Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリカード、再生装置及び記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像情報を記憶する第１のメモリ手段と、
画像情報を記憶する第２のメモリ手段と、
前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段に記憶された画像情報を共に読み出し可能であり、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段から読み出した画像情報を有線通信にて送信する有線通信手段と、
前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段のうち、前記第２のメモリ手段からのみ前記画像情報を読み出し可能であり、前記第２のメモリ手段から読み出した画像情報を無線通信にて送信する無線通信手段とを備えることを特徴とするメモリカード。
【請求項２】  前記有線通信手段は更に、有線通信にて画像情報を受信すると共に前記受信した画像情報を前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段とに書き込むことを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項３】  前記無線通信手段は更に、無線通信にて画像情報を受信すると共に前記受信した画像情報を前記第２のメモリ手段に対してのみ書き込むことを特徴とする請求項２記載のメモリカード。
【請求項４】  前記無線通信手段による通信速度は前記有線通信手段による通信速度よりも遅く、前記第１のメモリ手段は主画像情報を記憶し、前記第２のメモリ手段は前記主画像情報のサムネイル画像情報を記憶することを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項５】  請求項１〜４の何れか１項に記載のメモリカードより有線通信にて送信された画像情報と無線通信により送信された画像情報とを受信し、前記受信した画像情報に係る画像を表示することを特徴とする再生装置。
【請求項６】  請求項３に記載のメモリカードに対して画像情報を記憶すべく、有線通信及び無線通信にて画像情報を送信することを特徴とする記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はメモリカード、再生装置及び記録装置に係わり、特に、ビデオカメラやデジタルカメラ等に対して、有線手段や無線手段にて通信することで画像データの交換が可能なビデオカメラやデジタルカメラに用いて好適なメモリカードに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のメモリカードは、画像情報を記憶する第１のメモリ手段と、画像情報を記憶する第２のメモリ手段と、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段に記憶された画像情報を共に読み出し可能であり、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段から読み出した画像情報を有線通信にて送信する有線通信手段と、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段のうち、前記第２のメモリ手段からのみ前記画像情報を読み出し可能であり、前記第２のメモリ手段から読み出した画像情報を無線通信にて送信する無線通信手段とを備えることを特徴とする。
また、本発明のメモリカードの他の特徴とするところは、前記有線通信手段は更に、有線通信にて画像情報を受信すると共に前記受信した画像情報を前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段とに書き込むことを特徴とする。
また、本発明のメモリカードのその他の特徴とするところは、前記無線通信手段は更に、無線通信にて画像情報を受信すると共に前記受信した画像情報を前記第２のメモリ手段に対してのみ書き込むことを特徴とする。
また、本発明のメモリカードのその他の特徴とするところは、前記無線通信手段による通信速度は前記有線通信手段による通信速度よりも遅く、前記第１のメモリ手段は主画像情報を記憶し、前記第２のメモリ手段は前記主画像情報のサムネイル画像情報を記憶することを特徴とする。
本発明の再生装置は、前記の何れかに記載のメモリカードより有線通信にて送信された画像情報と無線通信により送信された画像情報とを受信し、前記受信した画像情報に係る画像を表示することを特徴とする。
本発明の記録装置は、前記に記載のメモリカードに対して画像情報を記憶すべく、有線通信及び無線通信にて画像情報を送信することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照しながら本発明のメモリカード、再生装置及び記録装置の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態で、画像と表現しているものは、静止画の画像と動画の画像の両方を表すものであり、圧縮方式や、画像データのサイズ等に限定されるものではない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、画像情報を記憶する第１のメモリ手段と、画像情報を記憶する第２のメモリ手段と、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段に記憶された画像情報を共に読み出し可能であり、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段から読み出した画像情報を有線通信にて送信する有線通信手段と、前記第１のメモリ手段と第２のメモリ手段のうち、前記第２のメモリ手段からのみ前記画像情報を読み出し可能であり、前記第２のメモリ手段から読み出した画像情報を無線通信にて送信する無線通信手段とを設けたので、メモリカードをカードスロットにいちいち挿入しなくても、書かれている内容を容易に確認することが可能となり、前記メモリカードを使用する装置本体に触るだけで内容の確認を行なうことが可能であり、きわめて使いやすいメモリカードを実現することができる。
