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【事件の表示】
　平成　３年特許願第２０２３７２号「横型反応装置と半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　２月　５日出願公開、特開平　５−　２９３０４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年７月１７日に特許出願されものであって、その請求項１、２に係る発明（以下、「本願発明１、２」という）は、平成１２年３月１日付け及び平成１２年６月２０日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】反応管内に半導体ウェハを、該反応管内周面との間の上側のクリアランスｄ１と、該反応管内周面との間の下側のクリアランスｄ２との比ｄ１：ｄ２が１：２乃至８に上記半導体ウェハが反応管内に配置されるようにしてなることを特徴とする横型反応装置。
【請求項２】反応管内に半導体ウェハを、該反応管内周面との間の上側のクリアランスｄ１と、該反応管内の内周面との間の下側のクリアランスｄ２との比ｄ１：ｄ２が１：２乃至８になるように配置して該半導体ウェハに処理を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．原査定の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、「本願の請求項１に係る発明は、その出願前に頒布された引用刊行物である特開昭６２−２２４０３０号公報に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　
３．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開昭６２−２２４０３０号公報（以下、引用例という）には次の事項が記載されている。
　
（１−１）特許請求の範囲には、
「半導体ウエハ表面上に低温酸化膜を形成する時に用いる横型減圧ＣＶＤ装置の半導体ウエハボートにおいて、断面形状が半円筒形の形状をとることを特徴とする半導体ウエハボート。」が記載されている。
　
（１−２）第１頁左下欄１４行〜右上欄１行および図５には、
「〔従来の技術〕従来の減圧ＣＶＤ装置の低温酸化膜用半導体ウエハボートは、第３図に示す通り、膜厚分布の向上を図るために半導体ウエハホルダ３４を用いたり、第５図に示す通り、半導体ウエハボートふた５５を用いた円筒形ウエハボートが用いられていた。」が記載されている。
　
（１−３）第２頁右上欄第４行〜左下欄第１行および第１、２図には、
「〔実施例〕第１図は本発明の実施例を示す半導体製造装置反応管の軸に垂直な方向の断面図である。また、第２図は同じく反応管の軸に平行な方向の断面図である。
　低温酸化膜の膜厚分布は、半導体ウエハ１２の間隔ｄ及び、半導体ウエハ１２の外縁から反応管１３又は半導体ウエハボート１１の内壁までの距離ｌに依存する、ｄを一定にしてｌを変化させていくと、ｌが小さいうちは半導体ウエハの中央部の膜厚が外周部に比べて厚くなり、ｌを大きくすると外周部の膜厚が中央部に比べて厚くなる。ｌを適当な値にすることにより膜厚分布は向上する。
〔発明の効果〕以上述べたように発明によれば、半導体ウエハ１２をガス流に対して垂直に保てるため、半導体１２面上の低温酸化膜の膜厚分布の再現性・制制性の向上が図れる（制制性は制御性の誤記であると認める）。」が記載されている。
　
（１−４）１、２図には、
　断面が円形の横型反応管１３が記載されている。
　
４．当審の判断
〈対比〉
　本願発明１と引用例に記載の発明とを対比するに、まず、引用例の記載事項（１−１）〜（１−４）を総合すれば、引用例には、断面が円形の横型反応管１３を用い、半導体ウエハ１２の表面に膜を形成する際、その膜厚分布は、半導体ウエハ１２の間隔を一定にしたとき、外縁から反応管１３または半導体ウエハボート１１の内壁までの距離ｌに依存性があること、すなわち、半導体ウエハの間隔ｄを一定にして半導体ウエハ１２の外縁から反応管１３または半導体ウエハボート１１の内壁までの距離ｌを変化させていくと、ｌが小さいうちは半導体ウエハの中央部の膜厚が外周部に比べて厚くなり、ｌを大きくすると外周部の膜厚が中央部の膜圧に比べて厚くなることを見いだし、ｌを適当な値にすることにより当該膜厚分布を向上させた点が記載されている。
　
　そして、引用例に記載された発明（以下、引用発明という）の「横型反応管１３」、「半導体ウエハ１２」は、本願発明１の「反応管１」、「半導体ウェハ５」に夫々相当するから、両者は、「反応管内に半導体ウェハを配置した横型反応装置」で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点
　本願発明１が「応管内周面との間の上側のクリアランスｄ１と、該反応管内周面との間の下側のクリアランスｄ２との比ｄ１：ｄ２が１：２乃至８に上記半導体ウェハが反応管内に配置」としているのに対し、引用発明では、この点が明らかでない点。
　
〈判断〉
　そこで上記相違点について検討する。
　
　引用発明は、前記したように横型反応装置に係るものであるところ、「半導体ウエハの間隔ｄを一定にして半導体ウエハ１２の外縁から反応管１３または半導体ウエハボート１１の内壁までの距離ｌを変化させていくと、ｌが小さいうちは半導体ウエハの中央部の膜厚が外周部に比べて厚くなり、ｌを大きくすると外周部の膜厚が中央部の膜圧に比べて厚くなることを見いだし、ｌを適当な値にすることにより当該膜厚分布を向上させた」との記載があるから、膜厚分布の向上を目的としてｌの値を調整することは、当業者が当然に行うことと認められ、そして、その調整した結果として、半導体ウエハ１２の上部外縁から反応管上部内壁との距離と、半導体ウエハ１２の下部外縁から反応管下部内壁との距離との比が１：２〜８になることを確認することは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　そうすると、上記相違点は、引用例１の記載から当業者が容易に想到しうるものであり、しかも、上記相違点を本願発明１の構成として備えることによる効果も当業者が当然予測しうる程度のものである。
　してみると、本願発明１は、その出願前に頒布された引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明２について検討するまでもなく本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　３年特許願第１２４２２５号「磁気ディスク装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成　４年１２月　７日出願公開、特開平　４−３５１７６４、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明
