Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  制震装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プレストレストコンクリート柱間にプレストレストコンクリート梁が架設されて形成された領域における天井側および床側のプレストレストコンクリート梁に間柱部材が設置され、該間柱部材のうちの一つが、プレストレストコンクリート梁内でＵターン状に折り曲げられたＰＣ鋼線で接合され、残りの間柱部材が、交差したＰＣ鋼線で接合され、これらの間柱部材に低降伏点鋼パネルが前記ＰＣ鋼線のアンカーヘッドで固定されたことを特徴とする制震装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は制震装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、地震から構造物を保護するものとして、特開平１０−２２７１５５号公報の制震装置がある。この制震装置の他に、図６に示すようなものもある。この制震装置１６は、天井側および床側の鉄骨梁１７、１８間に低降伏点鋼パネル１９が取付ボルト２０で設置されたものである。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−２２７１５５号公報（図３）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の制震装置は低降伏点鋼パネルが多くのボルトで設置されているため、地震による破壊後の交換に手間がかかるという問題があった。
【０００５】
本願発明は上記のような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、低降伏点鋼パネルの交換が簡単にできる制震装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するための本発明の制震装置は、プレストレストコンクリート柱間にプレストレストコンクリート梁が架設されて形成された領域における天井側および床側のプレストレストコンクリート梁に間柱部材が設置され、該間柱部材のうちの一つが、プレストレストコンクリート梁内でＵターン状に折り曲げられたＰＣ鋼線で接合され、残りの間柱部材が、交差したＰＣ鋼線で接合され、これらの間柱部材に低降伏点鋼パネルが前記ＰＣ鋼線のアンカーヘッドで固定された構成である。
【０００７】
低降伏点鋼パネルが、ＰＣ鋼線のアンカーヘッドを利用して設置されているため、取り外しが簡単で、地震後の破壊による交換も容易になる。またプレストレストコンクリート梁と間柱部材とがＰＣ鋼線で一体になっているため、制震装置の組立が簡単にできる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の制震装置の実施の形態を図面に基づいて説明する。この制震装置は、図１に示すような、プレストレストコンクリート部材で構築される超高層建物Ａの上下の梁間に設置されるものである。
【０００９】
この制震装置１は、図２に示すように、プレストレストコンクリート柱２とプレストレストコンクリート梁３、４で囲まれた領域における間柱部材５間に低降伏点鋼パネル６が設置されて構成されている。
【００１０】
この領域内における天井側および床側のプレストレストコンクリート梁３、４の中央部には、図３〜図５に示すように、複数の鋼線１５からなるＰＣ鋼線７により間柱部材５が設置されている。この間柱部材５とプレストレストコンクリート梁３、４とはプレキャストコンクリート部材であるため、工場で組み立てて搬入するか、あるいは搬入した後に現場で組み立てるものとする。またこれらの梁３、４と間柱部材５とは従来の公知のように一体的に形成することもできる。
【００１１】
天井側のプレストレストコンクリート梁３には下面に間柱部材５が接合され、この間柱部材５が、プレストレストコンクリート梁３内でＵターン状に折り曲げられたＰＣ鋼線７により、所定のプレストレストを付与されて取り付けられている。
【００１２】
一方、床側のプレストレストコンクリート梁３の上下面には、プレストレストコンクリート梁３を挟んだ状態で間柱部材５が接合され、この間柱部材５がプレストレストコンクリート梁４を貫通した４本のＰＣ鋼線７によって、所定のプレストレストを付与されて取り付けられている。この４本のＰＣ鋼線７のうちの２本が、図４に示すように、交差して配設されている。
【００１３】
この４本のＰＣ鋼線７は対向して配設された前側のＰＣ鋼線７ａと、後側のＰＣ鋼線７ｂとからなり、そのうちの１本、すなわち前側のＰＣ鋼線７ａの右側のものと、後側のＰＣ鋼線７ｂの左側のものとが交差して配設されている。
【００１４】
したがって、このプレストレストコンクリート梁３、４をプレストレストコンクリート柱２間へ架設すると同時に間柱部材５の設置もできる。
【００１５】
また低降伏点鋼パネル６は上下の固定プレート８間に設けたパネル材９と、このパネル材９に設けた縦プレート１０と横プレート１１とから構成されている。この固定プレート８のボルト孔１２にはＰＣ鋼線のネジ付きアンカーヘッド１３が挿入され、これにナット１４がねじ込まれて低降伏点鋼パネル６が取り付けられている。
【００１６】
したがって、上記のナット１４をアンカーヘッド１３から外すと、低降伏点鋼パネル６を間柱部材５間から簡単に取り外すことができ、地震による破壊後の交換が簡単にできる。
【００１７】
【発明の効果】
低降伏点鋼パネルがＰＣ鋼線のアンカーヘッドで設置されているため、取り外しが簡単にでき、地震後の破壊による交換が容易になる。
【００１８】
プレストレストコンクリート梁と間柱部材とがＰＣ鋼線で一体となっているため、制震装置の組立が簡単にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
制震装置が組み付けられる超高層建物の正面図である。
【図２】
制震装置の正面図である。
【図３】
（１）は制震装置の拡大断面図、（２）は要部の拡大断面図である。
【図４】
（１）は制震装置の断面図、（２）はＰＣ鋼線の配線の概略図である。
【図５】
図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】
（１）は従来の制震装置の正面図、（２）は（１）のＣ−Ｃ線断面図である。
