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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  感光材料を搬送しながら処理槽に貯留している処理液に浸漬して処理液処理する感光材料処理装置に設けられる感光材料処理装置のガイド構造であって、
前記処理槽内を搬送される前記感光材料の下側の面に対向して配置されるガイド盤と、
前記ガイド盤の上面に前記感光材料の搬送方向と直交する方向に沿って所定間隔で突設され、それぞれが前記感光材料の搬送方向に沿う固定ガイド手段と、
前記ガイド盤に前記感光材料の搬送方向及び搬送方向と直交する方向のそれぞれに沿って配列されて、回転ガイド手段が外周部の少なくとも一部を前記固定ガイド手段より突出されて感光材料の搬送方向に回転自在に取り付け可能とする取付け部と、
を含むことを特徴とする感光材料処理装置のガイド構造。
【請求項２】  前記固定ガイド手段が、前記感光材料の搬送方向に沿って延設されたガイドリブであることを特徴とする請求項１に記載の感光材料処理装置のガイド構造。
【請求項３】  前記回転ガイド手段がコロローラであるときに、前記取付け部として、前記ガイド盤に所定形状の開口部が形成されると共に、
一対の脚部に形成されている軸受孔へ前記コロローラの回転軸が挿入されることにより該コロローラが軸支される軸受部材と、
前記軸受部材に設けられて前記開口部に挿入された軸受部材を前記ガイド盤に保持する保持手段と、
を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感光材料処理装置のガイド構造。
【請求項４】  前記開口部に挿入されることにより開口部周縁を挟持すると共に、弾性変形されることにより挟持解除位置へ退避可能な爪部が、前記保持手段として前記軸受部材の前記脚部に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の感光材料処理装置のガイド構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、感光材料を搬送しながら処理槽に貯留している処理液に浸漬して処理液処理する感光材料処理装置に設けられる感光材料処理装置のガイド構造であって、前記処理槽内を搬送される前記感光材料の下側の面に対向して配置されるガイド盤と、前記ガイド盤の上面に前記感光材料の搬送方向と直交する方向に沿って所定間隔で突設され、それぞれが前記感光材料の搬送方向に沿う固定ガイド手段と、前記ガイド盤に前記感光材料の搬送方向及び搬送方向と直交する方向のそれぞれに沿って配列されて、回転ガイド手段が外周部の少なくとも一部を前記固定ガイド手段より突出されて感光材料の搬送方向に回転自在に取り付け可能とする取付け部と、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、ガイド盤の上面に複数の固定ガイド手段を設けている。また、ガイド盤には、回転ガイド手段を取り付け可能とする取付け部が形成されている。
また、回転ガイド手段の取付け部を感光材料の搬送方向及び搬送方向と直交する方向のそれぞれに沿って配列しているので、任意の位置に任意の数の回転ガイド手段を取り付けたガイドを形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような本発明においては、前記固定ガイド手段を、前記感光材料の搬送方向に沿って延設されたガイドリブとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記回転ガイド手段がコロローラであるときに、前記取付け部として、前記ガイド盤に所定形状の開口部が形成されると共に、一対の脚部に形成されている軸受孔へ前記コロローラの回転軸が挿入されることにより該コロローラが軸支される軸受部材と、前記軸受部材に設けられて前記開口部に挿入された軸受部材を前記ガイド盤に保持する保持手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明によれば、回転ガイド手段とするコロローラを軸受部材に装着して、この軸受部材をガイド盤に形成している開口部へ挿入して取り付けられる。このとき、軸受部材に設けた保持手段が、軸受部材と共にコロローラをガイド盤に保持する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項４に係る発明は、前記開口部に挿入されることにより開口部周縁を挟持すると共に、弾性変形されることにより挟持解除位置へ退避可能な爪部が、前記保持手段として前記軸受部材の前記脚部に形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、軸受部材の脚部に形成している爪部が、ガイド盤の開口部周縁を挟持する。また、爪部は、脚部を弾性変形させて退避位置へ移動させることにより、ガイド盤への挟持を解除する。これにより、コロローラと共に軸受部材をガイド盤から取り外すことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、所定の形状および大きさのガイド盤にガイドリブなどの固定ガイド手段を形成すると共に、ガイド盤にコロローラなどの回転ガイド手段が着脱可能となる取付け部を所定の間隔で配列することにより、任意の構成のガイドが形成可能となっている。これにより、単一のガイド盤で任意の構成の感光材料処理装置のガイドを形成することができると言う優れた効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置及び画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通するインク流路と、この流路の一部に設けられた振動板と、この振動板に対向する電極とを有し、前記振動板を静電力で変形させて前記ノズルからインク滴を吐出させるインクジェット記録装置において、インク滴を吐出させる前にメニスカスを少なくとも１回以上振動させる手段を備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通するインク流路と、この流路の一部に設けられた振動板と、この振動板に対向する電極とを有し、前記振動板を静電力で変形させて前記ノズルからインク滴を吐出させるインクジェット記録装置において、インク滴を吐出するときに、インク滴を吐出せずにメニスカスを振動させる１又は複数の振動パルスを印加した後、インク滴を吐出させる駆動パルスを印加するヘッド駆動制御手段を備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項３】
インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通するインク流路と、この流路の一部に設けられた振動板と、この振動板に対向する電極とを有し、前記振動板を静電力で変形させて前記ノズルからインク滴を吐出させるインクジェット記録装置において、インク滴を吐出するときに、インク滴を吐出せずにメニスカスを振動させる１又は複数の振動パルスを印加した後、インク滴を吐出させる駆動パルスを印加するとともに、インク滴を連続して吐出するときには前記振動パルスを印加することなくインク滴を吐出させる駆動パルスを印加するヘッド駆動制御手段を備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のインクジェット記録装置において、前記振動パルスは前記駆動パルスよりもパルス幅が狭いことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項５】
請求項２又は３に記載のインクジェット記録装置において、前記振動パルスは前記駆動パルスよりもパルスの立ち下がり時間が長いことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項６】
請求項２又は３に記載のインクジェット記録装置において、前記振動パルスはインク滴吐出特性が第１のピークになるパルス幅と次のピークになるパルス幅との間のパルス幅であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項７】
インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する流路と、この流路の一部に設けられた振動板と、この振動板に対向する電極とを有し、前記振動板を静電力で変形させて前記ノズルからインク滴を吐出させる画像形成装置において、インク滴を吐出させる前にメニスカスを少なくとも１回以上振動させる手段を備えていることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はインクジェット記録装置及び画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、インク粘度の上昇やノズルの目詰まりを低コストで低減したインクジェット記録装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置は、インク滴を吐出させる前にメニスカスを少なくとも１回以上振動させる手段を備えたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明に係る画像形成装置としてのインクジェット記録装置の機構部の概略斜視説明図、図２は同機構部の側面説明図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
また、インクジェット記録装置に搭載するインクジェットヘッドは、流路基板中に形成したノズル、液室、流体抵抗部、共通流路液室の形状、配置、形成方法は適切に変更することができる。例えば、上記実施形態においては、ノズルは振動板の変位方向にインク滴が吐出するように形成したサイドシュータ方式のインクジェットヘッドであるが、ノズルを振動板の変位方向と交差する方向にインク滴が吐出するように形成したエッジシュータ方式のインクジェットヘッドでもよい。また、前述したようにプリンタ、ファクシミリ、プロッタ等の画像形成装置及び液滴を吐出する装置にも本発明を適用することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置によれば、インク滴を吐出させるときに、メニスカスを少なくとも１回以上振動させた後インク滴を吐出させるので、メニスカスを振動させてインクの増粘によるノズルの目詰まりを防止することができ、簡単な構成で、低コストでインク滴吐出特性の安定化を図れ、高品質画像を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型ドーパントの濃度の１／５よりも多く、かつｐ型ドーパントの濃度よりも少ない量の水素原子を含有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体。
【請求項２】
電気抵抗率が２０Ωｃｍ〜１００００Ωｃｍであることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体。
【請求項３】
ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中、７００〜９５０℃の温度で窒素源の供給を停止することを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
【請求項４】
成長終了時の温度が９００℃以上であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
窒素源がアンモニアガスであることを特徴とする請求項３または４に記載の製造方法。
【請求項６】
半導体成長時のキャリアガスが水素ガスを含有していることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
減少後の窒素源の流量が全ガス体積中の０．００１〜１０％であることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、ｎ型層およびｐ型層に負極および正極がそれぞれ設けられたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、ｐ型層が請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
正極がＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＩｒおよびＲｕから選ばれた白金族金属を正極材料として使用していることを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
発光素子がフリップチップ型であることを特徴とする請求項８または９に記載の発光素子。
【請求項１１】
