Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アンテナエレメントとアンテナ回路が設けられた基板であって、前記アンテナエレメント用のアース層と前記アンテナ回路用のアース層を有する基板アンテナにおいて、
前記アンテナエレメントと前記アンテナエレメント用のアース層間の距離と、前記アンテナ回路と前記アンテナ回路用のアース層間の距離とを異ならせたことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項２】  誘電体層を複数層備えた多層回路基板の何れかの層に形成した金属箔をアンテナエレメント或いはアース層として使用すると共に、この多層回路基板上にアンテナ回路を配置した基板アンテナであって、
前記アンテナエレメントからこのアンテナエレメントに対向するように別の層に形成した前記アンテナエレメントのアース層までの間の距離を、前記アンテナ回路からこのアンテナ回路に対向するように別の層に形成した前記アンテナ回路のアース層までの間の距離と異ならせたことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項３】  請求項２に記載の基板アンテナであって、
前記多層回路基板の中間層を、前記アンテナエレメントと前記アンテナ回路の共通アース層とし、この共通アース層から見た一方の側に前記誘電体層を介して前記アンテナエレメントを形成し、他方の側に前記誘電体層を介して前記アンテナ回路を形成したことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項４】  請求項１又は２に記載の基板アンテナであって、
前記アンテナエレメントと前記アンテナ回路とを同一層に形成したことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項５】  請求項１から４の何れか１項に記載の基板アンテナであって、
前記アンテナエレメントからそのアース層までの間の距離を、前記アンテナ回路からそのアース層までの間の距離よりも長くしたことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項６】  請求項２又は３に記載の基板アンテナであって、
前記アンテナエレメントのアース層を前記多層回路基板の裏面全体に形成し、前記アンテナ回路のアース層を前記多層回路基板の中間層に形成したことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項７】  請求項２，３，６の何れか１項に記載の基板アンテナであって、
前記アンテナ回路に対して、アンテナエレメントとそのアース層の組を、複数個前記多層回路基板に形成し、前記アンテナ回路には、複数個のアンテナエレメントからの信号を混合する混合器を設けたことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項８】  請求項２，３，６の何れか１項に記載の基板アンテナであって、
前記アンテナ回路に対して、アンテナエレメントとそのアース層の組を、複数個前記多層回路基板に形成すると共に、アース層が不要なアンテナエレメントを少なくとも１つ形成し、前記アンテナ回路には、複数個のアンテナエレメントからの信号を混合する混合器を設けたことを特徴とする基板アンテナ。
【請求項９】  請求項８に記載の基板アンテナであって、
前記アース層が不要なアンテナエレメントの設置位置に対向する部位を除く前記多層回路基板の裏面全体に、その他の前記アンテナエレメントのアース層を形成したことを特徴とする基板アンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成する本発明の第１の形態の基板アンテナは、アンテナエレメントとアンテナ回路が設けられた基板であって、アンテナエレメント用のアース層とアンテナ回路用のアース層を有する基板アンテナにおいて、アンテナエレメントとアンテナエレメント用のアース層間の距離と、アンテナ回路とアンテナ回路用のアース層間の距離とを異ならせたことを特徴としている。
また、本発明の第２の形態の基板アンテナは、誘電体層を複数層備えた多層回路基板の何れかの層に形成した金属箔をアンテナエレメント或いはアース層として使用すると共に、この多層回路基板上にアンテナ回路を配置した基板アンテナであって、アンテナエレメントからこのアンテナエレメントに対向するように別の層に形成した前記アンテナエレメントのアース層までの間の距離を、アンテナ回路からこのアンテナ回路に対向するように別の層に形成したアンテナ回路のアース層までの間の距離と異ならせたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の第３の形態の基板アンテナは、第２の形態の基板アンテナにおいて、多層回路基板の中間層を、アンテナエレメントとアンテナ回路の共通アース層とし、この共通アース層から見た一方の側に誘電体層を介してアンテナエレメントを形成し、他方の側に誘電体層を介してアンテナ回路を形成したことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第４の形態の基板アンテナは、第１又は２の形態の基板アンテナにおいて、アンテナエレメントとアンテナ回路とを同一層に形成したことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第５の形態の基板アンテナは、第１から第４の何れかの形態の基板アンテナにおいて、アンテナエレメントからそのアース層までの間の距離を、アンテナ回路からそのアース層までの間の距離よりも長くしたことを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第６の形態の基板アンテナは、第２又は３の形態の基板アンテナにおいて、アンテナエレメントのアース層を多層回路基板の裏面全体に形成し、アンテナ回路のアース層を多層回路基板の中間層に形成したことを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第７の基板アンテナは、第２，３，６の何れかの形態の基板アンテナにおいて、アンテナ回路に対して、アンテナエレメントとそのアース層の組を、複数個多層回路基板に形成し、アンテナ回路には、複数個のアンテナエレメントからの信号を混合する混合器を設けたことを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第８の形態の基板アンテナは、第２，３，６の何れかの形態の基板アンテナにおいて、アンテナ回路に対して、アンテナエレメントとそのアース層の組を、複数個多層回路基板に形成すると共に、アース層が不要なアンテナエレメントを少なくとも１つ形成し、アンテナ回路には、複数個のアンテナエレメントからの信号を混合する混合器を設けたことを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第９の形態の基板アンテナは、第８の形態の基板アンテナにおいて、アース層が不要なアンテナエレメントの設置位置に対向する部位を除く前記多層回路基板の裏面全体に、その他のアンテナエレメントのアース層を形成したことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  