Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１動作電圧で動作する第１電界効果トランジスタと、
前記第１動作電圧よりも高い第２動作電圧で動作する第２電界効果トランジスタとを半導体基板に備え、
前記第１電界効果トランジスタの第１ゲート電極は、前記半導体基板の主面上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられ、
前記第２電界効果トランジスタの第２ゲート電極は、前記半導体基板の主面に対して交差する方向に形成された溝内に第２ゲート絶縁膜を介して設けられ、
前記第２ゲート絶縁膜は、前記第１ゲート絶縁膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  第１動作電圧で動作する第１電界効果トランジスタと、
前記第１動作電圧よりも高い第２動作電圧で動作する第２電界効果トランジスタと、溝型の分離部とを半導体基板に備え、
前記第１電界効果トランジスタの第１ゲート電極は、前記半導体基板の主面上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられ、
前記第２電界効果トランジスタの第２ゲート電極は、前記半導体基板の主面に対して交差する方向に形成された溝内に第２ゲート絶縁膜を介して設けられ、
前記溝型の分離部の分離溝内には、前記第２ゲート電極と分離用絶縁膜とが埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  第１動作電圧で動作する第１電界効果トランジスタと、
前記第１動作電圧よりも高い第２動作電圧で動作する第２電界効果トランジスタとを半導体基板に備え、
前記第１電界効果トランジスタの第１ゲート電極は、前記半導体基板の主面上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられ、
前記第２電界効果トランジスタの第２ゲート電極は、前記半導体基板の主面に対して交差する方向に形成された溝内に第２ゲート絶縁膜を介して設けられ、
前記第２ゲート電極の平面形状がＩ字状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項３記載の半導体装置において、前記第２ゲート絶縁膜は、前記第１ゲート絶縁膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項３記載の半導体装置において、前記溝内には、前記第２ゲート電極と分離部とが埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項１、２または３記載の半導体装置において、前記半導体基板には、その主面に対して交差する方向に形成された分離溝が設けられ、その分離溝の深さが前記溝の深さと等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  請求項１、２または３記載の半導体装置において、前記半導体基板には、その主面に対して交差する方向に形成された分離溝が設けられ、その分離溝の深さが前記溝の深さと異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項１、２または３記載の半導体装置において、前記第２電界効果トランジスタは、周辺系回路または電源系回路を形成するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  請求項１、２または３記載の半導体装置において、前記第２電界効果トランジスタが、前記第２ゲート電極のゲート長方向に沿って複数並んで配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  半導体基板に形成された素子分離部により規定された一対の半導体領域と、前記半導体基板の主面に対して交差する方向に形成された溝内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって、
前記ゲート電極の平面形状は、ゲート幅方向においてゲート電極の両端部が前記素子分離部にはみ出し、かつ前記ゲート電極の両端部においてゲート長方向の幅が、前記ゲート電極の中央部におけるゲート長方向の幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】  半導体基板に形成された素子分離部により規定された一対の半導体領域と、前記半導体基板の主面に対して交差する方向に形成された溝内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する電界効果トランジスタであって、
前記ゲート電極の平面形状は、ゲート幅方向においてゲート電極の両端部が前記一対の半導体領域よりもはみ出し、かつ前記ゲート電極の両端部においてゲート長方向の幅が、前記ゲート電極の中央部におけるゲート長方向の幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子機器が収容された複数の電子機器収容用ボックスが多段に筐体に収容され、
前記筐体の天井には、前記筐体の内部と外部とを通気させるための通気部が設けられ、
前記天井に近い側の段に画成される第１の前記電子機器収容用ボックスを収容するための第１の収容部に、２つの開口面を有する中空のダクトが配設され、
第１の前記開口面は、前記通気部に面し、
第２の前記開口面は、前記天井から遠い側の段に画成される第２の前記電子機器収容用ボックスを収容するための第２の収容部に面し、
前記第２の収容部に収容される前記第２の電子機器収容用ボックスの内部の空気が、前記ダクトの内部を通って前記通気部から前記筐体の外部へ排出され、
前記第１の収容部に収容される前記第１の電子機器収容用ボックスの内部の空気が、前記ダクトの外壁面に沿って前記通気部から前記筐体の外部へ排出される
ことを特徴とする電子機器の冷却構造。
【請求項２】  前記通気部には、前記筐体の内部の空気を外部へ排出するための排気装置が配設され、
前記第１及び前記第２の電子機器収容用ボックスの内部の空気は、前記排気装置により前記筐体の外部へ排出されることを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項３】  前記排気装置と前記第１の開口面との間は、離間されていることを特徴とする請求項２に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項４】  前記ダクトの形状は、前記第２の開口面に平行な断面により仮想的に形成される仮想開口面の面積が前記第２の開口面に近いほど大きくなる部分を含む形状である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項５】  前記第１の収容部には、前記ダクトを挟んで２つの前記第１の電子機器収容用ボックスが相対して収容され、
前記仮想開口面は略長方形であり、
前記第２の開口面は、一辺を前記第１の電子機器収容用ボックスの幅に概ね等しい長さとし、他の一辺を前記２つの第１の電子機器収容用ボックスの互いに相対する面の距離に概ね等しい長さとする
