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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に多重量子井戸構造の活性層を含む積層構造を備え、活性層を構成する井戸層と基板との格子不整合性が＋２％以上である半導体発光素子において、
活性層を構成する複数層のバリア層のうち少なくとも一つのバリア層の全層又は井戸層に接する領域層が、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪を有する化合物半導体層であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】  基板上に多重量子井戸構造の活性層を含む積層構造を備え、活性層を構成する井戸層と基板との格子不整合性が＋２％以上である半導体発光素子において、
活性層の上下にそれぞれ延在する光ガイド層のうち少なくとも一つの光ガイド層の全層又は活性層に接する領域層が、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪を有する化合物半導体層であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】  基板上に多重量子井戸構造の活性層を含む積層構造を備え、活性層を構成する井戸層と基板との格子不整合性が＋２％以上である半導体発光素子において、
活性層を構成する複数層のバリア層のうち少なくとも一つのバリア層の全層又は井戸層に接する領域層、及び活性層の上下にそれぞれ延在する光ガイド層のうち少なくとも一つの光ガイド層の全層又は活性層に接する領域層が、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪を有する化合物半導体層であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】  井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層は、Ｉｎ及びＡｌの少なくとも一つを構成元素として有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】  井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層は、Ｉｎ及びＡｌの少なくとも一つを構成元素として有することを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項６】  井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層は、Ｉｎ及びＡｌの少なくとも一つを構成元素として有することを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項７】  基板がＧａＡｓ基板であり、井戸層がＧａＩｎＮＡｓ層であって、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層として設けられているバリア層が、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙ Ｉｎｙ Ａｓ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１；但しｘ＝０のときはｙ≠０であり、ｙ＝０のときはｘ≠０）層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】  基板がＧａＡｓ基板であり、井戸層がＧａＩｎＮＡｓ層であって、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層として設けられているバリア層が、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙ Ｉｎｙ Ａｓ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１；但しｘ＝０のときはｙ≠０であり、ｙ＝０のときはｘ≠０）層であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項９】  基板がＧａＡｓ基板であり、井戸層がＧａＩｎＮＡｓ層であって、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層として設けられているバリア層が、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙ Ｉｎｙ Ａｓ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１；但しｘ＝０のときはｙ≠０であり、ｙ＝０のときはｘ≠０）層であることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】  基板がＧａＡｓ基板であり、井戸層がＧａＩｎＮＡｓ層であるとき、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層として設けられている光ガイド層がＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙ Ｉｎｙ Ａｓ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１；但しｘ＝０のときはｙ≠０であり、ｙ＝０のときはｘ≠０）層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】  基板がＧａＡｓ基板であり、井戸層がＧａＩｎＮＡｓ層であるとき、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層として設けられている光ガイド層がＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙ Ｉｎｙ Ａｓ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１；但しｘ＝０のときはｙ≠０であり、ｙ＝０のときはｘ≠０）層であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】  基板がＧａＡｓ基板であり、井戸層がＧａＩｎＮＡｓ層であるとき、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層として設けられている光ガイド層がＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙ Ｉｎｙ Ａｓ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１；但しｘ＝０のときはｙ≠０であり、ｙ＝０のときはｘ≠０）層であることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】  