【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置及び被処理体の処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空引き可能になされた処理容器と、この処理容器内に設置されてその上面の載置面に被処理体を載置する載置台と、前記載置台の周縁部に前記被処理体の外周端よりも僅かに外方へ離間させて設けられて前記被処理体の載置時にこれを適正な載置位置へ案内するリング状のガイドリング本体を有するガイドリング部材とよりなる成膜装置において、前記ガイドリング本体の内周側を断面段部状に形成することにより前記ガイドリング本体の下面と前記載置台の載置面との間でパーティクル発生防止空間を設けるように構成したことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】  前記パーティクル発生防止空間の高さは、略０．２ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】  前記パーティクル発生防止空間の載置台半径への長さは、略２ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】  真空引き可能になされた処理容器と、この処理容器内に設置されてその上面の載置面に被処理体を載置する載置台と、前記被処理体の周縁部に接近及び離間可能に設けられて前記被処理体を前記載置台側へ押圧固定するリング状のクランプリング本体を有するクランプリング部材とよりなる成膜装置において、前記クランプリング本体の内周側を断面段部状に形成することにより前記クランプリング本体の下面と前記被処理体の上面との間でパーティクル発生防止空間を設けるように構成したことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】  真空引き可能になされた処理容器内で、被処理体を載置する際の位置ずれを防止するためのガイドリング部材を、その上側周縁部に設けた載置台上に前記被処理体を載置し、前記処理容器内へ成膜ガスを供給しつつ前記被処理体を所定の温度に加熱して前記被処理体の表面に薄膜を堆積させるようにした被処理体の処理方法において、
前記ガイドリング部材の水平部分の内周側の下面と前記載置台の載置面との間にパーティクル発生防止空間を形成した状態で前記薄膜を堆積させるようにしたことを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項６】  真空引き可能になされた処理容器内で、載置台上に被処理体を載置し、前記被処理体の外周縁にクランプリング部材の内周縁を当接させて前記載置台側へ押圧固定した状態で、前記処理容器内へ成膜ガスを供給しつつ前記被処理体を所定の温度に加熱して前記被処理体の表面に薄膜を堆積させるようにした被処理体の処理方法において、
前記クランプリング部材の内周端の下面と前記被処理体の周縁部の表面との間に、パーティクル発生防止空間を形成した状態で前記薄膜を堆積させるようにしたことを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項７】  前記パーティクル発生防止空間は、薄いリング状の空間であることを特徴とする請求項５又は６記載の被処理体の処理方法。
【請求項８】  前記被処理体を複数枚処理した後に、前記載置台上に前記被処理体を載置していない状態で前記パーティクル発生防止空間を区画する面に付着している不要な膜を除去するクリーニングを行なうことを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の被処理体の処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に薄膜を堆積させる成膜装置及び被処理体の処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このため、ウエハＷに対する成膜処理を繰り返し行なっていると、上記膜のピーク部分２２Ａ、２４Ａが剥がれ落ちるなどして、パーティクル数が急激に増加するといった問題があった。図１０はこの時の状況を示すグラフであり、処理されたウエハ番号とパーティクル数との関係を示している。このグラフによれば、ウエハ処理枚数が４０枚程度を越えた当たりで、パーティクル数（０．２μｍ以上）が急激に増加しており、例えば良否判定基準３０個を大幅に上回ってしまっている。尚、ここではＴｉＮ膜をウエハＷ上に堆積した時の例を示している。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、繰り返し成膜処理を行なってもパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置及び被処理体の処理方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この場合、請求項２に規定するように、例えば前記パーティクル発生防止空間の高さは、略０．２ｍｍ以上に設定されている。
また、請求項３に規定するように、例えば前記パーティクル発生防止空間の載置台半径への長さは、略２ｍｍ以上に設定されている。
請求項４に規定する発明は、上記ガイドリング部材の構造をクランプリング部材に適用したものであり、真空引き可能になされた処理容器と、この処理容器内に設置されてその上面の載置面に被処理体を載置する載置台と、前記被処理体の周縁部に接近及び離間可能に設けられて前記被処理体を前記載置台側へ押圧固定するリング状のクランプリング本体を有するクランプリング部材とよりなる成膜装置において、前記クランプリング本体の内周側を断面段部状に形成することにより前記クランプリング本体の下面と前記被処理体の上面との間でパーティクル発生防止空間を設けるように構成した。
この場合にも、前述したようなガイドリング部材の構造の場合と、同様な作用効果を発揮することが可能となる。
請求項５に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内で、被処理体を載置する際の位置ずれを防止するためのガイドリング部材を、その上側周縁部に設けた載置台上に前記被処理体を載置し、前記処理容器内へ成膜ガスを供給しつつ前記被処理体を所定の温度に加熱して前記被処理体の表面に薄膜を堆積させるようにした被処理体の処理方法において、前記ガイドリング部材の水平部分の内周側の下面と前記載置台の載置面との間にパーティクル発生防止空間を形成した状態で前記薄膜を堆積させるようにしたことを特徴とする被処理体の処理方法である。
請求項６に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内で、載置台上に被処理体を載置し、前記被処理体の外周縁にクランプリング部材の内周縁を当接させて前記載置台側へ押圧固定した状態で、前記処理容器内へ成膜ガスを供給しつつ前記被処理体を所定の温度に加熱して前記被処理体の表面に薄膜を堆積させるようにした被処理体の処理方法において、前記クランプリング部材の内周端の下面と前記被処理体の周縁部の表面との間に、パーティクル発生防止空間を形成した状態で前記薄膜を堆積させるようにしたことを特徴とする被処理体の処理方法である。
この場合、例えば請求項７に記載されたように、前記パーティクル発生防止空間は、薄いリング状の空間である。
また、例えば請求項８に記載されたように、前記被処理体を複数枚処理した後に、前記載置台上に前記被処理体を載置していない状態で前記パーティクル発生防止空間を区画する面に付着している不要な膜を除去するクリーニングを行なう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る成膜装置及び被処理体の処理方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る成膜装置を示す構成図、図２は図１に示す載置台とガイドリング部材の一部を示す拡大断面図、図３は図２中のＡ部において膜が堆積した時の状態を示す拡大図である。尚、本実施例ではＴｉＮ膜を堆積する場合を例にとって説明する。
図示するように、この成膜装置３０は、例えばアルミニウム等により筒体状に成形された処理容器３２を有しており、この処理容器３２内には、底部より支柱３４を介して起立された、例えばＡｌＮ製の円柱状の載置台３６が設けられている。そして、この載置台３６内には、抵抗加熱ヒータ３８が埋め込まれており、この上面の載置面３６Ａ上に載置された被処理体としての半導体ウエハＷを所定の温度まで昇温し、維持するようになっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜装置及び被処理体の処理方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、ガイドリング部材、或いはクランプリング部材の奥まった領域であるパーティクル発生防止空間を区画する上下の壁面に膜が堆積することになり、この空間は堆積する膜の厚さに対して十分に大きく設定されているので、膜同士が接触することがなく、従って、膜の剥がれも生じ難いので、パーティクルが発生することを大幅に抑制することができる。また、堆積した膜が壁面から剥がれたとしても、パーティクル発生防止空間の奥まった位置で膜剥がれが生ずることになるので、これが処理空間側に飛散することもないので、剥がれ落ちた膜がパーティクルとして被処理体の表面に付着することも防止することができる。