Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ポンプ本体に付属して燃料ポンプ本体を燃料タンクの所定個所に取付けるときに用いるケースを備え、このケースのフランジ部をシール部材を介して燃料タンク側へ押圧することでシール作用を発揮させる形式の燃料ポンプ取付構造において、
前記フランジ部の縁若しくは一部を前記燃料タンク側に折曲げて折曲げ部とし、この折曲げ部の高さを、前記シール部材が所定のシール作用を発揮するシール部材厚さに合致させて取り付けることを特徴とする燃料ポンプ取付構造。
【請求項２】
前記燃料タンクは、前記燃料ポンプ本体を取り付ける所定箇所に、下方に段差を持つ段差部を備え、この段差部に、前記シール部材と前記折曲げ部を位置させて、前記燃料ポンプ本体を取り付けることを特徴とする請求項１記載の燃料ポンプ取付構造。
【請求項３】
前記段差部には、この段差部から前記ケースのフランジ部の外方に延びる水抜き通路を備えたことを特徴とする請求項２記載の燃料ポンプ取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料ポンプ取付構造
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、燃料タンクの内部に内蔵し、燃料ポンプ本体に付属して燃料ポンプ本体を燃料タンクの所定個所に取付けるときに用いる燃料ポンプケースの取付構造に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、所定のシール作用を確保し、締め代管理を容易にする燃料ポンプ取付構造を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
燃料タンク側へ押圧してシール作用を発揮する燃料ポンプケースのフランジ部を折曲げ、折曲げたフランジ折曲げ部の高さを、シール部材が所定のシール作用を発揮するようにシール部材厚さに合致させた。
フランジ折曲げ部の高さをシール部材厚さに合致させたので、フランジ折曲げ部の高さの管理のみで所定のシール作用を容易に発揮させることができる。
請求項２に係る発明では、燃料タンクは、燃料ポンプ本体を取り付ける所定箇所に、下方に段差を持つ段差部を備え、この段差部に、シール部材と折曲げ部を位置させて、燃料ポンプ本体を取り付けることを特徴とする。
請求項３に係る発明は、段差部には、この段差部からケースのフランジ部の外方に延びる水抜き通路を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に係る発明では、燃料ポンプケースのフランジ部を折曲げ、折曲げたフランジ折曲げ部の高さをシール部材厚さに合致させたので、フランジ折曲げ部の高さの管理のみで、所定のシール作用を容易に確保することができるという利点がある。
請求項２に係る発明では、燃料ポンプ本体を取り付ける所定箇所に、下方に段差を持つ段差部を備え、この段差部に、シール部材と折曲げ部を位置させて、燃料ポンプ本体を取り付けるので、燃料ポンプを低く配置することができる。燃料ポンプを低く配置することが可能となるため、フロアをフラット形状にし易くなるという利点がある。
請求項３に係る発明では、段差部には、この段差部からケースのフランジ部の外方に延びる水抜き通路を備えたので、段差部の水抜きが確実にできるという利点がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図７は図３の別実施例図であり、燃料ポンプケース８０の上に固定部材１０１を載せて、締付けナット１０２により燃料ポンプケース８０を固定したことを示す。
本図において、締付けナット１０２による締付け箇所を８箇所としたが、必要に応じて締付けナット１０２の個数を変更することも可能である。
また、ケース取付けブラケット９６Ｂの上面１０７Ｂには、取付け穴に沿って下方に段差を持つ段差部２０１を備え、さらに水抜き通路２０２を備えた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図９は本発明の別実施例に係るサブブラケットの矢視図であり、１１６はサブブラケット９７Ｂの脚部、９８はボルトを示す。
図に示すように、ブラケットの脚部１１６の間にあってボルト９８の下方の一箇所に水抜き通路２０２を配置した。
別実施例によれば、燃料ポンプを低く配置することができることから、ステップフロア３３をフラット形状にし易くなる。また、段差部２０１の水抜きも確実にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この様な構成を有する上記下枠４に沿う移動を可能にする為に、上記各ガラス障子２ａ、２ｂの下辺を構成する前記下框７ａ、７ｂの両端部近傍部分に戸車１６ａ、１６ｂを、屋内外方向に設けられた横軸を中心とする回転自在に支持している。これら各戸車１６ａ、１６ｂは、従来から一般的な引違戸に使用されていた戸車と同様のもので、外周面中央部に凹溝１７ａ、１７ｂを、全周に亙り形成している。この様な凹溝１７ａ、１７ｂを設けた上記各戸車１６ａ、１６ｂをそれぞれ１対ずつ支持した上記各下框７ａ、７ｂは、上記下部案内レール１４ａ、１４ｂと上記各凹溝１７ａ、１７ｂとを係合させる事で、上記下枠４の上方位置に、この下枠４に沿った水平移動を自在に支持している。
以上の構成により、上記各ガラス障子２ａ、２ｂを上記窓枠１の内側に、水平移動自在に建て込んでいる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005113556.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2005113556.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2005113556.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（３）透湿度：ＪＩＳ  Ｌ  １０９９に準じて測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
２）建材用通気性フィルムの作成
［製膜工程／未延伸膜状成形物の作成］
前記ペレット状の樹脂組成物を、５０ｍｍ押出機を用い、押出温度２４０℃、吐出量１０ｋｇ／ｈｒで溶融混練し、周長２３６ｍｍ（直径７５ｍｍφ）、リップクリアランス０．６ｍｍの円形リップより筒状に押出し、風速２ｍ／ｍｉｎのエアーを当てながら冷却し、厚み１２０μｍ、周長７０７ｍｍ（折径２２５ｍｍ）の膜状成形物であるインフレーションフィルムを作成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
（比較例１）
