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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プリント装置において文書を表すカラー画像を生成する方法であって、
第１の潜像を、エンドレスパスに沿って移動する電荷担持面に記録し、
前記潜像を、第１の色のドライ着色粒子を含む現像剤を有する現像装置で現像し、
第２の潜像を、エンドレスパスに沿って移動する電荷担持面に記録し、
前記第２の潜像を、溶解液体キャリアと第２の色の着色粒子とを含む現像剤を有する現像装置で現像する、
方法。
【請求項２】  像形成面に画像を現像する装置であって、
ドライ着色粒子を収容し、前記画像の第１の部分を現像する第１の現像装置と、
着色粒子と液体キャリアの溶液を収容し、前記画像の第２の部分を現像する第２の現像装置と、
を備える装置。
【請求項３】  請求項２に記載の装置において、前記第２の現像装置は、
ドナー部材と、
着色粒子と液体キャリアとを保有する貯蔵部と、
前記着色粒子と液体キャリアの層を、前記ドナー部材に供給する手段と、
前記着色粒子と液体キャリアの層を調整して前記着色粒子から前記液体キャリアを取り除き、前記着色粒子の層を形成する手段と、
を含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
マトリクス状に配置された画素と、ソース信号線と、を有し、
前記画素は、
前記ソース信号線からの第一の電流の入力を制御する手段と、
前記入力された第一の電流を電圧に変換する手段と、
前記電圧を保持する手段と、
前記電圧を第二の電流に変換する手段と、
前記第一の電流を電圧に変換する手段及び前記電圧を第二の電流に変換する手段に電気的に接続された電極を、陰極又は陽極とする発光素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】  
マトリクス状に配置された画素と、ソース信号線と、を有し、
前記画素は、
電流を電圧に変換する電流電圧変換素子と、
電圧を電流に変換する電圧電流変換素子と、
一端が前記ソース信号線に電気的に接続され、他端が前記電流電圧変換素子に電気的に接続された第一のスイッチと、
一端が前記電流電圧変換素子に電気的に接続され、他端が電圧保持手段及び前記電圧電流変換素子に電気的に接続された第二のスイッチと、
前記電流電圧変換素子及び前記電圧電流変換素子に電気的に接続された電極を、陰極又は陽極とする発光素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】  
マトリクス状に配置された画素と、ソース信号線と、を有し、
前記画素は、
第一の薄膜トランジスタと、
第二の薄膜トランジスタと、
一端が前記ソース信号線に電気的に接続され、他端が前記第一の薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのゲート及びドレインに電気的に接続され、他端が電圧保持手段及び前記第二の薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース及び前記第二の薄膜トランジスタのソースに電気的に接続された電極を、陰極又は陽極とする発光素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】  
マトリクス状に配置された画素と、ソース信号線と、を有し、
前記画素は、
第一の薄膜トランジスタと、
第二の薄膜トランジスタと、
一端が前記ソース信号線に電気的に接続され、他端が第一の前記薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、他端が前記第一の薄膜トランジスタのゲート、電圧保持手段、及び前記第二の薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース及び前記第二の薄膜トランジスタのソースに電気的に接続された電極を、陰極又は陽極とする発光素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】  
請求項３または請求項４において、前記第一の薄膜トランジスタのソース及び前記第二の薄膜トランジスタのソースは抵抗を介して前記電極に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】  
請求項２乃至請求項５のいずれか一において、前記第一のスイッチ及び前記第二のスイッチは同一のゲート信号線によって制御されることを特徴とする表示装置。
【請求項７】  
請求項２乃至請求項５のいずれか一において、前記第一のスイッチ及び前記第二のスイッチは異なるゲート信号線によって制御されることを特徴とする表示装置。
【請求項８】  
請求項３乃至請求項７のいずれか一において、前記第一の薄膜トランジスタのゲート幅と、前記第二の薄膜トランジスタのゲート幅は異なることを特徴とする表示装置。
【請求項９】  
請求項３乃至請求項８のいずれか一において、前記第一及び第二の薄膜トランジスタは同一極性であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれか一において、前記第一及び第二の薄膜トランジスタはＮ型の極性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】  
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及びその作製方法、並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に陽極と、有機化合物を含む層と、陰極とを有する発光素子を備えた発光装置であって、
前記発光素子は、無機絶縁膜と、ビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜とが交互に積層された多層膜で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記無機絶縁膜は、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、または酸化珪素膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、前記無機絶縁膜は、炭素を主成分とする膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１において、前記無機絶縁膜は、窒化珪素または窒化酸化珪素からなる第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜及び前記第２の無機絶縁膜の間に形成された炭素を主成分とする膜とを有する３層構造であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記炭素を主成分とする膜は、ＤＬＣ膜、ＣＮｘ膜、またはアモルファスカーボン膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、前記炭素を主成分とする膜は、Ａｒを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項４において、前記第１の無機絶縁膜、前記第２の無機絶縁膜、及び前記炭素を主成分とする膜は、それぞれＡｒを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に陽極と、有機化合物を含む層と、陰極とを有する発光素子を備えた発光装置であって、
