【事件の表示】
　平成１０年特許願第　３５５９４号「固体撮像装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　８月２７日出願公開、特開平１１−２３４５７５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１０年２月１８日の出願であって、その請求項１ないし９に係る発明は、平成１１年３月２９日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定される次のとおりである。（なお、平成１１年１１月１８日付け手続補正は、本審決と同日付けで却下された。）
　「【請求項１】　入射光量に対して感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とが設けられ、前記光電変換素子で得られた信号電荷が垂直転送部を介して水平転送部に送られ、更に、前記信号電荷が前記水平転送部から電荷検出部に送られるように構成した固体撮像装置において、
　前記水平転送部は複数の水平転送素子からなり、前記電荷検出部より前段で、且つ、前記垂直転送部から直接信号電荷を受けない前記水平転送素子の一部に前記信号電荷の過剰電荷をクリップする手段を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
　　【請求項２】　前記クリップする手段は、オーバーフロードレイン構造を含み、このオーバーフロードレインの電位障壁が電位障壁部の幅により定められることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
　　【請求項３】　前記感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とを水平方向に交互に配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
　　【請求項４】　前記感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とを垂直方向に交互に配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
　　【請求項５】　前記感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とを市松模様状に交互に配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
　　【請求項６】　減光フィルタを用いることで、前記感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とを構成することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の固体撮像装置。
　　【請求項７】　前記感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とは、電荷蓄積時間が異なることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の固体撮像装置。
　　【請求項８】　前記感度の低い光電変換素子は、基板への電荷掃き出し動作と光電変換素子への電荷蓄積動作とを行うことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
　　【請求項９】　前記感度の高い光電変換素子から、及び、前記感度の低い光電変換素子からの信号読出しのタイミングが異なるように構成したことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。」
　
第２　刊行物
　これに対して、本願の出願日前に頒布された特開平９−１１６８１５号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のように
「【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を示す構成図である。図１において、撮像部１０には、感度が異なる例えば２種類の画素、即ち高感度画素１１の列と低感度画素１２の列とが水平方向（図の左右方向）において交互にストライプ状に配置されている。ここで、画素の感度を違える方法としては、（１）（丸数字を表記上括弧で記す。以下同じ。）画素を構成するセンサ部の開口面積を違える、（２）オンチップレンズの倍率を違える、（３）透過率が異なるフィルタをつける、（４）信号電荷の蓄積時間を違えるなどの方法が考えられる。なお、図面上では、高感度が素１を面積が大きな□で、低感度画素１２を面積の小さな□で模式的に示している。
