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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＢ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体膜であって、
Ａ元素として、少なくともＰｂを含み、
Ｂ元素として、ＺｒおよびＴｉを含み、
０．１≦ｘ≦０．４であって、
Ｓｉを含む、強誘電体膜。
【請求項２】
請求項１において、
０．１≦ｘ≦０．３である、強誘電体膜。
【請求項３】
請求項１において、
０．２≦ｘ≦０．４である、強誘電体膜。
【請求項４】
請求項１において、
０．２≦ｘ≦０．３である、強誘電体膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記強誘電体膜は、正方晶系および稜面体晶系の少なくとも一方の結晶構造を有する、
強誘電体膜。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
Ｐｂの欠損量の２倍に相当する組成比でＮｂを含む、強誘電体膜。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
０．５モル％以上、５モル％未満の前記Ｓｉを含む、強誘電体膜。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
さらにＧｅを含む、強誘電体膜
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の強誘電体膜を用いた、強誘電体メモリ装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の強誘電体膜を用いた、半導体素子。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載の強誘電体膜を用いた、圧電素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の圧電素子を用いた、圧電アクチュエータ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の圧電アクチュエータを用いた、液体噴射ヘッド。
【請求項１４】
請求項１３に記載の液体噴射ヘッドを用いた、プリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、強誘電体膜、及びその製造方法、ならびに強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタを用いて構成される強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド、プリンタに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の目的は、１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタを含む、１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリを提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記強誘電体メモリに好適な強誘電体膜およびその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記強誘電体膜を用いた圧電素子および半導体素子を提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、上記圧電素子を用いた圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータを用いた液体噴射ヘッド、および液体噴射ヘッドを用いたプリンタを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（９）また、本発明は、上記強誘電体膜を用いた、強誘電体メモリ装置、圧電素子、および半導体素子に適用することができる。また、本発明は、上記圧電素子を用いた圧電アクチュエータに適用することができる。また、本発明は、上記圧電アクチュエータを用いた液体噴射ヘッドに適用することができる。さらに、本発明は、上記液体噴射ヘッドを用いたプリンタに適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の磁石と、これら磁石をそれぞれ被覆する被覆材を備え、
前記被覆材の一端側が衣類の生地に取り付けられる一方、前記被覆材の他端側の内部にそれぞれ収容した前記一対の磁石が互いに磁着される構成としていることを特徴とする留め具。
【請求項２】
前記被覆材に、前記生地に取り付けたボタンを挿入係止するためのスリットを設けている請求項１に記載の留め具。
【請求項３】
磁石に被覆した被覆材を巻付材の長さ方向の両側に縫い付け、あるいは、ボタン止めにより取り付けており、これら磁石を互いに磁着させて前記巻付材を環状に形状保持する構成としていることを特徴とする衣類。
【請求項４】
前記被覆材の磁石を内包した部分が前記巻付材の縁部から突出している請求項３に記載の衣類。
【請求項５】
前記巻付材が毛皮からなり、襟巻、ブレスレットあるいはアンクレットである請求項３または請求項４に記載の衣類。
【請求項６】
開口部を挟む左右の前身頃の対向する縁部を着脱自在とした衣類であって、
前記対向する縁部のうち、少なくとも一方の縁部に磁石に被覆した被覆材を縫い付け、あるいは、ボタン止めにより取り付けると共に、他方の縁部にも対となるように磁石を取り付けており、これら対向する磁石同士を磁着させて前記開口部を閉じる構成としていることを特徴とする衣類。
【請求項７】
前記被覆材の磁石を内包した部分が前記縁部から対向する縁部側へ突出している請求項６に記載の衣類。
【請求項８】
毛皮製の外套である請求項６または請求項７に記載の衣類。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】留め具および衣類