また、本発明の他の特徴によれば、無線で使用する場合には、使用する回路やメモリ等を限定することができるので、無線使用時には最小限の電力にて駆動することが可能となり、アンテナの小型化や省電力化を可能にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】補強板、剥離可能な有機物層、片面あるいは両面に回路パターンを備えた可撓性フィルム、除去可能な剥離補助層がこの順に積層された回路基板用部材。
【請求項２】可撓性フィルムの回路パターン上に電子部品が接合された請求項１記載の回路基板用部材。
【請求項３】補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた、片面あるいは両面に回路パターンを備えた可撓性フィルム上に、剥離補助層を形成し、次いで、可撓性フィルムを補強板から剥離し、剥離補助層を除去することを特徴とする回路基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成するために、本発明は以下の部材および製造方法からなる。
（１）補強板、剥離可能な有機物層、片面あるいは両面に回路パターンを備えた可撓性フィルム、除去可能な剥離補助層がこの順に積層された回路基板用部材。
（２）可撓性フィルムの回路パターン上に電子部品が接合された請求項１記載の回路基板用部材。
（３）補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた、片面あるいは両面に回路パターンを備えた可撓性フィルム上に、剥離補助層を形成し、次いで、可撓性フィルムを補強板から剥離し、剥離補助層を除去することを特徴とする回路基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
具体的には、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリスチレン等のビニル系や、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系の樹脂等が挙げられる。中でも、ビニル系樹脂は、安価で製膜が容易であり、可撓性フィルムを補強板から剥離した後、水で容易に除去できること、さらに、除去された溶液を再利用できる長所がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及びプラズマ酸化処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて基板の酸化処理を行うプラズマ酸化処理方法において、
プラズマ発光波長が所望の範囲となるように、プラズマ生成に使用される不活性ガスを選択することを特徴とする基板のプラズマ酸化処理方法。
【請求項２】
前記所望の発光波長は、５００〜６００Åであることを特徴とする請求項１記載の基板の酸化処理方法。
【請求項３】
前記不活性ガスは、クリプトンを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の酸化処理方法。
【請求項４】
前記不活性ガスは、異なる複数種類の混合ガスであることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の基板の酸化処理方法。
【請求項５】
前記基板は、シリコンウェハであることを特徴とする請求項１，２，３又は４に記載の基板の酸化処理方法。
【請求項６】
前記請求項１，２，３，４又は５に記載の方法を用いて製造される半導体基板。
【請求項７】
プラズマを用いて基板の酸化処理を行うプラズマ処理装置において、
被処理基板としての基板が収容される処理容器と；
前記処理容器の上方に設けられ、該処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と；
前記処理容器内に前記プラズマの生成に使用される不活性ガスを導入するガス導入手段とを備え、
前記処理容器内でのプラズマ発光波長が所望の範囲となるように、前記不活性ガスを選択することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記所望の発光波長は、５００〜６００Åであることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記不活性ガスは、クリプトンを含むことを特徴とする請求項７又は８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記不活性ガスは、異なる複数種類の混合ガスであることを特徴とする請求項７，８又は９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記プラズマ生成手段は、スロットを備えたアンテナを有することを特徴とする請求項７，８，９又は１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記アンテナにマイクロ波を導入する手段を更に備えたことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記処理容器の上方に誘電体板が設けられていることを特徴とする請求項７，８，９，１０，１１又は１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記誘電体板は、石英又はＡｌ２Ｏ３からなることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記プラズマ生成手段を冷却する冷却プレートが設けられていることを特徴とする請求項７，８，９，１０，１１，１２，１３又は１４に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  太陽電池と、該太陽電池間を電気的直列に接続するインターコネクタとから構成され、該太陽電池複数個を概直線状に配置し、夫々の太陽電池間をインターコネクタにより電気的直列に接続して成る太陽電池アセンンブリ列と、
上記太陽電池アセンブリ列が所定の間隔を置いて複数配列された絶縁体と、
一部の太陽電池アセンンブリ列を電気的直列に接続して第1の太陽電池ストリングを形成する第1の接続線路と、
他の太陽電池アセンンブリ列を電気的直列に接続して第２の太陽電池ストリングを形成する第２の接続線路とを備え、
上記第1の太陽電池ストリングの太陽電池アセンンブリ列と、
上記第２の太陽電池ストリングの太陽電池アセンンブリ列とが、必ず隣り合うように配列されたことを特徴とする太陽電池パネル。
