【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソースに接続された第２の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第１の保持容量電極と前記第１の薄膜トランジスタのソースに接続された第２の保持容量電極との間で容量を成す第１の保持容量と、前記駆動電源に接続された第３の保持容量電極と前記第２の保持容量電極との間で容量を成す第２の保持容量とを備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】  前記第３の保持容量電極は前記駆動電源に接続された駆動電源線の一部から成ることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
続いて、ゲート絶縁膜１１２、及び多結晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜からなる能動層１３１を順に形成し、その能動層１３１には、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設けられている。即ち、ゲート１３２の両側に低
濃度領域１３１ＬＤとその外側に高濃度領域のソース１３１ｓ及びドレイン１３１ｄが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そして、ゲート絶縁膜１１２、能動層１３１及びストッパ絶縁膜１１４上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１１５を設け、ドレイン１３１ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を設ける。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明のＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、ドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線にそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に接続され、ゲートが前記第１の薄膜トランジスタのソースに接続された第２の薄膜トランジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、直流電圧が印加された共通電極に接続された第１の保持容量電極と前記第１の薄膜トランジスタのソースに接続された第２の保持容量電極との間で容量を成す第１の保持容量と、前記駆動電源に接続された第３の保持容量電極と前記第２の保持容量電極との間で容量を成す第２の保持容量とを備えたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、本実施の形態においては、第１及び第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴを採用した場合であり、能動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いた場合を示す。またゲート電極３２，４２がダブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１及び図２に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素が形成されている。両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース３１ｓは保持容量電極５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４２に接続されている。第２のＴＦＴのソース４１ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４１ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５１と並行に第１の保持容量電極５４が配置されている。この第１の容量電極５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して第１のＴＦＴ３０のソース３１ｓと接続され多結晶シリコン膜から成る第２の保持容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この第１及び第２の保持容量電極からなる容量が第１の保持容量７０である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、上述の実施の形態においては、ゲート電極３２，４２がダブルゲート構造の場合について説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、シングルゲートあるいは３つ以上のマルチゲート構造を有していても本願と同様の効果を奏することが可能である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のＥＬ表示装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】
本発明のＥＬ表示装置の実施の形態を示す断面図である。
【図３】
本発明のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図４】
従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図５】
従来のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図６】
従来のＥＬ表示装置の断面図である。
【符号の説明】
３０                    第１のＴＦＴ
３１ｓ、４１ｓ          ソース
３１ｄ、４１ｄ          ドレイン
３１ｃ、４１ｃ          チャネル
３１ＬＤ                ＬＤＤ領域
３２、４２              ゲート
４０                    第２のＴＦＴ
５０                    駆動電源
５４                    第１の保持容量電極
５５                    第２の保持容量電極
６０                    有機ＥＬ素子
７０                    第１の保持容量
８０                    第２の保持容量
９０                    第３の保持容量電極
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000231347.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2000231347.tif 000002
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000231347.tif 000003
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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