Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを収納する電槽２と、該電槽２の上面を覆う中蓋３と、該中蓋３の凹部を覆う上蓋４に囲まれた空間に、前記空間を排気室間隔壁３２で分割して前記セル数と同数の排気室３７を設け、隣合う排気室同士を前記排気室間隔壁３２に設けた切り欠きまたは透孔５２を介して連通させ、排気室３７とセルを中蓋の床壁６２に設けたガス排出口３４と電解液還流口３３とで構成された開口を介して連通し、該排気室３７に連通する集中排気室４５を備え、前記セルから発生するガスを、前記排気室３７に導いた後、前記集中排気室４５を経由して電池外へ一括排気する機構を備えた鉛蓄電池１において、前記ガス排出口３４と電解液還流口３３とで構成された開口をとり囲む隔壁３２'を配置し、該隔壁３２'によって前記排気室３７と区画したセル連通小室３５を備え、該セル連通小室３５を隔壁３２'に設けた切り欠き３６を介して排気室３７に連通させ、該切り欠き３６以外は隔壁３２'によってセル連通小室３５と排気室３７を隔離したことを特徴とする鉛蓄電池。
【請求項２】
前記排気室３７の床壁６２が、セル連通小室３５との連通部からの距離が小さい程低く、セル連通小室３５との連通部からの距離が大きくなるに従って高くなるように傾斜を備え、前記排気室３７は、少なくとも２つの隔壁４１、４２によって、３つ以上の排気小室３８、３９、４０に分割され、該隔壁４１、４２は少なくとも１個の切り欠きを備えており、隣合う排気小室同士は、前記隔壁４１、４２に設けた切り欠き４３、４４によって連通し、該切り欠き４３、４４以外は前記隔壁４１、４２によって隔離され、隣合う隔壁に設けた前記切り欠き４３、４４を、床壁６２の傾斜に対してジグザグの位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載の鉛蓄電池。
【請求項３】
前記排気室３７を排気小室（排気小室３８、３９、４０）に分割する隔壁（隔壁４１、４２）が、床面の傾斜に対して斜行しており、該隔壁４１、４２と排気室間隔壁３２とのなす角度θが鋭角であり、該隔壁４１、４２のうち床壁６２の最も低い位置に切り欠き４３、４４を設けたことを特徴とする請求項２に記載の鉛蓄電池。
【請求項４】
前記複数の排気室３７のうち、電池の両端部に位置する排気室の少なくとも一つの排気室と隣接する位置に集中排気室４５を配置し、前記排気室３７と集中排気室４５を隔壁３２"で区画し、該隔壁３２"に設けた切り欠きまたは透孔４６によって、前記セル連通小室３５と最も離れた排気小室４０と集中排気室４５を連通させ、該切り欠きまたは透孔４６以外は隔壁によって排気室３７と集中排気室４５を隔離したことを特徴とする請求項２に記載の鉛蓄電池。
【請求項５】
前記集中排気室４５は、多孔性フィルター６３を内蔵し、該多孔性フィルターによって上蓋側と中蓋側の上下２つの空間に区画されており、前記上蓋側の空間が排気路５９を介して電池の外と連通しており、集中排気室４５の床面は、排気室との連通部から遠くなるに従い高くなるように傾斜を有し、前記排気路５９を、集中排気室４５と排気室３７の連通部に近い位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載の鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを収納する電槽と、該電槽の上面を覆う中蓋、該中蓋３の凹部を覆う上蓋で囲まれた空間に隔壁で区画された前記セルと同数の排気室および該排気室に連通する少なくとも１個の集中排気室を備え、排気室の床壁に前記セルと排気室を連通するガス排出口と電解液還流口を備え、前記セルから発生するガスを前記排気室および集中排気室を経由して電池外へ一括排気する機構を備えた鉛蓄電池において、前記排気室の床壁のセルに面する壁面に前記ガス排出口を囲みセル内に向かって伸びる筒状体と電解液還流口を囲みセル内に向かって伸びる筒状体を設け、前記ガス排出口を囲みセル内に向かって伸びる筒状体の壁面に切り欠きまたは透孔を設けたことを特徴とする鉛蓄電池。
【請求項２】
前記ガス排出口を長円形又は長方形の開口としたことを特徴とする請求項１に記載の鉛蓄電池。
【請求項３】
前記排気室の床壁のうち、前記ガス排出口を設けた局所床壁を、その周囲床壁に比べてセルの電解液面から遠い位置に配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷を生成し、前記信号電荷を列方向に転送する画素部と、前記画素部から前記信号電荷を受け取り行方向に転送する水平転送部とを備える固体撮像装置であって、
前記画素部は、前記画素部から水平転送部への信号電荷の読み出しを制御するための列方向に独立の駆動電極を複数具備し、
前記駆動電極に接続される第１の配線は、前記水平転送部上に形成される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記水平転送部上には、第１の遮光層が形成されており、
前記水平転送部は、前記第１の配線および前記第１の遮光層により遮光される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１の配線は、複数の配線パターンからなり、
前記複数の配線パターンに隣接して前記配線パターンの少なくとも１つと略同一形状のダミーの配線が形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の配線は、アルミニウム層であり、
前記第１の遮光層は、タングステン層である
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の配線および前記第１の遮光層は、それぞれ異なるアルミニウム層である
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記駆動電極および前記第１の配線は、それぞれ異なる層に形成されており、
前記画素部は、前記駆動電極の層と前記第１の配線の層とを垂直に接続する第１のプラグを有し、
前記駆動電極の層および前記第１の配線の層の下層には、第１の平坦電極が形成され、
前記第１の平坦電極は、前記第１のプラグ下において、前記第１のプラグの底面よりも大きな面積を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記画素部上には、第２の遮光層が形成されており、
前記第２の遮光層は、第１のプラグの配置位置に開口部を有する
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記駆動電極および前記第１の平坦電極は、それぞれ異なるポリシリコン層である
