(57)【要約】【課題】トランジスタ発振回路９に発振動作を安定化する手段を施し、実装時における周囲のラインへの影響を少なくした高電圧発生回路を提供する。【解決手段】高振幅の発振信号を発生するトランジスタ発振回路９と、トランジスタ発振回路９の発振信号を整流してチューニング電圧を形成する整流回路１５とからなり、トランジスタ発振回路９は、発振トランジスタ１と、コレクタとベース間に接続された第１コンデンサ２とインダクタ３の直列回路と、コレクタとエミッタ間に接続された第２コンデンサ４と、ベースとエミッタ間に接続された第３コンデンサ５と、エミッタと第３コンデンサ５の接続点と基準電位点間に接続された安定化抵抗８を備える。【選択図】図１
0003122509.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
高振幅の発振信号を発生するトランジスタ発振回路と、前記トランジスタ発振回路の発振信号を整流してチューニング電圧を形成する整流回路とからなり、前記トランジスタ発振回路は、発振トランジスタと、そのコレクタとベース間に接続された第１コンデンサとインダクタの直列回路と、そのコレクタとエミッタ間に接続された第２コンデンサと、そのベースとエミッタ間に接続された第３コンデンサと、前記エミッタと前記第３コンデンサの接続点と基準電位点間に接続された安定化抵抗とを備え、前記コレクタに直流電圧が供給され、前記第１コンデンサと前記インダクタとの接続点から発振信号が出力され、前記整流回路に供給されることを特徴とする高電圧発生回路。
【請求項２】
前記整流回路は、発振信号振幅制限回路部と、前記発振信号振幅制限回路部の出力側に接続された整流回路部と、前記整流回路部の出力側に接続された平滑回路部とからなり、前記平滑回路部から前記チューニング用電圧が導出されるものであることを特徴とする請求項１に記載の高電圧発生回路。
【請求項３】
高電圧発生回路を実装する回路基板であって、前記回路基板は、少なくとも１つ以上の接地ランドが形成され、その中の１つの接地ランドに前記第１のコンデンサの他端と前記第２のコンデンサの他端と前記トランジスタのエミッタとが接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高電圧発生回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、高電圧発生回路に係り、特に、トランジスタ発振回路とその発振出力を整流する整流回路とを用いてチューニング電圧を発生させる際に、トランジスタ発振回路の発振出力を安定化し、常時必要とするチューニング電圧を得ることを可能にした高電圧発生回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、テレビジョンチューナに用いられるチューニング電圧を発生する場合には、例えば、特公平０７−０５３０３３号公報に示されるように、高振幅発振信号を発生するトランジスタ発振回路と、そのトランジスタ発振回路から出力される高振幅発振信号を整流して高チューニング電圧を発生する整流回路とからなるＤＣ−ＤＣコンバータ（高電圧発生回路）が用いられている。
【０００３】
ここで、図３は、かかる高電圧発生回路の構成の一例を示す回路図である。
【０００４】
図３に図示されるように、この高電圧発生回路は、トランジスタ発振回路３０と、整流回路４０と、直流電圧供給回路５０とからなっている。この場合、トランジスタ発振回路３０は、発振トランジスタ３１と、第１コンデンサ３２と、インダクタ３３と、第２コンデンサ３４と、第３コンデンサ３５と、第１抵抗３６と、第２抵抗３７とによって構成される。また、整流回路４０は、整流用ダイオード４１と、振幅制限用ツェナダイオード４２と、直列抵抗４３と、分路コンデンサ４４と、結合コンデンサ４５とによって構成され、直流電圧供給回路５０は、直流電源（図示なし）とチョークインダクタ５１とよって構成されている。そして、これらの構成要素３１乃至３７、４１乃至４５、５１は、図３に図示されるように相互接続されている。
【０００５】
前記構成による高電圧発生回路は、次のように動作する。
【０００６】
