【事件の表示】
　平成１０年特許願第１４８１９０号「磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年１２月１０日出願公開、特開平１１−３３９２３８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明            
　本願は、平成１０年５月２９日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成１１年５月２７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲第１項に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
「【請求項１】非磁性基体上にスパッタリング法により非磁性下地層及びＣｏに対し原子半径が同等以上の添加元素を添加したＣｏ合金磁性層を順に形成し、前記非磁性下地層はＣｒにＭｏを添加して成るＣｒ−Ｍｏ合金下地層である磁気記録媒体であって、
　前記Ｃｒ−Ｍｏ合金下地層において、Ｍｏの組成比は１０〜３０原子％であり、且つ、前記Ｃｏ合金磁性層は膜厚が１５〜２５ｎｍの範囲内で成膜された薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体。」
　なお、本願明細書について、平成１２年１月３１日付けで手続補正がなされたが、これは平成１３年１０月３１日付けの補正の却下の決定により却下された。
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平９−２９３２２７号公報（以下、「引用刊行物１」という）には、以下の事項からなる発明が記載されている。
（１）「【請求項１】非磁性支持体と該支持体上に非磁性金属材料からなる下地層を介して形成された磁性金属材料からなる磁気記録膜とを含んでなる磁気記録媒体において、前記下地層が、クロムを主成分とするかもしくはクロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成されており、そして前記磁気記録膜が、コバルト、クロム、タンタル及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１員を主成分とする金属材料から構成されていることを特徴とする磁気記録媒体。」（第１欄の【請求項１】参照）
（２）「【請求項１２】前記磁気記録膜が、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して形成された２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。」（第２欄の【請求項１２】参照）
（３）「【請求項１５】前記下地層及び前記中間膜が、それぞれ、クロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成されており、そして前記磁気記録膜を構成する前記磁性層が、コバルト、クロム及び白金を主成分とする金属材料から構成されていることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。」（第２欄の【請求項１５】参照）
（４）「【請求項１６】クロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成される前記下地膜において、含まれるモリブデンの含有量が、１０〜３０ａｔ％であることを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録媒体。」（第２〜３欄の【請求項１６】参照）
（５）「【請求項１７】コバルト、クロム及び白金を主成分とする金属材料から構成される前記磁性層が、それぞれ、１５nm以下の膜厚を有しており、そして前記磁性層の膜厚の合計が２５nm以下であることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の磁気記録媒体。」（第３欄の【請求項１７】参照）
