【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の製造方法及び半導体基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の基板上に開口部を有する選択成長用のマスクパターンを形成する工程と、
ガリウムと窒素とを含む半導体層を、前記第１の基板における前記マスクパターンの前記開口部及び該開口部の周縁部に広がるように成長させることにより、前記第１の基板上に前記半導体層よりなる第２の基板を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】  前記第１の基板及び前記マスクパターンを機械的に研磨して除去する工程を備える請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】  前記マスクパターンを除去する工程と、
前記第１の基板に超音波振動を与えることにより、前記第１の基板と前記第２の基板との接続部を分離する工程を備える請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】  第１の基板上に全面にわたってガリウムと窒素とを含む第１の半導体層を成長させる工程と、
前記第１の半導体層の上に開口部を有する選択成長用のマスクパターンを形成する工程と、
ガリウムと窒素とを含む第２の半導体層を、前記第１の半導体層における前記マスクパターンの前記開口部及び該開口部の周縁部に広がるように成長させることにより、前記第１の基板上に前記第２の半導体層よりなる第２の基板を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】  前記第１の基板、前記第１の半導体層、及び前記マスクパターンを機械的に研磨して除去する工程を備える請求項４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】  前記マスクパターンを除去する工程と、
前記第１の基板に超音波振動を与えることにより、前記第１の半導体層と前記第２の基板との接続部を分離する工程を備える請求項４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を用いて作製された半導体基
板。
【請求項８】  第１の基板と、
前記第１の基板上に配置された開口部を有するマスクパターンと、
前記第１の基板及び前記マスクパターン上に配置されたガリウムと窒素とを含む半導体層よりなる第２の基板とを有する半導体基板。
【請求項９】  第１の基板と、
前記第１の基板上の全面にわたって配置されたガリウムと窒素とを含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に配置された開口部を有するマスクパターンと、
前記第１の半導体層及び前記マスクパターン上に配置されたガリウムと窒素とを含む第２の半導体層よりなる第２の基板とを有する半導体基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第１の半導体基板の製造方法は、第１の基板上に開口部を有する
選択成長用のマスクパターンを形成する工程と、ガリウムと窒素とを含む半導体
層を第１の基板におけるマスクパターンの開口部及び該開口部の周縁部に広がる
ように成長させることにより、第１の基板上に半導体層よりなる第２の基板を形
成する工程とを備えている。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
第２の半導体基板の製造方法によると、第１の基板上にＧａＮ系よりなる第１の半導体層を成長させた後、該第１の半導体層の上に選択成長用のマスクパターンを形成しているため、本発明の第１の半導体基板の製造方法に比べて、ＧａＮ系の半導体層よりなる第２の基板の品質が一層向上する。
本発明に係る第１の半導体基板は、第１の基板と、第１の基板上に配置された開口部を有するマスクパターンと、第１の基板及びマスクパターン上に配置されたガリウムと窒素とを含む半導体層よりなる第２の基板とを有する。
本発明に係る第２の半導体基板は、第１の基板と、第１の基板上の全面にわたって配置されたガリウムと窒素とを含む第１の半導体層と、第１の半導体層上に配置された開口部を有するマスクパターンと、第１の半導体層及びマスクパターン上に配置されたガリウムと窒素とを含む第２の半導体層よりなる第２の基板とを有する。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】削除
【補正の内容】