Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ．約１００〜約１２００のデニールを持つ少なくとも一つのガラス繊維ストランドを含むコア；
ｂ．約０．００１３〜約０．００３０インチの直径を持ちかつ前記ガラス繊維コアストランドの周りに巻き付けられた少なくとも一つのワイヤーストランド；
ｃ．前記コアストランド及びワイヤーストランドの周りに巻き付けられた少なくとも一つの非金属非高性能カバーストランド（このカバーストランドはポリエステル、ポリエステル／綿混合物、ナイロン、アクリル、毛、及び綿から本質的になる群から選ばれた材料から形成されている）；
を含む複合耐切断性糸。
【請求項２】  前記少なくとも一つのワイヤーストランドの周りに前記少なくとも一つのワイヤーストランドの方向と反対の第二方向に巻き付けられた第二ワイヤーストランドを更に含む請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項３】  前記少なくとも一つのワイヤーストランドが約０．００１３〜０．００２０インチの直径を持つ請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項４】  前記少なくとも一つのカバーストランドの周りに前記少なくとも一つのカバーストランドの方向と反対の第二方向に巻き付けられた第二非金属非高性能カバーストランドを更に含み、前記第二非金属非高性能カバーストランドがポリエステル、ポリエステル／綿混合物、ナイロン、アクリル、毛、及び綿から本質的になる群から選ばれている請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項５】  第二ガラス繊維ストランドを更に含む請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項６】  前記コアが前記ガラス繊維ストランドに隣接したワイヤーストランドを更に含む請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項７】  ガラス繊維とワイヤーの組合せ重量が複合糸の約４０〜約７０％に達している請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項８】  前記少なくとも一つのワイヤーストランドが前記ガラス繊維コアストランドの周りにインチ当たり約６〜約１３回の割合で巻き付けられている請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項９】  前記少なくとも一つの非金属非高性能繊維カバーストランドがインチ当たり約６〜約１３回の割合で巻き付けられている請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項１０】  前記少なくとも一つの非金属非高性能繊維カバーストランドが約１００〜約１２００のデニールを持つ請求項１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項１１】  ａ．約１００〜約１２００のデニールを持つ少なくとも一つのガラス繊維ストランドを含むコア；
ｂ．それぞれが約０．００１３〜約０．００２０インチの直径を持ちかつ前記コアの周りに巻かれた二つのワイヤーストランド（これらのワイヤーストランドの一方は一つの方向に巻き付けられており、他方のストランドは反対方向に巻き付けられている）；
ｃ．前記コアストランド及びワイヤーストランドの周りに巻き付けられた二つの非金属非高性能カバーストランド（これらのカバーストランドはポリエステル、ポリエステル／綿混合物、ナイロン、アクリル、毛、及び綿から本質的になる群から選ばれた材料から形成されている）；
を含む複合耐切断性糸。
【請求項１２】  前記コアが略１２００デニールを持つガラス繊維ストランドを含み、前記ワイヤーストランドが略０．００１６インチの直径を持ち、そして前記非金属非高性能カバーストランドが略５００デニールのポリエステルから形成されている請求項１１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項１３】  前記コアが略６００デニールを持つガラス繊維ストランドを含み、前記ワイヤーストランドが略０．００２０インチの直径を持ち、そして前記非金属非高性能カバーストランドが略５００デニールのポリエステルから形成されている請求項１１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項１４】  コアのガラス繊維ストランドが略１００デニールを持ち、前記ワイヤーストランドが略０．００１６インチの直径を持ち、そして前記カバーストランドの一方が３６／１紡糸ポリエステルから形成されており、他方のカバーストランドが１５０デニールのポリエステルから形成されている請求項１１に記載の複合耐切断性糸。
【請求項１５】  ａ．約１００〜約１２００のデニールを持つ少なくとも一つのガラス繊維ストランドを含むコア；
ｂ．それぞれが約０．００１３〜約０．００２０インチの直径を持ちかつ前記コアの周りに巻かれた二つのワイヤーストランド（これらのワイヤーストランドの一方は一つの方向に巻き付けられており、他方のストランドは反対方向に巻き付けられている）；
ｃ．前記コアストランド及びワイヤーストランドの周りに巻き付けられた二つの非金属非高性能カバーストランド（これらのカバーストランドはポリエステル、ポリエステル／綿混合物、ナイロン、アクリル、毛、及び綿から本質的になる群から選ばれた材料から形成されている）；
を含む複合耐切断性糸から主として形成された耐切断性耐摩耗性手袋。
【請求項１６】  前記コアが略１２００デニールを持つガラス繊維ストランドを含み、前記ワイヤーストランドが略０．００１６インチの直径を持ち、そして前記非金属非高性能カバーストランドが略５００デニールのポリエステルから形成されている請求項１５に記載の耐切断性耐摩耗性手袋。
【請求項１７】  前記コアが略６００デニールを持つガラス繊維ストランドを含み、前記ワイヤーストランドが略０．００２０インチの直径を持ち、そして前記非金属非高性能カバーストランドが略５００デニールのポリエステルから形成されている請求項１５に記載の耐切断性耐摩耗性手袋。
