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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子において、前記ｐ型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記電極は、ｐ型窒化物半導体層に接してロジウムが積層され、その上にイリジウムが積層された少なくとも２層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記ロジウムの膜厚は１０〜１０００オングストロームの範囲であって、前記イリジウムの膜厚が１０〜１０００オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記電極は、ロジウムの上にイリジウムが積層され、イリジウムの上に少なくともＰｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも１つが積層されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記電極が、ロジウムとインジウムが積層された２層構造であって、該電極の上には最上に金が積層されたパッド電極を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記２層構造の電極は、電極全体の膜厚が５００〜１０００オングストロームであることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記窒化物半導体素子は、基板側及び素子の端面側から光が取り出されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記電極は、３００℃以上においてアニーリングされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の窒化物半導体素子は、少なくともｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子において、ｐ型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
またロジウムの膜厚は１０〜１０００オングストロームの範囲であって、イリジウムの膜厚が１０〜１０００オングストロームの範囲であることを特徴とする。
また電極は、ロジウムの上にイリジウムが積層され、イリジウムの上に少なくともＰｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも１つが積層されてなることを特徴とする。
また電極が、ロジウムとインジウムが積層された２層構造であって、該電極の上には最上に金が積層されたパッド電極を有することを特徴とする。さらに前記２層構造の電極は、電極全体の膜厚が５００〜１０００オングストロームであることを特徴とする。
また窒化物半導体素子は、基板側及び素子の端面側から光が取り出されることを特徴とする。また電極は、３００℃以上においてアニーリングされていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体素子の側面が凹凸を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項２】  前記凹凸の高さが３５ｎｍ以上である請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項３】  前記凹凸を窒化ガリウム系化合物半導体、及び／又は、基板の側面に有する請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項４】  前記基板が窒化ガリウム系化合物半導体より屈折率が低く、窒化ガリウム系化合物半導体の側面にのみ前記凹凸を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項５】  前記基板が窒化ガリウム系化合物半導体と屈折率が同程度であり、窒化ガリウム系化合物半導体及び基板の側面に前記凹凸を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項６】  前記凹凸について、凸部の角が丸められてなる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【請求項７】  前記窒化物半導体の最表面にｐ電極を有し、前記ｐ電極側への光の指向性が向上するように前記凹凸形状をメサ状とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
我々は窒化ガリウム系化合物半導体内部の多重反射を抑制し、外部量子効率を上げるため数々の実験を行ったところ、内部で反射する光を窒化ガリウム系化合物半導体の側面で乱反射させることにより、上記問題が解決できることを新たに見いだした。よって、窒化ガリウム系化合物半導体基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体素子の側面が凹凸を有することを特徴とする。これにより光取り出し面方向に放射された光の取り出し面における全反射が抑制され、光の取り出し効率がよくなる。特に、前記凹凸の高さが３５ｎｍ以上であると効果が顕著に現れる。これは凹凸の高さ（図８（ｂ），図９（ｂ）において定義）がλ／２ｎ（λ：波長、ｎ：屈折率）以上でより効果的であるためである。凹凸高さがλ／２ｎより小さければ光が乱反射しにくくなるため、光の波長と屈折率から３５ｎｍ以上でより効果的になる。凹凸の角度は図７（ｂ），図８（ｂ）において定義する。0°〜90°までの角度を取ることができる。0°は全く加工なしの状態を意味し、90°は作製不可能である。
さらに本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記凹凸を窒化ガリウム系化合物半導体、及び／又は、基板の側面に有することが好ましい。
さらに本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記基板が窒化ガリウム系化合物半導体より屈折率が低く、窒化ガリウム系化合物半導体の側面にのみ前記凹凸を有することが好ましい。
また本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記基板が窒化ガリウム系化合物半導体と屈折率が同程度であり、窒化ガリウム系化合物半導体及び基板の側面に前記凹凸を有することが好ましい。
