Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンピュータによって実行されるとデジタル商品の保護を容易にする方法を実行するコンピュータ実行可能命令を有するコンピュータ読取可能な媒体であって、前記方法は、
デジタル商品を得るステップと、
前記商品を変換するステップと、
前記商品の前記変換を、重複することが許される複数の領域に分割するステップであって、複数の重複する領域に前記変換をセグメント化するステップを含むステップと、
領域の統計が前記領域を表すように、前記複数の領域のうち１つまたは複数の統計を算出するステップと、
そのような統計を量子化するステップと、
前記複数の領域の前記量子化された統計の組合せの近似的な表現である知覚補償因子を生成するステップであって、乗法的量子化外乱の最小距離を求めるステップを含むステップと、
前記知覚補償因子を用いて前記デジタル商品をマークするステップと
を含むことを特徴とする媒体。
【請求項２】  前記分割するステップは、複数の領域に変換を擬似ランダムにセグメント化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の媒体。
【請求項３】  前記計算の前記統計は、セグメントの１つまたは複数の有限次モーメントを含むことを特徴とする請求項１に記載の媒体。
【請求項４】  前記マークするステップは、量子化によりウォーターマークを埋め込むステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の媒体。
【請求項５】  請求項１に記載の１つまたは複数のコンピュータ読取可能な媒体を含むことを特徴とするコンピュータ。
【請求項６】  コンピュータによって実行されるとデジタル商品の保護を容易にする方法を実行するコンピュータ実行可能命令を有するコンピュータ読取可能な媒体であって、前記方法は、
デジタル商品を変換するステップと、
前記商品の前記変換を、複数の領域に分割するステップであって、複数の重複する領域に前記変換をセグメント化するステップを含むステップと、
領域の統計が前記領域を表すように、領域の統計を算出するステップと、
前記複数の領域の前記統計の量子化の近似的な表現である量子化雑音因子を生成するステップであって、乗法的量子化外乱の最小距離を求めるステップを含むステップと、
前記量子化雑音因子を用いて前記デジタル商品をマークするステップと
を含むことを特徴とする媒体。
【請求項７】  前記分割するステップは、複数の領域に前記変換を擬似ランダムにセグメント化するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の媒体。
【請求項８】  前記計算の前記統計は、領域の１つまたは複数の有限次モーメントを含むことを特徴とする請求項６に記載の媒体。
【請求項９】  量子化雑音因子を生成する前記ステップは、
ウォーターマークしたデータが量子化された統計を有するような最小ノルムの量子化雑音ベクトルを求めるステップと、
知覚補償ベクトルを用いて前記最小雑音ベクトルを知覚的に補正するステップと
を含むことを特徴とする請求項６に記載の媒体。
【請求項１０】  前記マークするステップは、量子化によりウォーターマークを埋め込むステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の媒体。
【請求項１１】  請求項６に記載の１つまたは複数のコンピュータ読取可能な媒体を含むことを特徴とするコンピュータ。
【請求項１２】  コンピュータによって実行されるとデジタル商品の保護を容易にする方法を実行するコンピュータ実行可能命令を有するコンピュータ読取可能な媒体であって、前記方法は、
デジタル商品を得るステップと、
量子化を用いて、前記商品を前記ウォーターマークでウォーターマークするステップであって、そのような量子化は、前記商品の領域のセミグローバル特性であって、前記商品の１つまたは複数の領域を表す統計を含む前記セミグローバル特性に基づき、前記領域は重複することが許されるステップと
を含むことを特徴とする媒体。
【請求項１３】  前記セミグローバル特性は、商品の複数の要素の特性を表すことを特徴とする請求項１２に記載の媒体。
【請求項１４】  前記セミグローバル特性は、前記商品の１つまたは複数の擬似ランダムな次元の領域を表す統計を含み、そのような領域は重複することを特徴とする請求項１２に記載の媒体。
【請求項１５】  請求項１２に記載の１つまたは複数のコンピュータ読取可能な媒体を備えることを特徴とするコンピュータ。
【請求項１６】  デジタル商品の保護を容易にする方法であって、
デジタル商品を得るステップと、
ウォーターマークを得るステップと、
重複する前記商品の領域のセミグローバル特性に基づく量子化を用いて、前記商品を前記ウォーターマークでウォーターマークするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】  前記セミグローバル特性は、商品の複数の要素の特性を表すことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記セミグローバル特性は、前記商品の１つまたは複数の領域を表す統計を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  前記セミグローバル特性は、前記商品の１つまたは複数の重複した領域を表す統計を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】  前記セミグローバル特性は、前記商品の１つまたは複数の擬似ランダムな次元の領域を表す統計を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】  コンピュータによって実行されると請求項１６に記載の方法を実行するコンピュータ実行可能命令を有する１つまたは複数のコンピュータ読取可能な媒体を備えることを特徴とするコンピュータ。
【請求項２２】  デジタル商品の保護を容易にするシステムであって、
重複することが許される複数の領域に、デジタル商品を擬似ランダムにセグメント化するように構成された分割器と、
前記複数の領域のうちの１つまたは複数の統計を算出するように構成された領域統計計算器であって、領域の前記統計は前記領域を表す領域統計計算器と、
領域のそのような統計を量子化するように構成された領域量子化器と、
前記デジタル商品と知覚補償因子の組合せとほぼ同等な、マーク済み商品を生成するように構成された商品マーカであって、前記因子は、前記複数の領域の前記量子化された統計の組合せの近似的表現である商品マーカとを備えることを特徴とするシステム。
