【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、処理を施される前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項２】
基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の現像進行中は前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気及び第一の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項３】
基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板を支持した状態で現像処理工程を行う際は前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記基板を真空吸着にて保持した状態でリンス工程を行う際は前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項４】
処理室内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を真空吸着により保持し前記基板に対して現像液を供給する第一の工程と、前記基板の裏面側を支持し現像処理を進行させる第二の工程と、を具備し、前記第一と第二の工程において前記処理室内の気流の流れを変化せしめることを特徴とする現像方法。
【請求項５】
処理室内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持し前記基板に対して現像液を供給する第一の工程と、前記基板裏面側を支持し現像処理を進行させる第二の工程と、前記基板の裏面側を真空吸着により保持し前記基板に対してリンス液を供給する第三の工程と、を具備し、前記第一の工程又は／及び第三の工程と第二の工程とにおいて前記処理室内の気流の流れを変化せしめることを特徴とする現像方法。
【請求項６】
処理室内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を真空吸着により保持し前記基板に対して現像液を供給した後、基板上の現像液濃度を変化せしめる第一の工程と、前記基板裏面側を支持し現像処理を進行させる第二の工程と、を具備し、前記第一と第二の工程において前記処理室内の気流の流れを変化せしめることを特徴とする現像方法。
【請求項７】
カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持或いは保持し前記基板及びカップに対して同時に現像液を供給する工程を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項８】
カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持或いは保持し前記基板及びカップに対して同時に現像液を供給する工程と、前記基板上の現像液の濃度を変化させる工程を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項９】
カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記カップ内の第一の領域で基板を囲い現像液を供給する工程と、前記カップ内の前記第一の領域より狭い第二の領域で基板を囲いリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項１０】
カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記カップ外の領域を排気しつつ前記基板の裏面側を支持し前記基板及びカップに対して現像液を供給する工程と、前記カップ内の領域と前記カップ外の領域を同時に排気しつつ前記基板の裏面側を保持し前記基板にリンス液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項１１】
カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記基板の裏面側を支持する工程と、前記基板の裏面側を真空吸着により保持した後で再度前記基板の裏面側を支持し前記基板に対して現像液を供給する工程と、を具備したことを特徴とする現像方法。
【請求項１２】
基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の周囲に配置される第一の囲い体と、この第一の囲い体の周囲に配置される第二の囲い体と、この第二の囲い体と前記第一の囲い体との間の領域及び前記第一の囲い体内の領域を各々独立して及び／又は同時に排気自在に構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項１３】
基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の周囲に配置される第一の囲い体と、この第一の囲い体の周囲に配置される第二の囲い体と、前記第一の囲い体内に配置され前記基板を支持する支持機構と、前記第一の囲い体内に配置され前記基板を真空吸着により保持する保持機構と、前記支持機構で前記基板が支持されている際は前記第一の囲い体と前記第二の囲い体との間の領域から排気する排気機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項１４】
前記第一の囲い体は上下動自在に構成されていることを特徴とする請求項１２又は１３記載の現像装置。
【請求項１５】
カップ内で基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側を支持或いは保持し前記基板及びカップに対して現像液を供給する現像液供給機構を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項１６】
基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する液進入防止機構と、この液進入防止機構に設けられ前記基板を支持する支持機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項１７】
基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する防止部を備えた液進入防止機構と、この液進入防止機構の前記防止部より前記基板の中心部方向に設けられ前記基板を支持する複数の支持機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項１８】
