【事件の表示】
　平成　６年特許願第　１６０４７号「磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　３月１０日出願公開、特開平　７−　６５３１６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯及び本願発明
  本願は、平成６年２月１０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年８月３日付け手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下の事項によって特定されるとおりのものである。（以後、「本願発明」という。）
「【請求項１】　一対の非磁性基板により磁性コア膜を挟み込んでなる磁気コア半体同士が前記磁性コア膜の端面同士を対向させて突き合わされ、これら磁性コア膜が突き合わされた界面に磁気ギャップが形成されてなる磁気ヘッドにおいて、
　上記磁性コア膜は、磁性体膜が非磁性体膜を介して複数積層された積層膜を単位積層磁性体膜とし、この単位積層磁性体膜が絶縁体膜を介して複数積層された積層磁性体膜からなり、上記磁性体膜が非晶質磁性材料よりなる非晶質磁性体膜であることを特徴とする磁気ヘッド。」
II．引用刊行物に記載の発明
（１） 当審で拒絶の理由として引用した特開平３−１１０８０９号公報（以後、「刊行物１」という）
には、「軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド」の関し、
（１−Ａ）「特許請求の範囲
（１）５ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＦｅＳｉ薄膜（０．４ｗｔ．％〜１２ｗｔ．％のＳｉを含む）と、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下のＩｒ，Ｒｅ、Ｒｕ，Ｐｔ、Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔａの１種類の金属膜もしくは２種類以上の合金膜とを交互に堆積した軟磁性薄膜。
（２）５ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＦｅＣｏＳｉ合金薄膜（１ｗｔ．％〜１２ｗｔ．％のＳｉと、１０ｗｔ．％〜３５ｗｔ．％のＣｏを含む）と、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下のＩｒ，Ｒｅ、Ｒｕ，Ｐｔ、Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔａの１種類の金属膜もしくは２種類以上の合金膜とを交互に堆積した軟磁性薄膜。
（５）トラックを形成する軟磁性薄膜を非磁性材で狭持し、前記軟磁性薄膜の膜厚がトラック幅を規定する構造を有する磁気ヘッドの、軟磁性薄膜に請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッド。」
（１−Ｂ）「高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を大きくすれば、また磁気ヘッドはその飽和磁束密度を大きくすれば有利になることが一般に知られている。」（公報第１頁右下欄第２０行〜同第２頁左上欄第３行参照）
（１−Ｃ）「第４図は本発明の磁気ヘッドの一例である。
　これはリングヘッドである。この例ではヘッドのトラックを形成する磁性膜３１に本発明の軟磁性薄膜が用いられる。ここではＦｅ−１．０ｗｔ．％ Ｓｉ１２０ｎｍとＩｒ４ｎｍを交互に４０層形成した約５μｍ厚のものを、絶縁層のＳｉＯ２（膜厚２００ｎｍ）を介して４層構造にし、合計膜厚約３０μｍ（トラック幅）として用いている。 なおＳｉＯ２絶縁膜を用いているのは高周波領域での渦電流損失を防ぐためである。３２は非磁性酸化物基板である。」（公報第２頁右下欄第１８〜第３頁左上欄第７行参照）