ことを特徴とする請求項４に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項６】  前記第１の収容部には、前記ダクトを挟んで２つの前記第１の電子機器収容用ボックスが相対して収容され、
前記第２の収容部には、２つの前記第２の電子機器収容用ボックスがそれぞれ前記第１の電子機器収容用ボックスの下部に相対して収容され、
通気孔を有することで風量を調節する抵抗板が、前記２つの第１の電子機器収容用ボックスの互いに相対するそれぞれの面に配設され、
前記抵抗板と同じ通気孔を有する同一規格の抵抗板が、前記２つの第２の電子機器収容用ボックスの互いに相対するそれぞれの面にも配設される
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項７】  前記第１の電子機器収容用ボックスに収容される前記電子機器は、ディスクドライブであり、
前記第２の電子機器収容用ボックスに収容される前記電子機器は、前記ディスクドライブに対するデータ入出力を行うための制御ボードである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項８】  前記第１及び前記第２の電子機器収容用ボックスに収容される前記電子機器は、ディスクドライブである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項９】  電子機器が収容された複数の電子機器収容用ボックスが多段に筐体に収容され、
前記筐体の天井には、前記筐体の内部と外部とを通気させる通気部が設けられ、
前記天井に近い側の段に画成される第１の前記電子機器収容用ボックスを収容するための第１の収容部に、２つの開口面を有する中空のダクトが配設され、
第１の前記開口面は、前記通気部に面し、
第２の前記開口面は、前記天井から遠い側の段に画成される第２の前記電子機器収容用ボックスを収容するための第２の収容部に面し、
前記第２の収容部に収容される前記第２の電子機器収容用ボックスの内部の空気が、前記ダクトの内部を通って前記通気部から前記筐体の外部へ排出され、
前記第１の収容部に収容される前記第１の電子機器収容用ボックスの内部の空気が、前記ダクトの外壁面に沿って前記通気部から前記筐体の外部へ排出される
ことを特徴とする電子機器の冷却構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第２のシリコントレンチに対し、前記高濃度ボディコンタクト領域が接し、前記高濃度ソース領域が接していない請求項１から４のいずれかに記載の縦形ＭＯＳトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
平面的に繰り返し配置された複数の単位トランジスタセルの最外周のシリコントレンチが前記第2のシリコントレンチを成す請求項１から４のいずれかに記載の縦型MOSトランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
平面的な形状において、前記第2の導電型の高濃度ボディコンタクト領域が方形であり、前記高濃度ソース領域が前記高濃度ボディコンタクト領域を囲み、外周が八角形であり、前記高濃度ボディコンタクト領域及び前記高濃度ソース領域からなる単位セルが平面的にシリコントレンチを介して繰り返し配置され、前記高濃度ソース領域の外周の８つの辺のうち前記高濃度ボディコンタクト領域と平行な４辺と接するシリコントレンチが前記第１のシリコントレンチを成し、前記高濃度ソース領域の外周の８つの辺のうち前記高濃度ボディコンタクト領域と平行とならない４辺と接するシリコントレンチが前記第2のシリコントレンチを成す請求項１から４のいずれかに記載の縦型MOSトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  発光素子と、
該発光素子を載置する基体と、
該発光素子を気密封止する、該基体に設けられる蓋体と、
を有する発光装置であって、
該基体は、凹部形状を形成しており、該凹部は、底面部と、該底面から延びる側面部と、を有しており、該凹部は、開口部分の開口面積が、底面部分の底面積よりも大きく、該凹部の底面部は、該発光素子が載置されており、
該発光素子の少なくとも一部は、透光性の樹脂で被覆されており、該樹脂は、蛍光体が含有されており、該樹脂は該凹部内で該凹部形状に符合していることを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、発光素子と、該発光素子を載置する基体と、該発光素子を気密封止する、該基体に設けられる蓋体と、を有する発光装置であって、該基体は、凹部形状を形成しており、該凹部は、底面部と、該底面から延びる側面部と、を有しており、該凹部は、開口部分の開口面積が、底面部分の底面積よりも大きく、該凹部の底面部は、該発光素子が載置されており、該発光素子の少なくとも一部は、透光性の樹脂で被覆されており、該樹脂は、蛍光体が含有されており、該樹脂は該凹部内で該凹部形状に符合していることを特徴とする発光装置に関する。一般的にシリコーンレジンは、他のシリコーン（オイル・ゴム）に比べて耐熱性が高いが、樹脂を厚くすると（例えば２００μｍ以上）、クラック等が生じるという問題が生じていた。また、レジンには、ワニス（溶剤を含むもの）として使用することが多く、溶剤揮発による気泡発生、および硬化収縮によって、ワイヤー断線等の問題もある。加えて、溶剤が揮発しきっていない場合、発光素子、ワイヤー、発光装置を構成する部材全体へ悪影響を及ぼすこと等の問題から、発光素子の封止樹脂には、シリコーンレジン（特にシリコーンワニス）は多く使用されていない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
凹部５ａ内に載置された発光素子１は、樹脂１０で被覆されている。樹脂１０は、発光素子が載置されている凹部５ａの底面部５ｂから凹部５ａの側面部５ｃまで延びており、該凹部５ａの形状に符合する凹部５ａの形状を成している。この凹部５ａの形状に符合するとは、物理的意味で凹部５ａと同じ形状を有するという意味ではなく、凹部５ａの形状に沿って、凹部５ａの内側に凹部５ａとほぼ同様の形状を形成する意味であり、凹部５ａの形状がテーパー状であれば、凹部５ａの内側に沿って樹脂１０がテーパー状を形成することを意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この樹脂１０は、凹部５ａ内にポッティングする方法や、凹部５ａの側面部５ｃから流し込む方法や、スプレー式に樹脂１０を吹き飛ばす方法などを用いることができる。このとき樹脂の粘度や接触角などを考慮して、樹脂を選択する。本発明では、樹脂１０を凹部５ａ内に注入する方法は問わないが、該樹脂１０を乾燥、加熱させて、樹脂１０中の有機溶剤を揮発させて硬化させる。このとき、体積収縮率の大きい樹脂を用いて、凹部５ａの中央部を凹ませている。これにより樹脂１０中に有機溶剤が残存しないようにしている。特に、樹脂１０中に蛍光体３０を混入することにより、有機溶剤の揮発を促進することができる。蛍光体３０の混入量により有機溶剤の揮発度合いがことなるため、蛍光体３０の混入量を適宜調整する。特に、蛍光体３０の混入量は、樹脂１０に対して１〜５０重量％が好ましく、特に１５〜２５重量％が好ましい。