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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
上述の様に、本発明の電動式パワーステアリング装置用アシスト装置とこれを組み込んだ電動式パワーステアリング装置の場合には、捩りコイルばね３０が、予圧パッド７０を介して、ウォーム軸２９の外周面を弾性的に押圧している。この為、上記ウォームホイール２８とウォーム軸２９との噛合部に予圧を付与する事ができ、この噛合部での歯打ち音の発生を、安価に抑える事ができる。しかも、本発明の場合には、ギヤハウジング２２の内面とウォーム軸２９の外周面との間に、捩りコイルばね３０と予圧パッド７０とを設けるだけで良い為、電動式パワーステアリング装置用アシスト装置の組立作業を容易に行なえる。更に、上記ギヤハウジング２２の一部が大きく張り出したり、大型化する事をなくせて、自動車の限られた空間での部品の効率の良い設置が可能になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
又、本例の場合には、電動モータ３１を構成する、コイル４５に送る励磁電流の方向を切り換える為のロータ位相検出器を、ブラシ４８とコンミテータ４６とにより構成している。但し、本発明は、この様な構造に限定するものではなく、図８に示す様に、ロータ位相検出器を、回転軸３２に固定した永久磁石製のエンコーダ７８と、ホールＩＣ７７とにより構成して、電動モータ３１を、所謂ブラシレス構造とする事もできる。又、図８に示す構造の場合には、ステータ３９ａを、ケース２３の内周面に固定した積層鋼板製のコア８２と、このコア８２の複数個所に巻回したコイル８３、８３とにより構成すると共に、ロータ３８ａを、上記回転軸３２の中間部外周面に固定した永久磁石８４、８４により構成している。又、この様な構造を採用した場合に、上記ステータ３９ａに送る電流の大きさの増減を制御するベクトル制御装置を設ける事により、このステータ３９ａの磁力を切り換える事もできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、図９〜１２は、請求項１〜３、５〜９、１１〜１３に対応する、本発明の実施の形態の第２例を示している。本例の場合には、ギヤハウジング２２に対しウォーム軸２９の基端部（図９の左端部）を支持する為の、第三の玉軸受３６の軸方向両端部に、１対のシールリング９６、９６を設けている。又、この第三の玉軸受３６を構成する内輪５２を、ウォーム軸２９の基端部に外嵌している。更に、このウォーム軸２９の基端部（図９の左端部）外周面を、雄ねじ部５４（図２、４参照）を形成しない円筒面としている。又、この円筒面を外周面に有する筒部１１２の基端寄り部分に、抑え部材９７を外嵌している。この抑え部材９７は、全体を円筒状に形成したもので、基端部外周面に外向鍔部９８を設けている。又、この抑え部材９７の基端面に、軸方向に突出する薄肉の円筒部１０１を形成している。そして、上記筒部１１２の外周面に上記抑え部材９７を、軸方向一端面（図９の右端面）をこの外周面の中間部に設けた段差面１１３に突き当てつつ外嵌した状態で、この抑え部材９７に設けた円筒部１０１の先端縁を、上記ウォーム軸２９の基端部外周面に全周に亙り形成した係止溝１０２にかしめ付ける事により、上記筒部１１２に上記抑え部材９７を結合固定している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
この様に、ホルダ６１ａと予圧パッド７０ａと捩りコイルばね３０とを組み合わせるのには、先ず、このホルダ６１ａの各第二の突部１０６、１０６の片面（図１０〜１２の下側面）とこれら各第二の突部１０６、１０６に設けた係止突部１０８、１０８の片面（図１０〜１２の裏側面）とに、上記予圧パッド７０ａに設けた各腕部９１ａ、９１ａの側面を対向させる状態で、ホルダ６１ａと予圧パッド７０ａとを組み合わせる。ホルダ６１ａと予圧パッド７０ａとをこの様に組み合わせた状態で、このホルダ６１ａに対するこの予圧パッド７０ａの軸方向に関する変位が阻止される。次いで、このホルダ６１ａの一部に設けた、互いに隣り合う第一、第二の突部１０５、１０６の間部分に、上記捩りコイルばね３０の両端部に設けた各係止部７３、７３を配置しつつ、上記各第一、第二の突部１０５、１０６の外径側側面と上記予圧パッド７０ａの外周面とに上記捩りコイルばね３０を外嵌する。この予圧パッド７０ａに設けた第三部分円筒面部１１０がこの捩りコイルばね３０の内周縁に接触しない状態では、この予圧パッド７０ａに設けた通孔７１の中心軸は、上記ホルダ６１ａの中心軸に対し、片側（図９〜１２の上側）に片寄っている。この為、このホルダ６１ａに上記予圧パッド７０ａと捩りコイルばね３０とを組み合わせた状態でこのホルダ６１ａを前記ギヤハウジング２２の所定部分に固定し、更に、上記予圧パッド７０ａに設けた通孔７１の内側に上記ウォーム軸２９の先端部を挿入すると、この予圧パッド７０ａに設けた第三部分円筒面部１１０により上記捩りコイルばね３０の直径が弾性的に押し広げられる。そして、この捩りコイルばね３０が巻き戻る（直径を縮める）方向に弾性復帰する傾向となる事により、この捩りコイルばね３０から上記予圧パッド７０ａに、上記ウォームホイール２８に向かう方向の弾力が付与される。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
更に、上記凹孔７２の軸方向中間部内周面に、その中心部に軸方向に貫通する通孔１２５を形成したホルダ１２６を内嵌固定している。又、このホルダ１２６の片面（図２２の右側面）で、ウォームホイール２８側の半部に半円柱状の係止突部１２７を、軸方向に突出する状態で形成している。この係止突部１２７のうち、上記ウォームホイール２８と反対側（図２２、２３の下側）の側面の中間部に、軸方向全長に亙る凹溝１２８を形成している。又、上記凹孔７２の内側で、上記係止突部１２７の側面と対向する位置に、半円柱状の予圧パッド１２９を配置している。この予圧パッド１２９のうち、上記係止突部１２７の凹溝１２８と対向する位置に、軸方向全長に亙る突条部１３０を形成している。そして、上記予圧パッド１２９と上記係止突部１２７とを、この係止突部１２７に設けた凹溝１２８の内側に、この予圧パッド１２９に設けた突条部１３０を配置した状態で組み合わせる事により、これら係止突部１２７と予圧パッド１２９とを組み合わせたものが円筒状となる様にしている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004306898.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レール状支持体と、
前記レール状支持体の内部に設けられたプラス極とマイナス極の導体と、
スピーカ本体に取付けられた一対の弾性脚と、
を具備し、前記弾性脚が前記レール状支持体の内側に係合して前記スピーカ本体を前記支持体の任意の位置に取付けるとともに、前記一対の弾性脚が前記プラス極とマイナス極の導体と接触して前記スピーカ本体に対して駆動電流を供給することを特徴とするスピーカ取付け装置。
【請求項２】
