Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より順に、
正の屈折力を有する第１レンズ群と、
負の屈折力を有する第２レンズ群と、
正の屈折力を有する第３レンズ群と、
負の屈折力を有する第４レンズ群と、
正の屈折力を有する第５レンズ群とからなり、
広角端状態から望遠端状態へのズーミングの際に、隣接する前記各レンズ群の間隔が全て変化する防振ズームレンズにおいて、
前記第３レンズ群は、負レンズと正レンズとの貼り合わせレンズを含む複数のレンズを有し、
前記貼り合わせレンズのみが、防振レンズとして光軸に対してほぼ垂直に移動することによって像ブレを補正し、
以下の条件式を満足することを特徴とする防振ズームレンズ。
０．６＜｜ｆ３Ａ｜／｜ｆ３｜＜２．６
但し、
ｆ３Ａ：前記第３レンズ群中の前記防振レンズの焦点距離，
ｆ３  ：前記第３レンズ群の焦点距離．
【請求項２】
前記防振レンズが、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載の防振ズームレンズ。
０．１０＜｜Ｎ３ＡＮ−Ｎ３ＡＰ｜
但し、
Ｎ３ＡＮ：前記防振レンズ中の前記負レンズのｄ線（λ＝５８７．６ｎｍ）に対する媒質の屈折率，
Ｎ３ＡＰ：前記防振レンズ中の前記正レンズのｄ線（λ＝５８７．６ｎｍ）に対する媒質の屈折率．
【請求項３】
前記防振レンズが、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の防振ズームレンズ。
−０．５０＜（Ｒ２＋Ｒ１）／（Ｒ２−Ｒ１）＜０．５０
但し、
Ｒ１：前記防振レンズの最も物体側のレンズ面の曲率半径，
Ｒ２：前記防振レンズの最も像側のレンズ面の曲率半径．
【請求項４】
以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の防振ズームレンズ。
３．０＜ＦＴ・ｆ１／ｆＴ＜５．５
但し、
ｆＴ：望遠端状態における前記防振ズームレンズ全系の合成焦点距離，
ｆ１：前記第１レンズ群の焦点距離，
ＦＴ：望遠端状態における前記防振ズームレンズ全系のＦ値．
【請求項５】
以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の防振ズームレンズ。
０．４０＜｜ｆ２｜／ｆＷ＜０．８０
但し、
ｆＷ：広角端状態における前記防振ズームレンズ全系の合成焦点距離，
ｆ２：前記第２レンズ群の焦点距離．
【請求項６】
前記第２レンズ群は、非球面を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の防振ズームレンズ。
【請求項７】
前記第３レンズ群は、非球面を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の防振ズームレンズ。
【請求項８】
回折光学素子を有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の防振ズームレンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一般に、防振のため光軸に対して偏芯させる補正光学系として、小型軽量で、光軸に対する変位量が少ないレンズが望ましい。これは、保持機構と駆動機構の小型化、及び消費電力量の軽減を図るためである。また、防振時の光学性能の劣化を極力抑えるために、特に軸外光束が全ズーム領域にわたって、できるだけ光軸近傍を通るレンズを補正光学系とすることが望ましい。従って、開口絞り近傍のレンズを補正光学系として採用することが好ましい。
このような条件を満足させるために本発明では、開口絞り近傍に位置し、レンズ径が小さく、屈折力が大きく、光軸に対する変位量を少なくできる、第３レンズ群Ｇ３中の貼り合わせレンズＬ３Ａが補正光学系、即ち防振レンズとして最も適切である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタを有し、
電流入力時には前記複数のトランジスタの接続状態は直列接続状態となり、電流出力時には前記複数のトランジスタの接続状態は並列接続状態となることを特徴とする電子回路。
【請求項２】
複数のトランジスタを有し、
前記複数のトランジスタの接続状態を、直列接続状態と、並列接続状態とに切り替える手段を有し、
入力された電流を増幅して出力することを特徴とする電子回路。
【請求項３】
複数のトランジスタを備えた駆動用素子と、スイッチと、を有し、
前記複数のトランジスタのゲートは、互いに接続されており、
前記複数のトランジスタの各々は、ソースまたはドレインの一方が、前記複数のトランジスタにおける他のトランジスタのソースまたはドレインに接続されており、
前記スイッチの切換えにより、前記複数のトランジスタの接続状態が直列接続状態、または並列接続状態となり、入力された電流を増幅して出力することを特徴とする電子回路。
【請求項４】
第１乃至第３のトランジスタを有する複数のトランジスタと、
第１および第２のスイッチと、
を有する電子回路であって、
前記第１乃至第３のトランジスタのゲートは、互いに電気的に接続されており、
前記第１乃至第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、それぞれ、前記第１のスイッチに電気的に接続されており、
前記第１乃至第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、それぞれ、前記第２のスイッチに電気的に接続されており、
前記電子回路に電流が入力される時には、前記第１のトランジスタから、前記第２のトランジスタを通り、前記第３のトランジスタへ電流が流れ、
前記電子回路から電流が出力される時には、前記第１乃至第３のトランジスタが前記第２のスイッチに接続されている側から、前記第１乃至第３のトランジスタが前記第１のスイッチに接続されている側へ、電流が流れることを特徴とする電子回路。
【請求項５】
前記複数のトランジスタは、ｐチャネル型又はｎチャネル型のトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子回路。
【請求項６】
前記複数のトランジスタのチャネル長、チャネル幅、及び絶縁層の膜厚が等しいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子回路。
【請求項７】
前記複数のトランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子回路を有することを特徴とする集積回路。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子回路を有し、前記電子回路におけるトランジスタは、ガラス基板上に作製されていることを特徴とするシステム回路。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子回路を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮器、室内を冷房又は暖房する第１熱交換機及び第２熱交換機、前記圧縮器で圧縮された冷媒を運転モードにしたがって選択的に前記第１又は第２熱交換機に案内する流動制御装置、そして、前記第１熱交換機と第２熱交換機との間に設置され、高温、高圧の冷媒を膨張させる膨張装置を含んでなる空気調和器；
