【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理方法であって，
基板上のレジスト膜を現像して，基板上にレジストパターンを形成する現像工程と，
その後，前記レジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングするエッチング工程と，を有し，
前記現像工程とエッチング工程との間に，前記レジストパターンに対しＯＨ基を含有するフッ素系の液体を供給する工程を有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項２】
前記フッ素系の液体は，分子量が５０以上の化合物により構成されていることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記現像工程と前記エッチング工程との間に，前記レジストパターンに対しＯＨ基を含有した他の液体を供給する工程をさらに有することを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項４】
基板の処理方法であって，
基板上のレジスト膜を現像して，基板上にレジストパターンを形成する現像工程と，
その後，前記レジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングするエッチング工程と，を有し，
前記現像工程とエッチング工程との間に，前記レジストパターンに対しフッ素系の液体を供給する工程と，前記レジストパターンに対しＯＨ基を含有した他の液体を供給する工程を有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項５】
前記ＯＨ基を含有した他の液体を供給する工程は，前記フッ素系の液体を供給する工程よりも前に行われることを特徴とする，請求項３又は４に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記ＯＨ基を含有した他の液体を供給する工程は，前記フッ素系の液体を供給する工程と同時に行われることを特徴とする，請求項３又は４に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記フッ素系の液体の温度は，前記ＯＨ基を含有した他の液体の温度よりも高く設定されていることを特徴とする，請求項３〜６のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記ＯＨ基を含有する他の液体は，界面活性剤であることを特徴とする，請求項３〜７のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記フッ素系の液体が供給された前記レジストパターンに対しエネルギを供給して，前記レジストパターンの表面に対する前記フッ素系の液体の反応を促進させる工程をさらに有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記レジストパターンの表面に対する前記フッ素系の液体の反応を促進させる工程は，基板を加熱することによって行われることを特徴とする，請求項９に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記レジストパターンの表面に対する前記フッ素系の液体の反応を促進させる工程は，基板に紫外線を照射することによって行われることを特徴とする，請求項９に記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
前記現像工程の後であって，前記フッ素系の液体を供給する工程の前に，前記レジストパターンの表面を酸化する工程をさらに有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０又は１１のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１３】
前記レジストパターンの表面を酸化する工程は，基板を酸素ガス含有雰囲気内に維持した状態で基板に紫外線を照射することによって行われることを特徴とする，請求項１２に記載の基板の処理方法。
【請求項１４】
基板の処理装置であって，
現像処理により基板上にレジストパターンが形成されてから，前記レジストパターンをマスクとして下地膜がエッチング処理されるまでの間の前記レジストパターンに対し，ＯＨ基を含有するフッ素系の液体を供給する液体供給部を備えたことを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項１５】
前記現像処理が行われてから前記エッチング処理が行われるまでの間の前記レジストパターンに対し，ＯＨ基を含有した他の液体を供給する他の液体供給部を，さらに備えたことを特徴とする，請求項１４に記載の基板の処理装置。
【請求項１６】
基板の処理装置であって，
現像処理により基板上にレジストパターンが形成されてから，前記レジストパターンをマスクとして下地膜がエッチング処理されるまでの間の前記レジストパターンに対し，フッ素系の液体を供給する液体供給部と，
前記現像処理が行われてから前記エッチング処理が行われるまでの間の前記レジストパターンに対し，ＯＨ基を含有した他の液体を供給する他の液体供給部を備えたことを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項１７】
前記フッ素系の液体が供給された前記レジストパターンに対しエネルギを供給して，前記レジストパターンの表面に対する前記フッ素系の液体の反応を促進させるエネルギ供給装置を，さらに備えたことを特徴とする，請求項１４〜１６のいずれかに記載の基板の処理装置。
【請求項１８】
前記フッ素系の液体が供給される前の前記レジストパターンの表面を酸化する酸化装置を，さらに備えたことを特徴とする，請求項１４〜１７のいずれかに記載の基板の処理装置。
【請求項１９】
前記酸化装置は，
基板を収容する収容容器と，
