【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】  明細書
【発明の名称】  電子部品実装体とそれを用いた電子機器と電子部品実装体の製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくともその一面に導電パターンが設けられた基板と、この基板の前記導電パターンの接続面に導電性接着剤により接続した電子部品とを備え、前記導電パターンの接続面を粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成した電子部品実装体。
【請求項２】  電子部品は半導体集積素子（以下ＩＣと称す）よりなり、このＩＣの下面の突起電極を導電パターンの接続面に導電性接着剤で接続した請求項１に記載の電子部品実装体。
【請求項３】  導電パターンは厚膜印刷パターンよりなり、接続面はサンドブラストによる粗面とし、基板面の凹部はサンドブラストにより形成した請求項１、または２に記載の電子部品実装体。
【請求項４】  接続面の外周は外方に突出した形状とした請求項３に記載の電子部品実装体。
【請求項５】  導電パターンは厚膜印刷パターンよりなり、接続面はドライエッチングによる粗面とし、基板面の凹部はサンドブラストにより形成した請求項３、または４に記載の電子部品実装体。
【請求項６】  導電パターンの接続面および隣接する接続面間の凹部以外の部分をガラス膜で覆うとともに、このガラス膜の表面を粗面化した請求項１〜５のいずれか一つに記載の電子部品実装体。
【請求項７】  基板の導電パターンで覆われていない部分を粗面化した請求項１〜６のいずれか一つに記載の電子部品実装体。
【請求項８】  電子部品と基板間を、封止樹脂で封止した請求項７に記載の電子部品実装体。
【請求項９】  基板の少なくとも一面に導電パターンを形成し、次に前記導電パターンの少なくとも接続面を粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成し、その後電子部品の電極を、前記導電パターンの接続面に導電性接着剤により接続する電子部品実装体の製造方法。
【請求項１０】  導電パターンの形成後、この導電パターンの接続面に導通検査用の導電ゴム体を当接させて導電パターンの導通検査を行い、その後前記接続面を粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成する請求項９に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１１】  導電パターンは印刷により形成し、サンドブラストによりこの導電パターンの接続面を粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成する請求項９、または１０に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１２】  厚膜印刷によって形成した導電パターンの接続面を、ドライエッチングにより粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面にサンドブラストにより凹部を形成する請求項９、または１０に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１３】  導電パターンの接続面および隣接する接続面間の凹部以外の部分をガラス膜で覆うとともに、このガラス膜の表面と導電パターンの接続面の粗面化および凹部形成を同一工程により行う請求項９に記載の電子部品実装体の製造方法。
【請求項１４】  導電パターンの接続面間の基板表面の凹部は、導電パターンの接続面の粗面化と同一工程にて形成する請求項１０、または１１に記載の電子部品実装体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上に電子部品を実装した電子部品実装体とそれを用いた電子機器と電子部品実装体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種電子部品実装体は、基板の一面に形成した導電パターンの接続面に、電子部品の電極を導電性接着剤によって接続した構成となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成において問題となるのは、隣接する導電パターンの接続面間が電気的に短絡することであった。
【０００４】
すなわち近年の電子部品実装体においては、隣接する導電パターンの接続面間の距離がきわめて小さくなっており、よって導電性接着剤を溶融させて電子部品の電極を接続する際に、前記導電性接着剤の一部が隣接する接続面側へと流れ、これによって隣接する接続面間が電気的に短絡してしまうことが生ずることがあったのである。
