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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に所定の領域を区画する隔壁を有する基板の製造方法であって、
前記基体上に前記所定の領域を区画するための隔壁を形成する工程と、
前記所定の領域の一部に凸形状である撥液膜を形成する工程と、
前記所定の領域に機能液を塗布する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の製造方法において、
前記撥液膜を形成する工程では、
前記所定の領域に撥液性を有するネガ型の放射線感応性素材の膜を形成する工程と、
前記基体の前記隔壁側と反対側の面に、前記所定の領域の略中央部と対応する位置にピンホールを備えたマスクを配置し、前記ピンホールを通過するように光を照射して前記ネガ型放射線感応性素材の膜を露光する工程と、
前記露光後の前記ネガ型放射線感応性素材の膜を現像する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板の製造方法において、
前記撥液膜を形成する工程では、
前記所定の領域に撥液性を有するポジ型の放射線感応性素材の膜を形成する工程と、
前記基体の前記隔壁側の面に、前記所定の領域の略中央部と対応する位置にマスクを配置し、光を照射してポジ型放射線感応性素材の膜を露光する工程と、
前記露光後の前記ポジ型の放射線感応性素材の膜を現像する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の基板の製造方法において、
前記撥液膜を形成する工程では、複数回露光して前記撥液膜を形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項５】
基体と、
前記基体上に所定の領域を区画するように形成された隔壁と、
前記所定の領域の一部に形成された凸形状の撥液膜と、
前記所定の領域に配置されるとともに機能液が固化されて形成された表示層と、
を備えていることを特徴とする基板。
【請求項６】
請求項５に記載の基板において、
前記撥液膜の高さが、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であることを特徴とする基板。
【請求項７】
請求項５〜請求項６のいずれか一項に記載の基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の基板の製造方法は、基体上に所定の領域を区画する隔壁を有する基板の製造方法であって、前記基体上に前記所定の領域を区画するための隔壁を形成する工程と、前記所定の領域の一部に凸形状である撥液膜を形成する工程と、前記所定の領域に機能液を塗布する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明によれば、隔壁を形成する工程と、膜を形成する工程とを備えていて、隔壁によって区画形成された領域に液滴を着弾させると、領域の島状領域に撥液膜が形成されているため、領域の略中央部の濡れ性が悪く、周辺部の濡れ性が良いことで、撥液膜に機能液がはじかれて、領域の略中央部よりもその周辺部に機能液が流れていく。そして、領域の中央部に機能液が広がっていくので、液滴が満たされない空隙部（色抜け部）が形成されることが少なくなる。しかも、領域の周辺部に機能液が流れようとするから、領域の周辺部を狙って吐出したときに着弾位置のばらつきにより発生する混色を少なく抑えることができる。また、例えば、親液膜に撥液膜が形成されている場合や、親液性のない非撥液膜に撥液膜が形成されている場合や、高い撥液性を有する撥液膜に相対的に低い撥液性を有する撥液膜が形成されていても液滴が満たされない空隙部（色抜け部）が形成されることが少なくなる。また、凸形状に撥液膜がなっているので、領域の略中央部よりもその周辺部に機能液が流れていきやすい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の基板は、基体と、前記基体上に所定の領域を区画するように形成された隔壁と、前記所定の領域の一部に形成された凸形状の撥液膜と、前記所定の領域に配置されるとともに機能液が固化されて形成された表示層と、を備えていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明によれば、機能液が領域に着弾したときに、領域の一部に撥液膜が形成されているから、撥液膜が機能液をはじいて、領域の周辺部に機能液が流れていくので、液滴が満たされない空隙部（色抜け部）の発生を少なく抑えることができる。領域内において空隙部の発生を抑えることができれば、従来より、インクの濃度を高濃度にしても良いので、より少ないインクを領域に着弾することができる。吐出するインクの量が少なくて済むから、液滴を着弾させるときに狙った位置に着弾させることができるので、吐出時の混色不良の発生を少なく抑えることができる。したがって、混色不良を抑えることができるから、隔壁高さを低くすることができるので、平坦化がしやすくなる。したがって、より高密度で、高精細になる。また、撥液膜が、凸形状に形成されているので、領域に着弾した液滴が領域の略中央部よりもその周辺部に機能液が流れていきやすくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するスクリーン部を有する平面型画像表示装置において、
前記スクリーン部の外側に、前記平面型画像表示装置の後方を透視可能な透明部を設けた
ことを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項２】
前記スクリーン部の形状は略矩形であって、
前記透明部は前記スクリーン部の少なくとも一つの辺の外側に各々配置された少なくとも１以上の透明部分を備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項３】
前記スクリーン部の形状は略矩形であって、
前記透明部は前記スクリーン部の一対の辺の外側に各々配置された一対の透明部分を備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項４】
前記スクリーン部の形状は略矩形であって、
前記透明部は前記スクリーン部の四つの辺の外側を囲うように枠状に形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項５】
装置本体部と、前記装置本体部を保持する透明樹脂で成形されたブラケットとを備え、
