【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の半導体膜と、
該島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体膜に対向するゲート電極と、
前記島状の半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた感光性有機樹脂膜と、
該感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線とを有し、
前記感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記ゲート絶縁膜、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
島状の半導体膜と、
該島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体膜に対向するゲート電極と、
前記島状の半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられたポジ型感光性アクリル膜と、
該ポジ型感光性アクリル膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線とを有し、
前記ポジ型感光性アクリル膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記ゲート絶縁膜、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
島状の半導体膜と、
該島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体膜に対向するゲート電極と、
前記島状の半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた第１感光性有機樹脂膜と、
該第１感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線と、
該配線の上に設けられた第２感光性有機樹脂膜と、
該第２感光性有機樹脂膜の上に設けられたアルゴンを含む第３窒化絶縁膜と、
該第３窒化絶縁膜の上に設けられたＬｉが添加された金属膜とを有し、
前記第１感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記ゲート絶縁膜、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
島状の半導体膜と、
該島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体膜に対向するゲート電極と、
前記島状の半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた第１感光性有機樹脂膜と、
該第１感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線と、
該配線の上に設けられた第２感光性有機樹脂膜と、
該第２感光性有機樹脂膜の上に設けられたアルゴンを含む第３窒化絶縁膜と、
該第３窒化絶縁膜の上に設けられたＥＬ素子とを有し、
前記第１感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記ゲート絶縁膜、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続され、
前記ＥＬ素子は、Ｌｉが添加されたアルミニウム膜を電極として有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた感光性有機樹脂膜と、
該感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線とを有し、
前記感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記ゲート絶縁膜、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられたポジ型感光性アクリル膜と、
該ポジ型感光性アクリル膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線とを有し、
前記ポジ型感光性アクリル膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた第１感光性有機樹脂膜と、
該第１感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線と、
該配線の上に設けられた第２感光性有機樹脂膜と、
該第２感光性有機樹脂膜の上に設けられたアルゴンを含む第３窒化絶縁膜と、
該第３窒化絶縁膜の上に設けられたＬｉが添加された金属膜とを有し、
前記第１感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた第１感光性有機樹脂膜と、
該第１感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線と、
該配線の上に設けられた第２感光性有機樹脂膜と、
該第２感光性有機樹脂膜の上に設けられたアルゴンを含む第３窒化絶縁膜と、
該第３窒化絶縁膜の上に設けられたＥＬ素子とを有し、
前記第１感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記島状の半導体膜と前記配線が接続され、
前記ＥＬ素子は、Ｌｉが添加されたアルミニウム膜を電極として有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上に設けられた酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜の上に設けられた第１窒化絶縁膜と、
該第１窒化絶縁膜の上に設けられた感光性有機樹脂膜と、
該感光性有機樹脂膜の上に設けられた第２窒化絶縁膜と、
該第２窒化絶縁膜の上に設けられた配線とを有し、
前記感光性有機樹脂膜に設けられた第１開口部の内壁面が前記第２窒化絶縁膜に覆われており、
前記第１開口部の底面において前記第１窒化絶縁膜と前記第２窒化絶縁膜が接する領域を有し、
前記第１開口部の内側に、前記酸化シリコン膜、前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜に設けられた第２開口部を有し、
前記第２開口部を介して前記半導体膜と前記配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜もしくは酸化窒化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜は、アルゴンを含む窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１窒化絶縁膜及び前記第２窒化絶縁膜は、スパッタ法で形成されたアルゴンを含む窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項３、４、７または８のいずれか一項において、
前記第１窒化絶縁膜、前記第２窒化絶縁膜、及び前記第３窒化絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜もしくは酸化窒化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項３、４、７または８のいずれか一項において、
前記第１窒化絶縁膜、前記第２窒化絶縁膜、及び前記第３窒化絶縁膜は、アルゴンを含む窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項３、４、７または８のいずれか一項において、
前記第１窒化絶縁膜、前記第２窒化絶縁膜、及び前記第３窒化絶縁膜は、スパッタ法で形成されたアルゴンを含む窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１開口部の上端部における曲率半径は、３〜３０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１開口部の上端部における曲率半径は、３〜３０μｍの範囲内で連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一において、
前記第１開口部の下端部における接触角（θ）は、３０°＜θ＜６５°を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一に記載の半導体装置を画素部に有する表示装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一に記載の半導体装置を画素部に有する表示装置を表示部に用いたビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、画像再生装置、テレビまたは携帯電話。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びそれを用いた表示装置