Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の絶縁表面に接して形成された第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極に接して形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された第１ソース電極および第１ドレイン電極と、
前記第１ソース電極および前記第１ドレイン電極および前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜の中に埋め込まれたキャリア発生電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された第２ソース電極および第２ドレイン電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜に接して形成された第２ゲート電極と、
を有する有機電界効果トランジスタ。
【請求項２】
基板上の絶縁表面に接して形成された第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極に接して形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された第１ソース電極および第１ドレイン電極と、
前記第１ソース電極および前記第１ドレイン電極および前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された第１有機半導体膜と、
前記第１有機半導体膜に接して形成されたキャリア発生電極と、
前記キャリア発生電極に接して形成された第２有機半導体膜と、
前記第２有機半導体膜に接して形成された第２ソース電極および第２ドレイン電極と、
前記第２有機半導体膜に接して形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜に接して形成された第２ゲート電極と、
を有する有機電界効果トランジスタ。
【請求項３】
請求項２に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記第１有機半導体膜はホール輸送性であり、かつ、前記第２有機半導体膜は電子輸送性であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項４】
請求項２に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記第１有機半導体膜は電子輸送性であり、かつ、前記第２有機半導体膜はホール輸送性であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記第１ソース電極と前記第２ソース電極とが接続されていることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極とが接続されていることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項７】
基板上の絶縁表面に接して形成された第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極に接して形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された第１電極と、
前記第１電極および前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜の中に埋め込まれたキャリア発生電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された第２電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜に接して形成された第２ゲート電極と、
を有する有機電界効果トランジスタ。
【請求項８】
基板上の絶縁表面に接して形成された第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極に接して形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された第１電極と、
前記第１電極および前記第１ゲート絶縁膜に接して形成された第１有機半導体膜と、
前記第１有機半導体膜に接して形成されたキャリア発生電極と、
前記キャリア発生電極に接して形成された第２有機半導体膜と、
前記第２有機半導体膜に接して形成された第２電極と、
前記第２有機半導体膜に接して形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜に接して形成された第２ゲート電極と、
を有する有機電界効果トランジスタ。
【請求項９】
請求項８に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記第１有機半導体膜はホール輸送性であり、かつ、前記第２有機半導体膜は電子輸送性であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
請求項８に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記第１有機半導体膜は電子輸送性であり、かつ、前記第２有機半導体膜はホール輸送性であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記キャリア発生電極は、電子注入電極およびホール注入電極の少なくとも二層を含むことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の有機電界効果トランジスタにおいて、前記キャリア発生電極はフローティング電極であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月2日(2006.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の照射を走査することにより結晶化された半導体を用いて形成された画素用駆動トランジスタを具備する画素がマトリクス状に複数設けられた半導体装置であって、
前記画素用駆動トランジスタはチャネル形成領域を有し、
前記レーザ光の走査方向において、前記チャネル形成領域の長さは、２つの画素にまたがっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
レーザ光の照射を走査することにより結晶化された半導体を用いて形成された画素用駆動トランジスタを具備する画素がマトリクス状に複数設けられた半導体装置であって、
前記画素用駆動トランジスタはチャネル形成領域を有し、
前記レーザ光の走査方向において、それぞれの画素の長さは一定であり、前記チャネル形成領域の長さは、２つの画素にまたがっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記レーザ光の走査方向における前記チャネル形成領域の長さは、前記画素の長さよりも長く、且つ前記画素の長さの２倍の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
