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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  炭化珪素基板と、
上記炭化珪素基板の上に設けられた炭化珪素からなるエピタキシャル層と、
上記エピタキシャル層の上方に設けられた電極とを有する半導体素子において、
上記炭化珪素基板中のうち上記電極の下方に位置する領域中の結晶欠陥のうちの少なくとも１つは、少なくとも上部が上記エピタキシャル層の原料によって埋められており、かつ、上記エピタキシャル層の厚みは５〜９μｍであり、
上記半導体素子は、整流作用またはスイッチング作用を有する半導体素子であって、電流を遮断する状態における漏れ電流密度が、絶対値２００Ｖの電圧印加時において、１×１０-3Ａ／ｃｍ2以下であることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体素子であって、
上記結晶欠陥のうちの少なくとも１つはマイクロパイプまたは転位であり、上記マイクロパイプまたは転位は上記エピタキシャル層の原料により埋められていることを特徴とする半導体素子。
【請求項３】  請求項１または２に記載の半導体素子であって、
上記結晶欠陥の大きさは、直径１ｎｍから５０μｍの範囲内であることを特徴とする半導体素子。
【請求項４】  請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
上記炭化珪素基板の不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする半導体素子。
【請求項５】  請求項１〜４のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
上記炭化珪素基板の面のうち上記エピタキシャル層と接する面が（ 0 0 0 1 )シリコン
面，( 0 0 0 -1 )カーボン面、またはそれらの面のいずれか１つから１０度以内に傾いた面であることを特徴とする半導体素子。
【請求項６】  請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
上記結晶欠陥は、上記炭化珪素基板から上記炭化珪素エピタキシャル層に延びており、上記エピタキシャル層において埋められていることを特徴とする半導体素子。
【請求項７】  請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
上記結晶欠陥は、上記炭化珪素基板において埋められていることを特徴とする半導体素子。
【請求項８】  結晶欠陥を有する炭化珪素基板と、上記炭化珪素基板の上に設けられた炭化珪素からなるエピタキシャル層と、上記エピタキシャル層の上方に設けられた電極とを有する半導体素子の製造方法であって、
第１温度から、上記第１温度より高温であり，上記エピタキシャル層の成長温度である第２温度までの範囲内のうち少なくとも一部の温度において上記炭化珪素基板の上に上記エピタキシャル層の原料ガスを供給する工程（ａ）と、
上記第２温度において、上記炭化珪素基板の上に原料ガスを供給することにより上記エピタキシャル層を成長させる工程（ｂ）と、
上記エピタキシャル層の上に、上記電極を形成する工程（ｃ）と
を備える半導体素子の製造方法。
【請求項９】  請求項８に記載の半導体素子の製造方法であって、
上記工程（ａ）では、上記第１温度と上記第２温度との差は１００℃以上であることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１０】  請求項８に記載の半導体素子の製造方法であって、
上記工程（ｂ）では、エピタキシャル層を５〜９μｍ形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記エピタキシャル層の厚さが５〜９μｍであることにより、より確実に結晶欠陥を埋めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の半導体素子の製造方法は、結晶欠陥を有する炭化珪素基板と、上記炭化珪素基板の上に設けられた炭化珪素からなるエピタキシャル層と、上記エピタキシャル層の上方に設けられた電極とを有する半導体素子の製造方法であって、第１温度から、上記第１温度より高温であり，上記エピタキシャル層の成長温度である第２温度までの範囲内のうち少なくとも一部の温度において、上記炭化珪素基板の上に上記エピタキシャル層の原料ガスを供給する工程（ａ）と、上記第２温度において、上記炭化珪素基板の上に原料を供給することにより上記エピタキシャル層を成長させる工程（ｂ）と、上記エピタキシャル層の上に、上記電極を形成する工程（ｃ）とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記工程（ａ）では、上記第１温度と上記第２温度との差は１００℃以上であることが好ましい。また、上記工程（ｂ）では、エピタキシャル層を５〜９μｍ形成することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル領域、前記チャネル領域に接するソース領域、および前記チャネル領域に接するドレイン領域が設けられている半導体層と、該半導体層に接する絶縁膜と、該絶縁膜を介して前記半導体層に重なるゲート電極とを有するトランジスタにおいて、
前記半導体層には、前記チャネル領域に接する他の半導体領域がさらに設けられ、
前記絶縁膜を介して、前記ゲート電極が前記チャネル領域に接する前記他の半導体領域に重なり、前記チャネル領域に重ならないように設けられていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
チャネル領域、前記チャネル領域に接するソース領域、および前記チャネル領域に接するドレイン領域が設けられている半導体層と、該半導体層に接する絶縁膜と、該絶縁膜を介して前記半導体層に重なるゲート電極とを有するトランジスタにおいて、
前記半導体層には、前記チャネル領域および前記ソース領域に接する他の半導体層がさらに設けられ、
