【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体薄膜と、酸化膜と、ゲート電極とを含む積層構造を有す
る薄膜トランジスタの製造方法であって、
絶縁性の基板に多結晶シリコンからなる半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成
工程と、
上記半導体薄膜の上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを備え、
上記酸化膜形成工程は、上記半導体薄膜上に酸化シリコン膜を成膜する成膜工
程と、
酸素原子を含有する気体の加圧雰囲気下で熱処理を行う第１のアニール工程と
を組み合わせて行い、
上記第１のアニール工程に連続して乾燥雰囲気下で熱処理を行う第２のアニー
ル工程を行うこと
を特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】  上記酸化膜形成工程は、上記成膜工程を行って上記酸化シリコ
ン膜を成膜し、
当該成膜工程後に上記第１のアニール工程を行って上記酸化シリコン膜を緻密
化するとともに、上記半導体薄膜と上記酸化シリコン膜との界面に酸化膜を生成
し、
当該第１のアニール工程後に上記第２のアニール工程を行うこと
を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】  上記酸化膜形成工程は、上記第１のアニール工程を行って上記
半導体薄膜の表面に上記成膜工程で得られる酸化シリコン膜よりも緻密な酸化シ
リコン膜を生成し、
当該第１のアニール工程後に上記第２のアニール工程を行い、
当該第２のアニール工程後に上記成膜工程を行って上記緻密な酸化シリコン膜
の上に上記酸化シリコン膜を成膜すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】  上記半導体薄膜をパタニングして薄膜トランジスタの素子領域
を形成する素子領域形成工程を上記酸化膜形成工程の前に行うこと
を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】  上記半導体薄膜をパタニングして薄膜トランジスタの素子領域
を形成する素子領域形成工程を上記酸化膜形成工程の後に行うこと
を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】  上記半導体薄膜形成工程の前に上記絶縁性の基板に予めゲート
電極を形成するゲート電極形成工程を備え、
上記半導体薄膜形成工程は、上記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を介して上記
半導体薄膜を形成し、
上記酸化膜形成工程は、上記半導体薄膜の上に上記酸化膜を形成すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】  上記乾燥雰囲気は、酸素雰囲気、大気雰囲気、窒素雰囲気、不
活性ガス雰囲気、真空雰囲気のいずれかであること
を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】  画素電極とこれを駆動する薄膜トランジスタとが配された第１
の基板と上記画素電極に対面する電極が配された第２の基板とが所定の間隙をお
いて対向配置されるとともに上記間隔に液晶が保持されてなる表示パネルを有し
、上記薄膜トランジスタが半導体薄膜と酸化膜とゲート電極とを含む積層構造を
有する液晶表示装置の製造方法であって、
上記第１の基板に多結晶シリコンからなる半導体薄膜を形成する半導体薄膜形
成工程と、
上記半導体薄膜の上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを備え、
上記酸化膜形成工程は、上記半導体薄膜上に酸化シリコン膜を成膜する成膜工
程と、
酸素原子を含有する気体の加圧雰囲気下で熱処理を行う第１のアニール工程と
を組み合わせて行い、
上記第１のアニール工程に連続して乾燥雰囲気下で熱処理を行う第２のアニー
ル工程を行うこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】  絶縁性の基板にエレクトロルミネッセンス素子とこれを駆動
する薄膜トランジスタが配され、当該薄膜トランジスタが半導体薄膜と酸化膜と
ゲート電極とを含む積層構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造
方法であって、
上記絶縁性の基板に多結晶シリコンからなる半導体薄膜を形成する半導体薄膜
形成工程と、
上記半導体薄膜の上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを備え、
上記酸化膜形成工程は、上記半導体薄膜上に酸化シリコン膜を成膜する成膜工
程と、
酸素原子を含有する気体の加圧雰囲気下で熱処理を行う第１のアニール工程と
を組み合わせて行い、
上記第１のアニール工程に連続して乾燥雰囲気下で熱処理を行う第２のアニー
ル工程を行うこと
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】  半導体薄膜と、酸化膜と、ゲート電極とを含む積層構造を有
する薄膜トランジスタであって、
上記半導体薄膜は、絶縁性の基板に形成された多結晶シリコンからなり、
上記酸化膜は、上記半導体薄膜上に酸化シリコン膜を成膜する成膜処理と、
酸素原子を含有する気体の加圧雰囲気下で熱処理を行う第１のアニール処理と
を組み合わせ且つ当該第１のアニール処理に連続して乾燥雰囲気下で熱処理を行
う第２のアニール処理を行うことにより形成されること
を特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】  上記酸化膜は、上記成膜処理を行って上記酸化シリコン膜を
成膜し、
当該成膜処理後に上記第１のアニール処理を行って上記酸化シリコン膜を緻密
化するとともに、上記半導体薄膜と上記酸化シリコン膜との界面に酸化膜を生成
し、
当該第１のアニール処理後に上記第２のアニール処理を行って形成されたもの
であること
を特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】  上記酸化膜は、上記第１のアニール処理を行って上記半導体
薄膜の表面に上記成膜処理で得られる酸化シリコン膜よりも緻密な酸化シリコン
膜を生成し、
当該第１のアニール処理後に上記第２のアニール処理を行い、
当該第２のアニール処理後に上記成膜処理を行って上記緻密な酸化シリコン膜
の上に上記酸化シリコン膜が成膜されたものであること
を特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】  上記半導体薄膜をパタニングして形成された薄膜トランジス
タの素子領域上に上記酸化膜が形成されていること
を特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１４】  上記素子領域は、上記半導体薄膜上に上記酸化膜が形成され
当該酸化膜ごと上記半導体薄膜がパタニングされて形成されていること
を特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１５】  上記半導体薄膜は、上記絶縁性の基板に予め形成された上記
ゲート電極の上にゲート絶縁膜を介して形成され、当該半導体薄膜の上に上記酸
化膜が形成されていること
を特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１６】  画素電極とこれを駆動する薄膜トランジスタとが配された第
１の基板と上記画素電極に対面する電極が配された第２の基板とが所定の間隙を
おいて対向配置されるとともに上記間隔に液晶が保持されてなる表示パネルを有
し、上記薄膜トランジスタが半導体薄膜と酸化膜とゲート電極とを含む積層構造
を有する液晶表示装置であって、
上記半導体薄膜は、上記第１の基板に形成された多結晶シリコンからなり、
上記酸化膜は、上記半導体薄膜上に酸化シリコン膜を成膜する成膜処理と、
酸素原子を含有する気体の加圧雰囲気下で熱処理を行う第１のアニール処理と
を組み合わせ且つ当該第１のアニール処理に連続して乾燥雰囲気下で熱処理を行
う第２のアニール処理を行うことにより形成されること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】  絶縁性の基板にエレクトロルミネッセンス素子とこれを駆動
する薄膜トランジスタが配され、当該薄膜トランジスタが半導体薄膜と酸化膜と
ゲート電極とを含む積層構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置であっ
て、
上記半導体薄膜は、上記絶縁性の基板に形成された多結晶シリコンからなり、
上記酸化膜は、上記半導体薄膜上に酸化シリコン膜を成膜する成膜処理と、
酸素原子を含有する気体の加圧雰囲気下で熱処理を行う第１のアニール処理と
を組み合わせ且つ当該第１のアニール処理に連続して乾燥雰囲気下で熱処理を行
う第２のアニール処理を行うことにより形成されること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。