レーザ光の照射を走査することにより結晶化された半導体を用いて形成された画素用駆動トランジスタを具備する画素がマトリクス状に複数設けられた半導体装置であって、
前記画素用駆動トランジスタはチャネル形成領域を有し、
前記レーザ光の走査方向において、前記チャネル形成領域の長さは、前記チャネル形成領域の長さは、３つの画素にまたがっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
レーザ光の照射を走査することにより結晶化された半導体を用いて形成された画素用駆動トランジスタを具備する画素がマトリクス状に複数設けられた半導体装置であって、
前記画素用駆動トランジスタはチャネル形成領域を有し、
前記レーザ光の走査方向において、それぞれの画素の長さは一定であり、前記チャネル形成領域の長さは、前記チャネル形成領域の長さは、３つの画素にまたがっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記レーザ光の走査方向における前記チャネル形成領域の長さは、前記画素の長さの２倍の長さよりも長く、且つ前記画素の長さの３倍の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気光学物質を有する電気光学装置であって、
ＴＦＴが形成された基板上に、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に一方向に延びるように形成された第１導電層と、
前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、
前記一方向の他方向に延びるように、かつ、前記第１導電層と交差するように前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、
前記第１導電層の幅方向の両側方にはみ出し、かつ、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するように前記第１導電層と前記第２導電層との交差個所に設けられたコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部と
を具備し、
少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッ
チングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】  前記エッチング停止層が、導電膜、半導体膜のいずれかからなること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】  前記導電膜もしくは前記半導体膜が、他の素子もしくは配線から電気
的に絶縁されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】  平面視した際に前記コンタクトホールのパターンが前記第１導電層の
パターンの外方にはみ出しており、前記コンタクトホールのパターンがはみ出した側に前
記第１導電層と同一層の他のパターンが配置されていることを特徴とする請求項１ないし
３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】  ＴＦＴが形成された基板上に、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に一方向に延びるように形成された第１導電層と、
前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、
前記一方向の他方向に延びるように、かつ、前記第１導電層と交差するように前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、
前記第１導電層の幅方向の両側方にはみ出し、かつ、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するように前記第１導電層と前記第２導電層との交差個所に設けられたコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部と
を具備し、
少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッ
チングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  前記エッチング停止層が、導電膜、半導体膜のいずれかからなること
を特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記導電膜もしくは前記半導体膜が、他の素子もしくは配線から電気
的に絶縁されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】  平面視した際に前記コンタクトホールのパターンが前記第１導電層の
パターンの外方にはみ出しており、前記コンタクトホールのパターンがはみ出した側に前
記第１導電層と同一層の他のパターンが配置されていることを特徴とする請求項５ないし
７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を有する電気光学装置であって、ＴＦＴが形成された基板上に、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に一方向に延びるように形成された第１導電層と、前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記一方向の他方向に延びるように、かつ、前記第１導電層と交差するように前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、前記第１導電層の幅方向の両側方にはみ出し、かつ、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するように前記第１導電層と前記第２導電層との交差個所に設けられたコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部とを具備し、少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッ
チングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の半導体装置は、ＴＦＴが形成された基板上に、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に一方向に延びるように形成された第１導電層と、前記第１導電層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記一方向の他方向に延びるように、かつ、前記第１導電層と交差するように前記第２絶縁層上に形成された第２導電層と、前記第１導電層の幅方向の両側方にはみ出し、かつ、前記第２絶縁層を少なくとも貫通するように前記第１導電層と前記第２導電層との交差個所に設けられたコンタクトホールを含み、前記第１導電層と前記第２導電層とが前記コンタクトホールの側面の一部もしくは底面の一部で接触することにより前記第１導電層と前記第２導電層とが電気的に接続された接続部とを具備し、少なくとも前記コンタクトホールの底面の下方にあたる領域に、前記第１絶縁層のエッチングに対する耐性を有するエッチング停止層が設けられたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のダイパッドと、
