Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動波駆動装置および画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  弾性体に電気−機械エネルギー変換素子を結合したステーターと、該ステーターに振動を発生させることで該ステーターに接触するローターを駆動する振動波モータと、
該振動波モータによって駆動される被駆動部材が定速駆動されるように前記振動波モータの目標速度として第１の速度を設定してフィードバック制御を行う速度調整手段とを有し、
前記速度調整手段は、前記振動波モータを備えた装置の使用状態を検出し、該使用状態が所定の条件を満たすと判定した場合に、前記振動波モータの前記ローターと前記ステーターの密着面積を減少させて前記振動波モータの安定回転性能を改善させるため、目標速度として前記第１の速度よりも高い第２の速度を設定して前記振動モータを駆動することを特徴とする振動波駆動装置。
【請求項２】  前記所定の条件とは、前記振動波モータを備えた装置の電源が投入されたことであること、前記振動波モータを備えた装置が外部から所定の信号を受信したこと、前記振動波モータを備えた装置の電源が投入されてから所定時間が経過したこと、および、前記振動波モータの回転駆動性能を示す値が既定値を超えたことの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の振動波駆動装置。
【請求項３】  前記速度調整手段は、目標速度として前記第１の速度よりも高い第２の速度を設定して前記振動波モータを駆動する間に前記振動波モータの速度を検出し、検出した速度に応じて前記第２の速度を変更することを特徴とする請求項１に記載の振動波駆動装置。
【請求項４】  前記速度調整手段は、目標速度として前記第１の速度よりも高い第２の速度を設定して前記振動波モータを駆動する間に前記振動波モータの回転駆動性能を示す値を検出し、この検出した値に応じて前記第２の速度を変更することを特徴とする請求項１に記載の振動波駆動装置。
【請求項５】  請求項１から４のいずれかに記載の振動波駆動装置を備えた画像形成装置であって、前記振動波モータによって駆動される被駆動部材が像担持体であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】  請求項１から４のいずれかに記載の振動波駆動装置を備えた画像形成装置であって、前記振動波モータによって駆動される被駆動部材が像担持体の転写位置に転写材を搬送する搬送手段であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は振動波モータ等の振動波駆動装置および画像形成装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を実現する振動波駆動装置の構成の一つとしては、弾性体に電気−機械エネルギー変換素子を結合したステーターと、ステーターに振動を発生させることでステーターに接触するローターを駆動する振動波モータと、振動波モータによって駆動される被駆動部材が定速駆動されるように振動波モータの目標速度として第１の速度を設定してフィードバック制御を行う速度調整手段とを有し、速度調整手段は、振動波モータを備えた装置の使用状態を検出し、使用状態が所定の条件を満たすと判定した場合に、振動波モータのローターとステーターの密着面積を減少させて振動波モータの安定回転性能を改善させるため、目標速度として第１の速度よりも高い第２の速度を設定して振動モータを駆動することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここで、目標速度として第１の速度よりも高い第２の速度を設定して振動波モータを駆動する間に振動波モータの速度（又は、回転駆動性能を示す値）を検出し、検出した速度（又は値）に応じて前記第２の速度を変更することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の目的を実現する画像形成装置の構成の一例は、上記した一つの構成の振動波駆動装置を有し、前記振動波モータを１または複数の像担持体の駆動源とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的を実現する画像形成装置の構成の他の例は、上記した他の構成の振動波駆動装置を有し、像担持体の転写位置に転写材を搬送する搬送手段の駆動源を前記振動波モータとしたものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記した構成において、振動波モータのローターとステーター間の密着面積は、ある程度減少させることができ、それによって振動波モータの回転駆動性能の劣化を改善することが可能である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、所定の条件としては、振動波モータを備えた装置の電源が投入されたことであること、振動波モータを備えた装置が外部から所定の信号を受信したこと、振動波モータを備えた装置の電源が投入されてから所定時間が経過したこと、振動波モータの回転駆動性能を示す値が既定値を超えたことがある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、振動波モータのローターとステーター間の密着面積を減少させ、結果として振動波モータの回転駆動性能を向上させること可能としている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記合焦制御手段は、前記設定温度と前記撮影レンズの測定温度との温度差が所定値以上である場合に前記フォーカスサーチを行って前記支持部材を前記合焦位置へと移動するとともに、前記フォーカスサーチで得られた合焦位置及び測定温度を、それぞれ前記設定合焦位置データ及び前記設定温度データとして前記記憶手段に書き込み、これらを更新することを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、設定温度と撮影レンズの測定温度との温度差が所定値以上である場合にフォーカスサーチを行って支持部材を合焦位置へと移動するとともに、前記フォーカスサーチで得られた合焦位置及び測定温度を、それぞれ設定合焦位置データ及び設定温度データとして記憶手段に書き込み、これらを更新することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ラインＣＣＤスキャナ１１は、ネガフイルムやリバーサルフイルム等の写真フイルム１７（図２参照）に記録された画像を光電的に読み取る装置であり、読み取られた画像は画像データに変換されて画像処理部１２へ出力される。