(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハを鉛直方向に配置した状態で当該半導体用ウェハに無電解めっきを施すときに当該半導体用ウェハの鍔部の湾曲および屈曲を防止することができる半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアを提供する。【解決手段】ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハに無電解めっきを施す際に用いられる無電解めっき用キャリア１であって、キャリア１の内部に半導体用ウェハを収容するための収容部２を有し、収容部２の下部に半導体用ウェハを保持するためのウェハ保持材３が設けられ、ウェハ保持材３に半導体用ウェハの下端部を収容するためのウェハ収容溝５が形成され、ウェハ収容溝５の内部に鍔部が収容されるがウェハ基板の下端部が収容されない大きさおよび形状を有する鍔部収容溝が形成されている。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハに無電解めっきを施す際に用いられる無電解めっき用キャリアであって、前記キャリアの内部に半導体用ウェハを収容するための収容部を有し、当該収容部の下部に半導体用ウェハを保持するためのウェハ保持材が設けられ、当該ウェハ保持材に半導体用ウェハの下端部を収容するためのウェハ収容溝が形成され、当該ウェハ収容溝の内部に前記鍔部が収容されるが前記ウェハ基板の下端部が収容されない大きさおよび形状を有する鍔部収容溝が形成されていることを特徴とする半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア。
【請求項２】
複数本の鍔部収容溝が形成されているウェハ収容溝が並列に配設されている請求項１に記載の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアに関する。さらに詳しくは、本考案は、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハとして、図５に示されるようにウェハ基板１１のデバイス面１１ａの外周面にウェハ基板１１の端部から突出して鍔部１２ａを形成するデバイス面用樹脂フィルム１２が設けられ、ウェハ基板１１の底面に当該底面全体を覆うとともにウェハ基板１１の端部から突出して鍔部１３ａを形成する底面用樹脂フィルム１３が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム１２の鍔部１２ａと底面用樹脂フィルム１３の鍔部１３ａとが一体化されている無電解めっき用シリコンウェハが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
前記無電解めっき用シリコンウェハに無電解めっきを施す際にウェハ基板１１を水平方向に配置した場合、ウェハ基板１１のデバイス面１１ａに無電解めっきを施したとき、形成されるめっき層の厚さが不均一となることがある。そこで、シリコンウェハを鉛直方向に配列させてウェハ基板１１のデバイス面１１ａに無電解めっきを施すことが考えられている。
【０００４】
しかし、近時のウェハ基板１１の大口径化に伴い、ウェハ基板１１を鉛直方向に配列させたとき、ウェハ基板１１の自重によって鍔部１２ａ，１３ａが湾曲したり、屈曲したりするため、ウェハ基板１１に無電解めっきを施した後の乾燥工程でデバイス面用樹脂フィルム１２を乾燥させた際に湾曲または屈曲した部分にめっき液が残存したり、ウェハ基板１１が破損したりすることがあるのみならず、当該湾曲または屈曲した部分を元の形状に復元させるための後加工を必要とすることから、半導体ウェハの生産効率の低下を招くことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実用新案登録第３１８７５７３号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
本考案は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハを鉛直方向に配置した状態で当該半導体用ウェハに無電解めっきを施すときに当該半導体用ウェハの鍔部の湾曲および屈曲を防止することができる半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本考案は、
（１）  ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハに無電解めっきを施す際に用いられる無電解めっき用キャリアであって、前記キャリアの内部に半導体用ウェハを収容するための収容部を有し、当該収容部の下部に半導体用ウェハを保持するためのウェハ保持材が設けられ、当該ウェハ保持材に半導体用ウェハの下端部を収容するためのウェハ収容溝が形成され、当該ウェハ収容溝の内部に前記鍔部が収容されるが前記ウェハ基板の下端部が収容されない大きさおよび形状を有する鍔部収容溝が形成されていることを特徴とする半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア、および
（２）  複数本の鍔部収容溝が形成されているウェハ収容溝が並列に配設されている前記（１）に記載の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア
に関する。
【０００８】
