Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月8日(2006.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置及び画像形成装置並びにプリンタドライバ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能なインクジェット記録装置において、指定された記録密度で前記調整パターンを印字することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能で、記録密度に応じてインク滴吐出量を可変制御するインクジェット記録装置において、記録密度に応じたインク滴吐出量で前記調整パターンを印字することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録装置において、前記調整パターンを印字するときに印字パラメータを変更することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
請求項３に記載のインクジェット記録装置において、印字パラメータの異なる調整パターンを１枚の用紙内に印字することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項５】
キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能なインクジェット記録装置又は画像形成装置を駆動制御するためのプリンタドライバにおいて、前記インクジェット記録装置又は画像形成装置で印字する前記調整パターンの記録密度を指定可能なことを特徴とするプリンタドライバ。
【請求項６】
キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能な画像形成装置において、指定された記録密度で前記調整パターンを印字することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能で、記録密度に応じて滴吐出量を可変制御する画像形成装置において、記録密度に応じた滴吐出量で前記調整パターンを印字することを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の画像形成装置において、前記調整パターンを印字するときに印字パラメータを変更することを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画像形成装置において、印字パラメータの異なる調整パターンを１枚の用紙内に印字することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はインクジェット記録装置及び画像形成装置並びにプリンタドライバに関し、特に印字ズレ等を補正するために用いる調整パターンを印字可能なインクジェット記録装置及び画像形成装置並びにこれらを駆動制御するためのプリンタドライバに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、印字ズレをより正確に補正できるインクジェット記録装置及び画像形成装置並びにそのためのプリンタドライバを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置は、指定された記録密度で調整パターンを印字する構成としたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置は、記録密度に応じたインク滴吐出量で調整パターンを印字する構成としたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
これらのインクジェット記録装置及び画像形成装置において、調整パターンを印字するときに印字パラメータを変更することが好ましい。この場合、印字パラメータの異なる調整パターンを１枚の用紙内に印字することが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係るプリンタドライバは、キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能なインクジェット記録装置又は画像形成装置で印字する調整パターンの記録密度を指定可能な構成としたものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明に係る画像形成装置としてのインクジェット記録装置の機構部の概略斜視説明図、図２は同機構部の側面説明図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置によれば、指定された記録密度で調整パターンを印字するので、補正精度が向上して高品位の画像が得られるようになる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、本発明に係るインクジェット記録装置及び画像形成装置によれば、記録密度に応じたインク滴吐出量で調整パターンを印字するので、補正精度が向上して高品位の画像が得られるようになる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
これらのインクジェット記録装置及び画像形成装置において、調整パターンを印字するときに印字パラメータを変更することによって、同一用紙内で各記録密度でのインク飛翔速度を反映した調整パターンを印字することが可能になり、調整を簡便にすることができる。この場合、印字パラメータの異なる調整パターンを１枚の用紙内に印字することにより、調整が簡便になる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明に係るプリンタドライバによれば、キャリッジの往方向走査と復方向走査における印字ズレ及び／又は各色間の印字ズレを補正するための調整パターンを印字可能なインクジェット記録装置又は画像形成装置で印字する調整パターンの記録密度を指定可能としたので、ヘッド、インク、環境等のバラツキを含めた補正が行なうために各記録密度で調整パターンを印字するときの操作性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ワーク導通孔を有する固定金型と、
