【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導性基板上に第１の接着層を介して備えられた膜厚５０μｍ以下の第１の素子形成層と、
前記第１の素子形成層上に接して形成された熱伝導性膜と、
前記熱伝導性膜上に第２の接着層を介して備えられた膜厚５０μｍ以下の第２の素子形成層とを有することを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の素子形成層および前記第２の素子形成層は、その膜厚が０．１〜１０μｍであることを特徴とする半導体チップ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の素子形成層に含まれる半導体素子、および前記第２の素子形成層に含まれる半導体素子は、それぞれ接続配線により前記熱伝導性基板上に形成された配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体チップ。
【請求項４】
熱伝導性基板上に第１の接着層を介して備えられた膜厚５０μｍ以下の第１の素子形成層と、
前記第１の素子形成層上の一部に接して形成された熱伝導性膜と、
前記第１の素子形成層および前記熱伝導性膜上に異方導電性材料を含む第２の接着層を介して備えられた膜厚５０μｍ以下の第２の素子形成層とを有し、
前記第１の素子形成層に含まれる半導体素子、および前記第２の素子形成層に含まれる半導体素子は、前記第１の素子形成層に含まれる配線と、前記第２の素子形成層に含まれる配線と電気的に接続された補助配線とが、前記第２の接着層を介して電気的に接続されることを特徴とする半導体チップ。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の接着層は、異方導電性材料を含み、前記熱伝導性基板上に形成された配線と、第１の素子形成層に含まれる配線と電気的に接続された補助配線とが、前記第１の接着層を介して電気的に接続されることを特徴とすることを特徴とする半導体チップ。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記異方導電性材料は、Ａｇ、Ａｕ、およびＡｌの金属粒子を絶縁性被膜で覆ったものであることを特徴とする半導体チップ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記熱伝導性基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化珪素を主成分とするセラミック材、または炭素を主成分とするグラファイト材からなることを特徴とする半導体チップ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記熱伝導性膜は窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、燐化硼素、窒化硼素、ダイヤモンドライクカーボンまたはこれらの膜を組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体チップ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の素子形成層または前記第２の素子形成層は、ＴＦＴおよびこれらを組み合わせて形成されるＣＰＵ、ＭＰＵ、メモリー、または発光装置を含むことを特徴とする半導体チップ。
【請求項１０】
第１の工程において、第１の基板の一方の面に第１の金属層を形成し、
前記第１の金属層上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に熱処理工程を含み第１の素子形成層を形成し、
前記第１の素子形成層上に第１の有機樹脂膜を形成し、
前記第１の有機樹脂膜上に第１の接着層を形成し、
前記第１の接着層を介して第２の基板を接着させ、前記第１の素子形成層および前記第１の有機樹脂膜を前記第１の基板および前記第２の基板で挟み、
前記第１の基板の他方の面に第２の接着層を形成し、
前記第２の接着層を介して第３の基板を接着させ、
前記第１の基板および前記第３の基板を物理的手段を用いて分離除去し、第３の接着層が形成された熱伝導性を有する第４の基板上に前記第３の接着層を介して接着させ、
前記第１の接着層および前記第２の基板を分離除去し、
前記第１の有機樹脂膜を溶媒により除去し、前記第１の素子形成層を露出させ、
前記第１の素子形成層の露出面に熱伝導性膜を形成し、
第２の工程において、第５の基板の一方の面に第２の金属層を形成し、
前記第２の金属層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に熱処理工程を含み第２の素子形成層を形成し、
前記第２の素子形成層上に第２の有機樹脂膜を形成し、
前記第２の有機樹脂膜上に第４の接着層を形成し、
前記第４の接着層を介して第６の基板を接着させ、前記第２の素子形成層および前記第２の有機樹脂膜を前記第５の基板および前記第６の基板で挟み、
前記第５の基板の他方の面に第５の接着層を形成し、
前記第５の接着層を介して第７の基板を接着させ、
第３の工程において、前記第５の基板および前記第７の基板を物理的手段を用いて分離除去し、前記熱伝導性膜上に形成された第６の接着層を介して接着させ、
前記第４の接着層および前記第６の基板を分離除去し、
前記第２の有機樹脂膜を溶媒により除去することを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１１】
第１の工程において、第１の基板の一方の面に第１の金属層を形成し、
前記第１の金属層上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に熱処理工程を含み第１の素子形成層を形成し、
前記第１の素子形成層上に第１の有機樹脂膜を形成し、
前記第１の有機樹脂膜上に感光性の材料からなる第１の接着層を形成し、
