Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外囲器から第１の方向に、アノード端子とカソード端子の第１の端子が延出し、
前記外囲器から第１の方向の逆方向である第２の方向に、カソード端子の第２の端子とカソード端子の第３の端子が延出し、
前記アノード端子の幅は、前記カソード端子の第１の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子の幅は、前記カソード端子の第３の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子と、前記カソード端子の第３の端子との間隔は、前記アノード端子の幅よりも広く、
前記アノード端子と、前記カソード端子の第１の端子との間隔は、前記カソード端子の第２の端子の幅よりも広い複数の光半導体装置が配置された光半導体モジュールであって、
前記光半導体装置の隣接するもの同士は、一方の前記光半導体装置の前記アノード端子と前記カソード端子の第１の端子と、他方の前記光半導体装置の前記カソード端子の第２の端子と前記カソード端子の第３の端子とが、互い噛み合うよう組み合わせて配置されていることを特徴とする光半導体モジュール。
【請求項２】
前記アノード端子は、前記外囲器の側壁の一方側に偏った位置から、前記カソード端子の第１の端子は、該側壁の他方側に偏った位置からそれぞれ延出し、前記カソード端子の第３の端子は、前記外囲器の側壁の一方側に偏った位置から、前記カソード端子の第２の端子は、該側壁の他方側に偏った位置からそれぞれ延出していることを特徴とする請求項１記載の光半導体モジュール。
【請求項３】
前記カソード端子の第１の端子、第２の端子、第３の端子は、実装基板への実装に際して、全てが前記実装基板のカソード配線部に固定されることを特徴とする請求項２記載の光半導体モジュール。
【請求項４】
アノード端子、カソード端子を形成したリードフレームと、
前記両端子を外部に延出させるようにして前記リードフレームに一体に形成した外囲器と、
前記リードフレームに固着された光半導体素子を具備し、
前記リードフレームは、
前記外囲器から第１の方向に、前記アノード端子と、前記カソード端子の第１の端子が延出し、
前記外囲器から前記第１の方向の逆方向である第２の方向に、前記カソード端子の第２の端子と、前記カソード端子の第３の端子が延出し、
前記アノード端子の幅は、前記カソード端子の第１の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子の幅は、前記カソード端子の第３の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子と、前記カソード端子の第３の端子との間隔は、前記アノード端子の幅よりも広く、
前記アノード端子と、前記カソード端子の第１の端子との間隔は、前記カソード端子の第２の端子の幅よりも広いことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
前記アノード端子は、前記外囲器の側壁の一方側に偏った位置から、前記カソード端子の第１の端子は、該側壁の他方側に偏った位置からそれぞれ延出し、前記カソード端子の第３の端子は、前記外囲器の側壁の一方側に偏った位置から、前記カソード端子の第２の端子は、該側壁の他方側に偏った位置からそれぞれ延出していることを特徴とする請求項４記載の光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光半導体モジュール及び光半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオード等を用いてなる光半導体モジュール及び光半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、高密度に実装した光半導体モジュール及び光半導体装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の光半導体モジュールは、
外囲器から第１の方向に、アノード端子とカソード端子の第１の端子が延出し、
前記外囲器から第１の方向の逆方向である第２の方向に、カソード端子の第２の端子とカソード端子の第３の端子が延出し、
前記アノード端子の幅は、前記カソード端子の第１の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子の幅は、前記カソード端子の第３の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子と、前記カソード端子の第３の端子との間隔は、前記アノード端子の幅よりも広く、
前記アノード端子と、前記カソード端子の第１の端子との間隔は、前記カソード端子の第２の端子の幅よりも広い複数の光半導体装置が配置された光半導体モジュールであって、
前記光半導体装置の隣接するもの同士は、一方の前記光半導体装置の前記アノード端子と前記カソード端子の第１の端子と、他方の前記光半導体装置の前記カソード端子の第２の端子と前記カソード端子の第３の端子とが、互い噛み合うよう組み合わせて配置されていることを特徴とするものであり、
また、光半導体装置は、
アノード端子、カソード端子を形成したリードフレームと、
前記両端子を外部に延出させるようにして前記リードフレームに一体に形成した外囲器と、
前記リードフレームに固着された光半導体素子を具備し、
前記リードフレームは、
前記外囲器から第１の方向に、前記アノード端子と、前記カソード端子の第１の端子が延出し、
前記外囲器から前記第１の方向の逆方向である第２の方向に、前記カソード端子の第２の端子と、前記カソード端子の第３の端子が延出し、
前記アノード端子の幅は、前記カソード端子の第１の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子の幅は、前記カソード端子の第３の端子の幅より狭く、
前記カソード端子の第２の端子と、前記カソード端子の第３の端子との間隔は、前記アノード端子の幅よりも広く、
前記アノード端子と、前記カソード端子の第１の端子との間隔は、前記カソード端子の第２の端子の幅よりも広いことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、高密度に実装した光半導体モジュール及び光半導体装置を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高い熱安定性を有する熱可塑性ポリマー材料を基本成分とする、特に電気−および／または光学ケーブルおよび導体を製造するための難燃性ハロゲン不含組成物において、該組成物が１００部の基本成分ポリマーを基準として、１〜１５部の、周期律表のII、IIａまたはIIｂ族の金属の塩、３０〜１８０部の金属水酸化物、０．３〜２０部のシリコーン油および０．５〜５部の、マレイン酸無水物がグラフトした基本成分ポリマーよりなることを特徴とする、上記難燃性ハロゲン不含組成物。
