(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハーのパターンを上向きにして半導体ウェハーを乗せて移送するメッシュコンベヤーと、
前記メッシュコンベヤーの上方に設置されており、前記半導体ウェハーのパターンが除去されるように前記半導体ウェハーの表面にグリットを噴射する一つ以上の投射ノズルを備えるグリットブラスターと、
前記メッシュコンベヤーによって移送される前記半導体ウェハーの移送方向と交差するように前記投射ノズルをスイングさせるスイング手段と、
前記メッシュコンベヤーの下方に設置されており、前記メッシュコンベヤーから落下するグリットと、チップと、粉塵を含む粉体を捕集する捕集手段と、
前記捕集手段に連結されており、前記捕集手段から供給される前記粉体から前記グリットおよび前記チップと粉塵を分離するサイクロン分離手段と、
前記分離手段に連結されており、前記分離手段から排出される前記粉塵を集塵する集塵手段とを含み、
前記スイング手段は、
前記投射ノズルが前記半導体ウェハーの移送方向に沿って取り付けられているスピンドルと、
前記スピンドルの回転力を提供する軸を有するモータと、
前記スピンドルがスイングされるように前記モータの回転力を変換して前記スピンドルに伝達するように、前記スピンドルと前記モータの軸に連結されているリンク装置とを含んでなることを特徴とする半導体ウェハーの再生システム。
【請求項２】
前記分離手段は、サイクロン分離器であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項３】
前記グリットブラスターは、
前記メッシュコンベヤーの上部に前記半導体ウェハーの移送方向に沿って取り付けられている複数の投射ノズルと、
前記投射ノズルに連結されているタンクを有し、前記投射ノズルに前記グリットを供給するグリット供給装置と、
前記投射ノズルに圧縮空気を供給する圧縮空気供給装置とを含んでなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項４】
前記タンクが、前記分離手段で分離される前記グリットおよび前記チップを回収し得るように、前記分離手段に連結されていることを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項５】
前記投射ノズルのうち最下流ノズルと近接するように取り付けられており、圧縮空気の噴射によって前記半導体ウェハーの表面に残っている粉体を除去し得るように前記圧縮空気供給装置に連結されているクリーニングノズルをさらに含んでなることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項６】
前記メッシュコンベヤーの上方に、前記投射ノズルの周囲を取り囲む第１トンネルを形成するようにブラストブースが設置されており、前記ブラストブースの下流に、前記クリーニングノズルの周囲を取り囲む第２トンネルを形成するようにクリーニングブースが設置されており、前記第１トンネルと前記第２トンネルは、前記半導体ウェハーの移送方向に沿って整列されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項７】
前記リンク装置は、
前記モータの軸に装着されているディスクと、
前記ディスクに一端が揺動可能に結合する第１リンクと、
前記第１リンクに一端がピボットを中心として回転し得るように連結されており、前記スピンドルの一端に他端が回転可能に連結されている第２リンクとを含んでなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項８】
前記捕集手段は、
前記メッシュコンベヤーの下方に取り付けられており、前記粉体の流入のための入口と前記粉体の排出のための出口を有する複数のホッパーと、
前記ホッパーそれぞれの出口に連結されている第１粉体パイプラインと、
前記第１粉体パイプラインの一側と前記サイクロン分離手段に連結されている第２粉体パイプラインとを含んでなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項９】
前記ホッパーの入口の上部に取り付けられており、前記半導体ウェハーの破損によって発生する破片をフィルタリングすることが可能な第１スクリーンフィルタと、
前記第２粉体パイプラインの上流に取り付けられており、前記グリットの粒度より大きい粒度の前記チップをフィルタリングすることが可能な第２スクリーンフィルタとをさらに含んでなることを特徴とする請求項８に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１０】
前記集塵手段は、
前記サイクロン分離手段に連結されているチャンバーを有するハウジングと、
前記チャンバーに、前記サイクロン分離手段からの粉塵をフィルタリングし得るように取り付けられている複数のフィルタと、
前記ハウジングの一側に、前記チャンバーから前記粉塵のフィルタリングされた空気を排出し得るように取り付けられているエアブロワーとを含んでなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１１】
前記メッシュコンベヤーの上流に前記半導体ウェハーを一枚ずつ連続してロードし得るように設置されているデスタッカをさらに含んでなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１２】
前記デスタッカは、
前記メッシュコンベヤーの上流に設置されているフレームと、
前記フレームの上面に装着されており、前記半導体ウェハーのパターンを上向きにして前記半導体ウェハーを複数積載することが可能な積載空間を有するスタッカと、
前記スタッカの下部に装着されており、前記スタッカの積載空間に積載されている複数の半導体ウェハーのうち最上端半導体ウェハーが待機位置にくるように前記半導体ウェハーを上昇させるリフト装置と、
前記フレームの上部に装着されており、前記待機位置に位置する前記最上端半導体ウェハーを把持して前記メッシュコンベヤーの上流にロードするローダーとを含んでなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１３】
前記スタッカは、
前記フレームの上面に前記積載空間を形成するように起立しており、前記積載空間の前方から前記半導体ウェハーをロードし得るように前記積載空間の水平中心軸線を基準として後方に円周方向に沿って配列されている複数のサポートバーと、
前記サポートバーの上端と中央にそれぞれ固定されている上部固定板および中間固定板と、
前記中間固定板の上部に前記サポートバーに沿って昇降し得るように装着されており、前記半導体ウェハーがのせられるテーブルとを含んでなることを特徴とする請求項１２に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１４】