【請求項２３】  前記分割器がさらに、前記商品を擬似ランダムにセグメント化するように構成されることを特徴とする請求項２２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
この例では、ＩＲＤデバイス（またはデバイスのアプリケーション）が、オファーストリングを獲得する。ＩＲＤデバイスは、多数の形でそのストリングを獲得することができる。たとえば、視聴者が、ペイパービューチャネルに同調することができる。そのチャネルから、ＩＲＤデバイスが、チャネルに関連するオファーストリングからオファーに関する情報を収集する。オファーストリングは、バンド内（信号線２１、ＭＰＥＧテーブル、テレテキスト、ＭＰＥＧ記述子など）またはバンド外とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ノンインターレースの動画像データを符号化する動画像符号化装置であって、
ノンインターレースの動画像データを入力する入力手段と、
互いに連続する２枚のフレームのそれぞれのラインデータを並べて新たな画像データを生成する生成手段と、
前記新たな画像データを周波数変換して複数のサブバンドに分解するサブバンド分解手段と、
複数のサブバンドに分解された画像データを符号化する符号化手段と、
符号化された画像データを出力する出力手段と
を備えることを特徴とする動画像符号化装置。
【請求項２】  前記サブバンド分解手段が、２次元離散ウェーブレット変換を用いて前記新たな画像データを複数のサブバンドに分解することを特徴とする請求項１記載の動画像符号化装置。
【請求項３】  前記生成手段が、前記２枚のフレームにおけるそれぞれのラインデータの順番を代えて交互に並べて新たな画像データを生成することを特徴とする請求項１又は２に記載の動画像符号化装置。
【請求項４】  前記２枚のフレームのうち一方のフレームのラインデータを一時的に記憶する記憶手段をさらに備え、
前記生成手段が、前記動画像データのうち直接入力される一方のフレームのラインデータと、前記記憶手段に記憶されたフレームのラインデータとを用いて新たな画像データを生成することを特徴とする請求項３記載の動画像符号化装置。
【請求項５】  前記生成手段が、奇数フレームの奇数ラインと偶数フレームの偶数ラインとを同一ラインに配置し、奇数フレームの偶数ラインと偶数フレームの奇数ラインとを同一ラインに配置することを特徴とする請求項１記載の動画像符号化装置。
【請求項６】  互いに連続する２枚のフレームのそれぞれのラインデータが並べられた画像データの符号化データから、インターレース画像データを復号する動画像復号装置であって、
前記符号化データを入力する入力手段と、
前記符号化データからサブバンドを復号するサブバンド復号手段と、
復号されたサブバンドを合成して画像データを復元するサブバンド合成手段と、
復元された画像データを奇数フィールドと偶数フィールドとに分解するフレーム分解手段と、
分解されたフレームを出力する出力手段と
を備えることを特徴とする動画像復号装置。
【請求項７】  互いに連続する２枚のフレームのラインデータが並べられた画像データの符号化データをインターレース又はノンインターレースのいずれで復号するかを選択する選択手段をさらに備え、
インターレースでの復号が選択された場合、前記入力手段は、予め定められた周波数成分を含まない符号化データのみを入力し、
ノンインターレースでの復号が選択された場合、前記入力手段は、予め定められた周波数成分を含むすべての周波数成分に関する符号化データを入力する
ことを特徴とする請求項６記載の動画像復号装置。
【請求項８】  ノンインターレースの動画像データを符号化する動画像符号化方法であって、
ノンインターレースの動画像データにおける互いに連続する２枚のフレームのそれぞれのラインデータを並べて新たな画像データを生成する生成工程と、
前記新たな画像データを周波数変換して複数のサブバンドに分解するサブバンド分解工程と、
複数のサブバンドに分解された画像データを符号化する符号化工程と
を有することを特徴とする動画像符号化方法。
【請求項９】  前記サブバンド分解工程が、２次元離散ウェーブレット変換を用いて前記新たな画像データを複数のサブバンドに分解することを特徴とする請求項８記載の動画像符号化方法。
【請求項１０】  前記生成工程が、前記２枚のフレームにおけるそれぞれのラインデータの順番を代えて交互に並べて新たな画像データを生成することを特徴とする請求項８又は９に記載の動画像符号化方法。
【請求項１１】  前記２枚のフレームのうち一方のフレームのラインデータを記憶装置に一時的に記憶させる記憶工程をさらに有し、
前記生成工程が、前記動画像データのうち直接入力される一方のフレームのラインデータと、前記記憶装置に記憶されたフレームのラインデータとを用いて新たな画像データを生成することを特徴とする請求項１０記載の動画像符号化方法。
【請求項１２】  前記生成工程が、奇数フレームの奇数ラインと偶数フレームの偶数ラインとを同一ラインに配置し、奇数フレームの偶数ラインと偶数フレームの奇数ラインとを同一ラインに配置することを特徴とする請求項８記載の動画像符号化方法。
【請求項１３】  互いに連続する２枚のフレームのそれぞれのラインデータが並べられた画像データの符号化データから、インターレース画像データを復号する動画像復号方法であって、
前記符号化データからサブバンドを復号するサブバンド復号工程と、
復号されたサブバンドを合成して画像データを復元するサブバンド合成工程と、
復元された画像データを奇数フィールドと偶数フィールドとに分解するフレーム分解工程と
を有することを特徴とする動画像復号方法。
【請求項１４】  互いに連続する２枚のフレームのラインデータが並べられた画像データの符号化データをインターレース又はノンインターレースのいずれで復号するかを選択する選択工程をさらに有し、
インターレースでの復号が選択された場合、前記サブバンド復号工程は、予め定められた周波数成分を含まない符号化データのみを用いてサブバンドを復号し、
ノンインターレースでの復号が選択された場合、前記サブバンド復号工程は、予め定められた周波数成分を含むすべての周波数成分に関する符号化データを用いてサブバンドを復号する
ことを特徴とする請求項１３記載の動画像復号方法。
【請求項１５】  ノンインターレースの動画像データを符号化するためのコンピュータプログラムであって、
ノンインターレースの動画像データにおける互いに連続する２枚のフレームのそれぞれのラインデータを並べて新たな画像データを生成する生成工程と、
前記新たな画像データを周波数変換して複数のサブバンドに分解するサブバンド分解工程と、
複数のサブバンドに分解された画像データを符号化する符号化工程と
をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１６】  互いに連続する２枚のフレームのそれぞれのラインデータが並べられた画像データの符号化データから、インターレース画像データを復号するためのコンピュータプログラムであって、
前記符号化データからサブバンドを復号するサブバンド復号工程と、
復号されたサブバンドを合成して画像データを復元するサブバンド合成工程と、
復元された画像データを奇数フィールドと偶数フィールドとに分解するフレーム分解工程と
をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１７】  請求項１５又は１６に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重入力多重出力ワイヤレス通信システムの多重無線周波数信号を中央処理基地局へ搬送するためのシステムであって、
第１及び第２の無線周波数信号を受信する、少なくとも第１及び第２のアンテナと、
前記第１及び第２の無線周波数信号を第１及び第２の光信号に変換し、光ファイバを介した送信のために前記第１及び第２の光信号を多重化する、多重化システムと、
前記光ファイバへの接続に適応する中央処理基地局であって、前記光ファイバからの前記第１及び第２の光信号を逆多重化し、前記第１及び第２の光信号を前記第１及び第２の無線周波数信号に変換し、情報信号を得るために前記第１及び第２の無線周波数信号を処理する、中央処理基地局と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
多重入力多重出力ワイヤレス通信システムの多重無線周波数信号を中央処理基地局へ搬送するためのシステムであって、
第１及び第２の無線周波数信号を受信する、少なくとも第１及び第２のアンテナと、前記第１及び第２の無線周波数信号をそれぞれ第１及び第２の光信号に変換し、前記第１及び第２の光信号をそれぞれ第１及び第２の光ファイバへ送り込む、少なくとも第１及び第２の光学コンバータと、
主搬送光ファイバを介した送信のために前記第１及び第２の光ファイバからの前記第１及び第２の光信号を多重化する、多重化システムと、
前記主搬送光ファイバへの接続に適応する中央処理基地局であって、前記主搬送光ファイバからの前記第１及び第２の光信号を逆多重化し、前記第１及び第２の光信号を前記第１及び第２の無線周波数信号に変換し、情報信号を得るために前記第１及び第２の無線周波数信号を処理する、中央処理基地局と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項３】
多重入力多重出力ワイヤレス通信システムの多重無線周波数信号を中央処理基地局へ搬送するためのシステムであって、
第１及び第２の無線周波数信号を受信する、少なくとも第１及び第２のアンテナと、
主搬送ケーブルを介した送信のために前記第１及び第２の無線周波数信号を多重化する、多重化システムと、
前記主搬送ケーブルに接続される中央処理基地局であって、前記主搬送ケーブルからの前記第１及び第２の無線周波数信号を逆多重化し、情報信号を得るために前記第１及び第２の無線周波数信号を処理する、中央処理基地局と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項４】
前記主搬送ケーブルは同軸ケーブルであることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１及び第２のアンテナから前記多重化システムへ前記第１及び第２の無線周波数信号をそれぞれ運ぶ、少なくとも第１及び第２の二次ケーブルを更に備えることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
第１及び第２の無線周波数信号を受信する、少なくとも第１及び第２の受信アンテナと、
前記第１及び第２の無線周波数信号を第１及び第２の光信号に変換し、集中基地局への搬送のための単一の光ファイバを介した送信のために前記第１及び第２の光信号を多重化する、マルチプレクシング・システムと、
を備えることを特徴とするアクセス・ポイント・システム。
【請求項７】
光ファイバに接続され、複合光信号を少なくとも第１及び第２の光信号に逆多重化し、前記第１及び第２の光信号を第１及び第２の無線周波数信号に変換する、デマルチプレクサと、
前記第１及び第２の無線周波数信号をそれぞれ送信する少なくとも第１及び第２のアンテナと、
を備えることを特徴とするアクセス・ポイント・システム。
【請求項８】
前記デマルチプレクサは前記光ファイバからの前記第１及び第２の光信号を波分割逆多重化及び分散逆多重化の一つによって逆多重化することを特徴とする請求項７に記載のアクセス・ポイント・システム。
【請求項９】
多重入力多重出力ワイヤレス通信システムの多重無線周波数信号を中央処理基地局から搬送するためのシステムであって、
光ファイバへの接続に適応する中央処理基地局であって、少なくとも第１及び第２の無線周波数信号を生成し、前記第１及び第２の無線周波数信号を第１及び第２の光信号に変換し、前記光ファイバを介した送信のために前記第１及び第２の光信号を多重化する、中央処理基地局と、
前記光ファイバへの接続に適応し、前記光ファイバ上の前記第１及び第２の光信号を逆多重化し、前記第１及び第２の光信号を前記第１及び第２の無線周波数信号に変換する、アクセス・ポイントと、
前記第１及び第２の無線周波数信号をそれぞれ送信する少なくとも第１及び第２のアンテナと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記第１及び第２の無線周波数信号は、多重入力多重出力送信技術に従って、送信されることを特徴とする請求項１、２、３、６又は９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１及び第２の無線周波数信号は、空間分割多重化、時空符号化、ビーム形成、ダイバーシティ、及びこれらの技術のハイブリッドのうちの一つに従って送信されることを特徴とする請求項１、２、３又は９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記多重化システムは、前記光ファイバを介した送信のために前記第１及び第２の光信号を波分割多重化によって多重化することを特徴とする請求項１、２又は９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記多重化システムは、前記光ファイバを介した送信のために前記第１及び第２の光信号を分散多重化によって多重化することを特徴とする請求項１、２、又は９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記中央処理基地局は、
