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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルであって、
磁化容易軸および磁化困難軸を有する磁気記憶素子と、
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの一方に沿って配置された書込み導体と、
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置された書込み導体とを備える、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル。
【請求項２】
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの一方に沿って配置された読出し導体と、
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの他方に沿って配置された読出し導体とをさらに含む、請求項１に記載のＭＲＡＭセル。
【請求項３】
前記磁気記憶素子が、
前記磁化容易軸に沿って第１の方向に向けられた固定された磁化を有するピン留め層と、
前記磁化容易軸に沿って、前記第１の方向および前記第１の方向とは反対の第２の方向の一方に切替え可能に向けられる回転可能な磁化を有するフリー層とを備える、請求項１に記載のＭＲＡＭセル。
【請求項４】
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の一方に沿って配置された前記書込み導体が、前記磁化容易軸に沿って配置される、請求項１に記載のＭＲＡＭセル。
【請求項５】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに値を書込むための方法であって、
前記ＭＲＡＭセルの磁化容易軸および磁化困難軸のうちの一方に沿って配置された前記ＭＲＡＭセルの書込み導体にバイアスをかけ、
前記ＭＲＡＭセルの前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置された前記ＭＲＡＭセルの書込み導体にバイアスをかけることを含む、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに値を書込むための方法。
【請求項６】
前記書込み導体の双方にバイアスをかけることが、前記ＭＲＡＭセルのフリー層の回転可能な磁化の向きを、前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの一方に沿ったものから前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの他方に沿ったものに切替え、前記フリー層の回転可能な磁化の向きが、前記ＭＲＡＭセルに書込まれる値に対応する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記書込み導体にバイアスをかけることが、それぞれの書込み導体に電流を流すことを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）記憶デバイスであって、
磁化容易軸および磁化困難軸を有する複数の磁気記憶素子と、
全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の一方に沿って配置されている、１組の平行な書込み導体と、
全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置されている、１組の平行な書込み導体とを備える、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）記憶デバイス。
【請求項９】
全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの一方に沿って配置されている、１組の平行な読出し導体と、
全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの他方に沿って配置されている、１組の平行な読出し導体とをさらに含む、請求項８に記載のＭＲＡＭ記憶デバイス。
【請求項１０】
前記複数の磁気記憶素子から値を選択的に読み出し、かつ前記複数の磁気記憶素子に値を選択的に書き込むための駆動回路をさらに含む、請求項８に記載のＭＲＡＭ記憶デバイス。
【請求項１１】
前記磁気記憶素子がそれぞれ、
前記磁化容易軸に沿って第１の方向に向けられた固定された磁化を有するピン留め層と、
前記磁化容易軸に沿って、前記第１の方向および前記第１の方向とは反対の第２の方向の一方に切替え可能に向けられる回転可能な磁化を有するフリー層とを備える、請求項８に記載のＭＲＡＭ記憶デバイス。
【請求項１２】
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の一方に沿って配置された前記１組の平行な書込み導体が、前記磁化容易軸に沿って配置される、請求項８に記載のＭＲＡＭ記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ上に形成される電子デバイスの製造方法であって、
前記ウェーハに対する固定位置に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、シリコン、炭素、及び酸素の各々をある原子濃度で含むステップと、
前記形成ステップの後、前記誘電体層の一部における炭素の原子濃度が上昇し、前記誘電体層の一部における酸素の原子濃度が低下するように、前記電子デバイスをプラズマに暴露するステップと、
前記暴露ステップの後、前記誘電体層の少なくとも一部に隣接してバリア層を形成するステップとを含む方法。
【請求項２】
半導体ウェーハ上に形成される電子デバイスの製造方法であって、
前記ウェーハに対する固定位置に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、シリコン、炭素、及び酸素を含むステップと、
前記形成ステップの後、前記電子デバイスを、ヘリウムと水素を含むプラズマに暴露するステップと、
前記暴露ステップの後、前記誘電体層の少なくとも一部に隣接してバリア層を形成するステップとを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記から、当分野の技術者は、この好ましい実施形態が、金属とシリコン−炭素−酸素誘電体層の間の接着性が改良された半導体デバイス及び方法を提供することを理解するはずである。この改良された接着性は、デバイスの信頼性、収率、及びコストを含めて様々なメリットを提供し、バリア厚みを低下させることによってデバイスのサイズを縮小することができる。さらに、特定の好ましい材料を説明したが、当分野の技術者は、様々な代替物が本発明の教示内でも実施できることを確かめることができる。さらに、前述の実施形態はデュアルダマシン構造の１つの型として示したが、多くの変形を有するが依然として本発明の範囲内にある別のデュアルダマシン構造も形成することができる。そして実際に、本発明の範囲は、トレンチとバイアを別々に形成するシングルダマシン構造によって形成された構造も含む。したがって、前述のメリット、並びに、説明され当分野の技術者が確かめることができる様々な代替ステップは、本発明の範囲の柔軟性を実証するものである。また、本実施形態を詳細に説明してきたが、特許請求の範囲によって規定された本発明の範囲を逸脱することなく、上記の説明に様々な置換、修正、又は変更を行うことができることも、これら代替ステップは実証するはずである。
