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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記バチラス・サブチリス培養液由来成分は、そうか病防除用組成物中に０．１〜１００ｍｇ／ｋｇ程度、より好ましくは１〜１０ｍｇ／ｋｇ含まれるのが望ましい。
農業用資材には、農作物の栽培のために用いることのできる、土壌、バーミキュライトなどの土壌代替物、ゼオライトなどの土壌改良資材、肥料、食品産業廃棄物などの有機質資材、およびこれらを発酵（好ましくは好気発酵）させた発酵物、並びにこれらの組み合わせが含まれる。中でも食品産業廃棄物、ゼオライトが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表２】
2005314410.tif 000001
500 mL容ビーカーに蒸留水を入れ、上記の寒天以外の試薬を加えた。スターチは溶けにくいのでスターラーで攪拌しながら塊にならないように少しずつ加えた。ラップフィルムでフタをして約20分程混ぜた後、1N NaOHでpH調製(pH7.0±0.1)し、寒天を入れた500 mL容三角フラスコに移した後、オートクレーブ(121℃、20分)して調製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
３−２．ストレプトマイセス  ターギディスカビーズ 91sy-12胞子プレートの作成
オートクレーブ（121℃、20分）したSSY培地を約50℃に冷ました後、シャーレ１枚（SSY培地約30 mL）当たり、ストレプトマイセス  ターギディスカビーズ 91sy-12胞子懸濁液を4 mL（胞子数7.2×107個）加えてよく混合し、胞子プレートを作成した。胞子プレートは４℃で保存した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
６）TLC [1]のHPLC分析
サンプルTLC [1]をφ0.20 μmのメンブランフィルターでろ過した後、逆相HPLC分析を以下の条件で行った。
検出器；多波長紫外可視分光光度計検出器（SHIMADZU SPD-10Avp）
検出波長；200 nm〜400 nm
分析カラム；DAISO SP-120-5-ODS-BP（6.0 mmφ×250 mmL）
移動相；メタノール−水（7:3）
流速；1.7 mL/min
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
３）TLC多重展開法
始め、展開溶媒ＩＶ薄層板の半分位まで展開し、水流ポンプ式吸引デシケーターの中に入れ、薄層板を完全に乾燥させてから、次に、展開溶媒Ｖで上まで展開した（１次元で２回展開する）。ニンヒドリン試薬を噴霧して、200℃で数分間加熱して遊離のアミノ基の発色を確認した後、50％硫酸試薬を噴霧して炭素のスポットを確認した。サンプルにはTLC [1]のメタノリシス処理物を用いたので、スタンダードには、メタノリシス処理をした牛脳スフィンゴミエリン、大豆レシチンセレブロシド、および、コレステロール、そして、アミノ酸（アルギニン、アスパラギン酸、メチオニン、アラニン）とそのメタノリシス処理物を用いた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
ii)p18.205の高分解能FAB-MS
Jeol社のJMS-HX/HX110Aを使用し、直接導入法、Ｘｅガスを用いたFAB（高速原子衝突）−陽イオンモードにて測定した結果を図１２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径が５０〜２００μｍであり、ＢＥＴ法により求められる比表面積が７００ｍ２／ｇ以上であり、全酸性基が０．３０ｍｅｑ／ｇ〜１．２０ｍｅｑ／ｇであり、そして全塩基性基が０．２０ｍｅｑ／ｇ〜０．９ｍｅｑ／ｇである表面改質球状活性炭からなることを特徴とする経口投与吸着剤。
【請求項２】
個数基準平均の長さ平均粒子径Ｄ１と重量基準分布の重量平均粒子径Ｄ４との比（Ｄ４／Ｄ１）が３以下である、請求項１に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項３】
架橋ビニル樹脂、イオン交換樹脂、又はピッチを炭素源として用いて調製された表面改質球状活性炭からなる、請求項１又は２に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項４】
不融化処理を行った球状熱溶融性樹脂を用いて調製された表面改質球状活性炭からなる、請求項１又は２に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項５】
球状活性炭を、酸素含量０．１〜５０容量％の雰囲気の下で３００〜８００℃で酸化処理し、更に、８００〜１２００℃の温度下で、非酸化性ガス雰囲気下で還元処理を行うことにより調製された表面改質球状活性炭からなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤を有効成分とする、腎疾患治療又は予防剤。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤を有効成分とする、肝疾患治療又は予防剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従って、本発明は、平均粒子径が５０〜２００μｍであり、ＢＥＴ法により求められる比表面積が７００ｍ２／ｇ以上であり、全酸性基が０．３０ｍｅｑ／ｇ〜１．２０ｍｅｑ／ｇであり、そして全塩基性基が０．２０ｍｅｑ／ｇ〜０．９ｍｅｑ／ｇである表面改質球状活性炭からなることを特徴とする経口投与吸着剤に関する。
本発明の経口投与吸着剤の好ましい態様においては、個数基準平均の長さ平均粒子径Ｄ１と重量基準分布の重量平均粒子径Ｄ４との比（Ｄ４／Ｄ１）が３以下である。
本発明の経口投与吸着剤の別の好ましい態様においては、架橋ビニル樹脂、イオン交換樹脂、又はピッチを炭素源として用いて調製された表面改質球状活性炭からなる。
本発明の経口投与吸着剤の更に別の好ましい態様においては、不融化処理を行った球状熱溶融性樹脂を用いて調製された表面改質球状活性炭からなる。
本発明の経口投与吸着剤の更に別の好ましい態様においては、球状活性炭を、酸素含量０．１〜５０容量％の雰囲気の下で３００〜８００℃で酸化処理し、更に、８００〜１２００℃の温度下で、非酸化性ガス雰囲気下で還元処理を行うことにより調製された表面改質球状活性炭からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径が５０〜２００μｍであり、ＢＥＴ法により求められる比表面積が７００ｍ２／ｇ以上である球状活性炭からなるが、