前記スクリーン部は前記装置本体部の前面に一体に形成され、
前記透明部と前記ブラケットとが一体に形成された
ことを特徴とする請求項２に記載の平面型画像表示装置。
【請求項６】
前記スクリーン部と前記透明部との間に後方を透視不能にする遮蔽層部を備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項７】
前記スクリーン部と前記透明部との間に後方を透視不能にする遮蔽層部を備えた
ことを特徴とする請求項５に記載の平面型画像表示装置。
【請求項８】
前記遮蔽層部は前記ブラケット上に配置された少なくとも１以上の遮蔽部分を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の平面型画像表示装置。
【請求項９】
透明部材によって略矩形状に形成され、前記スクリーン部及び前記ブラケットの前面側に配置される平板状の前面パネルを備え、
前記遮蔽層部は前記前面パネル上に配置された少なくとも１以上の遮蔽部分を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の平面型画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明平面型画像表示装置は、上記した課題を解決するために、画像を表示するスクリーン部を有する平面型画像表示装置において、スクリーン部の外側に、平面型画像表示装置の後方を透視可能な透明部を設けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
１…平面型画像表示装置、２…前面パネル、３…ブラケット、４…装置本体部、４ａ…スクリーン面（スクリーン部）、９…遮蔽層（遮蔽層部）
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式参列者に商品を贈呈するシステムであって、
商品贈呈の対象となる前記式参列者を特定する参列者特定データを記憶する参列者特定データ記憶部と、
贈呈品として選択されるよう用意された商品群のうちから、該商品群に含まれる複数の商品が贈呈品として選択されると、該選択された複数の商品を、梱包材と共に贈呈品収納パッケージに収納するよう指示する収納指示部と、
前記贈呈品収納パッケージを別途送付する前記式参列者を、所定の贈呈区別データに基づいて区別する贈呈区別部と、
前記贈呈品収納パッケージを外箱に収納して該外箱ごと前記区別した別途送付の式参列者に送付する旨のデータを、該式参列者の前記参列者特定データと対応付けて作成する送付データ作成部と、
前記贈呈区別部により前記別途送付の式参列者として区分した該式参列者に手渡すものとして、前記贈呈品収納パッケージを別途送付する旨のメッセージを印刷した印刷媒体を作成する印刷部と
を備える贈呈システム。
【請求項２】
請求項１記載の贈呈システムであって、
前記贈呈区別部は、前記別途送付の式参列者以外に、前記贈呈品収納パッケージを手渡す前記式参列者を前記所定の贈呈区別データに基づいて区別し、
前記贈呈品収納パッケージを収納して手提げ持ち運び可能な収納物に収納した状態で該収納物を前記区別した手渡しの式参列者に手渡す旨のデータを、該式参列者の前記参列者特定データと対応付けて作成する手渡しデータ作成部を備える
贈呈システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の贈呈システムであって、
前記商品群を贈呈品贈り主に複数提供し、該贈り主が一の商品群に含まれる商品と、該一の商品群と対応付けた他の商品群に含まれる商品を贈呈品として選択すると、前記収納指示部は、前記一の商品群に含まれる商品と前記他の商品群に含まれる商品とを、梱包材と共に贈呈品収納パッケージに収納するよう指示する
贈呈システム。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３いずれか記載の贈呈システムであって、
前記贈呈品収納パッケージは、商品の収納容積が異なるものとして複数種類のものが予め用意され、
前記収納指示部は、前記選択された複数の商品の組み合わせに応じて定めた容積の前記贈呈品収納パッケージを選択して使用するよう指示する
贈呈システム。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４いずれか記載の贈呈システムであって、
前記式参列者の住所を、前記参列者特定データと対応付けて記憶する住所記憶部を備え、
前記贈呈区別部は、前記住所記憶部の参列者住所のデータに基づいて、前記贈呈品収納パッケージを手渡す前記式参列者と、前記贈呈品収納パッケージを別途送付する前記式参列者とを区別する
贈呈システム。
【請求項６】
請求項５記載の贈呈システムであって、
前記贈呈品収納パッケージの手渡しを所望する前記式参列者については、前記参列者住所のデータに基づいた式参列者区別に優先して、前記手渡し所望の式参列者を、前記贈呈品収納パッケージを手渡す前記式参列者と区別する
贈呈システム。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６いずれか記載の贈呈システムであって、
前記贈呈品収納パッケージに収納された複数の商品の外観を表示するカードを作成する
贈呈システム。
【請求項８】
式参列者に商品を贈呈する贈呈方法であって、
贈呈品として選択されるよう用意された商品群のうちから、該商品群に含まれる複数の商品が贈呈品として選択されると、該選択された複数の商品を、梱包材と共に贈呈品収納パッケージに収納し、
前記贈呈品収納パッケージを別途送付する前記式参列者を、所定の贈呈区別データに基づいて区別し、
該区分した前記別途送付の式参列者に、前記贈呈品収納パッケージを外箱に収納して該外箱ごと送付し、
前記区分した前記別途送付の式参列者に手渡すものとして、前記贈呈品収納パッケージを別途送付する旨のメッセージを印刷した印刷媒体を作成する
贈呈方法。
【請求項９】
請求項８記載の贈呈方法であって、
前記区分した前記別途送付の式参列者以外に、前記贈呈品収納パッケージを手渡す前記式参列者を前記所定の贈呈区別データに基づいて区別し、
該区分した手渡しの式参列者に対しては、前記贈呈品収納パッケージを収納して手提げ持ち運び可能な収納物に収納した状態で受け渡しできるよう、前記収納物を式開催場に送付する
