(57)【要約】      （修正有）【課題】クリーム半田・溶接助剤も使用する必要無く、大容量のＩＣメモリの組立や交換に際し、容易に組立、修理ができ、更に環境保全も資することを課題とする。【解決手段】メモリモジュールの板面上に複数組のプリント回路を設けた基板、及び、その内部には導電バネゴムも敷設され、対応するプリント回路と電気的に接続し、ボールグリッドアレイパッケージのＩＣメモリを脱着できる方式で内部に組み込める１個以上のＩＣ収容フレームを含み、ＩＣ収容フレーム内部に敷設した導電バネゴムは、コネクタとして使用でき、絶縁用のシリコンゴム層を具え、且つ該絶縁用の柔シリコンゴム層に導電バネグループによってマトリクス配列で構成された導電バネ列を設置し、設置された導電バネを介して対応するプリント回路と電気的に接続することで、ＩＣメモリを収容フレームの内部に組み込ませ、対応するプリント回路と電気的な接続を構成する。【選択図】図２
0003121065.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
メモリモジュールにおいて、
その板面上に複数組のプリント回路を設けた基板、及び、該基板の片面、或いは、両面上に設けられ、内部に導電バネゴムもふ設され、対応するプリント回路と電気的に接続する１個以上のＩＣ収容フレームを含み、そのＩＣ収容フレーム内部にふ設した導電バネゴムは、絶縁用の柔らかいシリコンゴム層を具え、且つ、該絶縁用の柔らかいシリコンゴム層に導電バネグループによってマトリクス配列で構成された導電バネ列を設置し、設置された導電バネを介して対応するプリント回路と電気的な接続を構成することを特徴とする、メモリモジュール。
【請求項２】
請求項１記載のメモリモジュールにおいて、該基板に設置したＩＣ収容フレームはＢＧＡメモリ、或いは、フラットタイプＩＣメモリも収容でき、且つ、該ＢＧＡメモリ、或いは、フラットタイプＩＣメモリが底面に設けた半田ボール、或いは、回路接点を介して該ＩＣ収容フレームに設けた導電バネゴムの対応する複数個の導電バネと電気的な接続を構成することを特徴とする、メモリモジュール。
【請求項３】
請求項１、或いは、２記載のメモリモジュールにおいて、該基板に設けたＩＣ収容フレームは可動蓋も設け、且つ、該可動蓋でＩＣ収容フレームの内部をオープン、或いは、クローズすることを特徴とする、メモリモジュール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、メモリモジュールの改良に関り、特に導電バネゴムを使用し、且つボールグリッドアレイパッケージのＩＣメモリを脱着できる方法で組立てられたメモリモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示した従来のメモリモジュール１０の構造は、通常数個のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃiｒcｕiｔ）、メモリ７０をプリント基板（ＰＣＢ）１１の片面或いは両面上に溶着することで組成する。
【０００３】
片面にＩＣメモリ７０のメモリモジュール１０を設けていることを例にすると、そのプリント基板１１の基板面に複数組のプリント回路１２を設け、且つ、各組のプリント回路１２に複数個の回路接点１３を設けて、1個のＩＣメモリ７０をプリント基板１１上に溶着することができ、また、対応するプリント回路１２と電気的な接続を構成することができる。これにより、複数個のＩＣメモリ７０がプリント基板１１に統合設置された後でメモリモジュール１０を構成する。
【０００４】
そのＩＣメモリ７０は、メモリモジュール１０の主の部品とし、且つＩＣメモリ７０のパッケージ方法は、ティーエスオーピー（ＴＳＯＰ、Ｔｈiｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌiｎｅ Ｐａcｋａｇｅ）から現在徐々にボールグリッドアレイ（ＢＧＡ、Ｂａｌｌ Ｇｒiｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ主流となって進歩してきた。
