【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンの裏面または表面上に形成された反射防止膜と、を備えるフォトマスクであって、
前記遮光パターンの前記表面が化学的機械的研磨により平坦化されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記透明基板と前記遮光パターン上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、前記遮光パターン間に形成される主開口のエッジに形成された位相シフトパターンを含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項５】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンと前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、遮光パターン付ハーフトーン型位相シフトパターンをさらに含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項６】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、位相シフターが形成された遮光パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項７】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンと前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、中間位相型位相シフトパターンをさらに含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項８】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板に接する前記位相シフトパターンの端部が、化学的機械的研磨により形成された徐々に小さくなる傾斜を有し、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項９】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を含むフォトマスクであって、
前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの前記端部において、前記位相シフトパターンと前記透明基板との間の段差が徐々に小さくなるように化学的機械的研磨により形成され、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１０】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を含み、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板に接する前記位相シフトパターンの端部が、化学的機械的研磨により形成された徐々に小さくなる傾斜を有し、前記位相シフトパターンが、前記遮光パターン間に形成される、主開口に隣接した解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項１１】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を含み、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの前記端部において、前記位相シフトパターンと前記透明基板との間の段差が化学的機械的研磨により徐々に小さくなるように形成され、前記位相シフトパターンが、前期遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項１２】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記透明基板を選択エッチングして形成された位相シフトパターンと、遮光パターン付ハーフトーン型位相シフトパターンと、を備えることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１３】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記透明基板を選択エッチングして、位相シフターを有するように形成された遮光パターンを有する位相シフトパターンと、を備えることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１４】  透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記透明基板を選択エッチングして形成された位相シフトパターンと、中間位相型位相シフトパターンと、を備えることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１５】  透明基板上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記透明基板に第１の反射防止膜を形成する工程と、前記第１の反射防止膜上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨する工程と、第２の反射防止膜を形成する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１６】  透明基板上の遮光膜上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記遮光膜を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記遮光膜上に位相シフト膜を形成する工程と、前記位相シフト膜を選択エッチングする工程と、前記位相シフト膜を選択エッチングした後に化学的機械的研磨する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】  前記位相シフトパターンを形成する工程の後に化学的機械的研磨を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１８】  前記レジストを除去する工程の後に、選択エッチングされた前記遮光膜上に第２のレジスト膜を形成する工程と、前記第２のレジスト膜を選択エッチングして第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記第２のレジストパターンを除去する工程と、前記化学的機械的研磨を行う工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１９】  透明基板上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記透明基板上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨する工程と、前記遮光膜上に位相シフト膜を形成する工程と、前記位相シフト膜を選択エッチングする工程と、化学的機械的研磨を行う工程と、を少なくとも含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２０】  透明基板上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記透明基板上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨する工程と、前記遮光膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を選択エッチングする工程と、前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記透明基板を選択エッチングして形成された位相シフトパターンに前記化学的機械的研磨を行う工程と、を少なくとも含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２１】  前記放射線として、電子線、レーザ光、および単色光のうちの１つを使用することを特徴とする請求項１５〜２０のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２２】  透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記凹部に遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板および前記遮光パターン上に選択的に位相シフトパターンを形成する工程と、前記透明基板と接する部分における前記位相シフトパターンの厚みが徐々に小さくなるように、化学的機械的研磨により前記位相シフトパターンの表面上に傾斜を形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、
前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２３】  透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、
前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２４】  透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの端部を、徐々に小さくなる傾斜を有するように形成する工程と、フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに位相シフトパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２５】  透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板と前記遮光パターン上に位相シフトパターンを選択的に形成する工程と、前記透明基板と接する部分における前記位相シフトパターンの厚みが徐々に小さくなるように、化学的機械的研磨により前記位相シフトパターンの表面上に傾斜を形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、
前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンとして、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンが形成されることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２６】  透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、
