【事件の表示】
　平成５年特許願第３０６９１７号「 高圧半導体整流装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成７年６月２日出願公開、特開平７−１４２６７５、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１２月８日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明（以下、「本願発明１〜３」という。）は、平成１１年１０月１８日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】ＰＮ接合を形成したダイオードチップをはんだを介して積層した柱状積層体、該柱状積層体の端面対角線より径の大きいヘッダーを有する接続導線の該ヘッダーを柱状積層体の両端に固着し、その柱状積層体の周域に接合被覆樹脂を塗布し、さらにエポキシ樹脂からなるモールド樹脂で封止する高圧半導体整流装置において、前記接合被覆樹脂をポリイミド樹脂とし、該接合被覆樹脂が柱状積層体からヘッダーを越えて接続導線までを被覆することを特徴とする高圧半導体整流装置。
　【請求項２】請求項１記載の整流装置において、前記ヘッダーの柱状積層体固着端部と接続導線固着端部との間の縁面距離が少なくとも１ｍｍであることを特徴とする高圧半導体整流装置。
　【請求項３】請求項１または２記載の整流装置において、前記接続導線は銀めっきをした導体であることを特徴とする高圧半導体整流装置。」
　
［２］引用例の記載事項
（１）原審の拒絶の理由に引用された引用例１（原審おける「引用例２」に相当する。）の特開昭５８−４８９９５号公報には、以下の事項が記載されている。
　「トランスファモールド法によって高圧シリコンダイオードを製作した。・・・第１図に示すように多数枚・・・のシリコンダイオードチップ（１）が半田層（２）によって接着された積層チップ（３）を用意し、この両端にリード線（４）を半田層（５）によって接続する。・・・次に第３図に示すようにシリコン系樹脂やポリイミド系樹脂からなるパッシベーション用絶縁層（７）を積層チップ（３）の側面に設ける。次に、トランスファモールド法により第４図に示す如く絶縁層（７）を被覆するエポキシ樹脂被覆体（８）を設けシリコン高圧ダイオード（９）を完成させる。
　ところが、樹脂被覆体（８）の成形をトランスファモールド化することにより、キャステイングモールド法で行っていたときに比べて、耐圧低下などの不良が増大するという問題が生じた。」（３頁左上欄１１行〜左下欄１０行）
　「はなはだしいときには絶縁層（７）のチップ（１）への密着が損なわれる。従って、絶縁層（７）のパッシベーション作用が不充分となり、電気的特性が劣化する。」（３頁右下欄１１〜１４行）
　「実施例によれば、トランスファモールド法で樹脂被覆体（２５）を設けることによって残留応力が大きくなるが、ろう接着（１２ａ）が従来の約１０倍になっているので、樹脂被覆体（２５）の残留応力によって半田の突出部（２３）が曲げられることはない。従って、第１５図に示す如く半導体チップ（１１ａ）が絶縁層（２４）で完全に保護され、絶縁層（２４）のパッシベーション作用が損なわれて電気的特性が劣化することはなくなった。」（６頁右上欄１２行〜左下欄５行）
　
（２）　同じく引用された引用例２（原審における「引用例１」に相当する。）の特開昭５１−１２７７７号公報には、以下の事項が記載されている。
　「従来の直列接続した半導体整流装置で分担電圧を平衡させる方法はほとんどこうしたバランス抵抗を用いて行なわれていた。
　・・・
　この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、バランス抵抗を独立した素子とせず、ＳＣＲ素子を保証するためにその外周側に被着される絶縁物質を利用してバランス抵抗を構成し、形状の小型化とともに製造工程の簡略化をはかり、安価な半導体整流装置を提供することを目的としている。」（１頁右欄９行〜２頁左上欄６行）
　「第２図は６個のペレット２１１〜２１６を直列接続した半導体整流装置で、・・・上記ペレット２１１〜２１６は・・・Ｐ＋ＮＮ＋構造の整流素子をなしている。次に、上記ペレット２１１〜２１６それぞれの両側をメッキして、例えば半田等のろう材金属によって６枚を積重ね、積重されたペレット２１１〜２１６の両端間にリード２２１、２２２を接続する。その後、・・・たとえばシリコンラバー等の絶縁性物質２３で被覆する。この絶縁性物質２３は、シリコンラバー以外に例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ガラス等を用いることができる」（２頁左上欄８行〜右上欄６行）
　「上記絶縁性物質２３としてエポキシ樹脂を用いた場合には、銀粉を添加することによりシリコンラバーのときと同様に導電性を持たせることができ、所望のバランス抵抗を構成しうる。しかして、第２図に示す実施例ではバランス抵抗とされた絶縁性物質２３の表面は、さらにエポキシ樹脂２４等で保護される。」（２頁左下欄７〜１３行）
　「上記実施例に示す構成でバランス抵抗を構成した半導体整流装置は、従来単にエンキャップ剤としてのみ使用していた絶縁性物質に導電性物質を含有せしめて使用するため、独立した抵抗素子を接続付加する手間なしに、しかも製造価格、形状の点で優れたものとなる。」（２頁右下欄１２〜１７行）
　さらに、第２図には、リード２２１、２２２の径の大きい端部（本願発明の「ヘッダー」に相当する。）を越えてリード２２１、２２２まで絶縁性物質２３を被覆したものが記載されている。
　
［３］対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１に記載されたものは本願発明１の従来例に相当するものであって、両者は、「ＰＮ接合を形成したダイオードチップをはんだを介して積層した柱状積層体、該柱状積層体の端面対角線より径の大きいヘッダーを有する接続導線の該ヘッダーを柱状積層体の両端に固着し、その柱状積層体の周域に接合被覆樹脂を塗布し、さらにエポキシ樹脂からなるモールド樹脂で封止する高圧半導体整流装置において、前記接合被覆樹脂をポリイミド樹脂とし」た点で一致するものの、本願発明１が「接合被覆樹脂が柱状積層体からヘッダーを越えて接続導線までを被覆する」のに対し、引用例１に記載されたものはこのようなものではない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、引用例２には、ＰＮ構造の整流素子からなるペレットを直列接続した半導体整流装置であって、この直列接続したペレットの周囲に、銀粉を添加したエポキシ樹脂等の絶縁性物質で被覆することにより、絶縁性物質に導電性をもたせてバランス抵抗としたものが記載され、さらに、その第２図には、リードの径の大きい端部を越えてリードまで絶縁性物質を被覆したものが記載されているものの、引用例２に記載された絶縁性物質は、銀粉を添加して導電性をもたせることによりバランス抵抗として機能させたものであって、引用例１に記載されたパッシベーション用の絶縁層とはその機能が相違するものである。
　してみると、引用例２に記載されたリードの径の大きい端部を越えてリードまで絶縁性物質を被覆したものを、引用例１に記載された絶縁層に適用する動機付けとなるものは何もないし、また、引用例１に記載された絶縁層をリード線の径の大きい端部を越えてリード線まで被覆することが単なる設計的事項であるとすることもできない。
　してみると、本願発明１は、引用例１、２に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
（２）本願発明２、３について
　本願発明２、３は、本願発明１を引用するものであるから、本願発明１が引用例１、２に記載されたものから容易に想到することができない以上、本願発明２、３についても上記引用例１、２に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
　そして、本願発明１〜３は、明細書に記載されているように、高温洩れ電流を規定値以下とすることができ、高温耐湿特性を向上することができるという、引用例１、２に記載されたものからは期待することができない顕著な作用効果を奏するものである。
　
［４］むすび
　したがって、本願発明１〜３は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。