【０００５】
そこで本発明は上記隣接する接続面間の電気的な短絡を防止することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
そしてこの目的を達成するために本発明は、少なくともその一面に導電パターンが設けられた基板と、この基板の前記導電パターンの接続面に導電性接着剤により接続した電子部品とを備え、前記導電パターンの接続面を粗面化するとともに、隣接する導電パターンの接続面間の基板面に凹部を形成したものであって、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成することにより接続面間の沿面距離が長くなり、これにより導電性接着剤の一部が溶融して流れても隣りの接続面に到達せず、この結果として両者間の電気的な短絡が防止できるのである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、少なくともその一面に導電パターンが設けられた基板と、この基板の前記導電パターンの接続面に導電性接着剤により接続した電子部品とを備え、前記導電パターンの接続面を粗面化するとともに、隣接する導電パターンの接続面間の基板面に凹部を形成したものであって、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成することにより接続面間の沿面距離が長くなり、これにより導電性接着剤の一部が溶融して流れても隣りの接続面に到達せず、この結果として両者間の電気的な短絡が防止できるのである。また、導電パターンの接続面を粗面化することにより、この接続面に付着した導電不良物質が除去されるとともに、その表面積も大きくなり、この結果として電子部品の電極との電気的な接続状態が安定化し、しかも導電性接着剤のアンカー効果が発現することで、電子部品の電極と基板の導電パターンの接続面との機械的な接続強度も強くなる。
【０００８】
さらに接続面を粗面化すれば、この接続面が鏡面のものに比較するとそれに乗った導電性接着剤がその外方から下方へと流れにくくなり、この流れにくくなる点と上記凹部の形成による沿面距離の拡大により、隣接する接続面間の短絡防止効果はさらに高いものとなる。
【０００９】
また請求項２の発明は、電子部品は半導体集積素子（以下ＩＣと称す）としたものであり、このＩＣの下面の突起電極を導電パターンの接続面に導電性接着剤で接続した請求項１に記載の電子部品実装体であって、ＩＣ下面の突起電極はきわめて小さいものであるが、それに対応する導電パターンの接続面が粗面化されているので、粗面化による接続面積の拡大と、導電性接着剤に対するアンカー効果の発現により、前記ＩＣの突起電極は導電パターンの接続面へ強固に接続されることになる。また導電パターンが粗面化されているので、ＩＣ実装時にこのＩＣの突起電極が導電パターンの接続面上を横すべりすることもなく、この点からも実装に対する信頼性の高いものとなる。
【００１０】
さらに請求項３の発明は、導電パターンが厚膜印刷パターンよりなり、接続面はサンドブラストによる粗面とし、基板面の凹部はサンドブラストにより形成した請求項１、または２に記載の電子部品実装体であって、サンドブラストによって導電パターンの接続面を粗面化およびその間の基板面の凹部形成することは、研磨粉の材質、粒径、導電パターンへの衝突スピード等を制御することにより容易に行うことができ、しかも導電パターンを厚膜印刷パターンにて形成しているので、この研磨によって前記接続面が穴あき状態で除去されてその接続面積が減少してしまうことがなく、むしろそれよりは印刷時に接続面の一部、例えば中央部分が盛り上がった状態となっても、このサンドブラストによってその部分を押し下げた状態とし、全体として平面に近づけることができ、よってこの接続面に電子部品の電極を接続しやすいものとなり、しかもこの平面化により導電性接着剤が外方から下方に落下しにくくなり、隣接する接続面間の短絡も防止できやすいものとなる。
【００１１】
さらにまた請求項４の発明は、接続面の外周は外方に突出した形状とした請求項３に記載の電子部品実装体であって、前記接続面も厚膜印刷パターンで形成しているので、これをサンドブラストで粗面化することにより、この接続面を請求項３の発明のごとく平面化することができ、この状態からこの接続面の外周を外方に突出させることで接続面の面積拡大が図れ、この結果として導電性接着剤を用いた電子部品の電極との接続強度が高いものとなり、しかも導電性接着剤が外方から下方に落下しにくくなり、隣接する接続面間の短絡も防止できやすいものとなる。
【００１２】
