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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工基板上に、薄膜を形成し、
同形パターンと識別記号パターンが形成されたレチクルを用いてｎ回の露光を行い、前記薄膜上にｎ個の同形パターンと、前記ｎ個の同形パターンの各個を識別するためにそれぞれ異なるように識別記号パターンを組み合わせたｎ個の識別記号とを形成し、
１回の露光ごとに、前記ｎ個の同形パターンのうちいずれか１つと同時に、前記識別記号を形成する複数の前記識別記号パターンの少なくとも１つを前記薄膜上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
加工基板上に、薄膜を形成し、
同形パターンと、前記同形パターンの周辺部に複数の前記識別記号パターンが設けられたレチクルを用いてｎ回の露光を行い、前記薄膜上にｎ個の同形パターンと、前記ｎ個の同形パターンの各個を識別するために、それぞれ異なるように識別記号パターンを組み合わせたｎ個の識別記号とを形成し、
一回の露光により、前記ｎ個の同形パターンのうちいずれか１つと同時に、前記識別記号を形成する複数の前記識別記号パターンの少なくとも１つを前記薄膜上に形成した後、複数の前記識別記号パターンの少なくとも１つをずらして重複露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記レチクル上の複数の前記識別記号パターン領域のうち、それぞれ異なる一部の領域、もしくは全ての領域を遮蔽して露光することにより、前記識別記号パターンを用いて、それぞれ異なる複数の前記識別記号を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記薄膜を形成する工程と前記ｎ回の露光を行う工程を複数回繰り返すことを含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  半導体基板上に電子供給層とゲートコンタクト層を有する障壁層をエピタキシャル成長によって形成する工程と、 前記ゲートコンタクト層に不純物をドーピングすることにより第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのゲート領域をそれぞれ形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記ゲートコンタクト層に前記不純物をドーピングする前に、前記第１のトランジスタ部分の前記障壁層の上面のみに嵩上げ用の調整層を形成する工程を設け、 この調整層によって前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとで前記ゲートコンタクト層に拡散させた前記不純物の前記電子供給層までの距離を異ならせていることを特徴とする半導体装置の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  半導体基板上にエピタキシャル成長によって電子供給層とゲートコンタクト層を有する障壁層が形成され、前記ゲートコンタクト層に不純物をドーピングして形成したゲート領域を用いて第１のトランジスタと第２のトランジスタがそれぞれ形成された半導体装置において、  前記第１のトランジスタの前記障壁層上面のみに嵩上げ用の調整層を設け、前記ゲートコンタクト層に前記不純物をドーピングした際に、前記第１のトランジスタでは前記調整層を通過した前記不純物を前記ゲートコンタクト層に拡散させることにより、前記調整層によって前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとで前記ゲートコンタクト層に拡散した前記不純物の前記電子供給層までの距離を異ならせたことを特徴とする半導体装置。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】    【課題を解決するための手段】  そこで、本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に電子供給層とゲートコンタクト層を有する障壁層をエピタキシャル成長によって形成する工程と、ゲートコンタクト層に不純物をドーピングすることにより第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのゲート領域をそれぞれ形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、ゲートコンタクト層に不純物をドーピングする前に、第１のトランジスタ部分の障壁層の上面のみに嵩上げ用の調整層を形成する工程を設け、この調整層によって第１のトランジスタと第２のトランジスタとでゲートコンタクト層に拡散させた不純物の電子供給層までの距離を異ならせることとした。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  また、本発明の半導体装置では、半導体基板上にエピタキシャル成長によって電子供給層とゲートコンタクト層を有する障壁層が形成され、ゲートコンタクト層に不純物をドーピングして形成したゲート領域を用いて第１のトランジスタと第２のトランジスタがそれぞれ形成された半導体装置において、第１のトランジスタの障壁層上面のみに嵩上げ用の調整層を設け、ゲートコンタクト層に不純物をドーピングした際に、第１のトランジスタでは調整層を通過した不純物をゲートコンタクト層に拡散させることにより、調整層によって第１のトランジスタと第２のトランジスタとでゲートコンタクト層に拡散した不純物の電子供給層までの距離を異ならせた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】    【発明の効果】  請求項１記載の発明によれば、ゲートコンタクト層に不純物をドーピングする前に、第１のトランジスタ部分の障壁層の上面のみに嵩上げ用の調整層を形成する工程を設け、この調整層によって第１のトランジスタと第２のトランジスタとでゲートコンタクト層に拡散させた不純物の電子供給層までの距離を異ならせていることにより、異なるしきい値電圧を有するトランジスタを具備した半導体装置を、しきい値電圧を高精度に制御しながら容易に製造することができ、同半導体装置の歩留まりを向上させることができる。【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】  請求項４記載の発明によれば、第１のトランジスタの障壁層上面のみに嵩上げ用の調整層を設け、ゲートコンタクト層に不純物をドーピングした際に、第１のトランジスタでは調整層を通過した不純物をゲートコンタクト層に拡散させることにより、調整層によって第１のトランジスタと第２のトランジスタとでゲートコンタクト層に拡散した不純物の電子供給層までの距離を異ならせたことによって、請求項１記載の発明と同様に、異なるしきい値電圧を有するトランジスタを具備した半導体装置を、しきい値電圧を高精度に制御しながら容易に製造することができ、同半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極材料の粒子；および
陽極材料の該粒子内に少なくとも部分的に埋め込まれた導電性材料；
を含む電気化学電池で用いるための複合陽極材料。
【請求項２】
該導電性材料が陽極材料の該粒子内に全体的に埋め込まれた請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項３】
該導電性材料が金属を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項４】
該導電性材料がニッケルを含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項５】
該導電性材料がニッケル合金を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項６】
該導電性材料が銅を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項７】
該導電性材料が銅合金を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項８】
該導電性材料が酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物およびホウ化物からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項９】
該導電性材料が炭素および黒鉛からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項１０】
該導電性材料が酸化銅、酸化コバルトおよび酸化インジウムスズからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項１１】
該導電性材料が少なくとも１つの粒子を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項１２】
該少なくとも１つの粒子が細長い請求項１１に記載の複合陽極材料。
【請求項１３】
該少なくとも１つの粒子が実質的に球形である請求項１１に記載の複合陽極材料。
【請求項１４】
該少なくとも１つの粒子が繊維である請求項１１に記載の複合陽極材料。
【請求項１５】
該少なくとも１つの粒子が約１０ミクロン未満の平均長を有する請求項１１に記載の複合陽極材料。
【請求項１６】
該少なくとも１つの粒子が約１．０ミクロン未満の平均直径を有する請求項１１に記載の複合陽極材料。
【請求項１７】
該導電性材料が導電性ネットワークを含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項１８】
該陽極材料が水酸化ニッケル材料を含む請求項１に記載の複合陽極材料。
【請求項１９】
該水酸化ニッケル材料が、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｋ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｄ、Ｐｂ、Ｐｒ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、ＹおよびＺｎからなる群から選択される少なくとも１つの修飾材を含む組成的および構造的に秩序が乱れた多相水酸化ニッケルホストマトリックスを含む請求項１８に記載の複合陽極材料。
【請求項２０】
該水酸化ニッケル材料ホストマトリックスが、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｋ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｄ、Ｐｂ、Ｐｒ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、ＹおよびＺｎからなる群から選択される少なくとも３つの修飾材を含む請求項１９に記載の複合陽極材料。
【請求項２１】
該水酸化ニッケル材料が、
当該プレートの回りに取りこまれた少なくとも１つの化学修飾材を持つ空間的に配置されたプレートを含む多結晶ガンマ−相単位格子を含む少なくとも１つの多結晶ガンマ−相を含む多相構造を有する固溶体水酸化ニッケル材料、該プレートは２＋酸化状態および３．５＋、またはそれより大きな酸化状態に対応するある範囲の安定なシート間距離を有し、および
該多相構造を促進するための該固溶体水酸化ニッケル材料に取り込まれた少なくとも３つの組成修飾材：
を含む請求項１８に記載の複合陽極材料。
【請求項２２】
該少なくとも１つの化学修飾材の１つがＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆ、Ｆｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎａ、ＳｒおよびＺｎからなる群から選択される請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項２３】
該少なくとも３つの組成修飾材が金属、金属酸化物、金属酸化物合金、金属水素化物および金属水素化物合金からなる群から選択される請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項２４】
該少なくとも３つの組成修飾材がＡｌ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、ＬａＨ３、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＴｉＨ２、ＴｉＯ、Ｚｎからなる群から選択される請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項２５】
該少なくとも３つの組成修飾材の１つがＡｌ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、ＬａＨ３、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＴｉＨ２、ＴｉＯ、Ｚｎからなる群から選択される請求項２２に記載の複合陽極材料。
【請求項２６】
該少なくとも３つの組成修飾材の１つがＣｏである請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項２７】
該少なくとも３つの組成修飾材の２つがＣｏおよびＺｎである請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項２８】
該少なくとも３つの組成修飾材がＡｌ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、ＬａＨ３、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＴｉＨ２、ＴｉＯ、Ｚｎからなる群から選択される請求項２２に記載の複合陽極材料。
【請求項２９】
該水酸化ニッケル材料が秩序が乱れた材料であって、（ｉ）アモルファス；（ｉｉ）微結晶；（ｉｉｉ）長い範囲の組成秩序を欠く多結晶；（ｉｖ）該アモルファス、微結晶または多結晶構造のいずれかの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの構造を有する請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項３０】
該水酸化ニッケル材料が、アルファ、ベータおよびガンマ−相領域が個々にまたは組み合わされて存在することができる複数または混合相を含む構造的に乱れた材料であって、該水酸化ニッケルが導電性表面およびより高い導電率の繊維状領域を有する請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項３１】
