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【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  アノード（１、２１、５１）と、カソード（２、２２、５２）と、上記アノードと上記カソードとの間に配置された電解質膜（３、２３、５３）とを有する燃料電池本体（１０２、１１２、２０２）と、
液体燃料を収容し、かつ、上記アノードをその内部に配置して、当該収容された液体燃料を上記アノードに供給可能とする第１燃料容器（５、２５）と、
上記第１燃料容器に収容されている上記液体燃料よりもその濃度が高い液体燃料原液を上記第１燃料容器に供給可能に収容する第２燃料容器（４、２４）と、
上記第１燃料容器と上記第２燃料容器へ上記カソードにて生成される生成物の夫々の回収量を調整する回収量調整装置（６、２６）とを備えることを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第１態様によれば、アノードと、カソードと、上記アノードと上記カソードとの間に配置された電解質膜とを有する燃料電池本体と、
液体燃料を収容し、かつ、上記アノードをその内部に配置して、当該収容された液体燃料を上記アノードに供給可能とする第１燃料容器と、
上記第１燃料容器に収容されている上記液体燃料よりもその濃度が高い液体燃料原液を上記第１燃料容器に供給可能に収容する第２燃料容器と、
上記第１燃料容器と上記第２燃料容器へ上記カソードにて生成される生成物の夫々の回収量を調整する回収量調整装置とを備えることを特徴とする燃料電池システムを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リチウム二次電池の正極材料であるコバルト酸リチウムを金属リチウムと共に塩化リチウム溶融塩中で還元反応させて、酸化リチウムを生成してコバルトまたは酸化コバルトを沈殿分離し、その後に塩化リチウム溶融塩内で酸化リチウムを電解して金属リチウムを陰極に析出させて回収することを特徴とするリチウム二次電池電極材のリサイクル処理方法。
【請求項２】  前記還元反応において、前記正極材料に含まれるコバルト酸リチウムの分子量の少なくとも３倍の分子量の金属リチウムを添加して主としてコバルトを沈殿分離することを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理方法。
【請求項３】  前記還元反応において、前記正極材料に含まれるコバルト酸リチウムの分子量とほぼ同量の分子量の金属リチウムを添加して主として酸化コバルトを沈殿分離することを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理方法。
【請求項４】  前記金属リチウムの回収は、陰極に析出して溶融塩表面に浮いた前記金属リチウムを槽外に流し出すか吸い出すことにより行うことを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理方法。
【請求項５】  前記電解は２．４７Ｖ以上３．４６Ｖ以下で行うことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理方法。
【請求項６】  還元反応槽とリチウム電析槽を備え、前記還元反応槽が塩化リチウム溶融塩中にリチウム二次電池の正極材料であるコバルト酸リチウムを混入し金属リチウムを添加して攪拌し酸化リチウムを生成してコバルトまたは酸化コバルトを沈殿分離し、前記リチウム電析槽が前記還元反応槽の反応後の内容液を受け入れて電解し陰極に金属リチウムを析出させて回収することを特徴とするリチウム二次電池電極材のリサイクル処理装置。
【請求項７】  前記還元反応槽において、前記正極材料に含まれるコバルト酸リチウムの分子量の少なくとも３倍の分子量の金属リチウムを含ませて主としてコバルトを沈殿分離することを特徴とする請求項６記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理装置。
【請求項８】  前記還元反応槽において、前記正極材料に含まれるコバルト酸リチウムの分子量とほぼ等量の分子量の金属リチウムを含ませて主として酸化コバルトを沈殿分離することを特徴とする請求項６記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理装置。
【請求項９】  前記リチウム電析槽の電解電圧を２．４７Ｖ以上３．４６Ｖ以下とすることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理装置。
【請求項１０】  前記リチウム電析槽を前記還元反応槽と共通とし、還元反応の後に内容物を移動させずにそのまま電析を行うことを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載のリチウム二次電池電極材のリサイクル処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
リチウム酸化物は沈殿することなく溶融塩中に溶解して残留するので、陽陰の電極を投入した槽内で電解して金属リチウムとして陰極に析出させる。金属リチウムは溶融状態で溶融塩表面に浮くので、槽外に流し出すか吸い出して回収することができる。
なお、溶融塩上の空間はアルゴンなどの不活性ガスでシールして反応性の高い金属リチウムの酸化などを防止する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｎ電極は、前記ｎ型窒化物半導体側から順に、第１の層と第２の層を備え、
前記第２の層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、前記第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｐ電極は、前記窒化物半導体素子からの光の少なくとも一部を透過する光透過部と、導電性部材が接続されるパッド部とからなり、
前記パッド部は、前記ｐ型窒化物半導体側から順に、第１の層と第２の層を備え、
