【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像データを生成する画像データ生成手段と、前記画像データから半導体レーザ変調信号を生成する半導体レーザ変調信号生成手段と、前記半導体レーザ変調信号に基づき、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段とを備える半導体レーザ変調駆動装置において、
前記画像データ生成手段と前記半導体レーザ変調信号生成手段とを同一の基板もしくはＡＳＩＣ（以下、ＰＣＢ１／ＡＳＩＣ１）に構成し、前記半導体レーザ駆動手段を前記ＰＣＢ１／ＡＳＩＣ１とは別の基板もしくはＡＳＩＣ（以下、ＰＣＢ２／ＡＳＩＣ２）に構成して、前記半導体レーザ変調信号をＰＣＢ１／ＡＳＩＣ１とＰＣＢ２／ＡＳＩＣ２間で伝送することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記半導体レーザ変調信号生成手段は、前記半導体レーザ変調信号を小振幅の差動信号に変換する小振幅差動信号出力部を有し、前記半導体レーザ駆動手段は、前記小振幅の差動信号を入力する小振幅差動信号入力部を有し、
前記小振幅の差動信号を前記ＰＣＢ１／ＡＳＩＣ１とＰＣＢ２／ＡＳＩＣ２間で伝送することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項３】  請求項１もしくは２記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記半導体レーザ変調信号生成手段を含むＰＣＢ１／ＡＳＩＣ１の電源電圧より前記半導体レーザ駆動手段を含むＰＣＢ２／ＡＳＩＣ２の電源電圧を高く設定することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項４】  請求項３記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記半導体レーザ駆動手段を含むＰＣＢ２／ＡＳＩＣ２の電源電圧より前記半導体レーザの電源電圧を低く設定することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項５】  請求項２乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号出力部を含む半導体レーザ変調信号生成手段を構成するＰＣＢ１／ＡＳＩＣ１は基準電流生成手段を有し、該基準電流生成手段は半導体レーザ変調信号生成部と前記小振幅差動信号出力部で共有化されることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項６】  請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号入力部を前記小振幅差動信号出力部の出力段とは異なるロジック方式で構成したことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項７】  請求項２乃至６のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号出力部は、半導体レーザ変調信号からそれと同相の正転信号と位相が１８０度異なる反転信号とを生成する正転反転信号生成部と、前記正転信号及びもしくは反転信号を入力して、小振幅の差動信号を出力する小振幅信号出力部とから構成されることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項８】  請求項７記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号出力部の出力段である小振幅信号出力部をＣＭＬもしくはＥＣＬで構成したことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項９】  請求項２乃至８のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号入力部をトランジスタの差動入力構成としたことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１０】  請求項９記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号入力部のトランジスタをＣＭＯＳで構成し、ゲートに小振幅差動信号を入力し、ソース同士を接続することにより差動入力構成としたことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１１】  請求項９記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記小振幅差動信号出力部の出力段をＣＭＬとしたとき、前記小振幅差動信号入力部をバイポーラトランジスタで構成し、ベースに小振幅差動信号を入力し、エミッタ同士を接続することにより差動入力構成としたことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１２】  請求項２乃至１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置において、伝送後の小振幅差動信号出力を抵抗で終端させることにより電流出力としたことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１３】  請求項２乃至１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置において、伝送前の小振幅差動信号出力を抵抗を用いて結線したことを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１４】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの負荷を１つもしくは複数の抵抗で構成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１５】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの負荷を１つもしくは複数のダイオードで構成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１６】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの基準電位を電源電圧ＶＣＣとすることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１７】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの基準電位を電源電圧ＶＣＣより低い中間電位とすることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１８】  請求項１７記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記中間電位を抵抗、ダイオード、電圧源のいずれかもしくは複数を用いて生成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項１９】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬへの入力信号のスイングを小さくする低スイング出力部を有することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２０】  請求項１９記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記低スイング出力部はバッファもしくはインバータを用いて構成されることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２１】  請求項２０記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記バッファもしくはインバータのハイ電位は電源電圧ＶＣＣよりも低い電位ＶＨであり、及びもしくは、ロー電位はグランドよりも高い電位ＶＬであることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２２】  請求項２１記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ハイ電位及びもしくはロー電位は１つもしくは複数のダイオードと電流源から生成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２３】  請求項２１記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ハイ電位及びもしくはロー電位はバンドギャップリファレンスとオペアンプから生成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２４】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬを２段もしくはそれ以上つないだ構成とすることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２５】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの片方の入力を固定電圧とすることを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２６】  請求項８記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの電流源を抵抗で構成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２７】  請求項１４記載の半導体レーザ変調駆動装置において、前記ＣＭＬもしくはＥＣＬの負荷抵抗を外付け部品で構成することを特徴とする半導体レーザ変調駆動装置。
【請求項２８】  少なくとも１つ以上の半導体レーザ光源と、前記光源から出射された光束を偏向する偏向手段と、前記偏向手段によって偏向された光束を被走査媒体に導く導光手段と、前記被走査媒体上を走査して前記被走査媒体上に画像を形成する画像形成装置において、前記請求項１乃至２７のいずれか１項に記載の半導体レーザ変調駆動装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２９】  請求項２８記載の画像形成装置において、複数の被走査媒体を有するタンデムカラー機に対応することを特徴とする画像形成装置。