Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】漢方生薬分類の内、解表薬、利水薬、瀉下薬、清熱薬、理気薬、温裏去寒薬及び固渋薬に分類される生薬の基源動物、基源植物又は由来物のエッセンスから選ばれる１種乃至は２種以上を含有する、ストレスによる障害への対応用の皮膚外用組成物。
【請求項２】ストレスによる障害が、皮膚機能の低下である、請求項１に記載の皮膚外用組成物。
【請求項３】皮膚機能がバリアー能である、請求項２に記載の皮膚外用組成物。
【請求項４】解表薬、利水薬、瀉下薬、清熱薬、理気薬、温裏去寒薬及び固渋薬に分類される生薬（基源動物、基源植物又は由来物）が、マンケイシ（Vitex rotundifolia）、ケイシ（Cinnamomum cassia Blume）、ケイガイ（Schizonepeta tenuifolia Briq.）、ボウフウ（Ledebouriella seseloides Wolff）、コウジュ（Elsholtzia haichowensis Sun）、ハッカ（Mentha arvensis）、ノギクカ（Chrysanthemum indicum L.）、フヘイ（Spirodela Plyrhiza Schleid）、ヒカイ（Dioscorea sativa L.）、トウシンソウ（Juncus decipiens Nakai）、ブクリョウ（Poria cocos Wolf）、シャゼンソウ（Plantago asitica L.）、チョレイ（Glifola umbellata Pilat）、クバク（Dianthus superbus L.）、センキュウ（Ligusticum wallichii Franch.）、タンジン（Salvia miltiorrhiza Bge.）、ニッケイ（Cinnamomum cassia Bl.）、ショクモク（Zanthoxylum simulansHance）、ビャクレン（Ampelopsis japonica Mak.）、ロホウボウ（アシナガバチの巣）、キョウオウ（Curcuma longa L.）、ジュウイシ（Leonurus heterophyllus Sweet）、タクラン（Lycopus lucidus Turcz.）、セキシャク（Paenia lactiflora Pall.）、ゴレイシ（Pteropoidiaceaeの糞便）、スイテツ（Whitmaniapigra Whitman）、エンゴサク（Corydalis bulbosa DC）、トウニン（Prunus persica Batsch）、ビャクキュウ（Bletilla striata Reichb.）、ガジュツ（Curcuma zedoaria Rosc）、ビャクジュツ（Atractylodes macrocephala Koidz）、ロクジョウ（Cervus nippn Temminck）、トウキ（Angelica sinensis Diels）、オウギ（Astragalus membranaceus Bge.）、カイバ（Hyppocampus Kelloggi Jordan et Snyder）、マシニン（Cannabis sativa L.）、ショウリク（Phytolacca esculenta Vanhoutt）、ギンキョウ（Ginkgo biloba L.）、ジンコウ（Aqularia sinesis Gilg）、カイキンサ（Lygodium japonicum (Thunb.)Sw.）、トウヒ（Citrus aurantium L.）又はチンピ（Citrus reticulata Blanco）であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の皮膚外用組成物。
【請求項５】エッセンスが抽出物乃至はその溶媒除去物であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の皮膚外用組成物。
【請求項６】化粧料であることを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の皮膚外
用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
＜実施例２＞上記本発明の化粧料である、ローション１〜３５を用いて、ストレスによる皮膚機能の低下の対応作用を調べた。使用したストレスモデルは、過剰飼育ストレスモデルであった。即ち、通常の２倍の密度で２週間飼育し、その後テープストッピングし、皮膚機能の低下を経表皮水分蒸散量（ＴＥＷＬ）を測定し、これの経時変化を指標に評価した。対応の処理は予備飼育期間（２週間）にローション１〜３５で１日１回０．１ｍｌを背部部位に投与して行った。対照群は５０％エタノールで処置した。予備飼育は通常密度で行った。使用動物はＳｋｈ系ヘアレスマウス（雌性、１０〜１５週齢）を用い、１群１０匹とした。評価は群全体のＴＥＷＬの様子を見、＋＋：著しいＴＥＷＬ増加抑制、＋：明らかなＴＥＷＬの増加抑制、±：微弱なＴＥＷＬの増加抑制、−：抑制が認められないの基準で対応作用を判定した。結果を表２に示す。これより、本発明の化粧料がストレスによる皮膚機能の低下などの障害が発生するのを抑制する作用に優れることがわかる。即ち、本発明の化粧料を投与することにより生体はストレスに対応する能力を増強させることが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】カワカワ（Ｐｉｐｅｒ  ｍｅｔｈｙｓｔｉｃｕｍ  Ｆｏｒｓｔ．）、クマツヅラ（Ｖｅｒｂｅｎａ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｉｓ  Ｌ．）、コハコベ（Ｓｔｅｌｌａｒｉａ  ｍｅｄｉａ（Ｌ．）Ｖｉｌｌ．）、セイヨウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ  Ｗｅｂｅｒ，Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｓｅｃｔ．Ｒｕｄｅｒａｌｉａ  ｓｐｅｃｉｅｓ）、セイヨウナツユキソウ（Ｆｉｌｉｐｅｎｄｕｒａ  ｕｌｍａｒｉａ（Ｌ．）Ｍａｘｉｍ．）、ヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｎｎｕｕｓ 
Ｌ．）、マヨラナ（Ｏｒｉｇａｎｕｍ  ｍａｊｏｒａｎａ  Ｌ．）、ムラサキツメクサ（Ｔｒｉｆｏｌｉｕｍ  ｐｒａｔｅｎｓｅ  Ｌ．）、ラタニィ（Ｋｒａｍｅｒｉａ  ｔｒｉａｎｄｒａ  Ｒｕｉｚ  ｅｔ 
Ｐａｒ．）から選択される１種又は２種以上の植物の抽出物を含有してなる脂肪合成促進剤。
【請求項２】カワカワ（Ｐｉｐｅｒ  ｍｅｔｈｙｓｔｉｃｕｍ  Ｆｏｒｓｔ．）、クマツヅラ（Ｖｅｒｂｅｎａ 