（６）「【請求項２３】前記下地層が、１０〜３０ａｔ％のモリブデン及び残部のクロムからなる合金から構成されており、そして前記磁気記録膜が、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して形成された２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であり、その際、前記磁性層が、それぞれ、コバルト及びクロムを主成分として含有しかつ４〜１０ａｔ％の白金ならびに５ａｔ％以下の、硼素、タンタル及びニオブからなる群から選ばれる少なくとも１員を追加の成分として含有する金属材料から構成されており、そして前記磁性膜の膜厚の合計が３０nm以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。」（第３欄の【請求項２３】参照）
（７）「本発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しく述べると、高い保磁力により高密度記録を可能とするとともに、ノイズを低減し、Ｓ／Ｎ比を向上させた磁気記録媒体に関する。本発明の磁気記録媒体は、また、低ノイズを維持したまま再生出力を向上させることによりＳ／Ｎ比を向上させた磁気記録媒体にも関する。」（第５欄の【０００１】参照）
（８）「情報処理技術の発達に伴い、コンピュータの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対して高密度化の要求が高まっている。具体的には、かかる磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻線型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用することが提案されている。」（第５欄の【０００２】参照）
（９）「さらに、高密度記録の要求を満たすために、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録媒体においても、上記したＭＲヘッド、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッド（スピンバルブヘッドを含む）に対応可能な特性の向上が求められている。磁気記録媒体では、特に、ｔＢｒ（磁気記録膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）が低く、低ノイズであり、そして保磁力Ｈｃが高いことが求められている。」（第５欄の【０００３】参照）
（１０）「さらに、磁気記録媒体では、その再生波形のパルス幅をＰｗ５０とすると、媒体の磁気特性である保磁力Ｈｃ、残留磁化Ｍｒ、磁性層の膜厚ｔとの間に、次のような関係が存在することが知られている。
　　　　Ｐｗ５０　∝　（ｔ×Ｍｒ／Ｈｃ）1/2 
　基本的に、再生波形のパルス幅が狭いほど、高記録密度媒体として適している。よって、高密度記録が可能な磁気記録媒体としては、その磁性膜の膜厚ができるかぎり薄くて、しかもできるかぎり高い保磁力を発生するような媒体が望ましい。しかし、通常、磁性膜の膜厚を薄くすることと、その保磁力を高めることとは、相反する要求であって、例えば磁性膜の膜厚を２０nm以下程度に薄くすると、その保磁力が減少する傾向にある。また、すでに触れたように、高感度のＭＲヘッドの実用化に伴い、媒体ノイズの低減の要求も高まってきている。媒体ノイズの原因としては、基板表面の粗さ、磁性粒子の粒径の不揃い度、磁性粒子間の磁気的相互作用による遷移領域の乱れ、その他が考えられる。」（第９欄の【００１０】参照）
（１１）「ＣｏＣｒ系面内磁気記録媒体の場合、磁性膜の磁化容易軸（Ｃ軸）はできるかぎり面内に配向していることが望ましい。現在の磁気記録媒体では、磁性膜の磁性膜の磁化容易軸（Ｃ軸）を面内に配向させる手段として、その磁性膜の直下にＣｒの下地を形成することを屡々行っている。これは、Ｃｒ（１００）面上にはＣｏ合金系磁性膜のＣ軸に平行な面が結晶学的に配向しやすいことに依存している。特に、先にも引用し説明した特開平７−５０００９号公報では、Ｃｒ下地中にＭｏ、Ｗのうちの１種以上を添加することにより、高保磁力及び低ノイズに加えて、磁性膜の面内配向性を高めている。」（第９欄の【００１２】参照）
