Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月1日(2006.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の下端部に設けられ、かつ敷居溝内に挿入され、上記ドア本体の下端部と床部との間の隙間を遮蔽する下部遮蔽部材、及び
上記敷居溝に設けられ、戸閉状態のときに上記下部遮蔽部材の戸閉側端部と上記敷居溝の壁面との間の隙間を遮蔽する敷居溝内遮蔽部
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項２】  上記敷居溝内遮蔽部は、上記敷居溝内に固定され戸閉状態のときに上記下部遮蔽部材の戸閉側端面が当接する敷居溝内シール部材であることを特徴とする請求項１記載のエレベータのドア装置。
【請求項３】  上記敷居溝内遮蔽部には、上記敷居溝の底面に対して傾斜し、上記下部遮蔽部材が当接する溝内傾斜面が設けられており、上記下部遮蔽部材の戸閉側端面には、上記溝内傾斜面と平行な遮蔽部材側傾斜面が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレベータのドア装置。
【請求項４】  上記敷居溝の底部には、上記敷居溝内遮蔽部に隣接し上記底部を貫通する貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のエレベータのドア装置。
【請求項５】  出入口に設けられ、縦枠と上枠とを有する出入口枠、
上記出入口を開閉する片開き式のドア本体、及び
上記ドア本体の開閉方向に沿って延びる敷居溝を有し、上記ドア本体の下方に設置されている敷居
を備え、反戸袋側の上記縦枠は、上記敷居上に配置されており、上記敷居溝の反戸袋側端部は、上記縦枠の下部に入り込んで延びており、上記敷居溝には、上記敷居溝の上記縦枠の下部への入口を遮蔽する縦枠下遮蔽部が設けられていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項６】  出入口を開閉するドア本体、
上記ドア本体の上端部に設けられ、かつ出入口枠の上枠へ向けて突出し、上記ドア本体の上端部と上記上枠との間の隙間を遮蔽する上部遮蔽部材、及び
上記上枠及び上記上部遮蔽部材の少なくともいずれか一方に設けられ、戸閉状態のときに上記上部遮蔽部材の戸閉側端部に隣接する隙間を遮蔽する戸閉端遮蔽部
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【請求項７】  上記戸閉端遮蔽部は、上記上枠に固定され戸閉状態のときに上記上部遮蔽部材の戸閉側端面が当接する上枠シール部材であることを特徴とする請求項６記載のエレベータのドア装置。
【請求項８】  上記戸閉端遮蔽部は、上記上部遮蔽部材に固定されている戸閉端シール部材であることを特徴とする請求項６記載のエレベータのドア装置。
【請求項９】  出入口を開閉するドア本体の戸閉側端面の上端部に当接されるように上記出入口の上端部に設けられ、戸閉状態のときに上記ドア本体の戸閉側端面と上記出入口の上枠との間の隙間を遮蔽する戸閉端遮蔽部
を備えていることを特徴とするエレベータのドア装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレキシブルディスプレイ及びワックス被包二色球体の製造法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ワックスで被包された球体を含有する第一の成分を有し、前記第一の成分の上部及び下部に基板が配設されたことを特徴とするディスプレイ。
【請求項２】  ワックスで被包された二色球体を含有する第一の基板を含むディスプレイデバイスにおいて、前記第一の基板は、第二の基板及び第三の基板の間に位置することを特徴とするディスプレイデバイス。
【請求項３】  （ａ）ワックスを有機溶媒に溶解するステップと、（ｂ）二色球体を前記有機溶媒中に懸濁するステップと、（ｃ）そこへ、ワックスを前記各二色球体上に析出又はコアセルベートさせる第二の溶媒を添加するステップと、（ｄ）必要に応じて、ワックスで被包された球体を単離するステップと、を含むワックス被包二色球体の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】デュアルブート可能なプログラム可能デバイス内で実行可能な、該プログラム可能デバイスにおけるプラグラム可能な情報を更新するための方法であって、
更新されたブート情報を、取り付けられたホストから主ブートメモリデバイスにダウンロードするステップと、
前記主ブートメモリデバイスへの前記ダウンロードの成功または失敗を検出するステップと、
前記主ブートメモリデバイスへのダウンロードの成功を検出したことに応答して、前記更新されたブート情報を、前記ホストから補助ブートメモリデバイスにダウンロードするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】前記更新されたブート情報は、主としてブート命令から成り、該方法は、さらに、
前記プログラム可能デバイスにおける非ブートメモリデバイスに、非ブート情報をダウンロードするステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】さらに、
前記主ブートメモリデバイスへのダウンロードの失敗を検出したことに応答して、前記補助ブートメモリデバイスへのダウンロードを回避するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】さらに、
前記主ブートメモリデバイスへのダウンロードの失敗を検出したことに応答して、前記主ブートメモリデバイスおよび前記補助ブートメモリデバイスから、所望のブートメモリデバイスを選択するステップと、
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】さらに、
前記主ブートメモリデバイスおよび前記補助ブートメモリデバイスに関連付けられたリセットスイッチの短時間のアクティブ状態を検出するステップと、
前記リセットスイッチの長時間のアクティブ状態を検出するステップと、
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】前記選択するステップは、さらに、
前記リセットスイッチの短時間のアクティブ状態を検出したことに応答して、前記主ブートメモリデバイスを選択するステップと、
前記リセットスイッチの長時間のアクティブ状態を検出したことに応答して、前記補助ブートメモリデバイスを選択するステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】デュアルブート可能なプログラム可能デバイス内で実行可能な、該プログラム可能デバイスを起動するための方法であって、
前記プログラム可能デバイスに関連付けられた複数のブートメモリデバイスのうち、現在アクティブ状態にあるブートメモリにおけるブート情報の有効性を判断するステップと、
前記現在アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情
