【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の金属下地表面にめっき前処理を施し、めっき前処理後の金属下地表面に無電解めっきにより合金膜を選択的に形成し、合金膜形成後の基板を洗浄した後、乾燥状態とする基板処理方法であって、
前記合金膜を、毎分１０〜２００Åの成膜速度で、かつ成膜速度の基板間におけるばらつきを±１０％以内とした無電解めっきで形成することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】  前記金属下地は、基板表面に形成した埋込み配線用トレンチの底面及び側面、または基板表面に形成した埋込み配線の露出表面であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】  液温を、基板の温度として７０〜９０℃に設定しためっき液に基板を接触させて、前記合金膜を形成することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】  前記めっき液の液温のばらつき範囲を、±２℃以内とすることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】  前記めっき液の水分の蒸発による減少量を、当初のめっき液量の±１０％以内とすることを特徴とする請求項３または４記載の基板処理方法。
【請求項６】  前記めっき液の水分の蒸発による減少量を、めっき液貯槽の水位を測定して計量し、めっき液に超純水を補給して、めっき液中の水分の不足分を補うことを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】  前記無電解めっきを、濃度が０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌのコバルトイオンまたはニッケルイオンを含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】  前記めっき液のコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度のばらつき範囲を、±２０％以内とすることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】  前記無電解めっきを、タングステン換算濃度として１．５〜３０．０ｇ／Ｌのタングステン酸イオン及び／またはタングステンリン酸イオンを含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１０】  前記めっき液のタングステン換算濃度のばらつき範囲を、±４０％以内とすることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１１】  前記無電解めっきを、濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜０．３ｍｏｌ／Ｌの次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランを含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】  前記めっき液の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボラン濃度のばらつき範囲を、±４０％以内とすることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法。
【請求項１３】  前記無電解めっきを、濃度が０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌのキレート剤を含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１４】  前記めっき液のキレート剤濃度のばらつき範囲を、±３０％以内とすることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
【請求項１５】  前記無電解めっきを、ｐＨ緩衝剤及びアルカリ剤を含み、ｐＨを８〜１０に設定しためっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１６】  前記めっき液のｐＨのばらつき範囲を、±０．２以内とすることを特徴とする請求項１５記載の基板処理方法。
【請求項１７】  前記無電解めっきによる合金膜の成膜速度を測定することを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１８】  前記無電解めっきによる合金膜の成膜速度の測定を、めっき液に水晶振動子を浸漬し、この水晶振動子上に無電解めっき膜が析出するにつれて該水晶振動子の発信周波数が減衰して行くことを利用して行うことを特徴とする請求項１７記載の基板処理方法。
【請求項１９】  前記合金膜の成膜速度の測定結果をもとに、めっき時間を制御することを特徴とする請求項１７または１８記載の基板処理方法。
【請求項２０】  基板表面に形成した埋込み用配線の底面及び側面、または基板表面に形成した埋込み配線の露出表面に合金膜を選択的に形成する基板処装置であって、
前記基板表面にめっき前処理を施す前処理ユニットと、
前記前処理後の基板表面に、毎分１０〜２００Åの成膜速度で、かつ成膜速度の基板間におけるばらつきを±１０％以内とした無電解めっきを施して、前記埋込み配線用の底面及び側面、または埋込み配線の露出表面に前記合金膜を選択的に形成する無電解めっきユニットと、
前記無電解めっき処理後の基板を乾燥状態にする乾燥ユニットを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】  前記無電解めっきユニットは、無電解めっきによる合金膜の成膜速度を測定する成膜速度測定部を有することを特徴とする請求項２０記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記下地金属は、例えば、銅、銅合金、銀または銀合金である。
配線材料としては様々なものが考えられるが、無電解めっきによる合金膜で配線を保護することが要求される半導体装置は、一般に高集積化されたものに限定される。このよう高集積化された半導体装置の配線材料として、銅、銅合金、銀または銀合金を使用することで、半導体装置の高速化、高密度化を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記合金膜は、例えば、コバルト、コバルト合金、ニッケルまたはニッケル合金である。
