【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む多重量子井戸構造であり、
前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、
Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前記活性層との間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】 前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】 前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】 前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有する請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の窒化半導体素子。
【請求項５】 前記ｎ側第１多層膜層と前記基板側との間に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有する請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】 前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されてなることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】 前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成してなる請求項６に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む多重量子井戸構造であり、
前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層とアンドープの窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、
第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前記活性層との間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項９】 前記ｎ側第１多層膜は、同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】 前記ｎ側第２多層膜における第１の窒化物半導体層は、Ｉｎを含有することを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】 前記ｎ側第２多層膜における第１の窒化物半導体層、及び／又は第２の窒化物半導体層は、アンドープの窒化物半導体層であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】 前記ｎ側第２多層膜は、ｎ側第１多層膜とは異なる組成の窒化物半導体層を有する請求項８〜１１のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記（１）〜（７）、（１５）〜（１９）の構成により本発明の目的を達成したものである。
（１）基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前記活性層との間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
（２）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする（１）記載の窒化物半導体素子。
（３）前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層を含むことを特徴とする（１）記載の窒化物半導体素子。
（４）前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有する（１）〜（３）のうちのいずれか１つに記載の窒化半導体素子。
（５）前記ｎ側第１多層膜層と前記基板側との間に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有する（１）〜（４）のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
（６）前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されてなることを特徴とする（５）に記載の窒化物半導体素子。
（７）前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成してなる（６）に記載の窒化物半導体素子。また、本発明の目的は以下のようにしても達成することができる。
（８） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる多重量子井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なり且つ互いにｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層とが積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
（９） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる多重量子井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
（１０） 前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有することを特徴とする前記（８）又は（９）に記載の窒化物半導体素子。
（１１） 前記ｎ側窒化物半導体層に、前記ｎ側第１多層膜層（変調ドープ層）より基板側に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有することを特徴とする前記（８）〜（１０）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（１２） 前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されてなることを特徴とする前記（８）〜（１１）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（１３） 前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成してなることを特徴とする前記（８）〜（１２）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（１４） 前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト層、及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μｍであることを特徴とする（８）〜（１３）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（１５） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層とアンドープの窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、
第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前記活性層との間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
（１６） 前記ｎ側第１多層膜は、同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする（１５）に記載の窒化物半導体素子。
（１７） 前記ｎ側第２多層膜における第１の窒化物半導体層は、Ｉｎを含有することを特徴とする（１５）に記載の窒化物半導体素子。
（１８） 前記ｎ側第２多層膜における第１の窒化物半導体層、及び／又は第２の窒化物半導体層は、アンドープの窒化物半導体層であることを特徴とする（１５）に記載の窒化物半導体素子。
（１９） 前記ｎ側第２多層膜は、ｎ側第１多層膜とは異なる組成の窒化物半導体層を有する（１５）〜（１８）のうちのいずれかに記載の窒化物半導体素子。