前記レール状支持体が上下に凹溝を備えるとともに、前面側が開口になっており、上下の前記凹溝の底部に前記導体が配され、前記前面側開口を通して導入される前記弾性脚の先端部が前記凹溝によって係止されるとともに前記導体と接触することを特徴とする請求項１に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項３】
前記一対の弾性脚の先端部が外側に湾曲するように変形され、該変形された部分が前記凹溝内に保持されることを特徴とする請求項２に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項４】
前記プラス極とマイナス極の導体の終端がコードを介してオーディオソースと接続されることを特徴とする請求項１に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項５】
前記コードの中間に着脱自在なコネクタが介在されることを特徴とする請求項１に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項６】
単一のレール状支持体に複数のスピーカ本体が移動自在に取付けられることを特徴とする請求項１に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項７】
互いに対向する終端が分断された状態で一対のレール状支持体が配され、左右のレール状支持体にそれぞれ左右のスピーカ本体が取付けられることを特徴とする請求項１に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項８】
複数のレール状支持体か互いにほぼ平行に配され、互いに音域の異なるスピーカ本体がそれぞれ前記レール状支持体に取付けられることを特徴とする請求項１に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項９】
自動車の車室内の所定の位置に取付けられるレール状支持体と、
前記レール状支持体の内部に設けられたプラス極とマイナス極の導体と、
カーオーディオ用のスピーカ本体に取付けられる一対の弾性脚と、
を具備し、前記弾性脚が前記レール状支持体の内側に係合して前記スピーカ本体を前記支持体に取付けるとともに、前記一対の弾性脚が前記プラス極とマイナス極の導体と接触して前記スピーカ本体に対して駆動電流を供給することを特徴とするスピーカ取付け装置。
【請求項１０】
前記レール状支持体が自動車の車室の内部であって左右両側にそれぞれ取付けられることを特徴とする請求項９に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項１１】
前記レール状支持体がフロントウインドの側縁から左右のサイドウインドの上縁に沿って湾曲して取付けられることを特徴とする請求項１０に記載のスピーカ取付け装置。
【請求項１２】
前記レール状支持体の内部のプラス極の導体およびマイナス極の導体が、銅板または銅箔で構成されることを特徴とする請求項９に記載のスピーカ取付け装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願の主要な発明は、
レール状支持体と、
前記レール状支持体の内部に設けられたプラス極とマイナス極の導体と、
スピーカ本体に取付けられた一対の弾性脚と、
を具備し、前記弾性脚が前記レール状支持体の内側に係合して前記スピーカ本体を前記支持体の任意の位置に取付けるとともに、前記一対の弾性脚が前記プラス極とマイナス極の導体と接触して前記スピーカ本体に対して駆動電流を供給することを特徴とするスピーカ取付け装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここで前記レール状支持体が自動車の車室の内部であって左右両側にそれぞれ取付けられることが好ましい。また前記レール状支持体がフロントウインドの側縁から左右のサイドウインドの上縁に沿って湾曲して取付けられることが好ましい。また前記レール状支持体の内部のプラス極の導体およびマイナス極の導体が、銅板または銅箔で構成されることが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月21日(2006.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノサイズ貴金属コロイドおよび洗浄剤基材を含む洗浄剤。
【請求項２】
ナノサイズ貴金属コロイド含有水溶液と洗浄剤基材とを混合して得られる、請求項１記載の洗浄剤。
【請求項３】
ナノサイズ貴金属コロイド含有水溶液のジータ電位がマイナス（−）２０から６０ｍＶである、請求項２記載の洗浄剤。
【請求項４】
ナノサイズ貴金属コロイドの粒子径が２〜２０ｎｍである、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤。
【請求項５】
貴金属が白金、金、パラジウム、または銀である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤。
【請求項６】
貴金属が白金である、請求項５に記載の洗浄剤。
【請求項７】
洗浄剤基材が脂肪酸エステルを含む、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤。
【請求項８】
脂肪酸エステルが、カプリル酸塩、カプリン酸塩、ラウリン酸塩、ミリスチン酸塩、パルミチン酸塩、パルミトレイン酸塩、ステアリン酸塩、オレイン酸塩、およびリノール酸塩からなる群より選択される１種以上である、請求項７に記載の洗浄剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月24日(2006.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近未来のクリーンなエネルギー源のひとつとして期待されている水素を大量に、しかも安価で効率的に生成することは緊急の課題である。従来は、金属などを主体とした触媒法により大気圧下で比較的高効率に水素の生成が行われていた。しかし、その方式にはいくつかの大きな欠点がある。良く知られている方法には次のような欠点を即座に指摘できる。
すなわち、金属触媒を使用する方法では室温に比べ比較的高温度で反応させることにより、例えばメタノールやメタンガスなどから水素を分離することができる（（１）式参照）。
（化１）
ＣＨ4＋Ｈ2Ｏ＝ＣＯ＋３Ｈ2    ΔＨ＝２０６ｋＪ/ｍｏｌ
ＣＯ＋Ｈ2Ｏ＝ＣＯ2＋Ｈ2        ΔＨ＝−３９ｋＪ/ｍｏｌ      （１）
これらの反応では動作温度が高温（６００〜１０００度Ｃ）であるため、加熱用エネルギーを必要とし、結果としてエネルギー効率の低下を招いている。また、この際、ほとんどの方式では金属系の触媒を使用し、反応を可能にするために水蒸気（水）を供給することが必要である。その結果、二酸化炭素の発生を免れない。これは、多かれ少なかれ現在の公害問題として大きな欠点である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述の装置を用いて行った、印加電圧と水素生成との関係を図４に示す。図５は、短パルスを使用した結果と、放電電源としてテスラーコイル（５０Ｈｚの電圧波形）を使用してメタンガスを分解した例との比較を示す。明らかなように、本方法の短パルスを使用した結果では１ｋＶまで、あるいは１００ジュール程度の比較的低電圧あるいは注入エネルギーで十分な分解性能が得られるが、テスラーコイルを使用した場合は、数倍のエネルギーを注入しないことには本方式と同じ分解性能は得られない。
