【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置であって、前記基板に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した半導体層とを有し、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する窒素の組成比は０．６以上１．５以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する窒素の組成比は０．０１以上０．４以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置であって、前記基板に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した半導体層とを有し、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素濃度は５５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ＴＦＴは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記ＴＦＴは、Ｓ値が０．１０Ｖ／ｄｅｃ以上０．３０Ｖ／ｄｅｃ以下の値を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ＴＦＴのゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ＴＦＴのゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層（Ａ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層（Ｂ）とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ＴＦＴのゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺に設けた駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一の基板上に備えた半導体装置であって、前記基板に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを有し、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する窒素の組成比は０．６以上１．５以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する窒素の組成比は０．０１以上０．４以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺に設けた駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一の基板上に備えた半導体装置であって、前記基板に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して形成した酸化窒化シリコン膜（Ｂ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に形成した前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを有し、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素濃度は５５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記画素ＴＦＴは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記画素ＴＦＴのＳ値が０．１０Ｖ／ｄｅｃ以上０．３０Ｖ／ｄｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７または請求項８において、前記画素ＴＦＴは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記画素ＴＦＴのしきい値電圧が０．５Ｖ以上２．５Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７または請求項８において、前記画素ＴＦＴは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記画素ＴＦＴは、電界効果移動度が１２０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上２５０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７または請求項８において、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとは、Ｓ値が０．１０Ｖ／ｄｅｃ以上０．３０Ｖ／ｄｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７または請求項８において、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧が０．５Ｖ以上２．５Ｖ以下であって、前記駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧が−０．５Ｖ以上−２．５Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項７または請求項８において、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとは、ゲート絶縁膜の厚さが４０〜１５０ｎｍであり、少なくともチャネル形成領域の半導体層の厚さが２５〜８０ｎｍであって、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴの電界効果移動度は１２０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上２５０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以下であって、前記駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴの電界効果移動度は８０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上１５０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのそれぞれのゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのそれぞれのゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層（Ａ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層（Ｂ）とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのそれぞれのゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する水素の組成比は０．３以上１．５以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する水素の組成比は０．００１以上０．１５以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の水素濃度は１０ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の水素濃度は０．１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）は、密度が８×１０２２／ｃｍ３以上２×１０２３／ｃｍ３以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）は、密度が６×１０２２／ｃｍ３以上９×１０２２／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）は、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１５．４％含む混合水溶液の２０℃におけるエッチング速度が、４０ｎｍ／ｍｉｎ以上７０ｎｍ／ｍｉｎ以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）は、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１５．４％含む混合水溶液の２０℃におけるエッチング速度が、９０ｎｍ／ｍｉｎ以上１３０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の厚さが１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の厚さが１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記基板に密接して酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して酸化窒化シリコン膜（Ｂ）を形成し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する窒素の組成比は０．６以上１．５以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する窒素の組成比は０．０１以上０．４以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
前記基板に密接して酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して酸化窒化シリコン膜（Ｂ）を形成し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素濃度は５５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２４または請求項２５において、前記ゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２４または請求項２５において、前記ゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層（Ａ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層（Ｂ）とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２４または請求項２５において、前記ゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層から形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２６乃至請求項２８のいずれか一項において、前記ゲート電極を形成した後に、５００℃以上７００℃以下の温度で熱アニールを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺に設けた駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一の基板上に備えた半導体装置の作製方法において、
前記基板に密接して酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して酸化窒化シリコン膜（Ｂ）を形成する工程と、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを形成する工程とを有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する窒素の組成比は０．６以上１．５以下で形成し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する窒素の組成比は０．０１以上０．４以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
画素部に設けた画素ＴＦＴと、該画素部の周辺に設けた駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一の基板上に備えた半導体装置の作製方法において、
前記基板に密接して酸化窒化シリコン膜（Ａ）と、該酸化窒化シリコン膜（Ａ）に密接して酸化窒化シリコン膜（Ｂ）を形成する工程と、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）上に、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを形成する工程とを有し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は２０ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下で形成し、
前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素濃度は５５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、窒素濃度は１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項３０または請求項３１において、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとのゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項３０または請求項３１において、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとのゲート電極は、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化モリブデンから選ばれた一種を成分とする導電層（Ａ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層（Ｂ）とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項３０または請求項３１において、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた一種または複数種を成分とする導電層から形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項３２乃至請求項３４のいずれか一項において、前記ゲート電極を形成した後に、５００℃以上７００℃以下の温度で熱アニールを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
請求項２４乃至請求項３５のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の酸素に対する水素の組成比は０．３以上１．５以下で形成し、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の酸素に対する水素の組成比は０．００１以上０．１５以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３７】
請求項２４乃至請求項３５のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の水素濃度は１０ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下で形成し、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の水素濃度は０．１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３８】
請求項２４乃至請求項３５のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）は、密度が８×１０２２／ｃｍ３以上２×１０２３／ｃｍ３以下で形成し、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）は、密度が６×１０２２／ｃｍ３以上９×１０２２／ｃｍ３以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３９】
請求項２４乃至請求項３５のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）は、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１５．４％含むの混合水溶液の２０℃におけるエッチング速度が、４０ｎｍ／ｍｉｎ以上７０ｎｍ／ｍｉｎ以下となるように形成し、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）は、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を１５．４％含むの混合水溶液の２０℃におけるエッチング速度が、９０ｎｍ／ｍｉｎ以上１３０ｎｍ／ｍｉｎ以下となるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４０】
請求項２４乃至請求項３５のいずれか一項において、前記酸化窒化シリコン膜（Ａ）の厚さが１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下で形成し、前記酸化窒化シリコン膜（Ｂ）の厚さが１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４１】
請求項２４乃至請求項４０のいずれか一項において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置の作製方法。