図２に示すように、ラインＣＣＤスキャナ１１は、写真フイルム１７を支持搬送するフイルムキャリア２０と、フイルムキャリア２０の下方に配される光源部２１と、フイルムキャリア２０を挟んで光源部２１の反対側に配設される読取部２３とで構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リザーバの車体前部側上部に注液口を備え、該リザーバの底壁にタンデム型液圧マスタシリンダのシリンダ孔と連通する第１ユニオン孔と第２ユニオン孔とを備え、リザーバ内部の貯液室にリードスイッチとフロートとを用いた液面検知装置を有する車両用液圧マスタシリンダのリザーバにおいて、前記貯液室の内部に２枚の仕切壁を車体幅方向に配設して貯液室内部を三室に画成し、該三室を車体前部側から第１貯液室，第２貯液室，第３貯液室となして、前記注液口を第１貯液室に連通させ、該第１貯液室と前記第２貯液室とを仕切る車体前部側の仕切壁を前記第１ユニオン孔の上面に配設して、該第１ユニオン孔を第１貯液室及び第２貯液室の双方に、前記第２ユニオン孔を前記第３貯液室にそれぞれ連通させ、前記液面検知装置を前記第２貯液室又は第３貯液室のいずれか一方に配設すると共に、該第２貯液室と第３貯液室とを仕切る車体後部側の仕切壁の上部に開口を設けて、第２貯液室と第３貯液室とを連通せしめたことを特徴とする車両用液圧マスタシリンダのリザーバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述の目的に従って、リザーバの車体前部側上部に注液口を備え、該リザーバの底壁にタンデム型液圧マスタシリンダのシリンダ孔と連通する第１ユニオン孔と第２ユニオン孔とを備え、リザーバ内部の貯液室にリードスイッチとフロートとを用いた液面検知装置を有する車両用液圧マスタシリンダのリザーバにおいて、前記貯液室の内部に２枚の仕切壁を車体幅方向に配設して貯液室内部を三室に画成し、該三室を車体前部側から第１貯液室，第２貯液室，第３貯液室となして、前記注液口を第１貯液室に連通させ、該第１貯液室と前記第２貯液室とを仕切る車体前部側の仕切壁を前記第１ユニオン孔の上面に配設して、該第１ユニオン孔を第１貯液室及び第２貯液室の双方に、前記第２ユニオン孔を前記第３貯液室にそれぞれ連通させ、前記液面検知装置を前記第２貯液室又は第３貯液室のいずれか一方に配設すると共に、該第２貯液室と第３貯液室とを仕切る車体後部側の仕切壁の上部に開口を設けて、第２貯液室と第３貯液室とを連通したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
尚、上述の第１，第２形態例では、液面検知装置を第３貯液室に設けて説明したが、液面検知装置は第２貯液室に設けてもよい。また液面検知装置のフロートは、形態例のように仕切壁の一部を変形した筒体内のフロート室に収容することが、フロート室内に作動液をより充分確保できて誤作動を防止するのに有益であるが、本発明は専用のフロート室を省略しても誤作動の防止を達成することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月4日(2006.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  送り出しロールにて連続紙を送り出す給紙装置と、交換胴装置を装脱可能にした印刷ユニットを有する印刷部と、印刷部より下流側に位置して引き込みロールにて連続紙を引き込む引き込み装置とを有する交換胴型輪転機において、
上記交換胴装置として、全周に印刷面を有する印刷胴を用いた連続印刷用の交換胴装置と、円周方向の一部を他の部分より大径にしてこの大径部の周面に印刷面を有する印刷胴を用いた間欠印刷用の交換胴装置とを選択的に用い、
給紙装置の送り出しロールの下流側と、引き込み装置の引き込みロールの上流側に、連続紙を正転方向と逆転方向に走行及び停止できるようにした正逆走行手段を設け、送り出しロールと上流側の正逆走行手段との間、及び下流側の正逆走行手段と引き出しロールとの間に、走行量差吸収部を設けた
ことを特徴とする交換胴型輪転機。
【請求項２】  走行量差吸収部に固定可能にしたダンサーロールを設けた
ことを特徴とする請求項１記載の交換胴型輪転機。
【請求項３】  印刷ユニットを連続紙の走行方向に位置調整可能にしたことを特徴とする請求項１または２記載の交換胴型輪転機。
【請求項４】  各部分のロールの個々の駆動源としてセクショナルモータを用いたことを特徴とする請求項１，２または３記載の交換胴型輪転機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る交換胴型輪転機は、送り出しロールにて連続紙を送り出す給紙装置と、交換胴装置を装脱可能にした印刷ユニットを有する印刷部と、印刷部より下流側に位置して引き込みロールにて連続紙を引き込む引き込み装置とを有する交換胴型輪転機において、上記交換胴装置として、全周に印刷面を有する印刷胴を用いた連続印刷用の交換胴装置と、円周方向の一部を他の部分より大径にしてこの大径部の周面に印刷面を有する印刷胴を用いた間欠印刷用の交換胴装置とを選択的に用い、給紙装置の送り出しロールの下流側と、引き込み装置の引き込みロールの上流側に、連続紙を正転方向と逆転方向に走行及び停止できるようにした正逆走行手段を設け、送り出しロールと上流側の正逆走行手段との間、及び下流側の正逆走行手段と引き出しロールとの間に、走行量差吸収部を設けたた構成になっている。また本発明の請求項２に係る交換胴型輪転機は、上記請求項１に記載の交換胴型輪転機において、上記走行量差吸収部に固定可能にしたダンサーロールを設けた構成になっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【作用】
連続印刷する場合には、印刷ユニットに連続印刷用の交換胴装置を装着し、給紙装置から引き込み装置にわたって印刷ユニットを経て連続紙を所定の速度で走行させることにより、印刷ユニットの交換胴装置の交換胴にセットした絵柄が繰り返し連続印刷される。このときの各絵柄の天地長さは上記交換胴によって選定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
間欠印刷する場合には、印刷ユニットに間欠印刷用の交換胴装置を装着する。送り出しロールと引き込みロールにて一定の走行量にて走行される連続紙が印刷胴と圧胴の間を通ることにより印刷胴の大径部にて絵柄が印刷される。そして印刷胴が１回転する毎に、連続紙が印刷胴の小径部に対向している間に、印刷胴の大径部の周長（Ｌ）から上記絵柄の天地長さ（ａ）を差引いた周長分だけ連続紙が正逆走行手段に連続紙の走行方向に対して逆走（停止も含む）される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記正逆走行手段にて連続紙が逆走されたときに、給紙装置の正逆走行手段の上流側で連続紙が弛み、引き込み装置の正逆走行手段の下流側で繁張するが、この連続紙の上流側と下流側での弛みと繁張は上流側と下流側に設けられた走行量差吸収部にて吸収される。そしてこの走行量差吸収部における連続紙の走行差の吸収作用時にはダンサーロールが上下動される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式（Ｉ）の化合物又はその酸付加塩：
