【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
装置外部からのクロック信号に同期して外部クロック信号を発生する外部クロック発生回路と、
前記外部クロック信号に同期して、前記装置外部から与えられた外部コマンドを取込み、取込んだ前記外部コマンドに応答して外部制御信号を発生する外部制御信号発生回路と、
メモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに対してデータ読出およびデータ書込の内部動作を行なう読出書込回路とを含むメモリ回路と、
前記外部クロック信号とは非同期の内部クロック信号に同期して、前記外部制御信号を取込み、取込んだ前記外部制御信号に応答して前記メモリ回路を制御する内部制御信号を発生する内部制御信号発生回路と、
前記メモリ回路が内部動作モードにエントリしたことに応じて第１の論理状態となり、前記内部動作モードが終了したことに応じて第２の論理状態となるモード指示信号を発生するモード指示信号発生部と、
前記第１の論理状態のモード指示信号に応答して、前記内部クロック信号を発生する内部クロック発生回路とを備え、
前記外部クロック発生回路は、
前記第１の論理状態のモード指示信号に応じて、前記外部クロック信号の発生を停止し、前記第２の論理状態のモード指示信号と前記装置外部クロック信号とに基づいて生成される第１の信号および前記装置外部クロック信号を所定の遅延量遅延させた第２の信号に基づいて前記外部クロック信号を発生する、半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明に従う半導体記憶装置は、装置外部からのクロック信号に同期して外部クロック信号を発生する外部クロック発生回路と、外部クロック信号に同期して、装置外部から与えられた外部コマンドを取込み、取込んだ外部コマンドに応答して外部制御信号を発生する外部制御信号発生回路と、メモリセルアレイおよびメモリセルアレイに対してデータ読出およびデータ書込の内部動作を行なう読出書込回路を含むメモリ回路と、外部クロック信号とは非同期の内部クロック信号に同期して、外部制御信号を取込み、取込んだ外部制御信号に応答してメモリ回路を制御する内部制御信号を発生する内部制御信号発生回路と、メモリ回路が内部動作モードにエントリしたことに応じて第１の論理状態となり、内部動作モードが終了したことに応じて第２の論理状態となるモード指示信号を発生するモード指示信号発生部と、第１の論理状態のモード指示信号に応答して、内部クロック信号を発生する内部クロック発生回路とを備える。外部クロック発生回路は、第１の論理状態のモード指示信号に応じて、外部クロック信号の発生を停止し、第２の論理状態のモード指示信号と装置外部クロック信号とに基づいて生成される第１の信号と、装置外部クロック信号を所定の遅延量遅延させた第２の信号とに基づいて外部クロック信号を発生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
フラッシュメモリは、外部クロック発生回路４０と、外部クロック信号に同期して外部コマンドを取込み、取込んだ外部コマンドに応答して、外部制御信号を発生する外部コマンドユーザインターフェイス（以下、ＣＵＩとも称する）１０と、外部制御信号に応答して、メモリ回路６０を制御するための内部制御信号を発生する内部ＣＵＩ２０と、内部クロック発生回路５０とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ここで、外部ＣＵＩ１０と内部ＣＵＩ２０とは、互いに非同期の関係にあるクロック信号にそれぞれ同期して制御される部位であることから、外部ＣＵＩ１０と内部ＣＵＩ２０との間でのデータ転送において、メタステーブルという問題が存在しうる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
