【事件の表示】
　平成　３年特許願第２５３１７９号「液晶表示装置の製造方法及びセンサの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　３月１９日出願公開、特開平　５−　６６４２２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本願は、平成３年９月４日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、次のとおりである。
「表示部と周辺回路部とを有する液晶表示装置の製造方法において、上記周辺回路部の形成予定領域における基板上に形成された非晶質半導体薄膜のみに上記周辺回路部の形状に合わせた１Ｊ以下のエネルギーのエキシマレーザによるパルスレーザ光を細長い形状で１ショット照射して結晶化させることにより多結晶半導体薄膜を形成し、上記多結晶半導体薄膜を用いて上記周辺回路部のトランジスタを形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）当審における拒絶の理由で引用した特開平２−２７３２０号公報（以下、刊行物１という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明は薄膜半導体装置に係り、特に、液晶などを用いたアクテイブマトリクス方式の表示装置に関する。」（公報第１頁右下欄第１〜３行）
・「さらに具体的な場合を述べれば、表示装置の周辺駆動回路部分のＴＦＴをＰｏｌｙ−Ｓｉで形成し、画素部のＴＦＴでは、ソースとドレイン領域をＰｏｌｙ−Ｓｉで、チャネル領域をＡ−Ｓｉで形成する構造によって達成される。」（公報第２頁右上欄第１７行〜左下欄第１行）
・「レーザなどを用いた本発明の製造方法について説明する。ガラス基板上に減圧ＣＶＤ（・・）法によりＡ−Ｓｉ膜を形成する。キヤツピング用のＳｉＯ２膜を堆積させた後、周辺駆動回路形成領域に約３００ｍＪ／ｃｍ２のレーザを照射し、この領域をＰｏｌｙ−Ｓｉに変換する。・・次に、約２００ｍＪ／ｃｍ２のレーザを周辺駆動回路領域と画素領域の両方に照射し、・・また、ゲート領域と画素領域におけるソース，ドレイン領域はＡ−Ｓｉの結晶化と不純物の活性化を同時に行わせる。画素領域のチャネル部は上部がゲート電極でおおわれているため、Ａ−ＳｉはＰｏｌｙ−Ｓｉに変換されずに残る。この製造方法によれば、周辺駆動回路部がＰｏｌｙ−Ｓｉで構造され、画素部のソース，ドレインはＰｏｌｙ−Ｓｉにより、チャネル領域はＡ−Ｓｉにより構成される表示装置が得られる。」（公報第２頁右下欄第７行〜第３頁左上欄第８行）
・「第２図は本発明の製造方法の一例を示す。ガラス基板上にＬＰＣＶＤ法により５５０℃でＡ−Ｓｉ膜を８００Å堆積する。・・（ａ）に示すように、周辺回路部のみエキシマレーザ（波長；３０８ｎｍ、エネルギー：３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、Ａ−Ｓｉ膜をＰｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換する。・・（ｂ），（ｂ）’に示すように、周辺回路部と画素部いずれも２００ｍＪ／ｃｍ２のエキシマレーザを照射する。・・また、（ｂ）と（ｂ）’のゲート電極部と（ｂ）’の画素部のソース，ドレイン領域は不純物の活性化と共にＡ−Ｓｉの結晶化が行なわれる。（ｂ）’の画素部のチャネル領域は、レーザエネルギがゲート電極部に吸収されるため結晶化は起らない。」（公報第３頁右上欄第６行〜左下欄第７行）
　これらの記載事項から、刊行物１には、「画素部と周辺回路部とを有する液晶表示装置の製造方法において、上記周辺回路部のガラス基板上に形成されたＡ−Ｓｉ膜にエキシマレーザを照射して結晶化させることによりＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成し、上記Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いて上記周辺回路部のＴＦＴを形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」なる発明（以下、引用発明という）が記載されていると認められる。
　
（２）当審における拒絶の理由で引用した特開平２−４２７１７号公報（以下、刊行物２という）には、次の事項が記載されている。
・「１．エネルギービームを用いて、絶縁基板上に形成される多数の半導体能動素子をアニールする方法において、半導体能動素子の形成する薄膜領域に、エネルギービームスポットが１回のみ照射されるようにしたことを特徴とするエネルギービーム照射方法。」（特許請求の範囲）
