【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、窒化珪素を含む第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、薄膜トランジスタが順次形成されており、
前記薄膜トランジスタは、
少なくとも一つの不純物領域で分割された複数のチャネルを有する領域と、
前記複数のチャネルを有する領域の両端に接して設けられた一対の低濃度不純物領域と、
前記低濃度不純物領域の一方に接して形成されたソース領域と、
前記低濃度不純物領域の他方に接して形成されたドレイン領域と、
前記複数のチャネルを有する領域、及び前記低濃度不純物領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記複数のチャネルを有する領域、及び前記低濃度不純物領域の全部と重なるように形成されたゲート電極と、を有し、
前記少なくとも一つの不純物領域及び前記低濃度不純物領域は、前記ソース及びドレイン領域と同一導電型であって、かつ、前記ソース及びドレイン領域よりも低濃度の不純物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、窒化珪素を含む第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、薄膜トランジスタが順次形成されており、
前記薄膜トランジスタは、
少なくとも一つの不純物領域で分割された複数のチャネルを有する領域と、
前記複数のチャネルを有する領域の両端に接して設けられた一対の低濃度不純物領域と、
前記低濃度不純物領域の一方に接して形成されたソース領域と、
前記低濃度不純物領域の他方に接して形成されたドレイン領域と、
前記複数のチャネルを有する領域、及び前記低濃度不純物領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記複数のチャネルを有する領域、及び前記低濃度不純物領域の一部と重なるように形成されたゲート電極と、を有し、
前記少なくとも一つの不純物領域及び前記低濃度不純物領域は、前記ソース及びドレイン領域と同一導電型であって、かつ、前記ソース及びドレイン領域よりも低濃度の不純物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に、窒化珪素を含む第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜が順次形成されており、
前記第２の絶縁膜上には、画素マトリクス回路と、駆動回路が形成されており、
前記駆動回路は、ｎチャネル型及びｐチャネル型の薄膜トランジスタを有し、
前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタは、
少なくとも一つの不純物領域で分割された複数のチャネルを有する領域と、
前記複数のチャネルを有する領域の両端に接して設けられた一対の低濃度不純物領域と、
前記低濃度不純物領域の一方に接して形成されたソース領域と、
前記低濃度不純物領域の他方に接して形成されたドレイン領域と、
前記複数のチャネルを有する領域、及び前記低濃度不純物領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記複数のチャネルを有する領域、及び前記低濃度不純物領域の全部と重なるように形成されたゲート電極と、を有し、
前記少なくとも一つの不純物領域及び前記低濃度不純物領域は、前記ソース及びドレイン領域と同一導電型であって、かつ、前記ソース及びドレイン領域よりも低濃度の不純物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記駆動回路は、レベルシフタ回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、前記駆動回路は、バッファ回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１の絶縁膜は、酸素を含有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第１の絶縁膜が含有する窒素濃度は、２５ａｔｏｍｉｃ％以上５０ａｔｏｍｉｃ％未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第２の絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の少なくとも一方は、珪素、窒素及び酸素を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記不純物は燐であり、その濃度は１×１０１６〜１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記低濃度不純物領域のチャネル長方向における長さは、０．５〜３．０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
少なくとも一つの不純物領域で分割された複数のチャネルを有する領域と、該領域の両端に接して設けられた一対の低濃度不純物領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、半導体膜を順次形成し、
前記半導体膜を第１のマスクで覆ってエッチングすることにより島状半導体膜を形成し、
前記第１のマスクを除去し、
前記島状半導体膜のうち、前記薄膜トランジスタの複数のチャネルとなる領域を第２のマスクで覆って一導電型の不純物を添加することにより、前記少なくとも一つの不純物領域、及び前記低濃度不純物領域を形成し、
前記第２のマスクを除去し、
前記複数のチャネルを有する領域及び前記低濃度不純物領域の上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を順次形成し、
前記ゲート電極を第３のマスクとして、自己整合的に前記島状半導体膜に前記一導電型の不純物を添加してソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
少なくとも一つの不純物領域で分割された複数のチャネルを有する領域と、該領域の両端に接して設けられた一対の低濃度不純物領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、半導体膜を順次形成し、
前記半導体膜を第１のマスクで覆ってエッチングすることにより島状半導体膜を形成し、
前記第１のマスクを除去し、
前記島状半導体膜のうち、前記薄膜トランジスタの複数のチャネルとなる領域を第２のマスクで覆って一導電型の不純物を添加することにより、前記少なくとも一つの不純物領域、及び前記低濃度不純物領域を形成し、
前記第２のマスクを除去し、
前記複数のチャネルを有する領域及び前記低濃度不純物領域の上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を順次形成し、
前記ゲート電極を第３のマスクとして、自己整合的に前記島状半導体膜に前記一導電型の不純物を添加してソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記島状半導体膜及び前記ゲート電極の上方に、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ及びＮＨ３を用いて水素を含む第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜をアニールして、前記絶縁膜中の水素を前記島状半導体膜に拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記第１の絶縁膜を、ＳｉＨ４とＮ２ＯとＮＨ３を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の絶縁膜は、珪素、窒素及び酸素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜を、ＳｉＨ４とＮ２Ｏを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記半導体膜を、大気雰囲気に曝されないように連続で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。