但し、球状フェノール樹脂を炭化、賦活化することにより得られ、比表面積５００〜２０００ｍ2／ｇ、細孔容積０．２〜１．０ｍＬ／ｇ、及び充填密度０．５〜０．７５ｇ／ｍＬの球状の活性炭を除く、
ことを特徴とする経口投与吸着剤。
【請求項２】
個数基準平均の長さ平均粒子径Ｄ１と重量基準分布の重量平均粒子径Ｄ４との比（Ｄ４／Ｄ１）が３以下である球状活性炭からなる、請求項１に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項３】
架橋ビニル樹脂、イオン交換樹脂、又はピッチを炭素源として用いて調製された球状活性炭からなる、請求項１又は２に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項４】
不融化処理を行った球状熱溶融性樹脂を用いて調製された球状活性炭からなる、請求項１又は２に記載の経口投与用吸着剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤を有効成分とする、腎疾患治療又は予防剤。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤を有効成分とする、肝疾患治療又は予防剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、本発明は、
平均粒子径が５０〜２００μｍであり、ＢＥＴ法により求められる比表面積が７００ｍ２／ｇ以上である球状活性炭（但し、球状フェノール樹脂を炭化、賦活化することにより得られ、比表面積５００〜２０００ｍ2／ｇ、細孔容積０．２〜１．０ｍＬ／ｇ、及び充填密度０．５〜０．７５ｇ／ｍＬの球状の活性炭を除く）からなることを特徴とする経口投与吸着剤に関する。
本発明の経口投与吸着剤の好ましい態様においては、個数基準平均の長さ平均粒子径Ｄ１と重量基準分布の重量平均粒子径Ｄ４との比（Ｄ４／Ｄ１）が３以下である球状活性炭からなる。
本発明の経口投与吸着剤の別の好ましい態様においては、架橋ビニル樹脂、イオン交換樹脂、又はピッチを炭素源として用いて調製された球状活性炭からなる。
本発明の経口投与吸着剤の更に別の好ましい態様においては、不融化処理を行った球状熱溶融性樹脂を用いて調製された球状活性炭からなる。
また、本発明は、前記の経口投与用吸着剤を有効成分とする、腎疾患治療又は予防剤にも関する。
更に、本発明は、前記の経口投与用吸着剤を有効成分とする、肝疾患治療又は予防剤にも関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、架橋剤としては、前記のビニル系モノマーの架橋化に用いることができる任意の架橋剤を用いることができ、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルピリジン、ジビニルトルエン、ジビニルナフタレン、ジアリルフタラート、エチレングリコールジアクリラート、エチレングリコールジメチラート、ジビニルキシレン、ジビニルエチルベンゼン、ジビニルスルホン、グリコール又はグリセロールのポリビニル又はポリアリルエーテル類、ペンタエリトリトールのポリビニル又はポリアリルエーテル類、グリコールのモノ又はジチオ誘導体のポリビニル又はポリアリルエーテル類、あるいはレゾルシノールのポリビニル又はポリアリルエーテル類、ジビニルケトン、ジビニルスルフィド、アリルアクリラート、ジアリルマレアート、ジアリルフマラート、ジアリルスクシナート、ジアリルカルボナート、ジアリルマロナート、ジアリルオキサラート、ジアリルアジパート、ジアリルセバサート、トリアリルトリカルバリラート、トリアリルアコニタート、トリアリルシトラート、トリアリルホスファート、Ｎ，Ｎ’−メチレンジアクリルアミド、１，２−ジ（α−メチルメチレンスルホンアミド）エチレン、トリビニルベンゼン、トリビニルナフタレン、ポリビニルアントラセン、あるいはトリビニルシクロヘキサンを用いることができる。特に好ましい架橋剤の例に含まれるものは、ポリビニル芳香族炭化水素（例えば、ジビニルベンゼン）、グリコールジメタクリラート（例えば、エチレングリコールジメタクリラート）、又はポリビニル炭化水素（例えば、トリビニルシクロヘキサン）である。ジビニルベンゼンは、その熱分解特性が優れているので、最も好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
重合開始剤としては、特に限定されず、この分野で一般に使用されているものを使用することができるが、重合性単量体に可溶性である油溶性重合開始剤が好ましい。重合開始剤としては、例えば、過酸化ジアルキル、過酸化ジアシル、パーオキシエステル、パーオキシジカーボネート、又はアゾ化合物を挙げることができる。より具体的には、例えば、メチルエチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイドなどの過酸化ジアルキル；イソブチノイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイドなどの過酸化ジアシル；ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、クミルパーオキシネオデカノエート、（α，α−ビス−ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼンなどのパーオキシエステル；ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピル−オキシジカーボネート、ジ−イソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルエチルパーオキシ）ジカーボネート、ジ−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネートなどのパーオキシジカーボネート；２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボニトリル）などのアゾ化合物；などを挙げることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
【表１】
2005314415.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
網状シートの片面又は両面に、繊維の絡合で形成された不織布状の繊維集合体が、その構成繊維間の絡合と共に該網状シートに対しても絡合状態で一体化されており、
該網状シートは多数の凸部及び凹部を有するように三次元状に凹凸賦形されており、
該繊維集合体が、三次元状に凹凸賦形された該網状シートの凹凸形状に沿って該網状シートに一体化されており、それによって全体としても多数の凸部及び凹部を有する三次元形状となっている嵩高シート。
【請求項２】
前記網状シートが塑性変形によって三次元状に凹凸賦形されている請求項１記載の嵩高シート。
【請求項３】