第２のダイパッドと、
前記第１のダイパッドに搭載された第１の半導体チップと、
前記第２のダイパッドに搭載されたチップ形状の電子部品と、
前記第１のダイパッドの周辺に配置された複数本のリードと、
前記第１の半導体チップ及び前記チップ形状の電子部品と前記リードとを電気的に接続する複数の金属細線と、
前記第１のダイパッド、前記第２のダイパッド、前記リードのそれぞれの一部、前記第１の半導体チップ、前記チップ形状の電子部品及び前記金属細線を樹脂により一体的にモールド封止した封止樹脂体と
を備え、
前記リードのそれぞれは、前記封止樹脂体中にモールド封止されているインナーリード部と、当該封止樹脂体の外側に突出しているアウターリード部とを有し、
前記第１のダイパッドは、前記リードにおける前記インナーリード部と前記アウターリード部との境界部よりも下方に設けられており、
前記チップ形状の電子部品は、前記第１の半導体チップよりも小さい形状であり、
前記チップ形状の電子部品の厚みは、前記第１の半導体チップの厚みよりも小さく、
前記第２のダイパッドは、少なくとも１つの前記インナーリード部の少なくとも一部を幅広にして形成されており、前記第１のダイパッドの前記第１の半導体チップを搭載している面と同じ側の面に前記チップ形状の電子部品を搭載している、半導体装置。
【請求項２】  前記チップ形状の電子部品の厚みは、前記第１の半導体チップの厚みの略半分であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記チップ形状の電子部品は、チップキャパシタ又は第２の半導体チップであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第１の半導体チップには、スイッチング素子及び当該スイッチング素子の制御回路が形成されており、
前記チップ形状の電子部品は、ダイオード単体チップである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記封止樹脂体の厚みは、１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記第１のダイパッドの、前記第１の半導体チップを搭載した面とは反対側の面は、前記封止樹脂体から露出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記第２のダイパッドは、前記リードにおける前記インナーリード部と前記アウターリード部との境界部よりも下方に設けられていることを特徴とする請求項１から５までのいずれか一つに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒート・マスであって、上面、コンポーネントに前記ヒート・マスを熱的に結合するように構成されている取り付け面、向かい合った側面、及び、向かい合った端面を含むヒート・マスと、
前記ヒート・マスに接触しており、前記向かい合った側面の外側に延び、上面と下面を含んでいるアームと、
前記アームに接続し、前記アームの下方に延びるリブと、
前記リブに接続して、そこから外側に延びており、側方流冷却装置を前記コンポーネントに結合するように構成されているウィングと、
前記ヒート・マスの垂直軸にほぼ揃えられ、前記ヒート・マスの前記上面及び前記アームの前記上面及び前記下面に接続された複数のフィンと、を備え、
前記フィンの各々は、向かい合った冷却面、上部エッジ、前記側方流冷却装置の第１の側面及び第２の側面を画定する向かい合った端部エッジを含み、前記フィンが、それらの間にスロットを形成するように離間されており、前記スロット及び前記向かい合った冷却面が、前記ヒート・マスの縦軸にほぼ揃えられており、
前記縦軸にほぼ沿った方向において、前記第１と前記第２の側面のいずれかに流入する空気流が、前記スロットを通って、前記向かい合った冷却面及び前記ヒート・マス上で湿り、前記ヒート・マスから熱を放散させる、ことを特徴とするコンポーネントから熱を放散させるための側方流冷却装置。
【請求項２】
前記ヒート・マスの前記上面が、弓形状、傾斜形状、及び、略平面形状からなるグループから選択された形状を含むことを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項３】
前記ヒート・マスが、前記取り付け面と前記コンポーネントとの間の直接結合によって、前記コンポーネントに熱的に結合されることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項４】
前記取り付け面に接続されて、前記ヒート・マスを前記コンポーネントに熱的に結合する働きをする熱界面材料をさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の側方流冷却装置。
【請求項５】
前記取り付け面からはめ込まれて、前記ヒート・マスに空洞を画成する凹部と、
前記空洞内に配置され、前記ヒート・マスに接触し、前記ヒート・マスを前記コンポーネントに熱的に結合する働きをする熱界面材料と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項６】
前記フィンの前記上部エッジに隣接して配置され、前記空気流が前記フィンの前記上部エッジを通って前記フィンから流出するのを阻止し、空気流を前記縦軸にほぼ沿った方向に制限する働きをするカバーをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項７】
前記カバーが、前記フィンの前記上部エッジと前記向かい合った冷却面の選択された一方か、または、前記フィンの前記上部エッジ及び前記向かい合った冷却面に接触していることを特徴とする、請求項６に記載の側方流冷却装置。
【請求項８】
前記ヒート・マス、前記アーム、前記リブ、前記ウィング、及び、前記複数のフィンが、均質に形成された構成部品であることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項９】
さらに、前記縦軸にほぼ沿った方向に前記空気流を発生する働きをする少なくとも１つの空気流源を含み、
前記空気流源が、前記第１の側面と前記第２の側面の選択された一方、または、前記第１の側面及び前記第２の側面に隣接して配置されることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項１０】
前記空気流源が、ファン及びシステム・ファンからなるグループから選択された空気流源であることを特徴とする、請求項９に記載の側方流冷却装置。
【請求項１１】
前記空気流源が、前記フィンの前記冷却面に接続されていることを特徴とする、請求項９に記載の側方流冷却装置。
【請求項１２】
第１の開口部及び第２の開口部をさらに含んでおり、前記第２の開口部が、前記第１の側面と前記第２の側面の選択された一方に、または、前記第１の側面及び前記第２の側面に隣接して配置されており、前記縦軸にほぼ沿った方向に前記空気流を導く働きをする少なくとも１つのダクトと、
