【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、
（ｂ）前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に６００℃以下で絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜を除去する工程と、
（ｄ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）は、
（ａ−１）前記シリコン膜上にシリコン酸化膜と、多結晶シリコンと、シリコン窒化膜とをこの順に積層する工程と、
（ａ−２）前記所定領域において前記シリコン窒化膜と、前記多結晶シリコンと、前記シリコン酸化膜と、前記シリコン膜とをエッチングして、前記トレンチを形成する工程と
を有する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、２００℃乃至６００℃で前記シリコン膜の表面をラジカル酸化、プラズマ酸化もしくはプラズマ窒化する、請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）は、オゾン系溶液を用いて２０℃乃至１２０℃で前記シリコン膜の表面を酸化する、請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、
（ｂ）８００℃乃至１２００℃で、３０秒乃至４時間のアニールを行い、前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜を除去する工程と、
（ｄ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）は、
（ａ−１）前記シリコン膜上にシリコン酸化膜と、多結晶シリコンと、シリコン窒化膜とをこの順に積層する工程と、
（ａ−２）前記所定領域において前記シリコン窒化膜と、前記多結晶シリコンと、前記シリコン酸化膜と、前記シリコン膜とをエッチングして、前記トレンチを形成する工程と
を有する、請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ）と、前記工程（ｄ）との間に、前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に酸化膜を形成する工程を、更に備える、請求項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、
（ｂ）前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面を、ウェットエッチングにより除去する工程と、
（ｃ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ａ）は、
（ａ−１）前記シリコン膜上にシリコン酸化膜と、多結晶シリコンと、シリコン窒化膜とをこの順に積層する工程と、
（ａ−２）前記所定領域において前記シリコン窒化膜と、前記多結晶シリコンと、前記シリコン酸化膜と、前記シリコン膜とをエッチングして、前記トレンチを形成する工程と
を有する、請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｂ）と、前記工程（ｃ）との間に、前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に酸化膜を形成する工程を、更に備える、請求項８または請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｂ）では、前記ウェットエッチングにより、前記シリコン膜の前記表面の２０ｎｍ以下の厚みを除去する、請求項８乃至請求項１０のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記トレンチに前記絶縁材料を埋め込む工程の後に、６００℃以下で１時間以上アニールする工程を、更に備える、請求項１乃至請求項１１のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、
（ｂ）前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に酸化膜を形成する工程と、
（ｃ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程と、
（ｄ）６００℃以下で１時間以上アニールする工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ａ）は、
（ａ−１）前記シリコン膜上にシリコン酸化膜と、多結晶シリコンと、シリコン窒化膜とをこの順に積層する工程と、
（ａ−２）前記所定領域において前記シリコン窒化膜と、前記多結晶シリコンと、前記シリコン酸化膜と、前記シリコン膜とをエッチングして、前記トレンチを形成する工程と
を有する、請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ｄ）の後に、前記シリコン膜にウェル領域を形成する工程を、更に備える、請求項１３または請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記トレンチに前記絶縁材料を埋め込む工程の後に、表面に露出した前記絶縁材料の前記シリコン膜側を曲面形状にする工程を、更に備える、請求項１乃至請求項１５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかる第一の半導体装置の製造方法は、（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、（ｂ）前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に６００℃以下で絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記絶縁膜を除去する工程と、（ｄ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明にかかる第二の半導体装置の製造方法は、（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、（ｂ）８００℃乃至１２００℃で、３０秒乃至４時間のアニールを行い、前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記絶縁膜を除去する工程と、（ｄ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明にかかる第三の半導体装置の製造方法は、（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、（ｂ）前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面を、ウェットエッチングにより除去する工程と、（ｃ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明にかかる第四の半導体装置の製造方法は、（ａ）酸化シリコン基板上のシリコン膜の所定領域において、エッチングにより前記シリコン膜中に底面を有するトレンチを形成する工程と、（ｂ）前記トレンチに露出する前記シリコン膜の表面に酸化膜を形成する工程と、（ｃ）前記トレンチに絶縁材料を埋め込む工程と、（ｄ）６００℃以下で１時間以上アニールする工程とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明にかかる第一もしくは第二の半導体装置の製造方法によれば、工程（ｂ）によってシリコン膜と絶縁膜の界面に金属汚染物質を拡散・凝集させることができ、絶縁膜の除去とともにその金属汚染物質を取り除くことができる。よって、半導体装置がもつ性能及び信頼性の低下を防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明にかかる第三の半導体装置の製造方法によれば、工程（ｂ）によってシリコン膜の表面に付着する金属汚染物質を取り除くことができる。よって、半導体装置がもつ性能及び信頼性の低下を防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明にかかる第四の半導体装置の製造方法によれば、工程（ｄ）によってシリコン膜と酸化膜の界面に金属汚染物質を拡散・凝集させることができる。よって、半導体装置がもつ性能及び信頼性の低下を防止することができる。