Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスプレイ・システムにおけるパルス補正装置であって、
受像管のカソードに結合され、ビーム電流測定期間の間にビーム電流測定パルスを発生する出力を有するカソード電流感知手段と、
前記測定パルスに応答し、オーバーシュートを呈する傾向のある出力電圧パルスを発生する負荷回路と、
前記負荷回路に結合される第１の電極と、スイッチを介して基準電位源に結合される第２の電極を有する第１のコンデンサと、
前記オーバーシュートの存在に応答して所定の長さの時間にわたり前記スイッチを閉じ、それ以外のときには前記スイッチを開く制御回路と、
から成り、
前記パルス補正装置は、前記スイッチが閉じているときに、前記出力電圧パルスの前記オーバーシュートを減じる、前記パルス補正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
キード比較器の出力（Ｑ５のコレクタ）は、可変電流源Ｑ３および平滑／積分コンデンサＣ１に結合される。コンデンサＣ１は、固定電流源Ｑ１から供給される固定出力電流と加算される平滑された可変出力電流を発生する。固定電流源Ｑ１は、そのエミッタが電源端子Ｔ４に結合され、抵抗Ｒ３〜Ｒ５から成る分圧器からベース・バイアスを受け取る。可変電流源は、大地に結合されるエミッタ抵抗Ｒ８を有し平滑コンデンサＣ１と抵抗Ｒ７を介して大地に結合されるベースを有するトランジスタＱ３から成り、コンデンサＣ１に放電路を提供し、従って、コンデンサの放電時定数を設定する。可変電流源への入力は抵抗Ｒ９から供給され、抵抗Ｒ９はキード電流源の出力（Ｑ５のコレクタ）を、可変電流源Ｑ３のベースと積分／平滑コンデンサＣ１に結合させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
固定電流源Ｑ１と可変電流源Ｑ３から供給される２つの電流の差（Ｉｏ）は、漏れ電流を補正するために負荷回路に帰還される。例えば、もし受像管の漏れ電流が増加する傾向にあるならば、キード比較器はコンデンサＣ１の電荷を増加させ、それにより、トランジスタＱ３により導かれる電流を増加させる。この電流は固定電流源Ｑ１より供給される電流から差し引かれるので、負荷２００への正味出力電流Ｉｏは減少し、従って、負荷電圧を減少させ、基準電圧トランジスタＱ４のコレクタより供給される＋４.８ボルトの基準電圧レベルに負荷電圧を安定化させる。換言すると、漏れ電流が減少するならば、負荷電圧も減少する傾向にあり、キード比較器Ｑ５〜Ｑ７は、可変電流源Ｑ３より供給される電流を減少させる。その結果、可変電流源Ｑ３と固定電流源Ｑ１との差は増加し、従って、増加する正味出力電流Ｉｏを負荷２００に送り、従って、減少した漏れ電流を相殺し、基準電圧供給トランジスタＱ４から供給される４.８ボルトの基準レベルに負荷電圧を安定化させる。本発明のこの例において注目されるのは、プルアップ（ｐｕｌｌ−ｕｐ）電流源Ｑ１は約１３５μＡを供給する必要があることである。この値は少なくとも１２０μＡである必要があり、本発明の実施例で使用されている３個の受像管ドライバのための負の最大オフセット電流である。プルダウン（ｐｕｌｌ−ｄｏｗｎ）電流源Ｑ３については、出力電流は、例えば、０〜５００ｍＡの範囲にわたり変えられる必要がある。この値は少なくとも３６０μＡである必要があり、正のオフセット電流に、プルアップ電流源Ｑ１の１３５μＡをプラスしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  動画像信号と静止画像信号とを記録媒体に記録する記録手段と、
前記動画像信号の記録中における静止画記録の指示に従って、前記記録媒体に対して前記静止画像信号を記録するよう制御する制御手段と、
前記静止画記録の指示による前記静止画像信号の記録後、前記動画像信号の記録を引き続き行うか、または前記動画像信号及び静止画像信号の記録を停止するかを設定する設定手段とを備え、
前記制御手段は、前記設定手段による設定に応じて、前記静止画記録の指示による静止画像信号の記録後、前記動画像信号の記録を引き続き行うか、または前記動画像信号及び静止画像信号の記録を停止するかを切り替えることを特徴とする記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、動画と静止画とを磁気記録媒体に記録することの可能なビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）、カメラ一体型ＶＴＲ（ビデオカメラ）等の磁気記録装置に用いて好適な記録装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明による記録装置においては、動画像信号と静止画像信号とを記録媒体に記録する記録手段と、前記動画像信号の記録中における静止画記録の指示に従って、前記記録媒体に対して前記静止画像信号を記録するよう制御する制御手段と、前記静止画記録の指示による前記静止画像信号の記録後、前記動画像信号の記録を引き続き行うか、または前記動画像信号及び静止画像信号の記録を停止するかを設定する設定手段とを備え、前記制御手段は、前記設定手段による設定に応じて、前記静止画記録の指示による静止画像信号の記録後、前記動画像信号の記録を引き続き行うか、または前記動画像信号及び静止画像信号の記録を停止するかを切り替えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、静止画像信号の記録後に遷移する動作を設定できるため、静止画像信号の記録後に動画像信号の記録を引き続き行うように設定した場合は、静止画像信号の記録後に記録を停止することなく、動画像信号を記録することが可能となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子により得られた特定の画像を互いに向きを変えて複数表示する表示手段と、
前記表示手段に表示された複数の画像から、１つの画像をユーザーに選択させる選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記１つの画像に基づいて前記撮像素子の回転状態を推定し、前記推定した回転状態に応じて測光演算アルゴリズムを設定する設定手段とを有し、