【化１】
2000128896.tif 000001
［式中、Ａは窒素原子又はＮ→Ｏ基を表わし、
Ｒ1及びＲ2は同一であっても異なっていてもよく、水素原子又は１８個までの炭素原子を有するアルキル基を表わし、
Ｒは水素原子又は(ＣＨ2)mＯＢ基
｛ここで、ｍは１〜８の範囲の整数を表わし、
Ｂは水素原子又はＣＯＡｒ基若しくは(ＣＨ2)nＡｒ基
（ここで、ｎは１〜８の範囲の整数を表わし、
Ａｒは単環若しくは多環式アリール若しくはヘテロアリール基を表わす）
を表わす｝
を表わし、
Ｈａｌはハロゲン原子を表わし、
Ｚは水素原子又は１８個までの炭素原子を有するアシル基の残基を表わす］。
【請求項２】
Ｒ1及びＲ2が水素原子を表わす、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ａが窒素原子を表わす、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
Ｈａｌが弗素原子を表わす、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【請求項５】
Ｒが水素原子を表わす、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
ＲがＣＨ2ＯＨ基を表わす、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】
名称が
・［３ａＳ−（３ａＲ*，４Ｓ*，７Ｒ*，９Ｓ*，１０Ｓ*，１１Ｓ*，１３Ｓ*，１５Ｓ*，１５ａＳ*）］−４−エチル−７−フルオル−３ａ，４，１０，１１，１２，１３，１５，１５ａ−オクタヒドロ−１１−メトキシ−３ａ，７，９，１１，１３，１５−ヘキサメチル−１０−［［３，４，６−トリデオキシ−３−（ジメチルアミノ）−β−Ｄ−キシロ−ヘキソピラノシル］オキシ］−１４，１−（ニトリロエタノ）−２Ｈ−オキサシクロテトラデシノ［４，３−ｄ］オキサゾール−２，６，８（９Ｈ）−トリオン、又は
・［３ａＳ−（３ａＲ*，４Ｓ*，７Ｒ*，９Ｓ*，１０Ｓ*，１１Ｓ*，１３Ｓ*，１５Ｓ*，１５ａＳ*，１７Ｒ*）］−４−エチル−７−フルオル−３ａ，４，１０，１１，１２，１３，１５，１５ａ−オクタヒドロ−１７−（ヒドロキシメチル）−１１−メトキシ−３ａ，７，９，１１，１３，１５−ヘキサメチル−１０−［［３，４，６−トリデオキシ−３−（ジメチルアミノ）−β−Ｄ−キシロ−ヘキソピラノシル］オキシ］−１４，１−（ニトリロエタノ）−２Ｈ−オキサシクロテトラデシノ［４，３−ｄ］オキサゾール−２，６，８（９Ｈ）−トリオン
である、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
抗生物質薬剤としての請求項１〜６のいずれかに記載の化合物又はそれらの製薬上許容できる塩。
【請求項９】
抗生物質薬剤としての請求項７記載の化合物又はそれらの製薬上許容できる塩。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の少なくとも１種の抗生物質薬剤を活性成分として含有する製薬組成物。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の化合物の製造方法であって、
次式（II）：
【化２】
2000128896.tif 000002
（式中、Ｈａｌはハロゲン原子を表わし、
ＯＭは保護されたヒドロキシル基を表わす）
の化合物に次式（III）：
【化３】
2000128896.tif 000003
（式中、ｍは１〜８の範囲の整数を表わす）
の化合物を作用させて次式（IV）：
【化４】
2000128896.tif 000004
の化合物を得て、
次いで２’位のヒドロキシル基を遊離させて次式（Ｖ）：
【化５】
2000128896.tif 000005
の化合物を得て、
これに脱ベンジル剤を作用させて次式（VI）：
【化６】
2000128896.tif 000006
の化合物を得て、
これに環化剤を作用させて式（Ｉ）においてＲが(ＣＨ2)mＯＨ基を表わす化合物に相当する次式（ＩＡ）：
【化７】
2000128896.tif 000007
の化合物を得て、
これに(ＣＨ2)mＯＨ基のアルキル化剤又はアシル化剤を作用させて請求項１記載のＢがＣＯＡｒ又は(ＣＨ2)nＡｒ基を表わす対応する化合物（その式を（ＩＢ）とする）を得て、
次いで所望ならば２’位のＯＨ基をエステル化し、
且つ（又は）いずれかの段階において得られた式（Ｉ）に相当する化合物に酸を作用させて式（Ｉ）の化合物の塩を得る
ことを特徴とする、前記方法。
【請求項１２】
新規の化学物質としての請求項１１記載の式（IV）、式（Ｖ）又は式（VI）の化合物。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法の別法となる請求項１〜７のいずれかに記載の化合物の製造方法であって、
次式（IIIＡ）：
【化８】
2000128896.tif 000008
（式中、Ａ、Ｒ、Ｒ1及びＲ2は前記の意味を有し、
ＯＭは保護されたヒドロキシル基を表わす）
の化合物にハロゲン化剤を作用させて次式（ＩＢ）：
【化９】
2000128896.tif 000009
の化合物を得て、
これに所望ならば２’位のヒドロキシル基の遊離剤を作用させて式（Ｉ）においてＺが水素原子である対応する化合物を得て、
これに所望ならば２’位のＯＨ基のエステル化剤を作用させ又はこの式（Ｉ）の化合物に酸を作用させて塩を形成させる
ことを特徴とする、前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
基が置換されている場合、これは、次の１種以上のものによって為されることができる：ヒドロキシル基；ハロゲン原子；ＮＯ2基；Ｃ≡Ｎ基；１２個までの炭素原子を有し且つ随意に１個以上のハロゲン原子で置換されたアルキル、アルケニル、アルキニル、Ｏ−アルキル、Ｏ−アルケニル、Ｏ−アルキニル、Ｓ−アルキル、Ｓ−アルケニル、Ｓ−アルキニル、Ｎ−アルキル、Ｎ−アルケニル又はＮ−アルキニル基；次式：
【化１１】
2000128896.tif 000010
（ここで、Ｒa及びＲbは同一であっても異なっていてもよく、水素原子又は１２個までの炭素原子を有するアルキル基を表わす）の基；次式：
【化１２】
2000128896.tif 000011