【請求項１８】  コアのガラス繊維ストランドが略１００デニールを持ち、前記ワイヤーストランドが略０．００１６インチの直径を持ち、そして前記非金属非高性能カバーストランドが略５００デニールのポリエステルから形成されている請求項１５に記載の耐切断性耐摩耗性手袋。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料ガスと酸化性ガスとの反応によって電気的エネルギを出力する燃料電池の制御装置において、
前記燃料電池内の圧力が高い場合に燃料電池に対する加湿量を少なくし、かつ燃料電池内の圧力が低い場合に燃料電池に対する加湿量を多くする加湿制御手段を備えるとともにその加湿制御手段が、水収支を予め求めた、制御対象である前記燃料電池の物理モデルに基づいて、運転状況ごとの加湿量を決定する手段を含み、
さらに前記燃料電池の内部抵抗を検出する内部抵抗検出手段と、前記運転状況ごとに決定された加湿量を、前記内部抵抗検出手段で検出された内部抵抗に基づいて補正する第一加湿量補正手段と
を備えていることを特徴とする燃料電池の制御装置。
【請求項２】  前記燃料電池に対して供給させる前記ガスの入口部の圧力を検出する入口圧力検出手段と、
前記運転状況ごとに決定された加湿量を、前記入口圧力検出手段で検出された入口圧力に基づいて補正する第二加湿量補正手段と
を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段およびその作用】
この発明は、燃料電池の内部圧力が高いほど水分の絶対量が多くなって余剰ガスが水分を持ち去ることによる水分の不足が生じにくく、また反対に内部圧力が低い場合には、燃料電池の内部の水分の絶対量が少なくなって余剰ガスが持ち去ることによる水分の不足が生じやすくなることに着目し、加湿量の制御パラメータとして燃料電池内の圧力を取り入れたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、請求項１の発明は、上記の目的を達成するために、燃料ガスと酸化性ガスとの反応によって電気的エネルギを出力する燃料電池の制御装置において、前記燃料電池内の圧力が高い場合に燃料電池に対する加湿量を少なくし、かつ燃料電池内の圧力が低い場合に燃料電池に対する加湿量を多くする加湿制御手段を備えるとともにその加湿制御手段が、水収支を予め求めた、制御対象である前記燃料電池の物理モデルに基づいて、運転状況ごとの加湿量を決定する手段を含み、さらに前記燃料電池の内部抵抗を検出する内部抵抗検出手段と、前記運転状況ごとに決定された加湿量を、前記内部抵抗検出手段で検出された内部抵抗に基づいて補正する第一加湿量補正手段とを備えていることを特徴とする制御装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
したがって請求項１の発明では、内部抵抗を増大させないように加湿をおこなうことができるので、燃料電池の出力を増大させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そして、請求項２の発明は、請求項１の構成に加えて、前記燃料電池に対して供給させる前記ガスの入口部の圧力を検出する入口圧力検出手段と、前記運転状況ごとに決定された加湿量を、前記入口圧力検出手段で検出された入口圧力に基づいて補正する第二加湿量補正手段とを更に備えていることを特徴とする制御装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
したがって請求項２の発明では、燃料電池のガスの入口圧力が高いと、水分を含むガスが燃料電池に入りにくくなるが、その入口圧力に基づいて加湿量を補正するので、燃料電池にガスが入りにくい場合であっても加湿量が不足することを回避でき、また反対にガスが入りやすい場合に過剰に加湿することを回避できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ここで、上記の具体例とこの発明との関係を説明すると、上記のステップＳ１の制御を実行する機能的手段が、請求項１および２の発明における加湿制御手段に相当し、前記抵抗値センサ１５が請求項１の発明における内部抵抗検出手段に相当し、上記のステップＳ２の制御を実行する機能的手段が、請求項１の発明における第一加湿量補正手段に相当し、前記圧力センサ１１が請求項２の発明における入口圧力検出手段に相当し、前記ステップＳ３の制御を実行する機能的手段が、請求項２の発明における第二加湿量補正手段に相当する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１の発明によれば、燃料電池内の水分量に直結して変化する内部抵抗に基づいて加湿量を補正するように構成したので、燃料電池内の水分が不足したり過剰になったりすることを防止でき、その結果、電解質や電極などにおける水分の制御精度が向上し、安定した高出力発電をおこなうことができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
さらに請求項２の発明によれば、燃料電池の入口圧力に基づいて加湿量を補正するので、燃料電池の実際の状況を正確に反映した加湿をおこなうことが可能になり、この点でも加湿量の過不足を防止して安定した高出力発電をおこなうことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非金属微粒子が、銀を５０重量％以上含む金属層により被覆され、前記金属層の表面が更に金層で被覆されてなる導電性微粒子であって、
前記非金属微粒子は、平均粒径１〜５００μｍ、アスペクト比１．３未満、ＣＶ値２５％以下、Ｋ値２００〜５万ＭＰａである
ことを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】  非金属微粒子は、回復率４０％以上の高分子であることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
【請求項３】  銀を含む金属層と金層との間にバリア層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
【請求項４】  請求項１、２又は３記載の導電性微粒子を用いてなることを特徴とする異方性導電接着剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、非金属微粒子が、銀を５０重量％以上含む金属層により被覆され、前記金属層の表面が更に金層で被覆されてなる導電性微粒子であって、上記非金属微粒子は、平均粒径１〜５００μｍ、アスペクト比１．３未満、ＣＶ値２５％以下、Ｋ値２００〜５万ＭＰａである導電性微粒子である。