ｏｆｆｉｃｉｎａｌｉｓ  Ｌ．）、コハコベ（Ｓｔｅｌｌａｒｉａ  ｍｅｄｉａ（Ｌ．）Ｖｉｌｌ．）、セイヨウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ  Ｗｅｂｅｒ，Ｔａｒａｘａｃｕｍ 
ｓｅｃｔ．Ｒｕｄｅｒａｌｉａ  ｓｐｅｃｉｅｓ）、セイヨウナツユキソウ（Ｆｉｌｉｐｅｎｄｕｒａ  ｕｌｍａｒｉａ（Ｌ．）Ｍａｘｉｍ．）、ヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｎｎｕｕｓ  Ｌ．）、マヨラナ（Ｏｒｉｇａｎｕｍ 
ｍａｊｏｒａｎａ  Ｌ．）、ムラサキツメクサ（Ｔｒｉｆｏｌｉｕｍ  ｐｒａｔｅｎｓｅ  Ｌ．）、ラタニィ（Ｋｒａｍｅｒｉａ 
ｔｒｉａｎｄｒａ  Ｒｕｉｚ  ｅｔ  Ｐａｒ．）から選択される１種又は２種以上の植物の抽出物を含有してなる化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、カワカワ（Ｐｉｐｅｒ  ｍｅｔｈｙｓｔｉｃｕｍ  Ｆｏｒｓｔ．）、クマツヅラ（Ｖｅｒｂｅｎａ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｉｓ  Ｌ．）、コハコベ（Ｓｔｅｌｌａｒｉａ  ｍｅｄｉａ（Ｌ．）Ｖｉｌｌ．）、セイヨウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ  Ｗｅｂｅｒ，Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｓｅｃｔ．Ｒｕｄｅｒａｌｉａ  ｓｐｅｃｉｅｓ）、セイヨウナツユキソウ（Ｆｉｌｉｐｅｎｄｕｒａ  ｕｌｍａｒｉａ（Ｌ．）Ｍａｘｉｍ．）、ヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｎｎｕｕｓ  Ｌ．）、マヨラナ（Ｏｒｉｇａｎｕｍ  ｍａｊｏｒａｎａ  Ｌ．）、ムラサキツメクサ（Ｔｒｉｆｏｌｉｕｍｐｒａｔｅｎｓｅ  Ｌ．）、ラタニィ（Ｋｒａｍｅｒｉａ  ｔｒｉａｎｄｒａＲｕｉｚ  ｅｔ  Ｐａｒ．）から選択される１種又は２種以上の植物の抽出物が副作用も無く安全で、且安定な脂肪合成促進剤効果を有すること見い出し、それらの有効成分を含有することを特徴とする脂肪合成促進剤および化粧料を提供することある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、本発明にかかる脂肪合成促進剤および化粧料は、カワカワ（Ｐｉｐｅｒ  ｍｅｔｈｙｓｔｉｃｕｍ  Ｆｏｒｓｔ．）、クマツヅラ（Ｖｅｒｂｅｎａｏｆｆｉｃｉｎａｌｉｓ  Ｌ．）、コハコベ（Ｓｔｅｌｌａｒｉａ  ｍｅｄｉａ（Ｌ．）Ｖｉｌｌ．）、セイヨウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ  Ｗｅｂｅｒ，Ｔａｒａｘｃａｃｕｍ  ｓｅｃｔ．Ｒｕｄｅｒａｌｉａ  ｓｐｅｃｉｅｓ）、セイヨウナツユキソウ（Ｆｉｌｉｐｅｎｄｕｒａ  ｕｌｍａｒｉａ（Ｌ．）Ｍａｘｉｍ．）、ヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｎｎｕｕｓ  Ｌ．）、マヨラナ（Ｏｒｉｇａｎｕｍ  ｍａｊｏｒａｎａ  Ｌ．）、ムラサキツメクサ（Ｔｒｉｆｏｌｉｕｍ  ｐｒａｔｅｎｓｅ 
Ｌ．）、ラタニィ（Ｋｒａｍｅｒｉａ  ｔｒｉａｎｄｒａ  Ｒｕｉｚ 
ｅｔ  Ｐａｒ．）から選択される１種又は２種以上の植物の抽出物を含有してなる脂肪合成促効果を特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【表１】
2002302416.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼材を誘導加熱する熱処理方法であって、少なくとも誘導加熱装置の前後に搬送装置を設けて、被加熱物である鋼材を前記搬送装置により前記誘導加熱装置内を１回以上往復して通過させて加熱することを特徴とする鋼材の熱処理方法。
【請求項２】
誘導加熱装置がソレノイド型誘導加熱装置であることを特徴とする請求項１に記載の鋼材の熱処理方法。
【請求項３】
鋼材の任意の通過回以降において、各通過回毎および／または複数の通過回毎に、誘導加熱装置の投入電力を順次減少させることを特徴とする請求項1または２に記載の鋼材の熱処理方法。
【請求項４】
誘導加熱装置の投入電力と鋼材の搬送速度を、鋼材の板厚および板幅に応じて決定することを特徴とする請求項1乃至３のいずれかに記載の鋼材の熱処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の熱処理方法を熱処理工程に含むことを特徴とする鋼材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）誘導加熱装置の投入電力と鋼材の搬送速度を、鋼材の板厚および板幅に応じて決定することを特徴とする上記（1）乃至（３）のいずれかに記載の鋼材の熱処理方法。
（５）（１）乃至（４）のいずれか一つに記載の熱処理方法を熱処理工程に含むことを特徴とする鋼材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
又、無段変速装置は、クラッチ機構を備える。このクラッチ機構は、上記高速用クラッチ２４と、上記キャリア３３の外周縁部と上記リング歯車２１の軸方向一端部（図９の右端部）との間に設けた低速用クラッチ４０と、このリング歯車２１と無段変速装置のハウジング（図示省略）等の固定の部分との間に設けた後退用クラッチ４１とから成る。各クラッチ２４、４０、４１は、何れか１個のクラッチが接続された場合には、残り２個のクラッチの接続が断たれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
具体的には、上記入力側ディスク２Ａの外側面側に、断面Ｌ字形で全体を円輪状としたシリンダハウジング６２を突き当てると共に、これらシリンダハウジング６２と入力側ディスク２Ａとの間にスプラインチューブ６３を掛け渡している。これらシリンダハウジング６２及び入力側ディスク２Ａの外周面とスプラインチューブ６３の内周面とは、互いにスプライン係合している。従って、これらシリンダハウジング６２と入力側ディスク２Ａとは、互いに同期して回転する。又、上記ローディングカム装置１０を構成する１対のカム面４６ａ、４６ｂのうち、上記入力ディスク２Ａ側のカム面４６ｂは、上記シリンダハウジング６２の外側面（図３の左側面）の外径側半部に形成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003028257.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