井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層がＩｎを構成元素として有するとき、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層のＩｎ組成は、井戸層のＩｎ組成より少ないことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】  井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層がＩｎを構成元素として有するとき、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層のＩｎ組成は、井戸層のＩｎ組成より少ないことを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】  井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層がＩｎを構成元素として有するとき、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪みを有する化合物半導体層のＩｎ組成は、井戸層のＩｎ組成より少ないことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の上に配線を形成する工程と、
前記配線の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に再配線用溝を形成する工程と、
前記再配線用溝内及び前記第１の絶縁膜上に導電層を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に存在する前記導電層をＣＭＰで研磨除去することにより、前記再配線用溝内に埋め込まれた導電層からなる再配線を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記再配線を形成する工程の後に、前記再配線及び前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜に、前記再配線上に位置する開孔部を形成する工程と、前記開孔部内及び前記第２の絶縁膜上に金属ポストを形成する工程と、をさらに具備する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記再配線を形成する工程の後に、前記再配線上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により金属ポストを形成する工程をさらに具備する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記金属ポストを形成する工程の後に、前記金属ポストの側面と前記再配線を覆うように樹脂を形成する工程をさらに具備する請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記樹脂を形成する工程の後に、前記金属ポストの上に外部端子を配置する工程をさらに具備する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記再配線を形成する工程の後に、前記再配線上に外部端子を配置する工程をさらに具備する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  半導体基板の上に配線を形成する工程と、
前記配線の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に再配線用溝を形成する工程と、
前記再配線用溝内及び前記絶縁膜上に導電層を形成する工程と、
前記絶縁膜上に存在する前記導電層をＣＭＰで研磨除去することにより、前記再配線用溝内に埋め込まれた導電層からなる再配線を形成する工程と、
前記再配線及び前記絶縁膜の上にエッチング保護膜を形成する工程と、
前記エッチング保護膜に、前記再配線上に位置する開孔部を形成する工程と、
前記開孔部内及び前記エッチング保護膜上に密着層を形成する工程と、
前記密着層上に金属ポストを形成する工程と、
前記金属ポストの側壁にサイドウオールを形成する工程と、
前記サイドウオール及び前記金属ポストをマスクとして前記密着層をエッチングする工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記密着層が高融点金属、高融点金属の合金又は高融点金属の窒化物からなる層であり、前記エッチング保護膜がシリコン窒化膜である請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  半導体基板の上に形成された配線と、
前記配線の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記パッシベーション膜に形成された再配線用溝と、
前記再配線用溝内に埋め込まれた再配線と、
を具備する半導体装置。
【請求項１０】  前記再配線及び前記第１の絶縁膜の上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に形成され、前記再配線上に位置する開孔部と、
前記開孔部内及び前記第２の絶縁膜上に形成された金属ポストと、
をさらに具備する請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】  前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の少なくとも一方がポリイミドからなる膜である請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】  前記再配線上に形成された金属ポストをさらに具備する請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】  前記金属ポストの上に配置された外部端子をさらに具備する請求項１０〜１２のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】  半導体基板の上に形成された配線と、
前記配線の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記パッシベーション膜に形成された再配線用溝と、
前記再配線用溝内に埋め込まれた再配線と、
前記再配線上に配置された外部端子と、
を具備する半導体装置。
【請求項１５】  半導体基板の上に形成された配線と、
前記配線の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された再配線用溝と、
前記再配線用溝内に埋め込まれた再配線と、
前記再配線及び前記絶縁膜の上に形成されたエッチング保護膜と、