前記絶縁膜を介して、前記ゲート電極が前記チャネル領域および前記ソース領域に接する前記他の半導体領域に重なり、前記チャンネル領域に重ならないように設けられていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１において、前記チャネル領域に接する前記他の半導体領域の導電型はｉ型又は、前記ソース領域および前記ドレイン領域と逆の導電型であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項２において、前記チャネル領域および前記ソース領域に接する前記他の半導体領域の導電型はｉ型又は、前記ソース領域および前記ドレイン領域と逆の導電型であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記チャネル領域の導電型は、前記ソース領域および前記ドレイン領域と逆の導電型であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記他の半導体領域は反転層形成領域であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そのようなＴＦＴアレイを製造するための少なくとも１つの周知の方法は、通常、ボトムゲートＴＦＴと、複数のデータアドレス線及び複数の走査アドレス線とを製造することを含む。周知のいくつかのボトムゲートＴＦＴにおいては、ボトムゲート金属がチャネル領域を遮蔽している。すなわち、ボトムゲート金属はバックライトからの光を阻止する光阻止素子として作用する。光子はＴＦＴに望ましくない漏れを発生させる可能性があるため、光阻止層を設けることが望ましい。例えば、デジタルＸ線パネルでは、光はデバイスの上面に蒸着されたシンチレータから発生され、従って、ＴＦＴ領域は光子に直接さらされる。従って、ＴＦＴチャネル領域を望ましくない光から遮蔽するために、追加のフォトリソグラフィレベルを必要とする追加の光阻止層が必要である。
【特許文献１】米国特許第６４９００１４号
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出器と、
前記電子放出器に非常に接近して配置され、相変化材料を含む、記憶媒体と、及び
前記記憶媒体と通信して光を検出することができる読出し信号検出器とを含む、記憶デバイス。
【請求項２】
前記読出し信号検出器がフォトダイオードを含む、請求項１に記載の記憶デバイス。
【請求項３】
前記読出し信号検出器が陰極ルミネセンス読出し信号検出器である、請求項１に記載の記憶デバイス。
【請求項４】
前記記憶媒体が、前記陰極ルミネセンス読出し信号検出器（109）に隣接して配置される、請求項３に記載の記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長波長発光素子の活性領域を製作する為の方法であって、有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）反応炉中に窒化インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓＮ）膜の成長を支持する基板を配置するステップと、前記反応炉に、アルシン、ジメチルヒドラジン、アルキルガリウム、アルキルインジウム及びキャリアガスを含むIII−Ｖ族前駆物質混合物であって、前記アルシン及びジメチルヒドラジンがＶ族前駆物質材料であり、ジメチルヒドラジンのパーセンテージがアルシンのパーセンテージよりも実質的に高いことを特徴とする前記III−Ｖ族前駆物質混合物を供給するステップと、そして１．２μｍよりも長い波長の発光を生じる程度の窒素濃度が、ジメチルヒドラジンから抽出され、前記基板上に形成されることになる圧力に前記反応炉を加圧するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記ＯＭＶＰＥ反応炉の圧力が、少なくとも１００ミリバール（ｍｂａｒ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＯＭＶＰＥ反応炉の圧力が、少なくとも２００ミリバール（ｍｂａｒ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
放射再結合の内部量子効率が１００％に近いＩｎＧａＡｓＮ材料を得る為に前記アルシンの流量を調節するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アルシン分圧が約１ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
長波長発光素子の活性領域を製作する為の方法であって、有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）反応炉中に窒化インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓＮ）膜の成長を支持する基板を配置するステップと、前記反応炉にアルシン、アルキルガリウム、アルキルインジウム及びキャリアガスを含むIII−Ｖ族前駆物質混合物であって、前記アルシンがＶ族前駆物質材料であることを特徴とする前記III−Ｖ族前駆物質混合物を供給するステップと、ＩｎｘＧａＡｓ１−ｘ（ｘ≧０）の下位層を成長させるステップと、前記III族前駆物質混合物を停止するステップと、そして前記反応炉に、アルシン及びジメチルヒドラジンを含み、ジメチルヒドラジンのパーセンテージがアルシンのパーセンテージよりも実質的に高いことを特徴とするＶ族前駆物質混合物を供給するステップとを含む方法。
【請求項７】
長波長発光素子の活性領域を製作する為の方法であって、有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）反応炉中に基板を配置するステップと、前記反応炉にアルシン、ジメチルヒドラジン、アルキルガリウム、アルキルインジウム及びキャリアガスを含むIII−Ｖ族前駆物質混合物であって、前記アルシン及びジメチルヒドラジンがＶ族前駆物質材料であり、ジメチルヒドラジンのパーセンテージがアルシンのパーセンテージよりも実質的に高いことを特徴とする前記III−Ｖ族前駆物質混合物を供給するステップと、そして前記反応炉を少なくとも１００ミリバール（ｍｂａｒ）に加圧して窒化インジウムガリウム砒素層を成長させるステップとを含む方法。
【請求項８】
前記基板がガリウム砒素（ＧａＡｓ）であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反応炉圧力が、１．２μｍよりも長い波長の発光を生じる程度の窒素濃度がジメチルヒドラジンから抽出され、前記基板上に形成されることを保証するものあることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
長波長発光素子の活性領域を製作する為の方法であって、有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）反応炉中に基板を配置するステップと、前記反応炉にIII族前駆物質混合物がアルキルガリウム及びアルキルインジウムを含み、Ｖ族前駆物質混合物がアルシン及びジメチルヒドラジンを含むことを特徴とするIII−Ｖ族前駆物質混合物を供給するステップと、そしてアルシン量を最少化し、ジメチルヒドラジン量を最大化することにより、１．２μｍよりも長い波長の発光が得られる窒化インジウムガリウム砒素を前記基板上に成長させるステップとを含む方法。