さらに本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記凹凸について、凸部の角が丸められてなることが好ましい。
さらに本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記窒化物半導体の最表面にｐ電極を有し、前記ｐ電極側への光の指向性が向上するように前記凹凸形状をメサ状とすることが好ましい。
凹凸形状は図８と図９のようなパターンが代表的であるが、これらの形状に限定されない。単に定義するために特定形状にしただけであり、光の進行方向を変化させるような凹凸形状であれば全て含まれる。図８形状を狙ってマスクを施し、エッチングを行っても程度の差はあるが角が丸められ図９形状に近付く方向にある。図９は出射端面からの光の指向性が高まる。すなわち図８においては凹凸から発生した光が隣接する凸部に最入射する問題があるが、図９形状においては程度の差はあるがそのような問題は発生し難く、本願発明をより有効に発現させることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
凹凸を有する絶縁膜上に形成された結晶性半導体膜からなる島状の半導体領域と、
前記島状の半導体領域のうち、前記絶縁膜の凹部に形成された島状の半導体領域を用いて形成された前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と、
前記島状の半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された帯状または矩形状の複数の第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の第２の絶縁膜上に形成された結晶性半導体膜からなる島状の半導体領域と、
前記島状の半導体領域のうち、隣り合う前記複数の第２の絶縁膜の間に形成された島状の半導体領域を用いて形成された前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と、
前記島状の半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記複数の第２の絶縁膜と前記島状の半導体領域との間に形成された第３の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、前記基板は無アルカリガラス基板、石英基板、またはサファイア基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または３において、前記基板は単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、または金属基板の表面を絶縁膜で被覆した基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
凹凸を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の凹部に形成され、前記凹部の深さと同程度の厚さの結晶性半導体膜からなる島状の半導体領域と、
前記凹部に形成された島状の半導体領域を用いて形成された前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と、
前記島状の半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された帯状または矩形状の第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第２の絶縁膜の厚さと同程度の厚さの結晶性半導体膜からなる島状の半導体領域と、
前記第１の絶縁膜上に形成された島状の半導体領域を用いて形成された前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と、
前記島状の半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
凹凸を有する石英基板と、
前記凹凸を有する石英基板上に形成された結晶性半導体膜からなる島状の半導体領域と、
前記島状の半導体領域のうち、前記石英基板の凹部に形成された島状の半導体領域を用いて形成された前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と、
前記島状の半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
凹凸を有する石英基板と、
前記石英基板の凹部に形成され、前記凹部の深さと同程度の厚さの結晶性半導体膜からなる島状の半導体領域と、
前記凹部に形成された島状の半導体領域を用いて形成された前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域と、
前記島状の半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記島状の半導体領域は、前記薄膜トランジスタのチャネル幅方向の長さが０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に開口部が設けられた絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び前記開口部に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記絶縁膜上に残存する結晶性半導体膜を除去し、
前記結晶性半導体膜のうち、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域となる部位の周辺に存在する前記絶縁膜を除去することによって、前記部位の側面を露出させ、
前記部位の側面及び上面に接するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に開口部が設けられた絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び該開口部に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、前記非晶質半導体膜を結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記絶縁膜上に残存する結晶性半導体膜を除去し、
