Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と、原版の面位置を検出する検出手段とを有する露光装置において、
前記検出手段は前記原版に関して前記投影光学系の側からペリクルを介して前記原版のパターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記ペリクルを介して発生する光学収差を補正する補正光学系を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記光学収差は、非点収差または色収差であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
投影光学系と、原版と前記投影光学系との間に配置される光学素子と、前記原版の面位置を検出する検出手段とを有する露光装置において、
前記検出手段は前記原版に関して前記投影光学系の側から前記光学素子を介して前記原版のパターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記光学素子は、前記原版または前記投影光学系に起因するディストーションを補正するための光学素子であることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記光学素子を介して発生する光学収差を補正する補正光学系を有することを特徴とする請求項４または５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光学収差は、非点収差または色収差であることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記検出手段は、前記パターン面に対し斜め方向から光を照射する光照射手段と、前記光照射手段によって照射された光による前記パターン面からの反射光を受光する受光手段と、前記受光手段からの光の位置に対応した検出信号を出力する光検出手段とを有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記検出手段は、前記パターン面の複数箇所において前記パターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の露光装置は走査型露光装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記検出手段は、前記原版の走査が行われることにより、該走査の方向における前記パターン面の複数箇所において前記パターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、半導体集積回路や液晶表示素子などの製造工程において、マスク等の原版（フォトマスクやレチクルなど）のパターンを介して基板（ウエハやガラスプレートなど）を露光する露光装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明は、以上の点に着目したものであって、原版のパターンの投影を良好に行えるようにすることをその目的とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
前記目的を達成するため、本発明は、投影光学系と、原版の面位置を検出する検出手段とを有する露光装置において、前記検出手段は前記原版に関して前記投影光学系の側からペリクルを介して前記原版のパターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする。また、例えば検出手段は前記ペリクルを介して発生する光学収差（例えば非点収差または色収差）を補正する補正光学系を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明は、他の形態として、投影光学系と、原版と前記投影光学系との間に配置される光学素子と、前記原版の面位置を検出する検出手段とを有する露光装置において、前記検出手段は前記原版に関して前記投影光学系の側から前記光学素子を介して前記原版のパターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする。前記光学素子は、例えば前記原版または前記投影光学系に起因するディストーションを補正するための光学素子であり、さらに前記検出手段は、前記光学素子を介して発生する光学収差（非点収差または色収差）を補正する補正光学系を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明に係る検出手段の主な形態は、前記パターン面に対し斜め方向から光を照射する光照射手段と、前記光照射手段によって照射された光による前記パターン面からの反射光を受光する受光手段と、前記受光手段からの光の位置に対応した検出信号を出力する光検出手段とを有することを特徴とする。また、前記パターン面の複数箇所において前記パターン面の位置を検出するように構成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明の他の形態として、露光装置が走査型露光装置である場合は、例えば、前記検出手段は、前記原版の走査が行われることにより、該走査の方向における前記パターン面の複数箇所において前記パターン面の位置を検出するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本発明によれば、例えば、熱変形などによって生じた原版のたわみあるいは、原版が交換され吸着固定された場合に原版の面形状差により発生する変形が、斜入射検出系等の検出手段によって検出される。そして、この検出結果に基づいてたわみ補正量が演算され、たわみが補正される。たわみが補正されることにより、パターン像の湾曲などが抑制され、原版のパターンの正確で安定した像が得られる。また、補正光学素子により、原版の自重たわみや吸着固定時に吸着部の面形状と原版の面形状の組み合わせによって発生する原版の変形に起因するディストーションおよび投影光学系の製造調整残差として発生するディストーションが補正光学素子により補正されることで、パターン像の湾曲などが抑制され、原版のパターンの正確で安定した像が得られる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本発明によれば、原版のパターンの投影を良好に行うことができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１において、１は電子カメラのシャーシである。２は図示しない撮像レンズから入射した光を、電気信号に変換する固体撮像素子である。３は固体撮像素子２を保持する固体撮像素子保持金具であり、シャーシ１に取り付けられる。