Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  案内翼の列（ＬＥ）と回転翼の列（ＬＡ）から成り、共通のハウジング（３０）に取り付けてある、ほぼ軸方向に並んでいる段を備え、前記ハウジングに少なくとも一つの流入部分（３１）と少なくとも一つの流出部分（３２）があり、更に段の反動度が 0.15 より大きいタービンにおいて、ハウジング（３０）の流入部分（３１）と流出部分（３２）の間にあるタービンの一部、つまりほぼ軸方向に並んだ翼の列（ＬＥ，ＬＡ）に対して、特性数ＲＳＨが１以上になるように軸方向の翼弦の長さ（ｓax）とその高さ（ｈ）を選び、ここでＲＳＨが、
【外１】
2000110503.tif 000001
で定義され、この計算規則では
Ｐ     [Ｗ]     タービンの出力
【外２】
2000110503.tif 000002
ｚ     [−]     段数
【外３】
2000110503.tif 000003
Ｎ    [1/s]    回転数
ｈi    [ｍ]     翼の流出流側で測定された翼の列ｉの翼の高さ
ＤM,i  [ｍ]     翼の列ｉの翼の流出流側でのハブの外径とハウジングの内
径の平均値
ｓax,i [ｍ]     最大の翼弦の長さのところで測定された翼の列ｉの翼の軸
方向の翼弦の長さ
であることを特徴とするタービン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、案内翼の列と回転翼の列から成り、共通のハウジングに取り付けてある、ほぼ軸方向に並んでいる複数の段（ステージ）を備え、前記ハウジングに少なくとも一つの流入部分と少なくとも一つの流出部分があり、更に段の反動度が 0.15 より大きいタービンに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
説明した理由により、例えば実際に形成された蒸気ターボの組では大抵両方の実施態様が組み合わされている。反動が弱く、最大圧力で仕事量の転換が大きい一つまたはそれ以上の段を使用すること、および動作媒質が膨張する他の経過で反動が強い小さな負荷を受ける繰り返しの段を使用することが普及している。この構造様式により第一段の高圧が急激に低減し、ロータへ軸方向の推力を伝えることはない。その場合、一定の膨張に対して長さの短いロータが必要である。この場合、特に空気力学的な負荷のため、翼弦の長さを大きく選び、大きな仕事量の転換を得るために必要な流れの偏向を極端に悪くさせることはない。同様に、ハブ部分で偏向を制限するため翼を大きな直径にする。エンタルピーを更に低下させることは反動の強い段で行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この発明の重要な利点は、物質流に固有な出力が等しく、所定の圧力レベルであるなら段数と構造長が通常の構造様式より著しく小さい点にある。比較的小さなハブ直径で、反動度が小さい場合でもこの発明による大きな翼の高さにより、この発明による翼配列を使用し、大きな段のエンタルピー転換へ移行する場合でも損失が少なく低コストのドラム構造様式を維持できる。更に、軸方向の翼弦の長さに対する翼の高さの比が大きいことによりエンタルピー転換を伴う通常の翼配列で著しく上昇する二次流の損失を限界内に維持できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、ゼオライト微粒子をＰＶＤ法によって繊維構造物に気相皮膜を作り融着させることによって、ゼオライト微粒子の層を有する繊維構造物が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む化粧組成物：
化合物ａ）及び錯化剤ｂ）、ここで該錯化剤ｂ）は化合物ａ）と錯体を形成することができ、かつ２５℃の温度で０．１に等しいか又はそれより小さい解離定数を有し、化合物ａ）を式（Ｉ）の化合物から選択することを特徴とする
Ｌ−(Ａ)n−(Ｙ)m−(α)p      （Ｉ）
・ｍは０〜１００の範囲の数であり、
・ｎは０又は１を意味し、
・ｐは０〜１００の範囲の数であり、
・αはケラチン物質に共有結合することが可能な固着基を意味し、
・Ｌはｂ）に対して錯化活性を有する、ビオチン以外の残基を意味し、
・Ａは、１〜１００の炭素原子を含む直鎖又は分岐した、飽和又は不飽和の二価基であって、任意に一又は複数のヘテロ原子で中断されていてもよく、かつ任意に以下から選択する一又は複数の基で置換されていてもよい基を意味し：ヒドロキシル、アミノ、ハロゲン、アリール、ホスフェート、ホスホネート、スルフェート、スルホネート、カルボキシル、アルコキシカルボニル及びアルコキシ基、
・Ｙは以下から選択する基Ｚを意味し：カルボキシル、メルカプタン、アルコキシカルボニル、アミノ、アンモニオ、ホスファイト、ホスフェート、ホスホネート、スルフェート、スルファイト、及びスルホネート、又は基ＢＷ、式中Ｗは化粧活性を有する残基であり、Ｂは残基ＷをＬ又はＡに結合する種であり、
・Ｂは例えば以下を意味し：アミン、イミン、アミド、エステル、ジスルフィド、チオエステル、ウレタン、尿素、エーテル、チオエーテル、アゾ、メチン又はエポキシ基、芳香族又はヘテロ環式残基又はジアルキルポリシロキサン残基、
・Ｗを以下から誘導することができる：ＵＶ−遮蔽分子、水和又は緩和分子、コンディショナー、耐電防止剤、制汗剤、芳香性物質、還元性分子、酸化分子、着色分子、抗菌剤、抗ふけ剤、一又は複数のポリマーを任意に吸着した無機又は有機粒子、及び有機又は無機粒子を任意に吸着したアニオン性又はノニオン性、両性又はカチオン性フィルム形成剤。
【請求項２】
錯化化合物ｂ）を式（II）の化合物から選択することを特徴とする、請求項１に記載の組成物：
Ｄ(Ａ')n'(Ｘ)m'(α')p'      （II）
・α'は、ケラチン物質に共有結合することができる固着基を意味し
・ＸはＺ'又はＣＷ'を意味し
・Ｚ'、Ｗ'、Ａ'、ｍ'、ｎ'及びｐ'はＺ、Ｗ、Ａ、ｍ、ｎ及びｐとそれぞれ式（Ｉ）におけるのと同じ意味を有することができ
・Ｃは残渣Ｗを活性な錯化成分Ｄに結合させる部分であり
・Ｄは、組合せＤ(Ａ')n'(Ｘ)m'(α')p'が一又は複数の化合物ａ）と、２５℃の温度における解離定数が０．１より小さい錯体を形成し得るものである。
【請求項３】