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、留め具および衣類に関し、詳しくは、襟巻、ブレスレット、アンクレット、外套等の着脱構造を磁石により構成し、着脱を容易にするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、第１に、一対の磁石と、これら磁石をそれぞれ被覆する被覆材を備え、
前記被覆材の一端側が衣類の生地に取り付けられる一方、前記被覆材の他端側の内部にそれぞれ収容した前記一対の磁石が互いに磁着される構成としていることを特徴とする留め具を提供している。
前記被覆材に、前記生地に取り付けたボタンを挿入係止するためのスリットを設けていることが好ましい。
また、本発明は、第２に、磁石に被覆した被覆材を巻付材の長さ方向の両側に縫い付け、あるいは、ボタン止めにより取り付けており、これら磁石を互いに磁着させて前記巻付材を環状に形状保持する構成としていることを特徴とする衣類を提供している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は第３に、開口部を挟む左右の前身頃の対向する縁部を着脱自在とした衣類であって、
前記対向する縁部のうち、少なくとも一方の縁部に磁石に被覆した被覆材を縫い付け、あるいは、ボタン止めにより取り付けると共に、他方の縁部にも対となるように磁石を取り付けており、これら対向する磁石同士を磁着させて前記開口部を閉じる構成としていることを特徴とする衣類を提供している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前述したように、第２の本発明によれば、衣類を着用する際には、巻付材を首等の人体に巻き付け、両端に設けた磁石同士を磁着させるだけで簡単に巻付材を環状に巻き付けた状態で形状保持して着用することができる。
また、着用した巻付材を取り外す際には、着脱部を挟んだ両側の巻付材を離反方向に引っ張るだけで磁石が外れ、巻付材を簡単に取り外すことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
同様に、第３の本発明によれば、衣類を着用する際には、対向する縁部に設けた磁石同士を磁着させるだけで簡単に開口部を閉じて着用することができる。
また、開口部を開ける際には、開口部を挟んだ両側の前身頃を離反方向に引っ張るだけで磁石が外れ、開口部を簡単に開けることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、第２、第３の本発明とも、磁石を被覆した被覆材を巻付材あるいは前身頃（以下、巻付材等と称す）に取り付けているため、磁石を巻付材等から突出した位置に容易に設けることができ、巻付材等が毛皮や厚みのある生地からなるものであっても、磁着する磁石間に巻付材等が介在しないため、簡単に磁石によって巻付材等を着脱することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体を搬送する搬送ベルトと、前記搬送ベルト上の前記記録媒体に対して液滴を吐出して画像を形成する複数の記録ヘッドと、を備えた画像形成装置において、
前記搬送ベルトの、前記記録媒体を搬送する表面の全体に撥液処理が施されているとともに、前記搬送ベルトのベルト面には、当該搬送ベルトの巻き掛けによって各記録ヘッドに対応した凹状の湾曲部が形成され、
前記湾曲部には、該湾曲部に凝集した液滴を案内するガイドローラが配置されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記湾曲部は、前記記録ヘッドと対向する位置の下流側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記ガイドローラの周面には螺旋溝が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は前記目的を達成するために、記録媒体を搬送する搬送ベルトと、前記搬送ベルト上の前記記録媒体に対して液滴を吐出して画像を形成する複数の記録ヘッドと、を備えた画像形成装置において、前記搬送ベルトの、前記記録媒体を搬送する表面の全体に撥液処理が施されているとともに、前記搬送ベルトのベルト面には、当該搬送ベルトの巻き掛けによって各記録ヘッドに対応した凹状の湾曲部が形成され、前記湾曲部には、該湾曲部に凝集した液滴を案内するガイドローラが配置されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
一方、Ｘn-は無機陰イオン、有機陰イオンのいずれであってもよく、その例としてはＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-のハロゲンイオン、ＮＯ3-、ＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ＣＯ32-、ＳＯ42-などの無機陰イオン、ＣＨ3ＯＳＯ3-、Ｃ2Ｈ5ＯＳＯ3-、さらには酢酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸などの有機酸の残基からなる有機陰イオンが挙げられる。
このような高分子型四級アンモニウム塩系帯電防止剤としては、例えば以下に示す化合物、すなわち、ポリビニルベンジル型［（ａ）］、ポリ(メタ)アクリレート型［（ｂ）］、スチレン−(メタ)アクリレート共重合体型［（ｃ）］、スチレン−マレイミド共重合体型［（ｄ）］、メタクリレート−メタクリルイミド共重合体型［（ｅ）］などを挙げることができる。なお、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）の共重合体型においては、ランダム共重合体型及びブロック共重合体型のいずれであってもよい。
【化２】
2006188016.tif 000001
【化３】
2006188016.tif 000002
本発明においては、この高分子型カチオン系帯電防止剤は１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
一方、低分子型カチオン系帯電防止剤としては、例えば、一般式（II）
【化４】
2006188016.tif 000003
