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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置及びインクジェット記録装置の制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】インクを吐出するノズルが配列されたインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを前記配列方向と交差する方向に記録媒体上で走査させて記録を行うインクジェット記録装置であって、
記録媒体を保持しつつ搬送すべく、前記記録ヘッドが走査する領域の前後に設けられた第１及び第２の搬送手段と、
記録媒体が一方の搬送手段だけで保持されているときに、記録媒体の搬送方向における位置に応じて、前記記録媒体の記録面との距離が予め定めた範囲内となるノズルから前記走査に使用するノズルを設定するノズル設定手段と、を備えるインクジェット記録装置。
【請求項２】前記ノズル設定手段は、記録媒体の記録面との距離が予め定めた範囲内となるノズルを複数回の走査に分割して使用するように設定することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】前記搬送手段は、前記複数回の走査の間に記録媒体の搬送を行わないことを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】前記ノズル設定手段は、記録媒体の先端側に対しては搬送方向において後方にあるノズルを使用し、記録媒体の後端側に対しては搬送方向において前方にあるノズルを使用するように設定することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】前記ノズル設定手段は、記録媒体が前記第１及び第２の搬送手段の両方によって保持される位置にあるとき、全てのノズルを使用するように設定することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】前記ノズル設定手段は、記録媒体の種類毎に、前記記録媒体の搬送方向における距離と使用するノズルとの対応テーブルを有することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】インクを吐出するノズルが配列されたインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを前記配列方向と交差する方向に記録媒体上で走査させて記録を行い、搬送手段として前記記録ヘッドが走査する領域の前後に第１及び第２の搬送手段を有するインクジェット記録装置の制御方法であって、
記録媒体の搬送方向における位置に基づいて、記録媒体が一方の搬送手段だけで保持されているか否かを判定する判定工程と、
記録媒体が一方の搬送手段だけで保持されていると判定されたときに、前記記録媒体の記録面との距離が予め定めた範囲内となるノズルから前記走査に使用するノズルを設定するノズル設定工程と、を備えるインクジェット記録装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の一態様としての記録装置は、インクを吐出するノズルが配列されたインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを前記配列方向と交差する方向に記録媒体上で走査させて記録を行うインクジェット記録装置であって、記録媒体を保持しつつ搬送すべく、前記記録ヘッドが走査する領域の前後に設けられた第１及び第２の搬送手段と、記録媒体が一方の搬送手段だけで保持されているときに、記録媒体の搬送方向における位置に応じて、前記記録媒体の記録面との距離が予め定めた範囲内となるノズルから前記走査に使用するノズルを設定するノズル設定手段と、を備えている。また、上記目的を達成するために本発明の一態様としての記録装置の制御方法は、インクを吐出するノズルが配列されたインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを前記配列方向と交差する方向に記録媒体上で走査させて記録を行い、搬送手段として前記記録ヘッドが走査する領域の前後に第１及び第２の搬送手段を有するインクジェット記録装置の制御方法であって、記録媒体の搬送方向における位置に基づいて、記録媒体が一方の搬送手段だけで保持されているか否かを判定する判定工程と、記録媒体が一方の搬送手段だけで保持されていると判定されたときに、前記記録媒体の記録面との距離が予め定めた範囲内となるノズルから前記走査に使用するノズルを設定するノズル設定工程と、を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置およびインクジェット記録方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インクを吐出するインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを記録媒体上で双方向に走査させて双方向記録を行うインクジェット記録装置であって、
双方向記録で往方向と復方向との記録位置の調整を行うためにインク吐出タイミングの補正処理を行う手段と、
該補正処理を実行した際に得られる該補正処理に関する情報を格納する不揮発性の記憶手段と、を備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】  前記補正処理に関する情報が、インク吐出タイミングの補正値と補正処理を行ったか否かを示す情報を含む請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】  前記インクジェット記録装置に接続されたホスト機器が、補正処理が実行されていないと判断したときは、前記ホスト機器の表示手段に警告メッセージと補正処理の実行を促すメッセージとを表示させる請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】  インクを吐出するインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを記録媒体上で双方向に走査させて双方向記録を行うインクジェット記録方法であって、
双方向記録で往方向と復方向との記録位置の調整を行うためにインク吐出タイミングの補正処理を行う工程と、
該補正処理を実行した際に得られる該補正処理に関する情報を格納する記憶工程と、を備えることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項５】  前記補正処理に関する情報が、インク吐出タイミングの補正値と補正処理を行ったか否かを示す情報を含む請求項４に記載のインクジェット記録方法。