以下に、本発明を詳述する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ＭＰＥＧでは、１スライスを１ストライプ（１６ライン）で構成することが多いが、画面の左端から可変長符号化が始まり、右端で終わる。従って、ＶＴＲによってそのままＭＰＥＧエレメンタリストリームを記録した場合、高速再生時に、再生できる部分が画面の左端に集中し、均一に更新することができない。また、データのテープ上の配置を予測できないため、テープパターンを一定の間隔でトレースしたのでは、均一な画面更新ができなくなる。さらに、１箇所でもエラーが発生すると、画面右端まで影響し、次のスライスヘッダが検出されるまで復帰できない。このために、１スライスを１マクロブロックで構成するようにしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
ＥＣＣデコーダ１１３における処理について説明する。ＥＣＣデコーダ１１３では、先ず、同期検出を行いシンクブロックの先頭に付加されている同期信号を検出し、シンクブロックを切り出す。データは、シンクブロック毎に内符号エンコーダに供給され、内符号のエラー訂正がなされる。内符号エンコーダの出力に対してＩＤ補間処理がなされ、内符号によりエラーとされたシンクブロックのＩＤ例えばシンクブロック番号が補間される。ＩＤが補間された再生データは、ビデオデータとオーディオデータとに分離される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ＭＰＥＧデコーダ１１６は、エレメンタリストリームを復号し、ビデオデータを出力する。エレメンタリストリームは、ＭＰＥＧデコーダ１１６に供給されパターンマッチングが行われ、シーケンスヘッダコードおよびスタートコードが検出される。検出されたシーケンスヘッダコードおよびスタートコードにより、各層のヘッダ部に格納された符号化パラメータが抽出される。ＭＰＥＧデコーダ１１６において、抽出された符号化パラメータに基づき、エレメンタリストリームに対して逆量子化処理と、逆ＤＣＴ処理とがなされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
図２２Ｂは、ＭＰＥＧストリームが上述のようにしてセグメントに分割された様子を示す。最初のセグメントＳｅｇ１には、ヘッダ部分が割り当てられる。すなわち、シーケンス層のシーケンスヘッダ２、シーケンス拡張３および拡張およびユーザデータ４、ＧＯＰ層のＧＯＰヘッダ６およびＧＯＰのユーザデータ７、ならびに、ピクチャ層のピクチャヘッダ９、ピクチャ符号化拡張１０および拡張およびユーザデータ１１がセグメントＳｅｇ１に割り当てられる。次のセグメントＳｅｇ２からは、スライスが割り当てられる。各スライスは、それぞれセグメントＳｅｇ２、Ｓｅｇ３、Ｓｅｇ４、・・・に、順に割り当てられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001155437.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  パーシャルレスポンスの波形に等化された入力信号を量子化するＡ／Ｄコンバータと、
前記Ａ／Ｄコンバータへの入力信号の波形のパターンを検出するパターン検出器を有し、このパターン検出器の検出結果に基づいて前記Ａ／Ｄコンバータの出力データから位相誤差を抽出する位相誤差検出回路とを備え、
前記位相誤差検出回路から出力される位相誤差を前記Ａ／Ｄコンバータに帰還して位相同期を行うことを特徴とするＰＬＬ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  記録媒体から読み取った信号をパーシャルレスポンスの波形に等化する等化器と、
前記等化器によってパーシャルレスポンスの波形に等化された信号を量子化するＡ／Ｄコンバータと、
前記Ａ／Ｄコンバータへの入力信号の波形のパターンを検出するパターン検出器を有し、このパターン検出器の検出結果に基づいて前記Ａ／Ｄコンバータの出力データから位相誤差を抽出する位相誤差検出回路を有し、前記位相誤差検出回路から出力される位相誤差を前記Ａ／Ｄコンバータに帰還して位相同期を行うＰＬＬ回路と
を具備することを特徴とする記録情報再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によるＰＬＬ回路は、パーシャルレスポンスの波形に等化された入力信号を量子化するＡ／Ｄコンバータと、このＡ／Ｄコンバータへの入力信号の波形のパターンを検出するパターン検出器を有し、このパターン検出器の検出結果に基づいてＡ／Ｄコンバータの出力データから位相誤差を抽出する位相誤差検出回路とを備え、この位相誤差検出回路から出力される位相誤差をＡ／Ｄコンバータに帰還して位相同期を行う構成となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  設計支援システムにおいて、
設計対象物を特定するための特定手段と、
ノイズの影響に対して注意すべき内容を示す設計注意事項データを記憶する第１の記憶手段と、
前記第１の記憶手段に記憶されている前記設計注意事項データの中から、前記特定手段によって特定された前記設計対象物と関係する関連データを検索する第１の検索手段と、
前記第１の検索手段によって検索された関連データを出力する第１の出力手段と、
を有することを特徴とする設計支援システム。
【請求項２】  設計支援システムにおいて、
設計対象物を特定するための特定手段と、
ノイズの影響に対して設計すべきではない設計情報を示す設計禁止事項データを記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶されている前記設計禁止事項データの中から、前記特定手段によって特定された前記設計対象物と関連する関連データを検索する第２の検索手段と、
前記第２の検索手段によって検索された関連データを出力する第２の出力手段と、
を有することを特徴とする設計支援システム。
【請求項３】  さらに、前記設計対象物の設計情報を基礎としたシミュレーションを実行するための手段を有する請求項１又は２に記載の設計支援システム。
【請求項４】  前記シミュレーションは、ＥＭＣ試験を模擬したシミュレーションである請求項３に記載の設計支援システム。
【請求項５】  前記設計禁止事項データは、図形データ、文字データ、及び数値データの少なくとも１つを含む請求項２に記載の設計支援システム。
