【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセント素子を構成する有機エレクトロルミネッセント層のうち少なくともバッファー層および発光層が、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングされることにより形成されるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
フォトレジスト溶媒、フォトレジスト剥離液、および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるバッファー層を、バッファー層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いてパターニングすることにより、パターニングされたバッファー層を形成する工程と、
フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である発光層を、発光層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いてパターニングすることにより、前記パターニングされたバッファー層上にパターニングされた発光層を形成する工程とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項２】
前記パターニングされたバッファー層を形成する工程には、フォトレジストを用いてバッファー層をパターニングした後、前記フォトレジストを剥離する工程が含まれることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項３】
前記発光層形成に用いる溶媒が、既に形成されているバッファー層に対して、貧溶媒であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項４】
前記発光層形成に用いる溶媒の、既に形成されているバッファー層に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下であることを特徴とする請求項３に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項５】
前記発光層が、種類の異なる発光層を複数回にわたるフォトリソグラフィー法により形成してなる発光層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光層が、赤、緑および青の光を発光する３種類の発光層であることを特徴とする請求項５に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項７】
エレクトロルミネッセント素子を構成する有機エレクトロルミネッセント層のうち少なくともバッファー層および発光層が、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングされることにより形成されるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
フォトレジスト溶媒、フォトレジスト剥離液、および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるバッファー層を形成し、次いで前記バッファー層上にフォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である発光層を形成し、バッファー層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いて、前記バッファー層および発光層を同時にパターニングする工程を有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項８】
前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングが、パターニングされるバッファー層および／または発光層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、ドライエッチングを用いてフォトレジストが除去された部分のバッファー層および／または発光層を除去することによるパターニングであることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項９】
前記ドライエッチングが、反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ドライエッチングに、酸素単体または酸素を含むガスを用いることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ドライエッチングに、大気圧プラズマを用いることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１２】
前記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングが、パターニングされるバッファー層および／または発光層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、超音波浴中でフォトレジストが除去された部分のバッファー層および／または発光層を除去することによるパターニングであることを特徴とする請求項１または請求項１０に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１３】
前記発光層、または前記バッファー層および前記発光層をパターニングした後に第２電極層を形成することを特徴とする請求項１から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層のうち少なくともバッファー層および発光層が、フォトリソグラフィー法を用いてパターニグされることにより形成されるＥＬ素子の製造方法であって、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト剥離液、および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるバッファー層を、バッファー層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いてパターニングすることにより、パターニングされたバッファー層を形成する工程と、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である発光層を、発光層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いてパターニングすることにより、上記パターニングされたバッファー層上にパターニングされた発光層を形成する工程とを有することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記パターニングされたバッファー層を形成する工程には、フォトレジストを用いてバッファー層をパターニングした後、上記フォトレジストを剥離する工程が含まれることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１または請求項２に記載された発明においては、請求項３に記載するように、上記発光層形成に用いる溶媒が、既に形成されているバッファー層に対して、貧溶媒であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記発光層形成に用いる溶媒の、既に形成されているバッファー層に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記発光層が、種類の異なる発光層を複数回にわたるフォトリソグラフィー法により形成してなる発光層であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記請求項５に記載された発明においては、請求項６に記載するように、上記発光層が、赤、緑および青の光を発光する３種類の発光層であることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は請求項７に記載するように、ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層のうち少なくともバッファー層および発光層が、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングされることにより形成されるＥＬ素子の製造方法であって、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト剥離液、および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるバッファー層を形成し、次いで上記バッファー層上にフォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である発光層を形成し、バッファー層形成に用いる溶媒に不溶であるフォトレジストを用いて、上記バッファー層および発光層を同時にパターニングする工程を有することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項８に記載するように、上記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングが、パターニングされるバッファー層および／または発光層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、ドライエッチングを用いてフォトレジストが除去された部分のバッファー層および／または発光層を除去することによるパターニングとしてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記請求項１から請求項１０までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項１２に記載するように、上記フォトリソグラフィー法を用いたパターニングが、パターニングされるバッファー層および／または発光層上にフォトレジストを塗布し、露光し、現像することによりフォトレジストをパターニングした後、超音波浴中でフォトレジストが除去された部分のバッファー層および／または発光層を除去することによるパターニングであることが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記請求項１から請求項１２までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項１３に記載するように、上記発光層、または上記バッファー層および上記発光層をパターニングした後に第２電極層を形成することが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
（発光層のパターニング）
バッファー層が形成された基体上にポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を２ｍｌとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は８００オングストロームとなった。