【請求項２】  太陽電池アセンブリ列が、互いに隣り合う太陽電池モジュールの境界線の中心において点対称性を有するように配列し、
上記隣り合う太陽電池モジュールの境界に位置する太陽電池の最大電位が太陽電池アセンブリ列の最大出力電圧以下であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池パネル。
【請求項３】  太陽電池アセンブリ列が、互いに隣り合う太陽電池モジュールの境界線において線対称性を有するように配列し、
上記隣り合う太陽電池モジュールの境界に位置する太陽電池の最大電位が太陽電池アセンブリ列の最大出力電圧以下であることを特徴とする請求項２記載の太陽電池パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明による太陽電池パネルは、太陽電池と、該太陽電池間を電気的直列に接続するインターコネクタとから構成され、該太陽電池複数個を概直線状に配置し、夫々の太陽電池間をインターコネクタにより電気的直列に接続して成る太陽電池アセンンブリ列と、上記太陽電池アセンブリ列が所定の間隔を置いて複数配列された絶縁体と、一部の太陽電池アセンンブリ列を電気的直列に接続して第1の太陽電池ストリングを形成する第1の接続線路と、他の太陽電池アセンンブリ列を電気的直列に接続して第２の太陽電池ストリングを形成する第２の接続線路とを備え、上記第1の太陽電池ストリングの太陽電池アセンンブリ列と、上記第２の太陽電池ストリングの太陽電池アセンンブリ列とが、必ず隣り合うように配列されたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図３はこの発明の実施の形態１の太陽電池回路構成を示す図である。
図３において、最大出力電圧ｕを有する太陽電池アセンブリ８ａが概直線状にｎ個配列されて太陽電池アセンブリ列９ａが構成されており、太陽電池アセンブリ列９ａは最大出力電圧Ｖ＝ｎ・ｕを有している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施の形態２．
図１はこの発明の実施の形態２を示す平面図である。図２は図１の断面５を示す断面図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図４はこの発明の実施の形態２の太陽電池回路構成を示す図である。
図４において、最大出力電圧ｕを有する太陽電池アセンブリ８ａが概直線状にｎ個配列されて太陽電池アセンブリ列９ａが構成されており、太陽電池アセンブリ列９ａは最大出力電圧Ｖ＝ｎ・ｕを有している。またＮ個の太陽電池アセンブリ列９ａが接続線路１０によって電気的直列に接続され太陽電池ストリング１１ａが構成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
実施の形態３．
図１はこの発明の実施の形態３を示す平面図である。図２は図１の断面５を示す断面図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図５はこの発明の実施の形態３の太陽電池回路構成を示す図である。
図５において、最大出力電圧ｕを有する太陽電池アセンブリ８ａが概直線状にｎ個配列されて太陽電池アセンブリ列９ａが構成されており、太陽電池アセンブリ列９ａは最大出力電圧Ｖ＝ｎ・ｕを有している。またＮ個の太陽電池アセンブリ列９ａが接続線路１０によって電気的直列に接続され太陽電池ストリング１１ａが構成されている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明による実施の形態１から３の平面図である。
【図２】  図１における断面を示した図である。
【図３】  この発明による実施の形態１の太陽電池回路図である。
【図４】  この発明による実施の形態２の太陽電池回路図である。
【図５】  この発明による実施の形態３の太陽電池回路図である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004265926.tif 000001
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004265926.tif 000002
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004265926.tif 000003
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上アーム側の第１電力スイッチング素子を駆動するための上アーム駆動回路と、
下アーム側の第２電力スイッチング素子を駆動するための下アーム駆動回路と、
前記上アーム駆動回路及び前記下アーム駆動回路を駆動するための駆動信号を生成する駆動信号処理回路と、
前記駆動信号処理回路から出力された前記駆動信号を昇圧して前記上アーム駆動回路に供給するためのレベルシフト回路とを有するインバータ駆動装置であって、
前記レベルシフト回路は、ＭＯＳＦＥＴを有し、
前記上アーム駆動回路，前記下アーム駆動回路、及び、前記ＭＯＳＦＥＴは、それぞれ別の半導体チップで構成されていることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載のインバータ駆動装置において、
前記半導体チップは、同一の絶縁配線基板の上に配置され、封止部材により一体に構成されていることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項３】
請求項２記載のインバータ駆動装置において、
前記絶縁配線基板は、多層配線基板であり、
前記多層配線基板の各層の配線導体は、ビアホールにより電気的に接続されていることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項４】
請求項２または３記載のインバータ駆動装置において、
前記絶縁配線基板は、前記半導体チップが配置されている面とは反対の面において、半田ボールを用いた外部出力端子を有することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載のインバータ駆動装置において、
前記上アーム駆動回路は、
前記第１電力スイッチング素子のゲート端子に駆動電力を供給する第１出力段バッファ部と、
前記第１出力段バッファ部を駆動するための駆動信号を出力する第１駆動部とを有し、
前記下アーム駆動回路は、
前記第２電力スイッチング素子のゲート端子に駆動電力を供給する第２出力段バッファ部と、