【請求項６】  前記第２の出力手段は、前記第２の検索手段によって検索されたデータに対応する前記設計対象物の設計情報上の該当箇所を設計禁止として表示する請求項２に記載の設計支援システム。
【請求項７】  設計支援方法において、
設計対象物を特定するステップと、
ノイズの影響に対して注意すべき内容を示す設計注意事項データの中から、前記特定された設計対象物と関連する関連データを検索するステップと、
前記検索された関連データを出力するステップと、
を有することを特徴とする設計支援方法。
【請求項８】  設計支援方法において、
設計対象物を特定するステップと、
ノイズの影響に対して設計すべきでない設計情報を示す設計禁止事項データの中から、前記特定された設計対象物と関連する関連データを検索するステップと、
前記検索された関連データを出力するステップと、
を有することを特徴とする設計支援方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る設計支援システムは、設計対象物を特定するための特定手段と、ノイズの影響に対して注意すべき内容を示す設計注意事項データを記憶する第１の記憶手段と、第１の記憶手段に記憶されている設計注意事項データの中から、特定手段によって特定された設計対象物と関係する関連データを検索する第１の検索手段と、第１の検索手段によって検索された関連データを出力する第１の出力手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記課題を解決するために、本発明に係る設計支援システムは、設計対象物を特定するための特定手段と、ノイズの影響に対して設計すべきではない設計情報を示す設計禁止事項データを記憶する第２の記憶手段と、第２の記憶手段に記憶されている設計禁止事項データの中から、特定手段によって特定された設計対象物と関連する関連データを検索する第２の検索手段と、第２の検索手段によって検索された関連データを出力する第２の出力手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マトリックス状の画素情報として把握される画像の処理技術であって、走査位置毎の画像信号として当該画像検出信号並びに周辺走査位置の画像検出信号間の差情報を求め、該差情報を新たな画素情報として採用することを特徴とする着目画像抽出方法。
【請求項２】  画像は荷電粒子走査顕微鏡像であって、差情報演算に用いる各走査位置と周辺走査位置との距離は走査ビーム径程度とする請求項１に記載の着目画像抽出方法。
【請求項３】  各走査位置の画像検出信号並びに周辺走査位置の画像検出信号間の差情報は各走査位置の画像検出信号から周辺走査位置の画像検出信号を引いたものであって、点穴の認識に際しては０以上の値の中でその最小値を新たな画素情報として採用する  請求項１または２に記載の着目画像抽出方法。
【請求項４】  各走査位置の画像検出信号並びに周辺走査位置の画像検出信号間の差情報は各走査位置の画像検出信号から周辺走査位置の画像検出信号を引いたものであって、パターンの輪郭認識に際しては０以上の値の中でその最大値を新たな画素情報として採用する請求項１から３のいずれか１項に記載の着目画像抽出方法。
【請求項５】  各走査位置の画像検出信号並びに周辺走査位置の画像検出信号間の差情報は各走査位置の画像検出信号から該各走査位置を挟む両側周辺走査位置の画像検出信号の平均値を引いたものであって、点穴の認識に際しては０以上の値の中でその最小値を新たな画素情報として採用するとともに、パターンの輪郭認識に際しては０以上の値の中でその最大値を新たな画素情報として採用する請求項１または２に記載の着目画像抽出方法。
【請求項６】  各走査位置の画像検出信号並びに周辺走査位置の画像検出信号間の差情報は、各走査位置の画像検出信号から、該各走査位置を挟む両側周辺走査位置の画像検出信号の平均値と直交する両側周辺走査位置の画像検出信号の平均値の差の絶対値を引いたものであって、点穴の認識に際しては０以上の値の中でその最小値を新たな画素情報として採用するとともに、パターンの輪郭認識に際しては０以上の値の中でその最大値を新たな画素情報として採用する請求項１または２に記載の着目画像抽出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、情報記録層１０８に用いられる有機材料としては、上述したように、スピンコート法により情報記録層１０８を形成するため、アルコールに溶解する特性を持つものが使用される。しかしながら、この有機材料は、有機溶媒に溶解する特性を持つため、光透過層１０９を形成する際に用いられる紫外線硬化樹脂塗料や透明接着層に対しても溶解する性質を有する。このため、情報記録層１０８が紫外線硬化樹脂塗料や透明接着層に溶解してしまうと、情報記録層１０８としての機能が損なわれてしまう。したがって、従来の追記型光ディスクには、有機材料が光透過層１０９に溶出してしまい、正確な記録再生を行うことができないといった問題点があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
すなわち、追記型光ディスク２０は、基板２上に、反射層３、誘電体層５、記録層４及び光透過層６を順次積層してなる。この場合、記録層４に含まれる有機材料としては、紫外線硬化樹脂からなる光透過層６に対して溶出しないようにするため、有機溶媒に対して難溶性の材料を選択する。このため、この場合、記録層４は、有機材料をテトラヒドロフラン等の溶媒を用いて塗料化し、スピンコート法により形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の光学基板において、レーザーモジュールと対物レンズとアクチュエータとが搭載された面の反対側の面上に、制御回路パターンを形成したことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
光学基板の表面から、金属被膜、絶縁層、制御回路パターンの順に形成したことを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。
【請求項３】
制御回路パターンを挟んで光学基板の反対側に被膜層が形成され、前記制御回路パターンの一部が前記被膜層の表面に露出していることを特徴とする請求項２記載の光ヘッド。
【請求項４】
アクチュエータの支持部材が、導電性材料により形成されていると共に前記アクチュエータの電気供給部に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光ヘッド。
