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【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室温で固体であり、かつ高温で液体である溶融可能なインクであって、前記インクが間接印刷プロセスに使用するのに適しており、間接印刷プロセスにおいて、インクジェットプリントヘッドを使用することによって、前記インクが、個々のインク滴の形状で転写エレメントに転写され、その後、前記転写エレメントを受け取り材料に圧力をかけて接触させることによって、インクが前記受け取り材料に転写され、前記インクが下限および上限の間の温度で圧力転写可能であるような組成物を有し、前記インクが、上限に等しい温度で２０×１０５Ｐａ・ｓ未満の変形エネルギーを有することを特徴とする溶融可能なインク。
【請求項２】
前記インクが、上限に等しい温度で１０×１０５Ｐａ・ｓ未満の変形エネルギーを有することを特徴とする、請求項１に記載の溶融可能なインク。
【請求項３】
前記インクが、上限に等しい温度で２×１０５Ｐａ・ｓよりも小さな変形エネルギーを有することを特徴とする、請求項２に記載の溶融可能なインク。
【請求項４】
前記インクが、半結晶質結合剤および結晶質増粘剤を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の溶融可能なインク。
【請求項５】
前記インクが、結合剤、非晶質固化柔軟剤、および結晶質増粘剤を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の溶融可能なインク。
【請求項６】
前記インクが、結晶質固化柔軟剤、結晶質増粘剤、および任意に結合剤を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の溶融可能なインク。
【請求項７】
室温で固体であり、間接印刷プロセスに使用するのに適した溶融可能なインクを選択する方法であって、間接印刷プロセスにおいて、前記インクが、インクジェットプリントヘッドを使用することによって転写エレメントに転写され、その後、前記インクが、圧力をかけて前記転写エレメントから受け取り材料に転写され、インクが、下限と上限の間の温度で前記インクが圧力転写可能であるような組成物を有し、
前記方法が、
前記インクが圧力転写可能であるかどうかを求めること、
前記インクが圧力転写可能である場合に上限の温度を求めることとを含み、
前記方法がさらに、
前記上限の温度での前記インクの変形エネルギーを、例５または６で示したようにして求めること、
前記変形エネルギーが２０×１０５Ｐａ・ｓ未満の場合に、前記インクを選択することとを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記変形エネルギーが１０×１０５Ｐａ・ｓである場合に、前記インクを選択することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記変形エネルギーが２×１０５Ｐａ・ｓ未満である場合に、前記インクを選択することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図１３は、図１０Ａ又は図１２Ａに図示された装置を参照して基板を処理するための方法の１実施形態を説明するフローチャートである。ここに開示されたその他の装置を含む、その他の装置も本方法を実行するために適していることを、当業者は理解するはずである。ステップ１３１０では、基板１０１６がチャンバ１０１０の中にロードされる。オプションとして、ＸｅＦ２を使用しない１又はそれより多くの処理ステップが、エッチング室１０１０中で基板１０１６に実行される。モジュール１０５２は、収縮した位置にあり、それによってＸｅＦ２１０５４をアクセス・ポートの内側領域１０３９の内部に封止し、そしてキャビティ１０１４中へのＸｅＦ２蒸気の侵入を防止する。個々の処理ステップは、製造している個々の装置、エッチング室１０１０の構成、及び個々のプロセス・フローに依存する。適切なプロセス・ステップの一例は、エッチング室１０１０の構成と矛盾のないいずれかの方法を使用して、層又は膜、例えば、犠牲層、マスク、及び／又は構造的な層、を堆積することを含む。適切な方法の例は、スピン−コーティング、スパッタリング、物理気相堆積、化学気相堆積、原子層堆積、分子線エピタキシ、及びその他を含む。その他の処理ステップの例は、ＸｅＦ２以外のエッチャントを使用するエッチング、クリーニング、及びその他を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ａ】
2006100795.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１Ａ】
2006100795.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１Ｃ】
2006100795.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２Ａ】
2006100795.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２Ｂ】
2006100795.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプを形成する方法であって、
（１）複数の電極が形成された基板を用意する工程と、
（２）前記基板上に、はんだ粉及び対流添加剤を含有する樹脂を供給する工程と、
（３）前記基板を前記はんだ粉が溶融する温度に加熱し、前記対流添加剤が前記樹脂中を対流する工程と
を含む、前記電極上にバンプを形成する方法。
【請求項２】
