【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた第１の半導体層及び第２の半導体層と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられた前記第１の半導体層と重なるゲート配線と、
前記第２の半導体層の上方に位置する前記第１絶縁膜上に設けられた容量配線と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた島状のソース配線と、
前記ゲート配線、前記容量配線、及び前記島状のソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記島状のソース配線及び前記第１の半導体層と接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に前記第１の半導体層と接続された画素電極と、
を有し、
前記画素電極の一部は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記島状のソース配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記島状のソース配線は、画素毎に複数配置されており、前記島状のソース配線は、それぞれ前記接続電極によって接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記画素電極は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶と、
を有し、
前記第１の基板上には薄膜トランジスタを有する画素部及び駆動回路が設けられ、
前記画素部は、半導体層と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられたゲート配線、島状のソース配線、及び容量配線と、
前記ゲート配線、前記島状のソース配線、及び前記容量配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記島状のソース配線及び前記半導体層に接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に前記半導体層に接続された画素電極と、を有し、
前記画素電極の一部は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記島状のソース配線と重なっており、
前記第２の基板上には、前記画素部の各画素に対応した赤色、青色、及び緑色のカラーフィルタを有し、
前記第２の基板上の前記赤色のカラーフィルタと前記青色のカラーフィルタとの積層膜は、前記第１の基板上の前記薄膜トランジスタと重なる遮光膜となることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１絶縁膜を間に挟んで前記容量配線と前記半導体層とが重なっている領域には、前記第１絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隔は、前記赤色のカラーフィルタと前記青色のカラーフィルタと前記緑のカラーフィルタとの積層膜からなるスペーサで保持されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に設けられた第１の半導体層及び第２の半導体層と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられた前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、
前記第１絶縁膜上に設けられた前記第２の半導体層と重なる第２の電極と、
前記第１絶縁膜上に設けられたソース配線と、
前記第１の電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記第１の電極に接続されたゲート配線と、前記ソース配線及び前記第１の半導体層と接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に前記第１の半導体層と接続された画素電極とを有し、
前記画素電極の一部は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記ソース配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶と、
を有し、
前記第１の基板上には薄膜トランジスタを有する画素部及び駆動回路が設けられ、
前記画素部は、第１の半導体層及び第２の半導体層と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられた前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、
前記第１絶縁膜上に設けられた前記第２の半導体層と重なる第２の電極と、
前記第１絶縁膜上に設けられたソース配線と、
前記第１の電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記第１の電極に接続されたゲート配線と、前記ソース配線及び前記第１の半導体層と接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に前記第１の半導体層と接続された画素電極と、を有し、
前記画素電極の一部は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記ソース配線と重なっており、
前記第２の基板上には、前記画素部の各画素に対応した赤色、青色、及び緑色のカラーフィルタを有し、
前記第２の基板上の前記赤色のカラーフィルタと前記青色のカラーフィルタとの積層膜は、前記第１の基板上の前記薄膜トランジスタと重なることにより前記薄膜トランジスタを遮光することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記第１の半導体層と重なる第１の電極は、ゲート電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、前記第１絶縁膜を誘電体として、前記画素電極に接続された前記第２の半導体層と、隣りあう画素のゲート配線と接続された前記第２の電極とで保持容量を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一において、前記第１の半導体層は、半導体に一導電型を付与する不純物元素を含んでおり、前記第２の半導体層は、前記一導電型とは逆の導電型を半導体に付与する不純物元素を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記ゲート配線は、一導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素を主成分とする膜またはそれらの積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第２絶縁膜は、シリコンを主成分とする第１の絶縁層と、有機樹脂材料から成る第２の絶縁層とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１または請求項４において、
前記ゲート配線はゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、端部がテーパー形状である下層の導電層と、前記下層の導電層より狭い幅を有する上層の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９において、
前記ゲート電極は、端部がテーパー形状である下層の導電層と、前記下層の導電層より狭い幅を有する上層の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられたソース配線と、
