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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陽極及び陰極とを有し、前記陽極と前記陰極間に挟持された一または複数の有機化合物からなる層を少なくとも有する有機発光素子において、前記陽極は、主成分金属と少なくとも一種類の副成分化合物とからなる単一の層であり、かつ反射率が７０％以上である反射電極であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】 前記主成分金属がＡｇあるいはＡｌであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】 前記副成分化合物は金属酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項４】 前記金属酸化物がＳｎ、Ｉｎ、Ｚｎのいずれかの酸化物であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】 発光が前記陰極側から放出されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項６】 有機発光素子の製造方法であって、基材上に主成分金属と副成分化合物とからなる陽極を形成する工程と前記陽極上に有機層を形成する工程と前記有機層を形成する工程後に陰極を形成する工程を有し、前記陽極は反射率が７０％以上であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】パッド電極に接続された能動領域が形成された半導体チップと、  前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、  前記応力緩衝層上に形成されたバンプ電極と、  前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、  前記再配置配線層上に形成された保護層と、  前記半導体チップの裏面に形成された遮光層とを備えることを特徴とする半導体装置。    【請求項２】前記遮光層と前記応力緩衝層の材質は等しいことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。    【請求項３】前記遮光層と前記半導体チップの外形は等しいことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。    【請求項４】前記遮光層は、遮光金属層、遮光テープ層、遮光樹脂層、遮光レジスト層または遮光インク層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置。    【請求項５】パッド電極に接続された能動領域が形成された半導体ウェハの裏面を薄型化する工程と、  前記薄型化された半導体ウェハの裏面に遮光金属層を形成する工程と、  前記半導体ウェハの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、  前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、  前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、  前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、  前記保護層をパターニングすることにより、前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、  前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程と、  前記バンプ電極が形成された半導体ウェハをチップ状に切断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。    【請求項６】パッド電極に接続された能動領域が形成された半導体ウェハの裏面を薄型化する工程と、  前記半導体ウェハの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、  前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、  前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、  前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、  前記保護層をパターニングすることにより、前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、  前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程と、  前記半導体ウェハの裏面に遮光テープを貼り付ける工程と、  前記遮光テープが貼り付けられた半導体ウェハをチップ状に切断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。    【請求項７】パッド電極に接続された能動領域が形成された半導体ウェハの裏面を薄型化する工程と、  前記半導体ウェハの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、  前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、  前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、  前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、  前記保護層をパターニングすることにより、前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、  前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程と、  前記半導体ウェハの裏面に遮光性樹脂を塗布する工程と、  前記遮光性樹脂が塗布された半導体ウェハをチップ状に切断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。    