Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  固定部に対して対物レンズを有する可動部を固定部又は可動部側の端部がハの字状に開くように対物レンズをはさんで可動部の両側面に配置されたサスペンションによって支持され、可動部の上記サスペンションが延出された側（以下、「イン側」という。）の側面と、これと対物レンズを挟んで対向する側（以下、「アウト側」という。）の側面とにトラッキングコイルがそれぞれ配設され、これらトラッキングコイルが各別の磁気回路内に配置されて構成される２ヶ所の推力発生部を備えた対物レンズ駆動装置であって、
上記２ヶ所の推力発生部のうちハの字状のサスペンションが広がる側に位置する推力発生部による推力を他方の推力発生部による推力よりも大きくした
ことを特徴とする対物レンズ駆動装置。
【請求項２】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、トラッキングコイルのターン数を異ならせた
ことを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項３】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、磁気回路を構成するマグネットの磁力を異ならせた
ことを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項４】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、磁気回路を構成するマグネットの磁力を異ならせた
ことを特徴とする請求項２に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項５】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、磁気回路を構成するマグネットとヨークとの間の間隙（ギャップ）を、２ヶ所の推力発生部で異ならせた
ことを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項６】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、磁気回路を構成するマグネットとヨークとの間の間隙（ギャップ）を、２ヶ所の推力発生部で異ならせた
ことを特徴とする請求項２に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項７】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、磁気回路を構成するマグネットとヨークとの間の間隙（ギャップ）を、２ヶ所の推力発生部で異ならせた
ことを特徴とする請求項３に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項８】  ２ヶ所の推力発生部の推力を異ならせるために、磁気回路を構成するマグネットとヨークとの間の間隙（ギャップ）を、２ヶ所の推力発生部で異ならせた
ことを特徴とする請求項４に記載の対物レンズ駆動装置。
【請求項９】  光ディスクに対して情報の記録及び／又は再生を行う光ディスクドライブ装置であって、
光ディスクを回転させるスピンドルモータ、
光ディスクに対して光を照射すると共にその反射光を検出する光ピックアップ及び光ピックアップを光ディスクの半径方向に移動させるスレッド機構を備え、
上記光ピックアップは、光を光ディスクに照射する対物レンズを光ディスクに対して離接するフォーカス方向及び光ディスクの記録トラックを横切るトラック方向に移動させる対物レンズ駆動装置を有し、
上記対物レンズ駆動装置は、固定部に対して対物レンズを有する可動部を固定部又は可動部側の端部がハの字状に開くように対物レンズをはさんで可動部の両側面に配置されたサスペンションによって支持され、可動部の上記サスペンションが延出された側（以下、「イン側」という。）の側面と、これと対物レンズを挟んで対向する側（以下、「アウト側」という。）の側面とにトラッキングコイルがそれぞれ配設され、これらトラッキングコイルが各別の磁気回路内に配置されて２ヶ所の推力発生部が各別に構成されており、これら２ヶ所の推力発生部のうちハの字状のサスペンションが広がる側に位置する推力発生部による推力を他方の推力発生部による推力よりも大きくした
ことを特徴とする光ディスクドライブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
以上に記載したところから明らかなように、本発明対物レンズ駆動装置は、固定部に対して対物レンズを有する可動部を固定部又は可動部側の端部がハの字状に開くように対物レンズをはさんで可動部の両側面に配置されたサスペンションによって支持され、可動部のイン側の側面とアウト側の側面とにトラッキングコイルがそれぞれ配設され、これらトラッキングコイルが各別の磁気回路内に配置されて構成される２ヶ所の推力発生部を備えた対物レンズ駆動装置であって、上記２ヶ所の推力発生部のうちハの字状のサスペンションが広がる側に位置する推力発生部による推力を他方の推力発生部による推力よりも大きくしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本発明光ディスクドライブ装置は、光ディスクに対して情報の記録及び／又は再生を行う光ディスクドライブ装置であって、光ディスクを回転させるスピンドルモータ、光ディスクに対して光を照射すると共にその反射光を検出する光ピックアップ及び光ピックアップを光ディスクの半径方向に移動させるスレッド機構を備え、上記光ピックアップは、光を光ディスクに照射する対物レンズを光ディスクに対して離接するフォーカス方向及び光ディスクの記録トラックを横切るトラック方向に移動させる対物レンズ駆動装置を有し、上記対物レンズ駆動装置は、固定部に対して対物レンズを有する可動部を固定部又は可動部側の端部がハの字状に開くように対物レンズをはさんで可動部の両側面に配置されたサスペンションによって支持され、可動部のイン側の側面とアウト側の側面とにトラッキングコイルがそれぞれ配設され、これらトラッキングコイルが各別の磁気回路内に配置されて２ヶ所の推力発生部が各別に構成されており、これら２ヶ所の推力発生部のうちハの字状のサスペンションが広がる側に位置する推力発生部による推力を他方の推力発生部による推力よりも大きくしたしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に設けられた検知回路を収容しかつ円筒状の検知ヘッドを有するケースと、前記検知ヘッドにはめ込まれたリング状のシール材を有し、前記ケースの前記検知ヘッドが形成される面に、前記検知ヘッドが現像剤槽に挿入されて前記シール材が前記ケースと現像剤槽との間で密着したときに現像剤槽に当接する突起状支持部を設けるとともに、前記検知ヘッドと前記突起状支持部との間の一ヶ所で前記ケースを前記現像剤槽にネジ止めすることを特徴とするトナーセンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、トナーセンサのケースの検知ヘッドが形成される面にシール材の厚さと同等の高さを有する突起状支持部を設け、検知ヘッドと突起状支持部との間でトナーセンサを現像剤槽にネジ止めすることで上記課題を解決できることを見出した。