Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回転体の位置変位を検出し、対向に配置された一対の電磁石の磁気吸引力または反発力により、該一対の電磁石間で回転体を所定の浮上位置に浮上制御を行うことで、回転体を回転自在に且つ非接触に浮上支持する磁気軸受において、
前記磁気軸受を構成する電磁石に供給する励磁電流を制御するために必要な回転体の位置情報を、該電磁石のインピーダンス変化により検出することを特徴とする磁気軸受制御装置。
【請求項２】  前記電磁石には、バイアス電流を供給するためのバイアス電圧源と、該電磁石に対して、該バイアス電圧源からのバイアス電流に重畳して励磁電流を供給するための制御電流源とが接続され、該制御電流源から出力する励磁電流は磁気軸受制御電圧源をＰＷＭ制御し、前記対向に配置された一対の電磁石それぞれに対して、相反するデューティ比で供給され、該デューティ比は回転体の位置により変化する該一対の電磁石各々のインピーダンスが等しくなるように制御されることを特徴とする請求項１記載の磁気軸受制御装置。
【請求項３】  前記対向に配置された一対の電磁石各々のインピーダンスを検出する手段として、前記磁気軸受制御電圧源からＰＷＭ制御で電磁石に供給される際の電磁石に流れる電流であって、該電流を電流電圧変換素子によってパルス信号として検出し、該パルス信号のピーク電圧変化から回転体の位置情報を検出可能にしたことを特徴とする請求項２記載の磁気軸受制御装置。
【請求項４】  前記パルス信号から得られた回転体の位置変位信号は、該回転体の機械的制御系の固有値に対して補償特性を備えた制御回路を通過し、前記対向に配置された一対の電磁石に相反するデューティ比でＰＷＭ制御された励磁電流として供給されることを特徴とする請求項３記載の磁気軸受制御装置。
【請求項５】  回転体の位置変位を検出し、対向に配置された一対の電磁石の磁気吸引力または反発力により、該一対の電磁石間で回転体を所定の浮上位置に浮上制御を行うことで、回転体を回転自在に且つ非接触に浮上支持する磁気軸受において、
前記電磁石には、バイアス電流を供給するためのバイアス電圧源と、該電磁石に対して、該バイアス電圧源からのバイアス電流に重畳して励磁電流を供給するための制御電流源とが接続され、該制御電流源から出力する励磁電流は磁気軸受制御電圧源をＰＷＭ制御する電流供給手段によって、前記対向に配置された一対の電磁石それぞれに対して、相反するデューティ比で供給され、
前記一対の電磁石のそれぞれの電流を検出する第１および第２の巻線と、第３の巻線を持つトランスを具備し、第３の巻線に誘起される電圧または電流より前記回転体の位置変位の検出を行うことを特徴とする磁気軸受制御装置。
【請求項６】  前記第３の巻線の端子間に、共振回路を構成したことを特徴とする請求項５記載の磁気軸受制御装置。
【請求項７】  回転体の位置変位を検出し、対向に配置された一対の電磁石の磁気吸引力または反発力により、該一対の電磁石間で回転体を所定の浮上位置に浮上制御を行うことで、回転体を回転自在に且つ非接触に浮上支持する磁気軸受において、
前記電磁石には、バイアス電流を供給するためのバイアス電圧源と、該電磁石に対して、該バイアス電圧源からのバイアス電流に重畳して励磁電流を供給するための制御電流源とが接続され、該制御電流源から出力する励磁電流は磁気軸受制御電圧源をＰＷＭ制御する電流供給手段によって、前記対向に配置された一対の電磁石それぞれに対して、相反するデューティ比で供給され、
前記一対の電磁石のそれぞれの電流を検出する電流検出手段と、該電流検出手段から得られた該電磁石のそれぞれの電流の検出信号を加算する信号加算手段と、該加算手段から得られた加算信号を入力し操作信号を出力する制御手段と、該操作信号に応じて出力電圧が変化する前記バイアス電圧源を具備したことを特徴とする磁気軸受制御装置。
【請求項８】  前記一対の電磁石のそれぞれの電流の検出信号の差である差信号に、あらかじめ設定した係数を乗じて、該電磁石のインピーダンス変化より検出された位置情報の信号に加算し、この演算結果を前記回転体の浮上制御に必要な位置変位信号として利用することを特徴とする請求項７記載の磁気軸受制御装置。
【請求項９】  前記一対の電磁石を複数対備え、前記回転体の位置変位を検出すると共に、前記回転体の浮上位置を複数対の電磁石およびその制御装置により多軸制御する磁気軸受において、前記バイアス電圧源を共有し、バイアス電圧源の数をその制御軸数よりも少なくしたことを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の磁気軸受制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
N≦0.020％
Nは窒化物を生成することにより、成形時に窒化物を起点とした割れが発生し成形性が損われるため、できる限り低減するのが良く、本発明では0.020％以下とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
O≦0.0050％
Oは酸化物を生成することにより、成形時に酸化物を起点とした割れが発生し成形性が損われるため、できる限り低減するのが良く、本発明では0.0050％以下とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の立体形状を計測して３次元データを得る３次元データ取得手段と、
取得した３次元データを蓄積する３次元データ蓄積手段と、
取得した３次元データと参照すべき標準３次元データとの照合を行う３次元データ照合手段とを備えた３次元物体照合装置であって、
さらに、前記３次元データの各計測点について計測誤差を推定する誤差特性評価手段と、
前記３次元データから１以上のデータ領域を切り出し、所定の形状特徴値が閾値よりも大きなデータ領域を初期候補として選定する特徴部分抽出手段と、
前記データ領域又は前記データ領域同士の組合せについて推定処理時間と推定照合精度を計算する処理時間・精度評価手段と、
前記初期候補から、目標処理時間と目標照合精度を達成するデータ領域又はデータ領域同士の組合せを選定する照合データ領域選定手段とを備え、
前記３次元データ照合手段が、前記照合データ領域選定手段の選定したデータ領域又はデータ領域同士の組合せについて標準３次元データとの照合を行うことを特徴とする３次元物体照合装置。
【請求項２】
前記誤差特性評価手段が、前記３次元データ取得手段に由来する計測誤差を前記３次元取得手段と前記物体の相対位置から推定することを特徴とする請求項１に記載の３次元物体照合装置。
【請求項３】
前記３次元データ取得手段が、前記物体に照射した光を受光器によって検出することによって立体形状を計測し、
前記誤差特性評価手段が、前記物体表面で反射して前記受光器に向かう光線の割合に基づいて計測誤差を推定することを特徴とする請求項１又は２に記載の３次元物体照合装置。
【請求項４】