該水酸化ニッケル材料が該少なくとも３つの組成修飾材または該少なくとも１つの化学修飾材の５ないし３０原子パーセントを含有し、電子伝導率を供する請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項３２】
該水酸化ニッケル材料が該少なくとも３つの組成修飾材または該少なくとも１つの化学修飾材の１０ないし２０原子パーセントを含有する請求項２１に記載の複合陽極材料。
【請求項３３】
該少なくとも３つの組成修飾材が該水酸化ニッケル材料に取り込まれて大きな微結晶の形成を破壊する請求項２１に記載の複合陽極材料。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ダイパッド部と、前記ダイパッド部の周囲に配置された複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれに形成された端子を有するリードフレームと、
前記ダイパッド部上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップと前記複数のリードのそれぞれの一端部とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のリードの一部および前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記端子は、前記樹脂封止体の裏面から露出され、
前記複数のリードのそれぞれの一端部と反対側の他端部は、前記樹脂封止体の側面から露出され、かつその全周は、前記樹脂封止体を構成する樹脂によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記端子は、前記複数のリードの前記一端部と前記他端部との間にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記端子は、前記複数のリードの一部を前記樹脂封止体の裏面から突出させたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】  前記端子は、前記リードとは異なる導電材料からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】  ダイパッド部と、前記ダイパッド部に接続された複数の吊りリードと、前記ダイパッド部の周囲に配置された複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれに形成された端子を有するリードフレームと、
前記ダイパッド部上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップと前記複数のリードのそれぞれの一端部とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のリードの一部および前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記端子は、前記樹脂封止体の裏面から露出され、
前記複数のリードのそれぞれの一端部と反対側の他端部は、前記樹脂封止体の側面から露出され、かつその全周は、前記樹脂封止体を構成する樹脂によって覆われ、
前記複数の吊りリードのそれぞれの一端部は、前記樹脂封止体の側面から露出され、かつその全周は、前記樹脂封止体の構成する樹脂によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  前記複数の吊りリードのそれぞれの一端部は、前記樹脂封止体のコーナー部の近傍で分岐されて前記樹脂封止体の側面から露出されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】  前記複数の吊りリードのそれぞれの一部は、前記樹脂封止体の裏面から露出されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】  前記端子は、前記複数のリードの前記一端部と前記他端部との間にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項９】  前記端子は、前記複数のリードの一部を前記樹脂封止体の裏面から突出させたものであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項１０】  前記端子は、前記リードとは異なる導電材料からなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基板上に設けられた酸化膜と、
前記酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する結晶性半導体膜を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記酸化膜との間に金属を主成分とする酸化物層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
フィルム基板上に設けられた酸化膜と、
前記酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する結晶性半導体膜と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線に接続された第１の電極と、
前記第１の電極上に発光層を介して設けられた第２の電極とを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記酸化膜との間に金属を主成分とする酸化物層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
フィルム基板上に設けられた酸化膜と、
前記酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する結晶性半導体膜と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線に接続された第１の電極と、
前記第１の電極上に発光層を介して設けられた第２の電極とを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記酸化膜との間に金属を主成分とする酸化物層と、接着剤とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
フィルム基板上に設けられた酸化膜と、
前記酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する結晶性半導体膜と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線に接続された第１の電極と、
前記第１の電極上に液晶素子を介して設けられた第２の電極とを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記酸化膜との間に金属を主成分とする酸化物層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
フィルム基板上に設けられた酸化膜と、
前記酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する結晶性半導体膜と、
前記不純物領域に接続された配線と、
前記配線に接続された第１の電極と、