化合物ａ）又はｂ）において、固定基α及び／又はα'を以下の基から選択することを特徴とする、請求項２に記載の化粧組成物：チオスルフェート；アルデヒド；エポキシド；アルコキシシラン；シラノール；アジリジン；アセタール；ヘミアセタール；アミナール；ヘミアミナール；オキサジン及びオキサゾリン；オキサジニウム及びオキサゾリニウム；ビニル及び活性化ビニル；アクリロニトリル、アクリル及びメタクリルエステル、クロトン酸及びエステル、ケイヒ酸及びエステル、スチレン及び誘導体、ブタジエン、ビニルエーテル、ビニルアセトン、マレイン酸エステル、ビニルスルホン、マレイミド；ケトン及びα−ヒドロキシケトン、α−ハロケトン；アルキル、アリール又はアリールアルキルハライドＲＸ（Ｘ＝Ｉ、Ｂｒ又はＣｌ）；不飽和環（炭素主体の環又はヘテロ環）のハライドＲＸ：クロロトリアジン、クロロピリミジン、クロロキノキサリン、クロロベンゾトリアゾール；スルホニルハライド：ＲＳＯ2Ｃｌ又は−Ｆ；（最後の３例の場合、他の離脱基ＸはＯＳＯ3Ｈ、Ｎ(Ｍｅ)3、ＳＯ2Ｍｅ、ＯＰＯ3Ｈ、ＳＯ2Ｅｔであってもよい）；パラ−ニトロフェニルエステル；ペンタフルオロフェニルエステルシロキサン；ハロゲノシラン；ハロゲノアセテート；ヒドラジン；酸；ジフルオロジニトロベンゼン；Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル：ピリジルジチオ；ニトロベンジルチオ；イミデート；フェニル無水物又はアジド、ベンゾフェノン、酸ハライド、ラクトン及びチオラクトン、イソシアナート及びイソチオシアナート；ジアゾアルカン及びチオール。
【請求項４】
第１段階でｐ≠０かつＹがＺを意味する化合物ａ）を共有結合によってケラチン物質へ沈着させ、次いで第２段階でｐ'≠０かつＸがＣＷ'を意味する化合物ｂ）を適用することから成る、ケラチン物質、特に毛髪の処置方法。
【請求項５】
第１段階でｐ≠０かつＹがＢＷを意味する化合物ａ）を共有結合によってケラチン物質へ沈着させ、次いで第２段階でｐ'≠０かつＸがＣＷ'を意味する化合物ｂ）を適用することから成る、ケラチン物質、特に毛髪の処置方法。
【請求項６】
第１段階でｐ'≠０かつＸがＺ'を意味する化合物ｂ）を共有結合によってケラチン物質へ沈着させ、次いで第２段階でｐ≠０かつＹがＢＷを意味する化合物ａ）を適用することから成る、ケラチン物質、特に毛髪の処置方法。
【請求項７】
第１段階でｐ'≠０かつＸがＣＷ'を意味する化合物ｂ）を共有結合によってケラチン物質へ沈着させ、次いで第２段階でｐ≠０かつＹがＢＷを意味する化合物ａ）を適用することから成る、ケラチン物質、特に毛髪の処置方法。
【請求項８】
第１の区画にｐ≠０かつＹがＢＷを意味する化合物ａ）及び、第２の区画にｐ'≠０かつＸがＺ'を意味する化合物ｂ）を含むことを特徴とする、ケラチン物質を処置するキット。
【請求項９】
第１の区画にｐ≠０かつＹがＺを意味する化合物ａ）及び、第２の区画にｐ'≠０かつＸがＣＷ'を意味する化合物ｂ）を含むことを特徴とする、ケラチン物質を処置するキット。
【請求項１０】
第１の区画にｐ≠０かつＹがＢＷを意味する化合物ａ）及び、第２の区画にｐ'≠０かつＸがＣＷ'を意味する化合物ｂ）を含むことを特徴とする、ケラチン物質を処置するキット。
【請求項１１】
毛髪を持続的に再形成する還元剤又は酸化剤、酸化染料、漂白剤、シャンプー又はスタイリング組成物によって形成される群から選択する化粧処置から成る先行する過程を含み、次いで請求項１ないし３のいずれか１項に記載された一又は複数の化粧組成物を十分な量で適用することを特徴とする、ケラチン物質の処置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
好ましくは１つ以上の他の抗酸化剤および／またはビタミン、好ましくはパルミチン酸ビタミンＡ、ビタミンＣおよびその誘導体、ＤＬ−α−トコフェロール、酢酸トコフェロールＥ、ニコチン酸、パントテン酸ならびにビオチンから選択される、を含むことを特徴とする、酸化的ストレスに対して体細胞を守るための、特に皮膚老化を軽減するための、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソイステロール、ピリドキシン類、リボフラビン類、トコフェロール類、タウリン、イノシトールヘキサニコチネート及びパンテチンからなる群から選ばれる１種又は２種以上を含有する血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項２】
請求項１において、ピリドキシン類がピリドキシン、ピリドキサール、ピリドキサミン又はそれらの塩からなる群から選ばれる１種又は２種以上である血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項３】
請求項１において、ピリドキシン類が塩酸ピリドキシンである血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項４】
請求項１において、リボフラビン類がリボフラビン、酪酸リボフラビン又はリン酸リボフラビンからなる群から選ばれる１種又は２種以上である血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項５】
請求項１において、リボフラビン類が酪酸リボフラビンである血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項６】
請求項１において、トコフェロール類がα−トコフェロール、β−トコフェロール、γ−トコフェロール、δ−トコフェロール及びそれらの塩からなる群から選ばれる１種又は２種以上である血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項７】
請求項１において、トコフェロール類がｄ−α−トコフェロール、ｄｌ−α―トコフェロール又はそれらの塩からなる群から選ばれる１種又は２種以上である血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項８】
請求項１において、トコフェロール類が酢酸ｄ−α−トコフェロール、酢酸ｄｌ−α−トコフェロール、コハク酸ｄ−α−トコフェロール及びコハク酸ｄｌ−α−トコフェロールからなる群から選ばれる１種又は２種以上であるである血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項９】
請求項１において、血管内皮酸化窒素合成酵素活性低下及び／又は血管内皮由来血中酸化窒素濃度低下に起因する各種疾病の治療または予防するための血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項１０】
請求項１において、各種疾病により発現する血管内皮酸化窒素合成酵素活性低下及び／又は血管内皮由来血中酸化窒素濃度低下に対して用いられる血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【請求項１１】
内皮性酸化窒素が内皮性一酸化窒素である、請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の血管内皮性酸化窒素の合成促進剤。
【請求項１２】
内皮性酸化窒素が内皮性一酸化窒素である、請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の内皮性酸化窒素血中濃度の維持・向上剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂ細胞に特異的な表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む、選択的細胞傷害性試薬。