【０００９】高感度画素１１および低感度画素１２は例えばフォトダイオードからなり、入射光を光電変換し、その光量に応じた電荷量の信号電荷に変換し、これを蓄積する。また、高感度画素１１および低感度画素１２の各画素列ごとに垂直ＣＣＤレジスタ１３が配されている。垂直ＣＣＤレジスタ１３は、各画素の信号電荷を独立に転送できるパケット群から構成されている。これにより、全画素の信号電荷を独立に読み出すことが可能となる（いわゆる、全画素読み出し方式）。撮像部１０の図の下側には、水平ＣＣＤレジスタ１４が配されている。
【００１０】この水平ＣＣＤレジスタ１４は、撮像部１０から移送された信号電荷を、画素単位で順次水平転送する。水平ＣＣＤレジスタ１４の出力端部の横にはリミッタ１５が設けられている。このリミッタ１５は、画素単位で順に転送されてくる信号電荷を均一にクリップするためのものである。また、水平ＣＣＤレジスタ１４の出力側には、例えばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出部１６が配されている。この電荷検出部１６において、リセットドレイン（ＲＤ）には所定の直流電圧が印加され、リセットゲート（ＲＧ）にはリセットゲートパルスが印加される。また電荷検出部１６のリセット周波数（リセットゲートパルスの周波数）ｆs は、水平ＣＣＤレジスタ１４の駆動周波数２ｆs の１／２に設定されている。
【００１１】図２に、リミッタ１５の具体的な構成を、図１のＸ‐Ｘ′線断面にて示す。図２において、Ｐ型基板２１の表面側に形成されたＮ型不純物層によって水平ＣＣＤチャネル２２が形成され、その上にゲート絶縁膜２３を介して水平ＣＣＤゲート電極２４が配されることで水平ＣＣＤレジスタ１４が構成されている。この水平ＣＣＤレジスタ１４に隣接して、Ｎ− 型不純物層からなるオーバーフローバリア２５とＮ型不純物層からなるドレイン２６が設けられており、このオーバーフローバリア２５およびドレイン２６によってリミッタ１５が構成されている。ドレイン２６には、所定の直流電圧Ｅ１が印加されている。
【００１２】上記構成のリミッタ１５において、Ｎ- 型不純物層の濃度などによってオー バーフローバリア２５のポテンシャルの高さが決まり、このポテンシャルの高さがクリップレベルとなる。そして、水平ＣＣＤレジスタ１４において、高感度画素の信号電荷が順に転送され、リミッタ１５の横のパケットに蓄積されたとき、その電荷量がクリップレベルを越えると、その越えた分の電荷がドレイン２６に捨てられることで、高感度画素の信号電荷にリミッタが掛けられる。なお、水平ＣＣＤレジスタ１４の転送方向は紙面に対して直角な方向である。
【００１３】本実施形態では、オーバーフローバリア２５のポテンシャルの高さ、即ちクリップレベルを固定とした場合を例にとって説明したが、図３に示すように、オーバーフローバリア２５の上方にオーバーフローゲート電極２７を水平ＣＣＤゲート電極２４とは別に設け、このオーバーフローゲート電極２７に印加する直流電圧Ｅ２を制御することにより、クリップレベルを可変な構成とすることも可能である。また、Ｎ−型不純物層をなくし、オーバーフローゲート電極２７に印加する直流電圧Ｅ２のみによってクリップレベルを設定するようにすることも可能である。」（第３頁第３欄第１行ないし第４欄第２３行）、
「【００１４】上記構成の第１の実施形態に係るＣＣＤ固体撮像装置において、高感度画素１１および低感度画素１２で光電変換されて得られる信号電荷は、垂直ＣＣＤレジスタ１３に読み出され、この垂直ＣＣＤレジスタ１３から水平ＣＣＤレジスタ１４に画素単位で順に転送される。このとき、水平ＣＣＤレジスタ１４には、高感度画素１１の信号電荷と低感度画素１２の信号電荷とが交互に配置される。したがって、水平ＣＣＤレジスタ１４を動作させることで、高感度画素１１と低感度画素１２の各信号電荷が点順次信号として出力側に転送される。
【００１５】この水平転送動作において、高感度画素１１の信号電荷がリミッタ１５の横のパケットに蓄積されたとき、この蓄積された信号電荷の電荷量がリミッタ１５のクランプレベルを越える場合には、越えた分の電荷についてクリップされる。このクリップされた信号電荷は、電荷検出部１６のフローティング・ディフュージョン容量に転送される。
【００１６】ここで、電荷検出部１６のリセット周波数ｆs が、水平ＣＣＤレジスタ１４の駆動周波数２ｆs の１／２に設定されていることから、電荷検出部１６のフローティング・ディフュージョン容量に先に転送された１画素分の信号電荷がリセットされる前に次の１画素分の信号電荷が転送されるため、２画素分の信号電荷、即ち高感度画素１１と低感度画素１２の各信号電荷がフローティング・ディフュージョン容量で混合され、ここで電気信号に変換される。図４に、水平ＣＣＤレジスタ１４の水平駆動パルス、電荷検出部１６のリセットゲートパルスおよびＣＣＤ出力波形のタイミング関係を示す。」（第３頁第４欄第２５行ないし第４頁第５欄第１行）、
「【００３１】なお、上記各実施形態では、感度の異なる２種類の画素の配列を縦ストライプ状としたが、これに限定されるものではなく、水平ＣＣＤレジスタ１４に転送された段階で高感度画素１１の信号電荷と低感度画素１２の信号電荷とが点順次信号となっていれば良い。したがって、図９に示すように、高感度画素１１と低感度画素１２とが市松模様に配列された構成のＣＣＤ固体撮像装置や、図１０に示すように、高感度画素１１と低感度画素１２とが横ストライプ状に配列された構成のＣＣＤ固体撮像装置が、他の例として挙げられる。」（第５頁第７欄第３９行ないし第４８行）、