本発明は下記の態様を含む。
（１）  半導体ウェーハ上に形成される電子デバイスの製造方法であって、
前記ウェーハに対する固定位置に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、シリコン、炭素、及び酸素の各々をある原子濃度で含むステップと、
前記形成ステップの後、前記誘電体層の一部における炭素の原子濃度が上昇し、前記誘電体層の一部における酸素の原子濃度が低下するように、前記電子デバイスをプラズマに暴露するステップと、
前記暴露ステップの後、前記誘電体層の少なくとも一部に隣接してバリア層を形成するステップとを含む方法。
（２）  前記暴露ステップが、前記電子デバイスをヘリウムと水素を含むプラズマに暴露するステップを含む、（１）記載の方法。
（３）  前記暴露ステップが、前記電子デバイスをヘリウムとＨ２を含むプラズマに暴露するステップを含む、（１）記載の方法。
（４）  前記プラズマが、ヘリウム約９５％とＨ２約５％を含む、（３）に記載の方法。
（５）  前記暴露ステップが、
前記ウェーハを支持する台に、少なくとも１００ワットの電力を印加するステップと、
前記印加ステップと同時に、ヘリウムと水素を含むプラズマに、前記電子デバイスを暴露するステップとを含む、（１）記載の方法。
（６）  前記暴露ステップが、前記ウェーハを支持する台に、１００〜５００ワットの範囲の電力を印加するステップと、
前記印加ステップと同時に、ヘリウムと水素を含むプラズマに、前記電子デバイスを暴露するステップとを含む、（１）記載の方法。
（７）  誘電体層を形成する前記ステップが、前記ウェーハと前記誘電体層との間に前記導体が位置するように前記誘電体層を形成するように、誘電体層を形成する前記ステップの前に、前記ウェーハに対する固定位置に導体を形成するステップと、
前記暴露ステップの前に、前記誘電体層にボイドを形成するステップであって、前記ボイドが前記誘電体層を貫通して延びていて、前記導体の一部を露出するステップとをさらに含む、（１）記載の方法。
（８）  ボイドを形成する前記ステップの後、前記電子デバイスをプラズマに暴露する前記ステップの前に、前記電子デバイスをアルゴンに暴露するステップをさらに含む、（７）記載の方法。
（９）  半導体ウェーハ上に形成される電子デバイスの製造方法であって、
前記ウェーハに対する固定位置に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、シリコン、炭素、及び酸素を含むステップと、
前記形成ステップの後、前記電子デバイスを、ヘリウムと水素を含むプラズマに暴露するステップと、
前記暴露ステップの後、前記誘電体層の少なくとも一部に隣接してバリア層を形成するステップとを含む方法。
（１０）  前記暴露ステップが、
前記ウェーハを支持する台に、少なくとも１００ワットの電力を印加するステップと、
前記印加ステップと同時に、ヘリウムと水素を含むプラズマに、前記電子デバイスを暴露する前記ステップとを含む、（９）記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置およびその方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されたデータを符号化する符号化手段と、
上記符号化されたデータの最初のピクチャに対してゼロ到達時間より長い時間設定し、上記最初のピクチャに続くピクチャの到達時間及び上記バッファのピクチャ除去遅延時間を計算することにより最大遅延時間情報を生成すると共に、該最大遅延時間情報を符号化し、上記データと該符号化された最大遅延時間情報を多重化する多重化手段とを具備する画像処理装置において、
上記多重化手段は、上記最大遅延時間情報が２以上のフィールドを有するデータの場合、上記最大遅延時間情報を削除することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
入力されたデータを符号化する符号化工程と、
上記符号化されたデータの最初のピクチャに対してゼロ到達時間より長い時間設定し、上記最初のピクチャに続くピクチャの到達時間及び上記バッファのピクチャ除去遅延時間を計算することにより最大遅延時間情報を生成すると共に、該最大遅延時間情報を符号化し、上記データと該符号化された最大遅延時間情報を多重化する多重化工程と
を有する画像処理方法において、
上記多重化工程は、上記最大遅延時間情報が２以上のフィールドを有するデータの場合、上記最大遅延時間情報を削除することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビデオ、オーディオまたはその他のデータの画像処理装置およびその方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  信号を分配して、一方の分配信号をベクトル調整手段によりベクトル調整して増幅器により増幅するとともに、当該増幅信号の一部と他方の分配信号とを合成して当該増幅器で発生する歪成分を検出する歪検出ループと、歪検出ループで検出される歪成分を当該増幅信号の他の部分から除去する歪除去ループとを備えた歪補償増幅装置において、
歪検出ループで検出される歪成分のレベルに関する情報を取得する歪成分レベル情報取得手段と、
歪検出ループで検出される歪成分のレベルの変動に関する情報を取得する歪成分レベル変動情報取得手段と、
歪成分レベル情報取得手段により取得される情報と歪成分レベル変動情報取得手段により取得される情報に基づいて歪検出ループのベクトル調整手段によるベクトル調整を制御する歪検出ループベクトル調整制御手段と、
を備えたことを特徴とする歪補償増幅装置。
【請求項２】  請求項１に記載の歪補償増幅装置において、
歪成分レベル情報取得手段は、歪検出ループで検出される歪成分のレベルを検出する歪成分レベル検出手段を有し、歪成分レベル検出手段による複数回の検出結果に基づく値を歪検出ループで検出される歪成分のレベルに関する情報として取得し、
歪成分レベル変動情報取得手段は、歪検出ループで検出される歪成分のレベルを複数回検出した結果に基づく閾値を用いて、歪検出ループで検出される歪成分のレベルが閾値以上となる割合の値或いは閾値を超える割合の値を歪検出ループで検出される歪成分のレベルの変動に関する情報として取得し、
歪検出ループベクトル調整制御手段は、歪成分レベル情報取得手段により取得される値と歪成分レベル変動情報取得手段により取得される値に基づく制御量を用いて、歪検出ループのベクトル調整手段によるベクトル調整を制御する、
ことを特徴とする歪補償増幅装置。
【請求項３】
信号をベクトル調整手段によりベクトル調整して増幅する増幅器と、
増幅器で発生する歪成分を検出し、検出した歪成分を用いて増幅器出力信号の歪成分を除去する歪補償増幅装置において、