（式中、Ａは炭素数１０〜３０のアルキル基、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ同一又は異なる炭素数１０のアルキル基、Ｒ6は炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基、Ｙm-はｍ価の陰イオン、ｍは１〜４の整数を示す。）
で表される四級アンモニウム塩基を有する化合物を好ましく挙げることができる。
上記一般式（II）におけるＡの例としては、ラウリル基などのドデシル基、ミリスチル基などのテトラデシル基、パルミチル基などのヘキサデシル基、ステアリル基などのオクタデシル基、エイコシル基、ベヘニル基などが挙げられる。
また、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｙm-及びｍは、それぞれ一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｘn-及びｎと同じである。
本発明においては、この低分子型カチオン系帯電防止剤は１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月5日(2006.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
次に本発明の作用を説明する。該パリソン3が垂下し終わり、図の表裏方向に閉まる金型９が閉じた状態をあらかじめ想定して、該蛇腹部２の位置に一致する該パリソン３の対応部分１１を必要十分に厚肉とし、また該対応部分１１を除く該パリソン３の全体を必要十分に薄肉となるように該パリソンコントローラーによって該パリソン３の軸方向の肉厚分布を予め設定、制御しておく。
尚、ここでいう「該パリソン３の対応部分１１を必要十分に厚肉とし」とは後述の、望ましくは０．０５ＭＰａ以下の相対的に低圧な空気の吹込みによるプリブローの際に、該パリソン３の該対応部分１１のプリブロー後の外径が、図３に示すように該蛇腹部２の内径より小さいままであるために必要で且つ十分な厚肉に設定することを意味し、また、「該対応部分１１を除く該パリソン３の全体を必要十分に薄肉となるように」とは同じく後述の、望ましくは０．０５ＭＰａ以下の相対的に低圧な空気の吹込みによるプリブローの際に、該パリソン３の該対応部分１１以外の部分が、図３に示すように該ダクト１の該端部４，５を十分に覆うことができるようになるまで、膨張するのに必要で且つ十分な薄肉となるように設定することを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の吐出工程により、導電性材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を、第１の線を中心として間隔をあけて吐出し、
第２の吐出工程により、前記導電性材料を含む組成物からなる複数の第２の液滴を、前記複数の第１の液滴の間に、前記第１の線と一定の間隔を有し、かつ平行に配置された第２の線を中心として吐出することによって、前記第１の液滴と前記第２の液滴とが連続した配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の吐出工程により、導電性材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を、第１の線を中心として間隔をあけて吐出し、
前記複数の第１の液滴を乾燥させ、
第２の吐出工程により、前記導電性材料を含む組成物からなる複数の第２の液滴を、前記複数の第１の液滴の間に、前記第１の線と一定の間隔を有し、かつ平行に配置された第２の線を中心として吐出することによって、前記第１の液滴と前記第２の液滴とが連続した配線を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第２の液滴の幅は、前記第１の液滴の幅より細いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記配線の側端部を連続した波状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、前記配線は蛇行していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、前記配線の側端部を周期的なうねり形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の吐出工程により、マスク材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を、第１の線を中心として間隔をあけて、導電膜上に吐出し、
第２の吐出工程により、前記マスク材料を含む組成物からなる複数の第２の液滴を、前記複数の第１の液滴の間に、前記第１の線と一定の間隔を有し、かつ平行に配置された第２の線を中心として吐出することによって、前記第１の液滴と前記第２の液滴とが連続したマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記導電膜を加工し、配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の吐出工程により、マスク材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を、第１の線を中心として間隔をあけて、導電膜上に吐出し、
前記複数の第１の液滴を乾燥させ、