【請求項１１】
前記アルシン量が、前記反応炉を少なくとも１００ミリバール（ｍｂａｒ）に加圧することによって最小化される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記アルシン量が、前記ジメチルヒドラジンを前記反応炉中に導入しつつ、前記アルキルガリウム及びアルキルインジウムの流れを止めることによって最小化される、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】垂直空洞光デバイスを製作するための方法であって、
第１垂直空洞光デバイスをウエハ上に部分的に形成するステップと、
前記第１垂直空洞光デバイスのレーザー発振波長を調節するステップと、
前記第１垂直空洞光デバイスのレーザー発振波長を固定して、該デバイスの形成を完了させるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】前記レーザー発振波長を固定するステップは、前記第１垂直空洞光デバイスの空隙内で固定材料を使用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記レーザー発振波長を固定するステップは、固定材料を使用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記レーザー発振波長を固定するステップは、前記第１垂直空洞光デバイスの残りの部分を補償する熱膨張係数を有する固定材料を使用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】さらに、前記第１垂直空洞光デバイスの固定レーザー発振波長とは異なる固定レーザー発振波長を備えた第２垂直空洞光デバイスを有するモノリシックアレイを形成するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】垂直空洞光デバイスであって、
ウエハ上の第１の調節可能な垂直空洞光デバイスと、
前記第１の調節可能な垂直空洞光デバイスを、第１レーザー発振波長を供給する第１の調節状態に固定する構造と、
を備える、垂直空洞光デバイス。
【請求項７】前記構造は、前記第１の調節可能な垂直空洞光デバイス内に設けられた空隙内の固定材料である、
請求項６に記載の垂直空洞光デバイス。
【請求項８】前記構造は、透明材料、不透明材料、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された固定材料を使用する、
請求項６に記載の垂直空洞光デバイス。
【請求項９】前記構造は、前記第１の調節可能な垂直空洞光デバイスの残りの部分と整合する熱膨張係数を有する固定材料を使用する、
請求項６に記載の垂直空洞光デバイス。
【請求項１０】さらに、前記第１の調節可能な垂直空洞光デバイスの固定レーザー発振波長とは異なる固定レーザー発振波長を備えた第２の調節可能な垂直空洞光デバイスを有するモノリシックアレイを備える、
請求項６に記載の垂直空洞光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法であって、
ウエハ上に第１反射器を形成するステップと、
前記第１反射器上に、光活性半導体構造を形成するステップと、
前記光活性半導体構造上に、第１構造を備える第１犠牲島および該第１犠牲島とは異なる第２構造の第２犠牲島を、犠牲層から形成するステップと、
前記第１および第２犠牲島上に反射器支持体を形成するステップと、
前記反射器支持体上に、第２および第３反射器を形成するステップと、
前記第１および第２犠牲島を除去して第１および第２空隙を形成することにより、第１光デバイスを、前記第１反射器と前記光活性半導体構造と前記第１空隙と前記第２反射器によって形成し、第２光デバイスを、前記第１反射器と前記光活性半導体構造と前記第２空隙と前記第３反射器によって形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、異なる波長の光を提供する前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成する、請求項１に記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項３】前記第２および第３反射器を形成するステップは、単一のマスクを使用して前記第２および第３反射器の異なる形状構造を制御するステップを含み、
前記第１および第２犠牲島を除去するステップは、前記第２および第３反射器の形状構造の違いに起因して異なる高さを有する前記第１および第２空隙をもつ前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成するステップを含む、請求項１記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項４】前記反射器支持体を形成するステップにおいて、単一のマスクを使用して前記反射器支持体の形状構造を制御し、
前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、前記反射器支持体の形状構造に起因して高さの異なる前記第１および第２空隙を有する前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成する、請求項１記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項５】単一のマスクを使用して前記反射器支持体上の前記第１および第２犠牲島の間にアンカーを形成し前記アンカーの形状構造を制御するステップを含み、
前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、前記アンカーの形状構造に起因して異なる高さを有する前記第１および第２空隙をもつ前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成する、請求項１記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項６】垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法であって、
単一ウエハ上に第１分散ブラッグ反射器を形成するステップと、前記第１分散ブラッグ反射器上に光活性半導体構造を形成するステップと、
前記光活性半導体構造上にそれぞれ異なる第１および第２サイズを備える犠牲層の第１および第２犠牲島を形成するステップと、
