Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、図５に示したコントローラ３８の処理を数式で表す。数式の基本的な形は前述のコントローラ２８と同じであるが、平滑化演算を行う点で相違する。平滑化演算をｈ（・）として、コントローラ３８の処理は次式で表すことができる。
【数２】
2006066965.tif 000001
平滑化演算ｈ（・）の例を次式に表す。
【数３】
2006066965.tif 000002
ここで、Ｈ（ｓ）はｈ（・）のラプラス変換であり、式（３）は伝達関数による表現である。この平滑化演算に対するステップ入力の応答、すなわちステップ応答ｚ（ｔ）を次式に表す。
【数４】
2006066965.tif 000003
また、他の平滑化演算の例を次式に表す。
【数５】
2006066965.tif 000004
この平滑化演算のステップ応答ｚ（ｔ）を次式に表す。
【数６】
2006066965.tif 000005
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、図６に示したコントローラ４８の処理を数式で表す。数式の基本的な形は前述のコントローラ３８と同じであるが、平均化演算を行う点で相違する。平均化演算をｍ（・）として、コントローラ４８の処理は次式で表すことができる。
【数８】
2006066965.tif 000006
平均化演算ｍ（・）の例を次式に表す。
【数９】
2006066965.tif 000007
これは、全Ｎ個のデータを単純にＮで割ったものである。また、他の平均化演算の例を次式に表す。
【数１０】
2006066965.tif 000008
ここで、αは０より大きく１より小さい実数である。式（１０）による平均化演算では、過去の全てのデータの値を保持する必要がないので、式（９）に比べて簡便である。尚、平均化演算の前述の式（９）及び（１０）は一例であり、これら以外の平均化演算式を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と一体のスパウトと、このスパウトの内径とほぼ同じ寸法の外径をもつ有底外筒と開封用の貫通針基部よりやや径の大きな内径を有する内筒と該内筒内に閉ループ状の薄肉部をなすスコアが般けられた前記底部とからなる可撓性を有するプラスチック製の内栓とからなる容器口部構造体。
【請求項２】
前記スコアは前記内筒内の前記貫通針の外径面に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の容器口部構造体。
【請求項３】
嵌合自在の形態で前記内栓の外表部を覆う可撓性のプラスチック材からなるダストキャップとが組み合わされた請求項１又は２に記載の容器口部構造体。
【請求項４】
スコアは断面形状において大きなＶ字溝またはＵ字溝が底部の一面のみに薄肉部として設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項５】
スコアは断面形状において大小のＶ字溝およびＵ字溝が底部の両面から大小組合わされて薄肉部が設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項６】
ダストキャップは円板状の板部と、内栓の内筒の内径にほぼ等しい外径を有する筒状体とからなる請求項３乃至５のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項７】
ダストキャップは円板状の板部と、内栓のフランジ部を抱え込む円周溝と、前記フランジの外周端部を抱え込む環状溝を備えている請求項３乃至５のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項８】
ダストキャップは内栓の内筒端部を包み込む円周溝を有し外筒内径にほぼ等しい径のフランジ部と、内筒内径にほぼ等しい外径の筒状部と、底部からなり、当該底部にはプルトップ用の指掛け部が取り付けられている請求項３乃至５のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項９】
針側壁に切溝が設けられた貫通針であって、請求項１乃至８のいずれかに記載の容器口部構造体を開封するに際し、針先がスコアを破断する際には当該切溝に当たる部分のスコアが破断されず、内栓の底部に付いたまま折り曲げ部となって、断片を押し上げる形態で開封することを特徴とする貫通針の使用方法。
【請求項１０】
針側壁に切溝が設けられると共に、基部に請求項１乃至８のいずれかに記載の容器口部構造体の内筒内面と協働するシール部材と、前記内筒に設けられた環状の溝と係合する環状突起とを備えた貫通針。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれかに記載の容器口部構造体と、前記容器口部構造体の内筒内面と共働する針側壁に切溝が形成された貫通針とからなり、前記貫通針が前記容器口部構造体と嵌合して内容液通路となることを特徴とする容器の内容液の注出構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子ビーム露光方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し登録する工程と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】  前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】  前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項４】  前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項５】  前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの２倍以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項６】  設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