前記発光素子は、第１の無機絶縁膜、前記第１の無機絶縁膜上に形成されたビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜、及び当該膜上に形成された第２の無機絶縁膜で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記ビニルポリマーは、エチレン、プロピレン、スチレン、置換スチレン、ビニルエーテル、ビニルチオエーテル、ビニルエステル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、ビニルカルバゾール、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、イソブチレン、アクリロニトリル、またはビニルシクロプロパンであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子機器は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機、音響再生装置、または画像再生装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に陽極と、有機化合物を含む層と、陰極とを有する発光素子を備えた発光装置の作製方法であって、
発光素子を覆う第１の無機絶縁膜をスパッタ法またはＰＣＶＤ法により形成し、
前記第１の無機絶縁膜上にビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜をプラズマ重合法により形成し、
前記ビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜上に第２の無機絶縁膜をスパッタ法またはＰＣＶＤ法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板上に陽極と、有機化合物を含む層と、陰極とを有する発光素子を備えた発光装置の作製方法であって、
発光素子を覆う第１の無機絶縁膜をスパッタ法またはＰＣＶＤ法により形成し、
前記第１の無機絶縁膜上にビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜を物理蒸着法により形成し、
前記ビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜上に第２の無機絶縁膜をスパッタ法またはＰＣＶＤ法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、前記第１の無機絶縁膜、前記ビニルポリマー、アセチレンポリマー、またはジエンポリマーを含む膜、及び前記第２の無機絶縁膜を大気に触れることなく連続的に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記第１の無機絶縁膜は、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化珪素膜、ＤＬＣ膜、ＣＮｘ膜、もしくはアモルファスカーボン膜の単層、またはこれらの積層であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか一において、前記第２の無機絶縁膜は、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化珪素膜、ＤＬＣ膜、ＣＮｘ膜、もしくはアモルファスカーボン膜の単層、またはこれらの積層であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか一において、前記ビニルポリマーは、エチレン、プロピレン、スチレン、置換スチレン、ビニルエーテル、ビニルチオエーテル、ビニルエステル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、ビニルカルバゾール、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、イソブチレン、アクリロニトリル、またはビニルシクロプロパンであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表１】
2005116424.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
さらに、非水電解質中にＣＨＢを１ｗｔ％〜４ｗｔ％とＥＣＰを１ｗｔ％〜２０ｗｔ％とを同時に含有した実施例７〜９，１２〜１４、１７〜１９および２２〜２４の電池は、実施例６、１０、１１、１５、１６、２０、２１および２５の電池と比較して、放電容量を低下させることなく高温放置時の電池の膨れを抑制し、かつ、過充電時に高い安全性が得られることがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素又は酸化珪素を含む複数の導電層を積層してなる正孔注入電極と、
前記正孔注入電極に接して形成された有機化合物又は無機化合物を含む層と、
を有し、
前記複数の導電層のうち前記有機化合物又は無機化合物を含む層に近接する導電層中の珪素又は酸化珪素の濃度は、他の導電層中の珪素又は酸化珪素の濃度よりも高いことを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項２】
珪素又は酸化珪素を含む複数の導電層を積層してなる正孔注入電極と、
前記正孔注入電極に接して形成された有機化合物又は無機化合物を含む層と、
を有し、
前記複数の導電層のうち前記有機化合物又は無機化合物を含む層に近接する導電層中の珪素又は酸化珪素の濃度は、７〜１５原子％であることを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項３】
珪素又は酸化珪素を含む複数の導電層を積層してなる正孔注入電極と、
前記正孔注入電極に接して形成された有機化合物又は無機化合物を含む層と、
を有し、
前記複数の導電層のうち前記有機化合物又は無機化合物を含む層に近接する導電層は７〜１５原子％の珪素又は酸化珪素を含んでおり、
他の導電層のうち少なくとも一層は１〜６原子％の珪素又は酸化珪素を含んでいることを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項４】
