Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の彩度を強調することが可能な画像処理システムであって、
撮影時のホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定部と、
この係数決定部において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用部と、
を具備することを画像処理システム。
【請求項２】
前記係数決定部は、前記撮影時のホワイトバランスの信頼度が低い場合には、小さい彩度強調係数を選択する請求項１記載の画像処理システム。
【請求項３】
画像の彩度を強調することが可能な画像処理システムであって、
画像信号に基づいてホワイトバランスの信頼度を判定するホワイトバランス判定部と、
このホワイトバランス判定部で判定されたホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定部と、
この係数決定部において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用部と、
を具備することを画像処理システム。
【請求項４】
画像の彩度を強調することが可能な画像処理方法であって、
撮影時のホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定工程と、
この係数決定工程において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用工程と、
を具備することを画像処理方法。
【請求項５】
画像の彩度を強調することが可能な画像処理方法であって、
画像信号に基づいてホワイトバランスの信頼度を判定するホワイトバランス判定工程と、
このホワイトバランス判定工程において判定されたホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定工程と、
この係数決定工程において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用工程と、
を具備することを画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様は、画像の彩度を強調することが可能な画像処理システムであって、撮影時のホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定部と、この係数決定部において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用部と、を具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記係数決定部は、前記撮影時のホワイトバランスの信頼度が低い場合には、小さい彩度強調係数を選択する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の第３の態様は、画像の彩度を強調することが可能な画像処理システムであって、画像信号に基づいてホワイトバランスの信頼度を判定するホワイトバランス判定部と、このホワイトバランス判定部で判定されたホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定部と、この係数決定部において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用部と、を具備する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第４の態様は、画像の彩度を強調することが可能な画像処理方法であって、撮影時のホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定工程と、この係数決定工程において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用工程と、を具備する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の第５の態様は、画像の彩度を強調することが可能な画像処理方法であって、画像信号に基づいてホワイトバランスの信頼度を判定するホワイトバランス判定工程と、このホワイトバランス判定工程において判定されたホワイトバランスの信頼度に応じて彩度強調係数を決定する係数決定工程と、この係数決定工程において決定された彩度強調係数を用いて、画像信号に対する彩度強調処理を行う係数適用工程と、を具備する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  入力クロックに基づいて生成した出力クロックを帰還させ、この出力クロックを所定の特性にするフィードバックシステムであって、
請求項１から３までのいずれか一つに記載の低域ろ波回路で構成されたループフィルタと、
前記入力クロックと帰還されたクロックとの位相差に基づいて、前記ループフィルタが入力する前記第１および第２の電流を生成するチャージポンプ回路と、
前記ループフィルタからの出力信号に基づいて、前記出力クロックを生成する出力クロック生成手段とを備えた
ことを特徴とするフィードバックシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図１５は、一般的なループフィルタを示す。このうち（ａ）は受動フィルタであり、（ｂ）は能動フィルタである。両者は互いに等価変換が可能であり、その伝達特性は等しい。同図からわかるように、ループフィルタ３０は、受動タイプおよび能動タイプの別を問わず、実質的には、抵抗素子と容量素子と組み合わせによる低域ろ波回路である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
そして、本発明が講じた手段は、入力クロックに基づいて生成した出力クロックを帰還させ、この出力クロックを所定の特性にするフィードバックシステムとして、上記の低域ろ波回路で構成されたループフィルタと、前記入力クロックと帰還されたクロックとの位相差に基づいて、前記ループフィルタが入力する前記第１および第２の電流を生成するチャージポンプ回路と、前記ループフィルタからの出力信号に基づいて、前記出力クロックを生成する出力クロック生成手段とを備えたものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィードバックシステムの構成を示す。本実施形態に係るフィードバックシステムは、位相比較器１０と、チャージポンプ回路２０Ａと、ループフィルタ３０Ａと、出力クロック生成手段としての電圧制御発振器４０と、分周器５０とを備えたＰＬＬである。このうち、位相比較器１０、電圧制御発振器４０および分周器５０については既に説明したとおりである。