【請求項５】
樹脂製の光学基板の面上にエッチングにより制御回路パターンを形成した後、レーザーモジュールと対物レンズとアクチュエータとを搭載することを特徴とする光ヘッドの製造方法。
【請求項６】
エッチングが、樹脂製の光学基板の少なくとも片面上に金属材料からなるめっき層を形成し、次いでめっき層の表面に感光性のエッチングレジストを塗布し、前記エッチングレジストを塗布した後に、マスクフィルムのエッチングレジストの塗布部分以外の領域をエッチングする方法であることを特徴とする請求項５記載の光ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するため、樹脂製の光学基板において、レーザーモジュールと対物レンズとアクチュエータとが搭載された面の反対側の面上に、制御回路パターンを形成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、光ヘッドは、樹脂材料により形成した光学基台の面上に制御回路パターンを形成させたものを用いており、この光学基台の制御回路パターンが形成された面と反対側の面上に、レーザーモジュールと対物レンズと、アクチュエータとが搭載されている。この制御回路パターンの形成方法としては、光ヘッドの製造工程において、光学基台を樹脂材料により形成した後、エッチングにより光学基台の面上に制御回路パターンを形成することにより実現できる。またこの制御回路パターンは、例えば光学基台上のレーザーモジュールの搭載位置に対応する面上に、レーザーモジュールの電気的接合点が配置されるように形成されている。このため、任意のレーザーモジュール搭載位置にレーザーモジュールを固定するだけで、レーザーモジュールを光学基台に搭載および配線することの両工程を同時に行うことができる。従って光ヘッドの製造工程を簡素化することができ、製造コストを低減することができる。また本発明の光ヘッドは、従来例に用いた制御回路基板および電気配線材が不要となると共に、金属材料で形成された光学基台を樹脂材料により形成するため、軽量化および材料コストの低減を図ることができる。さらに本発明の光学基台の形状は、制御回路基板を用いないため、その形状に制限されず、制御回路パターンの形成を自在に設計可能であり、光ヘッドの小型化を実現することができる。
なお、本発明の光ヘッドを、より具体的に、レーザーを出射し、受光するレーザーモジュールと、レーザーモジュールから出射したレーザーを光学式記録媒体の記録面上に集光させると共に、光学式記録媒体の記録面上より反射されたレーザーをレーザーモジュールに集光させる対物レンズと、前記対物レンズを光学式記録媒体に対してフォーカス方向およびトラッキング方向に追随可能なように保持駆動するアクチュエータとを光学基台上に搭載した光ヘッドにおいて、光学基台を樹脂材料により形成すると共に、前記光学基台の面上に少なくともレーザーモジュールの出射および受光処理と、対物レンズを光学式記録媒体に対してフォーカス方向およびトラッキング方向に追随するサーボ処理と、光学式記録媒体の情報を処理して外部に情報伝達を行うことができる制御回路パターンを一体形成した構成とすると好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記磁気ヘッドのギャップ位置の検出が前記ギャップ位置を前記テープ摺動面側から観測し検出するに際して適用されることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドのギャップ位置の検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の燃料油添加剤としてさらに好ましいのは、一般式（１）で表される含窒素化合物において、Ｒが炭素数１〜４の直鎖状もしくは分枝状のアルキレン基であり、Ａが炭素数２〜４のアルキレン基であり、ａが３〜１０であるようなポリエーテルアミンである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
上記のＶ（Ｃ４）は、ガソリン組成物全量を基準とした炭素数４の炭化水素化合物含有量を示す。エバポエミッションの量をより低く抑えられる点から、Ｖ（Ｃ４）の値は好ましくは０〜１０容量％であり、より好ましくは０〜５容量％、更により好ましくは０〜３容量％である。
炭素数４の炭化水素化合物としては、例えば、ｎ−ブタン、２−メチルプロパン（イソブタン）、１−ブテン、２−ブテン及び２−メチルプロペン等が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
【発明の効果】
以上のように、本発明の燃料油添加剤はガソリンエンジンの燃焼室内の清浄性、ディーゼルエンジンのノズルの清浄性に優れた効果を有し、特に筒内直接噴射方式ガソリンエンジンにおけるキャビティ内のデポジットの清浄能力が大きく、デポジットへの燃料の吸着等が原因で起こる制御の乱れに基づくＴＨＣ量やスモーク量の増加を大幅に抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御するようにした
ことを特徴とするフラクタル結合体の相転移の制御方法。
【請求項２】  上記フラクタル結合体は強磁性フラクタル結合体であり、この強磁性フラクタル結合体のフラクタル次元を制御することにより強磁性相転移温度を制御するようにした
ことを特徴とする請求項１記載のフラクタル結合体の相転移の制御方法。
【請求項３】  上記フラクタル結合体は強磁性フラクタル結合体であり、この強磁性フラクタル結合体のフラクタル次元を２．５以上に設定するようにした
ことを特徴とする請求項１記載のフラクタル結合体の相転移の制御方法。
【請求項４】  上記フラクタル結合体のフラクタル次元を制御することにより上記フラクタル結合体における量子カオスの発生を制御するようにした
ことを特徴とする請求項１記載のフラクタル結合体の相転移の制御方法。
【請求項５】  上記相転移は金属−絶縁体転移である
ことを特徴とする請求項１記載のフラクタル結合体の相転移の制御方法。
【請求項６】  自己相似性を有する形状に形成された磁性材料からなる
ことを特徴とする強磁性フラクタル結合体。
【請求項７】  上記磁性材料の自己相似性を特徴付けるフラクタル次元の選定により強磁性相転移温度が設定されることを特徴とする請求項６記載の強磁性フラクタル結合体。
【請求項８】  上記磁性材料のフラクタル次元が２．５以上に設定されることを特徴とする請求項６記載の強磁性フラクタル結合体。
