【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被溶接部材の溶接中に溶接ワイヤが移動するときの溶接ワイヤ位置を決めるための電極検知システムであって、
溶接ガンの接触チップ（２０；１３０）を経て供給可能な溶接ワイヤ（１６；３０；１１０）；
該移動している溶接ワイヤが該接触チップから供給されるときに該移動している全体の溶接ワイヤが
第一の電磁波の少なくとも一部を覆い隠すように、該接触チップの少なくとも部分的に下の位置で該溶接ワイヤ全体の横方向に少なくとも部分的に投射及び／またはスキャニングされる第一の電磁波（８０）；
該第一の電磁波を少なくとも部分的に受け取るレシーバー（９０）；及び
該レシーバーにより受け取られた該第一の電磁波に基づいて該溶接ワイヤの少なくとも１つのパラメーターを決定する測定装置（Ｐ）
からなることを特徴とする電極検出システム。
【請求項２】
該第一の電磁波（８０）がレーザービームを含む請求項１の電極検出システム。
【請求項３】
該レーザービームが約４００−９００ｎｍの波長を有する請求項２の電極検出システム。
【請求項４】
該レーザービームが約５００−８００ｎｍの波長を有する請求項３の電極検出システム。
【請求項５】
該レーザービームが約６００−７００ｎｍの波長を有する請求項４の電極検出システム。
【請求項６】
該レーザービームが約６７９ｎｍの波長を有する請求項５の電極検出システム。
【請求項７】
該電磁波（８０）が電磁気発生器によってつくられる請求項１〜６のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項８】
該電磁気発生器が、レーザービームのラインを放射するスキャニングレーザーにより少なくとも部分的に形成される請求項７の電極検出システム。
【請求項９】
レーザービームの該ラインが約２−１００ｍｍの幅を有する請求項８の電極検出システム。
【請求項１０】
レーザービームの該ラインが約５−５０ｍｍの幅を有する請求項８又は９の電極検出システム。
【請求項１１】
レーザービームの該ラインが約１０−４０ｍｍの幅を有する請求項８〜１０のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項１２】
電磁波（８０）が実質的に横方向の平面に存在し、該横方向の平面の角度が、接触チップの該溶接ワイヤの縦軸に対して約２０−９０度である請求項１〜１１のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項１３】
該横方向の平面の角度が、接触チップの該溶接ワイヤの縦軸に対して約４０−９０度である請求項１２の電極検出システム。
【請求項１４】
該横方向の平面の角度が、接触チップの該溶接ワイヤの縦軸に対して約４５−９０度である請求項１２又は１３の電極検出システム。
【請求項１５】
該第一の電磁波（８０）が、該接触チップ（２０）より少なくとも約０．０１インチ（約０．０２５ｃｍ）より下で該溶接ワイヤ（１６；３０）を横方向に投射される請求項１〜１４のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項１６】
該第一の電磁波が、該接触チップより約０．１−２インチ（約０．２５−０．５ｃｍ）下で該溶接ワイヤを横方向に横切って投射している請求項１５の電極検出システム。
【請求項１７】
該第一の電磁波が、該接触チップより約０．２−０．７５インチ（約０．５−１．９ｃｍ）下で該溶接ワイヤを横方向に横切って投射している請求項１５又は１６の電極検出システム。
【請求項１８】
該第一の電磁波が、該接触チップより約０．２５−１．５インチ（約１．９−３．７ｃｍ）下で該溶接ワイヤを横方向に横切って投射している請求項１５〜１７のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項１９】
