Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この種の搬送ロボットには、従来、たとえば特許文献１に開示されたものがある。同特許文献１に開示された搬送ロボットは、本願の図１５に示すように、鉛直軸を中心として旋回可能なベース３０上に、２つのリンクアーム機構３１，３２が並設されている。各リンクアーム機構３１，３２は、いわゆる平行四辺形パンタグラフリンクを２組連結した構成を備えており、その先端の可動部材３５には、ウエハ等の板状ワークを載置保持するハンド部材３３，３４が同方向に向けてそれぞれ連結されている。各リンクアーム機構３１，３２は、互いに干渉することなく変形して、各可動部材３５の軌道が互いに平行な水平直線状となるように構成されている。また、上記ハンド部材３３，３４は、各可動部材３５に対する連結ステーの形状を工夫することにより、ハンド部材３３，３４の軌道Ｔｒ1，Ｔｒ2が平面視において完全に一致させられているとともに、上下方向に所定寸法離間させられている。すなわち、この搬送ロボットにおいては、２つのハンド部材３３，３４は、上下に離間し、平面視において一致する水平直線状の軌道Ｔｒ1，Ｔｒ2をもち、リンクアーム機構３１，３２を駆動することにより、それぞれ、上記の軌道Ｔｒ1，Ｔｒ2にそって移動することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来構成の搬送ロボットは、２つのハンド部材３３，３４の軌道Ｔｒ1，Ｔｒ2が上下に離間させられている。そのため、図１６に示すように、各プロセスチャンバ１１のドア１１ａの開口の上下高さ寸法は、上下のハンド部材３３，３４の軌道Ｔｒ1，Ｔｒ2を包含する寸法とする必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
プロセスチャンバ１１のドア１１ａの開口が大きくなると、チャンバ内での気流の乱れがウエハ面への処理の均一性を阻害する等、好ましくない問題が生じやすい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
すなわち、図７、図９、図１０および図１１に良く表れているように、第１アーム１１０の先端に上記連結軸Ｌ2を中心としてベアリング１６１を介して回動可能な中間リンク１５０を設ける一方、第１アーム１１０と平行をなす第１副アーム１６２を旋回ベース２２０に対して垂直軸Ｌ4周りにベアリング１６３を介して回動可能に支持するとともに、この第１副アーム１６２の先端を上記中間リンク１５０に対してベアリング１６４を介して垂直軸Ｌ5周りに回動可能に連結することにより、第１の平行四辺形パンタグラフリンク機構１３０を構成している。また、図８に良く表れているように、第２アーム１２０と平行をなす第２副アーム１６５の基端を上記中間リンク１５０に対して垂直軸Ｌ6周りにベアリング１６６を介して回動可能に連結するとともに、この第２副アーム１６５の先端を上記可動部材１２５に対して垂直軸Ｌ7周りにベアリング１６７を介して回動可能に連結することにより、第２の平行四辺形パンタグラフリンク機構１４０を構成している。中間リンク１５０は、その長手方向中央付近が上記連結軸Ｌ2周りに回動可能となっているとともに、その長手方向一端側に上記第１副アーム１６２の先端が、長手方向他端側に上記第２副アーム１６５の基端が、それぞれ上記のようにして連結されている。図１１に良く表れているように、第２アーム１２０および第２副アーム１６５は、第１アーム１１０および第１副アーム１６２よりも上位にあってこれら第１アーム１１０および第１副アーム１６２と干渉することがないようになされており、したがって、上記中間リンク１５０は、第１副アーム１６２の連結部に対して第２副アーム１６５の連結部が上位となるようにしてある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このような場合、２つのハンド部材２６０は同一高さにあるので、図１３に示すように、プロセスチャンバ１１のドア１１ａの開口の上下寸法は、上記ハンド部材２６０ないしこれに載置保持されるワークが通過するに必要十分な寸法とすることができる。このことは、従来に比較し、プロセスチャンバ１１のドア１１ａの開口を小さくすることができることを意味し、ドア開口が大きくなることによる、チャンバ内の気流の乱れ等に起因したウエハ表面の処理の不均一といった不都合を軽減することができる。なお、上記したように、この搬送ロボット１００は、２アーム式であるので、プロセスチャンバ１１から処理済みのワークを搬出することに引き続いて次に処理するべきワークを同チャンバに搬入することができるといった、半導体製造におけるワーク搬送の効率は担保される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の半導体装置形成領域を有した多数個取り基板を用いて組み立てられる半導体装置の製造方法であって、
（ａ）複数の多数個取り基板を準備する工程と、
（ｂ）前記複数の多数個取り基板上に複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、
（ｃ）前記複数の多数個取り基板上にそれぞれ搭載された前記複数の半導体チップを樹脂封止する工程と、
（ｄ）前記複数の多数個取り基板のうち第１の多数個取り基板を第１の処理部に配置する工程と、
（ｅ）前記第１の処理部における第１のアライメントカメラを用いて前記第１の多数個取り基板の画像認識を行う工程と、
（ｆ）前記第１の多数個取り基板を前記第１の処理部から第２の処理部に搬送し、さらに前記複数の多数個取り基板のうち第２の多数個取り基板を前記第１の処理部に配置する工程と、
（ｇ）前記第２の処理部において前記第１の多数個取り基板をダイシングによって個片化するのと同時に、前記第１の処理部において前記第２の多数個取り基板の画像認識を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記画像認識工程は、前記複数の多数個取り基板のそれぞれの周辺部に沿って形成された複数のマークを認識し、前記認識によって求められた対向する両端の一対のマークに基づいて切断ブレードの走行ラインを導き出し、前記切断ブレードを導き出した前記走行ラインに沿って走らせて前記多数個取り基板をダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記多数個取り基板
