【事件の表示】
　平成　９年特許願第３０４５９０号「多重量子井戸構造とこれを有する光変調器」拒絶査定に対する審判事件〔平成１１年　５月２８日出願公開、特開平１１−１４５５４９、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成9年11月6日の出願であって、その発明は、平成12年7月7日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1〜6（以下、本願発明1〜6という。）に記載されたとおりのものである。
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例1(特開平4-234184号公報)には以下の事項が記載されている。
「【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　第１、第２の課題を解決するための請求項１の半導体レーザは、ＩｎＰ基板上に、前記基板と格子整合するＰ型クラッド層およびＮ型クラッド層で活性を挟んでなる積層構造を有する半導体レーザにおいて、前記活性層が、ＩｎXＧａ1-XＡｓまたはＩｎXＧａ1-XＡｓYＰ1-Y 量子井戸層とＩｎZＧａ1-ZＡｓUＰ1-U バリア層とからなる単一または複数の周期の多層膜であり、かつ前記バリア層の格子定数が前記基板の格子定数よりも小さくかつ前記バリア層のバンドギャップが前記量子井戸層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。更に、第１、第２、第３の課題を解決するための請求項２の半導体レーザは、請求項１の半導体レーザにおいて、前記活性層を形成する前記ＩｎXＧａ1-XＡｓまたはＩｎXＧａ1-XＡｓYＰ1-Y 量子井戸層の格子定数が、前記基板の格子定数よりも大きいことを特徴とする。
　【００１０】
　【作用】
　請求項１の半導体レーザにおいては、多重量子井戸のバリア層に、ＩｎＰ基板よりも格子定数の大きくかつ量子井戸層よりもバンドギャップの大きいＩｎZＧａ1-ZＡｓUＰ1-U 層を用いることを特徴とする。この結果、バリア層には引っ張り歪が加わり、価電子帯端はライトホールバンド端がエネルギー的に高く、ヘビーホールバンド端がエネルギー的に低くなるように分裂する。ＩｎZＧａ1-ZＡｓUＰ1-U  層のバンドギャップ、引っ張り歪量を適当に選ぶことにより、量子井戸とバリア層の間のΔＥｃが２００meV 以上でかつΔＥｖが１００meV 程度となるようにする事ができる。更に、このときのバリア層の価電子帯端は有効質量が伝導帯端と同じ程度となるライトホールバンドとなるので、バリア層内でのホールのモビリティは従来実施例の場合に比較して１０倍近く大きくなる。この結果、多重量子井戸への高速のキャリア注入が可能となる。請求項２の半導体レーザにおいては、請求項１の効果に加えて、量子井戸を圧縮歪の歪量子井戸とするため、量子井戸の圧縮歪量とバリア層の引っ張り歪量を同程度とすることにより量子井戸１周期あたりの歪を相殺でき、多くの周期の多重量子井戸においても歪が蓄積することなく、歪多重量子井戸活性層の発光特性を良好に保つことができる。」（3頁左欄34行【0009】〜同頁右欄23行【0010】）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例2(特開平5-55697号公報)には以下の事項が記載されている。
「【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　このように従来、半導体レーザの活性層として、ＩｎＧａＡｓＰ等のＶ族元素を２種類含む混晶よりなる障壁層を持つ歪量子井戸構造を用いた場合、そのエピタキシャル成長が難しいため、急峻なヘテロ界面の歪量子井戸がなかなか作成できない。このため、歪量子井戸構造の持つ本来の素子特性を実現できないという問題があった。
　【００１１】
　本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、ＩｎＧａＡｓＰ等の多元混晶を障壁層として用いた歪量子井戸構造においても、急峻なヘテロ界面を形成することができ、良好な素子特性が安定に得られる半導体レーザを提供することにある。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の骨子は、障壁層と井戸層との間に、井戸層の上下のヘテロ界面を良好にするための中間層を設けたことにある。
　【００１３】
