【手続補正書】
【提出日】平成18年10月11日(2006.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  液晶表示装置及びその製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース配線と共通電極が一定の領域において重なり合う液晶表示装置であって、
前記共通電極は、上下左右の隣接する画素の共通電極と電極パターンによって接続され、
ソース配線と重なり合う重なり領域外に、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離することができる断線修復用分離領域を有する液晶表示装置。
【請求項２】
前記共通電極と接続された共通容量配線は、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離することができる断線修復用分離領域を有する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記断線修復用分離領域は、当該ソース配線を含む他の導電体と重なり合わない領域であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記断線修復用分離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に他の導電体が存在しない領域であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記重なり領域における共通電極は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンによって接続されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
ソース配線と共通電極が一定の領域において重なり合うとともに、
前記共通電極が上下左右の隣接する画素の共通電極と電極パターンによって接続され、
ソース配線と重なり合う重なり領域外に少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離することができる断線修復用分離領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記重なり領域におけるソース配線に断線が生じた場合に、
前記重なり領域において断線部を挟み込む位置の前記共通電極と前記ソース配線を導通状態にする導通ステップと、
前記断線修復用分離領域の共通電極を切断する切断ステップとを備えた液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記導通ステップでは、レーザビームを照射することにより前記共通電極と前記ソース配線を導通状態にすることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記切断ステップでは、レーザビームを照射することにより前記共通電極を切断することを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記重なり領域における共通電極は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンによって接続されているとともに、
前記切断ステップでは、前記複数の電極パターンのうちのいずれか一つの電極パターンを切断することを特徴とする請求項６、７又は８記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線の断線の修復を行うことが容易にできる液晶表示装置と、液晶表示装置の配線の断線を修復することによる液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば特開平８−２５４７１２号公報で開示されているように、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、液晶に印加する電界の方向を基板に対して平行な方向とする横方向電界方式が、主に超広視野角を得る手法として用いられている。この方式を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラストの変化、階調レベルの反転がほとんど無くなることが明らかにされている（参考文献：M.Oh-e, 他,Asia Display'95,pp.577-580）。図６（ａ）は、従来の一般的な横方向電界方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図である。そして、図６（ｂ）は、その一部を拡大した断面図である。図において、１００はＴＦＴアレイ基板、２００はカラーフィルタ（ＣＦ）基板である。また、１は絶縁性基板上に形成された複数本の走査信号線であるゲート配線、２はゲート絶縁膜、３はソース配線、４はソース配線３上に設けられた絶縁膜、５ａ、５ｂはゲート配線１と同層に設けられた共通電極である。特に、この例では、共通電極５は、共通電極５ａ及び共通電極５ｂに分離して配置されている。そのため、ソース配線に電圧が印加された状態においては、その電圧によって電界Ｅが発生し、ＴＦＴアレイ基板１００とＣＦ基板２００の間に設けられた液晶の配向状態を変えてしまう。このため、図６に示される構成では、結局図上Ｌ１で示される幅が広く必要であり光の透過が制限されるため、開口率が低くなるという問題点もあった。
【０００３】