【請求項２】
Ｂ細胞に特異的な表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的細胞傷害性試薬であって、該表面マーカーがＣＤ２２である、試薬。
【請求項３】
Ｂ細胞に特異的な表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的細胞傷害性試薬であって、前記表面マーカーがＣＤ７４である、試薬。
【請求項４】
Ｂ細胞に特異的な表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的細胞傷害性試薬であって、前記抗体がＬＬ１である、試薬。
【請求項５】
Ｂ細胞に特異的な細胞表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的細胞傷害性試薬の、悪性Ｂ細胞を殺傷するための医薬の製造における使用であって、該細胞表面マーカーがＣＤ２２である、使用。
【請求項６】
ＣＤ７４に対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的組換え細胞傷害性試薬の、ＣＤ７４細胞表面マーカーを有する悪性細胞を殺傷するための医薬の製造における、使用。
【請求項７】
前記殺傷させるべき細胞が、神経芽細胞腫、黒色腫、および骨髄腫からなる群より選択される、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記細胞表面マーカーがＣＤ７４である、請求項６に記載の使用。
【請求項９】
前記抗体がＬＬ１である、請求項６に記載の使用。
【請求項１０】
Ｂ細胞に特異的な細胞表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的細胞傷害性試薬を、薬学的に受容可能なキャリアとともに含む薬学的組成物であって、該ｏｎｃタンパク質が、配列番号１に記載のアミノ酸配列を有し、該細胞表面マーカーがＣＤ２２である、薬学的組成物。
【請求項１１】
Ｂ細胞に特異的な細胞表面マーカーに対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的細胞傷害性試薬を、薬学的に受容可能なキャリアとともに含む薬学的組成物であって、該ｏｎｃタンパク質が、配列番号１に記載のアミノ酸配列を有し、該細胞表面マーカーがＣＤ７４である、薬学的組成物。
【請求項１２】
前記抗体がＬＬ１である、請求項１１に記載の薬学的組成物。
【請求項１３】
ＣＤ７４に対する抗体に連結した測定可能なリボ核酸分解活性を有するｏｎｃタンパク質を含む選択的組換え細胞傷害性試薬を含む、ＣＤ７４細胞表面マーカーを有する悪性細胞を殺傷するための薬学的組成物。
【請求項１４】
前記殺傷させるべき細胞が、神経芽細胞腫、黒色腫、および骨髄腫からなる群より選択される、請求項１３に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤とガンマーオリザノール及び／又はチアミン類とを含
有する医薬組成物。
【請求項２】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤がプラバスタチン、ロバスタチン、シンバスタチン、
フルバスタチン、リバスタチン、アトルバスタチン、ピタバスタチン及びロスバスタチン
からなる群から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１に記載された組成物。
【請求項３】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤がシンバスタチン又はアトルバスタチンからなる群か
ら選ばれる１種又は２種以上である、請求項１に記載された組成物。
【請求項４】
チアミン類がチアミン、ジセチアミン、オクトチアミン、シコチアミン、ビスイブチアミ
ン、ビスベンチアミン、フルスルチアミン、プロスルチアミン、ベンフォチアミン及び／
又はそれらの塩からなる群から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１乃至請求項３
から選択されるいずれか１に記載された組成物。
【請求項５】
チアミン類がベンフォチアミンである、請求項１乃至請求項３から選択されるいずれか１
に記載された組成物。
【請求項６】
血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／又は血管内皮性酸化窒素血中濃度の維持若しくは向
上するための、請求項１乃至請求項５から選択されるいずれか１に記載された組成物。
【請求項７】
血中脂質を改善するための、請求項１乃至請求項５から選択されるいずれか１に記載され
た組成物。
【請求項８】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤がシンバスタチンである、請求項７に記載された組成
物。
【請求項９】
血管内皮酸化窒素合成酵素活性低下及び／又は血管内皮由来血中酸化窒素濃度低下に起因
する疾病を予防若しくは治療するための、請求項１乃至請求項５から選択されるいずれか
１に記載された組成物。
【請求項１０】
血管内皮酸化窒素合成酵素活性低下及び／又は血管内皮由来血中酸化窒素濃度低下を引き
起こす疾病を予防若しくは治療するための、請求項１乃至請求項５から選択されるいずれ
か１に記載された組成物。
【請求項１１】
循環器疾患、脳血管障害、腎・泌尿器疾患、糖尿病、或いは、薬剤によりＮＯ産生の低下
が引き起こされた状態を予防若しくは治療するための、請求項１乃至請求項５から選択さ
れるいずれか１に記載された組成物。
【請求項１２】
高い血中脂質濃度に起因する疾病を予防若しくは治療するための、請求項１乃至請求項５
から選択されるいずれか１に記載された組成物。
【請求項１３】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤及びガンマーオリザノールを必須の成分として含有す
る、請求項１２に記載された組成物。
【請求項１４】
高脂血症又は動脈硬化を予防若しくは治療するための、請求項１乃至請求項５から選択さ
れるいずれか１に記載された組成物。
【請求項１５】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤とガンマーオリザノール及び／又はチアミン類とを、
同時に又は時間をおいて別々に投与することにより血管内皮性酸化窒素の合成促進及び／
又は血管内皮性酸化窒素血中濃度の維持若しくは向上するための、ＨＭＧ−ＣｏＡリダク
ターゼ阻害剤とガンマーオリザノール及び／又はチアミン類との組み合わせ。
【請求項１６】
ＨＭＧ−ＣｏＡリダクターゼ阻害剤とガンマーオリザノール及び／又はチアミン類とを、