印刷用データに基づいて画像データおよび該画像データの画素毎の属性を示す属性情報を生成する生成手段と、
前記画像データに対して非可逆圧縮処理を施し、前記属性情報に対して可逆圧縮処理を施す圧縮手段と、
前記圧縮手段で圧縮された画像データと属性情報を格納する格納手段と、
前記格納手段に格納された画像データと属性情報を復号する復号手段と、
階調補正の実施の有無を指示する指示手段と、
前記復号手段で復号された画像データの各画素に対する前記階調補正を、前記指示手段による指示ならびに前記復号手段で復号された属性情報に基づいて制御する補正手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】  前記補正手段は、前記指示手段により前記階調補正を実施しないと指示された場合に、前記属性情報の値を前記階調補正の実施が禁止される値に変更することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】  印刷用データに基づいて画像データおよび該画像データの画素毎の属性を示す属性情報を生成する生成工程と、
前記画像データに対して非可逆圧縮処理を施し、前記属性情報に対して可逆圧縮処理を施す圧縮工程と、
前記圧縮工程で圧縮された画像データと属性情報を記憶手段に格納する格納工程と、
前記記憶手段に格納された画像データと属性情報を復号する復号工程と、
階調補正の実施の有無を指示させる指示工程と、
前記復号工程で復号された画像データの各画素に対する前記階調補正を、前記指示工程による指示ならびに前記復号工程で復号された属性情報に基づいて制御する補正工程とを備えることを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明による画像処理装置は以下の構成を備える。印刷用データに基づいて画像データおよび該画像データの画素毎の属性を示す属性情報を生成する生成手段と、
前記画像データに対して非可逆圧縮処理を施し、前記属性情報に対して可逆圧縮処理を施す圧縮手段と、
前記圧縮手段で圧縮された画像データと属性情報を格納する格納手段と、
前記格納手段に格納された画像データと属性情報を復号する復号手段と、
階調補正の実施の有無を指示する指示手段と、
前記復号手段で復号された画像データの各画素に対する前記階調補正を、前記指示手段による指示ならびに前記復号手段で復号された属性情報に基づいて制御する補正手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び方法
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池システムであって、
燃料電池と、
発電に用いられるガスを、該燃料電池に給排するガス給排部と、
前記燃料電池システムの起動時に、該ガス給排部を含む所定の部位の凍結を判定する凍結判定手段と、
前記ガス給排部の少なくとも一部について、前記凍結判定手段により凍結が検出された場合には、前記燃料電池システムの起動を禁止するシステム起動禁止手段とを備える燃料電池システム。
【請求項２】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
該燃料電池システムの、少なくとも一部の部位で温度を測定する温度測定手段を備えており、
前記凍結判定手段は、前記温度測定手段により測定された温度が所定値以下の場合に、凍結と判定する燃料電池システム。
【請求項３】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
前記ガス給排部の圧力を測定する圧力測定手段を備えており、
前記凍結判定手段は、前記圧力測定手段により測定された圧力に基づき、凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項４】  前記凍結判定手段は、前記圧力測定手段により測定された圧力が、所定の範囲外の場合に凍結していると判定する請求項３記載の燃料電池システム。
【請求項５】  請求項３記載の燃料電池システムであって、
前記ガス給排部に設置され、前記給排の量を調節する調節機構を備え、
前記凍結判定手段は、前記調節機構の作動時に、前記圧力測定手段により測定される圧力変動に基づき、凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項６】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
該燃料電池システムに設置され、前記ガス給排部のガス給排を行うための電動部品を備えており、
前記凍結判定手段は、前記各電動部品に供給される電力に基づき、凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項７】  請求項６記載の燃料電池システムであって、
電動部品の駆動を制御する駆動制御部を備え、
前記凍結判定手段は、前記供給された電力により、前記電動部品の駆動指令値と、駆動時の実測値との比較に基づいて、凍結を判定する燃料電池システム。
【請求項８】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
前記システム起動禁止手段は、前記凍結判定手段により凍結と判定された前記燃料電池システムの部位が、前記ガス給排部のうちの、前記燃料電池のアノードオフガスを前記燃料電池の外部に排出するための排出バルブのみである場合には、該システムの起動を許可し、
前記起動により発電された電力および熱の少なくとも一方を利用して、前記凍結部品の解凍を行う解凍手段を備える燃料電池システム。