【符号の説明】
１、１６  制震装置
２  プレストレストコンクリート柱
３、４  プレストレストコンクリート梁
５  間柱部材
６、１９  低降伏点鋼パネル
７  ＰＣ鋼線
８  固定プレート
９  パネル材
１０  縦プレート
１１  横プレート
１２  ボルト孔
１３  アンカーヘッド
１４  ナット
１５  複数の鋼線
１７、１８  鉄骨梁
２０  取付ボルト
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004339773.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004339773.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004339773.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドアの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の１）〜３）の工程を有してなるドアの製造方法。
１）芯材用金型の下型の表面にプリプレグを積層し、芯材用金型を閉じ、加熱加圧してプリプレグ積層体を硬化して、芯材を得る工程
２）表面材用金型の下型の補強リブに対応する溝にシートモールディングコンパウンドを充填し、さらに、プリプレグを積層し、表面材用金型を閉じ、加熱加圧して、シートモールディングコンパウンドとプリプレグ積層体を一体硬化して、表面材を得る工程
３）芯材の両面に表面材を接着する工程
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の要旨は、以下の１）〜３）の工程を有してなるドアの製造方法にある。
１）芯材用金型の下型の表面にプリプレグを積層し、芯材用金型を閉じ、加熱加圧してプリプレグ積層体を硬化して、芯材を得る工程
２）表面材用金型の下型の補強リブに対応する溝にシートモールディングコンパウンドを充填し、さらに、プリプレグを積層し、表面材用金型を閉じ、加熱加圧して、シートモールディングコンパウンドとプリプレグ積層体を一体硬化して、表面材を得る工程
３）芯材の両面に表面材を接着する工程
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この吸気制御装置は、各気筒の吸気弁のバルブリフト特性を可変操作する可変動弁装置を設け、その可変動弁装置を機関の運転負荷に応じて制御し、実質的にスロットルレスの構成としたものであり、低負荷運転時には可変動弁装置によって吸気弁のリフト量や開き区間を小さくすることで各気筒の実質吸入容積を小さくし、運転負荷の増大と共に吸気弁のリフト量や開き区間を大きくして実質吸入容積を増大させるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  ０．０５〜２ｍｍの厚みで、６００Ｎ／ｍｍ２以上の強度を有するガラス板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のガラス板は、０．０５〜２ｍｍの厚みで、６００Ｎ／ｍｍ２以上の強度を有するガラス板である。当該ガラス強度は、以下の測定方法及び算出方法から導きだされるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のガラスの強化方法は、ガラスを研磨液に浸漬し、ガラス表面を１５０μｍ以上化学研磨することを特徴とするガラスの強化方法である。ガラス表面の研磨は、ガラス溶解性の研磨液によってガラス表面が化学研磨されることになる。ガラス板を研磨するときには、片面または両面を研磨するのがよい。片面を研磨する場合は、研磨しない面を研磨液に侵されないポリプロピレン製の粘着フィルムやポリ塩化ビニル製の粘着フィルム等でマスキングを施した後に研磨することが例示される。両面を研磨する場合には、ガラス板をそのまま研磨液に浸漬することによって、ガラス表面の研磨をガラス板側面も併せて行うことになるが、必要があれば側面にマスキング等を行って研磨すれば側面の研磨を行わなくて済む。このガラス表面の両面研磨を行う場合、ガラスの厚みを３００μｍｍ以上薄くすることで、本発明の強化方法による処理を行っていないガラスに比べて大きく強度が向上し、上記ガラスの強度測定方法で測定すれば、０．０５〜２ｍｍの厚みで６００Ｎ／ｍｍ２以上の強度を有するガラス板となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の０．０５〜２ｍｍの厚みで、６００Ｎ／ｍｍ２以上の強度を有するガラス板を得るには、例えば、上述したガラス板を研磨液に浸漬しガラス板表面を１５０μｍ以上化学研磨する方法や前記研磨液中に気泡を発生させてガラス板を研磨する方法がある。このような方法で、本発明による高強度ガラスを得ることができる。なお、研磨液中に気泡を発生させる方法は、上述した、多孔質気泡噴出孔に気体を供給することによって発生させる方法や気体を含む前記研磨液を噴出させることによって発生させる方法等がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】  
高コレステロール食品を摂取する食生活の欧米化に伴い、近年、心臓病・脳卒中といった成人病を罹患する人が増えてきている。これらの病気の原因となっている動脈硬化は、血中の低比重リポ蛋白(LDL)や酸化LDLの増加等により血管内皮細胞が傷つけられることにより引き起こされる。このような動脈硬化の防止には、血中コレステロール値を低下させることが有効であって、血中コレステロール値の低下には、不飽和脂肪酸、特にエコイサペンタエン酸(EPA)が非常に効果的であることが様々な文献等で報告されている（例えば非特許文献１参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【実施例】
（実施例１）
30μm以下の大きさに破砕した微粉末海苔からの溶出成分の血中コレステロール値の低下に対する有効性を調べるために、上記微粉末海苔より製造されたタブレットの服用試験を行った。タブレットは粒子径30μmの微粉末海苔80%、ポリデキストロース15%（デンプン系食物繊維）及びエステル5%（乳化剤）を混合した後、打錠することにより製造した、一粒0.25gの錠剤である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を溶融成形にて複数分割形成した分割成形体どうしを溶着部で溶着してなる燃料タンクであって、
