【事件の表示】
　平成１１年特許願第３７８８号「半導体発光装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年７月２８日出願公開、特開２０００−２０８８２２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成11年1月11日に出願されたものであり、本願の請求項1、2に係る発明は、平成14年4月26日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであり、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。
　「【請求項１】　フリップチップ型の発光素子と、前記発光素子を導通搭載するとともにプリント配線基板またはリードフレーム等の導通部材に導通搭載されるサブマウント素子と、前記発光素子の全体を封止して前記サブマウント素子の搭載面に接合される光透過性の樹脂を使用したパッケージとを備え、前記パッケージは、前記光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長変換する蛍光物質を含有するとともに、前記発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくし且つそのサブマウント素子への搭載面以外の全表面を外に露出させてなる半導体発光装置。」
　
【2】引用例
　これに対して、当審の拒絶理由通知で引用した、引用例1: 国際公開第97/50132号パンフレット、引用例2: 特開平8-64872号公報、及び引用例3: 特開平10-163526号公報には、以下の事項が記載されている。
　
《2-1》引用例1: 国際公開第97/50132号パンフレット
　(1)2頁12行〜4頁33行　[対応する特表2000-512806号公表特許公報の7頁1行〜9頁2行]
「JA-07176794-Aでは、白色光を送出する平面形光源が記載されており、該平面形光源では、透明板の1つの端面にて青色光を発する2つのダイオードが設けられており、該2つのダイオードは、光を透明板内に送出する。透明板は、相対向する2つの主面の上に蛍光作用をする物質で被覆されており、該蛍光物質は、ダイオードの青色光で励起されると光を発する。蛍光物質から発せられた光は、ダイオードから発せられた青色光とは別の波長を有する。上記の公知の半導体発光素子では、発光物質を次のように被着することは特に困難である、即ち光源が均質な白色光を放射するように被着することは特に困難である。更に、量産上の再現可能性も大きな問題となる、それというのは、蛍光-発光層のわずかな厚層の変動だけでも、例えば、透明板の表面の非平坦性に基づき、それにより、放射された光の白色相の変化が惹起されるからである。
　本発明の基礎を成す課題とするところは、均質な混合光をエミッション、放射し、極めて十分に再現可能な素子特性をを以て技術的に簡単な量産を保証、確保する導体発光素子を開発、創出することにある。
　前記課題は、請求の範囲1の半導体発光素子に係わる構成要件により解決される。本発明の有利な発展形態がサブクレーム2〜27に記載されている。サブクレーム28〜30には、本発明の半導体発光素子の有利な使用法の態様が記載されている。
　本発明によれば、発光半導体基体は、多層構造を有し、該多層構造は、例えば、GaxIn1-xN又はGaxAl1-xNから成る活性半導体層を有する多層構造ないし多層膜を有し、該多層構造ないし多層膜は、半導体素子の作動中、紫外、青色及び/又は緑色のスペクトル領域における第1の波長領域の電磁波ビームを送出するものである。蛍燐光体変換-エレメントは、第1波長領域に由来するビームを、第1波長領域1とは異なる第2波長領域のビームに変換するように構成され、ここで、半導体発光素子は第1及び第2波長領域のビームから成る混合ビームを送出するように構成されているのである。換言すれば、例えば蛍燐光体変換-エレメントは、半導体発光素子から送出されるビームを有利に、第1の波長領域のスペクトル部分領域に亘ってスペクトル的に選択的に吸収し、比較的長い波長の領域(第2の波長領域)にて放射する。有利には、半導体発光素子から送出されたビームが、λ≦520nmのもとで相対的な強度最大値を有し、そして、蛍燐光体変換-エレメントによりスペクトル的に選択的に吸収された波長領域が当該の強度最大値のところから外れたところに位置する。
　同様に有利には、本発明によれば第1の波長領域に由来する複数の(1つ又は1つより多くの)第1のスペクトル部分領域が複数の第2の波長領域に変換され得る。それにより、多様の色混合及び色温度を生じさせることが可能である。