４は回路基板であり、固体撮像素子２の駆動と固体撮像素子２の信号処理および電子カメラを駆動する回路の素子群５が実装された回路基板である。６（６ａおよび６ｂ）は固体撮像素子２を搭載したＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープから構成される接続部であり、固体撮像素子２と回路基板４とを電気的に接続するための配線がなされている。７（７ａおよび７ｂ）は接続コネクタであり、固体撮像素子２から延出される接続部６と回路基板４とを電気的に接続する。８は導電性を有するシールド部材であり、回路基板４上に実装される素子群５および図示しない配線パターンを外的ノイズから保護するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以上のようにＴＡＢテープの接続部６ａを回路基板４上の電子カメラ前面上側に設けられた接続コネクタ７ａと接続し、ＴＡＢテープの接続部６ｂを回路基板４上の電子カメラ背面下側に設けられた接続コネクタ７ｂと接続することにより、ＴＡＢテープの延出長さを上下対称長さとし、接続部６を不用意に伸ばすことなく、回路基板４における電気的接続を確実且つ容易にすることが可能である。また回路基板４を分割することなく作業性に優れた大型回路基板を搭載することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、ＨｆアルミネートおよびＺｒアルミネートのいずれかの金属酸化物を含む絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に非晶質Ｓｉからなる第１の電極層を成膜する第２の工程と、
前記第１の電極層上に多結晶Ｓｉからなる第２の電極層を成膜する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の電極層の膜厚は、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電極層の成膜温度は６００℃以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
Ｓｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上に形成された、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、ＨｆアルミネートおよびＺｒアルミネートのいずれかの金属酸化物を含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極を具えた半導体装置であって、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜上に形成されたＳｉからなる第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成されたＳｉからなる第２の電極膜からなり、前記第１の電極膜のＳｉの結晶粒が、前記第２の電極膜のＳｉの結晶粒より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１の電極層の膜厚は、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記の課題を、Ｓｉ基板上に、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、ＨｆアルミネートおよびＺｒアルミネートのいずれかの金属酸化物を含む絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上に非晶質Ｓｉからなる第１の電極層を成膜する第２の工程と、前記第１の電極層上に多結晶Ｓｉからなる第２の電極層を成膜する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明は、上記の課題を、Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板上に形成された、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、ＨｆアルミネートおよびＺｒアルミネートのいずれかの金属酸化物を含む絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極を具えた半導体装置であって、前記ゲート電極は、前記絶縁膜上に形成されたＳｉからなる第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成されたＳｉからなる第２の電極膜からなり、前記第１の電極膜のＳｉの結晶粒が、前記第２の電極膜のＳｉの結晶粒より大きいことを特徴とする半導体装置により、解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に樹脂層を設けた樹脂フィルム上に、少なくとも１層の導体層と、樹脂と無機粒子を含有する少なくとも１層の誘電体層が積層されており、樹脂層がシリコーンゴム、フッ素樹脂、光硬化型樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂を有することを特徴とする転写シート。
【請求項２】
誘電体層に含まれる無機粒子の結晶構造がペロブスカイト型および／またはパイロクロア型であることを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【請求項３】
導体層が回路パターンを形成していることを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【請求項４】
樹脂フィルムのガラス転移点が１５０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【請求項５】
誘電体層に含まれる樹脂が光硬化型樹脂であることを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【請求項６】
樹脂フィルムと樹脂層の間にプライマー層を設けたことを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、表面に樹脂層を設けた樹脂フィルム上に、少なくとも１層の導体層と、樹脂と無機粒子を含有する少なくとも１層の誘電体層が積層されており、樹脂層がシリコーンゴム、フッ素樹脂、光硬化型樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂を有することを特徴とする転写シートである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ここで、導体層の厚みは、好ましくは１〜５０μｍであり、より好ましくは１〜３０μｍ、特に好ましくは１〜２０μｍである。厚みが１μｍ未満では導体抵抗が大きくなることがあり、厚みが５０μｍを超える場合には樹脂層の導体層保持力が不安定になり回路パターン作製のエッチング時に導体層が脱落することがある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