発光素子がフェイスアップ型であることを特徴とする請求項８または９に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体およびその製造方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（１）ｐ型ドーパントの濃度の１／５よりも多く、かつｐ型ドーパントの濃度よりも少ない量の水素原子を含有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（２）電気抵抗率が２０Ωｃｍ〜１００００Ωｃｍであることを特徴とする上記１項に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（３）ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中、７００〜９５０℃の温度で窒素源の供給を停止することを特徴とする上記１または２項に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（４）成長終了時の温度が９００℃以上であることを特徴とする上記３項に記載の製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（５）窒素源がアンモニアガスであることを特徴とする上記３または４項に記載の製造方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（６）半導体成長時のキャリアガスが水素ガスを含有していることを特徴とする上記３〜５項のいずれか一項に記載の製造方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（７）減少後の窒素源の流量が全ガス体積中の０．００１〜１０％であることを特徴とする上記３〜６項のいずれか一項に記載の製造方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（８）基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、ｎ型層およびｐ型層に負極および正極がそれぞれ設けられたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、ｐ型層が上記１または２項に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（９）正極がＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＩｒおよびＲｕから選ばれた白金族金属を正極材料として使用していることを特徴とする上記８項に記載の発光素子。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１０）発光素子がフリップチップ型であることを特徴とする上記８または９項に記載の発光素子。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１１）発光素子がフェイスアップ型であることを特徴とする上記８または９項に記載の発光素子。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体におけるＩＩＩ族窒化物半導体には、ＧａＮの他、ＩｎＮ、ＡｌＮなどの２元系混晶、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの３元系混晶、ＩｎＡｌＧａＮなどの４元系混晶等が全て含まれる。本発明においてはさらに、窒素以外のＶ族元素を含む、ＧａＰＮ、ＧａＮＡｓなどの３元混晶や、これにＩｎやＡｌを含むＩｎＧａＰＮ、ＩｎＧａＡｓＮ、ＡｌＧａＰＮ、ＡｌＧａＡｓＮなどの４元混晶、更にＩｎ、Ａｌの両方を含むＡｌＩｎＧａＰＮ、ＡｌＩｎＧａＡｓＮや、ＰとＡｓの両方を含むＡｌＧａＰＡｓＮ、ＩｎＧａＰＡｓＮなどの５元混晶、そして全ての元素を含むＡｌＩｎＧａＰＡｓＮの６元混晶も、ＩＩＩ族窒化物半導体に含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電子機能材料の所望のパターンを形成する方法であって、
前記所望のパターンを画定するために露出した前記基板の領域を残しながら、前記基板上にパターン形成材料の第１層を造る工程、
前記パターン形成材料が不浸透である液体分散剤中に電子機能材料の粒子を含む懸濁液を、前記パターン形成材料および前記露出基板上に印刷する工程、
前記粒子を連結するために前記懸濁液から前記液体分散剤の少なくとも一部を除去する工程、および
前記パターン形成材料を溶解する能力がある第１溶媒を前記連結粒子に塗布し、前記第１溶媒に対して前記連結粒子が浸透性であるので、上にあるあらゆる電子機能材料と共に前記パターン形成材料が前記基板から除去される工程、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記パターン形成材料がホトレジストであり、ホトレジスト層を積層し、次いで、前記ホトレジストの選択された部分をホトリソグラフィにより除去して前記所望のパターンが形成され前記第１層を造る方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記パターン形成材料が熱可塑性ポリマーであり、前記熱可塑性ポリマーの層を積層し、次いで、前記層をマイクロ・エンボス加工して前記所望のパターンが形成され前記第１層を造る方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の方法において、
前記電子機能材料の前記懸濁液がコロイド状である方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記懸濁液が液滴の放出により印刷される方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の方法において、
前記懸濁液から前記液体分散剤の少なくとも一部の除去が室温における乾燥によって、または熱的接触、マイクロ波照射、入射赤外線による加熱による加速乾燥によって、または常圧より低い圧力に印刷された懸濁液をさらすことによって行われる方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
前記電子機能材料が絶縁体である方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
前記電子機能材料が半導体である方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、
前記半導体が、カーボン・ナノチューブ、積層遷移金属ジカルコゲニドのフレーク、ペンタセン粒子または有機半導体ポリマーである方法。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
前記電子機能材料が導体である方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法において、
さらに、前記第１溶媒を塗布後、前記連結粒子をＮ−メチルピロリドンおよびイソプロパノールの混合物に溶解したＤ−ソルビトールで処理する工程を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
さらに、前記第１溶媒を塗布後、前記連結粒子を架橋剤を含む第２溶媒で処理する工程を含む方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の方法において、
前記連結粒子を処理後、前記粒子の表面を滑らかにするために前記粒子を焼きなます方法。
【請求項１４】
電界効果型トランジスターを製作する方法であって、