遅延回路４４により遅延量ｔ２だけ遅延されたライトコマンドバッファ信号ＴＸＬＷＥと、遅延回路４５により所定の遅延量（以下、ｔ３とする）だけ遅延された外部クロック信号Ｔ１＿Ｄとは、ＮＡＮＤ回路Ｇ４５に入力される。ＮＡＮＤ回路Ｇ４５は、これらの２信号の論理積の演算結果として、遅延回路４５の遅延量ｔ３と遅延回路４４の遅延量ｔ２との差に相当するパルス幅ｔ３−ｔ２を有するワンショットパルスの外部クロック信号Ｔ２＿Ｄ＿Ｏを出力する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、各信号と外部コマンドの受付との関係について述べる。外部クロック発生回路４０は、モード指示信号ＲＤＹが「Ｈ」レベルであり、かつライトコマンドバッファ信号ＴＸＬＷＥが「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルへ立下がったことに応じて、外部クロック信号Ｔ１を「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルへ立上げて、外部クロック信号Ｔ１の発生を開始する。発生した外部クロック信号Ｔ１が外部ＣＵＩ１０へ入力されると、外部ＣＵＩ１０は、外部コマンドの受付が可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
外部ＣＵＩ１０は、外部クロック信号Ｔ１＿Ｄに応答して、サスペンドコマンドをラッチするためのサスペンド専用ラッチ回路Ｌ１０と、ラッチされたサスペンドコマンドに応答して外部制御信号を発生する組合せ論理（ＣＬ）回路１１と、外部制御信号をワンショットパルスの外部クロック信号Ｔ２＿Ｄ＿Ｏに同期して出力するＡＮＤ回路Ｇ１０とをさらに含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
非同期転送回路３０は、さらに、モード指示信号発生部３５として、内部制御信号を受ける非同期のＲＳ型フリップフロップ３３と、外部制御信号を受ける非同期のＲＳ型フリップフロップ３４と、組合せ論理（ＣＬ）回路３１と、ＯＲ回路Ｇ３０とをさらに含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
ＲＳ型フリップフロップ３３は、内部制御信号ＨＳＳＰＮＤを受けて、信号ＸＨＳＳＰＮＤを発生する。ＲＳ型フリップフロップ３４は、外部制御信号を受けて、組合せ論理（ＣＬ）回路３１へ伝達する。組合せ論理（ＣＬ）回路３１は、外部制御信号と内部系の信号とに応答して信号を発生する。信号ＸＨＳＳＰＮＤと組合せ論理（ＣＬ）回路３１の出力信号とは、ＯＲ回路Ｇ３０において論理和が演算され、演算結果として、モード指示信号ＲＤＹが出力される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
そこで、このメタステーブルを回避する手段として、図５に示すように、非同期転送回路３０を、複数段のラッチ回路で構成する。例えば、本実施の形態では、３段のラッチ回路Ｌ３０〜Ｌ３２で構成する。ラッチ回路Ｌ３０，Ｌ３２は、内部クロック信号Ｐ２に応答して入力信号をラッチし、ラッチ回路Ｌ３１は、内部クロック信号Ｐ１に応答して入力信号をラッチする。なお、ラッチ回路Ｌ３１は、図６のラッチ回路Ｌ３０の入力信号を内部クロック信号Ｐ２からＰ１に置き換えたものに等しい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
非同期転送回路３０に入力される外部制御信号は、先頭のラッチ回路Ｌ３０において、内部クロック信号Ｐ２の立下りに応答してラッチされて、２番目のラッチ回路Ｌ３１に出力される。２番目のラッチ回路Ｌ３１は、内部クロック信号Ｐ２の立下りから期間ｔ５経過したタイミングで内部クロック信号Ｐ１がＨレベルに立上ったことに応答して、外部制御信号ＯＲＱＳＳＰＮＤを取込む。そして、２番目のラッチ回路Ｌ３１は、内部クロック信号Ｐ１の立下りに応答して、外部制御信号ＯＲＱＳＳＰＮＤをラッチし、３番目のラッチ回路Ｌ３２へ出力する。３番目のラッチ回路Ｌ３２は、内部クロック信号Ｐ１の立下りから期間ｔ４経過したタイミングで内部クロック信号Ｐ２が立上ったことに応答して、外部制御信号ＯＲＱＳＳＰＮＤを取込み、内部クロック信号Ｐ２の立下りに応答して、外部制御信号ＯＲＱＳＳＰＮＤをラッチして出力する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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