Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  基板を反応容器内で所定の温度に保持し、反応容器内にＩｎ，Ｇａ，Ｎ，Ａｌなどの前駆体を順次又は同時に供給し、基板表面にレーザビームを照射させて、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）またはＭＯＭＢＥ（有機金属分子ビームエピキタシー法）により、ＩｎＧａＮなどの化合物半導体を成長させる化合物半導体の成長装置において、前記レーザビームをエネルギー分布が均一なビームに成形するレーザビーム成形光学系と、該ビームを基板表面に均一に照射するビーム照射手段と、基板を所定の温度に加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする化合物半導体の成長装置。    【請求項２】  前記レーザビーム成形光学系は、レーザビームに直交して位置しレーザビームを線状に分割する直交シリンドリカルアレイまたは互いに直交する１対のシリンドリカルアレイと、線状に分割したレーザビームを照射面に結像するレンズとを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の成長装置。    【請求項３】  前記ビーム照射手段は、基板を往復動させる基板往復動装置である、ことを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体の成長装置。    【請求項４】  前記ビーム照射手段は、基板上を走査する揺動ミラー装置である、ことを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体の成長装置。    【請求項５】  前記ビーム照射手段は、基板を回転させる基板回転装置である、ことを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体の成長装置。    【請求項６】  前記加熱手段は、基板または基板を支持するサセプターを加熱する高周波コイルまたは抵抗器などのヒーターである、ことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の成長装置。    【請求項７】 前記レーザは、前記前駆体が吸収しない波長をもつパルス発振又は連続発振のレーザであることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の成長装置。    【請求項８】 前記レーザは、前記化合物半導体が吸収する波長をもつことを特徴とする請求項１又は７に記載の化合物半導体の成長装置    【請求項９】 前記レーザビーム光学系は、回折光学素子を含む光学系であることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の成長装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  さらに、基板表面に磁場を印加させることにより、レーザを照射したときに光電磁効果で反応ガスの分解を促進させるため、化合物半導体の成長速度を高める効果がある。 また、前記レーザは、前記前駆体が吸収しない波長をもつパルス発振又は連続発振のレーザであることが好ましい。 また、前記レーザは、前記化合物半導体が吸収する波長をもつことが好ましい。 また、前記レーザビーム光学系は、回折光学素子を含む光学系であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
LD励起固体レーザ装置のレーザ光の光軸を、全反射ミラーで折り曲げる時、例えば光軸に対して４５°の角度に全反射ミラーを配置して、レーザ光を９０°方向に曲げる時の反射率は、レーザ光の偏光面（Ｐ波、Ｓ波）によって変化するので、高出力のまま光軸を曲げるためには、偏光面の角度を調整する必要がある。図９（ａ）に示すように、光軸に対して４５°の角度に全反射ミラーを配置して、レーザ光の光軸を全反射ミラーで９０°曲げる時の反射率は、レーザ光の偏光面（Ｐ波、Ｓ波）によって、図９(ｂ)のように反射率が変化する。偏光面の角度を調整するためには、レーザ光の光軸に1/2波長板を挿入するという既知の技術があるが、光学部品が増えるのでスペースが大きくなり、コストもかかるという問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に、図３と図４を参照しながら、出力レーザ光の強度を調整する方法を説明する。光源からの光を水平偏光とする例を説明するが、垂直偏光でも同様である。光源からの光は、特定の角度の直線偏光であれば良い。この例では、共振器Ｒから出力されるレーザ光は水平偏光であるとする。第１偏光である水平偏光を透過させ、第２偏光である垂直偏光を分岐させるように、偏光子31の回転角度を調整する。偏光子31は、水平偏光を透過させ、垂直偏光を分岐させるように保持しておく。1/2波長板30を回転させると、偏光子31に入射するレーザ光の偏光面が回転する。共振器Ｒからのレーザ光（光軸はＬ2）の偏光面を1/2波長板30で回転させて、レーザ光（光軸はＬ3）の出力が最大となる時、そのときの1/2波長板30の角度θを０°とする。1/2波長板30からの偏光を偏光子31に通すと、水平偏光成分は透過する。垂直偏光成分は、偏光子31で光検出器36の方向に分岐する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このレーザ装置において、1/2波長板30の回転角度をθとし、共振器Ｒから出力される強度をＦinとする。偏光子31を透過して出力されるレーザ光（光軸はＬ2）の強度Ｆoutは、
Ｆout＝Ｆincos2(2θ)
