【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を減光させる減衰器と、
前記減衰器全体を冷却する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】  
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を減光させる減衰器と、
前記減衰器において反射されたレーザ光が導入されるダンパーと、
前記ダンパーを冷却する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】  
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を減光させる減衰器と、
前記減衰器から分離されたダンパーと、
前記ダンパーを冷却する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】  
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を減光させる減衰器と、
前記減衰器から分離されたダンパーと、
前記減衰器および前記ダンパーを冷却する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】  
請求項１乃至４のいずれか一において、前記冷却する手段は水冷を用いることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】  
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を減光させる減衰器と、
前記減衰器から分離されたダンパーと、
前記減衰器を空冷する手段と、
前記ダンパーを水冷する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、
を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】  
請求項１乃至６のいずれか一において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】  
請求項１乃至６のいずれか一において、前記レーザ発振器は、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】  
減衰器全体を冷却することで、前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら被照射物にレーザを照射する処理方法であって、
前記レーザ光の被照射面におけるビームスポットが線状になるように加工されたレーザ光を照射することを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１０】  
減衰器により反射されたレーザ光を、前記減衰器から分離されたダンパーに導入させ、前記ダンパーを冷却させることで、前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら被照射物にレーザを照射する処理方法であって、
前記レーザ光の被照射面におけるビームスポットが線状になるように加工されたレーザ光を照射することを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１１】  
減衰器により反射されたレーザ光を、前記減衰器から分離されたダンパーに導入させ、前記ダンパー及び前記減衰器を冷却させることで、前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら被照射物にレーザを照射する処理方法であって、
前記レーザ光の被照射面におけるビームスポットが線状になるように加工されたレーザ光を照射することを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１２】  
請求項９乃至１１のいずれか一において、水冷を用いて前記減衰器を冷却させることを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１３】  
請求項１０乃至１１のいずれか一において、水冷を用いて前記ダンパーを冷却させることを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１４】  
減衰器により反射されたレーザ光を、前記減衰器から分離されたダンパーに導入させ、前記減衰器を空冷し、前記ダンパーを水冷することで照射エネルギーを一定に保ち、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から出力されたレーザ光のビームスポットを加工して、レーザ光を照射することを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１５】  
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれかであることを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１６】  
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記レーザ発振器は、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかであることを特徴とするレーザ処理方法。
【請求項１７】  
非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜をステージに配置し、
前記非単結晶半導体膜と、線状に加工されたレーザ光とを、相対的に移動させながら、前記非単結晶半導体膜に前記レーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は減衰手段を用いて減衰され、前記減衰手段を冷却することにより前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら、前記非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】  
非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜をステージに配置し、
前記非単結晶半導体膜と、線状に加工されたレーザ光とを、相対的に移動させながら、前記非単結晶半導体膜に前記レーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は減衰手段を用いて減衰され、前記減衰手段により反射されたレーザ光を、前記減衰器から分離されたダンパーに導入させ、前記ダンパーを冷却することにより前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら、前記非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】  
非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜をステージに配置し、
前記非単結晶半導体膜と、線状に加工されたレーザ光とを、相対的に移動させながら、前記非単結晶半導体膜に前記レーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は減衰手段を用いて減衰され、前記減衰手段により反射されたレーザ光を、前記減衰器から分離されたダンパーに導入させ、前記ダンパー及び前記減衰器を冷却することにより前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら、前記非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】  
請求項１７乃至１９のいずれか一において、水冷を用いて前記減衰器を冷却させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】  
請求項１８乃至１９のいずれか一において、水冷を用いて前記ダンパーを冷却させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】  
非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜をステージに配置し、
前記非単結晶半導体膜と、線状に加工されたレーザ光とを、相対的に移動させながら、前記非単結晶半導体膜に前記レーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は減衰手段を用いて減衰され、前記減衰手段により反射されたレーザ光を、前記減衰器から分離されたダンパーに導入させ、前記減衰器を空冷し、且つ前記ダンパーを水冷することにより前記減衰器にて減光されたレーザ光の照射エネルギーを保ちながら、前記非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】  
請求項１７乃至２２のいずれか一において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】  
請求項１７乃至２２のいずれか一において、前記レーザ発振器は、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。