は、複数の配線層を有した多層配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記多数個取り基板には給電用めっき配線が形成されており、ダイシングによって前記給電用めっき配線を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記画像認識時に認識される複数のマークは、導体パターンによって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記多数個取り基板は、複数の配線層を有した多層配線基板であり、前記複数の配線層それぞれに給電用めっき配線が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング工程の前に、前記第２の処理部における第２のアライメントカメラを用いて前記第１の多数個取り基板の画像認識を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】  請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、前記第２のアライメントカメラを用いて認識される箇所は、前記第１のアライメントカメラを用いて認識される箇所よりも少ないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】  請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、前記第２のアライメントカメラを用いて認識する箇所は、２箇所であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、さらに、前記複数の多数個取り基板のうち第３の多数個取り基板をマーキングする工程を有し、前記第３の多数個取り基板の前記マーキング工程は、前記第２の処理部における前記第１の多数個取り基板のダイシング工程と前記第１の処理部における前記第２の多数個取り基板の画像認識工程と同時に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、製造される前記半導体装置は、ボールグリッドアレイ型の半導体装置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、ダイシング工程でのスループットの向上を図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明のその他の目的は、ダイシングの精度の向上を図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明は、複数の多数個取り基板を準備する工程と、前記複数の多数個取り基板上に複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程と、前記複数の多数個取り基板上にそれぞれ搭載された前記複数の半導体チップを樹脂封止する工程と、前記複数の多数個取り基板のうち第１の多数個取り基板を第１の処理部に配置する工程と、前記第１の処理部における第１のアライメントカメラを用いて第１の多数個取り基板の画像認識を行う工程と、前記第１の多数個取り基板を前記第１の処理部から第２の処理部に搬送し、さらに前記複数の多数個取り基板のうち第２の多数個取り基板を前記第１の処理部に配置する工程と、前記第２の処理部において前記第１の多数個取り基板をダイシングによって個片化するのと同時に、前記第１の処理部において第２の多数個取り基板の画像認識を行う工程とを有するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストが塗布された基板を、熱処理によってベークする熱処理装置であって、
処理室と、
前記処理室内に設けられた加熱体と、
前記処理室内に入れられた基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体を動かすことにより、前記基板と前記加熱体との距離を変える
可変機構と、
前記可変機構を制御する制御部とを有し、
前記制御部の制御下において、前記基板と前記加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理し、
前記加熱体は、主面が鉛直上方を向いた状態で前記処理室内に設けられた板であり、前記板は、鉛直方向に貫通する複数の第１貫通孔を有し、
前記処理室は、前記第１貫通孔に重なる複数の第２貫通孔を底面に有し、
前記基板支持体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とに共通に通された複数のピンであり、
前記基板は、前記複数のピンの先端に載せられて支持され、
前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に十分長い時間置いた場合の該基板の収束温度により構成される距離−温度カーブが格納される記憶部を有し、前記距離−温度カーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の収束温度で前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】  前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブが格納される記憶部を有し、前記距離−昇温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の昇温レートで前記基板を熱処理することを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】  前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の降温レートにより構成される距離−降温レートカーブが格納される記憶部を有し、前記距離−降温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の降温レートで前記基板を熱処理することを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項４】  前記基板と前記加熱体との距離は、０mm以上１００mm以下の範囲で変えられることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一に記載の熱処理装置。
【請求項５】  前記熱処理における基板温度は１５０℃を超えないことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一に記載の熱処理装置。
【請求項６】  基板と予め加熱された加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理する熱処理方法であって、
前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に十分に長い時間置いた場合の該基板の収束温度により構成される距離―温度カーブが格納される記憶部に記憶された前記距離―温度カーブを参照しながら、所望の収束温度で前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】  前記熱処理の開始時に前記基板を前記加熱体に近づけ、次いで前記基板を前記加熱体から離すことにより、前記熱処理の開始時における昇温レートを調節することを特徴とする請求項６に記載の熱処理方法。