前記上部固定板と前記テーブルそれぞれの半径方向に沿って複数の位置決め孔が整列されるように設けられており、前記複数の位置決め孔に、前記半導体ウェハーの外面を支持し得るように複数の位置決めバーが装着されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１５】
前記リフト装置は、
前記フレームの上面に起立しており、前記テーブルの下面に結合しているシリンダロードを有する第１エアシリンダと、
前記フレームの両側にお互い対向するように取り付けられている一対のガイドレール、および前記ガイドレールに沿ってスライドされるように取り付けられており、前記テーブルの両側に結合している一対のスライドを有する第１リニアモーションガイドとを含んでなることを特徴とする請求項１２に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１６】
前記ローダーは、
前記フレームの上部に取り付けられているアームと、
前記アームの上部に取り付けられており、シリンダロードを有する第２エアシリンダと、
前記第２エアシリンダのシリンダロードに結合しているキャリッジと、
前記アームの上面に取り付けられているガイドレール、および前記ガイドレールに沿ってスライドされるように取り付けられており、前記キャリッジに結合しているスライドを有する第２リニアモーションガイドと、
前記キャリッジの下面一側に取り付けられており、前記待機位置に位置している前記最上端半導体ウェハーを真空吸着することが可能な真空パッドを有する真空吸着ユニットとを含んでなることを特徴とする請求項１２に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１７】
前記フレームの一側に装着されており、前記半導体ウェハーが前記真空パッドに真空吸着されるとき、前記複数の半導体ウェハーのうち前記最上端半導体ウェハーが２番目の半導体ウェハーと分離されるように圧縮空気を噴射するエアブラスターをさらに含んでなることを特徴とする請求項１６に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１８】
前記半導体ウェハーから水気や保護膜を除去するベーキング手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【請求項１９】
前記ベーキング手段は、
乾燥室と、
前記乾燥室と連結されている入口と出口を有するオーブンと、
前記オーブンの入口と出口を介して前記乾燥室に前記半導体ウェハーをのせて移送し得るように設置されているコンベヤーと、
前記乾燥室に取り付けられているヒータとをさらに含んでなることを特徴とする請求項１８に記載の半導体ウェハーの再生システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハーの再生システムに係り、より詳しくは、半導体ウェハーの欠陥付きパターンを除去してシリコンウェハーを再生するための半導体ウェハーの再生システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程で、単位工程たちが高度で精密化、系列化されていることを考慮して、一般的にウェハーの状態が相変らず良好か、以前工程で損傷されなかったのかを検証するためのウェハーテストが単位工程たちの間に遂行される。ウェハーの上にあるダイの中で損傷されたことに判定されるダイの数が基準値を超過する場合には、該当のウェハーは後続の工程に投入されなくて廃棄される。一方、金属配線工程が完了した後には、半導体素子たちが正常に動作するのか可否を多様に試すデバイステストが遂行される。正常に動作する素子の割合を表示する収率が充分に高い場合に、ウェハーは切断してリードフレームに附着した後に、パッケージングされる。しかし、収率が基準値より低いウェハーは廃棄される。
【０００３】
ウェハーテストやデバイステストをパスすることができなくて廃棄されるウェハーは回路パターンを維持しているから、他の用途に使われることができなくて、一般的に粉砕して埋め込んでいる。廃棄されるウェハーをこのように処理することは高価の資源を浪費する結果をもたらすだけでなく、環境汚染を引き起こすこともできる。よって、廃棄されるウェハーをリサイクルすることができる方案が強く要求されている。
【０００４】
廃棄されるウェハーをリサイクルするための方案が提示されたことがある。例えば、米国特許第６，７０６，６３６号明細書には、半導体ウェハーを混合酸を使って再生する方法が開示されている。この方法によれば、ウェハーを研磨された後に混合酸に浸漬させる。以後に、ウェハーを表面処理して平坦化して、高温で熱処理して最終的に再生されたウェハーを得るようになる。けれども、この方法は多数の工程を含んでいるから、再生に多い時間が消耗して非效率的だと言える。さらに、単純にウェハーを研磨して混合酸に浸漬することだけでは、純粋なシリコーンとは物性が相異なっているイオン注入領域や表面で深く形成されたトレンチを完全にとり除きにくい。しかも、多くの種類の酸を使うようになるによって、ウェハーの再生費用が高くなることができる。
【０００５】
米国特許出願公開第２００５／００９２３４９号明細書には、半導体ウェハーを一連の過程すなわち、エッチング、研磨及び熱処理によって再生する方法が開示されている。多くの工程の中でも、この方法はウェハーを２０分ないし５時間の間に熱処理するのに焦点を合わせている。よって、この方法は時間消耗がもっとひどくて非效率的と言える。
【０００６】
このように、従来の方法は生産性が低く、多量の薬品と研磨剤が使用されてコストが大きくアップするという問題点がある。したがって、従来のウェハーの再生方法は経済的側面で利益がほとんどない問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記問題点を解決するために案出されたものであって、半導体ウェハーのパターンを簡単且つ効率よく除去して再生することが可能な、半導体ウェハーの再生システムを提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を達成すべく本発明の半導体ウェハーの再生システムは、半導体ウェハーの表面にグリットを噴射することで半導体ウェハーのパターンを乾式で除去する。
【００１０】
本発明の一観点によれば、半導体ウェハーのパターンを上向きにして半導体ウェハーを乗せて移送するメッシュコンベヤーと、
前記メッシュコンベヤーの上方に設置されており、前記半導体ウェハーのパターンが除去されるように前記半導体ウェハーの表面にグリットを噴射する一つ以上の投射ノズルを備えるグリットブラスターと、
