【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第８の発明は、第１〜第６または第７の発明における前記Ａｌ合金を、ＡｌにＣｕ、ＴｉまたはＴａを加えたものとしている。
第８の発明によれば、以上のようにＳＡＷフィルタを構成しているので、Ａｌ合金の耐マイグレーション特性が向上する。
第９の発明は、第１〜第３の発明または第６〜第８の発明における前記Ａｌ或いはＡｌ合金よりも熱伝導率が高い金属は、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕで構成している。
第９の発明によれば、以上のようにＳＡＷフィルタを構成したので、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕの熱伝導率が高い。よって、これらを伝わって発熱した熱が逃げる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
第１の実施形態
図９は、本発明の第１の実施形態を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１０は、図９中のＳＡＷ共振子３０s1の構成を示す斜視図である。
第１の実施形態の梯子型ＳＡＷフィルタは、耐電力の特に発熱に着目し、梯子型ＳＡＷフィルタにおける各ＳＡＷ共振子間を接続するパターン、ＳＡＷ共振子とボンディングパッドとの間を接続する接続パターン及び該ボンディングパッドに、例えば熱伝導率のよいＡｕ（金）等を蒸着することにより、発熱の大きい共振子で発生した熱を後段の発熱の小さい共振子及び外部回路に逃がし、耐熱性を向上させ、耐電力を向上させたものである。特に、発熱によって電極のマイグレーションが加速されるとい報告もあるので、発生した熱を分散・放熱させて耐熱性を向上することは、重要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（２５）  接続パターン７４は、Ａｕのみで蒸着・形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、Ａｌ中拡散による信頼性低下も防止できる。
（２６）  各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（２７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
（２８）  細い電極指と太い接続パターン７４とを同時にエッチングまたはリフトオフすると、過剰に細い電極指をエッチングまたはリフトオフする危険が会ったが、本実施形態では電極指と接続パターン７４とが別の工程で形成されるので、制御が容易である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（３５）  接続パターン９４は、Ａｌのみが蒸着され形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、他の金属のＡｌ中拡散による信頼性低下も防止できる。
（３６）  各ＳＡＷ共振子９０s2〜９０s4，９０p1〜９０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（３７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図３１（ｆ）の工程において、基板１３５のＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１３０p4等が形成された面上に、再びレジスト１４３を塗布する。図３１（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３６のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１４３を除去し、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３６のパターンを露出させる。
図３１（ｈ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、膜１３７となるＡｕの薄膜１４４を蒸着する。図３１（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１４４をレジスト１４３と共に除去する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
以上のように、この第６の実施形態では、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６と、Ａｕの放熱用の膜１３７と、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８とで構成して放熱性を改善したので、次の（５１）から（６０）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。
（５１）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中でに偏在することがない。
（５２）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
（５３）  Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
（５４）  Ａｌの膜１３６上にＡｕの膜１３７が蒸着されるので、膜１３６の膜はがれが防止できる。
（５５）  Ａｌの膜１３６上にＡｕの膜１３７が蒸着されるので、接続パターン１３４の断面積が増え、抵抗が減じることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
（５６）  各ＳＡＷ共振子１３０s1〜１３０s4，１３０p1〜１０p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
（５７）  電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる
（５８）  接続パターン１３４の上側が誘電体の膜１３８になるので、パターンに保護ができる。なおＡｌで構成されるので特別な工程を追加せずにすむ。
（５９）  接続パターン１３４の最上部が誘電体の膜１３８になるので、Ａｕの膜１３７のはがれも防止できる。
（６０）  誘電体の膜１３８は、接続パターン１３４やボンディングパッド１３１〜１３３以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
（ｉ）  第１〜第３の実施形態及び第５の実施形態では、ＡｌまたはＡＬ合金よりも、熱伝導率の高い金属としてＡｕを使用したが、ＡｇやＣｕも熱伝導率が高く、それぞれ４２６［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，３９８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。
（ii）  第１及び第２の実施形態及び第５の実施形態では、ＡｌまたはＡＬ合金よりも、熱伝導率の高い金属の膜３７，５６を一層に形成したが、金属を変えて多層にしてもよい。
（iii)  第５及び第６の実施形態では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体をＡｌ2 Ｏ3 としたが、ＡＩＮやＳｉ3 Ｎ4 も利用可能である。ＡＩＮやＳｉ3 Ｎ4 の熱伝導率は、２００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，５．５［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。使用したが、ＡｇやＣｕも熱伝導率が高く、それぞれ４２６［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，３９８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。