前記結晶性半導体膜のうち、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域となる部位の周辺に存在する前記絶縁膜を除去することによって、前記部位の側面を露出させ、
前記部位の側面及び上面に接するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に前記薄膜トランジスタのチャネル長方向に延在する開口部が設けられた絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び前記開口部に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、且つ前記薄膜トランジスタのチャネル長方向と平行な方向に走査することによって、前記非晶質半導体膜を結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記絶縁膜上に残存する結晶性半導体膜を除去し、
前記結晶性半導体膜のうち、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域となる部位の周辺に存在する前記絶縁膜を除去することによって、前記部位の側面を露出させ、
前記部位の側面及び上面に接するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
選択的に形成された絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザー光を照射することで前記半導体膜の結晶性を高め、
前記結晶性が高められた半導体膜の前記絶縁膜の上面が露出するようにエッチングし、
前記絶縁膜の全部または一部を除去し、
前記エッチングされた半導体膜に接するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、前記レーザー光はＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、Ｙ２Ｏ３レーザーまたはＮｄ：ＹＶＯ４レーザーから選ばれた一種または複数種を用いて出力されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、前記レーザー光はスラブレーザーを用いて出力されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか１項において、前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザー光の照射は、前記基板を加熱しながら行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３２】
本実施例では、インターポリ絶縁膜15bは、プラズマ酸化法によるシリコン酸化膜であり、またゲート絶縁膜15cは、この膜15bに加えて、その下に形成されているシリコン酸化膜210aと、シリコン窒化膜210bとを含む。トンネル絶縁膜15aも、プラズマ酸化法によるシリコン酸化膜である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
図59に示す例においても前記した図58に示す実施例と同様に、フローティングゲートFG1, FG2の、コントロールゲートCGに対向する面をCMP法により平坦化した後にインターポリ絶縁膜15b、すなわち膜210cを形成して、耐圧性に優れた膜を形成する。すなわち、フローティングゲートFG1, FG2に用いられる例えばポリシリコンは、粗い表面形状を有しており、この上にインターポリ絶縁膜15bを形成すると、インターポリ絶縁膜15bの耐圧性が保証されなくなる危険性が大きい。そこでフローティングゲートFG1, FG2のインターポリ絶縁膜15bと接する面をCMP法により平坦化した後、インターポリ絶縁膜15bを形成することによって、耐圧性の優れた膜が形成可能となる。CMP法は、公知の製造プロセス技術であるため、製造上のリスクが少ないという利点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2004006658.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2004006658.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
2004006658.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３５】
2004006658.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
2004006658.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極がその間にセパレータを介して扁平形状に捲回された構造を有する電極群と、
前記電極群に含浸される非水電解液と、
前記電極群が収納され、金属を含む厚さ３００μｍ以下の外装材とを具備し、
前記電極群は、積層構造が露出している面が下記（１）式を満たす形状を有することを特徴とする非水電解液二次電池。
０．９≦Ｌ2／Ｌ1≦１．２          …（１）
前記（１）式において、前記Ｌ2は前記面のうち湾曲積層領域を除いた領域における最多層部の厚さであり、前記Ｌ1は前記湾曲積層領域を除いた領域の端部のうち層数が前記Ｌ2と等しい端部の厚さである。
【請求項２】
正極、負極及びセパレータからなる積層物を２回以上折り曲げた構造を有する電極群と、
前記電極群に含浸される非水電解液と、
前記電極群が収納され、金属を含む厚さ３００μｍ以下の外装材とを具備し、
前記電極群は、積層構造が露出している面が下記（２）式を満たす形状を有することを特徴とする非水電解液二次電池。
０．９≦Ｌ4／Ｌ3≦１．２          …（２）
前記（２）式において、前記Ｌ4は前記面のうち折り曲げ積層領域を除いた領域における最多層部の厚さであり、前記Ｌ3は前記折り曲げ積層領域を除いた領域の端部のうち層数が前記Ｌ4と等しい端部の厚さである。
【請求項３】
前記電極群の空隙に、前記非水電解液を保持する接着性高分子が充填されていることを特徴とする請求項１または２記載の非水電解液二次電池。
【請求項４】
前記接着性高分子は前記非水電解液を保持することによりゲル化することを特徴とする請求項３記載の非水電解液二次電池。
【請求項５】