（ここで、Ｒ3は１２個までの炭素原子を有するアルキル基又は随意に置換されたアリール若しくはヘテロアリール基を表わす）
の基；及び炭素環式アリール、Ｏ−アリール若しくはＳ−アリール基又は１個以上のヘテロ原子を含む五員若しくは六員のヘテロ環式アリール、Ｏ−アリール若しくはＳ−アリール基（これらは随意に前記の１種以上の置換基で置換されていてもよい）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一、第二導電型の窒化物半導体と、該第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する透光性電極と、該透光性電極に形成されるパッド電極とを有する窒化半導体発光素子において、
前記透光性電極は、含有酸素濃度が膜厚方向に変化している透明導電膜を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記透光性電極は、前記窒化物半導体側の含有酸素濃度が大きいことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記透光性電極は、前記窒化物半導体の方から順に透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層より含有酸素濃度が小さい透明導電膜よりなる第二の層とからなる請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記パッド電極の一部が前記窒化物半導体に直接設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記透光性電極は、さらに金属膜を前記窒化物半導体の側に有する請求項１乃至４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記透明導電膜は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）あるいはスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなることを特徴とする請求項１乃至５に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の目的を達成するために本発明に係る発光素子は、第一、第二導電型の窒化物半導体と、該第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する透光性電極と、該透光性電極に形成されるパッド電極とを有する窒化半導体発光素子において、上記透光性電極は、含有酸素濃度が膜厚方向に変化している透明導電膜を含むことを特徴とする。また、上記透光性電極は、上記窒化物半導体側の含有酸素濃度が大きいことが好ましい。また、上記透光性電極は、上記窒化物半導体の方から順に透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層より含有酸素濃度が小さい透明導電膜よりなる第二の層とからなることが好ましい。また、透明導電膜は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）あるいはスズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなることが好ましい。このように構成することにより、透光率が高い電極を有し信頼性の高い発光素子を実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、透光性電極は、さらに金属膜を前記窒化物半導体の側に有する。このように構成することにより、透明導電膜を窒化物半導体に直接設ける構成と比較して、透光性電極は、窒化物半導体層と良好なオーミック接続を行うことが容易にできる。
また、上記パッド電極の一部が上記窒化物半導体に直接設けられていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、比較的小さい磁歪定数及び比較的大きい磁化反転磁場（保磁力）を有する垂直磁化層材料たとえばＴｂＦｅＣｏ合金、ＧｄＦｅＣｏ合金をスパッタリング法またはゾルゲル法を用いて約０．０５μｍ厚みで形成し、フォトリソグラフィ・エッチング法によりパターニングする。これにより、固定磁性層１をｎ＋型不純物拡散層１０５Ｄ上に形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電磁波シールド構造体及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
試料Ｎｏ．６，７，８，１１，１２で用いた面材４は、厚み１０ｍｍ、目付重量１７ｇ／ｍ２のアルミニウム蒸着樹脂フィルムである。Ｎｏ．６，７では貫通孔も切れ目もない同フィルムを用い、Ｎｏ．８では電磁波入射側に貫通孔８のある同フィルム（反対側は貫通孔のない同フィルム）を用い、Ｎｏ．１１，１２では電磁波入射側に切れ目９のある同フィルム（反対側は切れ目のない同フィルム）を用いた。貫通孔８は、タテ、ヨコの孔間隔が５ｍｍ、孔径がφ２ｍｍである。切れ目９の形状は、一直線の線分とし、刃物を用いて切れ目９の開口幅が略０ｍｍ（切れてはいるが目が略塞がっている状態）、切れ目長さが１５ｍｍ、切れ目ピッチが３０ｍｍとなるように加工した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有する電界効果型トランジスタであって、
半導体層及びゲート絶縁層を構成する１層の絶縁性マトリクス層を備え、
半導体層を構成する絶縁性マトリクス層の部分には導電性高分子材料が含浸されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
ゲート絶縁層を構成する絶縁性マトリクス層の部分には絶縁性高分子材料が含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有する電界効果型トランジスタであって、
半導体層及びゲート絶縁層を構成する２層積層構造を有する絶縁性マトリクス層を備え、
半導体層を構成する絶縁性マトリクス層の第１層目には導電性高分子材料が含浸されており、
絶縁性マトリクス層の第２層目によってゲート絶縁層が構成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
絶縁性マトリクス層の第２層目には絶縁性高分子材料が含浸されていることを特徴とする請求項３に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有する電界効果型トランジスタであって、
絶縁性マトリクス層と絶縁性高分子材料層との積層構造を備え、
絶縁性高分子材料層によってゲート絶縁層が構成され、