転写の工程は図１を使用し説明する。図１は、本発明の転写シートに形成された配線回路を絶縁基板に転写する転写方法を例示説明するための断面図である。転写方法は、図１に示されるように、転写シートの上に絶縁基板１を重ね合わせ５〜４００ｋｇ／ｃｍ2程度の圧力で転写し、次いで樹脂フィルム７を剥離する方法、または、転写シートの上に硬化性樹脂を含む絶縁スラリーを配線回路よりも厚く形成し、次いで目的に応じ、硬化させた後、樹脂層６を剥離する方法などが用いられる。転写時の圧力は、絶縁基板１の樹脂の種類によって異なるが、形成した配線回路全体が埋め込まれるように選定する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月11日(2006.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の実効屈折率ｎ１で第１の共振器長Ｌ１の第１の光共振器と、前記第１の光共振器で発振された第１のレーザ光を出射する第１の発光点と、を有する第１の発光部と、
第２の実効屈折率ｎ２で第２の共振器長Ｌ２の第２の光共振器と、前記第２の光共振器で発振された第２のレーザ光を出射する第２の発光点と、を有する第２の発光部と、を具備し、
前記第１の実効屈折率と第１の共振器長の積と前記第２の実効屈折率と第２の共振器長の積との差（ｎ１・Ｌ１−ｎ２・Ｌ２）が０．０６５ｍｍより大きい
ことを特徴とするレーザ光源。
【請求項２】
前記第１の共振器長Ｌ１と前記第２の共振器長Ｌ２とが略等しい（Ｌ１≒Ｌ２）
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ光源。
【請求項３】
第１の実効屈折率ｎ１で第１の共振器長Ｌ１の第１の光共振器と、前記第１の光共振器で発振された第１のレーザ光を出射する第１の発光点と、を有する第１の発光部と、
第２の実効屈折率ｎ２で第２の共振器長Ｌ２の第２の光共振器と、前記第２の光共振器で発振された第２のレーザ光を出射する第２の発光点と、を有する第２の発光部と、を具備し、
前記第１の実効屈折率と第１の共振器長の積と前記第２の実効屈折率と第２の共振器長の積との差（ｎ１・Ｌ１−ｎ２・Ｌ２）が０．０６５ｍｍより大きい
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】
前記第１の共振器長Ｌ１と前記第２の共振器長Ｌ２とが略等しい（Ｌ１≒Ｌ２）
ことを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ。
【請求項５】
第１の実効屈折率ｎ１で第１の共振器長Ｌ１の第１の光共振器と、前記第１の光共振器で発振された第１のレーザ光を出射する第１の発光点と、を有する第１の発光部と、
第２の実効屈折率ｎ２で第２の共振器長Ｌ２の第２の光共振器と、前記第２の光共振器で発振された第２のレーザ光を出射する第２の発光点と、を有する第２の発光部と、を具備し、
前記第１の実効屈折率と第１の共振器長の積と前記第２の実効屈折率と第２の共振器長の積との差（ｎ１・Ｌ１−ｎ２・Ｌ２）が０．０６５ｍｍより大きいレーザ光源を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
第１の実効屈折率ｎ１で第１の共振器長Ｌ１の第１の光共振器と、前記第１の光共振器で発振された第１のレーザ光を出射する第１の発光点と、を有する第１の発光部と、
第２の実効屈折率ｎ２で第２の共振器長Ｌ２の第２の光共振器と、前記第２の光共振器で発振された第２のレーザ光を出射する第２の発光点と、を有する第２の発光部と、を具備し、
前記第１の実効屈折率と第１の共振器長の積と前記第２の実効屈折率と第２の共振器長の積との差（ｎ１・Ｌ１−ｎ２・Ｌ２）が０．０６５ｍｍより大きい光ピックアップを具備することを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ光源、光ピックアップ、および光ディスク装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レーザ光源、光ピックアップ、および光ディスク装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、光ディスク装置には、ＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等の複数種別の光ディスク（光記録媒体）の記録、再生を可能とするため、複数の波長の光を出射する半導体レーザを備えるものがある。この半導体レーザには、半導体チップ上に互いに異なる波長の光を出射する複数の領域を近接して形成したものを用いることができる。この場合、複数の波長を出射する半導体レーザについて戻り光ノイズを低減する必要がある。
また、光ディスクへの記録時には再生時よりも強度の大きなレーザ光を用いるため、再生時よりも戻り光の影響が大きくなり易い。
以上に鑑み、本発明は複数の波長を出射し、かつ戻り光ノイズを低減できるレーザ光源、光ピックアップ、および光ディスク装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、前記第１の共振器長Ｌ１と前記第２の共振器Ｌ２とが略等しくてもよい（Ｌ１≒Ｌ２）。
第１、第２の共振器の共振器長を同一にすることで、第１、第２の共振器を一体的に形成することが容易になる。
Ｃ．本発明に係る光ディスク装置は、第１の実効屈折率ｎ１で第１の共振器長Ｌ１の第１の光共振器と、前記第１の光共振器で発振された第１のレーザ光を出射する第１の発光点と、を有する第１の発光部と、第２の実効屈折率ｎ２で第２の共振器長Ｌ２の第２の光共振器と、前記第２の光共振器で発振された第２のレーザ光を出射する第２の発光点と、を有する第２の発光部と、を具備し、前記第１の実効屈折率と第１の共振器長の積と前記第２の実効屈折率と第２の共振器長の積との差（ｎ１・Ｌ１−ｎ２・Ｌ２）が０．０６５ｍｍより大きいレーザ光源を具備することを特徴とする。
ＤＶＤおよびＣＤそれぞれに対応する第１、第２の発光部の双方について、内部共振器長と外部共振器長の関係を戻り光ノイズが少ない状態に保つことができる。この結果、ＤＶＤ、ＣＤへの記録、再生を戻り光ノイズが少ない状態で行える。