検出される歪成分のレベルに関する情報を取得する歪成分レベル情報取得手段と、
検出される歪成分のレベルの変動に関する情報を取得する歪成分レベル変動情報取得手段と、
歪成分レベル情報取得手段により取得される情報と歪成分レベル変動情報取得手段により取得される情報に基づいてベクトル調整手段によるベクトル調整を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする歪補償増幅装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子から放射された光を前記光の波長よりも長い波長を有する光に変換する蛍光物質を含有する波長変換部と、
を備えたＬＥＤ照明光源であって、
波長５５０ｎｍ以上６０５ｎｍ以下の範囲から選択された少なくとも一部の波長範囲における分光透過率が他の可視光波長範囲における分光透過率に比べて低くなるように調整されているフィルタ手段を更に備えているＬＥＤ照明光源。
【請求項２】
前記ＬＥＤ素子は、発光ピーク波長が４００ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲に含まれる光を放射する請求項１に記載のＬＥＤ照明光源。
【請求項３】
前記フィルタ手段は、前記波長変換部を覆うように配置されている請求項１または２に記載のＬＥＤ照明光源。
【請求項４】
前記フィルタ手段は、樹脂から形成されている請求項１または２に記載のＬＥＤ照明光源。
【請求項５】
前記波長変換部およびフィルタ手段は、いずれも、樹脂から形成されており、前記波長変換部とフィルタ手段との間に実質的な界面が存在していない請求項１または２に記載のＬＥＤ照明光源。
【請求項６】
樹脂から形成された前記波長変換部は、Ｎｄ化合物を含有しており、
前記波長変換部が前記フィルタ手段としても機能する請求項１に記載のＬＥＤ照明光源。
【請求項７】
前記波長変換部を取り囲む開口部を有する反射板を有している請求項６に記載のＬＥＤ照明光源。
【請求項８】
前記フィルタ手段は、波長５７５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下の波長範囲における分光透過率が他の可視光波長範囲における分光透過率に比べて低くなるように調整されている請求項１から７のいずれかにＬＥＤ照明光源。
【請求項９】
波長５７５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下の波長範囲における前記フィルタ手段の分光透過率は、他の可視光波長範囲における分光透過率の１０％以上９５％以下の範囲に調節されている請求項８にＬＥＤ照明光源。
【請求項１０】
前記ＬＥＤ素子は青色光を放射し、
前記蛍光物質は、前記ＬＥＤ素子から放射された青色光の一部を黄色光に変換する請求項１に記載のＬＥＤ照明光源。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】  前記柱状構造体の柱状部分と隣合う柱状部分との間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である請求項５乃至１１のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  柱状の孔を有する多孔体の該孔内に充填材料を導入して得られる柱状構造体であって、
前記多孔体は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して前記柱状の孔が形成されたものである柱状構造体。
【請求項２】  前記構造体が、薄膜状である請求項１に記載の柱状構造体。
【請求項３】  前記多孔体に化学的処理を施した後、前記孔内に前記充填材料を導入して得られる請求項１あるいは２に記載の柱状構造体。
【請求項４】  前記化学的処理が酸化処理である請求項３に記載の柱状構造体。
【請求項５】  前記柱状物質がアルミニウムであり、前記マトリクス部材がシリコンであって、且つ前記構造体におけるシリコンの割合が２０ａｔｍｉｃ％以上７０ａｔｍｉｃ％以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項６】  前記柱状物質がアルミニウムであり、前記マトリクス部材がゲルマニウムであって、且つ前記構造体におけるゲルマニウムの割合が２０ａｔｍｉｃ％以上７０ａｔｍｉｃ％以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項７】  前記多孔体の主成分がシリコンである請求項１〜４のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項８】  前記多孔体の主成分がゲルマニウムである請求項１〜４のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項９】  前記柱状構造体の充填材料領域の直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項１０】  前記柱状構造体の充填材料領域の間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項１１】  前記柱状物質は結晶性物質であり、前記マトリクス部材は非晶質物質である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項１２】  前記多孔体の孔内に導入される充填材料が、金属あるいは半導体である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の柱状構造体。
【請求項１３】  請求項１〜１２のいずれか１項に記載の柱状構造体が基板上に設けられ、前記柱状構造体の前記マトリクス部材が除去されている柱状構造体。
【請求項１４】  請求項１３に記載の柱状構造体を有する電極であって、
前記充填材料は導電性材料であり、複数の孔の少なくとも一部の孔内の該導電性材料は導電体と電気的に接続されている電極。
【請求項１５】  第一の成分を含み構成される柱状物質が、第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成されるマトリクス部材中に分散している構造体を用意する工程、該柱状物質を除去する除去工程、及び該除去工程により得られる柱状の空孔を有する多孔体の該空孔内に充填材料を導入する導入工程を有することを特徴とする柱状構造体の作製方法。
【請求項１６】  前記除去工程後、前記多孔体に化学的処理を施す工程を有する請求項１５に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項１７】  前記化学的処理とは、酸化処理である、請求項１６に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項１８】  前記除去工程が、エッチングである請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項１９】  前記導入工程が、電着である請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項２０】  前記導入工程が、無電解析出である請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項２１】  前記導入工程は、前記空孔の底部に触媒を形成した後に、触媒反応によって行う工程である請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項２２】  前記導入工程後、前記マトリクス部材を除去する工程を有する請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の柱状構造体の作製方法。
