Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】焼石膏を混合する装置において、トップカバーとディスク状ロータを備え、前記ディスク状ロータは、焼石膏に計量された水及び他の成分を混合して石膏スラリを生成する為に周囲に沿って歯部を備えたロータ胴部を備える、前記装置であって、  前記トップカバーは、複数の低圧水噴射ノズルと、少なくとも一つの高圧水噴射ノズルを含み、前記高圧水噴射ノズルは、前記ロータの歯部および前記ロータ胴体の接合部の上方で垂直に整合され、前記高圧水噴射ノズルと前記接合部により画定された垂直線は、前記ディスク状ロータの表面により画定された水平面に対し垂直であり、前記計量された水の一部は、前記高圧水噴射ノズルを経て前記装置内に導入され、前記水の残りは、前記低圧水噴射ノズルを経て前記装置内に導入され、前記接合部での石膏塊の生成が実質的に低減されるように構成されてなる、前記装置。    【請求項２】ランプリングが前記装置内に設けられ、前記ランプリングは、前記トップカバーの下側に付設される固定金属ランプリングと前記ディスク状ロータに付設される回転金属ランプリングとで構成され、前記固定ランプリングおよび前記回転ランプリング間の間隙が実質的に１／８〜１／４インチの範囲内にある、請求項１に記載の装置。    【請求項３】前記トップカバー内に配置され、前記間隙の上方で直接かつ垂直に調整されて位置決めされた第２の高圧噴射ノズルがあり、前記第２の高圧水噴射ノズルから噴射される水が、前記回転ランプリングの前記固定金属ランプリング及び前記回転金属ランプリング間の間隙の領域で、前記回転ランプリングに当たる、請求項２に記載の装置。    【請求項４】請求項１の装置を駆動方法において、  前記水の一部は、前記トップカバー内の前記高圧水噴射ノズルを経て前記装置内に導入され、前記高圧水噴射ノズル内の水圧は、実質的に４００ｐｓｉ〜８００ｐｓｉの範囲内にあり、前記水の残りは、前記トップカバー内の複数の低圧水噴射ノズルを経て前記装置内に導入される、駆動方法。    【請求項５】前記低圧水噴射ノズルの水圧が、実質的に４０ｐｓｉである、請求項４に記載の駆動方法。    【請求項６】前記高圧水噴射ノズルを経て前記装置内に導入される水が、前記ディスク状ロータの周囲に当たるように前記ロータの歯部と前記胴部との前記接合部に向けられる、請求項４に記載の駆動方法。    【請求項７】前記トップカバー内に第２の高圧水噴射ノズルがあり、前記ディスク状ロータに付設された回転ランプリングが前記周囲付近にあり、前記高圧水噴射ノズル及び前記第２の高圧水噴射ノズルの水圧は、実質的に４００ｐｓｉ〜８００ｐｓｉの範囲内にあり、前記第２の高圧水噴射ノズルを経て噴射された水は、前記回転ランプリングに向けられ、前記回転ランプリングに当たる、請求項４に記載の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】感光性ペースト用の無機微粉末であって、該無機微粉末の粒度分布が少なくとも２つ以上のピークを有することを特徴とする無機微粉末。
【請求項２】無機微粉末の平均粒子径および最大粒子径が以下の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の無機微粉末。
１．０μｍ≦平均粒子径≦７μｍ
最大粒子径≦４０μｍ
【請求項３】無機微粉末が実質的にガラス粉末からなることを特徴とする請求項１または２に記載の無機微粉末。
【請求項４】ガラス粉末が、ガラス転移点４００〜５５０℃、軟化点４５０〜６００℃の低融点ガラス粉末を含むことを特徴とする請求項３に記載の無機微粉末。
【請求項５】ガラス粉末が、ガラス転移点５７０〜１２００℃、軟化点６２０〜１２００℃の高融点ガラス粉末を含むことを特徴とする請求項３または４に記載の無機微粉末。
【請求項６】無機微粉末が低融点ガラス粉末４０〜９０重量％とフィラー６０〜１０重量％からなることを特徴とする請求項４のいずれかに記載の無機微粉末。
【請求項７】フィラーの平均粒子径が１〜４μｍ、最大粒子径が２５μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の無機微粉末。
【請求項８】無機微粉末のタップ密度が０．６ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の無機微粉末。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の無機微粉末と感光性有機成分からなることを特徴とする感光性ペースト。
【請求項１０】プラズマディスプレイパネル、プラズマアドレス液晶ディスプレイパネルまたは電子放出素子の隔壁形成に用いることを特徴とする請求項９に記載の感光性ペースト。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
比較的小さなパイロットユニットからの熱損失のために、断熱式ATR 出口温度は、表２に示された温度より高いであろう。大きな工業的ユニットは、断熱式と非常に近くなり、そして従って工業的なユニットを正確に表３に示される同じ条件で操作した場合には、そのようなユニットからの出口温度は、表３に示す断熱式に非常に近くなるであろう。
表  ３
1999314901.tif 000001
圧力および操作温度の関数としての水蒸気−炭素の臨界比
表３の試験に示されているATR 反応器からの生成ガスの組成は、ガスクロマトグラフィーにより測定した。選択されたガス組成を表４に示す。ガス組成は、乾燥モル％として示し、これは水蒸気が含まれない場合のガス成分のモル組成である。
表４
1999314901.tif 000002
水蒸気−炭素の臨界比の非常に強い依存性が両方の操作温度で認められる。1035℃の操作温度では、圧力がファクター２未満で上昇した場合には、水蒸気−炭素の臨界比はファクター４．５で低下する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  複数軸伝動式ターボ圧縮機のニトローゼガス圧縮機の低圧段階から、圧縮されたニトローゼガスが高圧段階に冷却せずに導かれる請求項１〜６のいずれか一つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
使用されるアンモニアの燃焼を低い第一の圧力のもとで圧縮プロセス空気によって行いそしてこの燃焼によって生じるニトローゼガスを第一の圧力より比較的に高い第二の圧力のもとで少なくとも一部の水を吸収し、それによって硝酸を生じ、そして吸収されない残留ガスを、圧縮機を動作させるために残留ガス膨張装置で第二の圧力から雰囲気圧に放圧する、二段階圧法により硝酸を製造する方法は公知である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明のこの課題は、冒頭に記載の種類の方法において、複数軸伝動ターボ圧縮機にプロセス空気およびニトローゼガスを別々に吹き当て、その際にプロセス空気の上述の最初の圧力に圧縮しそしてニトローゼガスを上述の第二の圧力に圧縮することによって解決される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
