【事件の表示】
　平成　５年特許願第５１５７２４号「メモリで利用可能な結晶学的に整列した強誘電性膜，およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　９月１６日国際公開、ＷＯ９３／１８５３１、平成　７年　５月２５日国内公表、特表平　７−５０４７８４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９３年２月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９２年３月５日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「強誘電性メモリ素子であって：
　ペロブスカイト結晶構造を有する導電性酸化金属を含む第１の薄膜を、表面に具備する基体；
　該結晶体上にエピタキシャル的に形成され、少なくとも８０％がｃ軸配向である強誘電性層；
　上記強誘電性層上に形成され、実質的に上記第１の薄膜と同一の結晶配向を有する第２の薄膜；
を有し、さらに上記第１の薄膜および第２の薄膜が対応する電極接触子にそれぞれ接続され、もって上記第１の薄膜および第２の薄膜が電極として働く強誘電性メモリ素子。」
　
２．引用例
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された特開平２−２４８０８９号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体基板上に絶縁層を被覆し、かつ該絶縁層上に少なくとも一対の電極を備えたペロブスカイト型強誘電体薄膜を設けた電子部品において、前記絶縁層をＭｇ及びＺｒの少なくとも１種を主成分とする酸化物、又はＳｒ及びＴｉを主成分とする酸化物から形成し、かつ前記電極のうち少なくとも前記絶縁層と接する電極をペロブスカイト型導電性酸化物から形成したことを特徴とする電子部品。」（第１頁、特許請求の範囲）であり、「強誘電体薄膜は、電子部品の高機能化、小形化、高集積化に伴い、近年、・・・強誘電体メモリ等に用いられている。前記強誘電体薄膜は、通常、ペロブスカイト型酸化物を用いる場合が多く、ＰｂＴｉＯ３、ＰＺＴ（ＰｂＴｉＯ３とＰｂＺｒＯ３の固溶体）、ＰＬＺＴ（ＰＬＴにＬａを添加したもの）が代表的なものとして用いられている」（第１頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第８行）こと、「実施例１
　まず、半導体素子や配線が既に形成されたシリコンウェハ１１上にＳｉＯ２ガラスからなる絶縁膜１２を堆積した後、全面に下記条件のＲＦマグネトロンスパッタリングにより厚さ５０００ÅのＭｇＯからなる酸化物絶縁層１３を成膜した（第１図（ａ）図示）。・・・次いで、前記酸化物絶縁層１３の全面に下記条件のＲＦマグネトロンスパッタリングによりペロブスカイト型超電導酸化物である厚さ５０００ÅのＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７膜（以下、ＹＢＣＯ膜と称す）を成膜した。この後、このＹＢＣＯ膜をイオンリミングによりパターニングして下部電極１４を形成した（同図（ｂ）図示）。・・・次いで、前記下部電極１４を含む絶縁層１３上に下記条件のＲＦマグネトロンスパッタリングにより厚さ５０００ÅのＰｂＴｉＯ３薄膜を成膜した。こうして成膜された薄膜は、単一相であった。つづいて、前記ＰｂＴｉＯ３薄膜上に写真蝕刻法によりレジストパターン（図示せず）を形成した後、該レジストパターンをマスクとして薄膜を選択的にエッチングしてＰｂＴｉＯ３薄膜パターン１５を形成した。この後、・・・全面に厚さ５０００ÅのＹＢＣＯ膜を前述したのと同様な条件で成膜し、・・・パターニングして上部電極１６を形成した。この後、酸素雰囲気中、５００℃で２時間の熱処理を施して強誘電体薄膜素子を製造した（同図（ｃ）図示）。」（第３頁左下欄第１４行〜第４頁右上欄第６行）こと、「なお、本発明の電子部品は実施例で説明した構造に限定されず、例えば第２図に示す構造としてもよい。即ち、第２図中の１１は、半導体素子や配線が既に形成されたシリコンウェハであり、このシリコンウェハ１１上には例えばＳｉＯ２ガラスからなる絶縁膜１２が被覆されている。この絶縁膜１２上には、ＭｇＯ、ＺｒＯ２又はＳｒＴｉＯ３からなる第１の酸化物絶縁層１７が被覆されている。この酸化物絶縁層１７上にはペロブスカイト型酸化物膜の成膜、パターニングにより形成された下部電極１４が設けられている。この下部電極１４を含む前記第１の酸化物絶縁層１７上には、ＭｇＯ又はＺｒＯ２又はＳｒＴｉＯ３からなる第２の酸化物絶縁層１８が被覆され、かつ前記下部電極１４の一部に対応する前記第２の酸化物絶縁層１８部分には開孔部１９が形成されている。この開孔部１９を含む周辺の第２の酸化物絶縁膜１８部分には、例えばＰｂＴｉＯ３薄膜パターン１５が設けられている。このＰｂＴｉＯ３薄膜パターン１５上には、ペロブスカイト型酸化物膜の成膜、パターニングにより形成された上部電極１６が設けられている。」（第５頁右上欄第１５行〜同頁左下欄第１５行）ことが、第１図、第２図と共に記載されている。
　以上の記載から、引用例１には、「電子部品であって、ペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜を表面に具備する半導体基板、該ペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜上に形成された強誘電体薄膜、上記強誘電体薄膜上に形成され、上記ペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜と同一のペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜を有し、上記ペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜および上記強誘電体薄膜上に形成され、上記ペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜と同一のペロブスカイト型導電性酸化物を含む薄膜が電極として働く強誘電体メモリ等である電子部品。」が示されている。
　同じく、本願の優先権主張の日前に頒布された特開昭６３−２３６７９７号公報（以下「引用例２」という。）には、「正方晶のペロブスカイトＰｂＴｉＯ３（ａ＝３．９０４Å、ｃ＝４．１５Å）の薄膜を立方晶のＭｇＯ（ａ＝４．２０３Å）単結晶基板上にスパッタリング法で作成した場合、Ｃ軸がＭｇＯ基板に垂直に並んだ配向膜がエピタキシャル成長する事が知られている。」（第２頁右上欄第２０行〜同頁左下欄第５行）こと、「ペロブスカイト化合物としては、ＰｂＴｉＯ３やＢａＴｉＯ３の他に・・・などが挙げられるが、実用的には強誘電性を示す前３者が望ましい。」（第２頁右下欄第１１〜１５行）こと、「＜実施例１＞
　＜１００＞配向したＬａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３膜上にＰｂ０．９Ｌａ０．１ＴｉＯ３薄膜をＲＦスパッタリング法で作製した。・・・得られた膜のＸ線回折図形では（１００）面と（００１）面からの反射のみが観察された。（１００）面と（００１）面の反射強度をそれぞれＩ１００、Ｉ００１とし配向度Ａを
　Ａ＝Ｉ００１／（Ｉ００１＋Ｉ１００）
で定義すると、Ａ＝９６％であった。・・・
＜実施例２＞・・・得られた膜はＡ＝９３％を示した。」（第３頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１４行）ことが、第１図、第２図と共に記載されている。
　
３．対比
　本願発明と上記引用例１に記載された発明を対比すると、上記引用例１に記載された発明の「強誘電体メモリ」、「ＹＢＣＯ膜を成膜し、パターニングした下部電極１４」又は「ペロブスカイト型酸化物膜の成膜、パターニングにより形成された下部電極１４」、「シリコンウェハ１１」、「強誘電性膜」、「強誘電体薄膜」、「ＹＢＣＯ膜を成膜し、パターニングした上部電極１６」又は「ペロブスカイト型酸化物膜の成膜、パターニングにより形成された上部電極１６」は、それぞれ本願発明の「強誘電性メモリ素子」、「ペロブスカイト結晶構造を有する導電性酸化金属を含む第１の薄膜」と「第１の薄膜が電極として働く」点、「基体」、「強誘電性膜」、「実質的に上記第１の薄膜と同一の結晶配向を有する第２の薄膜」と「第２の薄膜が電極として働く」点、に相当するので、両者は、「強誘電性メモリ素子であって：
　ペロブスカイト結晶構造を有する導電性酸化金属を含む第１の薄膜を、表面に具備する基体；
　該結晶体上に形成された強誘電性膜；
　上記強誘電性層上に形成され、実質的に上記第１の薄膜と同一の結晶配向を有する第２の薄膜；
を有し、上記第１の薄膜および第２の薄膜が電極として働く強誘電性メモリ素子。」の点で一致し、次の点で相違している。
（１）強誘電性膜が、本願発明では、エピタキシャル的に形成され、少なくとも８０％がｃ軸配向であるのに対して、上記引用例１に記載された発明では、このような記載がない点（以下、「相違点１」という。）。
（２）本願発明は、第１の薄膜および第２の薄膜が対応する電極接触子にそれぞれ接続されているのに対して、上記引用例１に記載された発明は、電極接触子については記載がない点（以下、「相違点２」という。）。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　まず、相違点１について検討すると、上記引用例２には、強誘電性を示すペロブスカイトＰｂＴｉＯ３の薄膜について、Ｃ軸が垂直に並んだ配向膜がエピタキシャル成長することが記載されており、また、実施例１、２には、ペロブスカイトの薄膜について、９６％と９３％のｃ軸配向について示唆されている。
　したがって、上記引用例１に記載の強誘電性膜の代わりに、上記引用例２に記載のような、エピタキシャル的に形成され、少なくとも８０％がｃ軸配向と認められる強誘電性膜を用いることは、当業者が適宜選択できた程度の事項である。
　次に、相違点２について検討すると、電極に対して、電極接触子を接続することは、当該技術分野の周知技術であり、当業者が装置の設計上適宜なし得た程度の事項である。
　また、本願発明の作用効果も、当業者の予測を越えるものとは認められない。
　なお、上記したように当審で拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　そして、以上検討したように、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願発明は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明並びに上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。