過去に選定したデータ領域又はデータ領域同士の組合せを蓄積する照合特性蓄積手段を備え、前記照合データ領域選定手段が、前記照合特性蓄積手段に蓄積された情報に基づいてデータ領域又はデータ領域同士の組合せを選定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の３次元物体照合装置。
【請求項５】
前記特徴部分抽出手段で用いる選定基準及び／又は前記照合データ領域選定手段で用いるデータ選定基準を変更する選定基準変更手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の３次元物体照合装置。
【請求項６】
前記選定基準変更手段が、前記照合データ領域選定手段の選定結果又は前記３次元データ照合手段での照合結果に基づいて自動的に変更動作を行うことを特徴とする請求項５に記載の３次元物体照合装置。
【請求項７】
前記３次元データ又はデータ領域から照合すべきデータ点数を削減するデータ点数削減手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の３次元物体照合装置。
【請求項８】
前記３次元データ又はデータ領域から異なる削減率でデータ点数を削減することにより多重解像度化されたデータを生成する多重解像度データ生成手段を備え、
前記３次元データ照合手段が、前記多重解像度データを低解像度データから高解像度データへと順次照合するとともに、低解像度データにおける照合結果を高解像度データにおける照合初期値として利用することを特徴とする請求項１乃至７に記載の３次元物体照合装置。
【請求項９】
前記特徴部分抽出手段で用いる選定基準及び／又は前記照合データ領域選定手段で用いるデータ選定基準を変更する選定基準変更手段を備え、
前記多重解像度データ生成手段が、削減率を変更しながら前記３次元データからデータ削減を繰り返すことにより多重解像度化されたデータを生成し、
前記選定基準変更手段が、各解像度のデータについて、前記特徴部分抽出手段で用いる選定基準及び／又は前記照合データ領域選定手段で用いるデータ選定基準を変更しながら選定を繰り返すことを特徴とする請求項８に記載の３次元物体照合装置。
【請求項１０】
前記多重解像度データ生成手段が、削減率を変更しながら前記３次元データからデータ削減を繰り返すことにより多重解像度化されたデータを生成し、
前記特徴部分抽出手段が、前記多重解像度化されたデータの解像度に応じて切り出すデータ領域の大きさを変えるとともに、前記解像度が最小であるときには前記３次元データの略全体からデータ領域を切り出すことを特徴とする請求項８又は９に記載の３次元物体照合装置。
【請求項１１】
物体の立体形状を計測して３次元データを得る３次元データ取得手段と、
取得した３次元データを蓄積する３次元データ蓄積手段と、
取得した３次元データと参照すべき標準３次元データとの照合を行う３次元データ照合手段とを備えた３次元物体照合装置であって、
さらに、前記３次元データ又はデータ領域から異なる削減率でデータ点数を削減することにより多重解像度化されたデータを生成する多重解像度データ生成手段を備え、
前記３次元データ照合手段が、前記多重解像度データを低解像度データから高解像度データへと順次照合するとともに、低解像度データにおける照合結果を高解像度データにおける照合初期値として利用することを特徴とする３次元物体照合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ＩＣＰアルゴリズムでは、ともに点群として表現された２つの３次元データ、即ち計測された３次元データと標準３次元データの間で、一方の３次元データのそれぞれの点から他方の３次元データの中で最も近い点までの距離の２乗和を最小化することにより２つの３次元データが最も良く重なるような座標変換を得る。ここで本件発明では、計測された３次元データの全体について照合を行うのではなく、選定されたデータ領域についてのみ照合を行う。このとき照合対象となる標準３次元データからも対応するデータ領域を切り出す必要があるが、対象物体４の微小な移動が予想される場合には、標準３次元データにおいて過去の照合で一致した部分から予想される移動分だけ広げた範囲から複数のデータ領域を切り出し、順次照合すれば良い。対象物体４が完全自由回転をしている等、移動量や方向の予測が困難であるときには、標準３次元データの全体から一致するデータ領域を探索する必要があるため、後述する多重解像度データを用いて照合することが有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来のランプソケットは、ソケット筐体と、該ソケット筐体に移動可能に収納される摺動体と、該摺動体に収納されランプ端子と当接する接触金具と、ソケット筐体に収納され、一端に接触金具が接続される接続部を備え、他端がソケット筐体に係止される導電金具とを有し、接続部に接触金具が挿入される係合孔を設けるとともに、係合孔の周端であって、ランプ装着時に、ランプ端子の挿入方向と略垂直方向であり接触金具が回動して動く方向に弾性を有する一対の切り起し片を対向させて一体で形成し、切り起し片により接触金具を挟持させた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２３６２３１号公報（第４頁、第５頁、図１〜図４）
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＶデータ記録装置においてＡＶデータをディスクへ記録、又は記録されたＡＶデータを再生する記録・再生部を制御するシステム制御装置であって、
前記ディスク上の連続したブロックであるエクステントをグループ化してファイルとして管理するファイル管理情報と、前記ファイルをグループ化してディレクトリとして管理するディレクトリ情報とを格納するために前記ＡＶデータ記録装置に設けられたメモリ部を参照し、
前記メモリ部に格納された、前記ディレクトリ情報および前記ファイル管理情報から、重複を許可してかつ前記ディレクトリ情報および前記ファイル管理情報の少なくとも一つを含むように、少なくとも二つ選んで、前記ディスク上に予約エクステントとして確保されている予約領域へ、前記記録・再生部に記録させ、
前記ディレクトリの下にサブディレクトリを新たに作成する際に、前記サブディレクトリのディレクトリ情報と、当該サブディレクトリの階層下に作成されるファイルのファイル管理情報とを、前記予約領域に記録させることを特徴とするシステム制御装置。
【請求項２】
ＡＶデータ記録装置においてＡＶデータをディスクへ記録、又は記録されたＡＶデータを再生する記録・再生部を制御するシステム制御プログラムであって、
前記ディスク上の連続したブロックであるエクステントをグループ化してファイルとして管理するファイル管理情報と、前記ファイルをグループ化してディレクトリとして管理するディレクトリ情報とを格納するために前記ＡＶデータ記録装置に設けられたメモリ部を参照するステップと、
前記メモリ部に格納された、前記ディレクトリ情報および前記ファイル管理情報から、重複を許可してかつ前記ディレクトリ情報および前記ファイル管理情報の少なくとも一つを含むように、少なくとも二つ選んで、前記ディスク上に予約エクステントとして確保されている予約領域へ、前記記録・再生部に記録させるステップと、を含み、