同じくワーク導通孔を有し、ワークの横断面形状での全体曲げ加工用として、前記固定金型の前方に配備された可動金型と、
ワークの横断面形状での部分曲げ加工用として、前記可動金型に設けられた可動片部と、
前記可動片部を駆動変位させるための駆動手段と、
を備えていることを特徴とする曲げ加工装置。
【請求項２】  可動片部は、可動金型内において、ワークの幅方向へ回動変位可能に配設され、
この可動片部には、ワークの横断面形状での所要部分を導通させる導通孔部が切り欠き形成され、
この導通孔部が前記可動金型のワーク導通孔の一部を兼ねている請求項１に記載の曲げ加工装置。
【請求項３】  固定金型とその前方に配置された可動金型の各ワーク導通孔にワークを導通すると共に、ワークを移動させながら可動金型を変位させてワークの横断面形状の全体を曲げ加工し、かつ可動片部を前記可動金型の変位とは異なる態様にて変位させてワークの横断面形状の一部を曲げ加工することを特徴とする曲げ加工方法。
【請求項４】  ワークを押し通すことにより、固定金型と可動金型の各ワーク導通孔へワークを導通させる請求項３に記載の曲げ加工方法。
【請求項５】  可動金型を回転させることにより、ワークの横断面形状の全体を曲げ加工する請求項３または４に記載の曲げ加工方法。
【請求項６】  複数の可動片部を変位させる請求項３〜５のいずれかに記載の曲げ加工方法。
【請求項７】  可動片部を変位させさらにその内側に設けられた別の可動片部を変位させる請求項３〜６のいずれかに記載の曲げ加工方法。
【請求項８】  可動片部は複数設けられている請求項１または２に記載の曲げ加工装置。
【請求項９】  可動片部の内側にさらに別の可動片部が設けられている請求項１、２または８に記載の曲げ加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】  
【実施例】
次に、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
下記仕様の脱イオン水製造装置を使用し、図２に示す配置構成とした装置を用いて、処理実験を行った。被処理水は、水道水を活性炭吸着塔に通水した後の水に炭酸カルシウム溶液を混合して、Ｃａ濃度を１００mgCaCO3/L に調整したｐＨ６．２の水を用いた。また、酸性液は硫酸を用い、被処理水に注入して、ＥＤＩ装置の脱塩室流入水のｐＨ値を４．５となるように調整して運転した。評価は２０日間経過後の処理水の電気伝導率を測定し、ＥＤＩの濃縮室及び電極室内のスケール付着を目視観察することにより行った。結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の操作に応じて変化する遊技状況を検出する遊技状況検出手段と、
前記遊技状況検出手段による検出結果に基づく所定の契機の発生によって、複数の図柄を変動表示可能な可変表示装置と、
前記遊技状況検出手段による検出結果に応じて、確定表示されるべき候補図柄をランダムに選定する選定手段と、
その選定された候補図柄を記憶する候補図柄記憶手段と、
前記変動表示された前記図柄が特別図柄となって最終的に確定表示された場合に、遊技者に有利な特別遊技状態を発生させる特別遊技状態発生手段とを備えた遊技機であって、
所定の条件が成立した場合には、前記候補図柄記憶手段にて記憶された候補図柄にかかわらず、最終的に確定表示されるべき図柄を決定する最終決定手段によって所定の図柄を確定表示し、
前記最終決定手段は、少なくとも複数の演出表示態様情報を記憶する演出表示態様情報記憶手段を備えるとともに、各演出表示態様情報が選択決定される割合情報を記憶する割合情報記憶手段を備えることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技者の操作に応じて変化する遊技状況を検出する遊技状況検出手段と、
前記遊技状況検出手段による検出結果に基づく所定の契機の発生によって、複数の図柄を変動表示可能な可変表示装置と、
前記遊技状況検出手段による検出結果に応じて、確定表示されるべき候補図柄をランダムに選定する選定手段と、
その選定された候補図柄を記憶する候補図柄記憶手段と、
前記変動表示された前記図柄が特別図柄となって最終的に確定表示された場合に、遊技者に有利な特別遊技状態を発生させる特別遊技状態発生手段とを備えた遊技機であって、
所定の条件が成立した場合には、前記候補図柄記憶手段にて記憶された候補図柄にかかわらず、最終的に確定表示されるべき図柄を決定する最終決定手段によって所定の図柄を確定表示し、
前記最終決定手段は、少なくとも表示すべき図柄決定用情報を記憶する決定用情報記憶手段を備えるとともに、各図柄決定用情報が選択決定される割合情報を記憶する割合情報記憶手段を備えることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
遊技者の操作に応じて変化する遊技状況を検出する遊技状況検出手段と、
前記遊技状況検出手段による検出結果に基づく所定の契機の発生によって、複数の図柄を変動表示可能な可変表示装置と、
前記遊技状況検出手段による検出結果に応じて、確定表示されるべき候補図柄をランダムに選定する選定手段と、
その選定された候補図柄を記憶する候補図柄記憶手段と、
前記変動表示された前記図柄が特別図柄となって最終的に確定表示された場合に、遊技者に有利な特別遊技状態を発生させる特別遊技状態発生手段とを備えた遊技機であって、
所定の条件が成立した場合には、前記候補図柄記憶手段にて記憶された候補図柄にかかわらず、最終的に確定表示されるべき図柄を決定する最終決定手段によって所定の図柄を確定表示し、
前記最終決定手段は、少なくとも複数の演出表示態様情報を記憶する演出表示態様情報記憶手段を備えるとともに、各演出表示態様情報が選択決定される割合情報を記憶する割合情報記憶手段を備え、
