【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と導波基板と薄膜層とを備え、
前記薄膜層は、前記ベース基板と前記導波基板との間に設けられていて、Ｔａ2Ｏ5またはＮｂ2Ｏ5を主成分とする膜を含む単層または多層構造である、光学素子。
【請求項２】
前記ベース基板と前記薄膜層との間、および前記導波基板と前記薄膜層との間の少なくとも一方が直接接合によって接合されている、請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記導波基板は、ＬｉＮｂxＴａ(1-x)Ｏ3（０≦ｘ≦１）からなる、請求項１に記載の光学素子。
【請求項４】
前記導波基板に光導波路が形成されている、請求項１に記載の光学素子。
【請求項５】
前記薄膜層の厚みが５０ｎｍ以上である、請求項１に記載の光学素子。
【請求項６】
前記薄膜層は、直接接合によって接合される面に、Ｔａ2Ｏ5またはＮｂ2Ｏ5の何れかを主成分とする膜が形成されている、請求項２に記載の光学素子。
【請求項７】
前記薄膜層は、１００℃以上の温度雰囲気中で前記ベース基板または前記導波基板上に成膜された膜である、請求項１に記載の光学素子。
【請求項８】
前記薄膜層は、金属層を有する多層膜であり、
前記金属層は、前記導波基板側の表面には形成されておらず、
前記導波基板は、前記薄膜層と接合されている、請求項１に記載の光学素子。
【請求項９】
前記金属層は、前記薄膜層の前記ベース基板側の表面に形成されている、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１０】
前記金属層の前記導波基板側の面と、前記導波基板の前記金属層側の面とが、５０ｎｍ以上離れている、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１１】
前記金属層と光入射端表面との距離は、１μｍを超えている、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１２】
前記導波基板が、波長λの光に対して透明な結晶であり、波長λの光に対する屈折率がｎ1である材料からなり、
前記ベース基板が、前記波長λの光に対する屈折率がｎ2である材料からなり、
前記薄膜層は、前記波長λの光に対する屈折率がｎ3である材料からなり、
ｎ1＞ｎ3，ｎ2＞ｎ3の場合は、前記薄膜層の厚みＴが、
Ｔ≠（ｋ×λ）／（２×ｎ3）であり、
ｎ1＞ｎ3＞ｎ2の場合は、
Ｔ≠（（２ｋ−１）×λ）／（４×ｎ3）となる請求項１に記載の光学素子。
ただし、ｎ3≠ｎ1≠ｎ2であり、ｋは自然数である。
【請求項１３】
前記波長λは、３８０ｎｍ、４１０ｎｍ、４４１．６ｎｍ、４８８ｎｍ、５３２ｎｍ、６３２．８ｎｍのいずれかである、請求項１２に記載の光学素子。
【請求項１４】
前記導波基板は、透明な結晶であり、
前記薄膜層は、屈折率の異なる複数の誘電体材料からなる多層膜構造であって、
前記所定の波長の光が、前記導波基板に対して垂直に入射した場合に、各層での反射光の位相差がお互いに打ち消し合うことのない、請求項１に記載の光学素子。
【請求項１５】
前記透明な結晶は、３８０ｎｍ、４１０ｎｍ、４４１．６ｎｍ、４８８ｎｍ、５３２ｎｍ、６３２．８ｎｍのいずれかの波長の光に対して、光透過性を有する、請求項１４に記載の光学素子。
【請求項１６】
導波基板とベース基板とを備え、
前記導波基板と前記ベース基板とが接合されていて、
前記導波基板と前記ベース基板との接合面において、一部に、接合していない非接合領域を備えている光学素子。
【請求項１７】
前記導波基板と前記ベース基板とは、直接接合によって接合されている、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項１８】
前記導波基板と前記ベース基板との屈折率は略等しい、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項１９】
前記導波基板と前記ベース基板とは、間に薄膜層を介して接合されている、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項２０】
前記導波基板と前記薄膜層との間、および前記ベース基板と前記薄膜層との間の少なくとも一方は、直接接合により接合されている、請求項１９に記載の光学素子。
【請求項２１】
前記導波基板には、光導波路が形成され、
前記非接合領域の幅は、前記光導波路の鉛直方向への投影面の幅以上であり、
前記投影面は、前記非接合領域内にある、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項２２】
前記光導波路はリッジ光導波路である、請求項２１に記載の光学素子。
【請求項２３】
前記非接合領域は、前記導波基板および前記ベース基板の少なくとも一つを、厚み方向に、凹状に加工することにより形成されている、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項２４】
前記非接合領域の厚みは、０．０１μｍ以上である、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項２５】
前記非接合領域に、前記導波基板よりも屈折率の小さい充填材料が形成されている、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項２６】
前記充填材料は、紫外線硬化樹脂である、請求項２５に記載の光学素子。
【請求項２７】
前記充填材料が、誘電体材料である、請求項２５に記載の光学素子。
【請求項２８】
前記充填材料は、前記導波基板に接して、前記光導波路の鉛直方向への投影面には少なくとも形成されている、請求項２７に記載の光学素子。
【請求項２９】
前記非接合領域は複数設けられていて、前記非接合領域は、等間隔に形成されている、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項３０】
前記非接合領域の前記導波基板面に接するように、前記導波基板よりも屈折率の小さい材料からなる薄膜が形成されている、請求項１６に記載の光学素子。
【請求項３１】
導波基板およびベース基板の少なくとも一方の主面に非接合領域となる凹部を形成し、
前記非接合領域を、前記導波基板と前記ベース基板とに挟まれるように、前記前記導波基板と前記ベース基板どうしを接合する光学素子の製造方法。
【請求項３２】
前記導波基板と前記ベース基板のいずれか一方の主面を基板厚み方向に凹状加工することで、前記凹部を形成する、請求項３１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３３】
前記導波基板と前記ベース基板のいずれか一方の主面に、薄膜を形成し、当該薄膜を厚み方向に凹状加工することで、前記凹部を形成する、請求項３１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３４】
前記凹状加工を施した面に薄膜を形成し、
前記薄膜を形成した面をＣＭＰ加工して平坦化し、
前記非接合領域が、前記導波基板と前記ベース基板とに挟まれるように、前記前記導波基板と前記ベース基板の主面どうしを直接接合する、請求項３１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３５】
前記ベース基板に前記凹部を形成し、
前記導波基板の主面に薄膜を形成し、
前記薄膜が、前記非接合領域内に形成されるように、前記前記導波基板と前記ベース基板どうしを接合する、請求項３１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３６】
前記導波基板と前記ベース基板どうしを接合後に、前記導波基板と前記ベース基板との間に、前記凹部により形成されている間隙に、前記導波基板よりも屈折率の小さい充填材料を充填する、請求項３１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３７】
前記導波基板と前記ベース基板どうしの接合は、直接接合である、請求項３１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３８】
ベース基板を厚さ方向に凹状加工することにより、等間隔で配置された複数の溝を形成し、
前記ベース基板に、他の前記ベース基板を、それぞれの前記溝が向き合い、かつそれぞれの前記溝が直交するようにして接合し、前記基板を、前記溝が露出するまで研磨することにより、積層ベース基板を形成する積層工程を行い、
前記積層ベース基板に対し、前記積層工程を繰り返す光学素子の製造方法。