ここで、樹脂１０を凹部５ａの符合する形状を形成するのは、有機溶剤や水分を残留させないだけでなく、凹部５ａの中央部の凹み部分の下側に発光素子１を載置して、発光装置１００の正面から放出される光の混色光による色調バラツキの調整も図っている。つまり、例えば、凹部５ａの中央部の凹み部分の下側に発光素子１を載置して、該発光素子１の上面から放出される光により、青色光を主として放出させ、該発光素子１の側面から放出される光により、樹脂１０中の蛍光体３０に吸収及び散乱させ凹部５ａの側面部５ｃにて反射させる光により、黄色光を主として放出させ、発光装置１００の正面で、混色光となり、外部に白色光として放出される。従来は、発光素子１の上面部分に蛍光体３０が多く塗布されていたため、該上面から放出される青色光が不足して、その結果、全体として、発光装置１００からの発光輝度が低下していた。一方、発光素子１の上面から放出される光を多くするため、発光素子の上面を被覆せず、発光素子の側面部のみ蛍光体を含有した樹脂を配置することも考えられるが、発光素子が露出してしまい、発光素子の保護が十分にされないという問題がある。また、発光素子の上面を被覆するため、蛍光体が含有されていない樹脂をポッティングするなどして、発光素子の側面部のみ蛍光体を配置したものに塗布することも考えられるが、２段階に塗布する必要があるため、製造が困難となる。このように、樹脂１０を発光素子１に載置する際の製造工程の簡易さや、蛍光体３０の塗布量、分散性などによる色調バラツキを考慮すると、均一に蛍光体３０を分散させた樹脂１０を、一回の塗布のみで発光素子１に塗布する、本発明に係る製造方法が最も好ましい。また、樹脂１０を発光素子１の発光部分に配置することにより、発光素子１からの光の取り出しを高めることができるなどの効果もある。但し、本工程では、発光素子１の上面に蛍光体３０がわずかに配置されるが、光取り出し効率を低下させるまでに到っていないことから、実質的には、蛍光体が含有されていない樹脂を配置したのと同じ効果を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
基体５の凹部５ａにおいて、樹脂１０は、凹部５ａに符合する形状を成している。樹脂１０は、底面部と側面部とからなり、樹脂１０の底面部は、凹部５ａの底面部５ｂに平行かつ平面であり、樹脂１０の側面部は、凹部５ａの側面部５ｃと平行かつ平滑な曲面である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光波長に透明な化合物半導体の透明基板と、
この透明基板の一主面の面積より小面積に形成されて当該透明基板の一主面にその一主面が接着され、且つ電流注入により、その半導体に固有な波長の光を発光させるための積層構造を有する半導体発光層と、
この半導体発光層の一主面と相対向する他主面において、光反射領域とオーミックコンタクト領域とを有する第１主電極と、
前記透明基板の他主面に設けられた第２主電極と、
を具備し、
前記オーミックコンタクト領域は、前記第１主電極の中央部より周辺部側に高密度に配置され、且つ当該オーミックコンタクト領域の占有面積を前記第１主電極の面積に対して６％乃至６０％の範囲に設けたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】  前記オーミックコンタクト領域は、前記半導体発光層の周辺部を避けて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】  前記第１主電極は、オーミックコンタクト電極と光反射層とで構成され、このオーミックコンタクト電極により前記オーミックコンタクト領域が形成され、且つ前記光反射層により前記光反射領域が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】  前記半導体発光層と前記第１主電極とを有する構造体が複数に分割されて前記透明基板に接着されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】  前記半導体発光層が接着されずに露出した前記透明基板の一主面部分に光反射層を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層回路基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁材料からなる支持部材と、該支持部材の表面側に少なくとも部分的に埋設された導電材料からなる配線部を有する多層回路基板であって、配線部の少なくとも接続端子を構成する部分を除く部分は絶縁材料からなる保護部材によって覆われ、絶縁材料からなる保護部材によって覆われていない接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のためのＰｄメッキあるいはＰｄの下地にＡｕフラッシュメッキを施したことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】  絶縁材料からなる支持部材と、該支持部材の表面側に少なくとも部分的に埋設された導電材料からなる配線部を有する多層回路基板であって、配線部の少なくとも接続端子を構成する部分を除く部分は絶縁材料からなる保護部材によって覆われ、絶縁材料からなる保護部材によって覆われていない接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のための金錫または銅錫または銅アンチモンからなる金錫共晶、半田、銀錫、銀等の金属を施し、耐リフロー温度に優れる表面金属を有することを特徴とする多層回路基板。
【請求項３】  絶縁材料からなる支持部材と、該支持部材の表面側に少なくとも部分的に埋設された導電材料からなる配線部を有する多層回路基板であって、配線部の少なくとも接続端子を構成する部分を除く部分は絶縁材料からなる保護部材によって覆われ、絶縁材料からなる保護部材によって覆われていない接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のための保護樹脂を設けたことを特徴とする多層回路基板。
【請求項４】 前記配線部の配線厚みが異なることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項５】  前記配線部を両面から形成したことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項６】  前記配線部の最大厚みが絶縁材料からなる保護部材の厚みより厚く、表裏を貫通することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項７】  エッチングにより絶縁材料からなる保護部材の一部を除去し、回路の一部をフライングリードとしたあるいはエンボス加工を施したことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の多層回路基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は上記問題を解決するために、接合するバンプや配線の接続部に配線材料として主に使われている銅の酸化皮膜を防止することを特徴とした、高い接続信頼性に優れた多層回路基板及びその接続方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
