【事件の表示】
　平成　６年特許願第１３１２２０号「電極形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年１２月　８日出願公開、特開平　７−３２１５１９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成６年５月２１日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１２年５月８日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３の各請求項に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下本願発明という）は、次のとおりである。（なお、平成１２年１１月２０日付手続補正は却下された。）
　「セラミック誘電体ブロックの全面に導電性の良好な第１の金属膜を無電解鍍金により膜厚５μｍ以上形成し、該第１の金属膜上にはんだ付着性の良好な第２の金属膜を膜厚２μｍ以上形成した後、第１及び第２の金属膜をサンドブラスト加工で部分的に除去して所望のパターンを形成したことを特徴とする電極形成方法。」
２．引用文献
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−１４５３１４号公報（平成５年６月１１日出願公開。以下、「引用文献１」という。）には、
「軸方向に中空部を有する誘電体セラミックの開放端面を除く全面に、金属電極が形成された同軸型誘電体共振器の製造方法において、
　上記誘電体セラミックの全面に上記金属電極を形成した後、所定の平均粒径を有する微粒子を、上記開放端面となる領域の上記金属電極に噴射してエッチングすることにより、上記領域の上記金属電極を選択的に除去することを特徴とする同軸型誘電体共振器の製造方法。」（請求項１）が記載されており、さらに具体的には、
「【実施例】以下、図１〜図６を参照しながら本発明の実施例を説明する。図１〜図３は、本実施例に係る同軸型誘電体共振器（以下、単に共振器と記す）の製造方法を示す工程図である。」（段落番号【００１６】）、
「次に、図２に示すように、無電解めっき処理を施すことにより、コア１の中空部２を含む全面に銅電極１１を形成して共振器素体１２を得る。」（段落番号【００２１】）、
「次に、図３Ａに示すように、上記めっき済みの共振器素体１２の上面（後に開放端面となる面）にゴム系の樹脂からなる液状のレジストを塗布し、熱により硬化させてレジスト膜１３とする。その後、該レジスト膜１３に感光処理及び現像処理を施して、図３Ｂに示すように、共振器素体１２の上記上面にマスク１４を形成する。」（段落番号【００３１】）、
「次に、図３Ｃに示すように、上記マスク１４を形成した面に対して、平均粒径約１０μｍの例えばＳｉＣ粒子１５を１００ｍ／ｓ程度の流速で矩形ノズル１６（コア１の平面形状とほぼ同じ開口形状を有する）より噴射させる。この噴射される微粒子（砥粒）１５によって、上記上面中、マスク１４で被覆されていない領域ａの露出する銅電極１１をエッチング除去して開放端面６を形成することにより、本例に係る共振器を得る。」（段落番号【００３２】）と記載されており、「無電解めっき処理」によって銅の膜が形成されていることは明らかであり、「銅」は導電性の良好な金属といえるものであり、「感光処理」は通常紫外線照射で行われており、「ＳｉＣ粒子１５を・・・流速で矩形ノズル１６・・・より噴射させ・・・この噴射される微粒子（砥粒）１５によって、・・・マスク１４で被覆されていない領域ａ・・・をエッチング除去」する手法はサンドブラスト加工であるから、引用文献１には、
「セラミック製の同軸型誘電体共振器の全面に導電性の良好な金属膜を無電解鍍金により形成し、金属膜をサンドブラスト加工で部分的に除去して所望のパターンを形成する電極形成方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−１８５１０３号公報（平成４年７月２日出願公開。以下、「引用文献２」という。）には、「１は・・・誘電体セラミック材料で構成された円筒状の基体、２は・・・第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で構成され・・・３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍで形成された第２の導電膜で、第２の導電膜３は半田か錫の少なくとも一方によって形成されている。」（第２頁左下欄第１３〜２０行）と記載され、「以上のように構成された本実施例の誘電体共振器についてその製造方法を説明する」（第２頁右下欄第５、６行）とした上で、その製造方法を具体的に、「第１の導電膜２を無電解鍍金法によって形成・・・この時第１の導電膜２の膜厚を２μｍ〜１０μｍの間で変化・・・次に第１の導電膜２の上に電気半田鍍金法により第２の導電膜３を・・・形成した。」（第３頁左上欄第１０〜１４行）と記載され、各導体膜の膜厚については、「第１の導電膜の厚さを３μｍ以上・・・第２の導電膜の厚さを１μｍ〜５μｍ」（特許請求の範囲第２項）とすること、膜厚と特性のデータが、第２図、第３図に示されており、「第１の導電膜２」の膜厚として「５μｍ」「７μｍ」「８．５μｍ」「１０μｍ」が測定値として示されている。そして、これの導電膜がセラミック製の誘電体共振器の電極であることは明らかであり、また、「銅」は導電性の良好な金属といえるものであり、「半田か錫」ははんだ付着性の良好な金属でるから、引用文献２には、
「セラミック製の誘電体共振器に導電性の良好な第１の金属膜を無電解鍍金により膜厚３μｍ以上、例えば、「５μｍ」「７μｍ」「８．５μｍ」「１０μｍ」形成し、該第１の金属膜上にはんだ付着性の良好な第２の金属膜を電気鍍金により膜厚１〜５μｍ形成したことを特徴とする電極形成方法。」（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明１を対比してみると、
　引用発明１中の「セラミック製の同軸型誘電体共振器」は、セラミック誘電体ブロックといえるものであるから、
　両者は、
　「セラミック誘電体ブロックの全面に金属膜を形成し、金属膜をサンドブラスト加工で部分的に除去して所望のパターンを形成する電極形成方法。」である点で一致し、「金属膜」に関して、本願発明では、「導電性の良好な第１の金属膜を無電解鍍金により膜厚５μｍ以上形成し、該第１の金属膜上にはんだ付着性の良好な第２の金属膜を膜厚２μｍ以上形成」しているのに対し、引用発明１では、「導電性の良好な金属膜を無電解鍍金により形成」している点で相違する。
　そこで、この相違点について検討する。
　引用発明２において、「導電性の良好な第１の金属膜」の膜厚は３μｍ以上であり、しかも「５μｍ」「７μｍ」「８．５μｍ」「１０μｍ」が測定値として示されているから、「膜厚５μｍ以上」の範囲のものが明らかに提示されており、また、同じく引用発明２における「はんだ付着性の良好な第２の金属膜」の「膜厚１〜５μｍ」は、そのほとんどが「膜厚２μｍ以上」の範囲に含まれるものである。したがって、本願発明は、引用発明１中の「導電性の良好な金属膜」の形成工程を、引用発明２で単に置き換えたものを含み、しかも、「膜厚５μｍ以上」及び「膜厚２μｍ以上」との膜厚範囲も、電極形成工程の時間の多少、はんだ付の良否の程度、製造コスト等によって製品毎に決められる単なる設計的変更といえ、特に臨界的意義を有するものとも認められず、さらに、引用発明１も引用発明２も、セラミック製の誘電体共振器の電極形成に関する技術という点で同じ技術的範疇に属すものであるから、上記相違点に格別な創意工夫を認めることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１，２記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願の特許請求の範囲請求項１に係る発明について特許を受けることができないものである以上、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。