　本願は、平成３年５月２９日の出願であって、その請求項１，２に係る発明は、平成１２年１１月１日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりのものであると認める。（以下、「本願発明１，２」という。）
「【請求項１】
　データを磁気記憶するデータ記憶媒体と、磁気ディスク処理装置のと間の命令、実行結果及びデータの受け渡しを行う磁気ディスク処理装置インタフェース手段と、この磁気ディスク処理装置インタフェース手段を通じて受取った命令を解読し実行結果を前記磁気ディスク処理装置に対して送るマイクロプロセッサと、このマイクロプロセッサの指示により前記データ記憶媒体との間のデータの受け渡しを行うデータ書込読出制御手段と、前記マイクロプロセッサの指示により前記磁気ディスク処理装置インタフェース手段と前記データ書込読出制御手段との間のデータ転送制御を行うデータ転送制御手段とを備えた磁気ディスク装置において、不揮発性の記憶手段と、前記マイクロプロセッサの指示により前記記憶手段の書込読出制御及びアドレス制御を行うメモリ制御手段と、前記データ転送制御手段からの前記データ記憶媒体へ書き込む各ヘッドのシリンダー方向における同一領域の書込データと前記記憶手段から読み出す前記書込データの領域に対応する読出データとを前記マイクロプロセッサの指示により演算して演算結果を前記記憶手段への書込データとする演算手段とを含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
　前記記憶手段はバッテリバックアップ付の揮発性メモリであることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭５９−４３４５７号公報（昭和５９年３月１０日出願公開、以下「引用例１」という）には、
「データバッファ８から磁気ディスク１へのデータを転送の際に、ＣＰＵ４が加算器３を起動させて内部バス上を転送されたデータの加算値を得、次のステップでデータを書き込んだ磁気ディスクのセクタに対応する不揮発メモリ６の領域に上記加算値を格納する、磁気ディスク装置。」
が記載されている。
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平２−２５７４０１号公報（平成２年１０月１８日出願公開、以下「引用例２」という）には、
「外部から送信された１バイト（８ビット）巾ライトデータにパリティデータ（１ビット）を付加する主制御部１４と、８トラックデータ面及び１トラックパリティ面を有する磁気面に前記１バイト巾ライトデータ及びパリティデータを記録するライトコントロール１２及び９トラックライトアンプ９を有する、磁気ディスク装置。」
が記載されている。
　
３．対比、判断
　本願発明１と引用例１，２記載の発明とを対比すると、本願発明１の構成要素である、「データ記憶媒体へ書き込む各ヘッドのシリンダー方向における同一領域の書込データ」と「記憶手段から読み出す前記書込データの領域に対応する読出データ」とを「演算して演算結果を前記記憶手段への書込データとする」ことは、引用例１，２には記載されていない。
　そして、前述のごとく、データが読み出され、さらにデータ記憶媒体への書込データと前記読出データとの演算結果が書き込まれる前記「記憶手段」として「不揮発性の記憶手段」を用いることにより、本願の明細書記載の作用効果を奏するものと認められる。
　
４．むすび
　以上の理由により、本願発明１は引用例１，２記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。同様の理由により、本願発明２も、引用例１，２記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第３３０５１０号［平成　６年　３月２５日出願公開、特開平　６−　８５４８８］「電磁波シールド用ガスケット」拒絶査定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成４年１２月１０日（優先日：平成４年７月１５日、出願番号：平成４年実用新案登録願第４９６９９号）の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１２年４月１１日付け、及び平成１３年１０月１２日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　弾性材と凹凸を繰り返す導電性シ−トとを接着により層状に積層してなることを特徴とする電磁波シ−ルド用ガスケット。（以下、「本願発明」という。）」　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用例
　これに対し、本願出願の優先日前に頒布された刊行物である実願昭６２−１３６７５３号（実開昭６４−４４６９９号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、
（ア）「導電性を有する複数のゴムシ−トの間にアモルファス合金箔が挟まれた積層体からなることを特徴とする磁気、電磁波及び静電気のシ−ルド材。」（実用新案登録請求の範囲）
（イ）「導電性ゴムシ−トとアモルファス合金箔を交互に任意の数重ね合わせることができる。また、ゴムシ−トとアモルファス合金箔とは接着剤で接合することが好ましい。・・《中略》・・本考案のシ−ルド材の効果の具体例を以下に示す。２枚の導電性ゴムシ−ト（各０．５ｍｍ厚）と１枚の銅メッキ（０．５μｍ厚）せるアモルファス合金箔（２５μｍ厚）とから第１図に示す積層構造をもつシ−ルド材を作成した。」（明細書第７頁第７〜２０行）
と記載されている。
　また、本願出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１−１６５２００号公報（以下、「引用例２」という。）には、
（ウ）「銅箔等の金属箔の少なくとも片側面に、熱硬化性樹脂組成物を含浸させてなる不織布製基材（樹脂含浸不織布性基材）を用いることにより、熱プレスの際、当該不織布製基材が上記金属箔に微少な凹凸形状を付与し、この形状変化が上記金属箔と樹脂含浸不織布製基材との密着性を著しく改善し」（公報第３頁右上段第１７行〜同頁左下段第３行）
（エ）「吸収体によって熱エネルギ−に変換させることができなかった入射波を、本発明の電磁波シ−ルド用積層板における金属箔の凹凸により、再度、散乱させて反射及び透過エネルギ−密度を低下させることができ、効果的な電波吸収体とすることができる」（公報第３頁左下段第１８行〜同頁右下段第３行）
と記載されている。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された事項を対比すると、後者の「導電性ゴムシ−ト」及び「銅メッキせるアモルファス合金箔」は、前者の「弾性材材」及び「導電性シ−ト」に相当する。