前記第２出力段バッファ部を駆動するための駆動信号を出力するための第２駆動部とを有することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項６】
請求項５記載のインバータ駆動装置において、
前記第１出力段バッファ部、及び、前記第２出力段バッファ部は、さらに別の半導体チップで構成されていることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項７】
請求項６記載のインバータ駆動装置において、
前記第１出力段バッファ部、及び、前記第２出力段バッファ部は、縦型構造のMOSFETを有することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一に記載のインバータ駆動装置において、
前記第１出力段バッファ部、及び、前記第２出力段バッファ部は、それぞれ、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴとｎチャネルＭＯＳＦＥＴとで構成されていることを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一に記載のインバータ駆動装置において、
前記レベルシフト回路は、電流検知回路を有し、
前記電流検知回路は、前記レベルシフト回路の前記ＭＯＳＦＥＴがオン状態になった場合に流れる信号伝達電流を電圧に変換し、前記上アーム駆動回路の前記駆動部に前記電圧を供給することを特徴とするインバータ駆動装置。
【請求項１０】
上アーム側の複数の第１電力スイッチング素子と、
下アーム側の複数の第２電力スイッチング素子と、
前記複数の第１電力スイッチング素子及び複数の前記第２電力スイッチング素子を駆動するための複数の駆動装置とを有するインバータであって、
前記駆動装置は、前記第１電力スイッチング素子を駆動するための上アーム駆動回路と、
前記第２電力スイッチング素子を駆動するための下アーム駆動回路と、
前記上アーム駆動回路及び前記下アーム駆動回路を駆動するための駆動信号を生成する駆動信号処理回路と、
前記駆動信号処理回路から出力された前記駆動信号を昇圧して前記上アーム駆動回路に供給するためのレベルシフト回路とを有し、
前記レベルシフト回路は、ＭＯＳＦＥＴを有し、
前記上アーム駆動回路，前記下アーム駆動回路、及び、前記ＭＯＳＦＥＴは、それぞれ別の半導体チップで構成され、
前記半導体チップは、同一の絶縁配線基板の上に配置され、封止部材により一体に構成されていることを特徴とするインバータ。
【請求項１１】
請求項１０記載のインバータにおいて、
前記インバータ装置は、前記第１電力スイッチング素子、及び、前記第２電力スイッチング素子の接続点にて構成される出力端子と、
前記上アーム駆動回路に供給するための電源とを有し、
前記電源の正極側は、前記上アーム駆動回路の正極側に接続され、
前記電源の負極側は、前記上アーム駆動回路の負極側、及び、前記出力端子に接続され、
前記電源と前記上アーム駆動回路との間は、絶縁回路素子により絶縁されていることを特徴とするインバータ。
【請求項１２】
請求項１１記載のインバータにおいて、
前記インバータ装置は、前記駆動装置を搭載するための基板を有し、
前記駆動装置の前記絶縁配線基板は、前記半導体チップが配置されている面とは反対の面において、半田ボールを用いた外部出力端子を有し、
前記駆動装置の前記絶縁配線基板は、前記外部出力端子を介して、前記基板と電気的に接続されていることを特徴とするインバータ。
【請求項１３】
請求項１２記載のインバータにおいて、
前記第１電力スイッチング素子、及び、前記第２電力スイッチング素子は、ＩＧＢＴであることを特徴とするインバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光検出素子と前記光検出素子に接続された１つ以上の薄膜トランジスタとを１画素に形成し、前記光検出素子の一部が前記薄膜トランジスタの少なくとも一部の上に積層されて配置し、前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、第１のゲート電極、及び前記ソース電極・ドレイン電極に対し前記第１のゲート電極と反対側に配置された第２のゲート電極から成ることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】  前記薄膜トランジスタは、少なくとも絶縁基板上に順に第１のゲート電極、絶縁層、半導体層、高不純物濃度半導体層、ソース・ドレイン電極、絶縁層、第２のゲート電極から成るダブルゲート型薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】  前記第２のゲート電極は、前記ソース電極・ドレイン電極間のギャップ部の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】  前記ソース電極又はドレイン電極の一方は信号処理回路につながる転送配線と接続されており、前記第２のゲート電極は前記転送配線と接続されたソース電極又はドレイン電極の一方と二次元的に重ならないことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】  前記第２のゲート電極と前記第１のゲート電極は、ゲート配線により１つのゲートドライバ回路に接続されており、前記ゲートドライバ回路により制御されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】  前記第２のゲート電極が、光検出素子を構成する電極材料と同時に成膜されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】  前記光検出素子が、少なくとも絶縁層、半導体層、高不純物濃度半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】  前記光検出素子が、少なくとも第１の高不純物濃度半導体層、半導体層、第１の高不純物濃度半導体層と反対導電型の第２の高不純物濃度半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項９】  前記光検出素子が、放射線を直接光電変換する放射線検出素子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】  請求項１〜８のいずれかに記載された固体撮像装置の前記光検出素子上に、波長変換体を配置したことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１１】  基板と前記基板上に配置されを光検出素子と、前記光検出素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを有し、