室外空気を室内に案内し、開閉可能な第１通風路；
前記第１通風路とその一部が交差して設けられ、室内空気を室外に案内し開閉可能な第２通風路；
室内空気を室外に案内し、開閉可能な第３通風路；
前記第１通風路と第２通風路との交差部分に設けられ、前記交差部分を通過する室内空気と室外空気とを相互に熱交換させる再生熱交換機；
前記第１通風路、第２通風路、及び第３通風路内にそれぞれ設けられ、空気の流れを強制する送風ファンを含み、
前記圧縮器と第２熱交換機は前記第３通風路内に設けられる換気兼用空気調和システム。
【請求項２】
前記運転モードは、
前記室内を密閉した状態で冷房する第１モード；
前記室内を換気しつつ冷房する第２モード；
前記室内を密閉した状態で暖房する第３モード；
前記室内を換気しつつ暖房する第４モード；
前記室内の換気機能のみを行う第５モードからなる請求項１記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項３】
前記第１熱交換機は、
室外空気が第１通風路から室内に吐き出される側に設けられる請求項２記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項４】
前記第２熱交換機は、
室内空気が室内から第３通風路に吸入される側に設けられる請求項３記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項５】
前記再生熱交換機は、
室外から流入して、前記第１通風路に沿って流動する空気が通過する第１流路部；
前記第１流路部に接し、室内から流入して前記第２通風路に沿って流動する空気が通過する第２流路部を含んでなる請求項４記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項６】
前記第２流路部は、
前記第１流路部内を横断する多数個の管路からなる請求項５記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項７】
前記第１通風路内に設けられ、前記第１通風路内に流入する室外空気に含有された湿気を除去する除湿装置をさらに含んでなる請求項５記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項８】
前記除湿装置は、
前記再生熱交換機と前記第１熱交換機との間に設けられることを特徴とする請求項７記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項９】
前記第１通風路の送風ファンは、
前記除湿装置と前記第１熱交換機との間に設けられる請求項８記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１０】
前記第３通風路は前記第１通風路に並列に隣接して設けられることを特徴とする請求項５記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１１】
前記第１通風路内を流動する空気の湿気を吸収し、変位によって前記第３通風路内を流動する空気に前記吸収された湿気を放出する乾燥剤物質が塗布された除湿装置をさらに含んでなる請求項１０記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１２】
前記除湿装置は、
前記第１通風路と第３通風路とに並列し、前記第１通風路と第３通風路の隣接部に設けられる軸；
一定の間隔で前記軸から放射形に延びる多数個のブレード；
前記ブレードの先端を囲むリムを含んでなる請求項１１記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１３】
前記ブレードは、
空気が通過可能な多数個の孔を含んでなる請求項１２記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１４】
前記除湿装置は、
前記再生熱交換機と前記第１熱交換機との間の空間に設けられる請求項１１記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１５】
前記第３通風路内に設けられ、前記第２熱交換機から除湿装置に流入する空気を再加熱する再熱器をさらに含んでなる請求項１４記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１６】
前記第１通風路の送風ファンは、
前記除湿装置と前記第１熱交換機との間に設けられる請求項１４記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１７】
前記第３通風路の送風ファンは、
前記除湿装置と前記第２熱交換機との間に設けられる請求項１５記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１８】
前記第３通風路の送風ファンは、前記除湿装置と前記再熱器との間に設けられる請求項１７記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項１９】
前記第１通風路の送風ファンと、前記第１熱交換機との間の第１通風路上に連結され、室外空気を直接に室内に案内し、開閉の可能な換気ダクトをさらに含んでなる請求項３記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項２０】
前記換気ダクトは、
前記第１通風路と連結される部位に、ヒンジ固定され回転しながら換気ダクトと第１通風路を選択的に開閉可能なダンパーを含んでなる請求項１９記載の換気兼用空気調和システム。
【請求項２１】
前記第１通風路に流入する室外空気の湿度を測定する湿度センサーをさらに含んでなる請求項１記載の換気兼用空気調和システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイオ用電子顕微鏡による観察方法において、
電子銃と、照射系レンズと、結像系レンズと、電子線絞りを少なくとも備える電子照射系により加速された電子線を試料に照射する工程と、
前記電子線の照射により前記試料を透過した電子または前記試料より発生する二次電子または反射電子を検出する工程と、
当該検出された信号を基に画像を形成する工程と、
前記電子銃のエミッション電流、前記照射系レンズ、像系レンズの励磁電流、または前記電子線絞り位置の少なくとも一つをレシピとして保持する制御手段の情報に基づき前記電子線の加速電圧を制御する工程とを備えることを特徴とするバイオ用電子顕微鏡による観察方法。
【請求項２】
請求項１に記載のバイオ用電子顕微鏡による観察方法において、
前記電子線の試料透過限界加速電圧又は所定の条件下で求めた電子線の試料透過限界加速電圧の1.2〜4.2倍の加速電圧で前記試料を観察することを特徴とするバイオ用電子顕微鏡による観察方法
【請求項３】
請求項１に記載のバイオ用電子顕微鏡による観察方法において、
電子線の試料透過限界加速電圧又は所定の条件下で求めた電子線の試料透過限界加速電圧に対して，染色切片試料の場合は1.2〜4.2倍，ネガティブ染色試料の場合は1.6〜3.5倍，凍結切片試料の場合は2.0〜3.0倍の加速電圧で前記試料を観察することを特徴とするバイオ用電子顕微鏡による観察方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載のバイオ用電子顕微鏡による観察方法において、