前記基板を加熱する工程（３）は、前記対流添加剤の沸点よりも高い温度で行なわれることを特徴とする、請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記基板を加熱する工程（３）において、前記はんだ粉は、溶融状態で前記樹脂中を対流することを特徴とする、請求項１または２に記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記対流添加剤は、溶剤、グリセリン、ワックス、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトールおよびエチレングリコールよりなる群から選ばれた１種もしくは２種以上からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
前記はんだ粉は、略同一の粒径を有していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項６】
前記基板を加熱する工程（３）において、前記基板上に供給された前記樹脂表面に平板を当接させながら、前記基板を加熱することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項７】
前記基板上に形成された電極と前記平板との間に、一定の幅の隙間が形成されるように平板を保持することを特徴とする、請求項６に記載のバンプ形成方法。
【請求項８】
前記基板を加熱する工程（３）において、前記基板上に形成された電極と前記平板との間に設けられた一定の隙間は、前記はんだ粉の粒径よりも広いことを特徴とする請求項７に記載のバンプ形成方法。
【請求項９】
前記基板を加熱する工程（３）において、前記平板に一定の圧力を加えることによって、前記樹脂を押圧しながら、前記基板を加熱することを特徴とする、請求項６に記載のバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記基板を加熱する工程（３）において、前記沸騰した対流添加剤は、前記基板と前記平板との間に設けられた隙間の周辺部から、外部に蒸発することを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載のバンプ形成方法。
【請求項１１】
前記平板の前記基板に対向する平面上に、前記基板に形成された複数の電極と対向する位置に、前記電極と略同一形状の金属パタ−ンが形成されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項１２】
前記基板を加熱する工程（３）において、前記電極上にバンプが形成された後、平板を除去することを特徴とする、請求項６〜１１のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項１３】
前記基板を冷却することなく、前記平板を除去し、前記電極上に、前記電極と前記平板と間に設けられた隙間の間隔よりも高いバンプを形成することを特徴とする、請求項１２に記載のバンプ形成方法。
【請求項１４】
前記基板を加熱する工程（３）の後、前記基板を冷却する工程を更に含み、
前記基板の冷却後、前記樹脂表面に当接されている平板を、前記樹脂表面から離間させることを特徴とする、請求項６〜１２のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項１５】
前記基板を加熱する工程（３）の後、前記基板を冷却する工程を含み、
前記基板の冷却後、前記樹脂を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項１６】
前記基板を加熱する工程（３）は、前記樹脂の粘度が低下する温度で行われることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項１７】
前記基板上への樹脂の供給工程（１）において、前記樹脂は、少なくとも前記基板に形成された複数の電極を覆うように供給され、
前記基板を加熱する工程（３）において、前記溶融したはんだ粉を前記電極上に自己集合させることによって、前記電極上のみにバンプが形成されることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載のバンプ形成方法。
【請求項１８】
前記複数の電極の表面に、前記はんだ粉に対して、ぬれ性の大きい金属膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項１９】
前記複数の電極が形成されていない前記基板の表面は、前記はんだ粉に対して、ぬれ性の低い膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項２０】
前記平板は、前記はんだ粉に対して、ぬれ性の低い材料でできていることを特徴とする、請求項６〜１４のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項２１】
前記はんだ粉は、鉛フリーはんだ材料からなることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項２２】
前記はんだ粉は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されていることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
【請求項２３】
基板表面に形成された複数の電極上に形成されたはんだバンプであって、
前記はんだバンプは、前記基板上に供給された、はんだ粉および対流添加剤を含有する樹脂中のはんだ粉が溶融し、前記対流添加剤が前記樹脂中を対流して、前記電極上に自己集合して形成されたものであることを特徴とするはんだバンプ。
【請求項２４】
前記基板が、配線基板または半導体チップであることを特徴とする、請求項２３に記載のはんだバンプ。
【請求項２５】
前記はんだ粉は、鉛フリーはんだ材料からなることを特徴とする、請求項２３または２４に記載のはんだバンプ。
【請求項２６】
基板または半導体チップの電極上へのバンプ形成に用いるバンプ形成用樹脂組成物であって、
はんだ粉と対流添加剤を含有している樹脂から成り、前記対流添加剤の沸点は、前記はんだ粉の融点よりも低いことを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
【請求項２７】
前記対流添加剤は、溶剤、グリセリン、ワックス、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトールおよびエチレングリコールよりなる群から選ばれた１種もしくは２種以上からなることを特徴とする、請求項２６に記載のバンプ形成用樹脂組成物。