前記光ファイバからの前記第１及び第２の光信号を逆多重化し、前記第１及び第２の光信号を前記第１及び第２の無線周波数信号に変換する、デマルチプレクサと、
前記第１及び第２の無線周波数信号をそれぞれ第１及び第２のベースバンド信号に変換する、第１及び第２のコンバータと、
前記第１及び第２のベースバンド信号を情報信号に変換する、多重入力多重出力プロセッサと、
を備えることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記多重化システムは、前記主搬送ケーブルを介した送信のために前記第１及び第２の無線周波数信号を周波数分割多重化及び時分割多重化の一つによって多重化することを特徴とする請求項３又は６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従って、望まれているのは、実現に要する費用を最小限に抑えつつ、高い力率をもたらすような出力電力を発生する方法及び装置である。
【特許文献１】米国特許第６４６９９１７号
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された結晶性半導体膜に、酸化処理と、前記酸化処理により形成された前記結晶性半導体膜上の酸化膜の除去処理とを行う第１段階と、
高周波電力を珪素のターゲットに印加してＡｒとＮ２若しくはＮ２のみのグロー放電下において、前記珪素のターゲットをスパッタリングして前記結晶性半導体膜上に窒化珪素膜を形成する第２段階と、
直流電力を金属のターゲットに印加して、前記窒化珪素膜を介して前記結晶性半導体膜上に、導電性膜を形成する第３段階との各段階を含み、
前記第１乃至第３段階は、大気に晒すことなく不活性雰囲気又は減圧下で連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第２段階におけるＮ２に対するＡｒの割合は、０．０１〜０．５であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上に形成された結晶性半導体膜に、酸化処理と、前記酸化処理により形成された前記結晶性半導体膜上の酸化膜の除去処理とを行う第１段階と、
酸化性雰囲気中での加熱処理により前記結晶性半導体膜上に酸化珪素膜を形成する第２段階と、
高周波電力を珪素のターゲットに印加してＡｒとＮ２若しくはＮ２のみのグロー放電下において、前記珪素のターゲットをスパッタリングして前記結晶性半導体膜上に窒化珪素膜を形成する第３段階と、
直流電力を金属のターゲットに印加して、前記窒化珪素膜を介して前記結晶性半導体膜上に、導電性膜を形成する第４段階との各段階を含み、
前記第１乃至第４段階は、大気に晒すことなく不活性雰囲気又は減圧下で連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第３段階におけるＮ２に対するＡｒの割合は、０．０１〜０．５であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁基板上に形成された結晶性半導体膜に、酸化処理と、前記酸化処理により形成された前記結晶性半導体膜上の酸化膜の除去処理とを行う第１段階と、
酸化性雰囲気中での加熱処理により前記結晶性半導体膜上に酸化珪素膜を形成する第２段階と、
高周波電力を珪素のターゲットに印加してＡｒとＮ２若しくはＮ２のみのグロー放電下において、前記珪素のターゲットをスパッタリングして前記結晶性半導体膜上に窒化珪素膜を形成する第３段階と、
直流電力を金属のターゲットに印加して、前記窒化珪素膜を介して前記結晶性半導体膜上に、導電性膜を形成する第４段階と、
前記導電性膜上に有機樹脂膜を形成する第５段階と、
高周波電力を珪素のターゲットに印加してＡｒとＮ２若しくはＮ２のみのグロー放電下において、前記珪素のターゲットをスパッタリングして前記有機樹脂膜上に窒化珪素膜を形成する第６段階との各段階を含み、
前記第１乃至第６段階は、大気に晒すことなく不活性雰囲気又は減圧下で連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第３段階および第６段階におけるＮ２に対するＡｒの割合は、０．０１〜０．５であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一項において、前記第２段階における酸化性雰囲気に、ＮＦ３、ＨＦ、ＣｌＦ３から選ばれた一種又は複数種を０．０１〜０．１％添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記絶縁基板は、歪み点７００℃以下のガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁基板上に、水素を１×１０２１／ｃｍ３以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウムを７．１３％とフッ化アンモニウムを１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化珪素膜を、ゲート絶縁膜として有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁基板上に、水素を１×１０２１／ｃｍ３以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウムを７．１３％とフッ化アンモニウムを１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化珪素膜を、チャネル長０．３５〜２．５μｍの電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜として有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁基板上に、水素を１×１０２１／ｃｍ３以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウムを７．１３％とフッ化アンモニウムを１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化珪素膜を、チャネル長０．３５〜２．５μｍの電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜として有し、
前記窒化珪素膜は、前記電界効果型トランジスタが有する結晶性半導体膜上に酸化珪素膜を介して設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜は、表面における突起部の曲率半径が１μｍ以下である結晶性半導体膜上方に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
