【事件の表示】
　平成１０年特許願第２５０８０４号「レジスト膜の塗布方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　３月２１日出願公開、特開２０００−　８２６４７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年９月４日出願の特願平１０−２５０８０４号であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年７月１１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という）
「レジストを被着させたウエハをウエハ面に直交する軸の周りに回転させて塗布するスピンコート法により、粘度が４０ｃｐ以下の有機性レジストを使用して、８インチ以上の大口径のウエハ上に膜厚５５００Å以下のレジスト膜を塗布する方法であって、
前記ウエハは、密閉されたコータカップ内に置かれ、前記コータカップは減圧された状態に維持し、
５００ｒｐｍ以上１２００ｒｐｍ以下の回転数でウエハを回転させつつ所定量のレジストを滴下しながら、ウエハ上全面にレジストを拡散させた時点でレジストの滴下を中止する第１のステップと、
第１のステップの回転数から、レジスト膜の膜厚を規定するウエハ所要回転数の相関関係から求めた４３００ｒｐｍ以上６０００ｒｐｍ以下のウエハ所要回転数まで、ウエハの回転数を上げ、その回転数で１秒以上５秒以内の間ウエハを回転させる第２のステップと、
第２のステップから回転数を下げて、第２のステップのウエハ所要回転数より低い３８００ｒｐｍ以上４２００ｒｐｍ以下の範囲の回転数で１５秒間以上ウエハを回転させる第３のステップと　を有することを特徴とするレジスト膜の塗布方法。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前の平成１０年６月９日に頒布された特開平１０−１５４６５０号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。
ア．【０００１】【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に対して、ＳＯＧ(Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ，シリカ系被膜形成材とも呼ばれる) 液、フォトレジスト液、ポリイミド樹脂などの塗布液を塗布する塗布液塗布方法に係り、特に基板の表面に塗布液を供給して所望膜厚の塗布被膜を形成する技術に関する。（【請求項１】）
　
イ．【０００６】【発明が解決しようとする課題】
　ところで、最近では半導体デバイスの製造工程で使用される半導体ウエハが大口径化する動きがある。具体的には、例えば、８インチ（約２００ｍｍ）径の基板よりも更に大口径の３００ｍｍ径の基板への移行である。上述したような従来例に係るフォトレジスト液塗布方法により、そのような大口径の基板を処理する場合には以下のような問題がある。
【０００７】
　すなわち、上述した図５のタイムチャートの如く基板の回転数を制御して３００ｍｍ径などの大口径基板を処理すると、その表面に形成されるフォトレジスト被膜の膜厚均一性が大幅に低下するという問題である。基板を回転駆動してフォトレジスト被膜を形成する際には、基板が大口径化したことにより周縁部の乱流が顕著に発生し、そのため基板の中心付近に供給されたフォトレジスト液がその周縁部に向かって拡がってゆく際に生じる溶媒の不均一な揮発が膜厚均一性を大幅に低下させる主たる要因である。
　
ウ．【０００９】
　そこで、膜厚均一性を良好に保ちつつ所望する膜厚のフォトレジスト被膜を得るために、例えば、所望膜厚に応じてフォトレジスト液の粘度を０．１ｃｐ単位で微調整することが提案されている。つまり、低粘度のフォトレジスト液を供給することで、低速の回転数であっても膜厚が薄い被膜を形成できるようにするのである。
　
エ．【００１５】【作用】
