【手続補正書】
【提出日】平成18年8月16日(2006.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  特に光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源用のカソード電極において、
カソード電極は、少なくとも部分的にエネルギーバンドの間に少なくとも３ｅＶの好ましくは最大可能なエネルギーバンドギャップ（ワイドバンドギャップ）を有する材料から成ることを特徴とするカソード電極。
【請求項２】  最適な一次及び二次電子放出用のカソード電極のワイドバンドギャップ材料がドープされていることを特徴とする請求項１に記載のカソード電極。
【請求項３】  カソード電極のワイドバンドギャップ材料が、少なくとも部分的にドープされたダイヤモンド、ドープされたＧａＮ又はドープされたＡｌＮ又はドープされたＡｌＧａｌｎＮ−合金から成ることを特徴とする請求項２に記載のカソード電極。
【請求項４】  カソード電極用のワイドバンドギャップ材料が窒素（Ｎ）又は硫黄（Ｓ）をドープされたダイヤモンド、更には硼素（Ｂ）及び窒素（Ｎ）を共にドープされたダイヤモンド又はＮドープされた結晶６Ｈ−ＳｉＣ及び４Ｈ−ＳｉＣ（炭化シリコン）又はＧａＮ、ＡｌＮ並びにＡｌＧａｌｎＮ−合金、Ｚｎ、Ｓｉ又はＺｎ＋Ｓｉ並びにＢＮ、ＣＮ、ＢＣＮ及び他のｎドープされた窒化物、硼化物及び酸化物であることを特徴とする請求項３に記載のカソード電極。
【請求項５】  カソード電極が例えばガス位相分離（ＣＶＤ−プロセス）又はスパッタリングによって又はエピタキシャル技術によってつけられ、ドープされたダイヤモンド、ドープされたＧａＮ又はドープされたＡｌＮ又はドープされたＡｌＧａｎＮ−合金等から成る被覆膜を備えた金属下部構造を有することを特徴とする請求項１から４までのうちのいずれか１つに記載のカソード電極。
【請求項６】金属下部構造がタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）又はタンタル（Ｔａ）から成ることを特徴とする請求項５記載のカソード電極。
【請求項７】  特にジャケット状のアノード電極、外部マグネットコイル及びカソード電極を備えた光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源において、
カソード電極は、少なくとも部分的にそのエネルギーバンドの間の好ましくは最大可能なワイドバンドギャップを有する材料から成り、その際最適の一次及び二次電子放出用のカソード電極のワイドバンドギャップ材料がドープされていることを特徴とする前記プラズマ発生源。
【請求項８】  カソード電極が、少なくとも部分的にドープされたダイヤモンド、ドープされたＧａＮ又はドープされたＡｌＮ又はドープされたＡｌＧａｌｎＮ−合金等から成ることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生源。
【請求項９】  カソード電極が、例えばガス位相分離（ＣＶＤ−プロセス）又はスパッタリングによって又はエピタキシャル技術によってつけられ、ドープされたダイヤモンド、ドープされたＧａＮ又はドープされたＡｌＮ又はドープされたＡｌＧａｌｎＮ合金等から成る被覆膜を備えた金属下部構造を有することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ発生源。
【請求項１０】  金属下部構造が、好ましくはタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）又はタンタル（Ｔａ）から成ることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ発生源。
【請求項１１】  カソード電極が円筒状、円錐状、鉢状、フード又はドーム状又は格子状形を有することを特徴とする請求項９に記載のプラズマ発生源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これに関連して、一次電子放射若しくは二次電子では、カソードからの電子放出の発生のための従来から使用されている方法、即ち電界放出（印加された電界によるカソードからの電子放出）又は熱電子放出（同一の印加電界における加熱されたカソードからの電子放出）又は熱的放出（同時に印加される電界における加熱されたカソードからの電子放出）による方法が理解される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
カソード用の高められた電子放出のそのような材料は、本発明の他の構成でドープされたダイヤモンドであり、更に窒化ガリウム（ＧａＮ）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はアルミニウム−ガリウム−インジウムーニトリド（ＡｌＧａｌｎＮ）合金のような材料である。そのような電子は、例えばガス位相分離（ＣＶＤ−プロセス）、スパッタリング、又はエピタキシャル技術によってつくられることができる。電子は、直接直流又は誘導高周波によって、また、間接的に二次抵抗加熱（熱的放射体）によっても加熱されることができる。電子は、それからカソードから熱電子的に電界放射の小さい割合をもって放出される。しかしカソードは、アノードとカソードとの間の充分大きな予備電圧の印加によって、電界放射において効果的に増幅されることができる。酸化金属から成るカソードとは異なり、ここではイオン放射が二次電子の所望の高められた放出を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すべての他の材料と比して、次の表に示すように、ダイヤモンドの物理的特性  は、公知のすべての値領域について示されている。
特性                                値                            単位
誘電定数                      ５．６１
誘電強度                      １．０×１０7                   Ｖ／ｃｍ
誘電損失                      ６．０×１０- 4             タンジェント
屈折率                        ２．４
バンドギャップ                ５．４５                            ｅＶ
正孔移動度                    １．６×１０3         ｃｍ2 ／Ｖ−ｓｅｃ
正孔速度                      １．０×１０7               ｃｍ／ｓｅｃ
電子移動度                    ２．２×１０3         ｃｍ2 ／Ｖ−ｓｅｃ
電子速度                      ２．２×１０7               ｃｍ／ｓｅｃ
抵抗                          １．０×１０13              ｏｈｍ−ｃｍ
熱伝導率                      ２０００                      Ｗ／ｍ−Ｋ
熱膨張係数                    １．１×１０-6                  ／Ｋ
作動関数（１１１）面          −４．５                            ｅＶ
格子定数                      ３．５７                オングストローム
カソードのダイヤモンド材料は、従来のカソード材料に比して二次電子の非常に高い放出能力を有する。ダイヤモンドは化学的に非常に安定している。このことは、イオン照射により生じるカソード浸食を減少させかつそれによってプラズマ発生源の汚染を少なくする。これに対してカソードの少ない摩耗量は、効果的にその寿命並びにプラズマの安定性を完全する。更にダイヤモンドは、高い熱伝導率を有し、その結果間接的又は直接的な加熱によって発生する熱は迅速かつ均一に全カソードに行き渡る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
受容部におけるプラズマの発生のための放電−ガス又は放電−ガス混合物は、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）等のような不活性ガス（作業ガス）である。この際アノード及びカソードは、プラズマの放電電圧及び放電電流の制御のための電源と接続している。