Ｄ．本発明に係る他の光ディスク装置は、第１の実効屈折率ｎ１で第１の共振器長Ｌ１の第１の光共振器と、前記第１の光共振器で発振された第１のレーザ光を出射する第１の発光点と、を有する第１の発光部と、第２の実効屈折率ｎ２で第２の共振器長Ｌ２の第２の光共振器と、前記第２の光共振器で発振された第２のレーザ光を出射する第２の発光点と、を有する第２の発光部と、を具備し、前記第１の実効屈折率と第１の共振器長の積と前記第２の実効屈折率と第２の共振器長の積との差（ｎ１・Ｌ１−ｎ２・Ｌ２）が０．０６５ｍｍより大きい光ピックアップを具備することを特徴とする。
ＤＶＤおよびＣＤそれぞれに対応する第１、第２の発光部の双方について、内部共振器長と外部共振器長の関係を戻り光ノイズが少ない状態に保つことができる。この結果、ＤＶＤ、ＣＤへの記録、再生を戻り光ノイズが少ない状態で行える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、複数の波長を出射し、かつ戻り光ノイズを低減できるレーザ光源、光ピックアップ、および光ディスク装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と対面する面に、前記基板の平面に対して凹凸を有するコイルを実装する際に、実装時或いは実装後の少なくとも一方で、前記コイルの外周壁と前記基板の間に生じる隙間に絶縁物を配置することを特徴とするコイルの実装方法。
【請求項２】
基板上に予め絶縁材を設置し、コイルを実装すると同時に、前記絶縁材を押しつぶすことにより、前記コイルの外周端あるいは外周端の外側まで前記絶縁材を拡がらせることを特徴とするコイルの実装方法。
【請求項３】
基板上に予め絶縁材を設置し、コイルを実装すると同時に、前記絶縁材を押しつぶすことにより、前記コイルの外周端あるいは外周端の外側まで前記絶縁材を拡がらせるコイルの実装方法において、前記絶縁材と、前記基板上の絶縁材が覆うべきでない電極との間に溝を設けることを特徴とするコイルの実装方法。
【請求項４】
実装基板上にあらかじめ絶縁材を設置し、コイルを実装すると同時に、前記絶縁材を押しつぶすことにより、前記コイルの外周端あるいは外周端の外側まで拡がらせる実装方法において、前記絶縁材と、前記基板上の絶縁材が覆うべきでない電極との間に凸状の山を設けることを特徴とするコイルの実装方法。
【請求項５】
基板上に設けられた第１の電極と前記基板に実装される部品が有する電極で、前記実装基板平面に対して平行でない第２の電極との接続において、第１の電極と第２の電極との間に絶縁物からなる角度緩和層を配置し、その絶縁物と接する部分に、第１の電極および第２の電極を接続する配線材料を配置したことを特徴とするコイルの実装方法。
【請求項６】
実装されるコイルが、前記コイルの少なくとも外周壁面と下面に電極を有することを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のコイルの実装方法。
【請求項７】
実装されるコイルが、基板と対面する面に前記基板の平面に対して凹凸を持つことを特徴とした請求項１から６の何れか一項に記載のコイルの実装方法。
【請求項８】
実装されるコイルが、導体材料からなる巻き芯と、その周りに配置されたスパイラル状の導体配線からなるコイルであることを特徴とする、請求項１から７の何れか一項に記載のコイルの実装方法。
【請求項９】
実装されるコイルが、少なくとも１層の導体層と、少なくとも１層の絶縁層からなる多層フィルムを巻回、あるいは積層する工程と、所定の形状に切断する工程と、切断面の短絡を除去する断面処理工程を含むことを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載のコイルの実装方法。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか一項に記載の基板を使用したことを特徴とする平面モータ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の平面モータを使用したことを特徴とする振動モータ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の振動モータを使用したことを特徴とする携帯端末。
【請求項１３】
請求項１０に記載の平面モータを記録媒体の回転手段として使用したことを特徴とする磁気記録、あるいは相変化記録、あるいは光磁気記録用ドライブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コイルの実装方法およびそれを使用した電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は上記の課題を解決するために、基板と対面する面に、前記基板の平面に対して凹凸を有するコイルを実装する際に実装時或いは実装後の前記コイルの外周壁と前記基板の間に生じる隙間に絶縁物を配置することを特徴とする。これにより、小型かつ薄型コイルの実装時の不良低減を、生産性を保ったまま実現し、これらコイルを使用した電子機器の信頼性を向上することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は上記の課題を解決するために、基板上に設けられた第１の電極と前記基板に実装されるコイルが有する電極で、前記実装基板平面に対して平行でない第２の電極との接続において、第１の電極と第２の電極との間に絶縁物からなる角度緩和層を配置し、その絶縁物と接する部分に、第１の電極および第２の電極の間を接続する配線材料を配置したことを特徴とする。これにより、小型かつ薄型コイルの実装時の不良低減を、生産性を保ったまま実現し、これらコイルを使用した電子機器の信頼性を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月11日(2006.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、凹部又は凸部の最小サイズがサブミクロンオーダーとなるような所定のマスクパターンで、レジストを付着させる第１のステップと、
前記レジストの表面の少なくとも一部に金属薄膜を形成する第２のステップと、
前記レジストが形成された基材をドライエッチング処理することにより微細形状を形成する第３のステップとを有することを特徴とする微細形状の加工方法。
【請求項２】
前記レジストは、前記基材上に微細な間隔で並べられたブロックであり、前記ブロックの頂面及びその近傍に、前記金属薄膜が形成されることを特徴とする請求項１に記載の微細形状の加工方法。
【請求項３】