前記設定された測光演算アルゴリズムを用いて、測光を行うことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
撮像素子により得られた特定の画像を互いに向きを変えて複数表示する表示ステップと、
前記表示ステップで表示された複数の画像から、１つの画像をユーザーに選択させる選択ステップと、
前記選択ステップで選択された前記１つの画像に基づいて前記撮像素子の回転状態を推定し、前記推定された回転状態に応じて測光演算アルゴリズムを設定する設定ステップとを有し、
前記設定された測光演算アルゴリズムを用いて、測光を行うことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するため、本発明の情報処理装置は、撮像素子により得られた特定の画像を互いに向きを変えて複数表示する表示手段と、前記表示手段に表示された複数の画像から、１つの画像をユーザーに選択させる選択手段と、前記選択手段によって選択された前記１つの画像に基づいて前記撮像素子の回転状態を推定し、前記推定した回転状態に応じて測光演算アルゴリズムを設定する設定手段とを有し、前記設定された測光演算アルゴリズムを用いて、測光を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の情報処理装置の制御方法は、撮像素子により得られた特定の画像を互いに向きを変えて複数表示する表示ステップと、前記表示ステップで表示された複数の画像から、１つの画像をユーザーに選択させる選択ステップと、前記選択ステップで選択された前記１つの画像に基づいて前記撮像素子の回転状態を推定し、前記推定された回転状態に応じて測光演算アルゴリズムを設定する設定ステップとを有し、前記設定された測光演算アルゴリズムを用いて、測光を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの半導体本体に互いに区画された第１半導体主面と第２半導体主面とを有し、前記第１半導体主面に絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、前記第１ゲート電極に整合され、前記第１半導体主面の導電型とは反対の導電型を示す第１領域と、前記第１領域上であって、前記第１ゲート電極の側壁に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜によって整合され、前記第１領域と同一導電型を示し、その第１領域に接する第２領域と、前記第２領域主面に前記第１の絶縁膜によって整合された金属・半導体反応層とから成る第１ＭＩＳＦＥＴと、前記第２半導体主面に絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、前記第２ゲート電極に整合され、前記第２半導体主面の導電型とは反対の導電型を示す第３領域と、前記第３領域上であって、前記第２ゲート電極の側壁に設けられた前記第１の絶縁膜に対してゲート長方向の幅が異なる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜によって整合され、前記第３領域と同一導電型を示し、その第３領域に接する第４領域と、前記第４領域主面に前記第２の絶縁膜によって整合された金属・半導体反応層とから成る第２ＭＩＳＦＥＴとを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、前記１、第２ＭＩＳＦＥＴそれぞれの金属・半導体反応層はコバルトシリサイドよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１において、前記第１、第２ゲート電極は半導体から成り、前記第１、第２ゲート電極のそれぞれの表面に金属・半導体反応層が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項３において、前記半導体は多結晶シリコンから成り、前記金属・半導体反応層はコバルトシリサイドよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
基板本体に第１半導体領域と第２半導体領域とを有し、前記第１半導体領域主面に第１の膜厚を有するゲート絶縁膜を介して設けられた第１ゲート電極と、前記第１ゲート電極に整合され、前記第１半導体領域内に前記第１半導体領域の導電型とは反対の導電型を示す第１不純物濃度の第１領域と、前記第１領域上であって、前記第１ゲート電極の側壁に第１側壁幅を有して選択形成された第１側壁幅を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に整合され、前記第１領域と同一導電型で、かつ前記第１不純物濃度と比較して高濃度を示し、一部がその第１領域にオーバラップする第２領域と、前記第２領域主面に前記第１の絶縁膜によって整合された金属・半導体反応層とから成る第１ＭＩＳＦＥＴと、前記第２半導体領域主面に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有するゲート絶縁膜を介して設けられた第２ゲート電極と、前記第２ゲート電極に整合され、前記第２半導体領域内に前記第１半導体領域の導電型とは反対の導電型を示す第３不純物濃度の第３領域と、前記第３領域上であって、前記第２ゲート電極の側壁に選択形成された、前記第１側壁幅よりも大きい第２側壁幅を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜によって整合され、前記第３領域と同一導電型で、かつ前記第３不純物濃度と比較して高濃度を示し、その第３領域にオーバラップする第４領域と、前記第４領域主面に前記第２の絶縁膜によって整合された金属・半導体反応層とから成る第２ＭＩＳＦＥＴとを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項５において、前記１、第２ＭＩＳＦＥＴそれぞれの金属・半導体反応層はコバルトシリサイドよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項５において、前記第１、第２ゲート電極は半導体から成り、前記第１、第２ゲート電極のそれぞれの表面に金属・半導体反応層が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項７において、前記半導体は多結晶シリコンから成り、前記金属・半導体反応層はコバルトシリサイドよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