前記セパレータは、空気透過率が６００秒／１００ｃｍ3以下の多孔質シートであることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の非水電解液二次電池。
【請求項６】
前記セパレータは、ポリオレフィン及びセルロースから選ばれる少なくとも１種類の材料から形成されていることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の非水電解液二次電池。
【請求項７】
前記負極は、（００２）面の面間隔ｄ002が０．３４ｎｍ以下である黒鉛結晶を有する炭素質物を含むことを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の非水電解液二次電池。
【請求項８】
前記負極は、リチウムチタン酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の非水電解液二次電池。
【請求項９】
前記外装材は、樹脂層を含む厚さが３００μｍ以下のラミネートフィルムから形成されていることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の非水電解液二次電池。
【請求項１０】
正極と負極の間に、ポリオレフィン及びセルロースから選ばれる少なくとも１種類の材料からなるセパレータを介在させて電極群を作製する工程と、
前記電極群を加熱しながら成形する工程と、
前記電極群に非水電解液を含浸させる工程と
を具備することを特徴とする非水電解液二次電池の製造方法。
【請求項１１】
正極及び負極をその間にセパレータを介して扁平形状に捲回することにより電極群を作製する工程と、
前記電極群を加熱しながら成形する工程と、
前記電極群に非水電解液を含浸させる工程と
を具備することを特徴とする非水電解液二次電池の製造方法。
【請求項１２】
前記成形は、プレスか、もしくは成形型へのはめ込みにより行われることを特徴とする請求項１０または１１記載の非水電解液二次電池の製造方法。
【請求項１３】
前記金属を含む外装材は、水分を遮断する機能を有するフィルム製外装材であることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の非水電解液二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【非特許文献１】省部博之編集、『有機フォトニクス』、株式会社アグネ承風社、１９９５年３月２０日発行、１３６乃至１６０頁
【非特許文献２】斉藤善範、『電子情報通信学会誌』、第８４巻、第１１号、７６７乃至７７４頁（２００１年）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
【実施例２２】
〈有機ＥＬ素子〉
実施例２１におけると同様にして調製した基板１を１×１０−６Ｔｏｒｒまで減圧した真空蒸着装置の有機蒸着室内へ移し、陽極２としてのＩＴＯ電極へ有機膜形成用マスクを装着した後、カーボン坩堝を加熱して、基板１におけるＩＴＯ電極を有する側へ、正孔注入／輸送層用材として、化学式１０２で表される銅フタロシアニン（以下、「ＣｕＰｃ」と略記する。）とＴＰＴＥとをこの順序でそれぞれ厚さ１０ｎｍ及び３０ｎｍまで蒸着して正孔注入／輸送層３を形成した。引き続き、発光層用材として、表２に示すこの発明のクマリン化合物のいずれかとＰＹ−ＡＤとを重量比０．５：１００乃至２：１００で厚さ４０ｎｍまで共蒸着して正孔注入／輸送層３へ密着する発光層４を形成した後、さらに、真空蒸着により、発光層４へ密着させて、ＡｌＱ３による厚さ４０ｎｍの電子注入／輸送層５を形成した。その後、実施例２１におけると同様にして陰極６を形成した後、素子全体をガラス板及び紫外線硬化樹脂により封止して７種類の有機ＥＬ素子を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３３】
【実施例２３】
〈有機ＥＬ素子〉
実施例２１におけると同様にして調製した基板１を１×１０−６Ｔｏｒｒまで減圧した真空蒸着装置の有機蒸着室内へ移し、陽極２としてのＩＴＯ電極へ有機膜形成用マスクを装着した後、カーボン坩堝を加熱して、基板１におけるＩＴＯ電極を有する側へ、正孔注入／輸送層用材として、ＣｕＰｃとＴＰＴＥとをこの順序でそれぞれ厚さ１０ｎｍ及び５０ｎｍまで蒸着して正孔注入／輸送層３を形成した。引き続き、発光層用材として、表３に示すこの発明のクマリン化合物のいずれかとＡｌＱ３とを重量比１：１００で厚さ２０ｎｍまで共蒸着して正孔注入／輸送層３へ密着する発光層４を形成した後、さらに、真空蒸着により、発光層４へ密着させて、ＡｌＱ３による厚さ４０ｎｍの電子注入／輸送層５を形成した。その後、実施例２１におけると同様にして陰極６を形成した後、窒素雰囲気下で、素子全体をステンレス缶及び紫外線硬化樹脂により封止して２種類の有機ＥＬ素子を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４０】
【実施例２４】
〈有機ＥＬ素子〉
実施例２１におけると同様にして調製した基板１を１×１０−６Ｔｏｒｒまで減圧した真空蒸着装置の有機蒸着室内へ移し、陽極２としてのＩＴＯ電極へ有機膜形成用マスクを装着した後、カーボン坩堝を加熱して、基板１におけるＩＴＯ電極を有する側へ、正孔注入／輸送層用材として、ＴＰＴＥを厚さ４０ｎｍまで蒸着して正孔注入／輸送層３を形成した。引き続き、発光層用材として、表４に示すこの発明のクマリン化合物のいずれかとＴＰＴＥとを重量比１：１００で厚さ２０ｎｍまで共蒸着して正孔注入／輸送層３へ密着する発光層４を形成した後、さらに、真空蒸着により、発光層４へ密着させて、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン及びＡｌＱ３をこの順序でそれぞれ厚さ２０ｎｍ及び４０ｎｍまで蒸着して電子注入／輸送層５を形成した。その後、実施例２１におけると同様にして陰極６を形成した後、素子全体をガラス板及び紫外線硬化樹脂により封止して３種類の有機ＥＬ素子を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性部材の製造方法及び導電性部材
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材表面に導電膜を具備している導電性部材の製造方法であって、（ｉ）少なくとも擬ベーマイト構造の多孔性表面を有している基材の、該多孔性表面にコロイド溶液を適用してコロイドを含む層を形成する工程と、（ii）該コロイドを含む層を乾燥して導電膜とする工程、とを有することを特徴とする導電性部材の製造方法。