線状低密度ポリエチレン（ＦＳ１５０Ａ（商品名）、東ソー（株）製、密度０．９２１、ＭＦＲ１．０ｇ／１０ｍｉｎ）４０重量％と平均粒径１μｍの炭酸カルシウム６０重量％とをヘンシェルミキサー（商品名）で混合後、２軸押出機（口径５０ｍｍ）を用いて溶融混練してペレット化し、建材用通気性フィルム用樹脂組成物を得た。該樹脂組成物を、５０ｍｍ押出機を用い、押出温度２２０℃、吐出量１０ｋｇ／ｈｒで溶融混練し、周長２３６ｍｍ（直径７５ｍｍφ）、リップクリアランス０．６ｍｍの円形リップより筒状に押出し、エアーを当てながら冷却し、厚み８０μｍ、周長４７２ｍｍ（折径１５０ｍｍ）の膜状成形物であるインフレーションフィルムを作成した。次に、前記膜状成形物を、縦一軸延伸機を用い、延伸ロール温度６０℃、繰り出し速度１０ｍ／ｍｉｎ、延伸倍率２倍の条件で、縦方向（ＭＤ）に一軸延伸を実施した。更に、延伸温度８０℃、変形速度２００％の条件で縦方向を拘束しながら横方向（ＴＤ）に１．５倍延伸を実施し建材用通気性フィルムを得た。得られた建材用通気性フィルムは透湿度の値の割には透気抵抗度が大きく、強度が低めであった。膜状成形物の延伸性と建材用通気性フィルムの特性を表１に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、リグニンのβ-Ｏ-４ポリエーテルの製法及び高分子量のリグニンのβ-Ｏ-４ポリエーテルに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の方法により得られたポリマーは、リグニンの主要な結合様式であるβ-Ｏ-４構造を持つ規則性ポリマーであり、高分子量のものは新規なポリマーである。
このポリマーは、木材やパルプ廃液から得られるリグニンが利用される分野において広く応用できると考えられる。例えば、樹脂、接着剤、炭素繊維などのほか生分解性プラスチックなどの分野で用いることができる。
リグニンの利用開発としては合成ポリマーとのブレンドポリマーに関するものがさかんにおこなわれており、本発明のポリマーも同じように使うことができる。また、様々な官能基を導入することにより、天然のリグニンにはない生体適合性などの新しい機能を付与することができると期待される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また中空糸膜モジュールユニット１５からは槽内の液を排水した後に液切りとともに多量の付着物が下方に落下する。特に図１５のようにモジュールユニットが反転する場合はその量が多く、モジュールユニットの下方に配置された散気装置１７の散気孔を閉塞する。従って散気装置１７は実質上モジュールユニットの直下には配置せず、中空糸膜モジュールユニット１５の下方投影面に対して中空糸膜モジュールユニット１５占有位置の外側で占有面積の２倍以内の範囲に配置されていることが好ましい。より好ましくは１．５倍以内であり、最も好ましくは１．２倍以内である。このようであればモジュールの反転に関わらず、下方に落下した汚れが散気装置１７を閉塞することがなく好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
中空糸膜モジュールユニット１５占有位置の外側の散気装置１７からの気泡を導くため、モジュールユニット１５の下方から散気装置１７を覆うように、散気装置１７はスカート１８に覆われていることが好ましい。スカート１８はモジュールユニット１５から下方に向かって開口面積が広がっており、スカート１８の下端が散気装置１７の設置位置よりも低いことで散気装置１７を覆う構造になっていることが好ましい。スカート１８の形状は図１４のように下方に向かって開口面積が広がっているものであれば特に限定するものではない。材質についても同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
複数の中空糸膜モジュールを並列して透過水を取り出す場合には各モジュールを透過水取得手段に接続するのもよいが、各々のモジュールを図１４のような連結部材１９を介して接続するとポンプ等の透過水取得手段を用いる場合にはポンプ台数が少なくなり好ましい。より好ましくは中空糸膜モジュールユニットの各中空糸膜モジュールの透過水取出し部が連結部材１９を介して接続されることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１：中空糸膜
２：中空糸膜の先端部
３：固定部
４：集水部材
５：集束部
６：中空糸膜モジュール
７：薄肉部
８：厚肉部
９：透過水取出し部
１０：充填材
１１：透過性を有するポリマー
１２：中空糸膜の圧着部
１３：中空糸膜の先端開放部
１４：保護板
１５：中空糸膜モジュールユニット
１６：ユニット容器
１７：散気装置
１８：スカート
１９：連結部材
２０：反転軸
Ｗ：固定部の断面幅
Ｈ：固定部の固定部切断端からの高さ
ｔ：固定部の断面厚さ
Ｒ：固定部の端部での丸みの半径
Ｌ：中空糸膜長
ｄ：中空糸膜外径
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
1999128692.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月14日(2006.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密容器の製造方法であって、
第１の部材と第２の部材を接合する工程を有しており、
該接合する工程は、
前記第１の部材上に設けられた下地上に、低融点金属を有する接合材を設ける工程と、
該接合材を加熱する工程と、
前記第２の部材上に設けられた酸化物を含む膜と前記加熱された接合材とを接触させる工程と、
を有しており、
前記下地は、前記接合材の該下地に対する濡れ性が、前記第１の部材の前記下地を形成する前の面に対する前記接合材の濡れ性よりも良好であるような下地であることを特徴とする気密容器の製造方法。
【請求項２】
前記接合する工程は、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合して、気密空間を規定する閉じた接合線を形成する工程であり、
前記接触させる工程は、該工程によって設けられる酸化物を含む膜が、前記閉じた接合線となるべき位置の全長に渡って前記接合材と接触可能に存在する状態にすることを含む請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項３】
前記下地は金属からなる請求項１または２に記載の気密容器の製造方法。
【請求項４】
前記下地は前記接合材よりも酸化されにくい金属からなる請求項３に記載の気密容器の製造方法。
【請求項５】
前記酸化物は、ＳｉＯ2もしくはＰｂＯである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項６】
前記接合材を設ける工程が、前記接合材を加熱する工程の後に行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項７】
前記接合材を設ける工程が、前記接合材を加熱する工程とともに行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項８】
前記接合材がインジウムもしくはインジウムを含む合金である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項９】
前記接合材を加熱する工程は、前記接合材の少なくとも表面が酸化する条件で行う請求項１乃至８のいずれか一項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項１０】
