Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体と、下記Ｘ線回折パターンを有する少なくとも１層の皮膜とから成る切削工具インサートであって、
上記Ｘ線回折パターンは、結晶構造の存在を示す最高ピーク高さＰの狭いピークと、非晶質構造の存在を示す最高ピーク高さＨの広いピークとを含み、バックグラウンド強度Ｂに対してＨ＞３Ｂ、Ｐ＞５Ｂであり、０．７５＜Ｐ／Ｈ＜３の関係があることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項２】  請求項１において、上記結晶構造が立方晶であることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項３】  請求項２において、上記立方晶がオスボーナイトであることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項４】  請求項１から３までのいずれか１項において、上記１層が（Ｔｉ、Ａｌ）（Ｏ、Ｎ）から成ることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項５】  請求項４において、上記（Ｔｉ、Ａｌ）（Ｏ、Ｎ）の組成が、（ＴｉｘＡｌ１−ｘ）（Ｏｙ、Ｎ１−ｙ）、０．２０＜ｘ＜０．７０、０．１５＜ｙ＜０．３５であることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項６】  請求項１から５までのいずれか１項において、上記１層が上記皮膜の最外層であることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項７】  請求項１から６までのいずれか１項において、上記基体が、超硬合金、サーメット、セラミックスまたは立方晶窒化硼素であることを特徴とする切削工具インサート。
【請求項８】  金属機械加工用であって、少なくとも１層が（Ｔｉ、Ａｌ）（Ｏ、Ｎ）である皮膜を備えた切削工具インサートの製造方法であって、
上記(Ｔｉ、Ａｌ)(Ｏ、Ｎ)層をＮ２、Ｏ２およびＡｒから成る反応性雰囲気中で、ＴｉＡｌターゲットを用いたアーク蒸着法により製膜し、該雰囲気は、全圧Ｐが１．０Ｐａ＜Ｐ＜１０Ｐａであり、Ｏ２／（Ｎ２＋Ｏ２）の比Ｒが０．０５＜Ｒ＜０．１５であることを特徴とする切削工具インサートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  媒体処理装置において、
媒体供給路に沿って媒体を下流に進めることができる媒体供給機構と、
前記媒体供給路に沿って下流に進む媒体を加熱するために前記供給路に沿って配置され、加熱されたパッチ状領域と加熱されていない基準パッチ状領域とを前記媒体上に交互に生じさせることができるパルス式熱源である熱源と、
前記熱源から下流に前記供給路に沿って配置され、前記熱源から下流に進む媒体の温度を検出できる温度センサであって、このような加熱されたパッチ状領域と加熱されていないパッチ状領域とを検出すると前記媒体の熱容量を表す波形信号を出力する温度センサと、
前記媒体の検出温度に基づいて媒体タイプを選択的に識別するために前記温度センサと接続されているプロセッサと、
を備える媒体処理装置。
【請求項２】  前記プロセッサは、媒体タイプを示す前記媒体の熱容量を表す前記波形信号を受け取ることができる、請求項１に記載の媒体処理装置。
【請求項３】  媒体タイプを決定する方法であって、
媒体に熱エネルギーを加える熱エネルギー印加ステップであって、熱エネルギーをパルス化して熱源から前記媒体へ向かって送り、加熱されたパッチ状媒体領域と加熱されていないパッチ状媒体領域とを交互に生じさせる熱エネルギー印加ステップと、
媒体供給路に沿って下流に前記媒体を供給する媒体供給ステップと、
前記媒体から放射された熱エネルギーを検出する検出ステップであって、温度センサが、このような加熱されたパッチ状媒体領域と加熱されていないパッチ状媒体領域とを検出して、前記媒体の熱容量を表す波形信号を出力する検出ステップと、
前記媒体から放射された熱エネルギーに基づいて前記媒体の熱容量を計算する計算ステップと、
を含む方法。
【請求項４】  媒体の熱容量を計算する計算ステップが、波形信号を自乗平均演算することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  媒体処理装置であって、
媒体供給路に沿って下流に媒体を進めることができる媒体供給手段と、
前記媒体供給路に沿って下流に進む媒体に熱エネルギーを加えるために前記供給路に沿って配置された加熱手段と、
前記加熱手段から下流に進む媒体の温度を選択的に検出するために前記熱源から下流に前記供給路に沿って配置された温度検出手段と、
該温度検出手段から前記検出温度を表す出力信号を受け取り、このような出力信号に基づいて前記媒体の熱容量を決定し、このような熱容量に基づいて媒体タイプを識別するために前記温度検出手段に接続され、前記検出温度を表す出力信号を自乗平均演算して得られた自乗平均演算値に基づいて熱容量を決定できるプロセッサ手段と、
を備える媒体処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートプリンテイング媒体上に、ページワイドプリントヘッドと、該シートプリンテイング媒体と第１プリントヘッドの間の相対運動を提供する輸送デバイスと、を使用して画像をプリントするためのプリンテイング方法に於いて、該方法が、
−次々とプリントするためにシートプリンテイング媒体のシリーズを該第１プリントヘッドへ提出する過程と、
−該第１プリントヘッドを用いて、１パスで、該シリーズのプリンテイング媒体の第１シート上に第１画像のモノクロの相互侵入型でプリントされた部分画像の少なくとも１セットの第１部分画像をプリントする過程と、
−該第１シートプリンテイング媒体上への該第１画像のモノクロの相互侵入型でプリントされた部分画像の該少なくとも１セットの更に進んだ部分画像をプリントすることが追随する、該シートプリンテイング媒体のシリーズの各残りの１つ上に画像の部分画像を連続してプリントする過程と、を具備することを特徴とするプリンテイング方法。
【請求項２】
部分画像の該数と該部分画像のプリンテイングの該シーケンスとが独立に設定可能であることを特徴とする請求項１に記載の該方法。
【請求項３】
