(57)【要約】【課題】製品購入後においてもユーザが手動でメモリの動作速度を容易に変更することが可能なメモリモジュールを提供することを目的とする。【解決手段】メモリモジュール１は、コネクタ７を備えたプリント配線基板２と、プリント配線基板２に実装された１６個のＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３と、プリント配線基板２に実装されてＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３の電気仕様情報をそれぞれ格納する４つのＥＥＰＲＯＭ４と、切替えにより４つの識別用メモリから１つを選択する手動のスライドスイッチ５とを有している。コネクタの第１の端子７ａにはＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３が接続される一方、コネクタの第２の端子７ｂにはスライドスイッチ５を介して４つのＥＥＰＲＯＭ４が接続されており、スライドスイッチ５が切替えられることによって、接続されるＥＥＰＲＯＭ４が変更できるようにされている。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子と第２の端子とを含むコネクタを備えたプリント配線基板と、
前記プリント配線基板に実装され、前記コネクタの第１の端子に接続された複数のメモリ素子と、
前記プリント配線基板に実装され、前記メモリ素子に係る電気仕様情報をそれぞれ格納する複数の識別用メモリと、
電気的接続の切替えに供される手動切替手段とを有し、
前記複数の識別用メモリが格納する電気仕様情報がそれぞれ異なるものであり、当該複数の識別用メモリの１つが前記手動切替手段を介して前記コネクタの第２の端子に接続されたことを特徴とするメモリモジュール。
【請求項２】
前記手動切替手段がスライドスイッチであり、当該スライドスイッチの切替操作部が、前記プリント配線基板の前記コネクタと反対側の辺に形成された切欠部内に収まるように配置されたことを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項３】
前記メモリ素子の異なる電気仕様情報が、クロック周波数と信号タイミングとの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリモジュール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、パーソナルコンピュータ等の記憶手段として用いられるメモリモジュールに関し、特に製品の製造後においても動作速度の設定を容易に変更することができるメモリモジュールに係るものである。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータやワークステーション、複写機等（以下、単にコンピュータと記す）には、データを記録、保存するメモリモジュールが使用されている。メモリモジュールは、単体あるいは複数のメモリ・チップを１枚の基板に搭載して構成することにより、メモリの実装密度が向上されていると共にその取扱いが容易とされている。近年メモリには、ＳＤＲＡＭが多用されており、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭやＤＤＲ２−ＳＤＲＡＭ等様々な種類があり、これらを搭載するメモリモジュールにも、ＳＩＭＭやＤＩＭＭ、ＳＯ−ＤＩＭＭ、ＲＩＭＭ等様々な種類のものがあって、それぞれに外形的な標準規格が設けられている。
【０００３】
これらメモリモジュールでは、最大クロック周波数や信号タイミング等のメモリモジュールの電気仕様を決定する情報を格納するＥＥＰＲＯＭ等のＳＰＤメモリを搭載することにより、コンピュータの起動時にＳＰＤメモリ内の仕様情報が読み出され、その情報に合わせてメモリコントローラの動作設定が自動的に行われている。
【０００４】
また、メモリの各種機能別にメモリモジュールの組立を行うことによる生産の自由度の低下という問題を解消するために、各々の機能およびワード構成をパッケージ外部で任意に切替えることのできるメモリモジュールであって、機能切替用外部端子を設けたメモリ素子と、機能切替用外部端子に入力される信号を選択する機能切替手段とを備えたメモリモジュールが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３７１８００８号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＳＰＤを搭載したメモリモジュールでは、コンピュータの性能を向上させるために複数枚のメモリモジュールを装着して使用した場合、外形的な標準規格が同一のメモリモジュールを用いても、動作速度等の電気的な仕様を一致させないと両者の互換性が得られない。そこで、既に装着されているメモリモジュールの動作速度を確認し、これと同一の動作速度の製品を購入する必要があった。また、購入後にメモリモジュールの動作速度を変更することができないため、将来的にはより速い動作速度で使用する予定がある場合でも、現在の遅い動作速度に合わせた製品を購入しなければならず、後にアップグレードする際には装着されているメモリモジュール全てを交換しなければならなかった。
【０００６】
また、特許文献１に記載のメモリモジュールでは、製品が製造した後にメモリの各種切替えを行うことはできるが、機能切替手段が機能切替用外部端子に信号を入力してメモリの機能を切替える仕組みであり、現在一般的に利用されているＳＰＤの仕組みとは異なるため、ＳＰＤを搭載したメモリモジュールにそのまま適用することはできない。