前記第１の電極上に液晶素子を介して設けられた第２の電極とを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記酸化膜との間に金属を主成分とする酸化物層と、接着剤とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記金属は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記金属を主成分とする酸化物層は、ＷＯ２又はＷＯ３であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記窒素を有する絶縁膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＮＯを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記窒素を有する絶縁膜は、前記半導体膜の下地膜として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
タングステン（Ｗ）膜上に酸化膜を形成するときに、前記Ｗ膜上に当該Ｗを有する酸化物層が形成され、
前記Ｗ膜と前記酸化膜とは前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と当該酸化物層に接する膜との境界で分離され、
前記分離された酸化膜上に設けられた半導体膜を有する半導体装置であって、
前記酸化物層はＷＯ２及びＷＯ３を有し、前記分離された酸化膜側に接する酸化物層はＷＯ３がＷＯ２より多く存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
タングステン（Ｗ）膜上に酸化膜を形成するときに、前記Ｗ膜上に当該Ｗを有する酸化物層が形成され、
前記Ｗ膜と前記酸化膜とは前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と当該酸化物層に接する膜との境界で分離され、
前記分離された酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する結晶性半導体膜を含む薄膜トランジスタを有し、
前記酸化物層はＷＯ２及びＷＯ３を有し、前記分離された酸化膜側に接する酸化物層はＷＯ３がＷＯ２より多く存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記酸化膜はスパッタリング法により形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記酸化膜はＳｉを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
基板上にタングステン（Ｗ）膜を形成し、
前記Ｗ膜上に酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に半導体膜を形成し、
前記Ｗ膜と前記酸化膜とを分離する剥離方法であって、
前記酸化膜を形成するときに、前記Ｗ膜上に当該Ｗを有する酸化物層が形成され、前記酸化物層はＷＯ２及びＷＯ３を有し、前記酸化物層の層内、又は前記酸化物層と当該酸化物層に接する膜との境界で分離し、分離後、前記基板側の酸化物層はＷＯ２がＷＯ３より多く存在し、前記半導体膜側の酸化物層はＷＯ３がＷＯ２より多く存在することを特徴とする剥離方法。
【請求項１５】
基板上にタングステン（Ｗ）膜を形成し、
前記Ｗ膜に接して当該Ｗを有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記Ｗ膜と前記半導体膜とを、前記酸化物層の層内又は前記酸化物層と当該酸化物層に接する膜との境界で分離する剥離方法であって、
前記酸化物層はＷＯ２及びＷＯ３を有し、分離後、前記基板側の酸化物層はＷＯ２がＷＯ３より多く存在し、前記半導体膜側の酸化物層はＷＯ３がＷＯ２より多く存在することを特徴とする剥離方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５において、加熱処理により前記酸化物層を結晶化することを特徴とする剥離方法。
【請求項１７】
第１の基板上にタングステン（Ｗ）膜を形成し、
前記Ｗ膜上に被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に第２の基板を接着し、
前記第１の基板と前記被剥離層とを分離し、
前記被剥離層下に第３の基板を接着し、
前記第２の基板を分離する転写方法であって、
前記Ｗ膜上にＷＯ２及びＷＯ３を有する酸化物層が形成され、分離後、前記基板側の酸化物層はＷＯ２がＷＯ３より多く存在し、前記半導体膜側の酸化物層はＷＯ３がＷＯ２より多く存在し、
前記酸化物層の層内、又は前記Ｗ膜或いは前記被剥離層との境界で分離することを特徴とする転写方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記第３の基板はフィルム基板であることを特徴とする転写方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、前記被剥離層は薄膜トランジスタを有することを特徴とする転写方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子部品を載置した回路基板を搬送させながら気体吹き出し開口板に設けられた複数の気体吹き出し穴から加熱気体を吐出させ上記回路基板及び上記電子部品に吹付けることで上記回路基板上の半田を溶かして上記回路基板と上記電子部品とを接着するリフロー加熱装置における上記気体吹き出し開口板の気体吹き出し穴の配列構造において、
搬送方向に沿った搬送方向開口寸法及び上記搬送方向に直交する方向に沿った幅方向開口寸法を有する第１気体吹き出し穴及び第２気体吹き出し穴を上記直交する方向に沿って同軸上に幅ピッチにて配置して形成する、第１列と、
上記搬送方向に沿った上記搬送方向開口寸法及び上記直交方向に沿った上記幅方向開口寸法を有する第１気体吹き出し穴及び第２気体吹き出し穴を上記直交方向に沿って同軸上に上記幅ピッチにて配置してそれぞれ形成する、（ｎ−１）の数にて構成する他列とを備え、ｎは３以上の整数であって、
上記第１列及び、各上記他列は、上記搬送方向に上記搬送方向開口寸法以上の間隔の列配置ピッチにて配置され、
上記第１列及び各上記他列における各上記第１気体吹き出し穴は、上記直交方向で幅方向間隔の異なる位相となり、上記幅方向間隔と係数は以下の関係を満たし、
上記幅方向間隔＝上記係数×上記幅方向開口寸法
０．９≦上記係数≦１．１
上記第１列及び、上記各他列における上記幅ピッチは、
上記幅ピッチ＝上記幅方向間隔×ｎ
である関係を満たすことを特徴とする気体吹き出し穴配列構造。
【請求項２】  上記各他列におけるそれぞれの上記第１気体吹き出し穴の配置は、上記第１列における上記第１気体吹き出し穴より上記直交方向のいずれか一方の方向沿いに上記幅方向間隔ずつ順次位相が異なる配置となる、請求項１に記載の気体吹き出し穴配列構造。
【請求項３】  上記合計ｎ列にて構成される上記気体吹き出し穴の群を１つの基本単位として、上記基本単位を上記搬送方向に搬送方向配置ピッチにて配列するとき、
上記搬送方向配置ピッチが上記列配置ピッチのｎ倍である請求項１または２に記載の気体吹き出し穴配列構造。
【請求項４】  上記第２気体吹き出し穴を上記直交方向の上記第１気体吹き出し穴とは反対方向に上記幅ピッチにて複数個配置する請求項１〜３のいずれか１つに記載の気体吹き出し穴配列構造。