前記第２の層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、前記第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｎ電極は、前記ｎ型窒化物半導体側から順に、前記第１の層と前記第２の層を備えることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｐ電極において、前記光透過部と前記パッド部が共に前記ｐ型窒化物半導体に接していることを特徴とする請求項２または３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１の層が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２の層が、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒの少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記光透過部が、Ｎｉ／ＡｕまたはＩＴＯからなることを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｎ電極又は前記ｐ電極において、前記第１の層は酸素原子を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、ｎ電極は、ｎ型窒化物半導体側から順に、第１の層と第２の層を備えることを特徴とする。
また、ｐ電極において光透過部とパッド部が共にｐ型窒化物半導体に接していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、第１の層が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種からなることを特徴とする。
また、第２の層が、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒの少なくとも一種からなることを特徴とする。
また、光透過部が、Ｎｉ、Ａｕ及びＩＴＯから選択されることを特徴とする。
また、ｎ電極又はｐ電極において、第１の層は酸素原子を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる知見に基づいてなされたものであり、下記の構成を有する半導体内蔵モジュールを提供する。即ち、本発明は、
無機質フィラーおよび熱硬化性樹脂を含む電気絶縁性基材からなるコア層と、
当該コア層の両面に形成された配線層と、
当該コア層内に形成され、当該配線層同士を電気的に接続するインナービアと、
当該コア層内に内蔵された半導体素子
とを有する半導体内蔵モジュールであって、半導体素子がフリップチップ実装によりいずれか一方の配線層に接続されており、当該フリップチップ実装された半導体素子の機能素子形成面と配線層との間に封止樹脂が位置し、当該封止樹脂の外縁の少なくとも一部が、当該半導体素子の外縁と重なって又は外縁の内側に位置する半導体内蔵モジュールを提供する。この構成によれば、封止樹脂の外縁が半導体素子の外縁を越えて存在しない部分において、インナービアおよび／または受動部品を半導体素子により近づけて配置することが可能となる。また、この半導体内蔵モジュール（以下、単に「モジュール」と呼ぶ場合がある）において、封止樹脂の外縁が半導体素子の外縁を越えない部分では、コア層を構成する材料が流入して硬化することにより、接続部の固定に寄与する。したがって、本発明のモジュールは、封止樹脂の量を従来のモジュールと比較して少なくしても、接続部において、従来のものと同等またはそれ以上の信頼性が確保されるという特徴をも有する。なお、本発明を構成する半導体素子は、例えば、トランジスタ、ＩＣ、またはＬＳＩ等である。半導体素子は、半導体ベアチップであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
まず、半導体素子の実装方法および接続部の封止方法として、図３〜図５に示す３種類の実装および封止方法をそれぞれ説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
上記においては、半導体素子を離型キャリアに形成された配線層の上に実装する製造方法を説明した。別法として、回路基板または回路部品内蔵モジュールに形成された配線層に半導体素子を実装し、続いて電気絶縁性基材を積層して半導体素子をコア層に内蔵させる方法がある。回路基板は、例えば、無機質フィラーと熱硬化性樹脂を少なくとも含む混合物から成る電気絶縁層と配線層とを有し、電気絶縁層の両方の表面に位置する配線層同士がインナービアで電気的に接続された配線基板である。そのような回路基板を使用する場合、回路基板の電気絶縁層とコア層１の材料が同じであることが好ましい。回路基板の電気絶縁層の材料とコア層１の材料が同じであると、熱膨張係数の差が小さくなるために、コア層１と回路基板との界面で応力が生じにくくなり、得られる半導体内蔵回路基板の信頼性をより高くし得るからである。回路基板は他の種類の回路基板であってよく、例えば、セラミック基板、ガラエポ基板、全層樹脂ＩＶＨ基板、ポリイミド基板、または液晶ポリマ基板等を使用してよい。これらの回路基板は、回路部品が予め内蔵されたものであってよい。また、回路基板の表面に半導体素子が内蔵されたコア層を形成する場合、当該コア層の回路基板と接していない側の表面には、さらに別の回路基板または回路部品内蔵モジュールを積層して一体化させてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも８メガバイトの不揮発性メモリと、
データを送受信するワイヤレストランシーバと、
ワイヤレストランシーバにより受信されたデータを不揮発性メモリ内に記憶させ、その同じデータを不揮発性メモリから取り出して送信のためにワイヤレストランシーバに送る制御プロセッサと、
先端を定めるスタイラス部分を含む外形を持つハウジングとを具備し、
データ記憶デバイスは、別の電子デバイスから記憶のためのデータをワイヤレスで受信し、記憶されたデータを別の電子デバイスにワイヤレスで送信するように構成され、
別の電子デバイスは、データ記憶デバイスへの送信およびデータ記憶デバイスからの送信を開始するデータ記憶デバイス。
【請求項２】
ユーザのバイオメトリック特性を記録する少なくとも１つのバイオメトリックセンサと、
バイオメトリック特性をセンサにより記憶されている特性と比較する検証プロセッサとをさらに具備し、
検証プロセッサは、記録されたバイオメトリック特性が記憶されている特性と一致するかどうかに基づいて、データ記憶デバイスがその機能の内の少なくとも１つを実行するかどうかを制御する請求項１記載のデータ記憶デバイス。
【請求項３】
バイオメトリックセンサは指紋センサであり、