トランジスタ発振回路３０において、直流電圧供給回路５０から例えば５Ｖの直流電圧（ＶＣＣ）が発振トランジスタ３１のコレクタに供給されると、発振トランジスタ３１は、第１コンデンサ３２の容量値Ｃとインダクタ３３のインダクタンス値Ｌとで決まる発振周波数、例えば１．２ＭＨｚの周波数で発振し、比較的高振幅の発振信号、例えば５０乃至６０Ｖ（Ｐ−Ｐ）になる発振信号を発生する。この発振信号は、第１コンデンサ３２とインダクタ３３との接続点から導出され、次続の整流回路４０に供給される。整流回路４０において、結合コンデンサ４５を通して供給された発振信号は、振幅制限用ツェナダイオード４２で所定の振幅、例えば３３Ｖ（Ｐ−Ｐ）に制限され、整流用ダイオード４１で整流され、その整流出力は、直列抵抗４３と分路コンデンサ４４によって平滑され、チューニング電圧ＴＵ−Ｖが形成される。得られたチューニング電圧ＴＵ−Ｖは、例えば３３Ｖの電圧を有するものである。
【特許文献１】特公平０７−０５３０３３号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
前記既知の高電圧発生回路は、ＤＣ−ＤＣコンバータによって５Ｖの電源電圧を３３Ｖまで昇圧し、所望のチューニング電圧を得ているものであるが、発振トランジスタ３１は、周囲温度が上昇したり、長時間の使用によって素子自体の温度が上昇したりすると、そのコレクタ−エミッタ通流電流が増大し、それによっって発振信号振幅が低下することがあり、ときには発振信号振幅の低下によってチューニング電圧として３３Ｖを下回る電圧になることがあり、そのような状態になった場合、テレビジョンチューナが受信不能になってしまう。
【０００８】
また、前記既知の高電圧発生回路は、通常、回路基板に実装した状態で利用されるもので、その際に、トランジスタ発振回路３０は、発振周波数が１．２ＭＨｚという高周波であり、発振振幅も６０Ｖ（Ｐ−Ｐ）という高出力であるため、この発振信号が回路基板上の周囲の回路部分、例えば、接地ライン、電源ライン、チューニング電圧ライン等に影響を与え、それらのラインに対してノイズ成分を付与したり、スプリアス成分を付与したり、さらにはビート成分を発生させたりするようになり、何等かの対策が必要になっている。
【０００９】
本考案は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、トランジスタ発振回路に発振動作を安定化する手段を施すとともに、実装時においても周囲のラインへの影響を少なくすることを可能にした高電圧発生回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明による高電圧発生回路は、高振幅の発振信号を発生するトランジスタ発振回路と、トランジスタ発振回路の発振信号を整流してチューニング電圧を形成する整流回路とからなり、トランジスタ発振回路は、発振トランジスタと、そのコレクタとベース間に接続された第１コンデンサとインダクタの直列回路と、そのコレクタとエミッタ間に接続された第２コンデンサと、そのベースとエミッタ間に接続された第３コンデンサと、そのエミッタと第３コンデンサの接続点と基準電位点間に接続された安定化抵抗とを備え、そのコレクタに直流電圧が供給され、第１コンデンサとインダクタとの接続点から発振信号が出力され、整流回路に供給される構成手段を備える。
【００１１】
この場合、前記構成手段における整流回路は、発振信号振幅制限回路部と、発振信号振幅制限回路部の出力側に接続された整流回路部と、整流回路部の出力側に接続された平滑回路部とからなり、平滑回路部からチューニング用電圧が導出されるものである。
【００１２】
また、前記構成手段に係る高電圧発生回路を実装する回路基板は、少なくとも１つ以上の接地ランドが形成され、その中の１つの接地ランドに第１のコンデンサの他端と第２のコンデンサの他端と発振トランジスタのエミッタとが接続されているものである。
【考案の効果】
【００１３】
このように、本考案の高電圧発生回路によれば、トランジスタ発振回路として、発振トランジスタと、そのコレクタとベース間に接続された第１コンデンサとインダクタの直列回路と、そのコレクタとエミッタ間に接続された第２コンデンサと、そのベースとエミッタ間に接続された第３コンデンサと、そのエミッタと第３コンデンサの接続点と基準電位点間に接続された安定化抵抗とを備えたものを用いているので、トランジスタ発振回路の発振動作を安定化抵抗の接続によって常時安定化することができ、しかも、この高電圧発生回路を回路基板上に実装するときに、第２コンデンサ、第３コンデンサ及び発振トランジスタのエミッタを同じ接地ランドに接続するようにしたので、発振トランジスタから高周波で高振幅の発振信号が出力される割合を少なくすることができるという効果がある。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本考案の実施の形態を図面を参照して説明する。