同時に又は時間をおいて別々に投与することにより血中脂質を改善するための、ＨＭＧ−
ＣｏＡリダクターゼ阻害剤とガンマーオリザノール及び／又はチアミン類との組み合わせ
。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】  両端側に導電層が設けられていない部分があることを特徴とする、
請求項２１，２２，２３又は２４記載の電鋳管を製造するための細線材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】  外形状が断面円形状または断面多角形状に形成してあることを特徴とする、
請求項２１，２２，２３，２４又は２５記載の電鋳管を製造するための細線材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第２５の発明にあっては、
両端側に導電層が設けられていない部分があることを特徴とする、
第２１，第２２，第２３，又は第２４の発明に係る電鋳管を製造するための細線材である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
第２６の発明にあっては、
外形状が断面円形状または断面多角形状に形成してあることを特徴とする、
第２１，第２２，第２３，第２４又は第２５の発明に係る電鋳管を製造するための細線材である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシロキサンおよびウレタンオリゴマーを含む耐久性のあるフィルムでコーティングされたペルフルオロエラストマー製品。
【請求項２】
ペルフルオロエラストマー製品上に耐久性のあるポリシランウレタンオリゴマーフィルムを形成する方法であって、前記方法が、
Ａ．  ｉ）側鎖ヒドロキシル基を有するポリシロキサンおよびｉｉ）ブロック化されたイソシアネートを含む分散液で、硬化されたペルフルオロエラストマー製品をコーティングし、湿潤状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品を形成する工程と、
Ｂ．前記側鎖ヒドロキシル基が前記ブロック化イソシアネートと反応してウレタンオリゴマーを形成する温度未満で、前記の湿潤状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品を乾燥し、乾燥状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品を形成する工程と、
Ｃ．前記側鎖ヒドロキシル基が前記ブロック化されたイソシアネートと反応してウレタンオリゴマーを形成し、そして前記ペルフルオロエラストマー製品の表面に前記ポリシロキサンとウレタンオリゴマーを含む耐久性のあるフィルムを形成するような温度および十分な時間、前記の乾燥状態にコーティングされたフルオロエラストマー製品を加熱する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本発明のペルフルオロエラストマー製品は、高温（即ち２００°以上）および苛酷な化学的環境若しくはプラズマ環境下で加工を行う産業、例えば半導体製造装置および化学的加工産業に有用である。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め以下の発明を包含する。
（１）  ポリシロキサンおよびウレタンオリゴマーを含む耐久性のあるフィルムでコーティングされたペルフルオロエラストマー製品。
（２）  前記フィルムが０．１から１０ミクロンの間の厚さであることを特徴とする（１）に記載のペルフルオロエラストマー製品。
（３）  前記フィルムが３から７ミクロンの間の厚さであることを特徴とする（２）に記載のペルフルオロエラストマー製品。
（４）  前記ポリシロキサンが下式のポリシロキサンの混合物であることを特徴とする（１）に記載のペルフルオロエラストマー製品。
【化１】
2004115807.tif 000001
(式中、ｎおよびｍは、２種のシロキサンの数平均分子量が５００と５０００（ポリスチレン較正標準を用いたサイズ排除クロマトグラフィーで測定される。）の間になるような値である。）
（５）  前記ウレタンオリゴマーが、下式のイソシアネートをベースとすることを特徴とする（１）に記載のペルフルオロエラストマー製品。
【化２】
2004115807.tif 000002
（６）  ペルフルオロエラストマー製品上に耐久性のあるポリシランウレタンオリゴマーフィルムを形成する方法であって、前記方法が、
Ａ．  ｉ）側鎖ヒドロキシル基を有するポリシロキサンおよびｉｉ）ブロック化されたイソシアネートを含む分散液で、硬化されたペルフルオロエラストマー製品をコーティングし、湿潤状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品を形成する工程と、
Ｂ．前記側鎖ヒドロキシル基が前記ブロック化イソシアネートと反応してウレタンオリゴマーを形成する温度未満で、前記の湿潤状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品を乾燥し、乾燥状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品を形成する工程と、
Ｃ．前記側鎖ヒドロキシル基が前記ブロック化されたイソシアネートと反応してウレタンオリゴマーを形成し、そして前記ペルフルオロエラストマー製品の表面に前記ポリシロキサンとウレタンオリゴマーを含む耐久性のあるフィルムを形成するような温度および十分な時間、前記の乾燥状態にコーティングされたフルオロエラストマー製品を加熱する工程を含むことを特徴とする方法。
（７）  前記ポリシロキサンが下式のポリシロキサンの混合物であることを特徴とする（６）に記載の方法。
【化３】
2004115807.tif 000003
(式中、ｎおよびｍは、２種のシロキサンの数平均分子量が５００と５０００（ポリスチレン較正標準を用いたサイズ排除クロマトグラフィーで測定される。）の間になるような値である。）
（８）  前記ウレタンオリゴマーが、下式であることを特徴とする（６）に記載の方法。
【化４】
2004115807.tif 000004
（９）  前記分散液が、９対１と１対１の間の、ポリシロキサン対イソシアネートの重量比を有することを特徴とする（６）に記載の方法。
（１０）  前記湿潤状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品の乾燥が２０℃の空気中で行われることを特徴とする（６）に記載の方法。
（１１）  前記乾燥状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品の前記加熱が１００℃を超える温度で、５分を超えることを特徴とする（６）に記載の方法。