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記画素部上には、第３の遮光層が形成されており、
前記第１の配線と接続された駆動電極以外の駆動電極と接続された第２の配線は、前記第３の遮光層の一部を用いて形成された第３の配線を含む
ことを特徴とする請求項１又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第３の配線の端部は、前記複数ある駆動電極のうち重なり合う駆動電極の端部と交差しない
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２の配線は、さらに第４の配線を含み、
前記第４の配線の少なくとも一部は、前記画素部の信号電荷の転送路上に沿って形成される
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第３の配線および前記第４の配線は、それぞれ異なる層に形成されており、
前記画素部は、前記第３の配線および前記第４の配線を垂直に接続する第２のプラグを有し、
前記第３の配線および前記第４の配線の下層には、第２の平坦電極が形成され、
前記第２の平坦電極は、前記第２のプラグ下において、前記第２のプラグの底面よりも大きな面積を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第２の平坦電極は、異なる２層のポリシリコン層からなり、
１層目のポリシリコン層は、前記第２のプラグ下において、前記第２のプラグの底面よりも大きな面積で平坦な面を有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第３の遮光層は、タングステン層であり、
前記第４の配線は、アルミニウム層である
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第３の配線および前記第４の配線は、それぞれ異なる２層のタングステン層である
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記列方向に独立の駆動電極は、ｎ（ｎは２以上の整数）列毎に同じ電極構造を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記列方向に独立の駆動電極上には、黒色のオンチップレンズ層が形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記水平転送部上には、着色したオンチップレンズ層が形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
固体撮像装置と、駆動回路と、信号処理部と、外部インターフェイス部とを備えた撮像装置であって、
前記固体撮像装置は、信号電荷を生成し前記信号電荷を列方向に転送する画素部と、前記画素部から前記信号電荷を受け取り行方向に転送する水平転送部とを備え、
前記画素部は、前記画素部から前記水平転送部への信号電荷の読み出しを制御するための列方向に独立の駆動電極を複数具備し、
前記駆動電極に接続される第１の配線は、前記水平転送部上に形成されており、
前記信号処理部は、前記駆動回路を通して前記固体撮像装置を駆動して前記固体撮像装置からの出力信号を取り込み、前記信号処理部で処理した信号を前記外部インターフェイス部を通して外部に出力する
ことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置、撮像装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱部品と熱的に接続する受熱部材と、この受熱部材に液体を輸送するポンプと、このポンプによって前駆発熱部品からの熱受けて液体を放熱するラジエタとを備えた液冷システムにおいて、
前記受熱部材は金属薄板の打ち抜き加工により成形された積層プレートからなり、この積層プレートは液体が通流する流路を備え、この流路の内部には複数のフィンを有するとともに、
前記積層プレートは中央部に穴を有する第１の積層プレートと、一方が開放された切り欠きと他方に穴を有する第２の積層プレートとからなり、この第１と第２の積層プレートを交互に積層して液体の流入側の積層群と液体の流出側の積層群とを設けたことを特徴とする液冷システム。
【請求項２】
請求項１記載の液冷システムにおいて、
前記積層プレートは長手方向に複数の穴を有する金属薄板であって、この金属薄板の中心部に対し前記複数の穴が長手方向の一方側に偏移してなり、この金属薄板を上下反転させて順次積層されていることを特徴とする液冷システム。
【請求項３】
請求項１記載の液冷システムにおいて、
前記積層プレートは１本の蛇行する穴を有する金属薄板であって、この金属薄板の中心部に対し前記穴が一方側に偏移してなり、この金属薄板を上下反転させて順次積層されていることを特徴とする液冷システム。
【請求項４】
請求項１記載の液冷システムにおいて、
前記受熱部材は上下２枚の金属板からなり、この上下２枚の金属板の上側金属板は１本の蛇行する溝と、この溝の内部に押出し成形による形成された張り出し部を有してなり、この上側金属板と平板状の下側金属板とをシール部材を介在して固定しことを特徴とする液冷システム。
【請求項５】
発熱部品と熱的に接続する受熱部材と、この受熱部材に液体を輸送するポンプと、このポンプによって前駆発熱部品からの熱受けて液体を放熱するラジエタとを備えた液冷システムにおいて、
前記受熱部材は金属薄板の打ち抜き加工により成形された積層プレートからなり、この積層プレートは液体が通流する流路を備え、この流路の内部には複数のフィンを有してなり、この受熱部材に前記ポンプと前記ラジエタを配管で接続したことを特徴とする液冷システム。
【請求項６】
請求項５記載の液冷システムにおいて、
前記ラジエタにはファンが取付けられていることを特徴とする液冷システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的は、発熱部品と熱的に接続する受熱部材と、この受熱部材に液体を輸送するポンプと、このポンプによって前駆発熱部品からの熱受けて液体を放熱するラジエタとを備えた液冷システムにおいて、前記受熱部材は金属薄板の打ち抜き加工により成形された積層プレートからなり、この積層プレートは液体が通流する流路を備え、この流路の内部には複数のフィンを有するとともに、前記積層プレートは中央部に穴を有する第１の積層プレートと、一方が開放された切り欠きと他方に穴を有する第２の積層プレートとからなり、この第１と第２の積層プレートを交互に積層して液体の流入側の積層群と液体の流出側の積層群とを設けたことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記目的は、前記積層プレートは長手方向に複数の穴を有する金属薄板であって、この金属薄板の中心部に対し前記複数の穴が長手方向の一方側に偏移してなり、この金属薄板を上下反転させて順次積層されていることにより達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記目的は、前記積層プレートは１本の蛇行する穴を有する金属薄板であって、この金属薄板の中心部に対し前記穴が一方側に偏移してなり、この金属薄板を上下反転させて順次積層されていることにより達成される。