【請求項６】  前記インクジェット記録装置に接続されたホスト機器が、補正処理が実行されていないと判断したときは、前記ホスト機器の表示手段に警告メッセージと補正処理の実行を促すメッセージとを表示させる工程と、をさらに備える請求項５に記載のインクジェット記録方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の一態様としてのインクジェット記録装置は、インクを吐出するインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを記録媒体上で双方向に走査させて双方向記録を行うインクジェット記録装置であって、
双方向記録で往方向と復方向との記録位置の調整を行うためにインク吐出タイミングの補正処理を行う手段と、
該補正処理を実行した際に得られる該補正処理に関する情報を格納する不揮発性の記憶手段と、を備えている。
上記目的を達成する本発明の他の態様としてのインクジェット記録方法は、インクを吐出するインクジェット記録ヘッドを搭載したキャリッジを記録媒体上で双方向に走査させて双方向記録を行うインクジェット記録方法であって、
双方向記録で往方向と復方向との記録位置の調整を行うためにインク吐出タイミングの補正処理を行う工程と、
該補正処理を実行した際に得られる該補正処理に関する情報を格納する記憶工程と、を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電池残量検出方法及びその方法を用いた記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも電池電源で動作可能な記録装置の電池残量検出方法であって、
前記記録装置に搭載された記録ヘッドを往復走査して記録媒体に記録中に、電池電圧を検出して前記電池の残量を検出する検出工程と、
前記検出工程によって検出された前記電池の残量が予め定められた閾値以下であるかどうかを判別する判別工程と、
前記判別工程における判別結果に従って、前記記録ヘッドを往復走査するキャリッジモータと前記記録媒体を搬送する搬送モータの負荷が重ならない時間帯が設けられるように前記キャリッジモータと前記搬送モータの駆動を制御し、前記負荷が重ならない時間帯に前記電池の残量を検出するように前記検出工程を制御する検出制御工程とを有することを特徴とする電池残量検出方法。
【請求項２】  前記搬送モータはステッピングモータであることを特徴とする請求項１に記載の電池残量検出方法。
【請求項３】  前記負荷が重ならない時間帯とは、前記記録媒体の搬送を停止させるために前記搬送モータを停止させるための励磁をした後、前記記録ヘッドを移動させるために前記キャリッジモータを駆動させる前までの時間帯を含むことを特徴とする請求項１に記載の電池残量検出方法。
【請求項４】  前記検出制御工程は、前記判別工程において前記電池の残量が前記予め定められた閾値より多いと判別された場合には、前記記録の記録速度を高めるために、前記キャリッジモータと前記搬送モータを同時駆動する時間帯があるように駆動制御する駆動制御工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の電池残量検出方法。
【請求項５】  前記記録装置はさらにＡＣ電源でも動作可能であることを特徴とする請求項１に記載の電池残量検出方法。
【請求項６】  前記記録ヘッドはインクジェット記録ヘッドであることを特徴とする請求項１に記載の電池残量検出方法。
【請求項７】  少なくとも電池電源で動作可能な記録装置であって、
記録ヘッドを搭載したキャリッジを往復走査するための駆動力を発生するキャリッジモータと、
記録媒体を搬送するための駆動力を発生する搬送モータと、
前記キャリッジを往復走査して前記記録ヘッドから前記記録媒体に記録中に、電池電圧を検出して前記電池の残量を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された前記電池の残量が予め定められた閾値以下であるかどうかを判別する判別手段と、
前記判別手段による判別結果に従って、前記キャリッジモータと前記搬送モータの負荷が重ならない時間帯が設けられるように前記キャリッジモータと前記搬送モータの駆動を制御し、前記負荷が重ならない時間帯に前記電池の残量を検出するように前記検出手段を制御する検出制御手段とを有することを特徴とする記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電池残量検出方法及びその方法を用いた記録装置に関し、特に、例えば、携帯可能なＡＣ／ＤＣ電源両用のインクジェット記録装置に適用される電池残量検出方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明は上述の問題点を解決するためになされたもので、記録装置のスループットの低下を最小限に抑えつつ、より正確な電池の残量検出が可能な電池残量検出方法及びその方法を用いた記録装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
即ち、少なくとも電池電源で動作可能な記録装置の電池残量検出方法であって、前記記録装置に搭載された記録ヘッドを往復走査して記録媒体に記録中に、電池電圧を検出して前記電池の残量を検出する検出工程と、前記検出工程によって検出された前記電池の残量が予め定められた閾値以下であるかどうかを判別する判別工程と、前記判別工程における判別結果に従って、前記記録ヘッドを往復走査するキャリッジモータと前記記録媒体を搬送する搬送モータの負荷が重ならない時間帯が設けられるように前記キャリッジモータと前記搬送モータの駆動を制御し、前記負荷が重ならない時間帯に前記電池の残量を検出するように前記検出工程を制御する検出制御工程とを有することを特徴とする電池残量検出方法を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
即ち、少なくとも電池電源で動作可能な記録装置であって、記録ヘッドを搭載したキャリッジを往復走査するための駆動力を発生するキャリッジモータと、記録媒体を搬送するための駆動力を発生する搬送モータと、前記キャリッジを往復走査して前記記録ヘッドから前記記録媒体に記録中に、電池電圧を検出して前記電池の残量を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された前記電池の残量が予め定められた閾値以下であるかどうかを判別する判別手段と、前記判別手段による判別結果に従って、前記キャリッジモータと前記搬送モータの負荷が重ならない時間帯が設けられるように前記キャリッジモータと前記搬送モータの駆動を制御し、前記負荷が重ならない時間帯に前記電池の残量を検出するように前記検出手段を制御する検出制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する複数の吐出口と、電気熱変換素子が発生する熱エネルギーによって液体を吐出するために利用される気泡を発生する部分である発泡室と、前記吐出口と前記発泡室との間を連通する部分である吐出口部と、該吐出口部および前記発泡室にインクを供給する少なくとも１つの供給路とを有する流路構成基板と、前記電気熱変換素子が設けられ、前記流路構成基板が主面に接合された素子基板と、を備えるインクジェット記録ヘッドであって、