前記第１の開口部に接続されて、前記ダクト内に前記空気流を発生する働きをする少なくとも１つの空気流源と、
を含んでいる、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項１３】
前記空気流源が、ファン及びシステム・ファンからなるグループから選択された空気流源であることを特徴とする、請求項１２に記載の側方流冷却装置。
【請求項１４】
前記アームが、
前記垂直軸に対する正の勾配部分と、
前記アームの前記上面に沿って、前記ヒート・マスの前記上面から前記リブまで延びる第１の輪郭と、
前記アームの前記下面に沿って、前記向かい合った側面から前記リブまで延びる第２の輪郭とをさらに含み、
前記第１と前記第２の輪郭が、傾斜輪郭及び弓形輪郭からなるグループから選択された輪郭を備え、
前記正の勾配部分と前記第１及び第２の輪郭が、前記アームを非偏向位置から偏向位置に偏向可能にする働きをすることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項１５】
前記向かい合った側面における第１の厚さから前記リブにおける第２の厚さへと逓減するアームのテーパ状部分をさらに含み、前記第２の厚さが前記第１の厚さよりも薄く、前記アームの前記テーパ状部分が、前記アームを前記非偏向位置から前記偏向位置まで偏向させるのに必要な力を低減する働きをすることを特徴とする、請求項１４に記載の側方流冷却装置。
【請求項１６】
前記ウィングが、前記側方流冷却装置が前記コンポーネントに結合されるときに、前記ウィングを曲げることができるようにあらかじめ選択される厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項１７】
前記ヒート・マスの前記向かい合った端面が、前記向かい合った端面に接続されてそこから外側に延びる複数のフィンをさらに含み、前記フィンが、前記ヒート・マスの前記垂直軸にほぼ揃えられていることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項１８】
前記空気流が、前記アームの前記上面及び前記下面上において湿り、前記ヒート・マスから熱を放散させることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項１９】
前記コンポーネントが、電子コンポーネントであることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項２０】
前記アームの前記上面及び下面が略平坦な形状を備えることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【請求項２１】
前記ウィングが、前記第１または第２の側面の一方または両方から外側に延びる延長部分をさらに含み、前記延長部分が、前記空気流源と前記側面とを揃えるように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の側方流冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一つの公知のアレイ形成法では、データ線直列抵抗の低下を達成すると共にＴＦＴ領域を覆う遮光シールドを形成するために、［０００３］で述べた方法と比較して幾つかの付加的な堆積及びパターニング工程が必要とされる。フォトマスキング及びエッチングを含む各々の堆積及びパターニング工程によって、検出器の製造経費が増大するばかりでなく、アクティブ・マトリクス・アレイへの過失的損傷で検出器の歩留まり損が生ずる可能性が高まる。
【特許文献１】米国特許第６６１７５８４号
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性データ層を制御された核形成場所とともに形成することを含む磁気メモリ素子の製造方法。
【請求項２】
前記核形成場所が、前記強磁性データ層の隣接する領域によって包囲されていない請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記核形成場所が、前記強磁性データ層の隣接する領域に対して低い切替え閾値を有する請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記核形成場所が、前記強磁性データ層の縁部に形成されている請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記核形成場所が、前記強磁性データ層の角部に形成されている請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記核形成場所が、凹部及び突出部の一方である請求項１記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの付加的な核形成場所が前記強磁性データ層上に形成されている請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記核形成場所が、前記強磁性データ層上で対称に配列されている請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記核形成場所が、前記強磁性データ層上で非対称に配列されている請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記核形成場所が、一定の寸法及び形状を有する請求項７記載の方法。
【請求項１１】
さらに付加的な磁気トンネル接合層を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
データ記憶素子を製造する方法であって、
強磁性データ層のアレイを形成することを含み、
各強磁性データ層が第１隣接領域及び第２隣接領域を有し、
前記第１隣接領域が前記第２隣接領域よりも低い切替え閾値を有し、
前記第１隣接領域が前記第２隣接領域よりも実質上小さく、
前記第１隣接領域が前記アレイにわたって前記強磁性データ層のそれぞれの上の同じ場所に配置されている方法。
【請求項１３】
前記第１隣接領域が、前記強磁性データ層の角部に配置されている請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記第１隣接領域が、前記強磁性データ層の縁部に配置されている請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記第１隣接領域が、前記強磁性データ層内の凹部又は前記強磁性データ層からの突出部のいずれかである請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記強磁性データ層がそれぞれ、２つ以上の第１隣接領域を有する請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記強磁性データ層がそれぞれ、対称に配列されている第１隣接領域を有する請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記強磁性データ層がそれぞれ、非対称に配列されている第１隣接領域を有する請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記第１隣接領域が、前記アレイにわたって一定の寸法及び形状を有する請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