半導体主面に互いに区画された第１半導体領域と第２半導体領域と、前記第１半導体領域に内に形成された低濃度領域および高濃度領域で構成されたＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域を有する第１ＭＩＳＦＥＴと、前記第２半導体領域に形成された低濃度領域および高濃度領域で構成されたＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域を有する第２ＭＩＳＦＥＴとから成る半導体集積回路装置であって、前記第２ＭＩＳＦＥＴにおける低濃度領域のオフセット長が前記第１ＭＩＳＦＥＴにおける低濃度領域のオフセット長よりも大きく、前記第１、第２ＭＩＳＦＥＴのそれぞれの高濃度領域表面に金属・半導体反応層が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記金属・半導体反応層はコバルトシリサイドよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ＣＭＯＳ回路の前記Ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記Ｐチャネル型ＴＦＴは、絶縁層を介して第１配線および第２配線によって活性層が挟まれた構造を有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層はチャネル形成領域に接して低濃度不純物領域を含んでおり、
前記チャネル形成領域は前記第１配線および前記第２配線に重なり、
前記低濃度不純物領域は前記第１配線に重なり、且つ、前記第２配線に重ならないように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記Ｎチャネル型ＴＦＴの前記第１配線と前記第２配線とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
Ｎチャネル型ＴＦＴで形成された画素ＴＦＴと保持容量とを有する画素マトリクス回路を含む半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴは絶縁層を介して第１配線および第２配線によって活性層が挟まれた構造を有し、
前記活性層はチャネル形成領域に接して低濃度不純物領域を含んでおり、
前記チャネル形成領域は前記第１配線および前記第２配線に重なり、
前記低濃度不純物領域は前記第１配線に重なり、且つ、前記第２配線に重ならないように形成されており、
前記保持容量は、前記第１配線および前記活性層によって前記絶縁層が挟まれた構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１配線はフローティング状態にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、前記第１配線は最低電源電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一基板上に形成された画素マトリクス回路とドライバー回路とを有する半導体装置であって、
前記画素マトリクス回路に含まれる画素ＴＦＴと前記ドライバー回路に含まれるＮチャネル型ＴＦＴは、絶縁層を介して第１配線および第２配線によって活性層が挟まれた構造を有し、
前記活性層はチャネル形成領域に接して低濃度不純物領域を含んでおり、
前記チャネル形成領域は前記第１配線および前記第２配線に重なり、
前記低濃度不純物領域は前記第１配線に重なり、且つ、前記第２配線に重ならないように形成され、
前記画素ＴＦＴが有する第１配線は最低電源電位に保持され、前記ドライバー回路に含まれるＮチャネル型ＴＦＴが有する第１配線は、該ドライバー回路に含まれるＮチャネル型ＴＦＴが有する第２配線と同電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９に記載された半導体装置とは、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型ＥＬディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
Ｎチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置の作製方法であって、
基板上に第１配線を形成し、
前記第１配線の上に第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層の上に前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層および前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層を形成し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層および前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層を覆って第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層の上に第２配線を形成し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層において、前記第１配線が重なり、且つ、前記第２配線が重ならない部分に、第１の低濃度不純物領域と第２の低濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜に接する絶縁膜とを有する半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続される配線と、
