【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にサブミクロンサイズの凹凸（relief）を有するようなサブミクロンサイズの起伏（feature）を含む電気相互配線起伏（electrical  interconnect  feature）を有する半導体集積回路機器基板上に電気鍍金をすることにより銅を沈積させる方法であって、該方法は、
半導体集積回路機器基板をイオン性銅と欠陥減少剤の有効量を含む電気鍍金浴に浸漬し、そして、浴から半導体集積回路機器基板上へ電気鍍金により銅を沈積させて前記凹凸の底を上げるように迅速に沈積させることによりサブミクロンサイズの凹凸をスーパーフィルし、それによってスーパーフィルによる突起状欠陥、表面の粗面性、および不均一成長による空隙生成の発現が減少し、そして半導体集積回路機器基板の面の巨視的な平面性が改善される前記方法であって；
ここで、前記欠陥減少剤は、ａ）脂肪族ポリアミン化合物、ｂ）高分子状含窒素複素環式化合物、ｃ）塩化ベンジルとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｄ）塩化ベンジルとポリエチレンイミンとの反応生成物、ｅ）１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｆ）ポリビニルピリジン、ｇ）ポリビニルイミダゾール、ｈ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩、およびｉ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩からなる群から選ばれるものである。
【請求項２】
沈積物厚みは最も厚い点における沈積物の上部表面から基板表面までを測定するものとして、沈積物が約１ミクロンの沈積物厚みを有しそして変化しても沈積物厚み方向に約０．２ミクロンだけ変化する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
平滑化した基板を得るよう化学的および機械的作用により銅沈積物の一部を除去する方法を含み、該方法においては、除去する銅沈積物の量が前記欠陥減少剤を用いることなしに電気鍍金して得られる比較の基板において平滑化された基板を得るために化学的および機械的作用で銅沈積物を除去する量よりも少ないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
欠陥減少剤が脂肪族ポリアミン化合物である請求項１、２または３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
欠陥減少剤が高分子含窒素複素環系化合物である請求項１、２または３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
欠陥減少剤が、ベンジル  クロライドとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項１、４または６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
欠陥減少剤が、ベンジル  クロライドとポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項１、２または３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
欠陥減少剤が、１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチルポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項１、２または３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
欠陥減少剤が、ポリビニルピリジンおよびポリビニルイミダゾールならびにこれらの第四級塩からなる群から選ばれる請求項１、２または３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
表面にサブミクロンサイズの凹凸を有するようなサブミクロンサイズの起伏を含む電気的相互配線起伏を有する半導体集積回路機器基板上に電気鍍金をすることにより銅を沈積させる方法であって、該方法は、
基板をイオン性銅および銅沈積における再結晶と粒子成長の速度を減少させる欠陥減少剤の有効量を含む電気鍍金浴中に浸漬し、それにより銅沈積内の内部空隙の形成を減少させ；そして、
前記凹凸の底を上げるように迅速に沈積させることによりサブミクロンサイズの凹凸をスーパーフィルするために前記浴から電気鍍金により銅を沈積させ、続いて減少した速度で再結晶化と粒子成長を行い、そしてそれにより内部空隙濃度が減少することからなることを特徴とする方法であって；
ここで、前記欠陥減少剤は、ａ）脂肪族ポリアミン化合物、ｂ）高分子状含窒素複素環式化合物、ｃ）塩化ベンジルとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｄ）塩化ベンジルとポリエチレンイミンとの反応生成物、ｅ）１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｆ）ポリビニルピリジン、ｇ）ポリビニルイミダゾール、ｈ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩、およびｉ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩からなる群から選ばれるものである。
【請求項１１】
欠陥減少剤が、脂肪族ポリアミン化合物である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
欠陥減少剤が、高分子含窒素複素環系化合物である請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
欠陥減少剤が、ベンジル  クロライドとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
欠陥減少剤が、ベンジル  クロライドとポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
欠陥減少剤が、１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチルポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
欠陥減少剤が、ポリビニルピリジンおよびポリビニルイミダゾールならびにこれらの第四級塩からなる群から選ばれる請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
その表面にサブミクロンサイズの凹凸を有するようなサブミクロンサイズの起伏を含む電気的相互配線起伏を有する半導体集積回路機器基板上に電気鍍金をすることにより銅を沈積させる方法であって、該方法は、
基板を、イオン性銅と、欠陥減少剤を用いないほかは同一の条件で得られた銅沈積物と比較してより高い塩素含量を有する銅沈積物を得る結果となる欠陥減少剤の有効量を含む電気鍍金浴中に浸漬し、；そして、
サブミクロンサイズの凹凸を埋めるように前記浴から電気鍍金により銅を沈積させ、該沈積物は前記高い塩素含量を有することからなる方法。