　そうすると、両者は、
　「弾性材と導電性シ−トとを接着により層状に積層してなる電磁波シ−ルド材。」の点で一致し、次の点で相違している。
　相違点１
　導電性シ−トを、本願発明では、凹凸を繰り返す構成としているのに対し、引用例１に記載されたものでは、凹凸を繰り返す構成に関しては言及していない点。
　相違点２
　電磁波シ−ルド材として、本願発明では、電磁波シ−ルド用ガスケットに特定しているのに対し、引用例１に記載されたものでは、ガスケットに関しては言及していない点。　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．当審の判断
　相違点１について
　引用例２における、上記２．（ウ）として摘記した「銅箔等の金属箔の少なくとも片側面に、熱硬化性樹脂組成物を含浸させてなる不織布製基材（樹脂含浸不織布性基材）を用いることにより、熱プレスの際、当該不織布製基材が上記金属箔に微少な凹凸形状を付与し」の記載は、非金属材と金属箔を積層した電磁波シ−ルド材において、凹凸形状を有する金属箔により密着性及び電磁吸収の向上を図ることを示唆したものといえる。また、導電性金属板の表面に凹凸を設けて電磁波の散乱性を良くして、電磁ノイズを軽減することは、実願昭６０−１２３５８１号（実開昭６２−３２５９８号）のマイクロフィルムに記載の如く、周知技術である。
　したがって、引用例１に記載された導電性シ−トとしての銅メッキせるアモルファス合金箔に関して、引用例２の上記示唆及び前記周知技術に基づいて、上記相違点１に係る本願発明と同様の構成とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　相違点２について
　電磁波シ−ルド材の通常の用途の一つとしてガスケットがあることは、従来から周知（例えば、特開平２−５０４９８号公報、特開平２−１９１３９９号公報、実願昭６３−６３４１８号（実開平１−１６７０９５号）のマイクロフィルムを参照されたい。）であるので、引用例１に記載された電磁波シ−ルド材に関して、上記周知の用途を選択して、上記相違点２に係る本願発明と同様の構成とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　そして、本願発明の効果について検討しても、引用例１及び２に記載されたもの及び前記周知技術から、当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものとはいえない。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　したがって、本願発明は、当業者が、本願出願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１及び２に記載されたものに基づいて、容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　３年特許願第２９０７１７号「超高曲靭性ＰＣ杭」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月２０日出願公開、特開平　５−　９８６３８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成３年１０月９日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年３月１７日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】　中空円筒状をなし、肉厚内に長手方向に向けて埋設したＰＣ鋼材からなる縦筋によってプレストレスが付与され、かつ、前記縦筋と杭本体外周面との間に円周方向に多数のリング状もしくは螺旋状配置の横拘束筋を備えてなる超高曲靱性ＰＣ杭において、前記縦筋の一様伸びが３％以上で、かつ、縦筋のコンクリートに対する付着力を３０ｋｇｆ以上としたことを特徴としてなる超高曲靱性ＰＣ杭。」
　　
２．引用例の記載事項
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に国内において頒布された刊行物である、特開昭６２−２８０４１８号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「（１）プレテンション工法、またはポストテンション工法によって、予め遠心力成形された中空円筒コンクリート体にプレストレスを導入するプレストレストコンクリートくい体において、ＰＣ鋼材である縦筋群の外周に接して、または、縦筋群の外周と中空円筒コンクリート体の外周との間に縦筋群および中空コンクリート体の外周とは接触しない状態で、……円環状またはスパイラル状のコンクリート横拘束筋を配置し、曲げモーメント、または、軸力と曲げモーメントとを同時に受けて曲げ破壊に至るまでの曲げ変形能力（曲率）を、横拘束筋を配置しない通常の遠心力成形プレストレストコンクリートくいのそれの少なくとも２倍以上に改善したことを特徴とする高曲げ、超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体。
（２）上記高曲げ、超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体において、従来慣用のＰＣ鋼材の一様伸びが１．５〜２％程度であるのに対し、一様伸びが少なくとも３％以上の高一様伸びＰＣ鋼材を用いることによって、横拘束によるコンクリートの圧縮変形改善と相倣って、くい体の曲げ破壊に至るまでの曲げ変形能力（曲率）を、……改善したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高曲げ、超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体。」（特許請求の範囲）
の記載がある。
　以上の記載並びに第１図及び第３図によれば、引用例１には、
「中空円筒状をなし、肉厚内に長手方向に向けて埋設したＰＣ鋼材からなる縦筋によって、プレストレスが付与され、かつ、前記縦筋と中空円筒コンクリート体の外周との間に円周方向に多数の円環状もしくはスパイラル状の横拘束筋を備えてなる超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体において、縦筋の一様伸びが３％以上である超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体」
なる発明が記載されているものと認められる。
　
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に国内において頒布された刊行物である、特開昭６３−１７１９４８号公報（以下、「引用例２」という。）には、
