Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面に微細凹凸形状が形成された外周面を持つ円筒形状型の前記外周面と透光性基材の一方の面との間に活性エネルギー線硬化性組成物を供給して前記型と前記透光性基材との間に組成物層を形成し、前記透光性基材を通して活性エネルギー線を照射して前記組成物層を硬化し賦形して前記微細凹凸形状に対応する形状を持ち活性エネルギー線硬化樹脂からなる凹凸部を形成し、該凹凸部及び前記透光性基材を一体として前記型から離型することにより、表面に前記凹凸部を備えた光学シートを連続して製造するのに利用される前記円筒形状型を洗浄する方法であって、
前記型を少なくとも起泡剤とノニオン系界面活性剤と金属イオン封鎖剤とを含む洗浄剤で洗浄することを特徴とする、光学シート製造用円筒形状型の洗浄方法。
【請求項２】  前記型を前記洗浄剤中に浸漬し及び／または洗浄剤を掛け流す第１の洗浄剤処理工程と、
該第１の洗浄剤処理工程の後に、前記型に対してメタノールを掛け流すメタノール処理工程と、
該メタノール処理工程の後に、前記型を前記洗浄剤中に浸漬し及び／または洗浄剤を掛け流す第２の洗浄剤処理工程と、
該第２の洗浄剤処理工程の後に、前記型の表面の残留物を除去する仕上げ処理工程と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の光学シート製造用円筒形状型の洗浄方法。
【請求項３】  前記第１の洗浄処理工程の前に前記型に対してアセトンを掛け流し更にメタノールを掛け流すアセトン・メタノール処理工程を行い、更に、前記第１の洗浄剤処理工程に続いて前記型に対してアセトンを掛け流すアセトン処理工程を行うことを特徴とする、請求項２に記載の光学シート製造用円筒形状型の洗浄方法。
【請求項４】  前記仕上げ処理工程は、前記型に対してノニオン系界面活性剤をシャワーし、続いて純水をシャワーし、続いて純水を掛け流し、続いてエタノールを掛け流し、続いて温風吹き付けにより前記レンズ型を乾燥させるものであることを特徴とする、請求項２または３に記載の光学シート製造用円筒形状型の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一態様においては、前記型を前記洗浄剤中に浸漬し及び／または洗浄剤を掛け流す第１の洗浄剤処理工程と、
該第１の洗浄剤処理工程の後に、前記型に対してメタノールを掛け流すメタノール処理工程と、
該メタノール処理工程の後に、前記型を前記洗浄剤中に浸漬し及び／または洗浄剤を掛け流す第２の洗浄剤処理工程と、
該第２の洗浄剤処理工程の後に、前記型の表面の残留物を除去する仕上げ処理工程と、
を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
動力源を電動モータとするトグル式では、回転運動を直線運動に変換するねじ軸と、そのねじ軸を移動してトグルリンクを屈伸するクロスヘッドとを、型締装置の中心線上に設置している。このためトグルリンクの連結は上下位置に制限されるので、直圧式のようにトグルリンクを受圧盤と可動盤の中央部に連結して加圧することができず、可動盤の上下を加圧している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的によるこの発明は、型置盤と受圧盤とをタイバーにより連結し、そのタイバーに挿通して型置盤に対し進退自在に設けた可動盤と、受圧盤と可動盤の上下位置にトグルリンクを連結して両盤間に設けたトグル機構とからなり、その可動盤の対称位置に複数の金型を取付けたトグル式型締装置において、上記可動盤を、トグルリンクと連結した型締盤と、タイバーに挿通して型締盤に当接した型取付盤とから構成し、その型取付盤と型締盤の当接面を、型取付盤の対称位置に設定した複数の型取付面との対応面に制限して、上下位置のトグルリンクによる型締力を複数の金型に均一に伝達してなるというものであり、上記型取付盤と型締盤の当接面は、両盤の何れか一方又は両方の盤面に形成した平坦な凸面からなるというものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入力アナログ信号とデジタルアナログ変換部の出力の差分を積分器で積分し、この積分した値を１ビットのデジタル信号に変換して前記デジタルアナログ変換部に入力すると共に、前記１ビットのデジタル信号の高周波成分をフィルタによって除去して出力するアナログデジタル変換器において、
疑似ランダム系列信号を発生するノイズ発生部と、
この疑似ランダム信号からディザ信号を生成するディザ発生部と、
このディザ信号と前記入力アナログ信号とを加算して前記積分器に出力する加算器とを備えた
ことを特徴とするアナログデジタル変換器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、入力アナログ信号とデジタルアナログ変換部の出力の差分を積分器で積分し、この積分した値を１ビットのデジタル信号に変換して前記デジタルアナログ変換部に入力すると共に、前記１ビットのデジタル信号の高周波成分をフィルタによって除去して出力するアナログデジタル変換器において、疑似ランダム系列信号を発生するノイズ発生部と、この疑似ランダム信号からディザ信号を生成するディザ発生部と、このディザ信号と前記入力アナログ信号とを加算して前記積分器に出力する加算器とを備えたものである。
入力アナログ信号の周波数によって分解能が低下することがない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１は、本発明を適用したネットワークシステムの構成例を表している。このネットワークシステム１は、端末装置１１、サーバ１３が接続される、例えば、インターネットに代表されるネットワーク１２、ネットワーク１２を介して端末装置１１に接続されるサーバ１３とにより構成される。ネットワークシステム１は、サーバ１３が、ネットワーク１２を介して供給される端末装置１１の要求に基づいて、コンテンツを配信するコンテンツ配信システムである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
なお、図１のネットワークシステム１において、１台の端末装置１１と１台のサーバ１３が、１つのネットワーク１２を介して接続されているように示しているが、端末装置１１およびサーバ１３は、それぞれ複数台により構成されるようにしてもよいし、ネットワーク１２が複数のネットワークであってももちろんよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【図１】本発明のインターホン装置の一実施例を示すブロック図。
【図２】本発明のインターホン装置における伝送路の直流電圧レベルの変化の一例を示す説明図。