（１−Ｄ）「この技術的手段の作用は次のようになる。
　高融点金属であるＩｒ，Ｒｅ、Ｒｕ，Ｐｔ、Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔａもしくはそれらの合金はそれ自体非常に安定な材料である。従ってＦｅＳｉもしくはＦｅＣｏＳｉ合金との積層構造を形成し、４００℃以上の熱処理を施してもほとんど相互拡散がおこらない。一方ＦｅＳｉもしくはＦｅＣｏＳｉ合金は高融点材料によって分断されているために熱処理を施しても粒成長が起こらない。そのために比較的高い温度まで良好な軟磁気特性が保たれる。」（公報第２頁右上欄第１９行〜同左下欄第９行参照）
が記載されており、第４図を参照しつつ上記記載をまとめると、刊行物１には、
「膜厚１２０ｎｍのＦｅＳｉ合金と膜厚４ｎｍの非磁性のＩｒを交互に４０層積層して約５μｍ厚にしたものを、膜厚２００ｎｍの絶縁層のＳｉＯ２ を介して４層構造とした軟磁性薄膜からなる磁性膜３１を両側から非磁性酸化物基板３２で狭持して形成した磁気コア半体を端面同士突き合わせ界面に磁気ギャップ３４を形成したリング型の磁気ヘッド。」（以後、「刊行物１に記載の発明」という）
が記載されており、軟磁性薄膜と非磁性薄膜を積層するのは、非磁性薄膜で軟磁性薄膜間の相互拡散を防止し、軟磁性体の粒成長を抑制して良好な軟磁性特性を保つためであり、ＳｉＯ２絶縁膜を用いているのは高周波領域での渦電流損失を防ぐためであるとも記載されている。
（２）同様に、当審で引用した特開昭５８−１９２３１１号公報（以後、「刊行物２」という）には、
「積層磁性体膜」に関し、
（２−Ａ）「特許請求の範囲
１．磁性体膜と非磁性体膜とを堆積してなる積層磁性体膜において、厚さが２種以上からなる非磁性体層を有し、該非磁性体層の少なくとも１層が電気的絶縁層であることを特徴とする積層磁性体膜。
２．第１の非磁性体層を有する単位積層膜と、該単位積層膜と電気的に絶縁する第２の非磁性体層とを積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層磁性体層。
３．第１の非磁性体層の膜厚が１０〜１００オングストロームとすることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の積層磁性体膜。
４．各層の非磁性体層の膜厚を０．０５〜０．２μｍとし、第１の非磁性体層の膜厚を１０〜１００オングストロームとする１〜５μｍの単位積層膜と、該単位積層膜と０．１〜１μｍの第２の非磁性体層とを積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項もしくは第３項記載の積層磁性体膜。」
（２−Ｂ）「本発明は磁気記録再生用の磁気ヘッドのコア材に用いて特に良好な結果の得られる磁性体膜に係り、さらに特に高周波領域でも高い透磁率を有し、且つ低保磁力の積層磁性体膜に関する。」（公報第１頁右下欄第４〜７行参照）
（２−Ｂ’）「 本発明の目的は磁気ヘッド用コア材として、低い保磁力、相対的に高い透磁率、高い飽和磁束密度を有する積層磁性体膜を提供することにある。」（公報第２頁右上欄第１〜３行参照）
（２−Ｂ”）「ＶＴＲ用ヘッド等で磁性体膜の膜厚をトラック幅に用いる構造の場合には、１０〜２０μｍの膜厚を必要とするため、
渦電流損
（２−Ｃ）「基板１の上に磁性体層２と第１の非磁性体層５を交互に積層した単位積層膜６を形成し、この
単位積層膜と電気的に絶縁する第２の非磁性体層３
（２−Ｄ）「 このような積層膜は１〜５μｍの膜厚まで形成されて
単位積層膜
（２−Ｅ）「第１の非磁性層は・・・電気的な絶縁は目的としない・・したがって、必ずしも絶縁体でなくてもよく、Ｃｕ，Ａｌ、Ｍｏ等の導電体でもよく  ・・・
第１の非磁性体層の膜厚は１０〜１００Åが好適で、１０Å以下にすると部分的に単層膜になり、また、１００Å以上にすると磁壁移動の障害になり保磁力の増大、透磁率の低下をまねきいずれも好ましくない。
（２−Ｆ）「各層の磁性体層の膜厚は０．０５〜０．２μｍの範囲が好適」（公報第２頁右上欄第１７〜１８行参照）