前記半導体素子、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を囲うように設けられたシーリング材と、を有し、
前記シーリング材は、接着剤によって前記絶縁表面に固着され、
前記接着剤は、前記配線と接し、
前記半導体膜は、スパッタ法により形成され、かつ前記絶縁膜が接した状態で結晶化されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜に接する絶縁膜とを有する半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続される配線と、
前記半導体素子、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を囲うように設けられたシーリング材と、を有し、
前記シーリング材は、接着剤によって前記絶縁表面に固着され、
前記配線は、前記シーリング材と前記絶縁表面との間に設けられ、
前記半導体膜は、スパッタ法により形成され、かつ前記絶縁膜が接した状態で結晶化されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体膜は、シリコンまたはシリコンを主成分とする材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁膜は、スパッタ法により形成され、
前記絶縁膜と前記半導体膜とは、大気に触れることなく連続形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上にスパッタ法により形成される半導体膜と、前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート配線とを有する半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続される配線と、
前記半導体素子、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を囲うように設けられたシーリング材と、を有し、
前記シーリング材は、接着剤によって前記絶縁表面に固着され、
前記接着剤は、前記配線と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上にスパッタ法により形成される半導体膜と、前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート配線とを有する半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続される配線と、
前記半導体素子、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を囲うように設けられたシーリング材と、を有し、
前記シーリング材は、接着剤によって前記絶縁表面に固着され、
前記配線は、前記シーリング材と前記絶縁表面との間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に設けられたゲート配線と、前記ゲート配線上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にスパッタ法により形成される半導体膜とを有する半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続される配線と、
前記半導体素子、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を囲うように設けられたシーリング材と、を有し、
前記シーリング材は、接着剤によって前記絶縁表面に固着され、
前記接着剤は、前記配線と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面上に設けられたゲート配線と、前記ゲート配線上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にスパッタ法により形成される半導体膜とを有する半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続される配線と、
前記半導体素子、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を囲うように設けられたシーリング材と、を有し、
前記シーリング材は、接着剤によって前記絶縁表面に固着され、
前記配線は、前記シーリング材と前記絶縁表面との間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜、または有機樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記配線は、ＦＰＣに電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記シーリング材は、金属板、ガラス板、または紫外線硬化樹脂からなる凹部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記絶縁表面と前記シーリング材との空隙に、不活性ガスが充填されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記絶縁表面と前記シーリング材との空隙に、乾燥剤が設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】テレビ電話機能付きディスプレイ装置、及び電話の着信処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  テレビ電話機能を有するテレビ電話機能付きディスプレイ装置において、
電話発信元の情報を記憶する記憶手段と、