　ａ「この発明はコンクリートパイル或いはコンクリート管状製品等に用いる籠型鉄筋に関するものである。」（１頁左下欄１７〜１９行）、
　ｂ「従来の籠型鉄筋では、各鉄筋が表面が平滑な丸棒状であるため，鉄筋とコンクリートの接触面積が少ないので両者の結合が充分でなく、土圧に対する強度において問題がある。……この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、籠型鉄筋の螺旋筋のみ、又は螺旋筋と縦筋の両方を、表面に凹凸模様を有するものとして土圧に対する強度や推進工法に用いた場合に於ける軸方向の強度を向上させたものである。」（１頁右下欄１２行〜２頁２行）、
　ｃ「この発明は上記のように籠型鉄筋の螺旋筋の表面に凹凸模様を設けたので、螺旋筋とコンクリートの接触面積が著しく大きくなる。そのため、螺旋筋とコンクリートの結合力が大となり、横方向の荷重に対する強度が向上するので地中に埋設した場合、地上から加わる土圧に対して充分に耐えることができる。又、地震等による上下方向の荷重に対しても破損のおそれが少なくなる。更に、螺旋筋と縦筋の両方の表面に凹凸模様を設けた発明では軸方向の強度も飛躍的に向上し、」（２頁右上欄９〜１９行）
の記載がある。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「中空円筒コンクリート体の外周」、「円環状もしくはスパイラル状の」及び「超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体」は、それぞれ本願発明の「杭本体外周面」、「リング状もしくは螺旋状配置の」及び「超高曲靱性ＰＣ杭」に相当するから、両者は、
「中空円筒状をなし、肉厚内に長手方向に向けて埋設したＰＣ鋼材からなる縦筋によってプレストレスが付与され、かつ、前記縦筋と杭本体外周面との間に円周方向に多数のリング状もしくは螺旋状配置の横拘束筋を備えてなる超高曲靱性ＰＣ杭において、前記縦筋の一様伸びが３％以上である超高曲靱性ＰＣ杭」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点
　本願発明では、縦筋のコンクリートに対する付着力を３０ｋｇｆ以上としたのに対し、引用例１記載の発明では、縦筋のコンクリートに対する付着力が不明である。
　
　そこで上記相違点について検討する。
　引用例２には、コンクリートパイル又はコンクリート管状製品等に用いられる縦筋に凹凸模様を設け、コンクリートとの結合力を大きくし、言い換えれば、縦筋のコンクリートに対する付着力を大きくし、強度を向上させるという技術事項が記載されている。本願発明では、その付着力を３０ｋｇｆ以上としたものであるが、付着力をどの程度にするのかは、杭に求められる強度に応じて決められる事項であり、また、明細書の記載からみて、本願発明において付着力を３０ｋｇｆ以上としたことに格別の技術的意義は認められない。そして、鉄筋コンクリート杭において、杭の強度を高めることは、常に要請されている課題であり、引用例１記載の超高曲げ靱性遠心力成形プレストレストコンクリートくい体においても同様である。また、引用例２記載の技術事項を引用例１記載の発明に適用できないという技術的理由も存在しないから、引用例１記載の発明に、引用例２記載の技術事項を適用し、その際、付着力の大きさを３０ｋｇｆ以上として相違点における本願発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　しかも、本願発明が奏する効果も、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術事項から当業者が予測し得たものであって、格別のものとは認められない。
　したがって、本願発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第２１７３０６号「文章作成支援装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　３月３１日出願公開、特開平　４−　９８５６８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年８月１７日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１２年６月２６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「文章を作成するための文章作成支援装置において，
　第一の言語の言語的にまとまりのある単位とそれに対応する第二の言語で表現されたものを格納した対訳データ群を階層構造化して保持し，対訳データ群の各データに対して類語となるデータを格納した類語インデックスを格納した対訳データ格納部と，
　文字列入力または複数の検索結果から１つを選択入力する入力手段と，
　入力された言語的にまとまりのある単位に関連する情報を前記対訳データ格納部から検索する対訳データ検索部と，
　検索された情報を表示する表示手段とを備え，表示された検索結果からさらに階層構造化された下位レベルの情報を得ることを特徴とする文章作成支援装置。」
　
２．引用例記載の発明             
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平１−２１７５６６号公報（以下、「引用例」という。）には、次のような技術的事項が記載されている。
（イ）「文書作成に必要な情報を入力する為の入力手段と、
　文書作成に必要な情報を表示する為の表示手段と、
　文書情報の記録を行う記録手段と、
　文書情報を記憶する記憶手段と、
　推敲語句を格納する辞書手段と、
　他国語の語句より、自国語の推敲語句を検索する検索手段と、
　前記辞書検索の結果を表示する結果表示手段とを有することを特徴とする文字処理装置。」（特許請求の範囲）
（ロ）「第２図は、辞書部３の構成を示す図であり、索引部３１は三文字インデックスと、その見出しで始まる単語のアドレスで構成される。
（中略）
　３２は推敲語句部であり、見出し語（基本形）と、推敲語句（類義語、反対語、関連語等）を格納した集まりである。
　第４図にその基本形式、第５図にその格納例を記す。
　以上の構成より成る本実施例の動作を第６図のフローチャートを参照して説明する。
　Ｓ１では他国語の単語入力を行う。例えば第７図に示すような他国語入力画面を表示して、ユーザにキーボードから語句の入力を行わせる。
（中略）
　Ｓ５では、Ｓ４にて確定された見出しの推敲語句を例えば、第８図に示すように画面表示する。
　また、ユーザが表示された推敲語句のどれかを選択するといった操作を行うことにより、編集（翻訳等）中の文書への組み込みも行う。」（公報第２頁右上欄第１９行目〜右下欄第１６行目）
　ここで、上記（ロ）の「Ｓ５では、Ｓ４にて確定された見出しの推敲語句を例えば、第８図に示すように画面表示する。