【請求項２８】
樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、または光硬化性樹脂のいずれか一つを主成分とすることを特徴とする、請求項２６または２７に記載のバンプ形成用樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ウレタンオリゴマーの合成の際、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズ（II）、オクチル酸スズ（II）、ナフテン酸鉛などの金属酸化物等を加えてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
なお、液滴吐出法に用いる組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓが好適であり、これは、乾燥することを防止し、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにするためである。また、表面張力は４０ｍＮ／ｍ以下が好ましい。なお、用いる溶媒や用途に合わせて、組成物の粘度等は適宜調整するとよい。一例として、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ、有機インジウム、有機スズ等を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓ、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓ、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は１０〜２０ｍＰａ・ｓである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
原料合金は粉砕工程に供される。混合法による場合には、低Ｒ合金及び高Ｒ合金は別々に又は一緒に粉砕される。粉砕工程には、粗粉砕工程と微粉砕工程とがある。まず、原料合金を、粒径数百μｍ程度になるまで粗粉砕する。粗粉砕は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行なうことが望ましい。粗粉砕に先立って、原料合金に水素を吸蔵させた後に放出させることにより粉砕を行なうことが効果的である。水素放出処理は、希土類焼結磁石として不純物となる水素を減少させることを目的として行われる。水素放出のための加熱保持の温度は、２００℃以上、望ましくは３５０℃以上とする。保持時間は、保持温度との関係、原料合金の厚さ等によって変わるが、少なくとも３０分以上、望ましくは１時間以上とする。水素放出処理は、真空中又はＡｒガスフローにて行う。なお、水素吸蔵処理、水素放出処理は必須の処理ではない。この水素粉砕を粗粉砕と位置付けて、機械的な粗粉砕を省略することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ｎ型半導体層１１の上の活性層１２は、例えば、
化学式  Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ、
ここで、ｘ及びｙは０≦ｘ＜１、
０≦ｙ＜１、を満足する数値、
で示される不純物非ドープの窒化物半導体であることが望ましく、ＩｎＧａＮであることがより望ましい。なお、図１では活性層１２が１つの層で概略的に示されているが、実際には周知の多重量子井戸構造を有している。勿論、活性層１２を１つの層で構成することもできる。また、この実施例では活性層１２に導電型決定不純物がドーピングされていないが、ｐ型又はｎ型不純物をドーピングすることもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次に、図５に示すように支持基板１上の第２の貼合せ層２ｂに対して図３に示した半導体領域３の一方の主面１７上の第１の貼合せ層２ａを重ね合せ、且つ互いに加圧接触させて例えば２１０〜４００℃の熱処理を施してＡｇ又はＡｇ合金材料を相互に拡散させて第１及び第２の貼合せ層２ａ、２ｂを一体化して光反射層２を得る。この種の接合は一般に拡散接合又は熱圧着と呼ばれている。第１及び第２の貼合せ層２ａ、２ｂがＡｇの場合には表面をエッチングして酸化又は硫化膜を除去した後に貼合せるのが望ましい。Ａｇ又はＡｇ合金から成る光反射層２は支持基板１及び半導体領域３に良好にオーミック接触し且つＡｌよりも大きい反射率を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なものである。
（１）    保護層６を絶縁性有機物質で形成することができる。この場合には、包囲体１０の材料よりも半導体領域３に対する密着性が優れた材料を使用する。
（２）    半導体領域３の一方の主面１７の全面にオーミックコンタクト層を設けることができる。
（３）    半導体領域３を窒化物半導体以外のＡｌＧａＩｎＰ系半導体等の別の半導体で形成することができる。
（４）    光反射層２とｎ型半導体層１１との間にＡｌＩｎＧａＮ等から成るバッファ層を介在させることができる。
（５）    半導体領域３の他方の主面１８に光の取り出し効率の増大に寄与する多数の凹凸を形成することができる。
（６）    第１の電極４を半導体領域３の他方の主面１８に形成せずに、ｐ型半導体層１３又はｐ型補助半導体層１４の任意の箇所に接続することができる。
（７）    支持基板１を金属基板とすることができる。この場合には、これを電極として使用して第２の電極５を省くことができる。
（８）    半導体領域３の各層の導電型を図１の実施例と逆にすることができる。
（９）    支持基板１を半導体で形成する場合にはここにダイオード等の半導体素子を形成することができる。
（１０）    図１２及び図１３の光透過性電極４０を有する場合に、半導体領域３の他方の主面１８側に電流ブロック層を設けることができる。
（１１）    図３の第１の貼合せ層２ａ又は第２の貼合せ層２ｂを省き、１つの貼合せ層を使用して基板１と半導体領域３とを接合することができる。