（１２）「以上の磁気記録媒体の問題点を整理すると、高保磁力化等の目的でＣｏＣｒ合金系磁性層を含めたＣｏ合金系磁性層中にＰｔ等の、原子半径の大きな元素を添加していくと、Ｃｏ合金の結晶（ｈｃｐ）格子が拡張していく。その結果、磁気記録媒体において上記のようなＣｏ合金系磁性層の下地としてＣｒが使用されている場合、磁性層の結晶格子とＣｒ下地のＣｒ結晶格子との整合がとれなくなり、磁化容易軸の面内配向が低下してしまうという問題が生じる。この問題は、しかし、先に引用した特開平７−５０００９号公報に記載されるように、Ｃｒ下地中にＭｏ等の元素を追加的に添加することにより、Ｃｒの格子間隔を拡張させることにより改善できる。しかし、Ｃｒ中にＭｏを例えば１０〜２０ａｔ％の量で添加すると、Ｃｒ結晶の凝固点が低下し、スパッタ法により下地の成膜を行う間に、ＣｒＭｏ分子（原子）が基板上で運動できる距離、すなわち、平均自由行程が、Ｃｒ原子の単独の場合に比較して長くなってしまう。このことにより、ＣｒＭｏ膜を直接に基板上に形成した場合、ＣｒＭｏ粒の成長は基板の表面状態、例えば基板の表面の形状、表面エネルギーの高低など、の局所的なバラツキの影響を受けやすくなり、得られるＣｒＭｏ粒の粒径のバラツキが大きくなる傾向がある。」（第９欄の【００１３】参照）
（１３）「本発明の第１の目的は、したがって、高い保磁力とノイズの低下という２つの大きな目標を同時に達成することのできる改良された磁気記録媒体を提供することにある。」（第１０欄の【００１８】参照）
（１４）「本発明の第２の目的は、高い再生出力に結びつく高い保磁力を有し、しかもノイズの低下ももたらすことのできる磁気記録媒体、そして、低ノイズを維持したまま再生出力を向上させることによりＳ／Ｎ比を向上させることのできる磁気記録媒体を提供することにある。」（第１０欄の【００１９】参照）
（１５）「上記したような目的は、本発明によれば、非磁性支持体と該支持体上に非磁性金属材料からなる下地層を介して形成された磁性金属材料からなる磁気記録膜とを含んでなる磁気記録媒体において、前記下地層が、クロムを主成分とするかもしくはクロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成されており、そして前記磁気記録膜が、コバルト、クロム、タンタル及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１員を主成分とする金属材料から構成されていることを特徴とする磁気記録媒体によって達成することができる。」（第１０〜１１欄の【００２１】参照）
（１６）「本発明は、そのもう１つの面において、磁気記録媒体の磁気記録膜が、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して形成された２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であることを特徴とする磁気記録媒体にある。
　本発明は、そのもう１つの面において、磁気記録媒体の下地層が、１０〜３０ａｔ％のモリブデン及び残部のクロムからなる合金から構成されており、そしてその下地層の上方に形成された磁気記録膜が、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して形成された２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であり、その際、前記磁性層が、それぞれ、コバルト及びクロムを主成分として含有しかつ４〜１０ａｔ％の白金ならびに５ａｔ％以下の、硼素、タンタル及びニオブからなる群から選ばれる少なくとも１員を追加の成分として含有する金属材料から構成されており、そして前記磁性膜の膜厚の合計が３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体にある。」（第１１〜１２欄の【００２３】参照）
（１７）「本発明の磁気記録媒体において、基本的に、非磁性支持体上に形成されるべき非磁性の下地層は、クロムを主成分とするかもしくはクロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成されるものであり、また、その下地層の上に形成されるべき磁気記録膜は、コバルト、クロム、タンタル及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１員を主成分とする金属材料から構成されるものである。」（第１２欄の【００２６】参照）
