【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持するための基板上には、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に対応する画素スイッチング用の電界効果型トランジスタと、前記複数の画素を駆動するための駆動回路を構成する駆動回路用の電界効果型トランジスタとが形成され、前記複数の電界効果型トランジスタには、入力される信号並びに電源の最大電圧差で定義される駆動電圧が異なる第１の相補回路、および第２の相補回路を構成するＮチャネル型電界効果型トランジスタおよびＰチャネル型電界効果型トランジスタが含まれ、前記第１の相補回路の駆動電圧が前記第２の相補回路の駆動電圧よりも小さい電気光学装置において、
Ｎチャネル型電界効果型トランジスタのチャネルに反転層が形成されるしきい値電圧、およびＰチャネル型電界効果型トランジスタのチャネルに反転層が形成されるしきい値電圧をそれぞれＶth-ＮchおよびＶth-Ｐchとし、前記しきい値電圧の差の絶対値Ｖth-dが以下の式
Ｖth-d  ＝  ｜（Ｖth-Ｎch）−（Ｖth-Ｐch）｜
で表されるとき、
前記第１の相補回路の前記しきい値電圧の差Ｖth-d１が前記第２の相補回路の前記しきい値電圧の差Ｖth-d２よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記Ｎチャネル型電界効果型トランジスタのしきい値電圧の最小値、および前記Ｐチャネル型電界効果型トランジスタのしきい値電圧の最大値をそれぞれＶth-ＮchおよびＶth-Ｐchとすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、しきい値電圧の差の絶対値Ｖth-dが当該相補回路の駆動電圧に対して０．２５倍から１倍、好ましくは０．５倍から１倍の範囲であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路は、｜（Ｖth-Ｎch）＋（Ｖth-Ｐch）｜の最大値が当該相補回路の駆動電圧の１／４倍以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、Ｖth-Ｎchが正の値であり、Ｖth-Ｐchが負の値であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、しきい値電圧の差の絶対値Ｖth-dが前記第１の相補回路および前記第２の相補回路の駆動電圧の最大値の半分以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
電気光学物質を保持するための基板上には、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に対応する画素スイッチング用の電界効果型トランジスタと、前記複数の画素を駆動するための駆動回路を構成する駆動回路用の電界効果型トランジスタとが形成され、前記複数の電界効果型トランジスタには、入力される信号並びに電源の最大電圧差で定義される駆動電圧が異なる第１の相補回路、および第２の相補回路を構成するＮチャネル型電界効果型トランジスタおよびＰチャネル型電界効果型トランジスタが含まれ、前記第１の相補回路の駆動電圧が前記第２の相補回路の駆動電圧よりも小さい電気光学装置において、
Ｎチャネル型電界効果型トランジスタでドレイン・ソース間に所定の一定電圧Ｖds-Ｎchを印加したときのドレイン・ソース間抵抗をチャネル幅で割った値が所定の値Ｒon-offとなるときのゲート電圧をＶon-off-Ｎchとし、Ｐチャネル型電界効果型トランジスタでドレイン・ソース間に所定の一定電圧Ｖds-Ｐchを印加したときのドレイン・ソース間抵抗をチャネル幅で割った値が所定の値Ｒon-offとなるときのゲート電圧をＶon-off-Ｐchとしたとき、回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄが以下の式
Ｖon-off-ｄ  ＝  ｜（Ｖon-off-Ｎch）−（Ｖon-off-Ｐch）｜
で表されるとき、
前記第１の相補回路の前記回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄ１が前記第２の相補回路の前記回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄ２よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７において、前記Ｎチャネル型電界効果型トランジスタでドレイン・ソース間に所定の一定電圧Ｖds-Ｎchを印加したときのドレイン・ソース間抵抗をチャネル幅で割った値が所定の値Ｒon-offとなるときのゲート電圧の最小値をＶon-off-Ｎchとし、Ｐチャネル型電界効果型トランジスタでドレイン・ソース間に所定の一定電圧Ｖds-Ｐchを印加したときのドレイン・ソース間抵抗をチャネル幅で割った値が所定の値Ｒon-offとなるときのゲート電圧の最大値をＶon-off-Ｐchとすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７または８において、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄが駆動電圧に対して０．２５倍から１倍の範囲であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項７または８において、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄが駆動電圧に対して０．