【事件の表示】
　平成　８年特許願第５２２３１２号「放射線遮蔽型ＩＣ装置および放射線遮蔽型ＩＣ装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　７月２５日国際公開、ＷＯ９６／２２６６９、平成　９年　９月　９日国内公表、特表平　９−５０９０１６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９６年１月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９５年１月１３日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜２０に係る発明は、平成１２年７月１７日付け手続補正および平成１２年８月１６日付け手続補正が却下されたことにより、平成１１年６月１５日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「ほぼ平坦な基部部材を有し、前記平坦な基部部材の平行な端部から直立拡張する側壁を有し、複数のフィードと複数の外部リードあるいはワイヤボンドへ接続され、複数のリードは拡張された放射線遮蔽型ＩＣ装置であり、前記平坦な基部部材と、前記直立した側壁と、高原子番号物質で作製された蓋と、前記平坦な基部部材の上部内平面に前記ＩＣダイを直接確保し、透過する電子放射線を含む電離性放射線の量を実質的に減少させ、前記ＩＣダイは前記平坦な基部部材の内部上部表面に安全に設置され、前記側壁により所定の空間を確保されて前記ＩＣダイを実質的に取り囲み、前記ＩＣダイが受ける前記電離性放射線を総放射線許容量未満のレベルに減少するための前記遮蔽蓋部材とにより構成されたことを特徴とする放射線遮蔽型ＩＣ装置。」（以下、「本願発明１」という）
　
２．原査定の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、「本願の請求項１〜２０に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものであり、そして、本願発明１に対しては、引用刊行物として特開昭５７−９５６５０号公報が引用された。
　
３．当審の判断
（１）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由として、本願発明１に対して引用された刊行物である特開昭５７−９５６５０号公報（以下、「引用例」という）には次の事項が記載されている。
（１−１）特許請求の範囲には、
「外部からの放射線がチツプへ到達するのを阻止するように、パツケージの一部を鉛で構成したことを特徴とする半導体装置。」が記載されている。
（１−２）第１頁左下欄９行〜右下欄１９行には、
「本発明は、半導体装置に係り、特に外部からの放射線のチツプへの到達を阻止する構造に関するものである。人工衛星搭載用の部品には、宇宙において放射線環境におかれることにより耐放射線性が必要である。…中略…本発明の目的は、パツケージの一部を鉛で構成することにより宇宙において人工衛星内で受ける殆んどの電子線の透過を阻止し、半導体集積回路において不可逆的故障あるいは劣化の発生を防止することである。この目的の為本発明は特に厚さ３．８ｍｍ以上の鉛で人工衛星内において受ける殆んどの…中略…電子線の透過を阻止する…中略…第１図において１は鉛、２はセラミツク、３はキヤビテイ（空洞）、４はチツプ、５はリード、６は配線部分、７はワイアである。」が記載されている。
（１−３）第２頁左上欄９行〜１３行には、
「第１図に示される鉛およびセラミツクの型をつくり、まずセラミツク部分だけを用いてチツプの取付け、ワイアボンデイングを行いその後、鉛の型を上・下に取り付けることにより行う。」が記載されている。
（１−４）また、第１図には、
鉛１の上下の型を取り付けたＤ．Ｉ．Ｐ型半導体集積回路の断面図が示されている。
　
　上記（１−１）〜（１−４）を総合すれば、引用例には、チツプ４、ワイア７、配線部分６、リード５からなり、チツプ４と配線部分６の間をワイアボンドすることによりチツプ４とリード５を接続するためのキャビテイ３を底部セラミツク２および上部セラミツク２により構成し、かつ、セラミツクパツケージの外周の全てを鉛で覆うことにより、人工衛星内において受ける殆んどの電子線の透過を阻止した放射線遮蔽型のＤ．Ｉ．Ｐ型半導体集積回路が記載されている。
　
（２）対比・判断
〈対比〉
