【事件の表示】
　特許第２９１９３０９号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２９１９３０９号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、特許第２９１９３０９号（平成７年８月７日出願、平成１１年４月２３日登録）の明細書を特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を目的として、審判請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち次の訂正事項１乃至訂正事項１５のとおり訂正することを求めるものである。
（１−１）訂正事項１：本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至６について、その請求項１、３及び５を削除し、以下請求項の番号を繰り上げると共に、「アルミニウムの含有量が０．５ｐｐｍ以下」を「アルミニウムの含有量が０．３ｐｐｍ以下」として次のとおりに訂正する。
「【請求項１】高融点金属であるモリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウムの含有量が、それぞれ１ｐｐｍ以下であり、さらにアルミニウムの含有量が０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とするターゲット用高純度チタン材。
【請求項２】高融点金属であるモリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウムの含有量が、それぞれ１ｐｐｍ以下であり、さらにアルミニウムの含有量が０．３ｐｐｍ以下である高純度チタン材を用いることを特徴とするターゲット。
【請求項３】高融点金属であるモリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウムの含有量が、それぞれ１ｐｐｍ以下であり、さらにアルミニウムの含有量が０．３ｐｐｍ以下である高純度チタン材からなるターゲットを用いて形成されることを特徴とする薄膜。」
（１−２）訂正事項２：特許明細書の段落【０００９】を次のとおり訂正する。
「【課題を解決するための手段】本発明は、高融点金属であるモリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウムの含有量が、それぞれ１ｐｐｍ以下であり、さらにアルミニウムの含有量が０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とするターゲット用高純度チタン材、これからなるターゲットおよびこのターゲットを用いて形成される薄膜を要旨としている。」　
（１−３）訂正事項３：特許明細書の段落【００１０】を次のとおり訂正する。
「ここで、高純度チタン材とはターゲット用高純度チタン材であって、鉄、ニッケル、クロムの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることを前提としている。」　
（１−４）訂正事項４：特許明細書の段落【００１６】を次のとおり訂正する。
「ターゲット用高純度チタン材に０．５ｐｐｍを超えるＡｌが含有されていると、スパッタリングによって形成された薄膜中にもＡｌが含有される。この場合には、スパッタリング後のウエハ熱処理によって、薄膜中のＡｌがＳｉ中に拡散してアクセプターとなるので、デバイスの膜抵抗が変動することになる。例えば、電気伝導型がＰ型の場合にはデバイスの膜抵抗は低下し、一方、Ｎ型の場合にはデバイスの膜抵抗は上昇する。このような膜抵抗の変動によって、デバイスの特性が安定せず、その製品歩留りが悪化する。したがって、デバイスの膜抵抗の変動を低減するには、ウエハ表面に形成される薄膜へのＡｌの混入を防止するため、ターゲット用高純度チタン材のＡｌ含有量は０．５ｐｐｍ以下とする必要があり、さらにデバイスの特性を安定し、一層デバイスの製品歩留りを向上させるには、ターゲット用高純度チタン材のＡｌ含有量は０．３ｐｐｍ以下とする。」　
（１−５）訂正事項５：特許明細書の段落【００２１】を次のとおり訂正する。
「前述の理由から、ターゲット用高純度チタン材のＡｌ含有量は０．３ｐｐｍ以下とする。しかし、Ａｌは、その沃化物の蒸気圧がチタンに近いため、沃化物熱分解法では析出チタンのＡｌ含有量を低濃度に精製することが困難である。そのため、クロール法によって得られる粗チタン中のＡｌ含有量を低減する必要がある。」　
（１−６）訂正事項６：特許明細書の段落【００２５】に記載した「実施例１、２」、段落【００３２】に記載した「実施例１〜２」および「実施例１」ならびに段落【００３３】に記載した「実施例１」を、いずれも「実施例」に訂正する。
（１−７）訂正事項７：特許明細書の段落【００２６】を次のとおり訂正する。
「（実施例）高融点金属であるＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒの含有量、およびＡｌ含有量を低減することによる効果を確認するため、前述の図１に示す精製装置を用いて高純度チタンの精製を行った。」
