Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １つの表示画面上に複数のウインドウを表示可能な表示装置であって、
複数種類の画像データを入力する入力制御手段と、
前記入力された画像データがアクティブウインドウ内で表示する画像の画像データであるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段において、アクティブウインドウ内で表示する画像の画像データでないと判定された場合に、前記画像データに対するフレーム間引き処理を制御する制御手段と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記フレーム間引き処理は、前記入力制御手段において、入力される画像データの入力タイミングを制御する処理である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】  前記フレーム間引き処理された画像データを格納する画像メモリと、
ウインドウサイズに合わせて前記格納された画像データの解像度を変換する画像処理手段と
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】  前記画像処理手段は、前記判定手段の判定結果に基づいて、前記入力制御手段から入力される画像データの輝度を制御する輝度制御手段を備える
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】  １つの表示画面上に複数のウインドウを表示可能な表示装置の表示制御方法であって、
複数種類の画像データを入力する入力ステップと、
前記入力された画像データがアクティブウインドウ内で表示する画像の画像データであるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて、アクティブウインドウ内で表示する画像の画像データでないと判定された場合に、前記画像データに対するフレーム間引き処理を制御する制御ステップと
を有することを特徴とする表示制御方法。
【請求項６】  前記フレーム間引き処理された画像データを画像メモリに格納する格納ステップと、
ウインドウサイズに合わせて前記格納された画像データの解像度を変換する変換ステップと
を更に有することを特徴とする請求項５に記載の表示制御方法。
【請求項７】  請求項５に記載の表示制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶した記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明による表示装置は以下の構成を備える。即ち、
１つの表示画面上に複数のウインドウを表示可能な表示装置であって、
複数種類の画像データを入力する入力制御手段と、
前記入力された画像データがアクティブウインドウ内で表示する画像の画像データであるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段において、アクティブウインドウ内で表示する画像の画像データでないと判定された場合に、前記画像データに対するフレーム間引き処理を制御する制御手段と
を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、好ましくは、前記フレーム間引き処理は、前記入力制御手段において、入力される画像データの入力タイミングを制御する処理である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、好ましくは、前記フレーム間引き処理された画像データを格納する画像メモリと、
ウインドウサイズに合わせて前記格納された画像データの解像度を変換する画像処理手段と
を更に有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、好ましくは、前記画像処理手段は、前記判定手段の判定結果に基づいて、前記入力制御手段から入力される画像データの輝度を制御する輝度制御手段を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明による表示制御方法は以下の構成を備える。即ち、
１つの表示画面上に複数のウインドウを表示可能な表示装置の表示制御方法であって、
複数種類の画像データを入力する入力ステップと、
前記入力された画像データがアクティブウインドウ内で表示する画像の画像データであるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて、アクティブウインドウ内で表示する画像の画像データでないと判定された場合に、前記画像データに対するフレーム間引き処理を制御する制御ステップと
を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明による記憶媒体は以下の構成を備える。即ち、
請求項５に記載の表示制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 式： Cu100-a-b(Zr＋Hf)aTib［式中、a、bは原子％で、10≦a≦40、 5≦b
≦30、35≦ａ＋b≦50である。]で示される組成を有する、非晶質相を体積百分率で90％以
上含むＣｕ基非晶質合金。
【請求項２】 式： Cu100-a-b-c-d(Zr＋Hf)aTibMcTd［式中、Mは、Fe,Cr,Mn,Ni,Co,Nb,Mo
,W,Sn,Al,Ta,または希土類元素よりなる群から選択される1種または2種以上の元素、Tは
、Ag,Pd,Pt,Auよりなる群から選択される1種または2種以上の元素であり、a、b、c、dは
原子％で、10≦a≦40、 5≦b≦30、35≦ａ＋b≦50、0.5≦c≦5、0≦d≦10である。]で示
される組成を有する、非晶質相を体積百分率で90％以上含むＣｕ基非晶質合金。
【請求項３】 △Tx＝Tx-Tg（ただし、Txは、結晶化開始温度、Tgはガラス遷移温度を示す
。）の式で表わされる過冷却液体領域の温度間隔△Txが25 K以上であることを特徴とする
請求項１または２に記載のＣｕ基非晶質合金。
【請求項４】 Tg/Tm（ただし、Tmは、合金の融解温度を示す。）の式で表わされる換算ガ
ラス化温度が0.56以上であることを特徴とする請求項１、２、３のいずれか一つに記載の
Ｃｕ基非晶質合金。
【請求項５】 金型鋳造法により直径（厚さ）1mm以上、非晶質相の体積百分率90％以上の
棒材（板材）が得られる請求項１、２、３、４のいずれか一つに記載のＣｕ基非晶質合金
。
【請求項６】 圧縮破断強度が1800MPa以上、伸びが1.5％以上、ヤング率が100GPa以上の
