【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】ａ）多結晶シリコンロッドを細分化する段階と、  ｂ）段階ａ）での生成物をステップデッキ選別器を用いて選別することにより粒度分布を制御する段階と、  ｃ）段階ａ）あるいは段階ｂ）またはその両方の段階での生成物から不純物を除去する段階と、を備えた方法。    【請求項２】段階ａ）を、ジョークラッシャーを用いることを含む手法によって実施する請求項１に記載の方法。    【請求項３】段階ｃ）を、段階ｂ）での生成物を磁場に曝すことを含む手法によって実施する請求項１に記載の方法。    【請求項４】段階ｃ）を、段階ｂ）での生成物を表面清浄化処理することを含む手法によって実施する請求項１に記載の方法。    【請求項５】請求項１に記載の方法によって製造された流動性チップ。    【請求項６】化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ ｐｐｍａ を超えないレベルのバルク不純物と１５ ｐｐｂａ を超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る流動性チップ。    【請求項７】バルク不純物が０．０６ ｐｐｂａ 以下の量のホウ素と０．３０ｐｐｂａ 以下の量のドナーと０．０２ ｐｐｂａ 以下の量の燐と０．１７ ｐｐｍａ 以下の量の炭素とであり、かつ、全バルク金属不純物が４．５ ｐｐｂａ 以下の量である請求項６に記載の流動性チップ。    【請求項８】全バルク金属不純物が１ ｐｐｂａ 以下の量で存在する請求項７に記載の流動性チップ。    【請求項９】全バルク金属不純物が０．０１ ｐｐｂａ 以下の量であるＣｒと０．０１ ｐｐｂａ 以下の量であるＣｕと０．０１ ｐｐｂａ 以下の量であるＦｅと０．０１ ｐｐｂａ 以下の量であるＮｉとを含む請求項８に記載の流動性チップ。    【請求項１０】表面不純物が０．０６ ｐｐｂａ 以下の量であるＣｒと０．１５ ｐｐｂａ 以下の量であるＣｕと１０ ｐｐｂａ 以下の量であるＦｅと０．９ ｐｐｂａ 以下の量であるＮａと０．１ ｐｐｂａ 以下の量であるＮｉと０．６ ｐｐｂａ 以下の量であるＺｎとである請求項６に記載の流動性チップ。    【請求項１１】請求項６に記載の流動性チップを、初期装填の最大化と、初期充填と、再装填と、再装填の最大化と、再装填の充填と、これらの組合せとから選択された用途において使用することを備えた方法。    【請求項１２】請求項６に記載の流動性チップを、太陽電池キャスティング法と、定形成長法と、誘導プラズマ法と、電子ビーム溶融法と、熱交換法と、ストリングリボン法と、基板上にシリコンをキャストすることを含む手法と、焼結法と、結晶引き上げ法とからなる群から選択された手法に使用することを具備する方法。    【請求項１３】ａ）チョクラルスキー法でルツボからシリコンインゴットを引き上げる段階と；  ｂ）ルツボ内の溶融シリコンに流動性チップを加える段階であって、該流動性チップが、化学的気相成長法で製造されかつ低レベルのバルク不純物と低レベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成るところの段階と；  ｃ）任意でルツボにドーパントを加える段階と、を備えた方法。    【請求項１４】段階ａ）と段階ｂ）とを同時に実施する請求項１３に記載の方法。    【請求項１５】段階ｂ）を連続的に実施する請求項１４に記載の方法。    【請求項１６】段階ｂ）の前に段階ａ）を実施する請求項１３に記載の方法。    【請求項１７】段階ｂ）を一バッチ毎に実施する請求項１６に記載の方法。    【請求項１８】段階ｂ）を、定量フィーダ装置、キャニスターフィーダ装置、重量ベルトフィーダ装置、振動フィーダ装置、チップスラスタフィーダ装置、空気圧輸送フィーダ装置、停滞流送り出しランスフィーダ装置、回転盤フィーダ装置、又はオーガフィーダ装置のうちのいずれかのフィーダ装置を用いて実施する請求項１３に記載の方法。    【請求項１９】段階ｂ）を、振動フィーダ装置を用いて、  ｉ）流動性チップを収容しているホッパーを真空に引くかあるいは該ホッパーに不活性ガスを入れるか又はその両方を行う段階と、  ｉｉ）ホッパーからフィード装置へ流動性チップを供給する段階と、  ｉｉｉ）振動フィーダ装置の全てあるいはその一部を振動させ、それによって流動性チップをフィード装置を介してルツボまで移動させる段階と、を備えた工程によって実施する請求項１３に記載の方法。    