前記エッチング保護膜に形成された、前記再配線上に位置する開孔部と、
前記開孔部内及び前記エッチング保護膜上に形成された密着層と、
前記密着層上に形成された金属ポストと、
前記金属ポストの側壁に形成されたサイドウオールと、
を具備する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に配線を形成する工程と、
前記配線の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に再配線用溝を形成する工程と、
前記再配線用溝内及び前記第１の絶縁膜上に導電層を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に存在する前記導電層をＣＭＰで研磨除去することにより、前記再配線用溝内に埋め込まれた導電層からなる再配線を形成する工程と、
を具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、レジストパターン７をマスクとして第１及び第２のエッチングストッパー膜２，４をエッチングした後、レジストパターン７を剥離する。
この後、図３（Ｄ）に示すように、ビアホール３ａ内、配線用溝５ａ，５ｂ内及び第２の層間絶縁膜５上にＴａＮ、ＴｉＷ又はＴｉＮからなる密着層（バリア層）８をスパッタリングにより形成する。次いで、この密着層８上に電解メッキ用のＣｕシード層（図示せず）をスパッタリングにより形成する。次いで、このＣｕシード層上、配線用溝５ａ，５ｂ内及び接続孔３ａ内に電解メッキ法によりＣｕ層９を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次いで、この密着層１７の上にフォトレジスト膜を塗布、もしくはフォトフィルムを貼り、これらを露光、現像することにより、密着層１７上にはポスト領域が開孔されたレジストパターン２３が形成される。次いで、このレジストパターン２３をマスクとして開孔内の密着層１７上にＣｕシード層（図示せず）をスパッタリングにより形成し、その後Ｃｕシード層上に厚さが数〜数十μｍ程度のＣｕ層を選択メッキ法により形成する。これにより、Ｃｕシード層上にはＣｕ層からなる金属ポスト１９が形成される。次いで、金属ポスト１９上にメッキ法によりＮｉ又はＡｕなどからなる異種金属キャップ２０を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱装置及び画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  磁束発生手段と、磁束発生手段の発生磁束の作用により電磁誘導発熱する誘導発熱体を有し、加熱部において磁束発生手段から誘導発熱体に対する作用磁束の、被加熱材の搬送方向に交差する加熱部長尺方向に関する密度分布を変化せしめる磁束調整手段を備え、加熱部に被加熱材を導入搬送させて誘導発熱体の熱により被加熱材を加熱する加熱装置において、
磁束発生手段と磁束調整手段である磁束遮蔽部材は誘導発熱体の内部に設けられ、磁束遮蔽部材の端部には磁束遮蔽部材の回動位置を規制する回動駆動部材が設けられ、回動駆動部材の外径Ｘと誘導発熱体の内形Ｙの関係が、外径Ｘ＜内形Ｙであることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
励磁コイルと磁性体コアを有する磁束発生手段と、磁束発生手段の発生磁束の作用により電磁誘導発熱する誘導発熱体を有し、加熱部において磁束発生手段から誘導発熱体に対する作用磁束の、被加熱材の搬送方向に交差する加熱部長尺方向に関する密度分布を変化せしめる磁束調整手段を備え、加熱部に被加熱材を導入搬送させて誘導発熱体の熱により被加熱材を加熱する加熱装置において、磁束発生手段と磁束調整手段である磁束遮蔽部材は誘導発熱体の内部に設けられ、磁束遮蔽部材の端部には磁束遮蔽部材の回動位置を規制する回動駆動部材が設けられ、誘導発熱体内部の磁束発生手段の励磁コイルに電力を供給する供給線を引き出す位置が、誘導発熱体の長尺方向に関して、磁束遮蔽部材の回動駆動部材の位置と同じ側にあることを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、誘導発熱体が円筒形状のとき、磁束遮蔽部材の回動位置を規制する回動駆動部材の回動中心と円筒形状誘導発熱体の中心が同じ軸中心上にあることを特徴とする加熱装置。
【請求項４】
請求項２において、磁束遮蔽部材の回動駆動部材の外径Ｘと誘導発熱体の内形Ｙの関係が、外径Ｘ＞内形Ｙであることを特徴とする加熱装置。
【請求項５】
請求項１又は２において、励磁コイルに電力を供給する供給線が、磁束遮蔽部材の回動駆動部材の内筒部を通して引き出されていることを特徴とする加熱装置。
【請求項６】
請求項３又は４において、励磁コイルに電力を供給する供給線が誘導発熱体の長尺方向で片側から引き出され、供給線の引き出し位置と逆側の励磁コイルと磁性体コアを保持する保持部材の先端部がテーパー形状であることを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかの加熱装置において、磁束発生手段および磁束遮蔽部材を一つのアセンブリ構成にしたことを特徴とする加熱装置。
【請求項８】
一つの誘導発熱体に対して請求項７に記載のアセンブリ構成された磁束調整手段の付いた磁束発生手段を少なくても一つ設けたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項９】
磁束遮蔽部材の回動位置を規制する回動駆動部材が回動駆動ギアであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１０】
磁束遮蔽部材の回動位置を規制する回動駆動部材が回動駆動プーリーであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１１】
被加熱材が画像を担持した記録材であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項１２】
記録材上に画像を形成する像形成手段と、該記録材上の画像を加熱する像加熱手段とを有する画像形成装置において、前記像加熱手段が請求項１ないし１１のいずれかに記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、複写機・プリンター・ファクシミリなどの画像情報記録装置（画像形成装置）において未定着画像を加熱・加圧定着させるための画像加熱定着装置として用いて好適な、特に電磁（磁気）誘導加熱方式の加熱装置に関する。また、本発明は、上記加熱装置を像加熱手段として搭載する画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来、そのような画像加熱定着装置として、熱源内蔵ローラ方式、誘導加熱方式等の各種装置がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