　また、ユーザが表示された推敲語句のどれかを選択するといった操作を行うことにより、編集（翻訳等）中の文書への組み込みも行う。」との記載からみて、上記「文字処理装置」は、「文章作成支援装置」であるといえる。
　また、上記「辞書手段」は、他国語を自国語に翻訳するものであるから、他国語の語句とそれに対応する自国語で表現されたものを格納した対訳データ群を保持していることが、明らかである。
　そうすると、上記引用例には、
　文章を作成するための文章作成支援装置において，他国語の語句とそれに対応する自国語で表現されたものを格納した対訳データ群を保持し、対訳データ群の各データに対して類義語となるデータを格納した辞書手段と，文字列入力する入力手段と，入力された語句に関連する情報を前記辞書手段から検索する検索手段と，検索された情報を表示する表示手段とを備える文章作成支援装置、
が記載されているといえる。
　
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「前者」という。）と上記引用例に記載された発明（以下、「後者」という。）とを対比すると、
　後者の「他国語」及び「自国語」は、前者の「第一の言語」及び「第二の言語」に相当する。
　また、後者の「語句」、「類義語」、及び「辞書手段」は、それぞれ、前者の「言語的にまとまりのある単位」、「類語」、及び「対訳データ格納部」に相当する。
　また、後者の「検索手段」は、対訳データを検索するものであるから、前者の「対訳データ検索部」に相当することが、明らかである。
　そうすると、両者は、
　文章を作成するための文章作成支援装置において，第一の言語の言語的にまとまりのある単位とそれに対応する第二の言語で表現されたものを格納した対訳データ群を保持し、対訳データ群の各データに対して類語となるデータを格納した対訳データ格納部と，
　文字列入力する入力手段と，入力された言語的にまとまりのある単位に関連する情報を前記対訳データ格納部から検索する対訳データ検索部と，検索された情報を表示する表示手段とを備える文章作成支援装置、
である点で一致し、次の点で相違している。
　対訳データ格納部の構成、及び該対訳データ格納部の検索に関して、前者では、対訳データ格納部は、対訳データ群を階層構造化して保持し，対訳データ群の各データに対して類語となるデータを格納した類語インデックスを格納していて、対訳データ格納部から対訳データを検索し、検索された情報を表示手段に表示し、表示された検索結果からさらに階層構造化された下位レベルの情報を得るようにしているのに対して、後者では、対訳データ格納部は類語となるデータを格納しているが、階層構造になっておらず、検索された検索結果からさらに階層構造化された下位レベルの情報を得るようにはなっていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、
　辞書等の検索対象データベースにおいては、利用者が必要とする情報だけを正確に検索できるように、該検索対象データベースを階層構造化することが本願の出願前周知（例えば、特開平１−９４４８１号公報、特開昭６４−４１０６７号公報等参照）の事項であるから、上記引用例に記載されている対訳データ群を階層構造化して、利用者が必要とする情報だけを正確に検索できるようにすることは、当業者であれば容易に想到することができたものと認められ、類語に関しても、類語を階層構造化した下位の層に格納するようにすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項と認められる。そして、下位の層に格納された類語を検索するには、当然それらが格納されたアドレスを格納したインデックスによりアクセスする構成となることは、明らかなことである。
　したがって、対訳データ格納部に類語インデックスを設けて下位の層に格納された類語を検索表示するようにすること、すなわち、上記相違点において挙げた前者のような構成とすることは、当業者であれば、容易になし得るものと認める。
　また、本願の請求項１に係る発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
　
４．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例に記載された発明、及び本願の出願前の周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　７年特許願第２５６０１９号「半導体光素子接合部の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　９年　４月１５日出願公開、特開平　９−１０２６４９、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．本願発明
　本願は平成７年１０月３日の出願であって、その請求項１に係る発明は、補正された明細書および図面の記載からみてその特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】   ２つの導波型半導体光素子を光学的に接続する突き合わせ結合部の製造方法において、
　半導体基板上に半導体積層構造を形成すると共に該半導体積層構造と接する上部半導体層を形成して半導体レーザからなる第１の導波型半導体素子を形成する工程と、
　前記上部半導体層の一部に絶縁膜を形成する工程と、
　前記上部半導体層の前記絶縁膜で覆われていない部分をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記上部半導体層に対して前記半導体積層構造のみを選択にエッチングするエッチング液を用いて、前記上部半導体層が一部エッチングされた前記第１の導波型半導体素子をエッチングする第２のエッチング工程と、
　前記第２のエッチング工程によりエッチングされた第１の導波型半導体素子が形成されている基板上面側及び前記上部半導体層の裏面側に多重量子井戸構造を有する光変調器からなる第２の導波型半導体素子を成長する工程と、が順次遂行されることを特徴とする半導体光素子接合部の製造方法。」
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物；特開平５−２５９５６８号公報（以下「引用例１」という。）には、
「(1) 半導体基板上に形成した多重量子井戸活性層表面の所定領域に設けた絶縁層をマスクとして化学エッチング(エッチング液 硫酸:過酸化水素:水)によって上記多重量子井戸活性層を基板表面までエッチングし、さらに量子井戸活性層をやや多目にサイドエッチングすることによって凹みを形成する工程、
　(2) 上記工程により得られた基板を硫化アンモニウムを含む水溶液中に所定時間浸漬する工程、
　(3) 次いで、上記多重量子井戸活性層とは異なる半導体導波路層を上記多重量子井戸活性層と光学的に軸を一致させて気相エピタキシャル成長法により接合させる工程、