該レシーバー（９０）が光学レシーバーを含む請求項１〜１８のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項２０】
該光学レシーバー（９０）が電荷結合素子を含む請求項１９の電極検出システム。
【請求項２１】
該パラメーターが、該溶接ワイヤの横方向の位置、該溶接ワイヤの真円度または楕円度、該溶接ワイヤの直径、該溶接ワイヤの撚り、該溶接ワイヤの欠陥、該溶接ワイヤの屑、該溶接ワイヤの横位置の履歴、該溶接ワイヤの真円度または楕円度の履歴、該溶接ワイヤの欠陥の履歴、該溶接ワイヤの屑の履歴、該溶接ワイヤの撚りの履歴、該溶接ワイヤの直径の履歴、該溶接ワイヤの横方向の移動頻度、該溶接ワイヤの撚り数、横方向の移動サイクルあたりのワイヤの平均の長さ、撚りサイクルあたりのワイヤの平均の長さ、該溶接ワイヤの横方向移動の振幅及びこれらの組み合わせを含む請求項１〜２０のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項２２】
該測定装置が、ＦＦＴ、ＤＦＴ、ヒストグラム、標準偏差及びこれらの組み合わせを利用して該溶接ワイヤの該パラメーターの少なくとも１つを決定する請求項１〜２１のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項２３】
該溶接ワイヤの該決定されたパラメーターの少なくとも１つがメモリー装置に記憶される請求項１〜２２のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項２４】
該記憶されたパラメーターが、時間、地理的位置、素材、素材範囲、溶接パラメーター及びこれらの組み合わせと相関する請求項２３の電極検出システム。
【請求項２５】
該溶接ワイヤ（１６；３０；１１０）の横方向から少なくとも部分的に投射する横方向の平面に少なくとも部分的に存在する第二の電磁波（８４）を含み、該第二の電磁波（８４）の該横方向の平面が該第一の電磁波（８０）の横方向の平面に平行することはなく、該レシーバーが該第一の電磁波及び該第二の電磁波を少なくとも部分的に受け取る請求項１〜２４のいずれか１項の電極検出システム。
【請求項２６】
溶接ガンの接触チップ（２０；１３０）を通過する溶接ワイヤ（１６；３０；１１０）の少なくとも１つのパラメーターを決定する方法であって、
ａ）溶接ガンの接触チップに溶接ワイヤを通す工程；
ｂ）該接触チップの下に位置する該溶接ワイヤの領域で第一の電磁波（８０）の少なくとも一部が該溶接ワイヤの横方向から投射して、移動している該溶接ワイヤが該接触チップから供給されるときに該溶接ワイヤの全体が該第一の電磁波の少なくとも一部を覆い隠すように、該第一の電磁波を該溶接ワイヤに導く工程；
ｃ）該溶接ワイヤを通過した該第一の電磁波の少なくとも一部を受け取る工程；及び
ｄ）該第一の電磁波の受け取った部分に基づいて該溶接ワイヤの少なくとも１つのパラメーターを決定する工程
からなることを特徴とする溶接ワイヤのパラメーターを決定する方法。
【請求項２７】
該第一の電磁波（８０）がレーザービームを含む請求項２６の方法。
【請求項２８】
該レーザービームが約４００−９００ｎｍの波長を有する請求項２７の方法。
【請求項２９】
該レーザービームが約５００−８００ｎｍの波長を有する請求項２７又は２８の方法。
【請求項３０】
該レーザービームが約６００−７００ｎｍの波長を有する請求項２７〜２９のいずれか１項の方法。
【請求項３１】
該レーザービームが約６７０ｎｍの波長を有する請求項２７〜３０のいずれか１項の方法。
【請求項３２】
スキャニングレーザーにより該レーザービームのラインを発生する工程を含む請求項２７〜３１のいずれか１項の方法。
【請求項３３】
レーザービームの該ラインが約２−１００ｍｍの幅を有する請求項３２の方法。
【請求項３４】
