【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
絶縁体層と、
該絶縁体層上に形成されておりＰ型のソース領域及びＰ型のドレイン領域並びにチャネル領域を含むＮ型の単結晶半導体層と、
前記チャネル領域における前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
該ゲート電極に電気的に接続された走査線と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に電気的に接続されたデータ線と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に電気的に接続された画素電極と
を備えており、
前記単結晶半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極から、前記画素電極をスイッチング制御するＰチャネル型のトランジスタが構築されていることを特徴とする電気光学基板装置。
【請求項２】
前記トランジスタは、ＰチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Silicon）型トランジスタからなることを特徴とする請求項1に記載の電気光学基板装置。
【請求項３】
前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、
該層間絶縁膜上に形成され且つ前記ソース領域に電気的に接続されたＰ型導電層からなるソース電極と、
前記層間絶縁膜上に形成され且つ前記ドレイン領域に電気的に接続されたＰ型導電層からなるドレイン電極と
を更に備えており、
前記データ線は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方を中継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に電気的に接続されており、
前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方を中継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は２に記載の電気光学基板装置。
【請求項４】
前記Ｐ型導電層は、導電層を堆積後に、イオンインプラによりＰ型にドープされていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学基板装置。
【請求項５】
前記ソース電極は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記ソース領域に電気的に接続されており、
前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記ドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学基板装置。
【請求項６】
前記基板上に、前記チャネル領域を下側から覆う下側遮光膜を更に備えており、
前記絶縁体層は、前記下側遮光膜上に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学基板装置。
【請求項７】
前記基板上における前記画素電極が形成された画像表示領域の周辺に周辺回路を更に備えており、
該周辺回路は、Ｎチャネル型のトランジスタを含んでなり、該Ｎチャネル型のトランジスタには、その半導体層に蓄積されるキャリアを吸い出す導電層が設けられており、
前記画像表示領域に設けられた前記Ｐチャネル型のトランジスタには、その半導体層に蓄積されるキャリアを吸い出す導電層が設けられていないことを特徴とする請求項1から６のいずれか一項に記載の電気光学基板装置。
【請求項８】
前記基板上に、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方と前記画素電極とを中継接続すると共に画素電位側容量電極を含む中間導電層と、
該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置された固定電位側容量電極を含む容量線と
を更に備えており、
前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極から前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量が構築されており、
前記容量線及び前記中間導電層のうち少なくとも一方は、導電性の遮光膜からなり、前記基板上において前記チャネル領域を上側から覆う部分を含むことを特徴とする請求項1から７のいずれか一項に記載の電気光学基板装置。
【請求項９】
前記蓄積容量は、平面的に見て前記走査線に重なる領域にも少なくとも部分的に設けられていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学基板装置。
【請求項１０】
前記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線に重なる領域にも少なくとも部分的に設けられていることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学基板装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学基板装置と、
該電気光学基板装置に対向配置された対向基板と、
該対向基板と前記電気光学基板装置との間に挟持された電気光学物質と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項５に記載の電気光学基板装置を製造する電気光学基板装置の製造方法であって、
前記単結晶半導体層上に前記層間絶縁膜を形成する第１成膜工程と、
前記層間絶縁膜に対して前記コンタクトホールを開孔する開孔工程と、
前記コンタクトホールが開孔された層間絶縁膜上に、前記Ｐ型導電層となる所定種類の材料膜を形成する第２成膜工程と、
該形成された材料膜に対してイオンインプラによりイオンを打ち込むことによって前記Ｐ型導電層を形成するイオンインプラ工程と
を含んでおり、
前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込みは、前記コンタクトホールの側面に形成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれるように前記コンタクトホールの中心線に対して所定角度Ｘだけ傾けて行われ、且つ該所定角度Ｘは、前記コンタクトホールの底面に形成された前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に設定されていることを特徴とする電気光学基板装置の製造方法。
【請求項１４】
前記イオンインプラ工程では、前記イオンの打ち込みは、前記コンタクトホールの中心線に対して相前後して又は同時に複数方位に前記所定角度Ｘだけ傾けて行われ、前記所定角度Ｘは、前記複数方位の各々について前記コンタクトホールの底面の中央に位置する前記材料膜部分に前記イオンが打ち込まれる範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学基板装置の製造方法。
【請求項１５】
前記開孔工程では、前記コンタクトホールは柱状に開孔され、
前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記コンタクトホールの径をａとし、前記コンタクトホールの深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、
０＜Ｘ≦ｔａｎ-1｛（ａ−２ｃ）／２ｅ｝
