【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられた電極板を備え、この電極板は、導電体または半導体で構成された外側部分と、誘電体部材または外側部分より高抵抗の高抵抗部材で構成された中央部分とを有し、前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】  前記電極板の前記中央部分が高抵抗体である場合に、この中央部分の以下の（１）式で表されるスキンデップスδが、電極板の中央部分の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
δ＝（２／ωσμ）１／２      ……（１）
ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
【請求項３】  前記電極板の外側部分および中央部分がいずれもＳｉからなり、ドーパントのドープ量を異ならせることにより低抵抗の外側部分と高抵抗の中央部分とを形成することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられた、導電体または半導体で構成された電極板を備え、誘電体部材または電極板より高抵抗の高抵抗部材がこの電極板の第２の電極側と反対側の面の中央部に接するように設けられ、前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】  前記電極板は、以下の（１）式で表されるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
δ＝（２／ωσμ）１／２      ……（１）
ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
【請求項６】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられた、導電体または半導体で構成された電極板と、電極板の第２の電極に対向する面に形成された絶縁層とを有し、前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第１の電極は、第２の電極に対向するように設けられ、導電体または半導体で構成された電極板を備え、電磁波吸収効果を有する部材がこの電極板の第２の電極側と反対側の面の中央部に接するように設けられ、前記第１の電極には、その前記第２の電極と反対側の面の中央部から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】  前記第１の電極に印加される高周波電力の周波数が２７ＭＨｚ以上であり、形成されるプラズマの密度が１×１０１１個／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の第１の電極として用いられる電極であって、
第２の電極に対向するように設けられる電極板を備え、この電極板は、導電体または半導体で構成された外側部分と、誘電体部材または外側部分より高抵抗の高抵抗部材で構成された中央部分とを有し、該電極には、その前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印加されることを特徴とする電極。
【請求項１０】  前記電極板の前記中央部分が高抵抗体である場合に、この中央部分の以下の（１）式で表されるスキンデップスδが、電極板の中央部分の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の電極。
δ＝（２／ωσμ）１／２      ……（１）
ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
【請求項１１】  前記電極板の外側部分および中央部分がいずれもＳｉからなり、ドーパントのドープ量を異ならせることにより低抵抗の外側部分と高抵抗の中央部分とを形成することを特徴とする請求項１０に記載の電極。
【請求項１２】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の第１の電極として用いられる電極であって、
第２の電極に対向するように設けられる、導電体または半導体で構成された電極板を備え、誘電体部材または電極板より高抵抗の高抵抗部材がこの電極板の第２の電極側となる面と反対側の面の中央部に接するように設けられ、該電極には、その前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印加されることを特徴とする電極。
【請求項１３】  前記電極板は、以下の（１）式で表されるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載の電極。
δ＝（２／ωσμ）１／２      ……（１）
ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
【請求項１４】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の第１の電極として用いられる電極であって、
第２の電極に対向するように設けられる、導電体または半導体で構成された電極板と、電極板の第２の電極に対向する面に形成された絶縁層とを有し、該電極には、その前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印加されることを特徴とする電極。
【請求項１５】  チャンバー内に第１および第２の電極を互いに平行に設け、前記第２の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第１および第２の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に第１の電極として用いられる電極であって、
第２の電極に対向するように設けられる、導電体または半導体で構成された電極板を備え、電磁波吸収効果を有する部材がこの電極板の第２の電極側となる面と反対側の面の中央部に接するように設けられ、該電極には、その前記第２の電極と反対側となる面から高周波電力が印加されることを特徴とする電極。
【請求項１６】  印加される高周波電力の周波数が２７ＭＨｚ以上であり、プラズマの密度が１×１０１１個／ｃｍ３以上で使用されることを特徴とする請求項９ないし請求項１５のいずれか１項に記載の電極。
【請求項１７】  前記誘電体部材または前記高抵抗部材の直径は５０〜２２０ｍｍであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】  前記電極板の抵抗は１〜１００Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項４または請求項５または請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】  前記誘電体部材または前記高抵抗部材の直径は５０〜２２０ｍｍであることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の電極。
【請求項２０】  前記電極板の抵抗は１〜１００Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１２または請求項１３または請求項１９に記載の電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この場合に、前記電極板は、以下の（１）式で表されるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも大きいことが好ましい。
δ＝（２／ωσμ）１／２      ……（１）
ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
また、前記誘電体部材または前記高抵抗部材の直径は５０〜２２０ｍｍであることが好ましく、前記電極板の抵抗は１〜１００Ω・ｃｍであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この場合に、前記電極板は、以下の（１）式で表されるスキンデップスδが、電極板の厚さよりも大きいことが好ましい。
δ＝（２／ωσμ）１／２      ……（１）
ただし、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透磁率
また、前記誘電体部材または前記高抵抗部材の直径は５０〜２２０ｍｍであることが好ましく、前記電極板の抵抗は１〜１００Ω・ｃｍであることが好ましい。