贈呈方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これらローノイズ増幅器２６、２８、３０、３２の出力信号は、これらの信号の周波数帯域外のノイズ信号を遮断するフィルタ、例えばバンドパスフィルタ３４、３６、３８、４０を介して、ミキサー４２、４４、４６、４８に供給される。これらミキサー４２、４４、４６、４８には、共通の局部発振信号生成手段、例えば局部発振器５０が発生した局部発振信号が、増幅器５２、５４によって増幅されて、供給されている。即ち、各ミキサー４２、４４、４６、４８には、１台の局部発振器５０から共通の局部発振信号が供給されている。この局部発振信号の周波数は、例えば１０．６７８ＧＨｚである。これによって、各ミキサー４２、４４、４６、４８の出力には、衛星通信中間周波信号を発生する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
切換スイッチ部６２は、ミキサー４６の出力信号が供給される接点６２ａと、ミキサー４８の出力信号が供給される接点６２ｂとを有し、これら接点６２ａ、６２ｂのうち任意の一方に接触する接触子６２ｃも有している。切換スイッチ部６４は、ミキサー４８の出力信号接点６４ａと、ミキサー４６の出力信号が供給される接点６４ｂとを有し、これら接点６４ａ、６４ｂの一方に接触する接触子６４ｃも有している。即ち、接点６２ａと６４ａとが並列に接続され、接点６２ｂと６４ｂとが並列に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001094458.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001094458.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信機およびそのＩＣ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ放送の放送波信号とデジタル放送の放送波信号とが隣接して放送される放送システムのための受信機であって、
受信信号を局部発振信号により中間周波信号に周波数変換するミキサ回路と、
このミキサ回路の出力信号から中間周波信号を取り出すフィルタ回路と、
このフィルタ回路により取り出された上記中間周波信号から上記アナログ放送あるいは上記デジタル放送における放送内容の信号を取り出す復調回路と
を有し、
上記局部発振信号の周波数を、
上記アナログ放送の受信時には、その受信するアナログ放送に隣接するデジタル放送の帯域内における周波数とし、
上記デジタル放送の受信時には、その受信するデジタル放送に隣接するアナログ放送のキャリア周波数に等しい周波数とする
ようにした受信機。
【請求項２】
請求項１に記載の受信機において、
上記フィルタ回路が、上記中間周波信号の中間周波数に等しい中心周波数のバンドパスフィルタである
ようにした受信機。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２に記載の受信機において、
上記アナログ放送の受信時における上記中間周波信号の占有周波数帯域と、上記デジタル放送の受信時における上記中間周波信号の占有周波数帯域とがほぼ一致する
ようにした受信機。
【請求項４】
アナログ放送の放送波信号とデジタル放送の放送波信号とが隣接して放送される放送システムのための受信機であって、
受信信号を局部発振信号により位相が互いに直交する第１および第２の中間周波信号に周波数変換する第１および第２のミキサ回路と、
これら第１および第２のミキサ回路の出力信号から中間周波信号を取り出す第１および第２のフィルタ回路と、
これら第１および第２のフィルタ回路により取り出された上記第１および第２の中間周波信号から上記アナログ放送あるいは上記デジタル放送における放送内容の信号を取り出す復調回路と
を有し、
上記局部発振信号の周波数を、
上記アナログ放送の受信時には、その受信するアナログ放送に隣接するデジタル放送の帯域内における周波数とし、
上記デジタル放送の受信時には、その受信するデジタル放送に隣接するアナログ放送のキャリア周波数に等しい周波数とする
ようにした受信機。
【請求項５】
請求項４に記載の受信機において、
上記第１および第２のフィルタ回路が、上記第１および第２の中間周波信号の中間周波数に等しい中心周波数のバンドパスフィルタである
ようにした受信機。
【請求項６】
請求項４あるいは請求項５に記載の受信機において、
上記アナログ放送の受信時における上記第１および第２の中間周波信号の占有周波数帯域と、上記デジタル放送の受信時における上記第１および第２の中間周波信号の占有周波数帯域とがほぼ一致する
ようにした受信機。
【請求項７】
アナログ放送の放送波信号とデジタル放送の放送波信号とが隣接して放送される放送を受信するためのＩＣであって、
受信信号を局部発振信号により中間周波信号に周波数変換するミキサ回路と、
このミキサ回路の出力信号から中間周波信号を取り出すフィルタ回路と
を有し、
上記局部発振信号の周波数は、
上記アナログ放送の受信時には、その受信するアナログ放送に隣接するデジタル放送の帯域内における周波数とされ、
上記デジタル放送の受信時には、その受信するデジタル放送に隣接するアナログ放送のキャリア周波数に等しい周波数とされ、
上記フィルタ回路により取り出された上記中間周波信号から上記アナログ放送あるいは上記デジタル放送における放送内容の信号が取り出される
ようにしたＩＣ。
【請求項８】
アナログ放送の放送波信号とデジタル放送の放送波信号とが隣接して放送される放送を受信するためのＩＣであって、
受信信号を局部発振信号により位相が互いに直交する第１および第２の中間周波信号に周波数変換する第１および第２のミキサ回路と、
これら第１および第２のミキサ回路の出力信号から中間周波信号を取り出す第１および第２のフィルタ回路とを有し、
上記局部発振信号の周波数は、
上記アナログ放送の受信時には、その受信するアナログ放送に隣接するデジタル放送の帯域内における周波数とされ、
上記デジタル放送の受信時には、その受信するデジタル放送に隣接するアナログ放送のキャリア周波数に等しい周波数とされ、
上記第１および第２のフィルタ回路により取り出された上記第１および第２の中間周波信号から上記アナログ放送あるいは上記デジタル放送における放送内容の信号が取り出される
ようにしたＩＣ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この発明においては、
アナログ放送の放送波信号とデジタル放送の放送波信号とが隣接して放送される放送システムのための受信機であって、
受信信号を局部発振信号により中間周波信号に周波数変換するミキサ回路と、
このミキサ回路の出力信号から中間周波信号を取り出すフィルタ回路と、
このフィルタ回路により取り出された上記中間周波信号から上記アナログ放送あるいは上記デジタル放送における放送内容の信号を取り出す復調回路と