データ記憶デバイスは、指紋センサが受信した指紋を記憶されている指紋と比較するよう構成された検証プロセッサを具備する請求項２記載のデータ記憶デバイス。
【請求項４】
記録されたバイオメトリック特性と記憶されている特性とが一致していることを検証プロセッサが決定するときのみ、データ記憶デバイス内に記憶されているデータの送信を行うよう構成されている請求項２または請求項３記載のデータ記憶デバイス。
【請求項５】
イメージを表すデータを発生させ、不揮発性メモリ内にイメージデータを記憶させるよう構成されているカメラデバイスを組み込んでいる請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のデータ記憶デバイス。
【請求項６】
制御プロセッサは、圧縮アルゴリズムを実行して不揮発性メモリ内に記憶すべきデータを圧縮するよう構成されている請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のデータ記憶デバイス。
【請求項７】
不揮発性メモリ内に記憶されているデータに関連して少なくとも１つのセキュリティ機能を実行するスマートカードをさらに具備する請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載のデータ記憶デバイス。
【請求項８】
（ｉ）  少なくとも８メガバイトの不揮発性メモリと、
データを送受信するワイヤレストランシーバと、
ワイヤレストランシーバにより受信されたデータを不揮発性メモリ内に記憶させ、その同じデータを不揮発性メモリから取り出して送信のためにワイヤレストランシーバに送る制御プロセッサと、
先端を定めるスタイラス部分を含む外形を持つハウジングとを備えたデータ記憶デバイスと、
（ｉｉ）データ記憶デバイスのスタイラスの位置をトレースする手段と、
データ記憶デバイスのワイヤレストランシーバと通信するワイヤレストランシーバとを備えた別の電子デバイスとを具備し、
ユーザがスタイラスを動かして別の電子デバイスにデータを入力し、それによりスタイラスの位置が別の電子デバイスによりトレースされ、それぞれのトランシーバを使用して別の電子デバイスとデータ記憶デバイスとの間でデータを通信させることが可能であり、
別の電子デバイスがデータ記憶デバイスを動かすユーザにより動作されて、それにより別の電子デバイスがデータ記憶デバイスの位置をトレースして、データ記憶デバイスに記憶させるための別の電子デバイスからデータ記憶デバイスへのデータのワイヤレス送信と、データ記憶デバイスに記憶されているデータのデータ記憶デバイスから別の電子デバイスへのワイヤレス送信の両方を開始させるようにシステムが構成されているシステム。
【請求項９】
別の電子デバイスは表面を有し、表面上でのスタイラスの動きを検出する手段を備える請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
表面は接触感応である請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
別の電子デバイスはオーガナイザまたはＰＤＡ（パーソナルデジタルアシスタント）である請求項８ないし請求項１０のいずれか１項記載のシステム。
【請求項１２】
データ記憶デバイスとデータを交換するそれぞれのワイヤレストランシーバを含む１つ以上の他の電子デバイスをさらに具備する請求項８ないし請求項１１のいずれか１項記載のシステム。
【請求項１３】
電子デバイスの１つはパーソナルコンピュータ（ＰＣ）であり、電子デバイスの他のものはＰＣのスレーブデバイスである請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
各ワイヤレストランシーバは電磁波により動作し、アンテナと無線周波数インターフェース回路を含む請求項１２または請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
データ記憶デバイスは複数のフォーマットで受信／送信を行うように適合され、これによりデータ記憶デバイスは異なるフォーマットを使用する２つの電子デバイスの間で翻訳する請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項記載のシステム。
【請求項１６】
データ記憶デバイスおよび他の電子デバイスの内の１つによって実行されるすべての通信には、他の電子デバイスから受信され、データ記憶デバイスにより内部的に記憶されているＩＤコードのリストと比較されるＩＤコードを使用して他の電子デバイスの識別子を確認するプロセスが含まれる請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項記載のシステム。
【請求項１７】
請求項１記載のデータ記憶デバイスとスタイラスの先端の位置をトラッキングする手段を組み込んだ別の電子デバイスとの間でデータを転送する方法において、
方法は、
（ｉ）別の電子デバイスのトランシーバがデータ記憶デバイスのトランシーバにワイヤレスでデータを送信する動作、または
（ｉｉ）データ記憶デバイスのトランシーバが別の電子デバイスのトランシーバにワイヤレスでデータを送信する動作の内の少なくとも１つを含む方法。
【請求項１８】
データ記憶デバイスと別の電子デバイスとの間でデータをワイヤレスで転送する方法であって、データ記憶デバイスは先端を定めるスタイラス部分を含む外形を持つハウジングを有し、
方法は、
ａ）ユーザが別の電子デバイスを動作させて、そのデバイスからデータ記憶デバイスへのデータのワイヤレス送信を開始させるステップと、
ｂ）データ記憶デバイスがデータをワイヤレスで受信するステップと、
ｃ）データ記憶デバイスが受信されたデータを少なくとも８メガバイトの容量を有するデータ記憶デバイスの不揮発性メモリに記憶させるステップと、
ｄ）ユーザが別の電子デバイスまたはさらに別の電子デバイスを動作させて、データ記憶デバイスからの送信を開始させたデバイスへの、データ記憶デバイスにより記憶されたデータの送信を開始させるステップと、
ｅ）データ記憶デバイスが記憶されたデータを不揮発性メモリから取り出して、それを、ステップｄ）で送信を開始させたデバイスへワイヤレスで送信するステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアを設定する設定手段と、