また請求項５の発明は、導電パターンを厚膜印刷パターンで形成するとともに、その接続面をドライエッチングによる粗面とし、基板面の凹部はサンドブラストにより形成した請求項３、または４に記載の電子部品実装体であって、出力調整を行うことにより、厚膜印刷パターンで形成した導電パターンの接続面を容易に粗面化することができ、しかも凹部形成はサンドブラストにより容易に形成することができる。
【００１３】
さらに請求項６の発明は、導電パターンの接続面および隣接する接続面間の凹部以外の部分をガラス膜で覆うとともに、このガラス膜の表面を粗面化した請求項１〜５のいずれか一つに記載の電子部品実装体であって、基板上において導電パターンの接続面および隣接する接続面間の凹部以外の部分をガラス膜で覆っているので、基板に対する導電パターンの密度強度が高く、剥離等がおきにくくなるとともに、接続面部以外の近接する導電パターン間においても短絡がなくなる。
【００１４】
また接続面間の基板には凹部を形成しているので、この間には十分な沿面距離がとれ、これにより接続面間においても短絡がおきなくなる。
【００１５】
また、ガラス膜の表面も粗面化しているので、電子部品の実装後に基板上をさらに封止樹脂で覆う場合には、封止樹脂がガラス膜の粗面部分に入り込んでアンカー効果が発現され、封止樹脂の封止強度が高くなり、さらに電子部品の下面にもガラス膜の粗面化により形成された毛細管経路を介して封止樹脂が入り込み、その結果としてこの封止樹脂が電子部品を基板に接着する接着剤の作用を果たし、その接続強度が高いものとなる。
【００１６】
さらに請求項７の発明は、基板の導電パターンで覆われていない部分を粗面化した請求項１〜６のいずれか一つに記載の電子部品実装体であって、基板を粗面化することにより、導電パターンの接続面以外の部分をガラス膜や封止樹脂で覆ったりする場合に基板が粗面化されていると、それらの基板に対する接着強度がきわめて高くなり、しかもこの基板の粗面化は導電パターンの接続面の粗面化時に同時に形成することが出来、別工程が不要で作業性の良いものとなる。
【００１７】
さらにまた請求項８の発明は、電子部品と基板間を、封止樹脂で封止した請求項７に記載の電子部品実装体であって、封止樹脂を電子部品と基板間に浸入させて電子部品の基板に対する接着固定を行う場合において、電子部品の実装前の基板を粗面化しているので、この粗面化による封止樹脂に対するアンカー効果の発現により、接着固定力が強化され、また電子部品実装後にこの電子部品を封止樹脂で覆った場合には基板の粗面化による毛細管現象の発現によりこの基板と電子部品間にも封止樹脂が浸入し、大きな接着力を発揮することにもなる。
【００１８】
さらにまた請求項９の発明は、基板の少なくとも一面に導電パターンを形成し、次に前記導電パターンの少なくとも接続面を粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成し、その後電子部品の電極を、前記導電パターンの接続面に導電性接着剤により隣接する電子部品実装体の製造方法であって、導電パターンの接続面を粗面化することにより、この接続面に付着した導電不良物質が除去されるとともに、その表面積も大きくなり、この結果として電子部品の電極との電気的な接続状態が安定化し、しかも導電性接着剤のアンカー効果が発現することで、電子部品の電極と基板の導電パターンの接続面との機械的な接続強度も強くなる。また隣接する接続面間の基板面に凹部を形成すれば、隣接する接続面間の沿面距離が大きくなって、接続面上から流れた導電性接着剤による短絡が生じにくくなる。
【００１９】
さらにまた請求項１０の発明は、導電パターンの形成後、この導電パターンの接続面に導通検査用の導電ゴム体を当接させて導電パターンの導通検査を行い、その後前記接続面を粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成する請求項９に記載の電子部品実装体の製造方法であって、導通検査後に接続面の粗面化を行うので、この導通検査時に接続面に残存付着してしまう導電ゴム体は粗面化時に除去されることとなり、この結果としてこの接続面に電子部品の電極を良好な状態で電気的、機械的な接続を行うことができる。また接続面からの導電ゴム体の除去とともに、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成することができるので、この接続面間における沿面距離が長くなり、これにより接続面の導電性接着剤による短絡が生じにくくなる。
【００２０】