前記吐出口部は、前記吐出口から連続する第１吐出口部と、該第１吐出口部と前記発泡室とを連通する第２吐出口部と、を有し、
該第２吐出口部は、前記第１吐出口部との境界部を含み前記素子基板の主面とが平行である端面を有し、前記第２吐出口部の前記素子基板の主面に対して平行な断面の面積が、前記発泡室側の開口面から前記第１吐出口側の前記端面に至る前記第２吐出口部のいずれの前記断面においても前記境界部の面積よりも大きく、
前記第２吐出口部の前記発泡室側の開口面の、前記素子基板の主面に対して平行な断面の形状は、前記吐出口の配列方向と垂直な方向の長さが前記吐出口の配列方向と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
前記第２吐出口部の前記第１吐出口部側の前記端面における前記吐出口部の断面形状は、前記吐出口の配列方向と垂直な方向における前記第１吐出口部の長さに対する第２吐出口部の長さの比が、前記吐出口の配列方向と平行な方向における第１吐出口部の長さに対する第２吐出口部の長さの比よりも大きい請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記第２吐出口部の発泡室側の開口面が、楕円もしくは長円である、請求項１または２に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
前記第２吐出口部の前記発泡室側の開口面と、前記第２吐出口部の前記第１吐出口部側の端面とは相似形状となっている請求項１〜３のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】
前記第２吐出口部の第１吐出口部側の前記端面は、前記第２吐出口部の発泡室側の前記開口面よりも小さい請求項１〜３のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項６】
前記第２吐出口部の前記発泡室側の開口面と、前記第２吐出口部の前記第１吐出口部側の端面とは同一形状となっている請求項１または２に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】
前記電気熱変換素子の前記吐出口の配列方向と垂直な方向の長さが、前記吐出口の配列方向と平行な長さよりも長い請求項１〜６のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項８】
前記吐出口の配列方向における前記第２吐出口部の前記発泡室側の開口面の長さが、前記吐出口の配列方向における前記電気熱変換素子の長さと実質的に同等である請求項１〜７のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項９】
前記電気熱変換素子をはさんで前記供給路の対向側には流路壁がある請求項１〜８のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１０】
前記電気熱変換素子に対して対向する２方向に前記供給路が設けられている請求項１〜８のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１１】
前記流路構成基板には複数の前記吐出口部を有し、各吐出口部の長手方向が平行に配列された第１の吐出口列と、前記供給路にインクを供給する供給室を挟んで前記第１の吐出口列に対向する位置に各吐出口部の長手方向が平行に配列された第２の吐出口列とがそれぞれ設けられていて、前記第２の吐出口列の各吐出口は、前記第１の吐出口列の各吐出口部に対して、隣接する前記各吐出口部間のピッチが互いに１／２ピッチずれて配列されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１２】
前記電気熱変換素子によって発生する気泡が外気に連通する請求項１〜１１のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項１３】
液体を吐出する複数の吐出口と、吐出エネルギ発生素子によって液体を吐出させるために利用される圧力が発生する部分である圧力室と、前記吐出口と前記圧力室との間を連通する部分である吐出口部と、該吐出口部および前記圧力室にインクを供給する少なくとも１つの供給路とを有する流路構成基板と、前記吐出エネルギ発生素子が設けられ、前記流路構成基板が主面に接合された素子基板と、を備えるインクジェット記録ヘッドであって、
前記吐出口部は、前記吐出口から連続する第１吐出口部と、該第１吐出口部と前記圧力室とを連通する第２吐出口部と、を有し、
該第２吐出口部は、第１吐出口部との境界部を含み前記素子基板の主面とが平行である端面を有し、前記第２吐出口部の前記素子基板の主面に対して平行な断面の面積が、前記圧力室側の開口面から前記第１吐出口側の前記端面に至る前記第２吐出口部のいずれの前記断面においても前記境界部の面積よりも大きく、
前記第２吐出口部の前記圧力室側の開口面の、前記素子基板の主面に対して平行な断面の形状は、前記吐出口の配列方向と垂直な方向の長さが前記吐出口の配列方向と平行な方向の長さよりも長く、
前記第２吐出口部の前記第１吐出口部側の前記端面における前記吐出口部の断面形状は、前記吐出口の配列方向と垂直な方向における前記第１吐出口部の長さに対する第２吐出口部の長さの比が、前記吐出口の配列方向と平行な方向における第１吐出口部の長さに対する第２吐出口部の長さの比よりも大きいことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３には、本実施形態の多光軸光電センサの電気的構成を示す。投光器１には投光素子１１ａ〜１１ｌを点灯させるための駆動回路１２ａ〜１２ｌが備えられ、投光側ＣＰＵ１３からの信号を受けると投光素子１１ａ〜１１ｌに駆動電流を供給するようになっている。投光側ＣＰＵ１３は後述する受光器２に備えられた受光側ＣＰＵ２５（「無効化手段」、「タイマ手段」に相当）から投光タイミング信号Ｓｔを受けとり、この投光タイミング信号Ｓｔを投光側ＣＰＵ１３に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  円盤形状の回転ヘッドと、
この回転ヘッドに取り付けられ、円弧形状の刃先の切削刃物を有する刃物ブロックと、を有し、
上記回転ヘッドは、円周上の複数箇所に切欠き形状の取付部を有し、これらの取付部の各々は、上記回転ヘッドの中心軸線に垂直な回転面に対する傾斜角度がそれぞれ異なる底面を有し、
上記刃物ブロックは、上記取付部の何れか一つに、上記底面に接触した状態で、取り付けられている