【図３】本発明のインターホン装置における伝送路の直流電圧レベルの変化の一例を示す説明図。
【図４】本発明のインターホン装置における伝送路の直流電圧レベルの変化の一例を示す説明図。
【図５】本発明のインターホン装置の他の実施例を示すブロック図。
【図６】図５に示す子機インピーダンスアッパー回路およびミュートタイミング検出回路の一例を示す構成図。
【図７】従来のインターホン装置における伝送路の直流電圧レベルの変化の一例を示す説明図。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上の電磁シールドする必要のある回路が組まれた箇所に取付けられるシールドケースにおいて、
前記回路基板上に固定された側部を有する枠状のシールド部材で形成されて、前記側部の上端からほぼ水平に伸びて所定面積の平面部を有する側板部と、
前記側板部に嵌合して、蓋をすることができる形状のシールド部材で形成された天板部とで構成された
シールドケース。
【請求項２】
請求項１記載のシールドケースにおいて、
前記平面部は、回路基板上のチップ部品を吸着するチップ実装装置で吸着できる面積を有し、前記側板部のほぼ重心となる位置に配置した
シールドケース。
【請求項３】
請求項１記載のシールドケースにおいて、
前記側板部と前記天板部の一方には嵌合用突起を設け、他方には嵌合用孔又は凹部を設けた
シールドケース。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシールドケースが取り付けられた
回路基板。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板が内蔵された
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シールドケース、回路基板及び電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話端末の如き小型の電子機器に内蔵される回路基板に取付けられるシールドケースに適用して好適なシールドケース、及びそのシールドケースが取付けられた回路基板、並びにその回路基板が内蔵された電子機器に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法、及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第２の導電膜材料が混入された組成物を噴出することにより、第２の導電膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により前記第２の導電膜の密着性が向上する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第２の導電膜材料が混入された組成物を噴出することにより、第２の導電膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
前記凹凸形状により第１の導電膜の密着性が向上し、
前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により前記第２の導電膜の密着性が向上する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
ドライエッチング法、フロスト加工法、又はサンドブラスト法により、前記凹凸形状を有する領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
インクジェット法により、前記第１の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
インクジェット法により、前記第２の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜間に電界発光層を形成し、
前記電界発光層を覆うように第２の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により第２の導電膜の密着性が向上する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜間に電界発光層を形成し、
前記電界発光層を覆うように第２の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
前記凹凸形状により前記第１の導電膜の密着性が向上し、
前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により第２の導電膜の密着性が向上する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の導電膜と接続するように第１の電極を形成し、
前記第１の電極と対向するように第２の電極を配置し、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間に液晶層を形成する表示装置の作製方法であって、
前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により前記第２の導電膜の密着性が向上する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
凹凸形状を有する領域に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、導電体が混入された組成物を噴出するにより第２の導電膜を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の導電膜と接続するように第１の電極を形成し、
前記第１の電極と対向するように第２の電極を配置し、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間に液晶層を形成する表示装置の作製方法であって、
前記凹凸形状を有する面と、前記第１の導電膜の上面とにより、自己整合的に前記第２の導電膜を形成し、
前記凹凸形状により前記第１の導電膜の密着性が向上し、
前記絶縁膜は前記第１の導電膜及び前記凹凸形状を沿うように形成され、前記絶縁膜の凹凸形状により、前記第２の導電膜の密着性が向上する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
ドライエッチング法、フロスト加工法、又はサンドブラスト法により、前記凹凸形状を有する領域を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
インクジェット法により、前記第１の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一において、
インクジェット法により、前記第２の導電膜の材料が混入された組成物を噴出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己発光素子に供給する駆動電流量を制御する駆動素子の半導体層を形成する表示装置の製造方法であって、
基板上に成膜されたアモルファスシリコン膜に対して、レーザビームを所定スキャン方向に沿って所定ピッチでずらしながらパルス照射してポリシリコン膜を形成し、
前記所定ピッチよりも大きな所定幅を有するように前記ポリシリコン膜をパターニングし、
前記ポリシリコン膜にチャネル領域を挟んで前記所定スキャン方向とほぼ直交する両側にソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成し、前記チャネル領域は、前記レーザビームを前記チャネル領域の幅方向にスキャンさせて形成した前記ソース領域と前記ドレイン領域とを繋ぐ少なくとも２つの伝導領域を備え、この伝導領域のうち第１伝導領域はレーザビームによる第１ショットで最終形成された第１多結晶領域によって形成され、第２伝導領域は前記第１ショットに続く第２ショットで最終形成された第２多結晶領域によって形成されたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記所定ピッチは、前記チャネル領域の幅の１／２以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
第１色用画素の前記半導体層における前記チャネル領域の幅と各伝導領域の幅との商は、第２色用画素と異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数の画素によって構成された表示エリアを備えた表示装置であって、
前記画素の各々は、自己発光素子と、前記自己発光素子に供給する駆動電流量を制御する駆動素子と、を備え、
前記駆動素子は、ポリシリコン膜からなる半導体層を備えた薄膜トランジスタにより構成され、
前記半導体層におけるソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを繋ぐ前記チャネル領域の幅方向に並存する平均粒径の異なる少なくとも２つの伝導領域を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１色用画素の前記半導体層における前記チャネル領域の幅と各伝導領域の幅との商は、第２色用画素と異なることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記半導体層は、アモルファスシリコン膜にレーザビームをパルス照射してアニールすることによって形成され、
前記伝導領域のそれぞれは、レーザビームによる異なるショットで最終形成されたことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の第１の様態による表示装置の製造方法は、
自己発光素子に供給する駆動電流量を制御する駆動素子の半導体層を形成する表示装置の製造方法であって、
基板上に成膜されたアモルファスシリコン膜に対して、レーザビームを所定スキャン方向に沿って所定ピッチでずらしながらパルス照射してポリシリコン膜を形成し、
前記所定ピッチよりも大きな所定幅を有するように前記ポリシリコン膜をパターニングし、
前記ポリシリコン膜にチャネル領域を挟んで前記所定スキャン方向とほぼ直交する両側にソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成し、前記チャネル領域は、前記レーザビームを前記チャネル領域の幅方向にスキャンさせて形成した前記ソース領域と前記ドレイン領域とを繋ぐ少なくとも２つの伝導領域を備え、この伝導領域のうち第１伝導領域はレーザビームによる第１ショットで最終形成された第１多結晶領域によって形成され、第２伝導領域は前記第１ショットに続く第２ショットで最終形成された第２多結晶領域によって形成されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明の第２の様態による表示装置は、
マトリクス状に配置された複数の画素によって構成された表示エリアを備えた表示装置であって、
前記画素の各々は、自己発光素子と、前記自己発光素子に供給する駆動電流量を制御する駆動素子と、を備え、
前記駆動素子は、ポリシリコン膜からなる半導体層を備えた薄膜トランジスタにより構成され、
前記半導体層におけるソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを繋ぐ前記チャネル領域の幅方向に並存する平均粒径の異なる少なくとも２つの伝導領域を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構造である。すなわち、有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
これにより形成されたポリシリコン膜ｐ−Ｓｉは、図１１に示すように、最終的に照射されたレーザビームによるｎショットで最終形成された多結晶領域Ｎ、同様に、最終的に照射されたレーザビームによる（ｎ＋１）ショットで最終形成された多結晶領域（Ｎ＋１）、最終的に照射されたレーザビームによる（ｎ＋２）ショットで最終形成された多結晶領域（Ｎ＋２）…を有することになる。各多結晶領域の幅ＮＷは、レーザビームの所定ピッチＬＰに対応する。また、各多結晶領域の幅方向は、レーザビームの所定スキャン方向Ｂに一致する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
ところで、カラー有機ＥＬ表示装置の場合、表示色によって人間の目の視認度が異なる。例えば、上述した実施の形態のように、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによってカラー表示を実現する場合、緑色の視認度が他の表示色に比べて高い。このため、緑色画素について（緑色画面を表示した場合）、特に輝度ムラが視認されやすい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
例えば、緑色画素の半導体層２１におけるチャネル領域２１Ｃの幅ＣＷに対して各伝導領域の幅ＮＷを（ＣＷ／３）以下とし、このときの赤色画素及び青色画素の半導体層２１におけるチャネル領域２１Ｃの幅ＣＷに対して各伝導領域の幅ＮＷを（ＣＷ／２）以下とする。このような構成は、緑色画素の半導体層を形成するためのレーザビームの所定ピッチを他の色の場合よりも小さくする、あるいは、緑色画素の半導体層の幅（チャネル領域の幅）を他の色の場合よりも大きくするなどの方法で実現可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極の被形成平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