以下、チャージポンプ回路２０Ａおよびループフィルタ３０Ａについて詳細に説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ループフィルタ３０Ｂは、図１に示したＰＬＬにおいて、ループフィルタ３０Ａと置き換えて用いることができる。この場合、ループフィルタ３０Ｂは、チャージポンプ回路２０Ａから入力端ＩＮ１およびＩＮ２に、たとえば、電流Ｉｐ／１０および電流Ｉｐを入力し、抵抗素子３２と容量素子３３との接続箇所に生じた電圧Ｖｏｕｔを電圧制御発振器４０に出力する。すなわち、容量素子３１に相対的に小さな電流を与えるようにすることによって、容量素子３１の容量値の小型化が可能となっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図６は、電圧バッファ回路３５Ａの具体的な回路構成を示す。電圧バッファ回路３５Ａは、ＰＭＯＳトランジスタ３５１および３５２から構成されたカレントミラー回路３５３と、カレントミラー回路３５３の入力側電流を生成するＮＭＯＳトランジスタ３５４と、カレントミラー回路３５３の出力電流を受ける、ダイオード接続されたＮＭＯＳトランジスタ３５５とを備えている。電圧バッファ回路３５Ａは、ＮＭＯＳトランジスタ３５４のゲート電極に、容量素子３１に生じた電圧を受け、ＮＭＯＳトランジスタ３５５に生じた電圧を出力する。ここで、ＮＭＯＳトランジスタ３５４および３５５のトランスコンダクタンス（値は任意）を等しくし、ＰＭＯＳトランジスタ３５１および３５２のトランスコンダクタンス（値は任意）を等しくすることで、交流的な電圧ゲインがほぼ“１”となる。すなわち、電圧バッファ回路３５Ａは、電圧バッファとして機能する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図７は、電圧バッファ回路３５の別の具体的な回路構成を示す。図７に示した電圧バッファ回路３５Ｂは、図６に示した電圧バッファ回路３５ＡからＰＭＯＳトランジスタ３５２およびＮＭＯＳトランジスタ３５５を省略した構成をしている。電圧バッファ回路３５Ｂは、ＮＭＯＳトランジスタ３５４のゲート電極に、容量素子３１に生じた電圧を受け、ＰＭＯＳトランジスタ３５１に生じた電圧を出力する。ここで、電圧バッファ回路３５Ｂの交流的な電圧ゲインがほぼ“１”となるように、ＰＭＯＳトランジスタ３５１およびＮＭＯＳトランジスタ３５４のトランスコンダクタンスを設定することにより、電圧バッファ回路３５Ｂは、電圧バッファとして機能する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
なお、ＰＭＯＳトランジスタ３４１に代えて抵抗素子を用いてもよいし、他の抵抗性インピーダンス素子を用いてもよい。ただし、電圧バッファ回路３５Ｂの内部抵抗値、すなわち、ＰＭＯＳトランジスタ３５１の抵抗値ＲPと、図７に示した抵抗素子３２の抵抗値Ｒrとの合成抵抗値が、図５に示した抵抗素子３２の抵抗値Ｒになるようにする。したがって、ＰＭＯＳトランジスタ３５１の抵抗値をＲに設定することで、抵抗素子３２を省略することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005020618.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【数１０】
2005020319.tif 000001
を得る。したがって光逆フーリエ変換された信号の時間波形ｒ（ｔ）は、ｒ（ｔ）∝ｕ（ｔ）となり、位相変化φ（−ｔ／Ｄ）を除いて光ファイバ伝送路３による時間歪みを完全に除去することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
撮影ロボット１の制御は、ＣＰＵ１１により行われる。来場者が撮影ロボット１の停止スイッチ（不図示）を押すと、ＣＰＵ１１は、走行装置１９に走行中止のコマンドを出力し、撮影ロボット１を静止させる。来場者のアングルスイッチ（不図示）操作あるいは音声による指示により、撮影装置１４のアングルが決定される。来場者が撮影ボタン１２を押すと、撮影装置１４は来場者を撮影し、来場者の画像データを生成する。なお、来場者は、アングルスイッチの操作により、来場者以外の被写体、例えば来場者の同伴者やその場の景色を撮影装置１４に撮影させてもよい。画像メモリ１５は、撮影装置１４が生成した画像データを記憶する。ＣＰＵ１１は、時計１６から撮影日時データを読み出して一時メモリ１３に記憶し、ＧＰＳ装置から現在地データを読み出して一時メモリ１３に記憶する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ＣＰＵ１１は、シリアル番号１０１（図６）と撮影装置１４が撮影した画像データと、一時メモリ１３に記憶されている撮影日時データと現在地データとを、一時メモリ１３に記憶しているＩＤコードに関連付けて画像メモリ１５に記憶する。シリアル番号は、各撮影ロボット１において、撮影装置１４が画像データを生成する毎に、ＣＰＵ１１が連番で割り振る数値である。ＣＰＵ１１は、画像メモリ１５に記憶した画像データと、シリアル番号１０１と、撮影対象来場者のＩＤコードと、撮影日時と、現在地データとを、いったん画像管理装置３に送信すると、画像メモリ１５内のデータを削除する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
撮影ロボット１のＧＰＳ装置１８は、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号を検出して現在地を検出する装置である。撮影ロボット１は、前述のように、基本的に担当区画が割り振られているが、走行装置１９により遊園地内を自由に独立走行可能である。従って、ＣＰＵ１１は、ＧＰＳ装置１８が検出する位置を自分の現在地とする。撮影ロボット１内部に遊園地のマップを持っていれば、ＧＰＳ装置により検出された現在地データとアトラクションの名称とＩＤコードとを対応づけて、画像メモリ１５に記憶できる。どのアトラクション前であるかの現在地データとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ＣＰＵ１１は、画像メモリ１５に記憶した画像データと、ＩＤコードと、撮影日時と、現在地データとを、ＩＤコード毎に１組にして画像管理装置３に無線回路１７を介して無線で送信する。画像管理装置３のＣＰＵ３１は、無線回路３２を介してこれらのデータを受信すると、シリアル番号１０１（図６）と画像データと撮影日時データと現在地データとをＩＤコード１０２に関連付けて、画像管理メモリ３４に記憶する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図６（ｂ）は、画像データがシリアル番号１０１に関連付けられて画像管理メモリ３４に蓄積されていることが示されている。ＣＰＵ３１は、シリアル番号１０１で画像管理メモリ３４に記憶されているデータを検索すれば、シリアル番号１０１に関連付けられた画像データを短時間で取得することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