監視対象としての携帯端末の位置を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記携帯端末の位置が、前記設定手段により設定された前記警告エリア内であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記携帯端末の位置が前記警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶されている前記通知先指定情報により指定される前記通知先に、前記携帯端末の位置が前記警告エリア内であることを通知する通知手段と
を備え、
前記通知先が、前記監視者が有する携帯端末、および前記監視対象としての前記携帯端末の両方である
ことを特徴とする監視装置。
【請求項２】
監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアを設定する設定ステップと、
監視対象としての携帯端末の位置を取得する取得ステップと、
前記取得ステップの処理により取得された前記携帯端末の位置が、前記設定ステップの処理により設定された前記警告エリア内であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップの処理により前記携帯端末の位置が前記警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段に記憶されている前記通知先指定情報により指定される前記通知先に、前記携帯端末の位置が前記警告エリア内であることを通知する通知ステップと
を含み、
前記通知先が、前記監視者が有する携帯端末、および前記監視対象としての前記携帯端末の両方である
ことを特徴とする監視方法。
【請求項３】
監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアを設定する設定ステップと、
監視対象としての携帯端末の位置の取得を制御する取得制御ステップと、
前記取得制御ステップの処理による制御によって取得された前記携帯端末の位置が、前記設定ステップの処理により設定された前記警告エリア内であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップの処理により前記携帯端末の位置が前記警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段に記憶されている前記通知先指定情報により指定される前記通知先に、前記携帯端末の位置が前記警告エリア内であることを通知する通知ステップと
を含み、
前記通知先が、前記監視者が有する携帯端末、および前記監視対象としての前記携帯端末の両方である
ことを特徴とするコンピュータが読み取り可能なプログラムが記録されている記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の監視装置は、監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアを設定する設定手段と、監視対象としての携帯端末の位置を取得する取得手段と、取得手段により取得された携帯端末の位置が、設定手段により設定された警告エリア内であるか否かを判定する判定手段と、判定手段により携帯端末の位置が警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段と、記憶手段により記憶されている通知先指定情報により指定される通知先に、携帯端末の位置が警告エリア内であることを通知する通知手段とを備え、通知先が、監視者が有する携帯端末、および監視対象としての携帯端末の両方であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の監視方法は、監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアを設定する設定ステップと、監視対象としての携帯端末の位置を取得する取得ステップと、取得ステップの処理により取得された携帯端末の位置が、設定ステップの処理により設定された警告エリア内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップの処理により携帯端末の位置が警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段に記憶されている通知先指定情報により指定される通知先に、携帯端末の位置が警告エリア内であることを通知する通知ステップとを含み、通知先が、監視者が有する携帯端末、および監視対象としての携帯端末の両方であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の記録媒体は、監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアを設定する設定ステップと、監視対象としての携帯端末の位置の取得を制御する取得制御ステップと、取得制御ステップの処理による制御によって取得された携帯端末の位置が、設定ステップの処理により設定された警告エリア内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップの処理により携帯端末の位置が警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段に記憶されている通知先指定情報により指定される通知先に、携帯端末の位置が警告エリア内であることを通知する通知ステップとを含み、通知先が、監視者が有する携帯端末、および監視対象としての携帯端末の両方であるコンピュータが読み取り可能なプログラムが記録されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の監視装置および方法、並びにプログラムにおいては、監視者により通信網を介して行われる設定に応じて警告エリアが設定され、監視対象としての携帯端末の位置が取得される。また、取得された携帯端末の位置が、設定された警告エリア内であるか否かが判定され、携帯端末の位置が警告エリア内であると判定された場合の通知先を指定する通知先指定情報を記憶する記憶手段に記憶されている通知先指定情報により指定される通知先に、携帯端末の位置が警告エリア内であることが通知される。その通知先は、監視者が有する携帯端末、および監視対象としての携帯端末の両方とされる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、保護手段、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する画素が複数設けられ、
