Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
２つの導体層間の絶縁層が、少なくとも一方の導体層に接した樹脂ポストと、導体層に接した金属酸化物を含有することを特徴とするキャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施例３
樹脂ポスト付銅箔へのチタン酸バリウムの堆積を行うのに、エアロゾルの吹きつけ法を用いた以外は実施例１と同様にして試料を作製し、誘電特性を調べた。エアロゾルの吹きつけは以下のように行った。エアロゾル吹き付け装置を用いて平均粒径０．５μｍのチタン酸バリウムからなるエアロゾルを速度５００ｍ/ｓで吹き付け堆積させた。用いたエアロゾル吹き付け装置は、エアロゾルチャンバーと成膜チャンバーからなる。エアロゾルチャンバー内では、原料微粒子を振動、攪拌によりガスと混合し、エアロゾルを作製する。エアロゾルチャンバーと搬送チューブで接続された成膜チャンバーは、真空ポンプとオリフィスバルブにより内部の圧力を大気圧から１０Ｐａまで制御できるようになっている。エアロゾルチャンバーと成膜チャンバー間の圧力差によりエアロゾルは成膜チャンバーに導かれ、吹き出し口に対向した基板上に微粒子が高速で吹き付けられ膜が堆積する。チタン酸バリウムの膜厚は６μｍであった。誘電特性は、静電容量が４７ｎＦ／ｃｍ２、比誘電率が３２０、誘電正接が０．５％であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例４
チタン酸バリウムの換わりに、チタン酸ストロンチウムの粒子からなるエアロゾルを用いた以外は、実施例１と同様にして試料を作製し、誘電特性を調べた。静電容量が１６ｎＦ/ｃｍ２、比誘電率が１1０、誘電正接が０．３％であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
実施例８
チタン酸バリウムの換わりに、チタン酸ストロンチウムの粒子からなるエアロゾルを用いた以外は、実施例７と同様にして試料を作製し、誘電特性を調べた。静電容量が３２ｎＦ/ｃｍ２、比誘電率が１８０、誘電正接が０．３％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小型電子機器の内部に搭載されるものであって、
冷却液を供給するポンプと、前記冷却液が供給され電子部品からの熱を受ける受熱ジャケットと、この受熱ジャケットを経た前記冷却液が供給され熱を放熱するラジエータと、このラジエータを経た前記冷却液が前記ポンプに循環するフレキシブルチューブからなる流路とを有する液冷システムにおいて、
前記フレキシブルチューブから溶出するイオンを捕獲するために、前記流路の一部にイオン交換樹脂を封入した袋を備えたイオン交換バックを設置したことを特徴とする液冷システム。
【請求項２】
請求項１記載の液冷システムにおいて、
前記イオン交換樹脂を封入した袋を備えたイオン交換バックを容器に保持し、前記イオン交換バックを取り替え可能なイオン交換ホルダを前記容器に設けたことを特徴とする液冷システム。
【請求項３】
請求項１若しくは２のいずれか１項に記載の液冷システムにおいて、
前記イオン交換バック又は前記イオン交換ホルダを前記ラジエータの中または下流、かつ受熱ジャケットの上流の液冷システムの構成部品に設置したことを特徴とする液冷システム。
【請求項４】
基板上に搭載された発熱素子と、この発熱素子と熱的に接続された受熱ジャケットと、この受熱ジャケットからの加熱液体を放熱するための放熱ジャケットと、これらのジャケットに液体を循環させるためのポンプと、このポンプと両ジャケットを接続する配管を備えた電子機器において、
前記配管の途中にイオン交換樹脂を封入した袋を備えたイオン交換バックを設置したことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的は、小型電子機器の内部に搭載されるものであって、冷却液を供給するポンプと、前記冷却液が供給され電子部品からの熱を受ける受熱ジャケットと、この受熱ジャケットを経た前記冷却液が供給され熱を放熱するラジエータと、このラジエータを経た前記冷却液が前記ポンプに循環するフレキシブルチューブからなる流路とを有する液冷システムにおいて、前記フレキシブルチューブから溶出するイオンを捕獲するために、前記流路の一部にイオン交換樹脂を封入した袋を備えたイオン交換バックを設置したことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するためのものである。水分の影響により意図しないウェハ表面部分での少数キャリアの発生を防止する。大気中の水分に晒される半導体イメージセンサＩＣの表面保護用パッシベ−ション膜（窒化シリコン膜表面）及びスクライブ領域の半導体基板表面に対して、有機シリコン系化合物を前記半導体イメージセンサの表面に被覆（コーティング）する工程をウェハ電気特性テスト工程の前に追加した。
窒化シリコン膜表面近傍あるいは半導体基板表面近傍に存在するシリコン原子の未結合手に対して大気中の水分の水酸基（-OH基）が影響を与え、上記の意図しない少数キャリア
が過剰に発生していると考えられる。従って、前記シリコン原子の未結合手に対して化学反応を起こさせ化学エネルギー的に安定状態にすることにより少数キャリアの発生を抑制することが可能となる。本発明の例では有機シリコン化合物としてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン：(CH3)3Si-NH-Si(CH3)3）をシリコン原子未結合手と反応させた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１（ａ）の前記半導体リニアイメージセンサＩＣ構造を形成した後、摂氏２５±５℃の環境に置かれたＨＭＤＳ薬液容器中に窒素ガスを導入することによってＨＭＤＳ含有ガス１１１を発生させ、摂氏１００±５℃の加熱体の上に置かれた前記半導体リニアイメージセンサＩＣを作製したウェハ表面に対して前記ＨＭＤＳガス１１１を３０〜６０秒間吹き付ける工程を行う。（図１（ｂ））
このＨＭＤＳガス吹き付け工程が終了した時点で、窒化シリコン膜表面近傍あるいは半導体基板表面近傍に存在するシリコン原子の未結合手に対して有機シリコン基（トリメチルシリコン基：(CH3)3SiO-）が化学反応し、化学エネルギー的に安定状態にすることが可