前記マスクパターンは、電子ビーム描画により形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の微細形状の加工方法。
【請求項４】
前記金属薄膜は、ＮｉもしくはＣｒをスパッタ法を用いて前記レジストに付着させることで形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の微細形状の加工方法。
【請求項５】
前記レジストは開口幅に対して深さが深い溝形状を有しており、前記溝の側壁に対して傾いた方向から、ＮｉもしくはＣｒを付着させることを特徴とする請求項４に記載の微細形状の加工方法。
【請求項６】
前記ドライエッチング処理は、物理的エッチング効果が得られるか、もしくは物理的エッチング量を制御できる装置を用いて異方性エッチング処理を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の微細形状の加工方法。
【請求項７】
前記基材は３次元形状を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の微細形状の加工方法。
【請求項８】
微細形状を加工された前記基材は、光学素子を成形するための電鋳母型を作るための金型として用いられることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の微細形状の加工方法。
【請求項９】
微細形状を加工された前記基材は、溶融した樹脂や低融点ガラスなどに押圧されることで、その微細形状を転写する母型として用いられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の微細形状の加工方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の微細形状の加工方法により加工された前記基材を用いて、前記微細形状もしくはそれに相補する形状を有することを特徴とする光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、かかる従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、高いアスペクト比を有する高精度な微細形状を形成できる微細形状の加工方法及び光学素子を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の微細形状の加工方法は、
基材上に、凹部又は凸部の最小サイズ（例えば凹部の開口幅や凸部の幅など）がサブミクロンオーダーとなるような所定のマスクパターンで、レジストを付着させる第１のステップと、
前記レジストの表面の少なくとも一部に金属薄膜を形成する第２のステップと、
前記レジストが形成された基材をドライエッチング処理することにより微細形状を形成する第３のステップとを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、基材上に、凹部又は凸部の最小サイズ（例えば凹部の開口幅や凸部の幅など）がサブミクロンオーダーとなるような所定のマスクパターンで、レジストを付着させる第１のステップと、前記レジストの表面の少なくとも一部に金属薄膜を形成する第２のステップと、前記レジストが形成された基材をドライエッチング処理することにより微細形状を形成する第３のステップとを有するので、例えば電子ビーム描画によって形成した複雑かつ高精度のレジストパターンを直接マスクにすることでそのパターン精度を維持し、かつ、その表面の弱い部分（ドライエッチングで削られやすい部分）のみに金属薄膜を成膜することで、マスク形状を維持し、高アスぺクトのパターンを加工できるという特徴がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持装置であって、
前記基板をならわせる基準面を規定する吸着面を介して前記基板を吸着する複数の凸部を有し、
前記複数の凸部は、各々等しい吸着力を有し、吸着密度が前記基準面の周方向より径方向に大きくなるように配置されていることを特徴とする保持装置。
【請求項２】
基板を保持する保持装置であって、
前記基板をならわせる基準面を規定する０．１ｍｍ以上の径の吸着面を介して前記基板を吸着する複数の凸部を有し、
前記複数の凸部は、前記基板の面積に対して前記吸着面の総面積が１０％以下であり、
前記複数の凸部の吸着密度が、前記基準面の周方向より径方向に大きいことを特徴とする保持装置。
【請求項３】
前記基準面の径方向の吸着密度は、前記基準面の周方向の吸着密度の１．５倍乃至５倍であることを特徴とする請求項１又は２記載の保持装置。
【請求項４】
前記複数の凸部は、任意の凸部と、前記任意の凸部と前記基準面の中心とを結ぶ線におろした垂線が最も短い凸部との距離が、前記任意の凸部を通る同心円の接線に対しておろした垂線が最も短い凸部との距離よりも小さくなるように配置された凸部群を有することを特徴とする請求項１又は２記載の保持装置。
【請求項５】
前記凸部群は、前記基準面の外周部に配置されることを特徴とする請求項４記載の保持装置。
【請求項６】
前記吸着面は、前記基準面の径方向の長さが前記基準面の周方向の長さよりも長い形状を有することを特徴とする請求項１又は２記載の保持装置。
【請求項７】
前記複数の凸部は、前記基準面の周方向に連続するリング状に配置された第１の凸部群と、
前記第１の凸部群の内側に分散して配置された第２の凸部群とを有し、
前記第２の凸部群のうち、前記第１の凸部群側の最外凸部において、前記第１の凸部群との距離が、前記最外凸部を通る同心円の接線におろした垂線が最も短い凸部との距離よりも小さくなるように配置されたことを特徴とする請求項１記載の保持装置。
【請求項８】
基板を保持する保持装置であって、
前記基板をならわせる基準面を規定する吸着面を介して前記基板を吸着する複数のリング形状の凸部を有し、
前記複数のリング形状の凸部は、前記基準面の径方向において、前記基準面の中心から離れるほど間隔が小さくなることを特徴とする保持装置。
【請求項９】
光源から発せられた光束を投影光学系を介して請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の保持装置に保持されたウェハに照射して当該ウェハを露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
