【事件の表示】
　平成　７年特許願第１８７５２０号「ＮＡＮＤ形フラッシュメモリＩＣカード」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　４月　２日出願公開、特開平　８−　８７８７６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成７年７月２４日（パリ条約による優先権主張１９９４年７月２５日、大韓民国）の出願であって、平成１０年４月６日付け手続補正書で補正された請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】貯蔵媒体において、ゾーンアドレスデータ、命令データ、アドレスデータ及び情報データを共通に入力及び情報データを外部に出力するための入出力バスと、
　それぞれのメモリコンポーネントに印加される命令ラッチイネーブル信号と、アドレスラッチイネーブル信号、書き込みイネーブル信号及び読み出しイネーブル信号に応じて前記入出力バスを通じた入力データを命令データ、アドレスデータ及び情報データに区分し、区分された命令データとアドレスデータに応じて情報データを貯蔵、削除及び出力する複数個のＮＡＮＤ形フラッシュメモリコンポーネントと、
　前記入出力バスを通じた入力データのうち、入力するゾーンアドレスラッチイネーブル信号に応じて区分されるゾーンアドレスデータに応じて前記複数個のＮＡＮＤ形フラッシュメモリコンポーネントのうち少なくとも一つをイネーブルさせる制御手段とを含む貯蔵媒体。」
　なお、平成１１年１１月３０日付け手続補正は、同日付けで却下された。
２．引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開平５−１５１１０６号公報（以下「引用例１」という。）、特開平５−４７１９１号公報（以下「引用例２」という。）、特開昭２−２９２７９８号公報（以下「引用例３」という。）には、下記の事項が記載されている。
（引用例１）
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとしてＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するものに関する。」
「【００２３】
【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説明する。図１において、１１はメモリカード本体で、その一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続されるようになされている。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側から、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタルデータＤＡと、その書き込み場所を示すアドレスデータＡＤとが供給される。これらデジタルデータＤＡ及びアドレスデータＡＤは、バスラインＤ０〜Ｄ７を介してデータ入出力制御回路１３に供給されている。
【００２４】また、電子スチルカメラ本体からは、コネクタ１２に対して、メモリカード本体１１を選択したときＨ（ハイ）レベルとなるカードイネーブル信号ＣＥと、バスラインＤ０〜Ｄ７に供給されたデータがアドレスデータＡＤのときＬ（ロー）レベルとなりデジタルデータＤＡのときＨレベルとなるアドレス／データ切替信号Ａ／Ｄと、後述するＥＥＰＲＯＭに対するデータ書き込み要求のときＬレベルとなりデータ読み出し要求のときＨレベルとなるリード／ライト切替信号Ｒ／Ｗと、アドレスデータＡＤに同期したバスクロックＢＣＫとが、供給されるようになっている。
【００２５】これらカードイネーブル信号ＣＥ，アドレス／データ切替信号Ａ／Ｄ，リード／ライト切替信号Ｒ／Ｗ及びバスクロックＢＣＫも、データ入出力制御回路１３に供給されている。また、電子スチルカメラ本体からは、コネクタ１２を介してＥＥＰＲＯＭに対するデータのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路１３に供給されるようになっている。また、このデータ入出力制御回路１３からは、電子スチルカメラ本体からのデジタルデータＤＡの入力許可時にＨレベルとなり、入力拒否時にＬレベルとなるレディ／ビジィ切替信号ＲＤＹ／ＢＳＹが発生されるようになっている。
【００２６】ここで、上記コネクタ１２に供給されたデジタルデータＤＡは、データ入出力制御回路１３の制御により、一旦バッファメモリ１４に取り込まれ記録される。このときのバッファメモリ１４のデジタルデータＤＡの取り込みタイミングは、アドレス発生回路１５から出力されるアドレスデータによってコントロールされる。また、このアドレス発生回路１５は、セレクタ１６によって選択されたクロックＣＫをカウントして、バッファメモリ１４へのアドレスデータを生成している。このセレクタ１６には、上記バスクロックＢＣＫとデータ入出力制御回路１３から出力されるクロックＹＣＫとが供給されるようになっている。」