前記第１および第２犠牲島上に反射器支持体を形成するステップと、
前記反射器支持体上に第２および第３分散ブラッグ反射器を形成するステップと、
前記反射器支持体内に開口部を形成するステップと、
前記反射器支持体内の開口部を通して前記第１および第２犠牲島を除去し第１および第２空隙を形成することにより、第１光デバイスを、前記第１分散ブラッグ反射器と前記光活性半導体構造と前記第１空隙と前記第２分散ブラッグ反射器によって形成すると共に、第２光デバイスを、前記第１分散ブラッグ反射器と前記光活性半導体構造と前記第２空隙と前記第３分散ブラッグ反射器によって形成するステップと、を含む方法。
【請求項７】前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、高さが異なり、波長の異なるレーザー光を供給する前記第１および第２空隙を有する前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成する、請求項６記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項８】前記第２および第３分散ブラッグ反射器を形成するステップにおいて、単一のマスクを使用して異なるサイズを有する前記第２および第３分散ブラッグ反射器の異なるサイズを制御し、
前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、前記第２および第３反射器のサイズの違いに起因して異なる高さを有する前記第１および第２空隙をもつ前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成する、請求項６に記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項９】前記反射器支持体を形成するステップにおいて、単一のマスクを使用して前記反射器支持体の各構成要素のサイズと構造を制御し、
前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、前記反射器支持体の各構成要素のサイズに起因して異なる高さを有する前記第１および第２空隙をもつ前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成する、請求項６に記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【請求項１０】単一のマスクを使用して前記反射器支持体上の前記第１および第２犠牲島の間にアンカーを形成し前記アンカーの各構成要素のサイズを制御するステップを含み、
前記第１および第２犠牲島を除去するステップにおいて、前記アンカーの各構成要素のサイズに起因して異なる高さを有する前記第１および第２空隙をもつ前記第１および第２垂直空洞光デバイスを形成し、
第１光通信システムは前記垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを制御するように前記第１および第２垂直空洞光デバイスに接続され、
光ファイバシステムは前記第１光通信システムを第２光通信システムに接続する、請求項６に記載の垂直空洞光デバイスのモノリシックアレイを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのシステムであって、
複数の基板を支持するための複数の基板支持機構であって、基板の周縁全体を支持する基板支持機構と、
前記複数の基板支持機構を保持するように構成された基板支持ホルダであって、前記複数の基板支持機構が、基板が前記基板支持機構上に配置されている状態で前記基板支持ホルダから取外し可能である基板支持ホルダと、
基板処理中に前記基板支持ホルダを収容するように構成された反応器と、
前記基板支持機構上に基板を装填するように構成された基板装填ステーションであって、前記基板支持ホルダから離隔されている基板装填ステーションとを備えるシステム。
【請求項２】
上に基板が配置された前記基板支持機構を前記基板装填ステーションから前記基板支持ホルダに移送するように構成されたエンドエフェクタを備えるロボットをさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記各基板支持機構が、ウェハの底面全体を支持することができるプレートである請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
上面から見た前記基板支持機構の形状がリングである請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記基板支持機構が石英を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記基板支持機構が炭化珪素を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前開き一体形ポッドが前記基板装填ステーションを収容する請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記基板支持ホルダに前記基板支持機構を提供するための前開き一体形ポッドをさらに備える請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記反応器がバッチ処理炉である請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記基板ホルダが、２５個よりも多くのウェハ支持機構を支持するウェハボートである請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
ウェハ、及び円板状又は環状のウェハ支持機構を収容し、且つ前記ウェハ支持機構上に前記ウェハを装填するように構成されたウェハ装填ステーションを内部に備える半導体ウェハカセット。
【請求項１２】
前記カセットの前記内部に複数のウェハ支持機構格納スロットを備え、前記各スロットが、ウェハ支持機構を支持するための複数の横方向延在面を備える請求項１１に記載のカセット。
【請求項１３】
前記各スロットがさらに突出部を備え、当該突出部が、前記複数の横方向延在面の１つから垂直に延在し、当該延在面まで傾斜して下がる側面を有し、前記突出部が、前記ウェハ支持機構の穴内に延在し、前記ウェハ支持機構の回転を伴わないように、前記ウェハ装填ステーション内で複数の支持ピンと位置合わせされるように前記ウェハ支持機構の複数の穴に向かう請求項１２に記載のカセット。
【請求項１４】
前記ウェハ装填ステーションが、第１のレベルでウェハ支持機構を支持し、第１のレベルよりも上にある第２のレベルでウェハを支持するように構成されている請求項１１に記載のカセット。
【請求項１５】