また請求項１１の発明は、導電パターンを厚膜印刷により形成し、サンドブラストによりこの導電パターンの接続面の粗面化と、隣接する接続面間の基板面に凹部形成を行う請求項９、または１０に記載の電子部品実装体の製造方法であって、サンドブラストによって導電パターンの接続面を粗面化することは、研磨粉の材質、粒径、導電パターンへの衝突スピード等を制御することにより容易に形成することができ、しかも導電パターンを厚膜印刷パターンにて形成しているので、この研磨によって前記接続面が穴あき状態で除去されてその接続面積が減少してしまうことがなく、むしろそれよりは印刷時に接続面の一部、例えば中央部分が盛り上がった状態となっても、このサンドブラストによってその部分を押し下げた状態とし、全体として平面に近づけることができ、よってこの接続面に電子部品の電極を接続しやすいものとなる。また接続面が平面化すればその上から外方へと導電性接着剤が流れ落ちにくく、この点と隣接する接続面間の凹部形成により、隣接する接続面間の短絡が生じにくくなる。
【００２１】
さらに請求項１２の発明は、厚膜印刷によって形成した導電パターンの接続面を、ドライエッチングにより粗面化するとともに、隣接する接続面間の基板面にサンドブラストにより凹部を形成する請求項９、または１０に記載の電子部品実装体の製造方法であって、出力調整を行うことによって、厚膜印刷パターンで形成した導電パターンの接続面を容易に粗面化することができる。また隣接する接続面間の基板面の凹部はサンドブラストによって容易に形成することができる。
【００２２】
さらにまた請求項１３の発明は、導電パターンの接続面および隣接する接続面間の凹部以外の部分をガラス膜で覆うとともに、このガラス膜の表面と導電パターンの接続面の粗面化および凹部形成を同一工程により行う請求項９に記載の電子部品実装体の製造方法であって、ガラス膜と導電パターンの接続面の粗面化、および接続面間の凹部形成を例えばサンドブラストによって同一工程で行うので、作業性の良いものとなる。
【００２３】
また請求項１４の発明は、導電パターンの接続面間の基板の表面の凹部は、導電パターンの接続面の粗面化と同一工程にて形成する請求項１０、または１１に記載の電子部品実装体の製造方法であって、基板表面の凹部形成と、導電パターンの接続面の粗面化とを同一工程にて行うので、作業性の良いものとなる。
【００２４】
以下本発明の一実施形態を添付図面を用いて説明する。
【００２５】
図１、図２において、１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製の基板で、この基板１には図３、図４、図６に示すごとく必要箇所に複数の貫通孔２が設けられており、先ずこれら複数の貫通孔２内には図３に示すごとくＡｇＰｄ等の導電物質３が充填（図１４のＡ）される。
【００２６】
次に基板１の表面側には図３、図４のごとく貫通孔２内の導電物質３と導通するＡｇＰｄまたはＡｇ製の線状の導電パターン４が厚膜印刷によって形成され、また図３に示すごとく基板１の裏面側には同じく導電物質３と導通するＡｇＰｄまたはＡｇ製の円形の導電パターン４が厚膜印刷によって形成され（図１４のＢ）、この状態で導電物質３と導電パターン４の焼成（図１４のＣ）が行われる。
【００２７】
その後基板１表面の外周には図３に示すように、枠状の、また内周には図５に示すように結晶化ガラスよりなる四角形状の絶縁ガラス膜５が印刷され、さらにまた基板１裏面の略全面で導電パターン４を除く部分には図６に示すごとく絶縁ガラス膜５が印刷（図１４のＤ）によって形成され、これにより基板１への湿気の浸入を防ぎ、導電パターン４のマイグレーションを防止するようにしている。
【００２８】
この状態で基板１の絶縁ガラス膜５は８５０℃で焼成（図１４のＥ）される。
【００２９】
次に、耐湿性をさらに高めるために図１〜図３に示すように非結晶化ガラスよりなるオーバーコート膜６が印刷（図１４のＦ）により形成され、その後６００℃でオーバーコート膜６の焼成（図１４のＧ）が行われる。
【００３０】
以上の工程により、基板１表面には図５に示すごとく導電パターン４の接続面４ａだけが断続的なロの字状に表出した状態となっており、次の工程ではこの基板１表面側に導電ゴム板（図示せず）が当接され、また基板１裏面側の円形の導電パターン４には導通検査用電極（図示せず）が当接され、導通検査が行われる。
【００３１】
すなわち基板１表面側には、後述する電子部品の電極と接続するために、図５に示すように狭い間隔で導電パターン４の接続面４ａが複数接近配置されているので、夫々の接続面４ａにそれぞれ導通検査用電極を当接させるのは非常に困難な作業となるので、この表面側には導電ゴム板を押付けて全接続面４ａを短絡する。一方裏面側においては、図３のごとく前記接続面４ａと導電パターン４と貫通孔２内の導電物質３を介して導通する円形の導電パターン４が設けられているが、この円形の導電パターン４は図６からも理解されるように基板１裏面の全面に分散され、隣接間には十分な距離が設けられるので、容易に導通検査用電極を当接させることができる。
【００３２】
そして基板１の裏面側の二つの導電パターン４間の導通状態を確認することで、基板１表面の接続面４ａと裏面の円形の導電パターン４間の導通検査（図１４のＨ）を行う。
【００３３】
この導通検査の終了後は基板１表面の導電ゴム板と裏面の導通検査用電極を取外し、次に基板１の表面にサンドブラスト処理を行う。