このような問題点を解決するために、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す構造が提案されている。この構造では、共通電極５がソース配線３を覆い、両者が重なり合うように配置されている。このような構成によれば、ソース配線３から発生する電界が共通電極５によって遮られるため、液晶まで及ばず、液晶の配向状態の変化を低減することができる。このため、光の透過を制限する幅Ｌ２を短くでき、開口率を高くすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般的に液晶表示装置では、ソース配線がある確率で断線し、歩留低下の原因となる。同じように図７に示される構造でも、ソース配線３に断線が生じる可能性がある。ここで、ある配線に断線が生じた場合、レーザによって上層の配線との間に短絡を発生させ、断線を修復する方法が特開平９−１１３９３０号公報に開示されている。しかしながら、ソース配線３と共通電極５とは、ソース信号が共通電極５上を流れることになるため、両者を短絡させることはできない。
【０００５】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、ソース配線に発生した断線を容易に修復できる構造を有し、修復を行った結果、表示に寄与しなくなる領域が小さく、表示品位を低下させることなく修復できる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる液晶表示装置は、ソース配線と共通電極が一定の領域において重なり合う液晶表示装置であって、前記共通電極は、上下左右の隣接する画素の共通電極と電極パターンによって接続され、ソース配線と重なり合う重なり領域外に、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離することができる断線修復用分離領域を有するものである。このような構成により、断線修復用分離領域にレーザビームを照射することによって容易に共通電極と重なり合ったソース配線の断線を修復することができる。
【０００７】
ここで、前記共通電極と接続された共通容量配線は、少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離することができる断線修復用分離領域を有するものであってもよい。このような構成により、共通容量配線と接続された共通電極を用いてソース配線の断線を修復することができる。
【０００８】
また、前記断線修復用分離領域は、当該ソース配線を含む他の導電体と重なり合わない領域であることが望ましい。これにより、レーザービームによって絶縁破壊を生じさせる可能性を低減することができる。
【０００９】
好ましい実施の形態における断線修復用分離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に他の導電体が存在しない領域である。さらに、確実にレーザービームによる絶縁破壊を防止できる。
【００１０】
また、前記重なり領域における共通電極は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンによって接続されていることが望ましい。これにより、複数の電極パターンのうちの少なくとも一つの電極パターンにより隣接する画素の共通電極間を接続させた状態を維持しつつ、ソース配線の断線を修復することができる。この結果、表示品位をほとんど低下させることなく修復することができる。
【００１１】
本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、ソース配線と共通電極が一定の領域において重なり合うとともに、前記共通電極が上下左右の隣接する画素の共通電極と電極パターンによって接続され、ソース配線と重なり合う重なり領域外に少なくとも画素電極との間で電界を生じさせる他の共通電極と当該重なり領域との接続を分離することができる断線修復用分離領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、前記重なり領域におけるソース配線に断線が生じた場合に、前記重なり領域において断線部を挟み込む位置の前記共通電極と前記ソース配線を導通状態にする導通ステップと、前記断線修復用分離領域の共通電極を切断する切断ステップとを備えたものである。このような方法により、容易に共通電極と重なり合ったソース配線の断線を修復することができる。
【００１２】
ここで、前記導通ステップでは、レーザビームを照射することにより前記共通電極と前記ソース配線を導通状態にすることが望ましい。
【００１３】
また、前記切断ステップでは、レーザビームを照射することにより前記共通電極を切断するとよい。
【００１４】
さらに、前記重なり領域における共通電極は、隣接する画素の共通電極と、複数の電極パターンによって接続されているとともに、前記切断ステップでは、前記複数の電極パターンのうちのいずれか一つの電極パターンを切断するとよい。これにより、隣接する画素の共通電極間を接続させた状態を維持しつつ、ソース配線の断線を修復することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
本発明にかかる液晶表示装置は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す構造を有している。さらに詳細には、一定の距離を隔て一対のＣＦ基板とＴＦＴ基板とが対向配置されている。そして、これらの基板間に液晶層が挟持されている。そして、基板のうちの一方の基板上に、互いに交差するゲート配線及びソース配線が形成されている。さらに、ゲート配線及びソース配線と接続された薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されている。また、スイッチング素子には、ソース配線と平行に設けられた複数本の電極よりなる櫛状の画素電極と、画素電極の複数本の電極と平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の共通電極が形成されている。この画素電極及び共通電極間に電圧を印加することによって、基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加している。
