【事件の表示】
　平成　３年特許願第２７９１９３号「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　５月１８日出願公開、特開平　５−１２０６３９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　３年１０月２５日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　４月　５日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　５月１７日
　
２　本願発明
　特許請求の範囲請求項１に係る発明は、その請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「磁気抵抗効果型素子膜上にリードを形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果型素子膜の一方の面に非磁性層を介してアモルファス合金でできた軟磁性バイアス補助層を設けるとともに、他方の面にＦｅ?Ｍｎ層，金層，Ｔｉ層を順に積層したリードを設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」（以下、本願発明という。）
　
３　引用例記載の発明
（１）　この出願前公知の刊行物である特開平２−６８７０６号公報（公開日　平成２年３月８日　以下、引用例１という。）の、
ａ）特許請求の範囲には、
「（１）　磁気抵抗材料の薄膜と、複数個の導電性リード構造とを含み、
　上記複数個の導電性リード構造の各々は、相互の離隔した複数位置で上記磁気抵抗材料の薄膜と電気的に接続されており、
　上記導電性リード構造は、上記磁気抵抗材料の薄膜に電気的に接続されたタングステンの薄膜と、上記タングステンの薄膜の反対側面上に形成された上層とを含んでなり、
　上記上層は、チタン、クロム、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、及びチタン−タングステン合金よりなる群から選んだ材料で形成されており、
　信号出力手段が２つの上記導電性リード構造の間に接続されたとき、上記磁気抵抗材料の薄膜によって横切られる磁界の関数として、上記磁気抵抗材料の電気抵抗の変化を検出する磁気抵抗センサ。」と記載され、
　
ｂ）第２頁左上欄第８行〜右上欄第５行に、
「従来、磁気抵抗センサは動作特性が不安定であるという問題を持っているため、実用性の隘路となっていた。この不安定な動作特性の原因の１つは、磁気抵抗性フィルムの抵抗の変化が感知される導電性リード構造である。この導電性リード構造は、良導体である公知の低い電気抵抗材料を含んでいる。例えば、米国特許第４６２２６１３号は、銅、金及び銀で形成された導電性リードを持つ磁気抵抗センサを開示している。米国特許第４６６３６８４号は、金、またはアルミニウムで形成された導電性リードを持つ磁気抵抗センサを開示している。米国特許第４５０３３９４号は、２層で構成されたリード構造を持つ磁気抵抗センサを記載しており、リード構造の第１層はクロム、モリブデン及びチタニウムからなるグループから選ばれた材料で構成され、第２層は、アルミニウム、金、白金及びパラジウムからなるグループから選ばれた材料で構成されている。」と記載され、
　
ｃ）第２頁右上欄第６行〜左下欄第６行に、
「Ｃ．発明が解決しようとする問題点
　従来の導電性リード構造を使用した磁気抵抗センサの持つ問題は、…リード構造の歪みが高く、接続性が悪く、そして触刻性が悪いので、リード構造が故障して、磁気抵抗センサの信頼性を低下させることである。加えて、内部拡散及び電子移行の問題が、磁気抵抗センサの使用寿命期間内で変換器の電気的特性を変化させる。他の問題として、空気ベアリング表面に延びる磁気変換器の部分において、小さな突起や、擦り傷によって磁気抵抗センサに物理的な損傷が生じる問題がある。
　製造工程の後続する処理ステップで、安定性を保つばかりではなく、磁気抵抗センサとして使用するための予定寿命期間の間も安定性を保つようなリード構造を有する磁気抵抗センサは、従来、知られていない。
　従って、本発明の目的は、磁気抵抗センサの予定寿命期間の間、安定性を保っており、適正な特性を持つ磁気抵抗センサの導電リード構造を提供することにある。」と記載され、
　
ｄ）第２頁右下欄第５行〜第３頁左上欄第８行に、
