Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線ネットワーク構築方法及び無線ネットワーク通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線ネットワークシステムの無線ネットワーク構築方法であって、
無線ネットワークシステムを識別する複数のネットワーク識別情報を記憶手段から読み出して表示する表示工程と、
前記表示工程で表示された複数のネットワーク識別情報から新規に構築可能な無線ネットワークシステムのネットワーク識別情報を選択させる選択工程と、
前記選択工程で選択されたネットワーク識別情報の無線ネットワークシステムを構築する構築工程とを有することを特徴とする無線ネットワーク構築方法。
【請求項２】  前記選択工程では、現在使用中であるネットワーク識別情報以外のネットワーク識別情報から選択させることを特徴とする請求項１に記載の無線ネットワーク構築方法。
【請求項３】  前記無線ネットワークシステムにおける通信データの暗号化鍵を複数表示させ、表示された複数の暗号化鍵から所望の暗号化鍵を選択させて通信データの暗号化鍵を設定する設定工程を有することを特徴とする請求項１に記載の無線ネットワーク構築方法。
【請求項４】  前記無線ネットワークシステムの通信モードを設定する設定工程と、
複数の通信チャネルを表示させ、表示された複数の通信チャネルから前記設定工程において指定された通信モードで通信する際に使用する通信チャネルを選択させる選択工程を有することを特徴とする請求項１に記載の無線ネットワーク構築方法。
【請求項５】  無線ネットワーク構築方法であって、
周辺で使用されているネットワーク識別情報を判別する判別工程と、
無線ネットワークシステムを識別する複数のネットワーク識別情報を記憶している記憶手段から読み出して表示する際に、前記判別工程における判別に基づいた表示を行う表示工程とを有することを特徴とする無線ネットワーク構築方法。
【請求項６】  前記表示手段により表示された複数のネットワーク識別情報のいずれかを選択的に指定するための指定工程を有することを特徴とする請求項５に記載の無線ネットワーク構築方法。
【請求項７】  無線ネットワーク構築方法であって、
無線ネットワークシステムにおける通信データの暗号化鍵を記憶手段から読み出して表示させる表示工程と、
前記表示工程において表示された複数の暗号化鍵から所望の暗号化鍵を選択させる選択工程と、
前記選択工程において選択された暗号化鍵により暗号化通信を行う通信工程を有することを特徴とする無線ネットワーク構築方法。
【請求項８】  無線ネットワークシステムを構築する無線ネットワーク通信装置であって、
無線ネットワークシステムを識別する複数のネットワーク識別情報を記憶手段から読み出して表示する表示手段と、
前記表示手段で表示された複数のネットワーク識別情報から新規に構築可能な無線ネットワークシステムのネットワーク識別情報を選択させる選択手段と、
前記選択手段で選択されたネットワーク識別情報の無線ネットワークシステムを構築する構築手段とを有することを特徴とする無線ネットワーク通信装置。
【請求項９】  無線ネットワーク通信装置であって、
周辺で使用されているネットワーク識別情報を判別する判別手段と、
無線ネットワークシステムを識別する複数のネットワーク識別情報を記憶している記憶手段から読み出して表示する際に、前記判別手段による判別に基づいた表示を行う表示手段とを有することを特徴とする無線ネットワーク通信装置。
【請求項１０】  コンピュータに、請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の無線ネットワーク構築方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１１】  請求項１０に記載のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線ネットワークシステムを構築するための設定技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、無線ネットワークシステムの無線ネットワーク構築方法であって、無線ネットワークシステムを識別する複数のネットワーク識別情報を記憶手段から読み出して表示する表示工程と、前記表示工程で表示された複数のネットワーク識別情報から新規に構築可能な無線ネットワークシステムのネットワーク識別情報を選択させる選択工程と、前記選択工程で選択されたネットワーク識別情報の無線ネットワークシステムを構築する構築工程とを有することを特徴とする。
また、本発明は、無線ネットワーク構築方法であって、周辺で使用されているネットワーク識別情報を判別する判別工程と、無線ネットワークシステムを識別する複数のネットワーク識別情報を記憶している記憶手段から読み出して表示する際に、前記判別工程における判別に基づいた表示を行う表示工程とを有することを特徴とする。
更に、本発明は、無線ネットワーク構築方法であって、無線ネットワークシステムにおける通信データの暗号化鍵を記憶手段から読み出して表示させる表示工程と、前記表示工程において表示された複数の暗号化鍵から所望の暗号化鍵を選択させる選択工程と、前記選択工程において選択された暗号化鍵により暗号化通信を行う通信工程を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板の表層に形成された第１不純物拡散領域と、
前記半導体基板の上方に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成された第１ホールと、
前記第１ホール内に形成されて前記第１不純物拡散領域と電気的に接続されたタングステンを含む第１導電性プラグと、
前記第１導電性プラグと電気的に接続され、且つ該第１導電性プラグ上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された炭素含有の強誘電体又は高誘電体よりなる誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極とを備えたキャパシタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  半導体基板と、
前記半導体基板の表層に形成された第１不純物拡散領域及び第２不純物拡散領域と、
前記半導体基板の上方に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成された第１ホールと、
前記第１ホール内に形成されて前記第１不純物拡散領域と電気的に接続された第１導電性プラグと、
前記第１絶縁層上に形成された単層構造の絶縁性酸素バリア層と、
前記第１絶縁層と前記絶縁性酸素バリア層とを貫いて形成された第２ホールと、
前記第２ホール内に形成されて前記第２不純物拡散領域と電気的に接続された第２導電性プラグと、
前記第２導電性プラグと電気的に接続され、且つ前記絶縁性酸素バリア層上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された強誘電体又は高誘電体よりなる誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極とを備えたキャパシタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  前記絶縁性バリア層は、酸窒化シリコン層、窒化シリコン層、又はアルミナ層のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  半導体基板の表層に不純物拡散領域を複数形成する工程と、
