【事件の表示】
　平成　５年特許願第　８０７６０号「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年１０月２１日出願公開、特開平　６−２９５９１９、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯・本件発明
　本件は、平成５年４月７日の特許出願であって、その請求項に係る発明は、平成１１年６月１７日付け手続補正書及び平成１２年６月１９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】少なくともコレクタ層、ベース層及びエミッタ層を有し、前記コレクタ層、ベース層及びエミッタ層にコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞれ形成され、前記ベース層と前記エミッタ層との間に遷移層が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
　エミッタ層がＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ（０．２≦ｙ≦０．５）からなり、ベース層がＧａＡｓからなり、前記遷移層がベース層からエミッタ層に向かって組成傾斜を有しているＡｌｘＧａ1-ｘＡｓからなり、前記遷移層におけるエミッタ側のｘが前記エミッタ層のｙと等しく、ベース層側のｘが０．１≦ｘ≦０．１５であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】少なくともコレクタ層、ベース層及びエミッタ層を有し、前記コレクタ層、ベース層及びエミッタ層にコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞれ形成され、前記ベース層と前記エミッタ層との間に遷移層が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
　エミッタ層がＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ（０．３≦ｙ≦０．５）からなり、ベース層がＧａＡｓからなり、前記遷移層がベース層からエミッタ層に向かって組成傾斜を有しているＡｌｘＧａ1-ｘＡｓからなり、前記遷移層におけるエミッタ側のｘが前記エミッタ層のｙと等しく、ベース層側のｘが０．１≦ｘ≦０．２５であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】前記遷移層における組成傾斜が直線的又は段階的であることを特徴とする請求項１又は２に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」
　
２．引用例
　これに対して、原審における拒絶の理由に引用された刊行物、特開平３−８８３３５号公報（以下引用例１という）には、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
「　前記手段を採ることに依り、エミッタ層は選択的エッチングで形成することができ、そして、エッチング・ストッパとして介挿した逆グレーデッド層は再現性よく高精度で除去できることからベース層は所要の厚さを均一に保持した状態で表出され、セルフ・アライメント方式を実施して微細加工をするのに好適な構成が得られ、高速化及び低消費電力化に有効である。また、エミッタ層とベース層との間にはアブラプト接合が存在していることから、ホット・エレクトロン注入効果が発生し易く、従って、動作速度の向上並びにホール閉じ込めに依る電流利得の向上を図ることができる。尚、ベース層をＧａＡｓで構成した場合には、エミッタ層に対向するベース層の表面にはワイド・エネルギ・バンド・ギャップ化合物半導体薄膜が存在することになるから、ベース層での表面再結合が抑制されて電流利得の低下を防止することもできる。」（第３頁右上欄第１２ないし左下欄第９行）が第７図と共に記載されている。
　同じく、引用された特開昭６１−２９２３６５号公報（以下、引用例２という。）には、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
「[発明の目的]
　本発明は上記の点に鑑みなされたもので、バンドギャップの大きい物質からなるエミッタ領域と、バンドギャップの小さい物質からなるベース領域の間に遷移領域を有し、且つその製造プロセス制御が容易で、優れた直流特性、高周波特性が得られるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する事を目的とする。」（第２頁右下欄第３行〜第１０行）
「第１図はｎ＋型ＧａＡｓ基板２を用い、この基板２上に不純物として例えばＳｉを含有するｎ型ＧａＡｓコレクタ領域３、不純物として例えばＢｅを含有するｐ型ＧａＡｓベース領域４、不純物として例えばＳｉを含有する、組成がステップ状に変化する複数個の層からなる遷移領域６、不純物として例えばＳｉを含有する広バンドギャップのＧａ０．７Ａｌ０．３Ａｓエミッタ領域７を順次成長した場合を示している。トランジスタはこの様に作成されたエミッタ、ベース、コレクタの各領域に電気的に接触する電極を形成する事で作成される。」（第３頁左下欄第２行〜第１２行）
「本発明による構造と、従来の線形に滑らかにバンドギャップの変化する遷移領域を有する構造のトランジスタ特性を比較して第３図及び第４図に示した。これらの図中Ａは本発明の構造のトランジスタでベースからエミッタに向ってＡｌモル比、層厚が０．０６、４０Å、０．１２、４０Å、０．１８、４０Å、０．２２、４０Å、０．２６、４０Åである５層からなる遷移領域を有する場合の特性である。」（第４頁左上欄第１９行〜右上欄第７行）が、第１図、第２図、第３図、および、第４図と共に記載されている。