（１２）  前記乾燥状態にコーティングされたペルフルオロエラストマー製品の前記加熱が、２００℃の温度で、１０分間であることを特徴とする（１１）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共役ジエンポリマーまたはコポリマーを、不活性溶剤中、触媒系の存在下で水素と接触させる行程を含んでなる、上記共役ジエンポリマーまたはコポリマー中のオレフィン二重結合を水素化する方法であって、前記触媒系が、実質的に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物から選択される一種以上のチタン化合物からなる、方法：
【化１】
2004115809.tif 000001
（式中、
Ｍは、Ｔｉ（ＩＩＩ）およびＴｉ（ＩＶ）、ならびにそれらの混合物から選択されるものであり、
Ｒ”は、（ｉ）アニオン的性質を有する有機基または無機基であって、シクロペンタジエニルまたは置換されたシクロペンタジエニルとは異なる有機基または無機基、および、（ｉｉ）下記一般式（ＩＩ）で表されるオリゴマー基、から選択されるものであり、
基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、金属Ｍに配位したシクロペンタジエニル基と結合した原子または基を表すものであって水素、および前記シクロペンタジエニル基の、他の好適な有機置換基もしくは無機置換基から選択されるものであり、
Ｒ６は、
（ａ）無機陰イオン、
（ｂ）１〜２０個の炭素原子を有するヒドロカルビル、および
（ｃ）下記式（ＩＩ）で表されるＲ’、好ましくは、シクロペンタジエンおよび置換されたシクロペンタジエンから選択されるＲ’、
から選択されるものであり、
「ｗ」は、チタンの原子価に応じて０または１の値を有し、
Ｒ’は下記式（ＩＩ）で表されるオリゴマー基からなるものである：
−（ＡｘＤｙＵｚ）ＲＩ         （ＩＩ）
（式中、
Ａは、６〜２０個の炭素原子を有する、アニオン重合により重合し得ビニル芳香族基由来のすべてのモノマー単位を表し、
Ｄは、４〜２０個の炭素原子を有する、アニオン重合により重合し得る共役ジオレフィン由来のすべてのモノマー単位を表し、
Ｕは、所望により通常用いられるモノマー単位であって、前記共役ジオレフィンＤまたはビニル芳香族化合物Ａのいずれかと共重合し得る、不飽和化合物由来のすべてのモノマー単位を表し、
ＲＩは、１〜２０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基を表し、
指数「ｘ」および「ｙ」は、それぞれ独立してゼロまたは整数（ただし「ｘ＋ｙ」の合計は２以上である）であり、「ｚ」はゼロまたは１〜２０の整数であってよい）
を表す）。
【請求項２】
前記Ｒ６のヒドロカルビル基（ｂ）が、シクロペンタジエン、および置換されたシクロペンタジエンから選択されるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記式（ＩＩ）におけるＤ型モノマー単位が、４〜２０個の炭素原子を有する１，３ジオレフィン由来のものである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記式（ＩＩ）におけるＡ型モノマー単位が、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、およびビニルナフタレンから選択されるビニル芳香族化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記（ｘ＋ｙ）の合計が、２〜５０である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記式（ＩＩ）における「ｚ」がゼロである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記式（ＩＩ）における「ｘ」および「ｚ」が、両方ともにゼロであり、前記基Ｒ’が、平均重合度２〜５０である共役ジエンＤのオリゴマーからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記式（ＩＩ）におけるＲＩ基が、２〜１０個の炭素原子を有する脂肪族、環状脂肪族、芳香族、またはアルキル芳香族基である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
温度２０℃〜２００℃、かつ圧力１〜５０バールにおいて実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記一般式（Ｉ）で表される触媒が、水素化される（コ）ポリマーに対してチタン５０〜１５０ｐｐｍを含有してなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記不活性溶剤が、プロトン性不純物補集剤を最大１ミリモル／ｌ含有してなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記共役ジエンポリマーが、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエン、および３−ブチル−１，３−オクタジエンの重合体から選択されるものである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以下、本発明のシート体振分装置、画像記録装置およびシート体振分方法について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
臭素−または塩素含有酸および／またはアルコール成分が難燃性不飽和ポリエステル樹脂を製造するために使用されることは公知である。これらの成分の例にはヘキサクロロエンドメチレンテトラヒドロフタル酸（ＨＥＴ酸）、テトラブロモフタル酸およびジブロモネオペンチルグリコールがある。三酸化アンチモンは相乗剤としてしばしば使用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
電気および電子装置のための耐炎要求は製品安全の説明書および基準書に規定されている。米国では耐炎試験および承認方法が Underwriters Laboratories（ＵＬ) によって実施されそしてＵＬ仕様書が今日、全世界で受け入れられている。プラスチックスの燃焼試験は、発火および延焼に対しての材料の耐久性を測定するために開発された。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
プロトン化された窒素塩基は好ましくはアンモニア、メラミン、トリエタノールアミンのプロトン化された塩基、特にＮＨ4 + である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
１．不飽和ポリエステル樹脂を用いた結果
