【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マイクロ波が透過可能な誘電体窓を形成したプラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に設置した、被処理基体を支持する支持手段と、
前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入する処理用ガス導入手段と、
前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、
前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓から前記マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを有するプラズマ処理装置であって、
前記誘電体窓と前記支持手段の間に、前記誘電体窓と前記被処理気体の中心を結ぶ線に平行な赤外光、可視光及び紫外光は通過せず且つ前記処理用ガスは通過する高コンダクタンス不透明部材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】  前記高コンダクタンス不透明部材は、穿孔された複数の平板を、孔が重ならないように並行に配置したもの、又は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】  前記高コンダクタンス不透明部材は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものであり、前記高コンダクタンス不透明部材の表面は階段状であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】  前記高コンダクタンス不透明部材は、材質が表面をアルマイト加工したアルミ合金からなるものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】  マイクロ波が透過可能な誘電体窓を有するプラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に設置された、被処理基体を支持する支持手段と、
前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入する処理用ガス導入手段と、
前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、
前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓からマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓と前記支持手段の間に、前記処理用ガスの通過路を有する遮光部材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】  前記遮光部材は、穿孔された複数の平板を、孔が重ならないように並行に配置したもの、又は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものであることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】  前記高コンダクタンス不透明部材は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものであり、前記高コンダクタンス不透明部材の表面は階段状であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】  前記高コンダクタンス不透明部材は、材質が表面をアルマイト加工したアルミ合金からなるものであることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】  マイクロ波が透過可能な誘電体窓を形成したプラズマ処理室内に被処理基体を設置し、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入し且つ前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓から前記マイクロ波を導入することにより、前記被処理基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記誘電体窓と前記被処理基体の間を、前記誘電体窓と前記被処理気体の中心を結ぶ線に平行な赤外光、可視光及び紫外光は通過できず且つ前記処理用ガスは通過できる状態に設定することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】  マイクロ波が透過可能な誘電体窓を有するプラズマ処理室内に被処理基体を設置し、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入し且つ前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓から前記マイクロ波を導入することにより前記被処理基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記被処理基体に対して、プラズマの光を遮光することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
更に、いわゆるマイクロ波プラズマアッシング装置を使用する被処理基体のアッシング処理は、例えば次のようにして行われる。即ち、当該装置の処理室内にアッシングガスを導入し、同時にマイクロ波エネルギーを投入してアッシングガスを励起、分解して処理室内にプラズマを発生させ、これによって処理室内に配された被処理基体の表面をアッシングする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このようなマイクロ波プラズマ処理装置を用いることにより、マイクロ波パワーが１ｋＷ以上で、直径３００ｍｍ程度の大口径空間に±３％以内σの均一性をもって、電子密度１０12／ｃｍ3 以上、電子温度３ｅＶ以下、プラズマ電位２０Ｖ以下の高密度低電位プラズマが発生できるので、ガスを充分に反応させて活性な状態で被処理基体３０２に供給でき、且つ入射イオンによる被処理基体３０２の表面ダメージも低減するので、低温でも高品質で均一且つ高速な処理が可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置は、マイクロ波が透過可能な誘電体窓を形成したプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置した、被処理基体を支持する支持手段と、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入する処理用ガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓から前記マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓と前記支持手段の間に、前記誘電体窓と前記被処理気体の中心を結ぶ線に平行な赤外光、可視光及び紫外光は通過せず且つ前記処理用ガスは通過する高コンダクタンス不透明部材を備えている。
本発明のプラズマ処理装置の一態様において、前記高コンダクタンス不透明部材は、穿孔された複数の平板を、孔が重ならないように並行に配置したもの、又は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものである。
本発明のプラズマ処理装置の一態様において、前記高コンダクタンス不透明部材は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものであり、前記高コンダクタンス不透明部材の表面は階段状である。
本発明のプラズマ処理装置の一態様において、前記高コンダクタンス不透明部材は、材質が表面をアルマイト加工したアルミ合金からなるものである。