半導体層を構成する絶縁性マトリクス層には導電性高分子材料が含浸されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有する電界効果型トランジスタであって、
絶縁性マトリクス層と、絶縁性マトリクス層の一方の表面に転写・定着された絶縁材料層との積層構造を備え、
絶縁材料層によってゲート絶縁層が構成され、
半導体層を構成する絶縁性マトリクス層には導電性高分子材料が含浸されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有し、
半導体層及びゲート絶縁層を構成する１層の絶縁性マトリクス層を備えた電界効果型トランジスタの製造方法であって、
半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層の部分に導電性高分子材料を含浸させる工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項８】
半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層の部分に導電性高分子材料を含浸させた後に、ゲート絶縁層を構成すべき絶縁性マトリクス層の部分に絶縁性高分子材料を含浸させる工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項９】
半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層の部分に導電性高分子材料を含浸させる前に、ゲート絶縁層を構成すべき絶縁性マトリクス層の部分に絶縁性高分子材料を含浸させる工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有し、
半導体層及びゲート絶縁層を構成する２層積層構造を有する絶縁性マトリクス層を備え、
絶縁性マトリクス層の第１層目によって半導体層が構成され、絶縁性マトリクス層の第２層目によってゲート絶縁層が構成されている電界効果型トランジスタの製造方法であって、
導電性高分子材料が含浸された絶縁性マトリクス層の第１層目と、絶縁性マトリクス層の第２層目とを積層する工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
絶縁性マトリクス層の第２層目には絶縁性高分子材料が含浸されていることを特徴とする請求項１０に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有し、
絶縁性マトリクス層と絶縁性高分子材料層との積層構造を備え、
絶縁性高分子材料層によってゲート絶縁層が構成された電界効果型トランジスタの製造方法であって、
半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層に導電性高分子材料を含浸する工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層に導電性高分子材料を含浸する前に、絶縁性マトリクス層と絶縁性高分子材料層とを積層する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層に導電性高分子材料を含浸した後に、絶縁性マトリクス層と絶縁性高分子材料層とを積層する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
（Ａ）半導体層に形成されたソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域、並びに、
（Ｂ）ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、
を有し、
絶縁性マトリクス層と絶縁材料層との積層構造を備え、
絶縁材料層によってゲート絶縁層が構成された電界効果型トランジスタの製造方法であって、
絶縁性マトリクス層の一方の表面に絶縁材料層を転写・定着した後、半導体層を構成すべき絶縁性マトリクス層に導電性高分子材料を含浸する工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを単一パッケージに搭載した半導体装置の製造方法であって、
第１の半導体チップの仕様と整合させるための第２の半導体チップについての仕様を共有情報としてデータベースに蓄積し、
前記データベースに蓄積された前記第２の半導体チップについての仕様に基づいて前記第２の半導体チップを設計、製造および／または試験し、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを単一パッケージに実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記データベースには、前記第２の半導体チップについての種々の仕様が累積され、累積された前記第２の半導体チップについての種々の仕様を第３の半導体チップの設計、製造および／または試験に利用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の半導体チップはシステムＬＳＩであり、前記第２の半導体チップはメモリＬＳＩであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記データベースに蓄積される前記第２の半導体チップについての仕様は、システム機能、システム論理、チップレイアウト、ウエハ製造プロセスおよび／またはアセンブリに関する仕様を含み、
前記システム機能に関する仕様は、メモリセル仕様および／またはアドレス空間仕様を含み、
前記システム論理に関する仕様は、メモリアクセス制御仕様、アドレスデコード仕様および／またはクロックタイミング仕様を含み、
前記チップレイアウトに関する仕様は、チップサイズ仕様、パッド配置仕様および／またはヒューズ配置仕様を含み、
前記ウエハ製造プロセスに関する仕様は、パッド構造仕様、パッシベーション構造仕様および／またはヒューズ構造仕様を含み、
前記アセンブリに関する仕様は、スクライブライン仕様および／またはチップ厚仕様を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記データベースは、
前記第１および／または第２の半導体チップの機能論理分離仕様を受信して、前記第１および／または第２の半導体チップの機能設計部門へ送信するステップ、
前記第１の半導体チップの機能論理仕様および／またはメモリアクセス仕様を前記第１の半導体チップの機能設計部門から受信して、前記第１の半導体チップの論理設計部門へ機能記述を送信するステップ、
前記第２の半導体チップの必要データ容量および／またはアドレス方式を前記第２の半導体チップの機能設計部門から受信して、前記第２の半導体チップの論理設計部門へ機能記述を送信するステップ、