【請求項２】  金属塩がカルボン酸の塩である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  カルボン酸の金属塩がステアリン酸カルシウムである請求項２に記載の組成物。
【請求項４】  カルボン酸の金属塩がステアリン酸マグネシウムである請求項２に記載の組成物。
【請求項５】  金属水酸化物が水酸化マグネシウムである請求項１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項６】  金属水酸化物が水酸化アルミニウムである請求項１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項７】  高い熱安定性の基本成分ポリマーが高密度ポリエチレンである請求項１〜６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項８】  高い熱安定性の基本成分ポリマーがポリプロピレンである請求項１〜６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項９】  ポリプロピレンが共重合体、例えばＰＰ−ブロックコポリマー、ＰＰ−ランダムコポリマーまたはＰＰ−ランダム−ブロックコポリマーである請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】  基本成分ポリマーが低い熱安定性のポリマーと高い熱安定性の成分との混合物である請求項１〜９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項１１】  １００部の基本成分ポリマーを基準として１０〜８０部の無機系フィラーを含有する請求項１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項１２】  フィラーとして白堊（ＣａＣＯ3 ）を使用する請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】  基本成分ポリマーが架橋性である請求項１〜１２のいずれか一つに記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月24日(2006.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ベース部材と、前記ベース部材に設けられ、かつ一端が回路基板に対する接合部となり、他端がカードに対する接触部となる二組の接片部材を備えたカードコネクタであって、前記二組の接片部材の前記接合部は、前記ベース部材における互いに反対側の端に配設されており、前記二組の接片部材の前記接触部は、前記カードの装着方向に終端を有することを特徴とするカードコネクタ。
【請求項２】  前記二組の接片部材の内一組は前記ベース部材における前記カード装着側の端から前記カードの装着方向に延設されており、他の一組は前記カード装着側の端と反対側の端から前記カードの装着方向と反対方向に延設され、さらに方向が反転されて前記カードの装着方向に延設されていることを特徴とする請求項１記載のカードコネクタ。
【請求項３】  前記ベース部材は前記カードの装着側と反対側の縁部に前記カードの保持部材を有することを特徴とする請求項１記載のカードコネクタ。
【請求項４】  前記ベース部材は前記接触部と対応する貫通孔を有し、前記接片部材は前記ベース部材の端面から前記部材の内部を通り、前記貫通孔の壁面に露出することを特徴とする請求項１記載のカードコネクタ。
【請求項５】  請求項１記載のカードコネクタを備えたことを特徴とする携帯電話機。
【請求項６】  本体と、前記本体内に設けられたベース部材と、前記本体内に設けられた回路基板と、前記ベース部材に設けられた二組の接片部材と、を有し、前記二組の接片部材のそれぞれは、一端が前記回路基板と接合する接合部と、他端がカードに接触する接触部と、から成り、前記接合部は、前記ベース部材の第１の端傍及び前記第１の端傍と反対側に位置する第２の端傍にそれぞれ位置し、前記接触部は、前記カードの装着方向に終端を有する携帯電話機。
【請求項７】  前記接触部は、カード装着側から徐々に高くなりピークを形成した後に終端まで低くなっている請求項６に記載の携帯電話機。
【請求項８】  前記ベース部材は前記接触部と対応する貫通孔を有し、前記接片部材は前記ベース部材の端面から前記部材の内部を通り、前記貫通孔の壁面に露出することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の携帯電話機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月11日(2006.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】デジタル証明書を、該デジタル証明書の主体者から該デジタル証明書の受け手に配信する方法であって、
認可情報を有する前記デジタル証明書に、暗号フォルダを設けるステップと、
前記デジタル証明書の署名を、認証局から前記主体者に送信するステップと、
前記デジタル証明書の未署名のコピーを、前記認証局から前記主体者に送信するステップと、
前記デジタル証明書の未署名のコピーにおける、前記受け手に関連する認可情報を有していないフォルダを閉じるステップと、
前記デジタル証明書の未署名のコピーと前記デジタル証明書の署名とを、前記主体者から前記受け手に送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】前記デジタル証明書の未署名のコピーを前記認証局から前記主体者に送信する前記ステップは、セキュリティ保護された配信チャネルを介して実行される、
請求項１に記載のデジタル証明書を主体者から受け手に配信する方法。
【請求項３】前記配信チャネルは、インターネットプロトコルセキュリティ（ＩＰＳＥＣ）を介して保護される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】前記配信チャネルは、ＳＳＬ（セキュアソケットレイヤー）により保護される、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】コンピュータシステムに、認証局においてデジタル証明書に署名するための方法を実行させるための命令を含む、コンピュータ可読媒体であって、該方法は、
認可情報を有する前記デジタル証明書に暗号フォルダを設けるステップと、