となる。すなわち、このレーザ装置では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、出力される光の強度Ｆoutが、1/2波長板30の回転角度θに依存して変化する。駆動制御装置38からモータ32に信号を与えて、1/2波長板30を角度θだけ回転させると、1/2波長板30を透過したレーザ光（光軸はＬ2）は、偏光面の角度が２θの直線偏光となる。偏光子31を透過して出力されるレーザ光（光軸はＬ3）の強度Ｆoutは、1/2波長板30の回転角度θに対応して連続的に変化する。このようにして、偏光子31から出射するレーザ光（光軸Ｌ3）の強度を、連続的に変化させることができる。この偏光子の例としては、グランレーザプリズム、グランテーラープリズム、グラントムソンプリズム、偏光ビームスプリッターなどがある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第３に、図４を参照しながら、出力レーザ光の強度を所定値に維持する方法を説明する。光軸Ｌ2のレーザ光の強度をＦinとする。光軸Ｌ2のレーザ光の最大強度をＦmaxとする。光軸Ｌ3のレーザ光の強度をＦoutとする。Ｆmaxを基準とする相対値をレーザ出力相対値とする。レーザ光（光軸はＬ3）の強度Ｆoutが、常にレーザ光（光軸はＬ2）の最大出力Ｆmaxに対し、所定の割合（例えば80％）を保つように、論理回路40の論理を設定する。所定の割合は、レーザ出力相対値がレーザ光の最大出力Ｆmaxの０．３〜０．９５の範囲内であれば良い。所定の割合を１．０に近い値にすると、すぐに制御不能になるので、実用的ではない。図４に示すように、レーザ装置の使用初期においては、共振器Ｒは最大出力であり、レーザ出力相対値は１である。ある時間が経過すると、レーザ媒質や励起光源の経時変化により、共振器Ｒのレーザ光のレーザ出力相対値は低下する。例えば、Ｆoutのレーザ出力相対値を0.8に設定すると、レーザ装置の使用初期においては、1/2波長板30の回転角度は約13.5°になる。共振器Ｒのレーザ出力相対値が0.9となった状態では、1/2波長板30の回転角度は約10°になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
出力レーザ光の強度を所定値に維持する方法を説明する。光軸Ｌ3上に配置されたビームスプリッター50で、偏光子31の出力であるレーザ光の一部（例えば１％）を分岐する。分岐されたレーザ光の強度を光検出器36で検出する。レーザ光（光軸はＬ3）の強度Ｆoutが、レーザ光（光軸はＬ2）の最大出力Ｆmaxに対し、常に所定の割合（例えば80％）を保つように、論理回路40の論理を設定する。光検出器36からの検出出力が一定になるように、駆動制御装置38の駆動回路42から出力される信号により、モータ32を駆動して1/2波長板30を回転させる。その回転角度に応じて、共振器Ｒからのレーザ光（光軸はＬ2）の偏光面が回転する。共振器Ｒからのレーザ光の強度が時間とともに減少したとしても、1/2波長板30の回転角度θを、共振器Ｒからのレーザ光の強度減少に応じて小さくすることにより、レーザ光（光軸はＬ3）の強度を一定に保つことができる。この制御は単純なフィードバック制御であるので、論理回路40の論理は第１の実施の形態より単純になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】ウエハを水平面内で把持して、回転すると共に、ウエハの縁部のノッチ等を検出するウエハ位置決め装置において、該基台上に、該傾斜リニアガイド部材を昇降動作可能とする昇降手段と、該傾斜リニアガイド部材を回動可能とする回動手段とを備えて、該傾斜リニアガイド部材の傾斜した長穴とフィンガの一端を当接することで、昇降手段の作動により該フィンガを水平方向に直線動作して、フィンガの他端に備える爪部によりウエハを把持するウエハ位置決め装置であって、該傾斜リニアガイド部材に管状のドグを該リニアガイド部材の回転軸中心と管状のドグの中心軸とが一致するように備えるとともに、基台上であってドグの動作が検出できる位置にセンサを備えることでウエハの把持状態を確認することを特徴とするウエハ位置決め装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005019761.tif 000001
【図２】
2005019761.tif 000002
【図３】
2005019761.tif 000003
【図４】
2005019761.tif 000004
【図５】
2005019761.tif 000005
【図６】
2005019761.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本体ケース３の上下部左右の４個所には被取付部３ａがそれぞれ形成され、それらの中央寄りに被固定部３ｆがそれぞれ形成されている。一方、蓋体４には、被固定部３ｆに対応して固定部４ｂが形成されている。そして、被固定部３ｆと固定部４ｂとの間にボルト１０を用いて、本体ケース３に蓋体４が上下左右４個所で連結固定される構成となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、下部左右の被取付部３ａには、ヒンジ金具９を介して蓋体４の固定部４ｂが連結され、本体ケース３の被固定部３ｆと蓋体４の固定部４ｂとの、上下部左右のボルト１０の連結固定を解除することで、蓋体４が上開き可能となる構成とされている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  モータを内蔵した台座（１０）と、
前記台座（１０）の上に設けられ、且つ前記モータにより駆動されるスプレー液充填用ポンプ（１１）と、
前記スプレー液充填用ポンプ（１１）の吸込口（１１ａ）側に接続されたスプレー液貯蔵容器（１２）と、
前記スプレー液充填用ポンプ（１１）の吐出口（１１ｂ）側に接続されたスプレー缶保持容器（１６）を有するスプレー缶保持部（１３）と、
を具備して成ることを特徴とするスプレー缶用充填装置。
【請求項２】  前記スプレー液貯蔵容器（１２）の底面と、前記スプレー缶保持容器（１６）の底面は、それぞれ中心に向かって円錐状に形成されてなることを特徴とする請求項１記載のスプレー缶用充填装置。
【請求項３】  前記スプレー缶保持部（１３）は、円筒状のスプレー缶保持容器（１６）と、該スプレー缶保持容器（１６）に揺動可能に取付けられた門形状の押圧板支持枠（２２）と、該押圧板支持枠（２２）に上下移動可能に設けられてスプレー缶（１８）を押圧できる押圧板（２１）とを具備してなることを特徴とする請求項１記載のスプレー缶用充填装置。
【請求項４】  前記スプレー液充填用ポンプ（１１）の吐出口（１１ｂ）側にはリリーフバルブ（２６）が設けられ、該リリーフバルブ（２６）からはリリーフされたスプレー液を貯蔵容器（１２）に回収するスプレー液回収配管（２７）が設けられてなることを特徴とする請求項１記載のスプレー缶用充填装置。
【請求項５】  前記押圧板（２１）には、スプレー缶（１８）へマーキングするための突起（３０）又は塗料塗布具が設けられたことを特徴とする請求項３記載のスプレー缶用充填装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明の脂環式ジチオール（Ｉ）は、含硫黄重合体の構成単位となり得るものである。この含硫黄重合体としては、例えば、本発明の脂環式ジチオール（Ｉ）と、ポリイソシアナート化合物、ポリイソチオシアナート化合物、及びイソシアナート基を有するイソチオシアナート化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物とを反応させて得られる含硫黄重合体（ａ）、上記脂環式ジチオール（Ｉ）と、二価フェノール又は末端にチオール基と反応する官能基を有するポリカーボネートオリゴマーとを反応させて得られるポリチオカーボネート樹脂が挙げられる。これらの含硫黄重合体は、屈折率（ｎｄ）が１．５３以上、アッベ数（νｄ）が３２以上のものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