【請求項８】  前記熱処理を行う前に、前記基板の上に膜を形成する工程と、前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程とを有し、前記熱処理によって前記フォトレジストがベークされることを特徴とする請求項６に記載の熱処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、フォトレジストが塗布された基板を、熱処理によってベークする熱処理装置であって、処理室と、前記処理室内に設けられた加熱体と、前記処理室内に入れられた基板を支持する基板支持体と、前記基板支持体を動かすことにより、前記基板と前記加熱体との距離を変える可変機構と、前記可変機構を制御する制御部とを有し、前記制御部の制御下において、前記基板と前記加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理し、前記加熱体は、主面が鉛直上方を向いた状態で前記処理室内に設けられた板であり、前記板は、鉛直方向に貫通する複数の第１貫通孔を有し、前記処理室は、前記第１貫通孔に重なる複数の第２貫通孔を底面に有し、前記基板支持体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とに共通に通された複数のピンであり、前記基板は、前記複数のピンの先端に載せられて支持され、前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に十分長い時間置いた場合の該基板の収束温度により構成される距離−温度カーブが格納される記憶部を有し、前記距離−温度カーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の収束温度で前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下部電極、誘電体膜、および上部電極を有する容量素子を備える半導体装置であって、
前記下部電極は、半導体基板上に形成された層間絶縁膜上から上方に延びる柱状部材を有し、
前記柱状部材の上端部近傍の外周縁に、この外周縁を取囲むように前記層間絶縁膜とは異なる絶縁部材が設けられている、半導体装置。
【請求項２】  前記容量素子が格子状に複数配設され、
相互に隣接する前記下部電極の前記絶縁部材同士が連結するように設けられる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記柱状部材は、円筒型状である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記柱状部材は、内部が満たされた密実円柱形状である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記容量素子は、平面視において第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向に沿うように格子状に複数配設され、
前記第１および前記第２の方向に相互に隣接する前記下部電極の前記絶縁部材同士が連結するように設けられるとともに、
前記第１および第２の方向と交差して、前記第１および第２の方向の間の第３の方向に位置する前記下部電極とは、前記絶縁部材同士が連結しないように設けられる、請求項２から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  前記絶縁部材は、シリコン窒化膜である、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明に基づいた半導体装置においては、下部電極、誘電体膜、および上部電極を有する容量素子を備える半導体装置であって、上記下部電極は、半導体基板上に形成された層間絶縁膜上から上方に延びる柱状部材を有し、上記柱状部材の上端部近傍の外周縁に、この外周縁を取囲むように前記層間絶縁膜とは異なる絶縁部材を設けたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ピックアップから回折格子を介して出射した光により形成されるシェアリング干渉縞を受像し、前記受像した干渉縞の光強度より前記光ピックアップからの出射光の集光位置を評価する第１の工程と、
前記光ピックアップ内の光源の制御信号を変調させながら前記光ピックアップから出射した出射光を受光し、前記制御信号と受光した信号とから前記光ピックアップの出力の時間特性を評価する第２の工程と、
を有することを特徴とする光ピックアップの検査方法。
【請求項２】
光ピックアップ内の受光部の受光量を測定して前記受光部を評価する第３の工程を有することを特徴とする請求項１記載の光ピックアップの検査方法。
【請求項３】
回折格子によって０次回折光と±１次回折光とを形成した後、
光ピックアップからの出射光の集光位置を、前記０次回折光と前記＋１次回折光により形成される第１の干渉縞の光強度と、前記０次回折光と前記−１次回折光により形成される第２の干渉縞の光強度とが一致する位置に調整することを特徴とする請求項１または２記載の光ピックアップの検査方法。
【請求項４】
光ピックアップから回折格子を介して出射した光により形成されるシェアリング干渉縞を受像し、前記受像した干渉縞により前記光ピックアップのレンズの開口数を算出する第４の工程と、
前記光ピックアップからの出射光の光強度分布を測定し、前記算出した開口数と前記測定した光強度分布とから前記光ピックアップからの出射光の集光スポットの特性を評価する第５の工程と、
を有することを特徴とする光ピックアップの検査方法。
【請求項５】
回折格子によって０次回折光と±１次回折光とを形成した後、
前記０次回折光と前記＋１次回折光により形成される第３の干渉縞の２つの端点の座標と、前記０次回折光と前記−１次回折光により形成される第４の干渉縞の２つの端点の座標とにより開口数を算出することを特徴とする請求項４記載の光ピックアップの検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため本発明の光ピックアップの検査方法は、光ピックアップから回折格子を介して出射した光により形成されるシェアリング干渉縞を受像し、前記受像した干渉縞の光強度より前記光ピックアップからの出射光の集光位置を評価する第１の工程と、前記光ピックアップ内の光源の制御信号を変調させながら前記光ピックアップから出射した出射光を受光し、前記制御信号と受光した信号とから前記光ピックアップの出力の時間特性を評価する第２の工程と、を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、上記において、光ピックアップ内の受光部の受光量を測定して前記受光部を評価する第３の工程を有することが好適である。