前記半導体基板の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層をパターニングして前記不純物拡散領域の上方に第１のホールを形成する工程と、
前記不純物拡散領域と電気的に接続される第１の導電性プラグを前記第１のホール内に形成する工程と、
前記第１の導電性プラグ、及び前記絶縁層の上に酸素バリア膜を形成する工程と、
前記酸素バリア膜及び前記絶縁層を貫いて第２のホールを形成する工程と、
前記第１の導電性プラグが接続する不純物領域とは異なる別の不純物領域と電気的に接続される第２の導電性プラグを前記第２のホール内に形成する工程と、
前記第２の導電性プラグ上と前記絶縁層上とに下部電極用導電層を形成する工程と、
高誘電体層又は強誘電体層のいずれかの誘電体層を前記下部電極用導電層上にMOCVD法により形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極用導電層を形成する工程と、
前記下部電極用導電層、前記誘電体層、前記上部電極用導電層をパターニングすることにより、前記導電性プラグの上にキャパシタを形成する工程と、
前記半導体基板の温度を５５０℃以下に保持しながら、酸素含有雰囲気中で前記キャパシタをアニールするアニール工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記導電性プラグとしてタングステンを含むものを形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記アニール工程における前記半導体基板の温度を３００℃〜５５０℃とすることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記アニール工程における前記半導体基板の温度を約５５０℃とすることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  半導体基板の表層に第１不純物拡散領域と第２不純物領域とを形成する工程と、
前記半導体基板の上方に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層をパターニングして前記第１不純物拡散領域の上方に第１ホールを形成する工程と、
前記第１不純物拡散領域と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、
前記第１絶縁層上と前記第１導電性プラグ上とに単層の絶縁性酸素バリア層を形成する工程と、
前記第１絶縁層と前記絶縁性酸素バリア層とを貫く第２ホールを前記第２不純物拡散領域の上方に形成する工程と、
前記第２不純物拡散領域と電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、
前記第２導電性プラグ上と前記絶縁性酸素バリア層上とに下部電極用導電層を形成する工程と、
高誘電体層又は強誘電体層のいずれかの誘電体層を前記下部電極用導電層上に形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極用導電層を形成する工程と、
前記下部電極用導電層、前記誘電体層、及び前記上部電極用導電層をパターニングすることにより、前記第２導電性プラグの上にキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタと前記絶縁性酸素バリア層とを覆う第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１導電性プラグの上面が露出する第３ホールを前記第２絶縁層に形成する工程と、
前記第１導電性プラグと電気的に接続される第３導電性プラグを前記第３ホール内に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記キャパシタを形成した後に、酸素含有雰囲気中で該キャパシタをアニールする工程を行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記絶縁性酸素バリア層として酸窒化シリコン層、窒化シリコン層、又はアルミナ層のいずれかを形成することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
又は、上記した課題は、半導体基板の表層に不純物拡散領域を複数形成する工程と、前記半導体基板の上方に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層をパターニングして前記不純物拡散領域の上方に第１のホールを形成する工程と、前記不純物拡散領域と電気的に接続される第１の導電性プラグを前記第１のホール内に形成する工程と、前記第１の導電性プラグ、及び前記絶縁層の上に酸素バリア膜を形成する工程と、前記酸素バリア膜及び前記絶縁層を貫いて第２のホールを形成する工程と、前記第１の導電性プラグが接続する不純物領域とは異なる別の不純物領域と電気的に接続される第２の導電性プラグを前記第２のホール内に形成する工程と、前記第２の導電性プラグ上と前記絶縁層上とに下部電極用導電層を形成する工程と、高誘電体層又は強誘電体層のいずれかの誘電体層を前記下部電極用導電層上にMOCVD法により形成する工程と、前記誘電体層上に上部電極用導電層を形成する工程と、前記下部電極用導電層、前記誘電体層、前記上部電極用導電層をパターニングすることにより、前記導電性プラグの上にキャパシタを形成する工程と、前記半導体基板の温度を５５０℃以下に保持しながら、酸素含有雰囲気中で前記キャパシタをアニールするアニール工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素がマトリクス状に配設された撮像素子を備える撮像装置であって、
前記画素は、外部から入射した光線を集光する集光手段と、
前記集光手段で集光された光線のうち、所定の波長の光線を選択的に透過するとともに他の波長の光線を反射する波長選択手段と、
前記波長選択手段で反射させた光線を隣接する画素に対応する前記波長選択手段に導入する反射光線導入手段と、