前記第１隣接領域がビット形成中に形成される請求項１２記載の方法。
【請求項２１】
さらに付加的な磁気トンネル接合層を形成することを含む請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  異なる機能を有する少なくとも２つ以上の複数の回路を同一のプリント基板に実装し、前記同一のプリント基板を分割部で複数の基板に分割した後、各々の基板を機器に実装し、各々の基板をケーブルで接続して使用するプリント基板において、
前記同一のプリント基板の分割部で、前記複数の回路それぞれの一部をプリントパターンで接続することを特徴とするプリント基板。
【請求項２】  前記複数の回路それぞれの一部とはＧＮＤパターンであることを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【請求項３】  前記同一のプリント基板は前記分割部に設けられたスリットを備え、前記プリントパターンは前記スリット間の接続部に設けられていることを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【請求項４】  前記同一のプリント基板は多層基板であり、前記同一のプリント基板は前記分割部にＶカット溝を備え、前記プリントパターンは前記多層基板の内層であることを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板に関するものであり、特に、複数の回路を同一のプリント基板に実装した後、この同一のプリント基板を分割して使用する基板構成に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図５に従来の複合回路基板の一例を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本従来例では、低圧電源基板１１ａと制御基板１１ｂ及び駆動基板１１ｃは、図５に示すように同一基板から構成されている。各基板は、ミシン目４１にて接続されているため、部品実装を行った後、分割して本体に実装され、各々コネクタ２１ａと２１ｂ、３１ａと３１ｂがケーブルで接続される。この構成によれば、基板への部品実装を一括して行うことができ、且つ、基板単体の動作チェックを一度に行うことができる。こうすることにより、基板実装費、機能チェック費を大幅に削減することができ、本体の低コスト化を実現することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、異なる機能を有する少なくとも２つ以上の複数の回路を同一のプリント基板に実装し、前記同一のプリント基板を分割部で複数の基板に分割した後、各々の基板を機器に実装し、各々の基板をケーブルで接続して使用するプリント基板において、前記同一のプリント基板の分割部で、前記複数の回路それぞれの一部をプリントパターンで接続することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
＜実施の形態１＞
図１に本発明の実施の形態１を示す。図１で、１は複合回路基板（プリント基板）、１ａは低圧電源基板、１ｂは制御基板、１ｃは駆動基板である。図１で低圧電源基板１ａのＧＮＤと制御基板１ｂのＧＮＤはミシン目部４でパターン５ａで接続されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
又、制御基板１ｂと駆動基板１ｃのＧＮＤは同じくミシン目部４でパターン５ｂで接続されている。基板を分割する前の各ＧＮＤは各々接続されているため、前記従来例で説明したファンクションチェック時に、万一、チェックピン５１ａの接触不良が発生しても、各基板のＧＮＤ電位は確定するため、誤動作や破損は発生しない。又、パターン５ａ，５ｂは、図２に示すように各基板を分割しているスリットのミシン目部４で非常に細いパターンで接続されているため、基板分割時に同時に容易に切断することができる。更に、図３に示すようにパターン５ａ，５ｂに切り込みを入れることにより、より分割、切断し易くなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記実施の形態１では、ミシン目部４による基板の分割を説明したが、本実施の形態では、多層基板で実施の形態１と同様の効果をもたらす構成について説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、同一のプリント基板の分割部で、複数の回路それぞれの一部をプリントパターンで接続することにより、万一、ファンクションチェック中にチェックピンの接触不良が発生しても回路誤動作或は破損を防ぐことができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバを保持する光ファイバチップとロッドレンズをそれぞれ有する２つの光ファイバコリメータを備え、前記両光ファイバコリメータの一方は１本の光ファイバを保持する単芯光ファイバチップを有する単芯光ファイバコリメータであり、その他方は２本以上の光ファイバを保持する多芯光ファイバチップを有する多芯光ファイバコリメータである合波・分波モジュールとして構成されるフィルタモジュールにおいて、
前記２つのロッドレンズの対向する端面の間にフィルタを備え、前記２つのロッドレンズを同軸に配置して一体化したセンターピースを備え、前記両光ファイバチップは、その端面をそれぞれロッドレンズの端面に接着することによって固定され、前記光ファイバチップの端面と前記ロッドレンズの端面との接着面は前記センターピースの外側にあることを特徴とするフィルタモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フィルタモジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、高密度波長多重（ＤＷＤＭ）伝送方式等の光通信システムに用いる分波・合波モジュールとして構成されるフィルタモジュールに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、構成の簡略化および製造の容易化を図り、安価で信頼性の高いフィルタモジュールを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッド支持機構並びにそれらの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダ基板と、この基板上に形成された磁気記録素子と磁気再生素子とを備えた磁気ヘッドスライダであって、前記磁気記録素子と接地電位に電気的に接続する中継端子を流出面端面に備えた磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
前記中継端子は、前記磁気記録素子の下部磁極と導通接続している請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記中継端子は、加熱体である通電部の端子である請求項１または２に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