【００１６】
図１は、本発明にかかる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図である。図において、図６、７と同じ符号を付した構成は、図６、７で説明した構成と同じ又は同等のものであり説明を省略する。
【００１７】
図１において、３はソース配線であり、一画素の端部において、後述の共通電極５と画素電極６の間に生じる電界の方向とほぼ垂直方向に延在している。このソース配線３の膜厚は、例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍである。５は後述の画素電極６の複数本の電極と平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の共通電極であり、対向電極とも呼ばれる。この共通電極５の膜厚は、例えば１００ｎｍである。６は薄膜トランジスタに接続され、ソース配線３と平行に設けられた複数本の電極より構成された櫛状の画素電極であり、クロム（Ｃｒ）等の金属やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明性導電膜により形成されている。７はクロム（Ｃｒ）等の金属よりなる共通容量配線であり、スルーホールを介して共通電極５と接続されている。この例では、ソース配線３、共通電極５、画素電極６は、中央部において１回屈曲している。そして、この屈曲点は、共通容量配線部７に設けられている。このように、屈曲した電極構成により、２方向の液晶の駆動方向を得ることができ、横電界方式の液晶パネルで特定方向におこる視角特性の悪化を改善することができる。
【００１８】
図１に示されるように、電界の生じる方向である、横方向に隣接する画素間に設けられたソース配線３と共通電極５は互いにオーバーラップしている。換言すると、ソース配線３上に絶縁膜４を介して共通電極５がソース配線３を包みこむようにして重なり合って設けられている。
【００１９】
図１に示される構造において、ソース配線３上の領域３１に断線が生じた場合について説明する。この領域３１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分の一領域である。この場合には、まず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及び領域５２にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、領域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分の一領域であって、領域３１を挟み込む位置の領域である。このレーザには、例えば、ＹＡＧレーザやエキシマレーザが用いられる。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線３と共通電極５とが導通状態になるよう加工する。このような断線の修正は、例えば、アレイ検査工程後又はパネル検査工程後に実行される。
【００２０】
図２に断線が生じた部分の断面図を示す。前述のように、この例にかかるＴＦＴアレイ基板では、絶縁膜２上にソース配線３、絶縁膜４、共通電極５が積層されている。ここで、絶縁膜４は、例えば２回にわたって成膜され、第１の絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜３００ｎｍ、第２の絶縁膜の膜厚は、２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２１】
この例では、図２（ａ）に示されるように、ソース配線３の領域３１に断線が生じている。図２（ａ）で示される構造において、レーザを用いて共通電極５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線３と導通状態になるよう加工すると、図２（ｂ）に示す構造に加工される。図２（ｂ）に示す構造では、断線したソース配線３は、溶融金属５１、共通電極５、溶融金属５２というバイパス経路を介して、ソース信号が印加される。
【００２２】
次に、レーザを用いて図１に示す共通電極５の領域５３１、領域５３２及び領域５３３にレーザビームを照射する。そして、これらの領域５３１、領域５３２及び領域５３３の共通電極５を切断する。これらの領域５３１、領域５３２及び領域５３３は、断線修復用分離領域として機能する。ここで、領域５３１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、横方向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域５３２は、さらに横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、領域５３１とは反対側の横方向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域５３３は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、横方向に延在し、共通容量配線７と接続された共通電極５とを切り離すことができる領域である。これによって、領域５１及び領域５２のレーザビームの照射によってソース配線３と導通状態に加工された部分の共通電極５を、少なくとも画素電極６との間で電界を生じさせる他の共通電極５と電気的に分離することができる。そのために、共通電極５の領域５３１、領域５３２及び領域５３３、即ち断線修復用分離領域の下方には、ソース配線３等の導電体が設けられていない。このような構造を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導通状態になることがない。この断線修復用分離領域は、当該ソース配線より４μｍ以内に共通電極と異なる電位を供給する他の導電体が存在しない領域であることが好ましい。