一方、図３に拡大して示されるように、各入力側ディスク２も、軸受鋼等の硬質金属に鍛造加工を施すことにより形成され、パワーローラ１１と対向するその側面２ａの断面形状が円弧状を成している。また、入力側ディスク２の中心部にも、入力側ディスク２を軸方向に貫通して延びる断面が円形の貫通孔４３が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
係止溝４５は、断面形状が軸線Ｏに沿う直線状の底面（溝底）４５ａと、この底面４５ａと直交するようにかつ入力側ディスク２の貫通孔４３に向かって直線状に延びる側面４５ｂ，４５ｃとを有している。係止溝４５の底面４５ａとボール３３側の側面４５ｂとを繋ぐ第１接続部Ｒ５は、断面形状が大きな曲率半径の円弧状の面を成している。一方、係止溝４５の底面４５ａと側面４５ｂに対向する側面４５ｃとを繋ぐ第２接続部Ｒ６は、断面形状が曲率半径の小さい円弧状の面を成している。本実施の形態では、第２接続部Ｒ６の曲率半径は、係止溝４５の幅ｔ２の０．３〜０．８倍に設定している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気ねじを用いた搬送機構および開閉装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
近年、大きな直動力を得る要求が強く、この対応のためにナットブロック部に強力な希土類マグネットを用いようとするとマグネットが軸に吸着しようとする力も強力になり僅かな偏心でも軸と直角方向の大きな力となり不安定な状況を生じる。ところが磁性体軸とマグネットとの位置関係の精度は円筒状またはR状のマグネットの寸法精度およびナットブロックへのマグネット組み込み精度、ナットブロックと位置決め案内部材の寸法精度などが複雑に関係してくる。このうち最も高い寸法精度の確保が困難なのはマグネットである。特に最も高磁力を得る希土類焼結マグネットの内Nd-Fe-B系のマグネットは耐食性が低いので研磨加工後に表面に樹脂コーティングやめっきなどの防錆処理をして使用されており一般加工部品に比較し多少大きな寸法公差を適用する必要がある。そのため、これらの寸法的なバラツキを吸収し磁性体軸とマグネットの干渉を防止するためには両者間の空隙をある程度大きな値に設定する必要がある。従ってマグネットが組み込まれたナットブロック部と磁性体軸を精度良く位置決め保持するとともに滑らかな直線運動を得る案内部材は磁気ねじを用いた搬送機構において最も重要な部分である。さらに直線運動機構は長ストロークで使用されることが多く従来より長尺の搬送テーブル支持軸や磁気ねじ自体の剛性不足から撓みを生じ搬送不良や搬送精度の低下などが問題となることもあった。また、真空中や特殊なガス中での使用には駆動モータのシーリングなどに問題が多かった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第九の発明は請求項１〜８記載の磁気ねじ機構を開閉部材の駆動源に適用したものである。磁気ねじの特徴として駆動力が磁気搬送力の限界を超えると脱調しそれ以上の力がかからないため安全な開閉装置を実現できる。また同様にロボットのつかみハンドルの機構にも適用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面により詳しく説明する。図１は本願第一の発明を説明する磁気ナットを用いた搬送装置の構造の例を示している。また図２は図１のA-B断面部を示し複合磁性材の磁気ねじ軸１及びこれに対応したＮＳの螺旋状の内面着磁をしたマグネット２、マグネットを組み込んだナットブロック３、ナットブロック側が磁気ねじ軸と平行方向に移動可能な如くに配置され案内側が本体台座５に固定された直動案内部材４の組み合わせ状態を示す。本発明は複合磁性材料の軸材料１に局部加熱により螺旋状に非磁性部分１−１を形成してある。本発明に適用される複合磁性材料の代表的な組成はAlを0.1〜5.0％含有するFe-Cr-C系の合金で適切な熱処理を施した材料は強磁性のフェライト相で残留磁束密度Brが約1.0（T）、保磁力約450(A/m)、比透磁率μｒ約900である。これを1200℃〜溶融温度に加熱後急冷することにより比透磁率μｒ約1.5の非磁性のオーステナイト組織にすることが出来る。以下の実施例では外径25ミリ長さ120ミリの複合磁性材の軸表面を３ｋｗのCO2レーザで局部加熱してピッチ5ミリ、リード10ミリの2条非磁性部を螺旋状に形成したものを用いた例である。非磁性部分は軸表面で約3ミリ巾で表面より約4ミリ深さまでくさび状に形成されている。この磁気ねじ軸の外径は研磨加工により所定の寸法公差に仕上げられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
磁気ねじ軸とマグネット内径との間隔δは狭いほど磁気回路の効率が良く、直線駆動力も増加するが磁気ねじ軸およびマグネットの加工精度の関係から数ミリから0.02ミリ程度の範囲から磁気ねじ軸とナットブロック側の加工精度や使用目的などにより選定される。マグネットの材質はリング状または半月状の異方性フェライトやNd-Fe-Bなどの希土類マグネットが適用でき直線駆動力など必要とされる条件により適宜選定できる。一例として空隙δは0.25ミリとした巾15ミリの半月形状のNd系希土類マグネット（日立金属製HS-30CR）に前記磁気ねじ軸と同じピッチ5ミリ、リード10ミリの2条の内面着磁し表面ピーク磁束密度0.3(T)の磁気ナットと組合した場合の最大軸方向駆動力は約1.0Ｋgｆでこれ以上の負荷が加わると脱調した。マグネット形状をリング状とし磁気ねじ軸と対向する面積を2倍にすると最大軸方向駆動力も2倍の2.0Ｋgｆとなった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記のように本発明の磁気ねじ機構を用いた直進駆動機構を構成する場合、磁気ナットの組み込まれたナットブロックよりなる移動テーブル搭載物の重量負荷などはナットブロックに配置され磁気ねじ軸と平行な動きを確保した直動案内側が受け持ち直動推力は磁気ねじ軸側に負わせ荷重の積載と搬送をそれぞれ別々に分担させることができる。またナットブロックの材質は非磁性金属、磁性金属、セラミック、プラスチックなど各種の材料が適用できるがＳＵＭなどの磁性金属材料を用いた場合磁気シールド効果により磁気ナット内に組み込まれたマグネットからの磁束はほとんどが磁気ネジ軸との磁気結合部のみに流れて外部には漏洩せず磁界を嫌う電子ビーム装置などにも適用が可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（比較例１）上記複合材の磁気ねじ軸に替えて強磁性一般構造用鋼SUM24に巾3ミリ、深さ4ミリの角溝を形成したねじ軸を組み込んだところ最大軸方向駆動力は約1.2Ｋgでこれ以上の負荷が加わると脱調した。当然、非磁性部を角溝形状に確実に形成しているSUM24軸のほうが最大軸方向駆動力は大きいが複合磁性材の磁気ねじ軸においてもナット側のマグネット巾を約20%アップの18ミリとしたところSUM24材と同等の1.2Ｋgの最大軸方向駆動力を得ることが出来ることを確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互の位置関係によってリリースの可動範囲を制御する凹部と凸部を有し、前記凹部と凸部とが嵌合する相対位置においてリリースが押し込み可能となり、前記リリースを押し込むことによりロックリングが変位して配管の抜き出しが可能になることを特徴とする管継手。