ことを特徴とする回転切削ユニット。
【請求項２】  上記回転ヘッドの各取付部には、上記回転面から一定距離の位置に、それぞれピン取付部が形成されており、
上記刃物ブロックは、上記切削刃物の刃先の円弧の中心軸線上で、この中心軸と共通の中心軸を有するピンにより、上記ピン取付部に取り付けられてなる請求項１記載の回転切削ユニット。
【請求項３】  円盤形状の回転ヘッドであって、
円周上の複数箇所に切欠き形状の取付部を有し、これらの取付部の各々は、回転ヘッドの中心軸線に垂直な回転面に対する傾斜角度がそれぞれ異なる底面を有する
ことを特徴とする回転ヘッド。
【請求項４】  円弧形状の刃先を有する切削刃物を有する刃物ブロックであって、
上記切削刃物の刃先の円弧の中心軸線と共通の中心軸を有するピンを備えている
ことを特徴とする刃物ブロック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そこで、本発明において、好ましくは、回転ヘッドの各取付部には、回転面から一定距離の位置にそれぞれピン取付部が形成されており、刃物ブロックは、切削刃物の刃先の円弧の中心軸線上にこの中心軸と共通の中心軸を有するピンが設けられており、このピンにより位置決めされ固定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ここで、図２の（Ａ）及び（Ｂ）に、刃物ブロック２を回転ヘッド１に異なる角度で取り付けた様子を示す。刃物ブロック２を回転ヘッド１に取り付ける角度を変えることにより、切削刃物７の刃先７ａのうちワークに当たる使用部分を変えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、図５を参照して、本実施形態の回転切削ユニット１０を構成する刃物ブロック２について説明する。
刃物ブロック２は、切削刃物７の刃先７ａの円弧を含む平面に垂直な平坦な側面８を有している。そして、この側面８を取付部３の底面５に接触させた状態で、回転ヘッド１の取付部３の何れか一つに取り付けられる。このため、刃物ブロック２の取付角度は、回転ヘッド１の取付部３の底面５の傾斜角度によって決まる。底面５の傾斜角度は、上述したように、取付部３ごとに異なっている。したがって、刃物ブロック２を取り付ける取付部３を変えることにより、刃物ブロック２の取付角度を確実かつ容易に変えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本実施形態の刃物ブロック２は、その底に、切削刃物７の刃先７ａの円弧形状の中心点を通り、かつ、刃先７ａの円弧を含む平面に垂直な方向に延びるピン９を有している。そして、このピン９を、回転ヘッド１の取付部３のピン取付穴６に挿入することにより、刃物ブロック２が回転ヘッド１に取り付けられる。
なお、刃物ブロック２は、ピン９と反対側の面（即ち、刃物ブロック２の上面側）から六角穴付き止めねじによって取付部３の側面４ａに押し付けることにより、回転ヘッド１に固定するとよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このように、本発明の回転ヘッドによれば、回転ヘッドの取付部の底面の傾斜角度が、取付部ごとに異なっている。このため、刃物ブロックを、取付部の底面に当てて取り付ければ、刃物ブロックを、取付部ごとに異なる取付角度で取り付けることができる。したがって、刃物ブロックを取り付ける取付部を変えることにより、切削刃物の取付角度を確実かつ容易に変えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の刃物ブロックは、円弧形状の刃先を有する切削刃物を有する刃物ブロックであって、切削刃物の刃先の円弧の中心点を通る軸線上で、回転ヘッドにピン留めされることを特徴としている。
このように、本発明の刃物ブロックによれば、切削刃物の刃先の円弧の中心点で、回転ヘッドにピン留めされる。この中心点と刃先の各点との間の距離は一定である。このため、ピン留め位置と刃先の各点との間の距離は一定である。
したがって、刃物ブロックの回転ヘッドに対する取付角度によらず、切削刃物の刃先を、実質的に、同一面に接するよう容易に位置決めすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
上述した各実施形態においては、本発明を特定の条件で構成した例について説明したが、本発明は種々の変更及び組み合わせを行うことができ、これに限定されるものではない。
上述した実施形態においては、回転ヘッド１の取付部３に、ピン取付部として、ピン取付穴６を設けたが、本発明では、ピン取付部はこれに限定されない。例えば、ピン取付部としてピンを設けてもよい。
また、上述した実施形態においては、刃物ブロック２にピン９を設けた例について説明したが、ピン留めの手法はこれに限定されない。例えば、刃物ブロックの切削刃物の刃先の円弧の中心点を貫通する孔を形成し、この孔にピンを通すことにより、刃物ブロックを回転ヘッドにピン留めしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｍｎ3Ｏ4を含むＣＯ酸化触媒。
【請求項２】  多孔質状に形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＣＯ酸化触媒。
【請求項３】  平均粒子径が０．０１μｍ〜１．０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２記載のＣＯ酸化触媒。
【請求項４】  Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、及びそれらの合金の群のうち、少なくとも１種の貴金属微粒子が更に添加されてなることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載のＣＯ酸化触媒。
【請求項５】  ＭｎＣＯ3、ＭｎＯ2、及びＭｎＯＯＨの群のうち少なくとも１種を加熱処理する工程と、
前記加熱処理する工程における生成物を微粉化する工程とを備えたＣＯ酸化触媒の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、Ｍｎ3Ｏ4を含むＣＯ酸化触媒が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、Ｍｎ3Ｏ4は酸化活性が高く、ＣＯをＣＯ2に酸化して、燃料電池の触媒等がＣＯにより被毒されるのを抑制することができ、また人体に有害なＣＯを大気中に放出することを回避することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、本発明によれば、酸化活性の高いＭｎ3Ｏ4によりＣＯ酸化触媒が構成されているので、ガスに含まれるＣＯを低温で効率良く酸化することができる。さらに、ＣＯ酸化の選択性に優れているので改質ガスのＨ2を消費せずにＣＯ濃度を低減することができ、固体燃料電池システムのＣＯ除去装置に用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  汚泥スラリーに亜硝酸塩を添加した後、高分子凝集剤を添加混合し、次いで機械脱水する方法において、脱水ろ液中の残留亜硝酸イオン濃度を１〜２０ｍｇ／リットルの範囲に調整することを特徴とする脱水ケーキの臭気発生防止方法。