前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンとして、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンが形成されることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２７】  透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの端部を、徐々に小さくなる傾斜を有するように形成する工程と、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むように、前記位相シフトパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２８】  請求項１〜１４のいずれか１つに記載のフォトマスクを使用した半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】  請求項１５〜２７のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法を含む半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンの裏面または表面上に形成された反射防止膜と、を備えるフォトマスクであって、前記遮光パターンの前記表面が化学的機械的研磨により平坦化されることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記透明基板と前記遮光パターン上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、前記遮光パターン間に形成される主開口のエッジに形成された位相シフトパターンを含むことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンと前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、遮光パターン付ハーフトーン型位相シフトパターンをさらに含むことを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、位相シフターが形成された遮光パターンを有することを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンと前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記位相シフトパターンが、中間位相型位相シフトパターンをさらに含むことを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を備えるフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板に接する前記位相シフトパターンの端部が、化学的機械的研磨により形成された徐々に小さくなる傾斜を有し、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を含むフォトマスクであって、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの前記端部において、前記位相シフトパターンと前記透明基板との間の段差が徐々に小さくなるように化学的機械的研磨により形成され、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を含み、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板に接する前記位相シフトパターンの端部が、化学的機械的研磨により形成された徐々に小さくなる傾斜を有し、前記位相シフトパターンが、前記遮光パターン間に形成される、主開口に隣接した解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に選択的に形成された遮光パターンと、前記遮光パターンおよび前記透明基板上に選択的に形成された位相シフトパターンと、を含み、前記位相シフトパターンの表面が、化学的機械的研磨でなし得る程度に平坦化され、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの前記端部において、前記位相シフトパターンと前記透明基板との間の段差が化学的機械的研磨により徐々に小さくなるように形成され、前記位相シフトパターンが、前期遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするものである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明に係るフォトマスクは、基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記透明基板を選択エッチングして形成された位相シフトパターンと、遮光パターン付ハーフトーン型位相シフトパターンと、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記透明基板を選択エッチングして、位相シフターを有するように形成された遮光パターンを有する位相シフトパターンと、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、前記透明基板の主表面上に形成された凹部と、前記凹部内に形成された遮光パターンと、前記透明基板を選択エッチングして形成された位相シフトパターンと、中間位相型位相シフトパターンと、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記透明基板に第１の反射防止膜を形成する工程と、前記第１の反射防止膜上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨する工程と、第２の反射防止膜を形成する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板上の遮光膜上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記遮光膜を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記遮光膜上に位相シフト膜を形成する工程と、前記位相シフト膜を選択エッチングする工程と、前記位相シフト膜を選択エッチングした後に化学的機械的研磨する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、前記位相シフトパターンを形成する工程の後に化学的機械的研磨を行う工程をさらに含むことを特徴とするものである。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、前記レジストを除去する工程の後に、選択エッチングされた前記遮光膜上に第２のレジスト膜を形成する工程と、前記第２のレジスト膜を選択エッチングして第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記第２のレジストパターンを除去する工程と、前記化学的機械的研磨を行う工程と、をさらに含むことを特徴とするものである。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記透明基板上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨する工程と、前記遮光膜上に位相シフト膜を形成する工程と、前記位相シフト膜を選択エッチングする工程と、化学的機械的研磨を行う工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものである。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板上にレジストを形成する工程と、放射線により前記レジストを選択的に露光した後に現像してパターンを形成する工程と、前記レジストをマスクにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、選択エッチングされた前記透明基板上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨する工程と、前記遮光膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を選択エッチングする工程と、前記透明基板を選択エッチングする工程と、前記透明基板を選択エッチングして形成された位相シフトパターンに前記化学的機械的研磨を行う工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものである。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、前記放射線として、電子線、レーザ光、および単色光のうちの１つを使用することを特徴とするものである。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記凹部に遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板および前記遮光パターン上に選択的に位相シフトパターンを形成する工程と、前記透明基板と接する部分における前記位相シフトパターンの厚みが徐々に小さくなるように、化学的機械的研磨により前記位相シフトパターンの表面上に傾斜を形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、
前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするものである。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンが、前記フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに形成されることを特徴とするものである。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの端部を、徐々に小さくなる傾斜を有するように形成する工程と、フォトマスク上の前記遮光パターン間に形成される開口の１つおきに位相シフトパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に遮光パターンを形成する工程と、前記透明基板と前記遮光パターン上に位相シフトパターンを選択的に形成する工程と、前記透明基板と接する部分における前記位相シフトパターンの厚みが徐々に小さくなるように、化学的機械的研磨により前記位相シフトパターンの表面上に傾斜を形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、
前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンとして、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンが形成されることを特徴とするものである。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、を含むフォトマスク製造方法であって、前記位相シフトパターンを形成する工程では、前記位相シフトパターンとして、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンが形成されることを特徴とするものである。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の主表面上に凹部を形成する工程と、前記透明基板と接しない表面を有すると共に、前記透明基板の前記主表面と同一平面を形成する遮光パターンを前記凹部内に形成する工程と、前記透明基板の前記主表面を選択エッチングして、前記遮光パターンを形成した後に位相シフトパターンを形成する工程と、前記透明基板と接する前記位相シフトパターンの端部を、徐々に小さくなる傾斜を有するように形成する工程と、前記遮光パターン間に形成される主開口に隣接した、解像されないシフターを備える補助開口を有する位相シフトパターンを含むように、前記位相シフトパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
また、この発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、この発明のフォトマスクまたはこの発明のフォトマスクの製造方法を用いて半導体集積回路装置を製造することを特徴とするものである。