含硫黄重合体（ａ）において、ポリイソシアナート化合物、ポリイソチオシアナート化合物、及びイソシアナート基を有するイソチオシアナート化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物と、脂環式ジチオール（Ｉ）（他のポリチオールを併用する場合も含む）との使用割合は、［（ＮＣＯ＋ＮＣＳ）／ＳＨ］（官能基）がモル比で、通常０．５〜３．０、好ましくは０．５〜１．５となる量である。
脂環式ジチオール（Ｉ）と他のポリチオールを併用する場合の脂環式ジチオール（Ｉ）の使用量は、使用する原料モノマーの種類や必要とされる耐熱性の程度により適宜決められるが、耐熱性の点から、全チオール化合物の５モル％以上が好ましく、さらに好ましくは２０モル％以上である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
含硫黄重合体（ａ）は、通常、注型重合により得られる。具体的には、ポリイソシアナート化合物、ポリイソチオシアナート化合物、及びイソシアナート基を有するイソチオシアナート化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物と、脂環式ジチオール（Ｉ）（他のポリチオールを併用する場合も含む）とを混合し、この混合液を必要に応じて適当な方法で脱泡を行なった後、モールド中に注入し、通常、低温から高温に徐々に昇温しながら重合させることにより、得られる。
重合温度及び重合時間は、モノマーの組成、添加剤の種類、使用量によっても異なるが、一般的には２０℃程度から開始し、１２０℃程度まで８〜２４時間かけて昇温する。この際、重合後の離型性を容易にするため、モールドに公知の離型処理を施しても差し支えない。また、目的に応じて、公知の成形法におけると同様に、内部離型剤、鎖延長剤、架橋剤、光安定剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、油溶染料、充填剤などの種々の物質を添加してもよい。さらに、所望の反応速度に調整するために、ポリウレタンの製造において用いられる公知の反応触媒を適宜に添加することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
含硫黄重合体であるポリチオカーボネート樹脂は、上述したように、脂環式ジチオール（Ｉ）と、二価フェノール又は末端にチオール基と反応する官能基を有するポリカーボネートオリゴマーとの反応により得られるものである。ポリカーボネートオリゴマーとしては、例えば塩化メチレン等の溶媒中において、公知の酸受容体の存在下、二価フェノールとホスゲン等のカーボネート前駆体との反応により、あるいは溶媒の存在下又は不存在下、二価フェノールと炭酸エステル化合物等のカーボネート前駆体とのエステル交換反応などによって製造されたものを用いることができる。
二価フェノールとしては、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ），ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン，１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン，１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等のビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン，１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロデカン等のビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトンなどが挙げられる。
脂環式ジチオール（Ｉ）と上記ポリカーボネートオリゴマーとの反応における反応温度及び反応時間は、モノマーの組成、添加剤の種類、使用量によっても異なるが、一般的には、０〜４０℃で数分〜数日間、好ましくは１０〜３０℃で１０分〜５時間である。必要に応じて、分子調節剤、触媒及び酸化防止剤などを添加してもよい。
上記ポリチオカーボネート樹脂において、共重合組成は、１〜１００質量％であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送手段によって搬送されるシート状物を案内する案内テーブルと、
チョッパブレードで押し込まれるシート状物を案内する一対のガイドとを備え、
前記案内テーブルは固定部材に着脱自在に支持され、
前記ガイドは前記固定部材に調整手段を介して着脱自在に支持されていることを特徴とするチョッパテーブル。
【請求項２】
請求項１に記載のチョッパテーブルにおいて、
前記調整手段に、前記一対のガイドとの間に形成された隙間の長手方向と垂直な方向に延びる長孔を形成し、
前記調整手段に固定されたまま前記ガイドが前記シート状物の搬送方向に垂直な方向に移動可能であることを特徴とするチョッパテーブル。
【請求項３】
請求項１に記載のチョッパテーブルにおいて、
前記ガイドに、前記一対のガイドとの間に形成された隙間の長手方向と垂直な方向に延びる長孔を形成し、
前記ガイドが前記シート状物の搬送方向に垂直な方向に移動可能であることを特徴とするチョッパテーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したチョッパテーブルの構成では、前記インレットガイド５３は、前記ボルト５４ａにより前記ブラケット５５を介して前記テーブル本体５２に支持され、前記テーブル本体５２は前記ボルト５４ｂにより前記チョッパフレーム５６に支持されている。このように構成された前記チョッパテーブル５１において、前記折込みローラ６０内に前記折丁５７が詰まった際は、前記インレットガイド５３のみを取り外せばよく、再度取り付けても元の位置に戻り前記スリット５３ａの隙間も変わらない。しかし、前記搬送ベルト５８の交換時は、前記テーブル本体５２を取り外すので、同時に前記インレットガイド５３も取り外されてしまう。また、一対の前記インレットガイド５３との間に形成された前記スリット５３ａの隙間を調整できるよう前記テーブル本体５２には、前記ボルト５４ｂが挿入される孔が長孔となっている。