【事件の表示】
　平成　３年特許願第１７５３９１号「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１２月１５日出願公開、特開平　４−３６３０５９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成３年７月１６日（優先日：平成２年８月２３日、出願番号：平成２−２２１９３２号、平成２−２２１９３３号）の出願であって、原審において平成１２年５月９日付けで拒絶理由が通知され、その理由により平成１２年１０月３日付けで拒絶されたものである。その後審判請求がなされ、当審において平成１３年１１月２７日付けで拒絶理由が通知され、指定期間内の平成１４年１月２８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成１４年１月２８日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「バイポーラ素子部と、MOS素子部と、前記MOS素子部と前記バイポーラ素子部とを分離するフィールド絶縁膜と、
を有する半導体装置であって、
　前記ＭＯＳ素子部は、
　前記フィールド酸化膜の下方まで伸長した、第１の埋め込み層と、
　前記第１の埋め込み層の上方に形成されたソースまたはドレイン領域と、を含み、
　前記バイポーラ素子部は、
　前記フィールド絶縁膜に接するように形成され、前記MOS素子部のゲート絶縁膜より大きな膜厚を有する、ベース／エミッタ電極絶縁膜と、
　前記第１の埋め込み層と接するように形成された第２の埋め込み層と、
　前記フィールド絶縁膜に接触しないように配置されたエミッタ領域と、
　前記第２の埋め込み層の上方に、前記フィールド絶縁膜に接触するように配置されたベース領域と、を含み、
　前記フィールド酸化膜と前記第１の埋め込み層との間にチャネルストッパ領域が形成されていること、
　を特徴とする半導体装置。」
 
３．刊行物記載の発明
　当審における平成１３年１１月２７日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先権主張の日前の平成２年１月２４日に頒布された刊行物１（特開平２−２１６４８号公報）は、半導体装置及びその製造方法に関するものであり、第１図（ａ）〜（ｊ）と共に以下の製造方法が記載されている。
  「まず、Ｐ型で（１００）結晶面のシリコン半導体基板１０上に・・・Ｎ＋型の埋込みコレクタ層１３を形成する（第１図（ａ））。次に、・・・写真蝕刻法を用いて埋込みＮ＋領域１３以外に埋込みＰ＋領域１６´をＢのイオン注入により形成する。・・・この後、エピタキシャル成長法により基板１０上に不純物としてＰ（リン）を１×１０１６ｃｍ−３程度含むＮ型エピタキシャル層１４を形成する。・・・イオン注入することによりＮウエル領域１５を選択的に形成し、・・・イオン注入することによりＰウエル領域１６を選択的に形成する（第１図（ｄ））。・・・続いて、ＭＯＳトランジスタどうし及びＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタとを分離するためのフィールド酸化膜１７を選択酸化法により形成する。・・・なお、このフィールド酸化膜１７の形成に先立ちフィールド反転防止用のイオン注入領域１８を自己整合的に形成する。続いて全面に膜厚が１５０Å程度のダミーゲート酸化膜１９を熱酸化法により形成する。・・・上記ダミーゲート酸化膜１９を全面剥離した後、酸化法により表面に１５０Å程度の厚みのゲート酸化膜２３を形成する。さらにその上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）により多結晶シリコン層２４を所定の厚みに堆積する。