「【００３４】さらに、上記各実施形態では、各画素の感度を異ならしめることによって画素単位で感度の異なる信号電荷を得るとしたが、単一の画素において、信号電荷の蓄積時間を変えることによって感度の異なる信号電荷を得ることも可能であり、このようなＣＣＤ固体撮像装置に対しても本発明は適用可能である。」（第５頁第８欄第２０行ないし第２５行）、
「【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、感度の異なる２種類以上の信号電荷を得ることが可能な広ダイナミックレンジの固体撮像装置において、撮像部から移送された感度の異なる信号電荷を点順次信号になるように転送し、少なくとも最小感度の信号電荷以外の信号電荷を単一のリミッタでクリップした後、このクリップされた信号電荷と他の感度の信号電荷とを混合するようにしたことにより、高感度画素が飽和するような入射光量の場合、飽和する各信号電荷が共通のリミッタでクリップされるので、画像に固定パターンのムラが発生させることなく、折れ線近似特性をデバイス内で得ることが可能となる。」（第５頁第８欄第３４行ないし４６行）が記載されている。
　
２．また同じく本願の出願前に頒布された特開平９−２２３７８８号公報（以下「刊行物２」という。）には、次のように
「【００２８】図３は、図１及び図２の本発明の第１の実施の形態の固体撮像装置のＩ−Ｉ’線の断面図と電位ポテンシャルを示す図面である。本固体撮像装置は、不純物濃度が２．０×１０14ｃｍ−３程度のＮ−−型半導体基板３０１と、不純物濃度が１．０×１０16ｃｍ−３程度のＰ型ウエル層３０２と、垂直電荷転送部、水平垂直接続部、水平電荷転送部及び電位障壁部の埋込チャンネル及び不要電荷排出部を構成する不純物濃度が１．０×１０17ｃｍ−３程度のＮ型半導体領域３０３と、素子分離領域を構成する不純物濃度が１．０×１０18ｃｍ−３程度のＰ＋型半導体領域３０７と、第１の水平電荷転送電極２０５としての第１層の多結晶シリコン３０８と、最終の垂直電荷転送電極２０７としての第２層の多結晶シリコン３０９から構成される。本固体撮像装置は、従来とは異なり水平電荷転送部の埋込チャンネル及び不要電荷排出部は、同一不純物プロファイルの半導体領域で形成される。
【００２９】電位障壁部２０３の電位ポテンシャルφＢは、垂直電荷転送部１０２に逆戻りすることがないように垂直水平接続部２０８に形成された電位ポテンシャルΨＶHより深くなるように形成されている。詳しくは、図２に示されるように、電位障壁部２０３のＮ型半導体領域３０３の幅が水平電荷転送部のＮ型半導体領域３０３の幅が狭く形成されており、ナローチャネル効果によりΨＢの電位が設定される。また垂直水平接続部２０８の電位ポテンシャルΨＶHもナローチャネル効果により設定される。」（第５頁第７欄第１３行ないし第３８行）、
「【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、同一不純物プロファイルで形成された半導体領域を、不要電荷排出部として用いるＮ型半導体領域は非空乏化状態として使用することにより、従来の固体撮像装置と同様の動作を行うことができ、不要電荷排出部のＮ型半導体領域を、水平電荷転送部の電荷転送チャンネルのＮ型半導体領域と同一の不純物プロファイルで形成できるため、従来の固体撮像装置に比べて製造工程数をへらすことができるという効果がある。
【００４９】また、比較的高不純物濃度の不要電荷排出部となるＮ＋型不純物領域を水平電荷転送電極下に形成する必要がないため、後工程の水平電荷転送電極下のゲート絶縁膜を形成する際に、Ｎ＋型半導体領域からの不純物の外方拡散により、チャンネル領域となるＮ型半導体領域、或いは電位障壁部に異常拡散が形成され、電位ポテンシャルの変動が生じるという従来の固体撮像装置の欠点も解決することができるという効果がある。」（第７頁第１１欄第１７行ないし第３４行）が記載されている。
　刊行物２には、水平電荷転送部１０３のチャンネル領域に電荷が蓄積される、その後、さらに電荷が溜まり水平電荷転送部１０３のチャンネル領域をオーバーフローする過剰電荷は、電位障壁部２０３を越えて不要電荷排出部１０５のＮ型半導体領域３０３にて吸収除去されることが記載されているから、過剰電荷をクリップする手段の発明も記載されていると認められる。さらに、クリップする手段を水平転送素子の一部に設ける発明も記載され、クリップする手段は、オーバーフロードレイン構造を含み、このオーバーフロードレインの電位障壁が電位障壁部の幅により定められている発明も記載されているものと認められる。
　