従って前記チョッパフレーム５６に前記テーブル本体５２を取り付ける作業時においては、精度が出づらく、前記スリット５３ａの隙間を元に戻すのは困難であり、再度調整が必要となり面倒でもある。従って、前記テーブル本体５２及び前記インレットガイド５３は、元の位置に取り付けられないという復帰性がなく、取り付け作業工数が多いので手間と時間が掛かり、隙間調整が困難であるという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する第１の発明に係るチョッパテーブルは、搬送手段によって搬送されるシート状物を案内する案内テーブルと、チョッパブレードで押し込まれるシート状物を案内する一対のガイドとを備え、前記案内テーブルは固定部材に着脱自在に支持され、前記ガイドは前記固定部材に一対の調整手段を介して着脱自在に支持されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決する第２の発明に係るチョッパテーブルは、請求項１に記載のチョッパテーブルにおいて、前記ガイド間を搬送方向に垂直な方向に隙間調整可能にするために、前記調整手段に前記一対のガイドとの間に形成された隙間の長手方向と垂直な方向に延びる長孔を形成し、前記調整手段に固定されたまま前記ガイドが搬送方向に垂直な方向に移動可能であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
［第１実施例］
図１に本発明の一実施例に係るチョッパテーブルの平面図を示し、図２にそのＢ−Ｂ矢視断面図を示し、図３にその平面図を示す。折丁の搬送方向は図１中矢印で示す。チョッパテーブル１は、案内テーブルとしての一対のテーブル本体２と、これらのテーブル本体２の略中央部に向かい合うように設置されるガイドとしての各インレットガイド３により構成されている。前記チョッパテーブル１は、固定部材としてのチョッパフレーム４に搬送方向の前後の位置で支持されている。これを詳しく説明すると、搬送方向に延設する前記インレットガイド３は、その前後の位置でそれぞれ搬送方向に垂直な方向に延設する調整手段としてのブラケット５に固定用ボルト６にて支持されている。前記ブラケット５は、前記チョッパフレーム４にそれぞれ二本の調整用ボルト７にて支持されている。前記テーブル本体２は、前記インレットガイド３とは分離して固定用ボルト８にて前記チョッパフレーム４に支持されている。つまり、前記テーブル本体２及び前記インレットガイド３はそれぞれ前記チョッパフレーム４に支持されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このような構成にすることにより、前記スリット３ａの隙間調整をする際には、前記調整用ボルト９を緩め、前記インレットガイド３を搬送方向に垂直な方向に調整し前記スリット３ａの隙間を決める。このとき前記ブラケット５は前記チョッパフレーム４に前記固定用ボルト１０により支持されているので、移動するのは前記インレットガイド３のみである。すなわち、隙間調整は第２実施例において調整手段に相当する前記調整用ボルト９及び前記長孔３ｃにて調整が可能になっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005035682.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005035682.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像情報を含み所定の印刷処理を実行するための印刷ジョブの内容と、印刷処理に使用される記録材の属性情報とに基づいて、印刷処理が施される記録材のうち印刷処理の実行後に切除されるべき廃棄用部分の量を演算するための演算手段と、
前記演算手段により演算された前記廃棄用部分の量を記憶するための記憶手段とを有する記録材廃棄量の管理装置。
【請求項２】  前記演算手段は、前記廃棄用部分の面積と、前記記録材の厚さまたは単位面積当たりの重量とを用いて、前記廃棄用部分の量を演算する請求項１に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項３】  前記印刷ジョブは、印刷処理の実行スケジュールを含み、
前記演算手段はさらに、前記印刷処理の実行スケジュールを用いて、前記記憶手段に記憶される前記廃棄用部分の総量が所定量に達する日を演算する請求項１または２に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項４】  前記演算手段は、前記印刷ジョブの内容に関する変更が当該印刷ジョブに基づく印刷処理の実行前に行われた場合、変更後の印刷ジョブの内容を用いて演算を行う請求項１〜３のいずれか１つに記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項５】  前記演算手段は、前記印刷ジョブに基づく印刷処理が実行された場合、当該印刷処理の実行結果を反映させた前記印刷ジョブの内容を用いて演算を行う請求項１〜４のいずれか１つに記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項６】  前記記録材の厚さまたは単位面積当たりの重量を検出するための検出手段をさらに有する請求項２に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項７】  前記記録材の厚さまたは単位面積当たりの重量を入力するための記録材属性情報入力手段をさらに有する請求項２に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項８】  前記廃棄用部分の面積を入力するための廃棄用部分面積入力手段をさらに有する請求項２に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項９】  前記廃棄用部分の面積は、印刷処理に使用される記録材のサイズと、記録材上に形成される有効な画像の面積とに基づいて算出される請求項２に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１０】  前記有効な画像の面積は、印刷のためのラスタライズ処理が行なわれた画像の面積である請求項９に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１１】  前記有効な画像の面積は、印刷のためのラスタライズ処理が行なわれた画像に含まれる切断用マークにより規定される部分の面積である請求項９に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１２】  前記有効な画像の面積は、印刷のためのラスタライズ処理が行なわれた画像のサイズ以上の定型用紙サイズのうち最も小さいものの面積である請求項９に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１３】  前記廃棄用部分の総量が所定量に達する日をユーザに通知するための通知手段をさらに有する請求項３に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１４】  前記印刷ジョブの内容に関する変更には、印刷ジョブのキャンセル、印刷処理の実行スケジュールの変更、および印刷部数の変更が含まれる請求項４に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１５】  前記印刷処理の実行結果には、ユーザの指示に基づく印刷処理中における印刷中止が含まれる請求項５に記載の記録材廃棄量の管理装置。