前記ゲート電極の材料が混入された組成物を滴下することにより、前記ゲート電極の被形成面の前記撥液性の領域直上にゲート電極を形成し、
ソース電極及びドレイン電極の被形成平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
前記ソース電極及びドレイン電極の材料が混入された組成物を滴下することにより、ソース電極及びドレイン電極の被形成面の前記撥液性の領域直上にソース電極及びドレイン電極を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
平坦な基板にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ゲート電極材料が混入された組成物を滴下することにより、前記基板の前記撥液性の領域直上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に一導電型を有する半導体膜を形成し、
前記一導電型を有する半導体膜及び前記ゲート絶縁膜の平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ソース電極及びドレイン電極の材料が混入された組成物を滴下することにより、前記一導電型を有する半導体膜及び前記ゲート絶縁膜の前記撥液性の領域直上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上方のゲート電極の被形成平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
前記ゲート電極材料が混入された組成物を滴下することにより、前記ゲート電極の被形成面の前記撥液性の領域直上に、ゲート電極を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
下地膜にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
マスク材料が混入された組成物を滴下することにより、前記半導体膜の前記撥液性の領域直上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて半導体膜をパターニングし、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ゲート電極材料が混入された組成物を滴下することにより、前記ゲート絶縁膜の前記撥液性直上の領域に、ゲート電極を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
下地膜の平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ソース電極及びドレイン電極の材料が混入された組成物を滴下することにより前記下地膜の前記撥液性の領域直上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にプラズマ処理を行って撥液性とし、
マスク材料が混入された組成物を滴下することにより、前記半導体膜の前記撥液性の領域直上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて半導体膜をパターニングし、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の平坦面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ゲート電極材料が混入された組成物を滴下することにより、前記ゲート絶縁膜の前記撥液性の領域直上にゲート電極を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
ゲート電極の被形成面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
前記ゲート電極の材料が混入された組成物を滴下することにより、前記ゲート電極の被形成面の前記撥液性の領域直上にゲート電極を形成し、
ソース電極及びドレイン電極の被形成面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
前記ソース電極及びドレイン電極の材料が混入された組成物を滴下することにより、ソース電極及びドレイン電極の被形成面の前記撥液性の領域直上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜の面にプラズマ処理を行って、前記層間絶縁膜の表面を撥液性とし、
前記層間絶縁膜に開口部を形成し、
配線材料が混入された組成物を滴下することにより、前記開口部を介して前記ソース電極及びドレイン電極と接続する配線を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
基板にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ゲート電極材料が混入された組成物を滴下することにより、前記基板の前記撥液性の領域直上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に一導電型を有する半導体膜を形成し、
前記一導電型を有する半導体膜及び前記ゲート絶縁膜の面にプラズマ処理を行って撥液性とし、
ソース電極及びドレイン電極の材料が混入された組成物を滴下することにより、前記一導電型を有する半導体膜及び前記ゲート絶縁膜の前記撥液性の領域直上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜の面にプラズマ処理を行って、前記層間絶縁膜の表面を撥液性とし、
前記層間絶縁膜に開口部を形成し、
配線材料が混入された組成物を滴下することにより、前記開口部を介して前記ソース電極及びドレイン電極と接続する配線を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