前記保護手段は、抵抗素子であり、
前記抵抗素子の一方の端子は、前記発光素子の画素電極に電気的に接続され、
前記抵抗素子の他方の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
発光素子、保護手段、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する画素が複数設けられ、
前記保護手段は、容量素子であり、
前記容量素子の一方の電極は、前記発光素子の画素電極と前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲート又は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
発光素子、保護手段、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する画素が複数設けられ、
前記保護手段は、前記発光素子の画素電極に帯電した電荷を電源線に放電するダイオードであり、
前記ダイオードの一方の電極は、前記画素電極と前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方とに電気的に接続され、
前記ダイオードの他方の電極は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
発光素子、保護手段、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する画素が複数設けられ、
前記保護手段は、前記発光素子の画素電極に帯電した電荷を電源線に放電する第３のトランジスタであり、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記画素電極、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
発光素子、保護手段、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する画素が複数設けられ、
前記保護手段は、前記発光素子の画素電極に帯電した電荷を電源線に放電する第３のトランジスタであり、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記電源線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記画素電極と前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタはディプリーション型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは飽和領域で動作することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタは線形領域で動作することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの導電型は、同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのチャネル長Ｌ１、前記第１のトランジスタのチャネル幅Ｗ１、前記第２のトランジスタのチャネル長Ｌ２及び前記第２のトランジスタのチャネル幅Ｗ２は、５≦（Ｌ１×Ｗ２）／（Ｗ１×Ｌ２）≦６０００を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素は第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタのゲートは走査線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は信号線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素は第３のトランジスタと第４のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタのゲートは走査線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は信号線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートと前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートはリセット線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は第２の電源線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項４または請求項５において、
前記画素は第４のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタのゲートは走査線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は信号線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項４または請求項５において、
前記画素は第４のトランジスタと第５のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタのゲートは走査線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は信号線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートと前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートはリセット線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は第２の電源線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の前記半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｓｉ半導体基体と、前記Ｓｉ半導体基体上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部内に形成された第１の単結晶層と、前記第１の単結晶層上に形成された第２の単結晶層とを有し、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層とはＳｉとＧｅのいずれか一方あるいは両方とＣとを必須の構成成分とし、且つＳｉとＧｅの和とＣとの化学量論比が略１:１である単結晶(ＳｉＧｅ)Ｃ層からなり、且つ前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層の禁制帯幅が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  