【請求項２】  前記コロイドを含む層を、前記多孔性表面に位置選択的に形成する工程を有する請求項１に記載の導電性部材の製造方法。
【請求項３】  前記コロイドが金属コロイドであって、且つ、該金属コロイドの平均粒径をφ１ａｖｅとし、前記多孔性表面の平均細孔径をφ２ａｖｅとしたときに、下記の条件を満たしている請求項１又は２に記載の導電性部材の製造方法。
φ１ａｖｅ≧φ２ａｖｅ
【請求項４】  請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法で製造されたことを特徴とする導電性部材。
【請求項５】  基材の多孔性表面に導電膜を具備している導電性部材であって、上記導電膜が、コロイド粒子を含む湿式塗布膜の乾燥膜であり、且つ、有機半導体との接触部位を有することを特徴とする導電性部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明は、基材表面に導電膜を具備している導電性部材の製造方法であって、（ｉ）少なくとも擬ベーマイト構造の多孔性表面を有している基材（以下単に「基材」という）の、該多孔性表面にコロイド溶液を適用してコロイドを含む層を形成する工程と、（ii）該コロイドを含む層を乾燥して導電膜とする工程、とを有することを特徴とする導電性部材の製造方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
又、本発明は、前記本発明の方法で製造されたことを特徴とする導電性部材；基材の多孔性表面に導電膜を具備している導電性部材であって、上記導電膜が、コロイド粒子を含む湿式塗布膜の乾燥膜であり、且つ、有機半導体との接触部位を有することを特徴とする導電性部材を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体金属通路と、
それぞれ第１及び第２の導管を介して前記通路に接続されている、第１及び第２の流体室と、
前記第１及び第２の流体室の頂部を形成する第１及び第２の膜と、
互いに等しく離隔された第１、第２及び第３の接点パッドであって、前記接点パッドのそれぞれが、前記通路内に少なくとも一部を有する、第１、第２及び第３の接点パッドと、
前記第１の膜に取付けられた第１のセットと、前記第２の膜に取付けられた第２のセットを形成する、複数の圧電素子と、
前記通路内の可動の導電性液体であって、前記液体の一部が、前記第１の接点パッドをぬらし、かつ前記液体の他の一部が、前記第２及び第３の接点パッドの両方をぬらす導電性液体とを有し、
前記流体室及び前記通路が、流体によって満たされ、かつ前記第２及び第３の接点パッドをぬらす前記液体の前記他の部分が、前記第１の接点パッドをぬらす前記部分に向かって可動であることを特徴とする、圧電起動されるリレー。
【請求項２】
前記複数の圧電素子を囲む流体貯蔵容器をさらに含み、前記貯蔵容器が、第１及び第２のスルーホールを介して前記室に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項３】
前記流体貯蔵容器が、複数の区画を含み、前記複数の区画のそれぞれが、柔軟な壁を有することを特徴とする、請求項２に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項４】
前記複数の区画を接続する圧力拡散ポートをさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項５】
前記流体貯蔵容器の上に設置された充填ポートをさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項６】
流体貯蔵容器を含む流体貯蔵容器層と、
前記流体貯蔵容器層に積層化された圧電層であって、前記圧電層が、第１及び第２の流体室と、前記第１及び第２の流体室を前記貯蔵容器に接続する第１及び第２のスルーホールと、前記第１及び第２の流体室に頂部を形成する第１及び第２の膜と、第１及び第２の素子のセットを形成する複数の圧電素子とを含み、前記第１のセットが前記第１の膜に取付けられており、かつ前記第２のセットが前記第２の膜に取付けられている圧電層と、
前記圧電層に積層化された液体金属通路層であって、前記通路層が、液体金属通路と、前記通路を前記第１の流体室に接続する第１のスルーホールと、前記通路を前記第２の流体室に接続する第２のスルーホールと、互いに等しく離隔された第１、第２及び第３の接点パッドであって、前記接点パッドのそれぞれが前記通路内に少なくとも一部を有する、第１、第２及び第３の接点パッドと、前記通路内における可動の導電性液体とを含み、前記液体の部分が前記第１の接点パッドをぬらし、かつ前記液体の他の部分が前記第２及び第３の接点パッドの両方をぬらす液体金属通路層とを有し、
前記流体室及び前記通路が流体によって満たされ、かつ前記第２及び第３の接点パッドをぬらす前記液体の前記他の部分が、前記第１の接点パッドをぬらす前記部分に向かって可動であることを特徴とする、圧電起動されるリレー。
【請求項７】
前記流体貯蔵容器が、複数の区画を含み、それぞれの前記複数の区画が、柔軟な壁を有することを特徴とする、請求項６に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項８】
前記複数の区画のそれぞれを隣接する区画に接続する少なくとも１つの圧力拡散ポートをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項９】
前記膜が金属で構成され、かつ前記貯蔵容器層が、充填ポートをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の圧電起動されるリレー。
【請求項１０】
前記膜がポリマーで構成され、かつ前記貯蔵容器層が、充填ポートをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の圧電起動されるリレー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、
前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしており、
前記光拡散素子は平行光を入射したときの出射光光度分布の半値全幅が１〜１３度であることを特徴とする光源装置。
【請求項２】  一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、
前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしており、
