Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  負荷装置に装着可能なＤＣカプラーであって、
前記ＤＣカプラーに装着されている二次電池を充電する充電手段と、
前記負荷装置の状態を検出する検出手段とを有し、
前記二次電池が満充電であるか否かと、前記負荷装置の状態とに応じて前記充電手段を制御することを特徴とするＤＣカプラー。
【請求項２】  前記二次電池が満充電でなく、前記負荷装置が記録状態である場合は、充電を停止するように前記充電手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のＤＣカプラー。
【請求項３】  前記二次電池が満充電でなく、前記負荷装置が記録状態でない場合は、充電を開始するように前記充電手段を制御することを特徴とする請求項１または２に記載のＤＣカプラー。
【請求項４】  前記二次電池が満充電でなく、前記負荷装置が再生状態である場合は、充電を開始するように前記充電手段を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＤＣカプラー。
【請求項５】  前記二次電池が満充電でなく、前記負荷装置が記録状態でも再生状態でもない場合は、急速充電を開始するように前記充電手段を制御することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のＤＣカプラー。
【請求項６】  前記二次電池が満充電でなく、前記ＤＣカプラーが前記負荷装置に装着されていない場合は、急速充電を開始するように前記充電手段を制御することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のＤＣカプラー。
【請求項７】  前記検出手段は、前記負荷装置からの信号により前記負荷装置の状態を検出することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のＤＣカプラー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像装置等の負荷装置に使用されるＤＣカプラーに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明はかかる実情に鑑み、負荷装置に装着されている状態で二次電池を充電することができるＤＣカプラーを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るＤＣカプラーは、例えば、負荷装置に装着可能なＤＣカプラーであって、前記ＤＣカプラーに装着されている二次電池を充電する充電手段と、前記負荷装置の状態を検出する検出手段とを有し、前記二次電池が満充電であるか否かと、前記負荷装置の状態とに応じて前記充電手段を制御することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、負荷装置に装着されている状態で二次電池を充電することができるＤＣカプラーを提供することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2000217269.tif 000001
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000217269.tif 000002
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2000217269.tif 000003
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2000217269.tif 000004
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2000217269.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子画像で蛍光撮影の画像取り込みが可能な眼科撮影装置において、
蛍光撮影を識別する手段と、
蛍光撮影が識別されたあとに撮影されて取り込まれる眼底画像を白黒画像に変換する手段と、
白黒画像に変換された眼底画像を格納する手段と、
を有することを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項２】  蛍光剤が投与されてからの時間経過を示すタイマーを設け、前記タイマーの作動により蛍光撮影を識別し、タイマー作動中に取り込まれる眼底画像を白黒画像に変換することを特徴とする請求項１に記載の眼科撮影装置。
【請求項３】  電子画像で蛍光撮影の画像取り込みが可能な眼科撮影装置において、
蛍光撮影を識別する手段と、
蛍光撮影が識別されたあとに撮影されて取り込まれる眼底画像を白黒画像に変換する手段と、
蛍光剤が投与されてからの時間経過を示すタイマーとを有し、
前記タイマーが示す時間が、白黒画像と合成されてモニターに表示されるか、または画像記憶装置に記憶保存されることを特徴とする眼科撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、電子画像で蛍光撮影の画像取り込みが可能な眼科撮影装置において、蛍光撮影を識別する手段と、蛍光撮影が識別されたあとに撮影されて取り込まれる眼底画像を白黒画像に変換する手段と、白黒画像に変換された眼底画像を格納する手段とを有する構成を採用しており、また、本発明は、電子画像で蛍光撮影の画像取り込みが可能な眼科撮影装置において、蛍光撮影を識別する手段と、蛍光撮影が識別されたあとに撮影されて取り込まれる眼底画像を白黒画像に変換する手段と、蛍光剤が投与されてからの時間経過を示すタイマーとを有し、前記タイマーが示す時間が、白黒画像と合成されてモニターに表示されるか、または画像記憶装置に記憶保存される構成も採用している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数に分割された撮像領域を持ち、各々の撮像領域に対応する読み出し部を持った撮像部と、
前記撮像部の読み出し制御を行うカメラ制御手段と、
前記撮像部から読み出された画像信号を複数のタイル領域に分割するタイル分割手段と、
前記タイル領域毎に符号化を行う画像符号化手段と、
