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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被加工物を複数の加工電極に接触又は近接させ、
前記加工電極と前記被加工物に給電する給電電極との間に電圧を印加し、
前記被加工物と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給し、
前記被加工物の被加工面上の一の点に対して、電極ごとの単位時間当たりの加工量が不均一な複数の加工電極が通過するように、前記加工電極と前記被加工物とを相対運動させて前記被加工物の表面を加工することを特徴とする電解加工方法。
【請求項２】  前記給電電極が複数であることを特徴とする請求項１に記載の電解加工方法。
【請求項３】  前記複数の加工電極は、前記相対運動中に前記被加工物の被加工面上の各点における存在頻度が略均一となるように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電解加工方法。
【請求項４】  前記複数の加工電極が同一の形状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電解加工方法。
【請求項５】  被加工物を加工電極に接触又は近接させ、
前記加工電極と前記被加工物に給電する少なくとも１つの給電電極との間に電圧を印加し、
前記被加工物と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給し、
前記被加工物の被加工面上の一の点に対して、単位時間当たりの加工量が不均一な加工電極内の複数の点が通過するように、前記加工電極と前記被加工物とを相対運動させて前記被加工物の表面を加工することを特徴とする電解加工方法。
【請求項６】  前記給電電極は、前記相対運動中に前記被加工物の被加工面上の各点における存在頻度が略均一となるように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の電解加工方法。
【請求項７】  前記給電電極は複数あり、該複数の給電電極は同一の形状であることを特徴とする請求項５又は６に記載の電解加工方法。
【請求項８】  前記相対運動は、回転運動、往復運動、偏心回転運動、及びスクロール運動の少なくとも１つ又はこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電解加工方法。
【請求項９】  前記被加工物と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも一方との間にイオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電解加工方法。
【請求項１０】  前記流体は、純水、超純水、又は電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電解加工方法。
【請求項１１】  複数の加工電極と、
被加工物に給電する給電電極と、
前記被加工物を保持して前記複数の加工電極に接触又は近接させる保持部と、
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、
前記被加工物と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給する流体供給部と、
前記保持部で保持した被加工物の被加工面上の一の点に対して、単位時間当たりの加工量が不均一な複数の加工電極が通過するように前記加工電極と前記被加工物とを相対運動させる駆動部とを備えたことを特徴とする電解加工装置。
【請求項１２】  前記給電電極が複数であることを特徴とする請求項１１に記載の電解加工装置。
【請求項１３】  前記複数の加工電極は、前記相対運動中に前記被加工物の被加工面上の各点における存在頻度が略均一となるように前記給電電極の内部に配置されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の電解加工装置。
【請求項１４】  前記複数の加工電極が同一の形状であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の電解加工装置。
【請求項１５】  加工電極と、
被加工物に給電する少なくとも１つの給電電極と、
前記被加工物を保持して前記加工電極に接触又は近接させる保持部と、
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、
前記被加工物と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給する流体供給部と、
前記保持部で保持した被加工物の被加工面上の一の点に対して、単位時間当たりの加工量が不均一な加工電極内の複数の点が通過するように、前記加工電極と前記被加工物とを相対運動させる駆動部とを備えたことを特徴とする電解加工装置。
【請求項１６】  前記給電電極は、前記相対運動中に前記被加工物の被加工面上の各点における存在頻度が略均一となるように配置されていることを特徴とする請求項１５に記載の電解加工装置。
【請求項１７】  前記給電電極は複数あり、該複数の給電電極は同一の形状であることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の電解加工装置。
【請求項１８】  前記相対運動は、回転運動、往復運動、偏心回転運動、及びスクロール運動の少なくとも１つ又はこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の電解加工装置。
【請求項１９】  前記被加工物と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも一方との間にイオン交換体を配置したことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載の電解加工装置。
【請求項２０】  前記流体は、純水、超純水、又は電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体であることを特徴とする請求項１１乃至１９のいずれか一項に記載の電解加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本願発明の組成物により得られるＩＴＯ膜は、ハロゲン及び炭素が均一に配合する傾向にある。本来、ハロゲンや炭素が残存するＩＴＯ膜は単に不良なものと考えられている。しかしながら、本願発明の組成物を用いることにより、得られるＩＴＯ膜においてこれらの元素を膜全体に均一に配合させることができるため、これらの含有量を調整して形成することより、膜の均一性を損なうことなくＩＴＯ膜の導電率を所望とする任意の値に調整することができる。