（１−８）訂正事項８：特許明細書の段落【００２７】を次のとおり訂正する。
「このとき、ステンレス（ＳＵＳ３１０）製の反応器の内表面全面を厚さ２ｍｍのＴａライニングを施し、反応器の外表面の冷却管には冷媒として水を流通して、反応器の内表面温度を５００℃に制御した。その他の条件は、合成反応温度を９５０℃、熱分解反応温度を１０５０℃、沃素供給量を１Ｋｇ／日および反応器圧力を０．０５Ｐａとした。」
（１−９）訂正事項９：特許明細書の段落【００２８】を次のとおり訂正する。
「原料としてはクロール法で製造した粗チタンを使用したが、粗チタン中のＺｒ含有量を低減するために、前処理で３回蒸留して低Ｚｒ含有としたＴｉＣｌ４をチタン原料とした。」
（１−１０）訂正事項１０：特許明細書の段落【００２９】を次のとおり訂正する。
「このため、粗チタンのＺｒ含有量は０．２ｐｐｍと低減できた。」　
（１−１１）訂正事項１１：特許明細書の段落【００３０】を次のとおり訂正する。
「次に、アルミニウム含有量を０．３ｐｐｍ以下にするため、粗チタンのチタン原料として低Ｚｒ含有のＴｉＣｌ４を使用するとともに、電解セルの耐火煉瓦に低アルミナ質煉瓦を使用してＡｌ含有量を低減したＭｇを還元金属として粗チタン材を製造した。これにより、Ａｌ含有量は０．２ｐｐｍと低減された。」　
（１−１２）訂正事項１２：特許明細書の段落【００３１】を次のとおり訂正する。すなわち、もとの段落【００３０】の記載を準用し、「実施例１」とあるのを「実施例」と訂正する。
「沃化物熱分解法によって精製された高純度チタン材を発明例として、成分分析を行った。その後、スパッタリングターゲット用に直径１０２ｍｍ、厚さ４．９ｍｍに加工し、このターゲットを用いてターゲット電圧を５００〜６００Ｖ、ターゲット電流を１．０Ａおよび周波数（ＲＦ）を１３．５６ＭＨｚの条件で１時間のスパッタリング処理を行い半導体デバイスを作製して、そのライフタイムτをＭＯＳＣ‐ｔ法によって測定した。」
（１−１３）訂正事項１３：特許明細書の段落【００３４】を次のとおり訂正する。すなわち、「発明例１、２」とあるのを「発明例」と訂正する。
「発明例および比較例１〜７の成分分析結果ならびにライフタイムτの測定結果を表１に示す。」
（１−１４）訂正事項１４：特許明細書の段落【００３５】に示す表１を訂正明細書の表１のとおり訂正する。すなわち、表１中の「発明例１」の欄を全て削除し、「発明例２」とあるのを「発明例」と訂正する。
（１−１５）訂正事項１５：特許明細書の段落【００３６】を次のとおり訂正する。
「表１から明らかなように、本発明例ではライフタイムは１００μｓと良好な特性を示しており、優れた特性が発揮される。一方、比較例１〜７では、反応器を外表面からの冷却を停止したため、反応器の外表面温度が上昇し８００〜９００℃になる。このため、精製されたチタン材には反応器の内表面のライニングから析出したＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂが混入している。ライニングを施さなかった比較例５においても、反応器の内表面からのＦｅの混入が見られ、本発明の前提となる高純度チタン材のＦｅ許容含有量を超えている。これらの混入によって、比較例を用いて作製した半導体デバイスのライフタイムは悪化していることが分かる。」　
２．当審の判断
（２−１）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否について
（１）訂正事項１について
　この訂正は、請求項１、３及び５の削除と「アルミニウムの含有量が０．５ｐｐｍ以下」を「アルミニウムの含有量が０．３ｐｐｍ以下」と減縮するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。そして、アルミニウムの含有量を「０．３ｐｐｍ以下」とすることは、本件特許明細書に「Ａｌ含有量は０．３ｐｐｍ以下とするのが望ましい。」（段落【００１６】）や「Ａｌ含有量は０．２ｐｐｍと、いずれも低減された。」（段落【００３１】）と記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２）訂正事項２乃至４について
　これら訂正は、特許請求の範囲の減縮に伴って、段落【０００９】、【００１０】及び【００１６】の内容を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。そして、これら訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）訂正事項５について
　この訂正は、「Ａｌ含有量は０．５ｐｐｍ以下とするのが望ましい。」を「Ａｌ含有量は０．３ｐｐｍ以下とする。」と訂正し、「得られ粗チタン中の」を「得られる粗チタン中の」と訂正するものであるから、前者は特許請求の範囲の減縮に伴ってその内容を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また後者も誤記の訂正に該当する。そして、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（４）訂正事項６について