前記ディレクトリの下にサブディレクトリを新たに作成する際に、前記サブディレクトリのディレクトリ情報と、当該サブディレクトリの階層下に作成されるファイルのファイル管理情報とを、前記予約領域に記録させることを特徴とするシステム制御プログラム。
【請求項３】
ＡＶデータ記録装置においてＡＶデータをディスクへ記録、又は記録されたＡＶデータを再生する記録・再生部を制御するシステム制御方法であって、
前記ディスク上の連続したブロックであるエクステントをグループ化してファイルとして管理するファイル管理情報と、前記ファイルをグループ化してディレクトリとして管理するディレクトリ情報とを格納するために前記ＡＶデータ記録装置に設けられたメモリ部を参照するステップと、
前記メモリ部に格納された、前記ディレクトリ情報および前記ファイル管理情報から、重複を許可してかつ前記ディレクトリ情報および前記ファイル管理情報の少なくとも一つを含むように、少なくとも二つ選んで、前記ディスク上に予約エクステントとして確保されている予約領域へ、前記記録・再生部に記録させるステップと、を含み、
前記ディレクトリの下にサブディレクトリを新たに作成する際に、前記サブディレクトリのディレクトリ情報と、当該サブディレクトリの階層下に作成されるファイルのファイル管理情報とを、前記予約領域に記録させることを特徴とするシステム制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商品に付されたデータを読み取るリーダと、
用紙に印字を行なうプリンタと、
ＩＣチップを搭載する媒体をセットするためのセット部と、
前記セット部にセットされた前記媒体が搭載する前記ＩＣチップが書き換え自在に記憶する貨幣と等価な経済的価値を持つ金銭情報の読み出しと変更とを実行するリーダライタと、
１個の商品について、前記リーダによるその商品に付された前記データの読み取りがあった場合、引き続き、前記リーダライタを駆動制御して前記セット部にセットされている媒体から前記データに基づき特定される価格相当分の金銭情報の引き落し処理を実行し、前記プリンタを駆動制御して当該商品単品限りのレシートの発行処理を実行する手段と、を備えるセルフチェックアウト端末。
【請求項２】
把持可能なハンドルと、このハンドルの先端に連結する機器収納部とを有し、
前記機器収納部は、前記ハンドルとの連結部分の近傍に前記プリンタによる印字がなされるロール紙を収納するための用紙収納部を備える、請求項１記載のセルフチェックアウト端末。
【請求項３】
情報を表示するディスプレイと、
肯定と否定との択一的な選択を可能にする操作部と、
前記リーダによる前記データの読み取り後、カード決済するかどうかを前記ディスプレイによる表示で問い、前記操作部による操作によってカード決済するかどうかを選択させる手段と、
を備え、
前記セット部は、カード型の前記媒体を挿脱自在にセット可能とし、
前記機器収納部は、前記ディスプレイと前記用紙収納部との間に前記セット部及び前記リーダライタを配置する、請求項２記載のセルフチェックアウト端末。
【請求項４】
前記リーダライタは、前記ハンドルの側から前記カード型の媒体の挿入を許容する、請求項３記載のセルフチェックアウト端末。
【請求項５】
前記レシートには、前記プリンタを駆動制御して単品限りの決済情報を示す取引明細部を印字するようにした、請求項１記載のセルフチェックアウト端末。
【請求項６】
前記レシートには、前記プリンタを駆動制御して決済済みであることを示す購入証明部を印字するようにした、請求項１記載のセルフチェックアウト端末。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来のネットワーク資源の調達方法は、多数の売り手（以下ではセラーという）と多数の買い手（以下ではバイヤーという）との間での相対交渉によるものであった。このために、（１）取引交渉する相手事業者数が多い場合には、その接続交渉には時間的限界から最適なる事業者を見つけることが困難となる、（２）相手事業者が異なれば取引条件も異なり、売買折衝に多大なる労力（および煩わしさ）と経験を必要とすることから資源流通が容易では無くなる、（３）接続ポイントは、その都度決定されるので、不特定箇所となり、その都度の接続工事に時間と経費を要する、といった課題があった。一方ではバイヤー側の要求としてプロビジョニング期間の短縮、短期間利用、経済的な回線調達などがあり、こうした課題の克服と市場ニーズを満たす仕組みの提供が切望されていた（例えば、特許文献１または２参照）。
【特許文献１】特開２００２−２７１３８７号公報
【特許文献２】特開２００２−２７１３８６号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、ネットワーク資源同士を接続する接続ポイント(以下、RX:Resource
Exchangeという)を用意し、セラーが、売りたいネットワーク資源の商材や提供区間や売値等の情報を、バイヤーが、買いたいネットワーク資源の商材や提供区間や買値等の情報を、それぞれが登録できる仲介市場装置を設け、双方の条件が一致した場合に、それぞれがネットワーク資源の取引前に、あらかじめネットワーク資源をＲＸへ接続しておくことによって、多数のネットワーク資源提供事業者間との交渉期間が短縮でき、取引成立後の事前工事期間も短縮できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入力される圧縮された情報からのコンテンツ信号の抽出処理を制御する制御部と、
バスと有線あるいは無線で接続しており、秘密性の低い第１の情報を格納する第１の領域と上記第１の情報よりも秘密性の高い第２の情報を格納する第２の領域とを有し、上記第１の領域はバスより第１の情報の書込み及び読出しが許可されており、上記第２の領域はバスより第２の情報の書込みが許可されており、読出しが禁止された記憶部と、
を有することを特徴とするプロセッサユニット。
【請求項２】
上記記憶部は、
バスと有線あるいは無線で接続しており、秘密性の低い第１のプログラムコードを格納する第１のコード領域と上記第１のプログラムコード情報よりも秘密性の高い第２のプログラムコードを格納する第２のコード領域とを有し、上記第１のコード領域はバスより第１のプログラムコードの書込み及び読出しが許可されており、上記第２のコード領域はバスより第２のプログラムコードの書込みが許可されており、読出しが禁止されたコード記憶部と、
バスと有線あるいは無線で接続しており、秘密性の低い第１のデータを格納する第１のデータ領域と上記第１のデータよりも秘密性の高い第２のデータを格納する第２のデータ領域とを有し、上記第１のデータ領域はバスより第１のデータの書込み及び読出しが許可されており、上記第２のデータ領域はバスより第２のデータの書込みが許可されており、読出しが禁止されたデータ記憶部と、
を有することを特徴とする請求項１記載のプロセッサユニット。
【請求項３】
