【事件の表示】
　平成　５年特許願第３１５７０１号「不揮発性半導体記憶装置」において、平成１２年　７月１０日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原決定を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年１２月１６日の出願であって、平成１２年７月１０日付けで手続補正がなされたところ、この手続補正でした補正は平成１４年２月１４日（起案日）付けで決定をもって却下された。
　
２．手続補正の内容
　平成１２年７月１０日付け手続補正は、特許請求の範囲を次のように補正するものである。
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体基板と、
　前記半導体基板の上部表面上に設けられたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲートと、
　前記第１のゲート上に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜上に設けられた第２のゲートと、
　前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域と、
　前記第１のゲートの下に位置する前記半導体基板の一領域に設けられ、前記半導体基板中においてデータ読み出し電圧が記憶装置に印加されたときに形成される空乏層の深さよりも深く、データ書き込み電圧が記憶装置に印加されたときに形成される空乏層の深さよりも浅い領域に不純物濃度のピークを有するダメージ層と
　を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項２】　半導体基板と、
　前記半導体基板の上部表面上に設けられたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲートと、
　前記第１のゲート上に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜上に設けられた第２のゲートと、
　前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域と、
　前記第１のゲートの下に位置する前記半導体基板の一領域に設けられ、前記半導体基板中においてデータ読み出し電圧が記憶装置に印加されたときに形成される空乏層の深さよりも深く、データ書き込み電圧が記憶装置に印加されたときに形成される空乏層の深さよりも浅い領域に不純物濃度のピークを有するダメージ層とを具備し、
　前記ダメージ層は前記半導体基板から前記第１のゲートに注入される電荷の量を制御することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
　　【請求項３】　半導体基板と、
　前記半導体基板の上部表面上に設けられたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲートと、
　前記第１のゲート上に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜上に設けられた第２のゲートと、
　前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域と、
　前記第１のゲートの下に位置された前記半導体基板の一領域に設けられたダメージ層とを具備し、
　前記ダメージ層はデータ書き込み電圧が記憶装置に印加されたときに前記半導体基板から第１のゲートに注入される電流の量を制御することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。」
　
３．原決定の理由
　上記手続補正でした補正は、以下の理由によって決定（以下、「原決定」という。）をもって却下されている。
「　請求項１〜３に記載された「前記第１のゲート上の両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」なる記載について、本願出願時の明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という）においては、ソース、ドレイン領域が第２のゲートをマスクに自己整合的に形成されることが記載されているだけで、例えば、ゲートをマスクにしないで他のマスクを用いて形成した場合等について何ら開示されておらず、また、レジスト等をマスクに用いてソース、ドレイン領域を形成することが周知技術であったとしても当初明細書等から見て自明なこととは認められないから、当該記載は、当初明細書等の記載の範囲内であるとは認められない。なお、デバイス構造として記述した場合、自己整合的に形成した場合においてもゲートの両側の基板に形成されたものであるとの主張については、レジスト等のマスクを用いてゲート形成前にソース領域、ドレイン領域を形成した場合とゲートに自己整合的に形成した場合は、ゲートとソース領域、ドレイン領域とオーバーラップする量（或いはオフセット量）は必ずしも一致するものではなく、デバイス構造としてみた場合に包含する範囲は完全に一致するものではない。したがって、当初明細書等に自己整合的に形成することのみが開示されている場合において、ソース領域、ドレイン領域が単にゲートの両側に形成されるとする補正は当初明細書等の記載の範囲を越えるものである。
　したがって、この補正は、明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により、上記結論の通り決定する。」
　
４．請求人の主張の要点
　上記原決定に対して、請求人は請求の理由の「（３）補正が正当である理由」の欄において、以下の主張をしている。
「本願請求項１乃至３に係る発明は、ダメージ層の形成位置に特徴を有するものであり、トランジスタの構成及びトランジスタの製造方法に特徴を有していません。」
「第２のゲートをマスクとして使用して半導体基板内に自己整合的にソースドレインを形成するという要件は、ダメージ層の形成位置を特定するために必要が無いため、特許請求の範囲から削除したものです。」
「補正内容が当初明細書等の記載より直接的且つ一義的に導かれるかどうかは、平成５年に出願された本願の補正の要件ではありません。」
「したがって、審査官殿の上記御判断は出願人が当初明細書等の記載から特許範囲として記載できる範囲を不当に狭めるものであり、承服することはできません。」
「以上のように、平成１２年７月１０日付け手続補正書でした明細書又は図面の補正は、明細書の要旨を変更するものではありません。」
　
５．当審の判断
　上記手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された「前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」なる構成は、本願出願時においてフローティングゲートを備えた不揮発性半導体記憶装置の有する構成として当業者には周知の事項にすぎない。
　さらに、願書に最初に添付した図面の図１は「この発明の実施例による不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図」に関するものであり、第１のゲートであるフローティングゲート１６の両側の半導体基板１２内に、ソースおよびドレイン領域の拡散層１９が形成されることが記載されているから、「前記第１のゲート上の両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」なる構成は図１に記載又は示唆されているものである。
　そして、「前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」と補正したことによって、本願発明の構成上の特徴であるダメージ層の形成位置が変更されるというわけでもない。
　したがって、たとえ願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に「前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」と直接表現した記載がないとしても、また、「前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」と補正することにより、原決定において指摘されたように、「レジスト等のマスクを用いてゲート形成前にソース領域、ドレイン領域を形成した場合」も含むようになるとしても、「前記第１のゲートの両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」なる構成は当初明細書等の記載からみて自明な事項であるので、上記手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明の構成に関する技術的事項は当初明細書等に記載した事項の範囲内のものとなっている。
　以上から、「ソース領域、ドレイン領域が単にゲートの両側に形成されるとする補正は当初明細書等の記載の範囲を越えるものである」とする原決定の主張は理由がないと言わざるを得ない。
　
６．むすび
　したがって、平成１２年７月１０日付けでした手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された「前記第１のゲート上の両側の前記半導体基板内に形成されたソースおよびドレイン領域」については、当初明細書等に記載されていたものと認められるから、上記手続補正でした補正を却下すべきものとした原決定は失当であり、取消を免れない。
　よって、結論のとおり審決する。