前記第１の半導体チップの機能論理および／またはメモリアクセス論理を前記第１の半導体チップの論理設計部門から受信して、前記第１の半導体チップのレイアウト設計部門へ前記第１の半導体チップのネットリストを送信するステップ、
前記第２の半導体チップのメモリアドレス空間および／またはメモリアクセス制御論理を前記第２の半導体チップの論理設計部門から受信して、前記第２の半導体チップのレイアウト設計部門へ前記第２の半導体チップのネットリストを送信するステップ、
前記第１の半導体チップのパッド位置、スクライブ幅、チップサイズおよび／またはチップ形状を前記第１の半導体チップのレイアウト設計部門から受信して、前記第１の半導体チップのレチクルワーク部門へ前記第１の半導体チップのレイアウトデータを送信するステップ、
前記第２の半導体チップのパッド位置、スクライブ幅、チップサイズおよび／またはチップ形状を前記第２の半導体チップのレイアウト設計部門から受信して、前記第２の半導体チップのレチクルワーク部門へ前記第２の半導体チップのレイアウトデータを送信するステップ、
前記第１および／または第２の半導体チップのウエハファブリケーションプロセス仕様を第１部門群および／または第２部門群のいずれかに属する少なくとも１部門から受信して、前記第１および／または第２の半導体チップのウエハファブリケーション部門へ前記第１および／または第２の半導体チップのプロセス仕様を送信するステップ、
のうち、少なくともいずれか一つ以上のステップを含んだ処理を行う過程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いる表面保護用シートであって、
基材シートの片面に、貼付する半導体ウエハの外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部と、その外周に形成された粘着剤層が形成されている部分とが設けられている表面保護用シート。
【請求項２】
基材シート及び粘着剤層が貼付される半導体ウエハと略同径にカットされており、前記粘着剤層が形成されている部分が略同心円に形成されていることを特徴とする請求項１記載の表面保護用シート。
【請求項３】
該粘着剤剤層が、芯材フィルムの両面に粘着剤層を設けてなる両面粘着シートである請求項１記載の表面保護用シート。
【請求項４】
前記両面粘着シートの芯材フィルムがポリエチレンテレフタレートである請求項３に記載の表面保護シート。
【請求項５】
前記両面粘着シートの基材シートに面する粘着剤層が強粘着性を示す粘着剤からなり、反対面の粘着剤層がエネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤からなる請求項３に記載の表面保護シート。
【請求項６】
回路面上にバンプが形成された半導体ウエハを、
バンプの形成されている部分に対応する粘着剤層が形成されていない開口部を有し、バンプの形成されていないウエハの外周部分に粘着剤形成部となる粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に粘着剤層の開口部を塞ぐように基材シートが積層された状態とする表面保護形態とし、
基材シート側を固定台に戴置し、半導体ウエハの裏面側を研削することを特徴とする半導体ウエハの研削方法。
【請求項７】
該粘着剤剤層が、芯材フィルムの両面に粘着剤層を設けてなる両面粘着シートである請求項６記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項８】
前記両面粘着シートの芯材フィルムがポリエチレンテレフタレートである請求項７に記
載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項９】
前記両面粘着シートの基材シートに面する粘着剤層が強粘着性を示す粘着剤からなり、反対面の粘着剤層がエネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤からなる請求項７に記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項１０】
前記粘着剤層が、その両面に軽剥離タイプおよび重剥離タイプの剥離フィルムが積層され、かつ粘着剤層および軽剥離タイプの剥離フィルムが開口部を形成するように打ち抜かれ、重剥離タイプの剥離フィルム上に保持された状態で供給され、
軽剥離タイプの剥離フィルムを剥離しつつ、露出した粘着剤層を基材フィルムに貼付し、
重剥離タイプの剥離フィルムを剥離した後、露出した粘着剤層にウエハの外周部分を貼付し、前記表面保護状態とする請求項６に記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項１１】
請求項１または２の表面保護シートを半導体ウエハの回路面に貼着することにより請求項６の表面保護形態とすることを特徴とする、請求項６に記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項１２】
回路面上にバンプが形成された半導体ウエハに、
バンプが形成されている部分に対応する開口部と、バンプが形成されていないウエハの外周部分に対応する粘着剤形成部を有する粘着剤層を、当該半導体ウエハの外周部分に合わせて貼着し、
さらに該粘着剤層上に粘着剤層の開口部を塞ぐように基材シートを積層貼付することにより請求項６の表面保護形態とすることを特徴とする、請求項６に記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項１３】
回路面上に形成されたバンプの高さが５０μｍ以上であり、最も外に配置されているバンプの位置がウエハの外周から２〜１０mmであることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項１４】
粘着剤層の厚み（At）とバンプの高さ（Bt）の差（Bt−At）が−５〜５０μｍであることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハの研削方法。
【請求項１５】
前記粘着剤層が、その両面に軽剥離タイプおよび重剥離タイプの剥離フィルムが積層され、かつ粘着剤層および軽剥離タイプの剥離フィルムが開口部を形成するように打ち抜かれ、重剥離タイプの剥離フィルム上に保持された状態で供給される工程をさらに含む請求項１２に記載の半導体ウエハの研削方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１強誘電体原料の溶液を用いて、水熱電着法により電極に電着させて強誘電体初期核層を形成する工程と、
第２強誘電体原料の粒子を帯電させる工程と、
帯電させた前記第２強誘電体原料の粒子を、泳動電着法により前記強誘電体初期核層の上に電着させて強誘電体材料膜を形成する工程と、