・・・
　本発明の特に有利な実施形態によれば、蛍燐光体変換-エレメントとして、半導体基体上に、又はその上方に、少なくとも1つのルミネッセンス変換層が設けられており、前記変換層は、部分透光性のルミネッセンス変換層であり、即ち、発光半導体基体から送出されるビームに対して部分的に透光性を呈するルミネセンス変換層である。放射された光の統一的な色を確保するため、ルミネセンス変換層が次のように構成されている、即ち、全く一定の厚さを有するように構成されている。このことにより得られる特別な利点とするところは、ルミネセンス変換層を通って半導体基体から放射される光が、すべてのビーム方向に対してほぼ一定であることである。それにより、半導体発光素子がすべての方向で同一色の光を放射することが達成される。」
　(2) 6頁6行〜25行　[対応する特表2000-512806号公表特許公報の10頁2行〜13行]
　「そのようにして単一のカラーの光源、殊に、青色光を放射する単一の半導体基体を有する発光ダイオードから色の混合ないし混色の、殊に白色光を生じさせ得る。例えば青色光を送出する半導体基体により白色光を生じさせるため、半導体基体から送出されるビームの部分が、青色のスペクトル領域から青色に対して補色の黄色のスペクトル領域に変換される。白色光の色温度又は色個所は、ルミネセンス変換素子の適当な選定により、殊に、蛍光物質ないしそれの粒子の大きさ及びそれの濃度の適当な選定により可変できる。更に、前記配置構成は、有利には蛍光物質混合体を使用できるようにするものであり、それにより、有利に所望の色相を著しく精確に調整セッティングできる。同様にルミネセンス変換素子を、非均質に構成することもできる、例えば、蛍光物質分布により当該の非均質な構成が可能になる。それにより、ルミネセンス変換素子を通る光の種々の波長を補償できる。」
　(3) 16頁27行〜17頁5行　[対応する特表2000-512806号公表特許公報の18頁4行〜13行]
　「当該の実施例及び以下述べるすべての実施例に対する適当な多層構造7を図9に示す。ここで、サブストレート19-これは、例えば、SiCから成る-上に、下記のものから成る多層構造7が被着されている、即ち、AlN-又は、GaN-層19、n-導電形GaN-層20、n-導電形GaxAI1-xN-又はGaxIn1-xN-層21、更なるn-導電形GaN-又はGaxIn1-xN-層22、p-導電形GaxAl1-xN-又はGaxIn1-xN-層23及びp-導電形GaN-層24から成る多層構造7が被着されている。p-導電形GaN-層24主面25上及びサブストレート18の主面26上に、夫夫、コンタクト金属化部27が被着されている。該コンタクト金属化部27は、従来、電気的コンタクトのためのオプトエレクトロニクス半導体技術にて使用された材料から成る。」
　(4) 17頁12行〜18頁21行
　[対応する特表2000-512806号公表特許公報の18頁17行〜19頁20行]
　「図1の実施例では、導電性結合手段、例えば、金属性ろう、又は、接着剤を用いて、第1の電気的接続端子2上の背面電極コンタクト11に取り付けられている。前面電極コンタクト12は、ボンディング線ワイヤ14を用いて第2の電気的接続端子3に接続されている。
　半導体基体1の自由な表面及び電気的接続端子2及び3は、直接的にルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5により包囲されている。このルミネセンス変換-外囲器エンベロープは、有利には、透明な発光ダイオード-外囲器エンベロープに使用可能な透明プラスチック(有利にはエポキシ樹脂又はポリメタクリルさんメチル(polymethylmetaacrylat)から成り、これには、白色光で発光する構成素子用の蛍光物質6,有利には無機の蛍光物質、有利にはY3Al5012:Ce3 (YAG:Ce)が添加されている。
　図2に示す本発明の半導体発光素子の実施例が図1に示す本発明の半導体発光素子の実施例と相異する点は、半導体基体1及び電気的接続端子2、3の部分領域がルミネセンス変換-外囲器エンベローブにより包囲されているのではなく、透明な外囲器、エンベロープ15により包囲されていることである。当該外囲器、エンベロープ15は、半導体基体1により送出されたビームの波長変化を生じさせないものであり、例えば、発光ダイオード技術で従来使用されているエポキシ樹脂、シリコン樹脂又は他の適当なビーム透過性の材料、例えば、無機ガラスから成る。