該プリントヘッドが細長く、縦軸線を有しており、更に、プリンテイングパスの後に該プリントヘッドをその縦軸線に沿って動かす過程を具備することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
環状のブラシシールが、ガスタービン及び蒸気タービンにおいてロータとそれを囲むケーシングとの間に使用されてきた。ガス又は蒸気タービンのブラシシールは、周方向に配列されたブラシシールセグメントで構成される。各ブラシシールセグメントは、円形リングの環状セグメントの形状を有する金属ブリストル保持具に取付けられた（例えば、溶接された）複数の可撓性の金属ワイヤブリストルを含む。ブリストル保持具は、環状のケーシングセグメントにある表面溝の半径及び周方向長さに対応する一定の半径及び一定の周方向長さを有し、ブリストル保持具は、取付けられたブリストルと共にその表面溝内に挿入される。ブリストル保持具は、ブリストルとシールの低圧側との間に配置された裏当てプレートを含むことができ、ブリストルの自由端が該裏当てプレートの半径方向内端部を越えて半径方向内向きに延びる。
【特許文献１】米国特許第６３４０２８６号
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
端面シール及び吸引シールを含む、可動要素を有する軸方向シールは、摺動する二次シールを必要とする。この二次シールは、一次シールと同じ圧力比を処理する能力がなければならないし、また漏洩は最小限でなければならない。二次シールは、一方が固定部品であり他方が軸方向に摺動する部品である２つの部品間で機能する。二次シールは、ドライ式（無潤滑式）であり、かつ内部摩擦の少ないものでなければならない。ガスタービンエンジン用途では、二次シールは更に、厳しい熱環境及びダストを含む厳しい作動環境に曝される。二次シールは、２つの部分の間をシールする能力がなければならないが、変化する熱伝導係数を持つ周囲の高温ガスにより異なる率で半径方向に偏倚する。従来技術による二次シールは、一般的に二次シール要素として複数の弓形のセグメント又はピストンリングを用い、多数のコイルばねによって該シール要素を位置決めしている。このことは、不必要に多数の部品を必要とすることになる。更に、高いガス速度の時に、ダストが、コイルばねのような断続した部品の材料を侵食して取り去り、シール破損を招く可能性がある。
【特許文献１】米国特許第６３７１４８８号
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
シュラウドカバーの重なり合いが、今まで一部のタービンで発生していた。つまり、シュラウドカバーの１つの端縁が、時として隣接するシュラウドカバーの隣接する端縁に重なることになる。万一この重なり合う状態が発生した場合、バケットは、タービンの正常運転速度で所定の位置に効果的に固定されない。もっと適切に言えば、カバーの１つの端縁が、隣接するカバーの半径方向下方にある端縁を越えて半径方向外向きに突出し、一方、重なるカバーの反対側の端縁は、隣接するカバーの端縁から間隔を生じる。更に、シュラウドの重なり合いを生じたバケットは、運転速度で高サイクル疲労共振を生じる可能性があり、このことがバケット磨耗を招き、破損の可能性を生じる畏れがある。バケット修理及び／又は交換のための通常の運転休止の間に、また現存するシュラウドの重なり合いの修理時に、タービンを分解してバケットを取り外すことは通常のことであるが、このタイプの修理は、予定の運転休止の間のみにおいて通常の磨耗を処理するために行われ、一般的にはシュラウドの重なり合いの問題を処理しない。万一シュラウドの重なり合いが発生した場合には、タービンは運転休止され、バケット及びカバーが取り外され交換されることになるが、タービン外側ケーシングの取り外しを含むタービンを分解し修理を行う作業時間と非稼動中のタービンに関連する余分のコストとが大きなものとなるので、この種の運転休止は、経済的見地から実用的ではない。
【特許文献１】米国特許第６２６９５４０号
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  それぞれ後方端部を有するとともに、ある角度範囲にわたって位置づけることができる複数の縮小フラップと、
前記縮小フラップの後方端部に連結部によって回転可能に連結されるとともに、ある角度領域にわたってそれぞれ位置づけることができる複数の拡大フラップと、を有し、
前記フラップは、ガス流路を囲むとともに、スロート部を間に有する縮小ノズル部と拡大ノズル部とを画成し、
さらに、前記ノズルの内部空間に冷媒を取り入れるとともに、前記連結部の後方でかつ前記スロート部よりも後方とならない位置にある冷媒取入口と、
前記取入口の後方に位置するとともに、取り入れた冷媒を前記内部空間から排出する冷媒排出口と、を有することを特徴とする可変寸法排出ノズル。
【請求項２】  前記取入口は、前記拡大フラップに設けられたスクーパであることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項３】  前記取入口は、前記拡大フラップを貫通する一組の開口部であることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項４】  前記排出口は、
ａ）前記拡大部の後方端部に設けられた１つまたは複数の排出開口部と、
ｂ）前記内部空間と前記ガス流路とを流体的に連通させるように前記拡大フラップを貫通する１つまたは複数の排出ポートと、の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項５】  前記拡大フラップは、長さを有し、前記排出ポートは、前記拡大フラップの長さの約５０％の位置より後方でこのフラップを貫通していることを特徴とする請求項４記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項６】  前記排出ポートは、前記フラップの長さの約５０％の位置より後方の領域の実質的に全体にわたって設けられていることを特徴とする請求項５記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項７】  前記ノズルに沿って冷媒が流れており、前記取入口は、流体の流れの局部的な方向に平行でない平面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項８】  前記突出部は、前記ノズルを通って流れる流体に局部的な圧力上昇を引き起こすことを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項９】  それぞれ後方端部を有するとともにフレームに回転可能に連結された複数の縮小フラップを有し、これらの縮小フラップは、ある角度範囲にわたって回転可能に設けられているとともに、ガス流路の一部を囲んでおり、