【請求項２】
配管を把持するロックリングと前記ロックリングを変位させるリリースとを継手本体に有し、前記リリースを押し込むとロックリングの内径を拡径させ配管の抜き出しが可能な状態となると共に、前記継手本体とリリースの夫々に形成された凹部と凸部との位置関係によりリリースの可動範囲を制御し、前記凹部と前記凸部が嵌合するような相対位置へと操作するとリリースを押し込んで配管を抜き出しできるようにしたことを特徴とする管継手。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の管継手は、相互の位置関係によってリリースの可動範囲を制御する凹部と凸部を有し、前記凹部と凸部とが嵌合する相対位置においてリリースが押し込み可能となり、前記リリースを押し込むことによりロックリングが変位して配管の抜き出しが可能になることを特徴とする。また、配管を把持するロックリングと前記ロックリングを変位させるリリースとを継手本体に有し、前記リリースを押し込むとロックリングの内径を拡径させ配管の抜き出しが可能な状態となると共に、前記継手本体とリリースの夫々に形成された凹部と凸部との位置関係によりリリースの可動範囲を制御し、前記凹部と前記凸部が嵌合するような相対位置へと操作するとリリースを押し込んで配管を抜き出しできるようにしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この管継手は、相互の位置関係によってリリースの可動範囲を制御する凹部と凸部を有し、前記凹部と凸部とが嵌合する相対位置においてリリースが押し込み可能となり、前記リリースを押し込むことによりロックリングが変位して配管の抜き出しが可能になることから、継手本体とリリースの間に差し込む継手本体とは別部品の変位防止用のスペーサ等を必要としない。すなわち、凹部と凸部が嵌合する相対位置においてリリースを押し込んで配管を抜き出すことができるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクおよび製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン開口を有する薄板状のマスクであって、
前記マスクは伸張した状態でフレームに固定されており、且つ、前記マスクは前記フレームの部材における熱膨張中心を通る線と一致する箇所で接着されていることを特徴とするマスク。
【請求項２】
請求項１において、前記マスクは前記熱膨張中心を通る線と一致する箇所にかえて前記熱膨張中心を通る線より外側の箇所で接着され、蒸着時の加熱によって前記フレームを膨張させて前記マスクが伸張した状態を保つことを特徴とするマスク。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記フレームの四隅は曲率を有していることを特徴とするマスク。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記マスクは耐熱性を有する接着材で前記フレームと接着されていることを特徴とするマスク。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記熱膨張中心はその位置が前記フレームの加熱によって変化しないことを特徴とするマスク。
【請求項６】
ロード室、該ロード室に連結された搬送室、該搬送室に連結された複数の成膜室、および該成膜室に連結された設置室とを有する製造装置であって、
前記複数の成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、基板を固定する手段と、マスクと、該マスクを固定するフレームと、前記マスクと前記基板の位置あわせを行うアライメント手段と、蒸着源と、該蒸着源を前記成膜室内で移動させる手段と、前記基板を加熱する手段とを有し、
前記マスクは前記フレームの部材における熱膨張中心を通る線と一致する箇所に接着されていることを特徴とする製造装置。
【請求項７】
ロード室、該ロード室に連結された搬送室、該搬送室に連結された複数の成膜室、および該成膜室に連結された設置室とを有する製造装置であって、
前記複数の成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、基板を固定する手段と、マスクと、該マスクを固定するフレームと、前記マスクと前記基板の位置あわせを行うアライメント手段と、蒸着源と、該蒸着源を前記成膜室内で移動させる手段と、前記基板を加熱する手段とを有し、
前記蒸着源に設置される蒸着材料を収納する容器は開口部が細長い形状であり、
前記マスクは前記フレームの部材における熱膨張中心を通る線と一致する箇所に接着されていることを特徴とする製造装置。
【請求項８】
請求項７において、前記容器は、上部パーツと下部パーツとからなっており、前記蒸着源からの蒸着材料の蒸発は、前記容器の上部パーツにおける開口部形状で調節されることを特徴とする製造装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記成膜室および前記設置室は、室内を真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、材料ガスまたはクリーニングガスを導入しうる手段とを有していることを特徴とする製造装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記蒸着源は、成膜室内をＸ方向、Ｙ方向またはＺ方向に移動可能であることを特徴とする製造装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、前記成膜室は、該成膜室内を区切り、且つ、前記基板への蒸着を遮蔽するシャッターを有することを特徴とする製造装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一において、前記熱膨張中心はその位置が前記フレームの加熱によって変化しないことを特徴とする製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材および（Ｄ）次式に示す１，１′，２，２′−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンにより包接されてなる硬化促進剤
【化１】
2004307545.tif 000001