前記網状シートが、多数の凹凸を有し且つ互いに噛み合い形状となっている一対のエンボスロールを用いたヒートエンボス加工、又は多数の凹凸を有するエンボスロールと弾性材料からなる平滑ロールとを用いたヒートエンボス加工によって塑性変形されたものである請求項２記載の嵩高シート。
【請求項４】
前記網状シート及び前記繊維集合体が何れも熱可塑性樹脂からなり、該網状シートを構成する熱可塑性樹脂の融点が、該繊維集合体を構成する熱可塑性樹脂の融点よりも低いものである請求項１ないし３の何れかに記載の嵩高シート。
【請求項５】
清掃用シートとして用いられる請求項１ないし４の何れかに記載の嵩高シート。
【請求項６】
請求項１記載の嵩高シートの製造方法であって、
前記網状シートの片面又は両面に繊維ウェブを積層し、
該繊維ウエブの構成繊維どうし及び該繊維ウエブの構成繊維と該網状シートとを高圧水流によって絡合させて、該繊維ウェブから不織布状の前記繊維集合体を形成するのと共に該繊維集合体と該網状シートとを一体化し、
一体化後のシートを、多数の凹凸を有し且つ互いに噛み合い形状となっている一対のエンボスロール間、又は多数の凹凸を有するエンボスロールと弾性材料からなる平滑ロールとの間に通してヒートエンボス加工を行い、該エンボスロールの凹凸形状に対応する凹凸形状を有するように三次元状に凹凸賦形する嵩高シートの製造方法。
【請求項７】
前記網状シート及び前記繊維集合体が何れも熱可塑性樹脂からなり、該網状シートを構成する熱可塑性樹脂の融点が、該繊維集合体を構成する熱可塑性樹脂の融点よりも低く、
前記ヒートエンボス加工を、該網状シートを構成する熱可塑性樹脂の融点未満の温度で行う請求項６記載の嵩高シートの製造方法。
【請求項８】
ヒートエンボス加工後に冷却工程に付する請求項６又は７記載の嵩高シートの製造方法。
【請求項９】
冷却工程が、冷風の吹き付け又はクーリングロールへの抱き付けである請求項８記載の嵩高シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
交絡部２０Ｂは、無端べルトからなるウエブ支持用べルト２５と、ウォータージェットノズル２６とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本実施形態における嵩高シート１の冷却工程には冷風の吹きつけが用いられている。冷風は、エアブローダクト２８によってシート１の一面側から吹き付けられ、シート１を貫通し、バキュームコンベア２９によって他面側から吸引される。しかし冷却工程はこれに限られず、他の冷却手段を用いることもできる。例えば図４に示すように、凹凸賦与部２０Ｃから搬出された嵩高シート１を、所定温度に冷却されたクーリングロール３０の周面に抱き付けることで冷却することもできる。クーリングロール３０としては、例えば内部に冷却水を流通させた水冷式ロールや、周面から内部に向けてエアの吸引が可能なバキューム式ロールを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
キルティングやパッチワークなどにより、タペストリー、ポーチ、クッションおよびベッドカバーなどを製作する場合、作業者は、まず所望のデザインに応じた形状を有するテンプレートを用意する。このテンプレートは、筆記具（例えば、チャコペル（クロバー株式会社の商標、以下同じ。）や鉛筆）を用いて、布地に所望のデザインを描くのを補助するためのものであり、縫代が加味されているものと、縫代が加味されていないものとがある。縫代が加味されているテンプレートを使用して布地に所望のデザインを描く場合、当該布地には縫代規定線（切断基準線）を適切に描くことができるものの、仕上がり線（縁取り線）を描くことができない。このような場合、作業者の経験や感覚によって縫代の範囲を見越して、仕上がり線を想定して作業を行う必要がある。したがって、作業者が初心者などの場合は、的確に理想の仕上がり線を想定することが困難であるため、所望のデザインを適切に形成することが困難となる。一方、縫代が加味されていないテンプレートを使用して布地に所望のデザインを描く場合、当該布地には仕上がり線を適切に描くことができるものの、縫代規定線を描くことができない。このような場合、作業者の経験や感覚によって縫代の範囲を見越して、縫代規定線を想定して作業を行う必要がある。したがって、作業者が初心者などの場合は、的確に理想の縫代規定線を想定することが困難であるため、適切な縫代を確保することが困難となるのに加え、適切な縫代規定線を描くことなく切断作業を行う必要があるため、適切な切断作業を行うことがより困難となり作業効率が低下する。以上のことから、作業者が初心者などの場合でも所望のデザインを的確に形成し、かつ、より効率的に作業を行うために、布地には仕上がり線および縫代規定線の両方を適切に描くことが望まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、所望のデザインに応じた仕上がり線を形成するための外周縁を備えるテンプレートの当該外周縁に沿って転動させる際に布地の凹凸などに起因してテンプレートの厚み方向に相対動しても、当該テンプレートから外れ難い縫代規定線形成補助部材およびこの補助部材を備える縫代規定線形成補助セットを提供することを課題とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本体部２１は、テンプレート１の外周縁１１に沿って転動する円板状の部分である。本体部２１の厚み寸法ｔ2（図４（ｂ）参照）は、外周縁１１の厚み寸法ｔ1（図１参照）と略同一である。また、本体部２１の外半径Ｄ2は、仕上がり線ＦＬと縫代規定線ＮＬとの距離（縫代幅）と略同一であり、例えば２〜５ｍｍである。本実施形態における本体部２１は、図１によく表れているように、第１フランジ２２と連続する第１環状部２１１と、第２フランジ２３と連続する第２環状部２１２とを相互に嵌合させて形成されているが、これには限られず、例えば図１における第１環状部２１１と第２環状部２１２とを一体にしてもよい。また、本実施形態における厚み寸法ｔ2は、外周縁１１の厚み寸法ｔ1と略同一としたが、これには限られず、厚み寸法ｔ1以上で任意に設定すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、図６（ｂ）に示すように、コマ２の第１フランジ２２を布地Ｃに当接させつつ、位置決め固定されたテンプレート１の外周縁１１にコマ２の本体部２１を当接させて、コマ２が外周縁１１に沿って転動可能な状態とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、図１に示すように、コマ２の中心貫通孔２４に対して矢印Ｂ方向に筆記具Ｐを挿通し、その筆先を布地Ｃに当接させた状態で、コマ２を外周縁１１に沿って転動させる。これにより、仕上がり線ＦＬからコマ２の本体部２１の外半径Ｄ2を隔てた位置の布地Ｃに縫代規定線ＮＬを描くことができる。つまり、本体部２１の外半径Ｄ2を調整することにより、仕上がり線ＦＬの周囲に所望の縫代幅を隔てて縫代規定線ＮＬを適切に描くことができる。また、縫代規定線ＮＬを描く際に、布地Ｃの凹凸などに起因してコマ２の本体部２１が矢印ＡＢ方向に相対動したとしても、テンプレート１が各フランジ２２，２３と接触するため、この相対動は制限される。以上のようにして、仕上がり線ＦＬおよび縫代規定線ＮＬは、布地Ｃに適切かつ作業効率よく形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体に膜を形成する成膜方法であって、