（２−Ｆ’）「 第５図に第１の非磁性体層とＦｅ−Ｓｉ膜を交互に堆積し、１．５μｍの積層膜を形成した時のＦｅ−Ｓｉ膜の膜厚に対する保磁力と５ＭＨｚでの透磁率の関係を示す。第１の非磁性体層の膜厚は３０オングストローム・・・５ＭＨｚでの透磁率を１０００以上維持するためには０．０５〜０．２μｍが好適で、０．１μｍ付近で最大を示した。」（公報第３頁右上欄第６〜１７行参照）
（２−Ｆ”）「 第５図に第１の非磁性体層とＦｅ−Ｓｉ膜を交互に堆積し、１．５μｍの積層膜を形成した時のＦｅ−Ｓｉ膜の膜厚に対する保磁力と５ＭＨｚでの当時力の関係を示す。第１の非磁性体層の膜厚は３０Å・・・５ＭＨｚでの透磁率を１０００以上維持するためには０．０５〜０．２μｍが好適で、０．１μｍ付近で最大を示した。」（公報第３頁右上欄第６〜１７行参照）
の記載があり、単位積層膜を数層非磁性絶縁体を介して積層して形成した、高い飽和磁束密度、高周波領域での高い透磁率を有しラミネート型磁気ヘッド用コアに適した積層磁性体膜が示されている。
（３）さらに、同時に当審で引用した特開昭６１−２７８００７号公報（以後、「刊行物３」という）には、「積層磁性体膜を用いた磁気ヘッド」に関し、
（３−Ａ）「 特許請求の範囲
１．　５ないし２００μｍのトラック幅を有する磁気ヘッドにおいて、磁路を構成する磁極の、少なくとも上記トラック幅と等しい幅を有する磁極部分の一部に、５０ないし１０００Åの膜厚の非磁性層を介して０．０５ないし２０μｍの膜厚の強磁性体層を積層した積層磁性体膜を用いることを特徴とする磁気ヘッド。
２．　特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッドにおいて・・・強磁性体層の膜厚を０．０５ないし０．５μｍ、非磁性体層の膜厚を５０ないし４０００Åとしたことを特徴とする磁気ヘッド。
７．特許請求の範囲第１項、第２項・・・もしくは第６項記載の磁気ヘッドにおいて、前記
磁性体層がＣｏを主成分とする金属−金属系非晶質合金
飽和磁束密度が８ＫＧ以上
（３−Ｂ）「 本発明は，薄膜磁性材料を用いた磁気ヘッドに係り、とくに高密度記録に好適な性能を発揮する薄膜磁気ヘッド、あるいは、垂直磁気記録用単極型磁気ヘッドに関する。」（公報第２頁右上欄第４〜７行参照）
（３−Ｂ’）「本発明では、非磁性体層を介して強磁性体層を堆積した積層磁性体膜を、磁気ヘッド用磁極に用いる。」（公報第３頁左上欄第１４〜１６行参照）
（３−Ｂ”）「本発明の垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドにおいては、磁極の総膜厚が０．１μｍ〜２０μｍと薄いため磁極先端の磁気飽和が生じやすく、従って磁極材料として出来るだけ飽和磁束密度Ｂｓの大きな材料を用いることが好ましい。」（公報第５頁右上欄第９行〜１４行参照）
（３−Ｃ）「これらの磁気ヘッドに用いる磁極の形状は、例えば第２図に示す如くであり、磁化容易軸ｅａ　を磁路方向２に対して垂直方向にすることにより、磁路方向２に沿って透磁率μを大きくすることが出来ることが知られている。また、透磁率μは、磁性体膜の異方性磁界ＨＫが小さく、磁化容易軸ｅａ が磁路方向２に対して垂直方向に向いている磁極を用いることにより、磁気記録再生特性の良好な磁気ヘッドが得られる。」（公報第２頁右上欄第１８〜左下欄第７行参照）
（３−Ｃ’）「しかし、第２図に示すような磁極では、磁極端部での反磁界の影響を低減するために、面内で磁化の向きの調整がなされ［図中に磁極の中の磁化の向きを矢印で示した］磁極部をビッター法により、磁区を観察すると
磁極端部に
三角状磁区
三角状磁区３の内部では、磁極の磁路方向２に磁化が向いてしまうので、特に高周波での磁化の変化が遅く、結果的に磁極の実効透磁率が低下する