図６には、アルゴンガス添加効果の一例を示す。この例では、メタンガス７６０Ｔｏｒｒ（１．０１３×１０５Ｐａ）に対してアルゴンガス１Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０２Ｐａ）を添加し、５分間の放電による結果である。図６から、ごく少量のアルゴンガスであっても、分解効率が飛躍的に増大したことが明らかであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項２】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項３】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮエピタキシャル層を０．５μｍ〜１０μｍの厚みで形成し、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上からさらにＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項４】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上から充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工をして、複数枚のＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項５】
オフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を下地基板として用い、その上に充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工して、複数枚のＧａＮ下地基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項６】
下地基板である（１１１）ＧａＡｓ基板のオフ角度は０．３゜〜２０゜で、その上に作製されたＧａＮ単結晶基板のオフ角度は０．３゜〜２０゜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項７】
下地基板である（１１１）ＧａＡｓ基板のオフ角度は０．１゜〜２５゜で、その上に作製されたＧａＮ単結晶基板のオフ角度は０．１゜〜２５゜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項８】
下地基板であるＧａＡｓ基板は（１１１）面基板であり、オフの方向は、面方位［１１１］が＜１−１０＞方向に傾斜しており、その上に成長したＧａＮ基板は（０００１）面基板であり、オフの方向は、面方位［０００１］が＜１１−２０＞方向に傾斜していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項９】
下地基板であるＧａＡｓ基板は（１１１）面基板であり、オフの方向は、面方位［１１１］が＜１１−２＞方向に傾斜しており、その上に成長したＧａＮ基板は（０００１）面基板であり、オフの方向は、面方位［０００１］が＜１−１００＞方向に傾斜していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。 
【請求項１０】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。 
【請求項１１】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。 
【請求項１２】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上にＧａＮエピタキシャル層を０．５μｍ〜１０μｍの厚みで形成し、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上からさらにＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、ＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。 
【請求項１３】
オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスク層を形成し、その上から充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長した後、厚さ方向にスライス加工をして、複数枚のＧａＡｓ基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。 
【請求項１４】
請求項１０〜１３の何れかに記載のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を下地基板として用い、その上に充分な厚さを有するＧａＮ単結晶層を成長させた後、厚さ方向にスライス加工し、複数枚のＧａＮ下地基板のオフ角度と同一のオフ角度を有する（０００１）ＧａＮ自立基板を作製したことを特徴とするＧａＮ単結晶基板。 
【請求項１５】
ＧａＮ自立基板のオフ角度は０．３゜〜２０゜であることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板。 
【請求項１６】
ＧａＮ自立基板のオフ角度は０．１゜〜２５゜であることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載のＧａＮ単結晶基板。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】特願平９−２９８３００
【特許文献２】特願平１０−９００８
【特許文献３】特願平１０−１０２５４６
【特許文献４】特開平２−２３９１８８
【特許文献５】特開昭６４−３２６８６
【特許文献６】特開昭６４−２２０７２
【特許文献７】特開平６４−１５９１４
【特許文献８】特開平１−２７０５９９
【特許文献９】特許第３１２９１１２
【特許文献１０】特開平７−２０１７４５
【特許文献１１】特開平１１−７４５６２
【特許文献１２】再公表特許ＷＯ９９／２３６９３
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水及び色材を含有するインクジェット記録用インクにおいて、該インクがさらに式（Ｉ）で示されるエチレンジアミン化合物を含有することを特徴とするインクジェット記録用インク。
【化１】
2005298643.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素原子、アルキル基、及びアルキレンオキサイド基からなる群から選ばれる。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方ならびにＲ３及びＲ４の少なくとも一方はアルキレンオキサイド基であり、１分子中のアルキレンオキサイドユニットの総数は２〜２０個である。）