光源から発せられた光束を用いて請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の保持装置に保持されたレチクルを照明し、当該レチクルのパターンをウェハに露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の保持装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１０のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての保持装置は、基板を保持する保持装置であって、前記基板をならわせる基準面を規定する吸着面を介して前記基板を吸着する複数の凸部を有し、前記複数の凸部は、各々等しい吸着力を有し、吸着密度が前記基準面の周方向より径方向に大きくなるように配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の別の側面としての保持装置は、基板を保持する保持装置であって、前記基板をならわせる基準面を規定する０．１ｍｍ以上の径の吸着面を介して前記基板を吸着する複数の凸部を有し、前記複数の凸部は、前記基板の面積に対して前記吸着面の総面積が１０％以下であり、前記複数の凸部の吸着密度が、前記基準面の周方向より径方向に大きいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の更に別の側面としての保持装置は、基板を保持する保持装置であって、前記基板をならわせる基準面を規定する吸着面を介して前記基板を吸着する複数のリング形状の凸部を有し、前記複数のリング形状の凸部は、前記基準面の径方向において、前記基準面の中心から離れるほど間隔が小さくなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、光源から発せられた光束を投影光学系を介して上述の保持装置に保持されたウェハに照射して当該ウェハを露光することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、光源から発せられた光束を用いて上述の保持装置に保持されたレチクルを照明し、当該レチクルのパターンをウェハに露光することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光源からの露光光が照射される光学部材の冷却方法であって、
露光時に、密閉空間に冷媒が充填された蓄熱体により前記光学部材を冷却し、非露光時には該蓄熱体を冷却し、該露光時には該蓄熱体を冷却しないことを特徴とする光学部材の冷却方法。
【請求項２】
前記露光時には前記冷媒の相変化に伴う吸熱により前記光学部材を冷却することを特徴とする請求項１に記載の光学部材の冷却方法。
【請求項３】
前記相変化が、液相と気相との間の相変化であることを特徴とする請求項２に記載の光学部材の冷却方法。
【請求項４】
前記相変化が、固相と液相との間の相変化であることを特徴とする請求項２に記載の光学部材の冷却方法。
【請求項５】
前記密閉空間の空間容積が可変であることを特徴とする請求項１に記載の光学部材の冷却方法。
【請求項６】
前記密閉空間内の圧力を圧力計測手段によって計測しつつ、その計測値に基づいて該密閉空間の空間容積を制御することを特徴とする請求項５に記載の光学部材の冷却方法。
【請求項７】
前記光学部材の温度を温度計測手段によって計測しつつ、その計測値に基づいて該密閉空間の空間容積を制御することを特徴とする請求項５に記載の光学部材の冷却方法。
【請求項８】
露光光源からの露光光を被処理体に導く光学部材と、
前記光学部材を冷却する冷却装置と、を有し、
前記冷却装置は、
前記光学部材を冷却するために密閉空間に冷媒が充填されて構成された蓄熱体と、
該蓄熱体を冷却する補助冷却手段と、
非露光時に前記補助冷却手段が前記蓄熱体を冷却し、かつ、露光時に前記補助冷却手段が該蓄熱体を冷却しないように該補助冷却手段を制御する補助冷却手段制御装置と、
を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記蓄熱体は、前記冷媒の相変化に伴う吸熱により前記光学部材を冷却することを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記密閉空間に液相及び気相の前記冷媒が充填されていることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記密閉空間に固相及び液相の前記冷媒が充填されていることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記密閉空間の圧力を計測する圧力計測手段と、該圧力計測手段による計測結果に基づいて該密閉空間の空間容積を制御する容積制御手段とを備えたことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記光学部材の温度を計測する温度計測手段と、該温度計測手段による計測結果に基づいて該密閉空間の空間容積を制御する容積制御手段とを備えたことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記光学部材から吸熱を行うとともに前記蓄熱体に排熱を行うペルチェ素子と、非露光時に前記ペルチェ素子を駆動するとともに露光時に該ペルチェ素子を非駆動とする駆動手段とを備えたことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の露光装置によって前記被処理体を投影露光する工程と、前記投影露光された被処理体を現像する工程とを有するデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の一側面としての光学部材の冷却方法は、露光光源からの露光光が照射される光学部材の冷却方法であって、露光時に、密閉空間に冷媒が充填された蓄熱体により前記光学部材を冷却し、非露光時には該蓄熱体を冷却し、該露光時には蓄熱体を冷却しないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光されるべき複数のショットに対応するアライメントマークが表面に形成された基板からショットを選択し、該選択されたショットに対応するアライメントマークに基づいて前記基板のアライメントを行うアライメント方法であって、
第１の基板の複数のショットに対して露光を行った後に、該各ショットにおけるアライメント状態を重ね合わせ検査装置によって検査するステップと、
前記重ね合わせ検査装置の検査結果に基づいて、前記第１の基板と異なる第２の基板の複数のショットの中からショットを選択するステップと、
該選択されたショットに対応して前記第２の基板表面に形成されたアライメントマークに基づいて前記第２の基板のアライメントを行うことを特徴とするアライメント方法。
【請求項２】
前記各ショットにおけるアライメント状態を、複数のショットに対応して前記第１の基板表面に形成された計測マークを用いて前記重ね合わせ検査装置によって検査することを特徴とする請求項１に記載のアライメント方法。