周期構造を持つ前記設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し登録する手段と、前記セルパターンを用いて前記荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し前記基本描画領域のデータを作成する手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項７】  前記基本描画領域は複数の前記セルパターンの全領域または一部分で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項８】  前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域に等しいまたは前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より大きいことを特徴とする請求項６または７に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項９】  前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域より小さいことを特徴とする請求項６または７に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１０】  前記セルパターンのサイズは前記基本描画領域のサイズの２倍以上であることを特徴とする請求項６または７に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１１】  前記セルパターンはビットマップデータで構成されていることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１２】 荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１３】 前記セルパターンのサイズは、前記基本描画領域のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１４】 前記配列データは、切出し開始位置および切出しサイズを含むこと特徴とする請求項１２または１３に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１５】 設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える荷電粒子ビーム描画装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、登録する工程と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する工程と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する工程を備えた構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、周期構造を持つ設計パターンデータから、周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、登録する手段と、前記セルパターンを用いて、荷電粒子ビーム露光装置に起因する基本描画領域に再配列するための配列データを作成し、登録する手段と、前記配列データの情報に従って前記セルパターンのデータから切出し、前記基本描画領域のデータを作成する手段を有する構成とした。
また、本発明では、荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを試料面上に照射し、設計パターンデータに応じたパターンを前記試料面上に露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出する工程と、
前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成する工程と、
前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する工程と、を備える構成とした。
また、本発明では、設計パターンデータに応じたパターンを試料面上に露光する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記荷電粒子ビーム描画装置に起因する基本描画領域のデータに従って荷電粒子ビームを前記試料面上に照射する本体と、
前記設計パターンデータから周期構造の１単位としてセルパターンを抽出し、前記セルパターンを用いて前記基本描画領域のデータを形成するための配列データを作成し、前記配列データに基づいて前記セルパターンから前記基本描画領域のデータを形成する制御システムと、を備える構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝を有する下地を形成する工程と、
前記下地上に埋込み膜を形成し、前記溝内を前記埋込み膜で埋め込む工程と、
ＣＭＰ法により前記埋込み膜の表面が平坦になるまで前記埋込み膜の研磨を行う第１の研磨工程であって、前記下地が露出する前に前記研磨を停止する第１の研磨工程と、
ＣＭＰ法により前記埋込み膜の研磨を行う第２の研磨工程であって、前記溝外の前記埋込み膜が除去されるまで前記研磨を行い、かつ、前記第１の研磨工程の終了後における前記埋込み膜の膜厚に基づいて、研磨終了時間が決められる第２の研磨工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記表面に溝を有する下地は、表面に素子分離溝を有する半導体基板または表面に配線溝を有する層間絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の研磨工程における研磨特性と前記第２の研磨工程における研磨特性とが互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の研磨工程の終了後における埋込み膜の膜厚は、膜厚測定装置を用いて求めるか、または前記第１の研磨工程時における前記埋込み膜の初期膜厚、研磨速度および研磨時間に基づいて求めることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の研磨工程は、前記第２の研磨工程に比べて、前記埋込み膜の研磨速度の荷重依存性が高い研磨工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の研磨工程における前記埋込み膜の表面が平坦になった後の研磨速度は、前記第１の研磨工程における前記埋込み膜の表面が平坦になった後の研磨速度よりも速いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の研磨工程において、前記溝外の前記下地が露出した後、この露出した下地の研磨速度と前記埋込み膜との研磨速度が実質的に等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
研磨パッド、スラリーおよび研磨条件の少なくとも１つを変えることで、前記第１および第２の研磨工程における研磨特性を互いに異ならせることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の研磨方法には砥石を用いた研磨方法を用いることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
［構成］
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に溝を有する下地を形成する工程と、前記下地上に埋込み膜を形成し、前記溝内を前記埋込み膜で埋め込む工程と、ＣＭＰ法により前記埋込み膜の表面が平坦になるまで前記埋込み膜の研磨を行う第１の研磨工程であって、前記下地が露出する前に前記研磨を停止する第１の研磨工程と、ＣＭＰ法により前記埋込み膜の研磨を行う第２の研磨工程であって、前記溝外の前記埋込み膜が除去されるまで前記研磨を行い、かつ、前記第１の研磨工程の終了後における前記埋込み膜の膜厚に基づいて、研磨終了時間が決められる第２の研磨工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これに対し、本発明（請求項１〜請求項９）は、図５に示すように、２回の研磨工程により溝が露出するまで埋込み膜を研磨するので、研磨の終了時間は２回目の研磨工程（第２の研磨工程）の開始時における埋込み膜の膜厚ｄB に基づいて推定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明（請求項７）では、最初の研磨工程（第１の研磨工程）においては、埋込み膜の表面が平坦になるまで研磨を行い、そして２回目の研磨工程（第２の研磨工程）においては、溝外の下地が露出した後、この露出した下地の研磨速度と埋込み膜との研磨速度を略等しくしている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
したがって、本発明（請求項７）によれば、実ジャストポリッシング時間と推定ジャストポリッシング時間との差を小さくでき、かつ溝間隔または溝幅が異なる埋込み構造が混在した場合にオーバーポリッシングを行っても、大きなエロージョンまたはディシングを生じずに済むようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  封止樹脂とリード部とを備えるとともに、前記リード部の４面にて前記封止樹脂と接着し、かつ実装面が露出した樹脂封止型半導体パッケージにおいて、
前記リード部の実装面の隅部に隣接する部分のリードの側面には、前記実装面から離れるに従って、リードの幅が広がる形状のテーパが設けられており、前記リード部の実装面と反対の上面の隅部に隣接する部分のリード側面には、前記実装面から離れるに従って、リードの幅が広がる形状のテーパが設けられていないことを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージ。
【請求項２】  前記リード部の前記封止樹脂と接着する部分にくぼみを設けたことを特徴とする、請求項１記載の樹脂封止型半導体パッケージ。
【請求項３】 前記リード部の実装面の隅部に段差を設けたことを特徴とする、請求項１記載の樹脂封止型半導体パッケージ。
【請求項４】 前記リード部の前記封止樹脂と接着する部分をくさび型にしたことを特徴とする、請求項１記載の樹脂封止型半導体パッケージ。
【請求項５】  前記リード部が、スタンピングで加工されたフレームから成ることを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
第１の発明にかかる樹脂封止型半導体パッケージは、封止樹脂とリード部とを備えるとともに、前記リード部の４面にて前記封止樹脂と接着し、かつ実装面が露出した樹脂封止型半導体パッケージにおいて、前記リード部の実装面の隅部に隣接する部分のリードの側面には、前記実装面から離れるに従って、リードの幅が広がる形状のテーパが設けられており、前記リード部の実装面と反対の上面の隅部に隣接する部分のリード側面には、前記実装面から離れるに従って、リードの幅が広がる形状のテーパが設けられていないことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、第２の発明にかかる樹脂封止型半導体パッケージは、前記リード部の前記封止樹脂と接着する部分にくぼみを設けたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、第３の発明にかかる樹脂封止型半導体パッケージは、前記リード部の実装面の隅部に段差を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第４の発明にかかる樹脂封止型半導体パッケージは、前記リード部の前記封止樹脂と接着する部分をくさび型にしたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇ、Ａｕ、およびＣｕからなるいずれかの第１金属層を無電解めっきによりリードの先端部に部分めっきする工程、部分めっきしたリードを金属外環にガラスを介して気密封着する工程、およびＳｎの第２金属層をバレルめっきにより前記リードの露出する全面にめっきする工程を含む金属外環にガラスを介してリードを気密封着した気密端子の製造方法であって、前記リードの加熱時に前記第１金属層と前記第２金属層を合金化してろう材とすることを特徴とする気密端子の製造方法。