前記光検出素子の一部が前記薄膜トランジスタの少なくとも一部の上に重なって配置されており、
前記薄膜トランジスタはソース電極、ドレイン電極、第１のゲート電極と、前記ソース電極・ドレイン電極に対しボトム電極である第１のゲート電極と反対側に配置した第２のゲート電極から成ることを特徴とする固体撮像装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記光検出素子のセンサ電極、前記薄膜トランジスタのゲート電極用の導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記光検出素子のセンサ電極、前記薄膜トランジスタの第１のゲート電極を形成する工程と、
前記基板の上方に、前記光検出素子の共通電極、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極用の導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記共通電極を形成する工程と、
前記導電膜を更にパターニングすることにより、前記前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記導電膜上の絶縁膜の更に上方に、前記第２のゲート電極用の導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記第２のゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子を有する固体撮像装置において、１つ以上のスイッチ素子の上に光電変換素子が積層され、前記スイッチ素子と前記光電変換素子との間にシールド電極層を配置したことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】  １つの光電変換素子と１つ以上のスイッチ素子を１画素に配置したことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】  前記光電変換素子は光電変換層を有し、前記光電変換層は、絶縁層、半導体層、高不純物濃度の半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】  前記光電変換素子は光電変換層を有し、前記光電変換層は、第１の高不純物濃度の半導体層、半導体層、前記第１の高不純物濃度の半導体層とは反対導電型の第２の高不純物濃度の半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】  前記シールド電極層は、前記スイッチ素子のソース・ドレイン電極の一方に接続された信号線上に積層されていないことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】  前記第シールド電極層は、一定電位に保持されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】  前記第シールド電極層は、ＧＮＤに接続されていることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】  前記スイッチ素子はＴＦＴで構成され、シールド電極層は前記ＴＦＴのチャネル上部を覆うよう配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項９】  前記シールド電極層は、前記ＴＦＴのチャネル幅以下でＴＦＴ駆動配線とクロスするよう配置されていることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】  前記シールド電極層は、高融点金属で形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】  前記シールド電極層は、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、またはチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、又はモリブデンタングステン（ＭｏＷ）で形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】  前記シールド電極層は、ゲート電極層、ソース・ドレイン電極層、センサバイアス電極層よりも薄い電極層であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】  前記固体撮像装置は、ゲート電極層、ゲート絶縁層、第１のアモルファス半導体層、第１ｎ型半導体層、ソース・ドレイン電極層、第１層間絶縁層、シールド電極層、第２層間絶縁層、センサ下電極層、絶縁層、第２のアモルファス半導体層、第２ｎ型半導体層、透明電極層、センサバイアス電極層で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】  １つの光電変換素子と１つ以上のＴＦＴを１画素に配置したことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】  請求項１〜９のいずれかに記載の固体撮像装置における光電変換素子上に波長変換体を配置したことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１６】  １つの光電変換素子と１つ以上のスイッチ素子を１画素に配置したことを特徴とする請求項１５に記載の放射線撮像装置。
【請求項１７】  放射線を直接電荷に変換する放射線変換層と複数のスイッチ素子を有する放射線撮像装置において、１つ以上のスイッチ素子の上に放射線変換層が積層され、前記スイッチ素子と前記放射線変換層との間にシールド電極層を配置したことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１８】  前記放射線撮像装置は、ゲート電極層、ゲート絶縁層、第１のアモルファス半導体層、第１ｎ型半導体層、ソース・ドレイン電極層、第１層間絶縁層、シールド電極層、第２層間絶縁層、センサ下電極層、放射線変換層、センサバイアス電極層で構成されていることを特徴とする請求項１７に記載の放射線撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、前記半導体変換素子の下層に形成された複数個の薄膜トランジスタとから成る画素が、絶縁基板上にマトリクス状に配設された放射線撮像装置において、