前記試料透過限界加速電圧は，前記試料の観察視野あるいは接近する視野を30kV以下の低加速電圧で，かつ複数種の加速電圧で各々の画像を取得する工程と，当該画像の解像度やコントラストなどの像質を比較する工程と，試料透過限界加速電圧を決定する工程により求めることを特徴とするバイオ用電子顕微鏡による観察方法。
【請求項５】
請求項１に記載のバイオ用電子顕微鏡による観察方法において、
前記試料に含まれるウイルスや蛋白質などの観察像又は観察像と既知のウイルスや蛋白質などの参照像又は参照像の類似性を定量解析する工程と，
前記試料中のウイルスや蛋白質などの種類又は物質の種類を同定する工程と，
を備えることを特徴とするバイオ用電子顕微鏡による観察方法。
【請求項６】
加速された電子線を試料に照射する電子照射系と、
試料を載置する試料ステージと、
前記電子線の照射により前記試料を透過した電子または前記試料より発生する二次電子または反射電子を検出する検出器と、
当該検出された信号を基に画像を形成する手段とを有し、
前記電子照射系は電子銃と、照射系レンズと、結像系レンズと、電子線絞りを少なくとも有し、
前記電子銃のエミッション電流、前記照射系レンズ、像系レンズの励磁電流、または前記電子線絞り位置の少なくとも一つをレシピとして保持する制御手段を備え、
当該制御手段は前記保持されたレシピの情報に基づき前記電子線の加速電圧を制御することを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【請求項７】
請求項６に記載のバイオ電子顕微鏡において、
前記試料に対し異なる複数の加速電圧で前記電子線を照射することを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【請求項８】
請求項７に記載のバイオ電子顕微鏡において、
前記電子線の加速電圧は30ｋV以下であることを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【請求項９】
請求項６から８のいずれかに記載のバイオ電子顕微鏡において、
前記複数種の加速電圧で前記試料に照射された電子線による各々の画像を取得し，当該画像の解像度やコントラストなどの像質を比較し，試料透過限界加速電圧を決定する画像解析部を備えることを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれかに記載のバイオ電子顕微鏡において、
前記電子線の試料透過限界加速電圧又は所定の条件下で求めた電子線の試料透過限界加速電圧の1.2〜4.2倍の加速電圧で前記試料を観察することを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【請求項１１】
請求項９に記載のバイオ電子顕微鏡において、
前記画像解析部は前記試料に含まれるウイルスや蛋白質などの観察像又は観察像と予め格納された既知のウイルスや蛋白質などの参照像又は参照像の類似性を定量解析し，前記試料中のウイルスや蛋白質などの種類又は物質の種類を同定することを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【請求項１２】
請求項６に記載のバイオ電子顕微鏡において、
前記試料ステージにＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いた試料前処理装置を搭載することを特徴とするバイオ電子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のロジック部と、
上記第１のロジック部と上記第２のロジック部との間に接続された機能ブロックと、
上記第１のロジック部の出力と上記機能ブロックの入力間の並列経路とデータを直列に伝達するための直列シフト経路を有し、上記第１のロジック部の出力と上記直列シフト経路を切り替えて上記機能ブロックの入力に接続するための複数の第１のセレクタと上記データを格納する複数のフリップフロップにより構成されたスキャンパスとを備えた半導体集積回路装置において、
上記スキャンパスの直列シフト経路上に接続され、上記機能ブロックの出力と上記直列シフト経路を切り替えて上記第２のロジック部の入力に接続するための複数の第２のセレクタを備え、
上記スキャンパスの直列シフト経路からテストデータを上記第２のセレクタを介して上記機能ブロックに与え、上記第２のセレクタを切り替えて上記機能ブロックから出力されたデータを上記第２のセレクタを介して出力することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
直列シフト経路上のフリップフロップを、第１ロジック部の出力と機能ブロックの入力間の並列経路外に接続することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
機能ブロックがＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）である場合に、スキャンパスの直列シフト経路上に複数のインバータを挿入したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
インバータは第２のセレクタの出力に接続されていることを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
スキャンパスは直列シフト経路の出力を直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路を備えたことを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
第２のセレクタを介して出力された機能ブロックからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路を備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
インバータを介して出力された機能ブロックからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路を備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】
第１のセレクタを介して出力された機能ブロックからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路を備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】
フリップフロップに格納されている機能ブロックからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路を備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】
スキャンパスの直列シフト経路上のフリップフロップの入力を第２のセレクタの出力に接続し、上記フリップフロップの出力を第２ロジック部の入力に接続することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
スキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路と、