前記通電部は、前記スライダ基板上に形成された下地絶縁膜と、この下地絶縁膜上に形成された前記磁気再生素子の下部磁気シールドとの間に形成されている請求項３記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
スライダ基板と、この基板上に形成された磁気記録素子と磁気再生素子とスライダの一部を加熱する加熱体と、前記磁気記録素子と記録端子とを導通接続する第一の配線と、前記磁気再生素子の電極と再生端子とを導通接続する第二の配線と、前記加熱体の端子と前記磁気記録素子とを導通接続する第三の配線とを備えたヘッドスライダ。
【請求項６】
スライダ基板と、この基板上に形成された磁気記録素子と磁気再生素子とスライダの一部を加熱する加熱体と、前記磁気記録素子と一対の記録端子とを導通接続する一対の第一の配線と、前記磁気再生素子の一対の電極と一対の再生端子とを導通接続する一対の第二の配線と、前記加熱体の一対の中継端子の一方と前記磁気記録素子とを接続する第三の配線とを備えたヘッドスライダ。
【請求項７】
前記第一の配線は前記磁気記録素子のコイルと前記記録端子とを導通接続し、前記第三の配線は前記磁気記録素子の下部磁極と前記加熱体の端子とを導通接続している請求項５または６に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
前記加熱体は、前記スライダ基板上に形成された下地絶縁膜と、この下地絶縁膜上に形成された前記磁気再生素子の下部磁気シールドとの間に形成されている請求項５または６に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項９】
スライダ基板と、この基板上に形成された下部磁極を有する磁気記録素子と磁気再生素子と、前記磁気記録素子の端子及び前記磁気再生素子の端子と共に前記スライダ基板の流出側端面に形成された加熱体の端子とを有する薄膜磁気ヘッドスライダと、この薄膜磁気ヘッドスライダを支持するサスペンションとを備え、前記加熱体の端子は前記サスペンションの配線及び前記磁気記録素子と導通接続している磁気ヘッド支持機構。
【請求項１０】
スライダ基板と、この基板上に形成された磁気記録素子と磁気再生素子とスライダ基板の一部を加熱する加熱体と、前記磁気記録素子と記録端子とを導通接続する第一の配線と、前記磁気再生素子の電極と再生端子とを導通接続する第二の配線と、前記加熱体の端子と前記磁気記録素子とを導通接続する第三の配線とを備えたヘッドスライダと、
前記記録端子、前記再生端子、及び前記加熱体の端子とにそれぞれ対応して導通接続される配線を備え、これら配線のうち前記中継端子に対応して導通接続される配線を中央に配置したサスペンションと、を備えた磁気ヘッド支持機構。
【請求項１１】
基板上に形成した絶縁膜上に加熱体である通電部を形成し、この通電部上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に下部シールド膜と下部ギャップ膜とを形成し、磁気再生素子と、この磁気再生素子の磁気信号を引き出す一対の電極を形成する工程と、
前記磁気再生素子上に上部ギャップ膜と上部シールド膜と上部シールド絶縁膜とを形成し、この上部シールド絶縁膜上に磁気記録素子の下部磁極を形成する工程と、
この下部磁極の上に磁気ギャップ膜、前記磁気記録素子の上部磁極を形成し、この上部磁極に磁界を発生させる電流を流すコイル、及び、絶縁膜を形成する工程と、
前記電極から引き出された再生用引き出し線と、前記コイルから引き出された記録用引き出し線とを形成する工程と
前記コイルへ電流を外部より入力する前記磁気記録素子の一対の端子と磁気信号を外部へ伝達する前記磁気再生素子の一対の端子とを形成する工程と、
前記磁気記録素子の洗浄工程で用いる水溶液中における前記磁気記録素子の標準電極電位を不働態領域にずらす電位の材料からなる導体を用い前記通電部の一対の端子を形成する工程と、
前記通電部のいずれか一方の端子と前記下部磁極或いは前記下部シールド膜とを導通接続する工程と、
磁気記録媒体に対向する浮上面を研磨加工及び洗浄する工程と備えた磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項１２】
基板上に形成した絶縁膜上に加熱体である通電部と、磁気記録素子の下部磁極と、上部磁極に磁界を発生させる電流を流すコイルへ電流を外部より入力する前記磁気記録素子の一対の端子と、磁気再生素子の磁気信号を外部へ伝達する前記磁気再生素子の一対の端子と、前記磁気記録素子の洗浄工程で用いる水溶液中における前記磁気記録素子の標準電極電位を不働態領域にずらす電位の導体からなる前記通電部の一対の端子とを備えた薄膜磁気ヘッドスライダの前記通電部と前記下部磁極或いは前記磁気記録再生素子の下部シールド膜とを導通接続する工程と、
磁気記録媒体に対向する浮上面を研磨加工及び洗浄する工程と、
前記薄膜磁気ヘッドスライダをこの薄膜磁気ヘッドスライダを支持するサスペンションと接着し、前記通電部のいずれか一方の端子とこのサスペンションの配線とを導通接続した後に洗浄する工程を備えた磁気ヘッド支持機構の製造方法。
【請求項１３】
前記サスペンションの配線と導通接続後の洗浄工程において、前記通電部の一対の端子は、前記サスペンションを構成する金属とは電気的に絶縁して洗浄を行う請求項１２に記載の磁気ヘッド支持機構の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イニシエータとインターネットを介して接続されるサーバと出力装置とを用いてデータを出力する方法であって、
前記出力装置によって出力されるデータのネットワーク記憶ロケーション情報を含む出力要求をＨＴＴＰプロトコルを用いて送信する処理と、
前記出力要求を待ち行列に投入する処理と、
前記出力要求が実行される準備が整った場合に、前記ネットワーク記憶ロケーション情報に基づいて、前記データをＨＴＴＰプロトコルを用いて取得する処理と、
前記取得したデータを前記出力装置に転送する処理と、
を備える出力方法。
【請求項２】
請求項１に記載の出力方法であって、
前記出力要求は更に、
前記イニシエータが出力要求を送信可能なイニシエータであるかを判断するための認証情報と、
前記出力装置を特定するための宛先出力装置情報と、
前記データの出力フォーマットを特定するための出力フォーマット情報と、
のうちの少なくとも一つの情報を含む、
出力方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の出力方法であって、
前記出力要求はＷＥＢブラウザをインターフェイスとして作成される、
出力方法。
【請求項４】
イニシエータとインターネットを介して接続され、出力装置を用いてデータを出力するサーバであって、
前記出力装置によって出力されるデータのネットワーク記憶ロケーション情報を含む出力要求がＨＴＴＰプロトコルを用いて送信されたものを受信する手段と、
前記出力要求を待ち行列に投入する手段と、
前記出力要求が実行される準備が整った場合に、前記ネットワーク記憶ロケーション情報に基づいて、前記データをＨＴＴＰプロトコルを用いて取得する手段と、
前記取得したデータを前記出力装置に転送する手段と、
を備えるサーバ。
【請求項５】