また上記目的は、前記受熱部材は上下２枚の金属板からなり、この上下２枚の金属板の上側金属板は１本の蛇行する溝と、この溝の内部に押出し成形による形成された張り出し部を有してなり、この上側金属板と平板状の下側金属板とをシール部材を介在して固定したことにより達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記目的は、発熱部品と熱的に接続する受熱部材と、この受熱部材に液体を輸送するポンプと、このポンプによって前駆発熱部品からの熱受けて液体を放熱するラジエタとを備えた液冷システムにおいて、前記受熱部材は金属薄板の打ち抜き加工により成形された積層プレートからなり、この積層プレートは液体が通流する流路を備え、この流路の内部には複数のフィンを有してなり、この受熱部材に前記ポンプと前記ラジエタを配管で接続したことにより達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記目的は、前記ラジエタにはファンが取付けられていることにより達成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
固体原料若しくは液体原料を溶媒に溶かした液体を気化システムを用いて気化した原料ガス、又は固体原料からの昇華若しくは液体原料からの蒸発によって生成した原料ガスと反応ガスとを含む成膜ガスをガス導入手段を介して反応室内に導入し、原料ガスの分解温度以上に加熱された基板上で成膜させるＣＶＤ法による薄膜製造方法に従って薄膜を製造した後、さらに、この薄膜の成膜温度以下の温度で結晶化アニール処理することを特徴とする薄膜製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３によれば、本発明の薄膜製造方法はまた、固体原料若しくは液体原料を溶媒に溶かした液体を気化システムを用いて気化した原料ガス、又は固体原料からの昇華若しくは液体原料からの蒸発によって生成した原料ガスと反応ガスとを含む成膜ガスをガス導入手段を介して反応室内に導入し、原料ガスの分解温度以上に加熱された基板上で成膜させるＣＶＤ法による薄膜製造方法に従って薄膜を製造した後、さらに、この薄膜の成膜温度以下の温度で結晶化アニール処理することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、本発明におけるこの結晶化アニール処理は、成膜温度以下の温度で実施すればよい。例えば、成膜温度が５３０℃の場合、成膜温度より１１０℃低い温度、好ましくは８０℃低い温度、さらに好ましくは５０℃低い温度から成膜温度付近までの間の温度で結晶化アニール処理を実施すれば、満足すべき結晶化が得られると共に、所望の電気特性を有する薄膜が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
リチウム塩としては、例えばLiPF6、LiAsF6、LiSbF6、LiClO4、LiBF4、Li(CF3SO2)2N、LiCF3SO3、LiC4F9SO3等の少くとも一種が用いられる。これらのリチウム塩は、約0.1〜2モル濃度、好ましくは約0.25〜1.75モル濃度の有機溶媒溶液として用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
リチウム塩を含有するゲルポリマー電解質の調製は、フィルム状VdF-TFE共重合体を室温乃至用いられた炭酸エステルの沸点以下の温度のリチウム塩炭酸エステル溶液中に数分間乃至数10時間程度浸漬し、その後浸漬液中から引き上げられたフィルムの表面に付着したリチウム塩含有電解液をロ紙で吸収する等の方法で物理的に除去することによって行われる。なお、VdF-TFE共重合体からのフィルムの形成は、共重合体をアセトン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の可溶性溶媒に溶解させた溶液を、ガラス板、金属板、樹脂シート等の基質上にバーコータ、ドクターブレード等を用いる方法あるいはキャスト・スピンコート法による塗布を行ない、室温乃至約150℃で溶媒を乾燥除去させることにより行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解質二次電池とその電解液
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの電子吸引性基を有する炭酸ビニレン誘導体を含む電解質を用いる非水電解質二次電池。
【請求項２】  少なくとも１つの電子吸引性基を有する炭酸ビニレン誘導体と環状カルボン酸エステルを含有する電解質を用いる非水電解質二次電池。
【請求項３】  前記少なくとも１つの電子吸引性基を有する炭酸ビニレン誘導体が（化１）で示される化合物である請求項１もしくは２記載の非水電解質二次電池。
【化１】
2001035530.tif 000001
（Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立で、Ｒ1 およびＲ2 の少なくともいずれか一方がハロゲン基、Ｃn Ｈm Ｘ(2n-m+1)基、Ｃn Ｈm Ｘ(2n-m+1)ＳＯ2 基（Ｘ：ハロゲン）からなる群から選ばれる１つの官能基であり、いずれか一方のみが前記官能基である場合は残りの一方は水素である。）
【請求項４】  前記少なくとも１つの電子吸引性基を有する炭酸ビニレン誘導体を電解質中に含まれる溶媒全体積に対し0.5 〜20体積％、前記環状カルボン酸エステルを電解質中に含まれる溶媒全体積に対し80〜99.5体積％含有する請求項２記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】  前記環状カルボン酸エステルがγ−ブチロラクトンおよびその誘導体（化２）である請求項２もしくは４記載の非水電解質二次電池。
【化２】
2001035530.tif 000002
（式中、Ｒ3 〜Ｒ8 は独立であって、それぞれ水素、ハロゲン、または炭素数１〜６のアルキル基、アセチル基から選ばれる官能基）