来場者が遊園地から退場するとき、ＩＤタグ２を入退場登録機５のゲート装置５３に挿入する。ゲート装置５３が、ＩＤタグ２を検出すると、ＣＰＵ５１は来場者が退場するものと認識して、ＩＤタグ２からＩＤコードを読み出して課金装置４にＩＤコードを通信回路５４を介して出力する。課金装置４のＣＰＵ４１は、ＩＤコードを通信回路４３を介して入力すると、そのＩＤコードを画像管理装置３に出力する。
【補正対象書類名】  図面
【補正対象項目名】  図６
【補正方法】    変更
【補正の内容】
【図６】
2005020388.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本実施例の青色発光ダイオードによれば、次の効果が得られる。
（１）  サファイアやシリコンカーバイドに比べて著しく低コストであり加工性も良いシリコンから成る基板１１を使用することができるので、材料コスト及び生産コストの削減が可能である。このため、従来では他の発光素子に比べて高価であったＧａＮ系発光ダイオードのコスト削減が可能となる。
（２）  シリコンから成る基板１１に発光素子が形成できるため、基板１１内に他の電子素子を形成することができ、ＧａＮ系半導体発光素子がその他の半導体素子と同一の半導体基板内に集積された半導体集積回路を容易に実現できる。
（３）  光吸収性を有するシリコンから成る低抵抗性基板１１の上に、異なる実効屈折率を有する超格子層（ＡｌＮ／ＧａＮ）から成る低屈折率層１２ａと超格子層（ＩｎＮ／ＧａＮ）から成る高屈折率層１２ｂとを一組とする分布ブラッグ反射膜（超格子ＤＢＲ膜）の複数から成る超格子ＤＢＲ層１２が形成されている。従って、発光層即ち活性層１４から基体１６の下面側に放出された光は、超格子ＤＢＲ層１２によって基体１６の上面側に反射される。この結果、発光素子の外部量子効率即ち発光効率を増大することができる。
（４）  超格子ＤＢＲ層１２がバッファ層として良好に機能するため、発光特性が良好に得られる。即ち、発光特性が良好に得られる第１の理由は、低抵抗性基板１１の一方の主面に形成されたＡｌＮ層２１及びＧａＮ層２２から成る低屈折率層１２ａとＩｎＮ層２３及びＧａＮ層２４から成る高屈折率層１２ｂから構成される超格子ＤＢＲ層１２が、シリコンから成る低抵抗性基板１１の結晶方位を良好に引き継ぐことができ、このＤＢＲ層１２を核としてその一方の主面にｎ形半導体領域１３、活性層１４及びｐ形半導体領域１５を順次、結晶性を良好にして積層形成することができることにある。
発光特性が良好に得られる第２の理由は、低抵抗性基板１１とＧａＮ系半導体領域との間にＩｎＮ層２１及びＧａＮ層２４が複数積層されて成る高屈折率層１２ｂを介在させることによって、超格子ＤＢＲ層１２の応力に基づく歪みが発生することを良好に防止できること、及び超格子ＤＢＲ層１２の上面に形成されるＧａＮ系半導体領域にクラックが生じることを防止できることにある。即ち、低抵抗性基板１１とＧａＮ系半導体領域との間に例えばＡｌxＧａ1-xＮ（但し、ｘは０＜ｘ≦１を満足する数値）層及びＧａＮ層が複数積層されて成るバッファ層を介在させた場合には、このバッファ層の歪みを緩和するためにその上に形成されるＧａＮ系半導体領域にクラックが生じ易い。これに対し、本発明に従って低抵抗性基板１１とＧａＮ系半導体領域との間にＡｌxＧａ1-x層及びＩｎyＧａ1-yＮ層を含む超格子ＤＢＲ層１２を介在させた場合には、ＧａＮ系半導体領域にクラックをほとんど生じさせることなく、超格子ＤＢＲ層１２の応力緩和、歪み緩和が可能である。この理由は必ずしも明らかではないが、ＩｎyＧａ1-yＮのある結晶面がスリップ等により超格子ＤＢＲ層１２に内在した歪みを開放、緩和しているためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】記録ヘッドと再生ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、再生ヘッドエレメントであるセンサ−膜の周りに設けられ、軟磁気特性と磁気的なシ−ルド機能とを持つ強磁性体膜がNiFe合金であるパ−マロイから成り、初期形成層から膜厚1.0μmにおける組成範囲がNi=80.8〜82.0wt%であり、膜厚1.0μmから上部形成層における膜組成範囲が、Ni=81.0〜81.2wt%であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】記録ヘッドと再生ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、再生ヘッドエレメントであるセンサ−膜の周りに設けられ、軟磁気特性と磁気的なシ−ルド機能とを持つ強磁性体膜がNiFe合金であるパ−マロイから成り、前記強磁性体膜の磁気特性である磁歪定数λが、初期形成層から膜厚1.0μmにおいてλ=-2.0〜-7.0×10-7であり、膜厚1.0μmから上部形成層においてλ=-3.0〜-4.0×10-7であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】記録ヘッドと再生ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、再生ヘッドエレメントであるセンサ−膜の周りに設けられ、軟磁気特性と磁気的なシ−ルド機能とを持つ強磁性体膜がNiFe合金であるパ−マロイから成り、該パ−マロイのめっき膜の膜厚1.0μmより大きい膜厚の組成精度がNi=±0.1wt%であり、膜厚1.0μm以下の組成精度がNi=±0.3wt%であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】請求項１から３までのいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を、パソコンを用い、時間と電流値を設定して行ない、膜形成を行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】請求項１から３までのいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを使用することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】記録ヘッドを形成するステップと、再生ヘッドを形成するステップと、パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を行うステップとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記再生ヘッドを形成するステップにおいて、軟磁気特性と磁気的なシールド機能とを持つ強磁性体膜がNiFe合金であるパ−マロイから成り、電気めっき法で再生ヘッドエレメントであるセンサ−膜の周りに設けられ、初期形成層から膜厚1.0μmにおける組成範囲がNi=80.8〜82.0wt%であり、膜厚1.0μmから