なお、本考案において、無電解めっき用キャリアに設けられているウェハ保持材に形成されているウェハ収容溝の内部に半導体用ウェハの鍔部が収容されるとは、半導体用ウェハの鍔部が湾曲および屈曲しない程度でウェハ収容溝の底面と接触するか、または当該半導体用ウェハの鍔部がウェハ収容溝の底面と接触しないでウェハ収容溝の内部に収まることを意味する。
【考案の効果】
【０００９】
本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアによれば、ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハを鉛直方向に配置した状態で当該半導体用ウェハに無電解めっきを施すときに当該半導体用ウェハの鍔部の湾曲および屈曲を防止することができるという優れた効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアの一実施態様を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示される本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアの矢印Ａ方向において、ウェハ保持材に形成されているウェハ収容溝の一実施態様を示す概略断面図である。
【図３】図１に示される本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアの矢印Ａ方向において、ウェハ保持材に形成されているウェハ収容溝の他の一実施態様を示す概略断面図である。
【図４】図１に示される本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアの矢印Ａ方向において、ウェハ保持材に形成されているウェハ収容溝の他の一実施態様を示す概略断面図である。
【図５】従来の無電解めっき用シリコンウェハを側面から見たときの当該無電解めっき用シリコンウェハの中心部における概略縦断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１１】
以下に本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアを図面に基づいて詳細に説明するが、本考案は、当該図面に記載の実施態様のみに限定されるものではなく、本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアの範囲内であれば、他の実施態様を有するものであってもよい。
【００１２】
図１は、本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア１の一実施態様を示す概略斜視図である。
【００１３】
本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア１は、ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハに無電解めっきを施す際に用いられる。
【００１４】
無電解めっき用キャリア１は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレンコポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリフッ化ビニリデンなどのフッ素樹脂、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトンなどのエンジニアリングプラスチック、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂などの汎用樹脂、ステンレス鋼、鉄、真鍮、アルミニウムなどの金属材の表面に塩化ビニル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素樹脂などの樹脂を被覆した材料などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。
【００１５】
無電解めっき用キャリア１の内部には半導体用ウェハ（図示せず）を収容するための収容部２が設けられている。無電解めっき用キャリア１の収容部２の下部には、半導体用ウェハを保持するためのウェハ保持材３が設けられている。図１に示される無電解めっき用キャリア１では、ウェハ保持材３は、無電解めっき用キャリア１に設けられている側面板４に取り付けられている。
【００１６】
ウェハ保持材３には、半導体用ウェハの下端部を収容するためのウェハ収容溝５が形成されている。ウェハ収容溝５の下部には、後述する図２〜４に示されるように、半導体用ウェハの鍔部が収容されるが半導体用ウェハのウェハ基板の下端部が収容されない大きさおよび形状を有する鍔部収容溝６が形成されている。
【００１７】
なお、無電解めっき用キャリア１の底面部には、無電解めっき液を無電解めっき用キャリア１の内部に送入し、無電解めっき用キャリア１から排出させるためのめっき液の送排出口２ａが設けられていてもよい。
【００１８】
図１に示される無電解めっき用キャリア１では、１０本のウェハ収容溝５が並列に配設されている。ウェハ収容溝５の数は、１本であってもよく、複数本であってもよく、本考案は、ウェハ収容溝５の数によって限定されるものではない。ウェハ収容溝５の数は、半導体用ウェハに効率よく無電解めっきを施す観点から、複数本であることが好ましい。この場合、半導体用ウェハを収容するための収容部２の内部空間を有効活用する観点から、ウェハ収容溝５が並列に配設されていることが好ましい。ここで、前記並列は、半導体用ウェハが並行となるように並んでいることおよび半導体用ウェハ同士が並行ではなく、ある程度の角度で並んでいることの双方を意味する。本考案においては、半導体用ウェハが並行となるように並んでいることが半導体用ウェハを収容するための収容部２の内部空間を有効活用する観点から好ましい。