（１２）    成長用半導体基板３０をサファイア等の絶縁基板とすることができる。
（１３）  半導体領域３の表面や保護膜６の表面に凹凸加工を施しても良い。このようにすることによって、光取り出し面の表面積を増加することができ、光取り出し効率を増大させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１Ａは、最も基本的な要素を備えた本発明の概略構成図である。バックアップ冷却剤貯蔵容器１０（バックアップ冷却容器とも言う）は、冷却ループ１に対して流体連通状態にあり、冷却ループ１は冷却ループ２に対して流体連通状態にある。冷却ループ１及び冷却ループ２はそれぞれ冷却ユニット２３、２４に対して流体連通状態にある。各冷却ループは、パイプ２５を介して互いに流体連通状態にある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2006100275.tif 000001
【図１Ｂ】
2006100275.tif 000002
【図２Ａ】
2006100275.tif 000003
【図２Ｂ】
2006100275.tif 000004
【図３】
2006100275.tif 000005
【図４】
2006100275.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極；第２電極；第１電極と電子連絡する第１集電装置；及び第２電極と電子連絡する第２集電装置を含む電池であって、第１電極が、第１集電装置と第２電極との間に配置され、第１集電装置から第２電極への方向において増大する有孔率を有する部分を包含する上記電池。
【請求項２】
第１電極と第２電極とを分離する多孔質セパレータをさらに含む、上記第１項に記載の電池であって、該セパレータ及び第１電極の該多孔質部分の少なくとも一部を浸透する液体電解質を受容するように構築され、構成された前記電池。
【請求項３】
第１電極と第２電極がそれぞれ液体電解質を受容するのに適した多孔質部分を包含し、第１電極と第２電極の各々が他方の電極への方向において増大する有孔率を有する、上記第１項に記載の電池。
【請求項４】
第１電極が約１０〜約７０％の平均有孔率を有する多孔質部分を有する、上記第１項に記載の電池。
【請求項５】
第１電極が約２０〜５０％の平均有孔率を有する多孔質部分を有する、上記第１項に記載の電池。
【請求項６】
第１電極が約３０〜４５％の平均有孔率を有する多孔質部分を有する、上記第１項に記載の電池。
【請求項７】
第１電極が、平均有孔率と、第１集電装置から第２電極への方向における有孔率勾配とを有する多孔質部分を有し、該勾配の各極値における有孔率が平均有孔率から少なくとも１０％異なる、上記第１項に記載の電池。
【請求項８】
第１電極が、平均有孔率と、第１集電装置から第２電極への方向における有孔率勾配とを有する多孔質部分を有し、該勾配の各極値における有孔率が平均有孔率から少なくとも２０％異なる、上記第１項に記載の電池。
【請求項９】
第１電極が、平均有孔率と、第１集電装置から第２電極への方向における有孔率勾配とを有する多孔質部分を有し、該勾配の各極値における有孔率が平均有孔率から少なくとも３０％異なる、上記第１項に記載の電池。
【請求項１０】
集電装置の質量中心と第２電極の質量中心とを結ぶラインに対して垂直な、第１電極の任意の横断面の有孔率が＋／−１０％で均一である、上記第１項に記載の電池。
【請求項１１】
集電装置の質量中心と第２電極の質量中心とを結ぶラインに対して垂直な、第１電極の任意の横断面の有孔率が＋／−５％で均一である、上記第１項に記載の電池。
【請求項１２】
集電装置の質量中心と第２電極の質量中心とを結ぶラインに対して垂直な、第１電極の任意の横断面の有孔率が＋／−３％で均一である、上記第１項に記載の電池。
【請求項１３】
集電装置の質量中心と第２電極の質量中心とを結ぶラインに対して垂直な、第１電極の任意の横断面の有孔率が＋／−１％で均一である、上記第１項に記載の電池。
【請求項１４】
第１電極が第１集電装置から第２電極への方向において有孔率勾配を有し、該有孔率勾配が任意の位置において５％以下だけ異なる傾斜を有する、上記第１項に記載
の電池。
【請求項１５】
第１電極が第１集電装置から第２電極への方向において有孔率勾配を有し、該有孔率勾配が任意の位置において１０％以下だけ異なる傾斜を有する、上記第１項に記載の電池。
【請求項１６】
第１電極が第１集電装置から第２電極への方向において有孔率勾配を有し、該有孔率勾配が任意の位置において１５％以下だけ異なる傾斜を有する、上記第１項に記載の電池。
【請求項１７】
第１電極、第２電極、該第１電極と電子連絡する第１集電装置、及び該第２電極と電子連絡する第２集電装置を含む電池を用意することを含むエネルギー発生を容易にする方法であって、該第１電極が、第１集電装置と第２電極との間に配置され、第１集電装置から第２電極への方向において増大する有孔率を有する部分を包含する前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水を加圧して送水するポンプと、該ポンプのケーシングの吸込側及び吐出側に接続された配管と、該吐出側に接続された配管に接続され前記ポンプにより加圧された水を蓄圧するタンクと、前記ポンプを駆動するモータと、該モータに電力を供給する駆動電源回路と、前記ポンプの運転を制御する電気制御回路とを、一体的にキャビネット内に収容してなる給水装置において、
少なくとも警報を表示する表示装置を備え、該表示装置には異常を示す信号の受信と共に警報が表示され、自動復帰に際して警報解除動作がなされる迄、前記表示装置の表示を保持することを特徴とする給水装置。
【請求項２】  前記保持する表示装置の表示内容には、警報が発生した時刻を特定する時間表示を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の給水装置。
【請求項３】  前記警報は、受水槽の水位警報であることを特徴とする請求項１又は２に記載の給水装置。
【請求項４】  前記警報は、前記給水装置の吸込側が水道本管に直結された直結給水方式における、ポンプの吸込側の流入圧力低下に関する警報であることを特徴とする請求項１又は２に記載の給水装置。