【００３４】
すなわち基板１表面の接続面４ａ上には図３に示すごとく電子部品の一例として用いたＩＣ７の下面の突起電極７ａが導電性接着剤８で接続されるのであるが、上記接続面４ａには、上記導通検査時に押付けた導電ゴム板の一部が付着し、これにより接続面４ａと突起電極７ａ間の導通不良が生ずることがある。
【００３５】
そこでこのＩＣ７の実装前に接続面４ａ上の付着物を除去するために、基板１の表面側に対してサンドブラスト処理（図１４のＩ）を行うのである。
【００３６】
図７はサンドブラスト前の基板１表面を示し、粒径５〜７μｍのＳｉＣの研磨体を吹き付けるサンドブラスト処理を行うことによって接続面４ａは図８、図９に示すように粗面化が行われ、これによって表面への付着物の除去も行われ、この結果として上記接続面４ａと突起電極７ａの導通不良は生じなくなる。
【００３７】
またこの粗面化により、この接続面４ａに付着した導通不良物質が除去されるだけでなく、その表面積も大きくなり、この結果としてＩＣ７の突起電極７ａとの電気的な接続状態が安定化し、しかも導電性接着剤８のアンカー効果が発現することで、ＩＣ７の突起電極７ａと基板１の導電パターン４の接続面４ａとの機械的な接続強度も強くなる。特にＩＣ７下面の突起電極７ａはきわめて小さいものであるが、それに対応する導電パターン４の接続面４ａが粗面化されているので、粗面化による接続面積の拡大と、導電性接着剤８に対するアンカー効果の発現により、前記ＩＣ７の突起電極７ａは導電パターン４の接続面４ａへ強固に接続されることになる。また導電パターン４の接続面４ａが粗面化されているので、ＩＣ７実装時にこのＩＣ７の突起電極７ａが導電パターン４の接続面４ａ上を横すべりすることもなく、この点からも実装に対する信頼性の高いものとなる。
【００３８】
また本実施形態における導電パターン４は厚膜印刷パターンよりなるものであって、サンドブラストによって導電パターン４の接続面４ａを粗面化することは、研磨粉の材質、粒径、導電パターン４への衝突スピード等を制御することにより容易に形成することができ、しかも導電パターン４を厚膜印刷パターンにて形成しているので、この研磨によって前記接続面４ａが穴あき状態で除去されてその接続面積が減少してしまうことがなく、むしろそれよりは印刷時に接続面４ａの一部、例えば中央部分が盛り上がった状態となっても、このサンドブラストによってその部分を図９のごとく押し下げた状態とし、全体として平面に近づけることができ、よってこの接続面４ａにＩＣ７の突起電極７ａを接続しやすいものとなる。
【００３９】
なお前記接続面４ａも当然のことながら厚膜印刷パターンで形成しているので、これをサンドブラストで粗面化することにより、上述のごとくこの接続面４ａを平面化することができ、この状態からさらにサンドブラストを行うとこの接続面４ａの外周を図９のごとく外方に突出させることで接続面４ａの面積拡大が図れ、この結果として導電性接着剤８を用いたＩＣ７の突起電極７ａとの接続強度が高いものとなる。
【００４０】
また単に接続面４ａの粗面化を行うだけであれば、導電パターン４を厚膜印刷パターンで形成するとともに、その接続面４ａをドライエッチングにより粗面化しても良い。
【００４１】
なおこのサンドブラストにより導電パターン４の接続面４ａ以外にも、基板１の他の全ての部分、具体的には図３、図５に示す接続面４ａ内、外方のオーバーコート膜６の表面や導電パターン４と同一工程で基板１の対角線部分の二箇所に印刷された位置検出マーク９も粗面化される。
【００４２】
そして位置検出マーク９の方面を粗面化することにより、ＩＣ７の実装に際して基板１の光学式の位置検出を行う場合に、この位置検出マーク９表面における反射が少なくなって、位置検出精度が高くなり、その結果としてＩＣ７を基板１上に適切に実装することができる。
【００４３】
なおこの実装は上述のごとく接続面４ａ上に導電性接着剤８を印刷した後にＩＣ７を実装（図１４のＪ）し、その後５０〜１２０℃で導電性接着剤８の乾燥（図１４のＫ）を行うことによって行う。
【００４４】
次に本実施形態における特徴点について説明する。
【００４５】
図５に示すように上記導通検査後のサンドブラスト時において、基板１の表面側において複数の接続面４ａの配置された部分は絶縁ガラス膜５とオーバーコート膜６で覆われず、基板１の表面が露出した状態となっている。
【００４６】
したがって上記導通検査を行った後のサンドブラストによってこの基板１表面側は削られ図３、図９のごとく凹部１Ａが形成されることになる。
【００４７】
