【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
結晶性が高められた前記半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出するように除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
結晶性が高められた前記半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出するように除去し、
前記半導体膜をパターニングすることで、前記複数の凸部間に存在する複数の島状の半導体膜を形成し、
前記複数の島状の半導体膜を用いて複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
結晶性が高められた前記半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出するように除去し、
前記半導体膜をパターニングすることで、前記複数の凸部間に存在する複数の島状の半導体膜を形成し、
前記複数の凸部を除去し、
前記複数の島状の半導体膜を用いて複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各レーザー光の照射領域での形状の中心を結ぶ線が直線を描くように互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各レーザー光の照射領域での形状の中心を結ぶ線が直線を描くように互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
結晶性が高められた前記半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出するように除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各レーザー光の照射領域での形状の中心を結ぶ線が直線を描くように互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
結晶性が高められた前記半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出するように除去し、
前記半導体膜をパターニングすることで、前記複数の凸部間に存在する複数の島状の半導体膜を形成し、
前記複数の島状の半導体膜を用いて複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に矩形またはストライプ状の複数の凸部を有する下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を光学系により集光して各レーザー光の照射領域での形状の中心を結ぶ線が直線を描くように互いに一部重ね合わせ、
重ね合わされた前記レーザー光の長手方向に垂直な方向における幅をスリットにより制限し、
幅が制限された前記レーザー光を相対的に走査させて前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜の結晶性を高め、
結晶性が高められた前記半導体膜の上面全体を、前記複数の凸部の一部が露出するように除去し、
前記半導体膜をパターニングすることで、前記複数の凸部間に存在する複数の島状の半導体膜を形成し、
前記複数の凸部を除去し、
前記複数の島状の半導体膜を用いて複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記下地膜の凸部間の幅Ｗｓが、０．０１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記下地膜の凸部間の幅Ｗｓが、０．１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記下地膜の凸部の高さＷｈが、０．０１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記下地膜の凸部の高さＷｈが、０．１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項５乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記直線と前記走査させる方向との間に形成される鋭角が１０°以上８０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項５乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記直線と前記走査させる方向との間に形成される鋭角が４５°であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項５乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記直線と前記走査させる方向は垂直であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
レーザー光の照射が減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下において行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＹ２Ｏ３レーザーから選ばれた一種または複数種を用いていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７又は請求項１８において、
前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置は２以上８以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。