【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、前記活性層上に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して設けられたゲート配線とをそれぞれ有するＮＴＦＴ及びＰＴＦＴによって構成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ＮＴＦＴのみ前記ゲート配線の側部にサイドウォールを有し、
前記ＮＴＦＴの活性層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域から離れるほど前記１５族に属する元素の濃度が高い少なくとも三種類の不純物領域とを有し、
前記ＰＴＦＴの活性層は、チャネル形成領域と、同一濃度で１３族に属する元素を含む二種類の不純物領域とを有し、
前記ＮＴＦＴ及び前記ＰＴＦＴの活性層が有する前記チャネル形成領域から最も遠い不純物領域には、前記活性層の結晶化に用いた触媒元素が１×１０１７〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
活性層と、前記活性層上に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して設けられたゲート配線とをそれぞれ有するＮＴＦＴ及びＰＴＦＴによって構成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ＮＴＦＴのみ前記ゲート配線の側部にサイドウォールを有し、
前記ＮＴＦＴの活性層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域と隣接する第１不純物領域と、前記第１不純物領域と隣接する第２不純物領域と、前記第２不純物領域と隣接する第３不純物領域とを有し、
前記第３不純物領域、前記第２不純物領域、前記第１不純物領域の順に高い濃度で同一の元素を有し、
前記ＰＴＦＴの活性層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域と隣接する第４不純物領域と、前記第４不純物領域と隣接する第５不純物領域とを有し、
前記第４不純物領域及び第５不純物領域は各々同一濃度で１３族に属する元素を有し、
前記第３不純物領域及び前記第５不純物領域には、前記活性層の結晶化に用いた触媒元素が１×１０１７〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記触媒元素とはＮｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｕまたはＳｉから選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記ゲート配線の少なくとも一部は窒化シリコン膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、前記ＮＴＦＴ及び前記ＰＴＦＴの前記触媒元素が存在する不純物領域には、前記１５族に属する元素の濃度が同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２において、前記第３不純物領域及び前記第５不純物領域には前記１５族に属する元素の濃度が同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記第３不純物領域及び前記第５不純物領域に存在する前記１５族に属する元素の濃度は、前記第５不純物領域に存在する前記１３族に属する元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記半導体装置とは液晶表示パネル、ＥＬ表示装置またはイメージセンサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記半導体装置とはビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に触媒元素を用いて結晶を含む半導体膜を形成し、
前記結晶を含む半導体膜をパターニングして第１活性層及び第２活性層を形成し、
前記第１活性層及び前記第２活性層の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１活性層及び前記第２活性層上にそれぞれゲート配線を形成し、
前記ゲート配線をマスクとして、前記第１活性層及び前記第２活性層に１５族に属する元素を第１の濃度で添加し、
前記第１活性層及び前記第２活性層上に形成された前記ゲート配線の側部にサイドウォールを形成し、
前記ゲート配線及び前記サイドウォールをマスクとして、前記第１活性層及び前記第２活性層に１５族に属する元素を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で添加し、
前記第２活性層上に形成された前記サイドウォールを除去し、
前記第１活性層を覆うようにレジストマスクを形成し、前記第２活性層に前記第２活性層上に形成されたゲート配線をマスクとして１３族に属する元素を第３の濃度で添加し、
前記第１活性層及び前記第２活性層の上にレジストマスクを形成し、前記第１活性層の一部及び前記第２活性層の一部に１５族に属する元素を前記第３の濃度よりも低い第４の濃度で添加し、
前記第１活性層、第２活性層、前記第１活性層及び前記第２活性層上にそれぞれ形成された前記ゲート配線、及び前記第１活性層上に形成された前記サイドウォールを覆うように窒化シリコン膜を形成し、
前記第１活性層の一部及び前記第２活性層の一部に前記触媒元素を熱処理により移動させる半導体装置の作製方法であって、
前記第１活性層にはチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域と隣接する第１不純物領域と、前記第１不純物領域と隣接する第２不純物領域と、前記第２不純物領域と隣接する第３不純物領域が形成され、
前記第２活性層にはチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接する第４不純物領域と、前記第４不純物領域と隣接する第５不純物領域が形成され、
前記第３不純物領域、前記第２不純物領域、前記第１不純物領域の順に高い濃度で１５族に属する元素を有し、
前記第４不純物領域及び前記第５不純物領域は同一濃度で１３族に属する元素を有し、
前記第５不純物領域には、前記第３不純物領域と同濃度で１５族に属する元素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上に、結晶化を助長する触媒元素を含む第１活性層及び第２活性層を形成し、
前記第１活性層及び前記第２活性層の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１活性層及び前記第２活性層の上にそれぞれゲート配線を形成し、
前記ゲート配線をマスクとして、前記第１活性層及び前記第２活性層に１５族に属する元素を第１の濃度で添加し、
前記第１活性層及び前記第２活性層上に形成された前記ゲート配線の側部にサイドウォールを形成し、
前記ゲート配線及び前記サイドウォールをマスクとして、前記第１活性層及び前記第２活性層に１５族に属する元素を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で添加し、
前記第１の活性層及び前記第２活性層上に形成された前記ゲート絶縁膜の一部を覆うレジストマスクを前記第１の活性層上及び前記第２活性層上にそれぞれ形成し、前記レジストマスクをマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって前記第１活性層の一部及び前記第２活性層の一部を露呈させ、
前記前記第１活性層及び前記第２活性層の露呈した部分に前記レジストマスクをマスクとして用いて１５族に属する元素を前記第２の濃度よりも高い第３の濃度で添加し、
前記第１活性層及び前記第２活性層上にそれぞれ形成された前記レジストマスクを除去し、
前記第１活性層、第２活性層、前記第１活性層及び前記第２活性層上にそれぞれ形成された前記ゲート配線、及び前記第１活性層上及び前記第２活性層上に形成された前記サイドウォールを覆うように保護膜を形成し、
前記第１活性層及び前記第２活性層が有する前記チャネル形成領域中の触媒元素の濃度を低減するための熱処理をし、
前記第１の活性層を覆うようにレジストマスクを形成し、
前記第２活性層上に形成された前記保護膜を除去することによって、前記第２活性層の端部、及び前記第２の活性層上に形成された前記ゲート配線及び前記サイドウォールを露呈させ、
前記第２活性層の露呈した端部及び前記第２活性層上に形成された前記サイドウォールを除去し、
前記第２活性層上に形成された前記ゲート配線をマスクとして前記ゲート絶縁膜を選択的に除去することによって前記第２活性層の一部を露呈させ、
前記第２活性層の露呈した部分に前記第２活性層上に形成された前記ゲート配線をマスクとして１３族に属する元素を前記第３の濃度よりも高い第４の濃度添加する半導体装置の作製方法であって、
前記第１活性層にはチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域と隣接する第１不純物領域と、前記第１不純物領域と隣接する第２不純物領域と、前記第２不純物領域と隣接する第３不純物領域が形成され、
前記第２活性層にはチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域と隣接する第４不純物領域のみが形成され、
前記第３不純物領域、前記第２不純物領域、前記第１不純物領域の順に高い濃度で１５族に属する元素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記サイドウォールは前記第１不純物領域の上方に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。