【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせてなる複合基板を用いたトランジスタの製造方法であって、
前記半導体基板から所定の層厚を有する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体層と前記第１のゲート絶縁膜とからなる積層膜を、フォトリソグラフィー、エッチング法を用いて所定の形状にパターニングする工程と、
前記半導体層上に前記第１のゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを備えたことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記第１のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜を用い、前記第１のゲート絶縁膜を熱酸化法により形成することを特徴とする請求項１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記積層膜をパターニングする工程の後に、パターニングされた前記積層膜を少なくとも覆うように第２のゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備え、前記半導体層上に前記第１のゲート絶縁膜および前記第２のゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記第２のゲート絶縁膜を化学的気相成長法により形成することを特徴とする請求項３に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項５】
半導体層と、前記半導体層の上面にのみ形成された第１のゲート絶縁膜と、前記半導体層と前記第１のゲート絶縁膜とを覆う第２のゲート絶縁膜と、前記半導体層の上方に前記第１のゲート絶縁膜および前記第２のゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備えたことを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
半導体基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせてなる複合基板を用いたトランジスタを備えた電気光学装置用基板の製造方法であって、
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のトランジスタの製造方法を用いたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の電気光学装置用基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタおよびその製造方法、電気光学装置用基板およびその製造方法、電気光学装置、電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明のトランジスタの製造方法は、半導体基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせてなる複合基板を用いたトランジスタの製造方法であって、前記半導体基板から所定の層厚を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記半導体層と前記第１のゲート絶縁膜とからなる積層膜を、フォトリソグラフィー、エッチング法を用いて所定の形状にパターニングする工程と、前記半導体層上に前記第１のゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明のトランジスタの製造方法においては、半導体層上に第１のゲート絶縁膜を形成した後、半導体層と第１のゲート絶縁膜とからなる積層膜を、その上に形成したマスクを用いて一括してエッチングし、パターニングしているため、半導体層とフォトレジストが直接接触することがない。そのため、フォトレジスト中に含まれる重金属等の不純物がＳｉ層中に浸入し難くなり、トランジスタの特性劣化や特性バラツキを抑制することができる。また、Ｓｉ層のドライエッチング時にＳｉ層が第１のゲート絶縁膜で覆われているため、Ｓｉ層にプラズマによるダメージが入り難くなり、これによる特性劣化も抑制できる。さらに、前記積層膜をパターニングした後、側壁形状が比較的直線的になった積層膜上にゲート電極となる導電膜を形成するため、従来技術のようにＳｉ層の側壁下部に導電膜のエッチング残りが発生することなく、ゲート電極の短絡不良を防止することができる。すなわち、本発明のトランジスタの製造方法は、半導体層上に第１のゲート絶縁膜を形成した状態でフォトリソグラフィー、エッチング工程を経ることにより、第１のゲート絶縁膜を半導体層の保護膜として機能させ、上記の作用、効果を得るものである。しかしながら、特別な保護膜を形成するわけではなく、保護膜をそのままゲート絶縁膜として用いるわけであるから、製造工程が増えるわけではなく、その点で合理的な方法である。
なお、本発明の方法では、フォトレジスト中の不純物の浸入の問題、ドライエッチング時のプラズマダメージの問題は第１のゲート絶縁膜に対して生じることになるが、半導体膜に対してこれらの問題が生じる場合と比較すると、素子特性への影響がはるかに少ない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のトランジスタの製造方法においては、前記第１のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜を用い、前記第１のゲート絶縁膜を熱酸化法により形成することが望ましい。
第１のゲート絶縁膜を熱酸化法により形成することにより良質なゲート絶縁膜とすることができ、良好な素子特性を有するトランジスタを製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記積層膜をパターニングする工程の後に、パターニングされた前記積層膜を少なくとも覆うように第２のゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備え、前記半導体層上に前記第１のゲート絶縁膜および前記第２のゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成することが望ましい。
上記の構成によれば、第１、第２のゲート絶縁膜の２層によってトランジスタのゲート絶縁膜が構成されることになるので、ゲートリーク電流を低減することができ、素子の信頼性をより向上することができる。また、第２のゲート絶縁膜を基板全面に形成した場合には、半導体層による段差を緩和することができ、平坦化を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のトランジスタは、半導体層と、前記半導体層の上面にのみ形成された第１のゲート絶縁膜と、前記半導体層と前記第１のゲート絶縁膜とを覆う第２のゲート絶縁膜と、前記半導体層の上方に前記第１のゲート絶縁膜および前記第２のゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、トランジスタの特性の劣化やバラツキ、もしくはゲート電極間の短絡不良が生じることなく、安定した素子特性を有するトランジスタを得ることができる。また、ゲート絶縁膜が２層で構成されているので、信頼性の高いトランジスタ素子を実現できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、半導体基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせてなる複合基板を用いたトランジスタを備えた電気光学装置用基板の製造方法であって、上記本発明のトランジスタの製造方法を用いたことを特徴とする。
この構成によれば、トランジスタの特性の劣化やバラツキ、もしくはゲート電極間の短絡不良が生じることなく、安定した素子特性を有するトランジスタを備えた電気光学装置用基板を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電気光学装置用基板は、上記本発明の電気光学装置用基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
この構成によれば、トランジスタの特性の劣化やバラツキ、もしくはゲート電極間の短絡不良が生じることなく、安定した素子特性を有するトランジスタを備えた電気光学装置用基板を得ることができる。