前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物が、
（ａ）ポリフェニレンスルフィド樹脂９５〜６０重量％、及び、
（ｂ）オレフィン系樹脂５〜４０重量％からなり、
前記（ａ）ポリフェニレンスルフィド樹脂が、
（ａ−１）ＡＳＴＭ−Ｄ１２３８に従って測定したメルトフローレート（３１５．５℃、５０００ｇ荷重）が９０〜３５０ｇ／１０分、かつ、クロロホルム抽出量が２．２〜４．５重量％であるポリフェニレンスルフィド樹脂であり、
前記（ｂ）オレフィン系樹脂が、
（ｂ−１）オレフィン系（共）重合体にエポキシ基を有する単量体成分を導入して得られるオレフィン共重合体、及び、
（ｂ−２）エチレンと炭素数３〜１６のα−オレフィンとを共重合して得られるエチレン・α−オレフィン系共重合体１５／８５〜３５／６５重量％からなり、
前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物のＡＳＴＭ−Ｄ１２３８に従って測定したメルトフローレート（３１５．５℃、５０００ｇ荷重）が１５〜５０ｇ／１０分であることを特徴とする燃料タンク。
【請求項２】
（ａ−１）ポリフェニレンスルフィド樹脂が、フラッシュ法で得られ、かつ、熱酸化架橋処理されていないものである請求項１記載の燃料タンク。
【請求項３】
（ａ）ポリフェニレンスルフィド樹脂が、
（ａ−１）ポリフェニレンスルフィド樹脂１００重量部に対して、
（ａ−２）ＡＳＴＭ−Ｄ１２３８に従って測定したメルトフローレート（３１５．５℃、５０００ｇ荷重）が５０〜８００ｇ／１０分、クロロホルム抽出量が１重量％以下であって、かつ、熱酸化架橋処理されていないポリフェニレンスルフィド樹脂５〜８０重量部をさらに配合してなるものである請求項１又は２記載の燃料タンク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料タンク
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、樹脂成形よりなる燃料タンクに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決し、流動性と、バリア性（特にガソリン、アルコールに対するバリア性）、耐薬品性及び耐衝撃性（特にガソリン、アルコールに対する耐久性）のバランスに特異的に優れた溶融成形（特に射出成形、射出プレス成形）に好適なＰＰＳ樹脂組成物を用いて、成形性に優れると共に、一般部及び溶着部におけるバリア性、耐薬品性及び耐衝撃性に優れた燃料タンクを得ることを課題とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで、本発明者らは上記の課題を解決すべく検討した結果、特定の粘度とクロロホルム抽出量を有するＰＰＳ樹脂、特に（ａ−１）フラッシュ法で回収された特定粘度とクロロホルム抽出量を有するＰＰＳ樹脂と、特定の配合割合で併用される（ｂ）オレフィン系樹脂からなる組成物を用いて燃料タンクを溶融成形することにより上記課題が解決されることを見出し本発明に到達した。すなわち、下記［１］の燃料タンクに係る発明である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［１］ＰＰＳ樹脂組成物を溶融成形して複数分割形成した分割成形体どうしを溶着部で溶着してなる燃料タンクであって、
前記ＰＰＳ樹脂組成物が、（ａ）ＰＰＳ樹脂９５〜６０重量％、及び、（ｂ）オレフィン系樹脂５〜４０重量％からなり、
前記（ａ）ＰＰＳ樹脂が、（ａ−１）ＡＳＴＭ−Ｄ１２３８に従って測定したメルトフローレート（以下、ＭＦＲと略す）（３１５．５℃、５０００ｇ荷重）が９０〜３５０ｇ／１０分、かつ、クロロホルム抽出量が２．２〜４．５重量％であるＰＰＳ樹脂であり、
前記（ｂ）オレフィン系樹脂が、（ｂ−１）オレフィン系（共）重合体（注：重合体又は共重合体の意味）にエポキシ基を有する単量体成分を導入して得られるオレフィン共重合体、及び、（ｂ−２）エチレンと炭素数３〜１６のα−オレフィンとを共重合して得られるエチレン・α−オレフィン系共重合体１５／８５〜３５／６５重量％からなり、
前記ＰＰＳ樹脂組成物のＡＳＴＭ−Ｄ１２３８に従って測定したＭＦＲ（３１５．５℃、５０００ｇ荷重）が１５〜５０ｇ／１０分であることを特徴とする燃料タンク。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記［１］において、（ａ−１）ＰＰＳ樹脂が、フラッシュ法で得られ、かつ、熱酸化架橋処理されていないものであることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
［燃料タンク］
本発明の燃料タンクは、使用するＰＰＳ樹脂組成物が耐衝撃性と流動性に優れることから、該ＰＰＳ樹脂組成物を生かした溶融成形（特に射出成形）による大型の樹脂成形品である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
以上詳述した通り、本発明によれば、流動性と、バリア性（特にガソリン、アルコールに対するバリア性）、耐薬品性及び耐衝撃性（特にガソリン、アルコールに対する耐久性）のバランスに特異的に優れた溶融成形（特に射出成形、射出プレス成形）に好適なＰＰＳ樹脂組成物を用いて、成形性に優れると共に、一般部及び溶着部におけるバリア性、耐薬品性及び耐衝撃性に優れた燃料タンクを得ることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように、発明の趣旨から逸脱しない範囲で適宜変更して具体化することもできる。
（１）アッパシェル１及びロアシェル２を射出プレス成形すること。
（２）実施例のＰＰＳ樹脂組成物を用いて、溶着部を有しない樹脂成形品を溶融成形すること。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大径の親シールド機と、この親シールド機より小径であり親シールド機に対して掘削方向に延伸可能に配置された子シールド機とを組み合わせてなるシールド掘進機であって、
