【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】人工水晶の製造方法及びこれによる人工水晶並びに水晶基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】オートクレーブ内に搬入された水晶の種子結晶を水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
前記オートクレーブに搬入する前に前記水晶の種子結晶を水晶のαーβ転移点温度未満で加熱処理した後、
前記加熱処理した水晶の種子結晶を前記オートクレーブ内に搬入して育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項２】水晶のαーβ転移点温度未満の温度でオートクレーブに搬入する前に水晶の種子結晶を加熱処理した後、
前記加熱処理した水晶の種子結晶を前記オートクレーブ内に搬入して水熱育成法により育成して製造された前記水晶の種子結晶を含んだ人工水晶であって、
結晶軸（ＸＹＺ）のＺ軸方向に発生する前記水晶の種子結晶部分のエッチチャネル密度を減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項３】 請求項１の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項２の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項４】人工水晶をエッチング溶液に投入して、前記人工水晶をエッチングにより外形加工処理する際、前記人工水晶の線状格子欠陥に沿って形成されるエッチチャンネルの発生を抑止するエッチチャンネルの抑止方法において、
前記人工水晶をエッチング溶液に投入してエッチングする以前に、前記人工水晶を水晶のαーβ転移点温度未満の温度で加熱処理したことを特徴とする人工水晶に発生するエッチチャンネルの抑止方法。
【請求項５】請求項４の抑止方法によって抑止された人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項６】高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にαーβ転移点温度未満の温度でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項７】水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にαーβ転移点温度未満の温度でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、
種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項８】請求項６の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項７の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項９】高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にほぼ５５０度の高温雰囲気中でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項１０】水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にほぼ５５０度の高温雰囲気中でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、
種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項１１】請求項９の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１０の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項１２】高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項１３】水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、
種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項１４】請求項１２の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１３の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項１５】高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
水晶ブロックに銀を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜２５０Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項１６】水晶ブロックに銀を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜２５０Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、
種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項１７】請求項１５の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１６の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項１８】高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
水晶ブロックに金を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で５０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項１９】水晶ブロックに金を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で５０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、
種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項２０】請求項１８の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１９の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【請求項２１】高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、
水晶ブロックに銅を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温真
空中あるいは不活性ガス雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法。
【請求項２２】水晶ブロックに銅を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、
種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶。
【請求項２３】請求項２１の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項２２の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る人工水晶の請求項１記載の発明は、オートクレーブ内に搬入された水晶の種子結晶を水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、前記オートクレーブに搬入する前に前記水晶の種子結晶を水晶のαーβ転移点温度未満で加熱処理した後、前記加熱処理した水晶の種子結晶を前記オートクレーブ内に搬入して育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項２記載の発明は、水晶のαーβ転移点温度未満の温度でオートクレーブに搬入する前に水晶の種子結晶を加熱処理した後、前記加熱処理した水晶の種子結晶を前記オートクレーブ内に搬入して水熱育成法により育成して製造された前記水晶の種子結晶を含んだ人工水晶であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＺ軸方向に発生する前記水晶の種子結晶部分のエッチチャネル密度を減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項３記載の発明は、 請求項１の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項２の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項４記載の発明は、人工水晶をエッチング溶液に投入して、前記人工水晶をエッチングにより外形加工処理する際、前記人工水晶の線状格子欠陥に沿って形成されるエッチチャンネルの発生を抑止するエッチチャンネルの抑止方法において、前記人工水晶をエッチング溶液に投入してエッチングする以前に、前記人工水晶を水晶のαーβ転移点温度未満の温度で加熱処理したことを特徴とする人工水晶に発生するエッチチャンネルの抑止方法である。
請求項５記載の発明は、請求項４の抑止方法によって抑止された人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項６記載の発明は、高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にαーβ転移点温度未満の温度でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項７記載の発明は、水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にαーβ転移点温度未満の温度でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項８記載の発明は、請求項６の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項７の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項９記載の発明は、高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にほぼ５５０度の高温雰囲気中でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項１０記載の発明は、水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極にほぼ５５０度の高温雰囲気中でほぼ１０００Ｖ／ｃｍの高電界を印加して電界処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項１１記載の発明は、請求項９の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１０の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項１２記載の発明は、高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項１３記載の発明は、水晶ブロックに一価の金属を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項１４記載の発明は、請求項１２の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１３の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項１５記載の発明は、高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、水晶ブロックに銀を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜２５０Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項１６記載の発明は、水晶ブロックに銀を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜２５０Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項１７記載の発明は、請求項１５の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１６の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項１８記載の発明は、高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、水晶ブロックに金を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で５０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項１９記載の発明は、水晶ブロックに金を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で５０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項２０記載の発明は、請求項１８の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項１９の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板である。
請求項２１記載の発明は、高圧容器内に水晶の種子結晶を吊しアルカリ溶液と水晶原料とを充填し高温高圧下で水熱育成法によって育成して製造する人工水晶の製造方法において、水晶ブロックに銅を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを前記種子結晶として育成したことを特徴とする人工水晶の製造方法である。
請求項２２記載の発明は、水晶ブロックに銅を付着させて電極とし該電極に２００度から５７０度の高温雰囲気中で３０Ｖ／ｃｍ〜１０００Ｖ／ｃｍの電界を印加して拡散処理したものを水晶の種子結晶とし該種子結晶を高圧容器内に吊して水熱育成法により育成して製造された前記種子結晶を含んだ人工水晶であって、種子結晶部分のエッチチャネル密度を大幅に減少させたことを特徴とする人工水晶である。
請求項２３記載の発明は、請求項２１の製造方法によって製造された人工水晶又は請求項２２の人工水晶を切断した水晶基板であって、結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に直交するＸ−Ｚ 主面がＸ軸を中心としてＹ軸からＺ軸方向へ回転して切断される水晶基板。