インクジェット法を用いて前記組成物を滴下することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記プラズマ処理は、プラズマ密度が１×１０１０〜１×１０１４ｍ−３となるプラズマを発生させて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記プラズマ処理により、前記被処理物の表面にＣＦ２結合を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｈ2ガスおよび／またはＮＨ3ガスを用いるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法において、Ｈ2ガスおよび／またはＮＨ3ガス含有雰囲気中でｐ型ドーパント含有ＩＩＩ族窒化物半導体を１０００℃以上で成長させた後、降温しつつ、９００℃以上の温度で且つＩＩＩ族窒化物半導体の成長時の温度から５０℃以上降温させてＨ2ガスおよびＮＨ3ガスを不活性ガスに置換することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
【請求項２】
ＩＩＩ族窒化物半導体の成長時の温度が１０５０℃以上であり、不活性ガスへの置換が１０００℃以上であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
【請求項３】
ＩＩＩ族窒化物半導体がＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（ｘ＝０〜０．５、ｙ＝０〜０．１）であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
【請求項４】
ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体がｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
【請求項５】
基板上に少くともＩＩＩ族窒化物半導体の、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で有し、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接してそれぞれ負極および正極が設けられたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、ｐ型半導体層が請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法で製造されたものであることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を有してなる発光ダイオード。
【請求項７】
請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を有してなるレーザーダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
情報を入力するための入力手段と、
上記情報を表示する表示手段と、
装置本体の傾きを検出する傾き検出手段と、
上記検出手段により検出された傾きに応じて、上記入力手段に対する入力操作に関連する情報を、上記表示手段に表示させる制御手段と
を備えたことを特徴とする通信端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
情報を入力手段により入力するためのステップと、
上記情報を表示手段に表示するステップと、
装置本体の傾きを傾き検出手段により検出するステップと、
上記検出手段により検出された傾きに応じて、上記入力手段に対する入力操作に関連する情報を、制御手段により上記表示手段に表示させるステップと
を備えたことを特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
第１ボンド点上に１次ボンディングを行った後、第２ボンド点上に２次ボンディングを行い、前記第１ボンド点と前記第２ボンド点間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、前記２次ボンディングは、前記第２ボンド点上にワイヤをボンディングして第１ボンディング部を形成する第１ボンディング工程と、キャピラリを上昇及び前記第１ボンド点側に移動させ、その後キャピラリを下降させてワイヤを前記第１ボンディング部上に重ねて接続して第２ボンディング部を形成する第２ボンディング工程と、その後ワイヤを切断する切断工程よりなることを特徴とするワイヤボンディング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の請求項３のワイヤボンディング方法は、第１ボンド点上に１次ボンディングを行った後、第２ボンド点上に２次ボンディングを行い、前記第１ボンド点と前記第２ボンド点間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、前記２次ボンディングは、前記第２ボンド点上にワイヤをボンディングして第１ボンディング部を形成する第１ボンディング工程と、キャピラリを上昇及び前記第１ボンド点側に移動させ、その後キャピラリを下降させてワイヤを前記第１ボンディング部上に重ねて接続して第２ボンディング部を形成する第２ボンディング工程と、その後ワイヤを切断する切断工程よりなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
一方、第２の積層部４６はパルス管２６Ａ,２６Ｂ側に配設されており、複数（本実施例では１０枚）の下部メッシュ部材４４を積層した構成とされている。この下部メッシュ部材４４（以下、第２のメッシュ部材４４という）は、本実施例では前記した第１のメッシュ部材４３よりも網目の細かい、粗さ＃２５０の比較的網目の細かい金網を用いている。しかしながら、第２のメッシュ部材４４の網目の粗さはこれに限定されるものではなく、粗さ＃８０〜＃４００の金網を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物を少なくとも一種含有する感放射線性レジスト組成物。
【請求項２】（ａ）成分が一般式（Ｉ）叉は（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の感放射線性レジスト組成物。
【化１】
2002236358.tif 000001
Ｒ1及びＲ2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は１価の有機基を表す。または、Ｒ1とＲ2とが結合して、ヘテロ原子、多重結合、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−を含有してもよい単環または多環の環構造を形成してもよい。
Ｒ3及びＲ4は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ’は、置換していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換していてもよいアリール基、置換していてもよいアラルキル基、叉は置換していてもよいカンファー基を表す。
