【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】  明細書
【発明の名称】  結晶シートの製造方法および結晶シート製造装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属あるいは半導体材料の加熱融解液中に回転冷却体を部分浸漬し、上記加熱融解液中で上記回転冷却体の表面に上記金属あるいは半導体材料を凝固成長させることによって、上記金属あるいは半導体材料の結晶シートを製造する結晶シートの製造方法であって、
上記回転冷却体の表面と上記加熱融解液の表面とが接触する前後における上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性の変化を検出することによって、上記加熱融解液の湯面位置を検出する
ことを特徴とする結晶シートの製造方法。
【請求項２】  請求項１に記載の結晶シートの製造方法において、
上記検出された上記湯面位置に応じて、上記加熱融解液が入れられた容器を上昇させること、あるいは、上記検出された上記湯面位置に応じて、上記加熱融解液が入れられた容器に上記金属あるいは半導体材料を添加することによって、上記回転冷却体に対する上記湯面位置を自動的に制御する
ことを特徴とする結晶シートの製造方法。
【請求項３】  請求項１あるいは請求項２に記載の結晶シートの製造方法において、
上記加熱融解液に向かって上記回転冷却体を下降させると共に、上記回転冷却体が上記湯面位置に到達してからの上記電気特性の変化量を計測することによって、上記回転冷却体の上記加熱融解液への浸漬深さを検出する
ことを特徴とする結晶シートの製造方法。
【請求項４】  請求項１乃至請求項３の何れか一つに記載の結晶シートの製造方法において、
上記電気特性は、電気抵抗,電圧および電流から選ばれた何れかである
ことを特徴とする結晶シートの製造方法。
【請求項５】  金属あるいは半導体材料の加熱融解液中に回転冷却体を部分浸漬し、上記加熱融解液中で上記回転冷却体の表面に上記金属あるいは半導体材料を凝固成長させることによって、上記金属あるいは半導体材料の結晶シートを製造する結晶シート製造装置であって、
上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性を計測する電気特性計測手段を備えた
ことを特徴とする結晶シート製造装置。
【請求項６】  請求項５に記載の結晶シート製造装置において、
上記回転冷却体は、グラファイト焼結体で構成されている
ことを特徴とする結晶シート製造装置。
【請求項７】  請求項６に記載の結晶シート製造装置において、
上記回転冷却体の表面には、上記金属あるいは半導体材料との反応性が小さく導電性の良い物質がコーティングされている
ことを特徴とする結晶シート製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、シリコンリボン製造時における結晶シートの製造方法および結晶シート製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、図５に示すように、内部に窒素等の冷却用気体が導入された円筒状冷却体１の一部を溶融シリコン２中に浸漬し、円筒状冷却体１を矢印Ａの方向に回転させながら、円筒状冷却体１の外周面に生成するリボン状に固まったシリコン３を矢印Ｂの方向に引出して、シリコンリボンを得るシリコンリボンの製造装置がある(特開平１０‐２９８９５号公報)。
【０００３】
上記シリコンリボンの製造装置においては、ルツボ４内における溶融シリコン２の湯面位置を検知する場合には、以下のようにしている。先ず、ルツボ４の内部形状と溶融前の投入シリコン量との関係から、計算によって溶融後の湯面位置を推定する。そして、図６(a)に示すように、円筒状冷却体１の回転軸５の位置を固定してルツボ４を一定速度で上昇させ、円筒状冷却体１の外周面における最下端の位置が上記推定湯面位置近傍に至ると、図６(b)に示すように、円筒状冷却体１の下端部が溶融シリコン２の表面６に接触する際の湯面の変化を覗窓７から目視観察することによって行う。
【０００４】
さらに、上記円筒状冷却体１の浸漬深さは、上述のようにして目視観察から求めた湯面位置からルツボ４をさらに上昇させた距離によって把握している。尚、その場合における円筒状冷却体１は、グラファイト焼結体を円筒状に加工したものをそのまま用い、円筒状冷却体１の外周面には何ら表面処理が施されてはいない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図５において、円筒状冷却体１の溶融シリコン２中への浸漬深さによって溶融シリコン２の表面における冷却状態が変化するので、製造されるシリコンリボン３の結晶性等の物性に大きく影響する。そのために、正確な湯面位置を検知することは、安定した品質のシリコンリボン３を作製するために非常に重要である。
【０００６】
しかしながら、上記従来のシリコンリボンの製造装置のように、人の目による湯面位置の検知方法では、円筒状冷却体１が溶融シリコン２の表面６に接触するタイミングを正確に検知することは甚だ難しく、簡単で正確に湯面位置を検知する方法、及び、円筒状冷却体１の溶融シリコン２への浸漬深さを正確に把握する方法が望まれている。
【０００７】
一方、上記円筒状冷却体１の材料であるグラファイト焼結体は表面に微細な穴が多く、溶融シリコン２との接触の際に溶融シリコン２が浸透したりグラファイト表面が溶損する等の理由から、円筒状冷却体１の表面が変化(変質)するという問題もある。したがって、寿命の長い安定した表面を有する円筒状冷却体１の出現が望まれている。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、簡単で正確に湯面位置を検出できる結晶シートの製造方法、および、簡単で正確に且つ寿命が長く湯面位置を検出できる結晶シート製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明は、
金属あるいは半導体材料の加熱融解液中に回転冷却体を部分浸漬し、上記加熱融解液中で上記回転冷却体の表面に上記金属あるいは半導体材料を凝固成長させることによって、上記金属あるいは半導体材料の結晶シートを製造する結晶シートの製造方法であって、
上記回転冷却体の表面と上記加熱融解液の表面とが接触する前後における上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性の変化を検出することによって、上記加熱融解液の湯面位置を検出する
ことを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、金属あるいは半導体材料の加熱融解液が導電性を有する場合に、回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性が、上記回転冷却体と加熱融解液とが離隔している場合と接触している場合とで大きく異なることを利用して、上記回転冷却体の表面と上記加熱融解液の表面とが接触する前後における上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性の変化を検出することによって、上記加熱融解液の湯面位置が精度良く検出される。
【００１１】
また、この発明の結晶シートの製造方法は、
上記検出された上記湯面位置に応じて、上記加熱融解液が入れられた容器を上昇させること、あるいは、上記検出された上記湯面位置に応じて、上記加熱融解液が入れられた容器に上記金属あるいは半導体材料を添加することによって、上記回転冷却体に対する上記湯面位置を自動的に制御することが望ましい。
【００１２】
上記構成によれば、上記検出された上記湯面位置が所定の位置よりも低い場合には、上記湯面位置に応じて上記加熱融解液が入れられた容器が上昇されて、あるいは、上記容器に上記金属あるいは半導体材料が添加されて、上記回転冷却体に対する上記湯面位置が自動的に制御される。
【００１３】
また、この発明の結晶シートの製造方法は、
上記加熱融解液に向かって上記回転冷却体を下降させると共に、上記回転冷却体が上記湯面位置に到達してからの上記電気特性の変化量を計測することによって、上記回転冷却体の上記加熱融解液への浸漬深さを検出することが望ましい。
【００１４】
上記構成によれば、上記回転冷却体が上記加熱融解液中に部分浸漬している場合には、上記加熱融解液に対する回転冷却体の浸漬深さは、上記回転冷却体と加熱融解液との間の電気特性とある特定の関係を呈する。そこで、その特定関係を利用して、上記回転冷却体の浸漬深さが精度良く検出される。
【００１５】
また、この発明の結晶シートの製造方法は、
上記電気特性は、電気抵抗,電圧および電流から選ばれた何れかであることが望ましい。
【００１６】
上記構成によれば、上記回転冷却体と加熱融解液との間の電気抵抗,電圧あるいは電流をの変化を検出することによって、上記加熱融解液の湯面位置あるいは上記回転冷却体の上記加熱融解液への浸漬深さが簡単に且つ正確に検出される。
【００１７】
また、この発明は、
金属あるいは半導体材料の加熱融解液中に回転冷却体を部分浸漬し、上記加熱融解液中で上記回転冷却体の表面に上記金属あるいは半導体材料を凝固成長させることによって、上記金属あるいは半導体材料の結晶シートを製造する結晶シート製造装置であって、
上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性を計測する電気特性計測手段を備えた
ことを特徴としている。
【００１８】
金属あるいは半導体材料の加熱融解液が導電性を有する場合に、回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性が、上記回転冷却体と加熱融解液とが離隔している場合と接触している場合とで大きく異なる。また、上記回転冷却体が上記加熱融解液中に部分浸漬している場合には、上記加熱融解液に対する回転冷却体の浸漬深さは、上記回転冷却体と加熱融解液との間の電気特性とある特定の関係を呈する。上記構成によれば、上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性を計測する電気特性計測手段を備えているので、上記回転冷却体の表面と上記加熱融解液の表面とが接触する前後、および、上記回転冷却体が上記加熱融解液中に部分浸漬している場合における上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性の変化を上記電気特性計測手段によって検出することによって、上記電気特性の変化を利用して、上記加熱融解液の湯面位置および上記回転冷却体の浸漬深さが精度良く検出される。
【００１９】
また、この発明の結晶シート製造装置は、
上記回転冷却体をグラファイト焼結体で構成することが望ましい。
【００２０】
上記構成によれば、上記回転冷却体が導電性物質で構成されるため、上記回転冷却体と加熱融解液との位置関係が離隔から接触に変化した場合により大きな電気特性の変化が得られ、湯面位置が更に精度良く検出される。さらに、上記回転冷却体と加熱融解液との間の電気特性と上記浸漬深さとは、両者の対数をとることによって線形的な関係を呈するようになり、浸漬深さが更に精度良く検出される。
【００２１】
また、この発明の結晶シート製造装置は、
上記グラファイト焼結体で構成された回転冷却体の表面に、上記金属あるいは半導体材料との反応性が小さく導電性の良い物質をコーティングすることが望ましい。
【００２２】
上記構成によれば、表面に微細な孔を有するグラファイト焼結体で構成された上記回転冷却体の表面から、上記加熱融解液が浸透することが防止される。したがって、湯面検知精度を損なうことなく上記回転冷却体表面が保護され、上記回転冷却体表面の溶損が軽減される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
＜第１実施の形態＞
図１は、本実施の形態の湯面位置および浸漬深さ検出方法が適用されたシリコンシート製造装置における要部断面図である。尚、図１の側面は、図５と同様である。
【００２４】
本シリコンシート製造装置においては、上記回転冷却体としての円筒状冷却体２１を、ルツボ２２内の溶融シリコン２３(融点よりも幾分高い温度)の表面２４に平行な状態で浸漬し、溶融シリコン２３中で、円筒状冷却体２１表面にシリコンを凝固成長させながら、適当な速度で連続的にシート状のシリコン(結晶)を引き上げる。
【００２５】
上記円筒状冷却体２１は、グラファイト焼結体製の中空円筒構造であり、内部には冷却ガスが供給される。そして、円筒状冷却体２１の外周面に接触した溶融シリコン２３から熱を奪うことによって、円筒状冷却体２１表面近傍のシリコンを凝固成長させる。その場合における円筒冷却体２１の表面温度は、シリコンの融点より２０℃〜８０℃低い温度である。得られるシリコンシート(図５におけるシリコンリボン３に相当)の厚さおよび結晶の性質は、円筒状冷却体２１の回転速度(引出し速度),冷却ガス流量,融液温度,円筒冷却体２１の浸漬深さ等に依存し、最適化が必要である。
【００２６】
上記円筒状冷却体２１の回転軸２５は、耐熱性を必要とする部分はグラファイト焼結体で構成されている。尚、比較的低温の部分はステンレス製である。このように、円筒状冷却体２１および回転軸２５をグラファイト焼結体で構成することによって、円筒状冷却体２１および回転軸２５を導体とし、電気的に接続されるようにしている。また、溶融シリコン２３およびグラファイト製のルツボ２２も導体であって、電気的に接続されている。さらに、ルツボ２２はルツボ台２６に搭載されており、ルツボ２２とルツボ台２６との間はアルミナ板２７によって電気的に絶縁されている。そして、回転軸２５とルツボ２２とには、配線２８および耐熱配線２９によって抵抗計３０が電気的に接続されている。
【００２７】
上記構成によって、グラファイト製のルツボ台２６を通じての電気の流れを禁止し、円筒状冷却体２１‐溶融シリコン２３‐ルツボ２２‐耐熱配線２９‐抵抗計３０‐配線２８‐回転軸２５の閉回路が形成される。
【００２８】
以下、図１に基づいて、上記溶融シリコン２３の湯面位置および浸漬深さ検出方法について説明する。図１(a)に示すように、円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間の抵抗値Ｒを計測しながら、上下方向に固定された回転冷却体２１に対してルツボ台２６を上昇させる。そして、ルツボ２２内の溶融シリコンの表面２４が、図１(b)に示すように、円筒状冷却体２１と接触する際の抵抗値Ｒの変化を検出し、その時点でのルツボ２２の高さを湯面位置とするのである。
【００２９】
さらに、図１(c)に示すように、上記円筒状冷却体２１が溶融シリコン２３中に浸漬した場合には、図１(b)に示す状態における湯面位置を基準とし、その位置からのルツボ２２の上昇距離に基づいて円筒状冷却体２１の浸漬深さを求めるのである。あるいは、円筒状冷却体２１の浸漬深さの変化によって円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との接触面積が変化することを利用して、抵抗値Ｒと浸漬深さＨとの関係に基づいて求めることもできる。
【００３０】
上述のようにして検知された湯面位置に応じて、ルツボ２２を上昇するかあるいは固体シリコン原料を添加することによって、溶融シリコン２３の湯面位置を自動制御する。
【００３１】
以下、上記円筒状冷却体２１の表面最下端と溶融シリコン２３の表面２４との間隔ｈと、抵抗値Ｒとの関係から、湯面位置および浸漬深さを検出する原理について詳細に説明する。先ず、図１(a)において、ルツボ２２を上昇した際に、円筒状冷却体２１が溶融シリコン２３の湯面に接触するタイミングを正確に検出する場合(湯面位置検出方法)について説明する。
【００３２】
すなわち、上記湯面検出は、上記円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間の電気特性の変化を計測することによって行う。円筒状冷却体２１はグラファイト等の導電性物質で作製されている。一方、溶融シリコン２３は自由電子濃度が２.１６×１０23/cm3であって、金属融液並みの密度を有する。したがって、円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３の表面２４とが非接触の場合と接触した場合との電気特性の変化は極めて大きい。そこで、本実施の形態においては、上記電気特性の変化を、上記閉回路における円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間の抵抗の変化とし、その抵抗変化を抵抗計３０で検出するのである。
【００３３】
図３に、上記抵抗計３０で計測した抵抗値Ｒと、円筒状冷却体２１の最下端と溶融シリコン２３の間隔ｈとの両対数グラフを示す。図３より、抵抗値Ｒは溶融シリコン２３の湯面位置で急に減少しており、この抵抗値Ｒの変化時点におけるルツボ台２６の位置から湯面位置を正確に検出することができるのである。
【００３４】
次に、上記円筒状冷却体２１の溶融シリコン２３への浸漬深さを検出する場合について詳細に説明する。ルツボ２２を上昇させると、円筒状冷却体２１は溶融シリコン２３中に浸漬する。その場合の抵抗値Ｒは、以下のように表すことができる。
【００３５】
上記円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間の抵抗Ｒと、円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との接触面積Ｓとの間には、
Ｒ∝１/Ｓ
の関係が成立する。ここで、円筒状冷却体２１の半径をｒ、浸漬深さをＨとし、図２に示す円筒状冷却体２１の外周面３１と溶融シリコン２３との接触面積が、側面３２と溶融シリコン２３との接触面積に比べて充分大きいとすると、抵抗値Ｒは
Ｒ≒ｋ/arccos(１−Ｈ/ｒ)
と表せる。ここで、ｋは定数である。そして、ｒ≫Ｈである場合には、
Ｒ≒ｋ'/Ｈ1/2
となる。ここで、ｋ'は定数である。
【００３６】
すなわち、上記抵抗値Ｒは、浸漬深さＨの平方根の逆数に比例するのである。図３において、抵抗値Ｒの対数は、上述のごとく湯面位置で急に減少した後、円筒状冷却体２１の最下端と溶融シリコン２３の表面２４との間隔ｈ(即ち、浸漬深さＨ)の対数に略反比例している。したがって、円筒状冷却体２１の表面最下端が湯面位置に到達してからの抵抗値Ｒの変化量を計測することによって、円筒状冷却体２１の浸漬深さＨを検出することができるのである。
【００３７】
上述のように、本実施の形態においては、シリコンシート製造装置の円筒状冷却体２１および回転軸２５をグラファイト焼結体で構成して導体とし、ルツボ２２をグラファイトで構成して導体とすると共に、ルツボ２２とルツボ台２６との間にはアルミナ板２７を挟んで電気的に絶縁して、円筒状冷却体２１‐溶融シリコン２３‐ルツボ２２‐耐熱配線２９‐抵抗計３０‐配線２８‐回転軸２５から成る閉回路を形成している。
【００３８】
したがって、上記円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３の表面２４とが接触した場合には、抵抗計３０で計測した抵抗値に図３に示すような大きな変化が現れる。そこで、ルツボ台２６でルツボ２２を上昇させつつ抵抗計３０で抵抗値の変化を検出することによって、溶融シリコン２３の湯面位置を精度良く検出できるのである。
【００３９】
また、上記円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との接触抵抗が回路の他の抵抗値より大きく、かつ、円筒状冷却体２１の半径ｒが浸漬深さＨに対して十分大きい場合には、抵抗計３０による抵抗値Ｒの対数値は浸漬深さＨの対数値に略反比例する。したがって、円筒状冷却体２１の表面が湯面位置に到達してから後の抵抗値Ｒの変化量を計測することによって、円筒状冷却体２１の浸漬深さＨを精度良く検出できる。
【００４０】
したがって、本実施の形態によれば、シリコンシートの作製時において、溶融シリコン２３が減少した場合の湯面位置の降下を、抵抗計３０によって抵抗値Ｒの変化として捕らえる。そして、湯面位置の降下量に応じて、ルツボ２２を上昇したり、固体シリコン原料の添加を行ったりすることによって、溶融シリコン２３の湯面位置を自動制御することが可能になる。
【００４１】
尚、上記実施の形態においては、上記溶融シリコン２３の湯面位置および円筒状冷却体２１の浸漬深さＨの検出を、円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間の抵抗を測定することによって行っている。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間の電圧や円筒状冷却体２１と溶融シリコン２３との間を流れる電流を測定しても差し支えない。
【００４２】
＜第２実施の形態＞
本実施の形態においては、今一つの課題であるグラファイト焼結体で構成された円筒状冷却体２１の表面に微細な穴が多いことに関するものである。
【００４３】
シリコンの融点は１４２５℃である。したがって、溶融シリコン周辺の材料は耐熱性の材料である必要がある。本シリコンシート製造装置における円筒状冷却体２１はグラファイト焼結体を用いて導体としている。グラファイト焼結体は表面及び内部に穴が多く、溶融シリコン２３が上記穴内に浸透する。図４はグラファイト焼結体表面のＳＥＭ(二次電子像：２００倍)であり、小さな孔が疎らに見られる。
【００４４】
この微細孔が占める体積は、密度によつて推量することができる。例えば、グラファイトの密度を１.８ｇ/cm3とすると、結晶黒鉛の密度は２.２ｇ/cm3であるので、グラファイトの占める体積の約１８％が孔であることが分かる。
【００４５】
このように、上記円筒状冷却体２１の表面および内部には無数の孔が形成されており、この孔を通じて溶融シリコン２３が浸透することになる。そうすると、浸透したシリコンは冷却されて凝固すると体積が膨張するため、昇温および冷却のサイクルによって円筒状冷却体２１の表面が歪み、次第に円筒状冷却体２１の表面が劣化するのである。そこで、上記孔を通じての溶融シリコン２３の浸透を防いで円筒状冷却体２１の寿命を延ばすために、シリコンとの反応性が小さく、シリコン融点の近傍では安定であって高導電性の材料をコートする。これによって、湯面検知精度を損なうことなく、回転冷却体表面の保護をすることが可能となるのである。
【００４６】
本実施の形態においては、上記円筒状冷却体２１に対して、ＣＶＤ(化学蒸着)法によって、Ｃ(カーボン)あるいはＢＮ(ボロンナイトライド)を約１００μの厚さでコーティングした。その結果、円筒状冷却体２１の表面からの溶融シリコン２３の浸透を防ぐことができ、円筒状冷却体２１表面の溶損を軽減することができた。
【００４７】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の結晶シートの製造方法は、回転冷却体の表面と金属あるいは半導体材料の加熱融解液の表面とが離隔している場合と接触している場合とで、上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性が大きく異なることを利用して、上記加熱融解液の湯面位置を検出するので、従来のごとく目視によって湯面位置を検知する場合に比して、湯面位置検出精度を極めて向上できる。
【００４８】
また、この発明の結晶シートの製造方法は、上記検出された上記湯面位置に応じて、上記加熱融解液が入れられた容器を上昇、あるいは、上記容器に上記金属あるいは半導体材料を添加するので、上記回転冷却体に対する上記湯面位置を自動的に制御することができる。
【００４９】
また、この発明の結晶シートの製造方法は、上記加熱融解液に対する上記回転冷却体の浸漬深さが上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性とある特定の関係を呈することを利用して、上記回転冷却体の浸漬深さを検出するので、従来のごとく目視観察で求めた湯面位置からのルツボの上昇距離で上記回転冷却体の浸漬深さを検出する場合に比して、浸漬深さ検出精度を極めて向上できる。
【００５０】
また、この発明の結晶シートの製造方法は、上記回転冷却体と加熱融解液との間の電気抵抗,電圧あるいは電流をの変化を検出するので、上記加熱融解液の湯面位置あるいは上記回転冷却体の上記加熱融解液への浸漬深さを簡単に検出することができる。
【００５１】
また、この発明の結晶シート製造装置は、金属あるいは半導体材料の加熱融解液中で回転冷却体の表面に上記金属あるいは半導体材料を凝固成長させて結晶シートを製造する際に、電気特性計測手段によって、上記回転冷却体と上記加熱融解液との間の電気特性を計測するので、上記回転冷却体の表面と上記加熱融解液の表面と間の距離と上記電気特性との関係を用いて、上記加熱融解液の湯面位置及び上記回転冷却体の浸漬深さを検出することができる。したがって、従来のごとく目視によって湯面位置を検知する場合に比して、湯面位置検出精度を極めて向上できる。さらに、従来のごとく目視観察で求めた湯面位置からのルツボの上昇距離で上記回転冷却体の浸漬深さを検出する場合に比して、浸漬深さ検出精度を極めて向上できる。
【００５２】
また、この発明の結晶シート製造装置は、上記回転冷却体をグラファイト焼結体で構成すれば、上記回転冷却体が導電性物質で構成されるため、上記湯面位置および浸漬深さを更に精度良く検出できる。
【００５３】
また、この発明の結晶シート製造装置は、上記グラファイト焼結体で構成された回転冷却体の表面に、上記金属あるいは半導体材料との反応性が小さく導電性の良い物質をコーティングすれば、上記回転冷却体の表面から上記加熱融解液が浸透することを防止できる。したがって、湯面検知精度を損なうことなく上記回転冷却体表面を保護し、溶損を軽減し、上記回転冷却体の寿命を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の湯面位置および浸漬深さ検出方法の説明図である。
【図２】  円筒状冷却体の斜視図である。
【図３】  円筒状冷却体最下端と溶融シリコン表面との間隔と両者間の抵抗値との関係を示す図である。
【図４】  グラファイト焼結体表面のＳＥＭ図である。
【図５】  シリコンリボン製造装置の側面図である。
【図６】  従来の湯面位置検知方法の説明図である。
【符号の説明】  ２１…円筒状冷却体、
２２…ルツボ、                      ２３…溶融シリコン、
２４…溶融シリコン表面、            ２５…回転軸、
２６…ルツボ台、                    ２７…アルミナ板、
２８…配線、                        ２９…耐熱配線、
３０…抵抗計。