表１において、有機または無機リン化合物およびＤＥＰＡＬを不飽和ポリエステル樹脂（Viapal UP 403 BMT)の難燃剤として単独でおよび一緒に使用した比較を示す。この表は、単独で２５部（リン化合物）／１００部（不飽和ポリエステル）の濃度で単独使用してもＶ−０の格付けを達成できないことを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
表２：
エポキシ樹脂成形体( 材料肉厚１．８ｍｍ、樹脂：１００部のBeckopox EP 140 、硬化剤：３９部のBeckopox EH 625 ）のＵＬ９４に従う燃焼挙動
┌─────┬─────────────────┬───────┬────┐
│  実施例  │１００部の樹脂当たりの難燃剤の部数│ＵＬ９４格付け│ＬＯＩ  │
│  Ｎｏ．  │                                  │              │        │
├─────┼─────────────────┼───────┼────┤
│    ６    │１０部  ＤＥＰＡＬ                │  ｎ．ｃ．    │０．２７│
├─────┼─────────────────┼───────┼────┤
│    ７    │２０部  ＤＥＰＡＬ                │  Ｖ−１      │０．３２│
├─────┼─────────────────┼───────┼────┤
│    ８    │２５部  トリエチルホスファート    │  ｎ．ｃ．    │０．２５│
├─────┼─────────────────┼───────┼────┤
│    ９    │２５部  メラミンポリホスファート  │  Ｖ−１      │０．３９│
├─────┼─────────────────┼───────┼────┤
│  １０    │１０部  ＤＥＰＡＬ  ＋            │  Ｖ−０      │０．４１│
│（本発明）│１０部  トリエチルホスファート    │              │        │
├─────┼─────────────────┼───────┼────┤
│  １１    │１０部  ＤＥＰＡＬ  ＋            │  Ｖ−０      │０．４０│
│（本発明）│１０部  メラミンポリホスファート  │              │        │
└─────┴─────────────────┴───────┴────┘
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
Ｚは、相互に独立し、同一または相違していてもよく、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−Ｃ2Ｆ4−または単結合であり、および
ｎは、１または２である、
ただし、少なくとも１個の環Ａは、ジオキサン環である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
Ｒがアルキル基であって、この基中に存在する１個のＣＨ2基が−Ｏ−により置き換えられており、および１個のＣＨ2基が−ＣＯ−により置き換えられている場合、これらの基は隣接していると好ましい。従って、これらの基はアシルオキシ基−ＣＯ−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−ＣＯ−を含有する。これらの基は好ましくは、直鎖状であって、炭素原子２〜６個を有する。従って、これらの基は特に、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチル、２−アセトキシエチル、２−プロピオニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−アセトキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロピル、４−アセトキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−（エトキシカルボニル）エチル、２−（プロポキシカルボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）プロピル、３−（エトキシカルボニル）プロピルまたは４−（メトキシカルボニル）ブチルである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記各式中、各基は、下記に定義されているとおりである：
Ｒ0は、それぞれ９個までの炭素原子を有するｎ−アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキルまたはアルケニルであり；
Ｘ0は、ＦまたはＣｌであり、もしくは炭素原子１〜６個を有するハロゲン化されているアルキル基またはハロゲン化されているアルコキシ基、もしくは炭素原子２〜６個を有するハロゲン化されているアルケニル基であり；
Ｚ0は、−Ｃ4Ｈ8−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−Ｃ２Ｆ４−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−または−ＣＯＯ−であり；
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3およびＹ4は、それぞれ相互に独立し、ＨまたはＦであり；
ｒは、０または１である。
一態様において、Ｘ0は、Ｆ、ＣＦ３またはＯＣＦ３である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
−式ＩＶで表わされる化合物は好ましくは以下のものである：
【化１２】
2004115800.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
−式ＩＸで表わされる化合物は、好ましくは以下のものである：
【化１４】
2004115800.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【化１９】
2004115800.tif 000003
−Ｉ：（ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖ＋ＶＩ＋ＶＩＩ＋ＶＩＩＩ）重量比は好ましくは、１：１０〜１０：１である。
−媒体は基本的に、一般式Ｉ〜ＸＶＩで表される化合物からなる群から選択される化合物からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特開平５−２４５，８３８号公報（カナダ特許出願公開１９９３：６７２７００号明細書）には水酸化アルミニウム、赤燐と三酸化アンチモンが難燃性を向上させるために臭素化樹脂と組み合わされている。臭素−および塩素含有樹脂の欠点は腐食性ガスが燃焼時に発生することであり、これは電子部品、例えば鉄道車両のリレー部品に著しい損傷をもたらし得る。好ましくない条件は多重塩素化されたまたは臭素化されたジベンゾダイオキシン類およびフラン類の発生ももたらし得る。それ故に難燃性でハロゲン不含の不飽和ポリエステル樹脂および不飽和ポリエステル成形材料が要求されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