上部形成層における膜組成範囲が、Ni=81.0〜81.2wt%であり、前記パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を行うステップにおいて、時間と電流値を前記強磁性膜形成を行うために設定することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】記録ヘッドを形成するステップと、再生ヘッドを形成するステップと、パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を行うステップとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記再生ヘッドを形成するステップにおいて、軟磁気特性と磁気的なシールド機能とを持つ強磁性体膜がNiFe合金であるパ−マロイから成り、電気めっき法で再生ヘッドエレメントであるセンサ−膜の周りに設けられ、前記強磁性体膜の磁気特性である磁歪定数λが、初期形成層から膜厚1.0μmにおいてλ=-2.0〜-7.0×10-7であり、膜厚1.0μmから上部形成層においてλ=-3.0〜-4.0×10-7であり、前記パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を行うステップにおいて、時間と電流値を前記強磁性膜形成を行うために設定することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】記録ヘッドを形成するステップと、再生ヘッドを形成するステップと、パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を行うステップとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記再生ヘッドを形成するステップにおいて、軟磁気特性と磁気的なシールド機能とを持つ強磁性体膜がNiFe合金であるパ−マロイから成り、電気めっき法で再生ヘッドエレメントであるセンサ−膜の周りに設けられ、該パ−マロイのめっき膜の膜厚1.0μmより大きい膜厚の組成精度がNi=±0.1wt%であり、膜厚1.0μm以下の組成精度がNi=±0.3wt%であり、前記パ−マロイめっきの電流密度を時間的に変化させる制御を行うステップにおいて、時間と電流値を前記強磁性膜形成を行うために設定することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  端子部を有する電子部品であって、端子部が、銅を主成分とする線材の表面に、厚さ１００ｎｍ未満の銅酸化膜を介して鉛含有率が１％未満のはんだがメッキされて成ることを特徴とする電子部品。
【請求項２】  端子部を有する電子部品であって、端子部が、銅を主成分とする線材の微小な凹凸表面に、鉛含有率が１％未満のはんだがメッキされて成ることを特徴とする電子部品。
【請求項３】  端子部を有する電子部品であって、端子部が、銅を主成分とする線材の表面に、フラックスを介して鉛含有率が１％未満のはんだがメッキされて成ることを特徴とする電子部品。
【請求項４】  端子部を成す線材の線径がφ０．０１ｍｍ以上φ０．１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品。
【請求項５】  端子部を有する電子部品の処理方法であって、銅を主成分とし、かつ、表面が樹脂で被覆された被覆線にプラズマを照射するステップを含むことを特徴とする処理方法。
【請求項６】  端子部を有する電子部品の処理方法であって、銅を主成分とする線材の表面に樹脂が被覆された被覆線の一部にプラズマを照射するステップと、プラズマを照射した部分で線材を切断するステップと、切断された被覆線を所定の形状に巻いてコイルを形成するステップを含むことを特徴とする処理方法。
【請求項７】  端子部を有する電子部品の処理装置であって、電子部品または電子部品の端子部をハンドリングするハンドラと、局所的にプラズマを発生させることのできるマイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または電子部品の端子部に電力を供給する電源とを備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項８】  端子部を有する電子部品の処理装置であって、巻線機と、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または電子部品の端子部に電力を供給する電源と、はんだメッキ漕と、はんだメッキ漕を加熱するヒーターと、はんだ噴流装置を備えたことを特徴とする処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電線を一平面に並べたフラットケーブルと、回路部品を実装した複数の基板を備えた制御装置のケーブル保持方法において、
Ｚ形状に折り曲げ成形したフラットケーブルの折り返し部を、第２基板のフラットケーブルを接続するコネクタの横にコネクタと平行に設けたケーブル保持部に差し込んでフラットケーブルの弛み処理をすることを特徴とする制御装置のケーブル保持方法。
【請求項２】  前記フラットケーブルは、表面にフラットケーブルよりも曲がりにくい樹脂や金属を材料とする補強板を重ねて貼り付けたことを特徴とする請求項１に記載の制御装置のケーブル保持方法。
【請求項３】  前記ケーブル保持部を長穴形状に構成するとともに、前記第２基板の端部に形成し、前記ケーブル保持部の長辺の一部を切り欠いて開放したことを特徴とする請求項１または２に記載の制御装置のケーブル保持方法。
【請求項４】  前記ケーブル保持部を長穴形状に構成するとともに、前記第２基板の端部に形成し、前記ケーブル保持部の短辺の一部を切り欠いて開放したことを特徴とする請求項１または２に記載の制御装置のケーブル保持方法。
【請求項５】  電線を一平面に並べたフラットケーブルと、回路部品を実装した複数の基板を備えた制御装置において、前記フラットケーブルを、請求項１から請求項４までのいずれかの項に記載のケーブル保持方法を用いて保持したことを特徴とする制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成している。
請求項１に記載のケーブル保持方法の発明は、電線を一平面に並べたフラットケーブルと、回路部品を実装した複数の基板を備えた制御装置のケーブル保持方法において、Ｚ形状に折り曲げ成形したフラットケーブルの折り返し部を、基板のフラットケーブルを接続するコネクタの横にコネクタと平行に設けたケーブル保持部に差し込んでフラットケーブルの弛み処理をすることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、前記フラットケーブルを、表面にフラットケーブルよりも曲がりにくい樹脂や金属を材料とする補強板を重ねて貼り付けて構成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、前記ケーブル保持部を長穴形状に構成するとともに、前記第２基板の端部に形成し、前記ケーブル保持部の長辺の一部を切り欠いて開放したことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、前記ケーブル保持部を長穴形状に構成するとともに、前記第２基板の端部に形成し、前記ケーブル保持部の短辺の一部を切り欠いて開放したことを特徴とするものである。