　当該の外囲器エンベロープ15上にルミネセンス変換層4が被着されており、該ルミネセンス変換層4は、図2に示すように外囲器エンベローブ15の表面全体を被う。同様に、ルミネセンス変換層4が当該表面のたんに一部のみを被うことも可能である。ルミネセンス変換層4は、例えば同じく透明なプラスチック(例えば、エポキシ樹脂、ラック、又は、ポリメタクリルさんメチル(polymethylmetaacrylat)から成り、これには蛍光物質6が添加されている。この場合も、白色発光する半導体発光素子に対する蛍光物質としては有利にはYAG:Ceが好適である。
　前記の実施例の有する特別な利点とするところは、半導体基体から送出されるビーム全体に対して、ルミネセンス変換素子により波長が等しくなることである。このことは、殊に、次のような場合特別な重要性がある、即ち、屡々起こるように、半導体発光素子から放射される光の精確な色相が当該の波長に依存する場合、特別な重要性を有する。」
　(5)そして、図1には、第1の実施例として、ルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5は発光素子の各面に対してそれぞれ平行な外郭面を有し、その全表面が外に露出した状態で描かれ、また、図9には青色光を発する半導体素子の断面図が示されている。
　(6)以上の記載及び図1、9から、「電気的接続端子2、3にコンタクト12、ワイヤ14を介して、導通させて実装する発光素子を備えた半導体発光装置において、前記発光素子の全周囲を透明なプラスチックに波長変換用の蛍光物質を含有したルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5によって被覆し、前記ルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5は、前記発光素子の四方の側面の各面に対してそれぞれ平行な外郭面を合成した外形として、全く一定の厚さを有するように、発光素子とコンタクト12及びワイヤ14との電気的接続部をも包囲するように構成され、前記ルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5の全表面を外に露出させてなる半導体発光装置。」なる発明(以下、「引用発明」という。)が記載されている。
　
《2-2》引用例2: 特開平8-64872号公報
　図5には、透明の絶縁性基板3の表面上に各半導体層4,5,6を形成しかつ各層の所定箇所にN側電極9およびP側電極10を形成して構成される素子本体2と、導電性基板12の表面に対して絶縁状態となるように形成された補助N側電極層15および導通状態となるように形成された補助P側電極層14を有するシリコン基板からなるサブマウント部材11と、を備え、上記サブマウント部材11と上記素子本体2との双方の表面側を相互に対向させて配置し、かつ上記補助N側電極層15と上記N側電極9との間、および上記補助P側電極層14と上記P側電極10との間がそれぞれ導通状態となるように、上記サブマウント部材11と青色を発光する半導体素子本体2とを、両者の表面側どうしが対向配置された状態で接合一体化させたものが示されている。
　
《2-3》引用例3: 特開平10-163526号公報
　「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、単体で白色発光できる発光素子及びこの発光素子を用いた発光ダイオードに関するものである。」
　「【0004】
【発明が解決しようとする課題】このうち、第1技術では、窒化ガリウム系化合物半導体からなり、青色ないし黄緑色に発光する発光素子を、樹脂モールドで包囲している。また、発光素子によって励起されて蛍光を発する蛍光物質を、この樹脂モールド中全体に、均等に存在させたものである。」
　「【0030】これら蛍光膜層10、11は、片方のみ形成してもよいし、両方形成してもよい。どのように構成するかは、発光素子Cとしての発光色(白色)のバランスを考慮して決定する。勿論、第1蛍光膜層10のみを形成する方が、両電極7、9を露呈させるために蛍光膜の除去を行う必要がないから、より好ましい。
【0031】これら蛍光膜層10、11は、エポキシ樹脂またはポリイミドなどの透光性のバインダーを主材とし、主材中には、蛍光膜層が無い状態での発光素子Cの発光色(青色)に対して補色の関係にある蛍光色を呈する蛍光物質が、一定の分布になるように分散している。
【0032】そして、これら蛍光膜層10、11は、スピナーで塗布して硬化させるものである。したがって、ディスペンサなどで滴下するような場合と比べると、量のコントロールが格段に容易であって、厚さH1、H2を正確に規定できる。このため、蛍光物質の量と、蛍光膜層がない状態での発光素子Cの発色とのバランスを厳格にとることができ、発光素子C単体で色ずれが少なく正確な白色発光ができる。
