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　平成　４年特許願第２９１０８１号「光記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　５月２０日出願公開、特開平　６−１３９６２１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年１０月２９日の出願であって、本願請求項１乃至７に係る発明は、平成１１年１２月２８日付けの手続補正及び平成１２年５月２３日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　【請求項１】「光学的に記録磁区を用いて情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体であって、記録層と、前記記録層の上に、前記記録層に接して形成された低熱伝導率材料から成る低熱伝導層と、前記低熱伝導層の上に、前記低熱伝導層に接して形成された熱吸収層とを備え、前記記録層の膜厚が８０ｎｍ以上であり、前記低熱伝導層の膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記熱吸収層が高熱伝導率材料で形成されたことを特徴とする光記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原審での拒絶の理由に引用された、本願出願の日前に頒布された特開平３−２７２０３２号公報（以下、「引用例」という。）には、
　（i）「１．基板上に形成された記録用ビームの照射を受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する記録媒体において、上記情報記録用薄膜に接して、もしくは上記の情報記録用薄膜に近接して形成した無機物および有機物のうち少なくとも一者からなる保護層に接して、Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｂ，Ｐｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｂ，ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少なくとも一元素を主成分とする薄膜の第一金属層と、Ａｌ，Ｃｕ，ＡｇおよびＡｕより成る群より選ばれた少なくとも一元素を主成分とする薄膜の第二金属層を有することを特徴とする情報記録用部材。」（請求項１参照）、
　（ii）「第一金属層を熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲のＡ群元素より選ばれた少なくとも一者を主成分とする材料より形成し、第二金属層を熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上４２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲のＢ群元素より選ばれた少なくとも一者を主成分とする材料より形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の情報記録用部材。」（請求項２参照）、
　（iii）「上記の第一金属層の膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であり、上記の第二金属層の膜厚が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１項および第２項に記載の情報記録用部材。」（請求項３参照）、
　（iv）「［発明が解決しようと課題］　　上記従来技術のうち、相変化による記録や光磁気記録は記録用ビームの照射による熱（約３００℃以上）によって膜形状変化をほとんど伴わない変化を生じさせるものであるが、記録膜中に発生した熱が記録膜に近接した保護層および金属膜に逃げてしまうと、記録に必要なレーザーパワーが大幅に増加する。　一方、記録膜中に発生した熱は、上記記録用ビームの強度分布に対応してほぼ正規分布をしており、中心付近は温度が高く周囲では温度が低い。このため、相変化による記録の場合、中心部と周辺部の原子配列変化速度が異なり、原子配列変化が一様でなくなるため、特に周辺部に前に記載されていた信号の消え残りが生じやすい。　そこで、上記周辺部の原子配列変化速度を中心部と同程度にするために、記録に必要なレーザーパワーを増加した場合、上記中心部の温度がさらに高くなり結果としてその付近の上記樹脂が変形し、反射光量の変化で読み出しを行なう際にノイズが増加する。　これを防ぐには、熱伝導率が大きくて熱を拡散させやすい金属膜を設ければよい。　これによって、記録時の熱で上記の樹脂が変形し、反射光量の変化で読み出しを行なう際に、ノイズが増加するのも防ぐことができる。　一方、金属元素を主成分とする薄膜の熱伝導率が高いと記録感度が低下する。　しかし、単層の金属層では感度を低下させずに熱を拡散させることはできない。」（第２頁左上欄１０行〜同頁右上欄１６行参照）こと、