不飽和ポリエステル樹脂および不飽和ポリエステル成形材料に充填剤、例えば水酸化アルミニウムを含有させることは公知である。高温のもとで水酸化アルミニウムが水を放出することによってある程度の難燃性が達成される。１００部のＵＰ樹脂当たりに１５０〜２００部の水酸化アルミニウムの充填度では、自己消火性および低い煙密度(smoke density) を達成することができる。この種類の系の欠点はそれの高い比重であり、例えば中空ガラスビーズの添加によってこれを低減する試みがされている［Staufer, G.Sperl, M.,Begemann, M.,Buhl, Duell-Muehlbach, I.,"Kunststoffe" 85(1995),4 ]。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
不飽和ポリエステル樹脂はその化学的および物理的性質並びにその燃焼挙動において、上記不飽和ポリエステル樹脂と反対に熱可塑性ポリマーである名称の似たポリエステルと著しく相違している。これらのポリエステルも、不飽和ポリエステル樹脂についての上述の段落に記載した様な方法と全く異なる方法でも製造される。ポリエステルは例えばラクトン類の開環重合によって、または一般式−［Ｏ−Ｒ−（ＣＯ）］−のポリマーが得られるヒドロキシカルボン酸の重縮合によって製造される。ジオール類とジカルボン酸および／またはジカルボン酸の誘導体との重縮合は一般式−［Ｏ−Ｒ1 −Ｏ−（ＣＯ）−Ｒ2 −（ＣＯ）］−のポリマーを製造する。分岐したおよび架橋したポリエステルは３以上の官能性を有するアルコールと多官能性カルボン酸との重縮合によって得ることができる。  それ故に不飽和ポリエステル樹脂とポリエステルとは２種類の全く異なるポリマーでありそして完全に異なるポリマー群である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
プロトン化された窒素塩基は好ましくはアンモニア、メラミン、トリエタノールアミンのプロトン化された塩基、特にＮＨ4 + である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
１．不飽和ポリエステル樹脂を用いた結果
表１において、リンおよび窒素の有機または無機化合物およびＤＥＰＡＬを不飽和ポリエステル樹脂（Viapal UP 403 BMT)の難燃剤として単独でおよび一緒に使用した比較例を示す。この表は、単独で２５部／１００部（不飽和ポリエステル）の濃度で単独使用してもまたは２０部（リン化合物）／１００部（樹脂）の組合せを使用してもＶ−０の格付けを達成できないことを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（ａ）または（ａ’）で表されるシリコーンモノマーの組成物溶液に一般式（ｂ）で表される構造を有する重合禁止剤を加えて溶液を濃縮することを特徴とするシリコーンモノマー組成物の製造方法。
【化１】
2004115790.tif 000001
【化２】
2004115790.tif 000002
（ここで、Ａはシロキサニル基を表す。Ｒ１は重合性基を有する炭素数１〜２０の置換基を表す。Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立に水素、置換されていてもよい炭素数１〜２０の置換基または−Ｘ−Ａを表す。Ｘは置換されていてもよい炭素数１〜２０の２価の置換基を表す。Ｒ５は水素または炭素数１〜２０のｍ価の置換基を表す。ｍは１〜２０の整数を表す。Ｒ６〜Ｒ１０は少なくとも１つが水酸基を表し、その他はそれぞれ独立に水素、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基および置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基から選ばれた置換基を表す。）
【請求項２】
一般式（ａ）または（ａ’）中のＲ１−ＣＯＯ−部分が、アクリロキシ基またはメタクリロキシ基、Ｒ２〜Ｒ４が水素、−Ｘ−Ａが３−［メチルビス（トリメチルシロキシ）シリル］プロポキシメチル基または３−［トリス（トリメチルシロキシ）シリル］プロポキシメチル基であり、かつ、Ｒ５は水酸基であり、Ｒ６〜Ｒ１０はそれぞれ独立に水素、置換されていても良い炭素数１〜２０のアルキル基及び置換されていても良い炭素数６〜２０のアリール基から選ばれた置換基であることを特徴とする請求項１記載のシリコーンモノマー組成物の製造方法。
【請求項３】
シロキサニル基がトリス（トリメチルシロキシ）シリル基、メチルビス（トリメチルシロキシ）シリル基、ジメチル（トリメチルシロキシ）シリル基からなる群から選ばれた基であり、Ｒ５〜Ｒ１０がそれぞれ独立に水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基からなる群から選ばれた基であることを特徴とする請求項１または２記載のシリコーンモノマー組成物の製造方法。
【請求項４】
上式（ｂ）で表される重合禁止剤が２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノールであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシリコーンモノマー組成物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコーンモノマー組成物の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はシリコーンモノマー組成物の製造方法に関し、該シリコーンモノマー組成物を重合して得られるポリマーはコンタクトレンズ、眼内レンズ、人工角膜などの眼用レンズの原料として特に好適に用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は下記の構成を有する。すなわち、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）一般式（ａ）または（ａ’）で表されるシリコーンモノマーの組成物溶液に一般式（ｂ）で表される構造を有する重合禁止剤を加えて溶液を濃縮することを特徴とするシリコーンモノマー組成物の製造方法、
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化３】
2004115790.tif 000003
