【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射方法及び結晶性半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物に対する吸収係数が１×１０４ｃｍ−１以上の波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを前記被処理物に照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記被処理物と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
可視光線以下の波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを前記被処理物に照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記被処理物と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
被処理物に対する吸収係数が１×１０４ｃｍ−１以上の波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを前記被処理物に照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記被処理物と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させ、
前記被処理物において、前記第１の線状レーザビームのショットにより溶融した部分の溶融状態が、前記第２の線状レーザビームにより維持された状態で、前記第１の線状レーザビームの次のショットを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
可視光線以下の波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを前記被処理物に照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記被処理物と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させ、
前記被処理物において、前記第１の線状レーザビームのショットにより溶融した部分の溶融状態が、前記第２の線状レーザビームにより維持された状態で、前記第１の線状レーザビームの次のショットを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の線状レーザビームによるビームスポットの面積は、前記第２の線状レーザビームによるビームスポットの面積よりも大きいことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
複数の前記第２の線状レーザビームのビームスポットは互いに一部が重ね合わされ、且つ単数の前記第１の線状レーザビームのビームスポットは前記一部重ね合わされた領域を覆うように重なることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記被処理物は前記第１のレーザ光に対して透光性を有する厚さｄの基板を含んでおり、
前記第１のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットの、長軸または短軸の長さをＷ１とすると、前記第１のレーザ光の前記被処理物表面に対する入射角度φ１は、
φ１≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ１／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記被処理物は前記第２のレーザ光に対して透光性を有する厚さｄの基板を含んでおり、
前記第２のレーザ光によって前記被処理物の表面に形成されるビームスポットの、長軸または短軸の長さをＷ２とすると、前記第２のレーザ光の前記被処理物表面に対する入射角度φ２は、
φ２≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ２／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の線状レーザビームは第２高調波を有することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の線状レーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第２の線状レーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザまたはヘリウムカドミウムレーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
半導体膜に、前記半導体膜に対する吸収係数が１×１０４ｃｍ−１以上の波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記半導体膜と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１３】
半導体膜に、可視光線に含まれる波長または可視光線より短い波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記半導体膜と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１４】
半導体膜に、前記半導体膜に対する吸収係数が１×１０４ｃｍ−１以上の波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記半導体膜と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させ、
前記半導体膜において、前記第１の線状レーザビームにより溶融した部分の溶融状態を、前記第２の線状レーザビームにより維持させ、且つ前記相対的な移動方向に向かって結晶成長させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１５】
半導体膜に、可視光線に含まれる波長または可視光線より短い波長を有するパルス発振された第１の線状レーザビームと、基本波を有する連続発振された第２の線状レーザビームとを照射する際、
前記第１の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットと、前記第２の線状レーザビームによって前記半導体膜の表面に形成されるビームスポットとを重ねながら、前記半導体膜と、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームとを相対的に移動させ、
前記半導体膜において、前記第１の線状レーザビームにより溶融した部分の溶融状態を、前記第２の線状レーザビームにより維持させ、且つ前記相対的な移動方向に向かって結晶成長させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一において、
前記半導体膜において、結晶性の高い第１の領域と、前記第１の領域よりも結晶性の低い第２の領域とを形成し、
前記第２の領域での前記相対的な移動速度を、前記第１の領域での前記相対的な移動速度より速くすることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第１の線状レーザビームは第２高調波を有することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一において、
前記第１の線状レーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至請求項１８のいずれか一において、
前記第２の線状レーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザまたはヘリウムカドミウムレーザを用いたレーザ発振器から発振されることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
なお第１のレーザ光は、パルス発振のＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いることで得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また第２のレーザ光は、連続発振のＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザまたはヘリウムカドミウムレーザを用いることで得られる。