【事件の表示】
　平成　３年特許願第１９３５２５号「投影露光装置及び半導体デバイス製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　１月２２日出願公開、特開平　５−　１３３０４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.本願は、平成３年７月８日に特許出願したものであって、その請求項３に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項３に特定された次のとおりのものである。
「【請求項３】原板上のパターンを投影光学系を介して可動のステージ手段面上に載置した被露光基板面上の感光層に投影露光する投影露光装置において、該原板上の所定位置に通過光束の位相を反転させる領域を一部に有した特定マークを設け、該特定マークを利用することによりベースラインを求め、これを用いて該原板と被露光基板との相対的位置合わせを該投影光学系を介して行ったことを特徴とする投影露光装置。（以下、「本願発明」という。）」
２.これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開平３−１５４３２６号公報（以下、第１引用例という。）には、「（１）投影光学系を通して原板上のパターンを被露光基板上の感光層に投影露光する露光装置において、前記被露光基板を移動するステージ手段と、前記被露光基板と同様に前記ステージ手段によって移動される感光層を含む記録手段と、前記投影光学系を通して前記原板上の特定マークの像を前記記録手段の感光層に形成するために前記特定マークのみを照明する照明手段と、前記記録手段の感光層に形成された前記特定マークの像を検出する検出手段と、前記検出手段の検出出力を用いて得られた情報に基づいて前記ステージ手段の移動を制卸する制卸手段を有する・・・ことを特徴とする露光装置。」（特許請求の範囲第１項）、「本発明の中心的な特徴は、レチクル上のマークをウエハの周辺部に設けられている記録手段に形成することにある。これにより、オフアクシス顕微鏡によるウエハ上のパターンとレチクルマークの投影像の両者の観察が可能となり、例えばべースライン(投影レンズとオフアクシス顕微鏡間の距離)経時変化については、ウエハ毎に自動的に補正することも可能となる。」（第３頁右上欄第１６行〜左下欄第３行）、「有効領域１２１内には第２図で説明した補正用マーク１０５Ｌ、１０５Ｒが投影露光されることにより形成されたマーク１２２が多数配列可能である。」（第６頁左下欄第１０〜１３行）、「１３１はオフアクシス顕微鏡７に内蔵された基準マーク（第１図の基準マーク７０）である。ウエハ２上のアライメントマ一ク１１７の場合でいえば、マーク１３２はマーク１０３Ｌの、マーク１３３はマーク１０３Ｒの投影露光により作り込まれたものであり、画像記録面１１４上の補正用マーク１２２の場合でいえば、マーク１３２はマーク１０５Ｌの、マーク１３３はマーク１０５Ｒの投影露光により作り込まれたものである。」（第６頁左下欄第１９行〜右下欄第７行）、及び「このような精密アライメントマークに対するＡＧＡ計測の終了後、各画像記録面１１３、１１４、１１５、１１６に形成された補正用マークに対して同様にオフアクシス顕微鏡７を用いてＡＧＡ計測を実行する(ステップ１５９）。ステップ１５８とステップ１５９のＡＧＡ計測で得られたアライメント検出データ、及びステージ５の座標位置データから、ウエハ２上の各ショットを露光する時に使用される補正配列座標を決定する（ステップ１６０）。ステップ１５９のデータからは、前述のベースライン長、ステージ５の倍率成分と直交度成分、及びレチクルローテーションが算出される。また、このデータから投影レンズ４の倍率も算出できる。例えば、ベースライン長は第３図（ａ）の画像記録面１１３、１１４、１１５、１１６の一つにレチクル１上のマーク１０５Ｌ、１０５Ｒを形成した後、この画像記録面上のマークがその形成位置からオフアクシス顕微鏡７の基準マーク７０と一致するまでのステージ５の移動量をレシーバ８７の出力によって求めることこより、算出することができる。