「Ｅ．実施例
　第１図乃至第４図を参照して、本発明の磁気抵抗読み取り変換器組立体の実施例を以下に説明する。第１図において、磁気読み取りヘッドは、適当な基板（図示せず）の上に設けられた磁気抵抗（ＭＲ）センサ１０を用いており、この磁気抵抗センサは、データの実際の感知が行われる中央動作領域１４と、端部領域１２の２つの領域に分けることが出来る。２つの領域１２、１４は、異なった態様のバイアス電圧がかけられており、端部領域１２だけにのみ長手方向バイアスがかけられ、動作領域１４には、横断バイアス電圧がかけられている。長手方向バイアスは、磁気抵抗材料層１１と直接物理的に接触されるようデポジットされた反強磁性体交換バイアス層１５によって発生する。横断バイアスは、軟質磁性体フィルム層１６によって発生され、軟質磁性体フィルム層１６は、薄い非磁性体のスペーサ層１７によって磁気抵抗材料層１１から隔離されており、この目的は、磁気抵抗材料層１１と、軟質磁性体フィルム層１６の間の磁気交換が、中央動作領域内に結合しないように阻止することにある。導電性リード構造１８及び１９の内側エッジの間の間隙は、出力信号が感知される動作領域１４の部分を含んでいる。」と記載され、
　
ｅ）第３頁右上欄第２行〜左下欄第１１行に、
「本発明に従った１実施例において、導電性リード構造１８及び１９の主電流導通部材は、タングステン（Ｗ）である。然しながら、タングステン単独では、信頼性ある薄膜状の導電性リード構造を作ることは出来ないことが分っているから、本発明に従って、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びチタン−タングステン合金（ＴｉＷ）のグループから選ばれた材料で形成された薄膜を、タングステンの薄膜上に被覆した導電線リード構造が与えられる。…
　タングステンは、引掻き、擦りなどによる物理的な損傷に関する耐性に対して秀れた硬度を持ち、そして隣接層への拡散も殆んどないので、本発明の実施例において、導電性リード構造１８及び１９の導電性材料として選ばれたものである。また、タングステンは、電気マイグレーション（…）に対する秀れた寿命時間と、バルク・フォームで約５．５μΩ−ｃｍの抵抗率を持っている。この抵抗率は、例えば金のような通常の導電性リード線材料よりも高い値であるけれども、この値は、磁気抵抗センサから読み取り信号を感知するための従来の感知回路に大巾な設計変更を行うことなく使用することが出来る程、充分に低い値である。」と記載されている。
　
ｆ）　そして、第１図および第３図を参照すると、引用例１には、磁気抵抗センサの予定寿命期間の間、安定性を保っており、適正な特性を持つ磁気抵抗センサの導電性リード構造を提供することを目的とする、「磁気抵抗材料の薄膜上に、複数個の導電性リード構造が形成された磁気抵抗センサであって、
　磁気抵抗材料層１１の一方の面に、薄い非磁性体のスペーサ層１７によって磁気抵抗材料層１１から隔離された軟質磁性体フィルム層１６を設けるとともに、
　他方の面に、長手方向バイアスを与える、磁気抵抗材料層１１と直接物理的に接触されるようデポジットされた反強磁性体交換バイアス層１５、その上にタングステンの薄膜、その上にＴｉの上層の順に積層した導電性リード構造を持った磁気抵抗センサ」が示されている。
　
ｇ）　そして、従来導電性リードとして、金が用いられていることが示されている。
　
（２）　この出願前公知の刊行物である特開昭６３−１１７３１０号公報（公開日　昭和６３年５月２１日　以下、引用例２という。）の
ａ）第１頁右下欄第１６行〜第２頁右上欄第９行に、
「Ｂ．従来技術
　従来より、大きな線密度で磁性面からデータを読みとる能力を有する磁気抵抗（ＭＲ）センサまたはヘッドと呼ばれる磁気変換器が知られている。磁気抵抗センサは、磁気抵抗材料製の読取素子の、その素子によって感知される磁束の大きさと方向の関数としての抵抗変化から、磁界信号を検出する。
　しかしながら、不安定な動作特性およびバルクハウゼン雑音という磁気抵抗センサに付随する主な問題のため、その使用は限られていた。これらの問題が生じるのは、磁化に際して複数の安定状態があるためであり、様々な多重ドメイン（磁区）構成による減磁作用のためである。このマルチドメイン構成のランダムな変化が、上記の不安定な動作特性とバルクハウゼン雑音の原因である。