機械的性質を有する請求項１、２、３、４、５のいずれか一つに記載のＣｕ基非晶質合金
。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明と関連するＣｕ基非晶質合金では、主に、二元系Cu-Ti,Cu-Zr,(ScriptaMETALLURGI
CA.,10(1976)337-940、Scripta METALLURGICA.,11(1977）761-764、特開昭60-59034号公
報）、あるいは３元系Cu-Ni-Zr,Cu-Ag-RE,Cu-Ni-P,Cu-Ag-P,Cu-Mg-RE,(Zr,Ti)(Cu,Ni)Be,
(ETM,Ti)Cu(Ni,Co)およびCu-(Zr,RE,Ti)-(Al,Mg,Ni)（特開平7-41918号公報、特開平7-17
3556号公報、特開平9-59750号公報、特開平11-61289号公報、Sic.Rep.RITU.A42(1996)134
3-1349、Sic.Rep.RITU.A28(1980)225-230，Mater.Sic．Eng.,A181-182(1994)1383-1392、
Mater.Trans.,JIM,37(1996)359-362、USP5,368,659、USP5,618,359)に関して研究が行わ
れてきた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、式： Cu100-a-b(Zr＋Hf)aTib［式中、a、bは原子％で、10≦a≦40
、 5≦b≦30、35≦ａ＋b≦50である。]で示される組成を有する、非晶質相を体積百分率
で90％以上含むＣｕ基非晶質合金である。
【００１０】また、本発明は、式： Cu100-a-b-c-d(Zr＋Hf)aTibMcTd［式中、Mは、Fe,Cr
,Mn,Ni,Co,Nb,Mo,W,Sn,Al,Ta,または希土類元素よりなる群から選択される1種または2種
以上の元素、Tは、Ag,Pd,Pt,Auよりなる群から選択される1種または2種以上の元素であり
、a、b、c、dは原子％で、10≦a≦40、 5≦b≦30、35≦ａ＋b≦50、0.5≦c≦5、0≦d≦10
である。]で示される組成を有する、非晶質相を体積百分率で90％以上含むＣｕ基非晶質
合金である。なお、(Zr＋Hf)はZrおよび／またはHfを意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。表１に示す合金組成からなる材料（実施例１〜
１６、比較例１〜４）について、アーク溶解法により母合金を溶製した後、単ロール液体
急冷法により約20μmの薄帯試料を作製した。そして、薄帯試料のガラス遷移温度(Tg)、
結晶化開始温度(Tx)を示差走査熱量計（DSC）より測定した。これらの値より過冷却液体
領域△Tx(=Tx-Tg)を算出した。融解温度（Tm)の測定は、示差走査熱分析（DTA)により測
定した。これらの値より換算ガラス化温度（Tg/Tm）を算出した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【表１】
2002256401.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【表２】
2002256401.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに、表３に示す合金組成からなる材料（実施例１７〜３１、比較例５〜８）について
、アーク溶解法により母合金を溶製した後、金型鋳造法により非晶質単相組織が得られる
棒状試料の臨界厚さと臨界直径を測定した。さらに、圧縮試験片を作製し、インストロン
型試験機を用いて圧縮試験を行い圧縮強度(σf）を測定した。結果を表３に示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表３】
2002256401.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  下記一般式（I）で表されるフタロシアニン系色素を含有することを特徴とする着色組成物。
【化１】
2002256167.tif 000001
式中Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基、アリールアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、ホスホリル基、アシル基、またはカルボキシル基を表し、各々はさらに置換基を有していてもよい。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。ｈ、ｉ、ｊ、ｋは０〜２の整数を表し、ｈ＋ｒ＝ｉ＋ｓ＝ｊ＋ｔ＝ｋ＋ｕ＝４である。ただし、ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋは１以上である。Ｍは、水素原子、金属元素またはその酸化物、水酸化物もしくはハロゲン化物を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
式中Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基、アリールアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、ホスホリル基、アシル基、またはカルボキシル基を表し、各々はさらに置換基を有していてもよい。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。ｈ、ｉ、ｊ、ｋは０〜２の整数を表し、ｈ＋ｒ＝ｉ＋ｓ＝ｊ＋ｔ＝ｋ＋ｕ＝４である。ただし、ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋは１以上である。Ｍは、水素原子、金属元素またはその酸化物、水酸化物もしくはハロゲン化物を表す。
＜２＞ 下記一般式（II）で表されるフタロシアニン系色素を含有することを特徴とする着色組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記一般式（I）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基、アリールアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、ホスホリル基、アシル基、またはカルボキシル基を表し、各々はさらに置換基を有していてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
前記一般式（I）で表されるフタロシアニン系色素として特に好ましい組み合わせは以下の通りである。