【請求項９】  請求項１記載の燃料電池システムであって、
更に、
前記凍結判定手段により行われる凍結判定処理に関する情報をユーザに通知する通知手段を備える燃料電池システム。
【請求項１０】  燃料電池システムの発電に用いられるガスを、該燃料電池に給排するガス給排部を備える燃料電池システムの起動制御方法であって、
前記燃料電池システムの起動時に、該ガス給排部を含む所定の部位の凍結を判定する凍結判定工程と、
前記ガス給排部の少なくとも一部について、凍結が検出された場合には、前記燃料電池システムの起動を禁止するシステム起動禁止工程とを備える燃料電池システムの起動制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の燃料電池システムにおいて、ガス給排部のうちの、燃料電池のアノードオフガスを燃料電池の外部に排出するための排出バルブのみが凍結している場合には、燃料電池システムの起動を行い、発電による電力および熱の少なくとも一方を利用して、凍結している部位の解凍を行うこととしてもよい。かかる場合には、燃料電池システムの劣化防止の観点から、凍結部位の解凍終了まで、他の種々の機能の動作を禁止し、解凍終了後に、許可することとすることが好ましい。こうすることにより、燃料電池の起動遅延を回避することが可能となる。この方法での解凍時間に上限を設けてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間にその間隔を規定する複数のスペーサーを有する画像表示装置の製造方法において、
予め決められた複数のスペーサーの長手方向の両端部を各々一対のハンドを用いて把持する工程と、
前記一対のハンドのうちの一方を前記スペーサーの長手方向に移動させることにより前記スペーサーに一定の引っ張り力を作用させながら把持された複数のスペーサーを前記一対の基板の内の一方の基板に組み付ける工程と、
一方の基板に組み付けられた複数のスペーサーに接着剤を塗布して前記一方の基板に仮固定する工程と、
一方の基板に仮固定された複数のスペーサーを前記接着剤を硬化させることによって前記一方の基板に本固定する工程と、
を含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記組み付ける工程において、前記把持された複数のスペーサーの両端部をスペーサー押さえ機構を用いて前記一方の基板に押さえ付けることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記仮固定する工程において、前記組み付けられた複数のスペーサーに塗布された接着剤を減圧雰囲気下に一定時間保持することによって前記組み付けられた複数のスペーサーを前記一方の基板に仮固定することを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記本固定する工程において、前記接着剤を加熱硬化させることによって前記仮固定された複数のスペーサーを前記一方の基板に本固定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記一対のハンドの各々は、前記一方の基板の法線方向に各々独立に移動可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、一対の基板間にその間隔を規定する複数のスペーサーを有する画像表示装置の製造方法において、予め決められた複数のスペーサーの長手方向の両端部を各々一対のハンドを用いて把持する工程と、前記一対のハンドのうちの一方を前記スペーサーの長手方向に移動させることにより前記スペーサーに一定の引っ張り力を作用させながら把持された複数のスペーサーを前記一対の基板の内の一方の基板に組み付ける工程と、一方の基板に組み付けられた複数のスペーサーに接着剤を塗布して前記一方の基板に仮固定する工程と、一方の基板に仮固定された複数のスペーサーを前記接着剤を硬化させることによって前記一方の基板に本固定する工程と、を含むことを特徴とする。これにより、上記１）〜４）の各要求を満たし、従って上記５）の高精度な組み付けへの対応が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体と、前記窒化物半導体上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成されたｐ側電極と、前記窒化物半導体の窒化物半導体層が積層された面とは反対面に形成されたｎ側電極と、を備えた対向電極構造である窒化物半導体素子であって、
前記窒化物半導体のｎ側電極が形成される面はｎ極性を示す面であって、更に前記ｎ極性を示す面には、少なくとも（０００−１）面以外の傾斜面を有していることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体のｎ極性を示す面は、凹凸段差を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記（０００−１）面以外の傾斜面は、凹凸段差の段差側面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記（０００−１）面以外の傾斜面は、（０００−１）面からのオフ角が０．２°以上９０°以下であることを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記電極は、少なくともＴｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｍｏから成る群より選ばれる少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記（０００−１）面以外の傾斜面は、ｎ極性を示す面における表面積の０．