さらに、この組成物は、水溶性物質からなるため、塗布液調製のための溶媒として水を用いることができ、労働衛生、防火及び環境保護の点で好ましい。また、有機溶媒により浸食又は変質するような部品を有する装置を用いて成膜を行うこともできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本発明の組成物においては、炭素とハロゲンとの合計含有比率を調整することにより、膜の均一性を損なうことなく得られる透明導電膜の導電率を簡単に調整することができる。従来、成膜温度やインジウム原料とスズ原料との比率を調整することにより膜の導電率を微調整しているが、本発明の組成物を用いることより、透明導電膜の導電率を広範囲（例えば１０2〜１０8Ω／□程度の範囲）に調整することができる。これにより、透明電極、電磁遮蔽膜、静電気障害防止膜、帯電防止膜等の広い用途に適用できる透明導電膜が得られる。
（ＩＩ）透明導電膜形成用溶液
本発明の透明導電膜形成用溶液は、水溶性インジウム化合物と、ハロゲンを含む水溶性有機スズ化合物と、水溶性有機高分子化合物とが、水からなる溶媒又は水と有機溶媒とからなる溶媒中に溶解している溶液である。すなわち、本発明の透明導電膜形成用溶液は、本発明の組成物が、水からなる溶媒又は水と有機溶媒とからなる溶媒中に溶解している溶液である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
溶媒の構成種類及びその配分量、水溶性有機高分子化合物の種類及びその量、並びに、水溶性インジウム化合物及びハロゲンを含む水溶性有機スズ化合物の量を調整することにより、上記粘度及び表面張力を有する溶液を調製することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
また、本発明方法により形成された透明導電膜は、インジウム、スズ、酸素、炭素及びハロゲンを含み、膜の厚みバラツキは、膜厚測定値から０．２％以内である。また、前記膜厚測定値が０．０１μｍ〜０．４μｍの場合における波長４２０ｎｍ〜８２０ｎｍの光の平均透過率は、通常９０％〜９８％程度であればよく、好ましくは９２〜９８％程度、さらに好ましくは９４〜９８％程度である。具体的には、前記膜厚測定値が膜厚０．０１μｍ〜０．１５μｍの場合における前記光の平均透過率は９２％〜９８％程度であればよく、好ましくは９３％〜９８％程度、さらに好ましくは９４％〜９８％程度である。また前記膜厚測定値が０．１５μｍ〜０．２５μｍのときにおける前記光の平均透過率は９０％〜９７％程度であればよく、好ましくは９１％〜９７％程度、さらに好ましくは９２％〜９７％程度である。また前記膜厚測定値が０．２５μｍ〜０．４μｍのときには、前記光の平均透過率は９０％〜９６％程度であればよく、好ましくは９１％〜９６％程度、さらに好ましくは９２％〜９６％程度である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
[実施例２]
実施例１において、水溶性インジウム化合物として、硝酸インジウム三水和物１２．０ｇに代えて塩化インジウム三水和物９．６ｇを用い、焼成工程の後にさらに窒素雰囲気中で６５０℃で５時間還元熱処理する。その他は実施例１と同様の操作を行う。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
上述したように、硝酸インジウム三水和物と二塩化ジメチルスズとの第１吸熱ピーク温度差は５４．８℃である。また、得られた溶液の粘度は１４ｍＰａ・ｓであり、表面張力は３３ｍＮ／ｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  顕微鏡観察像と、画像表示手段に表示した画像とを、顕微鏡視野内で同時に観察できる実体顕微鏡において、眼幅調整により移動する可動鏡筒部と眼幅調整により移動しない固定鏡筒部とから成る双眼鏡筒部と、双眼鏡筒光学系と、前記画像表示手段に表示した画像を顕微鏡視野内に投影する画像投影光学系とを有し、前記固定鏡筒部は内部に前記双眼鏡筒光学系の顕微鏡光束結像面を有していて、該顕微鏡光束結像面上に、前記画像表示手段に表示した画像を前記画像投影光学系によって投影するようにしたことを特徴とする実体顕微鏡。
【請求項２】  前記画像投影光学系は、画像投影位置を移動できるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の実体顕微鏡。
【請求項３】  前記顕微鏡光束結像面の一部を遮光部材により遮光し、前記画像投影光学系は、前記顕微鏡光束結像面中の遮光された範囲内に、前記画像表示手段に表示された画像を投影するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の実体顕微鏡。
【請求項４】  前記遮光部材は顕微鏡光路とは別の光路からの光束を反射する反射部材を兼ねており、画像投影光学系光路からの光束は前記反射部材により反射されて顕微鏡光束結像面に結像することを特徴とする請求項３に記載の実体顕微鏡。
【請求項５】  反射部材を兼ねた遮光部材は、無色透明で光が透過する部材に保持されていることを特徴とする請求項４に記載の実体顕微鏡。
【請求項６】  実体顕微鏡の双眼鏡筒部ハウジングのうち、画像表示手段と、該画像表示手段に表示された画像を顕微鏡視野内に投影する画像投影光学系を内蔵する部分は、観察者が双眼鏡筒を覗き観察する際に丁度観察者のおでこが来る方向に設け、且つＬを接眼光学系の光線射出面から、画像表示手段や画像投影光学系を内蔵するハウジングまでの接眼光学系の射出光軸方向の距離としたとき、３０ｍｍ≦Ｌ≦１００ｍｍなる条件を満たすようにしたことを特徴とする請求項１に記載の実体顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明によれば、前記顕微鏡光束結像面の一部を遮光部材により遮光し、前記画像投影光学系は、前記顕微鏡光束結像面中の遮光された範囲内に、前記画像表示手段に表示された画像を投影するようにしたことを特徴としている。
この構成によれば、顕微鏡観察像と画像とが重なり合って見えることが無く、観察者にクリアな両像の観察を提供することができる。
また、本発明によれば、前記遮光部材は顕微鏡光路とは別の光路からの光束を反射する反射部材を兼ねており、画像投影光学系光路からの光束は前記反射部材により反射されて顕微鏡光束結像面に結像することを特徴としている。
この構成によれば、遮光部材と反射部材とを一つの部品で共用できるため、その分、顕微鏡の小型化を図ることができる。
また、本発明によれば、反射部材を兼ねた遮光部材は、無色透明で光が透過する部材に保持されていることを特徴としている。
この構成によれば、反射部材を兼ねた遮光部材を保持する部材が、顕微鏡観察像にかぶさってしまうことで発生する顕微鏡観察像のケラレが無いため、顕微鏡観察像が持つ情報の損失を防ぐことが出来る。
更に、本発明によれば、実体顕微鏡の双眼鏡筒部ハウジングのうち、画像表示手段と、該画像表示手段に表示された画像を顕微鏡視野内に投影する画像投影光学系を内蔵する部分は、観察者が双眼鏡筒を覗き観察する際に丁度観察者のおでこが来る方向に設け、且つＬを接眼光学系の光線射出面から、画像表示手段や画像投影光学系を内蔵するハウジングまでの接眼光学系の射出光軸方向の距離としたとき、３０ｍｍ≦Ｌ≦１００ｍｍなる条件を満たすようにしたことを特徴としている。