上記制御部は、上記第２のデータ領域から読出した第２のデータを用いた制御のもとでは、上記第１のデータ領域に対する書込みを禁止し、上記第２のデータ領域に対して書込みを実行することを特徴とする請求項２記載のプロセッサユニット。
【請求項４】
上記制御部は、上記第２のコード領域から読み出した第２のプログラムコード情報を用いた制御のもとでは、上記第１のデータ領域に対する書込みを禁止し、上記第２のデータ領域に対して書込みを実行することを特徴とする請求項２記載のプロセッサユニット。
【請求項５】
上記制御部は、上記第１のコード領域から読み出した第１のプログラムコード情報を用いた制御のもとでは、上記第２のデータ領域に対する読み出し、書込みのどちらか一方あるいはその両方を禁止し、上記第１のデータ領域に対して書込みを実行することを特徴とする請求項２記載のプロセッサユニット。
【請求項６】
上記第２の領域に書き込まれる前に上記第２の情報に対して演算処理を施す演算部を有することを特徴とする請求項１記載のプロセッサユニット。
【請求項７】
圧縮された情報が入力される入力部と、
この入力部から入力される圧縮された情報からのコンテンツ信号の抽出処理を制御する制御部と、バスと有線あるいは無線で接続しており、秘密性の低い第１の情報を格納する第１の領域と上記第１の情報よりも秘密性の高い第２の情報を格納する第２の領域とを有し、上記第１の領域はバスより第１の情報の書込み及び読出しが許可されており、上記第２の領域はバスより第２の情報の書込みが許可されており、読出しが禁止された記憶部とを有するプロセッサと、
このプロセッサにより抽出処理されたコンテンツ信号をデコードするデコーダと、
を有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項８】
上記記憶部は、
バスと有線あるいは無線で接続しており、秘密性の低い第１のプログラムコードを格納する第１のコード領域と上記第１のプログラムコード情報よりも秘密性の高い第２のプログラムコードを格納する第２のコード領域とを有し、上記第１のコード領域はバスより第１のプログラムコードの書込み及び読出しが許可されており、上記第２のコード領域はバスより第２のプログラムコードの書込みが許可されており、読出しが禁止されたコード記憶部と、
バスと有線あるいは無線で接続しており、秘密性の低い第１のデータを格納する第１のデータ領域と上記第１のデータよりも秘密性の高い第２のデータを格納する第２のデータ領域とを有し、上記第１のデータ領域はバスより第１のデータの書込み及び読出しが許可されており、上記第２のデータ領域はバスより第２のデータの書込みが許可されており、読出しが禁止されたデータ記憶部と、
を有することを特徴とする請求項７記載のデータ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に不揮発性メモリと不揮発性メモリコントローラと複数の端子とが実装されたメモリカードが挿入されるメモリカードスロットと、
前記メモリカードスロットに挿入されるメモリカードと通信する複数の接続端子を有するコネクタと、
前記コネクタの複数の接続端子を介して接続される前記メモリカードとホストとの間でＰＣカード制御コマンドの通信を行うＰＣカード接続端子と、
前記メモリカードと前記ホストとの間で、前記ＰＣカード接続端子を介して入力される前記ホストからのコマンドにより前記メモリカードへのアクセス制御を行うメモリカードアダプタコントローラと、
前記コネクタに接続されるメモリカードと前記ホストとの間で、前記メモリカードアダプタコントローラを介してメモリカード制御コマンドの通信を行うための接触型ＩＣカード外部端子と、
前記コネクタに接続されるメモリカードと前記ホストとの間でＩＣカードコマンドの通信を行うためのアンテナとを具備することを特徴とするメモリカードアダプタ。
【請求項２】
基板上に不揮発性メモリ機能と、ＩＣカード機能と、不揮発性メモリコントロール機能とを具備する少なくとも一つの集積回路が実装されたメモリカードであって、
前記メモリカードは、さらに非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子と、メモリカード外部端子と、接触型ＩＣカード外部端子と、接続されるメモリカードアダプタもしくはリーダライタの出力に応じて前記集積回路への入力を制御するスィッチング回路とを具備することを特徴とするメモリカード。
【請求項３】
基板上に不揮発性メモリ機能と、ＩＣカード機能と、不揮発性メモリコントロール機能とを具備する少なくとも一つの集積回路が実装されたメモリカードであって、
前記メモリカードは、さらに非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子と、メモリカード外部端子と、接続されるメモリカードアダプタもしくはリーダライタの出力に応じて前記集積回路への入力を制御するスィッチング回路とを具備することを特徴とするメモリカード。
【請求項４】
請求項１に記載のメモリカードアダプタに挿入される請求項２に記載のメモリカード。
【請求項５】
基板上に実装された不揮発性メモリ機能とＩＣカード機能と不揮発性メモリコントロール機能とを具備する少なくとも一つの集積回路と、接続されるメモリカードアダプタの出力に応じて前記集積回路への入力を制御するスィッチング回路とを有するメモリカードが装着されるメモリカードスロットと、
非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子と、
メモリカード外部端子と、
リーダライタとの通信のためのアンテナコイルと、
携帯電話機能と、
前記携帯電話機能に使用するアンテナと、
認証情報もしくは認証ステータスを表示する画面とを具備することを特徴とするメモリカードアダプタ。
【請求項６】
請求項５に記載のメモリカードアダプタにおいて、
前記メモリカードスロットに装着された前記メモリカード内の前記認証情報もしくは前記認証ステータスを前記画面上に表示する認証ボタンをさらに具備することを特徴とするメモリカードアダプタ。
【請求項７】
基板上に実装された不揮発性メモリ機能とＩＣカード機能と不揮発性メモリコントロール機能を具備する少なくとも一つの集積回路と、接続されるメモリカードアダプタの出力に応じて前記集積回路への入力を制御するスィッチング回路とを有するメモリカードが装着されるメモリカードスロットと、
非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子と、
メモリカード外部端子と、
リーダライタとの通信のためのアンテナコイルと、
認証情報もしくは認証ステータスを表示する画面と、
電源装置とを具備することを特徴とするメモリカードアダプタ。
【請求項８】
請求項７に記載のメモリカードアダプタにおいて、
前記メモリカードスロットに装着された前記メモリカード内の前記認証情報もしくは前記認証ステータスを前記画面上に表示する認証ボタンをさらに具備することを特徴とするメモリカードアダプタ。
【請求項９】
基板上に不揮発性メモリと、ＩＣカードモジュールと、不揮発性メモリコントローラとを具備する少なくとも一つの集積回路が実装されたメモリカードであって、