　（v）「［課題を解決するための手段］　　上記目的は、基板上に形成された記録用ビームの照射を受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する情報記録用部材において、上記の記録用薄膜に近接して適当な金属元素を主成分とする２層の薄膜を設けることにより達成される。記録用薄膜と上記の金属元素を主成分とする薄膜との間に、中間層を設け、この膜厚を調節することによって上記の金属元素を主成分とする薄膜への熱伝導をある程度調節できる。」（第２頁左下欄３〜１２行参照）こと、
　（vi）「第一金属層としては、Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｚｒ，Ｐｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｂ，ＢｉおよびＣより成る群より選ばれた少なくとも一者を主成分とする薄膜を、第二金属層としてはＡｌ，Ｃｕ，ＡｇおよびＡｕより成る群より選ばれた少なくとも一者を主成分とする薄膜を用いる　より好ましくは、第一金属層としてＮｉを、第二金属層としてＡｕを用いる。　第一金属層の金属元素を主成分とする薄膜は、熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲が好ましく、膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲が好ましい。　特に、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１００Ｗ／ｍ・Ｋ以下、膜厚が約１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の、金属元素を主成分とする薄膜を用いると、上記の記録感度低下を防止する効果が顕著である。」（第２頁左下欄１５行〜同頁右下欄１２行参照）こと、
　（vii）「第二金属層の金属元素を主成分とする薄膜は、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上４２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の範囲が好ましく、膜厚は２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲が好ましい。特に、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上４００Ｗ／ｍ・Ｋ以下、膜厚が約５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の金属元素を主成分とする薄膜を用いると、記録感度の低下が少なく、熱による変形、変質を防止する効果が大きい。」（第２頁右下欄１５行〜第３頁左上欄３行参照）こと、
　（viii）「記録膜の膜厚は２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲が記録感度、Ｓ／Ｎ比などの点で好ましく、中間層の膜厚と合せて調整することが好ましい。　中間層の膜厚は５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲が好ましい。　この層の膜厚は、光の干渉効果を利用して大きな再生信号を得るために、上記記録膜の膜厚と合わせて調整することが好ましい。　　・・・（中略）・・・　中間層の特に好ましい膜厚範囲は８０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲である。」（第３頁左上欄７行〜同頁右上欄２行参照）こと、
　（ix）「中間層に使用できる物質は、酸化物、低酸化物、硫化物、窒化物などであって、たとえば主成分がＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ３，ＷＯ２，Ｔａ２Ｏ３，Ｓｅ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＭｇＦ２，ＣｅＦ２，ＣａＦ２，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳ，ＳｎＳｅ，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓ３，Ｂｉ２Ｓｅ３，ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ，ＢおよびＣのうちの少なくとも一者に近い組成であるものが好ましい。」（第３頁右上欄１１行〜同頁左下欄４行参照）こと、