前記光拡散素子の少なくとも一方の面の平均傾斜角が０．８〜１２度であることを特徴とする光源装置。
【請求項３】  前記光拡散素子のヘイズ値が８〜８２％であることを特徴とする請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】  一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、前記光拡散素子は平行光を入射したときの出射光光度分布の半値全幅が異方性を有していることを特徴とする光源装置。
【請求項５】  前記光拡散素子は平行光を入射したときの出射光光度分布の最大半値全幅が１〜１３度であることを特徴とする請求項４に記載の光源装置。
【請求項６】  前記光拡散素子は平行光を入射したときの出射光光度分布の最大半値全幅が最小半値全幅の１．１倍以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の光源装置。
【請求項７】  前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしていることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明の光源装置は、一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、
前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしており、
前記光拡散素子は平行光を入射したときの出射光光度分布の半値全幅が１〜１３度であることを特徴とするものである。
また、本発明の光源装置は、一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしており、前記光拡散素子の少なくとも一方の面の平均傾斜角が０．８〜１２度であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の光源装置は、一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしており、前記光偏向素子からの出射光輝度分布の半値全幅が１９〜２６度であり、前記光拡散素子の平行光を入射したときの出射光輝度分布の半値全幅が１〜８度であることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の光源装置は、一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する互いに対向配置してなる２つの光入射面及び入射した光を導光して出射する光出射面を有し、展開長が８ｃｍを超え２８ｃｍ以下である導光体と、該導光体の光出射面に隣接配置される光偏向素子と、該光偏向素子の出光面上に隣接配置される光拡散素子とを少なくとも備えた光源装置であって、前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、該入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有しており、少なくとも一方のプリズム面の少なくとも一部が凸曲面形状をなしており、前記光拡散素子は平行光を入射したときの出射光光度分布の半値全幅が０．７〜６度であることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記第２電極上に前記基板と対向して設けられたカバー材と、
前記基板の側面と前記カバー材の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１ガラス基板と、
前記第１ガラス基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記第２電極上に前記第１ガラス基板と対向して設けられた第２ガラス基板と、
前記第１ガラス基板の側面と前記第２ガラス基板の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記ＥＬ層及び前記第２電極を覆うように設けられた充填剤と、
前記充填剤を介して前記基板と貼り合わされたカバー材と、
前記基板、前記充填材及び前記カバー材の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１ガラス基板と、
前記第１ガラス基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記ＥＬ層及び前記第２電極を覆うように設けられた充填剤と、
前記充填材を介して前記第１ガラス基板と貼り合わされた第２ガラス基板と、
前記第１ガラス基板、前記充填材及び前記第２ガラス基板の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記第２電極上に前記基板と対向して設けられたカバー材と、
前記基板の一部を除いた側面と前記カバー材の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有し、
前記第１電極は、前記シール材及び前記フレーム材と前記基板の前記一部との間を通って延びており、フレキシブルプリントサーキットが取り付けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
第１ガラス基板と、
前記第１ガラス基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記第２電極上に前記第１ガラス基板と対向して設けられた第２ガラス基板と、
前記第１ガラス基板の一部を除いた側面と前記第２ガラス基板の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有し、
前記第１電極は、前記シール材及び前記フレーム材と前記第１ガラス基板の前記一部との間を通って延びており、フレキシブルプリントサーキットが取り付けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記ＥＬ層及び前記第２電極を覆うように設けられた充填剤と、
前記充填剤を介して前記基板と貼り合わされたカバー材と、
前記基板の一部を除いた側面と、前記充填材及び前記カバー材の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有し、
