【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  不揮発性メモリのデータ内容を検知する方法において、
１組の動作パラメータと目標基準とに基づいて前記不揮発性メモリの記憶エレメントにバイアスをかけるステップと、
前記１組の動作パラメータと目標基準とに基づいて前記記憶エレメントにバイアスをかけて、前記記憶エレメントの状態を示すパラメータの値を複数回決定するステップと、
前記パラメータの前記複数の値の合成値を形成するステップにより前記記憶エレメントのデータ内容を決定するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記記憶エレメントは、多状態記憶エレメントであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記パラメータの値を決定するステップは、デジタル値を得るように実行することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記記憶エレメントは、電荷蓄積装置であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】  前記パラメータは、電流であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】  前記パラメータは、電圧であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項７】  前記パラメータは、時間であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項８】  前記パラメータは、周波数であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項９】  前記パラメータは、磁性特性であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１０】  前記パラメータは、光学特性であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１１】  前記合成値を形成するステップは、
合計値を形成するために前記複数のパラメータの値を加算するステップと、
前記合計値を前記加算したパラメータの値の数で除算するステップと、
を有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１２】  前記複数のパラメータの値を加算するステップに先行して前記複数のパラメータの値を個々に記憶することを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  前記不揮発性メモリが前記記憶エレメントを含む複数の記憶エレメントを備える記憶装置とコントローラとを有し、前記コントローラにより前記合成値を形成することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１４】  前記合成値を形成するステップに先行して前記記憶エレメントの状態を示すパラメータの値を前記コントローラに個々に記憶することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  前記合成値を形成するステップに先行して前記記憶エレメントの状態を示すパラメータの値を前記記憶装置に個々に記憶することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】  前記不揮発性メモリが前記記憶エレメントを含む複数の記憶エレメントを備える記憶装置とコントローラとを有し、前記合成値を形成するステップに先行して前記記憶エレメントの状態を示すパラメータの値を前記記憶装置に個々に記憶し、前記記憶装置により前記合成値を形成することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１７】  不揮発性メモリのデータ内容を検知する前記方法をプログラミング動作の検証段の一部として実行することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１８】  前記合成値を形成するステップは、前記複数のパラメータの値の平均値を形成するステップを有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１９】  前記合成値を形成するステップは、前記複数のパラメータの値の重み付き平均値を形成するステップを有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２０】  前記合成値を形成するステップは、ピーク値検出方式を有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２１】  前記合成値を形成するステップは、前記複数のパラメータの値の異常値を取り除くステップを有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２２】  前記記憶エレメントの状態を示すパラメータの値を決定するステップは、
前記パラメータの基本値を決定するステップと、
前記基本値からの変動値を複数回決定するステップと、
を有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２３】  前記記憶エレメントが、同時に読み出される複数の記憶エレメントのうちの１つであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】  不揮発性メモリにデータ値を書き込む方法において、
前記不揮発性メモリ内の記憶エレメントの状態を変更するステップと、
前記記憶エレメントの状態を変更するステップに続いて、かつ前記記憶エレメントの状態をさらに変更するステップに先行して、前記記憶エレメントの結果状態を示すパラメータを前記データ値を示す参照値と複数回比較するステップと、
前記複数回比較するステップに応じて前記記憶エレメントの状態をさらに変更するかどうかを決定するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２５】  前記記憶エレメントは、多状態記憶エレメントであることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】  デジタル数値技術を用いて前記比較するステップを実行することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】  前記記憶エレメントは、電荷蓄積装置であることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２８】  前記パラメータは、電流であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】  前記パラメータは、電圧であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３０】  前記パラメータは、時間であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３１】  前記パラメータは、周波数であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３２】  前記パラメータは、磁性特性であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３３】  