Ｘは、水素ラジカル供与性基を有する１価の有機基を表す。また、Ｘは、Ｒ1或いはＲ2と結合して単環または多環の環構造を形成してもよい。
一般式（Ｉ）におけるＹ1は、Ｒ’ＳＯ3−、Ｒ’ＣＯＯ−、又はハロゲン原子を表す。
一般式（II）におけるＹ2-は、非求核アニオンを表す。
Ｒａ及びＲｂは、置換してもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換していてもよいアリール基、叉は置換してもよいアラルキル基を表す。また、Ｒａ及びＲｂが結合して環を形成してもよい。
Ｒ1〜Ｒ4、Ｒａ、Ｒｂ、Ｘ、Ｙ1、Ｙ2-のいずれかの位置で連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）または（II）の構造を２つ有することもできる。
【請求項３】（Ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により、分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物少なくとも１種、及び、
（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項４】（Ｃ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有することを特徴とする請求項２に記載のポジ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項５】（Ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物少なくとも１種
（Ｂ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物、及び、
（Ｄ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項６】（Ａ）カルボニル基を少なくとも１つ有し、活性光線の照射により分子内水素ラジカル移動を伴って分解し、酸を発生する化合物少なくとも１種、
（Ｄ）アルカリ現像液に可溶な樹脂、及び、
（Ｅ）酸架橋剤、
を含有することを特徴とするネガ型感放射線性レジスト組成物。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載の感放射線性レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｄ）、及び（Ｅ）を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｂ）酸発生剤
（Ｃ１）分子内にベンゼン環原子団を３〜１０個含むフェノール誘導体であり、分子量２０００以下、ヒドロキシメチル基及びアルコキシメチル基を分子内にそれぞれ１個以上有し、それらを少なくともいずれかのベンゼン環原子団に結合している、酸の作用により架橋反応を示す架橋剤
（Ｄ）有機塩基性化合物
（Ｅ）有機溶剤
【請求項２】  さらに下記（Ｃ２）及び／又は（Ｃ３）を含有することを特徴とする請求項1記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
（Ｃ２）分子内にベンゼン環原子団を３〜１０個含むフェノール誘導体であり、分子量２０００以下、ヒドロキシメチル基を含まずアルコキシメチル基を分子内に２個以上有し、それらを少なくともいずれかのベンゼン環原子団に結合している、酸の作用により架橋反応を示す架橋剤
（Ｃ３）分子内にベンゼン環原子団を３〜１０個含むフェノール誘導体であり、分子量２０００以下、アルコキシメチル基を含まずヒドロキシメチル基を分子内に２個以上有し、それらを少なくともいずれかのベンゼン環原子団に結合している、酸の作用により架橋反応を示す架橋剤
【請求項３】  （Ｂ）酸発生剤が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のうちのいずれかで示される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化１】
2002236354.tif 000001
〔一般式（Ｉ）〜(III)において、Ｒ1〜Ｒ37は、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ38で示せる基を表す。−Ｓ−Ｒ38中のＲ38は、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ1〜Ｒ38は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ1〜Ｒ15の場合、その中から選択される二つ以上は互いに直接末端で結合しあい、あるいは酸素、イオウ及び窒素から選ばれる元素を介して結合しあって環構造を形成していてもよい。Ｒ16〜Ｒ27の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。Ｒ28〜Ｒ37の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。
Ｘ-は、有機スルホン酸のアニオンを示す〕
【請求項４】  一般式（Ｉ）〜（III）の酸発生剤において、Ｘ-が、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸の中から選ばれた有機スルホン酸のアニオンであり、且つ水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されているか、或いは水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換された有機基で置換されていることを特徴とする請求項３記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  多孔性の軟弱部材を空気配管からの空気吸引により保持する軟弱部材保持装置において、
保持部本体と、保持部本体に取り付けられた吸引枠とを有し、吸引枠は保持する軟弱部材の形状に応じて形成され、軟弱部材を挿入する開口部を除いた５面に、それぞれ複数の吸引穴を有することを特徴とする軟弱部材保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  多孔性の軟弱部材を空気配管からの空気吸引により保持する軟弱部材保持装置において、