前記カメラ制御手段からの前記撮像部の領域分割位置情報及び読み出し位置情報に応じてタイル分割領域の境界と前記撮像部の撮像領域の境界を合わせるように前記タイル分割手段を制御するタイル分割制御手段
とを具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記タイル分割制御手段は、前記カメラ制御手段からの前記撮像部の領域分割位置情報及び読み出し位置情報に応じて、前記タイル分割領域の大きさが前記撮像部の分割された撮像領域の整数分の１になるように前記タイル分割手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
複数に分割された撮像領域を持ち、各々の撮像領域に対応する読み出し部を持った撮像部と、
手ぶれ検出を行う手ぶれ検出手段と、
前記撮像部の読み出し制御と前記手ぶれ検出に応じた手ぶれ補正制御を行うカメラ制御手段と、
前記撮像部から読み出された画像信号を複数のタイル領域に分割するタイル分割手段と、
前記タイル領域毎に符号化を行う画像符号化手段と、
前記カメラ制御手段からの前記撮像部の領域分割位置情報、読み出し位置情報及び手ぶれ補正情報に応じてタイル分割領域の境界と前記撮像部の撮像領域の境界を合わせるように前記タイル分割手段を制御するタイル分割制御手段
とを具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
前記タイル分割制御手段は、前記カメラ制御手段からの前記撮像部の領域分割位置情報、読み出し位置情報及び手ぶれ補正情報に応じて、前記タイル分割領域の大きさが前記撮像部の分割された撮像領域の整数分の１になるように前記タイル分割手段を制御することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記タイル分割領域の境界かつ前記撮像領域の境界である部分に対し、境界部分の画像の差を軽減するフィルタ処理を行うフィルタ手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る画像処理装置は、複数に分割された撮像領域を持ち、各々の撮像領域に対応する読み出し部を持った撮像部と、前記撮像部の読み出し制御を行うカメラ制御手段と、前記撮像部から読み出された画像信号を複数のタイル領域に分割するタイル分割手段と、前記タイル領域毎に符号化を行う画像符号化手段と、前記カメラ制御手段からの前記撮像部の領域分割位置情報及び読み出し位置情報に応じてタイル分割領域の境界と前記撮像部の撮像領域の境界を合わせるように前記タイル分割手段を制御するタイル分割制御手段とを具備することを特徴とする。
本発明に係る画像処理装置は、複数に分割された撮像領域を持ち、各々の撮像領域に対応する読み出し部を持った撮像部と、手ぶれ検出を行う手ぶれ検出手段と、前記撮像部の読み出し制御と前記手ぶれ検出に応じた手ぶれ補正制御を行うカメラ制御手段と、前記撮像部から読み出された画像信号を複数のタイル領域に分割するタイル分割手段と、前記タイル領域毎に符号化を行う画像符号化手段と、前記カメラ制御手段からの前記撮像部の領域分割位置情報、読み出し位置情報及び手ぶれ補正情報に応じてタイル分割領域の境界と前記撮像部の撮像領域の境界を合わせるように前記タイル分割手段を制御するタイル分割制御手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置とその方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された画像を符号化する符号化手段と、
上記符号化された画像をＨＲＤに基づきバッファ制御を行う制御手段とを具備するデータ処理装置において、
上記制御手段は、最初のピクチャに対してゼロ到達時間より長い時間設定し、上記最初のピクチャに続くピクチャの到達時間を計算し、上記バッファのピクチャ除去遅延時間を求めることにより制御する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
入力された画像を符号化する符号化工程と、
上記符号化された画像をＨＲＤに基づきバッファ制御を行う制御工程とを具備するデータ処理方法であって、
上記制御工程は、最初のピクチャに対してゼロ到達時間より長い時間設定し、上記最初のピクチャに続くピクチャの到達時間を計算し、上記バッファのピクチャ除去遅延時間を求めることにより制御する
ことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビデオ、オーディオまたはその他のデータの非初期化バッファモデルを用いた画像処理装置とその方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明の画像処理装置は、入力された画像を符号化する符号化手段と、上記符号化された画像をＨＲＤに基づきバッファ制御を行う制御手段とを具備するデータ処理装置であって、上記制御手段は、最初のピクチャに対してゼロ到達時間より長い時間設定し、上記最初のピクチャに続くピクチャの到達時間を計算し、上記バッファのピクチャ除去遅延時間を求めることにより制御する。
本発明の画像処理方法は、入力された画像を符号化する符号化工程と、上記符号化された画像をＨＲＤに基づきバッファ制御を行う制御工程とを具備するデータ処理装置であって、上記制御工程は、最初のピクチャに対してゼロ到達時間より長い時間設定し、上記最初のピクチャに続くピクチャの到達時間を計算し、上記バッファのピクチャ除去遅延時間を求めることにより制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  磁気回路の空隙部内に揺動自在に配設したボイスコイルを巻回したボビンと振動板より成る可動部から成るスピーカであって、
前記磁気回路を構成する下部プレート及びセンタポール或はマグネットに穿った透孔と、
前記透孔を覆う様に形成した通路形成用キャップとを設け、
前記ボビン内の空気を前記通路形成用キャップと前記空隙部を介して前記振動板側へ吸排気させて成ることを特徴とするスピーカ。
【請求項２】  前記磁気回路の下部プレートに形成した前記透孔の断面形状を末広がり状又はＸ字状に成したことを特徴とする請求項１記載のスピーカ。
【請求項３】  前記吸排気流を前記ボイスコイルの周辺に通し冷却することを特徴とする請求項１記載のスピーカ。