【請求項８】パッド電極に接続された能動領域が形成された半導体ウェハの裏面を薄型化する工程と、  前記半導体ウェハの能動領域上に応力緩衝層を形成する工程と、  前記応力緩衝層をパターニングすることにより、前記パッド電極を露出させる工程と、  前記パッド電極から前記応力緩衝層上に延伸された再配置配線層を形成する工程と、  前記再配置配線層上に保護層を形成する工程と、  前記保護層をパターニングすることにより、前記再配置配線層を露出させる開口部を形成する工程と、  前記開口部を介して前記再配置配線層に接続されるバンプ電極を前記応力緩衝層上に形成する工程と、  前記半導体ウェハの裏面に遮光インクを吐出させることにより、前記半導体ウェハの裏面に遮光インク層を形成する工程と、  前記遮光インク層が形成された半導体ウェハをチップ状に切断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】    【課題を解決するための手段】  上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、パッド電極に接続された能動領域が形成された半導体チップと、前記能動領域上に形成された応力緩衝層と、前記応力緩衝層上に形成されたバンプ電極と、前記バンプ電極と前記パッド電極とを接続する再配置配線層と、前記再配置配線層上に形成された保護層と、前記半導体チップの裏面に形成された遮光層とを備えることを特徴とする。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記遮光層は、遮光金属層、遮光テープ層、遮光樹脂層、遮光レジスト層、または遮光インク層であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  これにより、様々の方法を用いて、半導体チップの裏面に遮光層を形成することができ、製造工程の最適化を図ることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハの能動面にバンプ電極を形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面に遮光層を形成する工程と、前記遮光層が形成された半導体ウェハをチップ状に切断する工程と、前記チップ状に切断された半導体チップをテープ基板上に実装する工程と、前記テープ基板上に実装された半導体チップの能動面を樹脂封止する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも基板上に裏面反射層、半導体層、及び透明電極層が順次積層された光起電力素子を電解質溶液中に浸漬し、該光起電力素子に対し順方向電圧を印加し、該光起電力素子の短絡部における前記透明電極層を還元する電解処理により、該光起電力素子の欠陥による短絡電流通路を選択的に除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記光起電力素子に印加した順方向電圧を０Ｖ乃至は前記透明電極層の還元反応が起きない順方向電圧まで降下させる工程における電圧勾配を、常に−１５Ｖ／ｓ以上−０．１Ｖ／ｓ以下とすることを特徴とする光起電力素子の製造方法。
【請求項２】  順方向電圧を降下させる時間が、０．３ｓ以上であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項３】  前記順方向電圧が、前記光起電力素子の開放電圧以上であることを特徴とする請求項１または２記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項４】  前記印加電圧が前記光起電力素子の開放電圧以上の順方向電圧と０Ｖ乃至は前記透明電極層の還元反応が起きない順方向電圧を行き来する台形波であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項５】  前記印加電圧が前記光起電力素子の開放電圧以上の順方向電圧と０Ｖ乃至は前記透明電極層の還元反応が起きない順方向電圧を行き来するノコギリ波であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項６】  前記印加電圧を複数回印加することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項７】  電解処理後、前記光起電力素子を水洗、乾燥することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項８】  前記電解質溶液の電気伝導度が、２０〜１００ｍＳ／ｃｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項９】  前記電解質溶液の液温が、２０℃〜８０℃の温度範囲であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項１０】  前記光起電力素子が、薄膜太陽電池であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ドライバＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタと負荷素子とで構成される１対のインバータを有するフリップフロップ回路と、
前記インバータの入力ノードにそれぞれ接続された１対のアクセスＭＯＳトランジスタと、
前記アクセスＭＯＳトランジスタおよび前記ドライバＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に前記インバータの入力ノードにそれぞれ接続された１対の容量素子とを有する複数のメモリセルがアレイ状に配置された半導体記憶装置であって、
前記１対のアクセスＭＯＳトランジスタの両方のゲート電極に接続され、前記ドライバＭＯＳトランジスタのゲート電極と同じ方向に延在し、１対の前記ドライバＭＯＳトランジスタのゲート電極間に配置されたワード線と、
前記アクセスＭＯＳトランジスタおよび前記ドライバＭＯＳトランジスタの活性領域を一体化して構成し、前記ワード線と直交する方向に延在する１対の活性領域パターンと、
前記ワード線と直交する方向に延在し、前記各アクセスＭＯＳトランジスタの活性領域に接続された１対のビット線とを有し、
前記ワード線の延在方向のメモリセル領域の長さが、前記ビット線の延在方向のメモリセル領域の長さよりも長い、半導体記憶装置。
【請求項２】  前記ドライバＭＯＳトランジスタのゲートを前記ワード線の延在方向と同方向に延在させた、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】  前記ドライバＭＯＳトランジスタのゲートを、前記ワード線の延在方向に隣接する他のメモリセル内に延在させる、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】  １対の接地線をさらに備え、
前記接地線間に前記１対のビット線を配置し、前記接地線を前記ビット線と同方向に延在させた、請求項２または請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】  前記負荷素子は、薄膜トランジスタを含み、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極として機能する第１導電層と、ソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を含む第２導電層とを有し、
前記第１導電層の平面形状を略三角形状とし、