内部空間を間に画成するようにスペーサによって分離された内側外板と外側外板とをそれぞれ有する複数の拡大フラップを有し、各々の拡大フラップは、さらに前方端部を有し、これらの前方端部は、前記縮小フラップの後方端部に回転可能に連結されているとともに、ある角度領域にわたって回転可能に設けられており、前記フラップは、ノズルのスロート部を画成し、前記拡大フラップは、前記角度範囲および前記角度領域の少なくとも一部において、前記ガス流路内に径方向内側に延在する突出部を提供するように形状づけられており、前記拡大フラップには、前記スロート部より後方とならない位置に複数の取入開口部が貫通しており、前記拡大フラップは、さらに、前記取入開口部の後方に位置する排出ポートを有し、前記取入開口部と前記排出ポートとは、前記内部空間と共同して冷媒流路を構成しており、
前記フラップに沿って冷媒のフィルムが流れており、前記突出部は、前記冷媒のフィルムの流れの一部を前記冷媒流路内に分流することを特徴とする可変寸法排出ノズル。
【請求項１０】  前記の角度範囲および角度領域の少なくとも一部にわたって、突出部が前記ノズルのスロート部の前方でかつ該ノズルから径方向内向きに延在していることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項１１】  前記突出部は、前記拡大フラップの前方端部と、前記縮小フラップおよび前記拡大フラップの角度によって定められることを特徴とする請求項１０記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項１２】  前記冷媒取入口は、前記突出部に設けられていることを特徴とする請求項１０記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項１３】  前記冷媒取入口は、前記拡大フラップに設けられていることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【請求項１４】  前記冷媒取入口は、ガス流路にさらされていることを特徴とする請求項１記載の可変寸法排出ノズル。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
炉心内部冷却材配管は、冷却水が原子炉容器に注入されるとき、漏洩防止性が維持されなければならない。パイプの内側を通して冷却水を注入すると、ボルト止めされたパイプ継手に対するパイプの熱収縮が生じる。継手ボルトに対するパイプの収縮によって、ボルト張力の低下が生じる可能性がある。ボルト張力の低下により、継手のシール着座力が減少し、そのことがシールの漏洩防止性を低下させる。
【特許文献１】特開昭５８−０１３２５９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インターベンショナル処置の際にＭＲＩにより撮影される処置具のサイズを可変する方法において、
インターベンショナル処置の際にＭＲＩ装置により非対称性の程度を示すパラメータΔＴＥの初期値について非対称スピンエコーシーケンスを実行するステップと、
前記非対称スピンエコーシーケンスにより得られたＭＲＩエコー信号からなるｋ空間データを収集するステップと、
前記ｋ空間データを所定のフーリエ変換処理により画像領域のデータへ変換し、該画像領域のデータを用いて画像を表示するステップと、
前記パラメータΔＴＥの初期値を所定量増減することにより前記パラメータΔＴＥを更新するステップと、
前記更新したΔＴＥを用いて非対称スピンエコーシーケンスを実行し、インターベンショナル処置の際に使われる処置具の画像サイズを変化するステップと、
を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記処置具の画像サイズを変えるためにＭＲＩ装置のリアルタイムモードにおいて非対称性の程度を示すパラメータが可変の非対称スピンエコーシーケンスが用いられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記処置具は常磁性体、反磁性体、強磁性体のいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記パラメータΔＴＥは位相エンコード傾斜磁場の関数として変化する所定量だけ更新されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記更新されたパラメータΔＴＥは前記処置具の画像のコントラスト特性を変えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】 処置具の画像サイズを制御するために非対称性が可変である非対称スピンエコーＭＲＩシーケンスを発生するための磁場発生及び検出コイルと、
前記磁場発生及び検出コイルに印加される一連のパルスを発生させるパルスシーケンス制御部であって、該一連のパルスとして、
撮影領域選択用の傾斜磁場パルスと、
位相エンコード用の傾斜磁場パルスと、
リードアウト用の傾斜磁場パルスと、
ＲＦ励起パルスと少なくとも１つのＲＦリフォーカスパルスとを有する非対称ＲＦ歳差運動パルスシーケンスであって、前記ＲＦ励起パルスの発生と前記ＲＦリフォーカスパルスの発生の間の時間と、前記ＲＦリフォーカスパルスと検出されたＮＭＲスピンエコー信号との間の時間が異なるように前記ＲＦ励起パルス、リフォーカスパルス、リードアウト傾斜磁場パルス発生の間の時間的な非対称性の程度が可変であるパルスシーケンスと、を発生させるパルスシーケンス制御部と、
を具備し、
前記パルスシーケンス制御部は該非対称性の程度を前記処置具の画像サイズに影響するよう変更させる磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】  前記処置具は常磁性体、反磁性体、強磁性体のいずれかからなることを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】  処置具の画像サイズを制御するために非対称性が可変である非対称スピンエコーＭＲＩシーケンスを発生するための磁場発生及び検出コイルと、
前記磁場発生及び検出コイルに印加される一連のパルスを発生させるパルスシーケンス制御部であって、該一連のパルスとして、
撮影領域選択用の傾斜磁場パルスと、
位相エンコード用の傾斜磁場パルスと、
リードアウト用の傾斜磁場パルスと、
ＲＦ励起パルスと少なくとも１つのＲＦリフォーカスパルスとを有する非対称ＲＦ歳差運動パルスシーケンスであって、該非対称ＲＦ歳差運動パルスシーケンスは前記ＲＦ励起パルスの発生と前記ＲＦリフォーカスパルスの発生の間の時間と、前記ＲＦリフォーカスパルスと検出されたＮＭＲスピンエコー信号との間の時間が異なるように前記ＲＦ励起パルス、リフォーカスパルス、リードアウト傾斜磁場パルス発生の間の時間的な非対称性の程度が可変であり、前記非対称性が処置具の画像サイズに影響し、また前記非対称性が前記パルスシーケンス制御部によって位相エンコード傾斜磁場の関数として変化するパルスシーケンスと、を発生させるパルスシーケンス制御部と、
を具備する磁気共鳴イメージング装置
【請求項９】  前記非対称性の程度は前記処置具の画像のコントラスト特性を変えることを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】  前記非対称性の程度はインターベンショナルＭＲＩ透視処置において組織内に挿入された処置具の画像サイズを決定することを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】  前記パルスシーケンス制御部はプログラム可能なコンピュータ処理装置の制御に従って前記パルスを発生させることを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 検出器アレイ及び前記検出器アレイに向けてＸ線ビームを放射するためのＸ線源を含むイメージング装置において偵察画像を作成するための方法であって、被検体を走査する工程、走査された被検体の投影データを収集する工程、及び前記投影データをｚ軸方向に位置合せする工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記検出器アレイがｚ軸に沿って変位した少なくとも２列の検出器セルを含む場合において、前記遅れ係数がＤVIEW＝round[(｜Ｚ1A−Ｚ1B｜ISO・ＦVIEW)/ＶTABLE]によって表わされ、式中、｜Ｚ1A−Ｚ1B｜ＩＳＯは検出器のアイソセンタにおける第１の検出器列（１Ａ）と第２の検出器列（１Ｂ）との間の距離、ＶTABLEは検査台速度、ＦVIEWは収集されるビューの数、そしてＤVIEWは未圧縮ビューの数で表わされた遅れ係数である請求項１記載の方法。
【請求項３】 前記ビューの位置狂いが
【数１】
2000139899.tif 000001
によって表わされる請求項２記載の方法。
【請求項４】 前記ビュー圧縮がＮC＝round[(SFOV・ＦVIEW)/(ＮＵＭpixel・ＶTABLE)]によって表わされ、式中、ＦVIEWは収集されるビューの数、ＳＦＯＶは走査視野、ＶTABLEは検査台速度、そしてＮＵＭpixelはピクセルの数である請求項１記載の方法。
【請求項５】 前記イメージング装置が更にスケーラブル・データ取得装置を含む場合において、前記投影データをｚ軸方向に位置合せする前記工程が前記スケーラブル・データ取得装置のサンプリング速度を決定する工程を含む請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】 前記データ転送速度がＴDATA＝ＦVIEW・View＿width・Size of (FFP)・ＮｕｍROWSによって表わされ、式中、Size of (FFP) はＦＦＰのバイト数、View＿widthは検出器中のカラムの数、そしてＮｕｍROWSは投影データを収集するために使用される列の数である請求項５記載の方法。
【請求項７】 検出器アレイ及び前記検出器アレイに向けてＸ線ビームを放射するためのＸ線源を含むイメージング装置において偵察画像を作成するための装置において、被写体を走査し、走査された被写体の投影データを収集し、次いで前記投影データをｚ軸方向に位置合せするように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項８】 前記検出器アレイがｚ軸に沿って変位した少なくとも２列の検出器セルを含む場合において、前記遅れ係数がＤVIEW＝round[(｜Ｚ1A−Ｚ1B｜ISO・ＦVIEW)/ＶTABLE]によって表わされ、式中、｜Ｚ1A−Ｚ1B｜ＩＳＯは検出器のアイソセンタにおける第１の検出器列（１Ａ）と第２の検出器列（１Ｂ）との間の距離、ＶTABLEは検査台速度、ＦVIEWは収集されるビューの数、そしてＤVIEWは未圧縮ビューの数で表わされた遅れ係数である請求項７記載の装置。
【請求項９】 前記ビューの位置狂いが
【数２】
2000139899.tif 000002
によって表わされる請求項８記載の装置。
【請求項１０】 前記ビュー圧縮がＮC＝round[(SFOV・ＦVIEW)/(ＮＵＭpixel・ＶTABLE)]によって表わされ、式中、ＦVIEWは収集されるビューの数、ＳＦＯＶは走査視野、ＶTABLEは検査台速度、そしてＮＵＭpixelはピクセルの数である請求項７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｘ線源と複数の検出器より成る検出器アレイとを備えていて、走査において取得された投影データを用いて物体の基本断層撮影画像及び後続の断層撮影画像を形成するシステムであって、前記投影データに対してセグメント化アルゴリズムを適用して、複数のセグメントより成る基本画像データを形成し、次いで各々のセグメント毎に画像データを形成し、次いで各々のセグメントの前記画像データに基づいて後続の画像データを形成するように構成されていることを特徴とする前記システム。
【請求項２】 各々のセグメント毎に前記画像データを形成するために、各々のセグメント毎に、オーバースキャン重み付き画像データ及び単位重み付き画像データを形成するように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項３】 前記基本画像データを形成するために、前記基本画像データを２πの角度範囲毎にＭ個のセグメントに分割するように構成されている請求項２に記載のシステム。
【請求項４】 セグメントｋについての前記後続の画像データＰは、
【数１】
2000139900.tif 000001
であり、ここで、ＯKはセグメントｋについてのオーバースキャン重み付き画像データであり、Ｕi はセグメントｉについての単位重み付き画像データであり、ｋ≧１である請求項３に記載のシステム。
【請求項５】 セグメントｋについての前記後続の画像データＰは、ＰK＝ＰK-1−ＯK-1−ＵK＋ＯK＋ＯK+M-1＋ＵK+M−ＯK+Mであり、ここで、ＯKはセグメントｋについてのオーバースキャン重み付き画像データであり、ＵKはセグメントｋについての単位重み付き画像データであり、ｋ＞１及びＭ＞６である請求項３に記載のシステム。
【請求項６】 各々のセグメントが複数の数のビューを含んでいる請求項３に記載のシステム。
【請求項７】 ｋ番目のセグメントにおけるビューの数が、（ｋ＋Ｍ）番目のセグメントにおけるビューの数に等しい請求項６に記載のシステム。
【請求項８】 数Ｄのプロセッサ・パイプを更に含んでおり、ここで、βがビュー角度であり且つβ0が画像再構成について３６０°を超えた分のガントリ回転の角度であるとして、各々のセグメントにおけるビューの数が、０≦β≦β0におけるビューの数よりも大きいか又はこれに等しい請求項７に記載のシステム。
【請求項９】 データ取得システム（ＤＡＳ）を更に含んでおり、１セグメント当たりのビューの数を選択するために、ＤＡＳのデータ・サンプリング速度を、１セグメント当たり選択された数のビューが収集されるように調節するように構成されている請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】 前記調節後のサンプリング速度は、Ｒ＝Ｖ／（Ｄ＊Ｍ）
であり、ここで、Ｒは整数であり、Ｖはガントリの２πの回転当たりのビューの数である請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】 Ｘ線源と複数の検出器より成る検出器アレイとを備えている計算機式断層撮影（ＣＴ）システムで、走査において取得された投影データを用いて物体の画像を再構成する方法であって、前記投影データに対してセグメント化アルゴリズムを適用して、複数のセグメントを含む基本画像データを形成する工程と、各々のセグメント毎に画像データを形成する工程と、各々のセグメントの前記画像データに基づいて、後続の画像データを形成する工程とを有していることを特徴とする前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  使い捨ておむつ等の吸収物品用の、二物品または一物品の二部を相互に対して締結するための機械的結合テープ（２２）から成るフアスナ装置において、
前記フアスナ装置は第一物品または一物品の第一部（１７）へ固定できる第一部（３２）、および二部材構成のフアスナ機構の第一フアスナ部材（３８）を備えた第二部（３４）を有する締結テープ２４、および
前記第二物品または前記一物品の第二部（１６）上に固定できる第一面、および前記二部材構成フアスナ機構の第二フアスナ部材（５０）を備えた第二面を有するターゲットテープ（２６）を含み、
前記第一および第二フアスナ部材（３８，５０）は相互に対して機械的に係合しかつ機械的に離脱し、かつ
前記ターゲットテープ（２６）の第二面は前記第一フアスナ部材（３８）が前記第二フアスナ部材（５０）と係合しない第一端部を有し、前記ターゲットテープ（２６）の第二面の第一端部は、前記第一および第二フアスナ部材（３８，５０）が機械的に係合するときに前記締結テープ（２４）の第一部（３２）から遠方にあることを特徴とするフアスナ装置。
【請求項２】  前記第二フアスナ部材（５０）は前記ターゲットテープ（２６）の前記第二面の第一端部へ延在し、かつ前記第一端部において前記第二フアスナ部材（５０）へ接合された接着面（５８）を有するカバーテープ（５４）により被覆されている、請求項１のフアスナ装置。
【請求項３】  前記第一および第二フアスナ部材（３８，５０）が機械的に係合するときに、前記締結テープ（２４）の前記第一部（３２）から遠方のターゲットテープ（２６）の前記第一面の端領域は前記第二物品または前記一物品の第二部への固定が阻止され、前記ターゲットテープ（２６）の前記第二面の第一端部は前記ターゲットテープ（２６）の前記第一面の前記端領域よりも広い、請求項１または２のフアスナ装置。
【請求項４】  前記カバーテープ（５４）は前記第二面の第一端部から延在し、前記ターゲットテープ（２６）の前記第一面の端領域はそこへ接合されてフィンガリフト（６０）を形成している、請求項２のフアスナ装置。
【請求項５】  前記第一および第二フアスナ部材（３８，５０）は前記第一および第二フアスナ部材（３８，５０）から突出する機械的に係合自在かつ離脱自在の締結要素（４０，５１）を備え、かつ前記ターゲットテープ（２６）の前記第一端部における前記第二フアスナ部材（５０）は要素締結から自由である、請求項１のフアスナ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明の方法により、最終的にナノコンポジット磁石を作製する場合は、図１に示す装置１を用いて、ハード磁性相用の超微粒子とソフト磁性相用の超微粒子を別々に作製してもよいが、ハード磁性およびソフト磁性の一方を担う芯粒子の周りを他方の層が被覆した超微粒子を作製してもよい。後者の超微粒子を作製する場合、ソフト磁性の体積比率が大きいと、最終的に得られるナノコンポジット磁石組織内での交換結合が小さくなるため、ハード磁性の芯粒子を薄いソフト磁性層が覆う微粒子を作製することが好ましい。このような態様は、ハード磁性材料として希土類合金を採用する場合には、ハード磁性相の酸化が抑制されるという利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に間隔をあけて形成された第１および第２ウェルと、
前記第１ウェルに形成され、ソース／ドレインとなる一対のｐ型不純物領域と、
前記一対のｐ型不純物領域に挟まれる前記半導体基板領域上に、トンネル絶縁層を介して形成されたフローティングゲート電極と、
前記第２ウェルに形成され、前記フローティングゲート電極の電位を制御するための制御用不純物領域とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記制御用不純物領域は、ｐ型の導電型を有し、かつ前記フローティングゲート電極と絶縁層を介して対向することを特徴とする、請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記制御用不純物領域は、前記フローティングゲート電極の下側に位置する前記半導体基板の領域を挟むように前記半導体基板の主表面に形成された一対のソース／ドレイン用不純物領域であることを特徴とする、請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記一対のソース／ドレイン用不純物領域はｎ型の導電型を有することを特徴とする、請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第２ウェルはｐ型ウェル領域であり、ｎ型の前記一対のソース／ドレイン用不純物領域は前記ｐ型ウェル領域内に形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記一対のソース／ドレイン用不純物領域はｐ型の導電型を有することを特徴とする、請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第２ウェルはｎ型ウェル領域であり、ｐ型の前記一対のソース／ドレイン用不純物領域は前記ｎ型ウェル領域内に形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
前記制御用不純物領域は、ｎ型の導電型を有し、かつ前記フローティングゲート電極と絶縁層を介して対向することを特徴とする、請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第２ウェルはｐ型ウェル領域であり、ｎ型の前記制御用不純物領域は前記ｐ型ウェル領域内に形成されていることを特徴とする、請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記第１ウェルと前記第２ウェルとの間の前記半導体基板の主表面に形成されたフィールド絶縁層と、
前記フィールド絶縁層の直下の前記半導体基板に形成された素子分離用ｐ型不純物領域とをさらに備えたことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成され、ソース／ドレイン領域となる一対のｐ型不純物領域と、
前記一対のｐ型不純物領域に挟まれる前記半導体基板の領域上に、トンネル絶縁層を介して形成されたフローティングゲート電極と、
前記半導体基板の主表面に形成され、前記フローティングゲート電極の電位を制御するための制御用不純物領域とを備え、
前記制御用不純物領域は、前記フローティングゲート電極の下側に位置する前記半導体基板の領域を挟むように前記半導体基板の主表面に形成された一対のソース／ドレイン用不純物領域である不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、第１および第２ウェルと、ソース／ドレインとなる一対のｐ型不純物領域と、フローティングゲート電極と、制御用不純物領域とを備えている。半導体基板は、主表面を有している。第１および第２ウェルは、半導体基板に間隔をあけて形成されている。ソース／ドレインとなる一対のｐ型不純物領域は、第１ウェルに形成されている。フローティングゲート電極は、一対のｐ型不純物領域に挟まれる半導体基板領域上に、トンネル絶縁層を介して形成されている。制御用不純物領域は、第２ウェルに形成され、フローティングゲート電極の電位を制御するためのものである。
本発明の他の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、ソース／ドレイン領域となる一対のｐ型不純物領域と、フローティングゲート電極と、制御用不純物領域とを備えている。半導体基板は、主表面を有している。ソース／ドレイン領域となる一対のｐ型不純物領域は、半導体基板の主表面に形成されている。フローティングゲート電極は、一対のｐ型不純物領域に挟まれる半導体基板の領域上に、トンネル絶縁層を介して形成されている。制御用不純物領域は、半導体基板の主表面に形成され、フローティングゲート電極の電位を制御するためのものである。制御用不純物領域は、フローティングゲート電極の下側に位置する半導体基板の領域を挟むように半導体基板の主表面に形成された一対のソース／ドレイン用不純物領域である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シロキサンを含有する材料を塗布および乾燥させて、平坦性を有する絶縁膜を形成し、
マイクロ波によって窒素プラズマを発生させ、前記平坦性を有する絶縁膜表面を窒化処理し、
前記窒化処理された表面上に金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
シロキサンを含有する材料を塗布および乾燥させて、平坦性を有する絶縁膜を形成し、
マイクロ波によって窒素プラズマを発生させ、前記平坦性を有する絶縁膜表面を窒化処理し、
前記窒化処理された表面上にチタン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記金属膜は、スパッタ法により形成したチタン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
シロキサンを含有する材料を塗布および乾燥させて、薄膜トランジスタ上に平坦性を有する絶縁膜を形成し、
マイクロ波によって窒素プラズマを発生させ、前記平坦性を有する絶縁膜表面を窒化処理した後、
前記平坦性を有する絶縁膜を選択的に除去して前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインに達するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて、前記ソースまたは前記ドレインに接する電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
シロキサンを含有する材料を塗布および乾燥させて、薄膜トランジスタ上に平坦性を有する絶縁膜を形成し、
マイクロ波によって窒素プラズマを発生させ、前記平坦性を有する絶縁膜表面を窒化処理した後、
前記平坦性を有する絶縁膜を選択的に除去して前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインに達するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて、前記ソースまたは前記ドレインに接する電極を形成し、
前記電極に接する第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