５％以上を占めることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記窒化物半導体は、２軸結晶法による（０００２）回折Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が２分以下であることを特徴とする請求項１乃至６の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記電極は、多層構造であって窒化物半導体と接する第１の層はＴｉ、Ｗ、Ｍｏから成る群より選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至７の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記電極における多層構造の最上層は、ＰｔまたはＡｕであることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記凹凸段差の形状は、ストライプ状、格子状、島状、円状、多角形状、矩形状、くし形状、メッシュ形状から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項２又は３に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の窒化物半導体素子は、窒化物半導体と、前記窒化物半導体上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成されたｐ側電極と、前記窒化物半導体の窒化物半導体層が積層された面とは反対面に形成されたｎ側電極と、を備えた対向電極構造である窒化物半導体素子であって、前記窒化物半導体のｎ側電極が形成される面はｎ極性を示す面であって、更に前記ｎ極性を示す面には、少なくとも（０００−１）面以外の傾斜面を有していることを特徴とする。
図４に示すように同一面上に電極を有する窒化物半導体素子であれば、電流の流れは縦方向（Ａ）以外に横方向（Ｂ）にも流れる。素子構造上、両電極間に電流を流すには電流が横方向（Ｂ）に流れる領域が存在する。この横方向（Ｂ）領域は高抵抗領域であるから大電流を流して、連続発光させる時には結晶性劣化、発熱等の問題が生じていた。それに対して、本発明における窒化物半導体素子は対向電極構造であるため、少なくとも縦方向（Ａ）にのみ電流が流れればよい構造である。窒化物半導体素子の対向電極構造を図１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記窒化物半導体素子において、前記（０００−１）面以外の傾斜面は、（０００−１）面からのオフ角が０．２°以上９０°以下であることを特徴とする。前記（０００−１）面以外の傾斜面は、ｎ極性を示す面における表面積の０．５％以上を占めることが好ましい。前記凹凸段差の形状は、ストライプ状、格子状、島状、円状、多角形状、矩形状、くし形状、メッシュ形状から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物が導入され、チャネル領域が形成される半導体層と、
上記半導体層と同一不純物で、その濃度が同等以上であり、該半導体層の両側に配置されるソース・ドレイン領域と、
上記半導体層のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
で構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル領域が形成される半導体層と、
上記半導体層に離隔して配置されるソース領域及びドレイン領域と、
上記半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられ、上記ソース領域に対して第１のオフセット距離と、上記ドレイン領域に対して第２のオフセット距離（第１のオフセット距離≦第２のオフセット距離）をそれぞれ有して設けられるゲート電極と、
で構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｎ形の半導体層と、
上記半導体層に離隔して配置されるソース領域及びドレイン領域と、
上記半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられ、上記ソース領域に対して第１のオフセット距離と、上記ドレイン領域に対して第２のオフセット距離（第１のオフセット距離≦第２のオフセット距離）をそれぞれ有して設けられるゲート電極と、
で構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
上記半導体装置の上記半導体層の不純物濃度を１×１０１７（個／ｃｍ３）以下とすることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体装置
【請求項５】
チャネル領域が形成される半導体層と、この半導体層に離隔して設けられたソース・ドレイン領域と、前記半導体層のチャネル領域上に絶縁層を介して設けられたゲート電極と、前記半導体層の表面の不純物濃度と裏面の不純物濃度に差を設け、
この半導体層の不純物濃度分布に膜厚方向の勾配をもたせることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層をチャネルとする電界効果トランジスタを形成し、
この電界効果トランジスタのソース・ドレインを半導体層に対してゲートの反対側に配置することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体層は、絶縁膜上に設けられることを特徴とする請求項１乃至６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体層は、ガラス基板上に設けられた絶縁膜上に設けられることを特徴とする請求項１乃至６記載の半導体装置。
【請求項９】
前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜と半導体層との界面の不純物濃度を最小にして膜厚方向に増大させることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜と半導体層との界面の不純物濃度を最大にして膜厚方向に減少させることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記電界効果トランジスタのゲート電極とソース電極を半導体層に対してオーバラップさせて配置することを特徴とする請求項６又は９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記電界効果トランジスタのゲート電極をソース電極とだけでなくドレイン電極とも半導体層に対してオーバラップさせて配置することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項１３】