前記最終決定手段は、少なくとも表示すべき図柄決定用情報を記憶する決定用情報記憶手段を備えるとともに、各図柄決定用情報が選択決定される割合情報を記憶する割合情報記憶手段を備えることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
前記演出表示態様情報及び表示すべき図柄決定用情報が関連づけられていることを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
通常モードと、前記特別遊技状態とは異なり、かつ、前記通常モードよりも遊技者に有利な特別モードとの間で遊技モードが切換設定可能となっており、遊技モードに応じて、記憶の内容又は記憶の構成を相違させたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された角柱形状の多孔質セラミック部材が接着層を介して複数個結束されてセラミックブロックを構成し、前記貫通孔を隔てる隔壁が粒子捕集用フィルタとして機能するように構成されたセラミック構造体であって、前記セラミックブロックの外周部が少なくとも無機繊維、無機バインダー、有機バインダー及び無機粒子を含むシール材によりコーティングされていることを特徴とするセラミック構造体。
【請求項２】
多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された角柱形状の多孔質セラミック部材が接着層を介して複数個結束されてセラミックブロックを構成し、前記貫通孔を隔てる隔壁が粒子捕集用フィルタとして機能するように構成されたセラミック構造体であって、
前記セラミックブロックの外周部が少なくとも無機繊維、無機バインダー、有機バインダー及び無機粒子を含むシール材ペーストを塗布して乾燥させたものであることを特徴とするセラミック構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸素濃度と窒素濃度をそれぞれ横軸と縦軸にして、酸素濃度が７×１０17atoms／ｃｍ3で窒素濃度が３×１０15atoms／ｃｍ3の点と、酸素濃度が１．６×１０18atoms／ｃｍ3で窒素濃度が３×１０14atoms／ｃｍ3の点とを結ぶ線を上限とした範囲内にある窒素濃度及び酸素濃度である、窒素がドープされた下地シリコンウエハ上にエピタキシャル膜が形成されたエピタキシャルシリコンウエハであって、前記エピタキシャル膜上において１２０ｎｍ以上のＬＰＤとして観測される結晶欠陥が２０個／２００ｍｍウエハ以下であるエピタキシャルシリコンウエハ。
【請求項２】  前記下地シリコンウエハは、酸素濃度が７×１０17atoms／ｃｍ3で窒素濃度が１×１０15atoms／ｃｍ3の点と、酸素濃度が１．５×１０18atoms／ｃｍ3で窒素濃度が１×１０14atoms／ｃｍ3の点とを結ぶ線を上限とした範囲内で窒素がドープされることを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルシリコンウエハ。
【請求項３】  酸素濃度と窒素濃度をそれぞれ横軸と縦軸にして、酸素濃度が７×１０17atoms／ｃｍ3で窒素濃度が３×１０15atoms／ｃｍ3の点と、酸素濃度が１．６×１０18atoms／ｃｍ3で窒素濃度が３×１０14atoms／ｃｍ3の点とを結ぶ線を上限とした範囲内にある窒素濃度及び酸素濃度で、窒素がドープされたシリコン単結晶の引き上げを酸素濃度を制御して行うことを特徴とするＣＺ法若しくはＭＣＺ法シリコン単結晶インゴット製造方法。
【請求項４】  酸素濃度と窒素濃度をそれぞれ横軸と縦軸にして、酸素濃度が７×１０17atoms／ｃｍ3で窒素濃度が１×１０15atoms／ｃｍ3の点と、酸素濃度が１．５×１０18atoms／ｃｍ3で窒素濃度が１×１０14atoms／ｃｍ3の点とを結ぶ線を上限とした範囲内にある窒素濃度及び酸素濃度で、窒素がドープされたシリコン単結晶の引き上げを酸素濃度を制御して行うことを特徴とするＣＺ法若しくはＭＣＺ法シリコン単結晶インゴット製造方法。
【請求項５】  該シリコン単結晶インゴットのショルダー部分からテール部分へと窒素濃度の増加に対応して酸素濃度を低下させることを特徴とする請求項３又は４記載のＣＺ法若しくはＭＣＺ法シリコン単結晶インゴット製造方法。
【請求項６】  直胴部最終端の窒素濃度が１×１０15atoms／ｃｍ3から３×１０15atoms／ｃｍ3の範囲内にある、請求項３から５のいずれか記載のＣＺ法若しくはＭＣＺ法シリコン単結晶インゴット製造方法。
【請求項７】  酸素濃度と窒素濃度の下限が、ゲッタリングサイトとして十分な酸素析出物密度をシリコン単結晶インゴット内で確保できるように設定されることを特徴とする請求項３から６のいずれか記載のＣＺ法若しくはＭＣＺ法シリコン単結晶インゴット製造方法。
【請求項８】  酸素濃度と窒素濃度をそれぞれ横軸と縦軸にして、酸素濃度が７×１０17atoms／ｃｍ3で窒素濃度が３×１０15atoms／ｃｍ3の点と、酸素濃度が１．６×１０18atoms／ｃｍ3で窒素濃度が３×１０14atoms／ｃｍ3の点とを結ぶ線を上限とした範囲内にある窒素濃度及び酸素濃度で、窒素がドープされたシリコン単結晶の引き上げをＣＺ法若しくはＭＣＺ法により酸素濃度を制御して行って製造される下地シリコンウエハ上にエピタキシャル膜を形成させる高ゲッタリング能を備えるエピタキシャルシリコンウエハの製造方法。
【請求項９】  酸素濃度と窒素濃度をそれぞれ横軸と縦軸にして、酸素濃度が７×１０17atoms／ｃｍ3で窒素濃度が１×１０15atoms／ｃｍ3の点と、酸素濃度が１．５×１０18atoms／ｃｍ3で窒素濃度が１×１０14atoms／ｃｍ3の点とを結ぶ線を上限とした範囲内にある窒素濃度及び酸素濃度で、窒素がドープされたシリコン単結晶の引き上げをＣＺ法若しくはＭＣＺ法により酸素濃度を制御して行って製造される下地シリコンウエハ上にエピタキシャル膜を形成させる高ゲッタリング能を備えるエピタキシャルシリコンウエハの製造方法。