また本発明によれば、上記において、回折格子によって０次回折光と±１次回折光とを形成した後、光ピックアップからの出射光の集光位置を、前記０次回折光と前記＋１次回折光により形成される第１の干渉縞の光強度と、前記０次回折光と前記−１次回折光により形成される第２の干渉縞の光強度とが一致する位置に調整することが好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明の別の光ピックアップの検査方法は、光ピックアップから回折格子を介して出射した光により形成されるシェアリング干渉縞を受像し、前記受像した干渉縞により前記光ピックアップのレンズの開口数を算出する第４の工程と、 前記光ピックアップからの出射光の光強度分布を測定し、前記算出した開口数と前記測定した光強度分布とから前記光ピックアップからの出射光の集光スポットの特性を評価する第５の工程と、を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、上記において、回折格子によって０次回折光と±１次回折光とを形成した後、前記０次回折光と前記＋１次回折光により形成される第３の干渉縞の２つの端点の座標と、前記０次回折光と前記−１次回折光により形成される第４の干渉縞の２つの端点の座標とにより開口数を算出することが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
一方、電流ドライバ５０のＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ５２がそれぞれＯＦＦ，ＯＮしているときにφ信号がＨレベルになると、電流ドライバ５０は、共通線ＰＬにおける電源電圧Ｖｃｃ１と電流ドライバ５０が受ける接地電圧ＧＮＤとの電圧差に基づいて、書込ビット線ＷＢＬ１に共通線ＰＬから電流ドライバ５０へ向かう方向にデータ書込電流Ｉｗ（１）を流す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
Ｄａｔａｊｃ（Ｈ）
＝／（／Ｄａｔａｊ＋１（Ｈ）  ＯＲ  ／Ｄａｔａｊ−１（Ｈ））  …（３）
Ｄａｔａｊｃ（Ｌ）
＝Ｄａｔａｊ＋１（Ｌ）  ＯＲ  Ｄａｔａｊ−１（Ｌ）  …（４）
（３）式は、隣接する書込ビット線のいずれかの電流ドライバにおいてＰチャネルＭＯＳトランジスタがＯＮしたとき、当該書込ビット線の電流ドライバにおけるＰチャネルのキャンセルドライバをＯＮさせることを示す。（４）式は、隣接する書込ビット線のいずれかの電流ドライバにおいてＮチャネルＭＯＳトランジスタがＯＮしたとき、当該書込ビット線の電流ドライバにおけるＮチャネルのキャンセルドライバをＯＮさせることを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ピックアップ、記録再生装置及び記録再生方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに照射される光を出射する光源と、
上記光源から出射された光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を制御する光学素子と、
上記光学素子から出力された光を、一方の偏光成分と他方の偏光成分の一部とからなる第１のレーザ光と、他方の偏光成分の残りからなる第２のレーザ光とに分離する偏光分離手段と、
上記光学素子から出力される光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を変化させるように、上記光学素子を制御する光学素子制御手段と
を備えることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
上記光学素子と上記偏光分離手段とは一体化していることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
【請求項３】
上記光学素子は、液晶素子であることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
【請求項４】
光ディスクに対してデータを記録又は再生する記録再生装置において、
上記光ディスクに対して照射する光を出射する光源と、
上記光源から出射された光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を制御する光学素子と、
上記光学素子から出力された光を、一方の偏光成分と他方の偏光成分の一部とからなる第１のレーザ光と、他方の偏光成分の残りからなり、上記光ディスクに対して照射される第２のレーザ光とに分離する偏光分離手段と、
上記光ディスクの種類を判別する判別手段と、
上記判別手段によって判別された光ディスクの種類に応じて、上記光学素子から出力される光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を変化させるように、上記光学素子を制御する光学素子制御手段と
を備えることを特徴とする記録再生装置。
【請求項５】
上記判別手段は、上記光ディスクに備えられているデータ記録層の数を判別することを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項６】
上記光学素子と、上記偏光分離手段とは、一体化していることを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項７】
上記光学素子は、液晶素子であることを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項８】
上記光学素子制御手段は、上記光ディスクに対してデータを記録するときに、上記偏光分離手段から出力される光に含まれる上記他方の偏光成分の割合を、上記光ディスクに対してデータを再生するときと比較して高くすることを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項９】
上記光源は、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍである光を出射することを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項１０】
光ディスクに対して、光源から出射される光を照射することによってデータを記録及び／又は再生する記録再生方法において、
上記光ディスクの種類を判別する判別ステップと、
上記判別ステップで判別された上記光ディスクの種類に応じて、上記光源から出射される光に含まれるＰ偏光成分とＳ偏光成分との割合を制御する偏光成分制御ステップと、
上記偏光成分制御ステップでＰ偏光成分とＳ偏光成分との割合が制御された光を、一方の偏光成分と他方の偏光成分の一部とからなる第１のレーザ光と、他方の偏光成分の残りからなる第２のレーザ光とに分離する分離ステップと、
上記第２のレーザ光を上記光ディスクに照射する照射ステップと
を備えること特徴とする記録再生方法。
【請求項１１】
上記判別ステップでは、上記光ディスクに備えられているデータ記録層の数を判別することを特徴とする請求項１０記載の記録再生方法。
【請求項１２】