【００１９】
図２〜４は、それぞれ、図１に示される本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアの矢印Ａ方向において、ウェハ保持材３に形成されているウェハ収容溝５の一実施態様を示す概略断面図である。
【００２０】
図２（Ａ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）は、それぞれ、本考案の無電解めっき用キャリア１のウェハ保持材３に形成されているウェハ収容溝５および鍔部収容溝６の一実施態様を示す概略断面図である。図２（Ｂ）、図３（Ｂ）および図４（Ｂ）は、それぞれ、図２（Ａ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）において、半導体用ウェハ１０のデバイス面１１ａの外周面にウェハ基板１１の端部から突出している鍔部１２ａおよび半導体用ウェハ１０の底面全体を覆うとともにウェハ基板１１の裏面に形成されている底面用樹脂フィルム１３の端部から突出している鍔部１３ａがウェハ収容溝５内の鍔部収容溝６に収容されているときの一実施態様を示す概略断面図である。
【００２１】
本考案の無電解めっき用キャリア１においては、図２〜４に示されるように、無電解めっき用キャリア１の収容部２の下部に設けられているウェハ保持材３に半導体用ウェハ１０を保持するためのウェハ収容溝５が形成されている。
【００２２】
ウェハ収容溝５の開口部と半導体用ウェハ１０との間隙は、ウェハ収容溝５の側壁と半導体用ウェハ１０との摺擦を防止し、半導体用ウェハ１０を保持する観点から、０．１〜２ｍｍ程度であることが好ましく、０．５〜２ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２３】
ウェハ収容溝５の下部には、半導体用ウェハ１０の鍔部１２ａ，１３ａが収容されるが、ウェハ基板１１の下端部が収容されない大きさおよび形状を有する鍔部収容溝６が形成されている。
【００２４】
図２および図３に示されるウェハ収容溝５では、半導体用ウェハ１０は、ウェハ収容溝５内の底面５ａと当接することから、鍔部収容溝６に進入しない。これに対して、図４に示されるウェハ収容溝５では、半導体用ウェハ１０は、ウェハ収容溝５の内面５ｂと接触することから、鍔部収容溝６に進入しない。
【００２５】
したがって、半導体用ウェハ１０の鍔部１２ａ，１３ａは、鍔部収容溝６に収容されるが、ウェハ基板１１の端部は、鍔部収容溝６に収容されないことから、鍔部１２ａ，１３ａが湾曲したり、屈曲したりすることを防止することができる。
【００２６】
鍔部収容溝６と鍔部１２ａ，１３ａとの間隙は、鍔部収容溝６の側壁と鍔部１２ａ，１３ａとの摺擦を防止し、鍔部１２ａ，１３ａを保持する観点から、０．１〜２ｍｍ程度であることが好ましく、０．５〜２ｍｍ程度であることがより好ましい。鍔部収容溝６内に挿入される鍔部１２ａ，１３ａの端部（図示せず）と鍔部収容溝６の底面６ａとの間隙は、鍔部１２ａ，１３ａの湾曲および屈曲を防止する観点から、０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上である。鍔部１２ａ，１３ａの端部と鍔部収容溝６の底面６ａとの間隙の上限値には特に限定がないが、鍔部収容溝６内で鍔部１２ａ，１３ａを十分に保持する観点から、鍔部収容溝６内に挿入される鍔部１２ａ，１３ａの長さが１ｍｍ以上となるように調整することが好ましい。
【００２７】
ウェハ収容溝５の深さは、半導体用ウェハ１０が有する鍔部１２ａ，１３ａの長さによって異なるので一概には決定することができないことから、鍔部１２ａ，１３ａが湾曲したり、屈曲したりしない範囲内で適宜調整することが好ましい。ウェハ収容溝５の深さは、特に限定されないが、通常、１〜５ｍｍ程度である。
【００２８】
図２に示されるウェハ収容溝５においては、ウェハ収容溝５の略中央部に鍔部収容溝６が形成されている。図２に示されるように、半導体用ウェハ１０の鍔部１２ａ，１３ａは、鍔部収容溝６に進入するが、半導体用ウェハ１０のウェハ基板１１の下端部は、ウェハ収容溝５内の底面５ａによって鍔部収容溝６への進入が阻止されるので、半導体用ウェハ１０の鍔部１２ａ，１３ａが鍔部収容溝６の底面６ａに突き当たって湾曲したり、屈曲したりすることが防止される。
【００２９】
図２示されるウェハ収容溝５では、半導体用ウェハ１０のウェハ基板１１のデバイス面用樹脂フィルム１２側および底面用樹脂フィルム１３側の双方の下端部がウェハ収容溝５内の底面５ａと当接するように構成されている。
【００３０】
これに対して、図３に示されるウェハ収容溝５においては、図２に示されるウェハ収容溝５と相違して、半導体用ウェハ１０のウェハ基板１１のデバイス面用樹脂フィルム１２側の下端部がウェハ収容溝５内の底面５ａと当接するように構成されている。図３に示されるウェハ収容溝５は、図２に示されるウェハ収容溝５と同様に、半導体用ウェハ１０のウェハ基板１１の下端部がウェハ収容溝５内の底面５ａによって鍔部収容溝６への進入が阻止されるので、半導体用ウェハ１０の鍔部１２ａ，１３ａが鍔部収容溝６の底面６ａに突き当たって湾曲したり、屈曲したりすることが防止される。
【００３１】
図４に示されるウェハ収容溝５においては、図２および図３に示されるウェハ収容溝５と相違して、ウェハ収容溝５の内部には底面５ａが設けられておらず、その代わりに下方向に向かってウェハ収容溝５の開口部の径が小さくなるテーパ状の内面５ｂが設けられ、その下部に鍔部収容溝６が形成されている。したがって、図４に示されるように、半導体用ウェハ１０のウェハ基板１１の下端部は、鍔部収容溝６の内部への進入がテーパ状の内面５ｂによって阻止されるので、半導体用ウェハ１０の鍔部１２ａ，１３ａが鍔部収容溝６の底面６ａに突き当たって湾曲したり、屈曲したりすることが防止される。