本発明のプラズマ処理装置は、マイクロ波が透過可能な誘電体窓を有するプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置された、被処理基体を支持する支持手段と、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入する処理用ガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓からマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓と前記支持手段の間に、前記処理用ガスの通過路を有する遮光部材を備えている。
本発明のプラズマ処理装置の一態様において、前記遮光部材は、穿孔された複数の平板を、孔が重ならないように並行に配置したもの、又は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものである。
本発明のプラズマ処理装置の一態様において、前記高コンダクタンス不透明部材は、互いに径が異なる複数の傘リングを同心円状に配置したもの、又は、断面が拡開形状の複数の平板を並行に配置したものであり、前記高コンダクタンス不透明部材の表面は階段状である。
本発明のプラズマ処理装置の一態様において、前記高コンダクタンス不透明部材は、材質が表面をアルマイト加工したアルミ合金からなるものである。
本発明のプラズマ処理方法は、マイクロ波が透過可能な誘電体窓を形成したプラズマ処理室内に被処理基体を設置し、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入し且つ前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓から前記マイクロ波を導入することにより、前記被処理基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓と前記被処理基体の間を、前記誘電体窓と前記被処理気体の中心を結ぶ線に平行な赤外光、可視光及び紫外光は通過できず且つ前記処理用ガスは通過できる状態に設定する。
本発明のプラズマ処理方法は、マイクロ波が透過可能な誘電体窓を有するプラズマ処理室内に被処理基体を設置し、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入し且つ前記プラズマ処理室内へ前記誘電体窓から前記マイクロ波を導入することにより前記被処理基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記被処理基体に対して、プラズマの光を遮光する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【作用】
本発明においては、赤外光、可視光及び紫外光のようなプラズマ光を非透過とし且つプラズマ種（電子、イオン、ラジカル及びそれらの反応生成物等）を含む処理用ガスを通過自在とする高コンダクタンス不透明部材を誘電体窓と被処理基体との間に設けることにより、高密度プラズマを用いて高速処理を行う場合でも、高密度プラズマやプラズマに接している誘電体窓からの強い輻射熱による処理性能の変化のない安定したプラズマ処理を行うことが可能となる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本実施形態では、マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法を例示する。  図１（ａ）に当該装置の概要構成を示す。図１（ａ）において、１０１はプラズマ処理室、１０２は被処理基体、１０３は被処理基体１０２の支持体、１０４は基板温度調整手段、１０５はプラズマ処理室１０１の周辺に設けられたプラズマ処理用ガス導入手段、１０６は排気部、１０７はプラズマ処理室１０１を大気側と分離する誘電体窓、１０８はマイクロ波を誘電体窓１０７を透してプラズマ処理室１０１に導入するためのスロット付無終端環状導波管である。１０９は被処理基体１０２と誘電体窓１０７との間に設けられた高コンダクタンス不透明部材であり、プラズマ光から被処理基体を遮光しつつ、プラズマ種を含むガスの通過を許している。１１１はマイクロ波を左右に分配するＥ分岐、１１２はスロット、１１３は無終端環状導波管１０８内を伝搬するマイクロ波、１１４はスロット１１２を介し誘電体窓１０７を透過したマイクロ波により発生したプラズマ、１１５は誘電体窓１０７とプラズマ１１４との界面を伝搬し相互干渉するマイクロ波の表面波、１１６は表面波干渉により生成した高密度プラズマである。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
続いて、図１（ｂ）に示すように、マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を無終端環状導波管１０８を介してプラズマ処理室１０１内に供給する。この際、無終端環状導波管１０８内に導入されたマイクロ波１１３は、Ｅ分岐１１１で左右に二分配され、自由空間よりも長い管内波長をもって伝搬する。管内波長の１／２または１／４毎に設置されたスロット１１２を介して誘電体窓１０７を透過してプラズマ処理室１０１に導入されたマイクロ波により高密度プラズマ１１４が発生する。この状態で、誘電体窓１０７とプラズマ１１４の界面に入射したマイクロ波は、プラズマ１１４中には伝搬できず、誘電体窓１０７とプラズマ１１４との界面を表面波１１５として伝搬する。隣接するスロットから導入された表面波１１５同士が相互干渉し、表面波１１５の波長の１／２毎に電界の腹を形成する。この表面波１１５の干渉による腹電界によって高密度プラズマ１１６が生成する。周辺から導入された処理用ガスは、発生した高密度プラズマ１１６により励起・イオン化し、反応により活性化して、高コンダクタンス不透明部材１０９を通過して支持体１０３上に載置された被処理基体１０２の表面を均一に処理する。この際、高密度プラズマやプラズマに接している誘電体窓１０７からの強い輻射熱は高コンダクタンス不透明部材１０９により遮断されるので被処理基体１０２は過熱されず、安定な処理が可能である。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
高コンダクタンス不透明部材１０９の材質は、処理に悪影響を与えず、赤外光、可視光、及び紫外光を通さない不透明なものなら適用可能で、材質が表面をアルマイト加工したアルミ合金やＳｉ，Ｃ（炭素）、Ｔｉなどが適当である。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
基体を酸化表面処理する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する酸化性ガスとしては、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 などが挙げられる。また、基体を窒化表面処理する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する窒化性ガスとしては、Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ4 ，ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などが挙げられる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（実施例１）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、フォトレジストのアッシングを行った。
被処理基体１０２としては、層間ＳｉＯ2 膜をエッチングし、ビアホールを形成した直後のシリコン（Ｓｉ）基板（φ１２インチ）を使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面が拡開形状、ここではくの字型のものを使用した。この部材に垂直に入射する成分だけでなく斜入射成分も遮断することが可能である。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