【請求項３】
前記各ショットにおけるアライメント状態を、前記計測マークの全てを用いて前記重ね合わせ検査装置によって検査することを特徴とする請求項２に記載のアライメント方法。
【請求項４】
前記重ね合わせ装置において前記第１の基板を１８０°回転させることにより、前記第１の基板が０°の状態と前記第１の基板が１８０°の状態との２つの状態において前記計測マークを計測し、該２つの状態における前記計測マークの計測結果に基づいて前記第２の基板の複数のショットの中からショットを選択することを特徴とする請求項１に記載のアライメント方法。
【請求項５】
前記第１の基板に対して前記ショット露光を重ね合わせにより行うことを特徴とする請求項１に記載のアライメント方法。
【請求項６】
前記計測マークが線幅の異なる複数のマークであることを特徴とする請求項２に記載のアライメント方法。
【請求項７】
前記第２の基板表面に形成されたアライメントマークの線幅が、前記計測マークのうち線幅の細いものと線幅の太いものとの間の線幅を有することを特徴とする請求項６に記載のアライメント方法。
【請求項８】
前記第１の基板表面に形成された計測マーク周囲の第１の範囲におけるマーク密度と前記第２の基板表面に形成されたアライメントマーク周囲の第２の範囲におけるマーク密度とを略一致させることを特徴とする請求項２に記載のアライメント方法。
【請求項９】
前記第１の範囲が前記第１の基板表面に形成された計測マークを中心とする一辺の寸法が５０μｍの正方形の範囲であり、前記第２の範囲が前記第２の基板表面に形成されたアライメントマークを中心とする縦寸法が５０μｍで横寸法が１５０μｍの長方形の範囲であることを特徴とする請求項８に記載のアライメント方法。
【請求項１０】
前記第１の範囲において前記第１の基板表面に形成された計測マークが占める面積割合が略５％であり、前記第２の範囲において前記第２の基板表面に形成されたアライメントマークが占める面積割合が略５％であることを特徴とする請求項８に記載のアライメント方法。
【請求項１１】
第１の基板の複数のショットに対して露光を行った後に、該各ショットにおけるアライメント状態を検査する重ね合わせ検査装置からの検査結果に基づいて、前記第１の基板と異なる第２の基板の複数のショットの中からショットを選択する選択手段と、
該選択されたショットに対応して前記第２の基板表面に形成されたアライメントマークに基づいて前記第２の基板のアライメントを行うアライメント光学系とを有することを特徴とするアライメント装置。
【請求項１２】
露光光源からの光を前記第２の基板上に導くための投影光学系と、請求項１１に記載のアライメント装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の露光装置によって被処理体を投影露光する工程と、前記投影露光された被処理体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記の例示的目的を達成するために、本発明の一側面としてのアライメント方法は、露光されるべき複数のショットに対応するアライメントマークが表面に形成された基板からショットを選択し、選択されたショットに対応するアライメントマークに基づいて基板のアライメントを行うアライメント方法であって、第１の基板の複数のショットに対して露光を行った後に、各ショットにおけるアライメント状態を重ね合わせ検査装置によって検査するステップと、重ね合わせ検査装置の検査結果に基づいて、第１の基板と異なる第２の基板の複数のショットの中からショットを選択するステップと、選択されたショットに対応して第２の基板表面に形成されたアライメントマークに基づいて第２の基板のアライメントを行うことを特徴とする。
本発明の別の側面としての露光装置は、露光光源からの光を前記第２の基板上に導くための投影光学系と、上述のアライメント装置とを備えたことを特徴とする。
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置によって被処理体を投影露光する工程と、前記投影露光された被処理体を現像する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月14日(2006.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に半導体膜を形成する工程と、半導体膜を被照射面として、レーザビームを前記被照射面に対して斜めに入射させ、前記レーザビームの位置を相対的に移動させながらレーザアニールする工程とを有し、前記レーザビームに対する被照射面の相対的な移動方向を→ａ、前記レーザビームの入射方向を→ｂとすると、→ａと→ｂの内積が０未満となるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板に半導体膜を形成する工程と、半導体膜を被照射面として、レーザビームを前記被照射面に対して斜めに入射させ、前記レーザビームの位置を相対的に移動させながらレーザアニールする工程とを有し、前記レーザビームに対する被照射面の相対的な移動方向を→ａ、前記レーザビームの入射方向を→ｂとすると、→ａと→ｂのなす角度が９０度より大きくなるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記レーザアニールする工程において、前記レーザビームを被照射面においてエネルギー分布が均一なレーザビームに加工して、前記半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記レーザアニールする工程において、前記レーザビームを被照射面において長方形状に加工して、前記半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記レーザビームの一部は前記半導体膜を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記レーザビームは連続発振のレーザ照射器から発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、本実施例で作製するアクティブマトリクス基板の画素部の上面図を図１１に示す。なお、図７〜図１０に対応する部分には同じ符号を用いている。また、図１０中の鎖線Ｂ−Ｂ’は図１１中の鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図に対応している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月4日(2006.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像し、画像データを生成する撮像部と、