【請求項６】  リチウムの吸蔵・放出が可能な正極および負極と、非水溶媒と溶質を含有する非水電解質を備えた非水電解質二次電池において、前記非水溶媒がγ- ブチロラクトン、γ- バレロラクトン、α- メチル- γ- ブチロラクトン、α- アンゲリカラクトンからなる群より選ばれる１種以上を非水溶媒全体積に対し80〜99.5体積％と、モノふっ化炭酸ビニレン、トリフルオロメタン炭酸ビニレン、トリフルオロメタンスルホニル炭酸ビニレンからなる群より選ばれる１種以上を非水溶媒全体積に対し0.5 〜20体積％の割合で含有する非水電解質二次電池。
【請求項７】  少なくとも１つの電子吸引性基を有する炭酸ビニレン誘導体を含むことを特徴とする非水電解質二次電池用の電解液。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、このような課題を解決し、特に低温時の充放電特性の優れた非水電解質二次電池とその電解液を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願発明者らが鋭意検討を行った結果、ＶＣの二重結合部に電子吸引性基であるハロゲン、Ｃn Ｈm Ｘ(2n-m+1)基、Ｃn Ｘ2n+1ＳＯ2 基（Ｘ：ハロゲン）を導入することにより、ＶＣの還元分解電位および酸化分解電位ともに貴な方向へシフトすることを見出したものである。その結果、過充電や高温充電保存などの過酷な条件下においても溶媒の分解が起こらず、充放電特性に優れた非水電解質二次電池とその電解液を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１〜請求項７に記載の発明は、リチウムの吸蔵・放出が可能な正極および負極と、少なくとも１つの電子吸引性基を有する炭酸ビニレン誘導体を含む電解質を用いることで、過充電や高温充電保存などの過酷な条件下においても溶媒の分解が起こらず、充放電特性に優れた非水電解質二次電池を達成するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
行デコーダ２６と列デコーダ２８とによって指定されたメモリセルアレイ３２中のメモリセルは、センスアンプ＋入出力制御回路３０とデータ入力バッファ２０またはデータ出力バッファ３４とを介して入力端子Ｄｉｎまたは出力端子Ｄｏｕｔを通じて外部とデータをやり取りする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図３は、図２に示した参照電位発生回路５２の構成を示す回路図である。
図３を参照して、参照電位発生回路５２は、制御クロック信号ＴＣＬＫに従ってチューニング信号ＴＳＩＧ１〜ＴＳＩＧ４を出力するカウンタ６２と、外部電源電位Ｅｘｔ．Ｖｃｃが与えられる電源ノードとノードＮ１との間に接続される定電流源７２と、ノードＮ１と接地ノードとの間に接続される抵抗回路７３と、ノードＮ１と接地ノードとの間に接続される電位安定化用のキャパシタ８４とを含む。ノードＮ１からは参照電位Ｖｒｅｆが出力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また、図３のチューニング回路６８の場合には、図５のチューニング信号ＴＳＩＧｎ、ノードＮＡｎおよびＮＢｎは、それぞれチューニング信号ＴＳＩＧ３、ノードＮ３、ノードＮ４に対応する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
参照電位発生回路１３６は、制御クロック信号ＴＣＬＫに従ってチューニング信号ＴＳＩＧ１〜ＴＳＩＧ４を出力するカウンタ１５２と、信号ＴＳＩＧ４を受けて反転するインバータ１５９と、外部電源電位Ｅｘｔ．Ｖｃｃが与えられる電源ノードとノードＮ１１との間に接続される定電流源１６２と、ノードＮ１１と接地ノードとの間に接続される抵抗回路１６３と、ノードＮ１１と接地ノードとの間に接続される電位安定化用のキャパシタ１７４とを含む。ノードＮ１１からは参照電位Ｖｒｅｆが出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
これに対して、実施の形態２の半導体装置においては、参照用に外部から与える参照電位Ｅｘｔ．Ｖｒｅｆのパッド１つのみでチューニングが可能であり、半導体装置に設けるパッド数を削減することができる。また、外部参照電位Ｅｘｔ．Ｖｒｅｆと参照電位Ｖｒｅｆとを比較し、一致するチューニング条件を半導体装置内部で判定した後にデータ出力ピンに判定結果を出力させることができる。チューニング信号を出力させるのはデータ出力ピンに限らず半導体装置上の他の制御ピンでも構わない。また、チューニングモードでは、半導体装置内部でカウンタを動作させてチューニング条件を判定するので、電圧比較を行なうテスタ等を必要としない。このため、チューニングに要するテスト時間を短縮させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
［実施の形態３］
レーザ光線でブロー可能なヒューズ素子の周辺は一律にシュリンクすることができない。デザインルールの進歩とともにチップ面積に占めるヒューズ素子の割合が大きくなっておりこれが問題になっている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、半導体基板とパッケージ基板との間の間隙にアンダーフィル樹脂等の絶縁性樹脂を充填する際に、気泡等のエア残りを発生させることなく均一に絶縁性樹脂を充填する必要がある。万一、エア残りが生じた場合には、エア残りにより鬆が形成されると半導体装置の温度変化により生じる応力の分布が不均一になる。この不均一な応力分布の発生により、素子あるいは半導体基板とパッケージ基板との電気接続部に応力が作用して、これらの部分が破損してしまい、半導体装置の信頼性が低下するおそれがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、パッケージ基板に、更に、エア抜き用孔部を貫通して形成することが好ましい。このような構成を採用した場合、絶縁性樹脂を充填する際に、半導体基板とパッケージ基板との間に形成された間隙に存在するエアがエア抜き用孔部を介して排出されるので、絶縁性樹脂を速やかに充填することができると共に、絶縁性樹脂を充填した後のエア残りの発生を更に抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、第１貫通孔２５は、各受光部１４に対応する位置Ｄの外側で且つ矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置にパッケージ基板２０に形成されるので、個々の半導体装置Ａに分離した際に、第１貫通孔２５の一部で構成される凹部３が、平面視で、素子の受光部１４と重ならない位置に形成されることになり、受光部１４での光の受光が凹部３で妨げられることが回避され、受光部１４（受光素子）の受光性能の低下を防止することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…半導体チップ、２…パッケージベース、３…凹部、１０…半導体基板、１１…ボンディングパッド、１２…第１アライメントパターン、１４…受光部、２０…パッケージ基板、２１…第１配線電極、２２…第２アライメントパターン、２３…第２配線電極、２５…第１貫通孔、２６…第２貫通孔、３０…間隙、３１…アンダーフィル樹脂、４０…樹脂充填装置、４１…ステージ、４２…回転軸、４３…回転駆動部、４４…ノズル部、Ａ…半