実体顕微鏡の双眼鏡筒部ハウジング内に画像表示手段や画像投影光学系を内蔵すると、どうしても通常の双眼鏡筒部より大型化してしまうが、この構成によれば、画像表示手段や画像投影光学系を内蔵することによる大型化を、観察者が双眼鏡筒部を覗き観察する際に丁度観察者のおでこが来る方向に集中させることが出来、手術等の作業の邪魔になることを避けることが可能となり、作業性の低下を防ぐことが出来る。即ち、この構成によれば、双眼鏡筒部ハウジングが左右方向に出っ張っていないから術部を直接覗き込む際に邪魔になることは無く、また、双眼鏡筒部ハウジングが下方に出っ張っていないから手元の作業の邪魔になるようなことも無い。
また、この構成によれば、観察者のおでこと、画像表示手段及び画像投影光学系を内蔵するハウジング部との距離を確保できるので、観察者のおでこが双眼鏡筒部ハウジングに触れてしまうことを防ぐことが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以上説明したように、本発明の実体顕微鏡は、特許請求の範囲に記載した特徴の他に、下記の特徴を有している。
（１）  前記遮光部材は顕微鏡光路とは別の光路からの光束を反射する反射部材を兼ねており、画像投影光学系光路からの光束は前記反射部材により反射されて顕微鏡光束結像面に結像することを特徴とする請求項３に記載の実体顕微鏡。
この構成によれば、遮光部材と反射部材とを一つの部品で共用できるため、その分、顕微鏡の小型化を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（３）  実体顕微鏡の双眼鏡筒部ハウジングのうち、画像表示手段と、該画像表示手段に表示された画像を顕微鏡視野内に投影する画像投影光学系を内蔵する部分は、観察者が双眼鏡筒を覗き観察する際に丁度観察者のおでこが来る方向に設け、且つＬを接眼光学系の光線射出面から、画像表示手段や画像投影光学系を内蔵するハウジングまでの接眼光学系の射出光軸方向の距離としたとき、３０ｍｍ≦Ｌ≦１００ｍｍなる条件を満たすようにしたことを特徴とする請求項１に記載の実体顕微鏡。
実体顕微鏡の双眼鏡筒部ハウジング内に画像表示手段や画像投影光学系を内蔵すると、どうしても通常の双眼鏡筒部より大型化してしまうが、この構成によれば、画像表示手段や画像投影光学系を内蔵することによる大型化を、観察者が双眼鏡筒部を覗き観察する際に丁度観察者のおでこが来る方向に集中させることが出来、手術等の作業の邪魔になることを避けることが可能となり、作業性の低下を防ぐことが出来る。即ち、この構成によれば、双眼鏡筒部ハウジングが左右方向に出っ張っていないから術部を直接覗き込む際に邪魔になることは無く、また、双眼鏡筒部ハウジングが下方に出っ張っていないから手元の作業の邪魔になるようなことも無い。
また、この構成によれば、観察者のおでこと、画像表示手段及び画像投影光学系を内蔵するハウジング部との距離を確保できるので、観察者のおでこが双眼鏡筒部ハウジングに触れてしまうことを防ぐことが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に第１レジスト層を有し、この上に第２レジスト層を有する２層レジストであって、第１レジスト層が、（Ａ−１）下記一般式（１）で表される繰返し単位及び下記一般式（２）で表される繰返し単位をともに含むポリマーを含有し、また第２レジスト層が、（Ｂ）酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサンと、（Ｃ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。
【化１】
2002006494.tif 000001
式中、Ｙ1は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、Ｌ1は置換基を有していてもよい２価の連結基を表し、Ｊは置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表す。a1は０又は１を表す。
Ｙ2はＹ1と同義であり、Ｌ2はＬ1と同義である。Ｋは置換基を有していてもよいアリール基を表す。a2、a3はそれぞれ独立に0又は1を表す。
【請求項２】  第１レジスト層に用いられる（Ａ−１）成分のポリマーがその構造中に、ヒドロキシル基、１級アミノ基及び２級アミノ基から選ばれる少なくとも１つの基を含有し、かつ第１レジスト層が更に、（Ａ−２）酸により活性化され、（Ａ−１）成分のポリマーと反応して架橋構造を形成することができる架橋剤、及び（Ａ−３）熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト積層物。
【請求項３】  第２レジスト層に含まれる（Ｂ）酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサンが、側鎖に下記一般式（３）で表される構造を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト積層物。
【化２】
2002006494.tif 000002
式中、Ｊ1は置換基を有していてもよいアルキレン基を表し、Ｊ2は置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい脂環式基、又は置換基を有していてもよい有橋式脂環式基を表し、Ｊ3は２価の連結基を表し、Ｊ4は２〜４価の連結基を表し、Ｇは酸の作用により分解する基を表す。
ｋ、ｌ、ｍ、ｎは各々独立に、０又は１を表す。但し、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは同時にすべてが０であることはない。ｐは１〜３の整数を表す。
【請求項４】  第２レジスト層が更に、（Ｄ）含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト積層物。
【請求項５】  第２レジスト層が更に、（Ｅ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト積層物。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト積層物を露光、現像、エッチングすることを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、並びに（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される低分子化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2002006495.tif 000001
一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2は各々独立にアルキル基を表し、また、Ｒ1とＲ2とが互いに結合して、炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。Ｒ3、Ｒ4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ｎは繰り返し数であって、１から５の整数を表す。Ｒ3とＲ4の少なくとも一つは水酸基を表す。