（３−Ｃ”）「三角状磁区３は、異方性磁界ＨＫが小さいほど、トラック幅Ｔｗが狭いほど大きくなり、これにともない透磁率μの低下が大きくなる。このために磁極の形成にあたり高い透磁率を得るために 異方性磁界ＨＫ を単に小さくすることが良好ではなく、トラック幅Ｔｗに対して最適な 異方性磁界ＨＫ ’があり、この最適なＨＫ ’は、トラック幅Ｔｗを狭くするほど大きくなり、従って最適 ＨＫ ’としたときの透磁率も減少する。」
（公報第２頁左下欄第１７行〜同右下欄第６行参照）
（３−Ｄ）「
 本発明では、非磁性体層を介して強磁性体層を堆積した複層磁性体膜を、磁気ヘッド用磁極に用いる。このようにした場合には、磁極端部に三角状磁区が生ぜず、積層磁極体膜の異方性磁界を小さくしても、またトラック幅を狭くしても磁性体膜の透磁率の劣化は小さく、かつ加熱プロセスに対して透磁率の低下のない熱安定性に良好な積層磁性体膜が得られる
（３−Ｅ）「本発明に用いる強磁性体層としては、軟磁気特性を有する磁性材料を用いる。
記録密度を向上するためには、飽和磁束密度Ｂｓが高いことが必要
　このような磁性材料としては，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系（センダスト），Ｎｉ−Ｆｅ系（パーマロイ），Ｆｅ−Ｓｉ系，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｓｉ系等の
結晶質磁性合金
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉを主成分とし、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｂ等を非晶質化元素として含有し、場合によっては、その他の添加元素を含む非晶質磁性合金
Ｃｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ａｕ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｗ−Ｈｆ等のＣｏを主成分とする金属−金属系非晶質磁性合金
（３−Ｆ）「［発明の実施例］
 ・・・
　第４図に示すごとく強磁性体層５としてＣｏ９３．５−Ｚｒ６．５ （ａｔ％）の組成を有する厚さ０．２μｍの非晶質磁性合金 と 非磁性体層６としてＳｉ０２ とを高周波スパッタ法により形成し、非磁性体層を介して強磁性体層を積層した積層磁性体膜を作製した。膜作製後、一方向磁界中熱処理を施すことにより異方性磁界ＨＫ を３Ｏｅとした。この時の積層磁性体の５ＭＨｚでの透磁率μは３０００であった。基板７としてソーダ・ライム系ガラスを用いた。この積層磁性体膜を幅２０μｍの帯状にパターニングしたときの、長手方向の透磁率とＳｉ０２ の膜厚ｔとの関係を第１図の曲線１に示した。ｔが厚くなるにつれて透磁率が増加し、ｔ＝１５０Åで最大となり、それ以上になると透磁率が減少する。約１０００以上の高い透磁率が得られるＳｉ０２ 膜厚の範囲は、５０から４００Åであった。一方、
積層しない場合（単層膜）には、透磁率の劣化が極めて大きかった
単層膜においては、磁性体膜の端部に三角状磁区が見られ、磁性体膜に占める三角状磁区の割合が大きかった。
これに対して、膜厚１００Åの Ｓｉ０
２
 を介した積層磁性体膜においては、三角状磁区が見られず、磁極全体にわたって磁化は磁路と直角方向を向いていた。
狭トラック幅においてその効果は顕著である。
（３−Ｆ’）「前述の実施例Ｃｏ−Ｚｒ系非晶質合金以外の磁性体膜を使用した場合にも、またＳｉ０２ 以外の非磁性材を用いた場合にも、これらを積層することにより、前述と同様の顕著な効果がも見られた。 」（公報第５頁左上欄第６〜９行参照）
の記載があり、
磁極を薄くすると磁極端部に三角状磁区が出来、透磁率を低下させるが、磁性体膜を非磁性体を介して積層することによって三角状磁区の発生を妨げることが出来、この現象は結晶質磁性合金、非晶質磁性合金いずれの場合にも起こることが示されている
（４）やはり同時に当審で拒絶の理由として引用した特開平４−２１４２０５号公報（以後、「刊行物４」という）には、「薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」に関し、