オーバーハングを有する犠牲層が形成された基体に前記膜の材料を堆積させる工程と、
前記犠牲層を除去することによって、前記犠牲層と前記犠牲層上に堆積した前記膜の材料とを除去する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記犠牲層は、
前記基体側から、酸素および窒素の少なくとも一方を含む金属化合物の下層と、
前記下層の上に、前記下層より低い濃度の酸素および窒素の少なくとも一方を含む金属化合物または金属の上層と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の成膜方法によって形成した膜と基体とを含む基板であって、
前記膜は、膜端における端縁部の膜厚が中央部から膜端に向かうにしたがって漸減することを特徴とする基板。
【請求項４】
前記基体上の前記膜が形成された形成面における前記膜の形状は、角を有さないことを特徴とする請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記膜の材料がＰｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、ＮｉまたはＲｕを主成分とする金属材料であることを特徴とする請求項３または４に記載の基板。
【請求項６】
前記基体と前記膜との間に密着層を有し、
前記膜の前記端縁部によって前記密着層の端部が覆われていることを特徴とする請求項３または５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生体と、
前記エネルギー発生体に接続された配線と、
前記エネルギー発生体および前記配線を覆う絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に選択的に設けられた耐久保護膜とを有し、
前記耐久保護膜が、請求項１または２に記載の成膜方法によって形成された膜であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項８】
基板に設けられた液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生体と、
前記エネルギー発生体に接続された配線と、
前記エネルギー発生体および前記配線を覆う絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に設けられた密着層と、
前記密着層上に設けられた耐久保護膜と、を有し、
前記耐久保護膜は、膜端における端縁部の膜厚が中央部から膜端に向かうにしたがって漸減し、
前記端縁部によって前記密着層の端部が覆われていることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の液体吐出ヘッドは、基板に設けられた液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生体と、前記エネルギー発生体に接続された配線と、前記エネルギー発生体および前記配線を覆う絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に設けられた密着層と、前記密着層上に設けられた耐久保護膜と、を有し、前記耐久保護膜は、膜端における端縁部の膜厚が中央部から膜端に向かうにしたがって漸減し、前記端縁部によって前記密着層の端部が覆われていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
膜の形成において、犠牲層の側面にオーバーハングを設けておくことで、膜端における端縁の膜厚が中央部から膜端に向かうにしたがって漸減する膜を成膜する。この結果、形成された膜の膜端における膜剥がれを低減し、該膜の耐久性および信頼性を大幅に向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）素子や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、無機ＥＬ素子などの表示素子や、タッチパネルなどに用いられる内部応力が低く、比抵抗の小さい非晶質の透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を直流スパッタリング法で製造する際に原料として利用される酸化物焼結体と、該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本発明の透明導電性薄膜は、前述の特性を有することから、表示デバイスの透明電極用に有用であり、特に、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子、太陽電池、液晶素子、タッチパネルなどの透明電極への適用に好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
さらに、直流マグネトロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソードに、前記スパッタリングターゲットを取り付け、ターゲット基板間距離を８０ｍｍとし、純度９９．９９９９質量％のＡｒガスにＯ2ガスを５％だけ導入し、ガス圧を０．８Ｐａとし、直流プラズマを発生させて、投入パワーを増加させ、クラックが発生し始める投入パワーを求めた。 ＤＣ１ｋＷの電飾を５時間以上投入しても、クラックは発生しなかった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
さらに、直流マグネトロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソードに、前記スパッタリングターゲットを取り付け、ターゲット基板間距離を８０ｍｍとし、純度９９．９９９９質量％のＡｒガスにＯ2ガスを５％だけ導入し、ガス圧を０．８Ｐａとし、直流プラズマを発生させて、投入パワーを増加させ、クラックが発生し始める投入パワーを求めた。ＤＣ６００Ｗでクラックが発生し、そのまま連続してスパッタリング成膜するとクラック部にノジュールが発生して、アーキングも生じた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バッテリの電力により駆動力を発生するモータと内燃機関により駆動力を発生するエンジンを併用して走行するハイブリッド車において、