前記子シールド機の一部が前記親シールド機内に内蔵され、子シールド機は親シールド機の前方から突出し、
大径のトンネル掘削時には、子シールド機の外周面と掘削坑内周面との間に充填材が充填され、前記子シールド機の前記充填材を含む外径と前記親シールド機の外径とが略同径となって掘削し、
小径トンネル掘削時には、子シールド機を親シールド機から延伸させて、前記充填材を充填することなく子シールド機のみで掘削することを特徴とするシールド掘進機。
【請求項２】
前記親シールド機は、内部でセグメントを組み立てる後胴部と、この後胴部の掘削方向前方に位置する前胴部を有し、
前記親シールド機の後胴部の外周には、掘削坑内周面と接触する外殻としてのテールプレートが設けられ、
前記親シールド機の前胴部は、先端が前記子シールド機の外周面に向かうにしたがい小径となるテーパー状であり、このテーパー状の外周面と掘削坑内周面との間には充填材が充填されており、
前記親シールド機の前胴部の前記充填材を含む外径と、前記親シールド機の後胴部の外径とが略同径であることを特徴とする請求項１に記載のシールド掘進機。
【請求項３】
前記子シールド機の先端には、子シールド機の断面と略同径のカッターヘッドが設けられ、このカッターヘッドは、子シールド機の径方向に伸縮可能な複数の外周カッターを備え、前記外周カッターとカッターヘッドを駆動することより、大径の親シールド機と略同径の断面を掘削することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシールド掘進機。
【請求項４】
前記充填材は、可塑性を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のシールド掘進機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、大径の親シールド機と、この親シールド機より小径であり親シールド機に対して掘削方向に延伸可能に配置された子シールド機とを組み合わせてなるシールド掘進機であって、前記子シールド機の一部が前記親シールド機内に内蔵され、子シールド機は親シールド機の前方から突出し、大径のトンネル掘削時には、子シールド機の外周面と掘削坑内周面との間に充填材が充填され、前記子シールド機の前記充填材を含む外径と前記親シールド機の外径とが略同径となって掘削し、小径トンネル掘削時には、子シールド機を親シールド機から延伸させて、前記充填材を充填することなく子シールド機のみで掘削することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記親シールド機は、内部でセグメントを組み立てる後胴部と、この後胴部の掘削方向前方に位置する前胴部を有し、前記親シールド機の後胴部の外周には、掘削坑内周面と接触する外殻としてのテールプレートが設けられ、前記親シールド機の前胴部は、先端が前記子シールド機の外周面に向かうにしたがい小径となるテーパー状であり、このテーパー状の外周面と掘削坑内周面との間には充填材が充填されており、前記親シールド機の前胴部の前記充填材を含む外径と、前記親シールド機の後胴部の外径とが略同径であることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記親シールド機１は、掘削坑内周面に沿ってセグメント５を組み立てる後胴部１１（以下、親後胴部１１とする。）と、前記後胴部の掘削方向前方に位置し、先端に向かって断面積が小さく形成された前胴部１２（以下、親前胴部１２とする。）を有している。親前胴部１２の先端から親後胴部１１より小径の子シールド機２が突出している。前記親後胴部１１は、円筒状であり、掘削坑の内周面と接触する外周に外殻としてのテールプレート１３（以下、親テールプレート１３とする。）が設けられている。また、親後胴部１１の内部には、セグメント５組立て用のエレクタ（図示せず）が設けられており、シールド掘進機の掘削に伴い、掘削坑外周面に沿ってセグメント５を組み立てる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ユーザが操作可能な操作部の近傍における人の存在を検知するセンサからの信号に基づいて該操作部の近傍から人がいなくなったことを認識する認識工程と、
前記認識工程において前記操作部の近傍から人がいなくなったことを認識した場合に、該操作部における操作可能範囲を変更する第１変更工程とを備えることを特徴とする誤操作防止方法。
【請求項２】  前記変更工程は、前記操作可能範囲が最も狭い状態へ変更することを特徴とする請求項１に記載の誤操作防止方法。
【請求項３】  前記操作部に対してなされた予め定めた操作に応じて該操作部における操作可能範囲を変更する第２変更工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の誤操作防止方法。
【請求項４】  前記予め定めた操作は認証操作であり、前記第２変更工程は前記認証操作によって認証がとれた場合に前記操作部における操作可能範囲を拡大することを特徴とする請求項３に記載の誤操作防止方法。
【請求項５】  前記操作可能範囲が最も狭い状態とは、前記操作部を介した操作対象装置への操作を全て禁止した状態であることを特徴とする請求項３又は４に記載の誤操作防止方法。
【請求項６】  前記認証操作によって認証されたユーザに応じて操作可能範囲が異なるように設定可能であることを特徴とする請求項４に記載の誤操作防止方法。
【請求項７】  操作対象装置に対してユーザ操作を可能とするための操作部と、
前記操作部の近傍における人の存在を検知可能なセンサと、
前記センサからの信号に基づいて該操作部の近傍から人がいなくなったことを認識する認識手段と、
前記認識手段において前記操作部の近傍から人がいなくなったことを認識した場合に、該操作部における操作可能範囲を変更する第１変更手段とを備えることを特徴とする操作装置。
【請求項８】  前記変更手段は、前記操作可能範囲が最も狭い状態へ変更することを特徴とする請求項７に記載の操作装置。
【請求項９】  前記操作部に対してなされた予め定めた操作に応じて該操作部における操作可能範囲を変更する第２変更手段を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の操作装置。