熱源内蔵ローラ方式は、ハロゲンランプ等の熱源を内蔵させて所定の定着温度に加熱・温調した定着ローラ（熱ローラ）と加圧ローラとの回転ローラ対からなり、該ローラ対の圧接ニップ部（定着ニップ部）に被加熱材としての、未定着トナー画像を形成担持させた記録材を導入して挟持搬送させることで未定着のトナー画像を記録材面に加熱定着する装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
従来、例えば、特許文献１には、強磁性体の定着ローラを誘導加熱する熱ローラ方式の装置が開示されており、発熱位置を定着ニップ部に近くすることができ、ハロゲンランプを熱源として用いた熱源内蔵ローラ方式の装置よりも高効率の定着プロセスを達成している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板の内面に電子源を有する背面パネルと、
前面基板の前記背面基板と対向する内面に陽極および蛍光体を有する前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの間で両者の内周縁に介挿される封止枠を備え、
該背面パネルと該前面パネルを封着してなる表示装置であって、
前記背面パネルと前記前面パネルと前記封止枠で囲まれて形成される内部に機械的に固定される板状部材を有し、
前記板状部材は前記背面基板側に軟化温度が異なる２種類の接着材で固定されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記接着材が、結晶性フリットを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記接着材が、樹脂接着材を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記接着材が、金とインジウムを用いた共晶半田ペーストを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
背面基板の内面に電子源を有する背面パネルと、
前面基板の前記背面基板と対向する内面に陽極および蛍光体を有する前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの間で両者の内周縁に介挿される封止枠を備え、
該背面パネルと該前面パネルを封着してなる表示装置であって、
前記背面パネルと前記前面パネルと前記封止枠で囲まれて形成される内部に機械的に固定される板状部材を有し、
前記板状部材は画素部において樹脂接着材で接着固定されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記板状部材の前記画素部の固定用樹脂接着材がポリイミドであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記板状部材の前記画素部の固定用樹脂接着材が該板状部材上に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スイッチ構造
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  筐体の外部と内部とを通じさせる筒状部、
この筒状部に挿入された可動部、
この可動部の移動により力が加えられることでオンオフ動作するスイッチ、
上記可動部の移動により加えられる力を上記スイッチに伝達する伝達部と、
この伝達部と連なり上記筒状部内壁に向かって付勢される付勢部とを有し、上記スイッチ側と上記可動部側とを仕切る仕切り、
この仕切りの上記付勢部を上記筒状部軸線側から圧縮して上記付勢を強める補強部材を備えることを特徴とするスイッチ構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るスイッチ構造は、筐体の外部と内部とを通じさせる筒状部、この筒状部に挿入された可動部、この可動部の移動により力が加えられることでオンオフ動作するスイッチ、上記可動部の移動により加えられる力を上記スイッチに伝達する伝達部と、この伝達部と連なり上記筒状部内壁に向かって付勢される付勢部とを有し、上記スイッチ側と上記可動部側とを仕切る仕切り、この仕切りの上記付勢部を上記筒状部軸線側から圧縮して上記付勢を強める補強部材を備えるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、筐体の外部と内部とを通じさせる筒状部、この筒状部に挿入された可動部、この可動部の移動により力が加えられることでオンオフ動作するスイッチ、上記可動部の移動により加えられる力を上記スイッチに伝達する伝達部と、この伝達部と連なり上記筒状部内壁に向かって付勢される付勢部とを有し、上記スイッチ側と上記可動部側とを仕切る仕切り、この仕切りの上記付勢部を上記筒状部軸線側から圧縮して上記付勢を強める補強部材を有しているので、装置を小型化することが可能であり、弱い力でも操作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アニオン性基を有するポリマーが三次元架橋体ポリマーと均一に混じり合い、少なくとも一次粒子の数平均粒径が１μｍ以下の微粒子が含まれていることを特徴とする高分子固体電解質。
【請求項２】  前記三次元架橋体ポリマーが、炭素以外の元素を架橋点とする架橋体であることを特徴とする請求項１に記載の高分子固体電解質。
【請求項３】  前記微粒子が、無機酸化物を主成分とする化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の高分子固体電解質。
【請求項４】  前記微粒子が、有機ポリマー微粒子を主成分とする化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の高分子固体電解質。
【請求項５】  前記微粒子が、表面に親水性基を有することを特徴とする請求項１から４いずれかに記載の高分子固体電解質。
【請求項６】  前記微粒子が表面に親水性基を有し、なおかつ微粒子内部と表面の親水性基濃度比が１：３以下であることを特徴とする請求項５に記載の高分子固体電解質。
【請求項７】  請求項１から６のいずれかに記載の高分子固体電解質を貫通孔フィルムに充填したことを特徴とする電解質膜。
【請求項８】  請求項１から７のいずれかに記載の高分子固体電解質を電解質膜として用いることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項９】  有機溶媒を含む燃料を用いることを特徴とする請求項８記載の固体高分子型燃料電池。