車輪のスリップ値を演算し、該スリップ値に基づいて車輪のスリップを検出するスリップ検出手段と、
前記スリップ値が所定閾値を超えると、該スリップ値を目標値に収束させるよう前記モータとエンジンの出力トルクを制御する制御手段と、
車両の走行状況を検出する走行状況検出手段と、
前記走行状況に応じて、前記モータと前記エンジンの各出力トルクのダウン度合の割合を変更する変更手段とを具備することを特徴とするハイブリッド車の車両走行制御装置。
【請求項２】  前記走行状況検出手段は車両走行路面の摩擦係数を検出し、前記変更手段は該摩擦係数が高い時には低い時に比べて前記モータの出力トルクのダウン度合に対する前記エンジンの出力トルクのダウン度合を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車の車両走行制御装置。
【請求項３】  前記走行状況検出手段は車速を検出し、前記変更手段は高速時には低速時に比べて前記モータの出力トルクのダウン度合に対する前記エンジンの出力トルクのダウン度合の割合を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車の車両走行制御装置。
【請求項４】  前記変更手段はバッテリの蓄電量が少ない時には多い時に比べて前記モータの出力トルクのダウン度合に対する前記エンジンの出力トルクのダウン度合の割合を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車の車両走行制御装置。
【請求項５】  前記変更手段は車両重量が大きい時には小さい時に比べて前記モータの出力トルクのダウン度合に対する前記エンジンの出力トルクのダウン度合の割合を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車の車両走行制御装置。
【請求項６】  前記車両走行路面の摩擦係数が高い時、高速時或いは車両重量が大きい時の前記エンジンによる出力トルクのダウン制御は、少なくとも前記スリップ値が所定閾値を超えた初期段階に該スリップ値が急増しその後該スリップ値が目標値に近づくまでの期間に実行されることを特徴とする請求項２又は３又は５に記載のハイブリッド車の車両走行制御装置。
【請求項７】  前記バッテリの電力により駆動される電動手段を更に備え、前記制御手段は、前記モータの出力トルクのダウン制御時に電力を回生すると共に、該回生した電力を前記電動手段に供給することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のハイブリッド車の車両走行制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明のハイブリッド車の車両走行制御装置は、以下の構成を備える。即ち、
バッテリの電力により駆動力を発生するモータと内燃機関により駆動力を発生するエンジンを併用して走行するハイブリッド車において、車輪のスリップ値を演算し、該スリップ値に基づいて車輪のスリップを検出するスリップ検出手段と、前記スリップ値が所定閾値を超えると、該スリップ値を目標値に収束させるよう前記モータとエンジンの出力トルクを制御する制御手段と、車両の走行状況を検出する走行状況検出手段と、前記走行状況に応じて、前記モータと前記エンジンの各出力トルクのダウン度合の割合を変更する変更手段とを具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ブレーキモータを所定方向に回転させることにより制動力を発生し、ブレーキディスクとブレーキパッドとの間に所定のクリアランスが維持されるように該所定方向とは逆方向に該ブレーキモータを回転させて停止させることにより制動力を解除する電動式ブレーキ装置であって、
該ブレーキパッドが維持されるべき該所定のクリアランスを越えて移動するような前記電動式ブレーキ装置における故障により、前記ブレーキモータが前記逆方向に過大に駆動されたか否かを判別する過逆転判別手段と、
前記過逆転判別手段が、該ブレーキパッドが該所定のクリアランスを超えて移動したと判別したときに、前記ブレーキモータの作動を停止するモータ停止手段と、
を備えることを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【請求項２】  請求項１記載の電動式ブレーキ装置において、
前記過逆転判別手段は、前記ブレーキモータが前記逆方向に駆動される方向に前記ブレーキモータに流れる電流を検出する電流検出回路を含み、前記モータ停止手段は該電流検出回路により検出された電流が所定値を超えたときに前記ブレーキモータの作動を停止することを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【請求項３】  請求項１記載の電動式ブレーキ装置において、
前記モータ停止手段は、前記ブレーキモータが前記逆方向に駆動される方向に前記ブレーキモータに所定の電流を超える電流が流れたときに溶断するヒューズを含むことを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【請求項４】  請求項１記載の電動式ブレーキ装置において、
前記過逆転判別手段は前記ブレーキモータの回転軸の回転角を検出する回転センサを含み、前記回転軸が逆方向に所定の角度を超えて回転したときに前記ブレーキモータが過大に駆動されたと判別することを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【請求項５】  請求項１記載の電動式ブレーキ装置において、
車輪と共に回転するブレーキディスクに対してブレーキパッドを押圧するために、前記ブレーキモータの作動により移動可能な往復動部材が設けられ、
前記過逆転判別手段は前記ブレーキモータの回転軸の回転角に基づいて該往復動部材の移動を演算し、前記往復動部材が前記ブレーキモータが前記逆方向に駆動される方向に所定の位置を越えて移動したときに、前記ブレーキモータが過大に回転したと判別することを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【請求項６】  請求項５記載の電動式ブレーキ装置において、
前記往復動部材が前記所定の位置に到達したときにオンとなる過逆転スイッチが設けられ、前記モータ停止手段は前記過逆転スイッチがオンとなったときに前記ブレーキモータの作動を停止することを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【請求項７】  請求項６記載の電動式ブレーキ装置において、
前記ブレーキバッドが前記ブレーキディスクから離間した後に所定の期間より長い連続した期間、前記ブレーキモータが前記逆方向に駆動されたか否かを判別する手段が設けられ、