【請求項１０】  前記予め定めた操作は認証操作であり、前記第２変更手段は前記認証操作によって認証がとれた場合に前記操作部における操作可能範囲を拡大することを特徴とする請求項９に記載の操作装置。
【請求項１１】  前記操作可能範囲が最も狭い状態とは、前記操作部を介した操作対象装置への操作を全て禁止した状態であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の操作装置。
【請求項１２】  前記認証操作によって認証されたユーザに応じて操作可能範囲が異なるように設定可能であることを特徴とする請求項１０に記載の操作装置。
【請求項１３】  請求項７乃至１２のいずれかに記載の操作装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１４】  請求項７乃至１２のいずれかに記載の操作装置を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  第１導電型クラッド層と、第２導電型クラッド層と、前記第１導電型クラッド層と前記第２導電型クラッド層とに挟まれた量子井戸活性層とを有する半導体レーザ素子であって、
前記第１導電型クラッド層には、当該第１導電型クラッド層よりもレーザ光に対する屈折率が低く且つ前記量子井戸活性層に達しない深さを有する第２導電型半導体領域が、所定の間隔をおいて複数配列されており、
前記所定の間隔は、前記第２導電型半導体領域同士に挟まれた領域それぞれに対応する領域で発生する各前記レーザ光が互いに位相結合しないような間隔に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザ素子は、第１導電型クラッド層と、第２導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層と第２導電型クラッド層とに挟まれた量子井戸活性層とを有する半導体レーザ素子であって、第１導電型クラッド層には、当該第１導電型クラッド層よりもレーザ光に対する屈折率が低く且つ量子井戸活性層に達しない深さを有する第２導電型半導体領域が、所定の間隔をおいて複数配列されており、所定の間隔は、第２導電型半導体領域同士に挟まれた領域それぞれに対応する領域で発生する各レーザ光が互いに位相結合しないような間隔に設定されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本半導体レーザ素子によれば、第１導電型クラッド層に上記第２導電型半導体層が所定の間隔をおいて複数配列されているので、隣接する一対の第２導電型半導体領域と当該第２導電型半導体領域の間に位置する第１導電型クラッド層とにより屈折率導波路構造が形成されることとなる。このため、発生したレーザ光を第２導電型半導体領域の間に位置する第１導電型クラッド層に対応する量子井戸活性層の領域に閉じ込めることができる。また、第２導電型半導体領域は、発生した各レーザ光同士が位相結合しないような間隔をおいて配列されるので、発生したレーザ光同士の位相結合を防止することができ、上記第２導電型半導体層の配列間隔を狭くすることによって、高出力のレーザ光を得ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に形成された第１の半導体層を用いて作製された第１の集積回路を、前記第１の基板から分離することにより作製した第１の集積回路フィルムと、
第２の基板上に形成された第２の半導体層を用いて作製された第２の集積回路を、前記第２の基板から分離することにより作製した第２の集積回路フィルムとを配線基板上に横並びに実装した半導体装置。
【請求項２】
第１の基板上に形成された島状に分離した複数の第１の半導体層を用いて作製された第１の集積回路を、前記第１の基板から分離することにより作製した第１の集積回路フィルムと、
第２の基板上に形成された島状に分離した複数の第２の半導体層を用いて作製された第２の集積回路を、前記第２の基板から分離することにより作製した第２の集積回路フィルムとを配線基板上に横並びに実装した半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、前記第１の集積回路と前記第２の集積回路とは異なる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかひとつに記載の半導体装置において、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の膜厚は３０〜６０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかひとつに記載の半導体装置において、前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムに接するように１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかひとつに記載の半導体装置において、前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムは、突起電極を介して配線基板と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の半導体装置において、前記配線基板は前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムを複数個有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかひとつに記載の半導体装置において、前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムは、多角形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の基板に第１の半導体層を形成し、前記第１の半導体層を前記第１の基板より分離して第１の集積回路フィルムを形成し、
第２の基板に第２の半導体層を形成し、前記第２の半導体層を前記第２の基板より分離して第２の集積回路フィルムを形成し、