前記メッシュコンベヤーによって移送される前記半導体ウェハーの移送方向と交差するように前記投射ノズルをスイングさせるスイング手段と、
前記メッシュコンベヤーの下方に設置されており、前記メッシュコンベヤーから落下するグリットと、チップと、粉塵を含む粉体を捕集する捕集手段と、
前記捕集手段に連結されており、前記捕集手段から供給される前記粉体から前記グリットおよび前記チップと粉塵を分離するサイクロン分離手段と、
前記分離手段に連結されており、前記分離手段から排出される前記粉塵を集塵する集塵手段とを含み、
前記スイング手段は、
前記投射ノズルが前記半導体ウェハーの移送方向に沿って取り付けられているスピンドルと、
前記スピンドルの回転力を提供する軸を有するモータと、
前記スピンドルがスイングされるように前記モータの回転力を変換して前記スピンドルに伝達するように、前記スピンドルと前記モータの軸に連結されているリンク装置とを含んでなることを特徴とする半導体ウェハーの再生システムが提供される。
【００１１】
半導体ウェハーの表面に噴射されたグリットは前記分離手段によって分離し、リサイクルされることができる。このような場合、全体プロセスの費用を節減することができる。このように前記グリットおよび前記チップを分離する前記分離手段ではサイクロン分離器を使うことができる。
【００１２】
前記半導体ウェハーをメッシュコンベヤーの上にロードする作業はデスタッカによって自動的に行なうことができる。
【発明の効果】
【００１４】
上述したように、本発明に係る半導体ウェハーの再生システムによれば、半導体ウェハーの欠陥付きパターンを簡単且つ効率よく除去することができる。本発明によって再生される半導体ウェハーは集積回路より平坦度及び純度に対する要求水準が低い応用分野、例えば太陽電池などの製作に使われることができる。また、本発明によれば、半導体ウェハーのパターンをグリットブラストによる乾式で除去することによりチップや粉塵などの粉体を容易に処理することができ、使用後のグリットおよびチップをグリットブラストに再利用して費用を節減することができるうえ、半導体ウェハーを自動に供給して収率を大幅向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
まず、図１および図２を参照すると、本発明に係る半導体ウェハーの再生システム(以下、再生システム)はフレーム１０を備える。フレーム１０の上部にはシリコンウェハー１を移送するメッシュコンベヤー(Mesh  conveyor)２０が設置されている。また、フレーム１０の上部には、メッシュコンベヤー２０の上部と側面を取り囲むブラストブース(Blasting  booth)６０が設置されており、ブラストブース６０の下流にはクリーニングブース６５が設置されている。ブラストブース６０の内部には、メッシュコンベヤー２０の上方で移送されるシリコンウェハー１の表面にパターン２の除去のためのグリットＧを噴射するグリットブラスターが設置されている。一方、クリーニングブース６５の内部には、ウェハー１の表面に残っている不純物を圧縮空気によってとり除くクリーニングノズルが取り付けられている。
【００１７】
一方、メッシュコンベヤー２０の下部にはシリコンウェハーを衝突しないでバイパスするグリットと、ウェハーと衝突してパターンをとり除いて飛ぶグリットと、ウェハーとの衝突によって生成されるグリット切れと、ウェハーで脱落する絶縁物や金属配線パターン切れと、ウェハーやグリットが破鎖された粉末を捕集するための捕集装置(collecting  device)９０が設置されている。特許請求範囲を含んだこの明細書で、“グリットＧ”という用語は最初に充電されるグリットと、ウェハーを衝突しないでバイパスするグリットと、ウェハーと衝突してパターンをとり除いて飛ぶグリットと、ウェハーとの衝突によって生成されるグリット切れを総称する意味で使われる。そして、“チップＣ”という用語はウェハーで脱落する絶縁物や金属配線パターン切れを総称する意味で使われる。また、“粉塵Ｄ”という用語はウェハーやグリットが破鎖された粉末を表現する意味で使われる。そして、“粉体Ｐ”という用語はメッシュコンベヤー２０から落下するグリットＧと、チップＣと、粉塵Ｄの集合物を表現する意味で使われる。
【００１８】
サイクロン分離器(Cyclone  separator)１００は、捕集装置９０に連結されており、捕集装置９０の第２粉体パイプライン９３を介して排出される粉体ＰからグリットＧおよびチップＣと粉塵Ｄを遠心力によって分離する。集塵装置(Dust  collector)１１０はサイクロン分離器１００から排出される粉塵Ｄを集塵する。
【００１９】
図３を参照すると、メッシュコンベヤー２０は、原動プーリ２１、従動プーリ２２、メッシュベルト２３、およびモータ２４から構成されている。原動プーリ２１と従動プーリ２２は、シリコンウェハー１の移送方向に沿って隔離して取り付けられており、メッシュベルト２３は、原動プーリ２１と従動プーリ２２との間に巻架されている。メッシュベルト２３の上では、シリコンウェハー１がシリコンウェハーのパターン２を上向きにして移送される。メッシュベルト２３は、ステンレスワイヤから製作することができ、そのメッシュを約２ｍｍ２にすることができる。モータ２４は、フレーム２０の一側に取り付けられており、その駆動力がベルト伝動装置２５によって原動プーリ２１に伝達される。モータ２４は、原動プーリ２１に駆動力を減速して直接伝達することが可能な歯車付き電動機から構成してもよい。
【００２０】
ブラストブース６０は、メッシュコンベヤー２０が通過する第１トンネル６１を有する。図１に示すように、ブラストブース６０の前面には、ノズル３１のメインテナンスのために、第１トンネル６１を開閉することが可能なドア６２が取り付けられている。ドア６２には、作業者が肉眼により第１トンネル６１の中を確認することが可能なウィンドウ６３が設けられている。クリーニングブース６５は、ブラストブース６０と同様に、メッシュコンベヤー２０が通過してその下流が露出されるように第２トンネル６６を有する。ブラストブース６０の第１トンネル６１とクリーニングブース６５の第２トンネル６６は整列されるように連結されている。クリーニングブース６５の前面には、クリーニングノズル３２のメインテナンスのために、第２トンネル６６を開閉することが可能なドア６７が取り付けられており、ドア６７には、作業者が肉眼により第２トンネル６６の中を確認することが可能なウィンドウ６８が設けられている。
【００２１】
