【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、
該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、
該下地層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる、磁気記録媒体。
【請求項２】  基板と、
Ｘ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金とすると、ＣｏＣｒＰｔ−Ｘ系の合金からなり、５〜３０ｎｍの膜厚を有する磁性層と、
該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、
該下地層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなり、５〜１００ｎｍの膜厚を有する、磁気記録媒体。
【請求項３】  前記下地層は、ＦＣＣＬ１２結晶構造を有し、Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＨｆ２，（ＡｌＣｒ）３Ｔｉ，Ａｌ６７Ｃｒ８Ｔｉ２５，Ａｌ５ＮｉＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＴｉ２，Ａｌ５ＮｉＮｂ２，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｚｒ３，Ａｌ３Ｅｒ，Ａｌ１５ＨｆＨｏ４，Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ１３からなるグループから選択された材料からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】  前記下地層は、ＦＣＴＬ１０結晶構造を有するγ−ＴｉＡｌからなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項５】  前記下地層は、Ｂ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合金から選択された少なくとも１つの要素を含む合金からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項６】  前記下地層は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，ＲｈからなりＦＣＴＬ１０結晶構造をＦＣＣＬ１２結晶構造とするグループから選択された要素を含む、実質的に正方晶系のＡｌ３Ｔｉの合金からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項７】  前記下地層は、３．９Å≦ａ≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有する、請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項８】  前記下地層は、多層構造を有し、該多層構造を構成する各層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる、請求項１〜７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項９】  基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備えた少なくとも１つの磁気記録媒体を備え、
該下地層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる、磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、該下地層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる磁気記録媒体によって達成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
又、上記の課題は、基板と、Ｘ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金とすると、ＣｏＣｒＰｔ−Ｘ系の合金からなり、５〜３０ｎｍの膜厚を有する磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、該下地層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなり、５〜１００ｎｍの膜厚を有する磁気記録媒体によっても達成できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記下地層は、多層構造を有し、該多層構造を構成する各層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる構成であっても良い。
上記の課題は、基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備えた少なくとも１つの磁気記録媒体を備え、該下地層は、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる磁気記憶装置によっても達成できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
面内配向を促進させることができる。
下地層４は、磁性層７の粒子サイズを小さくすると共に粒子サイズ分布を減少させるために、ＦＣＣ（Ｆａｃｅ−Ｃｅｎｔｅｒｅｄ−Ｃｕｂｉｃ）Ｌ１２又はＦＣＴ（Ｆａｃｅ−Ｃｅｎｔｅｒｅｄ−Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）Ｌ１０結晶構造を有する金属間化合物からなり、膜厚は５〜１００ｎｍである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２は、下地層４に用いることのできる、金属間化合物のＦＣＣＬ１２結晶構造を示す。例えば、図２に示す結晶構造は、Ｃｕ３Ａｕ又は他の合金のものである。しかし、下地層４の格子パラメータがＣｒ又はＣｒ系合金からなるＨＣＰ構造の磁性層７の格子パラメータと実質的に整合するためには、下地層４の格子パラメータは約４．１Åである必要がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
他方、図４は、下地層４に用いることのできる、金属間化合物のＦＣＴＬ１０結晶構造を示す。例えば、図４に示す結晶構造は、γ−ＴｉＡｌのものである。γ−ＴｉＡｌは正方晶系材料であるが、格子パラメータは、ａ＝０．４００５ｎｍ及びｃ＝０．４０７ｎｍであり、ａ／ｃなる比が１に近く、磁性層７の格子パラメータとさほどかわらない。従って、γ−ＴｉＡｌは、下地層４に用いるのに適していることがわかる。γ−ＴｉＡｌを他の要素でドーピングすると、電子構造が影響されて正方晶性が失われる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図６の場合、ＮｉＡｌの格子パラメータａは、Ｃｒの格子パラメータに非常に近く、例えばＣｏＣｒ系の合金等のようなＣｏ系のＨＣＰ結晶構造を有する磁性層の下地層として適切である。ＮｉＡｌは、Ｃｒ系の合金と比較すると、スパッタリングで成長されると小さな粒子を形成する傾向のある金属間化合物である。この結果、ＮｉＡｌは、このＮｉＡｌ上に形成される磁性層の粒子サイズを小さくすることと、良好な粒子サイズ分布を得られるようにすることとを促進する。ＮｉＡｌは、（２１１）面及び（１１０）面のテクスチャで成長してＣｏ
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図７において、下地層４は、多層構造を有する。説明の便宜上、同図は、下地層４が第１の層４ａと第２の層４ｂとからなる二層構造を有する場合を示す。第１及び第２の層４ａ，４ｂは、夫々ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなり、上記第１実施例の下地層４に用いた材料と同じ材料を用い得る。従って、図３に示す材料を、これら第１及び第２の層４ａ，４ｂとして用いることもできる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
次に、上記第１〜第４実施例のいずれにも適用可能な変形例について説明する。
本変形例では、基板１と磁性層７との間に設けられたシード層３が、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有する金属間化合物からなる。又、下地層４は、ＭがＢ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗからなるグループから選択された１つの要素であるとすると、Ｃｒ−Ｍ，ＮｉＡｌ又はＦｅＡｌからなる。更に、磁性層７には、膜厚が５〜３０ｎｍに設定された、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ，ＣｏＣｒＰｔＷＢからなるグループから選択された１つの強磁性材料を用い得る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、下地層のテクスチャの向上と、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の向上を同時に実現可能となり、磁気記録媒体のＳＮＲの更なる改善を可能とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
下地層に用いることのできる、金属間化合物のＦＣＣＬ１２結晶構造を示す図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
下地層に用いることのできる、金属間化合物のＦＣＴＬ１０結晶構造を示す図である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001143250.tif 000001
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2001143250.tif 000002