これにより、１個の固定部材（ネジ）でトナーセンサの固定が可能となるだけでなく、トナーの漏れ止めのためのネジの締め付け調整が容易となり、部品点数の削減と取り付け工数の低減が図れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図５に、別の実施例を示す。この例では、支持部５ａの形状を、丸い山状としている。現像剤槽に支持部が接する部分が少ないため、ネジの締め付け効果の向上が図れる。この支持部の形状も丸い山形状にはこだわらず、例えば三角錘又は四角錘でもよく、また、点に限らずケース２の横幅方向に延びていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  重合法により得られたトナーを乾燥するための乾燥機本体と、該乾燥機本体の内部圧力を計測するための圧力計測素子と、該乾燥機本体の内部に放出可能な消火剤を収納するタンクとを備えた乾燥装置を有することを特徴とするトナーの製造装置。
【請求項２】  圧力計測素子を複数有していることを特徴とする請求項１に記載のトナーの製造装置。
【請求項３】  消火剤を収納するタンクを複数有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のトナーの製造装置。
【請求項４】  該乾燥機本体が流動層乾燥機であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のトナーの製造装置。
【請求項５】  該流動層乾燥機の内部圧力を一定値に制御する制御手段を有することを特徴とする請求項４に記載のトナーの製造装置。
【請求項６】  該流動層乾燥機の内部圧力は、相対圧力で３．５ｋＰａ以下の一定値に制御されることを特徴とする請求項５に記載のトナーの製造装置。
【請求項７】  重合法により得られたトナーを、請求項１乃至６のいずれかに記載のトナーの製造装置で乾燥することを特徴とするトナーの製造方法。
【請求項８】  重合法が懸濁重合であることを特徴とする請求項７に記載のトナーの製造方法。
【請求項９】  重合法により得られたトナーの最小着火エネルギーが５０ｍＪ以下であることを特徴とする請求項７又は８に記載のトナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段及び作用】
本発明は、重合法により得られたトナーを乾燥するための乾燥機本体と、該乾燥機本体の内部圧力を計測するための圧力計測素子と、該乾燥機本体の内部に放出可能な消火剤を収納するタンクとを備えた乾燥装置を有することを特徴とするトナーの製造装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これに対し、本発明の爆発圧力を感知して、消火剤を放出するシステムでは、万が一の粉塵爆発に対しても作業者や機器に損傷を与えることなく確実に対応することが可能である。勿論、本発明は従来の対策、すなわち、不活性ガスによる置換や爆発放散口との併用も可能であり、特に、不活性ガスによる置換との併用が有効である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、この上昇した圧力が乾燥機の耐圧を超える前に、図２に示す如く消火剤を乾燥機内に放出すれば、乾燥機及び周囲の作業者や機器類を損傷することなく爆発を抑止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
更にまた、乾燥機内に放出する消火剤を収納するタンクも複数個設置することが好ましい。該収納タンクはより爆発中心に近く設置することが望ましいが、乾燥機内の爆発がどこで生じるかが予測不能なため、該収納タンクを複数個設置することで、乾燥機内のいかなる場所で粉塵爆発が発生しても、爆発中心と最近タンクとの距離を短く設定することが可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
以上説明したように、乾燥機での乾燥中は常に乾燥機内の圧力を監視し、異常な圧力上昇を感知した場合は速やかに消火剤収納タンクより消火剤を乾燥機内部に放出するシステムを組むことで、万が一、粉塵爆発が生じた場合でも乾燥機外の作業者や機器はもちろん、乾燥機そのものにも損傷を与えることなく被害を最小限にとどめることできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
また、乾燥中の乾燥機内の酸素濃度は５％であったため、粉塵爆発は発生せず消火剤の放出も起きなかった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
３時間の乾燥時間を予定していたが、１時間経過時点で乾燥機内の圧力が上昇し始め、相対圧力で３．５ｋＰａを超えたため、この時点で圧力検出素子が圧力異常と判断し消火剤が放出されたため乾燥機の運転を中止した。乾燥機内は消火剤で汚染されたが、乾燥機の破損は見られなかった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
＜比較例＞
実施例１と同様に湿潤着色粒子Ａを作製し、圧力計測素子と消火剤を収納するタンクの代わりに爆発放散口を備えている流動層乾燥機を用いたこと以外は実施例２と同様に乾燥を行なった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明を説明するための流動層乾燥機の概略フロー図である。
【図２】
乾燥機内の粉塵爆発による圧力上昇の様子を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１  流動層乾燥機本体
２  バグフィルタ
３  原料投入口
４  排出口
５  吸込みブロア
６  排気ブロア
７  凝縮器
８  熱交換器
９  入気ダンパ
１０  不活性ガス導入口
１１  排気ダンパ
１２  目皿板
１３  入気口
１４  流量調節バルブ
１５  消火剤収納タンク
１６  圧力検出素子
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001134016.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】個人認証識別方式、認証方法、認証装置及び携帯電話
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】人の身体に、キャラクターまたは図柄をペイントして、読み取り装置によってパターン認識して本人である事を確認する個人認証識別方式。
【請求項２】請求項１の個人認証識別方式において、身体へのペイントはキャラクター、図柄の描かれたシールを身体に貼付して個人を確認する、個人認証識別方式。
【請求項３】請求項１の個人認証識別方式においてキャラクター、図柄の部分に、バーコードを刻印して本人を識別する個人認証識別方式。
【請求項４】請求項３の個人認証識別方式においてバーコードは本人である事を示すパスワード、本人の住所、氏名、生年月日、勤務先、通学先等個人情報を表わし、本人の確認を行う個人認証識別方式。
【請求項５】請求項３または請求項４の個人認証識別方式においてキャラクター、図柄に刻印するバーコードは、一ヶ所だけでなく必要に応じて複数個所刻印して本人確認の信頼性と安全性を向上した個人認証識別方式。
【請求項６】バーコードを含んだデザイン画像を一体として読み取る工程と、前記デザイン画像の内前記バーコードのみのデータに基づいて認証を行う工程と、前記デザイン画像全体のデータ或いは前記デザイン画像の内の前記バーコード以外のみのデータに基づいて認証を行う工程と、を具備したことを特徴とする認証方法。
【請求項７】バーコードを含んだデザイン画像を読み取り自在に構成された読取機構と、この読取機構の読み取りデータに基づいて認証する認証機構と、を具備したことを特徴とする認証装置。
【請求項８】バーコードを含んだデザイン画像を読み取り自在に構成された読取機構と、この読取機構の読み取りデータに基づいて所定のデータを通信回線を介して送信する送信機構と、を具備したことを特徴とする携帯電話。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
Ｅコマース時代に普及する電子財布に本発明の方式を応用すると、財布をなくしたり、盗まれても他人に悪用される心配はない。
本発明の認証方法は、バーコードを含んだデザイン画像を一体として読み取る工程と、前記デザイン画像の内前記バーコードのみのデータに基づいて認証を行う工程と、前記デザイン画像全体のデータ或いは前記デザイン画像の内の前記バーコード以外のみのデータに基づいて認証を行う工程と、を具備したことを特徴とする。
本発明の認証装置は、バーコードを含んだデザイン画像を読み取り自在に構成された読取機構と、この読取機構の読み取りデータに基づいて認証する認証機構と、を具備したことを特徴とする。
本発明の携帯電話は、バーコードを含んだデザイン画像を読み取り自在に構成された読取機構と、この読取機構の読み取りデータに基づいて所定のデータを通信回線を介して送信する送信機構と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体部品の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体部品の製造方法：
（ａ）半導体部品を形成するための半導体ウエハを、側方に蓋を有し外界と隔離して清浄雰囲気を保つことが出来る半導体収納容器内に収納した状態で、半導体製造装置に搬送する工程；
（ｂ）前記半導体収納容器の前記蓋と、前記半導体製造装置のオープナを連結させる工程；
（ｃ）前記半導体収納容器の前記蓋と、前記半導体製造装置の前記オープナが連結した状態で、前記オープナを前記半導体製造装置の内部に引き込むことにより、前記半導体収納容器及び前記半導体製造装置の開口部同士を連結させる工程；
（ｄ）前記半導体収納容器及び前記半導体製造装置の前記開口部同士を連結された状態で、前記半導体収納容器内に収納された前記半導体ウエハを前記半導体製造装置内に移送・収容する工程；
（ｅ）前記半導体ウエハが前記半導体製造装置内に収容された状態で、前記半導体ウエハに対して、処理を実行する工程、
前記オープナを前記半導体製造装置の内部に引き込む際の最大速度は、前記半導体製造装置内部の圧力と外界の圧力との差圧で前記最大速度を割った速度差圧比を０．０６ｍ/ｓ・Ｐａ以下とされている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月8日(2006.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学レンズ、ビームホモジェナイザー、レーザー照射装置、及びレーザー照射方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンドリカルレンズを基本面にて切断した２つ以上のレンズを同一の向きに並べた構成であって、一方向にレーザービームを分割する役割を果たす光学レンズ。
【請求項２】
請求項１において、
前記シリンドリカルレンズは、平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズ、凸メニスカスシリンドリカルレンズ、両凸シリンドリカルレンズ、両凹シリンドリカルレンズから選ばれた一種であることを特徴とする光学レンズ。
【請求項３】
一方向にレーザービームを分割する役割を果たす光学レンズと、分割された前記レーザービームを重ね合わせる光学系とを有し、
前記光学レンズは、シリンドリカルレンズを基本面にて切断した２つ以上のレンズを同一の向きに並べて構成されていることを特徴とするビームホモジェナイザー。
【請求項４】
請求項３において、前記光学系に組合せレンズ或いは非球面レンズを用いていることを特徴とするビームホモジェナイザー。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記シリンドリカルレンズは、平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズ、凸メニスカスシリンドリカルレンズ、両凸シリンドリカルレンズ、両凹シリンドリカルレンズから選ばれた一種であることを特徴とするビームホモジェナイザー。
【請求項６】
レーザービーム発生装置と、一方向にレーザービームを分割する役割を果たす光学レンズと、分割された前記レーザービームを重ね合わせる光学系と、移動可能な照射ステージとを有し、
前記光学レンズは、シリンドリカルレンズを基本面にて切断した２つ以上のレンズを同一の向きに並べて構成されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