第２のセレクタを介して出力された上記ＲＡＭからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
スキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路と、
上記インバータを介して出力された上記ＲＡＭからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路装置。
【請求項１３】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
スキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路と、
第１のセレクタを介して出力された上記ＲＡＭからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路装置。
【請求項１４】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
スキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路と、
フリップフロップに格納されている上記ＲＡＭからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路装置。
【請求項１５】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
第１のセレクタ及び上記第２のセレクタとしてＡＮＤ−ＯＲ複合ゲート型セレクタを使用することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１６】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
第１のセレクタ及び上記第２のセレクタとしてＡＮＤ−ＯＲ複合ゲート型セレクタ及びＡＮＤ−ＮＯＲ複合ゲート型セレクタを使用することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１７】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
スキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路と、
上記スキャンパスを介して出力された上記ＲＡＭからの奇数ビット目及び偶数ビット目のデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路とを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項１８】
機能ブロックがＲＡＭである場合に、
スキャンパスの直列シフト経路上に挿入した複数のインバータと、
上記スキャンパスの直列シフト経路の出力を上記直列シフト経路の入力にフィードバックさせるための第３のセレクタ回路と、
上記スキャンパスを介して出力された上記ＲＡＭからのデータが所定の値であることを検出するためのゲート回路と、
上記ゲート回路が上記ＲＡＭからのデータが所定の値でないことを検出した場合に、次の上記ＲＡＭのテストをキャンセルし故障解析を行うためのフェイルフラグ信号を出力すると共に、上記第２のセレクタを上記直列シフト経路に切り替えるフェイルフラグ生成回路とを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組込み自己テスト（ＢＩＳＴ：ｂｕｉｌｔ−ｉｎ  ｓｅｌｆ  ｔｅｓｉｎｇ）要素のＢＩＳＴテストをスケジューリングするための装置であって、
各ＵＢＳが１つまたは複数のＢＩＳＴ要素に連結され、各ＢＩＳＴ要素に対してＢＩＳＴテストをスケジューリングするように構成された、少なくとも２つのユニバーサルＢＩＳＴスケジューラ（ＵＢＳ）と、
各ＵＢＳに連結され、ＢＩＳＴテストを行うために各ＵＢＳを使用可能にするように構成されたマスタＵＢＳ（ＭＵＢＳ）とを備えており、
前記ＭＵＢＳが所定の順序でＢＩＳＴテストを行うために各ＵＢＳを使用可能にし、ＢＩＳＴテストの終了時に待機期間を開始し、前記待機期間が終了したときに１つまたは複数の保存テストを開始する装置。
【請求項２】
第１の段が少なくとも１つのＵＢＳを備えており、第２の段が少なくとも１つのＵＢＳを備えており、
ｉ）前記ＭＵＢＳが前記第１の段内の各ＵＢＳを使用可能にし、かつ前記第２の段内の各ＵＢＳを使用可能にし、
ｉｉ）前記待機期間が終了したとき、前記ＭＵＢＳが前記第１の段内の第１の保存テストを開始し、かつ前記第２の段内の第１の保存テストを開始する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各段の前記１つまたは複数のＵＢＳが集積回路（ＩＣ）の局部領域内に一緒に配置されている請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の段および前記第２の段が複数の段であり、前記ＭＵＢＳが所定の順序で各段のＢＩＳＴテストを使用可能にする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
各ＢＩＳＴ要素が規則構造ＢＩＳＴ（ＲＳＢ）要素またはランダム・ロジックＢＩＳＴ（ＲＬＢ）要素のいずれかである請求項１に記載の装置。
【請求項６】
各ＵＢＳが、シリアル・ビットを受け取るように構成されたテスト・シグニチャ・モジュールを含み、かつ１つまたは複数のシグニチャ・ビットをシリアル・ビット・ストリームに挿入し、１つまたは複数のシグニチャ・ビットが、ＵＢＳによって使用可能にされた各ＢＩＳＴテストのテスト・データを表す請求項１に記載の装置。
【請求項７】
１つのＵＢＳの前記シリアル・ビット・ストリームが前記ＭＵＢＳを通ってから他のＵＢＳを通る請求項６に記載の装置。
【請求項８】
集積回路で実施される請求項１に記載の装置。
【請求項９】
組込み自己テスト（ＢＩＳＴ）要素のＢＩＳＴテストをスケジューリングする方法であって、
（ａ）ＢＩＳＴを行うために、各ＵＢＳが１つまたは複数のＢＩＳＴ要素に連結される少なくとも２つのユニバーサルＢＩＳＴスケジューラ（ＵＢＳ）をマスタ・ユニバーサルＢＩＳＴスケジューラ（ＭＵＢＳ）によってスケジューリングする工程と、
（ｂ）所定の順序内で前記１つまたは複数のＢＩＳＴ要素のＢＩＳＴテストを行うために各ＵＢＳをＭＵＢＳによって使用可能にする工程と、
（ｃ）ＢＩＳＴテストの終了時に待機期間をＭＵＢＳによって開始する工程と、
（ｄ）前記待機期間が終了したとき、前記ＵＢＳによる１つまたは複数の保存テストを前記ＭＵＢＳによって開始する工程とを含む方法。
【請求項１０】
工程（ａ）について、第１のＵＢＳが第１の段内にあり、第２のＵＢＳが第２の段内にあり、
工程（ｂ）が、前記ＭＳＢによって前記第１の段内の前記第１のＵＢＳを使用可能にする工程、および次いで前記第２の段内の前記第２のＵＢＳを使用可能にする工程を含んでおり、
工程（ｄ）は、前記待機期間が終了したときに前記第１の段内の第１の保存テストを前記ＭＵＢＳによって開始する工程、および次いで前記第２の段内の第１の保存テストを開始する工程を含んでいる請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被測定体に存在する複屈折量を測定する複屈折測定装置であって、
