【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、該第１の電極の周辺端部を覆うアルキル基を含む酸化珪素からなる絶縁層と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第２の電極とが表示領域に形成され、
前記第１の電極と、前記絶縁層とには、周期律１４族または１８族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加され、前記絶縁層は着色され、
前記絶縁層からなるブラックマトリクスを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の電極と、該第１の電極とアルキル基を含む酸化珪素からなる平坦化膜を介して接続している薄膜トランジスタと、
前記第１の電極の周辺端部を覆うアルキル基を含む酸化珪素からなる絶縁層と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第２の電極とが表示領域に形成され、
前記第１の電極と、前記絶縁層と、前記平坦化膜の側端部には周期律１４族または１８族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加され、前記絶縁層は着色され、
前記絶縁層からなるブラックマトリクスを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の電極と、該第１の電極とアルキル基を含む酸化珪素からなる平坦化膜を介して接続している薄膜トランジスタと、
前記第１の電極の周辺端部を覆うアルキル基を含む酸化珪素からなる絶縁層と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第２の電極とが表示領域に形成され、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記平坦化膜に設けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタの半導体層に接続され、
前記第１の電極と、前記絶縁層と、前記平坦化膜の側端部及び前記開口部には、周期律１４族または１８族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加され、前記絶縁層は着色され、
前記絶縁層からなるブラックマトリクスを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記平坦化膜の側端部はテーパー形状であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１において、前記第１の電極と前記絶縁層とが含む周期律１４族または１８族元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量は等しいことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至４のいずれか一項において、前記平坦化膜、前記第１の電極と前記絶縁層中の含まれる周期律１４族または１８族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量は等しいことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記平坦化膜、前記第１の電極、または前記絶縁層中に含まれる周期律１４族または１８族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素は、１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３、代表的に２×１０１９〜２×１０２１／ｃｍ３の濃度範囲であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、周期律１４族または１８族から選ばれた元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項２乃至請求項８のいずれか一項において、前記平坦化膜の側端部におけるテーパー角は、３０度を越え７５度未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９において、前記第１の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上にアルキル基を含む酸化珪素膜からなる平坦化膜を塗布法によって形成し、
前記ソース領域に達するソース電極及び前記ドレイン領域に達するドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極に接して、第１の電極を形成し、
前記第１の電極の周辺端部を覆うアルキル基を含む酸化珪素膜からなる絶縁層を塗布法によって形成し、
前記第１の電極及び絶縁層に周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加し、
前記元素の添加によって、前記絶縁層を着色してブラックマトリクスを形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する第１の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上にアルキル基を含む酸化珪素膜からなる平坦化膜を塗布法によって形成し、
前記平坦化膜を選択的に除去して、テーパー形状を有する周辺端部を形成し、
前記ソース領域に達するソース電極及び前記ドレイン領域に達するドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極に接して、第１の電極を形成し、
前記第１の電極の周辺端部を覆うアルキル基を含む酸化珪素膜からなる絶縁層を塗布法によって形成し、
前記第１の電極及び絶縁層と、前記平坦化膜の周辺端部とに周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加し、
前記元素の添加によって、前記絶縁層を着色してブラックマトリクスを形成し、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記第１の電極と前記絶縁層中の周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量が等しくなるように、周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２において、前記平坦化膜の側端部、前記第１の電極、前記絶縁層中の周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量が等しくなるように、前記周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記平坦化膜、前記第１の電極と前記絶縁層中の周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素の濃度が１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３、代表的には２×１０１９〜２×１０２１／ｃｍ３の濃度範囲になるように、周期律１４族、１８族、ＯまたはＮから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、周期律１４族または１８族から選ばれた元素としてＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれた元素のうち少なくとも一種を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２において、前記平坦化膜の周辺端部におけるテーパー角は、３０度を越え７５度未満となるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記第１の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物からなるターゲットを用いたスパッタ法で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。