【請求項２】
前記アルキレンオキサイド基が、エチレンオキサイドユニット及びプロピレンオキサイドユニットの少なくとも一方を有する請求項１に記載のインクジェット記録用インク。
【請求項３】
さらに界面活性剤を含有する請求項１または２に記載のインクジェット記録用インク。
【請求項４】
前記界面活性剤が、ノニオン系界面活性剤である請求項３に記載のインクジェット記録用インク。
【請求項５】
バブルジェット（登録商標）用である請求項１〜４のいずれか１項に記載のインクジェット記録用インク。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクをインクジェットヘッドを用いて記録面積１５ｃｍ２以上のセルロースを含有する被記録媒体に対して、打ち込み量０．０３〜３０ｍｇ／ｃｍ２の範囲で記録する工程を有することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項７】
インク打ち込み量が、０．１〜２０ｍｇ／ｃｍ２の範囲である請求項６に記載のインクジェット記録方法。
【請求項８】
前記セルロースを含有する被記録媒体が、普通紙である請求項６または７に記載のインクジェット記録方法。
【請求項９】
インクジェットヘッドが、バブルジェット（登録商標）ヘッドである請求項６〜８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクを収容しているインク収容部と、該インクを吐出させるインクジェットヘッドとを具備することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１１】
該インクジェットヘッドが、バブルジェット（登録商標）ヘッドである請求項１０に記載のインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素原子、アルキル基、及びアルキレンオキサイド基からなる群から選ばれる。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方ならびにＲ３及びＲ４の少なくとも一方はアルキレンオキサイド基であり、１分子中のアルキレンオキサイドユニットの総数は２〜２０個である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素原子、アルキル基、及びアルキレンオキサイド基からなる群から選ばれる。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方ならびにＲ３及びＲ４の少なくとも一方はアルキレンオキサイド基であり、１分子中のアルキレンオキサイドユニットの総数は２〜２０個である。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（界面活性剤）
本発明にかかるインクにおいて、よりバランスのよい吐出安定性を得るためには、インク中に界面活性剤を含有することが好ましい。中でもノニオン系界面活性剤を併用することが好適である。ノニオン界面活性剤の中でもポリオキシエチレンアルキルエーテル、アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物が特に好ましい。これらのノニオン系界面活性剤のＨＬＢ（Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ−Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ  Ｂａｌａｎｃｅ）値は、１０以上である。こうして併用される界面活性剤の含有量は、インク全量に対して０．０１〜５質量％、好ましくは０．０５〜４質量％、より好ましくは０．１〜３質量％である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
＜評価＞
実施例１〜８（インク１〜９）及び比較例１〜５（インク１０〜１３）で得られた各インクを、下記のようにして評価した。評価項目（２）及び（３）で使用されたインクジェット記録装置を図１に示した。尚、ここで用いた記録ヘッドは、１，２００ｄｐｉの記録密度を有し、１ドット当たりの吐出体積は４ｐｌであった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフェニレンエーテル系樹脂（Ａ）５〜９５重量部およびポリアミド樹脂（Ｂ）５〜９５重量部の合計量１００重量部に対して、粘度平均分子量が４０万〜１５００万の超高分子量ポリマー（Ｃ）０．１〜１０重量部からなることを特徴とする押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｃ）成分が、粘度平均分子量１２０万〜１０００万の超高分子量ポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｃ）成分が、超高分子量ポリエチレンであることを特徴とする請求項１または２に記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分が、ポリフェニレンエーテル（Ｄ）５〜１００重量％とスチレン系樹脂（Ｅ）０〜９５重量％の混合物よりなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ）成分が、ポリ２，６-ジメチル-フェニレンオキシド（Ｆ）であることを特徴とする請求項４に記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）成分が、（Ｆ）成分１００重量部と、分子構造内に少なくとも１個の炭素-炭素二重結合または三重結合及び少なくとも１個の酸化アシル基、イミノ基、イミド基、または
グリシジル基を有するものより選ばれる少なくとも１種の変性剤（Ｇ）０．１〜１０重量部とをあらかじめ加熱反応させることにより得られる変性ポリフェニレンエーテルであることを特徴とする請求項４または５に記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項７】
（Ｄ）成分が、（Ｆ）成分１００重量部と、ポリカルボン酸及び／またはポリカルボン酸の変性物より選ばれる少なくとも１種の酸変性剤（Ｉ）０．１〜１０重量部とをあらかじ
め加熱反応させることにより得られる酸変性ポリフェニレンエーテルであることを特徴とする請求項４または５に記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｅ）成分が、スチレン含有ブロック共重合体であることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項９】
（Ｂ）成分が、ポリアミド６，６を０〜１００重量％とポリアミド６を１００〜０重量％との混合物であるポリアミド樹脂であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載
の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項１０】
（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｇ）成分を０．１〜５重量部含有することを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項１１】
（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｉ）成分を０．１〜５重量部含有することを特徴とする請求項６〜１０のいずれかに記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物を溶融混練した後に、ペレタイズして得られることを特徴とする押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂ペレット。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物を押出成形してなることを特徴とするポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形体。
【請求項１４】
断熱金型を用いて成形加工してなることを特徴とする請求項１３に記載のポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形体。
【請求項１５】
断熱金型が、フッ素樹脂被覆金型であることを特徴とする請求項１４に記載のポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形法。
【請求項１６】
該押出成形体の厚みが、１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形フィルム。
【請求項１７】
ポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形フィルムをプレス成形又は真空成形してなるマスキング材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、押出成形用ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、ポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形体、及び、ポリフェニレンエーテル系樹脂押出成形フィルムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 コンピュータ断層像撮影装置の検出器モジュールであって、シンチレータ・アレイと、シンチレータ・アレイに光学的に結合されたフォトダイオード・アレイと、フォトダイオード・アレイに電気的に結合されたスイッチ装置と、スイッチ装置に結合され、スイッチ装置の作動を制御することによってデータ信号が予め選択されたスライス数およびスライス厚さにしたがって組み合わされるデコーダとを備える検出器モジュール。
【請求項２】 デコーダがスイッチ装置を制御することによって複数のスライス・モードで選択的に作動することを特徴とする請求項１に記載の検出器モジュール。
【請求項３】 シンチレータ・アレイおよびフォトダイオード・アレイがそれぞれに１６×１６アレイであることを特徴とする請求項１に記載の検出器モジュール。
【請求項４】 スイッチがトランジスタのアレイを備えることを特徴とする請求項３に記載の検出器モジュール。
【請求項５】 ４スライス・モードに関して、選択されたスライス厚さが少なくとも１つの横列から成ることを特徴とする請求項３に記載の検出器モジュール。
【請求項６】 コンピュータ断層像撮影装置における、シンチレータ・アレイと、シンチレータ・アレイに光学的に結合されたフォトダイオード・アレイと、フォトダイオード・アレイに電気的に結合されたスイッチ装置とを含む検出器モジュールの作動を制御する方法であって、データ信号を組み合わせるための所望のスライス数にしたがってスイッチ装置を構成するステップと、各スライス毎に所望のスライス厚さを与えるためにデータ信号を組み合わせるようにスイッチ装置を構成するステップと、を備える方法。
【請求項７】 所望のスライス数にしたがってスイッチ装置を構成するステップが、複数のモードのうち少なくとも１つを選択するステップであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】 ４スライス・モードに関して、選択されたスライス厚さが少なくとも１つの横列として選択することができることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】 コンピュータ断層像撮影装置の検出器モジュールであって、シンチレータ・アレイと、シンチレータ・アレイに光学的に結合されたフォトダイオード・アレイと、フォトダイオード・アレイに電気的に結合され、電界効果トランジスタのアレイを備えるスイッチ装置と、スイッチ装置に結合され、スイッチ装置の作動を制御することによってデータ信号が予め選択されたスライス数およびスライス厚さにしたがって組み合わされ、スイッチ装置が複数のスライス・モードで選択的に作動するデコーダとを備える検出器モジュール。
【請求項１０】 シンチレータ・アレイおよびフォトダイオード・アレイがそれぞれ１６×１６アレイであることを特徴とする請求項９に記載の検出器モジュール。
【請求項１１】 スイッチがトランジスタのアレイを備えることを特徴とする請求項１０に記載の検出器モジュール。
【請求項１２】 ４スライス・モードに関して、選択されたスライス厚さが少なくとも１つの横列を備えることを特徴とする請求項１０に記載の検出器モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記第１変換手段はプリント変換手段であり、前記第１の出力画像データはプリント出力用画像データであり、
前記第２変換手段はファイル変換手段であり、前記第２の出力画像データはファイル出力用画像データである請求項２１に記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月4日(2006.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイを含むコンピュータを備えた無線パケット通信システムにおいて使用するパケット通信モニターであって、
無線によって送信されるパケットを受信する際に受信電界強度を時系列に記憶する手段と、
前記パケットの受信開始時刻および受信終了時刻を記憶する手段と、
前記パケットの正誤を時系列に記憶する手段と、
コンピュータのディスプレイ上に前記受信電界強度の波形と前記パケットの長さおよび正誤とをグラフの形で同時系列に表示する手段と，を備えたことを特徴とするパケット通信モニター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、ディスプレイを含むコンピュータを備えた無線パケット通信システムにおいて使用するパケット通信モニターであって、無線によって送信されるパケットを受信する際に受信電界強度を時系列に記憶する手段と、前記パケットの受信開始時刻および受信終了時刻を記憶する手段と、前記パケットの正誤を時系列に記憶する手段と、コンピュータのディスプレイ上に前記受信電界強度の波形と前記パケットの長さおよび正誤とをグラフの形で同時系列に表示する手段と，を備えたことを特徴とするパケット通信モニターを提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを有する磁気抵抗固体記憶素子内における誤りを最小化するための方法であって、