前記第２導電層の平面形状を屈曲形状とした、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項６】  前記負荷素子は、薄膜トランジスタを含み、
前記容量素子は、絶縁膜を介して対向する第１および第２電極を有し、
前記第１電極を前記薄膜トランジスタのゲート電極として機能させる、請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項７】  前記負荷素子は、薄膜トランジスタを含み、
前記薄膜トランジスタのゲート電極の平面形状と、前記容量素子の平面形状とを同形状とした、請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項８】  前記ビット線の寄生容量と前記メモリセルの容量との比が８以下である、請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項９】  接地線をさらに備え、
前記ビット線と前記アクセスＭＯＳトランジスタとのコンタクト部の抵抗値を、前記ドライバＭＯＳトランジスタと前記接地線とのコンタクト部の抵抗値よりも大きくする、請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】  前記容量素子の容量が１０ｐＦ以上３０ｐＦ以下である、請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体記憶装置では、ドライバＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタと負荷素子とで構成される１対のインバータを有するフリップフロップ回路と、インバータの入力ノードにそれぞれ接続された１対のアクセスＭＯＳトランジスタと、アクセスＭＯＳトランジスタおよびドライバＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜と、層間絶縁膜上にインバータの入力ノードにそれぞれ接続された１対の容量素子とを有する複数のメモリセルがアレイ状に配置される。該半導体記憶装置は、１対のアクセスＭＯＳトランジスタの両方のゲート電極に接続されドライバＭＯＳトランジスタのゲート電極と同じ方向に延在し１対の前記ドライバＭＯＳトランジスタのゲート電極間に配置されたワード線と、アクセスＭＯＳトランジスタおよびドライバＭＯＳトランジスタの活性領域を一体化して構成しワード線と直交する方向に延在する１対の活性領域パターンと、ワード線と直交する方向に延在し各アクセスＭＯＳトランジスタの活性領域に接続された１対のビット線とを有する。そして、ワード線の延在方向のメモリセル領域の長さが、ビット線の延在方向のメモリセル領域の長さよりも長い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
【発明の効果】
本発明の半導体記憶装置は、ドライバＭＯＳトランジスタと負荷素子とをそれぞれ含む１対のインバータと、アクセスＭＯＳトランジスタとを有するメモリセルを備えているので、リフレッシュ動作が不要となり、かつサイクルタイムと消費電力を通常のＳＲＡＭと同等とすることができる。それに加え、メモリセルの占有面積を通常のＳＲＡＭよりも小さくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、前記上下の電極の外面に絶縁性の基板を固定してなる熱電モジュールであって、前記熱電半導体素子間の空隙及び前記熱電半導体素子を介して対構造となっている基板の間に、表面の一部に有機シリル基を有する多孔体が充填されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】  前記多孔体が、ケイ素の酸化物からなる骨格を有する請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項３】  前記多孔体の見かけ密度が５０〜５００ｋｇ／ｍ3の範囲にある請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項４】  前記有機シリル基がトリメチルシリル基またはジメチルシリル基である請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項５】  前記基板の間に存在し、外気に暴露されている多孔体の部位が疎水化処理されている請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項６】  並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、前記上下の電極の一方の電極外面に絶縁性の基板を固定する工程、
前記基板内面から前記熱電半導体素子の他方の電極側端部にわたる部分に、ゾル・ゲル法により、その骨格が金属酸化物からなり、金属アルコキシドを原料とする多孔体を形成する工程、
および他方の電極外面に前記基板と対構造となる基板を固定する工程を有する熱電モジュールの製造方法。
【請求項７】  並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、前記上下の電極の外面に絶縁性の基板を固定する工程、
前記基板を含む前記熱電半導体素子を外枠により密閉する工程、
前記外枠に設けた隙間より、前記両基板の間に金属アルコキシドからなる原料を注入して、その骨格が金属酸化物からなる多孔体をゾル・ゲル法により形成する工程、
および前記外枠を取り除く工程を有する熱電モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の熱電モジュールは、並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、前記上下の電極の外面に絶縁性の基板を固定してなる熱電モジュールであって、前記熱電半導体素子間の空隙及び前記熱電半導体素子を介して対構造となっている基板の間に、表面の一部に有機シリル基を有する多孔体が充填されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、前記上下の電極の一方の電極外面に絶縁性の基板を固定する工程、前記基板内面から前記熱電半導体素子の他方の電極側端部にわたる部分に、ゾル・ゲル法により、その骨格が金属酸化物からなり、金属アルコキシドを原料とする多孔体を形成する工程、および他方の電極外面に前記基板と対構造となる基板を固定する工程を有する熱電モジュールの製造方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、また並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、前記上下の電極の外面に絶縁性の基板を固定する工程、前記基板を含む前記熱電半導体素子を外枠により密閉する工程、前記外枠に設けた隙間より、前記両基板の間に金属アルコキシドからなる原料を注入して、その骨格が金属酸化物からなる多孔体をゾル・ゲル法により形成する工程、および前記外枠を取り除く工程を有する熱電モジュールの製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板、絶縁層、及び第１導電型の半導体層がこの順に積層された構造を有するＳＯＩ基板と、