非単結晶半導体層に離隔して設けられたソース電極及びドレイン電極と、このソース電極及びドレイン電極間の前記非単結晶半導体層に絶縁膜を介して設けられたゲート電極とからなる半導体装置の前記非単結晶半導体層に不純物濃度勾配を形成するに際し、前記非単結晶半導体層に不純物を膜厚方向に不純物濃度勾配が形成されるようにイオン注入する工程と、
不純物をイオン注入した前記非単結晶半導体層を結晶化するためのエネルギー量のレーザ光を前記非単結晶半導体層に照射して結晶化する結晶工程と、
を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記非単結晶半導体層は、絶縁膜上に設けられることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記非単結晶半導体層は、ガラス基板上に設けられた絶縁膜上に設けられることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、チャネル領域が形成される半導体層と、この半導体層に離隔して設けられたソース・ドレイン領域と、前記半導体層のチャネル領域上に絶縁層を介して設けられたゲート電極と、前記半導体層の表面の不純物濃度と裏面の不純物濃度に差を設け、この半導体層の不純物濃度分布に膜厚方向の勾配をもたせることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記半導体層をチャネルとする電界効果トランジスタを形成し、この電界効果トランジスタのソース・ドレインを半導体層に対してゲートの反対側に配置することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体層が、絶縁膜上に設けられることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記半導体層が、ガラス基板上に設けられた絶縁膜上に設けられることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜と半導体層との界面の不純物濃度を最小にして膜厚方向に増大させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体層に離隔して設けられたソース電極及びドレイン電極と、このソース電極及びドレイン電極間の前記非単結晶半導体層に絶縁膜を介して設けられたゲート電極とからなる半導体装置の前記非単結晶半導体層に不純物濃度勾配を形成するに際し、前記非単結晶半導体層に不純物を膜厚方向に不純物濃度勾配が形成されるようにイオン注入する工程と、不純物をイオン注入した前記非単結晶半導体層を結晶化するためのエネルギー量のレーザ光を前記非単結晶半導体層に照射して結晶化する結晶工程とを具備してなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記非単結晶半導体層が、絶縁膜上に設けられることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記非単結晶半導体層が、ガラス基板上に設けられた絶縁膜上に設けることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
衝突電離によって生じた少数キャリアが、ゲート電極８ｇ下に蓄積しないようにする方法は、Ｓｉ薄膜の不純物濃度を小さくする方法、及び図３に示したようなｐ-Ｓｉ膜６の膜厚方向に不純物濃度勾配をつける方法以外にも、ゲート電極８ｇをソース電極４ｓとオーバラップさせる方法が考えられる。図８のようにゲート電極８ｇとソース電極４ｓをオーバラップさせることによって、オーバラップに起因した寄生容量により、ドレイン近傍で衝突電離によって発生した少数キャリアが半導体層とゲート絶縁膜の界面近傍のドレイン近傍に蓄積されにくくなり、ドレイン耐圧が改善される。また、図３に示した構造と図８に示した構造を同時に実現することによって、更にドレイン耐圧が改善される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光剤を含むポジ型レジスト組成物からなるフォトレジストによってレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンを除去処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
被加工物上に感光剤を含むポジ型レジスト組成物からなるフォトレジストによってレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチング処理し、
前記レジストパターンを除去処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
被加工物上に感光剤を含むポジ型レジスト組成物からなるフォトレジストによってレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチング処理し、
前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンを除去処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
被加工物上に感光剤を含むポジ型レジスト組成物からなるフォトレジストによってレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチング処理し、前記レジストパターンを除去処理する半導体装置の作製方法であって、
前記レジストパターンを除去処理した後、
前記被加工物上の前記レジストパターンの残渣物に前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンの残渣物を前記ポジ型レジスト組成物の現像液で処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記現像液は、テトラメチルハイドロオキサイドであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記感光剤を含むポジ型レジスト組成物は、ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系であり、感光剤がジアゾナフトキノンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記レジストパターンの除去処理は、
前記レジストパターンの表層を酸素プラズマによってアッシング処理した後、