前記接触させる工程は、前記酸化物を含む膜と加熱して溶融した前記接合材とを接触させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項１１】
気密容器と、該気密容器内の表示素子と、を有する画像表示装置の製造方法であって、前記気密容器を請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の製造方法によって製造する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記気密容器は、第１の基板、該第１の基板に対向する第２の基板、該第１の基板と第２の基板との間の気密空間を囲む包囲部材を有しており、前記第１の部材は、前記包囲部材である請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記気密容器は、第１の基板、該第１の基板に対向する第２の基板、該第１の基板と第２の基板との間の気密空間を囲む包囲部材を有しており、前記第１の部材は、前記第１の基板もしくは第２の基板である請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
多くの場合、典型的なＨＶ解決策では、１５０℃を超える温度を含む高温度状態を取り扱うことが困難である。連続１０５℃に定格されているに過ぎないエチレンプロピレン（ＥＰＲ）ゴムを含む構成部品は、そのような用途のためには極めて問題である。
【特許文献１】米国特許第６５８４１７２号
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押抜作業を利用してグリッドを形成することを含む方法によって作られ；
前記グリッドは、
約０．０５重量％〜約０．０８重量％の量のカルシウム；
約１．２重量％〜約１．８重量％の量のスズ；および
約０．０４重量％未満の量のビスマス；そして
残部の鉛；
からなる合金から形成され；
それによって、合金の硬度安定性を高めるのに十分なビスマスの量が、供給される、電流収集突出部と複数のワイヤとを有するバッテリーのグリッド。
【請求項２】
カルシウムの量が約０．０５重量％〜約０．０７２５重量％である、請求項１記載のグリッド。
【請求項３】
カルシウムの量が約０．０５５重量％〜約０．０７重量％である、請求項１記載のグリッド。
【請求項４】
カルシウムの量が約０．０６重量％〜約０．０７重量％である、請求項３記載のグリッド。
【請求項５】
スズの量が約１．２重量％〜約１．６５重量％である、請求項１記載のグリッド。
【請求項６】
カルシウム対スズの比が約１２：１より大きい、請求項１記載のグリッド。
【請求項７】
合金がさらに不純物要素として銀を含む、請求項１記載のグリッド。
【請求項８】
合金がさらに約０．０００５重量％〜約０．０２重量％の量の銀を含む、請求項１記載のグリッド。
【請求項９】
合金がさらに約０．００１重量％〜約０．００５重量％の量の銀を含む、請求項１記載のグリッド。
【請求項１０】
ビスマスの量が約０．０００５重量％〜約０．０２２５重量％である、請求項１記載のグリッド。
【請求項１１】
ビスマスの量が約０．００１重量％〜約０．０１９０重量％である、請求項１０記載のグリッド。
【請求項１２】
ビスマスの量が約０．０１１５重量％より多い、請求項１１記載のグリッド。
【請求項１３】
ビスマスの量が約０．０１１５重量％〜約０．０１６５重量％である、請求項１記載のグリッド。
【請求項１４】
グリッドを形成するステップの前に、合金からスラブを形成することをさらに含む、請求項１記載のグリッド。
【請求項１５】
押抜作業を利用してグリッドを形成するステップの前に、スラブを圧延してこれの厚さを減少することをさらに含む、請求項１４記載のグリッド。
【請求項１６】
スラブを圧延してこれの厚さを減少するステップが、スラブの最初の厚さの約１０％までスラブの厚さを減少することを含む、請求項１５記載のグリッド。
【請求項１７】
スラブを形成するステップが、スラブを鋳造することを含む、請求項１４記載のグリッド。
【請求項１８】
グリッドが、
グリッド合金のスラブを供給すること；
スラブを圧延してこれの厚さを減少すること；および
グリッドを形成するために圧延ステップ後スラブを押抜きすること；
を含む方法によって製造され；
前記グリッド合金が、
約０．０５重量％〜約０．０８重量％の量のカルシウム；
約１．２重量％〜約１．８重量％の量のスズ；および
約０．０１１５重量％より多い量のビズマス；そして
残部の鉛；
からなる、電流を収集する突出部と複数のワイヤとを有するバッテリーのグリッド。
【請求項１９】
スズの量が約１．５重量％未満である、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２０】
グリッド合金が約０．０００５重量％〜約０．０２重量％の量の銀を含む、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２１】
グリッド合金が約０．００１重量％〜約０．０１５重量％の量の銀を含む、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２２】
グリッド合金が約０．００１重量％〜約０．００５重量％の量の銀を含む、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２３】
グリッド合金が不純物要素として銀を含む、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２４】
ビスマスの量が約０．０２７５重量％未満である、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２５】
ビスマスの量が約０．０２２５重量％未満である、請求項２１記載のグリッド。
【請求項２６】
ビスマスの量が約０．０１９重量％未満である、請求項２５記載のグリッド。
【請求項２７】
ビスマスの量が約０．０１５重量％〜約０．０１６５重量％である、請求項２６記載のグリッド。
【請求項２８】
ビスマスの量が約０．０４重量％未満である、請求項１８記載のグリッド。
【請求項２９】
グリッド合金のスラブを供給するステップが、グリッド合金からスラブを鋳造することを含む、請求項１８記載のグリッド。
【請求項３０】
グリッド合金のスラブを供給すること；
スラブの厚さを減少すること；および
スラブの厚さを減少するステップ後グリッドを形成するためにスラブを押抜きすること；
を含み；
前記グリッド合金が、
約０．０５重量％〜約０．０８重量％の量のカルシウム；
約１．２重量％〜約１．８重量％の量のスズ；および
約０．０４重量％未満の量のビスマス；そして
残部の鉛；
から本質的になる、電流を収集する突出部と複数のワイヤとを有するバッテリーのグリッドの製造方法。
【請求項３１】
カルシウムの量が約０．０５５重量％〜約０．０７重量％である、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
カルシウムの量が約０．０６重量％〜約０．０７重量％である、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
スズの量が約１．２重量％〜約１．６５重量％である、請求項３０記載の方法。
【請求項３４】