前記半導体層の主面内に部分的に形成され、前記絶縁層とによって前記半導体層の一部を挟む底面を有する素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜によって規定される素子形成領域内において、前記半導体層の前記主面上に部分的に形成されたゲート構造と、
前記素子形成領域内において、前記ゲート構造から露出している部分の前記半導体層の前記主面内に形成され、前記ゲート構造の下方のチャネル形成領域を挟んで対を成す凹部と、
前記凹部の底面内に形成され、前記チャネル形成領域を挟んで対を成し、その底面又はその空乏層が前記絶縁層に到達し、前記第１導電型とは異なる第２導電型のソース・ドレイン領域と
を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート構造は、
前記半導体層の前記主面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面に形成された第１のサイドウォールと
を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート構造が形成されている部分の前記半導体層の前記主面と、前記凹部の側面とが成す角度は、９０°よりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部の端部は、前記ゲート構造の端部の下方に潜り込んでいる、請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ソース・ドレイン領域は、
前記半導体層の前記主面内に形成された、比較的低濃度の第１の不純物導入領域と、
前記第１の不純物導入領域よりも深く形成された、比較的高濃度の第２の不純物導入領域と
を有し、
前記半導体層の前記主面から前記凹部の前記底面までの深さは、前記半導体層の前記主面から前記第１の不純物導入領域の底面までの深さよりも浅い、請求項２〜請求項４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ソース・ドレイン領域は、前記第２の不純物導入領域よりも浅く前記半導体層の前記主面内に形成された第３の不純物導入領域をさらに有する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ソース・ドレイン領域は、
前記半導体層の前記主面内に形成された、比較的低濃度の第１の不純物導入領域と、
前記第１の不純物導入領域よりも深く形成された、比較的高濃度の第２の不純物導入領域と、
前記半導体層の前記主面内に形成された第３の不純物導入領域と
を有し、
前記半導体層の前記主面から前記第３の不純物導入領域の底面までの深さは、前記半導体層の前記主面から前記第１の不純物導入領域の底面までの深さよりも深く、
前記半導体層の前記主面から前記凹部の前記底面までの深さは、前記半導体層の前記主面から前記第３の不純物導入領域の前記底面までの深さよりも浅い、請求項２〜請求項４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置は、
前記第１のサイドウォールに接して前記凹部の前記底面上に形成された第２のサイドウォールと、
前記第２のサイドウォールから露出している部分の前記ソース・ドレイン領域上に形成された、金属−半導体化合物層と
をさらに備える、請求項２〜請求項７のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記素子分離絶縁膜は、前記凹部の側面に露出し、
前記素子分離絶縁膜に接して前記凹部の前記底面上に形成された第３のサイドウォールをさらに備え、
前記金属−半導体化合物層は、前記第２及び第３のサイドウォールから露出している部分の前記ソース・ドレイン領域上に形成されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記凹部の底面上に形成された半導体領域と、
前記半導体領域上に形成された金属−半導体化合物層と
をさらに備える、請求項２〜請求項７のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ＳＯＩ基板内にはＮＭＯＳトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタが形成されており、
前記半導体装置は、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタのうちのいずれか一方である、請求項２〜請求項１０のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ＳＯＩ基板内には、比較的低い電源電圧で動作する第１のトランジスタと、比較的高い電源電圧で動作する第２のトランジスタとが形成されており、
前記半導体装置は、前記第１及び第２のトランジスタのうちのいずれか一方である、請求項２〜請求項１０のいずれか一つに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタ、第１の容量素子、及び第２の容量素子を有する半導体装置であって、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子とは、前記絶縁表面に対して縦方向に積層され、
前記第１の容量素子は、第１の誘電体を介して形成された第１の容量電極及び第２の容量電極を有し、
第２の容量素子は、第２の誘電体を介して形成された前記第２の容量電極及び第３の容量電極を有し、
前記薄膜トランジスタは、半導体膜で形成された活性領域、ゲート電極、前記活性領域に接続する接続配線、及び前記ゲート電極と前記接続配線の間に形成された絶縁膜を有し、
前記第２の誘電体及び前記第３の容量電極の間、並びに前記絶縁膜及び前記接続配線の間にバッファー層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記バッファー層は、前記第３の容量電極及び前記接続配線を形成する際に生じる応力を緩和する膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記バッファー層は、結晶性半導体膜、又は非晶質半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記バッファー層の厚さは、１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記バッファー層は、前記薄膜トランジスタの活性領域に接していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記接続配線は、ソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の前記半導体装置を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の前記半導体装置を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の前記半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
