【事件の表示】
　平成　４年特許願第１８７８７７号「圧電体とそれを用いたＳＡＷデバイス」拒絶査定に対する審判事件〔平成　５年１２月１０日出願公開、特開平　５−３２７３９８、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年７月15日（優先権主張　平成３年（1991年）７月17日、平成３年（1991年）10月16日、平成４年（1992年）３月18日、日本国）の特許出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成13年６月12日付け、及び平成13年９月10日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
　
  「【請求項１】　サファイア（012）基板と、該サファイア基板上のAIN（110）薄膜とを備える圧電体であって、該圧電体を伝播する弾性表面波の波長で規格化された前記AIN薄膜膜厚（kH）が前記弾性表面波速度の温度係数（τＶ）と所定の関数（τＶ＝−84.61（kH）-0.2539＋36.27）で相関関係を有し、前記AIN薄膜中の酸素濃度が１％以下で結晶性が0.50°以下であることを特徴とする圧電体。
【請求項２】　サファイア（001）基板と、該サファイア基板上のAIN（001）薄膜とを備える圧電体であって、該圧電体を伝播する弾性表面波の波長で規格化された前記AIN薄膜膜厚（kH）が前記弾性表面波速度の温度係数（τＶ）と所定の関数（τＶ＝7.42（kH）−70.70）で相関関係を有し、前記AIN薄膜中の酸素濃度が１％以下で結晶性が0.50°以下であることを特徴とする圧電体。
【請求項３】　サファイア（110）基板と、該サファイア基板上のAIN（001）薄膜とを備える圧電体であって、該圧電体を伝播する弾性表面波（伝播方向が＜１，−１，０＞）の波長で規格化された前記AIN薄膜膜厚（kH）が前記弾性表面波速度の温度係数（τＶ）と所定の関数（τＶ＝−57.05（kH）
-0.4618＋7.109）で相関関係を有し、前記AIN薄膜中の酸素濃度が１％以下で結晶性が0.50°以下であることを特徴とする圧電体。
【請求項４】　サファイア（110）基板と、該サファイア基板上のAIN（001）薄膜とを備える圧電体であって、該圧電体を伝播する弾性表面波（伝播方向が＜１，１，０＞）の波長で規格化された前記AIN薄膜膜厚（kH）が前記弾性表面波速度の温度係数（τＶ）と所定の関数（τＶ＝−48.44（kH）-0.5003＋0.4210）で相関関係を有し、前記AIN薄膜中の酸素濃度が１％以下で結晶性が0.50°以下であることを特徴とする圧電体。
【請求項５】　請求項１乃至４記載の圧電体を用いていることを特徴とするSAWデバイス。」
　
２．引用例
  これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された各引用例には、それぞれ次の技術事項が記載乃至開示されている。
　
  引用例１（東北大学電通談話会記録、第54巻第４号、昭和61年３月、
　　　　　p.127-128）
　AIN薄膜を用いた弾性表面波デバイスに関するものであり、図面と共に次の技術事項が記載乃至開示されている。
(a) 「遅延時間温度係数(TCD)はSAWデバイス用基板として広く用いられているLiNbO３で70ppmと大きい。本研究で用いたAINは・・・TCDの値が負であることが確かめられ、AIN/Al２O３構造でTCDが零となるSAW発振器を試作された。しかし現在のところ、AIN/Al２O３構造におけるTCDの値は再現性が悪い。その理由として(i)AIN膜の結晶性、(ii)AIN膜中の残留歪、(iii)AIN膜中の残留酸素などが考えられる。
　本研究ではAIN/Al２O３構造のTCDの値とAIN膜質との関係を調べることによりTCDの値の再現性を改善し、零温度係数を有するSAW発振器を試作することを目的とした。」（p.127左欄の第１章を参照。）
(b)「AIN膜厚の増加に伴いTCDの値は減少する傾向にあるが、膜厚にして２μm以上になるとTCDの膜厚増加に対する減少傾向が鈍くなる。・・・
　AIN膜中の酸素不純物濃度は全試料を通してほぼ２％以下で、残留酸素によるAINのTCDに対する影響はまだ定量的には明らかになっていない。・・・
　AINの温度係数に対し、AIN膜中の残留酸素濃度だけではなくAIN膜中の歪も何らかの影響を与えると考えられる。（図２）・・・
　AIN膜厚が２μmを越えるとTCDの膜厚に対する減少傾向が鈍る。膜厚が増加することによって生じる膜質の変化はAIN膜表面が荒れるとともに膜中の歪が増加することである。特にAIN膜表面が荒れるという効果がAINのTCDの値を劣化させていると考えられる。」（p.128第３章を参照。）
　
  引用例２（Crystal Research and Technology、Berlin、Volume22、1987、Number　　　　　　１、January、p.65-73）
  各方位のサファイア基板上に形成されたAIN層のエピタキシヤル方位の関係が示されている（特に、p.71の表１を参照。）
　
３．対比・判断
【請求項１、２に係る発明について】