前記波長選択手段で透過させた光線を電気信号に変換する光電変換手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記反射光線導入手段は、前記集光手段と接する第１の屈折率層と、当該第１の屈折率層と前記波長選択手段との間に設けられ、前記第１の屈折率層よりも高屈折率を有する第２の屈折率層とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記第１の屈折率層と前記第２の屈折率層との界面が光軸から周辺部に向かって傾斜面を有することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】  前記波長選択手段と前記光電変換手段との間には、それぞれに接して設けられた高屈折率部と、当該高屈折率部の周囲に設けられ、当該高屈折率部よりも低屈折率である低屈折率部とを更に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】  前記第２の屈折率層と前記波長選択手段との界面が光軸から周辺部に向かって傾斜面を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】  前記第１の屈折率層と前記第２の屈折率層との界面は、前記光電変換手段側に凸の四角錐の形状を有していることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】  前記第２の屈折率層と前記波長選択手段との界面は、前記集光手段側に凸の四角錐の形状を有していることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】  前記波長選択手段がダイクロイック膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の第１の領域に第１のパターンを形成し、
前記半導体基板上の第１の領域とは異なる領域に第２のパターンを形成し、
前記第１及び第２のパターンを覆うように層間絶縁膜を堆積し、
前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、
前記フォトレジスト膜に、フォトマスクのデバイスパターンが前記第１のパターンに対応し、前記フォトマスクの位置合わせ用のマークが前記第２のパターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理を行って、フォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンを用いて前記第１及び第２のパターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、
前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を平坦化処理して、前記第１及び第２のパターンの表面を露出させる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板のデバイス形成領域にダミーゲート電極を形成すると共に、前記半導体基板のターゲット領域にディッシング防止パターンを形成し、
前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターンを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクのデバイスパターンが前記ダミーゲート電極に対応し、前記フォトマスクにおける位置合わせ用マーク若しくは合わせずれ検査用ターゲット形成用マークが前記ディッシング防止パターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理することにより、フォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンを用いて、前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、
前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を化学機械研磨によって平坦化して、前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターンの表面を露出させ、
前記ダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を埋め込み形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板のデバイス形成領域にダミーゲート電極を形成すると共に、前記半導体基板のターゲット領域にディッシング防止パターンを形成し、
前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターンを覆うように窒化膜を形成して、前記ダミーゲート電極の両側に窒化膜を含む側壁を形成し、
全面に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクのデバイスパターンが前記ダミーゲート電極に対応し、前記フォトマスクにおける位置合わせ用マーク若しくは合わせずれ検査用ターゲット形成用マークが前記ディッシング防止パターンに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理することにより、フォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンを用いて、前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、
前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜及び前記窒化膜を化学機械研磨して、前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターンの表面を露出させ、
前記ダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を埋め込み形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板のデバイス形成領域にダミーゲート電極を形成すると共に、前記半導体基板のターゲット領域にディッシング防止パターンを形成し、
前記ディッシング防止パターンを選択的にエッチングしてパターン溝を形成し、
前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターンを覆うように層間絶縁膜を堆積して前記パターン溝に層間絶縁膜を埋め込むことにより、前記ディッシング防止パターンにフォトマスクとの位置合わせ用のターゲットを形成し、
前記層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクのデバイスパターンが前記ダミーゲート電極に対応し、前記フォトマスクにおける位置合わせ用マーク若しくは合わせずれ検査用ターゲット形成用マークが前記ディッシング防止パターンに形成された前記ターゲットに対応するよう、ステッパ露光及び現像処理することにより、フォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンを用いて、前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターン上における前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去し、
前記フォトレジストパターンを除去した後、前記層間絶縁膜を化学機械研磨によって平坦化して、前記ダミーゲート電極及び前記ディッシング防止パターンの表面を露出させ、
前記ダミーゲート電極を除去して、前記ゲート溝にゲート電極を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体素子が形成された第１の領域と、フォトマスクとの位置合わせ用ターゲットが形成された第２の領域とを有する半導体基板を備えた半導体装置であって、
前記第１の領域上に形成された第１のパターンと、
前記第２の領域上に形成された第２のパターンと、