【請求項２】  （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、並びに（Ｃ）下記一般式（II)で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化２】
2002006495.tif 000002
一般式(II)において、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は、各々独立に水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。また、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8でそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項３】  前記（Ｂ）の樹脂が、下記一般式（IV）及び（V）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化３】
2002006495.tif 000003
［上記式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。］
【請求項４】  前記ポジ型フォトレジスト組成物が、さらに（Ｄ）酸補足剤として含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１１に示すターゲットＮｏ．５０（図６の先行車Ｄ）の場合には、過去２回（フレームＮｏ．−２，Ｎｏ．−１）および今回（フレームＮｏ．０）の受信レベルが「６」，「７」，「７」であって何れも「８」以上でないため、図５のフローチャートのステップＳ２６の条件を満たしていない。従って、ステップＳ２３で算出した相対速度〈３〉（５．０ｍ／ｓ）が今回の出力用相対速度になる。また前回（フレームＮｏ．−１）の出力用相対速度は、それ以前の３回の受信レベルが「８」，「６」，「７」であって「８」以上のものが１つあるため、ステップＳ２２で算出した相対速度〈２〉（５．１ｍ／ｓ）が出力される。また前々回（フレームＮｏ．−２）の出力用相対速度は、それ以前の３回の受信レベルが「８」，「８」，「６」であって「８」以上のものが２つあるため、ステップＳ２１で算出した相対速度〈１〉（４．２ｍ／ｓ）が出力される。また前々々回（フレームＮｏ．−３）の出力用相対速度は、それ以前の３回の受信レベルが「８」，「８」，「８」であって全て「８」以上であるため、そのときの相対速度〈０〉（４．６ｍ／ｓ）がそのまま出力される。それ以前のフレームＮｏ．−４およびフレームＮｏ．−５においても、対応する３回の受信レベルが全て「８」以上であるため、そのときの相対速度〈０〉がそのまま出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャンしたデータを複数のリング内へと注入するための方法であって、該リングはそれぞれ、異なるシステム装置内に配置され、且つ、１つか又は複数のステータスレジスタを有し、該ステータスレジスタはそれぞれ、１つか又は複数のデータベースフィールドに対応し、複数の前記装置はスキャンパスを含み、前記リングはそれぞれ、複数の可能なリングから選択され、該方法が、
前記１つか又は複数のフィールドを有するデータベースからの１つか又は複数のフィールドを組み合わせることにより、指定されたスキャンパスについてユーティリティバッファを構成し、
前記指定されたスキャンパスにおいて指定された複数の装置のそれぞれに、指定された１つのリングをロックし、
前記複数の装置のそれぞれに対応する前記１つか又は複数のフィールド内へと、所望の値が同時に書き込まれることを可能にし、及び、
前記ユーティリティバッファが、前記複数の装置のそれぞれにおける前記指定された１つのリングの、１つか又は複数の介在するステータスレジスタによって書き戻されて、これにより、前記ユーティリティバッファのフィールド内へと読み込むために、前記ステータスレジスタ内のデータが、スキャンアウトさせられることを可能にする
ことを含むことからなる、方法。
【請求項２】
複数の装置内における所望のスキャンパスをテストするための方法であって、前記スキャンパスは、前記複数の装置のそれぞれからの１つのリングを有し、各リングは、介在するステータスレジスタを有し、該方法が、
前記ステータスレジスタ内へと注入されるテストデータを、前記ステータスレジスタに対応する１つか又は複数のフィールドを有するユーティリティバッファ内へと書き込み、
前記１つか又は複数のフィールドから前記ステータスレジスタ内にスキャンされる前記テストデータを、前記ステータスレジスタ内へと注入し、及び、
前記ステータスレジスタから前記１つか又は複数のフィールド内にスキャンされる前記テストデータを、前記ステータスレジスタから読み出す
ことを含むことからなる、方法。
【請求項３】
複数の装置内における所望のスキャンチェーンをテストするためのユーティリティシステムであって、該スキャンチェーンは、前記複数の装置のそれぞれからの１つのリングを有し、各リングは、介在するステータスレジスタを有し、該ユーティリティシステムが、
前記ステータスレジスタに対応するフィールドを形成するためのフィールドオブジェクトモデルを有するデータベースと、
前記フィールドからユーティリティバッファを構成するために前記データベースに動作可能に接続されたユーティリティエンジンであって、前記ユーティリティバッファは、所望のスキャンチェーンのために構成され、前記スキャンチェーンからの前記ステータスレジスタに対応するフィールドを有することからなる、ユーティリティエンジン
とを備え、
前記ユーティリティエンジンは、前記ユーティリティバッファからの単一スキャンデータを前記スキャンチェーン内へと注入するために、前記スキャンチェーンに動作可能に接続されることからなる、ユーティリティシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレキシブルチューブ用継手
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフレキシブルチューブ用継手に関し、特にガス配管などに使用されるコルゲイト管にて構成されたフレキシブルチューブのための、フレキシブルチューブ用継手に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