本発明の多層回路基板は、絶縁材料からなる支持部材と、該支持部材の表面側に少なくとも部分的に埋設された導電材料からなる配線部を有する多層回路基板であって、配線部の少なくとも接続端子を構成する部分を除く部分は絶縁材料からなる保護部材によって覆われ、絶縁材料からなる保護部材によって覆われていない接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のためのＰｄメッキあるいはＰｄの下地にＡｕフラッシュメッキを施したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の多層回路基板は、絶縁材料からなる支持部材と、該支持部材の表面側に少なくとも部分的に埋設された導電材料からなる配線部を有する多層回路配線基板であって、配線部の少なくとも接続端子を構成する部分を除く部分は絶縁材料からなる保護部材によって覆われ、絶縁材料からなる保護部材によって覆われていない接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のための金錫または銅錫または銅アンチモンからなる金錫共晶、半田、銀錫、銀等の金属を施し、耐リフロー温度に優れる表面金属を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の多層回路基板は、絶縁材料からなる支持部材と、該支持部材の表面側に少なくとも部分的に埋設された導電材料からなる配線部を有する配線基板であって、配線部の少なくとも接続端子を構成する部分を除く部分は絶縁材料からなる保護部材によって覆われ、絶縁材料からなる保護部材によって覆われていない接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のための保護樹脂を設けたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の多層回路基板においては、前記配線部の配線厚みが異なることを特徴とする。また、前記配線部を両面から形成したことを特徴とする。また、前記配線部の最大厚みが絶縁材料からなる保護部材の厚みより厚く、表裏を貫通することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の多層回路基板においては、エッチングにより絶縁材料からなる保護部材の一部を除去し、回路の一部をフライングリードとしたあるいはエンボス加工を施したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属材料で構成された信号導体の上面及び下面に、絶縁材料で構成された絶縁体を介して配置した第一の接地導体が設けられ、前記信号導体の左右に絶縁材料で構成された絶縁体を介して配置した第二の接地導体が設けられ、前記第一の接地導体と前記第二の接地導体とが接続されて、前記信号導体に対して第一の接地導体と第二の接地導体で完全遮蔽されていることを特徴とするシールド付きフレキシブル並列多芯ケーブル。
【請求項２】  前記信号導体のうち、接続端子を構成する部分を除く信号導体部分は、信号導体に対して第一の接地導体と第二の接地導体で完全遮蔽されていることを特徴とする請求項１に記載のシールド付きフレキシブル並列多芯ケーブル。
【請求項３】  前記信号導体のうち、接続端子を構成する部分を除く信号導体の左右に配置した第二の接地導体の上面及び下面に形成された絶縁体を除去して剥き出しとなった第二の接地導体と、前記信号導体の上面及び下面に絶縁材料で構成された絶縁体を介して配置した第一の接地導体とが接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載のシールド付きフレキシブル並列多芯ケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のシールド付きフレキシブル並列多芯ケーブルは、金属材料で構成された信号導体の上面及び下面に、絶縁材料で構成された絶縁体を介して配置した第一の接地導体が設けられ、前記信号導体の左右に絶縁材料で構成された絶縁体を介して配置した第二の接地導体が設けられ、前記第一の接地導体と前記第二の接地導体とが接続されて、前記信号導体に対して第一の接地導体と第二の接地導体で完全遮蔽されていることを特徴とする。
また、本発明のシールド付きフレキシブル並列多芯ケーブルは、前記信号導体のうち、接続端子を構成する部分を除く信号導体部分は、信号導体に対して第一の接地導体と第二の接地導体で完全遮蔽されていることを特徴とする。
また、本発明のシールド付きフレキシブル並列多芯ケーブルは、前記信号導体のうち、接続端子を構成する部分を除く信号導体の左右に配置した第二の接地導体の上面及び下面に形成された絶縁体を除去して剥き出しとなった第二の接地導体と、前記信号導体の上面及び下面に絶縁材料で構成された絶縁体を介して配置した第一の接地導体とが接続されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＥＬ素子、及び表示信号に応じて前記ＥＬ素子の発光強度を補正するための外光センサとを同一基板上に有し、
前記ＥＬ素子はトップエミッション型ＥＬ素子で構成し、
前記外光センサはボトムゲート型薄膜トランジスタで構成したことを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】  ＥＬ素子、及び表示信号に応じて前記ＥＬ素子の発光強度を補正するための外光センサとを同一基板上に有し、
前記ＥＬ素子はボトムエミッション型ＥＬ素子で構成し、
前記外光センサはトップゲート型薄膜トランジスタで構成したことを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】  前記ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタをさらに有し、
前記駆動用トランジスタはトップゲート型薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】  前記外光センサの出力に応じて、前記表示信号の振幅を調整する制御部を有することを特徴とする請求項１，２，３のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】  前記外光センサは薄膜トランジスタから成るフォトダイオードであることを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】  外光センサの出力を電圧変換するセンサ回路を有し、このセンサ回路の出力を前記制御部に供給することを特徴とする請求項４記載のＥＬ表示装置。
【請求項７】  前記センサ回路は、第１の電位と第２の電位の間に直列接続された第１のリセット用トランジスタ及び前記外光センサと、
前記第１の電位と前記第２の電位の間に直列接続された第２のリセット用トランジスタ及び抵抗とを有し、
前記第１のリセット用トランジスタのゲートにリセット信号を印加し、前記第２のリセット用トランジスタのゲートに、前記第１のリセット用トランジスタと前記外光センサとの接続点の電位を供給したことを特徴とする請求項６記載のＥＬ表示装置。
【請求項８】  前記駆動用トランジスタは、