【００３２】
なお、本考案で用いられる半導体用ウェハ１０は、ウェハ基板１１および鍔部１２ａ，１３ａを有する。ウェハ基板１１のデバイス面１１ａの外周面にウェハ基板１１の端部から突出して鍔部１２ａを形成するデバイス面用樹脂フィルム１２が設けられ、ウェハ基板１１の底面に当該底面全体を覆うとともにウェハ基板１１の端部から突出して鍔部１３ａを形成する底面用樹脂フィルム１３が設けられている。鍔部１２ａと鍔部１３ａとは、例えば、粘着剤、接着剤、加熱溶融などの手段により、一体化されている。
【００３３】
鍔部１２ａと鍔部１３ａとの全体の厚さは、特に限定されないが、好ましくは２０〜４００μｍ、より好ましくは５０〜３００μｍである。鍔部１２ａ，１３ａの長さは、半導体用ウェハ１０の変形を防止し、取り扱い性を向上させる観点から、１〜２０ｍｍ程度であることが好ましい。
【００３４】
半導体用ウェハ１０の大きさは、配線用基板の用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該配線用基板の用途などに応じて適宜決定することが好ましい。半導体用ウェハ１０の形状は、特に限定されないが、通常、円形ないし楕円形である。
【００３５】
ウェハ基板１１の材質としては、例えば、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、酸化ガリウムなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。ウェハ基板１１の厚さは、配線用基板の用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該配線用基板の用途などに応じて適宜決定することが好ましいが、通常、３０〜８００μｍ程度である。
【００３６】
デバイス面用樹脂フィルム１２および底面用樹脂フィルム１３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ナイロン１、ナイロン１２、ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド；ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂；塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルム、ポリウレタンエラストマーなどのエラストマーからなるフィルム、天然ゴム、スチレン−ブタジエンゴムなどの合成ゴムなどからなるゴムシートなどが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。デバイス面用樹脂フィルム１２および底面用樹脂フィルム１３の厚さは、特に限定されないが、通常、それぞれ、１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００３７】
以上説明したように、本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアによれば、ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハに無電解めっきを施すときに半導体用ウェハを鉛直方向に配置した際に当該鍔部が湾曲したり、屈曲したりすることを防止することができる。
【００３８】
したがって、本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアを用いることにより、半導体用ウェハが有する鍔部が湾曲したり、屈曲したりすることを防止することができることから、従来のように鍔部が湾曲または屈曲した箇所でめっき液が残存したり、半導体用ウェハが破損したりすることを回避し、さらに湾曲または屈曲した鍔部を元の形状に戻すための後加工を必要としないので、半導体デバイスを効率よく製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアを用いることにより、ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハを鉛直方向に配置した状態で当該半導体用ウェハに無電解めっきを施すときに当該半導体用ウェハの鍔部が湾曲したり、屈曲したりすることを防止することができる。
【００４０】
したがって、本考案の半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアは、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板などを工業的に製造する際に好適に使用することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１      無電解めっき用キャリア
２      収容部
２ａ    めっき液の送排出口
３      ウェハ保持材
４      側面板
５      ウェハ収容溝
５ａ    ウェハ収容溝の底面
５ｂ    ウェハ収容溝の内面
６      鍔部収容溝
６ａ    鍔部収容溝の底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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