レーザービームの該ラインが約５−５０ｍｍの幅を有する請求項３２又は３３の方法。
【請求項３５】
レーザービームの該ラインが約１０−４０ｍｍの幅を有する請求項３２〜３４のいずれか１項の方法。
【請求項３６】
該溶接ワイヤ（１６；３０；１１０）または接触チップ（２０；１３０）の縦軸に対して約２０−９０度の角度を有する平面に少なくとも部分的に存在するように該第一の電磁波（８０）を向ける工程を含む請求項２５〜３５のいずれか１項の方法。
【請求項３７】
該角度が約４０−９０度である請求項３６の方法。
【請求項３８】
該角度が約４５−９０度である請求項３７の方法。
【請求項３９】
該接触チップの少なくとも約０．０１インチ（約０．０２５４ｃｍ）下の平面に少なくとも部分的に存在するように該第一の電磁波を向ける工程を含む請求項２６〜３８のいずれか１項の方法。
【請求項４０】
該接触チップの約０．１−２インチ（約０．２５−４．９ｃｍ）下の平面に少なくとも部分的に存在するように該第一の電磁波を向ける工程を含む請求項３９の方法。
【請求項４１】
該接触チップの約０．２−１．７５インチ（約０．５−２．９ｃｍ）下の平面に少なくとも部分的に存在するように該第一の電磁波を向ける工程を含む請求項３９又は４０の方法。
【請求項４２】
受け取る該工程が、該第一の電磁波を少なくとも部分的に受け取る光学レシーバーを含む請求項２６〜４１のいずれか１項の方法。
【請求項４３】
該光学レシーバーが電荷結合素子を含む請求項４２の方法。
【請求項４４】
該パラメーターが、該溶接ワイヤの横方向の位置、該溶接ワイヤの真円度または楕円度、該溶接ワイヤの直径、該溶接ワイヤの撚り、該溶接ワイヤの欠陥、該溶接ワイヤの屑、該溶接ワイヤの横方向の位置の履歴、該溶接ワイヤの真円度または楕円度の履歴、該溶接ワイヤの欠陥の履歴、該溶接ワイヤの屑の履歴、該溶接ワイヤの撚りの履歴、該溶接ワイヤの直径の履歴、該溶接ワイヤの横方向移動頻度、該溶接ワイヤの撚り数、該溶接ワイヤの横移動サイクルあたりのワイヤの平均の長さ、撚りサイクルあたりのワイヤの平均の長さ、該溶接ワイヤの横方向移動の振幅及びこれらの組み合わせを含む請求項２６〜４３のいずれか１項の方法。
【請求項４５】
決定する該工程が、ＦＦＴ、ＤＦＴ、ヒストグラム、標準偏差及びこれらの組み合わせを利用する装置を含む請求項２６〜４４のいずれか１項の方法。
【請求項４６】
複数の決定されたパラメーターを記憶する工程を含む請求項２６〜４５のいずれか１項の方法。
【請求項４７】
少なくとも１つの記憶され決定したパラメーターが、時間、地理的位置、被溶接素材、被溶接素材範囲、溶接パラメーター及びこれらの組み合わせを含む請求項２６〜４６のいずれか１項の方法。
【請求項４８】
該第二の電磁波の少なくとも一部が、該接触チップの下に位置する該溶接ワイヤの領域で該溶接ワイヤに横方向に投射するように、第二の電磁波を該溶接ワイヤに向かわせ、該第一及び第二の電磁波が平行していない平面に実質的に存在する工程を含む請求項２６〜４７のいずれか１項の方法。
【請求項４９】
ａ）溶接ワイヤを接触チップを通って供給し；
ｂ）溶接ワイヤと消耗されない電極との間に電気アークを形成し；
ｃ）該電気アークのアーク電圧を測定し；そして
ｄ）該測定されたアーク電圧に基づいて該溶接ワイヤの相対的位置を計算する
ことからなることを特徴とする溶接ワイヤが溶接ガンの接触チップを通過した後の溶接ワイヤの位置を決定する方法。
【請求項５０】
該測定したアーク電圧に基づいて該溶接ワイヤの相対的横方向の移動を測定する工程を含む請求項４９の方法。
【請求項５１】
複数の測定アーク電圧を記憶し、該記憶されたアーク電圧の少なくとも１つを時間、地理的位置、被溶接素材、被溶接素材範囲及びこれらの組み合わせと相関させる工程を含む請求項４９又は５０の方法。
【請求項５２】
該複数の消耗されない電極を交互に電源に接続するスイッチイング機構を含む請求項４９〜５１のいずれか１項の方法。