表面が窒化処理され、且つ平坦性を有する絶縁膜と、
前記窒化処理された表面上の金属膜とを有し、
前記平坦性を有する絶縁膜は、アルキル基を有する酸化珪素膜であって、前記酸化珪素膜の赤外線吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉに基づく特性吸収ピークと、Ｓｉ−Ｃに基づく特性吸収ピークとを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
表面が窒化処理され、且つ平坦性を有する絶縁膜と、
前記窒化処理された表面上のチタン膜とを有し、
前記平坦性を有する絶縁膜は、アルキル基を有する酸化珪素膜であって、前記酸化珪素膜の赤外線吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉに基づく特性吸収ピークと、Ｓｉ−Ｃに基づく特性吸収ピークとを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた、表面が窒化処理され、且つ平坦性を有する絶縁膜と、
前記窒化処理された表面上に設けられた電極とを有し、
前記平坦性を有する絶縁膜には、前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインに達するコンタクトホールが設けられ、
前記電極は、前記コンタクトホールにおいて前記ソースまたは前記ドレインに接し、
前記平坦性を有する絶縁膜は、アルキル基を有する酸化珪素膜であって、前記酸化珪素膜の赤外線吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉに基づく特性吸収ピークと、Ｓｉ−Ｃに基づく特性吸収ピークとを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた、表面が窒化処理され、且つ平坦性を有する絶縁膜と、
前記窒化処理された表面上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記平坦性を有する絶縁膜には、前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインに達するコンタクトホールが設けられ、
前記第１の電極は、前記コンタクトホールにおいて前記ソースまたは前記ドレインに接し、
前記平坦性を有する絶縁膜は、アルキル基を有する酸化珪素膜であって、前記酸化珪素膜の赤外線吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉに基づく特性吸収ピークと、Ｓｉ−Ｃに基づく特性吸収ピークとを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記平坦性を有する絶縁膜における窒素濃度は、前記平坦性を有する絶縁膜の表面から離れるにつれて減少することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面を有する第１の配線基板と、
前記第１の配線基板に実装され、かつ前記第１の配線基板と電気的に接続される第１の半導体チップと、
第３の主面と、前記第３の主面に対向する第４の主面とを有し、かつ前記第１の配線基板の第１の主面上に複数の突起電極を介して積層された第２の配線基板と、
前記第２の配線基板に実装され、かつ前記第２の配線基板と電気的に接続された第２の半導体チップと、
前記第１の配線基板の第２の主面に設けられた複数の外部端子とを有し、
前記第１の配線基板の配線層の数は、前記第２の配線基板の配線層の数より多いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置であって、前記第２の配線基板は、前記第１の配線基板の第１の主面上に複数段に亘って積層され、それぞれ下段の配線基板と前記複数の突起電極を介して電気的に接続して配置され、前記第２の配線基板は、前記第１の配線基板の第１の主面上に複数段に亘って積層され、それぞれ下段の配線基板と前記複数の突起電極を介して電気的に接続して配置され、前記第２の半導体チップはそれぞれメモリ回路を有しており、それぞれの前記第２の配線基板に設けられた前記突起電極は、各段ごとに同一の配置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項２記載の半導体装置であって、前記メモリ回路は複数種類であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項１記載の半導体装置であって、前記第２の半導体チップはメモリ回路を有しており、前記第１の半導体チップはロジック回路を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項４記載の半導体装置であって、前記第２の配線基板に設けられた前記複数の突起電極と、前記第１の配線基板の第２の主面に設けられた前記複数の外部端子とをそれぞれ接続する配線は、前記第１の配線基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項１記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれの配線基板にフリップチップ接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  請求項１記載の半導体装置であって、前記複数の外部端子は、前記第１の配線基板の第２の主面側において、前記第１の半導体チップの内側に対応した領域と外側に対応した領域とに配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項１記載の半導体装置であって、前記第１の配線基板に搭載される前記第１の半導体チップの平面サイズは、前記第２の配線基板に搭載される前記第２の半導体チップに比較して小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  請求項1記載の半導体装置であって、前記第２の配線基板はフィルム状のテープ基板であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面を有する第１の配線基板と、前記第１の配線基板に実装され、かつ前記第１の配線基板と電気的に接続される第１の半導体チップと、第３の主面と、前記第３の主面に対向する第４の主面とを有し、かつ前記第１の配線基板の第１の主面上に複数の突起電極を介して積層された第２の配線基板と、前記第２の配線基板に実装され、かつ前記第２の配線基板と電気的に接続された第２の半導体チップと、前記第１の配線基板の第２の主面に設けられた複数の外部端子とを有し、前記第１の配線基板の配線層の数は、前記第２の配線基板の配線層の数より多いものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置、無線通信システム、信号受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信する第１の信号の受信波形に基づいてテンプレート波形を作成するテンプレート波形作成部と、