請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法に従い基板上にソース電極およびドレイン電極を画定する所望の導体パターンを形成する工程と、
前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接触する半導体層を積層する工程と、
前記半導体層の上に絶縁体層を積層する工程と、
前記絶縁体層の上にゲート電極を設ける工程と、を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、
前記絶縁層は請求項７に記載の方法により積層されるか、および／または前記半導体層は請求項８又は９に記載の方法により積層される方法。
【請求項１６】
基板上に製作された電界効果型トランジスターのアレイにおいて、各電界効果型トランジスターが、請求項１４又は１５に記載の方法により製作されるアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンの電気抵抗値が電圧依存性を持つ基板表面の領域を一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームの照射により該領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、検出された該二次電子や後方散乱電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、該一次電子ビームの照射条件および二次電子や後方散乱電子の検出条件をもとに、該一次電子ビームが照射されている部位における電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該画像の二次電子や後方散乱電子の信号量と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果より、該画像中のパターンの電気特性の良否を判定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
【請求項２】
所定のパターンが形成された基板表面の領域を一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームの照射により該領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、検出された該二次電子や後方散乱電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、該一次電子ビームの照射条件および二次電子や後方散乱電子の検出条件をもとに、該一次電子ビームが照射されている部位における電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該画像の二次電子や後方散乱電子の信号量と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果より、該画像中のパターンの電気抵抗や電気容量を決定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
【請求項３】
所定のパターンが形成された基板表面の第一の領域を一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームの照射により該第一の領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、該第一の領域から検出される二次電子や後方散乱電子の信号から該第一の領域の電子ビーム画像を形成する工程と、該基板の第二の領域を該一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームにより該第二の領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、該第二の領域から検出される二次電子や後方散乱電子の信号から該第二の領域の電子ビーム画像を形成する工程と、該第一の領域の画像と該第二の領域の画像とを比較し、その比較結果から異なる部分を判定する工程と、該一次電子ビームの照射条件および該二次電子や後方散乱電子の電子信号の検出条件をもとに、該異なる部分の電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該異なる部分の画像の二次電子や後方散乱電子の信号量と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果より、該異なる部分の電気抵抗や電気容量を決定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
【請求項４】
前記基板、あるいは前記基板の近傍に、電圧を印加し、該電圧を調整することにより、前記基板への前記一次電子ビームの照射エネルギーを制御する工程を付加してなることを特徴とする請求項１記載の電子ビームによる検査方法。
【請求項５】
前記電気抵抗および電気容量の値により、前記基板における欠陥部の種別を行うよう構成したことを特徴とする請求項１記載の電子ビームによる検査方法。
【請求項６】
前記電子ビームは、二次電子および後方散乱電子の放出効率の和が１以上となる入射エネルギーを有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子ビームによる検査方法。
【請求項７】
半導体ウエハ表面の任意の領域を一次電子ビームで照射する工程と、該一次電子ビームにより該領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、検出された該二次電子や後方散乱電子の信号の時間変化を記憶する工程と、該一次電子ビームの照射条件および該二次電子や後方散乱電子の信号の検出条件をもとに、該電子ビームの照射領域における半導体ウエハの電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該二次電子や後方散乱電子の信号の時間変化と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果により、電気抵抗や電気容量を決定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップに重なる領域を有するとともに外部電極の形成される外部電極形成部が前記重なる領域内に形成されたフレキシブル基板を用意する工程と、
前記半導体チップにおける電極を有する面及び前記フレキシブル基板における前記半導体チップの電極を有する前記面に相対向して配置される面の少なくともいずれか一方にギャップ保持部を設ける工程と、
それぞれの前記面を対向させて、前記ギャップ保持部を介在させた状態で前記半導体チップと前記フレキシブル基板とを配置して、前記フレキシブル基板に設けられた接合部と、前記半導体チップの前記電極とを接合する工程と、
を含み、