絶縁基板上に、水素を１×１０２１／ｃｍ３以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウムを７．１３％とフッ化アンモニウムを１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化珪素膜を、容量部の誘電体膜として有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
絶縁基板上に、水素を１×１０２１／ｃｍ３以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウムを７．１３％とフッ化アンモニウムを１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化珪素膜を、有機樹脂で成る層間絶縁膜上に有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
絶縁基板上に、水素を１×１０２１／ｃｍ３以下の濃度で含み、フッ化水素アンモニウムを７．１３％とフッ化アンモニウムを１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化珪素膜を、半導体素子の保護膜として設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか一項において、前記窒化珪素膜は、酸素を５×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３の濃度で含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか一項において、前記絶縁基板は、歪み点７００℃以下のガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】磁力とスプリング原動機（モータ）
【技術分野】
【０００１】  人類が永遠に使用するエネルギーに磁力とかスプリングの瞬発力といった核運動エネルギーなのでこれらの材料は鉄の酸化物といって鉄のさびでスプリングは鋼鉄ですから無尽蔵に有ります。
【背景技術】
【０００２】  図１（Ａ）固定磁石の中へ（Ｂ）磁石の側面使用した（Ｇ）回転子を（Ｃ）主軸へ通し（Ｑ）カムとスプリングで回転子を突き上げると強い力と早い速度で回転し、引き下げると正常回転力と反対回転力により力が無くなる事により、回転子は強い力と早い速度で円芯運動しますが回転子をカムで２２ｍｍ突き上げ次は２２ｍｍ引き下げれば突き上げても引き下げても強い力と早い速度で円芯運動します。【０００３】  図２（Ａ）固定磁石の中へ（Ｇ）回転子を入れると（Ｅ）コ字型軟鉄箱に磁石が入れて有って（Ｑ）カムで磁石を箱から１０ｍｍ引き込むと磁気回路が出て来て力も速度も無く成り箱から５ｍｍ突き出すと強い力と早い速度で円芯運動します。【０００４】  図３スプリング原動機（モータ）は物体の落下速度９．８ｍ（Ｋ）スプリングを（Ｑ）カムと天秤棒で縮め１瞬に伸びる速度は音速を超える事により（Ｇ）回転子の軸元へ（Ｑ）カムを取り付けカムと（Ｊ）天秤棒でスプリングを縮め１瞬に伸びる強い力と早い速度を回転子の外部へ取り付けている（Ｖ）ボッチを打つと回転子は強い力と早い速度で円芯運動します。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】磁力原動機（モータ）は（Ａ）固定磁石の中へ回転子を主軸へ通し（Ｑ）カムと（Ｋ）スプリングで回転子を突き引きするモータの前面図
【図２】同じモータで（Ａ）固定磁石の中へ回転子を入れ（Ｅ）コ字型軟鉄箱の磁石をカムで突き込んだり引き出したりするモータの前面図
【図３】スプリング原動機（モータ）は物体の落下速度は９．８ｍスプリングの瞬発力は音速を超える力と速度を利用したモータの前面図
【符号の説明】
【０００６】（Ｃ）主軸（Ａ）固定磁石（Ｂ）回転磁石（Ｑ）カム（Ｊ）天秤棒
（Ｅ）コ字型軟鉄箱（Ｋ）スプリング（Ｒ）非金属（Ｐ）回転子の重り
（Ｏ）上段固定磁石のＮ盤使用する回転磁石のカム（勾配５°〜２６°内）でＳ盤使用さすと力が無くなり停止します  始動さすには静止線上まで返し下段のＮ盤へ乗せれば強い力で回転します。
（Ｍ）固定磁石と回転磁石の間は１０馬力で８ｍｍ  ５００馬力で１６ｍｍ内にする事
2006141189.tif 000001
合った回転磁石を入れると何千馬力のモータも簡単に作れます
（Ｗ）軟鉄開閉扉
2006141189.tif 000002
を少なくすればする程どエネルギ  消費量が少なく成ります
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006141189.tif 000003
【図２】
2006141189.tif 000004
【図３】
2006141189.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種遺伝子を含む核酸を含む組換えＮＤＶ。
【請求項２】
前記異種遺伝子が病原体の抗原を含むタンパク質をコードする、請求項１記載の組換えＮＤＶ。
【請求項３】
前記病原体が家禽病原体である、請求項１または２記載の組換えＮＤＶ。
【請求項４】
前記異種遺伝子が免疫刺激タンパク質をコードする、請求項１記載の組換えＮＤＶ。
【請求項５】
前記免疫刺激タンパク質がインターフェロンを含む、請求項４記載の組換えＮＤＶ。
【請求項６】
前記免疫刺激タンパク質がサイトカインを含む、請求項４記載の組換えＮＤＶ。
【請求項７】
前記免疫刺激タンパク質がケモカインを含む、請求項４記載の組換えＮＤＶ。
【請求項８】
前記免疫刺激タンパク質が、副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）、熱ショックタンパク質（ＨＳＰ）、エンドルフィン、ｉＮＯＳ、ＥＰ／ＴＩＭＰ、ＮＦｋＢからなる群より選択される、請求項４記載の組換えＮＤＶ。
【請求項９】
抗腫瘍処置のための薬物を製造するための、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組換えＮＤＶの使用。
【請求項１０】
免疫刺激タンパク質をコードする異種遺伝子を含む、請求項２記載の組換えＮＤＶ。
【請求項１１】
薬物を製造するための、請求項１０記載の組換えＮＤＶの使用。
【請求項１２】
ワクチンを製造するための、請求項１０記載の組換えＮＤＶの使用。
【請求項１３】
請求項１〜８および１０のいずれか一項記載の組換えＮＤＶならびに適当なキャリアーまたはアジュバントを含む、薬学的組成物。