ブラストブース６０の入口側には、シリコンウェハー１をロードし得るようにメッシュコンベヤー２０の上流がブラストブース６０の外部で露出されている。また、クリーニングブース６５の出口側には、シリコンウェハー１をアンロードし得るようにメッシュコンベヤー２０の下流がブラストブース６０の外部で露出されている。この実施例で、クリーニングブース６５がブラストブース６０と別に形成されているが、他の実施例では、ブラストブース６０の第１トンネル６１の下流にクリーニングノズル３２を装着して、グリットブラスター３０とクリーニングノズル３２との間に第１トンネル６１の中を区画する仕切りを設けることにより、クリーニングブース６５を削除することができる。
【００２２】
グリットブラスター３０は、複数のノズル３１、圧縮空気供給装置４０、およびグリット供給装置５０から構成されている。ノズル３１は、メッシュコンベヤー２０のメッシュベルト２３に乗って移送されるシリコンウェハー１の表面に圧縮空気とグリットＧを噴射し得るようにメッシュコンベヤー２０の長手方向に沿って取り付けられている。
【００２３】
図６を参照すると、圧縮空気供給装置４０は、エアコンプレッサ４１、リザーバ（貯槽）４２、エアドライア４３、および複数のエアパイプライン４４から構成されている。エアコンプレッサ４１は、フレーム１０の一側に近接して取り付けられている。エアコンプレッサ４１はリザブワー４２に連結されており、リザブワー４２はエアドライア４３に連結されている。エアコンプレッサ４１の駆動によって発生する圧縮空気はリザブワー４２に蓄えられ、リザブワー４２の圧縮空気はエアドライア４３に供給される。エアドライア４３は、リザブワー４２から供給される圧縮空気に含有されている水気、油分、塵などの不純物を除去し、圧縮空気の流量を制御する。エアドライア４３は、リザブワー４２からの圧縮空気に含有されている不純物を除去すると同時に流量を制御するエアコントロールユニットから構成できる。エアドライア４３は、エアパイプライン４４によってノズル３１それぞれに連結されており、エアドライア４３から供給される圧縮空気は、ノズル３１を介してシリコンウェハー１の表面に噴射される。
【００２４】
クリーニングノズル３２は１つが取り付けられていることが図示されているが、クリーニングノズル３２の個数は必要に応じて増加できる。
【００２５】
図７を参照すると、グリット供給装置５０は、多量のグリットＧを蓄えるタンク５１と、タンク５１に蓄えられているグリットＧをノズル３１に供給し得るようにノズル３１とタンク５１とを連結する複数のグリットパイプライン５２とから構成されている。グリットＧは、酸化アルミニウムや炭化ケイ素、セラミックなどの粒子、ガラスビード、スチールボール、シリコンウェハー１から脱落するチップなど様々に使用できる。酸化アルミニウム、炭化ケイ素およびセラミック粒子は、例えば粒度１０〜８０μｍのものが使用できる。
【００２６】
図４および図５を参照すると、本発明に係る再生システムは、シリコンウェハー１の移送方向と交差するようにノズル３１をスイングさせるスイング装置７０を備える。スイング装置７０は、スピンドル７１、モータ７２およびリンク装置８０から構成されている。スピンドル７１は、シリコンウェハー１の移送方向に沿って平行に取り付けられており、その両端が一対のベアリング７３によって回転し得るように支持されている。ベアリング７３はブラストブース６０の両側面に固定されており、スピンドル７１の一端はブラストブース６０を貫通して突出している。スピンドル７１の外面に複数のサポートバー７４がシリコンウェハー１の移送方向に沿って所定の距離だけ離隔して連結されており、このサポートバー７４それぞれの下端にノズル３１が固定されている。モータ７２は、ブラストブース６０の外面の一側に取り付けられている。
【００２７】
リンク装置８０は、スピンドル７１がスイングされるようにモータ７２の回転力を変換してスピンドル７１に伝達し、ディスク８１、第１リンク８３および第２リンク８４から構成されている。ディスク８１は、モータ７２の軸７２ａに装着されており、前面にはガイドレール８２が半径方向に沿って形成されている。第１リンク８３の一端は、ネジ８５の締結によってディスク８１に揺動可能に固定されており、ネジ８５は、ガイドレール８１に沿って移動できるように結合している。第１リンク８３の他端に第２リンク８４の一端がピボット８６を中心として回転し得るように連結されており、第２リンク８４の他端はスピンドル７１の一端に回転可能に連結されている。
【００２８】
モータ７２の駆動力がリンク装置８０のディスク８１、第１リンク８３および第２リンク８４によってスピンドル７１に伝達されると、スピンドル７１はスイングされる。スピンドル７１のスイングによってノズル３１を介して噴射されるグリットＧは、シリコンウェハー１の中心から縁部までの全表面に到達される。図４および図５には、ノズル３１がシリコンウェハー１の移送方向に沿って２列に装着されてスイング装置７０の作動によってスイングされることが示されている。これは例示的なものであって、ノズル３１は必要に応じて１列に装着されてもよい。また、ノズル３１は、シリコンウェハー１の移送方向と交差する方向に沿って直線往復運動することができるように設置されてもよい。一方、作業者が第１リンク８３のネジ８５を解き、ガイドレール８２に沿って第１リンク８３を移動させると、第１リンク８３の一端は、ディスク８１の中心とディスク８１の縁部との間に位置する。第１リンク８３の一端がディスク８１の中心から離れて縁部に位置するほど、スピンドル７１のスイング角度は増加する。
【００２９】
図３に示すように、捕集装置９０は、複数のホッパー９１、第１粉体パイプライン９２および第２粉体パイプライン９３から構成されている。ホッパー９１の入口９１ａはメッシュコンベヤー２０の下部に近接しており、ホッパー９１の出口９１ｂには第１粉体パイプライン９２が連結されている。第１粉体パイプライン９２の一側には第２粉体パイプライン９３が粉体Ｐを外部に輸送し得るように連結されている。ホッパー９１の上部には、シリコンウェハー１の破損によって発生する破片Ｂをフィルタリングすることが可能な第１スクリーンフィルタ９４が取り付けられている。第１粉体パイプライン９２と近接する第２粉体パイプライン９３の上流には、グリットＧの粒度より大きい粒度のチップＣをフィルタリングすることが可能な第２スクリーンフィルタ９５が取り付けられている。
【００３０】
図７を参照すると、サイクロン分離器１００のハウジング１０１は、直立しており、チャンバー(chamber)１０２を有する。ハウジング１００の上部には、第２粉体パイプライン９３と連結される入口１０３が形成されており、ハウジング１００の下部には、チップＣとグリットＧが排出される出口１０４が形成されている。ハウジング１０１の上面中央には、チャンバー１０２から粉塵Ｄを排出し得るようにアウトレットパイプ１０５が連結されている。ハウジング１０１の出口１０４は、グリット供給装置５０のタンク５１とグリットリターンパイプライン５３によって連結されている。図１および図２には、サイクロン分離器１００のハウジング１０１とグリット供給装置５０のタンク５１がブラストブース６０の上部に設置されていることが示されているが、サイクロン分離器１００のハウジング１０１とグリット供給装置５０のタンク５１は、ブラストブース６０と分離されて設置されてもよい。
