【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法、並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、該表示領域の周辺の駆動回路とが同一の基板上に設けられ、
前記表示領域は、画素ＴＦＴを有し、
前記駆動回路は、少なくともＴＦＴを有し、
前記画素ＴＦＴと前記ＴＦＴは、それぞれ、第１の導電層で形成されるゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、第２の導電層で形成されるゲート配線と接続部で接し、
前記接続部は、前記画素ＴＦＴと前記ＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表示領域と、該表示領域の周辺の駆動回路とが同一の基板上に設けられ、
前記表示領域は、画素ＴＦＴを有し、
前記駆動回路は、少なくとも第１のｎチャネル型ＴＦＴと第２のｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記画素ＴＦＴ、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは、それぞれ、第１の導電層で形成されるゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、第２の導電層で形成されるゲート配線と接続部で接し、
前記接続部は、前記画素ＴＦＴ、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域の外側に設けられ、
前記画素ＴＦＴが含む半導体層のＬＤＤ領域は、該画素ＴＦＴのゲート電極と重ならないように配置され、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴが含む半導体層のＬＤＤ領域は、該第１のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と重なるように配置され、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴが含む半導体層のＬＤＤ領域は、該第２のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
表示領域と、該表示領域の周辺の駆動回路とが同一の基板上に設けられ、
前記表示領域は、ＬＤＤ領域がゲート電極と重ならない半導体層を含む画素ＴＦＴを有し、
前記駆動回路は、ＬＤＤ領域の全部がゲート電極と重なる半導体層を含む第１のｎチャネル型ＴＦＴと、ＬＤＤ領域の一部がゲート電極と重なる半導体層を含む第２のｎチャネル型ＴＦＴとを少なくとも有し、
前記画素ＴＦＴ、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび第２のｎチャネル型ＴＦＴは、それぞれ、第１の導電層で形成されるゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、第２の導電層で形成されるゲート配線と接続部で接し、
前記接続部は、前記画素ＴＦＴ、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記表示領域は、半導体層と、容量配線と、該半導体層と該容量配線との間の絶縁膜とを含む保持容量を有し、
前記半導体層は、前記画素ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続され、かつ、一導電型の不純物元素を含み、
前記容量配線は、前記第１の導電層と前記第２の導電層とで形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とし、
前記第２の導電層は、アルミニウムまたは銅を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ａ）と、該導電層（Ａ）上に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｂ）と、該導電層（Ｂ）が該導電層（Ａ）に接しない領域に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ｃ）とを有し、
前記第２の導電層は、少なくとも、アルミニウムまたは銅を主成分とする導電層（Ｄ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｅ）とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ａ）と、該導電層（Ａ）上に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｂ）と、該導電層（Ｂ）が該導電層（Ａ）に接しない領域に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ｃ）とを有し、
前記第２の導電層は、少なくとも、アルミニウムまたは銅を主成分とする導電層（Ｄ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｅ）とを有し、
前記導電層（Ｃ）と前記導電層（Ｄ）は、前記接続部で接することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記導電層（Ｂ）は、添加元素としてアルゴンを含み、かつ、３０ｐｐｍ以下の酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の前記半導体装置を用いた電子機器。
【請求項１０】
表示領域が有する画素ＴＦＴと、該表示領域の周辺の駆動回路が有するＴＦＴとが同一の基板上に設けられた半導体装置の作製方法において、
前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のＴＦＴのそれぞれのゲート電極を、第１の導電層で形成する工程と、
ゲート配線を、第２の導電層で形成する工程と、を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート配線は、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域の外側に設けられた接続部で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
表示領域が有する画素ＴＦＴと、該表示領域の周辺の駆動回路が有するＴＦＴとが同一の基板上に設けられた半導体装置の作製方法において、
前記駆動回路を形成する第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれの半導体層に、２×１０１６〜５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第１の工程と、
前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のＴＦＴのそれぞれのゲート電極を、第１の導電層で形成する第２の工程と、
前記駆動回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴの半導体層に、３×１０２０〜３×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第３の工程と、
前記駆動回路を形成する第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれの半導体層と、前記画素ＴＦＴの半導体層とに、１×１０２０〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第４の工程と、
前記画素ＴＦＴの半導体層に、前記ゲート電極をマスクとして、１×１０１６〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第５の工程と、
ゲート配線を、第２の導電層で形成する第６の工程と、を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート配線は、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域の外側に設けられた接続部で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
表示領域が有する画素ＴＦＴおよび保持容量と、該表示領域の周辺の駆動回路が有するＴＦＴとが同一の基板上に設けられた半導体装置の作製方法において、
前記駆動回路を形成する第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれの半導体層と、前記保持容量を形成する半導体層とに、２×１０１６〜５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第１の工程と、
前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のＴＦＴのそれぞれのゲート電極を、第１の導電層で形成する第２の工程と、
前記駆動回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴの半導体層に、３×１０２０〜３×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第３の工程と、
前記駆動回路を形成する第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれの半導体層と、前記画素ＴＦＴの半導体層とに、１×１０２０〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第４の工程と、
前記画素ＴＦＴの半導体層に、前記ゲート電極をマスクとして、１×１０１６〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を選択的に添加する第５の工程と、
ゲート配線を、第２の導電層で形成する第６の工程と、を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート配線は、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路のＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域の外側に設けられた接続部で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分として形成し、
前記第２の導電層は、アルミニウムまたは銅を主成分として形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層を形成する工程は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ａ）を形成する工程と、該導電層（Ａ）上に、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｂ）を形成する工程と、該導電層（Ｂ）が該導電層（Ａ）に接しない領域に、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ｃ）を形成する工程とを有し、
前記第２の導電層を形成する工程は、少なくとも、アルミニウムまたは銅を主成分とする導電層（Ｄ）を形成する工程と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｅ）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層を形成する工程は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ａ）を形成する工程と、該導電層（Ａ）上に、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｂ）を形成する工程と、該導電層（Ｂ）が該導電層（Ａ）に接しない領域に、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ｃ）を形成する工程とを有し、
前記第２の導電層を形成する工程は、少なくとも、アルミニウムまたは銅を主成分とする導電層（Ｄ）を形成する工程と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｅ）を形成する工程とを有し、
前記導電層（Ｃ）と前記導電層（Ｄ）は、前記接続部で、接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、
前記導電層（Ａ）は、アルゴンと窒素またはアンモニアとの混合雰囲気中で、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とするターゲットを用いたスパッタ法で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４または請求項１５において、
前記導電層（Ｃ）は、酸素濃度が１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、前記導電層（Ｂ）を熱処理して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４または請求項１５において、
前記導電層（Ｃ）は、酸素濃度が１ｐｐｍ以下の窒素プラズマ雰囲気中で、前記導電層（Ｂ）を熱処理して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。