【請求項１０】  請求項８または９記載の固体高分子形燃料電池を用いた移動体電源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】  本発明は、上記課題を解決するため次の構成を有する。すなわち、本発明の高分子固体電解質はアニオン性基を有するポリマーが三次元架橋体ポリマーと均一に混じり合い、少なくとも粒径１μｍ以下の微粒子が含まれることを特徴とする。さらに、本発明の固体高分子型燃料電池は、本発明の高分子固体電解質を用いて構成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の高分子固体電解質は、アニオン性基を有するポリマーが三次元架橋体ポリマーと均一に混じり合っており、かつ少なくとも粒径１μｍ以下の微粒子が含まれることを特徴とする。微粒子が含まれることにより、メタノール水溶液の膨潤が抑制されてＭＣＯが低減し、膜の強度低下も抑えられるという効果を奏するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（高温短時間保存試験）
満充電後の電池をそれぞれ８５℃、３時間保存し、取り出し直後及び室温まで冷却した後の電池最大厚みを測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（高温長時間保存試験）
満充電後の電池をそれぞれ８５℃、４日間保存し、取り出し直後及び室温まで冷却した後の電池最大厚みを測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ以上の蓄電池を用いて構成されるユニット電池と、前記ユニット電池の端子突出面を覆うべく前記ユニット電池に取り付け可能な蓋体とを備え、
前記ユニット電池に取り付けられた状態にて、前記ユニット電池から突出した端子との間に所定間隔を有すべく、前記蓋体が形成されている
ことを特徴とする蓄電池装置。
【請求項２】
前記ユニット電池に蓋体取付部が設けられ、前記蓋体取付部を介して前記ユニット電池に前記蓋体が取り付けられている
請求項１に記載の蓄電池装置。
【請求項３】
前記蓋体取付部が、蓋体を保持するための保持部と、蓋体を前記ユニット電池の突出した端子から所定間隔だけ離間させる離間部と、蓋体取付部を前記ユニット電池に取り付けるために機能する取付部とを有する
請求項２に記載の蓄電池装置。
【請求項４】
前記蓋体取付部が、ユニット電池を構成する蓄電池を収納可能なユニットケースの、上下面あるいは左右面のどちらか一方の対向した二面を、前記ユニット電池の端子突出面よりも突出させて、構成されている
請求項２に記載の蓄電池装置。
【請求項５】
前記蓋体が、蓋本体部と、前記蓋本体部を前記ユニット電池の突出した端子から所定間隔だけ離間させる離設部と、前記ユニット電池に取り付けるために機能する取付部とを有する
請求項１に記載の蓄電池装置。
【請求項６】
一つ以上の蓄電池を用いて構成されるユニット電池と、前記ユニット電池の端子突出面を覆うべく前記ユニット電池に取り付け可能な蓋体とを備え、
複数の前記ユニット電池が、縦方向および横方向の少なくともいずれか一方に並べられた状態で相互に固定されており、
一つ以上の前記ユニット電池を覆うべく、且つ前記ユニット電池に取り付けられた状態にて、前記ユニット電池から突出した端子との間に所定間隔を有すべく、前記蓋体が形成されている
ことを特徴とする蓄電池装置。
【請求項７】
前記ユニット電池に蓋体取付部が設けられ、前記蓋体取付部を介して前記ユニット電池に前記蓋体が取り付けられている
請求項６に記載の蓄電池装置。
【請求項８】
前記蓋体取付部が、蓋体を保持するための保持部と、蓋体を前記ユニット電池の突出した端子から所定間隔だけ離間させる離間部と、蓋体取付部を前記ユニット電池に取り付けるために機能する取付部とを有する
請求項７に記載の蓄電池装置。
【請求項９】
前記蓋体取付部が、ユニット電池を構成する蓄電池を収納可能なユニットケースの、上下面あるいは左右面のどちらか一方の対向した二面を、前記ユニット電池の端子突出面よりも突出させて、構成されている
請求項７に記載の蓄電池装置。
【請求項１０】
前記蓋体が、蓋本体部と、前記蓋本体部を前記ユニット電池の突出した端子から所定間隔だけ離間させる離設部と、前記ユニット電池に取り付けるために機能する取付部とを有する
請求項６に記載の蓄電池装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図１４に示すように、前記蓄電池装置４０を構成する場合には、各ユニット電池２０の端子が突出した面を揃えた状態で、一のユニット電池２０の上に他のユニット電池２０を積み上げる。この際、一のユニット電池２０の上方連接部（前面側上方連接部２４ｂ，後面側上方連接部２４ｄ）と、他のユニット電池２０の下方連接部（前面側下方連接部２４ａ，後面側下方連接部（図示省略））とに設けられた各連接孔部２４１が、それぞれ連通状態となるように、ユニット電池２０が積み上げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004273428.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系を透過した光を用いて、当該光学系の波面収差を測定する収差測定装置であって、
前記光から前記光学系の波面収差を含む波面及び球面波を生成する第１のマスクと、
前記光から前記光学系の波面収差を含む波面を生成する第２のマスクと、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを切り替える切り替え手段とを有することを特徴とする収差測定装置。
【請求項２】
前記第１のマスクから生成される前記光学系の波面収差を含む波面及び球面波、及び、前記第２のマスクから生成される前記光学系の波面収差を含む波面の各々から前記光学系の波面収差を算出する計算手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の収差測定装置。
【請求項３】
前記第１のマスクは、前記光学系の波面収差を含む波面を生成する回折限界以上の大きさの開口部と、前記球面波を生成する回折限界以下の大きさの開口パターンを有することを特徴とする請求項１記載の収差測定装置。
【請求項４】
前記第２のマスクは、前記光学系の波面収差を含む波面を生成する回折限界以上の大きさのスリット領域を有することを特徴とする請求項１記載の収差測定装置。
【請求項５】
光学部材で構成される光学系の波面収差を低減させるための調整方法であって、
ＬＳＩ方式を用いて前記光学系の波面収差を測定する第１の測定ステップと、
前記第１の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が所定の値以下であるか判断するステップと、
前記判断ステップにおいて、前記第１の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が所定の値以下であると判断した場合に、ＬＤＩ方式の波面収差を測定する第２の測定ステップと、
前記第２の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が当該光学系の規格値以下となるように前記光学部材を調整するステップとを有することを特徴とする調整方法。
【請求項６】
