【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に位置し、第１のピーク波長を有する第１の光を出射する第１の光生成構造体と、
第２の基板上に位置し、第２のピーク波長を有する第２の光を出射する第２の光生成構造体とを含み、
前記第１及び第２の光生成構造体が前記第１及び第２の基板の間に挟まれるように、前記第２の光生成構造体が、前記第１の光生成構造体へと物理的に取り付けられ、前記第２の光生成構造体が、前記第１の光生成構造体に光学的に結合されて、前記第１のピーク波長を有する前記第１の光に呼応して前記第２のピーク波長を有する前記第２の光を生成し、
前記第１の基板及び前記第２の基板が、前記第１のピーク波長を有する前記第１の光を吸収する一方で、前記第２のピーク波長を有する前記第２の光を透過させるという透過特性を有し、これにより前記第１及び第２の基板が光エネルギーの伝搬に関して波長選択的である、発光デバイス。
【請求項２】
前記第１の基板がＧａＡｓを含み、前記第２の基板がＩｎＰを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の光生成構造体が、第１の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を画定し、前記第２の光生成構造体が、第２のＶＣＳＥＬを画定する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第２のＶＣＳＥＬが、誘電体分布ブラッグリフレクタ（ＤＢＲ）を含み、前記第２のＶＣＳＥＬが、半導体ＤＢＲを含む、請求項３に記載のデバイス
【請求項５】
前記第１のＶＣＳＥＬが９２０ｎｍより小さい前記第１のピーク波長を有する前記第１の光を生成するように構成され、前記第２のＶＣＳＥＬが１２５０ｎｍから１７００ｎｍの前記第２のピーク波長を有する前記第２の光を生成するように構成されている、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の光生成構造体は、第１の層スタックに面する第２の層スタックの表面が第１の層スタックの対向する表面と角度をなすように、前記第１の光生成構造体に対して角度を持つように配置され、前記角度が０度より大きく９０度未満である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第１の光生成構造体が、前記第２の光生成構造体に対して光学接着材料により固着され、前記光学接着材料が透明である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第１の光生成構造体が、前記第２の光生成構造体に対して金属ボンディング材料により固着され、前記金属ボンディング材料が、前記第１及び第２の光生成構造体間の光学的結合を著しく制限しないように配置される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
光ポンピング発光デバイスの製造方法であって、
第１の発光層スタックを第１の基板上に形成するステップであって、前記第１の発光層スタックが、第１の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であり、且つ電気信号の印加に呼応して第１のピーク波長を有する所定波長範囲にある第１の光を出射するべく電流駆動される、ステップと、
第２の発光層スタックを第２の基板上に別途形成するステップであって、前記第２の発光層スタックが、第２のＶＣＳＥＬであり、且つ前記第１の光に呼応して、第２のピーク波長を有する所定波長範囲にある第２の光を出射するべく光駆動される、ステップと、
前記第１の発光層スタック及び前記第２の発光層スタックによって前記第１の基板が前記第２の基板から隔てられるように、前記第１の発光層スタックを前記第２の発光層スタックに接触して配置するステップとを含む、製造方法。
【請求項１０】
前記第１の発光層スタックを前記第２の発光層スタック上へと接触して配置する前記ステップは、前記第１の発光層スタックが前記第２の発光層スタックに対して０度より大きい鋭角な角度を持たせて配置することを含み、これにより前記第１の発光層スタックの平坦面が前記第２の発光層スタックの対向する平坦面に対して前記角度をなすようになっている、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の発光層スタックを前記第２の発光層スタック上へと接触して配置する前記ステップが、前記第１の発光層スタックと前記第２の発光層スタックとを互いに結合する為に光学接着材料を利用することを含む、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の発光層スタックを前記第２の発光層スタック上へと接触して配置する前記ステップが、前記第１の発光層スタックと前記第２の発光層スタックとを互いに結合する為に金属ボンディング材料を利用することを含む、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
第１の基板上に短波長垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を有し、電流注入に呼応して第１のピーク波長を有する所定波長範囲にある第１の光を出射するように構成されている、第１の光生成構造体と、
前記第１の光生成構造体に固着され、第２の基板上に長波長ＶＣＳＥＬを有する第２の光生成構造体とを含み、
前記長波長ＶＣＳＥＬが前記短波長ＶＣＳＥＬに隣接して、前記第１の基板と第２の基板が隔てられるようにされており、前記第２のＶＣＳＥＬ構造体が、前記第１の光の吸収により、第２のピーク波長を有する所定波長範囲にある第２の光を出射するように構成されている、レーザデバイス。
【請求項１４】
前記第１の光生成構造体の前記第１の基板、及び前記第２の光生成構造体の前記第２の基板が波長選択的であり、前記第１及び第２の基板はそれぞれ、前記第１の光が前記第１の基板と前記第２の基板により吸収される一方で、前記第２の光が前記第１及び第２の基板を透過できるという透過特性を有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記短波長ＶＣＳＥＬが９２０ｎｍより小さい前記第１のピーク波長を有する前記第１の光を生成するように構成され、前記長波長ＶＣＳＥＬが１２５０ｎｍから１７００ｎｍの前記第２のピーク波長を有する前記第２の光を生成するように構成されている、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第２の光生成構造体は、前記長波長ＶＣＳＥＬと前記短波長ＶＣＳＥＬの対向する表面が平行でないように、前記第１の光生成構造体に対して角度を持つように配置される、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第１の光生成構造体が、前記第２の光生成構造体に対して光学接着材料により固着され、前記光学接着材料が透明である、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第１の光生成構造体が、前記第２の光生成構造体に対して金属ボンディング材料により固着される、請求項１３に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
他の光ポンピングＶＣＳＥＬデバイスが米国特許第５，７５４，５７８号に記述されているが、これもまたＪａｙａｒａｍａｎのものである。この特許に開示された光ポンピングＶＣＳＥＬデバイスの一実施形態を図２に示す。この実施形態においては、ＶＣＳＥＬデバイス３８は、単一のＧａＡｓ基板４４上に形成された短波長ＶＣＳＥＬ４０と長波長ＶＣＳＥＬ４２とを含む。短波長ＶＣＳＥＬ４０は活性領域４６及びミラー４８、５０から構成される。ミラー４８、５０はＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの交互の層から成る。短波長ＶＣＳＥＬ４０は活性層４６へと電流を供給する金属接触部５２、５４を含む。短波長ＶＣＳＥＬ４０は更に、陽子注入又は酸化膜５６により実現可能の電流閉じ込め機構を含む。長波長ＶＣＳＥＬ４２は活性領域５８及びミラー６０、６２から構成される。ミラー６２はＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの交互の層から成る。しかしながらミラー６０はＶＣＳＥＬ中のミラーを作成するに好適な複数の異なる材料から構成することが出来る。ミラー６２は短波長ＶＣＳＥＬ４０のエピタキシャル成長と同じ工程で成長させると説明されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ＶＣＳＥＬデバイス３８の動作は、図１のＶＣＳＥＬデバイス１０の動作と実質的に同様である。まず最初に、短波長ＶＣＳＥＬ４０の活性領域４６に接触部５２、５４を介して電流が注入される。注入された電流により活性領域４６が駆動され、短いピーク波長を持つ光６３が短波長ＶＣＳＥＬ４０から出射される。光６３はその後長波長ＶＣＳＥＬ４２のミラー６２を通過して伝搬され、活性領域５８に入る。光６３は活性領域５８に吸収され、これにより活性領域５８が長いピーク波長を持つレーザ光６４を出射することとなる。レーザ光６４は長波長ＶＣＳＥＬ４２のミラー６０から出力レーザ光としてＶＣＳＥＬデバイス３８を出る。