【請求項５】  水を加圧して送水するポンプと、該ポンプのケーシングの吸込側及び吐出側に接続された配管と、該吐出側に接続された配管に接続され前記ポンプにより加圧された水を蓄圧するタンクと、前記ポンプを駆動するモータと、該モータに電力を供給する駆動電源回路と、前記ポンプの運転を制御する電気制御回路とを、一体的にキャビネット内に収容してなる給水装置において、
少なくとも警報を表示する表示装置と、前記警報を解除する操作部を備え、前記表示装置および操作部は前記キャビネット外面に露出していることを特徴とする給水装置。
【請求項６】  前記操作部で警報を解除するまでに複数回警報が発生した場合には、全てを記憶することを特徴とする請求項５に記載の給水装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の給水装置は、水を加圧して送水するポンプと、該ポンプのケーシングの吸込側及び吐出側に接続された配管と、該吐出側に接続された配管に接続され前記ポンプにより加圧された水を蓄圧するタンクと、前記ポンプを駆動するモータと、該モータに電力を供給する駆動電源回路と、前記ポンプの運転を制御する電気制御回路とを、一体的にキャビネット内に収容してなる給水装置において、
少なくとも警報を表示する表示装置を備え、該表示装置には異常を示す信号の受信と共に警報が表示され、自動復帰に際して警報解除動作がなされる迄、前記表示装置の表示を保持することを特徴とする。また、少なくとも警報を表示する表示装置と、前記警報を解除する操作部を備え、前記表示装置および操作部は前記キャビネット外面に露出していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｎ−アシルグルタミン酸塩を含有する水溶液において、Ｎ−アシルグルタミン酸のカルボキシル基１モルに対して、対イオンとしてカリウムイオンとナトリウムイオンを必須成分とし、その総和が０．３５モル以上０．９モル以下であり、かつ、カリウムイオンとナトリウムイオンの当量比率が２０／１から１／５となるように含有することを特徴とするＮ−アシルグルタミン酸塩と水とからなる界面活性剤水溶液。
【請求項２】Ｎ−アシルグルタミン酸のカルボキシル基１モルに対するカリウムイオンとナトリウムイオンの総和が０．４５以上０．８５以下である事を特徴とする請求項１に記載の界面活性剤水溶液。
【請求項３】Ｎ−アシルグルタミン酸のカルボキシル基１モルに対するカリウムイオンとナトリウムイオンの総和が０．５以上０．８５以下である事を特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の界面活性剤水溶液。
【請求項４】カリウムイオンとナトリウムイオンの当量比率が９／１から１／３であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の界面活性剤水溶液。
【請求項５】カリウムイオンとナトリウムイオンの当量比率が略８５／１５であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の界面活性剤水溶液。
【請求項６】ｐＨが７以下である事を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の界面活性剤水溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月25日(2006.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末Ｘ線パタ−ンにおいて、（２、０、０）面の（１、１、２）面に対する回
折線強度比が6.9未満であることを特徴とする燐・バナジン酸塩蛍光体。
【請求項２】
ＳＥＭ写真から求めた傾向体粉末単位粒子の平均 長編兆対短編町費が１.０以上６.０以下にあることを特徴とする燐・バナジン酸塩蛍光体。
【請求項３】
ＩＶ族元素を含有することを特徴とする請求項１に記載の燐・バナジン酸塩蛍光体。
【請求項４】
上記ＩＶ族元素はSi,Ge,Tiのうちの少なくとも一つから成ることを特徴とする請求項３に記載の燐・バナジン酸塩蛍光体。
【請求項５】
上記ＩＶ族元素(Si,Ge,Ti)濃度は０．００１４より大かつ０．０８１４atom-mol/mol未満であることを特徴とする請求項３又は４に記載の燐・バナジン酸塩蛍光体。
【請求項６】
Y,Scおよび原子番号57から71番(La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)の希土類元素またはＩＩＩb族元素(B, Al,Ga,In,Tl)の中から選ばれた少なくとも一種類の元素をさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の燐・バナジン酸塩蛍光体。
【請求項７】
上記希土類元素はYおよびGdであり、発光センタ−としてVO43-イオンを含み、
以下の組成式で表され、青色発光することを特徴とする請求項６に記載の燐・バナジン酸塩蛍光体。
組成式
(Y1-aGda)(PcV1-c)O4・（MO2) d
但し、MはSi,Ge,Tiの中から選ばれた少なくとも一種類の元素、
a,cおよびdは以下の範囲の数を表す。
0＜a≦0.90  、0＜c≦0.95  、0.0014＜d＜0.0814
【請求項８】
上記希土類元素はYおよびGdであり、発光センタ−としてEu3+イオン含み、以
下の組成式で表され、赤色発光することを特徴とする請求項６に記載の燐・バナジン酸塩蛍光体。
組成式
(Y1-a-bGdaEub)(PcV1-c)O4・(MO2) d
但し、MはSi,Ge,Tiの中から選ばれた少なくとも一種類の元素、
a,b,cおよびdは以下の範囲の数を表す。
0＜a≦0.90  、0.03≦b≦0.60  、0＜c≦0.95
0.0014＜d＜0.0814
【請求項９】
請求項１記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１０】
請求項２記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１１】
