【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリング装置、処理チャンバー及び基板処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スパッタリングによって基板の表面に所定の薄膜を作成するスパッタリング装置であって、
スパッタリングを行うスパッタチャンバーとは別に設けられた処理チャンバーと、この処理チャンバー内に設けられた基板ホルダーと、処理チャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、ガス導入手段により導入されたガスにエネルギーを与えて基板ホルダーを臨む処理チャンバー内のプラズマ形成空間にプラズマを形成するプラズマ形成手段とを備え、
前記スパッタリングによる成膜の前に、前記プラズマ形成手段により形成されるプラズマ中の生成種によって基板の表面をエッチングしてクリーニングするスパッタリング装置であるとともに、
前記処理チャンバー内には、前記プラズマ形成空間を覆うようにしてシールドが設けられており、このシールドは一端が閉じていて他端が開口である筒状の部材であって他端の開口以外には開口が無い形状であり、さらに、前記基板ホルダーには移動機構が備えられており、この移動機構は、前記基板ホルダーの基板を保持する側の面によってシールドの他端の開口が閉じられる位置又はプラズマが進入しない程度の僅かな隙間を残して前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁に接近した位置である閉位置と、前記基板ホルダーに基板を保持させる動作及び前記基板ホルダーから基板を取り去る動作が可能となるように前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁から所定距離離間した位置である開位置との間で、前記基板ホルダーを移動させるものであることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】  前記移動機構は、前記ガス導入手段が前記所定のガスを導入した後に前記基板ホルダーを閉位置に移動させるものであることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング装置。
【請求項３】  前記プラズマ形成手段は、基板ホルダーの一部として設けられた高周波電極に整合器を介して高周波を印加してプラズマを形成するものであり、前記移動機構は、前記基板ホルダーと整合器とを一体に移動させるものであることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリング装置。
【請求項４】  基板の表面に所定の処理を施す基板処理装置であって、処理チャンバー内に設けられた基板ホルダーと、処理チャンバー内で基板の位置を変更するために基板ホルダーを移動させる移動機構と、整合器を介して基板ホルダーに高周波電圧を印加する高周波電源とを備えており、
前記移動機構は、基板ホルダーと整合器とを一体に移動させるものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】  内部に設定されたプラズマ形成空間にプラズマが形成され、プラズマ形成空間を臨む位置に配置された基板がプラズマによって処理される処理チャンバーであって、
内部に、前記プラズマ形成空間を臨む位置に基板を保持する基板ホルダーと、前記プラズマ形成空間を覆うようにしてシールドとが設けられており、このシールドは一端が閉じていて他端が開口である筒状の部材であって他端の開口以外には開口が無い形状であり、さらに、前記基板ホルダーには移動機構が備えられており、この移動機構は、前記基板ホルダーの基板を保持する側の面によってシールドの他端の開口が閉じられる位置又はプラズマが進入しない程度の僅かな隙間を残して前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁に接近した位置である閉位置と、前記基板ホルダーに基板を保持させる動作及び前記基板ホルダーから基板を取り去る動作が可能となるように前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁から所定距離離間した位置である開位置との間で、前記基板ホルダーを移動させるものであることを特徴とする処理チャンバー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、スパッタリングによって基板の表面に所定の薄膜を作成するスパッタリング装置であって、
スパッタリングを行うスパッタチャンバーとは別に設けられた処理チャンバーと、この処理チャンバー内に設けられた基板ホルダーと、処理チャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、ガス導入手段により導入されたガスにエネルギーを与えて基板ホルダーを臨む処理チャンバー内のプラズマ形成空間にプラズマを形成するプラズマ形成手段とを備え、
前記スパッタリングによる成膜の前に、前記プラズマ形成手段により形成されるプラズマ中の生成種によって基板の表面をエッチングしてクリーニングするスパッタリング装置であるとともに、
前記処理チャンバー内には、前記プラズマ形成空間を覆うようにしてシールドが設けられており、このシールドは一端が閉じていて他端が開口である筒状の部材であって他端の開口以外には開口が無い形状であり、さらに、前記基板ホルダーには移動機構が備えられており、この移動機構は、前記基板ホルダーの基板を保持する側の面によってシールドの他端の開口が閉じられる位置又はプラズマが進入しない程度の僅かな隙間を残して前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁に接近した位置である閉位置と、前記基板ホルダーに基板を保持させる動作及び前記基板ホルダーから基板を取り去る動作が可能となるように前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁から所定距離離間した位置である開位置との間で、前記基板ホルダーを移動させるものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記移動機構は、前記ガス導入手段が前記所定のガスを導入した後に前記基板ホルダーを閉位置に移動させるものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２の構成において、前記プラズマ形成手段は、基板ホルダーの一部として設けられた高周波電極に整合器を介して高周波を印加してプラズマを形成するものであり、前記移動機構は、前記基板ホルダーと整合器とを一体に移動させるものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、基板の表面に所定の処理を施す基板処理装置であって、処理チャンバー内に設けられた基板ホルダーと、処理チャンバー内で基板の位置を変更するために基板ホルダーを移動させる移動機構と、整合器を介して基板ホルダーに高周波電圧を印加する高周波電源とを備えており、
前記移動機構は、基板ホルダーと整合器とを一体に移動させるものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、内部に設定されたプラズマ形成空間にプラズマが形成され、プラズマ形成空間を臨む位置に配置された基板がプラズマによって処理される処理チャンバーであって、
内部に、前記プラズマ形成空間を臨む位置に基板を保持する基板ホルダーと、前記プラズマ形成空間を覆うようにしてシールドとが設けられており、このシールドは一端が閉じていて他端が開口である筒状の部材であって他端の開口以外には開口が無い形状であり、さらに、前記基板ホルダーには移動機構が備えられており、この移動機構は、前記基板ホルダーの基板を保持する側の面によってシールドの他端の開口が閉じられる位置又はプラズマが進入しない程度の僅かな隙間を残して前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁に接近した位置である閉位置と、前記基板ホルダーに基板を保持させる動作及び前記基板ホルダーから基板を取り去る動作が可能となるように前記基板ホルダーの基板を保持する側の面がシールドの他端の開口の縁から所定距離離間した位置である開位置との間で、前記基板ホルダーを移動させるものであるという構成を有する。