カップ内にて基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する防止部を備えた液進入防止機構と、この液進入防止機構の前記防止部より前記基板の中心部方向に設けられ前記基板を支持する複数の支持機構と、この支持機構により前記基板が支持され現像処理進行中は前記カップ内からの排気を停止する制御機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項１９】
基板上の露光済みレジストを現像する装置であって、前記基板の周囲に配置される第一の囲い体と、この第一の囲い体の周囲に配置される第二の囲い体と、前記第一の囲い体内に配置され前記基板を真空吸着により保持する保持機構と、前記第一の囲い体内に配置され且つ前記基板の裏面側に配置され現像液が前記基板裏面の中心部に進入するのを防止する液進入防止機構と、この液進入防止機構に設けられ前記基板を支持する複数の支持機構と、前記第二の囲い体と前記第一の囲い体との間の領域及び前記第一の囲い体内の領域を同時或いは選択的に排気自在に構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする現像装置。
【請求項２０】
前記液進入防止機構は上下動自在に構成されていることを特徴とする請求項１６，１７，１８又は１９記載の現像装置。
【請求項２１】
基板に処理液を供給して処理を施す方法であって、前記基板の周辺の第一の周辺域から排気する工程と、前記第一の周辺域と前記基板との間の第二の周辺域から排気及び第一の周辺域から排気する工程と、を具備したことを特徴とする液処理方法。
【請求項２２】
温・湿度コントロールされた気体が供給される処理室内に配置されたカップ内で基板に処理液を供給して処理を施す方法であって、前記温・湿度コントロールされた気体の供給を停止せずに前記基板の処理中は前記カップ内からの排気を低下又は停止し、前記カップ外から前記気体を排気することを特徴とする液処理方法。
【請求項２３】
処理室内に配置されたカップ内で基板に処理液を供給して処理を施す装置であって、前記カップの上下動の動作と連動し前記処理室内の気流の流れを変化せしめる気流変動機構を具備したことを特徴とする液処理装置。
【請求項２４】
被処理基板上の露光済みレジストを現像する現像装置または／及び被処理基板にレジスト液を供給して塗布する塗布装置を備えた基板処理装置であって、前記現像装置または／及び塗布装置内に設けられ前記被処理基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、この囲い体と前記基板囲い体との間の領域及び前記基板囲い体内の領域を各々独立してまたは／及び同時に排気自在に構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２５】
前記現像装置には、基板囲い体の上面高さ位置と被処理基板の処理面とを略同一の高さ位置に相対的に移動し設定する設定手段が設けられ前記塗布装置には基板囲い体内と囲い体内とを被処理基板の下方位置にて、連通または遮断自在に構成された開閉機構により基板囲い体内側に設けられた排気機構により前記囲い体と前記基板囲い体との間の領域及び前記基板囲い体内の領域を同時にかつ一定排気量を維持しつつ排気することを特徴とする請求項２４に記載の基板処理装置。
【請求項２６】
被処理基板上の露光済みレジストを現像する現像装置を備えた基板処理装置であって、前記現像装置内に設けられ前記被処理基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、前記基板囲い体の上面高さ位置と被処理基板の処理面とを略同一の高さ位置に相対的に移動し設定する設定手段と、前記被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構により現像液が盛られた被処理基板の現像進行中は前記囲い体と前記基板囲い体との間の領域から排気する排気機構と、前記被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、このリンス液供給機構により供給される被処理基板のリンス処理中は前記基板囲い体内の領域から排気する前記排気機構とは異なる排気機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２７】
被処理基板上の露光済みレジストを現像する現像装置を備えた基板処理装置であって、前記現像装置内に設けられ前記被処理基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、前記基板囲い体の上面高さ位置と被処理基板の処理面とを略同一の高さ位置に相対的に移動し設定する設定手段と、前記被処理基板に対して現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構により現像液が盛られた被処理基板の現像進行中は前記囲い体と前記基板囲い体との間の領域から排気及び現像液を回収する排気排液機構と、前記被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、このリンス液供給機構により供給される被処理基板のリンス処理中は前記基板囲い体内の領域から排気及びリンス液を回収する前記排気排液機構とは異なる排気排液機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２８】
被処理基板上の露光済みレジストを現像する現像装置を備えた基板処理装置であって、前記現像装置内に設けられ前記被処理基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、前記基板囲い体の上面高さ位置と被処理基板の処理面とを略同一の高さ位置に相対的に移動し設定する設定手段と、前記被処理基板と基板囲い体に対して同時に現像液を供給する現像液供給機構と、この現像液供給機構により現像液が盛られた被処理基板の現像進行中及び前記被処理基板と基板囲い体に対して同時に現像液を供給する際は前記囲い体と前記基板囲い体との間の領域から排気及び現像液を回収する排気排液機構と、前記被処理基板に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、このリンス液供給機構により供給される被処理基板のリンス処理中は前記基板囲い体内の領域から排気及びリンス液を回収する前記排気排液機構とは異なる排気排液機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２９】
前記設定手段による被処理基板の処理面とを略同一の高さ位置の関係は、前記基板囲い体と被処理基板とにて前記現像液を表面張力で保持しうる位置関係であることを特徴とする請求項２５から請求項２８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３０】
前記設定手段には、前記被処理基板の裏面より複数の点接触または線接触で支持する支持機構と、この支持機構を上下動自在に構成された移動機構と、前記支持機構に備えられ被処理基板の裏面と現像液または／及びリンス液を表面張力で保持するよう構成されたリング部材と、を具備したことを特徴とする請求項２５から請求項２９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３１】