【００２３】
尚、共通電極５の領域５３１、領域５３２及び領域５３３に照射するレーザビームは、領域５１及び領域５２に照射するレーザビームと種類及び強度において同じであってもよいが、異なるものであってもよい。例えば、領域５３１、領域５３２及び領域５３３に照射するレーザビームは、領域５１及び領域５２に照射するレーザビームよりも低い強度としてもよい。
【００２４】
発明の実施の形態２．
図３は、本発明にかかる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図である。図に示す構成は、図１に示す構成と同じであり、ソース配線３の断線部分のみが異なる。
【００２５】
図３に示される構造において、ソース配線３上の領域３２に断線が生じた場合について説明する。領域３２は、横方向に隣接する画素間のソース配線３であって、中央部において共通配線５と重なり合う領域である。この場合には、まず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及び領域５２にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、領域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分の一領域であって、領域３２を挟み込む位置の領域である。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線３と共通電極５とが導通状態になるよう加工する。断線したソース配線３は、溶融金属５１、共通電極５、溶融金属５２というバイパス経路を介して、ソース信号が印加される。
【００２６】
次に、レーザを用いて図３に示す共通電極５の領域５４１、領域５４２及び領域５４３と共通容量配線７の領域７１、７２にレーザビームを照射する。ここで、領域５４１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、横方向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域５４２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、領域５３１とは反対側の横方向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域５４３は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、横方向に延在し、ゲート配線１を介して縦方向に延在する共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域７１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と共通容量配線７とを切り離すことができる領域である。そして、これらの領域５４１、領域５４２及び領域５４３の共通電極５と、共通容量配線７の領域７１、７２を切断する。これによって、領域５１及び領域５２のレーザビームの照射によってソース配線３と導通状態に加工された部分の共通電極５を他の共通電極５や共通容量配線７と電気的に分離することができる。そのために、共通電極５の領域５４１、領域５４２及び領域５４３と共通容量配線７の領域７１の下方には、ソース配線３等の導電体が設けられていない。このような構造を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導通状態になることがない。
【００２７】
発明の実施の形態３．
図４は、本発明にかかる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図である。図に示す構成は、図１に示す構成と同じであり、ソース配線３の断線部分のみが異なる。
【００２８】
図４に示される構造において、ソース配線３上の領域３３に断線が生じた場合について説明する。ここで、領域３３は、ソース配線３がスイッチング素子の半導体膜と重なる部分の近傍である。即ち、領域３３はスイッチング素子の近傍である。この場合には、まず、共通電極５側から共通電極５の領域５１及び領域５２にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、領域５１、５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分の一領域であって、領域３３を挟み込む位置の領域である。これにより、共通電極５の領域５１及び領域５２の金属を溶融させ、絶縁膜４を絶縁破壊し、ソース配線３と導通状態になるよう加工する。断線したソース配線３は、溶融金属５１、共通電極５、溶融金属５２というバイパス経路を介して、ソース信号が印加される。
【００２９】
次に、レーザを用いて図４に示す共通電極５の領域５５１、領域５５２、領域５５３、領域５５４及び領域５５５にレーザビームを照射する。ここで、領域５５１は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、共通容量配線７と接続された共通電極５とを切り離すことができる領域である。領域５５２は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、他の共通電極５を切り離すことができる領域である。領域５５３は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、他の共通電極５を切り離すことができる領域である。領域５５４は、横方向に隣接する画素間の共通電極５とソース配線３の重なり部分と、領域５５３側とは反対の共通電極５を切り離すことができる領域である。領域５５５は、領域５２のある共通電極５を他の共通電極５と切り離すことができる領域である。そして、これらの領域５５１乃至５５５の共通電極５を切断する。これによって、領域５１及び領域５２のレーザビームの照射によってソース配線３と導通状態に加工された部分の共通電極５を他の共通電極５と電気的に分離することができる。そのために、共通電極５の領域５５１乃至５５５の下方には、ソース配線３等の導電体が設けられていない。このような構造を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導通状態になることがない。