前記ギャップ保持部を設ける工程にて形成される前記ギャップ保持部は、前記外部電極形成部に対応する領域に設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
更に前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間に応力吸収層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部は、樹脂を印刷することによって設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部は、インクジェット方式により樹脂を吐出させることにより設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部は、前記半導体チップにおける前記電極を有する面にのみ設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記応力吸収層は、モールド材の注入によって形成される半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂には、熱硬化性又は紫外線硬化性を有する樹脂を用いる半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部には、前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間の応力を吸収する性質を有する部材が用いられて、且つ前記部材を前記半導体チップ及び前記フレキシブル基板の対向面に密着させることで応力吸収層が形成される半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部は、熱可塑性であり、
前記応力吸収層の形成工程は、前記ギャップ保持部に熱及び圧力を加える工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記圧力を加える工程では、前記ギャップ保持部の加圧位置を徐々にずらして部分的な加圧が連続的に行われる半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部は、前記フレキシブル基板における前記半導体チップの電極を有する面に相対向して配置される面側にのみ設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部を設ける工程は、前記フレキシブル基板における前記半導体チップ側の面に設けられる配線パターンを形成する工程に含まれ、
前記配線パターンを形成する工程にて、所望の箇所をエッチングして１つの前記配線パターンに複数の凸部を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板における前記凸部に対応する位置に貫通孔が設けられ、前記フレキシブル基板の前記配線パターンの設けられた面とは反対側の面に前記貫通孔を介して前記外部電極が設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記ギャップ保持部としての前記凸部の少なくとも前記半導体チップと対向する位置に絶縁樹脂を塗布する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップ上において、前記半導体チップとは所定のギャップをあけて且つ重なるように配置されるとともに、前記重なった領域内に外部電極形成部が位置し、前記外部電極形成部と電気的に接続されており前記半導体チップの電極に接合される接合部を有するフレキシブル基板と、
前記外部端子形成部に対応する位置に設けられるとともに前記ギャップを保持するためのギャップ保持部と、
を含む半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記フレキシブル基板の前記重なった領域内には、前記半導体チップの能動領域が位置してなる半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５記載の半導体装置において、
更に、前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間に位置する応力吸収層を含む半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記ギャップ保持部は、前記フレキシブル基板の配線パターンの少なくとも一部を用いてなる半導体装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置において、
１つの前記配線パターンには複数の凸部が設けられ、前記複数の凸部のうち少なくとも一つは前記ギャップ保持部となり、他の凸部のうちの少なくとも一つは前記半導体チップの電極との接合部となる半導体装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置において、
前記フレキシブル基板における前記配線パターンの設けられた側とは反対側の、前記ギャップ保持部となる凸部の設けられた位置に相対する位置に外部電極が形成されてなる半導体装置。
【請求項２１】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記ギャップ保持部は樹脂からなり、応力吸収層を兼ねる半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体装置において、
前記樹脂は、熱可塑性の樹脂からなる半導体装置。
【請求項２３】
請求項１５乃至請求項２２のいずれかに記載の半導体装置と、前記半導体装置の外部電極形成部を介して電気的に接続されることにより前記半導体装置が搭載された回路基板。
【請求項２４】
請求項２３記載の回路基板において、
前記半導体装置との接続部を有し、
前記半導体装置の前記外部電極形成部上に形成された外部電極が直接前記接続部に接続されることにより、前記半導体装置が搭載された回路基板。
【請求項２５】
半導体チップの電極に接合される接合部を有するフレキシブル基板であって、
前記接合部を有する側の前記接合部を除く位置に、樹脂からなるギャップ保持部が設けられてなるフレキシブル基板。
【請求項２６】
請求項２５記載のフレキシブル基板であって、
前記ギャップ保持部は、熱可塑性の樹脂からなるフレキシブル基板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを発光体に照射して生じる前記発光体の発光によって画像の表示を行う画像表示装置において用いる色信号補正装置であって、
それぞれ異なる色に発光する複数の発光体にそれぞれ対応した複数色の色信号に、各色の発光輝度特性を補正するための補正処理を施す発光特性補正部と、
入力された複数色の色信号のうちから選択される少なくとも１つの色信号の輝度レベルに基づいてオフセット値を決定するオフセット値決定手段と、