【請求項１６】  画像情報を含み所定の印刷処理を実行するための印刷ジョブに基づいて記録材上に印刷処理を施すための印刷手段と、
前記印刷ジョブの内容と印刷処理に使用される記録材の属性情報とに基づいて、印刷処理が施される記録材のうち印刷処理の実行後に切除されるべき廃棄用部分の量を演算するための演算手段と、
前記演算手段により演算された前記廃棄用部分の量を記憶するための記憶手段とを有する画像形成装置。
【請求項１７】  画像情報を含み所定の印刷処理を実行するための印刷ジョブの内容と、印刷処理に使用される記録材の属性情報とに基づいて、印刷処理が施される記録材のうち印刷処理の実行後に切除されるべき廃棄用部分の量を演算する演算段階と、
前記演算段階において演算された前記廃棄用部分の量を記憶手段に書き込む書き込み段階と
を有する記録材廃棄量の管理方法。
【請求項１８】  画像情報を含み所定の印刷処理を実行するための印刷ジョブの内容と、印刷処理に使用される記録材の属性情報とに基づいて、印刷処理が施される記録材のうち印刷処理の実行後に切除されるべき廃棄用部分の量を演算する演算手順と、
前記演算手順において演算された前記廃棄用部分の量を記憶手段に書き込む書き込み手順と
をコンピュータに実行させるための記録材廃棄量の管理プログラム。
【請求項１９】  請求項１８に記載の記録材廃棄量の管理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック支持体上に少なくとも親水性層、画像形成機能層および裏塗り層を有する印刷版材料と印刷機の版胴の間に版下シート材料を介在させる印刷方法において、該版下シート材料表面と該印刷版材料の裏塗り層側表面との動摩擦係数が０．１〜０．５であることを特徴とする印刷方法。
【請求項２】
請求項１に記載の印刷方法において用いることを特徴とする版下シート材料。
【請求項３】
請求項１に記載の印刷方法において用いることを特徴とする印刷版材料であって、該印刷版材料の裏塗り層側の表面比抵抗が２３℃、２０％相対湿度で１×１０１１Ω以上、２×１０１３Ω以下でありかつ裏塗り層側のスムースター値が５〜１２０ｋＰａであることを特徴とする印刷版材料。
【請求項４】
プラスチック支持体上に少なくとも親水性層、画像形成機能層および裏塗り層を有する印刷版材料と印刷機の版胴の間に版下シート材料を介在させる版掛け方法において、該印刷版材料の裏塗り層側の表面比抵抗が２３℃、２０％相対湿度で１×１０１１Ω以上、２×１０１３Ω以下であり、該版下シート材料表面と該印刷版材料の裏塗り層側表面との動摩擦係数が０．１〜０．５であることを特徴とする版掛け方法。
【請求項５】
前記印刷版材料のプラスチック支持体がポリエステルフィルムであり、平均膜厚が１２０〜３００μｍで厚み分布が１０％以下であることを特徴とする請求項４に記載の版掛け方法。
【請求項６】
前記印刷版材料の画像形成機能層が熱溶融性微粒子または熱融着性微粒子を含有することを特徴とする請求項４または５に記載の版掛け方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
２）前記１）に記載の印刷方法において用いることを特徴とする版下シート材料。
３）前記１）に記載の印刷方法において用いることを特徴とする印刷版材料であって、該印刷版材料の裏塗り層側の表面比抵抗が２３℃、２０％相対湿度で１×１０１１Ω以上、２×１０１３Ω以下でありかつ裏塗り層側のスムースター値が５〜１２０ｋＰａであることを特徴とする印刷版材料。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
４）プラスチック支持体上に少なくとも親水性層、画像形成機能層および裏塗り層を有する印刷版材料と印刷機の版胴の間に版下シート材料を介在させる版掛け方法において、該印刷版材料の裏塗り層側の表面比抵抗が２３℃、２０％相対湿度で１×１０１１Ω以上、２×１０１３Ω以下であり、該版下シート材料表面と該印刷版材料の裏塗り層側表面との動摩擦係数が０．１〜０．５であることを特徴とする版掛け方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
５）前記印刷版材料のプラスチック支持体がポリエステルフィルムであり、平均膜厚が１２０〜３００μｍで厚み分布が１０％以下であることを特徴とする前記４）に記載の版掛け方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
６）前記印刷版材料の画像形成機能層が熱溶融性微粒子または熱融着性微粒子を含有することを特徴とする前記４）または５）に記載の版掛け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の衝突時における乗員の二次衝突エネルギを吸収する衝突エネルギ吸収手段と、該衝突エネルギ吸収手段による二次衝突エネルギの吸収量を変化させるエネルギ吸収量調整手段とを備えた衝撃吸収式ステアリングコラム装置であって、
ステアリングコラムと車体メンバとの間に締結部材が配され、該締結部材の変形により、前記ステアリングコラムを前記車体メンバに取り付けるとともに、前記締結部材は、磁歪素子で構成されたことを特徴とする衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項２】
前記締結部材の変形は、前記磁歪素子への磁場制御により調整される請求項１に記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項３】
前記締結部材には、前記磁歪素子の回りに電磁コイルが巻回され、該電磁コイルに印加される電圧を制御することにより、前記磁歪素子の変形量を制御するようにした請求項１又は２に記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項４】