【請求項５】  上記基本単位を上記直交方向に幅方向配置ピッチにて配列するとき、
上記幅方向配置ピッチが上記幅ピッチの２倍である請求項３記載の気体吹き出し穴配列構造。
【請求項６】  電子部品を載置した回路基板を搬送させながら気体吹き出し開口板に設けられた複数の気体吹き出し穴から加熱気体を吐出させ上記回路基板及び上記電子部品に吹付けることで上記回路基板上の半田を溶かして上記回路基板と上記電子部品とを接着するリフロー加熱装置において、
上記気体吹き出し開口板は、
搬送方向に沿った搬送方向開口寸法及び上記搬送方向に直交する方向に沿った幅方向開口寸法を有する第１気体吹き出し穴及び第２気体吹き出し穴を上記直交する方向に沿って同軸上に幅ピッチにて配置して形成する、第１列と、
上記搬送方向に沿った上記搬送方向開口寸法及び上記直交方向に沿った上記幅方向開口寸法を有する第１気体吹き出し穴及び第２気体吹き出し穴を上記直交方向に沿って同軸上に上記幅ピッチにて配置してそれぞれ形成する、（ｎ−１）の数にて構成する他列とを備え、ｎは３以上の整数であって、
上記第１列及び、各上記他列は、上記搬送方向に上記搬送方向開口寸法以上の間隔の列配置ピッチにて配置され、
上記第１列及び各上記他列における各上記第１気体吹き出し穴は、上記直交方向で幅方向間隔の異なる位相となり、上記幅方向間隔と係数は以下の関係を満たし、
上記幅方向間隔＝上記係数×上記幅方向開口寸法
０．９≦上記係数≦１．１
上記第１列及び、上記各他列における上記幅ピッチは、
上記幅ピッチ＝上記幅方向間隔×ｎ
である関係を満たして配列される上記気体吹き出し穴を有するリフロー加熱装置。
【請求項７】  上記気体吹き出し開口板は、
上記各他列におけるそれぞれの上記第１気体吹き出し穴の配置は、上記第１列における上記第１気体吹き出し穴より上記直交方向のいずれか一方の方向沿いに上記幅方向間隔ずつ順次位相が異なる配置となる条件を満たして配列される上記気体吹き出し穴を有する請求項６に記載のリフロー加熱装置。
【請求項８】  上記気体吹き出し開口板は、
上記合計ｎ列にて構成される上記気体吹き出し穴の群を１つの基本単位として、上記基本単位を上記搬送方向に搬送方向配置ピッチにて配列するとき、
上記搬送方向配置ピッチが上記列配置ピッチのｎ倍である条件を満たして配列される上記気体吹き出し穴を有する請求項６または７に記載のリフロー加熱装置。
【請求項９】  上記気体吹き出し開口板は、
上記第２気体吹き出し穴を上記直交方向の上記第１気体吹き出し穴とは反対方向に上記幅ピッチにて複数個配置する条件を満たして配列される上記気体吹き出し穴を有する請求項６〜８のいずれか１つに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１０】  上記気体吹き出し開口板は、
上記基本単位を上記直交方向に幅方向配置ピッチにて配列するとき、
上記幅方向配置ピッチが上記幅ピッチの２倍である条件を満たして配列される上記気体吹き出し穴を有する請求項８記載のリフロー加熱装置。
【請求項１１】  上記気体吹き出し開口板に形成される上記気体吹き出し穴は、
上記搬送方向開口寸法を長軸または短軸とし、上記幅方向開口寸法を短軸または長軸とする楕円形状の楕円形状気体吹き出し穴である請求項６〜１０のいずれか１つに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１２】  上記気体吹き出し開口板に形成される上記気体吹き出し穴は、
上記搬送方向開口寸法及び、上記幅方向開口寸法が同一寸法かつ、上記搬送方向開口寸法または、上記幅方向開口寸法を直径とする円形形状である請求項６〜１０のいずれか１つに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１３】  上記気体吹き出し開口板は、
上記気体吹き出し穴に、気体吹き出し方向へ上記気体吹き出し穴の周辺より突出するパイプを有する請求項６〜１２のいずれか１つに記載のリフロー加熱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン基板上にバッファ層と、該バッファ層に接して設けられたｐ型不純物をドープした第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層に接して設けられた第２の窒化物半導体層とを有し、
前記バッファ層は、複数の層からなり、前記第１の窒化物半導体層側に少なくともＡｌとＧａを含んでなる窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体成長基板。
【請求項２】  前記バッファ層は、シリコン基板側に多結晶からなる窒化物半導体層を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体成長基板。
【請求項３】  前記第１の窒化物半導体層はＭｇをドープしたＧａＮであることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体成長基板。
【請求項４】  シリコン基板上にバッファ層と、該バッファ層に接して設けられたｐ型不純物をドープした第１の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層に接して設けられた第２の窒化物半導体層とを有し、
前記バッファ層は、少なくともＡｌをＧａを含んでなる窒化物半導体層を有し、前記第１の窒化物半導体層はＭｇをドープしたＧａＮであることを特徴とする窒化物半導体成長基板。
【請求項５】  前記第２の窒化物半導体層はアンドープもしくはＳｉドープのＧａＮであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板。
【請求項６】  前記バッファ層の少なくともＡｌとＧａを含んでなる窒化物半導体層は、シリコン基板から離れるにつれて、Ａｌが少なくかつＧａが多くなるように形成された組成傾斜層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板。
【請求項７】  前記シリコン基板とバッファ層との間に、シリコンのエピタキシャル成長層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板上に、ｎ型不純物をドープした窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項９】  請求項１乃至７のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板上に、少なくともｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層とを有する窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、次の（１）〜（９）からなる。
（１）本発明の窒化物半導体成長基板は、シリコン基板上にバッファ層と、該バッファ層に接して設けられたｐ型不純物をドープした第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層に接して設けられた第２の窒化物半導体層とを有し、  前記バッファ層は、複数の層からなり、前記第１の窒化物半導体層側に少なくともＡｌとＧａを含んでなる窒化物半導体層を有することを特徴とする。
（２）さらに本発明の窒化物半導体成長基板は、前記バッファ層は、シリコン基板側に多結晶からなる窒化物半導体層を有することを特徴とする。