【請求項２】
前記第１金属層および第２金属層の厚さは合金化により形成されるろう材の組成に応じて設定し、かつ前記第１金属層の厚さを第２金属層の厚さよりも小さく設定することを特徴とする請求項１に記載の気密端子の製造方法。
【請求項３】
前記第１金属層はＡｕで厚さが１〜３μｍの範囲内で形成し、前記第２金属層はＳｎで厚さが７〜９μｍであることを特徴とする請求項２に記載の気密端子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の気密端子の製造方法は、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｕからなるいずれかの第１金属層を無電解めっきによりリードの先端部に部分めっきする工程、部分めっきしたリードを金属外環にガラスを介して気密封着する工程、およびＳｎの第２金属層をバレルめっきにより前記リードの露出する全面にめっきする工程を含む金属外環にガラスを介してリードを気密封着した気密端子の製造方法であって、前記リードの加熱時に前記第１金属層と前記第２金属層を合金化してろう材とすることを特徴とする気密端子の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｕからなるいずれかの第１金属層を無電解めっきによりリードの先端部に部分めっきする工程、部分めっきしたリードを金属外環にガラスを介して気密封着する工程、およびＳｎの第２金属層をバレルめっきにより前記リードの露出する全面にめっきする工程を含む金属外環にガラスを介してリードを気密封着した気密端子の製造方法であって、前記リードの加熱時に前記第１金属層と前記第２金属層を合金化してろう材とすることを特徴とする気密端子の製造方法である。このように、加熱により合金化してろう材となる異種金属層の積層体を具備する気密端子の製造方法では、貴な金属層がろう付けに必要な小部分のみになるように積層形成することにより、合金の形態でのろう材の形成が困難なものであっても、容易に所望の組成のろう材を形成してろう付けすることができるのみならず、貴な金属の使用量を少なくできる。

【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また本発明の気密端子の製造方法は、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｕからなるいずれかの第１金属層を無電解めっきによりリードの先端部に部分めっきする工程、部分めっきしたリードを金属外環にガラスを介して気密封着する工程、およびＳｎの第２金属層をバレルめっきにより前記リードの露出する全面にめっきする工程を含む金属外環にガラスを介してリードを気密封着した気密端子の製造方法であって、前記リードの加熱時に前記第１金属層と前記第２金属層を合金化してろう材とすることを特徴とする気密端子の製造方法であるから、比較的高価な第１金属層をリードの先端の必要部分のみに形成することにより、高価な金属の使用量を少なくして、第１金属層の原価を低減できるし、比較的安価な第２金属層は形成原価の低いバレルめっき法等で簡単に形成できるので、結局、この種の気密端子を安価に提供できるという作用効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  同一粒子内に、リチウムマンガン複合酸化物とリチウムニッケル複合酸化物とを含有することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項２】  リチウムマンガン複合酸化物のマンガン原子の一部が、１種又は２種以上の他の原子で置換されている請求項１に記載のリチウム二次電池用
正極活物質。
【請求項３】  他の原子が、Ｌｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項２に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項４】  リチウムニッケル複合酸化物のニッケル原子の一部が、１種又は２種以上の他の原子で置換されている請求項１乃至３のいずれか１つに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項５】  他の原子が、Ｌｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ及びＭｎからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項４に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項６】  粒子内におけるリチウムマンガン複合酸化物とリチウムニッケル複合酸化物との合計量に対するリチウムマンガン複合酸化物の割合が、モル比で１０〜９０％である請求項１乃至５のいずれか１つに記載のリチウム二次電
池用正極活物質。
【請求項７】  粒子の長径（Ｌa ）と短径（Ｌb）のアスペクト比（Ｌa ／Ｌb ）が１．２以下である請求項１乃至６のいずれか１つに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項８】  粒子内のリチウムマンガン複合酸化物とリチウムニッケル複合酸化物とがそれぞれ平均粒子径１０μｍ以下の成分粒子からなる請求項１乃至７のいずれか１つに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項９】  粒子の平均粒子径が、リチウムマンガン複合酸化物及びリチウムニッケル複合酸化物のそれぞれの成分粒子の平均粒子径のうち大きい方の３倍以上である請求項１乃至８のいずれか１つに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１つに記載の正極活物質を用いたリチウム二次電池用正極。
【請求項１１】 請求項１０に記載の正極を用いたリチウム二次電池。