第２の吐出工程により、前記マスク材料を含む組成物からなる複数の第２の液滴を、前記複数の第１の液滴の間に、前記第１の線と一定の間隔を有し、かつ平行に配置された第２の線を中心として吐出することによって、前記第１の液滴と前記第２の液滴とが連続したマスクを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マスクを用いて、前記導電膜を加工し、配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、前記マスクの側端部を連続した波状形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６又は請求項７において、前記マスクは蛇行していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６又は請求項７において、前記マスクの側端部を周期的なうねり形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記第１の液滴が付着する領域に、前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性を制御する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第２の液滴が付着する領域に、前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性を制御する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２又は請求項１２において、前記ぬれ性を制御する処理として、フッ化炭素基を有する物質、又はシランカップリング剤を含む物質を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する複数の第１の液滴と、前記第１の線と平行な第２の線上に中心を有する複数の第２の液滴とをそれぞれ吐出し、
複数の液滴の第２の吐出工程により、前記第１の液滴の間に、前記第１の線上に中心を有する複数の第３の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ複数の線幅を有する第１の導電層と、前記第２の液滴の間に、前記第２の線上に中心を有する複数の第４の液滴を吐出することにより、前記第２の線に対して線対称であり、かつ複数の線幅を有する第２の導電層とを、一定の間隔を有してそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
導電性材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する複数の第１の液滴と、前記第１の線と平行な第２の線上に中心を有する複数の第２の液滴とをそれぞれ吐出し、
複数の液滴の第２の吐出工程により、前記第１の液滴の間に、前記第１の線上に中心を有する複数の第３の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ線幅が連続的に変化する第１の導電層と、前記第２の液滴の間に、前記第２の線上に中心を有する複数の第４の液滴を吐出することにより、前記第２の線に対して線対称であり、かつ線幅が連続的に変化する第２の導電層とを、一定の間隔を有してそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
導電性材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する複数の第１の液滴と、前記第１の線と平行な第２の線上に中心を有する複数の第２の液滴とをそれぞれ吐出し、
複数の液滴の第２の吐出工程により、前記第１の液滴の間に、前記第１の線上に中心を有する複数の第３の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ線幅が周期的に変化する第１の導電層と、前記第２の液滴の間に、前記第２の線上に中心を有する複数の第４の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ線幅が周期的に変化する第２の導電層とを、一定の間隔を有してそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層の側端部は連続した波状形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層の側端部はうねる形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記導電性材料を含む組成物からなる複数の液滴が付着する領域に、前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性を制御する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
導電膜上にマスク材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する複数の第１の液滴と、前記第１の線と平行な第２の線上に中心を有する複数の第２の液滴とをそれぞれ吐出し、
複数の液滴の第２の吐出工程により、前記第１の液滴の間に、前記第１の線上に中心を有する複数の第３の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ複数の線幅を有する第１のマスクと、前記第２の液滴の間に、前記第２の線上に中心を有する複数の第４の液滴を吐出することにより、前記第２の線に対して線対称であり、かつ複数の線幅を有する第２のマスクとをそれぞれ形成し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを用いて、前記導電膜を加工し、一定の間隔を有する第１の導電層及び第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
導電膜上にマスク材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する複数の第１の液滴と、前記第１の線と平行な第２の線上に中心を有する複数の第２の液滴とをそれぞれ吐出し、
複数の液滴の第２の吐出工程により、前記第１の液滴の間に、前記第１の線上に中心を有する複数の第３の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ線幅が連続的に変化する第１のマスクと、前記第２の液滴の間に、前記第２の線上に中心を有する複数の第４の液滴を吐出することにより、前記第２の線に対して線対称であり、かつ線幅が連続的に変化する第２のマスクとをそれぞれ形成し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを用いて、前記導電膜を加工し、一定の間隔を有する第１の導電層及び第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
