【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）基板を設けるステップと、
（ｂ）その基板内に第１の押圧部を形成するステップと、
（ｃ）その押圧部内に導電材料を設けるステップと、
（ｄ）その導電材料に導体トラックを接続するステップと、
（ｅ）前記導電材料を支持する薄膜を設けるステップと、
（ｆ）前記導電材料から前記基板を取り除くステップとを具えることを特徴とする薄膜プローブ構成方法。
【請求項２】  前記第１の押圧部を、ツールを用いて形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項３】  前記ツールを前記基板に接触し及び押し付けるステップを更に具えることを特徴とする請求項２記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項４】  第２の押圧部を、ツールを用いて形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項２記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項５】  前記第２の押圧部を形成するために前記ツールを前記基板に対して横に移動するステップを更に具えることを特徴とする請求項４記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項６】  前記ツールに垂直ストッパを形成することを特徴とする請求項２記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項７】  前記ツールが、前記第１の押圧部を形成するのに用いられる成形部を有することを特徴とする請求項２記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項８】  前記成形部が、傾斜した側壁を有することを特徴とする請求項７記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項９】  前記導電材料に前記導電トラックを接続した後に前記薄膜を設けることを特徴とする請求項７記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１０】  前記成形部が、後部とヘッドとの間に傾斜面を有することを特徴とする請求項７記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１１】  前記形成部がヘッド及び後部を有し、前記後部を前記ヘッドより肉薄とすることを特徴とする請求項７記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１２】  前記基板を可塑性材料としたことを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１３】  前記ツールを、前記基板より硬い材料から形成したことを特徴とする請求項２記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１４】  前記第２の押圧部を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１５】  前記第１の押圧部が第２の押圧部と同様であることを特徴とする請求項１４記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１６】  絶縁層を支持部上でパターン化するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１７】  前記絶縁層を、前記第１の押圧部を形成する前に前記支持部上でパターン化することを特徴とする請求項１６記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１８】  前記絶縁層が開口部を規定し、前記第１の押圧部が、前記開口部に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項１６記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項１９】  前記導電材料が、ニッケルとロジウムのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２０】  前記導電材料の上にロジウムの外部層を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２１】  前記ロジウムの外部層がｖ形状を形成することを特徴とする請求項２０記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２２】  前記第１の押圧部内に前記導電材料を設けるステップが、前記導電材料を支持部上に電気めっきを行うことを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２３】  前記導電材料を一様に堆積することを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２４】  前記導電材料を前記第１の押圧部に設けた後に前記導電材料を平坦化するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２５】  前記導電材料が、前記薄膜の支持部の支持表面に対して傾斜したほぼ平坦な表面を有するように、前記第１の押圧部を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２６】  前記導電材料がほぼピラミッド形状となるように前記第１の押圧部を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２７】  前記第１の押圧部を形成する前に前記基板を研磨するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２８】  前記導電材料上に粗い表面を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項２９】  前記基板が結晶粒を有し、前記第１の押圧部が、前記結晶粒に対して傾斜した少なくとも一つのほぼ平坦な表面を有し、前記表面及び前記結晶粒が、これらの間で鋭角を規定することを特徴とする請求項１記載の薄膜プローブ構成方法。
【請求項３０】  （ａ）基板を設けるステップと、
（ｂ）前記基板上に層を設けた後に、複数の開口部を規定するために前記層をパターン化するステップと、
（ｃ）前記層をパターン化した後に押圧部のセットを前記開口部内に形成するステップと、
（ｄ）その押圧部内に導電材料を設けるステップと、
（ｅ）その導電材料から前記基板を取り除くステップとを具えることを特徴とするプローブ形成方法。
【請求項３１】  前記導電材料に導電トラックを接続するステップを更に具えることを特徴とする請求項３０記載のプローブ形成方法。
【請求項３２】  前記導電材料を支持する薄膜を設けるステップを更に具えることを特徴とする請求項３１記載のプローブ形成方法。
【請求項３３】  前記導電材料に前記導電トラックを接続した後に前記薄膜を設けることを特徴とする請求項３２記載のプローブ形成方法。
【請求項３４】  前記押圧部を、前記基板にツールを押し付けることによって形成することを特徴とする請求項３０記載のプローブ形成方法。
【請求項３５】  前記押圧部を形成するために前記ツールを前記基板に対して横に移動するステップを更に具えることを特徴とする請求項３４記載のプローブ形成方法。
【請求項３６】  （ａ）基板を設けるステップと、
（ｂ）前記基板の結晶構造に依存しない少なくとも一つの側壁を有する押圧部のセットを、前記基板内に形成するステップと、
（ｃ）その押圧部内に導電材料を設けるステップと、
（ｄ）その導電材料から前記基板を取り除くステップとを具えることを特徴とするプローブ形成方法。
【請求項３７】  前記導電材料に導電トラックを接続するステップを更に具えることを特徴とする請求項３６記載のプローブ形成方法。
【請求項３８】  前記導電材料を支持する薄膜を設けるステップを更に具えることを特徴とする請求項３７記載のプローブ形成方法。
【請求項３９】  前記導電材料に前記導電トラックを接続した後に前記薄膜を設けることを特徴とする請求項３８記載のプローブ形成方法。
【請求項４０】  前記押圧部を形成するために前記ツールを前記基板に対して横に移動するステップを更に具えることを特徴とする請求項３６記載のプローブ形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
好適には、ディンプリングマシンは、各押圧部の深さが同一又はほぼ同一となるように、正確なｚ軸方向の移動を行う。図１９を参照すると、ｚ軸方向の移動を十分正確に行えない場合、ｚ軸ストッパ２４２を有する他のディンプリングツール２４０を用いることができる。ｚ軸ストッパ２４２を、ポリイミド２２０の上面すなわち基板２００の上面２０２の上に載せ置かれたヘッド２４４から外側に延在する突出部とする。ｚ軸ストッパ２４２を、ディンプリングツール２４０を用いる前にポリイミド層２２０が予めパターン化されているか否かを考慮して、静的な深さが得られるようにヘッド２４４に対して配置する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】  図１の薄膜プローブアッセンブリの側面図であり、この場合、薄膜アッセンブリの一部を切り出して、支持部材の隠れた部分を露出している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】  図７ａ−７ｂのコンタクト部の接触開始時を破線で示すとともに、パッドによって垂直方向に行き過ぎた後のコンタクト部を実線で示す側面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】  図１４の基板に接触する図１５のツールを描写した図である。