【請求項１２】 リチウムマンガン複合酸化物とリチウムニッケル複合酸化物とを湿式混合し、次いでこれを噴霧乾燥することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項１３】 噴霧乾燥に供されるリチウムマンガン複合酸化物とリチウムニッケル複合酸化物の粒径とが、それぞれ１０μｍ以下である請求項１２に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 複数のサービスを提供するために、複数のデバイスコントローラにより制御される周辺装置と通信する情報処理装置において、
複数の複合的なデバイスコントローラにより制御される前記周辺装置により提供される複数のサービスを示す情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得したサービス情報に関連するサービスに対応するそれぞれのデバイスコントローラのコントローラ情報を認識する認識手段と、
前期認識手段により認識されたコントローラ情報に基づいて、実行するべきコマンドの処理を制御する制御手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】 前記コマンドはジョブスクリプトとして提供され、当該コマンドはジョブのスタートコマンドとエンドコマンドを含むものであり、
前記ジョブに設定される属性が前記複数のデバイスコントローラの機能の範囲内にあるかを判定する判定手段を備える請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】 前記ジョブスクリプトはパケットとして転送されるものであり、前記属性値は前記情報処理装置から周辺装置に対する宛先に対応するものである請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】 前記複数のサービスは、コピーサービスを含み、前記コピーサービスは、前記複数のデバイスコントローラの中のプリンタコントローラとスキャナコントローラに対応するものである請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】 前記複数のサービスは、コピーサービスを含み、前記認識手段により認識されるコントローラ情報は、コピーーサービスのフィニッシング機能に関する情報を含む請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】 前記取得手段により取得されたサービス情報に関するサービスのコントローラ情報を前記認識手段は認識する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】 前記取得手段により取得されたサービス情報を表示部に表示する手段をさらに備える請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】 前記周辺装置は、前記周辺装置により提供されるサービスを管理する統括プログラムが供給され、前記統括プログラムは前記複数のサービスに対するアクセスレベルを設定する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】 前記汎用プログラムにより制御されるユーザＩＤを示す情報を取得する取得手段をさらに備える請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】 複数のサービスを提供するために、複数のデバイスコントローラにより制御される周辺装置と通信する情報処理装置における方法において、
複数の複合的なデバイスコントローラにより制御される前記周辺装置により提供される複数のサービスを示す情報を取得する取得工程と、
前記取得工程により取得したサービス情報に関連するサービスに対応するそれぞれのデバイスコントローラのコントローラ情報を認識する認識工程と、
前期認識工程により認識されたコントローラ情報に基づいて、実行するべきコマンドの処理を制御する制御工程と、
を備える情報処理方法。
【請求項１１】 前記コマンドはジョブスクリプトとして提供され、当該コマンドはジョブのスタートコマンドとエンドコマンドを含むものであり、
前記ジョブに設定される属性が前記複数のデバイスコントローラの機能の範囲内にあるかを判定する判定工程を備える請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１２】 前記ジョブスクリプトはパケットとして転送されるものであり、前記属性値は前記情報処理装置から周辺装置に対する宛先に対応するものである請求項１１に記載の情報処理方法。
【請求項１３】 前記複数のサービスは、コピーサービスを含み、前記コピーサービスは、前記複数のデバイスコントローラの中のプリンタコントローラとスキャナコントローラに対応するものである請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１４】 前記複数のサービスは、コピーサービスを含み、前記認識工程により認識されるコントローラ情報は、コピーーサービスのフィニッシング機能に関する情報を含む請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１５】 前記取得工程により取得されたサービス情報に関するサービスのコントローラ情報を前記認識工程は認識する請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１６】 前記取得工程により取得されたサービス情報を表示部に表示する工程をさらに備える請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１７】 前記周辺装置は、前記周辺装置により提供されるサービスを管理する統括プログラムが供給され、前記統括プログラムは前記複数のサービスに対するアクセスレベルを設定する請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１８】 前記汎用プログラムにより制御されるユーザＩＤを示す情報を取得する取得工程をさらに備える請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１９】 ジョブに基づく複数のサービスを提供する周辺装置において、
