【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属基板と、
前記金属基板の主面上に選択的に配設された複数の能動領域と、
前記金属基板の前記主面の上方に配設され、前記複数の能動領域に電気的に接続される導体層と、を備え、
前記複数の能動領域は、
前記金属基板の主面に水平な方向において電気的に個々に独立し、
前記導体層および前記金属基板を主電極とし、前記複数の能動領域のそれぞれにおいて、前記金属基板の前記主面に垂直な方向に主電流を流す、半導体装置。
【請求項２】  前記複数の能動領域のそれぞれはポリシリコン層で構成される、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記ポリシリコン層のそれぞれが間隔を開けて平行して配設され、
前記ポリシリコン層間の前記金属基板上に配設された第１の絶縁膜と、
前記ポリシリコン層の側面を少なくとも覆う第２の絶縁膜と、
前記第１および第２の絶縁膜で囲まれて規定されるトレンチ領域内に埋め込まれたトレンチゲートと、をさらに備え、
前記ポリシリコン層のそれぞれは、
前記金属基板側の第１の主面の表面内に配設された第１導電型の第１の半導体層と、
前記導体層側の第２の主面の表面内に配設された第１導電型の第２の半導体層と、を有し、
前記第１および第２の半導体層で挟まれた領域には第２導電型の不純物を含む、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第１の半導体層は、第１導電型の不純物としてアンチモンを含む、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の多層膜である、請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】  前記第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の多層膜である、請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】  前記トレンチゲートは金属で構成される、請求項３記載の半導体装置。
【請求項８】  前記金属基板は、ステンレス鋼で形成される請求項３記載の半導体装置。
【請求項９】  (ａ)金属基板を準備する工程と、
(ｂ)前記金属基板の主面上に、所定パターンを有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
(ｃ)前記第１の絶縁膜のパターン間を、第１導電型の不純物を含む不純物層で埋め込む工程と、
(ｄ)前記第１の絶縁膜および前記不純物層の上部全体に全面ポリシリコン層を形成する工程と、
(ｅ)前記全面ポリシリコン層に第２導電型の不純物をイオン注入し、熱処理することで、前記第２導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させるとともに、前記不純物層中の前記第１導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させ、前記全面ポリシリコン層の前記金属基板側の第１の主面表面内に第１の半導体層を複数形成する工程と、
(ｆ)前記第１の絶縁膜の上部に対応する前記全面ポリシリコン層を除去し、前記第１の半導体層をそれぞれ１層ずつ有する複数のポリシリコン層を形成する工程と、
(ｇ)前記複数のポリシリコン層のそれぞれを覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
(ｈ)前記第１および第２の絶縁膜で囲まれて規定されるトレンチ領域内にトレンチゲートを埋め込む工程と、
(ｉ)前記トレンチゲートが埋め込まれた状態で、前記複数のポリシリコン層に第１導電型の不純物をイオン注入し、前記複数のポリシリコン層のそれぞれの、前記第１の主面とは反対側の第２の主面の表面内に第２の半導体層を形成する工程と、
(ｊ)前記第２の半導体層に電気的に接続される導体層を、前記金属基板の前記主面の上方に形成する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記工程(ｃ)は、
前記第１導電型の不純物を含むＳＯＧ溶液を、前記第１の絶縁膜のパターンが形成された前記金属基板上に滴下し、スピンコート法により前記第１の絶縁膜のパターン間に埋め込み、その後、加熱することで硬化する工程を含む、請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  (ａ)その主面表面内に第１導電型の不純物を含む不純物層を有した金属基板を準備する工程と、
(ｂ)前記金属基板の前記主面上に、所定パターンを有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
(ｃ)前記第１の絶縁膜および前記金属基板の前記主面の上部全体に全面ポリシリコン層を形成する工程と、
(ｄ)前記全面ポリシリコン層に第２導電型の不純物をイオン注入し、熱処理することで、前記第２導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させるとともに、前記不純物層中の前記第１導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させ、前記全面ポリシリコン層の前記金属基板側の第１の主面表面内に第１の半導体層を複数形成する工程と、