複数のウェハ支持機構支持構造が、前記第１のレベルで前記ウェハ支持機構を支持する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
複数のウェハ支持ピンが、前記第２のレベルで前記ウェハを支持する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のウェハ支持機構支持構造が、前記複数のウェハ支持ピンの少なくともいくつかを備え、前記ウェハ支持ピンが、前記ウェハ支持機構の複数の穴を通って延在するように構成されている請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ウェハ支持機構の前記複数の穴が、前記ウェハ支持機構を通って前記複数のウェハ支持ピンが通過することができるようにサイズを取られ、位置決めされ、前記ウェハ支持機構が、前記ウェハ支持ピンの複数のフレア付きベース上に位置し、前記ウェハ支持ピンの上側延在部が、前記穴を通って前記ウェハ支持機構の上に延在する請求項１７に記載のカセット。
【請求項１９】
前記複数のウェハ支持ピンそれぞれの前記上側延在部が、前記複数のフレア付きベースに位置する前記ウェハ支持機構と、前記複数の上側延在部に位置するウェハとの間にエンドエフェクタが延在することができるようにするのに十分な高さを有し、前記エンドエフェクタが、前記ウェハ支持機構または前記ウェハに接触せずに延在する請求項１８に記載のカセット。
【請求項２０】
前記カセットの外面が、前開き一体形ポッドに関するＳＥＭＩスタンダードに適合する請求項１１に記載のカセット。
【請求項２１】
半導体を処理するための方法であって、
取外し可能な環状又は円板状のウェハ支持機構上にウェハを配置するステップと、
その後、前記ウェハが前記ウェハ支持機構上に配置された状態で、ウェハ支持機構のための１つ以上の収容部を備えるウェハボート内に前記ウェハ支持機構を輸送するステップと、
前記ウェハボート内で、前記ウェハが前記ウェハ支持機構上に配置された状態で前記ウェハに半導体製造プロセスを施すステップと
を含む方法。
【請求項２２】
前記ウェハに半導体プロセスを施すステップが、前記ウェハおよびウェハ支持機構を前記ウェハボート内に輸送した後に、当該ウェハボートをプロセスチャンバ内に装填するステップを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ウェハ支持機構上に前記ウェハを配置するステップが、移送ステーション内の第１のレベルに前記ウェハ支持機構を配置し、当該第１のレベルよりも上にある前記移送ステーション内の第２のレベルに前記ウェハを配置するステップを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記ウェハ支持機構上に前記ウェハを配置するステップが、前記ウェハに接触するように前記ウェハ支持機構を持ち上げるステップを含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ウェハに前記半導体製造プロセスを施した後に、前記移送ステーション内で前記ウェハ支持機構から前記ウェハを装填解除するステップをさらに含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
第１のレベルに前記ウェハ支持機構を位置決めするステップ、第２のレベルに前記ウェハを位置決めするステップ、前記ウェハ支持機構上に前記ウェハを配置するステップ、および前記ウェハを装填解除するステップが、単一のロボットエンドエフェクタを使用して行われる請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記移送ステーションがカセット内にある請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記カセットの外面が、前開き一体形ポッド用のＳＥＭＩスタンダードに適合する請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 金属有機化学的蒸気堆積を利用して単一の反応器室にて半導体を製造する方法であって、前記反応器室にＧａＡｓを含む基板を設ける工程と、前記基板上に、複数の半導体層の少なくとも１つがアルミニウムを含む、前記複数の半導体層を成長させる工程と、前記基板及び前記複数の半導体層を含む前記反応器室内に、アルミニウム除去する化学品を含むガス流を導入する工程と、前記ガス流を停止した後に、前記複数の半導体層上にＩｎ、Ｇａ、Ａｓ及びＮを含む層を成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体を製造する方法。
【請求項２】 前記ガス流が、フォスフィン及びアンモニアガスからなる群より選択されたガスを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記アルミニウム除去する化学品が、窒素原子を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】 前記アルミニウム除去する化学品が、リン原子を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】 前記アルミニウム除去する化学品が、ジメチルヒドラジンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】 前記反応器室内に前記ガス流によって導入されるアルミニウム除去する原子の量が、アルミニウムを含む前記複数の半導体層の少なくとも１つを成長するために、前記室内に導入されるアルミニウム原子の量より多いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】 前記ガス流の導入工程において、前記複数の半導体層の成長中断が伴うことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】 金属有機化学的蒸気堆積を利用して単一の反応器室にて半導体を製造する方法であって、前記反応器室にＧａＡｓを含む基板を設ける工程と、前記基板上に、第１の複数の半導体層を成長させる工程と、前記基板及び前記第１の複数の半導体層を含む前記反応器室内に、アルミニウム除去する化学品を含むガス流を導入する工程と、前記ガス流を停止した後に、前記第１の複数の半導体層上にＩｎ、Ｇａ、Ａｓ及びＮを含む層を成長させる工程と、前記層上に、複数の半導体層の少なくとも１つがアルミニウムを含む、第２の複数の半導体層を成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体を製造する方法。