　（x）「［作用］　上記の第一金属層の金属元素を主成分とする薄膜は、熱伝導率の低い金属元素を主成分とする薄膜であり、上記の記録用ビームの照射によって記録膜に生じる熱が直ちに横方向に広がって記録感度が低下するのを防止すると共に、外力特に引っ張り力に対して強い。　上記の第二金属層の金属元素を主成分とする薄膜は、上記の記録用ビームの照射によって生じる熱を拡散させる。　また、上記の記録用ビームの光を効率よく反射し、反射光量の変化を大きくするものである。」（第３頁右下欄１〜１１行参照）こと、
　（xi）「［実施例］　以下、本発明の一実施例を第１図によって説明する。　まず、案内溝を有する基板１（ポリカーボネート、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の保護層の酸化物、硫化物あるいは窒化物を主成分とする薄膜として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０に近い組成の薄膜２（約１００ｎｍ）を積層した後、上記光入射保護層を介して形成した記録用ビーム照射を受けてほとんど変形を伴わないで原子配列変化を生ずるＳｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系情報記録用薄膜３（厚さ約３０ｎｍ）に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０に近い組成の中間層４（厚さ約２３０ｎｍ）を積層し、さらに本発明の第一金属層の金属元素を主成分とする薄膜５としてＮｉ６０Ｃｒ４０の薄膜（約５０ｎｍ）を積層し、第二金属層の金属元素を主成分とする薄膜６として金の薄膜（約１００ｎｍ）を積層した後、紫外線の照射により硬化する樹脂７を用いて、真空中（約１０Ｐａ）で紫外線に約２分間露光し、前記金属元素を主成分とする薄膜５と保護板８（直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）を貼りあわせた。次に、上記の情報記録用薄膜３に基板１側（紙面上で下方）より記録用レーザビームを照射し、情報の記録を行った。　次に、上記の情報記録用薄膜３に情報を記録した部分の上記の上記樹脂７を上記保護板８側（紙面上で上方）より顕微鏡（×４００倍）で観察し変質および変形が生じていないことを確認した。」（第３頁右下欄１２行〜第４頁左上欄１９行参照）こと、
　（xii）「本実施例のＮｉの膜厚（注：Ｎｉ６０Ｃｒ４０の薄膜の膜厚の誤記と認められる。）を変化させたとき、記録に必要なレーザーパワーと１００回記録書き換え後の雑音レベルは次のように変化した。」こと、及び、膜厚（ｎｍ）、記録レーザーパワー、雑音レベルが順に、５，９ｍＷ，−７５ｄＢｍ；１０，１２ｍＷ，−８０ｄＢｍ；２０，１４ｍＷ，−８５ｄＢｍ；５０，１８ｍＷ，−８５ｄＢｍ；１００，２０ｍＷ，−８５ｄＢｍ；１５０，２３ｍＷ，−８０ｄＢｍ；２００，２５ｍＷ，−７５ｄＢｍ；５００，３０ｍＷ，−７０ｄＢｍである旨（第４頁左上欄２０行〜同頁右上欄１１行参照）、
　（xiii）「上記の中間層４をＳｉＯ２以外のＣｅＯ２、・・・ＳｉＯ，・・・Ｔａ２Ｏ３，・・・ＺｎＳｅ，・・・Ｓｉ３Ｎ４，・・・（中略）・・・およびＣのうちの少なくとも一者を主成分とするもので置き換えても同様の結果が得られた。これらのうちで、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０以外にはＳｉ３Ｎ４、あるいはＳｉＡｌＮ２、あるいはＡｌＮ、あるいはＴａ２Ｏ３に近い組成が好ましい。　また、中間層の膜厚を２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲としても良好な結果が得られた。」（第４頁左下欄５行〜同頁右下欄２行参照）こと、
　（xiv）「本実施例の第一金属層のＮｉ６０Ｃｒ４０の熱伝導率は約１００Ｗ／ｍ／Ｋであった。第一金属層に熱伝導率の異なる材質を用いた場合、記録レーザーパワーと再生波形歪みを表す第二高調波は次のように変化した。」こと、及び、熱伝導率（Ｗ／ｍ／Ｋ），記録レーザーパワー，第二次高調波が順に、５０，１１ｍＷ，３０ｄＢ；８０，１１ｍＷ，２０ｄＢ；１００，１２ｍＷ，１５ｄＢ；１５０，１３ｍＷ，１３ｄＢ；２００，１５ｍＷ，１２ｄＢ；２５０，１８ｍＷ，１１ｄＢ；３００，２０ｍＷ，１０ｄＢ；４００，２３ｍＷ，１０ｄＢ；４２０，２３ｍＷ，１０ｄＢである旨（第４頁右下欄１７行〜第５頁左上欄１１行参照）、
　（xv）「中間層を形成しない場合には、記録部感度が約５０％低下し、書き換え可能回数が少なくなるが、他の特性に大きな変化は無く、使用可能であった。」（第５頁左上欄１９行〜同頁右上欄２行参照）こと、
　（xvi）「第３図に示すように、従来は情報の書き換えによって雑音レベル（図中Ｂ）が２倍程度に増加するが、本発明の金属元素を主成分とする２層薄膜を導入することによって雑音レベル（図中Ａ）はほとんど変化しないことがわかった。　Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録膜の代わりにＴｅＦｅＣｏ系などの光磁気記録膜を用いた場合、もともと記録時の温度が低いので変形の程度は軽いが、本発明の２層記録膜を用いることによる効果は認められた。」（第５頁右上欄１０〜１８行参照）こと、