前記第１及び第２のパターンの周囲に形成された表面の平坦な層間絶縁膜と、
前記第２のパターンの周辺であって且つ前記半導体基板の内部に形成され位置合わせ用ターゲットと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたサブアイランドのパターン情報から、マーカーを基準として前記サブアイランドを含むように、前記基板においてレーザー光を照射する特定の領域を定め、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光のビームスポットを、光学系により互いに一部重ね合わせることで１つのビームスポットを形成し、
スリットを用いて、前記形成されたビームスポットのエネルギー密度の低い部分を遮蔽することにより、前記形成されたビームスポットの走査方向と垂直な方向における幅を制限し、
前記特定の領域に前記幅が制限されたビームスポットを走査することで、前記サブアイランドの結晶性を高めることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２】
基板上に形成されたサブアイランドのパターン情報から、マーカーを基準として前記サブアイランドを含むように、前記基板においてレーザー光を照射する特定の領域を定め、
複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光のビームスポットを、光学系により各中心が直線を描くように互いに一部重ね合わせることで１つのビームスポットを形成し、
スリットを用いて、前記形成されたビームスポットのエネルギー密度の低い部分を遮蔽することにより、前記形成されたビームスポットの走査方向と垂直な方向における幅を制限し、
前記特定の領域に前記幅が制限されたビームスポットを走査することで、前記サブアイランドの結晶性を高めることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記各中心によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とが１０°以上８０°以下であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記各中心によって描かれる直線と前記基板の移動する方向とがほぼ直角であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
レーザー光の照射が減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下において行われることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記レーザー光は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザーまたはＹ２Ｏ３レーザーから選ばれた一種または複数種を用いて出力されていることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記レーザー光は連続発振であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記レーザー発振装置は２以上８以下であることを特徴とするレーザー照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スキュー調整装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリアル信号を受信して伝送路に送信する送信部と、該伝送路から受信された信号のスキュー調整を行なう受信部とを備えたスキュー調整装置において、
前記送信部は、入力されたシリアル信号を複数の信号に分割する手段と、スキュー調整用パターンを生成する手段と、前記分割により生成された個々の信号に前記スキュー調整用のパターンを挿入する手段と、該スキュー調整用パターンの挿入された複数の信号をシリアル信号に変換する手段と、該シリアル信号を伝送路に送信する第１のインタフェースを有し、
前記受信部は、伝送路からの信号を受信する第２のインタフェースと、該インタフェースにより受信された信号を前記スキュー調整用パターンを含むパラレル信号に分割する手段と、該分割された個々のパラレル信号を遅延する複数の遅延回路と、前記分割により得られたパラレル信号からスキューパターンを抽出する遅延制御部とを有し、
該遅延制御部は、抽出されたスキューパターンの状態に応じて前記遅延回路の遅延時間を変更することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項２】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記スキュー調整用パターンをアイドル符号が挿入可能な符号列を用いて生成することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項３】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記遅延制御部は、内部タイミングを生成するカウンタを有し、該内部タイミングと前記スキュー調整用パターンの位相位置とを比較することにより、伝送路から受信した信号のスキュー状態を常時監視することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項４】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記遅延制御部はスキューパターンの位相に応じて前記遅延時間を変更することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項５】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記遅延制御部は、
前記スキュー調整用パターンを含むデータ列から前記スキュー調整用パターンを分離するデコーダと、
内部タイミングを生成するカウンタと、
前記スキュー調整用パターンの示す位相位置と前記内部タイミングとの差分から各伝送路が示す固有のスキュー量を計算するスキュー量計算部と、
該スキュー量が格納される記憶手段とを有し、
前記遅延制御部はスキュー量をゼロにするよう遅延回路の遅延時間を変更することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項６】
請求項５に記載のスキュー調整装置において、前記遅延制御部は、前記カウンタにより生成される内部タイミングとスキュー調整用パターンの示す位相位置とを比較することにより、伝送路から受信した信号のスキューの状態を常時監視することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項７】
請求項６に記載のスキュー調整装置において、前記スキュー量計算部は、前記内部タイミングと前記スキュー調整用パターンとの差分値を計算し、
更に前記スキュー量計算部は、該差分値と前記記憶手段に格納された差分値とを比較し、両者が異なる値であればスキューが変動したと判断し、
該新たに計算された差分値を前記記憶手段に上書きすることを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項８】