【０００７】
本考案は、このような背景に鑑みなされたもので、製品購入後においてもユーザが手動でメモリの動作速度を容易に変更することが可能なメモリモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、第１の手段として本考案は、第１の端子と第２の端子とを含むコネクタを備えたプリント配線基板と、前記プリント配線基板に実装され、前記コネクタの第１の端子に接続された複数のメモリ素子と、前記プリント配線基板に実装され、前記メモリ素子に係る電気仕様情報をそれぞれ格納する複数の識別用メモリと、電気的接続の切替えに供される手動切替手段とを有し、前記複数の識別用メモリが格納する電気仕様情報がそれぞれ異なるものであり、当該複数の識別用メモリの１つが前記手動切替手段を介して前記コネクタの第２の端子に接続されたことを特徴とするメモリモジュールを提供する。
【０００９】
また、第２の手段として本考案は、前記第１の手段のメモリモジュールにおいて、前記手動切替手段がスライドスイッチであり、当該スライドスイッチの切替操作部が、前記プリント配線基板の前記コネクタと反対側の辺に形成された切欠部内に収まるように配置されたことを特徴とするメモリモジュールを提供する。
【００１０】
また、第３の手段として本考案は、前記第１または第２の手段のメモリモジュールにおいて、前記メモリ素子の異なる電気仕様情報が、クロック周波数と信号タイミングとの少なくとも１つを含むことを特徴とするメモリモジュールを提供する。
【考案の効果】
【００１１】
第１の手段によれば、メモリモジュールの製造後においても、ユーザは手動の切替手段を用いて実装された複数の識別用メモリから所望の識別用メモリを選択し、選択された識別用メモリに格納された電気的仕様にしたがってメモリモジュールを使用することができる。また、第２の手段によれば、手動切替手段の切替操作部がプリント配線基板から突出しないため、誤って切替えられるのを防止することができる。さらに、第３の手段によれば、クロック周波数と信号タイミングとの少なくとも１つの設定を切替えることにより、メモリモジュールの動作速度をいつでも容易に変更することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本考案の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。図１はメモリモジュールの正面図であり、図２はメモリモジュールの背面図である。図３はメモリモジュールのブロック図である。
【００１３】
図１，図２に示すように、本考案に係るメモリモジュール１は、コネクタ７を備えたプリント配線基板２と、プリント配線基板２に実装された１６個のＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３（メモリ素子）と、プリント配線基板２に実装されてＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３の電気仕様を決定する情報をそれぞれ格納する４つのＥＥＰＲＯＭ４（識別用メモリ）と、切替えにより４つの識別用メモリから１つを選択して電気的接続をする手動のスライドスイッチ５（手動切替手段）とを有している。本実施形態においては、プリント配線基板２には、２５６Ｍｂｉｔ（３２Ｍ＊８ｂｉｔ）のＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３が正面に８つと背面に８つの合計１６個（合計５１２ＭＢ）のメモリが搭載されており、ＥＥＰＲＯＭ４が正面中央部分に４つ実装されている。
【００１４】
本実施形態では、メモリモジュール１はＵｎｂｕｆｆｅｒｅｄタイプの２４０ピンＤＩＭＭにより構成されており、プリント配線基板２の外径寸法は、幅が１３３．３５ｍｍで、高さが３０．００ｍｍである。コネクタ７はプリント配線基板２の正面と背面に１列ずつ合計２列が割り当てられたカードエッジコネクタであって、２４０の端子から構成されている。このようなメモリモジュールの外形寸法やピンの数は前述の通り標準規格により定められているが、同じ外径形状のＤＩＭＭであっても、動作クロック周波数等の違いによってそれぞれ制御方法は異なる。
【００１５】
プリント配線基板２には、コネクタ７が配置された側と反対側の辺にスライドスイッチ５が配置されており、切替用つまみ６（切替操作部）がプリント配線基板２に形成された切欠部から突出しないように収められている。これにより、コンピュータ内部の作業等をしているときに、切替用つまみ６が誤って動かされるのが防止されている。スライドスイッチ５は、切替用つまみ６を４つの位置（以下、位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄと呼ぶ）に設定することができるようになっており、各位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに設定することによって、それぞれの電気的接続をＥＥＰＲＯＭ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに切替えることができる。また、このように手動の切替スイッチを用いることにより、切替用の専用のプログラムや装置などを用いずに容易に切替えが可能とされている。
【００１６】