請求項６において、前記光学系に組合せレンズ或いは非球面レンズを用いていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記レーザービーム発生装置と、前記光学レンズとの間に、レーザービームを前記基本面と平行な方向に調節する反射ミラーを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記シリンドリカルレンズは、平凸シリンドリカルレンズ、平凹シリンドリカルレンズ、凸メニスカスシリンドリカルレンズ、両凸シリンドリカルレンズ、両凹シリンドリカルレンズから選ばれた一種であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１０】
シリンドリカルレンズを基本面にて切断した２つ以上のレンズを同一の向きに並べた構成であって、一方向にレーザービームを分割する役割を果たす光学レンズを用いて、レーザービームを分割し、レーザービームのエネルギー分布のエッジの少なくとも一つを垂直に近い形状にし、
垂直に近い形状のエッジを前にして、前記レーザービームを走査させることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１１】
シリンドリカルレンズを基本面にて切断した２つ以上のレンズを同一の向きに並べた構成であって、一方向にレーザービームを分割する役割を果たす光学レンズを用いて、線状レーザービームを幅方向に分割し、線状レーザービームの幅方向のエネルギー分布のエッジの少なくとも一方を垂直に近い形状にし、
垂直に近い形状のエッジを前にして、前記線状レーザービームを走査させることを特徴とするレーザー照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャリア走行層と、
前記キャリア走行層の上に形成されたキャリア供給層であって、該キャリア供給層と前記キャリア走行層との界面に２次元キャリアガスを生成するためのキャリアを供給し、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャリア供給層と、
前記キャリア供給層の一部の領域の上方に配置され、該キャリア走行層内のポテンシャルを制御するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記キャリア供給層との間に配置され、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含まず、前記ゲート電極と前記キャリア供給層との間における酸化インジウムの形成を防止するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、
前記ゲート電極の両側に配置され、前記キャリア走行層に電流を流す一対のオーミック電極と
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記中間層が、ＡｌxＧａ1-xＡｓ1-yＳｂy（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極の各々が、前記中間層に接する第１の層と、該第１の層の上に配置された第２の層を含み、該第１の層の化学エッチング耐性が、前記中間層の化学エッチング耐性と異なる請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記キャリア走行層が、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で形成されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート電極が、前記中間層に直接接触している請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記中間層が、ＡｌxＧａ1-xＡｓ1-yＳｂy（０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記中間層の格子定数が前記半導体基板の格子定数に整合している請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
さらに、前記キャリア供給層と前記中間層との間に、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含む化合物半導体からなる障壁層を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
ＩＩＩ族元素としてＩｎを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にショットキ接触する電極と、
前記電極と前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に配置され、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含まず、前記電極と前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間における酸化インジウムの形成を防止する化合物半導体からなる中間層と
を有する半導体装置。
【請求項１０】
前記中間層が、ＡｌxＧａ1-xＡｓ1-yＳｂy（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で形成されている請求項９に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャリア走行層と、
前記キャリア走行層の上に形成されたキャリア供給層であって、該キャリア供給層と前記キャリア走行層との界面に２次元キャリアガスを生成するためのキャリアを供給し、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャリア供給層と、
前記キャリア供給層の一部の領域の上方に配置され、該キャリア走行層内のポテンシャルを制御するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記キャリア供給層との間に配置され、ＩＩＩ族元素としてＩｎを含まず、前記ゲート電極と前記キャリア供給層との間における酸化インジウムの形成を防止するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、
前記ゲート電極の両側に配置され、前記キャリア走行層に電流を流す一対のオーミック電極と
を有する半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶成長が起こる温度よりも低い温度で堆積されたAlNを含む低温堆積窒化物半導体材料の緩衝層と、
前記緩衝層上の、AlNを含む単結晶窒化物半導体材料の複合層とを含み、
前記複合層が、前記緩衝層に隣接する第一のサブレイヤーと、該第一のサブレイヤー上の第二のサブレイヤーからなり、
前記単結晶窒化物半導体材料が、前記第一のサブレイヤーの第一のAlNモル分率と、前記第二のサブレイヤーの第二のAlNモル分率を有し、該第二のAlNモル分率が該第一のAlNモル分率より大きいことを特徴とする窒化物半導体層構造。