を有し、
上記局部発振信号の周波数を、
上記アナログ放送の受信時には、その受信するアナログ放送に隣接するデジタル放送の帯域内における周波数とし、
上記デジタル放送の受信時には、その受信するデジタル放送に隣接するアナログ放送のキャリア周波数に等しい周波数とする
ようにした受信機
とするものである。  
したがって、アナログ放送はスーパーヘテロダイン方式により受信され、デジタル放送はダイレクトコンバージョン方式により受信される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の記録フォーマットのデジタル情報を受信する記録装置であって、
前記第１の記録フォーマットのデジタル情報を第２の記録フォーマットのデジタル情報に変換する変換手段と、
前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を記録媒体に記録する記録手段とを有し、
前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を前記記録媒体に記録する際に、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報に含まれる付加情報の一部を、前記記録装置で生成された付加情報の一部の代わりに前記第２の記録フォーマットのデジタル情報に付加することを特徴とする記録装置。
【請求項２】  前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を前記記録媒体に記録する際に、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報に含まれる記録日時を示す情報を、前記記録装置で生成された変更日時を示す情報の代わりに前記第２の記録フォーマットのデジタル情報に付加することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】  第１の記録フォーマットのデジタル情報を受信する記録装置であって、
前記第１の記録フォーマットのデジタル情報を第２の記録フォーマットのデジタル情報に変換する変換手段と、
前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を記録媒体に記録する記録手段とを有し、
前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を前記記録媒体に記録する際に、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報に含まれる記録日時を示す情報を、前記第２の記録フォーマットの変更日時を示す情報を記録する領域に記録することを特徴とする記録装置。
【請求項４】  前記第１の記録フォーマットは、ＤＶフォーマットに準拠することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の記録装置。
【請求項５】  前記第２の記録フォーマットは、ＦＡＴ型ファイルシステムに準拠することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の記録装置。
【請求項６】  前記デジタル情報は、静止画像を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一方の記録媒体に記録されたデジタル情報を他方の記録媒体に記録する技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の背景から本発明は、一方の記録フォーマットのデジタル情報を他方の記録フォーマットに変換して記録する際に、そのデジタル情報に含まれる付加情報の一部を消去することなく記録することの可能な記録装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る記録装置は、例えば、第１の記録フォーマットのデジタル情報を受信する記録装置であって、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報を第２の記録フォーマットのデジタル情報に変換する変換手段と、前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を記録媒体に記録する記録手段とを有し、前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を前記記録媒体に記録する際に、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報に含まれる付加情報の一部を、前記記録装置で生成された付加情報の一部の代わりに前記第２の記録フォーマットのデジタル情報に付加することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る他の記録装置は、例えば、第１の記録フォーマットのデジタル情報を受信する記録装置であって、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報を第２の記録フォーマットのデジタル情報に変換する変換手段と、前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を記録媒体に記録する記録手段とを有し、前記第２の記録フォーマットのデジタル情報を前記記録媒体に記録する際に、前記第１の記録フォーマットのデジタル情報に含まれる記録日時を示す情報を、前記第２の記録フォーマットの変更日時を示す情報を記録する領域に記録することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、一方の記録フォーマットのデジタル情報を他方の記録フォーマットに変換して記録する際に、そのデジタル情報に含まれる付加情報の一部を消去することなく記録することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】入力クロマ信号と後述する切り換え回路からの出力信号を掛算する第１の掛算回路と、前記第１の掛算回路からの出力信号と後述するＶＣＯ回路からのＣＯＳ波とを掛算する第２の掛算回路と、前記第１の掛算回路からの出力信号と後述するＶＣＯ回路からのＳＩＮ波とを掛算する第３の掛算回路と、前記第２の掛算回路からの出力信号の高域成分を落とす第１のローパスフィルター回路と、前記第３の掛算回路からの出力信号の高域成分を落とす第２のローパスフィルター回路と、前記第１のローパスフィルターおよび前記第２のローパスフィルター回路からの出力信号を入力とし、バースト期間の信号の周波数がＳＥＣＡＭ方式の規格に合っているか判断し、ＳＥＣＡＭ信号と判断すればＨｉｇｈを出力するＳＥＣＡＭＩＤ検出回路と、前記第１のローパスフィルターおよび前記第２のローパスフィルター回路からの出力信号を入力とし、バースト期間信号のベクトルの動作がＰＡＬ方式の規格に合っているかどうか判断し、ＰＡＬ信号と判断すればＨｉｇｈを出力するＰＡＬＩＤ検出回路と、前記第１のローパスフィルターおよび前記第２のローパスフィルター回路からの出力信号を入力とし、バースト期間信号のベクトルの動きがＮＴＳＣ方式の規格に合っているかどうか判断し、ＮＴＳＣ信号と判断すればＨｉｇｈを出力するＮＴＳＣＩＤ検出回路と、前記ＳＥＣＡＭＩＤ検出回路と、前記ＰＡＬＩＤ検出回路と、前記ＮＴＳＣＩＤ検出回路からの出力信号と、同期分離された垂直周期のパルスと、自動判別モードをスタートさせるタイミングを決定する第５の制御信号とを入力し、垂直周期を１Ｖ周期としてｎＶ期間の間、各方式を復調する設定にしておき、ｎＶ期間中に前記ＳＥＣＡＭＩＤ検出回路、ＰＡＬＩＤ検出回路、ＮＴＳＣＩＤ検出回路からの出力信号を総合的に判断し、どの方式かを判定する判別ロジック回路と、前記第１のローパスフィルターおよび前記第２のローパスフィルター回路および前記判定ロジック回路からの出力信号を入力とし、外部より制御する信号によって、Ｒ−Ｙ、Ｂ−Ｙ信号に復調して出力するクロマ復調回路と、前記第１のローパスフィルター回路からの出力信号のうち、バースト期間のレベルを検出するバーストレベル検出回路と、前記バーストレベル検出回路からの出力信号と第４の制御信号とを切り換える第１の切り換え回路と、前記第２のローパスフィルター回路からの出力信号のうち、バースト期間のレベルを累積加算する位相誤差累積回路と、前記位相誤差累積回路からの出力信号を、前記判別ロジック回路からの制御信号に対応して最適な信号に変換するデータ変換回路と、前記データ変換回路からの出力信号のレベルが変わると、出力するＳＩＮ波、ＣＯＳ波の周波数が変化するＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）回路とを備えたことを特徴とする自動方式判別回路。
【請求項２】前記第１の切り換え回路を制御する制御信号は、通常時は前記バーストレベル検出回路からの出力信号を選択しているが、自動判別モードにて各方式の復調データを設定するｎＶ期間のうち少なくとも最初の１Ｖ期間では前記第４の制御データを選択することを特徴とする請求項１記載の自動方式判別回路。
【請求項３】前記データ変換回路は第１の制御データと第２の制御データとを切り換える第２の切り換え回路と、入力信号と前記第２の切り換え回路からの出力信号を加算する加算回路と、前記加算回路からの出力信号と第３の制御信号とを切り換え、前記ＶＯＣ回路に出力する第３の切り換え回路とを備えた請求項１記載の自動方式判別回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像中の互いに近い色の画素を計数する計数手段と、
前記計数手段による計数結果に応じて、前記入力画像を構成する画素の値のヒストグラムを補正し、補正されたヒストグラムを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成されたヒストグラムに基づいて前記入力画像を処理する処理手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記処理手段は、
前記生成手段により生成されたヒストグラムに基づいて階調変換曲線を作成する作成手段と、
前記階調変換曲線に従って前記入力画像の階調を変換する変換手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記計数手段により計数された画素の数が設定された数を越えている場合に、該画素が属する階級の頻度が小さくなるように、前記入力画像を構成する画素の値のヒストグラムを修正することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記計数手段は、予め設定された位置の画素の色と近い色の画素を計数することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記計数手段は、予め設定された色と近い色の画素を計数することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記入力画像は、ＲＧＢ信号により構成されており、前記計数手段は、ＲＧＢの各色の信号の値の差に基づいて、計数の対象となる画素を決定することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
入力画像中の互いに近い色の画素を計数する計数工程と、
前記計数工程における計数結果に応じて、前記入力画像を構成する画素の値のヒストグラムを補正し、補正されたヒストグラムを生成する生成工程と、
前記生成工程で生成されたヒストグラムに基づいて前記入力画像を処理する処理工程と、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
画像処理装置を制御するための画像処理プログラムを格納したメモリ媒体であって、該画像処理プログラムは、
入力画像中の互いに近い色の画素を計数する計数工程と、
前記計数工程における計数結果に応じて、前記入力画像を構成する画素の値のヒストグラムを補正し、補正されたヒストグラムを生成する生成工程と、
前記生成工程で生成されたヒストグラムに基づいて前記入力画像を処理する処理工程と、
を含むことを特徴とするメモリ媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】入力信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路と、前記ＡＤ変換回路からの出力信号を入力とし、同期信号部分をスライスして同期部分だけを出力する水平同期スライス回路と、サンプリングクロックをカウントして水平同期信号と同じ周波数を持つパルスを出力するパルス生成回路と、前記水平同期スライス回路からの出力信号と前記パルス生成回路からの出力信号と掛算する掛算回路と、前記掛算回路からの出力信号の高域成分を落とすローパスフィルター回路と、前記ローパスフィルター回路の出力信号と制御データを加算する加算回路と、前記加算回路からの出力信号が大きくなると、出力するＳＩＮ波の周波数アドレスデータを高くするアドレス生成回路と、前記アドレス生成回路からの出力信号をアドレスとしてＳＩＮ波を出力するＳＩＮＲＯＭ回路と、前記ＳＩＮＲＯＭ回路からのＳＩＮ波信号を入力として、その信号をアナログ信号に変換するＤＡ変換回路と、前記ＤＡ変換回路からのＳＩＮ波信号を入力とし、その周波数を整数倍にてい倍するてい倍回路を備えたことを特徴とするサンプリングクロック生成回路。