　本願発明１と引用例に記載の発明（以下、引用発明という）とを対比すると、
　
　後者の、「配線部分６」、「リード５」、「ワイア７」、「放射線遮蔽型のＤ．Ｉ．Ｐ型半導体集積回路」、「人工衛星内において受ける殆んどの電子線の透過を阻止した」、「チツプ４」は、前者の「複数のフィード」、「複数の外部リード」、「ワイヤボンド」、「放射線遮蔽型ＩＣ装置」、「ＩＣダイが受ける電子放射線を含む総放射線許容量未満のレベルに減少する」、「ＩＣダイ７」に夫々相当するから、両者は、「複数のフィードと複数の外部リードあるいはワイヤボンドへ接続される放射線遮蔽型ＩＣ装置であり、内部に設置されたＩＣダイ７に対し透過する電子放射線を含む電離性放射線の量を実質的に減少させ、前記ＩＣダイが受ける前記電離性放射線を総放射線許容量未満のレベルに減少した放射線遮蔽型ＩＣ装置」で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点ａ
　本願発明１が、「ほぼ平坦な基部部材を有し、前記平坦な基部部材の平行な端部から直立拡張する側壁を有し、前記平坦な基部部材と、前記直立した側壁と、蓋と、前記平坦な基部部材の上部内平面にＩＣダイを直接確保し、前記側壁により所定の空間を確保されて前記ＩＣダイを実質的に取り囲み」としているのに対し、引用発明では、この点が明らかでない点。
　
相違点ｂ
　本願発明１が、「複数のリードは拡張された」としているのに対し、引用発明では、この点が明らかでない点。
　
相違点ｃ
　本願発明１が、「ＩＣダイは平坦な基部部材の内部上部表面に安全に設置され」としているのに対し、引用発明では、この点が明らかでない点。
　
相違点ｄ
　本願発明１が、「高原子番号物質で作製された蓋」あるいは「遮蔽蓋部材」としているのに対し、引用発明では、この点が明らかでない点。
〈判断〉
　そこで上記相違点ａ〜ｄについて検討する。
　
相違点ａについて
　引用発明は、前記したように放射線遮蔽型ＩＣ装置に係るものであるところ、底部セラミツク２は、ほぼ平坦な基部部材を有し、前記平坦な基部部材の平行な端部から直立拡張する側壁を有し、前記平坦な基部部材と前記直立した側壁とを形成し、前記平坦な基部部材の上部内平面にチツプ４を直接確保し、前記側壁により所定の空間を確保されて実質的に取り囲まれていること、その上に、上部セラミツク２および鉛１の上の型を載置して蓋としていることは、上部セラミツク２、底部セラミツク２により、チツプ４およびワイア７を収納するためのキャビテイ３を形成していること（（１ー２）、（１ー４）参照）より明らかである。
　したがって、相違点ａは、実質的な相違とは認められない。
　
相違点ｂについて
　「複数のリードは拡張された」というリードの配置状態は、当業者にとって常套手段にすぎないから、かかる構成を適用することは、当業者が適宜なしえたことにすぎない。
　　
相違点ｃについて
　チツプ４をワイアボンデイングする前に接合材でダイボンドすることは周知であり、かつ、（１−２）より、人工衛星内において受ける殆んどの電子線の透過を阻止した、放射線遮蔽型のＤ．Ｉ．Ｐ型半導体集積回路であるから、ＩＣダイが平坦な基部部材の内部上部表面に安全に設置されていることは自明の事項である。
　したがって、相違点ｃは、実質的な相違とは認められない。
　
相違点ｄについて
　出願人が、高原子番号物質の一つとして鉛を認識していることは、本願明細書第２８頁８行（特表平９ー５０９０１６号第３４頁５行参照）の記載より明白である。そして、引用発明においては、蓋の一部を構成する上部セラミツク２は、（１ー３）、（１ー４）に記載のとおり、鉛１の上の型で覆われて実質上、蓋を形成しているのであるから、「蓋」あるいは「遮蔽蓋部材」を鉛、即ち、高原子番号物質で作製することに格別の困難性を要するものとは認められない。　
　
（３）まとめ
　上記のとおり、相違点ａ、ｃは実質的な相違に該当せず、また、相違点ｂ、ｄは、当業者が容易に想到しうるものであるから、本願発明１は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　そして、本願発明１により奏される効果も、引用例の記載から当業者が当然予測しうる程度のものであって、格別顕著であるとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２〜２０に係る発明ついて検討するまでもなく、本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。