【請求項２】  汚泥スラリーに亜硝酸塩を添加して臭気の発生を防止する方法であって、亜硝酸塩の添加量を下記式（１）の範囲内とすることを特徴とする臭気発生防止方法。
０．１＜｛亜硝酸イオン添加量（ｍｇ／リットル）／汚泥スラリー中の硫化物量（ｍｇ／リットル）｝＜１０  ・・・（１）
【請求項３】  酸化剤、亜硝酸塩を除く金属塩、有機系殺菌剤がさらに添加されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の臭気発生防止方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、上記の亜硝酸塩を用いた臭気発生防止方法の問題点を解決するべく鋭意検討した結果、汚泥スラリーに亜硝酸塩（Ａ）、及びチアゾール系化合物又はイソチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｄ）を添加することにより、硫化水素の発生を長期間防止することができることを見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に搬送される基板に溶液を所定の塗布パターンで塗布する溶液の塗布装置において、
上記溶液をインクジェット方式によって吐出する多数のノズルを有するヘッドと、
このヘッドの各ノズルから溶液を間欠的に吐出させる駆動部と、
上記ヘッドに設けられたノズルの座標データが記憶され、その座標データと溶液の塗布パターンとに基いて上記駆動部の駆動を制御して上記ノズルから基板へ溶液を吐出させる制御装置と
を具備したことを特徴とする溶液の塗布装置。
【請求項２】
上記制御装置は、上記駆動部によって吐出される溶液の量が多いノズルからの吐出回数を減少させることを特徴とする請求項１記載の溶液の塗布装置。
【請求項３】
上記制御装置は、上記塗布パターンの外周縁を除く部分で吐出量の多いノズルからの溶液の吐出回数を減少させることを特徴とする請求項１記載の溶液の塗布装置。
【請求項４】
上記制御装置は、上記基板への上記溶液の塗布パターンを、上記溶液が乾燥することによって変化する形状を予め補正したパターンに設定することを特徴とする請求項１記載の溶液の塗布装置。
【請求項５】
上記基板の上記溶液が塗布される部分には、上記溶液に対する撥水性の異なる複数の膜が設けられていて、上記制御装置は、溶液の塗布パターンを複数の膜の撥水性の違いに応じて補正することを特徴とする請求項１記載の溶液の塗布装置。
【請求項６】
ヘッドに設けられた多数のノズルから溶液をインクジェット方式によって吐出させて所定方向に搬送される基板に所定の塗布パターンで塗布する溶液の塗布方法において、
上記ノズルの座標データを記憶させ、この座標データと、上記基板に塗布される溶液の塗布パターンとに基いて上記各ノズルからの溶液の吐出を制御することを特徴とする溶液の塗布方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記基板には上記溶液を所定の塗布パターンで塗布することが要求される。そのため、従来は基板が所定の位置から所定の距離を搬送される間、塗布パターンの幅寸法に対応する数のノズルから溶液を吐出させるようにしている。それによって、上記基板には格子状に配置された多数のドットからなる溶液によって所定の塗布パターン、通常は矩形状の塗布パターンが形成されるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
基板Ｗへ溶液の吐出を開始させるタイミングと、吐出を終了させるタイミングとは、図１に示すように搬送テーブル５によってヘッド９の下方に搬送されてきた基板Ｗの先端位置と、ヘッド９の下方を通過して所定の位置に到達した基板Ｗの先端位置とをそれぞれ第１、第２のセンサ２３，２４によって検知し、その検知信号によって制御される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記圧電素子１８が１回作動することで各ヘッド９の各ノズル１６から吐出される溶液の量は、予め測定されている。各ヘッド９において、供給孔１７に近い位置にあるノズル１６と、回収孔１９に近い位置にあるノズル１６からは、上述したようにヘッド９の幅方向中央部分に位置する他のノズル１６よりも溶液の吐出量が多くなる傾向にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004230266.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004230266.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １ゲームに対して賭数を設定することによりゲームが開始可能となるとともに、リールを回転させることにより表示状態を変化させることが可能な可変表示装置の表示結果が導出表示されることにより１ゲームが終了し、該可変表示装置の表示結果に応じて入賞が発生可能とされたスロットマシンであって、
遊技の制御を行うメイン制御手段と、
該メイン制御手段から送信された制御情報の受信に基づき演出の制御を行うサブ制御手段と、
を備え、
前記メイン制御手段は、
前記リールを回転させるリールモータの制御を行うリールモータ制御手段と、
制御状態に応じて前記制御情報を生成する制御情報生成手段と、
該制御情報生成手段にて生成された前記制御情報を格納する制御情報格納手段と、
該制御情報格納手段に格納された前記制御情報を前記サブ制御手段に対して送信する制御情報送信手段と、
該制御情報送信手段による前記制御情報の送信タイミングを所定時間の範囲でランダムに遅延させることが可能な送信タイミング遅延手段と、
を含み、
前記制御情報送信手段は、前記制御情報格納手段に前記制御情報が複数格納されている場合において、前記送信タイミング遅延手段が最初に生成された制御情報の送信タイミングを遅延させた後、該最初に生成された制御情報を送信し、その後、前記送信タイミング遅延手段が次に生成された制御情報の送信タイミングを遅延させた後、該次に生成された制御情報を送信する、
ことを特徴とするスロットマシン。
【請求項２】  前記送信タイミング遅延手段は、前記制御情報を遅延させるときに、該制御情報の送信タイミングの遅延時間を決定する請求項１に記載のスロットマシン。
