(57)【要約】      （修正有）【課題】  半導体チップと配線間の寸法を小さくし、チップ搭載率を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】  絶縁性の支持基板の表面に半導体チップ１を搭載し、半導体チップの電極と支持基板表面に形成された配線６とをボンディングワイヤ５で接続し、配線に連続する外部接続用電極が支持基板の裏面側に露出し、半導体チップを搭載した支持基板の表面を封止樹脂で封止した半導体装置において、半導体チップは、配線とほぼ同じ厚さの搭載部上に、絶縁性樹脂および接着部材４を介して接着され、配線と搭載部との間に露出する支持基板に封止樹脂が接するように樹脂封止されている。また半導体チップが、配線上にオーバーハングする構造とすることも可能である。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の支持基板の表面に半導体チップを搭載し、該半導体チップの電極と前記支持基板の前記表面に形成された配線とをボンディングワイヤで接続し、該配線に連続する外部接続用電極が前記支持基板の裏面側に露出し、前記半導体チップを搭載した前記支持基板の前記表面を封止樹脂で封止した半導体装置において、
前記半導体チップは、前記配線から分離しかつ前記支持基板表面の一部を露出して配置された前記配線とほぼ同じ高さの搭載部上に、絶縁性樹脂および接着部材を介して接着され、前記配線と前記搭載部との間に露出する前記支持基板表面に前記封止樹脂が接するように樹脂封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップは前記搭載部の各方向の大きさより大きく、前記半導体チップの裏面と前記配線との間隙に前記封止樹脂が充填され、かつ前記配線と前記搭載部との間に露出する前記支持基板表面に前記封止樹脂が接するように樹脂封止されていることを特徴とする半導体装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、絶縁性の支持基板上に、絶縁性樹脂および接着部材を用いて半導体チップを搭載し、樹脂封止してなる半導体装置に関し、特にチップ搭載率を向上させた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化の要請に伴って、チップ搭載率（半導体装置の面積に占める半導体チップの面積の割合）の向上が求められている。支持基板上のチップ搭載部に、接着部材であるペーストまたはフィルム等を用いて半導体チップを搭載する半導体装置においては、チップ搭載率を向上させるため、チップ搭載位置の位置合わせ、接着部材であるペースト塗布量、フィルムサイズ、これらの位置合わせなどを精度良く行うことが求められている。
【０００３】
図３はこの種の一般的な半導体装置の説明図である。図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図３に示すように、半導体チップ１は、支持基板２上のチップ搭載部３にペーストまたはフィルムからなる接着部材４を用いて接着され、ボンディングワイヤ５によって半導体チップ１上の電極（図示は省略）と支持基板２の半導体チップ１が搭載された表面に形成された配線６が電気的に接続されている。配線６は支持基板２裏面側に延出する外部接続用電極７に接続している。半導体チップ１の電極と配線６をボンディングワイヤ５で接続した後、支持基板２の表面は、封止樹脂８によって樹脂封止されている。
【０００４】
このような半導体装置において、半導体チップ１を支持基板２上の搭載部３に精度良く接着するには、通常画像アライメントを実施しながら作業する位置合わせ精度の高い装置が用いられる。しかし、半導体チップ１や接着部材４が、配線６と接触しないようにするため、配線６と半導体チップ３の間隔を０．１５〜０.３ｍｍ程度とするのが一般的であった。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置では、支持基板２上に形成される配線２の長さを０.２〜０.４ｍｍと設定した場合、半導体装置端から半導体チップ１までの寸法は、半導体チップ１と配線６間の寸法（０.１５〜０.３ｍｍ）を合算した０.３５〜０.７ｍｍとなる。したがって、最大搭載可能なチップサイズは、半導体装置の外寸から両端で０.７〜１.４ｍｍ程度小さいものとなり、チップ搭載率が低かった。
【０００６】
本考案は、半導体チップ１と配線６間の寸法を小さくし、チップ搭載率を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本願請求項１に係る考案は、絶縁性の支持基板の表面に半導体チップを搭載し、該半導体チップの電極と前記支持基板の前記表面に形成された配線とをボンディングワイヤで接続し、該配線に連続する外部接続用電極が前記支持基板の裏面側に露出し、前記半導体チップを搭載した前記支持基板の前記表面を封止樹脂で封止した半導体装置において、前記半導体チップは、前記配線から分離しかつ前記支持基板表面の一部を露出して配置された前記配線とほぼ同じ高さの搭載部上に、絶縁性樹脂および接着部材を介して接着され、前記配線と前記搭載部との間に露出する前記支持基板表面に前記封止樹脂が接するように樹脂封止されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また本願請求項２に係る考案は、請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップは前記搭載部の各方向の大きさより大きく、前記半導体チップの裏面と前記配線との間隙に前記封止樹脂が充填され、かつ前記配線と前記搭載部との間に露出する前記支持基板表面に前記封止樹脂が接するように樹脂封止されていることを特徴とするものである。
【考案の効果】
【０００９】
本考案の半導体装置は、半導体チップ１と配線６間の寸法を小さくすることができ、チップ搭載率の向上を図ることができる。
【００１０】