【００３１】
図８を参照すると、集塵装置１１０のハウジング１１１は、直立しており、チャンバー１１２を有する。ハウジング１１１の下部に入口１１３が形成されており、ハウジング１１１の上部に出口１１４が形成されている。ハウジング１１１の入口１１３は、サイクロン分離器１１０の出口１０４とダストパイプライン１１５によって連結されている。チャンバー１１２の上部には、チャンバー１１２を区画する仕切り１１６が取り付けられており、仕切り１１６には、空気の流路を形成する複数の孔１１６ａが設けられている。仕切り１１６の孔１１６ａには、粉塵Ｄをフィルタリングする複数のフィルタ１１８が取り付けられている。ハウジング１１１の下部には、粉塵Ｄの排出を誘導するためのホッパー１１８が装着されている。
【００３２】
ハウジング１１１の出口１１４には、フィルタ１１８によってフィルタリングされた空気が出口１１４を介して排出されるように、空気の吸入力を発生させるエアブロワー１１９が装着されている。エアブロワー１１９は、真空ポンプから構成できる。ハウジング１１１の下部には、出口１１４を介して排出される粉塵Ｄを捕集することが可能なダストボックス１２０が取り付けられている。ハウジング１１１の外面には、フィルタ１１８のメインテナンスのためにチャンバー１１２を開閉することが可能な第１ドア１２１が取り付けられており、ハウジング１１１の外面の下部には、ダストボックス１２０の引き出しのために開閉することが可能な第２ドア１２２が取り付けられている。
【００３３】
集塵装置１１０は、下部の入口１１３から上部の出口１１４へ気流が生成される上向気流式が図示、説明されているが、入口１１３と出口１１４の位置を反対にした下向気流式で構成されてもよい。また、集塵装置１１０は、粉塵Ｄのフィルタリングをフィルタ１１８によって行う乾式方式集塵装置が図示、説明されているが、必要に応じて公知の湿式方式集塵装置または電気集塵装置で構成されてもよい。
【００３４】
集塵装置１１０は、フィルタ１１８に付着している粉塵Ｄを脱塵させることができるように圧縮空気を噴射するエアブラスター１３０を備える。エアブラスター１３０は、圧縮空気を発生するエアコンプレッサ１３１と、エアコンプレッサ１３１およびエアパイプライン１３２によって連結されており、エアコンプレッサ１３１から供給される圧縮空気をフィルタ１１８に噴射する複数のノズル１３３とから構成されている。ノズル１３３は、エアパイプライン１３２によって圧縮空気供給装置４０のエアドライア４３に連結できる。この場合、エアコンプレッサ１３１は削除される。エアブラスター１３０は、フィルタ１１８に振動を発生させて粉塵Ｄを脱落させることが可能な公知の振動発生装置から構成できる。
【００３５】
図９を参照すると、メッシュコンベヤー２０のモータ２４、圧縮空気供給装置４０のエアコンプレッサ４１とエアドライア４３、スイング装置７０のモータ７２、集塵装置１１０のエアブロワー１１９、およびエアブラスター１３０のエアコンプレッサ１３１は、コントローラ１４０によって制御される。コントローラ１４０は、ブラストブース６０の一側面に装着されている。
【００３６】
本発明の半導体ウェハーの再生システムにおいて、シリコンウェハーは一枚ずつ連続してメッシュコンベヤー２０の上にロードすることが良い。図１０〜図１４はメッシュコンベヤー２０の上流に設置されており、メッシュベルト２３上にシリコンウェハー１を一枚ずつ連続してロードするデスタッカの一実施例を示す図である。デスタッカ２００は、フレーム２１０、スタッカ２２０、リフト装置２３０、フィーダー２４０、真空吸着ユニット２５０、エアブラスター２６０、圧縮空気供給装置２７０、およびコントローラ２８０から構成されている。フレーム２１０は、ベース２１１と、このベース２１１の両側に取り付けられている第１および第２サイドフレーム２１２、２１３とを含む。
【００３７】
図１０〜図１３に示すように、スタッカ２２０は、シリコンウェハー１を多量積層して収容し得るようにベース２１１の中央に装着されている。スタッカ２２０は、ベース２１１の上部に、シリコンウェハー１を多量積層して収容することが可能な積載空間２２１を形成するように起立している複数のサポートを有する。図１３から分かるように、サポートバー２２２は、積載空間３３２の前方からシリコンウェハー１をロードし得るように、積載空間２２１の水平中心軸船２２３を基準として後方に円周方向に沿って配列されている。サポートバー２２２の上端、下端および中央には上部固定板２２４、下部固定板２２５および中間固定板２２６がそれぞれ固定されており、下部固定板２２５と中間固定板２２６にはスタッカ２２０の機械的剛性を補強するための複数の補強バー２２７の両端がそれぞれ固定されている。
【００３８】
図１０〜図１３をさらに参照すると、中間固定板２２６の上部に、サポートバー２２２に沿って昇降し得るように、シリコンウェハー１がのせられるテーブル２２８が取り付けられている。上部固定板２２４とテーブル２２８それぞれには、複数の位置決め孔２２４ａ、２２８ａが放射状に設けられており、位置決め孔２２４ａ、２２８ａには、直径の異なるシリコンウェハー１の外面をその大きさに合わせて支持し得るように複数の位置決めバー２２９がそれぞれ挿入されている。サポートバー２２２によっては直径３００ｍｍのシリコンウェハー１の外面が支持できる。位置決めバー２２９によっては、その位置を調整することにより、直径１００ｍｍ、１２５ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍのシリコンウェハー１の外面がそれぞれ支持できる。
【００３９】
また、リフト装置２３０は、スタッカ２２０の積載空間２２１に積載されているシリコンウェハー１のうち、最上端ウェハー１−１が待機位置Ｐ１にくるように上昇させる。リフト装置２３０は、第１エアシリンダ２３１と第１リニアモーションガイド２３３から構成されている。第１エアシリンダ２３１のシリンダハウジング２３１ａは、スタッカ２２０の中央に垂直に起立しており、このシリンダハウジング２３１ａの下端は、ベース２１１の上面に揺動可能に結合している。第１エアシリンダ２３１のシリンダロード２３１ｂは、テーブル２２８の下面に揺動可能に結合している。第１リニアモーションガイド２３３は、テーブル２２８の昇降を直線往復運動に案内する。第１リニアモーションガイド２３３は、第１および第２サイドフレーム２１２、２１３の内面にお互い対応するように垂直に取り付けられている一対のガイドレール２３３ａと、このガイドレール２３３ａに沿ってスライドされるように取り付けられている一対のスライド２３３ｂと、スライド２３３ｂとテーブル２２８の一端に固定されているジョイント２３３ｃとから構成されている。