【請求項２３】  請求項２２に記載の作製方法により作製された柱状構造体を有する電極の作製方法であって、
前記構造体を用意する工程において、前記構造体は、表面の少なくとも一部分が導電性面である基板上に形成し、
前記充填材料は導電性材料である、柱状構造体を有する電極の作製方法。
【請求項２４】  請求項２２に記載の作製方法により作製された柱状構造体を有する電極の作製方法であって、
前記導入工程と前記除去工程との間に、前記充填材料を導入した前記多孔体を表面の少なくとも一部分が導電性面である基板上に設置する工程を有し、
前記充填材料は導電性材料である、柱状構造体を有する電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａｌを主成分とした複数のシリンダーと、前記複数のシリンダーを取り囲むＳｉ又は／及びＧｅを主成分としたマトリックス領域とを有する混合膜状のナノ構造体であって、
前記混合膜はＳｉ又は／及びＧｅの総量が２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれており、前記シリンダーは規則配列しており、前記シリンダーの直径が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、且つ前記シリンダーどうしの間隔が３０ｎｍ以下であるナノ構造体。
【請求項２】  前記シリンダーの規則配列がハニカム配列である請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項３】  前記混合膜中のＳｉ又は／及びＧｅの合計の割合が２５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下である請求項１に記載のナノ構造体。
【請求項４】  前記混合膜中のＳｉ又は／及びＧｅの合計の割合が３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下である請求項３に記載のナノ構造体。
【請求項５】  前記シリンダーの平均径が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である請求項１又は２に記載のナノ構造体。
【請求項６】  前記シリンダーの間隔が、１０ｎｍ以下である請求項１又は２に記載のナノ構造体。
【請求項７】  前記マトリックス領域は、非晶質のＳｉとＧｅを主成分に含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のナノ構造体。
【請求項８】  前記マトリックス領域は、非晶質のＳｉであることを特徴とする請求項７に記載のナノ構造体。
【請求項９】  前記混合膜が基板上に形成されている請求項１又は２に記載のナノ構造体。
【請求項１０】  請求項９に記載のナノ構造体を用いた電子デバイス装置であって、前記基板上の一部に配線を有する電子デバイス装置。
【請求項１１】  基板上にＡｌを優先的に成長させるための規則的領域を形成し、その後Ｓｉ又は／及びＧｅの総量が２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれたＡｌとＳｉ又は／及びＧｅとを主成分とした混合膜を形成して、直径が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり間隔が３０ｎｍ以下であるＡｌを主成分とした複数のシリンダーと、前記複数のシリンダーを取り囲むＳｉ又は／及びＧｅを主成分としたマトリックス領域とを有する混合膜を作製する、混合膜状のナノ構造体の製造方法。
【請求項１２】  前記規則的領域が、ハニカム配列もしくはハニカム配列の一部のパターンを有する領域である請求項１１に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１３】  前記ハニカム配列もしくはハニカム配列の一部の領域が、グラファイト配列である請求項１２に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１４】  前記Ａｌを優先的に成長させる規則的領域が、Ａｌを主成分とする突起である請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１５】  前記Ａｌを主成分とする突起が、Ａｌを主成分とした膜の陽極酸化、及びＡｌの陽極酸化皮膜のエッチングにより作製された請求項１４に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１６】  前記混合膜の形成方法が、非平衡状態で物質を形成する成膜法である請求項１１〜１５のいずれか１項に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１７】  前記非平衡状態で物質を形成する成膜法がスパッタリング法である請求項１６に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１８】  前記非平衡状態で物質を形成する成膜において、基板温度が２００℃以下である請求項１６に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項１９】  前記Ｓｉ又は／及びＧｅの総量が２５ａｔｏｍｉｃ％以上６５ａｔｏｍｉｃ％以下の割合である請求項１１に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項２０】  前記Ｓｉ又は／及びＧｅの総量が３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合である請求項１１に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項２１】  前記マトリクス領域がＳｉである請求項１１、１９又は２０に記載のナノ構造体の製造方法。
【請求項２２】  第１の材料と第２の材料を含み構成される構造体であって、該第１の材料を含み構成される柱状の部材が、該第２の材料を含み構成される領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれており、且つ前記柱状の部材は予め設けられた成長開始部上に配置されていることを特徴とする構造体。
【請求項２３】  成長開始部を有する基板を用意する工程、該基板上に第１の材料を含み構成される柱状の部材と、第２の材料を含み構成され該柱状の部材を取り囲む領域とを有する構造体であって、該構造体に該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれるように該構造体を形成する工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のナノ構造体は、Ａｌを主成分とした複数のシリンダーと、前記複数のシリンダーを取り囲むＳｉ又は／及びＧｅを主成分としたマトリックス領域とを有する混合膜状のナノ構造体であって、