特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた故障挙動を有する、前記素子内のセルを識別し、
前記識別されたセルの位置をマッピングし、及び、
マッピングされた位置におけるセルの前記故障挙動を補償する、
といったことを含み、
前記識別するステップが、
前記素子内の前記セルのサブセットを画定し、
特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた故障挙動を有する、前記サブセット内のセルを識別するために、該サブセット内のセルを検査し、及び、
前記サブセット内の前記識別されたセルに基づいて、前記サブセットの外側の前記素子内のセルが、特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた故障挙動を有するか否かを予測する、
といったことを含むことからなる、方法。
【請求項２】
前記識別された各セルの前記傾向が、平行な配向であるのか又は逆平行の配向であるのかを判定することを更に含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記識別するステップが、
前記素子内のセルに磁界を加え、及び、
前記磁界が加えられた前記素子内のセルの各々についてＢＨ曲線を解析して、該ＢＨ曲線がオフセットされているセルを識別する、
といったことを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
複数のセルを有する磁気抵抗固体記憶素子内における誤りを最小化するための方法であって、
特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた故障挙動を有する、前記素子内のセルを識別し、
前記識別されたセルの位置をマッピングし、
マッピングされた位置におけるセルの前記故障挙動を補償し、及び、前記識別された各セルの前記傾向が平行な配向であるのか又は逆平行の配向であるのかを判定する
といったことを含み、
前記マッピングすることが、
平行な磁化配向をなす傾向を有するものと評価された前記セルを第１のグループに割り当て、
逆平行の磁化配向をなす傾向を有するものと評価された前記セルを第２のグループに割り当て、
前記第１のグループ内の各セルの位置を格納し、
前記第２のグループ内の各セルの位置を格納する、
といったことを含むことからなる、方法。
【請求項５】
複数のセルを有する磁気抵抗固体記憶素子内における誤りを最小化するための方法であって、
特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた故障挙動を有する、前記素子内のセルを識別し、
前記識別されたセルの位置をマッピングし、及び、
マッピングされた位置におけるセルの前記故障挙動を補償する
といったことを含み、
前記識別することが、
前記素子内のセルに磁界を加え、
前記磁界が加えられた前記素子内のセルの各々についてＢＨ曲線を解析して、該ＢＨ曲線がオフセットされているセルを識別する、
といったことを含み、
前記補償することが、データをセルに書き込むために加えられた前記磁界の強さを動的に変化させて、前記ＢＨ曲線の、セルのオフセットを補償する
ことを含むことからなる、方法。
【請求項６】
複数のセルを有する磁気抵抗固体記憶素子内における誤りを最小化するためのシステムであって、
メモリ要素と、
前記素子内のセルであって特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた故障挙動を有する該セルを識別して、前記識別された該セルの位置をマッピングし、且つ、マッピングされたセルの前記故障挙動を補償するように構成された、プロセッサ要素
とを備え、
前記素子内のセルであって特定の磁化配向に留まる傾向によって特徴付けられた前記故障挙動を有する該セルのサブセット内の該セルを識別するように、且つ、前記サブセット内の該セルの前記故障挙動に基づいて、前記サブセットの外側の前記素子内のセルの故障挙動を予測するように、前記プロセッサ要素が更に構成されることからなる、システム。
【請求項７】
前記メモリ要素と前記プロセッサ要素とが、特定用途向け集積回路として製造される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記プロセッサ要素が、前記識別された各セルについて、該セルが平行な配向をなす傾向を有するのか又は逆平行の配向をなす傾向を有するのかを判定するように更に構成される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記素子内のセルに磁界を加えるように、且つ、前記磁界が加えられた前記素子内のセルの各々についてＢＨ曲線を解析することによって、該ＢＨ曲線がオフセットされている、前記素子内のセルを識別するように、前記プロセッサ要素が更に構成される、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記メモリ要素が、不揮発性メモリ要素である、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記磁気抵抗固体記憶素子が、磁気ランダムアクセスメモリ要素である、請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
前記サブセット内のセルに磁界を加えて、前記サブセット内のセルであって前記磁界が加えられた該セルの各々についてＢＨ曲線を解析するように、且つ、前記サブセット内のセルであって該ＢＨ曲線がオフセットされた該セルに基づいて、前記サブセットの外側の前記素子内のセルの前記故障挙動を予測するように、前記プロセッサ要素が更に構成されることからなる、請求項７に記載のシステム。
【請求項１３】
平行な磁化配向をとる傾向を有する前記セルを第１のグループに割り当て、逆平行の磁化配向をとる傾向を有する前記セルを第２のグループに割り当てるように、且つ、前記第１のグループ内の各セルの位置と前記第２のグループ内の各セルの位置とを前記メモリ要素内へとマッピングするように、前記プロセッサ要素が更に構成されることからなる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記プロセッサ要素が、データを前記ＢＨ曲線のオフセットを有するセルに書き込むために加えられた前記磁界の強さを動的に変化させるように更に構成される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
磁化の前記平行状態に対応するデータを格納するために前記第１のグループ内のセルを使用するように、且つ、磁化の前記逆平行状態に対応するデータを格納するために前記第２のグループ内のセルを使用するように、前記プロセッサ要素が更に構成されることからなる、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