使用される可能な装置の例として以下の装置を説明する。この場合、硝酸装置ではここに記載した二段階圧法に従って１００％の濃度で９００トン／日の硝酸が得られる。この実施例は上記の種類の複数軸伝動式ターボ圧縮機に関する：
技術的データ：
コンプレッサー：
液体：（容積流）                                空気        ＮＯガス
- STP-条件、ウエット、０℃、1.013bar  (m3 / 時)   145,880      132,140 
- 吸入条件                            (m3 / 時)   164,591       37,653   
入口条件: 
- 吸入圧( 絶対圧)                    (bar)        0.98          4.2 
- 吸入温度                           (℃)         2.5          50 
- 相対湿度                           (pct)        60 
出口条件: 
- 排出圧 (絶対圧)                    (bar)       4.6          12.0 
- 排出温度 (約)                      (℃)        220          177 
- コンプレッサー回転数 (約)       ( 回転/ 分)  7,250/10,374  13,668 
- 連結に必要とされる出力             (kW)      10,792         6,492 
膨張装置: 
流体：
STP 容積流                        (m3 / 時)     116,550
入口圧 (絶対圧)                   (bar)         10.9
入口温度 (約)                     (℃)          420
出口圧 (絶対圧)                   (bar)         1.09
出口温度 (約)                     (℃)          150
連結時の出力                      (kW)          11,608
回転数                        ( 回転/ 分)    10,374/7,250 
蒸気タービン: 
生蒸気 (絶対圧)                    (bar)        60
生蒸気温度                        (℃)         450
コンデンサー: 
圧力( 絶対圧)                   (bar)          0.1
連結時の出力                    (kW)           5,676
蒸気流                         (kg/ 時)       21,350
回転数                       (回転/ 分)        8,700
刊行物のリスト: 
1) J.Pruemper, Moderne vielstufige Getriebekompressoren und ihr Einsatz in der Industrie Konferenz-Einzelbericht: 6. Symposium Pumpen und Verdichter, TU Magdeburg, DDR, 11.-12.1989, 第 1巻 (1989) 4 月、第187 〜201 頁(15 頁、第19図) 。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１・・・ＮＨ3 蒸発器
２・・・ＮＨ3 ガス予備加熱器
３・・・ＮＨ3 ガスフィルター                  
４・・・ＮＨ3 −空気混合器
５・・・空気用フィルター
６・・・空気圧縮器
７・・・Ｌａ  Ｍｏｎｔ−廃熱ボイラーを備えたＮＨ3 −バーナー
８・・・残留ガス加熱きII
９・・・ニトローゼガス冷却器Ｉ
10・・・ニトローゼガスコンプレッサー
11・・・残留ガス加熱きI 
12・・・ニトローゼガス冷却器II
13・・・吸収塔
14・・・ＨＮＯ3 −脱ガス器
15・・・残留ガス放射状膨張装置
16・・・蒸気ドラム
17・・・復水蒸気タービン
18・・・凝縮器
19・・・複軸伝動ターボ圧縮器
21・・・第一のピニオン軸
22・・・第二のピニオン軸
23・・・第三のピニオン軸
24・・・第四のピニオン軸
61・・・空気圧縮器の低圧段階
62・・・空気圧縮器の高圧段階
100・・・ＮＨ3 液
101・・・プロセス空気
103・・・硝酸
104・・・プロセス水
105・・・残留ガス用煙突
111・・・ニトローゼガスコンプレッサーの低圧段階
112・・・ニトローゼガスコンプレッサーの高圧段階
151・・・残留ガス放射状圧縮器の低圧段階
152・・・残留ガス放射状圧縮器の高圧段階
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定のレベル（Ｎ１）にあり紙葉流れの方向に対して直角の方向にあって回転軸受部分（１１）で形成されている幾何学的揺動軸（１．２）と、該幾何学的揺動軸（１．２）の実質的に上方に置かれたストッパ面構造（１．１）を有し、そのストッパ面構造は前記幾何学的揺動軸（１．２）に関して、紙葉（２）を停止させる作動位置とそこから揺動して離れた位置の間で揺動可能である、相前後した紙葉（２）の流れからパイル（６）を形成する装置において、前記幾何学的揺動軸（１．２）と平行で、前記回転軸受部分（１１）に対して偏心して配置された支持プロフィル（１０）が設けられていて、該支持プロフィルは前記ストッパ面構造（１．１）を支持しており、該ストッパ面構造（１．１）は複数のストッパ面部分（１″）を有しており、それらストッパ面部分は作動位置においては支持プロフィル（１０）の下方へと櫛の形で張り出していることを特徴とするパイル形成装置。
【請求項２】  前記ストッパ面構造（１．１）が、作動位置において前記幾何学的揺動軸（１．２）のレベル（Ｎ１）の下方まで延びていて、このレベル（Ｎ１）より下方に、ストッパ面構造（１．１）の作動位置とそこから揺動して離れた位置の間での揺動を、前記パイル（６）に当たることなしに可能にする、面の延びを有している、請求項１記載の装置。
【請求項３】  所定のレベル（Ｎ１）にあり紙葉流れの方向に対して直角の方向にある幾何学的揺動軸（１．２）と、該幾何学的揺動軸（１．２）の実質的に上方に置かれたストッパ面構造（１．１）を有し、該ストッパ面構造は前記幾何学的揺動軸（１．２）に関して、紙葉（２）を停止させる垂直な作動位置とそこから揺動して離れた位置の間で揺動可能である、相前後した紙葉（２）の流れからパイル（６）を形成するパイル形成装置において、