前記メモリカードは、さらに非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子と、メモリカード外部端子と、接続するメモリカードアダプタもしくはリーダライタの出力に応じて前記集積回路への入力を制御するスィッチング回路と、
複数のＲＦ周波数モジュールと、
前記複数のＲＦ周波数モジュールと前記非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子との接続を制御するＲＦスイッチング回路と、
前記非接触ＩＣカードアンテナコイル接続端子を介して通信する複数のＲＦ周波数モジュールを前記ＲＦスイッチング回路により切り替え、電子決済機器のホストとのアクセスによる電子決済機能とを有することを特徴とするメモリカード。
【請求項１０】
請求項９記載のメモリカードと通信を行い前記メモリカードにコマンドを出力する端末装置。
【請求項１１】
前記メモリカードのＲＦパワーを増幅して他の装置へ伝達する増幅回路を有する請求項１０記載の端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上に送信されるメッセージをモニタして取り込むメッセージ受信部と、
メッセージに対する反応であるアクション内容とメッセージとの関係を記憶するメッセージ・アクション反応関係記憶部と、
前記メッセージ・アクション反応関係に従ってアクションを実行するアクション実行部と、
ネットワーク上でやり取りされるメッセージパターンを探索キーとして当該メッセージパターンを入出力のメッセージパターンとして持つメッセージ・アクション反応関係を探索するオブジェクト探索部を備え、
第１のメッセージ・アクション反応関係を始点として第２のメッセージ・アクション反応関係に至るメッセージ・アクション反応関係を形成するにあたり、前記オブジェクト探索部は、前記第１のメッセージ・アクション反応関係の出力メッセージパターンと前記第２のメッセージ・アクション反応関係の入力メッセージパターンを探索キーとして、当該メッセージパターンと連携するメッセージ・アクション反応関係を前記メッセージ・アクション反応関係記憶部から探索することにより、前記第１のメッセージ・アクション反応関係を始点として前記第２のメッセージ・アクション反応関係に至るメッセージ・アクション反応関係を形成することを特徴とするオブジェクト連携装置。
【請求項２】
ネットワーク上のコンピュータを、
ネットワーク上に送信されるメッセージをモニタして取り込むメッセージ受信部と、
メッセージに対する反応であるアクション内容とメッセージとの関係を記憶するメッセージ・アクション反応関係記憶部と、
前記メッセージ・アクション反応関係に従ってアクションを実行するアクション実行部と、
ネットワーク上でやり取りされるメッセージパターンを探索キーとして当該メッセージパターンを入出力のメッセージパターンとして持つメッセージ・アクション反応関係を探索するオブジェクト探索部を備え、
第１のメッセージ・アクション反応関係を始点として第２のメッセージ・アクション反応関係に至るメッセージ・アクション反応関係を形成するにあたり、前記オブジェクト探索部は、前記第１のメッセージ・アクション反応関係の出力メッセージパターンと前記第２のメッセージ・アクション反応関係の入力メッセージパターンを探索キーとして、当該メッセージパターンと連携するメッセージ・アクション反応関係を前記メッセージ・アクション反応関係記憶部から探索することにより、前記第１のメッセージ・アクション反応関係を始点として前記第２のメッセージ・アクション反応関係に至るメッセージ・アクション反応関係を形成するオブジェクト連携装置として機能させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上に送信されるメッセージをモニタして取り込むメッセージ受信部と、
メッセージに対する反応であるアクション内容とメッセージとの関係を記憶するメッセージ・アクション反応関係記憶部と、
前記メッセージ・アクション反応関係に従ってアクションを実行してメッセージを出力するアクション実行部と、
前記メッセージ受信部が取り込んだメッセージの受理可能範囲を入力メッセージパターン情報とし、前記アクション実行部によるメッセージの出力可能範囲を出力メッセージパターン情報として、前記入力メッセージパターン情報と出力メッセージパターン情報の連携関係を提示するオブジェクト連携関係提示部とを備えたことを特徴とするオブジェクト連携装置。
【請求項２】
それぞれのメッセージ・アクション反応関係ごとに、受信したメッセージに対応するアクションが実行されるためのメッセージ・アクション反応条件が設定されており、
前記オブジェクト連携関係提示部が、前記連携関係と共に、前記メッセージ・アクション反応条件を提示する、請求項１に記載のオブジェクト連携装置。
【請求項３】
前記オブジェクト連携関係提示部は、アクションを表すアイコンと、前記アクション間のメッセージを表すリンクとによって、前記メッセージ・アクション反応関係を可視化して提示する、請求項１または２に記載のオブジェクト連携装置。
【請求項４】
前記オブジェクト連携関係提示部は、前記メッセージ・アクション反応関係をテーブルとして提示する請求項１または２に記載のオブジェクト連携装置。
【請求項５】
前記オブジェクト連携関係提示部は、前記入力メッセージパターン情報と出力メッセージパターン情報をタグとして記述し、前記メッセージ・アクション反応関係を前記タグを含むプログラム記述言語により提示する請求項１または２に記載のオブジェクト連携装置。
【請求項６】
前記オブジェクト連携関係提示部が、前記ネットワークに接続された他のオブジェクト連携装置に対して当該オブジェクト連携装置が持つメッセージ・アクション反応関係の情報を問い合わせるオブジェクト連携情報問い合わせ機能と、前記他のオブジェクト連携装置への問い合わせに対して当該オブジェクト連携装置から応答されるメッセージ・アクション反応関係の情報を収集するオブジェクト連携情報収集機能と、前記収集したメッセージ・アクション反応関係の情報から前記ネットワークに接続された全てのオブジェクト連携装置におけるメッセージ・アクション反応関係の情報を提示するオブジェクト連携関係提示機能を備えた請求項１または２に記載のオブジェクト連携装置。
【請求項７】
前記オブジェクト連携情報問い合わせ機能からの問い合わせに対し、当該オブジェクト連携装置が持つメッセージ・アクション反応関係の情報を応答するオブジェクト連携情報通知機能を備えた請求項６に記載のオブジェクト連携装置。
【請求項８】
ネットワーク上のコンピュータを、
ネットワーク上に送信されるメッセージをモニタして取り込むメッセージ受信部と、
メッセージに対する反応であるアクション内容とメッセージとの関係を記憶するメッセージ・アクション反応関係記憶部と、
前記メッセージ・アクション反応関係に従ってアクションを実行してメッセージを出力するアクション実行部と、