　これらの問題に対する解決策は、最近になって始めて、パターン化された縦バイアスの実施によって実現された。この解決策は、本出願人に譲渡された１９８５年８月１５日出願のチン　Ｈ．ツァン（Ching　H.　Tsang）の「磁気抵抗性読取変換器（…）」と題する米国特許出願第７６６１５７号に記載されている。要約すると、この発明は、磁気抵抗層の端部領域のみに直接適当な単一ドメイン状態を形成している。磁気抵抗層の端部領域のみに縦バイアスを発生させて、この端部領域を単一ドメイン状態に維持させ、これらの単一ドメイン状態が磁気抵抗層の中央領域での単一ドメイン状態を誘導する。この従来例では、磁気抵抗層と平行にかつそれと隔置して軟磁性材料の薄い膜を設けて、磁気抵抗層の中央領域のみに横バイアスをも発生させ、出力信号を感知する場所である中央領域を線形対応モードに維持する。」と記載され、
　
ｂ）第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１６行に、
「Ｅ．実施例
　本発明について説明する前に、前述の従来例について第２図を参照しながら簡単に説明することにする。この磁気読取ヘッドは、磁気抵抗センサ１０を利用し、この磁気抵抗センサ１０は、データの感知を実際に行う場所である活性領域（中央領域）１４と、端部領域１２の２つの領域に分けることができる。この２つの領域は、異なる方式でバイアスされる。端部領域１２のみに縦バイアスをかけ、活性領域１４には横バイアスをかける。この従来例では、縦バイアスは、磁気抵抗層１０と直接物理的に接触するように付着された反強磁性バイアス交換層１５によって発生させる。横バイアスは、薄い非磁性スペーサ層１７で磁気抵抗層１０から分離された軟磁性薄膜層１６によって発生させる。このスペーサ層１７の目的は、活性中央領域１４内で、磁気抵抗層１０と軟磁性薄膜層１６との間での磁気交換結合を防止することである。導体１８と１９の内側エッジの間の隙間が、出力信号を感知する検出領域を画定する。」と記載され、
　
ｃ）第３頁右上欄第８行、第９行に、
「次に、第１図を参照しながら、本発明について説明する。」と記載され、
　
ｄ）第３頁右下欄第３行〜第７行に、
「本発明では、軟磁性薄膜層３０もスペーサ層２８も、第２図の従来例とは対照的に、磁気抵抗センサ２２の中央領域２６上のみに延在する。第２図の従来例では、これらの要素は磁気抵抗センサ１０の全長に亘って連続している。」と記載され、
　
ｅ）第３頁右下欄第１８行〜第４頁左上欄第２行に、
「第１図に示した磁気読取ヘッドの特定の実施例では、磁気抵抗センサ２２の材料はＮｉＦｅ、スペーサ層２８の材料はＴａ、軟磁性薄膜層３０の材料はＮｉＦｅＲｈ、反強磁性層３２の材料はＭｎＦｅであった。」と記載されている。
　
ｆ）上記記載と、第１図、第２図から、引用例２には、
「従来、不安定な動作特性およびバルクハウゼン雑音という磁気抵抗センサに付随する主な問題」が当業者で認識されていたこと、
「縦バイアスは、磁気抵抗層１０と直接物理的に接触するように付着された反強磁性バイアス交換層１５によって発生させる。横バイアスは、薄い非磁性スペーサ層１７で磁気抵抗層１０から分離された軟磁性薄膜層１８によって発生させる。」構成を有した磁気抵抗センサが、
「磁気抵抗センサ２２の材料はＮｉＦｅ、スペーサ層２８の材料はＴａ、軟磁性薄膜層３０の材料はＮｉＦｅＲｈ、反強磁性層３２の材料はＭｎＦｅ」を用いることがそれぞれ示されている。
  
（３）　この出願前公知の刊行物である特開平３−１６８９１２号公報（公開日　平成３年７月２２日　以下、引用例３という。）の、
ａ）特許請求の範囲には、
「（１）強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体層とが非磁性導体層を介して積層され、かつ前記非磁性導電体層が窒化タンタル、窒化タングステンまたは窒化クロムで形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。」と記載され、
　
ｂ）第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第５行に、従来例として、