請求項２に記載のスキュー調整装置において、前記アイドルパターンが挿入可能な符号列として以下の符号列を用いることを特徴とするスキュー調整装置。
複数のアイドル符号（有意なデータを送信していないときに流れる休止信号を意味する符号）「ｉ０，ｉ１，…，ｉｎ−１（ｎは自然数）」をｘ個使用して構成される互いに異なるｍ個のパターン「Ｉ０，Ｉ１，…，Ｉｍ−１（ｍは自然数かつ、ｍ≦ｎｘ）」であって、
各シリアル伝送路間に想定されるスキュー量をＳ（ｓ／ｍ）、シリアル伝送路の伝送距離をＬ（ｍ）、シリアル伝送路の伝送速度をＴ（ｂｉｔ／ｓ）、前記パターンのビット長をＣ（ｂｉｔ）とするとき、上記によりＰ ＝ Ｔ×Ｓ×Ｌ÷Ｃで定義されるパラメータＰ（端数の場合、Ｐは整数値に繰上げる）が、「ｍ≧２Ｐ＋１」を満たす。
【請求項９】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記第１のインタフェースに接続される合波器を備えることを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記第２のインタフェースに接続される分波器を備えたことを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記第１のインタフェースに接続される第１の伝送部を有し、
前記第１の伝送部は、前記第１のインタフェースに接続するための端子と、該端子から受信した信号を多重化する合波器と、該波長多重化された信号を伝送路に送信する第３のインタフェースとを有することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項１２】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記第２のインタフェースに接続される第２の伝送部を有し、
前記第２の伝送部は、伝送路からの信号を受信する第４のインタフェースと、該第４のインタフェースから受信した信号を光波長毎に分割する分波器と、該分波器を通過した信号を前記第２のインタフェースに送信する端子を有することを特徴とするスキュー調整装置。
【請求項１３】
請求項１に記載のスキュー調整装置において、前記スキュー調整用パターンを生成する手段はプログラマブルＩＣを含むことを特徴とするスキュー調整装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  携帯型電話機における通話又は電子メールの着信時に鳴音する着信音を提供する着信音提供システムであって、
携帯型電話機からのアクセスによって、着信音のパターンに予め用意された複数の名前の中から選択された名前を組み込んだ着信音を生成し、前記携帯型電話機に提供可能としたサーバを有することを特徴とする着信音提供システム。
【請求項２】  サーバは、提供する着信音に静止画又は動画を付加することを特徴とする請求項１記載の着信音提供システム。
【請求項３】  サーバは、提供する着信音のパターン、静止画又は動画のデータをユーザが選択可能に複数用意したことを特徴とする請求項２記載の着信音提供システム。
【請求項４】  サーバは、ユーザからの要求で、予め用意されている名前以外を選択可能とする申し込みを受け付け、前記申し込まれた名前毎に申し込みの数を集計し、前記集計結果が予め設定された一定値を超えた名前について選択可能とすることを特徴とする請求項１乃至３記載の着信音提供システム。
【請求項５】  サーバは、着信音のパターンとして、スポーツの応援を模したパターン又はデパートの呼び出しを模したパターンを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の着信音提供システム。
【請求項６】  サーバは、一つの着信音に発信者の名前と着信者の名前とを組み込んで提供することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の着信音提供システム。
【請求項７】  携帯型電話機における通話又は電子メールの着信時に鳴音する着信音を提供する着信音提供システムであって、
携帯型電話機から特定の操作で入力された音声データを保持し、当該音声データに効果音、ＢＧＭ、静止画、動画の中からユーザによって選択されたデータを付加して着信音データを生成し、前記携帯型電話機に提供可能としたサーバを有することを特徴とする着信音提供システム。
【請求項８】  サーバが、予め登録されたユーザにＩＤを付与し、携帯型電話機からの前記ＩＤを用いたアクセスによって着信音データを生成し、前記生成された着信音データを前記ＩＤに対応付けて記憶するサーバであることを特徴とする請求項７記載の着信音提供システム。
【請求項９】  サーバが、携帯型電話機からのＩＤを用いたアクセスによって、前記ＩＤに対応して記憶されている着信音データの一覧を表示し、前記一覧表示の中から選択された着信音データを、前記携帯型電話機からの指示に従って編集可能とすることを特徴とする請求項８記載の着信音提供システム。
【請求項１０】  複数の着信音のパターンのデータと複数の名前の音声データを記憶するコンテンツデータベースと、ネットワークを介して携帯端末と通信を行うコンテンツサーバとを備えた着信音提供システムにおける着信音提供方法であって、
前記サーバが、携帯端末からのアクセスがあると、名前及び着信音のパターンを選択させる画面を前記携帯端末に表示させ、名前と着信音のパターンが選択されると、前記選択された名前の音声データと、前記選択された着信音パターンのデータとを前記コンテンツデータベースから読み出して、前記名前の音声データを前記着信音パターンのデータに組み込んで着信音データを生成して、前記携帯端末に提供することを特徴とする着信音提供方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、上記着信音提供システムにおいて、サーバが、携帯型電話機からのＩＤを用いたアクセスによって、ＩＤに対応して記憶されている着信音データの一覧を表示し、一覧表示の中から選択された着信音データを、当該携帯型電話機からの指示に従って編集可能とすることとしており、ユーザは、既に作成してサーバに保存してある自分の着信音を随時編集することができる。
また、本発明は、複数の着信音のパターンのデータと複数の名前の音声データを記憶するコンテンツデータベースと、ネットワークを介して携帯端末と通信を行うコンテンツサーバとを備えた着信音提供システムにおける着信音提供方法であって、サーバが、携帯端末からのアクセスがあると、名前及び着信音のパターンを選択させる画面を携帯端末に表示させ、名前と着信音のパターンが選択されると、選択された名前の音声データと、選択された着信音パターンのデータとをコンテンツデータベースから読み出して、名前の音声データを着信音パターンのデータに組み込んで着信音データを生成して、携帯端末に提供することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また、本発明によれば、上記着信音提供システムにおいて、サーバが、携帯型電話機からのＩＤを用いたアクセスによって、ＩＤに対応して記憶されている着信音データの一覧を表示し、一覧表示の中から選択された着信音データを、当該携帯型電話機からの指示に従って編集可能とする着信音提供システムとしているので、ユーザは、既に作成してサーバに保存してある自分の着信音を随時編集することができる。