【０００５】
文字記述を簡潔にするため、下記の文内ではＢＧＡメモリに言及するものとし、即ちボールグリッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）で、且つ底面に半田ボール（Ｐａｄｓ）或いは回路接点を設けたＩＣメモリとする。
【０００６】
また、図１に示ように、メモリモジュール１０がＢＧＡメモリ７０を使用する時、表面実装技術（ＳＭＴ）を利用して、各ＢＧＡメモリ７０の底面に設けた半田ボール（ｐａｄｓ）をプリント基板１１の各組のプリント回路１２の回路接点１３と一体化するように溶着することで、且つプリント基板１１上に固定させていた。
【０００７】
ただし、半田ボールによってＢＧＡメモリ７０をプリント基板１１に溶着する欠点は、ＢＧＡメモリ７０の修理や交換が容易ではないということである。ＢＧＡメモリ７０を取り出して修理時、高温で半田を溶解して、本来の半田ボールを取り除かなければならない他に、ＢＧＡメモリ７０を修理、交換した後、再び半田ボールの搭載及び位置決め固定のため、半田ボールの搭載及び位置決め固定には非常に困難がある。
【０００８】
特に高温で半田ボールを取り除く修理過程において、本来損壊していないＢＧＡメモリ７０が良くこの高温を受けて損壊してしまう。且つ、修理過程で取り除いた半田ボール及び再び半田ボールを搭載する過程中において、クリーム半田及び溶接助剤を使用すると環境汚染に?がり、環境保全という需要に適合しない。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００９】
現有のメモリモジュールにあるＢＧＡメモリを修理と交換の不便性という欠陥を克服するため、本考案の主な目的は、メモリモジュールの改良を提供することにあり、ＢＧＡメモリを脱着できる方式で該メモリモジュールに組立てることができ、且つクリーム半田及び溶接助剤も使用する必要が無く、容易にＢＧＡメモリの組立、修理或いは交換できる特徴を具え、更に環境保全の効果を具える。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本考案のメモリモジュールは、板面に同様な機能を持った複数組のプリント回路を設けた基板、及び１個以上のＩＣ収容フレームを含み、底面に半田ボールを設けたＢＧＡメモリが脱着できる方式でＩＣ収容フレームの内部に嵌合し、或いはＩＣ収容フレームの内部から取り出すことができるため、各ＩＣ収容フレーム内部に導電バネゴムをふ設することで該基板のいずれかの１組のプリント回路と電気的な接続を構成される。各ＩＣ収容フレームの内部に設けた導電バネゴムは、弾性及び導電特性を備えた物質で、且つ絶縁用の柔らかいシリコンゴム層も具え、且つ該絶縁用の柔らかいシリコンゴム層に導電バネグループによってマトリクス配列で構成された導電バネ列を設け、且つ該導電バネゴムに設けられた導電バネ列を介して該基板のいずれか１組のプリント回路の複数個の回路接点と有効的に接触し、並びに信頼性を持ち且つ安定して電気的な接続を構成することにある。
【００１１】
つまり、ＢＧＡメモリを本考案のメモリモジュールのＢＧＡ収容フレームの内部に嵌合した後でも、クリーム半田及び溶接助剤を使用する必要がなく、ＢＧＡメモリが底面に設けた半田ボール或いは回路接点によって該ＢＧＡ収容フレームの内部にふ設した導電バネゴムの導電バネ列と直ちに電気的な接続を構成し、導電バネゴムの導電バネ列の電気伝導を通じて更に一歩進んで本考案のメモリモジュールのプリント回路と電気的な接続を構成する。
【考案の効果】
【００１２】
このような組立方法において、ＢＧＡメモリを脱着できる方式で本考案のメモリモジュールを組立てることができ、ＢＧＡメモリを修理或いは交換する必要がある時、高温による半田溶解を行う必要がなく、不良のＢＧＡメモリを取り出して新しいＢＧＡメモリに交換することができる。或いは比較的大容量のＢＧＡメモリにアップグレードする必要があった場合でも、使用者自身で比較的大容量のＢＧＡメモリに容易に交換することができる。これにより、本考案のメモリモジュール以下の長所を具える。