導電膜上にマスク材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する複数の第１の液滴と、前記第１の線と平行な第２の線上に中心を有する複数の第２の液滴とをそれぞれ吐出し、
複数の液滴の第２の吐出工程により、前記第１の液滴の間に、前記第１の線上に中心を有する複数の第３の液滴を吐出することにより、前記第１の線に対して線対称であり、かつ線幅が周期的に変化する第１のマスクと、前記第２の液滴の間に、前記第２の線上に中心を有する複数の第４の液滴を吐出することにより、前記第２の線に対して線対称であり、かつ線幅が周期的に変化する第２のマスクとをそれぞれ形成し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを用いて、前記導電膜を加工し、一定の間隔を有する第１の導電層及び第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１のマスク及び前記第２のマスクの側端部は連続した波状形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１のマスク及び前記第２のマスクの側端部はうねる形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、前記導電膜上に、前記マスク材料を含む組成物に対するぬれ性を制御する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６又は請求項１２において、前記ぬれ性を制御する処理として、フッ化炭素基を有する物質、又はシランカップリング剤を含む物質を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内輪及び外輪及び転動体から構成され、内輪及び外輪のうちの少なくとも一方の表面層に浸炭又は浸炭窒化の何れかの表面硬化処理を施して製造される転がり軸受において、前記浸炭及び浸炭窒化の何れかの表面硬化処理が施される内輪及び外輪のうちの少なくとも一方の軸受端面の表面硬さがＨｖ５５０以上Ｈｖ６９０以下であることを特徴とする転がり軸受。
【請求項２】  内輪及び外輪及び転動体から構成され、内輪及び外輪のうちの少なくとも一方の表面層に浸炭又は浸炭窒化の何れかの表面硬化処理を施して製造される転がり軸受において、前記浸炭及び浸炭窒化の何れかの表面硬化処理が施される内輪及び外輪のうちの少なくとも一方の軸受端面の最も深い表面硬化層深さが、軌道面の表面硬化層深さの０．８倍以下であることを特徴とする転がり軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】光源から発する光束をコリメートする、正の屈折力を持つ両凸形状の単  レンズであって、前記光源側から順に第１面が球面、第２面が非球面で構成され、
以下の条件式を満足することを特徴とする非球面コリメートレンズ。
｜R２｜＜f＜｜R１｜
１．５＜f／d＜２．５
NA＞０．４５
２．４８＜nF／｜R２'｜＜２．５２
但し、
R１：第１面の曲率半径（但し符号は光源側に凸の形状を正とする）
R２：第２面の頂点曲率半径（但し符号は光源側に凸の形状を正とする）
ｆ：本発明にかかる非球面コリメートレンズのＦ線（波長４８６ｎｍの光線）におけ        る焦点距離
ｄ：本発明に係る非球面コリメートレンズの中心厚
ＮＡ：本発明にかかる非球面コリメートレンズの光源側の開口数
ｎＦ：本発明にかかる非球面コリメートレンズのＦ線（波長４８６ｎｍの光線）に            おける屈折率
R２'：前記ｆをｆ＝１．０と規格化した時の第２面の頂点曲率半径（但し符号は光源 側に凸の形状を正とする）
【請求項２】
構成材料が硝子であって、かつ以下の条件を満足することを特徴とする、請求項１に記載の非球面コリメートレンズ。
ｎＦ＞１．５５
νｄ＞５５
但し、
νｄ：本発明にかかる非球面コリメートレンズを構成する硝子のアッベ数
【請求項３】
以下の条件式を満足することを特徴とする、請求項２に記載の非球面コリメートレンズ。
Ｔ１＞０．８
Ｔ２＞０．９５
但し、
Ｔ１：前記構成材料の厚みが１０ｍｍのときの、波長３４０ｎｍの光線に対する内部透過率
Ｔ２：前記構成材料の厚みが１０ｍｍのときの、波長４００ｎｍの光線に対する内部透過率
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、光源から発する光束をコリメートする、  正の屈折力を持つ両凸形状の単レンズであって、前記光源側から順に第１面が球面、第  ２面が非球面で構成され、以下の条件式（１）乃至（４）を満足することを特徴とする  非球面コリメートレンズを構成することにより、課題の解決を図るものである。
（１）  ｜R２｜＜f＜｜R１｜
（２）１．５＜f／d＜２．５
（３）  NA＞０．４５
（４）  ２．４８＜nF／｜R２'｜＜２．５２
但し、
R１：第１面の曲率半径（但し符号は光源側に凸の形状を正とする）
R２：第２面の頂点曲率半径（但し符号は光源側に凸の形状を正とする）
ｆ：本発明にかかる非球面コリメートレンズのＦ線（波長４８６ｎｍの光線）におけ        る焦点距離
ｄ：本発明に係る非球面コリメートレンズの中心厚
ＮＡ：本発明にかかる非球面コリメートレンズの光源側の開口数
ｎＦ：本発明にかかる非球面コリメートレンズのＦ線（波長４８６ｎｍの光線）に            おける屈折率
R２'：前記ｆをｆ＝１．０と規格化した時の第２面の頂点曲率半径（但し符号は光源 側に凸の形状を正とする）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例の構成を示す断面図である。ここで、ｄ0は本発明の  非球面コリメートレンズＬと、光源Ｓとの距離を表す。以下に各数値実施例のレンズデ  ータを示す。本発明は、光源側から数えて第２面が非球面であり、その形状は、光軸上  の頂点を原点とし、ｋを円錐定数、ｘ軸を光軸。ｙ軸を光軸に垂直な直線としたとき、  
ｘ＝Ｃ・ｙ＊＊２／（１−ｋ・Ｃ＊＊２・ｙ＊＊２）＊＊０．５＋Ｃ２・ｙ＊＊２＋Ｃ  ４・ｙ＊＊４＋Ｃ６・＊＊６＋Ｃ８・ｙ＊＊８＋Ｃ１０・ｙ＊＊１０
Ｃ＝１／Ｒ２