前記第１の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が前記所定の値以上であると判断した場合に、前記光学系の波面収差が前記所定の値となるように前記光学部材を調整するステップを更に有することを特徴とする請求項５記載の調整方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の収差測定装置を利用して波面収差が計測された投影光学系を介してレチクルに形成されたパターンを被処理体に露光することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての収差測定装置は、光学系を透過した光を用いて、当該光学系の波面収差を測定する収差測定装置であって、前記光から前記光学系の波面収差を含む波面及び球面波を生成する第１のマスクと、前記光から前記光学系の波面収差を含む波面を生成する第２のマスクと、前記第１のマスク及び前記第２のマスクを切り替える切り替え手段とを有することを特徴とする。
本発明の別の側面としての調整方法は、光学部材で構成される光学系の波面収差を低減させるための調整方法であって、ＬＳＩ方式を用いて前記光学系の波面収差を測定する第１の測定ステップと、前記第１の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が所定の値以下であるか判断するステップと、前記判断ステップにおいて、前記第１の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が所定の値以下であると判断した場合に、ＬＤＩ方式の波面収差を測定する第２の測定ステップと、前記第２の測定ステップで測定した前記光学系の波面収差が当該光学系の規格値以下となるように前記光学部材を調整するステップとを有することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としての露光装置は、上述の収差測定装置を利用して波面収差が計測された投影光学系を介してレチクルに形成されたパターンを被処理体に露光することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を現像するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被加工物を平面方向に移動可能なステージを有する装置本体部をベース部から弾性支持構造によって支持する除振部を備えたデバイス製造装置において、
前記除振部の有する複数のモード固有振動数のうち、少なくとも１つの固有振動数が前記ステージの移動によって発生する振動周波数よりも低いことを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項２】  前記除振部が６つのモード固有振動数を持つことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項３】  原版ステージに載置された原版上のパターンを、平面方向に移動しうる基板ステージ上に載置された基板上の複数領域に投影光学系を介して順に投影露光する露光装置であって、
前記投影光学系を載置する構造体と、ベース部から該構造体を６つのモード固有振動数を有する弾性支持構造によって支持する除振部とを備え、該除振部の、前記基板ステージのスキャン移動方向と概一致した方向のモード固有振動数が、１Ｈｚ以下であることを特徴とする露光装置。
【請求項４】  前記原版ステージの駆動力を発生する電磁アクチュエータを、反力を相殺するカウンタとしたことを特徴とする請求項３に記載のデバイス製造装置。
【請求項５】  前記ベース部と前記構造体との間に電磁アクチュエータを有することを特徴とする請求項３または４のいずれかに記載のデバイス製造装置。
【請求項６】  原版上のパターンを、平面方向に移動しうるＸＹステージ上に載置された基板上の複数領域に、投影光学系を介して順に投影露光する露光装置であって、
前記基板をステップ移動またはスキャン移動させるＸＹステージと、前記投影光学系を載置する構造体と、ベース部から該構造体を特定の固有振動数を有する弾性支持構造によって支持する除振部とを備え、該除振部の少なくとも１つの固有振動数が、該ステージの移動によって発生する振動周波数よりも低いことを特徴とする露光装置。
【請求項７】  前記除振部の少なくとも１つの固有振動数が、前記基板のサイズをＤ、前記ステージの移動速度をＶとしたときに１／√２・Ｖ／Ｄ以下であることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を講じる。
本発明のデバイス製造装置は、被加工物を平面方向に移動可能なステージを有する装置本体部をベース部から弾性支持構造によって支持する除振部を備えたデバイス製造装置において、前記除振部の有する複数のモード固有振動数のうち、少なくとも１つの固有振動数が前記ステージの移動によって発生する振動周波数よりも低いことを特徴とする。ここで、前記除振部の少なくとも１つのモード固有振動数が、１Ｈｚ以下であるとよい。デバイス製造装置は、例えば露光装置である。
本発明に係る第１の露光装置は、原版ステージに載置された原版上のパターンを、平面方向に移動しうる基板ステージ上に載置された基板上の複数領域に投影光学系を介して順に投影露光する露光装置であって、前記投影光学系を載置する構造体と、ベース部から該構造体を６つのモード固有振動数を有する弾性支持構造によって支持する除振部とを備え、該除振部の、前記基板ステージのスキャン移動方向と概一致した方向のモード固有振動数が、１Ｈｚ以下であることを特徴とする。
本発明に係る第２の露光装置は、原版上のパターンを、平面方向に移動しうるＸＹステージ上に載置された基板上の複数領域に、投影光学系を介して順に投影露光する露光装置であって、前記基板をステップ移動またはスキャン移動させるＸＹステージと、前記投影光学系を載置する構造体と、ベース部から該構造体を特定の固有振動数を有する弾性支持構造によって支持する除振部とを備え、該除振部の少なくとも１つの固有振動数が、該ステージの移動によって発生する振動周波数よりも低いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明では、基板の直径をＤ［ｍ］、ステージの移動速度をＶ［ｍ／ｓ］とすると、少なくともステージ移動平面に概平行な平面に関わる除振部の固有振動数ｆｎが、
ｆｎ≦１／√２・Ｖ／Ｄ  ［Ｈｚ］
となるとよい。ここでは、ステージの発生する最低次の振動数を求めるために基板の直径をＤと定義したが、それは、ステージの最大ストロークを以って置き換えてもよい。固有振動数ｆｎを上記不等式を満たす値にすることで、ステージの発する低周波加振を遮断することができる。
