【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にレーザ照射を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にＲＴＡによる加熱処理を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜をレーザアニールし、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にレーザ照射を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜をレーザアニールし、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にＲＴＡによる加熱処理を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴを有するアクティブマトリクス回路と、
前記アクティブマトリクス回路を駆動する、複数のＴＦＴを有するデータ線駆動回路および走査線駆動回路と、
を形成する半導体表示装置の作製方法であり、
前記基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にレーザ照射を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングし、
前記多結晶珪素膜をパターニングして複数の多結晶珪素膜を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜に一導電性を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成して前記アクティブマトリクス回路の画素ＴＦＴと、前記データ線駆動回路および走査線駆動回路のＴＦＴとを形成する
ことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項６】
基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴを有するアクティブマトリクス回路と、
前記アクティブマトリクス回路を駆動する、複数のＴＦＴを有するデータ線駆動回路および走査線駆動回路と、
を形成する半導体表示装置の作製方法であり、
前記基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にＲＴＡによる加熱処理を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングし、
前記多結晶珪素膜をパターニングして複数の多結晶珪素膜を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜に一導電性を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成して前記アクティブマトリクス回路の画素ＴＦＴと、前記データ線駆動回路および走査線駆動回路のＴＦＴとを形成する
ことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項７】
基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴを有するアクティブマトリクス回路と、
前記アクティブマトリクス回路を駆動する、複数のＴＦＴを有するデータ線駆動回路および走査線駆動回路と、
を形成する半導体表示装置の作製方法であり、
前記基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜をレーザアニールし、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にレーザ照射を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングし、
前記多結晶珪素膜をパターニングして複数の多結晶珪素膜を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜に一導電性を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成して前記アクティブマトリクス回路の画素ＴＦＴと、前記データ線駆動回路および走査線駆動回路のＴＦＴとを形成する
ことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項８】
基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴを有するアクティブマトリクス回路と、
前記アクティブマトリクス回路を駆動する、複数のＴＦＴを有するデータ線駆動回路および走査線駆動回路と、
を形成する半導体表示装置の作製方法であり、
前記基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
加熱処理により、前記非晶質珪素膜を結晶化して多結晶珪素膜を形成し、
前記多結晶珪素膜をレーザアニールし、
前記多結晶珪素膜上に、マスクで覆った第１の領域と、マスクで覆われていない第２の領域とを形成し、
前記マスクを用いて前記第２の領域にゲッタリング用の元素をドープし、
前記マスクを除去し、前記多結晶珪素膜にＲＴＡによる加熱処理を行い、
加熱処理により、前記第１の領域から前記第２の領域へ前記触媒元素をゲッタリングし、
前記多結晶珪素膜をパターニングして複数の多結晶珪素膜を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記パターニングされた複数の多結晶珪素膜に一導電性を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成して前記アクティブマトリクス回路の画素ＴＦＴと、前記データ線駆動回路および走査線駆動回路のＴＦＴとを形成する
ことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記触媒元素には、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種のものが用いられることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記触媒元素には、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎから選ばれた一種または複数種のものが用いられることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ゲッタリング用の元素には、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた一種または複数種のものが用いられることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記マスクは、酸化膜を用いることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。