【００４０】
リフト装置２３０は、駆動力を提供するサーボモータと、サーボモータの駆動力によって回転できるようにサーボモータに連結されているリードスクリューと、リードスクリューに沿って螺動し得るように取り付けられており、テーブル２２８に結合しているボールブッシュと、テーブル２２８の昇降を直線往復運動に案内するリニアモーションガイドとから構成できる。第１リニアモーションガイド２３３は、フレーム２１０の一側にお互い平行であるように垂直に取り付けられる一対のガイドバーと、このガイドバーにスライド可能に取り付けられており、テーブル２２８に結合している一対のガイドブッシュとから構成できる。
【００４１】
フィーダー２４０は、スタッカ２２０の積載空間２２１に積層されているシリコンウェハー１のうち、最上端シリコンウェハー１−１をアンロードしてメッシュコンベヤー２０の上流にロードする。フィーダー２４０は、アーム２４１、第２エアシリンダ２４２、キャリッジ２４３、および第２リニアモーションガイド２４４から構成されている。
【００４２】
アーム２４１は、第１および第２サイドフレーム２１２、２１３のいずれか一方、例えば第２サイドフレーム２１３の上部に水平に取り付けられている。第２エアシリンダ２４２のシリンダハウジング２４２ａは、アーム２４１の上部に水平に取り付けられており、このシリンダハウジング２４２ａの後端は、アーム２４１の上面に揺動可能に結合している。第２エアシリンダ２４２のシリンダロード２４２ｂは、キャリッジ２４３の一側に揺動可能に結合している。第２リニアモーションガイド２４４は、アーム２４１に沿ってキャリッジ２４３の直線往復運動を案内する。第２リニアモーションガイド２４４は、アーム２４１の上面に取り付けられているガイドレール２４４ａと、このガイドレール２４４ａに沿ってスライドされるように取り付けられており、キャリッジ２４３に結合しているスライド２４４ｂとから構成されている。フィーダー２４０の第２エアシリンダ２４２は、アーム２４１に沿ってキャリッジ２４３を直線往復運動させることが可能なサーボモータ、リードスクリューおよびボールブッシュから構成できる。
【００４３】
図１１および図１２に示すように、キャリッジ２４３の下面一側に真空吸着ユニット２５０の真空パッド２５１が取り付けられている。真空パッド２５１は、空気の吸入力を発生する真空ポンプ２５２とエアパイプライン２５３によって連結されている。リフト装置２３０の第１エアシリンダ２３１が駆動されてシリンダロード２３１ｂが前進すると、最上端シリコンウェハー１−１は、待機位置Ｐ１で真空パッド２５１に近接する。真空ポンプ２５２の駆動によって空気の吸入力が発生すると、最上端シリコンウェハー１−１は真空パッド２５１に真空吸着される。
【００４４】
図１１に示すように、エアブラスター２６０は、スタッカ２２０の積載空間２２１に積層されているシリコンウェハー１のうち、最上端シリコンウェハー１−１が２番目のシリコンウェハー１−２と分離されるように圧縮空気を噴射する。エアブラスター２６０は、第１および第２サイドフレーム２１２、２１３のいずれか一方、例えば第１サイドフレーム２１２の一側に垂直方向に沿って取り付けられている複数のノズル２６１から構成されている。
【００４５】
図１４を参照すると、圧縮空気供給装置２７０は、第１サイドフレーム２１２の一側に設置され、第１エアシリンダ２３１、第２エアシリンダ２４２およびエアブラスター２６０のノズル２６１それぞれに圧縮空気を供給する。圧縮空気供給装置２７０は、エアコンプレッサ、エアコントローラおよびエアパイプラインから構成できる。また、デスタッカ２００の圧縮空気供給装置２７０の代わりに、グリットブラスター３０の圧縮空気供給装置４０が適用できる。この場合、圧縮空気供給装置４０のエアドライア４３は、エアパイプラインを介してデスタッカ２００の第１エアシリンダ２３１、第２エアシリンダ２４２、ノズル２６１それぞれに連結される。コントローラ２８０は、第１サイドフレーム２１２の上部に設置され、真空ポンプ２５２と圧縮空気供給装置２７０の作動を制御する。
【００４６】
本発明に係る再生システムは、シリコンウェハーの水気や保護膜を除去するベーキング装置(Baking  device)を備えることもできる。図１５はこのようなベーキング装置の一実施例を示す図である。ベーキング装置３００は、オーブン３１０、コンベヤー３２０、およびヒータ３３０から構成されている。オーブン３１０は、乾燥室３１１を有し、オーブン３１０の両側面には乾燥室３１１と連結される入口３１２と出口３１３が形成されている。コンベヤー３２０は、その上流と下流がオーブン３１０の入口３１２と出口３１３を介して外部に露出されるように設置されている。ヒータ３３０は、乾燥室３１１の上部に設置され、コンベヤー３２０のベルト３２１にのせられて移送されるシリコンウェハー１を加熱する。ヒータ３３０は、シリコンウェハー１を転倒方式によって乾燥させ得るようにベルト３２１の下部に設置できる。ベーキング装置３００は、メッシュコンベヤー２０またはデスタッカ２００の上流に設置されてもよく、メッシュコンベヤー２０またはデスタッカ２００と独立して設置されてもよい。また、ベーキング装置３００のコンベヤー３２０は、メッシュコンベヤー２０に連続するように設置されてもよい。ベーキング装置３００のオーブン３１０は、バッチ型にしてもよい。この場合、コンベヤー３２０は削除される。
【００４７】
次に、このような構成を有する本発明に係る再生システムによってシリコンウェハーを再生するシリコンウェハーの再生方法について、図１６に基づいて説明する。
【００４８】
図１５を共に参照すると、半導体の製造工程から排出されるシリコンウェハー１には、化学薬品、水などの水気が残っていると、シリコンウェハー１は、貯蔵中にも水気を吸収して親水性を持つことになる。シリコンウェハー１の表面に水気が残っており或いは吸収されている場合、ノズル３１から噴射されるグリットＧがシリコンウェハー１の表面にくっ付き、あるいはシリコンウェハー１がその表面にぶつかるグリットＧの衝撃力に対する緩衝力を持つことになり、パターン２の除去効率が低くなる。また、シリコンウェハー１のパターン２を保護するために保護膜工程によってパターン２に覆われている保護膜３は、グリットＧの衝撃力に対する緩衝力を持つ。
【００４９】