前記混合膜はＳｉ又は／及びＧｅの総量が２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれており、前記シリンダーは規則配列しており、前記シリンダーの直径が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、且つ前記シリンダーどうしの間隔が３０ｎｍ以下であるナノ構造体である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放射された荷電粒子線のうちの、基板の露光に利用されない領域における荷電粒子線の強度を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて荷電粒子線の強度分布を調整する調整手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】  前記調整手段は、荷電粒子源から放射された荷電粒子線を略平行化するコリメータレンズを構成する電子レンズの光学的パワーを調整することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】  前記荷電粒子線の強度分布が一様な状態において前記検出手段で検出された強度を基準値として記憶する記憶手段を更に備え、
前記調整手段は、前記検出手段で検出された強度と、前記基準値との差に基づいて荷電粒子の強度分布を調整することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】  前記調整手段は、前記検出手段で検出される強度が前記基準値となるように荷電粒子の強度分布を調整することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】  露光対象である基板上における荷電粒子線の強度分布を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された強度分布に基づいて、荷電粒子線の強度分布が一様になるように調整した後に、前記検出手段で検出された荷電粒子線の強度を前記基準値に設定する設定手段とを更に備えることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】  前記調整手段は、前記検出手段で検出された強度と前記基準値との差が許容値を超える場合に、基板への露光処理を停止し、荷電粒子線の強度分布の調整を実行することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】  複数の荷電粒子線によって前記基板を露光するべく、前記荷電粒子源からの荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するための開口を複数有するプレートを更に備え、
前記検出手段は、前記プレートに照射される荷電粒子線のうちの、前記複数の開口の存在しない部分における複数箇所の強度を検出することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項８】  前記荷電粒子源からの荷電粒子線をパターンに応じて通過させて前記基板を露光するためのステンシルマスクを更に備え、
前記検出手段は、前記ステンシルマスクのパターン領域以外の領域の荷電粒子線の、複数箇所の強度を検出することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項９】  荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置の制御方法であって、
荷電粒子源から放射された荷電粒子線のうちの、基板の露光に利用されない領域における荷電粒子線の強度を検出するべく設けられた検出器により、荷電粒子線の強度を検出する検出工程と、
前記検出工程による検出結果に基づいて荷電粒子線の強度分布を調整する調整工程とを備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１０】  前記調整工程は、荷電粒子源から放射された荷電粒子線を略平行化するコリメータレンズを構成する電子レンズの光学的パワーを調整することを特徴とする請求項９に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１１】  前記荷電粒子線の強度分布が一様な状態において前記検出器によって検出される強度を基準値として記憶する記憶工程を更に備え、
前記調整工程は、前記検出工程で検出された強度と、前記基準値との差に基づいて荷電粒子の強度分布を調整することを特徴とする請求項９に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１２】  前記調整工程は、前記検出工程で検出される強度が前記基準値となるように荷電粒子の強度分布を調整することを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１３】  露光対象である基板上における荷電粒子線の強度分布を測定する測定工程と、
前記測定工程で測定された強度分布に基づいて、荷電粒子線の強度分布が一様になるように調整した後に、前記検出器で検出された荷電粒子線の強度を前記基準値に設定する設定工程とを更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１４】  前記調整工程は、前記検出工程で検出された強度と前記基準値との差が許容値を超える場合に、基板への露光処理を停止し、荷電粒子線の強度分布の調整を実行することを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１５】  前記荷電粒子線露光装置は、複数の荷電粒子線によって前記基板を露光するべく、前記荷電粒子源からの荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するための開口を複数有するプレートを備え、
前記検出工程は、前記プレートに照射される荷電粒子線のうちの、前記複数の開口の存在しない部分における複数箇所の強度を検出することを特徴とする請求項９に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１６】  前記荷電粒子線露光装置は、前記荷電粒子源からの荷電粒子線をパターンに応じて通過させて前記基板を露光するためのステンシルマスクを備え、
前記検出工程は、前記ステンシルマスクのパターン領域以外の領域の荷電粒子線の、複数箇所の強度を検出することを特徴とする請求項９に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
【請求項１７】
荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
ウエハを搭載するステージと、
