【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フォトマスクを用いた半導体装置の製造方法であって、
（ａ）フォトマスクの隣接するマスクパターン間のスペースと前記マスクパターンの形状に応じて、前記マスクパターンの形状を補正する第１補正を算出する工程と、
（ｂ）前記フォトマスクを複数の領域に分割する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）で分割した各々の領域における前記マスクパターンの占有率に応じて前記フォトマスクのパターン形状を補正する第２補正を算出する工程と、
（ｄ）前記第１補正及び前記第１補正に基づいて前記フォトマスクを補正する工程とを備えるフォトマスク製造工程で製造された前記フォトマスクを用いる露光工程を備え、
前記第１補正の効果の及ぶ範囲が、前記第２補正の効果の及ぶ範囲より狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１補正と前記第２補正とをそれぞれ独立に行うことを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２補正は、前記マスクパターンの占有率に応じて作成された補正テーブルに基づいて補正することを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２補正は、前記マスクパターンの占有率を変数とする補正関数に基づいて補正することを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項５】  請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２補正は、補正の要因により前記フォトマスクを複数の前記領域に分割するサイズを変更することを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項６】  請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２補正は、複数の前記補正の要因に対し、各々の前記補正の要因ごとに補正を行うことを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項７】  請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２補正は、前記領域における前記マスクパターンの占有率を、前記領域に少なくとも隣接する前記領域の前記マスクパターンの平均占有率とすることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項８】  請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２補正は、前記マスクパターンが複数の前記領域に占有される場合に、前記領域における前記マスクパターンの占有率を、前記マスクパターンを占有している前記領域の前記マスクパターンの平均占有率とすることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に係る発明であって、特に、マスクパターンの疎密に起因した製造バラツキを低減させるため、フォトマスクの補正を行う半導体装置の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、フォトマスクのマスクパターン形状を補正する際に、数μｍの領域内で生じる光近接効果などに対する補正だけでなく、より広い領域内で生じるパターンの疎密に対する補正も行うことができるフォトマスク製造工程を備える半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る解決手段は、フォトマスクを用いた半導体装置の製造方法であって、（ａ）フォトマスクの隣接するマスクパターン間のスペースとマスクパターンの形状に応じて、マスクパターンの形状を補正する第１補正を算出する工程と、（ｂ）フォトマスクを複数の領域に分割する工程と、（ｃ）工程（ｂ）で分割した各々の領域におけるマスクパターンの占有率に応じてフォトマスクのパターン形状を補正する第２補正を算出する工程と、（ｄ）第１補正及び第１補正に基づいてフォトマスクを補正する工程とを備えるフォトマスク製造工程で製造されたフォトマスクを用いる露光工程を備え、第１補正の効果の及ぶ範囲が、第２補正の効果の及ぶ範囲より狭い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、図６に示すように、ゲート配線２のパターンが４つのメッシュＭに占有されている場合、単純に各メッシュＭの占有率Ｒ等から補正量を設定する方法もあるが、各メッシュＭの補正量の平均値を求め、その平均値に基づいて各メッシュＭの補正量を設定しても良い。具体的には、まず、図６に示すメッシュＭ１１、メッシュＭ１２、メッシュＭ２１、メッシュＭ２２のそれぞれの補正量を補正テーブルから求める。それらの補正量の平均を求め、この平均値に基づいてメッシュＭ１１、メッシュＭ１２、メッシュＭ２１、メッシュＭ２２のそれぞれの補正量を設定し、フォトマスク３のマスクパターン形状を補正する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
以上のように、本実施の形態に記載のフォトマスクの製造方法は、複数の補正の要因に対し、各々の補正の要因ごとに補正を行うので、フォトマスク３のパターン形状をより正確に補正することができ、より寸法精度の良い半導体装置を製造することができる。また、プロセス等が変更により補正量を修正する必要がある場合に、光近接効果補正及びパターンの疎密による補正のうち修正が必要な補正量のみを再計算して修正すれば良く、プロセス等の変更作業を簡略化することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、実施の形態１乃至実施の形態４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスクは、半導体装置の製造に使用される。特に、フォトマスクは、半導体装置の製造の露光工程に使用される。フォトマスクは、半導体装置のゲート寸法Ｌなどの精度を左右するため、実施の形態１乃至実施の形態４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスクは、以下のような効果がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
本発明に記載の半導体装置の製造方法は、フォトマスクの隣接するマスクパターン間のスペースとマスクパターンの形状に応じて、マスクパターンの形状を補正する第１補正を算出する工程と、フォトマスクを複数の領域に分割する工程と、分割した各々の領域におけるマスクパターンの占有率に応じてフォトマスクのパターン形状を補正する第２補正を算出する工程と、第１補正及び第１補正に基づいてフォトマスクを補正する工程とを備えるフォトマスク製造工程と、フォトマスク製造工程で製造されたフォトマスクを用いる露光工程とを備え、第１補正の効果の及ぶ範囲が、第２補正の効果の及ぶ範囲より狭いので、数μｍの領域内で生じる光近接効果などに対する補正だけでなく、より広い領域内で生じるパターンの疎密に対する補正も行うことができ、より寸法精度の良い半導体装置を製造することができる効果がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
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