例えば、配線の露出表面を覆って該配線を保護する（合金）保護膜としての機能を発現する材料としては、コバルト、コバルト合金、ニッケルまたはニッケル合金が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記合金膜が、（１）コバルトまたはニッケル、（２）タングステン、及び（３）リンまたはホウ素の（１）〜（３）の少なくとも３元素を含むことが好ましい。
このような（１）コバルトまたはニッケル、（２）タングステン、及び（３）リンまたはホウ素の（１）〜（３）の３元素を含む合金は、成膜レートが比較的遅いので薄膜形成に有利であり、まためっき液が比較的安定で膜組成の制御が容易であるばかりでなく、その再現性を容易に確保することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３に記載の発明は、液温を、基板の温度として７０〜９０℃に設定しためっき液に基板を接触させて、前記合金膜を形成することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法である。
例えば、配線の露出表面を覆って該配線を保護する保護膜（合金膜）を成膜するのに用いる無電解めっき液には各種のものがあり、いずれも加温を必要とするが、液温が７０℃以下のめっき液を使用すると充分な成膜速度が得られず、また液温が９０℃以上のめっき液を使用すると成膜速度が速すぎかつ水分の蒸発が著しいなどのため安定した成膜が行い難くなる。このため、基板の温度として７０〜９０℃の液温に設定しためっき液に基板を接触させて無電解めっきによる成膜を行うことで、成膜速度を毎分１０〜２００Åとしかつ再現性の良い成膜を行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４に記載の発明は、前記めっき液の液温のばらつき範囲を、±２℃以内とすることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法である。
無電解めっきによる合金膜の成膜速度は、めっき液の液温に大きく依存し、僅かの液温の違いで成膜速度が大きく変化する。このため、めっき液の液温のばらつき範囲を、一般には±２℃以内、好ましくは±１℃以内とすることで、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般には±１０％以内、好ましくは±５％以内の一定の範囲に抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５に記載の発明は、前記めっき液の水分の蒸発による減少量を、当初のめっき液量の±１０％以内とすることを特徴とする請求項３または４記載の基板処理方法である。
無電解めっきによる合金膜の成膜に使用するめっき液の液温は、一般に７０℃とかなり高く、めっき液中の水分の蒸発は相当量に達する。このことはめっき液の組成、ひいては成膜速度をある範囲に維持し、膜厚のばらつきを一定の範囲に抑える上で無視することができない。このため、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般には±１０％、好ましくは±５％以内とするためには、めっき液中の水分の蒸発による減少を、当初のめっき液量の±１０％以内、好ましくは±５％とすることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６に記載の発明は、前記めっき液の水分の蒸発による減少量を、めっき液貯槽の水位を測定して計量し、めっき液に超純水を補給して、めっき液中の水分の不足分を補うことを特徴とする請求項５記載の基板処理方法である。
このように、めっき液貯槽の水位を測定してめっき液の水分量を測定し、不足分を超純水で補うことで、めっき液の水分量を一定に管理することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項７に記載の発明は、前記無電解めっきを、濃度が０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌのコバルトイオンまたはニッケルイオンを含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理方法である。
保護膜としてコバルトまたはニッケルの合金膜を採用する場合には、コバルトイオンまたはニッケルイオンを含むめっき液が使用されるが、その成膜速度は、これらの金属イオン濃度に依存して変化する。このため、合金膜の成膜に用いる無電解めっき液中のコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度を０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上、０．１ｍｏｌ／Ｌ以下とすることで、成膜速度を毎分１０〜２００Åとしかつ再現性の良い成膜を行うことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８に記載の発明は、前記めっき液のコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度のばらつき範囲を、±２０％以内とすることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法である。
無電解めっきによる合金膜の成膜速度は、めっき液中のコバルトイオンまたはニッケルイオン等の金属イオン濃度にそれほど依存しないが、めっき液中のコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度のばらつき範囲を、一般には±２０％以内、好ましくは±１０％以内とすることで、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般には±１０％、好ましくは±５％以内とすることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記めっき液のコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度を、めっき液の吸光度分析、イオンクロマトグラフ分析、キャピラリー電気泳動分析またはキレート滴定分析により測定し、コバルトイオンまたはニッケルイオンを含む溶液をめっき液に補給して、めっき液中のコバルトイオンまたはニッケルイオンの不足分を補うことが好ましい。
