【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂、フォト活性成分及びメチルイソアミルケトンを含む溶媒成分を含んでなる液体フォトレジスト組成物のコーティング層を基体に塗布し、該フォトレジストコーティング層を約１９３ｎｍの波長を有する活性放射線で露光し、及び露光レジスト層を現像することを含むフォトレジストレリーフイメージを製造する方法。
【請求項２】
該フォトレジスト樹脂が実質的に芳香族基を含まない請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該フォトレジスト樹脂がフォト酸レイビル基を含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該溶媒成分が少なくとも二つの別個の溶媒を含む請求項１乃至３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
該溶媒成分が少なくとも三つの別個の溶媒を含む請求項１乃至３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
該溶媒成分が更にプロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び／又はシクロヘキサノンを含む請求項１乃至５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
該溶媒成分が更にエチル‐ｎ‐アミル‐ケトン；メチルエチルケトン；エチレングリコールエチルエーテル；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート；アミルアセテート；メチルイソアミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル‐ｎ‐ブチルケトン；イソ‐ブチルイソブチレート；２‐メチル‐１‐ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ‐ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１‐トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ‐ｎ‐プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；またはプロピレングリコールブチルエーテルを含む請求項１乃至６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
該フォト活性成分が１以上のオニウム塩化合物からなる請求項１乃至７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
該フォト活性成分が１以上のスルホニウム及び／又はヨードニウム化合物からなる請求項１乃至８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
該フォト活性成分が１以上のイミドスルホネート化合物を含む請求項１乃至７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
該フォトレジスト樹脂が完全に芳香族基を含まない請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
該フォトレジスト樹脂が縮合炭素脂環式基又はヘテロ脂環式基を含む繰り返し単位を含む請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１３】
該フォトレジスト樹脂が重合無水マレイン酸繰り返し単位を含む請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】
該基体がマイクロエレクトロニックウェハ基体である請求項１乃至１３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１５】
塗布されたフォトレジスト組成物コーティング層が実質的に全ての溶媒成分を除去するために熱処理され、次いで、乾燥コーティング層が１９３ｎｍの波長を有するパターン化放射線で露光される請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１６】
現像されてフォトレジストを含まない基体領域を、エッチング又はめっきすることを更に含む請求項１乃至１５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１７】
回路パターンが集積回路基体内で製造される請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
実質的に芳香族基を含まない樹脂、フォト活性成分及びメチルイソアミルケトンを含む溶剤成分を含むフォトレジスト組成物。
【請求項１９】
該樹脂が完全に芳香族基を含まない請求項１８に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２０】
該フォトレジスト樹脂がフォト酸レイビル基を含む請求項１８又は１９に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２１】
該溶媒成分が少なくとも二つの別個の溶媒を含む請求項１８乃至２０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２２】
該溶媒成分が少なくとも三つの別個の溶媒を含む請求項１８乃至２０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２３】
該溶媒成分が更にプロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び／又はシクロヘキサノンを含む請求項１８乃至２２のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２４】
該溶媒成分が更にエチル‐ｎ‐アミル‐ケトン；メチルエチルケトン；エチレングリコールエチルエーテル；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート；アミルアセテート；メチルイソアミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル‐ｎ‐ブチルケトン；イソ‐ブチルイソブチレート；２‐メチル‐１‐ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ‐ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１‐トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ‐ｎ‐プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；またはプロピレングリコールブチルエーテルを含む請求項１８乃至２３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２５】
該フォト活性成分が１以上のオニウム塩化合物からなる請求項１８乃至２４のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２６】
該フォト活性成分が１以上のスルホニウム及び／又はヨードニウム化合物からなる請求項１８乃至２５のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２７】
該フォト活性成分が１以上のイミドスルホネート化合物を含む請求項１８乃至２６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２８】
該フォトレジスト樹脂が縮合炭素脂環式基又はヘテロ脂環式基を含む繰り返し単位を含む請求項１８乃至２７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２９】
該フォトレジスト樹脂が重合された無水マレイン酸繰り返し単位を含む請求項１８乃至２８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３０】
請求項１８乃至２９のいずれか一つに記載の液体フォトレジスト組成物のコーティング層を塗布し；該フォトレジストのコーティング層を活性放射線で露光し及び該露光レジスト層を現像することを含む、電子デバイスを形成する方法。
【請求項３１】塗布されたフォトレジスト組成物コーティング層が実質的に全ての溶媒成分を除去するために熱処理され、乾燥コーティング層がそれから約１９３ｎｍの波長を有するパターン化放射線で露光される請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】現像されてフォトレジストを含まない基体領域を、エッチング又はめっきすることを更に含む請求項３０又は３１に記載の方法。
【請求項３３】回路パターンが集積回路基体内で製造される請求項３３に記載の方法。
【請求項３４】請求項１８乃至２９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有する基体を含む製品。
【請求項３５】該基体がマイクロエレクトロニクスウェーハ基体である請求項３４に記載の製品。
【請求項３６】該基体が光学電子基体である請求項３４に記載の製品。