・・・次に、写真蝕刻法を用いて上記多結晶シリコン層２４及びゲート酸化膜２３をパターニングし、ＭＯＳトランジスタのゲート電極をＮウエル領域１５上及びＰウエル領域１６上にそれぞれ残す。・・・Ｎウエル領域１５の表面にＰ＋型のソース領域２５及びドレイン領域２６を形成する。このとき、同時に前記埋込みコレクタ層１３上のＮ型エピタキシャル層１４にもイオン注入を行って、バイポーラトランジスタの外部ベース領域２７を形成する。・・・Ｐウエル領域１６の表面にＮ−型のソース領域２８及びドレイン領域２９を形成する（第１図（ｇ））。・・・Ｐウエル領域１６の表面にＮ＋型のソース領域３１及びドレイン領域３２を形成する。・・・前記埋込みコレクタ層１３上のＮ型エピタキシャル層１４にＰ型の内部ベース領域３４を形成する（第１図（ｈ））。次に、全面に層間絶縁膜としてのＣＶＤ−ＳｉＯ２膜３５を２０００Åの厚みに堆積し、・・・コンタクトホール３６及び・・・コンタクトホール３７をそれぞれ開口する。この後、多結晶シリコン層を２０００Åの厚さに堆積し、さらにパターニングを行ってエミッタ電極と高抵抗素子及び配線領域とすべき位置にのみ多結晶シリコン層３８，３９として残す。・・・前記内部ベース領域３４内にＮ型のエミッタ領域４１を形成すると同時に多結晶シリコン層３８を低抵抗化してバイポーラトランジスタのエミッタ電極を形成する。」（第３頁右上欄第１７行〜第５頁右上欄第７行）。
　そして、上記製造方法とその最終工程を表している第１図（ｊ）を参照してまとめると、刊行物１には、上記製造方法により完成した次の半導体装置が記載されている。
「バイポーラトランジスタと、ＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタと前記バイポーラトランジスタを分離するフィールド酸化膜１７と、を有する半導体装置であって、前記ＭＯＳトランジスタは、前記フィールド酸化膜１７の下方まで伸長した、埋込みＰ＋領域１６´と、前記埋込みＰ＋領域１６´の上方に形成されたＮ−型のソース領域２８、Ｎ−型のドレイン領域２９、Ｎ＋型のソース領域３１及びＮ＋型のドレイン領域３２と、を含み、前記バイポーラトランジスタは、前記フィールド酸化膜１７に接するように形成され、前記ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜２３（厚さ１５０Å）より大きな膜厚を有する、層間絶縁膜としてのＣＶＤ−ＳｉＯ２膜３５（厚さ２０００Å）と、前記埋込みＰ＋領域１６´と接するように形成された埋込みＮ＋領域１３と、前記フィールド酸化膜１７に接触しないように配置されたエミッタ領域４１と、前記埋込みＮ＋領域１３の上方に、前記フィールド酸化膜１７に接触するように配置された外部ベース領域２７及び内部ベース領域３４と、を含み、前記フィールド酸化膜に自己整合的にフィールド反転防止用のイオン注入領域１８が形成されている（第１図（ｅ）参照）こと、を特徴とする半導体装置」
　
４．本願発明と刊行物記載の発明との対比と判断
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載された「バイポーラトランジスタ」、「ＭＯＳトランジスタ」、「フィールド酸化膜」、「埋込みＰ＋領域」、「Ｎ−型のソース領域及びＮ＋型のソース領域」、「Ｎ−型のドレイン領域及びＮ＋型のドレイン領域」、「ゲート酸化膜」、「埋込みＮ＋領域」、「外部ベース領域及び内部ベース領域」はそれぞれ本願発明の「バイポーラ素子部」、「ＭＯＳ素子部」、「フィールド絶縁膜或いはフィールド酸化膜」、「第１の埋め込み層」、「ソース領域」、「ドレイン領域」、「ゲート絶縁膜」、「第２の埋め込み層」、「ベース領域」に相当している。
　また、刊行物１記載の発明では、ソース領域及びドレイン領域（「Ｎ−型のソース領域及びＮ＋型のソース領域」及び「Ｎ−型のドレイン領域及びＮ＋型のドレイン領域」）は、埋込みＰ＋領域１６´の上方に形成されているのであるから、ソース領域又はドレイン領域（「Ｎ−型のソース領域及びＮ＋型のソース領域」又は「Ｎ−型のドレイン領域及びＮ＋型のドレイン領域」）は、埋込みＰ＋領域１６´の上方に形成されていることになる。