【請求項４】  前記通路形成用キャップを非磁性材料で形成させたことを特徴とする請求項１記載のスピーカ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図８（Ａ）（Ｂ）は従来のこの種のスピーカの側断面図を示すものであり、図８（Ａ）のスピーカ１は外磁型の動電型スピーカであり、１０はフレーム７の内側に設けられたダンパー、１１はボイスコイルボビン、９はボイスコイル、３は下部プレート４と１体化されたセンタポール、５は下部プレート４に固定したリング状のマグネット、６は中央にセンタポール３の外径より大きい直径の中心孔を形成した空隙部１４内にボイスコイル９が巻回されたボイスコイルボビン１１が挿入され、マグネット５上に固定された上部プレートであり、この上部プレート６上にフレーム７が固定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図８（Ｂ）のスピーカ１の磁気回路２は内磁型と成され、略円板状の下部プレート４の中央位置に板状マグネット５ａを固定し、マグネット５ａ上に円筒状センタポール３を配設すると共にマグネット５ａ及びセンタポール３を囲繞する様に円筒状にヨーク１９を設け、このヨーク１９上に空隙部１４を構成する中心孔を有する上部プレート６を固定した磁気回路２を構成し、上部プレート６及びヨーク１９に透孔２１及び２０を穿って、第２の空間部１８及び第１の空間部１７の空気３０を透孔２０及び２１を介してヨーク１９外に排出或は流入させる様に成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、この様な磁気回路やボイスコイル９内の外部に排気される温められた空気を比較的、環境温度が低く保たれているスピーカ１の前面側に排気させることが可能な通気通路を形成することで大電流が流されるボイスコイル９で生ずる温度上昇を低減し、高パワー入力で低歪のスピーカを得ようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のスピーカは磁気回路を構成する下部プレート及びセンタポール或はマグネットに穿った透孔と、これら透孔を覆う様に形成した通路形成用キャップとを設け、ボビン内の空気を通路形成用キャップと空隙部を介して振動板側へ吸排気させ、また、ボイスコイルに沿って空気流を作りボイスコイル内の空気を冷却する様にしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
斯かる、本発明のスピーカによればボイスコイルを巻回したボイスコイルボビン内の第３の空間部内で熱せられた空気はセンタポールに穿った透孔と通路形成用キャップで形成した通路及び下部プレートに形成した透孔と、第１の空間部と、第２の空隙部及びこの空隙部内のボイスコイルの外面と、通気性を有する保持用のダンパーを介して振動板を保持するフレームの透孔を介してスピーカの前面側に吸排気させることが出来るので前面バッフル板に穿った透孔を介して温まった空気を振動板の前面側に排気或は流入可能なスピーカを得ることが出来る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このキャップ２５は磁気回路２からの磁路を通る磁束が漏洩しない様にアルミニウム、耐熱合成樹脂等の非磁性材料によってキャップ状に形成される。キャップ２５の内側内面にはセンタポール３の中心に穿った透孔２４と対向する位置に突部２９が形成され、第３の空間部２３内に蓄積されたボイスコイル９で温められた空気３０は振動板８の図１で矢印Ａ方向の下側に振れた時にはセンタポール３に穿った透孔２４→通路形成用キャップ２５とセンタポール３の底面間の通路３１→センタポール３の周囲の下部プレート４に穿った複数の透孔１５→第１の空間部１７→空隙部１４→第２の空間部１８→通気性のダンパー１０→フレーム７に設けられたプレス孔等の透孔７ａ→バッフル板２７に穿った透孔２８等を介して、スピーカ１の前面（振動板８の前面）に排気される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
逆に振動板８が図１で矢印Ａ方向と反対の上側に振れた時には上部空気通路とは逆に振動板前面の冷された空気が第３の空間部２３内に吸入されてボイスコイル９の外周や磁気回路２の可動部３Ａを冷却することになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004186898.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004186898.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004186898.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像入力部から入力された画像データに対して種々の画像処理を行って画像出力部から出力する種々の画像処理サービスを提供する画像処理システムにおいて、前記種々の画像処理サービスのサービス内容に応じた課金処理を行う課金システムであって、
複数の画像処理サービスに対応して設けられた複数の課金カウンタを有するカウンタ手段と、
前記複数の画像処理サービスのサービス内容および当該画像処理サービスの画像処理で使うパラメータと前記複数の課金カウンタを特定するカウンタ名および当該カウンタのインクリメント値とを対応付けた対応テーブルを格納する格納手段と、
要求される画像処理サービスに対応する課金カウンタを前記対応テーブルから特定する特定手段と、
前記特定手段で特定された課金カウンタを対応するインクリメント値でインクリメントして得られるカウント値を用いて課金額を算出する課金演算手段と、
前記格納手段に格納されている前記対応テーブルの内容を更新する更新手段と
を備えることを特徴とする課金システム。
【請求項２】  前記カウンタ手段は、前記課金カウンタの追加／削減が可能であり、
前記更新手段は、前記対応テーブルの内容を更新するときに、その更新内容に応じて前記カウンタ手段の前記課金カウンタを追加／削減する
ことを特徴とする請求項１記載の課金システム。
【請求項３】  前記対応テーブルは、前記複数の画像処理サービスのサービス内容に対応した課金率を有し、
前記課金演算手段は、前記課金率をも用いて課金額を算出する
ことを特徴とする請求項１記載の課金システム。
【請求項４】  前記課金演算手段は、複数の画像処理サービスを同時に実行する複合サービスに対して割引または割増の課金処理を行う
