大きくすることは、当業者であれば容易に想起することといえる。
　また、このような構成を採用することにより得られる作用効果も予測し得る域を出るものではなく、格別顕著なものがあるとは認められない。
（請求人は、上記「２本願発明（１）補正却下について」で、記載したように、「図７（Ａ）に示すように、主電極層の幅寸法を電極層の幅寸法よりも大きくすれば、前記主電極層の電気抵抗を低下させることができることは、出願当初の明細書からみて、当業者が当然に予測できる程度の事項に過ぎない。
　また主電極層の幅寸法を電極層の幅寸法よりも大きくすることにより、前記電極層の形成時に、前記電極層の形成位置がずれても、前記主電極層との接触面積が小さくなることはなく、主電極層と電極層間の導通接続を確実に行うことができるとする効果は、当然に予測し得る程度のものである。」と述べている。
　してみれば、「本願のように、主電極層の幅寸法を電極層の幅寸法よりも大きくすれば、より適切に電気抵抗の低減を図ることができて、消費電力の増加、ノイズ発生を抑制できると同時に、電極層の幅を小さくすることで、前記電極層と下部シールド層間の短絡を適切に防止することができること、前記主電極層と磁気抵抗効果素子間に電極層を形成する際に、前記電極層の形成位置がずれても、前記主電極層との接触面積が小さくなることはなく、主電極層と電極層間の導通接続を確実に行うことも可能である。」という効果は、この請求人の主張からも当業者が当然に予測し得る程度のものであるといわざるを得ない。）
　してみれば、引用文献５記載の発明において、信号検出用電極全体の電気抵抗をより下げるために、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）のトラック幅方向の幅寸法を磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）のトラック幅方向の幅寸法より大きくすることは、当業者であれば容易に想到し得る。
　してみるとこの相違点も格別のものではない。
　
（容易性のまとめ）
　いずれの争点も格別のものではなく、それらを総合しても格別であるとは認められないから、本願発明は、引用文献５，４記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
６　まとめ
　本願発明は、引用文献５，４記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないので、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。