　また、刊行物１に記載された「層間絶縁膜としてのＣＶＤ−ＳｉＯ２膜３５」は、エミッタ電極３８と外部ベース領域２７及び内部ベース領域３４の間に形成されているので、本願発明の「ベース／エミッタ電極絶縁膜」に相当している。
　また、刊行物１記載の発明では、フィールド反転防止用のイオン注入領域１８がフィールド酸化膜１７に自己整合的に形成されているのであるから、フィールド反転防止用のイオン注入領域１８はフィールド酸化膜１７の下に形成されており、また、フィールド酸化膜１７の下方には埋込みＰ＋領域１６´が存在するので、フィールド反転防止用のイオン注入領域１８はフィールド酸化膜１７と前記埋込みＰ＋領域１６´との間に形成されていることになる。
　したがって、本願発明と刊行物１記載の発明とは、「バイポーラ素子部と、MOS素子部と、前記MOS素子部と前記バイポーラ素子部とを分離するフィールド絶縁膜と、を有する半導体装置であって、前記ＭＯＳ素子部は、前記フィールド酸化膜の下方まで伸長した、第１の埋め込み層と、前記第１の埋め込み層の上方に形成されたソースまたはドレイン領域と、を含み、前記バイポーラ素子部は、前記フィールド絶縁膜に接するように形成され、前記MOS素子部のゲート絶縁膜より大きな膜厚を有する、ベース／エミッタ電極絶縁膜と、前記第１の埋め込み層と接するように形成された第２の埋め込み層と、前記フィールド絶縁膜に接触しないように配置されたエミッタ領域と、前記第２の埋め込み層の上方に、前記フィールド絶縁膜に接触するように配置されたベース領域と、を含み、前記フィールド酸化膜と前記第１の埋め込み層との間に領域が形成されていること、を特徴とする半導体装置。」の点で一致し、本願発明では、前記フィールド酸化膜と前記埋め込み層との間に形成される領域がチャネルストッパ領域であるのに対し、刊行物１記載の発明ではフィールド反転防止用のイオン注入領域である点で一応相違している。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　本願明細書にはチャネルストッパ領域については、段落【０００４】に「この半導体装置は、Ｐ型Ｓｉ基板１０上に、Ｎ＋ 型埋込層１２およびｐ＋ 型埋込層１４を形成し、さらにその上にＮ型エピタキシャル成長Ｓｉ層１６を形成し、さらにこのＮ型エピタキシャル成長Ｓｉ層内にＰ型ウエル１８、ｐ＋ 型チャンネルストッパ２０およびフィールド酸化膜２１を形成している。」と記載されており、段落【００２６】に「この半導体積層基板は、Ｐ型Ｓｉ基板４０上にＮ＋型埋込層４２およびｐ＋型埋込層４４が形成され、さらにその上にＮ型エピタキシャル成長Ｓｉ層４６が形成されている。そして、このＮ型エピタキシャル成長Ｓｉ層４６には、Ｐ型ウエル４８、Ｐ型チャンネルストッパ５０およびフィールド酸化膜５２が形成されている。」と記載されているのみであり、チャネルストッパ領域についてその詳細な説明はない。
　しかしながら、チャネルストッパ領域とは、当該技術分野における一般的な理解によると次のような技術を言う。すなわち、半導体基板（半導体基板又はその上に積層されたエピタキシャル層も含んで半導体基板と言うこととする）上に隣接して形成された素子を分離するためにフィールド酸化膜を形成すると、該フィールド酸化膜と接触している上記半導体基板の界面部の導電型が反転するためにチャネルが発生し、上記隣接する素子間において該チャネルを介して漏れ電流が生じてしまい、上記隣接する素子を分離することができなくなってしまう。このような半導体基板の導電型の反転に伴うチャネルの発生を防止するために、フィールド酸化膜を形成する領域の半導体基板に予め該半導体基板と同じ導電型のイオンを注入することによりイオン濃度の高い領域を形成する。