つまりサンドブラストはＳｉＣ製の研磨粉はＡｌ2Ｏ3製の基板１よりも硬く、よってサンドブラストにより凹部１Ａが形成されるのである。この凹部１Ａは図９に示すごとく隣接する導電パターン４の接続面４ａ間の基板１面にも形成された状態となっており、この様に隣接する接続面４ａ間の基板１面に凹部１Ａが形成されると隣接する接続面４ａ間の沿面距離が長くなり、これにより導電性接着剤８の一部が流れても隣りの接続面４ａに到達せず、この結果として両者間の電気的な短絡が防止できるのである。また、本実施形態では上述のごとくこの凹部１Ａ形成と同一工程で導電パターン４の接続面４ａを粗面化しており、接続面４ａの表面を粗面化すれば図９からも理解される様に、この接続面４ａが鏡面のものに比較するとそれに乗った導電性接着剤８がその外方から下方へと流れにくくなり、この流れにくくなる点と上記凹部１Ａの形成による沿面距離の拡大により、隣接する接続面４ａ間の短絡防止効果はさらに高いものとなる。
【００４８】
次に基板１とＩＣ７との間に図３の封止樹脂１０を注入（図１４のＬ）する。
【００４９】
この場合ＩＣ７の下方に位置する図５のオーバーコート膜６の表面は、上記サンドブラストにより図１０、図１１のごとく粗面化されており、この粗面化により封止樹脂１０の浸入を助ける毛細管現象が発現し、この結果として封止樹脂１０がＩＣ７と基板１間に浸入しやすくなる。また浸入した封止樹脂１０は次工程において１２０〜１５０℃で硬化（図１４のＭ）することにより、オーバーコート膜６表面の粗面化によるアンカー効果が発現し、この結果としてＩＣ７をこのオーバーコート膜６に強固に接着することになる。またＩＣ７の外方の基板１表面もサンドブラストにより図９のごとく凹部１Ａが形成されており、この凹部１Ａ内にも図１２、図１３に示す粗面が形成されており、これに図３のごとく封止樹脂１０が流入すると、アンカー効果により封止樹脂１０の外周部分に対する接着強度も高くなる。
【００５０】
以上のようにして図１、図２に示すＩＣ７の実装および封止樹脂１０による封止が完了すると基板１裏面の円形の導電パターン４の表面に図３に示す半田１１を塗布（図１４のＮ）し、最後にこの半田１１部に検査用端子（図示せず）を当接させて検査（図１４のＯ）を行う。
【００５１】
図１５、図１６は基板１表面のサンドブラスト（図１４のＩ）工程を説明するものである。
【００５２】
つまり図１５のごとく金属製、またはセラミック製のプレート１２上に長尺状の両面テープ１３の長手方向に基板１を貼付した状態で、図１６のごとくノズル１４から基板１への研磨粉の吹き付けにより粗面化と凹部１Ａの形成を行うのである。そしてこの様に、プレート１２上に両面テープ１３で基板１を貼付けて粗面化を行うようにすれば、ノズル１４から吹き出された研磨粉によって基板１がプレート１２上を揺動することはなく、この結果として基板１の導電パターン４の接続面４ａ、および基板１外周部の粗面化と凹部１Ａの形成が確実に行えるようになるのである。
【００５３】
つまり図１５、図１６の各基板１は、大基板に分割用の溝を形成し、この溝で分割して形成したものであって、分割溝による分割で大基板から複数の基板１を分割形成すれば基板１の形成が簡単に行える。しかしながらこの様に基板１を分割形成するとその外周部にクラックが形成されることがある。そしてこの様に基板１の製造時に、その外周部にクラックが形成されていると、以後の製造工程において前記クラックから基板１の割れが発生してしまうことがあるので、本実施形態においてはこのクラックをノズル１４からの研磨粉の吹き付けにより事前に取除き、これにより基板１の割れを防止するようにしている。
【００５４】
またこの基板１の外周面のクラック除去のための粗面化を、導電パターン４の接続面４ａの粗面化および凹部１Ａの形成と同一工程にて行うことで、作業効率が良いものとしている。
【００５５】
なおノズル１４はプレート１２上を図１６のごとく矩形波状に掃引するようにしており、プレート１２上に複数設けた基板１に対してノズル１４から研磨粉を吹き付けて粗面化を行う場合、このノズル１４を矩形波状に掃引する様にすれば、小さなノズル１４でプレート１２上に複数配置した基板１に対して略均一な粗面化が行えることになる。
【００５６】
またこの場合、ノズル１４はプレート１２上に複数回往復掃引させるようにしており、ノズル１４を複数回往復掃引させることにより、プレート１２上に配置した複数の基板１に対する粗面化が十分にまた均一に行いやすくなる。
【００５７】
またノズル１４の第１回目の掃引軌跡と第２回目の掃引軌跡を異ならせても良く、第１回目の掃引軌跡と第２回目の掃引軌跡を異ならせることにより、ノズル１４から吹き出される研磨粉の吹出パターンにむらが生じていたとしても、プレート１２上に配置した複数の基板１に対して均一な粗面化と凹部１Ａ形成が行いやすいものとなる。
【００５８】
なお両面テープ１３の幅は図１５のごとく各基板１の幅よりも小さくしており、両面テープ１３の幅を基板１の幅よりも小さくすることによって、基板１の外周部のうち、一対の辺１ａは両面テープ１３の非接着面となる。このため、この一対の辺１ａ部分はノズル１４から吹き付けられる研磨粉によって粗面化が行われやすくなり、またこの粗面化後には基板１の両面テープ１３の非接着面部、つまり辺１ａ部分から基板１をプレート１２上から容易に取外すことができるようになる。