イニシエータとインターネットを介して接続されるサーバと出力装置とを用いてデータを出力する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記出力装置によって出力されるデータのネットワーク記憶ロケーション情報を含む出力要求をＨＴＴＰプロトコルを用いて送信する処理と、
前記出力要求を待ち行列に投入する処理と、
前記出力要求が実行される準備が整った場合に、前記ネットワーク記憶ロケーション情報に基づいて、前記データをＨＴＴＰプロトコルを用いて取得する処理と、
前記取得したデータを前記出力装置に転送する処理と、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 上下端部が開口し、長さ方向に沿って同一の内径を有する円筒形の中空柱状体よりなるポール部と、ポール部の内径とほぼ同一の外径の挿入部を有するキャップ部とベース部とからなり、ポール部の上端にキャップ部の挿入部が、ポール部の下端にベース部の挿入部が挿入され、ポール部の内側面とキャップ部及びベース部の挿入部の外側面とが融着されて一体化され、キャップ部、ポール部、ベース部のいずれか少なくとも１つに外部に向けて発光する発光部が設けられていることを特徴とする発光型道路用標示体。
【請求項２】 ベース部は、上下に貫通する貫通孔が設けられ、光源からの発光に係わる光線が該貫通孔を通過し、発光部を発光させることを特徴とする請求項１に記載の発光型道路用標示体。
【請求項３】 キャップ部は、内部から外部へ光を透過する窓部が設けられ、且つ下方からの光線を該窓部に屈折させる反射体が設けられ、下方からの光線を前記窓部が発光部とされていることを特徴とする請求項２に記載の発光型道路用標示体。
【請求項４】 反射体は、反射されて窓部を透過する光線が斜め下方に向けて照射され、道路用標示体を照らすように設けられたものであることを特徴とする請求項３に記載の発光型道路用標示体。
【請求項５】 ベース部は、光線を透過する窓部が設けられ、ベース部下方に設けられた光源からの光線が前記窓部を透過することで、窓部が発光部となされていることを特徴とする請求項１に記載の発光型道路用標示体。
【請求項６】 キャップ部及び／又はベース部は、その一部に発光体が埋設され、発光部は前記発光体を光源としていることを特徴とする請求項１に記載の発光型道路用標示体。
【請求項７】 キャップ部及び／又はベース部は、発光体を有する部材が取り付けられ、発光部は前記発光体を光源としていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光型道路用標示体。
【請求項８】 キャップ部及び／又はベース部は、太陽光を受光できるように太陽光発電セルが設けられ、該太陽光発電セルにより発電された電力で発光部が発光させられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光型道路用標示体。
【請求項９】 融着は、回転融着であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光型道路用標示体。
【請求項１０】ベース部と、ベース部に取り付けられたポール部とを備えた道路用標示体であって、該ベース部に発光体が設けられた部材が取り付けられていることを特徴とする発光型道路用標示体。
【請求項１１】前記部材は、ベース部に設けられ部材の形状に合わせた中空部に嵌着されて取り付けられることを特徴とする請求項１０に記載の発光型道路用標示体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第1の主要面および第2の主要面を有する光学ポリマフィルムを提供するステップと、
該第1の主要面および該第2の主要面のうちの少なくとも1つを火炎バーナーおよび無炎放射バーナーから選択されたバーナーにさらすことにより軟化させて軟化面を形成するステップと、
該軟化面にエンボス加工を施してエンボス付き光学ポリマフィルムを作製するステップと、
該エンボス付き光学ポリマフィルムを冷却するステップとを含み、
該フィルムが軟化、エンボス加工および冷却されている間、バーナーの炎のパワーや滞留時間の条件が、所定の波長域において、前記光学ポリマフィルムの反射率が、エンボス加工を施す前の前記光学ポリマフィルムの反射率と実質的に同じであるか、または所定の波長域において、前記光学ポリマフィルムの透過率が、エンボス加工を施す前の前記光学ポリマフィルムの透過率と実質的に同じであるフィルムを得るのに効果的であることを特徴とするエンボス付き光学ポリマフィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  転動面（３、３’）を有すると共に該転動面に向かって開口した複数の切込み（４、４’、４”）を有するタイヤトレッド（１）であって、各切込み（４、４’、４”）が、主として互いに向かい合った２つの主要な壁（６、６’）の間に構成されたスペースにより構成され、前記壁が、転動面（３、３’）に対して垂直であり又は傾斜しており、少なくとも１つの切込みで境界付けられていて、平均的軸線ＸＸ′を備えた少なくとも１つのゴムスタッド（５、５’、５”）を更に有し、該ゴムスタッドが、前記ゴムスタッドを平均的軸線ＸＸ′の周りに包囲すると共に前記トレッドの外部から見えるゴムスタッドの外壁により境界付けられた側壁（６）により構成され、該側壁が、少なくとも１つのゴム連結要素（８、８’、８”）を除き、トレッドから孤立状態にされ、各ゴムスタッドの前記各連結要素が、２本の幾何学的主要線（１１、１３）により境界付けられた、前記ゴムスタッドの側壁との交差面（１０、１２）を有しているトレッドにおいて、
未使用状態での平均的軸線方向ＸＸ′における前記トレッドの転動面上への前記ゴムスタッドの全前記連結要素の交差面の幾何学的主要線の投影長さは、前記転動面上で測定した各ゴムスタッドの輪郭の周囲長さの９０％よりも大きく、
未使用状態で前記トレッドの転動面に実質的に平行であって、前記トレッドの内側に位置した任意の表面と、前記ゴムスタッドの全前記の交差面との交差長さ（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）の合計は、前記転動面上で前記ゴムスタッドの輪郭周囲長さのせいぜい５０％であることを特徴とするトレッド。
【請求項２】  未使用状態での平均的軸線方向ＸＸ′におけるトレッドの転動面上への１つの同じゴムスタッド（５、５’、５”）の全ての連結要素の交差面の幾何学的主要線（１１、１３）の投影長さは、該転動面上で測定された各ゴムスタッドの輪郭周囲長さに等しいことを特徴とする請求項１に記載のトレッド。
【請求項３】  少なくとも１つの連結要素（８）を備えているゴムスタッド（５、５’、５”）のうち少なくとも１つは、平均的軸線ＸＸ′を備えた全体として円柱状のものであることを特徴とする請求項１または２に記載のトレッド。
【請求項４】  ゴムスタッドの各連結要素の交差面（１０、１２）の幅のばらつきは、前記連結要素の広がり全体にわたって前記連結要素の平均幅の５０％以上にはならず、前記交差面の幅は、前記交差面と未使用状態でのトレッドの転動面に平行な表面との交差により生じる曲線の長さに等しいことを特徴とする請求項３に記載のトレッド。