珪素又は酸化珪素を含む複数の導電層を積層してなる正孔注入電極と、
有機化合物又は無機化合物を含む層と、
前記正孔注入電極と前記有機化合物又は無機化合物を含む層との間に設けられた、珪素又は酸化珪素を含むバリア層と、
を有し、
前記複数の導電層のうち前記バリア層に近接する導電層中の珪素又は酸化珪素の濃度は、他の導電層中の珪素又は酸化珪素の濃度よりも高いことを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項５】
珪素又は酸化珪素を含む複数の導電層を積層してなる正孔注入電極と、
有機化合物又は無機化合物を含む層と、
前記正孔注入電極と前記有機化合物又は無機化合物を含む層との間に設けられた、珪素又は酸化珪素を含むバリア層と、
を有し、
前記複数の導電層のうち前記バリア層に近接する導電層中の珪素又は酸化珪素の濃度は、７〜１５原子％であることを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項６】
珪素又は酸化珪素を含む複数の導電層を積層してなる正孔注入電極と、
有機化合物又は無機化合物を含む層と、
前記正孔注入電極と前記有機化合物又は無機化合物を含む層との間に設けられた、珪素又は酸化珪素を含むバリア層と、
を有し、
前記複数の導電層のうち前記バリア層に近接する導電層は７〜１５原子％の珪素又は酸化珪素を含んでおり、
他の導電層のうち少なくとも一層は１〜６原子％の珪素又は酸化珪素を含んでいることを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記複数の導電層それぞれは、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛から選ばれた一種に珪素又は酸化珪素が含まれてなることを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置。
【請求項８】
珪素又は酸化珪素を含む導電性材料を用い、最上層の導電層の珪素又は酸化珪素の濃度が他の導電層の珪素又は酸化珪素の濃度よりも高くなるように、複数の導電層を積層させることにより正孔注入電極を形成し、
前記複数の導電層のうち、最上層の導電層の表面から、前記透明導電性材料の成分を選択的に除去することにより、残存した珪素又は酸化珪素からなるバリア層を形成し、
前記バリア層に接して有機化合物又は無機化合物を含む層を形成することを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記導電性材料は、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛から選ばれた一種に珪素又は酸化珪素が含まれてなることを特徴とするアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池ケースに絶縁体を介して取り付けられた金属製端子を備えた電池において、前記金属製端子に雌ネジを設け、前記金属製端子を構成する材料よりも機械的強度の大きい材料からなり、かつ雄ネジを設けたボルトを備え、前記金属製端子とボルトを勘合させ、前記ボルトの一部が金属製端子から突出していることを特徴とする電池。
【請求項２】
電池ケースに絶縁体を介して取り付けられた金属製端子を備えた電池において、前記金属製端子に穴を設け、前記金属製端子を構成する材料よりも機械的強度の大きい材料からなり、かつ雄ネジを設けた棒を備え、前記金属製端子に穴に前記棒を圧入し、前記棒の一部が金属製端子から突出していることを特徴とする電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１の電池は、電池ケースに絶縁体を介して取り付けられた金属製端子を備えた電池において、前記金属製端子に雌ネジを設け、前記金属製端子を構成する材料よりも機械的強度の大きい材料からななり、かつ雄ネジを設けたボルトを備え、前記金属製端子とボルトを勘合させ、前記ボルトの一部が金属製端子から突出していることを特徴とする。
また、請求項２の電池は、電池ケースに絶縁体を介して取り付けられた金属製端子を備えた電池において、前記金属製端子に穴を設け、前記金属製端子を構成する材料よりも機械的強度の大きい材料からなり、かつ雄ネジを設けた棒を備え、前記金属製端子に穴に前記棒を圧入し、前記棒の一部が金属製端子から突出していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項１の電池は、電池ケースに絶縁体を介して取り付けられた金属製端子を備えた電池において、前記金属製端子に雌ネジを設け、前記金属製端子を構成する材料よりも機械的強度の大きい材料からななり、かつ雄ネジを設けたボルトを備え、前記金属製端子とボルトを勘合させ、前記ボルトの一部が金属製端子から突出していることを特徴とする。
また、本発明の請求項２の電池は、電池ケースに絶縁体を介して取り付けられた金属製端子を備えた電池において、前記金属製端子に穴を設け、前記金属製端子を構成する材料よりも機械的強度の大きい材料からなり、かつ雄ネジを設けた棒を備え、前記金属製端子に穴に前記棒を圧入し、前記棒の一部が金属製端子から突出していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１〜図５は本発明の第１実施形態を示すものであって、いずれも非水電解質二次電池の端子構造を示す部分拡大縦断面図である。図１は正極端子に雌ネジを設け、正極端子に備える部材として雄ネジを有するボルトを用い、正極端子の雌ネジにボルトを勘合させた構造の正極端子を示す部分拡大縦断面図、図２は負極端子に雌ネジを設け、負極端子に備える部材として雄ネジを有するボルトを用い、負極端子の雌ネジにボルトを勘合させた構造の負極端子を示す部分拡大縦断面図、図３は正極端子に穴を設け、正極端子に備える部材として金属製の棒を用い、正極端子の穴へ金属製の棒を圧入した構造の正極端子を示す部分拡大縦断面図、図４は参考図であって、正極端子に雄ネジを設け、正極端子に備える部材として雌ネジを有するボルトを用い、ボルトの雌ネジに正極端子の雄ネジを勘合させた構造の正極端子を示す部分拡大縦断面図、図５は参考図であって、正極端子に備える部材として金属製の棒を用い、この棒に穴を設け、棒の穴へ正極端子を圧入した構造の正極端子を示す部分拡大縦断面図である。なお、図１〜図５における記号４〜１１は、図１１〜図１２に示した従来例と同様の構成部材を示し、１２はボルト、１３は棒である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光基板を搭載して移動する基板ステージと、
３眼以上のアライメントスコープと、
前記アライメントスコープを用いて、前記基板ステージ上の感光基板の露光領域についてアライメント計測をする計測手段と、
前記アライメントスコープの各々において得られたアライメントマークのフォーカス位置に基づいて、前記露光領域の各部の面位置を算出する算出手段と、