前記第１電極は、前記シール材及び前記フレーム材と前記基板の前記一部との間を通って延びており、フレキシブルプリントサーキットが取り付けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
第１ガラス基板と、
前記第１ガラス基板上にストライプ状に配列された第１電極と、
前記第１電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に、前記第１電極と直交するようにストライプ状に配列された第２電極と、
前記ＥＬ層及び前記第２電極を覆うように設けられた充填剤と、
前記充填材を介して前記第１ガラス基板と貼り合わされた第２ガラス基板と、
前記第１ガラス基板の一部を除いた側面と、前記充填材及び前記第２ガラス基板の側面に、シール材を介して設けられたフレーム材とを有し、
前記第１電極は、前記シール材及び前記フレーム材と前記第１ガラス基板の前記一部との間を通って延びており、フレキシブルプリントサーキットが取り付けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項３、４、７または８において、
前記充填材は乾燥剤が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項３、４、７、８または９において、
前記ＥＬ層と前記充填材との間、及び前記第２電極と前記充填材との間に、それぞれ、前記ＥＬ層及び前記第２電極に接して窒化珪素膜でなるパッシべーション膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１、３、５または７において、
前記カバー材には遮光膜及びカラーフィルターが設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１電極上で、隣合う前記ＥＬ層の間及び隣合う前記第２電極の間には、スペーサーが設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
隣合う前記ＥＬ層の間及び隣合う前記第２電極の間には、前記第１電極に接して窒化珪素膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記フレーム材としてステンレス材を用いることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子と、
フレキシブルプリント基板と電気的に接続される接続配線とを有し、
前記有機化合物を含む層の端面と前記第２の電極の端面は一致しており、
前記第２の電極と前記接続配線とは、導電性微粒子によって電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子と、
フレキシブルプリント基板と電気的に接続される接続配線とを有し、
前記有機化合物を含む層の端面と前記第２の電極の端面は一致しており、
前記第２の電極と前記接続配線とは、導電ペーストによって電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を含む画素部と、
フレキシブルプリント基板と電気的に接続される接続配線と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤とを有し、
前記有機化合物を含む層の端面と前記第２の電極の端面は一致しており、
前記接着剤は、径の異なる複数種の導電性微粒子が混合されており、
前記第２の電極と前記接続配線とは、前記接着剤によって電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を含む画素部と、
フレキシブルプリント基板と電気的に接続される接続配線と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤とを有し、
前記有機化合物を含む層の端面と前記第２の電極の端面は一致しており、
前記接着剤は、無機絶縁材料または有機絶縁材料からなる微粒子と、該微粒子より径が大きい導電性微粒子が混合されており、
前記第２の電極と前記接続配線とは、前記接着剤によって電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を含む画素部と、
フレキシブルプリント基板と電気的に接続される接続配線と、
前記画素部を囲うように設けられ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するシール材とを有し、
前記有機化合物を含む層の端面と前記第２の電極の端面は一致しており、
前記第２の電極と前記接続配線とは、導電材によって電気的に接続され、
前記導電材と前記画素部の間に前記シール材が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を含む画素部と、
フレキシブルプリント基板と電気的に接続される接続配線と、
前記画素部を囲うように設けられ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するシール材とを有し、
前記有機化合物を含む層の端面と前記第２の電極の端面は一致しており、
前記第２の電極と前記接続配線とは、導電ペーストによって電気的に接続され、
前記導電ペーストと前記画素部の間に前記シール材が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の電極の端部は、絶縁物で覆われており、前記絶縁物の上端部は第１の曲率半径を有する曲面を有し、前記絶縁物の下端部は第２の曲率半径を有する曲面を有しており、前記第１の曲率半径および前記第２の曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
第１の電極と、接続配線とを形成し、
前記第１の電極及び前記接続配線上に接するように有機化合物を含む膜をスピンコーティング法で形成し、
前記有機化合物を含む膜上に第２の電極を選択的に形成し、
前記第２の電極をマスクとしてエッチングすることにより、前記有機化合物を含む膜を自己整合的にエッチングして有機化合物を含む層を形成し、且つ前記接続配線の上の前記有機化合物を除去した後、導電性微粒子によって前記第２の電極と前記接続配線とを電気的に接続することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の電極と、接続配線とを形成し、
前記第１の電極及び前記接続配線上に接するように有機化合物を含む膜をスピンコーティング法で形成し、