ことを特徴とする請求項１記載の課金システム。
【請求項５】  前記課金率は、複数の画像処理サービスを同時に実行する複合サービスでは、１つの画像処理サービスを実行する個別サービスに比べて低く設定されている
ことを特徴とする請求項３記載の課金システム。
【請求項６】  画像入力部から入力された画像データに対して種々の画像処理を行って画像出力部から出力する種々の画像処理サービスを提供する画像処理システムにおいて、前記種々の画像処理サービスのサービス内容に応じた課金処理を行う課金方法であって、
複数の画像処理サービスに対応して複数の課金カウンタを設けるとともに、前記複数の画像処理サービスのサービス内容および当該画像処理サービスの画像処理で使うパラメータと前記複数の課金カウンタを特定するカウンタ名および当該カウンタのインクリメント値とを対応付けた対応テーブルを格納しておき、
要求される画像処理サービスに対応する課金カウンタを前記対応テーブルから特定し、この特定した課金カウンタを対応するインクリメント値でインクリメントして得られるカウント値を用いて課金額を算出する一方、
前記対応テーブルの内容を適宜更新する
ことを特徴とする課金方法。
【請求項７】  前記対応テーブルの内容を更新するときに、その更新内容に応じて前記課金カウンタを追加／削減する
ことを特徴とする請求項６記載の課金方法。
【請求項８】複数の画像処理サービスを同時に実行する複合サービスに対して割引または割増の課金処理を行う
ことを特徴とする請求項６記載の課金方法。
【請求項９】  取得した画像データに対して複数の画像処理サービスを提供することができる画像処理システムにおける課金システムであって、
前記複数の画像処理サービスに対応して設けられた複数の課金カウンタを有するカウンタ手段と、
前記複数の課金カウンタに基づき課金額を算出する課金算出手段とを備え、
前記課金演算手段は、前記複数の画像処理サービスを個々に利用した場合と当該複数の画像処理サービスを複合した複合サービスとして利用した場合とで前記課金カウンタに基づく課金額の算出方法を異ならせる
ことを特徴とする課金システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを形成された基板を搬送する搬送部と、上記搬送部により搬送される上記基板を載置する載置台と、上記基板の配線パターンを撮像する撮像装置と、上記撮像装置からの映像信号を処理する信号処理装置および上記載置台の動作を制御する制御部からなる検査装置において、上記載置台は、上記基板を保持するクランプ機構部と上記搬送部により搬送される上記基板を上記搬送部から受取り、上記クランプ機構部に載置するための基板移動機構部および上記基板を上記クランプ機構部の所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段とを有し、上記基板移動機構部は、上記基板を上記搬送部から受取り、上記クランプ機構部上に載置するまでの期間に上記位置合わせ手段を用いて所定の位置に位置合わせすることを特徴とする基板の位置決め方法。
【請求項２】
配線パターンを形成された基板を搬送する搬送部と、上記搬送部により搬送される上記基板を載置する載置台と、上記基板の配線パターンを撮像する撮像装置と、上記撮像装置からの映像信号を処理する信号処理装置および上記載置台の動作を制御する制御部からなる基板の検査装置において、上記載置台は、上記基板を保持するクランプ機構部と上記搬送部により搬送される上記基板を上記搬送部から受取り、上記クランプ機構部に載置するための基板移動機構部および上記基板を上記クランプ機構部の所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段を有し、上記載置台の動作を制御する制御部は、上記基板移動機構部は上記基板を上記搬送部から受取り、上記クランプ機構部上に載置するまでの間で所定の位置で停止させる機能を有し、上記位置合わせ手段は、上記停止した基板を所定の位置に位置合わせすることを特徴とする基板の検査装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板の検査装置において、上記クランプ機構部は、複数の突起部からなることを特徴とする基板の検査装置。
【請求項４】
請求項２記載の基板の検査装置において、上記基板移動機構部は、上記基板を吸着する複数の吸着機構部および上記複数の吸着機構部の吸着力を制御する吸着力制御部を有し、上記位置合わせ手段を用いて上記基板を所定の位置に位置合わせする時、上記吸着力制御部は、上記複数の吸着機構部の一部の吸着機構部の吸着力を他の吸着機構部の吸着力より弱くするように制御することを特徴とする基板の検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図５は、基板 1 の搬送方法を説明する図である。図５ において、図５（ a ）は平面図、図５（ b ）は側面図である。Y 軸移動ステージ 4 と X 軸移動ステージ 3 の所定位置まで、基板搬送ハンド 1 8 によって基板 1 が搬送される（図３の基板 1 参照）。次に、基板受取り位置で、基板クランプ台 2 の４点の穴 1911 ，1921 ，1931 ，1941 を通して、基板受取りピン191 ，192 ，193 ，194 を矢印の方向に上昇させ、基板搬送ハンド 18 上の基板 1 を持ち上げる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第１の結晶性珪素膜を形成し、
成膜室内で前記第１の結晶性珪素膜上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第２の非晶質半導体膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室内にＴｉを含むフィラメントを有し、
前記第２の非晶質半導体膜は、前記フィラメントを過熱した後、前記フィラメントの加熱を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第１の結晶性珪素膜を形成し、
成膜室内で前記第１の結晶性珪素膜上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第２の非晶質半導体膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室にＴｉを含む一対の電極を有し、