能になる。このようにしてシリコン原子の未結合手を大幅に削減することにより、大気中の水分の影響による、シリコン原子の未結合手と化学反応をして発生する少数キャリアを抑制することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（第１〜第３の実施形態の変形例）
図１０は、第１〜第３の実施形態の変形例を示す。図１０に示す保護回路は、複数のシールド線２または複数のシールド線対（２ａ，２ｂ）を有し、信号発生器１，３１，５１と切替回路６１を複数のシールド線２または複数のシールド線対（２ａ，２ｂ）の始点ＳＰ１〜ＳＰｎ，（ＳＰ１ａ，ＳＰ１ｂ）〜（ＳＰｎａ，ＳＰｎｂ）と終点ＧＰ１〜ＧＰｎ，（ＧＰ１ａ，ＧＰ１ｂ）〜（ＧＰｎａ，ＧＰｎｂ）に接続し、切替回路６１を介して、１経路分の第１〜第３の実施形態のいずれか１つの検出器１０，４０，６０に接続する。切替回路６１はシールド線２またはシールド線対（２ａ，２ｂ）を１経路づつ順番に検出器１０，４０，６０との接続を切り替え、１経路づつシールド線経路の改竄を監視評価し、改竄が認められれば、不正検出信号Ｓ１を出力されるように構成する。信号発生器１，３１，５１と切替回路６１と検出器１０，４０，６０はシールド線２またはシールド線対（２ａ，２ｂ）で保護されている。また各々を接続する配線もシールド線２またはシールド線対（２ａ，２ｂ）で保護されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、単層または複数層の薄膜を介して被加工層を形成する工程と、
前記薄膜上に有機系反射防止層を形成する工程と、
該有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンの残膜をマスクとして前記被加工層をエッチングする工程とを含み、
前記有機系反射防止膜のエッチング及び被加工層の一部のエッチングにおけるプラズマガスとして、全プラズマガス流量に対する流量比率が１０％以下のＡｒガスと、フロロカーボンガスであるＣｘＨｙＦｚ(ｘ、ｙ＝０〜１０、ｚ＝１〜１０)との混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記混合ガスに、更にＮ２、Ｏ２、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｈ２、ＣＨ４の少なくとも１つを混合して用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記被加工層エッチングの希釈ガスとして、Ｘｅ、Ｋｒの内少なくとも１種類か、Ｘｅ、Ｋｒの内少なくとも１種類とＡｒの混合ガスか、ＸｅとＫｒの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記被加工層エッチングの後に、エッチング装置内の残留ガスを回収することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記回収した残留ガスからＸｅとＫｒを抽出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に単層または複数層の薄膜を介して被加工層を形成する工程と、
前記薄膜上に有機系反射防止層を形成する工程と、
該有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンの表面改質処理を行う工程と、
前記レジストの残膜および前記有機系反射防止膜をマスクとして被加工層をエッチングする工程とを含み、
前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、
前記レジスト表面改質を行う工程と、前記被加工層のエッチングを行う工程とを同一装置内で処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に単層または複数層の薄膜を介して被加工層を形成する工程と、
前記薄膜上に有機系反射防止層を形成する工程と、
該有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が２０％以下でＣ＝Ｏ結合を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンの表面改質処理を行う工程と、
前記レジストの残膜および前記有機系反射防止膜をマスクとして被加工層をエッチングする工程とを含み、
前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程の後に、前記レジスト表面改質を行なう工程と、前記被加工層のエッチング工程とを同一装置内で交互に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板上に所定の薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上に有機系反射防止層を形成する工程と、
前記有機系反射防止層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、
前記レジストの残膜および前記有機系反射防止膜をマスクとして被加工層をエッチングする工程とを含み、
前記レジスト表面改質と前記有機系反射防止膜及び前記被加工層のエッチングを交互に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レジスト表面改質と前記有機系反射防止膜及び前記被加工層のエッチングを同一装置内で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面改質処理を電子線照射により行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面改質処理により改質される改質膜厚よりも、前記有機系反射防止膜のエッチング工程または前記被加工層のエッチング工程によりエッチングされる平均膜厚が薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レジストパターンの表面改質処理を行う際に、前記半導体基板にパルスバイアスを印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記パルスバイアスを、エッチングで使用するプラズマ発生用電源をＯＦＦ後、所定のディレイ時間だけ遅らせて印加することにより、プラズマ密度を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号を入力する入力電極と、
信号を出力する出力電極と、
前記入力電極および前記出力電極に対して空間を介して対向する振動子と、
前記振動子に直流電圧を印加する電源と