上記テンプレート波形からテンプレートを作成するテンプレート作成器と、
上記テンプレートと受信する第２の信号との相関を計算する相関器と、を有することを特徴とする受信装置。
【請求項２】
請求項１記載の受信装置であって、
上記テンプレート波形作成部は、上記第１の信号の受信波形から振幅ピークを検出する振幅ピーク検出部と、上記振幅ピークに基づいて所定の基準テンプレートを増幅するテンプレートパルス生成器とを有し、上記増幅された複数の基準テンプレートを合成して上記テンプレート波形を作成することを特徴とする受信装置。
【請求項３】
請求項２記載の受信装置であって、
上記振幅ピーク検出部は、上記振幅ピークのピークタイミングを検出し、
上記テンプレート波形生成部は、上記増幅された複数の基準テンプレートをそれぞれに対応する上記ピークタイミングに応じてずらして重ねあわせることにより、上記テンプレート波形を作成することを特徴とする受信装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の受信装置であって、
上記テンプレート波形作成部は、所定以上の振幅を有する上記振幅ピークを上記テンプレート波形の作成に用いることを特徴とする受信装置。
【請求項５】
請求項１記載の受信装置であって、
上記テンプレート波形作成部は、上記第１の信号の受信波形を第１の基準波形として記憶し、
上記第１の基準波形を変換して第２の基準波形を作成し、上記第１の基準波形と上記第２の基準波形とを合成することにより上記テンプレート波形を作成することを特徴とする受信装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の受信装置であって、
上記第１の信号はパケットのヘッダ部に含まれ、上記第２の信号は上記パケットの情報部に含まれることを特徴とする受信装置。
【請求項７】
送信装置及び受信装置を有する無線通信システムであって、
上記送信装置は、
第１の信号の送信及び第２の信号を送信し、
上記受信装置は、
上記第１の信号を用いて上記送信装置との伝播路状況に応じたテンプレート波形を作成するテンプレート波形部と、上記テンプレート波形に基づいてテンプレートを作成するテンプレート作成部と、上記テンプレートと上記第２の信号との相関を計算して検波を行う相関器と、を有することを特徴とする無線通信システム。
【請求項８】
請求項７記載の無線通信システムであって、
上記テンプレート波形作成部は、上記受信波形から複数の振幅ピークを検出し、上記振幅ピークの振幅値またはピークタイミングに基づいて上記テンプレート波形を作成することを特徴とする無線通信システム。
【請求項９】
請求項７または８記載の無線通信システムであって、
上記テンプレート波形作成部は、予め記憶された複数の基準テンプレートを、上記ピークタイミングに基づいて時間軸上の位置をずらして重ね合わせることにより上記テンプレート波形を作成することを特徴とする無線通信システム。
【請求項１０】
請求項７乃至９の何れかに記載の無線通信システムであって、
上記送信装置は、上記第１の信号と上記第２の信号を一の通信セッション中に送信することを特徴とする無線通信システム。
【請求項１１】
第１及び第２の信号を受信するステップと、
上記第１の信号を用いて送信装置と受信装置との間の伝播路状況を判定するステップと、
上記判定された伝播路状況に応じて作成されるテンプレート波形に基づいて、テンプレートを作成するステップと、
上記テンプレートと上記第２の信号との相関演算を行うステップとを有することを特徴とする信号受信方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の信号受信方法であって、
上記伝播路状況を判定するステップは、上記第１の信号の受信波形から複数の振幅ピークを検出するステップと、上記振幅ピークの振幅値またはピークタイミングを測定するステップとを含み、
上記テンプレート波形を作成するステップは、上記振幅ピークの振幅値またはピークタイミングを用いて上記テンプレート波形を作成することを特徴とする信号受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
配線と、ニッケル又はその合金のめっき層が形成されたスルーホールとを有する配線板であって、ニッケル又はその合金のめっき層が、スルーホールとなる孔及びその周囲にのみ形成されている配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の放送メディアを切り換える指示を送信する放送メディア切り換えボタンと、数字ボタンを備えるリモコン送信機であって、前記放送メディア切り換えボタンには照明手段を有し、前記数字ボタンを押すと前記放送メディア切り換えるボタンの照明手段が点灯することを特徴とするリモコン送信機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも工場モードまたは通常モードのいずれかを記憶するとともに、マイコン用のソフトウェアを記憶する記憶手段と、
カードスロットにメモリカードが挿入されていることを検出する挿入検出手段と、
前記挿入検出手段が前記カードスロットにメモリカードが挿入されていることを検出している場合には、挿入されているメモリカードに書き換え用ソフトウェアが記憶されているかを検出するソフトウェア検出手段とを備え、
前記記憶手段に工場モードが記憶されており、前記挿入検出手段が前記カードスロットにメモリカードが挿入されていることを検出しており、且つ、前記ソフトウェア検出手段がメモリカードに書き換え用ソフトウェアが記憶されていることを検出した場合は、前記記憶手段に記憶されているマイコン用のソフトウェアを前記メモリカードに記憶されている書き換え用ソフトウェアに書き換えることを特徴とするテレビジョン受信機。