上記光ディスクに対してデータを記録するときには、上記光源から出射される光に含まれる上記他方の成分の割合を、上記光ディスクに対してデータを再生するときと比較して高くすることを特徴とする請求項１０記載の記録再生方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、光ディスクに対して光を照射する光ピックアップ、この光ピックアップを用いた記録再生装置及び記録再生方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明は、以上説明した従来の実情を鑑みて提案されたものであり、データの記録又は再生がなされている光ディスクの種類に拘わらず、光ディスクに対して高品質な記録再生を行うことが可能であり、且つデータの記録と再生との繰り返しを安定して行うことが可能である記録再生装置及び記録再生方法であり、さらには、この記録再生装置に用いられて有用な光ピックアップである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光ピックアップは、光ディスクに照射される光を出射する光源と、上記光源から出射された光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を制御する光学素子と、上記光学素子から出力された光を、一方の偏光成分と他方の偏光成分の一部とからなる第１のレーザ光と、他方の偏光成分の残りからなる第２のレーザ光とに分離する偏光分離手段と、上記光学素子から出力される光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を変化させるように、上記光学素子を制御する光学素子制御手段とを備える。
また、本発明に係る記録再生装置は、光ディスクに対してデータを記録及び／又は再生する記録再生装置において、上記光ディスクに対して照射する光を出射する光源と、上記光源から出射された光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を制御する光学素子と、光学素子から出力された光を、一方の偏光成分と他方の偏光成分の一部とからなる第１のレーザ光と、他方の偏光成分の残りからなり、上記光ディスクに対して照射される第２のレーザ光とに分離する偏光分離手段と、光ディスクの種類を判別する判別手段と、判別手段によって判別された光ディスクの種類に応じて、光学素子から出力される光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分との割合を変化させるように光学素子を制御する光学素子制御手段とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、光ピックアップ１０は、光ディスク２によって反射された後に、ビームスプリッタ１５によって反射された反射光を集光する第２の集光レンズ２０と、第２の集光レンズ２０から出力された光を透過するシリンドリカルレンズ２１と、シリンドリカルレンズ２１によって透過された光を受光する反射光検出部２２とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  時刻ｋ−ｎ（ｎは自然数）における第１状態から時刻ｋにおける第２状態へと遷移する複数通りの状態遷移列のうちから最も確からしい状態遷移列を選択する最尤復号化によって再生信号を２値化する最尤復号器と、所定の時刻において、最も確からしい状態遷移列と２番目に確からしい状態遷移列とのメトリック差を算出する演算器と、前記メトリック差に基づいて前記最尤復号器のパラメータを補正するパラメータ調整手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  前記パラメータは、最尤復号器の振幅基準値であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  前記パラメータは、各時刻において取り得る各状態遷移列の夫々の確からしさを示すパスメトリック値に加算される補正値であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】  前記所定の時刻は、特定の状態遷移列が発生したことによって特定される時刻であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、時刻ｋ−ｎ（ｎは自然数）における第１状態から時刻ｋにおける第２状態へと遷移する複数通りの状態遷移列のうちから最も確からしい状態遷移列を選択する最尤復号化によって再生信号を２値化する最尤復号器と、所定の時刻において、最も確からしい状態遷移列と２番目に確からしい状態遷移列とのメトリック差を算出する演算器と、前記メトリック差に基づいて前記最尤復号器のパラメータを補正するパラメータ調整手段とを備えることを特徴とする情報処理装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  時刻ｋ−ｎ（ｎは自然数）における第１状態から時刻ｋにおける第２状態へと遷移する複数通りの状態遷移列のうちから最も確からしい状態遷移列を選択する最尤復号によって再生信号を２値化する最尤復号器と、最も確からしい状態遷移列と２番目に確からしい状態遷移列との尤度差を算出する演算器と、前記演算器で求めた尤度差に基づいてショックプルーフメモリへのデータ蓄積動作のリトライ制御を行う制御手段を有することを特徴とする情報再生装置。
【請求項２】  ２値化された最尤復号出力に含まれるエラーを訂正するＥＣＣ回路を有し、前記制御手段は、前記演算器で求めた尤度差から再生信号の信頼性を判定し、該判定結果に基づいて前記ＥＣＣ回路のエラー訂正能力を変更することを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【請求項３】  前記制御手段は、前記演算器で求めた尤度差が所定しきい値を越えた場合、対応する再生データの前記媒体上のアドレスを照会し、該アドレスのデータを再生リトライし、ショックプルーフメモリ上の対応する再生データを上書きすることを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、時刻ｋ−ｎ（ｎは自然数）における第１状態から時刻ｋにおける第２状態へと遷移する複数通りの状態遷移列のうちから最も確からしい状態遷移列を選択する最尤復号によって再生信号を２値化する最尤復号器と、最も確からしい状態遷移列と２番目に確からしい状態遷移列との尤度差を算出する演算器と、前記演算器で求めた尤度差に基づいてショックプルーフメモリへのデータ蓄積動作のリトライ制御を行う制御手段を有することを特徴とする情報再生装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記のように構成すれば、コネクタ６の接続ピン６ａとピン受け具１１Ｂとの接続関係についてのみ示す図７〜図９において、回路ユニット５が本体ケース３に装着される際に、コネクタ６の接続ピン６ａが、開口部２２を通じて下側から上側に変位し、ピン受け具１１Ｂに接続される。その接続状態で、回路ユニット５の側面板部が、コネクタ６の接続部分の周囲において本体ケース３の内側面部と板バネ部材２３の環状部分２３Ｂの第１の部分２３Ｂａを介して接触し、同電位（アース電位）とされ、コネクタ６の接続ピン６ａ回りがシールドされる。また、回路ユニット５の側面板部は、アースされる。被係合爪部２３Ｂｃに係合部３ｄが係脱可能に係合することで、回路ユニット５の底シャーシ１３（底板部）もアースされる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子部品が実装され、表面にアース部が設けられる回路基板と、
