【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）第１の浄化システムに第１の水を導入し、それを純化することにより前記第１の浄化システムから第１の純水を送り出す工程；
（ｂ）純水循環システムを有する第２の浄化システムに前記第１の純水を導入し、それを純化することにより、前記純水循環システム上の第１の供給ポイントから第２の純水を送り出す工程；
（ｃ）第１のウェット処理装置に前記第２の純水を供給することによって、前記第１のウェット処理装置内において、ウェハに対して、第１のウェット処理を実行する工程、
ここで、工程（ｃ）は、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）前記第２の純水を、前記第１の供給ポイントと、前記第１のウェット処理装置内のユースポイントとの間に設けられた少なくともカチオンを除去する能力のあるイオンフィルタを通過させる工程；
（ｃ２）前記イオンフィルタを通過した前記第２の純水を前記ユースポイントに供給する工程、
ここで、
（ｉ）前記イオンフィルタは、フィルタ部材として、メンブレン・シートを有し、
（ｉｉ）前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を有し、
（ｉｉｉ）前記第１のウェット処理は、前記フラッシュメモリ部のトンネル絶縁膜形成のための前記ウェハに対する熱処理前洗浄である。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
限外濾過フィルタは、前記純水循環システム上の前記第１の供給ポイントよりも前に設けられている。
【請求項３】  請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記イオンフィルタは、前記純水循環システム外に設けられている。
【請求項４】  請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記イオンフィルタは、メンブレン型のイオン除去フィルタである。
【請求項５】  請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記イオンフィルタは、プラスティック製多孔質薄膜フィルタである。
【請求項６】  請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記半導体集積回路装置はシリコン酸化膜に換算して２０ｎｍ以下のゲート絶縁膜またはトンネル絶縁膜を有するＭＩＳＦＥＴを含む。
【請求項７】  請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記半導体集積回路装置はシリコン酸化膜に換算して１０ｎｍ以下のゲート絶縁膜またはトンネル絶縁膜を有するＭＩＳＦＥＴを含む。
【請求項８】  請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記半導体集積回路装置はシリコン酸化膜に換算して５ｎｍ以下のゲート絶縁膜またはトンネル絶縁膜を有するＭＩＳＦＥＴを含む。
【請求項９】  請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第1のウェット処理は、前記フラッシュメモリ部の前記トンネル絶縁膜形成のための前記ウェハに対する前記熱処理前洗浄の内のリンス処理である。
【請求項１０】  請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記イオンフィルタと前記ユースポイント間の純水流路には分岐がない。
【請求項１１】  請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１のウェット処理装置内において、複数のユースポイントに対して、それぞれ前記イオンフィルタが設けられている。
【請求項１２】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１のウェット処理は、前記フラッシュメモリ部の前記トンネル絶縁膜形成のための前記ウェハに対する前記熱処理前洗浄の内のリンス処理である。
【請求項１３】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記イオンフィルタと前記ユースポイント間の純水流路には分岐がない。
【請求項１４】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１のウェット処理装置内において、複数のユースポイントに対して、それぞれ前記イオンフィルタが設けられている。
【請求項１５】  請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記イオンフィルタと前記ユースポイント間の純水流路には分岐がない。
【請求項１６】  請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１のウェット処理装置内において、複数のユースポイントに対して、それぞれ前記イオンフィルタが設けられている。
【請求項１７】  請求項１５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１のウェット処理装置内において、複数のユースポイントに対して、それぞれ前記イオンフィルタが設けられている。
【請求項１８】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記純水循環システムは前記第１の純水を受け入れる中間タンクに始まり、使い残した第２の純水を還流させる前記中間タンクに終わる。
【請求項１９】  請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記純水循環システムは前記第１の純水を受け入れる中間タンクに始まり、使い残した第２の純水を還流させる前記中間タンクに終わる。
【請求項２０】  （ａ）通常水を、一次浄化システムを有する一次純水システム内に、第１原料水として導入する工程、
（ｂ）前記一次浄化システムにより浄化された一次純水を、二次浄化システムを有する二次純水循環システム内に、第２原料水として導入する工程、
（ｃ）前記二次浄化システムにより浄化された二次純水を、第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程、
を含み、前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記二次浄化システム内に設けられた限外濾過フィルタによって、純水中の粒子性異物を除去する工程、
（ｃ２）前記二次純水循環システム外に設けられたメンブレン型のイオン除去フィルタを通過させることによって、前記限外濾過フィルタを通過した純水中のイオンを除去する工程、
（ｃ３）前記イオン除去フィルタを通過した前記純水を前記第１ウェット処理装置に供給する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】  請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１ウェット処理は洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】  請求項２１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】  請求項２２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置の特性はフラッシュメモリ部の書き込み又は消去特性であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】  請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜の厚さがシリコン酸化膜換算で２０ｎｍ以下の厚さを有するＭＩＳＦＥＴを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】  請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜の厚さがシリコン酸化膜換算で１０ｎｍ以下の厚さを有するＭＩＳＦＥＴを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２６】  請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜の厚さがシリコン酸化膜換算で５ｎｍ以下の厚さを有するＭＩＳＦＥＴを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。