導体装置、Ｃ…切断軌跡、Ｄ…パッケージ基板（パッケージベース）の受光部に対応する位置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成された基板に光（レーザ光を含む）あるいは荷電粒子線を照射する照射手段と、照射によって前記基板から発生する信号を検出する検出手段と、基板のＸ軸およびＹ軸によって区割される領域について前記検出手段により検出された信号を画像化のために記憶する記憶手段と、記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域の画像と比較する比較手段と、および比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、
記憶された画像を表示するための画面部を有し、
該画面部の画面上方に検査項目名と検査項目についてのガイダンスを形成する検査項目画面が表示され、画面下方に画面についてのメニューを切り替える指示情報を形成するメニュー切替え画面が表示され、画面側方に検査の開始を指示する検査開始画面が表示され、画面中央部に前記領域を基板上のチップに配列対応させて区画し、チップに対応して検査領域として指定する検査領域指定画面および指定された検査領域についての検査結果を形成する検査結果画面を表示すること
を特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記検査領域指定画面は、一つのチップの全体領域であることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記検査領域指定画面は、一つのチップの一部領域であることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記検査領域指定画面は、ウエハの一部分領域であることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記画面部には、検査方法または検査条件を入力するための検査条件入力画面が形成されることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項６】
請求項５において、
検査条件入力画面には、検査を行う入力がなされた基板であるウエハの枚数と検査中のウエハの枚数が表示されることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記画面部には、カセットの位置情報を示すカセット情報画面が表示されることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記検査結果画面には、光学顕微鏡の映像または電子顕微鏡の映像が切り替えられていずれか一方が表示されることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項９】
請求項８において、
電子顕微鏡の映像は、ＳＥＭ低倍またはＳＥＭ高倍のいずれかの映像であることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項１０】
請求項１において、
Ｘ軸およびＹ軸によって区割された領域は、検査領域指定画面上において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に区割番号が付与され、当該区割番号による指定により検査領域が指定されることを特徴とする回路パターンの検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】電池を配置する電池の配置方法であって、断面形状が長軸と短軸を有する略長円形の長円筒形の電池を複数個用い、これらの電池を略長円形の断面に平行な面内で長軸を傾けて配置することを特徴とする長円筒形電池の配置方法。
【請求項２】断面形状が長軸と短軸を有する略長円形の長円筒形の電池を複数個用い、これらの電池を略長円形の断面に平行な面内で長軸を傾けて外装容器に配置してなることを特徴とする組電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも、移動層、スイッチング層、メモリ層がこの順に積層されて形成され、上記メモリ層は垂直磁化膜からなり、上記移動層は上記メモリ層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記スイッチング層は上記移動層および上記メモリ層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体を再生するデータ再生装置であって、
光ビームを上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動させながら上記移動層の側から照射し、上記磁気記録媒体上に、上記光ビームのスポットの移動方向に対して勾配を有すると共に少なくとも上記スイッチング層のキュリー温度よりも高い温度領域を有する温度分布を形成することで、上記移動層に形成されていた磁壁を移動させ、上記光ビームの反射光の偏光面の変化に対応した再生信号を得る信号再生手段と、
インパルス応答が非対称な形状を持ち、上記信号再生手段で得られる上記再生信号に生じる非対称な波形歪みを補正する波形等化手段と、
を備えることを特徴とするデータ再生装置。
【請求項２】  上記波形等化手段は、
上記再生信号を所定の時間遅延させた信号を出力する遅延信号出力部と、
上記再生信号を減衰させた信号を生成する減衰信号生成部とを有し、
上記遅延信号出力部により出力された信号と上記減衰信号生成部により生成された信号とに基づいて波形等化を行う
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項３】  上記波形等化手段は、少なくとも２つ以上のタップを持ち、そのタップ係数が前後で非対称な値を持つトランスバーサルフィルタによって構成される