を備えた電気機械共振器において、
前記共振器は振動子の長さが異なる複数の共振器からなり、
前記電気機械共振器もしくはその周囲の温度を測定する温度センサと、
前記温度センサにより測定された温度に基づいて前記複数の共振器から所望の共振周波数を得る共振器を選択し、前記電源から前記選択した共振器の振動子に直流電圧を印加させる制御部と
を備えたことを特徴とする電気機械共振器。
【請求項２】
前記複数の共振器は、
前記入力電極と前記出力電極とは共通であり、
前記振動子は長さの異なる複数の振動子からなる
ことを特徴とする請求項１記載の電気機械共振器。
【請求項３】
信号を入力する入力電極と、
信号を出力する出力電極と、
前記入力電極および前記出力電極に対して空間を介して対向するもので長さが異なる複数の振動子と、
前記各振動子に直流電圧を印加する電源と
前記電気機械共振器もしくはその周辺の温度を測定する温度センサと、
前記温度センサにより測定された温度に基づいて前記複数の振動子のうちの一つを選択して、選択した振動子に直流電圧を印加する制御部と
を備えた電気機械共振器の動作方法であって、
前記温度センサで前記電気機械共振器もしくはその周囲の温度を測定し、前記制御部によって前記電気機械共振器の共振周波数が所望の周波数範囲となるように前記測定した温度に対応した振動子を選択し、前記選択した振動子に前記電源より直流電圧を印加する
ことを特徴とする電気機械共振器の駆動方法。
【請求項４】
基板上の電極と、
前記基板上の電極に対して空間を介して対向する振動子と、
直流電圧を印加する電源と
を備えた電気機械共振器において、
前記電気機械共振器は振動子の長さが異なる複数の共振器からなり、
前記電気機械共振器もしくはその周囲の温度を測定する温度センサと、
前記温度センサにより測定された温度に基づいて前記複数の共振器から所望の共振周波数を得る共振器を選択し、前記電源から直流電圧を印加させる制御部と
を備えたことを特徴とする電気機械共振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気機械共振器およびその駆動方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、温度変化による共振周波数の補正が容易な電気機械共振器およびその駆動方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体プロセス技術を用いて形成された微小振動子は、デバイスの占有面積が小さいこと、高いＱ値を実現できること、他の半導体デバイスとの集積が可能であること等の特徴により、無線通信デバイスの中でもＩＦ（中間周波）フィルタ、ＲＦ（ラジオ周波）フィルタとしての利用がミシガン大学を始めとする研究機関から提案されている。その構造の代表例を図６によって説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の電気機械共振器は、信号を入力する入力電極と、信号を出力する出力電極と、前記入力電極および前記出力電極に対して空間を介して対向する振動子と、前記振動子に直流電圧を印加する電源とを備えた電気機械共振器において、前記共振器は振動子の長さが異なる複数の共振器からなり、前記電気機械共振器もしくはその周囲の温度を測定する温度センサと、前記温度センサにより測定された温度に基づいて前記複数の共振器から所望の共振周波数を得る共振器を選択し、前記電源から前記選択した共振器の振動子に直流電圧を印加させる制御部とを備えたことを最も主要な特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電気機械共振器の駆動方法は、信号を入力する入力電極と、信号を出力する出力電極と、前記入力電極および前記出力電極に対して空間を介して対向するもので長さが異なる複数の振動子と、前記各振動子に直流電圧を印加する電源と前記電気機械共振器もしくはその周辺の温度を測定する温度センサと、前記温度センサにより測定された温度に基づいて前記複数の振動子のうちの一つを選択して、選択した振動子に直流電圧を印加する制御部とを備えた電気機械共振器の動作方法であって、前記温度センサで前記電気機械共振器もしくはその周囲の温度を測定し、前記制御部によって前記電気機械共振器の共振周波数が所望の周波数範囲となるように前記測定した温度に対応した振動子を選択し、前記選択した振動子に前記電源より直流電圧を印加することを最も主要な特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の電気機械共振器（以下、ＭＥＭＳ共振器という）およびその駆動方法は、ＭＥＭＳ共振器もしくはその周囲の温度を測定する温度センサと、温度センサにより測定された温度に基づいて複数の振動子から一つの振動子を選択して、選択した振動子に直流電圧を印加する制御部とを備えたため、ＭＥＭＳ共振器の温度もしくは共振器の周囲温度を測定してその温度変化に対応した直流電圧を所望の共振周波数を発振する振動子に印加できるので、周辺温度により共振周波数が所望の範囲から外れないＭＥＭＳ共振器が可能となるという利点がある。従来の、ＳＡＷフィルタ、ＦＢＡＲフィルタは３０ｐｐｍ／℃程度の温度特性を持っており、低温や高温な環境での周波数シフトが問題となっていたが、本発明は、このような問題のないＭＥＭＳ共振器を使った周波数フィルタや発振器の提供を可能とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の電気機械共振器およびその動作方法は、周波数フィルタ（ＲＦフィルタ、ＩＦフィルタ等）、発振器等の用途に適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給されたガスを活性化してプラズマを発生するプラズマ発生室と、
プラズマ発生室に連通され、被プラズマ処理部材を収容する減圧チャンバと、
プラズマ発生室と減圧チャンバの連通部に配置され、プラズマ発生室内のガス流路に対して傾斜方向にプラズマをガイドし、減圧チャンバ内にプラズマを拡散させつつ導入するディフューザと
を含むプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ディフューザは、複数の筒体の各一端側を互いに近接配置してプラズマ発生室に接続し、他端側を互いに離隔させた請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記筒体の軸と減圧チャンバ内に開口した開口端のなす角を、筒体の傾斜角に応じて設定した請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