電話着信時の前記ディスプレイ装置の動作状況を判別する判別手段と、
前記記憶手段により記憶している情報と、前記判別手段により判別した動作状況と、に基づいて、電話着信時の処理を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項２】  前記記憶手段により記憶する情報は、前記電話発信元の優先度を含むことを特徴とする請求項１記載のテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項３】  前記記憶手段により記憶する情報は、前記電話発信元の優先度に応じた電話着信時の処理を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項４】  前記制御手段は、ディスプレイ装置の表示内容又は電話回線の接続のうち、何れか一方または両方を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項５】  前記電話着信時の処理は、電話発信元の画像の表示、留守番電話の記録、又は、電話に出るかをユーザに選択させるための指示画面の表示、の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項６】  テレビ電話機能を有するテレビ電話機能付きディスプレイ装置において、
電話発信元の優先度と、前記優先度に応じた電話着信時の処理と、を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶している情報に基づいて、電話着信時の処理を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項７】  前記制御手段は、電話着信時の前記ディスプレイ装置の動作状況に基づいて、制御することを特徴とする請求項６記載のテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項８】  電話の発信元の情報を、前記記憶手段により記憶されている情報から検索する検索手段を備え、
前記制御手段は、前記検索手段による検索結果に基づいて、制御することを特徴とする請求項６又は７に記載のテレビ電話機能付きディスプレイ装置。
【請求項９】  電話の着信処理方法であって、
電話着信時のディスプレイ装置の表示状況を判別するための判別工程と、
電話発信元の情報と、前記判別工程において判別された表示状況と、に基づいて、電話着信時の処理を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする電話の着信処理方法。
【請求項１０】  電話の着信処理方法であって、
電話発信元を識別する識別工程と、
前記識別工程において識別した発信元の優先度に応じて、電話着信時の処理を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする電話の着信処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビ電話機能付きディスプレイ装置、及び電話の着信処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、ユーザが希望しないときの着信に対しても一律に応答してしまうことによる不具合を少なくすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のテレビ電話機能付きディスプレイ装置は、テレビ電話機能を有するディスプレイ装置において、電話発信元の情報を記憶する記憶手段と、電話着信時の前記ディスプレイ装置の動作状況を判別する判別手段と、前記記憶手段により記憶している情報と、前記判別手段により判別した動作状況と、に基づいて、電話着信時の処理を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
また、本発明のテレビ電話機能付きディスプレイ装置の他の特徴とするところは、テレビ電話機能を有するテレビ電話機能付きディスプレイ装置において、電話発信元の優先度と、前記優先度に応じた電話着信時の処理と、を記憶する記憶手段と、前記記憶手段により記憶している情報に基づいて、電話着信時の処理を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の電話の着信処理方法は、電話の着信処理方法であって、電話着信時のディスプレイ装置の表示状況を判別するための判別工程と、電話発信元の情報と、前記判別工程において判別された表示状況と、に基づいて、電話着信時の処理を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の電話の着信処理方法の他の特徴とするところは、電話の着信処理方法であって、電話発信元を識別する識別工程と、前記識別工程において識別した発信元の優先度に応じて、電話着信時の処理を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上記説明によれば、テレビ電話機能を有するディスプレイ装置において、電話発信者名及び上記電話発信者名に応じた受信手順を予め記憶しておき、着信があったときには上記記憶内容に応じてディスプレイの表示制御及び回線接続制御を行うようにしたので、ユーザの番組視聴を無為に妨げる不都合を確実に防止することができるとともに、重要であると思われる着信に対しては直ちに対応することができる。
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電話着信時の処理を柔軟に制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ファクシミリ形式のデータを伝送するファクシミリ装置と、前記ファクシミリ装置から受信したファクシミリ形式のデータの情報を電子メール形式に変換して送信するネットワークとを有して構成される通信システムにおいて、
前記ファクシミリ装置は、該当するファクシミリ送信の重要度を入力する重要度入力手段と、ファクシミリ送信とともに前記重要度情報を送信する重要度情報送信手段とを有し、