この種の継手として、たとえば特願平１０−２９１２３０号には、継手の本体部に止輪がねじ込まれ、本体部の内部に環状のシール材が配置され、本体部の内部におけるシール材と止輪の先端部の内周テーパ面との間に、この内周テーパ面に掛かり合い可能な環状のリテーナが配置されたものが知られている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような継手においては、複数の山部と谷部とを備えたコルゲイト管にて構成されたフレキシブルチューブを、止輪の端部の開口から、この止輪と前記本体部との内部に向けて挿通することで、このフレキシブルチューブを構成するコルゲイト管の先端の複数の山部が、リテーナを押し拡げてこのリテーナを通過し、かつシール材の内部に入り込んでその内周面に密接する。これにより、継手とコルゲイト管との間がシールされる。またコルゲイト管の山部が通過すると、リテーナは、弾性的に縮径して元の状態に戻り、コルゲイト管における先端から複数番目の谷部に掛かり合う。この段階で、継手へのフレキシブルチューブの接合が完了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明は、フレキシブルチューブ用継手において、シール材の軸心方向長さを低減できてその小形化を達成できるようにするとともに、継手へのフレキシブルチューブの接合作業を容易に行えるようにし、しかもコルゲイト管の最初の一山がリテーナを通過してシール材の内部に入り込んだだけの状態において、フレキシブルチューブに継手からの抜け出し力が作用した場合にも、所要のシール機能が低下しないようにすることを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明は、筒状本体と、先端部が前記筒状本体の内部に装着されるとともに、その先端側に向かって拡径する内周テーパ面が形成された止輪と、前記筒状本体の内部に設けられた環状のシール材と、前記筒状本体の内部における止輪の内周テーパ面とシール材との間に配置されてこの内周テーパ面に掛かり合い可能な環状のリテーナとを具備し、フレキシブルチューブにおける複数の山部と谷部とを備えたコルゲイト管が、止輪の端部から、この止輪と前記筒状本体との内部に向けて挿通されることで、先端の一つの山部がリテーナを押し拡げてこのリテーナを通過するとともに、この先端の山部の次の谷部がリテーナと掛かり合い、かつ前記先端の一つの山部がシール材の内周部に入り込んで密接するように構成され、前記シール材は前記フレキシブルチューブの先端の一つの山部とともに軸心方向に移動可能な構成としたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明の実施の形態のフレキシブルチューブ用継手の構成を示す図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  筒状本体と、先端部が前記筒状本体の内部に装着されるとともに、その先端側に向かって拡径する内周テーパ面が形成された止輪と、前記筒状本体の内部に設けられた環状のシール材と、前記筒状本体の内部における止輪の内周テーパ面とシール材との間に配置されてこの内周テーパ面に掛かり合い可能な環状のリテーナとを具備し、フレキシブルチューブにおける複数の山部と谷部とを備えたコルゲイト管が、止輪の端部から、この止輪と前記筒状本体との内部に向けて挿通されることで、先端の一つの山部がリテーナを押し拡げてこのリテーナを通過するとともに、この先端の山部の次の谷部がリテーナと掛かり合い、かつ前記先端の一つの山部がシール材の内周部に入り込んで密接するように構成され、前記シール材は前記フレキシブルチューブの先端の一つの山部とともに軸心方向に移動可能なように構成されていることを特徴とするフレキシブルチューブ用継手。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 中空部（12）を有する金属製中空材（11）からなる部材本体（10）と、前記中空部内に充填された充填材（20）とを備えた衝撃吸収部材（１）であって、
前記充填材（20）が木質材料製のものあることを特徴とする衝撃吸収部材。
【請求項２】 前記中空部内に前記充填材が充填された状態において、充填材中の繊維の方向（ロ）が衝撃荷重（イ）の方向と略並行になっている請求項１記載の衝撃吸収部材。
【請求項３】 前記木質材料がバルサ材である請求項１又は２記載の衝撃吸収部材。
【請求項４】前記金属製中空材(11)が、アルミニウム押出形材からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の衝撃吸収部材。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の衝撃吸収部材をクラッシュボックスとして用いたバンパー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  下層配線を形成する工程と、
前記下層配線上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にスルーホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜表面およびスルーホール内面に、Ｔｉ層、ＴｉＮ層およびＴｉＷ層から選択された一または複数の層からなるＴｉ含有層と、ＡｌＳｉＣｕ層、ＡｌＳｉ層およびＡｌＣｕ層から選択された一または複数の層からなり前記Ｔｉ含有層に隣接するＡｌ合金層とを含む導電体層を形成する工程と、
前記導電体層の不要な部分を除去して上層配線を形成する工程と、
前記スルーホール内の導電体層を加熱処理して、前記下層配線と前記上層配線との間の抵抗値を上昇させる工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本実施の形態では、スルーホール１５内の導電体層１６をＡｌＳｉＣｕ層１６ｂとＴｉ層１６ａの２層で構成し、これによりＡｌ合金層とＴｉ含有層との界面Ｓ１を形成するようにし、さらに、下層配線１３の最上層をＡｌＳｉＣｕ層１３ｂにすることにより、導電体層１６と下層配線１３との間にもＡｌ合金層とＴｉ含有層との界面Ｓ２を形成するようにした。Ａｌ合金層とＴｉ含有層の界面は、必ずしも本実施の形態のように構成する必要はなく、スルーホール１５内の導電体層１６内にのみ存在するようにしても良い。また、たとえばスルーホール１５内の導電体層１６をすべてＡｌ合金層で構成し、下層配線１３の最上層をＴｉ含有層で構成して、スルーホール１５の最下部においてこれらを接触させ、スルーホール１５の最下部にのみ、Ａｌ合金層とＴｉ含有層の界面を形成するようにしてもよい。上述のように加熱処理することで上記界面に抵抗素子領域が形成されるので、その抵抗素子領域により上層配線１７と下層配線１３との間の抵抗値が上昇するような位置に、界面が存在するようにすればよい。また、この界面が抵抗素子領域を形成するのに障害にならない、他の薄い層を含んでいてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の表面に互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間であるチャネル形成領域の上部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、
前記フローティングゲート電極と第２ゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる半導体装置において、