前記複数のサービスのそれぞれについて、当該サービスを提供するコントローラの機能を示す機能情報を管理する管理手段と、
サービスを要求するジョブを入力する入力手段と、
ジョブのスタートコマンドをエンドコマンドを認識する認識手段と、
前記認識手段がスタートコマンドを認識するのに応答して、前記入力手段により入力されたジョブに基づき、前記複数のサービスから一つのサービスを特定する第一特定手段と、
前記管理手段が管理する機能情報に基づき、前記第１特定手段が特定したサービスを提供するコントローラの機能を示す情報を特定する第二特定手段と、
前記第二特定手段が特定した機能情報に基づいてサービスを実行する実行手段とを備え、
前記複数のサービスは、スキャンサービスと、プリントサービスを含む。
【請求項２０】 ジョブに基づく複数のサービスを提供する周辺装置における方法において、
前記複数のサービスのそれぞれについて、当該サービスを提供するコントローラの機能を示す機能情報を管理する管理工程と、
サービスを要求するジョブを入力する入力工程と、
ジョブのスタートコマンドをエンドコマンドを認識する認識工程と、
前記認識工程がスタートコマンドを認識するのに応答して、前記入力工程により入力されたジョブに基づき、前記複数のサービスから一つのサービスを特定する第一特定工程と、
前記管理工程が管理する機能情報に基づき、前記第１特定工程が特定したサービスを提供するコントローラの機能を示す情報を特定する第二特定工程と、
前記第二特定工程が特定した機能情報に基づいてサービスを実行する実行工程とを備え、
前記複数のサービスは、スキャンサービスと、プリントサービスを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光を互いに色が異なる複数の光に分離し、各色の光を複数の画素群のうちの対応する画素群に入射させ、該複数の画素群からの各色の光を投影する投射型表示装置において、可視領域において第１の波長以上の領域を通過させそれ以外の領域を阻止するか、可視領域において第１の波長以下の領域を通過させそれ以外の領域を阻止する光学素子を用いて、少なくとも一つの色の純度を可変にしたことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項２】  光源からの光を互いに色が異なる複数の光に分離し、各色の光を複数の画素群のうちの対応する画素群に入射させ、該複数の画素群からの各色の光を投影する投射型表示装置において、可視領域において第１の波長以上の領域を通過させそれ以外の領域を阻止するか、可視領域において第１の波長以下の領域を通過させそれ以外の領域を阻止することで第１の色の純度を上げる光学素子を前記第１の色の光の光路に対して挿脱可能および／又は傾動可能に配置したことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項３】  複数の画像表示素子と、光源からの光を互いに色が異なる複数の光に分離して、各色の光を該複数の画像表示素子の対応する素子に入射させる第１光学系と、該複数の画像表示素子からの各色の光を合成する第２光学系と、該第２光学系により合成された各色の光を投影する投射型表示装置において、可視領域において第１の波長以上の領域を通過させそれ以外の領域を阻止するか、可視領域において第１の波長以下の領域を通過させそれ以外の領域を阻止することで該各色のうちの第１の色の純度を上げる光学素子を前記第１の色の光の光路に対して挿脱可能および／または傾動可能に配置したことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項４】  該所定の光路は、該第１光学系のダイクロイックミラー群と該光源の間の光路であることを特徴とする請求項３記載の投射型表示装置。
【請求項５】  該所定の光路は、該第１光学系のダイクロイックミラー群が定める光路であることを特徴とする請求項４記載の投射型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オブジェクトベースコンピュータシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 オブジェクトベースコンピュータシステムであって、
システム・データベースと、
前記システム・データベースと通信可能な少なくとも１つのサーバーコンピュータと、
前記システム・データベースと通信可能であり、前記システム・データベースに対するアクセスを可能にするアプリケーション・プログラミング・インターフェースを提供するクラス構造を使用して前記システム・データベースにアクセスする少なくとも１つのクライアントコンピュータとを備え、
前記クラス構造は、
コア・アプリケーション・プログラミング・インターフェースを定義すべく設けられた第１セットのクラスと、
前記少なくとも１つのクライアントに関連したクライアント・アプリケーション・プログラミング・インターフェースを定義すべく設けられ、かつ前記第１セットのクラスを含む第２セットのクラスと、
前記少なくとも１つのるサーバーに関連したサーバー・アプリケーション・プログラミング・インターフェースを定義すべく設けられ、かつ前記第２セットのクラスを含む第３セットのクラスとを含むオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項２】 前記第１セットのクラスは少なくとも１つのインターフェースを含む請求項１に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項３】 前記少なくとも１つのインターフェースはEntryインターフェースを含む請求項２に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項４】 前記第１セットのクラスは少なくとも１つの抽象クラスと、少なくとも１つの具象クラスとを含む請求項１または２に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項５】 