　（xvii）「［発明の効果］　本発明によれば、レーザー光などの記録用ビームを記録用薄膜に照射して情報を記録する時、上記記録用ビームによって生ずる熱は、上記第一金属層によって拡散が抑制され、上記第二金属層の金属元素を主成分とする薄膜によって拡散されるため、上記ディスクの貼りあわせに用いる樹脂に熱が伝播することがない。また、記録感度の低下も少ない。」（第５頁左下欄９〜１７行参照）ことが記載されている。
　　これらの記載から、そして記録用薄膜に接して第一金属層を設けることが選択肢として明示されていること（請求項１参照）及び中間層を形成しなくても使用可能であることの記載（摘示（xv）参照）を勘案して、引用例には、「光磁気記録を行う光記録媒体であって、記録層と、中間層を介しまたは介さずに第一金属層と、第一金属層の上に第二金属層を備えた光記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
　
ＩＩＩ．対比・判断
　そこで、本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
　（イ）引用例記載の発明の「光磁気記録を行う光記録媒体」は、本願発明の「光学的に記録磁区を用いて情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体」に相当する。
　（ロ）引用例記載の発明の「第一金属層」は、熱伝導率の低い金属元素を主成分とし、熱が直ちに横方向に広がって記録感度が低下するのを防止する役割を持つ（摘示（x）参照）ことから、本願発明の記録磁区の広がりが抑制されるとする「低熱伝導率材料から成る低熱伝導層」に相当する。
　（ハ）引用例記載の発明の「第二金属層」は、照射によって生じる熱を拡散させる役割を持ち（摘示（x）参照）、第一金属層の材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率の２３０〜４２０Ｗ／ｍ／Ｋの材質であって（摘示（vii），（ii）参照）、本願発明で用いられるのと同じＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどが用いられることから、本願発明の「高熱伝導率材料で形成された」「熱吸収層」に相当する。　そして、引用例記載の発明において、第二金属層は第一金属層に直接接して設けられていることは、その実施例などからも明らかである。
　（ニ）引用例記載の発明の「中間層」は、膜厚を調節することによって金属元素を主成分とする薄膜への熱伝導をある程度調節でき（摘示（v）参照）、かつ、中間層に用いる材質として、本願発明の低熱伝導層の材質と同じである酸化珪素、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化タンタル、窒化珪素およびその混合物などが例示され（摘示（ix）参照）、実施例で用いられている（摘示（xi），（xiii）参照）ことから、中間層を介在させる場合には、中間層も「低熱伝導層」の一部に相当し、中間層と第一金属層とが併せて「低熱伝導層」に相当する。
　（ホ）引用例記載の発明において、記録層に直接に中間層を介してまたは介さずに第一金属層が形成されるのであるから、中間層を介在させない場合には、第一金属層（低熱伝導層に相当）が直接記録層に形成され、中間層が介在する場合には、低熱伝導層に相当する「中間層と第一金属層」が直接記録層上に形成されているので、いずれにしても低熱伝導層は「記録層に接して形成され」ているものと認められる。　なお、本願発明において、単に記録層として表現された層が多層である場合も包含されていることから、単なる低熱伝導層が単層でなくても良いことは、明らかである。
　してみると、本願発明と引用例記載の発明は、「光学的に記録磁区を用いて情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体であって、記録層と、前記記録層の上に、前記記録層に接して形成された低熱伝導率材料から成る低熱伝導層と、前記低熱伝導層の上に、前記低熱伝導層に接して形成された熱吸収層とを備え、前記熱吸収層が高熱伝導率材料で形成されたことを特徴とする光記録媒体。」の発明である点で一致している。
　他方、本願発明が、（１）記録層の「膜厚が８０ｎｍ以上である」点と、（２）「低熱伝導層の膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である」点を、更に特定しているのでこれらの点について以下に検討する。
　ここで、本願発明の（１）と（２）の点の膜厚の数値限定によって所期の目的を達成し所期の作用効果を奏し得るのか検討する。