【００５９】
なお図１５においては一列目の基板１と二列目の基板１、二列目と三列目の基板１、三列目と四列目の基板１がその辺１ａ同士で接した様になっているが、これら隣接する基板１の辺１ａ同士間にはノズル１４からの研磨粉が十分に通過することができる隙間が形成されており、よって各列の基板１ともその辺１ａ部分の粗面化が十分に行える様になっている。
【００６０】
また基板１の他の一対の辺１ｂ部分の粗面化も効果的に行われるようにするには、長尺状の両面テープ１３の長手方向に、所定間隔をあけて複数の基板１を貼付すれば良く、各基板１の辺１ｂ間に所定間隔をあけておれば、その辺１ｂ部分にもノズル１４からの研磨粉が十分に到達でき、この結果として各基板１ともその辺１ｂ部分の粗面化も確実に行われるようになるのである。
【００６１】
なおこの様に各基板１の外周の辺１ａ，１ｂ部分間に間隙を設けても、辺１ｂ部分の中央部は両面テープ１３でプレート１２上に接着しているので、この部分の粗面化が十分に行われないことがある。
【００６２】
そこで、この場合には両面テープ１３の外径を基板１の外径よりも小さくし、この両面テープ１３を介してプレート１２上に各基板１を貼付するようにすれば良い。
【００６３】
つまりこの様にすれば基板１の外周（辺１ａ，１ｂ）全体に両面テープ１３の非接着面が形成され、その結果としてノズル１４から吹き出された研磨粉によって基板１の全外周部が粗面化されやすくなる。
【００６４】
また上記ノズル１４からの研磨粉による基板１の粗面化は次の様にして行っても良い。
【００６５】
つまり、ノズル１４によるプレート１２上の図１６に示す掃引後、プレート１２を略９０度回動させて再度ノズル１４によるプレート１２上の掃引を行うようにしても良く、この様にノズル１４によるプレート１２上の掃引後にプレート１２を略９０度回動させ、その後再びノズル１４によるプレート１２上の掃引を行うようにすれば、例えば基板１は一方向（Ｘ方向）と他方向（Ｙ方向）から粗面化が行われた状態にすることができ、より均一な粗面化が行われることになるのである。
【００６６】
またノズル１４の開口幅を基板１の幅よりも大きくしても良く、ノズル１４の開口幅をプレート１２上に配置した基板１の幅よりも大きくすることにより、ノズル１４から吹き出される研磨粉により各基板１とも一度ごとに全面的な粗面化が行われることとなるので、粗面化が均一なものとなりやすい。
【００６７】
またノズル１４から大径の研磨粉を基板１に吹き付けて粗面化と凹部１Ａ形成を行った後、前記大径の研磨粉より小径の研磨粉を基板１に吹き付けて粗面化と凹部１Ａ形成を行うようにしても良く、ノズル１４から大径の研磨粉を基板１に吹き付けることにより基板１面を大きく粗面化したり、不完全な導電パターン４を事前に分断して以後の不良を事前に防止したり深い凹部１Ａ形成ができ、しかもその後に特に接続面４ａの表面を小径の研磨粉で細粗面化を行えばＩＣ７の突起電極７ａの実装に支障を来たすこともなくなるのである。
【００６８】
なお以上の説明では基板１をプレート１２上に両面テープ１３で貼付したが次の様にして各基板１をプレート１２上に固定しても良い。
【００６９】
つまり、プレート１２上に複数の基板１を直線状に配置し、直線状となった前記複数の基板１の集合体の長手方向両側部をガイド部材で位置規制した状態で、ノズル１４から基板１へ研磨粉を吹き付け、これにより同時に多数枚の基板１の粗面化と凹部１Ａ形成を行うようにしても良い。
【００７０】
なお、ノズル１４からの研磨粉の吹き付けは図１７に示すように基板１の下方から行うようにしても良い。
【００７１】
つまり、プレート１２を図１７のごとく反転させて、その下面側に基板１を配置させ、この基板１の下方に設けたノズル１４から研磨粉を上方の基板１に吹き付けるようにしても良く、基板１の下方側のノズル１４から研磨粉を上方の基板１に吹き付ける様にすれば、粗面化や凹部１Ａ形成後の研磨粉や研磨屑は下方に落下して基板１上に残りにくくなる。この結果、これらの研磨粉や研磨屑が基板１上に残存することによる導電パターン４の接続面４ａにおけるＩＣ７の突起電極７ａとの接続不良等がおきにくく、または以後のこれら残存物の除去工程が簡単なものとなる。
【００７２】
またノズル１４から基板１への研磨粉の吹き付けによる粗面化後、基板１の粗面部分に酸素の少ない気体を吹き付けるようにしても良く、粗面化後の研磨粉や研磨屑を気体で基板１上から吹き飛ばすことにより、これらの研磨粉や研磨屑が基板１上に残ることによる導電パターン４の接続面４ａにおけるＩＣ７の突起電極７ａとの接続不良等がおきにくくなる。そしてこの様に研磨粉や研磨屑が除かれた基板１はさらに図１８のごとく超音波洗浄にて洗浄されることになる。
