【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス上に形成されたヒューズをレーザ加工するレーザ加工装置であって、
レーザ光源と、
被加工物を載置して移動可能なステージと、
前記レーザ光源から出射したレーザビームを複数に分岐した後、集光して前記被加工物に照射する光学系と、
前記分岐された複数のレーザビームのそれぞれの光路に対して開閉可能なシャッタと、
前記分岐された複数のレーザビームを相互に独立に移動させ、前記レーザビームの照射位置を各々調整し得るビーム移動手段とを有することを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
一方向に間隔を置いて複数配列された被加工物に対して、前記ステージが前記配列方向に沿って移動するように調整されており、前記被加工物の配列方向と間隔に合わせて前記複数のレーザビームの照射位置が調整されていることを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記被加工物のＸ軸方向の配列間隔をｄとする場合において、前記ステージをＸ軸方向に２ｄずつ移動させるとともに、前記複数のビームの一つを他のビームの照射位置に対してＹ軸方向にｄｙオフセットした位置に照射し、かつ前記複数のビームの一つと他のビームとをＸ軸方向に配列された被加工物に各々一つおきに照射することを特徴とする請求項２記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記被加工物のＸ軸方向の配列間隔をｄｘとし、前記被加工物のＹ軸方向の配列間隔をｄｙとする場合において、前記ステージをＸ軸方向にｄｘずつ移動させるとともに、前記複数のビームのうち第１のビームを前記被加工物に照射し、前記複数のビームのうち第２のビームを前記第１のビームの照射位置に対してＹ軸方向にｄｙオフセットした位置の他の被加工物に照射することを特徴とする請求項２記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
前記複数のレーザビームの光路のうちすべてに又は一部に、偏光切換え素子を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
前記被加工物の配列間隔に応じた前記複数のレーザビームの照射間隔の調整範囲が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
半導体デバイス上に形成されたヒューズをレーザ加工するレーザ加工方法であって、
レーザ光源と、被加工物を載置して移動可能なステージと、前記レーザ光源から出射したレーザビームを複数に分岐した後、集光して前記被加工物に照射する光学系と、前記分岐された複数のレーザビームのそれぞれの光路に対して開閉が可能なシャッタと、前記分岐された複数のレーザビームを相互に独立に移動させ、前記レーザビームの照射位置を調整し得るビーム移動手段とを有するレーザ加工装置を用いて、
前記ステージ上に複数の被加工物を載置し、前記複数の被加工物の位置に合わせて前記ビーム移動手段により前記レーザビームの照射位置を調整したうえで、前記複数の被加工物のうちから同時に２以上選び、前記シャッタを開閉させて選択的に加工するとともに、前記ステージを移動させて前記複数の被加工物を順次加工することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項８】
一方向に間隔を置いて複数配列された前記被加工物に対して、前記ステージを前記配列方向に沿って移動するように調整し、前記被加工物の配列方向と間隔に合わせて前記レーザビームの照射位置を調整することを特徴とする請求項７記載のレーザ加工方法。
【請求項９】
前記複数のレーザビームの光路のうちすべてに又は一部に、偏光切換え素子を備え、前記偏光切換え素子によるレーザビームの偏光方向を前記被加工物に合わせて調整することを特徴とする請求項７又は８記載のレーザ加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、第１の発明は、レーザ加工装置に係り、半導体デバイス上に形成されたヒューズをレーザ加工するレーザ加工装置であって、レーザ光源と、被加工物を載置して移動可能なステージと、前記レーザ光源から出射したレーザビームを複数に分岐した後、集光して前記被加工物に照射する光学系と、前記分岐された複数のレーザビームのそれぞれの光路に対して開閉可能なシャッタと、前記分岐された複数のレーザビームを相互に独立に移動させ、前記レーザビームの照射位置を各々調整し得るビーム移動手段とを有することを特徴とし、
第２の発明は、第１の発明のレーザ加工装置に係り、一方向に間隔を置いて複数配列された被加工物に対して、前記ステージが前記配列方向に沿って移動するように調整されており、前記被加工物の配列方向と間隔に合わせて前記複数のレーザビームの照射位置が調整されていることを特徴とし、
第３の発明は、第２の発明のレーザ加工装置に係り、前記被加工物のＸ軸方向の配列間隔をｄとする場合において、前記ステージをＸ軸方向に２ｄずつ移動させるとともに、前記複数のビームの一つを他のビームの照射位置に対してＹ軸方向にｄｙオフセットした位置に照射し、かつ前記複数のビームの一つと他のビームとをＸ軸方向に配列された被加工物に各々一つおきに照射することを特徴とし、
第４の発明は、第２の発明のレーザ加工装置に係り、前記被加工物のＸ軸方向の配列間隔をｄｘとし、前記被加工物のＹ軸方向の配列間隔をｄｙとする場合において、前記ステージをＸ軸方向にｄｘずつ移動させるとともに、前記複数のビームのうち第１のビームを前記被加工物に照射し、前記複数のビームのうち第２のビームを前記第１のビームの照射位置に対してＹ軸方向にｄｙオフセットした位置の他の被加工物に照射することを特徴とし、
第５の発明は、第１又は第２の発明の何れか一のレーザ加工装置に係り、前記複数のレーザビームの光路のうちすべてに又は一部に、偏光切換え素子を備えたことを特徴とし、
第６の発明は、第１乃至第３の発明の何れか一のレーザ加工装置に係り、前記被加工物の配列間隔に応じた前記複数のレーザビームの照射間隔の調整範囲が５０μｍ以下であることを特徴とし、
第７の発明は、レーザ加工方法に係り、半導体デバイス上に形成されたヒューズをレーザ加工するレーザ加工方法であって、レーザ光源と、被加工物を載置して移動可能なステージと、前記レーザ光源から出射したレーザビームを複数に分岐した後、集光して前記被加工物に照射する光学系と、前記分岐された複数のレーザビームのそれぞれの光路に対して開閉が可能なシャッタと、前記分岐された複数のレーザビームを相互に独立に移動させ、前記レーザビームの照射位置を調整し得るビーム移動手段とを有するレーザ加工装置を用いて、前記ステージ上に複数の被加工物を載置し、前記複数の被加工物の位置に合わせて前記ビーム移動手段により前記レーザビームの照射位置を調整したうえで、前記複数の被加工物のうちから同時に２以上選び、前記シャッタを開閉させて選択的に加工するとともに、前記ステージを移動させて前記複数の被加工物を順次加工することを特徴とし、
第８の発明は、第７の発明のレーザ加工方法に係り、一方向に間隔を置いて複数配列された前記被加工物に対して、前記ステージを前記配列方向に沿って移動するように調整し、前記被加工物の配列方向と間隔に合わせて前記レーザビームの照射位置を調整することを特徴とし、
第９の発明は、第７又は第８の発明のレーザ加工方法に係り、前記複数のレーザビームの光路のうちすべてに又は一部に、偏光切換え素子を備え、前記偏光切換え素子によるレーザビームの偏光方向を前記被加工物に合わせて調整することを特徴としている。