【請求項９】 前記ガス流が、アンモニア及びフォスフィンガスからなる群より選択されたガスを含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】 前記アルミニウム除去する化学品が、リン原子を含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】 前記アルミニウム除去する化学品が、窒素原子を含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】 前記アルミニウム除去する化学品が、ジメチルヒドラジンであることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】 前記ガス流の導入工程において、前記第１の複数の半導体層の成長中断が伴うことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】 前記反応器室内に前記ガス流によって導入されるアルミニウム除去する原子の量が、アルミニウムを含む前記第２の複数の半導体層の少なくとも１つを成長するために、前記室内に導入されるアルミニウム原子の量より多いことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高エネルギー線の入射に応じてキャリアを発生する半導体基板の表面側に、該半導体基板と接合を構成し該キャリアの流入する表面層を位置検出方向に沿って形成し、前記半導体基板の裏面側に該半導体基板よりも高不純物濃度の高濃度半導体領域を形成してなる高エネルギー線入射位置検出素子において、前記高濃度半導体領域の厚みは、前記半導体基板の厚みの１．８％以上９３％以下であることを特徴とする高エネルギー線入射位置検出素子。
【請求項２】 前記表面層は前記半導体基板の表面内においてストライプ形状又はドット状を構成することを特徴とする請求項１に記載の高エネルギー線入射位置検出素子。
【請求項３】 互いの表面層の伸延方向が直交するように請求項２に記載の高エネルギー線検出素子を２つ重ね合わせてなる高エネルギー線入射位置検出装置。
【請求項４】 請求項２に記載の高エネルギー線入射位置検出素子を２つ重ね合わせてなる高エネルギー線入射位置検出装置。
【請求項５】 前記高エネルギー線入射位置検出素子間に介在する接着剤を備えることを特徴とする請求項４に記載の高エネルギー線入射位置検出装置。
【請求項６】 前記高エネルギー線入射位置検出素子の一方の裏面上に他方の裏面が位置し、互いの高エネルギー線入射位置検出素子は該裏面の表面に沿ってずれていることを特徴とする請求項４に記載の高エネルギー線入射位置検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
表面層は半導体基板の表面内においてストライプ形状又はドット状を構成することが好ましい。また、高エネルギー線入射位置検出装置は、高エネルギー線入射位置検出素子を２つ重ね合わせてなることとしてもよい。また、高エネルギー線入射位置検出装置は、互いの表面層の伸延方向が直交するように上記高エネルギー線検出素子を２つ重ね合わせてなることとしてもよい。また、高エネルギー線入射位置検出装置は、高エネルギー線入射位置検出素子間に介在する接着剤を備えることとしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
高エネルギー線入射位置検出素子の一方の裏面上に他方の裏面が位置し、互いの高エネルギー線入射位置検出素子は該裏面の表面に沿ってずれていることを特徴としてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、高エネルギー線入射位置検出素子の一方の裏面上には、他方の裏面が位置し、互いの高エネルギー線入射位置検出素子は該裏面の表面に沿ってずれている。これにより、これらの界面に共通電位を与えることができると共に、ずれによって露出する基板表面領域上に共通電位を与えるためのボンディングパッド（図示せず）を設けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数枚の被処理体を保持した被処理体保持具を処理容器内へ挿入し、前記処理容器の一端側より他端側へ向けて処理ガスを流しつつ前記被処理体に対して所定の処理を施すようにしたバッチ式熱処理装置の運用方法において、前記被処理体保持具に保持し得る最大枚数よりも少ない枚数の被処理体を処理する時には、前記被処理体を前記処理ガスの流れ方向の上流側に寄せた状態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側にダミー被処理体を保持させるようにしたことを特徴とするバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項２】  前記複数枚の被処理体の内、前記処理ガスの流れ方向の最下流側近傍に位置する被処理体の制御対象温度を、前記被処理体保持具に満載して処理を行なう時の基準温度よりも数度低い温度に設定するようにしたことを特徴とする請求項１記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項３】  前記処理容器内の処理空間の圧力を、前記被処理体保持具に満載して処理を行なう時の圧力と同じ圧力になるように設定するようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項４】  前記処理容器内の温度は、前記処理ガスの流れ方向の上流側から下流側に行くに従って次第に高くなるようにチルト温度になされていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項５】  前記ダミー被処理体は、前記処理ガスの流れ方向の最下流側に位置する前記被処理体の隣から載置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項６】  前記被処理体保持具における処理ガスの流れ方向の最上流側と最下流側とにそれぞれ複数枚のサイド被処理体が載置されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項７】  前記被処理体は、前記処理ガスの流れ方向の最上流側に位置するサイド被処理体群の内、前記処理ガスの流れ方向の最下流側に位置するサイド被処理体の隣から載置されることを特徴とする請求項６記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項８】  前記被処理体群には、モニタ被処理体が含まれていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【請求項９】  前記モニタ被処理体は、前記被処理体群の上部と、略中央部と、下部とにそれぞれ位置されていることを特徴とする請求項８記載のバッチ式熱処理装置の運用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に規定するように、前記処理容器内の処理空間の圧力を、前記被処理体保持具に満載して処理を行なう時の圧力と同じ圧力になるように設定することにより、特に、熱処理速度も改善することができ、再現性も大幅に向上させることが可能となる。