前記薄膜トランジスタは、ソース及びドレイン電極、ソース及びドレイン領域を成す高濃度不純物半導体層、チャネル部を含む半導体層、絶縁層、及びゲート電極を有し、前記絶縁基板上に、前記ソース及びドレイン電極、前記高濃度不純物半導体層、前記半導体層、前記絶縁層、及び前記ゲート電極の順に順次形成されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】  前記ゲート電極は、前記ソース及びドレイン電極と重なるよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】  前記ゲート電極は、前記ソース及びドレイン電極と重ならないよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】  前記ソース及びドレイン電極は、前記高濃度不純物半導体層で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】  前記絶縁基板と前記薄膜トランジスタとの間に、絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】  前記絶縁基板と前記薄膜トランジスタとの間に形成された前記絶縁層は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、及びＳｉＯＮのいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】  放射線を波長変換する波長変換体と、波長変換された放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、前記半導体変換素子の下層に形成された複数個の薄膜トランジスタとから成る画素が、絶縁基板上にマトリクス状に配設された放射線撮像装置において、
前記薄膜トランジスタは、ソース及びドレイン電極、ソース及びドレイン領域を成す高濃度不純物半導体層、チャネル部を含む半導体層、絶縁層、及びゲート電極を有し、前記絶縁基板上に、前記ソース及びドレイン電極、前記高濃度不純物半導体層、前記半導体層、前記絶縁層、及び前記ゲート電極の順に順次形成されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置により得られた電気信号に基づいて撮像対象の画像を生成する処理手段と、
前記処理手段により生成された画像を表示する表示手段とを有することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射し、結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射し、結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射し、結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の平均面粗さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射し、結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、かつ、前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の平均面粗さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記光強度の照射条件を、照射するレーザショット数またはレーザ照射エネルギーを制御することによって管理することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項６】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射して形成する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射して形成する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射して形成する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の平均面粗さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射して形成する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法において、
前記レーザ光を照射する際の光強度の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、
前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、かつ、前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の平均面粗さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記光強度の照射条件を、照射するレーザショット数またはレーザ照射エネルギーを制御することによって管理することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
結晶性の良否を判断する基準３として、
３）結晶性半導体膜表面の二乗平均面粗さＲｍｓ値が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがあげられる。なお、ここでいう、二乗平均面粗さとは、表面の凹凸の２乗平均の平方根である。測定領域は、半導体膜の任意の１０μｍ×１０μｍの領域であり、本明細書中におけるＰ−Ｖ値、Ｒａ値、Ｒｍｓ値は、すべて半導体膜表面の任意の１０μｍ×１０μｍを測定範囲とするが、本発明はこれに限定されない。測定範囲は、１０μｍ×１０μｍより狭くても広くてもよい。測定領域のＰ−Ｖ値、Ｒａ値、Ｒｍｓ値の測定は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）など半導体膜に形成される凹凸の最大高低差、平均面粗さ、または二乗平均面粗さを測定できる手段なら何を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  撮像手段により撮像された物品の画像データと、物品に装着された物品の識別情報とを対応付けて記憶する記憶手段と、