を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】 前記（Ｄ）１，１′，２，２′−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンにより包接されてなる硬化促進剤が、イミダゾール類であり、分子量が３００以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】 前記（Ｄ）１，１′，２，２′−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンにより包接されてなる硬化促進剤が、２−エチル−４−メチルイミダゾール及び２−メチルイミダゾールの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により、半導体チップが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合反応液中において、少なくとも（メタ）アクリル酸系単量体および不飽和アルコール系単量体を共重合させることによる、（メタ）アクリル酸系共重合体の製造方法であって、
前記重合反応液は、開始剤として、１種以上の過硫酸塩および１種以上の重亜硫酸塩を含み、
前記重合反応液は、重金属イオンを含むことを特徴とする（メタ）アクリル酸系共重合体の製造方法。
【請求項２】
前記不飽和アルコール系単量体は、下記式（１）：
【化１】
2004307588.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ４は、独立して水素原子またはメチル基を表し、Ｒ３は−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、または−Ｃ（ＣＨ３）２−を表し、Ｒ１〜Ｒ４の合計炭素数は３であり、Ｘは炭素数２〜１８のアルキレン基を表し、ｎは１〜３００の整数である。ただし、Ｒ２がメチル基である場合には、Ｒ１およびＲ４は水素原子である。）
で表される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記不飽和アルコール系単量体は、下記式（１）：
【化２】
2004307588.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ４は水素原子を表し、Ｒ３は−ＣＨ２−を表し、Ｘは炭素数２〜１８のアルキレン基を表し、ｎは１〜３００の整数である。）
で表される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
重合反応液中において、少なくとも（メタ）アクリル酸系単量体およびアリルエーテル系単量体を共重合させることによる、（メタ）アクリル酸系共重合体の製造方法であって、
前記重合反応液は、開始剤として、１種以上の過硫酸塩および１種以上の重亜硫酸塩を含み、
前記重合反応液は、重金属イオンを含むことを特徴とする（メタ）アクリル酸系共重合体の製造方法。
【請求項５】
前記アリルエーテル系単量体は、下記式（２）：
【化３】
2004307588.tif 000003
（式中、Ｒ５は水素原子またはメチル基を表し、ＹおよびＺは、独立して水酸基、スルホン酸基、またはスルホン酸基の塩を表す）
で表される、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記（メタ）アクリル酸系単量体は、アクリル酸、メタクリル酸、またはこれらの塩である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記重金属イオンは、鉄イオンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カルボキシル基を有するグルコースポリマーの製造法及びこのグルコースポリマーを含有することにより、イオン交換能力を有する組成物に関する。この組成物は、このグルコースポリマーが有するフリーのカルボキシル基の作用によって、イオン交換効果が得られるものであり、また低粘性で、例えば、洗剤のビルダーや、カルシウムイオンなどを結合させたカルシウム補給食品などが例示される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、低カロリーデキストリンの製造法（例えば、特許文献１０参照）には、澱粉又はデキストリンをクエン酸と水に溶解、分散させ、スプレー乾燥装置で噴霧乾燥、更に加熱を減圧下、140〜220℃で行う方法（ポリサッカライドの調製）（例えば、特許文献１１参照）も報告されており、アミロース分解酵素の作用に不活性であることにより決定される非消化性生成物を生成させて難消化性を高め、水不溶性物質を製造するものである。これもクエン酸のカルボキシル基をフリーの状態を維持させながら反応させたものとは考えられず、架橋剤として利用されているに過ぎない。両者ともカルボン酸のフリーカルボキシル基のイオン交換能力を目的とするものではなく、カルボン酸を単なる酸触媒として用いているものである。
また、分子内にカルボキシル基の電荷をもつ多糖類として、ペクチンやアルギン酸等があるが、これらは水溶液中で高い粘度を示し、他の物質へ添加した場合に物性に大きな変化を生じるという欠点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】特開平4-209644号公報
【特許文献２】特開平7-41554号公報
【特許文献３】特開昭63-54390号公報
【特許文献４】オランダ国特許出願第7012380号
【特許文献５】特開昭60-226502号公報
【特許文献６】特開平4-233901号公報
【特許文献７】米国特許第4959466号
【特許文献８】特開昭63-165393号公報
【特許文献９】米国特許第3732207号
【特許文献１０】特公昭56-29512号公報
【特許文献１１】米国特許第3766165号
【非特許文献１】Tenside Detergents 14,250-256(1977)
【非特許文献２】Starch/Staerke 37, 192-200(1985)
【非特許文献３】澱粉科学ハンドブック：朝倉出版、1997年、53〜54頁
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の加工方法を使用して製造されたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガラス表面の加工方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びフラットパネルディスプレイ