前記デジタル証明書におけるすべての前記暗号フォルダを閉じるステップと、
前記デジタル証明書の暗号ハッシュを計算するステップと、
前記デジタル証明書について計算された暗号ハッシュおよび前記認証局の秘密鍵を用いて、デジタル証明書の署名を計算するステップと、を含む、
コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ源、ガス供給系および真空排気系を有する処理室、該処理室内に被処理基板を載置するための基板電極、該基板電極を介して被処理基板に高周波バイアスを加えるための高周波電源を備えたプラズマ処理装置において、
前記処理室内のプラズマ中に挿入するプローブ部と、該プローブ部に高周波電圧を供給する高周波電源と、該プローブ部の高周波電圧Ｖを測定する電圧計と、該プローブ部を介してプラズマに流入する高周波電流Ｉを測定する電流計からなるプラズマ特性計測装置を備え、
測定された前記高周波電圧Ｖ及び高周波電流Ｉに基づき、以下の式（１）中のシース容量Ｃ、シース電流源Ｄの特性を求めることにより、前記プラズマの特性を推定する機能を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【数１】
2001237234.tif 000001
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ中に挿入するプローブ部に、高周波を供給する電源を被処理基板に高周波バイアスを供給する高周波電源と共用することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、前記被処理基板または前記基板電極をプラズマ中に挿入するプローブ部として用いることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
プラズマ源、ガス供給系および真空排気系を有する処理室、該処理室内に被処理基板を載置するための基板電極、該基板電極を介して被処理基板に高周波バイアスを加えるための高周波電源を備えたプラズマ処理装置における、プラズマを用いた基板の処理方法であって、
前記プラズマ中に挿入するプローブ部と、該プローブ部に高周波電圧を供給する高周波電源と、該プローブ部の高周波電圧Ｖを測定する電圧計、該プローブ部を介してプラズマに流入する高周波電流Ｉを測定する電流計からなるプラズマ特性計測装置により前記高周波電圧及び前記高周波電流を測定し、
測定された前記高周波電圧Ｖ及び高周波電流Ｉに基づき、以下の式（１）中のシース容量Ｃ、シース電流源Ｄの特性を求めることにより、前記プラズマ特性を推定し、エッチング中のプラズマの状況を監視することを特徴とするプラズマを用いた基板の処理方法。
【数２】
2001237234.tif 000002
【請求項５】
請求項４記載の基板の処理方法において、該高周波電圧Ｖ、該高周波電流Ｉを回路素子からなるプラズマモデルのパラメータにフィッティングすることで前記プラズマ特性を推定することを特徴とする基板の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メチルトリアルコキシシラン１モル部と、テトラアルコキシシラン０〜０．２５モル部と、を加水分解縮合させて得られる化合物を有する、塗布液。
【請求項２】
メチルトリアルコキシシラン１モル部と、テトラアルコキシシラン０．０５〜０．２５モル部と、を加水分解縮合させて得られる化合物を有する、塗布液。
【請求項３】
メチルトリアルコキシシランと、テトラエトキシシランと、を加水分解縮合させて得られる化合物を有する、塗布液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、比誘電率が２．５〜３．０であり、ＬＳＩのＣＭＰ工程において十分高い硬度を有する低誘電率膜を形成することが可能な塗布液を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
有機ＳＯＧ膜の誘電率は一般に有機含有量が多いほど低下するが、逆に有機含有量が多いと膜の強度は低下する。そのため、低誘電率と高い機械強度を両立させるためには、組成の最適化が重要となる。メチルトリアルコキシシラン１モルに対し、テトラアルコキシシラン０〜０．２５モルを添加した組成において、高い機械強度と低誘電率が両立可能である。この組成で、シリコンウエハー上に膜厚０．５〜０．６μｍの膜を形成し、荷重１０ｍｇで測定した時の膜の硬度ＤＨＴ１１５が、０．７ＧＰａ以上で、１ＭＨｚで測定した比誘電率が２．５〜３．０という特性が得られる。また、メチルトリアルコキシシラン１モルに対し、テトラアルコキシシラン０．０５〜０．２５モルを添加した場合には、硬度は０．８ＧＰａ以上となり、機械強度に特に優れ、比誘電率も本発明の値を示す。本発明によれば、比誘電率が２．５〜３．０で、ＬＳＩのＣＭＰ工程に耐える機械強度を有する低誘電率膜及びこれを用いたＬＳＩの高性能化と、高信頼性、高歩留りを達成する半導体素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内管と外管を有する二重管構造の処理容器の下部に炉口、ガス導入部および排気部を設け、その炉口から被処理体を収容すると共に炉口を開閉可能な蓋体により密閉して被処理体に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置において、前記蓋体に前記内管の下端部を閉塞する閉塞部材を設けたことを特徴とする縦型熱処理装置。
【請求項２】  前記閉塞部材と蓋体の間の空間部が前記排気部と連通されていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。
【請求項３】  前記処理容器が、下部に炉口、ガス導入部および排気部を有するマニホールドを備え、このマニホールドの上端部に前記外管が支持され、マニホールド内に前記内管がその下端部を前記閉塞部材と対向させた状態で支持されていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。
【請求項４】  前記蓋体には、前記被処理体を回転するための回転軸を有する回転導入部が設けられ、その回転軸が前記閉塞部材を貫通し、回転軸の上端部に回転テーブルが設けられていることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。
