【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器、表示装置およびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に配列された薄膜トランジスタと、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とを覆って形成された高耐熱性平坦化膜と、を有し、
前記高耐熱性平坦化膜の端部の側壁は、テーパー形状であり、
前記端部の側壁には、不活性元素が添加されており、
前記高耐熱性平坦化膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成されている材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板と対向して配置された第２の基板と、
前記第１の基板上にマトリクス状に配列された薄膜トランジスタと、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とを覆って形成された高耐熱性平坦化膜と、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの外周を囲み、前記第１の基板と前記第２の基板を固着するシール材と、を有し、
前記高耐熱性平坦化膜の端部の側壁は、テーパー形状であり、
前記端部の側壁には、不活性元素が添加されており、
前記高耐熱性平坦化膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成されている材料からなり、
前記シール材は前記端部の側壁を覆って形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上にマトリクス状に配列された薄膜トランジスタと、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とを覆って形成された高耐熱性平坦化膜と、
前記高耐熱性平坦化膜上に形成された画素電極と、を有し、
前記画素電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続されており、
前記高耐熱性平坦化膜の端部の側壁及び前記開口部の側壁は、テーパー形状であり、
前記端部の側壁及び前記開口部の側壁には、不活性元素が添加されており、
前記高耐熱性平坦化膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成されている材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の基板と対向して配置された第２の基板と、
前記第１の基板上にマトリクス状に配列された薄膜トランジスタと、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とを覆って形成された高耐熱性平坦化膜と、
前記高耐熱性平坦化膜上に形成された画素電極と、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの外周を囲み、前記第１の基板と前記第２の基板を固着するシール材と、を有し、
前記画素電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続されており、
前記高耐熱性平坦化膜の端部の側壁及び前記開口部の側壁は、テーパー形状であり、
前記端部の側壁及び前記開口部の側壁には、不活性元素が添加されており、
前記高耐熱性平坦化膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成されている材料からなり、
前記シール材は前記端部の側壁を覆って形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記高耐熱性平坦化膜中に含まれる不活性元素の濃度は、１×１０１９〜５×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記高耐熱性平坦化膜の端部におけるテーパー角は、３０°を越え７５°未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記骨格構造には、置換基として、水素、フッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種が結合されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記高耐熱性平坦化膜の表面には、不活性元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記不活性元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
絶縁表面を有する第１の基板上に、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配列して形成し、
前記マトリクス状に配列して形成した薄膜トランジスタ上に、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成された材料からなる高耐熱性平坦化膜を形成し、
前記高耐熱性平坦化膜をエッチングし、周縁部を除去して側壁をテーパー形状とした端部を形成し、側壁をテーパー形状とした開口部を形成し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上の前記ゲート絶縁膜を露呈させ、
前記高耐熱性平坦化膜に不活性元素を添加し、
前記露呈したゲート絶縁膜をエッチングし、
前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と接続される画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する第１の基板上に、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配列して形成し、
前記マトリクス状に配列して形成した薄膜トランジスタ上に、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成された材料からなる高耐熱性平坦化膜を形成し、
前記高耐熱性平坦化膜をエッチングし、周縁部を除去して側壁をテーパー形状とした端部を形成し、側壁をテーパー形状とした開口部を形成し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上の前記ゲート絶縁膜を露呈させ、
前記高耐熱性平坦化膜の表面、前記端部の側壁、および前記開口部の側壁に不活性元素を添加し、
前記露呈したゲート絶縁膜をエッチングし、
前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と接続される画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する第１の基板上に、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配列して形成し、
前記マトリクス状に配列して形成した薄膜トランジスタ上に、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成された材料からなる高耐熱性平坦化膜を形成し、
前記高耐熱性平坦化膜をエッチングし、周縁部を除去して側壁をテーパー形状とした端部を形成し、側壁をテーパー形状とした開口部を形成し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上の前記ゲート絶縁膜を露呈させ、
前記高耐熱性平坦化膜に不活性元素を添加し、
前記露呈したゲート絶縁膜をエッチングし、
前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と接続される第１の電極を形成し、
前記高耐熱性平坦化膜上に、前記第１の電極の端部を覆う絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの外周を囲み、且つ、前記高耐熱性平坦化膜の端部を覆ってシール材を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを前記シール材により貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面を有する第１の基板上に、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配列して形成し、
前記マトリクス状に配列して形成した薄膜トランジスタ上に、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成された材料からなる高耐熱性平坦化膜を形成し、
前記高耐熱性平坦化膜をエッチングし、周縁部を除去して側壁をテーパー形状とした端部を形成し、側壁をテーパー形状とした開口部を形成し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上の前記ゲート絶縁膜を露呈させ、
前記高耐熱性平坦化膜の表面、前記端部の側壁、および前記開口部の側壁に不活性元素を添加し、
前記露呈したゲート絶縁膜をエッチングし、
前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と接続される第１の電極を形成し、
前記高耐熱性平坦化膜上に、前記第１の電極の端部を覆う絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、
前記マトリクス状に配列された薄膜トランジスタの外周を囲み、且つ、前記高耐熱性平坦化膜の端部を覆ってシール材を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを前記シール材により貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記不活性元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一おいて、
前記高耐熱性平坦化膜の端部をエッチングする際に、前記端部におけるテーパー角を、３０°を越え７５°未満にすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記高耐熱性平坦化膜は、スピンコート法またはインクジェット法を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一において、
前記骨格構造には、置換基として、水素、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種が結合されていることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１８のいずれか一において、
前記不活性元素の添加は、イオンドープ法またはイオン注入法を用いて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。