【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】  多孔質無機粒子中に蛍光性錯体を含有する発光物質であって、多孔質無機粒子を構成する一次粒子の内部に蛍光性錯体が含有されていることを特徴とする発光物質。
【請求項２】  蛍光性錯体を９ｗｔ％以上含有することを特徴とする、請求項１に記載の発光物質。
【請求項３】  多孔質無機粒子がゾル−ゲル前駆体から生成する多孔質無機粒子であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光物質。
【請求項４】  多孔質無機粒子がシリカ粒子であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】  ゾル−ゲル前駆体として一般式（１）及び（２）を用いることを特徴とする請求項３又は４に記載の発光物質。
Ｍ（Ｒ）x（Ｇ）y        （１）
（式（１）中、Ｍは金属または半金属、Ｒは加水分解可能な基、Ｇは蛍光性錯体と結合を形成しうる有機鎖を表し、ｘは２≦ｘ≦４、ｙは０≦ｙ≦２を満たす。）
Ｍ（Ｒ）z                （２）
（式（２）中、Ｍは金属または半金属、Ｒは加水分解可能な基を表し、ｚは４≦ｚ≦６を満たす）
【請求項６】  蛍光性錯体が希土類イオン錯体系蛍光体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光物質。
【請求項７】  蛍光性錯体と結合を形成しうる有機鎖が官能基を有し、該官能基が窒素含有官能基であることを特徴とする請求項５又は６に記載の発光物質。
【請求項８】  蛍光性錯体が、芳香族環を含む置換基を有するβ−ジケトンまたは芳香族環を含む置換基を有するカルボン酸から誘導されるアニオンを配位子とする錯体であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光物質。
【請求項９】  蛍光性錯体の存在下でＳｉ含有ゾル−ゲル前駆体のゾル−ゲル反応を進行させることにより、シリカ粒子を構成する一次粒子の内部に蛍光性錯体が含有されている発光物質を得ることを特徴とする発光物質の製造方法。
【請求項１０】  界面活性剤の存在下で、Ｓｉ含有ゾル−ゲル前駆体のゾル−ゲル反応を進行させることを特徴とする請求項９に記載の発光物質の製造方法。
【請求項１１】  界面活性剤がカチオン性であることを特徴とする請求項１０に記載の発光物質の製造方法。
【請求項１２】  ３５０〜４１５ｎｍの光を発生する第１の発光体と、当該第１の発光
体からの光の照射によって可視光を発生する第２の発光体とを有する発光装置において、第２の発光体として、請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光物質を用いることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】  請求項１２に記載の発光装置を有する照明装置。
【請求項１４】  請求項１２に記載の発光装置を有する画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光物質及びそれを用いた発光装置に関し、詳しくは、電力源により３５０〜４１５ｎｍの光から可視光領域の光を発光する第１の発光体と、その紫外光から可視光領域にある光を吸収しその光より長波長の可視光を発する発光物質となる蛍光体を有する波長変換材料としての第２の発光体とを組み合わせることにより、使用環境によらず演色性が良く、色再現範囲が広く、かつ、高強度の発光を発生させることのできる発光物質及びその製造方法、ならびにそれを用いた発光装置、及び、それを使用した照明装置と画像表示装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
青、赤、緑の混色により、白色その他の様々な色を、むらなくかつ演色性良く色再現範囲の広い状態で発生させるために、ＬＥＤやＬＤの発光色を蛍光体で色変換させた発光装置が提案されている。例えば、特公昭４９−１２２１号公報では、３００〜５３０ｎｍの波長の放射ビームを発するレーザーのビームを燐光体（Ｙ3-x-yＣｅxＧｄyＭ5-zＧａzＯ12（ＹはＹ、Ｌｕ、またはＬａ、ＭはＡｌ、Ａｌ−Ｉｎ、またはＡｌ−Ｓｃを表す。））