（１８）「本発明の磁気記録媒体において、その基体として用いられる非磁性支持体は、この技術分野において常用のいろいろな支持体材料から構成することができる。適当な支持体材料は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、ＮｉＰメッキのアルミニウム（アルミニウム合金を含む）ディスク、ガラス又は強化ガラスディスク、表面酸化膜（例えばシリコン酸化膜）を有するシリコンディスク、ＳｉＣディスク、カーボンディスク、プラスチックディスク、セラミックディスクなどを包含する。」（第１３欄の【００２９】参照）
（１９）「非磁性支持体上の下地層は、この技術分野において常用のものであることができ、特に、クロムを主成分とする金属材料あるいはクロム及びモリブデンを主成分とする金属材料から構成することができる。例えば、磁性層が白金を含有するような場合には、その下地層は、好ましくは、クロム及びモリブデンを主成分とする金属材料から構成することができる。適当な下地層の材料の例として、例えば、Ｃｒ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏなどを挙げることができる。このような下地層は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成することができる。」（第１３〜１４欄の【００３０】参照）
（２０）「非磁性支持体上に上記下地膜を介して形成される磁気記録膜は、上記したように、ＣｏＣｒＴａＰｔの四元系合金から構成されるものである。」（第１４欄の【００３１】参照）
（２１）「本発明の磁気記録媒体において、それに含まれる磁気記録膜は、単一の膜からなっていてもよく、あるいは、以下において詳しく説明するように、必要に応じて、２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であることができる。すなわち、磁気記録膜は、必要に応じて、多層構造の形をとることができ、その際、それぞれの磁性層は、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して分断可能である。適当な非磁性中間膜としては、例えば、以下に記載するように、ＣｒＭｏ層などを挙げることができる。」（第１４欄の【００３２】参照）
（２２）「もう１つの面において、本発明の磁気記録媒体は、それに含まれる磁気記録膜が、上記したように、コバルト、クロム、タンタル及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１員を主成分とする金属材料、例えば上記したようなクロム、タンタル、白金及びコバルトからなる四元系合金から構成されるものであり、そしてその磁気記録膜が、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して形成された２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であることを特徴としている。」（第１５欄の【００３６】参照）
（２３）「本発明の磁気記録媒体の磁性膜は、それを非磁性中間膜にて複数の磁性層に分断するとともに、磁性層の組成や成膜方法、成膜条件を変更することにより、残留磁化を制御することができる。特に、成膜方法としてマグネトロンスパッタ法を用いた場合の成膜条件は、成膜温度が２００℃以上、印加バイアスが１００〜３００Ｖ程度であるのが好ましい。」（第１６欄の【００３８】参照）
（２４）「本発明の磁気記録媒体において、その非磁性下地層は、好ましくは、ＣｒＭｏ合金から構成することができる。ＣｒＭｏ合金中のＭｏの添加量を変更することによって、ＣｒＭｏの格子面間隔を変化させることができる。磁性膜の組成、特にそれに含まれるＰｔ量によって変化可能なその磁性膜の格子面間隔に対して、上記した下地層の格子面間隔を近くしてやることにより、磁性膜のＣｏＣ軸の面内への優先配向を促すことができる。」（第１６欄の【００３９】参照）
（２５）「磁気記録膜が多層構造を有する本発明の磁気記録媒体は、すでに上記した態様を含めて、次のような好ましい態様を包含する。
　１．含まれる下地層及び中間膜が、それぞれ、その組成をほぼ同じくする磁気記録媒体。
　２．含まれる下地層及び前記中間膜が、それぞれ、クロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成されており、そして前記磁気記録膜を構成する前記磁性層が、コバルト、クロム及び白金を主成分とする金属材料から構成されている磁気記録媒体。