レジスト剥離液によって前記レジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記レジスト剥離液は、２−アミノエタノールとグライコールエーテルとの混合物からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記照射は、１〜３０秒間行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記照射は、３００〜４００ｎｍの波長範囲に複数個の輝線が出る光源を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線が形成された半導体ウエハの表面上に第１の支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体ウエハの裏面側に第２の支持基板を貼り合わせる工程と、
前記第２の支持基板の裏面からダイシングラインに沿って、前記第１の支持基板に至るまで切削を行うことによって溝を形成し、前記第１の配線を部分的に露出させる工程と、
前記第１の配線の露出部分に接続され、前記第２の支持基板の表面に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の表面に、スプレーコートにより、有機系樹脂から成る保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の所定位置に前記第２の配線を露出する開口部を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の支持基板上に、スプレーコートにより、緩衝部材を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜の表面に、スプレーコートにより、レジスト層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記開口部に露出された第２の配線上に導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１，２，３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の配線が形成された半導体ウエハの表面上に支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体ウエハの裏面に溝を形成し、前記第１の配線を部分的に露出させる工程と、
前記第１の配線の露出部分に接続され、前記半導体ウエハの裏面に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の表面にスプレーコートにより有機系樹脂から成る保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の所定位置に前記第２の配線を露出する開口部を形成する工程と、を具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウェハの裏面に、スプレーコートにより、緩衝部材を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜の表面に、スプレーコートにより、レジスト層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記開口部に露出された第２の配線上に導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５，６，７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機系樹脂は、熱硬化性を有することを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記有機系樹脂は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の配線が形成された半導体ウエハの表面上に、第１の支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハを、当該半導体ウェハの裏面からダイシングラインに沿ってエッチングして、複数の半導体チップに分離する工程と、
前記複数の半導体チップの裏面側に、樹脂を介して第２の支持基板を貼り合わせる工程と、
前記ダイシングラインに沿って、前記第２の支持基板の裏面から、前記第２の支持基板及び前記樹脂を切削し、さらに前記第１の支持基板の一部を切削することによって溝を形成し、前記第１の配線を部分的に露出させる工程と、
前記第１の配線の露出部分に接続され、前記第２の支持基板の表面に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の表面に、スプレーコートにより、有機系樹脂から成る保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の所定位置に前記第２の配線を露出する開口部を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の支持基板上に、スプレーコートにより、緩衝部材を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜の表面に、スプレーコートにより、レジスト層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部に露出された第２の配線上に導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１１，１２，１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
パターニング時のマスク材としてレジスト層を使用する工程において、スプレーコートを用いることを特徴とする請求項１，５，１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の通信方式で外部と通信可能な第１の携帯情報端末と、
前記第１の通信方式を用いて前記第１の携帯情報端末と通信可能であるとともに、第２の通信方式を用いて外部と通信可能な第２の携帯情報端末と、
前記第１の携帯情報端末と前記第２の携帯情報端末とが分離可能なようにこれらを保持する保持手段とを、
有する携帯情報端末装置。
【請求項２】  前記第１の携帯情報端末は複数であり、