前記ステージ上にあって、荷電粒子線の強度を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて荷電粒子線の強度分布を調整する調整手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項１８】  請求項１乃至８のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決しようとする手段】
上記の目的を達成するための本発明による荷電粒子線露光装置は以下の構成を備える。すなわち、
【請求項１】  荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放射された荷電粒子線のうちの、基板の露光に利用されない領域における荷電粒子線の強度を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて荷電粒子線の強度分布を調整する調整手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記の目的を達成するための本発明による荷電粒子線露光装置の制御方法は、
荷電粒子線を用いて基板を露光する荷電粒子線露光装置の制御方法であって、
荷電粒子源から放射された荷電粒子線のうちの、基板の露光に利用されない領域における荷電粒子線の強度を検出するべく設けられた検出器により、荷電粒子線の強度を検出する検出工程と、
前記検出工程による検出結果に基づいて荷電粒子線の強度分布を調整する調整工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記連続発振のレーザ光を照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記連続発振のレーザ光を照射した結晶性半導体膜の上部は、金属元素を含む半導体膜の領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記レーザ光を照射した結晶性半導体膜の金属元素濃度がＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）の検出下限となるように、前記連続発振のレーザ光を照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）の検出限界濃度は、１×１０１７／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記連続発振のレーザ光を照射した結晶性半導体膜の上部を、ウエットエッチング法により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記連続発振のレーザ光を照射した結晶性半導体膜の上部を、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学的・機械的ポリッシング）法により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記連続発振のレーザ光を照射した結晶性半導体膜の上部を、ドライエッチング法により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記連続発振のレーザ光は、連続発振のＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、またはＴｉ：サファイアレーザーから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記レーザ光は、第２高調波〜第４高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記連続発振のレーザ光は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、ＡｒレーザまたはＫｒレーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上の高周波集積回路の構成法として、所定の変化率に従う導電率を持って連続的に徐々に変化する導電率分布を有するように単位回路素子を構成して、高周波回路的に抵抗とインダクタンスを与え、この単位回路素子を周期的に配置し、隣接単位回路素子間に基板部が介在する一定の空隙を設け、この隣接単位回路素子間で容量的に強く結合できるよう各隣接単位回路素子の近接端部が高導電率になるように単位回路素子を同一基板面上で構成し、高周波回路全体として電気回路基本素子である抵抗、インダクタンス、キャパシタンスを付与し、かつこれらの値を容易に調節できるように単位回路素子の形態を構成し、電磁波反射抑制帯域に双峰特性を持たせて広帯域化することを特徴とし、この単位回路素子の導電率分布を正確に付与する変わりに、単位回路素子の構成寸法と同時に基板と背面導体遮蔽板との間隔を調節して、電磁波反射抑制特性を最適化し、電磁波反射抑制帯域を広帯域化することを特徴とする電磁波反射抑制体およびその構成方法。
【請求項２】請求項１の電波反射抑制体の構成方法において、所定の変化率に従う導電率を持って連続的に徐々に変化する導電率分布を有するように単位回路素子を構成して、高周波回路的に抵抗とインダクタンスを付与し、これを周期的に配置し、隣接単位回路素子間で容量的に弱く結合できるよう各隣接単位回路素子の近接端部が低導電率になるように単位回路素子を同一基板面上で構成し、高周波回路全体として電気回路基本素子である抵抗、インダクタンス、キャパシタンスを付与して、かつこれらの値を容易に調節できるように単位回路素子の形態を構成し、電磁波反射抑制帯域に双峰特性を持たせて広帯域化することを特徴とし、この単位回路素子の導電率分布を正確に付与する変わりに、単位回路素子の構成寸法と同時に基板と背面導体遮蔽板との間隔を調節して、電磁波反射抑制特性を最適化し、電磁波反射抑制帯域を広帯域化することを特徴とする電磁波反射抑制体およびその構成方法。
【請求項３】請求項１，２の導電率分布の方法に代えて、単位回路素子として、２つ以上の異なる導電率を持つ区間を設け、それらが相互に電気的に結合している単位回路素子を構成し、高周波回路全体として電気回路基本素子である抵抗、インダクタンス、キャパシタンスを付与して、電磁波反射抑制帯域に双峰特性を持たせて広帯域化することを特徴とし、各区間の導電率を正確に制御する代わりに、各区間の導電素子の構成寸法と同時に基板と背面導体遮蔽板との間隔を調節し、電波反射抑制特性を最適化した電波反射抑制体およびその構成方法。
【請求項４】請求項３において、単位回路素子として、２つ以上の異なる導電率を持つ区間を同一面上で構成する方法において、各導電率を有する区間部が相互に電気的に結合しないように間隔を空けて容量を装荷し、この単位回路素子上の段階的に区分した相互の面積占有率を変えて高周波集積回路からなる電波反射抑制体を構成する請求項１，２に記載の電波反射抑制体およびその構成方法。
【請求項５】請求項１、２，３、４いずれかの単位回路素子にかえて、通常の電気回路基本構成素子である抵抗、インダクタンス、キャパシタンスの固体素子を基板上の導体線路に接続して高周波回路を構成し、電波反射抑制特性を広帯域化および改善するする電波反射抑制体の構成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】真空容器内にＯ2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、