【請求項５】 前記マニホールドと前記外管とが、石英製であり、且つ一体に形成されていることを特徴とする請求項３記載の縦型熱処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１記載の縦型熱処理装置において、前記蓋体には、前記被処理体を回転するための回転軸を有する回転導入部が設けられ、その回転軸が前記閉塞部材を貫通し、回転軸の上端部に回転テーブルが設けられていることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項３記載の縦型熱処理装置において、前記マニホールドと前記外管とが、石英製であり、且つ一体に形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中綴じ処理、中折り処理された冊子の小口を断裁手段により断裁して冊子を仕上げる用紙断裁装置において、
中綴じ処理、中折り処理されて形成された冊子を搬送する搬送手段と、前記冊子を所定位置に停止させる停止手段と、前記冊子の小口を断裁する断裁手段と、前記各手段を制御する制御手段と、から構成し、
前記制御手段は、前記搬送手段により前記断裁手段に搬送される冊子の用紙枚数により、前記停止手段の冊子停止位置を可変に制御することを特徴とする用紙断裁装置。
【請求項２】
用紙給送手段により給送された用紙に、画像情報に応じて画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により画像形成された用紙を、中綴じ処理する綴じ手段、中綴じ処理された用紙を二つ折り処理する折り手段を備えた用紙後処理装置と、
請求項１に記載の用紙断裁装置とを有し、
画像形成された用紙を二つ折り処理及び中綴じ処理して冊子を作製し、前記冊子の小口を断裁手段により断裁して冊子を仕上げることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
〈１〉  複数枚の用紙を中綴じ処理、中折り処理して作製された冊子を断裁処理するとき、冊子の１部当たりの枚数の多寡により、小口の突出量が異なるから、一定の断裁寸法では、断裁量不足による小口の不揃いや、断裁量過多による用紙無駄を生じる。そこで、冊子の１部当たりの枚数毎に断裁屑を必要最小限に押さえる制御が求められる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記の課題を解消して、用紙断裁装置を改良し、最適な断裁量に制御可能な用紙断裁装置を提供することを目的とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（１）  上記の課題〈１〉は、本発明の請求項１に記載の用紙断裁装置により解決される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（２）  本発明の画像形成装置は、用紙給送手段により給送された用紙に、画像情報に応じて画像を形成する画像形成手段と、前記画像形成手段により画像形成された用紙を、中綴じ処理する綴じ手段、中綴じ処理された用紙を二つ折り処理する折り手段を備えた用紙後処理装置と、請求項１に記載の用紙断裁装置とを有し、画像形成された用紙を二つ折り処理及び中綴じ処理して冊子を作製し、前記冊子の小口を断裁手段により断裁して冊子を仕上げることを特徴とするものである。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１）  本発明の用紙断裁装置は、搬送手段により断裁手段に搬送される冊子の用紙枚数により、停止手段の冊子停止位置を可変に制御するものであり、冊子ＳＡの用紙枚数（冊子の厚さ）により小口の突出量の差異が生じても、常に最適の断裁量に制御されて、過剰な断裁や断裁不足のない、冊子が作製される。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（２）  本発明の複写機、プリンタ、これらの複合機等の画像形成装置により画像形成された用紙は、用紙後処理装置により中綴じと中折り処理され、用紙断裁装置の断裁手段により用紙の小口が均一に揃えられ、製本化された冊子となり、冊子収納手段に冊子をスタックすることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】皮膚刺激緩和方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷涼感成分メントールの浴湯中における皮膚刺激を緩和するにあたり、前記メントールの浴湯中濃度が０．１〜１０ｍｇ／リットルとなるように調整し、微細酸化亜鉛を０．１〜２０重量％となるように配合した製剤を、浴湯に投入して、メントールの浴湯での皮膚刺激を緩和することを特徴とする皮膚刺激緩和方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】  本発明者らは上記の課題を満足するために鋭意検討した結果、下記の皮膚刺激緩和方法によってその課題が解決されることを見いだし本発明に至った。（１）冷涼感成分メントールの浴湯中における皮膚刺激を緩和するにあたり、前記メントールの浴湯中濃度が０．１〜１０ｍｇ／リットルとなるように調整し、微細酸化亜鉛を０．１〜２０重量％となるように配合した製剤を、浴湯に投入して、メントールの浴湯での皮膚刺激を緩和することを特徴とする皮膚刺激緩和方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（ａ）と（ｂ)の段階を有することを特徴とする、表面にグラフト鎖を有する粉末粒子の製造方法：
（ａ)  ポリアミド（ＰＡ）、コポリアミド（ＣｏＰＡ）、ポリエーテルブロックアミド（ＰＥＢＡ）、ポリオレフィン、ポリエステルまたはフルオロカーボン樹脂の粉末粒子を、少なくとも一種の官能化グラフトモノマーと混合する段階、
（ｂ）  段階（ａ）で得られた官能化グラフトモノマーで含浸された粉末粒子に光照射（繃線）または電子線（竈線）を0.5〜１５Ｍｒａｄの照射量で照射する段階。
【請求項２】
段階（ｂ）の後に、粉末上にグラフトされなかった官能化グラフトモノマーの全体または一部を除去する段階（ｃ)を実行する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
粉末粒子がポリアミド、コポリアミドまたはポリエーテルブロックアミド（ＰＥＢＡ）からなる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
段階（ａ）で導入される官能化グラフトモノマーが二官能性グラフトモノマーであり、この二官能性グラフトモノマーがグラフトされる粒子と反応可能な少なくとも一つの不飽和エチレン基を有する少なくとも一種の第１官能基と、共有結合または物理的に結合する反応性のある少なくとも一種の第２官能基とを有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