前記モータ停止手段は、前記ブレーキモータが該所定の期間より長い連続した期間前記逆方向に駆動されたときに、前記ブレーキモータの作動を停止することを特徴とする電動式ブレーキ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、ブレーキモータを所定方向に回転させることにより制動力を発生し、ブレーキディスクとブレーキパッドとの間に所定のクリアランスが維持されるように該所定方向とは逆方向に該ブレーキモータを回転させて停止することにより制動力を解除する電動式ブレーキ装置であって、
該ブレーキパッドが維持されるべき該所定のクリアランスを越えて移動するような前記電動式ブレーキ装置における故障により、前記ブレーキモータが前記逆方向に過大に駆動されたか否かを判別する過逆転判別手段と、
前記過逆転判別手段が、該ブレーキパッドが該所定のクリアランスを超えて移動したと判別したときに、前記ブレーキモータの作動を停止するモータ停止手段と、
を備えることを特徴とする電動式ブレーキ装置により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記の目的は、上述の電動式ブレーキ装置において、
前記過逆転判別手段は、前記ブレーキモータの回転軸の回転角度を検出する回転センサを含み、前記回転軸が逆方向に所定の角度を超えて回転したときに前記ブレーキモータが過大に駆動されたと判別することによっても達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、機械的な構成に比して簡素な構成で、ブレーキモータが所定方向とは逆方向に過大に回転することを防止することができる。このため、本発明によれば、複雑な構成によることなく、部品の破損を防止することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】金属または非金属材料で構成した複数本の筒状のセルを、その軸方向が互いに平行になるように配置したハニカムブロックから成り、前記セルの側壁の肉厚を該軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に薄くなるように変化させて前記ハニカムブロックの軸方向の強度を変化させて構成した緩衝装置。
【請求項２】前記セルの側壁の肉厚の変化を、前記セルの側壁の箔厚を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させることにより行なう請求項１に記載の緩衝装置。
【請求項３】前記セルを金属材料とするとともに、該セルの側壁金属箔の箔厚をエッチングにより変化させる請求項２に記載の緩衝装置。
【請求項４】前記セルの側壁の肉厚の変化を、前記セルの側壁に施した金属メッキ層の層厚を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させることにより行なう請求項１に記載の緩衝装置。
【請求項５】前記ハニカムブロックのセルの側壁面に前記ハニカムブロックの軸方向に沿って複数個の貫通孔を設けた請求項２または３に記載の緩衝装置。
【請求項６】前記複数個の貫通孔を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって徐々に大径となるように変化させた請求項５に記載の緩衝装置。
【請求項７】前記セルの一つの側壁面に設けた複数個の貫通孔が、前記ハニカムブロックの軸方向と直交する平面において前記ハニカムブロックの軸方向に互いに重なるように配置して成る請求項５に記載の緩衝装置。
【請求項８】前記セルの一つの側壁面に設けた複数個の貫通孔と、この側壁面と隣接する側壁面に設けた複数個の貫通孔とが、前記ハニカムブロックの軸方向と直交する平面において前記ハニカムブロックの軸方向に互いに重なるように配置して成る請求項５に記載の衝撃装置。
【請求項９】前記複数本のセルのうち、一本のセルの側壁面に設けた複数個の貫通孔と、他のセルの側壁面に設けた複数個の貫通孔とが、前記ハニカムブロックの軸方向と直交する平面において前記ハニカムブロックの軸方向に互いに重なるように配置して成る請求項５に記載の衝撃装置。
【請求項１０】前記複数個の貫通孔の密度、配置、大きさ、形状のいずれか一つを前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させた請求項５に記載の緩衝装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を達成するため、金属または非金属材料で構成した複数本の筒状のセルを、その軸方向が互いに平行になるように配置したハニカムブロックから成り、前記セルの側壁の肉厚を該軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に薄くなるように変化させて前記ハニカムブロックの軸方向の強度を変化させて構成したことを要旨とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここで、上記の発明において、前記セルの側壁の肉厚の変化を、前記セルの側壁の箔厚を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させることにより、或いは、前記セルの側壁に施した金属メッキ層の層厚を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させることにより、行なうことができる。ここで、前記セルを金属材料とするとともに、該セルの側壁金属箔の箔厚をエッチングにより変化させることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記セルの側壁の箔厚を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させるとともに、前記ハニカムブロックのセルの側壁面に前記ハニカムブロックの軸方向に沿って複数の貫通孔を設けることができる。この場合、前記複数の貫通孔を前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって徐々に大径となるように変化させることができる。また、前記セルの一つの側壁面に設けた複数個の貫通孔が、前記ハニカムブロックの軸方向と直交する平面において前記ハニカムブロックの軸方向に互いに重なるように配置することもできる。また、前記セルの一つの側壁面に設けた複数個の貫通孔と、この側壁面と隣接する側壁面に設けた複数個の貫通孔とが、前記ハニカムブロックの軸方向と直交する平面において前記ハニカムブロックの軸方向に互いに重なるように配置することもできる。また、前記複数本のセルのうち、一本のセルの側壁面に設けた複数個の貫通孔と、他のセルの側壁面に設けた複数個の貫通孔とが、前記ハニカムブロックの軸方向と直交する平面において前記ハニカムブロックの軸方向に互いに重なるように配置することもできる。また、前記複数個の貫通孔の密度、配置、大きさ、形状のいずれか一つを前記ハニカムブロックの軸方向の一端から他端側に向かって段階的または連続的に変化させることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