先ず、シリコン基板である被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した後、ヒータ１０４を用いて２５０℃まで加熱し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-2Ｐａまで減圧させた。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して酸素ガスを２ｓｌｍの流量でプラズマ処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を１３３Ｐａに保持した。プラズマ処理室１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より２．５ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。この際、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入された酸素ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、分解、反応してオゾンとなり、被処理基体１０２の方向に輸送され、被処理基体１０２上のフォトレジストを酸化し、気化・除去された。アッシング後、アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評価した。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（実施例２）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、フォトレジストのアッシングを行った。
被処理基体１０２としては、層間ＳｉＯ2 膜をエッチングし、ビアホールを形成した直後のＳｉ基板（φ１２インチ）を使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面が異径同心円傘型、即ちシェブロン型のものを使用した。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
先ず、シリコン基板である被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した後、ヒータ１０４を用いて２００℃まで加熱し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-3Ｐａまで減圧させた。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して酸素ガスを２ｓｌｍの流量でプラズマ処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を２６７Ｐａに保持した。プラズマ処理室１０１内に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より２．５ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。この際、プラスマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入された酸素ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、分解、反応してオゾンとなり、被処理基体１０２の方向に輸送され、被処理基体１０２上のフォトレジストを酸化し、気化・除去された。アッシング後、アッシング速度と基板表面電荷密度などについて評価した。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（実施例３）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子保護用窒化シリコン膜の形成を行った。
被処理基体１０２としては、Ａｌ配線パターン（ラインアンドスペース０．５μｍ）が形成された層間ＳｉＯ2 膜付きφ３００ｍｍのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面がＺの字型のものを使用した。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
先ず、シリコン基板である被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した後、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-5Ｐａの値まで減圧させた。続いてヒータ１０４に通電し、シリコン基板１０２を３００℃に加熱し、該基板をこの温度に保持した。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して窒素ガスを６００ｓｃｃｍの流量で、また、モノシランガスを２００ｓｃｃｍの流量で処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を２．６７Ｐａに保持した。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
続いて、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より３．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。この際、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入された窒素ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、分解されて活性種となり、被処理基体１０２の方向に輸送され、モノシランガスと反応し、窒化シリコン膜が被処理基体１０２上に１．０μｍの厚みに形成した。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
（実施例４）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、プラスチックレンズ反射防止用酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の形成を行った。
被処理基体１０２としては、直径５０ｍｍプラスチック凸レンズを使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面がくの字型のものを使用した。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
先ず、レンズである被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した後、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-5Ｐａの値まで減
圧させた。次いで、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して窒素ガスを１５０ｓｃｃｍの流量で、また、モノシランガスを１００ｓｃｃｍの流量で処理室１０１内に導入した。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
続いて、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を６．６７×１０-1Ｐａに保持した。次いで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より３．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介してプラズマ処理１０１内に供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。この際、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入された窒素ガスは、プラズマ処理室１０１内で励起、分解されて窒素原子などの活性種となり、被処理基体１０２の方向に輸送され、モノシランガスと反応し、窒化シリコン膜が被処理基体１０２上に２０ｎｍの厚さで形成された。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
