Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  互いに離れた第一の複数の環状導電性リングと、
それぞれ内側に伸長するスロットを有しており、周方向に互いに離れた第二の複数の非導電性支持構造物とから成るアセンブリにおいて、
前記第一の複数の導電性リングがそれぞれ、前記第二の複数の支持構造物内の、前記内側に伸長するスロットに取り付けられて、各導電性リングが隣接する前記導電性リングから離されていることを特徴とする電気スリップリングアセンブリ。
【請求項２】  前記導電性リングが、前記第二の複数の支持構造物に取り付けられる場合、互いに縦方向に離れていることを特徴とする、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項３】  前記導電性リングが、前記第二の複数の支持構造物に取り付けられる場合、互いに横方向に離れていることを特徴とする、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項４】  更に、前記内側に伸長しているスロットのいくつかに取り付けられたバリアを含む、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項５】  前記内側に伸長しているスロットがリングスロットとバリアスロットとを含み、各リングスロットがそれに隣接するバリアスロットを有することを特徴とする、請求項４に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項６】  前記バリアスロットが前記リングスロットより深いことを特徴とする、請求項４に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項７】  各前記第一の複数の導電性リングが同じ径を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項８】  各前記第一の複数の導電性リングが異なる径を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項９】  各前記導電性リングの接触面が前記内側に伸長するスロット内に位置することを特徴とする、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１０】  第二の複数の非導電性支持構造物がくし状構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１１】  更に、前記第一の複数の導電性リングを前記第二の複数の支持構造物に固定するファスナを含む、請求項１に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１２】  互いに離れた第一の複数の導電性リングと、
それぞれ内側に伸長するスロットを有しており、周方向に互いに離れた第二の複数の非導電性支持構造物とから成るアセンブリにおいて、
前記第一の複数の導電性リングはそれぞれ前記第二の複数の支持構造物内の、前記内側に伸長するスロットに取り付けられて、各導電性リングが隣接する前記導電性リングから離されており、
前記導電性リングが、前記第二の複数の支持構造物に取り付けられる場合、互いに縦方向に離されていることを特徴とする、電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１３】  更に、前記内側に伸長するスロットのいくつかに取り付けられたバリアを含む、請求項１２に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１４】  前記内側に伸長しているスロットがリングスロットとバリアスロットとを含み、各リングスロットがそれに隣接するバリアスロットを有していることを特徴とする、請求項１３に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１５】  前記バリアスロットが前記リングスロットよりも深いことを特徴とする、請求項１３に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１６】  各前記第一の複数の導電性リングが同じ径を有することを特徴とする、請求項１２に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１７】  第二の複数の非導電性支持構造物がくし状構造を有することを特徴とする、請求項１２に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１８】  更に、前記第一の複数の導電性リングを前記第二の複数の支持構造物に固定するファスナを含む、請求項１２に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項１９】  互いに離れた第一の複数の環状導電性リングと、
それぞれ内側に伸長するスロットを有しており、周方向に互いに離れた第二の複数の非導電性支持構造物とから成るアセンブリにおいて、
前記第一の複数の導電性リングはそれぞれ、前記第二の複数の支持構造物内の、前記内側に伸長するスロットに取り付けられて、各導電性リングは隣接する前記導電性リングから離されており、
前記導電性リングが、前記第二の複数の支持構造物に取り付けられる場合、互いに横方向に離されていることを特徴とする電気スリップリングアセンブリ。
【請求項２０】  更に、前記内側に伸長するスロットのいくつかに取り付けられているバリアを含む、請求項１９に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項２１】  前記内側に伸長しているスロットがリングスロットとバリアスロットとを含み、各リングスロットがそれに隣接するバリアスロットを有していることを特徴とする、請求項２０に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項２２】  前記バリアスロットが前記リングスロットより深いことを特徴とする、請求項２０に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項２３】  各前記第一の複数の導電性リングが異なる径を有することを特徴とする、請求項１９に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【請求項２４】  第二の複数の非導電性支持構造物がくし状構造を有することを特徴とする、請求項１９に記載の電気スリップリングアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光強度値が所定範囲内の入射光を検出し、前記検出した入射光を第１の電気信号に変換するフォトセンサと、
前記フォトセンサに接続され、入力される前記第１の電気信号に基づいた、かつ、前記第１の電気信号に対応したスケーリング済みの第２の電気信号を生成するプリスケーラであって、前記スケーリング済みの第２の電気信号は、前記第１の電気信号に依存する可変のスケーリングファクタを使用して該プリスケーラによって生成されることからなる、プリスケーラと、