【請求項１０】  該シリコン単結晶インゴットのショルダー部分からテール部分へと窒素濃度の増加に対応して酸素濃度を低下させることを特徴とする請求項８又は９記載のエピタキシャルシリコンウエハの製造方法。
【請求項１１】  該シリコン単結晶インゴットの直胴部最終端の窒素濃度が１×１０15atoms／ｃｍ3から３×１０15atoms／ｃｍ3の範囲内にあることを特徴とする請求項８から１０のいずれか記載のエピタキシャルシリコンウエハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】大電流遮断部と小電流溶断部とからなるヒューズエレメントを絶縁ケース内に外気と隔絶した状態で密閉収納し、而も上記ヒューズエレメントの大電流遮断部における遮断部材の遮断部を消弧部材で覆うようにした電線ヒューズにおいて、
前記消弧部材が、ヒューズエレメントの大電流遮断部における遮断部材の外側に挿通取付けしてなる筒状の絶縁容器と、該絶縁容器内に充填した無機粒状物からなる消弧体とからなり、
前記大電流遮断部における遮断部材に最細径部を形成し、該最細径部が前記消弧体の開口側端面より露出した状態にあり、而も絶縁ケース並びに絶縁容器が透明であることを特徴とする電線ヒューズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明は、大電流遮断部と小電流溶断部とからなるヒューズエレメントを絶縁ケース内に外気と隔絶した状態で密閉収納し、而も上記ヒューズエレメントの大電流遮断部における遮断部材の遮断部を消弧部材で覆うようにした電線ヒューズにおいて、
前記消弧部材が、ヒューズエレメントの大電流遮断部における遮断部材の外側に挿通取付けしてなる筒状の絶縁容器と、該絶縁容器内に充填した無機粒状物からなる消弧体とからなり、
前記大電流遮断部における遮断部材に最細径部を形成し、該最細径部が前記消弧体の開口側端面より露出した状態にあり、而も絶縁ケース並びに絶縁容器が透明であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2001068010.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集電体上に活物質が形成されてなる電極を巻回した巻回体状発電要素と、集電機能を有する電池ケースとを備えてなり、該電池ケースの内壁表面上に炭素材が保持され、該炭素材を介して前記電極が集電体部分で電池ケースと接触していることを特徴とする電池。
【請求項２】  上記電極の集電体端部が電池ケースに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明の電池は、集電体上に活物質が形成されてなる電極を巻回した巻回体状発電要素と、集電機能を有する電池ケースとを備えてなり、該電池ケースの内壁表面上に炭素材が保持され、該炭素材を介して前記電極が集電体部分で電池ケースと接触していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように電極が炭素材を介して集電体部分で電池ケースと接触することにより、電極と電池ケースとの接触箇所の抵抗成分が小さくなって電池ケースによる集電が良好に行われるようになり、放電特性に優れた電池となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
特にこのような構造は、電池が電池ケースに巻回体状の発電要素を収納してなるものである場合に、発電要素を構成する上記電極からの集電を電池ケースにより簡単に行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
電極と電池ケースとの接触は、電極の集電体部分で行われるようにした場合に、電極からの集電をより均一に、かつ低抵抗で行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、電極からの集電効率をより向上させるという観点からは、上記電極の集電体端部を電池ケースに電気的に接続するのがより好ましい。これによって、電極と電池ケースとの接触による集電と集電体端部と電池ケースとの電気的接続による集電との二つの方法により集電が行われるからである。この場合、例えば、端部の接続は、リードを介して電池ケースに設けられた端子に溶接して行うことができ、また、直接溶接することもできる。さらにまた、上記いずれの場合においても、このような構造は、上記集電体がアルミニウム集電体であり、上記電池ケースがアルミニウムケースである場合に適している。これは、アルミニウム集電体とアルミニウムケースとの接触抵抗が大きくなりやすく、この接触抵抗を小さくするのに炭素材の相性が良いからである。なお、アルミニウムは必ずしも純アルミニウムである必要はない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解質二次電池用負極、および非水電解質二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  構成元素として少なくともＳｎを含むリチウムを吸蔵する相およびリチウムを吸蔵しない相からなる活物質粒子と前記活物質粒子の表面の一部または全面を被覆している導電性材料との複合粒子からなり、
前記活物質粒子の全表面積の１０％以上が前記導電性材料で被覆されており、
前記導電性材料が、繊維状炭素からなる炭素質材料であり、
前記繊維状炭素は、（００２）面の格子面間隔ｄ002が３．３５〜３．７０Å、長さが１〜２０μｍ、直径が０．１〜０．５μｍの繊維状であり、炭素質中の繊維状炭素は、前記複合粒子の１〜２０重量％の範囲にあることを特徴とする非水電解質二次電池用負極。
【請求項２】  前記リチウムを吸蔵する相は、他の構成元素として周期表の２族元素、遷移元素、１２族元素、１３族元素、および１４族元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含み、その元素がＳｎと固溶体または金属間化合物を形成している請求項１記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項３】  リチウムイオンの可逆的な電気化学反応が可能な正極、リチウム塩を有機溶媒に溶解させた非水電解質、および請求項１または２に記載の負極を具備する非水電解質二次電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明の非水電解質二次電池用負極は、構成元素として少なくともＳｎを含むリチウムを吸蔵する相およびリチウムを吸蔵しない相からなる活物質粒子と前記活物質粒子の表面の一部または全面を被覆している導電性材料との複合粒子からなり、
前記活物質粒子の全表面積の１０％以上が前記導電性材料で被覆されており、
前記導電性材料が、繊維状炭素からなる炭素質材料であり、
前記繊維状炭素は、（００２）面の格子面間隔ｄ002が３．３５〜３．７０Å、長さが１〜２０μｍ、直径が０．１〜０．５μｍの繊維状であり、炭素質中の繊維状炭素は、前記複合粒子の１〜２０重量％の範囲にあることを特徴とする。
前記のリチウムを吸蔵する相は、他の構成元素として周期表の２族元素、遷移元素、１２族元素、１３族元素、および１４族元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含み、その元素がＳｎと固溶体または金属間化合物を形成していることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による非水電解質二次電池は、リチウムイオンの可逆的な電気化学反応が可能な正極、リチウム塩を有機溶媒に溶解させた非水系電解質、および上記した負極を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用ＡＣ電源からＤＣ電圧を生成するＤＣ電源に接続され、且つユーザが選択的にＯＮ、ＯＦＦできるスイッチ手段と、表示手段と、前記ＤＣ電源により駆動される装置制御用のプロセッサ又は外部からの装置制御用配線とを実装した操作パネル基板と、前記商用ＡＣ電源のＧＮＤ線が接続された前記操作パネル基板を保持するか又は操作パネルの外装と前記操作パネル基板との間に配置された金属筐体と、前記操作パネル基板上において装置制御用信号パターン以外のＤＣ電源のＧＮＤ線とは接続されないベタＧＮＤパターンと、  を具備する操作パネルにおいて、
前記ベタＧＮＤパターンと、前記プロセッサのＤＣ電源のＧＮＤ線との接続間に、前記金属筐体を接続していることを特徴とする操作パネル。
【請求項２】  前記操作パネル基板上に形成された前記ＤＣ電源のＧＮＤ配線パターンと、前記操作パネル基板を保持するか又は操作パネルの外装と前記操作パネル基板との間に配置される前記金属筐体とを金属端子とビスの導電性結合部材を介して接続したことを特徴とする請求項１に記載の操作パネル。
【請求項３】  前記操作パネル基板上に形成された前記ベタＧＮＤパターンと、前記操作パネル基板を保持するか又は操作パネルの外装と前記操作パネル基板との間に配置される前記金属筐体とを金属端子とビスの導電性結合部材で接続したことを特徴とする請求項１に記載の操作パネル。
【請求項４】  前記プロセッサと接続されるか又は外部と電線により接続される装置制御用信号パターンの少なくとも一つに具備されるノイズ除去用コンデンサは、前記ベタＧＮＤパターンと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の操作パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、商用ＡＣ電源からＤＣ電圧を生成するＤＣ電源に接続され、且つユーザが選択的にＯＮ、ＯＦＦできるスイッチ手段と、表示手段と、前記ＤＣ電源により駆動される装置制御用のプロセッサ又は外部からの装置制御用配線とを実装した操作パネル基板と、前記商用ＡＣ電源のＧＮＤ線が接続された前記操作パネル基板を保持するか又は操作パネルの外装と前記操作パネル基板との間に配置された金属筐体と、前記操作パネル基板上において装置制御用信号パターン以外のＤＣ電源のＧＮＤ線とは接続されないベタＧＮＤパターンと、  を具備する操作パネルにおいて、前記ベタＧＮＤパターンと、前記プロセッサのＤＣ電源のＧＮＤ線との接続間に、前記金属筐体を接続していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
特に図１に示す例では、基板１３の縁近傍領域３９にオーミック電極３５を設けているため、基板の外周部から発生し易いクラックを少なくとも基板の縁近傍領域３９のみにとどめることができ、ｐ＋ 拡散領域２１はもとより、それ以外の基板１３の領域（すなわち、縁近傍領域３９の内側の領域）にも、クラックが発生しにくくなる。ただし、図１では図３等に示す接触電極３７を省略して示してある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、この２．の構成では、フレームトランスファー（ＦＴ）型のＣＣＤ固体撮像装置として、ｐ型の基板内にｎ型の埋め込みチャネルを形成してセンサ部兼転送部としているため、暗電流が大きく、また基板側に電荷を排出する電子シャッター動作ができない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001068658.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ゲート電極は、少なくともポリシリコン層から構成されていればよい。即ち、ゲート電極は、ポリシリコン層１層から構成されていてもよいし、ポリシリコン層とシリサイド層の２層構造（ポリサイド構造）であってもよいし、ポリシリコン層とタングステン等の金属層の２層構造であってもよい。そして、これらの場合、工程（Ｃ）は、ゲート電極を構成するポリシリコン層の側壁を酸化する工程を含むことが好ましい。このようにポリシリコン層の側壁を酸化することによって、ゲート電極側壁近傍におけるゲート絶縁膜の厚さを厚くすることができる結果、ゲート電極の縁部とソース／ドレイン領域との間の重なり容量の低減を図ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
こうして、半導体層（実施の形態１においてはシリコン半導体基板１０）の表面に形成されたゲート絶縁膜２０、及びゲート絶縁膜２０上に形成されたゲート電極２１、ゲート電極２１の直下の半導体層（シリコン半導体基板１０が相当する）に形成されたチャネル形成領域２４、チャネル形成領域２４を挟むように、半導体層（シリコン半導体基板１０が相当する）に形成されたソース／ドレイン領域２３、並びに、各ソース／ドレイン領域２３とチャネル形成領域２４との間に位置する半導体層（シリコン半導体基板１０が相当する）の領域に形成され、各ソース／ドレイン領域２３から延在するエクステンション領域２５から構成された半導体装置を得ることができる。尚、ソース／ドレイン領域２３の不純物濃度は、おおよそ３×１０20／ｃｍ3であり、エクステンション領域２５の不純物濃度は、ｎチャネルＭＯＳ型半導体装置の場合、おおよそ１×１０20／ｃｍ3、ｐチャネルＭＯＳ型半導体装置の場合、おおよそ３×１０19／ｃｍ3である。実施の形態１にて製造された半導体装置においては、ゲート電極の側壁にサイドウオールが存在しない。従って、ゲート電極の縁部とソース／ドレイン領域２３との間のフリンジング容量の低減を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
具体的には、先ず、ＳｉＯ2から成る第２のサイドウオール２２Ｂをフッ酸系水溶液に浸漬することによって、第２のサイドウオール２２Ｂを除去する（図６の（Ａ）参照）。その後、チャネリング防止のため、シリコン半導体基板１０の表面に、乾式酸化法にて厚さ４ｎｍ程度のシリコン酸化膜（図示せず）を形成することが望ましい。そして、少なくともエクステンション領域を形成すべき半導体層の領域（実施の形態３においては、ソース／ドレイン領域２３、及び第１のエクステンション領域２５Ａを形成すべき半導体層の領域）にイオン注入法にて不純物を導入する。例えば、ＣＭＯＳを製造する場合には、ｐチャネル型半導体装置を形成すべきシリコン半導体基板１０の領域をレジスト材料（図示せず）で被覆し、ｎ型不純物であるヒ素（Ａｓ）をシリコン半導体基板１０にイオン注入する（図６の（Ｂ）参照）。次いで、レジスト材料を除去し、ｎチャネル型半導体装置を形成すべきシリコン半導体基板１０の領域をレジスト材料（図示せず）で被覆し、ｐ型不純物であるホウ素（Ｂ）をシリコン半導体基板１０にイオン注入する。イオン注入の条件を、以下の表１２に例示する。その後、導入された不純物の活性化熱処理をＲＴＡ法にて行う。活性化熱処理の条件を、以下の表１３に例示する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次いで、シリコン半導体基板１０の表面に形成したシリコン酸化膜をフッ酸系水溶液にて除去した後、第１のサイドウオール２２Ａを等方性のプラズマエッチング法にて除去する（図７の（Ａ）参照）。そして、再び、チャネリング防止のため、シリコン半導体基板１０の表面に、乾式酸化法にて厚さ４ｎｍ程度のシリコン酸化膜（図示せず）を形成することが望ましい。その後、少なくともエクステンション領域を形成すべき半導体層の領域（実施の形態３においては、ソース／ドレイン領域２３、第１のエクステンション領域２５Ａ、及び第２のエクステンション領域２５Ｂを形成すべき半導体層の領域）にイオン注入法にて不純物を導入する（図７の（Ｂ）参照）。例えば、ＣＭＯＳを製造する場合には、上述と同様とすればよい。イオン注入の条件を、以下の表１４に例示する。その後、導入された不純物の活性化熱処理をＲＴＡ法にて行う。活性化熱処理の条件を、以下の表１５に例示する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
ＳＲＡＭ等の従来の半導体装置メモリセルアレイ構造は、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを有している。そして、複数のメモリセルのうち所定数のメモリセルに１本の割合で杭打ち配線を挿入配置している。杭打ち配線は、形成幅を比較的太くすることにより、電源電位あるいは接地電位（ＧＮＤ）の供給能力を強化するための電源供給用の電源配線であり、通常、アルミ，銅等の金属で形成される。杭打ち配線は杭打ち配線のみを形成するために特別に設けられた杭打ち領域に形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
＜＜実施の形態１＞＞
＜全体構成＞
図１はこの発明の実施の形態１である半導体装置（ＳＲＡＭを含む装置）のレイアウト全体構成を示す説明図である。同図に示すように、複数のメモリセルアレイ領域１、複数の杭打ち領域２及び複数の外周用ダミーセル領域３が図示しないｐ型基板上にレイアウト配置される。そして、メモリセルアレイ領域１と杭打ち領域２とが隣接して交互に配置される、すなわち、メモリセルアレイ領域１，１間に必ず杭打ち領域２が挿入されるようにレイアウト配置されている。また、杭打ち領域２が形成されていないメモリセルアレイ領域１の外周領域に、メモリセルアレイ領域１に隣接して外周用ダミーセル領域３が配置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、ｎウェル領域１０上にアルミ等の金属配線領域５１〜６０（以下、「アルミ配線領域」と略記する）が第１の層に選択的に形成される。アルミ配線領域５１は、ｎ型活性領域１１内のポリシリコン領域３１に対して一方方向（図２では上方）に隣接する一方隣接領域とコンタクトホール７１を介して電気的に接続され、ｎ型活性領域１２内のポリシリコン領域３５に対する一方隣接領域とコンタクトホール７５を介して電気的に接続され、ｐ型活性領域２２とコンタクトホール７３を介して電気的に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図３は図２のレイアウト構造のメモリセルの等価回路を示す回路図である。図２で示したメモリセルは、２つの書込みポートと１つの読出しポートとからなる３ポート構造を呈している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
したがって、アルミ配線領域６１及び６３によってｐ型活性領域２２，２３のＧＮＤ電位固定を行うことによりｐ型基板９の基板電位固定が実現し、アルミ配線領域６１及び６３によってｎ型活性領域１１，１４のＧＮＤ電位固定を行うことによりトランジスタのドレイン／ソース領域に相当する領域の電位固定が実現し、アルミ配線領域６２によってｎ型活性領域１５の電源電位固定を行うことにより、ｎウェル領域１０の電位固定が実現する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
なお、アルミ配線領域６５〜６７は第１の層に形成され接地電位ＧＮＤ設定用である。したがって、アルミ配線領域６５及び６７によってｐ型活性領域２２及び２３の接地電位ＧＮＤ固定を行うことによりｐ型基板９の基板電位固定が実現し、アルミ配線領域６６によってｎ型活性領域１５の接地電位ＧＮＤ固定を行うことによりｎウェル領域１０の電位固定が実現する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
なお、アルミ配線領域６８〜７０は第１の層に形成され接地電位ＧＮＤ設定用である。したがって、アルミ配線領域６８及び７０によってｐ型活性領域２２及び２３の接地電位ＧＮＤ固定を行うことによりｐ型基板９の基板電位固定が実現し、アルミ配線領域６９によってｎ型活性領域１５の接地電位ＧＮＤ固定を行うことによりｎウェル領域１０の電位固定が実現し、アルミ配線領域６８によってポリシリコン領域３６の接地電位ＧＮＤ固定を行うことによりＭＯＳトランジスタのゲート電極に相当する領域の電位固定が実現する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
外周用ダミーセル領域６は、行方向（図１２では横方向）に隣接して配置される第１の部分ダミーセル領域６Ａと列方向（図１２では縦方向）に隣接して配置される第２の部分ダミーセル領域６Ｂとから構成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
なお、メモリセルアレイ領域４の１メモリセル単位のメモリセルのレイアウト構成は図２で示した実施の形態１のメモリセルアレイ領域４の１メモリセル単位のレイアウト構成と正像及び鏡像を含み同一であり、外周用ダミーセル領域６の第１の部分ダミーセル領域６Ａ及び６Ｂそれぞれの１メモリセル単位に相当するダミーセルの構成は、図５及び図６で示した外周用ダミーセル領域３の第１の部分ダミーセル領域３Ａ及び３Ｂのダミーセルの構成と正像及び鏡像を含み同一である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
アルミ配線領域６４は第１の層に形成され接地電位設定用杭打ち配線として機能する。したがって、アルミ配線領域６４によってｎ型活性領域１１，１４のＧＮＤ電位固定を行うことによりｐ型基板９の基板電位固定が実現する。なお、図１３〜図１６では図示されていないが、電源電位強化用の第２の層（第１の層の上層）に形成される別のメタルアルミ配線が杭打ち配線として、アルミ配線領域６４と同じ幅で形成される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
請求項２記載の半導体装置は、メモリセルと正像及び鏡像を含む同一パターンでダミーセルを形成することにより、メモリセル形成用マスクのパターンの粗密差がメモリセルアレイ領域とメモリセルアレイ隣接領域との間で全く生じないため、メモリセルのパターニング制御性を向上させることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】  この発明の実施の形態１である半導体記憶装置（ＳＲＡＭ）のレイアウト全体構成を示す説明図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】  この発明の実施の形態２である半導体記憶装置（ＳＲＡＭ）のレイアウト全体構成を示す説明図である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2001068635.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質膜をアノード側電極とカソード側電極とで挟んで構成される単位燃料電池セルが、セパレータを介して水平方向に複数個積層された燃料電池スタックを備える車載用燃料電池システムであって、
積層方向に沿って互いに平行に配列されるとともに、互いに隣接する端部電極の正極と負極の方向が逆向きに設定される第１および第２燃料電池スタックと、
前記第１および第２燃料電池スタックの同一側の一端部鉛直面に設けられ、一方が正極で他方が負極である第１および第２電力取り出し端子と、
前記第１および第２燃料電池スタックの同一側の他端部鉛直面の内方に組み込まれ、該第１および第２燃料電池スタックの上側または下側にかつ互いに近接して延在する第１および第２接続板部を設ける第１および第２導電プレートと、
前記第１および第２接続板部を電気的に接続する可撓性接続体と、
を備えることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
固体高分子電解質膜をアノード側電極とカソード側電極とで挟んで構成される単位燃料電池セルが、セパレータを介して水平方向に複数個積層された燃料電池スタックを備える車載用燃料電池システムであって、
積層方向に沿って互いに平行に配列されるとともに、互いに隣接する端部電極の正極と負極の方向が逆向きに設定される第１および第２燃料電池スタックと、
前記第１および第２燃料電池スタックの同一側の一端部鉛直面に設けられ、一方が正極で他方が負極である第１および第２電力取り出し端子と、
前記第１および第２燃料電池スタックの同一側の他端部鉛直面の内方に組み込まれ、互いに近接して延在する第１および第２接続板部を設ける第１および第２導電プレートと、
前記第１および第２接続板部を電気的に接続する可撓性接続体と、