【請求項２】
第一の付加的なサブレイヤー及び第二の付加的なサブレイヤーを含む単結晶窒化物半導体材料の付加的な複合層と、
前記複合層と前記付加的な複合層の間の活性層とをさらに含み、
前記第二の付加的なサブレイヤーが、前記第一の付加的なサブレイヤーよりも前記活性層に近接し、
前記付加的な複合層の単結晶窒化物半導体材料が、前記第一の付加的なサブレイヤーの第一の付加的なAlNモル分率と、前記第二の付加的なサブレイヤーの第二の付加的なAlNモル分率を有し、該第二の付加的なAlNモル分率が該第一の付加的なAlNモル分率より大きいことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項３】
前記第二のAlNモル分率が、前記第一のAlNモル分率とわずか0.1だけ異なることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項４】
前記第二のAlNモル分率が、前記第一のAlNモル分率とわずか0.03だけ異なることを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体層構造。
【請求項５】
前記緩衝層の下にサファイア基板をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項６】
SiC及びGaNの一方を含む基板を前記緩衝層の下にさらに含むことを特徴とする請求項１の窒化物半導体層構造。
【請求項７】
前記緩衝層の下に基板構造をさらに含み、該基板構造が、
基板、
GaN層、
前記基板と前記GaN層の間に挟まれた低温堆積半導体材料層を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項８】
前記緩衝層の低温堆積半導体材料と前記複合層の単結晶窒化物半導体材料が、同じドーパントをドープされていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項９】
前記緩衝層が100 nm以下の厚みを有し、
前記緩衝層の低温堆積窒化物半導体材料がAlyGa1-yN（0＜y≦1）であり、
前記複合層の単結晶窒化物半導体材料がAlxGa1-xNであり、
前記第二のサブレイヤーが少なくとも600 nmの厚みを有し、前記第二のAlNモル分率ｘが0.05＜ｘ≦1の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項１０】
前記緩衝層の低温堆積窒化物半導体材料が、少なくとも0.01のAlNモル分率を有することを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項１１】
前記複合層の単結晶窒化物半導体材料が、少なくとも0.03のAlNモル分率を有することを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体層構造。
【請求項１２】
前記複合層が、前記第一のサブレイヤーと前記第二のサブレイヤーの間に傾斜組成サブレイヤーをさらに含み、
前記複合層の単結晶窒化物半導体材料のAlNモル分率が、前記第一のAlNモル分率から前記第二のAlNモル分率へと前記傾斜組成サブレイヤーにおいて変化することを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体層構造。
【請求項１３】
前記複合層の単結晶窒化物半導体材料のAlNモル分率が、前記第一のAlNモル分率から前記第二のAlNモル分率へと、前記傾斜組成サブレイヤーにおいて、(a)直線状又は(b)放物線状の一方で変化することを特徴とする請求項１２記載の窒化物半導体層構造。
【請求項１４】
請求項１に記載の窒化物半導体層構造の一部と、
前記複合層上の光導波路層と、
前記光導波路層上の活性化層を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ。
【請求項１５】
前記第二のサブレイヤーが厚みを有し、
前記第二のサブレイヤーの厚み及び前記第二のAlNモル分率の少なくとも一方が、前記レーザが単峰性を示す遠視野像を有する光を発生する際の値を有することを特徴とする請求項１４記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項１６】
請求項２に記載の窒化物半導体層構造の一部と、
前記複合層上の光導波路層と、
前記光導波路層上の活性化層を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ。
【請求項１７】
前記第二のサブレイヤーが厚みを有し、
前記第二のサブレイヤーの厚み及び前記第二のAlNモル分率の少なくとも一方が、前記レーザが単峰性を示す遠視野像を有する光を発生する際の値を有することを特徴とする請求項１６記載の窒化物半導体レーザ。
【請求項１８】
請求項５に記載の窒化物半導体層構造の一部と、
前記複合層上の光導波路層と、
前記光導波路層上の活性化層を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ。
【請求項１９】
前記第二のサブレイヤーが厚みを有し、
前記第二のサブレイヤーの厚み及び前記第二のAlNモル分率の少なくとも一方が、前記レーザが単峰性を示す遠視野像を有する光を発生する際の値を有することを特徴とする請求項１８記載の窒化物半導体レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に示す従来技術によるレーザ素子１０のクラックはAlGaNクラッド層であるｎ型AlGaN層１４と電流注入用ｎ型GaN層１３との格子不整合により発生し、レーザ素子製造における歩留まりを大きく下げていた。クラックが発生しないためにはAlGaNクラッド層はAlNモル分率0.06、膜厚0.6μmが限界であった。この限界値でも、図１に示すレーザ素子の出射レーザ光の遠視野像は図５の（a）に示すとおり多峰性をしめす。また近視野像からも光閉じ込めが充分でなく、n型GaN層１３にも光が存在していることがわかる。図１のレーザ素子では光閉じ込め係数は2.7%であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（ｐ側電極形成−図示せず）：電流狭窄を行うためリッジ構造を導入する。 Mgドープした層のｐ型化を促すため、従来技術による熱的なアニールや電子線照射処理を行った後にp型GaNコンタクト層２９に幅５μmで長さ500 μmのp側電極をNi/Auで形成した。アニール処理はＮ側電極の形成前におこなっても良い。本実施例では該形成後に行った。アニール処理に付いては、本願出願人による特許出願：特願平９−３７７０５号明細書に記載の方法が用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  変調方式にＯＦＤＭ方式を用いる受信装置であって、該受信装置は同期変調セグメントに対する受信手段を有し、