交換可能な消耗品を有する画像形成装置において、
交換可能な消耗品の状態を検出する状態検出手段と、
前記画像形成装置の機能制限を行う機能制限手段と、
前記機能制限を解除するＩＤを生成するＩＤ生成手段と、
前記ＩＤを入力するＩＤ入力手段とを備え、
前記状態検出手段で検出した消耗品の状態に応じて、前記機能制限手段で前記画像形成装置の機能制限を行い、前記ＩＤ入力手段で入力されたＩＤが前記機能制限を解除するＩＤに一致する場合には、前記機能制限を解除することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】 前記ＩＤ生成手段で生成されたＩＤを管理者に通知するＩＤ通知手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】 前記ＩＤ通知手段は、電子メール送信手段、ＨＴＴＰ通信手段、ＦＡＸ送信手段、及び画面表示手段のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】 前記画面表示手段は、パスワードの入力に対応して前記ＩＤを画面表示することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】 前記交換可能な消耗品は、感光体搭載ユニット又はトナーユニットであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】 前記機能制限手段は、前記状態検出手段で、前記消耗品の交換が所定の状態であることを検出した場合に前記消耗品に関する機能制限を行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】 前記消耗品の所定の状態は、前記消耗品の交換が必要な状態、前記消耗品の残量が所定量の状態、及び前記消耗品の交換直後の状態のいずれかの状態であることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】 前記機能制限手段による機能制限は、交換可能な前記消耗品の取り外しを不可能にする機能制限、印刷を不可能にする機能制限、印刷可能枚数の機能制限、又は電源が入らないようにする電源の機能制限のうち、少なくとも一つの機能制限を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項９】 前記ＩＤ入力手段は、パネル入力部、光学式文字読取部、カード読取部、電子メール受信部、及びネットワーク受信部のうち少なくとも一つのＩＤ入力手段を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】 交換可能な消耗品を備えた画像形成装置の前記消耗品を管理する消耗品管理方法であって、
前記交換可能な消耗品の状態を状態検出装置で検出する状態検出ステップと、
前記消耗品の状態に応じて前記画像形成装置の機能制限手段によって行う機能制限ステップと、
前記機能制限を解除するＩＤを生成するＩＤ生成ステップと、
ＩＤ入力手段から入力されたＩＤと前記機能制限を解除するＩＤとを比較して、同一の場合には前記機能制限を解除する機能制限解除ステップとを含むことを特徴とする消耗品管理方法。
【請求項１１】 前記ＩＤ生成ステップで生成されたＩＤをＩＤ通知手段によって管理者に通知するＩＤ通知ステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１０に記載の消耗品管理方法。
【請求項１２】 交換可能な消耗品を備えた画像形成装置の前記消耗品を管理する消耗品管理プログラムであって、
前記交換可能な消耗品の状態を状態検出装置で検出する状態検出ステップと、
前記消耗品の状態に応じて前記画像形成装置の機能制限を機能制限手段によって行う機能制限ステップと、
前記機能制限を解除するＩＤを生成するＩＤ生成ステップと、
ＩＤ入力手段から入力されたＩＤと前記機能制限を解除するＩＤとを比較して、同一の場合には前記機能制限を解除する機能制限解除ステップとを含み、コンピュータで実行されることを特徴とする消耗品管理プログラム。
【請求項１３】 前記ＩＤ生成ステップで生成されたＩＤをＩＤ通知手段によって管理者に通知するＩＤ通知ステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の消耗品管理プログラム。
【請求項１４】 請求項１２又は１３に記載の前記消耗品管理プログラムが格納されたことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る交換可能な消耗品を有する画像形成装置は、交換可能な消耗品の状態を検出する状態検出手段と、前記画像形成装置の機能制限を行う機能制限手段と、前記機能制限を解除するＩＤを生成するＩＤ生成手段と、前記ＩＤを入力するＩＤ入力手段とを備え、前記状態検出手段で検出した消耗品の状態に応じて、前記機能制限手段で前記画像形成装置の機能制限を行い、前記ＩＤ入力手段で入力されたＩＤが前記機能制限を解除するＩＤに一致する場合には、前記機能制限を解除することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る消耗品管理方法は、交換可能な消耗品を備えた画像形成装置の前記消耗品を管理する消耗品管理方法であって、前記交換可能な消耗品の状態を状態検出装置で検出する状態検出ステップと、前記消耗品の状態に応じて前記画像形成装置の機能制限を機能制限手段によって行う機能制限ステップと、前記機能制限を解除するＩＤを生成するＩＤ生成ステップと、ＩＤ入力手段から入力されたＩＤと前記機能制限を解除するＩＤとを制御手段で比較して同一の場合には前記機能制限を解除する機能制限解除ステップとを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る消耗品管理プログラムは、交換可能な消耗品を備えた画像形成装置の前記消耗品を管理する消耗品管理プログラムであって、前記交換可能な消耗品の状態を状態検出装置で検出する状態検出ステップと、前記消耗品の状態に応じて前記画像形成装置の機能制限を機能制限手段によって行う機能制限ステップと、前記機能制限を解除するＩＤを生成するＩＤ生成ステップと、ＩＤ入力手段から入力されたＩＤと前記機能制限を解除するＩＤとを制御手段で比較して同一の場合には前記機能制限を解除する機能制限解除ステップとを含み、コンピュータで実行されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の主面部分であって、ゲート電極の両端に形成された第１の導電型のソース、ドレイン拡張領域と、前記ゲート電極および前記ゲート電極の側壁に設けられたサイドウォールスペーサに対して自己整合で形成された第１の導電型のソース、ドレイン拡散領域と、前記ソース、ドレイン拡散領域の表面に形成されたシリサイド層とを有し、