【請求項３】  前記制御情報送信手段は、前記制御情報の送信後、所定の送信規制時間が経過するまで前記制御情報の送信を行わない請求項１または２に記載のスロットマシン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のスロットマシンは、１ゲームに対して賭数を設定することによりゲームが開始可能となるとともに、リールを回転させることにより表示状態を変化させることが可能な可変表示装置の表示結果が導出表示されることにより１ゲームが終了し、該可変表示装置の表示結果に応じて入賞が発生可能とされたスロットマシンであって、
遊技の制御を行うメイン制御手段と、
該メイン制御手段から送信された制御情報の受信に基づき演出の制御を行うサブ制御手段と、
を備え、
前記メイン制御手段は、
前記リールを回転させるリールモータの制御を行うリールモータ制御手段と、
制御状態に応じて前記制御情報を生成する制御情報生成手段と、
該制御情報生成手段にて生成された前記制御情報を格納する制御情報格納手段と、
該制御情報格納手段に格納された前記制御情報を前記サブ制御手段に対して送信する制御情報送信手段と、
該制御情報送信手段による前記制御情報の送信タイミングを所定時間の範囲でランダムに遅延させることが可能な送信タイミング遅延手段と、
を含み、
前記制御情報送信手段は、前記制御情報格納手段に前記制御情報が複数格納されている場合において、前記送信タイミング遅延手段が最初に生成された制御情報の送信タイミングを遅延させた後、該最初に生成された制御情報を送信し、その後、前記送信タイミング遅延手段が次に生成された制御情報の送信タイミングを遅延させた後、該次に生成された制御情報を送信する、
ことを特徴としている。
この特徴によれば、メイン制御手段からサブ制御手段に対して送信される制御情報の送信タイミングが所定時間の範囲でランダムに変化するため、サブ制御手段によりメイン制御手段から送信される制御情報の受信タイミングに基づいて目押しの補助となるような演出が行われてしまうことを防止できる。すなわちスロットマシンが有する本来の楽しみである目押しの楽しみを損なうような演出が行われてしまうことを防止できるため、興趣の高いスロットマシンを提供することができる。更に、複数の制御情報が連続して送信される場合でも、各々の制御情報がその生成順、すなわち本来制御情報が送信されるべき順番にて送信されるため、サブ制御手段はメイン制御手段の制御状態を正確な順番で把握して演出を行うことが可能であり、演出の順番に食い違いが生じることにより遊技者に違和感を与えてしまうことを防止できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のスロットマシンの前記送信タイミング遅延手段は、前記制御情報を遅延させるときに、該制御情報の送信タイミングの遅延時間を決定することが好ましい。
このようにすれば、各制御情報とともに、その送信タイミングの遅延時間を制御情報格納手段に格納する必要がなくなるため、制御情報格納手段の格納容量を節約できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
また、本実施例のスロットマシン１では、コマンド送信処理においてコマンドキューに格納されたコマンドを送信するときに、そのコマンドの遅延時間（遅延カウンタ値）を決定するようになっている。すなわち、各コマンドの遅延時間を対応するコマンドとともに、コマンドキューに格納する必要がなくなるため、コマンドキューの格納容量、ひいてはＲＡＭ２１２の記憶容量を節約できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の信号増幅部と、前記信号増幅部の各々に電力を供給する電源部と、前記信号増幅部の各々を経由する信号の電力を測定及び制御する制御部と、を含む電力増幅装置であって、
前記信号増幅部の各々は、制御信号に応じて入力信号の電力低減をなす入力低減手段と、
前記入力低減手段を経た信号を増幅する電力増幅手段とを含み、
前記制御部は、前記信号増幅部各々の前記電力増幅手段の入力及び出力信号の少なくとも一方の大きさを測定する信号測定手段と、
前記信号測定手段によって得られる測定値に基づいて、前記信号増幅部の出力電力の和を算出する電力算出手段と、
前記電力算出手段によって得られる電力算出値と予め定めた前記電源部の電源容量に基づく値とを比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、前記入力低減手段をして前記電力算出値が前記電源容量の範囲内に収まるような制御をなす前記制御信号を生成する制御信号生成手段と、を含むことを特徴とする電力増幅装置。
【請求項２】  複数の信号増幅部と、前記信号増幅部の各々に電力を供給する電源部と、前記信号増幅部の各々を経由する信号の電力を測定及び制御する制御部と、を含む電力増幅装置であって、
前記信号増幅部の各々は、制御信号に応じて入力信号の電力低減をなす入力低減手段と、
前記入力低減手段を経た信号を増幅する電力増幅手段とを含み、
前記制御部は、前記信号増幅部各々の前記電力増幅手段の入力及び出力信号の少なくとも一方の大きさを測定する信号測定手段と、
前記信号測定手段によって得られる測定値に基づいて前記信号増幅部の出力電力の和を算出する電力算出手段と、
前記電力算出手段によって得られる電力算出値に基づいて、前記電源部における温度上昇を算出する電源部温度上昇予測手段と、
前記電源部温度上昇予測手段によって得られる温度上昇予測値と予め定めた所定の上限温度上昇値に基づく基準値とを比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、前記入力低減手段をして前記温度上昇予測値が前記上限温度上昇値の範囲内に収まるような制御をなす前記制御信号を生成する制御信号生成手段と、を含むことを特徴とする電力増幅装置。
【請求項３】  複数の信号増幅部と、前記信号増幅部の各々に電力を供給する電源部と、前記信号増幅部の各々を経由する信号の電力を制御する制御部と、を含む電力増幅装置であって、
前記信号増幅部の各々は、制御信号に応じて入力信号の電力低減をなす入力低減手段と、
前記入力低減手段を経た信号を増幅する電力増幅手段とを含み、
前記制御部は、前記電源部の温度を測定する温度測定手段と、
前記温度測定手段によって得られる温度測定値と予め定めた所定の上限温度に基づく基準値とを比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、前記入力低減手段をして前記温度測定値が前記上限温度の範囲内に収まるような制御をなす前記制御信号を生成する制御信号生成手段と、を含むことを特徴とする電力増幅装置。
【請求項４】  前記入力低減手段は、前記制御信号に応じて入力信号の振幅を低減することを特徴とする、請求項１乃至請求項３の何れか１に記載の電力増幅装置。
【請求項５】  前記電力増幅手段としてＤ級電力増幅回路を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１に記載の電力増幅装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記ＭＩＳＦＥＴは、