　よって、引用例２には、「少なくともコレクタ層、ベース層及びエミッタ層を有し、前記コレクタ層、ベース層及びエミッタ層にコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞれ形成され、前記ベース層と前記エミッタ層との間に遷移層が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、エミッタ層がＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ（ｙ＝０．３）からなり、ベース層がＧａＡｓからなり、前記遷移層がベース層からエミッタ層の向かって組成傾斜を有しているＡｌｘＧａ1-ｘＡｓからなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」が、記載されている。
３．当審の判断
（１）請求項１について検討する。
　本件請求項１に係る発明と引用例２に記載された発明とを対比すると、引用例２に記載された発明の、エミッタ層と遷移層の間のＡｌモル比の段差は、０．０４であり、そのベース側の隣の段差と同じ大きさであるから、エミッタ層と遷移層とは、階段状につながっていると認められる。また、引用例２に記載された発明の、エミッタ層のＡｌの組成比は０．３であり、この値は、本件請求項１に記載の発明のＡｌの組成比　０．２≦ｙ≦０．５　の範囲内であるから、Ａｌの組成比においても一致している。
　よって、両者は、「少なくともコレクタ層、ベース層及びエミッタ層を有し、前記コレクタ層、ベース層及びエミッタ層にコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞれ形成され、前記ベース層と前記エミッタ層との間に遷移層が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
　エミッタ層がＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ（ｙ＝０．３）からなり、ベース層がＧａＡｓからなり、前記遷移層がベース層からエミッタ層に向かって組成傾斜を有しているＡｌｘＧａ1-ｘＡｓからなり、前記遷移層におけるエミッタ側のｘが前記エミッタ層のｙと等しくなっていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」である点で一致し、本願発明が、遷移層の組成のベース層側のｘの値において、「０．１≦ｘ≦０．１５」であるのに対し、引用例２に記載の発明では、ｘの値が「０．０６」である点で相違する。
　上記相違点について、検討するに、引用例２は、製造プロセス制御が容易で、優れた直流特性、高周波特性が得られるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することを目的とする発明であるが、そのトランジスタ動作において、表面再結合を減少させることにより、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性を容易に向上させることが可能とする点については記載も示唆もない。また、引用例２に記載の発明では、「滑らかにバンドギャップの変化する遷移領域を有する構造」を得ることを目的としており、引用例２に記載の発明において、遷移層の組成のベース層側のｘの値を段差が大きくなるように変更することは、引用例２の目的からみて、容易に予測し得る構成とはいえない。
　また、引用例１には、エミッタ層を選択的エッチングで形成する際にエッチング・ストッパとして逆グレーデッド層を介挿したものであるが、「表面再結合を減少させることにより、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性を容易に向上させることが可能となる」点については記載も示唆もなく、さらに、上記引用例１及び２に記載の発明と組み合わせる動機付けもないので、引用例１に記載の発明と、引用例２に記載の発明とを組み合わせることが、当業者に容易になし得たとは認められない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、当該構成を有することにより、表面再結合を減少させ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性を容易に向上させることが可能となるという格別の効果を有するものである。
（２）請求項２について検討する。
　本件請求項２に記載の発明は、Ａｌの組成比の範囲が、請求項１では、０．２≦ｙ≦０．５、０．１≦ｘ≦０．１５であるのに対し、請求項２では、０．３≦ｙ≦０．５、０．１≦ｘ≦０．２５である点でのみ相違し、他の構成は同じであるから、請求項１に記載の発明と同様の理由により引用例１ないし２に記載の発明から容易になし得たとは認められない。
（３）請求項３について検討する。
　本件請求項３に係る発明は、請求項１または２の記載を引用しているので、請求項１に記載の発明と同様の理由により引用例１ないし２に記載の発明から容易になし得たとは認められない。
　
４．むすび
　したがって、本件請求項１ないし３に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記の引用例１ないし２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。