前記第１絶縁膜上に前記第１絶縁膜を間に挟んで前記半導体層と重なるゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記ゲート電極と接続されたゲート配線と、前記ソース配線及び前記半導体層と接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に前記半導体層と接続された画素電極とを有し、
前記画素電極の一部は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記ソース配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶と、
を有し、
前記第１の基板上には薄膜トランジスタを有する画素部及び駆動回路が設けられ、
前記画素部は、半導体層と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられたソース配線と、
前記第１絶縁膜上に前記第１絶縁膜を間に挟んで前記半導体層と重なるゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記ゲート電極と接続されたゲート配線と、前記ソース配線及び前記半導体層と接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に前記半導体層と接続された画素電極と、を有し、
前記画素電極の一部は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記ソース配線と重なっており、
前記第２の基板上には、前記画素部の各画素に対応した赤色、青色、及び緑色のカラーフィルタを有し、
前記第２の基板上の前記赤色のカラーフィルタと前記青色のカラーフィルタとの積層膜は、前記第１の基板上の前記薄膜トランジスタと重なることにより前記薄膜トランジスタを遮光することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記ゲート電極は、端部がテーパー形状である下層の導電層と、前記下層の導電層より狭い幅を有する上層の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一において、
前記半導体装置は、反射型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１８のいずれか一において、
前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
絶縁表面上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なるゲート配線と、前記第２の半導体層の上方に位置する第１絶縁膜上に容量配線と、前記第１の絶縁膜上に島状のソース配線とを形成し、
前記ゲート配線、前記容量配線、及び前記島状のソース配線を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上に前記島状のソース配線と前記第１の半導体層とを接続する接続電極と、前記島状のソース配線と重なる画素電極とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
第１の基板上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なるゲート配線と、前記第２の半導体層の上方に位置する第１絶縁膜上に容量配線と、前記第１の絶縁膜上に島状のソース配線とを形成し、
前記ゲート配線、前記容量配線、及び前記島状のソース配線を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上に前記島状のソース配線と前記第１の半導体層とを接続する接続電極と、前記島状のソース配線と重なる画素電極とを形成し、
第２の基板に、各画素電極に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルタを形成すると同時に、少なくとも前記第１の半導体層と重なるように、前記赤色のカラーフィルタと前記青色カラーフィルタとの積層膜からなる遮光膜を形成し、
前記第１の基板と第２の基板との間に液晶を挟持させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
絶縁表面上に結晶質半導体膜からなる第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、前記第２の半導体層と重なる第２の電極と、ソース配線とを形成し、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上に前記第１の電極と接続するゲート配線と、前記第１の半導体層と前記ソース配線とを接続する接続電極と、前記ソース配線と重なる画素電極とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
第１の基板上に結晶質半導体膜からなる第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、前記第２の半導体層と重なる第２の電極と、ソース配線とを形成し、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上に前記第１の電極と接続するゲート配線と、前記第１の半導体層と前記ソース配線とを接続する接続電極と、前記ソース配線と重なる画素電極とを形成し、
第２の基板に、各画素電極に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルタを形成すると同時に、少なくとも前記第１の半導体層と重なるように、前記赤色のカラーフィルタと前記青色カラーフィルタとの積層膜からなる遮光膜を形成し、
前記第１の基板と第２の基板との間に液晶を挟持させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２３または請求項２４において、前記画素電極と接続された前記第２の半導体層は、隣りあう画素のゲート配線と接続された前記第２の電極と前記第１絶縁膜を間に挟んで重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２１乃至２５のいずれか一において、
前記第２絶縁膜は、シリコンを成分とする第１の絶縁層と、有機樹脂材料から成る第２の絶縁層との積層膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２１乃至２６のいずれか一において、
前記第２絶縁膜は、酸化シリコンまたは窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンから成る第１の絶縁層と、ポリイミドまたはアクリルまたはポリアミドまたはポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンからなる第２の絶縁層との積層膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２１または請求項２２において、
前記ゲート配線はゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、端部がテーパー形状である下層の導電層と、前記下層の導電層より狭い幅を有する上層の導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２３または請求項２４において、
前記第１の電極はゲート電極であり、
前記ゲート電極は、端部がテーパー形状である下層の導電層と、前記下層の導電層より狭い幅を有する上層の導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。