とからなる変調器付分布帰還型レーザの突き合わせ接合方法。」
の発明が記載されている。（【請求項１】、【０００９】〜【００１４】参照。）
　
　同じく、特開昭６３−１０８３０５号公報（以下「引用例２」という。）には、
「半導体レーザと光導波路を結合する突き合わせ結合部の製造方法において、　基板上に、導波層，活性層，クラッド層，キャップ層からなるレーザ用多層構造を形成する工程、
　前記キャップ層上の一部にＳｉＯ２マスクを付ける工程、
　エッチャント１で前記キャップ層をエッチングし、次にエッチャント２で前記クラッド層をエッチングする工程、
　再びエッチャント１で、前記導波層および活性層を、レーザのキャビティ方向に、クラッド層よりも深くエッチングする工程、
　最後のエッチングによりエッチングされた半導体レーザが形成されている基板上に導波層を有する光導波路を成長する工程、
からなる半導体レーザと光導波路結合部の製造方法。」
の発明が記載されている。（実施例１及び第１図から第５図参照。）
　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１及び引用例２に記載された発明とを対比するに、両引用例は、少なくとも、「２つの導波型半導体光素子を光学的に接続する突き合わせ結合部の製造方法において、半導体基板上に半導体積層構造を形成すると共に該半導体積層構造と接する上部半導体層を形成して半導体レーザからなる第１の導波型半導体素子を形成する工程と、前記上部半導体層の一部に絶縁膜を形成する工程と、前記上部半導体層の前記絶縁膜で覆われていない部分をエッチングする工程と、前記エッチング工程によりエッチングされた第１の導波型半導体素子が形成されている基板上面側に第２の導波型半導体素子を成長する工程と、が順次遂行される半導体光素子接合部の製造方法。」で本願発明と共通する。しかし、両引用例には、本願発明の構成要件である「第２のエッチング工程によりエッチングされた第１の導波型半導体素子が形成されている基板上面側及び前記上部半導体層の裏面側に多重量子井戸構造を有する光変調器からなる第２の導波型半導体素子を成長する工程」が記載されておらず、示唆もされていない。
　そして、本願発明は、上記構成を有することにより、審判請求書の請求の理由に記載された格別の効果を奏するものと認められる。　
　
４．したがって、多重量子井戸構造を有する光変調器が従来周知であるとしても、本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　よって結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第１５４２９８号「半導体レーザ素子」拒絶査定に対する審判事件〔平成　５年１２月１０日出願公開、特開平　５−３２７１２４、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成4年5月20日の出願であって、その発明は、平成11年4月28日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1（以下、本願発明1という。）に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　ｐ型半導体基板上に、下部光閉じ込め層、活性層、上部光閉じ込め層およびクラッド層が順次積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側は半絶縁性半導体埋め込み層で埋め込まれている半導体レーザ素子において、前記メサの底部は、上部光閉じ込め層の上面と下部光閉じ込め層の下面の間にあり、前記半絶縁性半導体埋め込み層はＦｅドープ半絶縁性半導体埋め込み層からなることを特徴とする半導体レーザ素子。」
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例1(特開平4-111378号公報)には以下の事項が記載されている。
「ｎ型ＧａＡｓ基板(31)上に、順次これと同導電型のｎ型のＡｌＧａＩｎＰよりなる下層ガイド層(22A)と、更にこれよりバンドギャップの小さいＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰよりなる活性層(21)と、これに比しバンドギャップの大なるｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなる上層のガイド層(22B)と、さらにこれの上にこれよりバンドギャップの大なる第２導電型のｐ型のＡｌＧａＡｓあるいはＡｌＧａＩｎＰよりなる上層のクラッド層(32B)と、さらにこれの上にｐ型のＧａＡｓよりなるキャップ層(33)を順次ＭＯＣＶＤによって連続エピタキシによって成長させる。
　その後、第２図Ｂに示すように、キャップ層(33)側から活性層(21)を横切る位置まで所要の発振（励起）領域に対応する長さすなわち共振器長に活性層(21)のＧａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰに比してエネルギーバンドギャップが大なるようにＡｌ含有量の選定がなされたＡｌＧａＡｓ層(35)をＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＬＰＥ等によってエピタキシャル成長する。そしてさらに必要に応じてこの層(35)上の凹凸をレジスト等の埋込み材(36)によって埋込んで全体を平坦化してエッチバックすることによって第２図Ｃ中破線ａに示す位置まで表面より平坦エッチングをしてキャップ層(33)が表面に出る位置まで研磨する。
　その後、ＡｌＧａＡｓ層(35)を含んで基板(31)上に形成した各エピタキシャル層(32A)及び(42)を形成して第１図に示す目的とするＡｌＧａＡｓ形成層(35)による窓構造部(23)が形成されたＳＣＨ型の半導体レーザを得る。」（3頁左上欄8行〜同頁左下欄2行）
　同じく、引用例2(特開平4-144294号公報)には以下の事項が記載されている。
「ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型バッファー層、ｎ型下側クラッド層、ｎ型下側光導波路層、量子井戸活性層、ｐ型上側光導波路層、ｐ型上側クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されており、この内コンタクト層、及び上側クラッド層はリブ状に加工され光導波路を形成している。III−V族化合物半導体によって形成される上記光導波路は、II-VI族化合物半導体であるＺｎＳｅによって埋め込まれている。活性層はノンドープ−ＧａＡｓで、その膜厚は50Å(0.005μｍ)である。」（2頁右上欄18行〜同頁左下欄7行）
「本発明の半導体レーザはＡｌＧａＡｓ系以外のレーザ材料、例えばＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＧａＰ系の材料に対しても同様に適用できる。