ステージ５の倍率成分及び直交度成分は、ステージ５をＸ又はＹ軸方向に所定の指令距離だけ移動させることこより、画像記録面１１３、１１４、１１５、１１６の少なくとも２��にマーク１０５Ｌ、１０５Ｒを形成した後、オフアクシス顕微鏡７の基準マーク７０に各画像記録面上のマークが一致するためのステージ５の移動量をレシーバ８７の出力によって求めることにより、算出される。一方、ステップ１５８で得られたデータからは、ウエハ２のショット配列のＸ、Ｙ軸成分と、Ｘ、Ｙ軸方向それぞれの倍率成分及びチップローテーション方向が周知のように算出される。この結果から露光時にステージ５の移動を制卸するために使用されるショット配列座標を決定する。なお、チップローテーションまで補正しようとするなら、ステップ１６０の次にレチクル１のダイローテーション分のθを回転補正するステップを挿入する。この後,ウエハ２のステップアンドリピート露光を開始する（ステップ１６１）。このときステージ５の移動は、レシーバ８７で位置が計測されながら、ステップ１６０で算出されたショット配列座標に基づいて制御される。この場合、ステージ５の移動は、周知のようにＸＹ座標に関して階段状のステップ移動となる。」（第８頁左上欄末行〜右下欄第４行）との記載があり、結局、レチクル１上のパターンを投影光学系を介して可動のステージ手段面上に載置したウエハ２面上の感光層に投影露光する投影露光装置において、該レチクル１上の所定位置に補正用マーク１０５Ｌ、１０５Ｒを設け、該補正用マーク１０５Ｌ、１０５Ｒを利用することによりベースラインを求め、これを用いて該レチクル１とウエハ２との相対的位置合わせを該投影光学系を介して行ったことを特徴とする投影露光装置、が記載されている。
　同じく引用した特開昭５７−６２０５２号公報（以下、「第２引用例」という。）には、「透明部と不透明部とで形成された所定のパターンを有し、透過照明によって投影される被投影原版において、前記不透明部をはさむ両側の透明部の少なくとも一方に位相部材を設け、該両側の透明部に位相差を生ずる構成としたことを特徴とする透過照明用被投影原版。」（特許請求の範囲）、「以上のごとく、本発明による被投影原版を用いれば、従来と同一の投影レンズで同一の波長を用いたとしても解像限界を格段に高めることが可能であり、特にＩＣ製造装置による微細パターンの焼付け等において、パターンの間隔が解像限界近くにある場合に本発明は極めて有効である。」（第３頁右上欄第１７行〜左下欄第３行）及び「尚、本発明は、被投影原版上の焼付されるパターン面のみならず、アライメントマーク等にも用いることができ、位置合せの精度をより向上させることができることはいうまでもない。」（第３頁左下欄第１０〜１４行）との記載があり、図面第３図からは、位相が反転していることが窺える。
３.そこで、本願発明と第１引用例記載のものとを対比すると、本願発明の「原板」、「被露光基板」、「特定マーク」は、夫々第１引用例記載のものの「レチクル１」、「ウエハ２」、「補正用マーク１０５Ｌ、１０５Ｒ」に相当するから、両者は、原板上のパターンを投影光学系を介して可動のステージ手段面上に載置した被露光基板面上の感光層に投影露光する投影露光装置において、該原板上の所定位置に特定マークを設け、該特定マークを利用することによりベースラインを求め、これを用いて該原板と被露光基板との相対的位置合わせを該投影光学系を介して行ったことを特徴とする投影露光装置で一致し、
イ、本願発明は、特定マークが通過光束の位相を反転させる領域を一部に有したのに対して、第１引用例記載のものは、そのような記載が無い点で相違する。
４.そこで、上記相違点イ、について検討すると、第２引用例に開示されている。
　そして、第２引用例には、「本発明は、被投影原版上の焼付されるパターン面のみならず、アライメントマーク等にも用いることができ」るとの示唆があるから、第２引用例記載のものを第１引用例記載の投影露光装置に適用することは、当業者にとって容易である。また、当該適用によって、格別顕著な作用効果を奏するものでもない。
５.したがって、本願請求項３ に係る発明は、第 １引用例、第２引用例に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、本願請求項３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。