上記段階（c）の後に、二官能性グラフトモノマーの第２官能基と化学反応可能な単官能性の少なくとも一種の第２のグラフト鎖を導入する段階（ｄ）を行う、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
段階（a）で導入される二官能性グラフトモノマーの反応性のある第２官能基がカルボン酸基およびその誘導体、エステル、酸無水物、酸塩化物、アミド、ケトン、イソシアネート、オキサゾリン、エポキシ、アミンまたは水酸化物の中から選択される請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
段階（a）で導入される二官能性グラフトモノマーが無水マレイン酸または無水メタアクリル酸である請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一種の反応性官能基によって官能化された少なくとも一種のグラフトモノマーが表面上にグラフトされていることを特徴とするポリアミド（PＡ）、コポリアミド（ＣｏＰＡ）、ポリエーテルブロックアミド（ＰＥＢＡ）、ポリオレフィン、ポリエステルまたはフルオロカーボン樹脂の粉末粒子。
【請求項９】
各々が少なくとも一つの官能基を有する反応性が互いに異なる少なくとも２種の官能化されたモノマーがグラフトされていることを特徴とするポリアミド（PＡ）、コポリアミド（ＣｏＰＡ）、ポリエーテルブロックアミド（ＰＥＢＡ）、ポリオレフィン、ポリエステルまたはフルオロカーボン樹脂の粉末粒子。
【請求項１０】
官能化グラフトモノマーが、グラフトされる粒子と反応可能な少なくとも一つのエチレン性不飽和結合を有する少なくとも一種の第１官能基と共有結合または物理的に結合する反応性のある少なくとも一種の第２官能基とを有する少なくとも二官能性のグラフトモノマーである請求項８または９に記載の粉末粒子。
【請求項１１】
少なくとも二官能化されたグラフトモノマーが少なくとも単官能の第２グラフト鎖に結合されて、この第２グラフト鎖は共有結合または物理的結合を介して二官能性グラフトモノマーの第２の官能基と反応可能な官能基を有する請求項10に記載の粉末粒子。
【請求項１２】
ポリアミドの粉末粒子がＰＡ６、ＰＡ６−６、ＰＡ１１およびＰＡ１２の中から選択される８または９に記載の粉末粒子。
【請求項１３】
官能化グラフトモノマーの反応性官能基がカルボン酸基およびその誘導体、エステル、酸無水物、酸塩化物、アミド、ケトン、イソシアネート、オキサゾリン、エポキシ、アミンまたは水酸化物の中から選択される請求項８または９に記載の粉末粒子。
【請求項１４】
官能化グラフトモノマーが生物致死性および／またはバイオスタティスティク（biostatic）特性を有する少なくと一つの反応性官能基によって官能化されている請求項9に記載の粉末粒子。
【請求項１５】
請求項８〜14のいずれか一項に記載の粉末粒子を含む組成物。
【請求項１６】
請求項８〜14のいずれか一項に記載の粉末粒子の、紙、セルロース、皮膚のケラチン質物質、毛、爪および体毛のような基材へのポリマー粒子、特にPＡ、ＣｏＰＡまたはＰＥＢＡの粒子の接着性改善での使用。
【請求項１７】
請求項８〜14のいずれか一項に記載の粉末粒子の、化粧品での滑り効果(effet glissant)および／または絹状効果（effet soyeux）改善での使用。
【請求項１８】
請求項８〜14のいずれか一項に記載の粉末粒子のスキン効果の改良での使用。
【請求項１９】
少なくとも単官能の第２グラフト鎖が紫外線フィルター、フリーラジカル防止剤、水和剤、着色剤、日焼け剤（auto-brinzant）、ナノパーティクル（粒子の基本直径が≦・・・ナノメートル）の中から選択され、この第２グラフト鎖は少なくとも二官能化グラフトモノマーの第２官能基との相溶化処理によって表面を被っている請求項11に記載の粉末粒子の使用。
【請求項２０】
請求項８〜１３のいずれか一項に記載の粉末粒子のコーティング材の添加剤としての使用。
【請求項２１】
コーティング材がワニスまたは塗料である請求項２０の使用。
【請求項２２】
請求項８〜１３のいずれか一項に記載の粉末粒子の機械的強度を向上させる添加剤としての使用。
【請求項２３】
請求項８〜１３のいずれか一項に記載の粉末粒子の、溶融前にグラフトしていないＰＡ、ＣｏＰＡ、ポリオレフィン、コポリエステルアミドまたはフッ素化重合体の粉末で希釈されていてもよい溶融し易い基材のコーティング材での使用。
【請求項２４】
請求項８〜１３のいずれか一項に記載の粉末粒子の活性成分の担体としての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  着色剤、ラテックス及び２つの凝集剤を混合し、次いで凝集及び融合することを含む、トナーの調製方法。
【請求項２】  トナーの調製方法であって、以下のステップを含む；
着色剤、ラテックス乳濁液、第１の凝集剤のポリアルミニウムヒドロキシハライド及び第２の凝集剤のカチオン性界面活性剤を混合し、
塩基を添加し、次いで凝集及び融合を行い、前記凝集がラテックスに含有されたポリマーのガラス転移温度をほぼ下回る温度で加熱することにより達成され、次いで凝集体の安定化のために塩基を添加し、前記融合がラテックスに含有されたポリマーのガラス転移温度をほぼ上回る温度で加熱することにより達成され、
次いで前記トナーを単離させる、ことを含む、
トナーの調製方法。
【請求項３】  第１の凝集剤がポリ塩化アルミニウムであり、第２の凝集剤がアルコニウムベンズアルコニウムクロライド、ジアルキルベンゼンアルキルアンモニウムクロライド、アルキルベンジルメチルアンモニウムクロライドまたはアルキルベンジルジメチルアンモニウムブロマイドである、請求項１記載の方法。
【請求項４】  凝集温度が約４５〜約５５℃であり、融合又は合体温度が約８５〜約９５℃であり、樹脂を含むラテックス、イオン性界面活性剤及び着色剤を混合し、得られた混合物を前記樹脂のほぼガラス転移温度以下の温度で加熱し、トナー凝集体の安定化のために塩基を添加し、得られた凝集体を前記樹脂のほぼガラス転移温度以上の温度で加熱し、トナーを単離し、洗浄し、乾燥させること、を含む請求項１又は３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  液晶表示装置を収納する筺体と、
前記筐体の開口部に設けられた表示窓と、
前記筐体に設けられ、前記表示窓を支持する枠部と、を有し、
前記枠部の根元部分の厚みは、先端部分の厚みよりも厚いことを特徴とする液晶表示付き電子機器。
【請求項２】  前記枠部の筺体内側のみがテーパー形状であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示付き電子機器。