Ｓｉ半導体基体と、前記Ｓｉ半導体基体上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部内に形成された第１の単結晶層と、前記第１の単結晶層上に形成された第２の単結晶層と、前記第２の単結晶層上に形成された第３の単結晶層とを有し、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層と前記第３の単結晶層とはＳｉとＧｅとのいずれか一方あるいは両方とＣとを必須の構成成分とし、且つＳｉとＧｅの和とＣの化学量論比が略１:１である単結晶(ＳｉＧｅ)Ｃ層からなり、且つ前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層と前記第３の単結晶層のうち少なくとも一つは禁制帯幅が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  前記第２の単結晶層と前記第３の単結晶層の導電型が異なることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第２の単結晶層の禁制帯幅が前記第３の単結晶層の禁制帯幅よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第２の単結晶層上にゲート電極を有し、前記第１の単結晶層ないしは前記第２の単結晶層のいずれか一方あるいは両方で、前記ゲート電極に相対する部分に電流が流れるチャネルが形成されており、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層から形成されるヘテロ接合部の主面内に、チャネルと電気的接触を図るようにソース領域及びドレイン領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記第１の単結晶層ないしは第２の単結晶層のうちで、禁制帯幅が小さい層内にチャネルが形成され、且つ、禁制帯幅の大きい層が前記チャネル層の上部に形成されてバリア層となっており、そのバリア層の上部にゲート電極を有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】  Ｓｉ半導体基体と、前記Ｓｉ半導体基体上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部内に設けられた第１の単結晶層と前記第１の単結晶層上に形成された第２の単結晶層の一方あるいは両方を含んだ積層構造と、前記第２の単結晶層上に形成されたゲート電極と、前記第１の単結晶層ないしは第２の単結晶層のいずれか一方あるいは両方で、前記ゲート電極に相対する部分に形成されたチャネル領域と、前記ゲート電極を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域を有し、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層が、ＳｉとＧｅの和とＣの化学量論比が略１：１である単結晶（ＳｉＧｅ）Ｃ層からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  前記Ｓｉ半導体基板と前記第１の単結晶層との間に、ＳｉとＧｅのいずれか一方あるいは両方とＣとを必須の構成成分とするＳｉＧｅＣ層を有し、前記Ｓｉ半導体基板の格子定数と前記第１の単結晶層の格子定数が異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記Ｓｉ半導体基板の面方位が（１００）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】  Ｓｉ半導体基体と、
前記Ｓｉ半導体基体上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部内に設けられた第１の単結晶層と、前記第１の単結晶層上に形成された第２の単結晶層とを有し、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層とはＳｉとＧｅのいずれか一方或いは両方とＣとを必須の構成成分とし、且つＳｉとＧｅの和とＣとの化学量論比が略１:１である単結晶(ＳｉＧｅ)Ｃ層からなり、且つ前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層の禁制帯幅が異なる半導体装置と、
Ｓｉを動作活性層に用いた半導体装置とを、有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】  Ｓｉ半導体基体と、前記Ｓｉ半導体基体上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部内に形成された第１の単結晶層と、前記第１の単結晶層上に形成された第２の単結晶層とを有し、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層とはＳｉとＧｅのいずれか一方あるいは両方とＣとを必須の構成成分とし、且つＳｉとＧｅの和とＣとの化学量論比が略１:１である単結晶(ＳｉＧｅ)Ｃ層からなり、且つ前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層の禁制帯幅が異なる半導体装置を少なくとも有する半導体回路モジュール。