【請求項１４】
請求項１〜８および１０のいずれか一項記載の組換えＮＤＶならびに適当なキャリアーまたはアジュバントを含む、ワクチン。
【請求項１５】
前記組換えＮＤＶが弱毒化されている、請求項１４記載のワクチン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体腔内に挿入される細長形状の挿入部と、この挿入部に連設される操作部とを有し、前記挿入部の先端に処置具用開口と流体用開口とを備える内視鏡において、
前記流体用開口に連通する流体用管路の流体用管路手元側開口部と前記処置具用開口に連通する処置具管路の処置具管路手元側開口部とを前記操作部に設け、前記流体管路手元側開口部を処置具管路手元側開口部よりも挿入部側に設けたことを特徴とする内視鏡。
【請求項２】
前記流体用管路の一部は、前記操作部の内部において、前記流体用管路手元側開口部よりも前記挿入部側とは反対側へ延設した後、所定の折り返し部で前記挿入部側へ折り返し、前記操作部内を経て挿入部へ挿通配置したことを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
【請求項３】
前記所定の折り返し部には、前記流体用管路の一部を規定の形状に形成するガイド部材を固定配置したことを特徴とする請求項２に記載の内視鏡。
【請求項４】
前記ガイド部材は、前記操作部の軸方向に沿う方向に移動自在に配設されることを特徴とする請求項３に記載の内視鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、例えば挿入部の先端部に配置されるバルーンなどへの注水を操作部に設けた流体管路手元側開口部から手動により行い得る構成とし、かつ前記操作部に処置具管路手元側開口部を設けた構成としながら、前記操作部の大型化を抑制した内視鏡を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明の一態様による内視鏡は、体腔内に挿入される細長形状の挿入部と、この挿入部に連設される操作部とを有し、前記挿入部の先端に処置具用開口と流体用開口とを備える内視鏡において、
前記流体用開口に連通する流体用管路の流体用管路手元側開口部と前記処置具用開口に連通する処置具管路の処置具管路手元側開口部とを前記操作部に設け、前記流体管路手元側開口部を処置具管路手元側開口部よりも挿入部側に設けている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、例えば挿入部の先端部に配置されるバルーンなどへの注水を操作部に設けた流体管路手元側開口部から手動により行い得る構成とし、かつ前記操作部に処置具管路手元側開口部を設けた構成としながら、前記操作部の大型化を抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の信号を入力する第１の入力手段と、
第２の信号を入力する第２の入力手段と、
該第１の入力手段で入力した該第１の信号に含まれる映像信号と音声信号とＰＣＲ（プログラム時刻基準参照値）情報を分離するパケット分離手段と、
該ＰＣＲ情報に基づいて基準クロックを生成する第１のクロック生成手段と、
該基準クロックを用いて該パケット分離手段で分離された該映像信号を復号する復号手段と、
該復号手段により復号された該映像信号と該第２の信号とを合成する合成手段と、
該合成手段の出力信号の画面表示をする表示手段とを備え、
該第１のクロック生成手段は、該表示手段での表示状態が少なくとも該第１の信号の画面が表示されている状態から該第２の信号による画面のみの表示状態に切り替わったとき、該基準クロックの周波数を該表示状態の切り替わり時点での周波数に保持させる手段を有することを特徴とする受信装置。
【請求項２】
第１の信号を入力する第１の入力手段と
第２の信号を入力する第２の入力手段と、
該第１の入力手段で入力した該第１の信号に含まれる映像信号と音声信号とＰＣＲ（プログラム時刻基準参照値）情報を分離するパケット分離手段と、
該ＰＣＲ情報に基づいて基準クロックを生成する第１のクロック生成手段と、
該基準クロックを用いて該パケット分離手段で分離された該映像信号を復号する復号手段と、
該基準クロックで動作し、文字や図形に関する画像を表わすＯＳＤ（オン・スクリーン・ディスプレイ）画像信号を発生するＯＳＤ回路と、
該復号手段により復号された該映像信号と該第２の信号と該ＯＳＤ画像信号を合成する合成手段と、
該合成手段の出力信号の画面表示をする表示手段とを備え、
該第１のクロック生成手段は、該表示手段での表示状態が少なくとも該第１の信号の画面が表示されている状態から該第２の信号又は該ＯＳＤ画像信号による画面のみの表示状態もしくは該第２の信号と該ＯＳＤ画像信号との合成画面のみの表示状に切り替わったとき、該基準クロックの周波数を該表示状態の切り替わり時点での周波数に保持させる手段を有することを特徴とする受信装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の受信装置において、
前記第１の信号はデジタル画像信号であり、前記第２の信号がアナログ画像信号であることを特徴とする受信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の目的は、合成画面の表示を安定して行うことにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するため、例えば特許請求の範囲に記載された技術的思想を用いればよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを載置する試料台と；
微小試料を固定する第２試料台と；
前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
前記試料台に載置された前記半導体デバイス、及び前記第２試料台に固定された前記微小試料にイオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
前記第２試料台に固定された前記微小試料に電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
前記微小試料を支持できるプローブと；
を備え、
前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを前記半導体デバイスに照射して前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
前記第２試料台の角度を変更し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定するように構成された微小試料加工観察装置。
