【事件の表示】
　平成　３年特許願第３５４０４０号「統合された出力放出・読取りレーザ光検出器及び光ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　４月１５日出願公開、特開平　６−１０３６０２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１２月１９日（パリ条約による優先権主張　１９９０年１２月１９日　ＵＳ）の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１２年１２月２０日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】　回路基板と、
　前記回路基板に取り付けられたリアファセット光検出器と、
　前記回路基板に取り付けられた複数要素光検出器と、
　前記リアファセット光検出器と前記複数要素光検出器に隣接して前記回路基板上に取り付けられたヒートシンクと、
　半導体レーザと、
　前記半導体レーザの電極とは別体に形成され、前記ヒートシンクの前記リアファセット光検出器側の第１側面に取り付けられた導電層と、
を備え、
　前記半導体レーザは、その後方発光が前記リアファセット光検出器に当たるように前記導電層に取り付けられ、前記半導体レーザの一方の電極が前記導電層に接続された、
ことを特徴とするレーザ・光検出器ハイブリッド装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、実願昭６０−１１３３４２号（実開昭６２−２２７２６号）のマイクロフィルム（以下「引用刊行物１」という。）には、次の事項からなる発明が記載されている。
（１）「第１図は、本考案の一実施例を示す模式的構成図であり、本図には光学系の要部のみが示されている。図において、ピックアップケース１０内には所定の波長λの光線を発する半導体レーザ等の単一の光源１１が内蔵されている。光源１１の後方には、光源１１の光強度を監視するための第１の受光素子１２が設けられており、この第１の受光素子１２は光源１１の後面から出たビームを受光し、その強さに応じた出力を発生する。」（第５頁第１１行目〜１９行目）
（２）「第２図には、ピックアップ装置の内部構造が示されており、単一の光源１１、第１，第２及び第３の受光素子１２，１５，１６が同一のピックアップケース１０内に配置されている。光源１１はヒートシンク１７に装着されており、第１，第２及び第３の受光素子１２，１５，１６は各々同一平面上に位置している。
　また、第１，第２及び第３の受光素子１２，１５，１６は同一ウエーハより作られており、これによれば、第３図に示すように、各パターンへのボンディングを同一工程で行うことができるので、組立工数の低減が可能となる。また、各受光素子の電源供給を司るカソード１８を共用化できると共に、当該カソード１８及び各信号取出し端子１９を直線的に配列することができる。」（第８頁第３行目〜１７行目）
　
　第１図〜第３図を参照してこれらの記載を見れば、引用刊行物１には、
　　ウエーハに形成された、光源の後面からでたビームを受光する受光素子１２と、
　　前記ウエーハに設けられた複数要素受光素子１５，１６と、
　　前記受光素子１２と複数要素受光素子１５，１６とに隣接して同一の基台上に取り付けられたヒートシンク１７と、
　　半導体レーザ１１と、を備え、
　　前記半導体レーザ１１は、その後面から出たビームを受光素子１２が受光するように前記ヒートシンク１７に取り付けられた、
　　ことを特徴とする光学式ピックアップ装置。
の発明が記載されている。
　
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６２−２６１１８９号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、次の事項からなる発明が記載されている。
（３）「本発明は半導体レーザダイオード用ヒートシンクに関し、特にモニタ用フォトダイオードを用いた場合のモニタ電流のバラツキを小さくするための半導体レーザダイオード用ヒートシンクに関する。」（第１頁左下欄第１５行目〜右下欄第２行目）
（４）「ヒートシンクの材料としては通常、熱伝導率の良いシリコン結晶やダイヤモンドが用いられている。またヒートシンクの表面には、電気的接続およびペレット融着のために、予めメタライズ（メタライズ部６）およびろう材の蒸着（ろう材７）を行っておく。」（第２頁左上欄第３〜６行目）
（５）「一方、モニタ用フォトダイオード（以下、ＰＤと称する）はＬＤの後方放射光を受光できる位置にマウントされる。第３図はその一例の斜視図を示したものである。同図において、ＬＤペレット１は第２図（ａ），（ｂ）で説明したようにヒートシンク５にマウントされている。ヒートシンク５はさらにチップキャリア８の上にマウントされている。」（第２頁左上欄第８〜１３行目）
（６）「またＬＤペレット１の後方にはモニタ用ＰＤ１１がモニタ用チップキャリア１３を介して配置されている。二つのチップキャリア８，１３は同一の基板１４の上にマウントされている。このとき、ＬＤペレット１の後方放射光がモニタ用ＰＤ１１の受光面１２に効率よく入射するように両者を適切な位置関係に配置することが必要になる。」（第二頁左上欄第１７行目〜右上欄第４行目）
　
３．対比
　本願発明と引用刊行物１に記載された発明を対比すると、引用刊行物１に記載された「光源の後面からでたビームを受光する受光素子１２」，「複数要素受光素子１５，１６」，「後面から出たビームを受光素子１２が受光するように」および「光学式ピックアップ装置」は、本願発明の「リアファセット光検出器」，「複数要素光検出器」，「後方発光が前記リアファセット光検出器に当たるように」および「レーザ・光検出器ハイブリッド装置」に相当するので、両者は、
［一致点］
　リアファセット光検出器と、
　リアファセット光検出器と同じ基台上に設けられた複数要素光検出器と、
　前記リアファセット光検出器と複数要素光検出器とに隣接して同一の基台上に取り付けられたヒートシンクと、
　半導体レーザと、を備え、
　前記半導体レーザは、その後方発光が前記リアファセット光検出器に当たるように取り付けられた、
　ことを特徴とするレーザ・光検出器ハイブリッド装置。
である点で一致し、
［相違点］
（ア）本願発明では、リアファセット光検出器と複数要素光検出器とヒートシンクが同一の回路基板上に取り付けられているのに対し、引用刊行物１に記載された発明では、基台がどの様なものなのか不明である点、および、
（イ）本願発明では、前記半導体レーザの電極とは別体に形成され、前記ヒートシンクの前記リアファセット光検出器側の第１側面に取り付けられた導電層を備え、前記半導体レーザの一方の電極が前記導電層に接続されているのに対し、引用刊行物１に記載された発明では、半導体レーザがヒートシンクに取り付けられているが、電極構成については不明である点、で相違している。
　
４．相違点に対する判断
　上記相違点について合わせて検討すると、（ア）リアファセット光検出器と複数要素光検出器とヒートシンクが同一の回路基板上に取り付けられ、且つ（イ）半導体レーザの電極とは別体に形成され、ヒートシンクのリアファセット光検出器側の第１側面に取り付けられた導電層を備え、前記半導体レーザの一方の電極が前記導電層に接続された半導体レーザ装置の発明が引用刊行物２に記載されている。
　そして、この引用刊行物２に記載された発明は、本願と同様の目的のもとに上記構成を有するものであるから、引用刊行物１に記載されたようなものにおいて、上記の目的のために引用刊行物２に記載された上記構成を採用して本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　なお、引用刊行物２に記載された発明では、基板が回路基板であるか否かが明りょうではなく、また、レーザ光が基板に平行に出射されている点で相違点が認められるが、光学式ピックアップ装置においては、本願の従来例として記載されているように回路基板上に、ヒートシンクに取り付けられた半導体レーザおよび受光素子を設ける構成が一般的であり、かつ、引用刊行物２に記載された発明においては、チップキャリアを基板上に搭載しメタライズして電気的接続を行っていることから、基板１４は、回路基板と認められること、また、レーザ光が該回路基板に出射され、したがってリアファセット光検出器が回路基板上に設けられることが普通に知られた構成であることから、引用刊行物１に記載されたような発明において引用刊行物２に記載されたような構成を採用すれば本願発明のような配置になることは自明の事項と認められる。
　
５．むすび
　したがって本願発明は、引用刊行物１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。