【請求項２】前記アドレス生成回路への入力信号は前記ローパスフィルター回路からの水平位相誤差信号に固定値を加算することでフリーラン周波数を調整できるようにしたことを特徴とする請求項１記載のサンプリングクロック生成回路。
【請求項３】入力信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路と、前記ＡＤ変換回路からの出力信号を入力とし、入力信号の同期信号を分離し、必要な映像信号の水平レート周期のパルスを生成すると共に、映像信号と前記水平レート周期のパルスとの位相ずれをあらわす水平位相誤差信号を出力し、更にモード切り換えデータによって同期信号にロックしたサンプリングクロックを得るモードか、またはサブキャリアー信号にロックしたサンプリングクロックを得るモードにするのかを変えられる同期分離回路と、前記ＡＤ変換回路からの出力信号を入力とし、輝度信号とクロマ信号とに分離するＹＣ分離回路と、前記ＹＣ分離回路からのクロマ出力信号を入力とし、クロマ復調をおこなうと共に、クロマ復調に必要な正弦波と、映像信号のサブキャリアー信号との位相ずれをあらわすクロマ位相誤差信号を出力するクロマ復調回路と、前記クロマ復調回路から出力されたクロマ位相誤差信号と、前記同期分離回路から出力された水平位相誤差信号とを入力し、それらを制御信号にて切り換える切り換え回路と、前記切り換え回路からの出力信号を入力し、その信号レベルに応じて出力するサンプリングクロックの周波数を可変できるＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）回路を備えたことを特徴とするサンプリングクロック生成回路。
【請求項４】入力信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路と、前記ＡＤ変換回路からの出力信号を入力とし、同期信号部分をスライスして同期部分だけを出力するスライス回路と、前記スライス回路からの出力信号と後述するパルス生成回路からの出力信号とを掛算する第１の掛算回路と、前記第１の掛算回路からの出力信号の高域成分を落とす第１のローパスフィルター回路と、前記第１のローパスフィルター回路からの出力信号と、第１の固定データを切り替える第１の切り換え回路と、前記第１の切り換え回路からの出力信号を変えることで、後述するサンプリングクロックをカウントして得られる水平レート周期のパルスの位相を変えることができるパルス生成回路と、前記ＡＤ変換回路からの出力信号を入力とし、輝度信号とクロマ信号とを分離するＹＣ分離回路と、前記ＹＣ分離回路から出力されるクロマ信号と、後述するＳＩＮ生成回路からのＳＩＮ波とを掛算する第２および第３の掛算回路と、前記第２の掛算回路からの出力信号の高域成分を落とす第２のローパスフィルター回路と、前記第３の掛算回路からの出力信号の高域成分を落とす第３のローパスフィルター回路と、前記第３のローパスフィルター回路からの出力信号を入力とし、バースト部分の信号を累積加算して、サブキャリアー信号と後述するＳＩＮ生成回路から出力されるＳＩＮ波との位相誤差を出力する累積回路と、前記累積回路の出力信号と、前記第１のローパスフィルター回路からの出力信号とを切り替える第２の切り換え回路と、第１および第２の固定データを切り替える第３の切り換え回路と、前記第２及び第３の切り換え回路からの出力信号を入力とし、その信号レベルに応じて出力するサンプリングクロックの周波数を可変できるＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）回路とを備えたことを特徴とするサンプリングクロック生成回路。
【請求項５】前記第１の切り換え回路の制御信号と、前記第２の切り換え回路の制御信号と、前記第３の切り換え回路の制御信号とは同じ制御信号であることを特徴とした請求項４記載のサンプリングクロック生成回路。
【請求項６】前記パルス生成回路は入力される信号レベルに応じてそのデコードするパルス位置を変えることができることを特徴とした請求項４記載のサンプリングクロック生成回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎｐｎ構造の３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、ｐｎｐｎ構造の３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御電極と前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、分離溝で島状に分離された前記ｐｎｐｎ構造の部分の上に形成されるクロスアンダー配線部分の金属配線構造であって、前記ｐｎｐｎ構造の最上層の上に設けられた下部配線と、前記下部配線に接続された上部配線とを有し、前記上部配線は、前記最上層の下層に接続されていることを特徴とする金属配線構造。
【請求項２】
ｐｎｐｎ構造の３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、ｐｎｐｎ構造の３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御電極と前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、分離溝で島状に分離された前記ｐｎｐｎ構造の部分の上に形成されるクロスアンダー配線部分の金属配線構造であって、前記ｐｎｐｎ構造の最上層の上に設けられた下部配線と、前記下部配線に接続された上部配線とを有し、前記下部配線は、前記最上層と非オーミック接触を形成する材料よりなることを特徴とする金属配線構造。
【請求項３】
ｐｎｐｎ構造の３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、ｐｎｐｎ構造の３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御電極と前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、分離溝で島状に分離された前記ｐｎｐｎ構造の部分の上に形成されるクロスアンダー配線部分の金属配線構造であって、前記ｐｎｐｎ構造の最上層の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた下部配線と、前記下部配線に接続された上部配線とを有する、ことを特徴とする金属配線構造。