　３．クロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成される前記下地膜において、含まれるモリブデンの含有量が、１０〜３０ａｔ％である磁気記録媒体。
　４．コバルト、クロム及び白金を主成分とする金属材料から構成される前記磁性層が、それぞれ、１５ｎｍ以下の膜厚を有しており、そして前記磁性層の膜厚の合計が２５ｎｍ以下である磁気記録媒体。」（第１７欄の【００４１】〜【００４２】参照）
（２６）「本発明による磁気記録媒体を使用すると、高いＳ／Ｎ比と高い保磁力が同時に得られる。これは、ＣｒＭｏ下地層のＭｏ濃度を高めて格子面間隔を変え、磁性膜の格子面間隔に近くしたことにより、磁性膜の配向性がよくなったことと、ＣｒＭｏ中間膜で磁性膜を分断してやることにより結晶粒径が微細になり、ノイズが低減したためである。」
（第１７欄の【００４５】参照）
（２７）「本発明者らは、さらに、上記したような磁気記録媒体の発明に関連して、非磁性支持体と、該支持体上に非磁性下地層を介して形成された磁性金属材料からなる磁気記録膜とを含んで構成されるものであって、前記下地層が、１０〜３０ａｔ％のモリブデン及び残部のクロムからなる合金から構成されており、そして前記磁気記録膜が、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して形成された２層もしくはそれ以上の互いに分断された磁性層からなる多層構造膜であり、その際、前記磁性層が、それぞれ、コバルト及びクロムを主成分として含有しかつ４〜１０ａｔ％の白金ならびに５ａｔ％以下の、硼素、タンタル及びニオブからなる群から選ばれる少なくとも１員を追加の成分として含有する金属材料から構成されており、そして前記磁性膜の膜厚の合計が３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体を見い出した。」（第１７〜１８欄の【００４６】参照）
（２８）「本発明の磁気記録媒体において、その非磁性下地層は、ＣｒＭｏ合金から構成される。ＣｒＭｏ合金中のＭｏの添加量を変更することによって、ＣｒＭｏの格子面間隔を変化させることができる。磁性膜の組成、特にそれに含まれるＰｔ量によって変化可能なその磁性膜の格子面間隔に対して、上記した下地層の格子面間隔を近くしてやることにより、磁性膜のＣｏＣ軸の面内への優先配向を促すことができる。」（第１８欄の【００４７】参照）
（２９）「本発明による磁気記録媒体を使用すると、高いＳ／Ｎ比と高い保磁力が同時に得られる。これは、ＣｒＭｏ下地層のＭｏ濃度を高めて格子面間隔を変え、磁性膜の格子面間隔に近くしたことにより、磁性膜の配向性がよくなったことと、ＣｒＭｏ中間膜で磁性膜を分断してやることにより結晶粒径が微細になり、ノイズが低減したためである。」（第１９欄の【００５２】参照）
（３０）「
例３
（３１）「図１１にＣｏＣｒＰｔＴａ単層磁性膜の保磁力の下地膜ＣｒＭｏ組成依存性を示す。同図から、Ｍｏ添加量増加に伴い保磁力は増加し、２０ａｔ％付近で最大となり、それ以上添加すると減少するが、３０ａｔ％添加してもＣｒ下地よりも保磁力は高い。図１２には、角型の下地膜ＣｒＭｏ組成依存性を示す。ＣｒＭｏ２０（ａｔ％）付近でＳ* は最大となる。
　図１３にＣｏＣｒＰｔＴａ単層磁性膜の保磁力の下地膜と磁性膜に印加したバイアス電圧依存性を示す。同図から、ＣｒＭｏ２０では３００Ｖ以下で無印加に比べ保磁力が高い。図１４にＣｏＣｒＰｔＴａ単層磁性膜の保磁力の下地膜依存性を示す。ＣｒＭｏ中Ｍｏ濃度が（０〜２０ａｔ％の範囲では）高いほど薄い下地膜で保磁力が飽和している。」（第２４欄の【００６９】〜【００７０】参照）
　
　これらの記載事項によれば、引用刊行物１には、「非磁性支持体上にスパッタリング法により非磁性下地層及び、コバルト、クロム、タンタル及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１員を主成分とする金属材料から構成された磁気記録膜を順に形成し、前記非磁性下地層はクロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成された下地層である磁気記録媒体であって、前記下地層において、モリブデンの組成比は１０〜３０ａｔ％であり、且つ、前記磁気記録膜は膜厚が３０ｎｍ以下で成膜された薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体。」の発明が記載されている。
　