請求項３記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１２】
請求項４記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１３】
請求項５記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１４】
請求項６記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１５】
請求項７記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１６】
請求項８記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有するプラズマディスプレイパネルを備えたことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項１７】
請求項２記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜と、該蛍光膜が励起するための電子線を発生する電子線発生源を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項２記載の燐・バナジン酸塩蛍光体を構成材料として含む蛍光膜を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
上記発光装置は希ガス放電蛍光ランプであることを特徴とする請求項１８に記載の発光装置。
【請求項２０】
上記発光装置は三波長型蛍光ランプであることを特徴とする請求項１８に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｃｕ：５．１〜６．０wt％、Ｓｉ：１．０〜１０．０wt％およびＳｒ：０．００１〜１．０wt％を含み、残部がＡｌおよび不純物からなることを特徴とする快削性アルミニウム合金。
【請求項２】  Ｃｕ：５．１〜６．０wt％、Ｓｉ：１．０〜１０．０wt％およびＳｒ：０．００１〜１．０wt％を含み、さらにＭｇ：０．０５〜１．０wt％、Ｍｎ：０．０５〜１．０wt％のうちから少なくとも１種を含み、残部がＡｌおよび不純物からなることを特徴とする快削性アルミニウム合金。
【請求項３】  Ｓｉの単体粒子またはＳｉと他の添加元素との化合物粒子は、アスペクト比０．７〜１．３である請求項１または２に記載の快削性アルミニウム合金。
【請求項４】  請求項１または２のいずれかの快削性アルミニウム合金からなるビレットを２００〜５４５℃で１時間以上保持して均質化処理を行い、このビレットを押出温度：３００〜５００℃、押出製品速度：５ｍ／ｍｉｎ以上で押出し、さらにリダクション５％以上で引抜いた後に、３００〜５４５℃で１時間以上保持して溶体化処理し、さらに室温で１時間以上保持して自然時効処理を行い、さらに１００〜２５０℃で１〜３０時間保持して人工時効処理することを特徴とする快削性アルミニウム合金材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  建屋に設けた吸気口から空気を吸い込み、前記吸気口の入口に設けられている散水ノズルの散水部を通過させた後、フィルタを通してダクトよりガスタービンに導くガスタービン吸気系において、前記フィルタの空気流入側の前面にデミスタを配設したことを特徴とするガスタービン吸気口への水滴流入防止装置。
【請求項２】  前記デミスタは複数のデミスタエレメントを配設してなるパネルであることを特徴とする請求項１記載のガスタービン吸気口への水滴流入防止装置。
【請求項３】  前記デミスタは、なめらかな波形又は三角形状に折り曲げた板を複数枚所定間隔を保って配列すると共に、各板には所定のピッチで流れ方向と交差するように付着する水滴の流れをせき止める部材を取付けてなることを特徴とする請求項１又は２記載のガスタービン吸気口への水滴流入防止装置。
【請求項４】  前記デミスタはワイヤを格子状に配列してなることを特徴とする請求項１又は２記載のガスタービン吸気口への水滴流入防止装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）建屋に設けた吸気口から空気を吸い込み、前記吸気口の入口に設けられている散水ノズルの散水部を通過させた後、フィルタを通してダクトよりガスタービンに導くガスタービン吸気系において、前記フィルタの空気流入側の前面にデミスタを配設したことを特徴とするガスタービン吸気口への水滴流入防止装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
本発明のガスタービン吸気口への水滴流入防止装置は、（１）建屋に設けた吸気口から空気を吸い込み、前記吸気口の入口に設けられている散水ノズルの散水部を通過させた後、フィルタを通してダクトよりガスタービンに導くガスタービン吸気系において、前記フィルタの空気流入側の前面にデミスタを配設したことを特徴としている。又、（２）は上記（１）の発明において、前記デミスタは複数のデミスタエレメントを配設してなるパネルであることを特徴としている。このような構成により、散水による水滴や雨水が空気中に混入して吸気されたとしても、まずデミスタで水滴が除去され、その後水滴を含まない空気がフィルタに流入するので、フィルタが水滴により目づまりすることがなく、更にガスタービンへ水滴が侵入することがないので、ガスタービンの翼やケーシングの腐食を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの駆動手段の駆動力が伝達されることによって所定の回転状態になる牽引補助部材と、
この牽引補助部材に中途部が巻回配置され、一端部を湾曲部に固定し、他端部を湾曲操作レバーの傾倒操作によって揺動するアーム部材のアーム部に固定した、少なくとも相対する湾曲方向に対応する複数の牽引部材と、
前記湾曲操作レバーの傾倒操作によって牽引された牽引部材に前記牽引補助部材の回転力を伝達して湾曲動作のための牽引移動を行う一方、この牽引移動される牽引部材に相対する湾曲方向の牽引部材に前記牽引補助部材の回転力が伝達されたとき、この相対する湾曲方向の牽引部材が前記湾曲動作を妨げる方向に移動することを防止する湾曲操作保護機構部と、
