【事件の表示】
　平成　７年特許願第３０３９４９号「磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　９年　６月　６日出願公開、特開平　９−１４７３２４、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　経緯及び本願発明
　本願は、平成　７年１１月２２日の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定される次のとおりのものであると認める。
「【請求項１】
　回転媒体上を浮上し、該媒体からデータを検出する磁気ヘッドの製造方法において、
　ウェハ上に磁気抵抗層および該磁気抵抗層にバイアス磁界を与えるハード層を含む磁気ヘッド素子を複数形成するプロセスと、
　前記ウェハから複数の磁気ヘッド素子が一次元配列されたブロックを切り出すプロセスと、
　前記ブロックから磁気ヘッド素子を有するスライダを切り出すプロセスと、
　前記スライダをサスペンションに搭載するプロセスと、
　前記サスペンションに搭載された前記スライダに所定の方向の直流磁場を印加して前記ハード層を着磁するプロセスと
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」
　
２　引用例
引用例１　特開平７−１４１６２８号公報
　【００１３】に、「【実施例３】実施例１および実施例２で示したＭＲヘッドを製造する過程ににおいて、縦バイアス薄膜を成膜する際に加熱と磁場印加を行なわず、磁気抵抗効果膜および縦バイアス膜を含む磁極構成要素を積層した後に、磁極の長手方向すなわちセンス電流が流れる方向に平行に磁場を印加しながら、縦バイアス薄膜の　Ｔｃｒｉｔ以上の温度で加熱・冷却する工程を加えても、実施例１および実施例２と同様の特性を持ったＭＲヘッドを作製することができた。」と記載されている。
　
引用例２　特開平７−３０７０７０号公報
　「【００３７】図９において、薄膜素子３５及び保護膜３６（切欠部４３）が形成されたウエハ４４は、薄膜素子３５におけるギャップ４２部分の突き合わされた部分で切断されて切断ウエハ片４４ａとされる（図９（Ａ））。この切断ウエハ片４４ａにおいて、レール面３３ａ，３３ｂが研削により形成される（図９（Ｂ））。
【００３８】この状態が図５に示される。図１０（Ａ）はレール面３３ａ，３３ｂからの平面図であり、図１０（Ｂ）は空気流出側の端面からの平面図である。図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように切断ウエハ片４４ａが長さ方向に切欠部４３ａを有する所定数のコアスライダ３２が配列された状態でレール面３３ａ，３３ｂが所定高さで形成される。
【００３９】図９に戻って、レール面３３ａ，３３ｂが形成された切断ウエハ片４４ａを、個々の磁気ヘッド３１（コアスライダ３２）ごとに切断され、レール面３３ａ，３３ｂの空気流入側にテーパ面３４ａ，３４ｂが形成されると共に、前述のようにレール面３３ａ，３３ｂの面取り加工が行われる（図９（Ｃ））。
【００４０】このようにして形成された磁気ヘッド３１がヘッド支持部であるジンバル５２の先端に搭載されて、ヘッドアセンブリ５１が組立てられる（図９（Ｄ））。磁気ヘッド３１における薄膜素子３５の上記バンプよりリード線５３により接続端子５４に導かれる。なお、５５は後述するキャリッジアームに取り付けるための取着部である。」と記載されている。
　
引用例３　特開平６−１２４４１４号公報
「【００１０】図２および図３は、この発明の実施例である薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。薄膜磁気ヘッドを製造する際には、磁性基板１上にバイアス層３およびＭＲ素子４を含む絶縁層２を形成し、該絶縁層２上に複数の保護板６を横方向に接着して、磁性基板１上に複数の薄膜磁気ヘッドを構成する（図２（Ａ））。
【００１１】次いで、各薄膜磁気ヘッドを縦方向に分割する所定の分割位置に、保護板６および絶縁層２を切断する分割溝７を磁性基板１の厚みの約１／２の深さまで設ける（図２（Ｂ））。この後、ダイシング等により磁性基板１を保護板６に沿って横方向に棒状に分割し（図３（Ｃ））、記録媒体との摺動面となる面８を砥石およびテープ研磨によって円弧状に形成する（図３（Ｄ））。最後に、図２（Ｂ）で設けた分割溝７に沿ってダイシング等を行い、複数の薄膜磁気ヘッドに分割する（図３（Ｅ））。」と記載されている。