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された、特開平９−２６５６１９号公報（以下、「引用刊行物２」という）には、以下の事項からなる発明が記載されている。
「外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのガラスディスク基板に付着した研磨材等の汚れを洗浄して乾燥させた。
　この基板を枚葉式直流マグネトロンスパッタ装置の基板仕込み室に装填して真空に排気した後、当該基板を加熱室、非磁性下地膜形成室、磁性膜形成室、非磁性保護膜形成室及び取り出し室の順に、真空度５×１０−８Ｔｏｒｒ以下の主排気槽を介しながら搬送し、それぞれの室でそれぞれの膜を形成した。
　まず、８ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとで、Ｚｒ添加濃度の異なるＣｒ−ＺｒＯ２ターゲットに１ｋＷの電力を加えて、膜厚１０〜１００ｎｍのＣｒ−Ｚｒ−Ｏ非磁性下地膜を第１の非磁性下地膜として形成した。次いで加熱室で２７０℃に加熱し、８ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとでＣｒ−２０原子％Ｔｉターゲットに４ｋＷの電力を加えて、膜厚２〜１５ｎｍのＣｒ−Ｔｉ下地膜を第２の非磁性下地膜として形成した。この下地膜の上に、８ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとでターゲットに１．５ｋＷの電力を加えて、Ｃｏ−２０原子％Ｃｒ−６原子％Ｐｔからなる膜厚２０ｎｍの合金磁性膜を積層した。さらに、この磁性膜の上に１０ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとでターゲットに１．５ｋＷの電力を加えて、膜厚１０ｎｍのカーボン保護膜を形成した。そして、当該保護膜上に吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を形成して２．５インチ磁気ディスクとした。」（第８欄の【００３５】〜第９欄【００３７】参照）
「さらに実施例１における第２の非磁性下地膜として、Ｃｒ−Ｔｉの代わりに、Ｃｒ−２０原子％Ｍｏ、Ｃｒ−２０原子％Ｗ、Ｃｒ−２０原子％Ｖを用いた磁気ディスクを製造し、その特性を評価した。この場合も実施例１の磁気ディスクと略同様の結果が得られた。」（第１１欄の【００４５】参照）
３．対比
　本願発明と引用刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者はともに、下地層の格子面間隔と磁性膜の格子面間隔を近づけることによって磁性膜の原子配列を変えて、磁気特性を改良する技術に関するものである。そして、引用刊行物１に記載された「非磁性支持体」は、本願発明の「非磁性基体」に相当し、また、社団法人日本化学会編「化学便覧　基礎編ＩＩ」（昭和４１年９月２５日、丸善株式会社発行）の第１２５９頁に記載された表１１．２８によると、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）の原子半径は、それぞれ１．２５，１．２５，１．４３，１．３９（単位：オングストローム）であることと、上記（１２）中の「高保磁力化等の目的でＣｏＣｒ合金系磁性層を含めたＣｏ合金系磁性層中にＰｔ等の、原子半径の大きな元素を添加していくと、Ｃｏ合金の結晶（ｈｃｐ）格子が拡張していく。」の記載等から、引用刊行物１に記載された「コバルト、クロム、タンタル及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１員を主成分とする金属材料から構成された磁気記録膜」には、本願発明の「Ｃｏに対し原子半径が同等以上の添加元素を添加したＣｏ合金磁性層」も含まれる。
　さらに、引用刊行物１に記載された非磁性下地層は、クロムとモリブデンを主成分とする金属材料から構成されており、モリブデンの組成比が１０〜３０ａｔ％であるから、当該非磁性下地層は、本願発明と同様の、Ｍｏの組成比が１０〜３０原子％のＣｒ−Ｍｏ合金下地層である。
　これらの対応関係を整理すると、両者は、「非磁性基体上にスパッタリング法により非磁性下地層及びＣｏに対し原子半径が同等以上の添加元素を添加したＣｏ合金磁性層を順に形成し、前記非磁性下地層はＣｒにＭｏを添加して成るＣｒ−Ｍｏ合金下地層である磁気記録媒体であって、前記Ｃｒ−Ｍｏ合金下地層において、Ｍｏの組成比は１０〜３０原子％であることを特徴とする磁気記録媒体。」である点で一致し、
