【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２基板と、
前記第１基板上に、透明な第１導電層と不透明な第２導電層とを積層した二重構造のゲートラインと、
前記ゲートライン上に形成された第１絶縁膜と、
前記ゲートラインと交差して、透過領域と反射領域を持つ画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、
前記画素領域に形成された前記第１導電層と、前記第１導電層の枠部に沿って積層された第２導電層とを持つ画素電極と、
前記ゲートラインと前記第１絶縁膜を挟んで重畳されてストレージキャパシタを形成するストレージ上部電極と、
前記薄膜トランジスタを覆う第２絶縁膜から前記画素電極の第２導電層まで貫通して、前記第１導電層を露出させる透過孔と、
前記反射領域に形成され、前記透過孔のエッジ部を介して露出された前記ドレーン電極及び前記ストレージ上部電極を前記画素電極の前記第１及び第２導電層と接続させる反射電極と、
前記ゲートラインから延長され、前記第２絶縁膜から前記第２導電層まで貫通する第１コンタクトホールを介して、前記第１導電層が露出されたゲートパッドと、
前記二重構造で形成され、データリンクを介して前記データラインと接続され、前記第２絶縁膜から前記第２導電層まで貫通する第２コンタクトホールを介して前記第１導電層が露出されるデータパッドと、
前記第１及び第２基板間の液晶層と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２絶縁膜は有機物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ及び第２絶縁膜間に第３絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透過孔は前記第３絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記データリンクは、
前記二重構造で形成されて前記データラインの端部と重畳され、前記第２絶縁膜から前記データライン及び前記第１絶縁膜と前記データリンクの第２導電層を貫通して、前記データリンクの第１導電層を露出させる第１コンタクトホールと、
前記第１コンタクトホールを介して、前記データライン及び第２導電層とは側面接続され、前記データリンクの第１導電層とは面接続される第１コンタクト電極と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１コンタクト電極は、前記反射電極と同一の金属層で形成されたことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記データライン及びゲートラインの何れか一つと接続された静電気防止素子をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記静電気防止素子は、
前記データライン及びゲートラインの何れか一つと接続された第２薄膜トランジスタと、
前記第２薄膜トランジスタのゲート電極及びソース電極間にダイオード型で接続された第３薄膜トランジスタと、
前記第２薄膜トランジスタのゲート電極及びドレーン電極間にダイオード型で接続された第４薄膜トランジスタと、
前記第３薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を第２コンタクトホールを介して接続させる第２コンタクト電極と、
前記第３または第４薄膜トランジスタのドレーン電極及び前記第２薄膜トランジスタのゲート電極を第３コンタクトホールを介して接続させる第３コンタクト電極と、
前記第４薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を第４コンタクトホールを介して接続させる第４コンタクト電極と、を備えることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２乃至第４薄膜トランジスタのゲート電極は、前記二重構造で形成されたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２乃至第４コンタクト電極は、前記反射電極と同一の金属層で形成されたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第２乃至第４コンタクトホールは、前記第２絶縁膜から前記ソースまたはドレーン電極、前記半導体パターン、前記第１絶縁膜、前記ゲート電極の第２導電層まで貫通して、前記ゲート電極の第１導電層を露出させることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１乃至第４コンタクト電極は、シール材により封止される領域に形成されたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２絶縁膜はエンボス表面を持つことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記反射電極はエンボス表面を持つことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
第１マスクを用いて、基板上に、透明な第１導電層と不透明な第２導電層との二重構造を持つゲートライン及びゲート電極、画素電極を形成する段階と、
第２マスクを用いて、第１絶縁膜と、半導体パターンと、データラインとソース電極及びドレーン電極とストレージ上部電極を含むソース/ドレーンパターンとを形成する段階と、
第３マスクを用いて、前記ソース/ドレーンパターンを覆う第２絶縁膜を形成し、前記ゲートライン及びデータラインにより定義される画素領域のうちの透過領域において、前記有機膜から前記画素電極の第２導電層まで貫通する透過孔を形成する段階と、