（３）さらに本発明の窒化物半導体成長基板は、前記第１の窒化物半導体層はＭｇをドープしたＧａＮであることを特徴とする。
（４）また本発明の窒化物半導体成長基板は、シリコン基板上にバッファ層と、該バッファ層に接して設けられたｐ型不純物をドープした第１の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層に接して設けられた第２の窒化物半導体層とを有し、前記バッファ層は、少なくともＡｌをＧａを含んでなる窒化物半導体層を有し、前記第１の窒化物半導体層はＭｇをドープしたＧａＮであることを特徴とする。
（５）さらに本発明の窒化物半導体成長基板は、前記第２の窒化物半導体層はアンドープもしくはＳｉドープのＧａＮであることを特徴とする。
（６）さらに本発明の窒化物半導体成長基板は、前記バッファ層の少なくともＡｌとＧａを含んでなる窒化物半導体層は、シリコン基板から離れるにつれて、Ａｌが少なくかつＧａが多くなるように形成された組成傾斜層であることを特徴とする。
（７）さらに本発明の窒化物半導体成長基板は、前記シリコン基板とバッファ層との間に、シリコンのエピタキシャル成長層を有することを特徴とする。
（８）本発明の窒化物半導体素子は、前記（１）〜（７）のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板上に、ｎ型不純物をドープした窒化物半導体層を有することを特徴とする。
（９）本発明の窒化物半導体素子は、前記（１）〜（７）のいずれかに記載の窒化物半導体成長基板上に、少なくともｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層とを有する窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップを搭載する第１のリードフレームと、
ワイヤを介して前記ＬＥＤチップと電気的に接続される第２のリードフレームと、
前記ＬＥＤチップの周囲を囲み、前記第１および第２のリードフレームを固定する樹脂部とを備え、
前記第１のリードフレームの下部に金属体を有し、
前記金属体は、前記第２のリードフレームにおける前記ワイヤが接続される部分の下部にまで延びるように形成される、半導体発光装置。
【請求項２】  前記金属体は前記第１および第２のリードフレームとは離間した、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】  前記金属体は前記第１のリードフレームと接触する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】  前記金属体表面には電気的絶縁処理が施され、
該絶縁処理が施された前記金属体の表面が前記第１のリードフレームと接触する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】  複数のＬＥＤチップを有する、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】  ＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップを搭載する金属体と、
前記金属体と電気的に接続される第１のリードフレームと、
ワイヤを介して前記ＬＥＤチップと電気的に接続される第２のリードフレームと、
前記金属体および前記ＬＥＤチップの周囲を囲み、前記第１および第２のリードフレームを固定する樹脂部とを備え、
前記金属体は、前記第２のリードフレームにおける前記ワイヤが接続される部分の下部にまで延びるように形成される、半導体発光装置。
【請求項７】  前記金属体の頂部は逆円錐形状に加工され、
該頂部は前記第１のリードフレームに嵌入されている、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】  前記金属体は、Ｃｕ、アルミニウム、Ｃｕ合金およびアルミニウム合金からなる群から選ばれる少なくとも１種の材質を含む、請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】  インサート成型により、第１および第２のリードフレームと、該第１と第２のリードフレームの下部にまで延びる金属体とを保持する樹脂部を形成する工程と、
前記第１のリードフレーム上にＬＥＤチップを搭載する工程とを備えた半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】  インサート成型により、第１および第２のリードフレームと、該第１と第２のリードフレームの下部にまで延び、前記第１のリードフレームと電気的に接続される金属体とを保持する樹脂部を形成する工程と、
前記金属体上にＬＥＤチップを搭載する工程とを備えた半導体発光装置の製造方法。
【請求項１１】  インサート成型により、第１および第２のリードフレームを保持し、凹部を有する樹脂部を形成する工程と、
前記凹部に金属体を装着する工程と、
前記金属体、あるいは前記第１のリードフレーム上にＬＥＤチップを搭載する工程とを備えた半導体発光装置の製造方法。
【請求項１２】  前記半導体発光装置の製造方法は、前記金属体と前記第１のリードフレームとをかしめる工程をさらに備え、
前記かしめる工程を行なうと同時に前記金属体の頂部を逆円錐形状に加工する、請求項１０または請求項１１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体発光装置は、１つの局面では、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを搭載する第１のリードフレームと、ワイヤを介してＬＥＤチップと電気的に接続される第２のリードフレームと、ＬＥＤチップの周囲を囲み、第１および第２のリードフレームを固定する樹脂部とを備え、第１のリードフレームの下部に金属体を有し、金属体は、第２のリードフレームにおけるワイヤが接続される部分の下部にまで延びるように形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明に係る半導体発光装置は、他の局面では、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを搭載する金属体と、上記の金属体と電気的に接続される第１のリードフレームと、ワイヤを介してＬＥＤチップと電気的に接続される第２のリードフレームと、金属体およびＬＥＤチップの周囲を囲み、第１および第２のリードフレームを固定する樹脂部とを備え、金属体は、第２のリードフレームにおけるワイヤが接続される部分の下部にまで延びるように形成されるものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、１つの局面では、インサート成型により、第１および第２のリードフレームと、該第１と第２のリードフレームの下部にまで延びる金属体とを保持する樹脂部を形成する工程と、第１のリードフレーム上にＬＥＤチップを搭載する工程とを備える。この局面の変形例として、上記製造方法は、インサート成型により、第１および第２のリードフレームと、該第１と第２のリードフレームの下部にまで延び、第１のリードフレームと電気的に接続される金属体とを保持する樹脂部を形成する工程と、金属体上にＬＥＤチップを搭載する工程とを備える。