請求項５に記載の制御装置の発明は、電線を一平面に並べたフラットケーブルと、回路部品を実装した複数の基板を備えた制御装置において、前記フラットケーブルを、請求項１から請求項４までのいずれかの項に記載のケーブル保持方法を用いて保持したことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  （ａ）シリコンからなる基板の表層部を非晶質化した後、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ｂ）レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射された波長４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のレーザビームを、前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる工程とを有する半導体装置の製造方法。    【請求項２】  前記工程（ａ）において、非晶質化された層の厚さが５ｎｍよりも厚く、３０ｎｍ以下になるように非晶質化を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項３】  前記全固体レーザ発振器のレーザ媒質が、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ4、及びＣｒ：Ｎｄ：ＧＳＧＧからなる群より選択された１つの媒質である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項４】  前記工程（ｂ）において、前記全固体レーザ発振器からパルスレーザビームを出射させ、前記基板表面におけるパルスエネルギ密度を１３００ｍＪ／ｃｍ2よりも大きくする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項５】  前記工程（ｂ）において、前記全固体レーザ発振器からパルスレーザビームを出射させ、前記基板表面におけるパルスエネルギ密度を１４００ｍＪ／ｃｍ2〜１８００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内に設定する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項６】  前記工程（ｂ）において、前記基板の表層部の温度が、シリコンの融点以上になるように前記レーザビームを照射する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項７】  前記工程（ｂ）において、不活性ガス雰囲気中で、前記基板にレーザビームの照射を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項８】  前記不活性ガスが、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスからなる群より選択された少なくとも１つのガスを含む請求項７に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項９】  （ａ）シリコンからなる基板の、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ｂ）レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射されたパルスレーザビームまたはその高調波ビームを、前記基板表面におけるパルスエネルギ密度が１３００ｍＪ／ｃｍ2よりも大きくなる条件で前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる工程とを有する半導体装置の製造方法。    【請求項１０】  （ａ）相互に平行な複数のスクライブラインが表面に画定された半導体材料からなる基板の、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ｂ）レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射されたレーザビームまたはその高調波ビームを、前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる工程とを有し、  前記工程（ｂ）において、前記基板表面におけるレーザビームのビーム断面が一方向に長い形状を有し、その長さが前記スクライブラインの間隔以上であり、レーザビームの入射位置を、ビーム断面の長手方向と交差する方向に移動させる半導体装置の製造方法。    【請求項１１】  前記工程（ｂ）が、前記基板表面におけるレーザビームの強度を、ビーム断面の長手方向またはそれに直交する方向に関して均一に近づける工程を含む請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項１２】  （ａ）相互に平行で等間隔に配置された複数のスクライブラインが表面に画定された半導体材料からなる基板の、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ｂ）レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射されたレーザビームまたはその高調波ビームを、前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる工程とを有し、  前記工程（ｂ）において、前記基板表面におけるレーザビームのビーム断面が一方向に長い形状を有し、レーザビームの入射位置を、ビーム断面の長手方向と交差する方向に移動させ、該基板表面におけるビーム断面の長手方向の両端において、該ビーム断面内の最大強度の９０％となる位置から１０％となる位置までの強度傾斜部が、前記スクライブライン内に位置するように、前記レーザビームを照射する半導体装置の製造方法。    【請求項１３】  前記工程（ｂ）が、前記基板表面におけるレーザビームの強度を、ビーム断面の長手方向またはそれに直交する方向に関して均一に近づける工程を含む請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項１４】  （ａ）半導体材料からなる基板の、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ａ１）不純物が注入された前記基板の脱水素処理を行う工程と、  （ｂ）脱水素処理後、レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射されたレーザビームまたはその高調波ビームを、前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる工程とを有する半導体装置の製造方法。    