前記磁歪素子は、ＮｉＭｎＧａ合金又はＣｏＡｌＮｉ合金に、希土類元素を添加してなる強磁性形状記憶合金で構成される請求項１乃至３の何れかに記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項５】
前記磁歪素子は、ＦｅＰｄ合金又はＦｅＰｔ合金に、希土類元素を添加してなる強磁性形状記憶合金で構成される請求項１乃至３の何れかに記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項６】
前記希土類元素は、Ｓｍ又はＮｄである請求項４又は５記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項７】
前記磁歪素子は、希土類元素と鉄の原子比を１：２の組成の素子で構成した請求項１乃至３の何れかに記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも一対のビード部に夫々埋設されたビードコアの周りにタイヤ内側から外側に折り返して係止されたカーカスと、該カーカスの、前記ビードコア間にトロイド状に延在する本体部と、該本体部に連続して設けられ該ビードコアの周りに折り返された巻上部と、の間に配置されるビードフィラーと、該カーカスのクラウン部外周に位置するトレッド部と、該カーカスのサイド部に位置するサイドウォール部と、前記トレッド部の内側に配置された少なくとも１層のベルト層とを備える空気入りタイヤにおいて、
前記カーカスの補強コードを構成するフィラメントのうち、少なくとも最外層フィラメントの、前記ビードフィラーのタイヤ内側部分における撚り角θ０が、タイヤ赤道面上における撚り角θｃより大であることを特徴とする空気入りタイヤ。
【請求項２】  前記撚り角θｃが３０°≦θｃ≦７７°であり、かつ、前記撚り角θ０が７８°≦θ０≦９０°である請求項１記載の空気入りタイヤ。
【請求項３】  前記撚り角θｃが３０°≦θｃ≦７５°であり、かつ、前記撚り角θ０が８０°≦θ０≦９０°である請求項２記載の空気入りタイヤ。
【請求項４】  少なくとも一対のビード部に夫々埋設されたビードコアの周りにタイヤ内側から外側に折り返して係止されたカーカスと、該カーカスの、前記ビードコア間にトロイド状に延在する本体部と、該本体部に連続して設けられ該ビードコアの周りに折り返された巻上部と、の間に配置されるビードフィラーと、該カーカスのクラウン部外周に位置するトレッド部と、該カーカスのサイド部に位置するサイドウォール部と、前記トレッド部の内側に配置された少なくとも１層のベルト層とを備える空気入りタイヤにおいて、
前記カーカスの補強コードを構成するフィラメントのうち、少なくとも最外層フィラメントの、前記ビードフィラーのタイヤ内側部分における撚り角θ０が、前記ベルト層端部とタイヤ最大幅部との略中間点における撚り角θｔより大であることを特徴とする空気入りタイヤ。
【請求項５】  前記撚り角θｔが３０°≦θｔ≦７７°であり、かつ、前記撚り角θ０が７８°≦θ０≦９０°である請求項４記載の空気入りタイヤ。
【請求項６】  前記撚り角θｔが３０°≦θｔ≦７５°であり、かつ、前記撚り角θ０が８０°≦θ０≦９０°である請求項５記載の空気入りタイヤ。
【請求項７】  重荷重用空気入りラジアルタイヤである請求項１〜６のうちいずれか一項記載の空気入りタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の上記空気入りタイヤ、特には重荷重用空気入りラジアルタイヤにおいては、前記撚り角θｃが３０°≦θｃ≦７７°であり、かつ、前記撚り角θ０が７８°≦θ０≦９０°であることが好ましく、より好ましくは、前記撚り角θｃが３０°≦θｃ≦７５°であり、かつ、前記撚り角θ０が８０°≦θ０≦９０°である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の上記空気入りタイヤにおいては、前記撚り角θｔが３０°≦θｔ≦７７°であり、かつ、前記撚り角θ０が７８°≦θ０≦９０°であることが好ましく、より好ましくは、前記撚り角θｔが３０°≦θｔ≦７５°であり、かつ、前記撚り角θ０が８０°≦θ０≦９０°である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
具体的には、タイヤ赤道面上における撚り角θｃについては、３０°≦θｃ≦７７°の範囲内、特には３０°≦θｃ≦７５°の範囲内とすることが好ましく、一方、ビードフィラーのタイヤ内側部分における撚り角θ０については、７８°≦θ０≦９０°の範囲内、特には８０°≦θ０≦９０°の範囲内とすることが好ましい。夫々の撚り角をこの範囲内とすることにより、トレッド部およびビードフィラー近傍における要求特性を確実に満足させることができ、上記本発明の効果をより良好に得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
具体的には、ベルト層端部とタイヤ最大幅部との略中間点における撚り角θｔについては、３０°≦θｔ≦７７°の範囲内、特には３０°≦θｔ≦７５°の範囲内とすることが好ましく、一方、ビードフィラーのタイヤ内側部分における撚り角θ０については、７８°≦θ０≦９０°の範囲内、特には８０°≦θ０≦９０°の範囲内とすることが好ましい。夫々の撚り角をこの範囲内とすることにより、ベルト層端部とタイヤ最大幅部との略中間点近傍およびビードフィラー近傍における要求特性を確実に満足させることができ、上記本発明の効果をより良好に得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇降路内に昇降自在に設けられた乗りかごと、前記昇降路の空間内または前記昇降路のピット床面積以下の狭隘な機械室内に設置された薄型同期電動機と、該薄型同期電動機の回転に伴ってパルスを発生するパルス発生器とを備え、前記薄型同期電動機の回転駆動力によって前記乗りかごを前記昇降路内で昇降させるとともに、前記パルス発生器からのパルスに基づいて前記乗りかごの昇降を制御するエレベータ装置において、前記薄型同期電動機によって回転駆動される回転構造体の外周面の端部の頂上部から周方向に約４５°引き下げた位置に摩擦駆動輪を当接させて設けるとともに、前記摩擦駆動輪を前記パルス発生器に連結してパルス発生器を摩擦駆動輪を介して回転駆動させる構成としたことを特徴とするエレベータ装置。
【請求項２】
請求項１において、前記パルス発生器を前記電動機又は前記回転構造体に並列に配置したことを特徴とするエレベータ装置。
【請求項３】