前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムを配線基板上に横並びに実装することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板に第１の半導体層を有する第１の集積回路を形成し、前記第１の集積回路を前記第１の基板から第２の基板に転写し、前記第１の集積回路を前記第２の基板から第１のシートに転写し、前記第１の集積回路及び前記第１のシートを分断して第１の集積回路フィルムを形成し、
第３の基板に第２の半導体層を有する第２の集積回路を形成し、前記第２の集積回路を前記第３の基板から第４の基板に転写し、前記第２の集積回路を前記第４の基板から第２のシートに転写し、前記第２の集積回路及び前記第２のシートを分断して第２の集積回路フィルムを形成し、
前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムを配線基板上に横並びに実装することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の半導体装置の作製方法において、前記第１の集積回路と前記第２の集積回路とは異なる機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれかひとつに記載の半導体装置の作製方法において、前記第１の集積回路フィルム及び前記第２の集積回路フィルムは突起電極を介して配線基板と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれかひとつに記載の半導体装置の作製方法において、前記第１の集積回路フィルムに接して第１の膜を形成し、前記第２の集積回路フィルムに接して第２の膜を形成し、前記第１の膜及び前記第２の膜は１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、近年、前記コンピュータ等の電子機器では、よりコンパクトで軽量な製品が好まれる傾向にあり、そのためにはヒートシンクやヒートシンクを使用した熱交換器の小型化や軽量化が重要な課題となり、しかも小型で軽量であっても高い熱交換性能を持つものが要求されるようになった。
【特許文献１】特開２００２−１５１１号公報
【特許文献２】特開２００２−６４１７０号公報
【特許文献３】特開２００２−１９０５５８号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【表２】
2004207690.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月19日(2006.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を配置する開口部を有し、その開口部の底面にリード電極が露出されたパッケージを備えた発光装置であって、
前記開口部の内壁面は、前記開口部の長手方向に延伸する内壁面（１０１ａ）と、
前記開口部の短手方向に延伸して互いに対向する一対の内壁面（１０２）と、
前記内壁面（１０１ａ）に対向する内壁面（１０１ｃ）と、を有しており、
前記開口部が、前記内壁面（１０１ｃ）と、その内壁面（１０１ｃ）に接続する内壁面（１０４）と、により設けられた突出部（１１１）を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記内壁面（１０４）は、前記発光素子の複数の側面に対向する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子の少なくとも一部は、前記突出部（１１１）の底面に配置される請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記開口部の内壁面は、さらに、前記内壁面（１０１ａ）に対向し前記内壁面（１０２）と前記内壁面（１０４）とを接続する内壁面（１０１ｂ）を有しており、
前記発光素子の電極と前記リード電極とを接続する導電性ワイヤの金属片が、前記内壁面（１０１ｂ）に隣接した一方の内壁面（１０２）と、その内壁面（１０２）に対向する他方の内壁面（１０２）とに挟まれる領域内において露出されたリード電極に配置されている請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記パッケージは、その側面に段差あるいは凹部を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記内壁面（１０１ｃ）に対向するパッケージの外壁面は、前記リード電極の実装面とほぼ同一平面である請求項１から５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記請求項１から６のいずれか一項に記載された発光装置と、その発光装置からの光を導光する導光板と、を備えており、
前記導光板は、前記発光装置の外壁面形状と嵌合する凹凸形状を備えていることを特徴とする面状光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の目的を達成するための本発明に係る発光装置は、発光素子を配置する開口部を有し、上記開口部の底面にリード電極が露出されたパッケージを備えた発光装置であって、上記開口部の内壁面は、上記開口部の長手方向に延伸する内壁面（１０１ａ）と、上記開口部の短手方向に延伸して互いに対向する一対の内壁面（１０２）と、上記内壁面（１０１ａ）に対向する内壁面（１０１ｃ）と、を有しており、上記開口部が、上記内壁面（１０１ｃ）と、その内壁面（１０１ｃ）に接続する内壁面（１０４）と、により設けられた突出部（１１１）を有していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子電解質膜および前記高分子電解質膜を挟む一対の電極からなり、前記電極が前記高分子電解質膜に接する触媒層および前記触媒層に接する撥水層を有するガス拡散層からなる電解質膜−電極接合体であって、
前記ガス拡散層の基材が、電子伝導性炭素繊維からなる縦糸および横糸で織った炭素繊維織布であり、前記縦糸および横糸の交点間に開口が形成されていることを特徴とする燃料電池用電解質膜−電極接合体。
【請求項２】
前記炭素繊維織布の縦糸密度をＺ本／ｃｍ、横糸密度をＷ本／ｃｍ、縦糸の太さをＸｍｍ、および横糸の太さをＹｍｍとした場合に、
１／１５００≦（１０／Ｗ−Ｙ）（１０／Ｚ−Ｘ）／ＸＹ≦１／５
の関係を満たす請求項１記載の燃料電池用電解質膜−電極接合体。