少なくとも１つの残りの色信号に、調整された前記オフセット値を付加するオフセット値付加手段と、
を有しており、
前記オフセット値は、所定の色の輝度レベルの変化に連動した該色の色度点の変動を抑制するための色度補正用のオフセット値である、
ことを特徴とする色信号補正装置。
【請求項２】
前記オフセット値付加手段は、
前記発光特性補正部から出力された前記複数色の色信号のうちから選択される１つ又は複数の色信号の輝度レベルに基づいて、決定されたオフセット値を、
前記発光特性補正部から出力された少なくとも１つの残りの色信号に付加するか、或いは、
前記発光特性補正部に入力される前記複数色の色信号のうちから選択される１つ又は複数の色信号の輝度レベルに基づいて、決定されたオフセット値を、前記発光特性補正部に入力される少なくとも１つの残りの色信号に付加する、
請求項１に記載の色信号補正装置。
【請求項３】
それぞれ異なる色に発光する複数の発光体にそれぞれ対応した複数色の色信号に、各色の発光輝度特性を補正するための補正処理を施す発光特性補正部を備えた色信号補正装置であって、
入力された複数色の色信号のうちから選択される少なくとも１つの色信号の輝度レベルに基づいてオフセット値を決定するオフセット値決定手段と、
少なくとも１つの残りの色信号に、前記オフセット値を付加するオフセット値付加手段
と、
単色を示す色信号が入力されたものと判断された場合に、前記オフセット値の付加を禁止する禁止手段と、
を有しており、
前記オフセット値は、所定の色の輝度レベルの変化に連動した該色の色度点の変動を抑制するための色度補正用のオフセット値である、
ことを特徴とする色信号補正装置。
【請求項４】
それぞれ異なる色に発光する複数の発光体にそれぞれ対応した複数色の色信号に、それぞれの色の色信号のレベルと発光輝度との非線形性を補正するための補正処理を施す発光特性補正部と、
前記補正処理を行うことで生じる色度点の変動を抑制するための色度補正用のオフセット値を、入力された複数色の色信号のうちから選択される少なくとも１つの色信号の輝度レベルに基づいて、決定するオフセット値決定手段と、
少なくとも１つの残りの色信号に、該オフセット値を付加するオフセット値付加手段と、
を有することを特徴とする色信号補正装置。
【請求項５】
それぞれ異なる色に発光する複数の発光体にそれぞれ対応した複数色の色信号に、それぞれの色の色信号のレベルと発光輝度との非線形性を補正するための補正処理を施す工程と、
前記補正処理を行うことで生じる色度点の変動を抑制するための色度補正用のオフセット値を、入力された複数色の色信号のうちから選択される少なくとも１つの色信号の輝度レベルに基づいて、決定する工程と、
少なくとも１つの残りの色信号に、該オフセット値を付加する工程と、を実行する半導体集積回路を有することを特徴とする色信号補正装置。
【請求項６】
それぞれ異なる色に発光する複数の発光体にそれぞれ対応した複数色の色信号に、それぞれの色の発光輝度特性を補正するための補正処理を施す発光特性補正部と、
所定の色が指定され、かつ所定の輝度レベルが指定された場合と、前記所定の色が指定され、かつ前記所定の輝度レベルとは異なる輝度レベルが指定された場合、における色度点の差を抑制するための色度補正用のオフセット値を、入力された複数色の色信号のうちから選択される少なくとも１つの色信号の輝度レベルに基づいて、決定するオフセット値決定手段と、
少なくとも１つの残りの色信号に、該オフセット値を付加するオフセット値付加手段と、
を有することを特徴とする色信号補正装置。
【請求項７】
それぞれ異なる色に発光する複数の発光体にそれぞれ対応した複数色の色信号に、それぞれの色の発光輝度特性を補正するための補正処理を施す工程と、
所定の色が指定され、かつ所定の輝度レベルが指定された場合と、前記所定の色が指定され、かつ前記所定の輝度レベルとは異なる輝度レベルが指定された場合、における色度点の差を抑制するための色度補正用のオフセット値を、入力された複数色の色信号のうちから選択される少なくとも１つの色信号の輝度レベルに基づいて決定する工程と、
少なくとも１つの残りの色信号に、該オフセット値を付加する工程と、を実行する半導体集積回路を有することを特徴とする色信号補正装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載の色信号補正装置と、
前記信号補正装置が出力する信号に基づいて画像を表示する表示器と
を有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスポートストリーム形式のデジタルデータが複数多重して伝送された複数トランスポートストリームとトランスポートストリーム形式のデジタルデータが一つのトランスポートストリーム内に多重して伝送された単一トランスポートストリームとが混在してQAM方式で伝送される信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信されたＱＡＭ方式の信号を復調する復調手段と、
前記複数トランスポートストリームに含まれて前記単一トランスポートストリームに含まれないフレームヘッダパケットを用いて前記複数トランスポートストリーム伝送方式と前記単一トランスポートストリーム伝送方式とを判別し、単一トランスポートストリームの場合はそのまま出力し、複数トランスポートストリームの場合は指定された一つのトランスポートストリーム形式のデジタルデータを分離してそのトランスポートストリームを出力する分離手段とを備えたことを特徴とする受信装置。
【請求項２】
請求項１記載の受信装置において、
前記分離手段で分離されたトランスポートストリーム形式のデジタルデータに基づく映像を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする受信装置
【請求項３】
請求項１記載の受信装置において、
前記フレームヘッダパケットの有無を検出する場合に、取得したトランスポートストリームのPIDが複数トランスポートストリームのフレームヘッダパケットPIDと一致するかどうかの判定を少なくとも２回行うことを特徴とする受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の課題は、単一のトランスポートストリームを有するデータ（例えば、ＣＳデジタル放送）と、複数のトランスポートストリームを有するデータ（例えば、ＢＳデジタル放送）とを混在させて伝送する場合において、単一ＴＳおよび複数ＴＳの両伝送方式に対応できる受信装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、例えば、特許請求の範囲に開示された技術的思想を用いればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以上、本発明によれば、単一ＴＳおよび複数ＴＳの両伝送方式に対応できる受信装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  固体高分子電解質膜を挟んで燃料極と酸化剤極が設けられ、前記燃料極側に供給された燃料ガスと前記酸化剤極側に供給された酸化剤ガスとの電気化学的反応により電力を発生する単電池を積層させた電池スタックを備えた固体高分子電解質形燃料電池であって、