「即ち、第６図に示すように、ガラス、フェライト等からなる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せず）上に、スパッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体薄膜からなるＭＲ素子１（例えば、膜厚２００〜５００ÅのＮｉＦｅ合金）を形成し、前記ＭＲ素子１上にＴｉ，ＭＯ，Ｃｒ等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、さらに前記非磁性導体層２上に非晶質軟磁性体層５を同様な方法で形成した構造を有するＭＲヘッドを開示している。ここで、６はＭＲ素子１、非磁性導体層２および非晶質軟磁性体層５の積層体に通電するための端子である。」と記載されている。
　
４　本願発明と引用例記載の発明との対比
　本願発明の「磁気抵抗効果型素子膜」、「リード」、「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」、「非磁性層」、「軟磁性バイアス補助層」は、
引用例１の「磁気抵抗材料の薄膜」、「導電性リード構造」、「磁気抵抗センサ」、「非磁性体のスペーサ層」、「軟質磁性体フィルム層」に相当するから、両者は次の点で一致する。
（一致点）
「磁気抵抗効果型素子膜上にリードを形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果型素子膜の一方の面に非磁性層を介して軟磁性バイアス補助層を設けるとともに、他方の面に積層したリードを設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」。
（相違点１）
　そして、次の点で相違する。
　本願発明では、「アモルファス合金でできた軟磁性バイアス補助層」であるのに対して、引用例１のものは、アモルファス合金でできているかどうか不明である点、
（相違点２）
　本願発明では、「Ｆｅ−Ｍｎ層，金層，Ｔｉ層を順に積層したリード」であるのに対して、引用例１のものは、「反強磁性体交換バイアス層１５、その上にタングステンの薄膜、その上にＴｉの上層の順に積層した」リードである点。
　
５　相違点の検討
ａ）相違点１の検討
　引用例３には、「ＭＲ素子１上にＴｉ，ＭＯ，Ｃｒ等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、さらに前記非磁性導体層２上に非晶質軟磁性体層５を同様な方法で形成した構造を有するＭＲヘッド」が示されており、本願発明において、磁気抵抗効果型素子膜、非磁性層ともその材料などが何ら限定されていないものであり、軟磁性バイアス層として、非晶質即ちアモルファスのものを用いることは当業者が容易に想到し得ると認められる。
　よってこの相違点は格別ではない。
　
ｂ）相違点２の検討
　引用例２には、リード部と接続し、縦バイアスを与える反磁性バイアス交換層をＭｎＦｅで形成することが示され、本願発明のＦｅ−Ｍｎ層に相当する。
　引用例１においては、「反強磁性体交換バイアス層１５、その上にタングステンの薄膜、その上にＴｉの上層の順に積層した」リードであるが、反強磁性体交換バイアス層１５の材料は示されておらず、引用例２のＭｎＦｅとすることは、当業者が容易に想到し得ると認められる。
　そして、その上にタングステンの薄膜、その上にＴｉの上層の順に積層しているが、「タングステンは、引掻き、擦りなどによる物理的な損傷に関する耐性に対して秀れた硬度を持ち、そして隣接層への拡散も殆んどない」との理由から、引用例１においてタングステンを選択したものであり、従来から、金をリードとして用いることが知られていることは、引用例１にも記載されており、タングステンの耐性や硬度、拡散についての性質を必要としないならば、タングステンに変えて導電性の高い金を用いることに、阻害要件があるとは認められない。
　従って、この相違点も格別のものではない。
　
ｃ）相違点の組み合わせについて
　相違点１および２は、横バイアスのための構造と、リードの構造であり、それらに複合的な効果は認められない。
　なお、請求人は、本願発明は「バルクハウゼンノイズを実用的なレベルまで低減させることを主目的」としていると主張するが、この目的は、周知の目的であり、このために縦バイアス構造を取ることも周知であるので、請求人のこの主張は認められない。また、金が良導電体であることも周知の事実である。
　
ｄ）してみると、本願発明は、引用例１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、本願発明は、特許を受けることができないものである。
　
６　まとめ
　よって、結論のとおり審決する。