（式中及び以下全て、ａ＊＊ｂの表記は、ａのｂ乗を表すものとする）で表される。ま  た、本発明の焦点距離は、光源として使用する水銀ランプの大きさや使用する装置全体  の大きさを考慮し、１８〜２５ｍｍ程度が望ましい。ただし、各実施例の諸元は全て焦  点距離を１ｍｍに規格化したときの値である。
[実施例１の諸元]
ｆ＝１．０mm
ＮＡ＝０．５７
ｎＦ＝１．５９６０２
νｄ＝６９
Ｒ１＝６．１６３７
ｄ＝０．５２５
Ｒ２＝−０．６３８８
Ｒ２´＝−０．６３８８
ｋ＝０
Ｃ２＝０
Ｃ４＝−１．７６７２３×１０＊＊−１
Ｃ６＝−４．３９５０８×１０＊＊−３
Ｃ８＝１．２６９５９×１０＊＊−１
Ｃ１０＝５．９０５１５×１０＊＊−２
Ｔ３４０＝０．８８
Ｔ４００＝０．９９
ｆ／ｄ＝１．９０５
ｎＦ／｜Ｒ２´｜＝２．４９８
[実施例２の諸元]
ｆ＝１．０mm
ＮＡ＝０．５７
ｎＦ＝１．５７４６４
νｄ＝７１．２
Ｒ１＝４．６３８７
ｄ＝０．５５０
Ｒ２＝−０．６２７５
Ｒ２´＝−０．６２７５
ｋ＝０
Ｃ２＝０
Ｃ４＝−１．７８２９７×１０＊＊−１
Ｃ６＝−４．４２３１８×１０＊＊−３
Ｃ８＝１．８７７３１×１０＊＊−１
Ｃ１０＝５．０６１３５×１０＊＊−２
Ｔ３４０＝０．８８
Ｔ４００＝０．９９
ｆ／ｄ＝１．８１８
ｎＦ／｜Ｒ２´｜＝２．５０９
[実施例３の諸元]
ｆ＝１．０mm
ＮＡ＝０．５７
ｎＦ＝１．５８９９５
νｄ＝５９．５
Ｒ１＝５．８２２７
ｄ＝０．５２５
Ｒ２＝−０．６３４５
Ｒ２´＝−０．６３４５
ｋ＝０
Ｃ２＝０
Ｃ４＝−１．７８６１９×１０＊＊−１
Ｃ６＝−７．５７５３４×１０＊＊−３
Ｃ８＝１．５３２１７５×１０＊＊−１
Ｃ１０＝４．０６９００×１０＊＊−２
Ｔ３４０＝０．８４
Ｔ４００＝０．９９
ｆ／ｄ＝１．９０５
ｎＦ／｜Ｒ２´｜＝２．５０６
さらに、図３乃至図５に、実施例１乃至実施例３の収差図を示す。これらの収差図は、  本発明の実施例の性能を明確に示すために、第２面側から平行光線を入射し、光源側に  結像させた時の収差を示している。また、各図において、非点収差図におけるｍはメリ  ディオナル像面、ｓはサジタル像面を表す。さらに、球面収差図において、Ｈは軸上に  入射する平行光束の最大高さを、ＦＮはＦナンバーを表し、コマ収差図において、Ａは  画角を、Ｙは光源側の像高を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  先端に楔形レンズを設けた光ファイバにおいて、
前記光ファイバの稜線はコア中心先端を通り、光ファイバの光軸直角面に対して傾斜角度（β）をもち、
前記稜線を円筒面または円錐面として構成した楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項２】  前記光ファイバの光軸をＺ軸に一致させ、前記稜線はＸＺ平面にあるとするときに、前記楔形レンズ付き光ファイバは、
前記稜線が研磨面に平行になるように支持した後に傾け、ＸＺ平面に垂直な平面に対してそれぞれ傾斜角（α）をもつ２つの斜面を形成し、
前記稜線を円柱面または円錐面に研磨して構成した請求項１記載の楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項３】  先端が円錐状のフェルールに支持され、光ファイバ先端が前記フェルールの先端部とともにルーフトップ形である楔形レンズ付き光ファイバであって、
前記光ファイバの稜線はコア中心先端を通り、光ファイバの光軸直角面に対して傾斜角度（β）をもち、
前記稜線を前記フェルール円錐面と同時に円筒面または円錐面として構成した楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項４】  前記フェルールに支持された光ファイバの光軸をＺ軸に一致させ、前記稜線がＸＺ平面にあるとするときに、前記楔形レンズ付き光ファイバは、
前記稜線が研磨面に平行になるように前記フェルールとともに支持した後に傾け、ＸＺ平面に垂直な平面に対してそれぞれ傾斜角（α）をもつ２つの斜面を前記光ファイバと前記フェルールの円錐部先端に形成し、
前記稜線を前記光ファイバと前記フェルールの円錐部先端とともに円柱面または円錐面に研磨して構成した請求項３記載の楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項５】  前記フェルールの先端の円錐の母線の傾きは前記傾斜面の傾斜角αとほぼ等しい角度である請求項３または４記載の楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項６】  前記フェルールには前記稜線の角度方向を示すインデックスが設けられている請求項３，４または５記載の楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項７】  前記稜線の円柱面または円錐面部分は（ＹＺ）平面内で正のレンズ作用をする面である請求項１，２，３，４，５または６記載の楔形レンズ付き光ファイバ。
【請求項８】  前記光ファイバ先端部の稜線の傾斜角度（β）はβ≧１°である請求項１，２，３，４，５，６または７記載の楔形レンズ付き光ファイバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図４は、光ファイバ端面の傾斜角度βによる受光効率の変化を示す。図示のように、光ファイバ端面１５の傾斜角度βが大きくなると、光ファイバ端面の受光効率が低下するので、この傾斜角度βを必要最小限に定めることが望ましい。本願発明者らの実験によれば、傾斜角度βが約４〜５°で、各反射戻り光によるレーザダイオードの不安定作動が大幅に改善されることを確認できた。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】水供給管から供給された水を吐出口から吐出する吐水装置において、石鹸供給手段と前記石鹸供給手段の使用を検知する検知手段とを設け、前記石鹸供給手段の使用が検知された場合に前記吐出口から吐出される吐出流量を、前記石鹸供給手段の使用が検知されない場合と比べて多量とすることを特徴とした吐水装置。
【請求項２】前記石鹸供給手段と前記吐水装置が一つのケーシング内に収納されたことを特徴とする請求項１記載の吐水装置。