前記燃料極側に供給された気体と前記酸化剤極側に供給された気体の前記電池スタック内でのそれぞれの全体的な流れの向きが互いに対向するように設けられ、前記酸化極側で発生した生成水の前記燃料極と前記酸化剤極間での相互移動により、前記固体高分子電解質膜の水分保有領域が拡大されるように構成されていることを特徴とする固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項２】  前記請求項１に記載の固体高分子電解質型燃料電池において前記燃料ガスおよび酸化剤ガスはそれぞれの貯蔵・供給源から無加湿で電池スタックに供給されることを特徴とする固体高分子電解質型燃料電池。
【請求項３】  前記燃料極と酸化剤極のうちの少なくとも酸化剤ガスの排出路と前記酸化剤ガスの供給源とを凝縮器に接続すると共に前記凝縮器の出口側を前記酸化剤ガスの供給口に接続し、閉循環路を形成した請求項１に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項４】  前記閉循環路が設けられていない側の気体の排出口を閉塞した請求項２又は３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項５】  前記燃料極側に純水素が供給され、前記酸化剤極側に純酸素が供給される請求項１に記載の固体高分子電解質燃料電池。
【請求項６】  前記凝縮器で凝縮した凝縮水を収容する手段を備えている請求項２又は３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項７】  前記凝縮器の冷却媒体の温度を電池の運転温度の−３０℃〜＋１０℃の範囲に制御するための温度制御手段を備えている請求項２又は３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項８】  前記閉循環路を循環するガス量を、電力発生時に電気化学的に必要とされる理論ガス量の２〜１０倍に制御するための流量制御手段を備えている請求項２又は３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項９】  前記固体高分子電解質膜の厚さは、１０〜５０ミクロンである請求項１に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１０】  前記凝縮水を収容する手段は凝縮水を吸収する手段を備えている請求項２又は３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１１】  前記凝縮器は、前記循環ガスが前記吸収手段に接触しながら円滑に流通する流通手段をさらに備えている請求項１０に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１２】  前記凝縮器は、前記循環ガスを冷却する冷却手段と、該冷却手段で凝縮した水を収容する手段とを備え、該収容手段は前記冷却手段と分離して設けられている請求項１０又は１１に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１３】  前記凝縮器は、前記吸収手段を圧縮し、該吸収手段に吸収された凝縮水を前記凝縮器外へ強制的に排出させる凝縮水排出手段を備えている請求項１０〜１２のいずれか１の請求項に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１４】  前記吸収手段は、圧縮後、復元可能なように構成されている請求項１３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１５】  前記凝縮水排出手段の作動間隔は、前記収容手段の生成水収容量と前記電池スタックの単電池積層数と発電電気量とに基づいて制御されるように構成されている請求項１４に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１６】  複数の前記凝縮器が並列に設けられている請求項１４又は１５に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【請求項１７】  前記閉循環路に前記凝縮器を迂回するバイパス路が設けられている請求項２又は３に記載の固体高分子電解質形燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  書込み電流ドライバ回路であって、
第１及び第２上側スイッチと第１及び第２下側スイッチとを有し、第１及び第２入力信号に応答して、第１上側スイッチを第１下側スイッチへ接続する第１ノードと第２上側スイッチを第２下側スイッチに接続する第２ノードとの間に接続された書込みヘッドを通じて反対方向に書込み電流を流す、Ｈスイッチドライバと、
第１電流パルス発生器と、
第１入力信号に応答して、第１下側スイッチへのスイッチング信号を発生するように動作する第１インバータ回路であって、この第１インバータ回路に関連した供給電流が第１上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速するために第１上側スイッチへ高電流パルスを与えるように第１電流パルス発生器により処理される、第１インバータ回路と
を備える書込み電流ドライバ回路。
【請求項２】  第２電流パルス発生器と、
第２入力信号に応答して、第２下側スイッチへのスイッチング信号を発生するように動作する第２インバータ回路であって、この第２インバータ回路に関連した供給電流が第２上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速するために第２上側スイッチへ高電流パルスを与えるように第２電流パルス発生器により処理される、第２インバータ回路と
をさらに備える１項に記載の書込み電流ドライバ回路。
【請求項３】  第１及び第２電流パルス発生器の各々が、
それぞれのインバータ回路を適切に動作するためにバイアスされていて電圧パルスを発生するように動作するエミッターフォロワーと、
電圧パルスに応答して、高電流パルスを発生するように動作するパワーＭＯＳＦＥＴ装置と
を含む２項に記載の書込み電流ドライバ回路。
【請求項４】  第１電流パルス発生器が、
第１インバータ回路を適切に動作するためにバイアスされていて電圧パルスを発生するように動作するエミッターフォロワーと、
電圧パルスに応答して、高電流パルスを発生するように動作するパワーＭＯＳＦＥＴ装置と
を含む１項に記載の書込み電流ドライバ回路。
【請求項５】  書込み電流ドライバ回路であって、