【請求項３】  前記枠部の筺体内側の面を傾斜平面としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示付き電子機器。
【請求項４】  前記枠部の筺体内側の面を凸の曲面としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示付き電子機器。
【請求項５】  前記枠部の筺体内側の面を凹の曲面としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示付き電子機器。
【請求項６】  前記枠部の筺体内側の面を階段状としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示付き電子機器。
【請求項７】  液晶表示装置を収納する筺体と、
前記筐体の開口部に設けられた表示窓と、
前記筐体に設けられ、前記表示窓を支持するための枠部と、を有し、
前記枠部の表示窓側の面は、平面形状であり、前記枠部の筐体内側の面は、テーパー形状であることを特徴とする携帯無線機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、液晶表示装置を収納する筺体と、前記筐体の開口部に設けられた表示窓と、前記筐体に設けられ、前記表示窓を支持する枠部と、を有し、前記枠部の根元部分の厚みは、先端部分の厚みよりも厚いことを特徴とする液晶表示付き電子機器であり、筺体が外部圧力で撓んだ場合でも、枠部の下面が、液晶表示面や液晶表示ホルダ、液晶表示ホルダの爪と接触しないため、液晶表示装置の破損が回避できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項２に記載の発明は、前記枠部の筺体内側のみがテーパー形状であることを特徴とする液晶表示付き電子機器であり、液晶表示装置の一層の破損防止を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項３に記載の発明は、この枠部の筺体内側の面を傾斜平面としたものであり、筺体が外部圧力で撓んだ場合でも、枠部の下面が、液晶表示面や液晶表示ホルダ、液晶表示ホルダの爪と接触しないため、液晶表示装置の破損が回避できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項４に記載の発明は、この枠部の筺体内側の面を凸の曲面としたものであり、筺体が外部圧力で撓んだ場合でも、枠部の下面が、液晶表示面や液晶表示ホルダ、液晶表示ホルダの爪と接触しないため、液晶表示装置の破損が回避できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項５に記載の発明は、この枠部の筺体内側の面を凹の曲面としたものであり、筺体が外部圧力で撓んだ場合でも、枠部の下面が、液晶表示面や液晶表示ホルダ、液晶表示ホルダの爪と接触しないため、液晶表示装置の破損が回避できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項６に記載の発明は、この枠部の筺体内側の面を階段状としたものであり、筺体が外部圧力で撓んだ場合でも、枠部の下面が、液晶表示面や液晶表示ホルダ、液晶表示ホルダの爪と接触しないため、液晶表示装置の破損が回避できる。
請求項７に記載の発明は、液晶表示装置を収納する筺体と、前記筐体の開口部に設けられた表示窓と、前記筐体に設けられ、前記表示窓を支持するための枠部と、を有し、前記枠部の表示窓側の面は、平面形状であり、前記枠部の筐体内側の面は、テーパー形状であることを特徴とする携帯無線機であり、筺体が外部圧力で撓んだ場合でも、液晶表示装置の破損が回避できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  制御系の比例要素としての比較演算手段と補間演算周期がＳの補間演算手段とを持ち、最適な遅れ補償時間がＴである数値制御装置において、補間演算手段を経て出された指令パルス列ｘｎを
【数１】
2000122711.tif 000001
あるいはこれと同値式である
【数２】
2000122711.tif 000002
によって新たなパルス列ＸＮに変換してから比較演算手段に送り、この比較演算手段からの応答出力がパルス列ｘｎのとおりになるようにしたパルス列変換方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【数４】
2000122711.tif 000003
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
比例アルゴリズムでの定常遅れが、一般に１／Ｋとされることから数４の変換式は次のように書くこともできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【数５】
2000122711.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、および浮動小数点ステータスレジスタを有するコンピュータにおいて浮動小数点計算を制御する方法であって、
前記浮動小数点ステータスレジスタ内に、それぞれがフラグ情報および制御情報を含む２つまたはそれ以上のステータスフィールドを設けるステップと、
前記浮動小数点ステータスレジスタから得られる制御情報に従って、前記浮動小数点計算ユニット内で浮動小数点命令のシーケンスを実行するステップと、
浮動小数点命令に応じて、前記浮動小数点ステータスレジスタの選択されたステータスフィールド内の制御情報を更新するステップと、を含む浮動小数点計算制御方法。
【請求項２】
前記制御情報を更新するステップは、選択されたステータスフィールド内の制御情報を、第１制御ビットから第２制御ビットに更新することを含み、前記浮動小数点命令のシーケンスを実行するステップは、前記制御情報を更新するステップの後に、前記第１制御ビットに応じて前記浮動小数点命令シーケンス内の第１の浮動小数点命令を制御し、また、前記制御情報を更新するステップの後に、前記第２制御ビットに応じて前記浮動小数点命令シーケンス内の第２の浮動小数点命令を制御することを含む、請求項１に記載の浮動小数点計算制御方法。
【請求項３】
前記浮動小数点命令のシーケンスを実行するステップは、前記浮動小数点ステータスレジスタから得られる制御情報のコピーを、前記浮動小数点命令シーケンス内の前記浮動小数点命令の異なるものと関連させることを含む、請求項１に記載の浮動小数点計算制御方法。
【請求項４】
前記浮動小数点命令シーケンスを実行するステップは、前記浮動小数点ステータスレジスタから得られる異なる制御情報に従って、前記浮動小数点命令シーケンス内の異なる命令を同時に実行することを含む、請求項１に記載の浮動小数点計算制御方法。
【請求項５】