【実施例】
【００１５】
図１は、本考案による高電圧発生回路の一実施例を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【００１６】
図１に示されるように、この実施例に係る高電圧発生回路は、トランジスタ発振回路９と、整流回路１５と、直流電圧供給回路１７とからなっている。この場合、トランジスタ発振回路９は、発振トランジスタ１と、第１コンデンサ２と、インダクタ３と、第２コンデンサ４と、第３コンデンサ５と、第１抵抗６と、第２抵抗７と、安定化抵抗８とによって構成されている。また、整流回路１５は、整流用ダイオード１０と、振幅制限用ツェナダイオード１１と、直列抵抗１２と、分路コンデンサ１３と、結合コンデンサ１４とによって構成されており、直流電圧供給回路１７は、直流電源（図示なし）とチョークインダクタ１６とよって構成されている。
【００１７】
そして、トランジスタ発振回路９においては、発振トランジスタ１は、そのコレクタとベース間に第１コンデンサ２とインダクタ３と第１抵抗６の直列回路が接続され、その直列回路に並列にベースバイアス用の第２抵抗７が接続される。また、発振トランジスタ１は、そのベースとエミッタ間に第２コンデンサ４が接続され、そのコレクタとエミッタ間に第３コンデンサ５が接続され、そのエミッタと第２コンデンサ４と第３コンデンサ５との共通接続点と基準電位点（接地点）との間に安定化抵抗８が接続される。さらに、発振トランジスタ１は、そのコレクタが直流電圧供給回路１７のチョークインダクタ１６を通して図示されていない直流電源に接続され、第１コンデンサ２とインダクタ３との接続点が発振信号出力端を構成している。
【００１８】
さらに、整流回路１５においては、図３に図示された既知の整流回路４０の構成と同じものであって、整流用ダイオード１０は、アノードが結合コンデンサ１４を通してトランジスタ発振回路９の発振信号出力端に接続されるとともに、振幅制限用ツェナダイオード１１を通して基準電位点（接地点）に接続され、カソードが直列抵抗１２を通してチューニング電圧ＴＵ−Ｖの出力点に接続されるとともに、分路コンデンサ１３を通して基準電位点（接地点）に接続されている。この場合、振幅制限用ツェナダイオード１１からなる回路部分は発振信号振幅制限回路部を構成し、整流用ダイオード１０からなる回路部分は整流回路部を構成し、直列抵抗１２と分路コンデンサ１３とからなる回路部分は平滑回路部を構成している。
【００１９】
前記構成による高電圧発生回路は、次のように動作する。
【００２０】
トランジスタ発振回路９において、直流電圧供給回路１７から例えば５Ｖの直流電圧（ＶＣＣ）が発振トランジスタ１のコレクタに供給されると、発振トランジスタ１は、第１コンデンサ２の容量値Ｃとインダクタ３のインダクタンス値Ｌとで決まる発振周波数、例えば１．２ＭＨｚの周波数の発振を行い、それにより比較的高振幅の発振信号、例えば５０乃至６０Ｖ（Ｐ−Ｐ）になる発振信号が第１コンデンサ２とインダクタ３との直列回路内に発生し、この発振信号が第１コンデンサ２とインダクタ３の接続点に接続された発振信号出力端から導出され、次続の整流回路１５に供給される。
【００２１】
整流回路１５では、結合コンデンサ４５を通して供給された発振信号が振幅制限用ツェナダイオード１１において所定の振幅、例えば３３Ｖ（Ｐ−Ｐ）になるように制限され、振幅制限された発振信号は整流用ダイオード４１で整流され、その整流出力は、直列抵抗１２と分路コンデンサ１３によって平滑され、チューニング電圧ＴＵ−Ｖの出力点にチューニング電圧ＴＵ−Ｖが出力される。このとき、得られたチューニング電圧ＴＵ−Ｖは、例えば３３Ｖの電圧を有するものである。
【００２２】
この動作時において、トランジスタ発振回路９は、本来のトランジスタ発振回路の接地点（基準電位点）となる発振トランジスタ１のエミッタと第２コンデンサの接地点（他端）と第３コンデンサの接地点（他端）とが共通接続され、その共通接続点が安定化抵抗８を通して接地点（基準電位点）に接続されているので、この安定化抵抗８を接続したことによって、発振トランジスタ１の周囲温度が変化したり、動作時に発振トランジスタ１自体の温度が上昇してコレクタ−エミッタ間の通流電流が変化したとしても、その変化状態がこの安定化抵抗８によって抑えられ、発振信号振幅が大きく変化することがなく、結果的に、発振信号振幅の変化に伴うチューニング電圧ＴＵ−Ｖの電圧変化の範囲を少なくすることができ、安定なチューニング電圧ＴＵ−Ｖを得ることができる。