報が有効だとの判断に応答して、該複数のブートメモリデバイスのうち、現在非アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報の有効性を判断するステップと、
前記現在非アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報が無効だとの判断に応答してのみ、該現在非アクティブ状態にあるブートメモリデバイスを更新するステップと、
を含む方法。
【請求項８】さらに、
前記現在アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報が無効だとの判断に応答して、前記現在アクティブ状態にあるブートメモリデバイスおよび前記現在非アクティブ状態にあるブートメモリデバイスの該アクティブ状態および該非アクティブ状態をスワップするステップと、
前記アクティブ状態および非アクティブ状態をスワップしたことに応答して、前記方法のステップを繰り返すステップと、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】前記現在アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報の有効性を判断するステップは、さらに、
前記現在アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報から、チェックサム値を計算するステップと、
前記チェックサム値に従って、前記ブート情報の有効性を検証するステップと、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】前記現在アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報の有効性を判断するステップは、さらに、
前記現在非アクティブ状態にあるブートメモリデバイスにおけるブート情報から、チェックサム値を計算するステップと、
前記チェックサム値に従って、前記ブート情報の有効性を検証するステップと、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】デュアルブート可能なデバイスであって、
主ブートメモリデバイスと、
補助ブートメモリデバイスと、
スイッチと、
前記スイッチに接続され、該スイッチの第１のタイプのアクティブ状態および該スイッチの第２のタイプのアクティブ状態を検出するよう動作可能なセンサと、
前記センサ、前記主ブートメモリデバイス、および前記補助ブートメモリデバイスに接続された選択回路であって、前記スイッチの短時間のアクティブ状態の検出に応答して、選択されたブートメモリデバイスとして前記主ブートメモリデバイスを選択し、前記スイッチの長時間のアクティブ状態の検出に応答して、該選択されたブートメモリデバイスとして前記補助ブートメモリデバイスを選択する、選択回路と、
を備える、デュアルブート可能なデバイス。
【請求項１２】さらに、
前記主ブートメモリデバイス、前記補助ブートメモリデバイス、および前記選択回路に接続されたフィールドプログラム可能ロジックデバイスであって、プログラムされたロジックを前記選択されたブートメモリデバイスからロードするフィールドプログラム可能ロジックデバイスを備える、
請求項１１に記載のデュアルブート可能なデバイス。
【請求項１３】さらに、
前記主ブートメモリデバイス、前記補助ブートメモリデバイス、および前記選択回路に接続されたプロセッサであって、プログラムされた命令を前記選択されたブートメモリからロードするプロセッサを備える、
請求項１１に記載のデュアルブート可能なデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】クライアント、印刷サーバ、印刷装置および分散コンピュータシステムの構成要素を相互接続するためのネットワークを有する分散コンピュータシステムにおいてドキュメントを印刷する方法であって、
送信側が、印刷すべきドキュメントを選択し、ドキュメントの意図された受け手を特定し、意図された受け手のための第１の識別子を伴うドキュメントを、クライアントから印刷サーバに伝送させるステップと、
印刷サーバで前記ドキュメントおよび関連する前記第１の識別子を受け取り、格納するステップと、
受け手が第２の識別子を印刷装置に提供し、該印刷装置が印刷サーバからドキュメントを受け取るため、該第２の識別子を含む要求を印刷サーバに伝送するステップと、
印刷サーバが前記要求を受け取り、前記第２の識別子と格納された第１の識別子とを比較し、一致する識別子については、前記第１の識別子に関連する前記ドキュメントを前記印刷装置に転送するステップと、
前記印刷装置がドキュメントを受け取り、印刷するステップと、
を含む印刷方法。
【請求項２】クライアントが印刷サーバに伝送する前にドキュメントを暗号化し、印刷装置が暗号化されたドキュメントを印刷前に解読する請求項１に記載の印刷方法。
【請求項３】受け手は、暗号化されたドキュメントを解読するのに必要な手段を印刷装置に提供する、請求項２に記載の印刷方法。
【請求項４】印刷装置は、情報および/または受け手によって提供されたスマートカードにプログラムされた機能性を使用して、ドキュメントを取り出し、解読するためにスマートカードと対話する、請求項３に記載の印刷方法。
【請求項５】受け手によって提供されたスマートカードが第２の識別子を含むデータを格納し、印刷装置が第２の識別子をスマートカードから抽出する、請求項４に記載の印刷方法。
【請求項６】復号化アルゴリズムでプログラムされ、秘密を格納するスマートカードが印刷装置から暗号化された情報を受け取り、秘密を使用して暗号化された情報を解読し、解読情報を印刷装置に返すようにした、請求項４または５に記載の印刷方法。
【請求項７】クライアントを含み、
対称的な暗号化アルゴリズムのキーである第１のキーを使用してドキュメントを暗号化し、
非対称の暗号化アルゴリズムの公開キーである第２のキーを使用して第１の暗号化キーを暗号化し、
暗号化されたドキュメントおよび関連する暗号化された第１のキーを伴う第１の識別子を印刷サーバに伝送するようにした、請求項６に記載の印刷方法。
【請求項８】意図された受け手の識別情報に基づいて、クライアントが第２のキーをキーの貯蔵庫から入手するようにした、請求項６に記載の印刷方法。
【請求項９】印刷装置を含み、
要求に応答して印刷サーバから暗号化された第１のキーを受け取るステップと、
暗号化された第１のキーをスマートカードに転送し、非対称の暗号化アルゴリズムの個人的なキーである秘密を使用してスマートカードが暗号化された第１のキーを解読し、第１のキーを印刷装置に返すステップと、
暗号化されたドキュメントを解読するために第１のキーを使用するステップとを含む、請求項７または８に記載の印刷方法。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれか１項に記載の印刷方法による動作をするように構成された印刷装置。
【請求項１１】請求項１〜９のいずれか１項に記載の印刷方法による動作をするよう構成されたクライアント。