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図６に特許文献１に記載された過負荷防止装置のブロック図を示している。ブーム長さ検出器２１、ブーム角度検出器２３、旋回角度検出器２４、アウトリガ長さ検出器１７、１８、１９、２０、モーメント検出器２２からのデータを、ＣＰＵ１、ＲＯＭ２、ＲＡＭ３、アドレスレコーダ４等からなる情報処理装置に入力するようになっている。２６はブームの伸縮、起伏、旋回及びワイヤの巻上げ、巻下げのための油圧回路の圧油をそのソレノイドへの励磁により開放して当該動作を禁止するようにしたリリーフバルブである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、ラフテレーンクレーンはその後部にエンジンが配置されるため、車両フレーム中央部が切り欠いた構造となり後方を向いてのクレーン作業はフレームのねじれが発生しやすい。またエンジンカバーが邪魔になるため、ラフテレーンクレーン後方はクレーン作業に適していないものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前方特別性能を設定したラフテレーンクレーンに特許文献１に記載された過負荷防止装置を適用すると、ラフテレーンクレーン前方所定旋回角度範囲で吊上性能を前方特別性能に自動的に変化させることができるので好都合である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  約４００℃から７００℃の温度、約０．１から約１０気圧の圧力にて二酸化炭素の存在下、イソブタンと二酸化炭素のモル比を約１：０．０００１から１：０．０４５において、１２〜１８重量％のクロムを含むクロム系脱水素触媒とイソブタンを接触させることを含む、イソブタンの脱水素方法。
【請求項２】  当該温度が約５２０℃から約７００℃である、請求項１記載の方法。
【請求項３】  当該温度が約５４０℃から約６４０℃である、請求項１記載の方法。
【請求項４】  当該イソブタン脱水素を固定床触媒、移動床触媒または流動床触媒において実施する、請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記の接触は不活性希釈剤の存在下で行う、請求項１記載の方法。
【請求項６】  当該不活性希釈剤がメタン、エタン、プロパン、窒素または蒸気を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】  前記の接触はメタン、エタン、プロパン、窒素または蒸気の存在下で行う、請求項２記載の方法。
【請求項８】  前記の接触はメタン、エタン、プロパン、窒素または蒸気の存在下で行う、請求項３記載の方法。
【請求項９】  当該イソブタンと二酸化炭素のモル比は約１：０．０００５から１：０．０４０である、請求項１記載の方法。
【請求項１０】  当該イソブタンと二酸化炭素のモル比は約１：０．００１から１：０．０４０である、請求項１記載の方法。
【請求項１１】  当該イソブタンと二酸化炭素のモル比が約１：０．０１から１：０．０４０である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】  前記触媒中のクロムの量に対する二酸化炭素の存在量が、当該触媒中のクロムのグラム当たり二酸化炭素約０．０００１から０．００１モルである、請求項１記載の方法。
【請求項１３】  前記触媒中のクロムの量に対する二酸化炭素の存在量が、当該触媒中のクロムのグラム当たり二酸化炭素約０．０００２から０．０００８モルである、請求項２記載の方法。
【請求項１４】  前記触媒中のクロムの量に対する二酸化炭素の存在量が、当該触媒中のクロムのグラム当たり二酸化炭素約０．０００１から０．００１モルである、請求項３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（Ｉ）：
【化１】
2004307420.tif 000001
［式中、Ｒ１はそれぞれ独立に水素原子、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアシル基または水酸基の保護基を示し；Ｒ２は水素原子、下記式：
【化２】
2004307420.tif 000002
（式中、Ｒ３はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルコキシ基、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基またはオキソ基を示す。ただしＲ３がすべて水素原子である場合を除く。）で表される基または下記式：
【化３】
2004307420.tif 000003
（式中、Ｒ３は前記と同義である。）で表される基を示す。］で表される化合物もしくはその光学活性体、またはそれらの製薬上許容される塩もしくはそれらの水和物もしくは溶媒和物。
【請求項２】
以下の式（ＩＩ）：
【化４】
2004307420.tif 000004
で示される化合物もしくはその光学活性体、またはそれらの製薬上許容される塩もしくはそれらの水和物もしくは溶媒和物。
【請求項３】
以下の式（ＩＩＩ）：
【化５】
2004307420.tif 000005
で示される化合物もしくはその光学活性体、またはそれらの製薬上許容される塩もしくはそれらの水和物もしくは溶媒和物。
【請求項４】
以下の一般式（Ｉ）：
【化６】
2004307420.tif 000006
（式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同義である。）
で表される化合物の製造方法であって、
（１）以下の一般式（Ｖ）：
【化７】
2004307420.tif 000007
（式中、Ｒ４は直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基を示す。）で表される化合物にリパーゼと酢酸エステルとを作用させ、以下の一般式（Ｖ−１）：
【化８】
2004307420.tif 000008
（式中、Ｒ４は前記と同義である。）及び以下の一般式（ＶＩ）：
【化９】
2004307420.tif 000009
（式中、Ｒ４は前記と同義であり、Ａｃはアセチル基を示す。）で表される化合物を得、（２）得られた化合物（Ｖ−１）をエポキシ化し、以下の一般式（ＶＩＩ−１）：
【化１０】
2004307420.tif 000010
（式中、Ｒ４は前記と同義である。）で表される化合物を得、
（３）得られた化合物を還元し、以下の式（ＶＩＩＩ−１）：
【化１１】
2004307420.tif 000011
で示される化合物を得、
（４）得られた化合物のヒドロキシメチル基に保護基を導入し、以下の一般式（ＩＸ−１）：
【化１２】
2004307420.tif 000012
（式中、Ｒ５は水酸基の保護基を示す。）で表される化合物を得、
（５）得られた化合物を酸化し、エポキシ環を開裂し、以下の一般式（Ｘ−１）：
【化１３】
2004307420.tif 000013