請求項４に規定するように、前記処理容器内の温度は、前記処理ガスの流れ方向の上流側から下流側に行くに従って次第に高くなるようにチルト温度になされているようにしてもよい。
請求項５に規定するように、前記ダミー被処理体は、前記処理ガスの流れ方向の最下流側に位置する前記被処理体の隣から載置されるようにしてもよい。
請求項６に規定するように、前記被処理体保持具における処理ガスの流れ方向の最上流側と最下流側とにそれぞれ複数枚のサイド被処理体が載置されるようにしてもよい。
請求項７に規定するように、前記被処理体は、前記処理ガスの流れ方向の最上流側に位置するサイド被処理体群の内、前記処理ガスの流れ方向の最下流側に位置するサイド被処理体の隣から載置されるようにしてもよい。
請求項８に規定するように、前記被処理体群には、モニタ被処理体が含まれているようにしてもよい。
請求項９に規定するように、前記モニタ被処理体は、前記被処理体群の上部と、略中央部と、下部とにそれぞれ位置されているようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のバッチ式熱処理装置の運用方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項１、５〜９に規定するように、満載時よりも少ない数の被処理体を熱処理する際に、処理ガスの流れ方向の上流側に被処理体を寄せた状態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側にダミー被処理体を保持させた状態で熱処理を行なうことにより、満載時と同様に熱処理の面間、面内均一性及び再現性を維持することができる。従って、用いるダミー被処理体を少なくできる分だけランニングコストを削減することができる。
請求項２に規定するように、処理ガスの流れ方向の最下流側近傍に位置する被処理体の制御対象温度を基準温度よりも数度低く設定することにより、実際の温度は適正な温度値となり、熱処理の面間均一性を一層向上させることができる。  請求項３に規定するように、処理空間の圧力を満載処理時の圧力と実質的に同じになるように制御することにより、熱処理速度が略同じになって、再現性を一層向上させることができる。
請求項４に規定するように、チルト温度制御を行なうことにより、面間均一性を一層向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のダイシングライン上または実チップ上において、マーク部の周囲に配置された多数の分離された下層ダミー配線パターンと、この分離された下層ダミー配線パターンを層間絶縁膜を介してそれぞれに覆うように形成された多数の分離された上層ダミー配線パターンを備え、上記上層ダミー配線パターンの上記半導体基板の垂直方向から見た面積は、上記下層ダミー配線パターンの上記半導体基板の垂直方向から見た面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記下層ダミー配線パターン及び上層ダミー配線パターンがほぼ正方形に形成されマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記上層及び下層ダミー配線パターンが、ダイシングライン上のガードリング部及び上記マーク部の禁止領域を除いた場所に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明の請求項１にかかる半導体装置は、半導体基板のダイシングライン上または実チップ上において、マーク部の周囲に配置された多数の分離された下層ダミー配線パターンと、この分離された下層ダミー配線パターンを層間絶縁膜を介してそれぞれに覆うように形成された多数の分離された上層ダミー配線パターンを備え、上記上層ダミー配線パターンの上記半導体基板の垂直方向から見た面積は、上記下層ダミー配線パターンの上記半導体基板の垂直方向から見た面積よりも大きいことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の請求項２にかかる半導体装置は、請求項１のものにおいて、上記下層ダミー配線パターン及び上層ダミー配線パターンがほぼ正方形に形成されマトリックス状に配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の請求項３にかかる半導体装置は、請求項１のものにおいて、上記上層及び下層ダミー配線パターンが、ダイシングライン上のガードリング部及び上記マーク部の禁止領域を除いた場所に配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】板状絶縁基体と、該板状絶縁基体上に形成された複数の隔壁とを具備するプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁が、ガラスと、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯおよびＭｇＯのうち少なくとも１種のセラミックフィラーとからなり、該セラミックフィラーを全量中４〜８重量％含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項２】セラミックフィラーの平均粒径が０．５〜２μｍであることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項３】ガラスが、金属元素としてＢ、Ｓｉ、Ｚｎと、アルカリ金属のうち少なくとも２種以上とを含有することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板を備え、前記隔壁により放電表示セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＰＤＰ用基板は、板状絶縁基体と、該板状絶縁基体上に形成された複数の隔壁とを具備するプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁が、ガラスと、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯおよびＭｇＯのうち少なくとも１種のセラミックフィラーとからなり、該セラミックフィラーを全量中４〜８重量％含有することを特徴とする。