【請求項３】
前記炭素繊維織布の厚さが、０．０５〜０．３０ｍｍの範囲にある請求項１または２記載の燃料電池用電解質膜−電極接合体。
【請求項４】
前記炭素繊維織布の密度が、０．３２〜０．４２ｇ／ｃｃの範囲にある請求項１〜３のいずれかに記載の燃料電池用電解質膜−電極接合体。
【請求項５】
前記炭素繊維織布の縦糸密度および横糸密度のいずれか一方が１６〜４５本／ｃｍの範囲にあり，かつ他方が１２〜４０本／ｃｍの範囲にある請求項１〜４のいずれかに記載の燃料電池用電解質膜−電極接合体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の燃料電池用電解質膜−電極接合体を具備すること、を特徴とする燃料電池。
【請求項７】
請求項６記載の燃料電池の運転方法であって、
前記一対の電極のうちの一方に加湿した燃料ガスを供給し、前記一対の電極のうちの他方の電極に加湿した酸化剤ガスを供給し、
前記燃料ガスの露点および前記酸化剤ガスの露点を、前記電解質膜−電極接合体の運転時の温度に対して同一温度あるいは５℃以内の範囲内で低い温度にコントロールして発電させることを特徴とする燃料電池の運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板上に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタと、
プレート線と、
下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対は、前記基板よりも上の層であって、前記プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられ、
前記キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】  基板と、
前記基板上に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタであって、前記トランジスタのそれぞれが電源電圧に接続される第一の不純物拡散領域と延出された領域を有する第二の不純物拡散領域とを含む複数のトランジスタと、
プレート線と、
前記基板よりも上の層であって、前記プレート線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられ、下部電極、強誘電体膜及び前記プレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記延出された領域に接続され、
前記キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられる、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】  前記複数のトランジスタは、２つのインバータであり、
前記インバータのそれぞれは、前記延出された領域を有する第二の不純物拡散領域であるドレイン拡散領域を含み、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記２つのインバータのドレイン拡散領域の前記延出された領域とそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】  基板と、
前記基板上に設けられ、ラッチを構成する複数のトランジスタであって、前記トランジスタのそれぞれが電源電圧に接続される第一の不純物拡散領域と前記第一の不純物拡散領域とは異なる第二の不純物拡散領域とを含む複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのうちの一方の第二の不純物拡散領域と前記複数のトランジスタの他方の第二の不純物拡散領域とを接続する局所的な配線と、
プレート線と、
前記基板よりも上の層であって、前記プレート線が形成される金属配線の層よりも下の層に設けられ、下部電極、強誘電体膜及び前記プレート線に接続される上部電極から形成されるキャパシタの対とを備え、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記局所的な配線に接続され、前記局所的な配線は、前記プレート線を形成する金属の融点よりも高い融点を有する材料で形成される、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】  前記複数のトランジスタは２つのインバータであり、
前記インバータのそれぞれは、前記局所的な配線により互いに接続される第一のドレイン拡散領域と第二のドレイン拡散領域を含み、
前記キャパシタの対の下部電極は、前記２つのインバータに対応する前記局所的な配線にそれぞれ接続される、
ことを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】  前記局所的な配線は、前記下部電極を形成する材料により形成される、
ことを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】  前記局所的な配線は、酸化防止膜により形成される、
ことを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】  前記局所的な配線は、バリアメタル材料により形成される、
ことを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】  前記局所的な配線は、導電性のプラグ材料により形成される、
ことを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】  ラッチ回路を構成するために複数のトランジスタを基板に形成するステップと、
下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対を前記基板よりも上の層に形成するステップと、
前記キャパシタの対が形成される層よりも上の層に、プレート線をなす金属配線層を形成するステップと、