前記ドレイン領域と前記フローティングゲート電極とが重なる領域の一部は前記第１ゲート絶縁膜が薄膜化されることで形成された空間を有し、前記フローティングゲート電極は静電気力により前記空間を介して変位可能である半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の半導体基板の表面に互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間であるチャネル形成領域の上部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、
前記フローティングゲート電極と第２ゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる半導体装置において、
前記ドレイン領域と前記フローティングゲート電極とが重なる領域の一部は前記第１ゲート絶縁膜が除去されることで形成された空間を有し、前記フローティングゲート電極は静電気力により前記空間を介して変位可能である半導体装置。
【請求項３】
前記フローティングゲート電極は、前記ドレイン領域に前記フローティングゲート電極を基準にして正または負の電圧を印加することで発生する放電により、キャリアを放出または吸収する請求項１あるいは２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１導電型の半導体基板の表面に互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域とドレイン領域を形成する工程と、
前記ソース領域の一部および前記ドレイン領域の一部および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間であるチャネル形成領域の上部に第１ゲート絶縁膜を介してフローティングゲート電極を形成する工程と、
前記フローティングゲート電極と第２ゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であり、
前記ドレイン領域とフローティングゲート電極の間に、空間を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１導電型の半導体基板の表面に互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域とチャネル領域の上部に第１ゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極と第２ゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極からなる半導体装置において、前記ドレイン領域とフローティングゲート電極の間に、空間を有する構成とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本構成の場合、情報の電気的な書き換えは、前記ドレイン領域と、前記コントロールゲート電極の間に高電界を印加することにより、前記ドレイン領域から前記フローティングゲート電極へキャリアを注入、あるいは、前記フローティングゲート電極から前記ドレイン領域へキャリアを放出することによりなされる。このとき、前記ドレイン領域とフローティングゲート電極の間に、前記空間があることにより、前記ドレイン領域と、前記コントロールゲート電極の間に高電界を印加した時に発生する静電引力により、前記コントロールゲート電極が前記ドレイン領域へ変位する力が発生し、この静電引力により、前記ドレイン領域と前記コントロールゲート電極の間にある、前記フローティングゲート電極が、前記ドレイン領域側にたわみ、変位することにより、前記フローティングゲート電極と前記ドレイン領域の間隔が小さくなり、更に前記ドレイン領域と前記コントロールゲート電極の間の電界が増大する相乗効果により、前記フローティングゲート電極と前記ドレイン領域の間においてキャリアの注入あるいは放出が、効率良くなされることとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本構成の場合、情報の電気的な書き換えを行わない状態では、前記ドレイン領域と前記コントロールゲート電極の間に高電界が印加されることがないため、前記コントロールゲート電極が前記ドレイン領域へ変位する力が発生しない。このため、情報の電気的な書き換えを行わない状態において、前記フローティングゲート電極が、前記ドレイン領域側にたわみ、変位することはなく、前記ドレイン領域とフローティングゲート電極の間隔は大きい。このため、情報の電気的な書き換えを行わない状態では、前記フローティングゲート電極と前記ドレイン領域の間においてキャリアの注入あるいは放出が極めて起こりにくく、情報の保持特性が良好にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月1日(2006.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一対の相補性データ線とワード線との交差部に配置された第１および第２の転送用ＭＩＳＦＥＴと、第１および第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴと、第１および第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴとを有し、前記第１の駆動用ＭＩＳＦＥＴおよび前記第１の負荷用ＭＩＳＦＥＴと、前記第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴおよび前記第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴとが交差結合したメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記第１および第２の転送用ＭＩＳＦＥＴと、前記第１および第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴと、前記第１および第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴとは、半導体基板の主面に形成され、
前記第１および第２の転送用ＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレイン領域と、前記第１および第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレイン領域と、前記第１および第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレイン領域とは、前記半導体基板内に形成され、
前記半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成された第１開口部とを有し、
前記第１開口部の側壁および底部には、前記第１開口部の側壁および底部に沿って形成された第１導電性膜を下部電極とし、前記第１導電性膜の上部に形成された第２絶縁膜を容量絶縁膜とし、前記第２絶縁膜の上部に形成された第２導電性膜を上部電極とする第１容量素子が形成され、
