【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2005051192.tif 000001
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１，Ｒ２は、互いに結合し、環状構造を形成してもよい。Ｒ４は、炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは、３以下の整数を表す。）
で示される二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物を含んでなる、化学気相成長法により形成される絶縁膜用材料。
【請求項２】
下式一般式（２）
【化２】
2005051192.tif 000002
（式中、Ｒ１，Ｒ２は、前記に同じ。Ｒ５は、炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。ｘは、２以上の整数）
で示される二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物を含んでなる、化学気相成長法により形成される絶縁膜用材料。
【請求項３】
一般式（１）及び／又は一般式（２）の二級炭化水素基が、イソプロピル、ｓｅｃ．−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロペンタジエニルである請求項１及至請求項２のいずれかに記載の絶縁膜用材料。
【請求項４】
一般式（１）のＲ３及び／又は一般式（２）のＲ５がアルケニル基である請求項１及至請求項３のいずれかに記載の絶縁膜用材料。
【請求項５】
同一ケイ素原子上にビニル基及びイソプロピル基が結合した請求項１及至請求項４のいずれかに記載の絶縁膜用材料。
【請求項６】
一般式（１）及び／又は一般式（２）の化合物が、イソプロピルビニルジメトキシシラン、イソプロピルビニルジエトキシシラン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサンのいずれかである請求項５に記載の絶縁膜用材料。
【請求項７】
下式一般式（３）
【化３】
2005051192.tif 000003
（式中、Ｒ６は、炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表し、ｐは２又は３を表す。）で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物、
下式一般式（４）
【化４】
2005051192.tif 000004
（式中、Ｒ７は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アリール基のいずれかを表す。ｘは、前記に同じ。）で示されるビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シロキサン化合物、
のいずれかを含んでなる、化学気相成長法により形成される絶縁膜用材料。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の有機シラン化合物及び／又は有機シロキサン化合物を含んでなる、化学気相成長法により形成される絶縁膜用材料。
【請求項９】
ケイ素、炭素、酸素、水素以外の元素であって製造原料に由来する不純物量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ含水量が５０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の絶縁膜用材料。
【請求項１０】
化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）である請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の絶縁膜用材料。
【請求項１１】
下記一般式（５）
【化５】
2005051192.tif 000005
（式中、Ｒ１，Ｒ２は、前記に同じ。Ｘは、水素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子表わす。）
で示される有機化合物と、有機リチウム又は金属リチウム粒子とを反応させて製造した二級炭化水素基とリチウム原子とが直結した化合物と、
下記一般式（６）
【化６】
2005051192.tif 000006
（式中、Ｘ’は、弗素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子を表し、Ｒ３，Ｒ４は、前記に同じ。ｐは、０乃至４の整数、ｑは、０乃至２の整数を表し、ｐ＋ｑは、４以下の整数を表す。）
で示されるハロゲン化シラン、ハロゲン化アルコキシシラン又はテトラアルコキシシランとを反応させ、更にケイ素に直結するハロゲン原子が残存する場合、下記一般式（７）
【化７】
2005051192.tif 000007
（式中、Ｍは、アルカリ金属、Ｒ４は前記に同じ。）
で示されるアルカリ金属アルコキシドを反応させた後、濾過、蒸留又はカラム分離により精製することを特徴とする、一般式（１）で示される有機シラン化合物の製造方法。
【化８】
2005051192.tif 000008
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，ｍ，ｎおよびｍ＋ｎは前記に同じ。）
【請求項１２】
下記一般式（５）
【化９】
2005051192.tif 000009
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｘは、前記に同じ。）
で示される有機化合物と金属マグネシウムとを反応させて製造した、二級炭化水素基とマグネシウム原子とが直結した化合物と、
下記一般式（６）
【化１０】
2005051192.tif 000010
（式中、Ｘ’，Ｒ３，Ｒ４，ｐ，ｑ，ｐ＋ｑは、前記に同じ。）
で示されるハロゲン化シラン、ハロゲン化アルコキシシランまたはテトラアルコキシシランとを反応させ、更にケイ素に直結するハロゲン原子が残存する場合、
下記一般式（７）
【化１１】
2005051192.tif 000011
（式中、Ｍ，Ｒ４は前記に同じ。）
で示されるアルカリ金属アルコキシドを反応させた後、濾過、蒸留またはカラム分離により精製することを特徴とする、一般式（１）で示される有機シラン化合物の製造方法。
【化１２】
2005051192.tif 000012
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４、ｍ，ｎ、ｍ＋ｎは、前記に同じ。）
【請求項１３】
下記一般式（８）で示される、二級炭化水素基がケイ素原子に直結した構造を有する二級炭化水素基置換ハロゲン化アルコキシシラン化合物
【化１３】
2005051192.tif 000013
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４，Ｒ５、Ｘは、前記に同じ。ｓは、０乃至２の整数を表す。）
を酸もしくは、塩基共存下、水と反応させることを特徴とする、一般式（２）で示される有機シラン化合物の製造方法。
【化１４】
2005051192.tif 000014
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５は、前記に同じ。）
【請求項１４】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の絶縁膜用材料を用い、ＰＥＣＶＤ装置により、成膜した絶縁膜。
【請求項１５】
請求項２乃至請求項９の有機シロキサン化合物の環状シロキサン構造を含んでなることを特徴とする請求項１４に記載の絶縁膜。
【請求項１６】
請求項１４乃至請求項１５の絶縁膜を、二級炭化水素基、アルケニル基、アリール基のいずれかがケイ素原子との結合が切断する以上の温度で熱処理し、多孔質化した絶縁膜。
【請求項１７】
請求項１４又は請求項１６に記載の絶縁膜を用いた半導体デバイス。
【請求項１８】
イソプロピルビニルジメトキシシラン、イソプロピルビニルジエトキシシラン、イソプロピルビニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシラン、ジイソプロピルビニルメトキシシラン、ジイソプロピルビニルエトキシシラン、ジイソプロピルビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルビニルジメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルビニルジエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルビニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルビニルメトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルビニルエトキシシラン、ジｓｅｃ−ブチルビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシラン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリｓｅｃ−ブチル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、または１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ−ブチル−１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシロキサン。
【請求項１９】
請求項１８に記載の化合物において、イソプロピルビニルジメトキシシラン、イソプロピルビニルジエトキシシラン、イソプロピルビニルジｔｅｒｔ．−ブトキシシラン、ジイソプロピルビニルメトキシシラン、ジイソプロピルビニルエトキシシラン、ジイソプロピルビニルｔｅｒｔ．−ブトキシシラン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、または１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシロキサン。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の化合物において、イソプロピルビニルジメトキシシラン、１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、または１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン。