【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザと、
ディフラクティブオプティクスと、
を有し、
前記ディフラクティブオプティクスは、前記レーザから射出されるレーザ光が被照射面に対して斜めに入射されるように設置され、
前記レーザ光の形状は、前記ディフラクティブオプティクスにより、前記被照射面において線状になるように変形され、
基板上に設置された前記被照射体に入射する前記被照射面でのレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザと、
凸レンズと、
を有し、
前記凸レンズは、前記レーザから射出されるレーザ光が前記被照射面に対して斜めに入射されるように設置され、
前記レーザ光の形状は、前記凸レンズにより、前記被照射面において線状になるように変形され、
基板上に設置された前記被照射体に入射する前記飛翔斜面でのレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記凸レンズは、非球面レンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、ブリュースター角であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザ光または気体レーザ光または金属レーザ光であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ光、ＹＶＯ４レーザ光、ＹＬＦレーザ光、ＹＡｌＯ３レーザ光、ガラスレーザ光、ルビーレーザ光、アレキサンドライドレーザ光、Ｔｉ：サファイアレーザ光から選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、Ａｒレーザ光、Ｋｒレーザ光、ＣＯ２レーザ光から選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のヘリウムカドミウムレーザ光、銅蒸気レーザ光、金蒸気レーザ光から選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記レーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
レーザからレーザ光を射出させ、
前記レーザ光を前記ディフラクティブオプティクスに入射させ、
前記ディフラクティブオプティクスを経由したレーザ光を、被照射面に対して斜めに入射させ、
前記レーザ光の形状は、前記ディフラクティブオプティクスにより被照射面において線状になるように変形され、
前記線状のレーザ光は、前記被照射体に対して相対的に移動しながら照射され、
基板上に設置された前記被照射体に入射する前記被照射面でのレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
レーザからレーザ光を射出させ、
前記レーザ光を凸レンズに対して入射させ、
前記凸レンズを経由したレーザ光を、被照射面に対して斜めに入射させ、
前記レーザ光の形状は、前記凸レンズにより被照射面において線状になるように変形され、
前記線状のレーザ光は、前記被照射体に対して相対的に移動しながら照射され、
基板上に設置された前記被照射体に入射する前記被照射面でのレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記凸レンズとして、非球面レンズを用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、ブリュースター角であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザ光または気体レーザ光または金属レーザ光であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ光、ＹＶＯ４レーザ光、ＹＬＦレーザ光、ＹＡｌＯ３レーザ光、ガラスレーザ光、ルビーレーザ光、アレキサンドライドレーザ光、Ｔｉ：サファイアレーザ光から選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、Ａｒレーザ光、Ｋｒレーザ光、ＣＯ２レーザ光から選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のヘリウムカドミウムレーザ光、銅蒸気レーザ光、金蒸気レーザ光から選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記レーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１９】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜とレーザ光とを相対的に移動させながら、前記レーザ光を照射することにより前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜に不純物元素を添加し、
前記不純物元素が添加された半導体膜と前記レーザ光とを相対的に移動させながら、前記レーザ光を照射することにより、前記半導体膜に添加された不純物元素を活性化し、
前記レーザ光は、ディフラクティブオプティクスを経由して前記半導体膜に照射され、
前記ディフラクティブオプティクスを経由したレーザ光の形状は、前記半導体膜表面において線状になるように変形され、
前記ディフラクティブオプティクスを経由したレーザ光が前記半導体膜に対して斜めに入射され、
前記半導体膜に入射する前記半導体膜表面でのレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記半導体膜に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜とレーザ光とを相対的に移動させながら、前記レーザ光を照射することにより前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜に不純物元素を添加し、
前記不純物元素が添加された半導体膜と前記レーザ光とを相対的に移動させながら、前記レーザ光を照射することにより、前記半導体膜に添加された不純物元素を活性化し、
前記レーザ光は、凸レンズを経由して前記半導体膜に照射され、
前記凸レンズを経由したレーザ光の形状は、前記半導体膜表面において線状になるように変形され、
前記凸レンズを経由したレーザ光が前記半導体膜に対して斜めに入射し、
前記半導体膜に入射する前記半導体膜表面でのレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記半導体膜に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項２０において、
前記凸レンズとして、非球面レンズを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至請求項２１のいずれか１項において、
前記被照射体に対して入射する前記レーザ光の入射角θが、ブリュ−スター角であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザ光または気体レーザ光または金属レーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ光、ＹＶＯ４レーザ光、ＹＬＦレーザ光、ＹＡｌＯ３レーザ光、ガラスレーザ光、ルビーレーザ光、アレキサンドライドレーザ光、Ｔｉ：サファイアレーザ光から選ばれた一種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１９乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記レーザ光は、Ａｒレーザ光、Ｋｒレーザ光、ＣＯ２レーザ光から選ばれた一種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１９乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振のヘリウムカドミウムレーザ光、銅蒸気レーザ光、金蒸気レーザ光から選ばれた一種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１９乃至請求項２６のいずれか１項において、
前記レーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１９乃至請求項２７のいずれか１項において、
前記半導体膜は、珪素を含む膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。