前記第２の非晶質半導体膜は、前記一対の電極間に電圧を印加することによりプラズマを生じさせた後、前記一対の電極への電圧の印加を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第１の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜上にバリア膜を形成し、
成膜室内で前記第バリア膜上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第２の非晶質半導体膜及び前記バリア膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室内にＴｉを含むフィラメントを有し、
前記第２の非晶質半導体膜は、前記フィラメントを過熱した後、前記フィラメントの加熱を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第１の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜上にバリア膜を形成し、
成膜室内で前記第バリア膜上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第２の非晶質半導体膜及び前記バリア膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記第２の非晶質半導体膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室にＴｉを含む一対の電極を有し、
前記第２の非晶質半導体膜は、前記一対の電極間に電圧を印加することによりプラズマを生じさせた後、前記一対の電極への電圧の印加を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の非晶質半導体膜は、窒素濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、酸素濃度が８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、且つ希ガス元素の濃度が１×１０２０ｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、ウェットエッチング法により前記第２の非晶質半導体膜を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記希ガス元素はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンから選ばれた一種又は複数種を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記金属元素は鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅及び金のいずれか一種又は複数種であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入射光に対応する信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域を含む光電変換領域と、該光電変換領域からの前記信号電荷が入力される第１導電型の増幅用の電界効果トランジスタとを含む画素を複数有する光電変換装置において、
第１の光電変換領域と該第１の光電変換領域に隣接する第２の光電変換領域の間には前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる領域が配され、
前記第２の光電変換領域と前記電界効果トランジスタとの間の領域の少なくとも一部は、前記ポテンシャルバリアに比べて前記信号電荷に対するポテンシャルが低くなっており、
ポテンシャルの低い前記少なくとも一部の領域に隣接して、前記電界効果トランジスタの一方の主電極領域を配置したことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  入射光に対応する信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域を含む光電変換領域と、少なくとも一方の主電極領域に固定電位が供給される第１導電型の電界効果トランジスタと、を含む画素を複数有する光電変換装置において、
第１の光電変換領域と該第１の光電変換領域に隣接する第２の光電変換領域の間に前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる領域が配され、
前記第２の光電変換領域と前記電界効果トランジスタとの間の領域の少なくとも一部は、前記ポテンシャルバリアに比べて前記信号電荷に対するポテンシャルが低くなっており、
ポテンシャルの低い前記少なくとも一部の領域に隣接して、前記主電極領域を配置したことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】  前記ポテンシャルバリアとなる領域は、少なくとも選択酸化膜およびその直下のチャネルストップ層を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記ポテンシャルバリアとなる領域は、少なくとも第２導電型の埋込分離領域を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記第１の半導体領域は、第１導電型で前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも低い第２の半導体領域内に配されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】  前記電界効果型トランジスタの下に第２導電型の第３の半導体領域を設けたことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】  前記ポテンシャルバリアとなる領域は、少なくとも前記第２導電型の第４の半導体領域を含み、前記ポテンシャルの低い少なくとも一部の領域は、第２導電型であって、前記第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い第５の半導体領域を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置へ光を結像する光学系と、該光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、入射光に対応する信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域を含む光電変換領域と、該光電変換領域からの前記信号電荷が入力される第１導電型の増幅用の電界効果トランジスタとを含む画素を複数有する光電変換装置において、