　この訂正は、特許請求の範囲の減縮に伴って特許明細書の「実施例１」が本件訂正後の発明の範囲外となるため、「実施例１」に関する記載を削除するとともに「実施例２」を「実施例」と表記するものであるから、特許請求の範囲の減縮に伴う明りょうでない記載の釈明に該当する。そして、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（５）訂正事項７乃至１２について
　これら訂正は、本件特許明細書の実施例の欄の記載を特許請求の範囲の減縮と「実施例１」の削除に整合させるために整理したものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。そして、これら訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（６）訂正事項１３及び１４について
　これら訂正は、特許請求の範囲の減縮に伴って特許明細書の「発明例１」が本件訂正後の発明の範囲外となるため、「発明例１」記載を削除するとともに「発明例２」を「発明例」と表記するものであるから、特許請求の範囲の減縮に伴う明りょうでない記載の釈明に該当する。そして、これら訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（７）訂正事項１５について　
　この訂正は、「ライフタイムは５０μｓ」を「ライフタイムは１００μｓ」と訂正するとともに、「さらにＡｌ含有量を０．５ｐｐｍ以下にすることによって、一層優れた特性が発揮される。」を「優れた特性が発揮される」と訂正するものであるが、前者は発明例１を削除し発明例２を発明例とすることに伴う明りょうでない記載の釈明に該当する。また後者も特許請求の範囲の減縮や実施例１及び発明例１の削除に伴う明りょうでない記載の釈明に該当する。そして、ライフタイムの「１００μｓ」は、表１の発明例２の欄に記載されている数値であるから、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２−２）独立特許要件について
（１）本件訂正発明
　本件訂正後の請求項１乃至３に係る発明（以下、それぞれ「本件訂正発明１乃至３」という）は、訂正明細書の請求項１乃至３に記載された事項により特定される上記「１．（１−１）訂正事項１」に示すとおりのものである。
（２）先行文献とその記載内容
　本件特許発明については、本件訂正審判の請求前に特許異議申立て（異議２０００−７００８６号）がなされ、平成１２年４月７日付けで特許を維持する異議決定がなされているところ、この特許異議申立てにおいて提出された先行文献とその記載内容は、次のとおりである。
（日立金属株式会社提出分）
（ａ）特開平２−２１３４９０号公報
（イ）「本発明は、・・特には半導体デバイス製造用の高純度チタンターゲットを製造するに適する高純度チタン材の製造に関するものである。」（第１頁右欄）
（ロ）「４）アルカリ金属含有率が０．１ｐｐｍ以下、・・・そして重金属含有率が０．５ｐｐｍ以下であり、・・・高純度チタンターゲット材」（第１頁右欄）
（ハ）「Ｆｅ等の重金属もまた界面接合部のトラブルの原因となる。」（第２頁上段右欄）
（ニ）「本明細書において、・・・重金属とは、比較的原子量の重いＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ等を包括する。」（第３頁下段左欄）
（ホ）第７頁の「表」には、チタンスポンジと電析チタンの各元素（Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｓｎ等）の分析値（ｐｐｍ）が示されている。
（ｂ）「化学大辞典４」共立出版（株）、昭和３５年１２月３０日、 第６２０頁
「重金属　比重５以上の金属をいう。・・・ただ一般に比較的比重の大きい金属という意味で鉄、マンガン、クロム、銅、鉛などのような金属をこのようによんでいる。」
（西田良幸提出分）
（ｃ）特開平１−１０４７６９号公報
（イ）「本発明はチタン（Ｔｉ）ターゲットに関し、・・・高純度チタン材を提供するチタンターゲットに関する。」（第１頁右欄）
（ロ）「（１）酸素含有量２５０ｐｐｍ以下；鉄、ニッケル、クロムの各元素の含有量１０ｐｐｍ以下、・・・チタンターゲット」（第１頁左欄）
（ハ）「Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒのような重金属はＶＬＳＩなど形成された薄膜との界面接合部におけるリーク現象の原因を構成し、」（第２頁下段左欄）
（ニ）第４頁の第１表には、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒの含有量が示されている。
（ｄ）「ＣＯＬＬＯＱＵＥ　ＥＵＲＯＰＥＥＮ　ＤＥ　ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＩＥ　ＳＯＵＳ　ＶＩＤＥ」１９７５年１０月、第１５１頁乃至第１５５頁（ＶＡＮ　ＡＲＫＥＬ法による高純度チタンの製造）
（イ）沃化物熱分解法による高純度チタンの製造法に係り、第１５５頁の表１には、チタンＡ乃至チタンＦの分析値（ｐｐｍ）が示されている。