具体的には、基板のサイズが２００ｍｍで、アライメント時の前記ＸＹステージ移動速度が２８２ｍｍ／ｓ以下の場合、除振部の少なくとも１つの固有振動数を１Ｈｚ以下とする。また、基板のサイズが３００ｍｍで、アライメント時の前記ＸＹステージ移動速度が４２４ｍｍ／ｓ以下の場合、除振部の少なくとも１つの固有振動数を１Ｈｚ以下とする。さらに、基板のサイズが４００ｍｍ以上で、アライメント時の前記ＸＹステージ移動速度が５６６ｍｍ／ｓ以下の場合、除振部の少なくとも１つの固有振動数を１Ｈｚ以下とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光を用いて第１のステージに載置されたレチクルのパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介して、第２のステージに載置された被処理体上に露光する露光装置であって、
前記投影光学系を介し、前記被処理体及び／又は前記第２のステージ上の異なる位置に３つ以上形成された第２のマークを前記露光光を用いて同時に検出する検出手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記第２のマークの１つを検出する検出系を３つ以上有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記第２のマークに対応した像高に形成された前記レチクル又は前記第１のステージ上の第１のマークを検出することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記検出手段が検出した前記第１のマーク及び／又は前記第２のマークから前記レチクルと前記被処理体との相対的な位置ずれを算出すると共に、当該位置ずれに基づいて、前記レチクルの位置又は前記被処理体の位置の少なくとも一方を制御する制御手段を更に有することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記投影光学系の光軸と直交する方向の前記被処理体の位置ずれを算出すると共に、当該位置ずれに基づいて、前記被処理体の位置を制御することを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２のステージ上の異なる位置に３つ以上形成された第２のマークのうち、少なくとも１つは前記投影光学系の光軸上にあることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１のステージ及び前記第２のステージは、前記レチクルと前記被処理体とを同期して走査し、
露光スリットの中心が前記投影光学系の光軸上であり、前記走査方向をＹ方向、前記走査方向と直交する方向をＸ方向としたとき、前記第２のステージ上の異なる位置に３つ以上形成された第２のマークのうちの２つがＹ軸に対して対称、且つ、少なくとも１つが前記光軸外の前記Ｙ軸上にあることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項８】
前記光軸外の前記Ｙ軸上にある少なくとも１つの第２のマークは、前記Ｙ軸に対して対称な第２のマークの像高と異なるＹ座標を有することを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１のステージ及び前記第２のステージは、前記レチクルと前記被処理体とを同期して走査し、
前記検出手段が検出した前記第１のマーク及び／又は前記第２のマークから前記走査方向に平行な方向に関する前記パターンの前記投影光学系の像面の傾きを算出すると共に、当該像面の傾きに基づいて、前記被処理体の位置又は前記投影光学系の像面の少なくとも一方を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項１０】
前記検出系は、
前記投影光学系の任意の点の像高に前記露光光を導光する光学系と、
前記露光光により前記第１のマーク及び前記第２のマークが結像される撮像素子とを有することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項１１】
前記撮像素子は、直線上に画素を並べた１次元ＣＣＤであることを特徴とする請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記１次元ＣＣＤは、画素の配列方向と前記配列方向に直交する方向とで倍率が異なることを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２のマークのうちの少なくとも１つが、前記露光光の前記被処理体への照射領域の外側に設けられていることを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、露光光を用いて第１のステージに載置されたレチクルのパターンを照明し、当該パターンを投影光学系を介して、第２のステージに載置された被処理体上に露光する露光装置であって、前記投影光学系を介し、前記被処理体及び／又は前記第２のステージ上の異なる位置に３つ以上形成された第２のマークを前記露光光を用いて同時に検出する検出手段を有することを特徴とする。
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を保持し回転させる基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持した基板の表面または裏面の一方に、所定間隔離間して対向して配置され、前記基板ホルダと逆方向に回転自在な回転板と、
前記基板ホルダで保持した基板と前記回転板との間に第１処理流体を供給する第１流体供給部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】  前記第１処理流体は、エッチング液であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】  前記基板ホルダで保持した基板の表面または裏面の他方に、所定間隔離間して対向して配置される対向板と、前記基板ホルダで保持した基板と前記対向板との間に第２処理流体を供給する第２流体供給部を更に有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】  前記第２処理流体は、気体であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】  前記対向板は、回転自在に構成されていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】  前記対向板は、前記基板ホルダと逆方向に回転するように構成されていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】  前記第２処理流体は、エッチング液であることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】  基板と該基板の表面または裏面の一方に所定間隔離間させ対向させて配置した回転板とを互いに逆方向に回転させ、