【請求項９】  自己相似性を有する形状に形成され、ランダムな磁場が印加されている
ことを特徴とするフラクタル結合体。
【請求項１０】  自己相似性を有する形状に形成され、ハーフ・フィルドの電子密度を有する
ことを特徴とするフラクタル結合体。
【請求項１１】  電子系における電子間相互作用をバンド幅より大きくすることが可能であり、モット転移が存在し、かつ、このモット転移が系のフラクタル次元により制御されている
ことを特徴とする請求項１０記載のフラクタル結合体。
【請求項１２】  フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報処理を行うようにした
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１３】  フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報記憶を行うようにした
ことを特徴とする情報記憶方法。
【請求項１４】  自己相似性を有する形状に形成された磁性材料からなる強磁性フラクタル結合体を用いた
ことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１５】  自己相似性を有する形状に形成され、ランダムな磁場が印加されているフラクタル結合体を用いた
ことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１６】  自己相似性を有する形状に形成され、ハーフ・フィルドの電子密度を有するフラクタル結合体を用いた
ことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１７】  フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報処理を行うようにした
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１８】  自己相似性を有する形状に形成された磁性材料からなる強磁性フラクタル結合体を用い、
上記フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報処理を行うようにした
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１９】  自己相似性を有する形状に形成され、ランダムな磁場が印加されているフラクタル結合体を用い、
上記フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報処理を行うようにした
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２０】  自己相似性を有する形状に形成され、ハーフ・フィルドの電子密度を有するフラクタル結合体を用い、
上記フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報処理を行うようにした
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２１】  フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報記憶を行うようにした
ことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２２】  自己相似性を有する形状に形成された磁性材料からなる強磁性フラクタル結合体を用い、
上記フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報記憶を行うようにした
ことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２３】  自己相似性を有する形状に形成され、ランダムな磁場が印加されているフラクタル結合体を用い、
上記フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報記憶を行うようにした
ことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２４】  自己相似性を有する形状に形成され、ハーフ・フィルドの電子密度を有するフラクタル結合体を用い、
上記フラクタル結合体のフラクタル次元を全域または局所的に制御することにより相転移を制御して情報記憶を行うようにした
ことを特徴とする情報記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バンプボンディングが行われる半導体ウエハ（２０１）を載置し、載置された上記半導体ウエハの周方向へ旋回されるウエハ旋回部材（１１１）と、
上記ウエハ旋回部材を上記周方向へ旋回させる旋回装置（１１２）と、
上記ウエハ旋回部材を載置し該ウエハ旋回部材を介して上記半導体ウエハをバンプボンディング温度に加熱し、かつ旋回する上記ウエハ旋回部材に対して非旋回状態に設置されるウエハ加熱装置（１１３）と、
を備えたことを特徴とするバンプボンディング用加熱装置。
【請求項２】  上記旋回装置の動作制御を行い上記ウエハ旋回部材に載置されている上記半導体ウエハに要求される旋回角度にて上記ウエハ旋回部材を旋回させる制御装置（１８０）をさらに備えた、請求項１記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項３】  上記ウエハ旋回部材は、上記半導体ウエハが載置されるウエハ載置台（１１１１）と、上記ウエハ載置台を載置し吸着動作にて上記ウエハ載置台を保持するとともに上記ウエハ加熱装置上に載置されるターンテーブル（１１１２）と、を有する、請求項１又は２記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項４】  上記ウエハ加熱装置は、上記ターンテーブルを載置するターンテーブル載置板（１１３１）と、該ターンテーブル載置板に該ターンテーブル載置板の厚み方向に直交する方向にあけられた穴に挿入されたヒータ（１１３２）と、上記ターンテーブル載置板を支持する支持部材であって当該支持部材への上記ヒータの熱の伝導が偏らず上記支持部材における上記ターンテーブル載置部分における温度をほぼ均一にするため上記ヒータの延在方向及び上記厚み方向に直交する方向に延在する支持部材（１１３３）と、を有する、請求項３記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項５】  上記ターンテーブルの周囲には歯（１１１２７）が形成されており、
