【事件の表示】
　平成４年特許願第３５５３２９号「電子写真用光受容部材」拒絶査定に対する審判事件〔平成６年７月８日出願公開、特開平６−１８６７６４、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年１２月２１日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１０年１０月３０日、平成１２年６月２６日、及び平成１２年９月１８日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】支持体と、少なくとも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電性層と、シリコン原子、炭素原子を母体とした表面層とを有する電子写真用光受容部材において、前記表面層において炭素原子の含有量がシリコン原子と炭素原子との和に対して４０原子％以上９０原子％以下で、前記表面層の炭素原子が４本の結合手を持つダイヤモンド結合をする炭素原子と、３本の結合手を持つグラファイト結合をする炭素原子とからなり、前記表面層中に含有する全炭素原子の数に対してグラファイト結合をする炭素原子が１０．２％以上２４．７％以下であることを特徴とする電子写真用光受容部材。
【請求項２】前記支持体上に電荷注入阻止層を介して前記光導電層を設けた請求項１に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項３】前記光導電層が電荷発生層と電荷輸送層とからなる請求項１または２に記載の電子写真用光受容部材。」
　
２．原査定の概要
　原査定の拒絶の理由は、本願請求項１〜３に係る発明は、本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平２−５３０７５号公報（以下、「引用例」という）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたというものである。
　
３．引用例の記載
（１）「（１）支持体上に少なくとも光導電層と、表面層とを積層して構成された電子写真用像形成部材において、前記光導電層が水素原子を１原子％〜１０原子％、炭素原子を５原子％〜１５原子％夫々含有し、・・・（中略）・・、前記表面層が水素原子を５０原子％〜７０原子％、炭素原子を２０原子％〜４０原子％含有する非単結晶炭化シリコンで構成され、かつグラファイト構造を含まないか又は単位体積当たり１％以下含む層構造を有することを特徴とする電子写真用像形成部材。」（特許請求の範囲（１））
（２）〈実験例２及び比較実験例３〉欄には、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて、表面層用の非単結晶炭化シリコン膜を堆積し、サンプルの特性を測定し、測定結果を第６表に示している（第１３頁右上欄〜左下欄８行）。
　第６表には、膜中Ｈ量（原子％）、膜中Ｃ量（原子％）、グラファイト量（％）の値が、この順で、
サンプルNo101；Ｈ量４７原子％、Ｃ量２０原子％、７％（比較実験例）
サンプルNo102；Ｈ量５２原子％、Ｃ量１５原子％、４％（比較実験例）
サンプルNo103；Ｈ量６８原子％、Ｃ量４４原子％、８％（比較実験例）
サンプルNo104；Ｈ量７３原子％、Ｃ量３９原子％、１０％（比較実験例）
サンプルNo105；Ｈ量５２原子％、Ｃ量２５原子％、０．３％
サンプルNo106；Ｈ量６０原子％、Ｃ量３０原子％、０．５％
サンプルNo107；Ｈ量６５原子％、Ｃ量３７原子％、０％
であること（第１７頁第６表）が記載されている。
（３）膜中におけるＨ量の定量はＳｉウエハーサンプルを用いＦＴＩＲ（Nicolet　６０ＳＸＢ）を用いて従来一般の方法に従って行ったこと、膜中Ｃ量の測定は、ＸＭＡ（日立製Ｋ−６５０）を用いて測定したこと、膜中のグラファイト量の測定は、非単結晶炭化シリコン膜を堆積したシリコンウエハーをレーザーラマン分光光度計（Laser　Raman　Spectrophotometer、日本分光製ＮＲ−１１００）にセットしてラマンスペクトルを測定し、グラファイト構造の割合（％）を、シリコンのＴＯモード（Transverse　Opttical　mode）に関係した４８０ｃｍ−１〜５２０ｃｍ−１ 間のピーク面積を１００％とし、グラファイトに関係した１４５０ｃｍ−１〜１７１０ｃｍ−１ 間に現れる全ピークの面積を上記シリコンのＴＯモードのピーク面積と比較して算出したこと（第１２頁右上欄第１７〜左下欄１６行）。
（４）発明の効果として、「本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって形成した本発明の非単結晶炭化シリコンで構成された電子写真用像形成部材によれば、これをより高速の電子写真装置に用いた場合においても帯電能、暗減衰、光感度、ゴーストなどの点について、従来の非単結晶炭化シリコンで構成された電子写真用像形成部材よりも格段に優れた特性を得ることができる。
　更に本発明の光導電層と表面層とを積層させた電子写真用像形成部材によれば、より高速の電子写真装置において生じる表面電位の立ち下がり現象をより軽減することができる。」（第２０頁右下欄第１〜１３行）
　
　ここで、上記（２）において、サンプルＮｏ１０３、１０４、１０７の膜中のＨ量とＣ量の和は１００原子％を越えてしまうため、膜中Ｃ量（原子％）は、膜中に含まれるすべての元素に対する割合を示すものではなく、またＨ量を含む割合でもなく、表面層の非単結晶炭化シリコンにおける、シリコン原子と炭素原子との和に対する炭素原子の含有量であると理解できる。そうすると、ここでのＣ量（原子％）は、本願発明での炭素原子の含有量と同じ定義によるものと認められる。
　
４．当審の判断