(ｅ)前記第１の絶縁膜の上部に対応する前記全面ポリシリコン層を除去し、前記第１の半導体層をそれぞれ１層ずつ有する複数のポリシリコン層を形成する工程と、
(ｆ)前記複数のポリシリコン層のそれぞれを覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
(ｇ)前記第１および第２の絶縁膜で囲まれて規定されるトレンチ領域内にトレンチゲートを埋め込む工程と、
(ｈ)前記トレンチゲートが埋め込まれた状態で、前記複数のポリシリコン層に第１導電型の不純物をイオン注入し、前記複数のポリシリコン層のそれぞれの、前記第１の主面とは反対側の第２の主面の表面内に第２の半導体層を形成する工程と、
(ｉ)前記第２の半導体層に電気的に接続される導体層を、前記金属基板の前記主面の上方に形成する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  前記工程(ａ)は、
前記第１導電型の不純物をイオン注入により前記金属基板中に注入する工程を含む、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  前記不純物層中の前記第１導電型の不純物はアンチモンである、請求項９または請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る請求項４記載の半導体装置は、前記第１の半導体層が、第１導電型の不純物としてアンチモンを含んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る請求項９記載の半導体装置の製造方法は、金属基板を準備する工程(ａ)と、前記金属基板の主面上に、所定パターンを有する第１の絶縁膜を形成する工程(ｂ)と、前記第１の絶縁膜のパターン間を、第１導電型の不純物を含む不純物層で埋め込む工程(ｃ)と、前記第１の絶縁膜および前記不純物層の上部全体に全面ポリシリコン層を形成する工程(ｄ)と、前記全面ポリシリコン層に第２導電型の不純物をイオン注入し、熱処理することで、前記第２導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させるとともに、前記不純物層中の前記第１導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させ、前記全面ポリシリコン層の前記金属基板側の第１の主面表面内に第１の半導体層を複数形成する工程(ｅ)と、前記第１の絶縁膜の上部に対応する前記全面ポリシリコン層を除去し、前記第１の半導体層をそれぞれ１層ずつ有する複数のポリシリコン層を形成する工程(ｆ)と、前記複数のポリシリコン層のそれぞれを覆うように第２の絶縁膜を形成する工程(ｇ)と、前記第１および第２の絶縁膜で囲まれて規定されるトレンチ領域内にトレンチゲートを埋め込む工程(ｈ)と、前記トレンチゲートが埋め込まれた状態で、前記複数のポリシリコン層に第１導電型の不純物をイオン注入し、前記複数のポリシリコン層のそれぞれの、前記第１の主面とは反対側の第２の主面の表面内に第２の半導体層を形成する工程(ｉ)と、前記第２の半導体層に電気的に接続される導体層を、前記金属基板の前記主面の上方に形成する工程(ｊ)とを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係る請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、その主面表面内に第１導電型の不純物を含む不純物層を有した金属基板を準備する工程(ａ)と、前記金属基板の前記主面上に、所定パターンを有する第１の絶縁膜を形成する工程(ｂ)と、前記第１の絶縁膜および前記金属基板の前記主面の上部全体に全面ポリシリコン層を形成する工程(ｃ)と、前記全面ポリシリコン層に第２導電型の不純物をイオン注入し、熱処理することで、前記第２導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させるとともに、前記不純物層中の前記第１導電型の不純物を前記全面ポリシリコン層中に拡散させ、前記全面ポリシリコン層の前記金属基板側の第１の主面表面内に第１の半導体層を複数形成する工程(ｄ)と、前記第１の絶縁膜の上部に対応する前記全面ポリシリコン層を除去し、前記第１の半導体層をそれぞれ１層ずつ有する複数のポリシリコン層を形成する工程(ｅ)と、前記複数のポリシリコン層のそれぞれを覆うように第２の絶縁膜を形成する工程(ｆ)と、前記第１および第２の絶縁膜で囲まれて規定されるトレンチ領域内にトレンチゲートを埋め込む工程(ｇ)と、前記トレンチゲートが埋め込まれた状態で、前記複数のポリシリコン層に第１導電型の不純物をイオン注入し、前記複数のポリシリコン層のそれぞれの、前記第１の主面とは反対側の第２の主面の表面内に第２の半導体層を形成する工程(ｈ)と、前記第２の半導体層に電気的に接続される導体層を、前記金属基板の前記主面の上方に形成する工程(ｉ)とを備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明に係る請求項４記載の半導体装置によれば、第１の半導体層が、第１導電型の不純物としてアンチモンを含むので、製造にあたっての取り扱いが容易である。