　請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。基板を静止させた状態で若しくは比較的高速の供給回転数に回転数を上げ始めた後に基板の表面中心付近に塗布液の供給を開始し（過程（ａ））、基板の回転数が供給回転数に到達した後に塗布液の供給を停止する（過程（ｂ））。これらの過程では、基板の中心付近に供給された塗布液が供給回転数の強い遠心力によって急激に基板表面を拡がってゆき、その表面全体を覆う。基板の回転数が比較的高速の供給回転数に到達すると、その時点からある程度遅れて基板周縁部の表層付近において乱流が発生し、次第に回転中心側に向かって進行してゆく。この乱流により塗布液に含まれている溶媒の揮発が基板面内において不均一となり膜厚均一性を低下させるが、その時点では既に塗布液が基板のほぼ表面全体にわたって塗り拡げられているので、その影響を受けることなく基板のほぼ表面全体にわたって塗布液を均一に塗り拡げることができる。その後、基板を供給回転数よりも低い被膜形成回転数で回転駆動することにより（過程（ｃ））、塗布液を乾燥させて塗布被膜を形成する。
　
オ．【００３１】
　ｔＥ時点でフォトレジスト液の供給を停止した後も、所望膜厚に応じた時間だけ比較的高速の回転数Ｒ３に保持することにより、基板Ｗのほぼ表面全体に均一に塗り拡げられたフォトレジスト液を、基板Ｗの表面全体に塗り拡げるとともに余剰分を振り切ってその厚みを調整する。具体的には、ｔＥ 時点からｔ２時点までの時間を所望膜厚に応じて予め設定しておく。なお、フォトレジスト液の供給停止時点ｔＥを基準にして回転数Ｒ３で高速回転させる時間を空回転時間ＴＨとする。この過程では、高速回転に伴う乱流が基板Ｗの表層で生じて、基板Ｗの周縁部の表層付近では溶媒蒸発が活発な雰囲気が形成されているが、既に基板Ｗの表面全体をフォトレジスト液が覆っているので、溶媒揮発に偏りが生じて膜厚が不均一になる不都合は生じない。なお、上記の空回転時間ＴＨは上述したように所望膜厚に応じて予め設定しておくものであるが、例えば、１．０〜１．２μｍの膜厚のフォトレジスト被膜を形成する場合では、空回転時間ＴＨをおよそ０〜３．０ｓｅｃの範囲内で設定すればよい。
　
カ．【００３２】
　そして、空回転時間ＴＨ が経過したｔ２ 時点で、基板Ｗの回転数を下げ始め、ｔ３ 時点で基板Ｗの回転数が回転数Ｒ４に到達するように制御部５０がモータ１２を制御する。このように回転数を下げると回転数Ｒ４で生じた乱流をほぼ抑止することができる。回転数Ｒ４による回転駆動をｔ４ 時点まで保持することにより、基板Ｗの表面全体にわたってほぼ所望膜厚にされているフォトレジスト液を乾燥させて、所望膜厚のフォトレジスト被膜を形成することができる。なお、上記の回転数Ｒ４が本発明の被膜形成回転数に相当し、例えば、３，０００ｒｐｍである。
　
キ．【００３３】
　上述したように比較的高速の回転数Ｒ３で基板Ｗを回転駆動して乱流が発生するまでにフォトレジスト液の供給を停止し、フォトレジスト液を基板Ｗのほぼ表面全体にわたって塗り拡げているので、乱流の悪影響を受ける前にフォトレジスト液を基板Ｗのほぼ表面全体に塗り拡げることができ、
　
ク．【００３４】
　・・・。特に、薄膜を必要とする場合、従来手法では一般的に回転数を上げる必要がある
　
ケ．【００３５】
　なお、上記の説明では、回転数Ｒ３に到達した時点ｔｓ からフォトレジスト液の供給を開始する場合を例に採って説明したが、ダイナミック法を適用したフォトレジスト液塗布方法では、基板Ｗが回転を開始した時点ｔ１ 、つまり基板Ｗの回転数を回転数Ｒ３に向けて上げ始めた後にフォトレジスト液の供給を開始するようにしてもよい。例えば、図２中に括弧書きで示す（ｔｓ）時点でフォトレジスト液の供給を開始するようにしてもよい。
　
コ．【００４１】
　また、上記の説明では、（供給）回転数Ｒ３を４，０００ｒｐｍとし、（被膜形成）回転数Ｒ４を３，０００ｒｐｍとして説明したが、それらの値としては膜厚均一性を良好に保持できる範囲内で種々の値を設定することができる。例えば、（供給）回転数Ｒ３としては３，０００〜５，５００ｒｐｍの範囲内で設定し、（被膜形成）回転数４としては２，０００〜５，０００ｒｐｍの範囲内で設定するのが好ましい。
　このような範囲に設定することが好ましいのは、（第１の）回転数Ｒ３を３，０００ｒｐｍよりも低くすると、従来技術の問題点で述べたように薄膜を形成することが困難となり、５，５００ｒｐｍを越えると高速回転により振り切られた塗布液が飛散防止カップ内面で跳ね返って基板に付着する不都合が生じたり、乱流の影響を多少受けて上記の上限内で処理した場合に比較して膜厚均一性が多少低下する傾向があるからである。また、（第２の）回転数Ｒ４を２，０００ｒｐｍよりも低くすると塗布液の乾燥に時間を要してスループットが低下し、５，０００ｒｐｍを越えるとこの過程で上記（第１の）回転数Ｒ３で述べたような不都合が生じる傾向があるからである。