絶縁表面上に形成された第１の容量電極及び第２の容量電極を有する第１の容量素子と、前記第２の容量電極及び第３の容量電極を有する第２の容量素子と、薄膜トランジスタとを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に半導体膜を形成した後、該半導体膜をエッチングして前記薄膜トランジスタの活性領域及び前記第１の容量電極を形成し、
前記活性領域及び前記第１の容量電極上に第１の絶縁膜及び第１の導電膜を順に形成し、
前記第１の導電膜をエッチングして前記薄膜トランジスタのゲート電極及び前記第２の容量電極を形成した後、
第２の絶縁膜及び第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜、前記第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜をエッチングして、前記薄膜トランジスタの活性領域の一部を露出した後、
第３の導電膜を形成して前記第３の導電膜と前記薄膜トランジスタの活性領域とを接続し、
前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜をエッチングして前記薄膜トランジスタの接続配線、及び前記第３の容量電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第２の導電膜は、結晶性半導体膜、又は非晶質半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記接続配線は、ソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層を形成し、
前記導電層上に、減圧下で、第１の感光剤を含む第１の組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
前記第１のレジストパターンに、第１のフォトマスクを介して前記第１の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第１のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングし、
前記導電層上にゲート絶縁膜、第１の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第２の感光剤を含む第２の組成物を吐出して第２のレジストパターンを形成し、
前記第２のレジストパターンに、第２のフォトマスクを介して前記第２の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜をエッチングし、
エッチングした前記チャネル保護膜上に、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、減圧下で、第３の感光剤を含む第３の組成物を吐出して第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンに、第３のフォトマスクを介して前記第３の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
減圧下で、導電性材料を含む第１の組成物を吐出して、導電層を形成し、
前記導電層上に、減圧下で、第１の感光剤を含む第２の組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
前記第１のレジストパターンに、第１のフォトマスクを介して前記第１の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第１のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングし、
前記導電層上にゲート絶縁膜、第１の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第２の感光剤を含む第３の組成物を吐出して第２のレジストパターンを形成し、
前記第２のレジストパターンに、第２のフォトマスクを介して前記第２の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜をエッチングし、
前記エッチングしたチャネル保護膜上に、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、減圧下で、第３の感光剤を含む第４の組成物を吐出して第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンに、第３のフォトマスクを介して前記第３の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出して、導電層を形成し、
前記導電層上に、減圧下で、第１の感光剤を含む第２の組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
前記第１のレジストパターンに、第１のフォトマスクを介して前記第１の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第１のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングし、
前記導電層上にゲート絶縁膜、第１の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第２の感光剤を含む第３の組成物を吐出して第２のレジストパターンを形成し、
前記第２のレジストパターンに、第２のフォトマスクを介して前記第２の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜をエッチングし、
前記エッチングしたチャネル保護膜上に、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、減圧下で、第３の感光剤を含む第４の組成物を吐出して第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンに、第３のフォトマスクを介して前記第３の感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜をエッチングし、
減圧下で、第２の導電性材料を含む第５の組成物を吐出して、画素電極を形成し、
減圧下で、第３の導電性材料を含む第６の組成物を吐出して、ソース及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１の組成物は、前記第１の感光剤を第１の溶媒に分解又は分散させたものであり、