前記メッセージ受信部が取り込んだメッセージの受理可能範囲を入力メッセージパターン情報とし、前記アクション実行部によるメッセージの出力可能範囲を出力メッセージパターン情報として、前記入力メッセージパターン情報と出力メッセージパターン情報の連携関係を提示するオブジェクト連携関係提示部とを備えたオブジェクト連携装置として機能させるためのプログラムを記録したことを特徴とする、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置と入力装置とを備え、該表示装置にデータ入力用の画面領域を表示しつつ、該画面領域の内容に従う前記入力装置からの入力データに基づいて、所定の印刷装置における印刷のための各種情報を設定する印刷情報設定装置であって、
前記画面領域内に、前記印刷装置に対応する画像である印刷装置画像と、前記印刷装置への給紙に関わる情報を示す給紙掲示欄と、前記印刷装置からの排紙に関わる情報を示す排紙掲示欄とを関連づけて表示させる表示制御手段
を備える印刷情報設定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導加熱調理器であって、
トッププレートと、
配線基板と、
前記配線基板上に搭載された第１および第２の回路部品と、
前記第１の回路部品に固定されたヒートシンクと、
前記第１および第２の回路部品と前記ヒートシンクとを収容し、吸気口および排気口を有するチャンバと、
前記トッププレートの下方であって、前記チャンバの上に配設された加熱コイルと、
前記トッププレートの下方に、前記加熱コイルに隣接して上方から視認できるように配置された表示部と、
前記チャンバの吸気口に空気を供給して、前記チャンバ内に気流を形成する送風ファンとを備え、
前記第２の回路部品は、前記第１の回路部品の気流下流側に配置され、
前記第１および第２の回路部品を冷却し前記チャンバの排気口から排気された気流を前記表示部下方から前記表示部に向けて上昇させることにより、前記気流を前記表示部裏面に当てることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記チャンバから排気された気流を案内するダクトを設け、
前記表示部は、前記トッププレートと前記ダクト部との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記排気口は、前記チャンバの上面であって前記加熱コイルの下方に配設され、
前記チャンバから排気された気流が、前記加熱コイルと前記表示部とに供給されることを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記チャンバから排気された気流を前記表示部の裏面にガイドするダクトが配設されていることを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】誘導加熱調理器
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜を製造する方法であって、
高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造を主面に有する単結晶基板の、前記主面上において、前記III族窒化物膜を前記針状構造を介して形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
【請求項２】
少なくともAlを含むIII族窒化物膜の製造する方法であって、
サファイア基板を、還元性の窒素元素を含む雰囲気で表面処理することにより、当該基板の主面上に高さ0.5nm〜5nmの針状構造を形成し、
前記主面上において、前記III族窒化物膜を前記針状構造を介して形成することを特徴とするIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項３】
前記針状構造の針状部の密度が１個／μｍ2 以上であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項４】
前記III族窒化物膜は、Ａｌを全III族元素に対して５０原子％以上の割合で含有することを特徴とする、請求項１〜３に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項５】
前記III族窒化物膜は、ＡｌＮから構成されることを特徴とする、請求項４に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項６】
前記III族窒化物膜は、ＣＶＤ法を用いて１１００℃以上の温度で形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項７】
前記III族窒化物膜は、１１００〜１２５０℃で形成することを特徴とする、請求項６に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項８】
前記III族窒化物膜のＸ線ロッキングカーブにおける（００２）面の半値幅が１００秒以下であり、（１０２）面の半値幅が２０００秒以下であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項９】
前記針状構造は、還元性の窒素元素を含む雰囲気で基板表面処理を加えることにより製造することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項１０】
前記還元性の窒素元素を含む雰囲気がアンモニアガス雰囲気であることを特徴とする、請求項９に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
【請求項１１】
所定の単結晶基板と、この単結晶基板の主面上において高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板。
【請求項１２】
前記針状構造の針状部の密度が１個／μｍ2 以上であることを特徴とする、請求項１０に記載のエピタキシャル成長用基板。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載のエピタキシャル成長用基板上に形成されたIII族窒化物膜であって、
少なくともＡｌを含み、Ｘ線ロッキングカーブにおける（００２）面の半値幅が１００秒以下であり、（１０２）面の半値幅が２０００秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。
【請求項１４】
前記III族窒化物膜は、Ａｌを全III族元素に対して５０原子％以上の割合で含有することを特徴とする、請求項１３に記載のIII族窒化物膜。
【請求項１５】
前記III族窒化物膜は、ＡｌＮから構成されることを特徴とする、請求項１４に記載のIII族窒化物膜。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物膜素子用エピタキシャル基板。
【請求項１７】
請求項１３〜１５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月21日(2006.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料基板を載置する試料ステージと、