【請求項１２】請求項１〜９のいずれか１項に記載の印刷方法による動作をするよう構成された印刷サーバ。
【請求項１３】請求項１〜９のいずれか１項に記載の印刷方法による動作をするよう構成された分散形計算方式システム。
【請求項１４】ドキュメントを受け取り印刷するようにされた印刷装置であって、
印刷サーバにプリンタを接続するためのインターフェイスと、
ユーザと対話しユーザから識別情報を受け取るための入出力手段と、
ドキュメントを求めるユーザの識別情報を含む要求を発生し、要求を印刷サーバに伝送し、印刷サーバからドキュメントを受け取るための処理手段と、
ユーザのためにドキュメントを印刷するための手段とを有する印刷装置。
【請求項１５】印刷サーバから受け取られた暗号化されたドキュメントを受け取り解読するための処理手段を備える、請求項１４に記載の印刷装置。
【請求項１６】入出力手段は、ユーザから暗号化されたドキュメントを解読するために必要な手段を提供する脱着可能な処理手段を受け取るようになっている、請求項１５に記載の印刷装置。
【請求項１７】入出力手段はユーザからスマートカードを受け取るためのスマートカード読み取り装置を含む、請求項１６に記載の印刷装置。
【請求項１８】スマートカード読み取り装置は、スマートカードからユーザの識別情報を抽出するようになっている、請求項１７に記載の印刷装置。
【請求項１９】スマートカード読み取り装置は、暗号化された情報をスマートカードに転送し、スマートカードから暗号化されていない情報を受け取るようになっており、スマートカードは暗号化された情報を受け取り、スマートカードに格納された秘密を使用して暗号化された情報を解読し、解読情報を返す、請求項１７に記載の印刷装置。
【請求項２０】要求に応答し印刷サーバから暗号化された第１のキーを受け取るための手段と、
スマートカードが秘密を使用して暗号化された第１のキーを解読し第１のキーを返すように、暗号化された第１のキーをスマートカードに転送するための手段と、
第１のキーを使用して暗号化されたドキュメントを解読するための手段とを備える、請求項１９に記載の印刷装置。
【請求項２１】一体的スマートカード読取装置を含めて印刷装置の構成要素を含むように構成されたケーシングであって、スマートカードをケーシングを通してスマートカード読取装置に受け取るためのスロットを有するケーシングを備えた、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項２２】インターフェイス手段およびインターフェイス手段を通してプリンタと接続するスマートカード読み取り装置を有するプリンタを備えた、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項２３】スマートカード読み取り装置がネットワークに該装置を接続するためのインターフェイス手段を有する、請求項２２に記載の印刷装置。
【請求項２４】上記スマートカード読み取り装置は、
スマートカードからユーザ識別情報を抽出するための手段と、
要求を発生しネットワークを通して印刷サーバに伝送するための手段と、
印刷サーバから暗号化されたドキュメントおよび暗号化されたキーを受け取るための手段と、
スマートカードがキーを解読し返すように、暗号化されたキーをスマートカードに転送する手段と、
キーを使用して、暗号化されたドキュメントを解読する手段と、
印刷すべきプリンタにドキュメントを転送する手段とを備える請求項２３に記載の印刷装置。
【請求項２５】請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の印刷装置で動作するよう構成されたスマートカード読み取り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】流量設定値に基づいてバルブ開度を制御し、流量を制御するようにした半導体製造装置における流量制御装置の異常検出方法であって、
前記バルブ開度を検出し、検出されたバルブ開度と前記流量設定値とに基づいて、流量制御異常を検出するようにしたことを特徴とする半導体製造装置における流量制御装置の異常検出方法。
【請求項２】流量設定値に基づいてバルブ開度を制御し、流量を制御するようにした半導体製造装置であって、
前記バルブ開度を検出し、検出されたバルブ開度と前記流量設定値とに基づいて、流量制御異常を検出するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  直線データ記憶テープを操作する方法であって、該直線データ記憶テープが、当該テープに沿って長さ方向に延びる１つまたは複数のサーボ・バンドを有し、それぞれのサーボ・バンドが磁気遷移ストライプの長さ方向のパターンを有するものにおいて、
前記データ記憶テープが長さ方向に移動するとき、前記データ記憶テープ上のテープ・ヘッドの横方向位置制御に使用するために、前記磁気遷移ストライプを検出し、
前記磁気遷移ストライプを同期マークとしても使用し、前記データ記憶テープの直線テープ速度を決定することから成る方法。
【請求項２】  前記各サーボ・バンドが、前記磁気遷移ストライプの繰返しフレーム(60、70)の長さ方向のパターンを有し、それぞれのフレームが、１つまたは複数のゼロ方位ストライプの組と、それに続く１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの組とから成る請求項１記載の方法。
【請求項３】  連続するフレーム内の２本のゼロ方位ストライプの間で経過した時間に基づいて前記直線テープ速度を計算することをさらに含む請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記各サーボ・バンドが、前記磁気遷移ストライプの繰返しフレーム(70)の長さ方向のパターンを有し、各フレームが、正の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第１のバースト(72)と、次に負の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第２のバースト(74)と、次に正の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第３のバースト(76)と、次に負の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第４のバースト(78)から成る請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記第１のバーストから１つと前記第３のバーストからの１つの２つの正に傾斜した非ゼロ方位ストライプを検出する間に経過した第１の時間と、前記第２のバーストから１つと前記第４のバーストからの１つの２つの負に傾斜した非ゼロ方位ストライプを検出する間に経過した第２の時間との平均に基づいて前記直線テープ速度を計算することをさらに含む請求項４記載の方法。
【請求項６】  直線データ記憶テープがテープ・ヘッドを通過するときの該直線データ記憶テープの線速度を決定する方法であって、前記直線データ記憶テープが、少なくとも１つのその上に書き込まれたサーボ・バンドを有し、前記サーボ・バンドが、前記磁気遷移ストライプの繰返しフレームの長さ方向のパターンを有し、各フレーム(70)が、正の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第１のバースト(72)と、これに続く負の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第２のバースト(74)と、これに続く正の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第３のバースト(76)と、これに続く負の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第４のバースト(78)から成り、
前記第１のバーストから１つと前記第３のバーストからの１つの２つの正に傾斜した非ゼロ方位ストライプを検出する間に経過した第１の時間（Δｔ１）を測定し、
前記第２のバーストから１つと前記第４のバーストからの１つの２つの負に傾斜した非ゼロ方位ストライプを検出する間に経過した第２の時間（Δｔ２）を測定し、
前記第１と前記第２の時間を平均して平均時間を求め、
前記２つの正に傾斜した非ゼロ方位ストライプまたは前記２つの負に傾斜した非ゼロ方位ストライプの間の中心間距離（Ｄ）を前記平均時間で割り、前記データ記憶テープに対する前記テープ・ヘッドの横位置に関係のない前記直線データ記憶テープの線速度を求めることから成る方法。
【請求項７】  直線データ記憶テープが長さ方向に移動するときに前記直線データ記憶テープに読み書きするテープ・ヘッド(54)を有する直線データ記憶テープシステム(50)において、前記直線データ記憶テープが少なくとも１つのその上に書き込まれたサーボ・バンドを有し、前記サーボ・バンドが、前記テープ・ヘッドが前記データ記憶テープに対する該テープ・ヘッドの横位置を制御するために使用する磁気遷移ストライプの繰返しフレームの長さ方向のパターンを有し、選択した前記磁気ストライプ対間のタイミング・データを測定し、前記タイミング・データを使用して前記テープ・ヘッドの横位置に依存しない線速度を導き出すことを含む、長さ方向の前記直線データ記憶テープの線速度を決定する方法。
【請求項８】  直線データ記憶テープが、少なくとも１つのその上に書き込まれたサーボ・バンドを有し、前記サーボ・バンドが磁気遷移ストライプの繰返しフレームの長さ方向のパターンを有する前記直線データ記憶テープ用のシステムであって、
前記データ記憶テープに対して読み書きするために、テープ・ヘッドが前記サーボ・バンド内のストライプを検出して、前記データ記憶テープに対する前記テープ・ヘッドの横方向の位置を制御する該テープ・ヘッド(54)と、
前記テープ・ヘッドが検出した前記ストライプからタイミング・データを導き出し、前記タイミング・データに基づいて、前記テープ・ヘッドの横位置に関係なしに前記データ記憶テープの線速度を計算する線速度計算装置(58)とから成るシステム。
【請求項９】  各フレーム(60)が、１つまたは複数のゼロ方位ストライプ(62)からなる組と、次の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプ(64)からなる組とを有し、前記線速度計算装置(58)が、連続したフレーム内の２つのゼロ方位ストライプの間で経過した時間に基づいて前記直線テープ速度を計算する請求項８記載のシステム。
【請求項１０】  各フレーム(70)が、正の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第１のバースト(72)と、次の負の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第２のバースト(74)と、次の正の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第３のバースト(76)と、次の負の方位勾配の１つまたは複数の非ゼロ方位ストライプの第４のバースト(78)とから成り、前記線速度計算装置(58)が、前記第１のバーストから１つと前記第３のバーストからの１つの２つの正に傾斜した非ゼロ方位ストライプを検出する間に経過した第１の時間と、前記第２のバーストから１つと前記第４のバーストからの１つの２つの負に傾斜した非ゼロ方位ストライプを検出する間に経過した第２の時間との平均に基づいて前記直線テープ速度を計算する請求項８記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数の顔画像の各々の顔特徴データおよびそれら顔画像の各々に関連づけられる人物識別データを記憶する画像データベース(A)と、入力顔画像を捕捉する画像捕捉ステム(B)と、上記画像捕捉システムおよび上記画像データベースに接続され、上記画像データベースに記憶されている顔画像の中で上記入力顔画像に類似している顔画像の人物識別データを上記顔画像データベースから取り出す顔分析システム(C)と、を備える人物識別管理システム。
【請求項２】上記顔分析システムが、入力顔画像の顔特徴データを抽出して、その入力顔画像の顔特徴データを上記顔画像データベースに記憶されている顔画像の各々の顔特徴データと比較することによって、画像データベースから人物識別データを取り出す、請求項１に記載の人物識別管理システム。
【請求項３】該人物識別管理システムが、個人用ポータブル人物識別管理システムであり、上記顔分析システムが、入力顔画像を検出し、入力顔画像から顔特徴データを抽出する顔検出および特徴抽出システム(i)と、入力顔画像の顔特徴データを上記画像データベースに記憶されている顔画像の顔特徴データと比較する検索エンジン(ii)と、を更に備える請求項１または２に記載の人物識別管理システム。
【請求項４】上記顔分析システムが、上記入力顔画像および上記人物識別データをディスプレイ画面上に表示させることを可能にし、表示された顔画像に関連する人物識別データをユーザが入力することを可能にするユーザ・インタフェースを含む、請求項１から３のいずれかに記載の人物識別管理システム。
【請求項５】上記画像捕捉システムが組み込みデジタル・カメラである、請求項１から４のいずれかに記載の人物識別管理システム。
【請求項６】上記人物識別データが名前、所属組織および会合の時間／用件を含む、請求項５に記載の人物識別管理システム。
【請求項７】入力顔画像とともに人物識別データを表示するディスプレイを更に備える、請求項６に記載の人物識別管理システム。
【請求項８】上記ディスプレイが、顔画像データベースへの人物識別データの入力を可能にするタッチ・スクリーン・ディスプレイである、請求項７に記載の人物識別管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の透過部材を含み、第１面の像を第２面に投影する投影光学系において、
結晶材料からなる結晶透過部材を含み、
該結晶透過部材の有効直径をＥＤとし、前記結晶透過部材の外径をＬＤとするとき、前記結晶透過部材のうちの少なくとも１つは、
０．３  ＜  ＥＤ／ＬＤ    ＜  ０．９５
を満足することを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
前記結晶透過部材は、立方晶系に属する結晶材料から形成され、かつ前記結晶透過部材の光軸と結晶軸［１００］または［１１０］とがほぼ一致するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【請求項３】
前記結晶透過部材は、蛍石から形成され、かつ前記結晶透過部材の光軸と結晶軸［１００］とがほぼ一致するように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の投影光学系。
【請求項４】
前記結晶透過部材の前記外径における縁厚は５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の投影光学系。
【請求項５】
複数の透過部材を含み、第１面の像を第２面に投影する投影光学系において、
蛍石からなり、その光軸と結晶軸［１００］とがほぼ一致するように形成された蛍石部材を含み、
前記投影光学系中に含まれる全ての透過部材のうち、最大の外径を有する透過部材の外径をＸＤとし、前記蛍石部材のうち、最大の外径を有する蛍石部材の外径をＤ１とするとき、
０．１ ＜  Ｄ１／ＸＤ  ＜  ０．８
を満足することを特徴とする投影光学系。
【請求項６】
複数の透過部材を含み、第１面の像を第２面に投影する投影光学系において、
蛍石からなり、その光軸と結晶軸［１１０］とがほぼ一致するように形成された蛍石部材を含み、
前記投影光学系中に含まれる全ての透過部材のうち、最大の外径を有する透過部材の外径をＸＤとし、前記蛍石部材のうち、最大の外径を有する蛍石部材の外径をＤ２とするとき、
０．１ ＜  Ｄ２／ＸＤ  ＜  ０．８
を満足することを特徴とする投影光学系。
【請求項７】
複数の透過部材を含み、第１面の像を第２面に投影する投影光学系において、
蛍石からなり、その光軸と結晶軸［１００］とがほぼ一致するように形成された蛍石部材を含み、
該蛍石部材のうち、前記蛍石部材の総数の７０％以上の蛍石部材は前記投影光学系の瞳位置近傍に配置されることを特徴とする投影光学系。
【請求項８】
前記蛍石部材は、その光軸と結晶軸［１００］とがほぼ一致するように形成された第１の蛍石部材と、その光軸と結晶軸［１００］とがほぼ一致するように形成された第２の蛍石部材とを含み、
前記第１の蛍石部材と前記第２の蛍石部材とは結晶軸［１００］とは異なる結晶軸が前記光軸を中心として相対的に４５度だけ回転するように位置決めされることを特徴とする請求項７に記載の投影光学系。
【請求項９】
複数の透過部材を含み、第１面の像を第２面に投影する投影光学系において、
蛍石からなり、その光軸と結晶軸［１１０］とがほぼ一致するように形成された蛍石部材を含み、
該蛍石部材のうち、前記蛍石部材の総数の７０％以上の蛍石部材は前記投影光学系の瞳位置近傍に配置されることを特徴とする投影光学系。
【請求項１０】
前記蛍石部材は、その光軸と結晶軸［１１０］とがほぼ一致するように形成された第１の蛍石部材と、その光軸と結晶軸［１１０］とがほぼ一致するように形成された第２の蛍石部材とを含み、
前記第１の蛍石部材と前記第２の蛍石部材とは結晶軸［１１０］とは異なる結晶軸が前記光軸を中心として相対的に９０度だけ回転するように位置決めされることを特徴とする請求項９に記載の投影光学系。
【請求項１１】
前記投影光学系は、第１面の第１中間像を形成する第１結像光学系と、第１中間像の像である第２中間像を形成する第２結像光学系と、第２中間像の像を第２面上に形成する第３結像光学系とを備えていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項１２】
前記第１面に設定されたパターンを照明するための照明系と、
前記パターンの像を前記第２面に設定された感光性基板上に形成するための請求項１乃至１１の何れか一項に記載の投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
前記第１面に設定されたパターンを照明し、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の投影光学系を介して前記マスクに形成されたパターンの像を前記第２面に設定された感光性基板上に投影露光することを特徴とする露光方法。
【請求項１４】
前記第１面に設定されたパターンを照明し、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の投影光学系を介して前記マスクに形成されたパターンの像を前記第２面に設定された感光性基板上に投影露光し、該感光性基板を現像することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成してなるフレキシブル両面基板。
【請求項２】
ビア形成が、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれかによる請求項１に記載のフレキシブル両面基板。
【請求項３】
出発材料が、熱圧着性の多層ポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着して積層された両面金属積層体である請求項１に記載のフレキシブル両面基板。
【請求項４】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、銅めっきして表裏両面の金属層を電気的に接続した後、両面の銅層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線を形成してなるフレキシブル両面回路基板。
【請求項５】
さらに、ソルダ−レジストが形成されてなる請求項４に記載のフレキシブル両面回路基板。
【請求項６】
さらに、ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されてなる請求項５に記載のフレキシブル両面回路基板。
【請求項７】
ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである請求項４に記載の両面回路基板。
【請求項８】金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成するビアめっきの前処理方法。
【請求項９】  ポリイミドフィルムに孔開け加工後、ウエットブラスト処理して、バリの除去と孔内のクリーニング処理を同時に行なったことを特徴とする孔を有するポリイミドフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板上の構成要素を冷却する機構において、
第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有するプリント回路基板（ＰＣＢ）と、
前記ＰＣＢの前記第１の面に配置されたヒートシンクと、
前記ＰＣＢの前記第２の面に配置された第１の被冷却構成要素と、
前記第２の面上の前記第１の被冷却構成要素を前記第１の面上の前記ヒートシンクに熱的に結合する１つ以上サーマル・ジャンパと、