Ｒ1〜Ｒ4は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、アルコキシ基、アミド基、ウレイド基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルコキシカルボニル基、またはカルボキシル基が好ましく、特に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、またはカルボキシル基が好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4は、それぞれ独立に置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4は、それぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール基または芳香族へテロ環基であり、イオン性親水性基もしくはイオン性親水性基を置換基として有する基を置換基として有するものが特に好ましい。
ｈ、ｉ、ｊ、ｋはｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋが３以上であることが好ましく、ｈ、ｉ、ｊ、ｋがそれぞれ独立に１であるのが特に好ましい。
Ｍは、水素原子、金属元素またはその酸化物、水酸化物もしくはハロゲン化物を表し、特にＣｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌが好ましく、なかでも特に特にＣｕが最も好ましい。
前記一般式（I）で表されるフタロシアニン系色素はイオン性親水性基を含むことが好ましく、フタロシアニン系色素一分子中、イオン性親水性基を少なくとも４個以上有するものがより好ましく、特に、イオン性親水性基がスルホ基であるのが好ましい、その中でもスルホ基を少なくとも４個以上有するものが最も好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体製造装置の反応炉に配置されるボートと、ウェーハカセットとの間でウェーハの移載を行う半導体処理方法において、
前記移載の回数が予め決められた回数に達する毎に、前記半導体製造装置に配置したオリフラ合わせ装置によって、前記ウェーはカセットに収納したウェーハのオリフラ合わせを自動的に行うことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２】ボートと、ウェーハカセットとの間でウェーハの移載を行う半導体製造装置において、
前記移載の回数が予め決められた回数に達する毎に、前記半導体製造装置に配置したオリフラ合わせ装置によって、前記ウェーはカセットに収納したウェーハのオリフラ合わせを自動的に行うことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転位密度の低い半導体材料を成長させる方法であって、
半導体基板（５２）上に第１のトレンチ（６０）を形成するステップと、
前記第１のトレンチ（６０）において、第１のエピタキシャル側方成長層（７１、７２、７３）を、前記第１のトレンチ（６０）の少なくとも１つの壁（６１ａ、６１ｂ）から開始して、成長させるステップであって、前記第１のエピタキシャル側方成長層（７１、７２、７３）は、最終的に、前記第１のトレンチ（６０）を充填して該トレンチからあふれ出し、成長回転を施されることからなる、ステップと、
前記第１のエピタキシャル側方成長層（７１、７２、７３）に第２のトレンチ（６５）を形成するステップと、
前記第２のトレンチ（６５）において、第２のエピタキシャル側方成長層（７３、７４、７５）を、前記第２のトレンチ（６５）の少なくとも１つの壁（６２ａ、６２ｂ）から開始して、成長させるステップであって、前記第２のエピタキシャル側方成長層（７３、７４、７５）はさらに成長回転を施されることからなる、ステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記半導体基板（５２）上にエピタキシャル層（７０）を成長させるステップであって、前記第１のトレンチ（６０）は前記エピタキシャル層（７０）に形成されることからなるステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１のエピタキシャル側方成長層と前記第２のエピタキシャル側方成長層は、それぞれ、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの全ての側壁から成長させられる、請求項１または２の方法。
【請求項４】
前記第１のエピタキシャル側方成長層と前記第２のエピタキシャル側方成長層のうちの少なくとも１つが活性領域を含む、請求項１乃至３のいずれかの方法。
【請求項５】
前記第１のエピタキシャル側方成長層と前記第２のエピタキシャル側方成長層が窒化ガリウム材料を含む、請求項１乃至４のいずれかの方法。
【請求項６】
前記第１のトレンチ（６０）の底部にマスク層（５６）を加えるステップをさらに含む、請求項１乃至５のいずれかの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続階調画像をハーフトーン化し、ハーフトーン画像を形成するプロセスであって、
高周波ハーフトーン・スクリーンを使用して前記連続階調画像を処理することにより高周波の連続ハーフトーン化画像を形成するステップと、
低周波ハーフトーン・スクリーンを使用して前記連続階調画像を処理することにより低周波の連続ハーフトーン化画像を形成するステップと、
前記連続階調画像内の局所的な変化に関連するアクティビティ・インデックスに基づいて、前記高周波の連続ハーフトーン化画像と前記低周波の連続ハーフトーン化画像を併合することにより、併合画像を形成するステップと
からなるプロセス。
【請求項２】
前記ハーフトーン・スクリーンの少なくとも１つは、ディザ・マトリクスである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記ハーフトーン・スクリーンの少なくとも１つは、ルックアップ・テーブルである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記アクティビティ・インデックスの関数に基づいて、併合重みが使用される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記併合重みは、前記アクティビティ・インデックスの閾値関数に基づいて使用される、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