請求項１において、前記摩擦駆動輪及び前記パルス発生器で構成される計数手段は、前記薄型同期電動機による回転駆動を制動するブレーキ手段と並列に設けられたことを特徴とするエレベータ装置。
【請求項４】
昇降路内に昇降自在に設けられた乗りかごと、前記昇降路の空間内または前記昇降路のピット床面積以下の狭隘な機械室内に設置された薄型同期電動機と、該薄型同期電動機に接続されたシーブと、このシーブ巻き掛けられ一端が前記乗りかごに取り付けられたロープと、前記薄型同期電動機の回転に伴ってパルスを発生するパルス発生器とを備え、前記薄型同期電動機の回転駆動力によって前記乗りかごを前記昇降路内で昇降させるとともに、前記パルス発生器からのパルスに基づいて前記乗りかごの昇降を制御するエレベータ装置において、
前記薄型同期電動機によって回転駆動される回転構造体の外周面に当接させ、かつ、この当接箇所が前記ロープが巻き掛けられた前記シーブの面よりも径方向に高い位置になるように摩擦駆動輪を設けるとともに、前記摩擦駆動輪を前記パルス発生器に連結してパルス発生器を摩擦駆動輪を介して回転駆動させる構成としたことを特徴とするエレベータ装置。
【請求項５】
請求項１，２，３又は４において、
前記摩擦駆動輪は前記回転構造体よりも小さな径を有することを特徴とするエレベータ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と枠体とで構成される基板の枠体の内側に発光素子が搭載される半導体装置であって、前記基体はセラミック材料を主成分とする焼結体からなり枠体は金属、合金、ガラス及び樹脂から選ばれた少なくともいずれかを主成分とするものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記枠体は、反射率が１５％以上のものであることを特徴とする請求項１に記載された半導体装置。
【請求項３】
前記枠体は、光透過率が３０％以上のものであることを特徴とする請求項１に記載された半導体装置。
【請求項４】
セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に発光素子が搭載された半導体装置であって、前記焼結体は着色したものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に発光素子が搭載された半導体装置であって、前記焼結体は光透過率が５０％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に発光素子が搭載された半導体装置であって、前記焼結体は光透過率が１％以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記セラミック材料を主成分とする焼結体は、反射防止部材を有するものであることを特徴とする請求項１、４、５、又は６に記載されたいずれかの半導体装置。
【請求項８】
前記セラミック材料を主成分とする焼結体は、反射部材を有するものであることを特徴とする請求項１、４、５、又は６に記載されたいずれかの半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
胴−胴間隙（２３）のくさび状出口（２２）のところに位置する、前記排紙胴（７）の、真空が作用する角度領域（α）が前記回転弁（１９）によって形成されている、請求項４に記載の機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ディスク（１１）の少なくとも１つが他の前記ディスク（１１）に対して前記枚葉紙（１）の幅方向にスライド可能に支持されている、請求項２から８のいずれか１項に記載の機械。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
排紙胴７はいわゆるスケルトン胴（Skelett-Torommel）であり、回転する軸２５上に互いに距離をおいて設けられた、枚葉紙１を支持する複数のディスク１１を有している。両方のディスク１１の各々は、個々に、そして両方のディスク１１のうちの他方に対して軸２５に沿ってスライド可能に支持されている。両方のディスク１１をスライドさせることによって、互いの間を選択的に狭くしたり広くしたりすることができ、両方のディスク１１の各々を各印刷ジョブでの枚葉紙サイズに合わせて、ディスク１１が、枚葉紙１の、印刷画像が形成されない側縁のところだけで枚葉紙１に接触するように位置調節することができる。軸２５は、チェーン歯と噛み合う、チェーン搬送装置６のチェーンホイール１２が取付けられたいわゆるチェーンホイール軸として働く。ディスク１１は、くわえづめブリッジとして構成されたくわえづめ９がその循環時に中に隠れる、直径上の空き空間１３を有している。チェーン搬送装置６の循環速度と排紙胴７またはディスク１１の回転速度は同期させられている。さらに、対応するディスク１１を軸２５の、サイズに合った各軸位置に固定し、例えば、クランプによって留める固定装置１４が各ディスク１１に付属している。ディスク１１の外径は実質的に各チェーンホイール１２と圧胴４に相当している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
吸引空気溝１５のこれらの開口１７は、各ディスク１１の回転時に、ディスク１１と共に回転しない固定された吸引空気接続部１８と周期的に協働する。吸引空気接続部１８は円弧状の溝であり、吸引空気接続部１８に接続された（図には示していない）真空源によって発生する負圧下に持続的に置かれている。吸引空気接続部１８は開口１７に向かって開いており、開口１７は、ディスク１１が軸２５の幾何学的な軸線を中心として回転する時に、真空が作用させられている吸引空気接続部１８によって順次覆われ、吸引空気が吸引空気溝１５から吸引空気接続部１８に導かれる。開口１７によって形成される円弧状の各列は、周方向に見て、吸引空気接続部１８の円弧の長さよりも長いことが分かり、その結果、常に、各列の吸引空気溝１５の一部のみが吸引接続部１８に接続され、この列の全ての吸引空気溝１５が吸引接続部１８に同時に接続されることはない。すなわち、吸引空気溝１５は吸引接続部１８と共に、排紙胴７が、最初に実質的に受渡し点において始まり、排紙胴７の第４象限においてやっと終わる角度領域α内においてのみ外部に空気圧の作用を及ぼすように配置された回転弁１９を構成している。この角度領域αは胴−胴間隙２３のくさび状出口２２の直ぐ近くに位置している。出口１６は、回転弁１９の配置に基づいて、角度領域α内のみで枚葉紙１を吸い寄せるように働く。チェーン搬送装置６へと搬送される枚葉紙１が、角度領域α内において、真空が作用させられている出口１６によって排紙胴７に吸い寄せられて、回転しているディスク１１と接触し、排紙胴７の、湾曲した端部部分の下方において、角度領域α内まで延びる枚葉紙案内装置２０に間隔をおいて保持されることが特に重要である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