前記下部電極は、前記第１の駆動用ＭＩＳＦＥＴのドレイン、前記第１の負荷用ＭＩＳＦＥＴのドレイン、前記第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極および前記第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を電気的に接続して前記メモリセルの第１の蓄積ノードを形成し、前記第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴのドレイン、前記第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴのドレイン、前記第１の駆動用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極および前記第１の負荷用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を電気的に接続して前記メモリセルの第２の蓄積ノードを形成し、
前記第１容量素子は、前記第１の蓄積ノードおよび前記第２の蓄積ノードと電源電圧線との間、前記第１の蓄積ノードおよび前記第２の蓄積ノードと基準電圧線との間、もしくは前記第１の蓄積ノードと前記第２の蓄積ノードとの間に電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記第１開口部は、前記第１および第２の駆動用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と、前記第１および第２の負荷用ＭＩＳＦＥＴのドレインとに達していることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記第２導電性膜は前記第１絶縁膜上に延在し、前記第２導電性膜よりも上部に形成された導電層と前記第１絶縁膜上にて接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体基板の主面上の第１領域に前記メモリセルが形成され、
前記半導体基板の主面上の第２領域に電源回路が形成され、
前記第２領域における前記第１絶縁膜に形成された第２開口部には、前記第２開口部の側壁および底部に沿って形成された前記第１導電性膜を下部電極とし、前記第１導電性膜の上部に形成された前記第２絶縁膜を容量絶縁膜とし、前記第２絶縁膜の上部に形成された前記第２導電性膜を上部電極とする第２容量素子が形成され、
前記電源回路は前記メモリセルに動作電圧を供給し、前記第２容量素子は前記動作電圧と接地電位との間に電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】  請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記第１開口部および前記第２開口部の少なくとも一方の底部は、前記第１絶縁膜の下層に形成された第３絶縁膜に達し、
前記第１導電性膜および前記第２導電性膜はそれぞれ前記第１絶縁膜上に延在し、
前記第１絶縁膜よりも上部に形成された導電層とそれぞれ前記第１絶縁膜上にて接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】  半導体基板の主面に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成された複数の開口部と、
前記複数の開口部の各々の側壁および底部に沿って形成された第１導電性膜を下部電極とし、前記第１導電性膜の上部であって前記複数の開口部の各々の側壁および底部に沿って形成された第２絶縁膜を容量絶縁膜とし、前記第２絶縁膜の上部であって前記複数の開口部の各々の側壁および底部に沿って形成された第２導電性膜を上部電極とする容量素子と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】  請求項６記載の半導体集積回路装置において、
前記開口部は、プラグが形成される開口部と同層の絶縁膜に形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】  請求項６記載の半導体集積回路装置において、
前記開口部は、配線が形成される開口部と同層の絶縁膜に形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、キャパシタを有する半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
該レーザ光線１２は前記ハーフミラー８を透して射出されると共に該ハーフミラー８で分割され、前記モニタ用受光器９に入射する。該モニタ用受光器９からの受光信号は前記制御部１１に入力され、該制御部１１は受光信号に基づき前記レーザ光線１２の強度が一定となる様に前記発光部１の駆動を制御する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
尚、上記波長変換用光学結晶１８としてはＫＴＰの他に、ＢＢＯ（β−ＢａＢ2 Ｏ4   β型ホウ酸バリウム）、ＬＢＯ（ＬｉＢ3 Ｏ5   トリホウ酸リチウム）、ＫＮｂＯ3 （ニオブ酸カリウム）等も採用される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
ゲート配線と前記薄膜トランジスタのゲート電極とが一体となったゲートパターンを有し、
前記ゲートパターンは、少なくとも、前記薄膜トランジスタの部分あるいはドレイン配線と交差する部分の何れかにおいて、最下層と、少なくとも１層の中間層と、最上層との少なくとも３層の膜で構成され、
前記中間層は純Ａｌ、Ａｌ合金、純Ａｇ、Ａｇ合金、純Ｃｕ、Ｃｕ合金の何れかで形成され、
前記最上層及び前記最下層は前記中間層よりも高融点の金属で形成され、
前記中間層の端部は前記最上層の端部および前記最下層の端部よりも後退していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記最上層及び前記最下層は純Ｍｏ又はＭｏ合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】  前記最上層及び前記最下層はＭｏ−Ｗ合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】  前記最上層の端部は前記最下層の端部よりも後退していることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の表示装置。
【請求項５】  前記薄膜トランジスタは半導体層を有し、前記ゲート電極は前記半導体層よりも上方に配置されていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の表示装置。
【請求項６】  前記薄膜トランジスタは多結晶の半導体層を有することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の表示装置。
【請求項７】  基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