（４−Ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】磁気回路が薄膜により構成される磁気ヘッドであって、磁気回路が軟磁性をもつ磁性金属からなる磁性薄膜と非磁性金属からなる非磁性薄膜を交互に積層してなる積層膜から形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。  
【請求項２】請求項１に記載のヘッドにおいて、磁性薄膜が０．１〜０．５μｍの膜厚のＣｏ系金属の非晶質膜であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】請求項１に記載のヘッドにおいて、非磁性薄膜が０．００５〜０．０５μｍの膜厚とされることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】磁気回路が薄膜により構成される磁気ヘッドであって、磁気回路が軟磁性をもつ磁性金属からなる磁性薄膜と絶縁性の窒化化合物からなる非磁性薄膜とを交互に積層してなる積層膜から形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
（４−Ｂ）「高密度記録されたデータを読み取った信号は数ＭＨＺ程度の高周波になるので、磁気ヘッド用の磁性材料にはかかる高周波領域で高い透磁率を有するものを用いる必要がある。このため、
磁化の方向に対し異方性をもつ磁性材料を用いてその磁化容易軸をギャップ幅方向に合わせる手段が採られることが多い。
（４−Ｃ）「【０００６】
　図は磁性コア１０中の例えば下側磁極膜１５の先端部１０ａの拡大図で、外部磁界がない時の静止状態の磁区が細線で示されている。磁区相互間の境界である磁壁にはその両隣の磁区の磁化方向が１８０度異なるブロッホ磁壁ないし１８０度磁壁Ｂ１８と、９０度異なるネール磁壁ないし９０度磁壁Ｂ９とがあるため、磁極膜１１内は図のように六角磁区Ｈと三角磁区Ｔに分かれ、ギャップ幅ｗがとくに大きくない限りその中央部に六角磁区Ｈが大きく広がり、その両端部を三角磁区Ｔが六角磁区Ｈとともに磁化方向の環を作るように埋める磁区配置になる。この内の六角磁区Ｈの図で矢印で示す磁化方向が磁化容易軸で、これがギャップ幅ｗの方向と合わされる。さて、データの書き込みや読み取り時には磁化力がもちろんギャップ幅ｗと直角な方向に掛かるので、大部分の面積を占める六角磁区Ｈはこれに応じ磁壁を移動させながらその磁化方向を９０度回転させることになり、この方が磁化方向を逆転させるよりは容易つまり少ないエネルギで済むので、この回転磁化過程で高透磁率が得られるのである。
【０００７】
　ところが、例えばギャップ幅ｗを１０μｍ程度以下に，ギャップ長ｇを０．５μｍ程度以下にそれぞれ狭めると、高透磁率をねらいどおりに得るのが困難になって来る。この一つの原因はギャップ幅ｗを狭めると図７の
端の三角磁区Ｔの占める面積が六角磁区Ｈより大きくなるためで、もう一つの原因はギャップ長ｇを狭めて読み書き信号の周波数を上げると磁性コア１０内の渦流損が増えるためである。この解決手段としては、従来から磁性コア１０を積層膜構造にすることが知られている。例えば、ＩＢＭ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，　Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．ｌｌ，　１９７９，　ｐｐ．４３６７には、パーマロイと酸化シリコンの薄膜を交互に積層する構造が開示されている。磁性材料のパーマロイの薄膜化によってまず高周波に対する渦流損を減少させ、かつ酸化シリコン膜を充分薄くすることによって両側のパーマロイ薄膜を相互に密に磁気結合させて磁化の環状路を作り、三角磁区Ｔの発生を抑えて六角磁区Ｈのみに単磁区化することをねらったものである。
（４−Ｄ）「【００１０】