また、本発明によれば、複数の着信音のパターンのデータと複数の名前の音声データを記憶するコンテンツデータベースと、ネットワークを介して携帯端末と通信を行うコンテンツサーバとを備えた着信音提供システムにおける着信音提供方法であって、サーバが、携帯端末からのアクセスがあると、名前及び着信音のパターンを選択させる画面を携帯端末に表示させ、名前と着信音のパターンが選択されると、選択された名前の音声データと、選択された着信音パターンのデータとをコンテンツデータベースから読み出して、名前の音声データを着信音パターンのデータに組み込んで着信音データを生成して、携帯端末に提供する着信音提供方法としているので、ユーザは、固有の名前を含む着信音を作成して他人とは違う着信音を使うことができ、他者の携帯型電話機との差別化を図って個性をアピールすることができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原版と基板とを走査しながら、投影光学系を介して前記基板を前記原版によりパターンに曝す走査型露光装置であって、
前記投影光学系の光軸から前記走査方向に離れた光軸外と前記光軸上とのうちの少なくとも一方において、前記投影光学系を介して前記基板に対応した第１基板基準マークを検出する第１検出系と、
前記第１検出系の検出結果に基づいて、前記原版と前記基板とを位置合わせする位置合わせ系と、を備えることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項２】  前記第１基板基準マークは、前記基板を移動させるステージに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項３】  前記第１検出系は、前記原版に対応した原版基準マークと前記第１基板基準マークとの位置ずれを検出することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項４】  前記光軸から前記走査方向と直交する方向に離れた光軸外において、前記投影光学系を介して前記基板に対応した第２基板基準マークを検出する第２検出系を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項５】  前記位置合わせ系は、前記第１及び第２検出系の検出結果に基づいて、前記原版と前記基板とを位置合わせすることを特徴とする請求項４に記載の走査型露光装置。
【請求項６】  前記投影光学系を介さずに前記基板に対応した第３基板基準マークを検出する第３検出系を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項７】  前記位置合わせ系は、前記第１及び第３検出系の検出結果に基づいて、前記第３検出系に関する補正値を算出することを特徴とする請求項６に記載の走査型露光装置。
【請求項８】  前記投影光学系を介して前記基板に対応した第３基板基準マークを検出する第４検出系を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項９】  前記位置合わせ系は、前記第１及び第４検出系の検出結果に基づいて、前記第４検出系に関する補正値を算出することを特徴とする請求項８に記載の走査型露光装置。
【請求項１０】  前記位置合わせ系は、前記第１検出系の検出結果に基づいて、前記原版を移動させるステージの原点オフセットを算出することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項１１】  前記位置合わせ系は、前記第１検出系の検出結果に基づいて、前記原版と前記基板との間の走りの差異を補正することを特徴とする請求項３に記載の走査型露光装置。
【請求項１２】  前記第１検出系は、前記原版に形成された計測マークと前記第１基板基準マークとの位置ずれを検出することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項１３】  前記位置合わせ系は、前記第１検出系の検出結果に基づいて、前記投影光学系の光軸に関する前記原版の回転位置を算出することを特徴とする請求項１２に記載の走査型露光装置。
【請求項１４】  前記位置合わせ系は、前記第１検出系の検出結果に基づいて、前記原版の変形量を算出することを特徴とする請求項１２に記載の走査型露光装置。
【請求項１５】  前記第１検出系は、前記光軸外において、前記露光中に、前記第１基板基準マークを検出することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項１６】  前記第１検出系は、前記走査方向に可動であることを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項１７】  前記第１検出系は、前記光軸外及び前記光軸上において、前記第１基板基準マークを検出することを特徴とする請求項１６に記載の走査型露光装置。
【請求項１８】  前記第１検出系は、前記露光中の待機位置において、前記第１基板基準マークを検出することを特徴とする請求項１６に記載の走査型露光装置。
【請求項１９】  前記第１検出系は、前記露光中に、前記第１基板基準マークを検出することを特徴とする請求項１８に記載の走査型露光装置。
【請求項２０】  前記投影光学系を介さずに前記基板に対応した第３基板基準マークを検出する第３検出系を更に備え、
前記第３検出系は、前記第１検出系が前記第１基板基準マークを検出する場合と同じ基板の位置において、前記第３基板基準マークを検出することを特徴とする請求項１８に記載の走査型露光装置。
【請求項２１】  前記位置合わせ系は、前記第１及び第３検出系の検出結果に基づいて、前記第３検出系に関する補正値を算出することを特徴とする請求項２０に記載の走査型露光装置。
【請求項２２】  前記第１検出系は、露光に用いられる光と略同じ波長の光を用いて前記第１基板基準マークを検出することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項２３】  前記光軸から前記走査方向と直交する方向に離れた光軸外において、前記投影光学系を介して前記基板に対応した第４基板基準マークを検出する第４検出系を更に備え、
前記第１、第２及び第４検出系は、露光に用いられる光と略同じ波長の光を用いて前記第１、第２及び第４基板基準マークを夫々検出することを特徴とする請求項４に記載の走査型露光装置。
【請求項２４】  請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の走査型露光装置を用いて基板にパターンを転写するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る走査型露光装置は、原版と基板とを走査しながら、投影光学系を介して前記基板を前記原版によりパターンに曝す走査型露光装置であって、前記投影光学系の光軸から前記走査方向に離れた光軸外と前記光軸上とのうちの少なくとも一方において、前記投影光学系を介して前記基板に対応した第１基板基準マークを検出する第１検出系と、前記第１検出系の検出結果に基づいて、前記原版と前記基板とを位置合わせする位置合わせ系と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2004193160.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2004193160.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが０．０５〜０．２５ｍｍの金属板もしくは樹脂含有シートから形成された外装材と、