【請求項４】
ｐｎｐｎ構造の３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共に、各スイッチの素子の制御電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラインを接続して形成した自己走査型スイッチ素子アレイと、ｐｎｐｎ構造の３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御電極と前記スイッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する書き込み信号ラインを設けた自己走査型発光装置において、分離溝で島状に分離された前記ｐｎｐｎ構造の部分の上に形成されるクロスアンダー配線部分の金属配線構造であって、前記ｐｎｐｎ構造の部分は最上層が除去されて、ｐｎｐ構造またはｎｐｎ構造となっており、前記ｐｎｐ構造またはｎｐｎ構造の最上層の上に設けられた下部配線と、前記下部配線に接続された上部配線とを有する、ことを特徴とする金属配線構造。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の金属配線構造を有する自己走査型発光装置を備える書き込み用光源。
【請求項６】
請求項６に記載の光源を備える光プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル形成領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と隣接して配置された低抵抗領域と、を有する島状半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上に第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記低抵抗領域の上に前記第１の絶縁膜を介して形成された第１の配線と、
前記第１の配線の上に第２の絶縁膜を介して形成され、且つ前記ゲート電極と接続された第２の配線と、
前記第２の配線を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上に形成された第３の配線と、
を有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域と前記低抵抗領域との間に配置され、
前記第１の配線は、前記第２の配線と直交した方向に配置されており、
前記第１の配線は、前記第３の配線と平行な方向に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル形成領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と隣接して配置された低抵抗領域と、を有する島状半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上に第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記低抵抗領域の上に前記第１の絶縁膜を介して形成された容量配線と、
前記容量配線の上に第２の絶縁膜を介して形成され、且つ前記ゲート電極と接続された走査線と、
前記走査線を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上に形成された信号線と、
を有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域と前記低抵抗領域との間に配置され、
前記容量配線は、前記走査線と直交した方向に配置されており、
前記容量配線は、前記信号線と平行な方向に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第３の配線は、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記信号線は、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方には、画素電極が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記低抵抗領域には、導電型を付与する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル形成領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と隣接して配置された低抵抗領域と、を有する島状半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上に、第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記低抵抗領域の上に、前記第１の絶縁膜を介して形成された容量配線と、
前記容量配線の上に第２の絶縁膜を介して形成された、走査線および島状の電極と、
前記走査線および前記島状の電極を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上に形成された信号線と、
を有し、
前記走査線は、前記ゲート電極に接続され、
前記島状の電極は、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方に接続され、
前記ソース領域または前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域と前記低抵抗領域との間に配置され、
前記容量配線は、前記走査線と直交した方向に配置されており、
前記容量配線は、前記信号線と平行な方向に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記信号線は、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記島状の電極には、画素電極が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記低抵抗領域には、導電型を付与する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