前記併合重みは、前記アクティビティ・インデックスの線形関数に基づいて使用される、請求項４に記載のプロセス。
【請求項７】
併合されたハーフトーン化画像をマルチレベル・ハーフトーン化するステップを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記アクティビティ・インデックスを使用してエッジ・マスクが形成され、前記高周波の連続ハーフトーン化画像と前記低周波の連続ハーフトーン化画像を併合して、ハーフトーン・ヒント・マスクが形成される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
前記連続階調画像はカラー画像である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載の方法に従って連続階調画像をハーフトーン化し、ハーフトーン画像を形成するプロセッサであって、
高周波ハーフトーン・スクリーンを使用して前記連続階調画像を処理することにより高周波の連続ハーフトーン化画像を形成する高周波数手段と、
低周波ハーフトーン・スクリーンを使用して前記連続階調画像を処理することにより低周波の連続ハーフトーン化画像を形成する低周波数手段と、
前記連続階調画像内の局所的な変化に関連するアクティビティ・インデックスに基づいて、前記高周波の連続ハーフトーン化画像と前記低周波の連続ハーフトーン化画像を併合することにより、併合画像を形成する併合手段と
からなるプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１本の一方向送信チャネル及び少なくとも１本の一方向受信チャネルを有する通信装置を、少なくとも１個の差動増幅器を有する双方向通信装置に接続する回路配置において、
上記差動増幅器の制御入力は上記送信チャネルの出力に接続され、
上記差動増幅器の出力は上記双方向通信装置に接続され、
上記差動増幅器の負帰還路は上記受信チャネルの入力に接続され、
上記双方向通信装置に接続されたときに、直流電圧／直流電流特性を調節するため整合インピーダンスが上記負帰還路に設けられている回路配置。
【請求項２】  少なくとも抵抗と、抵抗及びキャパシタの並列回路とにより構成された直流回路が、上記整合インピーダンスを形成するため設けられていることを特徴とする請求項１記載の回路配置。
【請求項３】  上記差動増幅器は、上記送信チャネルから受信される伝送信号、又は、相補的な伝送信号を夫々に増幅するため２個の相補的なスイッチ形トランジスタを含むことを特徴とする請求項１記載の回路配置。
【請求項４】  上記トランジスタのベース端子は、少なくとも１個の夫々の絶縁キャパシタ及びバイアス抵抗を介して上記伝送信号又は相補的な伝送信号に接続され、
上記トランジスタのコレクタ端子は、上記双方向通信装置の夫々の端子に接続され、
上記トランジスタのエミッタ端子は、上記負帰還路内の上記整合インピーダンスを介して相互接続され、
上記トランジスタのベース端子は、少なくとも１個の負帰還抵抗を介して関連したコレクタ端子に接続され、少なくとも１個の動作点抵抗を介してエミッタ端子に接続されていることを特徴とする請求項３記載の回路配置。
【請求項５】  上記整合インピーダンス、上記負帰還抵抗及び上記バイアス抵抗の大きさは、上記負帰還抵抗の上記バイアス抵抗に対する比で乗算された上記整合インピーダンスが、接続された上記双方向通信装置の自己インピーダンスに略一致するように決められることを特徴とする請求項４記載の回路配置。
【請求項６】  上記トランジスタのベース端子は、抵抗及びツェナーダイオードを介して接続されていることを特徴とする請求項４記載の回路配置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陰極線管によって形成された画像の歪みをＳ字補正する方法であって、
シヌソイド信号を鋸波信号に加え、陰極線管の偏向コイルを制御する段階と、
上記シヌソイド信号の振幅が変化させられるとき、陰極線管上で静止したままである静止画像点の場所をマーキングする視覚的なマークを陰極線管のスクリーンに表示する段階と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】  上記視覚的なマークを陰極線管のスクリーンに表示する段階は、
偏向コイルを通る電流の曲線が静止画像点を通過する時点で少なくともビデオラインに一致する間隔を有し、上記シヌソイド信号の振幅の変化に影響されないパルスを発生させ、
黒レベルが陰極線管のスクリーンに表示されるべき上記ビデオラインの位置を示す上記パルスを、陰極線管の走査を制御する回路によって生成されたスーパーサンドキャッスル信号に挿入する、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  上記視覚的なマークを陰極線管のスクリーンに表示する段階は、
偏向コイルを通る電流曲線が静止画像点を通過する時点で少なくともビデオラインに一致する間隔を有し、上記シヌソイド信号の振幅の変化に影響されないパルスを発生し、
上記静止画像点に対応した上記画像の場所で文字の表示を制御するため、上記パルスを文字発生器によって発生されたテキスト挿入信号に挿入する、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  陰極線管によって形成された画像の歪みのＳ字補正をする装置であって、
Ｓ字補正による影響を受けない画像点の場所で視覚的なマークの表示を発生させる手段を含むことを特徴とする装置。
【請求項５】  上記視覚的なマークの表示を発生させる手段は、
Ｓ字補正シヌソイド信号発生器の入力に接続された出力を有し、入力として基準電圧も受信し、上記基準電圧と一致する入力電圧値を消すＳ字補正シヌソイド信号を出力する鋸波信号発生器と、
上記鋸波信号発生器によって生成された上記鋸波信号及び上記Ｓ字補正シヌソイド信号を加算する手段と、
上記鋸波信号を上記各基準電圧と比較し、上記鋸波信号が上記各基準電圧を通過する時点の各々で生成されるパルスを含む信号を生成する手段と、
上記パルスを含む受信された信号の関数として、上記シヌソイド信号の振幅の変化に影響されない画像点の場所で、視覚的なマークを陰極線管のスクリーンに表示する手段と、