５倍から１倍の範囲であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれかにおいて、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄが前記第１の相補回路および前記第２の相補回路の駆動電圧の最大値の半分以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれかにおいて、前記所定の一定電圧Ｖds-Ｎchが１Ｖから２０Ｖであり、かつ前記所定の一定電圧Ｖds-Ｐchが−１Ｖから−２０Ｖであり、かつ前記所定の値Ｒon-offが１ＭΩ／μｍから１ＧΩ／μｍであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかにおいて、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路は、いずれも前記駆動回路に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかにおいて、前記第１の相補回路および前記第２の相補回路のうちの少なくとも一方の相補回路では、駆動電圧が他方の相補回路の駆動電圧の半分以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかにおいて、前記電界効果型トランジスタは、能動層が多結晶シリコンからなる薄膜トランジスタであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、ゲート絶縁膜の厚さが相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、ゲート絶縁膜の誘電率が相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、チャネル領域を形成する半導体層の膜厚が相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、チャネル領域を形成する半導体層の欠陥準位平均密度が相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１９のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、チャネル領域を形成する半導体層の不純物濃度が相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２１】
請求項１ないし２０のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、チャネル領域を形成する半導体層のダングリング・ボンド（dangling bond）終端水素濃度が相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２２】
請求項１５において、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、前記能動層を構成する多結晶シリコンのグレイン平均サイズが相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２３】
請求項１ないし２２のいずれかにおいて、前記第１の相補回路を構成する電界効果型トランジスタと、前記第２の相補回路を構成する電界効果型トランジスタとでは、チャネル長が相違することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２４】
請求項１ないし２３のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、前記電気光学装置用基板と対向基板との間に保持された液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２５】
請求項１ないし２３のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、前記電気光学装置用基板上で発光素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２６】
請求項１ないし２５のいずれかに規定する電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を保持するための基板上には、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に対応する画素スイッチング用の電界効果型トランジスタと、前記複数の画素を駆動するための駆動回路を構成する駆動回路用の電界効果型トランジスタとが形成され、前記複数の電界効果型トランジスタには、入力される信号並びに電源の最大電圧差で定義される駆動電圧が異なる第１の相補回路、および第２の相補回路を構成するＮチャネル型電界効果型トランジスタおよびＰチャネル型電界効果型トランジスタが含まれ、前記第１の相補回路の駆動電圧が前記第２の相補回路の駆動電圧よりも小さい電気光学装置において、Ｎチャネル型電界効果型トランジスタのチャネルに反転層が形成されるしきい値電圧、およびＰチャネル型電界効果型トランジスタのチャネルに反転層が形成されるしきい値電圧をそれぞれＶth-ＮchおよびＶth-Ｐchとし、前記しきい値電圧の差の絶対値Ｖth-dが以下の式Ｖth-d  ＝  ｜（Ｖth-Ｎch）−（Ｖth-Ｐch）｜で表されるとき、前記第１の相補回路の前記しきい値電圧の差Ｖth-d１が前記第２の相補回路の前記しきい値電圧の差Ｖth-d２よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
すなわち、本発明の別の形態では、電気光学物質を保持するための基板上には、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に対応する画素スイッチング用の電界効果型トランジスタと、前記複数の画素を駆動するための駆動回路を構成する駆動回路用の電界効果型トランジスタとが形成され、前記複数の電界効果型トランジスタには、入力される信号並びに電源の最大電圧差で定義される駆動電圧が異なる第１の相補回路、および第２の相補回路を構成するＮチャネル型電界効果型トランジスタおよびＰチャネル型電界効果型トランジスタが含まれ、前記第１の相補回路の駆動電圧が前記第２の相補回路の駆動電圧よりも小さい電気光学装置において、Ｎチャネル型電界効果型トランジスタでドレイン・ソース間に所定の一定電圧Ｖds-Ｎchを印加したときのドレイン・ソース間抵抗をチャネル幅で割った値が所定の値Ｒon-offとなるときのゲート電圧をＶon-off-Ｎchとし、Ｐチャネル型電界効果型トランジスタでドレイン・ソース間に所定の一定電圧Ｖds-Ｐchを印加したときのドレイン・ソース間抵抗をチャネル幅で割った値が所定の値Ｒon-offとなるときのゲート電圧をＶon-off-Ｐchとしたとき、回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄが以下の式Ｖon-off-ｄ  ＝  ｜（Ｖon-off-Ｎch）−（Ｖon-off-Ｐch）｜
で表されるとき、前記第１の相補回路の前記回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄ１が前記第２の相補回路の前記回路動作面でのしきい値電圧の差の絶対値Ｖon-off-ｄ２よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。