【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された金属薄層とを備え、
前記金属薄層は、２種以上の金属を含み、かつ、異なる種類の金属が共存する金属共存部分の存在により、厚さ方向において、異なる種類の金属の間に界面が形成されないように、形成されていることを特徴とする、配線回路形成用基板。
【請求項２】
前記金属共存部分が、前記金属薄層の厚さ方向において、５０％以上の割合で存在していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路形成用基板。
【請求項３】
前記金属薄層は、第１金属および第２金属からなり、前記絶縁層に隣接する厚さ方向一方側においては、前記第２金属に対する前記第１金属の存在割合が高く、前記絶縁層に隣接しない厚さ方向他方側においては、前記第１金属に対する前記第２金属の存在割合が高く、少なくとも厚さ方向途中において、前記金属共存部分が存在していることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路形成用基板。
【請求項４】
前記第２金属が、銅であることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路形成用基板。
【請求項５】
前記第１金属が、クロムまたはクロム合金であることを特徴とする、請求項３または４に記載の配線回路形成用基板。
【請求項６】
前記金属薄層は、前記絶縁層の表面に、前記第１金属と前記第２金属とを、順次スパッタリングすることによって形成されており、
前記金属共存部分は、前記第１金属がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する第１金属飛散領域と、前記第２金属がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する第２金属飛散領域とを、重複させることにより、形成されていることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載の配線回路形成用基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路形成用基板と、前記配線回路形成用基板の前記金属薄層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項８】
絶縁層の表面に、第１金属と第２金属とを順次スパッタリングすることによって、金属薄層を形成する、金属薄層の形成方法であって、
前記第１金属がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する第１金属飛散領域と、前記第２金属がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する第２金属飛散領域とが、重複するように、前記第１金属および前記第２金属をスパッタリングすることを特徴とする、金属薄層の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の配線回路形成用基板では、前記金属薄層は、第１金属および第２金属からなり、前記絶縁層に隣接する厚さ方向一方側においては、前記第２金属に対する前記第１金属の存在割合が高く、前記絶縁層に隣接しない厚さ方向他方側においては、前記第１金属に対する前記第２金属の存在割合が高く、少なくとも厚さ方向途中において、前記金属共存部分が存在していることが好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の配線回路形成用基板では、前記第２金属が、銅であり、前記第１金属が、クロムまたはクロム合金であることが好適である。
また、本発明の配線回路形成用基板では、前記金属薄層は、前記絶縁層の表面に、前記第１金属と前記第２金属とを、順次スパッタリングすることによって形成されており、前記金属共存部分は、前記第１金属がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する第１金属飛散領域と、前記第２金属がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する第２金属飛散領域とを、重複させることにより、形成されていることが好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の配線回路形成用基板およびその配線回路形成用基板が用いられる本発明の配線回路基板によれば、金属薄層が、２種以上の金属を含んでいるので、絶縁層および導体パターンに対して、それぞれ密着性が良好な金属を含ませて、これらの間の密着性の向上を図ることができる。しかも、金属薄層は、異なる種類の金属が共存する金属共存部分を存在させて、厚さ方向において、異なる種類の金属の間に界面が形成されないように、形成されている。そのため、金属薄層において層間剥離が生じることを防止することができ、導体パターンの剥がれを防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、金属薄層２を形成して、配線回路形成用基板１０を形成する。金属薄層２は、２種類の金属を含み、かつ、２種類の金属が共存する金属共存部分３（図２参照）の存在により、厚さ方向において、各金属の間に界面が形成されないように、形成されている。
より具体的には、この金属薄層２は、図２に示すように、ベース絶縁層１に隣接する第１金属偏在部分４と、後述する導体パターン６に隣接する第２金属偏在部分５と、それら第１金属偏在部分４と第２金属偏在部分５との間に介在される金属共存部分３とを大別して備えており、それらが境界なく連続して存在している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次いで、この方法では、得られた配線回路形成用基板１０の金属薄層２の上に導体パターン６を形成する。導体パターン６は、アディティブ法により配線回路パターンとして形成され、まず、図１（ｃ）に示すように、金属薄層２の表面に、めっきレジスト７を配線回路パターンの反転パターンで形成する。
めっきレジスト７は、特に制限されないが、例えば、ドライフィルムレジストを、金属薄層２の全面に積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンのレジストパターンとして形成する。なお、めっきレジスト７の厚みは、通常、５〜３０μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
図３に示すスパッタリング装置（第１スパッタリング電極および第２スパッタリング電極に、ターゲットカバーが装着されていないもの。）において、巻出軸に厚さ２５μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を巻回した（図１（ａ）参照）。次いで、第１スパッタリング電極の放電面に、第１金属としてクロムを設置し、第２スパッタリング電極の放電面に、第２金属として銅を設置した。その後、真空槽内に、アルゴンを封入して、真空度を１×１０-1Ｐａに設定した。その後、ベース絶縁層を、巻出軸によって送り出し、電極ロールの回転により、その電極ロールの外周面に沿って移動させるとともに、各直流電源から、第１スパッタリング電極および第２スパッタリング電極に対して電圧を印加して、クロムおよび銅を、電極ロールの外周面に沿って移動するベース絶縁層の表面に、スパッタリングした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
これによって、ベース絶縁層の上に、第１金属偏在部分、金属共存部分および第２金属偏在部分が境界なく連続して存在する金属薄層を形成し、配線回路形成用基板を得た（図１（ｂ）参照）。なお、第１金属偏在部分、金属共存部分および第２金属偏在部分の、金属薄層の厚み方向における存在割合（オージェ分析に基づく。）を表１に示す。
次いで、ドライフィルムレジストを、金属薄層の全面に積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンのレジストパターンとして、厚み１５μｍのめっきレジストを形成した（図１（ｃ）参照）。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、金属箔層を形成して、配線回路形成用基板を形成する工程、（ｃ）は、金属薄層の上に、めっきレジストを導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストから露出する金属薄層の上に、導体パターンを配線回路パターンで形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｆ）は、導体パターンから露出する金属箔層を除去する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図２】図１（ｂ）の工程で形成される金属薄層の要部断面図である。
【図３】図１（ｂ）の工程で用いられるスパッタリング装置を示す概略構成図である。
【図４】図３に示すスパッタリング装置の要部説明図（ターゲットカバーが設けられていない態様）である。
【図５】図３に示すスパッタリング装置の要部説明図（ターゲットカバーが設けられている態様）である。
【図６】実施例６のクロムおよび銅の金属薄層の深さ（スパッタリング深さ）方向における原子濃度の分析結果を示すデータである。