を含むことを特徴とする請求項４記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、光学ディスクの情報記録容量の高密度化、大容量化が強く望まれている。光学ディスクの記録密度を大きくするためには、レーザ光を短波長化することと、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要とされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、光学ディスクとして例えば波長を６５０ｎｍとするレーザ光を用いて、片面の記録容量を例えば１０ＧＢ（ギガバイト）以上となるように構成する場合、使用する対物レンズの開口数ＮＡが例えば０．８５、ディスク基板厚さｔが０．１ｍｍとする必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、本発明に係る光ピックアップ装置及び光学ディスク装置によって情報が再生される光学ディスクとしては、ディスク基板厚さが０．１ｍｍ程度に形成された２枚のディスク基板が貼り合わせて構成されて、片面の記録容量が例えば１０ＧＢ（ギガバイト）以上となるよう構成された光学光ディスクが適用される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに接続された画像形成装置であって、原稿を読み取る原稿読取手段と、読み取った原稿の画像を印刷する印刷手段と、前記読み取った原稿の画像情報を前記ネットワークに接続された他の画像形成装置に転送して印刷させる連結動作手段と、単独動作と連結動作とを選択する動作選択手段とを有する画像形成装置において、前記連結動作が選択された時に前記他の画像形成装置のメンテナンス時期を示すカウンタを確認し、既にメンテナンス時期に到達している他の画像形成装置に対しては連結しないことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像形成装置において、前記他の画像形成装置のメンテナンス時期の到達によって該他の画像形成装置と連結しない場合、前記連結動作が選択された時に、操作パネル上に前記連結しない旨の警告を表示することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】 
請求項１に記載の画像形成装置において、既にメンテナンス時期に到達し、かつ、前記他の画像形成装置がまだメンテナンス時期に到達していない状態で連結動作が選択された場合、原稿を読み取る動作のみを実施し、画像を形成する動作をすべて前記他の画像形成装置でのみ実施することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、ネットワークに接続された画像形成装置であって、原稿を読み取る原稿読取手段と、読み取った原稿の画像を印刷する印刷手段と、前記読み取った原稿の画像情報を前記ネットワークに接続された他の画像形成装置に転送して印刷させる連結動作手段と、単独動作と連結動作とを選択する動作選択手段とを有する画像形成装置において、前記連結動作が選択された時に前記他の画像形成装置のメンテナンス時期を示すカウンタを確認し、既にメンテナンス時期に到達している他の画像形成装置に対しては連結しないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項１に記載の画像形成装置において、既にメンテナンス時期に到達し、かつ、前記他の画像形成装置がまだメンテナンス時期に到達していない状態で連結動作が選択された場合、原稿を読み取る動作のみを実施し、画像を形成する動作をすべて前記他の画像形成装置でのみ実施することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極材として黒鉛を含む負極、正極及び非水溶媒にリチウム塩を溶解してなる電解液から少なくとも構成される非水系電解液二次電池において、非水溶媒が環状カーボネート及び鎖状カーボネートを含有する混合非水溶媒であり、且つ非水溶媒が０．１容量％以上、５容量％未満の環内に炭素−炭素二重結合を有する環状スルホンを含有することを特徴とする非水系電解液二次電池。
【請求項２】  混合非水溶媒の７０容量％以上がカーボネートであることを特徴とする請求項１に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項３】  混合非水溶媒が、アルキレン基の炭素数が２〜４のアルキレンカーボネートからなる群から選ばれる環状カーボネートとアルキル基の炭素数が１〜４であるジアルキルカーボネートからなる群から選ばれる鎖状カーボネートとをそれぞれ２０容量％以上含有し、且つ混合非水溶媒の７０容量％以上がこれらのカーボネートであることを特徴とする請求項１または２に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項４】  負極材が、黒鉛のみからなる負極材、又はリチウムを吸蔵・放出することが可能な非黒鉛系炭素、リチウム、リチウム合金、及び金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種と黒鉛とを混合してなる負極材であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の非水系電解液二次電池。
【請求項５】  負極材が、Ｘ線回折における格子面（００２面）のｄ値が０．３３５〜０．３４ｎｍであり、且つ結晶子サイズ（Ｌｃ）が３０ｎｍ以上の炭素材料を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の非水系電解液二次電池。
【請求項６】  負極材が、Ｘ線回折における格子面（００２面）のｄ値が０．３３５〜０．３３７ｎｍであり、且つ結晶子サイズ（Ｌｃ）が５０ｎｍ以上の炭素材料からなることを特徴とする請求項５に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項７】  負極材が、Ｘ線回折における格子面（００２面）のｄ値が０．３３５〜０．３３７ｎｍであり、且つ結晶子サイズ（Ｌｃ）が１００ｎｍ以上の炭素材料からなることを特徴とする請求項６に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項８】  負極材が、レーザー回折・散乱法によるメジアン径が、７〜３０μｍである炭素材料からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の非水系電解液二次電池。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の非水系電解液二次電池に用いる非水系電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  充放電可能な正極、非水電解液および充放電可能な負極を具備する非水電解液二次電池であって、
前記充放電可能な負極が、マグネシウムを含み、
前記非水電解液が、
式（１）：ＲＭｇＸ （１）
（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子）、または
式（２）：ＲＭｇＹ （２）