前記基板と前記回転板との間に第１処理流体を供給することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に係り、特に半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネルなどの基板の表面及び／または裏面に所定のエッチング液（処理流体）を供給して湿式エッチングを行うのに使用される基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、エッチング液等の処理流体の管理が比較的容易で、しかもエッチング等の処理の均一性をより高めることができるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板を保持し回転させる基板ホルダと、前記基板ホルダで保持した基板の表面または裏面の一方に、所定間隔離間して対向して配置され、前記基板ホルダと逆方向に回転自在な回転板と、前記基板ホルダで保持した基板と前記回転板との間に第１処理流体を供給する第１流体供給部を有することを特徴とする基板処理装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記基板ホルダと前記回転板とを互いに逆方向に回転させることで、基板ホルダで保持した基板と回転板との相対移動速度を速め、基板の被処理面の拡散形成層をより均一にすることができる。なお、基板の回転速度を遅く、回転板の回転速度を速くする方が、基板の損傷を防止する上で好ましい。
請求項２に記載の発明は、前記第１処理流体は、エッチング液であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記基板ホルダで保持した基板の表面または裏面の他方に、所定間隔離間して対向して配置される対向板と、前記基板ホルダで保持した基板と前記対向板との間に第２処理流体を供給する第２流体供給部を更に有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。これにより、基板ホルダで保持した基板の表裏両面を、第１処理流体と第２処理流体で同時に処理したり、第２処理流体を介して、第１処理流体が基板の端部から回り込んで反被処理面側に達してしまうことを防止したりすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記第２処理流体は、気体であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。第２処理流体として、例えばドライエアを使用することで、第１処理流体が基板の端部から回り込んで反被処理面側に達してしまうことを防止することができる。
請求項５に記載の発明は、前記対向板は、回転自在に構成されていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。これにより、基板ホルダで保持した基板の表裏両面を、エッチング等の処理の均一性を高めながら、同時に処理することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項６に記載の発明は、前記対向板は、前記基板ホルダと逆方向に回転するように構成されていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置である。これにより、基板ホルダで保持した基板と対向板との相対移動速度を速めることができる。
請求項７に記載の発明は、前記第２処理流体は、エッチング液であることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置である。
請求項８に記載の発明は、基板と該基板の表面または裏面の一方に所定間隔離間させ対向させて配置した回転板とを互いに逆方向に回転させ、前記基板と前記回転板との間に第１処理流体を供給することを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状の支持体と、前記支持体の表面に形成された半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の線状の支持体と、前記複数の各支持体の表面に形成された半導体素子とを有し、
前記複数の各支持体の表面に形成された半導体素子は、ワイヤによって互いに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の線状の支持体と、前記複数の各支持体の表面に形成された半導体素子とを有し、
前記複数の各支持体の表面に形成された半導体素子は、光伝送によって信号または電源電圧の送受が行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体素子は樹脂によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記支持体は光ファイバーであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記支持体はガラス、プラスチック、または金属からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記支持体の断面は円または楕円であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
線状の支持体の表面に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜に接するように半導体膜を成膜し、
前記半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記絶縁膜または前記半導体膜の成膜は、前記支持体の長手方向と平行な回転軸を中心として、前記支持体を回転させながら行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
線状の支持体の表面に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜に接するように半導体膜を成膜し、
レーザ光の照射により前記半導体膜の結晶性を高め、
前記結晶性が高められた半導体膜を用いて、半導体素子を形成し、
前記絶縁膜及び前記半導体膜の成膜と、前記レーザ光の照射とは、前記支持体の長手方向と平行な回転軸を中心として、前記支持体を回転させながら行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記半導体素子を形成した後、当該半導体素子を樹脂で覆うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、前記支持体は光ファイバーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、前記支持体はガラス、プラスチック、または金属からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一において、前記支持体の断面は円または楕円であることを特徴とする半導体装置の作製方法。