マスク上のパターンを前記露光領域に投影する投影光学系と、
前記投影光学系を介した前記露光領域の走査露光中に、前記アライメント計測の結果に基づいて、前記投影光学系の光軸に垂直な方向における前記基板ステージの位置を制御し、かつ前記算出手段で得られた面位置に基づいて、前記光軸の方向における前記基板ステージの位置を制御する制御手段とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記基板ステージに設けられたステージ基準マークを用いて前記投影光学系の焦点位置を検出する検出手段を更に備え、
前記制御手段は、前記検出手段で検出された焦点位置と、前記算出手段で得られた面位置とのずれ量に基づいて、前記光軸の方向における前記基板ステージの位置を制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記アライメントスコープは、前記露光領域の走査露光中に前記基板ステージが移動する前記光軸に垂直な方向において前記投影光学系より手前に設置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記アライメントスコープは、前記投影光学系を挟んで２ヶ所に設置されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
３眼以上のアライメントスコープを用いて、基板ステージ上の感光基板の露光領域に対するアライメント計測を実行する計測工程と、
前記アライメントスコープの各々において得られたアライメントマークのフォーカス位置に基づいて、前記露光領域の各部の面位置を算出する算出工程と、
マスク上のパターンを前記露光領域に投影する投影光学系を介して前記露光領域を走査露光する走査露光工程と、
前記走査露光工程の実行中に、前記アライメント計測の結果に基づいて、前記投影光学系の光軸に垂直な方向における前記基板ステージの位置を制御し、かつ前記算出工程で得られた面位置に基づいて、前記光軸の方向における前記基板ステージの位置を制御する制御工程とを含むことを特徴とする露光方法。
【請求項６】
前記基板ステージに設けられたステージ基準マークを用いて前記投影光学系の焦点位置を検出する検出工程を更に含み、
前記制御工程は、前記検出工程で検出された焦点位置と、前記計算工程で得られた面位置とのずれ量に基づいて、前記光軸の方向における前記基板ステージの位置を制御することを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記アライメントスコープは、前記露光領域の走査露光中に前記基板ステージが移動する前記光軸に垂直な方向において前記投影光学系より手前に設置されていることを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項８】
前記アライメントスコープは、前記投影光学系を挟んで２ヶ所に設置されていることを特徴とする請求項７に記載の露光方法。
【請求項９】
請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置を用いて感光基板を露光するステップと、
該露光した感光基板を現像するステップとを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、感光基板を露光する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、高精細化、及び装置のコスト低減を実現することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明の露光装置は以下の構成を備える。すなわち、
感光基板を搭載して移動する基板ステージと、
３眼以上のアライメントスコープと、
前記アライメントスコープを用いて、前記基板ステージ上の感光基板の露光領域についてアライメント計測をする計測手段と、
前記アライメントスコープの各々において得られたアライメントマークのフォーカス位置に基づいて、前記露光領域の各部の面位置を算出する算出手段と、
マスク上のパターンを前記露光領域に投影する投影光学系と、
前記投影光学系を介した前記露光領域の走査露光中に、前記アライメント計測の結果に基づいて、前記投影光学系の光軸に垂直な方向における前記基板ステージの位置を制御し、かつ前記算出手段で得られた面位置に基づいて、前記光軸の方向における前記基板ステージの位置を制御する制御手段とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記の目的を達成するための本発明による露光装置の制御方法は、
３眼以上のアライメントスコープを用いて、基板ステージ上の感光基板の露光領域に対するアライメント計測を実行する計測工程と、
前記アライメントスコープの各々において得られたアライメントマークのフォーカス位置に基づいて、前記露光領域の各部の面位置を算出する算出工程と、
マスク上のパターンを前記露光領域に投影する投影光学系を介して前記露光領域を走査露光する走査露光工程と、
前記走査露光工程の実行中に、前記アライメント計測の結果に基づいて、前記投影光学系の光軸に垂直な方向における前記基板ステージの位置を制御し、かつ前記算出工程で得られた面位置に基づいて、前記光軸の方向における前記基板ステージの位置を制御する制御工程とを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、高精細化、及び装置のコスト低減を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
すなわち、（２）窒素雰囲気下３５０℃、２時間の熱履歴を経た後の引っ張り強度が３０MPａ以上である。（３）ガラス転移温度が１２０℃〜２５０℃である。（４）溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下となる温度が、２５０℃以上４００℃以下である。（５）４００℃から１２０℃まで０．５℃／分の一定速度で降温した後、樹脂中の結晶物による融解熱が１０Ｊ／ｇ以下である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
条件（４）の溶融粘度は、高化式フローテスターを用いて測定することができ、溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下となる温度は、２５０℃以上であり、通常４００℃以下、好ましくは３５０℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下となる温度がこのような範囲にあると、熱プレス接着が低温で可能であり、かつ磁性金属薄帯との接着性に優れる。溶融粘度が低下する温度が高い場合には、接着不良等が発生する場合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、前記耐熱性樹脂の分子量および分子量分布は、特に限定されるものではないが、分子量が極めて小さい場合には、樹脂層の強度および磁性金属薄帯との接着強度に影響を及ぼすおそれがあるため、樹脂を０．５ｇ／１００ｍｌの濃度で溶解可能な溶剤に溶解した後、３５℃で測定した対数粘度の値が０．２ｄｌ/ｇ以上であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを用いて導電膜をパターニングし、
