【事件の表示】
　平成　３年特許願第　５８８６５号「磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１０月２０日出願公開、特開平　４−２９５６１４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　３年　３月２２日
　拒絶理由１　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　８月１１日
　意見書・手続補正書　　　　　　　　　　　平成１１年１０月１８日
　拒絶理由２　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年１１月　９日
　意見書・手続補正書　　　　　　　　　　　平成１２年　１月　６日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　１月２７日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月　９日
　
２　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲請求項１〜８に係る発明は、横山文明、金子衛、宮元幸博の発明であり、上記補正書１、２で補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲請求項１〜８に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係るものは、次のとおりである。
「１０００Å以上の厚さの無電解メッキ層及び低融点金属からなる多数の微細突起を有する金属層を順次形成したガラス基板上に、磁性層を設けてなり、山高さ４００Å以下の媒体表面粗度を有する磁気記録媒体。」（以下、本願発明という。）
　
２　先願発明
（先願）
　上記拒絶理由２で引用され、拒絶査定の理由に用いられた、特願平３−３９４３９号（特開平４−２５５９０８号公報）（以下、先願という。）は、平成３年２月８日の出願であり、本件出願前に出願され、平成４年９月１０日に公開され、本件出願後に公開され、出願人を日本板硝子株式会社とするもので、本件出願人と異なり、発明者を片山慎也とするもので、本件発明者と異なる。
（先願に記載の発明）
　その特許請求の範囲には、
「【請求項１】　非磁性支持体上に非磁性無電解金属メッキ膜が被覆され、前記メッキ膜の上にＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉからなる低融点金属群より選ばれた少なくとも１種が、前記メッキ膜の面内方向に不連続な微小突起を形成するように設けられた磁気ディスク用基板。
【請求項２】　前記微小突起が前記メッキ膜を１０〜８５％の被覆率で設けられた請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項３】　前記金属メッキ膜の膜厚が１００〜１０００ｎｍとした請求項１または２に記載の磁気ディスク用基板。」と記載され、
　【０００７】には、
「本発明に係る非磁性無電解金属メッキ膜としては、非磁性であれば特に限定されないが、例えば、非晶質ＮｉＰ膜やＮｉ膜、Ｃｕ膜、ＮｉＢ膜、ＮｉＣｕＰ膜、ＮｉＭｏＰ膜などの無電解メッキ膜が挙げられる。そして前記メッキ膜の膜厚は、２０〜１０００００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が２０ｎｍより小さいと、膜の耐久性が小さく接触等による膜破壊が生じ易いこと、大気中での膜表面酸化の影響により導電性を充分確保できないことにより好ましくなく、１０００００ｎｍより大きいと、膜応力による膜剥がれが生じ易くなるので好ましくない。また、前記メッキ膜の表面凹凸は、膜厚が大きくなるにつれて大きくなるので１００〜１０００ｎｍとするのが好ましい。」と記載され、
【０００８】には、
「本発明にかかる微小突起を形成するのに用いられる物質としては、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉからなる群より選ばれた１種または２種以上の合金である。前記金属および前記金属からなる合金はいずれも、融点が１１００℃以下である。また前記金属または合金に少量の前記群に含まれない元素が添加されていてもよい。