を具備することを特徴とする内視鏡。
【請求項２】
前記湾曲操作保護機構部は、
切り欠き溝及び少なくとも１つの突起部を設けた牽引補助部材と、
この牽引補助部材を、第１の駆動手段の駆動力が伝達されることによって一方向に回転させる一方向回転部材と、
前記牽引補助部材を、第２の駆動手段の駆動力が伝達されることによって他方向に回転させる他方向回転部材と、
を具備し、
前記牽引補助部材を前記一方向回転部材と前記他方向回転部材との間に回動自在に配置する一方、相対する湾曲方向に対応する一対の牽引部材のうち、一牽引部材が前記牽引補助部材を縮径可能なように巻回配置するとともに、他牽引部材が前記牽引補助部材を突起部に一度引っ掛けて折り返した状態にして拡径可能なように巻回配置したことを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
【請求項３】
前記湾曲操作保護機構部は、
前記湾曲操作レバーを有する操作部と、前記操作部から延出する操作用ワイヤ部によって接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の内視鏡。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記湾曲操作保護機構部と別体に配設したことを特徴とする請求項１または２に記載の内視鏡。
【請求項５】
前記駆動手段は、駆動力伝達部と連接して前記湾曲操作保護機構部を駆動することを特徴とする請求項４に記載の内視鏡装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体と複数の共振用容量から成るコイルループであって、被検体から放出される核磁気共鳴信号を受信する磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、少なくとも２以上の共振ループを持つように前記コイルループが分割され、共振ループのモード毎に受信した前記核磁気共鳴信号を取得する信号取得端子を備えていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、いずれかの前記信号取得端子が選択されて前記核磁気共鳴信号が取得されることによって、該信号取得端子に対応する共振ループのモードが選択されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、前記各共振ループは互いに対向して又は所定の角度を成して配置されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルを使用して、前記核磁気共鳴信号から前記被検体の断層像を再構成して表示する磁気共鳴イメージング装置において、前記各信号取得端子からの信号線が接続されるモード切換手段を備え、所望の前記共振ループのモードに対応する前記信号取得端子が選択されるように前記モード切換手段が制御されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルは以下の様に構成される。即ち、
複数の導体と複数の共振用容量から成るコイルループであって、被検体から放出される核磁気共鳴信号を受信する磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、少なくとも２以上の共振ループを持つように前記コイルループが分割され、共振ループのモード毎に受信した前記核磁気共鳴信号を取得する信号取得端子を備えている。
これにより、サブコイル数を増加することなく複数の共振ループを形成し、所望の共振ループのモードを選択することができるようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは、いずれかの前記信号取得端子が選択されて前記核磁気共鳴信号が取得されることによって、該信号取得端子に対応する共振ループのモードが選択される。
これにより、単に信号取得端子を選択することで、それに対応する共振ループのモードを容易に選択することができるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、好ましくは、前記各共振ループは互いに対向して又は所定の角度を成して配置されている。
これにより、撮像対象や撮像目的に対応して最適な受信コイル構成とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記磁気共鳴イメージング装置用受信コイルを使用して、前記核磁気共鳴信号から前記被検体の断層像を再構成して表示する磁気共鳴イメージング装置において、前記各信号取得端子からの信号線が接続されるモード切換手段を備え、所望の前記共振ループのモードに対応する前記信号取得端子が選択されるように前記モード切換手段が制御される。
これにより、磁気共鳴イメージング装置側からの制御により、共振ループのモードを容易に選択することができるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下水を活性汚泥法により処理する下水処理場の水質をシミュレーションする運転支援装置において、
前記下水処理場の計測手段により計測された処理水の水質を取得する処理水質取得手段と、
前記下水処理場の現在の運転条件を取得する運転条件取得手段と、
任意の流入水質を設定する流入水質仮定手段と、
前記流入水質仮定手段からの流入水質と、前記運転条件管理手段の運転条件に基づいて処理水質を算出する処理水質算出手段と、
複数の前記処理水質算出手段の値と、前記処理水質取得手段の値とを比較し、最も良く一致するときの流入水質の値を流入水質として推定する流入水質推定手段とを備えたことを特徴とする活性汚泥プロセスの運転支援装置。
【請求項２】
請求項１に記載の活性汚泥プロセスの運転支援装置において、
流入水質に前記流入水質推定手段の値を用い、運転条件を段階的に変化させ、その時の処理水質を算出する手段を設けたことを特徴とする活性汚泥プロセスの運転支援装置。
【請求項３】
請求項２に記載の活性汚泥プロセスの運転支援装置において、