【0033】また、厚さH1、H2が正確であり、第1蛍光膜層10の下面(発光素子Cの外面)をフラットにできる。したがって、どのような基板であっても、簡単に実装でき、広範な用途に対応できる。
【0034】例えば、図3(a)のように、プリント基板に表面実装されるチップ型発光ダイオードの基板12(凹凸が無く平坦)にも実装できる。また、図3(b)のように、砲弾型発光ダイオードに頻繁に用いられるカップ(凹部)14を備えた基板としてのリードフレームにも実装できる。なお、15はカップ14に対面する他方のリードである。」
　
【3】対比
　本願発明と引用発明とを比較すると引用発明における「電気的接続端子2、3」、「透明なプラスチック」及び「ルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5」は、本願発明の「プリント配線基板またはリードフレーム等の導通部材」、「光透過性の樹脂」及び「パッケージ」に相当する。
　また、引用発明の「ルミネセンス変換-外囲器エンベロープ5」が、「発光素子の四方の側面の各面に対してそれぞれ平行な外郭面を合成した外形として、全く一定の厚さを有する」構成は、本願発明の「パッケージ」が「発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しく」された構成に相当する。
　
　よって、両者は「プリント配線基板またはリードフレーム等の導通部材に導通搭載され、前記発光素子の全体を封止する光透過性の樹脂を使用したパッケージとを備え、前記パッケージは、前記光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長変換する蛍光物質を含有するとともに、前記発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくさせてなる半導体発光装置。」の点で一致する。
　
　そして、以下の点で両者は相違する。
相違点1:
　本願発明では、発光素子がフリップチップ型の発光素子であり、発光素子がサブマウント素子に搭載され、サブマウント素子を介して導通部材に導通搭載されているのに対して、引用発明では、発光素子がフリップチップ型の発光素子ではなく、発光素子がコンタクト及びワイヤを介して導通部材に導通搭載されている点。
相違点2:
　本願発明では、パッケージが、サブマウント素子の搭載面に接合され、サブマウント素子への搭載面以外の全表面を外に露出させてなるのに対して、引用発明では、パッケージが、サブマウント素子の搭載面に接合されておらず、また、その全表面を外に露出している点。
　
【4】判断
相違点1:
　発光素子をフリップチップ型とし、サブマウント素子を介して導通部材に導通搭載することは、引用例2や引用例3(段落【0034】)において公知であり、引用発明の発光素子をフリップチップ型のものとし、コンタクト及びワイヤを介することなくサブマウント素子を介して導通部材に導通搭載することは当業者が容易に想到できた事項である。
　
相違点2:
　引用発明の、透明樹脂からなり全表面を外に露出させてなるパッケージは、発光素子の電気的接続部(コンタクト及びワイヤとの接続部)を包囲するものであるから、引用発明の発光素子を、引用例2、3において公知のフリップチップ型のものとして、発光素子の電気的接続部をパッケージで包囲しようとする場合、パッケージを構成する透明樹脂が、フリップチップ型の発光素子とそれと面したサブマウント素子の面との間の空間を占めることになるから、パッケージがサブマウント素子に接合されたものとなることは明らかである。
　さらに、このとき、サブマウント素子の発光素子を搭載する面の反対側の面に、パッケージを構成する透明樹脂を形成してもしなくても、発光特性に大きな影響を及ぼさないことは当業者に明らかであるから、サブマウント素子への搭載面のパッケージの表面は露出させず、サブマウント素子への搭載面以外の表面を外に露出させるようにすることは、何ら格別の事項ではなく、引用発明の発光素子として、引用例2、3において公知のフリップチップ型のものを適用する際、当業者が何ら困難なく想到できる事項である。
　
　そして、上記相違点１、2に係る本願発明の構成による効果は、引用例1〜3の記載から予測できる範囲のものである。よって、本願発明は引用例1〜3に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
【5】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。