【請求項２】
試料台と；
第２試料台と；
前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
イオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
プローブと；
を備え、
前記試料台に載置された半導体デバイスに前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを照射し、前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
前記第２試料台の角度を変更し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定するように構成された微小試料加工観察装置。
【請求項３】
請求項１及び２記載の微小試料加工観察装置において、
前記半導体デバイスが半導体チップであることを特徴とする微小試料加工観察装置。
【請求項４】
請求項１及び２記載の微小試料加工観察装置において、
前記半導体デバイスが半導体ウェーハであることを特徴とする微小試料加工観察装置。
【請求項５】
請求項１−４記載の微小試料加工観察装置において、
前記第２試料台が複数の前記微小試料を固定できることを特徴とする微小試料加工観察
装置。
【請求項６】
請求項１−５記載の微小試料加工観察装置において、
前記第２試料台が回転可能な柱状であることを特徴とする微小試料加工観察装置。
【請求項７】
請求項１−６記載の微小試料加工観察装置において、
前記微小試料の形状が５面体であることを特徴とする微小試料加工観察装置。
【請求項８】
請求項１−６記載の微小試料加工観察装置において、
前記微小試料の形状が４面体であることを特徴とする微小試料加工観察装置。
【請求項９】
請求項１−８記載の微小試料加工観察装置において、
イオンビームの前記微小試料への照射角度を変更した後に、前記第２試料台に固定されている前記微小試料にイオンビームを照射することを特徴とする微小試料加工観察装置。
【請求項１０】
半導体デバイスを載置する試料台と；
微小試料を固定する第２試料台と；
前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
前記試料台に載置された前記半導体デバイス、及び前記第２試料台に固定された前記微小試料にイオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
前記第２試料台に固定された前記微小試料に電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
前記微小試料を支持できるプローブと；
を備えた装置における微小試料加工観察方法であって、
前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを前記半導体デバイスに照射して前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
前記第２試料台の角度を変更し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定する方法。
【請求項１１】
試料台と；
第２試料台と；
前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
イオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
プローブと；
を備えた装置における微小試料加工観察方法であって、
前記試料台に載置された半導体デバイスに前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを照射し、前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
前記第２試料台の角度を変更し、
前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定する方法。
【請求項１２】
請求項１０及び１１記載の微小試料加工観察方法において、
前記半導体デバイスが半導体チップであることを特徴とする微小試料加工観察方法。  
【請求項１３】
請求項１０及び１１記載の微小試料加工観察方法において、
前記半導体デバイスが半導体ウェーハであることを特徴とする微小試料加工観察方法。
【請求項１４】
請求項１０−１３記載の微小試料加工観察方法において、
前記第２試料台が複数の前記微小試料を固定できることを特徴とする微小試料加工観察方法。
【請求項１５】
請求項１０−１４記載の微小試料加工観察方法において、
前記第２試料台が回転可能な柱状であることを特徴とする微小試料加工観察方法。
【請求項１６】
請求項１０−１５記載の微小試料加工観察方法において、
前記微小試料の形状が５面体であることを特徴とする微小試料加工観察方法。
【請求項１７】
請求項１０−１５記載の微小試料加工観察方法において、
前記微小試料の形状が４面体であることを特徴とする微小試料加工観察方法。
【請求項１８】
請求項１０−１７記載の微小試料加工観察方法において、
イオンビームの前記微小試料への照射角度を変更した後に、前記第２試料台に固定されている前記微小試料にイオンビームを照射することを特徴とする微小試料加工観察方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料室内における微小試料加工観察方法であって、
試料台に載置された試料に、イオンビームを照射して微小試料を摘出し、
微小試料を、イオンビーム及び電子ビームの微小試料への照射角度を変更する照射角度変更手段に固定し、
照射角度変更手段に固定されている微小試料にイオンビームを照射し、観察断面を形成し、
電子ビームに対して観察断面が略垂直の角度となるよう、照射角度変更手段により電子ビームの微小試料への照射角度を変更し、
照射角度変更手段に固定された微小試料に電子ビームを照射し、観察断面を測定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一組の電極と、前記電極間に形成された複数の機能層とを具備し、
前記機能層は少なくとも１種類の高分子物質からなる発光機能を有した層と、ドライプロセスで形成された少なくとも１種類の無機物からなる電荷注入層とを含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層は前記一組の電極のうちの陽極側に形成されたホール注入層である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記機能層は少なくとも１種類のバッファ層を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記バッファ層が高分子層で構成される有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