  請求項１、２に係る発明と引用例１に記載されたものとを対比する。引用例１には、AIN/Al２O３構造の遅延時間温度係数（TCD）の再現性について、AIN膜の結晶性、AIN膜中の残留歪、AIN膜中の残留酸素などの値がTCDに影響すること、また、AINの膜厚について、AIN膜厚の増加に伴いTCDの値は減少する傾向にあるが膜厚にして２μm以上になるとTCDの膜厚増加に対する減少傾向が鈍くなることは示されているものの、請求項１、２に係る発明のような、特定の結晶面を有するサファイア基板と該サファイア基板上のAIN薄膜とを備える圧電体において、該圧電体を伝播する弾性表面波の波長で規格化されたAIN薄膜膜厚（kH）が弾性表面波速度の温度係数（τＶ）と所定の関数関係を有することは記載されておらず、示唆もされていない。引用例２には、サファイア基板面とAIN薄膜の面との組合せについて示されているだけで、上記AIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）との所定の関数関係については何ら示されていない。また、上記AIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）との所定の関数関係を当業者の技術常識もしくは周知の事項であるとする根拠も見当たらない。引用例１と引用例２を組み合わせても、上記のような、特定の結晶面を有するサファイア基板と該サファイア基板上のAIN薄膜とを備える圧電体において、該圧電体を伝播する弾性表面波の波長で規格化されたAIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）の所定の関数関係を導くことはできない。
  そして、請求項１、２に係る発明は、上記の圧電体を伝播する弾性表面波の波長で規格化されたAIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）の所定の関数関係を含む構成により、温度係数がAIN薄膜の膜厚によって上記所定の関数で制御できるという格別の効果を奏するものである。
  したがって、請求項１、２に係る発明は、上記引用例１、２に記載されたものに基づいて当業者が容易に想到できたものとすることはできない。
　
【請求項３、４に係る発明について】
  請求項３、４に係る発明と引用例１に記載されたものとを対比する。引用例１には、AIN/Al２O３構造の遅延時間温度係数（TCD）の再現性について、AIN膜の結晶性、AIN膜中の残留歪、AIN膜中の残留酸素などの値がTCDに影響すること、また、AINの膜厚について、AIN膜厚の増加に伴いTCDの値は減少する傾向にあるが膜厚にして２μm以上になるとTCDの膜厚増加に対する減少傾向が鈍くなることは示されているものの、請求項３、４に係る発明のような、特定の結晶面を有するサファイア基板と該サファイア基板上のAIN薄膜とを備える圧電体において、特定の伝播方向の弾性表面波の波長で規格化されたAIN薄膜膜厚（kH）が弾性表面波速度の温度係数（τＶ）と所定の関数関係を有することは記載されておらず、示唆もされていない。引用例２には、サファイア基板面とAIN薄膜の面との組合せについて示されているだけで、上記AIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）との所定の関数関係については何ら示されていない。また、上記AIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）との所定の関数関係を当業者の技術常識もしくは周知の事項であるとする根拠も見当たらない。引用例１と引用例２を組み合わせても、上記のような、特定の結晶面を有するサファイア基板と該サファイア基板上のAIN薄膜とを備える圧電体において、特定の伝播方向の弾性表面波の波長で規格化されたAIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）の所定の関数関係を導くことはできない。
  そして、請求項３、４に係る発明は、上記の特定の伝播方向の弾性表面波の波長で規格化されたAIN薄膜膜厚（kH）と弾性表面波速度の温度係数（τＶ）の所定の関数関係を含む構成により、温度係数がAIN薄膜の膜厚によって上記所定の関数で制御できるという格別の効果を奏するものである。
  したがって、請求項３、４に係る発明は、上記引用例１、２に記載されたものに基づいて当業者が容易に想到できたものとすることはできない。
　
【請求項５に係る発明について】
  請求項５に係る発明は、請求項１〜４に係る発明の圧電体を用いたSAWデバイスであり、請求項１〜４に係る発明が上記したように引用例１、２に記載されたものに基づいて当業者が容易に想到できたものとすることはできない以上、請求項５に係る発明を引用例１、２に記載されたものに基づいて当業者が容易に想到できたものとすることはできない。
　
４．むすび
  以上のとおりであるから、請求項１〜５に係る発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない
  また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　したがって、結論のとおり審決する。