該受信手段はＯＦＤＭ復調された出力を１フレーム分保管するフレームメモリ、前記保管されたフレームに抽入された分散パイロットシンボルに基づいてフレーム内の他のシンボルの位相・振幅を補正する補償装置、及び前記補正された出力をコヒーレント復調する復調手段を備えており、
前記補償装置は、分散パイロットシンボルが存在するキャリア毎に、該分散パイロットシンボルに基づいて該分散パイロットシンボル間に存在する位相・振幅が判明していないデータシンボルの位相・振幅の変動値を推定してこれらデータシンボルの位相・振幅を補正し、前記分散パイロットシンボルが存在しないキャリアについては、前記分散パイロットシンボル及び前記補正されたデータシンボルの位相・振幅に基づいて位相・振幅が判明していないデータシンボルの位相・振幅の変動値を推定してこれらデータシンボルの位相・振幅を補正する受信装置。
【請求項２】  前記補償装置は、前記データシンボルの位相・振幅の変動値を１次又は２次のガウス公式で内軸により推定して補正する、請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】  前記同期変調セグメントに対する受信手段は、前記補正された１フレームの全シンボルの内で時間の新しい４シンボル列分のシンボルを記憶する部分フレームメモリをさらに備えた、請求項１に記載の受信装置。
【請求項４】  変調方式にＯＦＤＭ方式を用いる受信装置であって、該受信装置は差動変調セグメントに対する受信手段を有し、
該受信手段はＯＦＤＭ復調された出力を１シンボル列分保管するシンボルメモリ、前記保管されたシンボル列に抽入された連続パイロットシンボルに基づいてシンボル列内の他のシンボルの位相・振幅を補正する補償装置、及び該補正された出力をコヒーレント復調する復調手段を備えており、
前記補償装置は、１シンボル列の連続パイロットシンボル間のデータシンボルの位相・振幅変動値を該連続パイロットシンボルに基づいて１次又は２次のガウス公式で内軸により推定して補正し、周波数の１番高い連続パイロットシンボルより大きいデータシンボルの位相・振幅変動値を、該周波数の１番高い連続パイロットシンボルの位相・振幅推定値で複素割り算することによって推定して補正する受信装置。
【請求項５】  前記差動セグメントに対する受信手段は、通常の復調手段も備え、該復調手段の出力と前記コヒーレント復調手段の出力を切り替えて出力する切替装置を備えた、請求項４に記載の受信装置。
【請求項６】  前記切替装置は、受信体の移動状況に応じて出力を切り替える、請求項５に記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図１８(d)，(e)は、本空気循環装置１１を示すものであるが、ノズル２０の吹出し口部分Ｂは、ベンチュリー１３の入口部１３ａとの間から周囲空気が誘引されるため、該誘引空気により、ノズル２０の吹出し口部分に風速が０［ｍ／ｓ］となるところはなく、従ってノズル２０の周縁に霜等が付着して生長することはない。また、ベンチュリー１３の出口１３ｂは、吹出し気流の広がり角に適合した先端形状からなるため、該出口部分Ｃに発生する渦流は極めて少なく、霜等が付着して生長することはない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このように、空調機・冷凍機のみで倉庫内の空気対流能力を増大しようとすれば、空調機・冷凍機に付属する送風機部分の送風能力の増大が必要となり、機械の大型化を招き、上記ダクト施工及び多数の熱交換器と相俟って、倉庫空調設備の高価格化となる上、吹出位置の分離・分割は、ダクト施工の複雑化を伴い、特に冷凍倉庫にあっては、上記結霜によるリスクを増大させる。また、一般に、倉庫内は、荷物の配置（高さ及び幅）が、出入庫により変動することが多く、その場合、上述したように積み荷が衝立となって空気の流れを遮断し、温度・湿度差がより大きくなることがあるが、その都度、空調設備を改造することは不可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図８(d)，(e)は、本空気循環装置１１を示すものであるが、ノズル２０の吹出し口部分Ｂは、ベンチュリー１３の入口部１３ａとの間から周囲空気が誘引されるため、該誘引空気により、ノズル２０の吹出し口部分に風速が０［ｍ／ｓ］となるところはなく、従ってノズル２０の周縁に霜等が付着して生長することはない。また、ベンチュリー１３の出口１３ｂは、吹出し気流の広がり角に適合した先端形状からなるため、該出口部分Ａに発生する渦流は極めて少なく、霜等が付着して生長することはない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】境界走査テスト装置によって生成される境界走査テスト・データを表示するためのシステムであって、
境界走査フレームに対応すると共に、フレーム・セル識別子、ノード識別子、予測値、および実際値を含むデータ・パケットを受け取って、該フレーム・セル識別子、該ノード識別子、該予測値、および該実際値を表示するグラフィカル・ユーザ・インターフェースであって、該予測値および該実際値は、該予測値と該実際値の間の一致状態または不一致状態をユーザに視覚的に警告するよう、並列形式に配置される、グラフィカル・ユーザ・インターフェースを備える、
システム。
【請求項２】前記実際値および前記予測値は、前記一致状態または前記不一致状態の即時の視覚的標示を提示するよう、垂直に配置される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】前記不一致状態は、第１のカラーで表示され、
前記一致状態は、第２のカラーで表示される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】前記実際値および前記予測値は、前記一致状態または前記不一致状態の即時の視覚的標示を提示するよう、垂直に配置される、
請求項３に記載のシステム。
【請求項５】前記ノード識別子は、装置セル識別子を含み、該装置セル識別子は、テスト対象の境界走査回路における複数の装置セルのうちのどれに、前記実際値および前記予測値が関連づけられているかを示し、
前記グラフィカル・ユーザ・インターフェースは、前記装置セル識別子を、前記予測値および前記実際値に関連付けて表示する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】前記ノード識別子は、装置名識別子およびピン番号識別子を含み、該装置名識別子は、テスト対象の境界走査回路におけるどの装置が、該装置セル識別子により示される装置セルを含むかを示し、該ピン番号識別子は、該装置名識別子により示される名前の装置の複数のピンのうちのどれに、該実際値および該予測値が関連付けられているかを示し、