前記被測定体に対して特定の偏光状態を有する光束を射出する光源部と、
前記被測定体を経た光束の偏光状態を回転変換させる偏光素子と、
前記偏光素子から射出された光束を、偏光状態を保存した状態で第１の被検光束と第２の披検光束とに分割する光束分割手段と、
前記第１の被検光束の第１偏光方向の光束を抽出する第１直線偏光子と、
前記第１直線偏光子で抽出された光束の光量を検出する第１光量検出手段と、
前記第２の被検光束の第２偏光方向の光束を抽出する第２直線偏光子と、
前記第２直線偏光子で抽出された光束の光量を検出する第２光量検出手段と、
前記第１及び第２光量検出手段により検出される前記被検光束の光量に基づいて、前記被測定体の複屈折量を算出する制御部と、
を有することを特徴とする複屈折測定装置。
【請求項２】  前記制御部は、前記光量検出手段により検出される前記被検光束の光量に基づいて、前記被測定体の主軸の方位を算出することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項３】  前記光束分割手段と前記第２直線偏光子との間に配置された４分の１波長板を供えることを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項４】  前記制御部は、前記被測定体の主軸の進相軸と遅相軸とを判別することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項５】  前記光源部は、
任意の偏光状態を有する光束を射出する光源と、
前記光源から射出された光束の偏光状態を特定の偏光状態に変換する偏光制御機構と、を有することを特長とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項６】  前記特定の偏光状態は、円偏光であることを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項７】  前記被測定体を保持すると共に、前記被測定体を前記光源部から射出される光束に対して測定位置を可変に制御にするステージを更に有することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項８】  前記偏光素子は、光軸に対して回転可能な２分の１波長板を有することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項９】  前記光束分割手段は、３枚の平行平板を有することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項１０】  前記第１の直線偏光子は、光軸方向に直交する面内の光軸を中心として予め設定された基準方位に対して透過軸方位が０度となるように配置されており、
前記第２の直線偏光子は、前記第１の直線偏光子の透過軸方位に対して、透過軸方位が直交ニコルの状態となるように配置された第２の直線偏光子とを有することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項１１】  前記制御部は、前記被測定体の主軸の進相軸と遅相軸とを判別することを特徴とする請求項１記載の複屈折測定装置。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載の複屈折測定装置と、
前記複屈折装置が測定した前記被測定体に存在する複屈折量を低減するための熱処理を施す熱処理部とを有することを特徴とする除歪装置。
【請求項１３】  前記被測定体の前記複屈折量が所望の範囲となるように、前記熱処理部を制御する熱処理制御部を更に有することを特徴とする請求項１２記載の除歪装置。
【請求項１４】  請求項１乃至１１いずれかに記載の複屈折測定装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】  光学素子を有し、該光学素子を用いて光源からの露光光束を被露光体に導くことにより、前記被露光体を露光する露光装置であって、
請求項１乃至１１いずれかに記載の複屈折測定装置を備え、
前記光学素子の複屈折量を測定することを特徴とする露光装置。
【請求項１６】  円偏光の偏光状態を有する光束を被測定体に照射する照射ステップと、
前記被測定体からの前記光束の偏光状態を回転する偏光回転ステップと、
前記偏光回転ステップを経た光束を複数の被検光束に分割する分割ステップと、
前記複数の光束のうち所定の偏光方向の光束のみを抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップを経た複数の光束各々の光量の変化を検出する検出ステップと、
前記複数の光束の変化に基づいて、前記被測定体の前記複屈折量及び主軸方位を算出する算出ステップと、
を有することを特徴とする複屈折測定方法。
【請求項１７】  前記被検光束を位相変換するステップと、
前記被測定体の前記主軸の進相軸又は遅相軸を判断するステップを更に有することを特徴とする請求項１６記載の測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての複屈折測定装置は、被測定体に存在する複屈折量を測定する複屈折測定装置であって、前記被測定体に対して特定の偏光状態を有する光束を射出する光源部と、前記被測定体を経た光束の偏光状態を回転変換させる偏光素子と、前記偏光素子から射出された光束を、偏光状態を保存した状態で第１の被検光束と第２の披検光束とに分割する光束分割手段と、前記第１の被検光束の第１偏光方向の光束を抽出する第１直線偏光子と、前記第１直線偏光子で抽出された光束の光量を検出する第１光量検出手段と、前記第２の被検光束の第２偏光方向の光束を抽出する第２直線偏光子と、前記第２直線偏光子で抽出された光束の光量を検出する第２光量検出手段と、前記第１及び第２光量検出手段により検出される前記被検光束の光量に基づいて、前記被測定体の複屈折量を算出する制御部と、を有することを特徴とする。
本発明の別の一側面としての除歪装置は、上述の複屈折測定装置と、前記複屈折装置が測定した前記被測定体に存在する複屈折量を低減するための熱処理を施す熱処理部とを有することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としての露光装置は、上述の複屈折測定装置を備えることを特徴とする。
本発明の更に別の側面としての露光装置は、光学素子を有し、該光学素子を用いて光源からの露光光束を被露光体に導くことにより、前記被露光体を露光する露光装置であって、上述の複屈折測定装置を備え、前記光学素子の複屈折量を測定することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としての複屈折測定方法は、円偏光の偏光状態を有する光束を被測定体に照射する照射ステップと、前記被測定体からの前記光束の偏光状態を回転する偏光回転ステップと、前記偏光回転ステップを経た光束を複数の被検光束に分割する分割ステップと、前記複数の光束のうち所定の偏光方向の光束のみを抽出する抽出ステップと、前記抽出ステップを経た複数の光束各々の光量の変化を検出する検出ステップと、前記複数の光束の変化に基づいて、前記被測定体の前記複屈折量及び主軸方位を算出する算出ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において、修復対象建造物の表面計測値は、レーザ計測して得られる。レーザ計測により得られる出力値は、レーザビームを照射して対象物から反射してくるまでの時間から得られる各々が３次元位置情報をもつポイントデータの集合（レーザー計測データ群）であり、これらを３次元座標上に配置することにより、修復対象構造物の全体に渡る表面データが表示できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