第１及び第２上側スイッチと第１及び第２下側スイッチとを有し、第１及び第２入力信号に応答して、第１上側スイッチを第１下側スイッチへ接続する第１ノードと第２上側スイッチを第２下側スイッチに接続する第２ノードとの間に接続された書込みヘッドを通じて反対方向に書込み電流を流す、Ｈスイッチドライバと、
第１電流パルスを発生する手段と、
第１入力信号に応答して、第１下側スイッチへのスイッチング信号を発生する手段であって、この第１下側スイッチへのスイッチング信号を発生する手段に関連した供給電流が第１上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速するために第１上側スイッチへ高電流パルスを与えるように第１電流パルスを発生する手段により処理される、第１下側スイッチへのスイッチング信号を発生する手段と
を備える書込み電流ドライバ回路。
【請求項６】  第２電流パルスを発生する手段と、
第２入力信号に応答して、第２下側スイッチへのスイッチング信号を発生する手段であって、この第２下側スイッチへのスイッチング信号を発生する手段に関連した供給電流が第２上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速するために第２上側スイッチへ高電流パルスを与えるように第２電流パルスを発生する手段により処理される、第２下側スイッチへのスイッチング信号を発生する手段と
をさらに備える５項に記載の書込み電流ドライバ回路。
【請求項７】  第１電流パルスを発生する手段及び第２電流パルスを発生する手段がそれぞれ、
電圧パルスを発生する手段と、
電圧パルスに応答して高電流パルスを発生する手段と
を備える６項に記載の書込み電流ドライバ回路。
【請求項８】  第１電流パルスを発生する手段が、
電圧パルスを発生する手段と、
電圧パルスに応答して高電流パルスを発生する手段と
を備える５項に記載の書込み電流ドライバ回路。
【請求項９】  磁気記録ヘッドＨスイッチドライバの上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速する方法であって、
Ｈスイッチと、第１及び第２電流パルス発生器と、第１及び第２インバータとを有する書込み電流ドライバを準備するステップと、
第１入力信号に応答して、Ｈスイッチと関連した第１下側スイッチへ第１インバータを介してスイッチング信号を発生するステップと、
Ｈスイッチと関連した第１上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速するために第１上側スイッチへ高電流パルスを与えるように第１電流パルス発生器を介して第１インバータと関連した供給電流を処理するステップと
を含んだ方法。
【請求項１０】  第２入力信号に応答して、Ｈスイッチと関連した第２下側スイッチへ第２インバータを介してスイッチング信号を発生するステップと、
Ｈスイッチと関連した第２上側スイッチと関連した書込み電流の変化を加速するために第２上側スイッチへ高電流パルスを与えるように第２電流パルス発生器を介して第２インバータと関連した供給電流を処理するステップと
をさらに含んだ９項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の下層を形成し、
前記陰極の下層の上に電子銃で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の下層を形成し、
前記陰極の下層の上にスパッタ法で透明導電膜からなる陰極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記透明導電膜は酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記金属材料からなる蒸着材料は、周期表の１族もしくは２族に属する金属元素を含む合金材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１において、前記陰極は、周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、前記陰極の下層は、周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陰極を形成し、
前記陰極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陰極を形成し、
前記陰極上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極の下層を形成し、
前記陽極の下層の上に電子銃で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記金属材料からなる蒸着材料は、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎから選ばれた一種または複数の元素を含む導電性材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
まず、前処理として陽極１３のクリーニングを行う。陽極表面のクリーニングとしては、真空中での紫外線照射、または酸素プラズマ処理を行い、陽極表面をクリーニングする。また、酸化処理としては、１００〜１２０℃で加熱しつつ、酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射すればよく、陽極がＩＴＯのような酸化物である場合に有効である。また、加熱処理としては、真空中で基板が耐えうる５０℃以上の加熱温度、好ましくは６５〜１５０℃の加熱を行えばよく、基板に付着した酸素や水分などの不純物や、基板上に形成した膜中の酸素や水分などの不純物を除去する。特に、ＥＬ材料は、酸素や水などの不純物により劣化を受けやすいため、蒸着前に真空中で加熱することは有効である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
なお、蒸着源ホルダ５７に備えられた抵抗加熱は、マイクロコンピュータにより成膜速度を制御できるようにしておくと良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また、基板５３と蒸着源ホルダ５７との間隔距離ｄを代表的には２０ｃｍ以下、好ましくは５ｃｍ〜１５ｃｍに狭めるため、蒸着マスク５４も加熱される恐れがある。従って、蒸着マスク５４は、熱によって変形されにくい低熱膨張率を有する金属材料（例えば、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルもしくはモリブデンといった高融点金属もしくはこれらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイといった材料）を用いることが望ましい。また、加熱される蒸着マスクを冷却するため、蒸着マスクに冷却媒体（冷却水、冷却ガス）を循環させる機構を備えてもよい。