（式中、Ｒ５は前記と同義である。）で表される化合物を得、
（６）必要に応じて得られた化合物の保護基を脱保護し、
（７）必要に応じて得られた化合物への置換基の導入、遊離の水酸基への保護基の導入または遊離の水酸基のアルキル化もしくはエステル化を行うことを特徴とする方法。
【請求項５】
以下の一般式（Ｉ）：
【化１４】
2004307420.tif 000014
（式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同義である。）
で表される化合物の製造方法であって、
（１）以下の一般式（Ｖ）：
【化１５】
2004307420.tif 000015
（式中、Ｒ４は前記と同義である。）で表される化合物にリパーゼと酢酸エステルとを作用させ、以下の一般式（Ｖ−１）：
【化１６】
2004307420.tif 000016
（式中、Ｒ４は前記と同義である。）及び以下の一般式（ＶＩ）：
【化１７】
2004307420.tif 000017
（式中、Ｒ４およびＡｃは前記と同義である。）で表される化合物を得、
（２）得られた化合物（ＶＩ）のアセチル基を脱保護し、以下の一般式（Ｖ−２）：
【化１８】
2004307420.tif 000018
（式中、Ｒ４は前記と同義である。）で表される化合物を得、
（３）得られた化合物をエポキシ化し、以下の一般式（ＶＩＩ−２）：
【化１９】
2004307420.tif 000019
（式中、Ｒ４は前記と同義である。）で表される化合物を得、
（４）得られた化合物を還元し、以下の式（ＶＩＩＩ−２）：
【化２０】
2004307420.tif 000020
で表される化合物を得、
（５）得られた化合物のヒドロキシメチル基に保護基を導入し、以下の一般式（ＩＸ−２）：
【化２１】
2004307420.tif 000021
（式中、Ｒ５は前記と同義である。）で表される化合物を得、
（６）得られた化合物を酸化し、エポキシ環を開裂し、以下の一般式（Ｘ−２）：
【化２２】
2004307420.tif 000022
（式中、Ｒ５は前記と同義である。）で表される化合物を得、
（７）必要に応じて得られた化合物の保護基を脱保護し、
（８）必要に応じて得られた化合物への置換基の導入、遊離の水酸基への保護基の導入または遊離の水酸基のアルキル化もしくはエステル化を行うことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜３に記載のいずれかの化合物もしくはその光学活性体、またはそれらの製薬上許容される塩もしくはそれらの水和物もしくは溶媒和物を有効成分として含有する医薬組成物。
【請求項７】
請求項１〜３に記載のいずれかの化合物もしくはその光学活性体、またはそれらの製薬上許容される塩もしくはそれらの水和物もしくは溶媒和物を有効成分として含有するアポトーシス抑制剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  約４００℃から７００℃の温度、約０．１から約１０気圧の圧力において分子状酸素の存在下で、アルカンと酸素のモル比を約１：０．０００１から１：０．０４にて、アルカンを１０〜２０重量％のクロムを含むクロム系脱水素触媒と接触させることを含む、アルカン脱水素方法。
【請求項２】  前記アルカンがイソブタンである、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記触媒がクロムを１２〜１８重量％含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】  当該アルカンがイソブタンであり、当該温度が約５００℃から約６５０℃である、請求項３記載の方法。
【請求項５】  当該アルカンがイソブタンであり、当該温度が約５６０℃から約６００℃である、請求項３記載の方法。
【請求項６】  当該アルカン脱水素を固定床触媒、移動床触媒または流動床触媒において実施する、請求項１記載の方法。
【請求項７】  前記の接触は不活性希釈剤の存在下で行う、請求項１記載の方法。
【請求項８】  当該アルカンがイソブタンであり、当該不活性希釈剤がメタン、エタン、プロパン、窒素または蒸気を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記の接触はメタン、エタン、プロパン、窒素または蒸気の存在下で行う、請求項４記載の方法。
【請求項１０】  前記の接触はメタン、エタン、プロパン、窒素または蒸気の存在下で行う、請求項５記載の方法。
【請求項１１】  当該アルカンと酸素のモル比は約１：０．００１から１：０．０４である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】  当該アルカンと酸素のモル比は約１：０．０１から１：０．０３５である、請求項１記載の方法。
【請求項１３】  当該アルカンと酸素のモル比は約１：０．０１から１：０．０３５である、請求項４記載の方法。
【請求項１４】  前記触媒中のクロムの量に対する酸素存在量は、当該触媒中のクロムのグラム当たり酸素約０．０００１から０．００１モルである、請求項３記載の方法。
【請求項１５】  前記触媒中のクロムの量に対する酸素存在量は、当該触媒中のクロムのグラム当たり酸素約０．０００２から０．０００８モルである、請求項４記載の方法。
【請求項１６】  前記触媒中のクロムの量に対する酸素存在量は、当該触媒中のクロムのグラム当たり酸素約０．０００１から０．００１モルである、請求項５記載の方法。
【請求項１７】  前記触媒中のクロムの量に対する酸素存在量は、当該触媒中のクロムのグラム当たり酸素約０．０００１から０．００１モルである、請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体製造装置であって、
真空気密状態を維持できる真空容器と、
その真空容器の側面を貫通し前記真空容器の真空側内部と大気側外部に渡って敷設される長手形状の軸と、
前記真空容器の内部に位置する前記軸の端末部に固着された被処理基板保持装置と、
この被処理基板保持装置を前記大気側外部から前記軸を介して往復運動させる駆動装置と、
前記真空容器か前記駆動装置の固定フレームかまたは全て一体に接合され、前記往復運動する前記軸を支承する軸支持部とを持つ装置において、
前記軸は中空軸を形成し、
前記被処理基板保持装置と軸の端末部の結合部は気密に
し、
前記被処理基板保持装置からの可撓性のケーブルおよび冷却水用ホースが前記中空軸を貫通して制御手段へ接続したことを特徴とするケーブル処理装置。
【請求項２】  前記中空軸の大気側外部にある前記可撓性のケーブルおよび冷却水用ホースにケーブルサポータを設け、
前記ケーブルサポータ上に前記可撓性のケーブルおよび冷却水用ホースを中継するコネクタ・配管金具と第１のクランプを備え、
前記第１のクランプからの前記可撓性のケーブルおよび冷却水用ホースを前記駆動装置の固定フレームに設けられた第２のクランプ部で固定し、