【００３０】
尚、本例では、縦方向（共通電極５と画素電極６との間に発生する電界とほぼ垂直方向）に隣接する画素間、即ち、ゲート配線１を境とする画素間の共通電極５間を２本の電極パターン５０１、５０２によって接続している。レーザビームによって切断する領域５５２及び領域５５３は、電極パターン５０１が突出する部分と電極パターン５０２が突出する部分の間の共通電極５に設けられている。そのため、領域５５２及び領域５５３を切断したとしても、縦方向に隣接する画素間の共通電極５は、一方の電極パターン５０１によって接続状態が維持される。従って、図に示す領域Ａが欠陥領域となることを防げる。
【００３１】
尚、電極パターン５０１、５０２は、２本でなくとも、３本以上の複数本であってもよい。
以上の実施例は、画素単位につき１回屈曲させる場合を示したが、２回以上、あるいは屈曲させない場合に用いてもよい。また、画素電極と共通電極を屈曲させ、ソース配線を屈曲させない場合にも同様に用いられる。
【００３２】
本発明にかかる液晶表示装置の製造方法．
次に、本発明の実施の形態１乃至３にかかる液晶表示装置の製造プロセスフローを図５を用いて説明する。
【００３３】
まず、図５（ａ）に示すように、絶縁性基板上にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法や蒸着法等により成膜し、写真製版・加工によりゲート配線１、ゲート電極１、共通容量配線を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、窒化シリコン等よりなるゲート絶縁膜２を形成し、さらに非晶質Ｓｉ、多結晶poly‐Ｓｉ等よりなる半導体膜９３、ｎ型のＴＦＴの場合はＰ等の不純物を高濃度にドーピングしたｎ+ 非晶質Ｓｉ、ｎ+ 多結晶poly‐Ｓｉ等よりなるコンタクト膜を、連続的に例えばプラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ法で成膜する。次いで、コンタクト膜および半導体膜９３を島状に加工する。
【００３４】
次に、図５（ｃ）に示すように、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法や蒸着法で成膜後、写真製版と微細加工技術によりソース配線３、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極等を形成する。さらに、ソース電極及びドレイン電極あるいはそれらを形成したホトレジストをマスクとしてコンタクト膜をエッチングし、チャネル領域から取り除く。
【００３５】
次いで、図５（ｄ）に示すように、窒化シリコンや酸化シリコン、無機絶縁膜または有機樹脂等からなる絶縁膜４を成膜する。この絶縁膜４は、２回以上に渡って成膜され、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が形成される。その後、写真製版とそれに続くエッチングによりコンタクトホールを形成する。
【００３６】
最後に、図５（ｅ）に示すように、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等やそれらを主成分とする合金、またはＩＴＯ等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等を成膜後、パターニングすることで画素電極、対向電極５を形成する。
【００３７】
以上の工程により、本実施の形態における横方向電界方式の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板を作製することができる。さらに、このＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶を挟持し、シール材にて接合する。このときラビング、光配向等の方法により液晶分子を所定の角度で配向させる。なお、液晶を配向させる方法は、既知のどのような方法を用いてもよい。さらに、ゲート配線、ソース配線、共通容量配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、共通容量配線用電源を接続することにより液晶表示装置を作製する。
【００３８】
その他の実施の形態．
尚、上述の実施の形態では、ソース配線と共通電極を導通状態にする工程を、共通電極の一部を分離する工程よりも先に行ったが、これらの工程の順序は逆であってもよい。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、ソース配線に発生した断線を容易に修復できる構造を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図である。
【図２】
本発明にかかる液晶表示装置の画素部の断面図である。
【図３】
本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図である。
【図４】
本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図である。
【図５】
本発明にかかる液晶表示装置の製造フローを示す図である。
【図６】
従来の液晶表示装置の画素部を示す図である。
【図７】
従来の液晶表示装置の画素部を示す図である。
【符号の説明】
２  ゲート絶縁膜
３  ソース配線
４  絶縁膜
５  共通電極
６  画素電極
７  共通容量電極
８  ゲート電極