前記少なくとも１つの抽象クラスはBaseEntryクラスを含み、前記少なくとも１つの具象クラスはSystemDatabaseクラス、Queryクラス及びPropertyQueryクラスを含む請求項４に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項６】 前記第２セットのクラスは具象クラスであるSystemEntryクラスを含む請求項５に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項７】 前記第３セットのクラスはコンクリートクラスであるSystemAliasEntryクラス及びPersistentSystemEntryクラスを含む請求項６に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項８】 前記コア・アプリケーション・プログラミング・インターフェースはパブリック・アプリケーション・プログラミング・インターフェースである請求項１、２及び４のいずれか一項に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項９】 オブジェクトベースコンピュータシステムであって、
システムデータベースと、
前記システムデータベースと通信可能なクライアントコンピュータと、
前記システムデータベースと通信可能なサーバーコンピュータとを備え、
前記クライアントコンピュータおよび前記サーバーコンピュータは、前記システム・データベースに対するアクセスを可能にするアプリケーション・プログラミング・インターフェースを提供するクラス構造を使用して前記システム・データベースにアクセスし、
前記クラス構造は、
前記システム・データベースと通信する前記クライアントに関連し、かつクラス及びインターフェースの階層構造を含むクライアント・アプリケーション・プログラミング・インターフェースと、
前記システム・データベース及び前記クライアントとそれぞれ通信する前記サーバーに関連し、かつ前記クライアント・アプリケーション・プログラミング・インターフェースを含むサーバー・アプリケーション・プログラミング・インターフェースとを含むオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項１０】 前記クライアント・アプリケーション・プログラミング・インターフェースはパブリック・メソッド及びパブリック・インターフェースを含むパブリック・アプリケーション・プログラミング・インターフェースである請求項９に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項１１】 前記システム・データベースはジャバ・システム・データベースである請求項９または１０に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【請求項１２】 前記サーバー・アプリケーション・プログラミング・インターフェースは、前記クライアント・アプリケーション・プログラミング・インターフェースに関連した前記クラス及びインターフェースの階層構造に含まれていない少なくとも１つのクラスを含む請求項９乃至１１のいずれか一項に記載のオブジェクトベースコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、
前記ビット線に接続されたメモリセルと、
前記メモリセルに接続されたワード線と、を備え、
前記メモリセルから情報を読み出す読み出し動作を命令するリードコマンドの受信と前記ワード線の活性化との間の読み出し活性時間が、前記メモリセルに情報を書き込む書き込み動作を命令するライトコマンドの受信と前記ワード線の活性化との間の書き込み活性時間と異なることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記書き込み動作は、書き込み活性時間が第１の活性時間である第１の書き込み動作と、書き込み活性時間が前記第１の活性時間と異なる第２の活性時間である第２の書き込み動作とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記書き込み動作時において前記ワード線を活性化させる時間は、次の書き込み動作を命令するライトコマンドを設定する時間に基くことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
ビット線と、
前記ビット線に接続されたメモリセルと、
前記メモリセルに接続されたワード線と、を備え、
前記メモリセルから情報を読み出す読み出し動作を命令するリードコマンドの受信と前記読み出し動作の開始との間の第１の時間が、前記メモリセルに情報を書き込む書き込み動作を命令するライトコマンドの受信と前記書き込み動作の開始との間の第２の時間と異なることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
ビット線と、
前記ビット線に接続されたメモリセルと、
前記メモリセルに接続されたワード線と、を備え、
前記メモリセルに情報を書き込む書き込み動作を命令するライトコマンドの受信と前記書き込み動作の開始との間の第１の時間が、前記メモリセルに保持された情報をリフレッシュするリフレッシュ動作を命令するリフレッシュコマンドの受信と前記書き込み動作の開始との間の第２の時間と異なることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
メモリセルに書き込むデータを保持する入力レジスタをさらに備え、
前記メモリセルに前記入力レジスタに保持された情報を書き込む書き込み動作を命令するライトコマンドの受信と前記書き込み動作の開始との間の第１の時間が、前記第２の時間と異なることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
入力コマンドがリフレッシュ動作か書き込み動作かを検出するコマンドデコーダと、
前記書き込み動作が検出されたとき、情報が書き込まれるメモリセルのアドレス情報を保持するアドレスレジスタと、
前記書き込み動作が検出されたとき、前記情報が書き込まれるメモリセルへのデータ情報を保持する入力レジスタと、