【請求項１５】  前記脱水素処理が、前記基板の加熱、前記基板へのレーザビームの照射、及び前記基板への電磁波の照射からなる群より選択された少なくとも１つの処理を含む請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項１６】  前記工程（ａ１）において、前記工程（ｂ）に用いるレーザビームと同じ波長のレーザビームを、前記基板の表面におけるパルスエネルギ密度が５００ｍＪ／ｃｍ２〜１３００ｍＪ／ｃｍ２になる条件で、前記基板に照射する請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。    【請求項１７】  （ａ）半導体材料からなる基板の表層部を、プラズマドーピングを用いて非晶質させる工程と、  （ｂ）前記基板の、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ｃ）前記基板の少なくとも表層部を加熱し、前記不純物を活性化させる工程とを有する半導体装置の製造方法。    【請求項１８】  前記工程（ｃ）において、レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射されたレーザビームまたはその高調波ビームを、前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】【課題を解決するための手段】  本発明の一観点によると、  （ａ）シリコンからなる基板の表層部を非晶質化した後、深さ１００ｎｍよりも浅い表層部に、不純物を添加する工程と、  （ｂ）レーザダイオード励起型全固体レーザ発振器から出射された波長４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のレーザビームを、前記基板に照射し、前記不純物を活性化させる工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも３箇所以上のリッジ構造と、前記リッジ構造の上部に１つ以上の電極層とを有し、前記リッジ構造のうち１つのリッジ構造が電流狭窄構造としてレーザ発振に寄与し、前記電流狭窄構造であるリッジ構造とそれ以外の前記リッジ構造間の凹部が有機性塗布ガラス材料（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ，  （ＳＯＧ））により平坦化されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】  少なくとも３箇所以上のリッジ構造と、前記リッジ構造の上部に１つ以上の電極層とを有し、前記リッジ構造のうち１つのリッジ構造が電流狭窄構造としてレーザ発振に寄与し、前記電極層の厚みが前記リッジ間隔の半分の値、またはそれ以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】  少なくとも３箇所以上のリッジ構造を形成する工程と、前記リッジ構造のうち１つのリッジ構造を電流狭窄構造とする工程と、前記電流狭窄構造であるリッジ構造とそれ以外の前記リッジ構造の間の凹部をＳＯＧにより平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】  少なくとも３箇所以上のリッジ構造を形成する工程と、前記リッジ構造のうち１つのリッジ構造を電流狭窄構造とする工程と、前記リッジ構造の上部に前記リッジ間隔の半分の値、またはそれ以上である１つ以上の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】  窒化ガリウム系半導体材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してデータを送信する送信側端末と、データを受信して出力する出力先端末とを備えるデータ出力システムであって、
前記送信側端末は、
データを第１のデータと第２のデータに分割し、該第１のデータと第２のデータを対応付けるための第１の管理番号と第２の管理番号を発行する制御手段と、
前記第１のデータ及び第１の管理番号を送信する通信部と、
前記第２のデータ及び第２の管理番号を携帯可能な記録媒体に記録する記録部と、を備え、
前記出力先端末は、
前記第１のデータ及び第１の管理番号を受信する通信部と、
前記第１のデータ及び第１の管理番号を記憶する記憶部と、
前記記録媒体から前記第２のデータ及び第２の管理番号を取得する読取部と、
前記取得した第２の管理番号と前記記憶部に記憶される前記第１の管理番号に基づいて、前記記憶部から前記第１のデータを取得し、前記第１のデータと前記第２のデータを合成し、合成したデータを出力手段により出力させる制御手段と、
を備えることを特徴とするデータ出力システム。
【請求項２】
前記記録媒体は、ユーザの識別情報を記録し、
前記出力先端末において、
前記読取部は、前記記録媒体からユーザの識別情報を取得し、
ユーザの識別情報を入力させ、入力されたユーザの識別情報と、前記記録媒体から取得したユーザの識別情報とが一致するか否かに基づいてユーザの個人認証を行う個人認証手段を備えることを特徴とする請求項１に記載のデータ出力システム。
【請求項３】
前記出力先端末の制御手段は、前記個人認証手段により、ユーザの個人認証が成功した場合に、前記読取部を制御して、前記記録媒体から第２のデータ及び第２の管理番号を取得させることを特徴とする請求項２に記載のデータ出力システム。
【請求項４】
前記記録媒体は、ユーザの識別情報として、ユーザＩＤ、パスワード、指紋、掌紋、声紋、顔、署名筆跡、虹彩パターン、眼底パターン又は静脈（血管）パターンのうち少なくとも１つを含み、
前記個人認証手段は、ユーザＩＤ、パスワード、指紋、掌紋、声紋、顔、署名筆跡、虹彩パターン、眼底パターン又は静脈（血管）パターンのうち少なくとも１つに基づいて、ユーザの個人認証を行うことを特徴とする請求項２又は３に記載のデータ出力システム。
【請求項５】
前記送信側端末の制御手段は、データを暗号化し、暗号化したデータを第１のデータと第２のデータに分割して、第１のデータと第２のデータを対応付けるための第１の管理番号と第２の管理番号を発行し、
前記出力先端末の制御手段は、第１のデータと第２のデータを合成し、合成されたデータを復号化して出力手段により出力させることを特徴とする請求項１に記載のデータ出力システム。
【請求項６】
前記出力先端末は、
前記出力手段により出力されたデータの出力回数に基づいて、データの出力に係る料金を算出する課金情報算出手段を備えることを特徴とする請求項１に記載のデータ出力システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、