保持プレートと、保持プレートの外周面に設けられたガイド枠と、ガイド枠に摺動自在に設けられ、複数の吸引穴を有する吸引板とを有することを特徴とする軟弱部材保持装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る軟弱部材保持装置は、多孔性の軟弱部材を空気配管からの空気吸引により保持する軟弱部材保持装置において、保持部本体と、保持部本体に取り付けられた吸引枠とを有し、吸引枠は保持する軟弱部材の形状に応じて形成され、軟弱部材を挿入する開口部を除いた５面に、それぞれ複数の吸引穴を有し、軟弱部材の貼付面以外の他の全ての面に吸引力を加えて保持することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  予め定めた方向に配列された複数の記録素子と該記録素子を駆動するための駆動回路とが同一の素子基体上に設けられており、前記記録素子が複数のブロック毎に分割駆動されるように構成された記録ヘッドであって、
各記録素子に対応した記録データ及び駆動するブロックを示す符号化されたブロックデータがシリアルに入力される入力端子と、
前記入力端子からシリアルに入力されたデータを１ビットずつ順次シフトして格納するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタに格納されたデータを一時的に保持するラッチと、前記ラッチに保持されたデータのうち、前記符号化されたブロックデータを復号するデコーダと、
前記ラッチから出力された記録データ、前記デコーダから出力された復号されたブロックデータ、及び前記駆動回路の駆動タイミングを規定する駆動信号の３つの信号の論理積を求めるＡＮＤ回路とを備えており、
前記素子基体上において、前記記録素子の列の一端側に、前記入力端子、前記シフトレジスタ、及び前記ラッチが配置されており、前記記録素子の列の他端側に、前記デコーダが配置されていることを特徴とする記録ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記ＡＮＤ回路が、前記３つの信号のうち２つの信号の論理積を求める第１のＡＮＤゲートと、該第１のＡＮＤゲートの出力と前記３つの信号のうちの残りの信号との論理積を求める第２のＡＮＤゲートとを有することを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  予め定めた方向に配列された複数の記録素子と該記録素子を駆動するための駆動回路とが同一の素子基体上に設けられており、前記記録素子が複数のブロック毎に分割駆動されるように構成された記録ヘッド素子基板であって、
各記録素子に対応した記録データと、駆動するブロックを示す符号化されたブロックデータとがシリアルに入力される入力端子と、
前記入力端子からシリアルに入力されたデータを１ビットずつ順次シフトして格納するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタに格納されたデータを一時的に保持するラッチと、
前記ラッチに保持されたデータのうち、前記符号化されたブロックデータを復号するデコーダと、
前記ラッチから出力された記録データ、前記デコーダから出力された復号されたブロックデータ、及び前記駆動回路の駆動タイミングを規定する駆動信号の３つの信号の論理積を求めるＡＮＤ回路とを備えており、
前記素子基体上において、前記記録素子の列の一端側に、前記入力端子、前記シフトレジスタ、及び前記ラッチが配置されており、前記記録素子の列の他端側に、前記デコーダが配置されていることを特徴とする記録ヘッド素子基板。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  予め定めた方向に配列された複数の記録素子と該記録素子を駆動するための駆動回路とが同一の素子基体上に設けられており、前記記録素子が複数のブロック毎に分割駆動されるように構成された記録ヘッドであって、
各記録素子に対応した記録データ及び駆動するブロックを示す符号化されたブロックデータがシリアルに入力される入力端子と、
前記入力端子からシリアルに入力されたデータを１ビットずつ順次シフトして格納するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタに格納されたデータを一時的に保持するラッチと、
前記ラッチに保持されたデータのうち、前記符号化されたブロックデータを復号するデコーダ手段と、
前記ラッチから出力された記録データ、前記デコーダ手段からの出力、及び前記駆動回路の駆動タイミングを規定する駆動信号の論理積を求めるＡＮＤ回路とを備えており、
前記デコーダ手段が、前記符号化されたブロックデータを部分的に復号した信号を出力し、
前記ＡＮＤ回路において、前記部分的に復号した信号を用いて駆動するブロックを決定するように構成されていることを特徴とする記録ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記ＡＮＤ回路が、前記記録データ、前記デコーダ手段からの出力、及び前記駆動回路の駆動タイミングを規定する駆動信号のうちの２つの論理積を求める第１のＡＮＤゲートと、該第１のＡＮＤゲートの出力と選択されなかった残りの信号との論理積を求める第２のＡＮＤゲートとを有することを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】  予め定めた方向に配列された複数の記録素子と該記録素子を駆動するための駆動回路とが同一の素子基体上に設けられており、前記記録素子が複数のブロック毎に分割駆動されるように構成された記録ヘッド素子基板であって、
各記録素子に対応した記録データ及び駆動するブロックを示す符号化されたブロックデータがシリアルに入力される入力端子と、
前記入力端子からシリアルに入力されたデータを１ビットずつ順次シフトして格納するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタに格納されたデータを一時的に保持するラッチと、
前記ラッチに保持されたデータのうち、前記符号化されたブロックデータを復号するデコーダ手段と、
前記ラッチから出力された記録データ、前記デコーダ手段からの出力、及び前記駆動回路の駆動タイミングを規定する駆動信号の論理積を求めるＡＮＤ回路とを備えており、
前記デコーダ手段が、前記符号化されたブロックデータを部分的に復号した信号を出力し、
前記ＡＮＤ回路において、前記部分的に復号した信号を用いて駆動するブロックを決定するように構成されていることを特徴とする記録ヘッド素子基板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  樹脂封止領域と、上記樹脂封止領域の周縁部のうち封止金型によってクランプされるクランプ領域と、上記樹脂封止領域の周縁部のうちクランプされない非クランプ領域とを有する基材と、
上記基材の上面の上に搭載された半導体装置と、
上記基材の上面の上に設けられた外部接続用の端子と、
