【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸窒化シリコン層、
該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がポリマーおよび１以上のフォト酸発生化合物を含み、ポリマーが１以上の接着促進基を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。
【請求項２】
該ポリマーがコポリマーである請求項１記載の基体。
【請求項３】
該ポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項１または２記載の基体。
【請求項４】
該ポリマーがフッ素置換を有する請求項１〜３のいずれか一つに記載の基体。
【請求項５】
該ポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項１〜４のいずれか一つに記載の基体。
【請求項６】
該ポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項１〜５のいずれか一つに記載の基体。
【請求項７】
ポリマーのアクリレート繰り返し単位が、接着促進基を含む請求項１〜６のいずれか一つに記載の基体。
【請求項８】
接着促進基を有するアクリレート単位がリソグラフィー加工に対して実質的に非反応性である請求項７記載の基体。
【請求項９】
ポリマーが接着促進基を含む繰り返し単位を含み、該繰り返し単位がリソグラフィー加工に対して反応性である請求項１〜７のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１０】
接着促進基がヒドロキシ部位を含む請求項１〜９のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１１】
接着促進基がフルオロアルキル部位を含む請求項１〜１０のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１２】
ポリマーが芳香族基を含む請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１３】
ポリマーがフェノール基を含む請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１４】
ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１５】
ポリマーが次の式Ｉ：
【化１】
2004038141.tif 000001
（式中、Ｑは任意に置換されていても良い、ポリマー主鎖に融合した炭素脂環式環を表す；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む基である；
ｐ、ｒおよびｓはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１〜１３のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１６】
ポリマーが、次の式ＩＩ：
【化２】
2004038141.tif 000002
（式中、Ｑは任意に置換されていても良い、ポリマー主鎖に融合した炭素脂環式環を表す；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む非フォト酸レイビル基である；
Ｚはフォト酸レイビル基を含む；
ｐ、ｒ、ｓおよびｔはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒ、ｓおよびｔはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１〜１４のいずれか一つに記載の基体。
【請求項１７】
基体表面上にフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がコポリマーおよび１以上のフォト酸発生化合物を含み、該コポリマーがフッ素化繰り返し単位、フォト酸レイビル繰り返し単位、および接着促進部位を含む繰り返し単位を含む、マイクロエレクトロニックデバイス基体。
【請求項１８】
コポリマーおよび１以上のフォト酸発生化合物を含み、該コポリマーがフッ素化繰り返し単位、フォト酸レイビル繰り返し単位、および接着促進部位を含む繰り返し単位を含むフォトレジスト組成物のコーティング層を基体上に施用し；
施用されたフォトレジスト層をパターン付けられた活性化放射線で露光し、露光されたフォトレジスト層を現像して、フォトレジストリリーフイメージを得ることを含むフォトレジストリリーフイメージを形成する方法。
【請求項１９】
施用されたフォトレジスト層が３００ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
施用されたフォトレジスト層が約２４８ｎｍの波長を有する放射線に露光される請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
施用されたフォトレジスト層が２００ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
施用されたフォトレジスト層が約１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有する放射線に暴露される請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
ポリマーがコポリマーである請求項１８〜２２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２４】
ポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項１８〜２３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２５】
ポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項１８〜２４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２６】
ポリマーが重合したアクリレート単位を含む請求項１８〜２５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２７】
接着促進基が重合したアクリレート単位の置換基である請求項１８〜２６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２８】
接着促進基を有するアクリレート単位がリソグラフィー加工に対して実質的に非反応性である請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
接着促進基がヒドロキシ部位を含む請求項１８〜２８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３０】
接着促進基がフルオロアルキル部位を含む請求項１８〜２８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３１】
ポリマーが芳香族基を含む請求項１８〜３０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３２】
ポリマーがフェノール基を含む請求項１８〜３０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３３】
ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項１８〜３０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３４】
ポリマーが次の式Ｉ：
【化３】
2004038141.tif 000003
（式中、Ｑは任意に置換されていても良い、ポリマー主鎖に融合した炭素脂環式環を表す；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む；
ｐ、ｒおよびｓはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１８〜３３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３５】
ポリマーが次の式ＩＩ：
【化４】
2004038141.tif 000004
（式中、Ｑは任意に置換されていても良い、ポリマー主鎖に融合した炭素脂環式環を表す；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む非フォト酸レイビル基である；
Ｚはフォト酸レイビル基を含む；
ｐ、ｒ、ｓおよびｔはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒ、ｓおよびｔはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１８〜３３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３６】
１以上のフォト酸発生化合物ならびにフッ素化繰り返し単位、フォト酸レイビル繰り返し単位、および接着促進部位を含む繰り返し単位を含むコポリマーを含むフォトレジスト組成物。
【請求項３７】
コポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項３６記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３８】
コポリマーがフッ素置換を有する請求項３６または３７記載のフォトレジスト。
【請求項３９】
コポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項３６〜３８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４０】
コポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項３６〜３９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４１】
接着促進基がアクリレート単位の置換基である請求項３６〜４０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４２】
接着促進基がヒドロキシ部位を含む請求項３６〜４１のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４３】
接着促進成基がフルオロアルキル部位を含む請求項３６〜４２のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４４】
コポリマーが芳香族基を含む請求項３６〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４５】
ポリマーがフェノール基を含む請求項３６〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４６】
ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項３６〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４７】
ポリマーが次の式Ｉ：
【化５】
2004038141.tif 000005
（式中、Ｑは任意に置換されていても良い、ポリマー主鎖に融合した炭素脂環式環を表す；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む；
ｐ、ｒおよびｓはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項３６〜４６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４８】
ポリマーが次の式ＩＩ：
【化６】
2004038141.tif 000006
（式中、Ｑは任意に置換されていても良い、ポリマー主鎖に融合した炭素脂環式環を表す；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む；
Ｚはフォト酸レイビル基を含む；
ｐ、ｒ、ｓおよびｔはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒ、ｓおよびｔはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項３６〜４６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４９】
その上に請求項３６〜４８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を有する基体を含む製造物品。
【請求項５０】
基体がマイクロエレクトロニックウェハ基体である請求項４９記載の物品。
【請求項５１】
基体が光学電子デバイス基体である請求項４９記載の物品。