ネットワークを介してデータを送信する送信側端末と、データを受信して出力する出力先端末とを備えるデータ出力システムであって、
前記送信側端末は、
データを第１のデータと第２のデータに分割し、該第１のデータと第２のデータを対応付けるための第１の管理番号と第２の管理番号を発行する制御手段と、
前記第１のデータ及び第１の管理番号を送信する通信部と、
前記第２のデータ及び第２の管理番号を携帯可能な記録媒体に記録する記録部と、を備え、
前記出力先端末は、
前記第１のデータ及び第１の管理番号を受信する通信部と、
前記第１のデータ及び第１の管理番号を記憶する記憶部と、
前記記録媒体から前記第２のデータ及び第２の管理番号を取得する読取部と、
前記取得した第２の管理番号と前記記憶部に記憶される前記第１の管理番号に基づいて、前記記憶部から前記第１のデータを取得し、前記第１のデータと前記第２のデータを合成し、合成したデータを出力手段により出力させる制御手段と、
を備えることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のデジタル放送チャンネルを選局する選局手段と、
この選局手段から出力される信号に復調処理を施す復調手段と、
この復調手段で復調された信号から特定の選局情報を抽出する選局情報抽出手段と、
前記復調手段による復調処理が第１の段階に達した状態で第１の情報が得られたか否かによって、前記選局手段で選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を仮判定する仮判定手段と、
この仮判定手段により前記デジタル放送の有状態が仮判定された状態で、前記選局情報抽出手段による選局情報抽出処理が前記第１の段階よりも後の第２の段階に達した状態で第２の情報が得られたか否かによって、前記選局手段で選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を判定する判定手段とを具備したことを特徴とする放送受信装置。
【請求項２】
所定のデジタル放送チャンネルを選局する選局手段と、
この選局手段から出力される信号に復調処理を施す復調手段と、
この復調手段で復調された信号から特定の選局情報を抽出する選局情報抽出手段と、
前記復調手段によりＴＭＣＣ信号が得られたか否かによって、前記選局手段で選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を仮判定する仮判定手段と、
この仮判定手段により前記デジタル放送の有状態が仮判定された状態で、前記選局情報抽出手段によりセクション情報が得られたか否かによって、前記選局手段で選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を判定する判定手段とを具備したことを特徴とする放送受信装置。
【請求項３】
所定のデジタル放送チャンネルを選局する選局手段と、
この選局手段から出力される信号に復調処理を施す復調手段と、
この復調手段で復調された信号から特定の選局情報を抽出する選局情報抽出手段と、
前記復調手段によりＯＦＤＭフレーム同期信号が得られたか否かによって、前記選局手段で選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を仮判定する仮判定手段と、
この仮判定手段により前記デジタル放送の有状態が仮判定された状態で、前記選局情報抽出手段によりセクション情報が得られたか否かによって、前記選局手段で選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を判定する判定手段とを具備したことを特徴とする放送受信装置。
【請求項４】
前記仮判定手段により前記デジタル放送の無状態が仮判定された状態、または、前記判定手段により前記デジタル放送の有無が判定された状態で、前記選局手段で選局するチャンネルを自動的に更新する更新手段を具備したことを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の放送受信装置。
【請求項５】
前記更新手段は、チャンネルスキャンのために予め設定された全物理チャンネルの範囲内で、前記選局手段で選局するチャンネルを自動的に更新していくことを特徴とする請求項４記載の放送受信装置。
【請求項６】
前記セクション情報は、ＮＩＴであることを特徴とする請求項２または３記載の放送受信装置。
【請求項７】
前記デジタル放送は、地上デジタル放送及び衛星デジタル放送の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の放送受信装置。
【請求項８】
所定のデジタル放送チャンネルを選局する工程と、
選局して得られた信号に復調処理を施す工程と、
復調して得られた信号から特定の選局情報を抽出する選局情報抽出処理する工程と、
復調処理が第１の段階に達した状態で第１の情報が得られたか否かによって、前記選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を仮判定する工程と、
前記デジタル放送の有状態が仮判定された状態で、前記選局情報抽出復調処理が前記第１の段階よりも後の第２の段階に達した状態で第２の情報が得られたか否かによって、前記選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を判定する工程とを具備したことを特徴とする放送受信方法。
【請求項９】
所定のデジタル放送チャンネルを選局する工程と、
選局して得られた信号に復調処理を施す工程と、
復調して得られた信号から特定の選局情報を抽出する選局情報抽出処理する工程と、
前記復調処理によりＴＭＣＣ信号が得られたか否かによって、前記選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を仮判定する工程と、
前記デジタル放送の有状態が仮判定された状態で、前記選局情報抽出処理によりセクション情報が得られたか否かによって、前記選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を判定する工程とを具備したことを特徴とする放送受信方法。
【請求項１０】
所定のデジタル放送チャンネルを選局する工程と、
選局して得られた信号に復調処理を施す工程と、
復調して得られた信号から特定の選局情報を抽出する選局情報抽出処理する工程と、
前記復調処理によりＯＦＤＭフレーム同期信号が得られたか否かによって、前記選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を仮判定する工程と、
前記デジタル放送の有状態が仮判定された状態で、前記選局情報抽出処理によりセクション情報が得られたか否かによって、前記選局したチャンネルにおけるデジタル放送の有無を判定する工程とを具備したことを特徴とする放送受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透過原稿照明装置、透過原稿、透明原稿台、結像レンズ、読取センサの順に配置して前記透過原稿を読取るための画像読取装置において、