・「以下、図面を用いて、本発明の一実施例を説明する。第５図は本発明を用いた液晶デイスプレイの画素用薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称）の断面構造を示す図である。絶縁基板たる歪温度５８０℃のガラス基板４１の上に、低圧気相成長法（以下ＬＰＣＶＤ法と称す）により、約１５００Åの厚さのアモルフアスシリコン膜を堆積させる。画素部となる領域の膜を波長３０８ｎｍのＸｅＣｌパルスエキシマレーザで約３５０ｍＪ／ｃｍ２のピークエネルギーで照射し、再結晶化させた。」（公報第３頁左下欄第４〜１３行）
・「第７図に、本発明の他の実施例を示す。液晶デイスプレイの周辺回路部に用いられるＴＦＴの断面構造を第８図に示す。上記実施例で形成された膜の周辺回路となる領域を次のような方法で再結晶化した。画素部の時と異なった光学特性を持つ第６図のオプテイカルインテグレータ５３，集光レンズ５４，縮小レンズ５５で構成された第６図のような光学系装置で、有効ビームスポツト２７口径が１１ｍｍ×１１ｍｍ、エネルギー一定領域２６が口径１０ｍｍ×１０ｍｍのエキシマレーザー（λ＝３０８ｎｍ，ピークパワー強度３５０ｎＪ／ｃｍ２）スポツトが得られた。上記のスポツト口径に合せて、第７図（ａ）の周辺回路部分７１を第７図（ｂ）のように９ｍｍ×９ｍｍに分割した。また、分割回路７３間の距離７４を２ｍｍとした。第７図（ｂ）の周辺回路部を拡大したのは第９図である。」（公報第４頁右上欄第１４〜左下欄第１２行）
・第９図には、分割周辺回路７３の形状に合わせたレーザのビームスポットが照射されている構成を読み取ることができる。
　これらの記載事項から、刊行物２には、液晶デイスプレイの製造方法において、アモルフアスシリコン膜に、周辺回路部を分割した分割回路の形状に合わせたエキシマレーザによるパルスレーザ光を正方形状で１回照射して再結晶化させる構成が記載されていると認められる。
　
（３）当審における拒絶の理由で引用した特開平２−２０８６３５号公報（以下、刊行物３という）には、次の事項が記載されている。
・「ガラス基板上にはアモルファスＳｉＴＦＴから成るアクティブ・マトリックス部が形成されて成ると共に、多結晶ＳｉＴＦＴから成る周辺ドライバー部が形成されて成る事を特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
・「以下、実施例により本発明を詳述する。第１図は本発明の一実施例を示すアクティブ液晶表示パネルのアクティブ・パネル部のＴＦＴ回路配置を示すブロック・レイアウト図である。すなわち、一枚の無アルカリ白板ガラス等から成る耐熱性のガラス基板１の表面には、アモルファスＳｉ膜が形成され、該アモルファスＳｉ膜を用いて、アモルファスＳｉＴＦＴアクティブ・マトリックス部２がＭＩＳ型ＦＥＴ回路構成等で形成され、該アモルファスＳｉＴＦＴアクティブ・マトリックス部２の周辺に前記、アモルファスＳｉ膜を多結晶Ｓｉ化して、該多結晶Ｓｉ膜を用いた。多結晶ＳｉＴＦＴＸドライバー部３、及び多結晶ＳｉＴＦＴＹドライバー部４がＭＩＳ型ＦＥＴ等でＣ−ＭＩＳＦＥＴ、あるいは単チャネルＭＩＳＦＥＴ回路構成等で形成して成る。これ等ドライバー回路構成にはデコーダ回路あるいはシフト・レジスタ回路と共に、クロック発生回路等が含まれても良く、入力信号５は外付け回路からの入力信号であっても良い。尚、多結晶ＳｉＴＦＴドライバー用の多結晶Ｓｉ膜は、アモルファスＳｉ膜を部分的にレーザー・アニールやランプ・アニールする事により得る事ができ、液晶はアモルファスＳｉＴＦＴアクティブマトリックス部２の表面に他のガラス基板が貼り合わされて封入され、ドライバー部には配されないこととなる。」（公報第２頁左上欄第１２行〜右上欄第１７行）
　これらの記載事項から、刊行物３には、アクティブ・マトリックス部と周辺ドライバー部とを有するアクティブ液晶表示パネルの製造方法において、上記周辺ドライバー部のアモルファスＳｉ膜のみをレーザー・アニールにより多結晶Ｓｉ膜とする構成が記載されていると認められる。
　
（４）当審における拒絶の理由で引用した特開平３−８５５２９号公報（以下、刊行物４という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明は薄膜半導体装置に係り、特に液晶などを用いた薄膜半導体表示装置に関する。」（公報第１頁右下欄第１２、１３行）
・「以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。対角３００ｍｍのガラス基板１上にＣｒ２を蒸着して、ホト工程により画素部逆スタガー構造ＴＦＴの電極及び配線用パターニングを行う。その後、プラズマＣＶＤ法により窒化膜３とａ−Ｓｉ膜（ｉ層）４を形成する。ａ−Ｓｉ膜をホト工程により島切りした後、周辺回路部分のみ波長３．８ｍｍのエキシマレーザを用いてアニールし、多結晶化する。」（公報第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄第４行）