　
　上記の記載事項、及び図１も参照すれば、引用例１には、レジストを被着させたウエハをウエハ面に直交する軸の周りに回転させて塗布するスピンコート法により、レジスト膜を塗布する方法が記載されていることが明らかである。
　
　したがって、引用例１には「レジストを被着させたウエハをウエハ面に直交する軸の周りに回転させて塗布するスピンコート法により、低粘度のフォトレジスト液を使用して、３００ｍｍ径などの大口径基板上にレジスト膜を塗布する方法であって、
基板Ｗが回転を開始した時点ｔ１ 、つまり基板Ｗの回転数を３，０００〜５，５００ｒｐｍの回転数Ｒ３に向けて上げ始めた後にフォトレジスト液の供給を開始し（過程（ａ））、基板の回転数が供給回転数に到達した後に塗布液の供給を停止する（過程（ｂ））と、
供給を停止した後も、１．０〜１．２μｍの所望膜厚に応じ、およそ０〜３．０ｓｅｃの時間だけ比較的高速の回転数Ｒ３に保持することにより、基板Ｗのほぼ表面全体に均一に塗り拡げられたフォトレジスト液を、基板Ｗの表面全体に塗り拡げるとともに余剰分を振り切ってその厚みを調整し（以下、便宜的に（過程（ｂｃ））とする。）、
その後、基板を供給回転数よりも低い２，０００〜５，０００ｒｐｍの被膜形成回転数で回転駆動することにより、塗布液を乾燥させて塗布被膜を形成する（過程（ｃ））、
過程を有することを特徴とするレジスト膜の塗布方法。」、が記載されている。　
　
３．対比                     
　本願発明と、引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１の「レジスト液」、「３００ｍｍ径などの大口径基板」が、本願発明の「レジスト」、「８インチ以上の大口径のウエハ」に相当する。
　また、引用例１のもののレジスト供給過程（過程（ａ））、停止過程（過程（ｂ））が、本願発明の第１のステップに、高速回転過程（過程（ｂｃ））が第２のステップに、低速回転過程（過程（ｃ））が第３のステップに、これらの文言の範囲内において、それぞれ相当することが明らかである。
　したがって、両者は「レジストを被着させたウエハをウエハ面に直交する軸の周りに回転させて塗布するスピンコート法により、レジストを使用して、８インチ以上の大口径のウエハ上にレジスト膜を塗布する方法であって、
レジストの供給、停止を行う第１のステップと、
高速回転を行う第２のステップと、
低速回転を行う第３のステップと　を有することを特徴とするレジスト膜の塗布方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１；本願発明は、レジストが「粘度が４０ｃｐ以下の有機性レジスト」であるのに対し、引用例１のものでは、「低粘度のフォトレジスト液」である点。
　
相違点２；本願発明は、膜厚５５００Å以下のレジスト膜を塗布する方法であるのに対し、引用例１のものでは、そのような限定がない点。
　
相違点３；本願発明は、「ウエハは、密閉されたコータカップ内に置かれ、前記コータカップは減圧された状態に維持」しているのに対し、引用例１では、そのような限定がない点。
　
相違点４；本願発明の第１ステップは、５００ｒｐｍ以上１２００ｒｐｍ以下の回転数でウエハを回転させつつ所定量のレジストを滴下しながら、ウエハ上全面にレジストを拡散させた時点でレジストの滴下を中止するのに対し、引用例１のものでは、供給開始時の回転数が特定されておらず、３，０００〜５，５００ｒｐｍの回転数になってから供給を停止する点。
　
相違点５；本願発明の第２ステップは、第１のステップの回転数から、レジスト膜の膜厚を規定するウエハ所要回転数の相関関係から求めた４３００ｒｐｍ以上６０００ｒｐｍ以下のウエハ所要回転数まで、ウエハの回転数を上げ、その回転数で１秒以上５秒以内の間ウエハを回転させるのに対し、引用例１のものでは、供給を停止したのち、１．０〜１．２μｍの所望膜厚に応じ、およそ０〜３．０ｓｅｃの時間だけ３，０００〜５，５００ｒｐｍの回転数に保持する点。
　