　また、実施例において各層の導電型をすべて反対にした構造（ｐをｎに、ｎをｐに置き換えた構造）についても同様の効果が期待できる。」（4頁右上欄19行〜同頁左下欄16行）
３．対比・判断
　上記引用例1には、”ｎ型半導体基板上に、下部光閉じ込め層、活性層、上部光閉じ込め層およびクラッド層が順次積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側はＡｌＧａＡｓ半絶縁性半導体埋め込み層で埋め込まれ、前記メサの底部は、上部光閉じ込め層の上面と下部光閉じ込め層の下面の間にある半導体レーザ素子”が記載されているが、本願発明1の”基板がｐ型半導体基板である”及び”メサの両側はＦｅドープ半絶縁性半導体埋め込み層からなる”ことは記載も示唆もされていない。
　また、上記引用例2には、”ｎ型半導体基板上に、下部光閉じ込め層、活性層、上部光閉じ込め層およびクラッド層が順次積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側はＺｎＳｅ又はＺｎＳＳｅの半絶縁性半導体埋め込み層で埋め込まれ、前記メサの底部は、上部光閉じ込め層の上面と下部光閉じ込め層の下面の間にある半導体レーザ素子”が記載されているが、本願発明1の”基板がｐ型半導体基板である”及び”メサの両側はＦｅドープ半絶縁性半導体埋め込み層からなる”ことは記載されていない。
　なお、上記引用例2には、”ｎをｐに置き換えた構造についても同様の効果が期待できる”ことが記載されているが、そのｎをｐに置き換えた際に”メサの両側のＺｎＳｅ又はＺｎＳＳｅの半絶縁性半導体”を、本願発明1のように”Ｆｅドープ半絶縁性半導体”とすることは記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明1は、”基板がｐ型半導体基板である”ときに”メサの両側はＦｅドープ半絶縁性半導体埋め込み層とする”ことにより、電気抵抗を低下することなく全工程をＭＯＣＶＤ法のみでエピタキシャル層を積層して、工程を簡略化できるという作用効果を呈するものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明1は、上記引用例1及び2に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができないから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないとすることができない。
　また他に、本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　７年特許願第２６２４６３号「照明装置及び照明方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　９年　３月２８日出願公開、特開平　９−　８０３１１、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年９月１５日出願の特願平７−２６２４６３号であって、その請求項１〜８に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものと認める。（以下、「本願発明１」、「本願発明２」・・・「本願発明８」という。）
　
２．引用例      
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平４−３０３８２２号公報（以下、「引用例１」という。）には、「透過型表示素子の背面に配置され該透過型表示素子の背面を照射するためのバックライトであって、発散光を発光する光源と、該光源と前記表示素子との間に透過型回折格子機能を有するホログラムとを配設し、更に該ホログラムの表面に光の進行方向を制御するライトコントロールフィルムを配設して、該ホログラムの裏面に入射した前記光源からの発散光を特定方向に透過回折して前記表示素子の背面を照射するようにしたことを特徴とする透過型表示素子用バックライト。」（請求項２）が記載されている。
　
３．対比・判断
　上記の引用例１には、本願発明１の「光源からの光を回折する第１のホログラム及び第１のホログラムで回折された光をさらに回折する第２のホログラムからなり、第１のホログラムは、第２のホログラム面における光強度を均一化するホログラムからなり、第２のホログラムは光を所定方向に回折させるホログラムからなる」の構成が記載されておらず、それらを示唆する記載もない。
　引用例１のライトコントロールフィルムは、「光の進行方向を制御する」との記載はあるが、発明の詳細な説明の段落【００１４】、及び図２の記載から所定角度より大きい入射角で入射する光を遮って透過させないようにするものであり、これを「光を所定方向に回折させるホログラム」に置き換えることは、当業者にとって容易とは言えない。
　さらに、引用例１のホログラムについても、段落【０００９】に「入射した光のうち、ホログラム記録時に用いたレーザ光の波長と等しい波長の光は、ホログラムによって特定方向に透過回折されて透過型表示素子の背面を照射する。このため、表示素子の背面照度の均一性が確保されて、該表示素子面の輝度ムラが少なくなり、透過型表示素子としての表示品位が向上する。」との記載があるが、均一性の具体的記載に欠け、この記載のみからでは、どの程度の均一性が得られるのかが明らかでないので、この「ホログラム」が、本願発明１の「第１のホログラム」に相当するとは言えない。
　本願発明１は、そのような構成を有することにより、明細書に記載された、特有の作用・効果を奏するものと認められる。
　したがって、引用例１のものから、本願発明１をなすことは、当業者にとって容易なことではない。
　
　本願発明２〜４は、本願発明１を直接的、または間接的に引用するものであるので、上記と同様の理由により、引用例１のものから容易とは言えない。
　
　また、上記の引用例１には、本願発明５の「光源から発せられた光を第１のホログラムで回折させ、第１のホログラムで回折した光をさらに第２のホログラムで回折させる照明方法であって、第１のホログラムで第２のホログラム面における光強度を均一化させ、第２のホログラムで光を所定方向に回折させる」の構成が記載されておらず、それらを示唆する記載もない。
  引用例１のライトコントロールフィルムは、「光の進行方向を制御する」との記載はあるが、発明の詳細な説明の段落【００１４】、及び図２の記載から所定角度より大きい入射角で入射する光を遮って透過させないようにするものであり、これを、ホログラムに置き換え「光を所定方向に回折させる」ことは、当業者にとって容易とは言えない。