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、従来のａ−Ｓｉドラムでは非常に有機溶剤濃度が高い環境下で連続して使用した場合においてコピー濃度が低くなることがあり、また、影を引いたような画像欠陥の発生がみられることもあり、どのような悪環境下でも安定した画像が得られることが望まれていたところ（本願明細書【０００７】欄参照）、電気的、光学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存する事なく常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとんど観測されない、特に、悪環境下でも安定した画像を常時得られるような、優れた電子写真用光受容部材を提供することを目的とし（本願明細書【０００８】欄参照）、支持体と、少なくとも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電性層と、シリコン原子、炭素原子を母体とした表面層とを有する電子写真用光受容部材において、前記表面層において炭素原子の含有量を特定し、前記表面層の炭素原子が４本の結合手を持つダイヤモンド結合をする炭素原子と、３本の結合手を持つグラファイト結合をする炭素原子とからなり、前記表面層中に含有する全炭素原子の数に対してグラファイト結合をする炭素原子の割合を特定したことを特徴とするものである。
　
　これに対して、引用例には、支持体上に少なくとも光導電層と、表面層とを積層して構成された電子写真用像形成部材において、前記表面層が非単結晶炭化シリコンで構成され、かつグラファイト構造を含まないか又は単位体積当たり１％以下含む層構造を有する電子写真用像形成部材が記載されており、支持体上に非単結晶シリコン系の光導電層と、シリコン原子、炭素原子を母体とした表面層とを積層して構成された電子写真用像形成部材という点において、両者は、基本的には同じ構成のものである。
　しかしながら、引用例には、本願発明１での課題である、悪環境下でも安定した画像を常時得られるような電子写真用光受容部材を提供することについて記載されておらず、また、表面層が炭素原子を２０原子％〜４０原子％（本願発明と同じ定義による、シリコン原子と炭素原子との和に対する炭素原子の含有量）含有するとしているが、実験例２及び比較実験例３の測定結果である第６表（上記摘記事項（２））によれば、具体的には、引用例記載の発明では、２５原子％〜３７原子％を示しており、本願発明１での４０原子％以上９０原子％以下とは、一応４０原子％で一致しているものの、具体例では異なり、本願発明１よりは少ない炭素原子の含有量としている。
　次に、引用例記載の表面層は、グラファイト構造を含まないか又は単位体積当たり１％以下含むとされ、同第６表によれば、比較実験例も含め０〜１０％の値が記載されているが、ここでのグラファイト量は、上記摘記事項（３）に示されるとおり、シリコンの結合に対するグラファイト構造の比であって、本願発明１での全炭素原子の数に対してグラファイト結合をする炭素原子の割合とは異なっており、同レベルには検討できないものである。
　この点について、審判請求人が平成１３年５月７日付意見書で提出した参考資料１（引用例の第６表記載のサンプルにつき、追試し、本願発明１で定義するグラファイト量を測定した結果）によれば、引用例記載の発明であるサンプルＮｏ．１０５、１０７に対応する、炭素原子の含有量が２７原子％、３７原子％（本願発明１の「４０原子％以上９０原子％以下」の炭素原子の含有量の範囲外）の追試サンプル６、３（丸数字）は、グラファイト割合が１１．１％、１６．２％であるが、引用例の比較例に相当し本願発明１の「４０原子％以上９０原子％以下」の炭素原子の含有量の範囲内であるサンプル２（丸数字）（炭素量４５原子％）は、グラファイト割合が３１．１％と、本願発明１でのグラファイト割合「１０．２％以上２４．７％以下」の範囲外であって、引用例記載の表面層が本願発明１と同じものは存在していない。なお、そうすると拒絶の理由ではないが、本願発明１が引用例に記載された発明であるとすることはできない。
　
　以上のとおり、引用例記載の表面層は、炭素原子の含有量が、本願発明１と一応４０原子％で重複しているとは言え、具体例では重複するものがなく、引用例記載の発明では２０〜４０原子％と、本願発明１よりは低い範囲が好ましいとして特定している。そして、その範囲以外、特に多い含有量において好ましいことを予測させるものが何もなく、当業者にとって本願発明１での４０原子％以上９０原子％以下の炭素原子の含有量とする契機は何もなく、この点を容易に想到し得るものではない。
　更に、引用例記載の表面層のグラファイト割合は、本願発明１の定義と異なり、上記意見書中で示されるとおり追試してみなければ本願発明１のグラファイト割合とは対比できないものである。そうすると、引用例には、本願発明１での表面層中に含有する全炭素原子の数に対してグラファイト結合をする炭素原子の割合について認識がされてなく、この点を特定する根拠は全くない。そうすると、本願発明１の如く、この割合を「１０．２％以上２４．７％以下である」とすることは、当業者にとって容易に想到し得るものでもない。
　そして、本願発明１は、上記構成により明細書に記載された、本発明による表面層を持つ電子写真用光受容部材によれば、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐久性を損なわず、さらに悪環境下での耐久特性を大幅に改善することができるという、引用例からは予測することのできない格別な効果を奏しているものである。
　よって、本願発明１は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　更に、本願の請求項２、３は、請求項１を引用して更に構成を限定しているから、上記と同じ理由で、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
  　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１〜３に係る発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本願請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原審の判断は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。