これを阻止する、本出願人が試験して成功した対策が次のように働く。すなわち、受渡し点（胴−胴間隙２３）の後で働く吸引空気溝１５と、この受渡し点の前に配置された空気吹き付け装置２１は、枚葉紙１が圧胴４と排紙胴７の外周線に正確に沿い、この重要な搬送時期の間、実質的にＳ字状に湾曲して延びた状態を保ち、それによって、枚葉紙１が被印刷体の、問題を生じるような波を形成するのが抑制されるように協働する。この試験において、空気吹き付け装置２１単独の働きでは、枚葉紙１１をその必要な移動経路に維持し、角度領域α内で枚葉紙案内装置２０に対して間隔を維持するのに完全には十分ではないことが分かった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ型半導体装置及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  凸部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、それぞれソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む第１の電界効果トランジスタ及び第２の電界効果トランジスタを形成するためのシリコン層とを有し、
前記第１の電界効果トランジスタは、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域が、前記絶縁膜の凸部の両側に設けられ、
前記チャネル領域が、前記絶縁膜の凸部上であってかつ前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に設けられ、その下面が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の下面よりも上に位置し、その上面が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面よりも下に位置し、
前記第２の電界効果トランジスタは、前記チャネル領域が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に設けられ、前記チャネル領域の下面及び上面が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の下面及び上面と同じ位置であるＳＯＩ型半導体装置。
【請求項２】  酸化膜上のシリコン層のチャネル領域の上部及び下部に選択的に酸素イオン又は増速酸化イオン種をイオン注入するイオン注入工程と、
熱処理又は酸化処理を行うことにより、前記チャネル領域の上部及び下部に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記チャネル領域の上部の酸化膜を除去することによりチャネル領域を露出させる除去工程と
を有するＳＯＩ型半導体装置の製造方法。
【請求項３】  さらに、前記イオン注入工程の前に、前記チャネル領域にｎ型又はｐ型チャネルを形成するための不純物を導入する工程を有する請求項２記載のＳＯＩ型半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記イオン注入工程は、チャネル領域の下部に酸素イオンを注入し、チャネル領域の上部に増速酸化イオン種を注入し、
前記酸化膜形成工程は、不活性ガス中における熱処理及びドライ酸化処理を行う請求項２又は３記載のＳＯＩ型半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、凸部を有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、それぞれソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む第１の電界効果トランジスタ及び第２の電界効果トランジスタを形成するためのシリコン層とを有するＳＯＩ型半導体装置が提供される。第１の電界効果トランジスタは、ソース領域及びドレイン領域が、絶縁膜の凸部の両側に設けられ、チャネル領域が、絶縁膜の凸部上であってかつソース領域及びドレイン領域の間に設けられ、その下面がソース領域及びドレイン領域の下面よりも上に位置し、その上面がソース領域及びドレイン領域の上面よりも下に位置する。第２の電界効果トランジスタは、チャネル領域が、ソース領域及びドレイン領域の間に設けられ、チャネル領域の下面及び上面がソース領域及びドレイン領域の下面及び上面と同じ位置である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  窓構造を出射端面に備えたＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子の製造方法において、
活性層上にＡｌＧａＡｓクラッド層及びＧａＡｓキャップ層を有する積層構造体を形成する工程と、
ＧａＡｓキャップ層のみを選択的にエッチングしてＧａＡｓキャップ層にストライプ状開口を設け、開口からＡｌＧａＡｓクラッド層を露出させる工程と、
気相Ｚｎ拡散法によりＧａＡｓキャップ層上から全面Ｚｎ拡散を行い、活性層を貫通するＺｎ拡散領域を開口下に形成する工程と、
開口下のＺｎ拡散領域に沿って積層構造体をへき開し、ファブリペロー共振器を形成すると共に、Ｚｎ拡散領域からなる窓構造をファブリペロー共振器の端面に設ける工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】  開口の幅が１０μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】  クエン酸系エッチャント又はアンモニア系エッチャントでＧａＡｓキャップ層を選択的にエッチングして、ＡｌＧａＡｓクラッド層を露出させた開口を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】  Ｚｎ拡散領域を形成する工程では、Ｚｎ源としてＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）ガス又はＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）ガスを水素ガスに同伴させて気相Ｚｎ拡散を行う反応器に供給すると共に、ＧａＡｓ層及びＡｌＧａＡｓ層のＡｓを補充するためにＡｓＨ３を水素ガスに同伴させて反応器に供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。