を備え、
前記第１および第２燃料電池スタックは、直方体形状を有し、短辺方向が重力方向に向かう一方、長辺方向が水平方向に向かって配設されることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の燃料電池システムにおいて、前記可撓性接続体は、複数の線状導線を網状に撚ることにより構成される撚り線を備えることを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電源接続端子、電子機器、及び車載用アンプ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に取り付けられる電源接続用の端子において、
端子基体と、
一端に前記電子機器が接続され、他端に前記電源が接続されると共に、前記端子基体に設けられた第１端子と、
一端に前記電子機器が接続される電子機器側分割端子と、一端に前記電源が接続される電源側分割端子とを有し、前記端子基体に設けられた第２端子と、
前記第２端子における通電量に基づいて通電を遮断する通電遮断手段とを備え、
前記通電遮断手段は前記電子機器側分割端子の他端及び前記電源側分割端子の他端とに掛架されることを特徴とする電源接続端子。
【請求項２】
前記電源側分割端子は、
掛架された前記通電遮断手段の一端を着脱自在に把持する電源側把持部を他端に有し、
前記電子機器側分割端子は、
掛架された前記通電遮断手段の他端を着脱自在に把持する電子機器側把持部を他端に有することを特徴とする請求項１に記載の電源接続端子。
【請求項３】
電源接続用の端子を有した電子機器において、
前記電源接続端子は、
端子基体と、
一端に前記電子機器が接続され、他端に前記電源が接続される前記端子基体に設けられた第１端子と、
一端に前記電子機器が接続される電子機器側分割端子と、一端に前記電源が接続される電源側分割端子とを有し、前記端子基体に設けられた第２端子と、
前記第２端子における通電量に基づいて通電を遮断する通電遮断手段とを備え、
前記通電遮断手段は前記電子機器側分割端子の他端及び前記電源側分割端子の他端とに掛架されることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
電源接続用の端子を有した車載用アンプにおいて、
前記電源接続端子は、
端子基体と、
一端に前記電子機器が接続され、他端に前記電源が接続される前記端子基体に設けられた第１端子と、
一端に前記電子機器が接続される電子機器側分割端子と、一端に前記電源が接続される電源側分割端子とを有し、前記端子基体に設けられた第２端子と、
前記第２端子における通電量に基づいて通電を遮断する通電遮断手段とを備え、
前記通電遮断手段は前記電子機器側分割端子の他端及び前記電源側分割端子の他端とに掛架されることを特徴とする車載用アンプ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子機器に取り付けられる電源接続端子、電子機器、及び車載用アンプに関する。
詳しくは、一端に電子機器が接続される電子機器側分割端子及び一端に電源が接続される電源側分割端子を端子基体に設け、通電量に基づいて通電を遮断する通電遮断手段を電子機器側分割端子及び電源側分割端子の他端とに掛架することで、当該電源接続端子が設けられる電子機器のコンパクト化を図れるようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで本発明は、上述の課題を解消すべく創造されたものであり、電子機器をコンパクトに構成するようにした電源接続端子、電子機器、及び車載用アンプを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る電子機器によれば、上述した電源接続端子が設けられるので、従来方式のように通電遮断手段を電源接続端子と分離して配置した場合に比べて、当該電子機器のコンパクト化を図ることができる。
従って、当該電子機器をコンパクトに構成することができる。
また更に、本発明に係る車載用アンプは、電源接続用の端子を有した車載用アンプにおいて、前記電源接続端子は、端子基体と、一端に前記電子機器が接続され、他端に前記電源が接続される前記端子基体に設けられた第１端子と、一端に前記電子機器が接続される電子機器側分割端子と、一端に前記電源が接続される電源側分割端子とを有し、前記端子基体に設けられた第２端子と、前記第２端子における通電量に基づいて通電を遮断する通電遮断手段とを備え、前記通電遮断手段は前記電子機器側分割端子の他端及び前記電源側分割端子の他端とに掛架されることを特徴とするものである。
本発明に係る車載用アンプによれば、電源接続用の端子を有した場合において、上述した電源接続端子が設けられるので、従来方式のように通電遮断手段を電源接続端子と分離して配置した場合に比べて、当該電子機器のコンパクト化を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態としての電源接続端子、電子機器、及び車載用アンプについて説明する。
図１は本発明に係る実施形態としての電源接続端子１００の外観例を示す斜視図である。この実施形態では、一端に電子機器が接続される電子機器側分割端子及び一端に電源が接続される電源側分割端子を端子基体に設け、通電量に基づいて通電を遮断する通電遮断手段を電子機器側分割端子及び電源側分割端子の他端とに掛架することで、電源接続端子が設けられる電子機器のコンパクト化を図るようにしたものである。また、ここでは使用される電子機器が車載用のアンプであることを前提とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明に係る電子機器、及び車載用アンプによれば、上述した電源接続端子が設けられるので、従来方式のように通電遮断手段を電源接続端子と分離して配置した場合に比べて、当該電子機器のコンパクト化を図ることができる。
この発明は、電子機器に取り付けられる電源接続端子及びその電源接続端子を応用した電子機器等に適用して極めて好適である。