【請求項１２】  Ｓｉ半導体基体上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部内に第１の単結晶層を形成する工程と、前記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成する工程とを有し、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層はＳｉとＧｅのいずれか一方あるいは両方とＣとを必須の構成成分とし、且つＳｉとＧｅの和とＣの化学量論比が略１:１である単結晶(ＳｉＧｅ)Ｃ層とし、且つ前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層の禁制帯幅が異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  Ｓｉ半導体基板上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部内に第１の単結晶層を形成する工程と、前記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成する工程と、前記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成する工程とを備え、前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層と前記第３の単結晶層とはＳｉとＧｅのいずれか一方或いは両方とＣとを必須の構成成分とし、且つＳｉとＧｅの和とＣの化学量論比が略１:１である単結晶(ＳｉＧｅ)Ｃ層とし、且つ前記第１の単結晶層と前記第２の単結晶層と前記第３の単結晶層のうち少なくとも一つは禁制帯幅が異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  前記第１の単結晶層を形成する工程及び前記第２の単結晶層を形成する工程において、Ｓｉ原子とＣ原子との結合を有する有機化合物ガス、或いはＳｉ原子とＣ原子との結合を有する有機化合物ガスとＧｅ原子とＣ原子との結合を有する有機化合物ガスの双方を原料ガスに有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  前記第１の単結晶層を形成する工程及び前記第２の単結晶層を形成する工程において、Ｓｉ原子とＣ原子との結合を有する有機ガスを原料ガスに有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  前記第１の単結晶層を形成する工程及び前記第２の単結晶層を形成する工程において、Ｇｅ原子とＣ原子との結合を有する有機化合物ガスの双方を原料ガスに有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記第１のシリコン酸化膜は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜であり、前記シリコン窒化膜および前記第２のシリコン酸化膜は層間絶縁膜であり、前記コンタクトホールは前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域上に形成されていることを特徴とする請求項1から５のいずれかに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
なお、本実施の形態では、連結部材１７にスリーブ１７０２と嵌合凸部１７０４の双方を設けたが、スリーブは連結部材１７と別体に構成してもよく、この場合には、第２のケースの内側から外側にわたって延在する筒状のスリーブが、前半体１６０１Ａと後半体１６０１Ｂが熱溶着された箇所１６０３を通って設けられ、コード２４がスリーブを通って配設されるようにすればよい。
この場合も本実施の形態と同様に、コード２４をスリーブ１７０２に挿通させた状態で前半体１６０１Ａと後半体１６０１Ｂを熱溶着によって接合する際、該熱溶着による熱がコード２４に伝わることが前記スリーブによって防止され、コード２４が加熱されて溶けたり変形したりすることを防止できる。
また、本実施の形態では、第１、第２のケース１４、１６を結合した状態でモジュラージャックに接続したが、第１、第２のケース１４、１６を分離した状態でモジュラージャックに接続して使用してもよいことは無論である。
また、本実施の形態では、フィルタ手段１８によって分離される通信信号をＡＤＳＬ信号としたが、分離される通信信号はＡＤＳＬ信号以外の種々の通信信号であってもよいことは勿論であり、本発明の接続装置は、電話回線を介して送受信される信号を電話の音声信号とＡＤＳＬの通信信号とに分離するいわゆるスプリッターに限定されるものではない。
また、本実施の形態では、接続装置のモジュラープラグ１２は、電話回線が接続されたモジュラージャックに接続されるものとして説明したが、モジュラープラグは、ＬＡＮ（イーサネット［登録商標］）などの従来公知の種々のコンピュータ通信用のモジュラージャックに接続可能であることは無論のことである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の陽極又は陰極が設けられた基板を、該基板表面が重力方向と平行となるように設置し、
前記陽極又は陰極に向けて減圧下で発光体組成物を含む溶液を噴射し、前記発光体組成物を前記陽極又は陰極上に堆積させて、前記発光素子の発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
発光素子の陽極又は陰極が設けられた基板を、該基板表面が重力方向と平行となるように設置し、
前記陽極又は陰極に向けて減圧下で発光体組成物を含む溶液を噴射し、前記溶液が前記陽極又は陰極に到達するまでの間、該溶液中の溶媒を揮発させると共に、残存した前記発光体組成物を前記陽極又は陰極上に堆積させて、前記発光素子の発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
発光素子の陽極又は陰極が設けられた基板を、該基板表面が重力方向と平行となるように設置し、
前記陽極又は陰極に向けて減圧下で発光体組成物を含む溶液を噴射し、前記陽極又は陰極を加熱しておくことにより前記溶液が前記陽極又は陰極に到達すると同時に該溶液中の溶媒の揮発を開始させ、残存した前記発光体組成物を前記陽極又は陰極上に堆積させて、前記発光素子の発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
発光素子の陽極及び陰極の一方が設けられた基板を、該基板表面が重力方向と平行となるように設置した状態において、
前記陽極及び陰極の一方に向けて減圧下で発光体組成物を含む溶液を噴射し、前記発光体組成物を前記陽極及び陰極の一方の上に堆積させて、前記発光素子の発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成し、