筒体が円筒体である請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
供給されたガスを活性化しプラズマを発生するプラズマ発生室と、
プラズマ発生室に接続され、一主面に導電薄膜と有機薄膜とが形成された基板を収容する減圧チャンバと、
プラズマ発生室と減圧チャンバの連通部に配置され、プラズマ発生室内のガス流路に対して傾斜方向にプラズマをガイドし、減圧チャンバ内にプラズマを拡散させつつ導入するディフューザと
を含み、プラズマ発生室に供給するガスを順次換えて異なるガスのプラズマにより基板上の導電薄膜表面を処理する基板の表面処理装置。
【請求項６】
一主面に導電薄膜が被着された基板をチャンバー内に配置する工程と、
プラズマ発生部において発生された酸素プラズマガスを、前記プラズマ発生部における前記酸素プラズマガスの流路方向に対して傾斜した方向に流動させて前記チャンバー内に導入することにより、前記基板上の導電薄膜に前記酸素プラズマガスを接触させる工程と、
を備えた有機EL装置の製造方法。
【請求項７】
前記酸素プラズマガスの接触後、有機材料ガスより生成された有機プラズマガスを前記基板の一主面に導入し、前記導電薄膜上に有機膜を形成する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項６に記載の有機EL装置の製造方法。 
【請求項８】
前記有機材料ガスがCxHyFz（x＞１、y≧０、ｚ≧２）を含むこと
を特徴とする請求項７に記載の有機EL装置の製造方法。 
【請求項９】
前記酸素プラズマガスと、前記有機プラズマガスとが、同一チャンバー内に導入されることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項１０】
前記酸素プラズマガスの前記チャンバーへの導入と、前記有機プラズマガスの前記チャンバーへの導入が、前記基板の一主面上に位置する領域で行われることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の対向する各辺に沿って単列にボンディングパッドが配置された方形のチップからなり、ウェーハ状態のとき、前記チップがマトリクス状に配置され、前記チップ間のスクライブ領域上にボンディングパッドに電気的接続されたウェーハプロービングテスト用パッドが形成された半導体集積回路装置において、
前記各辺の少なくとも１辺の前記ボンディングパッドの単列が、前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されるボンディングパッドと前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されないボンディングパッドとを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されるボンディングパッドと前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されないボンディングパッドとが交互に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられる請求項１記載の半導体集積回路装置であって、
前記チップの平面形状が長尺矩形であり、
前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されるボンディングパッドと前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されないボンディングパッドとを含む前記ボンディングパッドの単列が、前記チップの長辺に沿う両外周部のうちの液晶パネル側に配置される出力用ボンディングパッドであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ウェーハにマトリクス状に配置されスクライブ線に沿って切り離されてチップとなる半導体集積回路装置において、ウェーハ状態での電気的特性選別を行うためにウェーハプロービングテスト用パッドをチップ間のスクライブ領域上に形成した半導体集積回路装置が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。以下、特許文献１を参考にして、従来の半導体集積回路装置について図５を参照して説明する。ウェーハ１０には、半導体集積回路が内部に形成されたチップ１１がマトリクス状に配置されており、各チップ１１間の領域はスクライブ領域１２として用いられる。ウェーハ１０は、各チップ１１とスクライブ領域１２との境界のスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域１２で切り離されてチップとなる。チップ１１の外周部には、スクライブ線Ｃに沿ってボンディングパッドＢ１〜Ｂｎが設けられている。スクライブ領域１２には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎに１対１で対応してウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎが設けられている。各ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎおよびウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎの対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎにプロービング針を接触させ良否判定が実施される。その後、チップ１１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域１２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎを用い、ボンディング接続が実施される。