前記グラフィカル・ユーザ・インターフェースは、該装置名識別子および該ピン番号識別子を、前記予測値および実際値に関連付けて表示する、
請求項５に記載のシステム。
【請求項７】前記ノード識別子は、予測された駆動識別子および実際の駆動識別子を含み、該予測された駆動識別子は、テスト対象の境界走査回路における装置セルのうちのどれが、前記フレーム・セル識別子に関連付けられた該装置セルを駆動するよう予測されたかを示し、該実際の駆動識別子は、テスト対象の該境界走査回路における装置セルのうちのどれが、前記フレーム・セル情報識別子に関連付けられた該装置セルを駆動したかを示し、
前記グラフィカル・ユーザ・インターフェースは、前記予測された駆動識別子および前記実際の駆動識別子を、前記予測値および前記実際値に関連付けて表示する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項８】さらに、
分類条件を受け取り、該分類条件に従って前記データ・パケットを表示する分類機能を備える、
請求項１に記載のシステム。
【請求項９】境界走査テスト装置によって回路の境界走査テスト中に取得される境界走査テスト・データを表示するためのグラフィカル・ユーザ・インターフェースであって、該境界走査テスト・データは、境界走査テスト・データ・フレームを識別するフレーム・セル識別子、ノード識別子、該境界走査セルの該フレーム・セル識別子に関連付けられた予測値、および、該フレームに関連付けられた該境界走査テスト装置により取得される実際値を含むデータ・パケットを有しており、
前記フレーム・セル識別子を表示するフレーム・セル識別子フィールドと、
前記ノード識別子を表示するノード識別子フィールドと、
前記予測値を表示する予測値フィールドと、
前記実際値を表示する実際値フィールドと、を備え、
前記予測値フィールドおよび前記実際値フィールドは、該予測値および該実際値の間の一致状態または不一致状態をユーザに視覚的に警告するよう、並列形式で配置される、
グラフィカル・ユーザ・インターフェース。
【請求項１０】境界走査テスト装置により生成され、テスト対象の回路の境界走査セルから取得される、境界走査テスト・データを表示するための方法であって、
前記境界走査テスト装置により生成される該境界走査テスト・データを受け取るステップと、
前記境界走査テスト・データから、フレーム・セル識別子を抽出するステップと、
前記境界走査テスト・データから、前記フレーム・セルに関連付けられた予測値を抽出するステップであって、該予測値は、境界走査セルに関連付けられた値の予測を示す、ステップと、
前記境界走査テスト・データから、前記フレーム・セルに関連付けられた実際値を抽出するステップであって、該実際値は、前記境界走査テストにより取得される該境界走査セルに関連付けられたテスト値を含む、ステップと、
前記境界走査テスト・データから、前記予測値および前記実際値に関連付けられたノード識別子を抽出するステップと、
前記フレーム・セル識別子、前記ノード識別子、前記予測値、および前記実際値を表示するステップであって、該予測値および該実際値は、該予測値および該実際値の間の一致状態または不一致状態をユーザに視覚的に警告するよう並列形式に配置される、ステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
回転可能な部品（３）がその外側端部に、六角穴（２８）を備えていることを特徴とする請求項７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
ガスの圧力が捕集回路とシミュレーション回路（２、５）との下流において制御される、請求項９又は１０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明によれば、市販で入手できる種々のカートリッジを使用すること、サンプリング支持体に迅速にかつ密封的に取り付けること、サンプリングパラメータを簡単にプログラムすること、その排気ガスの捕集を開始させる指令が与えられたときにサンプリングを完全に自動化することができる。これはサンプリングのサイクルの間におけるサンプリングの条件（流量、温度、圧力降下、サンプリング時間等）の永続的な制御を与え、ある操作についての機能不全や作動失敗の場合に即時の警報を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の課題は、第１と第２の面を有する装置を提供することによって達成される。第２の面は、入射した光の一部が透過するような反射率を有している。装置は、波長の連続範囲内のそれぞれの波長の入力光を受光する。第１及び第２の面は、入力光が第１と第２の面の間で複数回反射され、複数の光が第２の面を介して透過するように配置されている。複数の透過光は互いに干渉し、波長の連続範囲内の他のいかなる波長を有する入力光に対して生成される出力光とも空間的に区別可能な出力光を生成する。第２の面の反射率は、第２の面に沿って変化し、出力光は第２の面に沿って望ましいビームプロファイルを有するようになる。位相調節バッファレイヤは、第２の面から第１の面に反射される光が、第２の面に沿って均一な光位相を有するようにするために設けることが可能である。更に、位相調節レイヤは、複数の透過光に第２の面に沿って均一な光位相を持たせるために設けることが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
２ｔ×ｃｏｓθ＝ｍλ  ・・・（１）
ここで、θは反射面１２２と１２４の面に垂直な線から計った、形成された光束の伝搬方向である。λは、入力光の波長を示し、ｔは、反射面１２２と１２４の間の距離を示し、ｍは整数を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
光軸の傾きθ0 ≧（ａ＋ｂ）／４ｔ  ・・・（２）