前記第１のクランプ及び前記第２のクランプは、それぞれ幅方向の両側から固定する手段を具備したことを特徴とする請求項１に記載のケーブル処理装置。
【請求項３】  前記中空軸が前記軸支持部で支承される部位にはベアリングかブッシュが設けられ、前記真空容器と前記中空軸の気密部位のシールにはＯリングか、パッキンか、磁性流体か、ベローズを備えることを特徴とする請求項２に記載のケーブル処理装置。
【請求項４】  傾動可能にした前記第１のクランプ及び前記第２のクランプにはそれぞれ、上下２つ割りにしたクランプ部に前記ケーブルおよび冷却水用ホースを幅方向両側から挟み込み、
そのクランプ部の両側にクランプ部を回動自在に保持するホルダを配置し、
ホルダの中心には先端部にネジ付を切ったシャフトを備え、
このシャフト先端のネジで前記クランプ部を両側から保持固定し、
前記シャフトはその外周部をベアリングにて支承され、
前記ホルダの高さは前記中空軸の往復運動に伴う前記ケーブルおよび冷却水用ホースの屈曲によるクランプ部の傾きを自在に行えるように設定されたことを特徴とする請求項２に記載のケーブル処理装置。
【請求項５】  請求項１から４のいずれかの項に記載のケーブル処理装置を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【０００９】
本発明の請求項４の発明は、傾動可能にした前記第１のクランプ及び前記第２のクランプにはそれぞれ、上下２つ割りにしたクランプ部に前記ケーブルおよび冷却水用ホースを幅方向両側から挟み込み、そのクランプ部の両側にクランプ部を回動自在に保持するホルダを配置し、ホルダの中心には先端部にネジ付を切ったシャフトを備え、このシャフト先端のネジで前記クランプ部を両側から保持固定し、前記シャフトはその外周部をベアリングにて支承され、前記ホルダの高さは前記中空軸の往復運動に伴う前記ケーブルおよび冷却水用ホースの屈曲によるクランプ部の傾きを自在に行えるように設定されたことを特徴とする請求項２に記載のケーブル処理装置である。
本発明の請求項５の発明は、請求項１から４のいずれかの項に記載のケーブル処理装置を備えたことを特徴とする半導体製造装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の静磁場発生手段と、前記一対の静磁場発生手段を支持する静磁場発生手段支持部と、前記静磁場発生手段が発生する静磁場に磁場強度勾配を与える一対の傾斜磁場発生手段と、前記一対の傾斜磁場発生手段を支持する手段であって、前記一対の傾斜磁場発生手段を前記静磁場発生手段に対し非接触に前記静磁場発生手段支持部に固定する支持手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
一対の静磁場発生手段と、前記一対の静磁場発生手段を支持する静磁場発生手段支持部と、前記静磁場発生手段が発生する静磁場に磁場強度勾配を与える一対の傾斜磁場発生手段と、前記一対の傾斜磁場発生手段を支持する手段であって、前記一対の傾斜磁場発生手段が駆動された時に各傾斜磁場発生手段が生ずる振動を前記静磁場発生手段へ直接的に固体伝播させない支持手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場発生手段は磁場方向と同じ方向に貫通する空隙を備え、前記傾斜磁場発生手段は、前記  空隙内に配置された支持部材を含む支持構造体を介して前記静磁場発生手段支持部に固定されている。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生手段は、前記静磁場発生手段を取り囲む支持部材を介して前記静磁場発生手段支持部に固定されている。
【請求項５】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生手段はその周縁部にて前記静磁場発生手段を取り囲む支持部材へ固定される。
【請求項６】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生手段の周縁部と前記静磁場発生手段との間に振動減衰材が配置されている。
【請求項７】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生手段は吸音マットによって覆われている。
【請求項８】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場発生手段を支持する手段は、前記静磁場発生手段の空隙に配置された非磁性の第１の支持部材と、前記静磁場発生手段の背後に配置された非磁性の第２の支持部材とから構成される。
【請求項９】
請求項７に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記第２の支持部材は床面及び
／叉は天井に固定される。
【請求項１０】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記静磁場発生手段の空隙に配置された支持部材は中空の棒状部材である。
【請求項１１】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記静磁場発生手段支持部は、前記一対の静磁場発生手段を囲んで磁気回路を形成する鉄ヨークであることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明のMRI装置は、一対の静磁場発生手段と、前記静磁場発生手段が発生する磁場に磁場強度勾配を与える一対の傾斜磁場発生手段と、前記一対の静磁場発生手段を支持する静磁場発生手段支持部とを備えたMRI装置において、前記一対の傾斜磁場発生手段の各々は、それぞれ前記静磁場発生手段に対し非接触であって前記静磁場発生手段支持部に固定されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のMRI装置は、さらに静磁場発生手段が、磁場方向と同じ方向に貫通する空隙を備え、傾斜磁場発生手段は、前記空隙を介して前記静磁場発生手段支持部に固定されていることを特徴とする。傾斜磁場コイルを静磁場発生手段支持部に直接固定することにより、コイル自体の振動を抑制し、振動に起因する騒音を低減することができる。
特に静磁場発生手段支持部が鉄ヨークの場合は、一般にヨーク部は静磁場磁石に比べ非常に質量が大きいので、傾斜磁場コイルの振動がヨークから静磁場磁石に伝達されることはない。従って振動の固定伝播を効果的に抑制し、振動が静磁場磁石に与える影響、即ち磁場変動やそれに伴う画質の劣化を防止できる。さらにヨークは静磁場磁石の両側に配置されているので、磁石設置床や装置側面に特別な空間を設けることなく、傾斜磁場コイルを固定できる。これによりMRインターベンショナル手技を、装置の構造によって妨げられることなく実施できる。