【特許文献１】特開平４−２３７１４２号公報（図１）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の半導体集積回路装置は、少なくとも一対の対向する各辺に沿って単列にボンディングパッドが配置された方形のチップからなり、ウェーハ状態のとき、チップがマトリクス状に配置され、チップ間のスクライブ領域上にボンディングパッドに電気的接続されたウェーハプロービングテスト用パッドが形成された半導体集積回路装置において、前記各辺の少なくとも１辺の前記ボンディングパッドの単列が、前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されるボンディングパッドと前記ウェーハプロービングテスト用パッドに接続されないボンディングパッドとを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ボンディングパッドＳ１，Ｓ３，……，Ｓ１５、Ｓ１６，Ｓ１８，……，Ｓ３６８、およびＳ３７１，Ｓ３７３，……，Ｓ３８３とウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３との対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３と、プロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３の対とならないボンディングパッドＳ２，Ｓ４，……，Ｓ１４、Ｓ１７，Ｓ１９，……，Ｓ３６９、およびＳ３７０，Ｓ３７２，……，Ｓ３８４と、入力用および電源用のボンディングパッドに対応したウェーハプロービングテスト用パッドとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。その後、チップ５１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域５２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４を用い、ボンディング接続を実施する。ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３の替わりに、ボンディングパッドＳ２，Ｓ４，……，Ｔ１４およびＳ３７０，Ｓ３７２，……，Ｓ３８４に対応して、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ２，Ｔ４，……，Ｔ１４およびＴ３７０，Ｔ３７２，……，Ｔ３８４が設けられてもよい。また、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，……，Ｔ３６８の替わりに、ボンディングパッドＳ１７，Ｓ１９，……，Ｓ３６９に対応して、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１７，Ｔ１９，……，Ｔ３６９が設けられてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  受信文書を受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した前記受信文書とレポート情報を蓄積する蓄積手段と、
前記蓄積手段に蓄積された前記受信文書及び前記レポート情報を印刷するか否かをユーザが設定する設定手段とを設けたことを特徴とするファクシミリ装置。
【請求項２】  前記レポート情報は、前記受信文書の受信時刻、送信元等の属性情報と、エラー発生、電源断、それらの発生時刻等の情報とを含むことを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項３】  前記受信文書及び前記レポート情報を前記印刷手段により自動的に印刷するか、前記設定手段の設定に応じて印刷するかを選択する第１の選択手段を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載のファクシミリ装置。
【請求項４】  前記第１の選択手段の選択に対してさらに前記受信文書印刷又は前記レポート情報印刷を選択する第２の選択手段を設けたことを特徴とする請求項３記載のファクシミリ装置。
【請求項５】  前記第２の選択手段の選択に対してさらに前記受信文書の送信元を選択し、前記レポート情報のレポート種類を選択する第３の選択手段を設けたことを特徴とする請求項４記載のファクシミリ装置。
【請求項６】  前記受信文書及び前記レポート情報の印刷ジョブの一覧を表示する表示操作手段を設け、前記選択手段は、前記表示された印刷ジョブ一覧に対して前記表示操作部上で印刷ジョブの選択及び消去の処理を行うことができ、前記印刷手段は前記印刷ジョブ一覧を印刷することを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載のファクシミリ装置。
【請求項７】  前記一覧表示は、前記レポート情報のみ表示、前記受信文書のみ表示、レポート種類毎の表示を選択でき、それぞれ表示した印刷ジョブ一覧に対して前記表示操作手段の操作により印刷ジョブの選択、消去の処理を行うことを特徴とする請求項６記載のファクシミリ装置。
【請求項８】  前記印刷ジョブについての操作は、文書内容の操作画面上表示、印刷、消去をする機能を有することを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載のファクシミリ装置。
【請求項９】  前記蓄積された前記受信文書を転送する転送手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項１０】  前記印刷ジョブにおいて、集約印刷、部数指定、ソート、ステープル等を選択的に行う制御手段を設けたことを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載のファクシミリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明によるファクシミリ装置においては、受信文書を受信する受信手段と、受信手段で受信した受信文書とレポート情報を蓄積する蓄積手段と、蓄積手段に蓄積された受信文書及びレポート情報を印刷するか否かをユーザが設定する設定手段とを設けている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  受信画データを受け入れて格納するメモリ部と、
印刷品質検査用のテストパタンを読み取り、テストパタン読み取りデータを出力するテストパタン読み取り部と、
前記テストパタンを再現させるテストパタン書き込みデータを所持すると共に、前記テストパタン読み取り部から前記テストパタン読み取りデータを受け入れて、テストパタン評価結果を出力するテストパタン・データ処理部と、