【００７３】
すなわち図１８において１５は水槽で、この水槽１５の底面下には超音波振動子１６が取付けられている。
【００７４】
また水槽１５内には網目状の容器１７が設けられ、この容器１７の各収納部１７ａ内に基板１が揺動自在に収納されている。
【００７５】
つまりこの実施形態では基板１を、酸素を含有しない液体の一例として用いたアルコール中にて超音波洗浄するものであって、粗面化後に液体中にて超音波洗浄することにより基板１上から研磨粉や研磨屑を除去して、これらの研磨粉や研磨屑が基板１上に残存することによる導電パターン４の接続面４ａにおけるＩＣ７の突起電極７ａとの接続不良等を防止するものである。しかも酸素を含有しない液体、例えばアルコールを用いて超音波洗浄するので、導電パターン４の接続面４ａがこの洗浄工程によって大きく酸化して、ＩＣ７の突起電極７ａとの接続が行えなくなることもない。
【００７６】
また液体としてアルコールを用いたことにより超音波洗浄により導電パターン４の接続面４ａが酸化することもなく、しかも洗浄後には容易に乾燥させることができる。
【００７７】
さらに図１８のごとく容器１７内に複数の基板１を立てた状態で超音波洗浄を行えば一度に多数枚の基板１の洗浄を行うことができ、しかも基板１が立設されているので、研磨粉や研磨屑が基板１下方に落下することになり、高い洗浄効果が得られる。
【００７８】
また容器１７の各収納空間１７ａに基板１を揺動自在に収納させているので、超音波洗浄時に基板１が揺動することとなり、その結果として洗浄効果を高めることができる。そしてこの様に基板１の洗浄が終了した後は、アルコール中から基板１を取出し、これを乾燥させることになる。
【００７９】
その際アルコール中から取出した基板１に酸素含有量の少ない気体を吹き付ける。そしてこの様に洗浄後の基板１に気体を吹き付けることにより、基板１の乾燥を速くすることができるだけでなく、基板１に再付着した研磨粉や研磨屑を効果的に除去することができ、しかも吹き付ける気体は酸素量の少ないものであるので、この気体吹き付けにより導電パターン４の接続面４ａが大きく酸化することもない。
【００８０】
またこの様な基板１の乾燥後には基板１を、脱空気雰囲気中にて保管することが好ましく、この基板１の導電パターン４の接続面４ａの大きな酸化を防止することができ、この結果として後工程におけるＩＣ７の突起電極７ａとの接続不良を防止することができる。
【００８１】
【発明の効果】
以上のように本発明は、少なくともその一面に導電パターンが設けられた基板と、この基板の前記導電パターンの接続面に導電性接着剤により接続した電子部品とを備え、前記導電パターンの接続面を粗面化するとともに、隣接する導電パターンの接続面間の基板面に凹部を形成したものであって、隣接する接続面間の基板面に凹部を形成することにより接続面間の沿面距離が長くなり、これにより導電性接着剤の一部が溶融して流れても隣りの接続面に到達せず、この結果として両者間の電気的な短絡が防止できるのである。また、導電パターンの接続面を粗面化することにより、この接続面に付着した導電不良物質が除去されるとともに、その表面積も大きくなり、この結果として電子部品の電極との電気的な接続状態が安定化し、しかも導電性接着剤のアンカー効果が発現することで、電子部品の電極と基板の導電パターンの接続面との機械的な接続強度も強くなる。
【００８２】
さらに接続面を粗面化すれば、この接続面が鏡面のものに比較するとそれに乗った導電性接着剤がその外方から下方へと流れにくくなり、この流れにくくなる点と上記凹部の形成による沿面距離の拡大により隣接する接続面間の短絡防止効果はさらに高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一実施形態の斜視図
【図２】
同平面図
【図３】
同要部断面図
【図４】
同製造工程にある基板の平面図
【図５】
同製造工程にある基板の平面図
【図６】
同製造工程にある基板の裏面図
【図７】
同製造工程にある基板の要部斜視図
【図８】
同製造工程にある基板の要部斜視図
【図９】
同製造工程にある基板の要部断面図
【図１０】
同製造工程にあるオーバーコート膜の断面図
【図１１】
同製造工程にあるオーバーコート膜の断面図
【図１２】
同製造工程にある基板の断面図
【図１３】
同製造工程にある基板の断面図
【図１４】
同製造工程図
【図１５】
同製造工程の粗面化工程を示す平面図
【図１６】
同平面図
【図１７】
同側面図
【図１８】
同洗浄工程を示す断面図
【符号の説明】
１  基板
１Ａ  凹部
２  貫通孔
３  導電物質
４  導電パターン
４ａ  接続面
５  絶縁ガラス膜
６  オーバーコート膜
７  ＩＣ
７ａ  突起電極
８  導電性接着剤
１０  封止樹脂