（ｅ）「まてりあ」第３３巻第１号、１９９４年、第５１頁乃至第５４頁（チタンの電解法による高純度化）
（イ）「Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの重金属を十分に除去しなければならない。・・・また重金属は界面接合部にトラブルを発生させる要因となる。」（第５１頁左欄）
（ロ）第５４頁の表３には電析ＴｉとＥＢ溶解Ｔｉの組成（ｐｐｍ）が示されている。
（ｆ）「Ｒａｒｅ　Ｍｅｔａｌｓ　’９０」１９９０年１１月、第１９１頁乃至第１９４頁（Ｅｌｅｃｔｒｏｒｅｆｉｎｉｎｇ　ｏｆ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ　ｉｎ　Ｍｏｌｔｅｎ　Ｓａｌｔｓ）
（イ）第１９４頁のＴａｂｌｅ１には、「６ＮグレードＴｉ」の分析値（ｐｐｍ）が示されている。
（３）対比・判断
（ｉ）本件訂正発明１について　
　上記先行文献（ａ）について検討すると、この文献（ａ）には、「重金属のＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ等が０．５ｐｐｍ以下」とされた高純度チタンターゲット材」が記載され、第７頁の表にはＡｌが２０ｐｐｍのチタンスポンジやＡｌが０．１ｐｐｍの電析チタンの分析値が記載されているが、この「高純度チタンターゲット材」が「モリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウム」を含有するとの記載はなく、またこれら金属の含有量をそれぞれ１ｐｐｍ以下とする記載もない。さらにアルミニウムの含有量についても、上記電析チタンの分析値が０．１ｐｐｍを示すものであるものの、この偶々の数値がアルミニウムの含有量を０．３ｐｐｍ以下とする理由やその効果を何ら示唆するものではないと云うべきである。
　してみると、本件訂正発明１は、この先行文献（ａ）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　なお、先行文献（ｂ）は、重金属の意味を解釈するために提出された参考資料であるから、この文献についてのここでの検討を省略する。
　次に、上記先行文献（ｃ）についてみると、上記文献（ｃ）には、「鉄、ニッケル、クロムの各元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であるチタンターゲット」が記載されているが、このチタンターゲットは、本件訂正明細書の「ここで、高純度チタン材とは・・・鉄、ニッケル、クロムの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることを前提としている。」（段落【００１０】）の記載から明らかな如く、本件訂正発明１の前提条件を示すだけのものである。
　また、上記先行文献（ｄ）には、沃化物熱分解法による高純度チタン材の製造法とそれによって得られた数例の高純度チタン材の分析値が示されているが、これら高純度チタン材例の中には、本件訂正発明１の上記前提条件と「モリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウムの含有量がそれぞれ１ｐｐｍ以下である高純度チタン材」という条件を満足する高純度チタン材は見当たらない。
　さらに、上記先行文献（ｅ）及び（ｆ）について検討すると、これら証拠に記載された高純度チタン材の元素分析例も、「モリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウム」をどの程度含有するか等について一切示唆するものではない。
　そして、上記先行文献（ｃ）乃至（ｆ）には、「ターゲット用高純度チタン材」における「モリブデン、タンタル、タングステン、ニオブおよびジルコニウム」の高融点金属に起因する課題やこの課題を解決するためにこれら金属の含有量をそれぞれ１ｐｐｍ以下とすること、またアルミニウムの含有量を０．３ｐｐｍ以下とすることについては何ら示唆するところがないから、本件訂正発明１は、これら先行文献に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（ｉｉ）本件訂正発明２及び３について
　これら発明は、「ターゲット」や「薄膜」に係る発明であるが、両発明とも本件訂正発明１の「高純度チタン材」を使用するものであるから、本件訂正発明１と同様の理由により、上記先行文献（ａ）乃至（ｆ）の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　したがって、本件訂正発明１乃至３は、上記先行文献（ａ）乃至（ｆ）の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　また、他に本件訂正発明１乃至３が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由及び証拠を発見しない。
３．むすび
　以上のとおり、本件訂正審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書乃至第４項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。