前記ネットワークは、ファクシミリ形式のデータとともに前記重要度情報を受信する重要度情報受信手段と、電子メール形式のデータに前記重要度情報を付加する重要度情報付加手段とを有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】  請求項１において、
前記ファクシミリ装置は、ファクシミリ送信する原稿の所定の位置に重要度を意味するマークをユーザが書き込めるようにする領域確保手段と、前記原稿を読み取る時に前記マークにより重要度情報を識別する識別手段とを有することを特徴とする通信システム。
【請求項３】  請求項１において、
前記重要度入力手段は、ファクシミリ装置の操作部から重要度を入力する手段であることを特徴とする通信システム。
【請求項４】  請求項２または３において、
前記ファクシミリ装置で送信原稿が複数ページある場合に、ページの途中で重要度を変更して入力できる手段を有することを特徴とする通信システム。
【請求項５】  請求項１において、
前記ファクシミリ装置は、入力された重要度情報に対応した重要度画像を、ファクシミリ送信画像に付加してファクシミリ送信を行なう手段を有し、前記ネットワークは、前記ファクシミリ送信画像に付加された重要度画像を受信する手段を有することを特徴とする通信システム。
【請求項６】  請求項１において、
前記ファクシミリ装置は、入力された重要度情報を文字コード形式で送信する手段を有し、前記ネットワークは、文字コード形式で送信される重要度情報を受信する手段を有することを特徴とする通信システム。
【請求項７】  請求項１において、
前記ファクシミリ装置は、入力された重要度情報を送信するファクシミリデータの属性値としてファクシミリ形式データに付加して送信する手段を有し、前記ネットワークは、前記ファクシミリ形式データに付加された属性値の情報を受信する手段を有することを特徴とする通信システム。
【請求項８】  請求項１において、
前記ファクシミリ装置は、入力された重要度情報をファクシミリ制御手順信号に付加した重要度拡張情報に前記重要度情報を格納して送信を行う手段を有し、前記ネットワークは、前記重要度拡張情報に格納された重要度情報を受信する手段を有することを特徴とする通信システム。
【請求項９】  請求項８において、
前記重要度拡張情報は、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｔ．３０に規定されるＤＣＳ信号に設けられることを特徴とする通信システム。
【請求項１０】  請求項１、５、６、７、８または９において、
前記ファクシミリ制御手順信号に重要度拡張情報を付加することにより、この重要度拡張情報の内容に基づいて、重要度情報を送信するか否かを選択して実行することを特徴とする通信システム。
【請求項１１】  請求項１０において、
前記重要度拡張情報は、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｔ．３０に規定されるＤＩＳ、ＤＴＣ、ＤＴＳ信号に設けられることを特徴とする通信システム。
【請求項１２】  請求項１において、
前記ネットワークは、ファクシミリ受信したデータを処理してデータに含まれる重要度情報を識別する識別手段を有することを特徴とする通信システム。
【請求項１３】  電子メールを送信するファクシミリ装置において、
該当する電子メール送信の重要度を入力する重要度入力手段と、送信する電子メール形式のデータに前記重要度情報を含む手段と、前記電子メールを送信する手段とを有することを特徴とするファクシミリ装置。
【請求項１４】  ファクシミリ形式のデータを送信するファクシミリ装置において、
該当するファクシミリ送信の重要度を入力する重要度入力手段と、前記重要度情報を送信する送信手段とを有することを特徴とするファクシミリ装置。
【請求項１５】  ファクシミリ形式のデータを伝送するファクシミリ装置と、前記ファクシミリ装置から受信したファクシミリ形式のデータの情報を電子メール形式に変換して送信するネットワークとを有して構成される通信システムの制御方法において、
前記ファクシミリ装置において、該当するファクシミリ送信の重要度を入力する重要度入力工程と、ファクシミリ送信とともに前記重要度情報を送信する重要度情報送信工程とを有し、
前記ネットワークにおいて、ファクシミリ形式のデータとともに前記重要度情報を受信する重要度情報受信工程と、電子メール形式のデータに前記重要度情報を付加する重要度情報付加工程とを有することを特徴とする通信システムの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に変化する記録層を含み、前記記録層に所定波長のレーザ光を入射することにより、前記記録層を前記結晶状態および前記アモルファス状態から選ばれるいずれか一方から他方へと変化させる光学情報記録媒体であって、
前記記録層が前記結晶状態であるときの前記記録層における前記レーザ光の吸収率Ａｃが、前記記録層が前記アモルファス状態であるときの前記記録層における前記レーザ光の吸収率Ａａよりも大きく、
前記記録層のいずれか一方に接して、前記記録層の前記アモルファス状態から前記結晶状態への変化を促進する結晶化促進層が設けられていることを特徴とする光学情報記録媒体。
【請求項２】
前記記録層が結晶状態であるときの光学情報記録媒体における前記所定波長のレーザ光の反射率Ｒｃは、前記記録層がアモルファス状態であるときの前記光学情報記録媒体における前記所定波長のレーザ光の反射率Ｒａよりも小さい請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項３】
前記光学上方記録媒体は、いずれかの層に光吸収補正層をさらに含む請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】
前記レーザ光の前記所定波長における前記光吸収補正層の屈折率が２よりも小さく、前記レーザ光の前記所定波長における前記光吸収補正層の吸収係数が２よりも大きい請求項２に記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】