【請求項５】  少なくとも１つのゴムスタッド（５、５’、５”）は、少なくとも１つの連結要素（８）を備え、前記スタッドの側壁との前記連結要素の交差面（１０、１２）は、２本の幾何学的主要線（１１、１３）により境界付けられ、前記幾何学的主要線は各々、少なくとも一部が平均的軸線方向ＸＸ′に対して０°とは異なる実質的に一定の角度αをなしていることを特徴とする請求項４に記載のトレッド。
【請求項６】  少なくとも１つのゴムスタッド（５、５’、５”）は、少なくとも２つの連結要素（８）を備え、前記スタッドの側壁との前記連結要素の交差面（１０、１２）は、互いに平行な又は事実上平行な幾何学的主要線（１３）により境界付けられていることを特徴とする請求項５に記載のトレッド。
【請求項７】  未使用状態での平均的軸線方向ＸＸ′におけるトレッドの転動面上への１つの同じゴムスタッド（５、５’、５”）の全ての連結要素の交差面の幾何学的主要線（１１、１３）の投影長さは、該ゴムスタッドの輪郭周囲長さ（Ｌ）に等しいことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項８】  少なくとも１つのゴムスタッド（５’）は、切込み（４”）で境界付けられている少なくとも１つの他のゴムスタッド（５”）を包囲しており、前記切込み（４”）は、前記少なくとも１つのゴムスタッド（５’）の端壁上に開口していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項９】  別のゴムスタッド（５’）により包囲されている各ゴムスタッド（５”）は、その横方向表面に、前記スタッド（５’、５”）を互いに接合する少なくとも１つの連結ブリッジ要素（８”）を備え、別のゴムスタッド（５”）により包囲されているスタッドの側壁との前記スタッドの交差面は、互いに実質的に平行な２本の幾何学的主要線により境界付けられ、前記幾何学的主要線の接線は、少なくともゴムスタッド（５”）の大部分にわたって軸線ＸＸ′に対して０°とは異なる実質的に一定の角度をなしていることを特徴とすることを特徴とする請求項８記載のトレッド。
【請求項１０】  第２のゴムスタッド（５”）を包囲している第１のゴムスタッド（５’）の各連結要素（８’）は、前記第１のゴムスタッドの周りの少なくとも一部において第１の方向に軸線ＸＸ′の周りに螺旋コイル体を形成し、第１のゴムスタッドの内側に位置した前記第２のゴムスタッドに接合された各連結要素（８”）は、前記第２のゴムスタッドの周りの少なくとも一部において第１の方向とは逆の方向に螺旋巻き体を形成していることを特徴とする請求項９に記載のトレッド。
【請求項１１】  未使用状態での平均的軸線方向ＸＸ′における前記トレッドの転動面上への１つの同じゴムスタッド（５、５’、５”）の全前記連結要素（８’、８”）の交差面の幾何学的主要線の投影長さは、前記ゴムスタッドの輪郭周囲長さ（Ｌ）に等しいことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項１２】  請求項１ないし１１のいずれか１項に記載されたトレッドを有するタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ロータ（２）が永久磁石（３）を備え、かつ印刷機の少なくとも１つの胴（４，４'，１２，１３，１４，１５）に該胴の駆動用として付属しており、ステータ（５）が巻線（６）を含み印刷機の側壁（７）に固定して結合されている、アウターロータ型モータをもつ少なくとも１つの駆動装置（１）を備えた印刷機用駆動装置において、
駆動装置（１'）の少なくとも一部が歯車列（８，９．．．）によって生じ、前記ロータ（２）がその円周にリングギヤ（８）を有していることを特徴とする印刷機用駆動装置。
【請求項２】  前記ロータ（２）が胴（４，４'，１２，１３，１４，１５）に固定して結合されている、請求項１記載の印刷機用駆動装置。
【請求項３】  各印刷ユニット（１０）に、アウターロータ型モータをもつ少なくとも１つの駆動装置（１）が付属している、請求項１または２記載の印刷機用駆動装置。
【請求項４】  少なくとも１つの駆動装置（１）が、できるだけ少数の動力伝達部位（１１）によって最大のエネルギー要求のある胴（１２，１３，１４，１５）と隔てられている胴（１２）に付属している、請求項１から３までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項５】  前記ステータ（５）が印刷機の前記側壁（７）の外側に直接固定されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項６】  前記ロータ（２）が、胴軸（１６）と直接連結され、前記ステータ（５）を外側から包囲するカップ形状を有している、請求項５記載の印刷機用駆動装置。
【請求項７】  前記ロータ（２）が、高エネルギー磁性材料の使用によって円周領域（１７）においてできるだけ小さい厚さ（１８）を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項８】  前記リングギヤ（８）が前記ロータ（２）に回転可能、かつ固定可能に支持されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項９】  前記リングギヤ（８）に、歯が、属する胴（４，４'，１２，１３，１４，１５）の角度を検出するための標識として作用する、センサ（１９）が付属している、請求項１から８までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１０】  前記ロータ（２）にブレーキ受け（２０）が設けられブレーキ（２１）が付属している、請求項１から９までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１１】  前記リングギヤ（８）が前記歯車列（８，９．．．）に直接組み込まれている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１２】  前記リングギヤ（８）が、前記胴（４，４'，１２，１３，１４，１５）を駆動する小型伝動装置の駆動部として作用する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１３】  前記小型伝動装置が遊星歯車装置である、請求項１２記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１４】  前記小型伝動装置がサイクロ減速機である、請求項１２記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１５】  前記小型伝動装置がハーモニックドライブ減速機である、請求項１２記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１６】  前記小型伝動装置が平歯車装置である、請求項１２記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１７】  前記ステータ（５）が流動媒体によって冷却される、請求項１から１６までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。
【請求項１８】  前記少なくとも１つの駆動装置（１）が制御装置によって、断続的なエネルギー消費による振動発生が抑制されるような断続的なエネルギー供給を受ける、請求項１から１７までのいずれか１項記載の印刷機用駆動装置。