前記記憶手段にて記憶された画像データから任意の画像データの選択を指示する選択指示手段と、
前記選択指示手段により選択指示された複数の画像データを合成するとともに、前記選択指示手段により選択指示された前記複数の画像データに対応する前記物品の識別情報をグループ化することにより、複数の物品をグループ化するグループ生成手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  前記グループ生成手段は、グループ化した前記複数の物品に更に新たな物品を追加して新たなグループを生成することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  前記グループ生成手段は、グループ化した前記複数の物品から任意の物品を削除して新たなグループを生成することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】  前記撮像手段により撮像された画像データおよび前記グループ生成手段により合成された合成画像データを表示する表示手段を更に有し、
前記表示手段は、前記選択指示手段により指示された画像データを指示されていない画像データと識別可能に表示することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】  物品に装着された識別情報を取得する識別情報取得手段と、
前記識別情報取得手段より物品の識別情報を新たに取得した場合、前記選択指示手段にて選択された前記画像データに対応付けて記憶される複数の物品の識別情報を前記記憶手段から抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により抽出された前記複数の物品の識別情報と、前記新たに取得した物品の識別情報とを照合する照合手段と、
前記照合手段による照合結果を通知する通知手段とを更に有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】  撮像手段により撮像された物品の画像データと、物品に装着された物品の識別情報とを対応付けて記憶する記憶工程と、
前記記憶工程にて記憶された画像データから任意の画像データの選択を指示する選択指示工程と、
前記選択指示工程により選択指示された複数の画像データを合成する画像合成工程と、
前記選択指示工程により選択指示された前記複数の画像データに対応する前記物品の識別情報をグループ化するグループ生成工程とを有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、物品の識別情報を利用して物品管理が行い得る情報処理装置及びその制御方法に関するものでる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
斯かる目的を達成するために、本発明の情報処理装置は、撮像手段により撮像された物品の画像データと、物品に装着された物品の識別情報とを対応付けて記憶する記憶手段と、前記記憶手段にて記憶された画像データから任意の画像データの選択を指示する選択指示手段と、前記選択指示手段により選択指示された複数の画像データを合成するとともに、前記選択指示手段により選択指示された前記複数の画像データに対応する前記物品の識別情報をグループ化することにより、複数の物品をグループ化するグループ生成手段とを有することを特徴としている。
また、本発明の情報処理装置の制御方法は、撮像手段により撮像された物品の画像データと、物品に装着された物品の識別情報とを対応付けて記憶する記憶工程と、前記記憶工程にて記憶された画像データから任意の画像データの選択を指示する選択指示工程と、前記選択指示工程により選択指示された複数の画像データを合成する画像合成工程と、前記選択指示工程により選択指示された前記複数の画像データに対応する前記物品の識別情報をグループ化するグループ生成工程とを有することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
【発明の効果】
本発明によれば、物品管理処理に伴う入力の手間や入力ミス等の欠点を解消するとともに、物品管理を正確に行うことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の電極層と、該電極層間に設けられ、且つ、第１の金属酸化物及び金属硫化物のうち少なくとも１種から構成される母体材料中に発光中心がドープされた発光体層とを備えるＥＬ素子に用いられるＥＬ機能膜であって、
前記電極層間に配置され、前記発光体層の少なくとも一側に設けられ、且つ、主成分として第２の金属酸化物を含むものである、ＥＬ機能膜。
【請求項２】  前記第２の金属酸化物は、前記第１の金属酸化物又は前記金属硫化物を構成する金属元素のうち少なくとも１種と同一の金属元素を含む、請求項１記載のＥＬ機能膜。
【請求項３】  前記第２の金属酸化物がガリウム酸化物、希土類金属酸化物、亜鉛酸化物又はアルミニウム酸化物である、請求項１又は２記載のＥＬ機能膜。
【請求項４】  前記第２の金属酸化物中に金属元素がドープされて成る、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＬ機能膜。
【請求項５】  前記第２の金属酸化物中にドープされる金属元素が、前記発光中心を形成する金属元素と同一の金属元素である、請求項４記載のＥＬ機能膜。
【請求項６】  前記第１の金属酸化物がマグネシウム原子、ガリウム原子及び酸素原子を含むものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＬ機能膜。
【請求項７】  前記第１の金属酸化物及び前記金属硫化物のうち少なくとも１種から構成される母体材料にドープされる発光中心がユーロピウムである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＥＬ機能膜。
【請求項８】  前記第２の金属酸化物がガリウム酸化物であり、前記第２の金属酸化物中にドープされる金属元素がユーロピウムである、請求項４〜７のいずれか一項に記載のＥＬ機能膜。