上記旋回装置は、駆動源（１１２１）と、上記ターンテーブルの上記歯に係合する歯車（１１２２）と、上記ターンテーブルの熱が上記駆動源に伝達するのを防止し、かつ上記駆動源にて発生した駆動力を上記歯車に伝達して上記歯車を回転させる回転力伝達機構（１１２３）と、有する、請求項３又は４記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項６】  上記ウエハ加熱装置に上記ウエハ旋回部材が接触しウエハ旋回部材を介して上記半導体ウエハをバンプボンディング温度に加熱する加熱位置（１１９１）と、上記ウエハ旋回部材を旋回するときに上記ウエハ旋回部材が配置される位置であって上記半導体ウエハが当該ウエハ旋回部材上に移載される移載位置（１１９２）との間を、ウエハ旋回部材に載置された上記半導体ウエハの厚み方向に沿って上記ウエハ旋回部材を昇降させる昇降機構（１１９）をさらに備えた、請求項１ないし５のいずれかに記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項７】  上記ウエハ旋回部材に載置された上記半導体ウエハを上記ウエハ旋回部材から浮上させるブロー装置（１１８）と、上記半導体ウエハが上記ウエハ旋回部材から浮上しているとき、上記ウエハ旋回部材上における上記半導体ウエハの位置規正を行う規正装置（１２５）と、をさらに備えた、請求項１ないし６のいずれかに記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項８】  上記半導体ウエハは、ＳＡＷフィルタ素子を形成したウエハであり、上記旋回装置の動作制御にて上記ウエハ旋回部材に載置されている上記半導体ウエハに要求される旋回角度は、上記ＳＡＷフィルタ素子の形成前におけるウエハの結晶方位に対して傾斜した方向に上記ＳＡＷフィルタ素子を形成したとき、上記結晶方位と上記傾斜方向との差異に基づいた角度である、請求項２ないし７のいずれかに記載のバンプボンディング用加熱装置。
【請求項９】  請求項１ないし７のいずれかに記載のバンプボンディング用加熱装置（１１０）を備えたことを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項１０】  バンプを形成する半導体ウエハ（２０１）をウエハ旋回部材（１１１）上に載置し、
上記ウエハ旋回部材を介して上記半導体ウエハをバンプボンディング温度に加熱するウエハ加熱装置（１１３）を旋回させることなく、上記半導体ウエハを載置した上記ウエハ旋回部材のみを上記半導体ウエハに要求される旋回角度にて上記半導体ウエハの周方向へ旋回させ、
上記旋回後、上記半導体ウエハにバンプボンディング温度にてバンプボンディングを行う、
ことを特徴とするバンプボンディング方法。
【請求項１１】  上記ウエハ旋回部材上に上記半導体ウエハを載置した後、上記ウエハ旋回部材の旋回前に、上記ウエハ旋回部材上にて上記半導体ウエハを浮上させて上記ウエハ旋回部材上における上記半導体ウエハの位置規正を行う、請求項１０記載のバンプボンディング方法。
【請求項１２】  請求項１０又は１１記載のバンプボンディング方法にてバンプが形成されたことを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項１３】  半導体ウエハの結晶方位とは異なりかつ上記結晶方位に傾斜した方向に沿って回路を形成した回路形成後半導体ウエハを上記結晶方位と上記傾斜方向との差異に基づいた角度にて旋回装置にて旋回して上記回路にバンプが形成されたことを特徴とする半導体ウエハ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属膜またはデバイスを表面に有する基板を金属膜面またはデバイス面を上向きにしてチャックテ−ブルに保持し、該基板と軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を遊離研磨砥粒を介して押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で往復揺動して基板表面の金属膜またはデバイスの少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、
前記研磨パッドの基板上での揺動は、揺動開始点(基板の中心点に近い側)から揺動終点（基板の中心点より遠い側）に向って研磨パッドの揺動速度をｎ回（但し、ｎは５以上、３０以下の整数である。）変更しつつ行なうものであり、その揺動速度の変化のパタ−ンは暫時増速し、最高速度になると暫時減速し、再度、暫時増速、ピ−ク速度、暫時減速するパタ−ンで揺動速度の変更を行なうことを特徴とする、金属膜またはデバイスを表面に有する基板の化学機械研磨方法。
【請求項２】  研磨パッドの外径ｒは基板の直径Ｒの３／４であり、揺動開始点（Ｘｏ）を基板の半径の４等分点とし、揺動距離をＬ（但し、Ｌは１／４Ｒ未満）とすると、揺動速度が最高速度となる基板上の研磨パッドの中心位置は、（Ｘ＋２Ｌ／９）から（Ｘ＋３Ｌ／９）に位置し、次ぎのピ−ク速度は、（Ｘ＋８Ｌ／９）から（Ｘ＋Ｌ）に位置することを特徴とする、請求項１に記載の、金属膜またはデバイスを表面に有する基板の化学機械研磨方法。
【請求項３】  前記研磨パッドの形状は、円の中央部をより小さい径の円を刳り貫いた環状体であり、環状の研磨パッドの刳り貫かれた内径は、外径の１５〜７５％の長さである、請求項１または２に記載の金属膜またはデバイスを表面に有する基板の化学機械研磨方法。
【請求項４】  Ｐ−ＴＥＯＳ膜を有するＳＴＩ基板をＰ−ＴＥＯＳ膜面を上向きにしてチャックテ−ブルに保持し、該基板と軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を遊離研磨砥粒を介して押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で往復揺動して基板表面のＰ−ＴＥＯＳ膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、
前記研磨パッドのＳＴＩ基板上での揺動は、揺動開始点(基板の中心点に近い側)から揺動終点（基板の中心点より遠い側）に向って研磨パッドの揺動速度をｎ回（但し、ｎは５以上、３０以下の整数である。）変更しつつ行なうものであり、その揺動速度の変化のパタ−ンは暫時増速し、最高速度になると暫時減速し、再度、暫時増速、ピ−ク速度、暫時減速するパタ−ンで揺動速度の変更を行なうことを特徴とする、ＳＴＩ基板の化学機械研磨方法。