前記第２の携帯情報端末は前記第１の通信方式を用いて前記複数の第１の携帯情報端末のそれぞれと通信可能であることを特徴とする請求項１に記載の携帯情報端末装置。
【請求項３】  前記複数の第１の携帯情報端末の各々がＩＤ情報を有し、前記第２の携帯情報端末との通信により、前記第２の携帯情報端末が前記複数の第１の携帯情報端末のＩＤを識別可能とした請求項２に記載の携帯情報端末装置。
【請求項４】  第１の通信方式を用いて外部と通信可能な第１の携帯情報端末と、
第２の通信方式を用いて外部と通信可能な第２の携帯情報端末と、
前記第１の携帯情報端末と前記第２の携帯情報端末とが分離可能なようにこれらを保持する保持手段とを有する携帯情報端末装置を用いて無線電話網並びに無線情報通信網とそれぞれ通信を可能とした無線情報通信方法であって、
前記第１の携帯情報端末は前記第１の通信方式を用いて前記無線情報通信網と通信を行い、前記第２の携帯情報端末は前記第２の通信方式を用いて前記無線電話網と通信を行うとともに、当該得た情報を前記第１の通信方式を用いて、前記第１の携帯情報端末に通信可能とした無線情報通信方法。
【請求項５】  前記第１の携帯情報端末は複数であり、
前記第２の携帯情報端末は前記第１の通信方式を用いて前記複数の第１の携帯情報端末のそれぞれと通信可能としたことを特徴とする請求項４に記載の無線情報通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明によれば、第１の通信方式で外部と通信可能な第１の携帯情報端末と、
前記第１の通信方式を用いて前記第１の携帯情報端末と通信可能であるとともに、第２の通信方式を用いて外部と通信可能な第２の携帯情報端末と、
前記第１の携帯情報端末と前記第２の携帯情報端末とが分離可能なようにこれらを保持する保持手段とを、
有する携帯情報端末装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明によれば、前記第１の携帯情報端末は複数であり、
前記第２の携帯情報端末は前記第１の通信方式を用いて前記複数の第１の携帯情報端末のそれぞれと通信可能である携帯情報端末装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また本発明によれば、第１の通信方式を用いて外部と通信可能な第１の携帯情報端末と、
第２の通信方式を用いて外部と通信可能な第２の携帯情報端末と、
前記第１の携帯情報端末と前記第２の携帯情報端末とが分離可能なようにこれらを保持する保持手段とを有する携帯情報端末装置を用いて無線電話網並びに無線情報通信網とそれぞれ通信を可能とした無線情報通信方法であって、
前記第１の携帯情報端末は前記第１の通信方式を用いて前記無線情報通信網と通信を行い、前記第２の携帯情報端末は前記第２の通信方式を用いて前記無線電話網と通信を行うとともに、当該得た情報を前記第１の通信方式を用いて、前記第１の携帯情報端末に通信可能とした無線情報通信方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明によれば、前記無線情報通信方法における前記第１の携帯情報端末は複数であり、
前記第２の携帯情報端末は前記第１の通信方式を用いて前記複数の第１の携帯情報端末のそれぞれと通信可能とした無線情報通信方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ配信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチキャスト通信が可能な第１のネットワークに接続された複数の受信端末に対して、マルチキャスト通信が不可能な第２のネットワークに接続された送信端末から送信されたデータをマルチキャストで配信するデータ配信装置であって、
前記送信端末の情報と、前記複数の受信端末にデータを配信するための宛先情報とを関連付ける関連付け情報記憶手段と、
前記受信端末からデータ配信を要求する制御パケットを受信する制御パケット受信手段と、
前記データ配信の要求に基づいて、前記関連付け情報を参照して、前記送信端末にデータの送信を要求するデータ送信要求手段と、
を備えたことを特徴とするデータ配信装置。
【請求項２】
前記送信端末から送信されたデータパケットを、前記データ配信の要求に含まれる宛先に対するデータパケットに変更して配信する配信手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載のデータ配信装置。
【請求項３】
前記データ配信要求に基づいて、前記送信装置と配信先のマルチキャスト情報との対応付け情報を生成する対応付け情報生成手段を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ配信装置。
【請求項４】
前記送信端末が保持しているデータを前記受信端末が選択するために用いられるデータ配信情報を、前記受信端末に配布するデータ配信情報配布手段を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載のデータ配信装置。
【請求項５】
前記受信端末からの認証要求を受信する認証要求受信手段と、
該受信端末に対して認証を行う認証手段とを備え、
前記データ配信情報配布手段は、前記認証手段による認証が成功した端末に対して、前記データ配信情報を配布することを特徴とする請求項４に記載のデータ配信装置。
【請求項６】
前記認証要求を暗号化する暗号化手段と、
前記受信端末によって暗号化された前記認証要求を受信する認証要求受信手段と、
前記データ配信情報を暗号化する暗号化手段と、を備え、
前記データ配信情報配布手段は、前記暗号化されたデータ配信情報を配布することを特徴とする請求項５に記載のデータ配信装置。
【請求項７】
前記受信端末に配信するデータを暗号化する暗号手段を備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一つに記載のデータ配信装置。
【請求項８】
データの要求に用いられるマルチキャスト経路制御プロトコルに従った制御パケットを送信することを特徴とする請求項１から７のいずれか一つに記載のデータ配信装置。
【請求項９】
前記関連付け情報記憶手段と、前記データ送信要求手段とを備え、前記第２のネットワークに接続された前記送信端末からのデータを受信する管理装置と、
前記制御パケット受信手段を備え、前記第１のネットワークに接続された前記受信端末に対して該データを配信するデータ配信装置と、によって構成されたことを特徴とする請求項１から８のいずれか一つに記載のデータ配信装置。