「【００２９】　このとき、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチップイネーブル信号ＣＥＮ及びライトイネーブル信号ＷＥを出力するとともに、アドレスデータＡＤを出力し、バッファメモリ１４から読み出されたデジタルデータＤＡを、ＥＥＰＲＯＭ１７に例えば５１２バイトでなるページ単位で書き込むように制御する。・・・
【００３１】また、電子スチルカメラ本体からＥＥＰＲＯＭ１７に記録されたデータをイレースする命令が発生されると、データ入出力制御回路１３は、その消去命令に基づいて消去回路１８を駆動する。この消去回路１８は、データ入出力制御回路１３の制御に基づいて、ＥＥＰＲＯＭ１７のアドレスライン及びデータラインに消去用の信号を出力することにより、ＥＥＰＲＯＭ１７を電気的にチップイレースまたはページイレースする。
・・・
【００３３】その後、データ入出力制御回路１３は、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給されるバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替え、バスクロックＢＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で発生されるアドレスデータで、バッファメモリ１４からデータを読み出し、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導出させ、ここにデジタルデータＤＡの読み出しが行なわれる。」
　上記記載によれば、引用例１には、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタルデータＤＡとその書き込み場所を示すアドレスデータＡＤは、バスラインＤ０〜Ｄ７を介してデータ入出力制御回路１３に供給され、メモリカード本体１１を選択したときＨ（ハイ）レベルとなるカードイネーブル信号ＣＥと、バスラインＤ０〜Ｄ７に供給されたデータがアドレスデータＡＤのときＬ（ロー）レベルとなりデジタルデータＤＡのときＨレベルとなるアドレス／データ切替信号Ａ／Ｄと、ＥＥＰＲＯＭに対するデータ書き込み要求のときＬレベルとなりデータ読み出し要求のときＨレベルとなるリード／ライト切替信号Ｒ／Ｗと、アドレスデータＡＤに同期したバスクロックＢＣＫとがデータ入出力制御回路１３に供給され、ＥＥＰＲＯＭに対するデータのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路１３に供給されるメモリカード装置において、デジタルデータＤＡの書込み、削除及び読み出しを行なうことが記載されている。
（引用例２）
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとしてＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するものに関する。」
「【００５４】ところで、近時ＥＥＰＲＯＭとして、ＮＡＮＤ型構造を用いたセルが開発されている。このＮＡＮＤ型セル（８ビット）の平面構造及びその等価回路をそれぞれ図６（ａ），（ｂ）に示す。この構造によるセルに対する消去動作は、例えばビット線ＢＬに０［Ｖ］、制御ゲートＳＧｎ，ＣＧｎに１７［Ｖ］の電圧を印加することにより浮遊ゲートＭ１〜Ｍ８に電荷が蓄えられ、１バイト分の消去が可能となる。この応用により、複数のＮＡＮＤ型構造のセルを連結したセルアレイを１ブロックとしたものに対して消去可能となる。」
（引用例３）
「全体の記憶装置２９はコンピュータのシステムバス２３に接続されているメモリコントローラ３１とＥＥｐｒｏｍの集積回路チップのアレイ３３から構成されている。データと命令はコントローラ３１からシリアルデータ線３５を介して一義的にＥＥｐｒｏｍ３３に通信される。・・・
　第１Ｂ図を参照するとコントローラ３１は、好ましくは一つの集積回路チップ上に形成されている。システムバス２３の一部であるシステムアドレスとデータバス３９はシステム制御線４１に接続されており、そのシステム制御線４１は読込み、書込みと、その他通常のコンピュータシステム制御線を含んでいる。
　ＥＥｐｒｏｍアレイ３３はＥＥｐｒｏｍの集積回路チップ４３，４５，４７等々を複数個含んでいる。それぞれはインターフェース回路４０からのそれぞれのチップセレクトおよびイネーブル線４９，５１，５３を含んでいる。
インターフェース回路４０は、さらに回路５７とシリアルデータ線３５，３７とのインターフェースとして働く。ＥＥｐｒｏｍチップ４３，４５，４７に書込まれるか、または読出されるメモリの位置アドレスとデータはバス５５，論理およびレジスタ回路５７，さらに他のバス５９を通してメモリチップ４３，４５，４７等々に伝達される。