　Ｃｏ合金磁性層の膜厚に関し、本願発明が１５〜２５ｎｍの範囲内で成膜された薄膜であるのに対し、引用刊行物１に記載された発明においては、Ｃｏ合金磁性層の膜厚が３０ｎｍ以下である点で相違する。
４．当審の判断
　本願発明において、Ｃｏ合金磁性層の膜厚を１５〜２５ｎｍの範囲内とする根拠として、本願明細書には、「第１に、Ｃｒ合金下地層がＣｒにＭｏを添加して成るＣｒ−Ｍｏ合金下地層である場合、そのＭｏの組成比を１０〜３０原子％とし、且つＣｏ合金磁性層の膜厚を１５〜２５ｎｍの範囲に収めると、純Ｃｒ下地層のときの極大値以上の高保磁力と低媒体ノイズの磁気記録媒体を得ることができる。」（【００１１】）、「まず、実施例１に係る磁気記録媒体のＣｒ合金下地層３としては、ＣｒにＭｏを添加して成るＣｒ−Ｍｏ合金下地層である。図２は、Ｍｏ組成比をパラメータとし、保磁力の磁性層膜厚依存特性を示すグラフである。この図から明らかなように、純Ｃｒのときの保磁力極大値（約２８５０Ｏｅ）は磁性層４の膜厚が２５ｎｍ付近にある。この保磁力極大値と同等以上の部分がＭｏの適正組成比及び磁性層３の適正膜厚と言える。Ｍｏの適正組成比は１０〜３０原子％であり、またＣｏ磁性合金層３の適正膜厚は１５〜２５ｎｍである。この範囲であれば、高保磁力の磁気記録媒体が得られる。」（【００２２】〜【００２３】）と記載されている。
　しかしながら、図２において、Ｍｏの組成比１０原子％、２０原子％、３０原子％のグラフ（それぞれ、■、△、×を結んだグラフである）と、純Ｃｒのときの保磁力極大値（約２８５０Ｏｅ）とを比較すると、磁性層膜厚１５〜２５ｎｍの範囲内であっても、Ｍｏの組成比１０原子％、２０原子％、３０原子％のグラフが純Ｃｒのときの保磁力極大値である約２８５０Ｏｅを下回っている箇所が存在する。例えば、磁性層膜厚２５ｎｍ付近において、Ｍｏの組成比１０原子％のグラフ（■を結んだグラフ）及び３０％のグラフ（×を結んだグラフ）は、明らかに、純Ｃｒのときの保磁力極大値を下回っており、また、磁性層膜厚１５ｎｍ付近において、Ｍｏの組成比１０原子％のグラフ（■を結んだグラフ）、２０原子％のグラフ（△を結んだグラフ）、３０原子％のグラフ（×を結んだグラフ）のいずれもが、明らかに、純Ｃｒのときの保磁力極大値を下回っている。
　このように、上記明細書の記載には矛盾があり、本願明細書にて述べられているように、純Ｃｒの保磁力極大値と同等以上の部分がＭｏの適正組成比及び磁性層３の適正膜厚であったとしても、図２等のデータからその適正膜厚を１５〜２５ｎｍとする合理的な根拠が見出せない。したがって、上記明細書の記載から当該数値範囲に膜厚を限定することの臨界的意義は確認できない。
　してみれば、本願発明において、Ｃｏ合金磁性層の膜厚を１５〜２５ｎｍの範囲内とする点は、実施にあたって、高い保磁力とノイズの低下を達成すべく、当業者が適宜実験等を行って設定しうる設計的事項と言うべきものである。
　そして、引用刊行物１に記載された発明においても、上記（１０）、（１６）、（２５）、（３０）等の記載から明らかなように、その磁性層の膜厚は、高密度化のために残留磁化Ｍｒ×膜厚ｔの値を下げることと、高保磁力維持のかね合いから、３０ｎｍ以下、好ましくは２０〜２５ｎｍが適当であるとしている（なお、引用刊行物１に記載された実施例では磁性膜が多層構造を有しているが、下地層と中間層とが同成分であることから、格子面間隔の制御については単層のものと変わりなく、また、本願出願時において周知である、特開平２−１１３４１９号公報、特開平５−３２５１６３号のものにおいては単層磁性膜を用いている。）ことも参照して、上記磁性層の膜厚をこの程度の値に選定することは当業者なら容易に想到しうるものである。
　なお、非磁性基体上にスパッタリング法にて非磁性下地層及びＣｏ合金磁性層を順次形成してなる磁気記録媒体において、Ｃｏ合金磁性層の膜厚を１５〜２５ｎｍの範囲内に形成する点は、引用刊行物２に記載されているように、本願出願時点において既に公知である（引用刊行物２においては、Ｃｏ合金磁性層の膜厚を２０ｎｍに形成している）ことにも留意されたい。
５．まとめ
　以上のとおり、本願発明は、上記引用刊行物１に記載された発明及び本願出願時の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。