【００２３】
次に、図２は、図１に図示された高電圧発生回路を回路基板上に実装したときの配置の一例を示す上面図である。
【００２４】
また、図４は、本例との比較のために挙げたもので、図３に図示された高電圧発生回路を回路基板上に実装したときの配置例を示す上面図である。
【００２５】
なお、図２及び図４において、図１及び図３に図示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００２６】
図２に示されるように、回路基板（図示なし）上に実装した本実施例による高電圧発生回路は、２つの接地ランド１８、１９と、チューニング電圧供給ライン２０と、電源ライン２１が設けられており、２つの接地ランド１８、１９の間にトランジスタ発振回路９と整流回路１５が実装配置されている。この場合、トランジスタ発振回路９は、中央部に発振トランジスタ１を配置し、その周囲に第１コンデンサ２とインダクタ３と第２コンデンサ４と第３コンデンサ５と第１抵抗６と第２抵抗７と安定化抵抗８を配置し、それらの素子１乃至８は図２に図示するように導電パターンによって相互接続されている。また、整流回路１５は、整流用ダイオード１０と振幅制限用ツェナダイオード１１と直列抵抗１２と分路コンデンサ１３をそれぞれ配置し、それらの素子１０乃至１３は図２に図示するように導電パターンによって相互接続されている。
【００２７】
一方の接地ランド１８は、安定化抵抗８の接地端に導電パターンによって接続され、他方の接地ランド１９は、振幅制限用ツェナダイオード１１の接地端と分路コンデンサ１３の接地端に導電パターンによって接続されている。また、チューニング電圧供給ライン２０は、直列抵抗１２の出力端に導電パターンによって接続され、電源ライン２１は、チョークインダクタ１６の入力端に導電パターンによって接続されている。
【００２８】
一方、図４に示されるように、既知の高電圧発生回路を回路基板上に実装したときの配置は、大部分の配置構成が本実施例による高電圧発生回路の配置構成と同じであるが、図２の安定化抵抗８を配置した部分まで接地ランドが延伸している点において異なっている。
【００２９】
このように、本実施例による高電圧発生回路の実装配置によれば、トランジスタ発振回路９における本来の接地点である第２コンデンサ４の接地端、第３コンデンサ５の接地端及び発振トランジスタのエミッタを導電パターンによって共通接続し、その共通接続部分を安定化抵抗８を通して一方の接地ランド１８に接地接続するようにしたので、発振トランジスタ１から高周波で高振幅の発振信号が周囲の回路に漏洩出力される割合を少なくすることができる
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本考案による高電圧発生回路の一実施例を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図２】図１に図示された高電圧発生回路を回路基板上に実装したときの配置の一例を示す上面図である。
【図３】既知の高電圧発生回路の構成の一例を示す回路図である。
【図４】図３に図示された高電圧発生回路を回路基板上に実装したときの配置例を示す上面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  発振トランジスタ
２  第１コンデンサ
３  インダクタ
４  第２コンデンサ
５  第３コンデンサ
６  第１抵抗
７  第２抵抗
８  安定化抵抗
９  トランジスタ発振回路
１０  整流用ダイオード
１１  振幅制限用ツェナダイオード
１２  直列抵抗
１３  分路コンデンサ
１４  結合コンデンサ
１５  整流回路１５
１６  チョークインダクタ
１７  直流電圧供給回路
１８、１９  接地ランド
２０  チューニング電圧供給ライン
２１  電源ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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