第１の光電変換領域と該第１の光電変換領域に隣接する第２の光電変換領域の間には前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる領域が配され、
前記第２の光電変換領域と前記電界効果トランジスタとの間の領域の少なくとも一部は、前記ポテンシャルバリアに比べて前記信号電荷に対するポテンシャルが低くなっており、
ポテンシャルの低い前記少なくとも一部の領域に隣接して、前記電界効果トランジスタの一方の主電極領域を配置したことを特徴とする。
また本発明の光電変換装置は、入射光に対応する信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域を含む光電変換領域と、少なくとも一方の主電極領域に固定電位が供給される第１導電型の電界効果トランジスタと、を含む画素を複数有する光電変換装置において、
第１の光電変換領域と該第１の光電変換領域に隣接する第２の光電変換領域の間に前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる領域が配され、
前記第２の光電変換領域と前記電界効果トランジスタとの間の領域の少なくとも一部は、前記ポテンシャルバリアに比べて前記信号電荷に対するポテンシャルが低くなっており、
ポテンシャルの低い前記少なくとも一部の領域に隣接して、前記主電極領域を配置したことを特徴とする。
上記本発明は、発生キャリア（電荷）の収集効率を上げるために画素周囲をポテンシャルバリア（障壁）にて囲み、又、ポテンシャルバリアは光電変換領域に蓄積するキャリアが電子であるならばｐ型不純物等を用いて形成する。これにより隣接画素などにもれ込むことを抑圧することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光電変換領域と該光電変換領域から信号読みだしを行うための複数のトランジスタを有する単位画素が二次元状に複数配され、
前記複数のトランジスタの制御電極に電位を与える制御線と、前記単位画素からの信号を出力する出力線と、前記複数のトランジスタの少なくとも１つに接続された電源線と、を有する光電変換装置において、
前記複数のトランジスタの各制御電極と前記制御線とは第一の配線層で構成され、前記出力線と前記電源線とは第二の配線層で構成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  前記第一の配線層はポリシリコン層であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】  前記第二の配線層はアルミ層或いはアルミニウム合金層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記第一の配線層及び第二の配線層は直角に交差していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】  更に、平坦化膜を介してカラーフィルタが配されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】  前記複数のトランジスタは、前記光電変換領域からの信号電荷を蓄積領域に転送する転送トランジスタ、前記蓄積領域をリセットするリセットトランジスタを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】  前記信号電荷を画素内で増幅する増幅トランジスタを有することを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】  前記増幅トランジスタの入力部には複数の前記光電変換領域が前記転送トランジスタを介して接続されていることを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】 前記単位画素が二次元状に複数配されてなる画素領域は、配線が前記第一の配線層と前記第二の配線層とから構成され、前記画素領域を動作させる回路が配されている周辺領域は配線が３層以上の配線層から構成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置へ光を結像する光学系と、該光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を収納して真空又は減圧環境下で前記被処理物にプラズマ処理を施す真空容器と、
マイクロ波を前記真空容器に透過すると共に前記真空容器の前記減圧又は真空環境を維持する誘電体と、
前記マイクロ波を前記誘電体に案内するスロットを有する平板と、
前記平板と前記誘導体との間に配置された冷却路を含み、前記誘電体の温度を調節するための温度調節機構を有し、
前記冷却路が形成される前記平板と前記誘導体との間隔は２ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】  前記冷却路には、冷却媒体が供給されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】    前記冷却媒体は、空気、窒素、不活性ガス、フロリナート、ガルデン、フッ素含有溶媒のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】  前記冷却媒体は、気体、液体又は低誘電欠損材から構成されることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】  前記冷却路には、冷却媒体が排出可能に供給されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】  前記誘電体又は当該誘電体近傍の温度を測定する温度検出器と、