前記プリスケーラの出力に接続され、入力された前記スケーリング済みの第２の電気信号を増幅すると共に、少なくとも概ね線形利得のダイナミックレンジを有するプリアンプ
を備える、フォトレシーバ構成であって、
前記プリスケーラと前記プリアンプは、光強度値が前記所定範囲内にある任意の光強度値に対して、前記スケーリング済みの第２の電気信号が、前記プリアンプの前記ダイナミックレンジ内に収まるように相互に整合のとれた構成で設計され、前記スケーリング済みの第２の電気信号は、前記プリアンプとは独立して前記プリスケーラによって生成されることからなる、フォトレシーバ構成。
【請求項２】
前記フォトセンサは赤外線センサであり、前記プリスケーラ及びプリアンプは前記赤外線センサと整合するように構成される、請求項１記載のフォトレシーバ構成。
【請求項３】
前記プリスケーラは、１組の個々のスケーリングファクタによって前記第１の電気信号のスケーリングを実行するように構成される、請求項１記載のフォトレシーバ構成。
【請求項４】
前記プリスケーラは、そのスケーリングファクタが、前記第１の電気信号によって決定されるように構成される、請求項３記載のフォトレシーバ構成。
【請求項５】
前記プリスケーラはプログラム可能な電流ミラーから構成される、請求項１記載のフォトレシーバ構成。
【請求項６】
前記プリスケーラは電流検出回路を有し、前記電流検出回路は前記プログラム可能な電流ミラーを制御するために前記プログラム可能な電流ミラーに接続される、請求項５記載のフォトレシーバ構成。
【請求項７】
前記電流検出回路はＡ／Ｄコンバータである、請求項６記載のフォトレシーバ構成。
【請求項８】
前記プログラム可能な電流ミラーはＭＯＳ又はＢＪＴトランジスタによって実施される、請求項５記載のフォトレシーバ構成。
【請求項９】
前記プリアンプは、オペアンプと、前記オペアンプの出力と負入力の間に接続されたフィードバック抵抗及びフィードバックコンデンサとから構成されるトランスインピーダンスアンプである、請求項１記載のフォトレシーバ構成。
【請求項１０】
前記フォトセンサ、前記プリスケーラ、及び前記プリアンプはシングルエンド構成をなすように構成される、請求項１記載のフォトレシーバ構成。
【請求項１１】
前記フォトセンサ、前記プリスケーラ、及び前記プリアンプは、差動又は擬似差動構成をなすように構成される、請求項１記載のフォトレシーバ構成。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対をなす係合素子の絡み合い、噛み合わせ等により機械的結合を行う面ファスナーにおいて、
少なくとも一方の前記係合素子が、シート状の基材とその基材上に突起物として配設された複数個のステム体とからなり、かつそれぞれのステム体が、柔軟な弾性樹脂材料と高剛性の硬質樹脂材料の複合体からなることを特徴とする面ファスナー。
【請求項２】  ループ状係合素子と、前記ステム体をフックとして有するフック状係合素子の対からなるフック・ループ式ファスナーであることを特徴とする請求項１に記載の面ファスナー。
【請求項３】  前記フック状係合素子が、それが配設されている基材の裏面にさらに補強材を有していることを特徴とする請求項１に記載の面ファスナー。
【請求項４】  前記補強材が、織布、不織布、編布又はその組み合わせであることを特徴とする請求項３に記載の面ファスナー。
【請求項５】  前記ステム体が、円板型、きのこ型、かぎ型、くさび型又はやじり型の頂頭部を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の面ファスナー。
【請求項６】  前記ステム体が、中心材とその外周の実質的な部分を包囲した外被材とを備える２層構造の複合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の面ファスナー。
【請求項７】  前記中心材が前記弾性樹脂材料からなり、かつ前記外被材が前記硬質樹脂材料からなることを特徴とする請求項６に記載の面ファスナー。
【請求項８】  前記中心材が前記硬質樹脂材料からなり、かつ前記外被材が前記弾性樹脂材料からなることを特徴とする請求項６に記載の面ファスナー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２のノード(110)から第１のノード(110)へ情報を送信する方法であって、
前記第１のノード(110)と前記第２のノード(110)の間に通信リンク(130)を確立するステップと、
前記第１のノード(110)と前記第２のノード(110)の間で、前記通信リンク(130)を介した１以上のデータトランザクションの送信を可能にするステップと、
前記第２のノード(110)から前記第１のノード(110)へ送信されているデータトランザクションのデータストリーム(135)を識別するステップと、
前記トランザクションを停止させ、前記データストリーム(135)に情報を挿入することにより、前記データストリーム(135)によって前記情報を前記第２のノード(110)から前記第１のノード(110)へ送信するステップと
からなり、
前記第２のノード(110)から前記第１のノード(110)に対してデータトランザクションが開始された場合、前記情報は該データトランザクションの一部を構成しない、方法。
【請求項２】
前記第１のノード(110)及び前記第２のノード(110)を２つの異なる周波数で動作させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のノード(110)にタスクを実行させるための命令を前記情報に含めるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記情報を前記第１のノード(110)と前記第２のノード(110)との同期をとるために通常用いられるパケットに入れて送信するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記情報を前記第２のノード(110)から前記第１のノード(110)へ送信されているデータストリームの一部としてカウントされないパケットに入れて送信するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のノード(110)および前記第２のノード(110)が、コンピュータシステム、ネットワーク装置、マイクロプロセッサおよび電子チップからなるグループの中から選択される、請求項１に記載１の方法。
【請求項７】
前記トランザクションを停止させた時点での該トランザクションの状態を保存し、保存された前記状態に基いて前記トランザクションを再開させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第２のノード(110)から第１のノード(110)へ情報を送信する方法であって、
前記第１のノード(110)と前記第２のノード(110)との間に通信リンク(130)を確立するステップと、
前記第２のノード(110)から前記データリンク(130)を介して第１のノード(110)へ送信されているデータトランザクションであってヘッダおよび複数のデータ片(135)を含むデータトランザクションを識別するステップと、
前記第１のノード(110)において前記データ片(135)をカウントし、前記ヘッダのデータに基いて前記トランザクションの終わりを識別するステップと、
前記データトランザクションを停止し、前記情報を含むパケットを前記第１のノード(110)へ向けて前記通信リンク(130)に送信するステップと、
前記第１のノード(130)において前記パケットが前記トランザクションの一部ではないものとしてカウントするステップと、
からなる方法。
【請求項９】
前記第１のノード(110)及び前記第２のノード(110)を２つの異なる周波数で動作させるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のノード(110)にタスクを実行させるための命令を前記情報に含めるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
既存の圧縮技法の別の欠点は、ユーザが再構成画像を利用可能な全精細さで観察したいと望めないあるいは望んでいない場合であっても大きなデータファイルを保存、アクセス及び伝送することである。例えば、医用イメージングにおいて、極めて精細な画像を収集し保存することがあるが、画像の観察を希望する放射線医や担当医は、その画像を保存した分解能で表示できるだけの観察ポート（ｖｉｅｗ ｐｏｒｔ）を有していないこともある
。したがって、画像全体を遠隔の観察ステーションに伝送することは、比較的時間がかかる操作であって、現実的な恩恵を全く提供しないことがあり、また画像の読み取りや別の使用を遅滞させることがある。
【特許文献１】米国特許第５０１４３３４号
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部ミラーと、
底部ミラーと、
該上部ミラーと該底部ミラーとの間に配置され、活性発光領域を含む空洞領域と
を含んで、前記上部ミラーと前記底部ミラーとの少なくとも一方が、酸化剤にさらされた結果、電気絶縁体になるように酸化された周辺領域を備えた層を有している垂直スタック構造であり、平面の上部表面を備えた垂直スタック構造を含む垂直空洞面発光レーザであって、
前記平面の上部表面から前記酸化した周辺領域までそれぞれ延びる２つ以上のエッチング加工された穴を前記垂直スタック構造が有し、かぶせられた湿気浸透防護壁によって該エッチング加工された穴のそれぞれが湿気に対してパッシベートされている垂直空洞面発光レーザ。
【請求項２】
前記湿気浸透防護壁が、前記エッチング加工された穴への垂直方向の湿気の浸入を阻止するように選択された厚さを有している請求項１に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項３】
前記湿気浸透防護壁が、厚さが約３００ｎｍ以上の窒化珪素層を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記湿気浸透防護壁が、厚さが約５００ｎｍ以上の窒化珪素層を含む請求項３に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項５】
前記湿気浸透防護壁の剥離を阻止するのに十分な側部表面積を備えるかぶせられた前記湿気浸透防護壁によって、前記エッチング加工された穴のそれぞれが湿気に対してパッシベートされている請求項１に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項６】
複数のエッチング加工された穴が、湿気浸透防護壁材料の単一の連続薄膜によって、湿気に対してパッシベートされている請求項１に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項７】
前記垂直スタック構造の前記平面の上部表面の上に配置され、前記かぶせられる湿気浸透防護壁材料がほとんどない発光領域を囲む上部電極をさらに含む請求項１に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項８】
前記湿気浸透防護壁が、前記垂直スタック構造の上部表面における前記上部電極と、前記発光領域以外の大部分とにかぶせられている請求項７に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項９】
前記湿気浸透防護壁が、湿気浸透界面において前記垂直スタック構造の上部表面と交差する周辺エッジを含むことと、
前記垂直スタック構造の上部表面において、前記エッチング加工された穴のそれぞれが、そのかなりの部分が前記エッチング加工された穴に対する側方湿気浸入を阻止するのに十分な距離だけ前記湿気浸透界面から離隔された、それぞれの周辺エッジによって囲まれている請求項１に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項１０】
前記エッチング加工された穴のそれぞれの周辺部分が、１５ミクロン以上の距離だけ前記湿気浸透防護壁から分離されている請求項９に記載の垂直空洞面発光レーザ。
【請求項１１】
二以上の垂直空洞面発光レーザのアレイであって、各垂直空洞面発光レーザは、
上部ミラーと、
底部ミラーと、
該上部ミラーと該底部ミラーとの間に配置され、活性発光領域を含む空洞領域と
を含んで、前記上部ミラーと前記底部ミラーとの少なくとも一方が、酸化剤にさらされた結果、電気絶縁体になるように酸化された周辺領域を備えた層を有している垂直スタック構造であって、平面の上部表面を備えた垂直スタック構造を含んでおり、
前記平面の上部表面から前記酸化した周辺領域までそれぞれ延びる２つ以上のエッチング加工された穴を前記垂直スタック構造が有し、かぶせられた湿気浸透防護壁によって該エッチング加工された穴のそれぞれが湿気に対してパッシベートされている、二以上の垂直空洞面発光レーザのアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一のウエハ及び第二のウエハと、前記第一のウエハから形成されたガスケットと、前記第二のウエハ上にあり、前記ガスケットと実質的に整合するパッドと、そして前記ガスケットと前記パッドとを接合する接合材料とを備えたウエハレベルパッケージ。
【請求項２】  前記第一のウエハがシリコン製であることを特徴とする請求項１に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項３】  前記ガスケットの幅が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項４】  前記ガスケットの幅が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項５】  前記接合材料が導電性接合材料を含むものであることを特徴とする請求項３に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項６】  前記導電性接合材料が、金、金−錫、錫−鉛、及びパラジウム−錫のグループから選択された金属であることを特徴とする請求項５に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項７】  前記接合材料が非導電性接合材料を含むものであることを特徴とする請求項３に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項８】  前記非導電性接合材料が、ポリイミド、Ｂ段階ビスベンゾサイクロブタン及びガラスのグループから選択された材料であることを特徴とする請求項７に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項９】  第一のウエハ及び第二のウエハと、前記第一のウエハ上に形成されたガスケットと、そして前記ガスケットと前記第二のウエハを接合する接合材料とを備えるウエハレベルパッケージ。
【請求項１０】  前記ガスケットの幅が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項１１】  前記ガスケットの幅が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１０に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項１２】  前記接合材料が、非導電性であることを特徴とする請求項１０に記載のウエハレベルパッケージ。
【請求項１３】  前記非導電性接合材料が、ポリイミド、Ｂ段階ビスベンゾサイクロブタン及びガラスのグループから選択された材料であることを特徴とする請求項１２に記載のウエハレベルパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エアゾール装置にパッケージし、化粧品として受容可能な媒体中に以下を含む毛髪組成物：
・疎水性ブロックと親水性ブロックから成る少なくとも一つのアニオン性又はノニオン性直鎖ジブロックコポリマー、ただし、エチレンオキシドとプロピレンオキシドのブロックコポリマー、ウレタン単位を含むブロックコポリマー及びシロキサン単位を含むブロックコポリマーを除く、及び
・少なくとも一つの噴射剤。
【請求項２】  直鎖ジブロックコポリマーが使用する媒体に溶解性又は分散性であることを特徴とする、請求項１に記載の毛髪組成物。
【請求項３】  親水性ブロックを以下から選択する水溶性モノマーから形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の毛髪組成物：アニオン性の水溶性モノマー及びノニオン性の水溶性モノマー又はこれらの混合物。
【請求項４】  アニオン性の水溶性モノマーを以下から選択することを特徴とする、請求項３に記載の毛髪組成物：エチレン系不飽和カルボン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸及びビニルホスホン酸。
【請求項５】  ノニオン性の水溶性モノマーを以下から選択することを特徴とする、請求項３に記載の毛髪組成物：アクリルアミド、Ｎ−Ｃ1-6アルキルアクリルアミド又はＮ，Ｎ−ジ−Ｃ1-3アルキルアクリルアミド、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、Ｎ−ビニルアセタミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセタミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミド、炭素原子４〜９の環状基を含むＮ−ビニルラクタム、ビニルアルコール、エチレンオキシド、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート及びヒドロキシプロピルメタクリレート。
【請求項６】  疎水性ブロックを以下から選択する水不溶性モノマーから形成することを特徴とする、先の請求項１ないし５のいずれか１項に記載の毛髪組成物：ビニル芳香族モノマー、ジエン及びジエンのアルキル誘導体、クロロプレン、Ｃ1-10アルキル、Ｃ6-10アリール又はＣ1-10アラルキルアクリレート、Ｃ1-10アルキル、Ｃ6-10アリール又はＣ1-10アラルキルメタクリレート、ビニルアセテート、式ＣＨ2＝ＣＨ−Ｏ−Ｒのビニルエーテル及び式ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＨ2−Ｏ−Ｒのアリルエーテル、式中ＲはＣ1-6アルキル基を表す、アクリロニトリル、ビニルクロリド、ビニリデンクロリド、カプロラクトン、エチレン、プロピレン及びフルオロビニルモノマー又はフルオロ鎖を含むビニルモノマー。
【請求項７】  親水性ブロックが２５モル％までの、好ましくは１０モル％までの、理想的には５モル％までの一又は複数の請求項６に記載の水不溶性モノマーを含むことを特徴とする、先の請求項１ないし６のいずれか１項に記載の毛髪組成物。
【請求項８】  疎水性ブロックが２５モル％までの、好ましくは１０モル％までの、理想的には５モル％までの一又は複数の請求項３ないし５のいずれか１項に記載の水溶性モノマーを含むことを特徴とする、先の請求項１ないし７のいずれか１項に記載の毛髪組成物。
【請求項９】  ジブロックコポリマーにおける親水性ブロックに対する疎水性ブロックの質量比率が１／２０〜２０／１、好ましくは１／１０〜１０／１であることを特徴とする、先の請求項１ないし８のいずれか１項に記載の毛髪組成物。
【請求項１０】  先の請求項１ないし９のいずれか１項に記載の毛髪組成物の毛髪のスタイリングへの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月21日(2006.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質を含有してなる細胞死抑制剤。
【請求項２】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質が、マクロファージ遊走阻止因子に対する抗体である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項３】  抗体がモノクローナル抗体である請求項２記載の細胞死抑制剤。
【請求項４】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質が、式
【化１】
2004002404.tif 000001
〔式中、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基または置換基を有していてもよいアミノを示す。〕で表される化合物またはその塩である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項５】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質が、メタロポルフィリン類である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項６】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質が、Antioxidant response element制御下にある遺伝子の発現を促進する物質である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項７】  Antioxidant response element制御下にある遺伝子が、ヘムオキシゲナーゼ−１、Liver glutathione S-transferase Ya subunit、Liver glutathione S-transferase Yc subunit、Glutathione S-transferase Yb subunit、Glutathione S-transferase Yc1 subunit、Gammma-glutamylcysteine synthetase、NAD(P)H:quinone reductase、UDP-glucuronosyltransferase, exon 1、Bilirunin-specific UDP-glucuronosyltransferase、または NAD(P)H-menadione oxidereductaseである請求項６記載の細胞死抑制剤。
【請求項８】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質が、Antioxidant response element制御下にある遺伝子タンパク質の産生を亢進する物質である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項９】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質が、Antioxidant response element制御下にある遺伝子タンパク質の活性を促進する物質である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項１０】  マクロファージ遊走阻止因子を用いることを特徴とする細胞死抑制剤のスクリーニング方法。
【請求項１１】  細胞死抑制剤が、Antioxidant response element制御下にある遺伝子の発現を促進する物質である請求項１０記載のスクリーニング方法。
【請求項１２】  (i) マクロファージ遊走阻止因子および標識されたマクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する化合物を混合した場合、および（ii）試験化合物、マクロファージ遊走阻止因子および標識されたマクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する化合物を混合した場合における、マクロファージ遊走阻止因子に結合した標識化合物の結合量をそれぞれ測定し、比較することを特徴とする請求項１０記載のスクリーニング方法。
【請求項１３】  マクロファージ遊走阻止因子を用いて細胞死抑制剤をスクリーニングする方法であって、マクロファージ遊走阻止因子に結合する物質を選択することにより、細胞死抑制作用を有する物質を得、さらに細胞死抑制作用を有する物質として、Antioxidant response element制御下にある遺伝子の発現を促進する物質を選択する細胞死抑制剤のスクリーニング方法。
【請求項１４】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する物質を選択するために、(i) マクロファージ遊走阻止因子および標識されたマクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する化合物を混合した場合、および（ii）試験化合物、マクロファージ遊走阻止因子および標識されたマクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する化合物を混合した場合における、マクロファージ遊走阻止因子に結合した標識化合物の結合量をそれぞれ測定し、比較する請求項１３記載のスクリーニング方法。
【請求項１５】  マクロファージ遊走阻止因子を含有することを特徴とする細胞死抑制剤のスクリーニング用キット。
【請求項１６】  マクロファージ遊走阻止因子に結合する能力を有する物質を用いることを特徴とするマクロファージ遊走阻止因子の定量方法。
【請求項１７】  請求項１６記載の定量方法を用いるマクロファージ遊走阻止因子が関与する疾患の診断方法。
【請求項１８】  心疾患、神経変性疾患、脳血管疾患、中枢神経感染症、外傷性疾患、脱髄疾患、骨・関節疾患、腎疾患、肝疾患、骨髄異形成疾患、動脈硬化症、糖尿病、肺高血圧症、敗血症、炎症性腸疾患、自己免疫性疾患、移植臓器の拒絶時の障害、エイズもしくは癌の予防・治療剤または移植用臓器の保護剤である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項１９】  炎症性腸疾患の予防・治療剤である請求項１記載の細胞死抑制剤。
【請求項２０】  さらにＨＭＧ−ＣｏＡ還元酵素阻害薬、フィブラート系高脂血症薬および（または）抗癌剤を組み合わせてなる請求項１記載の細胞死抑制剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
還元剤２〜１１重量％とジチオジグリコール酸ジアンモニウム０．２〜４重量％を含有し、縮毛に塗布後、表面温度が６０〜１８０℃のヘアーストレート用アイロンによりストレート化処理するのに用いることを特徴とするパーマネントウェーブ用第１剤。
【請求項２】
請求項１記載のパーマネントウェーブ用第１剤を縮毛に塗布後、５〜３０分間放置し、水洗し、水分が一部残った状態に乾燥した後、表面温度が６０〜１８０℃のヘアーストレート用アイロンを用いて、上記縮毛をストレート化処理することを特徴とする縮毛に対するストレートパーマの施術方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、パーマネントウェーブ用第１剤を還元剤２〜１１重量％とジチオジグリコール酸ジアンモニウム０．２〜４重量％を含有させて調製し、その還元剤を２〜１１重量％含有し、ジチオジグリコール酸ジアンモニウムを０．２〜４重量％含有するパーマネントウェーブ用第１剤を縮毛に塗布後、表面温度が６０〜１８０℃のヘアーストレート用アイロンを用いて、上記縮毛をストレート化処理するときは、縮毛に対して優れたストレート効果とその保持性を有するストレートパーマを付与できることを見出し、本発明を完成するにいたった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のパーマネントウェーブ用第１剤は、後で詳しく説明するように、表面温度が６０〜１８０℃のヘアーストレート用アイロンを用いて縮毛のストレート化処理をするので、上記ヘアーストレート用アイロンによるストレート化処理時に毛髪が熱によって損傷を受けるのを防止できるような成分をパーマネントウェーブ用第１剤中に含有させておくことが好ましい。そのような成分としては、カルボキシメチルセルロースまたはその塩が好ましく、このカルボキシメチルセルロースまたはその塩は毛髪をヘアーストレート用アイロンの熱から保護するとともに、パーマネントウェーブ用第１剤に粘性を付与し、かつ毛髪に対してコンディショニング作用を有している。上記縮毛のストレート化処理にあたって、ヘアーストレート用アイロンの表面温度は、高温側では２２０℃まで加熱することができるが、厚生労働省で許可されている温度の上限が１８０℃なので、本発明においては、それにあわせて、温度の上限を１８０℃にしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ついで、この状態（つまり、上記パーマネントウェーブ用第１剤が縮毛の組織中に浸透した状態）で縮毛を表面温度が６０〜１８０℃のヘアーストレート用アイロンによりストレート化処理する。そして、このヘアーストレート用アイロンによるストレート化処理後は、従来と同様にパーマネントウェーブ用第２剤で毛髪中のメルカプト基（ジスルフィド結合の切断により生成したメルカプト基）を酸化してジスルフィド結合を元の位置とは異なる位置で再生させ、ストレートにした毛髪を固定化する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記ヘアーストレート用アイロンは、表面温度を６０〜１８０℃に加熱でき、縮毛をストレート化することができるものであれば特に特定のものに限られることなく各種のものを用い得るが、例えば、図１に示すものが好適に用いられる。この図１に示すヘアーストレート用アイロンは、握り部４と、電熱ヒーターを備えたプレート部６と、前記握り部４とプレート部６との間に位置する支点部５とを有する本体１と、前記握り部４と対向するレバー部１５と、電熱ヒーターを備え、本体１のプレート部６に対向するプレート部１７と、前記レバー部１５とプレート部１７との間に位置する支点部１６とを有し、その支点部１６が前記本体１の支点部５に回動自在に支持されている挟み部材２とから構成されていることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このヘアーストレート用アイロンに関しては、本出願人が既に特願平１０−１８２８００号として特許出願をしていて、このヘアーストレート用アイロンはその表面温度を６０〜２２０℃の範囲で加熱することができるが、このヘアーストレート用アイロンについて詳しく説明すると、本体１は、握り部４と、その握り部４の前端から下方に延びる支点部５と、その支点部５の下端から前方に延びるプレート部６とを有する。そして、図２に示すように、本体１は左右に２分割した半体１ａ、１ｂとして成形され、半体同士を合わせて接合することにより、一体の本体１となる。本体１のプレート部６には矩形状の凹所７が設けられ、その凹所７内に面状のヒーターＨを収容したプレート８が露出する状態で収容される。なお、凹所７の側壁には凹溝７ａが形成されており、プレート８の側面の突条８ａと嵌合して外れにくいようにしている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明において、ヘアーストレート用アイロンの表面温度を６０〜１８０℃に設定しているのは、ヘアーストレート用アイロンの表面温度が６０℃より低い場合は、温度が低すぎるために縮毛を充分にストレート化することができず、ヘアーストレート用アイロンの表面温度が１８０℃より高い場合は、厚生労働省の許可が得られないという理由によるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サルナシ（Actinidia arguta）樹液またはその希釈液、濃縮液若しくは乾燥物とグリセリンとを有効成分として含有することを特徴とする保湿効果持続剤。
【請求項２】
サルナシ（Actinidia arguta）樹液またはその希釈液、濃縮液若しくは乾燥物とグリセリンとを有効成分として含有することを特徴とする皮表角層水分含有能改善剤。
【請求項３】
サルナシ（Actinidia arguta）樹液またはその希釈液、濃縮液若しくは乾燥物とグリセリンとを有効成分として含有することを特徴とする皮表角層水分含有量安定化剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の式（Ｉ）：
【化１】
2004002372.tif 000001
｛式中、
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ他から独立しており、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル、ヒドロキシカルボニル又はシアノであり；
Ａ及びＥは互いに独立しており、Ｃ1 −Ｃ2 アルキレンであって、１回又は４回までＣ1 −Ｃ4 アルキル基或いはハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル又はシアノで置換されることができ、かつ、
Ｍ+ はアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン又はアンモニウムイオンである。｝
により表される化合物の製造方法であって、以下のステップ：
ａ）以下の式（II）：
【化２】
2004002372.tif 000002
｛式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ａ及びＥは、式（Ｉ）に関して定義された通りである。｝
により表される化合物を、酸化剤の存在下で反応させて以下の式（III)：
【化３】
2004002372.tif 000003
｛式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ａ及びＥは式（Ｉ）に関して定義された通りである。｝
により表される化合物を作り、そして
ｂ）その後、塩基及び触媒量のシアン化物の存在下又はアルカリ金属アルコレート又はアルカリ土類金属アルコレート、或いは水酸化物の存在下で上記化合物を式（Ｉ）の塩に変換する、
を含む前記方法。
【請求項２】  以下の式（III)：
【化４】
2004002372.tif 000004
｛式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ａ及びＥが請求項１において式（Ｉ）に関して定義された通りである。｝
により表される化合物。
【請求項３】  請求項１における式（Ｉ）の化合物の製造における、以下の式（III)：
【化５】
2004002372.tif 000005
｛式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ａ及びＥが請求項１において式（Ｉ）に関して定義された通りである。｝
により表される化合物の使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
したがって本発明は以下の式（Ｉ）：
【化６】
2004002372.tif 000006
｛式中、
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ他から独立しており、水素、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル、ヒドロキシカルボニル又はシアノであり；
Ａ及びＥはそれぞれ互いに独立しており、Ｃ1 −Ｃ2 アルキレンであって、１回又は４回までＣ1 −Ｃ4 アルキル基或いはハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシカルボニル又はシアノで置換されることができ、かつ、
Ｍ+ はアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン又はアンモニウムイオンである。｝
により表される化合物の製造方法であって、以下のステップ：
ａ）以下の式（II）：
【化７】
2004002372.tif 000007
｛式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ａ及びＥは、式（Ｉ）に関して定義された通りである。｝
により表される化合物を、酸化剤の存在下で反応させて以下の式（III)：
【化８】
2004002372.tif 000008
｛式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ａ及びＥは式（Ｉ）に関して定義された通りである。｝
により表される化合物を作り、そして
ｂ）その後、塩基及び触媒量のシアン化物の存在下又はアルカリ金属アルコレート又はアルカリ土類金属アルコレート、或いは水酸化物の存在下で上記化合物を式（Ｉ）の塩に変換する、
を含む前記方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
従来技術によればこれらはアルキレンオキシド類、例えばエチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドまたは異なるかゝるアルキレンオキシドの混合物と反応させることができ、中でもエチレンオキシドまたはエチレンオキシドとプロピレンオキシドとの混合物が有利である。脂肪アルコールを規準として１〜３０モルのアルキレンオキシド、好ましくは１〜１２モルのそれを供給する。この場合の反応温度は約８０〜１６０℃である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【実施例】
Ａ）製造方法：
実施例１：（オレイルアルコール＋１０ＥＯ−ＥＣＡ；Ｈ2 ＳＯ4 での酸性化）
４１２ｇ（０．５６５モル）のオレイルアルコール＋１０ＥＯ（例えば Genapol O 100) を、２Ｌの攪拌式反応器中に窒素雰囲気で最初に導入しそして４０℃に加熱する。次いで十分に攪拌しながら９２．０ｇ（０．７９モル）のクロロ酢酸ナトリウムを導入しそしてこの反応混合物を５０℃に加熱する。次に全部で３５．０ｇ（０．８８モル）の水酸化ナトリウム微粒子を、内部温度が５５℃を超えない様に少しずつに分けて添加する。かゝる各添加の後に混合物を３０分攪拌しそして最後の添加の後に７０℃で２時間攪拌する。この反応混合物を次いで９０℃に加熱しそして温かい硫酸（１５〜２０％濃度）を＜３のｐＨが達成されるまで流入させる。次いで反応混合物を均一に混合し、約１００℃に加熱しそして攪拌機および底部バルブを持つ加熱可能な分離用容器に移す。相分離を攪拌せずに約１００〜１１０℃の温度で実施し、約５時間の分離時間の後に５５２ｇの下側の水性相と淡黄色の液体状態の４４８ｇの生成物が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
表１から判る通り、ここに説明される方法で製造されたエーテルカルボン酸は低い導電性であることではっきり判る少ない電解質含有量に特徴がある。更にこの少ない電解質含有量は、エーテルカルボン酸が著しく変化した固化点挙動を示すという二次的効果をもたらす。この硬化挙動は消費者がこの生成物を低温で使用することを簡単にする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プロキラルケトンを（Ｓ）−アルコールにエナンチオ選択的に水素化する方法であって、白金触媒、変性剤及び水素の存在下にプロキラルケトンを水素化することを含み、ここで、変性剤が、８（Ｒ），９（Ｓ）−立体配置を有する式（XI）：
【化１４】
2004002384.tif 000001
〔式中、
Ｒ9は、Ｈ又はＣＨ3−ＣＨ＝であり、Ｒ7は、Ｈ又はメチルであり、そして
Ｒ8は、非置換の、又はＣ1〜Ｃ4−アルキル置換若しくはＣ1〜Ｃ4−アルコキシ置換の、Ｃ6〜Ｃ14−アリール、あるいは−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−及び−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ4−アルキル）−よりなる群から選択されるヘテロ原子を有するＣ5〜Ｃ13ヘテロアリールであり、該ヘテロアリールは、非置換であるか、又はヒドロキシ、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル−若しくはＣ1〜Ｃ4−アルコキシで置換されている〕
で示される化合物である、方法。
【請求項２】  プロキラルα−ケトンが、非置換であるか、又は水素化条件下で安定な基で置換されている、炭素原子５〜３０個を含有する、飽和又は不飽和の、開鎖又は環式化合物であり、その炭素鎖は、中断されていないか、又は−Ｏ−、＝Ｎ−及び−ＮＲ′−（ここで、Ｒ′は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール又はＣ7〜Ｃ12−アラルキルである）の群からのヘテロ原子によって中断されている、請求項１記載の方法。
【請求項３】  プロキラルケトンが、α−ケトカルボン酸、α−ケトカルボン酸エステル、α−ケトエーテル、α−ケトアセタール及びα，β−ジケトンよりなる群から選択される、請求項２記載の方法。
【請求項４】  プロキラルケトンが、式（I）、（II）、（III）、（IV）又は（V）：
【化１】
2004002384.tif 000002
〔式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ6は、それぞれ独立に、一価の、炭素原子１〜１２個を有する飽和又は不飽和脂肪族基、炭素原子３〜８個を有する飽和又は不飽和環状脂肪族基、環構成原子３〜８個を有し、かつＯ、Ｎ及びＮＲ′の群からのヘテロ原子１個又は２個を有する飽和又は不飽和複素環式脂肪族基、炭素原子４〜１２個を有する飽和又は不飽和環状脂肪族−脂肪族基、炭素原子３〜１２個を有し、かつＯ、Ｎ及びＮＲ′の群からのヘテロ原子１個又は２個を有する飽和又は不飽和複素環式脂肪族−脂肪族基、炭素原子６〜１０個を有する芳香族基、炭素原子４〜９個を有し、かつＯ及びＮの群からのヘテロ原子１個又は２個を有するヘテロ芳香族基、炭素原子７〜１２個を有する芳香族−脂肪族基、あるいは炭素原子５〜１１個を有し、かつＯ及びＮの群からのヘテロ原子１個又は２個を有するヘテロ芳香族−脂肪族基（ここで、Ｒ′は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ5−又はＣ6−シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、又はＣ7〜Ｃ12−アリールである）であり、あるいは
Ｒ1とＲ2、又はＲ1とＲ6は、一緒になって、Ｃ1〜Ｃ6−アルキレン又はＣ3〜Ｃ8−１，２−シクロアルキレンを形成するか、あるいは１，２−フェニレンに縮合した、Ｃ2〜Ｃ4−アルキレン又はＣ3〜Ｃ8−シクロアルキレンを形成し、Ｒ3は、前記に定義したとおりであり、
Ｒ2とＲ3は、一緒になって、Ｃ1〜Ｃ6−アルキレン、Ｃ1〜Ｃ8−アルキリデン、Ｃ3〜Ｃ8−１，２−シクロアルキレン、Ｃ3〜Ｃ8−シクロアリキリデン、ベンジリデン、１，２−フェニレン、１、２−ピリジニレン、１、２−ナフチレンを形成するか、あるいは１，２−シクロアルキレン又は１，２−フェニレンに縮合した、Ｃ3〜Ｃ4−アルキレン又はＣ3〜Ｃ8−１，２−シクロアルキレンを形成し、Ｒ1は、前記に定義したとおりであり、
そして、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ6は、それぞれ非置換であるか、あるいはＣ1〜Ｃ4−アルキル、Ｃ2〜Ｃ4−アルケニル、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ4−ハロアルキル、Ｃ1〜Ｃ4−ヒドロキシアルキル、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシメチル又は−エチル、Ｃ1〜Ｃ4−ハロアルコキシ、シクロヘキシル、シクロヘキシルオキシ、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシルメチルオキシ、フェニル、フェニルオキシ、ベンジル、ベンジルオキシ、フェニルエチル、フェニルエチルオキシ、ハロゲン、−ＯＨ、−ＯＲ4、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ4、−ＮＨ2、−ＮＨＲ4、−ＮＲ4Ｒ5、−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ4、−ＮＲ4−Ｃ（Ｏ）−Ｒ4、−ＣＯ2Ｒ4、−ＣＯ2−ＮＨ2、−ＣＯ2−ＮＨＲ4、−ＣＯ2−ＮＲ4Ｒ5（ここで、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、フェニル又はベンジルである）の群から選択される、１個以上の同一又は異なる基によって置換されている〕
に相当する、請求項３記載の方法。
【請求項５】  変性剤が、８（Ｒ），９（Ｓ）−立体配置を有する式（XI）：
【化２】
2004002384.tif 000003
〔式中、
Ｒ9は、Ｈ又はＣＨ3−ＣＨ＝であり、Ｒ7は、Ｈ又はメチルであり、
Ｒ8は、式：
【化４】
2004002384.tif 000004
で示される基であり、そして、Ｒ10は、Ｈ、ＯＨ又はＣ1〜Ｃ4−アルコキシである〕
で示される化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項６】  用いるプロキラルケトンを基準にして、０．０１〜１０重量％の量で白金金属を用いる、請求項１記載の方法。
【請求項７】  用いる白金金属を基準にして、０．１〜１０，０００重量％の量で変性剤を用いる、請求項１記載の方法。
【請求項８】  水素化を、２００barまでの水素圧の下で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項９】  水素化を、−５０〜1００℃の温度で実施する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  円柱体の形の針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ２＋貯蔵燐光体粒子であって、１〜３０μｍの範囲の平均横断面直径及び１００μｍ〜１０００μｍの範囲の前記円柱体の筒部に沿って測定された平均長さを有する針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ２＋貯蔵燐光体粒子。
【請求項２】  前記燐光体粒子が５〜２００の範囲の横断面直径に対する長さの平均アスペクト比を有する請求項１に記載の針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ２＋貯蔵燐光体粒子。
【請求項３】  平均横断面直径及び平均筒部長さについての変動係数が０．０５から０．３０の範囲である請求項１又は２に記載の針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ２＋貯蔵燐光体粒子。
【請求項４】  スクリーン又はパネルに衝突したＸ線からのエネルギーを貯蔵した燐光体粒子の刺激後に放射線を放出する放射線像貯蔵燐光体スクリーン又はパネルであって、前記パネルが平坦な表面を有する支持体、前記支持体の表面上に延びる多数の円柱体針状燐光体を含み、前記燐光体が請求項１〜３のいずれかに記載の円柱体の形の針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ２＋貯蔵燐光体粒子である放射線像貯蔵燐光体スクリーン又はパネル。
【請求項５】  光反射性被覆が前記円柱体の壁に沿って付着され、刺激を行った後に前記燐光体によって放出される放射線を少なくとも部分的に反射するように配置される請求項４に記載の放射線像貯蔵燐光体スクリーン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  硼素含有量が９５ｐｐｍより多いガスエンジン用潤滑油組成物であって、
粘度指数が８０〜１２０で、少なくとも９０質量％の飽和化合物を含み、硫黄含量が０．０３質量％以下の多量の潤滑油と、
少なくとも一種の金属清浄剤とを含むガスエンジン用潤滑油組成物。
【請求項２】  金属清浄剤が、金属サリチレート清浄剤、金属フェネート清浄剤、金属スルホネート清浄剤、金属カルボキシレート清浄剤、金属チオホスフェート清浄剤、複合／混成金属清浄剤又はこれらの混合物から選択される請求項１記載の組成物。
【請求項３】  金属清浄剤がアルカリ金属又はアルカリ土類金属化合物から選択される請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】  金属清浄剤の金属が、カルシウム、バリウム、ナトリウム、リチウム、カリウム、又はマグネシウムから選択される請求項３記載の組成物。
【請求項５】  金属清浄剤がサリチル酸カルシウムである請求項１〜４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】  硼素含有量が９５〜４００ｐｐｍである請求項１〜５のいずれか１項記載の組成物。
【請求項７】  硼素が硼化金属清浄剤又は硼化分散剤のいずれかによって供給される請求項１〜６のいずれか１項記載の組成物。
【請求項８】  ガスエンジンを請求項１〜７のいずれか１項記載のガスエンジン用潤滑油組成物で潤滑させながらガスエンジンを運転することを含むガスエンジンを潤滑する方法。
【請求項９】  硼素含有量が少なくとも８００ｐｐｍで、少なくとも一種の金属清浄剤を含有するガスエンジン用潤滑油濃縮物。
【請求項１０】  ガスエンジンの潤滑剤として、抗酸化性を改善し付着物の形成を抑制するための請求項１〜７のいずれか１項記載のガスエンジン用潤滑油の使用。