【請求項５】  膜を表面に有する基板を膜面を上向きにしてチャックテ−ブルに保持し、該基板と軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を遊離研磨砥粒を介して押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で往復揺動して基板表面の膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、
前記研磨パッドの基板上での揺動は、揺動開始点(基板の中心点に近い側)から揺動終点（基板の中心点より遠い側）に向って研磨パッドの揺動速度をｎ回（但し、ｎは５以上、３０以下の整数である。）変更しつつ行なうものであり、その揺動速度の変化のパタ−ンは暫時増速し、最高速度になると暫時減速し、再度、暫時増速、ピ−ク速度、暫時減速するパタ−ンで揺動速度の変更を行なうことを特徴とする、膜を表面に有する基板の化学機械研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基板として、Ｐ−ＴＥＯＳ膜を有するＳＴＩ基板を用いても良い研磨加工結果
が得られる。
本発明の請求項５は、膜を表面に有する基板を膜面を上向きにしてチャックテ−ブルに保持し、該基板と軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を遊離研磨砥粒を介して押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させつつ、かつ、該研磨パッドを基板上で往復揺動して基板表面の膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、
前記研磨パッドの基板上での揺動は、揺動開始点(基板の中心点に近い側)から揺動終点（基板の中心点より遠い側）に向って研磨パッドの揺動速度をｎ回（但し、ｎは５以上、３０以下の整数である。）変更しつつ行なうものであり、その揺動速度の変化のパタ−ンは暫時増速し、最高速度になると暫時減速し、再度、暫時増速、ピ−ク速度、暫時減速するパタ−ンで揺動速度の変更を行なうことを特徴とする、膜を表面に有する基板の化学機械研磨方法を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】同心円状あるいはスパイラル状に形成された複数のトラックと、
該トラックに記録するオリジナル信号のマーク部の長さに応じて数が調整される複数の駆動パルスを用いて光ビームを該トラックの記録面に照射してマークおよび、マークとマークの間のスペースで情報を記録する情報記録媒体において、
データを記録するデータ記録領域と、
凹凸のピット列で予めコントロールデータを記録したコントロールデータゾーンとを有し、
該コントロールデータには、
記録装置により該情報記録媒体にマークを記録するために必要な駆動パルスのファーストパルス移動量ＴＦおよびラストパルス移動量ＴＬと、
上記ファーストパルス移動量およびラストパルス移動量を、それぞれ、上記複数の駆動パルスの内のファーストパルスおよびラストパルスへ利用する方式が、ファーストパルスおよびラストパルスを移動する方式とファーストパルスおよびラストパルスの幅を変化させる方式の少なくとも２つが存在し、いずれかの方式を示す情報と、が含まれ、
該データ記録領域には、記録装置によって試し記録に使用されるドライブテストゾーンが含まれることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】  上記ドライブテストゾーンは、複数設けられていることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レーザ光を発するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光の光軸中心部分と光軸周辺部分とを分離する光束部分分離手段と、
前記光束部分分離手段により分離された光軸周辺部分の光束を検出するフロントモニタ光検出器と、
前記フロントモニタ光検出器の出力を参照して前記レーザ光源の光出力を制御するＡＰＣ回路とを備え、
前記光束部分分離手段は、前記光軸周辺部分の光束を集光して前記フロントモニタ光検出器へ導くように構成されており、
前記フロントモニタ光検出器の受光面が、前記光束部分分離手段により集光された集光光の焦点を、光軸方向において避けるように配置されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】  請求項１に記載の光ヘッドにおいて、前記フロントモニタ光検出器の受光面と、前記集光光の焦点との距離の絶対値が０．１ｍｍから５ｍｍの範囲内に設定されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の光ヘッドを用いたことを特徴とする光情報記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、第１の手段は、レーザ光を発するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光の光軸中心部分と光軸周辺部分とを分離する光束部分分離手段と、
前記光束部分分離手段により分離された光軸周辺部分の光束を検出するフロントモニタ光検出器と、
前記フロントモニタ光検出器の出力を参照して前記レーザ光源の光出力を制御するＡＰＣ回路とを備え、
前記光束部分分離手段は、前記光軸周辺部分の光束を集光して前記フロントモニタ光検出器へ導くように構成されており、
前記フロントモニタ光検出器の受光面が、前記光束部分分離手段により集光された集光光の焦点を、光軸方向において避けるように配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また第２の手段は、前記第１の手段において、前記フロントモニタ光検出器の受光面と、前記集光光の焦点との距離の絶対値が０．１ｍｍから５ｍｍの範囲内に設定されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明の光情報記録装置は、前記第１の手段または第２の手段の光ヘッドを用いたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】