【請求項３】前記吐水装置は、強制的に空気を供給する空気供給手段と、この供給された空気を水の中に気泡の状態で混入する空気混入手段とを備え、前記吐出口から気泡を強制混入した水を吐出することが可能であり、前記石鹸供給手段の使用が検知された場合には水に気泡を強制混入させ、前記石鹸供給手段の使用が検知されない場合には水に気泡を混入しないことを特徴とした請求項１または２記載の吐水装置。
【請求項４】前記吐水装置は、強制的に空気を供給する空気供給手段と、この供給された空気を水の中に気泡の状態で混入する空気混入手段とを備え、前記吐出口から気泡を強制混入した水を吐出することが可能であり、前記石鹸供給手段の使用検知の有無により、水に強制混入する気泡量を変化させることを特徴とした請求項１または２記載の吐水装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段および作用・効果】上記課題を解決するためになされた請求項第１項記載の発明は、水供給管から供給された水を吐出口から吐出する吐水装置において、石鹸供給手段と前記石鹸供給手段の使用を検知する検知手段とを設け、前記石鹸供給手段の使用が検知された場合に前記吐出口から吐出される吐出流量を、前記石鹸供給手段の使用が検知されない場合と比べて多量とすることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明においては、石鹸供給装置の使用の有無を検知し、検知に対して吐水流量が変化することによって、洗浄効果にあった吐水が確保でき、節水も図ることができる。即ち、石鹸供給装置の使用の有無を検知することによって、一般の公共施設で頻度の高い石鹸を使用しない場合の洗浄行為については流量を少量に設定することにより大幅な節水が可能である。また頻度の低い石鹸を使用する場合の洗浄行為については流量を多量に設定することによって十分な使い勝手を提供するとともに手洗い場等での混雑を緩和することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記石鹸供給手段と前記吐水装置が一つのケーシング内に収納されたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の発明は、前記吐水装置は、強制的に空気を供給する空気供給手段と、この供給された空気を水の中に気泡の状態で混入する空気混入手段とを備え、前記吐出口から気泡を強制混入した水を吐出することが可能であり、前記石鹸供給手段の使用が検知された場合には水に気泡を強制混入させ、前記石鹸供給手段の使用が検知されない場合には水に気泡を混入しないことを特徴としたものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４記載の発明は、前記吐水装置は、強制的に空気を供給する空気供給手段と、この供給された空気を水の中に気泡の状態で混入する空気混入手段とを備え、前記吐出口から気泡を強制混入した水を吐出することが可能であり、前記石鹸供給手段の使用検知の有無により、水に強制混入する気泡量を変化させることを特徴としたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  オーバーヘッドプロジェクター投影用の透明フィルムを用いて画像形成後、定着工程によって画像を形成する方法において、該透明フィルム表面には、定着ローラーの加熱により透明化しうる不透明センシングマーク層および該加熱により透明化しうる不透明マーク層が設けられており、該不透明マーク層は、該不透明センシングマーク層より、加熱による透明化が容易であり、透明フィルムの搬送方向の端部から測って、少なくとも定着ローラーの約１周後の位置から搬送方向上流側に、また、該不透明センシングマーク層は、該不透明マークの下流側に形成されていることを特徴とする画像形成方法。
【請求項２】  不透明マーク層は、不透明センシングマーク層の厚さを薄くすることにより、形成されていることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項３】  不透明マーク層の透過率から不透明センシングマーク層の透過率を引いた値が１％以上であることを特徴とする請求項２記載の画像形成方法。
【請求項４】  不透明マーク層の単位面積当りの塗工量が、不透明センシングマーク層の７５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成方法。
【請求項５】  不透明センシングマーク層および不透明マーク層が、透明フィルムの画像が形成される面とは反対側の面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項６】  不透明センシングマーク層および不透明マーク層が透明フィルムの画像形成領域の外側の位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項７】  不透明センシングマーク層および不透明マーク層が透明フィルムの画像形成領域の外側の位置に対応する透明フィルムの反対側の面の位置に形成されていることを特徴とする請求項５記載の画像形成方法。
【請求項８】  不透明マーク層における検知光の透過率が、透明フィルムの位置検知可能レベルを超えていることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項９】  不透明センシングマーク層および不透明マーク層が樹脂粉体の塗工層であることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項１０】  透明フィルムは、画像形成表面に、トナー画像受容層を有していることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項１１】  透明フィルムの、不透明センシングマーク層および不透明マーク層が形成されていない部位のヘイズ値が４％以下であることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項１２】  透明フィルムに形成される画像がカラー透明トナー画像であることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項１３】  加熱による透明化が加圧下で行われる請求項１記載の画像形成方法。