弾性体からなる台座と、
前記台座の少なくとも一方の表面を覆いその上にボタンが設けられ、その一部が前記回路基板のアース部に接触する導電性プレートと
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項２】  電子部品が実装され、表面にアース部が設けられる回路基板と、
ボタンが取り付けられた弾性体からなる台座と、
前記台座の少なくとも前記ボタン側の表面に設けられ、その一部が前記回路基板のアース部に接触する導電性プレートと
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項３】  電子部品が実装され、表面にアース部が設けられる回路基板と、
ボタンが取り付けられた弾性体からなる台座と、
前記台座の少なくとも前記ボタン側の表面を覆い、その一部が前記回路基板のアース部に接触する導電性プレートと
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項４】  電子部品が実装され、表面にアース部が設けられる回路基板と、
ボタンが取り付けられた弾性体からなる台座と、
前記台座の少なくとも前記ボタン側を除く部分に設けられ、その一部が前記回路基板のアース部に接触する導電性プレートと
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項５】  電子部品が実装され、表面にアース部が設けられる回路基板と、
ボタンが取り付けられた弾性体からなる台座と、
前記台座の全面を覆い、その一部が前記回路基板のアース部に接触する導電性プレートと
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項６】  電子部品が実装され、表面にアース部が設けられる回路基板と、
弾性体からなる台座と、
前記台座の上に設けられ、ボタンが取り付けられたプラスチック部と
前記プラスチック部の前記ボタンを除く表面を覆い、その一部が前記回路基板のアース部に接触する導電性プレートと
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項７】  前記導電性プレートは、前記プラスチック部の全面を覆うことを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項８】  前記導電性プレートは、導電性インク又は導電性塗料を前記台座に印刷又は塗装されたものであることを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
より具体的には、加熱ヒータとしては一般にセラミックヒータが使用される。セラミックヒータは、例えばアルミナ等の電気絶縁性・良熱伝導性・低熱容量のセラミック基板（ヒータ基板）と、該基板の面に基板長手に沿って形成具備させた銀パラジウム（Ａｇ／Ｐｂ）、Ｔａ２Ｎ等の通電発熱抵抗層とを基本構成とするもので、通電発熱抵抗層に通電がなされることにより該通電発熱抵抗層が発熱して基板を含む加熱ヒータが全体的に急速昇温する。この加熱ヒータの昇温がサーミスタ等の温度検知手段で検知されて通電制御部へフィードバックされる。通電制御部は温度検知手段で検知される加熱ヒータ温度が所定のほぼ一定温度（定着温度）に維持されるように通電発熱抵抗層に対する通電を制御する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１５は安全素子としての、温度ヒューズ・サーモスイッチ等のサーモプロテクタである。図５は該サーモプロテクタ（サーモスイッチ）１５の模型図である。１５ａはサーモプロテクタ本体から突出させて設けてある集熱板、１５ｂ・１５ｂはサーモプロテクタ本体のリード線である。サーモプロテクタ１５は不図示の安全素子ホルダーに保持させ、その安全素子ホルダーを、ヒータ１１をステイホルダー１２に固定保持させてから、ステイホルダー１２の内側に組付けて、サーモプロテクタ１５の集熱板１５ａ部分をヒータ背面の所定の設計位置に当接させて配設される。また集熱板１５ａの集熱ムラをなくすために、集熱板１５ａとヒータ１１との当接面には熱伝導グリースを塗布して介在させている。サーモプロテクタ本体のリード線１５ｂ・１５ｂは図４のようにヒータ１１に対する通電回路に直列に結線される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源の像を形成する第１形成手段と、
前記荷電粒子源の像から複数の荷電粒子源の像を形成する第２形成手段と、
前記複数の荷電粒子源の像を前記被露光基板に縮小投影する縮小電子光学系と、
前記縮小電子光学系で生じる非点収差を補正するため、前記第１形成手段が前記荷電粒子源の像を形成する際に非点収差を発生させる第１非点発生手段と、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】  前記縮小電子光学系内に非点収差を発生させる第２非点発生手段をさらに有し、前記縮小電子光学系によって生じる非点収差のうち、描画中に変動しない非点収差は前記第１非点発生手段によって補正し、変動する非点収差は前記第２非点発生手段によって補正することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】  請求項１乃至２のいずれか１つに記載の荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決しようとする手段】
上記目的を達成するため、本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源の像を形成する第１形成手段と、
前記荷電粒子源の像から複数の荷電粒子源の像を形成する第２形成手段と、
前記複数の荷電粒子源の像を前記被露光基板に縮小投影する縮小電子光学系と、
前記縮小電子光学系で生じる非点収差を補正するため、前記第１形成手段が前記荷電粒子源の像を形成する際に非点収差を発生させる第１非点発生手段と、