前記同一基板上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の能動層と、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の能動層上に積層された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを少なくとも有し、
前記外光センサは、
前記同一基板上に形成された第２のゲート電極と、
前記同一基板及び前記第２のゲート電極上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第２の能動層とを少なくとも有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は、同一の層からなることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項９】  前記外光センサは、前記第２の絶縁膜及び前記第２の能動層上に積層された第４のゲート絶縁膜をさらに有し、
前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜は、同一の層からなることを特徴とする請求項８記載のＥＬ表示装置。
【請求項１０】  前記駆動用トランジスタは、
前記同一基板上に積層された第１の能動層と、
前記同一基板及び前記第１の能動層上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１のゲート電極を少なくとも有し、
前記外光センサは、
前記同一基板上に形成された第２の能動層と、
前記同一基板及び前記第２の能動層上に積層された前記第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、
を少なくとも有することを特徴とする請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１１】  前記第１の能動層及び前記第２の能動層は、同一の能動層材料からなることを特徴とする請求項８または請求項１０記載のＥＬ表示装置。
【請求項１２】  前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、同一のゲート電極材料からなることを特徴とする請求項１０記載のＥＬ表示装置。
【請求項１３】  前記ＥＬ素子は２つの電極の間に有機材料層を備えており、前記２つの電極のうち、基板に遠い方の電極が外光センサを覆っていることを特徴とする請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１４】  ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタと、トランジスタからなり、表示信号に応じて前記ＥＬ素子の発光強度を補正するための外光センサと、を同一基板上に有するＥＬ表示装置の製造方法において、
前記同一基板上に前記外光センサのゲート電極を形成する工程と、
前記同一基板及び前記外光センサのゲート電極上に第１の絶縁膜を積層する工程と、
前記第１の絶縁膜上に能動層材料を積層する工程と、
前記能動層材料をパターニングし、前記駆動用トランジスタの能動層及び前記外光センサの能動層を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜、前記駆動用トランジスタの能動層及び前記外光センサの能動層上に前記第２の絶縁膜を積層する工程と、
前記第２の絶縁膜上に前記駆動用トランジスタのゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】  ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタと、トランジスタからなり、表示信号に応じて前記ＥＬ素子の発光強度を補正するための外光センサと、を同一基板上に有するＥＬ表示装置の製造方法において、
前記同一基板上に能動層材料を積層する工程と、
前記能動層材料をパターニングし、前記駆動用トランジスタの能動層及び前記外光センサの能動層を形成する工程と、
前記駆動用トランジスタの能動層及び前記外光センサの能動層上に前記第１の絶縁膜を積層する工程と、
前記第１の絶縁膜上に前記駆動用トランジスタのゲート電極及び前記外光センサのゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】  前記同一基板上に前記能動層を形成する工程の前に、前記同一基板上に絶縁膜を積層する工程をさらに有することを特徴とする請求項１５記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子放出面が半球状である電子ビームを放出するカソードと、前記カソードと対向して配置され前記電子ビームの光軸上に第一のアパーチャを有するアノードと、前記カソードと前記アノードの間に配置され、前記カソードに印加される電位よりも低い電位が印加され、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内において前記カソードの電子放出面より大きい第二のアパーチャを前記電子ビームの光軸上に具備する第一のバイアス電極と、前記電子ビームの光軸方向において前記カソード側に前記第一のバイアス電極と隣合って配置され、前記カソードに印加される電位よりも低い電位が印加され、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内において前記カソードの電子放出面より大きい第三のアパーチャを前記電子ビームの光軸上に具備する第二のバイアス電極と、前記第一のバイアス電極に印加される電位と前記第二のバイアス電極に印加される電位とを可変制御するバイアス制御手段と、を備え、
前記カソードの電子放出面の先端が、前記第一のバイアス電極の第二のアパーチャの内径を直径とする球殻上か又は前記球殻の外側に配置されてなることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】  前記電子ビームの光軸に垂直な断面内における前記第一のバイアス電極の第二のアパーチャの半径をＲ１、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内における前記第二のバイアス電極の第三のアパーチャの半径をＲ２、前記電子ビームの光軸方向における前記カソードの電子放出面の先端と前記第一のバイアス電極の第二のアパーチャの中心との距離をＤ１、前記電子ビームの光軸方向における前記第一バイアス電極の第二のアパーチャの中心と前記第二のバイアス電極の第三のアパーチャの中心との光軸方向の距離をＤ２としたとき、Ｒ１とＲ２との間に０．８Ｒ１≦Ｒ２≦１．２Ｒ１なる関係を有し、かつＤ１とＤ２との間に０．８Ｄ１≦Ｄ２≦１．２Ｄ１なる関係を有することを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項３】  前記バイアス制御手段は、前記第一のバイアス電極に印加される電位を前記カソードの電位に対する相対電位としてＥ１、前記第二のバイアス電極に印加される電位を前記カソードの電位に対する相対電位としてＥ２としたとき、ｋを正の定数としてＥ１とＥ２との間に０．９ｋ≦｜Ｅ１＋Ｅ２｜≦１．１ｋなる関係を維持するように前記第一のバイアス電極に印加される電位と前記第二のバイアス電極に印加される電位とを可変制御することを特徴とする請求項２に記載の電子線装置。