【請求項１４】  加熱により透明化する不透明センシングマーク層および加熱により透明化する不透明マーク層を表面に有する画像形成用透明フィルムにおいて、該不透明マーク層が、搬送方向に対して、該不透明センシングマーク層より上流側に、不透明センシング層より加熱による透明化が生じ易くなるように形成されていることを特徴とする画像形成用透明フィルム。
【請求項１５】  不透明センシングマーク層および不透明マーク層が、前記透明フィルムの側端に沿って帯状に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の画像形成用透明フィルム。
【請求項１６】  不透明マーク層は、不透明センシングマーク層の厚さを薄くすることにより、形成されていることを特徴とする請求項１４記載の画像形成用透明フィルム。
【請求項１７】  不透明マーク層の透過率から不透明センシングマーク層の透過率を引いた値が１％以上であることを特徴とする請求項１６記載の画像形成用透明フィルム。
【請求項１８】  不透明マーク層の単位面積当りの塗工量が、不透明センシングマーク層の７５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１６に記載の画像形成用透明フィルム。
【請求項１９】    不透明センシングマーク層および不透明マーク層が、透明フィルムの画像が形成される面とは反対側の面に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の画像形成用透明フィルム。
【請求項２０】  不透明マーク層における検知光の透過率が、透明フィルムの位置検知可能レベルを超えていることを特徴とする請求項１４記載の画像形成用透明フィルム。
【請求項２１】  第１の不透明マークと第２の不透明マークとを具備している画像形成用の透明フィルムであって、
該第２の不透明マークは、該第１の不透明マークよりも該透明フィルムの搬送方向先端から離れた箇所に位置しており、
該第１の不透明マーク及び該第２の不透明マークは該透明フィルムの加熱により透明化するものであって、且つ該第２の不透明マークは、該第１の不透明マークよりも低い温度での該透明フィルムの加熱により透明化するものであることを特徴とする透明フィルム。
【請求項２２】  トナー画像形成用の透明フィルムであって、不透明センシングマーク層と不透明マーク層とを表面に具備し、
該不透明マーク層は、該不透明センシングマーク層よりも該透明フィルムの搬送方向先端から離れた箇所に位置しており、
該不透明センシングマーク層は該トナー画像を該透明フィルムに定着させるための該透明フィルムの加熱により透明化するものであり、該不透明マーク層は、該不透明センシングマーク層よりも低い温度での該透明フィルムの加熱により透明化するものであることを特徴とする透明フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  おもて面に幅が１００nm以下の開口からなる微小開口パターンが形成された金属薄膜を有するマスクを該おもて面を被露光物に対向して配置し、露光光源から露光用の光を該マスクの裏面に照射し、該微小開口パターンから滲み出るエバネッセント光により、該被露光物の該微小開口パターンの転写を行うためのエバネッセント光露光マスクであって、
lnを自然対数、λを露光用の光の波長、kを薄膜を形成する金属の消衰係数、Aを３＜A＜３０なる整数とし、該金属薄膜の膜厚をＬとする時、
Ｌ＝ln A・λ／２πk
を満たすエバネッセント光露光マスク。
【請求項２】  おもて面に幅が１００nm以下の開口からなる微小開口パターンが形成された金属薄膜を有するマスクを該おもて面を被露光物に対向して配置し、露光光源から露光用の光を該マスクの裏面に所定の時間照射し、該微小開口パターンから滲み出るエバネッセント光により、該被露光物の該微小開口パターンの転写を行うためのエバネッセント光露光装置であって、
lnを自然対数、λを露光用の光の波長、kを薄膜を形成する金属の消衰係数、Aを３＜A＜３０なる整数とし、該金属薄膜の膜厚をＬとする時、
Ｌ＝ln A・λ／２πkを満たし、
Еthを該被露光物の露光感度とし、該露光用の光のパワーをP、露光時間をtとする時、
Ｐ・ｔ＜Еth・A
を満たすエバネッセント光露光装置。
【請求項３】  請求項１に記載のエバネッセント光露光用マスクを用いて該マスク上のパターンを転写した基板を加工処理することによりデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項４】  請求項２に記載のエバネッセント光露光装置を用いてパターンを転写した基板を加工処理することによりデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のエバネッセント光露光用マスクは、おもて面に幅が１００nm以下の開口からなる微小開口パターンが形成された金属薄膜を有するマスクを該おもて面を被露光物に対向して配置し、露光光源から露光用の光を該マスクの裏面に照射し、該微小開口パターンから滲み出るエバネッセント光により、該被露光物の該微小開口パターンの転写を行うためのエバネッセント光露光マスクであって、lnを自然対数、λを露光用の光の波長、kを薄膜を形成する金属の消衰係数、Aを３＜A＜３０なる整数とし、該金属薄膜の膜厚をＬとする時、Ｌ＝ln A・λ／２πkを満たす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明のエバネッセント光露光装置は、おもて面に幅が１００nm以下の開口からなる微小開口パターンが形成された金属薄膜を有するマスクを該おもて面を被露光物に対向して配置し、露光光源から露光用の光を該マスクの裏面に所定の時間照射し、該微小開口パターンから滲み出るエバネッセント光により、該被露光物の該微小開口パターンの転写を行うためのエバネッセント光露光装置であって、lnを自然対数、λを露光用の光の波長、kを薄膜を形成する金属の消衰係数、Aを３＜A＜３０なる整数とし、該金属薄膜の膜厚をＬとする時、Ｌ＝ln A・λ／２πkを満たし、Еthを該被露光物の露光感度とし、該露光用の光のパワーをP、露光時間をtとする時、Ｐ・ｔ＜Еth・Aを満たす。