加えて、修復対象建造物表面の計測値は直接的な測定値からなるレーザ計測データ群として与えられるために、任意に設定した直線上に乗るポイントを選択することは比較的簡単に行うことができる。したがって、例えば修復作業時に丁張り位置を急遽変更した場合などであっても、直線位置、すなわち計画断面位置を指定するだけで簡単に表層断面図を得ることができるために、修復作業の効率化が図られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１に石垣の修復に使用する丁張図の作成手順を示す。丁張図の作成に当たって、まず、作業用基準点３を設置し、公共座標に基づく基準点測量を行う（手順１）。この作業用基準点３は、後述する石垣上の反射基準点（測定基準点１）と石垣近傍の公共基準点とを仲介して反射基準点１を公共座標に結合するために設置され、既設の公共基準点を点検し、例えば、該公共基準点からトラバース測量により公共座標が取り付けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、石垣表面が電柱等の障害物の陰になってレーザデータが取得できない場合には、上記観察コースに沿って取得したレーザデータの穴を、スキャナを観察可能な位置に移動させて補測点として追加し、公共座標を介して取得済みのデータに加える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、レーザ計測データ群は、公共座標空間内において石垣表面を転写した薄紙状の面に散点状に分布する状態となっており、これらを使用して所定の計画断面箇所における表層断面図が作成される。なお、レーザ計測データ群は、石材の境界における凹部の存在も表現されているが、図示の煩雑さを避けるために、図２（ｂ）においてはこれら石材境界の凹部は図示されていない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
芯材及びその外周に同心円状に形成された単層又は複層構造の鞘材を備えた光ファイバにおいて、
前記鞘材の最外層が、カルボキシル基、カルボキシル誘導体基、エチレンオキシド基から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する官能基含有含フッ素エチレン性単量体（ａ）単位０．２〜４０質量％と、単量体（ａ）とは異なる含フッ素エチレン性単量体（ｂ）単位６０〜９９．８質量％とを含む含フッ素エチレン性共重合体（Ｘ）を主成分とすることを特徴とする光ファイバ。
【請求項２】  
前記鞘材が２層構造であると共に、前記芯材、前記鞘材の内層、前記鞘材の外層の順に、屈折率が低下するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】  
前記鞘材の内層が、下記一般式（３）で表されるフルオロアルキル（メタ）アクリレート（ｃ）単位１５〜９０質量％を含み、屈折率が１．３９〜１．４７５の範囲にある共重合体を主成分とすることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバ。
ＣＨ２＝ＣＸ３−ＣＯＯ（ＣＨ２）ｍ（ＣＦ２）ｎＸ４・・・（３）
（但し、式中、Ｘ３は水素原子またはメチル基、Ｘ４は水素原子またはフッ素原子を示し、ｍは１又は２、ｎは１〜１２の整数を示す。）
【請求項４】  
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の光ファイバの外周が、熱可塑性樹脂からなる単層又は複層構造の被覆材により被覆されてなることを特徴とする光ファイバケーブル。
【請求項５】
前記被覆材がポリアミド系樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の光ファイバケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  芯材及びその外周に形成された単層又は複層構造の鞘材からなる光ファイバ素線が、少なくとも１層の被覆層からなる被覆材により被覆された光ファイバケーブルにおいて、
前記鞘材と前記被覆材との間には、これらの密着性を向上させるための密着層が設けられていると共に、
前記鞘材の最外層が、フッ化ビニリデン単位を有する共重合体を主成分とし、屈折率が１．３１〜１．４１の範囲にある樹脂組成物（Ｘ）からなり、
前記密着層が、２級炭素原子又は３級炭素原子にカルボキシル基が結合したエステル基を持つ（メタ）アクリル酸エステル単量体単位を含有する（メタ）アクリル系樹脂を主成分とする樹脂組成物（Ｙ）からなり、
前記被覆材の最内層が、ポリプロピレン樹脂を主成分とする樹脂組成物（Ｚ）からなることを特徴とする光ファイバケーブル。
【請求項２】  前記密着層の主成分である（メタ）アクリル系樹脂に含まれる（メタ）アクリル酸エステル単量体単位のエステル基が、脂環式炭化水素エステル基であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバケーブル。
【請求項３】  前記密着層の主成分である（メタ）アクリル系樹脂に含まれる（メタ）アクリル酸エステル単量体単位のエステル基が、シクロヘキシル基、４−t−ブチルシクロヘキシル基、３，３，５−トリメチルシクロヘキシル基、トリシクロデカニル基から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバケーブル。
【請求項４】  前記密着層の厚みが５〜６００μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の光ファイバケーブル。
【請求項５】  前記光ファイバ素線と前記密着層、及び前記密着層と前記被覆材の間の初期引き抜き強度が、いずれも１５Ｎ以上であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の光ファイバケーブル。
【請求項６】  請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の光ファイバケーブルの少なくとも一端に、プラグが固定されたことを特徴とするプラグ付き光ファイバケーブル。
【請求項７】  プラグ引き抜き強度が５０Ｎ以上であることを特徴とする請求項６に記載のプラグ付き光ファイバケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される記録材に未定着トナー画像を生成するトナー画像形成手段と、該トナー画像形成手段側からの記録材を駆動される定着部材間で挟持搬送して記録材上の未定着トナー画像を所定の定着温度に温調された定着部材で加熱して定着させる定着手段と、を有する画像形成装置において、