前記導電膜上に、前記マスクを覆って半導体膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記半導体膜は、前記導電膜の側面に接するように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングし、
前記マスクを覆って半導体膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記半導体膜は、前記導電膜の側面に接するように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
インクジェット法により導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングし、
前記マスクを覆って半導体膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記半導体膜は、前記導電膜の側面に接するように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記マスクはゲート絶縁膜として機能することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
インクジェット法により導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングし、
前記マスクを覆って半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記パターニングされた導電膜間にゲート電極を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記半導体膜は、前記導電膜の側面に接するように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項４において、
前記ゲート電極は前記パターニングされた導電膜間を利用したセルフアライメントにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記マスクは珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含み、置換基にフッ素、アルキル基、若しくは芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料、又は珪素と窒素の結合を有するポリマー材料を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記マスクはポリイミド及びポリビニルアルコールのいずれかを用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
インクジェット法より前記マスクを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
フォトリソグラフィー法より前記マスクを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記導電膜は、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、若しくはアルミニウム、これらからなる合金、又はこれらからなる分散性ナノ粒子を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体膜に接する導電膜をパターニングして、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記ソース電極及び前記ドレインの側面に接する半導体膜にチャネルが形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれかに接続するように電極を形成し、
前記電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記電界発光層からの光が、前記電極及び前記第２の電極側へ射出するように、前記電極及び前記第２の電極に透明導材料を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれかに接続するように電極を形成し、
前記電極上に配向膜を形成し、
対向電極、カラーフィルタ、及び配向膜が形成された対向基板を張り合わせ、
前記基板間に液晶を注入することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１３において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれかに接続するように電極を形成し、
前記電極上に配向膜を形成し、
前記配向膜上に液晶を滴下し、
対向電極、カラーフィルタ、及び配向膜が形成された対向基板を張り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１（Ｃ）に示すように、マスクの除去工程を行わず、半導体膜１０６を形成する。半導体膜の膜厚は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）とする。また非晶質半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。また非晶質半導体の中に結晶粒が分散するように存在しているセミアモルファス半導体、及び非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶半導体から選ばれたいずれの半導体膜を用いてもよい。また０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）とも呼ばれている。セミアモルファス半導体であるセミアモルファスシリコン（ＳＡＳとも表記する）は、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ４であり、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることができる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることでＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが好ましい。勿論、グロー放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うが、圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は３００度以下が好ましく、１００〜２００度の基板加熱温度が推奨される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上の電極パッドに圧着ボールを接合してなる半導体装置であって、