を有することを特徴とする。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、前記縮小電子光学系内に非点収差を発生させる第２非点発生手段をさらに有し、前記縮小電子光学系によって生じる非点収差のうち、描画中に変動しない非点収差は前記第１非点発生手段によって補正し、変動する非点収差は前記第２非点発生手段によって補正することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、配線基板、及び電気光学装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に形成された第１導電層上に逆テーパー状のコンタクトプラグを形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】  基板上に形成された第１導電層上に有機材料を塗布する工程と、
前記有機材料に光を照射し、逆テーパー状のマスクを形成する工程と、
前記マスク以外の前記有機材料を除去する工程と、
前記第１導電層上かつ前記マスクの少なくとも周囲に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層から前記マスクを除去し、逆テーパー状の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電部材を形成し、逆テーパー状のコンタクトプラグを形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】  請求項２において、
前記有機材料が感光性レジストであり、前記レジストの膜中における前記光の被照射量が前記第１導電層に近づくにつれ小さくなり、前記第１導電層から遠ざかるにつれ大きくなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】  請求項３において、
前記有機材料がネガレジストであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】  請求項２ないし４のいずれかにおいて、前記マスクの厚さが前記絶縁層の厚さ以上の高さに形成されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】  請求項２ないし５のいずれかにおいて、
前記絶縁層が液体絶縁材料を塗布することで形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】  請求項２ないし６のいずれかにおいて、
前記コンタクトプラグが液体導電材料を塗布することで形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記コンタクトプラグ上に第２導電層を形成する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の配線基板の製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】  基板の上方に形成された第１導電層と、
前記第１導電層の上方に形成された第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成された絶縁層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との導通をとる逆テーパー状のコンタクトプラグと、
を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】  請求項１０において、
前記コンタクトプラグは前記第２導電層から前記第１導電層に向けて裾狭まりの形状をなすことを特徴とする配線基板。
【請求項１２】  請求項１０または１１において、
前記第１導電層は半導体材料を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項１３】  請求項１０ないし１２のいずれかに記載の配線基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、配線基板、及び電気光学装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、真空装置を用いずに貫通孔を形成する方法を提供することを目的とし、非常に簡便な方法であって、電気的特性の劣化も伴わず、しかも導電層の多層化に伴う膜厚の不均一化も生じ難い信頼性の高い配線基板の製造方法を提供することを目的とする。さらに、この配線基板の製造方法を利用した電気光学装置の製造方法、さらには配線基板、及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の配線基板の製造方法は、基板上に形成された第１導電層上に逆テーパー状のコンタクトプラグを形成する工程を有することを特徴とする。このように逆テーパー状のコンタクトプラグを形成することで、第１導電層と、当該コンタクトプラグを介して接続された第２導電層との接続性を高めることが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、基板上に形成された第１導電層上に有機材料を塗布する工程と、前記有機材料に光を照射し、逆テーパー状のマスクを形成する工程と、前記マスク以外の前記有機材料を除去する工程と、前記第１導電層上かつ前記マスクの少なくとも周囲に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層から前記マスクを除去し、逆テーパー状の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電部材を形成し、逆テーパー状のコンタクトプラグを形成する工程と、を有することを特徴とする。
本発明は、配線基板の製造方法であって、絶縁層を介して設けられる２つの導電層（第１導電層と第２導電層）を電気的に接続する方法を提供するものである。つまり、導電層上のコンタクトプラグを形成する位置に逆テーパー状のマスクを形成した後、その周囲に絶縁層を形成し、その後、マスクを除去することで、絶縁層のマスクが形成されていた位置に逆テーパー状の開口を有した貫通孔が形成され、さらにこの貫通孔に導電部材を形成して同逆テーパー状のコンタクトプラグとすることにより各導電層の接続を実現するものである。したがって、本発明によれば、貫通孔を形成するために絶縁層をドライエッチングにより部分的に除去する手法を採用する必要がなく、それに伴う高価な真空装置を必要としない。このため、貫通孔の形成を迅速に行うことができるとともに、貫通孔を形成するための手間とエネルギーとを節減でき、多層配線を形成する際のコストを低減することができる。また、ドライエッチングを用いないため、プラズマダメージやエッチングマスクとしてのフォトレジストの硬化等の問題が発生することもない。また、本発明においては、下層の第１導電層が曝されるのはマスクの除去剤に対してであり、第１導電層がエッチングされることがない。したがって、安定した貫通孔を形成することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、上述の配線基板の製造方法を用いることを特徴とする。