続いて、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して酸素ガスを２００ｓｃｃｍの流量で、また、モノシランガスを１００ｓｃｃｍの流量で処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を１．３３×１０-1Ｐａに保持した。次いで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より２．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介してプラズマ発生室１０１内に供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。この際、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入された酸素ガスは、プラズマ処理室１０１内で励起、分解されて酸素原子などの活性種となり、被処理基体１０２の方向に輸送され、モノシランガスと反応し、酸化シリコン膜が被処理基体１０２上に８５ｎｍの厚さで形成された。成膜後、成膜速度、反射特性について評価した。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
（実施例５）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子層間絶縁用酸化シリコン膜の形成を行った。
被処理基体１０２としては、最上部にＡｌパターン（ラインアンドスペース０．５μｍ）が形成されたφ３００ｍｍのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、低抗率１０Ωｃｍ）を使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面が拡開形状、ここではくの字型のものを使用した。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
先ず、シリコン基板である被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した。排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-5Ｐａの値まで減圧させた。続いてヒータ１０４に通電し、被処理基体１０２を３００℃に加熱し、該基板をこの温度に保持した。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して酸素ガスを５００ｓｃｃｍの流量で、また、モノシランガスを２００ｓｃｃｍの流量で処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズマ処理室１０１内を４．００Ｐａに保持した。次いで、４００ｋＨｚの高周波印加手段を介して３００Ｗの電力を支持体１０３に印加するとともに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より２．５ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介してプラズマ処理室１０１内に供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入された酸素ガスはプラズマ処
理室１０１内で励起、分解されて活性種となり、被処理基体１０２の方向に輸送され、モノシランガスと反応し、酸化シリコン膜が被処理基体１０２上に０．８μｍの厚みで形成された。この時、イオン種はＲＦバイアスにより加速されて基板に入射しパターン上の膜を削り平坦性を向上させる。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
（実施例６）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子層間ＳｉＯ2 膜のエッチングを行った。
被処理基体１０２としては、Ａｌパターン（ラインアンドスペース０．３５μｍ）上に１μｍ厚の層間ＳｉＯ2 膜が形成されたφ３００ｍｍのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、低抗率１０Ωｃｍ）を使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面が拡開形状、ここではくの字型のものを使用した。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
先ず、シリコン基板である被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した後、排気系（不図示）を介してエッチング室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-5Ｐａの値まで減圧させた。次いで、プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介してＣＦ6 を３００ｓｃｃｍの流量でプラズマ処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズマ処理室１０１内を６．６７×１０-1Ｐａの圧力に保持した。次いで、４００ｋＨｚの高周波印加手段を介して３００Ｗの電力を基板支持体１０３に印加するとともに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より３．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介してプラズマ処理室１０１内に供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入されたＣＦ4 ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、分解されて活性種となり、被処理基体１０２の方向に輸送され、自己バイアスによって加速されたイオンによって層間ＳｉＯ2 膜がエッチングされた。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
（実施例７）
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子ゲート電極間ポリシリコン膜のエッチングを行った。
被処理基体１０２としては、最上部にポリシリコン膜が形成されたφ３００ｍｍのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、低抗率１０Ωｃｍ）を使用した。高コンダクタンス不透明部材１０９としては断面が拡開形状、ここではくの字型のものを使用した。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
先ず、シリコン基板である被処理基体１０２を支持体１０３上に設置した後、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、１．３３×１０-5Ｐａの値
まで減圧させた。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介してＣＦ4 ガスを３００ｓｃｃｍ、酸素を２０ｓｃｃｍの流量でプラズマ処理室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズマ処理室１０１内を２．６７×１０-1Ｐａの圧力に保持した。次いで、４００ｋＨｚの高周波電源（不図示）からの高周波電力３００Ｗを基板支持体１０３に印加するとともに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より２．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介してプラズマ処理室１０１内に供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させた。プラズマ処理用ガス導入手段１０５を介して導入されたＣＦ4 ガス及び酸素はプラズマ処理室１０１内で励起、分解されて活性種となり、被処理基体１０２の方向に輸送され、自己バイアスにより加速されたイオンによりポリシリコン膜がエッチングされた。クーラ１０４により、基板温度は８０℃までしか上昇しなかった。
【手続補正４２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001115267.tif 000001
【手続補正４３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001115267.tif 000002