当該温度検出器の温度に基づいて前記冷却路に供給される冷却媒体の流量を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】  前記冷却路には熱伝導媒体が配置されることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】  前記熱伝導媒体は、前記誘電体の周囲に配置されることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】  前記熱伝導媒体は、シリコーンパウダー又はシリコーンオイルを含むことを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】  前記熱伝導媒体は、誘電欠損材であることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】  前記平板は、アルミニウム、金、銀及び銅の少なくとも一つを含む材料から構成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】  前記誘電体は、アルミナセラミックス、アルミナイトライド及び石英の少なくとも一つを含む材料から特徴されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】  前記冷却媒体が透過することを許容すると共に前記マイクロ波が透過することを防止する多数の孔を所定の部位に有し、前記マイクロ波を前記平板まで案内する導波管と、
前記導波管の前記所定の部位と前記マイクロ波を供給するマイクロ波供給源との間であって前記導波管に設けられ、前記冷却媒体が前記導波管を前記マイクロ波供給源に向かって移動することを防止する隔壁とを更に有することを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】  前記隔壁は、誘電欠損材から構成されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源から提供される光を使って原版パターンを基板に転写する露光装置であって、
基板の露光を制御するための光電センサと、
前記光電センサに照射される光の光量に対する前記光電センサの出力変動特性を格納するメモリと、
前記光電センサに照射された光の光量、該光の単位時間当たりのエネルギ、及び、前記メモリに格納された出力変動特性に基づいて、前記光電センサにおける出力変動量を演算する演算器と、
前記演算器によって演算される出力変動量に基づいて前記光電センサの出力を補正する補正器と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記演算器は、前記光源を制御するための情報に基づいて、前記光電センサに照射された光の光量及び該光の単位時間当たりのエネルギを示す情報を得ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記光源は、パルス光を発生し、
前記情報は、前記光源が発生するパルス光のパルス数及び１パルス当たりのエネルギを示す情報を含み、
前記演算器は、前記パルス数及び前記１パルス当たりのエネルギに基づいて、前記光電センサに照射された光の光量を演算することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】  前記光源は、パルス光を発生し、
前記情報は、前記光源の発振周波数、発振デューティー、及び、１パルス当たりのエネルギを示す情報を含み、
前記演算器は、前記発振周波数、前記発振デューティー、及び、前記１パルス当たりのエネルギに基づいて、前記単位時間当たりのエネルギを演算することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】  前記光電センサは、基板の露光中に該基板の積算露光量をモニタするための積算露光量センサを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】  前記光電センサは、前記基板を移動させるステージ上に配置されたセンサを含むことを特徴よする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】  前記光電センサは、露光領域内の照度むらを計測する照度むらセンサを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】  光源から提供される光を使って原版パターンを基板に転写する露光方法であって、
基板の露光を制御するための光電センサに照射された光の光量、該光の単位時間当たりのエネルギ、及び、メモリに格納された前記光電センサの出力変動特性に基づいて、前記光電センサにおける出力変動量を演算する演算工程と、
前記演算工程で演算された出力変動量に基づいて前記光電センサの出力を補正する補正工程と、
前記補正工程で補正された後の前記光電センサの出力に基づいて基板の露光を制御する露光工程と、
を含み、前記メモリに格納された前記出力変動特性は、前記光電センサに照射される光の光量に対する前記光電センサの出力変動量についての特性を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項９】  デバイス製造方法であって、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置を用いて、基板に原版パターンを転写する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１０】  デバイス製造方法であって、
請求項８に記載の露光方法に従って基板に原版パターンを転写する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月28日(2005.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス光を発生する光源から周期的かつ連続的に提供されるパルス光を利用して基板にパターンを転写する露光装置であって、
パルス光を電気信号として検出する複数の光電変換部を有する光電アレイと、
前記光電アレイの前記複数の光電変換部から電気信号を読み出す読出回路と、