印刷動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記テストパタン・データ処理部からテストパタン書き込みデータを受け入れて、前記メモリ部から読み出した前記受信画データと共に前記印刷品質検査用のテストパタンを用紙上に再現させ、前記テストパタン・データ処理部からテストパタン評価結果を受け入れて、このテストパタン評価結果に基づいて、前記メモリ部に前記受信画データの格納状態を維持させるか否かを決定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  請求項１に記載の画像形成装置において、
前記受信画データのビット配列状態から、前記受信画データの複雑度を検出して受信画評価結果を出力する画データ解析部を備え、
前記制御部は、
前記画データ解析部から受信画評価結果を受け入れて、この受信画評価結果と前記テストパタン評価結果に基づいて、前記メモリ部に前記受信画データの格納状態を維持させるか否かを決定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】  請求項１に記載の画像形成装置において、
前記テストパタン評価結果の評価基準を定める、かすれ判定パラメータを格納するパラメータ記憶部を備え、
前記制御部は、
前記パラメータ記憶部から操作者の選択による前記かすれ判定パラメータを受け入れて、このかすれ判定パラメータと、前記テストパタン評価結果に基づいて、前記メモリ部に前記受信画データの格納状態を維持させるか否かを決定することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファクシミリ装置等、印刷機能を有する画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
印刷機能を有する画像形成装置の代表例としてファクシミリ装置を挙げて、以下に説明する。
ファクシミリ装置は、通常受信画データ又は送信画データを格納するメモリを所持している。受信動作中に受信画データは、一旦メモリに記憶される。その後、メモリから読み出されて用紙上に印刷される。用紙上に印刷された後、受信画データはメモリから消去される。この受信動作中に印刷機能が正常に働かなくなった場合を想定する。かかる場合に操作者は装置を修正する。操作者は、自己の判断で印刷機能の回復を判断したとき、印刷は再開される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は以上の点を解決するため次の構成を採用する。
〈構成１〉
受信画データを受け入れて格納するメモリ部と、印刷品質検査用のテストパタンを読み取り、テストパタン読み取りデータを出力するテストパタン読み取り部と、上記テストパタンを再現させるテストパタン書き込みデータを所持すると共に、上記テストパタン読み取り部から上記テストパタン読み取りデータを受け入れて、テストパタン評価結果を出力するテストパタン・データ処理部と、印刷動作を制御する制御部とを備え、上記制御部は、上記テストパタン・データ処理部からテストパタン書き込みデータを受け入れて、上記メモリ部から読み出した上記受信画データと共に上記印刷品質検査用のテストパタンを用紙上に再現させ、上記テストパタン・データ処理部からテストパタン評価結果を受け入れて、このテストパタン評価結果に基づいて、上記メモリ部に上記受信画データの格納状態を維持させるか否かを決定することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
〈構成２〉
構成１に記載の画像形成装置において、上記受信画データのビット配列状態から、上記受信画データの複雑度を検出して受信画評価結果を出力する画データ解析部を備え、上記制御部は、上記画データ解析部から受信画評価結果を受け入れて、この受信画評価結果と上記テストパタン評価結果に基づいて、上記メモリ部に上記受信画データの格納状態を維持させるか否かを決定することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
〈構成３〉
構成１に記載の画像形成装置において、上記テストパタン評価結果の評価基準を定める、かすれ判定パラメータを格納するパラメータ記憶部を備え、上記制御部は、上記パラメータ記憶部から操作者の選択による上記かすれ判定パラメータを受け入れて、このかすれ判定パラメータと、上記テストパタン評価結果に基づいて、上記メモリ部に上記受信画データの格納状態を維持させるか否かを決定することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】廃棄料を払って製品廃棄を行なう廃棄ユーザーに関する情報を廃棄ユーザー情報としてデータベースに登録する廃棄ユーザー情報登録手段と、
廃棄製品の見掛けや動作、
再生品購入ユーザーの希望購入条件を登録する購入条件データベース、再生品販売手段で再生品を販売した販売実績情報を記録した販売実績データベースに基づいて再生品の商品性を判断する商品性判定、
中古部品を登録した中古部品データベースに基づく中古部品コスト、メーカーの部品データベースに基づく部品コスト、再生処理にかかる工数コスト、前記販売実績データベースに基づく収支、廃棄ユーザーへの返金廃棄料を考慮したコスト判定、
とによって再生するか否かを決定する再生決定手段と、
前記再生決定手段が再生すると決定した場合には廃棄製品から製品または部品を再生する製品／部品再生手段と、
前記製品／部品再生手段が再生した製品または部品を再生品としてネットワーク上で販売する中古品販売ネット市場を含む再生品販売手段と、
前記再生品販売手段で再生品を販売した収益の一部または全部を前記廃棄ユーザー情報登録手段のデータベースに登録された廃棄ユーザーの情報に基づいて廃棄ユーザーに返金する廃棄料返金手段と
から成る製品リサイクルシステム。
【請求項２】前記廃棄ユーザー情報登録手段に登録された廃棄ユーザーデータベースの情報中に廃棄品の修理希望がある場合に前記製品／部品再生手段が再生した再生品を廃棄ユーザーに修理品として返却する修理品返却手段を
有する請求項１記載の製品リサイクルシステム。
【請求項３】前記製品／部品再生手段が再生した再生品に対する等級、価格、在庫期間などのデータを、再生品情報を提供する再生品データベースである再生品情報提供手段にデータベース登録する請求項１ないし２記載の製品リサイクルシステム。
【請求項４】前記コスト判定では、
中古部品を登録した中古部品データベースに基づく中古部品コストと、
メーカーの部品データベースに基づく部品コストと、再生処理にかかる工数コストと、
を合計して単品コストとし、
前記中古販売ネット市場で蓄積された販売実績データベースに基づく累積収支を算出し、