３．また同じく本願の出願前に頒布された特開昭６２−１５４８８１号公報（以下「刊行物３」という。）には、「本発明は水平転送レジスタに隣接してオーバーフロードレインを設けることより、・・・チャネル幅を変化させることによりナローチャネル効果を利用して、・・・設定したことを特徴とする固体撮像装置が得られる。」（第２頁右上欄第５行目ないし左下欄第１１行目）、
「本発明は以上のように水平転送レジスタにそのチャネル幅による電位障壁を利用したオーバーフロードレインを設けることにより、簡単な構造、駆動によりブルーミングを除去する効果がある。」（第３頁左下欄第９行目ないし第１２行目）が記載されている。
　
４．また同じく本願の出願前に頒布された特開平８−３７６２６号公報（以下「刊行物４」という。）には、図３及びその説明部分に、掃き出しパルスＶＥＳ、フィールドシフトパルスＦＳ１，ＦＳ２を用い、露光時間ｔ１，ｔ２を得る撮像装置が記載されている
　
５．また同じく本願の出願前に頒布された特開平９−９２８１２号公報（以下「刊行物５」という。）、特開平７−２９９１３号公報（以下「刊行物６」という。）には、それぞれ、「イオン注入プロファイルのばらつきの低減」についての技術事項が記載されている。
　
第３　対比・判断
１．請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明と対比すると、刊行物１記載の発明の「高感度画素１１」、「低感度画素１２」、「垂直ＣＣＤレジスタ１３」、「水平ＣＣＤレジスタ１４」、「リミッタ１５」は、それぞれ請求項１に係る発明の「感度の高い光電変換素子」、「感度の低い光電変換素子」、「垂直転送部」、「水平転送部」、「クリップする手段」に相当すると認められるから、請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明は以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
　
（一致点）
　「入射光量に対して感度の高い光電変換素子と感度の低い光電変換素子とが設けられ、前記光電変換素子で得られた信号電荷が垂直転送部を介して水平転送部に送られ、更に、前記信号電荷が前記水平転送部から電荷検出部に送られるように構成した固体撮像装置において、前記水平転送部は複数の水平転送素子からなり、前記電荷検出部より前段に前記信号電荷の過剰電荷をクリップする手段を設けたことを特徴とする固体撮像装置。」
　
（相違点）
　クリップする手段が、請求項１に係る発明にあっては、電荷検出部より前段で、且つ、垂直転送部から直接信号電荷を受けない水平転送素子の一部に設けるのに対し、刊行物１に記載された発明にあっては、電荷検出部より前段で、且つ、垂直転送部から直接信号電荷を受けない水平転送素子の出力端部の横に設ける点
　
　以下相違点について検討する。
　
　相違点について、刊行物１に記載された発明のクリップする手段が設けられている「電荷検出部より前段で、且つ、垂直転送部から直接信号電荷を受けない水平転送素子の出力端部」は、請求項１に係る発明の「電荷検出部より前段で、且つ、垂直転送部から直接信号電荷を受けない水平転送素子」の位置ををさらに特定した部分である。そして、刊行物１に記載された発明のクリップする手段が設けられているのは「水平転送素子の横」であるが、この点については、刊行物１と同一技術分野に属する刊行物２に「クリップする手段を水平転送素子の一部に設ける発明」が記載されており、これを、刊行物１に記載された「水平転送素子の横」に設けることに置き換えて採用することは、当業者が適宜なし得ることである。したがって、クリップする手段を、電荷検出部より前段で、且つ、垂直転送部から直接信号電荷を受けない水平転送素子の一部に設けることは、当業者が、容易に推考することができたものである。
　したがって、請求項１に係る発明は、当業者が、刊行物１，２，３に記載された発明に基いて、容易に発明することができたものと認められる。
　
２．請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明を引用し、クリップ手段を「前記クリップする手段は、オーバーフロードレイン構造を含み、このオーバーフロードレインの電位障壁が電位障壁部の幅により定められることを特徴とする」と限定したものであるが、この限定した点を検討すると、クリップする手段として、オーバーフロードレイン構造を含み、このオーバーフロードレインの電位障壁が電位障壁部の幅により定められることは、刊行物１と同一技術分野に属する刊行物２（刊行物３も同じ）に記載されており、これを、刊行物１に記載されたクリップする手段に置き換え、オーバーフロードレインの電位障壁が電位障壁部の幅により定められる構成を持つクリップ手段とすることは、当業者が、容易に推考することができたものである。
