【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性導電層あるいは非磁性トンネルバリア層によって隔てられた第一および第二の強磁性層を有し、該第一の強磁性層の磁化方向が、該第一の強磁性層に接して上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側に設けられた第一の反強磁性層によって固定されている磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極を設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記第二の強磁性層に一方向磁気異方性を付与するよう配置された第二の反強磁性層と、上記第二の強磁性層へ磁界を印加するよう配置された硬磁性膜とを有し、
上記第二の強磁性層の飽和磁束密度をBs2、膜厚をt2、上記硬磁性膜の残留磁束密度をBrh、膜厚をthとした時、Brh・th/Bs2・t2で定義される縦バイアス比が４以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】
非磁性導電層あるいは非磁性トンネルバリア層によって隔てられた第一および第二の強磁性層を有し、該第一の強磁性層の磁化方向が、該第一の強磁性層に接して上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側に設けられた第一の反強磁性層によって固定されている磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極を設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記第二の強磁性層に接して、上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層とは反対側に、第二の反強磁性層が形成され、かつ、上記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端部に硬磁性膜が形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】
非磁性導電層あるいは非磁性トンネルバリア層によって隔てられた第一および第二の強磁性層を有し、該第一の強磁性層の磁化方向が、該第一の強磁性層に接して上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側に設けられた第一の反強磁性層によって固定されている磁気抵抗効果膜と、上記第二の強磁性層へ外部磁界を導くフラックスガイドと、上記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極を設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記第二の強磁性層に一方向磁気異方性を付与するよう配置された第二の反強磁性層と、上記フラックスガイドに一方向磁気異方性を付与するよう配置された第三の反強磁性層と、上記第二の強磁性層および上記フラックスガイドへ磁界を印加するよう配置された硬磁性膜とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】
非磁性導電層あるいは非磁性トンネルバリア層によって隔てられた第一および第二の強磁性層を有し、該第一の強磁性層の磁化方向が、該第一の強磁性層に接して上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側に設けられた第一の反強磁性層によって固定されている磁気抵抗効果膜と、上記第二の強磁性層へ外部磁界を導くフラックスガイドと、上記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極を設けた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記第二の強磁性層に接して、上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層とは反対側に、第二の反強磁性層が形成され、上記フラックスガイドに接して、第三の反強磁性層が形成され、かつ、上記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端部および上記フラックスガイドのトラック幅方向両端部に硬磁性膜が形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項５】
上記第二の反強磁性層により上記第二の強磁性層に付与される一方向磁気異方性の向きあるいは上記第三の反強磁性層により上記フラックスガイドに付与される一方向磁気異方性の向きと、上記硬磁性膜から上記第二の強磁性層あるいは上記フラックスガイドに印加される磁界の向きが、大略一致していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項６】
上記第一の反強磁性層により上記第一の強磁性層に付与される一方向磁気異方性の向きと、上記第二の反強磁性層により上記第二の強磁性層に付与される一方向磁気異方性の向きあるいは上記第三の反強磁性層により上記フラックスガイドに付与される一方向磁気異方性の向きが、大略直交しており、かつ、上記第一の反強磁性層と上記第二の反強磁性層と上記第三の反強磁性層において一方向磁気異方性が消失する温度（ブロッキング温度）をそれぞれＴＢ１、ＴＢ２、ＴＢ３とした場合、ＴＢ１＞ＴＢ２＝ＴＢ３であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項７】
上記第二の強磁性層の飽和磁束密度をBs2、膜厚をt2、上記硬磁性膜の残留磁束密度をBrh、膜厚をthとした時、Brh・th/Bs2・t2で定義される縦バイアス比が４以下であることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項８】
上記第二の強磁性層と上記第二の反強磁性層との間に、非磁性層を挿入したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項９】
上記第一の反強磁性層が、Ｍｎ-Ｍ1で表される規則系合金反強磁性膜からなり、Ｍ1はＮｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種類以上の元素により構成され、上記第二の反強磁性層が、Ｍｎ-Ｍ2で表される不規則系合金反強磁性膜からなり、Ｍ2はＣｒ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種類以上の元素により構成されることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１０】
非磁性導電層あるいは非磁性トンネルバリア層を介して第一および第二の強磁性層を積層し、上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側に第一の反強磁性層を設けて磁気抵抗効果膜を形成し、該磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対の電極を形成し、上記第二の強磁性層に一方向磁気異方性を付与するよう第二の反強磁性層を配置し、上記第二の強磁性層へ磁界を印加するよう硬磁性膜を配置し、上記第二の反強磁性層に外部磁界を導くフラックスガイドを配置し、上記フラックスガイドに一方向磁気異方性を付与するよう第三の反強磁性層を配置する磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、上記第一の反強磁性層により上記第一の強磁性層に付与される一方向磁気異方性の向きと、上記第二の反強磁性層により上記第二の強磁性層あるいは上記フラックスガイドに付与される一方向磁気異方性の向きを、最終的に、熱処理時に印加する磁界の向きによって決定する工程を有し、該工程は、上記第一の反強磁性層と上記第二の反強磁性層あるいは第三の反強磁性層に対し、ブロッキング温度の高い順に、順次高温から低温に設定した温度条件で磁界中熱処理を行い、前記一方向磁気異方性を付与することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
非磁性導電層あるいは非磁性トンネルバリア層を介して第一および第二の強磁性層を積層し、上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側で上記第一の強磁性層の上に第一の反強磁性層を設け、上記非磁性導電層あるいは上記非磁性トンネルバリア層と反対側で上記第二の強磁性層の上に第二の反強磁性層を設けて磁気抵抗効果膜を形成し、
上記第一の反強磁性層と上記第二の反強磁性層において一方向磁気異方性が消失する温度（ブロッキング温度）をそれぞれＴＢ１、ＴＢ２とした場合、
ＴＢ１＞ＴＢ２であり、
ＴＢ２よりも高温で加熱し、上記第一の反強磁性層から上記第一の強磁性層へ一方向磁気異方性を付与し、
ＴＢ２よりも低温で加熱し、上記第二の反強磁性層から上記第二の強磁性層へ一方向磁気異方性を付与することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。