　前記微小突起は前記メッキ膜を１０〜８５％の被覆率で被覆されているのが好ましい。被覆率が１０％より小さいと本発明の磁気ディスク用基板を用いて磁性膜、保護膜などを被覆して磁気記録媒体を製作したときに磁気ヘッドと保護膜との接触面積が小さくなりすぎ、保護膜が摩耗し易くなるので好ましくない。また被覆率が８５％より大きいと磁気ヘッドと保護膜との接触面積が大きくなりすぎ、摩擦係数が大きくなるので好ましくない。」と記載され、
【００１４】には、
「実施例１
　円盤状に加工され化学強化されたソーダライムガラス基板をよく洗浄しさらに脱脂を行い、フッ酸系の酸にて表面を処理し、次いで感受性化、活性化処理を行った後、メッキ浴に漬けてガラス基板全体に無電解メッキ法にてＮｉＰメッキ膜を０．５μｍ被覆した。次にこの基板を再度良く洗浄した後、インライン型スパッタリング装置にセットし、減圧した雰囲気内で２５０℃に加熱した。その後、アルゴンガスとアルミニウムターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法によりアルミニウム膜（Ａｌ膜）を２５０℃の基板に被覆した。Ａｌの被覆条件は、アルゴン雰囲気の圧力を１０ｍＴｏｒｒとし、Ａｌの蒸発量は約１５ｎｍの厚みの層状のＡｌ膜が被覆される量とした。作製されたＮｉＰ膜上のＡｌからなる微小突起を電子線表面形態解析装置（エリオニクス社製ＥＳＡ?３０００）を用いて観察すると、直径が約３００ｎｍの大きさの微小突起が多数点在しているのが認められた。この微小突起の表面粗さを上記の電子線表面形態解析装置で測定したところ、平均粗さＲａは５．５ｎｍで、最大粗さは約６０ｎｍであった。この微小突起の断面は図１に示されるように、円錐状をしていた。」と記載され、
【００１５】には、
「また微小突起がメッキ膜を覆っている面積割合すなわち被覆率は、６５％であった。ここでいう微小突起の被覆率とは、上記の電子顕微鏡による撮影で得た写真に対角線を引き、各対角線と交わる微小突起粒子の長さをすべて積算した値を分子とし、各対角線の長さの和を分母として算出した平均値である。」と記載され、
【００１６】には、
「実施例２
　実施例１と同じ方法でガラス基板の上にメッキ膜、微小突起を順次作製し、引続きアルゴンガスとチタンシリサイドターゲットとを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＴｉＳｉ膜（Ｓｉが５０原子％含有される）を２０ｎｍ被覆し、その後基板を３００℃に加熱した状態でアルゴンガスとクロムターゲットとを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＣｒ膜を１５０ｎｍ、アルゴンガスとコバルトニッケルクロム合金ターゲットとを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＣｏＮｉＣｒ合金磁性膜を６０ｎｍ、アルゴンガスとカーボンターゲットとを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法によりカーボン保護膜を３０ｎｍ、順次被覆した。ＴｉＳｉ膜の被覆からカーボン保護膜の被覆までは、インライン型スパッタリング装置内で基板を搬送させながら真空状態を破ることなく連続的に行った。」と記載され、
【００１７】には、
「得られた磁気記録媒体は、図３に示すように保護膜表面は微小突起の形状が反映された凹凸が形成されていた。作製した磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、１５００Ｏｅであった。また磁気記録媒体の表面に潤滑剤を塗布した後ＣＳＳ試験（コンタクト・スタート・ストップ試験）を実施したところ、３万回のＣＳＳを行っても摩擦係数は０．２以下であった。」と記載されている。
実施例３について、【００１９】には、
「得られた磁気ディスク用基板の微小突起を実施例１と同様の装置で評価したところ、直径が約３００ｎｍの大きさの微小突起が多数島状に点在していた。実施例１よりも微小突起の間隔が大きくなっていることが認められた。このため、平均粗さＲａは４．５ｎｍで、最大粗さは約５０ｎｍであった。」
  即ち先願には、「ガラス基板全体に無電解メッキ法にて膜厚１００〜１０００ｎｍのＮｉＰメッキ膜を被覆し、平均粗さＲａは４．５ｎｍで、最大粗さが約５０ｎｍである微小突起を形成する、融点が１１００℃以下である、金属層を順次被覆し、その後合金磁性膜を設け、保護膜表面は微小突起の形状が反映された凹凸が形成されている磁気記録媒体」（以下、先願発明という。）が、記載されている。
　
３　本願発明と先願発明との対比
（一致点）