前記強誘電体材料膜を熱処理する工程と、を含む、強誘電体膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記強誘電体初期核層は島状に形成される、強誘電体膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２強誘電体原料はアモルファス状である、強誘電体膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記第２強誘電体原料の粒子を帯電させる工程は、
前記第２強誘電体原料の粒子の表面が多孔質層で覆われたコーティング粒子を形成する工程と、
前記多孔質層にイオンを吸着させる工程と、を含む、強誘電体膜の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記多孔質層はシリケートである、強誘電体膜の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の強誘電体膜の製造方法により形成された、強誘電体膜。
【請求項７】
請求項６に記載の強誘電体膜を有する、強誘電体キャパシタ。
【請求項８】
請求項６に記載の強誘電体膜を有する、強誘電体メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は陽極電極層から有機化合物層へのホ−ル注入時におけるエネルギ−障壁を低下させることにより、素子の駆動電圧を低下させると共に、本発明で新たに導入されるホ−ル注入層の抵抗値が他の有機層に比べて桁違いに低いことを利用して、前記ホ−ル注入層の膜厚を（実質的に上限なく）調整して、駆動電圧を上昇させずに陰極電極層と陽極電極層間での電気的短絡の危険性を大幅に低減するために利用することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
上述の基準例１と基準例２の結果を比較すると、より低電圧で駆動できるのは基準例１の方であり、一方、電流効率（量子効率）は基準例２の方が高い。実施例１と実施例２の結果は基準例２の高い電流効率（量子効率）とほぼ同等の値を維持したままであり、また低電圧駆動特性は基準例１の特性に近い。従って本発明の素子は、本発明者らがこれまで検討し開示してきた電子注入または電子輸送層の特長を併せ持つ性質を有することが分かった。また、本発明の素子は電流効率（量子効率）が高いため、高い駆動寿命を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電解液中でシート状の正極とシート状の負極とをセパレータを介して対向させるリチウム二次電池であって、上記シート状の正極が正極集電体の少なくとも一方の面に少なくとも正極活物質とバインダーと電子伝導助剤とを含有する塗膜を形成したものからなり、上記シート状の正極のバインダーが、アクリロニトリル−ブタジエン系ゴムと、主成分モノマーとしてのビニリデンフルオライドを含むポリビニリデンフルオライド系ポリマーとを含み、かつ、塗膜中の含率が０．２質量％以上２質量％未満であり、上記シート状の正極の電子伝導助剤の塗膜中の含率が、上記バインダーのアクリロニトリル−ブタジエン系ゴムの含率の１〜２５倍であることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２】
シート状の正極の電子伝導助剤が、鱗片状黒鉛、カーボンブラックおよび金属粒子から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項３】
シート状の正極の電子伝導助剤が、カーボンブラックを含むことを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項４】
シート状の正極の電子伝導助剤の、正極の塗膜中における含率が、０．１質量％以上５質量％以下であることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項５】
アクリロニトリル−ブタジエン系ゴムが水素化アクリロニトリル−ブタジエンゴムであり、正極の塗膜中におけるその含率が、０．１質量％以上０．８質量％以下であることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項６】
バインダーと電子伝導助剤とを溶剤の存在下で混合して電子伝導性ペースト状物を得る第一の工程と、この電子伝導性ペースト状物に正極活物質を加えて混合する第二の工程とを経由して正極塗膜形成用塗料を調製し、この正極塗膜形成用塗料を正極集電体の少なくとも一方の面に塗布し、乾燥して、シート状の正極の塗膜を形成することを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【表２】
2005123047.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ個(Ｍは２以上の自然数)のアンテナ素子と、Ｍ個の変調波源回路と、Ｍ個のパワーアンプ回路と、Ｍ個のデュプレクサ回路とを有し、周波数分割複信方式を採用し、中心周波数が異なるＭ本のキャリアを用いたマルチキャリア信号を送信変調波とする無線通信装置であって、
第Ｎ番目(Ｎ＝１,…,Ｍ)の前記変調波源回路により出力された第Ｎ番目のキャリアによる送信変調波が、第Ｎ番目の前記パワーアンプ回路により増幅され、第Ｎ番目の前記デュプレクサ回路を通じて、第Ｎ番目の前記アンテナ素子から送出されることによって、前記第１番目から第Ｍ番目までの合計Ｍ本のキャリアによる送信変調波がＭ個の前記アンテナ素子から夫々送出されることを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
Ｍ個(Ｍは２以上の自然数)のアンテナ素子と、Ｍ個の変調波源回路と、Ｍ個のパワーアンプ回路と、Ｍ個の送受切り替えスイッチ回路とを有し、時分割複信方式を採用し、中心周波数が異なるＭ本のキャリアを用いたマルチキャリア信号を送信変調波とする無線通信装置であって、
第Ｎ番目(Ｎ＝１,…,Ｍ)の前記変調波源回路により出力された第Ｎ番目のキャリアによる送信変調波が、第Ｎ番目の前記パワーアンプ回路により増幅され、第Ｎ番目の前記送受切り替えスイッチ回路を通じて、第Ｎ番目の前記アンテナ素子から送出されることによって、前記第１番目から第Ｍ番目までの合計Ｍ本のキャリアによる送信変調波がＭ個の前記アンテナ素子から夫々送出されることを特徴とする無線通信装置。
【請求項３】
請求項１に記載の無線通信装置において、
前記Ｍ個のアンテナ素子の偏波面が互いに概略９０度ずれた方向を向くように配置されていることを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】
請求項２に記載の無線通信装置において、