有機化合物膜上に前記第２の電極を選択的に形成し、
前記第２の電極をマスクとしてエッチングすることにより、前記有機化合物を含む膜を自己整合的にエッチングして有機化合物を含む層を形成し、且つ前記接続配線の上の前記有機化合物を除去した後、導電材によって前記第２の電極と前記接続配線とを電気的に接続することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
第１の電極と、接続配線とを形成し、
前記第１の電極及び前記接続配線上に接するように有機化合物を含む膜をスピンコーティング法で形成し、
有機化合物膜上に前記第２の電極を選択的に形成し、
前記第２の電極をマスクとしてエッチングすることにより、前記有機化合物を含む膜を自己整合的にエッチングして有機化合物を含む層を形成し、且つ前記接続配線の上の前記有機化合物を除去した後、導電ペーストによって前記第２の電極と前記接続配線とを電気的に接続することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空室内に基板を搬送し、
上記基板を上記真空室内の基板電極に向かって凸形に変形させながら保持し、
上記凸形に変形した基板の中央付近を上記基板電極の表面に設けられた粘着性シートに接触させ、
上記基板の片面のほぼ全域を上記基板電極の表面に設けられた上記粘着性シートに接触させ、
上記真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、上記真空室内にプラズマを発生させて、上記基板又は上記基板上の膜を処理することを含むプラズマ処理方法。
【請求項２】  真空室内に基板を搬送し、
上記真空室内の凸形の基板電極の上方に上記基板を保持し、
上記基板の中央付近を上記基板電極の表面に設けられた粘着性シートに接触させ、
上記基板の外縁部を上記基板電極に押し付けて、上記基板の片面のほぼ全域を上記基板電極の表面に設けられた上記粘着性シートに接触させ、
上記真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、上記真空室内にプラズマを発生させて、上記基板又は上記基板上の膜を処理することを含むプラズマ処理方法。
【請求項３】  基板の片面のほぼ全域をトレーの表面に設けられた粘着性シートに接触させ、
上記真空室内に上記トレーを搬送し、
上記真空室内の基板電極の上方に上記トレーを保持し、
上記トレーを上記基板電極上に載置し、
上記真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、上記真空室内にプラズマを発生させて、上記基板又は上記基板上の膜を処理することを含むプラズマ処理方法。
【請求項４】  上記基板を上記粘着性シートに接触させるとき、上記基板が、熱伝導率が０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である上記粘着性シートに接触するようにした請求項１，２，３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】  上記基板を上記粘着性シートに接触させるとき、上記基板が、アスカーＣが８０以下である上記粘着性シートに接触するようにした請求項１，２，３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】  上記基板を上記粘着性シートに接触させるとき、上記基板が、硬さが、５０〜６０である上記粘着性シートに接触するようにした請求項１，２，３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】  上記基板を上記粘着性シートに接触させるとき、上記基板が、厚さが０．０５〜０．５ｍｍである上記粘着性シートに接触するようにした請求項１，２，３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】  上記基板のヤング率をＥ（Ｐａ）、上記基板のポアソン比をν、上記基板の代表長さをａ（ｍ）、上記基板の厚さをｈ（ｍ）としたとき、６００×（１−ν２）ａ４／（２５６×Ｅｈ３）＞０．００５（ｍ）である基板を、上記真空室内に搬送するようにした、請求項１，２，３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】  基板を、表面に粘着性シートが設けられたトレー上に載置するための基板載置ステーションと、
真空室と、
上記真空室内にガスを供給するためのガス供給装置と、
上記真空室内を排気するための排気装置と、
上記真空室内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、
上記真空室内に上記トレーを載置するための基板電極と、
上記基板電極又はプラズマ源に高周波電力を供給することのできる高周波電源とを備えるプラズマ処理装置。
【請求項１０】  上記粘着性シートの熱伝導率が、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】  上記粘着性シートのアスカーＣが、８０以下である請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】  上記粘着性シートの硬さが、５０〜６０である請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】  上記粘着性シートの厚さが、０．０５〜０．５ｍｍである請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】  基板又は上記基板上の膜を処理するプラズマ処理に用いられる、プラズマ処理用トレーであって、
上記基板が載置される面の表面に配置された粘着性シートを備えるプラズマ処理用トレー。
【請求項１５】  上記基板が載置される面と反対側の表面に配置された別の粘着性シートを備える請求項１４に記載のプラズマ処理用トレー。
【請求項１６】  上記粘着性シートの熱伝導率が、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である請求項１４に記載のプラズマ処理用トレー。
【請求項１７】  上記粘着性シートのアスカーＣが、８０以下である請求項１４に記載のプラズマ処理用トレー。
【請求項１８】  上記粘着性シートの硬さが、５０〜６０である請求項１４に記載のプラズマ処理用トレー。
【請求項１９】  上記粘着性シートの厚さが、０．０５〜０．５ｍｍである請求項１４に記載のプラズマ処理用トレー。