前記画像データを所定の宛先に送信する送信装置と着脱自在に接続する接続部と、
自装置に接続された前記送信装置を制御するとともに前記画像データを送信する宛先を選択する送信装置制御部と、
情報を表示する表示部と、
自装置に前記送信装置が接続されていない場合は、画像データの処理および／または撮像に関する項目を有する第１メニュー画面を表示し、自装置に前記送信装置が接続されている場合は、前記画像データの処理および／または撮像に関する項目に前記送信装置の制御に関する項目を加えた第２メニュー画面を表示するように制御信号を出力する表示制御部と、
を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
自装置に前記送信装置が接続されると、前記表示部の表示を第２メニュー画面の表示に切り替える表示切替部を具備することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
自装置に前記送信装置が接続された場合に、第２メニュー画面を表示するとき、前記送信装置の制御に関する項目上に項目選択用のカーソルまたはポインタを配置するカーソル制御部を具備することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
自装置に前記送信装置が接続された場合に、第２メニュー画面を表示するとき、前記送信装置の制御に関する項目が選択された状態にする項目選択制御部を具備することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項５】
送信されるべき画像データは、前記撮像部が生成した画像データを縮小および／または圧縮した画像データであることを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記送信装置を制御するモードに入る場合に、前記送信装置の電源をオン状態にし、前記送信装置を制御するモードから出る場合に、前記送信装置の電源をオフ状態にする電源制御部を具備することを特徴とする請求項１〜５の何れか１つに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記画像データについて送信すべき宛先を示す画像・宛先対応データを生成する対応データ生成部を具備することを特徴とする請求項１〜６の何れか１つに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記送信装置は、ワイヤレス通信カード用のスロットを有し、前記ワイヤレス通信カードを介して通信を行うことを特徴とする請求項１〜７の何れか１つに記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、従来の制御装置として、装置本体に接続される通信モデムに通信プログラムを予め記憶させたプログラムメモリを内蔵させ、通信選択メニュー画面において「Ｏｐｔｉｏｎ」を選択すると、接続中の通信モデムに内蔵された通信プログラムが読み出されて本体側制御部および通信モデム内の通信回路ユニットにおける動作が、対応通信先の通信プロトコルに従って制御されるものもある（例えば、特許文献２参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、この発明の撮像装置は、被写体を撮像し、画像データを生成する撮像手段と、前記画像データを所定の宛先に送信する送信装置と着脱自在に接続する接続部と、撮像装置に接続された前記送信装置を制御する送信装置制御部と、情報を表示する表示部と、撮像装置に前記送信装置が接続されていない場合は、画像データの処理および／または撮像に関する項目を有するメニュー画面を表示し、撮像装置に前記送信装置が接続されている場合は、前記画像データの処理および／または撮像に関する項目に前記送信装置の制御に関する項目を加えたメニュー画面を表示するように制御信号を出力する表示制御部と、を具備することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
送信装置１０２は、インターネットなどを介して所定の宛先に画像データを送信する。送信装置１０２は、送信装置制御部１０８による制御に基づいて、ネットワーク１１６を介してＩＳＰ（インターネット・サービス・プロバイダ）１１８に接続する。そして、送信装置１０２は、ネットワーク１１６を介してメールサーバ１２０に画像データを送信する。また、送信装置１０２は、ワイヤレスＩＰによる通信を行ってネットワーク１１６に接続してもよい。ネットワーク１１６は、例えば、ＰＨＳネットワーク，携帯電話ネットワーク，公衆電話ネットワークなどである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
レンズ１２２は、撮像対象からの光を集光し、受光素子１２４に導く。受光素子１２４は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の素子を有し、画像を取り込む。画像処理回路１２６は、受光素子１２４からの信号に基づいて画像データを生成する。画像処理回路１２６は、例えば、ＪＰＥＧ圧縮伸長回路などの画像圧縮伸長回路を有し、画像の圧縮／伸長を行う。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
メール送信を続ける場合、プロセッサ１３０は、図９に示すように、画像データを送信する宛先のアドレス選択用の画面をディスプレイ部１２８に表示する。宛先のアドレスは、送信装置１０２または撮像装置１００に予め設定されているもの（Ｄｅｆａｕｌｔ）の他、メモリカード１３８により追加設定することができる。宛先のアドレスは、送信装置１０２の不揮発性メモリ１５４に記憶してもよいし、撮像装置１００の不揮発性メモリ１３２に記憶してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、実施の形態１〜５では、撮像装置１００，２００，３００，４００，５００が使用する記憶手段としてメモリカードを例に挙げたが、撮像装置１００，２００，３００，４００，５００が使用する記憶手段の種類は、特に限定されない。撮像装置１００，２００，３００，４００，５００は、半導体メモリを内蔵してもよいし、ハードディスクを内蔵してもよい。また、光ディスク用のドライブを内蔵してもよい。また、実施の形態１〜５では、送信装置１０２にワイヤレス通信カード１５０が接続される例を示したが、撮像装置１００，２００，３００，４００，５００にソケットを設け、ワイヤレス通信カードを送信装置として、直接、撮像装置１００，２００，３００，４００，５００に接続するようにしてもよい。