処理水質の算出値を、Ｘ軸及びＹ軸に処理水質及び処理水質を基に算出した比率を用いた図とし、その図に２種類の運転条件を変化させたときの処理水質の算出結果をプロットし、その値を線で結び操作線図を作成し出力する手段を設けたことを特徴とする活性汚泥プロセスの運転支援装置。
【請求項４】
請求項３に記載の活性汚泥プロセスの運転支援装置において、
２種類の運転条件の一方を溶存酸素濃度または送気量とし、他方に循環率，返送汚泥率，ステップ流量比率，活性汚泥濃度の中の何れか一つとしたことを特徴とする活性汚泥プロセスの運転支援装置。
【請求項５】
請求項３に記載の活性汚泥プロセスの運転支援装置において、
Ｘ軸に処理水の全窒素濃度当りの硝酸体窒素濃度の比率、Ｙ軸に処理水の全窒素濃度としたことを特徴とする活性汚泥プロセスの運転支援装置。
【請求項６】
請求項３に記載の活性汚泥プロセスの運転支援装置において、
各運転条件での消費電力量などを算出するエネルギー算出手段と、
前記エネルギー算出手段の算出結果を所定数に分類し、前記操作線図に記号の種類または色を変えてプロットすることを特徴とする活性汚泥プロセスの運転支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、処理水質と運転条件から流入水質を推定するための運転支援装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下水を活性汚泥法により処理する下水処理場の水質をシミュレーションする運転支援装置において、前記下水処理場の計測手段により計測された処理水の水質を取得する処理水質取得手段と、前記下水処理場の現在の運転条件を取得する運転条件取得手段と、任意の流入水質を設定する流入水質仮定手段と、前記流入水質仮定手段からの流入水質と、前記運転条件管理手段の運転条件に基づいて処理水質を算出する処理水質算出手段と、複数の前記処理水質算出手段の値と、前記処理水質取得手段の値とを比較し、最も良く一致するときの流入水質の値を流入水質として推定する流入水質推定手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
本発明によると、流入水質を計測することなく処理水質と運転条件から流入水質を推定するための運転支援を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステルと、
ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2          ・・・（１）
（式中、Ｒ1は水素又はメチル基、Ｒ2は炭素数１または２のアルキル基を示す。）
式（２）で表されるアルキルアミノアルコールと、
Ｒ3Ｒ4Ｎ−（ＣＨ2）nＯＨ        ・・・（２）
（式中、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基を示し、ｎは１〜４を示す。）
を原料として用い、触媒の存在下で、（メタ）アクリル酸アルキルアミノエステルとなる反応を行った後に、該触媒を再利用可能に回収する触媒の回収方法であって、
（Ａ）残存する原料、および該（メタ）アクリル酸アルキルアミノエステルを回収する工程と、
（Ｂ）その残渣に、該触媒を再利用する反応の原料の少なくとも一部を混合し、その混合液を回収する工程と、
を有する触媒の回収方法。
【請求項２】 式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステルと、
ＣＨ2＝ＣＲ1ＣＯＯＲ2          ・・・（１）
（式中、Ｒ1は水素又はメチル基、Ｒ2は炭素数１または２のアルキル基を示す。）
式（２）で表されるアルキルアミノアルコールと、
Ｒ3Ｒ4Ｎ−（ＣＨ2）nＯＨ        ・・・（２）
（式中、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基を示し、ｎは１〜４を示す。）
を原料として用い、触媒の存在下で、（メタ）アクリル酸アルキルアミノエステルとなる反応を行った後に、
（Ａ）残存する原料、および該（メタ）アクリル酸アルキルアミノエステルを回収する工程と、
（Ｂ）その残渣に、該触媒を再利用する反応の原料の少なくとも一部を混合し、その混合液を回収する工程と、
回収された触媒の少なくとも一部を用いて、
前記式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステルと、
前記式（２）で表されるアルキルアミノアルコールと、
を反応させる（メタ）アクリル酸アルキルアミノエステルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記素材１２のうちで上記フランジ６ａと反対側の端部に、別のフランジ６ｃを形成するには、上記素材１２を上記ダイス１０ａに内嵌し、この素材１２が上記パンチ１１の挿入方向前方（図１の下方）に抜け出さない様にこの素材１２を抑えた状態で、この素材１２内に上記パンチ１１を押し込む。このパンチ１１の先端部に形成した小径部１３の外径と上記ダイス１０ａの小径部２３の内径との差の１／２は、上記素材１２の肉厚よりも少し小さい。又、上記パンチ１１の大径部１４の外径と上記ダイス１０ａの大径部２４の内径との差の１／２は、上記素材１２の肉厚とほぼ同じか、この肉厚よりも僅かに大きい。従って、上記素材１２のうちで、上記パンチ１１の小径部１３と上記ダイス１０ａの小径部２３との間に位置する部分は、上記パンチ１１の外周面と上記ダイス１０ａの内周面との間で扱かれて肉厚が少し小さくなる。同時に、上記パンチ１１の大径部１４と上記ダイス１０ａの大径２４との間で挟持された部分の内径が拡がり、この部分の内外両周面と、上記パンチ１１の小径部１３と上記ダイス１０ａの小径部２３との間で挟持された部分の内外両周面との間に、それぞれ段差部１７、２５が、全周に亙って形成される。又、上記パンチ１１の大径部１４と上記ダイス１０ａの大径部２４との間に位置する部分には、上記両小径部１３、２３同士の間で扱かれた肉が移動する。この結果、上記両大径部１４、２４同士の間に位置する部分の肉厚は、上記素材１２の肉厚と同じか、この肉厚よりも僅かに大きく（素材の肉厚の１〜１．２倍程度に）なる。