これにより、ＬＥＤチップで発生した熱をリードフレーム下部の金属体を介して実装基板に伝えることが可能となり、放熱性の優れた半導体発光装置を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ここで、上記の半導体発光装置の製造方法は、金属体と第１のリードフレームとをかしめる工程をさらに備え、上記かしめる工程を行なうと同時に金属体の頂部を逆円錐形状に加工することが好ましい。かしめにより金属帯と第１のリードフレームとはより強固に固定される。また、逆円錐形状の反射効果により半導体発光装置の光度アップを図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に線状のパルス発振の第１のレーザ光を重畳しながら第１の方向に走査し、前記第１のレーザ光が照射された前記半導体膜に第２のレーザ光を重畳しながら前記第１の方向と９０°で交差する第２の方向に走査し、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光が照射された前記半導体膜に第３のレーザ光を重畳しながら前記第１の方向及び前記第２の方向に４５°で交差する第３の方向に走査することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１乃至第３のレーザ光が照射された前記半導体膜は、結晶性が分散されていることを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載された前記第１乃至第３のレーザ光が照射された前記半導体膜を活性領域に用いる半導体素子の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、記憶素子、ダイオード、光電変換素子、抵抗素子、コイル、又は容量素子のいずれかであることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学素子を保持するための保持装置であって、
前記光学素子の一又は複数箇所に局所的に応力を発生させ得る圧力制御手段を有することを特徴とする保持装置。
【請求項２】  前記光学素子に対して前記光学素子の光軸まわりに前記圧力制御手段を回転させる回転手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の保持装置。
【請求項３】  前記圧力制御手段は、前記光学素子の単体における応力分布情報を有し、当該応力分布情報を基に、前記光学素子を所望の応力分布に制御することを特徴とする請求項１記載の保持装置。
【請求項４】  前記圧力制御手段は、前記光学素子と接続し、当該光学素子を押圧する伸縮部材と、
前記伸縮部材が前記光学素子を押圧する圧力量を制御する圧力量制御手段とを有することを特徴とする請求項１記載の保持装置。
【請求項５】  前記圧力制御手段は、応力を発生させる位置及び応力量を制御することを特徴とする請求項１記載の保持装置。
【請求項６】  前記圧力制御手段は、前記光学素子の結晶軸方位の対称性に基づいて、前記応力を発生させる位置を制御することを特徴とする請求項５記載の保持装置。
【請求項７】  前記回転手段は、前記光学素子に対して光軸まわりに前記圧力制御手段の回転量を制御することを特徴とする請求項２記載の保持装置。
【請求項８】  前記回転手段は、前記光学素子を前記光軸まわりに回転制御できることを特徴とする請求項２記載の保持装置。
【請求項９】  前記光学素子は、レンズであることを特徴とする請求項１記載の保持装置。
【請求項１０】  一又は複数個の光学素子で構成される光学系の複屈折を低減させる方法であって、
前記光学素子の少なくとも一つの素子の真性複屈折を含めた複屈折を測定するステップと、
前記測定ステップで測定した前記光学素子の前記複屈折を打ち消すように、前記光学素子に発生させる応力の位置及び応力量を制御するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項１１】  前記測定ステップで測定した前記光学素子の前記複屈折を打ち消すように、前記光学素子を他の光学素子に対して相対的に回転させることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の保持装置を有し、当該保持装置に保持された光学素子を介して物体面上のパターンを像面上に結像することを特徴とする光学系。
【請求項１３】  光源からの光を、請求項１２記載の光学系を介して被処理体に導いて当該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１４】  請求項１３記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての保持装置は、光学素子を保持するための保持装置であって、前記光学素子の一又は複数箇所に局所的に応力を発生させ得る圧力制御手段を有することを特徴とする。
本発明の別の側面としての方法は、一又は複数個の光学素子で構成される光学系の複屈折を低減させる方法であって、前記光学素子の少なくとも一つの素子の真性複屈折を含めた複屈折を測定するステップと、前記測定ステップで測定した前記光学素子の前記複屈折を打ち消すように、前記光学素子に発生させる応力の位置及び応力量を制御するステップとを有することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としての光学系は、上述の保持装置を有し、当該保持装置に保持された光学素子を介して物体面上のパターンを像面上に結像することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としての露光装置は、光源からの光を、上述の光学系を介して被処理体に導いて当該被処理体を露光することを特徴とする。
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  ダミーゲートを形成して前記ダミーゲートの露出する表面に拡散防止膜を形成する工程と、
前記ダミーゲートに接触するようにエッチングにより除去して達する開口部を介して金属からなるメタル層を形成する工程と、
前記メタル層の前記金属と前記ダミーゲートとを置換してメタルゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１に例示するフローによって実現可能な半導体装置の製造方法が提供される。本発明の半導体装置の製造方法は、ダミーゲートを形成して前記ダミーゲートの露出する表面に拡散防止膜を形成する工程と、前記ダミーゲートに接触するようにエッチングにより除去して達する開口部を介して金属からなるメタル層を形成する工程と、前記メタル層の前記金属と前記ダミーゲートとを置換してメタルゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記冷却装置７１の基本構成としては、例えば、放射阻止体１５接触した状態設けられた冷却体７２と冷媒送給装置７３とからなる。また冷却体７２の温度を制御する温度制御部（図示せず）を設けてもよい。冷却体７２は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等の金属材料からなり、その内部には冷媒を循環させる流路が形成されているものである。冷媒送給装置７３により流路内に送給される冷媒には、例えば冷水もしくは冷却気体（炭酸ガス、窒素ガス等）を用いることができる。