相違点６；本願発明の第３ステップは、第２のステップから回転数を下げて、第２のステップのウエハ所要回転数より低い３８００ｒｐｍ以上４２００ｒｐｍ以下の範囲の回転数で１５秒間以上ウエハを回転させるのに対し、引用例１のものでは、基板を供給回転数よりも低い２，０００〜５，０００ｒｐｍの被膜形成回転数で回転し、時間についての限定がない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　相違点１について；粘度が４０ｃｐ以下のレジスト、及び有機性レジストは、共に当該技術分野においては、普通に知られたものであり、どのようなレジストを使用するかは、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
　相違点２について；膜厚５５００Å以下のレジスト膜については、引用例１に「１．０〜１．２μｍの所望膜厚に応じ」と記載され、膜厚は、レジストの粘度、回転数等の塗布方法の結果として得られるものであるので、どのような膜厚とするかは、当業者が必要に応じて決定し得る設計事項である。
　
　相違点３について；密閉、減圧されたコータカップは、原審の第１回目の拒絶理由通知（平成１２年８月２日付け）で示された特開平７−２７５７８０号公報にも記載されているように、従来周知の技術事項であり、引用例１の塗布方法を実施するのに、そのように装置内で行うことは、当業者にとって容易なことである。
　
　相違点４について；レジストの供給ステップである第１ステップは、本願明細書の段落【００１２】に、「従来と同様にしてレジストをウエハ上に滴下しつつ低回転数でウエハを回転することにより、ウエハ全面にレジストを拡散させる。」と記載され、引用例１のものにおいても、上記記載事項キ．に記載されているように、回転数は、ステップ１より高いが、乱流が発生するまでにフォトレジスト液の供給を停止し、フォトレジスト液を基板Ｗのほぼ表面全体にわたって塗り拡げた点が記載されているので、回転数とレジスト拡散時間、乱流の影響等（過度に遅い回転では、充分に拡散せず、時間も掛かり、過度に速い回転では、乱流の影響を受け膜厚が不均一となる。）を考慮して、５００ｒｐｍ以上１２００ｒｐｍ以下の回転数でレジストを供給することは、当業者にとって容易なことである。
　
　相違点５について；引用例１のものは、回転数、回転時間とも、本願発明のステップ２と共通する部分がある。したがって、引用例１のものでは、第１ステップの供給停止時の回転数のまま、所定時間空回転するが、本願発明では、第１のステップの回転数から、ウエハ所要回転数まで、ウエハの回転数を上げる点で、相違する。しかし、引用例１のものにおいても、所望膜厚を得るという点で、本願発明のステップ２と同様であり、低速のレジスト供給回転から、回転数を上げることは、当業者にとって容易なことである。
　
　相違点６について；引用例１のものも、第２ステップから回転数を下げ、その回転数において、本願発明のステップ３と共通する部分がある。ステップ２の回転数との比較では、本願発明のものは、第３ステップの最高の回転数でも、第２ステップの最低の回転数より低いのに対し、引用例１のものでは、第２ステップの回転数と、第３ステップの回転数は一部重なっている。しかし、上記記載事項エ．の「その後、基板を供給回転数よりも低い被膜形成回転数で回転駆動することにより（過程（ｃ））、塗布液を乾燥させて塗布被膜を形成する。」の記載、及び同コ．の第２ステップ、第３ステップの回転数とした理由の記載より、一連の塗布工程の中では、第２ステップより低い回転数で、第３ステップを行うことが理解され、回転数に関しては、引用例１のものと本願発明は、差異がない。第３ステップの効果として、本願明細書の段落【００１０】に、「膜厚を規定する所定回転数でウエハを回転させた後、それより低い回転数でウエハを回転することにより、膜厚及び膜質の面内均一性を維持することができる。」と記載され、時間との関係については特に記載されておらず、引用例１のものでは、余り回転数を低くすると塗布液の乾燥に時間を要してスループットが低下する、と記載されているので、１５秒以上と限定した点は、当業者が、レジストの性状、スループット等を考慮して、適宜に決定し得る設計事項である。
　
　また、本願発明の効果も引用例１の記載、及び上記の周知技術から予測される程度のものにすぎない。
  
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。