（ａ）半導体基板に形成された第１導電型のウェルと、
（ｂ）前記ウェル上に形成されたゲート絶縁膜と、
（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
（ｄ）前記ゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサと、
（ｅ）前記ウェルに形成された、前記第１導電型とは反対の導電型である第２導電型のソース・ドレイン拡張領域と、
（ｆ）前記ウェルに形成され、前記ソース・ドレイン拡張領域よりも高い不純物濃度を有し、且つ、前記ソース・ドレイン拡張領域よりも深い位置まで形成された前記第２導電型のソース・ドレイン拡散領域と、
を有し、
前記ＭＩＳＦＥＴは更に、前記ウェルに形成された、前記第１導電型の第１不純物層および前記第１導電型の第２不純物層を有し、
前記第２不純物層の不純物濃度のピークの位置は、前記第１不純物層の不純物濃度のピークの位置よりも浅く、且つ、ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域よりも深い位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置において、
前記第２不純物層の不純物濃度は、前記第１不純物層の不純物濃度よりも薄く、且つ、前記チャネル領域の不純物濃度よりも濃いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１または２記載の半導体装置において、
前記第１不純物層は前記ソース・ドレイン拡散領域に接しており、
前記第２不純物層は前記ソース・ドレイン拡張領域に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ＭＩＳＦＥＴは１Ｖ以下の電源電圧で動作することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第２不純物層に含まれる元素の質量は、前記第１不純物層に含まれる元素の質量よりも重いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第１導電型はｐ型を示す導電型であり、前記第２導電型はｎ型を示す導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  請求項６記載の半導体装置において、
前記第２不純物層にはインジウムが注入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第１導電型はｎ型を示す導電型であり、前記第２導電型はｐ型を示す導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  請求項８記載の半導体装置において、
前記第２不純物層にはヒ素が注入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記チャネル領域の不純物濃度の総和が５×１０17／ｃｍ3以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】  請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第２不純物層の濃度は１×１０18／ｃｍ3以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】  請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、基板、単結晶薄膜および前記基板と単結晶薄膜を分離する絶縁層で構成されており、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記単結晶薄膜に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】  ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体基板に第１導電型のウェルを形成する工程と、
（ｂ）前記ウェル上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）ゲート電極を形成する工程と、
（ｄ）前記ウェルに、前記第１導電型とは反対の導電型である第２導電型のソース・ドレイン拡張領域を形成する工程と、
（ｅ）前記ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程と、
（ｆ）前記ウェルに、前記ソース・ドレイン拡張領域よりも高い不純物濃度を有し、且つ、前記ソース・ドレイン拡張領域よりも深い位置にまで前記第２導電型のソース・ドレイン拡散領域を形成する工程と、
を有し、
前記半導体装置の製造方法は更に、
（ｇ）前記ウェルに前記第１導電型の第１不純物層を形成する工程と、
（ｈ）前記ウェルに前記第１導電型の第２不純物層を形成する工程と、
を有し、
前記第２不純物層の不純物濃度のピークの位置は、前記第１不純物層の不純物濃度のピークの位置よりも浅く、且つ、ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域よりも深い位置に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２不純物層の不純物濃度は、前記第１不純物層の不純物濃度よりも薄く、且つ、前記チャネル領域の不純物濃度よりも濃いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１不純物層は前記ソース・ドレイン拡散領域に接しており、
前記第２不純物層は前記ソース・ドレイン拡張領域に接していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２不純物層に含まれる元素の質量は、前記第１不純物層に含まれる元素の質量よりも重いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１導電型はｐ型を示す導電型であり、前記第２導電型はｎ型を示す導電型であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】  請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程において、インジウムをイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】  請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１導電型はｎ型を示す導電型であり、前記第２導電型はｐ型を示す導電型であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】  