前記電極の温度を１００℃以下とし、かつ、前記電極に電力密度が０．１１５Ｗ／ｃｍ2以下もしくはゼロの電力を印加する第１ステップと、前記電極に電力密度が０．１１５Ｗ／ｃｍ2以上の電力を印加する第２ステップにて前記基板の処理を行うこと
を特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項２】第１ステップにおいて、Ｏ2ガスにＣＦ4ガスをＯ2ガス流量の５％以下添加すること
を特徴とする請求項１記載のプラズマアッシング方法。
【請求項３】第１ステップと第２ステップの処理の順序を逆とすることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項４】真空容器内にＯ2ガスを主体としたプラズマを発生させ、電極上に載置された被処理基板上のレジスト除去を行うプラズマアッシング方法であって、
前記電極の温度を１００℃以下とし、かつ、複数の処理ステップにて処理を行う場合に、第１もしくは最終ステップでは、前記電極に電力密度が０．１１５Ｗ／ｃｍ2以下もしくはゼロの電力を印加し、前記第１もしくは最終ステップ以外のステップの少なくとも１ステップでは、前記電極に前記電力密度が０．１１５Ｗ／ｃｍ2以上の電力を印加することで前記基板の処理を行うこと
を特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項５】第１もしくは最終ステップにて、Ｏ2ガスにＣＦ4ガスをＯ2ガス流量の５％以下添加すること
を特徴とする請求項４記載のプラズマアッシング方法。
【請求項６】  被処理基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマアッシング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ユーザーの首の周りをリング形状に取り囲む支持アームと、
前記支持アームに取り付けられたロボットとを備え、
前記ロボットは、無線通信機能を有し、外部機器との信号の送受信が可能であり、
前記ロボットは、擬人化または擬動物化されたものであり、外観上、人間または動物の目、手及び足に相当する部分を備えており、前記目、手、足のいずれかが可動であることを特徴とするネックコミュニケーション装置。
【請求項２】  前記支持アームに取り付けられたロボットが脱着可能であることを特徴とする請求項１に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項３】  前記ロボットが、メモリー機能を有し、ロボット識別信号の送受信により、前記ロボットが持つ情報を他のロボットとの間で交換できることを特徴とする請求項１、２に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項４】  前記メモリーに記録された情報を他のロボットと交換することにより、一度情報を交換したことのあるユーザーのロボットと次に会った時は、前記ロボットが通信し合う手段の機能を有する請求項３記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項５】  前記ロボットが、一度情報を交換した相手が近づいてくると、前期ロボットの音声、またはロボットの可動部分のいずれかを動かすことによって、前記ユーザーに知らせしてくれる機能を有することを特徴とする請求項４記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項６】  前記ロボットが、メモリーカードスロットを有して、このメモリーカードの情報をお互いに交換することにより、相手の情報を共有・保存機能を有することを特徴とする請求項１から５に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項７】  前記ロボットが音楽再生機能を有することを特徴とする請求項１から６に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項８】  前記ロボットが、撮像手段を有する請求項１から７に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項９】  前記ロボットが、撮像手段とGPS機能を有し、外部機器から確認でき、通信し合える機能を有することを特徴とする請求項８記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項１０】  前記ロボットは、地図データを用いてユーザーを音声またはロボットの可動部分のいずれかを動かすことによってナビゲーションする機能を備えた請求項１から９に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項１１】  前記ロボットが、ユーザーによってメモリーカードに動作プログラムを書き込む機能を有し、これによって、前記ユーザーがロボットの動きを自由に操作できることを特徴とする請求項１から１０に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項１２】  前記ロボットは、前記ユーザーがあらかじめスケジュールを入力する機能を有し、前記ユーザーが設定した約束の時間前になると前記ロボットの音声または、ロボットの可動部分のいずれかを動かすことによって、前記ユーザーに知らせてくれる機能を有する請求項１から１１に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項１３】  前記ロボットが、前記目、手または足を動かす機能を有し、コミュニケーション中は、前記ロボットが人間に対し語りかけているような動きをする請求項１から１２に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項１４】  前記ロボットが、光化学スモッグ注意報、花粉情報などを受信してその地域に近づいた場合は、音声または、ロボットの可動部分のいずれかを動かすことによって、前記ユーザーに注意を促す機能を備えた請求項１から１３に記載のネックコミュニケーション装置。
【請求項１５】  前記ロボットは、電源の容量が残り少なくなったら目を閉じ手足は直立で動かない状態をする請求項１から１４に記載のネックコミュニケーション装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
外観は、少なくとも目、手、足を備え、擬人化、あるいは擬動物化されたものがよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【非特許文献１】Ｋ．橋本、「電子陰影効果による電荷ダメージ」、Jpn. J. Appl. Phys.、１９９４年、３３巻、６０１３〜６０１８頁
【非特許文献２】Ｋ．橋本、「プラズマエッチングにおける電荷ダメージの新現象：密集した線アンテナを通してのみの重いダメージ」、Jpn. J. Appl. Phys.、１９９３年、３２巻、６１０９〜６１１３頁