イ．ＢＧＡメモリの修理或いは交換に便利である。
ロ．改めて半田ボールの再搭載コスト或いは困難性を省略できる。
ハ．随時ＢＧＡメモリを交換でき、且つ位置決め固定上の問題が生じない。
二．ＢＧＡメモリが高温による破壊を受けることを避けることができる。
ホ．使用者自身で、容易にＢＧＡメモリの交換或いは大容量にアップグレードできる。
ヘ．クリーム半田及び溶接助剤の使用量を減少できるため、環境保全効果を具える。
【実施例】
【００１３】
図２を見ると、本考案であるメモリモジュール２０は、ＢＧＡメモリ７０を脱着できる方式で組立てられたメモリモジュールで、その構造には基板２１及び該基板２１の片面或いは両面上に設けた1個以上のＩＣ収容フレーム３０を含み、且つ各ＩＣ収容フレーム３０の内部にコネクタとして導電バネゴム４０をふ設し、クリーム半田及び溶接助剤を使用する必要がなく、ＢＧＡメモリ７０を脱着できる方式で容易にＩＣ収容フレーム３０の内部に組み立てられることと各ＩＣ収容フレーム３０の内部から嵌合されたＢＧＡメモリ７０を自由に取り出すことができる。
【００１４】
該基板２１の片面或いは両面に複数組の同様な機能を持ったプリント回路２２を具備し、且つ各組プリント回路２２に複数個の回路接点２３を設けて、並びに前記複数個の回路接点２３が該基板２１にＩＣ収容フレーム３０を組み立てられた後、該ＩＣ収容フレーム３０の内部に位置することなり、ＩＣ収容フレーム３０の内部を導電バネゴム４０にふ設する以外に、ふ設した導電バネゴム４０は複数個の回路接点２３を介して対応するプリント回路２２と電気的に接続することで、コネクタとして使用することができる。
【００１５】
図２及び図３を見ると、本考案で開示する導電バネゴム４０は、絶縁用の柔らかいゴシリコンゴム層４１を具備し、且つ該絶縁用の柔らかいシリコンゴム４１に導電バネグループによってマトリクス配列で構成された導電バネ列４５を設けられ、該絶縁用の柔らかいシリコンゴム４１は外力の押圧を受けた時、本考案の導電バネゴム４０の導電バネ列４５が緩衝作用を具え、外力が消失した後、直ちに本来外力を受けていない位置に復帰することができる。また、本考案の導電バネゴム４０は、導電バネ列４５の導電バネを通じて導電特性を持ち、且つ導電バネ列４５の各導電バネは絶縁用の柔らかいシリコンゴム４１の被覆及び保護を受けることで、外力を受けた時に歪み或いは折り曲げが生じないため、長期的に重複して使用しても本来の機能を維持することができる。
【００１６】
これにより、このような導電バネゴム４０は、弾性及び導電特性を持ったゴムコネクタとなり、設置された導電バネ列４５の導電バネにより遮断或いは不通電された回路に回路導通と電流を通す目的を達成させることができる。
【００１７】
これにより、図２及び図４を見ると、ＢＧＡメモリ７０を本考案のメモリモジュール２０のＩＣ収容フレーム３０の内部に嵌合される時、ＢＧＡメモリ７０は底面に設けた半田ボール７５或いは回路接点によって導電バネゴム４０の導電バネ列４５の対応する複数個の導電バネと電気的な接続を構成し、更に接触する導電バネゴム４０の複数個の導電バネ、及び対応するプリント回路２２の複数個の回路接点２３がブリッジとなることで、嵌合されたＢＧＡメモリ７０が対応するプリント回路２２と信頼性を持ち、且つ安定した電気的な接続を構成させることができる。
【００１８】
図２及び図４を見ると、本考案で開示するＩＣ収容フレーム３０には可動蓋５０も設けられ、且つ該可動蓋５０の開閉により、ＩＣ収容フレーム３０の内部がオープン或いはクローズ状態を呈することができる。
【００１９】
ＩＣ収容フレーム３０の内部がオープンさせた時、ＢＧＡメモリ７０を脱着できる方式でＩＣ収容フレーム３０の内部に組立てることができることとＩＣ収容フレーム３０の内部から嵌合されたＢＧＡメモリ７０を自由に取り出すことができる。
【００２０】
