【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長室と、該成長室に導入される少なくとも１つの窒素前駆物質とを含む、発光素子を製造するためのシステムであって、該窒素前駆物質は少なくとも１つのＩＩＩ族原子と少なくとも１つの窒素原子との直接結合を有し、該窒素前駆物質は該成長室に導入されると該発光素子の活性領域の一部を構成する層を形成し、該層はインジウム、ガリウム、ヒ素、及び窒素を含み、該活性領域は約１．２〜１．６マイクロメートルの波長範囲の光を生成するシステム。
【請求項２】
前記直接結合が、ガリウム・窒素直接結合とインジウム・窒素直接結合とからなるグループから選択される請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記直接結合が、アルミニウムをさらに含む前記活性領域を生ずるアルミニウム・窒素直接結合と、ホウ素をさらに含む前記活性領域を生ずるホウ素・窒素直接結合とからなるグループから選択される請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記成長室が、有機金属化学気相成長リアクタである請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、及び窒素（Ｎ）を含む前記層の製造のために要する少なくとも１つの前記窒素前駆物質の流量が、前記直接結合を有しない窒素前駆物質が用いられた場合の流量の約１０００分の１である請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記窒素前駆物質が、ジエチルガリウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＧａＮ3、ジメチルガリウムアミド（ＣＨ3）2ＧａＮＨ2、ジメチルアミノジエチルガリウム（Ｃ2Ｈ5）2ＧａＮ（ＣＨ3）2，ジエチルインジウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＩｎＮ3、ジメチルインジウムアミド（ＣＨ3）2ＩｎＮＨ2、およびジメチルアミノジエチルインジウム（Ｃ2Ｈ5）2ＩｎＮ（ＣＨ3）2からなるグループから選択される請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記窒素前駆物質が、ジエチルアルミニウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＡｌＮ3、ジメチルアルミニウムアミド（ＣＨ3）2ＡｌＮＨ2、ジメチルアミノジエチルアルミニウム（Ｃ2Ｈ5）2ＡｌＮ（ＣＨ3）2、ジエチルボロンアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＢＮ3、ジメチルボロンアミド（ＣＨ3）2ＢＮＨ2、およびジメチルアミノジエチルボロン（Ｃ2Ｈ5）2ＢＮ（ＣＨ3）2からなるグループから選択される請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
基板と、光共振器と、該光共振器内に配置された活性領域とを含む発光素子であって、該活性領域はインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、及び窒素（Ｎ）を含み、該活性領域は約１．２〜１．６マイクロメートルの波長範囲の光を生成し、該活性領域の少なくとも一部は少なくとも１つのＩＩＩ族原子と少なくとも１つの窒素原子との直接結合を有する窒素前駆物質を用いることによって成長させる、発光素子。
【請求項９】
前記活性領域がさらに、少なくとも１つのインジウムガリウム砒素窒素量子井戸層および少なくとも１つのガリウム砒素緩衝層を含む請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記直接結合が、ガリウム・窒素結合と、インジウム・窒素結合とからなるグループから選択される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記直接結合が、アルミニウムをさらに含む前記活性領域を生ずるアルミニウム・窒素結合と、ホウ素をさらに含む前記活性領域を生ずるホウ素・窒素結合とからなるグループから選択される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１２】
活性領域の製造のために要する少なくとも１つの前記窒素前駆物質の流量が、異なる前駆物質が用いられた場合の流量の約１０００分の１である請求項８に記載の発光素子。
【請求項１３】
第１の分布型ブラッグ反射器と、第２の分布型ブラッグ反射器とをさらに含み、前記光共振器が、該第１の分布型ブラッグ反射器と該第２の分布型ブラッグ反射器との間に配置される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１の分布型ブラッグ反射器がさらに一連の層の対を含み、該一連の層の対の中で各対がシリコンドープアルミニウム層（Ａｌ）xＧａ1-xＡｓ（０．８＜ｘ≦１）層とシリコンドープガリウム砒素層とから構成される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２の分布型ブラッグ反射器がさらに一連の層の対を含み、該一連の層の対の中で各対がアルミニウム（Ａｌ）xＧａ1-xＡｓ（０．８＜ｘ≦１）層とＡｌyＧａ1-yＡｓ（０≦ｙ＜０．２）層とから構成される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記光共振器が、第１光導波層および第２光導波層をさらに含み、