請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程において、ヒ素をイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】  請求項１３〜２０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）および（ｈ）工程は、前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程との間に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】  請求項１３〜２１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記チャネル領域の不純物濃度の総和が５×１０17／ｃｍ3以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】 請求項１３〜２２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２不純物層の濃度は１×１０18／ｃｍ3以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】 請求項１３〜２３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板は、基板、単結晶薄膜および前記基板と単結晶薄膜を分離する絶縁層で構成されており、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記単結晶薄膜に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
即ち、両アンテナからの信号間で同じ逆拡散タイミングで逆拡散する場合、干渉成分については、伝搬路の影響が無ければ全く同じになり、伝搬路の影響のみで両アンテナ間の干渉成分の相関が決まる。そのため、伝搬路のフェージング変化が速い場合、両アンテナ間の干渉成分の相関は、伝搬路条件の変化により減少するが、フェージング変化が遅い場合、長い時間に亙って同じ伝搬路の状態が続くため、即ち伝搬路係数α2 ，β2 に変動が無いため、両アンテナ間の干渉信号の相関が大きいものとなる。
【特許文献１】特開平７−２４０７０８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１電極、強誘電体膜および第２電極が積層された強誘電体キャパシタの製造方法であって、
少なくとも前記強誘電体膜の材料が堆積される領域に、あらかじめ機能性薄膜が形成される工程を含み、
前記機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により物質を自己集積的に堆積する成膜工程を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】  請求項１において、
前記機能性薄膜は、前記強誘電体膜の成膜においてシード層として機能する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】  請求項１または２において、
前記機能性薄膜は、その表面が前記強誘電体膜の材料に対して親和性を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項４】  請求項１において、
前記機能性薄膜はシード層の下地層として機能し、該機能性薄膜を形成した後、該機能性薄膜を化学的に活性化してシード層の材料を反応させる工程を有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、無機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項６】  請求項５において、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる薄膜を自己集積によって形成した後、これを焼成することにより形成された無機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項７】  請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項８】  請求項７において、
前記強誘電体膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項９】  第１電極、機能性薄膜、強誘電体膜および第２電極を含み、
前記機能性薄膜は、少なくとも前記強誘電体膜が形成される領域に配置され、かつ、化学吸着により物質を自己集積的に堆積して形成された自己組織化膜である、強誘電体キャパシタ。
【請求項１０】  請求項９において、
前記機能性薄膜は、前記強誘電体膜の成膜においてシード層として機能する、強誘電体キャパシタ。
【請求項１１】  請求項９において、
前記機能性薄膜はシード層の下地層として機能し、該機能性薄膜上にシード層が配置された、強誘電体キャパシタ。
【請求項１２】  請求項９〜１１のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、無機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１３】  請求項１２において、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる薄膜を自己集積によって形成した後、これを焼成することにより形成された無機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１４】  請求項９〜１１のいずれかにおいて、
前記機能性薄膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１５】  請求項１４において、
前記強誘電体膜は、有機物質からなる、強誘電体キャパシタ。
【請求項１６】  請求項９〜請求項１５のいずれかに記載の強誘電体キャパシタを含む、強誘電体メモリ装置。
【請求項１７】  請求項１６において、
トランジスタ形成領域を構成する基体を含み、該基体上に所定パターンで配置された前記強誘電体キャパシタを有する、蓄積容量型の強誘電体メモリ装置。
【請求項１８】  請求項１６において、
半導体基板上に形成されたゲート絶縁層に前記キャパシタ構造が接続された、ＭＩＳトランジスタ型の強誘電体メモリ装置。
【請求項１９】  請求項１６において、
前記強誘電体キャパシタからなるメモリセルがマトリクス状に配列され、
前記強誘電体キャパシタは、第１信号電極と、該第１信号電極と交差する方向に配列された第２信号電極と、少なくとも前記第１信号電極と前記第２信号電極との交差領域に配置された強誘電体膜と、を含む、強誘電体メモリ装置。