前記選択されたステータスフィールド内の制御情報を更新するステップは、他のステータスフィールドに影響を及ぼすことなく、また、選択されたステータスフィールド内のフラグ情報に影響を及ぼすことなく実施される、請求項１に記載の浮動小数点計算制御方法。
【請求項６】
浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、並びに、それぞれがフラグ情報および制御情報を含む２つまたはそれ以上のステータスフィールドを有する浮動小数点ステータスレジスタをもつコンピュータと、
前記浮動小数点ステータスレジスタから得られる制御情報に従って、前記浮動小数点計算ユニット内で浮動小数点命令のシーケンスを実行する手段と、
浮動小数点命令に応じて、前記浮動小数点ステータスレジスタの選択されたステータスフィールド内の制御情報を更新する手段と、を備える浮動小数点計算制御装置。
【請求項７】
浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、および浮動小数点ステータスレジスタをもつコンピュータ内で浮動小数点計算を制御する方法であって、
前記浮動小数点ステータスレジスタ内に、それぞれがフラグ情報および制御情報を含む２つまたはそれ以上のステータスフィールドを設けるステップと、
前記浮動小数点計算ユニット内で浮動小数点命令のシーケンスを実行するステップと、
前記浮動小数点命令のシーケンスの実行中に生じる例外に応じて、前記浮動小数点ステータスレジスタの選択されたステータスフィールド内にフラグビットを設定するステップと、
前記浮動小数点命令シーケンスの次の浮動小数点命令に応じて、前記浮動小数点ステータスレジスタの選択されたステータスフィールド内のフラグビットをクリアするステップと、を含む、浮動小数点計算制御方法。
【請求項８】
パイプライン化された浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、および浮動小数点ステータスレジスタをもつコンピュータ内で浮動小数点計算を制御する方法であって、
前記パイプライン化された浮動小数点計算ユニットの演算を制御するための制御情報を提供するステップと、
前記制御情報の異なるバージョンを提供するため、前記パイプライン化された浮動小数点計算ユニットをフラッシュせずに前記制御情報を更新するステップと、
前記制御情報の異なるバージョンを、前記パイプライン化された浮動小数点計算ユニットの異なる演算と関連させるステップと、
前記制御情報の関連するバージョンに応じて、前記浮動小数点計算ユニットの演算を制御するステップと、を含む、浮動小数点計算制御方法。
【請求項９】
浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、並びに、それぞれがフラグ情報および制御情報を含む２つまたはそれ以上のステータスフィールドを含む浮動小数点ステータスレジスタをもつコンピュータと、
前記浮動小数点計算ユニット内で浮動小数点命令のシーケンスを実行する手段と、
前記浮動小数点命令のシーケンスの実行中に生じる例外に応じて、前記浮動小数点ステータスレジスタの選択されたステータスフィールド内にフラグビットを設定する手段と、
前記浮動小数点命令シーケンスの次の浮動小数点命令に応じて、前記浮動小数点ステータスレジスタの選択されたステータスフィールド内のフラグビットをクリアする手段と、を備える、浮動小数点計算制御装置。
【請求項１０】
パイプライン化された浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、および浮動小数点ステータスレジスタを有するコンピュータと、
前記パイプライン化された浮動小数点計算ユニットの演算を制御するための制御情報を提供する手段と、
前記制御情報の異なるバージョンを提供するため、前記パイプライン化された浮動小数点計算ユニットをフラッシュせずに前記制御情報を更新する手段と、
前記制御情報の異なるバージョンを、前記パイプライン化された浮動小数点計算ユニットの異なる演算と関連させる手段と、
前記制御情報の関連するバージョンに応じて、前記浮動小数点計算ユニットの演算を制御する手段と、を備える浮動小数点計算制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮動小数点計算ユニット、メモリ、および浮動小数点レジスタを含むコンピュータ内で浮動小数点計算を実施する方法であって、
浮動小数点計算ユニット内で浮動小数点計算の最終でない演算を実施し、最終でない結果を生成するステップと、
最も広いレンジ指数ビットの第１の状態に応じて第１の指数レンジを選択し、前記第１の指数レンジに応じて浮動小数点計算の最終でない演算を制御して、前記最終でない結果の指数が第１の指数レンジに適合すると共に第２の指数レンジに適合しない場合は例外が生じないようにするステップと、を含み、前記第１の指数レンジは前記第２の指数レンジよりも広く、
浮動小数点計算ユニット内で浮動小数点計算の最終の演算を実施し、最終結果を生成するステップと、
最も広いレンジ指数ビットの第２の状態に応じて第２の指数レンジを選択し、前記第２の指数レンジに応じて浮動小数点計算の最終でない演算を制御して、前記最終結果の指数が第２の指数レンジに適合しない場合は例外が生じるようにするステップと、を含む、浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項２】
前記コンピュータはさらに、浮動小数点ステータスレジスタを含み、前記方法はさらに、前記浮動小数点ステータスレジスタに前記最も広いレンジ指数ビットを記憶するステップを含む、請求項１に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項３】
前記浮動小数点ステータスレジスタは、それぞれが最も広いレンジ指数ビットをもつ２またはそれ以上のステータスフィールドを含み、浮動小数点計算の異なる演算は、前記ステータスフィールドの異なるものと関連する、請求項２に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項４】
最終でない演算を制御するステップは、最終でない演算を、設定された前記最も広いレンジ指数ビットをもつステータスフィールドと関連させることを含み、最終の演算を制御するステップは、最終の演算を、リセットされた最も広いレンジ指数ビットをもつステータスフィールドと関連させる、請求項３に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項５】
前記例外は、オーバフロー例外を含む、請求項１に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項６】
