【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記基板には、その表面の少なくとも一部に、点状、ストライプ状、又は格子状の島状態の、段差が設けられており、
前記基板の前記段差の上段面を核として、前記基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
基板上にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記基板には、その表面の少なくとも一部に、点状、ストライプ状、又は格子状の島状態の、段差が設けられており、
前記基板の前記段差の上段面に形成されたバッファ層と、
当該バッファ層を核として、前記基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
基板上にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記基板には、その表面の少なくとも一部に、点状、ストライプ状、又は格子状の島状態の、段差が設けられており、
前記基板の前記段差の上段面に形成されたバッファ層と、
当該バッファ層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る単結晶層と、
当該単結晶層を核として、前記基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
基板上にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記基板には、その表面の少なくとも一部に、点状、ストライプ状、又は格子状の島状態の、平滑度の悪化した部分が設けられていることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記基板の平滑度の悪化していない部分を核として、前記基板の平滑度の悪化した部分をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記基板の平滑度の悪化していない部分に形成されたバッファ層と、
当該バッファ層を核として、前記基板の平滑度の悪化した部分をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項７】
前記基板の平滑度の悪化していない部分に形成されたバッファ層と、
当該バッファ層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る単結晶層と、
当該単結晶層を核として、前記基板の平滑度の悪化した部分をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するため、請求項１乃至請求項３に記載の発明は、基板上にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、基板には、その表面の少なくとも一部に、点状、ストライプ状、又は格子状の島状態の、段差が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、更に、基板の段差の上段面を核として、基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、更に、基板の段差の上段面に形成されたバッファ層と、当該バッファ層を核として、基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、更に、基板の段差の上段面に形成されたバッファ層と、当該バッファ層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る単結晶層と、当該単結晶層を核として、基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項４に記載の発明は、基板上にIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、基板には、その表面の少なくとも一部に、点状、ストライプ状、又は格子状の島状態の、平滑度の悪化した部分が設けられていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、基板の平滑度の悪化していない部分を核として、基板の平滑度の悪化した部分をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項６に記載の発明は、請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、基板の平滑度の悪化していない部分に形成されたバッファ層と、
当該バッファ層を核として、基板の平滑度の悪化した部分をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項７に記載の発明は、請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、基板の平滑度の悪化していない部分に形成されたバッファ層と、当該バッファ層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る単結晶層と、当該単結晶層を核として、基板の平滑度の悪化した部分をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
〔請求項１乃至３に係る発明〕
図１の（ａ）のように、基板１を、ストライプ状又は格子状等の島状態に削り、段差を設ける。次にバッファ層２を形成する。以下、図１の（ｂ）のように、バッファ層２が、主に基板１の段差の上段面に形成される部分２１と段差の下段面に形成される部分２２とから成る場合を説明する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
〔請求項４乃至７に係る発明〕
図７の（ａ）のように、基板１表面に例えばエッチング、罫描きなどにより荒れた部分Ａを形成し、荒れていない部分がストライプ状又は格子状等の島状態となるようにする。ここにバッファ層２を形成すると、表面の荒れていない部分に形成されたバッファ層２１と比較し、表面の荒れた部分Ａに形成されるバッファ層２２は表層に均一な結晶層ができず、且つ成長速度が遅い（図７の（ｂ））。ここにIII族窒化物系化合物半導体３を縦及び横方向エピタキシャル成長させると、主に表面の荒れていない部分に形成されたバッファ層２１を核として単結晶層が速い速度で形成され、表面の荒れた部分Ａに形成されるバッファ層２２をも横方向に成長することで覆っていく（図７の（ｃ））。更にIII族窒化物系化合物半導体３の縦及び横方向エピタキシャル成長を続けると、表面の荒れた部分Ａに形成されるバッファ層２２は、主に表面の荒れていない部分に形成されたバッファ層２１を核として横方向エピタキシャル成長したIII族窒化物系化合物半導体３が完全に覆うこととなる。このとき、表面の荒れた部分Ａに形成されるバッファ層２２からの縦方向の貫通転位は、その上方に横方向エピタキシャル成長により形成されたIII族窒化物系化合物半導体３には伝搬しないこととなる。