　本発明の目的はかかる問題を解決して、高周波領域においても高透磁率をもつ積層膜構造の磁性コアを備え、磁気ディスク記憶装置の磁気記録媒体に高保持力の磁性材料を用いる場合にも適する薄膜磁気ヘッドを得ることにある。」（公報第４欄第５〜９行参照）
（４−Ｅ）「【００１２】
　なお、上述の
磁性薄膜にはＣｏ系金属を用いるのが最適であり、これを非晶質膜とするのがとくに望ましい。磁性薄膜を非晶質化するには、これを３〜６％のＺｒを含有するＣｏ合金とするのがよく、
【００１３】
　上記構成中の非磁性薄膜用の非磁性金属材料としてはＴａがとくに好適であり、この他にＴｉ，Ｍｏ，Ｕ，Ｗ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ等ないしはそれらの合金を適宜利用することができ、とくに酸素に対してゲッタ効果を有するものを用いるのが有利である。非磁性薄膜用の窒化化合物としては例えば窒化シリコンが適する。積層膜の透磁率を高める上ではこの非磁性薄膜の膜厚は０．００５〜０．０５μｍとするのが有利で、その磁性薄膜に対する膜厚比としては０．０１〜０．５の範囲に設定するのがよい。なお、積層膜全体の膜厚は１〜数μｍ程度とするのがよい。」（公報第４欄第１７〜３５行参照）
の記載があり、非晶質膜を含む磁性薄膜を非磁性体を介して積層して薄膜磁気ヘッドを構成し、磁性薄膜同士を互いに磁気結合させて磁化の環流路を形成して、透磁率を低下させる三角磁区の発生を抑制するとともに渦電流損を減少させて高周波領域における磁気特性を改善する技術が示されている。
（５）同様に当審で引用した特開昭６４−４２０１１号公報（以後、「刊行物５」という）には「薄膜磁気ヘッド」に関し、
（５−Ａ）「特許請求の範囲 
  磁性コア層の少なくともギャップ近傍を、磁性膜と非磁性の中間膜とを交互に積層してなる多層膜から形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
（５−Ｂ）「近来、磁気記録媒体に対する狭トラック化（高トラック密度化）、高周波化（高線密度化）の要求から・・・薄膜磁気ヘッドが種々提案され、実用化されている。」（公報第１頁左下欄第１５〜１９行参照）
（５−Ｃ）「上記薄膜磁気ヘッドにあっては、・・・狭トラック化などに従って下部磁性コア層および上部磁性コア層のトラック幅が狭小となることにより、以下に述べるような不都合がある。
   一般に強磁性体の磁区を決定するエネルギーＥは以下に示す式によって示され、上記磁区はエネルギーＥを最小とするように形成される。
　Ｅ＝（静磁エネルギー）＋（異方性エネルギー）＋（磁壁エネルギー）＋ｅｔｃ
　上記薄膜磁気ヘッドにおいて、
単層の磁性薄膜からなる下部磁性コア層あるいは上部磁性コア層では、磁気回路を閉じるため、表面磁極が現れるのを抑えるとともに静磁エネルギーを最小にするように、第６図に示すような磁区を形成する。ここで、第６図は上部磁性コア層の先端部を示すものとする。そして、この上部磁性コア層によって形成されるトラックに対して第６図中矢印Ａで示す磁化容易軸を向けると、トラック端に三角形の磁区すなわち環流磁区Ｂ、Ｂ・・・を生じる。
（５−Ｄ）「
磁性コア層の多層膜部分において、非磁性の中間層を狭持することによって各磁性層間で相互作用が働くことなどにより、多層膜部分における環流磁区の発生が抑制され、さらに高周波領域での透磁率の低下も抑制される。
（５−Ｅ）「これら多層膜３ａ、８ａを構成する
磁性膜３ｂ、８ｂ・・・の材料としてはＣｏ−Ｈｆ・Ｔａ系アモルファス合金、Ｃｏ−Ｚｒ・Ｎｂ系アモルファス合金、
中間膜３ｃ，８ｃの材料としてはＡｌ
２
Ｏ
３
，ＳｉＯ
２
，Ｃｒなどが用いられる
（５−Ｆ）「多層膜部分における環流磁区の発生が抑制され、かつ高周波数領域での透磁率の低下も抑制され、」（公報第３頁左下欄第１０〜１２行参照）
と非磁性の中間層を狭持することによって各磁性層間で相互作用が働き、多層膜部分における環流磁区の発生が抑制されて高周波領域での透磁率の低下も抑制されることが示されている。
（６）さらに、本願出願時の周知技術に特開平４−６９８０６号公報に代表されるように、非晶質であるアモルファス合金を用いたラミネートコアからなる狭トラックの磁気ヘッドがあり、その一部を示す。