前記第１の接着層を介して第２の基板を接着させ、前記第１の素子形成層および前記第１の有機樹脂膜を前記第１の基板および前記第２の基板で挟み、
前記第１の基板の他方の面に第２の接着層を形成し、
前記第２の接着層を介して第３の基板を接着させ、
前記第１の基板および前記第３の基板を物理的手段を用いて分離除去し、第３の接着層が形成された熱伝導性を有する第４の基板上に前記第３の接着層を介して接着させ、
前記第２の基板側から紫外線を照射し、
前記第１の接着層および前記第２の基板を分離除去し、
前記第１の有機樹脂膜を溶媒により除去し、前記第１の素子形成層を露出させ、
前記第１の素子形成層の露出面に熱伝導性膜を形成し、
第２の工程において、第５の基板の一方の面に第２の金属層を形成し、
前記第２の金属層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に熱処理工程を含み第２の素子形成層を形成し、
前記第２の素子形成層上に第２の有機樹脂膜を形成し、
前記第２の有機樹脂膜上に感光性の材料からなる第４の接着層を形成し、
前記第４の接着層を介して第６の基板を接着させ、前記第２の素子形成層および前記第２の有機樹脂膜を前記第５の基板および前記第６の基板で挟み、
前記第５の基板の他方の面に第５の接着層を形成し、
前記第５の接着層を介して第７の基板を接着させ、
第３の工程において、前記第５の基板および前記第７の基板を物理的手段を用いて分離除去し、前記熱伝導性膜上に形成された第６の接着層を介して接着させ、
前記第６の基板側から紫外線を照射し、
前記第４の接着層および前記第６の基板を分離除去し、
前記第２の有機樹脂膜を溶媒により除去することを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１２】
第１の工程において、第１の基板の一方の面に第１の金属層を形成し、
前記第１の金属層上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に熱処理工程を含み第１の素子形成層を形成し、
前記第１の素子形成層上に第１の有機樹脂膜を形成し、
前記第１の有機樹脂膜上に第１の接着層を形成し、
前記第１の接着層を介して第２の基板を接着させ、前記第１の素子形成層および前記第１の有機樹脂膜を前記第１の基板および前記第２の基板で挟み、
前記第１の基板の他方の面に第２の接着層を形成し、
前記第２の接着層を介して第３の基板を接着させ、
前記第１の基板および前記第３の基板を物理的手段を用いて分離除去し、露出面側から前記第１の素子形成層に含まれる第１の配線に達する開口部を形成し、前記開口部に第１の補助配線を形成し、熱伝導性を有する第４の基板上に第３の接着層を介して接着させ、
前記第１の接着層および前記第２の基板を分離除去し、
前記第１の有機樹脂膜を溶媒により除去し、前記第１の素子形成層を露出させ、
前記第１の素子形成層の露出面に熱伝導性膜を形成し、
第２の工程において、第５の基板の一方の面に第２の金属層を形成し、
前記第２の金属層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に熱処理工程を含み第２の素子形成層を形成し、
前記第２の素子形成層上に第２の有機樹脂膜を形成し、
前記第２の有機樹脂膜上に第４の接着層を形成し、
前記第４の接着層を介して第６の基板を接着させ、前記第２の素子形成層および前記第２の有機樹脂膜を前記第５の基板および前記第６の基板で挟み、
前記第５の基板の他方の面に第５の接着層を形成し、
前記第５の接着層を介して第７の基板を接着させ、
第３の工程において、前記第５の基板および前記第７の基板を物理的手段を用いて分離除去し、露出面側から前記第２の素子形成層に含まれる第２の配線に達する開口部を形成し、前記開口部に第２の補助配線を形成し、前記熱伝導性膜上に第６の接着層を介して接着させ、
前記第４の接着層および前記第６の基板を分離除去し、
前記第２の有機樹脂膜を溶媒により除去することを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一において、
熱処理工程を含む前記第１の素子形成層を形成することにより、前記第１の金属層の一部に金属酸化物層を形成し、
熱処理工程を含む前記第２の素子形成層を形成することにより、前記第２の金属層の一部に金属酸化物層を形成することを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１４】
請求項１１において、
前記第２の基板側から紫外線を照射することにより、感光性の材料からなる前記第１の接着層における接着力を低下させ、
前記第６の基板側から紫外線を照射することにより、感光性の材料からなる前記第４の接着層における接着力を低下させることを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第３の接着層は、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、および嫌気型接着剤のいずれか一を用いて形成されることを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一において、
前記熱伝導性膜は、スパッタリング法により形成された窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、燐化硼素、窒化硼素、ダイヤモンドライクカーボン、またはこれらの膜を組み合わせた積層膜であることを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第３の接着層および前記第６の接着層に異方導電性材料が分散されていることを特徴とする半導体チップの作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一において、
前記第３の接着層および前記第６の接着層を介してそれぞれ接着させる際に超音波照射をしながら接着させることを特徴とする半導体チップの作製方法。