作業者は、ベーキング装置３００の作動によってシリコンウェハー１の水気や保護膜３を除去する（Ｓ１０）。作業者は、コンベヤー３２０のベルト３２１にシリコンウェハー１をのせる。この際、シリコンウェハー１は、多数枚積層してコンベヤー３２０のベルト３２１に搭載することができる。コンベヤー３２０の作動によってオーブン３１０の入口３１２を介して乾燥室３１１にシリコンウェハー１が供給される。ヒータ３３０の作動によって発生する熱は、シリコンウェハー１の水気を蒸発させて除去する。また、シリコンウェハー１の保護膜３は、例えば約７００〜８００℃の温度で約２０〜３０分間ベーキングを行えば除去される。水気や保護膜の除去されたシリコンウェハー１は、コンベヤー３２０の作動によってオーブン３１０の出口３１３を介して乾燥室３１１から排出される。このようにシリコンウェハー１の水気や保護膜３をベーキング工程によって除去してシリコンウェハー１の表面に疎水性を持たせると、グリットブラストの効率が高くなる。
【００５０】
図１、図２、および図１０〜図１３を参照すると、作業者は、スタッカ２２０の積載空間２２１に、パターン２を上向きにして多量のシリコンウェハー１を積載する（Ｓ１１）。作業者がシリコンウェハー１の大きさに合わせて上部固定板２２４とテーブル２２８の位置決め孔２２４ａ、２２８ａそれぞれに位置決めバー２２９を結合させた後、シリコンウェハー１の積層作業を行うと、シリコンウェハー１の外面が位置決めバー２２９に支持されて整列される。直径３００ｍｍのシリコンウェハーは、位置決めバー２２９を除去し、サポートバー２２２に支持させて整列させることができる。
【００５１】
次に、デスタッカ２００の作動によってメッシュコンベヤー２０のメッシュベルト２３の上流にシリコンウェハー１を一枚ずつ連続してロードする（Ｓ１２）。リフト装置２３０の第１エアシリンダ２３１が駆動されてシリンダロード２３１ｂが前進すると、テーブル２２８が共に上昇する。テーブル２２８の上昇は、第１リニアモーションガイド２３３のガイドレール２３３ａに沿ってスライドされるスライド２３３ｂによって直線運動に案内される。テーブル２２８の上昇によって、スタッカ２２０の積載空間２２１に積層されているシリコンウェハー１のうち最上端シリコンウェハー１−１は待機位置Ｐ１に位置し、真空吸着ユニット２５０の真空パッド２５１に近接する。真空ポンプ２５２の駆動によって空気の吸入力が発生すると、最上端シリコンウェハー１−１は、真空パッド２５１に真空吸着される。図１１に示すように、エアブラスター２６０のノズル２６１を介して噴射される圧縮空気によって、最上端シリコンウェハー１−１は２番目のシリコンウェハー１−２と分離される。
【００５２】
図３、図４および図１２を参照すると、真空吸着ユニット２５０の真空パッド２５１に最上端シリコンウェハー１−１が真空吸着された後、フィーダー２４０の第２エアシリンダ２４２が駆動されてシリンダロード２４２ｂが前進すると、キャリッジ２４３と真空パッド２５１がアーム２４１の前方に向かって共に移動する。真空吸着ユニット２５０の真空パッド２５１に真空吸着されている最上端シリコンウェハー１−１がメッシュコンベヤー２０のメッシュベルト２３上に到達されると、真空ポンプ２５２の駆動が停止して空気の吸入力が解除され、最上端シリコンウェハー１−１は真空パッド２５１から離脱してメッシュベルト２３上に引き継がれる。メッシュコンベヤー２０のモータ２４が駆動されると、モータ２４の駆動力は、ベルト伝動装置２５によって原動プーリ２１に伝達され、原動プーリ２１と従動プーリ２２との間に巻架されているメッシュベルト２３が走行される。メッシュベルト２３の走行によって、最上端シリコンウェハー１−１はメッシュベルト２３の上流から下流へ移送される。
【００５３】
一方、フィーダー２４０の作動によって最上端シリコンウェハー１−１がメッシュコンベヤー２０にロードされた後、第２エアシリンダ２４２が駆動されてシリンダロード２４２ｂが後退されると、キャリッジ２４３と真空パッド２５１は初期位置に復帰する。真空パッド２５１が初期位置に復帰すると、前述した最上端シリコンウェハー１−１の上昇と同様の動作により、第１エアシリンダ２３１の駆動によって２番目のシリコンウェハー１−２が上昇して真空パッド２５１に密着する。そして、２番目のシリコンウェハー１−２は、フィーダー２４０の作動によってメッシュコンベヤー２０の上流にロードされる。一方、シリコンウェハー１は、作業者が手作業によってメッシュコンベヤー２０にロードすることも可能である。
【００５４】
図３、図５および図６を参照すると、メッシュコンベヤー２０の作動によってブラストブース６０の第１トンネル６１に沿ってシリコンウェハー１を移送し（Ｓ１３）、移送されるシリコンウェハー１の表面にグリットＧを噴射してパターン２を除去する（Ｓ１４）。圧縮空気供給装置４０のエアコンプレッサ４１が駆動されてノズル３１に圧縮空気が供給される。ノズル３１は、圧縮空気とグリットＧを、メッシュベルト２３にのせられて移送されるシリコンウェハー１の表面に噴射する。噴射されるグリットＧは、シリコンウェハー１のパターン２を除去する。
【００５５】
パターン２の除去されたシリコンウェハー１の表面から粉体Ｐを除去する（Ｓ１５）。ブラストブース６０の第１トンネル６１でパターン２が除去されたシリコンウェハー１は、メッシュコンベヤー２０の作動によってクリーニングブース６５の第２トンネル６６に移送される。圧縮空気供給装置４０のエアパイプライン４４のいずれか一つに連結されているクリーニングノズル３２を介して圧縮空気が噴射され、この圧縮空気によって、シリコンウェハー１の表面に残っている粉体Ｐが除去される。粉体Ｐの除去されたシリコンウェハー１は、クリーニングブース６５の第２トンネル６６を通過してメッシュコンベヤー２０の下流に移送され、作業者は、パターン２の除去が完了したシリコンウェハー１をメッシュコンベヤー２０の下流からアンロードする。このようにパターン２の除去されたシリコンウェハー１は、例えば太陽電池用シリコンウェハーとして用いられる。
【００５６】
図３に示すように、メッシュコンベヤー２０のメッシュベルト２３を通過して落下するチップＣ、粉塵ＤおよびグリットＧを含む粉体Ｐは、ホッパー９１によって誘導されて第１粉体パイプライン９２に捕集される（Ｓ１６）。グリットブラストによるパターン２の除去過程でシリコンウェハー１の破損が発生するおそれがある。シリコンウェハー１の破損により発生する破片Ｂは、大部分がメッシュベルト２３を通過せず、一部のみがメッシュベルト２３を通過する。メッシュベルト２３を通過して落下する破片Ｂは、第１スクリーンフィルタ９４によってフィルタリングされる。したがって、破片Ｂの流入による第１粉体パイプライン９２の閉塞が防止される。
【００５７】