ウェハテストにより前記電極パッドに存在するプローブ痕が、前記圧着ボールにより完全に覆われたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記プローブ痕は、コブラタイププローブによって形成された物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記プローブ痕は、薄膜タイププローブによって形成された物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体チップ上の電極パッドに圧着ボールをワイヤボンディングしてなる半導体装置であって、
ウェハテストにより前記電極パッドに存在する複数のプローブ痕が、７０度以上１１０度以下の角度で互いに交差することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記複数のプローブ痕が、前記圧着ボールにより完全に覆われたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体チップ上の電極パッドに圧着ボールを接合してなる半導体装置であって、
ウェハテストにより前記電極パッドに存在するプローブ痕が屈曲した形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体チップ上の電極パッドにプローブを押圧して、ウェハテストを実行する工程と、
前記ウェハテストにより前記電極パッドに形成されたプローブ痕を完全に覆うように、前記電極パッドに圧着ボールを接合するワイヤボンディング工程と、
前記ワイヤボンディング工程の終了後、ループプル試験を実行する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体チップ上の電極パッドにプローブを複数回押圧して、ウェハテストを実行する工程と、
前記ウェハテストを実行した後、前記電極パッドに圧着ボールを接合するワイヤボンディング工程と、
前記ワイヤボンディング工程の終了後、ループプル試験を実行する工程とを含み、
複数回押圧されたプローブが７０度以上１１０度以下の角度で交わるように、前記ウェハテストを実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハテストにより前記電極パッドに形成された複数のプローブ痕を前記圧着ボールが完全に覆うように、前記ワイヤボンディング工程を実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体チップ上の電極パッドにプローブを屈曲させながら押圧して、ウェハテストを実行する工程と、
前記ウェハテストにより前記電極パッドに形成されたプローブ痕を完全に覆うように、前記電極パッドに圧着ボールを接合するワイヤボンディング工程と、
前記ワイヤボンディングの終了後、ループプル試験を実行する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層上にレジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクをマスクにして前記シリコン層をドライエッチングするとともに、前記シリコン層をドライエッチングしている最中に生成され、シリコンおよびシリコン酸化物を含み、前記シリコン酸化物の量に対する前記シリコンの量の比が１以上である副生成物を、前記レジストマスクの上面および側面の上に堆積する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レジストマスクをマスクにして前記シリコン層をドライエッチングするときに、ＨＢｒガス、Ｃｌ2 ガスおよびＯ2 ガスを含む混合ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記Ｏ2 ガスの流量を４ｓｃｃｍ以上に設定することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レジストマスクをマスクにして前記シリコン層をドライエッチングするときのエッチング圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上に設定することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レジストマスクはゲートパターンを含み、かつ、前記ゲートパターンの幅が１１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン層上に反射防止膜を形成する工程をさらに有し、該反射防止膜上に前記レジストマスクを形成し、かつ、前記反射防止膜および前記レジストマスクを細らした後に、該細らしたレジストマスクを用いて前記シリコン層をドライエッチングすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクにして前記シリコン層をドライエッチングするとともに、前記シリコン層をドライエッチングしている最中に生成され、シリコンおよびシリコン酸化物を含み、前記シリコン酸化物の量に対する前記シリコンの量の比が１以上である副生成物を、前記レジストマスクの上面および側面の上に堆積する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に誘電率が３より小さい低誘電体膜からなる層間絶縁膜が積層され、上記層間絶縁膜の上部にボンディングパッドが形成された半導体装置において、
上記ボンディングパッドの下の領域と、その外側とで上記ボンディングパッドと上記層間絶縁膜との接合面を分断するように上記層間絶縁膜を貫通するビアを設け、上記ビアで上記ボンディングパッドを支持したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記ビアが、上記ボンディングパッドの下の領域内における上記接合面を複数に分割していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記ビアが、格子状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
上記ビアが、上記層間絶縁膜の接合面に底面を有する升形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
上記ビアが、上下に隣り合う層間絶縁膜に設けられ、上下に積み重ねられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に誘電率が３より小さい低誘電体膜からなる層間絶縁膜が積層され、上部最上層の層間絶縁膜上にボンディングパッドが形成された半導体装置において、