前記第２の組成物は、前記第２の感光剤を第２の溶媒に分解又は分散させたものであり、
前記第３の組成物は、前記第３の感光剤を第３の溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記第２の組成物は、前記第１の感光剤を第１の溶媒に分解又は分散させたものであり、
前記第３の組成物は、前記第２の感光剤を第２の溶媒に分解又は分散させたものであり、
前記第４の組成物は、前記第３の感光剤を第３の溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２において、
前記導電性材料は、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２において、
前記導電性材料は、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２において、
前記導電性材料は、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３において、
前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項３において、
前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項３において、
前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アンカーに連結されるアンカーロープを案内するロープガイドを備えたインフレータブルボートであって、
前記ロープガイドは、ボート枠体を形成するチューブ気室の表面に設けられる支持部材と、前記支持部材に回転自在に支持されて外周面に食い込み部が形成される回転体とを有し、
前記食い込み部を前記アンカーロープに食い込ませて前記回転体を回転させることを特徴とするインフレータブルボート。
【請求項２】  請求項１記載のインフレータブルボートにおいて、前記支持部材は固定軸を支持し、前記回転体は前記固定軸に対して回転自在に装着されることを特徴とするインフレータブルボート。
【請求項３】  請求項１または２記載のインフレータブルボートにおいて、前記回転体は前記外周面に前記アンカーロープを案内するガイド溝を有することを特徴とするインフレータブルボート。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか１項に記載のインフレータブルボートにおいて、前記食い込み部は前記外周面に形成された食い込みエッジであることを特徴とするインフレータブルボート。
【請求項５】  請求項４記載のインフレータブルボートにおいて、前記回転体は前記食い込みエッジを備えた多角柱状に形成されることを特徴とするインフレータブルボート。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか１項に記載のインフレータブルボートにおいて、前記食い込み部は前記外周面に形成された食い込み突起であることを特徴とするインフレータブルボート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のインフレータブルボートは、アンカーに連結されるアンカーロープを案内するロープガイドを備えたインフレータブルボートであって、前記ロープガイドは、ボート枠体を形成するチューブ気室の表面に設けられる支持部材と、前記支持部材に回転自在に支持されて外周面に食い込み部が形成される回転体とを有し、前記食い込み部を前記アンカーロープに食い込ませて前記回転体を回転させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のインフレータブルボートは、前記回転体は前記外周面に前記アンカーロープを案内するガイド溝を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発生する見当ずれを個々の印刷ユニットにて見当修正によって抑制する、印刷機、特に枚葉紙オフセット印刷機の運転時に見当ずれを補償する方法において、
測定フェーズ中に、印刷工程中断後の前記見当ずれ（ＰＤ）の推移を、十分な数の枚葉紙にわたって測定し、前記見当ずれの推移を記憶ユニット(１５)に見当修正値（Ｋｉ）として記憶し、印刷中断後に印刷工程を再開する際、前記見当修正値を前記印刷機にて前記見当ずれを補償するのに用いることを特徴とする、見当ずれを補償する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記見当ずれの推移を双曲線関数によって近似し、見当ずれの値を複数の参照値間で相応の内挿法または外挿法によって算出する、請求項３に記載の、見当ずれを補償する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記見当修正値（Ｋi）を、例えば温度、印刷画像、洗浄剤、紙の等級、および／またはインキの種類のような、印刷工程における条件に依存して、合わせて記憶する、請求項１から４のいずれか１項に記載の、見当ずれを補償する方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
印刷中断後に前記見当修正値（Ｋi）を用いたにもかかわらず、発生する前記見当ずれ（ＰＤ）が計測され、これから、印刷工程の、次の中断時に、残りの前記見当ずれ（ＰＤ）を補償するのに用いる、実際の見当修正値(Ｋi’)を算出する、請求項１から６のいずれか１項に記載の、見当ずれを補償する方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の補償方法をより正確なものにするために、測定フェーズにおいて取得したデータ、または様々な影響量のばらつきを、見当修正値の生成時に考慮することができる。したがって、様々な運転温度、紙の等級、インキの種類、湿し水、洗浄剤、印刷画像、および印刷速度に対する、見当修正値の様々なセットを記憶ユニットに記憶することができ、また編集可能とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
印刷中断後の見当の推移は、影響量である印刷速度、紙、ゴムブランケット、インキ、印刷画像(面被覆)、ゴムブランケットの洗浄剤、温度、および中断時間に依存させて取得することもできる。したがって、この補償は、特定のジョブや状況に合わせることがきる。本実施形態の方法は、ゴムブランケットの洗浄を伴わない印刷中断に対しても用いることができるが、この場合には、紙渡しにおける見当の変化はずっと小さくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸心を有する工具本体と、
前記工具本体内で前記軸心に沿い案内されて締結具を打込むピストンと、
壁部を有していて、前記工具本体から軸心方向において前方に延在すると共に発射準備位置へと変位可能な銃口部と、