前記ソース、ドレイン拡張領域と前記ソース、ドレイン拡散領域との間に、前記ゲート電極および前記サイドウォールスペーサに対して自己整合で形成された第１の導電型の半導体領域が存在し、前記ソース、ドレイン拡張領域の不純物濃度は、前記半導体領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、チャネル領域から前記サイドウォールスペーサの端部に向かって前記半導体基板に、前記ソース、ドレイン拡張領域、前記半導体領域、前記シリサイド層、前記ソース、ドレイン拡散領域が順に位置することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】  半導体基板の主面部分であって、ゲート電極の両端に形成された第１の導電型のソース、ドレイン拡張領域と、前記ゲート電極および前記ゲート電極の側壁に設けられたサイドウォールスペーサに対して自己整合で形成された第１の導電型のソース、ドレイン拡散領域と、前記ソース、ドレイン拡散領域の表面に形成されたシリサイド層とを有し、
前記ゲート電極および前記サイドウォールスペーサに対して自己整合で形成された第１の導電型の半導体領域が存在し、前記ソース、ドレイン拡張領域の不純物濃度は、前記半導体領域の不純物濃度よりも低く、チャネル領域から前記サイドウォールスペーサの端部に向かって前記半導体基板に、前記ソース、ドレイン拡張領域、前記半導体領域、前記ソース、ドレイン拡散領域が順に位置することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記半導体領域の接合深さは、前記ソース、ドレイン拡張領域の接合深さよりも深く、かつ前記ソース、ドレイン拡散領域の接合深さよりも浅いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記ソース、ドレイン拡散領域の不純物濃度は、前記半導体領域の不純物濃度と同じか、または前記半導体領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記ソース、ドレイン拡張領域の下部に接し、前記半導体基板に不純物を導入して形成された第２の導電型のポケット領域を備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記シリサイド層はコバルトシリサイド層であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記ゲート電極のゲート長は０．１５μｍ以下、または前記サイドウォールスペーサのスペーサ長が０．０７μｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】  （ａ）基板上にゲート電極を形成する工程と、（ｂ）前記ゲート電極の両端の前記基板に第１のｎ型不純物をイオン注入し、ソース、ドレイン拡張領域を形成する工程と、（ｃ）前記ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程と、（ｄ）前記ゲート電極と前記サイドウォールスペーサに対して自己整合で前記基板に第２のｎ型不純物をイオン注入し、前記ソース、ドレイン拡張領域より高い不純物濃度を有するソース、ドレイン拡散領域を形成する工程と、（ｅ）前記基板に洗浄処理を施す工程と、（ｆ）前記基板上に高融点金属膜を堆積した後、熱処理により前記ソース、ドレイン拡散領域の表面にシリサイド層を形成する工程とを有し、
前記（ｃ）工程の後に、前記ゲート電極と前記サイドウォールスペーサに対して自己整合で前記基板に第３のｎ型不純物をイオン注入し、前記ソース、ドレイン拡張領域より高い不純物濃度を有する半導体領域を形成する工程をさらに有し、チャネル領域から前記サイドウォールスペーサの端部に向かって前記基板に、前記ソース、ドレイン拡張領域、前記半導体領域、前記シリサイド層、前記ソース、ドレイン拡散領域が順に位置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体領域を形成する工程に先立ち、前記基板に洗浄処理が施されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の熱処理後に、未反応の高融点金属膜が除去されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記シリサイド層は、前記ゲート電極を構成するシリコン膜の表面および前記ソース、ドレイン拡散領域の表面に形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第３のｎ型不純物は、前記基板の法線方向に対して所定の角度を有した斜め打ち込みで前記基板にイオン注入されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２のｎ型不純物は、前記基板の法線方向からの垂直打ち込みで前記基板にイオン注入され、前記第３のｎ型不純物は、前記基板の法線方向に対して所定の角度を有した斜め打ち込みで前記基板にイオン注入されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ソース、ドレイン拡散領域の不純物濃度は、前記半導体領域の不純物濃度と同じか、または前記半導体領域の不純物濃度よりも相対的に高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体領域の接合深さは、前記ソース、ドレイン拡張領域の接合深さよりも相対的に深く、かつ前記ソース、ドレイン拡散領域の接合深さよりも相対的に浅いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程に先立ち、前記基板の露出表面に選択エピタキシャル層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ｎ型の第３及び第４の半導体領域２３、２４は、ｎ型の第５の半導体領域２５の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するｎ+型半導体領域であって、第５の半導体領域２５のＹ軸方向の中央部分の両端の近くに配置されている。この第３及び第４の半導体領域２３、２４の一部は第５の半導体領域２５に隣接し、残部はｐ型半導体から成る第６及び第７の半導体領域２６、２７に隣接している。Ｘ軸方向において互いに対向している第３及び第４の半導体領域２３、２４には図３及び図５に示すように第３及び第４の電極３１、３２がオーミック接触している。従って、第３及び第４の半導体領域２３、２４をホール電圧検出用半導体領域と呼ぶこともできる。ｐ型の第６及び第７の半導体領域２６、２７はｎ+型の第３及び第４の半導体領域２３、２４の第５の半導体領域２５に対する接触面積を制限するものである。