図３に示すように、ＳＰＤに対応しているコンピュータでは、起動時にＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３の電気仕様を決定する情報を入手すべく、ＢＩＯＳ内の初期化プログラムが中央処理部１１にあるＣＰＵ１２と連携して起動する。そして初期化プログラムは、コネクタ７のうち第１の端子７ａを経由し、データ切替スイッチ５を介して電気的に接続された４つのうち１つのＥＥＰＲＯＭ４にアクセスし、格納された情報を読み取る。初期化プログラムはその情報に合わせてメモリコントローラ１３の動作設定を変更し、装着されたメモリモジュール１のＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３に正常にアクセスできるようにする。動作設定以降、ＣＰＵ１２はメモリコントローラ１３にしたがってＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３にアクセスし、データの書き込み・読み出しを行う。
【００１７】
コネクタ７の第１の端子７ａにはＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ３が電気的に接続される一方、コネクタ７の第２の端子７ｂにはスライドスイッチ５を介して４つのＥＥＰＲＯＭ４が接続されており、スライドスイッチ５が切替えられることによって、接続されるＥＥＰＲＯＭ４が変更できるようになっている。
【００１８】
ＥＥＰＲＯＭ４から読み出せる情報とは、具体的には、ＥＤＯ−ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ等といったメモリチップの種別や、メモリ容量、バンク構成、ＳＤＲＡＭのクロック周波数、信号タイミング、ＥＣＣ、パリティビットの有無、リフレッシュの間隔などであるが、本実施形態で各ＥＥＰＲＯＭごとに異なるように設定されている情報はＤＤＲ２ＳＤＲＡＭのクロック周波数および信号タイミングである。ユーザがスライドスイッチ５を手動で切替えることにより、メモリモジュール１を容易に異なる動作速度に変更することができる。
【００１９】
４つのＥＥＰＲＯＭ４にはそれぞれ異なる電気仕様情報が書き込まれており、本実施形態においては、ＥＥＰＲＯＭ４ａにはＰＣ２−３２００（すなわち、クロック周波数４００ＭＨｚ）、信号タイミング３−３−３の仕様が、ＥＥＰＲＯＭ４ｂにはＰＣ２−４３００（クロック周波数５３３ＭＨｚ）、信号タイミング４−４−４の仕様が、ＥＥＰＲＯＭ４ｃにはＰＣ２−４３００（クロック周波数５３３ＭＨｚ）、信号タイミング３−４−４の仕様が、ＥＥＰＲＯＭ４ｄにはＰＣ２−５３００（クロック周波数６６７ＭＨｚ）、信号タイミング５−５−５の仕様が書き込まれている。
【００２０】
ここで、クロック周波数とはデバイスがオン／オフを繰り返す信号の周期の数であり、コンピュータの内部動作のタイミングを決定するための基準となる。周波数が高ければ、すなわち１クロックサイクル当たりの時間が短ければ、それだけ高速に作動することが可能である。
【００２１】
また、上記３−３−３や４−４−４、３−４−４、５−５−５は、データを読み書きする信号タイミングを表し、前述したクロック周波数が同一であっても信号タイミングが異なる複数のメモリモジュールを併設して機能させることはできない。したがって、上記実施形態ではＥＥＰＲＯＭ４ｂ，４ｃには、クロック周波数が５３３ＭＨｚと同一であって異なる信号タイミングの仕様が用いられている。
【００２２】
このように本実施形態では、メモリモジュール１の動作速度の設定を変更可能とすることにより、メモリを増設したい場合に本考案のメモリモジュールを利用すれば、動作速度の選択肢が広まって利便性が向上される。また、その後さらにメモリ容量を増大したい場合や、動作速度を速くしたい場合等には、もともと装着されていたメモリモジュールのみを交換すればよく、本考案によるメモリモジュールについては、新たなメモリモジュールの動作速度に合わせてスライドスイッチを手動で切替えて継続利用することができる。したがって、従来のメモリモジュールと比べてより効率的・経済的にメモリの増設・交換等を行うことが可能である。
【００２３】
以上で、具体的実施形態の説明を終えるが、本考案は上記実施形態に限定されることなく幅広く変形実施することができる。例えば、メモリ素子にＤＤＲＳＤＲＡＭやＳＧＲＡＭを適用したり、識別用メモリにＥＰＲＯＭを適用してもよい。また、手動切替手段はスライドスイッチに限られず、ロータリースイッチやその他切替機能を有する各種のスイッチであってよい。さらに、識別用メモリの数および手動切替手段の切替段数は２以上であればよく、上記実施形態で説明された４に限定されるものではない。また、メモリ素子の異なる電気仕様は、クロック周波数だけであってもよく、信号タイミングだけであってもよい。さらに、それ以外のメモリの動作制御をする電気仕様であってもよい。このように本考案の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】メモリモジュールの正面図である。
【図２】メモリモジュールの背面図である。
【図３】メモリモジュールのブロック図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  メモリモジュール
２  プリント配線基板
３  ＤＤＲ２ＳＤＲＡＭ
４  ＥＥＰＲＯＭ
５  スライドスイッチ
６  切替用つまみ
７  コネクタ
７ａ  コネクタの第１の端子
７ｂ  コネクタの第２の端子
１１  中央処理部
１２  ＣＰＵ
１３  メモリコントローラ
【図１】
0003120096.tif 000003
【図２】
0003120096.tif 000004
【図３】
0003120096.tif 000005