　第１Ａ図と第１Ｂ図に示されている全体のメモリ２９は１枚のプリント回路カードに適当なメモリの大きさで製造されている。第１Ｂ図の種々のシステムバス３９と４１は他のコンピュータシステムとともに、そのようなカードのコネクト接続ピンに接続されている。さらに前記カードやその要素には種々の標準的な電力供給電圧（図示せず）が接続されている。」（第１０頁右上欄第６行〜右下欄第５行）
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下「前者」という。）と上記引用例１記載の発明（以下「後者」という。）を比較する。
　前者の「貯蔵媒体」は、その請求項４の「前記貯蔵媒体は、ＩＣカードであることを特徴とする請求項１に記載の貯蔵媒体」という記載からみて、ＩＣカードを含んでおり、後者のメモリカードもＩＣカードであるから、両者はＩＣカードで共通している。
　後者の「ＥＥＰＲＯＭに対するデータのイレースを要求する命令」、「アドレスデータＡＤ」、「デジタルデータＤＡ」、「バスラインＤ０〜Ｄ７」は、それぞれ前者の「命令データ」、「アドレスデータ」、「情報データ」、「入出力バス」に対応しており、
　また、後者の「アドレス／データ切替信号Ａ／Ｄ」、「リード／ライト切替信号Ｒ／Ｗ」は、その機能からみて、それぞれ前者の「アドレスラッチイネーブル信号」、「書き込みイネーブル信号及び読み出しイネーブル信号」に対応する。
　したがって、両者は、「ＩＣカードにおいて、命令データ、アドレスデータ及び情報データを共通に入力及び情報データを外部に出力するための入出力バスと、
　それぞれのメモリコンポーネントに印加されるアドレスラッチイネーブル信号、書き込みイネーブル信号及び読み出しイネーブル信号に応じて前記入出力バスを通じた入力データをアドレスデータ及び情報データに区分し、区分されたアドレスデータに応じて情報データを貯蔵、削除及び出力するメモリコンポーネント
　とを含むＩＣカード。」
である点で一致し、
（１）前者は、命令ラッチイネーブル信号を備え、入出力バスを通じた入力データを命令データについても区分するようにしているのに対し、後者ではそのことが明確ではない点、
（２）前者は、「前記入出力バスを通じた入力データのうち、入力するゾーンアドレスラッチイネーブル信号に応じて区分されるゾーンアドレスデータに応じて前記複数個のメモリコンポーネントのうち少なくとも一つをイネーブルさせる制御手段」であるのに対し、後者では、複数個のメモリコンポーネントではない点、
（３）メモリコンポーネントが、前者はＮＡＮＤ形フラッシュメモリコンポーネントであるのに対し、後者は、そうではない点で相違している。
　次に、上記相違点について検討する。
　相違点（１）について
　後者において、命令データがどのような経路を介して入力されるか明確ではないが、後者の「電子スチルカメラ本体からは、コネクタ１２を介してＥＥＰＲＯＭに対するデータのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路１３に供給されるようになっている。」という記載からみて、命令データをバスラインＤ０〜Ｄ７を介して入力することに格別困難性はなく、その際、イネーブル信号に応じて区分するようにすることは当然のことであるからこの点を格別のものとすることはできない。
　相違点（２）について
　複数の集積回路チップ４３，４５，４７等々に対して、データと命令がコントローラ３１からシリアルデータ線３５を介して一義的に通信され、インターフェース回路４０からはそれぞれのチップセレクトおよびイネーブル線４９，５１，５３を備えることが上記引用例３には記載されている。
　このチップセレクトおよびイネーブル線４９，５１，５３における信号は、各集積回路チップ４３，４５，４７を選択するものであるから、その機能からみて、前者のゾーンアドレスデータに応じて前記複数個のメモリコンポーネントのうち少なくとも１つをイネーブルさせることに対応している。そして、このチップセレクトおよびイネーブル線４９，５１，５３における信号は、シリアルデータ線３５を介して通信される信号に基づくものであるから当然イネーブル信号により他のデータと区分するようにすることは当然のことである。　
　そうすると、上記引用例３に記載される技術思想を後者に適用して、相違点（２）のように構成してみることは当業者が容易に推考し得ることである。
　相違点（３）について
　メモリをＮＡＮＤ型フラッシュ構造とすることは上記引用例２に記載される如く周知であるから、後者のメモリをＮＡＮＤ型フラッシュメモリをすることに格別困難性は認められない。
　また、本願請求項１に係る発明の効果についてみても、当業者が容易に予測し得る程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。