【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板上に、バッファ層を介して形成されたｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層は、膜厚１００〜１００００Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を含みかつ、
前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０＜ａ＜１）層とＧａＮ層とを含んでなる多重量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】 前記中間層の膜厚が５０〜１０００Åであり、前記上層の膜厚が２５〜１０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】 前記ｎ側窒化物半導体層において、前記ｎ側第１多層膜層より基板側に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層は、膜厚１００〜１００００Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、膜厚５０〜１０００Åであり、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を含みかつ、
前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０＜ａ＜１）層とＧａＮ層とを含んでなる多重量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項５】前記上層の膜厚が２５〜１０００Åであることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】前記ｎ側第１多層膜の膜厚は、１７５〜１２０００Åであることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層は、前記基板側からアンドープの窒化物半導体層、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層が順に積層されており、
前記ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層の上に、アンドープの窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項８】 前記下層の膜厚は、１００〜１００００Åであることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】 前記中間層の膜厚は、５０〜１０００Åであることを特徴とする請求項７又は８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】 前記上層の膜厚は、２５〜１０００Åであることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記（１）〜（３）、（１２）〜（１８）の構成により本発明の目的を達成することができる。
（１） 基板上に、バッファ層を介して形成されたｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層は、膜厚１００〜１００００Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を含みかつ、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０＜ａ＜１）層とＧａＮ層とを含んでなる多重量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体素子。
（２） 前記中間層の膜厚が５０〜１０００Åであり、前記上層の膜厚が２５〜１０００Åであることを特徴とする前記（１）に記載の窒化物半導体素子。
（３） 前記ｎ側窒化物半導体層において、前記ｎ側第１多層膜層より基板側に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有することを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の窒化物半導体素子。また、本発明の目的は以下の（４）〜（１１）のような構成であっても達成することができる。
（４） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、アンドープの窒化物半導体からなる下層（以下、アンドープの下層とする。）、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体からなる中間層（以下、不純物ドープの中間層とする。）、及びアンドープの窒化物半導体からなる上層（以下、アンドープの上層とする。）の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）を含んでなる多重量子井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なり且つ互いにｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層とが積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
（５） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、アンドープの窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体からなる中間層、及びアンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）を含んでなる多重量子井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
（６） 前記ｎ側第１多層膜層が、膜厚１００〜１００００Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、膜厚５０〜１０００Åのｎ型不純物がドープされている窒化物半導体からなる中間層、及び膜厚２５〜１０００Åのアンドープの窒化物半導体からなる上層からなることを特徴とする前記（４）又は（５）に記載の窒化物半導体素子。
（７） 前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有することを特徴とする前記（４）〜（６）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（８） 前記ｎ側窒化物半導体層に、前記ｎ側第１多層膜層（変調ドープ層）より基板側に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有することを特徴とする前記（４）〜（７）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（９） 前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されてなることを特徴とする前記（４）〜（８）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（１０） 前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成してなることを特徴とする前記（４）〜（９）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
（１１） 前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト層、及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μｍであることを特徴とする前記（４）〜（１０）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
物半導体素子。
（１２） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層は、膜厚１００〜１００００Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、膜厚５０〜１０００Åであり、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を含みかつ、前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０＜ａ＜１）層とＧａＮ層とを含んでなる多重量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体素子。
（１３）前記上層の膜厚が２５〜１０００Åであることを特徴とする（１２）に記載の窒化物半導体素子。
（１４）前記ｎ側第１多層膜の膜厚は、１７５〜１２０００Åであることを特徴とする（１２）に記載の窒化物半導体素子。
（１５）基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層は、前記基板側からアンドープの窒化物半導体層、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層が順に積層されており、前記ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層の上に、アンドープの窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも３層が順に積層されてなるｎ側第１多層膜層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
（１６）前記下層の膜厚は、１００〜１００００Åであることを特徴とする（１５）に記載の窒化物半導体素子。
（１７）前記中間層の膜厚は、５０〜１０００Åであることを特徴とする（１５）又は（１６）に記載の窒化物半導体素子。
（１８）前記上層の膜厚は、２５〜１０００Åであることを特徴とする（１５）〜（１７）のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。