これに対し、本発明のＧｍアンプでは、第１の電流と第２の電流の大きさの比が適当な温度依存性を有するように予め定めておくことにより、第１の電流と第２の電流の大きさの比以外に温度依存性を有するパラメータがあっても、そのパラメータの温度変化による影響を補償することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された複数のＭＩＳＦＥＴからなるパワーＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置であって、
前記ＭＩＳＦＥＴは、
前記半導体基板上に形成されたドレイン領域およびソース領域と、
前記ソース領域とドレイン領域の間に形成されたチャネル領域と、
前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極とドレイン領域の間に形成され、前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低いドレインオフセット領域と、
前記チャネル領域とソース領域の下に形成されたウェル領域と、
前記複数のＭＩＳＦＥＴ上に形成された第１絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成されたソース配線およびドレイン配線を有し、
前記第1絶縁膜内にソース用開口部およびドレイン用開口部が形成され、
前記ソース用開口部およびドレイン用開口部にそれぞれソース用導電プラグおよびドレイン用導電プラグが形成され、
前記ソース配線およびソース領域は前記ソース用導電プラグによって電気的に接続され、
前記ドレイン配線およびドレイン領域は前記ドレイン用導電プラグによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記パワーＭＩＳＦＥＴは移動通信機器に搭載されるＲＦパワーモジュールに使用され、
前記パワーＭＩＳＦＥＴは、前記ＲＦパワーモジュール内に形成された複数段増幅器を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、前記ＲＦパワーモジュールの動作周波数は５００ＭＨｚ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置であって、前記パワーＭＩＳＦＥＴは複数の単位ブロックを配置して構成され、
それぞれの単位ブロックは前記複数のＭＩＳＦＥＴの中のいくつかのＭＩＳＦＥＴで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置であって、前記複数の単位ブロック中の前記ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域はそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置であって、前記複数の単位ブロックは整列配置列されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４記載の半導体装置であって、前記複数の単位ブロックはそれぞれゲート用ボンディングパッドおよびドレイン用ボンディングパッドを有し、
前記ゲート用ボンディングパッドおよびドレイン用ボンディングパッドは、それぞれ前記ゲート電極およびドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第１絶縁膜の主面はＣＭＰ法によって平坦化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置であって、前記複数のＭＩＳＦＥＴの中の隣接する２つのＭＩＳＦＥＴはドレイン領域を共有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ソース用導電プラグおよびドレイン用導電プラグは金属からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ソース配線およびドレイン配線の上に第２絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜上に上部ソース配線および上部ドレイン配線が形成され、
前記上部ソース配線および上部ドレイン配線は、それぞれ前記ソース配線およびドレイン配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ソース領域、ドレイン領域、ドレインオフセット領域は第１導電型を有し、
前記ウェル領域は第２導電型を有し、
前記第１導電型および第２導電型は反対の導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置であって、前記第１および第２導電型はそれぞれｎ型およびｐ型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置であって、前記半導体基板上に前記第２導電型を有する半導体層が形成され、
前記ソース領域、ドレイン領域、ドレインオフセット領域は前記半導体層内に形成され、
前記ウェル領域の不純物濃度は前記半導体層の不純物濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置であって、前記半導体層はエピタキシャル成長法によって形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体基板の裏面に裏面ソース電極が形成され、
前記ソース領域と裏面ソース電極はリーチスルー層を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ソース領域とウェル領域は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置であって、前記ソース領域とウェル領域はリーチスルー層を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１記載の半導体装置であって、前記複数のＭＩＳＦＥＴはＬＤＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
〔図６（ｂ）に示す工程〕
そして、層間絶縁膜９及び酸化膜にコンタクトホールを形成したのち、室温での金属スパッタリングによりソース電極１０及びドレイン電極１１を配置する。また、成膜後に１０００℃のアニールを行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2001094099.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001094099.tif 000002