【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上に形成され、半導体素子が作り込まれたシリコン層と、
前記シリコン層の上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上に形成された第１の配線と、
前記シリコン層の前記半導体素子と前記第１の配線とを接続する第１のプラグと、
前記第１の絶縁膜の下に形成された支持基板と、
前記支持基板の下に形成された裏面金属膜と、
前記第１の配線と前記裏面金属膜とを接続する第２のプラグとを備え、
前記第１および第２のプラグ、前記第１の配線並びに前記裏面金属膜は、前記第１の絶縁膜よりも高い熱伝導度を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体装置であって、
前記裏面金属膜は、グラウンドおよび電源のいずれかに接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１に記載の半導体装置であって、
前記裏面金属膜は、複数個に分割されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項３に記載の半導体装置であって、
前記裏面金属膜は少なくとも、グラウンドに接続される部分と電源に接続される部分とに分割されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記裏面金属膜と接続し、前記半導体素子の上方を覆う第２の配線をさらに備え、
前記裏面金属膜は、前記半導体素子の下方を覆う
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置であって、
所定の位置に、前記裏面金属膜よりも高抵抗の材料からなる前記支持基板を備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  請求項６に記載の半導体装置であって、
前記半導体装置は、トランジスタ、インダクタ、バラクタ、抵抗のうち少なくともいずれかを含む回路領域を有し、
前記支持基板の前記所定の位置は、前記回路領域の下方である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記裏面金属膜は、他の半導体チップに接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上に形成され、半導体素子が作り込まれたシリコン層と、
前記シリコン層の上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上に形成された第１の配線と、
前記シリコン層の前記半導体素子と前記第１の配線とを接続する第１のプラグと、
前記第１の絶縁膜の下に形成された冷却素子と、
前記第１の配線と前記冷却素子とを接続する第２のプラグとを備え、
前記第１および第２のプラグ並びに前記第１の配線は、前記第１の絶縁膜よりも高い熱伝導度を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  請求項９に記載の半導体装置であって、
前記冷却素子は、ペルチェ冷却素子である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】  支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上に形成され、半導体素子が作り込まれたシリコン層と、
前記シリコン層の上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上に形成された第１の配線と、
前記シリコン層の前記半導体素子と前記第１の配線とを接続する第１のプラグと、
前記第１の配線と前記支持基板とを接続し、前記支持基板内に入り込んだ第２のプラグを備え、
前記第１および第２のプラグ、前記第１の配線並びに前記支持基板は、前記第１の絶縁膜よりも高い熱伝導度を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】  請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第２のプラグを複数個備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】  請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第１のプラグと前記第２のプラグは、同一のプラグである
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面によれば、半導体装置は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成され、半導体素子が作り込まれたシリコン層と、前記シリコン層の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成された第１の配線と、前記シリコン層の前記半導体素子と前記第１の配線とを接続する第１のプラグと、前記第１の絶縁膜の下に形成された支持基板と、前記支持基板の下に形成された裏面金属膜と、前記第１の配線と前記裏面金属膜とを接続する第２のプラグとを備え、前記第１および第２のプラグ、前記第１の配線並びに前記裏面金属膜は、前記第１の絶縁膜よりも高い熱伝導度を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、第２の局面によれば、半導体装置は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成され、半導体素子が作り込まれたシリコン層と、前記シリコン層の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成された第１の配線と、前記シリコン層の前記半導体素子と前記第１の配線とを接続する第１のプラグと、前記第１の絶縁膜の下に形成された冷却素子と、前記第１の配線と前記冷却素子とを接続する第２のプラグとを備え、前記第１および第２のプラグ並びに前記第１の配線は、前記第１の絶縁膜よりも高い熱伝導度を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の局面によれば、半導体装置は、支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に形成され、半導体素子が作り込まれたシリコン層と、前記シリコン層の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成された第１の配線と、前記シリコン層の前記半導体素子と前記第１の配線とを接続する第１のプラグと、前記第１の配線と前記支持基板とを接続し、前記支持基板内に入り込んだ第２のプラグを備え、前記第１および第２のプラグ、前記第１の配線並びに前記支持基板は、前記第１の絶縁膜よりも高い熱伝導度を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
サイドウォール２７形成後、イオン注入によりソースドレイン領域２８を形成する。例えばｎ型ドーパントであるＡｓを注入エネルギー数十ｋｅＶ、ドーズ量１０15〜１０16／ｃｍ2程度の条件でイオン注入する。トランジスタＴ１が高速動作を目的とするトランジスタである場合は、ソースドレイン領域２８は、ＳＯＩ層１２の下面にまで達するように形成される。そして、ゲート電極２５およびソースドレイン領域２８上面をシリサイド化する。それによりＳＯＩ層１２に、ゲート酸化膜２３、ゲート電極２５、ＬＤＤ領域２６、サイドウォール２７、ソースドレイン領域２８およびシリサイド２９から成るトランジスタＴ１が形成される。その後、当該トランジスタＴ１上にシリコン酸化膜１４を５００〜１０００ｎｍ程度堆積し、上面をＣＭＰにより平坦化する（図７）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
但し、チップ６０が、実施の形態７のように裏面メタル１８ａ，１８ｃに代えて、導電体以外の材料による放熱体５１を有するものである場合は、チップ６１のＧｎｄ（パッド６２ａ）とＶｄｄ（パッド６２ｃ）とで当該放熱体５１を共有させてもよいことは明らかである。また、図２３においてはチップ６０として、支持基板１０の一部を除去した構成のものを示しているが、支持基板１０の全部を除去したものであってもよい。