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項４】  少なくとも、移動層、スイッチング層、メモリ層がこの順に積層されて形成され、上記メモリ層は垂直磁化膜からなり、上記移動層は上記メモリ層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記スイッチング層は上記移動層および上記メモリ層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体を再生するデータ再生方法であって、
光ビームを上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動させながら上記移動層の側から照射し、上記磁気記録媒体上に、上記光ビームのスポットの移動方向に対して勾配を有すると共に少なくとも上記スイッチング層のキュリー温度よりも高い温度領域を有する温度分布を形成することで、上記移動層に形成されていた磁壁を移動させ、上記光ビームの反射光の偏光面の変化に対応した再生信号を得る第１のステップと、
インパルス応答が非対称な形状を持つ波形等化手段を使用し、上記第１のステップで得られる上記再生信号に生じる非対称な波形歪みを補正する第２のステップと、
を有することを特徴とするデータ再生方法。
【請求項５】 上記波形等化手段は、
上記再生信号を所定の時間遅延させた信号を出力する遅延信号出力部と、
上記再生信号を減衰させた信号を生成する減衰信号生成部とを有し、
上記遅延信号出力部により出力された信号と上記減衰信号生成部により生成された信号とに基づいて波形等化を行う
ことを特徴とする請求項４に記載のデータ再生方法。
【請求項６】  上記波形等化手段は、少なくとも２つ以上のタップを持ち、そのタップ係数が前後で非対称な値を持つトランスバーサルフィルタによって構成される
ことを特徴とする請求項４に記載のデータ再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、少なくとも、移動層、スイッチング層、メモリ層の磁性３層膜からなり、磁性膜温度がスイッチング層のキュリー温度以上となった領域で移動層の磁壁移動が発生して実効的に記録された磁区の大きさが拡大されるようになされた光磁気記録媒体を再生するデータ再生装置および方法に関する。詳しくは、再生信号に生じる非対称な波形歪みをインパルス応答が非対称な形状を持つ波形等化手段を使用して補正することによって、再生データの誤り率の低減等を図るようにしたデータ再生装置および方法に係るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るデータ再生装置は、ＤＷＤＤ方式のデータ再生装置において、光ビームを光磁気記録媒体に対して相対的に移動させながら移動層の側から照射し、磁気記録媒体上に、光ビームのスポットの移動方向に対して勾配を有すると共に、少なくともスイッチング層のキュリー温度よりも高い温度領域を有する温度分布を形成することで、移動層に形成されていた磁壁を移動させ、光ビームの反射光の偏光面の変化に対応した再生信号を得る信号再生手段と、インパルス応答が非対称な形状を持ち、信号再生手段で得られる再生信号に生じる非対称な波形歪みを補正する波形等化手段とを備えるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、この発明に係るデータ再生方法は、ＤＷＤＤ方式のデータ再生方法であって、光ビームを光磁気記録媒体に対して相対的に移動させながら移動層の側から照射し、磁気記録媒体上に、光ビームのスポットの移動方向に対して勾配を有すると共に、少なくともスイッチング層のキュリー温度よりも高い温度領域を有する温度分布を形成することで移動層に形成されていた磁壁を移動させ、光ビームの反射光の偏光面の変化に対応した再生信号を得る第１のステップと、インパルス応答が非対称な形状を持つ波形等化手段を使用し、第１のステップで得られる再生信号に生じる非対称な波形歪みを補正する第２のステップとを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  情報が記録される記録層と熱伝導層とを基板上に備え、基板側から光が照射される光記録媒体において、
基板の厚みが０．６ｍｍ未満であることを特徴とする光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  上記熱伝導層が基板と記録層との間に設けられ、上記熱伝導層が２０Ｗｍ−１Ｋ−１以上の熱伝導率を有する非磁性の熱伝導層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  上記記録層が第１記録層であり、上記熱伝導層が２０Ｗｍ−１Ｋ−１以上の熱伝導率を有する非磁性の熱伝導層であり、更に、上記基板と上記熱伝導層との間に、情報が記録される第２記録層を備え、第１記録層が上記熱伝導層上に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、
紫外光又は赤外光を照射して前記非晶質半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に変化させる第１熱処理を行い、
前記結晶性半導体薄膜に対して還元雰囲気中で９００〜１２００℃の第２熱処理をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記紫外光は、紫外光ランプまたはＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＡｒＦを励起ガスとするエキシマレーザーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記赤外光は、赤外光ランプまたはＮｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ガラスレーザー、ルビーレーザーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記レーザーのビーム形状は線状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記レーザーのビーム形状は面状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記非晶質半導体薄膜を形成する際に、前記非晶質半導体薄膜中の炭素及び窒素の濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度を１．