また本考案の半導体装置では、封止樹脂８が配線６と半導体チップ１との間に露出する支持基板２との間の狭い隙間に接する構造となり、アンカー効果により、封止樹脂８と支持基板２との接着を強くすることができる。
【００１１】
さらにまた、半導体チップ１と接着部材４との接合面に剥離（亀裂）が生じた場合でも、その亀裂は、配線６と半導体チップ１の間を埋めて支持基板２に接合している封止樹脂８によって、ボンディングワイヤ５と配線６との接合部まで延びていくことがなくなり、断線故障を大幅に少なくできるという利点もある。また、配線６とチップ搭載部３の間に凹部を備える構造となるため、半導体チップ３を押圧した際、滲み出てくる接着部材４が凹部内に流れ込み、凹部をダム部として機能させることができるといる利点もある。
【００１２】
また半導体チップ１は、チップ搭載部３に搭載部材９上を被覆した絶縁性樹脂１０および接着部材４の厚さに相当する分だけ配線６の表面より高い位置に搭載される。このため、半導体チップ１を接着する際、位置ずれが生じても、半導体チップ１が配線６と接触することはなく、半導体装置端から半導体チップ３までの寸法を小さく設定することができる。さらに、半導体チップ１を配線６上にオーバーハングさせることも可能となり、よりチップ搭載率を向上できるという利点がある。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本考案の実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１に本考案の第１の実施例を示す。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図１に示すように、半導体チップ１は、支持基板２上のチップ搭載部３に配置し、絶縁性樹脂１０で被覆した搭載部材９上に、ペーストまたはフィルムからなる接着部材４を用いて接着されている。半導体チップ１上の電極（図示は省略）と支持基板２の半導体チップ１が搭載された表面に形成された配線６は、ボンディングワイヤ５によって電気的に接続されている。配線６は支持基板２裏面側に延出する外部接続用電極７に接続している。半導体チップ１の電極と配線６をボンディングワイヤ５で接続した後、支持基板２の表面は、封止樹脂８によって樹脂封止されている。
【００１５】
ここで搭載部材９は、支持基板を作製する通常の製造工程を利用して配線６と同じ導電性の材質、例えば銅材等で同時に形成することができる。絶縁性樹脂１０は、例えば支持基板を製作する通常の製造工程で使用するエポキシ樹脂からなるレジストを用いることができる。
【００１６】
本考案の半導体装置は、搭載部材９と配線６との隙間に支持基板２が露出し、凹部が形成される。この凹部は、半導体チップ１が接着部材４を塗布した搭載部材９上に押圧された際、余分な接着部材４のダム部として機能する。また封止樹脂において、この凹部内に入り込んだ封止樹脂は、アンカーとしての機能を発揮し、接着性を向上させる効果もある。
【００１７】
本考案の半導体装置では、厚さ０．０５〜０．１ｍｍの絶縁性樹脂１０を形成した場合、凹部の幅が０．１〜０．２ｍｍ程度の大きさで、図３に示した従来例とチップ搭載率が同一となる。しかし本考案では、半導体チップ１は、絶縁性樹脂１０および接着部材４の分（２０〜４０μｍ程度）だけ、配線６表面の高さより高くなっていることと、配線６とチップ搭載部３の間の凹部が接着部材のダム部として機能するため、図３に示した従来例の半導体チップ１より大きな半導体チップ１を搭載することが可能となる。従って、本考案の半導体装置は、従来の半導体装置に比べてチップ搭載率を高くできることがわかる。
【００１８】
また、搭載する半導体チップ１の回転や位置のズレ、絶縁性樹脂１０、接着部材４の塗布量、塗布位置などの余裕度が広がることとなり、従来チップ搭載率を向上させる場合に必要であった画像アライメントを実施しながら作業する高精度の組立技術が必要なくなる。
【００１９】
さらにまた半導体チップ１と接着部材４との接合面が剥離（亀裂）するという故障が生じた場合、配線６と半導体チップ１の間（凹部）を埋めて支持基板２に接合している封止樹脂１０によって、亀裂がボンディングワイヤ５と配線６との接合部まで延びていくことがなくなり、断線故障が大幅に少なくなった。
【実施例２】
【００２０】
図２に本考案の第２の実施例を示す。上述の第１の実施例と比較して、搭載する半導体チップ１の大きさが、搭載部材９より大きく、チップ搭載率を大幅に向上している点が相違している。この場合にも半導体チップ１の裏面の高さは配線６の表面よりも２０〜４０μｍだけ高くなるので、半導体チップ１を配線６上に容易にオーバーハングさせることができる。この方法によれば、半導体装置端から半導体チップ１端までの寸法は、０.２〜０．４ｍｍ程度、あるいはそれ以下にすることができ、少なくとも、従来例の半導体チップ１と配線６との間の寸法分は半導体装置を小さくすることができる。
【００２１】
封止樹脂８はオーバーハングした半導体チップ１の裏面と配線６との間隙を充填し、かつ配線６と搭載部材９との間に露出する支持基板２に接するように封止される。この結果、前述したように半導体チップ１と接着部材４との間に剥離（亀裂）が生じた場合でもその亀裂がボンディングワイヤ５と配線６との接合部まで延びていくことはなく、断線故障を回避することができ、特に本実施例の構造では効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本考案の第１の実施例の半導体装置の説明図である。
【図２】本考案の第２の実施例の半導体装置の説明図である。
【図３】従来の半導体装置の説明図である。
【符号の説明】
【００２３】
１：半導体チップ、２：支持基板、３：チップ搭載部、４：接着部材、５：ボンディングワイヤ、６：配線、 ７：外部取り出し電極、８：封止樹脂、９：搭載部材、１０：絶縁性樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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