【請求項２０】流動性チップが０．２ ｍｍ から４５ ｍｍ の粒度分布を有する請求項１３に記載の方法。    【請求項２１】流動性チップが不規則なモルフォロジィを有する請求項１３に記載の方法。    【請求項２２】流動性チップが、２０ ｐｐｂａ 以下のレベルのホウ素か、０．３０ ｐｐｂａ 以下のレベルのドナーか、０．０２ ｐｐｂａ 以下のレベルの燐か、０．１７ ｐｐｍａ 以下のレベルの炭素か、４．５ ｐｐｂａ 以下のレベルのバルク金属不純物か、又はこれらの組合せのうちのいずれかの低レベルのバルク不純物を有する請求項１３に記載の方法。    【請求項２３】流動性チップが、３０ ｐｐｂａ 以下のＣｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｗ又はＺｎである低レベルの表面不純物を有する請求項１３に記載の方法。    【請求項２４】ａ）チョクラルスキー法でルツボからシリコンインゴットを引き上げ、ルツボにヒールを残す段階と；  任意に、ｂ）少なくともヒールの表面を固化する段階と；  ｃ）ヒールの表面に流動性チップを加える段階であって、該流動性チップが、化学的気相成長法で製造されかつ低レベルのバルク不純物と低レベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン粒子で構成される多結晶シリコン粒子群であって、しかも１ ｍｍ から１２ ｍｍ の制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン粒子群から成るところの段階と； ｄ）任意でルツボにドーパントを加える段階と、を備えた方法。    【請求項２５】段階ｃ）を、一バッチ毎に実施する請求項２４に記載の方法。    【請求項２６】段階ｃ）を、定量フィーダ装置、キャニスターフィーダ装置、重量ベルトフィーダ装置、振動フィーダ装置、チップスラスタフィーダ装置、空気圧輸送フィーダ装置、停滞流送り出しランスフィーダ装置、回転盤フィーダ装置、又はオーガフィーダ装置のうちのいずれかのフィーダ装置を用いてを実施する請求項２４に記載の方法。    【請求項２７】���階ｃ）を、  ｉ）キャニスターを流動性チップで充填する段階と、  ｉｉ）キャニスターを真空に引く段階と、  ｉｉｉ）キャニスターをヒールの上の高さまで移動する段階と、  ｉｖ）キャニスターを開口して流動性チップをキャニスターから放出してルツボに入れる段階と、  ｖ）ルツボが所望の深さに充填されるまで段階ｉ）、ｉｉ）、ｉｉｉ）及びｉｖ）を繰り返す段階と、を備えた手法によって実施する請求項２４に記載の方法。    【請求項２８】流動性チップが４ ｍｍ から１０ ｍｍ の制御された粒度分布を有する請求項２４に記載の方法。    【請求項２９】流動性チップが不規則なモルフォロジィを有する請求項２４に記載の方法。    【請求項３０】流動性チップが、２０ ｐｂｂａ 以下のレベルのホウ素か、０．３０ ｐｐｂａ 以下のレベルのドナーか、０．０２ ｐｐｂａ 以下のレベルの燐か、０．１７ ｐｐｍａ 以下のレベルの炭素か、４．５ ｐｐｂａ 以下のレベルのバルク金属不純物か、又はこれらの組合せのいずれかの低レベルのバルク不純物を有する請求項２４に記載の方法。    【請求項３１】流動性チップが、３０ ｐｐｂａ 以下のＣｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｗ又はＺｎである表面不純物レベルを有する請求項２４に記載の方法。    【請求項３２】１）所望の断面形状を画定する壁を備えた鋳型に請求項６に記載の流動性チップを備える半導体材料を導入する段階と、  ２）半導体材料を溶融する段階と、  ３）段階２）の後に半導体材料を固化して所望の断面形状を有する鋳造インゴットを製造する段階と、を備えた方法。    【請求項３３】１）誘導コイル内に配置された無底容器に請求項６記載の流動性チップを連続的に供給する段階と、  ２）連続的に供給された流動性チップを溶融する段階と、  任意で、３）溶融物の表面上に高温プラズマガスを吹きかける段階と、  ４）固化したシリコンを前記無底容器から下流へ連続的に放出する段階と、を備えた方法。    【請求項３４】請求項６記載の流動性チップを溶融することによって溶融シリコンを生成するという条件の下で、ダイのエッジで画定された溶融シリコンのメニスカスからシリコンリボンを引く段階を備えた方法。    【請求項３５】１）高周波数プラズマトーチを用いて請求項６記載の流動性チップを溶融する段階と、  ２）段階１）での生成物を水冷型ルツボへ若しくは成長中の結晶シリコン体上へ導く段階と、を備えた方法。    【請求項３６】１）電子ビームで請求項６記載の流動性チップを溶融する段階と、  ２）段階１）の生成物をキャスティングする段階と、を備えた方法。    【請求項３７】ＨＥＭ炉でインゴットを製造する段階を備えた方法であって、  前記ＨＥＭ炉はルツボの底部に接続されたヘリウム熱交換器を有する加熱要素で囲繞されたルツボを収容するチャンバを備えたものであり：  １）種結晶の最上部に請求項６記載の流動性チップを載置してルツボを充填する段階と、  ２）前記チャンバを排気する段階と、  ３）前記加熱要素を加熱して流動性チップを溶融する段階と、  ４）熱交換器を介してヘリウムガスを流し、それによって前記種結晶が溶融するのを回避する段階と、  ５）ガス流を漸増させ、それによってシリコンを漸進的に固化させ、種結晶の外側に結晶を成長させる段階と、を��えた方法。    【請求項３８】請求項６記載の流動性チップを用いて浅いシリコン溶融物をはじめに装填し、あるいは、請求項６記載の流動性チップを用いて再装填し、又は、その両方によって装填するという条件の下で、  １）２つのストリングと種結晶とを前記浅いシリコン溶融物から垂直に引き上げる段階と、  ２）ストリングと種結晶とを前記浅いシリコン溶融物からの溶融シリコンで濡らし、前記ストリング間のスペースを充填する段階と、  ３）段階２）での生成物を冷却してシリコンリボンを製造する段階と、を備えた方法。    【請求項３９】請求項６記載の流動性チップをルツボに装填し、あるいは、請求項６記載の流動性チップでルツボを再装填し、又は、その両方によって装填するという条件の下で、  １）流動性チップを溶融してルツボに溶融シリコン溜まりを供給する段階と、  ２）ルツボからの溶融シリコンを基板上に適用して、それによってシリコンウェハーを製造する段階とを備えた方法。    【請求項４０】１）容器を請求項６記載の流動性チップで充填する段階と、  ２）容器を局所的な加熱領域で局所的に加熱することにより、多結晶シリコン片の一部を溶融して焼結部分と溶融部分とを形成する段階と、  ３）前記局所的な加熱領域を容器の長軸方向に移動させて、溶融部分の固化と、焼結部分の溶融と、新しい焼結部分の形成とを交互に行い；それによって容器内にシリコンインゴットを形成する段階とを備えた方法。    【請求項４１】Ｉ）振動モータアセンブリと、  ＩＩ）前記振動モータアセンブリに取り付けたステップデッキ選別器とを備えた装置であって、    前記ステップデッキ選別器が、    ｉ）第１デッキであって、      ａ）溝形成領域への第１デッキ投入口端を備え、      ｂ）前記溝形成領域は、前記第１デッキ投入口端からあるいは該第１デッキ投入口端の近傍から延在しており、かつ各溝は尾根部と谷部とを備えており、      ｃ）溝の尾根部の方が溝の谷部よりも第１デッキと最終デッキとの間の第１ギャップを越えて突出するように第１デッキ出口端に傾斜が設けられている第１デッキ出口端、を備えた第１デッキと、    ｉｉ）前記第１ギャップの下流でかつ前記第１デッキの下方に配置された前記最終デッキであって、      ａ）最終デッキ投入口端と、      ｂ）最終デッキ投入口端からあるいは該最終デッキ投入口端の近傍から延在した溝形成領域であって、各溝が尾根部と谷部とを備えてなる溝形成領域と、      ｃ）最終デッキ出口端と、を備えた最終デッキと、    ｉｉｉ）第１ギャップを抜けて落ちた物品を収集するために第１ギャップの下に設置された収集容器と、    ｉｖ）第１ギャップを抜けずに落ちなかった物品を収集するために出口の下に設置された過大寸法物品用収集容器と、を備えた装置。    【請求項４２】第１デッキと最終デッキとの間に追加デッキを備え、該追加デッキが、  ａ）追加デッキ投入口端と、  ｂ）追加デッキ投入口端からあるいは該追加デッキ投入口端の近傍から延在した溝形成領域であって、各溝が尾根部と谷部とを備えてなる溝形成領域と、 ｃ）溝の尾根部の方が溝の谷部よりも追加デッキ出口端における追加ギャップを越えて突出するように傾斜が設けられている追加デッキ出口端と、を備えた請求項４１に記載の装置。    【請求項４３】ｉｉｉ）の収集容器の下に重量計を備えた請求項４１に記載の装置。    【請求項４４】ステップデッキ選別器が、第１ギャップの上流に配置されたダスト除去装置を備えた請求項４１に記載の装置。    【請求項４５】物品が多結晶シリコン片である請求項４１に記載の装置。