【請求項４】  前記第一のバイアス電極と前記第二のバイアス電極の間に、さらに前記カソードに印加される電位よりも低い電位が印加され、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内において前記カソードの電子放出面より大きいアパーチャを光軸上に具備する一つ又は複数のバイアス電極を順次隣合って配置させてなることを特徴とする請求項２または３に記載の電子線装置。
【請求項５】  請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子線装置と、前記電子線装置からの電子ビームを露光ビームに加工するための成形系と、前記露光ビームの位置を制御するための偏向系と、前記露光ビームを試料である基板上に収束させ、前記基板上にパターンを描画するための投影系とを有する電子線描画装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】
上記の課題を達成するために本発明の電子線装置は、電子放出面が半球状である電子ビームを放出するカソードと、前記カソードと対向して配置され前記電子ビームの光軸上に第一のアパーチャを有するアノードと、前記カソードと前記アノードの間に配置され、前記カソードに印加される電位よりも低い電位が印加され、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内において前記カソードの電子放出面より大きい第二のアパーチャを前記電子ビームの光軸上に具備する第一のバイアス電極と、前記電子ビームの光軸方向において前記カソード側に前記第一のバイアス電極と隣合って配置され、前記カソードに印加される電位よりも低い電位が印加され、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内において前記カソードの電子放出面より大きい第三のアパーチャを前記電子ビームの光軸上に具備する第二のバイアス電極と、前記第一のバイアス電極に印加される電位と前記第二のバイアス電極に印加される電位とを可変制御するバイアス制御手段と、を備え、
前記カソードの電子放出面の先端が、前記第一のバイアス電極の第二のアパーチャの内径を直径とする球殻上か又は前記球殻の外側に配置されてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明においては、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内における前記第一のバイアス電極の第二のアパーチャの半径をＲ１、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内における前記第二のバイアス電極の第三のアパーチャの半径をＲ２、前記電子ビームの光軸方向における前記カソードの電子放出面の先端と前記第一のバイアス電極の第二のアパーチャの中心との距離をＤ１、前記電子ビームの光軸方向における前記第一バイアス電極の第二のアパーチャの中心と前記第二のバイアス電極の第三のアパーチャの中心との光軸方向の距離をＤ２としたとき、Ｒ１とＲ２との間に０．８Ｒ１≦Ｒ２≦１．２Ｒ１なる関係を有し、かつＤ１とＤ２との間に０．８Ｄ１≦Ｄ２≦１．２Ｄ１なる関係を有することが好ましい。
これにより、輝度調整における電流密度の角度分布特性の維持性能をさらに高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記第一のバイアス電極と前記第二のバイアス電極の間に、さらに前記カソードに印加される電位よりも低い電位が印加され、前記電子ビームの光軸に垂直な断面内において前記カソードの電子放出面より大きいアパーチャを光軸上に具備する一つ又は複数のバイアス電極を順次隣合って配置させてもよい。
これにより、クロスオーバの位置やクロスオーバ径、等の諸特性を調整することが容易になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、本発明によれば、前述何れかの電子線装置と、前記電子線装置からの電子ビームを露光ビームに加工するための成形系と、前記露光ビームの位置を制御するための偏向系と、前記露光ビームを試料である基板上に収束させ、前記基板上にパターンを描画するための投影系とを有する電子線描画装置が得られる。
このように前記電子銃の輝度調整時における電流密度の角度分布特性の維持が良好であるという特徴を種々の電子線応用装置に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】配線基板上に電子部品素子を搭載するとともに、該電子部品素子を電気絶縁性の第１樹脂材で被覆してなる電子装置において、
前記配線基板の上面で、前記第１樹脂材の外側に、グランド電極パターンを形成するとともに、前記第１樹脂材を、導電性を有し、前記グランド電極パターンに電気的に接続される第２樹脂材で被覆したことを特徴とする電子装置。
【請求項２】前記グランド電極パターンが前記電子部品素子の搭載領域を囲繞するように形成されているとともに、前記第２樹脂材の外周部が前記グランド電極パターン上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】前記グランド電極パターンの上面と内周面との間の角部に切り欠きを形成し、前記第２樹脂材の外周部を、前記切り欠きを構成するグランド電極パターンの内面と上面との間に形成される角部の位置と合致させたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子装置は、配線基板上に電子部品素子を搭載するとともに、該電子部品素子を電気絶縁性の第１樹脂材で被覆してなる電子装置において、
前記配線基板の上面で、前記第１樹脂材の外側に、グランド電極パターンを形成するとともに、前記第１樹脂材を、導電性を有し、前記グランド電極パターンに電気的に接続される第２樹脂材で被覆したことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の電子装置は、前記グランド電極パターンが前記電子部品素子の搭載領域を囲繞するように形成されているとともに、前記第２樹脂材の外周部が前記グランド電極パターン上に位置していることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで発光層を挟んでなるダイオード構造層が、コンタクト層を介して、複数層積層されてなり、前記コンタクト層は、隣接するダイオード構造層間を電気的に接続するとともに、発光層で発せられた光を透過し、前記コンタクト層は、前記ｎ型クラッド層側に設けられたｎ型高濃度ドープ層からなることを特徴とするＬＥＤ
を同一基板上に複数配し、ひとつのLEDと他のLEDとが金属薄膜による配線パターンによって接続されてなることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項２】
ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで発光層を挟んでなるダイオード構造層が、コンタクト層を介して、複数層積層されてなり、前記コンタクト層は、隣接するダイオード構造層間を電気的に接続するとともに、発光層で発せられた光を透過し、前記コンタクト層は、前記ｐ型クラッド層側に設けられたｐ型高濃度ドープ層と前記ｎ型クラッド層側に設け
られたｎ型高濃度ドープ層からなることを特徴とするＬＥＤを同一基板上に複数配し、
ひとつのLEDと他のLEDとが金属薄膜による配線パターンによって接続されてなることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項３】
前記ダイオード構造層の内、少なくともひとつのダイオード構造層は、他のダイオード構造層とは異なる
色の光を発することを特徴とする請求項１または２記載のＬＥＤチップ
【請求項４】
前記ダイオード構造層は、一層は赤色光、一層は緑色光、一層は青色光を発光することを特徴とする請求項３記載のＬＥＤチップ。
【請求項５】
光放出面に凹凸面を有する請求項１乃至２記載のＬＥＤチップ。
【請求項６】
プリント配線板上に請求項１乃至２のいずれか１項に記載のＬＥＤチップが実装されたＬＥＤモジュール。
【請求項7】
前記プリント配線板上に請求項１乃至２のいずれか1項に記載のＬＥＤチップをフリップチップ実装された請求項６記載のLEDモジュール。
【請求項８】
前記ダイオード構造層からの紫外光を白色光に変換する蛍光体膜を含む請求項６記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
前記ダイオード構造層からの青色光と、青色光を黄色光に変換する蛍光体膜を含み、前記青色光と前記黄色光の混色により白色光を発する請求項６記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
前記ダイオード構造層の内、一層は青色光、一層は赤色光を発し、青色光を黄色光に変換する蛍光体膜を含み、前記青色光と前記赤色光と前記黄色光の混色により白色光を発する請求項６記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
請求項６に記載されたＬＥＤモジュールを備えたことを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】  
多数個実装することによって輝度の向上が図られるものの、ＬＥＤ１個がいくら白熱電球や蛍光灯と比べて小さいとはいえ、白熱電球や蛍光等と同等の光束を得ようとした場合には、ＬＥＤを実装するための面積が大きくなりかえって照明装置の大型化を招来しかねず、代替光源としての意義が没却されかねない。また、高光束を得るためにチップサイズを大きくする必要があるが、一般に半導体素子は、サイズが大きくなるとその中に欠陥が含まれる確率が高くなるので、歩留まりが下がる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題に鑑み、実装面積を拡大することなく、輝度を向上することができるＬＥＤ、当該ＬＥＤで構成されるＬＥＤチップ、ＬＥＤチップを有するＬＥＤモジュール、および当該ＬＥＤモジュールを備えた照明装置を提供することを目的とする。
また、チップサイズを大きくしても、歩留まりを下げない構造を実現する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】陽極用リードを引き出し、表面に陰極層を形成したコンデンサ素子と、前記陽極用リードに接続した陽極端子板と、前記陰極層に接続した陰極端子板とを、前記陽極端子板と前記陰極端子板の一部が露呈するように外装樹脂で被覆してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、少なくとも前記陽極端子板には、前記陽極用リードと前記陽極端子板との接続位置と、前記陰極層と前記陰極端子板との接続位置との差にほぼ等しい高さの隆起部分があり、前記陽極用リードが前記隆起部分上面で接続されていて、なおかつ前記陽極端子板と前記陰極端子板との前記露呈部分が端面部と端底部にあり、前記端面部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであり、前記端底部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであるチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項２】陽極用リードを引き出し、表面に陰極層を形成したコンデンサ素子と、前記陽極用リードに接続した陽極端子板と、前記陰極層に接続した陰極端子板とを、前記陽極端子板と前記陰極端子板の一部が露呈するように外装樹脂で被覆してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、少なくとも前記陽極端子板には、前記陽極用リードと前記陽極端子板との接続位置と、前記陰極層と前記陰極端子板との接続位置との差にほぼ等しい高さの直立隆起部分があり、前記陽極用リードが前記隆起部分上面で接続されていて、前記隆起部分では前記外装樹脂から露呈せずに、なおかつ前記陽極端子板と前記陰極端子板との前記露呈部分が端面部と端底部にあり、前記端面部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであり、前記端底部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであるチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項３】陽極用リードを引き出し、表面に陰極層を形成したコンデンサ素子と、前記陽極用リードに接続した陽極端子板と、前記陰極層に接続した陰極端子板とを、前記陽極端子板と前記陰極端子板の一部が露呈するように外装樹脂で被覆してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、前記陽極端子板と前記陰極端子板には隆起部分または沈降部分を設け、少なくとも前記陽極端子板には、前記陽極用リードと前記陽極端子板との接続位置と、前記陰極層と前記陰極端子板との接続位置との差にほぼ等しい高さの、前記陽極用リードがその上面で接続されていている隆起部分があり、なおかつ前記陽極端子板と前記陰極端子板との前記露呈部分が端面部と端底部にあり、前記端面部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであり、前記端底部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであるチップ形固体電解コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を解決するために、陽極用リードを引き出し、表面に陰極層を形成したコンデンサ素子と、前記陽極用リードに接続した陽極端子板と、前記陰極層に接続した陰極端子板とを、前記陽極端子板と前記陰極端子板の一部が露呈するように外装樹脂で被覆してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、少なくとも前記陽極端子板には、前記陽極用リードと前記陽極端子板との接続位置と、前記陰極層と前記陰極端子板との接続位置との差にほぼ等しい高さの隆起部分があり、前記陽極用リードが前記隆起部分上面で接続されていて、なおかつ前記陽極端子板と前記陰極端子板との前記露呈部分が端面部と端底部にあり、前記端面部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであり、前記端底部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであるチップ形固体電解コンデンサを提供するものである。