上記ボンディングパッドの下の領域に、上記層間絶縁膜を貫通するビアを設け、上記ビアが、スリット状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
上記スリット状のビアが、上下に隣り合う層間絶縁膜に設けられ、上下の上記ビアのスリット形状が互いに交差していることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
互いに交差している上記スリット状のビアが、さらに上下に積み重ねられていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に誘電率が３より小さい低誘電体膜からなる層間絶縁膜が積層され、上記層間絶縁膜の上部にボンディングパッドが形成された半導体装置において、
上記ボンディングパッドの下の領域と、その外側とで上記ボンディングパッドと上記層間絶縁膜との接合面を分断するように上記層間絶縁膜を貫通するビアを設け、上記ビアで上記ボンディングパッドを支持したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図６（ｂ）は、同図（ａ）の状態から更にＣＦカード５６を挿入した中間状態を示している。この状態では、両方のロック用ばね片５０ａ、５０ｂの当接部５２ａ、５２ｂがＣＦカード５６の側面により側部フレーム４０ａ、４０ｂの内方に押し込まれ、それに伴って、係止部５３ａ、５３ｂとシャッタ部材３０の側面の窪み３６ａ、３６ｂとの係合が、シャッタ部材３０の両側において解除される。ロック解除されたシャッタ部材３０は、ＣＦカード５６の前端に押されて後退していく。このとき、コネクタ本体２０は各側部フレーム４０ａ、４０ｂに対して静止しているので、コンタクト２５はシャッタ部材３０の挿通孔３２から突出してくる。この突出してくるコンタクト２５は、ＣＦカード５６のコンタクト（図示省略）と一部で接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主回路を保護するためにソースとドレインとの間にサージ電流を流すＭＯＳトランジスタを有する半導体装置であって、
前記ＭＯＳトランジスタは、
半導体基板の表面に形成され、且つ第１不純物濃度を有する、第１導電型のウェルと、
前記ウェルの表面上に配設されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配設され、且つ接地電位と電気的に接続されたゲート電極と、
前記ゲート電極下のチャネル領域を挟むように前記ウェルの表面に形成され、且つ前記第１導電型と反対の第２導電型を有し、且つ一方が前記接地電位と電気的に接続された前記ソースおよび前記ドレインを構成するソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域の前記チャネル領域と面する面に沿って形成され、且つ前記第１不純物濃度より高い第２不純物濃度を有する、前記第１導電型の第１不純物拡散領域と、
前記ドレイン領域の前記チャネル領域と面する面に沿って前記第１不純物拡散領域と離れて形成され、且つ前記第２不純物濃度を有する、前記第１導電型の第２不純物拡散領域と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極の延在方向において前記第１不純物拡散領域と離れた位置の前記ソース領域の前記チャネル領域と面する面に沿って形成され、且つ前記第２不純物濃度を有する、前記第１導電型の第３不純物拡散領域と、
前記ゲート電極の延在方向において前記第１不純物拡散領域と離れた位置の前記ドレイン領域の前記チャネル領域と面する面に沿って形成され、且つ前記第２不純物濃度を有する、前記第１導電型の第４不純物拡散領域と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
主回路を保護するためにサージ電流を流す保護回路を有する半導体装置であって、
前記保護回路は、
サージ電圧入力部と、
前記サージ電圧入力部と接続され、サージ電圧の印加を検知した際に検知信号を出力する検知部と、
前記検知信号が増幅された増幅信号を出力する増幅部と、
ベースに前記増幅信号を供給され、且つコレクタを前記サージ電圧入力部と電気的に接続されたｎｐｎ型の第１トランジスタと、
ベースを前記第１トランジスタのエミッタと電気的に接続され、且つコレクタを前記第１トランジスタのコレクタと電気的に接続され、且つエミッタが接地電位と電気的に接続されたｎｐｎ型の第２トランジスタと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
主回路を保護するためにサージ電流を流す保護回路を有する半導体装置であって、
前記保護回路は、
サージ電圧入力部と、
前記サージ電圧入力部と接続され、サージ電圧の印加を検知した際に検知信号を出力する検知部と、
ベースに前記検知信号を供給され、且つコレクタを前記サージ電圧入力部と電気的に接続されたｎｐｎ型の第１トランジスタと、
ベースを前記第１トランジスタのエミッタと電気的に接続され、且つコレクタを前記第１トランジスタのコレクタと電気的に接続されたｎｐｎ型の第２トランジスタと、
入力端を前記サージ電圧入力部と接続され、且つ出力端を接地電位と電気的に接続され、且つトリガー信号入力端を前記第２トランジスタのエミッタと接続された、サイリスタ部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは、それぞれ、
半導体基板の表面に形成され、且つコレクタとして機能する、ｎ型の第１ウェルと、
前記第１ウェルの表面に形成され、且つベースとして機能する、ｐ型の第２ウェルと、
前記第２ウェルの表面に形成され、且つエミッタとして機能する、ｎ型の第１不純物拡散領域と、
を具備することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは、それぞれ、
半導体基板の表面に形成され、且つベースとして機能する、ｐ型の第１ウェルと、
前記第１ウェルの表面に形成され、且つコレクタとして機能する、ｎ型の第１不純物拡散領域と、
前記第１ウェルの表面に前記第１不純物拡散領域と離れて形成され、且つエミッタとして機能する、ｎ型の第２不純物拡散領域と、
を具備することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板の表面に形成され、且つ前記第１不純物拡散領域と同じ不純物濃度を有する、ｎ型の２つの第３不純物拡散領域と、前記２つの第３不純物拡散領域の相互間の前記半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、を具備する第１ＭＯＳトランジスタと、