　１００ｎｍは、１０００Åであるから、先願発明の「無電解メッキ法にて（形成した）膜厚１００〜１０００ｎｍのＮｉＰメッキ膜」は、本願発明の「１０００Å以上の厚さの無電解メッキ層」に相当し、先願発明の「微小突起を形成する、融点が１１００℃以下である、金属層」は、本願発明の「低融点金属からなる多数の微細突起を有する金属層」に相当するから、両者は、次の点で一致する。
「１０００Å以上の厚さの無電解メッキ層及び低融点金属からなる多数の微細突起を有する金属層を順次形成したガラス基板上に、磁性層を設けてなる磁気記録媒体。」。
（相違点）
　そして、本願発明は、「山高さ４００Å以下の媒体表面粗度を有する」のに対して、先願発明は、「保護膜表面は微小突起の形状が反映された凹凸が形成されている」点で相違している。
（相違点の判断）
　本願発明で「山高さ４００Å以下の媒体表面粗度を有する」とすることの意義を検討する。
　本願明細書の【００１５】に「次に、前述の如く処理した基板をスパッタ装置に入れ、スパッタ法にて多数の微細な突起を有する金属層を設ける。この突起の形状は以後の下地層、磁性層、保護層及び潤滑膜層の形成後も引き継がれることから、突起形状の山高さを制御し、最終的な媒体表面を山高さＲｍａｘ４００Å以下とすることにより耐久性に優れた磁気記録媒体となる。」、【００１９】に「媒体表面の山高さは、Ｒｍａｘとして４００Å以下、中でも７０〜３００Åが好ましい。５０Åより小さいと耐久性改善効果が少ない。また、４００Åを越えるとヘッドと媒体の浮上距離が小さく成らず、しかも媒体の再生ノイズが高くなり好ましくない。なお、山高さは基板の全面にわたって、全ての山が４００Å以下であることが望ましいが、本発明の目的を達成するのに支障がない範囲で単位長さ当りで測定した突起形状のうちの１０％程度であれば４００Åを越える山高さが多少存在しても構わない。」と記載されている。
　そして、実施例として、媒体表面の山高さＲｍａｘ３００Åのものが４種、３５０Åのものが１種示されている。
　多数の微細な突起を有する金属層の山高さについて、本願明細書の【００１８】の「突起形状は基板温度が高いほど山高さが大きくなり粗れてくるので、基板温度としては３００℃以下、１００〜２００℃が好ましい。また、膜厚は厚い方が山高さが大きくなり粗れてくる。」、本願明細書の【００１９】の「突起を有する形状のため、膜厚の定義が難しいが、室温でのスパッタ成膜時の膜厚換算で言うなら、膜厚３００Å以下、好ましくは３０〜２００Åである。」との記載がある。
　これらの記載から見ると、媒体表面の山高さは、Ｒｍａｘとして４００Å以下、中でも７０〜３００Åが好ましく、４００Åを越えるとヘッドと媒体の浮上距離が小さく成らないことが示される。（浮上距離が大きいと検出時のノイズが大きくなくることは自明である。）してみると、本願発明において「山高さ４００Å以下の媒体表面粗度を有する」とすることの、４００Åという数値限定に格別の臨界的意義を示す証拠は、本願明細書には見あたらない。そして、浮上距離が大きすぎないようにすることは、磁気を検出するというヘッドの役割から見て当然に当業者が考慮すべき事項であり、４００Å以下に格別の意義が認められない。　また、先願発明においては、保護膜表面は微小突起の形状が反映された凹凸が形成されていたとしており、微小突起の表面粗さについては、平均粗さＲａは４．５ｎｍで、最大粗さが約５０ｎｍであるとしている。即ち平均粗さ４５Å、最大粗さ約５００Åであり、最大粗さの大きさに比べ平均粗さが小さい値であるので、最大粗さのものは少ないことが理解できる。そして、本願発明でも、１０％の４００Åを越えるものがあっても良いとしているのであるから、先願発明の最大粗さ約５００Åという数字を、４００Åに比べて大きすぎるものとすることは適切ではない。さらに、先願発明においても、磁気記録媒体の表面に潤滑剤を塗布した後ＣＳＳ試験（コンタクト・スタート・ストップ試験）を実施したところ、３万回のＣＳＳを行っても摩擦係数は０．２以下であったとしていることから、先願発明においても、媒体表面の粗さはある程度の大きさ以下のものであると見ることができる。
　してみると、先願発明から見ても本願発明の４００Å以下に格別の意義が認められない。
　即ち、この相違点は、当業者が任意に設定できた事項であり、実質的には同一である。
（対比のまとめ）
　すると、本願発明と先願発明には実質的な相違点はなく、両者は同一である。
　
４　まとめ
　従って、本発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項２〜８の発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。