　さらに、引用例１のホログラムについても、段落【０００９】に「入射した光のうち、ホログラム記録時に用いたレーザ光の波長と等しい波長の光は、ホログラムによって特定方向に透過回折されて透過型表示素子の背面を照射する。このため、表示素子の背面照度の均一性が確保されて、該表示素子面の輝度ムラが少なくなり、透過型表示素子としての表示品位が向上する。」との記載があるが、均一性の具体的記載に欠け、この記載のみからでは、どの程度の均一性が得られるのかが明らかでないので、この「ホログラム」が、本願発明５の「第１のホログラム」に相当するとは言えない。
　本願発明５は、そのような構成を有することにより、明細書に記載された、特有の作用・効果を奏するものと認められる。
　したがって、引用例１のものから、本願発明５をなすことは、当業者にとって容易なことではない。
　
　本願発明６〜８は、本願発明５を直接的、または間接的に引用するものであるので、上記と同様の理由により、引用例１のものから容易とは言えない。
　
４．むすび
　したがって、本願については、原査定の拒絶の理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第１３７３３４号「移動体の無接触給電設備」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１２月１７日出願公開、特開平　５−３３６６０５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年５月２９日の出願であって、その発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである（以下、同項記載の発明を本願発明という。）。
「移動体を案内するレール軌道に沿って高周波電流を流す誘導線路を張設し、前記移動体に、磁性部材に形成したコイルを前記誘導線路に近接して取り付けた移動体の無接触給電設備であって、前記レール軌道を磁界遮断部材で形成し、レール軌道に、前記移動体を案内する機能に、前記誘導線路と前記コイルを前記移動体の移動方向に沿って囲む構成として誘導線路が発生する磁界を遮断する機能を付加したことを特徴とする移動体の無接触給電設備。」
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された実願昭６２−３９９５０号（実開昭６３−１４９１０１号）のマイクロフィルム（以下、引用例という。）に、「第１図は本考案による非接触電力供給装置の実施例を示す斜視図である。この非接触電力供給装置は、第３図に示すと同様に、所定箇所から他の所定箇所まで敷設された搬送レール１を有すると共に、この搬送レール１上を移動する移動架台２を有し、この移動架台２にはワーク３を保持するハンドリング機構４が設けられたクリーンロボット５等に電力を供給するもので、第１図に示すように、電力供給線６と、電力電送部７と、シールド板１１とから成る。」（５頁８行乃至１７行）、「上記電力供給線６には、電力電送部７が往復移動可能に組み合わされている。この電力電送部７は、上記電力供給線６と電磁結合するもので、ドーナッツ形のコア（トロイダルコア）９に二次巻線としてのコイル１０を巻き付け、そのコイル１０の引き出し端部１０ａ、１０ｂは図示外の負荷へ接続されている。」（６頁７行乃至１３行）、「そして、上記シールド板１１は、図示省略の支持部材等により上記電力供給線６の長手方向に沿って固定され、さらに第２図に示すように、適宜の箇所に取り付けられた接地線１２によって接地されている。なお、第２図に示すように、シールド板１１の一側面にはその長手方向に伸びる切欠き孔１３が形成されており、この切欠き孔１３を通って上記電力電送部７を支持するアーム１４及びコイル１０の引き出し端部１０ａ、１０ｂが突出して、負荷側の装置へ接続されている。従って、上記シールド板１１によって、電力供給線６及び電力電送部７から生ずる漏れ磁束を遮断して、外部空間に電磁波が伝播するのを低減することができる。」（７頁１２行乃至８頁５行）と記載されていることが認められ、これらの記載によれば引用例には、「移動架台を案内する搬送レールに沿って高周波電流を流す電力供給線を張設し、前記移動架台に、トロイダルコアに形成したコイルを前記電力供給線に近接して取り付けた移動架台の無接触給電設備であって、前記搬送レールに沿って、前記電力供給線と前記トロイダルコアを前記移動架台の移動方向に沿って囲む構成として電力供給線が発生する磁界を遮断するシールド板を設けた移動架台の無接触給電設備。」との発明（以下、引用例発明という。）が開示されていると認めることができる。
３．対比・判断
　本願発明と引用例発明とを対比すると、引用例１発明の「移動架台」、「搬送レール」、「電力供給線」、「トロイダルコア」、「シールド板」はそれぞれ本願発明の「移動体」、「レール軌道」、「誘導線路」、「磁性部材」、「磁界遮断部材」に相当するから、両者は「移動体を案内するレール軌道に沿って高周波電流を流す誘導線路を張設し、前記移動体に、磁性部材に形成したコイルを前記誘導線路に近接して取り付けた移動体の無接触給電設備であって、前記誘導線路と前記コイルを前記移動体の移動方向に沿って囲む構成として誘導線路が発生する磁界を遮断する磁界遮断部材を設けた移動体の無接触給電設備。」の点で一致し、本願発明がレール軌道を磁界遮断部材で形成し、レール軌道に、移動体を案内する機能に、誘導線路が発生する磁界を遮断する機能を付加したのに対し、引用例発明のレール軌道は移動体を案内する機能のためであって、磁界遮断部材はレール軌道とは別個に形成されている点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　本願発明の上記相違点に係る構成は、換言すればレール軌道と磁界遮断部材を同一の材料で一体的に形成したことをいうものであるが、機能の異なる２つの部材（部品）を同一の材料で一体的に形成することは普通に採用されている技術であって、この周知技術を引用例発明の移動体を案内する機能を有するレール軌道と誘導線路が発生する磁界を遮断する機能を有する磁界遮断部材の形成に適用するに磁界遮断機能を有する材料を選択して足り、また、その適用が困難であるとする技術的理由も見当たらないのであるから、本願発明の相違点に係る構成は当業者が容易に想到できたものというべきである。
　そして、本願発明が奏する「以上説明したように本発明によれば、コイルに起電力が発生し、移動体は走行中にも無接触で給電されることのよって、従来のような通電レールの摩耗、ゴミをなくすことができ、メンテナンスフリーを実現することができる。また誘導線路とコイルを車体の移動方向に沿って磁界遮断部材で囲むことにより、誘導線路が発生する磁界がこの磁界遮断部材で遮断され、よって漏れ磁束による外部への影響を防止でき、さらに可動部分である誘導線路とコイルの部分への異物の混入を防止でき、設備の信頼性を向上することができる。」（段落【００３２】）との作用効果も引用例発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。