（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基、ＹはＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-またはＣＦ3ＳＯ3-）
で表されるハロゲン含有有機マグネシウム化合物を含有する、非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項２】  前記非水電解液が、エステル系溶媒、アミン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、硫黄系溶媒および鎖状エーテル系溶媒よりなる群から選択される少なくとも１種の溶媒を含有する請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項３】  前記非水電解液がさらに環状エーテル系溶媒を含有する請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項４】  前記脂肪族炭化水素基Ｒの炭素数が１〜４である請求項１〜３のいずれかに記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項５】  前記充放電可能な負極が、マグネシウム金属またはマグネシウム合金を含む請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項６】  前記非水電解液が、
式（１）：ＲＭｇＸ （１）
（式中、Ｒは芳香族炭化水素基、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子）で表されるハロゲン含有有機マグネシウム化合物を含有する請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項７】  前記非水電解液が、
式（１）：ＲＭｇＸ （１）
（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子）で表されるハロゲン含有有機マグネシウム化合物を含有する請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項８】  前記非水電解液が、
式（２）：ＲＭｇＹ （２）
（式中、Ｒは芳香族炭化水素基、ＹはＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-またはＣＦ3ＳＯ3-）で表されるハロゲン含有有機マグネシウム化合物を含有する請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【請求項９】  前記非水電解液が、
式（２）：ＲＭｇＹ （２）
（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基、ＹはＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-またはＣＦ3ＳＯ3-）で表されるハロゲン含有有機マグネシウム化合物を含有する請求項１記載の非水電解液マグネシウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、充放電可能な正極、非水電解液および充放電可能な負極を具備する非水電解液二次電池において、前記非水電解液を、式（１）：ＲＭｇＸ（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子）で表されるハロゲン含有有機マグネシウムを含有するものとする。
前記非水電解液は、エステル系溶媒、アミン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、硫黄系溶媒および鎖状エーテル系溶媒よりなる群から選択される少なくとも１種の溶媒を含有するのが好ましい。
前記非水電解液は、さらに環状エーテル系溶媒を含有するのが好ましい。
前記エステル系溶媒としては、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネートまたはγ−ブチルラクトンであるのが好ましい。
また、前記アミン系溶媒はピリジンであるのが好ましい。
前記ニトリル系溶媒はアセトニトリルであるのが好ましい。
前記アミド系溶媒はＮ−メチルホルムアミドまたはジメチルホルムアミドであるのが好ましい。
前記硫黄系溶媒はジメチルスルホキシドまたはスルホランであるのが好ましい。
また、前記鎖状エーテル系溶媒はジメトキシエタンまたはジエチルエーテルであるのが好ましい。
前記環状エーテル系溶媒はテトラヒドロフランまたは２−メチルテトラヒドロフランであるのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような状況下において、本発明者らは、従来の固体原料をテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略する）という有機溶媒に溶解して溶液化することによって、気化性が飛躍的に向上することを見出し、これをＣＶＤ原料に用いることを提案した（特開平５−２９９３６５号公報）。しかし、この原料を、ＳｉＯ2膜形成用の、従来から用いられている液体原料用ＣＶＤ装置を用いて誘電体膜を形成しても、必ずしも良好な結果が得られないことがわかった。そこで、本発明者らは、また、液体原料を十分に気化させて、反応室に安定に供給できる液体原料用ＣＶＤ装置を提案した（特開平６−３１０４４４号公報、特開平７−９４４２６号公報）。しかし、この溶液気化ＣＶＤ装置を用いて誘電体膜を作製しても、必ずしも安定に良好な膜質（電気特性を含む）を有するものが得られるわけではないことがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像を生成するための画像生成システムであって、
第１のオブジェクトと、第１のオブジェクトと同一形状又はほぼ同一形状であるがレンダリング情報が異なる第２のオブジェクトとを用意し、前記第２のオブジェクトから所与の条件で第３のオブジェクトを切り出す手段と、
切り出された前記第３のオブジェクトが前記第１のオブジェクトに重ねて配置される画像を生成する手段と、
を含むことを特徴とする画像生成システム。
【請求項２】  請求項１において、
前記第２のオブジェクトは影切り出し用のオブジェクトであり、
第４のオブジェクトの情報と光源情報とに基づいて、影切り出し用の前記第２のオブジェクトから、影となるべき前記第３のオブジェクトが切り出されることを特徴とする画像生成システム。
【請求項３】  請求項２において、