前記キャパシタの対が形成される層よりも上の層に、ビット線をなす金属配線層を形成するステップと、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による不揮発性半導体記憶装置は、基板に設けられ、互いに襷接続される２つのインバータと、該２つのインバータのうちの対応する１つに含まれるドレイン拡散領域に接続される下部電極、強誘電体膜及び上部電極から形成されるキャパシタの対とを備えている。該キャパシタの対は、基板よりも上の層であって、該ドレイン拡散領域に選択的に接続されるビット線、又は該上部電極に接続されるプレート線等が形成される金属配線層よりも下の層に設けられている。キャパシタの対は、ビット線が形成される金属配線層よりも下の層に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持装置であって、
基板を吸着保持する基板チャックと、
前記基板チャックを支持する支持部材と、
前記基板チャックと前記支持部材とが実質的に接触した状態で前記基板チャックと前記支持部材とを相対的に運動させる機構と、
を備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記基板チャック及び前記支持部材の少なくとも一方が、突出部及び窪み部を有する面を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記基板チャック及び前記支持部材の各々が、突出部及び窪み部を有する面を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記突出部はピンを含むことを特徴とする請求項２または３に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記突出部は格子状の構造を有することを特徴とする請求項２または３に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記機構は、前記基板チャックと前記支持部材とを相対的に運動させた後に、前記基板チャックと前記支持部材とが実質的に接触した状態で前記基板チャック及び前記支持部材を目標位置に移動させるように構成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記目標位置は、前記基板チャックによって吸着保持されうる基板を処理するための位置であることを特徴とする請求項６に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記機構が前記基板チャックと前記支持部材とを相対的に運動させた後に、前記基板チャックが前記支持部材に固定されるように構成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記基板チャックと前記支持部材とが接触する領域が前記機構による相対的な運動によってクリーニングされるように前記機構が構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記基板チャックは、前記基板を吸着保持するための保持面を有し、前記基板保持装置は、前記保持面をクリーニングするクリーニング機構を更に備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
基板を吸着保持する保持面と裏面とを有する基板チャックと、
クリーニング部材と、
前記基板チャックの裏面と前記クリーニング部材とが実質的に接触した状態で前記基板チャックと前記クリーニング部材とを相対的に運動させる機構と、
を備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項１２】
基板を吸着保持する基板チャックと、
前記基板チャックを支持する支持面を有する支持部材と、
クリーニング部材と、
前記支持部材の支持面と前記クリーニング部材とが実質的に接触した状態で前記基板支持部材と前記クリーニング部材とを相対的に運動させる機構と、
を備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板保持装置と、
前記基板保持装置の基板チャックに載置された基板にパターンを投影する投影系と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月31日(2006.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  固定側部材に対してスライド自在に取り付けられる移動体と、前記移動体の移動によって電気的出力を変化する電気的機能部とを具備するスライド式電子部品において、
線材を巻き回すことでコイル部を設けるとともにこの線材の両端を引出部とするねじりコイルバネを前記固定側部材に取り付けるとともに、固定側部材には前記両引出部をそれぞれ当接して係止する引出部係止部を設け、
一方前記移動体には両引出部にそれぞれ当接する当接部を設け、
前記移動体を何れか一方に移動した際に前記ねじりコイルバネの一方の引出部が移動体の当接部によって押圧されて移動するとともに、他方の引出部が前記引出部係止部に係止された状態を維持することで、移動体に中立位置への弾性復帰力を生じさせることを特徴とするスライド式電子部品。
【請求項２】  前記両引出部が同一面上に位置し、前記コイル部が前記移動体の側方に位置するとともに、該コイル部の厚みの少なくとも一部が移動体の厚みの中に含まれることを特徴とする請求項１に記載のスライド式電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、固定側部材に対してスライド自在に取り付けられる移動体と、前記移動体の移動によって電気的出力を変化する電気的機能部とを具備するスライド式電子部品において、線材を巻き回すことでコイル部を設けるとともにこの線材の両端を引出部とするねじりコイルバネを前記固定側部材に取り付けるとともに、固定側部材には前記両引出部をそれぞれ当接して係止する引出部係止部を設け、一方前記移動体には両引出部にそれぞれ当接する当接部を設け、前記移動体を何れか一方に移動した際に前記ねじりコイルバネの一方の引出部が移動体の当接部によって押圧されて移動するとともに、他方の引出部が前記引出部係止部に係止された状態を維持することで、移動体に中立位置への弾性復帰力を生じさせることを特徴とする。ここでねじりコイルバネとは、コイルの両端の巻き終わり端部を伸ばした引出部同士の間隔をコイルの接線方向に縮めたり広げたりすることで復帰力を生じさせるバネをいう。