【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  (a) 少なくとも１種の金属酸化物前駆体、キレート化剤と安定剤の少なくとも１種を含むゾルを調製し、
(b) 基材(1) の１つの面の少なくとも一部の上に層としてゾルを堆積させ、
(c) 基材(1) の上に層として堆積させたゾルの少なくとも一部に紫外線を照射し、
(d) 少なくとも紫外線を照射したゾルの部分を熱処理する、
各工程を含むことを特徴とする、基材(1)の上に金属酸化物を主成分とする連続層又は不連続層をゾルゲルを介して堆積させる方法。
【請求項２】  ゾルが、少なくとも１種の溶媒及び／又は少なくとも１種のドーパント前駆体をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】  照射工程(c) をｎ回（ｎ≧１）繰り返す請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  熱処理工程(d) をｐ回（ｐ≧１）繰り返す請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】  照射工程(c) と熱処理工程(d) を交互にして、照射工程(c)と熱処理工程(d) を少なくとも１回繰り返す請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  金属酸化物を主成分とする連続層を得るために、基材(1) の上に堆積させたゾルの層の全体にわたって照射工程(c) と熱処理工程(d) を行う請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  金属酸化物を主成分とする不連続なエッチングされた層を得るために、照射工程(c) 又は少なくとも一部の照射工程(c) を選択的に行う請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  ゾル層と紫外線照射源の間にマスクを介在させることによって選択的照射工程を行う請求項７に記載の方法。
【請求項９】  照射工程(c) 又は少なくとも一部の照射工程(c) が、ゾル層の上又は付近にマスクを配置し、前記マスクを通してゾル層を紫外線で照射し、マスクを除去し、そして照射中にマスクされたゾル層の領域を除去する、各工程を含む請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】  金属酸化物前駆体が、ハロゲン化物のタイプの金属塩、有機金属化合物、及び金属アルコキシドから選択される請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】  金属酸化物前駆体が、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＣｌ4 、Ｓｎ-2-エチルヘキサノエート、Ｓｎ（ＯＲ）4 、又はＳｎＲ'(ＯＲ）3 （ＲとＲ' は炭素含有基）の形態の酸化錫前駆体である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  キレート化剤／安定剤が、ケトン基及び／又はエステル基を有する有機化合物から選択される請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】  ドーパント前駆体が、トリフルオロ酢酸のようなフッ化有機酸又はＳｂＣｌ3 若しくはＳｂＣｌ5 のような金属ハロゲン化物から選択される請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】  溶媒が、エタノール若しくはイソプロパノールのようなアルコール基を有する有機物、又は水酸化ナトリウム若しくはアンモニア水のような無機物である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】  マスクが、フォトリソグラフィーによって堆積されるフォトマスクのような樹脂を主成分とし、又はガラス基材上に堆積される請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１６】  ゾル(b) が、スピンコーティング、ディップコーティング、層状コーティング、又はスプレーによって堆積される請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】  照射工程(c) が、２５０〜３６０ｎｍの電磁波を、ゾル層に１００〜２００ｍＷ／ｃｍ2 の強度で使用する請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】  熱処理(d) が、少なくとも１００℃で行われる請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】  金属酸化物を含む連続層又は不連続エッチング層(2) であって、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法によってゾルゲルを介して得られた層、を備えた基材(1) 。
【請求項２０】  基材が、ガラス若しくは有機ポリマーからなる透明な基材、セラミック若しくはガラス質セラミック材料を主成分とする基材、又はシリコンを主成分とする基材である請求項１９に記載の基材(1) 。
【請求項２１】  ゾルゲルを介して得られた連続層又は不連続エッチング層(2) の下に配置された、ＴｉＯ2 やＺｒＯ2の金属酸化物、あるいはケイ素の酸化物、酸炭化物、酸窒化物、又は窒化物からなる少なくとももう１つの薄層を備えた請求項１９又は２０に記載の基材(1) 。
【請求項２２】  請求項１〜１８のいずれか１項に記載の堆積方法の使用であって、ガラス若しくは有機ポリマーからなる透明な基材、セラミック若しくはガラス質セラミック材料を主成分とする基材、又はシリコンを主成分とする基材の上に層を堆積させるための使用。
【請求項２３】  請求項１〜１８のいずれか１項に記載の堆積方法の使用であって、酸化錫、ドーピングされた酸化錫、又は錫でドーピングされた酸化インジウム（ＩＴＯ）を主成分とする連続層又は不連続エッチング層を堆積させるための使用。
【請求項２４】  請求項１〜１８のいずれか１項に記載の堆積方法の使用、又は請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の基材の使用であって、ガラス製造業における加熱式窓若しくはアンテナ内蔵式窓のための導電性エレメント／電極若しくは帯電防止コーティング、エレクトロニクス工業におけるフラットスクリーン型の放射スクリーン若しくはタッチスクリーンのための導電性エレメント／電極若しくは帯電防止コーティング、又は光起電力セル工業における導電性エレメント／電極若しくは帯電防止コーティングを製造するための使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次に、本発明によるゾルを調製する工程で使用可能な種々の化学物質を説明する（限定されるものではない）。
金属酸化物前駆体は、ハロゲン化物のタイプの金属塩、有機金属化合物、及び金属アルコキシドから選択するのが有利である。本発明は、具体的には、酸化錫を主成分とする層の生成に関係するため、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＣｌ4 、Ｓｎ-2-エチルヘキサノエート、Ｓｎ（ＯＲ）4 やＳｎＲ'(ＯＲ）3 のアルコキシドなどが挙げられ、ＲとＲ' は炭素を含み、同一でも違ってもよく、例えば、１〜６の炭素を有する直鎖又は枝別れ鎖のアルキル基であり、錫テトライソプロポキシドＳｎ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）4 などである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、本発明の目的は、各種分野における電極／導電性エレメント又は帯電防止コーティングの製造に本プロセスを適用することに関する。この分野は、例えばガラス工業であり、自動車や航空機など、ジュール効果によって加熱される窓やアンテナ内蔵式窓に導電性ネットワークを形成することができる。また、本発明の方法は、例えば、空港の近くに位置するビルディングの窓の、電磁波を遮蔽する機能を有するコーティングを形成するために使用することもできる。また、この分野は、光起電力セル工業であることもできる。さらに、この分野は電子工業であることもでき、フラットスクリーン型の放射スクリーン、プラズマスクリーンと称されるスクリーン、タッチスクリーン、及びより広くは、電磁波のとりわけ可視光を照射され、透過し、又は放射することができる任意のタイプのスクリーン／窓の前面又は背面の製造に適用することができる。