【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
インクジェット法により前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質から成るゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して親水性とし、
インクジェット法により、前記光の照射領域に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜及び一導電型を有する半導体膜を順に形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線を用いて前記一導電型を有する半導体膜をエッチングし、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を親水性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に水系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜、保護膜を順に形成し、
前記ゲート電極を用いて前記保護膜をパターニングし、
前記パターニングされた保護膜を覆って一導電型を有する半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法により連続成膜することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において前記一導電型を有する半導体膜は、前記ゲート電極をマスクとし前記半導体膜へ不純物元素を添加して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
インクジェット法により前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質から成るゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して撥油性とし、
インクジェット法により、前記光の非照射領域に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜及び一導電型を有する半導体膜を順に形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線を用いて前記一導電型を有する半導体膜をエッチングし、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を選択的に形成し、
前記光触媒機能を有する物質上から光を照射して、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質を撥油性とし、
インクジェット法により、前記選択的に形成された光触媒機能を有する物質上に油系の溶媒に混入された導電体を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜、保護膜を順に形成し、
前記ゲート電極を用いて前記保護膜をパターニングし、
前記パターニングされた保護膜を覆って一導電型を有する半導体膜を形成し、
インクジェット法により、前記一導電型を有する半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
インクジェット法により、前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に配線を形成し、
前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法により連続成膜することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において前記一導電型を有する半導体膜は、前記ゲート電極をマスクとし前記半導体膜へ不純物元素を添加して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記配線に接続する電極を形成し、インクジェット法により、前記半導体膜、前記ゲート電極、及び前記電極の一部を覆うように保護膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。