また、本発明の配線基板は、基板の上方に形成された第１導電層と、前記第１導電層の上方に形成された第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に形成された絶縁層と、前記第１導電層と前記第２導電層との導通をとる逆テーパー状のコンタクトプラグと、を含むことを特徴とする。なお、前記コンタクトプラグは前記第２導電層から前記第１導電層に向けて裾狭まりの形状をなすものとすることができる。また、前記第１導電層は半導体材料を含むものとすることができる。さらに、本発明の電気光学装置は、上述の配線基板を含むことを特徴とする。このような配線基板及び電気光学装置は積層された配線間の接続性が非常に高いものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、導光体３のドットパターン部３ｂは、照光させる入力キー６ａのそれぞれの下方に位置するように設けられている。図３は導光体３を上面から見た図であるが、導光体３は透明材料であるため、下面３ｄのドットパターン部３ｂを視認することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、４個の光源体２＿１〜２＿４は、照光入力装置ＬＫの長手方向に対し、中央部より端面部側に配置し、かつ互いに中央部方向に向き合うように、第１の光源グループＧ１および第２の光源グループＧ２として配置される。結果、光源体２から射出された光が導光体３の全体に効率良く供給される。さらに、導光体３の穴部３ｈは光源体２の発光面側が円弧状の形状を有しているため、導光体３に入る光量を効率良く拡散し導光することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【図１】本発明にかかる照光入力装置の構成を示す分解斜視図
【図２】図１に示した照光入力装置の部分断面図
【図３】図１に示した光源体と導光体との関係を示す図
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療情報を文字入力する入力手段と、
医療情報の標準用語が記録されたカルテ標準用語辞書データ記録手段と、
前記カルテ標準用語辞書データ記録手段を参照して、前記文字入力した医療情報から非標準用語を抽出する抽出手段と、
前記抽出した非標準用語を操作者に知覚させる知覚化手段と、
前記抽出した非標準用語を、前記カルテ標準用語辞書データ記録手段に基づいて標準用語に変換する変換手段と、
前記変換結果を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする電子カルテシステム。
【請求項２】
前記カルテ標準用語データ記録手段は、標準用語の同義用語及び関連用語のデータを記録しており、
前記表示手段は、前記文字入力された医療情報に含まれる文字に対応する標準用語を前記同義用語及び関連用語のデータに基づいて検索した結果を変換候補として画面表示し、
前記変換手段は、前記画面表示された変換候補のうち、操作者が指定した変換候補で標準用語への変換を確定することを特徴とする、
請求項１に記載の電子カルテシステム。
【請求項３】
前記表示手段は、前記文字入力された医療情報のうちに標準用語に変換されなかった文字があるときは、当該文字が標準用語ではないことを画面表示することを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子カルテシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に係る電子カルテシステムは、請求項１に記載の電子カルテシステムにおいて、前記カルテ標準用語データ記録手段は、標準用語の同義用語及び関連用語のデータを記録しており、前記表示手段は、前記文字入力された医療情報に含まれる文字に対応する標準用語を前記同義用語及び関連用語のデータに基づいて検索した結果を変換候補として画面表示し、前記変換手段は、前記該表示された変換候補のうち、操作者が指定した変換候補で標準用語への変換を確定することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に係る電子カルテシステムでは、標準用語の同義用語及び関連用語に基づいて検索を行いその結果を画面表示するとともに、当該画面表示された変換候補のうち操作者が指定した変換候補で前記未検索単語の標準用語への変換を確定するので、標準用語への変換を効率的かつ確実に行うことができ、医療スタッフが医療情報を共通解釈できる。
請求項３に係る電子カルテシステムは、請求項１又は２に記載の電子カルテシステムにおいて、前記表示手段は、前記文字入力された医療情報のうちに標準用語に変換されなかった文字があるときは、当該文字が標準用語ではないことを画面表示することを特徴としている。
これにより電子カルテシステムの操作者は、入力した医療情報に含まれる非標準用語（標準用語でない用語）を知ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＶＬＩＷ型マイクロプロセッサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハードウェア部分、およびソフトウェア部分を含み、前記ソフトウェア部分に遺伝的アルゴリズムを用いるＶＬＩＷ型マイクロプロセッサであって、
前記ソフトウェア部分に動的コンパイラを含み、前記動的コンパイラの処理に遺伝的アルゴリズムを用いることを特徴とするＶＬＩＷ型マイクロプロセッサ。
【請求項２】
ハードウェア部分、およびソフトウェア部分を含み、前記ソフトウェア部分に遺伝的アルゴリズムを用いるＶＬＩＷ型マイクロプロセッサであって、
前記ソフトウェア部分は動的コンパイラを含み、
前記動的コンパイラは、命令分岐予測、命令パスの選択、内部命令のスケジューリング、および最適化を含む複数の処理を行い、
前記複数の処理のうち少なくとも１つに遺伝的アルゴリズムを用いることを特徴とするＶＬＩＷ型マイクロプロセッサ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ソフトウェア部分は、遺伝的アルゴリズムエンジンを有することを特徴とするＶＬＩＷ型マイクロプロセッサ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記動的コンパイラは、遺伝的アルゴリズムエンジンを有することを特徴とするＶＬＩＷ型マイクロプロセッサ。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記遺伝的アルゴリズムエンジンは、
初期集団を決定する手段と、
前記初期集団を評価する手段と、
評価対象を評価の適応度に応じて選択する手段と、
交叉を行う手段と、
突然変異を行う手段と、
再度評価して、前記一連の処理を継続するか否かの評価を行う手段を少なくとも備えたことを特徴とするＶＬＩＷ型マイクロプロセッサ。