【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    １個以上のＭＯＳＦＥＴセルを有する半導体チップに形成されたパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、
前記ＭＯＳＦＥＴセルが、長さ及び幅を有する細長い縞形状のストライプ形セルとして形成され、前記ストライプ形セルは、それぞれ両縁部に対向する２つのゲート部分を有する形態で配置され、前記ストライプ形セルの上側表面が前記チップの表面と一致しており、前記ゲート部分のそれぞれがトレンチ内に形成されていることを特徴とし、
前記ＭＯＳＦＥＴセルが、
前記上側表面の一部分に隣接する位置に配置された第１導電型のソース領域と、
前記ソース領域の下に配置された第２導電型のボディ領域であって、前記トレンチの壁に隣接したチャネル領域を含む、該ボディ領域と、
前記ボディ領域に隣接する前記第１導電型のドレイン領域と、
前記ボディ領域内部の高濃度ドーピング領域であって、前記高濃度ドーピング領域が、前記第２導電型であり、前記ボディ領域の残りの部分のドーパント濃度より極めて高いドーパント濃度を有し、前記セルの前記長さ方向に沿って延在し、前記セルの前記表面に達するまで延びている１以上のコンタクト部分を有する、該高濃度ドーピング領域とを有することを特徴とするパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２】    前記高濃度ドーピング領域が、５×１０１８〜８×１０１９ｃｍ−３のドーパント濃度を有することを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項３】    前記高濃度ドーピング領域が、８×１０１５〜７×１０１７ｃｍ−３のドーパント濃度を有することを特徴とする請求項２に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項４】    前記セルの長さが、前記セルの幅の１０倍以上であることを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項５】    前記ストライプ形セルの行が複数あり、前記行の数が１０未満であることを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項６】    前記コンタクト部分が、前記セルの末端に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項７】    前記セルの長さ方向に沿って間隔をおいて配置された複数の前記コンタクト部分を有することを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項８】    前記コンタクト部分が、前記セルの長さ方向に沿って延在するバンド部を有し、前記バンド部が前記ゲート部分の間の、両ゲート部分から等距離の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項９】    前記高濃度ドーピング領域が、前記ソース領域によって前記チップの前記表面から離隔されていることを特徴とする請求項１に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１０】    １個以上のＭＯＳＦＥＴセルを有する半導体チップに形成されたパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、
前記ＭＯＳＦＥＴセルが、長さ及び幅を有する細長い縞形状のストライプ形セルとして形成され、前記ストライプ形セルは、それぞれ両縁部に対向する２つのゲート部分を有する形態で配置され、前記ストライプ形セルの上側表面が前記チップの表面と一致しており、前記ゲート部分のそれぞれがトレンチ内に形成されていることを特徴とし、
前記ＭＯＳＦＥＴセルが、
前記上側表面に位置し、前記ストライプの前記長さ及び幅に沿って配置された第１導電型のソース領域と、
前記ソース領域の下に配置された第２導電型のボディ領域であって、前記トレンチの壁に隣接したチャネル領域を含む、該ボディ領域と、
前記ボディ領域に隣接する前記第１導電型のドレイン領域と、
前記ボディ領域内部の高濃度ドーピング領域であって、前記高濃度ドーピング領域が、前記第２導電型であり、前記ボディ領域の残りの部分のドーパント濃度より極めて高いドーパント濃度を有し、前記ソース領域の下で前記セルの前記長さ方向に沿って延在し、前記セルの末端において前記チップの前記表面に達するまで延びている１以上のコンタクト部分を有し、前記高濃度ドーピング領域は、前記セルの前記幅が前記高濃度ドーピングによって広くならず、前記セルの前記長さが前記高濃度ドーピング領域によって短くならないように設けられている、該高濃度ドーピング領域とを有することを特徴とするパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１１】    複数の前記ＭＯＳＦＥＴセルと、
反復的なパターンに配置された複数の前記ダイオードセルとを有し、
それぞれのダイオードセルは、選択された数の前記ＭＯＳＦＥＴセルに対応して設けられていることを特徴とする請求項１０に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１２】    前記高濃度ドーピング領域は、前記チップの前記表面に延在する２以上の前記コンタクト部分を有し、かつ
前記高濃度ドーピング領域は、前記コンタクト部分の間に位置し、かつ前記チップの前記表面まで延在する中央の薄いバンド部を有することを特徴とする請求項１０に記載のパワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１３】    半導体チップにパワーＭＯＳＦＥＴを形成する方法であって、
１個以上のＭＯＳＦＥＴセルを形成する過程であって、前記ＭＯＳＦＥＴセルが、長さ及び幅を有する細長い縞形状のストライプ形セルとして形成され、前記ストライプ形セルは、それぞれ両縁部に対向する２つのゲート部分を有する形態で配置され、前記ストライプ形セルの上側表面が前記チップの表面と一致しており、前記ゲート部分のそれぞれがトレンチ内に形成される、該過程を有し、
前記ＭＯＳＦＥＴセルを形成する過程が、
前記上側表面の一部分に隣接する位置に配置された第１導電型のソース領域を形成する過程と、
前記ソース領域の下に配置された第２導電型のボディ領域を形成する過程であって、前記ボディー領域は前記トレンチの壁に隣接したチャネル領域を含む、該過程と、
前記ボディ領域に隣接する前記第１導電型のドレイン領域を形成する過程と、
前記ボディ領域内部の高濃度ドーピング領域を形成する過程であって、前記高濃度ドーピング領域は、前記第２導電型であり、前記ボディ領域の残りの部分のドーパント濃度より極めて高いドーパント濃度を有し、前記セルの前記長さ方向に沿って延在し、前記セルの前記表面に達するまで延びている１以上のコンタクト部分を有する、該過程とを有することを特徴とする方法。
【請求項１４】    前記高濃度ドーピング領域が５×１０１８〜８×１０１９ｃｍ−３のドーパント濃度を有し、前記ボディ領域が８×１０１５〜７×１０１７ｃｍ−３のドーパント濃度を有し、前記ソース領域が前記高濃度ドーピング領域を前記チップの前記表面から離隔していることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】    前記セルの長さが、前記セルの幅の１０倍以上であることを特徴とし、
前記ストライプ形セルの行が複数あり、前記行の数が１０未満であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】    前記コンタクト部分が、前記セルの末端に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】    前記セルの長さ方向に沿って間隔をおいて配置された複数の前記コンタクト部分を有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】    前記コンタクト部分が、前記セルの長さ方向に沿って延在するバンド部を有し、前記バンド部が前記ゲート部分の間の、両ゲート部分から等距離の位置に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。