前記光吸収補正層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ＣｒおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種を含む請求項３に記載の光学情報記録媒体。
【請求項６】
前記光吸収補正層は、前記レーザ光の前記所定波長における前記光吸収補正層の屈折率が２よりも大きく、前記レーザ光の前記所定波長における前記光吸収補正層の吸収係数が２よりも小さい請求項３に記載の光学情報記録媒体。
【請求項７】
前記光吸収補正層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれる少なくとも１種を含む請求項６に記載の光学情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層が結晶状態であるときの光学情報記録媒体における所定波長のレーザ光の透過率Ｔｃは、前記記録層がアモルファス状態であるときの前記光学情報記録媒体における前記所定波長のレーザ光の透過率Ｔａよりも小さい請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項９】
前記光吸収補正層は、前記レーザ光の前記所定波長における前記光吸収補正層の屈折率が３よりも小さく、前記レーザ光の前記所定波長における前記光吸収補正層の吸収係数が６よりも小さい請求項３に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１０】
前記光吸収補正層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる少なくとも１種を含む請求項９に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１１】
前記光吸収補正層の膜厚は２０ｎｍ以下である請求項３に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１２】
記録層が結晶状態であるときの前記記録層以外の層における所定波長のレーザ光の吸収率Ａ’ｃが、前記記録層がアモルファス状態であるときの前記記録層以外の層における前記所定波長のレーザ光の吸収率Ａ’ａよりも小さい請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１３】
前記記録層は、Ｔｅ、ＳｅおよびＳｂから選ばれる少なくとも１つを含む相変化材料からなる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１４】
前記記録層は、Ｔｅ、ＳｂおよびＧｅを含む相変化材料からなる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１５】
前記結晶化促進層が、窒化物、酸化物および炭化物から選ばれる少なくとも１つを主成分とする材料からなる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１６】
前記結晶化促進層は、ＺｎおよびＳを含む請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１７】
前記結晶化促進層は、ＺｎおよびＳを含み、Ｓに対するＺｎの原子比が１よりも大きい請求項１６に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１８】
前記結晶化促進層は、Ｚｎ、Ｓ、ＳｉおよびＯを主成分として含み、前記結晶化促進層におけるＳｉに対するＯの原子比が２よりも大きい請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１９】
前記記録層の膜厚は１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項２０】
前記結晶化促進層の膜厚は１ｎｍ以上である請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項２１】
前記記録層の組成は、（（ＧｅＴｅ）1-x（Ｓｂ2Ｔｅ3）x）1-yＳｂy（ただし、１／１３≦ｘ≦１／３、０≦ｙ≦２／３）により示される請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項２２】
前記少なくとも一方の結晶化促進層に接して保護層が設けられている請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項２３】
光吸収補正層をさらに含み、前記光吸収補正層がない状態では前記Ａｃが前記Ａａ以下であるが、前記光吸収補正層が存在することにより、前記Ａｃが前記Ａａより大きくなる請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項２４】
請求項１〜２３に記載のいずれかの光学情報記録媒体を用いた光学情報の記録再生方法であって、
光学系により微小スポットに絞り込んだレーザー光の照射により前記記録層のうちの局所的な一部分が結晶状態からアモルファス状態へと可逆的に変化し得るアモルファス状態生成パワーレベルをＰ1、前記レーザー光の照射により前記記録層の局所的な一部がアモルファス状態から結晶状態へと可逆的に変化し得る結晶状態生成パワーレベルをＰ2、前記Ｐ1および前記Ｐ2のいずれのパワーレベルよりも低く、前記レーザー光の照射によって前記記録層の光学的状態が影響を受けず、かつその照射によって光学情報の再生のために十分な反射が得られる再生パワーレベルをＰ3としたとき、
前記レーザー光のパワーレベルを前記Ｐ1と前記Ｐ2との間で変調させることにより光学情報の記録、消去または上書きを行い、前記Ｐ3のパワーレベルの前記レーザー光を照射することにより光学情報の再生を行うことを特徴とする光学情報の記録再生方法。
【請求項２５】
前記光学情報記録媒体上におけるレーザー光の走査の線速度を４ｍ／ｓ以上とする請求項２４に記載の光学情報の記録再生方法。
【請求項２６】