請求項３または４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記バッファ層が有機溶媒を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記バッファ層の電子親和力をあらわすエネルギー値の絶対値が前記発光機能を有した層の電子親和力をあらわすエネルギー値の絶対値よりも小さい有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記バッファ層は、ホール注入側に配置された電荷注入層と発光機能を有した層との間に配置される有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記発光機能を有した層がフルオレン環を含む高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記発光機能を有した層が下記一般式（Ｉ）で表されるポリフルオレンおよびその誘導体（Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ置換基を表す）を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【化１】
2005203339.tif 000001
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記発光機能を有した層がフェニレンビニレン基を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記発光機能を有した層が下記一般式（ＩＩ）で表されるポリフェニレンビニレンおよびその誘導体（Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ置換基を表す）を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【化２】
2005203339.tif 000002
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が酸化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が遷移金属の酸化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層がモリブデンまたはバナジウムの酸化物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１５】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が窒化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１６】
請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が遷移金属の窒化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１７】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が酸窒化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１８】
請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が遷移金属の酸窒化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１９】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記電荷注入層が遷移金属を含む複合酸化物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記一組の電極のうちの一方の電極である陽極は透光性基板上に形成されており、
前記電荷注入層は、前記陽極上に形成されたホール注入層と、
前記発光機能を有した層を介して前記ホール注入層に対向するように、前記発光機能を有した層の上に形成された電子注入層とで構成され、
前記電子注入層上には前記一組の電極のうち他方の電極である陰極が形成された有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記発光機能を有した層は、有機溶媒を含む層である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記一組の電極のうちの一方の電極である陽極は、仕事関数の大きい金属あるいは、その合金、酸化物で構成された有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２３】
少なくとも一組の電極と、前記電極間に形成された複数の機能層とを具備し、
前記機能層は少なくとも１種類の高分子物質からなる発光機能を有した層と、少なくとも１種類の無機物からなる電荷注入層とを含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記無機物からなる電荷注入層はドライプロセスで形成される有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
透光性基板表面に、電極を形成する工程と、
前記電極上に真空成膜法により無機物層からなる電荷注入層を形成する工程と、
前記電荷注入層上に高分子化合物溶液を供給することによってバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に高分子化合物溶液を供給することによって少なくとも１種類の高分子物質からなる発光機能を有した層を形成する工程と、
前記発光機能を有した層上に電極を形成する工程とを含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項２５】
請求項２３または２４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記発光機能を有した層を形成する工程は、塗布法である有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。