前記半導体基板の表面に形成され、且つ前記第２不純物拡散領域と同じ不純物濃度を有する、ｐ型の２つの第４不純物拡散領域と、前記２つの第４不純物拡散領域の相互間の前記半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、を具備する第２ＭＯＳトランジスタと、
をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ｐ型の高濃度ソース／ドレイン拡散領域（ソース／ドレインコンタクト領域）１５は、ｐウェル２の表面内において、例えば素子分離絶縁膜３から、側壁絶縁膜１７の近傍まで形成される。ｐ型の低濃度ソース／ドレイン拡散領域（ソース／ドレイン・エクステンション領域）１４は、ｐウェル２の表面で、高濃度ソース／ドレイン拡散領域１５の端部からゲート電極１３の端部まで形成される。低濃度ソース／ドレイン拡散領域１４は、高濃度ソース／ドレイン拡散領域１５より浅く形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
バイポーラトランジスタ形成領域５のｐウェル２内には、トランジスタ構造Ｔ１、Ｔ２が設けられる。トランジスタ構造Ｔ１、Ｔ２は、高濃度ソース／ドレイン拡散領域１５ａ、１５ｂと、ゲート電極１３を有する。トランジスタ構造Ｔ１、Ｔ２、ＮＭＯＳトランジスタ１１ｎ、ＰＭＯＳトランジスタ１１ｐを構成する高濃度ソース／ドレイン拡散領域１５ａは、同一の工程により形成される。したがって、実質的に同じ不純物濃度を有する。高濃度ソース／ドレイン拡散領域１５ｂに関しても同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005116695.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005116695.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を移動及び位置決めするステージ装置において、前記物体を保持するスライダと、前記スライダを定盤に対して駆動する駆動部を備え、前記スライダを前記定盤に対して静圧軸受と与圧磁石により吊り下げた状態で支持することを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記駆動部を保持して前記駆動部に作用する反力を打ち消すカウンタ部を備え、前記カウンタ部を前記定盤に対して静圧軸受と与圧磁石により吊り下げた状態で支持することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記磁石の吸引力をFm、前記ステージの自重をFg、前記静圧軸受の発生圧力をFaとすると、Fm=Fa+Fgの関係を満たすことを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記磁石の吸引力と前記静圧軸受の発生圧力とを調整する調整手段を更に備えることを特徴とする請求項２又は３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記静圧軸受の前記定盤に対する浮上量を計測する計測手段を更に備えることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記スライダを前記定盤に対して前記第２の方向に電磁的に駆動するガイド部を更に備えることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記ガイド部は、断面がコの字状で前記第１の方向に延びる第１のコア部と、当該第１のコア部を中心としてその両側に対向配置される第２のコア部とを備え、当該第１のコア部の凹状空間に通電のためのケーブル及びコネクタを配置したことを特徴とする請求項６に記載のステージ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のステージ装置を備え、当該ステージ装置を用いて原版を基板に対して相対的に移動及び位置決めすることによって原版に描かれたパターンを基板に露光することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
原版を保持して水平方向に移動するスライダと、
前記原版に対して鉛直下側から露光光を導入する露光光導入部と、
前記スライダを水平方向に案内する基準面を備えるステージ定盤と、
前記スライダに設けられ、前記スライダと前記ステージ定盤との間に気体を供給する静圧軸受と、
前記スライダと前記ベースとの間に磁気吸引力を発生させる与圧磁石と、を備え、
前記スライダは原版保持面が鉛直下側を向くように構成され、前記ステージ定盤は、前記基準面が鉛直下側を向くように構成され、前記磁気吸引力によって前記スライダの自重が支持されることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の露光装置は、上記いずれかのステージ装置を備え、当該ステージ装置を用いて原版を基板に対して相対的に移動及び位置決めすることによって原版に描かれたパターンを基板に露光する。
また、本発明の露光装置は、原版を保持して水平方向に移動するスライダと、前記原版に対して鉛直下側から露光光を導入する露光光導入部と、前記スライダを水平方向に案内する基準面を備えるステージ定盤と、前記スライダに設けられ、前記スライダと前記ステージ定盤との間に気体を供給する静圧軸受と、前記スライダと前記ベースとの間に磁気吸引力を発生させる与圧磁石と、を備え、前記スライダは原版保持面が鉛直下側を向くように構成され、前記ステージ定盤は、前記基準面が鉛直下側を向くように構成され、前記磁気吸引力によって前記スライダの自重が支持される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
イオン源１は分析対象であるイオン化した分子を飛行空間２に導入するためにイオンに運動エネルギーを付与するものであって、イオン化法は特に限定されない。例えば、本質量分析装置がＧＣ／ＭＳに利用される構成においては、イオン源１は電子衝撃イオン化法や化学イオン化法によって気体分子をイオン化するものである。また、本質量分析装置がＬＣ／ＭＳに利用される構成においては、イオン源１は大気圧化学イオン化法やエレクトロスプレイイオン化法によって液体分子をイオン化するものである。さらにまた、分析対象分子がタンパク質などの高分子化合物である場合にはＭＡＬＤＩ（Matrix Assisted Laser Desorption Ionization：マトリクス支援レーザ脱離イオン化法）を利用するとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、上記実施の形態では、製造装置２００によって二次電池１０の製造を行う場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、二次電池１０と同様の構造を有する一次電池の製造を行うことも可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005116329.tif 000001