【請求項９】  当該ＥＬ機能膜は、前記電極層と前記発光体層との間に単一層として設けられるものである、請求項１〜８のいずれか一項に記載のＥＬ機能膜。
【請求項１０】  前記発光体層が、バリウム原子及びアルミニウム原子を含むとともにバリウム原子の一部がマグネシウム原子に置換された金属硫化物から構成される母体材料中に発光中心がドープされたものであり、
前記第２の金属酸化物が、マグネシウム原子、バリウム原子及びアルミニウム原子のうちの少なくとも１種の原子を含むものである、請求項１記載のＥＬ機能膜。
【請求項１１】  第１の電極層と、
前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
前記第１及び第２の電極層間に配置され、第１の金属酸化物及び金属硫化物のうち少なくとも１種から構成される母体材料に発光中心がドープされた発光体層と、
前記第１及び第２の電極層間に配置され、前記発光体層の少なくとも一側に形成されており、且つ、主成分として第２の金属酸化物を含むＥＬ機能膜から構成されるＥＬ機能層と、
を備えるＥＬ素子。
【請求項１２】  前記第２の金属酸化物がガリウム酸化物である、請求項１１記載のＥＬ素子。
【請求項１３】  前記第２の金属酸化物中にユーロピウムがドープされて成る、請求項１１又は１２記載のＥＬ素子。
【請求項１４】
前記発光体層が、バリウム原子及びアルミニウム原子を含むとともにバリウム原子の一部がマグネシウム原子に置換された金属硫化物から構成される母体材料中に発光中心がドープされたものであり、
前記第２の金属酸化物が、マグネシウム原子、バリウム原子及びアルミニウム原子のうちの少なくとも一種の原子を含むものである請求項１１記載のＥＬ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カーボン材料表面にイオン解離性の基を有する、電子伝導性およびイオン伝導性を有する混合伝導カーボン。
【請求項２】  カーボン材料が、カーボンファイバーであることを特徴とする請求項１に記載の混合伝導カーボン。
【請求項３】  カーボンファイバーの直径が、５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載の混合導電カーボン。
【請求項４】  カーボンファイバーが、プレートレット型またはヘリングボーン型のカーボンファイバーであることを特徴とする請求項２または３に記載の混合伝導カーボン。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれかに記載の混合伝導カーボンを備えた電極。
【請求項６】  カーボン材料を無水硫酸または発煙硫酸中で処理して、スルホン酸基を導入することを特徴とする混合伝導カーボンの製造方法。
【請求項７】  カーボン材料の表面を酸化処理した後、プロトン解離性の基または水酸イオン解離性の基を有する分子を反応させることを特徴とする混合伝導カーボンの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオン伝導性硫化物ガラスを製造するにあたり、出発原料として、結晶粒子径が１４０ｎｍ以下の硫化リチウムを含む原料を用い、該原料をメカニカルミリングによりガラス化させることを特徴とする、リチウムイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法。
【請求項２】
硫化リチウム以外の出発原料が、硫黄及びリンから選ばれる一種以上の元素を含むものである請求項１に記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の、メカニカルミリングによりガラス化したリチウムイオン伝導性硫化物ガラスをガラス転移温度以上で焼成することを特徴とする、リチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスの製造方法。
【請求項４】
１５０℃以上で焼成することを特徴とする請求項３に記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスの製造方法。
【請求項５】
前記焼成を真空下又は不活性ガス存在下で行なうことを特徴とする請求項３又は４に記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスの製造方法。
【請求項６】
前記硫化物ガラスの分解電圧が、少なくとも３Ｖであることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法。
【請求項７】
前記硫化物ガラスセラミックスの分解電圧が、少なくとも３Ｖであることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスの製造方法。
【請求項８】
原料として結晶粒子径が１４０ｎｍ以下の硫化リチウム、単体硫黄及び単体リンを順次１：０．５〜３．５：０．２〜１．５の混合モル比で用いたリチウムイオン伝導性硫化物ガラス。
【請求項９】
原料として結晶粒子径が１４０ｎｍ以下の硫化リチウム及び五硫化リンを順次１：０．０５〜１．０の混合モル比で用いたリチウムイオン伝導性硫化物ガラス。
【請求項１０】
原料として結晶粒子径が１４０ｎｍ以下の硫化リチウム、単体硫黄及び単体リンを順次１：０．５〜３．５：０．２〜１．５の混合モル比で用いたリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックス。
【請求項１１】
原料として結晶粒子径が１４０ｎｍ以下の硫化リチウム及び五硫化リンを順次１：０．０５〜１．０の混合モル比で用いたリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックス。
【請求項１２】
請求項１、２及び６に記載の方法で製造されたリチウムイオン伝導性硫化物ガラス、請求項８及び９に記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスから選ばれる少なくとも１種を固体電解質として用いることを特徴とする全固体型電池。
【請求項１３】
請求項３〜５及び７に記載の方法で製造されたリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックス、請求項１０及び１１に記載のリチウムイオン伝導性硫化物ガラスセラミックスから選ばれる少なくとも１種を固体電解質として用いることを特徴とする全固体型電池。