（ここで、Ａはシロキサニル基を表す。Ｒ１は重合性基を有する炭素数１〜２０の置換基を表す。Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立に水素、置換されていてもよい炭素数１〜２０の置換基または−Ｘ−Ａを表す。Ｘは置換されていてもよい炭素数１〜２０の２価の置換基を表す。Ｒ５は水素または炭素数１〜２０のｍ価の置換基を表す。ｍは１〜２０の整数を表す。Ｒ６〜Ｒ１０は少なくとも１つが水酸基を表し、その他はそれぞれ独立に水素、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基および置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基から選ばれた置換基を表す。）
（２）一般式（ａ）または（ａ’）中のＲ１−ＣＯＯ−部分がアクリロキシ基またはメタクリロキシ基、Ｒ２〜Ｒ４が水素、−Ｘ−Ａが３−［メチルビス（トリメチルシロキシ）シリル］プロポキシメチル基または３−［トリス（トリメチルシロキシ）シリル］プロポキシメチル基であり、かつ、Ｒ５は水酸基であり、Ｒ６〜Ｒ１０はそれぞれ独立に水素、置換されていても良い炭素数１〜２０のアルキル基及び置換されていても良い炭素数６〜２０のアリール基から選ばれた置換基であることを特徴とする上記（１）記載のシリコーンモノマー組成物の製造方法、
（３）シロキサニル基がトリス（トリメチルシロキシ）シリル基、メチルビス（トリメチルシロキシ）シリル基、ジメチル（トリメチルシロキシ）シリル基からなる群から選ばれた基であり、Ｒ５〜Ｒ１０がそれぞれ独立に水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基からなる群から選ばれた基であることを特徴とする上記（１）または（２）記載のシリコーンモノマー組成物の製造方法、および、
（４）上式（ｂ）で表される重合禁止剤が２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノールであることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のシリコーンモノマー組成物の製造方法、である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】基板の上面上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上面の一部が露出するように、前記バッファ層の上面上に接触するように形成されたマスク層と、
前記露出されたバッファ層の上面上および前記マスク層の上面上に形成された窒化物系半導体層と、
前記窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備え、
前記素子領域は、前記マスク層の中央部分上の部分を除く領域の前記窒化物系半導体層上に形成されたことを特徴とする、窒化物系半導体素子。
【請求項２】前記マスク層のマスク幅をｂ1とし、前記マスク層のマスク開口部の幅
をｗ1とした場合、前記マスク幅ｂ1および前記マスク開口部の幅ｗ1は、以下の式（１）
と式（２）と式（３）とを満たす範囲に設定されている、請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
ｂ1［μｍ］＋ｗ1［μｍ］≦  ４０［μｍ］     ・・・（１）
ｂ1［μｍ］≧  １［μｍ］                    ・・・（２）
ｗ1［μｍ］≧  １［μｍ］                    ・・・（３）
【請求項３】前記基板は、絶縁体、III-V族半導体、IV族半導体、IV- IV族半導体お
よびII-VI族半導体からなるグループより選択される１つの材料からなる、請求項１また
は２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】前記マスク層は、酸化物、窒化物および高融点金属からなるグループより選択される１つを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】基板の上面上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上面の一部が露出するように、前記バッファ層の上面上に接触するように、マスク層を形成する工程と、
前記マスク層を選択成長マスクとして、前記バッファ層の上面上および前記マスク層の上面上に窒化物系半導体層を成長させる工程と、
前記窒化物系半導体層上に、素子領域を有する窒化物系半導体素子層を形成する工程とを備え、
前記素子領域は、前記マスク層の中央部分上の部分を除く領域の前記窒化物系半導体層上に形成することを特徴とする、窒化物系半導体の形成方法。
【請求項６】前記マスク層のマスク幅をｂ1とし、前記マスク層のマスク開口部の幅
をｗ1とした場合、前記マスク幅ｂ1および前記マスク開口部の幅ｗ1は、以下の式（１）
と式（２）と式（３）とを満たす範囲に設定されている、請求項５に記載の窒化物系半導体の形成方法。
ｂ1［μｍ］＋ｗ1［μｍ］≦  ４０［μｍ］     ・・・（１）
ｂ1［μｍ］≧  １［μｍ］                    ・・・（２）
ｗ1［μｍ］≧  １［μｍ］                    ・・・（３）
【請求項７】基板の上面上の全面にバッファ層を成長させた後、前記バッファ層をパターニングすることによって、前記基板の上面の一部が露出するように、所定の間隔を隔てて複数のバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層間に露出された基板の上面上にマスク層を成長させる工程と、
前記マスク層を選択成長マスクとして、前記バッファ層の上面上および前記マスク層の上面上に窒化物系半導体層を成長させる工程と、
前記窒化物系半導体層上に、素子領域を有する窒化物系半導体素子層を形成する工程とを備え、
前記素子領域は、前記マスク層の中央部分上の部分を除く領域の前記窒化物系半導体層上に形成することを特徴とする、窒化物系半導体の形成方法。
【請求項８】前記バッファ層の幅をｗ2とし、前記バッファ層の開口部の幅をｂ2とした場合、前記バッファ層の幅ｗ2および前記バッファ層の開口部の幅ｂ2は、以下の式（１）と式（２）と式（３）とを満たす範囲に設定されている、
請求項７に記載の窒化物系半導体の形成方法。
ｂ2［μｍ］＋ｗ2［μｍ］≦  ４０［μｍ］     ・・・（１）
ｂ2［μｍ］≧  １［μｍ］                    ・・・（２）
ｗ2［μｍ］≧  １［μｍ］                    ・・・（３）
【請求項９】前記基板は、絶縁体、III-V族半導体、IV族半導体、IV- IV族半導体お
よびII-VI族半導体からなるグループより選択される１つの材料からなる、請求項５〜８
のいずれか１項に記載の窒化物系半導体の形成方法。
【請求項１０】前記マスク層は、酸化シリコン、窒化物および高融点金属からなるグループより選択される１つを含む、請求項５〜９のいずれか１項に記載の窒化物系半導体の形成方法。