　本願発明では、記録層の膜厚と低熱伝導層の膜厚を数値限定しているものの、他には低熱伝導層と熱吸収層の熱伝導率に関して単に相対的な高低で規定しているにすぎない。　しかし、それだけの構成では本願発明の目的である各層の適切な熱拡散を図り、記録ドメイン半径の広がりをトラックピッチ以下に抑え、レーザースポット中心に対する温度分布の中心位置の移動量を小さく抑える作用効果を奏し得るものとは認められない。　即ち、そのような適切な熱拡散を図り作用効果を奏し得るためには、各層の膜厚に加え、少なくとも各層の材料（熱伝導率）の特定と相俟って初めて可能といえるのであって、それら各層の熱伝導率の特定を欠いた状態での膜厚の数値限定に臨界的な技術的意義があるとはいえない。　　このことは、本願明細書において、「図８に示すように、記録層１３の熱伝導率を小さくすることにより、記録磁区の広がりが抑制される。・・・（中略）・・・特に、記録層の熱伝導率が１×１０５erg／(s・cm・deg)以下とすることにより、半径方向のドメイン半径が０．７μｍ以下となり、記録ドメインの広がりを抑制する効果が大きくなる。」と記載（図８，段落【００２７】参照）され、「図７に示すように、熱吸収層６に用いた高熱伝導率材料の熱伝導率が大きい程記録磁区の移動が小さくなり、高熱伝導率材料の熱伝導率が５×５erg／(s・cm・deg)以上とすることにより、記録磁区の移動を抑制する効果が大きくなる。」と記載（図７，段落【００２２】参照）され、「図６の記録磁区の温度分布の中心位置の移動量と高熱伝導率材料の熱吸収層６の膜厚との関係図に示すように、熱吸収層６の膜厚が厚くなる程、記録磁区の移動量が小さくなり、記録磁区の移動を０．０５μｍ以下とするためには５０ｎｍ維持用の膜厚が必要である。」と記載（図６、段落【００２１】参照）されいるように、記録層の熱伝導率、熱吸収層の熱伝導率、熱吸収層の膜厚の影響が大きく、その絶対値が重要である旨が示唆されていることからも首肯できる。
　なるほど、低熱伝導率材料層膜が２０ｎｍ程度のときに記録ドメイン半径が最小となる図５が図示され、「低熱伝導率材料層５の膜厚を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の場合に、記録磁区の広がりを抑制する効果が非常に大きくなる。」ことが記載（段落【００２０】参照）されている。　しかしながら、この図がどのような条件下で測定されたものか明示されていないことを差し置いて、仮に、先行する説明である段落【００１６】〜【００１９】に説明されたものであり、記録層がＧｄＴｂＦｅＣｏ膜４０ｎｍとＴｂＦｅ膜６０ｎｍからなり、かつ熱吸収層が１００ｎｍのＡｌ膜で、低熱伝導層のＺｎＳ層の膜厚のみを変化させたものであったとしても、その実例限りのものにすぎず、前記検討の如く、記録層、低熱伝導層、熱吸収層の各層が任意の熱伝導率を有する場合にまで、低熱伝導層膜厚の同じ数値限定で臨界的な技術的意義を有するとまで敷衍できる根拠がない。　例えば、本願発明の構成では、記録層の熱伝導率が１０８erg／(s・cm・deg)のように高く、熱吸収層の膜厚が極めて薄く、熱吸収層の熱伝導率が１０4erg／(s・cm・deg)のように低い場合や、記録層と低熱伝導層の各々の熱伝導率が近接する場合や、低熱伝導層の熱伝導率が熱吸収層の熱伝導率と近接するような場合などをも包含するところ、そのような場合にまで、記録層の膜厚を８０ｎｍ以上で低熱伝導層の膜厚を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする数値限定に臨界的な技術的意義があるとは推定できない。
　以上の検討を踏まえ、次に（１）の点と（２）の点について検討する。
　（１）の点について検討する
　本願明細書を精査しても、本願発明で記録層の膜厚を８０ｎｍ以上とすることについては、従来５０ｎｍ以下の記録膜が用いられていたと主張する点（段落【０００４】）と、第１の実施例において１００ｎｍ（＝４０ｎｍ＋６０ｎｍ）（段落【００１７】）、第３の実施例において９０ｎｍ（＝４０ｎｍ＋５０ｎｍ）の例など（なお、第２の実施例は本願発明の実施例ではない）が示されているだけで、８０ｎｍ以上とする積極的な理由（何を評価して５０ｎｍ以下は悪く、８０ｎｍ以上は良いと判断したのか？）が説明されていないばかりか、比較すべきデータも示されていない。　更に、上記検討の如く、５０ｎｍ以下を除くことは、記録層を構成する材料の熱伝導率のみならず、低熱伝導層と熱吸収層のそれぞれの熱伝導率の特定があって初めて技術的意義が生じる可能性があるにすぎない。　それらの特定を欠いている本願発明において記録層の膜厚のみ（併せて低熱伝導層の膜厚）を限定しても、それだけでは５０ｎｍ以下の膜厚を除く意味はない。　よって、記録層の膜厚を８０ｎｍ以上と特定する点に臨界的な技術的意義、格別の作用効果を見出すことが出来ない。
　なお、段落【００３８】において、交換結合多層膜を用いた記録層でその効果を有効に利用するためには、記録膜の膜厚の和が８０ｎｍ以上必要である旨記載されているけれども、その数値限定の根拠は何ら示されていないばかりか、前提となる交換結合多層膜が記録層である点は本願発明の構成ではないから、上記判断を左右するものではない。