前記例外は、アンダーフロー例外を含む、請求項１に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項７】
前記例外は、不正確例外を含む、請求項１に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項８】
前記第１指数レンジは、前記浮動小数点レジスタ内で使用されるレジスタ形式のレジスタ指数レンジを含み、前記第2指数レンジは、前記メモリ内で使用されるメモリ形式のメモリ指数レンジを含み、さらに、浮動小数点計算のため前記メモリ形式の前記メモリに浮動小数点数を記憶するステップを含む、請求項１に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項９】
前記レジスタ指数レンジは、前記メモリ指数レンジより少なくとも2ビット広い、請求項８に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【請求項１０】
前記最終でない演算を制御するステップおよび前記最終の演算を制御するステップは、対応する命令の中に含まれる最も広いレンジ指数ビットの状態に応じることを含む、請求項１に記載の浮動小数点計算を実施する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮動小数点計算ユニット、浮動小数点レジスタ、および浮動小数点ステータスレジスタを有するコンピュータを動作させる方法であって、
前記浮動小数点ステータスレジスタ内に、それぞれがフラグ情報および制御情報を含むメイン・ステータスフィールドおよび少なくとも１つの代替ステータスフィールドを設けるステップと、
浮動小数点計算ユニット内で第１の演算を実施し、該第１の演算を前記浮動小数点ステータスレジスタ内のメイン・ステータスフィールドと関連させるステップと、
浮動小数点計算ユニット内で、前記第１の演算と共に第２の演算を実施し、該第２の演算を前記浮動小数点ステータスレジスタ内の代替ステータスフィールドと関連させるステップと、を含み、前記第１および第２の演算は、前記メイン・ステータスフィールドおよび代替ステータスフィールド内に別個のフラグおよび制御情報を含み、前記第１の演算は、投機的でない演算を含み、前記第２の演算は、投機的な演算を含み、
前記投機的な演算が確約されるとき、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を検査するステップを含む、コンピュータ動作方法。
【請求項２】
前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を検査するステップが例外を示さない場合、第３の演算の実行に進むステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項３】
前記フラグ情報を検査するステップは、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を前記メイン・ステータスフィールド内のフラグ情報と比較するステップと、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報が、前記メイン・ステータスフィールド内のフラグ情報と異なるとき、回復演算に分岐するステップを含む、請求項１に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項４】
前記フラグ情報を検査するステップは、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を、浮動小数点ステータスレジスタ内のトラップ許可ビットと比較するステップと、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報が前記浮動小数点ステータスレジスタ内の許可されるトラップに対応する場合、回復演算に分岐するステップを含む、請求項１に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項５】
前記回復演算は、投機的な演算を再実行するステップと、投機的な演算の再実行を前記浮動小数点ステータスレジスタ内のメイン・ステータスフィールドと関連させるステップを含む、請求項３に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項６】
前記投機的な演算を実施するステップは、第１および第２の投機的な演算を実施し、該第１および第２の投機的な演算を前記浮動小数点ステータスレジスタ内の単一の代替ステータスフィールドと関連させることを含む、請求項１に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項７】
さらに、前記第１および第２の投機的な演算の１つが確約されるとき、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を検査するステップを含む、請求項６に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項８】
前記フラグ情報を検査するステップは、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を前記メイン・ステータスフィールド内のフラグ情報と比較するステップと、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報が前記メイン・ステータスフィールド内のフラグ情報と異なるとき、回復演算に分岐するステップを含む、請求項７に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項９】
前記フラグ情報を検査するステップは、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報を、前記浮動小数点ステータスレジスタ内のトラップ許可ビットと比較するステップと、代替ステータスフィールド内のフラグ情報が前記浮動小数点ステータスレジスタ内の許可されるトラップに対応するとき、回復演算に分岐するステップを含む、請求項７に記載のコンピュータ動作方法。
【請求項１０】
前記回復演算は、確約される投機的な演算を再実行するステップと、確約される投機的な演算の再実行を前記浮動小数点ステータスレジスタ内のメイン・ステータスフィールドと関連させるステップと、前記代替ステータスフィールド内のフラグ情報をクリアするステップと、前記浮動小数点ステータスレジスタ内の代替ステータスフィールドで確約されていない投機的な演算を再実行するステップを含む、請求項８に記載のコンピュータ動作方法。