前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面で、前記透過原稿の画像領域以外に対する位置に、前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面よりも突出した複数の押圧部を設け、
前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面と、前記複数の押圧部の押圧面と、前記透過原稿の表裏両面と、前記透明原稿台の前記透過原稿側の面とを、前記結像レンズの被写界深度範囲内に配置し、
前記押圧部により前記透過原稿を前記透明原稿台に押圧することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】  前記複数の押圧部は、前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面における発光領域外に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】  前記押圧部の各々は、前記透過原稿のパーフォレーションの穴よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項４】  前記透明原稿台に載置し、前記透過原稿と前記透過原稿照明装置の位置を定める透過原稿ガイドを有することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項５】  前記透過原稿ガイドの、前記透過原稿と前記透明原稿台との間で、前記透過原稿の画像領域の外側かつ前記押圧部の内側に対応する位置に、スペーサ部材を設けたことを特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
【請求項６】  前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面は、光拡散シートが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項７】  透明原稿台、結像レンズ、読取センサの順に配置された画像読取装置にて透過原稿を読取る際に、前記透明原稿台に載置した透過原稿を照明する透過原稿照明装置において、
前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面で、前記透過原稿の画像領域以外に対する位置に、前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面よりも突出した複数の押圧部を設け、
前記押圧部により前記透過原稿を前記透明原稿台に押圧することを特徴とする透過原稿照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、請求項１に記載の画像読取装置は、透過原稿照明装置、透過原稿、透明原稿台、結像レンズ、読取センサの順に配置して前記透過原稿を読取るための画像読取装置において、前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面で、前記透過原稿の画像領域以外に対する位置に、前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面よりも突出した複数の押圧部を設け、前記透過原稿照明装置の前記透過原稿側の面と、前記複数の押圧部の押圧面と、前記透過原稿の表裏両面と、前記透明原稿台の前記透過原稿側の面とを、前記結像レンズの被写界深度範囲内に配置し、前記押圧部により前記透過原稿を前記透明原稿台に押圧することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  導電性成形体を形成する材料として用いられる導電性材料において、
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で発熱ピークとして観測される準安定合金相と吸熱ピークで観測される融点を、それぞれ複数有する合金からなり、表面に低融点合金相を有する第１の合金粒子と、
前記準安定合金相を有さず前記融点を複数有する合金からなり、表面に低融点合金相を有する第２の合金粒子と、
熱処理時に第１の合金粒子および第２の合金粒子の表面酸化膜を除去する酸化膜除去剤と、
熱処理により第１の合金粒子と第２の合金粒子とが結合されて生じる隙間に配置されるバインダーと、
を含有し、
前記第２の合金粒子が有する複数の融点のうちの最低融点以上の温度で熱処理すると、前記酸化膜除去剤により第１および第２の合金粒子の表面酸化膜が除去され、第２の合金粒子の表面が溶融して第１の合金粒子の表面との間で原子拡散が生じ、第１の合金粒子が有する複数の準安定合金相のうちの、前記熱処理温度以下の発熱ピークとして観測される準安定合金相が消失して、新たな安定合金相が形成され、冷却後に得られる第１の合金粒子と第２の合金粒子とからなる導電性粒子の結合物を示差走査熱量測定すると、前記熱処理温度以下の発熱ピークが発現しなくなり、吸熱ピークとして観測される融点の中の最低融点が、前記熱処理前における第２の合金粒子の最低融点よりも上昇することを特徴とする導電性材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記各種導電性接続材料には、耐熱信頼性を有すること、接続安定性を有すること、接続する電子部品等に悪影響を与えない程度の比較的低い温度（例えば２５０℃以下）での加熱処理により強固な接続性を発揮すること、が要求されている。
この要求に応えることを目的として、下記の特許文献１には、特殊な導電性フィラーを含有する導電性材料が提案されている。この導電性フィラーは、合金粒子同士が熱処理によって溶融結合され、且つ、この熱処理によって融点が変化するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、導電性成形体を形成する材料として用いられる導電性材料において、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で発熱ピークとして観測される準安定合金相と吸熱ピークで観測される融点を、それぞれ複数有する合金からなり、表面に低融点合金相を有する第１の合金粒子と、前記準安定合金相を有さず前記融点を複数有する合金からなり、表面に低融点合金相を有する第２の合金粒子と、熱処理時に第１の合金粒子および第２の合金粒子の表面酸化膜を除去する酸化膜除去剤と、熱処理により第１の合金粒子と第２の合金粒子とが結合されて生じる隙間に配置されるバインダーと、を含有し、前記第１および第２の合金粒子は、熱処理により以下の挙動を示すことを特徴とする導電性材料を提供する。