図１および図７を参照すると、捕集装置９０の第１粉体パイプライン９２に捕集されている粉体Ｐは、サイクロン分離器１００に供給してチップＣとグリットＧから粉塵Ｄを分離する（Ｓ１７）。集塵装置１１０のエアブロワー１１９が駆動されて空気の吸入力が発生すると、第１粉体パイプライン９２に捕集されていた粉体Ｐは、第２粉体パイプライン９３を介してサイクロン分離器１００に供給される。第１粉体パイプライン９２と第２粉体パイプライン９３との間に取り付けられている第２スクリーンフィルタ９５は、例えば粒度が８０μｍを超過するチップＣをフィルタリングする。第２粉体パイプ９３の上流で粒度の大きいチップＣをフィルタリングすることにより、第２粉体パイプライン９３、ノズル３１、グリットパイプライン５２の閉塞が防止される。ハウジング１０１の入口１０３を介してチャンバー１０２に流入する粉体Ｐは、旋回流によって分離される。粒度が例えば１０μｍ以上と大きいチップおよびグリットＧは、ハウジング１０１の内面に移動して衝突しながら出口１０４を介して排出され、粒度が１０μｍ未満と小さい粉塵Ｄは、旋回流に乗ってアウトレットパイプ１０５を介して排出される。
【００５８】
サイクロン分離器１００のチャンバー１０２から分離されて排出されるチップＣとグリットＧは、グリット供給装置５０のタンク５１に再供給される（Ｓ１８）。エアコンプレッサ４１の駆動によってエアパイプライン４４に圧縮空気が供給されてノズル３１を介して噴射されると、ノズル３１に連結されているグリットパイプライン５２に空気の吸入力が発生する。この空気の吸入力によってサイクロン分離器１００のチャンバー１０２から排出されるチップＣとグリットＧは、グリットリターンパイプ５３を介してタンク５１に回収される。タンク５１に回収されるチップＣとグリットＧは、グリットブラスター３０のノズル３１に再供給される。
【００５９】
図１および図８を参照すると、サイクロン分離器１００のアウトレットパイプ１０５を介して排出される粉塵Ｄは、フィルタリングによって除去する（Ｓ１９）。集塵装置１１０のエアブロワー１１９が駆動されて空気の吸入力が発生すると、サイクロン分離器１００のアウトレットパイプ１０５を介して排出される粉塵Ｄは、ダストパイプライン１１５と入口１１３を介してチャンバー１１２に供給された後、フィルタ１１８によってフィルタリングされる。フィルタ１１８が粉塵Ｄによって閉塞されると、エアブラスター１３０のエアコンプレッサ１３１が駆動される。エアコンプレッサ１３１の駆動によって発生する圧縮空気は、エアパイプライン１３２を介してノズル３１に供給され、ノズル３１を介して噴射される圧縮空気によってフィルタ１１８から粉塵Ｄが脱落する。フィルタ１１８から脱落する粉塵Ｄは、出口１１４を介して排出されてダストボックス１２０に捕集される。
【００６０】
本発明の属する技術分野で通常の知識をもつ者なら、本発明がその技術的思想や必須の特徴を外れない範囲内で他の具体的な形態に実施可能なことは理解できる。例えば、以上の説明ではシリコーンで作られたウェハーを中心に記述したが、本発明は他の半導体物質、例えばガリウム砒素やそのほかの化合物半導体で作られたウェハーを再生するのに使うことができる。
【００６１】
したがって、以上の実施例は例示的なものに過ぎなく、本発明がこれに限定されるのではない。つまり、本発明の範囲は、前述した詳細な説明よりは特許請求の範囲によって限定されるべきであり、特許請求の範囲の意味および範囲、そして等価概念から導かれるいずれの変更または変形された形態も本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係るシリコンウェハーの再生システムの全体構成を示す正面図である。
【図２】図１に示した再生システムの側面図である。
【図３】図１に示した再生システムにおけるメッシュコンベヤー、グリットブラスター、クリーニングノズルおよび捕集装置の構成を示す断面図である。
【図４】図１に示した再生システムにおけるメッシュコンベヤー、グリットブラスター、クリーニングノズルおよびスイング装置の構成を示す側面図である。
【図５】図１に示した再生システムにおけるメッシュコンベヤー、グリットブラスターおよびスイング装置の構成を示す側面図である。
【図６】図１に示した再生システムにおけるグリットブラスターの構成を示すブロック図である。
【図７】図１に示した再生システムにおけるグリット供給装置とサイクロン分離器の構成を示す断面図である。
【図８】図１に示した再生イステムにおける集塵装置の構成を示す断面図である。
【図９】図１に示した再生システムにおけるコントローラの構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の再生システムにおけるデスタッカの構成を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示したデスタッカの正面図である。
【図１２】図１０に示したデスタッカの側面図である。
【図１３】図１０に示したデスタッカの平面図である。
【図１４】図１０に示したデスタッカにおけるコントローラの構成を示すブロック図である。
【図１５】本発明の再生システムにおけるベーキング装置の構成を示す断面図である。
【図１６】本発明に係るシリコンウェハーの再生方法を説明するために示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１        シリコンウェハー
１０      フレーム
２０      メッシュコンベヤー
３０      グリットブラスター
４０      圧縮空気供給装置
５０      グリット供給装置
６０      ブラストブース
６５      クリーニングブース
７０      スイング装置
８０      リンク装置
９０      捕集装置
１００    サイクロン分離器
１１０    集塵装置
２００    デスタッカ
２１０    フレーム
２２０    スタッカ
２３０    リフト装置
２４０    フィーダー
２５０    真空吸着ユニット
２６０    エアブラスター
２７０    圧縮空気供給装置
２８０    コントローラ
３００    ベーキング装置
３１０    オーブン
３２０    コンベヤー
【図１】
0004511494.tif 000002
【図２】
0004511494.tif 000003
【図３】
0004511494.tif 000004
【図４】
0004511494.tif 000005
【図５】
0004511494.tif 000006
【図６】
0004511494.tif 000007
【図７】
0004511494.tif 000008
【図８】
0004511494.tif 000009
【図９】
0004511494.tif 000010
【図１０】
0004511494.tif 000011
【図１１】
0004511494.tif 000012
【図１２】
0004511494.tif 000013
【図１３】
0004511494.tif 000014
【図１４】
0004511494.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
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