上記冷媒送給装置７３により冷却体７２内に設けた流路内に冷媒を流すことにより、放射阻止体１５の温度をるつぼ１２の温度より低い温度とすることで、るつぼ１２から蒸着マスク３１への熱放射の影響がさらに軽減できるようになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記図３によって説明した蒸着装置では、前記図１（２）によって説明した蒸着装置１と同様なる作用、効果が得られるとともに、孔１４をるつぼ１２内部より被蒸着基板５１方向に向かって段階的で一部連続的もしくは連続的に先細りとなる形状に形成したことから、前記図１（２）によって説明した蒸着装置１の孔１４よりも蒸発した蒸着材料７１が孔１４の射出側開口部１４ａに向かって円滑に飛散することができる。そのため、蒸発した蒸着材料７１の分布がより均一になる。また、図３（２）、（３）、（４）に示した突出部１３の形状では、突出部１３の先端開口部の厚みを最小の厚みで形成することができるので、放射阻止体１５側に露出される突出部１３の先端開口部の面積は最小となり、突出部１３自体からの輻射熱量を微量に抑えることが可能となるので、蒸着マスク温度の上昇を抑制することができる。よって、蒸着マスクの熱膨張が低減され、蒸着位置ズレの発生を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池を電源に使用する電子機器において、
前記燃料電池が発生する電圧を検出する電圧検出手段と、
前記燃料電池の燃料残量を検出する燃料残量検出手段と、
前記燃料電池の酸化剤濃度を検出する酸化剤濃度検出手段と、
前記電圧検出手段、前記燃料残量検出手段、または酸化剤濃度検出手段の検出結果に基
づいて、前記燃料電池の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記酸化剤濃度を大きくするために、前記酸化剤
を補給する酸化剤補給手段と
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】  前記酸化剤補給手段は、前記判定手段により、前記酸化剤濃度が所定
の酸化剤濃度基準値より小さいと判定された場合、前記酸化剤濃度が高くなるように、前
記酸化剤を補給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】  前記酸化剤の補給の開始を制御する制御手段をさらに備え、
前記酸化剤補給手段は、前記判定手段により、前記酸化剤濃度が所定の酸化剤濃度基準
値より小さいと判定され、かつ、前記制御手段により前記酸化剤の補給が開始される制御
がされた場合、前記酸化剤濃度が高くなるように、前記酸化剤を補給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】  前記判定手段は、前記電圧検出手段により検出された前記電圧が、所
定の電圧基準値より小さいか否かを判定するとともに、前記酸化剤濃度検出手段により検
出された前記酸化剤濃度が、所定の酸化剤濃度基準値より大きいか否かを判定し、前記電
圧が前記電圧基準値より小さく、かつ、前記酸化剤濃度が前記酸化剤濃度基準値より小さ
いと判定された場合、前記酸化剤濃度が薄い状態であると判定する
ことを特徴とする請求項１，２または３に記載の電子機器。
【請求項５】  燃料電池を電源に使用する電子機器の動作制御方法において、
前記燃料電池が発生する電圧を検出する電圧検出ステップと、
前記燃料電池の燃料残量を検出する燃料残量検出ステップと、
前記燃料電池の酸化剤濃度を検出する酸化剤濃度検出ステップと、
前記電圧検出ステップの処理、前記燃料残量検出ステップの処理、または酸化剤濃度検
出ステップの処理による検出結果に基づいて、前記燃料電池の状態を判定する判定ステッ
プと、
前記判定ステップの処理による判定結果に基づいて、前記酸化剤濃度を大きくするため
に、前記酸化剤を補給する酸化剤補給ステップと
を含むことを特徴とする電子機器の動作制御方法。
【請求項６】  燃料電池を電源に使用する電子機器において、
前記燃料電池が発生する電圧を検出する電圧検出手段と、
前記燃料電池の燃料残量を検出する燃料残量検出手段と、
前記燃料電池の酸化剤濃度を検出する酸化剤濃度検出手段と、
前記電圧検出手段、前記燃料残量検出手段、または酸化剤濃度検出手段の検出結果に基
づいて、前記燃料電池の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記酸化剤濃度を大きくするために、酸化剤を補
給する酸化剤補給手段と、
を備え、
前記酸化剤補給手段は、前記電子機器に形成された通気孔から酸化剤透過膜を介して、
前記酸化剤として空気を補給する
ことを特徴とする電子機器。
【請求項７】  前記通気孔は、スピーカを取り付けるためのフレームに開けられた孔
である
ことを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】  燃料電池を電源に使用する電子機器の動作制御方法において、
前記燃料電池が発生する電圧を検出する電圧検出ステップと、
前記燃料電池の燃料残量を検出する燃料残量検出ステップと、
前記燃料電池の酸化剤濃度を検出する酸化剤濃度検出ステップと、
前記電圧検出ステップの処理、前記燃料残量検出ステップの処理、または酸化剤濃度検
出ステップの処理による検出結果に基づいて、前記燃料電池の状態を判定する判定ステッ
プと、
前記判定ステップの処理による判定結果に基づいて、前記酸化剤濃度を大きくするため
に、前記酸化剤を補給する酸化剤補給ステップと、
を含み、
前記酸化剤補給ステップの処理は、前記電子機器に形成された通気孔から酸化剤透過膜
を介して、前記酸化剤として空気を補給する
ことを特徴とする電子機器の動作制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第２の電子機器は、燃料電池が発生する電圧を検出する電圧検出手段と、燃料
電池の燃料残量を検出する燃料残量検出手段と、燃料電池の酸化剤濃度を検出する酸化剤
濃度検出手段と、電圧検出手段、燃料残量検出手段、または酸化剤濃度検出手段の検出結
果に基づいて、燃料電池の状態を判定する判定手段と、判定手段の判定結果に基づいて、
酸化剤濃度を大きくするために、酸化剤を補給する酸化剤補給手段とを備え、酸化剤補給
手段は、電子機器に形成された通気孔から酸化剤透過膜を介して、酸化剤として空気を補
給することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の電子機器の動作制御方法は、燃料電池が発生する電圧を検出する電圧検
出ステップと、燃料電池の燃料残量を検出する燃料残量検出ステップと
、燃料電池の酸化剤濃度を検出する酸化剤濃度検出ステップと、電圧検出ステップの処理
、燃料残量検出ステップの処理、または酸化剤濃度検出ステップの処理による検出結果に
基づいて、燃料電池の状態を判定する判定ステップと、判定ステップの処理による判定結
果に基づいて、酸化剤濃度を大きくするために、酸化剤を補給する酸化剤補給ステップと
を含み、酸化剤補給ステップの処理は、電子機器に形成された通気孔から酸化剤透過膜を
介して、酸化剤として空気を補給することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２の本願発明においては、燃料電池が発生する電圧が検出され、燃料電池の燃料残量
が検出され、燃料電池の酸化剤濃度が検出され、これらの検出結果に基づいて、燃料電池
の状態が判定され、判定結果に基づいて、酸化剤濃度を大きくするために、酸化剤が補給
される。また、電子機器に形成された通気孔から酸化剤透過膜を介して、酸化剤として空
気が補給される。