を備え、前記第１の被冷却構成要素によって生成された熱の大部分が前記１つ以上のサーマル・ジャンパによって前記第１の被冷却構成要素から持ち去られ、前記１つ以上のサーマル・ジャンパが前記ＰＣＢの側縁の周りに物理的に延在していることを特徴とする機構。
【請求項２】
前記第１の被冷却構成要素を前記１つ以上のサーマル・ジャンパにそれぞれ熱的に結合する１つ以上の伝熱ギャップ・パッドを備えることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項３】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパの前記ＰＣＢの側縁の周りに物理的に延在する部分は、断面が略半円形か略四角張ったＵ字形であることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項４】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパを前記ヒートシンクにそれぞれ熱的に結合する１つ以上の伝熱ギャップ・パッドを備えることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項５】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパが銅または炭素繊維でできていることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項６】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパは、前記１つ以上のサーマル・ジャンパが前記ＰＣＢの側縁の周りに物理的に延在できるよう断面がＵ字形になっていることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項７】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパのそれぞれに関し、前記第１の被冷却構成要素と積み重ねられた状態で前記第１の被冷却構成要素と整列される部分は、前記ＰＣＢの側縁の周囲に物理的に延在する部分よりも断面が厚いことを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項８】
前記第１の被冷却構成要素が集積回路装置であることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項９】
前記ＰＣＢの前記第１の面に結合され、前記ヒートシンクに熱的に結合される第２の被冷却構成要素を備えたことを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項１０】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパの少なくとも一つが、
前記第１の被冷却構成要素を前記少なくとも一つのサーマル・ジャンパに熱的に結合する第１の伝熱ギャップ・パッドと、
前記第２の被冷却構成要素を前記少なくとも一つのサーマル・ジャンパに熱的に結合する第２の伝熱ギャップ・パッドと、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の機構。
【請求項１１】
前記第１及び第２の被冷却構成要素が前記ＰＣＢを挟んで対向するように配置されることを特徴とする請求項１０に記載の機構。
【請求項１２】
前記第１及び第２の伝熱ギャップ・パッドは略同一の熱低効率を有する材料でできており、
前記第１の被冷却構成要素と前記ヒートシンクの間の第１の熱抵抗と前記第２の被冷却構成要素と前記ヒートシンクの間の第２の熱抵抗とが釣り合うように前記第１の伝熱ギャップ・パッドの厚さが前記第２の伝熱ギャップ・パッドの厚さよりも大きくなっていることを特徴とする請求項１１に記載の機構。
【請求項１３】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパはそれぞれ、有効な熱接触を促進するために、前記ヒートシンクと前記第１の被冷却構成要素の熱接触位置に配置される比較的堅い表面を有し、
前記１つ以上のサーマル・ジャンパは前記機構の組立てを容易にするために、前記ＰＣＢの側縁の周りに物理的に延在する比較的柔軟な部分を有することを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項１４】
前記１つ以上のサーマル・ジャンパの第１の端が前記ヒートシンクと前記ＰＣＢの間に置かれる、前記ヒートシンクが前記１つ以上のサーマル・ジャンパの前記第１の端と前記ＰＣＢの間に置かれる、あるいは、前記１つ以上のサーマル・ジャンパの前記第１の端が前記１つ以上のサーマル・ジャンパの第２の端に対して略垂直となるように前記ヒートシンクの端に結合されることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】サブリソグラフィサイズの線および空間パターンを形成する方法であって、
ベース層の表面上に第１のポリシリコン層を堆積することと、
該第１のポリシリコン層の表面上にフォトレジスト層を堆積することと、
該フォトレジスト層をパターニングし、その後エッチングして、線および空間パターンを画定することと、
前記第１のポリシリコン層をエッチングすることにより前記線および空間パターンを第１のポリシリコン層に転写し、前記パターニングのために用いられるリソグラフィシステムのリソグラフィ限界（λ）以上の最小構造サイズを有する、複数のポリシリコン線構造および空間構造を画定することと、
前記ポリシリコン線構造から前記フォトレジスト層を除去することと、
酸素ガスを含むプラズマ内で前記ポリシリコン線構造を酸化し、該酸化を、前記ポリシリコン線構造がサブリソグラフィ構造サイズに縮小され、前記ポリシリコン線構造の酸化された外被部分が拡大され、それにより前記空間構造が前記サブリソグラフィ構造サイズに縮小するまで続けることと、
前記ポリシリコン線構造の前記酸化された外被部分を完全に覆い、前記空間構造を完全に埋める第２のポリシリコン層を堆積することと、
該第２のポリシリコン層を平坦化し、サブリソグラフィサイズのポリシリコンおよび酸化されたポリシリコン線構造が交互に並ぶ平坦な層を形成することと、
該平坦な層をエッチングし、前記ポリシリコン線構造あるいは前記酸化されたポリシリコン線構造のうちの選択された構造の１つを選択的に除去することと、を含む方法。
【請求項２】前記平坦な層をエッチングすることは、ウエットエッチングプロセスおよびプラズマエッチングプロセスからなるグループから選択されるプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記フォトレジスト層を除去することは、ウエットエッチングプロセス、有機溶媒を用いるウエットクリーニングプロセスおよび酸素ガスを含むプラズマ内でのアッシングプロセスからなるグループから選択されるプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記フォトレジストを除去するステップおよび前記ポリシリコン線構造を酸化するステップはいずれも、
酸素ガスを含むプラズマ内で前記ポリシリコン線構造を酸化しながら、前記酸素ガスを含む前記プラズマ内で前記フォトレジスト層をアッシングして該フォトレジスト層を除去することと、該酸化を、前記ポリシリコン線構造がサブリソグラフィ構造サイズに縮小され、前記ポリシリコン線構造の酸化された外被部分が拡大し、それにより前記空間構造が前記サブリソグラフィ構造サイズに縮小されるまで続けることと、を含む同時プロセスの一部として行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記ベース層は誘電体材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記ベース層は基板と接続される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記基板は、半導体基板およびシリコン基板からなるグループから選択される材料である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】前記リソグラフィ限界（λ）は、１００．０ｎｍ以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】前記平坦化ステップは化学機械研磨を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】前記平坦な層をエッチングするステップは、前記酸化されたポリシリコン構造を選択的に除去することを含み、
酸素ガスを含むプラズマ内で前記ポリシリコン線構造を酸化し、該酸化を、前記ポリシリコン線構造の前記サブリソグラフィ構造サイズがさらに縮小され、前記ポリシリコン線構造の酸化された外被部分が拡大し、それにより、前記空間構造の前記サブリソグラフィ構造サイズがさらに縮小されるまで続けることと、
前記ポリシリコン線構造の前記酸化された外被部分を完全に覆い、前記空間構造を完全に埋める第３のポリシリコン層を堆積することと、
前記第３のポリシリコン層を平坦化し、サブリソグラフィサイズのポリシリコン線構造および酸化されたポリシリコン線構造が交互に並ぶ平坦な層を形成することと、
該平坦な層をエッチングし、前記ポリシリコン線構造あるいは前記酸化されたポリシリコン線構造のうちの選択された構造の１つを選択的に除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】前記平坦な層をエッチングすることは、ウエットエッチングプロセスおよびプラズマエッチングプロセスからなるグループから選択されるプロセスを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】前記リソグラフィ限界（λ）は、１００．０ｎｍ以上である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】前記平坦化ステップは化学機械研磨を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成されたゲート電極膜と、
前記ゲート電極膜の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極膜に対応する位置に形成された相対的に低不純物濃度の半導体膜と、
前記低不純物濃度の半導体膜の上に形成された分離膜と、
前記低不純物濃度の半導体膜と前記分離膜の両側に夫々形成された相対的に高不純物濃度の半導体膜と、
を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
請求項１記載のデバイスにおいて、
前記分離膜は絶縁膜によって構成されて、前記高不純物濃度の半導体膜同士を分離して直接的な電気的接続を阻止することを特徴とするデバイス。
【請求項３】
絶縁基板にゲート電極膜を形成するゲート電極膜形成工程と、
前記絶縁基板及び前記ゲート電極膜上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上にトランジスタのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域となるべき半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜の前記チャネル領域上を覆うように分離膜を形成する分離膜形成工程と、
前記半導体膜上の前記分離膜の両側に不純物材料と半導体材料とを含む液体材料をそれぞれ塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
前記分離膜の両側にそれぞれ形成された塗布膜に熱処理を加えて前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域を形成するソース領域及びドレイン領域形成工程と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域にそれぞれソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項４】
絶縁基板にゲート電極膜を形成するゲート電極膜形成工程と、
前記絶縁基板及び前記ゲート電極膜上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上にトランジスタのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域となるべき半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜の前記チャネル領域上を覆うように分離膜を形成する分離膜形成工程と、
前記半導体膜上の前記分離膜の両側に不純物材料と半導体材料とを含む液体材料をそれぞれ塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
前記分離膜の両側にそれぞれ形成された塗布膜に熱処理を加えて前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域を形成するソース領域及びドレイン領域形成工程と、
前記基板上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜を貫通して前記ソース領域及び前記ドレイン領域とそれぞれ接続するソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載のデバイスの製造方法において、
前記ゲート電極膜形成工程は、金属等の導電性材料を含有する液体材料を液滴吐出法によって前記絶縁基板に塗布し、これに熱処理を加えることによって前記ゲート電極膜を形成するものである、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかに記載のデバイスの製造方法において、