ゲート配線と前記薄膜トランジスタのゲート電極とが一体になったゲートパターンと、
前記ゲートパターンを覆う絶縁膜とを有し、
前記ゲートパターンは、少なくとも、前記薄膜トランジスタの部分あるいはドレイン配線と交差する部分の何れかにおいて、最下層と、少なくとも１層の中間層と、最上層との少なくとも３層の膜で構成され、
前記中間層は純Ａｌ、Ａｌ合金、純Ａｇ、Ａｇ合金、純Ｃｕ、Ｃｕ合金の何れかで形成され、
前記最上層及び前記最下層は前記中間層よりも高融点の金属で形成され、
前記ゲート電極の最上層の端部は前記最下層の端部よりも後退しており、かつ、前記ゲート電極の前記中間層の端部は前記最上層の端部及び前記最下層の端部よりも後退していることを特徴とする表示装置。
【請求項８】  前記薄膜トランジスタは半導体層を有し、前記ゲート電極は前記半導体層よりも上方に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】  前記最上層及び前記最下層は純Ｍｏ又はＭｏ合金で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】  前記最上層及び前記最下層はＭｏ−Ｗ合金で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】  前記最上層及び前記最下層はＭｏ合金で形成され、前記最上層のＭｏ合金のエッチレートが前記最下層のＭｏ合金のエッチレートより速いことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】  前記最下層はＭｏ−Ｃｒ合金で形成され、前記最上層はＭｏ−Ｗ合金で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】  前記半導体層はＬＤＤ領域を有し、前記ゲート電極の最下層は少なくとも一部が前記ＬＤＤ領域と重畳していることを特徴とする請求項８から１２の何れかに記載の表示装置。
【請求項１４】  前記薄膜トランジスタは多結晶の半導体層を有することを特徴とする請求項７から１３の何れかに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内においてプラズマを生成して試料を処理する手段と、処理される前記試料の反射干渉光をモニタするモニタ手段とを備えたドライエッチング装置におけるドライエッチング方法であって、
前記真空処理室内のプラズマを用いて前記試料をエッチングするステップと、
前記プラズマによるプラズマ光及び処理される前記試料の表面での前記プラズマの反射光をモニタするステップと、
反射干渉光のスペクトルを検出するステップと、
該反射干渉光スペクトルの、試料表面の膜の反射モデルで予測される理論値に対するカーブフィッティング残差を求めるステップと、
該カーブフィッティング残差が所定の範囲にあるか否かを判定するステップ、とを含む、試料のドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１において、前記残差が所定の範囲から外れた場合に、前記試料の処理方法を変更する、ドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１において、前記試料の処理方法の変更に、前記プラズマを生成する電力の変更が含まれる、ドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項１において、前記試料の処理方法の変更に、前記プラズマを生成させるための処理ガスの流量の変更が含まれる、ドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項１において、前記残差が所定の範囲から外れた場合に、前記試料の処理を停止する、ドライエッチング方法。
【請求項６】
試料のドライエッチング方法であって、
真空処理室内のプラズマを用いて前記試料をエッチングするステップと、
前記プラズマによるプラズマ光及び処理される前記試料の表面での前記プラズマの反射光をモニタするステップと、
反射干渉光のスペクトルを検出するステップと、
試料表面での干渉反射光強度スペクトルを、試料表面の膜構造から予想される干渉反射光強度スペクトルと比較したときのフィッティング残差をモニタするステップと、
該モニタ値、あるいは該モニタ値の経時的な変動によって反射干渉光を信号処理するステップと、
該信号処理の結果に基いてエッチング途中で前記試料の処理方法を変更し、前記試料表面の荒れの増加を抑制するステップとを含むドライエッチング方法。
【請求項７】
請求項１または６において、中性で方向性を持たないデポラジカルとエッチラジカルとをバランスさせて、前記試料の表面の荒れが所定の範囲になるように制御する、ドライエッチング方法。
【請求項８】
請求項１または６において、前記試料の表面の荒れが所定の範囲にあるか否か及び前記試料の処理方法の変更を、表示部に表示するステップを含むドライエッチング方法。
【請求項９】
請求項１または６において、前記残差が所定の範囲内にある場合に、前記残渣に関する情報を用いて、次のドライエッチング装置の工程で該残渣分を補正する処理を含むドライエッチング方法。
【請求項１０】
請求項１または６において、前記試料の処理が、材料内に空孔を有した絶縁膜のエッチングであるドライエッチング方法。
【請求項１１】
真空処理室内においてプラズマを生成して試料を処理する手段と、処理される前記試料の反射干渉光をモニタするモニタ手段とを備えたドライエッチング装置であって、
前記真空処理室内のプラズマを用いて前記試料をエッチングする間に、前記プラズマによるプラズマ光及び処理される前記試料の表面での前記プラズマの反射光をモニタする手段と、
反射干渉光スペクトルを検出する手段と、
該反射干渉光スペクトルの、試料表面の膜の反射モデルで予測される理論値に対するカーブフィッティング残差を求める手段と、
該カーブフィッティング残差が所定の範囲にあるか判定する手段とを含む試料のドライエッチング装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記残差が所定の範囲から外れた場合に、前記試料の処理方法を変更する手段を含む、ドライエッチング装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記試料の処理方法を変更する手段は、エッチング処理条件の異なる複数の運転レシピに関する情報を取得する手段と、いずれかの前記運転レシピを出力する手段を含む、ドライエッチング装置。
【請求項１４】
請求項１１において、該反射干渉光スペクトルの、試料表面の膜の反射モデルで予測される理論値に対するカーブフィッティング残差を求める手段は、
反射光強度モニタの信号をプラズマ光強度モニタの信号で正規化し、複数の波長に対して実際に測定された反射率スペクトルを算出する手段と、
該実測された反射率スペクトルを、モデル予測スペクトルに対して一致する様に、フィッティング処理を行う手段、を含む、ドライエッチング装置。
【請求項１５】
請求項１１おいて、前記カーブフィッティング残差が所定の範囲にあるか否かの判定結果及び前記試料の処理方法の変更を表示する表示部を有するドライエッチング装置。