イオン濃度の高い領域は導電型が反転しにくくなるので、フィールド酸化膜に接触する半導体基板の界面部にチャネルが発生しにくくなる。このように、フィールド酸化膜の下部にありイオン濃度を高くしてチャネルの発生を防ぐ領域のことをチャネルストッパ領域といっており、本願発明のチャネルストッパ領域も同様の機能を有しているものと認められる。（なお、代表的なフィールド酸化膜及びチャネルストップ領域の形成工程については、例えば、株式会社工業調査会発行，前田和夫著「最新ＬＳＩプロセス技術」の図１．２．３４及びその説明の欄に記載されている。また、フィールド酸化膜に接する半導体基板の導電型が反転する点については、例えば、特開昭５３−５０６８８号公報の第１頁右下欄第１〜８行、または、特開昭５３−３１９８４号公報の第４頁右下欄第７行〜第５頁左上欄第１３行に記載されている。）
　一方、刊行物１にはフィールド反転防止用のイオン注入領域１８について「続いて、ＭＯＳトランジスタどうし及びＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタとを分離するためのフィールド酸化膜１７を選択酸化法により形成する。このフィールド酸化膜１７の膜厚は６０００Å程度である。なお、このフィールド酸化膜１７の形成に先立ちフィールド反転防止用のイオン注入領域１８を自己整合的に形成する。続いて全面に膜厚が１５０Å程度のダミーゲート酸化膜１９を熱酸化法により形成する。この後、上記ダミーゲート酸化膜１９を通して上記Ｎウエル領域１５、Ｐウエル領域１６それぞれの表面にＰチャネルＭＯＳトランジスタ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタの閾値合わせ込み用及びパンチスルー防止用のチャネルイオン注入領域２０，２１を形成する。上記Ｎウエル領域１５側のチャネルイオン注入領域２０は・・・２回のイオン注入により形成する。Ｐウエル領域１６側のチャネルイオン注入領域２１は・・・イオン注入することにより形成する。さらに、上記Ｎ型エピタキシャル層１４にＰイオンを・・・イオン注入することにより、上記埋込みコレクタ層１３に接続されたデープ（Ｄｅｅｐ）Ｎ＋型イオン注入領域２２を形成する（第１図（ｅ））。」（第３頁右下欄第１０行〜第４頁左上欄第１８行）と記載されている。また、第１図（ｅ）は半導体装置の製造方法の一工程を表す図であって、フィールド酸化膜１７の直下にフィールド反転防止用のイオン注入領域１８が形成されていることが読み取れる。
　以上刊行物１にはフィールド反転防止用のイオン注入領域１８について、各素子間を分離するフィールド酸化膜に先立って自己整合的に形成されるものであることが記載されており、したがって、フィールド反転防止用のイオン注入領域１８はフィールド酸化膜直下のウエルに形成されるものである。また、フィールド反転防止用のイオン注入領域とは何を防止するための領域であるかその詳細は記載されていないが、その形成位置及び名称から判断して、フィールド酸化膜直下のウエルの導電型の反転を防止するための領域であることは当業者には自明の事項である。
　したがって、本願発明の上記チャネルストッパ領域及び刊行物１記載の上記フィールド反転防止用のイオン注入領域はいずれも、フィールド酸化膜直下のウエル（又はエピタキシャル層）の導電型が反転してチャネルが発生することを防止するための領域のことであるから、その名称は異なっていても同一の機能を有する領域である。
　よって、本願発明におけるチャネルストッパ領域と刊行物１記載の発明のフィールド反転防止用のイオン注入領域との間に実質的な相違は認められない。
　
５．結び
　ゆえに、本願発明は、上記刊行物１に記載された発明であるから、特許法２９条第１項３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。