第４マスクを用いて、前記透過孔を介して露出された前記ドレーン電極及びストレージ電極と前記画素電極の前記第１及び第２導電層とを接続させる反射電極を、前記画素領域のうちの反射領域に形成する段階と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記データラインは前記半導体パターンと重畳されたことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２絶縁膜は有機物質で形成されたことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記透過孔を形成する段階は、前記ソース/ドレーンパターンを覆う第３絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記透過孔は、前記第３絶縁膜を貫通するように形成されたことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１マスクを用いて、前記ゲートラインから延長されたゲートパッドと、前記データラインと接続されるデータパッドとを形成する段階と、
前記第３マスクを用いて、前記ゲートパッド及びデータパッドが形成されるパッド領域の前記第２絶縁膜から前記ゲートパッド及びデータパッドのそれぞれの第２導電層まで貫通する第１及び第２コンタクトホールを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記ゲート及びデータパッドは、前記二重構造で形成されたことを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記透過孔と第１及び第２コンタクトホールを形成する段階は、
前記第２絶縁膜を形成して前記第３マスクを用いてパターニングし、前記第２絶縁膜に前記透過孔と第１及び第２コンタクトホールを形成し、パターニングされた前記第２絶縁膜を焼成して前記反射領域で前記第２絶縁膜がエンボスの表面を持つようにする段階と、
前記焼成した有機膜をマスクとして用いて、前記透過孔と第１及び第２コンタクトホールのそれぞれが前記画素電極とゲートパッド及びデータパッドのそれぞれの第２導電層まで貫通するようにする段階と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第３マスクは、ハーフトーンマスク及び回折露光マスクの何れか一つを含むことを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１マスクを用いて、前記データパッドから延長され、前記データラインの端部と重畳されるデータリンクを形成する段階と、
前記第３マスクを用いて、前記第２絶縁膜から前記データラインを経由して前記データリンクの第２導電層まで貫通して、前記データリンクの第１導電層を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記第４マスクを用いて、前記第１コンタクトホールを介して露出された前記データライン及びデータリンクを接続させる第１コンタクト電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第１コンタクト電極は、シール材により封止される領域に形成されたことを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記データライン及びゲートラインの何れか一つと接続された第２薄膜トランジスタと、前記第２薄膜トランジスタのゲート電極及びソース電極間にダイオード型で接続された第３薄膜トランジスタと、前記第２薄膜トランジスタのゲート電極及びドレーン電極間にダイオード型で接続された第４薄膜トランジスタとを備える静電気防止素子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記静電気防止素子を形成する段階は、
前記第１マスクを用いて、前記二重構造を持つ前記第２乃至第４薄膜トランジスタのそれぞれのゲート電極を形成する段階と、
前記第２マスクを用いて、前記第１絶縁膜上に前記第２乃至第４薄膜トランジスタのそれぞれの半導体パターン、ソース電極、ドレーン電極を形成する段階と、
前記第３マスクを用いて、第２乃至第４コンタクトホールを形成する段階と、
前記第４マスクを用いて、第２乃至第４コンタクト電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第２コンタクトホールは前記第３薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極の重畳部に、前記第３コンタクトホールは前記第３または第４薄膜トランジスタのドレーン電極及び前記第２薄膜トランジスタのゲート電極の重畳部に、前記第４コンタクトホールは前記第４薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極の重畳部に形成されたことを特徴をする請求項２７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記第２コンタクト電極は、前記第２コンタクトホールを介して露出された前記第３薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を接続させ、前記第３コンタクト電極は、前記第３コンタクトホールを介して露出された前記第３または第４薄膜トランジスタのドレーン電極及び前記第２薄膜トランジスタのゲート電極を接続させ、前記第４コンタクト電極は、前記第４コンタクトホールを介して露出された前記第４薄膜トランジスタのソース電極及びゲート電極を接続させることを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記第２乃至第４コンタクト電極は、シール材により封止される領域に形成されたことを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置の製造方法。