前記累積収支から前記単品コストと、前記廃棄ユーザーへの返金廃棄料とを差し引いた値により廃棄製品を再生するか否かを決定する請求項１記載の製品リサイクルシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気通信回線を介する書籍購入希望者からの要求に応じて、前記書籍を前記書籍購入希望者へ配送する方法において、
書籍紹介ホームページ上で、前記書籍を特定する段階と、
前記書籍購入希望者の要求に応じて、前記書籍の内容の一部を前記書籍紹介ホームページ上に表示する段階と、
前記書籍の購入を希望する場合、前記書籍の購入に必要な所定の事項を入力する段階と、
から構成されることを特徴とするオンデマンドによる書籍購入方法。
【請求項２】
前記書籍を特定する段階は、前記書籍紹介ホームページ上に表示された書籍リストから選択する段階を含むことを特徴とする請求項１記載のオンデマンドによる書籍購入方法。
【請求項３】
前記書籍の内容の一部を表示する段階は、選択された書籍の少なくとも半分のページ数または文字数の内容を表示する段階であることを特徴とする請求項１記載のオンデマンドによる書籍購入方法。
【請求項４】
前記書籍の内容の一部を表示する段階は、前記選択された書籍の内容の全てを表示する段階であることを特徴とする請求項１記載のオンデマンドによる書籍購入方法。
【請求項５】
前記所定の事項を入力する段階は、前記書籍紹介ホームページとリンクした印刷または製本を行う業者のホームページに移動する段階を含むことを特徴とする請求項１記載のオンデマンドによる書籍購入方法。
【請求項６】
前記書籍の購入に必要な所定の事項を入力する段階は、書籍を購入する者の氏名および住所、ならびに決済方法を指定する事項を入力する段階を含むことを特徴とする請求項１記載のオンデマンドによる書籍購入方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示を行う表示部と、該表示部を駆動する駆動部が複数の信号線により接続されている画像表示装置において、
前記表示部は、マトリクス状に配置した複数の表示画素により構成され、
前記駆動部は、ラダー抵抗と、該ラダー抵抗に接続されたインピーダンス変換手段と、該インピーダンス変換手段からの出力線である階調電圧配線と、該階調電圧配線を選択的に信号線に接続する階調電圧選択手段とを有し、特に該インピーダンス変換手段の数が該階調電圧配線の数と等しいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記階調電圧選択手段は、前記複数の信号線と接続されていることを特徴とする請求項１の画像表示装置。
【請求項３】
前記表示部、前記階調電圧選択手段、及び前記階調電圧配線は同じ基板上に配置されていることを特徴とする請求項１又は２の画像表示装置。
【請求項４】
前記インピーダンス変換手段は、ドレイン接地された電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記インピーダンス変換手段は、電界効果トランジスタを用いた差動増幅回路で構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記インピーダンス変換手段は、入出力間のオフセット電圧を検出し、除去するオフセット電圧キャンセル手段を有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記インピーダンス変換手段は、該インピーダンス変換手段の機能を停止させる手段、及び該インピーダンス変換手段の入出力端子間を短絡させる手段を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記表示画素は、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間の液晶領域を有する液晶表示画素であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記階調電圧選択手段は、電界効果トランジスタを用いたアナログスイッチで構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の画像表示装置
。
【請求項１０】
前記ラダー抵抗は、不純物をドープした多結晶Ｓｉ薄膜で構成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記表示画素、前記階調電圧選択手段、及び前記インピーダンス変換手段は、多結晶Ｓｉ  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ，Thin Film Transistor）を用いて構成されたものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記表示画素、前記階調電圧選択手段、及び前記インピーダンス変換手段は、同じ基板上に構成されたものであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記ラダー抵抗は、一つの抵抗によって構成されたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記ラダー抵抗は、正電圧階調及び反転電圧階調生成用にそれぞれ一個を有して構成されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記複数の表示画素は、入力されたアナログ画像信号によって制御され、陽電極と陰電極間を流れる電流によって生じる発光により画像を表示するための発光機能を有する発光型の表示画素であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項１６】
表示部の各画素の画素容量に信号線を介してアナログ画像信号電圧を書き込んで画像表示を行う画像表示装置の駆動方法において、
信号線へのアナログ画像信号電圧の書き込みの際に、３回のフェーズに分けてアナログ画像信号電圧の書き込みを行うことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記画像表示装置における上記信号線へのアナログ画像信号電圧の書き込みは
、オフセットキャンセル容量を用いたオフセットキャンセル手段を有するインピーダンス変換手段を用いて行われており、
１回目のフェーズでは、該インピーダンス変換手段を用いたアナログ画像信号電圧の書き込みと同時に該インピーダンス変換手段の入出力電圧間に生じるオフセット電圧の該オフセットキャンセル容量への書込みを行い、