前記外装材内に収納される正極と、
前記外装材内に収納され、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成された集電体と、前記集電体に担持され、かつＬｉの電極電位に対して０．４Ｖ以上の電位でリチウムを吸蔵する負極活物質を含有する負極層とを含む負極と、
前記外装材内に収納され、γ−ブチロラクトンを含有する非水電解質と
を具備することを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記負極活物質は、ＳｎＯ、ＣｏＯ、ＴｉＯ2、Ｌｉ4/3Ｔｉ5/3Ｏ4、ＦｅＳ2、ＷＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｏＯ2、ＭｏＳ2、ＴｉＳ2、Ｌｉ2-yＦｅＳ2、ＦｅＳ、ＳｉＳ2、ＣｏＳ2、ＶＳ2、ＭｎＳ2、Ｌｉ3-xＣｏxＮ（但し、モル比ｘは０＜ｘ＜３）、Ｌｉ7ＭｎＮ4、ＢＣＮ、Ｂ1-yＣy（但し、モル比ｙは０＜ｙ＜１）及びＶＳｅ2よりなる群から選択される少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記非水電解質は、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、メチルエチルカーボネート、ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネートよりなる群から選択される少なくとも一種類を含有する有機溶媒と、前記有機溶媒に溶解される電解質とを含む液状非水電解質であることを特徴とする請求項１または２記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
ポリエチレン、ポリプロピレン、セルロース、またはポリフッ化ビニリデンを含むセパレータを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  第１の容器内で、シリコン、炭素、窒素および水素を含む第１の絶縁膜を基板の上方に形成する工程と、
前記第１の容器とは別の第２の容器内に前記基板を入れ、前記第２の容器内で希ガスを放電させる工程と、
前記第１の絶縁膜の上方に、シリコン、炭素、酸素および水素を含む第２の絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  シリコン、炭素、窒素および水素を含む第１の絶縁膜を基板の上方に形成する工程と、
前記第１の絶縁膜にエネルギー線を照射する工程と、
前記第１の絶縁膜の上方に、シリコン、炭素、酸素および水素を含む第２の絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  シリコン、炭素、窒素および水素を含む第１の絶縁膜を基板の上方に形成する工程と、
前記基板をＨ2 Ｏを含む加湿雰囲気中に晒す工程と、
前記基板を前記加湿雰囲気中に晒した後に、前記基板を加熱する工程と、
前記基板を加熱した後に、前記第１の絶縁膜の上方に、シリコン、炭素、酸素および水素を含む第２の絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラ本体に移動自在に設けられたズームレンズと、
このズームレンズを駆動する駆動手段と、
この駆動手段による前記ズームレンズの駆動を制御する主制御手段と、
この主制御手段の動作が停止し、且つ、前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出された状態にあることを検知した場合に、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生して前記ズームレンズを前記カメラ本体内に強制的に収納するズーム強制収納手段と
を具備したことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記ズーム強制収納手段は、
前記主制御手段の動作が停止したときにオン動作するスイッチ手段と、
前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出されていることを示すズーム状態認識信号を出力する信号出力手段と、
前記スイッチ手段がオン状態にあり、且つ、信号出力手段によりズーム状態認識信号が出力されている場合に、前記主制御手段の動作状態に関係なく、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生する信号発生手段と
から構成されることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
駆動源として電池を備えた撮像装置において、
カメラ本体にズーム自在に設けられたズームレンズと、
このズームレンズを駆動する駆動手段と、
前記電池を駆動源として、その電池電圧を前記駆動手段の駆動に必要な電圧レベルに変換して供給する電源供給手段と、
前記駆動手段による前記ズームレンズの駆動を制御する主制御手段と、
前記電池の電圧レベルを検出し、所定レベル以下になったときに前記主制御手段の動作を停止させしめる電池電圧検出手段と、
この電池電圧検出手段により前記主制御手段の動作が停止し、且つ、前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出された状態にあることを検知した場合に、前記電源供給手段に対して電源供給用の制御信号を発生すると共に、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生して前記ズームレンズを前記カメラ本体内に強制的に収納するズーム強制収納手段と
を具備したことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
前記ズーム強制収納手段は、
前記主制御手段の動作が停止したときにオン動作するスイッチ手段と、
前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出されていることを示すズーム状態認識信号を出力する信号出力手段と、
前記スイッチ手段がオン状態にあり、且つ、信号出力手段によりズーム状態認識信号が出力されている場合に、前記主制御手段の動作状態に関係なく、前記電源供給手段に対して電源供給用の制御信号を発生する第１の信号発生手段と、
前記スイッチ手段がオン状態にあり、且つ、信号出力手段によりズーム状態認識信号が出力されている場合に、前記主制御手段の動作状態に関係なく、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生する第２の信号発生手段と