前記幾何学的揺動軸（１．２）と平行に延びている支持プロフィル（１０′）が、それによって支持された複数の補助ストッパ（１５）と共に設けられており、
前記支持プロフィル（１０′）は、距離（Ａ）だけ前記幾何学的揺動軸（１．２）より下方にある出発位置とこの出発位置の下方にある位置の間で垂直方向に移動可能であり、
該補助ストッパ（１５）は、前記支持プロフィル（１０′）の上方へと張り出している
ことを特徴とするパイル形成装置。
【請求項４】  前記支持プロフィル（１０′）の出発位置において、それと前記幾何学的揺動軸（１．２）の間に設けられた距離（Ａ）が調整可能である、請求項３記載の装置。
【請求項５】  請求項１から４の少なくとも１項に記載の装置を備えている、紙葉を処理する印刷機の排紙装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定のレベルにあり紙葉流れの方向に対して直角の方向にあって回転軸受部分で形成されている幾何学的揺動軸と、実質的に幾何学的揺動軸の上方に置かれたストッパ面構造を有し、そのストッパ面構造は幾何学的揺動軸に関して、紙葉を停止させる作動位置とそこから揺動して離れた位置の間で揺動可能である、相前後した紙葉の流れからパイルを形成する装置と、その装置を備えている、紙葉を処理する印刷機の排紙装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この目的の達成のために、第１の変形例の場合、前記の装置には、幾何学的揺動軸に平行で、回転軸受部分に対して偏心して配置された支持プロフィルが設けられていて、その支持プロフィルはストッパ面構造を支持しており、そのストッパ面構造は複数のストッパ面部分を有しており、そのストッパ面部分は支持プロフィルの作動位置においては下方へと櫛の形で張り出している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記遅延装置が、前記第２の伸ばし用くぼみ（５．２）と前記第１の伸ばし用くぼみ（５．１）とを接続する絞り弁（１４）によって構成されている請求項１記載の、枚葉紙を伸ばす装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸化オスミウムが芳香族ポリオレフィンに担持されてなる、酸化オスミウム組成物。
【請求項２】  酸化オスミウムが四酸化オスミウムである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  芳香族ポリオレフィンがα位に置換基を有してもよいスチレン又はその核置換誘導体のホモポリマー又はコポリマーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】  芳香族ポリオレフィンがポリスチレン又はＡＢＳ樹脂である、請求項1に記載の組成物。
【請求項５】  酸化オスミウム組成物が直接大気と接する細孔や隙間を有している、請求項１に記載の酸化オスミウム組成物。
【請求項６】  酸化オスミウムを、芳香族ポリオレフィンと有機溶媒中で均一になるまで混合し、生成物を析出させて回収することを特徴とする、請求項１〜５の何れかに記載の組成物の製造法。
【請求項７】  請求項１〜５の何れかに記載の組成物を含んでなる酸化剤。
【請求項８】  酸化オスミウムに光学活性な配位子が配位してなる請求項１〜５の何れかに記載の組成物。
【請求項９】  請求項１〜５の何れかに記載の組成物と光学活性な配位子とを反応させることを特徴とする、請求項８に記載の組成物の製造法。
【請求項１０】  酸化オスミウムと、光学活性な配位子と、芳香族ポリオレフィンとを有機溶媒中で反応させた後、析出させることを特徴とする、請求項８に記載の組成物の製造法。
【請求項１１】請求項８に記載の組成物を含んでなる酸化剤。
【請求項１２】請求項１〜５の何れかに記載の組成物と光学活性な配位子と、オレフィン類とを反応させることを特徴とする、光学活性ジオール化合物の製造方法。
【請求項１３】請求項８に記載の組成物とオレフィン類とを反応させることを特徴とする、光学活性ジオール化合物の製造方法。
【請求項１４】オレフィン類が脂肪族化合物又は芳香族化合物である、請求項１２または１３に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光で被照射面上に配置したレチクルを照明する照明系と、前記レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系と、を備える投影露光装置において、
前記照明系は、複数の微小レンズを含むオプティカルインテグレータと、
前記複数の微小レンズに入射する前記光源からの光の光量を前記微小レンズ毎に調整する複数の光量調整部をそれぞれ有する複数の光量制御手段と、
前記複数の光量制御手段のうち少なくとも１つを前記照明系の光軸と直交する平面内で駆動する駆動機構と、を有することを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】  前記光量制御手段のうち少なくとも１つは、前記平面内で固定されることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】  前記光量制御手段のうち少なくとも１つを前記光軸に垂直な平面内で駆動することで、前記被照射面上における傾斜状の照度分布を補正することを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項４】  前記光量制御手段のうち少なくとも１つは、前記光軸方向に駆動され、前記被照射面上における前記光軸対称の傾斜状の照度分布を補正することを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項５】  前記複数の光量調整部は、前記オプティカルインテグレータの中心の微小レンズ及び中心回転対称に正方形の頂点に位置する４つの微小レンズの少なくとも一方に入射する前記光源からの光の光量を調整することを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項６】  前記複数の光量調整部は、ＮＤフィルター又は遮光部材であることを特徴とする請求項５記載の投影露光装置。
【請求項７】  前記複数の光量調整部は、前記微小レンズに対応する領域内において、連続的に透過率が異なる光学フィルターであることを特徴とする請求項５記載の投影露光装置。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれか一つに記載された投影露光装置を用いて基板を露光し、露光された前記基板を現像することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための本発明は、光源からの光で被照射面上に配置したレチクルを照明する照明系と、前記レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系と、を備える投影露光装置において、前記照明系は、複数の微小レンズを含むオプティカルインテグレータと、前記複数の微小レンズに入射する前記光源からの光の光量を前記微小レンズ毎に調整する複数の光量調整部をそれぞれ有する複数の光量制御手段と、前記複数の光量制御手段のうち少なくとも１つを前記照明系の光軸と直交する平面内で駆動する駆動機構と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月3日(2006.11.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜とが設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第１の層と前記ゲート電極と接する第２の層とを有し、
前記第１の層は、水素濃度が１．５〜５ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が２〜１５ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が５０〜６０ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であり、
前記第２の層は、水素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が６０〜６５ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜とが設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層と接する領域から前記ゲート電極と接する領域にかけて連続的に組成が変化し、
前記半導体層と接する領域は、水素濃度が１．５〜５ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が２〜１５ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が５０〜６０ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であり、
前記ゲート電極と接する領域は、水素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、窒素濃度が０．１〜２ａｔｏｍｉｃ％で、酸素濃度が６０〜６５ａｔｏｍｉｃ％の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜とが設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第１の層と前記ゲート電極と接する第２の層とを有し、
前記第１の層は、シリコンに対する酸素の組成比が１．４〜１．８で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０５〜０．５の酸化窒化シリコン膜であり、
前記第２の層は、シリコンに対する酸素の組成比が１．７〜２で、シリコンに対する窒素の組成比が０．００２〜０．０６の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜とが設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層と接する領域から前記ゲート電極と接する領域にかけて連続的に組成が変化し、
前記半導体層と接する領域は、シリコンに対する酸素の組成比が１．４〜１．８で、シリコンに対する窒素の組成比が０．０５〜０．５の酸化窒化シリコン膜であり、
前記ゲート電極と接する領域は、シリコンに対する酸素の組成比が１．７〜２で、シリコンに対する窒素の組成比が０．００２〜０．０６の酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記半導体層は非晶質半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記半導体層は結晶質半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、携帯型情報端末、ゴーグル型ディスプレイ、プロジェクター、電子書籍、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体層を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第１の層となる酸化窒化シリコン膜と前記ゲート電極と接する第２の層となる酸化窒化シリコン膜とを有し、
前記第１の層は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２から形成し、
前記第２の層は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏから形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体層を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜は酸化窒化シリコン膜であり、前記半導体層と接する領域から前記ゲート電極と接する領域にかけて、Ｈ２流量を減少させ、Ｎ２Ｏ流量を増加させて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
半導体層を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第１の層となる酸化窒化シリコン膜と前記ゲート電極と接する第２の層となる酸化窒化シリコン膜とを有し、
前記第１の層は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２の流量比がＸｈ＝０．５〜５（Ｘｈ＝Ｈ２／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））、Ｘｇ＝０．９４〜０．９７（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））の範囲で酸化窒化シリコン膜を形成し、
前記第２の層を形成する工程は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２の流量比がＸｈ＝０（Ｘｈ＝Ｈ２／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））、Ｘｇ＝０．９７〜０．９９（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））の範囲で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
半導体層を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜は酸化窒化シリコン膜であり、前記半導体層と接する領域から前記ゲート電極と接する領域にかけて、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２のガス流量比がＸｈ＝０．５〜５（Ｘｈ＝Ｈ２／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））、Ｘｇ＝０．９４〜０．９７（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））の範囲から、Ｘｈ＝０（Ｘｈ＝Ｈ２／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））、Ｘｇ＝０．９７〜０．９９（Ｘｇ＝Ｎ２Ｏ／（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ））の範囲に変化させて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８または請求項１０において、前記ゲート絶縁膜の第１の層と第２の層とを形成する工程は、プラズマＣＶＤ装置の同一の反応室で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
再び図１０を参照して、矢印によって半導体記憶装置２００におけるアドレス入力時の信号経路が示される。アドレス入力時においては、アドレス入力イネーブル信号／ＡＤｅは活性状態（Ｌレベル）であり、データ入出力イネーブル信号／ＤＱｅは非活性状態（Ｈレベル）とされるので、アドレスレジスタ２５０が動作状態（ＯＮ）となる一方で、データ入力レジスタおよびデータ出力レジスタは非動作状態（ＯＦＦ）とされる。したがって、多機能ピンＭＰＢ０に入力された信号は、入力バッファ１４４およびアドレスレジスタ２５０によって、アドレスビットＡＤＤ０およびＡＤＤ１としてアドレスデコーダ１２０に伝達される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
その他の多機能ピンＭＰＢ１〜ＭＰＢ５に対しても、同様にアドレスレジスタ、データ入力レジスタおよびデータ出力レジスタが設けられる。１ビットのアドレスビットのみが入力される多機能ピンＭＰＢ６，ＭＰＢ７に対応する各レジスタ回路については、入力が予定されるアドレスビットに対応するラッチ回路のみをアドレスデコーダ１２０と接続する構成とすればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
これに応じて、データ入力レジスタ１６０は動作状態（ＯＮ）とされ、多機能ピンに入力されたデータビットは、選択的にオンされたトランスファゲートを介してライトバッファ１３２に伝達される。一方、アドレスレジスタ２５０およびデータ出力レジスタ１７０は非動作状態（ＯＦＦ）とされる。したがって、データ入力時においては、多機能ピンＭＰＢ０に入力された信号は、入力バッファ１４４およびデータ入力レジスタ１６０を介して、データビットＤ０としてライトバッファ１３２に伝達される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
これに応じて、データ入力レジスタ１６０とデータ出力レジスタのオンオフが入替わり、データ出力レジスタ１７０が動作状態（ＯＮ）とされ、センスアンプ回路１３４から出力されたデータビットは、選択的にオンされたトランスファゲートを介して多機能ピンに伝達される。一方、データ入力レジスタ１６０は非動作状態（ＯＦＦ）とされる。アドレスレジスタ２５０は非動作状態（ＯＦＦ）のままである。したがって、データ出力時においてはセンスアンプ回路１３４によって読出されたデータビットＱ０は、データ出力レジスタ１７０および出力バッファ１４６を経由して多機能ピンＭＰＢ０より出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
なお、実施の形態３に示す多機能ピンおよび各レジスタ回路の構成の適用は、アドレス信号と入出力データ信号とのビット数が図１４に示した例とは異なる場合であっても、１ビットのアドレスビットの入力と２ビットのデータビットの入出力とを統合して実行する多機能ピンについて適用することが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
データ出力レジスタ４７０は、データビットＱ０〜Ｑ１５に対応してそれぞれ設けられるラッチ回路４７２−０〜４７２−１５と、ラッチ回路のそれぞれに対応して設けられるトランスファゲートＴＧ８０−０〜ＴＧ８０−１５とを含む。トランスファゲートＴＧ８０−０〜ＴＧ８０−１５は、制御信号ＣＲ０〜ＣＲ１５に応答してオン／オフされる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2001135084.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に離隔して形成された電極と、これらの電極間にまたがって固着された可溶合金と、前記電極の表面に固着されたリードと、前記可溶合金を覆うフラックスと、このフラックスの上を覆う天板部と立ち下がり部とを有する樋状の絶縁キャップとを具備する保護素子であって、前記リードは前記絶縁基板の幅寸法とほぼ等しい幅寸法部分を有し、前記絶縁キャップは前記リードの上面に密着して固着され、その内法寸法が前記絶縁基板の幅寸法とほぼ等しく、前記天板部の下面と前記リードの内方端面との間に前記可溶合金の溶融時の流動空間を形成していることを特徴とする保護素子。
【請求項２】
前記絶縁キャップの深さ寸法は前記絶縁基板およびリードの総厚さ寸法より若干大きく、絶縁キャップの長さ寸法は絶縁基板の長さ寸法よりも大きく、絶縁基板の裏面および周辺部が絶縁封止材により被覆封止されていることを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項３】
前記リードの先端部がコ字状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の保護素子。
【請求項４】
前記可溶合金が固着された前記絶縁基板の反対面に、抵抗体用の電極と、この電極間にまたがって形成され通電による発熱で前記可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体と、前記電極および抵抗体を被覆する絶縁膜とが設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の保護素子。
【請求項５】
前記絶縁基板の表面に形成された可溶合金用の電極と、前記絶縁基板の裏面に形成された抵抗体用の電極とが、絶縁基板に穿設された透孔を介して接続されていることを特徴とする請求項４に記載の保護素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板と、この絶縁基板上に離隔して形成された電極と、これらの電極間にまたがって固着された可溶合金と、前記電極の表面に固着されたリードと、前記可溶合金を覆うフラックスと、このフラックスの上を覆う天板部と立ち下がり部とを有する樋状の絶縁キャップとを具備する保護素子であって、前記リードは前記絶縁基板の幅寸法とほぼ等しい幅寸法部分を有し、前記絶縁キャップは前記リードの上面に密着して固着され、その内法寸法が前記絶縁基板の幅寸法とほぼ等しく、前記天板部の下面と前記リードの内方端面との間に前記可溶合金の溶融時の流動空間を形成していることを特徴とする保護素子である。このような保護素子によると、このリードの端面と絶縁キャップの天板部の下面とにより、可溶合金が溶融した時の流動空間が確保されるので、確実に動作する保護素子が得られるのみならず、フラックスの上面がリードの上面とほぼ一致しているので、保護素子全体の低背化が図れる。また、絶縁キャップにはリードを通すための切欠きがないので、リードの幅寸法や取付位置や本数等が異なっても、同一の絶縁キャップを使用できるため、原価低減が図れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項２に記載の発明は、前記絶縁キャップの深さ寸法は、前記絶縁基板およびリードの総厚さ寸法より若干大きく、絶縁キャップの長さ寸法は絶縁基板の長さ寸法よりも大きく、絶縁基板の裏面および周辺部が絶縁封止材により被覆封止されていることを特徴とする請求項１に記載の保護素子である。このような保護素子によると、絶縁基板まで絶縁キャップによって被覆されるので、全体の構造がすっきりとした保護素子が得られるのみならず、絶縁封止材による封止が容易になる。ここで、前記可溶合金の厚さが、前記リードの厚さよりも小さくすることにより、リードの厚さの範囲内に可溶合金とフラツクスとを収容でき、保護素子の薄型化ができる。また、前記可溶合金の電極間の寸法に対してその幅方向の寸法の方を大きくすることで、可溶合金の薄型化による抵抗値の増大を幅寸法の増大によって補償するので、その抵抗値を低くすることができる。

【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項３に記載の発明は、前記リードの先端部がコ字状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の保護素子である。このような保護素子によると、フラックスの塗布時にフラツクスの粘度を低下させても、フラックスがリードの先端間に流れ落ちにくくなる。ここで、前記リードの先端間に、絶縁材料よりなる詰め物が形成されることにより、粘度の低いフラックスを塗布しても詰め物によってフラックスが流れ落ちることがないのみならず、溶融した可溶合金がリードの先端間に流れ込むことがなくなり、短絡が防止できる。

【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項４に記載の発明は、前記可溶合金が固着された前記絶縁基板の反対面に、抵抗体用の電極と、この電極間にまたがって形成され通電による発熱で前記可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体と、前記電極および抵抗体を被覆する絶縁膜とが設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の保護素子である。このような保護素子によると、抵抗体への通電による発熱で可溶合金を強制的に溶断させることができるので、可溶合金の溶融温度の選択範囲が拡大するのみならず、温度ヒユーズとは異なる用途拡大が図れる。また、絶縁基板の表面に可溶合金を形成し、裏面に前記抵抗体用の電極、抵抗体および絶縁膜を形成することにより、絶縁基板の両面を有効に利用することができ、製作が容易である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項５に記載の発明は、前記絶縁基板の表面に形成された可溶合金用の電極と、前記絶縁基板の裏面に形成された抵抗体用の電極とが、絶縁基板に穿設された透孔を介して接続されていることを特徴とする請求項４に記載の保護素子である。このような保護素子によると、リード本数が少なくできるのみならず、絶縁基板の裏面にリードがないので、絶縁基板とリード等の組立体全体の厚さを薄くでき、絶縁キャップおよび保護素子全体の低背化が図れる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  略ボール状で、少なくとも一方向に貫通孔を有する複数の微生物着生材と、これらの微生物着生材を所定数ごと前記貫通孔に串差して回動可能に支持する複数の軸体と、これらの軸体を支持し、各微生物着生材を排水中にブロック状に配列させる枠体とを備え、各微生物着生材に着生する微生物により排水を処理する排水処理ユニット。
【請求項２】  枠体が、各軸体を略水平に支持してなる請求項１に記載の排水処理ユニット。
【請求項３】  枠体が、各軸体を略並行に支持してなる請求項2に記載の排水処理ユニット。
【請求項４】  枠体または軸体の下方に散気手段を更に備えた請求項１〜３のいずれか一つに記載の排水処理ユニット。
【請求項５】  微生物着生材が、貫通孔を有し、この貫通孔により軸体に回動可能に支持される円筒状部と、この円筒状部から放射状に延びる複数の放射羽根部と、これらの放射羽根部から分枝状に延びる分枝羽根部とからなる請求項１〜４のいずれか一つに記載の排水処理ユニット。
【請求項６】  排水処理部と排水処理ユニットとを備え、この排水処理ユニットが、略ボール状で、少なくとも一方向に貫通孔を有する複数の微生物着生材と、これらの微生物着生材を所定数ごと前記貫通孔に串差して回動可能に支持する複数の軸体と、これらの軸体を支持し、各微生物着生材を前記排水処理部内の排水中にブロック状に配列させる枠体とを備え、各微生物着生材に着生する微生物により排水を処理する排水処理装置。
【請求項７】  排水処理部が、排水処理槽、湖もしくは河川、または湖もしくは河川からのバイパス処理水路である請求項６に記載の排水処理装置。
【請求項８】  排水処理部が排水処理槽であり、この排水処理槽が、嫌気ろ床槽である請求項７に記載の排水処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ライナー部が通気性ウレタンフォーム、且つコルゲート部が除塵フィルターであること特徴する単段コルゲート除塵フィルター。
【請求項２】  通気性ウレタンフォームに脱臭性能を付与させたことを特徴とする請求項１記載の単段コルゲート除塵フィルター。
【請求項３】  単段コルゲートを作製するための接着剤が耐水性接着剤で水洗可能にしてなることを特徴とする請求項１記載の単段コルゲート除塵フィルター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決するものであり、粗塵用除塵フィルター機能と細かい埃を取る除塵フィルター機能を狭い設置スペースに設けることができる低圧力損失の除塵フィルターを提供することを目的とする。更には脱臭性能を付与したり、該除塵フィルターを水で揉み洗いにより溜まった埃を除くことが出来るフィルターを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に於いて、コルゲート部は山高さ５ｍｍ以下でコントロールすることができる。通常、プリーツフィルター等は製造機械の制約があり、５ｍｍの山高さに折ることは難しいとされてきた。また、この折ったプリーツをリボンやフィルター枠で固定する必要があり、現実問題として５ｍｍ以下の厚みのプリーツフィルターは製造不可能であった。しかし、本発明は山高さを５ｍｍ以下にできるので、狭い設置スペース、特に薄い厚み方向の設置場所に除塵フィルターを設置することができるようになった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明において、ライナー部が通気性ウレタンフォームであることにより、フレキシブルな除塵フィルターが可能となり、掃除機など湾曲した面を持つ製品などにピッタリと装着できるフィルターが提供可能になった。通常、プリーツフィルターは必ずフィルター枠で固定するので、通常フレキシブルなフィルターが困難であるのが現状である。また、ウレタンフォームの伸縮性により、該フィルター厚みより若干狭い場所にも設置が可能であり、寸法の融通性がある。この様に厚みの狭い場所に装着部分に沿った形で装着できるフィルターが提供可能となった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明において、単段コルゲート除塵フィルターを作製するための接着剤としては、さまざまなものが使用できる、水溶性のＰＶＡ系接着剤やセルロース系接着剤、ラテックス系接着剤、有機溶剤系の接着剤などが用いることができる。また、水洗可能な単段コルゲート除塵フィルターに使用する耐水性接着剤も種々のものが使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反応液槽（１）内に収容したＤＮＡ断片と試薬液とを含む反応液（５）を、循環通路（６）と、循環通路（６）に設けたポンプ（７）とで一方向へ送給し、
循環通路（６）内の反応液（５）を、ＤＮＡの二本鎖を解離させるための温度に維持された変性恒温槽（２）と、試薬液に含まれるプライマーをＤＮＡ断片に貼り付ける温度に維持されたアニーリング恒温槽（３）と、プライマーに連続して相補鎖を伸張させる温度に維持されたエンゲローション恒温槽（４）とに順に経由させ、
反応液（５）を各恒温槽（２・３・４）内の熱交換液（８）で所定の時間、所定温度に維持した後、反応液槽（１）へ循環させて、連続的に増幅反応を繰り返すＤＮＡの連続増幅方法であって、
変性恒温槽（２）における熱交換時間を基準時間にして、アニーリング恒温槽（３）とエンゲローション恒温槽（４）とにおける個々の熱交換時間を、前記基準時間の整数倍に設定して増幅反応を行うことを特徴とするＤＮＡの連続増幅方法。
【請求項２】  無端状の循環通路（６）内に収容したＤＮＡ断片と試薬液とを含む反応液（５）を、循環通路（６）に設けたポンプ（７）で一方向へ循環送給し、
循環通路（６）内の反応液（５）を、ＤＮＡの二本鎖を解離させるための温度に維持された変性恒温槽（２）と、試薬液に含まれるプライマーをＤＮＡ断片に貼り付ける温度に維持されたアニーリング恒温槽（３）と、プライマーに連続して相補鎖を伸張させる温度に維持されたエンゲローション恒温槽（４）とに順に循環経由させ、
反応液（５）を各恒温槽（２・３・４）内の熱交換液（８）で所定の時間、所定温度に維持して、連続的に増幅反応を繰り返すＤＮＡの連続増幅方法であって、
変性恒温槽（２）における熱交換時間を基準時間にして、アニーリング恒温槽（３）とエンゲローション恒温槽（４）とにおける個々の熱交換時間を、前記基準時間の整数倍に設定して増幅反応を行うことを特徴とするＤＮＡの連続増幅方法。
【請求項３】  ＤＮＡ断片と試薬液とを含む反応液（５）を収容する反応液槽（１）と、
ＤＮＡの二本鎖を解離させるための温度に調整された熱交換液（８）を収容する変性恒温槽（２）と、
試薬液に含まれるプライマーをＤＮＡ断片に貼り付ける温度に調整された熱交換液（８）を収容するアニーリング恒温槽（３）と、
プライマーに連続して相補鎖を伸張させる温度に調整された熱交換液（８）を収容するエンゲローション恒温槽（４）と、
反応液槽（１）内の反応液（５）を送給案内する循環通路（６）と、
循環通路内の反応液（５）を一方向へ送給操作するポンプ（７）とを備えており、
循環通路（６）は、反応液槽（１）から変性恒温槽（２）とアニーリング恒温槽（３）とエンゲローション恒温槽（４）とを経由して反応液層（１）へ循環するように配置されており、
変性恒温槽（２）と、アニーリング恒温槽（３）と、エンゲローション恒温槽（４）とが、それぞれ熱交換液（８）を収容する容器本体（２ａ・３ａ・４ａ）と、熱交換液（８）を攪拌する攪拌装置（１０）と、容器本体（２ａ・３ａ・４ａ）に熱交換液（８）を供給する加熱装置（１３）とを含み、
加熱装置（１３）が、熱交換液（８）を容器本体（２ａ・３ａ・４ａ）と加熱装置（１３）との間で循環送給するポンプ（１５）と、熱源（９）と、熱源（９）をオン・オフする制御回路とを含んでおり、
循環通路（６）内の反応液（５）を、各恒温槽（２・３・４）の熱交換液（８）で規定される所定温度に、所定時間維持できるように構成してあることを特徴とするＤＮＡの連続増幅装置。
【請求項４】  反応液槽（１）と、各恒温槽（２ａ・３ａ・４ａ）との間に、複数系統の循環通路（６）とポンプ（７）とが並列状に設けられている請求項３記載のＤＮＡの連続増幅装置。
【請求項５】  変性恒温槽（２）と、アニーリング恒温槽（３）と、エンゲローション恒温槽（４）とが複数組設けられており、
反応液層（１）と、複数組の各恒温槽（２・３・４）との間に、複数系統の循環通路（６）とポンプ（７）とが並列状に設けられている請求項３又は４記載のＤＮＡの連続増幅装置。
【請求項６】  循環通路（６）の中途部に、各恒温槽（２・３・４）に浸漬されるコイル状の熱交換通路（１２）が設けてある請求項３ないし５のいずれかに記載のＤＮＡの連続増幅装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】イメージング・デバイス（１０）の可変速度テーブル（４６）上に患者（２２）を位置決めするステップと、１つの心スキャン領域（５２）及び少なくとも１つの非心スキャン領域（５４）を決定するステップと、心スキャン領域（５２）のイメージングの間に前記可変速度テーブル（４６）を第１次速度で移動させるステップと、少なくとも１つの非心スキャン領域（５４）のイメージングの間に前記可変速度テーブル（４６）を第２次速度で移動させるステップと、心スキャン領域（５２）及び少なくとも１つの非心スキャン領域（５４）のイメージングの間にデータを収集するステップと、異なるテーブル速度で収集したデータに基づいて画像を再構成するステップ（１２８）と、を含む心臓イメージング方法（１００）。
【請求項２】 前記第２次速度が前記第１次速度を超える速さである、請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項３】 可変テーブル速さの速さが変化する間に可変テーブル速さをインクリメンタルに遷移させるステップをさらに含む請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項４】 前記第１次速度が患者（５２）のＥＫＧゲート速さである、請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項５】被検体に向けて高周波エネルギー（１６）を投射するための高周波電磁エネルギー投射源（１４）と、被検体によって減衰を受けた高周波電磁エネルギー（１６）を受け取るための検出器（２０）と、検出器出力をデータ処理システム（３２）に伝送するように構成した複数の電気的相互接続と、可変速度機能を有すると共に選択した領域からのデータ収集の間に複数のテーブル速さで動作するように構成した患者位置決めテーブル（４６）と、前記データ処理システム（３２）に伝送される検出器（２０）の出力に基づいて視覚的表示（４２）を生成させ、かつ被検体のある特定の領域の検出に応答して前記患者位置決めテーブル（４６）の速さを制御するためのコンピュータ（３６）と、を備えるコンピュータ断層システム（１０）。
【請求項６】 前記選択した領域が患者の胸部領域であると共に、前記特定の領域が１つの心スキャン領域（５２）及び１つの非心スキャン領域（５４）を含んでいる、請求項５に記載のシステム（１０）。
【請求項７】 前記患者位置決めテーブル（４６）は前記心スキャン領域（５２）においては第１のテーブル速さで、かつ非心スキャン領域（５４）では第２のテーブル速さで動作している、請求項５または６に記載のシステム（１０）。
【請求項８】 コンピュータ（３６）により実行させた際に該コンピュータ（３６）に対して、心スキャン領域（５２）及び非心スキャン領域（５４）を決定すること、前記心スキャン領域（５２）内において可変速度テーブル（４６）を第１次速度で移動させること、前記非心スキャン領域（５４）内において前記可変速度テーブル（４６）を第２次速度で移動させること、前記心スキャン領域（５２）内及び非心スキャン領域（５２）内においてイメージング・データの組を収集すること、少なくとも２つの異なるテーブル速さを用いて収集したデータに基づいて画像を再構成すること（１２８）、を行わせるコンピュータ・プログラムをその上に記憶しているコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項９】 その上に記憶している前記コンピュータ・プログラムがコンピュータ（３６）に対して、オペレータが入れた一対の入力間で画像再構成箇所を決定させている（１０４）、請求項８に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１０】 前記画像再構成箇所がオペレータが入れた前記一対の入力間の中央に位置している、請求項９に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下部導電層と上部導電層とが層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通して接続された配線装置の製造方法であって、
Ｘ方向に延び、且つ、全周が囲まれたコンタクトホールを備える層間絶縁膜を、前記コンタクトホールが下部導電層上に位置するように設ける工程と、
遮蔽部と前記Ｘ方向に延びた開口部とを備えるマスクを、前記コンタクトホールの一部が前記遮蔽部で覆われ、前記コンタクトホールの残る部分が前記開口部で露出されるように、前記層間絶縁膜上に施し、前記マスクの開口部を介して上部導電層の材料を付与する工程と、
を含むことを特徴とする配線装置の製造方法。
【請求項２】  前記マスクの前記遮蔽部と前記開口部とが、前記Ｘ方向と垂直なＹ方向に並んで配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１または２のいずれかに記載の配線装置の製造方法において、前記X方向と垂直なＹ方向における前記層間絶縁膜の幅の中心に対して、該Ｙ方向における前記コンタクトホールの幅の中心がずれている、ことを特徴とする配線装置の製造方法。
【請求項４】  請求項３に記載の配線装置の製造方法において、前記Ｙ方向における前記上部導電層の幅の中心に対して、該Ｙ方向における前記コンタクトホールの幅の中心がずれている、ことを特徴とする配線装置の製造方法。
【請求項５】  請求項１から４のいずれか１項に記載の配線装置の製造方法において、前記上部電極層は印刷法により形成される、ことを特徴とする配線装置の製造方法。
【請求項６】  上部導電層と、電子放出素子に接続された下部導電層とが、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通して接続された電子源基板の製造方法であって、
Ｘ方向に延び、且つ、全周が囲まれたコンタクトホールを備える層間絶縁膜を、基板上に設けられた下部導電層上に前記コンタクトホールが位置するように設ける工程と、
遮蔽部と前記Ｘ方向に延びた開口部とを備えるマスクを、前記コンタクトホールの一部が前記遮蔽部で覆われ、前記コンタクトホールの残る部分が前記開口部で露出されるように、前記層間絶縁膜上に施し、前記マスクの開口部を介して上部導電層となる材料を付与する工程と、
を含むことを特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項７】  （ｉ）複数の電子放出素子を備えており、該複数の電子放出素子の各々が、層間絶縁膜に設けられた複数のコンタクトホールを通して上部導電層に接続された複数の下部導電層の各々に接続されてなる電子源基板と、（ｉｉ）前記複数の電子放出素子から放出された電子により発光する蛍光体膜を有する基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
Ｘ方向に延び、且つ、全周が囲まれた複数のコンタクトホールを備える層間絶縁膜を、基板上にＸ方向に並んで設けられた複数の下部導電層の各々の上に前記複数のコンタクトホールの各々が位置するように設ける工程と、
遮蔽部と前記Ｘ方向に延びた開口部とを備えるマスクを、前記複数のコンタクトホールの各々の一部が前記遮蔽部で覆われ、前記複数のコンタクトホールの各々の残る部分が前記開口部で露出されるように、前記層間絶縁膜上に施し、前記マスクの開口部を介して上部導電層となる材料を付与する工程を含む、ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。