前記Ｍ個のアンテナ素子の偏波面が互いに概略９０度ずれた方向を向くように配置されていることを特徴とする無線通信装置。
【請求項５】
請求項１に記載の無線通信装置において、
Ｍ個の前記アンテナ素子によってダイバーシティ受信が行われることを特徴とする無線通信装置。
【請求項６】
請求項２に記載の無線通信装置において、
Ｍ個の前記アンテナ素子によってダイバーシティ受信が行われることを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】
請求項３に記載の無線通信装置において、
Ｍ個の前記アンテナ素子によってダイバーシティ受信が行われることを特徴とする無線通信装置。
【請求項８】
請求項４に記載の無線通信装置において、
Ｍ個の前記アンテナ素子によってダイバーシティ受信が行われることを特徴とする無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数ホッピング方式の無線通信装置であって、
通信帯域が互いに異なる複数のアンテナと、
搬送周波数の切り替えを指示する制御手段と、
アンテナからの信号を復調する復調手段と、
前記制御手段からの指示に基づいて、前記複数のアンテナのいずれかを選択して前記復調手段に接続するアンテナ選択手段と、
を備えることを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記複数のアンテナは、第１通信帯域を有する第１のアンテナと、前記第１の通信帯域に含まれ、かつ、互いに異なる第２の通信帯域を有する複数の第２のアンテナとを含み、
前記復調手段は、前記第１のアンテナからの信号を復調する第１の復調手段と、第２の復調手段とを備え、
前記アンテナ選択手段は、前記複数の第２のアンテナのうちの何れかを選択して、その信号を前記第２の復調手段に供給し、前記第１の復調手段からの復調信号と第２の復調手段からの復調信号の一方を選択する復調信号選択手段を、さらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記復調信号選択手段は、前記第１のアンテナの受信状態と、前記アンテナ選択手段により選択されたアンテナの受信状態とを比較し、比較結果に基づいて、前記第１と第２の復調手段からの信号の一方を選択する、
ことを特徴とする請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記複数のアンテナは、中心周波数が互いに異なり且つ互いに重なる通信帯域を有する複数のアンテナから構成され、
前記復調手段は、第１と第２の復調手段を備え、
前記アンテナ選択手段は、前記制御手段より指示される搬送周波数を通信帯域に含む２つのアンテナを選択し、２つのアンテナのうちの１つからの信号を第１の復調手段に、他の１つからの信号を第２の復調手段に、それぞれ供給する、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記第１のアンテナの受信状態と、前記第２のアンテナの受信状態とを比較し、判別結果に基づいて前記第１と第２の復調手段の一方の出力を選択する復調信号選択手段をさらに備える、ことを特徴とする請求項４に記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記複数のアンテナは、互いに中心周波数と通信帯域幅とが異なる複数のアンテナを含み、各アンテナは、中心周波数が高くなるに従って通信帯域が広くなるように構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記複数のアンテナの少なくとも１つは、複数の搬送周波数を通信帯域に含むように構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記制御手段により指定される搬送波周波数の送信信号を生成する送信信号生成手段と、
複数の搬送周波数用のアンテナと、
を備える、ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の無線通信装置。
【請求項９】
前記制御手段により指定される搬送波周波数の送信信号を生成する送信信号生成手段と、
前記制御手段が指定する搬送波周波数の信号を受信したときに所定の良好な受信状態にあったアンテナを特定する情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている情報で特定されるアンテナに前記送信信号生成手段で生成された送信信号を供給する手段と、
を備える、ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の無線通信装置。
【請求項１０】
搬送波の周波数を切り替えながら通信を行う通信方法であって、
通信帯域が互いに異なる複数のアンテナを用意し、
搬送周波数の切り替えに応答して、前記複数のアンテナのうち少なくとも１つを選択して、該アンテナを用いて前記搬送周波数による通信を行う、
ことを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信装置および無線通信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、広帯域電波により無線通信を行うＵＷＢ通信に適した、無線通信装置及び無線通信方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、周波数ホッピング方式のＵＷＢ通信等の無線通信を適切に行うことにある。
また、この発明の他の目的は、周波数ホッピング方式のＵＷＢ通信システム等において、微弱電波を効率よく受信し及び／又は送信電波を効率よく送信可能なアンテナを備える無線通信装置を提供すること、及び、無線通信方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る無線通信装置は、
周波数ホッピング方式の無線通信装置であって、
通信帯域が互いに異なる複数のアンテナと、
搬送周波数の切り替えを順次指示する制御手段と、
アンテナからの信号を復調する復調手段と、
前記制御手段からの指示に基づいて、前記複数のアンテナのいずれかを選択して前記復調手段に接続するアンテナ選択手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月17日(2006.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
コンプレストモードの伝送方式については、下記の特許文献１等に記載されている。特許文献１は、送信ギャップ後の送信電力値を迅速に理想値に復帰させる技術について主に記述されている。
【特許文献１】特開２００１−１３６１２３号公報
【特許文献２】国際公開  第２００２／１０００１４号パンフレット