を満たすように設定されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気光学基板装置の製造方法。
【請求項１６】
前記開孔工程では、前記コンタクトホールは、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられ、
前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記コンタクトホールの底面における径をａとし、前記コンタクトホールの口側の縁における径をｄとし、前記コンタクトホールの深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、
０≦Ｘ≦ｔａｎ-1｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝
を満たすように設定されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気光学基板装置の製造方法。
【請求項１７】
前記開孔工程では、前記コンタクトホールは、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１コンタクトホール部分と該第１部分の底から連続して柱状に開けられた第２コンタクトホール部分とからなるように開けられ、
前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記第２コンタクトホール部分の径をａとし、前記第１コンタクトホール部分の口側の縁における径をｄとし、前記第１コンタクトホール部分の深さをｅとし、前記第２コンタクトホール部分の深さをｂとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、
０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）
但し、Ｙ＝ｔａｎ-1｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝
を満たすように設定されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気光学基板装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学基板装置は上記課題を解決するために、基板上に、絶縁体層と、該絶縁体層上に形成されておりＰ型のソース領域及びＰ型のドレイン領域並びにチャネル領域を含むＮ型の単結晶半導体層と、前記チャネル領域における前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極に電気的に接続された走査線と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に電気的に接続されたデータ線と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に電気的に接続された画素電極とを備えており、前記単結晶半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極から、前記画素電極をスイッチング制御するＰチャネル型のトランジスタが構築されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電気光学基板装置の他の態様では、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され且つ前記ソース領域に電気的に接続されたＰ型導電層からなるソース電極と、前記層間絶縁膜上に形成され且つ前記ドレイン領域に電気的に接続されたＰ型導電層からなるドレイン電極とを更に備えており、前記データ線は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方を中継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に電気的に接続されており、前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方を中継して前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方に電気的に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
或いはこの態様では、前記ソース電極は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記ソース領域に電気的に接続されており、前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記ドレイン領域に電気的に接続されていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の電気光学基板装置の他の態様では、前記基板上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方と前記画素電極とを中継接続すると共に画素電位側容量電極を含む中間導電層と、該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置された固定電位側容量電極を含む容量線とを更に備えており、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極から前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量が構築されており、前記容量線及び前記中間導電層のうち少なくとも一方は、導電性の遮光膜からなり、前記基板上において前記チャネル領域を上側から覆う部分を含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
或いは本発明の電気光学基板装置の製造方法の他の態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホールは、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられ、前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記コンタクトホールの底面における径をａとし、前記コンタクトホールの口側の縁における径をｄとし、前記コンタクトホールの深さをｅとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、０≦Ｘ≦ｔａｎ-1｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように設定される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
或いは本発明の電気光学基板装置の製造方法の他の態様では、前記開孔工程では、前記コンタクトホールは、前記層間絶縁膜側から前記導電層側に向かって広がる円錐台状或いは角錐台状に開けられた第１コンタクトホール部分と該第１部分の底から連続して柱状に開けられた第２コンタクトホール部分とからなるように開けられ、前記イオンインプラ工程では、前記所定角度Ｘは、前記第２コンタクトホール部分の径をａとし、前記第１コンタクトホール部分の口側の縁における径をｄとし、前記第１コンタクトホール部分の深さをｅとし、前記第２コンタクトホール部分の深さをｂとし、前記材料膜の膜厚をｃとするとき、０＜Ｘ≦（ａ−２ｃ）／２（ｃｓｉｎＹ＋ｂ−ｃ）但し、Ｙ＝ｔａｎ-1｛（ｄ−ａ）／２ｅ｝を満たすように設定される。