上記基材の上面の上に設けられ、上記半導体装置と上記端子とを互いに接続する配線と、
上記半導体装置を封止する樹脂とを備え、
上記端子は、上記樹脂封止領域、上記クランプ領域、および上記非クランプ領域以外の領域に設けられていることを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項２】  請求項１に記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記配線は、上記基材の上面の上において非クランプ領域を経由して設けられていることを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項３】  請求項２に記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記基材の上面の上記非クランプ領域は、封止金型の樹脂注入ゲート部またはエアベント部に対応する領域であることを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項４】  請求項１から３のいずれか１つに記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記基材の上面の上には、少なくとも１層の内層配線と、その上の絶縁層とが設けられており、
上記半導体装置は上記絶縁層の上に設けられ、
上記配線のうち上記周縁部に位置する部分は内層配線であることを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項５】  請求項１または２に記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記樹脂封止領域の周縁部のうち配線が設けられていない領域には、ベタパターンが設けられていることを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項６】  請求項５に記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記ベタパターンの上面は、上記配線の上面以上の高さに位置することを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項７】  請求項６に記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記ベタパターンは電源配線またはグランド配線として機能することを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項８】  請求項１に記載のＩＣカード用モジュールにおいて、
上記基材の下面上に設けられたもう１つの半導体装置と、上記もう１つの半導体装置と上記端子とを接続する配線と、上記もう１つの半導体装置を封止する樹脂とを備えることを特徴とするＩＣカード用モジュール。
【請求項９】  樹脂封止領域と、上記樹脂封止領域の周縁部のうち封止金型によってクランプされるクランプ領域と、上記樹脂封止領域の周縁部のうちクランプされない非クランプ領域とを有する基材と、
上記基材の上面の上に設けられ、半導体装置が接続される接続用ランドと、
上記基材の上面の上に設けられた外部接続用の端子と、
上記基材の上面の上に設けられ、上記接続用ランドと上記端子とを互いに接続する配線とを備え、
上記端子は、上記樹脂封止領域、上記クランプ領域、および上記非クランプ領域以外の領域に設けられ、
上記配線は、上記基材の上面の上において非クランプ領域を経由して設けられていることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１０】  請求項９に記載のプリント配線基板において、
上記基材の上面の上記非クランプ領域は、封止金型の樹脂注入ゲート部またはエアベント部に対応する領域であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１１】  請求項９または１０に記載のプリント配線基板において、
上記樹脂封止領域の周縁部のうち配線が設けられていない領域には、ベタパターンが設けられていることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１２】  請求項１１に記載のプリント配線基板において、
上記ベタパターンの上面は、上記配線の上面以上の高さに位置することを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１３】  請求項９から１２のいずれか１つに記載のプリント配線基板において、
上記基材の上面の上には、少なくとも１層の内層配線と、その上の絶縁層とが設けられており、
上記半導体装置は上記絶縁層の上に設けられ、
上記配線のうち上記周縁部に位置する部分は内層配線であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１４】  樹脂封止領域と、上記樹脂封止領域の周縁部のうち封止金型によってクランプされるクランプ領域と、上記樹脂封止領域の周縁部のうちクランプされない非クランプ領域とを有する基材と、上記基材の上面の上に設けられ、半導体装置が接続される接続用ランドと、上記基材の上面の上に設けられた外部接続用の端子と、上記基材の上面の上に設けられ、上記接続用ランドと上記端子とを互いに接続する配線とを備え、上記端子は、上記樹脂封止領域、上記クランプ領域、および上記非クランプ領域以外の領域に設けられ、上記配線は、上記基材の上面の上において非クランプ領域を経由して設けられているプリント配線基板を用意する工程（ａ）と、
上記半導体装置を上記基材上に固定し、樹脂封止領域内に搭載する工程（ｂ）と、
上記半導体装置と上記接続用ランドとを導体部材により互いに接続する工程（ｃ）と、
上記プリント配線基板を封止金型でクランプし、上記半導体装置を樹脂封止する工程（ｄ）と、
を備えるＩＣカード用モジュールの製造方法。
【請求項１５】  請求項１４に記載のＩＣカード用モジュールの製造方法において、
上記工程（ａ）では、上記基材の上面の上記非クランプ領域が、封止金型の樹脂注入ゲート部またはエアベント部に対応する領域であるプリント配線基板を用意することを特徴とするＩＣカード用モジュールの製造方法。
【請求項１６】  半導体装置と、
前記半導体装置を搭載し、前記半導体装置を設けた領域とは別の領域に外部接続用端子を設ける基材と、
少なくとも前記基材のうち前記半導体装置を搭載する領域及び前記半導体装置を収納するケースと、を備え、
前記外部接続端子を設けた領域における基材の幅は、前記半導体装置を搭載する領域における基材の幅よりも大きいことを特徴とするＩＣカード用モジュール。