【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 反応容器内で、少なくともＩＩＩ族金属を含む融液とフラックスと窒素原料とが接する領域から、種結晶を用いてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。
【請求項２】 反応容器内で、少なくともＩＩＩ族金属を含む融液とフラックスと窒素原料からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長装置において、ＩＩＩ族窒化物の種結晶を保持する種結晶保持手段と、フラックス蒸気圧を制御可能にフラックスを供給するフラックス供給手段と、窒素圧力を制御可能に窒素原料を供給する窒素供給手段とを具備しており、前記種結晶保持手段を移動させることで、種結晶と前記融液と窒素原料が接することができる領域を移動可能となっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項３】 請求項２記載の結晶成長装置において、種結晶と融液とフラックスと窒素原料とが接する領域を限定する限定手段がさらに設けられていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項４】 請求項２記載の結晶成長装置において、前記フラックス供給手段は、III族窒化物の種結晶を保持している周辺からフラックスを供給する機能を有していることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項５】 請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の結晶成長装置において、フラックスとしてＮａが用いられ、前記フラックス供給手段は、フラックスとしてのＮａの蒸気圧を制御する機能を有していることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項６】 請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載の結晶成長装置において、反応容器の内壁のうち、前記融液が接する領域が窒化物で形成されていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項７】 請求項２または請求項３記載の結晶成長装置において、前記種結晶保持手段を融液がある側とは反対側の上方に移動させて種結晶を引き上げ可能となっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項８】 請求項２記載の結晶成長装置において、種結晶を融液中に沈ませながら移動させるよう、前記種結晶保持手段を移動可能となっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項９】 請求項２乃至請求項８のいずれか一項に記載の結晶成長装置において、種結晶は、気液界面と概ね平行な面の一辺が長く、かつ結晶成長初期において、気液界面と概ね平行な面が気液界面に接しているか、もしくは種結晶が融液中に浸っている形状となっていることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項１０】 請求項３記載の結晶成長装置において、前記限定手段は、所定の大きさに制御可能な開口部を有していることを特徴とする結晶成長装置。
【請求項１１】 請求項２乃至請求項１０のいずれか一項に記載の結晶成長装置を用いてＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長させることを特徴とする結晶成長方法。
【請求項１２】 請求項１記載の結晶成長方法を用いて結晶成長させたＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項１３】
少なくともＩＩＩ族金属を含む融液と窒素原料とを含む反応容器内にフラックスを供給してIII族窒化物結晶を製造するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１４】
少なくともＩＩＩ族金属を含む融液とフラックスと窒素原料とを含む反応容器内で種結晶を用いてＩＩＩ族窒化物結晶を製造するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ族金属は、Ｇａであり、
前記フラックスは、Ｎａである、請求項１４に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１６】
前記種結晶を移動させながら前記ＩＩＩ族窒化物結晶を製造する、請求項１４または請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１７】
前記種結晶を前記融液から遠ざけながら前記ＩＩＩ族窒化物結晶を製造する、請求項１４または請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１８】
前記種結晶を気液界面から遠ざけながら前記ＩＩＩ族窒化物結晶を製造する、請求項１７に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項１９】
前記種結晶以外の核発生を抑制して前記ＩＩＩ族窒化物結晶を製造する、請求項１４から請求項１８のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２０】
前記窒素原料を前記融液に供給する領域を制限して前記ＩＩＩ族窒化物結晶を製造する、請求項１９に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２１】
前記フラックスを前記融液に供給しながら前記III族窒化物結晶を製造する、請求項１４から請求項２０のいずれか１項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２２】
前記種結晶は、棒形状からなる、請求項１３から請求項２１のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２３】
前記窒素原料を気液界面から前記融液に供給して前記ＩＩＩ族窒化物結晶を製造する、請求項１３から請求項２２のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
【請求項２４】
種結晶を含むＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項２５】
サイズが前記種結晶よりも大きい、請求項２４に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項２６】
Ｇａと窒素との比が一定である、請求項２４または請求項２５に記載のＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項２７】
サイズが種結晶よりも大きいＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項２８】
Ｇａと窒素との比が一定であるＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項２９】
結晶方位が制御されたバルクＩＩＩ族窒化物結晶。
【請求項３０】
少なくともＩＩＩ族金属を含む融液と窒素原料とを含む反応容器と、
前記反応容器内にフラックスを供給する手段とを備える結晶製造装置。
【請求項３１】
少なくともＩＩＩ族金属を含む融液とフラックスと窒素原料とを含む反応容器と、
種結晶が前記融液に接するように、または前記種結晶が前記融液に浸漬するように前記種結晶を保持する保持手段とを備える結晶製造装置。
【請求項３２】
前記種結晶を前記融液から遠ざける手段をさらに備える、請求項３１に記載の結晶製造装置。
【請求項３３】
前記遠ざける手段は、前記種結晶を移動させることにより前記種結晶を前記融液から遠ざける、請求項３２に記載の結晶製造装置。
【請求項３４】
前記遠ざける手段は、前記融液を移動させることにより前記種結晶を前記融液から遠ざける、請求項３２に記載の結晶製造装置。
【請求項３５】
前記種結晶以外の核発生を抑制する手段をさらに備える、請求項３１から請求項３４のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３６】
前記抑制する手段は、前記窒素原料を前記融液に供給する領域を制限することにより前記核発生を抑制する、請求項３５に記載の結晶製造装置。
【請求項３７】
前記フラックスを前記融液に供給する手段をさらに備える、請求項３１から請求項３６のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３８】
前記種結晶は、棒形状である、請求項３１から請求項３７のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項３９】
前記反応容器は、
前記フラックスおよび前記窒素原料を保持する第１の反応容器と、
前記第１の反応容器の内部に配置され、前記融液を保持する第２の反応容器とを含む、請求項３１から請求項３８のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項４０】
前記反応容器の前記融液が接する領域は、窒化物からなる、請求項３１から請求項３９のいずれか１項に記載の結晶製造装置。
【請求項４１】
前記窒素原料を気液界面から前記融液へ供給する手段をさらに備える、請求項３１から請求項４０のいずれか１項に記載の結晶製造装置。