磁化の前記逆平行状態に対応するデータを前記第１のグループ内の第１のセルに書き込み、磁化の前記平行状態に対応するデータを前記第２のグループ内の第２のセルに書き込むように、且つ、前記第１のセルの位置と前記第２のセルの位置とを反転されたデータを含むものとしてマークするように、前記プロセッサ要素が更に構成されることからなる、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
結晶部を未記録又は消去状態とし非晶質部を記録状態とする相変化型記録層を有する光学的情報記録用媒体に対して、最短マーク長を０．５μｍ以下とする複数のマーク長の記録マークにより情報を記録する記録方法であって、 
前記光学的情報記録用媒体として、前記相変化型記録層の溶融領域の非晶質化と前記溶融領域の周辺の固相結晶部の境界からの再結晶化との競合により前記非晶質部が形成される光学的情報記録用媒体を用い、 
波長３５０〜６８０ｎｍのレーザー光ビームを、開口数ＮＡが０．５５以上０．９以下の対物レンズを通して前記相変化型記録層に照射する光学系を用い、 
記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの前記レーザー光ビームを照射し、 
前記記録マークについては、 
一つの記録マークの時間的長さをｎＴとしたとき（Ｔはクロック周期、ｎは２以上の整数）、記録マークの時間的長さｎＴを、 
【数１】
2004030923.tif 000001
（ただし、ｍはパルス分割数でｍ＝ｎ−ｋ、ｋは０≦ｋ≦２なる整数とする。また、Σi
（αi＋βi）＋η1＋η2＝ｎとし、η1はη1≧０なる実数、η2はη2≧０なる実数、０≦η1＋η2≦２．０とする。α1＝０．１〜１．５、αi＝０．１〜０．８（２≦ｉ≦ｍ）、βi＝０．３〜１．０（１≦ｉ≦ｍ−１）、βm＝０〜１．５とする。αi（２≦ｉ≦ｍ）
及びβi（２≦ｉ≦ｍ−１）はｉによらず一定とし、かつα1≧αiである。αi＋βi-1＝
１．０（３≦ｉ≦ｍ）として、αi（２≦ｉ≦ｍ）の記録パルスをクロック周期に同期さ
せる。さらに、β1及びβmをβi（２≦ｉ≦ｍ−１）と異なる値をとりうるようにし、（
Σαi）＜０．５ｎとする。）となるように分割し、 
αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては、記録層を溶融させるにたるＰｗ≧Ｐｅなる
記録パワーＰｗの前記レーザー光ビームを照射し、 
βiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては、０＜Ｐｂ≦０．２Ｐｅ（ただし、βmＴにおいては、０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなりうる）なるバイアスパワーＰｂの前記レーザー光ビームを照射することを特徴とする光記録方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、結晶部を未記録又は消去状態とし非晶質部を記録状態とする相変化型記録層を有する光学的情報記録用媒体に対して、最短マーク長を０．５μｍ以下とする複数のマーク長の記録マークにより情報を記録する記録方法であって、 
前記光学的情報記録用媒体として、前記相変化型記録層の溶融領域の非晶質化と前記溶融領域の周辺の固相結晶部の境界からの再結晶化との競合により前記非晶質部が形成される光学的情報記録用媒体を用い、 
波長３５０〜６８０ｎｍのレーザー光ビームを、開口数ＮＡが０．５５以上０．９以下の対物レンズを通して前記相変化型記録層に照射する光学系を用い、 
記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの前記レーザー光ビームを照射し、 
前記記録マークについては、 
一つの記録マークの時間的長さをｎＴとしたとき（Ｔはクロック周期、ｎは２以上の整数）、記録マークの時間的長さｎＴを、 
【数１】
2004030923.tif 000002
（ただし、ｍはパルス分割数でｍ＝ｎ−ｋ、ｋは０≦ｋ≦２なる整数とする。また、Σi
（αi＋βi）＋η1＋η2＝ｎとし、η1はη1≧０なる実数、η2はη2≧０なる実数、０≦η1＋η2≦２．０とする。α1＝０．１〜１．５、αi＝０．１〜０．８（２≦ｉ≦ｍ）、βi＝０．３〜１．０（１≦ｉ≦ｍ−１）、βm＝０〜１．５とする。αi（２≦ｉ≦ｍ）
及びβi（２≦ｉ≦ｍ−１）はｉによらず一定とし、かつα1≧αiである。αi＋βi-1＝
１．０（３≦ｉ≦ｍ）として、αi（２≦ｉ≦ｍ）の記録パルスをクロック周期に同期さ
せる。さらに、β1及びβmをβi（２≦ｉ≦ｍ−１）と異なる値をとりうるようにし、（
Σαi）＜０．５ｎとする。）となるように分割し、 
αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては、記録層を溶融させるにたるＰｗ≧Ｐｅなる
記録パワーＰｗの前記レーザー光ビームを照射し、 
βiＴ（１≦ｉ≦ｍ）の時間内においては、０＜Ｐｂ≦０．２Ｐｅ（ただし、βmＴにおいては、０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなりうる）なるバイアスパワーＰｂの前記レーザー光ビームを照射することを特徴とする光記録方法に存する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のチャネルを有する入力デジタル画像の入力画像データを補正する方法であって、
代表的ではないピクセルを除去し、
各チャネルの残りのピクセルの平均レベルを計測し、
前記計測した平均レベルから各チャネルの目標平均値を決定し、
補正レベルを決定し、
前記目標平均レベル及び前記補正レベルから各チャネルの補正を算出し、
前記補正を前記入力画像データに適用して補正済みの出力画像を得るステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記代表的ではないピクセルは、少なくとも１つのマスクを利用して除去される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  デジタル画像の入力画像データを補正するために、コンピュータに、
代表的ではないピクセルを除去し、
各チャネルの残りのピクセルの平均レベルを計測し、
前記計測した平均レベルから各チャネルの目標平均値を決定し、
補正レベルを決定し、
前記目標平均レベル及び前記補正レベルから各チャネルの補正を算出し、
前記補正を前記入力画像データに適用して補正済みの出力画像を得るステップを実行させるためのコンピュータプログラムが記憶された読取可能な記憶媒体。
【請求項４】  複数のチャネルを有するデジタル画像の入力画像データを補正する装置であって、
代表的ではないピクセルを除去する手段と、
各チャネルの残りのピクセルの平均レベルを計測する手段と、
前記計測した平均レベルから各チャネルの目標平均値を決定する手段と、
補正レベルを決定する手段と、
各チャネルの補正を算出する手段と、
前記補正を前記入力画像データに適用して補正済みの出力画像を得る手段とを有することを特徴とする装置。