前記第４のオブジェクトが、影を作るべきオブジェクトの形状を簡易化した簡易オブジェクトであることを特徴とする画像生成システム。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかにおいて、
所与の平面を用いて前記第２のオブジェクトから前記第３のオブジェクトが切り出されることを特徴とする画像生成システム。
【請求項５】  請求項４において、
第４のオブジェクトの第１、第２の頂点と、該第１、第２の頂点のいずれか一方と所与のベクトルとにより得られる第３の頂点とに基づき、前記平面が特定されることを特徴とする画像生成システム。
【請求項６】  請求項４又は５において、
前記平面の切断対象となるオブジェクトの頂点リストから、順次２つの頂点が取り出され、取り出された第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点が前記平面の表裏のどちらにあるかが、前記平面に関連づけられた表裏情報に基づいて判定され、
前記第Ｋの頂点が表にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が裏にあると判定された場合、或いは前記第Ｋの頂点が裏にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が表にあると判定された場合に、前記第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点を結ぶ線と前記平面との交点となる第Ｌの頂点が前記頂点リストに挿入され、
前記平面の切断対象となるオブジェクトの頂点の中で前記平面の裏及び表のいずれか一方にあると判定された頂点については、前記頂点リストに残され、他方にあると判定された頂点については、前記頂点リストから削除されることを特徴とする画像生成システム。
【請求項７】  画像を生成するための画像生成システムであって、
平面の切断対象となるオブジェクトの頂点リストから、順次２つの頂点を取り出し、取り出された第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点が前記平面の表裏のどちらにあるかを、前記平面に関連づけられた表裏情報に基づいて判定する手段と、
前記第Ｋの頂点が表にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が裏にあると判定された場合、或いは前記第Ｋの頂点が裏にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が表にあると判定された場合に、前記第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点を結ぶ線と前記平面との交点となる第Ｌの頂点を前記頂点リストに挿入する手段と、
前記平面の切断対象となるオブジェクトの頂点の中で前記平面の裏及び表のいずれか一方にあると判定された頂点については前記頂点リストに残し、他方にあると判定された頂点については、前記頂点リストから削除する手段と、
を含むことを特徴とする画像生成システム。
【請求項８】  コンピュータが使用可能な情報記憶媒体であって、
第１のオブジェクトと、第１のオブジェクトと同一形状又はほぼ同一形状であるがレンダリング情報が異なる第２のオブジェクトとを用意し、前記第２のオブジェクトから所与の条件で第３のオブジェクトを切り出す手段と、
切り出された前記第３のオブジェクトが前記第１のオブジェクトに重ねて配置される画像を生成する手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを記憶することを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項９】  請求項８において、
前記第２のオブジェクトは影切り出し用のオブジェクトであり、
第４のオブジェクトの情報と光源情報とに基づいて、影切り出し用の前記第２のオブジェクトから、影となるべき前記第３のオブジェクトが切り出されることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１０】  請求項９において、
前記第４のオブジェクトが、影を作るべきオブジェクトの形状を簡易化した簡易オブジェクトであることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１１】  請求項８乃至１０のいずれかにおいて、
所与の平面を用いて前記第２のオブジェクトから前記第３のオブジェクトが切り出されることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１２】  請求項１１において、
第４のオブジェクトの第１、第２の頂点と、該第１、第２の頂点のいずれか一方と所与のベクトルとにより得られる第３の頂点とに基づき、前記平面が特定されることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１３】  請求項１１又は１２において、
前記平面の切断対象となるオブジェクトの頂点リストから、順次２つの頂点が取り出され、取り出された第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点が前記平面の表裏のどちらにあるかが、前記平面に関連づけられた表裏情報に基づいて判定され、
前記第Ｋの頂点が表にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が裏にあると判定された場合、或いは前記第Ｋの頂点が裏にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が表にあると判定された場合に、前記第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点を結ぶ線と前記平面との交点となる第Ｌの頂点が前記頂点リストに挿入され、
前記平面の切断対象となるオブジェクトの頂点の中で前記平面の裏及び表のいずれか一方にあると判定された頂点については、前記頂点リストに残され、他方にあると判定された頂点については、前記頂点リストから削除されることを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１４】  コンピュータが使用可能な情報記憶媒体であって、
平面の切断対象となるオブジェクトの頂点リストから、順次２つの頂点を取り出し、取り出された第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点が前記平面の表裏のどちらにあるかを、前記平面に関連づけられた表裏情報に基づいて判定する手段と、