前記発光体を形成した後、前記状態において、前記発光体上にスパッタ法により陽極及び陰極の他方を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
発光素子の陽極及び陰極の一方が設けられた基板を、該基板表面が重力方向と平行となるように設置した状態において、
前記陽極及び陰極の一方に向けて減圧下で発光体組成物を含む溶液を噴射し、前記溶液が前記陽極及び陰極の一方に到達するまでの間、該溶液中の溶媒を揮発させると共に、残存した前記発光体組成物を前記陽極及び陰極の一方の上に堆積させて、前記発光素子の発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成し、
前記発光体を形成した後、前記状態において、前記発光体上にスパッタ法により陽極及び陰極の他方を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
発光素子の陽極及び陰極の一方が設けられた基板を、該基板表面が重力方向と平行となるように設置した状態において、
前記陽極及び陰極の一方に向けて減圧下で発光体組成物を含む溶液を噴射し、前記陽極及び陰極の一方を加熱しておくことにより、前記溶液が前記陽極及び陰極の一方に到達すると同時に該溶液中の溶媒の揮発を開始させ、残存した前記発光体組成物を前記陽極及び陰極の一方の上に堆積させて、前記発光素子の発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成し、
前記発光体を形成した後、前記状態において、前記発光体上にスパッタ法により陽極及び陰極の他方を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３又は６において、
前記加熱温度は、室温〜３００℃であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜、並びに、前記陽極及び陰極の他方の形成は、マルチチャンバー方式の成膜装置で大気開放することなく行われることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜、並びに、前記陽極及び陰極の他方の形成は、インライン方式の成膜装置で大気開放することなく行われることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記減圧下とは、１×１０２〜２×１０４Ｐａの不活性雰囲気中であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記減圧下とは、１〜５×１０４Ｐａの真空中であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記発光体組成物を間欠的に堆積させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記発光体組成物を連続的に堆積させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記発光体組成物を含む溶液は、複数のノズルから噴射されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記発光体組成物は、発光性材料、正孔輸送性材料又は電子輸送性材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層又は電子阻止層から選ばれた層として機能する薄膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜は、有機化合物で構成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜は、有機化合物と無機化合物を積層した複合体（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）で構成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一に記載の方法で作製されたことを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記発光装置は、テレビ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ又は携帯電話機の表示部に組み込まれることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メタライズ処理が施されていないサファイヤ板が受光面板として真空容器の光入射窓に装着される光検出管であって、前記光入射窓を囲む金属製またはセラミックス製の窓周辺部に対し、前記サファイヤ板の周縁部がアルミニウム製のシールリングを介して気密に熱圧着されていることを特徴とする光検出管。
【請求項２】  前記サファイヤ板の厚さが０．５〜１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の光検出管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明に係る光検出管は、メタライズ処理が施されていないサファイヤ板が受光面板として真空容器の光入射窓に装着される光検出管であって、前記光入射窓を囲む金属製またはセラミックス製の窓周辺部に対し、前記サファイヤ板の周縁部がアルミニウム製のシールリングを介して気密に熱圧着されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る光検出管では、光入射窓を囲む金属製またはセラミックス製の窓周辺部に対し、メタライズ処理が施されていないサファイヤ板の周縁部がアルミニウム製のシールリングを介して気密に熱圧着されているため、サファイヤ板に不純物が拡散してサファイヤ板に格子欠陥が生じることがない。その結果、紫外光の検出の際にサファイヤ板から燐光や蛍光が発生する事態が未然に防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る光検出管では、光入射窓を囲む金属製またはセラミックス製の窓周辺部に対し、メタライズ処理が施されていないサファイヤ板の周縁部がアルミニウム製のシールリングを介して気密に熱圧着されているため、サファイヤ板に不純物が拡散してサファイヤ板に格子欠陥が生じることがない。従って、本発明によれば、紫外光の検出の際にサファイヤ板から燐光や蛍光が発生する事態を未然に防止することができ、ダークノイズを低減することができる。