前記活性領域が前記第１光導波層と前記第２光導波層との間に位置する請求項８に記載の発光素子。
【請求項１７】
第１クラッディング層および第２クラッディング層をさらに含み、前記光共振器が、前記第１クラッディング層と第２クラッディング層との間に位置する請求項８に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記窒素前駆物質が、ジエチルガリウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＧａＮ3、ジメチルガリウムアミド（ＣＨ3）2ＧａＮＨ2、ジメチルアミノジエチルガリウム（Ｃ2Ｈ5）2ＧａＮ（ＣＨ3）2、ジエチルインジウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＩｎＮ3、ジメチルインジウムアミド（ＣＨ3）2ＩｎＮＨ2、およびジメチルアミノジエチルインジウム（Ｃ2Ｈ5）2ＩｎＮ（ＣＨ3）2からなるグループから選択される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記窒素前駆物質が、ジエチルアルミニウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＡｌＮ3、ジメチルアルミニウムアミド（ＣＨ3）2ＡｌＮＨ2、ジメチルアミノジエチルアルミニウム（Ｃ2Ｈ5）2ＡｌＮ（ＣＨ3）2、ジエチルボロンアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＢＮ3、ジメチルボロンアミド（ＣＨ3）2ＢＮＨ2、およびジメチルアミノジエチルボロン（Ｃ2Ｈ5）2ＢＮ（ＣＨ3）2からなるグループから選択される請求項８に記載の発光素子。
【請求項２０】
基板を提供するステップと少なくとも１つのＩＩＩ族原子と少なくとも１つの窒素原子との直接結合を有する少なくとも１つの窒素前駆物質を用いて、該基板上にインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、及び窒素（Ｎ）を含む層を成長させるステップとを含む半導体構造体の製造方法。
【請求項２１】
前記直接結合が、ガリウム・窒素直接結合と、インジウム・窒素直接結合とからなるグループから選択される請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＩｎＧａＡｓＮ層が、少なくとも１つのＩｎＧａＡｓＮ量子井戸層を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＩｎＧａＡｓＮ層が、約１．２〜１．６マイクロメートルの波長範囲の光を生成する請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記直接結合が、アルミニウムをさらに含む前記ＩｎＧａＡｓＮ層を生ずるアルミニウム・窒素結合と、ホウ素をさらに含む前記ＩｎＧａＡｓＮ層を生ずるホウ素・窒素結合とからなるグループから選択される請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、及び窒素（Ｎ）を含む前記層を成長させるために要する前記少なくとも１つの窒素前駆物質の流量は、前記直接結合を有しない窒素前駆物質が用いられた場合の流量の約１０００分の１である請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記窒素前駆物質が、ジエチルガリウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＧａＮ3、ジメチルガリウムアミド（ＣＨ3）2ＧａＮＨ2、ジメチルアミノジエチルガリウム（Ｃ2Ｈ5）2ＧａＮ（ＣＨ3）2，ジエチルインジウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＩｎＮ3、ジメチルインジウムアミド（ＣＨ3）2ＩｎＮＨ2、およびジメチルアミノジエチルインジウム（Ｃ2Ｈ5）2ＩｎＮ（ＣＨ3）2からなるグループから選択される請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記窒素前駆物質が、ジエチルアルミニウムアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＡｌＮ3、ジメチルアルミニウムアミド（ＣＨ3）2ＡｌＮＨ2、ジメチルアミノジエチルアルミニウム（Ｃ2Ｈ5）2ＡｌＮ（ＣＨ3）2、ジエチルボロンアジド（Ｃ2Ｈ5）2ＢＮ3、ジメチルボロンアミド（ＣＨ3）2ＢＮＨ2、およびジメチルアミノジエチルボロン（Ｃ2Ｈ5）2ＢＮ（ＣＨ3）2からなるグループから選択される請求項２０に記載の方法。