【請求項１０】
前記第１のネットワークが用いるネットワークプロトコルと、前記第２のネットワークが用いるネットワークプロトコルとが異なることを特徴とする請求項１から９のいずれか一つに記載のデータ配信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のベース(１４)、前記ベース(１４)に着脱可能に取り付けた保留ボウル(２０)、前記保留ボウル(２０)の下部であって、かつ、前記ベース(１４)の上面に配置した回転ディスク(１６)を有するコインホッパにおいて、前記ベース(１４)の一端部上面に形成したベース側第1フック(５２)、前記ベース側第１フック(５２)に相対する前記ベース(１４)の他端部に配置したベース側第2フック(７２)、前記ベース側第１フック(５２)に係合可能なボウル側第１フック(６４)、前記ベース側第２フック(７２)に係合可能なボウル側第２フック(９２)を備えるコインホッパの保留ボウル取付装置。
【請求項２】
さらに、前記ベース(１４)に形成したベース側位置決め装置(９６)、および、前記ベース側位置決め装置(９６)と密接する保留ボウル側位置決め装置(９８)を含む請求項１記載のコインホッパの保留ボウル取付装置。
【請求項３】
前記ベース側第1フック(５２)と前記ベース側位置決め装置(９６)とは所定の第1距離離れて配置され、前記ボウル側第１フック(６４)と前記ボウル側位置決め装置(９８)は前記第１距離よりも僅かに大きい第２距離離れて配置されている請求項２記載のコインホッパの保留ボウル取付装置。
【請求項４】
傾斜配置された板状のベース(１４)、前記ベース(１４)に着脱可能に取り付けた保留ボウル(２０)、前記保留ボウル(２０)の下部であって、かつ、前記ベース(１４)の上面に配置した回転ディスク(１６)を有するコインホッパにおいて、前記ベース(１４)の上側端部上面に形成した内向きの凸部(６０)であるベース側第１フック(５２)、前記ベース側第１フック(５２)に相対する前記ベース(１４)の下端部に配置したスライド可能なシャフト(８０)であるベース側第２フック(７２)、前記ベース側第１フック(５２)に係合可能な外向きの凹部(６６)であるボウル側第１フック(６４)、前記ベース側第２フック(７２)に係合可能な外向きの凹部(９０)であるボウル側第2フック(９２)を備えるコインホッパの保留ボウル取付装置。
【請求項５】
さらに、前記ベース側第１フック(５２)と前記ベース側位置決め装置(９６)とは所定の第１距離離れて配置され、前記ボウル側第１フック(６４)と前記ボウル側位置決め装置(９８)は前記第１距離よりも僅かに大きい第２距離離れて配置されている請求項4記載のコインホッパの保留ボウル取付装置。
【請求項６】
前記シャフト(８０)がベース(１４)にピボット支持された解除レバー(８４)によってスライドされ、前記解除レバー(８４)は前記シャフト(８０)下方の前記ベース(１４)に形成された凹部(８５)に配置されている請求項４記載のコインホッパの保留ボウル取付装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の保留ボウル取付装置は、以下のように構成されている。
板状のベース、前記ベースに着脱可能に取り付けた保留ボウル、前記保留ボウルの下部であって、かつ、前記ベースの上面に配置した回転ディスクを有するコインホッパにおいて、前記ベースの一端部上面に形成したベース側第1フック、前記ベース側第１フックに相対する前記ベースの他端部に配置したベース側第2フック、前記ベース側第１フックに係合可能なボウル側第１フック、前記ベース側第２フックに係合可能なボウル側第２フックを備えるコインホッパの保留ボウル取付装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、傾斜配置された板状のベース、前記ベースに着脱可能に取り付けた保留ボウル、前記保留ボウルの下部であって、かつ、前記ベースの上面に配置した回転ディスクを有するコインホッパにおいて、前記ベースの上側端部上面に形成した内向きの凸部であるベース側第１フック、前記ベース側第１フックに相対する前記ベースの下端部に配置したスライド可能なシャフトであるベース側第２フック、前記ベース側第１フックに係合可能な外向きの凹部であるボウル側第１フック、前記ベース側第２フックに係合可能な外向きの凹部であるボウル側第2フックを備えることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この構成によれば、まず、ベース上側端部上面の内向き凸部であるベース側第1フックに、保留ボウルに形成した凹部であるボウル側第１フックを係止する。次にベースの下端部に配置したスライド可能なシャフトであるベース側第２フックに外向き凹部である保留ボウル側第２フックを係止することにより保留ボウルをベースに固定できる。
したがって、ベース側第1フックを見ながらボウル側第１フックを係合させた後、ボウルをベースに押し付けることにより、保留ボウル側第２フックをベース側第２フックに係合できるので、簡単な操作により保留ボウルをベースに固定することができる利点がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明は、前記シャフトがベースにピボット支持された解除レバーによってスライドされ、前記解除レバーは前記シャフト下方の前記ベースに形成された凹部に配置されることが好ましい。
この構成において、ベースにピボット支持された解除レバーを押すことによりベース側第２フックであるシャフトを移動させてボウル側第２フックとの係合を解除することができる。
この解除した状態で保留ボウルを移動させることによりベース側第1フックとボウル側第１フックのフックを解除することができる。
この後、保留ボウルをベースから取り外すことができる。
したがって、簡単な操作により保留ボウルをベースに着脱可能であり、さらに、解除レバーが凹部に配置されているので誤って操作されることがない利点がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004334408.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004334408.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004334408.tif 000003