前記リング部材には、内側に第一の傾斜部を有し外側に第二の傾斜部を有し第二の傾斜部は第一の傾斜部より鋭角に構成されていることを特徴とする請求項２５から請求項３０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３２】
前記リング部材の上部には凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項２５から請求項３１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３３】
前記支持機構の被処理基板の裏面と接触する接触部には支持機構の他の部分より熱伝導率の低い部材または／及び弾性部材または／及び摩擦抵抗が大きい部材にて形成されていることを特徴とする請求項２５から請求項３２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３４】
前記リング部材に対して洗浄液を供給する洗浄液供給機構または／及び前記リング部材に対して気体を供給する気体供給機構をさらに設けたことを特徴とする請求項２５から請求項３３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３５】
前記リング部材に液の流れを促進する溝部をさらに設けたことを特徴とする請求項２５から請求項３４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３６】
前記リング部材と被処理基板の裏面との間に対して所定の液を供給する液供給機構をさらに設けたことを特徴とする請求項２５から請求項３５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３７】
前記基板処理装置にはさらに基板にレジスト液を供給して塗布する塗布装置を備え、その塗布装置には内部に前記基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、この囲い体と前記基板囲い体との間の領域及び前記基板囲い体内の領域を同時に排気自在に構成された排気機構を具備したことを特徴とする請求項２６から請求項３６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３８】
前記基板処理装置にはさらに基板にレジスト液を供給して塗布する塗布装置を備え、その塗布装置には内部に前記基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、この囲い体と前記基板囲い体との間の領域及び前記基板囲い体内の領域を同時に排気自在に構成され基板囲い体内にのみ設けられた排気機構を具備したことを特徴とする請求項２６から請求項３６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３９】
前記基板処理装置にはさらに基板にレジスト液を供給して塗布する塗布装置を備え、その塗布装置には内部に前記基板の周囲に配置される基板囲い体と、この基板囲い体の周囲に配置される囲い体と、基板囲い体内側に設けられた排気機構により前記囲い体と前記基板囲い体との間の領域及び前記基板囲い体内の領域を同時にかつ一定排気量を維持しつつ排気することを特徴とする請求項２６から請求項３６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４０】
前記基板処理装置にはさらに前記現像装置を複数積層して配置する現像装置配置部及び前記塗布装置を複数積層して配置する塗布装置配置部を有しており、複数の現像装置の排気を一括して下方向に排気する現像装置排気路と複数の塗布装置の排気を一括して下方向に排気する塗布装置排気路とを具備したことを特徴とする請求項２４から請求項３９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４１】
前記基板処理装置にはさらに前記現像装置を複数積層して配置する現像装置配置部及び前記塗布装置を複数積層して配置する塗布装置配置部を接設して配置しており、複数の現像装置の排気を一括して下方向に排気する現像装置排気路と複数の塗布装置の排気を一括して下方向に排気する塗布装置排気路とを具備し現像装置排気路は現像装置配置部の塗布装置配置部側または塗布装置排気路は塗布装置配置部の現像装置配置部側に配置されていることを特徴とする請求項２４から請求項３９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４２】
前記基板処理装置にはさらに前記現像装置を複数積層して配置する現像装置配置部及び前記塗布装置を複数積層して配置する塗布装置配置部を有しており、複数の現像装置の排気を一括して垂直に下方向に排気する現像装置排気路と複数の塗布装置の排気を一括して垂直に下方向に排気する塗布装置排気路と、これら塗布装置排気路と現像装置排気路の直下で無い位置かつ現像装置配置部及び塗布装置部の下方位置に現像液または／及びリンス液または／及びレジスト液の収納容器を配置したことを特徴とする請求項２４から請求項３９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４３】
前記現像装置内または／及び前記塗布装置内の雰囲気は他の領域に比べ酸素濃度または／及び酸性ガスまたは／及び塩基性ガスまたは／及び湿度の量が低くなるように設定されていることを特徴とする請求項２４から請求項４２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４４】
前記基板囲い体は円状であり前記囲い体は円状または角状であることを特徴とする請求項２４から請求項４３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４５】
前記現像装置内または／及び前記塗布装置内の雰囲気は他の領域に比べ内部圧力が高く設定されていることを特徴とする請求項２４から請求項４４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４６】
前記基板囲い体内の排気面積は前記囲い体内の排気面積より小さい面積であることを特徴とする請求項２４から請求項４５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４７】
請求項１２から請求項２０、請求項２２、請求項２４から請求項４５のいずれかに記載の装置を使用して被処理基板を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４８】
請求項１から請求項１１、請求項２１のいずれかに記載の方法、又は請求項１２から請求項２０、請求項２２、請求項２４から請求項４６のいずれかに記載の装置を使用して被処理基板を製造することを特徴とする基板製造方法。