該試料ステージが設置される真空試料室と、
前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
前記真空試料室内で前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を載
せる試料ホルダと、
前記試料ホルダを搭載し、他の装置に導入可能なホルダ搭載手段と、
前記真空試料室内で前記試料基板より分離した試料片を接続して摘出し前記試料ホルダへ
移送する移送手段とを少なくとも有し、前記真空試料室内で前記試料片と前記移送手段と
を分離できる第一の試料作製装置と、
前記ホルダ搭載手段を介して導入された前記試料片から解析用試料片に加工できる第二
の試料作製装置と、
前記ホルダ搭載手段を介して導入された前記解析用試料片を検査または解析する解析装
置とを有することを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項２】
電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて、
真空試料室内に設置された試料ステージに載置された複数の製造プロセス中の１の製造
プロセス後の試料基板にイオンビームを照射する照射光学系と、前記イオンビームの照射
により前記試料から分離した試料片を摘出できるプローブと、摘出された該試料片を載せ
る前記試真空料室内に設けられた試料ホルダと、当該試料ホルダを搭載するホルダ搭載手
段とを有し、前記試料ホルダに載せられた前記試料片から前記プローブを分離することが
前記真空試料室内で実行可能な第一の試料作製装置と、
前記ホルダ搭載手段を導入して、前記試料ホルダに固定された前記試料片を解析用試料
片に加工できる第二の試料作製装置と、
前記ホルダ搭載手段を導入して、前記試料ホルダに固定された前記解析用試料片を検査
または解析する解析装置とを備え、
前記試料片の摘出された試料基板が、前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻さ
れることを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項３】
試料基板を載置する試料ステージと、
該試料ステージが設置される真空試料室と、
前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
前記真空試料室内で前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を載
せる試料ホルダと、
前記試料ホルダを搭載し、他の装置に導入可能なホルダ搭載手段と、
前記真空試料室内で前記試料基板より分離した試料片を接続して摘出し前記試料ホルダへ
移送する移送手段とを少なくとも有し、前記真空試料室内で前記試料片と前記移送手段と
を分離し、前記試料ホルダに固定された前記試料片に前記イオンビームを照射して、解析
用試料片を作成できる試料作製装置と、
前記ホルダ搭載手段を介して導入された前記解析用試料片を検査または解析する解析装
置とを有することを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて
、
前記試料片を前記第一の試料作製装置の真空を破ることなく取り出すことが可能であるこ
とを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて
、
前記解析装置は透過電子顕微鏡または走査型透過電子顕微鏡であって、前記解析用試料片
の形状、寸法、元素分析、元素濃度のうち少なくともいずれかの解析を行うことを特徴と
する電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項６】
請求項１または３に記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて、前記移
送手段と前記試料片を接続できるデポジションガスを導入する手段を備え、
前記デポジションガスにより接続された前記移送手段と前記試料片との分離を前記イオン
ビームを照射することにより行うことを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析シ
ステム。
【請求項７】
請求項２に記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて、前記プローブと
前記試料片を接続できるデポジションガスを導入する手段を備え、
前記デポジションガスにより接続された前記プローブと前記試料片との分離を前記イオン
ビームを照射することにより行うことを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析シ
ステム。
【請求項８】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて、
前記試料ホルダに前記試料片を複数個載せられることを特徴とする電子部品製造プロセス
の検査・解析システム。
【請求項９】
請求項１または３に記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて、
前記試料基板は電子部品製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板であって、前記
試料片が取り出された後に前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻すことを特徴と
する電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項１０】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて
、
前記試料基板はウェーハであることを特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析シス
テム。
【請求項１１】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおいて
、
前記解析装置による解析結果を前記電子部品製造プロセスに反映させる手段を備えること
を特徴とする電子部品製造プロセスの検査・解析システム。
【請求項１２】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおい
て、
前記ホルダ搭載手段はホルダカセットであることを特徴とする電子部品製造プロセスの
検査・解析システム。
【請求項１３】
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品製造プロセスの検査・解析システムにおい
て、
前記ホルダ搭載手段はサイドエントリ型ステージであることを特徴とする電子部品製造プ
ロセスの検査・解析システム。
【請求項１４】