記録材を第一の記録材搬送速度と第一の記録材給紙間隔で搬送して該記録材にトナー画像形成手段により未定着トナー画像を生成し、該トナー画像形成手段側からの記録材を、前記第一の記録材搬送速度にほぼ対応した第一の駆動速度で駆動し、かつ第一の定着温度に温調した定着手段の定着部材間で挟持搬送して記録材上の未定着トナー画像を定着させる、第一の制御モードと、
装置に通紙可能な最大幅の大サイズ記録材よりも幅の小さい小サイズ記録材が通紙されたときの定着手段の端部昇温温度を検出する温度検出手段があらかじめ設定の温度以上を検知したら、記録材を前記第一の記録材給紙間隔よりも長くした第二の記録材給紙間隔に変更して搬送して該記録材にトナー画像形成手段により未定着トナー画像を生成し、該記録材の後端がトナー画像形成手段を通過した後に、定着手段の駆動速度を前記第一の駆動速度よりも遅い第二の駆動速度に変更し、かつ定着温度を前記第一の定着温度よりも低い第二の定着温度に変更して温調して記録材上の未定着トナー画像を定着させ、該記録材が定着部材間を通過したら、定着手段の駆動速度を前記第一の駆動速度に変更する、第二の制御モードと、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
回転駆動される定着部材で未定着トナー画像が形成された記録材を挟持搬送して前記未定着トナー画像を加熱定着する定着手段を有する画像形成装置において、
前記定着手段の端部温度を検出する温度検出手段と、当該画像形成装置の動作を制御する制御手段と、を有し、
所定の幅よりも小さい幅の記録材に順次画像形成する場合、前記制御手段は、前記温度検出手段の検出温度が所定温度未満のとき、第一搬送間隔で記録材を順次搬送し、前記定着部材を第一駆動速度で駆動するとともに、前記定着手段が第一定着温度になるように前記定着手段への供給電力を制御し、前記温度検出手段の検出温度が所定温度を超えたとき、前記第一搬送間隔よりも長い第二搬送間隔に変更して記録材を搬送し、前記定着部材の駆動速度を前記第一駆動速度よりも遅い第二駆動速度に変更するとともに、前記定着手段が前記第一定着温度よりも低い第二定着温度になるように前記定着手段への供給電力を制御する
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
前記定着部材と記録材の搬送手段は、共通の駆動手段によって駆動されるとともに、前記温度検出手段の検出温度が所定温度を超えた場合、前記制御手段は、ある記録材に対する定着処理時、次の記録材には画像形成せずに待機させ、前記定着部材の前記第二駆動速度での定着処理後、前記定着部材を前記第一駆動速度に戻して次の記録材への画像形成を実行することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
トナー画像を記録材に形成するトナー画像形成手段と、
加熱手段と前記加熱手段に圧力を加える加圧手段とを有し、前記加熱手段と前記加圧手段の間で記録材を挟持搬送して未定着トナー画像を記録材に固着させるための定着器と、
前記定着器の前記加熱手段または前記加圧手段を回転駆動する速度変更可能な定着器駆動手段と
通紙されうる全てのサイズ記録材が通紙中に前記定着器の前記加熱手段と前記加圧手段の間を挟持される位置に配設される第一の温度検出手段と、
通紙されうる最大のサイズの記録材が通紙中には前記定着器の前記加熱手段と前記加圧手段の間を記録材が挟持されるが、通紙されうる最小のサイズの用紙が通紙中には記録材が挟持されない位置に配設される第二の温度検出手段と、
前記第一の温度検出手段で検出された温度を基に、前記加熱手段があらかじめ設定される第一の定着温度になるように制御を行う制御手段と、
記録材の搬送位置を検出するすくなくとも１つ以上のセンサからなる記録材搬送位置検出手段と、
画像形成装置のスループットを制御するスループット制御手段と、
を備え、
前記制御手段は前記第二の温度検出手段で検出された温度が、あらかじめ設定される温度以上であることを検知したら、前記スループット制御を変更するとともに、前記記録材搬送位置検出手段により記録材後端が前記トナー画像形成手段部を通過した後に、前記定着器駆動手段の駆動速度、及び前記定着温度を変更することを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像形成装置において、前記定着器駆動手段は前記トナー画像形成手段も駆動することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
〔実施態様２〕  トナー画像を記録材に形成するトナー画像形成手段と、
加熱手段と前記加熱手段に圧力を加える加圧手段とを有し、前記加熱手段と前記加圧手段の間で記録材を挟持搬送して未定着トナー画像を記録材に固着させるための定着器と、
前記定着器の前記加熱手段または前記加圧手段を回転駆動する速度変更可能な定着器駆動手段と
通紙されうる全てのサイズ記録材が通紙中に前記定着器の前記加熱手段と前記加圧手段の間を挟持される位置に配設される第一の温度検出手段と、
通紙されうる最大のサイズの記録材が通紙中には前記定着器の前記加熱手段と前記加圧手段の間を記録材が挟持されるが、通紙されうる最小のサイズの用紙が通紙中には記録材が挟持されない位置に配設される第二の温度検出手段と、
前記第一の温度検出手段で検出された温度を基に、前記加熱手段があらかじめ設定される第一の定着温度になるように制御を行う制御手段と、
記録材の搬送位置を検出するすくなくとも１つ以上のセンサからなる記録材搬送位置検出手段と、
画像形成装置のスループットを制御するスループット制御手段と、
を備え、
前記制御手段は前記第二の温度検出手段で検出された温度が、あらかじめ設定される温度以上であることを検知したら、前記スループット制御を変更するとともに、前記記録材搬送位置検出手段により記録材後端が前記トナー画像形成手段部を通過した後に、前記定着器駆動手段の駆動速度、及び前記定着温度を変更することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  加熱体と、温度検知素子と、該温度検知素子の検知温度情報に基づいて加熱体に供給する電力を制御して加熱体を所定の設定温度に温調制御する制御手段と、を有し、加熱部に導入されて搬送される被加熱材を加熱体の熱で加熱する加熱装置において、
上記制御手段は、一の被加熱材が加熱部を搬送されている間において該被加熱材を加熱する為の加熱体温調温度の設定温度に関して、該被加熱材の先端部側加熱時の設定温度よりも後端部側加熱時の設定温度を高く制御すると共に、加熱部に連続的に導入されて搬送される複数枚の被加熱材のｎ枚目の被加熱材を加熱する為の加熱体温度上昇電力量は、ｎ−１枚目の被加熱材の後端部が加熱部を通過してからｎ枚目の被加熱材の先端部が加熱部に進入するまでの紙間において加熱体に入力している電力量で決定することを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
請求項１に記載の加熱装置において、被加熱材の先端部側加熱時の加熱体温調温度の設定温度と後端部側加熱時の加熱体温調温度の設定温度との温度差は、少なくとも４ｄｅｇ．（℃）以上であることを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
請求項１に記載の加熱装置において、ｎ枚目の被加熱材を