このように、めっき液の吸光度分析、イオンクロマトグラフ分析、キャピラリー電気泳動分析またはキレート滴定分析によりコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度を測定し、その不足分を補うことで、めっき液のコバルトイオンまたはニッケルイオン濃度をある範囲内で管理することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項９に記載の発明は、前記無電解めっきを、タングステン換算濃度として１．５〜３０．０ｇ／Ｌのタングステン酸イオン及び／またはタングステンリン酸イオンを含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の基板処理方法である。
保護膜としてタングステンを含む合金膜を採用する場合には、タングステン酸イオン及び／またはタングステンリン酸イオンを含むめっき液が一般に使用される。成膜速度は、これらの金属イオン濃度に依存して変化するが、一方で、成膜後の合金膜中にタングステンがある程度以上含まれていないと保護膜としての機能を果たさないことがある。このため、成膜速度を毎分１０〜２００Åとしかつ再現性の良い成膜を行うためには、合金膜の成膜に用いる無電解めっき液中のタングステン酸イオン及び／またはタングステンリン酸イオン濃度をタングステン換算濃度として１．５ｇ／Ｌ以上、３０ｇ／Ｌ以下とすることが求められる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１０に記載の発明は、前記めっき液のタングステン換算濃度のばらつき範囲を、±４０％以内とすることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法である。
無電解めっきによる合金膜の成膜速度は、めっき液中のタングステン換算濃度にそれほど依存しないが、めっき液中のタングステン換算濃度のばらつき範囲を、一般には±４０％以内、好ましくは±２０％以内とすることで、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般には±１０％、好ましくは±５％以内とすることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記タングステン換算濃度を、キャピラリー電気泳動分析により測定するか、またはコバルトイオンまたはニッケルイオンの消費量から算出して求め、めっき液にタングステン酸イオン及び／またはタングステンリン酸イオンを含む溶液を補給して、めっき液中のタングステン酸イオン及び／またはタングステンリン酸イオンの不足分を補うことが好ましい。
このように、キャピラリー電気泳動分析により測定するか、またはコバルトイオンまたはニッケルイオンの消費量から計算してタングステン換算濃度を求め、その不足分を補うことで、めっき液のタングステン換算濃度をある範囲内で管理することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１１に記載の発明は、前記無電解めっきを、濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜０．３ｍｏｌ／Ｌの次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランを含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板処理方法である。
保護膜としてコバルトまたはニッケルの合金膜を採用する場合には、還元剤として次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランを含むめっきが一般に使用される。これらの還元剤は、ある一定濃度以上あれば、成膜速度に対して実用上それほど大きな変化を与えないが、多すぎると、成膜後の合金膜中のタングステン濃度が少なくなり保護膜としての機能を果たさないことがある。このため、成膜速度を毎分１０〜２００Åとしかつ再現性の良い成膜を行うためには、合金膜の成膜に用いる無電解めっき液中の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランの濃度を０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下とすれば良い。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１２に記載の発明は、前記めっき液の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボラン濃度のばらつき範囲を、±４０％以内とすることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法である。
前述のように、無電解めっきによる合金膜の成膜速度の、めっき液中の還元剤濃度に対する依存性は比較的小さいが、めっき液中の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランタのばらつき範囲を±４０％以内、好ましくは±２０％以内とすることで、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般的には±１０％、好ましくは±５％以内とすることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記めっき液の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボラン濃度を、酸化還元滴定分析またはキャピラリー電気泳動分析により測定し、めっき液に次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランを含む溶液を補給して、めっき液中の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボランの不足分を補うことが好ましい。
このように、酸化還元滴定分析またはキャピラリー電気泳動分析により次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボラン濃度を測定し、その不足分を補うことで、めっき液中の次亜リン酸イオン及び／またはジメチルアミンボラン濃度をある範囲内で管理することができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１３に記載の発明は、前記無電解めっきを、濃度が０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌのキレート剤を含むめっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の基板処理方法である。