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信基地局及び無線通信基地局におけるシステム識別符号の設定方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線通信ネットワーク毎に設定されるシステム識別符号を用いて、通信端末装置と共に独立した無線通信ネットワークを構成する無線通信基地局であって、
他基地局からシステム識別符号が含まれた報知信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された報知信号中のシステム識別符号に基づいて、自基地局が統括する無線通信ネットワークを識別するためのシステム識別符号を設定する設定手段とを有することを特徴とする無線通信基地局。
【請求項２】  無線通信ネットワーク毎に設定されるシステム識別符号を用いて、通信端末装置と共に独立した無線通信ネットワークを構成する無線通信基地局であって、
他基地局が使用しているシステム識別符号を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出したシステム識別符号とは異なるシステム識別符号を自基地局が使用するシステム識別符号として設定する設定手段とを有することを特徴とする無線通信基地局。
【請求項３】  システム識別符号を自動生成する生成手段を有し、前記設定手段は、前記生成手段により生成されたシステム識別符号を前記自基地局が使用するシステム識別符号として設定することを特徴とする請求項２記載の無線通信基地局。
【請求項４】  前記検出手段は、前記他基地局が送信する報知信号に含まれるシステム識別符号を検出することを特徴とする請求項２又は３記載の無線通信基地局。
【請求項５】  前記検出手段は、所定の信号に対する応答信号に含まれるシステム識別符号を検出することを特徴とする請求項２乃至４の何れかに記載の無線通信基地局。
【請求項６】  前記検出手段は、複数のチャネルにおいてシステム識別符号の検出処理を実行することを特徴とする請求項２乃至５の何れかに記載の無線通信基地局。
【請求項７】  無線通信基地局におけるシステム識別符号の設定方法であって、
他基地局からシステム識別符号が含まれた報知信号を受信する受信工程と、
前記受信工程において受信された報知信号に含まれるシステム識別符号に基づいて、自基地局が統括する無線通信ネットワークのシステム識別符号を設定する設定工程とを有することを特徴とする設定方法。
【請求項８】  無線通信基地局おけるシステム識別符号の設定方法であって、
他基地局が使用しているシステム識別符号を検出する検出工程と、
前記検出工程において検出したシステム識別符号とは異なるシステム識別符号を自基地局が使用するシステム識別符号として設定する設定工程とを有することを特徴とする設定方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の無線通信基地局は、他基地局からシステム識別符号が含まれた報知信号を受信し、該報知信号に含まれるシステム識別符号に基づいて、自基地局が統括する無線通信ネットワークのシステム識別符号を設定することを特徴とする。
また、他基地局が使用しているシステム識別符号を検出し、検出したシステム識別符号とは異なるシステム識別符号を自基地局が使用するシステム識別符号として設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信システム及び通信装置、通信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の通信装置と第２の通信装置が無線通信を行う通信システムにおいて、
前記第１の通信装置は、
前記第２の通信装置から送信された処理データの受信電界強度を段階的に判断する判断手段と、
前記判断手段で判断した受信電界強度を前記第２の通信装置に通知する通知手段とを有し、
前記第２の通信装置は、
前記処理データを所定のデータ単位毎に送信する手段と、
前記通知手段から通知された受信電界強度に基づいて、前記所定のデータ単位毎に送信される処理データの送信出力を段階的に設定変更する送信出力設定手段とを有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】  通信装置において、
処理データを所定のデータ単位毎に送信する手段と、
通信相手から通知された前記通信相手における受信電界強度に基づいて、前記所定のデータ単位毎に送信される処理データの送信出力を段階的に変更する変更手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項３】  前記変更手段は、使用する周波数帯域内の所定のチャンネルにおいて判断された受信電界強度に基づいて、前記処理データの送信出力を設定することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】  前記所定のチャンネルは、送信効率が所定値よりも低いチャンネルであることを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】  前記所定のチャンネルは、送信効率の悪いチャンネルであることを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項６】  通信方法において、
処理データを所定のデータ単位毎に送信する工程と、
通信相手から通知された前記通信相手における受信電界強度に基づいて、前記所定のデータ単位毎に送信される処理データの送信出力を段階的に変更する変更工程とを有することを特徴とする通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、周波数ホッピング（ＳＳ−ＦＨ）通信方式等を用いた通信システム及び通信装置、通信方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ＳＳ−ＦＨ通信方式において、送信電力の削減と共に周波数の有効利用を可能にした通信システム及び通信装置、通信方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の通信システムでは、第１の通信装置と第２の通信装置が無線通信を行う通信システムにおいて、前記第１の通信装置は、前記第２の通信装置から送信された処理データの受信電界強度を段階的に判断する判断手段と、前記判断手段で判断した受信電界強度を前記第２の通信装置に通知する通知手段とを有し、前記第２の通信装置は、前記処理データを所定のデータ単位毎に送信する手段と、前記通知手段から通知された受信電界強度に基づいて、前記所定のデータ単位毎に送信される処理データの送信出力を段階的に設定変更する送信出力設定手段とを有することを特徴とする。
また、通信装置において、処理データを所定のデータ単位毎に送信し、通信相手から通知された前記通信相手における受信電界強度に基づいて、前記所定のデータ単位毎に送信される処理データの送信出力を段階的に変更することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように上記説明によれば、充分にして最低の送信電力で通信することが可能となる。また、当該無線の届かない近傍のエリアにおいても、同様のシステムを混信無くより多く動作させることが可能になる。