【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の導電層からなるゲート電極を備えた第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有し、
前記第１のＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であり、
前記第２のＴＦＴのゲート電極は端部が垂直であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一の導電層によってゲート電極が形成される、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有する半導体装置の作製方法であって、
第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、前記第１のＴＦＴのゲート電極となる、テーパー状の端部を有するゲート電極を形成し、
前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成した後、第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記第１の領域とは異なる前記導電層の第２の領域をエッチングし、前記第２のＴＦＴのゲート電極となる、垂直な端部を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段では、解像度が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
同一の導電層によってゲート電極が形成される、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有する半導体装置の作製方法であって、
第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成した後、第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記第１の領域とは異なる前記導電層の第２の領域をエッチングし、前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段では、解像度が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段の一方は、等倍投影露光装置を用い、他方は、縮小投影露光装置を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段では、露光に用いる光の波長が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のレジストマスクは、前記導電層の第２の領域を覆い、
前記第２のレジストマスクは、前記第１のＴＦＴのゲート電極を覆っていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
同一の導電層によってゲート電極が形成される、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有する半導体装置の作製方法であって、
第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記第１のＴＦＴの半導体活性層に、第１の不純物元素をドーピングし、
前記第１の不純物元素をドーピングした後、第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記第１の領域とは異なる前記導電層の第２の領域をエッチングし、前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記第２のＴＦＴの半導体活性層に、第２の不純物元素をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
同一の導電層によってゲート電極が形成される、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有する半導体装置の作製方法であって、
第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記第１のＴＦＴの半導体活性層に、第１の不純物元素をドーピングし、
前記第１の不純物元素をドーピングした後、第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記第１の領域とは異なる前記導電層の第２の領域をエッチングし、前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記第２のＴＦＴの半導体活性層に、第２の不純物元素をドーピングし、
前記第２の不純物元素をドーピングした後、前記第１のＴＦＴの半導体活性層及び前記第２のＴＦＴの半導体活性層に、第３の不純物元素をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
同一の導電層によってゲート電極が形成される、第１のＴＦＴと第２のＴＦＴとを有する半導体装置の作製方法であって、
第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第１のＴＦＴのゲート電極を形成した後、第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記第１の領域とは異なる前記導電層の第２の領域をエッチングし、前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成し、
前記第２のＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記第１のＴＦＴの半導体活性層及び前記第２のＴＦＴの半導体活性層に、不純物元素をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１のＴＦＴのゲート電極は、
前記導電層の前記第１の領域をエッチングし、第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層を介して、前記第１のＴＦＴの半導体活性層に、第４の不純物元素をドーピングし、
前記第４の不純物元素をドーピングした後、前記第１の形状の導電層をエッチングすることによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１のＴＦＴのゲート電極は、
前記導電層の前記第１の領域をエッチングし、第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層を介して、前記第１のＴＦＴの半導体活性層に、第４の不純物元素をドーピングし、
前記第１の形状の導電層をエッチングして、第２の形状の導電層を形成し、
前記第２の形状の導電層を介して、前記第１のＴＦＴの半導体活性層に、第５の不純物元素をドーピングし、
前記第５の不純物元素をドーピングした後、前記第２の形状の導電層をエッチングすることによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１のレジストマスクは、前記導電層の第２の領域を覆い、
前記第２のレジストマスクは、前記第１のＴＦＴのゲート電極を覆っていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段では、解像度が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段の一方は、等倍投影露光装置を用い、他方は、縮小投影露光装置を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４において、
前記第１の露光手段と前記第２の露光手段では、露光に用いる光の波長が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項２乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴの半導体活性層を形成する半導体膜は、連続発振のレーザ光を用いたレーザアニ−ルによって結晶化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。