前記パラメータは、光学特性であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３４】  前記比較するステップは、ピーク値検出法を有することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３５】  前記比較するステップは、アナログ・フィルタされた平均値検出を有することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３６】  前記不揮発性メモリが前記記憶エレメントを含む複数の記憶エレメントを備える記憶装置とコントローラとを有し、前記比較するステップが前記コントローラにより実行されることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３７】  前記不揮発性メモリが前記記憶エレメントを含む複数の記憶エレメントを備える記憶装置とコントローラとを有し、前記比較するステップが前記記憶装置により実行されることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３８】  前記記憶エレメントは、データが同時に書き込まれる複数の記憶エレメントのうちの１つであることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項３９】  不揮発性記憶エレメントのデータ内容を検知する方法において、
第１のモードで前記記憶エレメントを検知し、１以上の第１の組のバイアス状態の各々について前記記憶エレメントを１回検知するステップと、
第２のモードで前記記憶エレメントを続いて検知し、１以上の第２の組のバイアス状態の各々について前記記憶エレメントを複数回検知するステップと、
前記第１のモードで検知するステップと前記第２のモードで検知するステップとの組み合わせから前記記憶エレメントの前記データ内容を決定するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項４０】  前記記憶エレメントは、多状態記憶エレメントであることを特徴とする請求項３９記載の方法。
【請求項４１】  前記第１のモードがおおよそのデータ値を決定する粗モードであり、前記第２のモードが前記おおよそのデータ値を微調整する微細モードであることを特徴とする請求項４０記載の方法。
【請求項４２】  前記第１のモードが第１のデータ値を決定し、前記第２のモードが前記第１のデータ値に関する変動値を検知することを特徴とする請求項４０記載の方法。
【請求項４３】  前記第１のモードは、二分探索であることを特徴とする請求項４２記載の方法。
【請求項４４】  前記第２のモードが二分探索であり、前記第２の組のバイアス状態が前記第１の組のサブセットのバイアス状態であることを特徴とする請求項４３記載の方法。
【請求項４５】  前記第２のモードの前記二分探索のアルゴリズムを前記第１のデータ値に基づいて決定することを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４６】  不揮発性メモリセルのデータ内容を検知する前記方法をプログラミング動作の検証段の一部として実行することを特徴とする請求項４０記載の方法。
【請求項４７】  粗いプログラミング段の間前記第１のモードを適用し、精細プログラミング段の間前記第２のモードを適用することを特徴とする請求項４６記載の方法。
【請求項４８】  前記第２のモードは、ピーク値検出法であることを特徴とする請求項４６記載の方法。
【請求項４９】  不揮発性メモリにおいて、
記憶エレメントのアレイと、
前記アレイに含まれるセルの状態と関連するパラメータを供給するために前記アレイと結合される読出し回路と、
前記パラメータの値を決定するために前記読出し回路と結合されるセンスアンプと、
前記センスアンプから供給される前記パラメータの複数の独立して決定される値から形成される前記単一セルの合成値を形成するための前記センスアンプと結合される平均化回路と、
を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５０】  前記パラメータは、電流レベルであることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５１】  前記パラメータは、電圧レベルであることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５２】  前記パラメータは、時間であることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５３】  前記パラメータは、周波数であることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５４】  前記パラメータは、磁性特性であることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５５】  前記パラメータは、光学特性であることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５６】  前記平均化回路は、前記複数の独立して決定される値の合計値を生成する加算器と、前記合計値を生成するために加算される独立して決定される値の数で前記合計値を除算する除算回路とを有することを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５７】  前記メモリは、前記アレイ、読出し回路およびセンスアンプを備える記憶部と、前記平均化回路を備える制御部とを有することを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項５８】  前記制御部が複数のレジスタをさらに含み、前記センスアンプから供給される前記パラメータの複数の独立して決定される値を前記平均化回路への供給に先行して記憶することを特徴とする請求項５７記載のメモリ。
【請求項５９】  前記記憶部が複数のレジスタをさらに含み、前記センスアンプから供給される前記パラメータの複数の独立して決定される値を前記平均化回路への供給に先行して記憶することを特徴とする請求項５７記載のメモリ。
【請求項６０】  前記メモリが制御部と記憶部とを有し、前記記憶部が前記アレイ、読出し回路、センスアンプおよび平均化回路を備えることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項６１】  前記記憶部が複数のレジスタをさらに含み、前記センスアンプから供給される前記パラメータの複数の独立して決定される値を前記平均化回路への供給に先行して記憶することを特徴とする請求項６０記載のメモリ。
【請求項６２】  前記アレイに含まれる前記記憶エレメントの状態を変更するために前記アレイと結合され、前記合成値を受け取るために前記平均化回路と結合されるプログラミング回路をさらに有し、プログラミング処理の検証段の間前記合成値が用いられることを特徴とする請求項４９記載のメモリ。
【請求項６３】  不揮発性メモリにおいて、
１組の動作パラメータと目標基準とに基づいて前記不揮発性メモリの１以上の記憶エレメントに同時にバイアスをかける手段と、
前記１組の動作パラメータと目標基準とに基づいて前記記憶エレメントにバイアスをかけて、前記記憶エレメントの各々の状態を示すパラメータの値を複数回決定する手段と、
前記パラメータの前記対応する複数の値の合成値を前記記憶エレメントの各々について形成することにより前記記憶エレメントのデータ内容を決定する手段と、
を有することを特徴とする不揮発性メモリ。