前記収容容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給部と，
前記収容容器内の基板に対して紫外線を照射する紫外線照射部と，を有することを特徴とする，請求項１８に記載の基板の処理装置。
【請求項２０】
基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置と，レジスト液塗布後に露光処理された基板を現像処理する現像処理装置と，を有する基板の処理装置であって，
現像処理された基板上にフッ素原子の密度を上昇させるための液体を供給する液体供給装置をさらに有し，
前記液体供給装置は，前記現像処理された基板上のレジストパターンをマスクとして下地膜がエッチング処理される前に，前記レジストパターンに対しフッ素系の液体を供給することを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項２１】
前記液体供給装置は，前記現像処理装置を兼ねることを特徴とする，請求項２０に記載の基板の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために，本発明は，基板の処理方法であって，基板上のレジスト膜を現像して，基板上にレジストパターンを形成する現像工程と，その後，前記レジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングするエッチング工程と，を有し，前記現像工程とエッチング工程との間に，前記レジストパターンに対しＯＨ基を含有するフッ素系の液体を供給する工程を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば，現像工程とエッチング工程の間に，レジストパターンにフッ素系の液体を供給するので，レジストパターンの表面の分子と液体中のフッ素系の分子が結合し，レジストパターンの表面におけるフッ素原子の密度を上昇させることができる。この結果，短波長の露光光源に対応したレジストパターンであっても，エッチング耐性を向上させることができる。また，液体中のフッ素系の分子がレジストパターンの表面の分子と結合し易くなり，レジストパターンの表面におけるフッ素原子の密度を効果的に上昇させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記基板の処理方法は，前記現像工程と前記エッチング工程との間に，前記レジストパターンに対しＯＨ基を含有した他の液体を供給する工程をさらに有していてもよい。かかる場合，他の液体内に含まれるＯＨ基の作用によりレジストパターンの表面が活性化され，レジストパターンの表面とフッ素系の液体との反応性を向上することができる。この結果，フッ素系の液体の供給時に，レジストパターンの表面におけるフッ素原子の密度を効果的に上昇させることができる。
また，別の観点による本発明によれば，基板の処理方法であって，基板上のレジスト膜を現像して，基板上にレジストパターンを形成する現像工程と，その後，前記レジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングするエッチング工程と，を有し，前記現像工程とエッチング工程との間に，前記レジストパターンに対しフッ素系の液体を供給する工程と，前記レジストパターンに対しＯＨ基を含有した他の液体を供給する工程を有することを特徴とする基板の処理方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は，基板の処理装置であって，現像処理により基板上にレジストパターンが形成されてから，前記レジストパターンをマスクとして下地膜がエッチング処理されるまでの間の前記レジストパターンに対し，ＯＨ基を含有するフッ素系の液体を供給する液体供給部を備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記基板の処理装置は，前記現像処理が行われてから前記エッチング処理が行われるまでの間の前記レジストパターンに対し，ＯＨ基を含有した他の液体を供給する他の液体供給部を，さらに備えていてもよい。かかる場合，他の液体に含まれるＯＨ基の作用によりレジストパターンの表面を活性化させ，レジストパターンの表面の分子とフッ素系の分子との結合を促進させることができる。この結果，フッ素系の液体の供給時に，レジストパターンの表面におけるフッ素原子の密度を効果的に上昇させることができる。
別の観点による本発明によれば，基板の処理装置であって，現像処理により基板上にレジストパターンが形成されてから，前記レジストパターンをマスクとして下地膜がエッチング処理されるまでの間の前記レジストパターンに対し，フッ素系の液体を供給する液体供給部と，前記現像処理が行われてから前記エッチング処理が行われるまでの間の前記レジストパターンに対し，ＯＨ基を含有した他の液体を供給する他の液体供給部を備えたことを特徴とする基板の処理装置が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお，前記酸化装置は，基板を収容する収容容器と，前記収容容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給部と，前記収容容器内の基板に対して紫外線を照射する紫外線照射部と，を有していてもよい。
別の観点による本発明は，基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置と，レジスト液塗布後に露光処理された基板を現像処理する現像処理装置と，を有する基板の処理装置であって，現像処理された基板上にフッ素原子の密度を上昇させるための液体を供給する液体供給装置をさらに有し，前記液体供給装置は，前記現像処理された基板上のレジストパターンをマスクとして下地膜がエッチング処理される前に，前記レジストパターンに対しフッ素系の液体を供給することを特徴とする。
前記液体供給装置は，前記現像処理装置を兼ねるようにしてもよい。