　なお、請求人は、平成１３年１２月１７日付けの意見書で「すなわち、引例１と引例２もしくは引例３とは課題として認識されている事項が全く異なっており、当業者が両者を見た場合に、引例１のクリップ手段を引例２もしくは引例３の不要電荷排出部で用いられている技術に置き換える容易性、動機付けとなるものは全く存在しておりません。」（第４頁第２２行ないし２５行）と主張しているが、本願請求項２に係る発明及び刊行物１に記載された発明と同一技術分野に属する刊行物２には、その特許請求の範囲に記載された発明以外にも、過剰電荷をクリップする手段の発明、クリップする手段を水平転送素子の一部に設ける発明、クリップする手段は、オーバーフロードレイン構造を含み、このオーバーフロードレインの電位障壁が電位障壁部の幅により定められている発明が記載されており、この発明の構成を、技術分野の関連性からみて、刊行物１に記載された発明の構成と置き換え、上記限定した点に係る構成とすることの容易性を検討したものであって、同一技術分野に属する刊行物に記載された構成を置き換えることは、当業者が適宜なし得るところ、上記置き換えることを阻害する要因となる記載は何ら認められないことから、置き換えることが容易と認めたものである。
　また、装置間におけるばらつきの低減についての主張については、固体撮像装置の分野においても、工業製品である以上、当然考慮されるべき一般的な課題であって、刊行物２の固体撮像装置においても、同様であるものと認められ、半導体技術を用いる技術分野においては、イオン注入によるばらつきの低減についての課題も刊行物５，６に記載されているように、周知の技術事項となっているものであるから、刊行物２に記載されたクリップ手段を用いれば、装置間におけるイオン注入によるばらつきの問題が生じ得ないことは明らかであって、装置間におけるばらつきの低減という請求項２に係る発明の奏する効果は、刊行物１，２，３，５，６から、予測困難なものであるとすることはできない。
　したがって、請求項２に係る発明は、当業者が、刊行物１，２，３，５，６に記載された発明に基いて、容易に発明することができたものと認められる。
　
３．請求項３ないし５に係る発明について
　請求項３ないし５に係る発明の各々は請求項１に係る発明を直接或いは間接に引用し、光電変換素子の配置を、「前記感度の高い光電変換素子と前記感度の低い光電変換素子とを水平方向に交互に配置したことを特徴とする」、「前記感度の高い光電変換素子と前記感度の低い光電変換素子とを垂直方向に交互に配置したことを特徴とする」、「前記感度の高い光電変換素子と前記感度の低い光電変換素子とを市松模様状に交互に配置したことを特徴とする」と限定したものであるが、この光電変換素子の配置を限定する技術事項各々は、刊行物１の段落番号００３１に記載されているから、請求項３ないし５に係る発明で光電変換素子の配置を限定した点各々は、当業者が、適宜なし得たものである。
　したがって、請求項３ないし５に係る発明の各々は、当業者が、刊行物１，２，３，５，６に記載された発明に基いて、容易に発明することができたものと認められる。
　
４．請求項６に係る発明について
　請求項６に係る発明は、請求項１ないし５の何れかを引用し、光電変換素子を「減光フィルタを用いることで、前記感度の高い光電変換素子と前記感度の低い光電変換素子とを構成することを特徴とする」と限定したものであるが、この光電変換素子を限定する技術事項は、刊行物１段落番号０００８に記載されているから、請求項６に係る発明で光電変換素子を限定した点は、当業者が、適宜なし得たものである。
　したがって、請求項６に係る発明は、当業者が、刊行物１，２，３，５，６に記載された発明に基いて、容易に発明することができたものと認められる。
                       　
５．請求項７ないし９に係る発明について
　請求項７に係る発明は、請求項１ないし５の何れかを引用し、電荷蓄積時間を「前記感度の高い光電変換素子と前記感度の低い光電変換素子とは、電荷蓄積時間が異なることを特徴とする」と限定したものであり、請求項８ないし９に係る発明各々は、請求項７をさらに引用し、電荷蓄積時間を異ならせる技術を「前記感度の低い光電変換素子は、基板への電荷掃き出し動作と光電変換素子への電荷蓄積動作とを行うことを特徴とする」、「前記感度の高い光電変換素子から、及び、前記感度の低い光電変換素子からの信号読出しのタイミングが異なるように構成したことを特徴とする」と限定したものであるが、該電荷蓄積時間を限定する技術事項は、刊行物１段落番号０００８に記載されているから、また、該電荷蓄積時間を異ならせる技術として、電荷掃き出し動作を行わせることは、刊行物４に記載されているから、また、該電荷蓄積時間を異ならせる技術として、信号読みだしタイミングを異なるようにすることは、慣用手段に過ぎないから、請求項７ないし９に係る発明で電荷蓄積時間を限定した点各々は、当業者が、適宜なし得たものである。
　したがって、請求項７ないし９に係る発明の各々は、当業者が、刊行物１ないし６に記載された発明に基いて、容易に発明することができたものと認められる。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、請求項１ないし９に係る発明は、当業者が刊行物１ないし６に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。