　一方、引用例記載の発明において、記録層の膜厚に関しては、記録感度およびＳ／Ｎ比の観点から２０〜２５０ｎｍが好ましいと記載（摘示（viii）参照）されているから、実施例に記載された３０ｎｍの場合に限定される理由はなく、８０ｎｍ以上の膜厚とすることも好ましい範囲であって当業者が容易に採用し得るものと言うべきであり、８０ｎｍ以上とすることに格別妨げとなる理由も見いだせない。
　よって、引用例記載の発明において、記録層の膜厚を８０ｎｍ以上とすることは、当業者が容易に想到し得る。
　（２）の点について検討する。
　審判請求理由（審判請求書第３〜４頁）において、本願発明では、記録消去時における記録磁区の広がりを抑制し、安定した記録消去特性を得るために、低熱伝導層の膜厚を１０ｎｍ以上とすることにより、熱吸収層から記録層への熱伝導を遮断することができ、１００ｎｍ以下とすることにより記録層から熱吸収層へ伝導拡散させ、それにより記録ドメイン半径の広がりをトラックピッチ以下に抑えることができ、レーザスポット中心に対して温度分布の中心位置の移動量を小さく抑える作用効果を有するのに対して、引用例記載の発明では必ず８０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下程度の中間層を形成するから本願特有の前記作用効果を奏し得ない旨を請求人は主張している。
　しかしながら、引用例にはそのような中間層の膜厚の数値範囲は記載されているけれども、上記摘示、検討の如く、記録用薄膜に接して第一金属層を設けること（中間層が介在しないことに相当する。）が選択肢として明示されていること（請求項１）及び中間層は介在させなくとも使用可能であること（摘示（xv））、及び実施例において中間層の膜厚が２０〜８０ｎｍの範囲でも良好な結果を得たこと（摘示（xiii））も記載されていることから、「引用例記載の発明では必ず８０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下程度の中間層を形成する」点の主張は失当である。　かように、請求人にとって都合の良い箇所のみ指摘し、他の記載を一方的に無視して、引用例記載の発明を曲解（８０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下程度の中間層が必須との曲解）した認識に基づくものであるから、前記請求人の主張は失当であるばかりか、上記で検討した如く、前記主張する作用効果は単に記録層の膜厚と低熱伝導層の膜厚を特定しただけでは直ちには奏し得ないものである点でも前記請求人の主張は失当である。
　なお、引用例記載の発明において、（中間層は金属層への熱伝導を調節し、）第１金属層は熱が横方向に拡散するのを防止し、第２金属層は該層への熱の拡散を行わせることを意図し、感度を低下させずに熱を拡散させる点（摘示（v），（x）参照）は、本願発明で主張する熱が熱吸収層方向に吸収され易くなり、記録磁区（記録ドメイン）の広がりを抑制することを意図（段落【００２０】、【００２４】、前記審判請求理由参照）する点と軌を一にするものと認められる。　ちなみに、本願明細書において、温度分布の中心位置の移動量の点は、本願発明でその数値が特定されていな熱吸収層の膜厚と熱伝導率の数値との関連で説明（段落【００２１】、【００２２】、図６，図７の説明参照）されているだけで、本願発明の記録層の膜厚と低熱伝導層の膜厚を特定することによって直接に導かれる作用効果であるとは本願明細書に説明されていない。
　一方、引用例記載の発明において、（3-i）中間層が介在する場合には、その中間層膜厚は５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下との記載はあるものの、中間層は２０〜８０ｎｍの範囲とした実施例で良好な結果がえられたことも明示されている（摘示（xiii）参照）ことから、中間層と第一金属層を併せても、本願発明で特定する範囲と重複する３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲で用いることは当業者が容易に想い到ることと言え、また、（3-ii）引用例記載の発明において中間層が介在しない場合には、第一金属層（低熱伝導層）の膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下と記載されていることから、その膜厚は一致している。
　よって、引用例記載の発明において、低熱伝導層の膜厚を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることは、当業者が容易に想到し得る。
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものと認める。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。