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に管理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記非晶質半導体薄膜を形成する際に、前記非晶質半導体薄膜中の炭素及び窒素の濃度を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に管理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２熱処理はファーネスアニール処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記還元雰囲気は水素雰囲気またはアンモニア雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素及び窒素の濃度が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度が１．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
主たる配向面が｛１１０｝面であり、
隣接する結晶粒の間において、等価な結晶軸同士がなす回転角の絶対値が４°以内、又は前記等価な結晶軸に対して７０．５°の回転関係にある結晶軸同士がなす回転角の絶対値が４°以内であり、
膜厚が５〜４０ｎｍである結晶性半導体薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
炭素及び窒素の濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
主たる配向面が｛１１０｝面であり、
隣接する結晶粒の間において、等価な結晶軸同士がなす回転角の絶対値が４°以内、又は前記等価な結晶軸に対して７０．５°の回転関係にある結晶軸同士がなす回転角の絶対値が４°以内であり、
膜厚が５〜４０ｎｍである結晶性半導体薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
金属元素の濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である結晶性半導体薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、
前記非晶質半導体薄膜上の一部又は全部の領域に対して当該非晶質半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
第１熱処理を行い、前記非晶質半導体薄膜の一部又は全部の領域を結晶性半導体薄膜に変化させ、
前記結晶性半導体薄膜に対して還元雰囲気中で９００〜１２００℃の第２熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、
前記非晶質半導体薄膜上の一部又は全部の領域に対して当該非晶質半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
第１熱処理を行い、前記非晶質半導体薄膜の一部又は全部の領域を結晶性半導体薄膜に変化させ、
前記結晶性半導体薄膜に対して紫外光又は赤外光を照射し、
前記結晶性半導体薄膜に対して還元雰囲気中で９００〜１２００℃の第２熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記紫外光は、紫外光ランプまたはＸｅＣｌを励起ガスとするエキシマレーザーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記赤外光は、赤外光ランプであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６において、
前記エキシマレーザーのビーム形状は線状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記エキシマレーザーのビーム形状は面状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項において、
前記非晶質半導体薄膜を形成する際に、前記非晶質半導体薄膜中の炭素及び窒素の濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度を１．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に管理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項において、
前記非晶質半導体薄膜を形成する際に、前記非晶質半導体薄膜中の炭素及び窒素の濃度を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に管理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項４乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記非晶質半導体薄膜を形成する際に、前記非晶質半導体中の金属元素の濃度を１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に管理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項４乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記触媒元素は、前記非晶質半導体薄膜上に前記触媒元素を含む溶液をスピンコート法により塗布し、前記非晶質半導体薄膜に水素出しのための熱処理を行うことにより、添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項４乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記触媒元素はＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎから選ばれた一種または複数種を用いること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項４乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１熱処理は５００〜７００℃で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項４乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記第２熱処理はファーネスアニール処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項４乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記還元雰囲気は水素雰囲気又はアンモニア雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項４乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記還元雰囲気はハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体薄膜中に当該非晶質半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