真空試料室内の試料基板にイオンビームを照射して該試料基板から試料片を切り出し、
該試料片をプローブによって前記試料基板より取り出し、前記真空試料室内の試料ホルダ
へ載せ、前記真空試料室内において当該試料ホルダへ載せられた前記試料片と前記プロー
ブとを分離することが前記真空試料室内において実行可能な第一の試料作製装置と、
前記試料片を解析用試料片に加工できる第二の試料作製装置と、
前記解析用試料片を検査または解析する解析装置とを備えることを特徴とする電子部品
製造プロセスの検査・解析システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】透光性樹脂１００重量部に対し０．１〜１０重量部の透光性微粒子を配合した基材層樹脂の片面もしくは両面に、透光性樹脂１００重量部に対し帯電防止剤０．１〜２重量部及び扁平率が５０％以下である鱗片形状を有する無機微粉１０〜２０重量部を配合した皮膜層樹脂を積層させたシートからなる光源カバー。
【請求項２】透光性樹脂１００重量部に対して０．１〜６重量部の透明性微粒子を配合してなる請求項１に記載の光源カバー。
【請求項３】該帯電防止剤が界面活性剤であることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の光源カバー。
【請求項４】該皮膜層の厚みが５〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光源カバー。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを訓練するための装置であって、
それぞれが複数の細長いバネ接触要素を含む複数の半導体デバイスと、
複数の端子を含む支持基板と、
前記端子をテスト装置に接続するためのテスト接続手段と、
それぞれが複数のソケット及び複数のトレースを含む、前記支持基板に配置されている複数のソケット基板と、該トレースのそれぞれが前記ソケットの１つに電気的に接続され、
前記トレースの１つを前記端子の１つと電気的に接続するための手段と、
前記バネ接触要素１つを前記ソケットの１つに対して押し付ける手段とからなり、
前記バネ接触要素が逆のバネ力を発生し、それによって前記ソケットとの圧力接続が形成され、
前記複数の半導体デバイスが、単一化されていない半導体ウエハーのダイである装置。
【請求項２】
各ソケット基板が前記ダイの１つに対応する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記支持基板がプローブカードアセンブリの一部をなす請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記支持基板が、中継部材を介してプローブカードに電気的に接続され、前記支持基板、該中継部材、該プローブカードが、前記プローブカードアセンブリを構成する請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記テスト装置が、前記半導体デバイスの機能をテストするためのテスト信号を供給する請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記テスト装置が前記半導体デバイスに電力を供給し、さらに前記半導体デバイスの温度を制御するように配置されている温度制御装置を含む請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記温度制御装置が、
前記半導体デバイスと熱接触する第１のサーマルチャックと、
前記ソケット基板と熱接触する第２のサーマルチャックとを含む請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記複数の半導体デバイスが、単一化されていない半導体ウエハーのダイであり、
前記ソケット基板が、前記支持基板上に列をなして配置され、さらに、それぞれがソケット基板の前記列の１つに対応して、前記列内の全てのソケット基板に電力を供給する、前記支持基板上に配置されている複数の電力ラインを含む請求項１に記載の装置。
【請求項９】
それぞれが前記電力ラインの１つと前記ソケット基板の１つとの間に配置されている複数の分離抵抗をさらに含む請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記押し付ける手段が、テストヘッド又は真空チャックの１つを含む請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記トレースの１つを前記端子の１つと電気的に接続するための手段が、それぞれが前記トレースの１つ及び前記端子の１つとボンディングされている複数のボンディングワイヤを含む請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ソケットが、対応するソケット基板の表面にエッチングされているピットからなる請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ソケット基板がシリコンからなる請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記複数の細長いバネ接触要素が、約127マイクロメートル（約５ミル）未満の間隔を有する請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
透光性電極をIII族窒化物系化合物半導体層の上に形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記III族窒化物系化合物半導体層の上の前記透光性電極を形成していない部分に形成された、前記透光性電極とボンディングワイヤを電気的に接続する厚膜電極を有し、
当該厚膜電極の下部の前記III族窒化物系化合物半導体層上に緑色、青色乃至紫外光を反射する光反射金属層を形成したことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の手段によれば、透光性電極をIII族窒化物系化合物半導体層の上に形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、III族窒化物系化合物半導体層の上の透光性電極を形成していない部分に形成された、透光性電極とボンディングワイヤを電気的に接続する厚膜電極を有し、当該厚膜電極の下部の前記III族窒化物系化合物半導体層上に緑色、青色乃至紫外光を反射する光反射金属層を形成したことを特徴とする。尚、緑色、青色乃至紫外光を反射する光反射金属層とは、緑色、青色乃至紫外光の範囲のいずれかの波長の光について、他の金属に比較して、反射率が高い金属を用いた層のことを言う。この層は一種類の金属で形成しても、種類の異なる金属の多重層としても、或いは一部又は全体が合金化した状態でも良い。尚、光反射金属層と厚膜電極とは同一材料を用いても良い。即ちそれらが一体化して区別がつかないものでも良い。一方光反射金属層と厚膜電極とを異なる材料で形成しても良い。