前記絶縁基板には、予め、前記ゲート電極膜のパターンに対応して親液性の膜と撥液性の膜とを塗り分けた下地処理がなされる、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至５のいずれかに記載のデバイスの製造方法において、
前記絶縁基板には、前記ゲート電極膜のパターンに対応した溝が形成され、この溝に前記導電性材料を含有する液体材料を塗布する、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のデバイスの製造方法において、
前記絶縁基板の溝は前記ゲート電極膜の膜厚と略等しい深さに形成される、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれかに記載のデバイスの製造方法において、
前記半導体膜形成工程は、半導体材料を含有する液体材料を塗布して、これに熱処理を加えることによって前記半導体膜を形成する、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のデバイスの製造方法において、
前記ゲート絶縁膜上には、予め、前記トランジスタの形成領域のパターンに対応して親液性の膜と撥液性の膜とを塗り分けた下地処理がなされる、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスの製造方法において、
前記ゲート絶縁膜上には、前記トランジスタの形成領域のパターンに対応した凹部が形成され、この凹部内に前記半導体膜の液体材料が塗布される、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデバイスの製造方法において、
前記ゲート絶縁膜上に形成される凹部は、レジスト膜又は絶縁膜をパターニングして形成される、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項３又は４記載のデバイスの製造方法において、
前記分離膜形成工程は、
前記半導体膜を覆う分離用絶縁膜を形成する工程と、
前記分離用絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、
前記絶縁基板の背面側から前記ゲート電極膜をマスクとして前記フォトレジストを露光し、現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記分離用絶縁膜をエッチングし、前記チャネル領域上を覆う分離膜を形成する工程と、
を含む、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のデバイスの製造方法において、
前記分離膜は、前記分離用絶縁膜と前記フォトレジストとの積層膜によって形成される、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載のデバイスの製造方法において、
前記ソース領域及びドレイン領域形成工程の熱処理は、所定の熱処理工程を含み、この所定の熱処理工程は、前記非晶質半導体膜に高温短時間の熱処理を施して多晶質半導体膜を形成すると共に、その下層の半導体膜に不純物を拡散して不純物ドープ半導体膜を形成し、この不純物ドープ半導体膜の抵抗値を低減する、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のデバイスの製造方法において、
前記ソース領域及びドレイン領域形成工程の所定の熱処理工程はレーザアニール又はラピッドサーマルアニールであり、当該レーザの照射エネルギを制御することによって前記不純物ドープ半導体膜の低抵抗化と同時に前記チャネル領域の半導体膜の結晶化を行う、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１７】
請求項３乃至１６のいずれかに記載のデバイスの製造方法において、
前記電極形成工程は、前記ソース電極及びドレイン電極を金属含有の液体材料を液滴吐出法によって塗布し、これに熱処理を加えることによって前記ソース電極及びドレイン電極を形成するものである、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１８】
請求項１又は２記載のデバイスを含むことを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  水を滴下したときの表面の接触角が７０度以上である半導体基板に用いられる、脂肪族ポリカルボン酸類と界面活性剤とを含む洗浄液組成物（ただし、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルスルホン酸塩およびシュウ酸からなるものを除く）であって、前記半導体基板に滴下したときの接触角が５０度以下となる、前記洗浄液組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  界面活性剤が、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル型およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル型の非イオン型界面活性剤、アルキルベンゼンスルホン酸型およびその塩、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル型、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルスルホン酸およびその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸およびその塩のアニオン型界面活性剤、フッ素系界面活性剤からなる群から選択される１種又は２種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の洗浄液組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  低誘電率（Ｌｏｗ−Ｋ）膜を有する半導体基板に用いられる洗浄液組成物であって、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル型およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル型の非イオン型界面活性剤、アルキルベンゼンスルホン酸型およびその塩、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル型、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルスルホン酸およびその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸およびその塩のアニオン型界面活性剤、フッ素系界面活性剤からなる群から選択される１種又は２種以上の界面活性剤と脂肪族ポリカルボン酸類とを含有することを特徴とする（ただし、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルスルホン酸塩およびシュウ酸からなるものを除く）、前記洗浄液組成物。