前記第Ｋの頂点が表にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が裏にあると判定された場合、或いは前記第Ｋの頂点が裏にあり且つ前記第Ｋ＋１の頂点が表にあると判定された場合に、前記第Ｋ、第Ｋ＋１の頂点を結ぶ線と前記平面との交点となる第Ｌの頂点を前記頂点リストに挿入する手段と、
前記平面の切断対象となるオブジェクトの頂点の中で前記平面の裏及び表のいずれか一方にあると判定された頂点については前記頂点リストに残し、他方にあると判定された頂点については、前記頂点リストから削除する手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを記憶することを特徴とする情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  動作制御用プログラム及び電子通貨ＩＤが格納されたＲＯＭ、動作制御用命令をユーザ装置から受信するとともに前記電子通貨ＩＤを前記ユーザ装置に送信する通信回路を有する電子通貨。
【請求項２】  前記ＲＯＭがマスクＲＯＭであり、前記マスクＲＯＭに前記動作制御用プログラム及び前記電子通貨ＩＤが格納されている請求項１の電子通貨。
【請求項３】  前記ＲＯＭがマスクＲＯＭ及びＥＥＰＲＯＭであり、前記マスクＲＯＭに前記動作制御用プログラムが格納され、前記ＥＥＰＲＯＭに前記電子通貨ＩＤが格納されている請求項１の電子通貨。
【請求項４】  前記ＥＥＰＲＯＭにさらに金額が格納される請求項２又は請求項３の電子通貨。
【請求項５】  前記金額を表示する表示装置をさらに有する請求項４の電子通貨。
【請求項６】  前記通信回路が非接触型である請求項１，請求項２，請求項３，請求項４又は請求項５の電子通貨。
【請求項７】  前記通信回路が接触型である請求項１，請求項２，請求項３，請求項４又は請求項５の電子通貨。
【請求項８】  電子通貨，ユーザ装置及び電子通貨サーバを含み、前記電子通貨のＲＯＭに前記電子通貨のＩＤが格納されるとともに前記電子通貨サーバに前記電子通貨のＩＤ及び前記ＩＤに対応する使用可能金額が格納されており、前記ユーザ装置により前記ＩＤが前記電子通貨サーバに送信されると前記電子通貨サーバが前記ＩＤに対応する使用可能金額を前記ユーザ装置に送信する電子通貨システム。
【請求項９】  さらにユーザのＩＤが格納された電子通貨を用いて前記使用可能金額を変更する請求項８の電子通貨システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
このように、参照回路８０内では、ＰＮＰトランジスタ７１1と、ダイオード構成にされていないＮＰＮトランジスタ７４2にはともに電流Ｉａが流れるようにされている。ＰＮＰトランジスタ７１1のベースは、電流供給回路４５を構成する２個のＰＮＰトランジスタ６１3、６１4のベースに接続され、ＮＰＮトランジスタ７４2のベースは、シンク回路４９を構成する２個のＮＰＮトランジスタ６４3、６４4のベースに接続されており、各ＰＮＰトランジスタ７１1、６１3、６１4のコレクタにはそれぞれ電流Ｉａが流れるように動作し、他方、各ＮＰＮトランジスタ７４2、６４3、６４4のコレクタにはそれぞれ電流Ｉａが流れるように動作する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の部品を装着する被装着体（１）の部品装着面（１ａ）における複数の部品装着位置に基づいて上記部品装着面を複数に区画し、
それぞれの区画に含まれる上記部品装着位置を移動する距離の総和が最小となりかつ移動方向が一方向となるような順にて上記部品装着位置の認識を行う、
ことを特徴とする部品装着位置認識最適化方法。
【請求項２】  それぞれの上記区画内における上記部品装着位置の認識順は、最も近接する部品装着位置を次に認識する部品装着位置に選択することで求める、請求項１記載の部品装着位置認識最適化方法。
【請求項３】  上記部品装着面の区画は、それぞれの上記部品装着位置の各Ｘ座標値の平均値、及び各Ｙ座標値の平均値からなる中心位置に基づいて行なわれる、請求項１又は２記載の部品装着位置認識最適化方法。
【請求項４】  上記部品装着位置の認識は、それぞれの部品装着位置毎に設けた実装マーク（２０１）を撮像することで行う、請求項１ないし３のいずれかに記載の部品装着位置認識最適化方法。
【請求項５】  それぞれの部品装着位置毎に設けた実装マークの撮像を行う撮像装置（１３２）の移動距離に基づいて上記撮像装置の移動速度を設定する、請求項１ないし４のいずれかに記載の部品装着位置認識最適化方法。
【請求項６】  複数の部品が装着される被装着体（１）の部品装着面（１ａ）におけるそれぞれの部品装着位置を示す各実装マークを撮像するために移動する撮像装置（１３２）と、
上記撮像装置の撮像情報から求まる各上記実装マークの座標値に基づいて上記部品装着面を複数に区画し、それぞれの区画に含まれる上記部品装着位置を移動する距離の総和が最小となりかつ移動方向が一方向となるような順にて上記部品装着位置の認識を上記撮像装置に行わせる制御装置（１８１）と、
を備えたことを特徴とする部品装着位置認識最適化装置。
【請求項７】  上記制御装置は、それぞれの上記区画内において、各上記実装マークを撮像するための上記撮像装置の移動距離が最短になる上記部品装着位置の認識順とする、請求項６記載の部品装着位置認識最適化装置。
【請求項８】  上記制御装置は、それぞれの上記実装マークの各Ｘ座標値の平均値、及び各Ｙ座標値の平均値からなる中心位置に基づいて上記部品装着面の区画を行う、請求項６又は７記載の部品装着位置認識最適化装置。
【請求項９】  上記制御装置は、上記実装マークの撮像を行う上記撮像装置の移動距離に基づいて上記撮像装置の移動速度を設定する、請求項６ないし８のいずれかに記載の部品装着位置認識最適化装置。
【請求項１０】  請求項６ないし９のいずれかに記載の部品装着位置認識最適化装置を備えたことを特徴とする部品装着装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
光ディスク原盤用の基板１５は、ターンテーブル１６上に載置されている。ターンテーブル１６は、基板１５を回転駆動する回転駆動装置であるスピンドルモータ１７によって基板主面の垂直軸に関して回転駆動される。スピンドルモータ１７は送りステージ（以下、単にステージと称する）１８内に収容されている。ステージ１８は、移動駆動装置である送りモータ１９に結合され、スピンドルモータ１７及びターンテーブル１６を基板１５の主面と平行な面内の所定方向に移動することができるようになっている。ステージ１８にはレーザ距離測定用の光源２０ａからのレーザ光を反射する反射鏡２０ｂなどが設けられ、真空チャンバ１１側壁には光検出器２０ｃが設けられている。これらはレーザ距離測定系をなす。