２回目のフェーズでは、該インピーダンス変換手段を用いたアナログ画像信号電圧の書き込みと同時に該オフセットキャンセル手段を用いたインピーダンス変換手段のオフセット電圧のキャンセルを行い、
３回目のフェーズでは、該インピーダンス変換手段を介さず直接に上記信号線へのアナログ画像信号電圧の書き込みを行うことを特徴とする請求項１６の画像表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記信号線には電圧リセット手段が設けられており、これにより予め信号線の電圧をリセットした後に、３回のフェーズに分けてアナログ画像信号電圧の書き込みを行うことを特徴とする請求項１６の画像表示装置の駆動方法。
【請求項１９】
画像表示を行うためにマトリクス状に配置された複数の表示画素と、アナログ画像信号を伝達するために各列毎に設けられ、該表示画素に接続された信号線群と、該表示画素と該信号線群を所定のタイミングで駆動するための駆動回路部を有し、該表示画素の画素容量に該信号線を介してアナログ画像信号電圧を書き込んで画像表示を行う画像表示装置の駆動方法において、
前記駆動回路部は、ラダー抵抗と該ラダー抵抗に接続される複数本の階調電圧配線を有し、
前記信号線群は、該階調電圧配線に階調電圧選択手段を介して接続されており
、
各階調電圧配線は、インピーダンス変換手段を介して該ラダー抵抗に接続されており、
少なくとも該表示画素，該信号線群，階調電圧選択手段，階調電圧配線は同じ基板上に設けられており、
該信号線へのアナログ画像信号電圧の書き込みの際に、３回のフェーズに分けてアナログ画像信号電圧の書き込みを行うことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
画像表示を行うためにマトリクス状に配置された複数の表示画素と、
アナログ画像信号を伝達するために各列毎に設けられ、該表示画素に接続された信号線群と、
該表示画素と該信号線群を所定のタイミングで駆動するための駆動回路部を有し、
入力された画像表示データを基に、所定のシーケンスに従って該表示画素に画像を表示させるための手段を有する画像表示端末システムにおいて、
前記駆動回路部はラダー抵抗と該ラダー抵抗に接続される複数本の階調電圧配線を有し、
前記信号線群は該階調電圧配線に階調電圧選択手段を介して接続されており、
各階調電圧配線はインピーダンス変換手段を介して該ラダー抵抗に接続されており、特に該インピーダンス変換手段の数が該階調電圧配線の数と等しく、
少なくとも該表示画素，該信号線群，階調電圧選択手段，階調電圧配線は単一基板上に設けられていることを特徴とする画像表示端末システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１１に示す様に保持器３４ａが偏心すると、転動体３３がポケット３６内で片寄り、この転動体３３がこのポケット３６の内面をラジアル方向に、Ｆなる荷重で押圧する。この様な場合に、内外両面の互いに整合する位置に形成した１対の凹溝４０、４０の間部分４１（図１２〜１３）を、両端固定の支持梁で近似すれば、この間部分４１に生ずる最大の曲げ応力σは、材料力学的に次の（１）式で表される。
σ＝３ＷＬ／｛４Ｂ2 （Ｔ−Ｈ）｝  −−−  （１）
この（１）式中、Ｌは、上記各凹溝４０、４０の円周方向の半幅（２Ｌが、上記保持器３４ａの円周方向に関するこれら各凹溝４０、４０の幅）、Ｂは、上記各凹溝４０、４０の半径方向の長さ、Ｈは、軸方向の深さである。又、これら各凹溝４０、４０から外れた部分に於ける上記保持器３４ａの肉厚は、２Ｔとした。
ここで、（１）式を無次元化して、次の（２）式で表される無次元応力σ´を定義する。
σ´＝４Ｂ2 σ／３Ｗ＝Ｌ／（Ｔ−Ｈ）  −−−  （２）
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  室内機、室外機、加湿ユニット、および運転条件設定用の操作器を備えた空気調和機において、
前記室内機と前記加湿ユニットの相互間のデータ送受信を行う通信手段と、
前記室内機と前記操作器の相互間のデータ送受信を行う通信手段と、
を具備したことを特徴とする空気調和機。
【請求項２】  室内機、室外機、および加湿ユニットを備えた空気調和機において、
前記室内機との相互間で無線によるデータ送受信が可能で、かつ表示部を有する運転条件設定用の操作器と、
前記加湿ユニットの運転状態を前記室内機を介して前記操作器に伝達し同操作器の表示部で表示させる制御手段と、
を具備したことを特徴とする空気調和機。
【請求項３】  室内機および室外機を備え、かつ電気ヒータの発熱による加湿機能を有する加湿ユニットを備えた空気調和機において、
前記室外機の運転電流を所定のレリース値以下に制限するレリース手段と、
前記加湿ユニットの加湿運転開始に際し、前記レリース値を通常より低い値に下降設定し、この設定後、前記電気ヒータに対する通電を許容する制御手段と、
を具備したことを特徴とする空気調和機。
【請求項４】  室内機および室外機を備え、かつ電気ヒータの発熱による加湿機能を有する加湿ユニットを備えた空気調和機において、
前記室外機の運転電流を所定のレリース値以下に制限するレリース手段と、
空気調和機全体の運転電流をセーブするパワーセレクトモードを指定するための指定手段と、
前記室内機に設けられ、前記指定手段でパワーセレクトモードが指定されたとき、パワーセレクト信号を前記室外機に送る制御手段と、
前記室内機に設けられ、前記加湿ユニットの加湿運転開始に際し、前記パワーセレクト信号を前記室外機に送る制御手段と、
前記室外機に設けられ、前記室内機からパワーセレクト信号を受けた場合に、前記レリース値を通常より低いパワーセレクト値に下降設定する制御手段と、
を具備したことを特徴とする空気調和機。
【請求項５】  室内機、室外機、加湿運転機能と換気運転機能を有する加湿ユニット、および運転条件設定用の操作器を備えた空気調和機において、
前記室内機と前記室外機による空調運転時、その空調運転の実行時間を前記操作器のタイマ操作に応じて制御する制御手段と、
前記加湿ユニットの運転時、その運転の実行時間を前記操作器のタイマ操作に応じて制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする空気調和機。
【請求項６】  室内機、室外機、加湿運転機能と換気運転機能を有する加湿ユニット、および運転条件設定用の操作器を備えた空気調和機において、
前記操作器の操作に応じて前記加湿ユニットの加湿運転、換気運転、停止を切換える制御手段、を具備したことを特徴とする空気調和機。