【請求項１８】
沈積物における高い塩素含量が少なくとも約１×１０１９ａｔｍ／ｃｍ３である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
沈積物における高い塩素含量が少なくとも約４．０×１０１９ａｔｍ／ｃｍ３である請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
欠陥減少剤を用いないほかは同一の条件で得られる沈積物と比較して沈積物が高い窒素含量を有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
沈積物における高い窒素含量が少なくとも約１．０×１０１８ａｔｍ／ｃｍ３である請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
欠陥減少剤を用いないほかは同一の条件で得られる沈積物と比較して沈積物が高い硫黄含量を有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
沈積物における高い硫黄含量が少なくとも約３．０×１０１８ａｔｍ／ｃｍ３である請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
その表面にサブミクロンサイズの凹凸を有するようなサブミクロンサイズの起伏を含む電気的相互配線起伏を有する半導体集積回路機器基板上に電気鍍金をすることにより銅を沈積させるための電気鍍金浴調製用濃厚液であって、該濃厚液は、銅イオン、抑制剤、促進剤およびスーパーフィリングによる突起状欠陥、表面の粗面性、および不均一成長による空隙生成の発現を減少させ、そしてウェハー面の巨視的な平面性を改善する欠陥減少剤を含むことを特徴とする電気鍍金浴調製用濃厚液であって；
ここで、前記欠陥減少剤は、ａ）脂肪族ポリアミン化合物、ｂ）高分子状含窒素複素環式化合物、ｃ）塩化ベンジルとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｄ）塩化ベンジルとポリエチレンイミンとの反応生成物、ｅ）１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｆ）ポリビニルピリジン、ｇ）ポリビニルイミダゾール、ｈ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩、およびｉ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩からなる群から選ばれるものである。
【請求項２５】
欠陥減少剤が、脂肪族ポリアミン化合物である請求項２４または請求項３８に記載の濃厚液。
【請求項２６】
欠陥減少剤が、高分子含窒素複素環系化合物である請求項２４または請求項３８に記載の濃厚液。
【請求項２７】
欠陥減少剤が、ベンジル  クロライドとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項２４または請求項３８に記載の濃厚液。
【請求項２８】
欠陥減少剤が、ベンジル  クロライドとポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項２４または請求項３８に記載の濃厚液。
【請求項２９】
欠陥減少剤が、１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチルポリエチレンイミンとの反応生成物である請求項２４または請求項３８に記載の濃厚液。
【請求項３０】
欠陥減少剤が、ポリビニルピリジンおよびポリビニルイミダゾールおよびこれらの第四級塩からなる群から選ばれる請求項２４または請求項３８に記載の濃厚液。
【請求項３１】
その表面にサブミクロンサイズの凹凸を有するようなサブミクロンサイズの起伏を含む電気的相互配線起伏を有する半導体集積回路機器基板上に電気鍍金をすることにより銅を沈積させるための電気鍍金浴調製用濃厚液であって、該濃厚液は、銅イオン、抑制剤、促進剤及び、欠陥減少剤を含まないほかは同一の浴を使用した銅沈積における塩素含量と比較して銅電気鍍金浴を使用した銅沈積における高い塩素含量をもたらす欠陥減少剤からなる前記濃厚液。
【請求項３２】
高い塩素含量が少なくとも約４．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である請求項３１に記載の濃厚液。
【請求項３３】
高い塩素含量が少なくとも約１×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３である請求項３１に記載の濃厚液。
【請求項３４】
該欠陥減少剤が、欠陥減少剤を含まないほかは同一の浴を使用した銅沈積における窒素含量と比較して銅電気鍍金浴を使用した銅沈積における高い窒素含量をもたらす欠陥減少剤である請求項３１に記載の濃厚液。
【請求項３５】
高い窒素含量が少なくとも約１．０×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３である請求項３４に記載の濃厚液。
【請求項３６】
該欠陥減少剤が、欠陥減少剤を含まないほかは同一の浴を使用した銅沈積における硫黄含量と比較して銅電気鍍金浴を使用した銅沈積における高い硫黄含量をもたらす欠陥減少剤である請求項３１に記載の濃厚液。
【請求項３７】
高い硫黄含量が少なくとも約３．０×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３である請求項３６に記載の濃厚液。
【請求項３８】
欠陥減少剤は、ａ）脂肪族ポリアミン化合物、ｂ）高分子状含窒素複素環式化合物、ｃ）塩化ベンジルとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｄ）塩化ベンジルとポリエチレンイミンとの反応生成物、ｅ）１−クロロメチルナフタレンとヒドロキシエチル  ポリエチレンイミンとの反応生成物、ｆ）ポリビニルピリジン、ｇ）ポリビニルイミダゾール、ｈ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩、およびｉ）ポリビニルイミダゾールの第四級塩からなる群から選ばれるものである請求項３１に記載の濃厚液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004043957.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004043957.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004043957.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004043957.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004043957.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004043957.tif 000006
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004043957.tif 000007
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004043957.tif 000008