　即ち本発明は、III-Ｖ族化合物半導体基板上に、Ｖ族元素を少なくとも２種類含む混晶からなる障壁層と、Ｖ族元素が１種類の混晶からなる井戸層とを、交互に積層してなる量子井戸活性層を設けた量子井戸構造の半導体レーザにおいて、障壁層と井戸層との間に、井戸層の混晶とＶ族元素が同じで、井戸層に用いた混晶よりも禁制帯幅の広い混晶からなる中間層を挟むようにしたものである。
　【００１４】
　また、本発明の望ましい実施態様としては、III-Ｖ族化合物半導体基板としてＩｎＰ基板を用い、障壁層に用いる混晶としてＶ族元素がＡｓとＰの２種を含む混晶（例えばＩｎＧａＡｓＰ）を、井戸層に用いる混晶としてＶ族元素がＡｓのみの混晶（例えばＩｎＧａＡｓ）を、中間層に用いる混晶としてＶ族元素がＡｓのみで III族元素にＡｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち少なくとも１種類を含む混晶（例えばＧａＡｓ）を用いたことを特徴とする。また、障壁層と中間層との間に、障壁層と井戸層との中間の禁制帯幅を有する半導体層を挟んだこと、さらに中間層に用いる混晶にＡｓ以外のＶ族元素を微量に含ませたことを特徴とする。
　【００１５】
　【作用】
　本発明では、Ｖ族元素が少なくとも２種類の混晶（例えばＩｎＧａＡｓＰ）からなる障壁層と、Ｖ族元素が１種類のみの混晶（例えばＩｎＧａＡｓ）からなる格子歪を伴った井戸層との間に、井戸層の混晶とＶ族元素が同じ混晶（例えばＧａＡｓ）からなる中間層を挿入しているので、井戸層及びその両側はＶ族元素として１種類（例えばＡｓ）のみを含む半導体層になっている。このため、エピタキシャル成長時に井戸層と上下の層との間で供給Ｖ族原料を切り替える必要がなく、急峻なヘテロ界面が形成できる。従って、歪量子井戸構造の特徴を十分に生かした半導体レーザを作成することができる。なお、中間層と障壁層との間ではＶ族元素の切り替えの必要があるが、この場合、中間層と障壁層とのヘテロ界面の急峻性は、レーザの諸特性にあまり影響がないので問題とならない。」（3頁左欄3行【0010】〜同頁右欄6行【0015】）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例3(特開平7-235730号公報)には以下の事項が記載されている。
「【００１０】
　【課題を解決するための手段】
  障壁層に井戸層と逆方向の歪を加える場合、歪障壁層と歪井戸層の間に無歪ＩｎＧａＡｓＰ障壁層を挿入することにより前章の問題（２）は解決可能である。また、ＡｓとＰの相互拡散の問題（１）は歪井戸層、歪障壁層、無歪障壁層の全てのＡｓの混晶比（ＡｓとＰの比率）を同一とすることにより解決可能であるが、引っ張り歪井戸層と圧縮歪障壁層の組合せではＡｓの混晶比を同一にすることが不可能である。これはＡｓの混晶比を一定にしてＩｎを多くして圧縮歪を加えた場合、図９(a)に示すようにエネルギーバンドギャップは狭くなり、Ｉｎを少なくして引っ張り歪を加えた場合、(b)に示すようにエネルギーバンドギャップは広くなる。すなわち引っ張り歪層は圧縮歪層よりもエネルギーバンドギャップは広くなり、井戸層として用いることは出来ない。」（3頁左欄16行〜31行【0010】）
３．対比・判断
　本願発明1〜6の「圧縮歪井戸層のヘビーホール準位と引っ張り歪障壁層のライトホール準位が等しい」ことは、上記引用例1〜3に記載も示唆もされておらず、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、本願発明1〜6は、「圧縮歪井戸層のヘビーホール準位と引っ張り歪障壁層のライトホール準位が等しい」ことにより、ホールキャリアの引き抜き時間を短くすることができ、高速変調時の消光比を十分にとることが可能になるという作用効果を呈するものである。
　なお、引用例1に記載の発明では、半導体レーザの障壁層と井戸層のホール準位差を小さくしてオーバフロー問題を生じさせるようなことはあり得ないから、本願発明1〜6の半導体レーザの変調器のように「障壁層のライトホール準位と井戸層のヘビーホール準位とを一致させる」ことはあり得ない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明1〜6は、上記引用例1〜3に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができないから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないとすることができない。
　また他に、本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。