【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する工程と、
前記基体上に前記多孔質層を介して半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を、前記多孔質層において前記基体から分離する工程と
を含む半導体層の分離方法であって、
前記多孔質層を形成する工程において、前記基体内部に第１の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成すると共に、前記半導体層を基体から分離する工程において、前記第１の多孔質層を利用して分離するようにしたことを特徴とする半導体層の分離方法。
【請求項２】
前記多孔質層を形成する工程において、前記基体内部に前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層を前記基体の前記第３の多孔質層との界面に形成し、かつ前記第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成することを特徴とする請求項１記載の半導体層の分離方法。
【請求項３】
基体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する工程と、
前記基体上に前記多孔質層を介して、半導体基板の少なくとも一部となる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を、前記多孔質層において前記基体から分離する工程と
を含む半導体基板の製造方法であって、
前記多孔質層を形成する工程において、前記基体内部に第１の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成すると共に、前記半導体層を基体から分離する工程において、前記第１の多孔質層を利用して分離するようにしたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記多孔質層を形成する工程において、前記基体内部に前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層を前記基体の前記第３の多孔質層との界面に形成し、かつ前記第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成することを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記基体として、少なくとも表面が半導体よりなる基体を用いることを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記基体として、少なくとも表面がシリコンよりなる基体を用いると共に、前記多孔質層として多孔質シリコン層を形成することを特徴とする請求項５記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記多孔質層を、陽極化成により形成することを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記陽極化成における電流密度または前記陽極化成を行う時間を調整することにより、前記多孔質層の多孔度を調整することを特徴とする請求項７記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記半導体層を、エピタキシャル成長法により形成することを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体層を基体から分離する工程の前に、更に、前記半導体層の前記第１の多孔質層と反対側に、半導体基板の一部となる絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
更に、前記半導体層の前記第１の多孔質層と反対側に、半導体基板の一部となる基板本体を配設する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
基体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する工程と、
前記基体上に多孔質層を介して半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を、前記多孔質層において前記基体から分離する工程と
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記多孔質層を形成する工程において、前記基体内部に第１の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成すると共に、前記半導体層を基体から分離する工程において、前記第１の多孔質層を利用して分離するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記多孔質層を形成する工程において、前記基体内部に前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層を前記基体の前記第３の多孔質層との界面に形成し、かつ前記第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
更に、前記半導体素子の前記第１の多孔質層と反対側に、転写用基板を配設する工程を含むと共に、前記半導体素子を基体から分離する工程において、前記半導体素子を前記転写用基板に転写するようにしたことを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体層上に多孔質層を有する半導体基板であって、
前記多孔質層は、基体内部に第１の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成したのち、前記基体上に前記多孔質層を介して半導体層を形成し、前記半導体層を、前記第１の多孔質層を利用して前記基体から分離することにより形成されたものである
ことを特徴とする半導体基板。
【請求項１６】
前記多孔質層は、基体内部に前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層を前記基体の前記第３の多孔質層との界面に形成し、かつ前記第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成することにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体基板。
【請求項１７】
半導体素子上に多孔質層を有する半導体装置であって、
前記多孔質層は、基体内部に第１の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成したのち、前記基体上に前記多孔質層を介して半導体素子を形成し、前記半導体素子を、前記第１の多孔質層を利用して前記基体から分離することにより形成されたものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
前記多孔質層は、基体内部に前記第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層を形成し、前記第１の多孔質層を前記基体の前記第３の多孔質層との界面に形成し、かつ前記第２の多孔質層を前記基体の前記第１の多孔質層との界面に形成することにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項１７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体層の分離方法は、基体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する工程と、基体上に多孔質層を介して半導体層を形成する工程と、半導体層を、多孔質層において基体から分離する工程とを含む半導体層の分離方法であって、多孔質層を形成する工程において、基体内部に第１の多孔質層を形成し、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を基体の第１の多孔質層との界面に形成するようにし、半導体層を基体から分離する工程において、第１の多孔質層を利用して分離するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による半導体基板の製造方法は、基体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する工程と、基体上に多孔質層を介して、半導体基板の少なくとも一部となる半導体層を形成する工程と、半導体層を、多孔質層において基体から分離する工程とを含む半導体基板の製造方法であって、多孔質層を形成する工程において、基体内部に第１の多孔質層を形成し、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を基体の第１の多孔質層との界面に形成するようにし、半導体層を基体から分離する工程において、第１の多孔質層を利用して分離するようにしたものである。また、本発明による半導体基板は、この製造方法を用いて形成されたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による半導体装置の製造方法は、基体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する工程と、基体上に多孔質層を介して半導体素子を形成する工程と、半導体素子を、多孔質層において基体から分離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、多孔質層を形成する工程において、基体内部に第１の多孔質層を形成し、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を基体の第１の多孔質層との界面に形成するようにし、半導体素子を基体から分離する工程において、第１の多孔質層を利用して分離するようにしたものである。また、本発明による半導体装置は、この製造方法を用いて形成されたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による半導体層の分離方法では、基体内部に第１の多孔質層が形成され、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層が基体の第１の多孔質層との界面に形成され、これら第１および第２の多孔質層を介して基体上に半導体層が形成されたのち、第１の多孔質層を利用して半導体層が基体から分離される。なお、本発明による半導体層の分離方法では、基体内部に第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層が形成され、第１の多孔質層が基体の第３の多孔質層との界面に形成され、かつ第２の多孔質層が基体の第１の多孔質層との界面に形成されることが、より好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による半導体基板の製造方法では、本発明の半導体層の分離方法と同様にして基体内部に第１の多孔質層が形成され、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層が基体の第１の多孔質層との界面に形成されたのち、基体上に第１および第２の多孔質層を介して半導体基板の少なくとも一部となる半導体層が形成され、第１の多孔質層を利用して半導体層が基体から分離される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による半導体装置の製造方法では、本発明の半導体層の分離方法と同様にして基体内部に第１の多孔質層が形成され、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層が基体の第１の多孔質層との界面に形成されたのち、基体上に第１および第２の多孔質層を介して半導体素子が形成され、第１の多孔質層を利用して半導体素子が基体から分離される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１または請求項２記載の半導体層の分離方法あるいは請求項３ないし請求項１１のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法あるいは請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法によれば、基体内部に第１の多孔質層を形成し、第１の多孔質層よりも多孔度の低い第２の多孔質層を基体の第１の多孔質層との界面に形成するようにしたので、第２の多孔質層によって、多孔度が高い第１の多孔質層と基体とを離間させることができる。その結果、基板上に半導体層を形成している間に、多孔質層が基体から剥離するおそれがない。また、半導体層を基体から分離する際には、第１の多孔質層において良好に分離することができる。よって、基体から半導体層を歩留りよく分離することができるという効果を奏する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【発明の効果】
特に、請求項２記載の半導体層の分離方法あるいは請求項４記載の半導体基板の製造方法あるいは請求項１３記載の半導体装置の製造方法によれば、基体内部に第１の多孔質層よりも多孔度の低い第３の多孔質層を形成し、第１の多孔質層を基体の第３の多孔質層との界面に形成し、かつ第２の多孔質層を基体の第１の多孔質層との界面に形成するようにしたので、第３の多孔質層上に、良質の半導体層を形成することができるという効果を奏する。