前記レーザ光の波長は、７８０ｎｍ以下の範囲である請求項２４に記載の光学情報の記録再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の光学情報記録媒体は、結晶状態とアモルファス状態との間を可逆的に変化する記録層を含み、前記記録層に所定波長のレーザ光を入射することにより、前記記録層を前記結晶状態および前記アモルファス状態から選ばれるいずれか一方から他方へと変化させる光学情報記録媒体であって、前記記録層が前記結晶状態であるときの前記記録層における前記レーザ光の吸収率Ａｃが、前記記録層が前記アモルファス状態であるときの前記記録層における前記レーザ光の吸収率Ａａよりも大きく、前記記録層のいずれか一方に接して、前記記録層の前記アモルファス状態から前記結晶状態への変化を促進する結晶化促進層が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスク再生及び／又は記録装置内において、中心付近に開口(２)を有するディスク形状データ担体(１)を回転するための装置であって、前記ディスク形状データ担体(１)の表面を支持するプレート（４）と、前記開口（２）に当該固着手段（５）の一部を挿入することにより前記ディスク形状データ担体(１)を前記プレート（４）に取り外し可能に固着する固着手段（５）と、前記ディスク再生及び／又は記録装置に少なくとも部分的に機械的に接続されており、前記プレート（４）及び／又は前記固着手段（５）に作用することにより前記ディスク形状データ担体(１)を回転させる駆動手段（６）と、前記プレート（４）及び前記固着手段（５）の回転軸（３）にほぼ垂直な移動平面内で前記固着手段（５）が横方向に動くことを可能にする横移動手段（１４、１５）とを少なくとも備え、前記横移動手段（１４、１５）は、さらに、前記移動平面内で前記プレート（４）が横方向に動くことを可能にしていることを特徴とする装置。
【請求項２】  前記横移動手段は、前記再生及び／又は記録装置内において、前記移動平面に平行な方向（Ｘ、Ｙ）に沿って前記駆動手段（６）が動くことを可能にするスライディング手段（１６）と、一端で前記再生及び／又は記録装置（７８）に固着され他端で前記駆動手段（６）に固着された可撓性伸長手段（１４、１５）とを備えており、少なくとも前記駆動手段（６）が前記ディスク形状データ担体(１)の駆動を止めている時に該駆動手段（６）が所定の休止位置に位置するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記横移動手段は、一端が前記駆動手段（６）に接続されていると共に他端が前記プレート（４）及び／又は前記固着手段（５）に接続されており、当該可撓性伝達手段（２０）を介して前記駆動手段（６）が前記プレート（４）及び／又は前記固着手段（５）に作用する可撓性伝達手段（２０）をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】  前記横移動手段は、前記プレート（４）上に取り付けられた第１のベアリング手段（１９）を備えており、前記再生及び／又は記録装置（７９）は、前記移動平面に平行な支持表面（１８）を少なくとも備えており、前記第１のベアリング手段（１９）は前記プレート（４）及び前記固着手段（５）が回転している間は該プレート（４）及び該固着手段（５）が前記支持表面（１８）上をスライド可能となるように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記横移動手段は、スライディング支持体（２６）を備えており、前記再生及び／又は記録装置（８０）は、前記移動平面に平行な支持表面（１８）を少なくとも備えており、前記スライディング支持体（２６）は、前記支持表面（１８）上をスライドし、前記スライディング支持体（２６）は、当該駆動用開口（３０）を介して前記駆動手段（６）が前記プレート（４）及び／又は前記固着手段（５）に作用する駆動用開口（３０）を有していることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】  前記プレート（４）及び／又は前記固着手段（５）の少なくとも伸長部分（２９）は、該伸長部分（２９）を前記駆動開口（３０）内で回転可能にする第２のベアリング手段（２８）に該駆動用開口（３０）を介して装着されており、前記伸長部分（２９）は前記可撓性伝達手段（２０）の前記他端に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】  少なくとも前記駆動手段（６）が前記ディスク形状データ担体（１）の駆動を止めている時に前記プレート（４）及び前記固定手段（５）を中心位置に位置決めするセンタリング手段（２１）をさらに備えていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】  前記横移動手段は、当該駆動用開口（３０）を介して前記駆動手段（３１、３２）が前記プレート（４）及び／又は前記固着手段（５）に作用する駆動用開口（３０）を有するスライディング支持体（２６、２７）を備えており、
前記再生及び／又は記録装置（８１）は、前記スライディング支持体（２６、２７）が当該支持表面（１８）上をスライドするように、前記移動平面に平行な支持表面（１８）を少なくとも備えており、
前記プレート（４）又は前記固着手段（５）は、当該伸長部分（２９）を前記駆動開口（３０）内で回転可能にする第２のベアリング手段（２８）に該駆動用開口（３０）を介して装着された伸長部分（２９）をさらに備えており、前記駆動手段（６）は、当該ロータ磁石（３１）及び当該ステータ電磁石（３２）が電気モータとして協働するように、前記伸長部分（２９）上に取り付けられたロータ磁石（３１）と、前記再生及び／又は記録装置上に取り付けられたステータ電磁石（３２）とを備えており、
前記装置は、少なくとも前記駆動手段（６）が前記ディスク形状データ担体（１）の駆動を止めている時に前記プレート（４）及び前記固定手段（５）を中心位置に位置決めするセンタリング手段（２１、２２、２３）をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。