可動蓋５０がＩＣ収容フレーム３０の上面を閉めた時、可動蓋５０でＢＧＡメモリ７０を固定する効果を果たすことで  ＢＧＡメモリ７０がＩＣ収容フレーム３０の内部から外れることができない。
【００２１】
これにより、本考案のメモリモジュール２０は、ＢＧＡメモリ７０を組立てる時、表面実装技術を使用する必要もなく、またクリーム半田及び溶接助剤も使用する必要がなく、環境保全効果を具える以外に、随時ＢＧＡメモリ７０を修理、交換することができ、また位置決め固定にも問題がない。
【００２２】
本考案のメモリモジュール２０に不良のＢＧＡメモリ７０があり修理、或いは、交換する必要がある時、嵌合するＩＣ収容フレーム３０から不良のＢＧＡ メモリ７０を取り出して新しいＢＧＡメモリ７０に交換することができる。そのため、ＢＧＡメモリ７０の修理、或いは、交換に非常に便利であるだけでなく、高温による半田溶解を行う必要がなく、ＢＧＡメモリ７０が高温による破壊を避けることができる。
【００２３】
本考案のメモリモジュール２０が比較的大容量のＢＧＡメモリ７０の使用とアップグレードしたい場合、本考案の基板２１には再利用できる特性を具え、基板２１のＩＣ収容フレーム３０に嵌合されたＢＧＡメモリ７０を取り出して、比較的大容量のＢＧＡメモリ７０を交換するだけでアップグレードの目的を達することができる。特に、使用者自身に対して任意の障害が全く無く、容易に交換できる。
【００２４】
本考案のメモリモジュール２０にはその他の応用も可能で、本考案のメモリモジュール２０は、その他の異なる構造の導電ゴムを各ＩＣ収容フレーム３０の内部にふ設することができ、例えば、各ＩＣ収容フレーム３０にピッチが小さく金メッキ導線列を具えたこのような導電ゴムをコネクタとして使用することができる。或いは、図５に示すとおり、本考案のメモリモジュール２０はボールグリッドアレイパッケージではなく底面に電気的な接点８５を具えたフラットタイプＩＣメモリ８０を脱着できる方式で該メモリモジュール２０のＩＣ収容フレーム３０の内部に組み立てることができること、或いはＩＣ収容フレーム３０の内部から自由に嵌合されたフラットタイプＩＣメモリ８０を取り出すことができる。
【００２５】
上記に開示した内容は、最適の具体的な実施例であり、本考案の考案目的と達成できる効果といわゆる同様の効果或いは均等性を構成することであり、且つ当該項目の技術を熟知しているものが容易に完成できる簡単的な修正、修飾、改良、或いは、改変について、本考案が主張している実用新案登録請求の範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来のメモリモジュールの構造見取図である。
【図２】本考案のメモリモジュールが導電バネゴムをコネクタとして用いることでボールグリッドアレイパッケージのＩＣメモリを脱着できる方式で本考案のメモリモジュールの基板上に組み立てることを説明するための本考案で開示するメモリモジュールの構造見取図である。
【図３】図２に示す導電バネゴムの局所構造の拡大図である。
【図４】図２の４--４断面線に沿った断面構造部分の拡大図である。
【図５】本考案で開示するメモリモジュールも、フラットタイプＩＣメモリを脱着できる方式で組み立てることができる構造見取図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０ 従来のメモリモジュール
１１ プリント回路板
１２ プリント回路
１３ 回路接点
２０ メモリモジュール
２１ 基板
２２ プリント回路
２３ 回路接点
３０ ＩＣ収容フレーム
４０ 導電バネゴム
４１ 絶縁用の柔らかいシリコンゴム
４５ 導電バネ列
５０ 可動蓋
７０ ＢＧＡメモリ
７５ 半田ボール
８０ フラットタイプＩＣメモリ
８５ 電気的な接点
【図１】
0003121065.tif 000003
【図２】
0003121065.tif 000004
【図３】
0003121065.tif 000005
【図４】
0003121065.tif 000006
【図５】
0003121065.tif 000007