【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの画素領域が複数の小ドメインに分割されており、各小ドメインはその内部に含まれている液晶分子が駆動電界印加時に傾く平均方向によって第１方向ドメインと第２方向ドメインとに分類される液晶表示装置において、
前記第１方向ドメイン内部の駆動電界は前記第２方向ドメイン内部の駆動電界に比べて弱い液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１方向ドメインでは液晶表示装置を正面から見る時液晶が左右方向に傾き、前記第２方向ドメインでは液晶が上下方向に傾く、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１方向ドメイン内部の駆動電界が前記第２方向ドメイン内部の駆動電界に比べて弱い程度は液晶表示装置のセルギャップをｄとする時、０．０２/ｄ（Ｖ/ｕｍ）から０．５/ｄ（Ｖ/ｕｍ）の間である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板上に第１方向に形成されている第１信号線と、
前記第１絶縁基板上に第２方向に形成されており、前記第１信号線と絶縁されて交差している第２信号線と、
前記第１信号線及び前記第２信号線に連結されている第１薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタが連結されている前記第１信号線及び前記第２信号線に連結されている第２薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタに連結されている第１画素電極と、
前記第２薄膜トランジスタに連結されている第２画素電極と、
前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
前記第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶物質層と、
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板のうちの少なくともいずいれか一つの基板上に形成されており、前記第１画素電極と前記第２画素電極とを複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段とを含み、
前記ドメイン分割手段は前記第１画素電極と前記第２画素電極とを各々第１方向ドメインと第２方向ドメインとに分割し、前記第１画素電極と前記第２画素電極とは互いに容量性結合をなす液晶表示装置。
【請求項５】
ｎとｍは整数とする時、ｍ列のｎ行画素の第１及び第２薄膜トランジスタはｍ番目データ線に連結されており、ｍ列のｎ＋１行画素の第１及び第２薄膜トランジスタはｍ＋１番目データ線に連結されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２画素電極が全体画素領域で３０％乃至７０％を占める、請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記液晶物質層に含まれている液晶分子は駆動電界が印加されない状態で前記第１及び第２絶縁基板に対して垂直に配向されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記ドメイン分割手段は、第１の画素電極と第２画素電極とを第１方向ドメインと第２方向ドメインに分割し、第１画素電極と共通電極の電圧差が、第２画素電極と共通電極の電圧差よりも常に大きい、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタ基板に形成されており、前記第１画素電極及び前記第２画素電極との間で各々保持容量を形成する保持容量線をさらに含み、
前記第２画素電極と前記共通電極との間に形成される液晶容量をＣｌｃｂ、前記第２画素電極と前記保持容量線との間で形成される保持容量をＣｓｔｂ、第１画素電極と第２画素電極との間で形成される結合容量をＣｐｐとする時、
Ｔ＝（Ｃｌｃｂ＋Ｃｓｔｂ−Ｃｐｐ）／（Ｃｌｃｂ＋Ｃｓｔｂ＋Ｃｐｐ）
で定義されるＴが０．６５から０．９５の間の値を有する、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板上に第１方向に形成されている第１信号線と、
前記第１絶縁基板上に第２方向に形成されており、前記第１信号線と絶縁されて交差している第２信号線と
前記第１信号線及び前記第２信号線に連結されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに連結されており、複数のスリットを有する画素電極と、
前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
前記第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶物質層と、
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板のうちの少なくともいずれか一つの基板上に形成されており、前記画素電極を複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段
とを含み、
前記ドメイン分割手段は前記画素電極を各々第１方向ドメインと第２方向ドメインに分割しており、前記第１方向ドメインは前記スリットが位置する部分に配置されている液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極が有する前記スリットの幅は２〜５μmの間である、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
隣接する二つの前記スリットの間の距離は２〜１０μmの間である、請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板上に第１方向に形成されている第１信号線と、
前記第１絶縁基板上に第２方向に形成されており、前記第１信号線と絶縁されて交差している第２信号線と、
前記第１信号線及び前記第２信号線に連結されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに連結されている画素電極と、
前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
前記第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極のうちの少なくともいずれか一つの上に形成されている誘電体層と、
前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶物質層と、
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板のうちの少なくともいずれか一つの基板上に形成されており、前記画素電極を複数の小ドメインに分割するドメイン分割手段
とを含み、
前記ドメイン分割手段は前記画素電極を各々第１方向ドメインと第２方向ドメインとに分割しており、前記誘電体層は前記第１方向ドメインが位置する部分に形成されている液晶表示装置。
【請求項１４】
前記誘電体層の厚さは５００Åから１．５μmの間である、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ドメイン分割手段は前記画素電極と前記共通電極が各々有する切除部である、請求項４、１０、１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記誘電体層の有る領域に対応する液晶物質層に含まれる液晶分子の主軸の傾斜角と、前記誘電体層の無い領域に対応する液晶物質層に含まれる液晶分子の主軸の傾斜角とは異なる、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
第１絶縁基板と、
第１絶縁基板上に形成され、複数のゲート線とゲート線に連結された第１ゲート電極とを含むゲート配線と、
ゲート線上に形成されたゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上に形成され、ゲート線と交差する複数のデータ線と、データ線に連結された第１ソース電極と、ソース電極と対向する第１ドレイン電極とを含むデータ配線と、
ゲート絶縁層上に形成された複数の結合電極と、
データ配線と結合電極上に形成された保護層と、
保護層上に形成され、結合電極と第１ドレイン電極に電気的に連結された複数の第１画素電極と、
結合電極の少なくとも一部分と重なった保護層上に形成され、電気的にフローティングな複数の第２画素電極とを含む薄膜トランジスタアレイパネル。
【請求項１８】
ゲート線に連結された複数の第２ゲート電極と、
データ線に連結された複数の第２ソース電極と、
第２ソース電極と対向し、第２画素電極に電気的に連結された複数の第２ドレイン電極とを含む請求項１７に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
【請求項１９】
第１ゲート電極と第２ゲート電極とが一体に形成され、第１ソース電極と第２ソース電極が一体に形成された請求項１８に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。