カルシウム対スズの比が約１２：１より大きい、請求項３０記載の方法。
【請求項３５】
グリッド合金が不純物として銀を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３６】
ビスマスの量が約０．０００５重量％〜約０．０２２５重量％である、請求項３０記載の方法。
【請求項３７】
ビスマスの量が約０．００１重量％〜約０．０１９０重量％である、請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
スラブを形成するステップがスラブを鋳造することを含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３９】
押抜作業を利用してグリッドを形成するステップの前に、スラブを圧延してこれの厚さを減少することをさらに含む、請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
スラブを圧延してこれの厚さを減少するステップが、スラブの最初の厚さの約１０％までスラブの厚さを減少することを含む、請求項３９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、離脱力がプラグ及び関連する導線の強さの限度を上回るように、プラグは設計されてはならない。よって、例えば、最大の離脱力は、３００ニュートンでセットされることができる。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／００１９１７３号明細書
【特許文献２】米国特許第４５５０９６７号明細書
【特許文献３】米国特許第５７１３７５２号明細書
【特許文献４】米国特許第６１０２７２７号明細書
【特許文献５】米国特許第６６５５９７１号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に成膜したシリコン膜に選択的にレーザ光を照射して改質された改質領域を有し、当該改質領域にアクティブ回路が設けられたアクティブ・マトリクス基板を備え、
前記改質領域に設けられた前記アクティブ回路は前記アクティブ・マトリクス基板の表示領域に形成された画素回路と、該表示領域の第１方向沿いに並ぶ該画素回路の群毎に対応して該表示領域の周辺に形成された駆動回路とを含み、
前記表示領域にて前記第１方向に交差する第２方向沿いに並ぶ前記画素回路のピッチは、該表示領域にて該第２方向沿いに並ぶ画素のピッチの２倍に等しいことを特徴とするアクティブ・マトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記第２方向沿いに並ぶ前記駆動回路のピッチは前記画素回路のピッチに等しいことを特徴とする請求項１に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記アクティブ回路がボトムゲート型薄膜トランジスタで形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記アクティブ回路が薄膜トランジスタであり、該薄膜トランジスタのゲートがタングステンまたはモリブデンを主成分とする配線材料で形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置。
【請求項５】
絶縁基板上に成膜したシリコン膜に選択的にレーザ光を照射して改質された改質領域を有し、当該改質領域には当該絶縁基板の表示領域に第１方向及びこれに交差する第２方向に沿って配置される複数の画素の各々の画素回路部が形成されるアクティブ・マトリクス基板を具備したアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法であって、
前記表示領域にて前記第1方向に並ぶ前記画素の群の前記第２方向に隣り合う一対毎に、該一対の一方の群に属する前記画素回路部の第1群と該一対の他方の群に属する前記画素回路部の第２群とを該第２方向沿いに対向するように集約して配置し、
前記画素回路部の第１群及び第２群が集約して配置される部分毎にレーザ光の往復走査を行って該画素回路部のシリコン膜に選択的にレーザ光を照射して改質し、
改質されたシリコン膜に画素回路を形成することを特徴とするアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記画素回路部のシリコン膜がCVD法で形成されたアモルファスシリコン膜であり、前記改質されたシリコン膜がポリシリコン膜であることを特徴とする請求項５に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記画素回路部のシリコン膜がアモルファスシリコン膜から改質されたポリシリコン膜であり、改質されたシリコン膜がより改質されたポリシリコン膜であることを特徴とする請求項５に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記画素回路部のシリコン膜がスパッタ法で形成されたポリシリコン膜であり、改質されたシリコン膜がより改質されたポリシリコン膜であることを特徴とする請求項5に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素回路部のシリコン膜がCVD法で形成されたポリシリコン膜であり、改質されたシリコン膜がより改質されたポリシリコン膜であることを特徴とする請求項５に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記選択的にレーザ光が照射される領域を、前記アクティブ・マトリクス基板上にストライプ状に形成することを特徴とする請求項５乃至９の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザ光の波長が４００nm乃至２０００nmの固体レーザであることを特徴とする請求項５乃至１０の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザ光を生成するレーザがエキシマレーザであることを特徴とする請求項５乃至１１の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記アクティブ・マトリクス基板上を走査する前記レーザ光の照射幅が２０μm乃至１０００μmであることを特徴とする請求項５乃至１２の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザ光の走査速度が１mm／ｓ乃至１０００mm／ｓであることを特徴とする請求項１３に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記アクティブ・マトリクス基板上を走査するレーザ光が単一のレーザ光を分割した複数のレーザ光であり、前記複数のレーザ光を用いて並列に走査することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記アクティブ・マトリクス基板上を走査するレーザ光が複数のレーザ発振機の並列動作させた複数のレーザ光であり、前記複数のレーザ光を用いて並列に走査することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のアクティブ・マトリクス型表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）は、水晶、タンタル酸リチウム等の圧電基板上に櫛歯状の電極指から成るＩＤＴ電極（インターディジタルトランスジューサ）電極、反射器等の機能部パターンを配置した構成を備え、例えばＩＤＴ電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
ＳＡＷフィルタは、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を発揮するため、通信分野で広く利用されている。近年、通信端末の高性能化に伴い、ＳＡＷフィルタには更に小型かつ高減衰な特性が強く要求されている。
従来の表面実装型ＳＡＷフィルタ１００として、例えば図６（ａ）に示すように、ＳＡＷチップ１０１を、パッケージ１１０の凹所１１６内に収容したものが知られている。即ち、このＳＡＷチップ１０１は、圧電基板１０２の主面上に、櫛形電極としてのＩＤＴ電極及び反射器から成る機能部パターン１０３と、ＩＤＴ電極の各端子と接続された接続パッド１０４と、を備えた構成を備えている。パッケージ１１０は、絶縁材料から成る底板１１１と、底板の上面周縁に沿って立設されることにより凹所１１６を形成する絶縁材料から成る外周壁１１２と、底板１１１の底面に配置した複数の外部電極１１３と、底板１１１の上面に配置され且つ各外部電極１１３と導通した複数の上部電極１１４と、外周壁１１２の上面に配置されて各上部電極１１４と導通したシールリング１１５と、シールリング１１５上に固定されることにより凹所１１６を気密封止する金属キャップ１１７と、を備えている。
このＳＡＷフィルタ１００にあっては、機能部パターン１０３が下向きになるようにＳＡＷチップをフェイスダウン状態にし、この状態で、底板１１１上の上部電極１１４と接続パッド１０４とを導体バンプ１２０を介して接続してフリップチップ実装することによりＳＡＷチップ１０１のマウントを行い、最後にシールリング１１５上に金属キャップ１１７を固着することにより気密構造が完成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
次に、図３は、圧電基板１１上の配線パターン（機能部パターン１３及び接続パッド１２）の詳細な構成を示しており、本実施形態例に係る機能部パターン１３は、縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続した構造を備えている。圧電基板１１にはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）を用い、この圧電基板１１上に形成される一方（入力側）の機能部パターン１３は、３個のＩＤＴ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、これらのＩＤＴ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃのＳＡＷ伝搬方向両側に夫々配置した反射器４１ａ、４１ｂを備えた構造となっている。また、他方（出力側）の機能部パターン１３’は、３個のＩＤＴ電極４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’と、これらのＩＤＴ電極４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’のＳＡＷ伝搬方向両側に夫々配置した反射器４１ａ’、４１ｂ’を備えた構造となっている。
各ＩＤＴ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ａ’、４０ｂ’、４０ｃ’は、それぞれ互いに交差した複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により構成されている。中央のＩＤＴ電極４０ｂに入力された信号は両側のＩＤＴ電極４０ａ、４０ｃから並列に出力され、１段の縦結合二重モードＳＡＷフィルタとして機能する。本実施例ではこれを２段縦続接続しており、ＩＤＴ電極４０ａ、４０ｃから並列に出力された信号は出力側のＩＤＴ電極４０ａ’、４０ｃ’に入力され、ＩＤＴ電極４０ｂ’から出力される。また、反射器４１ａ、４１ｂ（出力側の反射器４１ａ’、４１ｂ’も同様）はＩＤＴ電極からの漏洩弾性表面波を反射する機能を有し、ＩＤＴ電極で励起される弾性表面波のエネルギーを両反射器間に閉じ込めることにより縦１次モードと縦３次モードを分離して励起し、この二つのモードの共振周波数差を利用して縦結合二重モードＳＡＷフィルタを実現する。
接地用接続パッド１２ｇ、１２ｇ’は、導体バンプ２１を介して図１（ｂ）の平板構造の実装基板２上に接続される。即ち、接地用接続パッド１２ｇは、接地用上部電極５ｇに、接地用接続パッド１２ｇ’は接地用上部電極５ｇ’に夫々接続される。なお、他の２つの接地用接続パッド１２ｇ”は、夫々接地用上部電極５ｇ、５ｇ’と導体バンプにより接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004165874.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004165874.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの認証情報が設定されたリモートコントローラと、被制御装置のリモートコントロール可能なマルチメディア機器と、前記リモートコントローラから前記マルチメディア機器を操作する際、前記リモートコントローラから送信されたユーザの認証情報に従い、ユーザを認証する認証手段と、前記認証手段の認証結果に従い、正当な使用者であると認証された場合、マルチメディア機器の使用を許可する手段とを具備することを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項２】
ユーザの認証情報を前記マルチメディア機器に設定する認証情報設定手段を有し、所定単位のグループとして設定可能とすることを特徴とする特許請求項１記載のリモートコントロールシステム。
【請求項３】
前記マルチメディア機器は、情報を記憶するライブラリを有し、前記ライブラリに情報を記憶する際、記憶された情報に対する所定単位のグループでアクセス権を設定可能とし、前記ライブラリに記憶された情報をアクセスする際、前記マルチメディア機器の現在のユーザを判断し、前記認証情報設定手段により設定されたユーザの認証情報に従い、アクセスの可否を決定することを特徴とする特許請求項２記載のリモートコントロールシステム。
【請求項４】
前記マルチメディア機器を使用している際、イベント発生を検知する検知手段と、ユーザにイベントを通知する条件を設定するイベント通知設定手段と、前記イベント通知設定手段に設定された通知条件に従い、前記認証手段により認証されたユーザにイベントを通知する通知手段とを具備することを特徴とする特許請求項１記載のリモートコントロールシステム。
【請求項５】
前記イベント通知設定手段は、電子メール着信とインスタントメッセージの通知の何れか一つを設定可能とすることを特徴とする特許請求項４記載のリモートコントロールシステム。
【請求項６】
前記イベント通知手段の通知設定条件に従い、前記検知手段により検知されたイベントを保存するイベント保存手段を具備することを特徴とする特許請求項４記載のリモートコントロールシステム。
【請求項７】
前記マルチメディア機器に接続された所定の回線を介してインターネットをアクセスするアクセス手段と、前記アクセス手段により、所定のウェーブサイトから認証手続を要求された場合、前記認証手段により認証されたユーザに代わり、認証手続を実行する実行手段とを具備することを特徴とする特許請求項１記載のリモートコントロールシステム。
【請求項８】
前記認証手段により認証されたユーザの所定の操作の開始から所定時間の間、他のユーザが前記マルチメディア機器を使用することを禁止するタイムアウト時間を設定するタイムアウト設定手段を具備することを特徴とする特許請求項１記載のリモートコントロールシステム。
【請求項９】
リモートコントローラと被制御装置のリモートコントロール可能なマルチメディア機器から構成されたリモートコントロールシステムに於いて、前記リモートコントローラにユーザの認証情報を設定するステップと、前記リモートコントローラから前記マルチメディア機器を操作する際、前記リモートコントローラから送信されたユーザの認証情報に従い、ユーザを認証するステップと、前記認証ステップの認証結果に従い、正当な使用者であると認証された場合、マルチメディア機器の使用を許可するステップとを具備することを特徴とするリモートコントロールシステムの制御方法。
【請求項１０】
ユーザの認証情報を前記マルチメディア機器に設定する認証情報設定ステップを有し、所定単位のグループとして設定可能とすることを特徴とする特許請求項９記載のリモートコントロールシステムの制御方法。
【請求項１１】
前記マルチメディア機器を使用している際、イベント発生を検知する検知ステップと、ユーザにイベントを通知する条件を設定するイベント通知設定ステップと、前記イベント通知設定ステップに設定された通知条件に従い、前記認証ステップにより認証されたユーザにイベントを通知する通知ステップとを具備することを特徴とする特許請求項９記載のリモートコントロールシステムの制御方法。
【請求項１２】
前記マルチメディア機器に接続された所定の回線を介してインターネットをアクセスするステップと、前記アクセスステップにより、所定のウェーブサイトから認証手続を要求された場合、前記認証ステップにより認証されたユーザに代わり、認証手続を実行する実行するステップとを具備することを特徴とする特許請求項９記載のリモートコントロールシステムの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月16日(2005.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を吸着保持する基板保持装置を有するステージ装置であって、
前記基板保持装置を装着するための凹部を有する平面と、
前記基板保持装置に設けられた突出支持部を前記平面上に固定するための固定部材と、
を備え、
前記基板保持装置は、前記突出支持部の先端が前記平面の凹部で接触し、他の部分が前記平面と非接触である状態で、前記固定部材によって支持されることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記固定部材は、前記突出支持部に対してモーメント力を加えない機構を有することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記凹部はＶ字型の溝であり、前記突出支持部は、その先端が前記Ｖ字型の溝と点接触することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
少なくとも３つの前記突出支持部と、該突出支持部の各々を固定するための少なくとも３つの固定部材と、を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記突出支持部と前記固定部材とは一部品で構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記固定部材は、前記突出支持部に固着されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記固定部材は、前記突出支持部との接触部分において、該突出支持部の軸方向及び平面方向へのチルト方向の自由度を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記突出支持部と前記固定部材との間には微小な隙間が存在し、前記突出支持部は、該隙間によって該突出支持部の軸方向及び平面方向へのチルト方向の自由度を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項９】
前記固定部材は、円、楕円、及び楕円に類する形状のいずれか、若しくは、多角形状であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記固定部材は、弾性変形可能であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項１１】
前固定部材は、その外周部に外周シール部を有し、該外周シール部は、前記平面と接触することによって閉空間を画定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項１２】
前記突出支持部と前記固定部材との間にはシール部材が配置されていることを特徴とする請求項１１に記載のステージ装置。
【請求項１３】
前記Ｖ字型の溝は、前記平面上に略１２０°で３方向に伸延するように形成されることを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項１４】
前記突出支持部を前記平面に吸着保持する吸着保持機構を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項１５】
前記突出支持部を前記基板保持装置に吸着保持する吸着保持機構を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のステージ装置。
【請求項１６】
前記突出支持部は、前記吸着保持機構からの吸着保持力の解除によって、前記平面に対して脱着可能であることを特徴とする請求項１４に記載のステージ装置。
【請求項１７】
前記突出支持部は、前記吸着保持機構からの吸着保持力の解除によって、前記基板保持装置に対して脱着可能であることを特徴とする請求項１５に記載のステージ装置。
【請求項１８】
前記吸着保持機構は、負圧、静電気力、磁力のいずれかを用いることを特徴とする請求項１４乃至請求項１７のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項１９】
基板を吸着保持する基板保持装置を有するステージ装置であって、
前記基板保持装置を装着するための突出支持部を有する平面と、
前記平面に設けられた突出支持部を前記基板保持装置に形成された凹部で固定するための固定部材と、
を備え、
前記基板保持装置は、当該基板保持装置の凹部が前記突出支持部の先端と接触し、他の部分が前記平面と非接触である状態で、前記固定部材によって支持されることを特徴とするステージ装置。
【請求項２０】
パターンを形成した原版に照射される露光光を基板に投影するための光学系と、
前記基板または前記原版を保持する基板保持装置を有するステージ装置と、
を備え、
前記ステージ装置は、
ステージと、
前記基板保持装置を所定平面内で駆動するための平面と、
前記基板保持装置に形成された突出支持部を前記平面上に固定するための固定部材と、
を有し、
前記基板保持装置は、前記突出支持部の先端が前記平面と接触し、かつ、当該基板保持装置が前記平面と非接触である状態で、支持されることを特徴とする露光装置。
【請求項２１】
半導体デバイスの製造方法であって、
基板に感光材を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に請求項２０に記載の露光装置を利用してパターンを転写する露光工程と、
前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子線露光装置であって、
電子源から放射された電子線が結像する位置を、該電子線が結像する共役面において検出し、位置情報を出力する位置検出手段と、
前記位置情報と、前記電子線が結像するべき目標位置を示す目標位置情報と、に基づき前記検出された電子線の光学特性を演算する光学特性演算手段と、
前記演算された光学特性に基づいて、前記電子線が結像するべき目標位置への補正量を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した補正量に基づき、前記電子線の結像位置を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】  電子源から放射された電子線を露光用の第１電子線に形成する第１開口部と、前記電子源から放射された電子線を位置検出用の第２電子線に形成する第２開口部と、が形成されたアパチャー・アレイを有し、
前記位置検出手段は、前記第２開口部により形成された第２電子線が結像する位置を、前記第１電子線が結像する共役面において検出し、位置情報を出力し、
前記光学特性演算手段は、前記位置情報と、前記第２電子線が結像するべき目標位置を示す目標位置情報と、に基づき前記検出された電子線の光学特性を演算し、
前記決定手段は、前記演算された第２電子線の光学特性に基づいて、該第２電子線が結像するべき目標位置への補正量を決定し、
前記制御手段は、前記決定手段が決定した補正量に基づき、前記第１電子線の結像位置を制御することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】  前記第２開口部の開口径＞前記第１開口部の開口径、であることを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】  前記第２開口部により形成される第２電子線は、前記第１開口部より形成される第１電子線より、大きな電流値を有することを特徴とする請求項２または３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】  前記光学特性には、前記電子線の平行移動量、線形伸縮量、回転角が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】  前記光学特性に関する情報を格納するための格納手段を更に有し、
前記決定手段は、前記格納手段に格納された前記光学特性に関する情報を読み取り、前記補正量を決定することを特徴とする請求項５に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】  前記制御手段は、前記電子線の結像位置の制御を、露光処理中において実行することを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項８】  前記位置検出手段が前記電子線の位置を検出するための位置検出マークは、ブランカー・アレイが形成される基板面、または、縮小投影ユニットにおける結像面に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項９】  前記決定手段は、前記補正量が設定可能な範囲外のデータになる場合、異常を報知し及び／または装置の稼動を停止させることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１０】  デバイスの製造方法であって、
荷電粒子線露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程と、
前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する工程と、
を備え、該荷電粒子線露光装置は、
電子源から放射された電子線が結像する位置を、該電子線が結像する共役面において検出し、位置情報を出力する位置検出手段と、
前記位置情報と、前記電子線が結像するべき目標位置を示す目標位置情報と、に基づき前記検出された電子線の光学特性を演算する光学特性演算手段と、
前記演算された光学特性に基づいて、前記電子線が結像するべき目標位置への補正量を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した補正量に基づき、前記電子線の結像位置を制御する制御手段と、を有する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる荷電粒子線露光装置は、
電子源から放射された電子線が結像する位置を、該電子線が結像する共役面において検出し、位置情報を出力する位置検出手段と、
前記位置情報と、前記電子線が結像するべき目標位置を示す目標位置情報と、に基づき前記検出された電子線の光学特性を演算する光学特性演算手段と、
前記演算された光学特性に基づいて、前記電子線が結像するべき目標位置への補正量を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した補正量に基づき、前記電子線の結像位置を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは上記の荷電粒子線露光装置において、電子源から放射された電子線を露光用の第１電子線に形成する第１開口部と、前記電子源から放射された電子線を位置検出用の第２電子線に形成する第２開口部と、が形成されたアパチャー・アレイを有し、
前記位置検出手段は、前記第２開口部により形成された第２電子線が結像する位置を、前記第１電子線が結像する共役面において検出し、位置情報を出力し、
前記光学特性演算手段は、前記位置情報と、前記第２電子線が結像するべき目標位置を示す目標位置情報と、に基づき前記検出された電子線の光学特性を演算し、
前記決定手段は、前記演算された第２電子線の光学特性に基づいて、該第２電子線が結像するべき目標位置への補正量を決定し、
前記制御手段は、前記決定手段が決定した補正量に基づき、前記第１電子線の結像位置を制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記の目的を達成するために、本発明にかかるデバイスの製造方法は、
荷電粒子線露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程と、
前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する工程と、
を備え、該荷電粒子線露光装置は、
電子源から放射された電子線が結像する位置を、該電子線が結像する共役面において検出し、位置情報を出力する位置検出手段と、
前記位置情報と、前記電子線が結像するべき目標位置を示す目標位置情報と、に基づき前記検出された電子線の光学特性を演算する光学特性演算手段と、
前記演算された光学特性に基づいて、前記電子線が結像するべき目標位置への補正量を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した補正量に基づき、前記電子線の結像位置を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記一般式（１）
（Ｒ1）nＳｉ（ＯＲ2）4-n    （１）
（上式中、Ｒ1は置換基を有してよい炭素数１〜８の直鎖若しくは分枝状のアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ2が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、ｎは０〜３の整数である。）
で表されるシラン化合物の一種以上を加水分解縮合して得られる非晶質重合体溶液と、第四級アンモニウム水酸化物を用いて得られるゼオライトゾルとを含む多孔質膜形成用組成物。
【請求項２】  上記ゼオライトゾルが、シラン化合物を上記第四級アンモニウム水酸化物及び触媒の存在下で加水分解後、加熱処理して得られる請求項１に記載の多孔質膜形成用組成物。
【請求項３】  上記ゼオライトゾルが、下記一般式（２）
Ｓｉ（ＯＲ3）4    （２）
（上式中、Ｒ3は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ3が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）
で表されるシラン化合物を上記第四級アンモニウム水酸化物の存在下で加水分解後、加熱処理して得られる請求項１に記載の多孔質膜形成用組成物。
【請求項４】  上記ゼオライトゾルが、平均粒径が３〜５００ｎｍのゼオライトゾルである請求項１に記載の多孔質膜形成用組成物。
【請求項５】  上記ゼオライトゾルが、下記一般式（２）
Ｓｉ（ＯＲ3）4    （２）
（上式中、Ｒ3は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ3が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）
で表されるシラン化合物を第四級アンモニウム水酸化物及び触媒の存在下で加水分解後、加熱処理して得られる平均粒径が３〜５００ｎｍのゼオライトゾルである請求項１に記載の多孔質膜形成用組成物。
【請求項６】  上記第四級アンモニウム水酸化物が、下記一般式（３）
（Ｒ4）4Ｎ+ＯＨ-    （３）
（上式中、Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐状のアルキル基を表し、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）で表される一種又は二種以上である請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質膜形成用組成物。
【請求項７】  請求項１〜５のいずれかに記載の多項質膜形成用組成物を塗布する塗布工程と、その後の乾燥工程と、ゼオライト構造成長のための加熱工程とを含む多孔質膜の製造方法。
【請求項８】  請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質膜形成用組成物を用いて得られる多孔質膜。
【請求項９】  請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質膜形成用組成物を用いて得られる層間絶縁膜。
【請求項１０】  下記一般式（１）
（Ｒ1）nＳｉ（ＯＲ2）4-n    （１）
（上式中、Ｒ1は置換基を有してよい炭素数１〜８の直鎖若しくは分枝状のアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ2が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、ｎは０〜３の整数である。）
で表されるシラン化合物の一種以上を加水分解縮合して得られる非晶質重合体溶液と、第四級アンモニウム水酸化物を用いて得られるゼオライトゾルとを含む多孔質膜形成用組成物を用いて形成される多孔質膜を内部に含む半導体装置。
【請求項１１】  上記ゼオライトゾルが、シラン化合物を上記第四級アンモニウム水酸化物及び触媒の存在下で加水分解後、加熱処理して得られる請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】  上記ゼオライトゾルが、下記一般式（２）
Ｓｉ（ＯＲ3）4    （２）
（上式中、Ｒ3は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ3が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）
で表されるシラン化合物を上記第四級アンモニウム水酸化物の存在下で加水分解後、加熱処理して得られる請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】  上記ゼオライトゾルが、平均粒径が３〜５００ｎｍのゼオライトゾルである請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１４】  上記ゼオライトゾルが、下記一般式（２）
Ｓｉ（ＯＲ3）4    （２）
（上式中、Ｒ3は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基を表し、Ｒ3が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）
で表されるシラン化合物を第四級アンモニウム水酸化物及び触媒の存在下で加水分解後、加熱処理して得られる平均粒径が３〜５００ｎｍのゼオライトゾルである請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１５】  上記第四級アンモニウム水酸化物が、下記一般式（３）
（Ｒ4）4Ｎ+ＯＨ-    （３）
（上式中、Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐状のアルキル基を表し、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）で表される一種又は二種以上である請求項１０〜１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】  上記多孔質膜が、多層配線の同一層の金属配線間絶縁膜、又は、上下金属配線層の層間絶縁膜に存在する請求項１０〜１４のいずれかに記載の半導体装置。