　上記各引用例には、ウエハー上に素子を複数形成し、ブロックに切り出し、スライダに切り出し、サスペッションに搭載することは示されているが、本願発明の構成である「サスペンションに搭載された前記スライダに所定の方向の直流磁場を印加して前記ハード層を着磁するプロセス」は示されていない。この構成により、本願明細書に記載の「ウェハ６からスライダ８に加工し、サスペンションに搭載した後、ＭＲ素子のハード層１の着磁を確実に行う構成を採用しているため、縦バイアス不良によるバルクハウゼンノイズの発生を無くし特性のバラツキのない安定な磁気ヘッドを製造することができる。」という顕著な効果を奏する。
　従って、引用例１〜３記載の発明に基づいて、本願発明を容易に発明することはできない。
　
　また、審査官の拒絶の理由に引用した、特開平５−２７４６２７号公報には、【０００９】に「（図１）は本発明の好適な第１の実施例である。特に磁気抵抗素子部の構成について図示している。第１の実施例ではＮｉ−Ｚｎフェライト等の磁性基板（図示せず）上に矩形形状の磁気抵抗素子１１を形成し、この磁気抵抗素子１１上にＣｏ−Ｐ合金薄膜、あるいはＣｏ−Ｐｔ合金薄膜等の硬質磁性層１２ａ、１２ｂ、１２ｃが形成されている。この上部にほぼ同様な形状で電極１３ａ、１３ｂおよび前記磁気抵抗素子の長手方向に対して傾斜した電極１４ｃが形成され、その他の傾斜した電極１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｅは直接磁気抵抗素子上に形成される。そして第１の実施例の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドは完成後、図示するような磁気抵抗素子の長手方向１５に着磁される。」と記載されているが、ここでの「完成後」の意味は、磁気ヘッドが、スライダ形状であるとも、サスペッションに搭載されるものとも規定されておらず、「サスペンションに搭載された前記スライダに所定の方向の直流磁場を印加して前記ハード層を着磁するプロセス」を有するものとは認められず、この引用例のものを浮上型のスライダに適用し、更にサスペンションに搭載された前記スライダに所定の方向の直流磁場を印加して前記ハード層を着磁するプロセスを有するものとすることが容易になしえたとすることはできない。
　更に、審査官が拒絶の理由に引用した、特願平７−３３７８３号（特開平８−２２７５０７号）には、【０００３】に、「ＭＲ素子２１はその内部に磁区を多数持つと、バルクハウゼンノイズ（以下、ＢＨＮと略記）と呼ばれる磁壁の不連続な移動に起因するノイズを発生しやすくなる。そこで、ハード膜２３をＭＲ素子２１の両端に配し、ＭＲ素子２１の磁化容易軸方向２７に磁界を与えることによってＭＲ素子２１の単磁区化を図り、ＢＨＮを抑制している。また、バイアス線２６はこれに直流電流を流し、通常は磁化容易軸方向２７を向いているＭＲ素子２１の磁化の向きを傾斜させ、ＭＲ素子２１の出力及び歪などを最良の状態にすることに用いる。また、バイアス線２６は、磁気テープから薄膜磁気ヘッドに入力された信号波形の振幅を下げて反転させた波形（電流）を、バイアス線２６に加え、ＭＲ素子２１に作用する信号の振幅を減少させ、歪みを低下させる、つまりネガティブフィードバックを印加する手段としても用いられる。図８の従来の製造工程のフローチャートに示すように、ＭＲ素子２１の単磁区化を図り、ハード膜に磁化を与えるため、薄膜工程、加工、組立の後に、ＭＲ素子２１の磁化容易軸方向にハード膜の保磁力より大きな直流磁界を加えて着磁を行う。」と記載されているが、ここの「組立の後」の意味は、磁気ヘッドが、スライダ形状であるとも、サスペッションに搭載されるものとも規定されておらず、「サスペンションに搭載された前記スライダに所定の方向の直流磁場を印加して前記ハード層を着磁するプロセス」を有するものとは認められず、この引用例のものを浮上型のスライダに適用し、更にサスペンションに搭載された前記スライダに所定の方向の直流磁場を印加して前記ハード層を着磁するプロセスを有するものではない。
　
３　まとめ
　本願については、原査定及び当審の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。