さらに、セラミックフィラーの平均粒径が０．５〜２μｍであることを特徴とする。
さらに、ガラスが、金属元素としてＢ、Ｓｉ、Ｚｎと、アルカリ金属のうち少なくとも２種以上とを含有することを特徴とする。
さらに、上記プラズマディスプレイパネル用基板を備え、前記隔壁により放電表示セルが形成されてなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
バッテリ２の正面には、バッテリセルの正極および負極にそれぞれ接続される端子２８，２９が、前記割面２７に対して対称位置に露出して配置されている。バッテリパック２６の正面寄り頂部にはスロット４に設けられるロック装置（後述する）に係合する係合穴３０が形成されている。また、バッテリ２をスロット４に収容するときのスロット４の壁面との摺動性、および収容した後の安定性を確保するため、バッテリパック２６の底面には長手方向に延びた２条の筋状凸部３１が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
バッテリパック２６の形状をさらに説明する。なお、パック部分２６Ｒ，２６Ｌは対称形状であるので、パック部分２６Ｒで代表して説明する。図８はバッテリパック２６のパック部分２６Ｒの側面図、図９は同内面図、図１０は要部断面（図９のＡ−Ａ断面）図であり、図５と同符号は同一部分を示す。特に、図９および図１０において、パック部分２６Ｒの内面にはリブ３８が設けられ、パック部分２６Ｒの補強、収容されるバッテリセル３９の位置決め、および緩衝に供することができる。なお、リブ３８の形状はこれに限定されない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
アタッチメント４１はパック部分２６Ｒ，２６Ｌの多段溝４０に嵌合され、両者に挟まれて固定される。端子２８，２９の端部はパック部分２６Ｒ，２６Ｌの孔から外側に臨んでいる。なお、バッテリセル３９とパック部分との間にはゴム等の弾性材料からなるクッション３９ｃが配設されている。バッテリパック２６には、スロット４のロックロッド（後述）と係合される係合穴３０が形成されるほか、この係合穴３０が形成されている面とは反対側の面にもうひとつの係合穴３０Ａが形成することができる。これら係合穴３０，３０Ａの機能については後述する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１９においては、ダウンパイプ６９はシートポスト７１の中間部に端部が突合わされて結合されている。そして、リアフォーク７０はシートポスト７１の下端部つまりクランク軸付近から後方に延びている。このような車体フレーム６７の構造では、パワーユニット８６を前スプロケット８０の後方に配置するスペースの確保が困難である。そこで、パワーユニット８６は前スプロケット８０よりも前方に配置して、アシストスプロケット８４は前スプロケット８０より前方でチェーン８２に巻き架けられるようにしている。このようなパワーユニット８６の配置を実現するため、パワーユニット８６の一部はダウンパイプ６９の下部に溶接されたブラケット９３を介して車体フレーム６７に結合されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ウェーハが装填される密閉式カセットを受載するカセット棚を具備する基板処理装置に於いて、前記密閉式カセットの前面の開口部を蓋するカセット蓋が設けられ、前記密閉式カセットの底板に不活性ガス流入ポートとカセット内雰囲気流出ポートが設けられ、前記カセット棚に不活性ガス供給ポートとカセット内雰囲気排出ポートが設けられ、前記カセットがカセット棚に受載された状態で、前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガス供給ポートが嵌合可能とし、前記カセット内雰囲気流出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートが嵌合可能とし、前記カセットのカセット蓋が開かれ、前記開口部が開口した状態で、前記不活性ガス供給ポートから前記カセット内へ不活性ガスを供給するよう前記不活性ガス供給ポートに不活性ガス供給源が接続されたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような従来の炭化珪素電気加熱素子１０においては、端子部１１に電線Ｗを連結するため、メッシュ型連結部材１３及びクランプ１４を使用しなければならないため、設置及び組立作業が難しいと共に、製造費用が上昇するという不都合な点があった。
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、炭化珪素電気加熱素子の発熱部から端子部に伝達される熱伝達量を減少させると共に、端子部の熱放出量を高めて端子部を迅速に冷却し得る炭化珪素電気加熱素子を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
又、本発明に係る炭化珪素電気加熱素子の第３実施形態においても、炭化珪素電気加熱素子端子部３１０の過熱を防止するために冷却部３３０が備えられる。
又、前記冷却部３３０の一例としては、前記端子部３１０にその表面積を広げるために、六角形の表面積拡大突起３３１が前記端子部３１０の中間部分に突成されている。
又、前記端子部３１０に前記表面積拡大突起３３１を形成する場合、前記端子部３１０全体の表面積が大きくなって、熱放出量が多くなり端子部３１０が迅速に冷却される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
又、前記冷却部４３０の一例としては、前記端子部４１０にその表面積を広げるために、五角形の表面積拡大突起４３１が前記端子部３１０の中間部分に突成されている。
又、前記端子部４１０に前記表面積拡大突起４３１を形成する場合、前記端子部４１０全体の表面積が大きくなって、熱放出量が多くなり端子部４１０が迅速に冷却される。
又、前記発熱部４２０から前記端子部４１０に伝達される熱伝達量を下げるため、前記表面積拡大突起４３１の側面には、その側面から円形の冷却ホール４３２が貫通形成される。該円形の冷却ホール４３２は、前記表面積拡大突起４３１の大きさ又は冷却を考慮して一つ以上形成することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る炭化珪素電気加熱素子においては、炭化珪素発熱部から端子部に熱伝達がよく行われないように、端子部の長さ方向断面積を減らすか、又は端子部の全体表面積を広げて端子部を迅速に冷却させることで、端子部が加熱されなくなり、別途の連結部材無しに、電線を端子部に直接連結して使用し得るという効果がある。