紫外光又は赤外光を照射して前記非晶質半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に変化させ、
前記結晶性半導体薄膜に対して還元雰囲気中で９００〜１２００℃の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記還元雰囲気はハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記熱処理はファーネスアニール処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記熱処理は酸素又は酸素化合物の濃度を１０ｐｐｍ以下とした還元雰囲気中で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記非晶質半導体膜は、当該非晶質半導体膜中の炭素及び窒素の濃度が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度が１．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下になるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記非晶質半導体膜は、当該非晶質半導体膜中の炭素及び窒素の濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下且つ酸素の濃度が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下になるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記触媒元素はＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ，Ｐｂ、Ｓｎを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 被露光パターンを有する複数の原板を保管する保管手段と、
前記原板を前記保管手段と露光に使用する位置との間で搬送する搬送手段とを備え、前記原板を交換しながら露光を行なう露光装置において、
前記原板を前記保管手段から使用位置までの搬送途中で待機させるために保持する保持手段と、次回以降使用される１または複数の原板を、前記搬送手段により、予め前記保管手段から前記保持手段に搬送して待機させておく制御手段とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】 前記搬送手段は前記保管手段と保持手段との間で前記原板の搬送を行なう第１の搬送手段と、前記保持手段と使用位置との間で前記原板の搬送を行なう第２の搬送手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】 前記制御手段は、現在使用中の原板の使用が終了したらその原板を前記使用位置より前記保持手段を経て前記保管手段に回収するとともに、前記保持手段において待機させている次の原板を前記使用位置に搬送するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】 前記制御手段は、使用が予定されている原板およびその使用の順番に関する使用予定情報に基づいて前記待機のための原板の搬送を行なうものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】 前記使用予定情報を、前記制御手段に付与する手段を有することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】 前記使用予定情報を、ロットの処理予定および各ロットで使用する原板に関する情報に基づいて生成する使用予定情報生成手段を有することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】 前記使用予定情報生成手段は、前記ロットの処理予定に変更が発生した場合には、変更後のロットの処理予定および各ロットで使用する原板に関する情報に基づいて前記使用予定情報を再度生成するものであることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】 前記使用予定情報には、使用が予定されている各原板について、使用に先立って必要な前処理に関する情報が含まれており、前記制御手段はこの情報に基づいて、前処理が必要な原板について、予め前処理を行なっておくものであることを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】 前記制御手段は、前記使用予定情報に変更があった場合、変更後の使用予定情報に基づいて前記待機のための原板の搬送および前記予めの前処理をやり直すものであることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】 前記原板はペリクルを有するレチクルであり、前記前処理には、前記レチクルもしくはペリクルのゴミ検査、または前記レチクルの透過率もしくは回折光量の計測が含まれることを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１１】 前記予め保管手段から保持手段に搬送して待機させておく原板は、必要な前処理が行なわれたものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の第１の露光装置は、被露光パターンを有する複数の原板を保管する保管手段と、
前記原板を前記保管手段と露光に使用する位置との間で搬送する搬送手段とを備え、前記原板を交換しながら露光を行なう露光装置において、
前記原板を前記保管手段から使用位置までの搬送途中で待機させるために保持する保持手段と、次回以降使用される１または複数の原板を、前記搬送手段により、予め前記保管手段から前記保持手段に搬送して待機させておく制御手段とを備えることを特徴とする。