「 第８図の場合は、
ラミネートコア（２２）、（２３）のトラック幅方向の両側に例えばＭｎ−Ｚｎフェライト等による非磁性基板（２４）を配して構成する
ラミネートコア（２８）および（２９）においても、例えばアモルファス合金膜によるラミネートコアを用いても、ラミネートコアが結晶化せずに強固に接合され、良好なヘッド特性を有して耐候性、信頼性の高いラミネートヘッドが得られる
III．対比・判断
　高密度記録用の高い残留磁束密度と保磁力を有する磁気記録媒体に記録するためには、磁気ヘッド材料をを高い飽和磁束密度と透磁率とするとともに、狭トラック化を可能にするためにギャップデプスと垂直な方向の透磁率を大きくする必要があるが、磁気ヘッド材料の薄型化に伴い、三角磁区の発生によってギャップデプスに垂直な方向の透磁率が低下する問題があり、本願発明は、この問題の解決を目的とするものである。しかるに、上記刊行物２〜５に見られるように、薄膜磁気ヘッドにおいては、この問題は周知の課題であり、その解決方法も良く知られているものである。
　本願発明は、ヘッドの構成が薄膜磁気ヘッドとは異なる突合わせ型のリングヘッドであるが、同様な構成のヘッドはすでに刊行物１に記載されている。
　そこで、本願発明を刊行物１に記載の発明と対比してみると、刊行物１に記載の発明の「非磁性酸化物基板」、「膜厚１２０ｎｍのＦｅＳｉ合金」、「膜厚４ｎｍの非磁性のＩｒ」、「絶縁層」が、それぞれ本願発明の「非磁性基板」、「磁性体膜」、「非磁性体膜」、「絶縁体膜」に相当し、刊行物１に記載の発明の「膜厚１２０μｍのＦｅＳｉ合金と非磁性のＩｒを交互に４０層積層して約５μｍ厚にしたもの」が本願発明の「単位積層磁性体膜」に、刊行物１に記載の発明の単位積層磁性体膜を絶縁層を介して４層構造にした軟磁性薄膜からなる磁性膜３１が、本願発明の「積層磁性体膜」でかつ「磁性コア膜」に相当することが明らかであることから、両者は、
「一対の非磁性基板により磁性コア膜を挟み込んでなる磁気コア半体同士が前記磁性コア膜の端面同士を対向させて突き合わされ、これら磁性コア膜が突き合わされた界面に磁気ギャップが形成されてなる磁気ヘッドにおいて、
　上記磁性コア膜は、磁性体膜が非磁性体膜を介して複数積層された積層膜を単位積層磁性体膜とし、この単位積層磁性体膜が絶縁体膜を介して複数積層された積層磁性体膜からなることを特徴とする磁気ヘッド。」
で一致し、
　本願発明の積層磁性体膜が非晶質磁性材料よりなる非晶質磁性体膜であるのに対して、刊行物１に記載の発明のものは結晶性磁性金属のＦｅＳｉからなる薄膜である点で相違する。
　しかるに、本願の出願当初明細書中【００３８】で出願人も認め、刊行物３の（３−Ｅ）にも記載されるように、薄膜磁性材料の三角磁区の発生に対処する方法は該磁性材料が結晶質、非晶質を問わず同じ原理に基づくものであることが知られており、また刊行物２において、本願発明と、その磁性体の材料こそ結晶性磁性合金で異なりはするが、単位積層磁性体を形成し、該単位積層磁性体を絶縁体膜を介して複数積層して積層磁性体膜に構成したものが、本願発明と同様の高い飽和磁束密度、高周波領域での高い透磁率、少ない渦電流損を備えており、ラミネート型磁気ヘッドのコアに適することが知られていることを考慮するならば、刊行物１に記載の発明の磁気ヘッドの単位磁性体膜を構成する磁性材料を非晶質磁性材料に置換する程度のことは当業者ならば格別の創作力を要することなく想到可能であることは、現に（６）に例示するラミネート型磁気ヘッドのコアが非晶質磁性材料で構成されていることからも明らかである。
IV．結び
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、当審で引用した刊行物１〜５に記載の発明及び本出願時の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることが出来ない。
　よって、結論のとおり審決する。