【請求項５】  デジタル画像を入力し、前記画像を処理し、処理済みの前記画像を保存又は出力するデジタル画像データの処理システムであって、
前記画像の処理の少なくとも一部は請求項１に記載の方法を有することを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別に整合されたライン・インピーダンスを有するデータ・バスであって、
互いに隣接して配置された、１つ以上のデータ・ライン及び少なくとも２つのストローブ・ラインを含む、基板によって分離された複数のラインと、
前記データ・ラインのインピーダンスに整合する値を有する、前記データ・ラインのそれぞれに接続されたデータ・ライン終端と、
前記ストローブ・ラインのインピーダンスに整合する値を有する、前記ストローブ・ラインのそれぞれに接続されたストローブ・ライン終端
を備える、データ・バス。
【請求項２】
ストローブ・ライン及びデータ・ラインを備えたデータ・バスにおけるラインのライン・インピーダンスを整合させる方法であって、
互いに隣接してストローブ・ラインを配置するステップと、
ストローブ・ラインのそれぞれにストローブ・ライン終端を接続するステップと、
複数のデータ・ラインのそれぞれにデータ・ライン終端を接続するステップ
を含み、
前記データ・ライン終端のインピーダンス値が、前記ストローブ・ライン終端のインピーダンス値と異なることからなる、方法。
【請求項３】
個別に整合されたライン・インピーダンスを有するデータ・バスであって、
第１の導電面と、
前記第１の導電面に対して平行な第２の導電面と、
前記第１と第２の導電面の間に配置されたラインの第１の面であって、互いに隣接して配置されたデータ・ライン及び少なくとも２つのソース同期ストローブ・ラインを含み、隣接するソース同期ストローブ・ラインが、互いに逆に遷移して、逆相モードで動作するようになっている、ラインの第１の面と、
前記ストローブ・ラインのそれぞれに接続され、前記ストローブ・ラインのインピーダンスに基づく値を有するストローブ・ライン終端と、
前記データ・ラインのそれぞれに接続され、前記データ・ラインのインピーダンスに基づく値を有する、前記ストローブ・ライン終端とは別個のデータ・ライン終端
を備える、データ・バス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体を駆動するためのコイルを有する電磁石と、
入力部を有し、前記入力部に入力される指令情報に基づいて前記電磁石をフィードバック制御する第１制御機構であって、前記コイルに電流を供給するアンプを含む第１制御機構と、
前記指令情報が零を示すときには前記アンプが前記コイルに供給する電流を零とする前記オフセット補償機構と、
を備えることを特徴とする移動体機構。
【請求項２】
前記オフセット補償機構は、前記アンプの入力部の信号を時間積分する第１積分器を有し、前記第１積分器の出力を前記第１制御機構の前記入力部に負帰還するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の移動体機構。
【請求項３】
前記オフセット補償機構は、前記指令情報が零を示すときには前記第１積分器の出力を保持し、前記指令情報が零を示さないときには前記保持した第１積分器の出力を前記第１制御機構の前記入力部に与える第１ホールドスイッチを備えることを特徴とする請求項２に記載の移動体機構。
【請求項４】
前記電磁石と前記移動体との間隙を計測するギャップセンサと、前記ギャップセンサで計測された間隙に基づいて補正係数を算出するギャップ補正器と、前記指令情報に基づいて前記電磁石に与える電流を算出する電流算出器と、前記電流算出器によって算出された前記電流に前記補正係数を乗ずる乗算器と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の移動体機構。
【請求項５】
前記電磁石に発生する誘起電圧を計測するサーチコイルと、前記サーチコイルで計測された誘起電圧を時間積分する第２積分器と、前記指令情報と前記第２積分器によって時間積分された前記誘起電圧との差分値に基づいて前記電磁石をフィードバック制御する第２制御機構と、を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の移動体機構。
【請求項６】
前記第２制御機構は、前記第２積分器のドリフトを検出し、前記ドリフトを相殺する補償信号を当該第２制御機構に加えるドリフト補償機構を備えることを特徴とする請求項５に記載の移動体機構。
【請求項７】
前記ドリフト補償機構は、前記第２積分器の出力にゲインを乗じて前記第２制御機構の入力部に負帰還するように構成されていることを特徴とする請求項６に記載の移動体機構。
【請求項８】
前記ドリフト補償機構は、前記ドリフトを示す信号と絶対値が略同一で、かつ、符号が反対の信号を前記第２積分器に加えるよう構成されていることを特徴とする請求項６に記載の移動体機構。
【請求項９】
前記ドリフト補償機構は、前記指令情報が零を示すときには前記第２積分器の出力を保持し、前記誘起電圧が零を示さないときには前記保持した前記第２積分器の出力を前記第２制御機構の入力部に与える第２ホールドスイッチを備えることを特徴とする請求項６に記載の移動体機構。
【請求項１０】
前記ドリフト補償機構は、前記第１ホールドスイッチの出力を前記第２制御機構の入力部に負帰還するように構成されていることを特徴とする請求項６に記載の移動体機構。
【請求項１１】
パターンを形成した原版に照射される露光光を基板に投影するための光学系と
前記基板または前記原版を保持し位置決めを行うステージ装置と
を備え、
前記ステージ装置は、前記基板または前記原版を駆動するためのコイルを有する電磁石と、
入力部を有し、前記入力部に入力される指令情報に基づいて前記電磁石をフィードバック制御する第１制御機構であって、前記コイルに電流を供給するアンプを含む前記第１制御機構と、
前記指令情報が零を示すときには前記アンプが前記コイルに供給する電流を零とする前記オフセット補償機構と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
移動体を駆動するためのコイルを有する電磁石と前記コイルに電流を供給するアンプとを含む移動体機構の制御方法であって、
入力される指令情報に基づいて前記電磁石をフィードバック制御する制御工程と、
前記指令情報が零を示すときには前記アンプが前記コイルに供給する電流を零とするオフセット補償工程と、
を含むことを特徴とする制御方法。
【請求項１３】
前記オフセット補償工程は、前記アンプの入力部の信号を時間積分する工程と、前記時間積分した値を前記制御工程で入力される指令情報に負帰還する工程とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の制御方法。
【請求項１４】
前記オフセット補償工程は、前記指令情報が零を示すときには前記時間積分した値を保持する工程と、前記指令情報が零を示さないときには前記保持する工程で保持した値を前記制御工程で入力される指令情報に負帰還する工程とを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の制御方法。