　これらの記載事項から、刊行物４には、画素部と周辺回路部とを有する液晶表示装置の製造方法において、上記周辺回路部のａ−Ｓｉ膜のみをエキシマレーザを用いたアニールにより多結晶化する構成が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　引用発明の「画素部」、「ガラス基板」、「Ａ−Ｓｉ膜」、「Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜」、「ＴＦＴ」が、それぞれ、本件発明の「表示部」、「基板」、「非晶質半導体薄膜」、「多結晶半導体薄膜」、「トランジスタ」に相当し、また、引用発明の「上記周辺回路部のガラス基板上に形成されたＡ−Ｓｉ膜にエキシマレーザを照射して」という構成は、「上記周辺回路部」が形成されることなっている領域の「Ａ−Ｓｉ膜」にレーザを照射する構成であるから、本件発明の「上記周辺回路部の形成予定領域における基板上に形成された非晶質半導体薄膜・・エキシマレーザ・・・照射して」に相当するから、引用発明と本件発明は、
「表示部と周辺回路部とを有する液晶表示装置の製造方法において、上記周辺回路部の形成予定領域における基板上に形成された非晶質半導体薄膜にエキシマレーザによるパルスレーザ光を照射して結晶化させることによりトランジスタを形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」で一致し、
（１）本件発明では、「上記周辺回路部の形成予定領域における基板上に形成された非晶質半導体薄膜のみに」と限定されているのに対して、引用発明では、単に「上記周辺回路部のガラス基板上に形成されたＡ−Ｓｉ膜に」であり、「のみに」と限定されていない点、
（２）本件発明では、「上記周辺回路部の形状に合わせた１Ｊ以下のエネルギーのエキシマレーザによるパルスレーザ光を細長い形状で１ショット照射して」と限定されているのに対して、引用発明では、単に「エキシマレーザを照射して」であり、「上記周辺回路部の形状に合わせた１Ｊ以下のエネルギーの」、「パルスレーザ光を細長い形状で１ショット」と限定されていない点
で相違する。
　以下、上記相違点（１）、（２）について検討する。
（１）について
　引用発明では、周辺回路部の他に、画素部のソース、ドレイン領域についても、非晶質半導体を多結晶半導体とする構成であるが、単に、周辺回路部について、非晶質半導体を多結晶半導体とし、表示部は非晶質半導体のままとする構成、つまり、周辺回路部のみについて、非晶質半導体を多結晶半導体とする構成は、刊行物３、４に記載されるように当業者にはよく知られたものであるから、引用発明において、周辺回路部のみについて、非晶質半導体を多結晶半導体とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（２）について
　刊行物２には、上述のように、液晶デイスプレイの製造方法において、アモルフアスシリコン膜に、周辺回路部を分割した分割回路の形状に合わせたエキシマレーザによるパルスレーザ光を正方形状で１回照射して再結晶化させる構成が記載されており、上記分割回路は、複数に分割した周辺回路部の一つである、つまり、周辺回路部であるから、刊行物２には、周辺回路部の形状に合わせたエキシマレーザのパルスレーザ光を正方形状で１回照射する構成が記載されていると認められる。すると、引用発明において、エキシマレーザの照射を、周辺回路部の形状に合わせたエキシマレーザのパルスレーザ光を１回照射する構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　また、本件発明で、「１Ｊ以下のエネルギー」と限定した点について、発明の詳細な説明の記載を参照すると、「１Ｊ」という値は、「エキシマレーザによるパルスレーザ光のエネルギーとして現在市販装置で得られる最高の値は約１Ｊである」ことを根拠した値であるから、上記「１Ｊ以下のエネルギー」の技術的意味は、装置として現実に得られるエネルギー以下であるということであり、装置として現実に得られるエネルギー以上のパルスレーザ光を照射することは不可能であることは当然のことであるから、上記「１Ｊ以下のエネルギー」は当然の設計事項を限定したものにすぎない。
　また、本件発明で、「細長い形状で」と限定した点について、刊行物２に記載された発明では正方形状であるが、周辺回路部の形状をどのような形状とするかは単なる設計的事項であり、かつ、本件発明のように「細長い形状で」とすることに格別なものも認められない。
　したがって、本件発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。