前記リフレッシュ動作が検出されたとき、リフレッシュ動作を、前記アドレスレジスタに保持されたアドレス情報に従って前記入力レジスタに保持されたデータ情報を前記メモリセルアレイに書き込んだ後に実行させるリフレッシュコントローラと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
前記コマンドデコーダは、前記書き込み動作が通常書き込み動作か遅延書き込み動作かをさらに検出し、
前記アドレスレジスタは前記遅延書き込み動作が検出されたとき、情報が書き込まれるメモリセルのアドレス情報を保持し、
前記入力レジスタは前記遅延書き込み動作が検出されたとき、前記情報が書き込まれるメモリセルへのデータ情報を保持し、
前記リフレッシュコントローラは前記遅延書き込み動作が検出されたか、前記リフレッシュ動作が検出されたかを判断し、前記遅延書き込み動作が検出されたとき、リフレッシュ動作を、前記アドレスレジスタに保持されたアドレス情報に従って前記入力レジスタに保持されたデータ情報を前記メモリセルアレイに書き込んだ後に実行させることを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）各々の前記テスト領域の色を量子化するステップと、を有することを特徴とする画像を特徴付ける方法。
【請求項２】  各々の前記テスト領域の色を、平均色と代表色の少なくとも１つとして量子化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  各々の前記テスト領域の色を、赤，緑，青の各色の強度の平均として量子化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）前記画像上の各々の前記テスト領域の色の均一性をテストするステップと、（ｄ）十分に均一な色をもつ各々のテスト領域の色を量子化するステップと、を有することを特徴とする画像を特徴付ける方法。
【請求項５】  色の関数としての前記テスト領域の母集団の分布によって前記画像を特徴付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】  画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）前記画像上の各々の前記テスト領域のテクスチャを量子化するステップと、を有することを特徴とする画像を特徴付ける方法。
【請求項７】  各々の前記テスト領域のテクスチャを、平均テクスチャとして量子化することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  テクスチャの関数としての前記テスト領域の母集団の分布によって前記画像を特徴付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】  画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）前記画像上の各々の前記テスト領域のテクスチャの均一性をテストするステップと、（ｄ）十分に均一なテクスチャをもつ各々の前記テスト領域のテクスチャを量子化するステップと、を有することを特徴とする画像を特徴付ける方法。
【請求項１０】  テクスチャの関数としての前記テスト領域の母集団の分布によって前記画像を特徴付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）各々の前記テスト領域の色を量子化するステップと、を有することを特徴としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４の発明は、画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）前記画像上の各々の前記テスト領域の色の均一性をテストするステップと、（ｄ）十分に均一な色をもつ各々のテスト領域の色を量子化するステップと、を有することを特徴としたものである。
【補正対象書類名】  明細書
【補正対象項目名】  ００１７
【補正方法】        変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５の発明は、請求項４の発明において、色の関数としての前記テスト領域の母集団の分布によって前記画像を特徴付けるステップをさらに含むことを特徴としたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６の発明は、画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）前記画像上の各々の前記テスト領域のテクスチャを量子化するステップと、を有することを特徴としたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項７の発明は、請求項６の発明において、各々の前記テスト領域のテクスチャを、平均テクスチャとして量子化することを特徴としたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８の発明は、請求項６の発明において、テクスチャの関数としての前記テスト領域の母集団の分布によって前記画像を特徴付けるステップをさらに含むことを特徴としたものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項９の発明は、画像を特徴付ける方法において、（ａ）複数の画素を含む空間構成要素を規定するステップと、（ｂ）前記空間構成要素に対応するテスト領域を前記画像上に複数描くステップと、（ｃ）前記画像上の各々の前記テスト領域のテクスチャの均一性をテストするステップと、（ｄ）十分に均一なテクスチャをもつ各々の前記テスト領域のテクスチャを量子化するステップと、を有することを特徴としたものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１０の発明は、請求項９の発明において、テクスチャの関数としての前記複数のテスト領域の母集団の分布によって前記画像を特徴付けるステップをさらに含むことを特徴としたものである。