加熱する為の加熱体温度上昇電力量は、ｎ−１枚目の被加熱材の後端部が加熱部を通過してからｎ枚目の被加熱材の先端部が加熱部に進入するまでの紙間におけるｎ−１枚目側の電力量を規準にしていることを特徴とする加熱装置。
【請求項４】
請求項３に記載の加熱装置において、ｎ枚目の被加熱材を加熱する為の加熱体温度上昇電力量は、ｎ−１枚目の被加熱材の後端部が加熱部を通過してからｎ枚目の被加熱材の先端部が加熱部に進入するまでの紙間に加熱体に入力している電力よりも多いことを特徴とする加熱装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れかに記載の加熱装置において、一の被加熱材が加熱部を搬送されている間において該被加熱材を加熱する為の加熱体温調温度の、被加熱材先端部側加熱時の設定温度と被加熱材後端部側加熱時の設定温度との温度差は、該被加熱材の坪量によって変更することを特徴とする加熱装置。
【請求項６】
請求項１から４の何れかに記載の加熱装置において、一の被加熱材が加熱部を搬送されている間において該被加熱材を加熱する為の加熱体温調温度の、被加熱材先端部側加熱時の設定温度と被加熱材後端部側加熱時の設定温度との温度差は、該被加熱材の先端部における温度検知素子の検知温度の変化量によって変更することを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れかに記載の加熱装置において、温度検知素子は加熱体に接触していることを特徴とする加熱装置。
【請求項８】
記録材上に未定着画像を形成担持させる作像手段と、記録材上の未定着画像を永久固着させるための画像加熱定着手段を有し、前記画像加熱定着手段が請求項１から７の何れかに記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜を加工することにより凸部を形成する工程と、
前記凸部が形成された絶縁膜に接して導電膜を形成する工程と、
前記凸部の上部付近の前記導電膜を除去することにより、前記導電膜からなる画素電極を前記絶縁膜に接して形成するとともに、隣接する前記画素電極を前記凸部によって絶縁分離する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁膜を加工することにより、隣接する画素電極形成領域の間に位置する凸部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記凸部が形成された絶縁膜に接して導電膜を形成する工程と、
前記凸部の上部付近の前記導電膜を除去することにより、前記導電膜からなる画素電極を前記絶縁膜に接して形成するとともに、隣接する前記画素電極を前記凸部によって絶縁分離する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記凸部を前記絶縁膜に形成する工程は、前記絶縁膜をウエットエッチング又はドライエッチングで加工することにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記凸部を前記絶縁膜に形成する工程の前に、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程をさらに具備し、前記絶縁膜に接して導電膜を形成する工程は、前記凸部が形成された絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと接続する前記導電膜を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記画素電極を前記凸部によって絶縁分離する工程は、前記凸部の上部付近の前記導電膜をＣＭＰ研磨除去又はエッチバック除去によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記凸部の表面は曲率を有する面又は傾斜面を備えていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、隣接する画素電極形成領域の間を覆うレジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクをマスクとして前記絶縁膜をウエットエッチングすることにより、隣接する画素電極形成領域の間に位置し、且つ曲率を有する面又は傾斜面を備えた凸部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記絶縁膜に接して導電膜を形成する工程と、
前記凸部の上部付近の前記導電膜をＣＭＰで研磨除去することにより、前記導電膜からなる画素電極を前記絶縁膜に接して形成するとともに、隣接する前記画素電極を前記凸部によって絶縁分離する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、隣接する画素電極形成領域の間を覆うレジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクをマスクとして前記絶縁膜を第１の条件でドライエッチングすることにより、隣接する画素電極形成領域の間に位置し、且つほぼ垂直な側面を有する凸部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記レジストマスクをマスクとして前記絶縁膜を第２の条件でドライエッチングすることにより、前記ほぼ垂直な側面を有する凸部に曲率を有する面又は傾斜面を形成する工程と、
前記絶縁膜に接して導電膜を形成する工程と、
前記凸部の上部付近の前記導電膜をＣＭＰで研磨除去することにより、前記導電膜からなる画素電極を前記絶縁膜に接して形成するとともに、隣接する前記画素電極を前記凸部によって絶縁分離する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記凸部の表面は傾斜面を備えており、該傾斜面の傾斜角度が３０〜６０°であり、前記凸部の高さが０．２μｍ以上セルギャップの５０％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記凸部の幅は０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
隣接する画素電極と、
前記画素電極に接する絶縁膜であって、前記隣接する画素電極の間に位置し且つ前記隣接する画素電極を絶縁分離する凸部を有する絶縁膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記絶縁膜の下方に形成された薄膜トランジスタをさらに具備し、前記薄膜トランジスタが基板上に形成されており、前記画素電極と前記薄膜トランジスタは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記凸部の表面は曲率を有する面又は傾斜面を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１又は１２において、前記凸部の表面は傾斜面を備えており、該傾斜面の傾斜角度が３０〜６０°であり、前記凸部の高さが０．２μｍ以上セルギャップの５０％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一項において、前記凸部の幅は０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。