また、陽極用リードを引き出し、表面に陰極層を形成したコンデンサ素子と、前記陽極用リードに接続した陽極端子板と、前記陰極層に接続した陰極端子板とを、前記陽極端子板と前記陰極端子板の一部が露呈するように外装樹脂で被覆してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、少なくとも前記陽極端子板には、前記陽極用リードと前記陽極端子板との接続位置と、前記陰極層と前記陰極端子板との接続位置との差にほぼ等しい高さの直立隆起部分があり、前記陽極用リードが前記隆起部分上面で接続されていて、前記隆起部分では前記外装樹脂から露呈せずに、なおかつ前記陽極端子板と前記陰極端子板との前記露呈部分が端面部と端底部にあり、前記端面部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであり、前記端底部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであるチップ形固体電解コンデンサを提供するものである。
また、陽極用リードを引き出し、表面に陰極層を形成したコンデンサ素子と、前記陽極用リードに接続した陽極端子板と、前記陰極層に接続した陰極端子板とを、前記陽極端子板と前記陰極端子板の一部が露呈するように外装樹脂で被覆してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、前記陽極端子板と前記陰極端子板には隆起部分または沈降部分を設け、少なくとも前記陽極端子板には、前記陽極用リードと前記陽極端子板との接続位置と、前記陰極層と前記陰極端子板との接続位置との差にほぼ等しい高さの、前記陽極用リードがその上面で接続されていている隆起部分があり、なおかつ前記陽極端子板と前記陰極端子板との前記露呈部分が端面部と端底部にあり、前記端面部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであり、前記端底部の前記露呈部分の面積が前記陽極端子板と前記陰極端子板においてほぼ同じであるチップ形固体電解コンデンサを提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の強磁性層を非磁性中間層を介して積層し、一方の強磁性層は外部の磁界に応じて磁化の方向が回転する自由層であり、他方の強磁性層は実質的にその磁化の方向が固定されている固定層であり、外部の磁界に応じて上記強磁性層の互いの磁化の方向の相対角度が変わって磁気抵抗効果を生じる積層体と、
上記積層体の膜厚方向に感知電流を通電する一対の電極と、
少なくとも一方の前記強磁性層と前記非磁性中間層との間に形成される高分極率層と、
前記高分極率層と前記非磁性中間層との間に形成される中間強磁性金属層とを有し、
前記高分極率層は、強磁性金属であるCo、Ni、Feの合金に比べてフェルミ順位でのスピンの状態密度の差異の比率が大きい高分極率材料を含有し、
上記高分極率層に含まれる強磁性化合物は、Ｘ2ＭｎＹ（Ｘ＝Co,Cu,Pt、Ｙ＝Ge,Al,Si）型の組成を有するホイスラー合金、もしくはＬ2１型もしくはＺ2ＭｎＭ（Ｚ＝Cu,Pt、Ｙ＝Ge,Al,Si）型の結晶構造を有するホイスラー合金であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記高分極率層は、導電性が高いことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
前記一対の電極の間の所定の位置に形成され、酸化物などの非導電層の面内に実質的な局所的導電部分を有して電流絞込み効果を発揮するスクリーニング層を備えることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
前記中間強磁性金属層及び高分極率層は、前記非磁性中間層と自由層との間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
前記中間強磁性金属層及び高分極率層は、前記非磁性中間層と固定層との間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
前記中間強磁性金属層及び高分極率層は、前記非磁性中間層と自由層との間及び前記非磁性中間層と固定層との間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
上記中間強磁性金属層は、Co合金、Fe合金、Ni合金あるいはCo、Fe、Niを主成分とする金属を含有し、その厚さが0.2ナノメートルから3ナノメートルであることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
上記高分極率層の厚さが、1ナノメートルから５ナノメートルであることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項９】
上記積層体の膜厚方向に感知電流を通電する一対の電極と、磁気抵抗効果素子とを備える磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子は、一対の強磁性層を非磁性中間層を介して積層し、一方の強磁性層は外部の磁界に応じて磁化の方向が回転する自由層であり、他方の強磁性層は実質的にその磁化の方向が固定されている固定層であり、外部の磁界に応じて上記強磁性層の互いの磁化の方向の相対角度が変わって磁気抵抗効果を生じる積層体であり、更に、少なくとも一方の前記強磁性層と前記非磁性中間層との間に形成される高分極率層と、前記高分極率層と前記非磁性中間層との間に形成される中間強磁性金属層とを有し、前記高分極率層は、強磁性金属であるCo、Ni、Feの合金に比べてフェルミ順位でのスピンの状態密度の差異の比率が大きい高分極率材料を含有し、
上記高分極率層に含まれる強磁性化合物は、Ｘ2ＭｎＹ（Ｘ＝Co,Cu,Pt、Ｙ＝Ge,Al,Si）型の組成を有するホイスラー合金、もしくはＬ2１型もしくはＺ2ＭｎＭ（Ｚ＝Cu,Pt、Ｙ＝Ge,Al,Si）型の結晶構造を有するホイスラー合金であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記高分極率層は、導電性が高いことを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記一対の電極の間の所定の位置に形成され、酸化物などの非導電層の面内に実質的な局所的導電部分を有して電流絞込み効果を発揮するスクリーニング層を備えることを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッド。