【事件の表示】
　平成　２年特許願第２８７２８９号「フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　６月　５日出願公開、特開平　４−１６２０３９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年１０月２６日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおり、
「光ビームもしくは電磁波に対して、ほぼ透明な基板上に、前記光ビームもしくは電磁波に対してほぼ透明な第１領域と半透明な第２領域とによってパターンを形成するとともに、前記第１及び第２領域をそれぞれ通過する前記光ビームもしくは電磁波の位相差を、所望の位相差であるほぼ２ｎπもしくは（２ｎ＋１）π（但しｎは整数）とし、前記第２領域には、前記位相差を制御する第１薄膜を前記基板上に積層すると共に、該第１薄膜上に、該第１薄膜とは異なる種類であり且つ前記第２領域の透過率を制御する第２薄膜を積層した半透明層が形成されており、前記第２領域の前記半透明層が形成された側の表面には反射防止層が設けられていることを特徴とするフォトマスク。」
にあるものと認める。
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）当審における平成１３年９月４日付の拒絶の理由で引用した特開昭５３−５５７２号公報（以下、刊行物１という）には、次の事項が記載されている。
・「化学線に対して半透明なマスキング層を作る工程を備え、このマスキング層は前記化学線に対して透明な基板の表面部分に形成し、前記マスキング層の側の物質を層ごと局部的に除去することにより所定の位相幾何学的なレリーフパターンを得、それと同時に前記マスキング層を透過する化学線と基板の透明な部分を透過する化学線との光学的位相差を同時に測定し、前記基板物質の局部的除去は、パターンの幾何学的レリーフにより前記光学的位相差が２πの倍数となるのに十分なほど深くなるまで行うことを特徴とする透明な製品を製作する方法。」（特許請求の範囲）
・「本発明は微小電子工学の分野に関し、更に詳しくいえばブレーナ技術を用いて薄膜微小回路および集積回路を作る目的で、ホトリソグラフで用いられる透明な製品を製作する方法に関する。」（公報第１頁左下欄第２０行〜同右下欄第３行）
・「例１　約８００オングストロームの厚さのマスキング層をガラス基板に酸化鉄の熱分解により付着させ、パターンの形成中にそのマスキング層を全部除去する方法で作られた透明な製品の場合には、レリーフの初期位相差φは、・・となる。そのような製品はその動作露光範囲が狭すぎる（数パーセント台）ために動作できず、露光誤差や作業の場の不均一な照明および現像誤差を考慮に入れると、貧弱なプリントが系統的に生ずる。酸化鉄マスキング層に基づいて動作可能な製品を作るためには、この層の厚さを１３３０オングストロームまで厚くするか（この場合にはφ＝２π）、この層が８００オングストロームの厚さで既に付着されている場合には、マスキング層の「窓」の透明な部分を、０．８πに等しい位相差を更に生ずる深さまで更にエッチングして合計位相差をφ＝２πにする必要がある。」（公報第４頁右下欄第１３行〜第５頁左上欄第１１行）
・「例４　所要のエッチング深さを予め計算しておいてからマスキング層と（必要があれば製品の透明な基板も）（第７図）を層ごとに除去し、それと同時にたとえばジャミン（Ｊａｍｉｎ）屈折計により位相差を測定することにより、エッチング深さを精密に決定できる。第７図はφ＝２πによる本発明の方法で作った製品の例を示すもので、マスキング層６の厚さはｄである。この場合には必要な深さは、基板２の物質を厚さｈ−ｄまで更に除去することにより達成できる。ここでｈは幾何学的レリーフの深さである。」（公報第５頁右上欄第２０行〜同左下欄第１２行））
・第７図には、基板２上にマスキング層６がパターン状に形成され、マスキング層６の除去された部分の基板２が除去されている構成が記載されている。
　上記記載事項から、透明な製品には、化学線に対して透明な領域と、化学線に対して半透明な領域によって、パターンが形成されており、この透明な領域と半透明な領域をそれぞれ通過する化学線の位相差が２πの倍数であると認められる。
　したがって、上記刊行物１には、
「化学線に対して透明な基板上に、前記化学線に対して透明な領域と半透明な領域とによってパターンを形成するとともに、前記透明な領域と半透明な領域をそれぞれ通過する前記化学線の位相差を２πの倍数とし、前記透明な領域では、前記位相差を得るために基板をエッチングして除去すると共に、前記半透明な領域では、前記化学線に対して半透明なマスキング層を形成したことを特徴とする透明な製品。」
なる発明（以下、引用発明という）が記載されていると認められる。
　
（２）当審における平成１３年９月４日付の拒絶の理由で引用した特開昭６１−２９２６４３号公報（以下、刊行物３という）には、次の事項が記載されている。
・「ガラス基板と遮光膜との間に照明光の位相を変える位相シフト層を設け、部分的に前記遮光膜を除去してある開口部のうち特定の一部分については前記位相シフト層を除去し、他の開口部については前記位相シフト層を残しておくことを特徴とするホトマスク。」（特許請求の範囲）
・「以下、本発明を実施例を用いて説明する。第１図は、本発明を適用したレテイクルの断面を示す図である。ここでは、Ｃｒから成る遮光膜３に５ヶ所の開口部４−１，４−２，４−３，４−４，４−５からなる５本の線パターンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手方向に対して垂直方向の断面を示している。図示したレテイクルは、ガラス基板１と遮光膜３との間に、蒸着したＳｉＯ２からなる位相シフト層２をはさむことを特徴としている。・・第１図に示すように５ヶ所の開口部のうち、１ヶ所おきの開口部４−２，４−４は位相シフト層２が除去されている。」（公報第２頁右上欄第１２行〜同左下欄第９行）
　上記記載事項から、上記刊行物３には、位相差を制御する薄膜（位相シフト層）を基板上に積層する構成が記載されていると認められる。
　
（３）当審における平成１３年９月４日付の拒絶の理由で引用した特開昭６２−１８９４６８号公報（以下、刊行物４という）には、次の事項が記載されている。
・「光学的に透明な基板上に回路パターンの原画を遮光膜により形成し、露光装置に使用するホトマスクにおいて、特定な開口部を透過する露光光に位相差を与えるために、当該開口部の基板の厚さを所定量だけ薄く形成したことを特徴とするホトマスク。」（特許請求の範囲）
・「この従来例で提案されているレテイクルは、第４図に示すごとくレテイクル基板１上にパターンの原画となる遮光部２を設け、更にその上にパターンの原画となる遮光部２を設け、更に、その上ら露光光の位相を変化させる層６（以下位相シフト層とする）を設けている。」（公報第１頁右下欄第８〜１４行）
・「上記目的を達成するために、本発明では露光光に位相差を生じさせるたるにレテイクル基板であるガラスの厚さを部分的に異なるような構造とした。」（公報第２頁左上欄第１０〜１３行）
・「以下、本発明を実施例を用いて説明する。第１図は、本発明を適用したレテイクルの断面を示す図である。ここでは、Ｃｒから成る遮光膜２ヶ５ヶ所の開口部３−１，３−２，３−３，３−４，３−５からなる５本の線パターンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手方向に対して垂直方向の断面を示している。図示したレテイクルは、開口部においてガラス基板１の厚さに差ｔを与えてあることを特徴としている。・・第１図に示すように５ヶ所の開口部のうち１ヶ所おきの開口部３−２，３−４は、ガラス基板が０．３９７μｍだけ除去されている。」（公報第３頁右上欄第１０行〜同左下欄第８行）
　上記記載事項から、上記刊行物４には、位相差を制御するために、基板を所望のの厚さだけ除去する構成が記載されていると認められる。
　
（４）当審における平成１３年９月４日付の拒絶の理由で引用した特開平２−１４０７４３号公報（以下、刊行物５という）には、次の事項が記載されている。
・「遮光領域、及び透過領域を備え、少なくとも部分的にコヒーレントな光の照射によって所定パターンを転写するマスクであって、前記透過領域の一部に透明膜を形成し、前記透明膜を透過した光と、前記透明膜が形成されていない透過領域を透過した光との間に位相差が生じ、前記光の干渉光が、前記透過領域と遮光領域との境界部分において弱め合うように、前記透明膜を配置したことを特徴とするマスク。」（特許請求の範囲第１項）
・「遮光領域、及び透過領域を備え、少なくとも部分的にコヒーレントな光の照射によって所定パターンを転写するマスクであって、前記透過領域の一部に位相シフト溝を形成し、前記位相シフト溝を透過した光と、前記位相シフト溝が形成されていない透過領域を透過した光との間に位相差が生じ、前記光の干渉光が、前記透過領域と遮光領域との境界部分において弱め合うように、前記位相シフト溝を配置したことを特徴とするマスク。」（特許請求の範囲第３項）
・「上記した請求項１、３、６または７記載の手段によれば、露光の際、一つの透過領域内において、透明膜、あるいは位相シフト溝を透過した光と、これらが形成されていない部分を透過した光とが、・・個々の透過領域と透過した光のなかで位相差を生じさせ、パターン転写精度を向上させるため、マスクに形成されたパターンが複雑であっても、それに対応して透明膜、あるいは位相シフト溝を形成することができる。」（公報第４頁左上欄第１３行〜同右上欄第４行）
　上記記載事項から、上記刊行物５には、位相差を生じさせる手段として、薄膜（透明膜）を形成する手段、位相シフト溝を形成する手段が、並列して記載され、この記載から、両手段が、同じ作用を奏し得る均等な手段であることを示唆していると認められる。
（５）当審における平成１３年９月４日付の拒絶の理由で引用した特開昭６１−４７９６３号公報（以下、刊行物６という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体素子製造に用いられるフォトマスクブランク及びフォトマスクに関するものである。」（公報第１頁右下欄第１７〜１９行）
・「第４〜６図は本発明のフォトマスクの断面構造を示す概略図であり、第４図は単層タイプ、第５図は表面低反射タイプ、そして第６図は両面低反射タイプのそれを示す。図において１は透明基板、２は遮光膜、３は反射防止膜、４は遮光膜の除去された部分、あるいは遮光膜と反射防止膜との除去された部分、５はフォトマスクブランク、６はフォトマスクを示す。」（公報第２頁右下欄第７〜１５行）
・「一方、クロム等の金属単層遮光膜では表面反射率が高いため、ウエハーとマスクとの間で多重反射が起り、パターニングの際の解像度の悪くなるという問題がある。このような欠点を改善するために遮光膜２の上に、又は上下に反射防止膜を設けることができる。」（公報第３頁左上欄第１４〜１９行）
　上記記載事項から、刊行物６には、基板の遮光膜が形成された側に反射防止膜が形成された構成が記載されていると認められる。
　
（６）当審における平成１３年９月４日付の拒絶の理由で引用した特開平１−１０９３４９号公報（以下、刊行物７という）には、次の事項が記載されている。
・「レチクル基盤のパターン形成面全面に反射防止膜を形成し、その後当該反射防止膜表面にパターン形成用膜を成膜し、パターニングを行ってパターンを形成することを特徴とする光多重反射を防止したレチクル類の製法。」（特許請求の範囲第１項）
・「レチクル基盤のパターン形成面にパターン形成膜を成膜後、パターニングを行ってパターン形成を行った後、パターンを含んで当該パターン形成面全面に反射防止膜を形成することを特徴とする光多重反射を防止したレチクル類の製法。」（特許請求の範囲第３項）
・「本発明はレチクル類の製法に関し、詳しくは、半導体集積回路のパターン形成の際に使用されるレチクル、マスクの製法に関し、特に露光の際の露光光の多重反射を防止した当該レチクル類を提供するものである。」（公報第１頁右下欄第４〜８行）
・「第１図は本発明の実施例を示すレチクル３の要部構成断面図で、レチクル基盤６の表面全面を反射防止膜７により被覆し、当該反射防止膜７表面にパターン８を形成して成る。」（公報第２頁右下欄第６〜９行）
・「第２図は本発明の他の実施例を示すレチクル３の要部構成断面図で、レチクル基盤６表面に形成されたパターン８を含めて、当該基盤表面全体を反射防止膜７により被覆して成る。」（公報第２頁右下欄第１６〜１９行）
　上記記載事項から、刊行物７には、基盤の遮光膜が形成された側に反射防止膜が形成された構成が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　引用発明の「化学線」、「透明な基板」、「透明な領域」、「半透明な領域」、「２πの倍数」、「化学線に対して半透明なマスキング層」、「透明な製品」が、それぞれ、本願発明の「光ビームもしくは電磁波」、「ほぼ透明な基板」、「ほぼ透明な第１領域」、「半透明な第２領域」、「２ｎπ・・（但しｎは整数）」、「前記第２領域の透過率を制御する第２薄膜」、「フォトマスク」に相当するから、本願発明と引用発明は、
「光ビームもしくは電磁波に対してほぼ透明な基板上に、前記光ビームもしくは電磁波に対してほぼ透明な第１領域と半透明な第２領域とによってパターンを形成するとともに、前記第１及び第２領域をそれぞれ通過する前記光ビームもしくは電磁波の位相差を、所望の位相差であるほぼ２ｎπ（但しｎは整数）とし、前記第２領域には、前記第２領域の透過率を制御する第２薄膜を形成したことを特徴とするフォトマスク。」
で一致し、下記の点で相違する。
（イ）本願発明では、「前記第２領域には、前記位相差を制御する第１薄膜を前記基板上に積層すると共に、該第１薄膜上に、該第１薄膜とは異なる種類であり且つ前記第２領域の透過率を制御する第２薄膜を積層した半透明層が形成された」構成であるのに対して、引用発明では、「前記透明な領域では、前記位相差を得るために基板をエッチングして除去すると共に、前記半透明な領域では、前記化学線に対して半透明なマスキング層を形成した」構成である点。
（ロ）本願発明では、「前記第２領域の前記半透明層が形成された側の表面には反射防止層が設けられている」構成であるのに対して、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
相違点（イ）について
　相違点（イ）は、言い換えると、本願発明では、第１領域には層が設けられておらず、第２領域に第１薄膜と第２薄膜を積層した半透明層を設けた構成であるのに対して、引用発明では、透明な領域では基板をエッチングして除去し、半透明な領域ではマスキング層を設けた構成である点であるということができる。（なお、単に、第２領域あるいは半透明な領域に、透過率を調整する薄膜（第２薄膜あるいはマスキング膜）を設けたという構成では、本願発明と引用発明は一致していることは上述のとおりであり、相違点（イ）は、基板の構造（除去するかしないか）、基板と薄膜の積層構造にある相違点である。）
　この相違点は、実質的に、第１領域（透明な領域）と第２領域（半透明な領域）を透過した光に位相差を与える手段として、本願発明では薄膜を基板上に積層する手段としたのに対して、引用発明では基板を除去する手段とした点に、起因して生じているものと認められる。
　そこで、フォトマスクにおいて、２つの領域を透過する光に位相差を与える手段として、薄膜を基板上に積層する手段、基板を除去する手段は、上記刊行物３〜５に示されるように周知であり、かつ、上記刊行物５で示唆されるように、両手段は同じ作用を奏し得る均等な手段であることも、当業者にはよく知られたことであるから、引用発明において、基板を除去する手段に換えて、薄膜を基板上に積層する手段を採用することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、２つの領域を透過する光に位相差を与えるのであるから、位相を制御する薄膜は、どちらか一方の領域に積層すればよく、どちらの領域とするかは適宜選択し得ることであるから、引用発明において、マスキング層が設けられた半透明な領域に位相を制御する薄膜を設けることは、単なる選択的な設計事項にすぎない。また、基板上に、位相を制御する薄膜、透過率を制御する薄膜の２つの薄膜を積層する際に、具体的には、位相を制御する薄膜、透過率を制御する薄膜の順に積層するか、透過率を制御する薄膜、位相を制御する薄膜の順に積層するかであって、適宜選択し得るものであるから、引用発明において、マスキング層が設けられた半透明な領域に位相を制御する薄膜を設ける際に、基板上に、位相を制御する薄膜、透過率を制御する薄膜の２つの薄膜の順に積層することは、単なる選択的な設計事項にすぎない。
　
（ロ）について
　フォトマスクにおいて、反射防止層を設けることは、上記刊行物６、７に示されるように周知であり、引用発明において、反射防止層を設けることは当業者が容易になし得たことである。
　以上のことから、本願発明は、刊行物１、３〜７に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。