保護膜としてコバルトまたはニッケルの合金膜を採用する場合には、めっき反応を安定的に実現させるキレート剤を含むめっき液が一般に使用され、その成膜速度は、めっき液中のキレート剤濃度によって変化する。そのため、成膜速度を毎分１０〜２００Åとしかつ再現性の良い成膜を行うためには、合金膜の成膜に用いる無電解めっき液中のキレート剤濃度を０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下とする必要がある。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項１４に記載の発明は、前記めっき液のキレート剤濃度のばらつき範囲を、±３０％以内とすることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法である。
無電解めっきよる合金膜の成膜速度は、めっき液中のキレート剤濃度にそれほど依存されないが、めっき液中のキレート剤濃度のばらつき範囲を、一般には±３０％以内、好ましくは±１５％以内とすることで、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般には±１０％、好ましくは±５％以内とすることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記めっき液のキレート剤濃度を、キレート滴定分析またはキャピラリー電気泳動分析により測定し、めっき液にキレート剤を含む溶液を補給して、めっき液中のキレート剤の不足分を補うことが好ましい。
このように、キレート滴定分析またはキャピラリー電気泳動法によりキレート剤濃度を測定し、その不足分を補うことで、めっき中のキレート剤濃度をある範囲内で管理することができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項１５に記載の発明は、前記無電解めっきを、ｐＨ緩衝剤及びアルカリ剤を含み、ｐＨを８〜１０に設定しためっき液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の基板処理方法である。
保護膜としてコバルトまたはニッケルの合金膜を採用する場合には、アルカリ性を維持してめっき反応を安定的に実現させるため、ｐＨ緩衝剤及びアルカリ剤を含むめっき液が一般に使用されるが、その成膜速度は、めっき液中のｐＨに大きく依存する傾向にある。このため、成膜速度を毎分１０〜２００Åとしかつ再現性の良い成膜を行うためには、合金膜の成膜に用いるめっき液のｐＨを、一般には８〜１０、好ましくは８．５〜９．５とする必要がある。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項１６に記載の発明は、前記めっき液のｐＨのばらつき範囲を、±０．２以内とすることを特徴とする請求項１５記載の基板処理方法である。
無電解めっきによる合金膜の成膜速度は、めっき液のｐＨにかなり大きく依存し、膜厚のばらつきを一定の範囲に抑えるためには、めっき液のｐＨをかなり精密に制御する必要がある。このため、成膜速度の基板間におけるばらつき範囲を、一般には±１０％、好ましくは±５％以内とするためには、めっき液のｐＨのばらつき範囲を、一般には±０．２以内、好ましくは±０．０５以内とする必要がある。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
前記めっき液のｐＨを電極法により測定し、めっき液にｐＨ調整剤を含む溶液を供給してめっき液のｐＨの変動分を補正することが好ましい。
このように、電極法によりめっき液のｐＨを測定し、その変動分を補正することで、めっき液のｐＨをある範囲内で管理することができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
請求項１７に記載の発明は、前記無電解めっきによる合金膜の成膜速度を測定することを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の基板処理方法である。
これにより、実際においては、成膜速度が現実に所定のものとなっているか否かを測定により確認することができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
請求項１８に記載の発明は、前記無電解めっきによる合金膜の成膜速度の測定を、めっき液に水晶振動子を浸漬し、この水晶振動子上に無電解めっき膜が析出するにつれて該水晶振動子の発信周波数が減衰して行くことを利用して行うことを特徴とする請求項１７記載の基板処理方法である。
合金膜の膜厚は、一般には極めて薄く、しかもそのばらつきを狭い範囲に管理することが求められており、測定感度ならびに精度が高い方法で成膜速度を実測する必要がある。めっき液に水晶振動子を浸漬し、この水晶振動子の電極上に無電解めっき膜が析出するにつれて該水晶発振子の発信周波数が減衰して行くことを利用して合金膜の成膜速度を測定することで、このような要求を満たすことができる。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
請求項１９に記載の発明は、前記合金膜の成膜速度の測定結果をもとに、めっき時間を制御することを特徴とする請求項１７または１８記載の基板処理方法である。
これにより、成膜速度の測定結果により、例えば成膜速度に過不足があることが判明した場合に、めっき時間を必要に応じて増減することで、所定の膜厚の合金膜を再現良く形成ことができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項２０に記載の発明は、基板表面に形成した埋込み用配線の底面及び側面、または基板表面に形成した埋込み配線の露出表面に合金膜を選択的に形成する基板処装置であって、前記基板表面にめっき前処理を施す前処理ユニットと、前記前処理後の基板表面に、毎分１０〜２００Åの成膜速度で、かつ成膜速度の基板間におけるばらつきを±１０％以内とした無電解めっきを施して、前記埋込み配線用の底面及び側面、または埋込み配線の露出表面に前記合金膜を選択的に形成する無電解めっきユニットと、前記無電解めっき処理後の基板を乾燥状態にする乾燥ユニットを有することを特徴とする基板処理装置である。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
請求項２１に記載の発明は、前記無電解めっきユニットは、無電解めっきによる合金膜の成膜速度を測定する成膜速度測定部を有することを特徴とする請求項２０記載の基板処理装置である。