から構成されることを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の撮像装置は、カメラ本体にズーム自在に設けられたズームレンズと、このズームレンズを駆動する駆動手段と、この駆動手段による前記ズームレンズの駆動を制御する主制御手段と、この主制御手段の動作が停止し且つ、前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出された状態にあることを検知した場合に、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生して前記ズームレンズを前記カメラ本体内に強制的に収納するズーム強制収納手段とを具備して構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、前記ズーム強制収納手段は、前記主制御手段の動作が停止したときにオン動作するスイッチ手段と、前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出されていることを示すズーム状態認識信号を出力する信号出力手段と、前記スイッチ手段がオン状態にあり、且つ、信号出力手段によりズーム状態認識信号が出力されている場合に、前記主制御手段の動作状態に関係なく、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生する信号発生手段とから構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の撮像装置は、駆動源として電池を備えた撮像装置において、カメラ本体にズーム自在に設けられたズームレンズと、このズームレンズを駆動する駆動手段と、前記電池を駆動源として、その電池電圧を前記駆動手段の駆動に必要な電圧レベルに変換して供給する電源供給手段と、前記駆動手段による前記ズームレンズの駆動を制御する主制御手段と、前記電池の電圧レベルを検出し、所定レベル以下になったときに前記主制御手段の動作を停止させしめる電池電圧検出手段と、この電池電圧検出手段により前記主制御手段の動作が停止し、且つ、前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出された状態にあることを検知した場合に、前記電源供給手段に対して電源供給用の制御信号を発生すると共に、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生して前記ズームレンズを前記カメラ本体内に強制的に収納するズーム強制収納手段とを具備して構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、前記ズーム強制収納手段は、前記主制御手段の動作が停止したときにオン動作するスイッチ手段と、このスイッチ手段がオン状態にあるときに、前記ズームレンズが前記カメラ本体から繰り出されていることを示すズーム状態認識信号を出力する信号出力手段と、前記スイッチ手段がオン状態にあり、且つ、信号出力手段によりズーム状態認識信号が出力されている場合に、前記主制御手段の動作状態に関係なく、前記電源供給手段に対して電源供給用の制御信号を発生する第１の信号発生手段と、前記スイッチ手段がオン状態にあり、且つ、信号出力手段によりズーム状態認識信号が出力されている場合に、前記主制御手段の動作状態に関係なく、前記駆動手段に対してズーム駆動用の制御信号を発生する第２の信号発生手段とから構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示領域内で複数の色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置において、
前記画像表示領域の周縁のうち、少なくとも対向する２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量が低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記２辺に沿って並ぶサブ画素では、一列分が全て同一の色に対応していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記多数のサブ画素はいずれも、サイズが等しいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記多数のサブ画素はいずれも、周囲が遮光膜によって囲まれており、
前記２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記遮光膜で囲まれた領域が狭いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４において、前記多数のサブ画素はいずれも、反射表示用の光反射層が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項４において、前記多数のサブ画素はいずれも、反射表示用の光反射層が配置された領域と、透過表示用の前記光反射層が配置されていない領域とを有し、少なくとも前記光反射層が配置されていない領域と平面的に重なる領域に透過表示用の透明電極層を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６において、前記２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記光反射層が配置されていない領域の面積が狭く、かつ、前記遮光膜で囲まれた前記光反射膜の面積が狭いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項４において、前記多数のサブ画素はいずれも、透過表示用の透明電極層を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記多数のサブ画素はいずれも、光変調用の液晶セルを備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記多数のサブ画素はいずれも、光変調のエレクトロルミネッセンス素子を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、画像表示領域内で複数の色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置において、前記画像表示領域の周縁のうち、少なくとも対向する２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量が低いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において、前記多数のサブ画素のいずれにも、反射表示用の光反射層が配置されていれば、電気光学装置を反射型電気光学装置として構成できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、前記多数のサブ画素はいずれも、反射表示用の光反射層が配置された領域と、透過表示用の前記光反射層が配置されていない領域とを有し、少なくとも前記光反射層が配置されていない領域と平面的に重なる領域に透過表示用の透明電極層を有することとすれば、半透過反射型の電気光学装置を構成することができる。この場合、前記２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記光反射層が配置されていない領域の面積が狭く、かつ、前記遮光膜で囲まれた前記光反射膜の面積が狭くすれば、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、前記２辺に沿って並ぶサブ画素の出射光量を低下させることができる。