前記締結具を保持すると共に前記銃口部に連結される端部を有するマガジンと、を備え、
前記銃口部壁部は開口を有し、該開口に停止部がある締結具打込み工具であって、
前記マガジン内に配置されると共に前記マガジンを通して前記銃口部内へと前記締結具を付勢すべく構成された従動部を備えていて、
前記従動部はブロック用表面を有し、該従動部の少なくとも一部は前記マガジンが締結具無し状態に在るときに前記銃口部壁部の開口を貫通し、前記銃口部壁部の前記停止部は前記ブロック用表面に接触して前記銃口部が発射準備位置へと変位されるのを防止する、
締結具打込み工具。
【請求項２】
前記停止部は前記銃口部壁部の前記開口上の表面である、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項３】
前記従動部は前面を有し且つ前記ブロック用表面は前記前面の一部を形成する、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項４】
前記従動部の前面が前記締結具無し状態の間に銃口部壁部を貫通し、
前記ブロック用表面は前記前面の一部を形成し、且つ、
前記停止部は、締結具無し状態の間において前記ブロック用表面に接触して前記銃口部が発射準備位置を取るのを防止する表面を有する、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項５】
前記従動部は、前記締結具無し状態の間において前記銃口部壁部を貫通する締結具接触部分を有する、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項６】
前記マガジンは前記銃口部から側方に延在する、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項７】
当該締結具打込み工具は前記銃口部のためのハウジングを更に備え、
前記銃口部は前記銃口部ハウジングから軸心方向において前方に延在する、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項８】
当該締結具打込み工具は前記工具本体内に同軸的に収納された銃身を更に備え、
前記銃身は前記ピストンを収納かつ案内する、請求項１記載の締結具打込み工具。
【請求項９】
前記ピストンは発射火薬からの爆発力により起動される、請求項１記載の締結具打込み工具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファスナー駆動工具に使用されるマガジンであって、
各々が少なくとも１つのカラーを備えた複数の照合スリーブによりストリップ状に結合された複数のファスナーを有するファスナー組立体と、
前記ファスナー組立体を収容するチャンバーを画定するスライダー及びハウジングと、
前記チャンバー内に配置されて前記ファスナー組立体を付勢するフォロアーと、を有し、
前記スライダーは、前記ファスナー組立体を装填する開位置と閉位置との間で前記ハウジングに摺動式に係合し、
前記スライダーは、前記チャンバー内に配置されて前記ファスナー組立体を案内する長手方向ガイド部材を有し、該長手方向ガイド部材は、前記スライダーが前記閉位置にあるときに、前記ファスナー組立体が前記チャンバー内で歪むことを防止するために前記照合スリーブの前記カラーの後方への移動を阻止する、
マガジン。
【請求項２】
前記スライダーは、マガジンを閉じるために前記ハウジングに対して付勢される脚部を備えたラッチを有する、請求項１に記載のマガジン。
【請求項３】
前記ラッチがユーザーに押されたときに該ラッチの前記脚部と前記ハウジングとの係合が解除される、請求項２に記載のマガジン。
【請求項４】
前記照合スリーブはヘッドカラー及び先端カラーを備える、請求項１に記載のマガジン。
【請求項５】
前記長手方向ガイド部材は、前記ヘッドカラー及び前記先端カラーの一方に向かって前記スライダーから内側に延びる２つのフィンガーを有する、請求項４に記載のマガジン。
【請求項６】
前記フィンガーは前記先端カラーの移動を阻止する、請求項５に記載のマガジン。
【請求項７】
前記マガジンは前部及び後部を有し、前記ハウジングが前記前部を有し、前記スライダーが前記後部を有する、請求項１に記載のマガジン。
【請求項８】
前記照合スリーブの各々はヘッドカラー及び先端カラーを有し、前記長手方向ガイド部材は、前記ヘッドカラー及び前記先端カラーの一方の、前記長手方向ガイド部材に対向する面から約０．７６ｍｍ離れて配置される、請求項１に記載のマガジン。
【請求項９】
ファスナー駆動工具に使用されるマガジンであって、
各々が少なくとも１つのカラーを備えた複数の照合スリーブによりストリップ状に結合された複数のファスナーを有するファスナー組立体と、
前記ファスナー組立体を収容するチャンバーを画定するスライダー及びハウジングと、
前記チャンバー内の前記ファスナー組立体を付勢する付勢手段と、
前記ファスナー組立体を案内するガイド手段と、を有し、
前記スライダーは、前記ファスナー組立体を装填する開位置と閉位置との間で前記ハウジングに摺動式に係合し、
前記ガイド手段は、前記スライダーが前記閉位置にあるときに、前記ファスナー組立体が歪むこと及び前記スライダーに向かって後方に移動することを防止するために前記照合スリーブの前記カラーの移動を阻止する、
マガジン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置及び画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク滴を吐出するヘッドの駆動条件を検出温度に基づいて変更する手段を備えたインクジェット記録装置において、用紙単位で前記検出温度に基づく駆動条件の変更を行うとともに、この検出温度に基づく駆動条件の切替にヒステリシスがあることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
請求項１に記載のインクジェット記録装置において、前記ヒステリシスの幅は温度補償ステップ幅の１／４〜３／４倍の範囲内であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録装置において、一用紙印写内で複数回の温度検出を行い、検出温度が温度補償ステップの２ステップ以上変化した場合には報知する手段を備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のインクジェット記録装置において、前記ヘッドのキャッピングを解除して印写を開始するときには、ヒステリシスを持たない境界で温度補償ステップを決定することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のインクジェット記録装置において、画質保証温度範囲より低温の領域では前記ヘッドから吐出させるインク滴の体積Ｍｊが小さくなる駆動条件に設定することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のインクジェット記録装置において、前記ヘッドは電気機械変換素子によって前記ノズルが連通する加圧室のインクを加圧するものであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項７】