（ａ＋ｂ）の項は、ａ＝ｂの時最小となる。これは、焦点線７８が反射面１２２上に位置している状況である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本発明の上記実施形態によれば、ＶＩＰＡは第１と第２の反射面（図１５（Ａ）のそれぞれ反射膜１２４と１２２等）を有している。第２の面は、入射する光の一部を透過させるような反射率を有している。ＶＩＰＡは、波長の連続範囲内のそれぞれの波長の入力光を受光する。第１と第２の面は入力光が、第１と第２の面の間で複数回反射され、複数の光が第２の面を介して透過されるように配置される。複数の透過光は、互いに干渉し、波長の連続範囲内の他のいかなる波長の入力光に対して生成された出力光とも空間的に区別可能な出力光（図６の光束８２ａあるいは８２ｂのような）を生成する。第２の面の反射率は、第２の面に沿って変化し、出力光は、第２の面に沿って所望のビームプロファイルを有する（例えば、図１５（Ａ）の反射膜１２２と図１５（Ｂ）のビームプロファイルを参照）。位相調節バッファレイヤは第２の面から第１の面に向かって反射される光に均一な光位相を与えるために設けても良い。更に、位相調節レイヤは、透過光に均一な光位相を与えるために設けることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検体中の赤血球を溶血してマラリア原虫を遊離させ、遊離したマラリア原虫を蛍光色素で染色して測定用試料を調製し、該測定用試料から光学的情報を検出し、得られた光学的情報に基づいてマラリア原虫を弁別するマラリア原虫の検出方法であって、
前記溶血を、第１の界面活性剤を含む第１の溶血剤で検体を処理し、処理された検体を第１の界面活性剤よりも溶血力の強い第２の界面活性剤を含む第２の溶血剤で処理することにより行うことを特徴とするマラリア原虫の検出方法。
【請求項２】
第２の溶血剤が、第１の溶血剤で処理された後の検体中に残存する網状赤血球を十分に溶血し、かつ試料中のマラリア原虫に対して測定に影響するダメージを与えない溶血力を有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１の界面活性剤が、非イオン性界面活性剤の中から選択され、第２の界面活性剤が、カチオン性界面活性剤の中から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の界面活性剤を含有する第１の溶血剤と、第１の界面活性剤よりも溶血力の強い第２の界面活性剤を含有する第２の溶血剤と、蛍光色素とからなることを特徴とするマラリア原虫検出用の試薬キット。
【請求項５】
蛍光色素が前記第１の溶血剤又は第２の溶血剤のいずれか又は双方に含有されるか、あるいは蛍光色素が前記第１の溶血剤及び第２の溶血剤と別個にパッケージされてなることを特徴とする請求項４記載の試薬キット。
【請求項６】
第１の界面活性剤が、非イオン性界面活性剤の中から選択され、第２の界面活性剤が、カチオン性界面活性剤の中から選択される請求項４又は５に記載の試薬キット。
【請求項７】
非イオン性界面活性剤が、以下の一般式：
Ｒ1‐Ｒ2−(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)ｎ‐Ｈ
（式中、Ｒ1は炭素数１０〜２２のアルキル、アルケニル、アルキニル基、Ｒ2は−Ｏ−、−（Ｃ6Ｈ4）−Ｏ−又は−ＣＯＯ−、ｎは８〜１２０の整数である）
で表わされる請求項６記載の試薬キット。
【請求項８】
カチオン性界面活性剤が、以下の一般式
【化１】
2004141150.tif 000001
（式中、Ｒaは炭素数８〜２０のアルキル、アルケニル又はアルキニル基、Ｒb、Ｒc及びＲdは炭素数１〜８のアルキル、アルケニル又はアルキニル基、Ｘ-及びＹ-は陰イオン、ｍは７〜１９の整数である）
で表わされる請求項６記載の試薬キット。
【請求項９】
蛍光色素が、核酸を染色する蛍光色素である請求項４又は５に記載の試薬キット。
【請求項１０】
蛍光色素が、以下の群：
【化２】
2004141150.tif 000002
（式中、Ｒ1 は水素原子又は低級アルキル基；Ｒ2 及びＲ3 は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基；Ｒ4 は水素原子、アシル基又は低級アルキル基；Ｒ5 は水素原子、置換されていてもよい低級アルキル基；Ｚは硫黄原子、酸素原子又は低級アルキル基で置換された炭素原子；ｎは１又は２；Ｘ- はアニオンである）の化合物、
【化３】
2004141150.tif 000003
（式中、Ｒ1は水素原子又はアルキル基；Ｒ2及びＲ3は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基；Ｒ4は水素原子、アシル基、又はアルキル基；Ｚは硫黄、酸素、又は低級アルキル基で置換された炭素原子；ｎは０,1又は２であり；Ｘ-はアニオンである）の化合物、ならびに
アクリジリンオレンジ、チアゾールオレンジ、エチジウムブロマイド、プロピジウムアイオダイド、オーラミンＯ、ヘキスト33258、ヘキスト33342、ローダミン123、DiOC1(3)の中から選択される請求項４又は５に記載の試薬キット。
【請求項１１】
第１の溶血剤および第２の溶血剤の浸透圧が、１５０〜６００ｍＯｓｍ／ｋｇである請求項４又は５に記載の試薬キット。
【請求項１２】
第１の界面活性剤を含む第１の溶血剤でマラリア原虫を含む試料を処理し、第１の溶血剤で処理された試料を第１の界面活性剤よりも溶血力の強い第２の界面活性剤を含む第２の溶血剤で処理し、第２溶血剤で処理された試料を蛍光色素で染色することにより得られた測定試料を収容するチャンバと、
測定試料の蛍光情報を測定するフローサイトメータと、前記蛍光情報に基づいてマラリア原虫を弁別する制御部と、
を備えるマラリア原虫の検出装置。
【請求項１３】
フローサイトメータが測定試料の蛍光情報を測定し、制御部が前記蛍光情報と散乱光情報とに基づいてマラリア原虫を弁別する請求項１２記載の検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第３の方法は、ピロリン酸をシチジン二リン酸リビトールの存在下でリビトール−５−ホスフェートシチジルトランスフェラーゼを作用させる方法である。この反応によってＤ−リビトール−５−リン酸が生成されるため、その生成量を測定することでピロリン酸量を測定することができる。Ｄ−リビトール−５−リン酸を測定する方法は、ＮＡＤ（またはＮＡＤＰ）の存在下でリビトール−５−ホスフェートデヒドロゲナーゼを作用させてＮＡＤＨ（またはＮＡＤＰＨ）の増加を比色定量する方法が提案されている。
【非特許文献１】東洋紡績（株）ウェブサイト、平成14年10月1日検索、ＵＲＬ（http://www.toyobo.co.jp/seihin/xr/product/custom/snps/snps.html）
【非特許文献２】Rui-Guang Zhen et al,"Acidic Residues Necessary for Pyrophosphate-energized Pumping and Inhibition of the Vacuolar H+-pyrophosphatase by N,N'-Dicyclohexylcarbodiimide" , Journal of Biological Chemistry, Vol.272, No.35 ,pp22340-22348(1997)
【特許文献１】ＷＯ９８／２８４４０号（要約の欄）
【特許文献２】ＷＯ９８／１３５２３号（要約の欄）
【特許文献３】特開昭６１−１２３００号公報