に照射させ、これを発光させてディスプレイを形成する方法が示されている。また、近年では、青色発光の半導体発光素子として注目されている発光効率の高い窒化ガリウム（ＧａＮ）系ＬＥＤやＬＤと、波長変換材料としての蛍光体とを組み合わせて構成される白色発光の発光装置が、消費電力が小さく長寿命であるという特徴を活かして照明装置や画像表示装置の発光源として提案されている。実際に、特開平１０−２４２５１３号公報において、この窒化物系半導体のＬＥＤ又はＬＤチップを使用し、蛍光体としてイットリウム・アルミニウム・ガーネット系を使用することを特徴とする発光装置が示されている。また、米国特許第６，２７８，１３５号明細書においては、蛍光体がＬＥＤからの紫外光を受けて可視光を発する発光装置において、その蛍光体としてＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+などの無機蛍光体が示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかし、従来のＥｕ錯体色素はバイオ関係を中心とする微量分析用が主な用途であるため、輝度の向上の研究は盛んに行われたものの、耐久性の必要性が低いため、耐光性の改良検討はほとんど行われておらず、既知のＥｕ錯体色素では照明用の蛍光体として実用化することができない。
また、耐久性向上のためＥｕ錯体色素をポアサイズ４．１ｎｍ、比表面積が６００〜８００ｍ2／ｇである結晶性シリカ粒子に挿入した例（Ｑｉｎｇｈｏｎｇ  Ｘｕ，Ｌｉａｎ
ｓｈｅｎｇ  Ｌｉ，Ｘｉｎｓｈｅｎｇ  Ｌｉｕ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ．，ｖｏｌ．１４，ｐｐ５４９−５５５，２００２）が知られているが、錯体の挿入量としてはたかだか８ｗｔ％程度であり十分な輝度が得られなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、反応終了時に目的複合物を沈殿させるために、ＴＨＦ等の有機溶媒を添加することができる。濾過後、（洗浄）・乾燥して目的物を得る。
尚、本発明の多孔質無機粒子は、更に、そのポア中に蛍光性錯体を含んでいてもよい。
また、本発明において発光物質は第２の発光体として、第１の発光体からの３５０〜４１５ｎｍの光によって励起され、可視光を発生する。上記発光物質は、３５０〜４１５ｎｍの光の励起によって演色性がよく、かつ、強い発光強度の可視光を発生する。発明において、前記発光物質を照明装置や画像表示装置などの発光装置に好適に用いることができる。光を照射する第１の発光体は、波長３５０〜４１５ｎｍの光を発生する。好ましくは波長３５０〜４１５ｎｍの範囲にピーク波長を有する光を発生する発光体を使用する。第１の発光体の具体例としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオード（ＬＤ）等を挙げることができる。消費電力が良く少ない点でより好ましくはレーザーダイオードである。その中で、ＧａＮ系化合物半導体を使用した、ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤが好ましい。なぜなら、ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤは、この領域の光を発するＳｉＣ系ＬＥＤ等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、２０ｍＡの電流負荷に対し、通常ＧａＮ系はＳｉＣ系の１００倍以上の発光強度を有する。ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤにおいては、ＡｌXＧａYＮ発光層、ＧａＮ発光層、またはＩｎXＧａYＮ発光層を有しているものが好ましい。ＧａＮ系ＬＥＤにおいては、それらの中でＩｎXＧａYＮ発光層を有するものが発光強度が非常に強いので、特に好ましく、ＧａＮ系ＬＤにおいては、ＩｎX
ＧａYＮ層とＧａＮ層の多重量子井戸構造のものが発光強度が非常に強いので、特に好ま
しい。なお、上記においてＸ＋Ｙの値は通常０．８〜１．２の範囲の値である。ＧａＮ系ＬＥＤにおいて、これら発光層にＺｎやＳｉをドープしたものやドーパント無しのものが発光特性を調節する上で好ましいものである。ＧａＮ系ＬＥＤはこれら発光層、ｐ層、ｎ層、電極、および基板を基本構成要素としたものであり、発光層をｎ型とｐ型のＡｌXＧ
ａYＮ層、ＧａＮ層、またはＩｎXＧａYＮ層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有し
ているものが発光効率が高く、好ましく、さらにヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが発光効率がさらに高く、より好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本発明の発光装置は、波長変換材料としての前記発光物質と、３５０〜４１５ｎｍの光を発生する発光素子とから構成されてなり、前記発光物質が発光素子の発する３５０〜４１５ｎｍの光を吸収して、使用環境によらず演色性が良く、かつ、高強度の可視光を発生させることのできる発光装置であり、バックライト光源、信号機などの発光源、又、カラー液晶ディスプレイ等の画像表示装置や面発光等の照明装置等の光源に適している。