滴を吐出するヘッドの駆動条件を検出温度に基づいて変更する手段を備えた画像形成装置において、用紙単位で前記検出温度に基づく駆動条件の変更を行うとともに、この検出温度に基づく駆動条件の切替にヒステリシスがあることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はインクジェット記録装置及び画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、環境温度に依らず安定した滴吐出を行え、温度補償が容易なインクジェット記録装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るインクジェット記録装置、画像形成装置は、用紙単位で検出温度に基づく駆動条件の変更を行うとともに、この検出温度に基づく駆動条件の切替にヒステリシスがある構成としたものである。なお、本明細書において、「用紙」とは材質が紙であるものに限るものではなく、滴を付着させて画像を記録する媒体を意味し、例えば、紙以外にも布、ＯＨＰなどのフィルムを含むものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明に係る画像形成装置としてのインクジェット記録装置の機構部の概略斜視説明図、図２は同機構部の側面説明図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
また、図１１に示すように、５℃未満は更に急激に粘度が上昇する。よって、５℃〜２℃、２℃未満というように、低温画質保証範囲外に温度補償ステップを増やして、インク滴量Ｍｊを段階的に少なくすることが好ましい。
なお、前述したようにプリンタ、ファクシミリ、複写装置、プロッタ等の画像形成装置にも本発明を適用することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るインクジェット記録装置、画像形成装置によれば、温度補償の切替にヒステリシスを設け、用紙単位で温度補償を行うようにしたので、用紙内で濃度が変わるような画質劣化がなく、簡単な制御で環境温度変化に対して安定した滴を吐出させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置、画像形成装置、液滴を吐出する装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルが連通する液室の壁面を構成する振動板に薄膜圧電体設けて、前記振動板を変形させることで液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、前記薄膜圧電体の厚さが５ｍｍ以下であり、かつ、前記振動板の短辺幅が１６０μｍ以下であることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の厚さが３μｍ以下であることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の長辺幅と短辺幅の比（長辺幅／短辺幅）が２０未満であることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板は少なくとも引張り応力の膜を含むことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記薄膜圧電体の短辺幅は前記振動板の短辺幅よりも短いことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドにおいて、インクを供給するインクタンクが一体化されていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項７】
インク滴を吐出するインクジェットヘッドを搭載するインクジェット記録装置において、前記インクジェットヘッドが前記請求項１ないし６のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項８】
液滴吐出ヘッドを備えた画像形成装置において、前記請求項１ないし６のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを備えていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
液滴吐出ヘッドから液滴を吐出する装置において、前記請求項１ないし６のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを備えていることを特徴とする液滴を吐出する装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置、画像形成装置、液滴を吐出する装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、低電圧駆動が可能で、高い滴吐出効率が得られ、高画質記録に適した液滴吐出ヘッド及び高画質記録が可能インクジェット記録装置、及び画像形成装置、高い滴吐出効率が得られる液滴を吐出する装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係るインクジェット記録装置、画像形成装置及び液滴を吐出する装置は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次に、本発明に係る液滴吐出ヘッドを搭載した本発明に係る液滴を吐出する装置を含む、画像形成装置としてのインクジェット記録装置の一例について図１３及び図１４を参照して説明する。なお、図１３は同記録装置の斜視説明図、図１４は同記録装置の機構部の側面説明図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
なお、上記実施形態においては、液滴吐出ヘッドとしてインクジェットヘッドに適用した例で説明したが、インクジェットヘッド以外の液滴吐出ヘッドとして、例えば、液体レジストを液滴として吐出する液滴吐出ヘッド、ＤＮＡの試料を液滴として吐出する液滴吐出ヘッドなどの他の液滴吐出ヘッドにも適用できる。また、前述したようにプリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像形成装置及び液滴を吐出する装置にも本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置によれば、本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えているので、高画質記録を行うことができる。また、本発明に係る液滴を吐出する装置によれば、本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えているので、高い吐出効率で液滴を吐出できる。