を備え、前記読出回路は、前記光源から前記光電アレイに周期的かつ連続的に提供されるパルス光の光量に相当する電荷を前記光電アレイの前記複数の光電変換部に蓄積させ、該パルス光間の各時間間隔を使って前記複数の光電変換部の一部から電気信号を読み出しながら該パルス光間の複数の時間間隔を使って前記複数の光電変換部の全てから電気信号を読み出すことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記読出回路は、前記光電アレイから電気信号を読み出す都度、電気信号の読み出しを行った光電変換部をリセットするリセット回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
同一の光電変換部から異なる時間に読み出された電気信号を加算する加算部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記読出回路によって前記パルス光間の１つの時間間隔において電気信号が読み出される光電変換部の個数が、前記光源の発光周波数に応じて決定されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記光源から前記光電アレイに周期的かつ連続的に提供されるパルス光に相当する電荷を前記複数の光電変換部に累積して蓄積させる回数が、前記光源から提供されるパルス光の強度に応じて決定されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記光電アレイが、基板が載置されるステージの上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光電アレイが、前記光源から基板に至る光路から分岐されたパルス光の積算光量を検出するように配置されていることを特長とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
パルス光を発生する光源から周期的かつ連続的に提供されるパルス光を利用して基板にパターンを転写する露光装置であって、
パルス光を電気信号として検出する光電センサと、
前記光電センサから電気信号を読み出す読出回路と、
を備え、前記読出回路による１つの読出動作と次の読出動作との間に前記光電センサに何パルス分の電荷を蓄積させるかが、前記光源から提供されるパルス光の強度に応じて決定されることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記光電センサが、基板が載置されるステージの上に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記光電センサが、前記光源から基板に至る光路から分岐されたパルス光の積算光量を検出するように配置されていることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の露光装置を使用して、基板上に塗布された感光剤にパターンを転写する転写工程と、
前記感光剤を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層を形成し、
前記導電層上に、第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし第１の配線を形成し、
前記導電層上に、前記第１の露光手段より解像度の高い第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記導電層の第２の領域及び前記第１の配線の一部をエッチングし、前記第１の配線と接続された第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
導電層を形成し、
前記導電層上に、等倍投影露光装置によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし第１の配線を形成し、
前記導電層上に、縮小投影露光装置によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記導電層の第２の領域及び前記第１の配線の一部をエッチングし、前記第１の配線と接続された第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
導電層を形成し、
前記導電層上に、第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし第１の配線を形成し、
前記導電層上に、前記第１の露光手段より用いる光の波長が短い第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記導電層の第２の領域及び前記第１の配線の一部をエッチングし、前記第１の配線と接続された第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
導電層を形成し、
前記導電層上に、第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、端部がテーパー状となる第１の配線を形成し、
前記導電層上に、第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記導電層の第２の領域及び前記第１の配線の一部をエッチングし、前記第１の配線と接続された端部が垂直となる第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
導電層を形成し、
前記導電層上に、第１の露光手段によって第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記導電層の第１の領域をエッチングし、端部がテーパー状となる第１の配線を形成し、
前記導電層上に、前記第１の露光手段より解像度の高い第２の露光手段によって第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記導電層の第２の領域及び前記第１の配線の一部をエッチングし、前記第１の配線と接続された端部が垂直となる第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の露光手段は等倍投影露光装置を用い、前記第２の露光手段は縮小投影露光装置を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、
前記第２の露光手段に用いる光の波長は、前記第１の露光手段に用いる光の波長より短いことを特徴とする半導体装置の作製方法。